RADIATION CURABLE FILLED EPOXY RESIN COMPOSITIONS AND THEIR USE

Abstract: The compositions comprise a) 5-90% by weight of an epoxy resin or epoxy resin mixture which is free from olefinically unsaturated C=C double bonds, b) 0.1-15% by weight of at least one photoinitiator of the formula I <IMAGE> in which a is 1 or 2 and n and q, independently of one another, are each an integer from 1 to 3, M is the cation of a monovalent to trivalent metal from groups IVb to VIIb, VIII or Ib of the Periodic Table, m is an integer corresponding to the valency of L + q, and Q is a halogen atom, L is a divalent to heptavalent metal or nonmetal, R<1> is a pi -arene, and R<2> is a pi -arene or the anion of a pi -arene, and c) 10-90% by weight of at least one finely divided filler selected from the group comprising carbon black, graphite, metal-containing fillers and fillers having semiconductor properties, and, if desired, (d) flow agents and/or (e) other further additives. The sum of all the components is 100% by weight. The compositions according to the invention are suitable for producing relief structures, images or bonds.

Description: Photohärtbare gefüllte Epoxidharz-Zusammensetzungen und deren Verwendung Die vorliegende Erfindung betrifft photohärtbare gefüllte Epoxidharz-Zusammensetzungen und deren Verwendung, besonders zum Erzeugen von Reliefstrukturen, Abbildungen oder Verklebungen. Die europäischen Patentanmeldungen Nr. 094 915 A2 und 109 851 A2 beschreiben härtbare (polymerisierbare) Zusammensetzungen, die ein kationisch polymerisierbares organisches Material und organometallische Initiatoren, wie Metallocenkomplexe, enthalten. In den genannten Patentanmeldungen sind u.a. generisch Füllstoffe als weitere mögliche Zusätze erwähnt, spezifisch sind jedoch keine gefüllten Epoxidharz-Systeme offenbart. Aus den U.S. Patentschriften 3.968.056 und 3.989.644 sind ferner strahlungshärtbare, besonders W-härtbare, Zusammensetzungen zur Herstellung von leitenden Ueberzügen bekannt, die als Füllstoffe elektrisch leitende Metalle, wie silberbeschichtete Glaskügelchen, und als organisches Harz-Bindemittel unter anderem auch Epoxidharze enthalten können. Diese Stoffgemische können auch Uv-Photosensibli- satoren, wie Ketone, Benzoin und Benzoinderivate oder aromatische Oniumsalze der Elemente der Gruppe VIa des periodischen Systems enthalten. Gegenstand der Erfindung sind neue photohärtbare gefüllte Epoxidharz-Zusammensetzungen enthaltend (a) 5-90 Gew.% eines von olefinisch ungesättigten CrC-Doppelbindun- gen freien Epoxidharzes oder Epoxidharzgemisches, (b) 0,1-15 Gew.% mindestens eines Photoinitiators der Formel I +an an/q -q (I), q worin a 1 oder 2 und n und q unabhängig voneinander je eine ganze Zahl von 1 bis 3 sind, M das Kation eines einwertigen bis dreiwertigen Metalls aus den Gruppen IVb bis VIIb, VIII oder Ib des periodischen Systems darstellt, m eine der Wertigkeit von L+q entsprechende ganze Zahl ist und Q ein Halogenatom, L ein zweiwertiges bis siebenwertiges Netall oder Nichtmetall, R' ein s-Aren und R2 ein w-Aren oder das Anion eines s-Arens bedeuten, und (c) 10-90 Gew.% mindestens eines feinteiligen Füllstoffes, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Russ, Graphit, metallhaltigen Fül7stoffen und Füllstoffen mit Halbleitereigenschaften, wobei sich alle Komponenten auf 100 Gew.% ergänzen. Die erfindungsgemässen Zusammensetzungen können selbst bei hohen Anteilen an feinteiligem Püllstoff überraschenderweise sowohl mit sichtbarem als auch mit Licht gehärtet werden. Sie ermöglichen ferner die Herstellung von Beschichtungen, die auch bei beträchtlichen Schichtdicken voll ausgehärtet werden können, obwohl elektrisch leitende Füllstoffe, wie Metallpulver, Russ oder Graphit, enthaltende Beschichtungsmassen im allgemeinen unter W-Licht nur ungenügend aushärten, weil das Licht an der Oberfläche der Metallpulver stark reflektiert bzw. durch den Russ oder Graphit stark absorbiert wird. Als Epoxidharze (a) kommen vor allem solche mit durchschnittlich mehr als einer an ein Heteroatom, z.B. an ein S- und vorzugsweise an ein 0- oder N-Atom, gebundenen Gruppe der Formel II in Betracht, wobei Q' und Qz je ein Wasserstoffatom und Q1 ein Wasserstoffatom oder eine Methylgruppe bedeuten oder Q' und Q2 zusammen -CH2CH2- oder -CH2CH2CH2- und Q1 ein Wasserstoffatom bedeuten. Als Beispiele solcher Harze seien Polyglycidyl- und Poly(ss-methylglycidyl)ester genannt, die sich von aliphatischen, cycloaliphatischen oder aromatischen Polycarbonsäuren ableiten. Beispiele geeigneter Polycarbonsäuren sind Bernsteinsäure, Glutarsäure, Adipinsäure, Pimelinsäure, Korksäure, Azelainsäure, Sebacinsäure, dimerisierte oder trimerisierte Linolsäure, Tetrahydrophthalsäure, 4-Methyltetrahydrophthalsäure, Hexahydrophthalsäure, 4-Methylhexahydrophthalsäure, Phthalsäure, Iso- und Terephthalsäure. Weitere Beispiele sind Polyglycidyl- und Poly(ss-methylglycidyl) äther, die durch Umsetzung einer mindestens zwei alkoholische und/oder phenolische Hydroxylgruppen pro Molekül enthaltenden Verbindung mit Epichlorhydrin oder mit Allylchlorid und anschliessende Epoxidierung mit Persäuren erhalten werden. Geeignete Polyole sind