موضوع مقاله: ممریستور | مخاطب: عمومی | لحن: دانشنامه‌ای | ساختار: عنوان، مقدمه، 3 بخش، جمع‌بندی | مقاله: | # ممریستور | مقدمه: ممریستور در ابعاد و مقیاس نانو ساخته شده و مقاومت آن به دامنه ، پلاریته و مدت زمان ولتاژ اعمال شده به آن بستگی دارد . | ## بخش 1: ممریستور | منحنی هیسترتیک جریان – ولتاژ در ممریستور باعث می‌شود تا این عنصر بتواند به عنوان یک حافظه مقاومتی غیر فرار عمل کرده و اطلاعات را تا زمانی که ولتاژی با مقدار و پلاریته متفاوتی به آن اعمال شود حتی تا یک سال بعد به یاد آورد . با این حال در سال ۱۹۷۱ ایده حفظ حافظه به صورت تئوری مطرح شد و این پدیده در سال ۲۰۰۸ به عمل انجامید. ممریستور یا مموری رزیستور یک عضو الکتریکی دارای ۲ ترمینال است که در آن یک ارتباط کاربردی بین بار الکتریک و شار مغناطیسی برقرار است. وقتی جریان از یک جهت وارد همین وسیله شود مقاومت الکتریکی افزایش می‌یابد و وقتی جریان از جهت مخالف آن وارد شود مقاومت کاهش می‌یابد. اما زمانی‌که جریان متوقف شد این جزء مدار آخرین مقاومتی را که داشته‌است حفظ می‌کند و وقتی دوباره جریان بار شروع می‌شود، مقاومت مدار به میزان آخرین زمان فعالیت خواهد بود. این وسیله یک عملگر مقاومتی با مقاومت تقریباً خطی است تا زمانی که نمودار جریان بر حسب زمان در یک محدوده خاص باقی بماند. ممریزستور از لحاظ نظری توسط چوا در یک مقاله که در سال ۱۹۷۱ منتشر شد فرمول بندی و نامگذاری شد. در سال ۲۰۰۸ یک گروه در آزمایشگاه HP تولید یک ممریستور متغیر بر پایه لایه‌های نازک را رسماً اعلام کردند. این یعنی ممریستور برای به‌کارگیری در حافظه‌های نانو الکتریک و ساختارهای نورومورفیک کامپیوتر استفاده شود. در مقاله ۱۹۷۱ شن چوا یک مفهوم بین مقاومت و القاگر - خازن را دریافت و ایده ساده و اساسی، مشابه ابزاری مانند ممریستور را از آن الهام گرفت. هرچند رابطه بین ولتاژ و جریان در ممریستور مانند واریستور خطی نیست، اما دانشمندان دیگر هم قبل از او روابط غیر خطی برای شار بار الکتریکی بیان کردند ولی نظریه چوا فراگیرتر بود. مقاومت ممریستور به قسمت صحیح ورودی که به ترمینال آن داده می‌شود، وابسته است (برخلاف واریستور که به مقدار لحظه‌ای ورودی بستگی دارد). این جز مدار میزان جریانی که از آن گذاشته است را به باد می‌آورد، توسط چوا به عنوان ممریستور ناگذاری شد. به عبارت دیگر ممریستور عضوی خنثی از مدار و دارای دو ترمینال است که بتواند رابطه تابعی از جریان بر حسب زمان و ولتاژ بر حسب زمان را حفظ کند. تعریف ممریستور به‌طور خاص بر پایه متغیرهای اصلی مدار یعنی جریان و ولتاژ و رابطه آن‌ها با زمان است. برخلاف این سه جزء مدار (مقاومت، القاگر و خازن) که می‌توانند مقادیر ثابت نسبت به زمان داشته باشند رابطه ممریستور غیر خطی بوده و می‌تواند به صورت تابعی از متغیر مدار یعنی جریان بار خالص بیان شود. در عوض هر وسیله‌ای که نقش تابعی بازی می‌کند که ولتاژ بر حسب جریان یا بر عکسی را بیان می‌نماید. مانند سایر اجزای دوسره مدار (خازن و مقاومت و القاگر) ممریستور ایده‌آل وجود ندارد. از لحاظ سخت‌افزاری، یک ابزار میکروسکوپیک است که می‌تواند شرایط الکتریکی ماقبل خود را حفظ کند و با این ترفند می‌توان، حافظه موقتی را حتی پس از قطع جریان برق، حفظ کرد. تاکنون