METHOD FOR PRODUCING AN ELECTROCONDUCTIVE CONNECTION, AND DEVICE FOR REALIZING SUCH A METHOD

Abstract: A method for producing an electroconductive connection by beam-induced chemical vapour deposition (CVD) is intended to alter a structure of electrical connections in a simple way. For this purpose, in an electron beam apparatus, an electron beam (EB) is aimed at particles of a reaction gas (V) in that region (D) in which the vapour deposition (ECVD) is to take place. Such a method is suitable for repairing integrated circuits. <IMAGE>

Description: Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitfähigen Verbindung und Vorrichtung zur Durchführung eines solchen Verfahrens. Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitfähigen Verbindung mittels strahlinduzierter chemischer Dampfabscheidung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Zur Reparatur von integrierten Schaltungen, zur Uberbrückung von Unterbrechungsstellen in Leitbahnen, zur Herstellung zusätzlicher Leitbahnen für Prüfzwecke oder zur individuellen Verdrahtung von Teilschaltungen ist Jeweils eine Herstellung einer elektrisch leitfähigen Verbindung erforderlich. Beispielsweise werden höchstintegrierte Schaltungen in ihrer Entwicklungsphase mit einem Elektronenstrahl-Mess- gerät geprüft. Fehler, die dabei erkannt werden, müssen durch Designänderungen eliminiert werden, die seit- und kostenaufwendig sind. Deshalb sollte ein elektronischer Baustein vor einem geplanten Redesign in allen seinen Funktionen getestet und die Auswirkung dabei geplanter DesignEnderungen überprüft werden. Deswegen ist es erforderlich, dass defekte Schaltungsstrukturen repariert. oder dass die Schaltung gezielt verändert wird. Unter dem Schlagwort ¯mikro surgeryfl sind einige Methoden zur Reparatur von integrierten Schaltungen bekannt. So können z.B. mit Hilfe eines Laserstrahls Leitbahnen unterbrochen werden. Um andererseits Unterbrechungsstel len zu überbrücken oder Teilschaltungen miteinander zu verbinden, müssen neue Leitbahnen erzeugt werden. Dies ist mittels zusätzlicher Lithografieschritte möglich, die Jedoch entsprechend aufwendig sind. Es ist bekannt, unterbrochene Leitbahnen mit einem winzigen Tropfen eines elektrisch leitfähigen Klebers auszubessern. Dabei wird dieser elektrisch leitfähige Kleber mit einem Mikromanipulator unter mikroskopischer Kontrolle aufgebracht. Für die feinen und eng benachbarten Strukturen hochintegrierter Schaltungen ist diese Methode Jedoch nicht geeignet. Mit Hilfe der Elektronenstrahl-Lithografie wird bei einem bekannten Verfahren die gewünschte Struktur mit einem fein fokussierten Elektronenstrahl in einem strahlungsempfindlichen Lack eingeschrieben. Bei einem anderen bekannten Verfahren wird dort, wo eine zusätzliche elektrisch leitfähige Verbindung entstehen soll, eine Silberchlorid-Schicht aufgedampft. Dabei erfolgt die Belichtung durch elektronenstrahlinduzierte Dissoziation der Silberchlorid-Moleküle. Bei diesen beiden bekannten Verfahren sind mehrere Technologie schritte notwendig, die ftlr ein kostengünstiges Reparatuzrverfahren nicht geeignet sind. Für das direkte Schreiben von Schaltungsstruuturen sind lonenstrahlschreiber und Atomstrahlschreiber vorgeschla gen worden. Solche Geräte könnten auch zum Reparieren von Schaltungen eingesetzt werden. Solche Geräte sind aber derzeit noch nicht verfügbar. Das zur Herstellung grossflächiger Schichten bekannte Verfahren der chemischen