PLASTIC ENCAPSULATED SEMICONDUCTOR COMPONENT

Abstract: 1. Plastics-encapsulated semiconductor device comprising a semiconductor body (1) which, at least on one side, is provided with electrodes and conducting leads, with the entire surface of the semiconductor body, Including the electrodes and conducting leads, being covered by a coating (3) of silicon nitride, characterized in that the coating (3) of silicon nitride is covered with a coating (4) of silicon dioxide.

Description: Plastikumhülltes Halbleiterbauelement Die Erfindung betrifft ein plastikumhülltes Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper, der mindestens auf einer Seite mit Metallkontakten und/oder Leiterbahnen versehen ist, wobei eine Siliciumnitridschutzschicht die gesamte Oberfläche des Halbleiterkörpers einschliesslich der Elektroden und Leitbahnenmuster bedeckt, vgl. den Oberbegriff des Anspruchs 1. Halbleiterbauelemente werden bekanntlich in der Weise hergestellt, dass man eine Scheibe aus Halbleitermaterial mit Zonen verschiedenen Leitungstyps versieht, die durch Bahnen aus Leitermaterial, wie z.B. Aluminium, verbunden werden. Die Halbleiterscheiben und -systeme sind sehr empfindlich und können leicht beschädigt werden. Bei der weiteren Verarbeitung kann es zu Verunreinigungen aus der Umgebung bzw. zu Beschädigung der schmalen und dicht beabstandeten Leiterbahnen kommen. Als Folge davon treten Veränderungen in den elektrischen Eigenschaften der Halbleiterbauelemente auf. Um dies zu vermeiden, werden deshalb Schutzschichten auf die Halbleiterkörper aufgebracht, die deren Oberfläche sowie die darauf angeordneten Leiterbahnen und Elektroden schützen. Als Schutzschichten sind Isoliermaterialien, welche auch getternde Eigenschaften besitzen, beispielsweise aus der Zeitschrift "IBM Journal (September 1964), Seiten 376 bis 384 und (April 1964), Seiten 102 bis 114 allgemein bekannt. Aufgrund seiner Eigenschaften hat sich Siliciumnitrid als besonders geeignetes Material für die Herstellung von Schutzschichten auf Halbleiterkerpern er wiesen. Es schützt die bedeckten Oberflächen sowohl gegen mechanische Beschädigungen (Kratzer) als auch gegen atmosphärische Einflüsse (Fremdionenverunreinigung). Das eingangs bereits beschriebene und aus der Offenlegung DE 16 14 374 bekannte Halbleiterbauelement weist jedoch auch Nachteile auf. Um verkaufsfähige Halbleiterbauelemente zu erhalten werden die Halbleiterkörper bekanntlich nach dem Anbringen der elektrischen Verbindungen zu ihrem Schutz und zur besseren Handhabung des Halbleiterbauelements in einem Gehäuse untergebracht. Dieses kann ein Glas-, Keramik-, Metall- oder Plastikgehäuse sein. Das Einbringen in ein Plastikgehäuse erfolgt durch Umpressen oder Umspritzen. Dabei treten zwangsläufig hohe Scherkräfte auf, die in dem Gehäuse zum Abscheren der aus z.B. Aluminium bestehenden Leitbahnen führen können. Der Grund hierfür liegt darin, dass die Dicke der Siliciumnitridschutzschicht nicht ausreicht, um die freien Flächen zwischen den Aluminiumleitbahnen soweit aufzufüllen, dass kein seitlicher Druck auf sie beim Verkapselungsvorgang ausgeübt werden kann. Ausserdem folgt das Siliciumnitrid bei der Abscheidung genau der vorgegebenen Struktur, so dass scharfe Kanten auftreten, was die Möglichkeit der seitlichen Druckausübung begünstigt. Ferner muss die Stärke der Siliciumnitridschicht so bemessen sein, dass keine Spannungen und damit Rissbildungen auftreten, was zum Absplittern bzw. Zerbrechen der Siliciumnitridschicht führen würde. Dies bedeutet aber eine Stärke der Siliciumnitridschicht, die geringer ist als die Höhe der Aluminiumleitbahnen und somit widerum eimn nicht ausreichenden Schutz