مقاومت‌ها، قطر لوله ثابتی داشته‌اند اما ممریستور مانند لوله‌ای است که قطرش با میزان و جهت جریان تغییر می‌کند اگر جریان در جهت موافق باشد قطر لوله بیشتر و اگر در جهت مخالف باشد قطر لوله کمتر می‌شود همچنین اگر جریان قطع شود، قطر لوله تا برقراری مجدد جریان ثابت می‌ماند. این ویژگی‌های منحصر به فرد سبب شده، ساخت ممریستور نوید تحولی بزرگتر از تحول اختراع ترانزیستور در قرن بیستم بدهد. جریان مغناطیسی در یک المان پسیو محدودیت‌های فیزیکی کاربرد به عنوان کلید انواع ممریستور ممریستورهای تیتانیوم دی‌اکسید ممریستور اسپینترونیک یین چن (Xin Chen) و زیوبین وانگ، دو محقق در فناوری تولید هارد دیسک در شرکت سیگیت (Seagate Technology)، در بلومینگتون، مینه سوتا در ماه مارس ۲۰۰۹، سه نمونه احتمالی از ممریستورهای مغناطیسی را تشریح نمودند. در یکی ازسه نمونه مقاومت ایجاد شده با چرخش الکترون ها در یک بخش از اشاره گر دستگاه در یک جهت متفاوت نسبت به بخش‌های دیگر "دیوارمیدانی" مرزی را بین دو وضعیت ایجاد می‌کند. الکترون‌های در حال حرکت به سمت دستگاه دارای اسپین خاصی هستند که باعث ایجاد تغییر در حالت مغناطیسی دستگاه می‌شود. تغییر مغناطیسی، به نوبه خود باعث حرکت دیوار میدانی و تغییر مقاومت دستگاه می‌شود. این کار مورد توجه فراوان مطبوعات الکترونیک قرار گرفته‌است که از جمله آن‌ها می‌توان به مصاحبه در رابطه با طیف IEEE اشاره کرد. مقاومت مغناطیسی انتقال گشتاور چرخشی MRAM انتقال گشتاور اسپینی، ابزار شناخته شده‌ای است که رفتار ممریستیو را نشان می‌دهد. این به نوبه خود می‌تواند به وسیله گشتاور چرخشی القا شده توسط جریان بواسطه اتصال کنترل شود. با این حال، طول زمان جریان از طریق اتصال مقدار مورد جریان مورد نیاز را تعیین می‌کند، به‌طور مثال بار الکتریکی شارژ شده از این طریق متغیر اصلی محسوب می‌شود. علاوه بر این، همان‌طور که توسط Krzysteczko و همکاران گزارش شده، اتصالات تونل مغناطیسی بر مبنایMgO رفتار ممریستیو بر اساس راندگی جای خالی اکسیژن در داخل لایه MgO عایق (تعویض مقاومتی) را نشان می‌دهد؛ بنابراین، ترکیب گشتاور چرخشی و تعویض مقاومتی به‌طور طبیعی منجر به ایجاد یک سیستم ممرستیو مرتبه دوم با W = (WI, W2) می‌شود که در آن WI بیان‌کننده وضعیت مغناطیسی اتصال تونل مغناطیسی و W2 نشان دهنده حالت مقاومتی مانع MgO است. توجه داشته باشید که در این مورد در تغییر WI، جریان کنترل شده‌است (گشتاور چرخشی به علت چگالی بالای جریان است) در حالی که در تغییر W2 ولتاژ کنترل شده‌است. سیستم‌های ممریستیو چرخشی مکانیزم اساساً متفاوت برای رفتار ممرستیو توسط یوری وی پرشین و ماسیمیلیانو دی ونترا در مقاله‌ای تحت عنوان "سیستم‌های ممرستیو چرخشی" ارائه شده‌است. نویسندگان نشان می‌دهد که انواع خاصی از سازه‌های اسپینترونیک نیمه هادی متعلق به طبقه گسترده‌ای از سیستم ممرستیو است که توسط چاو و کانگ تعریف شده‌است. مکانیزم رفتار ممرستیو درچنین ساختاری کاملاً بر اساس درجه چرخش الکترون آزادی است که کنترل راحت‌تر حمل و نقل یونی در نانوساختارها را امکان‌پذیر می‌کند. هنگامی که پارامتر کنترل خارجی (مانند ولتاژ) تغییر می‌کند، تنظیم قطبش اسپینی الکترون به خاطر فرایندهای انتشار و رلاکسیون ایجاد شده از سوی پسماند دچار تعویق