METHOD OF MAKING PRINTS PROVIDED WITH MASKS

Abstract: 1. Method of producing circuit boards provided with coatings (24), using copper laminated base material (10; 8, 12) wherein the surface of conductive patterns (18) prior to removing the photoresist layer (14), applied to the copper layer (12), is covered with an etch mask (26), characterized in that palladium is electrolytically deposited as an etch mask on the conductive patterns in such a manner that dendritic or nodular projections are formed in the free surface regions of the etch mask (26), these projections promoting the adhesion of the coatings (24) applied after removal of the exposed copper layer (12) to the conductive patterns (18) and the base material (8) carrying said conductive patterns.

Description: Verfahren zum Herstellen von mit Abdeckungen versehenen Leiterplatten Die Erfindung betrifft eine Anordnung wie sie dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 zu entnehmen ist. Mehrlagen-Leiterplatten finden in zunehmendem Masse Anwendung. Wenn auch durch Verfeinerung und Vervollkommnung der Herstellungsverfahren bisher grosse Leiterbilddichten herbeizuführen sind, so sind die Erfordernisse der Praxis jedoch darauf gerichtet, Leiterplatten mit noch viel grösseren Leiterbilddichten zur Verfügung zu haben, womit dann auch erhöhte Anforderungen bezüglich mechanischer und thermischer Belastung derart dicht gepackter Schaltungsanordnungen einhergehen. Eine entsprechende Widerstandsfähigkeit derartiger Leiterbilder stark heraufzusetzen, muss daher das Bestreben bei dieser Sachlage sein. Insbesondere treten in Herstellung von Mehrlagen-Leiterplatten Probleme bei selektivem Ätzen der Kupferkaschierung auf dem Basismaterial der jeweiligen Lage und bei Haftverbindung zwischen so freigelegter Oberfläche des Basismaterials und einer über die fertiggestellte Leiterplatte aufgetragener Prepreg-Schicht auf, die nach Aushärtung als Schutzschicht dienen soll. Bei bekannten Herstellungsverfahren wird die Oberfläche des additiv aufmetallisierten Kupferleiterbildes durch eine Ätzmaske abgedeckt, die für die anschliessend speziell angewendete Ätzlösung undurchdringlich ist. Hierzu wird gemäss US-Patentschrift 4 127 438 mittels Tauchverfahren eine Zinnschicht auf das Leiterbild aufgebracht, um es so bei nachfolgenden Verfahrensschritten vor Beschädigung zu schützen. Während diese Zinnschutzschicht in der vorgesehenen Funktion als Ätzmaske ihren Dienst leistet, stellt je doch Auf- und Abtragen auf bzw. von den betreffenden Kupferoberflächen, die hierdurch geschützt werden sollen, erhebliche Schwierigkeiten bei Durchführung dar, so dass das Gesamtherstellungsverfahren durch zwangsläufiges Hinzukommen kritischer Verfahrens schritte nur noch mehr belastet wird. Wie andererseits in der US-Patentschrift 3 791 858 gezeigt, können Leiterplatten auch in eine Ätzlösung getaucht werden, um unerwünschte Kupferbereiche nach aufgebrachten Leiterbildern zu entfernen. Jedoch wird bei solchen Verfahren vorausgesetzt, dass eine oberflächlich aufgetragene Kupferkaschierung mit einer Stärke von nur einigen iim abzutragen ist. Infolgedessen ist ein derartiges Verfahren nicht geeignet für Anwendung auf Leiterplatten, wo leitende Schichten zunächst mit einer Stärke von einigen 10 pm vorgesehen werden. Auch in der US-Patentschrift 3 756 891 ist ein Schnellätzverfahren beschrieben, um unerwünschte Kupferbereiche abzutragen. Beachtet werden muss allerdings, dass durch derartiges Schnellätzen das Leiterbild infolge Abrundens der Leiter- und Anschlussflächenkanten und/oder Unter ätzens Schaden nehmen kann. Sind überschüssige Kupferbereiche vom Basismaterial abgetragen