z.B. Aethylenglykol, Diäthylenglykol, Poly(oxyäthylen)glykole, Propan-1,2-diol, Poly(oxypropylen)glykole, Propan-1,3-diol, Butan-1,4-diol, Poly(oxytetramethylen)-glykole, Pentan-1,5-diol, Hexan-2,4,6-triol, Glycerin, l,l,1-Trimethylol- propan, Pentaerythrit und Sorbit; 1,3- und 1,4-Cyclohexandiol, Bis-(4-hydroxycyclohexyl)methan, 2,2-Bis-(4-hydroxycyclohexyl)propan und l,l-Bls-(hydroxymethyl)cyclohex-3-en; N,N-Bis(2-hydroxy äthyl)anilin und 4,4'-Bis(2-hydroxyäthylamino)diphenylmethan; Resorcin, Hydrochinon, Bis(4-hydroxyphenyl)methan (Bisphenol F), 2,2-Bis(4-hydroxyphenyl)propan (Bisphenol A), 2,2-Bis(4-hydroxy3,5-dibromphenyl)propan (Tetrabrombisphenol A), 1,1,2,2-Tetrakis (4-hydroxyphenyl)äthan, 4,4'-Dihydroxybiphenyl, Bis-(4-hydroxy EMI3.1 phenyl)sulfon sowie Novolake aus Formaldehyd oder Acetaldehyd und Phenol, Chlorphenol oder Alkylpenolen mit bis zu 9 C-Atomen im Alkyl, besonders Kresol- und Phenol-Novolake. Als Poly(N-glycidyl)-Verbindungen kommen durch Dehydrochlorierung von Umsetzungsprodukten aus Epichlorhydrin und Aminen mit mindestens zwei Aminwasserstoffatomen erhaltene Produkte in Betracht. Geeignete Amine sind z.B. Anilin, n-Butylamin, Bis(4-aminophenyl)methan, 1,3- und 1,4-Xylylendiamin, 1,3- und 1,4-Bis(aminomethyl)cyclohexan und Bis(4-methylaminophenyl)methan. Triglycidylisocyanurat, N,N1 -Di- glycidylderivate von cyclischen Alkylenharnstoffen, wie Aethylenharnstoff und 1,3-Propylenharnstoff, oder Hydantoinen, wie 5,5-Di methylhydantein, sind weitere geeignete derartige Verbindungen. Poly(S-glycidyl > -verbindungen sind z.B. die Di-S-Glycidylderivate von Dithiolen, wie Aetban-1,2-dithiol und Bis-(4-mercaptomethyl phenyl)äther. Beispiele für Epoxidharze mit einer oder mehreren Gruppen der Formel II, in welcher Q' und Q2 zusammen eine Gruppe -CH2CH2- oder -CH2CH2CH2- bedeuten, sind Bis(2,3-epoxycyclopentyl)äther, 2,3-Epoxycyclopentylglycidyläther, 1, 2-Bis( 2, 3-epoxycyclopentyl- oxy)a#than, 3, 4-Epoxy-6-methylcyclohexylmethyl-3' ¯4' -epoxy-6 ¯-#ethyl- cyclohexan-carboxylat und 2-(3,4-Epoxy)cyclohexyl-5,5-spiro(3',4'- epoxy)cyclohexan-dioxan. Ebenfalls einsetzbar sind Epoxidharze, in welchen die Epoxidgruppen an Heteroatome verschiedener Art gebunden sind, oder in denen einige oder sämtliche Epoxidgruppen mittelständig sind, wie beispielsweise das N,N,0-Triglycidylderivat des 4-Aminophenols, N-Glycidyl-N'-(2 glycidyloxypropyl)-5, 5-dimethylhydantoin, Vinylcyclohexendioxid, Limonendioxid und Dicyclopentadiendioxid. Die Epoxidharze (a) können fest oder flüssig sein. Bevorzugt sind Epoxidharze mit einem Epoxidgehalt von 1,0 bis 5,5. Bevorzugt setzt man als Komponente (a) gegebenenfalls vorverlängerte Diglycidyläther von zweiwertigen Phenolen oder zweiwertigen aliphatischen Alkoholen mit 2 bis 4 C-Atomen, vor allem gegebenenfalls vorverlängerte Diglycidyläther von 2,2-Bis(4-hydroxyphenyl)propan, 2,2-Bis(3,5-dibrom-4-hydroxyphenyl)propan, Bis(4-hydroxyphenyl)methan, Bis(4-hydroxycyclohexyl)methan oder 2, 2-Bis( 4-hydroxycyclo- hexyl)propan, Polyglycidyläther von Novolaken, oder tetraglycidyliertes 4,4'-Diaminodiphenylmethan ein. Ganz besonders bevorzugt sind gegebenenfalls vorverlängerte Diglycidyläther von Bisphenol A, Tetrabrom-Bisphenol A oder Bisphenol F, und insbesondere Polygly cidyläther von Phenol-Formaldehyd- oder Kresol-Formaldehyd-Novolaken, oder Gemische davon. Als n-Arene Rl und R2 kommen insbesondere aromatische Gruppen mit 6 bis 24 Kohlenstoffatomen oder heteroaromatische Gruppen mit 3 bis 30 Kohlenstoffatomen in Betracht, wobei diese Gruppen gegebenenfalls durch gleiche oder verschiedene einwertige Reste wie Halogenatome, vorzugsweise Chlor- oder Bromatome, oder C1-C8-Alkyl-, C1-Cs Alkoxy-, Cyan-, C1-Cs-Alkylthio-, C2-C6-Monocarbonsäurealkylester-, Phenyl-, C2-Cs-Alkanoyl- oder Benzoylgruppen einfach oder mehrfach substituiert sein können. Diese n-Arengruppen können einkernige, kondensierte mehrkernige oder unkondensierte mehrkernige Systeme darstellen, wobei in den zuletzt genannten Systemen die Kerne direkt oder über Brückenglieder, wie -S- oder -0-, verknüpft sein können. R2 als das Anion eines s-Arens kann ein Anion eines w-Arens der oben genannten Art sein, zum Beispiel das Indenylanion und insbesondere das Cyclopentadienylanion, wobei auch diese Anionen gegebenenfalls durch gleiche oder verschiedene einwertige Reste, wie C1-Ca- Alkyl-, C2-C6-Monocarbonsäurealkylester-, Cyan-, C#-Cs-Alkanoyl- oder Benzoylgruppen einfach oder mehrfach substituiert sein können. Die Alkyl-, Alkoxy-, Alkylthio-, Monocarbonsäurealkylester- und Alkanoylsubstituenten können dabei geradkettig oder verzweigt sein. Als typische Alkyl-, Alkoxy-, Alkylthio-, Monocarbonsäurealkylesterbzw. Alkanoylsubstituenten seien Methyl, Aethyl, n-Propyl, Iso propyl, n-Butyl, sek.-Butyl, tert.