RADIATION-SENSIBLE COATING COMPOSITION AND ITS USE

Abstract: 1. A radiation-sensitive coating agent which, in addition to customary additives, contains (a) an organic solvent, (b) a homopolyimide or copolyimide which is soluble in this solvent and is formed from aromatic tetracarboxylic acids and aromatic diamines or aromatic and aliphatic diamines, where at least one aliphatic group is bonded direct or via a bridging group to at least some of the tetracarboxylic acid radicals, of the aromatic diamine radicals, or the two radicals and/or at least some of these radicals contain as an aliphatic bridging group alkylene, alkylidene, cycloalkylidene or Si(alkyl)2 and (c) at least 0.1 % by weight, based on component (b), of at least one organic chromophoric polyazide in which the azide groups are bonded to aromatic hydrocarbon radicals.

Description: Strahlungsempfindliches Beschichtungsmittel und seine Verwendung Die vorliegende Erfindung betrifft ein strahlungsempfindliches Beschichtungsmittel aus einem in einem organischen Lösungsmittel gelösten Polyimid und organischem Polyazid, ein photographisches Aufzeichnungsmaterial und die Verwendung des Beschichtungsmittels zum Aufbringen von Isolier- und Schutzlacken, insbesondere zur Herstellung von gedruckten Schaltungen, diskreten Halbleiterbauelementen und von integrierten Schaltkreisen. Polyimide haben eine gute Thermostabilität und sie finden daher auch Verwendung in der Elektronik und Halbleitertechnologie als Isolierund Schutzfilme oder zur photographischen Herstellung von Reliefabbildungen. Da Polyimide im allgemeinen in organischen Lösungsmitteln unlöslich sind, muss man von löslichen Vorstufen ausgehen, die strahlungsempfindliche Gruppen tragen oder mit strahlungsempfindlichen Verbindungen vermischt sind. Die Polyimidbildung erfolgt hier erst nach der Bilderzeugung durch thermische Zyklisierung, wobei eine beträchtliche Menge flüchtiger Anteile entfernt werden. Beim Erhitzen erleiden die erzeugten Reliefstrukturen einen erheblichen Schichtdickenverlust und eine deutliche Kontraktion in den vertikalen Dimensionen. Dies wird als besonders nachteilig empfunden, weil es sich als ausserordentlich schwierig erwiesen hat, naturgetreue Abbildungen einer vorgegebenen Maske zu erzeugen. Zudem ist die aufwendige Herstellung der Vorstufen unwirtschaftlich. Durch die verschiedenen Zusätze entfalten ferner die so hergestellten Polyimide nicht die diesen Polymeren eigenen guten elektrischen, mechanischen und thermischen Eigenschaften. Solche Vorstufen sind z.B. in der DE-OS 2 308 830 und DE-OS 2 914 619 beschrieben. Die direkte Vernetzung durch energiereiche Strahlung und damit die Möglichkeit der direkten Photostrukturierung von Polyimiden ist zur Vermeidung der erwähnten Nachteile äusserst wünschenswert. Aufgabe vorliegender Erfindung ist es, ein Beschichtungsmittel aufzuzeigen, mit dem Polyimide durch Strahlung direkt vernetzt werden können. Es wurde nun gefunden, dass Polyimide mit chromophoren aromatischen Polyaziden direkt durch Strahlung vernetzt werden können, wenn die Polyimide aliphatische Gruppen enthalten. Gegenstand vorliegender Erfindung ist ein strahlungsempfindliches Beschichtungsmittel, enthaltend neben üblichen Zusätzen (a) ein organisches Lösungsmittel, (b) ein in diesem Lösungsmittel lösliches Homo- oder Copolyimid aus aromatischen Tetracarbonsäuren und aromatischen Diaminen oder aromatischen und aliphatischen Diaminen, wobei an mindestens einen Teil der Tetracarbonsäurereste, der aromatischen Diaminreste oder beider Reste mindestens eine aliphatische Gruppe direkt oder über eine Brückengruppe gebunden ist und/oder mindestens ein Teil dieser Reste als aliphatische Brückengruppe Alkylen, Alkyliden, Cycloalkyliden oder Si(Alkyl)2 enthält, und (c) mindestens 0,1 Gew.-%, bezogen auf die Komponente (b), mindestens eines organischen chromophoren Polyazides, in dem die Azidgruppen an aromatische Kohlenwasserstoffreste gebunden sind. Die Reste mit aliphatischen Gruppen und/oder Brückengruppen sind bevorzugt zu mindestens 5 Mol-%, besonders mindestens 10 Mol-% und insbesondere mindestens 30 Mol-% im Polyimid oder Copolyimid enthalten, bezogen auf das Polyimid. Die aliphatischen Gruppen sind bevorzugt an aromatische Reste gebunden, und die Brückengruppen verbinden aromatische Reste, besonders 2 Phenylgruppen. Die aliphatische Gruppe entspricht bevorzugt der Formel Alkyl-Q- mit 1-6, insbesondere 1-3 C-Atomen in der Alkylgruppe, worin Q für eine direkte Bindung, -O-, -S-, -SO-, -S02-, -CO-, -NH-, -N-Alkyl- mit 1-6, vorzugsweise 1-3 C-Atomen, oder -NHCO- steht. Beispiele für Alkyl sind Methyl, Aethyl, Propyl, iso-Propyl, Butyl, 2-Butyl, tertiär Butyl, 1-, 2- oder 3-Pentyl und Hexyl. Bevorzugt sind Aethyl und besonders Methyl. Besonders bevorzugt ist die aliphatische Gruppe Methyl oder Methoxy. Die aliphatische Brückengruppe ist als Alkylen bevorzugt Aethylen und besonders Methylen, als Alkyliden Aethyliden, 1,1- oder 2,2-Propyliden oder 1,1- oder 2,2-Butyliden, als Cycloalkyliden Cyclopentyliden oder Cyclohexyliden und als Si(Alkyl)2 Si(Methyl)2 oder Si(Aethyl)2. Bevorzugt ist die Brückengruppe Methylen, 2,2-Propyliden und Si(Methyl)2. Die aliphatischen Gruppen und aliphatischen Brückengruppen sind bevorzugt im Diaminrest enthalten. Bei den Copolyimiden kann es sich um statistische Polymere oder um Blockcopolymere handeln. Sofern die Copolyimide Reste von aliphatischen Diaminen enthalten, sind diese bevorzugt in einer Menge von höchstens 20 Mol-%, insbesondere höchstens 10 Mol-Z zugegen, bezogen auf die Diamine. Für das erfindungsgemässe Beschichtungsmittel geeignete Polyimide und Copolyimide sind in der Literatur beschrieben, nach analogen Verfahren erhältlich oder käuflich. Eine Gruppe von geeigneten Polymimiden ist z.B. in der US-PS 3 856 752 beschrieben. Sie bestehen im wesentlidien aus wiederkehrenden Struktureinheiten der Formel I, EMI3.1 worin die vier Carbonylgruppen an verschiedene Kohlenstoffatome gebunden sind und je zwei Carbonylgruppen in ortho- oder peri-Stellung zueinander stehen, Z einen vierwertigen Rest bedeutet, der mindestens einen aromati schen Ring enthält und Z' einen zweiwertigen organischen Rest darstellt, ausgewählt unter aromatischen, alkylaromatischen, aliphatischen, cycloaliphati schen und heterocyclischen Resten, Kombinationen davon und Resten mit Sauerstoff, Schwefel, Stickstoff, Silicium oder Phosphor enthaltenden Brückengruppen, mit der Massgabe, dass 1) aus der Gesamtzahl der wiederkehrenden Polyimid-Einheiten A) in 0 bis 100 Mol-% solcher Einheiten Z ein Phenylindanrest der Strukturformel EMI4.1 ist, worin R1 Wasserstoff oder einen Alkylrest mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen und R2 einen Alkylrest mit 1 bis 5 Kohlen stoffatomen bedeuten, und B) in 0 bis 100 Mol% solcher Einheiten Z' ein Phenylindanrest der Strukturformel EMI4.2 ist, worin R1 Wasserstoff oder einen Alkylrest mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen und R2 einen Alkylrest mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen darstellt und R3, R4, R5 und R6 unabhängig voneinander Wasserstoff, Halogen, Alkoxy oder einen Alkylrest mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen bedeuten und 2) aus der Gesamtzahl der Reste Z und Z' mindestens 10 Mol-%, bezogen auf die Einzelkomponenten, Phenylindanreste sind. R2 in den Formeln II und III ist bevorzugt Methyl. Der Polymerisationsgrad (Zahl der wiederkehrenden Struktureinheiten) beträgt bevorzugt mindestens 20 und kann 1000 und mehr betragen. Besonders bevorzugt ist der Polymerisationsgrad 50 bis 500 und besonders 100 bis 300. R1 und R2 können in ihrer Bedeutung als Alkyl Methyl, Aethyl, Propyl, iso-Propyl, Butyl und Pentyl sein. Besonders bevorzugt sind R1 Wasserstoff und Methyl und R2 Methyl. R3, R4, R5 und R6 sind in ihrer Bedeutung als Halogen bevorzugt Chlor oder Brom. Alkoxyreste sind für R3, R4, R5 und R6 z.B. Butoxy, Propoxy, Aethoxy und besonders Methoxy, Alkylreste sind für R3, R4, R5 und R6 z.B. Butyl, tertiär-Butyl, Propyl, iso-Propyl, Aethyl und besonders Methyl. Besonders bevorzugt sind R3, R4, R5 und R6 Wasserstoff, Methyl und Chlor. Die Phenylindandiamin-Komponente des löslichen Polyimids kann aus jeder Kombination der isomeren oder substituierten isomeren Dia minoverbindungen, die durch die vorstehende Formel III dargestellt werden, bestehen. Z.B. kann die Phenylindandiamin-Komponente 0 bis 100 Mol-% 5-Amino-1-(4'-aminophenyl)-1,3,3-trimethylindan in Kombi nation mit 100 bis 0 Mol-% 6-Amino-1-(4'-aminophenyl)-1,3,3-trimethyl- indan umfassen. Weiterhin kann jedes oder können beide dieser Isomeren über die Diamino-Isomeren, die durch die Formel III darge stellt werden, substituiert werden. Beispiele für solche substituier ten Diamino-Isomeren sind 5-Amino-6-methyl-l-(3'-amino-4"-methyl- phenyl)-1,3,3-trimethylindan, 5-Amino-l-(4'-amino-Ar' ,Ar'-dichlor- phenyl)-Ar,Ar-dichlor-1,3,3-trimethylindan, 6-Amino-1-(4'-amino-Ar', Ar'-dichlorphenyl)-Ar,Ar-dichlor-1,3,3-trimethylindan, 4-Amino-6 methyl-l-(3'-amino-4'-methylphenyl)-1,3,3-trimethylindan und Ar amino-l-(Ar'-amino-21 .4'-dimethylphenyl)-l,3,3,4,6-pentamethylindan. Ar und Ar' in den vorstehenden Formeln zeigen die unbestimmte Lage der angegebenen Substituenten in den Phenylringen an. Die Aminogruppen befinden sich bevorzugt in der Stellung 7, besonders 5 und 6 > und den Stellungen 3' und besonders 4'. Beispiele für die Phenylindandianhydrid-Komponente mit einem Rest der Formel II sind: 1-(3',4'-Dicarboxyphenyl)-1,3,3-trimethylindan-5,6-dicarbonsäuredianhydrid, 1-(3',4'-Dicarboxyphenyl)-1,3,3-trimethylindan-6,7-dicarbonsäure- dianhydrid, 4 -Dicarboxyphenyl)-3-methylindan-5 , 6-dicarbonsäuredianhydrid und 1-(3',4'-Dicarboxyphenyl)-3-methylindan-6,7-dicarbonsäuredianhydrid. Z in Formel I kann als Nichtphenylindanrest aus den folgenden Gruppen ausgewählt sein: aromatische, aliphatische, cycloaliphatische, heterocyclische Gruppen, Kombinationen von aromatischen und aliphatischen Gruppen. Die Gruppen können auch substituiert sein. Die Gruppen Z können durch die folgenden Strukturen gekennzeichnet sein: EMI6.1 worin R. ausgewählt wird aus der Gruppe, bestehend aus EMI7.1 EMI7.2 und Phenylen, wobei R10 und R11 Alkyl mit bevorzugt 1 bis 6 C-Atomen oder Aryl, besonders Phenyl, bedeuten. Geeignete Tetracarbonsäureanhydride mit einem vierwertigen Rest Z sind z.B. 2,3,9, l0-Perylentetracarbonsäuredianhydrid, 1,4,5,8-Naphthalintetracarbonsäuredianhydrid, 2,6-Dichlornaphthalin-1,4,5,8-tetracarbonsäuredianhydrid, 2,7-Dichlornaphthalin-1,4,5,8-tetracarbonsäuredianhydrid, 2,3,6,7-Tetrachlornaphthalin-1,4,5,8-tetracarbonsäuredianhydrid, Phenanthren-1,8,9,10-tetracarbonsäuredianhydrid, 2,3,3',4'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid, Pyromellitsäuredianhydrid, 3,3',4,4'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid, 2,2',3,3'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid, 3,3',4,4'-Biphenyltetracarbonsäuredianhydrid, 2,2',3,3'-Biphenyltetracarbonsäuredianhydrid, 4,4'-Isopropylodendiphthalsäureanhydrid, 3,3'-Isopropylidendiphthalsäureanhydrid, 4,4'-Oxydiphthalsäureanhydrid, 4,4'-Sulfonyldiphthalsäureanhydrid, 3,3'-Oxydiphthalsäureanhydrid, 4,4'-Methylendiphthalsäureanhhydrid, 4,4'-Thiodiphthalsäureanhydrid, 4,4'-Aethylidendiphthalsäureanhydrid, 2,3,6,7-Naphthalintetracarbonsäuredianhydrid, 1,2,4,5-Naphthalintetracarbonsäuredianhydrid, 1,2,5,6-Naphthalintetracarbonsäuredianhydrid, Benzol-1,2,3,4-tetracarbonsäuredianhydrid, Pyrazin-2,3 ,5,6-tetracarbonsäuredianhydrid, Thiophen-2,3,4,5-tetracarbonsäuredianhydrid und Dianhydride der allgemeinen Formel EMI8.1 worin Y1, Y2, Y3 und Y4 jeweils unter Wasserstoff, Alkyl, besonders Methyl ausgewählt werden. Die bevorzugtesten Nicht-Phenylindan-aromatischen Dianhydride sind Pyromellitsäuredianhydrid und aromatische Dianhydride, gekennzeichnet durch die allgemeine Formel EMI8.2 worin R15 Methylen, Sauerstoff oder Sulfonyl und besonders Carbonyl bedeutet. Die vorstehend definierte Gruppe Z' kann ausgewählt werden unter Alkylengruppen mit 2 bis 12 Kohlenstoffatomen, Cycloalkylengruppen mit 4 bis 6 Ringkohlenstoffatomen; einer Xylylengruppe, Arylengruppen ausgewählt unter ortho-, meta- oder para-Phenylen, Tolylen, Biphenylen, Naphthylen oder Anthrylen; einer substituierten Arylengruppe der Formel EMI9.1 worin W eine covalente Bindung, Schwefel, Carbonyl, -NH, -N-Alkyl, O, S, SS, -N-Phenyl, Sulfonyl, eine lineare oder verzweigte Alkylengruppe mit 1 bis 3 Kohlenstoffatomen, Alkyliden mit 2 bis 12 C-Atomen, Cycloalkyliden mit 5 oder 6 Ringkohlenstoffatomen, Arylen, insbesondere die Phenylengruppe, oder eine Dialkyl- oder Diarylsilylgruppe bedeutet und R7 und R8 unabhängig voneinander jeweils Wasserstoff, Halogen, insbesondere Chlor oder Brom, Alkyl mit 1 bis 5 Kohlenstoff-atomen, insbesondere Methyl, Alkoxy mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen, insbesondere Methoxy, oder Aryl, insbesondere Phenyl, bedeuten. Weiter kann die Gruppe Z' der Formel EMI9.2 entsprechen, worin R10 und R11 die zuvor angegebene Bedeutung haben und R16 ein zweiwertiger Kohlenwasserstoffrest ist, z.B. Alkylen mit 1 bis 12, vorzugsweise 1 bis 6 C-Atomen, Cycloalkylen mit bevorzugt 5 oder 6 Ringkohlenstoffatomen oder Phenylen. Diamine mit dieser Gruppe Z' sind in der US-PS 4 030 948 beschrieben. Bevorzugter umfasst Zl Gruppen, die von den aromatischen Diaminen abgeleitet werden, die im unmittelbar vorangehenden Absatz beschrieben wurden. Am bevorzugtesten stellt Z' eine Gruppe der Formel EMI9.3 dar, worin W eine covalente Bindung, Methylen, Schwefel, Sauerstoff oder Sulfon darstellt und R7 und R8 unabhängig voneinander Wasserstoff, Halogen oder Alkyl mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen, insbesondere Methyl, bedeuten, oder eine Gruppe der Formel EMI10.1 worin Rg Wasserstoff, Halogen oder Alkyl mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen, insbesondere Methyl, bedeutet. Besonders bevorzugt ist Z' meta- oder para-Phenylen oder ein Rest der Formel EMI10.2 worin W eine kovalente Bindung, Methylen, Alkyliden, 