PROCESS FOR THE MANUFACTURING OF A PASSIVATING COATING ON ELECTRONIC CIRCUITS AND MATERIAL FOR THE COATING

Abstract: 1. Method of making a seal coating consisting of an aromatic polymer curable into a polyimide, on electronic circuits, characterized in that onto the circuits a coating material with a content of aromatic polymer, an organic solvent therefor, and a non-ionic fluorocarbon surfactant is applied, and cured into a sealing polyimide coating.

Description: Verfahren zur Herstellung eines abdichtenden Überzugs auf elektronischen Schaltkreisen und Beschichtungsmaterial Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines abdichtenden Überzugs auf elektronischen Schaltkreisen und ein Beschichtungsmaterial zur Durchführung dieses Verfahrens. Bei der Herstellung integrierter Schaltkreismoduln ist es üblich, die metallischen Leiterzüge und die Verbindungen zwischen der Unterlage und dem Chip mit den integrierten Schaltkreisen mit einer Polymerschicht zu bedecken. Im allgemeinen wird ein flüssiger, abdichtender Überzug über den Vorrichtungen aufgetragen und dann gehärtet, um die kritischen Verbindungen und die Stellen, an denen eine Verbindung zwischen der Unterlage und dem Chip hergestellt wird, gegen Korrosion, Ionenwanderung, atmosphärische Verunreinigungen und Feuchtigkeitseinflüsse zu schützen. Gleichzeitig bewirken die Über züge auch eine mechanische Verfestigung- der Verbindung zwischen Chip und Unterlage und wirken dielektrisch isolierend. Der abdichtende Überzug kann durch Spinnen, Sprühen, Tauchen oder nach einem sonstigen Verfahren aufgetragen werden. Dieses Verfahren ist frei wählbar und hängt von den Anforderungen, die an das Produkt gestellt werden, ab. Polyimidüberzüge wurden in der Vergangenheit verwendet, um elektronische Komponenten und Schaltkreise abzudichten. Bisher war nachteilig, dass die Überzüge die Verbindungsstellen, welche unter den Chips lagen, nicht vollständig bedeckten. Es besteht daher ein Bedürfnis für einen gleichmässigeren Schutzüberzug, der alle Anschlussstellen bedeckt. Ausserdem erfordert die Komplexität von Mustern auf Chips, welche Verbindungsstellen in der Dritte der Chips wie auch entlang des Randes enthalten, eine weitere Verbesserung hinsichtlich der Benetzbarkeit, so dass die verbesserten Beschichtungsmaterialien zwischen Chip und Unterlage eindringen und EN 977 021 eine vollständige Bedeckung der Verbindungsstellen, an denen Chip und Unterlage miteinander verbunden werden und der Lötverbindungen gestatten. Aufgabe der Erfindung ist, ein Verfahren zur Beschichtung von elektronischen Schaltkreisen anzugeben, mit dem eine vollständige Bedeckung aller Verbindungsstellen erreicht werden kann und ein Beschichtungsmaterial, das eine stark verminderte Oberflächenspannung der Schutzüberzüge in der obersten Schicht gewährleistet. Die Aufgabe der Erfindung wird gelöst durch ein Verfahren gemäss Patentanspruch 1 und durch die Bereitstellung eines Beschichtungsmaterials zur Durchführung dieses Verfahrens gemäss Patentanspruch 6. Mit dem erfindungsgemässen