# Euroopa Liidu L 281/31.

| | ISSN 1725-5082 |
| --- | --- |
| Euroopa Liidu
  Teataja | L 281 |
| | |
| Eestikeelne väljaanne | Õigusaktid | 47. köide31. august 2004 |

ISSN 1725-5082

Euroopa Liidu

Teataja

L 281

Eestikeelne väljaanne

Õigusaktid

47. köide31. august 2004

---

| Sisukord | | I   Aktid, mille avaldamine on kohustuslik | Lehekülg |
| --- | --- | --- | --- |
| | * | Nõukogu määrus (EÜ) nr 1504/2004, 19. juuli 2004, millega muudetakse ja ajakohastatakse määrust (EÜ) nr 1334/2000, millega kehtestatakse ühenduse kord kahesuguse kasutusega kaupade ja tehnoloogia ekspordi kontrollimiseks | 1 |

Sisukord

I   Aktid, mille avaldamine on kohustuslik

Lehekülg

*

Nõukogu määrus (EÜ) nr 1504/2004, 19. juuli 2004, millega muudetakse ja ajakohastatakse määrust (EÜ) nr 1334/2000, millega kehtestatakse ühenduse kord kahesuguse kasutusega kaupade ja tehnoloogia ekspordi kontrollimiseks

1

| ET | Aktid, mille peakiri on trükitud harilikus trükikirjas, käsitlevad põllumajandusküsimuste igapäevast korraldust ning nende kehtivusaeg on üldjuhul piiratud.
  Kõigi ülejäänud aktide pealkirjad on trükitud poolpaksus kirjas ja nende ette on märgitud tärn. |
| --- | --- |

ET

Aktid, mille peakiri on trükitud harilikus trükikirjas, käsitlevad põllumajandusküsimuste igapäevast korraldust ning nende kehtivusaeg on üldjuhul piiratud.

Kõigi ülejäänud aktide pealkirjad on trükitud poolpaksus kirjas ja nende ette on märgitud tärn.

---

I Aktid, mille avaldamine on kohustuslik

| 31.8.2004 | ET | Euroopa Liidu Teataja | L 281/1 |
| --- | --- | --- | --- |

31.8.2004

ET

Euroopa Liidu Teataja

L 281/1

---

NÕUKOGU MÄÄRUS (EÜ) nr 1504/2004,

19. juuli 2004,

millega muudetakse ja ajakohastatakse määrust (EÜ) nr 1334/2000, millega kehtestatakse ühenduse kord kahesuguse kasutusega kaupade ja tehnoloogia ekspordi kontrollimiseks

EUROOPA LIIDU NÕUKOGU,

võttes arvesse Euroopa Ühenduse asutamislepingut, eriti selle artiklit 133,

võttes arvesse komisjoni ettepanekut,

ning arvestades järgmist:

| (1) | Nõukogu määruse (EÜ) nr 1334/2000 (1) kohaselt tuleb kahesuguse kasutusega kaupade (sealhulgas tarkvara ja tehnoloogia) eksporti ühendusest tõhusalt kontrollida. |
| --- | --- |

(1)

Nõukogu määruse (EÜ) nr 1334/2000 (1) kohaselt tuleb kahesuguse kasutusega kaupade (sealhulgas tarkvara ja tehnoloogia) eksporti ühendusest tõhusalt kontrollida.

| (2) | Selleks, et liikmesriigid ja ühendus saaksid järgida oma rahvusvahelisi kohustusi, on määruse (EÜ) nr 1334/2000 I lisas kehtestatud kõnealuse määruse artiklis 3 osutatud kahesuguse kasutusega kaupade ja tehnoloogia ühine loetelu, mille abil teostatakse kahesuguse kasutusega kaupade rahvusvaheliselt kokkulepitud kontrolli, mis hõlmab Wassenaari kokkulepet, raketitehnoloogia kontrollirežiimi (MTCR), tuumatarnijate gruppi (NSG), Austraalia gruppi ja keemiarelvade konventsiooni (CWC). |
| --- | --- |

(2)

Selleks, et liikmesriigid ja ühendus saaksid järgida oma rahvusvahelisi kohustusi, on määruse (EÜ) nr 1334/2000 I lisas kehtestatud kõnealuse määruse artiklis 3 osutatud kahesuguse kasutusega kaupade ja tehnoloogia ühine loetelu, mille abil teostatakse kahesuguse kasutusega kaupade rahvusvaheliselt kokkulepitud kontrolli, mis hõlmab Wassenaari kokkulepet, raketitehnoloogia kontrollirežiimi (MTCR), tuumatarnijate gruppi (NSG), Austraalia gruppi ja keemiarelvade konventsiooni (CWC).

| (3) | Määruse (EÜ) nr 1334/2000 artiklis 11 on sätestatud, et I ja IV lisa ajakohastatakse kooskõlas selliste ülesannete ja kohustustega ning nende võimalike muudatustega, mida iga liikmesriik on võtnud tuumarelva leviku tõkestamise rahvusvahelise korra ja ekspordi kontrollimise korra raames või asjakohaste rahvusvaheliste lepingute ratifitseerimise tulemusel. |
| --- | --- |

(3)

Määruse (EÜ) nr 1334/2000 artiklis 11 on sätestatud, et I ja IV lisa ajakohastatakse kooskõlas selliste ülesannete ja kohustustega ning nende võimalike muudatustega, mida iga liikmesriik on võtnud tuumarelva leviku tõkestamise rahvusvahelise korra ja ekspordi kontrollimise korra raames või asjakohaste rahvusvaheliste lepingute ratifitseerimise tulemusel.

| (4) | Määruse (EÜ) nr 1334/2000 I lisa tuleb muuta, et võtta arvesse muudatusi, mis tehti Wassenaari kokkuleppe, Austraalia grupi ja raketitehnoloogia kontrollirežiimi poolt pärast 27. jaanuari 2003. aasta määrusega (EÜ) nr 149/2003 (2) tehtud muudatusi. |
| --- | --- |

(4)

Määruse (EÜ) nr 1334/2000 I lisa tuleb muuta, et võtta arvesse muudatusi, mis tehti Wassenaari kokkuleppe, Austraalia grupi ja raketitehnoloogia kontrollirežiimi poolt pärast 27. jaanuari 2003. aasta määrusega (EÜ) nr 149/2003 (2) tehtud muudatusi.

| (5) | Selleks, et kõrvaldada Tšehhi Vabariik, Ungari ja Poola praegusest riikide nimekirjast, mille suhtes kohaldatakse ühenduse ekspordiluba, on nõukogu määrusega (EÜ) nr 885/2004 muudetud määruse (EÜ) nr 1334/2000 II lisa 3. osa. |
| --- | --- |

(5)

Selleks, et kõrvaldada Tšehhi Vabariik, Ungari ja Poola praegusest riikide nimekirjast, mille suhtes kohaldatakse ühenduse ekspordiluba, on nõukogu määrusega (EÜ) nr 885/2004 muudetud määruse (EÜ) nr 1334/2000 II lisa 3. osa.

| (6) | Ekspordikontrolli asutuste ja eksportivate ettevõtjate tegevuse lihtsustamiseks on vaja avaldada määruse (EÜ) nr 1334/2000 lisade ajakohastatud ja konsolideeritud variant, võttes arvesse kõiki muudatusi, mis on heaks kiidetud liikmesriikide rahvusvahelistel foorumitel ajavahemikul detsember 2002 kuni detsember 2003. |
| --- | --- |

(6)

Ekspordikontrolli asutuste ja eksportivate ettevõtjate tegevuse lihtsustamiseks on vaja avaldada määruse (EÜ) nr 1334/2000 lisade ajakohastatud ja konsolideeritud variant, võttes arvesse kõiki muudatusi, mis on heaks kiidetud liikmesriikide rahvusvahelistel foorumitel ajavahemikul detsember 2002 kuni detsember 2003.

| (7) | Sellest tulenevalt tuleks määrust (EÜ) nr 1334/2000 vastavalt muuta, |
| --- | --- |

(7)

Sellest tulenevalt tuleks määrust (EÜ) nr 1334/2000 vastavalt muuta,

ON VASTU VÕTNUD KÄESOLEVA MÄÄRUSE:

Artikkel 1

Määruse (EÜ) nr 1334/2000 lisad asendatakse käesoleva määruse lisadega.

Artikkel 2

Käesolev määrus jõustub kolmekümnendal päeval pärast selle avaldamist Euroopa Liidu Teatajas.

Käesolev määrus on tervikuna siduv ja vahetult kohaldatav kõikides liikmesriikides.

Brüssel, 19. juuli 2004

Nõukogu nimel

eesistuja

P. H. DONNER

---

(1)  EÜT L 159, 30.6.2000, lk 1. Määrust on viimati muudetud määrusega (EÜ) nr 885/2004 (ELT L 168, 1.5.2004, lk 1).

1

(2)  ELT L 30, 5.2.2003, lk 1.

2

---

I LISA

KAHESUGUSE KASUTUSEGA KAUPADE JA TEHNOLOOGIA LOETELU

(vastavalt määruse (EÜ) nr 1334/2000 artiklile 3)

Käesoleva loeteluga teostatakse kahesuguse kasutusega kaupade rahvusvaheliselt kokkulepitud kontrolli, mis hõlmab Wassenaari kokkulepet, raketitehnoloogia kontrollrežiimi (MTCR), tuumatarnijate gruppi (NSG), Austraalia gruppi ja keemiarelvade konventsiooni (CWC). Arvesse ei ole võetud neid kaupu, mida liikmesriigid on soovinud lülitada välistavasse loetelusse. Arvesse ei ole võetud mis tahes siseriiklikke kontrollimisi (valitsusvälise päritoluga kontrollimised), mida liikmesriigid võivad jätkata.

ÜLDMÄRKUSED I LISA KOHTA

| 1. | Sõjaliseks kasutuseks ettenähtud või kohandatud kaupade kontrolli osas vaadake üksikute liikmesriikide sõjalise otstarbega kaupade kontrollimist käsitlevaid loetelusid. Käesolevas lisas esinevad viited "VT KA SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJA" viitavad nimetatud loeteludele. |
| --- | --- |

1.

Sõjaliseks kasutuseks ettenähtud või kohandatud kaupade kontrolli osas vaadake üksikute liikmesriikide sõjalise otstarbega kaupade kontrollimist käsitlevaid loetelusid. Käesolevas lisas esinevad viited "VT KA SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJA" viitavad nimetatud loeteludele.

| 2. | Käesolevas lisas käsitletud kontrollimiste eesmärki ei tohiks kahjustada kontrolli alla mittekuuluvate mis tahes kaupade (kaasa arvatud tehas) ekspordiga, mis sisaldavad üht või mitut kontrolli alla kuuluvat komponenti, kusjuures kontrolli alla kuuluv komponent või komponendid on kaupade põhiliseks koostisosaks ja seda (neid) on võimalik kergesti eraldada või kasutada muudel eesmärkidel.


