SEMICONDUCTOR DIODE DEVICE

Abstract: 1. Semiconductor diode arrangement with a p/n transition produced by plastic deformation, said arrangement comprising an n-doped (1) and a p-doped (2) single-crystalline semiconductor disk, characterized in that both semiconductor disks (1 and 2) comprise on one of their sides a structure with parallel walls (3), in that both semiconductor disks are combined at their structured sides such that the walls cross and contact each other, and in that as a result of the crystal deformation occurring in the semiconductor grid all of the points of contact form p/n diodes which are electrically connected in parallel.

Description: Halbleiter-Dioden-Anordnung Die Erfindung betrifft eine monokristalline Halbleiter Dioden-Struktur und deren Herstellung. Monokristalline Halbleiter-Dioden werden heute vorzugsweise aus Silizium, Germanium und III/V-Verbindungen hergestellt. Sie bestehen im Prinzip aus zwei Zonen unterschiedlicher Leitfähigkeit, deren gemeinsame Grenzfläche ein p/n-übergang ist. Das Frequenzverhalten einer Diode wird im wesentlichen durch die Kapazität dieses p/n-überganges und die Bahnwiderstände der Diode bestimmt. Mit der Flächenausdehnung des p/n-überganges und der Dotierung des p- und n-Bereiches in der Umgebung des p/n-Uberganges ist dessen Kapazität (bei der Betriebsspannung Null) in erster Näherung festgelegt. Die elektrische Leistung einer Diode hängt im wesentlichen von der Kühlung und Abführung der Verlustwärme ab. Bei jeder äusseren Kühlung der Diode gibt es eine maximale Leistung, die nicht überschritten werden darf, weil sonst die sogenannte Junction-Temperatur (die Temperatur des p/n-überganges) eine kritische Grösse (meist 150 OC) überschreitet. Da die maximale Leistung auch mit der Diodenfläche gekoppelt ist, hängt auch die Kapazität einer Diode mit ihrer maximalen Leistung zusammen. Je grösser. die Verlustleistung einer Diode ist, umso grösser ist im allgemeinen auch ihre Junctionum so grösser ist im allgemeinen auch ihre Junction Kapazität und um so niedriger ist im allgemeinen ihre höchste Arbeitsfrequenz. Die vorliegende Erfindung hat sich die Aufgabe gestellt, die Kopplung von maximaler Verlustleistung mit der Junction-Kapazität einer Diode und die Frequenzbegrenzung bei Dioden grosser Leistung zu reduzieren. Sie geht von der Erkenntnis aus, dass die Leistungsdichte (Watt/cm2) in einer Diode wesentlich erhöht werden könnte, wenn eine Diode wie ein Kontaktwiderstand (ohne Fremdschicht) aufgebaut wäre. Bekanntlich ist die Temperatur-Erhöhung AT (die sogenannte Ubertemperatur) in einem Kontaktwi Fremdschicht) gegeben durch die Beziehung EMI2.1 Dabei ist U die an dem Kontaktwiderstand liegende Spannung 9 der spezifisch elektrische Widerstand und Ä die spezifische Wärmeleitfähigkeit der Kontaktmaterialien. Der elektrische Widerstand R eines Kontaktwiderstandes (ohne Fremdschicht) ist RK = 2D . Dabei ist 2D der Durchmesser des Kontaktes. Die Temperaturerhöhung AT im EMI2.2 als Funktion der Leistungsdichte P st AT = 4XD . Dies bedeutet, daB AT die Leistungsdichte P im Kontakt um so grösser werden kann, je kleiner der Durchmesser 2D des Kontaktes wird. Diese Betrachtung lässt sich auch auf den Aufbau von Dioden anwenden. Anstatt eine Leistungs diode mit grosser Fläche zu bauen und mit relativ kleiner Leistungsdichte zu betreiben, kann man eine Diode gleicher Leistung aus vielen sehr kleinflächigen parallel geschalteten Dioden bauen (mit auch in der Summe wesentlich kleinerer Diodenfläche) und mit grosser Leistungsdichte betreiben. Im zweiten Fall erhält man dann eine Diode mit u. a. wesentlich besserem Frequenzverhalten. Durch die Veröffentlichung (1) ist es bekannt, p/n-Ubergänge dadurch zu erzeugen, dass man einen p- und einen n-Kristall aus Silizium oder Germanium bei höherer Temperatur und unter Druck gemeinsam verformt. Sofern der Verformungsgrad nicht grösser als 3 % (Versetzungsdichte < 5 . 