RADIATION DETECTOR WITH MESA PHOTODIODES

Abstract: 1. Radiation detector comprising at least one photodiode of mesa type (1, 2, 3) formed on a substrate (4), exposed to the incident radiation on its face opposite to this substrate, characterized in that said photodiode is pierced on its side exposed to the radiation by a pattern of holes (21) extending into the depth beyond its junction (1).

Description: DETECTEUR DE RAYONNEMENT A PHOTODIODES MESA, ET ENSEMBLE DE PRISE DE VUES COMPRENANT UN TEL DETECTEUR L'invention concerne un détecteur de rayonnement à photodiodes "mésa". De tels détecteurs sont utilisés en imagerie, en rayonnement X ou gamma dans le domaine médical, et en rayonnement infra-rouge dans des domaines divers. Dans tous les cas, le rayonnement incident est absorbé par la diode, dans laquelle il engendre des porteurs libres, porteurs du signal incident.Il est généralement admis que la surface sensible de la diode est à peu de chose près celle de sa jonction et, plus exactement, celle de la partie de celle-ci non occultée par l'électrode de contact et effectivement atteinte par le rayonnement, sa surface électrique étant celle de la jonction dans sa totalité. 11 est bien connu que, toutes choses étant égales par ailleurs, on a intérêt à réduire le plus possible la-surface électrique, et ceci pour deux raisons principales, qui sont qu'à une grande surface de jonction correspondent: - une résistance de la diode faible et, par voie de conséquence, un bruit thermique élevé, limitant les performances de la diode; - une capacité élevée, qui limite la fréquence maximale de fonctionnement possible. D'une façon générale, en termes d'impédance, cela signifie que plus l'impédance de la diode est faible, plus, toutes choses égales par ailleurs, l'amplificateur qui la suit doit être doué de caractéristiques élevées, et plus le couplage entre l'un et l'autre est difficile à réaliser. L'invention se propose de réduire de façon importante la surface électrique des photodiodes des détecteurs de rayonnement, sans changer leur surface sensible, ni réduire leur signal. Elle utilise à cette fin le phénomène de collection latérale. Elle concerne le cas de photodiodes du type "mesa" car pour les détecteurs à diode "planar", on a, de longue date, utilisé avec succès le même phénomène pour obtenir cette réduction, une structure planar se prêtant bien à la réalisation d'un grand nombre de petites diodes élémentaires, reliées entre elles, auxquelles correspond une grande surface sensible avec une surface électrique réduite. On sait que l'inconvénient de ces systèmes "planar" vient de ce que leur technologie, dans l'ensemble, est plus difficile et que, d'autre part, pour profiter à plein du phénomène il faut adopter une structure inversée, où le détecteur est éclairé par sa face opposée à celle sur laquelle sont formées les jonctions, obtenues par des diffusions ; ceci entraîne la nécessité d'un substrat transparent à ce rayonnement et le risque de recombinaisons aux interfaces. Dans l'invention l'éclairage à lieu par la face avant des diodes. Des strutures "planar" a éclairage par la face arrière ont été mentionnées par Holloway dans l'article "Theory of lateral-collection photodiodes" J.Appl. Phys. 49(7)). July 1978. Le brevet américain 4,021,836 décrit lui, des structures "mesa" éclairées en face arrière. L'invention concerne donc lln détecteur à photodiodes "mesa" éclairées par l'avant, avec collec- En latérale. Elle sera mieux comprise t se reportant à la description qui suit et aux figures jointes qui représentent: - figures l(a) et l(b): des vues en coupe et en plan d'une diode "mesa" - figure 2 : une vue montrant en perspective la disposition adoptée pour une diode "mesa" de l'invention; - figure 3 (a, b, c) : des vues en perspective de l'une des couches de la diode mesa de l'invention; - figure 4: une variante de la figure 2. La figure l(a) montre en coupe une diode "mesa". Une jonction 1 est réalisée entre une couche d'entrée 2 du type n, transparente au rayonnement incident, représenté par l'ensemble des flèches ondulées, sur lesquelles on reviendra, et une couche 3 absorbante pour le rayonnement incident, de type p. Les deux couches sont par exemple obtenues par