EXPLOSION-PROTECTED SEMICONDUCTOR COMPONENT ARRANGEMENT

Abstract: 1. Explosion-protected semiconductor component arrangement a) having at least one encapsulated, disc-shaped semiconductor component (1) which possesses a housing having a jacket section, in the shape of a cylinder of circular cross-section, made of an insulator and b) having an explosion-protective jacket (7) which surrounds a bursting space (13) around the said jacket section characterised in that c) the semiconductor component (1) is electrically and heat-conductively connected to at least one cooling element (4, 4'), d) the explosion-protective jacket (7) at least partially surrounds at least one cooling element (4) at the outer periphery of the said element and serves to centre the element, and e) the explosion-protective jacket possesses at least one centring segment (9) for centring the semiconductor component (1) within the explosion-protective jacket.

Description: Explosionsgeschützte Halbleiterbauelement-Anordnung Die Erfindung betrifft eine explosionsgeschützte Halbleiterbauelement-Anordnung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Derartige Halbleiter-Bauelemente können für Schaltspannungen bis etwa 1 kV je Element, für Nennströme bis etwa 3 kA und für Kurzschlussströme bis 300 kA ausgelegt sein. Je Element ist dabei eine Verlustleistung von etwa 1 kW als Wärme über Kühlelemente an ein Kühlfluid abzuführen. Solche Halbleiter-Bauelemente werden z.B. in Gleich- und Wechselrichtern von Hochspannungs-Gleichstrom-Uebertragungsanlagen > zur Elektrolyse oder zum Schmelzen in Aluminiumhütten verwendet. Erfolgt die Aufheizung eines Halbleiter-Bauelements zu schnell, so kann es explosionsartig zerstört werden, insbesondere, wenn ein Durchschlag am Rande des Halbleiterbau- elements auftritt. Ein Mass für die Explosionsfestigkeit ist das sogenannte Grenzlastintegral EMI1.1 Durch die DE-OS 2 652 348 ist eine Explosionsschutzanordnung für Halbleiter-Bauelemente bekannt, mit der für sinusförmige Impulse eine relativ hohe Explosionsfestigkeit mit einem Wert von G t 35 . 10 A2 s erreicht wird, was einem Stromimpuls von 83,7 kA/10 ms entspricht. Das bekannte Halbleiter Bauelement ist mit Explosionsschutzeinrichtungen ausgestattet. Seitlich angrenzend an eine Halbleiterscheibe ist ein Brennraum vorgesehen, in dem ein Lichtbogen zwischen Sollbrennstellen brennen kann. Anschliessend an den Brennraum und von diesem durch einen Keramik-Isolator getrennt1 kann ein volumenmässig grösserer Expansionsraum vorgesehen sein, in dem bei einer Explosion im Brennraum freigesetzte heisse Gase und weggeschleuderte Bruchstücke des Gehäuses aufgefangen werden. Um einen weiteren Abbau des Ueberdrucks zu erreichen, kann der Expansionsraum Dichtlippen und andere Druckreduziereinrichtungen aufweisen. Bedingt durch die relativ kleinen Druckausgleichvolumina derartiger Anordnungen für Halbleiter-Hochleistungsbauelemente kann es dennoch zu deren Zerstörung kommen, insbesondere bei sehr steilem Stromanstieg. Durch herumfliegende Trümmerteile können benachbarte Halbleiterbauelemente, Sicherungen oder Beschaltungsteile beschädigt werden. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Explosionsschutzanordnung für Halbleiter-Bauelemente anzugeben, die bei einer Zerstörung eines Halbleiter-Bauelementes andere Bau-, Sicherungs- und Schaltelemente vor einer Beschädigung durch herumfliegende Trürmmerteile schützt und gleichzeitig als Zentrierung der Halbleiterbauelemente verwendbar ist. Die Aufgabe wird in Verbindung mit den Merkmalen des Oberbegriffs gemäss dem kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 gelöst. Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen beschrieben. Die Wirkung der damit beanspruchten Massnahme besteht darin, dass Trümmerteile eines explodierenden Halbleiter-Bauelements im wesentlichen in dem durch den Explosionsschutzmantel begrenzten Berstraum zu liegen kommen. Das beschädigte Halbleiter-Bauelement kann ohne besondere Schwierigkeiten durch ein unbeschädigtes ersetzt werden. Der Explosionsschutzmantel schützt gleichzeitig das Halbleiter-Bauelement vor Verschmutzung. Ein eventuell auftretender Lichtbogen wird in seiner Ausbreitung durch den Explosionsschutzmantel begrenzt. Ein Vorteil der Erfindung besteht darin, dass keine besonders aufwendige Explosionsschutzanordnung am Halbleiter-Bauelement selbst vorgesehen sein muss. Nach einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung kann der Explosionsschutzmantel gleichzeitig zur Zentrierung der Kühlelemente des Halbleiterbauelements sowie zur Befestigung von Zentrierteilen des Halbleiter-Bauelements verwendet werden. Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben. Es zeigen: Fig. 1 ein erstes Ausführungsbeispiel einer Explosions schutzanordnung für Halbleiter-Bauelemente schema tisch im Vertikalschnitt, Fig. 2 ein zweites Ausführungsbeispiel einer Explosians schutzanordnung für Halbleiter-Bauelemente mit zugeordneten Sicherungselementen schematisch in Draufsicht und Fig. 3 eine Explosionsschutzanordnung für Halbleiter-Bau elemente in einem Vertikalschnitt längs der Linie 111-111 in Fig. 2. Gemäss Fig. 1 ist zwischen je zwei Kühlelementen- 4 und 4' je ein scheibenförmiges Halbleiter-Bauelement 1 zentrisch angeordnet. Zur elektrischen Kontaktierung sowie zur Abführung der in diesem Halbleiter-Bauelement freiwerdenden Verlustwärme sind zwischen den Kontaktflächen des Halb leiter-Bauelementes und den Kühlelementen 4 und# 4 gutleitende Kpntaktscheiben 11 und 11' angeordnet. Das Halbleiter-Bauelement 1 ist mit Abstand von einem Explosionsschutzmantel 7 umsehlossen, der gleichzeitig die beiden dem Halbleiter-Bauelement zugeordneten Kühlelemente 4 und 4' teilweise und dichtanliegend umschliesst. Der Explosionsschutzmantel 7 schliesst somit einen das Halbleiterbauelement 1 umgebenden Berstraum 13 zwischen den Kühlelementen 4 und 4' splitterdicht ab und wirkt gleichzeitig als Zentrierung für diese Kühlelemente. An dem Explosionsschutzmantel 7 ist ein kurzes Zentriersegment 9 angeordnet, das sich von dem Umfangsteil des Explosionsschutzmantels im wesentlichen senkrecht nach innen, a.h. in den Berstraum 13 erstreckt und für das Kühlelement 4 eine Anlegekante bildet. Der Berstraum 13 ist üblicherweise mit Luft gefüllt. Er kann auch mit einem gasförmigen oder festen Lichtbogen Löschmittel, wie zB- SF6-Gas oder Quarzsand, gefüllt sein. Der Explosionsschutzmantel 7 besteht aus einem elektrisch isolierenden, nichtbrennbaren, lichtbogenbeständigen Werkstoff. Als Werkstoffe eignen sich zum Beispiel Quarz, Keramik, Asbest, Silastomer, Silikonkautschuk, Giessharz, das ggf durch Glasfasern verstärkt ist, und Polytetrafluorethylen. Die