PROCESS FOR THE PRODUCTION OF HYDROGEN BY MEANS OF HETEROGENEOUS PHOTOREDOX CATALYSIS, AND THE CATALYSTS EMPLOYED THEREIN

Abstract: 1. A process for the selective production of hydrogen by means of heterogeneous photo-redox catalysis, which process comprises reacting, under the action of light, a mixture of water and an alkali metal, alkaline earth metal or ammonium sulfite, sulfide, hypophosphite or phosphite and/or the corresponding free acid in a suspension of a semiconductor powder of ZnS, Cd1-x Znx S, Zn1-x Hgx S, Cd1-x Hgx S, Zn1-y Ag2y S, Cd1-y Ag2y S, Cd1-x-y Ag2y Znx S, Zn1-y Cuy S, Cd1-y Cuy S, ZnSe, ZnTe, ZnS1-x Sex , ZnS1-x Tex , ZnSe1-x Tex , CdSe, CdTe, CdS1-x Tex , CdSe1-x Tex , La2 S3 , Bi2 S, CdS or CdS1-x Sex , in which x is 0.001 to 0.99 and y is 0.0001 to 0,20, which powder is a coated with 0.001 to 10% by weight of Cu, Cr, Ni, Co or a noble metal or a mixture thereof ; a hypophosphite or phosphite or the corresponding free acid or a mixture of the reducing agents mentioned being used in the case of a CdS semiconductor powder or CdS1-x Sex semiconductor powder.

Description: Verfahren zur Produktion von Wasserstoff mittels heterogener Photo redoxkatalyse und dabei einsetzbare neue Katalysatoren Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Produktion von Wasserstoff mittels heterogener Photoredoxkatalyse, dabei einsetzbare neue Katalysatoren und Verfahren zu deren Herstellung. Aus der Literatur ist bekannt, dass in Gegenwart von mit Rutheniumdioxid beschichtetem Cadmiumsulfidpulver oder kolloidalem Cadmiumsulfid unter Lichteinwirkung aus H2S oder Na2S bzw. Sulfidionen enthaltenden wässrigen Suspensionen Wasserstoff und Schwefel produziert werden.können [vgl. z.B. C+EN, 59(ao), 40(1981) und Helv. Chim. Acta, 65, 243(1982)1. Aus der U.S. Patentschrift 4.094.751 ist bekannt, dass unter Verwendung von photochemischen Dioden, die entweder aus zwei mit einem Ohm'schen Kontakt versehenen, geeignet dotierten Halbleitermaterialien mit entgegengesetzter Leitfähigkeit oder aus einem mit einem Ohm'schen Kontakt versehenen, geeignet dotierten Halbleitermaterial und einem Metall bestehen, u.a. Schwefelwasserstoff in Wasserstoff und Schwefel zerlegt werden kann. Mit Platin beschichtetes Cadmiumsulfid wurde auch schon für die Photoelektrolyse von Wasser in Wasserstoff und Sauerstoff verwendet. Dabei muss das unter Lichteinwirkung instabile Cadmiumsulfid durch Zugabe geeigneter Reduktionsmittel, wie Aethylendiamintetraessigsäure (EDTA) oder Cystein, stabilisiert werden. Das EDTA bzw Cystein werden dabei irreversibel oxidiert [vgl. z.B. J.Phys. Chem., 85,4026(1981), J.C.S. Chem. Comm., 145(1981), J. Chem. Soc. Faraday Trans., 2,77, 1703(1981)1. Die Photokorrosion von CdS in wässrigen Systemen kann auch durch ultradünne Beschichtung von platinisierten CdS-Partikeln mit Rutheniumdioxid unterdrückt werden [vgl. z.B. Angew.Chem.,93,1012(1981) und Helv.Chim.Acta, 64, 362(1981)]. Die Stabilität und Effizienz dieser vorbekannten Systeme lassen jedoch zu wünschen übrig. Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur selektiven Produktion von Wasserstoff mittels heterogener Photoredoxkatalyse, indem man in der Suspension eines mindestens teilweise mit Cu, Cr, Ni, Co oder einem Edelmetall oder Gemischen davon beschichteten und gegebenenfalls vorbehandelten Halbleitpulvers aus ZnS, Cd1-xZnxS, Zn1-xHgxS, Cd1-xHgx Zn1-yAg2yS, Cd1-yAg2yS, Cd1-x-yAg2yZnyS, Zn1-yCuyS, Cd1-yCuyS, ZnSe, ZnTe, ZnS1-xSex, ZnS1-xTex, ZnSe1-xTex, CdSe, CdTe, CdS1-xTex, CdSe1-xTex, La2S3, Bi2S3, CDs oder CdS1-xSex, worin 0,001 bis 0,99 und y 0,0001 bis 0,20 sind, Gemische aus Wasser und Alkalimetall-, Erdalkalimetall-oder Ammoniumsulfiten, -sulfiden, -hypophosphiten, -phosphiten und/oder den entsprechenden freien Säuren unter Lichteinwirkung zur Reaktion bringt, wobei im Falle von CdS- oder CdS Se Halbleiterpulvern Hypophosphite, Phosphite oder die entsprechenden freien Säuren oder Gemische aus den genannten Reduktionsmitteln verwendet werden. Die Reaktionen können z.B. durch folgende Schemata veranschaulicht werden: 1. SO3-2 + H2O # SO4-2 + 2H+ + 2e- (Oxidation) 2H+ + 2e- # H2 (Reduktion) SO3-2 + H2O # SO4-2 + H2 (Gesamt-Reaktion) 2. S-2 # S + 2e (Oxidat ion) 2H20 + 2e # H2 + 2 OH- (Reduktion) + + 2H20 #- H2 + 20H + S (Gesamt-Reaktion) 3. H2PO2- + H2O # H2PO3- + 2H+ +2e- (Oxidation) 2H + 2e H2 H (Reduktion) H2PO2- + H2O # H2PO3- + H2 (Gesamt-Reaktion) 4. H2PO3- + H2O # H2PO4- + 2H+ +2e- (Oxidation) 2H+ + 2e- # H2 (Reduktion) H2PO3- + H2O # H2PO4- + H2 (Gesamt-Reaktion) 5. S-2 + SO-2 # SO-2 + 2e- (Oxidation) 23 2H2O + 2e- # H2 + 2OH- (Reduktion) S-2 + SO3-2 + 2H2O # H2 + 2OH- + S2O3-2 (Gesamt-Reaktion) Das erfindungsgemässe Verfahren zeichnet sich durch seine Einfachheit und gute Effizienz und/oder hohe Stabilität aus, besonders bei Verwendung von Gemischen aus Sulfiden und Sulfiten oder Gemischen aus Sulfiden und Phosphiten, Hypophosphiten, unterphosphoriger oder phosphoriger Säure. Die einzusetzenden Ausgangsmaterialien sind leicht zugänglich und billig und ermöglichen eine effiziente Wasserstoffproduktion unter stabilen Bedingungen, verbunden mit einem nützlichen und vorteilhaften oxidativen Prozess. Dabei werden z.B. die Alkalimetall-, Erdalkalimetall- oder Ammoniumsulfite zu den ökologisch weniger bedenklichen und gegebenenfalls wiederverwertbaren Sulfaten (z.B. als Gips), die Sulfide zu Schwefel bzw. Polysulfiden, die Hypophosphite zu Phosphiten und die Phosphite zu Phosphaten oxidiert. Die Reduktionsmittel selbst können in an sich bekannter und einfacher Weise aus in grossen Mengen anfallenden Industrieabfällen gewonnen werden, z.B. aus Sulfitablaugen, wie sie in der Papierindustrie anfallen, durch Verwertung des bei der Kohle- und Erdölaufbereitung in grossen Mengen entstehenden Schwefels oder von S02-haltigen Industrieabgasen, aus Sulfidabwässern in der Küpenfärberei oder aus dem bei Kohlevergasungsprozessen gebildeten Schwefeldioxid. Dieses Schwefeldioxid musste bisher durch besondere Entschwefelungsverfahren aus den Kokereigasen entfernt werden, z.B. nach dem Stretford-Prozess [vgl. Hydrocarbon Processing and Petroleum Refiner, 40, 141-146 (1961)] durch katalytische Reduktion von Schwefeldioxid zu Schwefel, wobei der dabei oxidierte Katalysator wieder regeneriert werden muss. Nach dem sogenannten Katasulf-Prozess [vgl. z.B. Chem. Fabrik II (L/2), 10(1938) und deutsche Patentschriften 510 488, 576 137 und 634 427] wird das Schwefeldioxid mit dem ebenfalls im Kokereigas vorhandenen Ammoniak zu Ammoniumsulfit umgesetzt. Dieses wird in einem aufwendigen Verfahren mit Hilfe von Schwefelsäure bei erhöhten Temperaturen (ca. 1500C) zu Ammoniumsulfat (Düngemittel) und Schwefel umgesetzt. Nach dem erz in dungsgemässen Verfahren kann Ammoniumsulfit auf bedeutend einfachere Weise in das Ammoniumsulfat übergeführt werden. Bei Verwendung von Gemischen aus Sulfiden und Sulfiten, wie sie bei der Entschwefelung von Kohle und Erdöl entstehen, werden anodisch Thiosulfationen bzw. Thiosulfate gebildet, die für photographische Fixierbäder, z.B. das Natriumthiosulfat, oder in Initiatorsystemen für Polymerisationsreaktionen Verwendung finden. Hypophosphite und Phosphite sowie die entsprechenden Säuren fallen bei verschiedenen chemischen Reaktionen als Nebenprodukte an. Sie können erfindungsgemäss leicht zu Phosphaten (Düngemittel) oxidiert werden. Zum Suspendieren (Aufschlämmen) der Halbleiterpulver (Katalysatoren) kommen z.B. Wasser, Alkanole mit bis zu 6 C-Atomen, wie Methanol, Aethanol, Propanol, Isopropanol, Butanole und Hexanole, aliphatische und cyclische Aether, wie Diäthyläther, Di-n-isopropyläther, Tetrahydrofuran und Dioxan, Cellosolve oder Gemische von Wasser mit Alkoholen, wie Methanol und Aethanol, oder mit Tetrahydrofuran, Dioxan oder Cellosolve in Betracht. Bevorzugt wird Wasser verwendet. Setzt man als Reduktionsmittel H2S, H2S03 oder ein Gemisch von Sulfiden oder Sulfiten und Hypophosphiten, Phosphiten, unterphosphoriger oder phosphoriger Säure ein, so wird die Umsetzung vorzugsweise unter Zusatz einer Base vorgenommen. Als Basen kommen z.B. Ammoniak, Alkalimetalloder Ammoniumhydroxide, -carbonate, -metasilikate, -phosphate oder -borate in Betracht. Geeignete Alkalimetall- oder Erdalkalimetallsulfide, -sulfite, -hypophosphite oder -phosphite sind das Na-, K-, Li-, Mg-, Ca- und Ba-sulfid, -sulfit, -hypophosphit oder -phosphit. Be- vorzugt verwendet man ein Alkalimetallsulfit oder -sulfid, Ammoniumsulfit oder -sulfid, ein Alkalimetallhypophosphit oder -phosphit, Ammoniumhypophosphit oder -phosphit, unterphosphorige Säure, phosphorige Säure oder Gemische davon. Besonders bevorzugt verwendet man Gemische aus einem Alkalimetall- oder Ammoniumsulfid und einem Alkalimetall- oder Ammoniumsulfit, Gemische aus einem Alkalimetall- oder Ammoniumsulfid und einem Alkalimetall- oder Ammoniumhypophosphit, oder Gemische aus einem Alkalimetall- oder Ammoniumsulfid, einem Alkalimetall- oder Ammoniumhypophosphit und einer Base. Bevorzugte Basen sind NaOH, KOH, Na2C03 und Ammoniak. Als Alkalimetall wird Natrium bevorzugt. Die Reaktionstemperaturen liegen im allgemeinen zwischen 2O0C und dem Siedepunkt des verwendeten Suspensionsmittels. Bevorzugt arbeitet man bei einer Temperatur zwischen 40 und 80 C. Als Edelmetalle kommen z.B. Ru, Os, Rh, Ir, Pd, Pt, Ag oder Au in Betracht. Bevorzugt sind Platin, Rhodium, Nickel, Iridium, Ruthenium, Silber und Palladium oder Gemische davon; besonders bevorzugt ist Platin und eine Platin-Silber-Mischung. Der Anteil Metall auf dem Halbleiterpulver liegt zweckmässig zwischen 0,001 und 10 Gew.