می‌شود. این نتیجه در پژوهش استخراج چرخشی در رابط نیمه هادی / فرومغناطیس، پیش‌بینی شده اما در شرایط رفتار ممریستیو تشریح نشده‌است. در یک مقیاس زمانی کوتاه، این سازه‌ها تقریباً به عنوان یک ممریستور ایده‌آل رفتار می‌کنند. این نتیجه باعث گسترش طیف وسیعی از برنامه‌های کاربردی اسپینترونیک‌های نیمه هادی و همچنین گسترش استفاده از سیستم‌های ممریستیو می‌شود. سیستم ممریستیو مغناطیسی اگر چه استفاده از کلمه "ممریستور" تشریح نشده‌است، اما مطالعه‌ای بر روی لایه‌های اکسیدی دو لایه بر مبنای منگنیت برای حافظه غیر فرار توسط محققان دانشگاه هوستون در ۲۰۰۱سال انجام شد. برخی از نمودارها مقاومت موزون و تنظیم پذیر بر اساس تعداد پالس ولتاژ اعمال شده مشابه اثرات موجود در دی‌اکسید تیتانیوم مواد ممریستور را نشان می‌دهند این نتایج در مقاله nature" کشف ممریستور از دست رفته "بیان شده‌است. ممریستور دیودی تونل زنی مواج در سال ۱۹۹۴، اف ای بویت و ای کی راجاگوپال در آزمایشگاه تحقیقات نیروی دریایی ایالات متحده نشان دادند که ویژگی ‌"جریان- ولتاژ" پاپیون مانند (I-V) در دیود کوانتومی AIAs / OaAs / AIAs، شامل طراحی دوپینگ خاصی از لایه‌های جداکننده در توافق با نتایج تجربی انتشار یافته رخ می‌دهد. این ویژگی جریان- ولتاژ پاپیون مانند' (I-V) مشخصه یک ممریستور است اگر چه اصطلاح ممریستور در مقالات به صراحت مورد استفاده قرار نگرفته‌است. برخی کاربردها ممریستورهای حالت جامد ویلیامز می‌توانند در ابزارهایی به نام چفت‌های افقی، که می‌تواند ترانزیستورها را در رایانه‌های آینده جایگزین کند و فضای اندکی را به خود اختصاص دهد ترکیب شوند. این ممریستورها همچنین می‌توانند در حافظه غیر فرار، حالت جامد قرار بگیرند این حالت حجم اطلاعات بیشتری را نسبت به هارد دیسک‌های با زمان دسترسی بالقوه و مشابه به DRAM، در هر دو جزء امکان‌پذیر می‌کند. HP نمونه آزمایشی یک حافظه‌ای با استفاده از دستگاه‌هایی که می‌تواند ۱۰۰ گیگابایت را در یک سانتیمتر مربع قرار دهد مدلسازی کرد و طرح سه بعدی با مقیاس‌پذیری بالایی را طراحی نمود (متشکل از ۱۰۰ لایه یا ۱ پتابیت در هر سانتی‌متر مکعب). HP گزارش کرده‌است که نسخه ممریستور آن در حال حاضر حدود یک دهم سرعت DRAM خواهد بود. | ## بخش 2: ممریستور | مقاومت دستگاه با جریان متناوب بازخوانی می‌شود به‌طوری‌که مقادیر ذخیره شده تحت تأثیر قرار نگیرند. برخی از اختراع ثبت شده مربوط به ممریستورها به نظر می‌رسد که شامل برنامه‌های کاربردی در منطق برنامه‌ریزی، پردازش سیگنال، شبکه‌های عصبی و سیستم‌های کنترل باشد. به تازگی، یک مدار الکترونیکی ساده متشکل از یک شبکه LC و ممریستور برای مدلسازی آزمایش‌ها در رفتار سازشی ارگانیسم‌های تک سلولی مورد استفاده قرار گرفته‌است. نتایج نشان داد که که مدار الکترونیکی در معرض یک رشته پالس دوره‌ای پالس بعدی را شناخته و پیش‌بینی می‌کند و این مشابه رفتار کپک لجن است که که گرانروی کانال‌ها در سیتوپلاسم به تغییرات دوره‌ای محیط پاسخ می‌دهد. پروژه "DARPA’sSyNAPSE "در آزمایشگاه HP با آزمایشگاه عصب‌شناسی دانشگاه بوستون همکاری‌هایی را انجام داده و سرمایه‌گذاری‌هایی نیز برای توسعه ساختارهای عصبی که می‌تواند مبتنی بر سیستم‌های عصبی باشد صورت گرفت. در سال ۲۰۱۰، ماسیمیلیانو