TRANSFERRED ELECTRON DEVICE OPERATING IN THE MICROWAVE DOMAIN

Abstract: 1. Electron transfer device forming a diode operating in the microwave range and the semiconductor body of which comprises, deposited on a monocrystalline substrate (16) covered by an epitaxial buffer layer (15), a first active layer (13) and a second layer (12) deposited on the active layer (13) as well as two metallizations, the first (17) for the anodic contact on the substrate (16) and the second (11) for the cathodic contact on the second layer (12), this device being characterized in that the body is of a semiconductor material of the group III-V, the substrate (16), the buffer layer (15) and the second layer (12) being N**+ -doped, and the first active layer (13) being N-doped, and in that, in order to limit the current and to increase the electric field in the region of cathodic contact, insulating zones (14) rendered amorphous are formed beneath the cathode metallization (11) within the second layer (12) in order to modify the transparency ratio of the cathode, which is defined as the ratio between the conductive crystalline surface and the total surface at the cathode metallization (11).

Description: DISPOSITIF A TRANSFERT D'ELECTRONS FONCTIONNANT DANS LE DOMAINE DES HYPERFREQUENCES L'invention concerne une diode à transfert d'électrons, et plus exactement une nouvelle structure de cathode pour ce type de diode, appelée plus couramment diode Gunn. L'objet de cette nouvelle cathode est d'augmenter la puissance utile de la diode, dans le domaine des hyperfréquences. Les diodes Gunn sont des composants hyperfréquences de génération ou d'amplification dont le fonctionnement repose sur un mécanisme de résistance négative de volume, inhérent à certains composés de la famille III-V, en particulier GaAs et InP, entre autres. Selon l'essentiel de ce mécanisme de résistance négative, la bande de conduction des composés III-V tels que le GaAs ou l'InP comporte deux vallées, parfois trois, mais on se limitera au modèle plus simple de deux vallées: la vallée principale dans laquelle les électrons sont très mobiles (lu > 5000 cm2/V/s pour une concentration de dopage Nd X 1015 cl 3) et la vallée secondaire dans laquelle la mobilité est environ 20 fois plus faible. Le minimum secondaire est situé, dans l'échelle des énergies, à quelques dixièmes d'électrons-volts (0,35 eV pour le GaAs, 0,5 eV pour l'InP) audessus du minimum principal. Il en résulte que si l'on applique un champ électrique à un barreau de GaAs muni de deux contacts ohmiques, la mobilité apparente sera fonction de la valeur de ce champ électrique. Pour un champ faible, les électrons sont presque tous dans la vallée principale et la mobilité moyenne est grande. Si l'on augmente le champ, l'énergie cinétique moyenne des électrons augmente, donc la population de la vallée secondaire augmente au détriment de la vallée principale, d'où une diminution de la mobilité moyenne. Lorsque le champ atteint une valeur dite critique EC de l'ordre de 3500 V/cm (10 000 V/cm pour l'Inp), ce transfert entre vallées devient suffisamment notable pour que la mobilité différentielle soit négative (lud = ddV < 0). Dans ces conditions, il est possible, si les paramètres physiques sont choisis convenablement (dopage, longueur, etc ...) d'obtenir aux bornes du barreau une résistance négative dans un domaine de fréquence plus ou moins étendu englobant la fréquence de transit. C'est ce mécanisme qui est mis en oeuvre dans les diodes à transfert d'électrons. Il est remarquable qu'il s'agit d'un effet de volume, c'est-à-dire associe à un certain type de matériau de composition homogène, par oppositIon à d'autres effets de résistance négative -diode Tunnel, diode à avalanche- qui sonts associés à des structures composites beaucoup plus élaborées. Cependant, malgré la grande simplicité de la structure, l'effet Gunn est un mécanisme très complexe. D'autre part, même pour un matériau parfaitement homogène, la densité statique des électrons n'est pas uniforme dans la direction du champ électrique, l'allure particulière de ce profil de densité étant fonction des conditions aux limites à la cathode et de la valeur du champ appliqué. D'autre part, si le champ est supérieur au champ critique EC une inhomogénéité de charge électronique tend à croître dans le temps. a d étant la conductivité différentielle, E la constante diélectrique du milieu, le taux de croissance I a dl i s est lié à la relaxation diélectrique, qui correspond à un amortissement négatif puisque a d < 0, tout en se propageant de la cathode vers l'anode à la vitesse moyenne des porteurs. Il s'agit donc d'une instabilité convective dont les