106/cm2) ist, lassen sich nach dieser Methode p/n Übergänge mit guten elektrischen Eigenschaften erzeugen. Die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird bei einer Halbleiteranordnung mit durch plastische Verformung erzeugten p/n-Übergängen dadurch gelöst, dass eine n-dotierte und eine p-dotierte einkristalline Halbleiterscheibe vorgesehen sind, dass mindestens auf einer Seite einer Scheibe eine Struktur mit mindestens drei Erhebungen vorhanden ist, dass die Scheiben so aufeinander angeordnet sind, dass sie sich an den Erhebungen berühren, und dass als Folge herbeigeführter Kristalldeformationen des Halbleitergitters die Berührungsformationen des Halbleitergitters die Berührungsstellen elektrisch parallel geschaltete p/n-Dioden bilden. Zur Herstellung der Halbleiter-Dioden-Anordnung werden die Halbleiterscheiben unter Druck und bei erhöhter Temperatur derart zusammengepresst, dass sich an den Berührungsstellen infolge der erzeugten Kristalldeformationen p/n-Übergänge bilden. Die Umwandlung der Berührungsstellen in p/n-übergänge kann im Vakuum, in Wasserstoff- oder auch in Edelgas Atmosphäre erfolgen. Die Erhebungen in der Struktur können so ausgebildet sein, dass die p/n-Dioden flächengleich werden. Die Mindest-Zahl von drei Erhebungen ist für die mechanische Stabilität der Anordnung wesentlich. Nach einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung können auch beide Halbleiterscheiben auf einer Seite eine Struktur mit parallelen Wällen haben. Beide Halbleiterscheiben sind dann mit ihren strukturierten Seiten so zusammengelegt, dass die Wälle sich kreuzen und berühren. Die Struktur mit den Wällen auf den Halbleiterscheiben kann z. B. mit Hilfe eines photolithographischen Prozesses über ein chemisches- oder ein Plasma-Ätzverfahren hergestellt sein. Das Konstruktionsprinzip der gekreuzten Wälle ist bereits in der Deutschen Offenlegungsschrift P 25 47 262 beschrieben worden. Es wird in der P 25 47 262 jedoch nur benutzt, um zwischen zwei ungleich temperierten Platten extrem grosse Temperaturgradienten zu erzeugen. Die Herstellung von Halbleiter-Dioden nach diesem Prinzip ist in P 25 47 262 nicht erwähnt. Wenn jede Halbleiterscheibe in ihrer Struktur N Wälle hat, dann ist die Zahl der p/n-Kontakte zwischen den beiden Halbleiterscheiben N2. Bringt man etwa auf 1 cm2 Silizium- Fläche parallele Wälle mit je einer Gratbreite von 5 . 10 4 cm in einem Abstand von 2 . 10 3cm unter, dann kann man 1,6 . 105 parallel geschaltete p/n-Kontakte zwischen einer p- und einer n-Scheibe von je 1 cm2 Fläche herstellen. Bei einem sehr gut gekühlten Silizium Leistungsgleichrichter erreicht der p/n-Ubergang eine Übertemperatur von etwa 1000 bei einer Leistungsdichte P < 100 - mit einem EMI5.1 Dagegen würde ein einzelner p/n-Kontakt messer von 5 . 10## 4 cm ein AT = 1000 erst bei einer Leistungsdichte P = Tod4\ von 4 . 105 Watt/cm2 D D erreichen. Die 1,6 . 