Verfahren gelingt es, die Oberflächenspannung der obersten Schutzschicht erheblich zu erniedrigen. Dadurch wird die Fähigkeit des Überzugs, alle Verbindungen und die Stellen, an denen Chip und Substrat miteinander verbunden werden, benetzen zu können, wesentlich erhöht, was beispielsweise bei der Beschichtung von Moduln, bei denen Chips mit integrierten Schaltkreisen mit dem Substrat verbunden sind gemäss US-Patentschrift 3 429 404 von Vorteil ist. Die Überzugsmaterialien dringen auch unter diejenigen Chips, welche ein Muster mit zu bedeckenden Verbindungen und Verbindungsstellen im Inneren, wie auch am Rande aufweisen. Die Erfindung wird anhand der nachfolgenden Beschreibung und der Fign. 1 und 2 näher erläutert. Erfindungsgemäss wird ein Verfahren zur Herstellung eines abdichtenden Überzugs auf elektronischen Schaltkreisen bereitgestellt, bei dem ein Beschichtungsmaterial, das ein aromatisches Polymer, das sich zu einem Polyimid aushärten lässt, ein organisches Lösungsmittel für das Polymer und eine grenzflächenaktive, nicht-ionische Fluorkohlenstoffverbindung enthält, auf die Schaltkreise aufgetragen und zu einem abdichtenden Polyimidüberzug ausgehärtet wird. Es wird auch eine Zusammensetzung angegeben, die ein aromatisches Polymer, das sich zu einem Polyimid aushärten lässt, ein organisches Lösungsmittel für das Polymer und eine grenzflächenaktive, nicht-ionische Fluorkohlenstoffverbindung enthält. Wenn es gewünscht wird, können auch Adhäsionsvermittler wie Silane zu den Zusammensetzungen gegeben werden. Der Ausdruck Polyimid, der hier verwendet wird, umfasst sowohl Polyimide wie auch Polyamid-Imid-Polymere. Fig. 1 zeigt einen Aufriss, teilweise im Schnitt, eines Moduls, bei dem Substrat und Chip miteinander verbunden und zwei dieser Einheiten übereinander angeordnet sind. Fig. 2 ist ein Schnitt einer schematisch dargestellten Lötverbindung zwischen Chip und Modul mit einem abdichtenden Polymerüberzug. Die vorliegende Erfindung gestattet die Bereitstellung eines Überzugs, welcher eine einheitliche Filmdicke aufweist und frei von Löchern, Hohlräumen und Blasen ist. Die Oberflächenbedingungen, die Schaltkreismetallurgie und die komplexe Konfiguration der Verbindungsstellen erfordern eine verbesserte Benetzung durch den obersten Schutzüberzug, damit eine gute Bedeckung durch den Film gewährleistet wird. Löcher, Hohlräume und Blasen stellen ernsthafte Probleme hinsichtlich der Zuverlässigkeit dar, weil Korrisions- und Auswachsprobleme auftreten, wenn niedrigschmelzende Lötlegierungen an den Lötverbindungen verwendet werden. Eine unvollständige oder eine fehlende Bedeckung durch die Schutzüberzüge führt zu einer Verschiebung thermischer Spannungen, wodurch die nicht bedeckten Verbindungen und Verbindungsstellen beeinflusst werden und durch die Spannungen ein Reissen auftritt, das zu einem frühzeitigen Ausfall der nicht bedeckten Verbindungen führt. Wenn Schutzüberzüge auf Moduln, in denen Chips und Unterlage miteinander verbunden sind, aufgetragen werden, ist der Vorteil der