  NB! Otsustades, kas kontrolli alla kuuluvat komponenti või komponente võib pidada põhiliseks koostisosaks, on vaja kaaluda koguse, väärtuse ja tehnoloogilise oskusteabega seotud tegureid ning muid eriasjaolusid, mis võiksid määrata kontrolli alla kuuluva komponendi või komponendid hangitavate kaupade põhiliseks koostisosaks. |
| --- | --- |

2.

Käesolevas lisas käsitletud kontrollimiste eesmärki ei tohiks kahjustada kontrolli alla mittekuuluvate mis tahes kaupade (kaasa arvatud tehas) ekspordiga, mis sisaldavad üht või mitut kontrolli alla kuuluvat komponenti, kusjuures kontrolli alla kuuluv komponent või komponendid on kaupade põhiliseks koostisosaks ja seda (neid) on võimalik kergesti eraldada või kasutada muudel eesmärkidel.

NB! Otsustades, kas kontrolli alla kuuluvat komponenti või komponente võib pidada põhiliseks koostisosaks, on vaja kaaluda koguse, väärtuse ja tehnoloogilise oskusteabega seotud tegureid ning muid eriasjaolusid, mis võiksid määrata kontrolli alla kuuluva komponendi või komponendid hangitavate kaupade põhiliseks koostisosaks.

| 3. | Käesolevas lisas määratletud kaubad hõlmavad nii uusi kui ka kasutatud kaupu. |
| --- | --- |

3.

Käesolevas lisas määratletud kaubad hõlmavad nii uusi kui ka kasutatud kaupu.

TUUMATEHNOLOOGIAT KÄSITLEV MÄRKUS (NTN)

(Lugeda koos 0. kategooria E osaga.)

0. kategoorias kontrollitud kaupadega otseselt seotud "tehnoloogiat" kontrollitakse vastavalt 0. kategooria sätetele.

Tehnoloogia, mis on ette nähtud kontrolli alla kuuluvate kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks, jääb kontrolli alla kuuluvaks ka siis, kui seda kohaldatakse kontrolli alla mittekuuluvate kaupade suhtes.

Kaupade lubamine ekspordiks annab loa eksportida samale lõppkasutajale ka minimaalse tehnoloogia, mis on vajalik kõnealuste kaupade paigaldamiseks, kasutamiseks, hoolduseks ja remondiks.

Tehnosiirde kontrollimisi ei kohaldata "üldkasutatava" teabe või "fundamentaalteaduslike uuringute" suhtes.

ÜLDMÄRKUS TEHNOLOOGIA KOHTA (GTN)

(Lugeda koos 1.–9. kategooria E osaga.)

Sellise tehnoloogia eksporti, mis on vajalik 1.–9. kategoorias nimetatud kontrolli alla kuuluvate kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks, kontrollitakse 1.–9. kategooria sätete kohaselt.

Tehnoloogia, mis on vajalik kontrolli alla kuuluvate kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks, jääb kontrolli alla kuuluvaks ka siis, kui seda kohaldatakse kontrolli alla mittekuuluvate kaupade suhtes.

Kontrolli ei kohaldata sellise tehnoloogia suhtes, mis on minimaalselt vajalik selliste kaupade paigaldamiseks, kasutamiseks, hoolduseks (kontrolliks) ja remondiks, mis ei kuulu kontrolli alla või mille eksport on lubatud.

NB! See ei vabasta kontrolli alla kuulumisest punktides IE002.e, IE002.f, 8E002.a ja 8E002.b määratletud vastavat tehnoloogiat.

Tehnosiirde kontrolli ei kohaldata "üldkasutatava" teabe või "fundamentaalteaduslike uuringute" või patenditaotluste tegemiseks vajaliku miinimumteabe suhtes.

ÜLDMÄRKUS TARKVARA KOHTA (GSN)

(Käesolev märkus on ülimusliku iseloomuga kõigi 0.–9. kategooria D osas loetletud kontrollimiste suhtes.)

Käesoleva loetelu 0.–9. kategoorias ei kontrollita tarkvara, mis on:

| a. | üldiselt avalikkusele kättesaadav, kuna:






  1. | Seda müüakse varudest jaemüügikohtades piiramatult järgmistel viisidel:






  a. | käsimüügi teel; |
| --- | --- | --- | --- |

a.

üldiselt avalikkusele kättesaadav, kuna:

1.

Seda müüakse varudest jaemüügikohtades piiramatult järgmistel viisidel:

a.

käsimüügi teel;

| b. | postimüügi teel; |
| --- | --- |

b.

postimüügi teel;

| c. | elektronkaubandus; või |
| --- | --- |

c.

elektronkaubandus; või

| d. | telefonimüügi teel; ja |
| --- | --- |

d.

telefonimüügi teel; ja

| 2. | nad on ette nähtud paigaldamiseks kasutaja oma jõududega, ilma tarnija olulise abita; või |
| --- | --- |

2.

nad on ette nähtud paigaldamiseks kasutaja oma jõududega, ilma tarnija olulise abita; või

NB! Tarkvara käsitleva üldmärkuse punkt a ei vabasta kontrolli alla kuulumisest 5. kategooria 2. osas määratletud tehnoloogiat (Infoturve).

| b. | üldkasutatav. |
| --- | --- |

b.

üldkasutatav.

KÄESOLEVAS LISAS KASUTATUD MÕISTED

Allajoonitud terminite definitsioonid on antud vastava kauba tehnilises märkuses.

Kursiivkirjas (ja jutumärkides) olevate terminite definitsioonid on järgmised:

NB! Viide kategooria kohta on märgitud defineeritava mõiste järele sulgudesse.

| | Täpsus (Accuracy) (2 6) – väljendab antud väärtuse maksimaalset positiivset või negatiivset kõrvalekallet tunnustatud standardi märgitud väärtusest või tegelikust väärtusest; enamasti mõõdetakse ebatäpsuse kaudu. |
| --- | --- |

Täpsus (Accuracy) (2 6) – väljendab antud väärtuse maksimaalset positiivset või negatiivset kõrvalekallet tunnustatud standardi märgitud väärtusest või tegelikust väärtusest; enamasti mõõdetakse ebatäpsuse kaudu.

| | Lennujuhtimise aktiivsüsteemid (Active flight control systems) (7) – lennujuhtimise süsteemid, mille ülesandeks on vältida õhusõidukite ja rakettide soovimatud liikumised või soovimatud kerestruktuuri koormused, käsitledes autonoomselt paljudelt anduritelt tulevat teavet ning andes vajalikud ennetavad juhtimiskäsud automaatjuhtimisele. |
| --- | --- |

Lennujuhtimise aktiivsüsteemid (Active flight control systems) (7) – lennujuhtimise süsteemid, mille ülesandeks on vältida õhusõidukite ja rakettide soovimatud liikumised või soovimatud kerestruktuuri koormused, käsitledes autonoomselt paljudelt anduritelt tulevat teavet ning andes vajalikud ennetavad juhtimiskäsud automaatjuhtimisele.

| | Aktiivpiksel (Active pixel) (6 8) – väikseim tahkismassiivi (üksik) element, millel on fotoelektriline ülekandefunktsioon valguskiirguse (elektromagnetiline kiirgus) kasutamisel. |
| --- | --- |

Aktiivpiksel (Active pixel) (6 8) – väikseim tahkismassiivi (üksik) element, millel on fotoelektriline ülekandefunktsioon valguskiirguse (elektromagnetiline kiirgus) kasutamisel.

| | Kohandatud kasutamiseks sõja tingimustes (Adapted for use in war) (1) – tähendab igat muudatust või eesmärgipärast valikut (nt puhtuse, säilivusaja, virulentsuse, levimisomaduste või ultraviolettkiirguskindluse muutmine), mille sihiks on inim- ja loomkaotuste tekitamise efektiivsuse tõstmine, vigastades seadmeid või kahjustades viljasaaki või keskkonda. |
| --- | --- |

Kohandatud kasutamiseks sõja tingimustes (Adapted for use in war) (1) – tähendab igat muudatust või eesmärgipärast valikut (nt puhtuse, säilivusaja, virulentsuse, levimisomaduste või ultraviolettkiirguskindluse muutmine), mille sihiks on inim- ja loomkaotuste tekitamise efektiivsuse tõstmine, vigastades seadmeid või kahjustades viljasaaki või keskkonda.

| | Õhusõiduk (Aircraft) (1 7 9) – kas jäigatiivaline, muudetava tiivakujuga, pöörleva tiivaga (helikopter), kaldrootoriga või kaldtiivaga lennuaparaat.


  NB! Vt ka "tsiviilõhusõiduk". |
| --- | --- |

Õhusõiduk (Aircraft) (1 7 9) – kas jäigatiivaline, muudetava tiivakujuga, pöörleva tiivaga (helikopter), kaldrootoriga või kaldtiivaga lennuaparaat.

NB! Vt ka "tsiviilõhusõiduk".

| | Kõik olemasolevad kompensatsioonid (All compensations available) (2) – võetakse arvesse kõik valmistaja käsutuses olevad võimalikud meetmed konkreetse tööpingi kõigi süstemaatiliste positsioneerimisvigade minimeerimiseks. |
| --- | --- |

Kõik olemasolevad kompensatsioonid (All compensations available) (2) – võetakse arvesse kõik valmistaja käsutuses olevad võimalikud meetmed konkreetse tööpingi kõigi süstemaatiliste positsioneerimisvigade minimeerimiseks.

| | ITU poolt eraldatud (Allocated by ITU) (3 5) – sagedusribade eraldamine vastavalt Rahvusvahelise Telekommunikatsiooni Liidu (ITU) raadioside-eeskirjadele (1998. aasta väljaanne) esmastele, lubatud ja teisestele teenustele.


  NB! Ei hõlma täiendavaid ja alternatiivseid eraldusi. |
| --- | --- |

ITU poolt eraldatud (Allocated by ITU) (3 5) – sagedusribade eraldamine vastavalt Rahvusvahelise Telekommunikatsiooni Liidu (ITU) raadioside-eeskirjadele (1998. aasta väljaanne) esmastele, lubatud ja teisestele teenustele.