%, bevorzugt 0,1 und 5 Gew.%, bezogen auf das Gewicht des Halbleiterpulvers. Die spezifische Oberfläche der Halbleiterpulver kann innerhalb breiter Grenzen variieren und hängt im wesentlichen von der Art des Halbleiters und/oder der Art des Reduktionsmittels ab. Im allgemeinen liegt sie zwischen 0,01 und mê/g. Die Metallpartikel auf dem Halbeiterpulver weisen vorzugsweise eine Korngrösse von 10 bis 1000 auf. Die Halbleitpulver werden zweckmässig in Mengen von 0,05 bis 5 Gew.%, bevorzugt 0,4 bis 2,0 Gew. bezogen auf das Reaktionsvolumen (Reaktionspartner + Suspensionsmittel) eingesetzt. Für die Reaktion mit Gemischen aus Sulfiden und Sulfiten oder Sulfiden und Hypophosphiten, Phosphiten, unterphosphoriger oder phosphoriger Säure werden mindestens teilweise mit Platin, Ruthenium, Rhodium oder einer Platin-Silber-Mischung beschichtetes Cadmiumsulfoselenid und insbesondere Cadmiumsulfid bevorzugt. Im übrigen sind mindestens teilweise mit Platin, Iridium, Ruthenium, Palladium, Rhodium oder Nickel beschichtete ZnS-, Cd1-xZnxS-, Cd1-xHgxS- oder Cd1-yAg2yS-, Cd1-x-yAg2yZnxS Halbleiterpulver bevorzugt, wobei x 0,01 bis 0,8 und y 0,001 bis 0,2 sind.Besonders bevorzugt sind mindestens teilweise mit Nickel, Iridium oder Platin beschichtetes ZnS-Halbleiterpulver oder mindestens teilweise mit Platin, Ruthenium oder einer Platin-Silber-Mischung beschichtate Cd1-xZnxS- oder Cd1-yAg2yS-, Cd1-x-yAg2yZnxS-Halbleiterpulver, wobei x 0,01 bis 0,8, besonders 0,05 bis 0,4 und y 0,001 bis 0,2 betragen. Als Lichtquelle für die erfindungsgemässe Redoxreaktion-kann an sich beliebiges Licht eingesetzt werden, dessen Wellenlänge je nach Halbleiter zwischen ca. 200 und 650 nm liegt. Geeignete Lichtquellen sind Sonnenlicht5 besonders bei Verwendung definitionsgemässer Cd-haltiger Halbleiter, oder z.B. gegebenenfalls metallatomdotierte Quecksilberhochdrucklampen, Xenondampflampen, Quecksilber-Xenonlampen, Quecksilberniederdruck-, und -mitteldrucklampen, Halogenlampen, Wolframlampen oder D2-Lampen. Die Wellenlängen betragen für cadmiumhaltige Halbleiter bis ca. 650 nm, für zinkhaltige Halbleiter zwischen etwa 350 und 600 nm, für La2S3 bis ca. 500 nm und für Bi2S3 bis ca. 650 nm. Die quantitative Bestimmung des bei der Reaktion entwickelten Wasserstoffs kann in an sich bekannter Weise erfolgen, beispielsweise durch Hydrierung geeigneter aromatischer Verbindungen. Die gebildeten Phosphite, Phosphate, Thiosulfate, Sulfate bzw. Polysulfide oder der Schwefel können in üblicher Weise abgetrennt werden, z.B. durch Ausfällen, gegebenenfalls in Form schwerlöslicher Salze, wie Erdalkalimetallsalze. Der Schwefel kann z.B. durch Ansäuern der Reaktionslösung isoliert werden. Die erfindungsgemäss einzusetzenden beschichteten Halbleiter können beispielsweise wie folgt hergestellt werden: 1. Durch photokatalytische Abscheidung der Metalle auf den Halbleiterpulvern. Dabei werden die Halbleiterpulver, insbesondere Cadmium-Halbleiterpulver oder cadmiumhaltige Halbleiterpulver, zweckmässig unter Zusatz von Säure oder Salzen davon in einer wässrigen Lösung oder Suspension einer geeigneten Metallverbindung oder eines Gemisches geeigneter Metallverbindungen, gegebenenfalls in Gegenwart eines Puffers, wie Natriumacetat, Kaliumacetat oder Natriumformiat, suspendiert (pH vorzugsweise ca. 1,0 bis 9,0) und dann belichtet, bevorzugt bei einer Temperatur zwischen 40 und 600C. Dabei ist es von Vorteil für die Beschichtung der Halbleiterpulver Lichtquellen mit einem hohen W-C- Anteil (vgl. Houben-Weyl, Band Photochemie I, S. 42), z.B. Quecksilberhochdrucklampen, zu verwenden. Als Säuren eignen sich z.B. Verbindungen der Formel I und II R-COOH (I) und HOOC-R'-COOH (II). Als Salze davon kommen z.B. die entsprechenden Natrium-, Kalium-, Lithium- und Ammoniumsalze in Betracht. Dabei stellt R geradkettiges oder verzweigtes C 18-Alkyl, besonders C1 4-Alkyl, C3-8-Cycloalkyl, -CH2X, -CHX2, -CX3, mit X = Fluor oder Brom und insbesondere Chlor, -(CH2)n-OH, -CH2)n-0-Cl¯8 Alkyls beson- ders -(CH2) -O-C 4-Alkyl oder -(CII2) -O-Phenyl mit n = 1 bis 8 und insbesondere 1 bis 4, Phenyl, Naphthyl oder Benzyl dar, und R' ist -C H - mit m = 1 bis 8, besonders 1 bis 6. Als Beispiele solcher Säuren seien genannt: Ameisensäure, Essigsäure, Propionsäure, Buttersäure, Isobuttersäure, 2-Methylbuttersäure, Pivalinsäure, 3,3-Dimethylbuttersäure, Capronsäure, 2-Methylhexansäure, Oenanthsäure, Caprylsäure, Cyclopropancarbonsäure, Cyclopentancarbonsäure, Cyclohexancarbonsäure, Chloressigsäure, Bromessigsäure, Dichloressigsäure, Trichloressigsäure, Trifluoressigsäure, Glykolsäure, Methoxy-, Aethoxy-, Isopropoxy-, n-Butoxy und n-Hexyloxyessigsäure, Methoxypropionsäure, Aethoxyessigsäure, Methoxybuttersäure, Phenoxyessigsäure, Phenoxypropionsäure, Phenoxybuttersäure, Benzoesäure, Naphthoesäure und Ameisensäurebenzylester; Malonsäure, Bernsteinsäure, Methylmalonsäure, Glutarsäure, Methylbernsteinsäure, Adipinsäure, 2,2-Dimethylbernsteinsäure und Pimelinsäure. Besonders bevorzugt verwendet man Ameisensäure, Choressigsäure oder Glykolsäure und vor allem Essigsäure. 2. Durch elektrolytische Abscheidung der Metalle auf den Halbleiterpulvern gemäss dem in J. Phys. Chem. 84, 1705 (1980) beschriebenen Verfahren. 3. Durch hydrogenolytische Abscheidung der Metalle auf den Halbleiterpulvern. Dabei wird das Halbleiterpulver zweckmässig mit einer wässrigen Lösung einer geeigneten Metallverbindung oder eines Gemisches geeigneter Metallverbindungen imprägniert, gegebenenfalls unter Zusatz von Säure, und dann bei erhöhter Temperatur, vorzugsweise zwischen 60 und 1600C, getrocknet, worauf man die Metallverbindung mit H2 reduziert. Die Reduktion wird bevorzugt bei Temperaturen zwischen 150 und 400"C vorgenommen. Als Säuren können sowohl anorganische als auch organische Säuren, z.B. organische Säuren der unter 1) genannten Art, verwendet werden. Bevorzugt sind HC1 und Essigsäure. 4. Durch reduktive Kolloidherstellung, z.B. gemäss dem in Angew. Chem., 92, 663 (1980) beschriebenen Verfahren. Dabei wird zuerst die Metallverbindung reduziert und dann mit dem Halbleiterpulver vermischt. 5. Durch Bedampfenderflalbleiterpulver mit den Metallen, besonders Bedampfen der Pulver mit Platin, ab hochschmelzenden, erhitzten Metalldrähten, besonders Wolfram-, Tantal-, Niob- oder Osmiumdrähten, z.B. bei 10 V/60 Amp. 6. Durch UV-Bestrahlung einer wässrigen Suspension des Halbleiterpulvers und einer Metallverbindung, bevorzugt mit einer Quecksilberhochdrucklampe bei Temperaturen zwischen 40 und 800C oder andern Lampen mit hohen W-C-Anteilen. Die oben erwähnten Verfahren können zur Abscheidung verschiedener Metalle auf das gleiche Halbleiterpulver verwendet werden,wobei die verschiedenen Methoden in an sich beliebiger Reihenfolge hintereinander angewendet werden können. So können die verschiedenen Metalle gleichzeitig z.B. photokatalytisch, elektrolytisch oder hydrogenolytisch oder hintereinander in an sich beliebiger Reihenfolge photokatalytisch, elektrolytisch und hydrogenolytisch abgeschieden werden. Bei den genannten Verfahren können mit Vorteil auch unter Zusatz von Säure oder Salzen davon in wässrigem Medium vorbehandelte und mit Lichtquellen mit einem hohen W-C-Anteil belichtete Halbleiterpulver eingesetzt werden, oder die nach den genannten Verfahren mit Metallen beschichteten Halbleiterpulver werden vorzugsweise einer Nachbehandlung unterzogen, indem man sie unter Zusatz von Säure oder Salzen davon in wässrigem Medium suspendiert und erneut mit Licht, das hohe UV-C-Anteile aufweist, bestrahlt. Der pH des wässrigen Mediums liegt dabei zweck mässig zwischen etwa 1,0 und 9,0, wobei zur Einstellung des gewünschten pH-Wertes mit Vorteil Puffer mitverwendet werden, wie Natrium- und Kaliumacetat oder Natriumformiat. Als Säuren oder Salze davon eignen sich beispielsweise solche der unter 1) genannten