2,2-Propyliden, Cyclohexyliden, Schwefel, Sauerstoff oder Sulfon bedeutet. Beispiele für Diamine mit einem zweiwertigen Rest Z' sind: 4,4'-Methylenbis-(o-chloranilin) 3,3'-Dichlorbenzidin 3,3'-Sulfonyldianilin 4,4'-Diaminobenzophenon 1,5-Diaminonaphthalin Bis-(4-aminophenyl)-dimethylsilan Bis-(4-aminophenyl)-diäthylsilan Bis-(4-aminophenyl)-diphenylsilan Bis-(4-aminophenyloxy)-dimethylsilan Bis-(4-aminophenyl)-äthylphosphinoxid N- [Bis- (4-aminophenyl) ]-N-methylamin N-[Bis-(4-aminophenyl)]-N-phenylamin 4,4'-Methylenbis-(3-methylanilin) 4,4'-Methylenbis-(2-äthylanilin) 4,4'-Methylenbis-(2-methoxyanilin) 5,5'-Methylenbis-(2-aminophenol) 4,4 -Methylenbis-(2-methylanilin) 4,4'-Oxybis-(2-methoxyanilin) 4,4' -Oxybis-) 2-chloranilin) 5,5'-Oxybis-(2-aminophenol) 4,4'-Thiobis-(2-methylanilin) 4,4'-thiobis-(2-emthoxyanilin) 4,4'-Thiobis-(2-chloranilin) 4 ,4 '-SulTonylb is- (2-mc thylanil in) 4,4'-Sulfonylbis-(2-äthoxyanilin) 4,4'-Sulfonylbis-(2-chloranilin) 5,5'-Sulfonylbis-(2-aminophenol) 3,3'-Dimethyl-4,4'-diaminobenzophenon 3,3'-Dimethoxy-4,4'-diaminobenzophenon 3,3'-Dichlor-4,4'-diaminobenzophenon 4,4'-Diaminobiphenyl m-Phenylendiamin p-Phenylendiamin 4,4'-Methylendianilin 4,4'-Oxydianilin 4,4'-Thiodianilin 4,4'-Sulfonyldianilin 4,4'-Isopropylidendianilin 3,3'-Dimethylbenzidin 3,3'-Dimethoxybenzidin 3,3'-Dicarboxybenzidin Diaminotoluol. Eine bevorzugte Untergruppe an löslichen Polyimiden sind solche, in denen 0 bis 100 Mol-% der Reste Z der Formel EMI11.1 oder der Formel EMI11.2 entsprechen, während 100 bis 0 Mol-% der Reste Z eine Mischung aus EMI11.3 bedeuten und dass 100 bis 10 Mol-% der Reste Z' gleich einem Rest der Formel III sind, worin R1, R3, R4, R5 und R6 unabhängig voneinander Wasserstoff oder Methyl und R2 Methyl bedeuten, während 0 bis 90 Mol-% der Reste Z' der Formel EMI12.1 entsprechen, worin W eine covalente Bindung, Methyl, Aethyliden, 2,2-Propyliden, Cyclohexyliden, Schwefel, Sauerstoff oder Sulfon bedeutet, R7 und R8 unabhängig voneinander Wasserstoff, Halogen, Alkoxy oder Alkylgruppen mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen darstellen und Rg Wasserstoff, Halogen, Alkoxy oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen bedeutet. Besonders bevorzugt sind solche Polyimide, in denen Z' EMI12.2 oder eine der Mischungen davon ist und Z EMI12.3 oder eine Mischung davon bedeutet. Andere Polyimide und Copolyimide der Formel I mit Nichtphenylindanresten sind ebenfalls geeignet. Sie können aus den zuvor genannten anderen Tetracarbonsäuren und Diaminen aufgebaut sein, wobei zumindest ein Teil der Diamine aliphatische Gruppen oder Brückengruppen enthält. Die Wahl der Komponenten und deren Mischungsverhältnisse kann die Löslichkeit sehr beeinflussen. Es sind verschiedene Methoden bekannt geworden, um lösliche Polyimide und Copolyimide zu erhalten. Solche Polyimide, die aliphatische Gruppen in den Diaminresten enthalten, sind z.B. beschrieben in J. of Applied Polymer Science, Vol. 26, 3837-3843 (1981); F.W. Harris and L.H. Garnier, Structure-Solubility Relationships in Polymeres, Academic Press, New York, Seiten 183-198 (1977). Für das erfindungsgemässe Beschichtungsmittel bevorzugte Homound Copolyimide sind in den amerikanischen Patentschriften 3 708 458; 3 787 367 und 3 870 677 sowie in der DE-AS 1 962 588 beschrieben. Von diesen sind besonders jene bevorzugt, die aus Resten von Benzophenontetracarbonsäureanhydrid und/oder Pyromellithsäuredianhydrid und bezogen auf die Diaminreste, 65-90 Mol-% Resten von Toluoldiamin im Gemisch mit 35 bis 10 Mol-% 4,4'-Diaminodiphenylmethan, oder aus Resten von 2,2'- oder 3,3'-Dimethyl-, -Diäthyl- oder -Dimethoxy-4,4'-diaminodiphenylmethan bestehen. Eine weitere bevorzugte Gruppe von Homo- und Copolyimiden sind solche, die im wesentlichen aus wiederkehrenden Struktureinheiten der Formel I bestehen, worin die vier Carbonylgruppen an verschiedene Kohlenstoffatome gebunden sind und je zwei Carbonylgruppen in ortho- oder peri Stellung zueinander stehen, Z einen vierwertigen Rest bedeutet, der mindestens einen aromatischen Ring enthält und Z' einen zweiwertigen organischen Rest darstellt, ausgewählt unter aromatischen, alkylaromatischen, aliphatischen, cycloaliphatischen und heterocyclischen Resten, Kombinationen davon und Resten mit Sauerstoff, Schwefel, Stickstoff, Silicium oder Phosphor enthal tenden Brückengruppen, mit der Massgabe, dass aus der Gesamtzahl der wiederkehrenden Polyimideinheiten, bezogen auf die Tetracarbonsäureanhydridreste bzw. Diaminreste, A) 30-100 Mol-% solcher Einheiten Z Benzophenontetracarbonsäurereste darstellen, und B) 30-100 Mol% solcher Einheiten Z' Reste der Formeln EMI14.1 sind, worin W1 CH2, O, S, S02, CO oder H3C-C-CH3 W2 CH2, S, SO2, CO oder H3C-C-CH3 R18 Alkyl oder Alkoxy mit 1 bis 6 C-Atomen, Halogen, besonders Cl, CO2H, OH, SO3H oder NHCOCH3 und R19 Alkyl mit 1 bis 6 C-Atomen bedeutet, wobei mindestens 10 Mol-% dieser Reste solche mit CH2, H3C-C-CH3, Alkyl, Alkoxy oder NHCOCH3-Cruppen sind. rzugt sind R18 und R19 Methyl sowie W1 und W2 CH2. Bevorzugt sind Methyl sowie W und W CH2. Eine weitere geeignete Gruppe von Homo- und Copolyimiden sind solche aus wiederkehrenden Struktureinheiten der Formel I, worin, bezogen auf die Tetracarbonsäureanhydridreste bzw. Diaminreste, A) 75 bis 100 Mol-% der Einheiten Z ein Pyromellitsäureanhydridrest ist, und B) 25 bis 0 Mol-% der Einheiten der Formel EMI14.2 entsprechen, worin X2 für 0, SO2 und besonders CO steht, sowie C) 10 bis 35 Mol-% Einheiten Z' der Formel EMI14.3 und 90 bis 65 Mol-% der Einheiten Z' der Formeln EMI15.1 oder Mischungen davon entsprechen. Ebenfalls besonders geeignete Copolyimide sind solche aus wiederkehrenden Struktureinheiten der Formel I, worin A) Z einen Benzophenontetracarbonsäuredianhydridrest, und B) bezogen auf die Diaminreste 10-30 Mol-% der Einheiten Z' der Formel EMI15.2 C) 90-70 Mol-% der Einheiten Z' EMI15.3 oder Mischungen davon entsprechen. Unter den Polyimiden sind solche bevorzugt, die eine hohe Temperaturbeständigkeit aufweisen. Besonders bevorzugt sind solche Polyimide' die sich an der Luft bei einer Temperatur c¯3509C: nicht zersetzen. Es ist ferner bekannt, dass für eine gute Photostrukturierung von polymeren Materialien diese eine möglichst enge Molekulargewichtsverteilung aufweisen sollen. Es hat sich als sehr vorteilhaft erwiesen, die löslichen Polyimide mittels bekannter Trennmethoden wie fraktioniertes Fällen vorzubehandeln, um Beschichtungsmittel mit enger Molekulargewichtsverteilung zu erhalten. Es ist ferner bekannt, dass die Strahlungsempfind lichkeit mit dem mittleren Molekulargewicht M anwächst. Ein mittleres w Molekulargewicht von 10'000 bis 500'000, bevorzugt 30'000 bis 300'000 und besonders 30'000 bis 200'000, hat sich als günstig erwiesen. Geeignete organische Lösungsmittel sind polare, besonders polare, aprotische Lösungsmittel, die alleine oder in Mischungen aus mindestens zwei Lösungsmitteln verwendet werden können. Geeignete Lösungsmittel sind z.B.: Aether wie