SILICIUM SOLAR ENERGY CONVERTER

Abstract: 1. A silicon solar energy converter comprising on the surface thereof an emitter (4, 16) having an ohmic contact (2, 14) and forming a p-n junction (8, 19) with a base region thereof (9, 10, 12; 21, 23, 25) approximately 1 micrometer beneath said surface, characterized in that : - said emitter has two distinct portions, one of which (5, 17) is a high conductivity region adjacent to said ohmic contact and has a doping level of greater than 10**19 atoms per cm**3 and a thickness between 0.1 and 0.2 micrometer, and the other of which (7, 18) is a low conductivity region adjacent to said p-n junction and has a doping level between 10**18 and 10**16 atoms per cm**3 and a thickness between 0.3 and 0.9 micrometer, and in that : - the base, the thickness of which is between 50 and 450 micrometers, has a low conductivity portion (9, 10, 21, 23) and a high conductivity portion (12, 25) providing a back surface field, adjacent to an ohmic contact (3, 15) remote from said p-n junction, - the low conductivity portion of the base being of the n type and having a doping level between 10**13 and 10**16 atoms per cm**3 when said emitter (4) is of the p**+ /p type, and being of the p type and having a doping level between 10**16 and 10**18 atoms per cm**3 when the emitter (16) is of the n**+ /n type.

Description: CONVERTISSEUR D'ENERGIE SOLAIRE AU SILICIUM ET SON PROCEDE DE FABRICATION Description Domaine technique La présente invention concerne les cellules solaires au silicium. Une combinaison de matériaux et de caractéristiques structurales a permis d'augmenter le rendement des cellules solaires, c'est-à-dire l'efficacité de la conversion de l'énergie lumineuse des radiations solaires en énergie électrique. Un matériau semiconducteur, l'arseniure de gallium, semble actuellement être le plus efficace car il permet d'obtenir un rendement théorique d'environ 28%. Cependant, un autre matériau, le silicium, a été très employé aux fins d'applications afférentes aux dispositifs semi-conducteurs et, de ce fait, on dispose d'une quantité considérable de données relatives aux cellules au silicium et à leur fabrication. Le silicium semblerait donc être, du point de vue du coût, un matériau à partir duquel il serait souhaitable de réaliser des cellules solaires, mais jusqu'à présent le rendement de telles cellules n'a pu atteindre 20%. Il est également souhaitable, du point de vue du coût, de focaliser ou de concentrer la lumière solaire sur des cellules solaires. Les systèmes qui sont employés à cette fin et qui comportent, par exemple, des lentilles ou des réflecteurs paraboliques sont moins couteux par unité de surface que le sont les cellules solaires, si bien qu'il est économiquement avantageux de combiner des cellules solaires ;e de -L-e1± systèmes. Un avantage supplémentaire qui résulte de cette concentration de la lumière solaire est qu'elle permet d'aug menter le rendement, dans la mesure où lton peut contrâ- ler la température. La présente invention concerne une technique de fabrication de cellules solaires au silicium et une telle cellule permettant d'obtenir un rendement supérieur à 20%. Cette dernière cellule est particulièrement utile lorsqu'elle est employée avec des systèmes de concentration de la lumière solaire. Etat de la technique antérieure Lors de la conception d'une cellule solaire au silicium, on cherche à augmenter le rendement en utilisant certaines caractéristiques du dispositif, par exemple les champs électriques de glissement, qui facilitent le transport des porteurs; en impartissant différentes conductivités, pour commander la résistance, à différentes parties d'éléments fonctionnels, à sections multiples, par exemple l'émetteur; et en établissant des champs de surface arrière pour commander la recombinaison des porteurs minoritaires. La combinaison de certaines de ces caractéristiques dans un unique dispositif est décrite dans un article de Sah, Lindholm et Fossum paru dans la publication "IEEE Transactions on Electron Devices", Vol. ED25, p. 66, 1978, dispositif dans lequel l'émetteur comporte une région de forte conductivité, de manière à obtenir une faible résistance de feuille, et une région con tiguë de faible conductivité, la combinaison de ces deux régions permettant de diminuer le courant d'obscurité. La région de faible conductivité est dopée selon une concentration comprise entre 1014 et 1016 atomes par cm3, et l'épaisseur ou la profondeur de la jonction des régions ainsi combinées de l'émetteur est comprise entre 1 et 10 microns. Un champ de surface arrière est préconisé à proximité immédiate du contact ohmique arrière de fanon à réduire la recombinaison des porteurs. La raison pour laquelle l'émetteur comporte deux régions présentant des conductivités différentes est