MODULATABLE TRANSISTOR OSCILLATOR WITH HIGH POWER OUTPUT

Abstract: 1. A modulatable high power transistor v.h.f. oscillator having a frequency-determining coaxial resonator (1) and a transistor (Tr1) coupled to the resonator and connected as a common collector stage (oscillator transistor), characterised in that the amplified base band signal is fed to the oscillator transistor (Tr1) in equal phase on the one hand via a bias voltage transistor (Tr2) which is connected via a capacitor (7) to the base-band signal input (BF) and which modulates the base bias voltage of the oscillator transistor (Tr1), and on the other hand is applied across a modulation diode (22) and changes the frequency of the oscillator transistor (Tr1) in the resonator (1).

Description: Modulierbarer Transistoroszillator ffrosser -Leistung Die Erfindung bezieht sich auf einen modulierbaren Transistoroszillator grosser Leistung für den Bereich sehr hoher Frequenzen. Richtfunksysteine mit Kanalzahlen bis zu etwa 300 Sprechkreisen werden Eberwiegend für kurze Entfernungen mit 1 bis 5 Funkfeldern betrieben. Bei Verwendung derartiger Systeme für Weitverkehrsverbindungen werden in der Regel auf Jeder Zwischenstelle einzelne Kanäle abgezweigt bzw. neu eingespeist, d.h. es ist eine Demodulation bzw. Modulation des Basisbandes je Zwischenstelle erforderlich. Man ist daher bestrebt, diese Schmalbandsysteme als direkt modulierte Geräte mit di-. rekter Modulation des Radiofrequenz-Trägers unter Verzicht auf den Modulator in der Zwischenirequenz-Lage aufzubauen. Bei der Modulation in einem Oszillator kleiner Leistung ist ein nachgeschalteter Leistungs- verstärker erforderlich, was einen erhöhten Platzbedarf und höhere Kosten verursacht. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen modulierbaren Transistoroszillator einfachen Aufbaus zu schaffen, bei dem die modulierte Radiofrequenz in einem einstufigen Leistungsoszillator erzeugt werden kann bei einer möglichst verzerrungsfreien Erzeugung des erforderlichen Frequenzhubs bei hohem Leistungs- pegel des RF-Oszillators und möglichst geringem ther mischem Geräusch. Diese Aufgabe wird bei einem modulierbaren Transistoroszillator der eingangs beschriebenen Art gemäss der Erfindung in der Weise gelöst, dass das verstärkte Basisbandsignal über zwei Wege gleichphasig dem Oszillator zugeführt wird, derart, dass einerseits über einen Vorspannungstransistor,*'die Basisvorspannung des RF Transistors moduliert und andererseits über eine Modulationsdiode die Frequenz des mit dem RF-Transistor verbundenen Resonators geändert wird. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des Erfindungsgegenstandes sind in den Unteransprtichen angegeben. Weitere Einzelheiten der Erfindung werden nachstehend anhand eines in der Zeichnung-dargestellten AusSEh- rungsbeispiels näher erläutert. Die Figur zeigt das Schaltbild des modulierbaren Leistungsoszillators, der nach dem Prinzip des ermittergekoppelten Oszillators fnnktioniert. Die RF-Leistung (ca. 1,5 Watt bei 1,8 GHz) wird im Transistor Tr1 erzeugt. Der Transistor ist in dem strichpunktiert angedeuteten, als Koaxialresonator ausgebildeten Resonator 1 untergebracht. Der Kollektor des Transistors Tr1 liegt auf Masse, die Basis ist an den Innenleiter-2 des Koaxialresonators angeschraubt. An den Innenleiter 2 des Xoaxialresonators ist ferner ein einseitig auf Masse liegender Tauchkondensator 25 angeschlossen, über den die Abstimmung des Oszillators auf die RF-Kanäle erfolgt. Vom Prüffeld einstellbare Anschläge begrenzen den Durchstimmbereich. Die RF-Leistung wird aus dem Emitter des Transistors Tr1 über ein Anpassungsnetzwerk ausgekoppelt, bestehend aus der Induktivität 20 und dem Koppelkondensator 30. *) der über einen Kondensator mit dem Basisbandsignaleingang verbunden ist, Diesem nachgeschaltet ist ein Tiefpass aus der Induktivität 32 und den Kondensatoren 31 und 33, der den Oberwellenabstand verbessert. Über einen Kondensator 34, der an die zum RF-Ausgang führende Leitung angeschlossen ist, ist eine Frequenzmessbuchse M angekoppelt. Der Leistungsoszillator wird über eine Phasenregelung mit Synthesizer quarzstabil in seiner Mittenfrequenz synchronisiert. Für diese Regelung wird von der Indutivität 20 des Anpassungsnetzwerkes aus über einen Kondensator 29 und ein 3-dB-Dämpfungsglied 24 ein kleiner Teil der RF-Leistung ausgekoppelt. Die Regelspannung (Eingang AFc) wirkt im RF-Oszillator auf die Regeldiode 26, die über einen Koppelkondensator 27 an den Resonator angekoppelt ist. Das vom BF-Verstarker (Eingang BF) kommende Basisbandsignal wird dem Oszillator auf zwei gleichphasigen Wegen zugeführt: einerseits wird über einen Vorspannungstransistor Tr2 die Basisvorspannung des RF-Transistors Tr1 moduliert, andererseits wird über eine kapazitiv angekoppelte Modulationsdiode 22 die Frequenz des Resonators geändert. Der Vorspannungstransistor Tr2 erhält das Basisbandsignal über einen Kondensator 7 und ein Potentiometer 11. Der Kondensator 7 ist so dimensioniert, dass für die tiefste Messfrequenz der Spannungsabfall an ihm klein ist gegen über der Spannung am Widerstand R13, d.h. des in der Emitter-Basis-Strecke des Vorspannungstransistors Tr2 liegenden Widerstandes des hochohmigen Spannüngstei- lers 12, 13. Zur Modulationsdiode 22 gelangt das Basisbandsignal über einen Kondensator 3, zwei ohmsche Widerstände 4, 5 und eine Induktivität 21. Die Vorspannung der Modulationsdiode 22 ist über ein Potentiometer 9 einstellbar, das mit Widerständen 8, 10 zwischen der Vorspannungsquelle und Massepotential in Serie liegt und dessen Abgriff an den Verbindungsp1 kt der Widerstände 4, 5 im Zuleitungsweg des Basisbandsignals zur Modulationsdiode 922 geführt ist. Die Ankopplung der Modulationsdiode 22 an den Resonator erfolgt über einen mit dem Innenleiter 2 verbundenen Kondensator 23. Weitere ohmsche, induktive und kapazitive Elemente der Schaltung, die zur Erläuterung der Funktion des erfindungsgemässen Transistoroszillators nicht unbedingt erforderlich sind, sind nicht näher beschrieben. Im erfindungsgemässen modulierbaren Leistungsoszillator erfolgt also die Modulation des RF-Transistors über zwei Wege, nämlich einerseits über die Modulationsdiode und andererseits über den Vorspannungstransistor. Beide Modulationswege bzw. Modulationseinrichtungen arbeiten gleichphasig und ergänzen sich bei der Erzeugung des Frequenzhubs. Durch die Aufteilung der Modulation auf die zwei Wege wird erreicht, dass die Modulationsdiode wesentlich loser angekoppelt werden kann als in dem Fall, wo sie allein den ganzen Frequenzhub bewirken müsste. Durch die lose Ankopplung ist die Güte des Oszillators höher und das thermische Geräusch bleibt klein. Gegenüber einer alleinigen Modulation über den Vcrspannungstransistor hat die Aufteilung den Vorteil geringerer Klirrgeräusche, da die Modulation durch die Kombination von Modulationsdiode und Vorspannungstransistor linearer erfolgt. Die Steilheitsverzerrungen in den beiden Wegen lassen sich durch geeignete Wahl der Ankopplungen und Arbeitspunkte weitestgehend kompensieren. 7 Patentansprüche 1 Figur

