Judul: Perbandingan Uji Portmanteau Untuk Korelasi Diri Sisaan Pada Model Autoregressive Integrated Moving Average (Arima)
Abstrak: Salah satu tahap dalam melakukan peramalan yaitu pemeriksaan kelayakan suatu model yang disebut dengan tahap diagnostik model. Diagnostik model dapat dilakukan dengan menggunakan suatu uji terhadap korelasi diri sisaan yang dikenal dengan uji portmanteau. Penelitian ini bertujuan untuk membandingkan sensitivitas kelima uji portmanteau yaitu uji Box-Pierce (Q̃ BP), Ljung-Box (Q̃ LB), Monti (Q̃ M), Ljung-Box terboboti (Q̃ WL), dan Monti terboboti (Q̃ WM). Hasil simulasi terhadap perbandingan sensitivitas uji portmanteau pada model Autoregressive Integrated Moving Average (ARIMA) dengan menggunakan indikator kuasa uji menunjukkan bahwa uji Monti terboboti merupakan uji yang paling sensitif terhadap korelasi diri pada sisaan. Uji portmanteau juga memperlihatkan sensitivitas terhadap jumlah lag (m) yaitu semakin menurunnya nilai kuasa uji seiring dengan semakin besarnya nilai m. Uji Monti terboboti diterapkan pada data nilai tukar Rupiah Indonesia (IDR) terhadap Dolar Amerika Serikat (USD) harian 1 Maret 2014 hingga 16 September 2014 dan diperoleh informasi bahwa untuk melakukan peramalan data nilai tukar Rupiah terhadap Dolar Amerika menggunakan model ARIMA(0,1,1).
Keyword: ARIMA, deret waktu, korelasi diri, portmanteau

Judul: Pengembangan Uji Portmanteau untuk Diagnostik Model Deret Waktu
Abstrak: Kecukupan model deret waktu dapat diperiksa berdasarkan sisaannya. Jika model layak maka fungsi autokorelasi sisaan contoh tidak berbeda nyata dengan nol untuk semua lag lebih besar dari satu. Uji yang digunakan untuk memeriksa apakah k pertama autokorelasi sisaan sama dengan nol adalah uji portmanteau yang diperkenalkan pertama kali oleh Box-Pierce pada tahun 1970. Dalam perkembangannya, uji ini mengalami perbaikan dan menerima usulan antara lain oleh Ljung-Box (1978), Monti (1994) dan Pena-Rodriquez (2002). Penelitian ini bertujuan untuk melihat kesensitifan ketiga uji portmanteau yaitu uji portmanteau Ljung-Box (QLB), uji portmanteau Monti (QMT) dan uji portmanteau Pena-Rodriquez (Dm). Penelitian dilakukan dengan simulasi dengan membangkitkan 36 model ARMA (p,q) dengan ukuran contoh 100 dan 30 sebanyak 10 000 ulangan. Hasil memperlihatkan dari 36 model ARMA (p,q) yang di-fit dengan model AR (1) atau MA (1) atau ARMA (1,1), uji Dm merupakan uji yang paling sensitif dibandingkan dengan kedua uji yang lain. Uji QLB memberikan hasil yang hampir sama dengan uji QMT untuk lag kecil dan hasil yang lebih sensitif pada lag besar. Tetapi uji QMT terbukti lebih sensitif ketika model alternatif memiliki order MA yang lebih tinggi.
Keyword: 

Judul: Elektrodeposisi Film Tipis Semikonduktor Cu2ZnSnS4 (CZTS) pada Substrat Kaca ITO
Abstrak: Semiconductor Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film that can be used as absorber layers on solar cell module was made via electrodeposition method. CZTS thin film was electrodeposited on the surface of a silicate glass coated with a thin layer of indium tin oxide (ITO). Deposition process was done using potentiostatic mode at room temperature with a potential of 1.05 V for 30, 45, and 60 minutes, followed with annealing the film at 2 different temperatures, 500 ºC using furnace and 180 ºC using hot plate, both treatments for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. The X-ray difractograms were analyzed using Match 2 program and showed that the CZTS thin films had kesterit crystalline structure, with a low percentage of CZTS phase. The thin film also contained secondary phases such as Cu2S, ZnS, and SnS. The obtained CZTS thin films had a thickness between 1.039 and 1.676 μm. Absorption study showed that the band gap energy of CZTS thin films which was annealed using furnace ranged from 1.50 to 1.52 eV, whereas that annealed using the hot plate was not observed. The band gap energy value showed that CZTS thin films can be used as sunlight absorber layers on solar cell. The formation of CZTS crystal film on this investigation was effectively performed using furnace annealing process at a temperature of 500 ºC with deposition time of 45 minutes.
Keyword: Thin film, Electrodeposition, Cu2ZnSnS4