caractéristiques dépendent non seulement des propriétés physiques du matériau, mais aussi, d'une manière très critique, des conditions initiales, c'est-à-dire des conditions d'injection à la cathode. On a proposé jusqu'à présent deux structures de cathode pour réaliser un contact qui contrôle les conditions d'injection. La première solution paraît simple, puisqu'il s'agit d'un contact Schottky, mais en fait, pour que ce contact Schottky limite convenablement le courant, il est nécessaire que ce soit un contact à faible barrière, sur matériau N+, et la reproductibilité de tels contacts est mauvaise. La seconde solution consiste à intercaler dans la couche active de la diode une mince couche de dopage élevé, qui permet d'accentuer la valeur du champ électrique dans la région cathodique par rapport au champ dans la région de transit, favorisant ainsi l'injection d'électrons chauds. Il s'agit là d'une structure assez élaborée, puisque la couche active de la diode est composée de trois régions, et la réalisation en est plus difficile et moins reproductible qu'une structure simple. La solution apportée par la cathode selon l'invention est au contraire à la fois simple de réalisation, et efficace dans ses effets. Elle constitue une modification d'une diode Gunn classique, comportant, sur un sub#zrat a. monocristallin recouvert d'une couche tampon N+ épitaxiée destinée à lisser la surface du substrat, une couche active N et une couche N+ destinée à favoriser la formation d'un contact ohmique métallique de cathode. Le contact d'anode est pris par une métallisation sur le substrat. Selon l'invention, le rapport de transparence de la cathode est modifié par amorphisation d'une partie de la couche N+, sur toute son épaisseur avec un léger empiètement sur la couche N sous-jacente. Le rapport de transparence est modifié en fonction du rapport de la surface cristalline à la surface totale, et la partie amorphisée se présente sous forme de bandes ou de plots disposés selon une grille, obtenus par bombardement de protons. De façon plus précise, l'invention consiste en un dispositif à transfert d'électrons, fonctionnant dans le domaine des hyperfréquences dont le corps semiconducteur comprend, déposées sur un substrat monocristallin (16) recouvert d'une couche tampon épitaxiée (15), une première couche active (13) et une deuxième couche (12) déposée sur la couche active (13), le substrat (16) et les trois couches susjacentes tel5, 13, 12) étant de même type de conductivité, ce dispositif comprenant en outre deux métallisations, la première (17) pour le contact anodique sur le substrat (16) et la seconde (11) pour le contact cathodique sur la deuxième couche (12), et étant caractérisé en ce que, en vue de limiter le courant et de renforcer le champ électrique dans la région du contact cathodique, des zones isolantes amorphisées (14), sous la métallisation (11) de cathode, sont réalisées dans la deuxième couche (12) afin de modifier le rapport de transparence de la cathode, celuïci étant le rapport entre la s#urface cristalline conductrice et la surface totale, au niveau de la métallisation (Il) de cathode. L'invention sera mieux comprise par la description qui suit, laquelle s'appuie sur les figures jointes qui représentent figure 1 : courbe représentant la vitesse des électrons en fonction du champ, dans une diode à transfert d'électrons selon l'art connu; figure 2 : les caractéristiques d'un contact cathodique, selon l'art connu; figure 3 : profil de concentration, dans une diode à plusieurs zones, selon l'art connu figure 4 : mécanisme de fonctionnement de la cathode selon l'inven tion; figure 5 : vue en coupe d'une diode à transfert d'électrons, munie d'une cathode selon l'invention; figure 6 : caractéristiques du contact cathodique selon l'invention; figure 7 : caractéristiques du contact cathodique selon l'invention, pour différents rapports de transparence. L'exposé de l'invention sera plus facilement compris par le rappel préliminaire des conditions d'injection des électrons dans les diodes Gunn. La figure 1 donne la courbe de la vitesse des électrons en fonction du champ électrique, conformément à ce qui a été exposé précédemment, pour une diode en GaAs dopé à Nd = 1il5 elle3 et munie de contacts ohmiques. Le champ étant exprimé en kilovolts par centimètre, on voit sur cette courbe que la vitesse des électrons, en centimètres par seconde, passe par un maximum situé vers 3500 V/cm pour GaAs. Pour des valeurs du champ inférieures à ce maximum, les électrons se trouvent dans la vallée principale de la bande de conduction, ils sont très mobiles. Pour des valeurs supérieures, les électrons se trouvent dans la vallée secondaire