-Butyl, n-Pentyl, n-Hexyl und n-Octyl, Methoxy, Aethoxy, n-Propoxy, Isopropoxy, n-Butoxy, n-Hexyloxy und n-Octyloxy, Methylthio, Aethylthio, n-Propylthio, Isopropylthio, n-Butylthio, n-Pentylthio und Hexylthio, Carbonsäuremethyl-, -äthyl-, -n-propyl-, -isopropyl-, -n-butyl- und -n-pentylester bzw. Acetyl, Propionyl, Butyryl und Valeroyl genannt. Dabei sind Alkyl-, Alkoxy-, Alkylthio- und Monocarbonsäurealkylestergruppen mit 1 bis 4 und insbesondere 1 oder 2 Kohlenstoffatomen in den Alkylteilen sowie Alkanoylgruppen mit 2 oder 3 Kohlenstoffatomen bevorzugt. Als substituierte s-Arene oder Anionen von substituierten ir-Arenen werden solche bevorzugt, die einen oder zwei der obengenannten Substituenten, insbesondere Chlor- oder Bromatome, Methyl-, Aethyl-, Methoxy-, Aethoxy-, Cyan-, Carbonsäuremethyl- oder -äthylgruppen und Acetylgruppen, enthalten. Als R1 und R2 können gleiche oder verschiedene t-Arene vorliegen. Als heterosromatische w-Arene eignen sich S-, N- und/oder C-Atome enthaltende Systeme. Heteroaromatische w-Arene, die S- und/oder O-Atome enthalten, sind bevorzugt. Beispiele für geeignete i-Arene sind Benzol, Toluol, Xylole, Aethylbenzol, Cumol (Isopropylbenzol), Methoxybenzol, Aethoxybenzol, Dimethoxybenzol, p-Chlortoluol, Chlorbenzol, Brombenzol, Dichlorbenzol, Acetylbenzol, Trimethylbenzol, Trimethoxybenzol, Naphthalin, 1,2-Dihydronaphthalin, 1,2,3, 4-Tetrahydronaphthalin, Methylnaphthaline, Methoxynaphthaline, Aethoxynaphthaline, Chlornaphthaline, Bromnaphthaline, Biphenyl, Inden, Fluoren, Phenanthren, Anthracen, 9,10-Dihydroanthracen, Triphenylen, Pyren, Naphthacen, Coronen, Thiophen, Chromen, Xanthen, Thioxanthen, Benzothiophen, Naphthothiophen, Thianthren, Diphenylenoxid, Diphenylensulfid, Acridin und Carbazol. Wenn a 2 ist, stellt R2 vorzugsweise je das Anion eines s-Arens dar, und M ist jeweils das gleiche Metallatom. Beispiele für Anionen substituierter w-Arene sind die Anionen des Methyl-, Aethyl-, n-Propyl- und n-Butylcyclopentadiens, die Anionen des Dimethylcyclopentadiens, der Cyclopentadiencarbonsäuremethyl- und -äthyl ester sowie des Acetylcyclopentadiens, Propionylcyclopentadiens, Cyancyclopentadiens und Benzoylcyclopentadiens. Bevorzugte Anionen sind das Anion des unsubstiuierten Indens und insbesondere des unsubstituierten Cyclopentadiens. Bevorzugt hat a den Wert 1, und Rl steht für Benzol, Toluol, Xylol, Cumol, Methoxybenzol, Chlorbenzhol, p-Chlortoluol, Naphthalin, Methylnaphthalin, Chlornaphthalin, Methoxynaphthalin, Biphenyl, Inden, Pyren oder Diphenylensulfid, und R2 steht für das Anion des Cyclopentadiens, Acetylcyclopentadiens oder Indens oder für Benzol, Toluol, Xylol, Trimethylbenzol, Naphthalin oder Methylnaphthalin. M ist beispielsweise Ti+, Ti2+, Ti3+, Zr+, Zu2+, Zr3+, Hf+, Hf2+, Hf3+, Nb+ , Nb2+ , Nb3+ , Cr+ , Mo+, Mo2+, W+, W2+, Mn+, Mn2+, Re+, Fe 2+, Co2+, Co 3+ , Ni2+ oder Cu 2+. Vorzugsweise ist M ein Chrom-, Feê+, Coê+, Co +, Niê+oder Cuê+ . Vorzugsweise istM ein Chrom-, Kobalt-, Mangan-, Wolfram- oder Molybdänkation, insbesondere ein Eisenkation, und besonders bevorzugt Fe 2+ Besonders bevorzugt sind solche Komplexe der Formel I, worin a 1 ist, R1 für Eta6-Cumol oder Eta6-2-Methylnaphthalin und R2 für das Anion des Eta5-Cyclopentadiens stehen, n vorzugsweise 1 oder 2, insbesondere 1, und q vorzugsweise 1 sind. Beispiele für geeignete Metalle oder Nichtmetalle L sind Sb, Fe, Sn, Bi, Al, Ga, In, Ti, Zr, Sc, V, Cr, Mn und Cu; Lanthanide, wie Ce, Pr und Nd, oder Actinide, wie Th, Pa, U oder Np. Geeignete Nichtmetalle sind insbesondere B, P und As. L ist vorzugsweise P, As, B oder Sb, wobei P besonders bevorzugt wird. Komplexe Anionen - q sind beispielsweise BF4-, AsF6-, SbF6-, FeCl4-, SnCl6ê- , SbCl6- und BiCl6- . Die besonders bevorzugten komplexen Anionen sind SbF6- , BF4- , AsF6- und vor allem PF6-. Beispiele für Verbindungen der Formel I sind (Eta6-Toluol)(Eta5indenyl)eisen(II)hexafluorphosphat, (Eta6 -Pyren)(Eta5 -cyclopenta- dienyl)eisen(II)hexafluorantimonat, (Eta6 -Toluol)(Eta5 -cyclopenta- dienyl)eisen(II)hexafluorphosphat, (Eta6-Naphthalin)(Eta5-cyclo- pentadienyl)eisen(II)hexafluorarsenat (Eta6-2-Methyl naphthalin)(Etas-cyclopentadienyl)eisen(II)hexafluorphosphat, (Eta6-Cumol)(Eta5-cyclopentadlenyl)eisen(II)hexafluorphosphat und (Eta'-Benzol)CEta5-cyclopentadienyl)kobaltClll)bis(tetrafluor- borat). Solche Metallocensalze und deren Herstellung sind z.B. in der europäischen Patentanmeldung Nr. 094 915 A2 beschrieben. Bevorzugt sind CEta6 -2-Methylnaphthalin) (Eta5 -cyclopentadienyl)- eisen(II)hexafluorphosphat und (Eta6 -Cumol) (Eta5 -cyclopentadienyl)- eisen(II)hexafluorphosphat. Durch die Wahl geeigneter Füllstoffe können die elektrischen, thermischen und/oder optischen Eigenschaften der Epoxidharz-Systeme beeinflusst werden, wie z.B. die elektrisch oder thermisch leitenden bzw. isolierenden Eigenschaftens die ferroelektrischen oder ferromagnetischen Eigenschaften, die piezoelektrischen, elektrochromen oder nachleuchtenden Eigenschaften. Dadurch werden photohärtbare Harz-Zusammensetzungen erhalten, die nach dem SÅarten und Entwickeln Reliefstrukturen oder Abbildungen ergeben, die insbesondere auf den Gebieten der Hochfrequenztechnik, Elektronik, Mikroelektronik und Optoelektronik Anwendung finden, beispielsweise als aktive Komponen- ten in Widerständen, Kondensatoren, Transformatoren, Induktoren, Magneten, Speicher- und Anzeigesaterialien, als passive Komponenten in elektrischen und thermischen Isolatoren, Wärmeableitungssystemen oder elektromagnetischen Abschirmungen, oder auch als sogenannte Interconnections, z.B. in Leiterbahnen oder bei der Chip-Kontaktierung sowie bei der Montage von Chips auf die Grundplatten ihrer Montagerahmen. Als metallhaltige Füllstoffe oder Füllstoffe mit Halbleitereigenschaften kommen vor allem Metalle, Metallverbindungen und -legierungen in Betracht, in denen das Metall ein solches der Gruppen