ARRANGEMENT FOR THE TENSION COMPENSATION AND THE HEAT DISSIPATION OF AN ELECTRONIC COMPONENT

Abstract: 1. Arrangement for the soldered connection of semiconductor components with a heat transfer part contacting a cooling element via a bolt, characterised by an intermediate layer (8) which extends along the rows of contacts (13) of the semiconductor module (1), between the component (1) and the printed circuit board (2), and which has electrical contacts (9) arranged thereon via which extend the soldered connections (13) from the contacts of the semiconductor component to the printed conductors (7) of the printed circuit board (2), the heat transfer part (3, 4) being arranged on the semiconductor component side on which extends the intermediate layer (8).

Description: Anordnung zur Spannungskompensation und Wärmeabführung an einem elektronischen Bauelement Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Spannungskompensation und Wärmeabführung an einem elektronischen Bauelement, welches auf der einen Seite einer als Trägerelement ausgebildeten Leiterplatte durch geeignete Mittel wärmeableitend und im Abstand zur Leiterplatte angeordnete Halbleiterbausteine aufweist, die elektrisch mit Kontakten der Leiterplatte verbunden sind. Zum Abführen der Verlustwärrne eines auf einer Leiterplatte montierten Halbleiterbausteins ist aus der DE-A 32 37 878 eine Anordnung bekannt, bei welcher an jedem Halbleiterbaustein ein mit einem Bund versehener Gewindebolzen befestigt und der Gewindebolzen mit einer Mutter an der Leiterplatte angeschraubt ist. Zur Erreichung der Wärmeableitung ist der Gewindebolzen mittels einer weiteren Schraube an eine als Kühlplatte vorgesehene Grundplatte des Aufnahme-Gehäuses angepresst und gehalten. Bei den bekannten, modernen Halbleiteranordnungen besteht nicht ausschliesslich das Problem der Wärmeabfuhr sondern auch das Problem von Unterbrüchen, die aufgrund unterschiedlicher Ausdehnungskoeffizienten des eigentlichen Trägerelements in bezug zu dem einzelnen Halbleiterbaustein an den elektrischen Verbindungen (Lötstellen) entstehen können. Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung der eingangs genannten Art derart auszubilden, dass einerseits ein Ausdehnungsausgleich im Bereich der elektrischen Verbindungen (Lötstellen) und andererseits eine erhöhte Wärmeabstrahlung bewirkt wird. Die erfindungsgemässe Anordnung ist dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Leiterplatte und dem einzelnen Halbleiterbaustein am äusseren Umfang eine elastomere Zwischenlage sowie eine Anzahl mit den Kontakten der Leiterplatte elektrisch wirkverbundene Verbindungsleiter angeordnet sind, und dass ein auf der einen Seite mit einer Scheibe den Halbleiterbaustein und auf der anderen Seite über einen Bolzen ein grossflächiges Kühlelement kontaktierendes Wärmeübertragungstell vorgesehen ist. Weitere Merkmale der Erfindung ergeben sich aus den Patentansprüchen und der folgenden Beschreibung in Verbindung mit der Zeichnung. Die Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnung näher beschrieben. Es zeigt: Fig. 1 eine schematisch und in Draufsicht dargestellte Halbleiteranordnung, Fig. 2 eine in grösserem Massstab und in Schnittan sicht gemäss der Linie II-II in Fig.1 darge stellte erste Ausführungsform der Erfindung, Fig. 3 eine Variante der elektrischen Verbindung für die erfindungsgemässe Halbleiteranordnung, Fig. 4 eine in Schnittansicht dargestellte zweite Ausführungsform der Halbleiteranordn.ung, und Fig. 5 eine. in Schnittansicht dargestellte dritte Ausführungsform der Halbleiteranordnung. In Fig.1 ist in Draufsicht eine mit 2 bezeichnete Leiterplatte dargestellt, auf welcher eine Vielzahl (in Fig.1 sind nur zwei dargestellt) Halbleiterbausteine 1 (Chips) angeordnet und mit elektrischen Kontakten 7 (Bondpads) verlötet sind. Die mittels der Kontakte 7 miteinander elektrisch wirkverbundenen Teile 1 und 2 bilden einen integrierten Schaltkreis. Fig.2 zeigt in Schnittansicht und in grösserem Massstab eine erste Ausführungsform einer mit 10 bezeichneten Halbleiteranordnung und man erkennt den im wesentlichen durch eine Scheibe 4 im Abstand zu der Lelterplatte 2 angeordneten Halbleiterbaustein 1. An der Scheibe 4 ist ein Bolzen 3 angeordnet, welcher eine in der Leiterplatte 2 vorgesehene Bohrung 14 durchdringt. Die den #albleiterbaustein 1 wärmeleitend kontaktierende und als erstes Kühiteil ausgebildete Scheibe 4 und der Bolzen 3 bilden zusammen ein mit 5 bezeichnetes Wärmeübertragungsteil. Die elektrische Verbindung des Halbleiterbauteils 1 mit der Lelterplatte 2 wird durch die mit 13 bezeichneten Lötverbindungen der auf der Leiterplatte 2 vorgesehenen Kontakte 7 mit entsprechend stirnseitig zugeordneten Verbindungsleitern 9 erreicht. Der einzelne Verbindungsleiter 9 ist zur Aufnahme einer Zwischenlage 8 förmig ausgebildet. Die Zwischenlage 8 ist entsprechend dem Umriss des wärmeabgebenden Halbleiterbausteins 1 ausgebildet und besteht vorzugsweise aus elastomerem Werkstoff. Zur Erreichung einer optimalen Wärmeableitung ist bei der ersten Ausführungsform an der Unterseite 2' der Leiterplatte 2 eine mit 6 bezeichnete Platte angeordnet, welche mit nicht dargestellten Mitteln an dem Bolzen 3 befestigt ist. Fig.4 zeigt die zweite Ausführungsform einer mit 20 bezeichneten Halbleiteranordnung, welche sich von der vorstehend beschriebenen Halbleiteranordnung 10 im wesentlichen dadurch unterscheidet, dass an der Unterseite 2' der Leiterplatte 2 ein mit nicht dargestellten Mitteln an dem Bolzen 3 befestigtes Kühlelement 12 angeordnet ist. Das Kühlelement 12 ist mit einer im Abstand zur Leiterplatte 2 angeordneten, grossflächigen Kühl scheibe 11 versehen. Fig.5 zeigt die dritte Ausführungsform einer mit 30 bezeichneten Halbleiteranordnung, welche sich von den Halbleiteranordnungen 10 und 20 dadurch unterscheidet, dass an der Unterseite 2' der Leiterplatte 2 ein mit nicht dargestellten Mitteln am Bolzen 3 befestigtes Kühlelement 15 angeordnet ist, welches mehrere, im Abstand zueinander angeordnete Kühl scheiben 16 aufweist. In Fig.3 ist eine im Ausschnitt dargestellte Variante der elektrischen Verbindung für die vorstehend beschriebenen Halbleiteranordnungen 10, 20 oder 30 dargestellt und man erkennt den Halbleiterbaustein 1, die Leiterplatte 2, die auf der Leiterplatte 2 vorgesehenen Kontakte 7 sowie die Zwischenlage 8. Bei dieser Variante umfasst der einzelne, den elektrischen Kontakt zwischen dem Halbleiterbaustein 1 und der Leiterplatte 2 herstellende Verbindungsleiter ein oberes und ein unteres Leiterteil 9',9". Das einzelne Leiterteil 9' ist mittels der Lötstelle 13' mit dem Halbleiterbaustein 1 und das einzelne Leiterteil 9" mittels der Lötstelle 13" mit dem jeweils zugeordneten Kontakt 7 der Leiterplatte 2 elektrisch verbunden. Die beiden Leiterteile 9',9" sind durch eine die Zwischenlage 8 durchdringende Kontaktierung 17 elektrisch miteinander wirkverbunden. Die zwischen dem einzelnen Halbleiterbaustein 1 und der Leiterplatte 2 angeordnete Zwischenlage 8 ist beispielsweise rahmenartig oder kreisringförmig ausgebildet und kann mit den einzelnen Leiterteilen 9 oder 9',9" als eine Baueinheit ausgebildet sein. Die Zwischenlage 8 ist aus elastomerem, vorzugsweise aus PTFE Werkstoff herge stellt. Bei den erfindungsgemässen Halbleiteranordnungen 10,20 oder 30 wird zunächst das Wärmeübertragungsteil 5 mit dem Bolzen 3 in die Bohrung 14 der Leiterplatte 2 einige, führt und mit der Platte 6 oder dem Kühlelement 12 beziehungsweise 15 durch Aufpressen verbunden. Die Teile 5,6,12 und 15 können jedoch auch mit geeigneten Mitteln lösbar miteinander verbunden sein. Anschliessend wird die vorzugsweise mit den Verbindungsleitern 9,9',9" eine Einheit bildende Zwischenlage 8 auf den Kontakten 7 der Leiterplatte 2 plaziert und verlötet. Bei dem Lötvorgang kann gleichzeitig der Halbleiterbaustein 1 aufgelötet werden. Die als Kühlelement vorgesehenen Teile 5,6,12 und 15 werden vorzugsweise von einer nicht dargestellten Ventilation gekühlt.