Dampfabscheidung (chemical vapor deposition: CVD) kann zur Erzeugung feiner Strukturen benutzt werden, wenn man einen fokussierten Laserstrahl zu Hilfe nimmt (LCVD). Dazu sind zwei Verfahren publiziert worden. Das eine ist eine rein thermische Methode (Pyrolyse) und beruht darauf, dass die Schichtoberfläche mit dem Laserstrahl lokal auf eine zur chemischen Abscheidung erforderliche Temperatur erhitzt wird. Damit konnten z.B. Nickelschichten aus einer Nickel-Carbonyl Atmosphäre bei einem Druck von 50 mbar abgeschieden werden (S.D. Allen: J.Appl.Phys. 52 (1981), 6501). Der Abscheidung liegt die Reaktion EMI3.1 zugrunde. Die Wachstumsrate beträgt z.B. 60lum/min bei einer Laserleistung von 0,5 W und einem Strahldurchmesser von 0,6 mm (Leistungsdichte 170 W/cm2). Bei der anderen LCVD-Methode(T.F. Deutsch, D.J. Ehrlich, R.M. Osgaad, Jr.: Appl.Phys.Lett. 35 (1979), 175) werden mit Hilfe eines UV-Lasers die Molekülbindungen des Reaktionsgases aufgebrochen und freie Metallatome erzeugt,die auf dem Substrat kondensieren (Photolyse). Auf diese Weise war es möglich, Metallschichten aus Me tall-Alkyl-Verbindungen abzuscheiden, z.B. Aluminium aus Trimethylaluminium Al(CH3)3 oder Kadmium aus Dimethylkadmium Cd(CH3)2. Die Versuchsbedingungen waren: 4 mbar Metall-Alkyl-Gas, gepuffert mit 1000 mbar Helium; 0,1... 1 W/cm2 Laser-Leistungsdichte; 1...60 s Expositionszeit. Es konnten Schichten bis zu 0,6/um Dicke sowie Strukturen im Submikronbereich erzeugt werden. Die LcVD-Verfahren sind sicherlich auch geeignet, Fehler in integrierten Schaltungen zu reparieren. Allerdings muss der betreffende Baustein nach der Prüfung in einem Testgerät bzw. in einem Elektronenstrahl-Messgerät (EMG) in eine besondere Apparatur gebracht werden, in der er der Atmosphäre des Reaktionsgases (z.B. metall-organische Verbindungen oder Netall-Halogenid) ausgesetzt wird. Die exakte Positionierung des Laserstrahles auf die defekte Stelle sowie die zur Erzeugung einer bestimmten Verbindung erforderliche Führung des Laserstrahles oder der Probe stellen zusätzliche Probleme dar. Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art anzugeben, mit dem in einfacher Weise eine Struktur von elektrischen Verbindungen geändert werden kann. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäss durch ein Verfahren nach dem Anspruch 1 gelöst. Ausgestaltungen und Vorteile der Erfindung sind in den Unteransprüchen, der Beschreibung und der Zeichnung dargestellt. Eine erfindungsgemäBe elektronenstrahlinduzierte chémi- sche Dampfabscheidung (ECVD) kann während der Uberprü- fungsphase einer integrierten Schaltung in einem Elek tronenstrahl-Messgerät durchgeführt werden. Dazu können der Elektronenstrahl und ein aus einer Kanüle strömendes Reaktionsgas, z.B. eine metall-organische Verbindung oder eine chemische Verbindung, die aus Metallkomplexen besteht, gleichzeitig auf diejenige Stelle gerichtet werden, an der die Dampfabscheidung erfolgen soll. Dabei kann eine Kanüle oder Düse im Elektronenstrahl-Mess- gerät unter elektronenmikroskopischer Kontrolle justiert werden. Die Dampfabscheidung kann dabei elektrisch kontrolliert und gesteuert werden. Mit einem erfindungsgemässen Verfahren kann die Verdrahtung in der obersten Leitbahnebene eines elektronischen Bausteines ohne Zeitverzug geändert werden. Die Erfindung ermöglicht es, solche Xnderungen während der elektrischen Überprüfung eines elektronischen Bausteines in einem Elektronenstrahl-Messgerät vorzunehmen. Solche änderungen können dazu dienen, eine integrierte Schaltung zu reparieren, zu ändern oder Teilschaltungen miteinander zu verbinden. Zum Durchtrennen von Leitbahnen kann zusätzlich ein Laser an ein Elektronenstrahlgerät adaptiert werden. Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung näher erläutert. Die Figur zeigt schematisch eine Anordnung für eine er findungsgemässe elektronenstrahlinduzierte chemische Dampfabscheidung. Eine elektrisch leitfähige Leitbahn AL, beispielsweise aus Aluminium, befindet sich auf einer Oxidschicht 0. Unterhalb dieser Oxidschicht O befindet sich beispielsweise ein Siliziumsubstrat 5. Die elektrisch leitfähig Leitbahn AL weist eine Leitbahnunterbrechung D auf. Der Elektronenstrahl EB eines Elektronenstrahlgerätes ist auf die Jenige Stelle gerichtet, an der sich die Leitbahnunterbre- chung D befindet. Durch eine Kanüle K wird ein Reaktions- gas V hindurchgeführt. Ein Ende dieser Kanüle K ist auf denjenigen Bereich positioniert, in dem sich diejenige Stelle befindet, an der die elektrisch leitfähige Leitbahn AL die Leitbahnunterbrechung D aufweist. Mit einer Vorrichtung nach der Figur lässt sich ein Verfahren durchführen, mit dem eine defekte Schaltung während der Überprüfung ihrer elektrischen Eigenschaften in einem Elektronenstrahl-Messgerät mit Hilfe des Elektronenstrahles EB unter elektronenmikro skopi sche r Kontrolle repariert werden kann. In Analogie zur laserinduzierten chemischen Dampfabscheidung (LCVD) handelt es sich dabei um eine elektronenstrahlinduzierte chemische Dampfabscheidung (ECVD). Bei Verwendung eines Elektronenstrahles EB müssen besondere Vorkehrungen getroffen bzw. Bedingungen eingehalten werden. Ein Elektronenstrahlgerät enthält empfindliche, elektronenoptische Bauteile wie z.B. die Polschuhe der elektromagnetischen Linsen, die vor Korrosion geschützt werden müssen. Daher müssen für das Reaktionsgas V solche chemische Verbindungen verwendet werden, die nach der Zersetzung nicht-korrosive, gasförmige Komponenten bilden. Dafür kommen z.B. die metall-organischen Verbindungen wie z.B. Trimethylaluminium in Frage. Ebenso kommen Jedoch auch Metallkomplexe wie z.B. Nickel-Tetrakarbonyl in Betracht. Da ein Elektronenstrahlgerät unter Hochvakuum arbeiten muss, kann die Apparatur nicht mit dem für die Dampfabscheidung notwendigen Gasdruck betrieben werden Statt dessen wird gemäss der Erfindung das Reaktionsgas V durch eine sehr feine, regulierbare und positionierbare Düse oder Kanüle K zugeführt. Ein Ende dieser Kanüle K soll vor dem Gaseinlass des Reaktionsgases V unter elektronenmikroskopischer Kontrolle unmittelbar an diejenige Stelle D herangeSEhrt werden, an der die Dampfabscheidung erfolgen soll. Durch gute Vakuumbedingungen in der Probenkammer des Elektronenstrahlgerätes wird dafür gesorgt, dass die nicht ucgeset tenAnteile des Reaktionsgases V sowie die nach der Reaktion freigesetzten Komponenten des Reaktionsgases V rasch und sicher abgepumpt werden. Durch eine Druckstufe, d.h. eine enge Blende BL oberhalb der Probenkammer, wird ferner gewährleistet, dass die elektronenmikroskopische Säule vom Vorgang der elektronenstrahlinduzierten chemischen Dampfabscheidung unbeeinflusst bleibt. Bei der Beschreibung der laserinduzierten chemischen Dampfabscheidung (LCVD) wurden oben zwei Verfahren erwähnt, nämlich einmal eine rein thermische Methode (Pyrolyse) und zum anderen eine Methode, bei