IIa, IIIa, IVa, Ib, Vb, VIb und/oder VIII des periodischen Systems ist. Je nach den gewünschten Eigenschaften oder dem Einsatzgebiet der erfindungsgemässen Epoxidharz-Zusammensetzungen können z.B. die folgenden Füllstoffe verwendet werden: 1. Elektrisch leitende Füllstoffe organischer oder anorganischer Art, wie z.B. Russ und Graphit oder Metalle der Gruppen Vb, VIb, VIII und Ib des periodischen Systems, Legierungen und Salze davon, wie Halogenide, Oxide und Sulfide. Beispiele geeigneter Metalle und Metallverbindungen sind: Vanadium, Niob, Tantal, Molybdän, Wolfram, Kupfer, Edelmetalle, wie Pt, Pd, Ag und Au, AgPd-Legierungen, Silberoxid, Silberjodid, Kupfer(II)sulfid, Kupfer(I)jodid, Kupfer(II)oxid, Gold(III)bromid, -jodid und -oxid, Molybdän(IV)sulfid, Niob(V)chlorid und -oxid, Palladiumjodid, Palladiumoxid, Platin(IV)bromid und -chlorid, Vanadium(III)chlorid, Vanadium(IV)oxid, Wolfram(VI)chlorid und -oxid. Bevorzugt sind Silber, Kupfer, Silber/Palladiumlegierungen, Palladium, Platin, Gold, Wolfram und Molybdän. Besonders bevorzugt sind Au, Pt, AgPd und vor allem Ag- und Cu-Pulver. 2. Thermisch leitende Füllstoffe oder Dielektrika, wie Aluminiumoxid, Berylliumoxid, Lithium-Aluminiumoxid und Siliziumcarbid. 3. Füllstoffe, welche die ferroelektrischen, ferromagnetischen, piezoelektrischen, elektrochromen und/oder optischen Eigenschaften der Epoxidharz-Zusammensetzungen beeinflussen, wie: - Ferroelektrika, beispielsweise Bariumtitanat, Bleititanat, Bleizirkonat, NaNb03, KNbO3, AgNbO3 und WOJ, die unter anderem für Halbleiter, Kondensatoren und in Bild- und Datenspeichern in der Optoelektronik Anwendung finden. Bariumtitanat, Bleititanat und Bleizirkonat können auch zum Erzielen piezoelektrischer Eigenschaften eingesetzt werden, z.B. in der Hochfrequenztechnik. Andererseits weist Wolframoxid auch elektrochrome Eigenschaften auf und wird daher z.B. in Digitalanzeigen und in der Elektrographie verwendet. Bevorzugt sind als Ferroelektrika bzw. elektrochrome Füllstoffe Bariumtitanat, Bleititanat, Bleizirkonat und WO3. - Ferromagnetika und Ferrite der allgemeinen Zusammensetzung MIIFe2IIIO4 oder MIIO.Fe2O3, worinMII ein zweivertiges Metall, wie Fe2 der MIIOeFe203 worin M ein zweiwertiges Metall, wie Zn, Cd, Co, Ni, Mn, Fe, Cu, Ba, Sr oder Mg darstellt. Als bevorzugte Ferromagnetika bzw. Ferrite seien Fe304, NiFe204, CoFe204 und die unter dem Handelsnamen Ferroxcubes bekannten Mangan-Zink-Ferrite, wie Ferroxcube 4C4, 3D3, 3B9, 3B7 und 3C8, genannt. Ferromagnetika und Ferrite werden u.a. als Dauermagnete (MII - z.B. Ba oder Sr) für Transformatoren, Induktoren, Isolatoren, Tonaufzeichnungssysteme, Ferritantennen, magnetische Verstärker oder in Ferritkernen, z.B. für Kernspeicher in elektronischen Datenverarbeitungsanlagen, verwendet. - Phosphoreszierende Füllstoffe und Phosphoren mit nachleuchtenden Eigenschaften, wie z.B. CdS, CdZnS, SrSs MgS, CaS und insbesondere ZnS. Solche Materialien werden vor allem in elektro-optischen Anzeigen verwendet. Zur Erreichung des erwünschten, möglichst isotropen physikalischen Effekts müssen die Füllstoffe in feinteiliger Form eingesetzt werden. Bevorzugt liegen sie in sehr feinteiliger Form vor, insbesondere als kugelförmige oder stäbchenförmige, z.B. dendritische oder lamellare, Teilchen. Die mittlere Teilchengrösse liegt bei kugelförmigen Teilchen mit Vorteil zwischen 0,1 und 20 itm (Mikrometer), besonders etwa 0,2 und 5 pm. Stäbchenformige Teilchen, besonders dendritische und lamellare Teilchen, weisen vorzugsweise eine Länge von 0,3-20 pm und eine Schichtdicke von 0,1-1 pm auf. Für keramische Anwendungen bestimmte erfindungsgemässe Zusammensetzungen enthalten zusätzlich ein Flussmittel (d), vorzugsweise in einer Menge von 5-50 und insbesondere 10-40 Gew.%, bezogen auf das Gesamtgewicht der Zusammensetzung. Geeignete Flussmittel sind z.B. Quarzpulver und vor allem Glaspulver, wie Blei-borsilikatpulver, Borsilikatpulver und Wismut-bleisilikatpulver. Bevorzugt sind Glaspulver mit einem Brechungsindex unter 1,8 und einer Teilchengrösse im Bereich von 2-50 pm. Die Komponente (a) liegt vorzugsweise in einer Menge von 5-40 Gew.% vor, während der Photoinitiator (b) bevorzugt in einer Menge von 0,3-4 Gew. eingesetzt wird. Der Füllstoff (c) wird mit Vorteil in einer Menge von 30-85 Gew.% verwendet, wobei die Menge an Füllstoff (c) und Flussmittel (d) im allgemeinen 95 Gew.%, bezogen auf das Gesamtgewicht der Zusammensetzung, nicht übersteigen soll. Besonders bevorzugt sind Gemische enthaltend: i) einen Polyglycidyläther eines Phenol- oder Kresol-Formaldehyd Novolaks, Silberpulver, Glaspulver und (Eta6-2-Methyl naphthalin)(Eta5 -cyclopentadienyl)eisen(II)hexafluorphosphat oder (Eta6-Cumol)(Eta5-cyclopentadienyl)eisen(II)hexafluorphosphat als Photoinitiator. ii) einen Polyglycidyläther eines Phenol- oder Kresol-Formaldehyd Novolaks, Kupferpulver, Glaspulver und (Eta6-2-Methylnaphthalin) CEta# -cyclopentadienyl)eisenC II)hexafluorphosphat oder iii) ein flüssiges Bisphenol-A-Epoxidharz, Silberpulver und (Eta6-2-Methylnaphthalin)(Eta5-cyclopentadlenyl)eisen(II)hexa- fluorphosphat oder (Eta6-Cumol)(Eta5 -cyclopentadienyl)eisenCll)- hexafluorphosphat als Photoinitiator. Die erfindungsgemässen Zusammensetzungen können auch weitere bekannte und in der Technik der photohärtbaren Materialien übliche Zusatzstoffe (e) enthalten. Beispiele für solche Zusatzstoffe sind Pigmente, Farbstoffe, Verstärkungsmaterialien, wie Glasfasern, sonstige Fasermaterialien, Flammhemmer, reaktive Verdünner für die Epoxidharze, wie Phenyl- oder Kresylglycidyläther, Butandioldiglycidyläther und Hexahydrophthalsäurediglycidyläther, Antistatika, Verlaufmittel, Trennmittel, Haftvermittler, Antioxidantien, Lichtschutzmittel und Sensibilisatoren für die Komponente (b), wie Thioxanthone, Phthalimide, Cumarine und Anthracene. Enthalten die erfindungsgemässen Zusammensetzungen Flussmittel (d) oder weitere übliche Zusatzstoffe (e), so ergänzen sich die Komponenten (a), (b), (c), (d) und/oder (e) auf 100 Gew.