Dicke des Explosionsschutzmantels sollte so bemessen sein, dass sie mindestens einem Druck von 10 bar standhält. Das scheibenförmige Halbleiter-Bauelement 1 weist am kreiszylindrischen Mantelteil, das z.B. aus einem Keramik Isolator besteht, Rillen 14 auf. In diese Rillen greift ein Halbleiter-Zentrierelement 10 ein, das an dem Zentriersegment 9 durch Klemmen, Verschrauben oder dgl. befestigt werden kann. Dieses Halbleiter-Zentrierelement 10 gewährleistet, dass das Halbleiter-Bauelement 1 eine vorbestimmte zentrische Lage zwischen den beiden Kühlelementen 4 und 4' einnimmt. Wie in Fig. 1 angedeutet, können mehrere Halbleiter-Bauelemente 1 und Kühlelemente 4, 41 mit der beschriebenen Explosionsschutzanordnung hintereinandergeschaltet sein. Eine gute elektrische Kontaktierung und Wärmeübertragung zwischen Halbleiter-Bauelementen und Kühlelementen kann z.B. in bekannter Weise durch Anpressen mittels einer nicht dargestellten Einspannvorrichtung bewirkt werden. Gemäss eines weiteren, in den Fig. 2 und 3 dargestellten Ausführungsbeispiels der Erfindung sind mehrere Halbleiter Bauelemente 4 auf einer gemeinsamen Kühlschiene 3 angeordnet. Diese Kühlschiene dient gleichzeitig als eine Stromzuführung für die Halbleiter-Bauelemente. Eine zweite Stromzuführung zu den Halbleiter-Bauelementen erfolgt über die Kühlelemente 4 > welche über Stromleiter 6 und nur schematisch angedeutete, elektrische Sicherungen 2 mit einer Stromschiene 5 elektrisch verbunden sind. Die im Querschnitt im wesentlichen rechteckförmigen Explosionsschutzmäntel 7 weisen Sollbruchstellen 8 auf. Diese Sollbruchstellen sind räumlich den Sicherungen 2 gegenüberliegend angeordnet; sie werden zweckmässig an einer solchen Stelle angebracht, an der ein Bersten unschädlich für andere Bauelemente, Sicherungen oder Schaltelemente ist. Entsprechend der Darstellung in Fig. 3 wird bei dies#er Ausführung nur das Kühlelement 4 teilweise von dem Explosionsschutzmantel 7 umschlossen. Die Wirkungsweise der erfindungsgemassen Explosionsschutzanordnung sei anhand der Fig. 2 erläutert. Es wird angenommen, dass innerhalb eines defekten Halbleiter-Bauelementes eine Lichtbogenbildung eintritt, die zu einer explosionsartigen Zerstörung dieses Bauelementes führt. Bauelementsplitter werden durch den Berstraum 13 gegen die Wandung des Explosionsschutzmantels 7 geschleudert, wo sie am Weiterflug gehindert werden. Sie können somit weder benachbarte Halbleiter Bauelemente 1 noch Sicherungen 2 beschädigen. Ohne diesen Explosionsschutzmantel ist die Gefahr gross, dass benachbarte Bau- und Schaltelemente kettenreaktionsartig zerstört werden und Sicherungen auch bei Ueberstrom nicht auslösen. Der relativ grosse Berstraum 13 ermöglicht einen starken Abbau des Ueberdruckes der Explosionsgase. Ein Austreten des Lichtbogens aus dem Berstraum 13 oder ein Uebergreifen auf andere Bauelemente oder brennbare Gegenstände in der Nachbarschaft wird durch den aus einem lichtbogenbeständigen Werkstoff hergestellten Explosionsschutzmantel ebenfalls verhindert. Eine gemäss einer besonderen Ausgestaltung der Erfindung vorgesehene Sollbruchstelle 8 im Explosionsschutzmantel 7 gewährleistet eine erhöhte Sicherheit bezüglich des Schutzes explosionsempfindlicher Bau-, Sicherungs- und Schaltelemente in der Nachbarschaft des defekt gewordenen Halbleiter-Bauelementes. Falls