verbesserten Benetzbarkeit, welcher eine vollständige Bedeckung gestattet, noch wichtiger. Wie bei planaren Substraten ist auch hier eine vollständige Bedeckung aller Chipverbindungen und Verbindungsstellen erforderlich, um einen ausreichenden Schutz und dadurch eine verlängerte Lebenszeit der Vorrichtung zu gestatten. Ausser der Erhöhung der mechanischen Widerstandsfähigkeit der Verbindungsstellen bewirkt ein einheitlicher Schutzüberzug auch eine verbesserte Wärmeübertragungscharakteristik. Die Moduln, die nach dem erfindungsgemässen Verfahren beschichtet wurden, weisen einen kühleren Bereich zwischen Chip und Unterlage auf, so dass das Chip während des Betriebes kühler bleibt. Fig. 1 zeigt ein Modul 11, bei dem Chip und Unterlage miteinander verbunden sind, und das Anschlussstifte 13 und Chips 15, die durch die Verbindungen 17 auf einer Unterlage 19 befestigt sind und eine Metallkappe 21 aufweist. Fig. 2 ist eine schematische Zeichnung einer einzelnen Lötverbindungsstelle 17 mit Lötmetall 18, welche die Verbindungsstellen 23 auf dem Chip 15 und die Verbindungsstelle 24 auf dem Substrat 19 miteinander verbindet und die Notwendigkeit einer Bedeckung mit der Schutzschicht 25 zeigt. Der typische Abstand von Unterlage zu Chip beträgt etwa 0,102 bis 0,127 mm. Die olyimid- und Polyamid-Imidharze, welche zur Durchführung der Erfindung geeignet sind, sind eine Klasse von Polymeren, die aufgrund ihrer ausgezeichneten chemischen Widerstands f#hi,-jkeit und ihrer hohen Temperaturbeständigkeit als Schutz Ub < 'rzt.'##'e rnehriagiger elektronischer Schaltkreise Verwendung finden. Darüber hinaus zeigt diese Gruppe thermoplastischer Polymerer auch gute elektrische und mechanische Eigenschaften. Die Polyamid-Imid-Polymeren werden aus Anhydriden und Diaminen, beispielsweise aus Pyromellitsäureanhydrid und p,p'-Diaminodiphenylmethan hergestellt. EMI5.1 Pyromellitsäureanhydrid p ,p' -Diaminodiphenylmethan Diese Kombination führt zu einem Polyamidocarbonsäure-Amid Polymeren, welches beim Härten durch Erhitzen unter Ausbildung von Imidbindungen zyklisiert und zu einem gehärteten Polyamid-Imid führt. EMI5.2 Polyamidocarbonsäureamid Polyamid-Imid Die Polyimide sind das Reaktionsprodukt aus Dianhydriden und Diaminen, beispielsweise aus Benzophenon-tetracarbonsäureanhydrid und Oxydianilin (4,4'-Diaminodiphenyläther). EMI6.1 Benzophenontetra- Oxydianilin (4,'-Diamino- carbonsäureanhydrid diphenyläther) Nachfolgend ist die Kondensationsreaktion von Pyromellitsäu- reanhydrid und einem aromatischen Diamin angegeben: EMI6.2 Pyromellitsäureanhydrid Aromatisches Diamin EMI6.3 Polyamidocarbonsäure EMI6.4 Gehärtetes aromatisches Polyimid Andere Materialien wie 4,4'-Diamino-diphenylmethan können zugegeben werden, um die für eine bestimmte Anwendung gewünschten spezifischen Eigenschaften zu erhalten: EMI7.1 Die Polymeren werden auf die Schaltkreise aus einer Lösung aufgetragen. Bevorzugte Lösungen weisen einen Feststoffgehalt an Polymer von etwa 4 bis 12 Gew.