THIN-FILM DIODES ARRANGEMENT

Abstract: 1. Thin film diode arrangement, characterized in that two separate electrically conductive members (1, 2) are provided, in that these two members (1, 2) under mechanical pressure form at least three defined contact points (3) with one another, in that a thin film (4) of high-resistance semiconductor or insulator material is positioned as intermediate layer at the contact points (3) of the two members (1, 2), and in that the surface of each contact point (3) is smaller than 1 . 10**-4 cm**2 .

Description: Dünnfilm-Dioden-Anordnung Die Erfindung beschreibt eine Dünnfilm-Dioden-Anordnung, bei welcher mehrere kleinflächige Dünnfilm-Dioden zu einem mechanisch stabilen Bauelement integriert sind. Dünnfilm-Dioden als elektronische Schaltelemente werden schon seit langem mit Oxydfilmen, Nitridfilmen, Chalkogenidfilmen, hochohmigen Halbleiterfilmen, organischen Filmen u. a. hergestellt. Bekannt sind auch Schaltelemente mit amorphen oder glasartigen Halbleiterfilmen. Ein Nachteil aller dieser Dünnfilm-Schalter besteht darin, dass die rein elektronischen Effekte von den begleitenden thermischen Effekten nicht getrennt werden können. Für die Gleichrichtung von Infrarot-Strahlung werden bevorzugt Dünnfilm-Dioden in Form von Metall-Whisker Dioden oder von Metall-Punkt-Kontakt-Dioden (MIM = Metall Isolator Metall oder MOM = Metall Oxyd Metall) verwendet. Bei diesen Dioden wird eine feine Spitze von z. B. Wolfram auf eine Nickelplatte mit einer sehr dünnen Oxydschicht aufgesetzt. Es ist umstritten, ob die Oxydschicht dabei wesentlich ist oder ob diese Dioden auch ohne Oxydschicht über den Effekt einer thermischen Feldemission arbeiten. Der Nachteil dieser MOM- und MIM-Dioden besteht in ihrer mechanischen Instabilität und geringen Reproduzierbarkeit. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Dünnfilm Dioden-Anordnung anzugeben, bei welcher die elektronischen von den thermischen Effekten getrennt werden können, und welche auch als stabile MOM- und MIM-Dioden Anordnung für Infrarot-Anwendungen ausgebildet werden kann. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäss dadurch gelöst, dass zwei getrennte elektrisch leitende Körper vorgesehen sind, dass diese beiden Körper unter geringem mechanischem Druck mindestens drei definierte Berührungsstellen miteinander haben, dass ein Dünnfilm aus hochohmigem Halbleiter- oder Isolator-Material sich als Zwischenschicht an den Berührungsstellen der beiden Körper befindet, und dass die Fläche jeder Berührungsstelle klei ner als 1 . 10 4 cm2 ist. Vorzugsweise ist die Fläche aller Berührungsstellen gleich gross. Durch die Minimalbedingung der Drei-Punkt-Auflage ist die mechanische Stabilität gewährleistet. Die elektrisch leitenden Körper können aus Metell, einer Legierung, aus einer metallisch leitenden Verbindung oder auch aus einem hochdotierten Halbleiter bestehen. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung haben die beiden elektrisch leitenden Körper die Form von planparallelen Platten oder Scheiben. Jede Platte oder Scheibe hat auf einer ihrer Seiten eine Struktur von parallelen Wällen. Die Struktur auf mindestens einer Platte oder Scheibe ist mit einem Dünnfilm aus hochohmigem Halbleiter- oder Isolator-Material überzogen. Beide Platten oder Scheiben sind mit ihren strukturierten Ober flächenseiten unter definiertem leichtem mechanischem Druck so zusammengesetzt, dass die sich kreuzenden Wälle beider Platten oder Scheiben eine Vielzahl elektrisch parallel geschalteter Druck-Kontakte miteinander bilden, zwischen denen sich der Dünnfilm befindet. Das Prinzip der gekreuzten, parallelen Wälle ist bereits in der Offenlegungsschrift P 25 47 262 beschrieben worden. In P 25 47 262 wird jedoch die Anwendung auf eine Dünnfilm-Dioden-Anordnung nicht erwähnt. Um den Dünnfilm beim Zusammenpressen der beiden Platten so wenig wie möglich zu beschädigen, werden die beiden Platten oder Scheiben vorzugsweise zunächst vor dem Aufbringen des Dünnfilmes mit ihren Strukturseiten unter etwas grösserem mechanischem Druck zusammengesetzt. Dadurch entstehen an den sich kreuzenden und berührenden Wällen Engewiderstände. Vorhandene Unebenheiten der Struktur werden durch geringfügige plastische Deformationen der Wälle ausgeglichen. Danach werden die beiden Platten oder Scheiben getrennt und der Dünnfilm auf mindestens eine Struktur aufgebracht. Unter geringerem Druck als vorher oder unter Verwendung einer isolierenden Folie oder Schicht am Rande der beiden Platten oder Scheiben, welche einen definierten Abstand erzwingt, werden die beiden Platten oder Scheiben in genau der gleichen Position zueinander - wie beim ersten Zusammendrücken - (ohne den Dünnfilm) wieder zusammengesetzt. Als Material für den Dünnfilm lassen sich chemische Oberflächenschichten des Materials der elektrisch gut leitenden Körper, anodische Oxyde, thermische Oxyde, Nitride, Chalkogenide usw. verwenden. Die Dünnfilme können auch durch Aufdampfen in Vakuum, durch Hochfrequenz Zerstäubung, durch pyrolythische- oder Gas-Entladungs Abscheidung in an sich bekannter Weise aufgebracht sein. Auch amorphe Halbleiter und Chalkogenid-Gläser können als Dünnfilm benutzt sein. Selbst organische Filme, wie z. B. Lipid- oder organische Halbleiter- und Farbstoff-Filme können verwendet werden. Beim Betrieb der Dünnfilm-Anordnung mit Erwärmung der Dünnschicht kann auch Heiss-Leiter-Material, wie z. B. CuO, Mg-Ti-Spinell u. a. verwendet werden. Die elektrisch parallel geschalteten Punkt-Kontakte in der Dünnfilm-Dioden-Anordnung der Erfindung stellen eine Struktur dar, in welcher die gleichen extrem guten Wär meableitcngsverhältnisse herrschen wie in einem Engewi Widerstand, Der Wärmewiderstand WK eines einzelnen Kontaktes der Dünnfilm-Dioden-Anordnung kann durch die Ungleichung EMI4.1 betrieben werden. Dabei ist Xs die spezifische Wärmeleitfähigkeit des Dünnfilm-Materials und 2D ist der Durchmesser des Engewiderstandes (das Gleichheitszeichen hinter WK würde für einen gleichgrossen Kontakt gelten, der ganz aus dem Material des Dünnfilmes besteht). Der elektrische Widerstand RK dieses Kontaktes ist bekanntlich durch die Beziehunq qeqeben EMI4.2 Dabei ist# 0 der spez. elektrische Widerstand des Materials der elektrisch leitenden Kör per, i#s der spez. elektrische Widerstand des Dünnfilm- Materials und d die Dicke des Dünnfilms. Nimmt man einmal an, dass #=10 5 Qcm (Metall), gs= 1ob Qcm, d = 5 . 10 6 cm und D = 1 . 10 4cm ist, dann wird der elektrische Widerstand eines Kontaktes RK =5 . 