de la bande de conduction et ils sont moins mobiles. La région de la courbe dans laquelle la vitesse décroît lorsque le champ croît présente une résistance négative en volume: c'est le domaine de fonctionnement des diodes à transfert d'électrons. La figure 1 est relative à un type de contact ohmique, qui est dit injectant. Il existe d'autres types de contacts cathodiques. Lorsqu'une diode Gunn est couplée à un circuit pour constituer un oscillateur, plusieurs modes de fonctionnement plus ou moins performants sont possibles suivant la nature du contact cathodique et les paramètres physiques de la diode. Une amélioration très notable de la puissance HF et du rendement d'un oscillateur a été obtenue dans le cas de I'InP par une conception appropriée de la région cathodique. On connaît deux classes de contacts cathodiques: les contacts injectants et les contacts limitants. Le contact injectant apporte un excès de densité électronique par rapport à la densité de donneurs. Le contact ohmique ou la Joncs an sT+s! en sont des exemples typiques. Leurs propriétés sont les suivantes a) La densité électronique n > > Nd au niveau de la cathode et n > Nd dans toute la couche, Nd étant la concentration de dopage. Il y a environ mille fois plus d'électrons, à proximité de la cathode que dans la couche active de la diode. b) Il en résulte que le champ E 0 à la cathode et croît dans toute la couche pour différentes valeurs du courant. La croissance de E(x), c'est-à-dire le champ au point d'abscisse x à partir de la cathode, V est modérée si le champ moyen appliqué E = T est inférieur au champ critique EC; elle devient forte pour E = > EC en particulier au voisinage de l'anode. Ce profil de champ est défavorable parce qu'il implique l'existence au voisinage de la cathode d'une zone "morte": - il existe devant la cathode une région de longueur non négli geable dans laquelle E# < Ec. Cette région est donc dissipative. Le poids de ces pertes à haute fréquence est d'autant plus lourd que la longueur totale de la couche active est plus petite, c'est-à-dire que la fréquence est plus élevée. A 100 GHz, la longueur de cette région dissipative est compara ble à la longueur de la région utile. - de plus, le champ moyen dans la région cathodique étant faible par rapport au champ critique EC, les électrons abordent la région utile où E > EC avec une énergie trop faible pour que le transfert dans la vallée secondaire puisse être considéré comme instantané par rapport au temps de transit, ce qui allonge encore l'étendue de la zone morte. - le champ dans la région anodique peut atteindre le seuil d'ionisation d'où un risque de destruction de la diode. Même Si ce seuil n'est pas atteint, la forte valeur du champ se traduit par un surcroît inutile de puissance appliquée. c) les conditions aux limites associées au champ électrique à un contact ohmique conduisent à des instabilités caractérisées par la propagation et la croissance de couches d'accumulation. Le profil de champ associé à ce mode d'oscillation est défavorable: par rapport à la couche d'accumulation, le champ est plus grand du côté aval -donc du côté anode- que du côté amont, et cet écart s'accentue au fur et à mesure que la couche d'accumulation progresse vers l'anode. Ainsi se trouve aggravé le risque de destruction de la diode par claquage au niveau de l'anode. Le contact limitant conduit à un défaut de densité électronique par rapport à la densité de donneurs. Ses caractéristiques sont les suivantes a) La densité électronique n < Nd dans toute la couche. Elle croît de la cathode vers l'anode pour tendre vers Nd si la région de transit est assez longue. b) Il en résulte que le champ E décroît de la cathode vers l'anode. c) Un contact limitant peut être bloquant, c'est-a-dire qu'il reste limitant pour toute valeur de champ. Il peut être limitant à bas champ et injectant à haut champ en croisant la caractéristique neutre. Au point de croisement, le champ devient constant dans toute la couche. d) Un contact limitant évite la formation de couches d'accumulation avec les inconvénients mentionnés précédemment. e) Le champ étant maximum à la cathode, la zone morte est très étroite, ce qui a permis d'obtenir d'excellentes performances de puissance et rendement dans le cas d'oscillateurs Gunn en InP. La figure 2 représente les caractéristiques d'un contact cathodique, et donne les différentes courbes de densité de courant J en fonction du champ E, pour les contacts injectants, et les contacts limitants. Le champ E étant donné en abscisses, et la densité J = Ndqv(E) en ordonnées, la courbe repérée 1 correspond à une caractéristique neutre. La courbe 2, telle qu'elle ne recoupe pas la