PROTECTIVE CIRCUIT FOR A SWITCHING CIRCUIT

Abstract: 1. A circuit for the protection of a switching circuit, comprising at least two series connected resistors (R1 , R4 ), the first one (R1 ) having a fixed value and constituting a first series branch whereas the second one (R4 ) varies with the temperature according to a positive temperature coefficient and constitutes a second series branch, and comprising an element which varies with the voltage and is connected to the common point of the first and the second series branch so as to constitute a parallel branch, characterized in that said element which varies with the voltage is a third resistor (R2 ), that the terminals of the first series branch and of the parallel branch are intended to receive the outputs of said switching circuit, that the terminals of the second series branch and of the parallel branch are intended to receive a charge (RC ) and that said resistor (R4 ) whic varies with the temperature is disposed close to at least one of the remaining resistors (R1 , R2 ) so that the last mentioned resistor (R1 , R2 ) lowers the thermal response time of the second resistor (R4 ) by heating.

Description: CIRCUIT DE PROTECTION D'UN CIRCUIT DE COMMUTATION ET SON APPLICATION La présente invention concerne un circuit de protection d'un circuit de commutation et notamment d'un transistor de commutation contre des fausses manoeuvres (par exemple court-circuit de la charge) et/ou contre des signaux parasites à haut niveau, tels que peuvent en provoquer le secteur notamment par induction ou la foudre par exemple. Ce problème a donné lieu à de nombreuses solutions utilisant à la fois les propriétés de résistances variant avec la température et/ou de résistances variant avec la tension appliquée à leur borne (respectivement désignées par TCR etVCR dans la littérature anglo-saxonne). L'article intitulé "Thick film and high voltages" publié page 162 du numéro de Novembre 1979 de la revue Electronic Engineering est consacré au compte. rendu d'études faites sur le comportement de circuits hybrides à couches épaisses vis-à-vis de tensions de l'ordre de 220 V. Il en résulte que des circuits de protection efficaces et peu coûteux sont difficiles à réaliser en pratique. D'autre part, les diodes de protection dont sont généralement munis les circuits de commutation ne peuvent les protéger que contre des perturbations d'une seule polarité et laissent le champ libre à leur destruction par des perturbations de polarité inverse. La présente invention concerne un schéma d'un circuit de protection qui peut être réalisé suivant diverses technologies. Elle consiste en un circuit comportant des composants rapportés et éventuellement des éléments de circuits hybrides de préférence à couche mince. Un tel circuit permet une réalisation de faible prix de revient tout en assurant des performances sévères et une bonne protection face à des surtensions (par exemple application d'une tension de 220 V au circuit, application d'impulsions de 1 000 V de quelques ms) et/ou à des surintensités (par exemple court-circuit de la charge). Un circuit de protection d'un circuit de commutation selon l'invention est caractérisé en ce qu'il comporte: - au moins deux résistances connectées en série, la première étant fixe et définissant une première branche série, et la deuxième étant variable avec la température, et définissant une deuxième branche série; - une troisième résistance variable avec la tension et connectée au point commun entre lesdites première et deuxième branche série, de manière à constituer une branche parallèle. Selon un mode de réalisation, la deuxième branche série comporte une quatrième résistance disposée en série avec la deuxième résistance. Un circuit selon l'invention est avantageusement réalisé sous la forme de circuit hybride à couche mince notamment bi-face, lequel comprend au moins une résistance à couche mince et deux résistances rapportées. Le substrat du circuit hybride est, dans un mode préféré de réalisation, thermiquement conducteur. L'invention concerne également l'application d'un tel circuit à la protection d'un circuit de commutation où la sortie du circuit de commutation est connectée aux extrémités de la première branche série et de la branche parallèle et où une charge est connectée entre la deuxième branche série et la branche parallèle. On choisira la valeur de la ou des résistances de la deuxième branche série de telle sorte qu'elle soit suffisante pour que la tension aux bornes de la troisième résistance soit inférieure à la tension de claquage du circuit de commutation à protéger lorsqu'une tension anormale est présente entre les extrémités de la branche parallèle et de la deuxième branche série. On choisira la valeur de la première