موضوع مقاله: آلیاژ حافظه‌دار مغناطیسی | مخاطب: عمومی | لحن: دانشنامه‌ای | ساختار: عنوان، مقدمه، 3 بخش، جمع‌بندی | مقاله: | # آلیاژ حافظه‌دار مغناطیسی | مقدمه: مقدمه آلیاژهای حافظه‌دار مغناطیسی مواد فرومغناطیسی هستند که می‌توانند باعث ایجاد حرکت و نیرو تحت میدان‌های مغناطیسی متوسط شوند. | ## بخش 1: آلیاژ حافظه‌دار مغناطیسی | به‌طور معمول، آلیاژهای حافظه‌دار مغناطیسی شامل آلیاژهای نیکل، منگنز و گالیم (Ni-Mn-Ga) هستند. از آن زمان، بهبود در فرایند تولید و درمان دیگر آلیاژها، منجر به تغییر شکل تا ۶٪ برای عناصر تک بلوری تجاری موجود Ni-Mn-Ga حافظه شکل مغناطیسی شده است. همچنین، این مقدار تا ۱۰–۱۲ و ۲۰ درصد برای آلیاژهای جدید در مرحله تحقیق و توسعه افزایش می‌یابد. همچنین زمان کم واکنش، فناوری حافظه شکل مغناطیسی را برای طراحی محرک‌های نوآورانه برای استفاده در پنوماتیک، رباتیک، دستگاه‌های پزشکی و مکاترونیک بسیار جذاب می‌کند.T. این اثر که همراه با تحریک است، می‌تواند برای طراحی حسگرهای جابجایی، سرعت یا نیرو و برداشت کننده‌های انرژی مکانیکی مفید باشد. اثر حافظه شکل مغناطیسی در دمای پایین فاز مارتنزیت آلیاژ رخ می‌دهد؛ جایی که سلول‌های اصلی تشکیل دهنده آلیاژ شکل چهار ضلعی دارند. اگر دما بیشتر از دمای تبدیل مارتنزیت-آستنیت شود، آلیاژ به فاز آستنیت می‌رود که در آن سلول‌های اصلی شکل مکعبی دارند. اثر حافظه شکل مغناطیسی عامل کرنش‌های بزرگ در آلیاژهای حافظه‌دار مغناطیسی، جهت‌گیری مجدد ناشی از میدان مغناطیسی (MIR) است که در شکل ترسیم شده است. مانند سایر مواد فرومغناطیسی، آلیاژهای حافظه‌دار مغناطیسی هنگامی که در معرض یک میدان مغناطیسی خارجی قرار می‌گیرند، خاصیت مغناطیسی ماکروسکوپیک را نشان می‌دهند که از ترازهای مغناطیسی اولیه در امتداد جهت میدان بیرون می‌آید. | ## بخش 2: آلیاژ حافظه‌دار مغناطیسی | با این حال، متفاوت با مواد فرومغناطیسی استاندارد، هم ترازی با چرخش هندسی سلول‌های اصلی تشکیل دهنده آلیاژ به دست می‌آید؛ و با چرخش بردارهای مغناطیسی درون سلول‌ها به دست نمی‌آید (مانند انقباض مغناطیسی). توجه داشته باشید که پیچ خوردگی نشان داده شده در شکل فقط برای اهداف تصویری است؛ در حالی که در مواد واقعی، پیچ خوردگی کمتر از ۴ درجه است. از نظر ماکروسکوپی، نیرو مانند میدان مغناطیسی عمل می‌کند و به چرخش سلول‌های اصلی کمک می‌کند و بسته به کاربرد آن در سیستم مختصات مرجع، باعث افزایش یا کاهش طول می‌شود. فرآیندهای افزایش و کاهش طول در شکل نشان داده شده است که به عنوان مثال، افزایش طول به صورت مغناطیسی و کاهش طول به صورت مکانیکی به دست می‌آید. چرخش سلول‌ها نتیجه ناهمسانگردی مغناطیسی بزرگ آلیاژهای حافظه‌دارمغناطیسی و تحرک بالای نواحی داخلی است. به زبان ساده، یک عنصر