courbe 1 de caractéristique neutre pour toute valeur du champ, et lui est inférieure, conduit à un contact limitant bloquant. Au contraire, la courbe 3 est d'ordonnée toujours supérieure à la courbe 1; quel que soit le champ: elle correspond à un contact injectant. Enfin, la courbe 4 recoupe la courbe 1 en un point X correspondant à un champ Ex: si le champ E > Ex, le contact est injectant et si E < Ex le contact est limitant. On a proposé jusqu à présent deux conceptions technologiques pour réaliser un contact limitant. Le contact Schottky utilise une barrière très faible de 0,15 à 0,25 eV. L'inconvénient de ce contact est que si l'injection se fait par émission thermo-ionique, elle est très sensible à la température, ce qui est gênant pour des composants utilisés dans des équipements militaires et spatiaux. On peut remédier à cette situation en utilisant un contact Schottky sur matériau N+, ce qui donne une injection tunnel peu sensible à la température, mais risque par contre de conduire à une limitation insuffisante du courant. En outre, la reproductibilité des contacts Schottky de faible barrière est médiocre. La cathode à une ou deux zones: il s'agit d'un contact ohmique ou Schottky faible barrière, sur une région dopée N-, suivie par une seconde région, peu épaisse mais très dopée. La première région conduit à une limitation de courant, le pic de dopage de la seconde région permet d'accentuer la valeur du champ dans la région cathodique par rapport au champ dans la région de transit, favorisant ainsi l'injection d'électrons chauds. Ce type de cathode a été expérimenté sur InP, où la zone morte est plus étendue que dans le cas du GaAs. Il permet des conditions de fonctionnement beaucoup moins sensibles à la température que le contact Schottky tout en offrant une limitation en courant. Cependant, il s'agit d'une structure très élaborée dont la réalisation est difficile et probablement peu reproductible. La figure 3 représente le profil de concentration d'une telle diode connue, à plusieurs zones. La concentration de dopage Nd étant portée en ordonnées, les abscisses représentent des distances: on a ainsi une coupe d'une diode, la cathode étant la région 5, l'anode la région 6 et les différentes couches de la diode dans la partie centrale 7. Dans celle-ci, la région 8 est celle qui, dopée N, conduit à une limitation de courant, et la région 9, par son pic de dopage, accentue le champ dans la région 8, supprime le fonctionnement dissipatif, et injecte des électrons chauds dans la couche active 10 de la diode. La représentation des niveaux de dopage dans les régions 5 et 6 correspond aux couches N situées sous les métallisations de prises de contact, cathode et anode. La figure 4 représente un fragment de la cathode selon l'invention, et permettra d'en expliquer le mécanisme de l'invention. Cette figure 4 est limitée aux deux premières couches de la diode: celles qui ne sont pas nécessaires à la compréhension ne sont pas représentées. La structure cathodique comprend, à partir de la métallisation 1 1 de prise de contact, une couche 12 de dopage N+ et une couche 13 de dopage N. Des zones isolantes 14 amorphisées, réalisées par des techniques qui seront décrites ultérieurement, sont délimitées en surface de la cathode, de manière à diminuer la section offerte au courant: on appelle rapport de transparence le rapport de la surface cristalline restante de la couche 12 sur la surface totale du contact cathodique. Sur la figure a épaisseur des zones isolantes 14 dépasse légèrement celle de la couche N+ 12, qui est de l'ordre de 0,5 1u à 1lu. Cependant, appartiennent au domaine de l'invention les cas où I'épaisseur des zones isolantes est égale ou inférieure à l'épaisseur de la couche N+ 12. On divise ainsi l'espace de la diode en deux régions, la région I dans laquelle la section offerte du courant est SI, et la région ll de section plus grande. Soient C1 et C2 deux plans proches et situés de part et d'autre du plan de séparation des régions I et Il: ils ont donc des sections S1 et respectivement. Cette structure possède des caractéristiques d'injection comparables à celles de la cathode à deux zones. Soient E1, I1 et E2, I2 les champs et les courants dans les plans C1 et C2. La continuité de courant impose: I1 = I2 D'autre part, si les plans Cl et C2 sont suffisamment rapprochés, le théorème de Gauss donne: E1S1 S E3S, En effet, le plan C1 étant placé légèrement au-delà de la couche N+ et le contact N+ étant injectant, on a en C1: > Nd. D'autre part, le rapport des sections S2/Sl est choisi suffisamment grand pour qu'au niveau du plan C2 il y ait limitation de courant, donc n < Nd. On peut donc choisir C1 et