ورساچه و بن چندلر با همکاری یکدیگر مقاله‌ای را در خصوص توصیف مدل MoNETA (عامل کشف روندگی شبکه عصبی پیمانه‌ای) ارائه دادند. MoNETA اولین مدل شبکه عصبی در مقیاس بزرگ برای پیاده‌سازی مدارهای کل مغز برای تقویت عامل مجازی و روباتیک، سازگار با محاسبات سخت‌افزاری ممریستیو است. استفاده از ساختار عرضی ممریستور در ساخت و ساز سیستم محاسبات آنالوگ توسط فرنود مریخ بیات و سعید باقری شوراکی ارائه شد. آن‌ها همچنین در سال ۲۰۱۱ نشان دادند که چگونه خطوط عرضی ممریستور می‌تواند با منطق فازی برای ایجاد سیستم محاسبات عصبی فازی ممریستیو آنالوگ با ورودی‌های فازی و پایانه‌های خروجی ترکیب شود. یکی از کاربردهای این پژوهش می‌تواند توسعهٔ نوع جدیدی از حافظهٔ کامپیوتری باشد که ابتدا به صورت مکمل و سپس به عنوان جایگزینی برای حافظهٔ با دستیابی تصادفی دینامیکی (DRAM) امروزی به کار رود. کامپیوترهایی که از DRAM های معمولی استفاده می‌کنند این کمبود را دارند که نمی‌توانند اطلاعات را در صورت قطعی برق نگه دارند. حال با جاری شدن جریان برق در این نوع کامپیوتر، نیاز به اجرای مرحلهٔ کند بوت شدن می‌باشد تا داده‌ها را از دیسک مغناطیسی ای که برای راه اندازی سیستم لازم است، بازیابی کند. در مقابل، کامپیوتری که بر اساس حافظهٔ ممریستور کار می‌کند، می‌تواند در صورت قطعی برق، اطلاعات را حفظ کند و نیازی هم به بوت شدن ندارد. محاسبات انبوه، زیر ساختی از فناوری اطلاعات را که متشکل از صدها هزار سرور و سیستم‌های ذخیره هستند، می‌طلبد. حافظه و سیستم‌های ذخیره‌ای که امروزه به عنوان زیرساخت‌های محاسبات انبوه از آن‌ها استفاده می‌شود، توان قابل ملاحظه‌ای برای ذخیره، بازیابی و حفظ اطلاعات میلیون‌ها کاربر وب در سرتاسر جهان نیاز دارد. حافظه‌هایی که بر اساس ممریستور کار می‌کنند این توانایی را دارند که مصرف برق را کاهش دهند و در صورت بروز قطعی برق، قابلیت اطمینان بالا و همچنین حالت برگشت‌پذیری را برای یک مرکز داده فراهم کنند. از دیگر کاربردهای فناوری ممریستور می‌توان به توسعهٔ سیستم‌های کامپیوتری اشاره کرد که نحوهٔ ارتباطشان با حوادث و وقایع، شبیه الگوهای مغز انسان است. همچنین می‌تواند به دستگاه‌های امنیتی و محرمانه که مجموعه‌ای از ویژگی‌های بیومتریک یک فرد خاص را تشخیص می‌دهد، این توانایی را بدهد که به اطلاعات شخصی دست پیدا کنند یا یک وسیله را قادر سازد که یاد گیریش بر اساس تجربه باشد. ویلیامز مدیر بخش اطلاعات آزمایشگاه‌های شرکت HP و آزمایشگاه سیستم‌های کوانتومی می‌باشد. وظیفهٔ این آزمایشگاه‌ها، تبدیل پیشرفت‌های بنیادی در زمینه‌های ریاضیات و علوم طبیعی (شامل فیزیک، شیمی، نجوم و…) به فناوری‌هایی که برای شرکت HP مفید هستند، می‌باشد. طی ۱۲ سال گذشته، ویلیامز و گروهش پژوهش‌های علمی اولیه خود را در زمینهٔ اطلاعات و محاسبات انجام داده‌اند به‌طوری‌که منجر به یک سری پیشرفت‌های اساسی در نانوالکترونیک و نانوفوتونیک شده‌است. استفاده از این تکنولوژی از ذخیره‌سازی حافظه‌های فلش، بسیار ارزان‌تر و سریع تر خواهد بود. این فناوری همانند مغز انسان که مجموعه وقایعی را جمع‌آوری و درک می‌کند، به رایانه‌ها اجازه می‌دهد با درک الگوهای گذشته از اطلاعاتی که جمع‌آوری کرده‌اند، تصمیم‌گیری کنند. این تکنولوژی می‌تواند