PROCESS FOR MAKING MICROSTRUCTURES ON SOLID STATE BODIES

Abstract: 1. A process for producing microstructures on a solid body in which a structured surface layer (3) of a material resistant to plasma etching is produced by the deposition of a polymerizable gas under irradiation and in which the structure of the surface layer is transferred to the material of the solid body by plasma etching, characterized in that, before the structured surface layer is formed on the solid body (1), an intermediate layer (6) concentrating the lateral back-scattering of electrons is applied and in that those parts of the intermediate layer which are not convered by the structured surface layer are removed by etching before the structure is applied to the solid body.

Description: Verfahren zur Herstellung von Mikro strukturen auf festen Körpern -B E-S C H RE IB U N G Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Mikrostrukturen auf festen Körpern. Solche Verfahren sind von grosser Bedeutung für die Herstellung von Transistoren und integrierten Schaltungen; sie sind aber auch für andere Zweige der Technik von Bedeutung. Sie spielenu.a. dann eine grosse Rolle, wenn die Strukturen so klein sind, dass das Auflösungsvermögen oder die Justiergenauigkeit lichtoptischer Verfahren nicht mehr ausreicht. Bei den bisher üblichen Photolithographieverfahren wird zunächst die gesamte Oberfläche des festen Körpers mit einem lackähnlichen Material, das auch als Photoresist oder Elektronenresist bezeichnet wird, überzogen. Bei der Bestrahlung mit Photonen oder Elektronen ändert das Material seine Löslichkeit. Werden nun bestimmte Stellen der Schicht bestrahlt und andere nicht, so erhält man bei der anschliessenden Entwicklung mittels eines Lösungsmittels eine Struktur, d.h. ein Teil des festen Körpers ist mit der Schicht bedeckt, und ein Teil liegt frei. Die freiliegenden Stellen des festen Körpers können dann ange ätzt werden. Dieses bekannte Verfahren, das heute vielfach Anwendung findet, besitzt den Nachteil, dass zur Herstellung der Mikrostrukturen mehrere Schritte erforderlich sind, dass zur Entwicklung ein Lösungsmittel verwendet werden muss und dass bei den derzeit verfügbaren Resistmaterialien "pin- holes", schlechte Haftung der Schicht und Quellung die Exaktheit der Strukturübertragung beeinträchtigen oder die Ausbeute in der Produktion vermindern. Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von Mikro strukturen auf festen Körpern zur Verfügung zu stellen, welches auf einfache Weise durchzuführen ist, nicht so viele Stufen wie das bekannte Verfahren umfasst und bei dem insbesondere auf die Verwendung von Lösungsmitteln verzichtet werden kann. Ebenso soll der auf die Maskierung folgende Ätzpro- zess nicht nass sondern trocken, zum Beispiel durch Plasma ätzen, ausgeführt werden. Mit dem erfindungsgemässen Verfahren soll weiterhin die Ausbeute besser als bei den her kömmlichen Verfahren sein, auch wenn die Zahl der Strukturen auf einer Fläche sehr gross ist. Die Erfindung betrifft somit ein Verfahren zur Herstellung von Mikro strukturen auf festen Körpern mittels Strahltechnik, das dadurch gekennzeichnet ist, dass mittels der Strahltechnik eine strukturierte Deckschicht aus einem gegen Plasmaätzung unempfindlichen Material auf dem festen Körper erzeugt wird und die Struktur der Deckschicht auf das unter ihr liegende Material des festen Körpers durch Plasmaätzen übertragen wird. Bevorzugt wird mittels der Strahltechnik eine strukturierte Deckschicht aus einem polymeren, gegen Plasmaätzung unempfindlichen Material auf dem festen Körper erzeugt. Gemäss einer besonderen erfindungsgemässen Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung von Mikrostrukturen auf festen Körpern mittels Strahltechnik wird zunächst auf dem festen Körper eine Katalysatorschicht aufgebracht, diese wird mittels der Strahltechnik strukturiert abgetragen, danach wird auf der Katalysatorschicht eine Deckschicht aus einem polymeren Material, das gegen Plasma ätzung unempfindlich ist, erzeugt, und danach wird die Struktur der Deckschicht auf das unter ihr liegende Material des festen Körpers durch Plasmaätzung übertragen. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung von Mikrostrukturen auf festen Körpern mittels Elektronenstrahl-Lithographie, das dadurch gekennzeichnet ist, dass das zu bearbeitende Material vor dem Aufbringen des die Struktur definierenden Resists mit einer dünnen Schicht eines elektrisch leitenden oder halbleitenden Materials überzogen wird, welche im Verlauf der weiteren Prozess schritte ganz oder teilweise wieder entfernt wird. Die Erfindung beruht auf der Feststellung, dass Polymerisate des Restgases in Elektronenmikroskopen, die sich unter dem Einfluss des Strahles auf dem Objekt bilden (H. König und G. Helwig, Z.Physik 129, 491 (1951)), ausseror- dentlich resistent gegen Plasmaätzung sind. Hierbei spielen die besonderen Eigenschaften des Plasma ätzens, wie zum Beispiel die Bildung ausserordentlich reaktiver Molekülbruchstücke, eine besondere Rolle, und die Kombination der vorgeschlagenen Techniken mit dem Plasmaätzen wird als besonders wichtiges Merkmal betrachtet. Bei dem erfindungsgemässen Verfahren kann man als Festkörper alle die Materialien nehmen, die in der Vergangenheit bereits zur Herstellung von integrierten Schaltungen, Transistoren usw. verwendet wurden. Beispiele sind Silicium und Galliumarsenid, die gegebenenfalls mit Siliciumdioxid (SiO2) und Siliciumnitrid (Si3N4) beschichtet sein können. Die Festkörper können als dünne Scheiben bis zu mehreren Zoll Durchmesser vorliegen. Die obigen Verfahren beziehen sich jedoch nicht auf freitragende Schichten, die dünner als 10 Rm sind, oder dünne Schichten auf einer über einen Rahmen gespannten dünnen Stützschicht, bei denen die weiter unten beschriebenen Schwierigkeiten der Strukturunschärfe infolge Elektronenrückstreuung nicht bestehen und die auch in der Halbleitertechnik keine Bedeutung haben (W.W. Molzen, A.N. Broers, et al., J. Vac.Sci.Technol. 16 (2), 1979, Seite 269). Erfindungsgemäss wird auf dem festen Körper mittels Strahltechnik, beispielsweise mittels eines Elektronen-, Ionenoder Photonenstrahls (E.V. Weber, R.D. Moore, Solid State Technol, Mai 1979, Seite 61), eine strukturierte Deckschicht aus einem polymeren (J. Haller, P. White, J.Phys. Chemistry 67 (1963), Seite 1784), gegen Plasmaätzung unempfindlichen Material erzeugt. Diese strukturierte Deckschicht kann auch als Resist bezeichnet werden. Bei einer anderen erfindungsgemässen Ausführungsform wird zuerst auf den festen Körper eine strukturierte Katalysatorschicht aufgebracht. Die Aufbringung der Deck- bzw. Katalysatorschichten erfolgt durch Verdampfung oder Ka thodenzerstäubung, die Strukturierung durch Ausbrennen mit einem Elektronen- oder Laserstrahl. Die Dicke der strukturierten Schichten beträgt im allgemeinen weniger als 200 nm, vorzugsweise 50 bis 70 nm. Wird auf dem festen Körper zuerst eine Katalysatorschicht erzeugt, so bildet sich bei der anschliessenden Polymerisation die Polymerenschicht nur auf der strukturierten Katalysatorschicht, und die anderen Teile des festen Körpers, die frei sind von der Katalysatorschicht, bleiben auch deckschichtfrei. Die Herstellung der Deckschicht aus dem polymeren Material erfolgt durch strahl- oder plasmainduzierte Polymerisation eines monomeren Gases. Die Struktur der polymeren Materialien ist nicht bekannt. Man nimmt jedoch an, dass ein Teil der monomeren Moleküle aus dem Gasraum ohne wesentliche Strukturänderung in das Polymerisat eingebaut wird, während andere aufgebrochen werden