Art. Eine solche Voroder Nachbehandlung ist insbesondere bei Cd- oder Cd-haltigen Halbleiterpulvern von Vorteil. Vor der Metallabscheidung können die Halbleiterpulver nötigenfalls reduktiv gereinigt werden. Bevorzugt ist die Katalysatorherstellung gemäss Verfahren 1), 3), 4) und 6), besonders gemäss Verfahren 1) und 3), wobei die Halbleiterpulver vorzugsweise wie oben beschrieben unter Zusatz von Säure oder Salzen davon in wässrigem Medium nachbehandelt und erneut bestrahlt werden. Für die obigen Umsetzungen 1-4 und 6 kommen als Metallverbindungen vor allem einfache und komplexe Salze, besonders Ammonium- und Alkalihexaoder -tetrahalogen-metallate, ferner Halogenide, Nitrate, Acetate und Cyanide in Betracht. Geeignete Metallverbindungen sind beispielsweise Hexachlorplatinsäure [Platin(IV)chlorwasserstoffsäure], Hexabromplatinsäure, deren Hydrate und Salze, wie Ammonium-hexachloroplatinat(IV) > Ammonium-tetrachloroplatinat (11), Platin(IV)bromid, Platin(II)chlorid, Platin(IV)chlorid, Kaliumtetrachlorplatinat(II); Iridium(III)chlorid, Iridium(IV) chlorwasserstoffsäure-Hexahydrat, Ammonium-hexachloroiridat (IV); Gold(III)chlorid, -bromid und -jodid, Gold(I)cyanid und -acetat; Palladiumchlorid oder -jodid, Palladiumacetat, -cyanid und -nitrat; Ruthenium(III) chlorid-hydrat; Silberacetat und -nitrat; Rhodiumacetat, Rhodiumchlorid, Hexachloroosmat und Salze davon; Nickelchlorid, Nickelacetat, Chromchlorid, Kobaltchlorid, Kobaltacetat, Kupferchlorid und Kupferacetat. Bevorzugt sind Hexachloroplatinsäurehydrat, Rhodium(III)chlorid, Nickel(II)chlorid, Osmium(III)chlorid, Ruthenium(III)chloridhydrat. Besonders bevorzugt ist Hexachloroplatinsäurehydrat. Die Halbleiterpulver können gewünschtenfalls vor der Beschichtung den Metallen bei einem Druck 100 bis 106 Pa auch einer thermischen Vorbehandlung mit Gasen, wie N2, H2S, H2Se, H2Te, CS2 oder Luft oder Gemischen davon, vorzugsweise Luft und insbesondere H2S, unterzogen werden. Dabei liegen die Reaktionstemperaturen zwischen etwa 600 und 9500C. Für Cd-haltige Halbleiterpulver sind Reaktionstemperaturen beim Siedepunkt des Cadmiums bei dem jeweils angewendeten Druck + 100"C bevorzugt. Durch diese thermische Behandlung können die Kristallinität der Halbleiterpulver bei gleichbleibender Teilchengrösse verbessert und eine Reduktion der spezifischen Oberfläche der Halbleiterpulver erzielt werden, was sich günstig auf die Effizienz der erfindungsgemäss beschichteten Halbleiterpulver bei der Wasserstoffproduktion auswirkt. Es ist manchmal vorteilhaft, die mit Metallen beschichteten Halbleiterpulver mit Säuren und/oder Oxidationsmitteln zu behandeln. Als Säuren eignen sich z.B. HBr, HJ, H2S04, HNO3H3PO4 und organische Säuren mit 1 bis 10 C-Atomen; als Oxidationsmittel z.B. Brom, Chlor, Jod, HC10, H202, Hydroperoxide und Persäuren. Dabei werden die Halbleiterpulver in 0,1-20Xigen wässrigen oder alkoholischen Lösungen der Säuren bzw. Oxidationsmittel während 10 sek. bis 1 Stunde gerührt und anschliessend abdestilliert, mit H20 oder Alkoholen gewaschen und anschliessend getrocknet. Die im erfindungsgemässen Verfahren einzusetzenden beschichteten Halbleiterpulver sind neu, mit Ausnahme der beschichteten Cadmiumsulfidund Cadmiumsulfoselenidpulver. Gegenstand der Erfindung sind somit auch neue, mindestens teilweise mit Cu, Cr, Ni, Co oder Edelmetallen oder Gemischen davon beschichtete Halbleiterpulver aus ZnS, Cdl xZnxS, Zn1-xHgxS, Cd1-xHgxS, Zn1-yAg2yS, Cd1-yAg2yS, Cd1-x-yAg2yZnxS, Zn1-yCuyS, Cd1-yCuyS, ZnSe, ZnTe, ZnS1-xSex. ZnS1-xTex, ZnSe1-xTex. CdSe, CdTE, CdS1-xTex, CdSe1-xTex, La2S3 oder Bi2S3. Bevorzugt sind mindestens teilweise mit Platin, Iridium, Ruthenium, Palladium, Rhodium Nickel oder einer Platin-Silber-Mischung beschichtete ZnS-, Cd1-xZnxS-, Cd1-xHgxS- oder Cd1-yAg2yS, Cd1-x-yAg2yZnxS-Halbleiterpulver, worin X 0,01 bis 0,8 und y 0,001 bis 0,2 sind. Ganz besonders bevorzugt sind mindestens teilweise mit Nickel, Iridium oder Platin beschichtetes ZnS-Halbleiterpulver oder mindestens teilweise mit Platin, Ruthenium oder einer Platin-Silber-Mischung beschichtete Cd1-xZnxS- oder Cd1-yAg2yS-, Cd1-x-yAg2yZnxS-Halbleitpulver, wobei x 0,01 bis 0,8 besonders 0,05 bis 0,4 und y 0,001 bis 0,2 betragen. Beispiel 1: mit Platin beschichtetes Zinksulfid. 0,6 g Hexachloroplatinsäurehydrat (0,24 g Platingehalt) werden in 82,3 ml Wasser und 5 ml 0,1 N Salzsäure gelöst und mit konzentrierter Na2CO3-Lösung auf pH 7 gestellt. Man versetzt mit2,Og Kaliumacetat und stellt den pH mit 1,7 ml 96 %iger Essigsäure auf 4,5. Dann gibt man 10 g thermisch vorbehandeltes ZnS (spezifische Oberfläche 1,04 mê/g) zu, entgast die Suspension während 30 Minuten bei 600C und belichtet anschliessend 30 Minuten lang mit einer 125 W Quecksilberhochdrucklampe durch einen wassergekühlten Quarzfinger. Die erhaltene graue Suspension wird abfiltriert, mit destilliertem Wasser nachgewaschen und im Trockenschrank bei 60"C/13000 Pa getrocknet. Pt-Gehalt 1,45 Gew.%. Die thermische Vorbehandlung des im obigen Beispiel verwendeten Zinksulfids wird unter Normaldruck wie folgt durchgeführt: 20 g Zinksulfidpulver (Alfa Ventron, elektronische Qualität, spezifische Oberfläche 33,5 mê/g) werden in ein ml-Quarzrohr gegeben. Der Reaktor wird durch 20-minütiges Einleiten von Stickstoff gespült. Dann wird weiterhin Stickstoff (ca. 2 l/h) eingeleitet und auf 4900C erhitzt. Diese Temperatur wird während 30 Minuten aufrechterhalten. Danach wird der Stickstoff durch Einleiten von H2S (ca. 2 Vh) verdrängt und die Temperatur auf 750"C erhöht. Das Zinksulfidpulver wird 90 Minuten bei dieser Temperatur gehalten, dann unter H2S auf 4200C abgekühlt. Schliesslich wird der Schwefelwasserstoff durch Stickstoff verdrängt und auf Raumtemperatur abgekühlt. Das so erhaltene Zinksulfid weist eine spezifische Oberfläche von 1,04 mê/g auf. Gemäss Untersuchung unter dem Elektronenmikroskop ist keine Veränderung der Teilchengrösse des ZnS-Pulvers eingetreten. Beispiel 2: mit Platin beschichtetes Zinksulfid. 0,8 g Hexachlorplatinsäurehydrat (0.32 g Platingehalt) werden in 20 ml verdünnter HCl gelöst und dann zu 10 g Zinksulfid (spez. Oberfläche 0,94 mê/g), das analog Beispiel 1 während 45 Minuten unter N2 und während 90 Minuten bei 900"C mit H2S vorbehandelt wurde, gegeben und gut vermischt. Die so erhaltene imprägnierte Substanz wird während 2 Stunden bei 80"C/2000 Pa und dann weiterer 2 Stunden bei 60"C in einem Heizexsiccator getrocknet. Anschliessend wird das Produkt während 2 Stunden bei 2000C in einem Quarzrohr mit einem H2-Strom behandelt. Man erhält mit Platin beschichtetes Zinksulfid in Form eines grauen Pulvers; Platingehalt 2,26 Gew.%. Beispiel 3: mit Rhodium beschichtetes Zinksulfid. Beispiel 2 wird wiederholt, jedoch unter Verwendung von 0,8 g Rhodium(III)chlorid. Man erhält mit Rhodium beschichtetes Zinksulfid in Form eines dunkelgrauen Pulvers; Rhodiumgehalt 2,6 Gew.%. Beispiel 4: mit Nickel beschichtetes Zinksulfid. Beispiel 2 wird wiederholt, jedoch unter Verwendung von 0,8 g Nickel(II)chlorid und Behandlung mit einem H2-Strom bei 3000C. Man erhält mit Nickel beschichtetes Zinksulfid in Form eines grauen Pulvers; Nickelgehalt 1,45 Gew.%. Beispiel 5: mit Ruthenium beschichtetes Zinksulfid. Beispiel 2 wird wiederholt, jedoch unter Verwendung von ZnS, das vor der thermischen Behandlung eine spez. Oberfläche von 30,6 mê/g und danach eine solche von 0,7 & m /g aufweist, sowie unter Verwendung von 0,8 g Ruthenium- (III) chlorid. Man erhält mit Ruthenium beschichtetes Zinksulfid in Form eines grauen Pulvers; Ru-Gehalt 3,8 Gew.% Beispiel 6: mit Osmium beschichtetes Zinksulfid. Beispiel 2 wird wiederholt, jedoch unter Verwendung von ZnS, das vor der thermischen Behandlunf eine spez. Oberfläche von 6,1 mê/g und danach eine solche von 1,29 mê/g aufweist, und unter Vervendung von 0,8 Osmium(III)chlorid. Man erhält mit Osmium beschichtetes Zinksulfid in Form eines dunkelgrauen Pulvers; Osmiumgehalt 5,1 Gew.%. Beispiel 7: 86,2 ml Wasser und 3 ml 0,1 N Salzsäure werden mit konzentrierter wässriger Na2CO3-Lösung auf pli 7 gestellt, mit 1,0 g Kaliumacetat versetzt und mit 0,9 ml 96 %iger Essigsäure auf pH 4,5 gestellt. Dann gibt man 5 g des gemäss Beispiel 2 erhaltenen mit Platin beschichteten Zinksulfids zu. Die Suspension wird 30 Minuten bei 60"C mit Argon entgast und anschliessend 30 Minuten mit einer 125 W Quecksilberhochdrucklampe durch einen wassergekühlten Quarzfinger bestrahlt. Die erhaltene graue Suspension wird abfiltriert, mit destilliertem Wasser nachgewaschen und im Trockenschrank bei 60"C/13000 Pa getrocknet. Platingehalt des erhaltenen Pulvers = 2,26 Gew.%. Beispiel 8: mit Platin beschichtetes Cadmiumzinksulfid. 