METHOD OF MANUFACTURING PRINTED CIRCUITS

Abstract: 1. Method for producing printed circuit boards containing integrated therein resistors and/or switch contact points, characterised in that in the additive process the resistors (R) and/or the switch contact point areas (C) are first printed onto a substrate from a resistor paste (2, 32), sensitized for subsequent currentless metallization, in the desired layout, an adhesion promoting layer (3, 34) sensitized for subsequent currentless metallization is then applied to the substrate in a desired layout for the strip conductors (L) and/or for the switch contact points (C) and in that then by treating the printed circuit board in a chemically operating metallizing bath the exposed areas of the adhesion promoting layer (3, 34) are metallized without current, producing the strip conductors (L) and/or the switch contact points in the desired layout.

Description: Beschreibungseinleitung Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Widerstände und/oder Schaltkontaktstellen integriert enthaltenden Leiterplatten. Im Zusammenhang mit der zunehmenden Bedeutung von in- und Ausgabe-Elementen oder Anzeigen, beispielsweise in Form von Kodier- und Dekodier-Schaltungen mit Eingabetastaturen von Rechnern oder deraleichen, besteht ein zunehmendes Bedürfnis, aerartige Dekodierschaltungen, welche Leiterbahnen und Widerstandsnetzwerke enthalten, mit den Eingabetastaturen in möglichst weitgehend integrierter Weise herstellen zu können. Herstellungstechnisch bedeutet dies, dass ein erhöhtes Bedürf- nis nach der Möglichkeit weitgehend integrierter Herstellung von Widerstände und Schalt kont akt stellen enthaltenden Leiterplatten besteht. Unter Schaltkontaktstellen sind dabei mit in die Leiterbahnkonfiguration einbezogenen Festkontakten ausgebildete Unterbrechungen der Leiterbahnen zu verstehen, welche durch mit den Festkontakten zusammenwirkende bewegliche Xon- takte, die beispielsweise als Federkontakte oder bevorzurrt als Gurnrnimattenkontakte ausgebildet sein können, überbrückbar sind. Beispielshalber sei auf die Figuren 2 und 5 der Zeichnung verwiesen, welche in perspektivischer Draufsicht derartige < er- findungsgemäss hergestellte) Schaltkontaktstellen veranschau lichten Nach dem Stande der Technik sind bereits verschiedene Versuche zur Integration von Widerständen und gegebenenfalls auch von Schaltkontaktstellen in gedruckte LeiterDlatten bekannt geworden. Bezüglich der Integration von Widerstän- den in Beiterplatten sei beispielsweise auf-einen tjber- sichtsartikel "Siebgedruckte Leiterpiatten iit Widerständen kombiniert'1 in ¯Sieb und Rakel", November 1978, Sn. 391-598, verwiesen. So ist es im einzelnen bekannt, in durch Subtraktivtechnik hergestellte gedruckte Schaltungen (Leiterplatten) nachträglich Widerstandspasten gemäss einem für die Widerstände ge wünschten Layout mittels Siebdruck einzudrucken, vgl. bei spielsweise ¯Widerstandsdruck auf Leiterplatten", ME, Jahrgang 115 (1979 > , Sn. 313-315. Die Widerstandspasten bestehen dabei im wesentlichen aus einem organischen Bindemittel, in das RuB-, Graphit- oder Silberteilchen eindispergiert sind. Dieses bekannte Verfahren mit nachträglichem Eindruck von Widerstandsbereichen in Leiterbahnkonfigurationen von Leiterplatten, die beispielsweise insubtraktiver Atztechnik aus mit Kupfer kaschierten Substratplatten hergestellt wurden, hat eine Reihe von Nachteilen: Der zum Aushärten der in die elektrische Schaltung eingedruckten Widerstandspaste verfügbare Temperaturbereich ist auf niedrige Werte begrenzt, da ansonsten die zuvor im Xtzverfahren hergestellten Kunfer- Leiterbahnen infolge einer Wärmedegradierung des Haftklebers der Kupferkaschierung ihre zunächst gute Haftung zum Substrat verlieren, wobei das Problem der Beeinträchtigung der Leiterbahnenhaftung am Substrat sich für zunehmende Feinheit der Leiterstrukturen besonders gravierend stellt. Infolge der Beschränkung auf verhältnismässig niedrige Aushärttemperaturen ist keine optimale elektrische Stabilität der so erhaltenen Schaltung mit integrierten Widerständen erzielbar. An den übergängen zwischen Leiterbahn und Widerstandsbereichen kann es infolge unterschiedlicher Ausdehnung der beiden Materialien leicht zu Rissbildungen kommen, die bis zu elektrischen Unterbrechungen fUhren können. Ferner ist die Herstellung gedruckter Schaltungen mit inte- grierten Widerständen in der Weise bekannt, dass man zunächst russ- oder graphithaltige Widerstandspasten mittels Siebdruck auf ein Hartpapiersubstrat aufdruckt und nach erfolgter thermischer Fixierung der einzelnen Widerstände diese untereinander mit einer Siebdruck-Leiterpaste, welche in einem organischen Bindemittel eindispergierte Silberpigmente enthält, untereinander verbindet. Die Höhe der Einbrenntemperatur wird dabei durch die maximal zulässige Einbrenntemperatur der Hartpapierunterlage limitiert, bei der noch keine Blasenbildung erfolgt und ein Verziehen oder Krümmen des Materials noch in zulässigen Grenzen gehalten wird. Ein schwerwiegender Nachteil der in dieser Weise hergestellten Schaltungen, die gegebenenfalls auch elektrische Kontaktstellen einschliessen können, besteht darin, dass die mit Siebdruckpaste aufgedruckten elektrischen Leiterbahnen nicht lötbar sind und dass die so hergestellten Widerstände nicht mittels Laserstrahl abgleichbar sind der Widerstandsdruck