METHOD OF PRODUCING LAYERS OF FERRIMAGNETIC GARNET SUBSTITUTED BY BISMUTH

Abstract: The layers are produced by HF-cathodic sputtering using a target which contains the elements involved in the layer structure in the form of oxides and bismuth in the form of an oxide compound having a defined stoichiometry, in which bismuth and at least one element involved in the layer structure and having a sputtering rate significantly below that of bismuth are incorporated on fixed lattice sites. It is advantageous to use a magnetron cathode.

Description: Verfahren zur Herstellung Wismut-substituierter ferrimagnetischer Granatschichten Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung Wismut-substituierter ferrimagnetischer Granatschichten auf einem Substrat durch HF-Kathodenzerstäubung unter Einsatz eines Targets, das die am Schichtaufbau beteiligten Elemente in Form von Oxiden enthält. Ein Verfahren, bei dem Wismut-substituierte Eisengranatschichten mittels HF-Kathodenzerstaubung auf einem Substrat abgeschieden werden, ist in der deutschen Patentanmeldung P 33 43 768.8 vorgeschlagen worden. Ein besonderes Problem bei der Abscheidung von Wismut-substituierten Eisengranatschichten mittels HF-Kathodenzerstäubung ist die im Vergleich zu den anderen Bestandteilen der Schicht wesentlich höhere Zerstaubungsausbeute des Wismuts in oxidischer Bindung. Bei der Durchfuhrung des klassischen HF Plasmazerstäubens mit den üblicherweise eingesetzten Parametern findet deshalb durch Rückzerstaubungsprozesse und thermische Prozesse, z.B. infolge des Beschusses mit energetischen Sekundärelektronen, an der Substratelektrode eine Verarmung an Wismut in den erzeugten Schichten statt. Das Problem der Wismutverarmung wird mit dem bekannten Verfahren dadurch gelost, dass erstens ein Überschuss an Wismutoxid im Target vorgegeben ist und dass zweitens durch eine HF-Vorspannung an der Substratelektrode (sogenannter Substrat-Bias) eine Feineinstellung des Wismutgehaltes in der wachsenden Schicht ermoglicht wird. Die Herstellung von dünnen ferrimagnetischen Granatschichten hat in den letzten Jahren zunehmend an Bedeutung gewonnen wegen ihrer Anwendungsmöglichkeiten auf magnetischem bzw. magnetooptischem Gebiet, z.B. als Displays, für optische Drucker, für Blasendomänenanordnungen, in Gyrolasern und für Bauelemente im Bereich der optischen Kommunikation, z.B. aktive Elemente in Speichervorrichtungen, die mittels elektromagnetischer Strahlung adressierbar sind. Bei der Herstellung von Granatschichten hat die Abscheidung mittels HF-Kathodenzerstäubung (HF-Plasmazerstäubung oder RF-Diodesputtering) für die industrielle Fertigung an Interesse gewonnen, weil auf diese Weise die Schwierigkeit, homogene Abscheidungen dielektrischer Schichten auch über grössere Flächen zu erreichen, noch am ehesten überwunden werden kann. Das traditionelle Vorgehen, einkristalline Granatschichten mittels Flüssigphasenepitaxie (LPE) auf einkristallinen Substraten mit etwa angepasster Gitterkonstante abzuscheiden, ist teuer und bislang noch nicht soweit entwickelt, dass eine Grossserienfertigung mit reproduzierbarem Erfolg arbeiten kann. Schwierigkeiten ergeben sich z.B. bei den einkristallinen Substraten, die - abhängig von den Abmessungen der Einkristalle, aus denen sie geschnitten werden - nicht in beliebiger Grösse hergestellt werden können. Dem Flüssigphasenepitaxieprozess gegenüber bietet die HF Plasmazerstäubung für die Herstellung von Granatschichten eine Reihe von Vorteilen; es werden keine Edelmetalle für die einzusetzenden Vorrichtungen benötigt, es kann der grosse technologische Aufwand mit der Herstellung einkristalliner Substrate entfallen und es ist auch eine kontinuierliche Prozessführung möglich. Darüberhinaus