USE OF A CONDUCTIVE ORGANIC CHARGE TRANSFER MATERIAL AS ELECTRON BEAM SENSITIVE RESIST COMPOSITION, AND METHOD OF FORMING POSITIVE AND NEGATIVE RESIST IMAGES

Abstract: 1. Use of a conducting organic charge transfer material selected from the group consisting of chlorines, bromines, and iodines of the tetraheterofulvalenes of the general formula see diagramm : EP0023988,P8,F1 where X is S and/or Se and R = H, alkyl or both adjacent residues represent R hexamethylene ; of the tetraheterotracenes of the general formula see diagramm : EP0023988,P8,F2 where X is S and/or Se ; of the tetraheteronaphtalenes of the general formula see diagramm : EP0023988,P9,F1 where X is S and/or Se ; of the perylene ; of the diheterodipyrans of the general formula see diagramm : EP0023988,P9,F2 where X is S and/or Se or N-alkyl and R = alkyl or phenyl ; of the tetramethylphenylenediamine ; of the phthylocyanines and porphyrines ; where the stoichiometric ratio of the charge transfer salt is less than 1, as an electron-beam sensitive resist material.

Description: Elektronenstrahlempfindliches Resistmaterial und Verfahren zur Herstellung positiver und negativer Resistbilder Die Erfindung betrifft ein elektronenstrahlempfindliches Resistmaterial und Verfahren zur Herstellung positiver und negativer Resistbilder. In der Literatur sind zahlreiche strahlungsempfindliche Resistmaterialien und deren Verwendung zur Herstellung von Mustern bei der Herstellung elektronischer Schaltkreise beschrieben. Eine Musterbildung in diesen Materialien hängt von den Löslichkeitsunterschieden zwischen bestrahlten und nichtbestrahlten Bereichen ab. Die Löslichkeitsunterschiede werden entweder durch Aufbrechen von Bindungen (Kettenabbrüche) oder Ausbildung von Bindungen (Vernetzungen) in polymeren Systemen bewirkt. Dies geschieht durch Einwirkung aktinischer Strahlung, Elektronen- oder Röntgenstrahlung. Die bisher bekannten Materialien weisen mehrere Nachteile auf, unter anderem besteht die Schwierigkeit, scharfe Bilder mit hoher Auflösung zu erhalten, insbesondere bei Anwendung negativer Resistmaterialien. Dies ist zurückzuführen auf das Aufquellen der Polymermaterialien während der Entwicklung mit Lösungsmitteln. Die Filme aus bisher bekannten Materialien sind im allgemeinen isolierend und neigen daher zum Aufbau statischer Ladung auf ihren Oberflächen während der Bestrahlung. Bisher wurde dieses Problem gelöst, indem man einen dünnen metallischen Film auf dem Polymerresistmaterial abschied. Weiterhin ist es schwierig, mit der Lösungsmittel-Beschichtungstechnologie Filme einheitlicher Schichtdicke auf Oberflächen mit einer Topographie abzuscheiden. Der Stand der Technik in der Elektronenstrahllithographie kann nachgelesen werden in einer Übersicht mit dem Titel CRC Critical Reviews" von M. J. Bowden, Solid State and Material Sciences, 8, 223 (1979). Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung eines Resistmaterials, das gegen Elektronenstrahlen empfindlich ist. Die Aufgabe der Erfindung wird gelöst durch ein elektronenstrahlempfindliches Resistmaterial gemäss Patentanspruch 1, das gekennzeichnet ist durch einen Gehalt an einem leitenden organischen LadungsUbertragungsmaterial aus der Gruppe von Chloriden, Bromiden und Jodiden der Tetraheterofulvalene, der Tetraheterotetracene, der Tetraheteronaphthaline, des Perylens, der Diheterodypirane, des Tetramethylphenylendiamins, der Phthalocyanine und Porphyrine und deren Derivaten. Die Erfindung umfasst auch Verfahren zur Herstellung positiver und negativer Resistbilder. Die erfindungsgemässen Resistmaterialien weisen eine Reihe von Vorteilen auf, u. a. grosse Löslichkeitsunterschiede und optische und elektrische Eigenschaften, die aus der Bestrahlung resultieren. Diese Eigenschaften machen sie zur Verwendung bei der Herstellung von Mikrostrukturen für elektronische Schaltkreise hoher Integrationsdichte, als optische Speichermedien, zur Herstellung von Maskenvorlagen zur Verwendung in der Photolithographie geeignet und gestatten die Eliminierung statischer Aufladungen in dem Re sistmaterial während der Bestrahlung mit Elektronen oder Ionen. Die vorliegende Erfindung betrifft neue Elektronenstrahl Resistmaterialien, die in Abhängigkeit von den Strahlungsenergieparametern zur Herstellung entweder eines positiven oder eines negativen Resistbildes verwendet werden können. Das wesentliche ist, dass die Materialien aus verschiedenen Klassen leitender, organischer #-Donor-Komplexe gewählt werden können. Beispielsweise kann der #-Donor-Bestandteil gewählt werden aus der Gruppe der Tetraheterofulvalene und deren Derivaten mit der allgemeinen Formel EMI3.1 in der X S und/oder Se und R=H, Alkyl wie CH3, C2H5 oder beide Reste R Hexamethylen bedeuten; aus der Gruppe der Tetraheterotetracene und deren Derivaten mit der allgemeinen Formel EMI3.2 in der X S und/oder Se ist; aus der Gruppe der Tetraheteronaphthaline und deren .Derivaten mit der allgemeinen Formel EMI3.3 in der X S und/oder Se ist; aus der Gruppe der Perylene und deren Derivaten mit der allgemeinen Formel EMI4.1 aus der Gruppe der Diheterodipyrane und deren Derivaten mit der allgemeinen Formel EMI4.2 in der X S und/oder Se oder N-Alkyl und R=Alkyl und Phenyl bedeuten; aus der Gruppe der Tetramethylenphenylendiamine und deren Derivaten mit der allgemeinen Formel EMI4.3 aus der Gruppe der Phthalocyanine und deren Derivaten mit der allgemeinen Strukturformel EMI4.4 in der M ein Ubergangsmetall, beispielsweise Nickel, Kupfer, Eisen, Kobalt, Platin und dergleichen ist; und aus der Gruppe der Porphyrine und deren Derivaten mit der allgemeinen Strukturformel EMI5.1 in der M ein Übergangsmetall ist. Die zuvor angegebenen #-Donor-Zusammensetzungen bilden in Gegenwart von Halogen leitende Ladungsübertragungszusammensetzungen nach der nachfolgenden Reaktionsgleichung: w-Donor + X2 + (s-Donor)1 n (¯rr-Donor n (X ) 0 < n < 1 X kann Chlor, Brom oder Jod sein. Es ist allgemein bekannt, dass zum Erhalt hoher Leitfähigkeit das stöchiometrische Verhältnis (d. h. n in der obigen Gleichung) des Ladungsübertragungssalzes kleiner als 1 sein muss. Der Wert von n kann im allgemeinen in einem Bereich zwischen 0 und 1 variieren, ohne dass die leitenden Eigenschaften wesentlich beeinflusst werden. Es wurde gefunden, dass die zuvor angegebenen w-Donor-Mate- nahen die Basis eines neuen lithographischen Verfahrens bilden. Dieses Verfahren basiert auf der Feststellung, dass bei Bestrahlung des Ladungsübertragungssalzes mit einem Elektronenstrahl entsprechender Energiedichte ein Verlust des Halogens in dem