باعث انقلاب جدیدی در صنعت حافظه‌هایی نظیر Flash, RAM و حتی درایوهای حافظه باشد. ساخت کامپیوترهایی که می‌توانند مانند لامپ روشن و خاموش شوند یکی دیگر از موارد استفاده از ممریستور می‌باشد. تاریخچه در سال ۱۹۷۱، لئون چوا، با فرمول‌های ریاضی و فیزیکی، اساس این تکنولوژی را اثبات کرد؛ ولی ۳۷ سال طول کشید تا برای اولین تکنولوژی آن به‌طور عملی به ثبت رسید. آزمایشگاه شرکت HP، به سرپرستی استانلی ویلیامز، ادعا کرد که یک سوئیچ با این تکنولوژی ابداع کرده‌است. سیمونز و وردربر مقاله‌ای را در انجمن سلطنتی لندن تحت عنوان «هدایت جدید و پدیده‌های حافظه‌های قابل برگشت در لایه‌های عایق نازک» منتشر کردند. در این مقاله مباحثی در رابطه با اثرات سوئیچینگ مقاومت در لایه نازک (2-30 نانومتر) اکسید سیلیکون پس از تزریق یون‌های طلا ارائه شده‌است. Argall مقاله‌ای را در خصوص الکترونیک حالت جامد تحت عنوان «پدیده سوئیچینگ در لایه نازک اکسید تیتانیوم» منتشر کرد. با وجودی که این مقاله در مقالات ممریستور HP ذکر نشده‌است اما اطلاعات تجربی به‌طور قابل ملاحظه‌ای در هر دو مقاله مشابه است. 1971: لئون چاو، استاد در دانشگاه برکلی عناصر مدار با دو ترمینال جدید را از طریق رابطه بین پیوند بارالکتریکی و شار به عنوان عنصر چهارم مدار اساسی در مقاله‌ای با عنوان یک «ممریستور - عنصر مدار از دست رفته» در مذاکرات IEEE در نظریه مدار منتشر کرد. 1976: لئون چاو و شاگردش سانگ مو کانگ مقاله‌ای با عنوان «دستگاه‌ها و سیستم‌های ممریستیو» را در مجموعه مقالات IEEE با گسترش نظریه سیستم‌های ممریستیو و ممریستورها از جمله عبور صفر در رفتار منحنی Lissajous در مقابل رفتار ولتاژ ارائه دادند. 1986: رابرت جانسون و استنفورد اشینسکای با ساخت سیستم آرایه سوئیچینگ مقاومت تغییر ساختار داده، بر اساس مرحله تغییر مواد با 2 ترمینال ثبت اختراع 4597162 را در ایالات متحده دریافت کردند. در حالی که متمایز از رفتار ممریستور، برخی از عناصر اساسی بعدها توسط گروه استن ویلیامز مانند استفاده از ساختار خط عرضی و استفاده اساسی از سوئیچ مقاومت 2 - ترمینال استفاده شد و منجربه ثبت پروانه اختراع شد. Thakoor مقاله‌ای تحت عنوان «ممریستور لایه نازک با حالت جامد برای شبکه‌های عصبی الکترونیکی» را در مجله فیزیک کاربردی منتشر کردند. این مقاله آموزش می‌دهد که اکسید تنگستن به‌طور الکتریکی دستگاه مقاومت متغیر با قابلیت برنامه‌ریزی مجدد است، اما مشخص نیست که آیا «ممیستور» ارائه شده همان ممریستور چاو است یا خیر. Patent 2,071,126 را برای اولین توصیف در مورد کاربرد یک مادهٔ فوق العاده یونی با ترکیب یونی بالا برای ایجاد یک سلول حافظهٔ سوئیچ تعویض مقاومت، دریافت کردند. این مقاله، تولید یک سلول حافظهٔ سوئیچ مقاومت بر پایهٔ پلیمر کونژوگه را توصیف می‌کند. تجزیه و تحلیل‌ها، فعل و انفعال مغناطیسی را شامل نمی‌شود و نویسندگان، از مقالات منتشر شدهٔ چاو در مورد ممریستور اطلاعی نداشته‌اند. مقاله، به بحث در مورد این مسئله می‌پردازد که امکان یک عنصر بیتی قابل تنظیم دو پایانه‌ای ساخته شده به صورت شیمیایی، می‌تواند در یک پیکربندی کراس بار، اجرا، و برای محاسبات با تحمل عیب، فراهم شود هنوز هم هیچ ارتباطی با ممریستور شناسایی نشده بود. Vaschenko مقاله‌ای را