und die diesbezüglichen Verfahrensschritte abgeschlossen, dann stellt sich das obengenannte zweite Problem, nämlich das der Haftverbindung zu einer über die Leiterplatte aufzutragenden Schutzschicht, die aus teilausgehärtetem, dielektrischen Material besteht. Das Bestreben nach immer dünneren Leitern, um die gewünschte Leiterbilddichte zu erzielen, lässt dieses Problem der Haftverbindung zu einer Schutzschicht immer kritischer werden. Im bereits erwähnten US-Patent 4 127 438 dient zu diesem Zweck eine Chlorit-Oxidschicht, die auf die freigelegten Oberflächenbereiche des Leiterbildes aufgebracht wird, um so eine Haftvermittlung zu begünstigen und mögliche Haftverbindungsprobleme auszuschalten. Unglücklicherweise jedoch neigt ein solcher Chlorit-Haftvermittler zu thermischer Zersetzung, so dass sich, wie die Praxis zeigt, eine zunehmende Anzahl von Haftverbindungsfehlern einstellt, sobald erhöhte thermische Beanspruchungen vorliegen. Zudem noch ist diese Chloritschicht empfindlich gegen Angriffe durch Atzlösungen, Treibungsmittel und Lochreinigungsmaterialien, wie sie in Vorbereitung zur Lochmetallisierung fertiggestellter Leiterplatten Anwendung finden, so dass hierdurch auch die Ausschussrate nicht unwesentlich erhöht wird. Aus der Veröffentlichung "National Bureau of Standards Circular", Publication Nr. 192 vom 22. November 1948 ist es bekannt, eine Haftverbindung zwischen Metall und Nichtmetall durch Aufrauhen der betreffenden zu verbindenden Oberfläche oder durch Vorsehen mechanischer Verzahnung mittels entsprechender Oberflächen-Auszackung zu begünstigen. Ähnliches ergibt sich auch aus vorgenanntem US-Patent 3 791 858, wo ein Einschluss von Mikropartikel in die zu verbindende Oberfläche hierzu vorgeschlagen wird. Auch hier wiederum, ähnlich wie im Fall der Anwendung des Chlorit Haftvermittlers, führen derartige Massnahmen jedoch zu Aufwandserhöhung und damit zur Erschwerung der Herstellung von Mehrlagen-Leiterplatten und/oder machen die Anwendung von Verfahren erforderlich, die die Güte fertiggestellter Leiterplatten herabzusetzen vermögen. Die Verwendung reaktionsträger Metalle ist bereits zur Metallisierung dielektrischen Basismaterials vorgeschlagen worden. Ein derartiger Vorschlag findet sich z. B. im IBM Technical Disclosure Bulletin", Band 4, Nr. 7, Dezember 1961 auf den Seiten 17 und 18. In diesem Artikel wird die Verwendung von Palladium als katalytisches Agens für den zunächst aufgebrachten überzug des dielektrischen Basis materials vorgeschlagen. Auch im bereits erwähnten US-Patent 3 756 891 wird stromloser Niederschlag von Metall, nämlich Kupfer, angeführt, indem dielektrisches Basismaterial mit katalytischem Metall, nämlich Palladium, vorbehandelt wird, um das Substrat für darauffolgende chemische Reduktion des erwünschten Metallions zur Begünstigung der Metallisierung zu präparieren. Verfahren zur Bildung von Mehrlagen-Leiterplatten und speziell der diesbezüglichen Schichten sind an sich bekannt. Hierzu sei nur auf die US-Patentschriften 3 791 858, 3 969 177 und 4 030 190 verwiesen. Es sei betont, dass Herstellung derartiger Mehrlagen-Leiterplatten bekanntlich eine relativ hohe Anzahl von Prozessschritten bedingt, von denen einige kompliziert, aufwendig und zudem noch hinsichtlich Zuverlässigkeit so erstellter Leiterplatten zu mittelmässigen Ergebnissen führen. Dies bezieht sich insbesondere auf Folgen von Verfahrensschritten, die zum Schutz der Leiterbilder während nachfolgender Ätzvorgänge und zur Haftverbindung mit einer Prepreg-Schicht in einem darauffolgenden Laminationsverfahrensschritt Anwendung finden. Demgemäss besteht die Aufgabe der Erfindung darin, ein Verfahren