%. Die erfindungsgemässen Zusammensetzungen können auf an sich bekannte Weise durch Vermischen der einzelnen Komponenten hergestellt werden. Sie werden üblicherweise in Form von Lösungen in organischen Lösungsmitteln auf geeignete Trägermaterialien, wie Kunststoffolien, z.B. Polyesterfolien, Metalle, Metallegierungen, Halbmetalle, Halbleiter, Glasplatten, Keramik, Laminate, wie kupferkaschierte Epoxylaminate, sio2 oder Si3N4, appliziert. Als organische Lösungsmittel eignen sich z.B. polare, besonders polare aprotische Lösungsmittel, die einzeln oder in Mischungen verwendet werden können. Beispiele solcher Lösungsmittel sind: Alkohole, wie Methanol, Aethanol und Diacetonalkohol; Amide aliphatischer Monocarbonsäuren, wie N,N-Dimethylformamid und N,N-Dimethylacetamid; Aether, wie Diäthyläther, Di-n-butyläther, Tetrahydrofuran, Dioxan, 2-Methoxy äthanol, 1,2-Dimethoxyäthan, Diäthylenglykoldimethyläther, Di äthylenglykoldiäthyläther, Diäthylenglykolmono-n-butyläther, Triäthylenglykoldimethyläther; halogenierte Kohlenwasserstoffe, wie Methylenchlorid, Chloroform, Tetrachlorkohlenstoff, 1,2-Dichlor- äthan, 1,1, 2-Trichloräthan, 1,1,2,2-Tetrachloräthan; Carbonsäureester und Lactone, wie Propylencarbonat, Essigsäureäthylester, Propionsäuremethylester, Benzoesäureäthylester, 1-Acetoxy-2-äthoxy äthan, 1-Acetoxy-2-methoxyäthan > t-Butyrolacton und t-Valerolacton; Sulfoxide, wie Dimethylsulfoxid und Tetramethylsulfoxid; Sulfone, wie Dimethylsulfon, Diäthylsulfon, Trimethylensulfon, Tetramethylensulfon; Ketone, wie Dimethylketon, Methyläthylketon, Methylisobutylketon und Cyclohexanon; substituierte Benzole, wie Chlorbenzol und Nitrobenzol. Bevorzugte Lösungsmittel sind Carbonsäureester und Ketone, wie 2-Acetoxy-2-äthoxyäthan und Cyclohexanon. Die Lösungen werden mittels üblicher Verfahren auf das Trägermaterial aufgebracht, z.B. durch Tauchen, Streichen, Sprühen, Aufstempeln, Aufschleudern oder durch Walzenauftrag. Die erfindungsgemässen Zusammensetzungen können auch trocken appliziert werden, z.B. mittels Pulverbeschichtung. Die Trockenschichtdicken liegen im allgemeinen je nach Verwendungszweck im Bereich von etwa 0,5 bis 200 ¯im, bevorzugt 5 bis 100 ¯ihm. Nach dem Beschichten wird gegebenenfalls vorhandenes Lösungsmittel auf übliche Weise entfernt, z.B. durch Erwärmen und gegebenenfalls zusätzlich im Vakuum. Es ist auch möglich, mit den erfindungsgemässen Zusammensetzungen erhaltene Folien vor der weiteren Behandlung auf andere Substrate zu übertragen. So können z.B. auf Kunststoffolien hergestellte Filme nach dem Trocknen mittels eines Rollenlaminators auf andere Substrate, wie Glas- oder Keramikplatten, Monel@#Substrate (Ni-Cu Legierungen) und Tombak-Substrate (Cu-Zn-Legierungen), z.B. versilberte oder vergoldete Tombak- und Monelsubstrate, übertragen werden. Die Härtung der erfindungsgemässen Zusammensetzungen bzw. der damit erhaltenen Beschichtungen kann einstufig durch Photohärtung, insbesondere bei erhöhten Temperaturen, z.B. zwischen 80 und 130 C, vorgenommen werden; sie wird jedoch zweckmässig zweistufig, d.h. durch Photohärtung, gefolgt von einer thermischen Nachhärtung, durchgeführt. Die Photohärtung kann sowohl mit sichtbarem als auch W -Licht bei einer Wellenlänge von 200-600 nm und einer Lichtintensität von 150-8000 Watt, vorzugsweise bei 1000-5000 Watt, vorgenommen werden. Als Lichtquellen eignen sich beispielsweise Xenonlampen, Argonlampen, Wolframlampen, Kohlelichtbögen, Metallhalogenid- und Metall-Lichtbogenlampen, wie Niederdruck-, Mitteldruck- und Hochdruckquecksilberlampen, Argonionen-Laser, frequenzverdoppelte Nd-YAG-Laser (yttrium-aluminium garnet) und 1W-Laser. Bevorzugt ist die Bestrahlung mit sichtbarem Licht (VIS) oder VIS-Lasern. Die Bestrahlungszeit hängt von verschiedenen Faktoren ab, z.B. der Schichtdicke der erfindungsgemässen Zusammensetzung, der Art der Lichtquelle und deren Abstand von der zu belichtenden Schicht. Im allgemeinen liegt die Bestrahlungszeit zwischen 1 Sekunde und 600 Sekunden. Die thermische Nachbehandlung (Nachhärtung) wird zweckmässig bei Temperaturen zwischen 50 und 150 C, bevorzugt 60 und 1300C, durchgeführt. Nach dem Belichten und gegebenenfalls der thermischen Härtung werden die nicht belichteten Bildstellen durch Behandlung mit einem Lösungsmittel oder Lösungsmittelgemisch entwickelt. Geeignete Lösungsmittel sind z.B. solche der oben erwähnten Art. Bevorzugte Lösungsmittel für das Entwickeln sind Cyclohexanon und Gemische aus Propylencarbonat, Diäthylenglykol-mono-n-butyläther und r-Butyrolacton. Beschichtungen, die mit elektrisch leitende