MOUNTING OF POWER COMPONENTS WITH A BRANCHED ELECTRODE STRUCTURE IN A PRESSURE CONTACT HOUSING

Abstract: 1. Mounting of a power semiconductor component in a pressed package wherein the power component (20) is pressed between lower and upper blocks (22, 23) of a metal of good thermal conductivity, said power component comprising on at least one face a power electrode metallization (11) and a control electrode metallization (12) which are branched and interdigitated in complementary fashion, a grid (13) cut from a foil of a metal such as molybdenum or tungsten the expansion coefficient of which is adapted to that of the semiconductor material forming said component (20) being disposed on the power electrode (11) on the face of the component (20), this mounting being characterized in that a foil (30) of a metal having the same expansion coefficient as the metal whereof the grating (13) is cut is interposed between the grating (13) and the upper metallic block (22).

Description: MONTAGE EN BOITIER PRESSE DE COMPOSANTS DE PUISSANCE A STRUCTURE D'ELECTRODES RAMIFIEE. La présente invention concerne le montage en bottier pressé de composants de puissance tels que des transistors, des thyristors de divers types, des triacs, etc... De façon classique, et essentiellement en ce qui concerne les thyristors, les composants de puissance sont montés en bottier pressé : la tranche semiconductrice, couramment du silicium, constituant le composant de puissance est disposée entre deux électrodes conductrices de l'electricite et de la chaleur, par exemple en cuivre, sans soudure ; et une pression est appliquée par l'intermédiaire de ces blocs de cuivre contre le composant semiconducteur pour assurer la conduction électrique avec les électrodes présentes sur chacune des faces du composant et permettre une bonne dissipation thermique. Généralement, l'une des faces du composant semiconducteur ne comporte qu'une électrode (le collecteur d'un transistor ou l'anode d'un thyristor) et est uniformément métallisée. Contre cette face est généralement alliée ou brasée une contre-électrode intermédiaire en un matériau de coefficient de dilatation proche de celui du silicium, par exemple du molybdène ou du tungstène. L'autre face du composant, dans le cas d'un thyristor, comprend les électrodes de gâchette et de cathode, la métallisation de gâchette étant de petite dimension par rapport à celle de cathode. Une contre-électrode, également en molybdène ou tungstène, peut aussi être appliquée contre cette face supérieure en laissant un passage pour accéder à la gâchette. Ainsi, des montages pressés ont donné dans l'art antérieur des résultats très satisfaisants quand l'électrode de face supérieure avait une surface relativement importante. Récemment, l'on est de plus en plus tenté d'utiliser des montages pressés pour des composants à semiconducteurs, par exemple transistors ou thyristors sensibles ou thyristors à ouverture par la gâchette, dans lesquels, sur une face du dispositif, une électrode de puissance a une forme ramifiée interdigitée avec une électrode de commande. Mais, une difficulté se présente pour prendre des contacts presses sur une zone très ramifiée sans établir de courtcircuit avec une zone voisine. Pour cela, on a imaginé de former l'une des surfaces ramifiées en relief par rapport à l'autre. Une première tentative, décrite dans la demande de brevet français 2 378 354, a consisté à déposer par sérigraphie sur l'une des électrodes une couche d'argent. Une deuxième tentative, décrite dans la demande de brevet américain 4 035 831, a consisté à prévoir des creusements de la surface du silicium pour créer une différence de niveau. Dans ces deux cas, comme dans le cas classique ou la surface à contacter par pression n'est pas ramifiée, on prévoit, pour éviter les contraintes de dilatation différentielle entre les contacts métalliques et le bloc de cuivre qui vient presser sur ces contacts, une feuille d'un métal de coefficient de dilatation adapté à celui du silicium, par exemple du molybdène et du tungstène (comme d'ailleurs sur l'autre face du composant de puissance). Une autre tentative a consisté à ne pas créer de différence de niveau entre les contacts sur le silicium du composant mais à donner à la feuille de molybdène ou de tungstène, placée entre l'électrode de puissance ramifiée et le bloc de cuivre, la conformation d'une grille de forme adaptée à celle de l'électrode ramifiée. Néanmoins, dans la pratique, il s'est avéré que de tels dispositifs présentaient une mauvaise durée de vie et une mauvaise résistance à des cyclages thermiques. Un objet de la présente invention est d'améliorer cet état de choses et de prévoir un montage en bottier pressé de com- posant de puissance à structure