bereitzustellen, mit dem sich in zuverlässiger Weise Leiterbilder höchster Dichte auf Leiterplatten aufbringen lassen, wobei die Haftverbindung mit einer abschliessend aufgebrachten Schutzschicht unter allen Umständen gewährleistet ist, indem vor allem gegenüber bisher die Anzahl der Verfahrensschritte herabgesetzt wird. Erfindungsgemäss wird diese Aufgabe gelöst, wie es dem Kennzeichen des Patentanspruchs 1 zu entnehmen ist. Es hat sich gezeigt, dass bei derart hergestellten Leiterplatten die Widerstandsfähigkeit gegenüber thermischen Beanspruchungen im Vergleich zu mit bisher bekannten Verfahren hergestellten Leiterplatten wesentlich erhöht wird; wobei sich zudem noch zeigt, dass dank der Erfindung auch Alterungseinflüsse weniger nachteilig als bisher in Erscheinung treten. Infolge der Herabsetzung der Anzahl von Verfahrensschritten und der erzielten höheren Zuverlässigkeit der so erstellten Leiterplatten ist also das erfindungsgemässe Verfahren gegenüber bekannten Verfahren wirtschaftlicher und bietet somit entsprechende Vorteile. Dank der erfindungsgemäss herbeigeführten dendritischen und/ oder warzenförmigen Auswüchse auf den Leiterbildoberflächen ergibt sich eine zuverlässig wirkende Haftvermittlung zu nachträglich auf betreffenden Leiterplatten aufgebrachten, während des Auftragungsvorgangs teilausgehärteten Schutzschichten. Die Erfindung wird anschliessend anhand einer Ausführungsbeispielsbeschreibung mit Hilfe der unten aufgeführten Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen: Fig. 1 Querschnittsausschnitte eines Nutzens je weils nach Abschluss der einzelnen Verfah rensschritte zur Herstellung einer Leiter platte gemäss dem Stand der Technik, Fig. 2 Nutzen-Querschnittsausschnitte jeweils nach Abschluss der erfindungsgemäss vom Stand der Technik abweichenden Herstellungsverfahrens schritte. Der sich auf Fig. 1 beziehende Verfahrensablauf zur Herstellung von Leiterplatten hat weitgehend Anwendung gefunden und sei somit als typisch für Herstellungsverfahren gemäss dem Stand der Technik herausgestellt. Nutzen, wie sie hier zu verstehen sind, bestehen im weitesten Sinne aus einer Anzahl dielektrischer Schichten oder einem Laminat als Basis. Im vorliegenden Falle wird davon ausgegangen, dass ein Nutzen 8 (Fig. 1A) dadurch gebildet wird, dass ein Glasgewebeband durch eine Epoxid-Kunstharzlösung gezogen wird, so dass das Gewebe hierdurch imprägniert wird. Anschliessend werden dann Lösungsüberschüsse abgetropft und das kunstharzimprägnierte unter Anwendung von wärmeaushärtbare Glasgewebeband nur zu einem gewissen Grade ausgehärtet, d. h., der Epoxid-Kunstharzanteil im Glasgewebe wird bis zu einem vorgebbaren Zustand der Teilaushärtung polymerisiert. Der solchermassen teilausgehärtete Trägerwerkstoff, als Prepreg im B-Zustand, wird dann zur Weiterverarbeitung in Nutzen vorgegebener Grösse zerschnitten. Zusätzliche und spezielle Einzelheiten betreffend die Trägerwerkstoff-Verarbeitung und die Zusammensetzung eines hierfür typischen Epoxid-Kunstharzes lassen sich dem US-Patent 3 523 037 entnehmen. Im Anschluss an den Schneidvorgang lassen sich die noch immer teilausgehärteten Nutzen leicht behandeln, ohne Gefahr zu laufen, dass sie in unerwünschter Weise aneinander oder an anderen Gegenständen kleben bleiben. Das in Fig. 1b gezeigte kupferkaschierte Basismaterial 10 lässt sich aus einer Anzahl von Nutzen 8 bilden, wobei deren Anzahl von der gewünschten Dicke der dielektrischen Schicht des bereitzustellenden kupferkaschierten Basismaterials 10 abhängig ist. Der besseren Übersichtlichkeit halber ist in Fig. 1b lediglich ein Bruchteil eines Nutzens 8 im Verband des kupferkaschierten Basismaterials 