der Explosionsschutzmantel 7 bersten sollte, so erfolgt dies an einer dafür vorgesehenen Stelle, an der keine Folgeschäden zu erwarten sind. Die Erfindung ist auf das in den Zeichnungen Dargestellte selbstverständlich nicht beschränkt. So könnte der Explosionsschutzmantel 7 anstelle eines kreis- oder recht eckförmigen Querschnitts z.B. auch einen ovalen oder dreieckförmigen Querschnitt aufweisen. Um den Berstraum 13 besser abzudichten, könnte ein dem Zentriersegment 9 entsprechendes, am Kühlelement 4' und am Explosionsschutzmantel 7 dicht anliegendes Segment vorgesehen sein. Die Abdichtung kann auch als Labyrinthdichtung ausgeführt werden. Der Plasmastrahl wird dabei mehrmals umgelenkt und gekühlt. Die Abschirmung muss dabei nicht gasdicht sein, jedoch lichtbogendicht. Bezeichnungsliste 1 = Halbleiter-Bauelemente 2 = Sicherung 3 : Kühlschiene bzw. Stromzuführungs- anordnun#g 4, 4' = Kühlelemente bzw. Stromzuführungs anordnung 5 = Stromschiene 6 = Stromleiter 7 = Explosionsschutzmantel 8 = Sollbruchstelle 9 = Zentriersegment 10 = Halbleiter-Zentrierelement 11, 11' = Kontaktscheiben 13 = Berstraum 14 = Rillen

Claims: Patentansprüche 1. Explosionsgeschützte Halbleiterbauelement-Anordnung a) mit mindestens einem Halbleiterbauelement (1), das zwischen mindestens 2 StromzuSührungsanord- nungen bzw. Kühlelementen (4,4' bzw. 3, 4) ange ordnet und b) mit Abstand von einem Explosionsschutzmantel um schlossen ist, dadurch gekennzeichnet, dass c) der Explosionsschutzmantel (7) mindestens ein Kühl element (4) am Aussenumfang mindestens teilweise umschliesst und zentriert. 2. Explosionsgeschützte Halbleiterbauelement-Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Ex plosionsschutzmantel (7) mindestens ein Zentrier segment (9) für eine Zentrierung des Halbleiter-Bau elementes (1) aufweist. 3. Explosionsgeschützte Halbleiterbauelement-Anordnung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Explosionsschutzmantel (7) aus einem elek trisch isolierenden, nicht brennbaren, lichtbogen beständigen Werkstoff besteht. 4. Explosionsgeschützte Halbleiterbauelement-Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Explosionsschutzmantel (7) als Werkstoff a) Keramik oder b) Asbest oder c) Silastomer oder d) Giessharz mit Glasfaserarmierung oder e) Polytetrafluoräthylen oder f) ein Gemisch dieser Werkstoffe aufweist. 5. Explosionsgeschützte Halbleiterbauelement-Anordnung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Explosionsschutzmantel (7) mindestens eine Sollbruchstelle (8) aufweist. 6. Explosionsgeschützte Halbleiterbauelement-Anordnung nach den Ansprüchen 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Zentriersegment (9) und dem Halb leiter-Bauelement (1) ein Halbleiter-Zentrierelement (10) angeordnet ist. 7. Explosionsgeschützte Halbleiterbauelement-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass der Berstraum (13) zwischen Halb leiterbauelement (1) und Explosionsschutzmantel (7) mit einem gasförmigen oder festen Lichtbogen-Lösch mittel gefüllt ist. 8. Explosionsgeschützte Halbleiterbauelement-Anordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Löschmittel Quarzsand oder SF6-Gas ist.

Inventors: ECKERT, HEINZ, HERBST, WERNER
Applicants: BBC AKTIENGESELLSCHAFT BROWN, BOVERI & CIE.
Application year: 1980
Main classification: H01L23
IPC codes: H01L23