bietet der HF-Plasmazerstäubungsprozess den Vorteil einer grösseren Vielseitigkeit, da eine Vielfalt von Substrat/Schichtkombinationen möglich ist und Schichten grösserer Abmessungen hergestellt werden können. Nach dem in P 33 43 768.8 vorgeschlagenen Verfahren können Schichten gewünschter stöchiometrischer Zusammensetzung reproduzierbar aufgestäubt werden, deren intrinsische, optische, magnetooptische, magnetische und kristallographische Eigenschaften durchaus denen durch Flussigphasen- epitaxie hergestellter Schichten entsprechen. Es hat sich jedoch gezeigt, dass in den nach diesen Verfahren abgeschiedenen Schichten Defekte in Form von Partikeln einer Grösse = IOpm vorhanden sein können, die im Hinblick auf eine möglichst hohe Schichtperfektion nicht erwünscht sind. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das eingangs genannte Verfahren derart zu verbessern, dass Wismut-substituierte ferrimagnetische Granatschichten durch HF-Kathodenzerstäubung nahezu defektfrei hergestellt werden können. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäss dadurch gelöst, dass ein Target eingesetzt wird, das Wismut in Form einer Oxidverbindung mit bestimmter Stochiometrie, in der Wismut und mindestens ein am Schichtaufbau beteiligtes Element mit einer deutlich unter der Zerstäubungsrate für Wismut liegenden Zerstäubungsrate auf festen Gitterplatzen eingebaut ist, enthält. Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass die bei den bekannten Schichten festgestellten Defekte auf eingelagerte Partikel zurückzuführen sind, die aus dem Target stammen. Das bekannte Target enthält wegen des sehr hohen Überführungsverlustes an Wismut überschüssiges freies Bi203. Wegen der im Vergleich zu den anderen Targetbestandteilen hohen Zerstäubungsausbeute des Bi3+ verarmt die Targetoberfläche drastisch an Bi203 und zerklüftet. Es verbleiben im Target hervorstehende Phasenbestandteile, die eine langsamere Zerstäubungsrate haben, z.B. GdFe03 oder Gd3Fe5012. Das hohe negative elektrische Potential der Targetoberfläche während der HF-Kathodenzerstäubung bewirkt dann eine Abstossung der gleich geladenen, hervorstehenden Teilchen und deren Einbau in die wachsende Schicht. Es ist auch zu vermuten, dass die Bi203-Matrix des bekannten Targets in Oberflächennähe wegen Durchschreitung von kristallographischen Phasenübergängen desintegriert und die Verkettung mit den anderen Phasenbestandteilen lockert. Es hat sich nun gezeigt, dass Defekte in der oben beschriebenen Art in der abgeschiedenen Schicht nahezu vermieden werden können, wenn dafür gesorgt wird, dass Wismut nicht in Form von Bi203 im Target vorhanden ist, sondern z.B. in Form einer Doppeloxidverbindung oder einer ternären Oxidphase. Durch die molekulare Bindung von Bi3+ an andere Elemente mit geringerer Zerstäubungsausbeute, z.B. Fe3+ und/oder Gd3+, wird die effektive Zerstäubungsausbeute von Bi3+ herabgesetzt. Wenn die im Target vorhandene Wismutmenge nicht ein Bi-Atom/Formeleinheit überschreitet, können perfekte Schichten, d.h. Schichten ohne Einbau von Fremdpartikeln, mit einer klassischen HF-Kathodenzerstäubungsvorrichtung in Diodenanordnung erreicht werden unter der Voraussetzung, dass Bi3+ im Target molekular an ein (oder mehrere) Kation(en) mit niedrigerer Zerstäubungsausbeute gebunden ist. Sollen höhere Wismutgehalte in den herzustellenden Schichten erreicht werden und/oder soll zum Erreichen spontaner Kristallisation in der wachsenden Schicht mit höheren Temperaturen am Substrat gearbeitet werden, was mit Hinblick auf die Korrosion der Vorrichtung nur in Sauerstoff-freiem Plasma möglich ist, muss das Plasma nach einer weiteren, der Erfindung zugrundeliegenden Erkenntnis von der wachsenden Schicht entfernt gehalten werden, um