INTEGRATED LOGIC USING INVERSE BIPOLAR TRANSISTORS

Abstract: 1. Integrated logic using inverse bipolar transistors, comprising at least one gate transistor (80 ; 801, 802, ...) which amplifies vertically upwards and at least one lateral current source transistor (40) which is spatially separated from the former and which has a type of conduction which is opposite to the gate transistor (80 ; 801, 802, ...) and has at least one collecteur which connected to the base of the gate transistor (80 ; 801, 802, ...), the lateral current source transistor (40) being accommodated electrically insulated with respect to the gate transistor (80 ; 801, 802, ...) within the semiconductor crystal and in which arrangement, furthermore, the base potential of the lateral current source transistor (40) with respect to the emitter potential of the gate transistor (80 ; 801, 802, ...) used as gate reference potential can be changed in such a manner that the full current gain of the gate transistor (80 ; 801, 802, ...) is available as gate current gain, characterized in that the lateral current source transistor (40) has a further collector (42) which is connected to the output (43) of a current balancing circuit (41) the input of which is supplied with a reference current (Io ), the further collector (42) of the lateral current source transistor (40) also being connected to the base of this transistor (40) (Figure 4e, 4f, 4g, 4h, 4i, 4k).

Description: Bipolar integrierte Inverstransistorlogik Stand der Technik Die Erfindung geht aus von einer bipolar integrierten Inverstransistorlogik nach der Gattung des Hauptan- spruchs. Aus dem Fairchild Journal of Semiconductor Progress", Band 8, Nr. 2 (März/April 1980) ist bereits eine Inverstransistorlogik - im folgenden kurz mit ITL bezeichnet dieser Art bekannt, bei der die Basis des lateralen Stromquellentransistors und der Emitter des Gattertransistors auf dasselbe Potential (Massepotential) gelegt sind, womit auch der im Betrieb der Gatter auftretende Sättigungszustand des Injektorteils (hier separater Lateraltransistor) in I2L-üblicher Weise unvermeidbar und mit allen Nachteilen auf das Gatterverhalten bestehen bleibt. Immerhin ist die örtliche Trennung von Injektorteil und Verstarkertransistor vollzogen, was man im Sinne der merged transistor logic eigentlich immer als einen Nachteil bezüglich Flachenaufwand verstanden hat. Damit entfällt eigent lich auch schon die Berechtigung für die Bezeichnung "Injektionslogik", denn der direkt in die Basis des Verstärkertransistors injizierte Ansteuerstrom existiert als solcher nicht mehr. Er ist ersetzt durch einen Ansteuerstrom, der einem korperlich vorhandenen separaten Lateralkollektor eines Stromquellentransistors entnommen wird und über eine metallisch leitende Verbindung der Basis des Ver stärkertransistors zugeführt wird. Vorteile der Erfindung Die erfindungsgemässe bipolar integrierte Inverstransistorlogik mit den kennzeichnenden Merkmalen des Rauptanspruchs hat demgegenüber den Vorteil; dass das Basispotential des lateralen#Stromquellentran- sistors frei wählbar ist. Gemäss Anspruch 2 kann das Basispotential des lateralen Stromquellentransistors so eingestellt werden, dass dieser Transistor auch bei leitendem Gatter nicht mehr im Sättigungsbe- trieb arbeitet, so dass damit die volle Stromverstärkung des vertikal aufwärts verstärkenden Gattertransistors als Gatterstromverst rkung zur Verfügung steht. Wenn der laterale Stromquellentransistor vom pnp-Typ und der Gattertransistor vom npn-Typ ist, so muss hierzu das Basispotential des Stromquellentransistors über das Emitterpotential des Gattertransistors angehoben werden. Ist dagegen der laterale Stromquellentransistor vom npn-Typ und der Gattertransistor vom pnp-Typ, so muss das Basispotential des Stromquellentransistors unter das Emitterpotential des Gattertransistors abgesenkt werden. Sind mehrere Gattertransistoren vorhanden, so können diese aus einem einzigen Stromquellentransistor, der mit mehreren Kollektoren versehen ist, mit Arbeitsströmen versorgt werden. Der Stromquellentransistor liefert dann für alle Gattertransistoren unter allen praktischen Betriebsbedingungen etwa gleiche Arbeitsströme. Die Sattigungspotentiale an den Kollektoren dieser Stromquellentransistoren liegen dann gegenüber dem Gatter-Bezugspotential so hoch, dass die Öffnungsspannungen für die Gattertransistoren immer erreicht werden. Weitere Vorteile ergeben sich aus den weiteren Unteransprüchen 3 bis 31 und aus der Beschreibung. Zeichnung Ausführungsbeispiele der erfindungsgemässen bipolar integrierten Inverstransistorlogik sind in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigen: Figur 1a eine Draufsicht auf eine bekannte I3L Struktur in schematischer Darstellung, Figur ib einen Schnitt nach der Linie AB der Figur la, Figur ic die elektrischen Ersatzbilder des I2L-Teils und des Analogteils der in den Figuren la und lb dargestellten I3L-Struktur, Figur 2 die Ausgangskennlinie des lateralen pnp Injektionstransistors der bekannten 12L-Struktur bzw. die Ausgangskennlinie des lateralen Stromquellentransistors der erfindungsgemassen ITL Struktur, Figur 3 eine schematisierte Draufsicht auf ein lay-out einer bekannten I2L- bzw. I3L-Schaltung, Figur 4a das elektrische Ersatzbild eines ersten Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemässen Inverstransistorlogik, bei dem das Basispotential des lateralen pnp-Stromquellentransistors durch eine Spannungsquelle hinreichend weit über dem Bezugspotential festgelegt ist, Figur 4b die Schaltung nach Figur 4a, bei der die Spannungsquelle durch einen npn-Transistor mit Kurzschluss zwischen 3asis und Kollektor gebildet ist, Figur 4c die Schaltung nach Figur 4b, jedoch mit zwei npn-Gattertransistoren und mit einem mit drei Kollektoren versehenen lateralen pnp-Stromquellen- transistor, wobei zwei dieser Kollektoren die Arbeitsströme für die beiden Gattertransistoren liefern und der dritte dieser Kollektoren an die kurzgeschlossene Basis-Kollektor-Strecke des als Spannungsquelle dienenden npn-Transistors angeschlossen ist, Figur 4d die Schaltung