Claims: Patentansprüche: 1. Anordnung zur Spannungskompensation und Wärmeabfüh rung an einem elektronischen Bauelement (10,20,30), welches auf der einen Seite einer als Trägerelement ausgebildeten Leiterplatte (2) durch geeignete Mittel wärmeableitend und im Abstand zur Leiterplatte ange ordnete Halbleiterbausteine (1) aufweist, die elek trisch mit Kontakten (7) der Leiterplatte verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Lei terplatte (2) und dem einzelnen Halbleiterbaustein (1) am äusseren Umfang eine elastomere Zwischenlage (8) sowie eine Anzahl mit den Kontakten (7) der Lei terplatte elektrisch wirkverbundene Verbindungsleiter (9,9',9") angeordnet sind, und dass ein auf der einen Seite mit einer Scheibe (4) den Halbleiterbaustein (1) und auf der anderen Seite über einen Bolzen (3) ein grossflächiges Kühlelement (6,12,15) kontaktie rendes Wärmeübertragungsteil (5) vorgesehen ist. 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenlage (8) rahmenartig oder kreisring förmig ausgebildet und mit den am Umfang verteilt angeordneten Verbindungsleitern (9,9',9") als Bauein heit auf der Leiterplatte (2) plaziert und mit den Kontakten (7) sowie dem Halbleiterbaustein (1) elek trisch wirkverbunden ist. 3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungsleiter zur Aufnahme der Zwischen lage (8) im wesentlichen [ -förmig ausgebildet und als Abstandhalter zwischen dem Halbleiterbaustein (1) und der Leiterplatte (2) angeordnet sind. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das mit dem Bolzen (3) des Wärmeübertragungs teils (5) in Wirkverbindung stehende Kühlelement (12,15) ein oder mehrere im Abstand zueinander ange ordnete grossflächige Kiihlscheiben (11,16) aufweist. 5. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenlage (8) aus PTFE-Werkstoff herge stellt ist.

Inventors: ELSENER, JOSEF
Applicants: CONTRAVES AG
Application year: 1985
Main classification: H05K7
IPC codes: H05K3, H05K1, H01L23, H05K7