Հերբերտ Կրյոմեր

Հերբերտ Կրյոմեր (գերմ.՝ Herbert Krömer; ծնվել է օգոստոսի 25 1928, Վեյմար, Գերմանիա),  գերմանացի ֆիզիկոս,  2000 թվականի Ֆիզիկայի Նոբելյան մրցանակի կեսը կիսել է Ժորես Ալֆերովի հետ «բարձր արագության և օտտո-էլեկտրոնիկայում օգտագործվող կիսահաղորդչային հետերոկառուցվածքների զարգացման համար», որն օգտագործվում է բարձր հաճախականության և օպտո-էլեկտրոնիկայում։ Մրցանակի երկրորդ կեսը շնորհվել է Ջեք Քիլբիին «Ինտեգրալ սխեմաների հայտնաբերմանը մասնակցության համար»։
ԱՄՆ ճարտարագիտական ազգային ակադեմիայի օտարերկրյա անդամ է 1997 , իսկ  ԱՄՆ գիտությունների ազգային ակադեմիայի օտարերկրյա անդամ 2003 թվականից ։


== Կենսագրություն ==
Համալսարանի նախապատրաստական ​​դասընթացները ավարտելով, Հերբերտ Կրյոմերը սկսել է ֆիզիկա ուսումնասիրել Ենայի համալսարանում, որտեղ, նա մասնակցել է Ֆրիդրիխ Հունդի դասախոսություններին։ 1948-1949 թվականների Բեռլինի պաշարման ժամանակ Կրյոմերը պրակտիկայի է եղել Բեռլինում և օգտվել է հնարավորությունից՝ փախչելու արևմուտք։ Դրանից հետո ուսումը շարունակել է Գյոթինգենի համալսարանում։ 1952 թվականին նա պաշտպանել է իր թեզը տեսական ֆիզիկայում տրանզիստորներում տաք էլեկտրոններիների ազդեցության վերաբերյալ։ Դրանից հետո Կրյոմերն աշխատել է որպես «կիրառական տեսաբան», ինչպես ինքն է իրեն անվանել, գերմանական դաշնային փոստի հեռարձակման տեխնիկական կենտրոնում։ 1954 թվականին տեղափոխվել է ԱՄՆ և աշխատել այնտեղ Փրինսթոնի և Պալո Ալտոյի տարբեր հետազոտական ​​հաստատություններում։ 1968-1976 թվականներին Կրյոմերը դասավանդել է Կոլորադոյի համալսարանում որպես պրոֆեսոր, այնուհետև տեղափոխվել է Սանտա Բարբարայի Կալիֆոռնիայի համալսրան։


== Ձեռքբերումներ ==
Հերբերտ Կրյոմերը երբեք չի աշխատել ֆիզիկայի «նորաձև» ոլորտներում։ Նա նախընտրում է ոլորտներ, որոնց նշանակությունը պարզ է դարձել միայն երկար տարիներ անց։ Օրինակ, նա 1950-ականներին հրապարակել է հոդվածներ երկբևեռ տրանզիստորի հիմունքների վերաբերյալ՝ հիմնված հետերկառուցվածքների վրա, որոնք կարող էին գործել գիգահերց հաճախականության տիրույթում։ 1963 թվականին նա մշակել է լազերների սկզբունքները՝ հիմնված կրկնակի հետերոկառուցվածքների վրա՝ հիմնված կիսահաղորդիչային լազերների վրա։ Այս երկու գործերն էլ տարիներով առաջ էին իրենց ժամանակից և գործածության մեջ են մտել միայն 1980-ականներին՝ էպիտաքսիայի մշակմանը զուգահեռ։
Սանտա Բարբարայում գտնվելու ընթացքում նա իր հետաքրքրությունները տեղափոխել է փորձարարական ոլորտ։ 1970-ականներին Կրյոմերը ներգրավված է եղել մոլեկուլային էպիտաքսիայի մշակման մեջ, որտեղ նա ուսումնասիրել է նյութերի նոր համակցություններ, ինչպիսիք են GaP և GaAs սիլիկոնային ենթաշերտի վրա։ 1985 թվականից հետո Կրյոմերը սկսել է հետաքրքրվել InAs, GaSb և AlSb համակցություններով։
2000 թվականին Ժորես Ալֆերովի և Ջեք Քիլբիի հետ արժանացել է ֆիզիկայի Նոբելյան մրցանակի։


== Պարգևներ ==
Ջ․ Ջ․ Էբերսի մրցանակ, IEEE-ից, 1973
Հենրիխ Վելկերի ոսկե մեդալ GaAs-ի միջազգային սիմպոզիումից, 1982
Էլեկտրոնային սարքերի միության վաստակավոր դասախոս, IEEE, 1983
Ջեք Մորտոնի մրցանակ, IEEE, 1986
Հումբոլդտի մրցանակ, 1994
Ֆիզիկայի Նոբելյան մրցանակ, 2000


== Հասարակական գործունեություն ==
2016 թվականին ստորագրել է նամակ՝ կոչ անելով Գրինփիսին, Միավորված ազգերի կազմակերպությանը,  աշխարհի կառավարություններին դադարեցնել գենետիկորեն ձևափոխված օրգանիզմների դեմ պայքարը


== Ծանոթագրություններ ==


== Արտաքին հղումներ ==
«The Nobel Prize in Physics 2000»։ NobelPrize.org (en-US)։ Վերցված է 2022-11-10 
«Profile of Distinction: Herbert Kroemer»։ web.archive.org։ 2014-02-02։ Արխիվացված է օրիգինալից 2014-02-02-ին։ Վերցված է 2022-11-10  
«Transferred electron effective mass modulator - Patent # 5067828 - PatentGenius»։ web.archive.org։ 2016-03-03։ Արխիվացված է օրիգինալից 2016-03-03-ին։ Վերցված է 2022-11-10 
«Method for growing tilted superlattices - Patent # 5013683 - PatentGenius»։ web.archive.org։ 2016-03-03։ Արխիվացված է օրիգինալից 2016-03-03-ին։ Վերցված է 2022-11-10 
Brar B., Sullivan G.J., Asbeck P.M. (2001-11)։ «Herb's bipolar transistors»։ էջեր 2473–2476։ doi:10.1109/16.960370։ Վերցված է 2022-11-10 
Bullis W.M., Runyan W.R. (1967-02)։ «Influence of mobility and lifetime variations on drift-field effects in silicon-junction devices»։ էջեր 75–81։ doi:10.1109/T-ED.1967.15902։ Վերցված է 2022-11-10