muss daher sehr genau, insbesondere mit sehr gleichmässiger Schichtdicke erfolgen, was, wenn überhaupt, nur mit erheblichem Aufwand möglich ist. Ein anderes bekanntes Verfahren zur Integrierung von Widerständen in Leiterplatten geht von der Verwendung eines Substratmaterials aus, das mit einer metallischen Widerstandsschicht, zum Beispiel aus einer Cr/Ni-Legierung und einer darüberliegenden Kupferschicht kaschiert ist; die Leiterbahnen und die Widerstandsbereiche einer elektrischen Schaltung werden in Bubtraktiver Technik durch eine Differenzialätzung realisiert, vgl. "bauteile Report", 16 (1978), Heft 3, Sn. 9193, sowie auch Aufsatz von Horst W. Scheidt "Widerstände drucken mit Ohmega-Material" in Sonderdruck aus "Elektronik Packaging & Produktion", November 1976. Diese bekannte Technik hat zum einen den Nachteil, dass ein verhältnismässig kostspieliges doppellagig kaschiertes Substratmaterial benötigt wird und dass zum anderen nur eine begrenzte Möalichkeit zur Varlierung des spezifischen Widerstands der Cr/Ni-Widerstandsschicht besteht. Der jeweils gewünschte Widerstandswert für die einzelnen Widerstände muss daher in der Regel über die geometrische Konfiguration des Widerstandes eingestellt werden, was insbesondere bei Schaltungen, für die eine hohe Packungsdichte gefordert wird, Schwierigkeiten bereitet. Des weiteren sind auch Multilayer-Sialtungen mit integrierten elektrischen Kontaktstellen bekannt; bei dieser Technik wird jeweils die unterste Ebene des Multilayers im Subtraktiv-Verfahren hergestellt; die nächsten) Ebene(n) wirdfwerden dann im sogenannten Semiadditiv- oder Volladditiv-Verfahren realisiert. Die gegebenenfalls integrierten Kontaktstellen müssten aber zusätzlich vernickelt und/oder vergoldet werden, um einen elektrisch sicheren, abrieb- und oxydationsbeständigen Kontakt zu gewährleisten. Diese zusätzlich erforderlichen Verfahrensschritte Vernickeln undtoder Vergolden der elektrischen Kontakt stellen sind kostspielig und zeitaufwendig. Ausserdem ermöglicht diese Verfahrensart nicht die gleichzeitige Integrierung elektrischer Widerstände. Der Erfindung liegt daher als Aufgabe die Schaffung eines Verfahrens zugrunde, das ausgehend von einfachem, billigem unkaschiertem Substratmaterial in rein additivem Verfahren die integrierte Herstellung von Widerstände und/oder Schaltkontaktstellen enthaltenden J.eiterplatten ermöglicht, bei dem keine engen Beschränkungen hinsichtlich der Einbrenntemperaturen für die Aushärtung der Widerstandsschichten bestehen, eine gute Haftung der Leiterbahnen gewährleistet ist und die Leiterbahnen in lötbarem Zustand erhalten werden. Zu diesem Zweck ist gemäss der Erfindung vorgesehen, dass im additiven Verfahren zunEchst die Widerstände und gegebenen- falls die Schaltkontaktstellenbereiche im gewünschten Layout aus einer gegebenenfalls für nachfolgende stromlose Metallisierung, insbesondere Verkupferung sensibilisierten Widerstandspaste aufgedruckt, sodann eine für nachfolgende stromlose Metallisierung, insbesondere Verkupferung sensibilisierte Haftvermittlerschicht in einem-für die Leiterbahnen sowie gegebenenfalls für die Schaltkontaktstellen gewünschten Layout aufgebracht wird, und dass sodann durch Behandeln der Platte in einem chemisch arbeitenden ,Metalli- sierungs-, insbesondere Verkupferungsbad die freiliegenden Bereiche der Haftverrnittlerschicht stromlos metallisiert, insbesondere verkupfert werden, unter Erzeugung der Leiterbahnen und gegebenenfalls der Schalt kont akt stellen in dem gewünschten Layout. Eine bevorzugte Ausführungsform, die sich zur Herstellung von Widerstände und/oder Schaltkontakt- stellen integriert enthaltenden Leiterplatten mit Feinleiterstruktur der Leiterbahnen unter Anwendung. von Photodruckverfahren zur Delineation des Layouts der Leiterbahnen eignet, ist Gegenstand des Anspruchs 11. Eine ebenfalls vorteilhafte Ausführungsform, die sich zur Herstellung von Widerstände und/oder Schaltkontaktstellen integriert enthaltenden Leiterplatten mit einer die Delineation des Leiterbahnenlayouts im Siebdruckverfahren gestattenenden Leiterbahnenstruktur eignet, ist Gegenstand des Anspruchs 7 Indem nach dem Grundgedanken der- Erfindung zunächst die Widerstände (und gegebenenfalls rauch die Schaltkontaktstellenbereiche) mittels einer Widerstandspaste aufgedruckt werden und im weiteren Verlauf eine für spätere stromlose Verkupferung sensibilisierte Haftvermittlerschicht entsprechend der für die Leiterbahnen (sowie gegebenenfalls für die Schaltkontaktstellen) gewünschten Layoutkonfiguration aufgebracht wir4, deren freiliegende Bereiche in einem nachfolgenden Verfahrensschritt stromlos metallisiert werden, wird bei insgesamt voD-additiver Arbeitsweise eine gegenseitige Behinderung bei der Realisierung der Widerstandsbereiche einerseits und der Leiterbahnen und Schaltkontaktstellen andererseits vermieden, derart dass die Widerstände mit einer hohen, eine optimale elektrische Stabilität gewährleistenden Einbrenntemperatur ausgehärtet werden können, ohne dass hierdurch die Haftung der Leiterbahnen beeinträchtigt wird. Die Leiterbahnen (einschliesslich der Xontaktierungen der Widerstandsanschlussbereiche) und gegebenenfalls die metallisierten Schaltkontaktstellen werden in einer lötfähigen Ausführung erhalten und weisen aufgrund ihrer Br- zeugung durch stromlose Metallisierung einer entsprechend