NB! Ei hõlma täiendavaid ja alternatiivseid eraldusi.

| | Pöördenurga hälve (Angular position deviation) (2) – maksimaalne erinevus osutatud pöördenurga ja tegeliku, eriti täpselt mõõdetud pöördenurga vahel, kui pöördlaua töödeldava detaili alus on oma algasendist ära pööratud (vt VDI/VDE 2617 visand "
  Rotary table on coordinate measuring machines
  "). |
| --- | --- |

Pöördenurga hälve (Angular position deviation) (2) – maksimaalne erinevus osutatud pöördenurga ja tegeliku, eriti täpselt mõõdetud pöördenurga vahel, kui pöördlaua töödeldava detaili alus on oma algasendist ära pööratud (vt VDI/VDE 2617 visand "
  Rotary table on coordinate measuring machines
  ").

| | Asümmeetriline algoritm (Asymmetric algorithm) (5) – kodeerimisalgoritm, mis kasutab kodeerimiseks ja dekodeerimiseks erinevaid matemaatiliselt omavahel seotud võtmeid.


  NB! Asümmeetrilise algoritmi tavaline kasutus seisneb võtme haldamises. |
| --- | --- |

Asümmeetriline algoritm (Asymmetric algorithm) (5) – kodeerimisalgoritm, mis kasutab kodeerimiseks ja dekodeerimiseks erinevaid matemaatiliselt omavahel seotud võtmeid.

NB! Asümmeetrilise algoritmi tavaline kasutus seisneb võtme haldamises.

| | Automaatne sihtmärgi järgimine (Automatic target tracking) (6) – andmetöötlustehnika, mis automaatselt määrab ning väljastab reaalajas sihtmärgi kõige tõenäolisema asukoha ekstrapoleeritud väärtuse. |
| --- | --- |

Automaatne sihtmärgi järgimine (Automatic target tracking) (6) – andmetöötlustehnika, mis automaatselt määrab ning väljastab reaalajas sihtmärgi kõige tõenäolisema asukoha ekstrapoleeritud väärtuse.

| | Hilistus põhiventiilis levimisel (Basic gate propagation delay time) (3) – hilinemine levimisel mis vastab monoliit-integraallülituses kasutatud põhivärati viivitusele. Monoliit-integraallülituste
  perekonnale võib seda määratleda kas kui viivitust levimisel teatud perekonna tüüpilises ventiilis või kui tüüpilist viivitust levimisel ventiili kohta teatud perekonna sees.


  NB! 1: "Hilistus põhiventiilis levimisel" ei tohi segi ajada "monoliit-integraallülituse" kompleksse sisend-/ väljundviivitusega.



  NB! 2: Perekond sisaldab kõiki integraallülitusi, millistele kõik alljärgnev on rakendatud kui tootmismetoodikad ja spetsifikatsioonid, arvesse võtmata nende konkreetseid funktsioone:








  a. | ühtne riistvara ja tarkvara arhitektuur; |
| --- | --- | --- |

Hilistus põhiventiilis levimisel (Basic gate propagation delay time) (3) – hilinemine levimisel mis vastab monoliit-integraallülituses kasutatud põhivärati viivitusele. Monoliit-integraallülituste
  perekonnale võib seda määratleda kas kui viivitust levimisel teatud perekonna tüüpilises ventiilis või kui tüüpilist viivitust levimisel ventiili kohta teatud perekonna sees.

NB! 1: "Hilistus põhiventiilis levimisel" ei tohi segi ajada "monoliit-integraallülituse" kompleksse sisend-/ väljundviivitusega.

NB! 2: Perekond sisaldab kõiki integraallülitusi, millistele kõik alljärgnev on rakendatud kui tootmismetoodikad ja spetsifikatsioonid, arvesse võtmata nende konkreetseid funktsioone:

a.

ühtne riistvara ja tarkvara arhitektuur;

| b. | ühtne konstruktsioon ja tootmistehnoloogia; ja |
| --- | --- |

b.

ühtne konstruktsioon ja tootmistehnoloogia; ja

| c. | ühtsed põhiparameetrid. |
| --- | --- |

c.

ühtsed põhiparameetrid.

| | Fundamentaalteaduslikud uuringud (Basic scientific research) (GTN NTN) – eksperimentaalne või teoreetiline töö mida teostatakse põhiliselt uute teadmiste saamiseks nähtustest või vaadeldud faktide fundamentaalsetest põhimõtetest ning mis ei ole otseselt suunatud mingi praktilise rakenduse või eesmärgi saavutamiseks. |
| --- | --- |

Fundamentaalteaduslikud uuringud (Basic scientific research) (GTN NTN) – eksperimentaalne või teoreetiline töö mida teostatakse põhiliselt uute teadmiste saamiseks nähtustest või vaadeldud faktide fundamentaalsetest põhimõtetest ning mis ei ole otseselt suunatud mingi praktilise rakenduse või eesmärgi saavutamiseks.

| | Kiirendusmõõtur (Accelerometer) (7) – tähendab kiirendusmõõturi väljundi väärtust, kui kiirendust ei rakendata. |
| --- | --- |

Kiirendusmõõtur (Accelerometer) (7) – tähendab kiirendusmõõturi väljundi väärtust, kui kiirendust ei rakendata.

| | Aksiaallõtk (Camming) (2) – teljesuunaline nihe peavõlli ühe pöörde jooksul, mõõdetuna peavõlli plaanseibiga risti asetseval tasapinnal punktis, mis on lähim peavõlli plaanseibile (vt ISO 230/1 1986, lõik 5.63). |
| --- | --- |

Aksiaallõtk (Camming) (2) – teljesuunaline nihe peavõlli ühe pöörde jooksul, mõõdetuna peavõlli plaanseibiga risti asetseval tasapinnal punktis, mis on lähim peavõlli plaanseibile (vt ISO 230/1 1986, lõik 5.63).

| | Süsinikkiu eelvormid (Carbon fibre preforms) (1) – kaetud või katmata kiu reeglipärast asetust, mis on kavandatud moodustama detaili tugikarkassi enne põhimassi sisseviimist komposiidi moodustamiseks. |
| --- | --- |

Süsinikkiu eelvormid (Carbon fibre preforms) (1) – kaetud või katmata kiu reeglipärast asetust, mis on kavandatud moodustama detaili tugikarkassi enne põhimassi sisseviimist komposiidi moodustamiseks.

| | CE – vt arvutuselement. |
| --- | --- |

CE – vt arvutuselement.

| | CEP (samavõrdne tõenäosusring) (Circle of equal probability) (7) – täpsuse mõõt; märklauale tsentreeritud sellise spetsiifilise ulatusega ringi raadius, millesse jääb 50 % lõhkelaengu mõjust. |
| --- | --- |

CEP (samavõrdne tõenäosusring) (Circle of equal probability) (7) – täpsuse mõõt; märklauale tsentreeritud sellise spetsiifilise ulatusega ringi raadius, millesse jääb 50 % lõhkelaengu mõjust.

| | Kemolaser (Chemical laser) (6) – laser, millel ergastatud osakesed tekitatakse keemilisel reaktsioonil vabanenud energia arvel. |
| --- | --- |

Kemolaser (Chemical laser) (6) – laser, millel ergastatud osakesed tekitatakse keemilisel reaktsioonil vabanenud energia arvel.

| | Keemiline segu (Chemical mixture) (1) – tahke, vedel või gaasiline toode, mis koosneb kahest või enamast komponendist, mis ei reageeri üksteisega segu säilitamise tingimustes. |
| --- | --- |

Keemiline segu (Chemical mixture) (1) – tahke, vedel või gaasiline toode, mis koosneb kahest või enamast komponendist, mis ei reageeri üksteisega segu säilitamise tingimustes.

| | Õhuvoolu abil juhitud pöörlemisvastane või õhuvoolu abil juhitud suunajuhtimise süsteem (Circulation-controlled anti-torque or circulation controlled direction control systems) (7) – süsteemid, mis kasutavad õhu voolu piki aerodünaamilisi pindu, et tugevdada või juhtida pinnale tekitatud jõude. |
| --- | --- |

Õhuvoolu abil juhitud pöörlemisvastane või õhuvoolu abil juhitud suunajuhtimise süsteem (Circulation-controlled anti-torque or circulation controlled direction control systems) (7) – süsteemid, mis kasutavad õhu voolu piki aerodünaamilisi pindu, et tugevdada või juhtida pinnale tekitatud jõude.

| | Tsiviilõhusõidukid (Civil aircraft) (1 7 9) – need õhusõidukid, mis on loendatud kasutusotstarbe järgi tsiviillennunduse ameti poolt avaldatud lennukõlblikkuse sertifitseerimise nimekirjas, lendamiseks sisemaistel ja välismaistel tsiviilkaubanduslikel marsruutidel või seaduslikuks kasutamiseks tsiviil-, era- ja ärilisel otstarbel.


  NB! Vt ka "õhusõiduk". |
| --- | --- |

Tsiviilõhusõidukid (Civil aircraft) (1 7 9) – need õhusõidukid, mis on loendatud kasutusotstarbe järgi tsiviillennunduse ameti poolt avaldatud lennukõlblikkuse sertifitseerimise nimekirjas, lendamiseks sisemaistel ja välismaistel tsiviilkaubanduslikel marsruutidel või seaduslikuks kasutamiseks tsiviil-, era- ja ärilisel otstarbel.

NB! Vt ka "õhusõiduk".

| | Segatud (Commingled) (1) – kiudude segu termoplastsetest kiududest ja tugevduskiududest, kiukujulise tugevduskiu ja põhiaine segu tootmiseks. |
| --- | --- |

Segatud (Commingled) (1) – kiudude segu termoplastsetest kiududest ja tugevduskiududest, kiukujulise tugevduskiu ja põhiaine segu tootmiseks.

| | Peenestamine (Comminution) (1) – materjali muutmine osakesteks purustamise või jahvatamise teel. |
| --- | --- |

Peenestamine (Comminution) (1) – materjali muutmine osakesteks purustamise või jahvatamise teel.

| | Ühiskanaliga signaalimine (Common channel signalling) (5) – signaalimisviis, mille korral üks kanal vahendajate vahel vahendab märgistatud sõnumite abil signaalteateid ühenduste või kõnede arvu kohta ning muud informatsiooni, mida näiteks kasutatakse võrgu haldamiseks. |
| --- | --- |

Ühiskanaliga signaalimine (Common channel signalling) (5) – signaalimisviis, mille korral üks kanal vahendajate vahel vahendab märgistatud sõnumite abil signaalteateid ühenduste või kõnede arvu kohta ning muud informatsiooni, mida näiteks kasutatakse võrgu haldamiseks.

| | Teabevahetuskanali kontroller (Communications channel controller) (4) – füüsiline liides, mis juhib sünkroonse või asünkroonse digitaalse info liikumist. Selle sõlme võib liita arvutile või telekommunikatsiooniseadmele, et tagada juurdepääs teabevahetusele. |
| --- | --- |

Teabevahetuskanali kontroller (Communications channel controller) (4) – füüsiline liides, mis juhib sünkroonse või asünkroonse digitaalse info liikumist. Selle sõlme võib liita arvutile või telekommunikatsiooniseadmele, et tagada juurdepääs teabevahetusele.

| | Komposiit (Composite) (1 2 6 8 9) – põhiaine ja sellesse teatud eesmärgil lisatud lisafaas või faasid, mis koosnevad osakestest, niitkristallidest, kiududest või mis tahes nende kombinatsioonist. |
| --- | --- |

Komposiit (Composite) (1 2 6 8 9) – põhiaine ja sellesse teatud eesmärgil lisatud lisafaas või faasid, mis koosnevad osakestest, niitkristallidest, kiududest või mis tahes nende kombinatsioonist.

| | Ühendatud teoreetiline suutlikkus (Composite theoretical performance) (CTP) (3 4) – arvutussuutlikkuse mõõt, mis esitatakse miljonites teoreetilistes operatsioonides sekundis (Mtops) ning mis on arvutatud arvutuselementide (CE) arvutusvõimsuste ühendamise teel.