Claims: Patentans#r < 1che 1. Modulierbarer Transistoroszillator grosser Leistung für den Bereich sehr hoher Frequenzen, d a d.u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass das verstärkte Ba sisbandsignal über zwei Wege gleichphasig dem Oszilla tor zugefUhrt wird, derart, dass einerseits über einen Vorspannungstransistor (Tr2), der über einen Kondensator (7) mit dem Basisbandsignaleingang (BF) verbunden ist, die Basisvorspannung des RF-Transistors (Tr1) moduliert und andererseits über eine Modulationsdiode (22) die Frequenz des mit dem RF-Transistor (Tr1) verbunden Resonators (1) geändert wird. 2. Transistoroszillator nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e II n z e i c h n e t , dass der Kondensator (7) im Weg des Basisbandsignals zum Vor spannungstransistor (Tr2) so dimensioniert ist, dass für die tiefste Messfrequenz der Spannungsabfall an ihm klein ist gegen die steuernde Spannung am Widerstand (R13) (Emitter-Basis-Strecke des Vorspannungstransistors Tr2). 3. Transistoroszillator nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Modulationsdiode (22) kapazitiv an den Ausgang eines das Basisbandsignal verstärkenden Verstärkers angekoppelt ist. 4. Transistoroszillator nach einem der Ansprüche 1 bis 3, d a d u r c h g e k e n n z ei c h ne t, dass die HF-Leistung vom RF-Transistor (Tr1) über ein Anpassungsnetzwerk (20, 30) ausgekoppelt wird. 5. Transistoroszillator nach Anspruch 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass dem Anpassungsnetzwerk (20, 30) ein Tiefpass (31, 32, 33) nachgeschaltet ist. 6. Transistoroszillator nach einem der Ansprüche 1 bis 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass der Leistungsoszillator über #eine Phasenregelung (AFC) mit Synthesizer in seiner Mittenfrequenz syn chronisiert ist. 7. Transistoroszillator nach Anspruch 6, d a d u r ch g e k e n n z e i c h n e t , dass die von einem ausgekoppelten Teil der RF-Leistung abgeleitete Regelspannung auf eine an den Resonator (1) angekoppelte Regeldiode (26) gegeben wird.

Inventors: AMEND, WILHELM, DIPL.-ING., KLUH, UDO, DIPL.-ING., PICHON, WALTER, Klüh, Udo, Dipl.-Ing.
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
Application year: 1981
Main classification: H03C3
IPC codes: H03B5, H03B1, H03C3