با عنوان «سلول حافظهٔ آنالوگ مولکولی» در مجموعه مقالات ششمین کنفرانس دوراندیشی در مورد نانوتکنولوژی مولکولی، سانتاکلارا، کالیفرنیا، منتشر کردند. اشاره شده‌است که سوئیچ‌ها، ویژگی‌های هیسترتیکی مشابه ممریستورها دارند اما هنوز هم به ارتباط با ممریستورها اشاره نشده بود. به نظر می‌رسد که این اولین شناسایی اهمیت لایه‌های دوتایی اکسیدی برای رسیدن به یک نسبت مقاومت بالا به پایین باشد. اطلاعات، شامل منحنی‌های گذرنده از صفر Lissajous است که توسط چاو وکانگ مورد بحث قرار گرفت، اما هنوز به ارتباطی با ممریستورها اشاره نشده بود و توضیحی برای مکانیزم زمینه ارائه نشد. مقاله تولید یک آرایهٔ 8 در 8 سوئیچینگ مقاومت دو پایانه‌ای را، بر پایهٔ اولیگومرهای قابل حل یک پلیمر کونژوگر و یک تجمع یونی (نمک سدیم) نشان می‌دهد. | ## بخش 3: ممریستور | این اصل، امکان ایجاد سلول‌های حافظه، چند بیت بر هر سلول را فراهم می‌کند، و زمینه کار روی نورون مصنوعی برای شبکه‌های عصبی و کامپیوترهای عصبی را فراهم می‌کند. لایهٔ فعال ممکن است شامل پلیمرهای کونژوگر، ترکیب‌ها یا انواع مختلف اکسید که مقاومت‌های متغیری بر مبنای حرکت یون‌ها و الکترون‌ها بین لایهٔ فعال و لایهٔ غیرفعال دارد، باشد. لایهٔ غیر فعال ممکن است یک مادهٔ سوپر یونی باشد که تحرک یون و الکترون بالایی دارد. آن‌ها مشخصه‌های ولتاژ جریان مشابه پیش‌بینی chua در مورد ممریستور را نشان دادند، و حافظهٔ دسترسی تصادفی را میلیون‌ها بار و حافظهٔ فقط خواندنی را برای ساعت‌ها نشان دادند. 2004: N.F .yadanov،ju.N .kriger امتیاز نامه 157،768،(27ژوئیه)،526،806(19 اکتبر)،268،815،6(9 نوامبر در خصوص دستگاه‌های پیشرفته بسیار ریزی) را برای توصیف اینکه سلول‌های حافظه‌ای دارای لایه فعال و غیر فعال ممکن است بیت‌های اطلاعاتی چندگانه را ذخیره کنند، دریافت کردند. لایه فعال ممکن است شامل پلیمرها، ترکیبات یا انواع مختلف اکسید که مقاومت‌های متغیری بر مبنای حرکت یون‌ها و الکترون‌ها بین لایه فعال و غیر فعال دارد، باشد. (15-17نوامبر) مقاله‌ای در مجموعه مقالات IEEE «همایش فناوری حافظه غیر فرار» سال 2004، با عنوان «حافظه غیر فرار بر پایه پدیده‌های سوئیچینگ و ابقا در لایه‌های نازک پلیمری» منتشر کردند. این کار عملی، فرایند تغلیظ پویای پلیمر و مواد دی الکتریک مانند را به منظور بهبود مشخصه‌های سوئیچینگ و ابقای مورد نیاز برای فلق سلول‌های کاربردی حافظه، توصیف می‌کند. N.F.Yadanof و ju.Hriger و امتیاز خاصه 830،720 ثبت اختراع (4ژانویه) 6،855،977 (15 فوریه) 6 ،858،481 (22 فوریه) 6،864،522 (8 مارس) 6،873،540 (29 مارس) در خصوص «دستگاه‌های پیشرفته بسیار ریزی» را برای توصیف تولید سلول‌های حافظه سوئیچینگ مقاومت دارای لایه‌های فعال و غیر فعال، دریافت کردند. به‌کارگیری خود مونتاژها باعث تولید سلول‌های حافظه پلیمری در مکان‌های دقیق نقاط تماس آرایه‌های ترانزیستور می‌شود. مکانیزم القای تغییر رسانایی پلیمر با تغییر غلظت دوپینگ آن، رویکرد امید بخشی را برای ساخت دستگاه‌های حافظه‌ای مختلف، فراهم می‌کند. (اما در توضیحات، ممریستور اصلاً ذکر نشده‌است) 2006: (14 فوریه) Stanford ovshinsky امتیازنامه 6،999،593 ثبت اختراع U.S را برای توصیف یک سیستم عصبی سیناپسی بر اساس ماده