oder dielektrische Füllstoffe und Flussmittel enthaltenden Zusammensetzungen erhalten werden, eignen sich besonders für keramische Anwendungen, wie z.B. Dickschicht-Schaltungen auf keramischen Unterlagen oder Kontaktierungen auf keramischen Trägern für integrierte Schaltungen (Chips). Dabei werden die Beschichtungen nach dem Härten zweckmässig bei erhöhten Temperaturen, vorzugsweise 250-10000C und besonders 400-900 C eingebrannt. Dadurch werden leitende oder dielektrische Reliefstrukturen oder Abbildungen erhalten. Das Einbrennen erfolgt zweckmässig unter Lufteinfluss, 2-, N2 und/oder Hz-Atmosphäte. Bei Verwendung von Silberpulver als Füllstoff oder silberhaltigen Füllstoffen wird das Einbrennen bevorzugt unter 02-Atmosphäre vorgenommen. Wird als Füllstoff Kupferpulver oder eine Kupferverbindung eingesetzt, so führt man das Einbrennen mit Vorteil zuerst unter Oz und anschliessend unter N2 oder H2 oder Gemischen beider Gase durch. Wie schon erwähnt, eignen sich die erfindungsgemässen Zusammensetzungen zur Anwendung auf verschiedenen Gebieten der Technik, insbesondere der Elektronik, Mikroelektronik und Optoelektronik. Gegenstand vorliegender Erfindung ist somit auch die Verwendung der erfindungsgemässen Zusammensetzungen zum Erzeugen von Reliefstrukturen, Abbildungen oder Verklebungen mittels Photohärtung und gegebenenfalls thermischer Nachhärtung. Bevorzugte Anwendungen sind: Bei Verwendung elektrisch leitender Füllstoffe: : - für Leiterbahnen auf Keramik, emaillierten Stahlplatten, polymeren Leiterplatten oder flexiblen Kunststoffolien; - die Herstellung von Elektrodenmustern auf Aluminium und Glas für Flüssigkristallanzeigen und dergleichen; - für Druckkontakte auf flexiblen Kunststoffolien für Tastaturen; - für Kontaktverklebungen zwischen Chips und deren Trägern; - das Aufkleben aktiver und passiver Komponenten der Mikroelektronik auf Leiterplatten (aus Keramik, emailliertem Stahl oder Kunststoffen); - die Ausbesserung beschädigter Leiterbahnen und Kontakte in elektronischen Systemen, Komponenten und Modulen. Bei Verwendung dielektrischer Füllstoffe: - die Isolierung benachbarter oder sich verengender Leiterbahnen auf Keramik-, emaillierten Stahl- und Kunststoff-Substraten; - für Schutzschichten als Abdeckungen von elektronischen und mikroelektronischen Schaltelementen, Kontakten und Leiterbahnen. Bei Verwendung thermisch leitender Füllstoffe: - für Wärmeabfuhrsysteme in der Hochleistungs- und Hochfrequenz elektronik Bei Verwendung von ferroelektrischen Füllstoffen: - die Erzeugung druck- und schallempfindlicher Sensoren auf der Basis von piezoelektrischen Effekten; - der Aufbau optoelektronischer Anzeigeelemente. Bei Verwendung von elektrochromen Füllstoffen: - der Aufbau elektrochromer Anzeigeelemente. Bei Verwendung von phosphoreszierenden Füllstoffen oder Phosphoren: - der Aufbau fein strukturierter Kathodenstrahlröhren-Anzeigen; - das Anbringen von nachleuchtenden Markierungen auf Masken für photographische oder lithographische Zwecke, auf verschiedenen Artikeln, Schildern und Oberflächen zu Informations-, Sicherheits und Dekorationszwecken. Besonders bevorzugt ist die Verwendung der erfindungsgemässen Zusammensetzungen (mit Flussmittel) zur Herstellung von Dickschicht Schaltungen. In den folgenden Beispielen bedeuten Teile Gewichtsteile, sofern nichts anderes angegeben ist. Beispiel 1: Zu 9 Teilen einer 45%igen Lösung eines Epoxy-Kresolnovolakharzes (Molekulargewicht ca. 1270, Epoxidäquivalentgewicht 238 g/Aequivalent, Epoxidgehalt 4,2 Aequiv./kg) in Cyclohexanon werden 10 Teile Silberpulver (gefällt, mittlere Teilchengrösse 10 film, der Fa. Fluka), 5 Teile eines TiO2-Glaspulvers (sog. "homo- geneous white powder mix 20-6000" der Fa. Drakenfeld) und 0,18 Teile (Eta6-2-Methylnaphthalin)(Eta5-cyclopentadienyl)eisen(II)hexa- fluorophosphat gegeben. Das Gemisch wird 10 Minuten in einem Ultraschallbad dispergiert und mit einem 50 ¯im-Rakel auf eine 3 mm dicke Pyrex#-Glasplatte aufgetragen. Mittels einer Photomaske, die ein typisches Erscheinungsbild einer gedruckten Schaltung wiedergibt, wird durch 5-minütiges Bestrahlen mit einer 1000 W Halogenlampe, Härten während 20 Minuten bei 80 C und anschliessende Entwicklung in Cyclohexanon im Ultraschallbad ein Leiterbild einer gedruckten Schaltung erhalten, das noch eine geringe elektrische Leitfähigkeit ( < 10-6 ohm-1. cm-1) aufweist. Durch 5-minütige Behandlung der so erhaltenen gedruckten Schaltung bei 650 unter Lufteinfluss erhält man Leiterbahnen mit einer spezifischen elektrischen Leitfähigkeit von 4,9x104 ohm-1¯cm-1. Beispiel 2: Zu 6,75 Teilen einer 60 %igen Lösung des in Beispiel 1 beschriebenen Epoxy-Novolakharzes in l-Acetoxy-2-äthoxyäthan werden 10 Teile Silberpulver (mittlere Teilchengrösse 2-3,5 pm der Fa. Ventron) und 5 Teile eines Glaspulvers (sog. "low expansion glass frit E 1980¯" der Fa. Drakenfeld) gegeben, mit 1,25 Teilen 1-Acetoxy-2-äthoxyäthan verdünnt und 15 Stunden in einer mit Glaskugeln (Durchmesser 4 mm) versehenen Kugelmühle gemahlen. Anschliessend gibt man 0,18 Teile (Eta6-2-Methylnaphthalin)(Eta5- cyclopentadienyl)eisenCll)hexafluorphosphat, gelöst in 0,5 Teilen N,N-Dimethylformamid und 0,5 Teilen l-Acetoxy-2-äthoxyäthan, hinzu. Mit Hilfe eines 50 pm-Rakels wird auf einer Polyäthylenterephthalatfolie ein