0,6 g Hexachlorplatinsäurehydrat (0,24 g Platingehalt) werden in 77,3 ml Wasser und 5 ml 0,1 N Salzsäure gelöst und mit konzentrierter Na2CO3-Lösung auf pH 7 gestellt. Man versetzt mit 2,0 g Kaliumacetat und 5 ml einer 5 %igen wässrigen Lösung von Cd(N03)2 4 H20 und stellt den pH mit 1,7 ml 96 %iger Essigsäure auf 4,5. Dann gibt man 10 g thermisch vorbehandeltes Cadiumzinksulfid (15 Mol% ZnS, Cd0,85Zn0,15S, spezifische Oberflächen 1,67 mê/g) zu, entgast die Suspension während 30 Minuten bei 600C und belichtet anschliessend 30 Minuten lang mit einer 125 W Quecksilberhochdrucklampe durch einen wassergekühlten Quarzfinger. Die erhaltene grüne Suspension wird abfiltriert, mit destilliertem Wasser nachgewaschen und im Trockenschrank bei 600C/13000 Pa getrocknet. Platingehalt 2,0 Gew.%. Die termische Vorbehandlung des im obigen Beispiel verwendeten Cadmiumzinksulfids wird unter Normaldruck wie folgt vorgenommen: 20 g Cadmiumzinksulfid (Cadmium Gelb gemäss Colour Index Nr. 77117, Cd0 > 86Zn0,14S; 2 spez. Oberfläche 5,02 m /g) werden in ein Quarzrohr gegeben. Nach dem Spülen des Reaktors mit Stickstoff wird weiterhin Stickstoff (ca. 2 1/h) eingeleitet. Dann wird der Stickstoff durch Einleiten von Schwefelwasserstoff (ca. 2 l/h) verdrängt, und die Temperatur wird auf 760"C erhöht. Diese Temperatur wird 90 Minuten aufrechterhalten. Anschliessend wird auf Raumtemperatur abgekühlt, und der Schwefelwasserstoff wird durch Stickstoff verdrängt. Das erhaltene CdZnS hat eine spez. Oberfläche von 1,67 m2/g und die Zusammensetzung Cd0,85Zn0,15S. Beispiel 9: Beispiel 8 wird wiederholt unter Verwendung von 10 g thermisch vorbehandeltem Cadmiumsulfid (spez. Oberfläche 1,31 m2/g). . Das erhaltene beschichtete Cadmiumsulfid weist eine Pt-Gehalt von 1,5 Gew.% auf. Die thermische Vorbehandlung des im obigen Beispiel verwendeten Cadmiumsulfids wird unter Normaldruck wie folgt durchgeführt: 20 g Cadmiumsulfid (Siegfried techn. spez. Oberfläche 22,7 mê/g) werden in ein Quarzrohr gegben. Nach dem Spülen des Reaktors mit Stickstoff wird weiter Stickstoff (ca. 2 l/h ) eingeleitet und auf 4900C erhitzt. Diese Temperatur wird 45 Minuten aufrechterhalten. Danach wird der Stickstoff durch Einleiten von H2S (ca. 2 l/h) verdrängt und die Temperatur auf 760 C erhöht. Das Cadmiumsulfidpulver wird eine Stunde bei dieser Temperatur gehalten und dann unter H2S auf 430 C abgekühlt. Anschliesslich wird der Schwefelwasserstoff durch Einleiten von Stickstoff verdrängt und auf Raumtemperatur abgekühlt. Das erhaltene CdS weist eine spez. Oberfläche von 1,31 mê/g auf. Beispiel 10: mit Nickel beschichtetes Cadmiumzinksulfid. Beispiel 4 wird wiederholt, jedoch unter Verwendung von 10 g Cadmiumzinksulfid, das analog Beispiel 8 während 90 Minuten bei 760 C mit H2S vorbehandelt wurde (Cd0,85Zn0,15S; spez. Oberfläche 3,43 mê/g). Man erhält mit Nickel beschichtetes Cadmiumzinksulfid in Form eines grünen Pulvers; Nickelgehalt 1,21 Gew.%. Beispiel 11: mit Ruthenium beschichtetes Cadmiumzinksulfid. Beispiel 5 wird wiederholt, jedoch unter Verwendung von 10 g Cadmiumzinksulfid gemäss Beispiel 10. Man erhält mit Ruthenium beschichtetes Cadmiumzink sulfid in Form eines grüngrauen Pulvers; Rutheniumgehalt 3,9 Gew.%. Beispiel 12: Die gemäss den Beispielen 3-6 beschichteten Zinksulfid pulver und die gemäss den Beispielen 10 und 11 beschichteten Cadmium zinksulfidpulver werden wie in Beispiel 7 beschrieben einer Nachbehand lung unterzogen. Beispiel 13: mit Platin beschichtetes Cadmiumquecksilbersulfid. Beispiel 8 wird wiederholt, jedoch unter Verwendung von 10 g thermisch vorbehandeltem Cadmiumquecksilbersulfid (Cd0,97Hg0,03S, 3 Mol% HgS, spez. Oberfläche 4,34 mê/g). Man erhält mit Platin beschichtetes Cadmiumquecksilbersulfid in Form eines gelbgrauen Pulvers; Platingehalt 1,37 Gew.%. Die thermische Vorbehandlung des im obigen Beispiel verwendeten Cadmiumquecksilbersulfids wird unter Normaldruck wie folgt vorgenommen: 20 g Cadmiumquecksilbersulfid (Mercadmium Orange gemäss Colour Index Nr. 77201, Cd0,93Hg0,07S, spez. Oberfläche 5,54 m2/g) werden in ein Quarzrohr gegeben. Nach dem Spülen des Reaktors mit Stickstoff wird das Cadmiumquecksilbersulfid-Pulver während 20 Minuten bei 6100C mit H2S behandelt. Anschliessend wird abgekühlt, und der Schwefelwasserstoff wird durch Einleiten von Stickstoff verdrängt. Das erhaltene Cadmium 2 quecksilbersulfid weist eine spez. Oberfläche von 4,34 m /g auf. Beispiel 14: mit Platin beschichtetes Cadmiumsilbersulfid. Beispiel 8 wird wiederholt, jedoch unter Verwendung von 10 g nicht thermisch vorbehandeltem Cadmiumsilbersulfid, enthaltend 0,8 Gew.% Silber (Cdo 995Ago OlOSJspezifische Oberfläche 72,8 m2/g). Man erhält mit Platin beschichtetes Cadmiumsilbersulfid in Form eines braunen Pulvers; Platingehalt 1,88 Gew.%. Beispiel 15: Beispiel 14 wird wiederhoht, unter Verwendung von 10 g Cadmiumsulfid (spezifische Oberfläche 62,3 mê/g). Man erhält mit Platin beschichtetes Cadmiumsulfid mit einem Pt-Gehalt von 1,93 Gew.%. Beispiel 16: mit Platin beschichtetes Zinkselenid. Beispiel 2 wird wiederhoht, jedoch unter Verwendung von 10 g nicht thermisch vorbehandel tem Zinkselenid (spezifische Oberfläche 0,33 mê/g). Man erhält mit Platin beschichtetes Zinkselenid in Form eines schwarzgrünen Pulvers. 47 ml Wasser und 3 ml 96 %ige Essigsäure werden mit 40 ml 2-molarer wässriger NaOH-Lösung auf pH 12,9 gestellt. Dann gibt man 5 g des obigen mit Platin beschichteten Zinkselenids zu. Die Suspension wird 30 Miunten bei 60"C mit Argon entgast und anschliessend 30 Minuten mit einer 125 W Quecksilberhochdrucklampe durch einen wassergekühlten Quarzfinger bestrahlt. Die erhaltene schwarzgrüne Suspension wird abfiltriert, mit destilliertem Wasser nachgewaschen und im Trockenschrank bei 60"C/13000 Pa getrocknet. Platingehalt des erhaltenen Pulvers 2,5 Gew.%. Beispiel 17: mit Platin beschichtetes Zinktellurid. Beispiel 16 wird wiederhoht, jedoch unter Verwendung von 10 g Zinktellurid (nicht thermisch vorbehandelt; spezifische Oberfläche 0,13 mê/g). Man erhält mit Platin beschichtetes Zinktellurid in Form eines dunkelgrauen Pulvers; Platingehalt 2,03 Gew.%. Beispiel 18: Mit Platin beschichtetes Lanthansulfid. Beispiel 1 wird wiederholt, jedoch unter Verwendung von 10 g Lathansulfid (nicht thermisch vorbehandelt, spezifische Oberfläche 1,53 mê/g). Man erhält mit Platin beschichtetes Lanthansulfid in Form eines grüngrauen Pulvers; Platingehalt 1,88 Gew.%. Beispiel 19: mit Platin beschichtetes Cadmiumsulfid. Beispiel 8 wird wiederhoht, jedoch unter Verwendung von 10 g Cadmiumsulfid mit einer spez. Oberfläche von 62,3 mê/g, das analog Beispiel 9, jedoch ohne N2-Phase während 90 Minuten bei 760 C mit H2S vorbehandelt wurde. Das so erhaltene Cadmiumsulfid weist eine spez. Oberfläche von 0,21 mê/g auf. Man erhält mit Platin beschichtetes Cadmiumsulfid in Form eines grüngrauen Pulvers; Platingehalt 1,05 Gew.%. Beispiel 20: mit Ruthenium beschichtetes Cadmiumsulfid. Beispiel 5 wird wiederholt, jedoch unter Verwendung von 10 g Cadmiumsulfid (nicht thermisch vorbehandelt; spez. Oberfläche 0,46 mê/g). Man erhält mit Ruthenium beschichtetes Cadmiumsulfid in Form eines schwarzgrünen Pulvers; Rutheniumgehalt 4 Gew.%. Beispiel 21: mit Rhodium beschichtetes Cadmiumsulfid. Beispiel 3 wird wiederholt, jedoch unter Verwendung von 10 g Cadmiumsulfid (nicht thermisch vorbehandelt; spez. Oberfläche 0,64 mêg). Man erhält mit Rhodium beschichtetes Cadmiumsulfid in Form eines grünschwarzen Pulvers; Rhodiumgehalt 4 Gew.%. Beispiel 22: mit Platin beschichtetes Cadmiumsulfoselenid. Beispiel 8 wird wiederholt, jedoch unter Verwendung von 10 g thermisch vorbehandel tem Cadmiumsulfoselenid (CdS0,83Se0,17, 17 Mol.% CdSe, Spez. Oberfläche 0,98 mê/g). Man erhält mit Platin beschichtetes Cadmiumsulfoselenid in Form eines braunen Pulvers; Platingehalt 2,3 Gew.%. Die thermische Vorbehandlung des im obigen Beispiel verwendeten Cadmiumsulfoselenids wird unter Normaldruck wie folgt durchgeführt: 20 g Cadmiumsulfoselenid (Cadmium Orange gemäss Colour Index Nr. 77196, CdSe0,84Se0,16, spez. Oberfläche 4,96 mê/g) werden in ein Quarzrohr gegeben. Nach dem Spülen des Reaktors mit Stickstoff (20 Minuten) wird weiterhin Stickstoff eingeleitet (ca. 2 l/h) und auf 7300C erhitzt. Diese Temperatur wird 90 Minuten gehalten. Dann wird unter Stickstoff auf Raumtemperatur abgekühlt. Das erhaltene Cadmiumsulfoselenid weist eine spez. Oberfläche von 0,98 mê/g auf und hat die Zusammensetzung CdS0,83Se0,17. Beispiel 23: mit Palladium beschichtetes Zinksulfid. Beispiel 1 wird wiederholt, jedoch unter Verwendung von 0,6 Palladium(II)chlorid und Zinksulfid gemäss Beispiel 15. Man erhält mit Palladium beschichtetes Zinksulfid in Form eines dunkelgrauen Pulvers; Pd-Gehalt 3 Gew.