حافظه‌دار مغناطیسی توسط مناطق داخلی تشکیل شده است که هر کدام جهت سلول‌های اصلی متفاوتی دارند (مناطق در شکل با رنگ‌های سبز و آبی نشان داده شده‌اند). اعمال یک میدان مغناطیسی یا یک تنش خارجی، مرزهای متغیرها را که به مرزهای دوقلو نامیده می‌شوند، تغییر می‌دهد و در نتیجه به نفع یک یا دیگری است. هنگامی که عنصر کاملاً منقبض یا کاملاً کشیده می‌شود، تنها توسط یک متغیر تشکیل می‌شود و گفته می‌شود که در یک حالت واحد قرار دارد. در امتداد یک جهت ثابت، اگر عنصر در حالت انقباض یا در حالت افزایش طول باشد، خاصیت مغناطیسی عنصر حافظه‌دار مغناطیسی متفاوت است. | ## بخش 3: آلیاژ حافظه‌دار مغناطیسی | ناهمسانگردی مغناطیسی تفاوت بین انرژی مورد نیاز برای مغناطیسی کردن عنصر در حالت تک متغیر انقباض و در حالت تک متغیر افزایش طول است. مقدار ناهمسانگردی به حداکثر بازده کاری آلیاژ حافظه‌دار مغناطیسی و در نتیجه به کرنش و نیروی موجود که می‌تواند برای کاربردها استفاده شود مربوط می‌شود.L. خواص ویژگی‌های اصلی اثر حافظه شکل مغناطیسی برای عناصر تجاری موجود در خلاصه می‌شود (جایی که جنبه‌های دیگر فناوری و کاربردهای مرتبط شرح داده شده است): کرنش تا ۶ درصد حداکثر تنش ایجاد شده تا ۳ مگاپاسکال حداقل میدان مغناطیسی برای حداکثر کرنش: ۵۰۰ کیلوآمپر بر متر کرنش کامل (۶٪) تا ظرفیت ۲ مگاپاسکال خروجی در واحد حجم حدود ۱۵۰ کیلوژول بر متر مکعب بازده انرژی (تبدیل بین انرژی مغناطیسی ورودی و کار مکانیکی خروجی) حدود ۹۰٪ تنش اصطکاک داخلی حدود ۰٫۵ مگاپاسکال فعال سازی مغناطیسی و حرارتی دمای کاری بین -۴۰ تا ۶۰ درجه سانتی‌گراد تغییر در نفوذپذیری مغناطیسی و مقاومت الکتریکی در طول تغییر شکل توسعه آلیاژها آلیاژهای استاندارد آلیاژهای نیکل-منگنز-گالیم (Ga-Mn-Ni) هستند؛ این آلیاژها از سال ۱۹۹۶ که نخستین اثر حافظه شکل مغناطیسی چاپ شده است در حال بررسی می‌باشند. انگیزه اصلی توسعه و آزمایش مداوم آلیاژهای جدید، دستیابی به خواص ترمومغناطیسی مکانیکی پیشرفته است؛ مانند اصطکاک داخلی کمتر، دمای تبدیل بالاتر و دمای کوری بالاتر که امکان استفاده از آلیاژهای حافظه‌دار مغناطیسی را در چندین محصول فراهم می‌کند. کاربردها عملکرد و ویژگی‌های آلیاژ حافظه‌دار مغناطیسی بین مواد SMA کلاسیک و مواد پیزوالکتریک است. با این وجود، برای استفاده مؤثر از آن‌ها، در نظر گرفتن ویژگی‌های خاص آنها (هیسترزیس، مغناطیسی مکانیکی کوپلینگ)، لازم است. یک مدل حرارتی-مغناطیسی-مکانیکی از این محرک در حال حاضر در حال توسعه است و بر روی طراحی قوانین کنترل کارآمد که به خوبی با شرایط خاص آلیاژ حافظه‌دار مغناطیسی سازگار است کار می‌شود. | ## جمع‌بندی | همچنین، عناصر محرک حافظه شکل مغناطیسی را در جایی که حرکت سریع و دقیق مورد نیاز است می‌توان استفاده کرد.