sensibilisierten Haftvermittlerschicht eine ausgezeichnete Haftung an der Substratunterlage und ausgezeichnete AllE,e- meineigenschaften auf. Die Haftvermittlerunterlage der Leiterbahnen kann je nach der Gestaltung im einzelnen aus einem elektrisch isolierenden Material oder vorzugsweise auch aus einem elektrisch leitenden, niederohmigen Widerstandsmaterial bestehen, wobei im zweiten Fall selbst bei Auftreten von Rissbildungen oder sonstigen Diskontinuitäten in der eigentlichen metallischen Leiterbahn durch folie Uberbrückung der darunterliegenden Haftvermittlerschicht eine Leitungsunterbrechung vermieden würde. Das erfindungsgemässe Verfahren eignet sich wie dargelegt sowohl zur Herstellung von leiterplatten mit Feinleiterstruktur als auch zur Herstellung von Platten mit einer im Siebdruck realisierbaren Konfiguration des Leiterbahnenlayouts, wobei jedoch in jedem walze die Metallisierun- gen der Leiterbahnen in jedem Falle nicht im Siebdruckverfahren ren sondern durch stromlose Metallisierung von entsprechend sensibilisierten haftvermittelnden Unterlageschichten realisiert werden. Die in die Schaltung integrierten Festkontakte der Schaltkontaktstellen können bei dem erfindungsgemässen Verfahren entweder metallisch oder in einer elektrisch leitenden, niederohmigen Pyropolymer-Widerstandspaste ausgeführt werden, die nach Aushärtung hoch abriebfeste und oxydationsbeständige ¯ 0071003 Kontaktbereiche bildet. Auch bei metallischer Ausführung der Schaltkont akt stellen können diese oberflächig mit einem Überzug aus der erwähnten niederohmigen Pyropolymerschicht versehen werden, als Abrieb- und Oxydationsschutz. In beiden Fällen kann auf diese Weise die ansonsten erforderliche Vergoldung oder Vernickelung derartiger Schaltkontaktstellen erübrigt werden. In der gleichen Technik wie die Schaltkont akt stellen können bei dem erfindungsgemässen Verfahren auch ausgewählte Bereiche der Leiterbahnen, beispielsweise an den Rändern der Lei tungsplatta befindliche Kontaktbereiche zur Kontaktierung mittels aufs#hiebbarer Steckleisten oder dergleichen ausgebildet werden. Ein weiterer wesentlicher Aspekt der Erfindung besteht darin, dass zur Erzeugung der elektrisch leitenden Widerstandsschich ten, der elektrisch isolierenden Abdeckschichten und/oder der Haftvermittlerschichten Pasten verwendet werden, die auf einer gemeinsamen, einheitlichen Bindemittelgrundsubstanz aufgebaut und entsprechend der jeweiligen Funktion als Widerstand, Isolierschicht und/oder Haftvermittler modifiziert sind. Hierdurch wird ein annähernd angeglichenes Ausdehnungs- und Schrumpfverhalten der einzelnen vorstehend erwähnten funktionellen Schichten erreicht, wodurch innere Spannungen zwischen den einzelnen Schichtsystemen weitgehend verringert werden. Nach einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass die einheitliche Bindemittelgrundsubstanz ein organisches Bindemittelsystem auf der Grundlage eines gesEttigten Polyesters und Isoporondiisocyanat und einer weiteren Bindemittelkomponente aufweist und neben OH-Gruppen blockierte bzw. maskierte Isocyanatgruppen und einen Epoxydharzanteil enthält. Für aus chemischen Bädern metallisierbare, beispielsweise ver kunferbare und/oder vernickelbare Widerstandsschichten und/oder dielektrische Haftverrnittlerschichten eignet sich vortei)haft eine Bindemittelgrundsubstanz, die als erwKhnte westereMinde mittelkomponente ein hydroxymethylgruppenhaltiges Acrylamidharz und ein Nelarninformaldehydalkydharz enthält. Zur Herstellung hervorragend elektrisch isolierender, für Wasser und Wasserdampf undurchlässiger Beschichtungen bzw. als Lötstopplack eignet sich vorzugsweise eine Bindemittelgrund substanz, die alsiEweitere Bindemittelkomponente Polyisocyaw nat vernetzende Acrylharze und/oder Polyvinylacetalharze enthalt. Zur Herstellung von Widerstands- und gegebenenfalls Haftvermittlerschichten kann eine Widerstandspaste verwendet werden, welche in an sich bekannter Weise Pyropolymer-, RuB-, Gra- phit-, Silber- oder Nickelteilchen mit Teilchengrössen kleiner als 6 m eindispergiert enthält. Nach einem wesentlichen Aspekt der Erfindung erfolgt die Erzeugung der metallisierten Leiterbahnen und gegebenenfallt. Schaltkontaktstellen durch stromlose Metallisierung von auf der Platte in entsprechender Konfiguration erzeugten Widerstands-, Isolier- und/oder Haftvermittlerschichten, welche für eine derartige stromlose Metallisierung katalytisch sensibilisiert sind. Die zur Herstellung dieser Schichten dienende Paste enthält einen in die Bindemittelgrundsubstanz eindispergierten Sensibilisierungskatalysator für die nachfolgende stromlose Metallisierung: als Katalysatorbestandteil eignen sich Elemente der Gruppen 1 und VIII des Periodischen Systems, vorzugsweise in Form organischer oder anorganischer reduzierbarer Verbindungen dieser Elemente, beispielsweise Katalysatorsubstanzen wie Pd, PdCJ, oder Cu2O. Der Katalysatorbestandteil kann vorteilhaft feuerfeste, gegebenenfalls mit pyrolytischem Kohlenstoff überzogene Trägerteilchen beispielsweise aus Alu03 aufweisen, die mit der genannten Katalysatorverbindung bekeimt oder überzogen sind, beispielsweise in Gestalt eines EollÏídalen,Niederschlags der Katalysatorverbindungen auf den TrEgerteilchen. Die im Bindemittel eindispergierten Katalysatorteilchen müssen durch ein chemisches "Aufrauhen" der Bindemittel oberfläche, das heisst