donnée dans le brevet des E.U.A. No. 3 081 370. Selon ce dernier brevet, si le niveau de dopage dépasse la concentration "dégénérée", qui est d'environ 5x1018 atomes par cm3 dans le cas du silicium, un rétrécissement de l'intervalle de bande se produit, ce qui provoque une absorbtion excessive à proximité de la surface du silicium et une médiocre collecte des porteurs engendrés optiquement depuis l'émetteur. Ceci peut être évité, selon ledit brevet, en ramenant le niveau de 3 dopage à une valeur inférieure à 5x1018 atomes par cm et des champs électriques de glissement peuvent être incorporés à l'émetteur et à la base pour faciliter la collecte des porteurs minoritaires engendrés optiquement. Par ailleurs, la largeur de l'émetteur ou la profondeur de la jonction est de 2 à 4 microns dans le cas du dispositif décrit dans ledit brevet et les niveaux de dopage de la base étaient compris entre 1017 et 1022 3 atomes par cm .Toutefois, ces dispositifs présentent des limitations en ce qui concerne leurs performances. Description de l'invention L'invention fait appel à l'emploi d'un émetteur comportant une région de forte conductivité et une région de faible conductivité, disposé sur une base comportant une région de faible conductivité et une région de forte conductivité. La structure de la cellule solaire diffère légèrement selon qu'il s'agit d'un dispositif du type p+p nn+ ou d'un dispositif n+n pp+. Dans les deux cas, la région fortement conductrice dudit émetteur permet de minimiser à la fois la résistance de feuille et la résistance de contact. Cette région présente un niveau de dopage de 1019 atomes ou davantage par cm3 et son épaisseur est comprise entre 0,1 et 0,2 micron. Dans la région de faible conductivité, afin de minimiser le rétrécissement de l'intervalle de bande tout en conservant une durée de vie satisfaisante des porteurs de telle sorte que les porteurs engendrés optiquement depuis l'émetteur puissent être transportés en plus grand nombre jusqu'à la jonction p-n, le niveau de 16 dopage est maintenu à une valeur comprise entre 1016 et 1018 porteurs par cm3. L'émetteur comportant une région fortement dopée et une région modérément dopée permet d'améliorer la collecte du courant photo-électrique et de diminuer le courant d'obscurité indésiré, et, partant, d'augmenter la valeur de la tension obtenue en sortie. La performance peut être augmentée davantage encore en établissant un champ électrique dans l'une ou l'autre desdites régions de l'émetteur, ou dans ces deux régions, en diminuant graduellement le niveau de dopage au fur et à mesure que l'on s'éloigne de la surface semiconductrice. Ce champ électrique contribue à l'augmentation du courant photo-électrique et permet de diminuer davantage encore le courant d'obscurité. L'épaisseur de cette région modérément dopée de l'émetteur est comprise entre 0,3 et 0,9 micron, la jonction p-n étant de ce fait disposée à une distance d'environ 1 micron ou moins au-dessous de la surface. Les niveaux de dopage et les épaisseurs des régions qui se trouvent au-dessous de l'émetteur doivent être tels que l'on puisse obtenir une résistance de feuille suffisarnent faible. Une grille de contact est appliquée à la surface de l'émetteur de la cellule solaire de maniere a minimiser la résistance série de celle-ci. Cela est particulièrement important dans le cas des cellules solaires utilisées avec concentration de la lumière solaire, le courant photo-électrique devenant alors très élevé. L'importance de cette grille de contact est soulignée dans l'article de N. Convers Wyeth paru dans la publication "Solid State Electronics", Vol. 20, p. 629, 1977. Les résistances de feuille devraient être égales ou inférieures à environ 500 ohms/O dans le cas de cellules solaires utilisées avec concentration de la lumière solaire. Dans la présente invention, l'épaisseur et les niveaux de dopage des deux régions de l'émetteur sont choisies de manière à satisfaire cette condition tout en minimisant les effets du rétrécissement de l'intervalle de bande et de la diminution de la durée de vie des porteurs minoritaires dans l'émetteur. En particulier, le niveau de dopage de 1016 à 1018 atomes par cm de la région de faible conductivité permet de réduire ces effets au minimum. On notera que, dans le cas du dispositif décrit dans l'article précité Sah et al, le niveau de dopage de la région correspondante était compris entre 1014 et 1016 atomes par cm3. Le choix du profil du dopage de la base de la cellule solaire varie selon qu'il s'agit d'un dispositif du type n+n pp+ ou du type pap nn+. Dans ce dernier cas, le niveau de dopage de la base est compris entre 1013 et 1016, et la durée de vie des porteurs minoritaires est la plus longue possible. Lorsque la lumière solaire est concentrée sur ce type de dispositif, la