10 2 + 1 . 106 Ohm. Nimmt man weiter an, dass drei derartige Kontakte in einer Dünnfilm-Dioden-Anordnung parallel geschaltet sind, dann ist deren Gesamtwiderstand 3,3 . 105 Ohm. Legt man über einen Vorwiderstand von 1 . 105Ohm eine Spannung von 430 Volt an die Dünnfilm Dioden-Anordnung, dann liegt kurzzeitig eine Spannung von 330 Volt an den Dünnfilmen. Mit einer Dielektrizitätskonstante von 10 liegt damit ein elektrisches Feld EMI5.1 an den Dünnfilmen, welches grösser als die Durchbruchsfeldstärke ist. Als Folge davon wird der elektrische Widerstand der Dünnfilme vernachlässigbar klein, und es fliesst ein Strom 1 von 4,3 mA durch die Anordnung, der durch den Vorwiderstand von 105 Ohm bestimmt ist. Nimmt man einmal an, dass der spez. Widerstand #s von 104 #cm kurzzeitig bis auf s 5 1 . 10 -3 #cm zusammenbricht (was vermutlich nicht ganz erreicht wird), dann geht der elektrische Widerstand RK----- > RKvon3,3.105 ----- > 3,3.10-ê Ohm im Durch K zuRK von 3,3 K bruchsfall. Der Spannungsabfall an RK geht von U = 330 Volt auf UK = RK . 1 = 0,00014 Volt. Die Temperaturerhöhung #T in einem Kontakt (ohne Fremdschicht) als Folge einer angelegten Spannung U kanntlich in erster Näherung gegeben durch #T = EMI5.2 Wenn man fordert, dass die Temperaturerhöhung AT nur 10 Grad betragen soll (thermische Effekte also vernachlässigbar), dann lässt sich daraus die maximale Spannung Um für diese Vora noch für # = #s = 0,01 5 terial) und für S = EMI5.3 chnen. Setzt man (Dünnschicht-Ma n wird Um ¯ 0,028 Volt. Diese zulässige Spannung am Kontakt ist etwa um den Faktor 200 höher als die oben ausgerechneten 0,00014 V für UX an den Dünnschichten im Durchbruch (die Gleichsetzung von # mit # und O mit #s* ist in Wirklich keit eine sehr ungünstige Abschätzung). Dieses Ergebnis bedeutet, dass selbst für den Fall, dass von den drei Kontakten in der Dünnfilm-Dioden-Anordnung zwei aus irgendwelchen Gründen ausfallen sollten, der verbleibende einzelne Kontakt auch nur eine Erwärmung von weit unter 10 im Durchbruch erfahren würde. Für diesen Betriebsfall sind also thermische Effekte vernachlässigbar. Die Frage, ob rein elektrische Effekte oder thermische Effekte dominieren, wird damit über die Grösse des Vorwiderstandes frei wählbar. Die Anordnungen gemäss der Erfindung lassen sich deshalb als rein elektronische Schalter ausbilden. Mit einem Dünnfilm mit negativem Temperaturkoeffizienten lässt sich die Anordnung jedoch auch als schneller Schalter ausbilden, der über thermische Effekte arbeitet. Auch als Heiss leiter mit sehr kleiner Abkühlzeit lässt sich die Anordnung unter Verwendung von Dünnfilmen aus Heissleiter-Material, wie z. B. Cu oder Mg-Ti-Spinell, verwenden. Ebenso ist eine Verwendung als nichtthermischer und thermischer Sägezahngenerator möglich. Wegen der Druckempfindlichkeit des elektrischen Widerstandes der Dünnfilm-Kontakte kann die Dünnfilm-Dioden Anordnung auch als Druck-Sensor und Mikrophon ausgebildet werden. Im folgenden soll die Erfindung in 6 Ausführungsbeispielen näher beschrieben werden. Ausführungsbeispiel 1 beschreibt eine Dünnfilm-Dioden Anordnung der Erfindung mit einem Chalkogenid-Glas als Dünnfilm. Ausführungsbeispiel 2 beschreibt eine MIM-Dioden-Anordnung der Erfindung für