durch einen porösen Aufschluss der Bindemitteloberfläche, zum Teil freigelegt werden, derart, dass die Sensibilisierungskatalysatoren in einem autokatalytisch arbeitenden Metallisierungsbad für die stromlose Metallabscheidung aktiv werden können. Diese chemische ¯Aufrauhungs"-Vorbehandlung erfolgt beispielsweise durch Einwirken von verdünnter Schwefelsäure, welche Komponenten des Bindemittles herauslöst und so ein Porenlabyrinth in der Oberfläche der Bindemittelschicht erzeugt. -Dieses durch die Schwefelsäureeinwirkung entstandene Porensystem dient gleichzeitig einer Verkeilun & derim Metallisierungsbad auf- gewachsenen Metallschicht, wodurch eine ausserordentlich gute Haftung der Metallschicht an der Haftvermittlerschicht erreicht wird, die ihrerseits wieder eine sehr gute Adhäsion zum Substratmaterial besitzt. Für diese durch Schwefelsäure einwirkung chemisch aufrauhbaren Isolier- oder Widerstandsschichten eignet sich bevorzugt das oben bereits erwähnte Bindemittelsystem, das als weitere Bindemittelkomponente ein hydroxymethylgruppenhaltiges Acrylamidharz und ein Melaminformaldehydalkydharz enthält. Umgekehrt eignet sich ein Bindemittelsystem, bei dem in der oben erwähnten Weise diese Bindemittelkomponente durch Polyisocyanat vernetzende Acrylharze und/oder Polyvinylacetalharze ersetzt ist und gleichzeitig der Epoxydharzanteil der BindemittelFrundsubstanz erhöht ist, bevorzugt zur Erzeugung einer elektrisch hervorragend isolierenden, gegenüber 20-30%iger Schwefelsäure resistenten, wasser- und wasserdampfundurchlässigen Schicht, die im chemisch arbeitenden Metallisierungsbad nicht angegriffen wird und eine gute Temperaturbeständigkeit aufweist. Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnung beschrieben; in dieser zeigen Figur 1 die Herstellung einer eine Feinleiterstruktur aufweisenden Leiterplatte mit integrierten Pestwiderständen und integrierten Schaltkontakten, gemäss einer ersten Ausführungs- form, wobei die Teilfiguren la-lf verschiedene aufeinanderfolgende Stadien des Herstellungsverfahrens veranschaulichen. Figur 2 in schematischer perspektivischer Draufsicht einen eine Schaltkontaktstelle enthaltenden Teil der nach dieser Ausführungsform erhaltenen Leiterplatte. Figur 3 die Herstellung einer Leiterplatte ohne Feinleiterstruktur mit integrierten Festwiderständen und Schaltkontaktstellen, gemäss einer anderen, vereinfachten Ausführungsform der Erfindung mit Delineation des Leiterbahnenlayouts im Siebdruckverfahren, wobei die Teilfiguren 3a-3e wiederumWerschle- dene Stadien im Verlauf des Herstellungsvorgangs veranschaulichen. Figur ii in schematischer perspektivischer Draufsicht -einen Bereich der nach dem Verfahren gemäss Figur 3 hergestellten Leiterpiatte mit einem in das Leitungsmuster integrierten Fest- widerstand. Figur 5 in entsprechender perspektivischer Draufsicht einen eine in das Leitungsmuster integrierte Schaltkontaktstelle au±- weisenden Bereich der gemäss Figur 3 hergestellten Leiterplatte. Im folgenden wird zunächst anhand der Figuren 1 und 2 eine erste Ausführungsform der erfindungsgemässen Herstellung einer Leiterplatte mit integrierten Festwiderständen und integrierten Schaltkontakten beschrieben, wobei das Leitungsmuster eine so feine Struktur aufweist, dass für die Delineation des Leitungsmusters Photodruckverfahren erforderlich sind. Im einzelnen veranschaulicht Figur 1 in ihren Teilfiguren la-lf verschiedene aufeinanderfolgende Stadien des Herstellungsverfahrens, während figur 2 in schematischer perspektivischer Draufsicht einen eine Schaltkontaktstelle C enthaltenden Teil der Leiterplatte zeigt. Ausgehend von einem Substrat 1 aus Phenolharz-, Epoxydharz-, Polyimidharz-Hartpapier oder im Spritzgussverfah- ren hergestellten Kunststoffsubstraten aus Polyphenylenoxid, Polbphenllinsulfid, Polyimid, Polyamidimid, Polyphenylensulfon wird in einem ersten Verfahrensschritt gemäss figur la im Siebdruckverfahren eine für spätere stromlose Verkupferung sensibilisierte Widerstandspaste 2 aufgedruckt, und zwar in einem den gewünschten Festwiderständen R sowie den gewünschten Kontaktstellen C entsprechenden Layout bzw. Muster. Die nach diesem Muster aufgedruckte Widerstandspaste wird sodann je nach Substratart bei Temperaturen im Bereich von ca. 200 - ca. 2500C ausgehärtet. In einem zweiten, in Figur Ib veranschaulichten Verfahrensschritt wird sodann die gesamte Substratplatte im Wesentlichen ganzflächig mit einem ebenfalls für spätere stromlose Verkupferung sensibilisierten Abdeckisolierlack 3 abgedeckt, wobei jedoch die Anschlussbereiche Ra der im Verfahrensschritt gemäss Figur la hergestellten Wi derstände R sowie die ebenfalls im Verfahrensschritt von Figur la hergestellten Kontaktstellen C (einschliesslich ihrer Anschlussbereiche) ausgespart werden. Zu diesem Zweck erfolgt die Beschichtung mit dem Abdeckisolierlack 3 im Siebdruckverfahren. Am Ende dieses Verfahrensschrittes sind domit, wie in Figur Ib ersichtlich, die im ersten Verfahrensschritt aufgedruckten und fixierten Widerstände R (mit Ausnahme ihrer Anschlussbereiche Ra) sowie die übrigen Teile der Platte (mit Ausnahme der Kontaktstellen C als ganzer) mit dem (katalytisch verkupferbaren) Abdeckisolierlack 3 maskiert. In einem nächsten Verfahrensschritt (Figur Ic) wird sodann die Substratplatte als Ganzes ganzflächig mit einem Cfesten oder flüssigen) Photoresist- köder