% in einem organischen Lösungsmittel oder einer Mischung organischer Lösungsmittel gelöst auf. In Tabelle I sind Beispiele organischer Lösungsmittel, welche als Träger für die Beschichtungszusammensetzungen gemäss der Erfindung geeignet sind, aufgeführt. TABELLE 1 Lösungsmittel L.P.* F. Kp. Fl.P. Dimethylacetamid 10,8M -20 166 70 Hallcomid M8-10*'* -21 115-170 118 N-Methyl-pyrrolidon 11,3M -24 206 85 1-Formyl-piperidin 11,5M -31 222 Dimethylsulfoxid 12,0M 18 189 95 Tetramethylharnstoff - 1 177 Tetramethylensulfon 13,4M 27 285 *Löslichkeitsparameter aus thermodynamischen Rechnungen, die die Stärke der Wasserstoffbrückenbindung angeben; M bedeutet mässige Wasserstoffbrückenbindung. **bei 3 mm Hg ***Warenzeichen der C.P. Hall Co., Mischung von N,N-Dimethyl caprylamid/capramid Zusätzlich zu den zuvor angegebenen organischen Lösungsmit tel können auch Mischungen oder eine Kombination Lösungs mittel/Verdünnungsmittel angewendet werden. Polyamidocarbon säure-Zwischenprodukte können für die Herstellung von Poly imiden beispielsweise in den folgenden Kombinationen von Lösungsmittel/Verdünnungsmittel gelöst werden: 1:1 Mischung von N-Methylpyrrolidon (NMP)iAceton NMP/Cellosolve* (2-Äthoxyäthanol) NMP/Xylol NMP/Toluol Cellosolve* (2-Äthoxyäthanol)/Aceton Warenzeichen der Union Carbide Corporation. Für Polyamid-Imid-bildende Polymere sind Dimethylacetamid, Dimethylformamid, Dimethylsulfoxid und N-Methylpyrrolidon als Lösungsmittel bekannt. Der Löslichkeitsbereich der Verdünnungskonzentrationen für die Polymeren, angegeben in Gew.%, umfasst: 40 bis 50 % aromatische Lösungsmittel (Toluol, Xylol) 40 bis 50 % Ester (Äthylacetat, Methylpropionat) 50 bis 60 % Ketone (Aceton, Methyläthylketon, 80 % Cyclohexanon) 30 bis 40 % hochsiedende Amide, aliphatische Amide mit 1 bis 4 C-Atomen (Acetamid, Propion amid, Butyramid) 40 bis 50 % Cellosolve* (2-Äthoxyäthanol) Warenzeichen der Union Carbide Corporation. Die bevorzugten Polyimide und Polyamid-Imide, die erfindungsgemäss verwendet werden, weisen Molekulargewichte von etwa 13.000 bis 60.000 auf. Diese Materialien sind für die vorliegende Erfindung geeignet, weil sie eine hohe Temperaturbeständigkeit in den Überzugs zusammensetzungen und gute elektrische Eigenschaften bei Temperaturen > 200 0C nach der Imidbildung aufweisen. Zu dieser Mischung wird ein nichtionischer fluorierter Alkylester als grenzflächenaktiver Stoff zugegeben, um die Benetzung, die Verlaufcharakteristik und das Deckvermögen des schützenden Überzugs zu verbessern. Die vorhandenen nichtionischen Gruppen schliessen organische Gruppen wie -CH20H oder -COOH ein. Bevorzugte Fluorkohlenwasserstoff-grenzflächenaktive Stoffe sind nichtionische Typen, die die Oberflächenspannung des Polyimids oder der Polyamid-Imidvorläufer auf weniger als 25 Dyn/cm bei 25 0C und bei einem Gehalt der Lösung an 0,1 Gew.