und die Polymerisation in Gang setzen. Als organische Materialien zur Herstellung der Deckschicht kann man all solche Materialien nehmen, die einen ausreichend hohen Dampfdruck aufweisen, so dass im Strahlraum ein Druck von mehr als 10 4 mbar aufrechterhalten werden kann, die aber andererseits auch eine gegen Plasmaätzung unempfindliche Deckschicht ergeben. Durch den Dampfdruck unterscheiden sie sich von den Pumpenölen, aus denen zwar auch geeignete Schichten abgeschieden werden können, die aber wegen ihrer gleichzeitigen Verwendung zum Pumpen einen niedrigen Dampfdruck haben und daher nur eine sehr langsame Abscheidung gestatten. Beispiele geeigneter organischer Materialien sind ungesättigte Kohlenwasserstoffe mit C1 bis C10 Kohlenstoffatomen, die geradlinig oder verzweigt sein können. Beispiele hierfür sind äthylen, Butadien, Octen etc.; Cycloalkane mit 5 bis 10 Kohlenstoffatomen, wie Cyclopentan, Cyclohexan, Cyclooctan und Cycloalkene mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen, beispielsweise Cylcopentadien. Man kann auch Derivate dieser Verbindungen ver wenden. Erfindungsgemäss kann man ausserdem zur Herstellung der polymeren Verbindungen Benzol und Naphthalin sowie deren Derivate, wie beispielsweise Chlorbenzol, Toluol, Äthylnaphthalin, verwenden. Andere Beispiele, die erfin dungsgemäss eingesetzt werden können, sind Picolin, Diphenyl, Terphenyl, Tetraäthylorthosilicat zusammen mit Sauerstoff, Divinylbenzol und/oder Styrol. Bevorzugt werden ungesättigte Kohlenwasserstoffe, deren Dampfdruck bei Raumtemperatur grösser ist als 10 4 mbar, vorzugsweise cyclische Verbindungen mit angefügten Vinylgruppen oder deren Mischungen mit einfachen Verbindung, wie zum Beispiel eine Mischung von Divinylbenzol mit Naphthalin, verwendet. Bevorzugt verwendet man Butadien, Cyclopentan oder Cyclopentadien oder deren Derivate, Chlorbenzol, Toluol, Naphthalin, Picolin, Diphenyl, Terphenyl, Tetraäthylorthosilicat und Sauerstoff, Divinylbenzol oder Styrol. Die Schichtabscheidung hängt stark von der Wahrscheinlichkeit ab, mir der ein gegen das Substrat stossender Gasmolekül an diesem haften bleibt. Die Anmelderin hat gefunden, dass es von Vorteil ist, das Substrat während der Abscheidung auf eine Temperatur unter 20 C, aber über der Kondensationstemperatur des monomeren Gases bei dem eingestellten Druck zu kühlen. Die abgeschiedene Schicht braucht auch nicht aus einem polymerisierten organischen Material zu bestehen. Es ist nur notwending, dass sie beim Plasmaätzen erheblich weniger angegriffen wird- als das darunter liegende Material (AT. Ball, Solid State Technology, April 1978, Seite 89). Dies gilt zum Beispiel auch für SiO2, das aus einer Mi schung von Sauerstoff und Tetraäthylorthosilicat mit einer Glimmentladung auf Silicium abgeschieden wird, wenn man die Plasmaätzung in einem Gemisch aus CF4 und O2 ausführt. Hat man auf dem festen Körper zuerst eine Katalysatorschicht aufgedampft und wie oben beschrieben strukturiert, so reicht zur strukturierten Abscheidung der eigentlichen Deckschicht, d.h. des Resists, eine Glimmentladung, oder man kann die polymere Schicht mittels UV Licht oder Röntgenstrahlen abscheiden. Die Bedeutung der Erfindung liegt darin, dass feinere Strukturen als mit optischer Photolithographie hergestellt werden können, dass die Plasmaätzkammer gleichzeitig Tar-getkammer für die strukturierte Beschichtung sein kann und dass auch weiter Prozesse, wie zum Beispiel lonenim- plantation, in der gleichen Kammer ausgeführt werden können. Wegen des Wegfallens eines nassen Entwicklungsprozesses kann das Material ständig in der Kammer bleiben. Hierdurch entfällt beim Aufbringen einer zweiten Struktur die sonst erforderliche Justierung der Strukturen gegeneinander. Damit sind wesentliche Voraussetzungen für eine