PROCESS FOR COATING A SUBSTRATE WITH A TIN OXIDE LAYER

Abstract: 1. Method of depositing a layer of tin oxide on a substrate such as glass, in which there is projected onto said substrate which is at an elevated temperature a powder of organic tin compounds which is decomposable on heating, characterised in that said powder is formed of particles from 10 to 60 micrometers in size.

Description: PROCEDE DE DEPOT D'UNE COUCHE D'OXYDE D'ETAIN SUR UN SUBSTRAT La présente invention concerne le dépot d'une couche d'oxyde d'étain sur la surface d'un substrat en verre, céramique, métal ou autres matières. Plus précisément, elle porte sur une méthode de dépôt d'une couche d'oxyde d'étain par la mise en contact d'une poudre de composés organiques d'étain avec la surface d'un substrat en verre, céramique, métal ou autres matieres, chauffé a une haute température. En général, la couche d'oxyde d'étain étant tres dure, elle est utilisée largement pour éviter la détérioration de la surface des vaisselles, bouteilles, etc... Par ailleurs, il y a de nombreuses applications profitant du ca ractère semi-conducteur de la couche d'oxyde d'étain ; par exemple, des verres revêtus d'une telle couche sont largement employés comne conducteurs transparents tels qu'électrodes pour des cristaux liquides, verres anti-buée, etc... Egalement, des plaquettes céramiques fines revetues d'une couche d'oxyde d'étain sont extrêmement employées en tant que pieces électriques. En plus, en profitant du caractère réflecteur des rayons infra-rouges de la couche d'oxyde d'étain, des verres ou tubes métalliques revêtus d'une couche d'oxyde d'étain sont utilisés comme couvercles ou tubes de capteurs solaires. Il existe plusieurs méthodes pour déposer une couche d'oxyde d'étain sur la surface d'un substrat en verre, céramique, métal ou autres matières. Comme méthode appropriée pour la fabrication en série, depuis longtemps, on utilise la methode consistant a pulvériser une so- lution de tétrachlorure d'etain sur la surface dudit substrat maintenu a haute tempe rature. Depuis quelques années, on utilise également la méthode dite NCVDM (Coating Vapor Deposition), consistant a mettre en contact la vapeur obtenue par chauffage et vaporisation de tetrachloru- re d'étain ou de diméthyl dichlorure d'étain, avec un substrat en verre, céramique, métal ou autres matieres, chauffé a haute température. En plus, pour remplacer les méthodes précitées, on utilise également la méthode de dépot consistant a projeter directement une poudre de composés organiques d'étain sur la surface du verre a haute température. La méthode utilisant directement une poudre consiste a mettre en contact des composés organiques d'étain en poudre en suspension dans l'air ou dans d'autres gaz, avec la surface du verre a haute température. Comparée a la méthode de pulvérisation de la solution ou a la méthode CVD, cette méthode utilisant une poudre permet une meilleure efficacité car la vitesse de dépot de la couche est plus grande. Normalement, comme composés organiques d'étain, on utilise souvent l'oxyde de dibutyl étain (C4Hg)2SnO, désigné ci-apres "DBTO". Dans un tel cas, pour améliorer la conductivité électrique des couches d'oxyde d'étain, il est connu par la publication de brevet français n- 2 380 997 d'ajouter de l'acide fluorhydrique, agissant comme dopant, dans le courant de poudre en suspension. On a également proposé d'employer comme matériau de départ un mélange d'une poudre de composés organiques d'étain avec, comme dopant, du fluorure d'ammonium (NH4F) en poudre. Toutefois, malgré ces méthodes, la conductivité électrique reste insuffisante notamment pour réaliser des verres anti-buée de grande surface ou des électrodes en verre pour piles solaires. La présente invention vise a améliorer la conductivité électrique de telles couches d'oxydes métalliques déposées notamment sur des substrats en verre. Pour cela elle propose d'employer comme poudre a projeter sur le substrat porté à haute température, des particules de composés organiques d'étain dont les dimensions sont comprises entre 10 et 60 microns. L'emploi d'une poudre dont les particules ne sont pas inférieures a 10 microns permet de déposer une couche d'oxyde d'étain à une vitesse telle que la taille des cristaux est relativement grande. Cela a pour effet d'augmenter la conductivité électrique de la couche d'oxyde formée et d'améliorer sa transparence. Les particules de cette poudre étant infcrieures 60 microns, celle-ci est facilement mise en suspension dans un gaz vecteur, ce qui contribue a la régularité de la couche formée. Les composés organiques d'étain sont préparés de la manicle suivante Après avoir été séchés de manière à ce que leur teneur en eau