Dibutyläther, Tetrahydrofuran, Dioxan, Methyl äthylenglykol, Dimethyläthylenglykol, Dimethyldiäthylenglykol, Diäthyldiäthylenglykol, Dimethyltriäthylenglykol, halogenierte Kohlenwasserstoffe wie Methylenchlorid, Chloroform, 1,2-Dichloräthan, 1,1,2-Trichloräthan, 1,1,2,2-Tetrachloräthan, Carbonsäureester und Lactone wie Essigsäureäthylester, Propionsäuremethylester, Benzoesäureäthylester, 2-Methoxyäthylacetat, y-Butyrolacton, & Valerolacten und Mevalolacton, Carbonsäureamide und Lactame wie Formamid, Acetamid, N-Methylformamid, N,N-Dimethylformamid, N,N-Diäthylformamid, N,N-Dimethylacetamid, N,N Diäthylacetamid, r-Butyrolactam, 1 -Caprolactam, N-Methylpyrrolidon, N-Acetylpyrrolidion, N-Methylcaprolactam, Tetramethylharnstoff, Hexamethylphosphorsäureamid, Sulfoxide wie Dimethylsulfoxid, Sulfone wie Dimethylsulfon, Diäthylsulfon, Trimethylensulfon, Tetramethylensulfon, primäre, sekundäre und tertiäre Amine wie Methylamin, Aethylamin, Propylamin, Pyrrolidin, Piperidin, Morpholin, Dimethylamin, Diäthylamin, Methyläthylamin, Trimethylamin, Triäthylamin, N-Methylpyrrolidin, N-Methylpiperidin, N-Methylmorpholin, substituierte Benzole wie Chlorbenzol, Nitrobenzol oder Kresol. Die Polyazide (b) sind bekannt und z.B. in der EP-A 0 065 352 beschrieben. Sie können alleine oder in beliebigen Mischungen eingesetzt werden. Die aromatischen Kohlenwasserstoffreste der chromophoren Polyazide (c) können durch 1 bis 2 Halogengruppen, besonders Chlor, und Alkoxy- oder Alkylgruppen mit 1 bis 5 C-Atomen substituiert sein. Bevorzugt sind organische chromophore Diazide, besonders solche ohne Imidgruppen. Hierbei kann es sich um Diazide der Formel N N3 handeln, worin D Arylen wie Phenylen, Naphthylen, Toluylen oder Perylen bedeutet. Bevorzugter ist eine Gruppe von organischen Daiziden der Formel N3-E-(Y)4-E-N3 worin E für einen aromatischen Kohlenwasserstoffrest, besonders für Phenylen, und q für 0 oder 1 stehen und Y eine anorganische oder organische Gruppe ist, die zusammen mit den aromatischen Kohlenwasserstoffresten E ein mesomeres System bildet. Bevorzugt ist Y 0, CO, S, SO, S02, NR' mit R' gleich Wasserstoff, Alkyl, Cycloalkyl, Aryl oder Aralkyl, EMI17.1 EMI17.2 worin R" und R"' unabhängig voneinander Alkyl mit 1 bis 5 C-Atomen oder R" und R"' zusammen unsubstituiertes oder mit Alkyl, Hydroxyalkyl, Alkoxy, Trialkylsilyl, Hydroxy, Carboxyl, Alkoxycarbonyl, Amino, Alkylamino oder Dialkylamino substituiertes Aethylen oder Trimethylen bedeuten, q O oder ist, X1 für O, S oder NH steht, Y1 unabhängig die gleiche Bedeutung wie Y hat und die freien Bindungen an N und Y1 zusammen mit der Gruppe E einen kondensierten heterocyclischen Ring bilden. Bevorzugt ist Y eine direkte Bindung oder -CH=CH-. R' enthält als Alkyl bevorzugt 1 bis 6 C-Atome, als Cycloalkyl bevorzugt 5 oder 6 Ringkohlenstoffatome, äls Aryl bevorzugt 6 bis 12 C-Atome und als Aralkyl bevorzugt 7 bis 14 C-Atome. Als Substituent für die Aethylen- oder Trimethylengruppe kommt bevorzugt Alkyl mit 1-6 C-Atomen, besonders Methyl oder Aethyl, Hydroxyalkyl mit 1 bis 6 C-Atomen' besonders Hydroxmethyl, Alkoxy mit 1 bis 6 C-Atomen, besonders Methoxy oder Aethoxy, Alkoxycarbonyl mit 1 bis 12, besonders 1 bis 6 C-Atomen' wie Methoxy- oder Aethoxycarbonyl oder Alkylamino oder Dialkylamino mit 1 bis 6 C-Atomen in der Alkylgruppe wie Dimethylamino sowie Trialkylsilyl mit 1 bis 6 C-Atomen in den Alkylgruppen, wie Trimethylsilyl, in Frage. Eine bevorzugte Untergruppe sind Diazide der Formel EMI18.1 worin die Aidogruppen bevorzugt in p-Stellung gebunden sind, q O oder 1 ist and R17 OH, COOH, NH2, Alkyl, Hydroxyalkyl, Alkoxycarbonyl, Trialkylisilyl, Alkylamino oder Dialkylamino bedeutet. Für R17 gelten die zuvor aufgeführten Bevorzugungen. Beispiele für die Polyazide sind: Diazidobenzol, Diazidonaphthalin, Diazidotoluol, p-Diazidobiphenylen, 4,4'-Diazido-2,2-dimethylbiphenylen, 4,4'-Bisazido-diphenyläther, 4,4'-Bisazido-diphenylketon, 4,4'-Bisazido-diphenylsulfon, 3,3'-Dis- azido-diphenylsulfid, 4, 4'-Bisazidodiphenylamin, 1,2-Bis-(4-azidophenyl)äthylen, l-Cyano-1,2-Bis-(-4-azidophenyl)äthylen, 4-Azidophenyl (4-azidophenylvinyl)keton, Bis-(4-aziodophenylvinyl)keton, 1,4-Bis (4-azidophenyl)butadien und solche der Formeln EMI19.1 EMI20.1 EMI21.1 Die Herstellung der erfindungsgemässen Beschichtungsmittel erfolgt durch Lösen der Komponenten im organischen Lösungsmittel. Zweckmässig geht man so vor, dass zunächst das Polyimid unter Erwärmen vollständig gelöst wird und danach das Bisazid zugemischt wird, gegebenenfalls unter leichtem Erwärmen. Ungelöste Anteile können durch Filtration, bevorzugt einer Druckfiltration, entfernt werden. Die mengenmässige Zusammensetzung des erfindungsgemässen Beschichtungsmittels richtet sich im wesentlichen nach der gewünschten Applikation. Sie kann 80 bis 99,9, vorzugsweise 85 bis 99,9 und besonders 90 bis 97 Gew.-% Polyimid (b) und 20 bis 0,1, vorzugsweise 15 bis 0,1 und insbesondere 10 bis 3 Gew.-% Bisazid (c) betragen, wobei im Lösungsmittel (a) vorzugsweise nicht mehr als 50 Gew.-%, besonders nicht mehr als 30 Gew.-%, und insbesondere nicht mehr als 20 Gew.-% des Polyimides (b) und Bisazides (c) gelöst sind, bezogen auf die Lösung. Die Photo strukturierung bzw. Photovernetzung kann durch energiereiche Strahlung hervorgerufen werden, z.B. durch Licht im Bereich von 600-200 nm, durch Röntgenstrahlen, Laserlicht, Elektronenstrahlen usw. und insbesondere durch Licht im Bereich von 450-300 pm. Den Beschichtungsmitteln können übliche Zusatzmittel einverleibt werden, die die Lichtempfindlichkeit nicht negativ beeinflussen. Beispiele hierfür sind Sensibilisatoren, Mattierungsmittel, Verlaufmittel, feinteilige Füllstoffe, Flammschutzmittel, optische Aufheller, Antioxidantien, Lichtschutzmittel, Stabilisatoren, Farbstoffe, Pigmente und Haftvermittler. Ferner können Verbindungen zugegeben werden, die die Empfindlichkeit von aromatischen Polyaziden erhöhen können. Bevorzugte Verbindungen dieser Art sind z.B. in Photographic Science and Engineering, Vol. 17, Number 4, S. 390 ff (1973) beschrieben. Beispiele sind Anthron, l,9-Benzanthron, Acridin, Cyanoacridin, Nitropyren, 1,8-Dinitropyren, MichlerTs Keton, 5-Nitroacenaphten, 2-Nitrofluorenon, 1,2-Benzantrachinon, 2-Chloro-1,8 phthaloylnaphthalin. Solche Verbindungen können alleine oder in Mischung verwendet werden. Als Zusätze können auch Farbstoffe beigegeben werden, die den negativen Einfluss von reflektiertem Streulicht auf das Auflösungsvermögen vermindern können (anti halation agents). Solche Verbindungen sind z.B. in der US-PS 4'349'619 beschrieben. Das erfindungsgemässe lichtempfindliche Beschichtungsmittel ist eine viskose Flüssigkeit, das eine hohe Lagerstabilität aufweist, aber vor Licht- und Wärmeeinfluss geschützt werden muss. Es eignet sich besonders für die Herstellung von Schutz- und Passivierlacken in der Elektrotechnik und Elektronik sowie als photographisches Aufzeichnungsmaterial, z.B. zur Herstellung von Photomasken für die Elektronik, den Textildruck und das graphische Gewerbe. Die lichtempfindliche