densité des trous et des électrons engendrés par la lumière dépasse la densité du dopage dans la base, c'est-à-dire qu'une modulation de conductivité" se produit. La densité des porteurs en fonction de la distance diminue, dans la plus grande partie de la base, au fur et à mesure que l'on s'éloigne de, la surface, et comme le coefficient de diffusion des électrons est supérieur au coefficient de diffusion des trous, il se produit aux bornes de la base une différence de potentiel ou tension dont la polarité est telle qu'elle s'ajoute à la tension de sortie du dispositif. La région très fortement dopée qui se trouve dans la partie arrière du dispositif fournit un "champ de surface arrière" qui permet de réduire au minimum les recombinaisons indésirables dans la base et d'obtenir un contact ohmique présentant une très faible résistance. t Dans le cas d'un dispositif du type n+n pp+, la tension engendrée dans la base par suite de la modulation de conductivité se soustrait de la tension de sortie de la cellule au lieu de s'ajouter à celle-ci. Pour cette raison, le niveau de dopage de la base est rendu plus élevée dans ce dispositif, soit de 1016 à 1018 atomes 3 par cm , de manière à réduire au minimum la modulation de conductivité. La diminution de la durée de vie des porteurs minoritaires dans la base qui résulte de cette augmentation du niveau de dopage devrait normalement se traduire par une perte par recombinaison accrue mais cette perte peut être compensée en établissant un gradient de dopage dans la base de manière à créer l'aide d'un champ électrique de glissement. Par exemple, 16 le niveau de dopage de la base peut passer de 1016 atomes par cm3, à proximité du bord de la jonction, à 1018 atomes par cm3 à une distance de 20 à 100 mi- crons du bord de cette jonction. Ce champ électrique de glissement contribue en outre à réduire au minimum la modulation de conductivité, à augmenter le courant photo-électrique et à diminuer le courant d'obscurité. Une région fortement dopée est établie au niveau de la surface arrière du dispositif afin également de réduire au minimum les recombinaisons et de faciliter l'obtention d'un contact ohmique arrière présentant une faible résistance. L'épaisseur de la base dans l'un ou l'autre de ces dispositifs, du type n+n pp+ ou p+p nn+, est comprise entre 50 et 450 microns, et est de préférence inférieure à la longueur efficace de diffusion des porteurs minoritaires dans la base, selon l'équation 1 ci-après: EMI7.1 où E est l'amplitude du champ électrique de glissement établi au moyen du gradient de dopage, k est la constante de Boltzmann, T est la température, et L est la longueur de diffusion. La combinaison de ces caractéristiques et de ces dimensions dans l'émetteur et dans la base de la cellule solaire permet d'obtenir une cellule solaire du type n+n pp+ ou p+p nn+ présentant un rendement égal ou supérieur à 20%. D'autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront mieux de l'exposé qui suit, fait en référence aux dessins annexés à ce texte, qui représentent un mode de réalisation préféré de celle-ci. Brève description des figures La Figure 1 représente un dispositif p + pn n+ conforme à la présente invention. La Figure 2 représente un dispositif n+n pp+ conforme à la présente invention. Meilleur mode de réalisation de l'invention On a représenté sur la Figure 1 une cellule solaire semi-conductrice au silicium 1 du type p+p nn+ comportant des contacts ohmiques 2 et 3 à ses extrémités opposées. La cellule comporte un émetteur 4 composé d'une région de forte conductivité 5 contiguë, par l'interface 6, avec une région de faible conductivité 7, laquelle forme, à son tour, une jonction p-n 8 avec une région 9 d'un type de conductivité opposé qui, avec une région 10, constitue la base de la cellule. Un champ de surface arrière 11 est obtenu au moyen d'une région 12 présentant une conductivité plus élevée et à laquelle est connecté un contact ohmique 3. L'épaisseur totale de l'émetteur 4 à deux sections est telle que la jonction p-n 8 se trouve à une distance de 1 micron environ au-dessous de la surface. La région 5 de forte conductivité de l'émetteur 4 présente une très faible épaisseur, de 0,1 à 0,2 micron, et une conductivité très élevée p+ de façon à réduire la résistance de feuille. Le niveau de dopage de la région 5 est de l'ordre de 1019 atomes ou davantage par cm3, le niveau de dopage le plus élevé étant adjacent à la surface à proximité du contact 2, afin de réduire au minimum la résistance de contact. La région 7 de l'émetteur 4 a une épaisseur comprise entre 0,3 et 0,9 micron et peut 18 avoir un gradient de dopage allant de 1018 atomes par cm3, à proximité de l'interface 6, à 1016 atomes par 3 au niveau de la jonction p-n 8. Ce profil de dopage offre trois avantages. Il permet tout