半導体混晶のエピタキシャル成長における表面偏析は、急峻なヘテロ界面を実現し、量子井戸を実現するために重要である。これまでに多くの表面偏析に関する研究が行われてきているが、まだ十分に理解されていない点がある[1-3]。Muraki等はInGaAs/GaAs(001)において、２次イオン質量分析を用いて成長後の薄膜のIn分布を観察し、In偏析をモデル化している[3]が、成長後の観察である。一方、リアルタイム測定手法として、電子線回折法が用いられている[2]が、この手法では最表面近傍の情報しか得ることができない。偏析は最表面だけでなく、その下の層でも発生する可能性がある。したがって、より詳細に偏析過程を明らかにするためには、成長中のリアルタイム測定と、偏析による内部の組成変化の観察が必要不可欠である。我々はこれまでに、主に格子不整合材料のエピタキシャル成長する際の格子不整合転位の生成過程を明らかにするため、放射光を用いたX線回折法により、分子線エピタキシー(MBE)法を用いたGaAs基板上へのInGaAs薄膜成長中のリアルタイム測定を行ってきた[5,6]。この中で、転位形成による回折ピークの変化に加えて、In偏析の影響と思われる回折ピークの変化を観察している[5]。X線は電子線と異なり結晶内部まで透過するため、薄膜表面だけでなく内部も含めて偏析の状況をリアルタイム測定できることが期待される。
　本報告では、MBE法によるGaAs基板上へのInGaAs成長におけるInの表面偏析過程を、内部のIn組成の変化から放射光を用いたリアルタイム測定により明らかにすることを目的とする。

カテゴリ: 物理
質問: より詳細に偏析過程を明らかにするためには、何と何が必要不可欠ですか？
回答: より詳細に偏析過程を明らかにするためには、成長中のリアルタイム測定と、偏析による内部の組成変化の観察が必要不可欠です。

カテゴリ: 物理
質問: 分子線エピタキシー(MBE)法を用いたGaAs基板上へのInGaAs薄膜成長中のリアルタイム測定が行われてきた中で、何の変化に加えて、何の変化が観察されていますか？
回答: 分子線エピタキシー(MBE)法を用いたGaAs基板上へのInGaAs薄膜成長中のリアルタイム測定が行われてきた中で、転位形成による回折ピークの変化に加えて、In偏析の影響と思われる回折ピークの変化が観察されています。

カテゴリ: 物理
質問: 半導体混晶のエピタキシャル成長における表面偏析は、何を実現することで、何を実現するために重要ですか？
回答: 半導体混晶のエピタキシャル成長における表面偏析は、急峻なヘテロ界面を実現することで、量子井戸を実現するために重要です。