Schicht kann mittels üblichen Methoden wie Tauch-, Streich- und Sprühverfahren, Schleuder-, Kaskadenguss- und Vorhanggussbeschichtung, auf geeignete Substrate bzw. Trägermaterialien, aufgebracht werden. Geeignete Substrate sind z.B. Kunststoffe, Metalle und Metalllegierungen, Halbmetalle, Halbleiter, Glas, Keramik und andere anorganische Materialien wie z.B. SiO2 und Si3N4. Danach wird das Lösungsmittel durch Erwärmen, gegebenenfalls im Vakuum entfernt. Man erhält klebfreie, trockene und gleichmässige Filme. Die aufgebrachten Filme mit Schichtdicken bis zu ca. 15 pin, bevorzugt bis 5 um und besonders bis 2 jim, werden dann durch Belichtung vernetzt und danach gegebenenfalls durch Tempern vollständig ausgehärtet. Man erhält so Schutzfilme mit hervorragender Haftung und hoher thermischer, mechanischer und chemischer Widerstandsfähigkeit für z.B. integrierte Schaltkreise. Die Photovernetzung mit Bisaziden wird bekanntlich durch Luftsauerstoff gehemmt, besonders in dünnen Schichten. Dieser Effekt kann mittels üblicher Methoden vermieden werden, wie Aufbringen einer temporären Schutzschicht aus z.B. Polyvinylalkohol, durch Arbeiten unter Inertgas oder durch Ansaugen der Photomaske mittels Vakuum. Ferner kann man Verbindungen beigeben, die den Einfluss des Sauerstoffs zurückdrängen. Solche Verbindungen sind in der US-PS 3 479 185 beschrieben. Das erfindungsgemässe Beschichtungsmittel eignet sich auch hervorragend zur Herstellung eines photographischen Aufzeichnungsmaterials für Reliefabbildungen. Ein weiterer Gegenstand vorliegender Erfindung ist ein solches Aufzeichnungsmaterial aus einem Träger bzw. Substrat, auf dem als lichtempfindliche Schicht eine Mischung des Polyimides (b) und des Bisazides (c) aufgebracht ist. Die Dicke der lichtempfindlichen Schicht kann bis 15 pm, besonders bis 5 jim und insbesondere bis 2 ,um betragen. In dem photographischen Aufzeichnungsmaterial kann die lichtempfindliche Schicht z.B. als Aetzresist zur Herstellung gedruckter Schaltungen und Druckplatten und integrierter Schaltkreise, als Relais für die Herstellung von Röntgenmasken, als Lötstopplack, als Dilelektrikum für Mehrlagenschaltungen oder als Strukturelement für Flüssigkristallanzeiger verwendet werden. Die photographische Erzeugung der Reliefstruktur erfolgt durch bildmässige Belichtung durch eine Photomaske, anschliessende Entwicklung unter Entfernung der unbelichteten Anteile mit einem Lösungsmittel oder einem Lösungsmittelgemisch, wonach gegebenenfalls das erzeugte Bild durch eine thermische Nachbehandlung stabilisiert werden kann. Das erfindungsgemässe Beschichtungsmittel weist verschiedene weitere Vorteile auf. Die nachträgliche Imidbildung in den bekannten lichtempfindlichen Kompositionen wird vermieden. Man erhält auf Grund der guten Filmbildungseigenschaften gleichmässige Beschichtungen, die nach der Belichtung und thermischer Nachbehandlung praktisch keinen Schichtdickenschwund aufweisen. Ferner sind die Lösungen lagerstabil und die erzeugten Bilder weisen auf den Substraten eine hohe Haftfestigkeit auf. Die nachfolgenden Beispiele erläutern die Erfindung näher. A) Herstellung der Polyimide Die Polyimide werden wie in US-PS 3,856,752 beschrieben durch Umsetzung der entsprechenden Dianhydride und Diamine in N-Methylpyrrolidon (NMP) und durch anschliessendeImidisierung der erhaltenen Polyamidsäuren mit Acetanhydrid hergestellt. Entsprechende höhermolekulare Polymere werden dann in der Weise gewonnen, dass man die erhaltenen Polymeren in einem Lösungsmittel (NMP, 4-Butyrolacton, Dimethylformamid, CHCl3) löst und mit einem Nichtlösungsmittel (Toluol, Xylol, Ethanol) einer fraktionierten Fällung unterzieht. Solche und ähnliche Verfahren zur Trennung von Polymeren sind z.B. beschrieben in D. Braun et al. Praktikum der Makro- molekularen Chemie, Dr. Alfred Hütig Verlag, 1971, S 95 ff. Zur Charakterisierung der Polymeren dient die inhärente Viskosität (ninh)0,5%ige Lösungen in NMP bei 25 C). Ausserdem werden die mittleren Molekulargewichte (Mw) ) bestimmt, je nach Löslichkeit in THF durch Gelpermeationschromatographie und/oder mittels Messung der Lichtstreuung. Die Gelpermeationschromatogramme werden aufgenommen mit einem Gerät der Firma Waters GmbH mit einem Säulensatz von 2 x 106 , 2 x 105 , 4c 3o 2 x 10 A, 2 x lO A und 1 x 500 A, wobei die Eichung mittels Polystyrolstandards definierter Molekulargewichte im Bereich 40 bis 10 erfolgt. Für die Bestimmung des mittleren Molekulargewichtes durch Lichtstreuung wird ein Lichtstreugerät KMX-6 der Firma Chromatix verwendet, wobei die Anregung mit Laserlicht von 633 nm erfolgt und die Vorwärtsstreuung im Winkelbereich 6-70 gemessen wird. Herstellungsbeispiel 1: 20 g eines Polyimids, hergestellt aus Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid (BTDA) und 5 (6)-Amino-1-(4'aminophenyl)-1,3,3-timethyl- indan werden in 1200 4-Butyrolacton gelöst, gefiltert und bei 25 C langsam mit Toluol versetzt. Im Bereich Toluol:4-Butyrolacton = 2,3:1 bis 8:1 werden 7 Fraktionen mit unterschiedlichem Molekulargewicht isoliert, wovon 6 sowohl eine hohe Löslichkeit als auch eine gute Filtrierbarkeit besitzen. Tabelle 1 Ergebnis einer fraktionierten Fällung EMI26.1 <tb> Menge <SEP> VerhäItnis <SEP> Fällmittel/ <tb> Polyimid <SEP> # <SEP> # <tb> <SEP> (g) <SEP> w <SEP> inh <SEP> Lösungsmittel <tb> Ausgangs- <SEP> 20 <SEP> 58'000 <SEP> 0.68 <SEP> 2.324 <tb> material <tb> Fraktion <SEP> 1 <SEP> 1.60 <SEP> 372.000 <SEP> 1.29 <SEP> 2.474 <tb> <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2.41 <SEP> 184.000 <SEP> 0.90 <SEP> 2.658 <tb> <SEP> 3 <SEP> 3 <SEP> 2.48 <SEP> 110.400 <SEP> 0.72 <SEP> 2.874 <tb> <SEP> 4 <SEP> 4 <SEP> 2.48 <SEP> 72.600 <SEP> 0.58 <SEP> 3.124 <tb> <SEP> 5 <SEP> 5 <SEP> 2.25 <SEP> 57.400 <SEP> 0.50 <SEP> 3.445 <tb> <SEP> 6 <SEP> 6 <SEP> 5.13 <SEP> 41.700 <SEP> 0.41 <SEP> 4.445 <tb> <SEP> 7 <SEP> 7 <SEP> 2.69 <SEP> 27.800 <SEP> 0.32 <SEP> 7.345 <tb> Lösungsmittel: 4-Butyrolacton Fällmittel: Toluol Herstellungsbeispiel 2: 20 g eines Polymeren, hergestellt aus Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid und einem Gemisch aus 80 Molprozent 5 (6)-Amino-1-(4'-ami- nophenyl)-1,3,3-trimethylindan und 20 Molprozent Toluoldiamin (TDA) werden in 1100 g 4-Butyrolacton gelöst und bei 25 C langsam mit Toluol versetzt. Im Bereich Toluol:4-Butyrolacton = 1,2:1 bis 4,0:1 werden 5 Fraktionen mit unterschiedlichem Molekulargewicht isoliert, die eine hohe Löslichkeit und gute Filtrierbarkeit besitzen. Herstellungsbeispiel 3: 20 g eines Polymeren, hergestellt aus Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid (BTDA), 80 Molprozent Toluoldiamin und 20 Molprozent 4,4' Diaminodiphenylmethan mit zip h = 0,56, M = 35'000) werden in 2500 g inh w 4-Butyrolacton gelöst, gefiltert und langsam mit Toluol versetzt. Im Bereich Toluol:4-Butyrolacton = 0,33:1 bis 1,3:1 werden 3 Fraktionen mit folgenden Eigenschaften isoliert: Fraktion 1 (4,53 g): Löslich in NMP, unlöslich in 4-Butyrolacton, nicht filtrierbar Fraktion 2 (3,97 g): Schnell löslich in