METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING A PLANAR SEMICONDUCTOR ELEMENT

Abstract: 1. Process for manufacturing a planar semiconductor device, such that the rear side of a silicon substrate mass production is contacted in electrically conductive manner to an assembly tape containing external leads, and which, in particular, contains copper or a copper alloy, and such that the contact pads on the front side of the semiconductor substrate are connected to the external leads via connecting wires, characterized in that the surface of said assembly tape (1), consisting of copper or a copper alloy, is submitted to reductive cleaning immediately prior to the attaching of the semiconductor substrate (11) and also of the connecting wires and that attaching of the connecting wires (12) to the contact pads (13) and to the assembly tape is effected by thermo compression bonding.

Description: Planares Halbleiterbauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und Vorrichtung zur Durchführung dieses Her stellverfahrens Die Priorität der Anmeldung Nr. P 29 23 440.0 vom 09. Juni 1979 in der Bundesrepublik Deutschland wird beansprucht. Die Erfindung betrifft ein planares Halbleiterbauelement nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1, ferner ein Verfahren zu dessen Herstellung und eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Herstellungsverfahrens. Bei der automatischen Massenmontage von Halbleite#rkörpern wird ein metallisches Montageband benutzt, das entsprechend den zu befestigenden Halbleiterkörpern und der angestrebten Verwendung so vorgestanzt ist, dass die montierten Halbleiterkörper und deren zugehörige Trägerteile vereinzelt werden können. Dabei werden die Halbleiterkörper zunächst durch Legieren, Löten oder Kleben auf den dafür vorgesehenen Bereichen des Montagebandes elektrisch leitend befestigt. Zum Kontaktieren der auf der Vorderseite der Halbleiterkörper angeordneten Kontaktflecke mit den äusseren Zuleitungen des Gehäuses verwendet man dünne Gold-, Silberoder Aluminiumdrähte. Neben dem Ultraschall-Bondverfahren bedient man sich heute hauptsächlich des Thermokompressions Bondverfahrens, vgl. I.Ruge "Halbleitertechnologiet', Berlin 1975, Seite 287. Das Thermokompressions-Bondverfahren wird in Form des sogenannten Nagelkopf-Bondverfahrens bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen verbreitet angewendet. Dabei wird ein Verbindungsdraht mittels einer Wasserstoffflamme durchtrennt, wobei sich eine kleine Kugel, der Nagelkopf, bildet, die mittels einer Führungskapillare auf die Kontaktierungsstellen gedrückt wird. Der Durchmesser der Verbindungsdrähte liegt dabei im Bereich von 10 bis 50 pm. Die Kontaktierungsstelle der Verbindungsdrähte mit den Kontaktflecken eines Halbleiterkörpers bzw. mit den äusseren Zuleitungen muss zwei Bedingungen erfüllen; zum einen muss sie mechanisch fest und zum anderen elektrisch gut leitend sein. Dies erfordert in beiden Fällen eine innige Verbindung der aus verschiedenen Stoffen bestehenden Teile. Ferner-ist es wichtig, dass diese Verbindung beim automatischen Ablauf innerhalb von Bruchteilen einer Sekunde hergestellt werden kann, Das Thermokompressions Bondverfahren nutzt dazu die Eigenschaft aus, dass bestimmte Metalle, sofern sie keine störenden Oberflächenschichten bilden, bei unter dem eutektischen Punkt liegenden Temperaturen und bei gleichzeitiger Einwirkung von Drücken, die niedriger als die für das Kaltschweissverfahren erforderlichen Drücke sind, beim Zusammenpressen an ihrer Grenzschicht eine Verbindung hoher mechanischer Festigkeit und guter elektrischer Leitfähigkeit bilden. Durch das Nagelkopf-Verfahren werden die oben genannten Anforderungen derart gut erfüllt, dass es weit verbreitet ist. Von den verschiedenen Möglichkeiten, mittels Thermokompression Kontakte herzustellen, hat sich der Aluminium-Gold-Kontakt als die sicherste