Ladungsübertragungssalz in den bestrahlten Bereichen stattfindet; d. h., der Elektronenstrahl bewirkt die Umkehr einer Ladungsübertragungsreaktion gemäss der nachfolgenden Gleichung: EMI6.1 Im allgemeinen können diese Ladungsübertragungssalze durch Sublimation abgeschieden werden. Dabei werden glatte, festhaftende und glasartige Filme erhalten. Filme mit einer einheitlichen Schichtdicke im Bereich von etwa 300 nm bis etwa 2 um oder darüber konnten auf diese Art und Weise abgeschieden werden. In den Fällen, in denen das Salz einen niedrigen Dampfdruck hat oder thermisch instabil ist, können die Filme durch Lösungsbeschichtungstechnologie hergestellt werden. Es wurde weiterhin festgestellt, dass mit diesen Materialien sowohl negative wie auch positive Resistbilder hergestellt werden können. Der Bildmodus hängt von den Parametern des Elektronenstrahls ab, d. h. von seiner Energie und Ladungsdichte. Beispielsweise liegt für negative Bilder die Elektronenstrahlenergie in einem Bereich von etwa 5 bis 30 KeV. Die Ladungsdichte liegt in einem Bereich von mindestens 10 4bis 10 3 C/cm2. Die Bestrahlung erfolgt bei Zimmertem peratur. Die Bilder werden in geeigneten polaren Lösungsmitteln wie kurzkettigen Alkoholen, Wasser, Dimethylformamid, Dimethylsulfoxid, Acetonitril und dergleichen entwikkelt. In dem negativen Bild findet eine Vernetzungsreaktion statt unter Erhalt der gewünschten Muster, die in heissen Lösungsmitteln nicht mehr verändert werden. Beispielsweise wurde ein negatives Bild, das in einem Film aus Tetrathiofulvalenbromid hergestellt wurde, durch Behandlung in kochendem Chlorbenzol, Dimethylsulfoxid und dergleichen nicht mehr verändert. Das Bild wurde auch Temperaturen von 275 0C im Vakuum bei 10 6 Torr unterworfen, wobei ebenfalls keine Veränderung eintrat. Die Bilder lassen sich leicht durch eine 1 bis 2 Minuten dauernde Behandlung mit wässrigem Hydrazin bei Zimmertemperatur abheben. Die negativen Resistbilder haben Dimensionen von weniger als 1 um, weisen eine ausgezeichnete Kantendefinition von etwa 0,1 ijm auf, und es können nahezu vertikale Seitenwände erhalten werden. Es fand kein Aufquellen der Bilder statt, wenn diese mit einer Vielzahl polarer und nichtpolarer Lösungsmittel behandelt wurden. Positive Resistbilder können entweder in situ oder durch Lösungsmittelentwicklung hergestellt werden. Bei dem in situ-Verfahren wird der Resist mit einem Elektronenstrahl -1 2 mit einer Ladungsdichte im Bereich von 10 3 bis 10-1 3C/cmê und einer Energie von etwa 5 bis 30 KeV bestrahlt. Bei diesen Ladungsdichteniveaus verdampfen die bestrahlten Resistmaterialien. Diese Sublimation kann noch durch Erhitzen der Unterlagen, auf denen sich der Resist befindet, auf Temperaturen im Bereich von 60 bis etwa 100 C verstärkt werden. Mit Lösungsmittel entwickelte, positive Bilder werden in denjenigen Fällen erhalten, in denen die Ladungsübertragungssalze nicht ohne weiteres verdampfen bei der Bestrahlung und nach dem Halogenverlust. Dass bei der Bestrahlung ein Halogenverlust stattfindet, wird mit der Elektronenmikrosonden-Technologie festgestellt. Die bestrahlten Materialien sind leicht mit schwach polaren Lösungsmitteln wie Methylenchlorid, Chloroform, Kohlenstofftetrachlorid und dgl. entfernbar. Der Vorteil der Lösungsmittelentwicklung