Rückzerstäubungsverluste an Bi3+ weitgehend zu vermeiden; dies kann erreicht werden durch Einsatz einer Magnetron-Kathode. Daher wird nach einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung als Targetelektrode ein Magnetron, in das die für den Zerstäubungsprozess erforderliche HF-Leistung eingespeist wird, eingesetzt. Hiermit ist dann der Vorteil verbunden, dass Targets eingesetzt werden können, deren Zusammensetzung relativ dicht an der stöchiometrischen Zusammensetzung der herzustellenden Schicht liegt, bei denen der Wismutgehalt also nur geringfügig höher ist, als es der stöchiometrischen Zusammensetzung der herzustellenden Schicht entspricht. Ein Magnetron bewirkt, dass das Plasma in Targetnähe konzentriert und damit der Ionenbeschuss der wachsenden Schicht drastisch vermindert wird, so dass einmal in der abgeschiedenen Schicht vorhandenes Bi3+ nicht rückabgestäubt wird. Mit der Anwendung eines Magnetrons ist darüberhinaus der Vorteil verbunden, dass der Abstand zwischen Target und Substrat im Vergleich zu dem bekannten Verfahren, das mit einer klassischen HF-Kathodenzerstäubungsanlage in Diodenanordnung arbeitet, weit mehr als verdoppelt werden kann, weil die mit einem Magnetron zu erreichende Zerstäubungsrate des gesamten Targetmaterials wesentlich höher ist. Nach einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung wird daher ein Abstand zwischen der Targetelektrode und der Substratelektrode zwischen 40 und 100 mm, gewählt. Wie oben bereits näher ausgeführt wurde, ist es ein besonderes Problem bei der Abscheidung von Wismut-substituierten Eisengranatschichten mittels HF-Kathodenzerstäubung, dass das Wismut in oxidischer Bindung im Vergleich zu den anderen Bestandteilen der Schicht eine wesentlich höhere Zerstäubungsausbeute hat. Dieser Effekt macht sich selbstverständlich nicht nur bei der Zerstaubung des Targets bemerkbar, sondern er wirkt auch, wenn die wachsende Schicht &commat;4 einem Ionenbeschuss aus dem Plasma ausgesetzt wird, wobei ein R0ckzerstiuben (backaputtern) von in der Schicht bereits vorhandenem Bi3+ erfolgt, also eine Verarmung der Schicht an Bi3+ eintritt. Bei Anwendung einer Magnetron-Elektrode kann der Abstand zwischen Targetelektrode und Substratelektrode aufgrund der hohen Zerstäubungsleistung des Magnetrons so gewählt werden, dass sogenannte backsputter-Effekte kaum auftreten. Nach einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung wird das Substrat auf eine Temperatur im Bereich zwischen 300 und 6500C, vorzugsweise auf eine Temperatur von etwa 550 C aufgeheizt. Dieser Bereich ist gerade für Glassubstrate von ausserordentlicher Bedeutung. Unter 3000C entstehen unter Umständen noch keine optimalen Schichten und 6500C sind für manche Gläser unter Umständen schon wieder zuviel. Gerade bei einer Prozesstemperatur von etwa 5500C liegt eine eventuelle zweite Phase in feinster Verteilung vor, so dass deswegen eine Abweichung von der Formelzusammensetzung des Targets von einer bestimmten Stöchiometrie unkritisch ist. Hiermit ist der Vorteil verbunden, dass z.B. durch Kondensationsphänomene bedingte Verluste von Bi3+, infolge einer bereits einsetzenden Bildung von Rristalliten in der röntgenamorphen Schicht, verringert werden. Dies bedeutet auch, dass, wenn bei so niedrigen Temperaturen wie z.B. 550 C gearbeitet wird, spontan kristallisierte Schichten auch ohne Nachtempern erreicht werden können. Nach einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung wird die Schicht in einer Edelgas-Atmosphäre, eines Drucks von 1,1 bis 10x10-3 mbar abgeschieden. Es hat sich gezeigt, dass der Anteil an in den Schichten vorhandenem Wismut insbesondere erhöht werden kann, wenn statt in einer sauerstoffhaltigen Edelgasatmosphare in einer reinen Edelgasatmosphäre abgeschieden wird, wobei besonders gute Ergebnisse erzielt werden, wenn Krypton gewählt wird. Nach einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung werden Schichten der allgemeinen Zusammensetzung (Gd,Bi)3(Fe,GatAl)sO12 abgeschieden. Gute Ergebnisse wurden erreicht wenn das verwendete Target eine der nachfolgend angegebenen Einwaage-Zusammensetzungen hatte (Gew.