تغییر فازی که به عنوان سوئیچ مقاومت دو ترمینالی مورد استفاده قرار می‌گرفت، دریافت کرد. مقاله اصلی leonchun در مورد ممریستور، توسط اداره ثبت اختراع آمریکا، به عنوان یک مربع مربوط به روش قبلی مورد استفاده قرار گرفته‌است. Yudanov امتیاز نامه 6،992،323 ثبت اختراع u.s در 31 ژانویه و 7،113،420 در 26 سپتامبر در خصوص «دستگاهای پیشرفته بسیار ریزی» را برای توصیف تولید سلول‌های حافظه سوئیچینگ مقاومت دو ترمینالی دریافت کردند. لایه فعال ممکن است شامل پلیمرهای ترکیبات یا انواع مختلف اکسید که مقاومت‌های متغیری بر مبنای حرکت یون‌ها و الکترون‌ها در بین لایه‌های فعال و غیر فعال دارند، باشد. (10 آوریل) Gregory Snider از آزمایشگاه‌های HP امستیاز نامه 203،789،7 و ثبت اختراع را برای توصیف پیاده سازی‌های سوئیچ‌های مقاومت دو ترمینالی مشابه ممرویستورها در محاسبات ببا قابلیت پیکر بندی مجدد، دریافت کردند. این مقاله نانو ابزارهای ممریستور وفید برای بازشتافت الگو و ساختارهای مدار با قابلیت پیکر بندی مجدد را مورد بحث قرار می‌دهد. 27 نوامبر بلیس موتت دانشجوی کارشناسی ارشد در دانشگاه جورج جیسون امتیاز نامه 7،302،513 ثبت اختراع U.S را برای توصیف کاربردهای ماور سوئیچینگ مقاومت 2 ترمینالی در پردازش سیگنال، سیستم‌های کنترلی، ارتباط‌ها و بازشناخت الگو دریافت کرد. 2008: (15 آوریل) Greg Snider از آزمایشگاه hp امتیاز نامه 7،359،88 ثبت اختراع us را برای ادعای اساسی در مورد یک آرایه خط عرضی سوئیچ مقاومت دو ترمینالی در مقیاس نانو که به شکل یک شبکه عصبی بوده دریافت کرد. (1-5 ژوئن) دانشجوی کارشناسی ارشد در دانشگاه جورج مقاله‌ای را تحت عنوان «ساختارهای محاسباتی غیر منطقی با آرایه‌های خط عرضی در مقیاس نانو» را ارئه داد؛ که ساختارهای محاسباتی آنالوگ را با استفاده از مواد سوئیچینگ مقاومت دو ترمینالی مشابه ممریستور در کنفرانس و نمایشگاه تجارتی فناوری نانو nsti 2008 در بوستون توصیف کرد. Fontana ادعا کردند که قبل از ممریستور تیتانیوم دی‌اکسید گروه استان ویلیام در مقاله‌ای ممریستور پلیمری ساختند که 2 سال پیش‌ساخته شده‌اند. (14 – 16 سپتامبر) چند دانشجوی فارغ‌التحصیل از دانشگاه جورج ماسان پوستری ارئه دادند که در مجله نیچر نانو سال 2008 که کنفرانس نانو تکنولوژی در بوستون است. Chua مقاله‌ای را تحت عنوان "عناصر مدار با فاصله:ممریستورها، درمجله‌ای منتشر کردند که شامل مفاهیمی از سیستم‌های ممریستیو در مواد خازن و القایی که به نام خازن و اینداکتیو شناخته می‌شوند و ویژگی آن‌ها به وضعیت و گذشته سیستم بستگی دارد، می‌شد. (10 فوریه) گروه تحقیقاتی آزمایشگاه HP مقاله‌ای تحت عنوان"ممریستور پیوندی، جریان منطقی، ترانزیستور با قابلیت برنامه‌ریزی مستقل در مجموعه مقالات آکادمی ملی علوم به چاپ رساند. (1 می) مقاله‌ای در nano letter تحت عنوان :مجموعه نانو ذرات به عنوان ممریستور منتشر کرد؛ که مواد با ویژگی‌های ممریستور بر پایه اجزای نانوی مغناطیسی که به تازگی شناخته شده‌اند را تشریح می‌کند. این مواد مدل‌های ممریستوری جدیدی ارائه می‌دهند که شامل هر دو "مقاومت وابسته به زمان و ظرفیت وابسته به زمان است. این عمل مشخص کرد که خطی‌سازی معکوس می‌تواند بر مموریستورهایی که دستگاه‌های خطی را ایجاد می‌کنند اعمال