liegt darin, dass im Prinzip empfindlichere, positive Re sistmaterialien angewendet werden können. Ein weiteres Merkmal der Lösungsmittelentwicklung ist, dass weniger flüchtige Donoren im Bildbeschichtungsprozess eingesetzt werden können. Es konnte auch festgestellt werden, dass die bestrahlten und nicht bestrahlten Materialien gemäss der Erfindung verschiedene elektrische und optische Eigenschaften aufweisen. Es war bekannt, dass die nicht bestrahlten Filme hochleitend waren mit Leitfähigkeiten im Bereich von etwa 0,1 bis 20/Ohm-cm. Diese Leitfähigkeit ist von praktischem Vorteil, weil durch sie der Aufbau statischer Ladungen in dem Film während der Bestrahlung vermieden wird. Bei bisher bekannten isolierenden Polymerresistmaterialien musste deswegen ein dünner metallischer Überzug auf dem Resist abgeschieden werden. Mit den vorliegenden Materialien ist dies nicht mehr erforderlich. Während#der nichtbestrahlte Bereich hohe Leitfähigkeit aufweist, wurde gefunden, dass der bestrahlte Resist isolierend ist. Es wurde beispielsweise gefunden, dass ein Film aus Tetrathiofulvalenbromid, der auf eine Unterlage durch Sublimation aufgetragen wurde und dessen Leitfähigkeit gemessen und mit der eines entwickelten negativen Elektronenstrahlbildes verglichen wurde, eine Anderung der Leitfähigkeit um 8 Grössenordnungen oder darüber aufwies. Der nichtbestrahlte Resist zeigte eine Leitfähigkeit von 20/Ohm-cm, während die bestrahlten Bereiche eine Leitfähigkeit von weniger als 10 /Ohm-cm aufwiesen. Es wurde auch beobachtet, dass grosse Änderungen der optischen Eigenschaften in den bestrahlten Bereichen des Resists auftraten. Es wurde beobachtet, dass die nichtbestrahlten Resistfilme stark im sichtbaren und im nahen Infrarotbereich Licht absorbieren, während die bestrahlten Filme in diesen Bereichen keine Absorptionen aufwiesen. Beispielsweise wurde gefunden, dass Tetrathiofulvalenbromid filme starke Absorptionen bei 550 und bei 380 nm aufwiesen. Nach der Bestrahlung ergaben optische Messungen, dass diese Absorptionen in den bestrahlten Bereichen nicht mehr vorhanden waren. Es sollte hervorgehoben werden, dass eine Entwicklung nicht erforderlich ist, um optisch die mit Elektronenstrahl eingeschriebenen Muster in den vorliegenden Filmen feststellen zu können. Die optische Absorption hängt natürlich auch von der Zusammensetzung ab. Beispielsweise absorbieren Ladungsübertragungssalze von Tetrathiotetracen -und Tetraphenyldithiodipyran stark im Bereich von 800 bis 850 nm. Der Unterschied in der Lichtabsorption nichtbestrahlter Materialien gegenüber bestrahlten Materialien gestattet die Anwendung der Materialien als optische Masken und in Video-Speichervorrichtungen. Die Empfindlichkeit des lithographischen Verfahrens und die optischen und elektrischen Eigenschaften der erfindungsgemässen Resistmaterialien sind von dem entsprechenden Halogengehalt und den Parametern des Elektronenstrahls abhängig. Es wurde gefunden, dass eine Empfindlichkeitssteigerung bei der Umkehr der Ladungsübertragungsreaktion stattfindet, wenn man vom Tetrathiofulvalenbromid zu dem entsprechenden ¯Chlorid übergeht. Durch diesen Uebergang findet eine Em- -pfindlichkeitssteigerung um einen Faktor grösser 5 statt. In einem anderen Beispiel wird ein Film aus einem neutralen