10 gezeigt. Eine etwa 5 lim dicke Kupferkaschierung 12, die auch durch eine lei tende Schicht anderen geeigneten Materials ersetzt sein kann, ist auf zumindest eine der freien Oberflächen des Basismaterials nach deren völliger Aushärtung aufgebracht. Vorzugsweise wird diese Kupferkaschierung, ausgehend von einer entsprechenden Kupferfolie, auf das dielektrische Basismaterial 10 aufgetragen. Ebensogut lässt sich aber auch diese Kupferkaschierung 12 auf das Basismaterial mit Hilfe an sich ebenfalls bekannter Metallisierungsverfahren additiv aufbringen. Auf jeden Fall soll gewährleistet sein, dass diese Kupferkaschierung 12 fest auf der Oberfläche des Basismaterials 10 haftet, das seinerseits unter Anwenden entsprechender Aufheizung und geeigneten Drucks mit Hilfe einer Presse völlig ausgehärtet worden ist. Auf das so gebildete kupferkaschierte Basismaterial 10 wird oberhalb der Kupferkaschierung 12 eine Fotolackschicht 14 aufgebracht, die ihrerseits über eine Maske zum Festlegen deS auf das kupferkaschierte Basismaterial 10 aufzubringenden Leiterbildes belichtet wird. Nach Beendigung eines daran anschliessenden Entwicklungsvorgangs werden die exponierten Bereiche der Fotolackschicht 14 mit Hilfe einer geeigneten Lösung abgetragen, so dass sich ein Leiterbildmuster, wie andeutungsweise in Fig. 1c gezeigt, ergibt. Der Einfachheit halber sei hier angenommen, dass das aufzubringende Leiterbild lediglich aus zwei Leitern, die in den Zwischenräumen 16 der Fotolackschicht 14 auf dem kupferkaschierten Basismaterial 10 zu liegen kommen sollen, bestehen. In Fortführung des Herstellungsverfahrens wird dann unter Anwenden eines Metallisierungsverfahrens das Leiterbild auf das kupferkaschierte Basismaterial 10 aufgebracht (Fig. 1d). Hat das Leiterbild eine als geeignet erachtete Höhe erreicht, die im allgemeinen der Dicke der Fotolackschicht 14 entspricht, dann werden die Leiter 18 des Leiterbildes unter Anwenden eines Tauchverfahrens mit einer Zinnschicht 20 überzogen, so dass sich der in Fig. le gezeigte Querschnitts ausschnitt ergibt. Die Zinnschicht 20 soll zum Schutz des Leiterbildes während nachfolgend angewendeter Verfahrensschritte zum Abtragen der verbliebenen Fotolackschichtreste (Fig. 1f) und zum Abätzen nun freiliegender Bereiche der Kupferkaschierung 12 (Fig. 1g) dienen. Hierauf wird die Zinnschicht 20 selbst abgetragen (Fig. 1h), um durch eine Chloritschicht 22 ersetzt zu werden (Fig. 1i), die ihrerseits als Haftvermittler einer anschliessend auf zutragenden Schicht als Abdeckung 24, wie in Fig. 1j gezeigt, vorgesehen ist. In typischer Weise besitzt diese Chloritschicht eine Dicke zwischen 40 bis 180 nm und besteht aus einer Mischung mit Kupfer und Kupferoxid (CuO und Cm02). Die Abdekkung 24 setzt sich ebenfalls aus einem oder mehreren Prepregs zusammen, die mit dem Basismaterial 10 unter geeigneter Wärme- und Druckbehandlung verpresst wird. Bei Anwenden eines Prepregs kann ein Klebmittel oder ein Bindemittel zur gegenseitigen Befestigung von Basismaterial 10 und Abdeckung 24 während des hierzu angewendeten Laminierungsvorgangs dienen. Für den mit Fig. 1 nur grob angedeuteten Verfahrensablauf sind jedoch 45 Einzelverfahrensschritte erforderlich, um die in Fig. 1j gezeigte Leiterplatte zu erhalten. Ein derartiger Herstellungsvorgang schliesst Probleme sowohl bei Herstellung als auch bei anschliessender Verwendung derart hergestellter Leiterplatten ein. Wie bereits erwähnt, ist die Verwendung der Chloritschicht bei den bekannten Herstellungsverfahren insofern als erforderlich erachtet, als damit eine geeignete Haftvermittlung zur nachfolgend aufzutragenden Abdeckung bereitgestellt werden