devienne inférieure à 1 5, et de préférence inférieure à 0 > 5 0,5 %, les composés choisis sont broyés assez finement. La poudre obtenue est tamisée de manière à conserver uniquement la fraction granulométrique comprise entre 10 et 60 microns. De même que la granulométrie, la teneur en eau de la poudre facilite sa mise en suspension dans le gaz et contribue à la régularité de la couche obtenue. Ce facteur joue également un rÏle favorable pour obtenir des couches d'oxyde d'étain ayant une conductivité électrique élevée et une bonne transparence. La poudre ainsi obtenue est mise en suspension dans un courant gazeux à grande vitesse et dirigée sur le substrat à revêtir porté à une température supérieure à 350 C et de préférence supérieure à 500"C. Pour augmenter la conductivité électrique des couchesd'oxyde d'étain, il est possible d'injecter de l'acide fluorhydrique gazeux dans le gaz vecteur. Il est également possible d'ajouter du fluorure d'ammonium ou du fluorure d'ammonium acide en poudre à la poudre de composés organiques d'étain. Le substrat sur lequel est formée la couche d'oxyde d'étain peut être-une plaque ou un tube en verre, céramique, métal ou une autre matière. Selon lllnvention, il est avantageux d'utiliser comme composés organiques d'étain l'un au moins des composés suivants : l'oxyde de dibutyl d'étain (C4Hg)2SnO, zen le dipropyl di-trifluoroacétate d'étain (C3H7)2Sn(CF3C00)2 ou le dibutyl di -tri fl uoroacétate d'étain (C4H9)2Sn(CF3COO)2. Les avantages de l'invention seront mieux perçus au travers des exemples suivants et de la figure jointe qui représente la variation de résistance électrique de la couche d'oxyde formée en fonction de la granulométrie de la poudre employée.. On a séché de l'oxyde de dibutyl étain DBTO dans un séchoir à air chaud recyclé jusqu'a amener sa teneur en eau à 0,4 b. Ensuite on a écrasé cet oxyde au moyen d'un broyeur, obtenant une poudre dont la granulométrie était comprise entre 3 et 60 microns avec une moyenne de 23 microns. On a alors tamisé cette poudre et éliminé les particules d'une granuloretrie inférieure à 10 microns ; la poudre obtenue présentait alors une granulométrie de 10 à 60 microns avec une moyenne de 27 microns. Puis on a chargé un pistolet pour sablage avec cette poudre et projeté celle-ci avec de l'air a haute pression comprenant de l'acide fluorhydrique gazeux, sur la surface d'une plaque de verre portée a une température de 575 a 580*C. Le débit de poudre de DBTO était alors de 12 g/min. Le substrat de verre était une plaque carrée de 150 mm de côté et de 3 mm d'épaisseur ; la pression de l'air utilisé était de 4 kg/cm2 avec un débit de 100 litres/min. L'acide fluorhydrique gazeux a été mélangé a l'air de maniere a obtenir un rapport égal à F/Sn = 2. Dans ces conditions, on a déposé des couches d'oxyde d'étain ayant une épaisseur de 2000 a 4000 A sur la surface du verre en variant le temps de projection de 2 a 4 secondes. On a mesuré l'épaisseur des couches d'oxydes d'étain ainsi obtenues a l'aide d'un appareil dit Tally surf* puis on a procédé à la mesure de la résistance électrique. Les résultats obtenus sont repré sentés sur la figure par des cercles reliés par une courbe continue. A titre comparatif, on a chargé le pistolet pour sablage avec de la poudre de DBTO non tamisée ayant une granulométrie de 3 a 60 microns avec une moyenne de 23 microns. On a projeté cette poudre sur la surface d'une plaque de verre de mêmes dimensions que la précédente en conservant les réglages de l'exemple précédent. Les résultats obtenus sont représentés sur la figure par des ronds noirs reliés par une courbe en pointillé. La comparaison des deux courbes montre clairement l'influen- ce de la granulométrie de la poudre choisie sur la résistance électrique, et, par la même, les avantages confèrés par l'invention.

Claims: REVENDICATIONS 1. Procédé de dépôt d'une couche d'oxyde d'étain sur un substrat notamment en verre, d'apres lequel on projette sur ledit substrat porté a haute température une poudre de composés organiques d'étain décomposable a la chaleur caractérisé en ce que ladite poudre est formée de particules comprises entre 10 et 60 microns. 2. Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que la teneur en eau de la poudre projetée est inférieure a 1 X et de préférence inférieure à 0,5 t. 3. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la poudre projetée contient au moins un des composés organiques d'étain suivants : oxyde de dibutyl étain, dipropyl ditrifluoroacétate d'étain et dibutyl di-trifluoroacétate d'étain.

Inventors: KATO, YUKIHIRO, KAWAHARA, HIDEO
Applicants: SAINT-GOBAIN VITRAGE
Application year: 1983
Main classification: C03C17
IPC codes: C03C17, C01G19, C23C20, C04B41