Donor abgeschieden und dann mit Halogen behandelt unter Erhalt eines Ladungsübertragungssalzes mit einem kleineren molaren Gehalt an Halogen. Bei Elektronenbestrahlung dieses Materials ist daher weniger Halogen zu entfernen, was zu einer entsprechenden Steigerung der Empfindlichkeit führt. Die Erfindung wird anhand der nachfolgenden Ausführungsbeispiele näher erläutert. Beispiel 1 Es wird ein Film aus Tetrathiofulvalenbromid (TTF-Br ) mit einer Schichtdicke von etwa 500 nm durch Vakuumsublimation von TTF-Brn bei einem Druck von 1 um und bei einer Temperatur von 185 bis etwa 1900C hergestellt. Die Sublimation wird für etwa 10 Minuten aufrecht erhalten. Die Analyse des so hergestellten Films zeigte eine nichtstöchiometrische Zusammensetzung von TTF-BrO,78' Es wird ein Bild in diesem Film hergestellt, indem man einen Elektronenstrahl in einem vorbestimmten Muster auftreffen lässt. Der Elektronenstrahl hatte eine Stromdichte von etwa 10 4 C/cm2 und eine Energie von 10 KeV. Der Film wird dann etwa 15 Sekunden lang bei Zimmertemperatur mit Methanol gewaschen, um die nichtbelichteten Bereiche des Films zu entfernen. Es blieb ein negatives Resistbild mit Dimensionen kleiner 1 um zurück. Dieses Bild bleibt unverändert, wenn es kochendem Chlorbezol oder Dimethylsulfoxid ausgesetzt wurde oder im Vakuum auf 275 0C erhitzt wurde. Es wird jedoch abgehoben, wenn es mYt wässriger Hydrazinlösung 1 bis 2 Minuten lang bei Zimmertemperatur behandelt wird. An dem Film wurden vor und nach der Bestrahlung optische und Leitfähigkeitsmessungen durchgeführt. Vor de; Bestrahlung wies der Film die charakteristischen TTF-Br-Salz Absorptionen bei 550 und 380 nm auf. Nach der Bestrahlung fehlten diese Absorptionen. In ähnlicher Weise betrug die Leitfähigkeit des Films 20/Ohm-cm vor der Bestrahlung und danach kleiner 10 7/Ohm-cm. Beispiel 2 Ein Film von TTF-Br 0,78 wird wie in Beispiel 1 angegeben hergestellt. Der Film wird in einem vorbestimmten Muster mit einem Elektronenstrahl mit einer Stromdichte von etwa 2 10 3 C/cm und einer Energie von 10 KeV bestrahlt. Nach der Bestrahlung wurde gefunden, dass der beaufschlagte Film entfernt war unter Erhalt eines positiven Resistbildes. Das Bild zeigte Dimensionen kleiner 1 um mit nahezu vertikalen Seitenwänden. Eine weitere Entwicklung ist nicht erforderlich. Beispiel 3 Ein Film aus Tetrathiofulvalenchlorid < TTF-Cl ) wird wie 0,65 in Beispiel 1 angegeben hergestellt, mit der Ausnahme, dass 0 eine Badtemperatur von 195 bis 205 C angewendet wird. Die Stöchiometrie des Films betrug TTF-Cl0,65. Der Film wird bestrahlt und anschliessend, wie in Beispiel 1 angegeben, zu einem negativen Bild entwickelt. Es wurde gefunden, dass die Löslichkeit, die optischen und elektrischen Eigenschaften dem Film, der in Beispiel 1 abgeschieden wurde, ähneln. Es wurde weiterhin gefunden, dass der TTF-Cl0,65-Film etwa 5mal empfindlicher als der TTF-BR0, 78-Film von Beispiel 1 ist. Beispiel 4 Ein Film aus TTF-Cl0,65 wird, wie in Beispiel 3 angegeben, hergestellt und wie in Beispiel 2 angegeben bestrahlt und behandelt. Es wird ohne Lösungsmittelentwicklung ein positives Resistbild erhalten. Das Bild weist Dimensionen kleiner 1 um mit nahezu vertikalen Wändeh auf. Beispiel 5 Ein Film aus Tetrathiofulvalenjodid (TTF-J n > wird hergestellt