nach Figur 4c in vereinfachter symbolischer Darstellung, Figur ke das elektrische Ersatzbild eines weiteren, besonders vorteilhaften Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemässen Inverstransistorlogik, Figur 4f eine Schaltung ähnlich der der Figur 4e, Figur 4g bis 4k weitere Schaltungsvarianten ähnlich denjenigen der Figuren 4e und if, Figur 5 das Ausführungsbeispiel nach Figur 4b zusammen mit einem sich daran anschliessenden Analogteil im Schnitt, Figur 6 ein vereinfachtes lay-out eines vierstufigen asynchronen Frequenzteilers, Figur 7 das formale lay-out der Frequenzteilerstufe nach Figur 6. Beschreibung der Erfindung Die Figuren la und lb zeigen schematisiert und ohne Anspruch auf massstäbliche Genauigkeit einen gegriffenen Ausschnitt einer Struktur in konventioneller Mischtechnik. Figur ia ist die Draufsicht, Figur ib ist die in Figur la gekennzeichnete Schnittansicht, Figur ic zeigt die elektrischen Ersatzbilder der in den Figuren la und lb dargestellten Strukturen - links ein 1 2L-Gatter, rechts einen bipolaren Vertikaltransistor (hier vom npn-Typ). Der Begriff Mischtechnik sagt aus, dass auf dems selben Chip sowohl die vorwiegend für analoge Schaltungen geeigneten bipolaren Bauelemente (hier vertikaler npn-Transistor) als auch die für digitale Schaltungen geeigneten I2L- bzw. I3L-Gatter monolithisch integriert vorkommen. Bei der Mischtechnik geht man meist von einem Herstellungsprozess aus, der die umfangreicheren und technisch schwierigeren Anforderungen an die Eigenschaften der Analog-Bauelemente befriedigt, und versucht, mit möglichst geringfügigen und die Eigenschaften der Analog-Bauelemente nicht negativ beeinflussenden Prozessvarianten auch die Anforderungen an die Eigenschaften der digitalen Gatter zu erfüllen. In der Literatur sind zahlreiche Vorschläge für solche Prozessvarianten bekanntgeworden, von denen aber zur Zeit nur sehr wenige auf dem Wege zu technisch-wirtschaftlicher Bedeutung sind. Für reine-Digitalanwendungen gewinnt die 1 2L-Technik zunehmend auch im LSI-Bereich an Bedeutung, weil bezüglich der Herstellungsprozesse die stark einschränkenden Forderungen für die Analog-Elemente hier entfallen und man damit die Prozessergebnisse allein auf die I2L-Eigenschaften optimieren kann. Die Beschreibung von Struktur und elektrischem Verhalten erfolgt anhand der Mischtechnik-Struktur der Figur 1. Die Erfindung bringt eine erhebliche Verbesserung der effektiven Gatterstromverstärkung. Die übrigen er findungsgemässen Vorteile sind: Verbesserte Gatterge schwindigkeit und ein weitgehend vorbereitetes Verdrahtungssystem, das diesbezügliche allgemeine Nachteile von I2L- und I3L-Schaltungen überwindet und die Verdrahtung für die Anwendung automatischer Entwurfsanlagen aufbereitet. In Figur lb ist das Schnittbild einer typischen Mischtechnik-Struktur schematisch dargestellt. Auf einem p-Substrat 1 wird nach Vorbelegung und Vordiffusion von später "vergrabenen" n+ -Gebieten# 2, 3 eine schwach n-dotierte Schicht 4 epitaktisch aufgebracht. Mit den p+-Diffusionen 5, die die elektrische Kontaktierung des p-Substrats 1 von der Halbleiteroberfläche her ermöglichen, wird die aktive Chipfläche so in Epitaxie-11Wannen', aufgeteilt, dass die Analog-Bauelemente - rechts in Figur la und Figur lb - im wesentlichen je einzeln und die 1 2L- bzw. I3L-Gatter - links in Figur 1a und Figur Ab - insgesamt in eine Wanne zu liegen kommen. Die n -Diffusionen 6 stellen die elektrische Verbindung der vergrabenen Schichten 2 und 3 zur Halb leiteroberfläche her und sorgen im I2L- bzw. I3L- Teil zusätzlich für die elektrische Abschirmung der Gatter gegeneinander. Im I2L- bzw.I3L-Teil wird zur Abschirmung der Gatter gegeneinander anstelle der n Tiefdiffusion 6 mitunter aus Platzgründen die n Flachdiffusion 9 verwendet. Die p-Diffusionen 7 bilden unter anderem sowohl im Analogteil als auch I2L- bzw I3L-Teil die Basis zonen für die stromverstarkenden Transistoren. Im gleichen Diffusionsschritt entstehen auch die Injektorzonen 8 des Digitalteils. Im letzten Diffusionsschritt entstehen die flachen n+-Zonen 9, die im Analogteil die Emitterzonen der vertikal abwärts arbeitenden npn-Transistoren und im Digitalteil die Kollektorzonen der vertikal aufwärts arbeitenden npn-Transistoren (mehrere Kollektoren pro Transistor) bilden. Die Kontaktfenster zur elektrischen Kontaktierung der einzelnen Zonen sind in der Draufsicht nach Figur la dunkel dargestellt. Auf Darstellung von Leiterbahnen wurde mit Rücksicht auf Übersichtlichkeit verzichtet. Während der im Analogteil vertikal abwärts arbeitende npn-Transistor (9:Emitter - 7:Basis - 4, 3, 6:Kollektor) durch den so gewollten Aufbau der Struktur gute Stromverstärkung zeigt (typisch 100 bis 200), erreicht der vertikal aufwärts arbeitende npn-Transistor (6, 2, 4: Emitter - 7:Basis - 9:Kollektor) im Digitalteil nur mässige Stromverstärkungen (typisch 3 bis 10 pro Kollektor) - zu verstehen bei jeweils gunstigen Kollektorströmen, die für die beiden Transistoren unterschiedlich sind. Die Situation verschärft sich für den Aufwärtstran- sistor noch durch die Art seiner Ansteuerung über die laterale pnp-Injektionsstruktur (8:Emitter - 4:Basis 7:Kollektor = Basis des Aufwärtstransistors). Dem elektrischen Ersatzbild des Gatters - Figur ic links entnimmt man sofort, dass der pnp-Injektionstransistor sättigt, sobald er den Aufwärtstransistor leitend steuert, der Injektionsstrom also nicht über den Basiskontakt B. und einen leitenden#Kollektor eines zweiten Gatters extern abgeleitet wird. Das bedeutet aber, dass der Ansteuerstrom für den Auf wärtstransistor durch die sättigende Injektionsstruktur gerade dann verringert wird, wenn der Aufwärtstran- sistor diesen Strom zum Aufrechterhalten seines Leitungszustandes benötigt, und andererseits im Sperrzustand das sperrende Gatter mit dem vollen Injektionsstrom belastet wird, weil die Injektionsstruktur sich in diesem Fall nicht im Sättigungs- zustand befindet. In Figur 2 sind diese Verhältnisse anhand der beiden Arbeitspunkte A (ges ttigt, leitender Aufwärtstran- sistor) und B (nicht gesättigt, gesperrter Aufwärts- transistor) in