  NB! Vt 4. kategooria tehnilist märkust. |
| --- | --- |

Ühendatud teoreetiline suutlikkus (Composite theoretical performance) (CTP) (3 4) – arvutussuutlikkuse mõõt, mis esitatakse miljonites teoreetilistes operatsioonides sekundis (Mtops) ning mis on arvutatud arvutuselementide (CE) arvutusvõimsuste ühendamise teel.

NB! Vt 4. kategooria tehnilist märkust.

| | Kombineeritud pöördlauad (Compound rotary table) (2) – laud, mille abil saab töödeldavat detaili pöörata ning kallutada ümber kahe mitteparalleelse telje ning milliseid on võimalik kontuurjuhtimise jaoks samaaegselt koordineerida. |
| --- | --- |

Kombineeritud pöördlauad (Compound rotary table) (2) – laud, mille abil saab töödeldavat detaili pöörata ning kallutada ümber kahe mitteparalleelse telje ning milliseid on võimalik kontuurjuhtimise jaoks samaaegselt koordineerida.

| | Arvutuselement (Computing element) (CE) (4) – tähistab vähimat arvutuslikku ühikut, mis annab aritmeetilise või loogilise tulemuse. |
| --- | --- |

Arvutuselement (Computing element) (CE) (4) – tähistab vähimat arvutuslikku ühikut, mis annab aritmeetilise või loogilise tulemuse.

| | Kontuurjuhtimine (Contouring control) (2) – tööorgani kahe või enama liikumise numbriline juhtimine käskudega, mis määravad ära järgmise nõutava asukoha ning vajalikud etteandmiskiirused sellele asukohale siirdumiseks. Neid etteandmiskiirusi varieeritakse üksteise suhtes soovitud kontuuri saavutamiseks (vt ISO/DIS 2806 -1980). |
| --- | --- |

Kontuurjuhtimine (Contouring control) (2) – tööorgani kahe või enama liikumise numbriline juhtimine käskudega, mis määravad ära järgmise nõutava asukoha ning vajalikud etteandmiskiirused sellele asukohale siirdumiseks. Neid etteandmiskiirusi varieeritakse üksteise suhtes soovitud kontuuri saavutamiseks (vt ISO/DIS 2806 -1980).

| | Kriitiline temperatuur (Critical temperature) (1 3 6) – (vahel nimetatud ka üleminekutemperatuuriks); temperatuur mille juures konkreetne ülijuhtiv aine kaotab täielikult oma elektrilise takistuse alalisvoolule. |
| --- | --- |

Kriitiline temperatuur (Critical temperature) (1 3 6) – (vahel nimetatud ka üleminekutemperatuuriks); temperatuur mille juures konkreetne ülijuhtiv aine kaotab täielikult oma elektrilise takistuse alalisvoolule.

| | Krüptograafia (Cryptography) (5) – teadusharu, mis hõlmab andmete muutmise põhimõtteid, vahendeid ja meetodeid eesmärgiga varjata nende informatiivset sisu, takistada andmete kontrollimatut muutmist või loata kasutamist. Krüptograafia all mõistetakse teabe muutmist, kasutades ühte või mitut salajast parameetrit (nt salamuutujad) või nendega seotud võtmete kasutamist.


  NB!"Salajane parameeter" on konstant või võti, mida varjatakse teiste eest või mida teatakse üksnes teatavas rühmas. |
| --- | --- |

Krüptograafia (Cryptography) (5) – teadusharu, mis hõlmab andmete muutmise põhimõtteid, vahendeid ja meetodeid eesmärgiga varjata nende informatiivset sisu, takistada andmete kontrollimatut muutmist või loata kasutamist. Krüptograafia all mõistetakse teabe muutmist, kasutades ühte või mitut salajast parameetrit (nt salamuutujad) või nendega seotud võtmete kasutamist.

NB!"Salajane parameeter" on konstant või võti, mida varjatakse teiste eest või mida teatakse üksnes teatavas rühmas.

| | CTP – tähistab ühendatud teoreetilist suutlikkust. |
| --- | --- |

CTP – tähistab ühendatud teoreetilist suutlikkust.

| | Andmebaasidega toetatavad navigatsioonisüsteemid (Data-Based Referenced Navigation – DBRN) (7) – süsteemid, milles kasutatakse eri allikatest pärinevaid eelnevalt mõõdetud geofüüsikalisi paikkonna koondandmeid, et saada muutuvates tingimustes täpset informatsiooni navigeerimiseks. Allikandmeteks võivad olla mere sügavuskaardid, tähekaardid, gravimeetrilised kaardid, magnetvälja tugevuse kaardid või kolmemõõtmelised digitaalsed maastikukaardid. |
| --- | --- |

Andmebaasidega toetatavad navigatsioonisüsteemid (Data-Based Referenced Navigation – DBRN) (7) – süsteemid, milles kasutatakse eri allikatest pärinevaid eelnevalt mõõdetud geofüüsikalisi paikkonna koondandmeid, et saada muutuvates tingimustes täpset informatsiooni navigeerimiseks. Allikandmeteks võivad olla mere sügavuskaardid, tähekaardid, gravimeetrilised kaardid, magnetvälja tugevuse kaardid või kolmemõõtmelised digitaalsed maastikukaardid.

| | Deformeeritavad peeglid (Deformable mirrors) (6) (ka kohandatavad optilised peeglid) – peeglid, millel on:






  a. | üks pidev optiliselt peegeldav pind, mida saab dünaamiliselt deformeerida, kohaldades üksikuid väändemomente või jõude, et kompenseerida peeglile langeva optilise laine kuju moonutused; või |
| --- | --- | --- |

Deformeeritavad peeglid (Deformable mirrors) (6) (ka kohandatavad optilised peeglid) – peeglid, millel on:

a.

üks pidev optiliselt peegeldav pind, mida saab dünaamiliselt deformeerida, kohaldades üksikuid väändemomente või jõude, et kompenseerida peeglile langeva optilise laine kuju moonutused; või

| b. | palju optilisi peegelduvaid elemente, mida on võimalik eraldi ja dünaamiliselt väändemomente või jõude kasutades ümber paigutada, et kompenseerida peeglile langeva optilise laine kuju moonutused. |
| --- | --- |

b.

palju optilisi peegelduvaid elemente, mida on võimalik eraldi ja dünaamiliselt väändemomente või jõude kasutades ümber paigutada, et kompenseerida peeglile langeva optilise laine kuju moonutused.

| | Vaesestatud uraan (Depleted uranium) (0) – uraan, milles isotoobi 235 sisaldus on kahandatud allapoole looduses esinevat taset. |
| --- | --- |

Vaesestatud uraan (Depleted uranium) (0) – uraan, milles isotoobi 235 sisaldus on kahandatud allapoole looduses esinevat taset.

| | Arendus (Development) (GTN NTN kõik) – on seotud kõikide seeriatootmisele eelnevate järkudega nagu näiteks: toote projektlahendus, projektlahenduse otsing, projektlahenduse analüüs, projektlahenduse põhimõtted, prototüüpide koostamine ja katsetamine, katsetootmiskavad, projektlahenduse andmed, projektlahenduse andmete tooteks muutmise protsess, osade suhtelise paigutuse kavand, terviku moodustamise kavand, skeemid. |
| --- | --- |

Arendus (Development) (GTN NTN kõik) – on seotud kõikide seeriatootmisele eelnevate järkudega nagu näiteks: toote projektlahendus, projektlahenduse otsing, projektlahenduse analüüs, projektlahenduse põhimõtted, prototüüpide koostamine ja katsetamine, katsetootmiskavad, projektlahenduse andmed, projektlahenduse andmete tooteks muutmise protsess, osade suhtelise paigutuse kavand, terviku moodustamise kavand, skeemid.

| | Difusioonkeevitus (Diffusion bonding) (1 2 9) – vähemalt kahe erineva metalli molekulaarne tahkisliitmine üheks tükiks, mille ühine tugevus on sama suur kui kõige nõrgemal materjalil. |
| --- | --- |

Difusioonkeevitus (Diffusion bonding) (1 2 9) – vähemalt kahe erineva metalli molekulaarne tahkisliitmine üheks tükiks, mille ühine tugevus on sama suur kui kõige nõrgemal materjalil.

| | Digitaalarvuti (Digital computer) (4 5) – seade, mis ühe või mitme diskreetse muutuja kujul võib teha järgmist:






  a. | võtta vastu andmeid; |
| --- | --- | --- |

Digitaalarvuti (Digital computer) (4 5) – seade, mis ühe või mitme diskreetse muutuja kujul võib teha järgmist:

a.

võtta vastu andmeid;

| b. | säilitada andmeid või käske muudetamatus või muudetavas (ülekirjutatavas) salvestusseadmes; |
| --- | --- |

b.

säilitada andmeid või käske muudetamatus või muudetavas (ülekirjutatavas) salvestusseadmes;

| c. | töödelda andmeid salvestatud käsujada abil, mida on võimalik muuta; ja |
| --- | --- |

c.

töödelda andmeid salvestatud käsujada abil, mida on võimalik muuta; ja

| d. | esitada töödeldud andmeid. |
| --- | --- |

d.

esitada töödeldud andmeid.

NB! Salvestatud käsujada muutmine hõlmab muudetamatute salvestusseadmete asendamist, kuid mitte füüsilisi muutusi juhtmestikus või ühendustes.

| | Digitaalne edastuskiirus (Digital transfer rate) – mis tahes kandjale edastatud informatsiooni täielik bitikiirus.


  NB! Vt ka "täielik digitaalne edastuskiirus". |
| --- | --- |

Digitaalne edastuskiirus (Digital transfer rate) – mis tahes kandjale edastatud informatsiooni täielik bitikiirus.