Automatisierung geschaffen. Bei dem erfindungsgemässen Verfahren und allgemein in der Elektronenstrahl-Lithographie werden die zu behandelnden Materialien mit einem gegen Ätzung, insbesondere plasma- ätzung, beständigen Material, dem sogenannten Resist, überzogen, wobei der Elektronenstrahl dazu dient, den Resistüberzug sofort oder nachträglich mit grösster Genauigkeit auf bestimmte Teile der Oberfläche zu beschränken. Bei den bisher bekannten Verfahren wird die Genauigkeit durch rückgestreute Elektronen beeinträchtigt, weil diese dieselbe Wirkung aber nicht dieselbe Richtung haben wie die eingestrahlten Elektronen. Die Anmelderin hat nun gefunden, dass die laterale Streuung der Elektronen eingeengt und damit die Schärfe der Struktur weiter verbessert werden kann, wenn man vor dem Aufbringen des Resists das zu strukturierende Material mit einer elektrisch leitenden oder halbleitenden Schicht hoher Dichte aber geringer Dicke überzieht. Dadurch wird die Eindringtiefe und damit der Rückstreubereich während der Bestrahlung vermindert. Diese Schicht aus elektrisch leitendem oder halbleitendem Material wird an den von der Polymerschicht nicht bedeckten Stellen durch Plasma ätzen entfernt. Diese Ätzung kann getrennt oder gleichzeitig mit der zur Strukturübertragung dienenden Plasma ätzung ausgeführt werden. Die restliche Schicht kann nachträglich entfernt werden, wenn man zuvor die Polymerschicht durch Veraschung im Sauerstoffplasma entfernt, doch erstreckt sich die Erfindung auch auf den Fall, dass die restliche Schicht stehengelassen wird Als Material für die Zwischenschicht verwendet man ein solches mit einer Dichte grösser oder gleich 5,3 g/cm3, vorzugsweise Chrom, Nickel, Germanium, Molybdän, Indium, Zinn oder Wismut. Die Schichtdicke ist nicht sehr kritisch; sie sollte aber grösser oder gleich der halben Eindringtiefe des Elektronenstrahls in diese Schicht oder kleiner oder gleich der vollen Eindringtiefe des Elektronenstrahls in diese Schicht sein. Bevorzugt ist sie grö sser der halben und kleiner der vollen Eindringtiefe des Elektronenstrahls in diese Schicht. Wählt man die Schichtdicke grösser als die halbe Eindringtiefe der Elektronen, bezogen auf die Schicht, so können nur noch solche Elektronen aus der Oberfläche austreten, die in der Schicht zurückgestreut werden, und die Unschärfe ist höchstens gleich der Schichtdicke. Ferner verhindert die elektrische Leitfähigkeit der Schicht Störungen durch Aufladung des Grundmaterials, wenn dies ein Isolator, zum;Beispiel SiO2, ist. Die Schichtdicke darf zwar grösser sein als die volle Eindringtiefe, doch behindern zu dicke Schichten die nachfolgenden Ätzprozesse. Anhand der beigefügten Zeichnung wird die Wirkung der Zwischenschicht näher erläutert. In Figur 1 werden die Verhältnisse dargestellt, wenn die erfindungsgemässe Zwischenschicht nicht vorhanden ist, und zwar am Beispiel der lokalen Abscheidung des Resists mittels Elektronenstrahlpolymerisation, wie oben beschrieben. Auf das zu bearbeitende Material 1 trifft der scharf begrenzte Elektronenstrahl 2. Die Elektronenstrahl-Apparatur enthält ein organisches Gas, das am Material 1 adsorbiert und durch den Strahl polymerisiert wird, wobei die als Resist verwendete Po lymerschicht 3 aufwächst. Die rückgestreuten Elektro nen 4 tragen zur Polymerisation bei, haben aber kei ne wohldefinierte Richtung mehr und verursachen da durch die Rand-Unschärfe 5, welche etwa der Tiefe des strichpunktiert gezeichneten Austrittsvolumens der Rückstreu-Elektronen entspricht. In Figur 2 ist die Wirkungsweise der Zwischenschicht 6 dargestellt. Diese besteht, wie oben angegeben, aus einem Material, dessen Dichte mindestens gleich 5,3 g/cm3 ist und grösser ist als die des Grundmaterials. Wählt man die Schichtdicke grösser als die halbe Ein dringtiefe der