Infrarot-Anwendung. Ausführungsbeispiel 3 beschreibt eine MOM-Dioden-Anordnung der Erfindung für allerhöchste Frequenzen. Ausführungsbeispiel 4 beschreibt einen nichtthermischen Sägezahngenerator. Ausführungsbeispiel 5 beschreibt einen thermischen Sägezahngenerator. Ausführungsbeispiel 6 beschreibt einen mechanischen Druck-Sensor gemäss der Erfindung. Ausführungsbeispiel 1 In Fig. 1 sind 1 und 2 zwei Nickelscheiben, die beim Aufeinanderlegen drei durch mesaförmige oder kegelstumpf förmige Erhebungen auf der Scheibe 2 definierte Berührungsstelle#n 3 haben. Die Berührungsstellen 3 sind mit einer 2 . lo 7 dm dicken SiO2-Schicht 5 überzogen. Die Nickelplatte 1 trägt auf ihrer den Erhebungen auf der Scheibe 2 zugewandten Unterseite eine 2 . 10 4 cm dicke Sicht 4 aus Ge10As40Te50-Glas. Ausführungsbeispiel 2 In Fig. 2a ist 1 eine Nickelplatte, welche auf einer Seite eine Struktur mit sich verjüngenden parallel zueinander verlaufenden Wällen 7 trägt, die an ihrer Stirnfläche eine Breite von 2 . 10## 5 cm aufweisen. Die Wälle 7 tragen auf der Stirnseite eine NiO-Schicht 4 mit einer Dicke von 3 . 10 7 cm. Die andere Platte 2 besteht aus Wolfram. Sie trägt einseitig die gleiche Struktur mit sich verjüngenden parallel zueinander verlaufenden Wällen wie die Nickelplatte 1. Beide Platten 1 und 2 werden - wie dies dargestellt ist - bezüglich der Wallstrukturen um 900 gegeneinander verdreht, aufeinander gelegt und mit definiertem mechanischen Druck belastet. Die sich überkreuzenden und berührenden Wälle 7 beider Platten 1 und 2 bilden dabei mit ihren Berührungsstellen eine flächenhafte Verteilung elektrisch parallel geschalteter MIM-Kontakte 3 zwischen den Platten 1 und 2. Die flächenhafte Verteilung dieser MIM-Kontakte 3 zeigt Fig. 2b in einer schematischen Darstellung der Berührungsebene. Ausführungsbeipiel 3 In Fig. 3 sind 1 und 2 Wolframcarbid-Scheiben, welche auf einer ihrer Seiten eine Struktur mit parallelen, sich verjüngenden Wällen 7 tragen. Die Wälle 7 enden stirnseitig mit einem Krümmungsradius von nur 5 . 10 7 cm. Beide Wolf ramcarbidscheiben 1 und 2 sind mit einer nicht dargestellten Goldschicht von 1 . 10 6 cm Dicke überzogen. Die beiden vergoldeten Wolframcarbid-Scheiben 1 und 2 werden mit ihren strukturierten und um 900 gegeneinander verdrehten Oberflächenseiten unter sehr leichtem Druck zusammengesetzt. Die sich kreuzenden Wälle 7 bilden Berührungsstellen 3 mit einer Fläche von jeweils fu 1 . 10cmê. Ausführungsbeispiel 4 In Fig. 4 sind 1 und 2 zwei n +-Siliziumscheiben, die auf jeweils einer Seite eine Struktur mit parallel zueinander verlaufenden und sich verjüngenden Wällen 7 tragen, welche an der Stirnseite mit einer Restbreite von 2 . 10 4 cm enden. Die Strukturen beider Scheiben 1 und 2 sind mit einer 2 . 10 6 cm dicken thermisch erzeugten SiO2-Schicht 4 überzogen. 6 sind sperrfreie Kontakte an den beiden Siliziumscheiben 1 und 2 auf den den Wallstrukturen gegen über liegenden Oberflächenseiten. Die Scheiben 1 und 2 werden mit ihren strukturierten und bezüglich ihrer Strukturen um 900 gegeneinander verdrehten Oberflächenseiten unter Druck zusammengesetzt. Die sich kreuzenden Wälle 7 bilden sechzehn elektrisch parallel geschaltete Dünnfilm Dioden mit einem Gesamtwiderstand von ca. 1012 Ohm. Über den Vorwiderstand 8 mit 20 Kilo-Ohm liegt die Gleichspannung 10 von ca. 200 Volt an den sperrfreien Kontakten 6 der beiden Scheiben 1 und 2. 