105 parallel geschalteten p/n-Kontakte haben haben eine Gesamtfläche von ca. 0,04 cm2. Ihr resultieren- der Gesamt-Wärmewiderstand ist vernachlässigbar klein gegenüber den anderen Wärmewiderständen der Anordnung. Mit der Halbleiter-Dioden-Anordnung gemäss der Erfindung lassen sich sehr einfach sowohl symmetrische als auch definiert unsymmetrische p/n-Ubergänge dadurch herstellen, dass beide Halbleiterscheiben die gleiche oder eine definiert unterschiedliche Dotierungskonzentration haben. Auch abrupte p/n-Ubergänge lassen sich einfach dadurch erzeugen, dass die eine Halbleiterscheibe mit mehr als 5 . 1018 Störatomen/cm3 dotiert ist, während die andere Scheibe relativ hochohmig ist. Durch Eindiffusion in die hochohmige Seite lässt sich die Sperrspannung erhöhen. Wenn beide Scheiben so hoch dotiert sind, dass sie Störstellen in Entartungskonzentration enthalten, lassen sich Halbleiter-Tunneldioden-Anordnungen herstellen. Zur sicheren Erzielung von Tunnelkontakten können vor dem Umwandeln der Berührungsstellen in p/n-Übergängen in die Oberflächen der beiden Halbleiter-Scheiben Donatoren bzw. Akzeptoren mit Grenzkonzentrationen eindiffundiert werden. Vor oder nach dem Erzeugen der Strukturen mit den Wällen können auch Epitax-Schichten auf die Halbleiterscheiben aufgebracht werden. Halbleiter-Dioden-Anordnungen gemäss der Erfindung können auch elektrisch parallel und in Serie geschaltet werden. Da die aktive p/n-Fläche in der Anordnung der Erfindung sehr viel kleiner gemacht werden kann als die äusseren An schluss drähte, lassen sich Halbleiter-Dioden-Anordnungen auch als mechanische Druck-Sensoren ausbilden. Auch als Mikrofon kann die Anordnung mit Vorteil ausgebildet werden. Im folgenden wird die Erfindung an Hand von 6 Ausführungsbeispielen erläutert: Ausführungsbeispiel 1 zeigt eine IMPact-Avalanche-Transit Time (IMPATT)-Dioden Anordnung. Ausführungsbeispiel 2 zeigt eine Silizium-Zener-Dioden Anordnung. Ausführungsbeispiel 3 zeigt einen Leistungsgleichrichter für hohe Frequenzen. Ausführungsbeispiel 4 zeigt eine Silizium-Tunneldioden Anordnung. Ausführungsbeispiel 5 zeigt eine Serienschaltung von 5 ilizium-Tunneldioden-Anordnungen. Ausführungsbeispiel 6 zeigt eine Halbleiter-Dioden-Anordnung als Druck-Sensor. Ausführungsbeispiel 1 In Fig. 1 ist 1 eine p -dotierte Silizium-Scheibe. 2 ist eine n+-dotierte Silizium-Scheibe, welche drei mesaförmige oder Kegelstumpf-förmige Erhebungen 3 trägt. Die Stirnflächen dieser Erhebungen 3 tragen 4 . 10 5cm dicke n Schichten 7, welche eine Dotierung von 5 . 1015 Atomen/cm3 haben. 5 und 6 sind Metallkontakte an den Scheiben 1 und 2. Nach dem Zusammenlegen der Scheiben 1 und 2 werden die Berührungsflächen der Schichten 7 mit der Scheibe 1 bei 750 C unter Schutzgas in p+/n- -Ubergänge mit einem Durch- messer von 2 . 10 cm umgewandelt. Ausführungsbeispiel 2 In Fig. 2a ist 1 eine p-Siliziumscheibe von 0,01 Qcm, die einen sperrfreien Metallkontakt 5 auf einer Seite hat. 2 ist eine n-Silizium-Scheibe mit einem spezifischen Widerstand von 10 Qcm. 3 sind parallel zueinander verlaufende Wälle in einer einseitigen Struktur der Scheibe 2. Die andere Seite dieser n-Silizium-Scheibe hat einen sperrfreien Metall-Kontakt 6. In Fig. 2b sind die Silizium-Scheiben 1 und 2 im Querschnitt nach der Umwandlung der Berührungsstellen in p/n-Ubergänge-4 schematisch dargestellt. 3 sind die Wälle und 5 und 6 sind sperrfreie Metall-Kontakte bzw. mit sperrfreien Metall-Kontakten versehene hochdotierte + (bei + der Scheibe 1) und n - (bei der Scheibe 2) Oberflächen- zonen. 8 ist eine durch nachträgliche Oxydation erzeugte Schicht. 