PROCESS FOR ETCHING HOLE-MATRIX PLATES FOR PLASMA DISPLAY

Abstract: 1. Process for producing holes in glass plates, preferably having very fine structures, in particular for etching hole-matrix plates for plasma displays, characterized in that the holes are etched by dip etching using warmed concentration ammonium bifluoride solution, and the areas not to be etched are provided with a covering which is resistant to ammonium bifluoride.

Description: Verfahren und Vorrichtung zum Ätzen von Lochrasterplatten, insbesondere für Plasma-Kathoden-Display. Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung von Durchbrüchen (Löchern) in Glasplatten, vorzugsweise mit feinsten Strukturen, insbesondere zum Atzen von Lochrasterplatten für Plasma-Kathoden-Displays. In der DE-OS 24 12 869 ist eine Entladungs-Lumineszenz Anzeigeeinrichtung beschrieben und dargestellt. Für das Plasma-Kathoden-Display sind zur Steuerung der Elektronen auf dem Leuchtschirm zwei Arten von Steuereinheiten erforderlich. Im Prinzip handelt es sich hierbei um Lochplatten aus Glas, die jeweils beidseitig mit Leiterbahnen versehen sind. Die Leiterbahnen können die Elektronendurchtrittsöffnungen entweder voll umschliessen oder lediglich an ihnen vorbeiführen. Die sogenannte Steuerplatte trägt Zeilen- und Spaltenleiter und ist für die Bildpunktauswahl verantwortlich. Die Tetroden-/Pentodenplatte wird als weitere Steuereinheit zur Erhöhung des Kontrasts, der Durchschlagsfestigkeit und auch, bei entsprechender Ausführung, zur Ablenkung der durch die Öffnungen hindurchtretenden Elektronen in x- und y-Richtung eingesetzt. Zur Erzielung eines gleichmässigen Abstandes der zwei Steuereinheiten und zur Erhöhung der mechanischen Stabilität kann zwischen den metallisierten Platten eine Glaslochplatte eingebaut werden. Um ein einwandfreies Bild auf dem Display zu erzeugen, müssen alle Platten über die Gesamtfläche völlig gleichmässig geätzt werden. Die Ätzüberhänge bei den metalli sierten Platten sollen hierbei extrem klein gehalten werden. Nur so wird eine scharf abgegrenzte Bildpunktausleuchtung erreicht. Weiter stellt sich das technische Problem, dass während des Glasätzprozesses der Fotolack nicht verändert wird und auf üblichem Wege entschichtet werden kann. Für die Qualität der Steuereinheiten ist es erforderlich, dass die Standzeit der Giasätze für eine hohe Stückzahl von zu ätzenden Platten gewährleistet wird. Bisher wurden die Lochöffnungen in den Steuereinheiten entweder mit 40 %iger Flusssäure oder in der Gasphase einer 70 %igen Flusssäure (DE-PS 28 02 976) geätzt. Beim Ätzen mit Flusssäurelösung konnten in der Regel nur sehr grobe Lochraster erreicht werden. Die Ätzüberhänge, das heisst die Unterätzung der metallischen Leiter, waren hierbei unzulässig gross. Dies wirkte sich naturgemäss auf die Bildpunktqualität und auch auf die Haftfestigkeit der Leiterbahnen auf dem Glas aus. Beim Ät-zenin der Gasphase zeigten sich aufgrund der extrem hohen Giftigkeit des Fluorwasserstoffs bei der technischen Realisierung vor allem im Hinblick auf grössere Stückzahlen und Formate Schwierigkeiten. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, mit einfachen Mitteln ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Ätzen von Glaslochplatten, insbesondere mit hohen Lochzahidichten, anzugeben, wobei der Ätzfaktor besonders günstig ausfällt. Unter Ätzfaktor versteht man bekanntlich das Verhältnis von Tiefenätzung zur Seitenätzung. Diese Aufgabe wird nach der Erfindung dadurch gelöst, dass die Durchbrüche mit erwärmter, konzentrierter Ammoniumbifluorid-Lösung im Tauchätzverfahren geätzt und die nicht zu ätzenden Flächen mit einer gegen das Ammoniumbifluorid resistenten Abdeckung versehen werden. Der Vorteil dieses Verfahrens besteht darin, dass der Ätzfaktor wesentlich günstiger ist als bei Tauchätz- und Sprühätzverfahren mit wässriger