Photoabdeckerfilm 4 beschichtet und dieser sodann (vergleiche Figur ld) in bekannter Weise gemäss dem für die Feinleiterstruktur einschliesslich der Widerstandsanschlussbereiche Ra sowie der Anschlussbereiche Ca der Kontaktstellen gewünschten Muster oder Layout selektiv belichtet und entschichtet (vergleiche Figur ld). Am Schluss dieses Verfahrensschrittes (das heisst in dem in Figur 1d gezeigten Gebilde) liegen somit die folgenden, nicht von Photoabdecker Li bedeckten Bereiche offen: Die für die Leiterpfade vorgesehenen Bereiche L, die Widerstandsanschluss bereiche Ras die Anschlussbereiche Ca der Kontaktstellen C Im anschliessenden vierten Verfahrensstadium (Figur le) werden nun diese nicht maskierten Bereiche, an welchen somit entweder Teile der verkupferbaren Widerstandsschicht 2 oder der verkupferbaren Isolierschicht 3 freiliegen, i# chemisch arbeitenden Kupferbad stromlos verkupfert (wie bei 5 in Figur le angedeutet). Hierbei entstehen die Leiterbahnen L entsprechend dem gewünschten Feinleiter-Layout, die Widerstandsanschlüsse Ra sowie die Anschlüsse Ca der Kontaktstellen C Nach anschliessendem Strippen der Photoabdeckerschicht 4 und Abdecken der so erhaltenen Schaltungsplatte mit einem Lötstopplack (unter Aussparung der elektrischen Kontaktstellen C) erhält man so die fertige Schaltungsplatte mit in voll integrierter Technik hergestellten Festwiderstän- den R und Kontaktstellen C, wie in Figur 1f veranschaulicht. Wie bereits weiter oben erwähnt, sind unter ¯Schaltkontakt- stellen" in erster Linie wie in figur¯2 veranschaulicht Unterbrechungen im Zuge der Leiterpfade der Schaltungsplatte zu verstehen, welche mit (nicht dargestellten) äusseres beweglichen Schalt-Überbrückungskontakten zusammenwirken. In der schematischen perspektivischen Draufsicht von Figur 2 sind die beiden in die Schaltung integrierten Schalt stellen- festkontakte Cl und C2 in näherem Detail wiedergegeben; in Figur 1 sind diese beiden Festkontakte nur vereinfacht schematisch angedeutet. (Umgekehrt ist in figur 2 die Schicht aus dem verkupferbaren Abdeckisolierlack 3 der Einfachheit und Übersichtlichkeit halber nur bruchstückweise angedeutet.) Bei der in den Figuren 1 und 2 gezeigten Ausführungsform bestehen die beiden Festkontakte Cl und C2 der Kontaktstelle aus dem Material der ausgehärteten Widerstandspaste 2. Diese Paste ist wie bereits erwähnt, im ausgehärteten Zustand nicht nur elektrisch leitfähig, sondern auch sehr abriebfest. Dadurch weisen die Festkontakte Cl und C2 der Kontaktstelle eine nicht oxydierende und somit elektrisch und mechanisch zuverlässige Oberfläche auf, so dass eine sonst erforderliche Vernickelung oder Vergoldung dieser Kontaktstellen entfallen kann. Im Zusammenwirken mit dem (nicht dargestellten) beweglichen Überbrückungskontakt weist die Kontaktstelle im geschlossenen, überbrückten Zustand eine ausreichende Leitfähigkeit auf. Gegebenenfalls könnte jedoch gemäss einer weiter unten anhand der Figuren 3 und 5 erläuterten Ausführungsform auch eine Verkupferung der Kontaktstellen Cl und C2 vorgesehen werden (wobei zu diesem Zweck im Verfahrenssta dium gemäss Figur ld die Kontaktstelle C von dem Photoabdeckermaterial 4 mit entschichtet werden müsste), die verkupferten Festkontakte Cl und C2 könnten anschliessend noch mit einer oberflächigen Beschichtung aus der Widerstandspaste versehen werden, zur Gewährleistung der erforderlichen Abriebfestigkeit und Oxydationsbeständigkeit. In diesem Fall läge im SchlieEzustand der Kontaktstelle lediglich die geringe Schichtdicke dieser Widerstandsbeschichtung im elektrischen Stromweg, deren Widerstand praktisch vernachlässigt werden kann. Im Folgenden wird nun anhand der Figuren 3-5 eine vereinfachte Ausführungsform des erfindungsgemässen Verfahrens beschrieben, die in Fällen Anwendung finden kann, wo das gewünschte Leitermuster keine weinleiterstruktur aufweist und daher zur Delineation des Leiter-Layouts auf Photodruckverfahren verzichtet und mit Siebdruck gearbeitet werden kann. Figur 3 veranschaulicht mit ihren Teilfiguren 3a-De wiederum verschiedene Stadien während des Herstellungsvorgangs. Gemäss Figur 3a wird - ausgehend wiederum von einem Substrat 31 der allgemeinen Art wie oben für die Ausführungsform nach figur 1 beschrieben- dieses Siebdruckverfahren mit einer Wider standseaste, beispielsweise einem Pyropolymer mit eingelagerten Russ-, GraSlit-, Silber- oder Nickelteilchen, bedruckt. In Abweichung von der Ausführungsform nach Figur 1 ist jedoch diese Widerstandspaste nicht für nachträgliche Verkupfe- rung sensibilisiert, und das Muster umfasst nur die für die FestwiderstFeR gewünschten Bereiche. Die Widerstandspaste wird beispielsweise 5 Minuten lang bei 1850C angetrocknet. In diesem Siebdruckschritt werden somit zunächst nur die Festwiderstände R aufgedruckt. In einem in Figur 3b veranschaulichten zweiten Verfahrensschritt wird wiederum die Leiterplatte als Ganze im wesent lichten ganzflächig mit einer Abdeck-Isolierpaste 33 im Siebdruck beschichtet, wobei lediglich die Widerstandsanschluss- bereiche Ra ausgespart werden. Im Unterschied zur Ausführungsform nach Figur 1 ist dabei auch dieser Isolierabdecklack nicht für chemische Verkupferung sensibilisiert. Das aufgedruckte Isolierabdeckmaterial 33 wird beispielsweise wiederum bei 1850C 5 Minuten lang angetrocknet. Im folgenden Verfahrensschritt gemäss wiùr 3c wird