8 kann auch eine die Grabenwände zwischen den Wällen allseitig passivierende Glasschicht sein. Ausführungsbeispiel 3 In Fig. 3a ist eine p-Silizium-Scheibe 1 und eine n Silizium-Scheibe 2 mit je einer Oberflächenstruktur von parallelen Wällen 3 dargestellt. Die p-Scheibe 1 wird (in der Scheiben-Ebene um den Winkel a - vorzugsweise a = 900 gedreht) auf die Scheibe 2 aufgesetzt, so dass sich die Wälle 3 beider Scheiben kreuzen und berühren. Durch einen Temperaturprozess in einer Wasserstoffatmosphäre sind - wie in den Schnittdarstellungen der Fig. 3b und 3c angedeutet - an den Berührungsstellen der Wälle 3 die p/n-Übergänge 4 entstanden. 5 und 6 sind sperrfreie Metallkontakte an dieser Gleichrichter Anordnung, die auch im Durchbruch ohne second breakdown und bei höheren Frequenzen betrieben werden kann. Ausführungsbeispiel 4 Fig. 4 zeigt im Querschnitt eine p -Silizium-Scheibe 1 und eine n+-Silizium-Scheibe 2. Beide Scheiben sind mit ihren strukturierten Seiten zusammengelegt, so dass sich die Wälle 3 überkreuzen und berühren. Die Berührungsstellen sind durch einen Temperaturprozess in Tunnel Dioden 4 umgewandelt. 5 und 6 sind Metalldektroden an die Scheiben 1 und 2. Ausführungsbeispiel 5 Fig. 5 zeigt eine Tunneldioden-Kaskade gemäss der Erfindung. 1 sind p+-Silizium-Scheiben und 2 sind n+ - Silizium-Scheiben. Beide Scheibenarten 1, 2 haben auf ihren beiden Seiten eine Struktur mit parallelen Wällen 3. Sie sind so zusammengesetzt, dass sich stets die Wälle 3 in der Struktur einer p +-Scheibe 1 und einer n +-Scheibe 2 überkreuzen. Insgesamt sind beispielsweise 100 p -Scheiben 1 und 100 n -Scheiben 2 von 2,5 cm Durchmesser und 2 . 10 cm Dicke mit einer beidseitigen Struktur von parallelen Wällen 3 zusammengesetzt und mit Hilfe eines Temperaturprozesses zu einer Tunneldioden-Kaskade vereinigt. 5 und 6 sind die Metall-Anschlüsse dieser Kaskade. 4 sind die p+ /n +-Übergänqe. 9 ist das Glasgehäuse der Kaskade, die eine Länge von 5 cm und einen Durchmesser von 4 cm hat. Der Bereich des negativen differentiellen Widerstandes erstreckt sich über 20 Volt. Ausführungsbeispiel 6 Fig. 6 zeigt schematisch die Halbleiter-Dioden-Anordnung als Druck-Sensor. 1 ist eine p-Silizium-Scheibe und 2 ist eine n-Silizium-Scheibe. Beide Silizium-Scheiben haben sperrfreie Metali-Kontakte 5 und 6. Über eine Struktur ätzung sind in beide Scheiben die parallelen Wälle 3 eingeätzt worden. Die sich überkreuzenden Wälle 3 bilden an den Berührungsstellen p/n-Übergänge mit Durchmessern -4 von 1 . 10 cm. An den Scheiben 1 und 2 liegt über die Anschlüsse 15 und 16 sowie den Vorwiderstand 13 die Spannung der Batterie 12, welche über den Widerstand 13 und die gesperrten p/n-Übergänge 4 den Strom 18 erzeugt. Der mechanische Druck 17 verändert sehr empfindlich den Sperrstrom 18 über die p/n-Übergänge 4. 10 ist ein Keramik-Gehäuse und 11 ist ein elastisches Glied im Gehäuse 10. Die Anderung des Spannungsabfalls als Folge der Schwankung des Stromes 18 im Widerstand 13 wird mit dem Messgerät 14 gemessen. (1) S. Schäfer "Herstellung von p-n-Übergängen durch gemeinsame plastische Verformung von p- und n-dotiertem Germanium" Solid-State-Electronics, 11, 675-681 (1968) Bezugsziffern 1 p-leitender Halbleiterkristall 2 n-leitender Halbleiterkristall 3 Erhöhung 4 p/n-Übergang 5 Metall-Elektrode an 1 6 Metall-Elektrode an 2 7 n -Schicht 8 - Oxyd-Schicht oder Glas-Schicht 9 Glas-Einschmelzung 10 Keramik-Gehäuse 11 Elastisches Element 12 Batterie 13 Elektrischer Widerstand 14 Messgerät für Referenzspannung 15 Elektrischer Anschluss an 1 16 Elektrischer Anschluss an 2 17 Mechanischer Druck 18 Elektrischer Strom