Verbindung herausgestellt. Neben der Herstellung einer Verbindung zwischen den Golddrähten und den auf der Halbleiteroberfläche befindlichen Kontaktflecken ist aber auch die Herstellung einer innigen Verbindung der Golddrähte mit den äusseren Zuleitungen erforderlich. In diesem Zusammenhang ist in der DE-AS 14 39 349 als Material für das Montageband bzw. die äusseren Zuleitungen eine Eisen-Kobalt-Nickel-Legierung angegeben, die zur Erzielung einer guten Kontaktierung mit den Verbindungsdrähten zu vergolden ist. Trotz der Vergoldung ist diese Legierung jedoch ein schlechter thermischer und elektrischer Leiter. Aus diesem Grund verwendet man praktisch ausschliesslich ein in der DE-AS 25 46 443 beschriebenes Montageband aus Kupfer. Kupfer hat zwar weitaus bessere thermische und elektrische Eigenschaften als die erwähnte Eisen-Kobalt-Nickel-Legie- rung, seine Oberfläche ist jedoch immer mehr oder weniger stark oxidiert. Da aber bei der Herstellung der Verbindungen zwischen dem Montageband und den Verbindungsdrähten bzw. dem Halbleiterkörper die Oberflächenverhältnisse, insbesondere deren Reinheit, eine grosse Rolle spielen, weil sonst kein ausreichend fester Kontakt zustande kommt, ist ein Schutz der Kupferoberfläche unumgänglich. Deshalb ist in der zuletzt genannten DE-AS auch für das kupferne Montageband eine Gold- oder Silberplattierung vorgeschrieben. Auch das in der GB-PS 10 26 300 beschriebene Montageband für Halbleiterkörper ist mit Gold plattiert. Eine Plattierung mit Gold oder Silber ist jedoch im Hinblick auf die äusserst scharf kalkulierten Halbleiterbauelementpreise, die wie seit Jahren schon immer noch fallen, während gleichzeitig die Gold- und Silberpreise steigen, wirtschaftlich nicht mehr länger tragbar, Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiterbauelement nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1, ein Verfahren zu dessen Herstellung und eine Vorrichtung zur Durchführung des Herstellungsverfahrens anzugeben, welches Halbleiterbauelement bei guten elektrischen und mechanischen Eigenschaften ohne Gold- oder Silberplattierung des Montagebandes auskommt, Die Aufgabe wird entsprechend dem Kennzeichen des Anspruchs 1 gelöst, Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet. Die Erfindung geht von der aus überraschenden Erkenntnis, dass es im Gegensatz zu der im Stand der Technik einhellig vertretenen Ansicht möglich ist, bei einem Halbleiterbauelement auf die metallische Zwischenschicht zwischen den Anschlussdrähten und dem Montageband, also auf dessen Plattierung zu verzichten. Die Erfindung beschreibt demnach ein- planares Halbleiterbauelement, bei dem entgegen dem bisher als notwendig Erachteten die Verbindungsdrähte auf der aus Kupfer oder einer Kupferlegierung bestehenden Oberfläche des Montagebandes, vorzugsweise durch Thermokompression, direkt kontaktiert sind und bei dem die einzelnen Halbleiterkörper ebenfalls direkt, also plattierungslos, auf der aus Kupfer oder einer Kupferlegierung bestehenden Oberfläche des Montagebandes befestigt sind. Die Erfindung wird nun anhand der Figuren der Zeichnung näher erläutert. Fig. 1 zeigt schematisch im Schnitt ein Halbleiter bauelement, nämlich einen Transistor, nach der Erfindung, Fig. 2 zeigt schematisch eine Vorrichtung zur Befesti gung des Halbleiterkörpers nach Fig. 1 auf dem Montageband und Fig. 3 zeigt schematisch eine Vorrichtung zur Kontak tierung der Verbindungsdrähte. Fig. 1 zeigt im Schnitt schraffiert das Montageband 1 mit der Trägerzuleitung 10 für den Halbleiterkörper 11, der mit seiner Rückseite darauf befestigt ist. Seine Kontaktflecke 13 sind über die Verbindungsdrähte 12 mit den Zuleitungen des Montagebandes 1 kontaktiert. Diese Kontaktierung geschieht jeweils direkt mit der kupfernen Oberfläche des Montagebandes 1. In Fig. 2 ist perspektivisch das vorgestanzte Montageband 1 gezeigt, das in der Station C unter dem Bauteil 2 in