sodann im Siebdruckverfahren eine für spätere stromlose chemische Verkusferung sensibilisierte, elektrisch leitfähige, nieder ohmige Haftvermittler-Widerstandspaste 34 aufgedruckt. Das Layout-Muster für den Aufdruck dieser sensibilisierten Widerstandspaste 34 umfasst einerseits die für die Leiterbahnen L gewünschten Bereiche, die sich auch auf die im vorhergehenden Verfahrensschritt gemäss Figur 3b ausgesparten, nicht mit dem Isolierlack 33 bedeckten Anschlussbereiche Ra der Widerstände R erstrecken, sowie die Schaltkontaktstellen C, deren Festkontakte in Figur 3c bei C1 und C2 angedeutet sind. Das in dieser Weise additiv mit d-en Schichten 32, 33, 34 bedruckte System wird anschliessend bei ca. 2300C eine Stunde lang ausgeXärtet. Die Bedruckung mit der verkupferbaren Wider standspastenschicht 34 erfolgt dabei in der Weise, dass sie nach dem Aushärten des Gebildes beispielsweise eine Schichtdicke von ca. 15 pm besitzt. In einem folgenden vierten Verfahrensschritt gemäss Figur 3d werden sodann im chemisch arbeitenden Kupferbad die mit der sensibilisierten Haftvermitt lerwiderstandspaste 34 bed"ruck- ten Bereiche (das heisst also die Leiterpfade L nebst Wider standsanschlussbereichen Ra zur Kontaktierung der Widerstände R, sowie die westkontakte C1* C2 der Schaltkontaktstellen C) verkupfert, und zwar mit einer Kupfer schicht 35 von ca. 10-15 gm Schichtdicke. In diesem Yer fahrensschritt werden somit durch Verkupferung der Haftvermittler-Widerstandsschicht 34 lötbare Leiterbahnen L (nebst den Anschlussbereichen Ra der WiderständeR) und die Schaltkontaktstellen C mit ihren westkontakten C1, C2 hergestellt. In einem nachfolgenden Verfahrensschritt gemäss Figur 3e werden sodann die verkupferten Kontaktstellen C, undsgege- benenfalls auch die Leiterbahnen oder bestimmte Teile der Leiterbahnen, mit einer niederohmigen Pyropolymer-Widerstandspaste 36 bedruckt. Im gezeigten Ausführungsbeispiel ist diese Bedruckung mit der niederohmigen Pyropolymerschicht 36 im Bereich der Schaltkontaktstelle C sowie in dem rechts gelegenen Teil Lc einer Leiterbahn dargestellt, bei der es sich beispielsweise um einen aussen am Rand gelegeneR Bereich für Steckkontaktverbindungen mit aufschiebaren Stekkerleisten handeln kann. Diese Pyrooolymer-Widerstandspaste verleiht, nach Aushärtung von beispielsweise 10 Minuten bei ca. 185 C, den so bedruckten Bereichen (das heisst den Schaltkontaktstellen C und gezebenenfalls den Bereichen Lc der Leiterbahnen für Steckkontaktierung) eine hohe Abriebfestig- kEit und die für eine sichere Kontaktierung erforderliche OxydationsbestEndigkeit, derart, dass die ansonsten erforderliche gesonderte Vernickelung oder Vergoldung dieser Bereiche entfallen kann. Figur 4 veranschaulicht in schematischer perspektivischer Draufsicht einen Bereich der in dieser Weise hergestellten Schaltungsplatte mit einem in das Leitungsmuster L integrierten Festwiderstand R, wobei die Leiterbahnen L den Wi derstand R in den Widerstandsanschlussbereichen R überlap a pen. Figur 5 veranschaulicht in entsprechender perspektivischer Draufsicht einen Bereich der gemäss dieser Ausführungsform hergestellten Schaltungsplatte mit einer in das Leitungsmuster L integrierten Schaltkont akt stelle C mit Festkon- takten C1 und C2 ; wie ersichtlich sind die Festkontakte der Kontaktstelle C bei dieser Ausführung in der erwähnten Weise oberflächig über der Verkupferung 35 durch abschliessende Bedruckung mit der niederohmigen Pyropolymerpaste 36 als Abrieb- und Oxydationsschutz versehen. Durch die ganzflächige Verkupferung 35 der westkont,akte C1, C2 ergibt sich eine besonders niederohmige Ausführung der Schaltkontakt stellen. In dem durch einen (nicht dargestellteni äusse- ren beweglichen Kontakt überbrückten Schliesszustand der Schaltkontaktstelle liegt lediglich die geringe Schichtdicke der oberflächigen Bedruckung mit der Pyropolymerpaste 36 im elektrischen Stromweg, deren Widerstand praktisch ver nachlässigt werden kann. Der vorstehend anhand zweier bevorzugter Ausführungsformen gemäss den Figuren 1 und 2, bzw. 3-5 erläuterte additive Aufbau von Widerstände und/oder Schalt kont akt stellen enthaltenden Leitungsplatten kann gegebenenfalls durch wiederholte Ausführung der Verfahrensschritte gemäss Figur 1 bzw. gemäss Figur 3 ein- oder beidseitig des Substrates beliebig fortgesetzt werden, wobei die verschiedenen Ebenen in an sich bekannter Weise durch Isolierschichten, gegebenenfalls mit gewünschten Durchkontaktierungen, voneinander getrennt würden. Die Erfindung wurde vorstehend anhand bevorzugter Ausführungsformen erläutert, die jedoch selbstverständlich in Einzelheiten in mannigfacher Weise abgewandelt werden können. Insbesondere sind wechselseitige Kombinationen der beiden anhand der Figuren 1 und 3 erläuterten Ausführungsformen des erfindungsgemässen Verfahrens je nach der Gestaltung des Einzelfalles möglich. Wesentlich für den Grundgedanken der Erfindung ist die auf die anfängliche Herstellung von Widerständen im Siebdruck folgende Erzeugung einer für nachfolgen de stromlose Metallisierung sensibilisierten Haftvermittlerunterlage für die Leiterbahnen und gegebenenfalls die Schalt kont akt stellen in dem für das Leitungsmuster und die Schaltkontaktstellen erforderlichen Layout, mit nachfolgender stromloser Metallisierung der freiliegenden Bereiche dieser sensibilisierten Haftvermittlerschicht.