%. Beispiel 24: Photochemische Produktion von Wasserstoff aus Wasser unter gleichzeitiger Oxidation von Sulfit. 0,4 g des gemäss Beispiel 1 hergestellten platinbeschichteten Zinksulfids (1,45 Gew.% Pt) werden in 90 ml einer 4,4 %igen wässrigen Natriumsulfitlösung aufgeschlämmt und während 30 Minuten bei 600C mit Stickstoff entgast. Dann wird die erhaltene Suspension bei 600C in einem Photoreaktor, der mit einem Quarzfinger und einer 125 W Quecksilberhochdrucklampe ausgestattet ist (Lichtdurchlässigkeit > 200 nm) bestrahlt. Innerhalb einer Stunde entwickeln sich 50 ml Gas. Ohne Licht kann keine H2-Entwicklung festgestellt werden Die quantitative Bestimmung des Wasserstoffs wird wie folgt durchgeführt: 700 ml des erhaltenen Gases werden bei Raumtemperatur (20-250C) zur Hydrierung einer Lösung von 3,0 gNitrobenzol in 15 ml Methanol mit 0,3 g eines Pd-Kohlenkatalysators (5 Gew.% Pd) verwendet. Nach 30 Stunden ist die Wasserstoffaufnahme (= 660 ml) beendet. Nach dem Abfiltrieren des Katalysatos und dem Eindampfen des Lösungsmittels wird das zurückbleibende gelbe Oel als Gemisch aus 68,6 Gew.% Nitrobenzol und 31,4 Gew.% Anilin bestimmt. Daraus berechnet sich ein Wasserstoffverbrauch von 665 ml (bei Normaldruck und 200C). Der entwickelte Wasserstoff war also > 90 %ig. Gemäss gaschromatographischer Analyse besteht der Rest des Gases aus Stickstoff, der aus der vorgängigen Entgasung des Totvolumens stammt. Beispiel 25: Die folgenden Beispiele illustrieren die Verwendung weiterer definitionsgemässer Halbleiterpulver zur Herstellung von Wasserstoff. Es werden jeweils eingesetzt: Beispiele 25-41: 90 ml einer 4,4 %igen wässrigen Natriumsulfit lösung; Beispiele 42-46: 90 ml einer 5,0 %igen wässrigen Natriumsulfid lösung (Na2S . 8 H20); Beispiele 47-67: 90 ml einer wässrigen Lösung, die 0,24 Mo1/1 Natriumsulfid und 0,35 Mol/l Natriumsulfit enthält; Beispiele 68-75: 90 ml einer wässrigen Lösung, die 0,24 Mol/l Natriumsulfid, 1,37 Mol/l Natriumhypophosphit und 2,9 Mol/l NaOH enthält. Die restlichen Reaktionsbedingungen und die Resultate sind in der folgenden Tabelle angegeben. Tabelle EMI20.1 Beispiel <SEP> Halbleiter <SEP> Lichtquelle/Filter <SEP> H2-Entwicklung <SEP> Bemerkungen <tb> <SEP> Nr. <SEP> [ml/h] <tb> <SEP> 25 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/3 <SEP> Gew.% <SEP> Pd <SEP> 125 <SEP> W <SEP> Hg-Hochdrucklampe <SEP> mit <SEP> 32 <SEP> während <SEP> 30 <SEP> Min. <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 23 <SEP> Quarzfinger; <SEP> entgast <tb> <SEP> Lichtdurchlässigkeit <SEP> > <SEP> 200 <SEP> nm <tb> <SEP> 26 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/2,26 <SEP> Gew.% <tb> <SEP> Pt <SEP> gemäss <SEP> Beisp. <SEP> 2 <SEP> do. <SEP> 28 <SEP> do. <tb> <SEP> 27 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/2,26 <SEP> Gew.% <tb> <SEP> Pt <SEP> gem. <SEP> Beispiel <SEP> 7 <SEP> do. <SEP> 22 <SEP> do. <tb> <SEP> 28 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/2,2 <SEP> Gew.% <tb> <SEP> Rh <SEP> gem. <SEP> Beispiel <SEP> 3 <SEP> do. <SEP> 52 <SEP> do. <tb> <SEP> 29 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/2,2 <SEP> Gew.% <tb> <SEP> Rh <SEP> gem. <SEP> Beisp. <SEP> 3 <SEP> uns <SEP> 12 <SEP> do. <SEP> 57 <SEP> do. <tb> <SEP> 30 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/1,45 <SEP> Gew.% <tb> <SEP> Ni <SEP> gem. <SEP> Beispiel <SEP> 3 <SEP> do. <SEP> 163 <SEP> do. <tb> <SEP> 31 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/1,45 <SEP> Gew.% <tb> <SEP> Ni <SEP> gem. <SEP> Beisp. <SEP> 4 <SEP> und <SEP> 12 <SEP> do. <SEP> 151 <SEP> do. <tb> <SEP> 32 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/3,8 <SEP> Gew.% <tb> <SEP> Ru <SEP> gem. <SEP> Beispiel <SEP> 5 <SEP> do. <SEP> .61 <SEP> do. <tb> <SEP> 33 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/3,8 <SEP> Gew.% <tb> <SEP> Ru <SEP> gem. <SEP> Beisp. <SEP> 5 <SEP> und <SEP> 12 <SEP> do. <SEP> 65 <SEP> do. <tb> Tabelle (Fortsetzung) EMI21.1 Beispiel <SEP> Halbleiter <SEP> Lichtquelle/Filter <SEP> H2-Entwicklung <SEP> Bemerkungen <tb> <SEP> Nr. <SEP> [ml/h] <tb> <SEP> 34 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/ <SEP> 5,1 <SEP> Gew.% <SEP> 125 <SEP> W <SEP> Hg-Hochdrucklampe <SEP> mit <SEP> während <SEP> 30 <SEP> Min. <tb> <SEP> Os <SEP> gem. <SEP> Beispiel <SEP> 6 <SEP> Quarzfinger; <SEP> 27 <SEP> entgast <tb> <SEP> Lichtdurchlässigkeit <SEP> > <SEP> 200 <SEP> nm <tb> <SEP> 35 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/ <SEP> 5,1 <SEP> Gew.% <tb> <SEP> Os <SEP> gem. <SEP> Beisp. <SEP> 6 <SEP> und <SEP> 12 <SEP> do. <SEP> 28 <SEP> do. <tb> <SEP> 36 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> Cd0,85Zn0,15S/2,0 <SEP> 125 <SEP> W <SEP> Hg-Hochdrucklampe <SEP> mit <tb> <SEP> Gew.% <SEP> Pt <SEP> gem. <SEP> Beispiel <SEP> 10 <SEP> Pyrexfilter; <SEP> 44 <SEP> do. <tb> <SEP> Lichtdurchlässigkeit <SEP> > <SEP> 300 <SEP> nm <tb> <SEP> 37 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> Cd0,85Zn0,15S/1,21 <tb> <SEP> Gew.% <SEP> Ni <SEP> gem. <SEP> Beispiel <SEP> 10 <SEP> do. <SEP> 13 <SEP> do. <tb> <SEP> 38 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> Cd0,85Zn0,15S/1,21 <tb> <SEP> Gew.% <SEP> Ni <SEP> gemäss <tb> <SEP> Beispielen <SEP> 10 <SEP> und <SEP> 12 <SEP> do. <SEP> 17 <SEP> do. <tb> <SEP> 39 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> Cd0,85Zn0,15S/ <SEP> 3,9 <tb> <SEP> Gew.% <SEP> Ru <SEP> gemäss <tb> <SEP> Beispiel <SEP> 11 <SEP> do. <SEP> 7 <SEP> do. <tb> <SEP> 40 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> Cd0,85Zn0,15S/3,9 <tb> <SEP> Gew.% <SEP> Ru <SEP> gemäss <tb> <SEP> Beispielen <SEP> 11 <SEP> und <SEP> 12 <SEP> do. <SEP> 74 <SEP> do. <tb> Tabelle (Fortsetzung) EMI22.1 Beispiel <SEP> Halbleiter <SEP> Lichtquelle/Filter <SEP> H2-Entwicklung <SEP> Bemerkungen <tb> <SEP> Nr. <SEP> [ml/h] <tb> <SEP> 41 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> Cd0,97Hg0,03S/1,37 <SEP> 125 <SEP> W <SEP> Hg-Hochdrucklampe <SEP> mit <SEP> während <SEP> 30 <SEP> Min. <tb> <SEP> Gew.-% <SEP> Pt <SEP> gemäss <SEP> Prexfilter; <SEP> entgast <tb> <SEP> Beispiel <SEP> 13 <SEP> Lichtdurchlässigkeit <SEP> > <SEP> 300 <SEP> nm <SEP> 10 <tb> <SEP> 42 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/1,45 <SEP> Gew.% <SEP> 125 <SEP> W <SEP> Hg-Hochdrucklampe <SEP> mit <SEP> 133 <tb> <SEP> Pt <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 1 <SEP> Quarzfinger; <SEP> do. <tb> <SEP> Lichtdurchlässigkeit <SEP> > <SEP> 200 <SEP> nm <tb> <SEP> 43 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> Cd0,995Ag0,010S/ <SEP> 125 <SEP> W <SEP> Hg-Hochdrucklampe <SEP> mit <tb> <SEP> 1,88 <SEP> Gew.% <SEP> Pt <SEP> Pyrexfilter; <tb> <SEP> Lichtdurchlässigkeit <SEP> > <SEP> 300 <SEP> nm <SEP> 100 <SEP> do. <tb> <SEP> 44 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnSe/2,5 <SEP> Gew.% <tb> <SEP> Pt <SEP> gem. <SEP> Beispiel <SEP> 16 <SEP> do. <SEP> 16 <SEP> do. <tb> <SEP> 45 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnTe/2,03 <SEP> Gew.% <tb> <SEP> Pt <SEP> gem. <SEP> Beispiel <SEP> 18 <SEP> do. <SEP> 6 <SEP> do. <tb> <SEP> 46 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> La2S3/1,88 <SEP> Gew.% <tb> <SEP> Pt <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 18 <SEP> do. <SEP> 5 <SEP> do. <tb> <SEP> 47 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/1,45 <SEP> Gew.% <SEP> 125 <SEP> W <SEP> Hg-Hochdrucklampe <SEP> mit <tb> <SEP> Pt <SEP> gem. <SEP> Beispiel <SEP> 1 <SEP> Quarzfinger; <SEP> 193 <SEP> do. <tb> <SEP> Lichtdurchlässigkeit <SEP> > <SEP> 200 <SEP> nm <tb> <SEP> 48 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/2,26 <SEP> Gew.% <tb> <SEP> Pt <SEP> gem. <SEP> Beispiel <SEP> 2 <SEP> do. <SEP> 128 <SEP> do. <tb> Tabelle (Fortsetzung) EMI23.1 Beispiel <SEP> Katalysator <SEP> Lichtquelle/Filter <SEP> H2-Entwicklung <SEP> Bemerkungen <tb> <SEP> Nr. <SEP> [ml/h] <tb> <SEP> 49 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/2,26 <SEP> Gew.% <SEP> 125 <SEP> W <SEP> Hg-Hochdrucklampe <SEP> mit <SEP> während <SEP> 30 <SEP> Min. <tb> <SEP> Pt. <SEP> gem. <SEP> Beispiel <SEP> 7 <SEP> Quarzfinger; <SEP> 122 <SEP> entgast <tb> <SEP> Lichtdurchlässigkeit <SEP> > <SEP> 200 <SEP> nm <tb> <SEP> 50 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/1,45 <SEP> Gew.% <tb> <SEP> Ni <SEP> gem. <SEP> Beispiel <SEP> 4 <SEP> do. <SEP> 138 <SEP> do. <tb> <SEP> 51 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/1,45 <SEP> Gew.% <SEP> Ni <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beisp. <SEP> 4 <SEP> und <SEP> 12 <SEP> do. <SEP> 182 <SEP> do. <tb> <SEP> 52 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnSe/3,8 <SEP> Gew.