d'abord d'établir un champ de glissement qui facilite le transport des porteurs. Par ailleurs, la concentration modérée d'impureté permet, d'une part, d'éviter le rétrécissement de l'intervalle de bande qui se produit lorsqu'on utilise des niveaux de dopage plus élevés, et, d'autre part, d'obtenir une durée de vie relativement importante des porteurs minoritaires. De l'autre coté de la jonction p-n 8, la région 9 de type de conductivité opposé et d'une épaisseur de 20 à 100 microns est dopée selon une concentration de 1013 à 1016 atomes par cm3 afin d'augmenter au maximum la durée de vie et d'obtenir une modulation de la conductivité. La seconde région 10 de la base, de même type de conductivité est uniformément dopée selon une concentration d'environ 10 atomes par cm3 ou plus. La région 12 très fortement dopée présente une concentra 21 3 tion de 1020 à 1021 atomes par cm On a représenté sur la Figure 2 une cellule solaire semi-conductrice au silicium 13 du type n+n pp+ comportant à ses extrémités opposées des contacts ohmiques 14 et 15. La cellule comporte un émetteur 16 composé d'une région de. forte conductivité 17 contiguë avec une région de faible conductivité 18 qui forme une jonction p-n 19 avec une base 20 du type de conductivité opposé. La base 20 comporte une région 21, dans laquelle 16 le niveau de concentration va graduellement de 10 atomes par cm3, à proximité de la jonction 19, à 1018 3 atomes par cm a proximité de la séparation 22 entre la région 21 et une région 23 qui présente un dopage uniforme. Un champ de surface arrière 24 est obtenu grâce à une région 25 de forte conductivité dont le niveau de dopage est compris entre 1020 et 1021 atomes 3 par cm L'épaisseur totale de l'émett#ur 16 est telle que la jonction p-n se trouve à une distance d'l micron environ au-dessous de la surface. La région 17 de forte conductivité de l'émetteur 16 présente une très faible épaisseur qui est comprise entre 0,1 et 0,2 micron et 19 un niveau de dopage élevé qui est supérieur à 1019 atomes par cm3, de manière à réduire les résistances de feuille et de contact. La région 18 de l'émetteur a une épaisseur comprise entre 0,3 et 0,9 micron et peut présenter un gradient de dopage allant en décroissant de 1018 atomes par cm3 à proximité de la séparation 26, à 1016 atomes par cm3 au niveau de la jonction 19 avec la base 20. Cet émetteur à deux parties présentant des conductivités différentes offre les mêmes avantages que ceux précédemment décrits à propos du dispositif de la Figure 1. De l'autre côté de la jonction 19, la base 20 se compose d'une première région 21 d'une épaisseur de 20 à 100 microns présentant une concentration d'impureté allant graduellement de 1016 atomes par cm3 au niveau 18 3 du bord de la jonction 19, à 1018 atomes par cm3 au niveau de la séparation 22. Cette première région à dopage graduel permet d'établir dans la base 20 un champ de glissement qui aide à porter le courant photoélectrique à sa valeur maximum et le courant d'obscurité à sa valeur minimum, cependant que le niveau de concentration élevé de 1016 atomes ou davantage par cm3 permet de réduire au minimum la modulation de la conductivité dans cette base. La seconde région 23 de la base 20 est uniformément dopée selon une concentration d'environ 1018 atomes par cm3 ou plus. Une région 25 fortement dopée et présentant un niveau de concentration compris entre 1020 et 1021 atomes par cm3 permet d'établir un champ de surface arrière 24 et facilite l'obtention d'une faible résistance de contact avec le contact métallique 15. Lors de la fabrication du dispositif de la Figure 1 ou de la Figure 2, le substrat du départ est choisi avec soin de telle sorte que l'on puisse obtenir une longue durée de vie des porteurs minoritaires. Plus cette durée de vie est longue, plus le transport des porteurs, du point où ils sont engendrés jusqu'à la jonction p-n, est efficace, et moins l'épaisseur de la base, qui doit être telle qu'elle puisse être traversée par les porteurs moyens, présente un caractère critique. Le champ de surface arrière est établi en donnant à la région fortement dopée 12 ou 25 une épaisseur de 1 micron. Le matériau de départ pour réaliser la base du dispositif p+p nn+ de la Figure 1 est du silicium de type n 13 16 dopé selon une concentration de 10 à 10 atomes par 3 cm au moyen d'une impureté telle que du phosphore ou de l'arsenic. La région arrière fortement dopée 12 peut être réalisée par implantation ionique ou par diffusion d'arsenic ou de phosphore. La base doit en principe présenter une longue durée de vie pour les porteurs minoritaires et un faible niveau de dopage de telle sorte qu'une modulation de la conductivité se produise. Dans le cas de la base du dispositif n+n pp+ de la Figure 2, le matériau de départ pour réaliser la région 23 est du