Claims: Patentansprüche 1. Verfahren zur Herstellung von WiderstEnde und/oder Schaltkontaktstellen integriert enthaltenden Leiter platten, dadurch g é k e n n z e i c h n e t , dass im additiven Verfahren zunächst die Widerstände (R) und gegebenenfalls die Schaltkontaktstellenbereiche (C) im gewünschten Layout aus einer gegebenenfalls für nachfolgende stromlose Metallisierung, insbeson dere Verkupferung sensibilisierten Widerstandspaste (2, Figur la; 3?, Figur 3a) aufgedruckt, sodann eine für nachfolgende stromlose Metallisierung, insbeson dere Verkupferung sensibilisierte Haftvermittler schicht (3, figur lb: : 34) in einem für die Leiter bahnen (L) sowie gegebenenfalls für die Schaltkon takt stellen (C, Figuren 3-5) gewünschten Layout auf gebracht wird, und dass sodann durch Behandeln der Platte in einem chemisch arbeitenden Metallisierungs-, insbesondere Verkupferungsbad die freiliegenden Be reiche der Haftvermittlerschicht (3; 34) stromlos me tallisiert, insbesondere verkupfert werden, unter Er zeugung der Leiterbahnen (L) und gegebenenfalls der Schaltkontaktstellen in dem gewUnschten Layout. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass die Haftvermittlerschicht aus einer elektrisch isolierenden Abdeckerpaste (3, Fi gur ib) hergestellt wird und ausser als Haftvermittler unterlage für die Leiterbahnen (L) auch zur Abdeckung der Widerstandsbereiche (R) dient (Figur 1). 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass die für stromlose Metallisie- rung sensibilisierte, als Haftvermittlerunterlage für die Lefterbahnen dienende Haftvermittlerschicht aus einer elektrisch leitenden niederohmigen Wi derstandspaste (34, Figur 3c) hergestellt wird und dass vor der Aufbringung dieser sensibilisierten Haft vermittlerschicht die mit den Widerständen (R, 32, Figur 3a) bedruckte Platte (31) im wesentlichen ganz flächig mit einer nicht-sensibilisierten isolieren den Abdeckerschicht (33) unter Aussparung der Wider standsanschlussbereiche CRa) beschichtet wird (Figur 3b), welche als Abdeckung für die Widerstände (R, 32) und als Unterlage für die verkupferbare sensibi lisierte Haftvermittlerschicht (3#) dient (Figur 3). 4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2 zur Herstellunz von Widerstände und/oder Schalt kontakt stellen integriert enthaltenden Leiterplatten mit peinleiterstruktur der ; Leiterbahnen unter Anwendung von Photodruckverfahren zur Delineation des Layouts der Beiterbahnen, g e k e n n z e i c h n e t durch die folgenden Verfah rensschritte (Figur 1): : (a) Bedrucken des Substrats (i) mit einer für nachfol gende stromlose Metallisierung, insbesondere Ver kupferung, sensibilisierten Widerstandspaste (2) in einen den gewünschten Widerstandsbereichen (R) und Kontaktstellenbereichen (C) entsprechenden Layout (Figur la) > (b) im wesentlichen ganzflächiges Bedrucken der Platte mit einer ebenfalls für nachfolgende stromlose Me- tallisierung, insbesondere Verkupferung, sensibili sierten isolierenden Haftvermittler-Abdeckerpaste (3) unter Aussparung der Widerstandsanschlussbe reiche (Ra) und der Kontaktstellenbereiche (C) (Figur Ib) > (c) ganzflächige Beschichtung der Platte mit einem Photoresist oder -abdecker (4) (Figur 1c) mit nachfolgender selektiver Belichtung und Entschich tung gemäss dem für die Leiterbahnen (L) > die Wider standsanschlussbereiche (Ra) und die Anschlussberei- che (Ca) der Kontaktstellen (C) gewünschten Layout (Figur 1d) (d) Behandlung der Platte im chemisch arbeitenden Me- tallisierungs-,insbesondere Verkupferungsbad zur stromlosen Metallisierung, insbesondere Verkupfe rung der freiliegenden Bereiche der im Verfahrens- schritt (b) aufgebrachten sensibilisierten isolie renden Abdeckerschicht (3) und der im Verfahrens schritt (a) aufgebrachten sensibilisierten Wider- standsschicht (2) unter additiver Erzeugung lötba rer Leiterbahnen (L) mit Widerstandsanschlussberei chen (Ra) und Kontaktstellen-Anschlussbereichen (Ca) (Figur le). 5. Verfahren nach Anspruch LI, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass im Anschluss an den Verfahrens schritt (a) eine Wärmebehandlung bei Temperaturen im Be reich von etwa 200 C bis etwa 250 C je nach Substratart zum Aushärten der Widerstandspaste (2) vorgenommen wird. 6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass in dem Verfahrensschritt (c) auch die den gewünschten Schaltkontaktstellen entsprechenden Bereiche (C) durch entsprechende selektive Belichtung und Entschichtung von dem Photoresist (#) freigelegt, in dem anschliessenden Verfahrensschritt (d) metallisiert, insbesondere verkupfert und in einem abschliessenden Verfahrensschritt mit einer elektrisch leitenden niederohmigen Pyropolymerschicht als Abrieb- und Oxydati- onsschutz bedruckt werden. Verfahren nach Anspruch # oder 3, zur Herstellung von Widerstände und/pder Schaltkontaktstellen integriert enthaltenden Leiterplatten mit einer die Delineation des Leiterbahnenlayouts im Siebdruckverfahren gestattenden Leiterbahnenstruktur, g e k e n n z e i c h n e t durch die folgenden Verfahrensschritte (Figur 3): : (a) Bedrucken des Substrats (31) mit einer Widerstands- paste (32) gemäss dem für die Widerstandsbereiche (R) gewünschten Layout mit anschliessender Antrocknung (Figur 3a), (b) im wesentlichen ganzflächige Beschichtung der Platte mit einer isolierenden Abdeckpaste (33) unter Aus sparung der für die Kontaktierung der Widerstände (R) dienenden Widerstandsanschlussbereiche CRa) mit nach folgender Antrocknung (Figur 3b), (c) Bedrucken mit einer für nachfolgende stromlose Ne- tallisierung, insbesondere Verkupferung sensibilisier ten elektrisch leitenden niederohmigen Haftyermitt ier-Widerstandspaste (311) gemäss dem für die Leiter bahnen (L) einschliesslich der im Verfahrensschritt (b) unbedeckt gelassenen Widerstandsanschlussbereiche (Ha) und die Schaltkontaktstellenbereiche Cc) gewün schten Layout (Figur 3c), (d) Behandlung der Platte im chemisch arbeitenden Metalli sierungs-,insbesondere Verkupferungsbad zur stromlo sen Metallisierung,insbesondere Verkupferung der im Verfahrensschritt (d) mit sensibilisierter Widerstands paste bedruckten Bereiche CL, <RTI ID=23.2> Ras C) unter additiver Erzeugung lötbarer Leiterbahnen CL) mit Widerstands anschlussbereichen (Ra) sowie der Kontaktstellenbe reiche Cc) (Figur 3d). 