% reduzieren. Nichtionische fluorierte grenzflächenaktive Stoffe sind hervorragend geeignet zur Herstellung einheitlicher Über züge und um die Einführung von Materialien in den Überzug zu vermeiden, welche eine Korrosion der Metallurgie verursachen können. Es wurde gefunden, dass nichtfluorierte Kohlenwasserstoffe als grenzflächenaktive Stoffe zur Herstellung brauchbarer Überzüge nicht geeignet sind. In der Fluorkohlenstoffkette der nichtionischen grenzflächenaktiven Stoffe gemäss der Erfindung, die zyklisch oder nichtzyklisch sein können, müssen die Wasserstoffe an der Kohlenstoff struktur durch Fluor in dem Masse ersetzt werden, dass die ganze Kette oder der Schwanzteil des flüssigen grenzflächenaktiven Stoffs im wesentlichen ein Fluorkohlenstoff ist. Es ist nicht notwendig, dass Wasserstoff in allen Fällen vollständig ersetzt wird, dieses wird jedoch wegen der leichteren Erhältlichkeit im Handel im allgemeinen der Fall sein. Nichtionische fluorierte Alkylester als grenzflächenaktive Stoffe gemäss der vorliegenden Erfindung enthalten die wiederkehrende Einheit (CF2) und lassen sich im allgemeinen durch die Formel darstellen: Rf(CH2)mOCOR in der Rf eine Perfluoralkylgruppe mit 3 bis 12 C-Atomen und m eine Zahl von 2 bis 12 und R' Wasserstoff oder Methyl ist. Die zuvor angegebenen Fluorkohlenstoff-grenzflächenaktiven Stoffe reduzieren die Oberflächenspannung der Amid-Imid-/ oder Imid-Polymerlösungen auf weniger als 25 Dyn/cm, beispielsweise von 39,4 Dyn/cm auf 24,2 Dyn/cm, so dass vollständige und einheitlich abdichtende Überzüge erhalten werden können. Andere nichtionischen Fluorkohlenstoffe, die als grenzflächenaktive Stoffe im Rahmen der Erfindung verwendet werden können, sind N-Polyoxyäthylen-substituierte Perfluorsulfonamide der allgemeinen Formel: EMI10.1 in der R eine Niedrigalkylgruppe mit 1 bis 6 C-Atomen wie Methyl, Äthyl, Propyl, Butyl und dgl. und n eine Zahl von 2 bis 30 ist. Brauchbar im Rahmen der vorliegenden Erfindung sind auch Fluorkohlenstoffverbindungen aus der Klasse der N-Alkanolperfluoralkansulfonamide mit der allgemeinen Formel: EMI10.2 in der Rf eine Perfluoralkylgruppe mit 4 bis 12 C-Atomen, R eine Kohlenwasserstoffkette mit 1 bis 12 CH2-Gruppen und R' Wasserstoff oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 6 C-Atomen ist oder die korrespondierenden Ester. Ein Beispiel aus dieser Verbindungsklasse ist N-Propyl-N-äthanol-perfluoroctansulfonamid der allgemeinen Formel C8F17S02N(C3H9)CH2CH 20H Es können auch Mischungen der zuvor angegebenen gre#nzflächenaktiven Stoffe verwendet werden. Ein Silan oder eine Mischung von Silanen kann verwendet werden, um die Adhäsion zwischen dem keramischen Substrat, den metallischen Leiter zügen und dem abdichtenden Überzug zu verbessern. Als Adhäsionspromotoren können Silane mit einer bevorzugten spezifischen Dichte von 0,94 bis 1,06 Gramm/Liter bei 25 0C zu den Zusammensetzungen gegeben werden. Brauchbare Silane schliessen beispielsweise Y-Aminopropyltriäthoxysilan; S-3,4(Epoxycyclohexyl)äthyltrimethoxysilan und y-Glycidoxypropyltrimethoxysilan ein. Die Silane werden, wenn es gewünscht wird, in Mengen bis zu etwa 1 Gew.%, bezogen auf die Gesamtmischung eingesetzt. Im allgemeinen umfassen die Beschichtungszusammensetzungen gemäss der vorliegenden Erfindung, angegeben in Gew.