der die Molekülbindun- gen des Reaktionsgases V aufgebrochen und freie Metallatome erzeugt werden, die auf dem Substrat kondensieren (Photolyse). Diese beiden Methoden eignen sich auch zur Durchführung eines erfindungsgemässen Verfahrens zur elektronenstrahlinduzierten chemischen Dampfabscheidung (ECVD). Zur Durchführung einer Pyrolyse muss diejenige Stelle, an der mit einem erfindungsgemässen Verfahren eine elektrisch leitfähige Verbindung hergestellt werden soll, im allg < meinen auf eine Temperatur aufgeheizt werden, die über der Zimmertemperatur liegt. Zur blossen Durchführung einer Photolyse muss diejenige Stelle, an permit einem erfindungsm- gemässen Verfahren eine elektrisch leitfähige Verbindung hergestellt werden soll, nicht unbedingt aufgeheizt-wer- den. Auch unter Elektronenbeschuss findet eine Zersetzung der Gasmoleküle des Reaktionsgases V schon bei Zimmertemperatur statt. Aus diesem Sachverhalt resultieren z.B. die allgemein bekannten, unangenehmen "Eontaminationsschich- turn", die aus den Kohlewasserstoff-Anteilen des Restgases, das sich noch jeweils im Elektronenstrahlgerät befindet, niedergeschlagen werden. Um zusammenhängende, elektrisch gut leitfähige Verbindungen zu erhalten, sind aber Temperaturen über 100 C, insbesondere um 2000C herum, besonders geeignet. Deshalb ist es für die Pyrolyse notwendig und für die Photolyse besonders vorteilhaft, diejenige Stelle, an det eine elektrisch leitfähige Verbindung hergestellt werden soll, auf etwa 200 C aufzuheizen. Die Temperaturerhöhung am Auftreffort D des Elektronenstrahles EB gegenüber der Umgebung beträgt EMI8.1 Hier bedeuten QO die auf die Probe fallende Wärmeleistung, k die Wärmeleitfähigkeit am Auftreffort des Elektronen strahls EB, R die Eindringtiefe der Elektronen in der Probe, f den Bruchteil der in Wärme umgesetzten elektri schen Leistung, 1o die Stromstärke des Elektronenstrahles EB und UO die Beschleunigungsspannung der der Elektronen strahl EB ausgesetzt ist. 1 Bei empfindlichen Schaltungen muss zur Vermeidung von Strah lenschädigungen bei niedrigen Beschleunigungsspannungen gearbeitet werden. Deshalb wird UO = 2,5 kV angenommen. Die Eindringtiefe < R der Elektronen in der Probe beträgt in diesem Falle etwa 0,1 m. Für Siliziumdioxid als Unter lage O für eine zu erzen e Leitbahn AL beträgt die Wärmeleftfähigkeit W 10#2 W/·Um#und der-Bruchteil f der in Wärme umgesetzten elektrischen -Leistung beträgt etwa 0,8, weil der Rückstreukoeffizient 5 für Silizium dioxid etwa 0,2 beträgt. Mit diesen Werten und mit einer Temperaturdifferenz AT von 200 C erhält man eine erforder liche Stromstärke 10 des Elektronenstrahles EB von etwa 2 10-8 A. Dieser Wert für die Stormstärke 10 des Elektro nenstrahles EB ist ein in einem Elektronenstrahl-Messgerät üblicher Wert, mit dem sich ein Strahldurchmesser von weniger oder gleich einem Mikrometer, wie er für die elek tronenstrahlinduzierte chemische Dampfabscheidung (ECVD) benötigt wird, ohne Schwierigkeiten erzielen lässt. Gegebenenfalls muss nach Durchführung einer Elektronenstrahlmessung, die üblicherweise bei einer Beschleunigungsspannung UO des Elektronenstrahles EB von 2,5 kV durchgeführt wird, die Stromstärke 10 des Elektronenstrahles EB auf den für die ëlektronenstrahlinduzierte chemische Dampfabscheidung (ECVD) erforderlichen Wert erhöht werden. Wenn ein Stück Leitbahn von 10/um und 2,um Breite erzeugt werden soll, dann muss mit dem Elektronenstrahl EB eine 2 