%): Gd203 25,7 Cd203 17,2 BiFeO3 48,1 b Bi213Gd0,7Fe5012 71,1 bzw. Je203 17,6 Fe2 3 3,1 Al203 3,4 A120 3,4 Ga203 5,2 Ga203 5,2 Nach dem erfindungsgemässen Verfahren hergestellte Wismutsubstituierte Eisengranatschichten haben den Vorteil, dass ihre optischen und magnetooptischen Eigenschaften wie auch die Temperaturabhängigkeit der Sättigungsmagnetisierung mit den Werten von mittels Flüssigphasenepitaxie hergestellten Schichten entsprechender Zusammensetzung nahezu übereinstimmt, dass aber ausserdem, anders als bei mittels Flüssigphasenepitaxie hergestellten Schichten, die vorliegenden Schichten über ihre gesamte Schichtdicke eine hohe Homogenität aufweisen. Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemässen Verfahrens ist, dass mit einem sauerstoffreien Edelgasplasma gearbeitet werden kann, so dass wesentlich höhere Substrattemperaturen als beim bereits vorgeschlagenen Verfahren, das mit einer Sauerstoffatmosphäre arbeitet, möglich sind. Eine höhere Substrattemperatur begünstigt eine spontane Kristallisation der abgeschiedenen Schicht. Beispiele Als Ausführungsbeispiel der Erfindung wird die Herstellung von Wismut-substituierten Gadolinium-Eisengranat-Schichten, bei denen ein Teil des Eisens durch Aluminium und Gallium substituiert ist, beschrieben. Für die HF-Kathodenzerstäubung können im Handel erhältliche, mit HF-Spannung zu betreibende Kathodenzerstau- bungsanlagen mit einer magnetischen Targetelektrode (Magnetron) benutzt werden, wobei als Hilfsvorrichtung eine Messvorrichtung zur Messung der effektiven HF-Spannung sowohl an der Targetelektrode als auch an der Substratelektrode vorzusehen ist. Die Magnetronelektrode ist liegend in einen herkömmlichen Vakuumrezipienten eingebaut. Die für den Zerstäubungsprozess erforderliche HF-Leistung wird über Impedanzanpassungsglieder in die Targetelektrode eingespeist, wobei die Einstellung der HF-Spannung an der Targetelektrode durch Regelung der Kapazitäten der Impedanzanpassungsglieder erfolgt. Die Konstanthaltung der HF-Spannung an der Targetelektrode auf Werte besser als + 1% wird über eine Rechnersteuerung erreicht. Als Energiequelle für die Zerstäubungseinrichtung dient ein normaler HF-Generator, der bei einer Ausgangsleistung von 160 W betrieben wird. Die Betriebsfrequenz liegt bei 13,56 MHz. Als Target (kathodische Zerstäubungsquelle) dienen durch Heisspressen aus den Oxiden der am Schichtaufbau beteiligten Elemente hergestellte Körper eines Durchmessers von 75 mm, einer Dicke von 4 mm und einer Porosität von 4% mit folgenden Einwaage-Zusammensetzungen (Angaben in Gew.%): Gd203 25,7 Gd203 17,2 BiFe03 48,1 Bi2,3Gd0,7Fe5012 71,1 Fe203 17,6 Fe203 3,1 Al203 3,4 Al203 3,4 Ga203 5,2 Pa203 5,2 Der keramische Prozess zur Herstellung des Targets aus den genannten Oxiden wird so geführt, dass kein freies Bi203 rückgebildet wird. Der Targetkörper wird an einer Trägerplatte mit einem gut wärmeleitfähigen Kleber (mit Silberpulver gefülltes Epoxidharz) befestigt und dieser Verbundkörper wird dann auf der Targetelektrode befestigt. Der Targetkörper kann auch durch Kaltpressen der Oxide der am Schichtaufbau beteiligten Elemente und anschliessendes Sintern hergestellt werden. Um Verlustwärme abzuführen, ist es zweckmässig, z.B. durch Wasser gekühlte Targetelektroden zu verwenden. Als Substratelektrode wurde eine, auf eine