%: 2 bis 20 % Polymer (Polyamidocarbonsäure-Vorläufer von Polyamid-Imid oder Polyimid) 0,001 bis 1 % nichtionischer Fluorkohlenstoff-grenz flächenaktiver Stoff oder Stoffe 0 bis 1 % Silan oder eine Mischung von Silanen als Zusatz, wobei der Rest (80 bis 98 %) ein organi sches Lösungsmittel oder eine Mischung organischer Lösungsmittel und Verdünner ist. Bevorzugte Beschichtungszusammensetzungen gemäss der vorliegenden Erfindung enthalten: 4 bis 8 % Polymer 92 bis 96 % organisches Lösungsmittel aus der Gruppe von Dimethylacetamid, N-Methylpyrroiidon, 1 -Formylpiperidin, Dimethylsulfoxid, Tetramethylharnstoff und Tetramethylen sulfon, oder Mischungen derselben 0,001 bis 0,1 e nichtionischer Fluorkohlenstoff-grenz flächenaktiver Stoff, 0 bis 1 % Silanzusatz (wahlweise). Wie zuvor angegeben, können die Lösungsmittel auch in Verbindung mit Verdünnern verwendet werden. Diese werden verwendet, wenn in bekannter Weise ein bestimmter Löslichkeitsgrad eingestellt werden soll. Spezifische Zusammensetzungen enthalten: Gew.% (1) (2) (3) (4) Polyamid-Imide-Vorläufer in 7,30 4,46 7,47 4,50 Pulverform (AI-10 Polymer von Amoco) Dimethylacetamid 92,00 95,00 92,00 95,00 Silane: 1:1-Verhältnis von 0,65 0,44 0,46 0,45 S-(3,4-Epoxycyclohexyl)äthyl- trimethoxysilan/2-Aminopropyltriäthoxysilan nichtionischer Fluorkohlen- 0,05 0,10 0,07 0,05 stoff Alkylester als grenzflächenaktiver Stoff (FC 430, Warenzeichen der 3M Company) 100 100 100 100 Die Zusammensetzungen 3 und 4 wurden verwendet, um den Effekt des zugesetzten grenzflächenaktiven Stoffes zu messen. Beide zeigten eine von 39,4 Dyn/cm (ohne grenzflächenaktiven Stoff) auf 24,1 Dyn/cm reduzierte Oberflächenspannung. Wenn man in der Zusammensetzung das Polyamid-Imid bildende Polymer durch ein Polyimid bildendes Polymer ersetzt, wird eine Beschichtungszusammensetzung 5 mit ähnlich erniedrigter Oberflächenspannung erhalten, die erfindungsgemäss zur Verbesserung der benetzenden Eigenschaften eingesetzt werden kann: Gew.% (5) Polyimidvorläufer (festes Pulver) 4,50 N-Methylpyrollidon 95,00 Silane: 1:1-Verhältnis wie in den Zusammenset- 0,45 zungen 1 bis 4 nichtionischer Fluorkohlenstoff-Alkylester als grenzflächenaktiver Stoff (F-430, Warenzeichen der 3M-Company) 0,05 Andere nichtionische Typen fluorierter grenzflächenaktiver Stoffe, wie N-Polyoxyäthylensubstituierte Perfluorsulfonamide und Verbindungen der Klasse der N-Alkanol-perfluoralkansulfonamide können in den zuvor angegebenen Zusammensetzungen verwendet werden. Die fluorierten grenzflächenaktiven Stoffe gemäss der vorliegenden Erfindung sind nichtionisch im Gegensatz zu kationischen, anionischen oder amphoteren Substanzen. Ionische Materialien sollen in den Schutzüberzügen bewusst vermieden werden. Es zeigen sich erhebliche Unterschiede beim Vergleich fluorierter grenzflächenaktiver Stoffe mit Stoffen mit wasserstoffhaltigen, grenzflächenaktiven Gruppen. Die Fluorkohlenstoffe bewirken im allgemeinen eine niedrige Kohäsionsoberflächenspannung und weisen ausgezeichnete Löslichkeitsparameter auf, welche nicht erhalten