épitaxie sur un substrat 4 l'ensemble est recouvert, généralement d'une couche protectrice mince 5 en un matériau diélectrique; les contacts sur les zones n et p , représentés en 6 et 7 consistent en des dépôts conducteurs en contact avec les couches 2 et 3 par des fenêtres prévues dans le diélectrique. Comme on le voit sur la figure, la structure "mesa" est caractérisée par l'existence d'une dépression tout autour de la surface de la diode. Cete dépression est obtenue par gravure jusqu'à une profondeur dépassant la couche 1. La jonction se touve ainsi délimitée par la gravure, et la diode, en relief par rapport au reste de la surface, séparée de ses voisines. Quant au phénomène de collection latérale, il est mis en évidence par trois flèches repérées 8, 9, 10: pour un rayonnement arrivant suivant la flèche 8, les porteurs libres créés par absorption de ce rayonnement sont immédiatement collectés par la jonction ceux crées en 9 le sont après un trajet relativement court (flèche en trait plein), tandis que ceux correspondant au rayon 10 gagnent cette jonction après un trajet oblique plus long, suivant la flèche en traits interrompus; pour ces derniers il y a collection latérale. La figure 1(b) représente la même diode vue en plan de dessus; sur cette figure, la surface électrique est limitée au rectangle 8 correspondant à l'étendue de la jonction ; on a choisi d'autre part le repère 9 de la figure précédente pour limiter, dans son ensemble, la surface sensible à mi-signal où il y a collection après un trajet en dehors de la jonction elle-même, et notamment collection latérale. Pour diminuer la surface électrique, l'invention prévoit de ménager des trous dans la couche 2 exposée au rayonnement. Chaque diode "mesa" se trouve aini divisée en un grand nombre de petites diodes élémentaires reliées entre elles, ce qui correspond à une grande surface sensible et une faible surface électrique, considérablement réduite par rapport à celle de la diode initiale. Pour chacune de ces diodes élémentaires on se trouve placé dans des conditions de collection favorables compte tenu du phénomène de collection latérale. On notera, au passage, que la même disposition, appliquée à une structure "planar", où la jonction est réalisée par une diffusion dans le matériau absorbant la lumière ne donnerait aucun résultat, car l'existence des trous que l'on pourrait réaliser dans les diodes ne ferait qu'augmenter la surface électrique de celles-ci. Selon l'invention, la couche supérieure de la diode exposée au rayonnement est percée de trous jusqu'au-déla de la jonction. Les dimensions des trous sont choisies de façon telle que le plus long chemin que les porteurs libres engendrés par le rayonnement incident aient à parcourir dans le matériau absorbant, avant d'être collectés par la jonction, soit inférieur à la longueur de diffusion de ces porteurs dans ce matériau. Sur la figure 2 on a représenté une coupe d'une partie du détecteur de l'invention, montrant comment se présenteraient ses différents éléments dans une perspective au-delà du plan de la coupe de la figure l(a), après la préparation de la couche supérieure 2. Cette couche est percée de trous dont un seul est représenté en entier sur la figure, avec le repère 21 ; ces trous sont obtenus notamment par gravure chimique de la couche 2, jusqu'à une profondeur dépassant le niveau de la jonction 1, comme on le volt sur la figure, où la couche 3 apparaît sur la paroi du trou 21 (paroi sur laquelle on a rajouté les repères de la partie droite de la figure), au-dessus de la couche isolante 5. Le contact collectif des diodes élémentaires porte le repère 23 sur cette figure, où tous les autres repères sont les mêmes que sur les figures l(a) et l(b). On a représenté, par ailleurs, sur la figure 3, une partie de la couche 2 d'une diode "mesa" du détecteur de l'invention, avec son contact 23, en admettant qu'elle ait été extraite de son contexte, c'est-à-dire isolée des autres éléments constitutifs de la diode; on notera, à ce propos que la couche sous-jacente 3 présenterait des dépressions vis-à-vis de ces trous, comme il ressort de la coupe de la figure 2. Cette représentation a été faite dans le cas de trois variantes à trous ronds, rectangulaires