% <SEP> Ru <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 5 <SEP> do. <SEP> 115 <SEP> do. <tb> <SEP> 53 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/3,8 <SEP> Gew.% <SEP> Ru <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beisp. <SEP> 5 <SEP> und <SEP> 12 <SEP> do. <SEP> 122 <SEP> do. <tb> <SEP> 54 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/ <SEP> 5,1 <SEP> Gew.% <tb> <SEP> Os <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 6 <SEP> do. <SEP> 110 <SEP> do. <tb> <SEP> 55 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/ <SEP> 5,1 <SEP> Gew.% <SEP> Os <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beisp. <SEP> 6 <SEP> und <SEP> 12 <SEP> do. <SEP> 111 <SEP> do. <tb> <SEP> 56 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> Cd0,85Zn0,15S/2,0 <SEP> 125 <SEP> W <SEP> Hg-Hochdrucklampe <SEP> mit <tb> <SEP> Gew.% <SEP> Pt <SEP> gem. <SEP> Beispiel <SEP> 8 <SEP> Pyrexfilter; <tb> <SEP> Lichtdurchlässigkeit <SEP> > <SEP> 300 <SEP> nm <SEP> 170 <SEP> do. <tb> <SEP> 57 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> CdS/1,5 <SEP> Gew.% <tb> <SEP> Pt <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 9 <SEP> do. <SEP> 87 <SEP> do. <tb> Tabelle (Fortsetzung) EMI24.1 Beispiel <SEP> Halbester <SEP> Lichtquelle/Filter <SEP> H2-Entwicklung <SEP> Bemerkungen <tb> <SEP> Nr. <SEP> [ml/h] <tb> <SEP> 58 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> Cd0,85Zn0,15S/1,21 <SEP> 125 <SEP> W <SEP> Hg-Hochdrucklampe <SEP> mit <SEP> während <SEP> 30 <SEP> Min. <tb> <SEP> Gew.% <SEP> Pyrexfilter; <SEP> entgast <tb> <SEP> Ni <SEP> gemäss <SEP> Bespiel <SEP> 10 <SEP> Lichtdurchlässigkeit <SEP> > <SEP> 300 <SEP> nm <SEP> 28 <tb> <SEP> 59 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> Cd0,85Zn0,15S/1,21 <tb> <SEP> Gew.% <tb> <SEP> Ni <SEP> gem. <SEP> Beisp. <SEP> 10 <SEP> und <SEP> 12 <SEP> do. <SEP> 64 <SEP> do. <tb> <SEP> 60 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> Cd0,85Zn0,15S/3,9 <tb> <SEP> Gew.% <tb> <SEP> Ru <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 11 <SEP> do. <SEP> 39 <SEP> do. <tb> <SEP> 61 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> Cd0,85Zn0,15S/3,9 <tb> <SEP> Gew.% <tb> <SEP> Ru <SEP> gem. <SEP> Beisp. <SEP> 11 <SEP> und <SEP> 12 <SEP> do. <SEP> 139 <SEP> do. <tb> <SEP> 62 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> Cd0,97Hg0,03S/1,37 <tb> <SEP> Gew.% <tb> <SEP> Pt <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 13 <SEP> do. <SEP> 138 <SEP> do. <tb> <SEP> 63 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> Cd0,995Ag0,010S/ <tb> <SEP> 1,88 <tb> <SEP> Gew.% <SEP> Pt <SEP> gem. <SEP> Beisp. <SEP> 14 <SEP> do. <SEP> 265 <SEP> do. <tb> <SEP> 64 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> CdS/1,93 <SEP> Gew.% <SEP> Pt <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 15 <SEP> do. <SEP> 10 <SEP> do. <tb> <SEP> 65 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> CdS/1,05 <SEP> Gew.% <tb> <SEP> Pt <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 19 <SEP> do. <SEP> 133 <SEP> do. <tb> Tabelle (Fortsetzung) EMI25.1 Beispiel <SEP> Halbleiter <SEP> Lichtquelle/Filter <SEP> H2-Entwicklung <SEP> Bemerkungen <tb> <SEP> Nr. <SEP> [ml/h] <tb> <SEP> 66 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> CdS/4 <SEP> Gew.% <SEP> 125 <SEP> W <SEP> Hg-Hochdrucklampe <SEP> mit <SEP> während <SEP> 30 <SEP> Min. <tb> <SEP> Ru <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 20 <SEP> Pyrexfilter; <SEP> entgast <tb> <SEP> Lichtdurchlässigkeit <SEP> > <SEP> 300 <SEP> nm <SEP> 144 <tb> <SEP> 67 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> CdS0,83Se0,17 <tb> <SEP> 2,3 <SEP> Gew.% <SEP> Pt <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 22 <SEP> do. <SEP> 110 <SEP> do. <tb> <SEP> 68 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/1,45 <SEP> Gew.% <SEP> Pt <SEP> 125 <SEP> W <SEP> Hg-Hochdrucklampe <SEP> mit <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 1 <SEP> Quarzfinger; <tb> <SEP> Lichtdurchlässigkeit <SEP> > <SEP> 200 <SEP> nm <SEP> 380 <SEP> do. <tb> <SEP> 69 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnSe/1,45 <SEP> Gew.% <SEP> Ni <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beisp. <SEP> 4 <SEP> und <SEP> 12 <SEP> do. <SEP> 312 <SEP> do. <tb> <SEP> 70 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> Cd0,85Zn0,15S/2,0 <SEP> 125 <SEP> W <SEP> Hg-Hochdrucklampe <SEP> mit <tb> <SEP> Gew.% <SEP> Pyrexfilter; <tb> <SEP> Pt <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 8 <SEP> Lichtdurchlässigkeit <SEP> > <SEP> 300 <SEP> nm <SEP> 356 <SEP> do. <tb> <SEP> 71 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> Cd0,97Hg0,03S/1,37 <tb> <SEP> Gew.% <tb> <SEP> Pt <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 13 <SEP> do. <SEP> 316 <SEP> do. <tb> <SEP> 72 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> Cd0,995Ag0,010S/1,88 <tb> <SEP> Gew.% <tb> <SEP> Pt <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 14 <SEP> do. <SEP> 120 <SEP> do. <tb> Tabelle (Fortsetzung) EMI26.1 Beispiel <SEP> Halbleiter <SEP> Lichtquelle/Filter <SEP> H2-Entwicklung <SEP> Bemerkungen <tb> <SEP> Nr. <SEP> [ml/h] <tb> <SEP> 73 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> CdS/1,05 <SEP> Gew.% <SEP> 125 <SEP> W <SEP> Hg-Hochdrucklampe <SEP> mit <SEP> 215 <SEP> während <SEP> 30 <SEP> Min. <tb> <SEP> Pt. <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 19 <SEP> Pyrexfilter; <SEP> entgast <tb> <SEP> Lichtdurchlässigkeit <SEP> > <SEP> 300 <SEP> nm <tb> <SEP> 74 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> CdS/4 <SEP> Gew.% <tb> <SEP> Ru <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 20 <SEP> do. <SEP> 729 <SEP> do. <tb> <SEP> 75 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> CdS/4 <SEP> Gew.% <tb> <SEP> Rh <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 21 <SEP> do. <SEP> 520 <SEP> do. <tb> Beispiel 76: Analog Beispiel 24 werden 0,4 g des gemäss Beispiel 20 hergestellten, mit Ruthenium beschichteten Cadmiumsulfids in 90 ml einer 4,4 %igen wässrigen Lösung von H3FO2 angeschlämmt und mit Stickstoff entgast.Darauf wird die erhaltene Suspension mit einer Quecksilberhochdrucklampe mit einer Lichtdurchlässigkeit 7300 nm bestrahlt. Wasserstoffentwicklung 225 mL/h. Beispiel 77: Analog Beispiel 24 werden 0,4 g des gemäss Beispiel 20 hergestellten, mit Ruthenium beschichteten Cadmiumsulfids in 90 ml einer 4,4 %igen wässrigen Lösung von H3PO3 aufgeschlämmt und mit Stickstoff entgast. Darauf wird die erhaltene Suspension bei 60 C mit einer Quecksilberhochdrucklampe mit einer Lichtdurchlässigkeit > 300 nm bestrahlt. Wasserstoffentwicklung 33 ml/h. Beipspiel 78: Analog Beispiel 24 werden 0,4 g des gemäss Beispiel 19 hergestellten, mit Platin beschichteten Cadmiumsulfids (Pt-Gehalt 1,05 Gew.%) in 90 ml einer wässrigen Lösung, die 0,24 Mol/l Natriumsulfid, 0,35 Mo1/l phosphorige Säure und 1,3 Mol/lNatronlauge enthält, aufgeschlämmt und mit Stickstoff entgast. Darauf wird die erhaltene Suspension bei 600C mit einer Quecksilberhochdrucklampe mit einer Lichtdurchlässigkeit > 300 nm bestrahlt. Wasserstoffentwicklung 18 ml/h. Beispiel 79: mit Silber beschichtetes Zinksulfid. Beispiel 2 wird wiederholt, jedoch unter Verwendung von 0,6 g AgN03 und Zinksulfid gemäss Beispiel 5. Man erhält mit Silber beschichtetes Zinksulfid in Form eines dunkelgrauen Pulvers; Silbergehalt: 3,7 Gew.%. Beispiel 80: mit Iridium beschichtetes Ziniksulfid. Beispiel 2 wird wiederholt, jedoch unter Verwendung von 0,6 g IrC13 und Zinksulfid gemäss Beispiel 5. Man erhält mit Iridium beschichtetes Zinksulfid in Form eines dunkelgrauen Pulvers; Iridiumgehalt: 3,8 Gew.%. Beispiel 81: mit Iridium und Nickel beschichtetes Zinksulfid. Beispiel 2 wird wiederholt, jedoch unter Verwendung von 0,3 g IrCl3, 0,3 g NiC12 und Zinksulfid gemäss Beispiel 5, und Behandlung mit einem H2-Strom bei 300"C. Man erhält mit Iridium und Nickel beschichtetes Zinksulfid in Form eines grauen Pulvers; Iridiumgehalt: 1,8 Gew.%. Nickelgehalt: 0,7 Gew.%. Beispiel 82: mit Platin und-Silber beschichtetes Zinksulfid. Beispiel 1 wird wiederholt, jedoch unter Verwendung von 0,4 g Hexachloroplatinsäurehydrat, 0,2 g AgN03 und Zinksulfid gemäss Beispiel 5. Man erhält mit Platin und Silber beschichtetes Zinksulfid in Form eines grauen Pulvers; Platingehalt: 1,3 Gew.% Silbergehalt: 0,8 Gew.%. Beispiel 83: mit Platin und Silber beschichtetes Cadmiumzinksulfid. Beispiel 8 wird wiederholt, jedoch unter Verwendung von 0,4 g Hexachloroplatinsäurehydrat, 0,2 g AgN03 und 10 g Cadmiumzinksulfid (Cadmium Gelb gemäss Colour Index Nr. 7717, Cd 86Zn0,14Si spez. Oberfläche 5.02 m /g). Man erhält mit Platin und Silber beschichtetes Cadmiumzinksulfid in Form eines grüngrauen Pulvers; Platingehalt: 3 Gew.