nach dem Verfahren von Beispiel 1 mit der Ausnahme, dass auf eine Temperatur von etwa 140 bis 1500C erhitzt wird. Die Analyse des Films ergab eine Stöchiometrie von TTF-J 0,7. Der Film wird bestrahlt und anschliessend behan delt wie analoge Filme in den Beispielen 1 und 2 unter Erhalt negativer und positiver Resistbilder. Die Löslichkeit, die optischen und elektrischen Eigenschaften ähneln denen der Filme gemäss den Beispielen 1 und 2. Beispiel 6 Ein Film aus Tetraselenofulvalenbromid (TSeF-Brn) wird wie in Beispiel 1 angegeben, hergestellt, und es wird eine Filmzusammensetzung von TSeF-Br0, erhalten. Dieser Film 8 wird bestrahlt und anschliessend behandelt wie in den Beispielen 1 und 2 unter Erhalt der entsprechenden negativen und positiven Resistbilder. Optische Messungen ergaben, dass der nichtbestrahlte Film starke Absorptionen bei 430 und 650 nm aufwies. Ähnliche Änderungen in der Löslichkeit, den optischen und elektrischen Eigenschaften wie in Beispiel 1 wurden beobachtet. Beispiel 7 Tetrathiotetracen (TTT) wird im Vakuum bei 1 um und 3500C sublimiert unter Erhalt eines neutralen TTT-Films. Der Film wird dann etwa 10 Minuten lang einem Bromdampf ausgesetzt, wodurch ein leitender Film mit der Stöchiometrie TTT-Br0,1 erhalten wird. Dieser Film wird bestrahlt und behandelt wie in den Beispielen 1 und 2, wodurch negative und.positi- ve Resistbilder mit ähnlichen Änderungen der elektrischen Eigenschaften wie in den vorherigen Beispielen erhalten werden. Es können auch Halogensalze der nachfolgenden Materialien in ähnlicher Weise als Elektronenstrahl-Resistmaterialien eingesetzt und behandelt werden wie in den zuvor beschriebenen Beispielen: Diselenodithiofulvalen, Dimethyltetrathiofulvalen, Dimethyltetraselenofulvalen, Dimethyldiselenodithiofulvalen, Tetramethyltetrathiofulvalen, Tetramethyltetraselenofulvalen, Tetramethyldiselenodithiofulvalen, Hexamethylentetrathiofulvalen, Hexamethylentetraselenofulvalen, Hexamethylendiselenodithiofulvalen, Tetrathionaphthalin, Tetraselenonaphthalin, Perylen, Dithiodipyran, Tetramethyldithiodipyran, Tetraphenyldithiodipyran, Diselenodipyran, Tetramethyldiselenodipyran, Tetraphenyldiselenodipyran, Dipyran, Tetramethylphenylendiamin, Phthalocyanin, Nickel-, Kupfer-, Kobalt-, Eisen-phthalocyanin, Octamethyltetrabenzporphyrin, Nickel-octamethyltetrabenzporphyrin. In der vorliegenden Erfindung wird eine Klasse neuer Resistmaterialien beschrieben, die allgemein als leitende organische Ladungsübertragungssalze klassifiziert werden können. Mit diesen Materialien können sowohl negative wie auch positive Resistbilder nur durch Kontrolle der Bestrahlungsparameter, d. h. der Energie und der Stromdichte hergestellt werden. Die Resistmaterialien weisen weitere Vorteile auf, beispielsweise grosse Unterschiede in der Löslichkeit, in den optischen und elektrischen Eigenschaften, die aus der Bestrahlung resultieren. Diese Eigenschaften machen die Materialien für die Herstellung von Mikrostrukturen für elektronische Schaltkreise mit hoher Integrationsdichte, für die Verwendung als optische Speichermedien und zur Herstellung von Maskenvorlagen für die Photolithographie geeignet. Ausserdem findet eine Eliminierung statischer Ladungen in dem Resist während der Elektronen- oder Ionenbestrahlung statt.

