Շերտավոր հաղորդման գծեր

Շերտավոր գծերը պատրաստվում են դիէլեկտրիկի սկավառակի վրա հաղորդող շերտերի անցկանցմամբ։ Տարբերում են սիմետրիկ և ոչ սիմետրիկ միկրոշերտավոր գծեր։ Սիմետրիկ շերտավոր գիծը բաղկացած է բարակ մետաղյա թիթեղից, որ գտնվում է համասեռ դիէլեկտրիկում, որը տեղադրված է, ինչպես բուտերբրոդում, երկու հողակցված թիթեղների արանքում։ Սիմետրիկ շերտավոր գծերը, առհասարակ, օգտագործվում են հարյուրավոր Մհց գերազանցող հաճախությունների դեպքում, այնտեղ ուր տեղակայված է բաշխված պարամետրերով հիբրիդային շղթաներ են պատրաստվում և այն դեպքում, երբ պետք է ապահովել փոքր չափսեր ու լայն տիրույթ։

Բայց այս գիծը զիջում է ալիքատարային և կոաքսիալ կաբելին հաղորդվող հզորության և շղթայի տարրերի միջև փոխազդեցության մակարդակի տեսակետից։
Միկրոշերտավոր գիծը հաղորդչի շերտ է, որն ամուր և կոշտ հարթակի վրա է գտնվում։ Հարթակը պատրասված է համասեռ դիէլեկտրիկից, նրա արտաքին կողմը մետաղացված է և հողակցված։ Դաշտի կառուցվածքը գծում բավական բարդ է։ Դաշտը տեղակայված է ոչ միայն շերտերի և մետաղացման արանքում, այլ նաև շերտերի վրայի և կողքի օդում։ Այդ պատճառով գծում ոչ թե ալիքի TEM, այլ քվազի-TEM մոդան է։ Ցածր հաճախոթյան դեպքում քվազի-TEM ալիքի տարածման վերլուծությունը բավարար ճշտություննր է տալիս, բայց հաճախության աճի հետ նկատելիորեն մեծանում են դաշտ երկայնակի բաղադրիչները, արտահատիչ է դառնում դիսպերսիան, այսինքն՝ գծի ալիքային դիմադրությունը և դիէլեկտրիկ թափանցելիությունը կախման մեջ են ընկնում հաճախականությունից։
Ենթադրենք՝ հաղորդիչների արանքում փոփոխական լարման ամպիլտուդը U է։
Այդ դեպքում՝

  
    
      
        
          
            
              
                E
                ˙
              
            
          
          
            y
          
        
        =
        
          
            U
            h
          
        
        
          e
          
            −
            j
            γ
            z
          
        
      
    
    {\displaystyle {\dot {E}}_{y}={\frac {U}{h}}e^{-j\gamma z}}
  , 
  
    
      
        
          
            
              
                H
                ˙
              
            
          
          
            x
          
        
        =
        
          
            
              U
              
                
                  ϵ
                
              
            
            
              120
              π
            
          
        
        
          
            1
            h
          
        
        
          e
          
            −
            j
            γ
            z
          
        
      
    
    {\displaystyle {\dot {H}}_{x}={\frac {U{\sqrt {\epsilon }}}{120\pi }}{\frac {1}{h}}e^{-j\gamma z}}
  
Այստեղից 
  
    
      
        S
        =
        h
        ×
        d
      
    
    {\displaystyle S=h\times d}
   կտրվածքով հարթակում ինտեգրմամբ կստանանք տեղափոխվող հզորությունը։

  
    
      
        P
        =
        
          
            1
            2
          
        
        
          ∫
          
            S
          
        
        R
        e
        [
        
          
            
              E
              ˙
            
          
        
        ×
        
          
            
              H
              ˙
            
          
        
        ]
        d
        S
        =
        
          
            
              
                U
                
                  2
                
              
              
                
                  ϵ
                
              
            
            
              240
              π
            
          
        
        (
        
          
            d
            h
          
        
        )
      
    
    {\displaystyle P={\frac {1}{2}}\int _{S}Re[{\dot {E}}\times {\dot {H}}]dS={\frac {U^{2}{\sqrt {\epsilon }}}{240\pi }}({\frac {d}{h}})}
  , Վտ