et en nid d'abeilles, étant entendu que sont également comprises dans l'invention toutes autres dispositions à trous de formes différentes. Dans un exemple, on a réalisé des trous ronds de 10 micromètres de diamètre écartés de 0,5 micromètre dans une couche 2 de 2mm x 2mm. La collection des porteurs libres est pratiquement complète lorsque la plus grande dimension des trous est inférieure à la longueur de diffusion dans le matériau absorbant de la couche 3. Cette disposition est celle recherchée lorsque l'on veut conserver l'intégralité du signal. La photodiode de l'invention est alors pratiquement équivalente sur le plan optique à la photodiode sans trous de l'art antérieur (figure l(a)), tandis que la surface électrique est sensiblement plus réduite ; sa capacité électrique est couramment divisée par 10. Un tel gain a été obtenu, dans un exemple, avec des trous carrés de 10 micromètres de côté éspacés de 0,5 micromètre, réalisés dans une couche 2 en tellurure de plomb, PbTe, déposée sur une couche 3 en tellurure d'étain plomb, PbSnTe. Avec des matériaux à grande longueur de diffusion, comme de tellurure de cadmium mercure, Hg Cd Te, ou l'antimoniure d'indium, In Sb, la réduction de capacité peut être encore plus importante; elle peut atteindre des valeurs allant jusqu'à 35, avec des trous, cette fois, de dimensions plus importantes, par exemple des carrés de 70 micromètres de côté, espacés de 1 micromètre, et ceci pratiquement sans perte de signal. La disposition de l'invention se prête à la réalisation d'un contact de collection réparti, dan les conditions qui vont être précisées. La figure 4 montre la réalisation d'un tel contact. La différence entre la structure de cette figure et celle de la figure 2, consiste dans l'existence d'un niveau supplémentaire 25, dont le rôle est d'assurer une liaison électrique entre les lieux de création des porteurs libres et l'électrode de connexion 23, notamment lorsque la résistance de couche du matériau de la couche 2 est du même ordre que la résistance de la jonction de la diode. En l'absence de contact réparti, avec la seule collection par l'électrode 23, le courant risquerait de se reboucler partiellement dans la jonction. Ce niveau 25 consiste en une électrode de contact réalisée en un matériau conducteur de l'électricité recouvrant, comme le montre le dessin, la couche . Si un métal est employé à cette fin, son épaisseur doit être suffisamment faible pour qu'il soit transparent aux rayons incidents ; une couche d'or ou d'aluminium de 200 ss d'épaisseur satisfait à cette condition. On peut aussi utiliser un matériau fortement dopé, non absorbant. La technique du contact réparti est particulièrement interessante dans le cas de photodiodes à grande surface, comme dans les auto directeurs infrarouge à quatre quadrants. D'une façon générale, l'inventiôn comporte toutes les applications habituelles des détecteurs à l'état solide, détection infrarouge, nucléaire, imagerie médicale, etc.

Claims: REVENDICATIONS 1. Détecteur de rayonnement à photodiode "mesa" (1, 2, 3) formée sur un substrat (4), soumis au rayonnement incident par sa face opposée à ce substrat, caractérisé en ce que ladite photodiode est percée, sur sa face exposée au rayonnement, d'une mosalque de trous (21) s'étendant en profondeur jusqu'au delà de sa jonction (1). 2. Détecteur de rayonnement suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la plus grande dimension des trous (21) est inférieure à la longueur de diffusion des porteurs libres créés en fonctionnement dans la couche de la diode sous-jacente à la jonction. 3. Détecteur de rayonnement suivant la revendication I, caractérisé en ce que la photodiode (1, 2, 3) comporte en outre, la recouvrant entre les trous, sur sa face exposée au rayonnement, une couche 25 d'un matériau conducteur de l'électricité, transparente au rayonnement incident, reliée électriquement au contact (23) de cette face de la photodiode. 4. Ensemble de prise de vues, caractérisé en ce qu'il comprend un détecteur de rayonnement suivant l'une des revendications 1, 2, ou 3.

Inventors: REBONDY, JACQUES, VILLARD, MICHEL
Applicants: THOMSON-CSF
Application year: 1982
Main classification: H01L31
IPC codes: A61B6, H01L31, H01L27