ELECTRICAL CONTACT FOR A SILICON SEMICONDUCTOR

Abstract: 1. Electric contact for a silicon semiconductor (5), which contact consists of an assembly of a ceramic material (1) and a metal layer (3), in which arrangement the metal layer (3) has a low electric resistance and is on one side connected by a eutectic (2) to the ceramic material (1) and on the other side joined by its material to the silicon semiconductor (5), characterised in that the assembly (1) has a linear coefficient of thermal expansion the value of which deviates by a maximum of 3 . 10**-6/K from that of the silicon and has a thermal conductivity which is greater than 3 W/m K, and that the metal layer (3) is connected to the silicon semiconductor (5) by means of a layer of solder (4).

Description: Elektrischer Kontakt für Silizium-Halbleiter Die Erfindung bezieht sich auf einen elektrischen Kontakt für Silizium-Halbleiter nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Ein solcher Kontakt ist bekannt aus dem Artikel von J.C. Driscoll et.al. in Proc. of Int. Microelectronics, Symp. of Oct. 11-13, 1976, Vancouver, Canada. Der dort beschriebene elektrische Kontakt besteht aus einer Kupferschicht und einer Oxydkeramik, welche entweder BeO oder Al 203 ist. Die Kupferschicht ist durch ein Cu-Cu2O-#utektikum mit der Keramik verbunden. Die andere Seite der Keramik ist ebenfalls durch ein Cu-Cu2O-Eutektikum mit einer Kühlplatte aus Kupfer verbunden. Die Kupferschicht ist auf der anderen Seite stoffschlüssig mit einem Silizium-Halbleiter verbunden. Auf der anderen Seite des Halbleiters sind Druckkontakte aus Kupfer angeordnet. Ein Rahmen aus Aluminium ist auf die Kühlplatte geschraubt um auf die Druckkontakte genügend Druck auszuüben. Der bekannte Kontakt hat den Nachteil, dass wegen der unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten von Silizium, Kupfer und Keramik, keine lateral beliebig grossen Silizium Halbleiter mit derartigen Kontakten versehen werden können. Die mechanischen Spannungen, welche durch die unterschiedlichen Wärmeausdehnungen entstehen, sind dann so hoch, dass entweder die Bruchfestigkeit des Siliziums überschritten wird, oder die Grenzflächenverbindung als Folge der zyklischen thermischen Ermüdung versagt. Ein anderer Nachteil ist, dass der gegenüberliegende Kontakt aus diesen Gründen als Druckkontakt ausgeführt sein muss. Die Erfindung stellt sich deshalb die Aufgabe, einen elektrischen Kontakt für Silizium-Halbleiter derart zu verbessern, dass der Kontakt mit der ganzen Anschlussfläche des Silizium-Halbleiters stoffschlüssig verbunden werden kann, wobei der Silizium-Halbleiter lateral beliebig gross sein kann. Diese Aufgabe wird bei einem elektrischen Kontakt der eingangs genannten Art erfindungsgemäss durch die Merkmale des kennzeichnenden Teils des Anspruchs 1 gelöst. Ein wichtiger Vorteil der Erfindung ist, dass die Wärmeausdehnung der Komposition überwiegend von der Keramik bestimmt wird. Weil der Wärmeausdehnuncrskoeffizient der Keramik dem des Siliziums angepasst ist, können nunmehr auch auf grosse Flächen des Silizium-Halbleiters elektrische Kontakte stoffschlüssig aufgebracht werden. Es können jetzt auch auf beiden Seiten des Siliziums-Halbleiters elektrische Kontakte stoffschlüssig aufgebracht werden. Die bisher notwendigen, aufwendigen Einspannvorrichtungen sind damit nicht mehr erforderlich. Von ganz besonderer Bedeutung ist es, dass die stoffschlüssig aufgebrachten, erfindungsgemassen Kontakte auch grösste thermische Dauerund Wechselbelastungen des F.albleiterelementes schadlos überstehen. Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus den anhand von Zeichnungen erläuterten Beispielen. Dabei zeigt: Fig. 1 ein elektronisches Bauelement bestehend aus einem Silizium-Halbleiter mit beidseitigen elektrischen Kontakten, welches durch eine Kühlflüssigkeit ge kühlt wird, und Fig. 2 ein Modul von mehreren Silizium-Halbleitern mit beid seitigen elektrischen Kontakten, welche stoff schlüssig mit einem metallischen Kühlkörper und ei nem metallischen Kühlrohr verbunden sind. Fig. 1 zeigt einen Silizium-Halbleiter 5 mit beidseitigen elektrischen Kontakten, welche aus einer Keramik 1, einem Eutektikum 2 und einer Metallschicht 3 bestehen. Durch das Lot 4, z.B. Aluminium, ist die Metallschicht 3 mit dem Silizium-Halbleiter 5 verbunden. Das Bauelement wird mit der Kühlflüssigkeit 6 gekühlt. Fig. 2 zeigt ein Modul von mehreren Silizium-Halbleitern 5 mit beidseitigen elektrischen Kontakten, welche aus einer Oxydkeramik 1, einem Eutektikum 2 und einer Metallschicht 3 bestehen. Durch das Lot 4 sind die Metallschichten 3 mit den Silizium-Halbleitern 5 verbunden. Der metallische Kühlkörper 7 und das metallische Kühlrohr 8 sind durch Schrauben 9 mit der Keramik 1 verbunden. Durch das metallische Kühlrohr 8 fliesst eine Kühlflüssigkeit 6. Der lineare Wärmeausdehnungskoeffizient der Komposition, welche aus der Keramik 1 und der Metallschicht 3 besteht, weicht höchstens um 3 x 10 /K von dem des Siliziums ab, welcher 2,5 x 10 6/K beträgt. Dieser Unterschied gewährleistet eine hohe Planität der Verbindung zwischen dem Silizium-Halbleiter 5 und dem elektrischen Kontakt. Bei Hochleistungsbetrieb können Temperaturen von 500 K in dem 300 jim dicken Silizium-Halbleiter 5 entstehen. Die Wärmeleitfähigkeit der Komposition, welche grösser ist als 3 W/m.K, gewährleistet dann einen einwandfreien Betrieb. Besonders vorteilhaft ist eine Komposition, welche aus einer Keramik 1 von 50 bis 3000 pm Dicke und einer Metallschicht 3 von 20 bis 3000 Fm Dicke besteht, und bei der das Dickenverhältnis zwischen der Keramik 1 und der Metallschicht 3 grösser als 1 ist. Dadurch ist eine hervorragende Planität des elektrischen Kontaktes gewährleistet. Dieser Vorteil ist besonders günstig bei Metallen mit einer Fliessspannung von höchstens 50 MPa für 2 % Verformung. Der lineare Wärmeausdehnungskoeffizient der Komposition wird dann in besonders hohem Masse von der Keramik 1 bestimmt. Um anderseits die elektrischen Verluste gering zu halten, besitzt die Metallschicht 3 vorzugsweise einen spezifischen Widerstand kleiner als 20 x 10 9 Film. Geglühtes Kupfer entspricht diesen Bedingungen, mit einer Fliessspannung von 30 - 40 MPa und einem spezifischen Wider -9 stand von 17 x 10 9n#m, besonders gut. Die Verwendung von dicken Kupferschichten garantiert auch eine bessere Wärmeleitfähigkeit der Komposition, so dass derartig ausgeführte elektrische Kontakte grössere Leistungen des Silizium-Halbleiters 5 ermöglichen. Die Keramik 1 ist mit Vorteil eine etwa 500 pm dicke Mullitscheibe. Die chemische Formel für Mullit ist 3A1203 ¯ 2SiO2. Der lineare Wärmeausdehnungskoeffizient von reinem Mullit beträgt 4,5 bis 5,0 x 10 6/K, und seine Wärmeleitfähigkeit beträgt 6 W/m¯K. Durch eine geringe Veränderung der idealen Zusammensetzung des Mullits wird der Ausdehnungskoeffizient kleiner. Das hier verwendete Mullit ist ein l'Typ-O Mullit" der Firma Coors Porcelain, USA, mit einem linearen Ausdehnungskoeffizienten von 3,8 x 10 /K und einer Wärmeleitfähigkeit von 4 W/m K. Mit besonderem Vorteil kann die Keramik 1 auch aus Zinnoxid bestehen, welches einen Ausdehnungskoeffizienten von 3,7 x 10 /K und eine Wärmeleitfähigkeit von 26 W/m K besitzt. Die Keramik 1 und die Metallschicht 3 sind durch ein Eutektikum 2 miteinander verbunden. Bei Mullit und Kupfer ist dies ein Cu-Cu2O-Eutektikum. Solche eutektischen Verbindungen werden ausführlich beschrieben in dem Artikel von J.F. Burgess et.al. in J. Electrochem Soc. von Mai 1975, Seiten 688 bis 690. Vorzugsweise besitzt die Keramik 1 eine Dicke von etwa 500 jun und die vorzugsweise aus Kupfer bestehende Metallschicht 3 eine Dicke von 300 pm. Dadurch werden besonders günstige Eigenschaften der Komposition im Sinne