Claims: PATENTAN SPRÜCHE 1. Elektronenstrahlempfindliches Resistmaterial, gekennzeichnet durch einen Gehalt an einem leitenden organischen Ladungsübertragungsmaterial aus der Gruppe von Chloriden, Bromiden und Jodiden der Tetrahetero fulvalene, der Tetraheterotetracene, der Tetrahetero naphthaline, des Perylens, der Diheterodipyrane, des Tetramethylphenylendiamins, der Phthalocyanine und Porphyrine und deren Derivaten. 2. Elektronenstrahlempfindliches Resistmaterial nach An spruch 1, gekennzeichnet durch einen Gehalt an Chloriden, Bromi den und Jodiden von Tetrathiofulvalen, Tetraselenoful valen und Diselenodithiofulvalen. 3. Elektronenstrahlempfindliches Resistmaterial nach An spruch 1, gekennzeichnet durch einen Gehalt an Chloriden, Bromi den und Jodiden von Dikethyltetrathiofulvalen, Dime thyltetraselenofulvalen und Dimethyldiselenodithioful valen. 4. Elektronenstrahlempfindliches Resistmaterial nach An spruch 1, gekennzeichnet durch einen Gehalt an Chloriden, Bromi den und Jodiden von Tetramethyltetrathiofulvalen, Tetramethyltetraselenofulvalen und Tetramethyldisele nodithiofulvalen. 5. Elektronenstrahlempfindliches Resistmaterial nach An spruch 1, gekennzeichnet durch einen Gehalt an Chloriden, Bromi den und Jodiden von Hexamethylentetrathiofulvalen, Hexamethylentetraselenofulvalen und Hexamethylendi selenodithiofulvalen. 6. Elektronenstrahlempfindliches Resistmaterial nach An spruch 1, gekennzeichnet durch einen Gehalt an Chloriden, Bromi den und Jodiden von Tetrathiotetracen. 7. Elektronenstrahlempfindliches Resistmaterial nach An spruch 1, gekennzeichnet durch einen Gehalt an Chloriden, Bromi den und Jodiden von Tetrathionaphthalin und Tetrasele nonaphthalin. 8. Elektronenstrahlempfindliches Resistmaterial nach An spruch 1, gekennzeichnet durch einen Gehalt an Chloriden, Bromi den und Jodiden von Dipyran, Dithiodipyran und Disele nodipyran. 9. Elektronenstrahlempfin'dliches Resistmaterial nach An spruch 1, gekennzeichnet durch einen Gehalt an Chloriden, Bromi den und Jodiden von Tetramethyldithiodipyran, Tetra phenyldithiodipyran, Tehtramethyldiselenodiypran und Tetraphenyldiselenodipyran. 10. Elektronenstrahlempfindliches Resistmaterial nach An spruch 1, gekennzeichnet durch einen Gehalt an Chloriden, Bromi den und Jodiden von Phthalocyanin, Nickel-, Kupfer-, Kobalt- und Eisenphthalocyanin. 11. Elektronenstrahlempfindliches Resistmaterial nach An spruch 1, gekennzeichnet durch einen Gehalt an Chloriden, Bromi den und Jodiden von Octamethyltetrabenzporphyrin. 12. Verfahren zur Herstellung eines positiven Resist bildes, dadurch gekennzeichnet, dass ein Film aus einem leitenden organischen Ladungs übertragungsmaterial gemäss den Ansprüchen 1 bis 11 auf eine Unterlage aufgetragen und mit einem Elektronen strahl in einem vorbestimmten Muster bestrahlt wird, der eine ausreichende Energie und Stromdichte auf weist, um den Film in den bestrahlten Bereichen unter Ausbildung eines positiven Bildes zu verdampfen. 13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass ein Elektronenstrahl mit einer Energie von 5 bis 30 und Ladungsdichte einer10- von C/cmê C/cmê angewen 30 KeV und einer Ladungsdichte von 10 C/cm angewen det wird. 14. Verfahren zur Herstellung eines negativen Resistbil des, dadurch gekennzeichnet, dass ein Film aus einem leitenden organischen Ladungs übertragungsmaterial gemäss den Ansprüchen 1 bis 11 auf eine Unterlage aufgetragen und mit einem Elektronen strahl in einem vorbestimmten Muster bestrahlt wird, der eine ausreichende Energie und Stromdichte auf weist, um den Film in den bestrahlten Bereichen zu vernetzen und dass die nichtbelichteten Bereiche des Films mit einem Lösungsmittel unter Ausbildung eines negativen Bildes entfernt werden. 15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass ein Elektronenstrahl mit einer Energie von 5 bis 30 KeV und einer Stromdichte von mindestens 10 4 C/cm2 angewendet wird.

Inventors: ENGLER, EDWARD MARTIN, KUPTSIS, JOHN DEMOSTHENES, SCHAD, ROBERT GERARD, TOMKIEWICZ, YAFFA
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
Application year: 1980
Main classification: G03C1
IPC codes: G03F7