silicium de type p dopé selon une concentration d'environ 1018 atomes par cm3 au moyen d'une impureté telle que du bore, de l'aluminium ou du gallium. La région 21, qui est celle du champ de glissement, peut être réalisée en faisant croître épitaxialement une couche de silicium sur la région 23. Le gradient de dopage, qui va de 1016 atomes par cm3 au niveau de la jonction 19 à 1018 atomes par cm3 au niveau de la séparation 22 peut être réalisé en procédant à une rétrodiffusion du dopant depuis la région 23 ou en diminuant la concentration du dopant supplémentaire de nature gazeuse qui est employé lors de la croissance épitaxiale de la couche 21. Le niveau de dopage est élevé dans les deux régions de la base de façon à réduire au minimum la modulation de la conductivité. La durée de vie doit encore être aussi longue que possible afin que le courant photo-électrique ait une valeur maximum et que le courant d'obscurité soit réduit au minimum. La région fortement dopée p+ 25 à l'arrière du dispositif peut être réalisée par implantation ionique ou par diffusion d'une impureté telle que du bore, de l'aluminium ou du gallium. Les deux régions, 5 et 7, de l'émetteur de la Figure 1 ou les deux régions, 17 et 18, de l'émetteur de la Figure 2 peuvent être réalisées par implantation ionique dans la tranche qui contient déjà les régions 9 et 10 de la base de la Figure 1 ou les régions 21 et 23 de la base de la Figure 2, respectivement, ou par croissance épitaxiale des couches 5 et 7 ou 17 et 18, respectivement, ou au moyen d'une combinaison des techniques de croissance épitaxiale et d'implantation ionique. Plusieurs doses d'ions et plusieurs énergies d'implantation peuvent être choisies en combinaison de manière à obtenir les niveaux de dopage et les épaisseurs désirés pour ces deux régions émetteur. Selon une autre solution, le niveau de dopage et l'épaisseur de chacune de ces régions de l'émetteur peuvent être aisément commandés pendant une étape de croissance épitaxiale. Des techniques de croissance épitaxiale et d'implantation ionique peuvent facilement être combinées de façon à obtenir le profil désiré de l'émetteur. Les deux émetteurs 4 ou 16 présentant une région uniformément dopée et une région présentant un gradient de dopage (pour établir un champ électrique de glissement) peuvent aussi être facilement obtenus par ces techniques. Après l'introduction d'impuretés, dans le cas d'une implantation ionique, il convient de procéder avec soin à l'opération de recuit afin que la durée de vie dans la base ne soit pas ramenée à une valeur inférieure à un minimum admissible. Ainsi que le comprendra l'homme de l'art, l'opération de recuit peut être effectuée, par exemple, au moyen d'un faisceau électronique ou d'un faisceau laser. Un recuit thermique peut également être jugé acceptable. Bien que l'émetteur 4 ou 16 soit de préférence réalisé par implantation ionique et/ou par croissance épitaxiale, le même résultat peut éventuellement être obtenu, ainsi que le comprendra l'homme de l'art, par diffusion ou en combinant une diffusion avec une implantation ionique et/ou une croissance épitaxiale. On a décrit ci-dessus les impératif s fonctionnels afférents à une cellule solaire au silicium présentant un rendement élevé. Cette cellule peut être employée avec une intensité quelconque de la lumière du soleil, mais est particulièrement avantageuse lorsque la lumière du soleil est concentrée. Ainsi que le comprendra l'homme de l'art, quelques modifications peuvent être apportées à la présente invention. Par exemple, lorsqu'un champ de glissement est établi pour la région 21, la base 20 est toute entière conditionnée de telle sorte que, si la durée de vie est suffisamment longue, le besoin de ce champ de glissement peut être réduit. De même, si la durée de vie de la région 7 ou de la région 18 de l'émetteur est suffisamment longue, un champ de glissement est inutile dans ces régions. Par ailleurs, les techniques d'implantation ionique, de croissance épitaxiale et de diffusion peuvent être combinées dans une certaine mesure pour réaliser les régions désirées d'émetteur, de base et de champ de surface arrière. On a décrit ci-dessus une cellule solaire au silicium présentant un rendement élevé, supérieur à 20%, et dans laquelle les effets contradictoires des caractéristiques structurelles destinées à améliorer la performance sont maitrisés par des combinaisons de structures physiques et de gradients d'impuretés. Bien que l'on ait décrit dans ce qui précède et représenté sur les dessins les caractéristiques essentielles de l'invention appliquées à un mode de réalisation préféré de celle-ci, il est évident que l'homme de l'art peut y apporter toutes modifications de forme ou de détail qu'il juge utiles, sans pour autant sortir du cadre de ladite invention.