Flusssäure. Die Metallisierung und auch der Fotolack werden bei dem Verfahren nach der Erfindung nicht angegriffen. Während des Ätzvorgangs verbleiben in den zu ätzenden Löchern in Ammoniumbifluorid unlösliche voluminöse Ätzprodukte, die das Verhältnis von Tiefen- zu Seitenätzung begünstigen. Beim Ätzen mit wässriger Flusssäure hingegen entstehen beim Ätzvorgang keine das Loch verstopfende unlösliche Ätzprodukte, so dass auch die Seitenätzung ungehindert stattfinden kann. Die in den Löchern verbleibenden Ätzprodukte können nach Beendigung des Ätzvorgangs mit verdünnter, erwärmter Schwefelsäure entfernt werden. Es ist zwar geläufig, mit Ammoniumbifluorid Quarze zu ätzen und auch Glasoberflächen, jedoch keine Durchbrüche. Im Gegensatz zu den bekannten Verfahren des Tauch- und Sprühätzens ist das Verhältnis von Tiefenätzung zu Seitenätzung mindestens um den Faktor 1,5 günstiger. Konnten zum Beispiel nach dem bekannten Ätzverfahren bisher Steuerplatten mit den Lochrastermassen 0,32 mm bzw. 0,64 mm, bei Lochgrössen von ca. 0,2 mm x 0,5 mm aus einer 0,1 mm dicken Glasfolie hergestellt werden, so ermöglicht das neue Ätzverfahren bei den gleichen Lochabmessungen die Herstellung aus ca. 0,15 mm dicken Glasfolien. Nach dem Ätzverfahren nach der Erfindung lassen sich auch die zur Abstützung der Steuerscheibe im Display erforderlichen Abstandslochplatten wesentlich vorteilhafter bzw. überhaupt erst herstellen. Falls zum Ätzen der Glaslochplatten Metall, zum Beispiel Kupfer, als Ätzresist verwendet wird, ist es bezüglich der Unterätzung besonders vorteilhaft, eine Haftschicht aus Titan zwischen Glasplatte und Kupfer aufzubringen. Beim fetzen der Löcher in die Glasplatte entwickelt sich bei seitlicher Unterätzung bei der Reaktion zwischen Titan und Ammoniumbifluorid Wasserstoff, der die Ammoniumbifluorid-Lösung verdrängt und somit die seitliche ätzung reduziert. Beim Tauchätz- bzw. Sprühätzverfahren mit Flusssäurelösung kommt dieser Effekt nicht zum Tragen, da die Reaktiensprodukte rasch genug entfernt werden, um eine Barriere gegen die angreifende Flusssäure aufzubauen. Bei dem erfindungsgemässen Verfahren besteht keine Gefahr mehr, dass die nicht zu ätzenden Stellen angegriffen werden. Mit dieser Lösung wird auch für grossflächige Formate ein gleichmässiges Ätzen erzielt. Nach einer Weiterbildung der Erfindung wird zur Erzeugung des Ätzresists zwischen Glasplatte und Resistschicht eine Haftschicht aus Titan, Chrom, A1203 oder NiCr vorgesehen. Zur Erleichterung der Ätzkontrolle kann auf den zu ätzenden Glasplatten jeweils eine nicht mit resistentem Belag versehene Testmarke vorgesehen werden. Nach einer weiteren Ausgestaltung des erfindungsgemässen Verfahrens werden die Glasplatten im Anschluss an den Ätzvorgang von den Reaktionsprodukten gereinigt, und zwar mit Hilfe heisser, verdünnter Schwefelsäure unter Ultraschalleinwirkung. Mit diesem Reinigungsverfahren sind auch äusserst feine Lochgrössen, zum Beispiel Löcher von 50 pm im Quadrat, zu reinigen. Eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens besteht darin, dass sich die Ammoniumfluorid-Lösung vorzugsweise in einem bis lOOe temperaturbeständigen Kunststoffbehälter befindet, direkt aufgeheizt und gerührt wird. Die direkte Heizung bewirkt eine schnellere und gleichmässigere Erwärmung der Lösung und vermeidet die Kontaminierung des Wärmeübertragungsmediums im Ätzmittel. Nach einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist der Kunststoffbehälter doppelwandig. Zwischen den Wänden befindet sich eine Isolierschicht. Der Vorteil besteht darin, dass die Ammoniumbifluorid-Lösung nicht schnell abkühlt und somit keine Ammoniumbifluorid-Kristalle bildet. Im Rahmen der Erfindung ist im Behälter auch eine Randabsaugvorrichtung eingebaut. Dadurch wird eine Arbeitsgefährdung durch austretende Flusssäuredämpfe vermieden. Das Verfahren