Taktschritten und in Pfeilrichtung vorbeigeführt wird. Das Bauteil 2 enthält das Rohr 3 mit der senkrecht daran befestigten Kanüle 4 und das Rohr 5 mit der schräg daran befestigten Kanüle 6. Die Auslassöffnungen der beiden Kanülen 4, 6 liegen knapp über der Oberfläche des Montagebandes 1 im Bereich des zu kontaktierenden Halbleiterkörpers 11, also im Bereich der Trägerzuleitung 10. Die Kleberaufbringstation A ist wenige Taktschritte vom Bauteil 2 weiter angeordnet und bringt eine kleine Leitklebermenge auf die Trägerzuleitung 10 auf. Wieder wenige Taktschritte in Pfeilrichtung weiter ist die Aufsetzstation B für die Halbleiterkörper 11 angeordnet, deren Schwenkarm 8 mit der Saugpipette 9 die vereinzelten Halbleiterkörper 11 vom Wafer abnimmt und auf das Montageband 1 aufsetzt. Fig. 3 zeigt schematisch die Kontaktierungsstation für die Verbindungsdrähte 12 der auf dem Montageband 1 auf geklebten Halbleiterkörper 11. An der Schwenkhalterung 7 ist die Kapillare 14 für den jeweiligen Verbindungsdraht 12 befestigt. Entlang der Kapillare 14 verläuft das in der Kanüle 16 endende Gaszuführungsrohr 15, wobei deren Gasaustrittsöffnung in der Höhe der Öffnung der Kapillare 14 liegt. Bei Betrieb der Anordnung nach Fig. 2 läuft das vorgestanzte Montageband mit seiner Oberfläche aus Kupfer oder einer Kupferlegierung von einer Rolle ab und wird zunächst an einer feinen, am Ende der Kanüle 4 brennenden Wasserstoffflamme vorbeigeführt, die diejenigen Bereiche der Trägerzuleitungen 10 überstreicht, auf denen die einzelnen Halbleiterkörper 11 aus Silicium befestigt werden sollen. Nach dem Passieren der Wasserstoffflamme werden die Trägerzuleitungen 10 durch Anblasen mit einem Stickstoffstrom aus der Kanüle 6 gekühlt. Unmittelbar danach werden die einzelnen Halbleiterkörper 10 in üblicher Weise unter Verwendung eines Epoxidleitklebers auf die so vorbereiteten Trägerzuleitungen 10 des Montagebandes 1 aufgeklebt und anschliessend der Kleber durch Temperatureinwirkung gehärtet. Die Halbleiterkörper können selbstverständlich auch durch Löten oder Legieren auf dem Montageband befestigt werden. Das Montageband 1 mit den bereits darauf befestigten Halbleiterkörpern 11 wird dann einer Kontaktierungsstation nach Fig. 3 zugeführt, mittels der nach dem Nagelkopfverfahren die, vorzugsweise aus Gold bestehenden, Verbindungsdrähte 12 angebracht werden. Die Zuführung der Goldverbindungsdrähte erfolgt in üblicher Weise über die am Schwenkarm 7 angebrachte Kapillare 14, wobei durch das Gaszuführungsrohr 15 und die Kanüle 16 eine Wasserstoffflamme gespeist wird, die so neben der Öffnung der Kapillare.. 14 angeordnet ist, dass die Wasserstoffflamme unmittelbar vor dem Kontaktieren der Zuleitungen mit den Verbindungsdrähten die Oberfläche der Zuleitungen überstreicht. Die Anpresskraft für die Golddrähte liegt dabei um ca. 50% niedriger als bisher üblich. Die Wasserstoffflammen (Länge ca. 5 mm, lichte Weite der Kanülen 4, 16 ca. 0,1 bis 0,3 mm) wirken jeweils nur kurz ein, nämlich während etwa 1/5 bis 1/10 der für die Kontaktierung eines Kontaktflecks eines Halbleiterkörpers erforderlichen Arbeitstaktzeit, da sie durch entsprechende kurzzeitige Bewegung der Kanülen an den Kontaktierungsstellen lediglich vorbeiwischen. Anstatt einer Wasserstoffflamme kann in manchen Fällen auch das Anblasen mit einem Wasserstoffstrom ausreichen. Die Kontaktierung des Halbleiterkörpers und der Verbindungsdrähte kann durch die Verwendung von Ultraschall unterstützt werden. Das Verfahren zur Herstellung der planaren Halbleiterbauelement nach der Erfindung ermöglicht also nicht nur die Verwendung von unplattierten Montagebändern, es bringt auch den Vorteil der Anpresskraftverringerung bei der Thermokompression, was zur Schonung der Halbleiterkörper beiträgt. Überraschenderweise verbessert das Vorbeiwischen der Wasserstoffflamme an den Aluminiumkontaktf lecken auch den Gold-Aluminium-Kontakt.