der Ausgangskennlinie des lateralen Injektionstransistors anschaulich dargestellt. Diese Ver hältnisse führen unmittelbar auf die Formulierung einer effektiven Stromverstärkung für das Gesamtgatter. Werte hierfür liegen für die Mischtechnik so risikoreich niedrig, dass sich die Anwendung dieser Technik nicht selten verbietet. Problemlösungen wurden bisher im technologischen Bereich durch Prozessvarianten für die Wafer-Herstellung gesucht, z.B. DE-OS 28 35 330. Die Erfindung bietet eine Lösung auf der Ebene der Schaltungstechnik an. Im Bereich maximaler Schaltgeschwindigkeit der Gatter ist die#Schaltverzögerungszeit annähernd konstant, weil hier die etwa stromproportionale Diffusionskapazität das Schaltverhalten beherrscht. In der Mischtechnik ist diese Diffusionskapazität aufgrund der Minioritäten- speicherung im hochohmigen Emittergebiet 4 grösser als bei den auf niederohmigem Epitaxiegebiet aufgebauten Gattern der rein digitalen I2L-Technik, so dass die Gatter der Mischtechnik sehr viel langsamer sind. Bei detaillierterer Betrachtung muss man die Einflüsse der gesättigten Injektorstruktur, der Basis-Bahnwider- stande und des abnehmenden Injektorstromes in Richtung vom Injektor weg mit berücksichtigen. Bei Sättigung der Injektorstruktur werden im Epitaxiegebiet 4 zusätzlich Minioritätsträger gespeichert, die in der Ausräumphase zum Teil mit ausgeräumt werden müssen, was die Ausschaltzeit des Gatters vergrössert. Weiterhin ist das AuSräumen des injektornahen Teils der Diffusionskapazität (betreffend C1 und C2 in Figur lb) dadurch behindert, dass der Injektor ständig (im Ausräumen zunehmend) Strom nachliefert. Bei höheren Injektorströmen (Bereich hoher Schaltgeschwindigkeit) kann die Injektorstruktur nicht mehr als Stromquelle betrachtet werden. Ihre niedrige Quellenspannung (Dioden-Flussspannung abzüglich Restspannung) und die Basis-Bahnwiderstände sorgen für eine zusätzlich widerstandsbegrenzte Aufladung der Diffusionskapazitat, so dass die bei Stromquellenbetrieb minimal mögliche Einschaltverzögerung nicht erreicht wird, und schliess- lich wird in der konventionellen I2L- bzw. I3L-Struktur infolge der sukzessiven Abnahme des Injektorstromes in Richtung vom Injektor weg der letzte Kollektor immer zuletzt eingeschaltet. Die Zusatzverzogerungen hieraus sind zum Teil erheblich und bestimmen bei getakteter Logik die höchstzulässige Taktfrequenz. Diese Nachteile werden durch die Erfindung zum Teil beseitigt, zum Teil gemildert. In Figur 3 sind die Layoutverhältnisse konventioneller I2L- bzw. I3L-Schaltungen schemtisiert in der Draufsicht dargestellt. Die Kontaktfenster sind durch Punkte symbolisiert. Vom Gatteraufbau sind nur die Umrisse der schirmenden n Tiefdiffusion 6, die Umrisse der Injektorgebiete 8 und die Umrisse der Basisgebiete der Aufwärtstransistoren 7 gezeichnet. Die metallischen Injektorlinien IL, 1L2 sind aus elektrischen Gründen von Signalleitungen nur schwer zu kreuzen. Die Injektoren werden wie dargestellt in Reihe angeordnet, und zu beiden Seiten der Injektorlinien liegen Gatterfelder, von denen in Figur 3 die Gatterfelder GFI und GF2 besonders gekennzeichnet sind. Zwischen den Gatterfeldern liegt je nach Notwendigkeit ein mehr oder minder breites Verdrahtungsfeld VF. Im Gatterfeld GF2 sind die Verhältnisse dargestellt, wie sie typisch auftreten: Die Gatter sind häufig länger, als sie aus elektrisch-funktionellen Gründen sein müssten, weil nicht alle zur Verfügung stehenden Kontaktplätze genutzt werden können, um so die Verdrahtung innerhalb des Gatterfeldes zu erleichtern, Dies ist vorwiegend eine Folge der an der Injektorlinie bündigen Gatterlage. Der aufgrund unterschiedlicher Gatterlängen im Gatterfeld nicht genutzte Platz ist für andere Zwecke (z.B. Verdrahtungsaufgaben des Verdrahtungsfeldes VF) nicht nutzbar. Um eine Vorstellung davon zu vermitteln, wieviel Fläche durch die Kontakt-Leerplätze einschliesslich unterschiedlicher Gatterlange insgesamt verloren geht, ist das Gatterfeld GF2 im Gatterfeld GF1 erneut dargestellt, wobei im Gatterfeld GF1 nur die elektrisch notwendigen Gatterlängen benutzt werden. Es wird eine insgesamt nicht optimale Packungsdichte der Gatter deutlich, die gewöhnlich der vergleichsweise schwierigeren Verdrahtung der 1 L- bzw. I3L-Technik angelastet wird. Zweifellos entstehen durch die schwer kreuzbaren Injektorlinien und das dicht verdrahtete Gatterfeld, aus dem man zusätz- lich die logischen Signale herausführen muss, für die Verdrahtung Zwänge, die anderen LSI-Techniken nicht in dem Masse eigen sind. Auch eine Zweilagenverdrahtung löst das Problem nur zum geringen Teil. Man erreicht dann zwar die Form des Gatterfeldes GF1, darf aber nicht erwarten, dass die gegenüberliegenden Gatterfelder so ineinanderzahnen, dass die Lücken aufgrund unterschiedlicher Gatterlänge verschwinden. Sie bleiben zum grössten Teil bestehen. Die erfindungsgemässe Lösung kennzeichnet sich hauptschlich durch ein elektrisches Merkmal und durch ein geometrisches, die Anordnung der Elemente im lay-out beschreibendes Merkmal. In deren Gesamtfolge sind dann weitere vorteilhafte Ausbildungen elektrischer und geometrischer Art möglich. Die Aufgabe der lateralen Injektionstransistoren (8: Emitter - 4:Basis - 7:Kollektor) der konventionellen I2L- bzw. I3L-Strukturen nach Figur 1 ist es, die Arbeitsströme für die aufwärts verstärkenden Gattertransistoren im gesamten Gatterfeld möglichst gleichmässig pro Gatter zur Verfügung zu stellen. Es ist also im wesentlichen die Eigenschaft einer Konstantstromquelle, die in Form der Injektoranordnung in scheinbar platzsparender Weise in das Gatter einintegriert wird. Die erheblichen elektrischen Mängel dieser Stromquelle wurden beschrieben. Eine elektrisch für diese Aufgabe weitaus besser geeignete Stromquelle erhält man, wenn anstelle des gemäss Figur 1 in das Gatter einbezogenen lateralen Injektionstransistors ein vom vertikal aufwärts verstärkenden Gattertransistor elektrisch isolierter lateraler Transistor 40 als Stromquelle verwendet wird (Figur 5). Die wesentliche Folge ist, dass das Basispotential dieses vollisolierten