résistance de telle sorte que, en présence d'une tension anormale, le courant circulant à travers le circuit de commutation à l'état saturé soit inférieur au courant maximal qu'il peut débiter. - La figure 1 est un schéma électrique selon l'invention. - La figure 2 est la vue d'une première face du circuit hybride selon un mode de réalisation de l'invention. - La figure 3 est la vue de la deuxième face du circuit hybride de la figure 2. La figure 1 représente, en pointillé, un transistor de commutation T, pourvu d'une diode D de protection et qu'il convient, à titre d'exemple, de protéger contre des surtensions et/ou des surintensités. La partie droite de la figure montre, en pointillé également, la charge R c par exemple résistive et la source de tension d'alimentation du transistor T. Le circuit de protection est représenté en trait plein. Il est constitué d'au moins deux résistances R1 et R4, et éventuellement d'une résistance R3 connectées en série dans le circuit collecteur du transistor T entre celui-ci et l'impédance de charge Rc. La résistance R1 constitue une première branche série, et la résistance R4, à laquelle est éventuellement associée une résistance R3, constitue une deuxième branche série. Une quatrième résistance R2 est connectée en parallèle entre l'émetteur de T et le point commun 3 aux résistances R1 et R4 ou R et constitue une branche parallèle. La résistance R2 est une résistance variant avec la tension et destinée à limiter la tension aux bornes du transistor et la résistance R4 est une résistance à coefficient de température positif destinée à limiter le courant, suivant des modalités qui seront explicitées plus loin. Les figures 2 et 3 représentent les deux vues de face du circuit selon un mode de réalisation de l'invention avant l'encapsulation qui consiste habituellement à déposer une couche de résine époxy. Ce circuit est constitué d'un substrat isolant de préférence thermiquement conducteur 10, sur l'une des faces duquel sont déposées les deux résistances fixes R1 et R3 sous forme de couches minces, par exemple de nitrure de tantale, ainsi qu'il est bien connu de l'homme de l'art, ce qui conduit à des tolérances (de -+ 20% environ) satisfaisantes pour l'application envisagée. Les résistances R1 et R3 sont connectées en série à l'une de leurs extrémités par le conducteur 11 en contact avec la broche 3. A titre d'exemple, la résistance R3 est de forme carrée, la résistance R1 étant de forme rectangulaire et la longueur de R1 est égale au côté du carré de R3. L'autre extrémité de R1 est reliée au contact 12 et à la broche 1. L'autre extrémité de R3 est de la même façon reliée par le contact 13 à la broche 6. La plaquette porte deux autres contacts respectivement 14 et 15 reliés aux broches 2 et 5. Selon une variante préférée de l'invention, les contacts sont constitués en un alliage platine-or- sur un substrat généralement en verre ou en alumine ainsi qu'il est décrit dans le brevet français 2 290 762 déposé par la Demanderesse et publié le 4 juin 1976 pour: "Procédé de réalisation de contacts ohmiques pour circuits en couche mince". La figure 3 représente la deuxième face de la plaquette 10; les éléments communs aux deux faces, à savoir, les broches, portent les mêmes numéros de référence que sur la figure 2. Sur la deuxième face de la plaquette sont rapportées les résistances R2 et R4 par exemple par soudure sur des plages métallisées conductrices respectivement 18 et 19. Les deuxièmes extrémités des résistances sont réunies par des conducteurs respectivement 20 et 21 aux plages conductrices 22 et 23 #en contact avec les broches 3 et 5. Sur la figure 2, les résistances à couche mince couvrent la presque totalité de la surface du substrat. Il est en effet avantageux du point de vue encombrement d'utiliser le plus petit type de substrat compatible avec la surface nécessaire pour obtenir en couche mince les valeurs désirées des résistances, tout en assurant l'évacuation de l'énergie dissipée dans le circuit qui peut être le cas échéant importante. L'utilisation d'un circuit double face sur substrat thermiquement conducteur permet de diminuer le temps de réponse thermique de la résistance R4, du fait que celle-ci se trouve également chauffée par Jes autres résistances du circuit. Il va de soi que le mode de réalisation décrit ci-dessus n'est donné qu'à titre d'exemple non limitatif. Ainsi, le circuit peut être du type simple face. Si on désire dans ce cas également utiliser le phénomène de chauffage de la résistance R4 par le reste du circuit, il suffit. de disposer les résist.ances assez proches les unes des autres, par exemple en entourant R4 d'une résistance annulaire à couche mince (R1 ou R3). Le circuit peut être également réalisé sur un circuit hybride à couches