NB! Vt ka "täielik digitaalne edastuskiirus".

| | Otsetoimehüdropressimine (Direct-acting hydraulic pressing) (2) – deformeerimisprotsess, milles kasutatakse töödeldava detailiga kontaktis olevat vedeliktäitega elastset rakku. |
| --- | --- |

Otsetoimehüdropressimine (Direct-acting hydraulic pressing) (2) – deformeerimisprotsess, milles kasutatakse töödeldava detailiga kontaktis olevat vedeliktäitega elastset rakku.

| | Triivi kiirus (güroskoop) (Drift rate) (7) – güroskoobi väljundi ajast sõltuv hälve soovitud väärtusest. Hälve koosneb juhuslikest ja süstemaatilistest komponentidest ning on väljendatav ekvivalentse sisendnurga nihkega ajaühikus inertsiaalsüsteemi suhtes. |
| --- | --- |

Triivi kiirus (güroskoop) (Drift rate) (7) – güroskoobi väljundi ajast sõltuv hälve soovitud väärtusest. Hälve koosneb juhuslikest ja süstemaatilistest komponentidest ning on väljendatav ekvivalentse sisendnurga nihkega ajaühikus inertsiaalsüsteemi suhtes.

| | Dünaamiline adaptiivne suunamine (Dynamic adaptive routing) (5) – liikluse automaatne suunamine, mis põhineb momendil võrgu aktuaalse seisundi määramisel ning analüüsil.


  NB! Siia ei kuulu suunamisotsused, mis on tehtud eelnevalt antud informatsiooni põhjal. |
| --- | --- |

Dünaamiline adaptiivne suunamine (Dynamic adaptive routing) (5) – liikluse automaatne suunamine, mis põhineb momendil võrgu aktuaalse seisundi määramisel ning analüüsil.

NB! Siia ei kuulu suunamisotsused, mis on tehtud eelnevalt antud informatsiooni põhjal.

| | Dünaamilised signaalianalüsaatorid (Dynamic signal analysers) (3) – signaalianalüsaatorid, mis kasutavad digitaalset andmekogumis- ja muundustehnikat, et antud lainekuju Fourier’ esitusele lisada ka amplituudi- ja faasiteave.


  NB! Vt ka "signaalianalüsaatorid". |
| --- | --- |

Dünaamilised signaalianalüsaatorid (Dynamic signal analysers) (3) – signaalianalüsaatorid, mis kasutavad digitaalset andmekogumis- ja muundustehnikat, et antud lainekuju Fourier’ esitusele lisada ka amplituudi- ja faasiteave.

NB! Vt ka "signaalianalüsaatorid".

| | Lõhustuvate erimaterjalide efektiivgramm (Effective gramme) (0 1) –






  a. | plutooniumi isotoopide ja uraan-233 puhul isotoobi kaal grammides; |
| --- | --- | --- |

Lõhustuvate erimaterjalide efektiivgramm (Effective gramme) (0 1) –

a.

plutooniumi isotoopide ja uraan-233 puhul isotoobi kaal grammides;

| b. | uraan-235 suhtes 1 % võrra või enam rikastatud uraani puhul elemendi kaal grammides, mis on mõõdetud kaalu ja rikastusastme ruudu korrutisena ja väljendatud kümnendmurruna; |
| --- | --- |

b.

uraan-235 suhtes 1 % võrra või enam rikastatud uraani puhul elemendi kaal grammides, mis on mõõdetud kaalu ja rikastusastme ruudu korrutisena ja väljendatud kümnendmurruna;

| c. | uraan-235 suhtes alla 1 % rikastatud uraani puhul elemendi kaal grammides korrutatuna 0,0001-ga. |
| --- | --- |

c.

uraan-235 suhtes alla 1 % rikastatud uraani puhul elemendi kaal grammides korrutatuna 0,0001-ga.

| | Elektroonikasõlm (Electronic assembly) (3 4 5) – teatud hulk elektroonilisi komponente (st vooluahela elemente, diskreetkomponente, integraallülitusi jne), mis on ühendatud omavahel spetsiifilis(t) e funktsiooni(de) täitmiseks ning mida on võimalik tervikuna asendada ja mis on tavaliselt algkomponentideks lahtiühendatav.


  NB! 1: Vooluahela element: vooluahela üksik aktiivne või passiivne funktsionaalne osa, näiteks üks diood, üks transistor, üks takisti, üks kondensaator jne.



  NB!
  2: Diskreetkomponent: eraldi pakitud vooluahela element, millel on oma välisühendused. |
| --- | --- |

Elektroonikasõlm (Electronic assembly) (3 4 5) – teatud hulk elektroonilisi komponente (st vooluahela elemente, diskreetkomponente, integraallülitusi jne), mis on ühendatud omavahel spetsiifilis(t) e funktsiooni(de) täitmiseks ning mida on võimalik tervikuna asendada ja mis on tavaliselt algkomponentideks lahtiühendatav.

NB! 1: Vooluahela element: vooluahela üksik aktiivne või passiivne funktsionaalne osa, näiteks üks diood, üks transistor, üks takisti, üks kondensaator jne.

NB!
  2: Diskreetkomponent: eraldi pakitud vooluahela element, millel on oma välisühendused.

| | Elektrooniliselt formeeritava suunadiagrammiga antenn (Electronically steerable phased array antenna) (5 6) – antenn, mis moodustab kiire faasisidestuse abil, st et kiire suund määratakse kiirgavate elementide omavahel seostatud komplekssete ergastuskoefitsientide kaudu ning kiire tõusunurka ja asimuuti nii koos kui ka eraldivõetuna saab muuta nii ülekande kui ka vastuvõtu korral elektrilise signaali abil. |
| --- | --- |

Elektrooniliselt formeeritava suunadiagrammiga antenn (Electronically steerable phased array antenna) (5 6) – antenn, mis moodustab kiire faasisidestuse abil, st et kiire suund määratakse kiirgavate elementide omavahel seostatud komplekssete ergastuskoefitsientide kaudu ning kiire tõusunurka ja asimuuti nii koos kui ka eraldivõetuna saab muuta nii ülekande kui ka vastuvõtu korral elektrilise signaali abil.

| | Tööorganid (End-effectors) (2) – tähendab haaratseid, aktiivseid tööriistühikuid ja kõiki muid töövahendeid, mis on kinnitatud roboti manipulaatori otsa kinnitusplaadile.


  NB!
  Aktiivne tööriistühik (active tooling unit) - seade, mille abil rakendatakse töödeldavale detailile liigutavat jõudu, töötlemisenergiat või sondeeritakse seda. |
| --- | --- |

Tööorganid (End-effectors) (2) – tähendab haaratseid, aktiivseid tööriistühikuid ja kõiki muid töövahendeid, mis on kinnitatud roboti manipulaatori otsa kinnitusplaadile.

NB!
  Aktiivne tööriistühik (active tooling unit) - seade, mille abil rakendatakse töödeldavale detailile liigutavat jõudu, töötlemisenergiat või sondeeritakse seda.

| | Ekvivalenttihedus (Equivalent Density) (6) – optika mass optilise pindalaühiku kohta, mis on projitseeritud optilisele pinnale. |
| --- | --- |

Ekvivalenttihedus (Equivalent Density) (6) – optika mass optilise pindalaühiku kohta, mis on projitseeritud optilisele pinnale.

| | Ekspertsüsteemid (Expert systems) (7) – süsteemid, mis esitavad tulemusi, kohaldades eeskirju nende andmete suhtes, mis on salvestatud programmist sõltumatult ning millel on järgmised omadused:






  a. | muudavad automaatselt kasutaja antud lähtekoodi; |
| --- | --- | --- |

Ekspertsüsteemid (Expert systems) (7) – süsteemid, mis esitavad tulemusi, kohaldades eeskirju nende andmete suhtes, mis on salvestatud programmist sõltumatult ning millel on järgmised omadused:

a.

muudavad automaatselt kasutaja antud lähtekoodi;

| b. | tekitavad teavet mingi kvaasi-loomuliku keele probleemide kohta; või |
| --- | --- |

b.

tekitavad teavet mingi kvaasi-loomuliku keele probleemide kohta; või

| c. | omandavad enda arenguks vajalikke teadmisi (sümbolite õppimine). |
| --- | --- |

c.

omandavad enda arenguks vajalikke teadmisi (sümbolite õppimine).

| | FADEC (full authority digital engine control) – täisautomaatne digitaalne mootori juhtimine. |
| --- | --- |

FADEC (full authority digital engine control) – täisautomaatne digitaalne mootori juhtimine.

| | Tõrketaluvus (Fault tolerance) (4) – arvutisüsteemi võime jätkata inimsekkumiseta tööd pärast mis tahes riist- või tarkvarakomponentide tõrget teataval toimimistasemel, mis tagab teatava aja jooksul töötamise pidevuse, andmete säilimise ja toimimistaseme taastumise teatud aja jooksul. |
| --- | --- |

Tõrketaluvus (Fault tolerance) (4) – arvutisüsteemi võime jätkata inimsekkumiseta tööd pärast mis tahes riist- või tarkvarakomponentide tõrget teataval toimimistasemel, mis tagab teatava aja jooksul töötamise pidevuse, andmete säilimise ja toimimistaseme taastumise teatud aja jooksul.

| | Kiud või kiudained (Fibrous or filamentary materials) (0 1 2 8) hõlmavad järgmisi materjale:






  a. | pidevad monokiud; |
| --- | --- | --- |

Kiud või kiudained (Fibrous or filamentary materials) (0 1 2 8) hõlmavad järgmisi materjale:

a.

pidevad monokiud;

| b. | pidev lõng ja heie; |
| --- | --- |

b.

pidev lõng ja heie;

| c. | paelad, kudumid, reeglipäratud matid ja punutised; |
| --- | --- |

c.

paelad, kudumid, reeglipäratud matid ja punutised;

| d. | tükeldatud kiud, staapelkiud ja vanutatud viltvaibad; |
| --- | --- |

d.

tükeldatud kiud, staapelkiud ja vanutatud viltvaibad;

| e. | mis tahes pikkusega monokristallilised või polükristallilised niitkristallid; |
| --- | --- |

e.

mis tahes pikkusega monokristallilised või polükristallilised niitkristallid;

| f. | aromaatse polüamiidi pulp. |
| --- | --- |

f.

aromaatse polüamiidi pulp.

| | Kile-tüüpi integraallülitused (Film type integrated circuit) (3) – vooluahela elementide ja metallist ühendusradade kogu, mis moodustatakse paksude või õhukeste kilede sadestamisega isolatsioonpõhimikule.


  NB!
  Vooluahela element on vooluahela üksik aktiivne või passiivne funktsionaalne osa, näiteks üks diood, üks transistor, üks takisti, üks kondensaator jne. |
| --- | --- |

Kile-tüüpi integraallülitused (Film type integrated circuit) (3) – vooluahela elementide ja metallist ühendusradade kogu, mis moodustatakse paksude või õhukeste kilede sadestamisega isolatsioonpõhimikule.