Transistors 40 nicht mehr wie in der konventionellen 1 2L- bzw. I3L-Struktur zwangsweise auf dem Bezugspotential des Gatters liegt, sondern im Gegensatz dazu frei wählbar ist. Darin liegt auch der wesentliche Unterschied zu der im Fairchild Journal of Semiconductor Progress", Band 8, Nr. 2 angegebenen Struktur: Die örtliche Trennung von Injektorstruktur und vertikal aufwärts verstärkendem Gattertransistor ist dort bereits vollzogen, aber im Gegensatz zur erfindungsgemässen Lösung bleibt die elektrische Verbindung des Basispotentials des Injektionstransistors mit dem Gatter-Bezugspotential dort bestehen. Die elektrischen Vorteile des frei verfügbaren Basispotentials am lateralen Stromquellentransistor 40 sind anhand von Figur 4 und Figur 2 ersichtlich. In Figur ha ist das Basispotential dieses Transistors 40 zunächst nur durch eine Spannungsquelle 10 hinreichend weit über dem Bezugspotential festgelegt, so dass sich im übrigen die Betriebsweise der Stromversorgung für eine so konzipierte Gesamtschaltung nicht von der Betriebsweise der Stromversorgung konventioneller I2L- bzw. I3t-Schaltungen unterscheiden würde. Die elektrische Folge erkennt man anhand der Ausgangskennlinie des lateralen Stromquellentransistors in Figur 2. Die Arbeitspunkte für gesperrtes bzw. leitendes Gatter haben sich auf die Punkte A' bzw. B' eingestellt (gegenüber A bzw. B bei konventioneller Technik). Die Stromdifferenz zwischen den Gatter-Schaltzuständen ist vernachlässigbar klein geworden, weil der Stromquellentransistor 40 auch bei leitendem Gatter nicht mehr im Sättigungsbetrieb arbeiten muss. Damit steht die volle Stromverstärkung des vertikalen Aufwärts- transistors 80 als Gatterstromverstärkung zur Ver fügung. In konventioneller Technik wäre die Gatterstromverstärkung etwa um den Quotienten aus Strom im Arbeitspunkt A zu Strom im Arbeitspunkt B vermindert. In der erfindungsgemässen Lösung werden alle Injektor ströme konventioneller Art durch Ströme aus Stromquellen 40 der beschriebenen Art ersetzt. Da man aus Platzgründen nicht für jeden Arbeitsstrom jeweils einen elektrisch vollständig isolierten Transistor 40 zur Verfügung stellen sollte, baut man diese Stromquellen vorteilhaft mit Hilfe der bekannten Lateraltransistoren mit vielfach unterteiltem Kollektor auf, wie sie auch in Figur 6 (Felder SQ) in der Draufsicht erkennbar sind, so dass jeder Teilkollektor den Arbeitsstrom für jeweils ein Gatter zur Verfügung stellt. Die Spannungsquelle 10 in Figur 4a kann dann z.B, eine Diode 103 (Figur hd) sein, durch die der Gesamtbasisstrom des Lateraltransistors und gegebenenfalls ein oder mehrere Ströme aus Teilkollektoren fliessen. Die Diode kann in einfachster Weise aus einer Inverterstufe 101 des Gatterfeldes mit Kurzschluss zwischen Basis und Kollektor (Figur 5) bzw. mit Kurzschluss zwischen Basis und Kollektoren bestehen (siehe auch Figur 4b und 4c bzw. in vereinfachter Darstellung Figur 4d). Im Sinne der Erfindung bietet sich allerdings die weit vorteilhaftere Lösung nach Figur 4e für die Gesamtstromversorgung des Gatterfeldes an. Ein Referenz strom 1 wird entweder direkt oder wie in Figur 4e 0 über einen Stromspiegel 41 mit dem Strom eines Teilkollektors 42 des lateralen Stromquellentransistors 40 verglichen. Das Potential des Knotenpunktes 43 stellt sich dann so ein, dass der Basisstromverstärker (Transistor 44) dem lateralen Stromquellentransistor 40 gerade so viel Basisstrom zuführt, dass der Strom aus dem Teilkollektor 42 und damit auch die Ströme aus allen anderen gleichartigen Teilkollektoren gerade gleich dem Referenzstrom I ist. Gibt man dem Strom o. spiegel 41 ein von 1:1 abweichendes Übersetzungsverhältnis, dann kann auch eine Stromübersetzung zwischen dem Referenzstrom 1 und dem Strom aus dem Teil 0 kollektor 42 erzeugt werden. In einfachster Weise kann der Stromspiegel 41 wieder aus Inverterstufen des Gatterfeldes bestehen, wobei man zusätzlich das Übersetzungsverhältnis des Stromspiegels durch einen Basisstromverstärker 45 nach Figur 4f von der Stromverstärkung der Gattertransistoren abhängig machen kann. Weitere Schaltungsvarianten sind in den Figuren kg bis 4k dargestellt. Die Ausführungsbeispiele nach den Figuren 4g und Wh unterscheiden sich von denjenigen nach den Figuren 4e und 4f dadurch, dass die als Basisstromverstärker wirkenden Transistoren 44 weggelassen und jeweils durch eine Kurzschlussleitung ersetzt sind, die die Basis des lateralen Stromquellentransistors 40 mit seinem Teilkollektor 42 am Knotenpunkt 43 verbindet. Bei den Ausführungsbeispielen nach den Figuren 4i und 4k wird als Stromspiegel anstelle der in den Figuren 4e und 4f enthaltenen, aus zwei bzw. drei Transistoren bestehenden Stromspiegelschaltungen ein einziger, vertikal auf wärts verstärkender Transistor 900 mit mindestens zuei Kollektoren verwendet, wobei einer (Figur 14i) oder eine erste zusammengeschaltete Gruppe (Figur 4k) dieser Kollektoren mit der Basis dieses Transistors 900 zusammengeschaltet ist und den Eingang der Stromspiegelschaltung 41 bildet und ein weiterer Kollektor (Figur 4i) oder eine zweite zusammengeschaltete Kollektorgruppe (Figur hk) dieses Transistors 90G den Ausgang 43 der Stromspiegelschaltung 41 bildet. Der vertikal aufwärts verstärkende Transistor 900 kann dabei aus einem Gattertransistor eines Gatterfeldes GF bestehen. Durch die Verwendung elektrisch isolierter, lateraler Stromquellentransistoren 40 im Zusammenhang mit den dargestellten Referenzschaltungen wird für die Gesamtheit der Gatterfelder einer integrierten Schaltung eine hohe Gleichmässigkeit aller Arbeitsströme für die Gattertransistoren 80 erreicht, eine wesentlich bessere Gleichmässigkeit, als sie für die Arbeitsströme konventioneller 1 2L- bzw. I3L- Schaltungen erreichbar ist. Damit zusammenhängend stellt sich ein ganz wesentlicher Vorteil der Erfindung in der erheblich verbesserten Betriebs- und Störsicherheit der erfin dungsgemässen Logikschaltungen dar: In konventioneller 1 2L- bzw. 1 3L-Technik wird der Arbeitsstrom eines Gatters von seinem Injektorteil geliefert. Seine Grösse ist festgelegt durch die Basis-Emitter-Spannung des