NMP, langsam löslich in 4-Butyrolacton, gut filtrierbar (M = 77'000) w Fraktion 3 (10,10 g): Leicht löslich in NMP und 4-Butyrolacton, gut filtrierbar. Anwendungsbeispiele A) Herstellung von Beschichtungsmitteln und beschichteten Substraten Im folgenden beziehen sich die Konzentrationen von Additiven jeweils auf die Masse des gelösten Polymeren. Bei Konzentrat ions angaben für Lösungen werden nur die Anteile des Polymeren und des Lösungsmittels in Rechnung gestellt. Beispiel 1: 4,88 g eines Polymeren, hergestellt aus Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid und 5 (6) -Amino-l-(4' -aminophenyl) -1,3, 3-trimethylindan mit einem Molekulargewicht von 1441000 werden mit 43,12 g 4-Butyrolacton versetzt und über Nacht unter Schütteln gelöst. Die Lösung hat bei 23"C eine Viskosität von 641 mPas. Sie wird mit 293 mg (6%) von 2,6-Bis (4-azidobenzyliden) -4-methylcyclohexanon versetzt und mit 9,41 g 4-Butyrolacton weiter verdünnt. Anschliessend wird sie bei 3 bar Druck durch einen 0,45 pm Filter gefiltert. Die Lösung besitzt dann eine Viskosität von 228 mPas. Beim Aufschleudern auf mit SiO2 beschichtete Siliziumwafer wird bei einer Schleuderzeit von 20 sec eine Umdrehungsgeschwindigkeit von 1750 U/min benötigt, um eine 1 )um starke Schicht herzustellen. Beispiel 2: 1,04 g eines Polymeren, hergestellt aus Benzophenontetracarbonsäure dianhydrid und 5 (6) -Amino-l- ( 4 '-amino-phenyl) -1,3,3 -tr ime thyl indan mit einem Molekulargewicht von 184'000 wird mit 10,52 g 4-Butyrolacton versetzt und über Nacht unter Schütteln gelöst. Die Lösung hat eine Viskosität von 351 mPas. Sodann werden darin 73 mg (7,0%) 2,6-Bis (4-azidobenzyliden) -4-methylcyclohexanon gelöst und die Mischung wird anschliessend bei 3 bar Druck durch einen 0,2 um Filter gefiltert. Eine 1 ym starke Schicht erhält man auf Siliziumwafern bei einer Schleudergeschwindigkeit von 2500 U/min. B) Photostrukturierung auf beschichteten Substraten Als Substrate dienen 3-Zoll Siliziumwafer mit einer Beschichtung von 0,1 pm SiO2. Aufgeschleudert wird jeweils für 20 sec im Geschwindigkeitbereich von 1000 U/min bis 6000 U/min.Für vergleichende Messungen sind die Viskositäten der Lösungen und die Drehgeschwindigkeiten so abgestimmt, dass jeweils Schichten nahe 1 ym entstehen. Die Trocknung der lichtempfindlichen Lackmischungen erfolgt für 5 bis 30 min in einem Umluftofen bei 400 bis 80"C. Belichtet wird mit einer Maskenjustier- und Belichtungsmaschine der 2 Firma Karl Süss bei einer Lichtleistung von 30 mW/cm , wobei die Licht- intensität mit Hilfe eines Intensitätsmessgerätes der Firma Optical Associates Inc. bestimmt wird. Die Angaben beziehen sich auf die Sonde von 365 nm. Zur Anwendung kommt eine Schwarzchrommaske, die Testmuster aller in der Halbleiterfertigung üblichen geometrischen Formen enthält, und zwar in der Grösse 1 ,um, 2 pm, 3 Mm .... 10 ,um, 20 jim .... 100 jim. Obwohl auch bei Belichtungszeiten deutlich tiefer als im folgenden angegeben scharfe Bildstrukturen erzeugt werden können, sind hier nur diejenigen Zeiten angegeben, bei denen eine exakte 1:1 Abbildung aller geometrischen Figuren gleich oder grösser dem 4-fachen der Schichtdicke beobachtet wird (Gleichheit von Gräben und Stegen). Entwickelt wird in einem Sprühentwickler bei 2 bar Druck und Umdrehungszahlen zwischen 500 und 2000 U/min, wobei Entwicklungszeiten zwischen 2 und 20 sec nötig sind. Ein Profilometer der Firma Tencor (Alpha-Step) dient zur Bestimmung der Schichtdicken. Beispiel 3: Von einem Polyimid aus Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid und 5 (6)-Amino-1-(4'-aminophenyl)-1,3,3-trimethylindan, das ein mittleres Molekulargewicht M von 144'000 besitzt, wird eine 8,5%ige Lösung in w 4-Butyrolacton hergestellt. Die Lösung wird mit 6% 2,6-Bis-(p-azido benzyliden)-4-methylcyclohexanon (Bisazid Nr. 1) versetzt, gefiltert und bei 1750 U/min und 20 sec auf mit SiO2 beschichtete 3-Zoll Wafer aufgeschleudert. Die Vortrocknung erfolgt für 20 min bei 60 C im Umluftofen. Belichtet wird sodann für 65 sec im Vakuumkontakt mit zusätzlicher N2-Begasung. Die Entwicklung vollzieht sich nach folgendem Programm: (Sprühentwicklung bei 2 bar mit 1000 U/min): Methylenchlorid/Toluol (68:32) 8 sec Methylenchlorid/Toluol (34:66) 3 sec Toluol 10 sec Alle Strukturen von 5 um und grösser sind scharf und in einem Verhältnis von 1:1 (Stege zu Gräben) abgebildet. Die Schichtdicke beträgt 1,02 ,um. Die beschichteten Wafer werden daraufhin in einen Temperaturofen gebracht, unter Stickstoffatmosphäre innert einer Stunde auf 400"C erhitzt, bei 4000C für 15 min belassen und dann abgekühlt. Bei der Inspektion mit einem hochauflösenden Mikroskop sind keinerlei Veränderungen der Struktur zu erkennen. Die erneute Messung der Schichtdicke ergibt einen Wert von 0,96 Mm. Die beschichteten Wafer werden in einem Ultraschallbad 10 min lang 800C heissem NMP ausgesetzt. Die Strukturen erweisen sich dieser Behandlung gegenüber als inert. Beispiel 4: Die 8,5%ige Lösung des Polyimids aus Beispiel 3 wird mit 5,77% 2,6-Bis (p-azidobenzyliden)-cyclohexanon (Bisazid Nr. 2) versetzt, gefiltert und ebenfalls bei 1750 U/min und 20 sec auf mit SiO2 beschichtete 3-Zollwafer aufgeschleudert. Belichtet und entwickelt wird nach demselben Programm wie in Beispiel 3. Es ist ebenfalls eine Belichtungszeit von 65 sec nötig, um scharfe Strukturen der Grösse 5 Mm und grösser zu erzeugen. Beispiel 5: Die 8,5%ige Polymerlösung aus Beispiel 3 wird mit 6% Bis-(4-azidophenylketon) versetzt. Die Herstellung der Bildstrukturen erfolgt wie in Beispiel 3 beschrieben. Es muss 320 sec belichtet werden, um scharfe Strukturen herzustellen. Beispiel 6: Von einem Polymeren aus Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid und 5 (6)-Amino-1-(4'-aminophenyl)-1,3,3-trimethylindan mit einem mittleren Molekulargewicht von 184'000 wird eine 9%ige Lösung in 4-Butyrolacton hergestellt, mit 7% des Bisazids Nr. 1 versetzt und gefiltert. Nach dem Aufschleudern bei 6000 U/min und 20 sec auf eine mit SiO2 beschichtete Wafer und Trocknen der Lackschichten für 10 min bei 60"C erfolgt die Belichtung im Vakuumkontakt. Entwickelt wird wie folgt: Methylenchlorid/Toluol 68:32 3 sec Methylenchlorid/Toluol 34:66 3 sec Toluol 10 sec Es wird eine Belichtungszeit von nur 16 sec benötigt, um scharf aufgelöste Strukturen zu erzeugen. Auch die Strukturen von 2 Mm Grösse sind scharf aufgelöst. Die Schichtdicke beträgt 0,38 pm und nach dem Erhitzen auf 400 C unter N2-Atmosphäre ergibt sich eine Stärke von 0,35 m. Beispiel 7: Von einem Polymeren aus Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid, 80 Molprozent 5 (6)-Amino-1-(4'-aminophenyl)-1,3,3-trimethylindan und 20 Molprozent Diaminotoluol, das ein Molekulargewicht von 95'000 besitzt, wird eine 8,7%ige Lösung in 4-Butyrolacton hergestellt, der 7% des Bisazides Nr. 1 beigegeben wird. Die gefilterte Lösung wird mit 1'800 U/min auf eine Wafer aufgeschleudert und 120 sec belichtet. Die Entwicklung erfolgt nach dem Programm: Methylenchlorid/Toluol 80:20 8 sec Methylenchlorid/Toluol 40:60 