Claims: Patentansprüche 1. Planares Halbleiterbauelement, dessen Silicium-Halb leiterkörper bei der Massenfertigung mit seiner Rück seite auf einem die äusseren Zuleitungen enthaltenden, Montageband, das insbesondere Kupfer oder eine Kupfer legierung enthält, elektrisch leitend kontaktiert ist und dessen auf der Vorderseite liegende Kontaktflecke über Verbindungsdrähte an den äusseren Zuleitungen angeschlossen sind, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper (11) und die Verbindungsdrähte (12) mit der aus Kupfer oder einer Kupferlegierung bestehen den Oberfläche des Montagebandes (1) bzw. der Zu leitungen direkt kontaktiert sind. 2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, dass die Verbindungsdrähte (12) ohne metalli sche Zwischenschicht mit der aus Kupfer oder einer Kupferlegierung bestehenden Oberfläche der Zulei tungen direkt kontaktiert sind. 3, Halbleiterbauelement nach den Ansprüchen 1 und 2, da durch gekennzeichnet, dass die Verbindungsdrähte (12) aus Gold, Silber oder Aluminium bestehen. 4, Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die aus Kupfer oder einer Kupferlegierung bestehen de Oberfläche des Montagebandes (1) unmittelbar vor dem Kontaktieren reduktiv gereinigt wird. 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass einer die reduktive Reinigung in Wasserstoffatmosphäre durch geführt wird. 6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die reduktive Reinigung mittels einer Wasserstoffflamme erfolgt. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Kontaktieren der Kontakt flecke (13) des Halbleiterkörpers (11) mit den Zulei tungen unmittelbar nach der reduktiven Reinigung durch Thermokompression erfolgt. 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch ge kennzeichnet, dass das Befestigen des Halbleiterkörpers (11) auf dem Montageband (1) unmittelbar nach der reduktiven Reinigung durch Kleben, Lötet oder Legieren erfolgt. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch ge kennzeichnet, dass das Kontaktieren durch Aufquetschen erfolgt. 10. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 9, gekennzeichnet durch die Verwendung von Ultraschall während des Befestigens und Kontaktierens. 11. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 8, dadurch ge kennzeichnet, dass ein mit mehreren fingerartigen Zu leitungen versehenes Montageband (1) an einer Wasser stoffflamme vorbeigeführt wird, dass unmittelbar an schliessend die Rückseite des Halbleiterkörpers (11) mit der dafür vorgesehenen Fläche einer Zuleitung durch Kleben elektrisch leitend verbunden wird und dass die weiteren fingerartigen Zuleitungen sowie die Alu miniumkontaktflecke (13) des Halbleiterkörpers (11) nacheinander erneut einer Wasserstoffflamme ausgesetzt und unmittelbar danach Golddrähte durch Thermokom pression daran angebracht werden, 129 Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 4 bis 11 zur Herstellung des Halbleiter bauelements nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Montageband einer Kleberaufbringstation sowie einer einen Schwenkarm mit Saugpipette enthaltenden Aufsetz station für die Halblelterkörper taktweise zugeführt wird, dadurch gekennzeichnet, dass in einer einige Takt schritte vor der Kleberaufbringstation (A) liegenden Station(C)ein Bauteil (2) angeordnet ist, das ein Rohr (3) mit einer senkrecht angeordneten Kanüle (4) und ein Rohr (5) mit einer schräg angeordneten Kanüle (6) trägt, wobei die beiden Kanülen (4, 6) knapp über der Oberfläche des vorbeilaufenden Montagebandes (1) im Bereich des zu kontaktierenden Halbleiterkörpers (11) enden. 13. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 4 bis 11 zur Herstellung des Halbleiter bauelements nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Montageband einer Kontaktierungsstation taktweise zuge führt wird und ein Schwenkarm eine auf das Montageband gerichtete, den Verbindungsdraht führende Kapillare trägt, gekennzeichnet durch ein entlang der Kapillare (14) verlaufendes und in einer Kanüle (16) in Höhe der Off- nung der Kapillare (14) endendes Gaszuführungsrohr (15). 14. Vorrichtung nach den Ansprüchen 12 und 13 zur Durch führung des Verfahrens nach Anspruch 11, dadurch ge kennzeichnet, dass in Bewegungsrichtung des Montage bandes (1) zunächst die Station (C) mit der senkrechten (4) und der schrägen Kanüle (6), dann die Kleberauf bringstation (B) und schliesslich die Kontaktierungs station (A) im Abstand von jeweils möglichst wenigen Taktschritten angeordnet sind.

Inventors: ALBRECHT, ANDREAS, HEITZLER, VIKTOR, WINKLER, KURT
Applicants: DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GMBH, ITT INDUSTRIES INC.
Application year: 1980
Main classification: H01L21
IPC codes: H01L21, H01L23