C2 de telle sorte que la charge totale contenue dans le volume ainsi délimité soit nulle. Bien entendu ce mécanisme n'est valable que pour un courant donné, mais une diode Cunn fonctionne avec un courant de polarisation pratiquement fixe. La figure 5 représente une vue en coupe d'une diode à transfert d'électrons munie d'une cathode selon l'invention. La structure de base est classique: sur un substrat 16, monocristallin, en enGaAs ou InP ou tout autre matériau de même genre, du groupe III-V, est déposée une couche tampon 15, épitaxiée, de type N+ et du même matériau que le substrat 16. La fonction de la couche tampon 15 est d'atténuer les défauts de surface du substrat, tels que rayures de polissage. Puis une couche active 13, de type N, est épitaxiée sur la couche tampon 15, et enfin une couche superficielle 12, de type N+, ces deux dernières couches étant elles aussi en GaAs ou InP. Deux métallisations de prise de contact complètent la diode, une métallisation 17 sur le substrat pour l'anode, et une métallisation Il pour la cathode. Ce qui fait l'une des originalités de la diode selon l'invention est que, avant de déposer la métallisation Il de cathode, une partie de la couche superficielle 12 est amorphisée, sur une profondeur supérieure à l'épaisseur de la couche superficielle 12, de telle façon que les zones isolantes amorphisées 14 ainsi formées pénètrent dans la couche active 13. Les zones amorphisées 14 peuvent être de géométries telles que des bandes, parallèles ou non, des anneaux, concentriques ou non, ou des plots disposés en grille ou en damier: l'important est de modifier le rapport de transparence de la cathode, afin de limiter le courant dans cette région cathodique, et de renforcer le champ pour produire des électrons chauds. A titre purement indicatif, pour une largeur de maille de 2,5 1u de la grille amorphisée, une bande ou plot 14 a une largeur de 0,7 /u. Les zones isolantes 14 peuvent être réalisées par différentes techniques dont l'implantation ionique ou la croissance épitaxiale par jets moléculaires sur des surfaces amorphes. La technique d'implantation ionique consiste à amorphiser le matériau semiconducteur, par implantation de protons ou d'ions tels que H+, 0+, etc sous 80 keV et 4.1014 coulombs/cm2. La délimitation des zones implantées se fait par photolithographie. Pour délimiter les zones isolantes 14 par épitaxie par jets moléculaires, on réalise d'abord la structure substrat Nf - tampon N couche active N. Puis on dépose sur les parties appropriées une couche mince de matériau amorphe tel que Si02, ou on oxyde légèrement la surface du semiconducteur. On dépose ensuite par épitaxie par jets moléculaires les couches N+13 et N+12 nécessaires à la constitution complète de la structure de la diode. Sur les parties où existe le matériau amorphe, le dépôt est irrégulier et isolant, tandis qu'ailleurs les couches ont les propriétés N ou désirées. La figure 6 donne un exemple des caractéristiques d'une diode selon l'invention, pour un rapport d'homothétie S1/S32 = 0,6, les autres variables de la diode étant Nd = 2.10 e/cm , la longueur critique #=#EC/qN# = 0,1 /u et Ai = 0,6 1u la distance entre les deux plans de mesure C1 et C2. En abscisse est donné le champ normalisé e = E/EC et en ordonnée la densité normalisée j = La courbe 18 représente la caractéristique neutre, la courbe 19 la caractéristique cathodique ## #jCl(e) et la courbe 20 la caractéristique catho- dique Jc2(e) On voit qu'il y a limitation de courant pour des champs inférieurs à environ 2EC et injection au-delà. Cette structure offre donc les possibilités suivantes: - fonctionnement en limitation de courant pour E < 2EC ou à l'intersection de la caractéristique neutre. - injection d'électrons chauds dans la région utile puisque E1 = E2/0,6. Si l'on diminue le rapport S1/S22 l'énergie des électrons injectés augmente, mais le point d'intersection avec la caractéristique neutre se déplace vers les champs élevés dans lesquels la mobilité différentielle devient faible, d'où la nécessité d'un compromis. La figure 7 montre l'influence du rapport l'influence Sl/S2, pour une géométrie légèrement différente puisque Al = 0,3 lu. On voit qu'un rapport S1/S2 de l'ordre de 0,5 constitue un ordre de grandeur raisonnable. Pour S1/S2 = 0,2, le contact est pratiquement bloquant. La valeur optimum de Sl/S2 doit être ajustée dans chaque cas. Ce résultat peut être obtenu empiriquement au niveau de la réalisation des zones isolantes par les techniques de masquage, un même masque pouvant comporter plusieurs motifs. C'est là un avantage de cette structure sur la cathode composite à une ou deux zones dont la réalisation relève de l'épitaxie.

