MEMSの製造工程
各工程の具体的な製造方法を成膜工程から追っていきます。
（1）成膜
成膜の種類には、絶縁層やエッチングのストップ層となる酸化膜や、配線となる銅やアルミなどの金属膜、圧電効果をもたらす圧電膜が主に挙げられます。
成膜方法は、成膜成分を含んだガスを高温やプラズマで化学反応を起こして成膜するCVD法や、真空状態で電圧を印加することで、アルゴンガス粒子を成膜したい材料に衝突させて基板上に付着させるスパッタ法があります。
（2）リソグラフィー（パターニング）とエッチング
成膜後はリソグラフィーによるパターニングと、エッチングを行います。
リソグラフィーとは、フォトレジストと呼ばれる感光樹脂を基盤に塗布し、光や電子ビームなどでパターンを転写する技術です。フォトレジスト工程で形成したレジストパターンがマスクとなり、レジストのない部分がエッチングされます。
MEMSデバイスに使用されるエッチングの一つに、深堀エッチング（ボッシュ法）があります。
ボッシュ法は、［等方性エッチング→保護膜の堆積→異方性エッチング］による保護膜の除去を繰り返すことで、アスペクト比の高い、深い穴を形成することができます。
基板表面にトレンチ（溝）を形成することで、素子分離したり、キャパシタ膜を作るために用いられる手法ですが、これを応用し、加速度センサー素子の櫛歯電極部分を形成したり、貫通孔を設けて配線を取り出したり、インクジェットのシリコンノズルを加工する目的にも使用されています。
 （3）基盤接合
最後に、基盤接合を行います。基盤接合には直接接合と陽極接合があります。
「直接接合」は、熱処理による分子間力が働き、ウエハ同士が張り合わされる接合です。
「陽極接合」は、シリコン側を陽極とし、電圧をかけることで静電引力により接合する方法です。

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質問: 成膜成分を含んだガスを高温やプラズマで化学反応を起こして成膜する成膜方法は何といい、真空状態で電圧を印加することで、アルゴンガス粒子を成膜したい材料に衝突させて基板上に付着させる成膜方法は何といいますか。
回答: 成膜成分を含んだガスを高温やプラズマで化学反応を起こして成膜する成膜方法はCVD法で、真空状態で電圧を印加することで、アルゴンガス粒子を成膜したい材料に衝突させて基板上に付着させる成膜方法はスパッタ法といいます。

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質問: フォトレジストと呼ばれる感光樹脂を基盤に塗布し、光や電子ビームなどでパターンを転写する技術は何と呼ばれていますか。
回答: フォトレジストと呼ばれる感光樹脂を基盤に塗布し、光や電子ビームなどでパターンを転写する技術はリソグラフィーと呼ばれています。

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質問: 保護膜の除去を繰り返すことで、アスペクト比の高い、深い穴を形成する手法は何ですか。
回答: 保護膜の除去を繰り返すことで、アスペクト比の高い、深い穴を形成する手法はボッシュ法です。

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質問: 熱処理による分子間力が働き、ウエハ同士が張り合わされる接合は何ですか。
回答: 熱処理による分子間力が働き、ウエハ同士が張り合わされる接合は直接接合です。

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質問: シリコン側を陽極とし、電圧をかけることで静電引力により接合する方法は何ですか。
回答: シリコン側を陽極とし、電圧をかけることで静電引力により接合する方法は陽極接合です。