NB!
  Vooluahela element on vooluahela üksik aktiivne või passiivne funktsionaalne osa, näiteks üks diood, üks transistor, üks takisti, üks kondensaator jne.

| | Fikseeritud (Fixed) (5) – kodeerimis- või pakkimisalgoritm ei võta vastu väljastpoolt antud parameetreid (nt šifreerimis- või võtmemuutujaid) ning kasutaja ei saa seda muuta. |
| --- | --- |

Fikseeritud (Fixed) (5) – kodeerimis- või pakkimisalgoritm ei võta vastu väljastpoolt antud parameetreid (nt šifreerimis- või võtmemuutujaid) ning kasutaja ei saa seda muuta.

| | Lennujuhtimise optiliste andurite massiiv (Flight control optical sensor array) (7) – jaotatud optiliste andurite võrgustik, mis kasutab laserikiiri, et edastada lennujuhtimise andmeid reaalajas pardal töötlemiseks. |
| --- | --- |

Lennujuhtimise optiliste andurite massiiv (Flight control optical sensor array) (7) – jaotatud optiliste andurite võrgustik, mis kasutab laserikiiri, et edastada lennujuhtimise andmeid reaalajas pardal töötlemiseks.

| | Lennutrajektoori optimeerimine (Flight path optimisation) (7) – toiming, mis muudab minimaalseks kõrvalekalded soovitud neljamõõtmelisest (aeg ja ruum) trajektoorist ning põhineb sihtülesannete teostuse või efektiivsuse suurendamisel. |
| --- | --- |

Lennutrajektoori optimeerimine (Flight path optimisation) (7) – toiming, mis muudab minimaalseks kõrvalekalded soovitud neljamõõtmelisest (aeg ja ruum) trajektoorist ning põhineb sihtülesannete teostuse või efektiivsuse suurendamisel.

| | Fokaaltasandiline massiiv (Focal plane array) (6) – lineaarne või kahemõõtmeline üksikutest detektorelementidest koosnev tasapinnaline kiht või tasapinnaliste kihtide kombinatsioon, koos lugemiselektroonikaga või ilma, mis töötab fokaaltasandil.


  NB! Antud definitsioon ei kirjelda üksikute detektorelementide pinu või mingeid kahe-, kolme- või neljaelemendilisi detektoreid eeldusel, et ajaline viivitus ning integreerimine ei ole teostatud elementides. |
| --- | --- |

Fokaaltasandiline massiiv (Focal plane array) (6) – lineaarne või kahemõõtmeline üksikutest detektorelementidest koosnev tasapinnaline kiht või tasapinnaliste kihtide kombinatsioon, koos lugemiselektroonikaga või ilma, mis töötab fokaaltasandil.

NB! Antud definitsioon ei kirjelda üksikute detektorelementide pinu või mingeid kahe-, kolme- või neljaelemendilisi detektoreid eeldusel, et ajaline viivitus ning integreerimine ei ole teostatud elementides.

| | Fraktsionaalne ribalaius (Fractional bandwith) (3) – hetkelise ribalaiuse jagatis selle kesksageduse väärtusega, väljendatuna protsentides. |
| --- | --- |

Fraktsionaalne ribalaius (Fractional bandwith) (3) – hetkelise ribalaiuse jagatis selle kesksageduse väärtusega, väljendatuna protsentides.

| | Sagedushüplemine (Frequency hopping) (5) – hajaspektri üks kujudest, milles üksiku sidekanali ülekandesagedust muudetakse diskreetselt sammhaaval juhusliku või pseudojuhusliku järjestuse alusel. |
| --- | --- |

Sagedushüplemine (Frequency hopping) (5) – hajaspektri üks kujudest, milles üksiku sidekanali ülekandesagedust muudetakse diskreetselt sammhaaval juhusliku või pseudojuhusliku järjestuse alusel.

| | Sageduse ümberlülitusaeg (Frequency switching time) (3 5) – maksimaalne aeg (st viivitus), mis kulub signaalil, kui lülitutakse ühelt valitud väljundsageduselt teisele väljundsagedusele, et jõuda:






  a. | sageduseni, mis erineb lõppsagedusest vähem kui 100 Hz; või |
| --- | --- | --- |

Sageduse ümberlülitusaeg (Frequency switching time) (3 5) – maksimaalne aeg (st viivitus), mis kulub signaalil, kui lülitutakse ühelt valitud väljundsageduselt teisele väljundsagedusele, et jõuda:

a.

sageduseni, mis erineb lõppsagedusest vähem kui 100 Hz; või

| b. | väljundtasemeni, mis erineb lõplikust väljundtasemest vähem kui 1 dB. |
| --- | --- |

b.

väljundtasemeni, mis erineb lõplikust väljundtasemest vähem kui 1 dB.

| | Sagedussüntesaator (Frequency synthesiser) (3) – mis tahes sagedusallikas või signaaligeneraator, olenemata kasutatavast tehnikast, mis tekitab mitmeid üheaegseid või vahelduvaid väljundsagedusi ühest või mitmest väljundist, mis on juhitud tuletatud või määratud vähema hulga standardsageduste (või põhisageduste) poolt. |
| --- | --- |

Sagedussüntesaator (Frequency synthesiser) (3) – mis tahes sagedusallikas või signaaligeneraator, olenemata kasutatavast tehnikast, mis tekitab mitmeid üheaegseid või vahelduvaid väljundsagedusi ühest või mitmest väljundist, mis on juhitud tuletatud või määratud vähema hulga standardsageduste (või põhisageduste) poolt.

| | Täisautomaatne digitaalne mootori juhtimine (Full Authority Digital Engine Control) (FADEC) (7 9) – gaasiturbiini või kombineeritud tsükliga mootori elektroonne juhtimissüsteem, mis kasutab digitaalset arvutit, et juhtida muutujaid, mis on vajalikud mootori veojõu ja võlli väljundvõimsuse reguleerimiseks kogu mootori tööulatuses alates kütuse arvestamisest kuni kütuse sulgemiseni. |
| --- | --- |

Täisautomaatne digitaalne mootori juhtimine (Full Authority Digital Engine Control) (FADEC) (7 9) – gaasiturbiini või kombineeritud tsükliga mootori elektroonne juhtimissüsteem, mis kasutab digitaalset arvutit, et juhtida muutujaid, mis on vajalikud mootori veojõu ja võlli väljundvõimsuse reguleerimiseks kogu mootori tööulatuses alates kütuse arvestamisest kuni kütuse sulgemiseni.

| | Gaaspulverisatsioon (Gas atomisation) (1) – protsess, mille käigus sula metallisulamijuga pihustatakse kõrgsurvelise gaasijoaga piiskadeks, mille läbimõõt on 500 mikromeetrit või vähem. |
| --- | --- |

Gaaspulverisatsioon (Gas atomisation) (1) – protsess, mille käigus sula metallisulamijuga pihustatakse kõrgsurvelise gaasijoaga piiskadeks, mille läbimõõt on 500 mikromeetrit või vähem.

| | Geograafiliselt hajutatud (Geographically dispersed) (6) – olukord, kus iga asukoht asub mis tahes suunas enam kui 1 500 meetri kaugusel igast teisest. Liikuvad andurid loetakse alati geograafiliselt hajutatud olevateks. |
| --- | --- |

Geograafiliselt hajutatud (Geographically dispersed) (6) – olukord, kus iga asukoht asub mis tahes suunas enam kui 1 500 meetri kaugusel igast teisest. Liikuvad andurid loetakse alati geograafiliselt hajutatud olevateks.

| | Juhtimissüsteem (Guidance set) (7) – süsteem, mis ühendab sõiduki asukoha ja kiiruse mõõtmise ning arvutamise protsessi (st navigeerimise) sõiduki lennujuhtimise süsteemile lennu trajektoori korrigeerimiseks käskude arvutamise ja saatmise protsessiga. |
| --- | --- |

Juhtimissüsteem (Guidance set) (7) – süsteem, mis ühendab sõiduki asukoha ja kiiruse mõõtmise ning arvutamise protsessi (st navigeerimise) sõiduki lennujuhtimise süsteemile lennu trajektoori korrigeerimiseks käskude arvutamise ja saatmise protsessiga.

| | Kuumisostaattihendamine (Hot isostatic densification) (2) – valu survestamise protsess üle 375 K (102 °C) temperatuuri juures suletud ruumis erinevate keskkondade (gaas, vedelik, tahked osakesed jne) vahendusel, tekitades valule võrdset survet kõigist suundadest, et vähendada või väljutada seal olevaid tühimikke. |
| --- | --- |

Kuumisostaattihendamine (Hot isostatic densification) (2) – valu survestamise protsess üle 375 K (102 °C) temperatuuri juures suletud ruumis erinevate keskkondade (gaas, vedelik, tahked osakesed jne) vahendusel, tekitades valule võrdset survet kõigist suundadest, et vähendada või väljutada seal olevaid tühimikke.

| | Hübriidarvuti (Hybrid computer) (4) – seadmed, mis võimaldavad teha järgmist:






  a. | võtta vastu andmeid; |
| --- | --- | --- |

Hübriidarvuti (Hybrid computer) (4) – seadmed, mis võimaldavad teha järgmist:

a.

võtta vastu andmeid;

| b. | töödelda andmeid nii analoog- kui ka digitaalkujul; ja |
| --- | --- |

b.

töödelda andmeid nii analoog- kui ka digitaalkujul; ja

| c. | esitada töödeldud andmeid. |
| --- | --- |

c.

esitada töödeldud andmeid.

| | Hübriidintegraallülitus (Hybrid integrated circuit) (3) – mis tahes integraallülitus(t)e kombinatsioon või integraallülitus, mille
  vooluahela elemendid
  või diskreetkomponendid on ühendatud spetsiifiliste funktsioonide täitmiseks ning millel on kõik järgmised omadused:






  a. | sisaldab vähemalt üht korpuseta seadet; |
| --- | --- | --- |

Hübriidintegraallülitus (Hybrid integrated circuit) (3) – mis tahes integraallülitus(t)e kombinatsioon või integraallülitus, mille
  vooluahela elemendid
  või diskreetkomponendid on ühendatud spetsiifiliste funktsioonide täitmiseks ning millel on kõik järgmised omadused:

a.

sisaldab vähemalt üht korpuseta seadet;

| b. | ühendamisel on kasutatud tüüpilisi integraallülituste tootmismeetodeid; |
| --- | --- |

b.

ühendamisel on kasutatud tüüpilisi integraallülituste tootmismeetodeid;

| c. | tervikuna asendatav; ja |
| --- | --- |

c.

tervikuna asendatav; ja

| d. | tavaliselt ei ole demonteeritav. |
| --- | --- |

d.

tavaliselt ei ole demonteeritav.

| | NB! 1: Vooluahela element: vooluahela üksik aktiivne või passiivne funktsionaalne osa, näiteks üks diood, üks transistor, üks takisti, üks kondensaator jne.



