成長速度の比較的早い0.27と0.20ML/sの成長条件では、実験結果と計算結果は一致し、一つの偏析係数で表現することが可能であった。ここで使用した偏析係数Rはそれぞれ0.82と0.84であり、成長速度が遅いほうが、Rが大きい傾向であった。これらの値は、先行研究と同程度の値である[2,3]。
　一方、成長速度の遅い0.10ML/sでは、一つの偏析係数での再現は不可能であった。膜厚が薄い領域(膜厚37ML)では大きな偏析係数(R=0.92)を使用しないと実験結果と一致しないが、そのままの値では膜厚増加に伴う変化と一致せず、70ML以上の膜厚では、より小さい偏析係数(R=0.87)での計算結果と一致した。この結果は、特に成長速度が遅い場合において、これまでの偏析モデルを修正する必要を示唆している。成長速度が低いほど熱平衡状態に近い点や成長に伴い歪みが変化する点を考慮する必要があると考えられる。

まとめおよび今後の課題：
　MBE法を用いたGaAs(001)基板上へのInGaAs薄膜成長中のIn偏析過程の解明を目指し、SPring-8BL11XUのMBEとX線回折計が直接組み合わされた装置を利用して、成長中のリアルタイム測定を行なった。回折強度計算と実験結果との比較から、成長中の膜中のIn分布の変化を算出し、成長中の偏析係数を見積もった。成長速度が早い場合は(0.20, 0.27ML/s)、一つの偏析係数で計算結果と実験結果が一致したが、成長速度が遅い場合(0.10ML/s)では1つの偏析係数で説明することが不可能であった。以上の結果は、特に成長速度が遅い場合において、これまでの偏析モデルを修正する必要を示唆している。

カテゴリ: 物理
質問: 使用された偏析係数Rはそれぞれいくつといくつですか？
回答: 使用された偏析係数Rはそれぞれ0.82と0.84です。

カテゴリ: 物理
質問: 偏析モデルは、成長速度が低いほど、どのような点やどのような点を考慮する必要があると考えられますか？
回答: 偏析モデルは、成長速度が低いほど、熱平衡状態に近い点や成長に伴い歪みが変化する点を考慮する必要があると考えられます。

カテゴリ: 物理
質問: InGaAs薄膜成長中のリアルタイム測定は、何と何が直接組み合わされた装置を利用して行われましたか？
回答: InGaAs薄膜成長中のリアルタイム測定は、SPring-8BL11XUのMBEとX線回折計が直接組み合わされた装置を利用して行われました。