% Silbergehalt: 0,9 Gew.%. Beispiel 84: mit Platin beschichtetes Cadmiumsilbersulfid. Beispiel 8 wird wiederholt, jedoch unter Verwendung von 10 g nicht thermisch vorbehandeltem Cadmiumsilbersulfid (Cd0,97Ag0,06S, spez. Oberfläche 103 mê/g). Man erhält mit Platin beschichtetes Cadmiumsilbersulfid in Form eines braunen Pulvers; Platingehalt: 1,8 Gew.%. Beispiel 85: mit Platin beschichtetes Cadmiumzinksilbersulfid. Beispiel 8 wird wiederholt, jedoch unter Verwendung von 10 g nicht thermisch vorbehandeltem Cadmiumzinksilbersulfid Cd 947Zn0.050A80.006S spez. Oberfläche: 92 m2/g). Man erhält mit Platin beschichtetes Cadmiumzinksilbersulfid in Form eines braunen Pulvers; Platingehalt: 2,2 Gew.%. Beispiel 86: mit Platin beschichtetes Cadmiumzinksilbersulfid. Beispiel 8 wird wiederholt, jedoch unter Verwendung von 10 g nicht thermisch behandeltem Cadmiumzinksilbersulfid Cd 847ZnO 149Ago 008S 2 spez. Oberfläche: 99 m /g). Man erhält mit Platin beschichtetes Cadmiumzinksilbersulfid in Form eines braunen Pulvers; Platingehalt: 2,1 Gew.%. Beispiel 87: mit Platin beschichtetes Cadmiumzinksilbersulfid. Beispiel 8 wird wiederholt, jedoch unter Verwendung von 10 g nicht thermisch behandeltem Cadmiumzinksilbersulfid Cd0.640Zn0.353Ag0.012 5 spez. Oberfläche:48 m2/g) Man erhält mit Platin beschichtetes Cadmiumzinksilbersulfid in Form eines graugelben Pulvers. Platingehalt: 20 Gew.%. Beispiel 88: mit Platin und Silber beschichtetes Cadmiumsulfid. Beispiel 8 wird wiederholt, jedoch unter Verwendung von 0,4 g Hexachloroplatinsäurehydrat, 0.06 g AgNO2 und 10 g nicht thermisch behandeltem Cadmiumsulfid (spez. Oberfläche 62 mê/g). Man erhält mit Platin und Silber beschichtetes Cadmiumsulfid in Form eines graugrünen Pulvers. Platingehalt: 1,4 Gew.% Silbergehalt: 0,4 Gew.%. Beispiel 89: mit Platin beschichtetes Cadmiumsulfid. Beispiel 2 wird wiederholt, jedoch unter Verwendung von 0,8 g Hexachloroplatinsäurehydrat und 20 g nicht thermisch behandeltem Cadmiumsulfid (spez. Oberfläche 0,26 mê/g). Man erhält mit Pltin beschichtes Cadmiumsulfid in Form eines grauen Pulvers; Platingehalt: 1,1 Gew.%. Beispiel 90: mit Platin beschichtetes Cadmiumselenid. Beispiel 2 wird wiederholt, jedoch unter Verwendung von 1,6 g Hexachlorplatinsäurehydrat und 10 g Cadmiumselenid (spez. Oberfläche: 0,2 mê/g), und Behandlung mit einem H2-Strom bei 700 C während 30 Minuten. Man erhält mit Platin beschichtetes Cadmiumselenid in Form eines schwarzen Pulvers. Platingehalt: 1,2 Gew.%. Beispiel 91: Die gemäss Beispielen 79-81 beschichteten Zinksulfidpulver werden wie in Beispiel 7 beschrieben einer Nachbehandlung unterzogen. Beispiel 92: Man gibt 10 g des gemäss Beispiel 89 erhaltenen mit Platin beschichteten Cadmiumsulfids zu 200 ml einer 1 N Salzsäure-Lösung. Die Suspension wird 4 Minuten bei Raumtemperatur gerührt, dann abfiltriert, mit Wasser nachgewaschen und im Trockenschrank bei 600C/1300 Pa getrocknet. Beispiel 93: Man gibt 5 g des gemäss Beispiel 89 erhaltenen mit Platin beschich.teten Cadmiumsulfids zu 100 ml einer 1,0 Gew.%igen Brom-Lösung in Methanol. Die Suspension wird 1 Minute bei Raumtemperatur gerührt, dann abf il- triert, mit Wasser nachgewaschen und im Trockenschrank bei 60"C/ 1300 Pa getrocknet. Beispiel 94: Verwendung von Halbleiterpulvern zur Herstellung von Wasserstoff. Es werden jeweils eingesetzt: Beispiele 95-107: 90 ml einer 4,4%igen wässrigen Natriumsulfidlösung; Beispiele 108-110: 90 ml einer 5,0%igen wässrigen Natriumsulfidlösung (Na2S.8 H20); Beispiele 111-123: 90 ml einer wässrigen Lösung, die 0,24 Mol/l Natriumsulfid und 0,35 Mol/l Natriumsulfit enthält. Die Reaktionsbedingungen und die Resultate sind in der folgenden Tabelle angegeben. Vor Reaktionsbeginn wird jeweils 30 Minuten lang entgast. EMI32.1 Beispiel <SEP> Halbleiter <SEP> Lichtquelle/Filter <SEP> H2-Entwicklung <tb> <SEP> Nr. <SEP> [ml/h] <tb> <SEP> 95 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/3,7 <SEP> Gew.% <SEP> Ag <SEP> 125 <SEP> W <SEP> Hg-Hochdrucklampe <SEP> 21 <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 79 <SEP> mit <SEP> Quarzfinger; <tb> <SEP> Lichtdurchlässigkeit <SEP> > <SEP> 200 <SEP> nm <tb> <SEP> 96 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/3,7 <SEP> Gew.% <SEP> Ag <SEP> " <SEP> 46 <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beispielen <SEP> 79 <SEP> und <SEP> 91 <tb> <SEP> 97 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/3,8 <SEP> Gew.% <SEP> Ir <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 80 <SEP> " <SEP> 76 <tb> <SEP> 98 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/3,8 <SEP> Gew.% <SEP> Ir <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beispielen <SEP> 80 <SEP> und <SEP> 91 <SEP> " <SEP> 109 <tb> <SEP> 99 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/1,8 <SEP> Gew.% <SEP> Ir <SEP> und <tb> <SEP> 0,7 <SEP> Gew.% <SEP> Ni <SEP> gemäss <SEP> " <SEP> 42 <tb> <SEP> Beispiel <SEP> 81 <tb> <SEP> 100 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/1,8 <SEP> Gew.% <SEP> Ir <SEP> und <tb> <SEP> 0,7 <SEP> Gew.% <SEP> Ni <SEP> gemäss <SEP> " <SEP> 38 <tb> <SEP> Beispielen <SEP> 91 <SEP> und <SEP> 91 <tb> <SEP> 101 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/1,3 <SEP> Gew.% <SEP> Pt <SEP> und <tb> <SEP> 0,8 <SEP> Gew.% <SEP> Ag <SEP> gemäss <SEP> " <SEP> 26 <tb> <SEP> Beispiel <SEP> 82 <tb> <SEP> 102 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> Cd0.947Zn0.050Ag0.006S/ <SEP> 125 <SEP> W <SEP> Hg-Hochdrucklampe <SEP> 12 <tb> <SEP> 2,2 <SEP> Gew.% <SEP> Pt <SEP> mit <SEP> Pyrexfilter; ; <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 85 <SEP> Lichtdurchlässigkeit <SEP> > <SEP> 300 <SEP> nm <tb> <SEP> 103 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> Cd0.847Zn0.149Ag0.008S/ <SEP> " <SEP> 15 <tb> <SEP> 2,1 <SEP> Gew.% <SEP> Pt <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 86 <tb> EMI33.1 Beispiel <SEP> Halbleiter <SEP> Lichtquelle/Filter <SEP> H2-Entwicklung <tb> <SEP> Nr. <SEP> [ml/h] <tb> <SEP> 104 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> Cd0.640Zn0.353Ag0.012S/ <SEP> 125 <SEP> W <SEP> Hg-Hochdrucklampe <tb> <SEP> 2,1 <SEP> Gew.% <SEP> Pt <SEP> mit <SEP> Pyrexfilter <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 87 <SEP> Lichtdurchlässigkeit <SEP> > <SEP> 300 <SEP> nm <SEP> 21 <tb> <SEP> 105 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> CdS/1,4 <SEP> Gew.% <SEP> Pt <SEP> und <SEP> " <SEP> 23 <tb> <SEP> 0,4 <SEP> Gew.% <SEP> Ag <SEP> gemäss <tb> <SEP> Beispiel <SEP> 88 <tb> <SEP> 106 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> CdS/1,1 <SEP> Gew.% <SEP> Pt <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beispielen <SEP> 89 <SEP> und <SEP> 92 <SEP> " <SEP> 28 <tb> <SEP> 107 <SEP> 0,6 <SEP> g <SEP> CdS/1,1 <SEP> Gew.% <SEP> Pt <SEP> " <SEP> 61 <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beispielen <SEP> 89 <SEP> und <SEP> 93 <tb> <SEP> 108 <SEP> 1,0 <SEP> g <SEP> CdSe/1,2 <SEP> Gew.% <SEP> Pt <SEP> " <SEP> 43 <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 90 <tb> <SEP> 109 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> CdS/1,1 <SEP> Gew.% <SEP> Pt <SEP> " <SEP> 87 <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beispielen <SEP> 89 <SEP> und <SEP> 92 <tb> <SEP> 110 <SEP> 0,6 <SEP> g <SEP> CdS/1,1 <SEP> Gew.% <SEP> Pt <SEP> " <SEP> 77 <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beispielen <SEP> 89 <SEP> und <SEP> 93 <tb> <SEP> 111 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/3,7 <SEP> Gew.% <SEP> Ag <SEP> 125 <SEP> W <SEP> Hg-Hochdrucklampe <SEP> 122 <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 79 <SEP> mit <SEP> Quarzfilter <tb> <SEP> Lichtdurchlässigkeit <SEP> > <SEP> 200 <SEP> nm <tb> <SEP> 112 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/3,7 <SEP> Gew.% <SEP> Ag <SEP> " <SEP> 145 <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beispielen <SEP> 79 <SEP> und <SEP> 91 <tb> <SEP> 113 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/3,8 <SEP> Gew.% <SEP> Ir <SEP> " <SEP> 171 <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 80 <tb> <SEP> 114 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/3,8 <SEP> Gew.% <SEP> Ir <SEP> " <SEP> 199 <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beispielen <SEP> 80 <SEP> und <SEP> 91 <tb> EMI34.1 Beispiel <SEP> Halbleiter <SEP> Lichtquelle/Filter <SEP> H2-Entwicklung <tb> <SEP> Nr. <SEP> [ml/h] <tb> <SEP> 115 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZnS/1,8 <SEP> Gew.% <SEP> Ir <SEP> und <SEP> 125 <SEP> W <SEP> Hg-Hochdrucklampe <tb> <SEP> 0,7 <SEP> Gew.