der Erfindung erzielt. Um eine gute Planität auch bei dicken Metallschichten 3 (z.B. 300 )Im) zu gewährleisten, werden die Metallschichten vor dem eutektischen Verbinden durch photolithographisches Aetzen mit regelmässigen Schlitzen versehen. Die aus Kupfer bestehende Metallschicht 3 wird im Hochvakuum bei 6500C unter einem Druck von etwa 104 Pa mit Aluminium als Lot 4 an den Silizium-Halbleiter 5 angelötet. Prinzipiell eignet sich aber jedes Lot, das eine ausreichende thermische Wechselfestigkeit besitzt, z.B. Pb. Das Lot 4 hat eine Dicke von etwa 10 ,zum. Der Kühlkörper 7 besteht aus Aluminium und ist durch Schrauben 9 derart mit der Keramik 1 verbunden, dass der Ausdehnungskoeffizient des Kühlkörpers 7 den der Keramik 1 nicht beeinflusst. Zum Beispiel können die Durchgangsbohrungen für die Schrauben in den Kühlkörpern 7 überdimensioniert sein. Zur Verbesserung des Wärmeüberganges können zwischen den Kühl körpern 7 und den Keramiken 1 dünne Schichten aus synthetischem Wachs vorgesehen sein. Das Kühlrohr 8 besteht aus Kupfer und ist ebenfalls durch Schrauben 9 mit der Keramik 1 verbunden. Wenn aus schaltungstechnischen Gründen mehrere, gleichartige Silizium-Halbleiter 5 benötigt sind, ist der Aufbau als Modul, welcher in Fig. 2 gezeigt wird, besonders geeignet. Z.B. ist auf diese Art eine Brückenschaltung von Hochleistungshalbleitern ausgezeichnet herstellbar. Die (nicht-gezeichneten) elektrischen Leitungen, welche mit den Metallschichten 3 verbunden sind, werden zur oberen Seite, bzw. zur unteren Seite jedes Halbleiterelementes ausgeführt. Wegen der elektrischen Isolierung sind die Keramiken 1 und die Kühlkörper 7 einzeln auf die oberen Seiten der Siliziumhalbleiter 5 montiert.

Claims: Patentansprüche 1. Elektrischer Kontakt für Silizium-Halbleiter (5), welcher aus einer Komposition einer Keramik (1) und einer Metall schicht (3) besteht, wobei die Metallschicht (3) durch ein Eutektikum (2) mit der Keramik (1) und stoffschlüssig mit dem Silizium-Halbleiter (5) verbunden ist, dadurch gekenn zeichnet, dass die Komposition einen linearen Wärmeaus dehnungskoeffizienten besitzt, welcher im Wert höchstens um 3,10-6/K von dem des Siliziums abweicht, und eine Wär meleitfähigkeit besitzt, welche grösser ist als 3 W/m K. 2. Elektrischer Kontakt nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich net, dass die Keramik (1) eine Dicke von 50 bis 3000 pin besitzt, und dass die Metallschicht (3) eine Dicke von 20 bis 3000 pin besitzt, wobei das Verhältnis zwischen der Dicke der Keramik (1) und der Dicke der Metallschicht (3) grösser als 1 ist. 3. Elektrischer Kontakt nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich net, dass die Metallschicht (3) eine Fliessspannung von höchstens 50 MPa für 0.2 % Verformung und einen spezifi schen Widerstand von höchstens 20-10 9 m aufweist. 4. Elektrischer Kontakt nach Anspruch 3, dadurch gekennzeich net, dass die Metallschicht (3) aus Kupfer besteht. 5. Elektrischer Kontakt nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich net, dass die Keramik (1) Mullit ist, welches die chemi sche Bezeichnung 3A1203 2SiO2 besitzt. 6. Elektrischer Kontakt nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich net, dass die Keramik (1) Zinnoxyd ist. 7. Elektrischer Kontakt nach Anspruch 3, dadurch gekennzeich net, dass die Keramik (1) eine Dicke von 500 Fm, und die Metallschicht (3) eine Dicke von 300 ¯:im aufweist. 8. Elektrischer Kontakt nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich net, dass zur stoffschlüssigen Verbindung der Metall schicht (3) mit dem Silizium-Halbleiter (5) eine Alu miniumschicht (4) vorgesehen ist.

Inventors: GOBRECHT, JENS, DR., SCHULER, CLAUS CRISTIAN, DR., Schüler, Claus Cristian, Dr.
Applicants: BBC AKTIENGESELLSCHAFT BROWN, BOVERI & CIE.
Application year: 1982
Main classification: H01L23
IPC codes: H05K1, H01L23, H05K3, H01L21