werden, wenn nichtionische KohlenwasserstoffS grenzflächenaktive Stoffe, wie beispielsweise äthoxylierte Alkylphenole, äthoxylierte aliphatische Alkohole, äthoxylierte Sorbitole oder andere Polyäthylenaddukte verwendet werden. Kohlenwasserstoff-grenzflächenaktive Stoffe weisen höhere Reibungskoeffizienten auf, und es treten Probleme hinsichtlich der blischbarkeit (Gelbildung), der korrodierenden Wirkung, der Hygroskopizität, hinsichtlich einer Zersetzung bei niedrigen Temperaturen und einer chemischen Wechselwirkung auf. Es sind auch wesentlich grössere Mengen an Kohlenwasserstoffen zur Beeintlussung der Eigenschaften des fertigen Überzugs erforderlich, und ihre Anwendung führte nicht zu zufriedenstellenden abdichtenden Überzügen, insbesondere, wenn interne Verbindungsstellen zur Verbindung von.Chip und Substrat in der Struktur vorhanden sind. Bei einer praktischen Anwendung wird ein flüssiger Schutz überzug mit einem Feststoffgehalt von 4 bis 8 Gew.% Polymer in Mengen von 15 bis 150 mg auf die Vorrichtung mit den Chips aufgetragen, um die Lötverbindungen und Verbindungsstellen zu bedecken. Die Qualität der aufgetragenen Mischung hängt von der Chipgrösse und der Anzahl der Chips auf der Unterlage ab. Die genaue Einhaltung einer bestimmten Schichtdicke für den Schutzfilm auf der Lötverbindung bzw. Verbindungsstelle ist nicht kritisch, solange dieselben vollständig bedeckt sind. Der Film sollte vorzugsweise einheitlich sein und eine Schichtdicke unter 0,0254 mm aufweisen (siehe Fig. 2). Eine zu grosse Menge an der Chip/Substrat-Grenzfläche sollte vermieden werden, um eine zu starke thermische Beanspruchung an der Chipgrenzfläche, welche zu Rissbildungen aufgrund der unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten des Polymers und des Zinn/Bleilots führt, zu verhindern. Die Überzüge werden gehärtet, indem sie in einem Ofen in dem nachfolgend angegebenen Härtungszyklus gehärtet werden, beispielsweise a) 60 bis 70 Min. bei 1100C + 50C, b) 60 bis 70 Min. bei 1500C + 50C und c) 180 bis 190 Min bei 1700C + 50C. Es sei bemerkt, dass die Härtungszeiten und Temperaturen für jede spezielle Mischung an Polymeren und Lösungs mitteln optimiert werden können. Die Verwendung fluorierter grenzflächenaktiver Stoffe bewirkt, dass die Schutzüberzüge keine Oberflächenverunreinigungen, die durch die Handhabung von Chip und Substrat während des Ver fahrens und durch unzureichende Reinigung eingeschleppt wer aen können, enthalten. Bei verbesserter Benetzung wird eine einheitlichere BedeckuncJg besonders unter den schlechtesten te@irgungen erhalten. Die Probleme hinsichtlich der Gleichmässigkeit der Überzüge, welche auftreten, wenn Polyimidschicb ten ohne einen Gehalt an grenzflächenaktiven Stoffen ver wendet werden, werden durch Masse herabgesetzt, wie es bisher noch nicht erreicht wurde. Es hat sich gezeigt, dass die Anwendung anderer grenzflächenaktiver Stoffe im Hinblick f diese Eigenschaften nicht so wirksam ist und nebenbei andere Probleme, wie Korrosionserscheinungen und Gelbildung auftreten können.