épaisses simple ou double face dans la mesure où les incidents de fonctionnements prévisibles pour le circuit ne correspondent pas à des tensions électriques et/ou des surinl ensit és trop élevées. D'autre part, une réalisation sur circuit imprimé à l'aide de composants discrets peut être envisagée si les contraintes d'encombrement. ne sont pas sévères et/ou si les puissances en jeu ne sont pas trop importantes. Ainsi qu'il apparat ci-dessus, la disposition des composants sur un substrat thermiquement conducteur n'est qu'un mode de réalisation préféré, l'évacuation de la chaleur pouvant le cas échéant s'effectuer par tout moyen connu. On va maintenant préciser les critères permettant de déterminer pratiquement les valeurs des éléments constitutifs du circuit suivant. l'invention, en rapport avec les conditions de fonctionnement anormales que le circuit est susceptible de subir. 1) En premier lieu, considérons l'éventualité de la mise en court-circuit de la charge. La tension V du générateur va donner lieu à un courant EMI5.1 traversant le transistor T dans le cas où celui-ci est saturé. Le passage d'un courant Io dans la résistance R4 va échauffer celle-ci à une température T1 et sa résistance va augmenter, d'où diminution du courant jusqu'à une valeur stable EMI5.2 La somme des résistances R1 + (R3 + R4 (tu)) devra donc être choisie pour que le courant Io passant dans le transistor ne soit pas susceptible de détériorer celui-ci au moins pendant le temps que mettra le courant Io pour décroître de manière substantielle Le courant I1 correspondra à une puissance relativement faible que dissipera le circuit si le court-circuit se prolonge. 2) Considérons l'application aux bornes 5,5' d'une tension élevée (par exemple 200 V. efficaces), de manière pulsée et répétitive. Dans le cas où le transistor est bloqué, il est important que la tension aux bornes de R2 soit inférieure à la tension de claquage du transistor 1. L'échauffement relativement rapide de la résistance R4 assurera ensuite une baisse corrélative de la tension aux bornes de R2. La présence de R1 contribue à limiter le courant dans le transistor T lorsque celui-ci est saturé. 3) Considérons enfin Itapplication d'une tension de foudre Vf de courte durée correspondant à des effets secondaires induits de la foudre (par exemple 1 000 V pendant quelques ms). Comme dans le cas précédent, la tension aux bornes de R2 doit être inférieure à la tension de claquage du transistor T à la chute de tension près dans la résistance R1. Etant donné que dans ce cas, la tension et donc la dissipation est beaucoup plus élevée que dans le cas précédent, l'échauffement de la résistance R4 sera bien plus rapide. On choisira par exemple les paramètres des éléments du circuit de la manière suivante: a) la condition la plus exigeante en ce qui concerne la tension aux bornes de R2 est donnée, le cas échéant, par le test de foudre à la tension Vf. On choisira une tension maximum acceptée Vma aux bornes de la résistance R2, et on en déduira la valeur de R2 = R2 (vma) sur sa caractéristique. On aura alors, R2, R3 et R4 formant un pont diviseur: EMI6.1 b) On choisira R1 de telle manière que le courant dans le transistor T ne soit pas trop élevé lorsque la tension Vma est présente aux bornes de R2 et lorsque le transistor T est saturé. Imax étant le courant maximal toléré dans le transistor, on choisira R1 en applicant en première approximation la formule EMI7.1 où Vce (Imax) est la tension entre le collecteur et l'émetteur de T qui correspond à Iman. Si on veut tenir compte de la variation de R2 avec la tension, on peut soit calculer la valeur de R1 en utilisant une formule approchée de la loi de variation de R2 ou bien, de manière expérimentale, déterminer la valeur de R1 pour que le courant qui traverse le circuit de commutation à protéger ne dépasse pas Iman. Dans ces conditions, le courant 10 défini lors du test de courtcircuit de la charge sera en général inférieur au courant qui peut traverser le transistor T. Ainsi que les calculs ci-dessus le montrent, la somme R3 + R4 est significative d'une des conditions aux limites que doit satisfaire le circuit. Il en résulte que la présence de la résistance R3 n'est pas absolument nécessaire dans le cas où on peut approvisionner une résistance R4 dont la valeur à température ordinaire satisfait la EMI7.2 Toutefois, une résistance R3 peut également être utilisée au vu de considérations sur la dissipation thermique dans le circuit de protection et/ou pour éviter une augmentation significative de la valeur de R4 dans les conditions normales de fonctionnement. On notera que, pour des raisons de dissipation thermique dans des conditions normales de fonctionnement, on choisira la somme des valeurs des résistances (R1 + R4), ou le cas échéant (R1 + R3 + R4), de telle sorte que celle-ci soit assez sensiblement inférieure à la résistance Rc de la charge. On va maintenant décrire, à titre d'exemple non limitatif, un exemple de réalisation où on calcule les valeurs des éléments en utilisant les critères ci-dessus. Le transistor à protéger est du# type BDW 92 vendu par la Société SGS-ATES et alimentant une charge de 1 000 V. Il peut tenir une tension de 180 V à l'état bloqué et être traversé sans inconvénient par un courant 4 A en permanence et de l'ordre de 10 A instantané lorsqu'il est saturé On a choisi pour R2 une résistance de référence VZR 048003 VA fabriquée par la Société L.C.C.