موضوع مقاله: زدایش (ریزساخت) | مخاطب: عمومی | لحن: دانشنامه‌ای | ساختار: عنوان، مقدمه، 3 بخش، جمع‌بندی | مقاله: | # زدایش (ریزساخت) | مقدمه: زدایش یک فرایند فوق حیاتی در ساخت ویفرهاست و هر ویفر قبل از آماده شدن چندین مرتبه «زدایش» می‌شود. | ## بخش 1: زدایش (ریزساخت) | در بسیاری از مراحل زدایش، از یک ماده به عنوان «ماسک» یا «محافظ» که در مقابل ماده خورنده مقاوم است استفاده می‌شود تا قسمت‌هایی خاصی تحت تأثیر قرار نگیرد. در بعضی موارد ماده مورد استفاده برای ماسک، یک لاک نوری است که توسط فرایند طرح‌نگاری نوری الگوی مورد نظر ایجاد می‌شود. در اصل در فرایند تولید یک ریزساختار ابتدا ماسک مورد نظر که معمولاً لایه‌ای از کروم بر روی یک لایه شیشه است با کمک یک لایهٔ نگاتیو مانند، طرح دلخواه را پیدا می‌کند. سپس از این ماسک برای ساخت الگوی مورد نظر بر روی لایه فیلم نازک با استفاده از طرح‌نگاری‌نوری استفاده می‌شود. بعد از این مرحله است که فرایند زدایش به منظور پیش روی در زیر لایه فیلم نازک و درون ویفر پایه سیلیکون آغاز می‌شود. مزایا و معایب به منظور ایجاد یک حفره در یک ماده به کمک «زدایش» می‌توان عمق این حفره را با توجه به زمان فرایند و همچنین نرخ «زدایش» مشخص کرد. در حالت کلی، در «زدایش» بالاترین لایه ماده باید به‌طور کلی از بین برود بدون آنکه به لایه‌های زیرین آسیبی برسد. (گزینندگی) در بعضی فرایندهای زدایش، لایه ماسک زیربرش می‌شود و دیواره‌های شیبداری زیر ماسک شکل می‌گیرد. به فاصله‌ای از سطح زیرین ماسک که توسط ماده شیمیایی خورده شده‌است «بایاس» می‌گویند. به مواد شیمیایی که موجب به وجود آمدن بایاس زیادتری می‌شوند، همسان‌گرد می‌گویند، چرا که این مواد لایه زیرین ماسک را در همه جهات به‌طور یکسان از بین می‌برند. در فرایندهای نوین‌تر، به دلیل تمایل به ایجاد خوردگی‌های دقیق با دیواره‌های تیزتر، استفاده از مواد ناهمسان‌گرد ارجحیت دارد. | ## بخش 2: زدایش (ریزساخت) | گزینندگیجایگزین=|بی‌قاب|179x179پیکسللایهٔ آبی رنگ: لایه ای که باید باقی بماند در زدایش گزینندگی ضعیف، لایه سطحی از بین می‌رود اما به لایه زیرین نیز آسیب می‌رسد. در زدایش گزینندگی دقیق، لایه سطحی از بین می‌رود بدون اینکه سطح زیرین آسیب ببیند.همسان‌گردیجایگزین=|بی‌قاب|169x169پیکسللایه قرمز رنگ: لایه ماسک لایه زرد رنگ: لایه‌ای که باید حذف شود. فناوری و محیط زدایش دو نوع روش اصلی زدایش‌گری (ماده خورنده) عبارتند از: فاز-مایع (مرطوب) و فاز-پلاسما (خشک). جایگزین=|چپ|354x354پیکسل زدایش مرطوب در اولین فرایندهای زدایش از مواد فاز مایع (مرطوب) استفاده شده‌است. ویفر در حمامی از ماده خورنده غوطه ور می‌شود در حالی که برای دستیابی به کنترل خوبی از فرایند، ماده خورنده در حالت شناوری و آشفتگی است. برای نمونه، یک ساختار دولایه شامل سیلیکن دی‌اکسید بر روی زیرلایه سیلیکُن توسط هیدروفلوئوریک اسید زدایش می‌شود. موادی که در این روش استفاده می‌شوند معمولاً همسان‌گرد هستند که موجب پدیدار شدن بایاس زیادی می‌شوند. به عنوان روش جایگزین غوطه وری، با در نظر گرفتن اصل برنولی (اگر سرعت یک سیال افزایش پیدا کند، فشاری که بر یک سطح وارد می‌کند کاهش می‌یابد و وارون آن نیز برقرار است)، یک طرف ویفر توسط یک ماده گازی مثل نیتروژن خالص احاطه می‌شود تا از آن محافظت کند در حالی که ماده خورنده تنها به سمت دیگر ویفر اعمال شده‌است. زدایش ناهمسانگرد این روش از خاصیت بلوری مواد برای زدایش در جهت دلخواه بهره می‌برد. در این روش ماده خورنده در جهات مختلف با سرعت‌های مختلف عملیات زدایش روی ویفر را انجام می‌دهد. عبارت «زدایش بلورنگاری» به معنای زدایش ناهمسان‌گرد در راستای صفحه‌های کریستال است. | ## بخش 3: زدایش (ریزساخت) | برای برخی از موادی که خاصیت بلوری ندارند، مانند شیشه، روش‌های غیرمتعارفی وجود دارد که همانند روش‌های ناهمسان‌گرد زدایش انجام شود. در ویفرهای سیلیکن تک بلوری، اتم‌های سیلیکن در به صورت یک شبکه بلوری کنار یکدیگر قرار گرفته‌اند. در نتیجه سرعت زدایش مواد در جهت‌های مختلف با توجه به صفحه‌های بلوری می‌تواند متفاوت باشد. در یک فرایند زدایش ناهمسان‌گرد موفق، سرعت زدایش ماده خورنده و جهت قرارگیری صفحات کریستال باید هماهنگ باشد. در این روش به جای دیواره‌ها و لبه‌های منحنی، دیواره‌هایی مستقیم با دقت بالا می‌تواند ایجاد شود. زدایش پلاسما در شاخهٔ یکپارچه سازی در مقیاس کلان به جای استفاده از روش زدایش مرطوب از روش پلاسما استفاده می‌شود. در این روش به جای استفاده یک مایع شیمیایی خورنده، از پلاسما یا یک گاز خورنده برای زدایش استفاده می‌شود. زدایش‌گرهای پلاسما با اعمال تغییرات در پارامترهای پلاسما در حالت‌های مختلفی می‌توانند عمل کنند. پلاسما رادیکال‌های آزاد پرانرژی، بدون بار، آزاد می‌کند و این رادیکال‌های آزاد در سطح ویفر واکنش می‌دهند. | ## جمع‌بندی | به دلیل خنثی بودن این ذرات جهت حرکت و حمله آن‌ها به سمت ویفر در زوایای مختلفی انجام می‌شود.