örtlichen Injektionstransistors, also durch die Spannung zwischen der metallischen Injektorverbindung (z.B. IL1 oder IL2 in Figur 3) und der das Bezugspotential führenden vergrabenen Schicht 2 (Figur 1b). Spannungsabfälle in diesen Bereichen, die indealerweise Äquipotentialbereiche sein sollten, es praktisch aber nie sind, beeinflussen exponentiell den an das Gatter gelieferten Injektorstrom. Ein Spannungsabfall von 60 mV reduziert den Injektorstrom bei Raumtemperatur auf 1/10 des Ausgangswertes. Die konvantionell zugelassenen Spannungsabfälle sind deshalb deutlich kleiner als 60 mV und ergeben auch mit den kleineren zu massigen Werten noch sehr lästige fan-out-Toleranzen für die Gatter. Logikschaltungen nach der Erfindung sind weitgehend unempfindlich gegen solche Spannungsabfälle. Die Stromquellen liefern durch ihre Konstruktion für alle Gatter unter allen praktischen Betriebsbedingungen etwa gleiche Arbeitsströme. Die Sattigungspotentiale der Stromquellen liegen von vornherein so hoch, dass die Öffnungsspannungen für die Gattertransistoren (vertikale Aufwärtstransistoren) immer erreicht werden. Auch zusätzliche Spannungs ab- fälle zwischen Stromquelle (Teilkollektor) und Basis des Gattertransistors - etwa durch verbindende n Brücken (46 in Figur 4e) oder den Basis bahnwiderstand des Gattertransistors selbst verursacht - können zugelassen werden, weil vom Kollektor des Stromquellentransistors 40 her genügend Spannungsraum zur Verfügung steht (nicht so bei konventionellem Injektor). Nimmt man andererseits für den Sperrfall an, dass das Bezugspotential eines zu sperrenden Gatters aufgrund von Spannungsabfallen auf der das Bezugspotential führenden vergrabenen Schicht 2 (Figur Ib) etwa 200 mV niedriger liegt als das Bezugspotential des weit entfernt liegenden sperrenden Gatters, dann ist die Sperrung des ersten Gatters immer noch gewahrleistet, weil ihm die restliche Ansteuerspannung (200 mV + Restspannung des sperrenden Gatters) zum Aufrechterhalten des Flusszustandes nicht ausreicht. Aufgrund dieses Vorteils ist es möglich, auch grössere Temperaturgradienten auf den Kristallen (Mischtechnik mit analogen Leistungsstufen) und rauhere Umgebungsbedingungen (Kraftfahrzeug) zuzulassen. Der Arbeitsstrom wird dem Gatter immer über seinen Basiskontakt zugeführt und wird durch ein sperrendes Gatter auch immer am Basiskontakt abgefangen, so dass das gesperrte Gatter vollständig stromlos ist. Der ständig stromliefernde Injektor konventioneller Art ist aus dem Gatter entfernt, so dass die Sperrbehinderung der injektornahen Gatterkollektoren entfällt. Das minoritätengesättigte Injektorvolumen des Gatters ist nicht mehr vorhanden, so dass die dadurch verursachte Sperrverzögerung entfällt. Die widerstandsbegrenzte (Basisbahnwiderstand) Aufladung der Diffusionskapazitäten entfällt, weil von der Stromquelle her genügend Flussspannung zur Verfügung steht. Die Zuführung des Arbeitsstromes geschieht konventionell aus der elektrisch ungünstigsten Position an der Schmalseite des langgestreckten Gatterstreifens (Figur 3). Nach der Erfindung ergibt sich für die Zuführung über den Basiskontakt B. stets eine günstigere Position (Figur 5). In Figur 6 ist ein vereinfachtes lay-out eines vierstufigen asynchronen Frequenzteilers dargestellt. Die Kontaktfenster sind durch Punkte gekennzeichnet. Die Begrenzungslinien der Gatterkollektoren (Emitterdiffusion) im Gatterstreifen und die Leiterbahnen wurden zwecks Übersichtlichkeit nicht eingezeichnet. Figur 7 zeigt das formale lay-out der Frequenzteilerstufe. Dargestellt sind hier die Gatterstreifen mit ihren Kollektoranschlüssen (x) und ihren Basisanschlüssen (o) sowie den leitenden Verbindungen aus Metall oder polykristallinem Halbleitermaterial (durchgezogene Linien) und die Brücken aus niederohmigem, diffundiertem Halbleitermaterial (gestrichelte Linien). Die aus dem Gatterfeld oben und unten herausgeführten Leiterbahnen führen je zu einem Teilkollektor der lateralen Stromquellentransistoren 40. In der Grobstruktur unterscheidet man in Figur 6 die Bereiche für laterale Stromquellentransistoren SQ Gatterfeld Verdrahtungsfeld VF, Die prinzipielle Grobstruktur der Anordnung wird zweckmässigerweise immer so aussehen, wobei in den Randbereichen der Gesamtschaltung das letzte Verdrahtungsfeld und der dahinter liegende Stromquellentransistor 40 (vom Gatterfeld aus gesehen) entfallen können. Bei sehr einfachen Schaltungen oder bei Verwendung einer Zweilagenverdrahtung kann das Verdrahtungsfeld VF zwischen Gatterfeld GF und Stromquellen SQ entfallen. Aus der Zweckmässigkeit der Anordnung entstehen folgende Merkmale: 1. Die längeren Seiten der Stromquellentransistoren 40 im Feld SQ und die längeren Seiten der Gattertran sistoren 80 im Feld GF verlaufen parallel. 2. Wenn ein Verdrahtungsfeld VF mit den charakteri sierenden Brücken 59 aus gut leitendem, diffundiertem Halbleitermaterial zwischen dem Gatterfeld GF und dem Stromquellentransistor 40 (Feld SQ) vor handen ist (das wird bei Einlagenverdrahtung mei stens der Fall sein), dann verlaufen die längeren Seiten der Brücken 59 vorwiegend paral lel zur längeren Seite des angrenzenden Strom quellentransistors 40 (Feld SQ). 3. Die Hauptrichtung der aus Metall oder pdykristal linem Halbleitermaterial bestehenden leitenden Verbindungen im Gatterfeld GF verläuft (Fig. 7) senk recht zur längeren Seite der Gattertransistoren (Hauptrichtung: Die Summe der in einer Richtung verlaufenden Leiterbahnabschnitte wird in der Hauptrichtung maximal). 