d'électrodes ramifiée permettant une bonne résistance à des cyclages thermiques. Pour atteindre cet objet ainsi que d'autres, la présenté invention prévoit un montage en bottier pressé de composants de puissance à structure d'électrodes ramifiée dans lequel le composant de puissance est pressé entre des blocs d'un métal bon conducteur thermique, au moins une grille d'un métal de coefficient de dilatation adapté à celui du semiconducteur constituant le composant étant disposée sur la ou les électrodes ramifiées à la face supérieure du composant, et dans lequel une feuille d'un métal de coefficient de dilatation adapté à celui du semiconducteur est disposée entre la ou les grilles ramifiées et le bloc de métal supérieur. Si le composant semiconducteur est à base de silicium, les métaux à coefficient de dilatation adapté pourront être du molybdène ou du tungstène. Le métal bon conducteur thermique pourra être du cuivre. La présente invention s'applique notamment aux transistors de puissance, thyristors, triacs, thyristors ouvrables par la gâchette, thyristors à ouverture assistée par la gâchette, etc... Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront illustrés plus en détail dans la description suivante d'un mode de réalisation particulier faite en relation avec les figures jointes parmi lesquelles - les figures 1 et 2 représentent respectivement une vue de dessus et une vue en coupe partielle d'un composant semiconducteur de puissance et de son montage en boiter pressé, - les figures 3 et 4 représentent les modifications selon la présente invention à la structure de la figure 2. La figure 1 représente une vue de dessus d'un composant de puissance, par exemple un transistor de puissance dont la face inférieure (non visible) comporte une métallisation de collecteur uniforme, et dont la face supérieure comprend deux métallisations ramifiées et interdigitées de façon complémentaire :une métallisation d'émetteur 11 et une métallisation de base 12. Sur la métallisation d'émetteur est posée une grille de molybdène 13 et éventuellement une grille complémentaire interdigitée est posée sur la métallisation de base, la partie supérieure de cette grille complémentaire de base servant de contre-électrode étant recouverte d'une substance isolante pour qu'il n'y ait pas court-circuit entre émetteur et base lors de l'appui ultérieur de la pièce conductrice thermique et électrique contre laquelle va être pressée cette face supérieure. La figure 2 représente une vue en coupe partielle très agrandie d'une portion du composant de puissance de la figure 1 monté de façon classique en montage pressé. Dans cette figure, comme d'ailleurs dans les autres figures, conformément à l'usage dans le domaine des semiconducteurs, aucune echelle n'est respectée, les épaisseurs et les largeurs des différents éléments étant arbitrairement dilatées ou contractées pour simplifier la lisibilité. On peut voir dans cette figure 2 la tranche semiconductrice 20 recouverte, sur sa face inférieure, d'une métallisation 21 de collecteur et, sur sa face supérieure, de métallisations complémentaires d'émetteur 11 et de base 12. Les métallisations d'émetteur 11 sont recouvertes d'une grille de molybdène ou de tungstène 13 de configuration correspondant à celle des métallisations 11. Ensuite, le dispositif est pressé entre deux blocs de cuivre 22 et 23. Souvent, on préfèrera monter la tranche semiconductrice 20, par sa face inférieure, sur une contre-électrode de molybdène 24 alliée ou brasée à cette pastille de silicium. Or, il s'avère que des dispositifs classiques, tel que celui représenté en figure 2, présentent une mauvaise durée de vie en cas de cyclages thermiques répétés. De l'avis de la demanderesse, ceci est dû au fait que, a la suite de la pression appliquée contre la grille de molybdène 13 par le bloc de cuivre 22, la grille tend à s'encastrer dans le bloc de cuivre. il en résulte plusieurs inconvénients. D'une part, la pression est suffisamment forte pour que le cuivre dépasse sa limite élastique et la pression appliquée contre le composant n'est plus constante et n'est plus celle que l'on avait choisie initialement. D'autre part, lors de dilatations thermiques du cuivre, celui-ci entraîne en raison de l'effet d'encastrement les doigts de la grille et tend à faire glisser ces doigts contre la surface de la pastille semiconductrice et, ainsi, à détruire des métallisations intermédiaires, couramment des métallisations d'aluminium. Pour pallier ces inconvénients, la demanderesse propose, comme cela est illustré en figure 3, d'insérer une feuille de molybdène 30 entre la grille 13 servant de contre-électrode et le globe supérieur 22. Ainsi, il n'y a plus d'encastrement de la grille et le glissement éventuel