Claims: PATENTANSPRÜCHE 1. Verfahren zur Herstellung eines abdichtenden Überzugs auf elektronischen Schaltkreisen, dadurch gekennzeichnet, dass auf die Schaltkreise ein Beschichtungsmaterial mit einem Gehalt an einem aromatischen Polymer, das sich zu einem polyimid aushärten lässt, einem organischen Lösungsmittel für das Polymer und einer grenzflächenaktiven, nichtionischen Fluorkohlenstoffverbindung aufgetragen und zu einem abdichtenden Polyimidüberzug ausgehärtet wird. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als aromatisches Polymer eine Polyamidocarbonsäure oder ein Polyamidocarbonsäure-amid verwendet wird. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als grenzflächenaktive Fluorkohlenstoffverbindung ein nichtionischer fluorierter Alkylester der allgemeinen Formel Rf (CH2)m COOR', in der Rf eine Perfluoralkylgruppe mit 3 bis 12 C-Atomen, m eine Zahl von 2 bis 12 und RT Wasserstoff oder Methyl ist; oder ein N-Polyoxyäthylensubstituiertes Perfluor sulfonamid der allgemeinen Formel EMI16.1 in der R ein Niedrigalkylrest mit 1 bis 6 C-Atomen, wie Methyl, Äthyl, #Propyl, Butyl und dergl. und n eine Zahl von 2 bis 30 ist; oder ein N-Alkanol-perfluoralkansulfonamid der allgemeinen Formel EMI17.1 in der Rr eine Perfluoralkylgruppe mit 4 bis 12 C-Atomen1 R eine Kohlenwasserstoffkette mit 1 bis 12 CH2 Gruppen und R# Wasserstoff oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 6 C-Atomen ist bzw. deren Ester verwendet werden. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Beschichtungsmaterial mit einem Gehalt an 2 bis 20, vorzugsweise 4 bis 8 Gew.% Polymer, 0,001 bis 1 Gew.% grenzflächenaktivem Stoff und 80 bis 98, vorzugsweise 92 bis 96 Gew.% Lösungsmittel aufgetragen wird. 5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Beschichtungs material zusätzlich 0 bis 1 Gew.% Silan-Adhäsionspro motor verwendet wird. 6. Beschichtungsmaterial zur Durchführung des Verfahrens nach den Ansprüchen 1 bis 6, gekennzeichnet durch einen Gehalt an einem aromatischen Polymer, einem organischen Lösungsmittel und einer grenzflächenaktiven, nichtioni schen Fluorkohlenstoffverbindung. 7. Beschichtungsmaterial nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch einen Gehalt an 2 bis 20, vorzugsweise 4 bis 8 Gew.% polymer, 0,001 bis 1 Gew.% qrenzflächenaktivem Stoff und 80 bis 98, vorzugsweise 92 bis 96 Gew.% Lösungs mittel. 8. Beschichtungsmaterial nach den Ansprüchen 6 und 7, da durch gekenn2eichnet, dass es zusätzlich 0 bis 1 Gew.% Silan-Adhäsionspromotor enthält. 9. Beschichtungsmaterial nach einem oder mehreren der An sprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass es als aromatisches Polymer eine Polyamidocarbonsäure oder ein Polyamidocarbonsäure-Amid enthält. 10. Beschichtungsmaterial nach einem oder mellreLen der An sprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass es als grenzflächenaktive Fluorkohlenstoffverbindung einen nichtionischen fluorierten Alkylester der allgemeinen Formel Rf(CH2)mCOOR'1 in der Rf eine Perfluoralkylgruppe mit 3 bis 12 C-Atomen, m eine Zahl von 2 bis 12 und R' Wasserstoff oder Methyl ist; oder ein N-Polyoxyäthylen substituiertes Perfluor sulfonamid der allgemeinen Formel EMI18.1 in der R ein Niedrigalkylrest mit 1 bis 6 C-Atomen, wie Methyl, Äthyl, Propyl, Butyl und dergl. und n eine Zahl von 2 bis 30 ist; oder ein n-Alkanol-perfluoralkansulfonamid der allgemeinen Formel EMI18.2 in der Rf eine Perfluoralkylgruppe mit 4 bis 12 C-Atvmen, R eine Kohlenwasserstoffkette mit 1 bis 12 CH2-Gruppen und R' Wasserstoff oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 6 C-Atomen ist bzw. deren Ester enthält.

Inventors: ANGELO, RAYMOND W., POLIAK, RICHARD M., SUSKO, JOHN R.
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
Application year: 1979
Main classification: H01L21
IPC codes: H01L23, H05K3, H01L21