Temperatur von 355 bis 5500 aufgeheizte hochfrequenztaugliche Elektrode eines Durchmessers von 150 mm eingesetzt. Als Substrate wurden Ca/Mg/Zr-substituierte Gadolinium-Gallium-Granat Einkristallscheiben mit (111)-Orientierung oder Platten aus Gläsern mit hoher Transformationstemperatur und einem, dem aufzubringerdrX Schichtmaterial angepassten thermischen Ausdehnungskoeffizienten verwendet. Die Auswahl des Substrates hängt ab vom Anwendungszweck der hergestellten Schicht. Werden grossflächige Schichten, z.B. für Displays, benötigt, sind insbesondere Glassubstrate geeignet. Die Zerstäubungsapparatur wird zunächst mit einer Vakuumpumpe bis zu einem Druck von etwa 10'5 mbar evakuiert, anschliessend wird ein Edelgas, vorzugsweise Krypton eines Drucks von 5x10-3 mbar eingeleitet. Der Elektrodenabstand beträgt 50 - 80 mm. Die Niederschlagsrate liegt bei etwa 0,5 bis 2pm/h bei Anwendung eines heissgepressten Targetkörpers. Die an der HF-Zuleitung an der Rückseite der Targetelektrode gemessene HF-Spannung beträgt = 2OOVeff, die Substratspannung ist schwebend. Vor der Abscheidung der Schichten (typische Schichtdicken liegen bei 1 bis 2 pm) werden Target und Substrat jeweils durch Zerstäuben im Plasma angeätzt, um eine Gleichgewichtsverteilung der Phasenbestandteile an der Oberfläche einzustellen. Die Vorätzzeit reduziert sich bei weiteren Experimenten an ein und demselben Target auf etwa 0,5 bis 1 h, bis sich am Target das Gleichgewichtspotential stabilisiert hat. Nach Abscheidung in der Kathodenzerstaubungsanlage sind die Schichten weitgehend röntgenamorph. Eine Umwandlung in kristalline Wismut-substituierte Eisengranatschichten erfolgt durch Erhitzen in Sauerstoffatmosphäre bei einer Temperatur von etwa 7300C für den Fall, dass einkristalline Granatsubstrate verwendet werden und bei einer Temperatur von etwa 7800C für den Fall, dass Glassubstrate verwendet werden. Die besonderen Vorteile des vorliegenden Verfahrens liegen darin, dass trotz der im Vergleich zu den anderen Bestandteilen des Targets wesentlich h8hçren Zerstäubungsausbeute des 3i3+ in der abgeschiedenen Schicht hohe Wismutgehalte reproduzierbar erreicht werden können, wobei die abgeschiedenen Schichten eine hohe Homogenität über die gesamte Schichtdicke aufweisen und nahezu frei von Defekten in Form von grösseren Partikeln sind, die aus dem Target infolge Zerklüftung aufgrund der sehr unterschiedlichen Zerstäubungsraten von Bi3+ und der übrigen aus dem Target abzustäubenden Ionen, wie Fe3+, Gd3+, Ga3+, A13+, herausgerissen werden. Wie gut das Überführungsverhalten der beteiligten Elemente aus den Targets in die wachsende Schicht ist, zeigt die nachfolgende Tabelle (die in der Tabelle angegebenen Schichtzusammensetzungen sind nicht stöchiometrisch). EMI12.1 Sub Elektro- <SEP> strat Schichtzusammensetzung <SEP> [Gew.%] <SEP> Gas- <SEP> Gasdruck <tb> den- <SEP> tempera Probe <tb> atmosphäre <SEP> [mbar] <SEP> abstand <SEP> tur <tb> Gd <SEP> Bi <SEP> Fe <SEP> Ga <SEP> Al <SEP> Ar <SEP> Kr <SEP> O <SEP> # <tb> [mm] <SEP> [ C] <tb> M <SEP> 304 <SEP> 21,6 <SEP> 30,2 <SEP> 21,8 <SEP> 3,9 <SEP> 2,1 <SEP> 0,6 <SEP> - <SEP> 19,2 <SEP> 99,4 <SEP> Argon <SEP> 5 <SEP> x <SEP> 10-3 <SEP> 50 <SEP> 362 <tb> M <SEP> 309 <SEP> 21,0 <SEP> 32,0 <SEP> 20,4 <SEP> 3,9 <SEP> 2,2 <SEP> 0,5 <SEP> - <SEP> 19,0 <SEP> 99,0 <SEP> " <SEP> " <SEP> 80 <SEP> 360 <tb> M <SEP> 310 <SEP> 20,9 <SEP> 34,8 <SEP> 19,6 <SEP> 3,7 <SEP> 2,0 <SEP> 0,3 <SEP> - <SEP> 18,7 <SEP> 100,0 <SEP> " <SEP> " <SEP> " <SEP> 550 <tb> M <SEP> 313 <SEP> 21,2 <SEP> 25,2 <SEP> 20,3 <SEP> 4,0 <SEP> 2,2 <SEP> 0,4 <SEP> - <SEP> 18,2 <SEP> 91,5 <SEP> 1 <SEP> O2+4 <SEP> Ar <SEP> " <SEP> " <SEP> 355 <tb> M <SEP> 314 <SEP> 14,5 <SEP> 37,1 <SEP> 21,5 <SEP> 4,3 <SEP> 2,7 <SEP> - <SEP> 0,2 <SEP> 19,6 <SEP> 99,9 <SEP> Krypton <SEP> " <SEP> " <SEP> 358 <tb> Aus Versuchen hat sich ergeben, dass eine Veränderung des Argon-Druckes (3,5 # 5 Q 7x10-3 mbar) kaum einen Einfluss hat auf die Menge des abgeschiedenen Wismuts in der Schicht. Als vorteilhaft in bezug auf die Menge an abgeschiedenem Wismut in der Schicht erweist sich eine reine Krypton-Atmosphäre, wogegen ein Sauerstoffanteil in der Edelgasatmosphäre die Überführung von Wismut aus dem Target in die Schicht nachteilig beeinflusst.