3 sec Toluol 10 sec Es werden scharfe Strukturen mit einer Schichtdicke von 0,97 jim und einer Auflösung von 4 iim gewonnen. Nach dem Erhitzen auf 400 C beträgt die Schichtdicke 0,91 um. Beispiel 8: Von einem Polymeren aus Pyromellitsäuredianhydrid (PMDA) und 5 (6) Amino-1-(4 -aminophenyl)-l, 3 > 3-trimethylindan mit einem Molekular- gewicht von 60'000 und dem Bisazid Nr. 1 wird eine 9%ige Lösung in 4-Butyrolacton hergestellt und bei 1'700 U/min auf 3-Zollwafer auf geschleudert. Nach Belichtung Ym Vakuumkontakt für 200 sec wird wie folgt entwickelt: Methylenchlorid/Toluol 65:35 8 sec Methylenchlorid/Toluol 32:68 3 sec Toluol 10 sec Im zentralen Teil des Wafers befinden sich scharfe Reliefstru: Juren. Die Strukturen der äusseren Partien des Wafers (äusser Drit @ des Radius) sind jedoch unterbelichtet. Die Reliefstrukturen der inneren Partien haben eine Schichten -?. von 0,92 m. Nach dem Erhitzen auf 400 C beträgt die Schich@@icke 0,75 um. Beispiel 9: Auf die in Beispiel 8 beschriebenen Wafer wird nach der Be.schichtung eine zusätzliche dünne Schicht von Polyvinylalkohol aufgesponmen, und zwar durch Aufspinnen einer Lösung mit folgender Zusammensetzung bei 4500 U/min: Polyvinylalkohol (Mowiol 488, Hoechst) 5% Alkylphenylpolyäthylenglykol (Triton X-lOOJRöhm und Haas) 0,05% Wasser 94,95% Die Dicke der Polyvinylalkoholschicht beträgt 0,1 jim. Die Wafer werden 220 sec lang belichtet, mit heissem Wasser besprüht, getrocknet und gemäss Beispiel 8 entwickelt. Im Gegensatz zu dem Ergebnis in Beispiel 8 sind die Wafer nun über die gesamte Fläche mit gleichmässig belichteten Reliefstrukturen bedeckt. Beispiel 10: Von einem Polymeren aus Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid und 5 (6)-Amino-1-(4' -aminophenyl)-1,3, 3-trimethylindan mit einem mittleren Molekulargewicht von 184'000 wird eine 9,0%ige Lösung in 4-Butyrolacton hergestellt, mit 7% 2,6-Bis-(4-azidobenzyliden)-4-methylcyclohexan-1-on versetzt und auf 0,2 um gefiltert. Nach dem Auf schleudern auf mit Si02 beschichtete 3-Zoll Wafer bei 2'500 U/min und 20 sec erfolgt die Trocknung der Lackschichten im Umluftofen bei 600 während 20 min. Es wird 52 sec lang im Vakuumkontakt durch eine Schwarzchrommaske belichtet und dann nach folgendem Programm entwickelt (Sprühentwickler, 2 bar Druck, 1000 U/min): Methylenchlorid/Toluol 68:32 10 sec Methylenchlorid/Toluol 34:66 3 sec Toluol 10 sec Die erhaltenen scharfen Reliefstrukturen haben eine Dicke von 1,05 um und zeigen eine Auflösung von 5 pm, wobei ein genaues Abbildungsverhältnis aller Gräben und Stege von 1:1 gegeben ist. Nach dem Aufheizen der Wafer im Temperofen auf 400C unter Stickstoffatmosphäre sind keine strukturellen Veränderungen zu erkennen, und die Schichtdicke beträgt dann 1,00 leim. Beispiel 11: Von einem Polymeren aus Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid und 80 Molprozent 5(6)-Amino-1-(4'-aminophenyl)-1,3,3-trimethylindan sowie 20 Molprozent Toluoldiamin, mit einem Molekulargewicht von 174'000 wird eine 7%ige gefilterte Lösung in 4-Butyrolacton hergestellt, die 7% des 2,6-Bis (4-azidobenzyliden) -4-methylcyclohexanon enthält. Die Lösung wird bei 1'250 U/min auf eine 3-Zoll Wafer aufgeschleudert, bei 60 C für 20 min im Umluftofen getrocknet und 70 sec lang im Vakuumkontakt belichtet. Das Entwicklungsprogramm im Sprühentwickler bei 2 bar Druck und 1000 U/min ist wie folgt: Methylenchlorid/Toluol 80:20 8 sec Methylenchlorid/Toluol 40:60 3 sec Toluol 10 sec Die scharf abgebildeten Relief strukturen haben eine Schichtdicke von 0,98 um und eine Auflösung von 4 pm. Teilweise sind auch die 3 > 1m-Strukturen scharf aufgelöst. Nach dem Erhitzen auf 4000C unter Stickstoffatmosphäre beträgt die Endschichtstärke 0,92 pm. Beispiel 12: Ein Polyimids hergestellt aus Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid, 80 Mol% Toluoldiamin und 20 Mol% 4,4'-Diaminodiphenylmethan (#w = 35'000) wird in 4-Butyrolacton gelöst und mit 7% Bisazid No. 1 versetzt und gefiltert. Die 10%ige Lösung besitzt eine Viskosität von 374 mPas. Nach Auf schleudern bei 3'400 U/min und 20 minütiger Trockung wird für 150 sec im Vakuumkontakt belichtet. Es entstehen Strukturen von 0,93 m Schichtdicke. Nach dem Erhitzen auf 4000C beträgt die Schichtdicke 0,73 m. Beispiel 13: Die Polymerfraktion 2 aus Herstellungsbeispiel 3 (mit M = 77'000) wird w zusammen mit 7% des Bisazides Nr. 1 zu einer 10%igen Lösung in 4-Butyrolacton verarbeitet. Die Beschichtung der Wafer erfolgt bei 2'200 U/ min. Nach dem Trocknen bei 20 C ist eine Belichtungszeit von nur 13 sec nötig, um scharfe Strukturen mit einer Schichtdicke von 0,94 Mm und einer Auflösung von 3 m zu erzeugen. Angewendet wird dabei folgendes Entwicklungsprogramm im Sprühentwickler: NMP 14 sec NMP/Toluol 1:1 3 sec Toluol 10 sec Nach dem Erhitzen auf 4000C beträgt die Schichtdicke noch 0,80 Mm. Form und Oberfläche der Strukturen verändern sich durch lOminütiges Behandeln mit 800C heissem NMP im Ultraschallbad nicht. Beispiel 14: Von einem Polyimid, hergestellt aus Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid und einem Isomerengemisch von in 2- oder in 2,2'-Position mit Aethyl substituierten Derivaten des 4,4'-Diaminophenylmethans,#w= 45'000), wird mit Zusatz von 7% des Bisazides Nr. 1 eine 6,0%ige Lösung herge stellt. Nach der Filtration wird bei 1'450 U/min auf Wafer aufgeschleudert. Nach der Trocknung wird 13 sec lang belichtet und wie folgt entwickelt: NtlP/Toluol 80:20 5 sec NMP/Toluol 40:60 3 sec Toluol 10 sec Es entstehen sehr scharfe Strukturen mit einer Auflösung von 2-3 und einer Schichtdicke von 0,98 m. Nach dem Erhitzen auf 400 C beträgt die Schichtdicke noch 0,77 jim. Beispiel 15: Ein Polyimid aus Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid und 3,3'-Dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethan mit einem mittleren Molekulargewicht #w = 44'000 wird in 4-Butyrolacton gelöst. Die 7%ige Lösung wird mit 7% des Bisazides Nr. 1 versetzt und durch einen 0,45 um Filter gefiltert. Bei 230C hat die Lösung eine Viskosität von 335 mPas. Die Beschichtung der mit SiO beschichteten 3-Zoll Wafer erfolgt bei 2 2'350 U/min, die Trocknung für 17 min bei 6O0C. Die Entwicklung erfolgt nach folgendem Programm: Sprühentwickler, 2 bar, 1000 U/min: Nt1P/Toluol 80:20 5 sec NMP/Toluol 40:60 3 sec Toluol 10 sec. Bei einer Lichtleistung von 30 mW/cm ist nur eine Belichtungszeit von 8 sec (240 mJ/cm2) nötig, um sehr scharf aufgelöste Strukturen (2 um Auflösung) der Schichtdicke 0,92 jim zu erzeugen. Die mit Photo strukturen bedeckten Wafer werden in einen Temperofen gegeben, innert 1 h auf 400 C erhitzt, dort für 15 min belassen und dann abgekühlt. Unter einem hochauflösenden Mikroskop sind praktisch keine Veränderungen der Strukturen zu erkennen und die erneute Messung der Schichtdicke gibt einen Wert von 0,84 jim. Zuletzt werden die getemperten Reliefstrukturen 10 min lang 80"C heissem NMP im Ultraschallbad ausgesetzt. Im Mikroskop sind danach weder Beschädigungen der Oberfläche noch geometrische Verformungen festzustellen.