9 ist ein parallel zur Diodenanordnung geschalteter Kondensator, über den die Frequenz der Sägezahnschwingungen variiert werden kann. Ausführungsbeispiel 5 In Fig. 5 sind 1 und 2 Kupfer-Scheiben, die einseitig eine Struktur parallel zueinander verlaufender und sich zur Stirnseite hin verjüngender Wälle 7 aufweisen. Die kleinste Breite der Wälle beträgt an der Stirnseite 1 . 10 - cm. Die Kupfer-Scheiben 1 und 2 sind nach dem Erzeugen der Wälle 7 zumindest auf den strukturierten Oberflächen mit je einer 1 . 10 3cm dicken Schicht 11 aus CuO überzogen worden. Durch Zusammensetzen beider, bezüglich der Wallstrukturen um 900 gegeneinander verdrehter Scheiben 1 und 2 sind an den Berührungsstellen der sich kreuzenden Wälle sechzehn Dünnfilm-Dioden 3 mit einem Gesamtwiderstand von ca. 108 Ohm entstanden. Die beiden Scheiben 1 und 2 sind elektrisch in Serie zum Reihen-Schwingkreis aus der Induktivität 12 und der Kapazität 9 geschaltet. In Reihe zu dieser Schaltung, an der die maximale Spannung 10 von 1.000 Volt anliegt, ist-der elektrische Widerstand 8 geschaltet, dessen Grösse (RZ = 10 Kilo-Ohm) dem Betrage nach die gleiche Grösse aufweist; wie der differentielle Widerstand Rz der Dünnfilm-Dioden-Anordnung mit dem CuO-Dünnfilm 11. Ausführungsbeispiel 6 In Fig. 6 sind 1 und 2 Scheiben aus pyrolytischem Graphit, welche einseitig jeweils eine Struktur parallel zueinander verlaufender Wälle 7 tragen, die sich verjüngen und stirn seitig mit einem Krümmungsradius von 1 . 10 3cm enden. Auf die Strukturen beider Scheiben 1 und 2 ist eine Al203 Schicht 4 mit einer Dicke von 5 . 10 6 cm durch Hochfre- quenz-Kathoden-Zerstäubung aufgebracht. Beide Scheiben 1 und 2 sind bezüglich der Wallstrukturen um ca. 900 gegeneinander verdreht zusammengedrückt und fixiert. Über den Widerstand 8 liegt die elektrische Spannung 10 an den beiden Scheiben 1 und 2 an. Durch den mechanischen Druck 14 wird der Widerstand der Dünnfilm-Kontakte 3 und damit der elektrische Strom 13 durch den Widerstand 8 beeinflusst. Bezugsziffern 1 elektrisch leitender Körper 1 2 elektrisch leitender Körper 2 3 Berührungsstelle zwischen 1 und 2 4 hochohmiger Dünnfilm 5 Schicht aus glasartigem-Halbleiter 6 sperrfreier Kontakt 7 Wall 8 elektrischer Widerstand 9 elektrischer Kondensator 10 elektrische Spannung 11 Heissleiter-Schicht 12 Induktivität 13 elektrischer Strom 14 mechanischer Druck

Claims: Patentansprüche 1) Dünnfilm-Dioden-Anordnung, dadurch gekennzeichnet, dass zwei getrennte elektrisch leitende Körper (1, 2) vorgesehen sind, dass diese beiden Körper (1, 2) unter geringem, mechanischem Druck mindestens drei definierte Berührungsstellen (3) miteinander haben, dass ein Dünnfilm (4) aus hochohmigem Halbleiter- oder Isolator-Material sich als Zwischenschicht an den Berührungsstellen (3) der beiden Körper (1, 2) befindet und dass die Fläche jeder Berüh rungsstelle (3) kleiner als 1 . 10 4 cm2 ist. 2) Dünnfilm-Dioden-Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Berührungsstellen (3) flächengleich sind. 3) Dünnfilm-Dioden-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitenden Körper (1, 2) aus Metall, einer Legierung, aus einer metallisch leitenden Verbindung oder aus einem hochdotierten Halbleiter bestehen. 