گردند. (3 ژوئن) دانشمندان در NIST مقاله‌ای را در خصوص ممریستور انعطاف پذیر منتشر کردند. اما به عنوان یک سنسور زیستی بالقوه یا در شناسایی فرکانس‌های رادیویی مورد استفاده قرار می‌گیرد. (13 ژوئیه) در دومین کنفرانس بین‌المللی اختراعات مهندسی و تکنولوژی Blais mouttet از دانشگاه جرج مایسون نانو ابزارهای ممریستور مفید برای بازشناخت الگو و ساختارهای مدار با قابلیت پیکر بندی مجدد ا مورد بحث قرار می‌دهد و همچنین به تشریح سیستم‌های آنالوگ و سیستم‌های کنترلی روباتیک پرداخت. (4 آگوست) تشخیص فیزیکی آرایه قابل تغییر به صورت الکتریکی سینابس‌های عصبی توسط محققانی در مؤسسه علوم و تکنولوژی گوانجو انجام شد نتیجه فعالیت آن‌ها در مقاله نانو تکنولوژی به چاپ رسید. (17 سپتامبر) رفتار ممریستیو اتصالات تونل مغناطیسی توسط محققانی از دانشگاه بیلفیلد آلمان تشریح شد. ترکیب سوئیچینگ مقاومتی و مقاومتی مغناطیسی منجر به قرار گرفتن ممریستور در مرتبه دوم شد. دو متغیر در لایه القایی (موفقیت خالی اکسیژن) و الکترودهای مغناطیسی و شناسایی نسبی جهات مغناطیسی می‌باشند. دومین همایش در رابطه با سیستم ممریستور در تاریخ سه شنبه 2 فوریه 2010 در دانشگاه برکلی برگزار شد. (20آوریل) حافظه نشان پذیر با محتوای ممریستور "nist "معرفی شد؛ و در مذاکرات IEEE در مقیاس بسیار بزرگی پذیرفته شد. (1 ژوئن) در همایش بینالمللی در مورد مدارها و سیستم دو جلسه ویژه‌ای در مورد دستگاه ممریستور و ساخت و ساز برگزار شد. او استدلال کرد که تفسیر ممریستور به عنوان عامل چهارم نادرست بود؛ و دستگاه‌های کشف شده توسط آزمایشگاه HP در واقع ممریستور نبود بلکه بخشی از یک درجه گسترده‌تر از سیستم‌های ممریستور بوده‌است. (15 اکتبر) 2010 در کنفرانس در مورد ابزارها و مواد نانو تکنولوژی مقاله‌ای را در مورد «ممریستور به عنوان کنترل‌کننده ارائه داد» این کار باعث شد ممریستور به عنوان ابزاری با قابلیت برنامه‌ریزی برای سیستم حلقه بسته و مشتق تابع توصیف تقریبی برای حلقه پسماند شناخته شود. 2013 در 27 فوریه توماس و همکاران، نشان داد که ممریستور می‌توان برای تقلید یک سیناپس آسانتر از تکنولوژی CMOSهای سنتی و به عنوان پایه و اساس برای ساخت مدارهای فیزیکی قادر به یادگیری استفاده می‌شود. دلیل اصلی وجود نانوباتری‌هایی در سوئیچ مقاومتی مبتنی بر اکسیداسیون و کاهش آن را نقض شرط نظریه ممریستور برای پسماند باریکش است. [۵] ۲۰۱۴ در ۱۰ فوریه، نوجنت و مولتر شکل جدیدی از محاسبات لقب «AHaH رایانه»، که با استفاده از جفت دیفرانسیل ممریستورها به عنوان رسانه ذخیره‌سازی برای وزن‌های سیناپسی معرفی شده‌اند. معماری پیشنهاد فراهم می‌کند یک راه حل به «تنگنا فون نویمان» با ادغام پردازنده و حافظه، و سخت‌افزار آینده را بر اساس تکنولوژی ممکن است مصرف برق از برنامه‌های کاربردی یادگیری ماشین را کاهش دهد. نوع جدیدی از ممریستور انعطاف‌پذیر شامل ناهمگن MoOx / MoS2 راه حل پردازش انباشته با الکترود نقره‌ای چاپ شده در فویل پلاستیکی نشان داده است. [۴۷] ۲۰۱۵ در مارس ۲۱، بیوگرافی الهام فناوری از بویزی، آیداهو معرفی اولین ممریستور گسسته تجاری در دسترس. | ## جمع‌بندی | دستگاه آنالوگ است و در پاک کردن و برنامه‌های مختلف ایالات با استفاده از ولتاژ DC یا پالس گسسته برنامه‌ریزی.