8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass nach dem Verfahrensschritt;lc) das Gebilde aus dem mit der Widerstandspaste (32), der Isolierpaste (33) und der sensibilisierten Widerstandspaste (3#) be druckten Substrat eine Stunde lang bei ca. 230 C ausge härtet wird. 9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass in einem auf den Verfahrensschritt -- (d) folgenden Verfahrensschritt die Metallisierung (35) im Bereich der Kontaktstellen (c) und gegebenenfalls im Bereich ausgewählter Teile der Leiterbahnen (Lc in Figur 3e) mit einer elektrisch leitenden niederohmigen Pyropo lymer-Widerstandsschicht als Abrieb- und Oxydationsschutz bedruckt werden (Figur 3e). 10. Verfahren nach. einem oder mehreren der vorhergehenden An sprüche, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass die verschiedenen Bedruckungen im Siebdruckverfahren erfolgen, 11. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden An sprüche, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass in einem abschliessenden Verrahrensschritt, gegebenenfalls nach Strippen der verbliebenen Photoresistteile, die Schal tungsplatte ganz flächig mit einem Lötstopplack behandelt wird, unter Aussparung der zum Einlöten äusserer Schaltungs bauteile etwa im Tauchlötverfahren dienenden Lötkontakt stellen. 12. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden An sprüche, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass als Substrat (1; 31) ein Phenolharz-, Epoxydharz-, ?olyimid- harz-Hartpapier oder ein im Spritzgussverfahren hergestell- tes Kunststoffsubstrat aus Polyphenylènoxid, Polyphenylensul- fid, Polyimid, Polyamidimid oder Polyphenylensulfon verwendet wird. 13. Verfahren nach einem oder mehreren der¯vorhergehenden An sprüche, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass zur Erzeugung der elektrisch leitenden Widerstandsschichten, der elektrisch isolie-renden Abdeckschichten und/oder der Haftvermittlerschichten Pasten verwendet werden, die auf einer gemeinsamen, einheitlichen Bindemittelgrundsubstanz aufgebaut und entsprechend der jeweiligen Funktion als Widerstand, Isolierschicht und/oder Haftvermittler modifiziert sind. 18. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass die einheitliche Bindenittelgrundsubstanz ein organisches Bindemittelsystem auf der Grundlage eines ge sättigten Polyesters und Isoporondiisocyanat und einer weiteren Bindemittelkomppnente aufweist und neben OM-Grup- pen blockierte bzw. maskierte Isocyanataruppen und einen Epoxydbarz-Anteil enthält. 15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass die Bindemittelgrundsubstanz als weitere Bindemittelkomponente ein hydroxymethylgruppenhaltiges Acrylamidharz und ein Melaminformaltdehydalkydharz enthält. 16. Verfahren nach Anspruch 111, dadurch g e k e n n z e i c h n e t dass insbesondere zur Erzeugung einer elektrisch isolierenden Schicht oder als Lötstopplack die Bindemittelgrundsubstanz als weitere Bindemittelkomponente Polyis6cy- anat vernetzende Acrylharze und/oder Polvvinylacetalharze enthält. 17. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 13-15, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass zur Erzeugung von Widerstands- und gegebenenfalls Haft vermittler- schichten eine Widerstandspaste verwendet wird, welche in die Bindemittelgrundsubstanz Pyropolymer-, RuB-, Graphit-, Silber- oder Nickeltejichen mit Teilchengrössen kleiner als 6 sm eindispergiert enthält. 18. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden An sprüche 13-17, dadurch g e k e n n z e i c h n e t dass die Widerstands- Isolier- und/oder Haftvermittlerpaste zur Sensibilisierung für nachfolgende stromlose Metallisierung, insbesondere Verkupferung einen Katalysatorbestandteil in die Bindemittelgrundsubstanz eindispergiert enthält. 9. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass der Katalysatorbestandteil kataly tisch wirksame Elemente der Gruppen 1 und VIII des peri odischen Systems vorzugsweise in Form organischer oder an organischer reduzierbarer Verbindungen dieser Elemente enthält. 20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch g e k.e n n z e i c h n e t , dass der Katalysatorbestandteil eine Ka- talysatorsubstanz aus der Gruppe Pd, PC1.C1Z oderCuP enthält. 21. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 18-20, dadurch g e k e n n z e i c h n e t dass der Katalysator- bestandteil feuerfeste, gegebenfalls mit pyrolytischem Kohlenstoff überzogen & Trägerteilchen beispielsweise aus Al2O3 aufweist, die mit der Katalysatorverbindung beleimt oder überzogen sind. 22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass die Trägerteilchen mit einem kolloidalen Niederschlag der Katalysatorverbindungen überzogen sind. 23. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 18-22, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass die aus den für stromlose chemische Metallisierung, insbesondere Verkupferung sensibilisierten Pasten hergestellten Schichten vor der Metallisierung im autokatalytisch arbeitenden Metallisierungsbad einer chemischen "Autrau- hungs"-Vorbehandlung zum porösen Aufschluss der Binde mitteloberfläche unterzogen werden. 24. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass die chemische Aufrauhung der Binde mitteloberfläche durch Behandlung mit verdünnter Schwefelsäure erfolgt.

Inventors: AMBROS, PETER, DIPL.-CHEM., MULLER, WALTER, Müller, Walter 
Applicants: PREH, ELEKTROFEINMECHANISCHE WERKE JAKOB PREH NACHF. GMBH & CO.
Application year: 1982
Main classification: C23C20
IPC codes: H01L21, H05K3, H05K1