4. Diejenigen Gatterfelder GF, die zwischen zwei Strom quellentransistoren (Felder SQ in Fig. 6) liegen und von beiden Stromquellentransistoren mit Arbeits strömen versorgt werden, bestehen überwiegend aus sechs bis zehn Gatterzeilen. Die Stromquellentransistoren (Feld SQ) sind elektrisch isolierte Lateraltransistoren und sind deshalb stets vollständig von Gebieten der Isolationsdiffusion 51 umschlossen. Der langgestreckte Emitter 52 des Transistors, bestehend aus Material der Basisdiffusion, liegt im allgemeinen in der Mittellinie des Transistors. Zu beiden Seiten des Emitters 52 liegt eine Vielzahl von ebenfalls aus Material der Basisdiffusion bestehenden Kollektoren 53, denen die einzelnen Arbeitsströme für das Gatterfeld GF, Treiberstufen und Referenz schaltungen entnommen werden. Für jeden Stromquellentransistor SQ muss wenigstens ein Basisanschluss 55 zur Verfügung stehen. Die elektrische Transistorbasis 54 wird von dem Epitaxiematerial zwischen dem Emitter 52 und den einzelnen Kollektoren 53 gebildet. Ihr durchgehend guter elektrischer Kontakt zum Basisanschluss 55 entscheidet über das erreichbare Gleichmass aller Kollektorströme. Spannungsabfälle zwischen den elektrischen Transistorbasen 54 und dem Basiskontakt 55 stören dieses Gleichmass. Im Stromquellentransistor 40; SQ befindet sich deshalb zweckmässigerweise unter dem gesamten Gebiet, das den Emitter, die Kollektoren und die Basisanschlüsse umfasst, eine niederohmige vergrabene Schicht 2 (Figur 5), die die Bereiche der elektrischen Transistorbasen 54 gut leitend mit den Bereichen der Basisanschlüsse verbindet. Die Basisanschlüsse selbst werden zweckmässigerweise mit Hilfe der Kollektor=Tiefdiffusion 56 (Zone 6 im Bereich 40 der Figur 55 mit der vergrabenen Schicht elektrisch verbunden. Zur Verbesserung der Kontaktgabe kann dem Basiskontakt 55 ein Gebiet ST aus Material der Emitterdiffusion 9 unterlegt werden. Mit diesen Massnahmen lässt sich der Spannungsabfall längs der Basisstrombahnen gering halten und damit ein solches Gleichmass der Kollektorströme erreichen, dass ein Gatterfeld GF ohne Risiko aus verschiedenen Stromquellentransistoren SQ versorgt werden kann. Statistische Untersuchungen von 1 2L-Schaltungen zeigen, dass die Gattertransistoren mit zwei Kollektoren und mit drei Kollektoren am häufigsten vorkommen, also Gattertransistoren, die einschliesslich Basiskontakt über drei und vier Anschlussplätze (Kontaktfenster) verfügen. Man baut das Gatterfeld GF deshalb zweckmässigerweise in erster Grobstruktur aus Spalten senkrecht zur Längsrichtung der Stromquellentransistoren SQ auf, deren Breite abwechselnd für drei und vier Kontaktplätze bemessen ist, wobei der Platz für die zwischen den Gattern liegende (abschirmende) Kollektor-Tiefdiffusion 58 (Zone 6 im 1 2L-Teil der Figuren la und lb) zu berücksichtigen ist. Schaltung und lay-out-Erfordernisse zwingen dann dazu, dieses starre Schema zu durchbrechen: Es müssen Gatter mit abweichender Zahl von Kollektorplätzen eingefügt werden, und es passt die starre Spaltenbildung fast nie in die Überlegungen eines sinnvollen lay-out. Daraus resultiert letztlich die in Figur 6 am praktischen Beispiel gezeigte Struktur des Gatterfeldes GF mit den ineinanderzahnenden Gattertransistoren. Man erkennt aber in der Mitte des Gatterfeldes GF auch noch die ursprüngliche Spaltenstruktur. Obwohl sich Leerplätze zwischen den Gattern nicht vermeiden lassen, ist die Packungsdichte solcher Gatterfelder deutlich höher als in konventionellen I2L- bzw. I3L-Gatterfeldern gemäss Figur 3. Das in Figur 6 dargestellte Gatterfeld GF belegt die Fläche für 112 Kontaktplätze, die gleiche Schaltung würde konventionell (ohne In jektorplätze) die Flache für ca. 130 Kontaktplätze belegen. Der Grund besteht darin, dass die Gatter nicht länger als elektrisch notwendig sind und dass Leerplatze aus unterschiedlichen Gatterlängen durch Ineinanderschachteln zum grösseren Teil genutzt werden können. Die Verdrahtung im Gatterfeld ist für gatterkreuzende Leiterbahnen nur über einen Kontaktplatz des Gatters möglich (konventionell genauso), für gatterpassierende Leiterbahnen steht die Lücke zwischen den Gattern zur Verfügung. Hier können sowohl senkrecht als auch waagerecht zwei Leiterbahnen parallel geführt werden. Das ist konventionell im Prinzip auch möglich, nur kann man dort wegen der andersartigen Gatteranordnung so gut wie keinen Gebrauch von zwei parallelen Leiterbahnen zwischen den Gattern machen. In der erfindungsgemässen Anordnung der Gatter kann man diese Verdrahtung möglichkeiten nutzen. Das gibt dem lay-out erfahrungsgemäss mehr als nur die Freiheit, die zum Anbringen der zusätzlichen Leiterbahnen für die Arbeitsströme aus Stromquellentransistoren nötig ist. Der Verdrahtungsraum reicht aus, um bis zu zehn Gatterzeilen zwischen zwei Stromquellentransistoren anordnen zu können. Das bedeutet, dass ein D-Flip-Flop mit sechs bis neun Gattern (als wichtigste Grosszelle) in einer Spalte zwischen zwei Stromquellentransistoren angeordnet werden kann. Die Verdrahtungsfelder VF liegen zwischen dem Gatterfeld GF und dem Stromquellentransistor bzw. den Stromquellentransistoren. Über die Verdrahtungsfelder VF hinweg müssen sämtliche Arbeitsströme in das Gatterfeld GF geführt werden. Das bedeutet aber, dass alle logischen Signale in den Verdrahtungsfeldern VF zur Verfügung stehen, denn die Potentiale der Arbeits strom-Leiterbahnen sind die logischen Signale. Damit ist die Aufgabe der Verdrahtungsfelder gegeben: Auskoppeln logischer Signale und Kreuzen von Signalleitungen, wenn sich dies in der Verdrahtung des Gatterfeldes nicht erreichen lässt. Die Leiterbahnen des Verdrahtungsfeldes VF sind bei einlagiger Verdrahtung die Brücken 59 aus Material der Emitterdiffusion. Sie liegen in einem entgegengesetzt dotierten Gebiet 60 aus Material der Basisdiffusion, das zur elektrischen Kontaktierung mit dem Gebiet 51 überlappt, welches den Stromquellentransistor SQ umrandet. Der Gesamtflächenaufwand für die erfindungsgemässe Lösung ist zunächst belastet durch die zusätzlichen, vollisolierten Stromquellentransistoren SQ. Der Wegfall der Injektoren in den Gatterfeldern kompensiert diesen Zusatzaufwand nur teilweise. Die zweckvollere Anordnung des Gatterfeldes und damit untrennbar verbunden die Systematisierung des Verdrahtungsproblems und die hierfür grössere Freiheit im Gatterfeld ergeben insgesamt einen Flädhenvorteil für Schaltungen, die mehr als etwa 80 Gatter enthalten. Die Erfindung ist nicht auf die anhand der Zeichnung beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Insbesondere sind auch die inversen Strukturen und Schaltungen denkbar, bei denen die p-leitenden Zonen durch n-leitende Zonen ersetzt sind und umgekehrt.