soll. Es hat sich herausgestellt, dass diese Chloritschicht aber bezüglich ihrer Haftvermittlungseigenschaft dann beeinträchtigt werden kann, wenn aus welchen Gründen auch immer, die Behandlungs- oder Betriebstemperatur des Werkstücks bzw. der Leiterplatte erhöht werden muss. So besitzt z. B. eine in einem Herstellungsprozess gemäss Fig. 1 hergestellte Leiterplatte eine absehbare Lebensdauer von etwa 500 000 Stunden, wenn von der durch die Chloritschicht begünstigten Haftvermittlung unter Normalbedingungen ausgegangen wird. Wird die Temperatur aber auf 800C erhöht, dann reduziert sich die betreffende Lebensdauer der Leiterplatte auf nur etwa 100 000 Stunden. Ein weiteres Problem ergibt sich aufgrund des Unterätzens an metallisierten Löchern in den Leiterplatten, wo die jeweilige Chloritschicht im Bereich der hier vorliegenden Lötaugen durch Prozesschemikalien angegriffen wird, als da sind Ätzmittel, Lochreinigungsmittel und dgl., wie sie vor Metallisieren der Löcherwandungen Anwendung finden. Zusätzlich zur erwähnten thermisch bedingten Zersetzung des Chlorit-Haftvermittlers und der Anfälligkeit gegenüber Angriffen seitens der Prozesschemikalien ergibt sich ein weiterer negativer Aspekt, der sich aus der Verwendung von im Tauchverfahren aufgebrachten Zinn als Ätzmaske ergibt. In gewisser Weise sind nämlich Anwendung von im Tauchverfahren aufgebrachtem Zinn und anschliessend vorzunehmende Abtragungsverfahrensschritte kritisch, so dass erhebliche Leiterplattenfehler bei Prüfen der Haftfähigkeit zu verzeichnen sind. Alle genannten Probleme lassen sich jedoch zufriedenstellend durch Anwenden des erfindungsgemässen Verfahrens bei Fertigung von Mehrlagen-Leiterplatten lösen. Das erfindungsgemässe Herstellungsverfahren vermeidet nicht nur die obengenannten Schwierigkeiten, sondern stützt sich ausserdem noch auf eine erheblich verringerte Anzahl von Verfahrensschritten zur Herstellung derartiger Leiterplatten. Erfindungsgemäss ergeben sich diese Vorteile durch Aufbringen einer mit Dendriten versehenen Palladiummaske, die auf die Oberfläche des Leiterbildes, wie im einzelnen unten aufgeführt, aufgebracht wird. Wie Fig. 2a zu entnehmen ist, wird im Anschluss an die Metallisierung des Leiterbildes, bestehend aus den Leitern 18, bei noch vorhandener exponierter Fotolackschicht 14 eine Palladiumschicht 26 auf das Leiterbild aufgetragen. Die erfindungsgemässe Abänderung des Prozesses schaltet also das Anwenden eines Tauchverfahrens aus#, so dass die hiermit verbundenen, oft kritischen Verfahrensschritte zu Metallisierung und Abtragung nicht zur Auswirkung gelangen können. Es sei jedoch an dieser Stelle betont, dass, wenn erfindungsgemäss vorzugsweise Palladiumdendrite Anwendung finden, ebensogut auch andere reaktionsträge Metalle für den vorgesehenen Zweck geeignet sein können. Die Palladiumschicht 26 wird additiv auf die Oberfläche des Leiterbildes in einem Galvanisierungsbad aufgetragen, in dem die Stromdichte höher und die Metallkonzentration geringer ist, als es normalerweise, d. h. zur Erzielung glatter, glänzender Metallisierungs-Oberflächen der Fall ist. Zusätzlich wird noch das Galvanisierungsbad während des Metallisierungsvorganges mehr als üblich durchgerührt. Weitere und speziellere Einzelheiten der Metallisierungsbedingungen um Oberflächendendrite zu erhalten, lassen sich der DE-OS 28 16 328 entnehmen. Der Palladium-Metallisierungsverfahrensschritt entsprechend den vorgenannten Kriterien lässt eine Palladiumschicht 26 entstehen, deren Oberfläche mit Dendriten überdeckt ist oder warzige Auswüchse aufweist, welche sich von der Oberfläche nach oben erstrecken. Die so erhaltene Palladiumschicht 26 besitzt