gegen Seitendruck. Hier will die Erfindung Abhilfe schaffen. Die Erfindung, wie sie in den Ansprüchen gekennzeichnet ist, löst die Aufgabe, ein Halbleiterbauelement anzugeben, dessen Leitbahnen und Kontakte gegen Abscheren geschützt sind. Die durch die Erfindung erreichten Vorteile liegen einmal in der Lösung der Aufgabe selbst, nämlich in der Bereitstellung eines Halbleiterbauelements, dessen Leitbahnen gegen das Abscheren geschützt sind, zum anderen in der damit verbundenen Qualitätsverbesserung und Ausbeutenerhöhung bei der Fertigung der Halbleiterbauelemente. Im folgenden wird die Erfindung anhand der Figuren der Zeichnung näher erläutert. Fig. 1 zeigt einen Ausschnitt aus einem Halbleiterkörper eines Halbleiterbauelements nach dem Stand der Technik, Fig. 2 und 3 zeigen Teilausschnitte von Ausführungsbeispielen der Erfindung. Die Fig. 1 der Zeichnung veranschaulicht den Ausschnit des Halbleiterkörpers eines Halbleiterbauelements nach dem Stand der Technik, das den Halbleiterkörper 1 enthält, in dem die nichtgezeigten unterschiedlichen Zonen ausgebildet sind. Auf der einen seiner Oberflächen ist die Leitbahn 2 aus z.B. Aluminium angeordnet, die wie die restliche freie Oberfläche des Halbleiterkörpers von der Siliciumnitridschicht 3 abgedeckt ist, deren Stärke zwischen 0,2 Fm und 0,8 pm, vorzugsweise bei 0,4 pin liegt. Die Angriffspunkte, scharfe Kanten und Seitenflächen, sind in Fig. 1 durch Pfeile markiert. Das Ausführungsbeispiel der Erfindung nach Fig. 2 unterscheidet sich von Fig. 1 durch die die Siliciumnitridschicht 3 überziehende Siliciumdioxidschicht 4, deren Stärke zwischen 0,8 und 2,0 pm, vorzugsweise zwishen 1,0 bis 1,2 pm beträgt. Sie kann, wenn erforderlich, selbst wiederum von der Siliciumnitridschicht 5 in der Stärke von z.B. 0,4 pm abgedeckt sein, wie Fig. 3 zeigt. Zur Herstellung der Anordnungen nach Fig. 2 und 3 wird ausgehend vom Halbleiterkörper 1 in bekannter Weise in diesem nach den herkömmlichen Verfahren die in Fig.l gezeigte Struktur erzeugt, wobei die Siliciumnitridschicht 3 durch Abscheidung aus der Dampfphase unter Verwendung von Silan und Ammoniak in einem Plasmareaktor erfolgt. Unter Verwendung des gleichen Reaktors und Ersatz des Ammoniaks durch Sauerstoff wird eine z.B. 1,0 bis 1,2 pm starke Siliciumdioxidschicht 4 auf der Siliciumnitridschicht 3 abgeschieden. (Fig. 2). Wenn erforderlich, kann nach dem oben genannten Verfahren auf der Siliciumdioxidschicht 4 die weitere Siliciumnitridschicht 5 abgeschieden werden. Das abgeschiedene Siliciumdioxid kann rein sein, es besteht jedoch auch die Möglichkeit, dotiertes Siliciumdioxid als Schutzschicht einzusetzen.

Claims: Patentansprüche 1. Plastikumhülltes Halbleiterbauelement mit einem Halb leiterkörper(l), der mindestens auf einer Seite mit Elektroden und Leitbahnen versehen ist, wobei die ge samte Oberfläche des Halbleiterkörpers einschliesslich der Elektroden und Leitbahnen von einer Siliciumni tridschutzschicht (3) bedeckt ist, dadurch gekenn zeichnet, dass die Siliciumnitridschutzschicht (3) mit einer Siliciumdioxidschutzschicht (4) überzogen ist. 2. Plastikumhülltes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass die Siliciumdioxidschicht (4) mit einer weiteren Siliciumnitridschicht (5) überzogen ist. 3. Plastikumhülltes Halbleiterbauelement nach den An sprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Siliciumnitridschutzschicht(en) (3, 5) eine Stärke von 0,2 bis 0,8 um und die Siliciumdioxidschicht eine Stärke von 0,8 bis 2,0 pm haben.

Inventors: VOGT, HELGA
Applicants: DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GMBH
Application year: 1984
Main classification: H01L23
IPC codes: H01L21, H01L23