nach der Erfindung kann auch zum Ätzen von anderen definierten Strukturen eingesetzt werden, so zum Beispiel zum Ätzen eines Balkenmusters. Ausführungsbeispiel: Auf eine beidseitig mit je 30 nm Titan und 300 nm Kupfer metallisierte Glasplatte von ca. 0,15 mm Dicke wird mit Fotolack das Negativbild der für die Steuerplatte erforderlichen Leiterbahnstrukturen erstellt. Die nicht mit Fotolack abgedeckten Flächen werden zum Beispiel mit Kupfer und Nickel bzw. nur mit Nickel galvanisch verstärkt. Anschliessend wird an den Stellen, an denen die Löcher in das Glas zu ätzen sind, der Fotolack fototechnisch entfernt und die Kupferschicht abgeätzt. Die Grösse der in das Glas zu ätzenden Löcher beträgt ca. 0,1 mm x 0,45 mm. Das Lochraster beträgt 0,57 x 0,70 mm. Die Glasplatten werden in einer Horde in trockenem Zustand für ca. 10 Minuten je nach gewünschtem Ätzgrad in die Ammoniumbifluorid-Lösung eingebracht. Nach dem Ätzprozess werden die Glasplatten kurz abgespült und anhand einer vorgesehenen Testmarke der Ätzvorgang kontrolliert. Die in den geätzten Löchern noch vorhandenen Reaktionsprodukte, wie Calziumfluorid, Alkalihexafluorosilikate und so weiter, werden zweckmässigerweise mit Hilfe eines Netzmittels mit Wasser herausgespült oder mit heiss verdünnter Schwefelsäure unter Ultraschalleinwirkung herausgelöst. Anschliessend wird der restliche Fotolack entfernt und das zwischen den galvanisch verstärkten Leiterbahnen noch vorhandene Metall (Titan und Kupfer) weggeätzt, um so eine Isolierstrecke zwischen den Leiterbahnen zu erhalten. Für die metallischen Leiterbahnen bleiben noch genügend Haftflächen vorhanden. Ansatz-Beispiel: 7 kg NH4HF2 . 2H20 + 51 H20 (800C). Die Erfindung wird anhand der Figur erläutert, die einen Schnitt durch eine Lochrasterplatte mit entsprechender Metallisierung zeigt. Mit 1 ist die Glaslochplatte bezeichnet. Auf dieser Platte ist beidseitig Titan 2, Kupfer 3 und Nickel 4 aufgebracht. Die geätzten Löcher tragen das Beugszeichen 5. 6 Patentansprüche 1 Figur

Claims: Patentansprüche 1. Verfahren zur Herstellung von Durchbrüchen (Löchern) in Glasplatten, vorzugsweise mit feinsten Strukturen, insbesondere zum Ätzen von Lochrasterplatten für Plasma-Kathoden-Display, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Durchbrüche mit erwärmter-, konzentrierter Ammoniumbifluorid-Lösung im Tauchätzverfahren geätzt und die nicht zu ätzenden Flächen mit einer gegen das Ammoniumbifluorid resistenten Abdeckung versehen werden. 2. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass zur Herstellung des Xtz- resists zwischen Glasplatte und Resistschicht eine Haftschicht aus Titan, Chrom,-A1203 oder NiCr vorgesehen wird. 3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Glasplatten im Anschluss an den Ätzvorgang von den Reaktionsprodukten mit heisser verdünnter Schwefelsäure unter Ultraschalleinwirkung gereinigt werden. 4. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach den Ansprüchen 1 bis 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass sich die Ammoniumbifluoridldsung vorzugsweise in einem bis 100 temperaturbeständigen Kunststoffbehälter befindet, direkt aufgeheizt und gerührt wird. 5. Vorrichtung nach Anspruch 4, da d u r c h g e k e n n z e i c h ne t , dass der Kunststoffbehälter doppelwandig ist und sich zwischen den Wänden eine Isolierschicht befindet. 6. Vorrichtung nach den Ansprüchen 4 und 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass im Behälter eine Randabsaugvorrichtung eingebaut ist.

Inventors: BURK, HERMANN, DIPL.-ING. FH, SCHUSTER-WOLDAN, HANS, DR. RER.NAT., DIPL.-CHEM., UNGER, EUGEN, DR. RER. NAT., DIPL.-CHEM., WEINGAND, KASPAR, DR. RER. NAT., DIPL.-CHEM., Bürk, Hermann, Dipl.-Ing. FH
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN
Application year: 1984
Main classification: C03C15
IPC codes: H01J17, C03B33, C03C15, H01J9