Claims: REVENDICATIONS 1.- Convertisseur d'énergie solaire au silicium, caractérisé en ce qu'il comprend sur sa surface un émetteur comportant une région de forte conduc tivité, pourvue d'un contact ohmique, et une région de faible conductivité ledit émetteur formant une jonction p-n avec une région de base à 1 micron environ au-dessous de ladite surface, et présente un champ de surface arrière à proximité immédiate d'un contact ohmique éloigné de ladite jonction p-n. 2.- Convertisseur selon la revendication 1, carac térisé en ce que ladite région de forte conduc tivité dudit émetteur présente un niveau de dopage supérieur à 1019 atomes par cm3. 3.- Convertisseur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que ladite région de faible conductivité dudit émetteur présente un niveau de 18 16 3 dopage compris entre 10 et 10 atomes par cm 4.- Convertisseur selon la revendication 3, carac térisé en ce que ladite région de faible conduc tivité dudit émetteur présente un niveau de dopage variant de 1018 atomes par cm3 à proximité immé diate de ladite région de forte conductivité, à 1016 atomes par cm3 à proximité immédiate de ladite jonction p-n. 5.- Convertisseur d'énergie solaire au silicium selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il comprend un émetteur du type p+/p comportant une région de forte conductivité et une région de faible conductivité formant une jonction p-n à une distance inférieure à 1 micron de la surface qui absorbe la lumière, et une base de type n présentant une conductivité modérément élevée et possèdant un champ de surface arrière présentant une forte conductivité, et en ce que ladite base présentant une conductivité modérément élevée possède un niveau de dopage compris entre 1013 et 1016 atomes 3 par cm 6.- Convertisseur d'énergie solaire au silicium selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il comprend un émetteur de type n+/n comportant une région de forte conductivité et une région de faible conductivité formant une jonction p-n, à une distance inférieure à 1 micron de la surface qui absorbe la lumière, et une base de type p, dont le niveau de dopage est compris entre 1016 et 1018 atomes par cm3,possédant un champ de surface arrière de forte conductivité. 7.- Convertisseur selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que ladite région de faible conductivité dudit émetteur comprend un champ de glissement. 8.- Convertisseur selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que ladite région de forte conductivité dudit émetteur présente une épaisseur comprise entre 0,1 et 0,2 micron et en ce que ladite région de faible conductivité dudit émet teur présente une épaisseur comprise entre 0,3 et 0,9 micron. 9.- Procédé de fabrication d'un convertisseur d'éner gie solaire au silicium caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de formation d'une région en surface, convertissant la lumière solaire, sur une partie d'un corps semi-conducteur en silicium qui servira de région de base possédant un champ de surface arrière adjacent à un contact ohmique, à une distance de ce champ de surface arrière inférieure à la longueur de diffusion efficace des porteurs minoritaires dans ce corps, et application d'un contact ohmique à la surface de cette région de surface, convertissant la lumière solaire. 10.- Procédé de fabrication d'un convertisseur d'éner gie solaire au silicium selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes sup plémentaires suivantes: formation d'une section de cette base de type et de valeur de conductivité précise, formation d'une région émetteur ayant une première section d'un type de conductivité opposé à celui de la base et d'une conductivité précise et plus forte, formation d'une seconde section de cette région émetteur d'une conductivité encore plus forte.

Inventors: HOVEL, HAROLD JOHN
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
Application year: 1979
Main classification: H01L31
IPC codes: H01L31