Claims: Ansprüche 1. Bipolar integrierte Inverstransistorlogik mit mindestens einem vertikal aufwärts verstärkenden Gattertransistor (80; 801, 802, ...) und mindestens einem von diesem räumlich getrennten lateralen Stromquellentransistor (40), der einen zum Gattertransistor (80; 801, 802, ..) entgegengesetzten Leitungstyp und mindestens einen Kollektor hat, der an die Basis des Gattertransistors (80; 801, 802, ...) angeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, dass der laterale Stromquellentransistor (40) innerhalb des Halbleiterkristalles elektrisch isoliert gegen den Gattertransistor (80; 801, 802, ...) untergebracht ist (Figur 5). 2. Inverstransistorlogik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Basispotential des lateralen Stromquellentransistors (40) gegenüber dem als Gatter Bezugspotential dienenden Emitterpotential des Gattertransistors (80; 801, 802, ...) derart veränderbar ist, dass die volle Stromverstärkung des Gattertransistors (80; 801, 802, ...) als Gatterstromverstärkung zur Verfügung steht (Figur 4a bis kk; Figur 5). 3. Inverstransitorlogik nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass zur Einstellung eines vom Emitterpotential des Gattertransistors (80; 801, 802, ...) abweichenden Basispotentials des lateralen Stromquellentransistors (40) eine in Flussrichtung betriebene Diode (101, 102, 103) verwendet ist (Figur 4b, 4c, 4d). 4. Inverstransistorlogik nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Diode (103) ein Transistor (101) mit Kurzschluss zwischen Basis und Kollektor ist (Figur 4b, 5). 5. Inverstransistorlogik nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass der laterale Stromquellentransistor (40) mindestens einen weiteren, nicht mit der Basis eines als Gatter arbeitenden Gattertransistors (8o1, 802) verbundenen Kollektor hat, der an die Anode der Diode (102, 103) angeschlossen ist (Figur 4c, 4d). 6. Inverstransistorlogik nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der laterale Stromquellentransistor (40) einen weiteren, nicht mit der Basis eines als Gatter arbeitenden Gattertransistors (801, 802) verbundenen Kollektor (42) hat, der an den Ausgang (43) einer Stromspiegelschaltung (41) angeschlossen ist, deren Eingang ein Referenzstrom (I ) zugeführt ist, wobei der weitere Kollektor (42) des lateralen Stromquellentransistors (40) ausserdem mit der Basis dieses Transistors (40) verbunden ist (Figur 4e, 4f, kg, 4h, 4i, 4k). 7. Inverstransistorlogik nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der weitere Kollektor (42) des lateralen Stromquellentransistors (40) mit dessen Basis kurzgeschlossen ist (Figur 4g, Ih, 4i, 4k). 8. Inverstransistorlogik nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass zur Verbindung des weiteren Kollektors (142) des lateralen Stromquellentransistors (40) mit dessen Basis ein als Basisstromverstärker wirkender Transistor (44) vom gleichen Leitungstyp wie der laterale Stromquellentransistor (40) vorgesehen ist, dessen Emitter an die Basis des lateralen Stromquellentransistors (40) und dessen Basis an den weiteren Kollektor (42) des lateralen Stromquellentransistors (40) angeschlossen ist und dessen Kollektor auf dem als Gatter-Bezugspotential dienenden Emitterpotential des Gattertransistors (801, 802) liegt (Figur 4e, 4f). 9. Inverstransistorlogik nach einem der Anspruche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Stromspiegelschaltung (41) zwei Transistoren (90, 91) vom gleichen Leitungstyp wie der Gattertransistor (801, 802) enthalt, wobei der Kollektor des ersten (90) dieser beiden Transistoren (90, 91) den Eingang der Stromspiegelschaltung (41) und der Kollektor des zweiten (91) dieser beiden Transistoren (90, 91) den Ausgang (43) der Stromspiegelschaltung (41) bildet, die Emitter dieser beiden Transistoren (90, 91) auf dem als Gatter Bezugspotential dienenden Emitterpotential des Gattertransistors (801, 802) liegen und die Basen der beiden Transistoren (90, 91) aneinander angeschlossen und mit dem Kollektor des ersten (90) dieser beiden Transistoren (90, 91) verbunden sind (Figur 4e, 4f). 10. Inverstransistorlogik nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Basen der beiden Transistoren (90, 91) mit dem Kollektor des ersten (90) dieser beiden Transistoren (90, 91) kurzgeschlossen sind (Figur 4e). 11. Inverstransistorlogik nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass zur Verbindung der Basen der beiden Transistoren (90, 91) mit dem Kollektor des ersten (90) dieser beiden Transistoren (90, 91) ein als Basisstromverstärker wirkender dritter Transistor (45) vom gleichen Leitungstyp wie der Gattertransistor (801, 802) vorgesehen ist, der mit seinem Emitter an die Basen des ersten (90) und des zweiten (91) Transistors der Stromspiegelschaltung (41) angeschlossen ist, mit seiner Basis an den Kollektor des ersten Transistors (90) und mit seinem Kollektor an den Kollektor des zweiten Transistors (91) angeschlossen ist (Figur 4f). 12, Inverstransistorlogik nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Stromspiegelschaltung (41) aus einem einzigen Transistor (900) vom gleichen Leitungstyp wie der Gattertransistor (801, 802) mit mindestens zwei Kollektoren besteht, wobei einer oder eine erste zusammengeschaltete Gruppe dieser Kollektoren mit der Basis dieses Transistors (900) zusammengeschaltet ist und den Eingang der Stromspiegelschaltung (41) bildet und ein weiterer Kollektor oder eine zweite zusammengeschaltete Kollektorgruppe dieses Transistors (900) den Ausgang (43) der Stromspiegelschaltung (41) bildet und wobei ferner der Emitter dieses einzigen die Stromspiegelschaltung (41) bildenden Transistors (900) auf dem als Gatter-Bezugspotential dienenden Emitterpotential des Gattertransistors (801, 802) liegt (Figur 4i, kk). 