Elektronen, bezogen auf die Schicht, so können nur noch solche Elektronen aus der Oberflä che austreten, die in der Schicht 6 zurückgestreut werden, und die Unschärfe ist höchstens gleich der Schichtdicke. Die gleiche Wirkung besitzt die Zwischenschicht auch, wenn die Resistschicht nicht durch Elektronenstrahlpolymerisation sondern, wie bisher üblich, nass aufgebracht und mittels Elektronenstrahl die Löslichkeit lokal ver ändert wird. Bei dicken Resistschichten ist dann allerdings die Streuung im Resist zusätzlich zu berücksichtigen. Die folgenden Beispiele erläutern die Erfindung. Beispiel 1 Eine mit etwa 150 nm SiO2 überzogene Siliciumscheibe befindet sich in einem Gerät, das im wesentlichen einem Raster-Elektronenmikroskop gleicht, bei dem aber der Strahl weniger gut fokussierbar zu sein braucht. Der Strahldurchmesser könnte beispielsweise 0,5 ssm betragen. Das Gerät ist über ein Nadelventil oder eine Druckregeleinrichtung mit einem temperierbaren Gefäss verbunden, welches das als Ausgangsmaterial dienende Monomer, zum Beispiel Divinylbenzol, enthält. Der Gasdruck im Elektronen strahl-Gerät soll grösser als 4 x 10 5mbar sein. Nun wird nach bekannten Methoden mit dem Elektronenstrahl auf der SiO2-beschichteten Siliciumscheibe eine Struktur geschrieben, wobei sich auf der vom Strahl getroffenen Fläche eine organische Schicht abscheidet, die man beispielsweise bis zu einer Dicke von 50 nm wachsen lässt. Die so präparierte Scheibe wird nun in eine Plasma-Ätzan- lage gebracht. Ätzt man die SiO2-Schicht in einem CF4 Plasma, so bleibt sie an den mit der organischen Schicht bedeckten Stellen unversehrt und kann anschliessend in bekannter Weise als Diffusions-, Implantations- oder Ätzmaske für das darunterliegende Silicium verwendet werden. Beispiel 2 Als zu strukturierendes Material verwendet man Silicium, welches mit einer SiO2-Schicht überzogen ist. Auf dieses Material wird zunächst eine Molybdänschicht von 0,035 ssm bis 0,08 ;im Dicke aufgedampft. Die Schichtdicke wird auf ein Flächengewicht von mehr als 30ssg/cm2 eingestellt. Auf diese Schicht wird die Resiststruktur mittels Elektronenstrahl-Polymerisation bei einer Strahlenenergie von 8 keV aufgebracht. Werden andere Strahlenenergien verwendet, so ist das Flächengewicht der Zwischenschicht in gleichem Masse zu ändern, wie sich die Eindringtiefe ändert. Nach Aufbringen der Resiststruktur wird die Molybdänschicht, soweit sie nicht vom Resist bedeckt ist, durch Plasma ätzung in CF4 + O2 oder auch in chlorhaltigen Gasen entfernt. Es ist nicht schädlich, wenn dabei die unter der Mo-Schicht liegende und zu strukturierende Schicht bereits mit angegriffen wird. Auf die Abätzung der freiliegenden Mo-Schicht folgt die Ätzung der darunterliegenden Schicht sowie die Entfernung des Resists nach bereits bekannten und üblichen Verfahren. Die unter dem Resist befindliche Mo-Schicht kann je nach Weiterverarbeitung des-Grundmaterials entweder verbleiben, zum Beispiel wenn unter ihr eine als Leiterbahn dienende Metallschicht liegt, oder sie kann durch Plasmaätzen in den obengenannten Gasen entfernt werden. Beispiel 3 Man arbeitet wie in Beispiel 2 beschrieben, verwendet jedoch als Substrat Siliciumdioxid mit einer Aluminiumschicht. Man erhält die gleichen Ergebnisse wie bei Beispiel 2. Beispiel 4 Man arbeitet wie in Beispiel 2 beschrieben, verwendet jedoch als Substrat Siliciumdioxid mit einer Aluminiumschicht und Substratkühlung während der Polymerisation. Man erhält die gleichen Ergebnisse wie bei Beispiel 2. B e i s p i e 1 e 5 bis 13 Man arbeitet wie in den Beispielen 2 und 3 beschrieben und verwendet die dort beschriebenen Substrate. Anstelle von Molybdän verwendet man jedoch Chrom, Germanium, Indium, Zinn oder Wismut. Man erhält dabei ähnliche Ergebnisse wie bei den Beispielen 2 und 3.