Claims: Patentansprüche 1. Strahlungsempfindliches Beschichtungsmittel, enthaltend neben üblichen Zusätzen (a) ein organisches Lösungsmittel, (b) ein in diesem Lösungsmittel lösliches Homo- oder Copolyimid aus aromatischen Tetracarbonsäuren und aromatischen Diaminen oder aromatischen und aliphatischen Diaminen, wobei an mindestens einen Teil der Tetracarbonsäurereste, der aromatischen Diaminreste oder beider Reste mindestens eine aliphatische Gruppe direkt oder über eine Brückengruppe gebunden ist und/oder mindestens ein Teil dieser Reste als aliphatische Brückengruppe Alkylen, Alkyliden, Cycloalkyliden oder Si(Alkyl)2 enthält, und (c) mindestens 0,1 Gew.-%, bezogen auf die Komponente (b), mindestens eines organischen chromophoren Polyazides, in dem die Azidgruppen an aromatische Kohlenwasserstoffreste gebunden sind. 2. Beschichtungsmittel gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Reste mit aliphatischen Gruppen und/oder Brückengruppen zu mindestens 10 Mol-% im Polyimid oder Copolyimid enthalten sind, bezogen auf das Polyimid. 3. Beschichtungsmittel gemäss Ansprüch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die aliphatische Gruppe Alkyl-0 mit 1 bis 6 C-Atomen in der Alkylgruppe darstellt, worin Q eine direkte Bindung, -O-, -S-, -SO-, -S02-, -CO-, -NH-, -N-Alkyl- mit 1-6 C-Atomen oder -NHCO- ist und die Brükkengruppe als Alkylen,Methylen oder Aethylen, als Alkyliden Aethyliden, 1,1- oder 2,2-Propyliden oder 1,1- oder 2,2-Butyliden, als Cycloalkyliden, Cyclopentyliden oder Cyclohexyliden und als Si(Alkyl)2, Si(Methyl)2 oder Si(Aethyl)2 bedeutet. 4. Beschichtungsmittel gemäss Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die aliphatische Gruppe Methyl oder Methoxy und die Brückengruppe Plethylenl 2,2-Propyliden oder Si(Methyl)2 ist. 5. Beschichtungsmittel gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Homo- oder Copolyimid (b) im wesentlichen aus wiederkehrenden Struktureinheiten der Formel tI) EMI38.1 besteht, worin die vier Carbonylgruppen an verschiedene Kohlenstoffatome gebunden sind und je zwei Carbonylgruppen in ortho- oder peri-Stellung zueinander stehen, Z einen vierwertigen Rest bedeutet, der mindestens einen aromati schen Ring enthält und Z' einen zweiwertigen organischen Rest darstellen, ausgewählt unter aromatischen, alkylaromatischen, aliphatischen, cycloaliphati schen und heterocyclischen Resten, Kombinationen davon und Resten mit Sauerstoff, Schwefel, Stickstoff, Silicium oder Phosphor enthaltenden Brückengruppen, mit der Massgabe, dass 1) aus der Gesamtzahl der wiederkehrenden Polyimid-Einheiten A) in 0 bis 100 Mol-% solcher Einheiten Z ein Phenylindanrest der Struktur formel EMI38.2 ist, worin R1 Wasserstoff oder einen Alkylrest mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen und R2 einen Alkylrest mit 1 bis 5 Kohlen stoffatomen bedeuten, und B) in 0 bis 100 Mol% solcher Einheiten Z' ein Phenylindanrest der Strukturformel (III) EMI39.1 ist, worin R1 Wasserstoff oder einen Alkylrest mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen und R2 einen Alkylrest mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen darstellt und R3, R4, R5 und R6 unabhängig voneinander Wasserstoff, Halogen, Alkoxy oder einen Alkylrest mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen bedeuten und 2) aus der Gesamtzahl der Reste Z und Z' mindestens 10 Mol, bezogen auf die Einzelkomponenten, Phenylindanreste sind. 6. Beschichtungsmittel gemäss Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass R2 in den Formeln II und III Methyl ist. 7. Beschichtungsmittel genäss Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Polyimid 0 bis 100 Mol-% der Reste Z der Formel EMI39.2 oder der Formel EMI39.3 entsprechen, während 100 bis 0 Mol-% der Reste Z eine Mischung aus EMI39.4 bedeuten und dass 100 bis 10 Mol-% der Reste Z' gleich einem Rest der Formel III sind, worin R1, R3, R4, R5 und R6 unabhängig voneinander Wasserstoff oder Methyl und R2 Methyl bedeuten, während 0 bis 90 Mol-% der Reste Z' der Formel EMI40.1 entsprechen, worin W eine covalente Bindung, Methylen, Aet yild u, 2,2-Propyliden, Cyclohexyliden, Schwefel, Sauerstoff o < it & mode. bedeutet, R7 und R8 unabhängig voneinander Wasserstoff, Halogen. Alkoxy oder Alkylgruppen mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen darstellen und Rg Wasserstoff, Halogen, Alkoxy oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen bedeutet. 8. Beschichtungsmittel gemäss Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass in den Polyimiden Z' EMI40.2 oder eine Mischung davon ist und Z EMI40.3 oder eine Mischung davon bedeutet. 9. Beschichtungsmittel gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Homo- oder Copolyimid (b) im wesentlichen aus wiederkehrenden Struktureinheiten der Formel (I) EMI40.4 besteht, worin die vier Carbonylgruppen an verschiedene Kohlenstoffatome gebunden sind und je zwei Carbonylgruppen in ortho- oder peri Stellung zueinander stehen, Z einen vierwertigen Rest bedeutet, der mindestens einen aromati schen Ring enthält und Z' einen zweiwertigen organischen Rest darstellen, ausgewählt unter aromatischen, alkylaromatischen, aliphatischen, cycloaliphatischen und heterocyclischen Resten, Kombinationen davon und Resten mit Sauerstoff, Schwefel, Stickstoff, Silicium oder Phosphor ent haltenden Brückengruppen, mit der Massgabe, dass aus der Gesamtzahl der wiederkehrenden Polyimideinheiten, bezogen auf die Tetracarbonsäureanhydridreste bzw. Diaminreste, A) 30-100 Mol-% solcher Einheiten Z Benzophenontetracarbonsäurereste darstellen, und B) 30-100 Mol-% solcher Einheiten Z' Reste der Formeln EMI41.1 sind, worin @1 CH2, O, S, S02, CO oder H3-C-CH3 W2 CH2, S, SO2, CO oder H3C-C-CH3 R18 Alkyl oder Alkoxy mit 1 bis 6 C-Atomen, Halogen, besonders Cl, CO2H, OH, SO3H oder NHCOCH3 und R19 Alkyl mit 1 bis 6 C-Atomen bedeutet, wobei mindestens 10 Mol-% dieser Reste solche mit CH2, H3C-°-CH3, Alkyl, Alkoxy oder NHCOCH3-Gruppen sind. 10. Beschichtungsmittel gemäss Anspruch 8, worin R18 und R19 für Methyl stehen. 11. Beschichtungsmittel gemäss Anspruch 8, worin W1 und W CH2 bedeuten. 12. Beschichtungsmittel gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Homo- oder Copolyimid (b) im wesentlichen aus wiederkehrenden Struktureinheiten der Formel (I) besteht, EMI42.1 worin, bezogen auf die Tetracarbonsäureanhydridreste bzw. Diaminreste, A) 75 bis 100 Mol-% der Einheiten Z ein Pyromellitsäureanhydridrest ist, und B) 25 bis 0 Mol-% der Einheiten der Formel EMI42.2 entsprechen, worin X2 für 0, S02 und besonders CO steht, sowie C) 10 bis 35 Mol-% Einheiten Z' der Formel EMI42.3 und 90 bis 65 Mol-% der Einheiten Z' der Formeln EMI42.4 oder Mischungen davon entsprechen. 13. Beschichtungsmittel gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Copolyimid (b) im wesentlichen aus wiederkehrenden Struktureinheiten der Formel (I) EMI43.1 besteht, worin A) Z einen Benzophenontetracarbonsäuredianhydridrest, und B) bezogen auf die Diaminreste 10-30 Mol-% der Einheiten Z' der Formel EMI43.2 C) 90-70 Mol-% der Einheiten Z' EMI43.3 oder Mischungen davon entsprechen. 14. Beschichtungsmittel gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass es 99,9 bis 20 Gew.% des Polyimides (b) und 0,1 bis 20 Gew.% des Bisazides (c) enthält, bezogen auf die Bestandteile (b) und (c). 15. Beschichtungsmittel gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Lösungsmittel ein polares aprotisches Lösungsmittel ist. 16. Beschichtungsmittel gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das chromophore Polyazid ein Diazid der Formel N3-E-(Y)q -E-N3 ist, worin E für einen aromatischen Kohlenwasserstoffrest und q für 0 oder 1 stehen und Y eine Gruppe ist, die zusammen mit den aromatischen Kohlenwasserstoffresten E ein mesomeres System bildet. 17. Beschichtungsmittel gemäss Anspruch 16. worin Y für 0, CO, S, SO, S02, NR' mit R' gleich Wasserstoff, Alkyl, Cycloalkyl, Aryl oder Aralkyl, EMI44.1 EMI44.2 steht, worin R" und R"' unabhängig voneinander Alkyl mit 1 bis 5 C Atomen oder R" und R"' zusammen unsubstituiertes oder mit Alkyl, Hydroxyalkyl, Alkoxy, Trialkylsilyl, Hydroxy, Carboxyl, Alkoxycarbonyl, Amino, Alkylamino oder Dialkylamino substituiertes Aethylen oder Trimethylen bedeuten q 0 oder 1 ist, X1 für 0, S oder NH steht, y1 unabhängig die gleiche Bedeutung wie Y hat und die freien Bindungen an N und X1 zusammen mit der Gruppe E einen kondensierten heterocyclischen Ring bilden. 18. Beschichtungsmittel gemäss den Ansprüchen 5 und 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Polyazid 2,6-Bis((4-p-azidophenyl)-methin)cyclohexan-l-on ist. 19. Photographisches Aufzeichnungsmaterial für Reliefabbildungen aus einem Träger und einer strahlungsempfindlicher Schicht, auf dem als strahlungsempfindliche Schicht eine Mischung des Polyimides (b) und Polyazides (c) gemäss Anspruch 1 aufgebracht ist. 20. Verwendung von Beschichtungsmitteln gemäss Anspruch 1 zum Aufbringen von Isolier- und Schutzlacken und zur Herstellung von gedruckten Schaltungen und von integrierten Schaltkreisen.

Inventors: PFEIFER, JOSEF, DR., ROHDE, OTTMAR, DR.
Applicants: CIBA-GEIGY AG
Application year: 1983
Main classification: C09D3
IPC codes: C08K5, G03F7, H01B3, G03C1, C08L79