Film des so erhaltenen Gemisches aufgezogen und dieser 10 Minuten bei 800C getrocknet. Mittels eines Rollenlaminators wird dieser Film dann bei 1300C auf eine Al2O3/Keramikplatte übertragen (Rubalith#-Substrat für Dickfilmschaltungen der Fa. Rosenthal Technik AG). Der Film wird mittels einer Photomaske, die ein typisches Erscheinungsbild einer gedruckten Schaltung, einen 12-stufigen Stouffer Keil sowie eine die Auflösung bestimmende Balkenmuster-Maske der Firma ITEK zur Beurteilung der Auflösung wiedergibt, während 5 Minuten mit einer 1000 W Halogenlampe bestrahlt, während 5 Minuten bei 1100c thermisch gehärtet und in einem Entwickler-Bad aus 50 Teilen Propylencarbonat, 30 Teilen Diäthylenglykol-mono-n-butyl äther und 20 Teilen y-Butyrolacton entwickelt. Man erhält das Leiterbild der gedruckten Schaltung sowie sauber aufgelöste Linien des Balkenmusters mit einer Breite von 50 Wm. Das Leiterbild wird während 80 Minuten bei 8000C in einem Muffelofen eingebrannt. Danach zeigen die Leiterbahnen einen Flächenwiderstand von 20 m0hm (Dicke der Beschichtung 8 ¯im). Letzte vollständig abgebildete Stufe auf dem 12 stufigen Stoufferkeil nach dem Einbrennen: Stufe 8 (was bekanntlich ein Mass für die Lichtempfindlichkeit darstellt). Verwendet man in den Beispielen 1 und 2 anstelle von 0,18 Teilen (Eta6-2-Methylnaphthalln)(Eta5-cyclopentadlenyl)eisen(II)hexa fluorphosphat entsprechende Mengen (Eta6-Cumol)(EtaS-cyclo- pentadienyl)eisen < II)hexafluorphosphat, so erhält man Leiterbilder mit ähnlich guten Eigenschaften. Beispiel 3: Mit der in Beispiel 1 beschriebenen Zusammensetzung wird mittels eines 50 Bm-Rakels ein kupferkaschiertes Epoxylaminat (glasfaserverstärkte Epoxy-Leiterplatte) beschichtet und während 15 Minuten bei 80 C getrocknet. Bei der Bestrahlung mit der 514 nm-Linie eines Argonionenlasers (Typ Innova 90@ der Fa. Coherent) genügt eine Energie von 270 mJ/cm2, um nach einer 5-minütigen thermischen Härtung bei 110 C ein Leiterbild entwickeln zu können. Beispiel 4: 3 Teile einer 45%igen Lösung des in Beispiel 1 beschriebenen Epoxy-Novolakharzes in Cyclohexanon werden mit 12 Teilen Kupferpulver (sphärisch, 325 mesh, der Fa. Ventron), 2 g eines TiO#-Glaspulvers (sog. homogeneoue white powder mix 20-6000" der Fa. Drakenfeld) und 0,06 Teilen (Eta6-2-Methylnaphthalin)(Eta5cyclopentadienyl)eisen(II)hexafluorphosphat wie in Beispiel 1 beschrieben verarbeitet. Die Beschichtung von Pyrexplatten, die Belichtung und Entwicklung werden ebenfalls wie in Beispiel 1 beschrieben vorgenommen. Anschliessend werden die Leiterbilder in einem Muffelofen während 10 Minuten bei 5000C mit Luft behandelt, innerhalb von 5 Minuten unter Stickstoff auf 7500c aufgeheizt und während 10 Minuten bei 7500c einem Wasserstoffstrom (10 ml/min) ausgesetzt. Die Leiterbahnen zeigen einen Flächenwiderstand von 6 mOhm (Schichtdicke 8 m). Beispiel 5: Zu 30 Teilen einer 45%igen Lösung des in Beispiel 1 beschriebenen Epoxy-Novolakharzes in Cyclohexanon werden 25 Teile Kupferpulver (mittlere Teilchengrösse 10 pm der Fa. Ventron, 10 Minuten in einer 2N NHos-Lösung gewaschen, abfiltriert und 1 Std. bei 80 C/13332 Pa getrocknet) und 0,6 Teile (Eta6-2-Methylnaphtha lin > CEta# -cyclopentadienyl)eisenC II)-hexafluorophosphat gegeben, 10 Minuten in einem Ultraschallbad dispergiert und mit einem 150 pm-Rakel auf eine Polyesterfolie (MELINEXs der Fa. ICI) aufgetragen. Der Film wird 20 Minuten bei 75 C getrocknet, wobei eine Trockenfilmdicke von 60 pm entsteht. Der erhaltene Film wird anschliessend durch eine Photomaske, die eine Probenform einer Vierpunkt-Messung für elektrische Leitfähigkeit in den Dimensionen 5 x 0,5 mm darstellt, während 3 Minuten mit einer 1000 W Halogenlampe bei 20 C belichtet. Dann wird der Film während 20 Minuten bei 800C gehärtet und anschliessend mit Cyclohexanon in einem Ultraschallbad während 30 Sekunden entwickelt. Man erhält eine Probe zur 4-Punktemessung der elektrischen Leitfähigkeit mit einer spezifi schen elektrischen Leitfähigkeit von 43 ohm-1cm-1. schen elektrischen Leitfähigkeit von 43 ohm cm Beispiel 6: Beispiel 5 wird wiederholt, jedoch unter Verwendung von 40 g eines Zinksulfid-Phosphors (LUMINEX G#, Nachtleuchtmischung der Fa. Riedel-De Haen) anstelle des Kupferpulvers. Man erhält Bilder, die im Dunkeln über 10 Minuten nachleuchten. Beispiel 7: Zu 3 Teilen einer 45%igen Lösung des in Beispiel 1 beschriebenen Epoxy-Novolakharzes in Cyclohexanon werden 1,5 Teile Silberpulver (mittlere Teilchengrösse 2-3,5 pm der Fa. Ventron) und 0,06 Teile (Eta6 -2-Methylnaphthalin) (Eta6 -cyclopentadienyl) eisen- (II)hexafluorophosphat gegeben. Das Gemisch wird 10 Minuten im Ultraschallbad dispergiert, und mit einem 100 pm-Rakel wird auf einer Polyäthylenterephthalatfolie ein Film des so erhaltenen Gemisches aufgezogen. Dieser wird 10 Minuten bei 80 C getrocknet. Ein 0,2 x 0,3 cm grosses Stück dieses Films wird bei 1300C auf die versilberte Grundplatte eines DIL-Montagerahmens (Dual-In-Line) übertragen, 60 Sekunden mit einer 5000 W Halogenlampe belichtet und dann mit einem 0,2 x 0,3 cm grossen Siliziumkristall innerhalb von 2 Minuten bei 1200C verklebt, indem das Sandwich aus Montagerahmen/silbergefülltem Epoxidharz-Film/Siliziumkristall mit Klammern zwischen zwei Platten fixiert wird. Der Siliziumkristall zeigt anschliessend eine Haftfestigkeit von 10 N/mm2 auf dem versilberten Montagerahmen [ ermittelt durch die Haftfestigkeitsprüfung nach E. Lüder: Bau hybrider Mikroschaltungen, Seite 42, Springer Verlag, Berlin (1977)1. Beispiel 8: Zu 2 Teilen eines flüssigen Bisphenol-A-Epoxidharzes [Bisphenol-A-diglycidyläther im Gemisch mit 2 Gew.