grosse Fläche abgetastet werden, auf die sich die 20 m Leistung des Elektronenstrahles EB verteilt. Mit den oben angegebenen Werten für die Beschleunigungsspannung UO von 2,5 kV und für die Stromstärke 10 des Elektronenstromes von 2.10 8 A beträgt die mittlere Leistungsdichte des Elektronenstrahles EB 250 W/cm2, was deutlich über dem. von S.D. Allen in seiner oben zitierten Veröffentlichung angegebenen Wert für die mittlere Leistungsdichte für die thermische laserinduzierte chemische Dampfabscheidung (Pyrolyse) liegt. Bei der Pyrolyse von Nickel-Tetrakarbonyl bei einer Temperatur von etwa 200 an denjenigen Stellen, an denen eine elektrisch leitfähige Verbindung hergestellt werden soll, mit Hilfe ffiner elektronenstrahlinduzierten chemischen Dampfabscheidung gemäss der Erfindung sind somit praktikable Schichtdicken zu erwarten. Für den Fall, dass ein Stück Aluminium-Leitbahn AL von 10/um Länge, 2/um Breite und 1 um Höhe mittels Photolyse aus Trimethylaluminium abgeschieden werden soll, sind dafür 1012 Al-Atome erforderlich. Dies bedeutet, dass auch 1012 Trimethylaluminium-Moleküle mittels Photolyse zersetzt werden müssen. Trimethylaluminium ist unter Normalbedingungen eine Flüssigkeit.(wie die meisten metall-organischen Verbindungen) mit einer Dichte von 0,75 g/cm3. Nimmt man an, dass die Ausbeute bei der Photolyse zwischen 10 -3 und 10 8 liegt, dann müssen während der elektronenstrahlinduzierten chemischen Dampfabscheidung zwischen 105 und 1020 Trimethyl aluminium-Moleküle denjenigen Stellen, an denen die elektrisch leitfähige Verbindung hergestellt werden soll, zugeführt werden. Dies entspricht unter Normalbedingungen einer Menge zwischen 10 -7 und 10 ¯cm3 Flüssigkeit. Eine für die elektronenstrahlirduzierte chemische Dampfabschei- dung praktikable Zeit ist 10 sec. Dann liegt die Rate für die Gazufuhr des Reaktionsgases V zwischen 10 6 und 10 1 mbar dm3/s (zum Vergleich: Die Dichtheit eines Ven tils wird zu kleiner 10 -9 mbar dm3/s angegeben. Für Leck- sucher werden Testiecks mit 5*10-2 ... 10-5 mbar dm3/s angeboten.). Die chemische Substanz, aus der das Reaktionsgas V besteht, kann entweder direkt als Flüssigkeit durch die Ka- nüle K in das Vakuum eingelassen oder vorher in einem Vorvakuum-Gefäss in den gasförmigen Zustand übergeführt werden. Durch rasterelektronenmikroskopische Abbildung in einem Elektronenstrahlgerät kann die zu reparierende Stelle einer Schaltung auf dem Bildschirm des Elektronenstrahlgerätes sichtbar gemacht werden. Da Abbildung und Dampfabscheidung von ein und demselben Elektronenstrahl EB bewirkt werden, ist eine exakte Positionierung (mit einer durch den Strahldurchmesser des Elektronenstrahles EB gegebenen Unsicherheit von weniger als 1/um) von vornherein gegeben. während der elektronenstrahlinduzierten chemischen Dampfabscheidung ist es zweckmässig, die gegenseitige Position von Elektronenstrahl EB und Kanüle K nicht wesentlich zu verändern. Deshalb sollte statt des Elektronenstrahles EB besser die Probe bewegt werden, wenn längere Stücke einer Leitbahn AL produziert werden sollen. Da moderne Elektronenstrahl-Messgeräte mit einem rechnergesteuerten Probentisch ausgerüstet sind, kann die Probe auf einem vor der Dampfabscheidung festgelegten und programmierten Weg mit vorgegebener, an den Prozess der elektronenstrahlinduzierten chemischen Dampfabscheidung angepassten Geschwindigkeit bewegt werden. Das Ergebnis der elektronenstrahlinduzierten chemischen