  NB! 2: Diskreetkomponent: eraldi pakitud vooluahela element, millel on oma välisühendused. |
| --- | --- |

NB! 1: Vooluahela element: vooluahela üksik aktiivne või passiivne funktsionaalne osa, näiteks üks diood, üks transistor, üks takisti, üks kondensaator jne.

NB! 2: Diskreetkomponent: eraldi pakitud vooluahela element, millel on oma välisühendused.

| | Pildiväärindus (Image enhancement) (4) – väljastpoolt saadud, informatsiooni sisaldavate piltide töötlemine selliste algoritmidega nagu ajaline kokkusurumine, filtreerimine, väljaeraldamine, väljavalimine, korrelatsioon, konvolutsioon või piirkondadevahelised teisendused (nt Fourier’ kiirteisendus või Walsh’i teisendus). Siia hulka ei ole loetud algoritmid, mis kasutavad ainult üksiku kujutise lineaar- või rotatsioonteisendust nagu translatsioon, piirjoone eraldamine, registreerimine või vale värvimine. |
| --- | --- |

Pildiväärindus (Image enhancement) (4) – väljastpoolt saadud, informatsiooni sisaldavate piltide töötlemine selliste algoritmidega nagu ajaline kokkusurumine, filtreerimine, väljaeraldamine, väljavalimine, korrelatsioon, konvolutsioon või piirkondadevahelised teisendused (nt Fourier’ kiirteisendus või Walsh’i teisendus). Siia hulka ei ole loetud algoritmid, mis kasutavad ainult üksiku kujutise lineaar- või rotatsioonteisendust nagu translatsioon, piirjoone eraldamine, registreerimine või vale värvimine.

| | Immuunotoksiin (Immunotoxin) (1) – on ühe rakuspetsiifilise monoklonaalse antikeha ja toksiini või toksiini alamühiku konjugaat, mis mõjutab valikuliselt haigeid rakke. |
| --- | --- |

Immuunotoksiin (Immunotoxin) (1) – on ühe rakuspetsiifilise monoklonaalse antikeha ja toksiini või toksiini alamühiku konjugaat, mis mõjutab valikuliselt haigeid rakke.

| | Üldkasutatav (In the public domain) (GTN NTN GSN) – siinkohal tähistab tehnoloogiat või tarkvara, mis on tehtud kättesaadavaks, seadmata piiranguid selle edasise levitamise suhtes (autoriõigusega seatud piirangud ei takista tehnoloogiat või tarkvara olemast üldkasutatav). |
| --- | --- |

Üldkasutatav (In the public domain) (GTN NTN GSN) – siinkohal tähistab tehnoloogiat või tarkvara, mis on tehtud kättesaadavaks, seadmata piiranguid selle edasise levitamise suhtes (autoriõigusega seatud piirangud ei takista tehnoloogiat või tarkvara olemast üldkasutatav).

| | Infoturve (Information security) (4 5) – kõik vahendid ja funktsioonid, mis tagavad info või teabevahetuse kättesaadavuse, konfidentsiaalsuse või terviklikkuse, välja arvatud vahendid ja funktsioonid, mis on ette nähtud kaitseks tõrgete eest. Siia kuuluvad krüptograafia, krüptoanalüüs, kaitse ohustavate lekete eest ja arvutiturve.


  NB!
  Krüptoanalüüs: krüptograafiasüsteemi või selle sisendite ja väljundite analüüs, et kätte saada salamuutujaid või tundlikku teavet, kaasa arvatud selge tekst. |
| --- | --- |

Infoturve (Information security) (4 5) – kõik vahendid ja funktsioonid, mis tagavad info või teabevahetuse kättesaadavuse, konfidentsiaalsuse või terviklikkuse, välja arvatud vahendid ja funktsioonid, mis on ette nähtud kaitseks tõrgete eest. Siia kuuluvad krüptograafia, krüptoanalüüs, kaitse ohustavate lekete eest ja arvutiturve.

NB!
  Krüptoanalüüs: krüptograafiasüsteemi või selle sisendite ja väljundite analüüs, et kätte saada salamuutujaid või tundlikku teavet, kaasa arvatud selge tekst.

| | Hetkeline ribalaius (Instantaneous bandwidth) (3 5 7) – ribalaius, mille puhul väljundvõimsus jääb 3 dB piirides konstantseks, ilma et peaks kohandama teisi tööparameetreid. |
| --- | --- |

Hetkeline ribalaius (Instantaneous bandwidth) (3 5 7) – ribalaius, mille puhul väljundvõimsus jääb 3 dB piirides konstantseks, ilma et peaks kohandama teisi tööparameetreid.

| | Näitepiirkond (Instrumented range) (6) – radari määratletud nägevuspiirkond, milles objektid on ühemõtteliselt eristatavad. |
| --- | --- |

Näitepiirkond (Instrumented range) (6) – radari määratletud nägevuspiirkond, milles objektid on ühemõtteliselt eristatavad.

| | Isolatsioon (Insulation) (9) – kasutatakse rakettmootorite komponentide juures, st korpuse, düüsi sisselaskeava, korpusekattes ning kujutab endast isoleerivaid või tulekindlaid lisandeid sisaldavaid kõvastatud või poolkõvastatud kummimassist lehti. Seda võib kasutada ka pakiruumi või stabilisaatorite mehhaanilise pingetustajana. |
| --- | --- |

Isolatsioon (Insulation) (9) – kasutatakse rakettmootorite komponentide juures, st korpuse, düüsi sisselaskeava, korpusekattes ning kujutab endast isoleerivaid või tulekindlaid lisandeid sisaldavaid kõvastatud või poolkõvastatud kummimassist lehti. Seda võib kasutada ka pakiruumi või stabilisaatorite mehhaanilise pingetustajana.

| | Ühendatud radar-andurid (Interconnected radar sensors) (6) – kaks või enam omavahel ühendatud radar-andurit, mis vahetavad reaalajas vastastikku andmeid. |
| --- | --- |

Ühendatud radar-andurid (Interconnected radar sensors) (6) – kaks või enam omavahel ühendatud radar-andurit, mis vahetavad reaalajas vastastikku andmeid.

| | Sisekatend (Interior lining) (9) – siduv sobituskatend tahke kütuse ja kesta või isoleeriva vooderduse vahel. Tavaliselt kuumuskindlate või isoleerivate ainete vedelatel polümeeridel, nagu näiteks süsiniktäitega hüdroksüüliga termineeritud (lõpetatud) polübutadieenil (HTPB) või muul polümeeril põhinev dispersioon, millesse on lisatud tahkestavaid toimeaineid ning mis on pihustatud või kantud kesta sisepinnale. |
| --- | --- |

Sisekatend (Interior lining) (9) – siduv sobituskatend tahke kütuse ja kesta või isoleeriva vooderduse vahel. Tavaliselt kuumuskindlate või isoleerivate ainete vedelatel polümeeridel, nagu näiteks süsiniktäitega hüdroksüüliga termineeritud (lõpetatud) polübutadieenil (HTPB) või muul polümeeril põhinev dispersioon, millesse on lisatud tahkestavaid toimeaineid ning mis on pihustatud või kantud kesta sisepinnale.

| | Sisemine magnetvälja gradiomeeter (Intrinsic Magnetic Gradiometer) (6) – üksik magnetvälja gradiendi tajur ning selle juurde kuuluv elektroonika, mille väljundiks on magnetvälja gradiendi mõõt.


  NB! Vt ka "magnetgradiomeetrid". |
| --- | --- |

Sisemine magnetvälja gradiomeeter (Intrinsic Magnetic Gradiometer) (6) – üksik magnetvälja gradiendi tajur ning selle juurde kuuluv elektroonika, mille väljundiks on magnetvälja gradiendi mõõt.

NB! Vt ka "magnetgradiomeetrid".

| | Isoleeritud eluskultuurid (Isolated live cultures) (1) – eluskultuurid soikeseisundis ja kuivatatud preparaatidena. |
| --- | --- |

Isoleeritud eluskultuurid (Isolated live cultures) (1) – eluskultuurid soikeseisundis ja kuivatatud preparaatidena.

| | Isostaatpressid (Isostatic presses) (2) – seadmed, mille abil on võimalik survestada suletud ruumi erinevate keskkondade abil (gaas, vedelik, tahked osakesed) nii, et selles asuvale töödeldavale detailile või ainele mõjub kõikidest suundadest võrdne rõhk. |
| --- | --- |

Isostaatpressid (Isostatic presses) (2) – seadmed, mille abil on võimalik survestada suletud ruumi erinevate keskkondade abil (gaas, vedelik, tahked osakesed) nii, et selles asuvale töödeldavale detailile või ainele mõjub kõikidest suundadest võrdne rõhk.

| | Laser (Laser) (0 2 3 5 6 7 8 9) – komponentide koost, mis toodab nii ruumiliselt kui ka ajaliselt koherentset valgust, mida võimendab stimuleeritud kiirgusemissioon.

  NB! Vt ka: | "kemolaser", |
| --- | --- | --- |

Laser (Laser) (0 2 3 5 6 7 8 9) – komponentide koost, mis toodab nii ruumiliselt kui ka ajaliselt koherentset valgust, mida võimendab stimuleeritud kiirgusemissioon.

"kemolaser",

| | “hiidvälkelaser", |
| --- | --- |

“hiidvälkelaser",

| | "ülivõimas laser", |
| --- | --- |

"ülivõimas laser",

| | "siirdelaser". |
| --- | --- |

"siirdelaser".

| | Lineaarsus (Linearity) (2) (enamasti mõõdetakse mittelineaarsuse kaudu) – maksimaalne tegeliku omaduse (skaala alumiste ja ülemiste näitude keskmine) positiivne või negatiivne kõrvalekalle sirgjoonest, mis on paigutatud selliselt, et võrdsustada ja vähendada maksimaalseid kõrvalekaldeid. |
| --- | --- |

Lineaarsus (Linearity) (2) (enamasti mõõdetakse mittelineaarsuse kaudu) – maksimaalne tegeliku omaduse (skaala alumiste ja ülemiste näitude keskmine) positiivne või negatiivne kõrvalekalle sirgjoonest, mis on paigutatud selliselt, et võrdsustada ja vähendada maksimaalseid kõrvalekaldeid.

| | Kohtvõrk (Local area network) (4) – andmesidesüsteem, millel on kõik järgmised omadused:






  a. | võimaldab mis tahes arvul sõltumatutel andmesideseadmetel üksteisega otse suhelda; ja |
| --- | --- | --- |

Kohtvõrk (Local area network) (4) – andmesidesüsteem, millel on kõik järgmised omadused:

a.

võimaldab mis tahes arvul sõltumatutel andmesideseadmetel üksteisega otse suhelda; ja

| b. | piirdub mõõduka suurusega geograafilise alaga (nt kontorihoone, tehas, ülikoolilinnak, ladu). |
| --- | --- |

b.

piirdub mõõduka suurusega geograafilise alaga (nt kontorihoone, tehas, ülikoolilinnak, ladu).