in typischer Weise eine Dicke von etwa 2,5 pm. Nach Auftragen dieser Palladiumschicht 26 wird die Fotolackschicht 14 abgetragen, so dass sich die Darstellung nach Fig. 2b ergibt. Anschliessend werden die überschüssigen Bereiche der Kupferkaschierung 12 mittels eines Ätzvorgangs entfernt, wobei sich dann eine Anordnung nach Fig. 2c er gibt. Die Palladiumschicht 26 dient hierbei als Ätzmaske, um das Leiterbild beim Abtragen der Fotolackschicht 14 und insbesondere beim Abätzen der überschüssigen Bereiche der Kupferkaschierung 12 zu schützen. Im Gegensatz zu bekannten Herstellungsverfahren, bei denen durch Tauchverfahren aufgebrachtes Zinn als Schutzätzmaske Anwendung findet, wird bei Anwenden des erfindungsgemässen Verfahrens die Palladiumschicht 26 unter Ersparen des Auftragens einer besonderen Haftvermittlungsschicht nicht abgetragen, so dass hierdurch der Aufwand, insbesondere bezüglich Prozesszeit, herabgesetzt wird sowie Schwierigkeiten vermieden werden. Bei Ausüben der erfindungsgemässen Verfahrens ist die Anwendung einer Chloritschicht nicht nötig, da wie bereits gesagt, die Palladiumschicht 26 dank der auf ihrer Oberfläche vorhandenen Dendrite in vorteilhafter Weise zusätzlich zur Haftvermittlung dient. Wie aus Fig. 2d hervorgeht, wird die anschliessend aufgebrachte, nur teilweise ausgehärtete und mit der Leiterplatte zu 8 verklebende Abdeckung 24 ausserdem noch über die dendritischen bzw. warzigen Auswüchse 28 mechanisch hiermit verbunden, so dass eine ausgezeichnete Haftvemittlung gewährleistet ist. Fernerhin zeigt sich, dass Palladium eine geringere Oberflächenbenetzungsspannung als Chlorit besitzt, so dass die mit Palladium bedeckte Oberfläche des Kupfer-Leiterbildes ein besonders stark ausgeprägtes Haftvermögen aufweist. Hinzu kommt, dass sich im Gegensatz zu einem Chlorit-Haftvermittler Palladium nicht mit der Zeit zersetzt und demgegenüber erheblich stabiler bei erhöhten Temperaturen bleibt. Zusätzlich zu diesen Vorteilen ergeben sich noch weitere, wenn die den metallisierten Löchern zugeordneten Lötaugen betrachtet werden, wo Palladium ohne weiteres den zur Reinigung der Löcher vor Metallisieren angewendeten Prozesschemikalien widersteht, im Gegensatz zu bisher aufgebrachten Chloritschichten, die hierbei mehr oder weniger verletzt werden, so dass sich demgemäss ein entsprechender Leiterplattenausschuss ergibt.

Claims: PATENTAN SPRÜCHE 1. Verfahren zum Herstellen von mit Abdeckungen versehe nen Leiterplatten unter Verwendung von kupferkaschier tem Basismaterial, wobei die Leiterbilder vor Abtragen der zum Leiterbildmetallisieren aufgetragenen Foto lackschichten mit Schutzüberzügen überzogen werden, dadurch gekennzeichnet, dass als Schutzüberzugsmaterial ein reaktionsträges Me tall elektrolytisch unter derartigen Bedingungen auf die Leiterbilder niedergeschlagen wird, dass sich an den freien Oberflächen aufgetragener Schutzüberzüge (26) dendritische oder warzenförmige Auswüchse (28) auszubilden vermögen, die zur Haftvermittlung mit den nach Abtragen der freigelegten Kupferkaschierung (12) auf die Leiterplatten aufgebrachten Abdeckungen (24) beitragen. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass bei voll ausgehärtetem Basismaterial (10) die Ab deckung (24) in Form einer Lage aus teilausgehärtetem dielektrischen Material auf die jeweilige Leiterplatte aufgebracht wird. 3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass als rektionsträges Metall Palladium verwendet wird.

Inventors: ELLIS, THERON LARUE, LO, JOHN CHOUNG-LIN, SCHMITT, GEORGE PERSHING
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
Application year: 1980
Main classification: H05K3
IPC codes: H05K3