Claims: A method of manufacturing bismuth-substituted ferrimagnetic garnet films on a substrate by HF cathode sputtering, using a target containing, in the form of oxides, the elements involved in the build-up of the film, characterized in that a target is used which includes bismuth in the form of an oxide compound with a certain stoichiometry, bismuth and at least one element involved in the film build-up, which element has a sputtering rate which is distinctly lower than the sputtering rate of bismuth, being incorporated in the oxide compound at fixed lattice sites. A method as claimed in Claim 1, characterized in that the target electrode used is a magnetron into which the HF power required for the sputtering process is fed. A method as claimed in Claim 1, characterized in that bismuth in a binary oxide compound is introduced into the oxide mixture for the production of the target. A method as claimed in Claim 3, characterized in that bismuth in the form of BiFeO₃ powder is introduced into the oxide mixture for the production of the target. A method as claimed in Claim 1, characterized in that bismuth in a ternary oxide phase is introduced into the oxide mixture for the production of the target. A method as claimed in Claim 5, characterized in that bismuth in the form of (Gd, Bi)₃Fe₅0₁₂ powder is introduced into the oxide mixture for the production of the target. A method as claimed in Claim 1, characterized in that films of the general formula (Gd, Bi)₃(Fe, Ga, Al)₅O₁₂ are deposited. A method as claimed in Claim 1, characterized in that the substrate arranged on the substrate electrode is heated to a temperature in the range from 300°C to 650°C. A method as claimed in Claim 8, characterized in that the substrate is heated to a temperature of approx. 550°C. A method as claimed in at least one of the preceding Claims, characterized in that the target is of the following composition (% by weight): A method as claimed in at least one of the preceding Claims, characterized in the target is of the following composition (% by weight): A method as claimed in Claim 2, characterized in that the film is deposited in an inert-gas atmosphere with a pressure in the range from 1.0 to 10 x 10⁻³ mbar. A method as claimed in Claim 12, characterized in that the film is deposited in an argon atmosphere. A method as claimed in Claim 2, characterized in that the distance between the target electrode and the substrate electrode is selected to be between 40 and 100 mm. The use in optical stores of ferrimagnetic garnet films produced according to the method claimed in Claims 1 to 14. The use in optical printers of ferrimagnetic garnet films produced according to the method claimed in Claims 1 to 14. The use in displays of ferrimagnetic garnet films produced according to the method claimed in Claims 1 to 14. The use as gyrotropic waveguides of ferrimagnetic garnet films produced according to the method claimed in Claims 1 to 14.

Inventors: KRUMME, JENS-PETER, DR. ING., SIX, ROLF, WILLICH, PETER, DR. DIPL.-CHEM.
Applicants: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN, PHILIPS PATENTVERWALTUNG GMBH
Application year: 1985
Main classification: C23C14
IPC codes: H01F10, H01F41, C23C14