-C.I.C.E. R4 est une résistance à coefficient de température positif( fabriqué par la Société RTC et dont la valeur à la température ambiante est de 80Q, ceLle valeur atteignant 2 500je, à 1100C. La condition (2) s'exprime en prenant Vma = 120 V. EMI8.1 Soit: R3 = 40R. D'autre part, on choisira R1 en utilisant la formule (3) pour les conditions de fonctionnement les plus sévères, à savoir Vma = 120 V et en limitant 1max à 7,5 A. Dans ces-conditions, Vce = 70 V (déterminé par les caractéristiques du transistor) EMI8.2 Avec R1 = 10 po le courant sera limité à 5 A. Les valeurs choisies introduisent une résistance série de 130 qui est très inférieure à l'impédance de la charge qui est égale à 1 0005L. Dans la description ci-dessus, on a envisagé, à titre d'exemple, le cas où le circuit de commutation à protéger était un circuit à semi-conducteurs symbolisé sous la forme d'un transistor. L'invention s'applique à la protection de tous les circuits de commutation, et notamment aux contacts de relais. On rappellera à cet égard que les contacts de relais comportent, au même titre que les circuits semi-conducteurs, des limitations en ce qui concerne la tension maximale de fonctionnement et le courant maximal qui peut les traverser.

Claims: REVENDICATIONS 1. Circuit de protection d'un circuit de commutation caractérisé en ce qu'il comporte : - au moins deux résistances (R1, R4) connectées en série, la première (R1) étant fixe et constituant une première branche série et la deuxième (R4) étant variable avec la température et constituant une deuxième branche série, - une troisième résistance (R2) variable avec la tension et connectée au point commun entre lesdites première et deuxième branche série, de manière à constituer une branche parallèle. 2. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que la deuxième branche série comporte une quatrième résistance (R3) disposée en série avec la deuxième résistance (R4). 3. Circuit selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu'il est réalisé sous forme de circuit hybride à couche mince et en ce qu'il comprend au moins une résistance (R1) à couche mince et deux résistances rapportées (R2, R4). 4. Circuit selon la revendication 3, caractérisé en ce que le circuit hybride est bi-face et en ce que sur une face est disposée au moins une résistance (R1) à couche mince et en ce que les deux résistances rapportées (R2, R4) sont disposées sur l'autre face. 5. Circuit selon l'une des revendications 3 ou 4, caractérisé en ce que le substrat du circuit hybride est thermiquement conducteur. 6. Application d'un circuit selon l'une des revendications précédentes à la protection d'un circuit de commutation, caractérisée en ce que la sortie du circuit de commutation est connectée aux extrémités de la première branche série et de la branche parallèle et en ce que une charge (Rc) est connectée entre la deuxième branche série et la branche parallèle. 7. Application selon la revendication 6, caractérisée en ce que la valeur de la ou des résistances de la deuxième branche série est suffisante pour que la tension aux bornes de la troisième résistance (R2) soit inférieure à la tension de claquage du circuit de commutation à protéger lorsqu'une tension anormale est présente entre les extrémités de la branche parallèle et de la deuxième branche série. 8. Application selon la revendication 7, caractérisée en ce que ladite tension anormale est une tension alternative pulsée. 9. Application selon l'une des revendications 7 ou 8, caractérisée en ce que ladite tension anormale est une tension de foudre. 10. Application selon l'une des revendications 7 à 9, caractérisée en ce que la valeur de la première résistance (R1) est telle que en présence d'une dite tension anormale le courant circulant à travers ce circuit de commutation à l'état saturé est inférieur au courant maximal qu'il peut débiter.

Inventors: BLANGEARD, GERARD, BULTE, JEAN-CLAUDE, LERAULT, RAYMOND, Blangeard, Gérard
Applicants: LIGNES TELEGRAPHIQUES ET TELEPHONIQUES  L.T.T.
Application year: 1980
Main classification: H02H7
IPC codes: H01L27, H05K1, H01L23