Claims: REVENDICATIONS 1. Dispositif à transfert d'électrons, fonctionnant dans le domaine des hyperfréquences, dont le corps semiconducteur comprend, déposées sur un substrat monocristallin (16) recouvert d'une couche tampon épitaxiée (15), une première couche active (13) et une deuxième couche (12) déposée sur la couche active (13), le substrat (16) et les trois couches susjacentes (15, 13, 12) étant de même type de conductivité, ce dispositif comprenant en outre deux métallisations, la première (17) pour le contact anodique sur le substrat (16) et la seconde (11) pour le contact cathodique sur la deuxième couche (12), et étant caractérisé en ce que, en vue de limiter le courant et de renforcer le champ électrique dans la région du contact cathodique, des zones isolantes amorphisées (14), sous la métallisation (11) de cathode sont réalisées dans la deuxième couche (12) afin de modifier le rapport de transparence de la cathode, celui-ci étant le rapport entre la surface cristalline conductrice et la surface totale, au niveau de la métallisation (11) de cathode. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les zones isolantes amorphisées (14) ont une épaisseur inférieure à celle de la deuxième couche (12) dans laquelle elles sont réalisées. 3. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les zones isolantes amorphisées (14) ont une épaisseur égale à celle de la deuxième couche (12) dans laquelle elles sont réalisées, de sorte quelles sont en contact avec la première couche active (13). 4. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les zones isolantes amorphisées (14) ont une épaisseur supérieure à celle de la deuxième couche (12) dans laquelle elles sont réalisées, de sorte qu'une partie de la première couche active (13) est également rendue isolante. 5. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il constitue une diode dont le corps est en matériau semiconducteur du groupe 111-V, parmi GaAs ou InP, de type de conductivité N, le substrat (16) la couche tampon (15) et la deuxième couche (12) étant dopes N+, et la première couche active (13) étant dopée N. 6. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les zones isolantes (14) sont réalisées sous forme de bandes. 7. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les zones isolantes (14) sont réalisées sous forme d'anneaux. 8. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les zones isolantes (14) sont réalisées sous forme de plots disposés en grille. 9. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le mode de fonctionnement de la région cathodique, en limitation de courant ou en injection d'électrons chauds vers l'anode, est réglé par le rapport entre la surface cristalline de la deuxième couche (12) et la surface des zones isolantes (14), le rapport surface cristalline sur surface totale de la cathode étant compris entre 0,2 et 0,6. 10. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que, les première (13) et deuxième (12) couches de la région cathodique étant épitaxiées, les zones isolantes (14) y sont créées par implantation ionique, telle que bombardement de protons. 11. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première couche (13) étant épitaxiée, les zones isolantes (14) sont réalisées par dépôt, localisé sur la première couche (13) et à l'endroit desdites zones isolantes (14), d'un matériau amorphe en couche mince, puis épitaxie en jet moléculaire: la couche épitaxiée est isolante (14) sur le matériau amorphe, et dotée de propriétés N ou N+ (12 et 13) en dehors des dépôts de matériau amorphe.

Inventors: DIAMAND, FELIX, ETIENNE, PATRICK, NUYEN, TRONG LINH, Diamand, Félix
Applicants: THOMSON-CSF
Application year: 1982
Main classification: H01L47
IPC codes: H01L47