Claims: PATENTANSPRÜCHE 1. Verfahren zur Herstellung von Mikrostrukturen auf festen Körpern mittels Strahltechnik, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass mittels der Strahltechnik eine strukturierte Deckschicht aus einem gegen Plasma ätzung unempfindlichen Material auf dem festen Körper erzeugt wird und die Struktur der Deckschicht auf das unter ihr liegende Material des festen Körpers durch Plasmaätzen übertragen wird. 2. Verfahren zur Herstellung von Mikrostrukturen auf festen Körpern mittels Strahltechnik, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass zunächst auf dem festen Körper eine Katalysatorschicht aufgebracht wird, diese mittels der Strahltechnik strukturiert abgetragen wird, danach auf der Katalysatorschicht eine Deckschicht aus einem polymeren Material, das gegen Plasmaätzung unempfindlich ist, erzeugt wird und danach die Struktur der Deckschicht auf das unter ihr liegende Material des festen Körpers durch Plasmaätzen übertragen wird. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass man für die Herstellung der Deckschicht Butadien, Cyclopentan oder Cyclopentadien oder deren Derivate, Chlorbenzol, Toluol, Naphthalin, Picolin, Diphenyl, Terphenyl, Tetraäthylorthosilicat und Sauerstoff, Divinylbenzol oder Styrol verwendet. 4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass die Katalysatorschicht aus Molybdäntrioxid besteht. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass die Abscheidung des Polymeren mittels eines Elektronen- oder Ionenstrahls oder eines Laserstrahls geschieht. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 2, 3 und 4 t dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass die Abscheidung der Polymerschicht mittels einer Glimmentladung, UV-Licht oder Röntgenstrahlung geschieht. 7. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2 und 3, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass das Substrat während der Erzeugung des gegen Plasmaätzen unempfindlichen Materials auf einer Temperatur niedriger als 20 C, aber höher als die Kondensationstemperatur des monomeren Ausgangsmaterials beim eingestellten Gasdruck ist. 8. Verfahren zur Herstellung von Mikrostrukturen auf festen Körpern mittels Elektronenstrahl-Lithographie, insbesondere nach einem der Ansprüche 1, 3 oder 5, dadurch g e k e n n z e i c h n e t ,dass das zu bearbeitende Material vor dem Aufbringen des die Struktur definierenden Resists mit einer dünnen Schicht eines elektrisch leitenden oder halbleitenden Materials überzogen wird, welche im Verlauf der weiteren Prozess schritte ganz oder teilweise wieder entfernt wird. 9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass als Schichtmaterial ein solches mit einer Dichte grösser oder gleich 5,3 g/cm3, vorzugsweise Chrom, Nickel, Germanium, Molybdän, Indium, Zinn oder Wismut, verwendet wird. 10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass die Schichtdicke grösser als oder gleich der halben Eindringtiefe des Elektronenstrahls in dieser Schicht ist. 11. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass die Schichtdicke kleiner als oder gleich der vollen Eindringtiefe des Elektronenstrahls in dieser Schicht ist.

Inventors: FRITZSCHE, CHRISTIAN, DIPL.-PHYS.
Applicants: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.
Application year: 1981
Main classification: H01L21
IPC codes: H01L21, G03F7