% <SEP> Ni <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 81 <SEP> mit <SEP> Quarzfilter <SEP> 144 <tb> <SEP> Lichtdurchlässigkeit <SEP> > <SEP> 200 <SEP> nm <tb> <SEP> 116 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> ZbS/1,8 <SEP> Gew.% <SEP> Ir <SEP> und <tb> <SEP> 0,7 <SEP> Gew.% <SEP> Ni <SEP> gemäss <SEP> " <SEP> 148 <tb> <SEP> Beispielen <SEP> 81 <SEP> und <SEP> 91 <tb> <SEP> 117 <SEP> 0,6 <SEP> g <SEP> ZnS/1,3 <SEP> Gew.% <SEP> Pt <SEP> und <SEP> 0,8 <tb> <SEP> Gew.% <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 82 <SEP> " <SEP> 141 <tb> <SEP> 118 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> Cd0.86Zn0.14S/1,3 <SEP> Gew.% <SEP> 125 <SEP> W <SEP> Hg-Hochdrucklampe <tb> <SEP> Pt <SEP> und <SEP> 0,9 <SEP> Gew.% <SEP> Ag <SEP> gemäss <SEP> mit <SEP> Pyrexfilter <SEP> 101 <tb> <SEP> Beispiel <SEP> 83 <SEP> Lichtdurchlässigkeit <SEP> > <SEP> 300 <SEP> nm <tb> <SEP> 119 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> Cd0.97Ag0.03S/1,8 <SEP> Gew.% <SEP> " <SEP> 209 <tb> <SEP> Pt <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 84 <tb> <SEP> 120 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> Cd0.947Zn0.050Ag0.006S/ <SEP> " <SEP> 276 <tb> <SEP> 2,2 <SEP> Gew.% <SEP> Pt <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 85 <tb> <SEP> 121 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> Cd0.847Zn0.149Ag0.008S/ <SEP> " <SEP> 307 <tb> <SEP> 2,1 <SEP> Gew.% <SEP> Pt <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 86 <tb> EMI35.1 Beispiel <SEP> Halbleiter <SEP> Lichtquelle/Filter <SEP> H2-Entwicklung <tb> <SEP> Nr. <SEP> [ml/h] <tb> <SEP> 122 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> Cd0.640Zn0.353Ag0.012S/ <SEP> 125 <SEP> W <SEP> Hg-Hochdrucklampe <SEP> 225 <tb> <SEP> 2,0 <SEP> Gew.% <SEP> Pt <SEP> mit <SEP> Quarzfinger; <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 87 <SEP> Lichtdurchlässigkeit <SEP> > <SEP> 300 <SEP> nm <tb> <SEP> 123 <SEP> 0,4 <SEP> g <SEP> CdS/1,4 <SEP> Gew.% <SEP> Pt <SEP> und <tb> <SEP> 0,4 <SEP> Gew.% <SEP> Ag <SEP> gemäss <tb> <SEP> Beispiel <SEP> 88 <SEP> " <SEP> 147 <tb> <SEP> 124 <SEP> 1,0 <SEP> g <SEP> CdSe/ <SEP> 1,2 <SEP> Gew.% <SEP> Pt <tb> <SEP> gemäss <SEP> Beispiel <SEP> 90 <SEP> " <SEP> 18 <tb>

Claims: Patentansprüche 1. Verfahren zur selektiven Produktion von Wasserstoff mittels heterogener Photoredoxkatalyse, dadurch gekennzeichnet, dass man in der Suspension eines mindestens teilweise mit Cu, Cr, Ni, Co oder einem Edelmetall oder Gemischen davon beschichteten und gegebenenfalls vorbehandelten Halbleiterpulvern aus ZnS, Cd1-xZnxS, Zn1-xHgxS, Cd1-xHgxS, Zn1-yAg2yS, Cd1-yAg2yS, Cd1-x-yAg2yZnxS, Zn1-yCuyS, Cd1-yCuyS, ZnSe, ZnTe, ZnS1-xSex, ZnS1-xTx, CdSe, CdTe, CdS1-xTex, CdSe1-xTex, La2S3, Bi2S, CdS oder CdS1-xSex, worin x 0,001 bis 0,99 und y 0,0001 bis 0,20 sind, Gemische aus Wasser und Alkalimetall-, Erdalkalimetalloder Ammoniumsulfiten, -sulfiden, -hypophosphiten, -phosphiten und/oder den entsprechenden freien Säuren unter Lichteinwirkung zur Reaktion bringt, wobei im Falle von CdS- oder CdS Se -Halbleiterpulvern Hypophosphite, Phosphite oder die entsprechenden freien Säuren oder Gemische aus den genannten Reduktionsmitteln verwendet werden. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass man als Suspensionsmittel Wasser verwendet. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass man ein Alkalimetallsulfit oder -sulfid, Ammoniumsulfit oder -sulfid, ein Alkalimetallhypophosphit oder -phosphit, Ammoniumhypophosphit oder -phosphit,unterphosphorige Säure,phosphorige Säure oder Gemische davon verwendet. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass man ein Gemisch aus einem Alkalimetall- oder Ammoniumsulfid und einem Alkalimetall- oder Ammoniumsulfit, ein Gemisch aus einem Alkalimetall- oder Ammoniumsulfid und einem Alkalimetall- oder Ammoniumhypophosphit oder ein Gemisch aus einem Alkalimetall- oder Ammoniumsulfid, einem Alkalimetall- oder Ammoniumhypophosphit und einer Base verwendet. 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass man die Reaktion zwischen 20 C und dem Siedepunkt des verwendeten Suspensions mittels durchführt. 6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass man die mit den Metallen beschichteten Halbleiterpulver in einer Menge von 0,1 bis 5 Gew.%, bezogen auf das Reaktionsvolumen, einsetzt. 7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass man für die Reaktion mit Gemischen aus Sulfiden und Sulfiten oder Sulfiden und Hypophosphiten, Phosphiten, unterphosphoriger oder phosphoriger Säure mindestens teilweise mit Platin, Ruthenium, Rhodium oder einer Mischung Platin-Silber beschichtetes Cadmiumsulfoselenid oder Cadmiumsulfid verwendet. 8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass man mindestens teilweise mit Platin, Ruthenium, Palladium, Rhodium, Iridium, Nickel oder einer Mischung Platin-Silber beschichtetes ZnS-, Cd1-xZnS-, Cd1-xHgxS-, Cd1-yAg2yS, Cd1-x-yAg2yZnxS--Halbleiterpulver verwendet, worin x 0,01 bis 0,8 und y 0,001 bis 0,2 sind. 9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass man mindestens teilweise mit Nickel, Iridium oder Platin beschichtetes ZnS Halbleiterpulver oder mindestens teilweise mit Platin, Ruthenium oder einer Mischung Platin/Silber beschichtete Cdl xZnxS-, Cd1-yAg2ys- oder Cd Ag2vZn S-Halbleiterpulver verwendet, worin x 0,01 bis 0,8, l-x-y 2y x besonders 0,05 bis 0,4, und y 0,001 bis 0,2 betragen. 10. Verfahren zur Herstellung von mindestens teilweise mit Cu, Cr, Ni, Co oder einem Edelmetall oder Gemischen davon beschichteten Halbleiterpulvern aus ZnS, Cd1-xZnxS, Zn1-xHgxS, Cd1-xHgyS, Zn1-yAg2yS, Cdl¯yAg2ySs Cd1-x-yAg2yZnxS, Zny¯lCuyS, Cdl yCUyS, ZnSe, ZnTe, ZnSl¯xSexX ZnSl¯xTex, ZnSel¯xTex, CdSe, CdTe, CdS Te , CdSe1 -xTex, La2S3 oder Bi2S3, dadurch gekennzeichnet, dass man die Halbleiterpulver unter Zusatz von Säure oder einem Salz davon in einer wässrigen Lösung oder Suspension einer entsprechenden Metallverbindung oder eines Gemisches entsprechender Metallverbindungen suspendiert und dann belichtet, wobei für die Beschichtung der Halbleiterpulver insbesondere Lichtquellen mit hohem UV-C-Anteil eingesetzt werden. 11. Verfahren zur Herstellung von mindestens teilweise mit Cu, Cr, Ni, Co oder einem Edelmetall oder Gemischen davon beschichteten Halbleiterpulvern aus ZnS, Cd1-xZnxS, Zn1-xHgxS, Cd1-xHgxS, Zn1-yAg2y-S, Cd1-yAg2yS, Cd1-x-yAg2yZnxS, Zn1-yCuyS, Cd1-yCuyS, ZnSe, ZnTe, ZnS1xTex, ZnSe xTex, CdSe, CdTe, CdSl¯xTex, CdSel¯xTex, La2S3 oder Bi2S3, dadurch gekennzeichnet, dass man das Halbleiterpulver mit einer wässrigen Lösung einer entsprechenden Metallverbindung oder eines Gemisches entsprechender Metallverbindungen imprägniert, gegebenenfalls unter Zusatz von Säure, anschliessend bei erhöhter Temperatur trocknet und die Metallverbindung mit H2 reduziert. 12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass man unter Zusatz von Säure oder Salzen davon in wässrigem Medium vorbehandeltes und mit Lichtquellen mit einem hohen UV-C-Anteil belichtete Halbleiterpulver verwendet. 13. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass man die mit Cu, Cr, Ni, Co oder einem Edelmetall oder Gemischen davon beschichteten Halbleiterpulver einer Nachbehandlung unterzieht, indem man sie unter Zusatz von Säure oder Salzen davon in wässrigem Medium suspendiert und erneut mit Licht, das hohe UV-C-Anteile aufweist, bestrahlt. 14. Verfahren nach den Ansprüchen 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass man die beschichteten Halbleiterpulver mit Säuren, Oxidationsmitteln oder Gemischen hiervon behandelt. 15. Mindestens teilweise mit Cu, Cr, Ni, Co oder einem Edelmetall oder Gemischen davon beschichtete Halbleiterpulver aus ZnS, Cd 1-xZnxS, Zn1-xHgxS, Cd1-xHgxS, Zn1-yAg2yS, Cd1-x-yAg2yZnxS, Cd1-yAg2yS, Zn1-yCuyS; Cd1-yCuyS, ZnSe, ZnTe, ZnS1-xSex, ZnS1-xTex, ZnSe1-xTex CdSe, CdTe, CdS1-xTex, CdSe1-xTex, La2S3 oder Bi2S3. 16. Mindestens teilweise mit Platin, Iridium, Ruthenium, Palladium, Rhodium oder einer Platin-Silber-Mischung beschichtete ZnS-, Cd 1-xZnxS-, Cd1-xHgxS-, Cd1-yAg2yS- oder Cd1-x-yAg2yZnxS-Halbleiterpulver nach Anspruch 15, worin x 0,01 bis 0,8 und y 0,001 bis 0,2 sind. 17. Mindestens teilweise mit Nickel, Iridium oder Platin beschichtetes ZnS-Halbleiterpulver oder mindestens teilweise mit Platin,Ruthenium oder Platin-Silber-Mischung beschichtete Cd1-xZnxS-, Cd1-yAg2yS- oder Cd AG Zn S-Halbleiterpulver gemäss Anspruch 15, worin x 0,01 l-x-y 2y x bis 0,8, besonders 0,05 bis 0,4 und y 0,001 bis 0,2 betragen.

Inventors: BUHLER, NIKLAUS, DR., MEIER, KURT, DR., REBER, JEAN-FRANCOIS, DR., RUSEK, MILOS, Bühler, Niklaus, Dr., Reber, Jean-François, Dr.
Applicants: CIBA-GEIGY AG
Application year: 1983
Main classification: C01B3
IPC codes: B01J27, B01J19, C01B3, B01J35