Claims: Patentansprüche 1) Halbleiter-Dioden-Anordnung mit einem durch plastische Verformung erzeugten p/n-übergang, dadurch gekennzeichnet, dass eine n-dotierte (1) und eine p-dotierte (2) einkristalline Halbleiterscheibe vorgesehen sind, dass mindestens auf einer Seite, einer Scheibe eine Struktur mit mindestens drei Erhebungen (3) vorhanden ist, dass die Scheiben so aufeinander angeordnet sind, dass sie sich an den Erhebungen berühren, und dass als Folge herbeigeführter Kristalldeformationen des Halbleitergitters die Berührungsstellen elektrisch parallel geschaltete p/n-Dioden bilden. 2) Halbleiter-Dioden-Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch parallel geschalteten p/n-Dioden flächengleich sind. 3) Halbleiter-Dioden-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass beide Halbleiterscheiben (1 und 2) auf einer Seite eine Struktur mit parallelen Wällen (3) haben, und dass die beiden Halbleiter scheiben mit ihren strukturierten Seiten so zusammengelegt sind, dass die Wälle sich kreuzen und berühren. 4) Halbleiter-Dioden-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Struktur auf den Halbleiter-Scheiben (1 und 2) mit Hilfe eines chemischen oder Plasma-Ätzverfahrens hergestellt ist. 5) Halbleiter-Dioden-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf der ndotierten (1) und der p-dotierten Halbleiterscheibe (2) eine vor oder nach dem Erzeugen der Struktur hergestellten Epitax-Schicht angeordnet ist. 6) Halbleiter-Dioden-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die n-dotierte und die p-dotierte Halbleiterscheibe (1 und 2) auf ihren nichtstrukturierten Seiten mit einem ohmschen Kontakt versehen sind. 7) Halbleiter-Dioden-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die n-dotierte Scheibe (1) die gleiche Konzentration an Donatoren wie die p-dotierte Scheibe (2) an Akzeptoren enthält. 8) Halbleiter-Dioden-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass entweder die n-Scheibe (1) oder die p-Scheibe (2) eine Störstellenkonzentration hat, die grösser als 5 . 1018 Atome/cm3 ist. 9) Halbleiter-Dioden-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Halbleiterscheiben (1 und 2) mit Entartungskonzentrationen + + n und p dotiert sind, so dass ein Array von Tunneldioden entsteht. 10) Halbleiter-Dioden-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in die strukturierte Seite der n -dotierten Scheibe (1) mit Hilfe eines Diffusions- oder Implantationsprozesses Donatoren mit einer Oberflächenkonzentration > 1019 Atome/cm3 und in die strukturierte Seite der p + -Scheibe (2) Akzeptoren mit einer Oberflächenkonzentration von > 1019 Atome/cm3 eingebracht sind. 11) Halbleiter-Dioden-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Halbleiter-Dioden-Anordnungen elektrisch parallel und in Serie geschaltet sind. 12) Halbleiter-Dioden-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch ihre Verwendung als Druck-Sensor. 13) Halbleiter-Dioden-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch ihre Verwendung als Mikrofon. 14) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Dioden-Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterscheiben unter Druck und bei erhöhter Temperatur derart zusammengepresst werden, dass sich an den Berührungsstellen infolge der erzeugten Kristalldeformationen pn-Übergänge bilden.

Inventors: DAHLBERG, REINHARD, DR.
Applicants: LICENTIA PATENT-VERWALTUNGS-GMBH
Application year: 1980
Main classification: H01L29
IPC codes: H01L29