13. Inverstransistorlogik nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass der erste (90) und der zweite (91) bzw. der einzige (900) Transistor der Stromspiegelschaltung (41)- als vertikal aufwärts verstärkender Transistor ausgebildet ist. 14. Inverstransistorlogik nach einem der Ansprüche 1 bis 13 mit einer Vielzahl vertikal aufwärts ver stärkender Gattertransistoren (80; 801, 802, ...), die jeweils mit einem aus einem lateralen Stromquellentransistor (40) stammenden Arbeitsstrom versorgt werden, dadurch gekennzeichnet, dass zur Bereitstellung dieser Arbeitsströme Vielkollektor Stromquellentransistoren (40) verwendet werden, wobei jeder Kollektor oder die Mehrzahl der Kollektoren dieser Vielkollektor-Stromquellentransistoren (40) je einzeln zur Bereitstellung des Arbeitsstromes für einen einzigen vertikal aufwärts verstärkenden Gattertransistor (80; 801, 802, ...) dient. 15. Inverstransistorlogik nach Anspruch 1h, dadurch gekennzeichnet, dass für die Gattertransistoren (80; 801, 802, ..#) und für die Vielkollektor-Stromquellen- transistoren (40) jeweils getrennte Felder (GF, SQ) vorgesehen sind, wobei die Verdrahtung der Ges am schaltung durch auf dem Halbleiterkristall verlaufende, gegen diesen isolierte Leiterbahnen aus Metall und/ oder aus polykristallinem Halbleitermaterial und/oder durch im Halbleiterkristall verlaufende Brücken (59) aus niederohmigem, diffundiertem Halbleitermaterial gebildet wird. 16. Inverstransistorlogik nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass in einem Vielkollektor Stromquellentransistorfeld (SQ) ein einziger Vielkollektor-Stromquellentransistor (40) untergebracht ist. 17. Inverstransistorlogik nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass für die im Halbleiterkristall verlaufenden Verdrahtungsbrücken (59) aus niederohmigem, diffundiertem Halbleitermaterial besondere, als Verdrahtungsfelder (VF) dienende Felder vorgesehen sind. 18. Inventransistorlogik nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass das Vielkollektor-Stromquellentransistorfeld (SQ) einen langgestreckten, schmalen Streifen bildet, das der Emitter (52) des Vielkollektor-Stromquellentransistors (40) sich in Längsrichtung dieses Streifens erstreckt und dass die Kollektoren (53) entlang diesem Emitterstreifen (52) in gleichen Abständen zueinander angeordnet sind. 19. Inverstransistorlogik nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Kollektoren (53) an einer der beiden Längs seiten des Emitterstreifens (52) angeordnet sind. 20. Inverstransistorlogik nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Kollektoren (53) an beiden Längsseiten des Emitterstreifens (52) angeordnet sind. 21. Inverstransistorlogik nach einem der Ansprüche 15 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass die vertikal aufwärts verstärkenden Gattertransistoren (80; 801, 802, ...) im Gatterfeld (GF) in der Draufsicht rechteckförmige Gebilde sind, in denen die äusseren Anschlüsse (Bi > C2, C3, C...) parallel zur längeren 3, Seite des Rechtecks angeordnet sind. 22. Inverstransistorlogik nach den Ansprüchen 114, 15, 16, 18, 21 und nach einem der Ansprüche 19 und 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Längsseiten der Viel kollektor-Stromquellentrans istorfelder (SQ) und die längeren Seiten der Gattertransistoren (80; 801, 802, ...) in den Gatterfeldern (GF) parallel verlaufen. 23. Inverstransistorlogik nach den Ansprüchen 15 und 17, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen einem Gatterfeld (GF) und einem Vielkollektor-Stromquellentransistorfeld (SQ) ein Verdrahtungsfeld (VF) angeordnet ist. 24. Inverstransistorlogik nach den Ansprüchen 15 bis 18 und 23, dadurch gekennzeichnet, dass die im Verdrahtungsfeld (VF) verlaufenden Brücken (59) aus niederohmigem, diffundiertem Halbleitermaterial überwiegend parallel zu dem langgestreckten schmalen Streifen des Vielkollektor-Stromquellentransistorfeldes (SQ) verlaufen. 25. Inverstransistorlogik nach den Ansprüchen 15 und 21, dadurch gekennzeichnet, dass die auf dem Halbleiterkristall verlaufenden, gegen diesen isolierten Leiterbahnen aus Metall und/oder polykristallinem Halbleitermaterial im Gatterfeld (GF) überwiegend senkrecht zur längeren Seite der Gattertransistoren (80; 801, 802, ...) verlaufen. 26. Inverstransistorlogik nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen zwei Vielkollektor-Stromquellentransistorfeldern (SQ) ein einziges Gatterfeld (GF) angeordnet ist und von diesen beiden Vielkollektor-Stromtransistorfeldern (SQ) mit Arbeitsströmen versorgt wird. 27. Inverstransistorlogik nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass' das Gatterfeld (GF) sechs bis zehn Gatterzeilen enthalt. 28. Inverstransistorlogik nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass die Breite des Gatterfeldes (GF) so bemessen ist, dass eine durch sieben teilbare Anzahl belegbarer Plätze für Kollektorkontakte (Ci) und Basiskontakte (Bi) der Gattertransistoren (80) pro Gatterzeile vorhanden ist. 29. Inverstransistorlogik nach Anspruch 4 und nach mindestens einem der Ansprüche 15 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass als Transistor (101) mit kurzgeschlossener Basis-Kollektor-Strecke ein Gattertransistor (80) eines Gatterfeldes (GF) verwendet wird (Figur 5). 30. Inverstransistorlogik nach einem der Ansprüche 9 bis 11, nach Anspruch 13 und nach mindestens einem der Ansprüche 15 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass für den ersten (90) und den zweiten (91) vertikal aufwärts verstärkenden Transistor der Stromspiegelschaltung (41) Gattertransistoren (80) eines Gatterfeldes (GF) verwendet werden. 31. Inverstransistorlogik nach den Ansprüchen 12 und 13 und nach mindestens einem der Ansprüche 15 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass für den die Stromspiegelschaltung (41) bildeAeu einzigen vertikal aufwärts verstärkenden Transistor (900) ein Gattertransistor (80) eines Gatterfeldes (GF) verwendet wird.

Inventors: CONZELMANN, GERHARD, DIPL.-PHYS., FLEISCHER, ULRICH, DR. DIPL.-ING.
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH
Application year: 1982
Main classification: H01L27
IPC codes: H01L27, H03K19