実験：試料は、ポイントシード法の種結晶を用いてNaフラックス法で作製した1辺が42 mmの六角形の大口径GaN基板である。 実験は大型放射光施設SPring-8のBL20B2において、単色X線を用いた反射X線トポグラフィで行った。GaN に存在する転位の中で貫通刃状転位は歪み場が小さく、高い単色性（⊿E/E～10^4）、 低い角度発散（水平方向～1mrad、垂直方向～0.1mrad）を持つ放射光を用いて、数µmの小さな欠陥像としてトポグラフ上で鮮明に捉えることができている。大口径な試料全体を一回の計測で評価するには、それ以上のビームサイズを有するビームラインでの実施が必要である。今回利用したBL20B2は最大で300mm幅の単色X線が得られ、それが実現可能である。入射X線はSi(111)モノクロメータで9.16keVに単色化したX線を用いた。X線回折の測定条件として反射面は、入射角θ[in]=3°、2θ[B]=84.6°を用いることで、表面から4µm程度の結晶性を観察することができる。解像度の高い像を得るため、トポグラフ像は工業用高分解能X線フィルム（AGFA社製STRUCTURIXD2）に記録した。

カテゴリ: 物理
質問: X線回折の測定条件におけるθ[B]は何度ですか。
回答: X線回折の測定条件として反射面は、2θ[B]=84.6°なので、84.6/2=42.3より、θ[B]は42.3度です。