Dampfabscheidung kann während der Dampfabscheidung oder unmittelbar danach durch rasterelektronenmikroskopische Abbildung sichtbar gemacht werden. Da die integrierte Schaltung im Elektronenstrahl-Messgerät kontaktiert ist, lassen sich darüber hinaus das Ergebnis der Dampfabscheidung auch elektrisch kontrollieren und der Vorgang dieser Dampfabscheidung steuern. Ein Elektronenstrahl-Messgerät, das zur Durchführung eines erfindungsgemässen Verfahrens geeignet ist, ist beispielsweise aus der US-Patentschrift 4 277 679 bekannt. */ (Beispiel: Probenstromabbildung)

Claims: Patentansprüche: 1. Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitfähi- gen Verbindung mittels strahlinduzierter chemischer Dampfabscheidung (CVD), dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass in einem Elektronenstrahlgerät ein Elektronenstrahl (EB) auf Teilchen eines Reaktionsgases (V) in demjenigen Bereich CD) gerichtet wird, in dem die Dampfabscheidung (ECDV) erfolgen soll. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass das Reaktionsgas (V) von einem Ende einer Kanüle (K fher in denjenigen Bereich CD) strömt, in dem die Dampfabscheidung erfolgen soll. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass eine chemische Substanz als Flüssigkeit durch die Kanüle (K) in das Vakuum des Elektronenstrahlgerätes eingelassen wird und dass aus dieser chemischen Substanz erst danach durch Verdampfung das Reaktionsgas entsteht. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass für das Reaktionsgas (V) metall-organische Verbindungen verwendet werden. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass für das Reaktionsgas (V) Metallkomplexe verwendet werden. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass diejenigen Stellen (D), an denen die Dampfabscheidung erfolgen soll, durch Bestrahlen mit dem Elektronenstrahl (EB) auf eine Tempera tur von etwa 2000c aufgeheizt werden. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass eine rasterelektronenmikroskopische Abbildung derjenigen Stellen (D), an denen die Dampfabscheidung erfolgen soll, und die Dampfabscheidung selbst von ein und demselben Elektronenstrahl (EB) bewirkt werden. 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass diejenigen Stellen- (D), an denen die Dampfabscheidung erfolgen soll, relativ zum Elektronenstrahl (EB) und zur Kanüle (E) bewegt werden. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass elektrisch leitfähige Verbindungen bei der Prüfung von hochintegrierten Schaltungen in einem Elektronenstrahl-Messgerät hergestellt werden. 10. Vorrichtung zur Durchführung eines Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch g e k e n n z e i c hn e t , dass die Vorrichtung (E) zur Zuführung des Reaktionsgases CV) eine regulierbare Öffnung aufweist. 11. Vorrichtung zur Durchführung eines Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass ein Ende der Vorrichtung (E) zur Zuführung des Reaktionsgases (V) positionierbar ist. 12. Vorrichtung zur Durchführung eines Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass sich zwischen der Probenkammer, in der sich die Probe befindet, auf der eine leitfähige Verbindung (AL) abgeschieden werden soll, und der elektronenmikroskopischen Säule eine Druckstufe (BL) befindet.

Inventors: REHME, HANS, DR. DIPL.-PHYS.
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
Application year: 1984
Main classification: H01L21
IPC codes: H01L21, C23C16