se fait entre la feuille de molybdène 30 et le cuivre 22 lors de dilatations latérales éventuelles de ce bloc de cuivre. A titre de variante de la présente invention, la grille 13 et la feuille 30 peuvent être constituées à partir d'une plaque de molybdène unique partiellement gravée seulement dans son épaisseur pour réaliser les implantations correspondant à la grille 13. Néanmoins, cette solution présente quelques difficultés pour positionner ensuite la contre-électrode 30 sur l'électrode ramifiée 11. Une autre solution proposée par la présente invention, pour résoudre le problème de mauvaise durée de vie des composants à électrodes ramifiées en montage pressé et qui peut être utilisée complémentairement ou alternativement par rapport à la solltion précédemment énoncée qui consiste à prévoir une feuille 30 de coefficient de dilatation adapté par rapport à celui du semiconducteur constituant le composant de puissance, consiste à prévoir une deuxième grille servant de contre-électrode de base (dans le cas d'un transistor) ou de gâchette (dans le cas d'un thyristor) complémentaire de la contre-électrode 13. Cette deuxième contreélectrode 40, comme le montre la figure 5, sera un peu moins épaisse que la première et revêtue à sa surface supérieure d'une couche isolante 41 pour ne pas faire court-circuit avec la première grille 13 par l'intermédiaire du bloc 22 ou de la feuille 30 dans le cas ou une telle feuille est prévue. Cette solution permet une répartition plus uniforme des pressions entre les grilles et l'electrode supérieure et permet également de résoudre un autre problème lié aux montages pressés, à savoir une répartition équipotentielle des tensions sur l'électrode de base, cette répartition équipotentielle étant assurée par l'epaisseur de la grille de tungstène ou de molybdène. Ce montage à double grille favorise également la dissipation thermique. Au lieu de prévoir deux épaisseurs différentes pour les grilles d'émetteur et de base, on pourra prévoir que la grille d'émetteur 13 repose sur une métallisation 11 plus épaisse que la métallisation de base 12. A titre d'exemple dimensionnel, dans la figure 3 on peut considérer que le composant semiconducteur 20 a un diamètre de l'ordre de 20 à 50 mm et une épaisseur de l'ordre de 300 à 500 microns. La grille de molybdène 13 a une épaisseur de l'ordre du millimètre ; la plaque de molybdène 24 a une epaisseur de l'ordre de quelques millimètres ; les blocs de cuivre 22 ont une epaisseur de l'ordre de 0,5 à 1 centimètre. La feuille de molybdène 30 a une épaisseur de l'ordre du millimètre. La présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation qui ont été explicitement décrits ; bien au contraire, elle englobe les variantes et généralisations incluses dans le champ des revendications ci-après.

Claims: REVENDICATIONS. 1. Montage en boîtier pressé d'un composant semiconducteur de puissance à structure d'électrodes ramifiée dans lequel le composant de puissance (20) est pressé entre des blocs (22, 23) d'un métal bon conducteur thermique, une grille (13) d'un métal de coefficient de dilatation adapté à celui du semiconducteur constituant le composant étant disposée sur ltélectrode de puissance ramifiée à la face supérieure du composant, caractérisé en ce qu'une feuille (30) d'un métal de coefficient de dilatation adapte à celui du silicium est disposée entre la grille (13) et le bloc de métal supérieur (22). 2. Montage selon la revendication 1, caractérisé en ce que la face inférieure du composant semiconducteur est alliée à une plaque (24) d'un métal de coefficient de dilatation adapté à celui du semiconducteur. 3. Montage selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le métal à coefficient de dilatation adapta est du molybdène ou du tungstène. 4. Montage selon la revendication 1, caractérise en ce que le métal bon conducteur est du cuivre. 5. Montage selon la revendication 1, caractérisé en ce que le composant de puissance est un transistor. 6. Montage selon la revendication 1, caractérisé en ce que le composant de puissance est du type thyristor (thyristor, triac, thyristor ouvrable par la gâchette, thyristor à ouverture assistée par la gâchette, thyristor à amplification de gâchette, etc...). 7. Montage selon la revendication 1, caractérise en ce qu'une deuxième grille (40) d'un métal de coefficient de dilatation adapté à celui du semiconducteur est disposée sur l'électrode de commande (12) interdigitée avec l'électrode de puissance (11) sur la face supérieure du composant, cette deuxième grille étant revetue à sa partie supérieure d'une couche isolante (41).

Inventors: ARNOULD, JACQUES
Applicants: LE SILICIUM SEMICONDUCTEUR SSC
Application year: 1982
Main classification: H01L21
IPC codes: H01L23