4) Dünnfilm-Dioden-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch gut leitenden Körper (1, 2) die Form von planparallelen Platten oder Scheiben haben, dass jede Platte oder Scheibe auf einer Seite eine Struktur von parallel zueinander verlaufenden Wällen (7) aufweist, deren Oberfläche mindestens teilweise mit einem Dünnfilm (4) aus hochohmigem Halbleiter- oder Isolator-Material überzogen ist, und dass die beiden Platten oder Scheiben (1, 2) mit den Strukturen unter definiertem, leichtem mechanischem Druck so zusammengesetzt sind, dass die Wälle (7) beider Platten oder Scheiben eine Vielzahl elektrisch parallel geschalteter Druck-Kontakte (3) miteinander bilden, zwischen denen sich der DünnEilm (4) befindet. 5) Dünnfilm-Dioden-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Dünnfilm chemische Oberflächenschichten des Materials der elektrisch gut leitenden Körper (1, 2) vorgesehen sind, wie z. B. anodische Oxyde, thermische Oxyde, Nitride, Chalkogenide u. a. 6) Dünnfilm-Dioden-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Dünnfilm amorphe Halbleiter oder Chalkogenid-Gläser vorgesehen sind. 7) Dünnfilm-Dioden-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Dünnfilm organische Filme wie z. B. Farbstoff- oder Lipid-Filme vorgesehen sind. 8) Dünnfilm-Dioden-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Dünnfilm ein Heissleiter-Material wie z. B. CuO oder Mg-Ti-Spinell vorgesehen ist. 9) Dünnfilm-Dioden-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch ihre Verwendung als nichtthermischer Schalter. 10) Dünnfilm-Dioden-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch ihre Verwendung für einen nicht-thermischen Sägezahn-Oszillator. 11) Dünnfilm-Dioden-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch ihre Verwendung als Heissleiter mit kleiner thermischer Abkühlzeitkonstante. 12) Dünnfilm-Dioden-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch ihre Verwendung für einen thermischen Sägezahn-Generator. 13) Verfahren zum Herstellen einer Dünnfilm-Dioden-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zunächst ohne Vorhandensein eines Dünnfilmes (4) durch Zusammensetzen der beiden Platten oder Scheiben (1, 2) mit den Struktur-Seiten unter grö sserem mechanischem Druck eine Anordnung von elektrisch parallel geschalteten Engewiderständen erzeugt wird, dass danach die Platten wieder getrennt werden, dass dann der Dünnfilm (4) auf der Struktur-Seite einer oder beider Platten aufgebracht wird und dass danach die beiden Platten (1, 2) wieder mit ihren strukturierten Seiten unter geringerem Druck oder unter Verwendung einer Abstands Folie oder einer Abstands-Schicht in genau der gleichen Position zueinander - wie beim ersten Zusammendrücken ohne den Dünnfilm - unter Bildung von-Druck-Kontakten zusammengesetzt werden. 14) Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Dünnfilme durch Aufdampfen im Vakuum, durch Hochfrequenz-Zerstäubung oder durch chemische Abscheidung aufgebracht werden.

Inventors: DAHLBERG, REINHARD, DR.
Applicants: LICENTIA PATENT-VERWALTUNGS-GMBH
Application year: 1980
Main classification: H01L45
IPC codes: H01L45, H03K4, H01L29