% Kresylglycidyl äther; Epoxidgehalt 5.31 Aequiv./kg] werden 1 Teil Silberpulver (Silberflocken der mittleren Teilchengrösse von 3 x 10 pm der Fa. Ventron) und 0,06 Teile (Et'a6-2-Methylnaphthalin)CEta5-cyclopenta- dienyl)eisen(II)hexafluorophosphat gegeben und 10 Minuten im Ultraschallbad vermischt. Anschliessend gibt man 0,2 mg dieses Gemisches auf die versilberte Grundplatte eines DIL-Montagerahmens, belichtet das Gemisch während 300 Sekunden mit einer 5000 W Halogenlampe und verklebt den Montagerahmen durch 5-minütiges Erhitzen auf 1300C mit einem 0,2 x0,3 cm grossen Siliziumkristall. Der Siliziumkristall zeigt nach der in Beispiel 7 beschriebenen Haftfestigkeitsprüfung eine Haftfestigkeit von 10 N/mm2. Zur Bestimmung des elektrischen Durchgangswiderstands wird ein analoges Präparat mit einem 0,06 cm dicken Kupferplättchen der Abmessungen 0,2 x 0,3 cm hergestellt. Eine einfache Zweipunktmessung ergibt einen Durchgangswiderstand von 70 m0hm (Dicke der Klebschicht ca. 10 ¯im). Verwendet man im obigen Beispiel anstelle von 0,06 Teilen (Eta6-2-Methyl naphthalin)(Eta5-cyclopentadienyl)eisen(II)hexafluorphosphat eine entsprechende Menge CEta6 -Cumol) (Eta5 -cyclopentadienyl)eisen(II)- hexafluorphosphat, so werden ähnlich gute Resultate erzielt.

Claims: A photocurable filled epoxy resin composition comprising a) 5 - 40% by weight of an epoxy resin or epoxy resin mixture, which is free from olefinically unsaturated C=C double bonds, b) 0.1 - 15% by weight of at least one photoinitiator of the formula I [(R¹) (R²M) a ] +an an/q [LQ m ] -q (I), in which a is 1 or 2 and n and q are independently of one another each an integer from 1 to 3, M is the cation of a monovalent to trivalent metal from Groups IVb to VIIb, VIII or Ib of the periodic system, m is an integer corresponding to the valency of L and Q is a halogen atom, L is a divalent to heptavalent metal or non-metal, R¹ is a π-arene and R² is a π-arene or the anion of a π-arene, and c) 30 - 90% by weight of at least one finely particulate filler selected from the group consisting of carbon black, graphite, metal-containing fillers and fillers with semiconductor properties, which is in the form of essentially spherical, dendritic or lamellar particles, the average particle size of the essentially spherical particles being between 0,2 and 5 µm and the dendritic and lamellar particles having a length of 0,3 to 20 µm and a layer thickness of 0.1 to 1 µm, and the sum of the stated components being 100% by weight with the optional addition of a fluxing agent (d) and/or conventional additives (e). A composition according to claim 1, in which the epoxy resin (a) is an optionally pre-extended diglycidyl ether of a dihydric phenol or of a dihydric aliphatic alcohol having 2-4 carbon atoms, a polyglycidyl ether of a novolak or a tetra-glycidylated 4,4'-diaminodiphenylmethane. A composition according to claim 1, wherein in formula I a is 1, R¹ is benzene, toluene, xylene, cumene, methoxybenzene, chlorobenzene, p-chlorotoluene, naphthalene, methylnaphthalene, chloronaphthalene, methoxynaphthalene, biphenyl, indene, pyrene or diphenylene sulfide and R² is the anion of cyclopentadiene, acetylcyclopentadiene or indene or is benzene, toluene, xylene, trimethylbenzene, naphthalene or methylnaphthalene. A composition according to claim 1, wherein in formula I a is 1, R¹ is eta⁶-cumene or eta⁶-2-methylnaphthalene and R² is the anion of eta⁵-cyclopentadiene and n is 1 or 2 and q is 1. A composition according to claim 1, wherein M is a chromium, cobalt, manganese, tungsten, molybdenum or iron cation and [LQ m ] -q is SbF₆⁻, BF₄⁻, AsF₆⁻ or PF₆⁻. A composition according to claim 1, in which the metal-containing filler or the filler with semiconductor properties is a metal, a metal compound or a metal alloy in which the metal is from Groups IIa, IIIa, IVa, Ib, Vb, VIb and/or VIII of the periodic system. A composition according to claim 1, in which the metal-containing filler is silver, copper, a silver/palladium alloy, palladium, platinum, gold, tungsten or molybdenum. A composition according to claim 1, in which the metal-containing filler is Au, Pt, AgPd and in particular Ag- or Cu-powder. A composition according to claim 1, in which the filler is aluminium oxide, beryllium oxide, lithium aluminium oxide, silicon carbide, barium titanate, lead titanate, lead zirconate, WO₃, Fe₃O₄ , NiFe₂O₄, CoFe₂O₄, a manganese/zinc ferrite or ZnS. A composition according to claim 1, which additionally contains 5-50% by weight of a fluxing agent (d), the sum of components (a) to (d) being 100% by weight. The use of a composition according to claim 1 for producing relief structures, images or adhesive bonds by photocuring optionally followed by a thermal post-curing.

Inventors: BUEHLER, NIKLAUS, DR., GILLER, GERALD, Bühler, Niklaus, Dr.
Applicants: CIBA-GEIGY AG
Application year: 1985
Main classification: C08L63
IPC codes: G03F7, C08G59, G03C1, C08K3