NB!
  Andmesideseade on seade, millega on võimalik edastada või vastu võtta digitaalset infot.

| | Magnetvälja gradiomeetrid (Magnetic gradiometers) (6) – seadmed, mis on ette nähtud väljaspool seadet ennast olevatest allikatest pärinevate magnetväljade ruumilise erinevuse kindlakstegemiseks. Koosnevad mitmest magnetomeetrist ja nendega seotud elektroonikast, mille väljundiks on magnetvälja gradiendi mõõt.


  NB! Vt ka "sisemised magnetvälja gradiomeetrid". |
| --- | --- |

Magnetvälja gradiomeetrid (Magnetic gradiometers) (6) – seadmed, mis on ette nähtud väljaspool seadet ennast olevatest allikatest pärinevate magnetväljade ruumilise erinevuse kindlakstegemiseks. Koosnevad mitmest magnetomeetrist ja nendega seotud elektroonikast, mille väljundiks on magnetvälja gradiendi mõõt.

NB! Vt ka "sisemised magnetvälja gradiomeetrid".

| | Magnetomeetrid (Magnetometers) (6) – seadmed, mis on ette nähtud väljaspool seadet ennast olevatest allikatest tulenevate magnetväljade kindlakstegemiseks. Koosnevad ühest magnetvälja tajurist ja sellega seotud elektroonikast, mille väljundiks on magnetvälja mõõt. |
| --- | --- |

Magnetomeetrid (Magnetometers) (6) – seadmed, mis on ette nähtud väljaspool seadet ennast olevatest allikatest tulenevate magnetväljade kindlakstegemiseks. Koosnevad ühest magnetvälja tajurist ja sellega seotud elektroonikast, mille väljundiks on magnetvälja mõõt.

| | Põhimälu (Main storage) (4) – peamine andmete või käskude salvesti, millele keskprotsessoril on kiire juurdepääs. Koosneb digitaalarvuti sisemisest mälust ja selle hierarhilistest laiendustest, nagu näiteks vahemälu või suvapöördusega välismälu. |
| --- | --- |

Põhimälu (Main storage) (4) – peamine andmete või käskude salvesti, millele keskprotsessoril on kiire juurdepääs. Koosneb digitaalarvuti sisemisest mälust ja selle hierarhilistest laiendustest, nagu näiteks vahemälu või suvapöördusega välismälu.

| | UF6 korrosioonile vastupidavad materjalid (Materials resistant to corrosion by UF6) (0) – võivad olla vask, roostevaba teras, alumiinium, alumiiniumoksiid, alumiiniumisulamid, nikkel või sulam, mis sisaldab niklit 60 % kaalust või rohkem, ja UF6 korrosiooni suhtes vastupidavad fluorosüsivesinikpolümeerid, vastavalt sellele, mis on vajalik eraldusprotsessi liigist lähtuvalt. |
| --- | --- |

UF6 korrosioonile vastupidavad materjalid (Materials resistant to corrosion by UF6) (0) – võivad olla vask, roostevaba teras, alumiinium, alumiiniumoksiid, alumiiniumisulamid, nikkel või sulam, mis sisaldab niklit 60 % kaalust või rohkem, ja UF6 korrosiooni suhtes vastupidavad fluorosüsivesinikpolümeerid, vastavalt sellele, mis on vajalik eraldusprotsessi liigist lähtuvalt.

| | Põhiaine (Matrix) (1 2 8 9) – oluliselt ühtlane aine faas, mis täidab osakeste, niitkristallide ja kiududevahelise ruumi. |
| --- | --- |

Põhiaine (Matrix) (1 2 8 9) – oluliselt ühtlane aine faas, mis täidab osakeste, niitkristallide ja kiududevahelise ruumi.

| | Mõõtehälve (Measurement uncertainty) (2) – iseloomustav parameeter, mis 95 % usutavusega määrab ära, missuguses piirkonnas väljundväärtuse ümber mõõdetava muutuja õige väärtus asub. See võtab arvesse korrigeerimata süstemaatilised kõrvalekalded, korrigeerimata lõtku ja juhuslikud kõrvalekalded (vt ISO 10360–2 või VDI/VDE 2617). |
| --- | --- |

Mõõtehälve (Measurement uncertainty) (2) – iseloomustav parameeter, mis 95 % usutavusega määrab ära, missuguses piirkonnas väljundväärtuse ümber mõõdetava muutuja õige väärtus asub. See võtab arvesse korrigeerimata süstemaatilised kõrvalekalded, korrigeerimata lõtku ja juhuslikud kõrvalekalded (vt ISO 10360–2 või VDI/VDE 2617).

| | Mehaaniline legeerimine (Mechanical Alloying) (1) – legeerimisprotsess, mis tekib elementide ja põhisulami pulbrite seostumisel, seose katkemisel ja uuesti seostumisel mehhaanilise põrke tagajärjel. Mittemetallilisi osakesi võib sulamisse segada, lisades vastavaid pulbreid. |
| --- | --- |

Mehaaniline legeerimine (Mechanical Alloying) (1) – legeerimisprotsess, mis tekib elementide ja põhisulami pulbrite seostumisel, seose katkemisel ja uuesti seostumisel mehhaanilise põrke tagajärjel. Mittemetallilisi osakesi võib sulamisse segada, lisades vastavaid pulbreid.

| | Sulandi eraldamine (Melt Extraction) (1) – protsess, mille käigus kiirel tahkestamisel eraldatakse paelakujuline metallisulamist toode, mis saadakse pöörleva ja jahutatud lühikese plokisegmendi uputamisel sulametallisulami vanni.


  NB!
  Kiire tahkestamine: sula aine tahkestamine jahutuskiirusega üle 1 000 K/s. |
| --- | --- |

Sulandi eraldamine (Melt Extraction) (1) – protsess, mille käigus kiirel tahkestamisel eraldatakse paelakujuline metallisulamist toode, mis saadakse pöörleva ja jahutatud lühikese plokisegmendi uputamisel sulametallisulami vanni.

NB!
  Kiire tahkestamine: sula aine tahkestamine jahutuskiirusega üle 1 000 K/s.

| | Sulandi ketramine (Melt Spinning) (1) – protsess, mille käigus tahkestatakse kiiresti sulametallijuga mis põrkub vastu pöörlevat jahutatud plokki, tekitades helbe-, paela- või vardakujulisi saadusi.


  NB!
  Kiire tahkestamine: sula aine tahkestamine jahutuskiirusega üle 1 000 K/s. |
| --- | --- |

Sulandi ketramine (Melt Spinning) (1) – protsess, mille käigus tahkestatakse kiiresti sulametallijuga mis põrkub vastu pöörlevat jahutatud plokki, tekitades helbe-, paela- või vardakujulisi saadusi.

NB!
  Kiire tahkestamine: sula aine tahkestamine jahutuskiirusega üle 1 000 K/s.

| | Mikroarvuti mikroskeem (Microcomputer microcircuit) (3) – monoliit-integraallülitus või mitmekiibiline integraallülitus, mis sisaldab aritmeetika-loogikaseadet (ALU), mis on võimeline täitma põhimälus asuvaid üldotstarbelisi käske põhimälus sisalduvate andmete kohta.


  NB! Põhimälu võib olla laiendatud välismälu abil. |
| --- | --- |

Mikroarvuti mikroskeem (Microcomputer microcircuit) (3) – monoliit-integraallülitus või mitmekiibiline integraallülitus, mis sisaldab aritmeetika-loogikaseadet (ALU), mis on võimeline täitma põhimälus asuvaid üldotstarbelisi käske põhimälus sisalduvate andmete kohta.

NB! Põhimälu võib olla laiendatud välismälu abil.

| | Mikroprotsessor mikroskeem (Microprocessor microcircuit) (3) – monoliit-integraallülitus või mitmekiibiline integraallülitus, mis sisaldab aritmeetika-loogikaseadet (ALU), mis on võimeline täitma välismälus asuvaid üldotstarbelisi käskude jadasid.


  NB! 1: Tavaliselt "mikroprotsessor mikroskeem" ei sisalda üldjuhul integraalse komponendina mälu, kuhu kasutajal oleks võimalik pöörduda, kuigi võib kasutada samal kiibil asuvat mälu oma loogiliste funktsioonide täitmiseks.



  NB! 2: See definitsioon hõlmab ka kiibikomplekte, mis on kavandatud "mikroprotsessor mikroskeemina" koos toimima. |
| --- | --- |

Mikroprotsessor mikroskeem (Microprocessor microcircuit) (3) – monoliit-integraallülitus või mitmekiibiline integraallülitus, mis sisaldab aritmeetika-loogikaseadet (ALU), mis on võimeline täitma välismälus asuvaid üldotstarbelisi käskude jadasid.

NB! 1: Tavaliselt "mikroprotsessor mikroskeem" ei sisalda üldjuhul integraalse komponendina mälu, kuhu kasutajal oleks võimalik pöörduda, kuigi võib kasutada samal kiibil asuvat mälu oma loogiliste funktsioonide täitmiseks.

NB! 2: See definitsioon hõlmab ka kiibikomplekte, mis on kavandatud "mikroprotsessor mikroskeemina" koos toimima.

| | Mikroorganismid (Microorganisms) (1 2) – bakterid, viirused, mükoplasmad, riketsiad, klamüüdiad või seened, nii looduslikult, parandatud või modifitseeritud, kas isoleeritud eluskultuuride või aine kujul, kaasa arvatud elusained, mida on teadlikult nakatatud või saastatud nimetatud kultuuridega. |
| --- | --- |

Mikroorganismid (Microorganisms) (1 2) – bakterid, viirused, mükoplasmad, riketsiad, klamüüdiad või seened, nii looduslikult, parandatud või modifitseeritud, kas isoleeritud eluskultuuride või aine kujul, kaasa arvatud elusained, mida on teadlikult nakatatud või saastatud nimetatud kultuuridega.

| | Monoliit-integraallülitus (Monolithic integrated circuit) (3) – passiivsete või aktiivsete või mõlemat liiki vooluahela elementide kombinatsioon, mis:






  a. | moodustatakse difusioonimenetluse, sisestusmenetluse või sadestusmenetluse teel ühe pooljuhtmaterjali tüki (nn kiibi) sees või peal; |
| --- | --- | --- |

Monoliit-integraallülitus (Monolithic integrated circuit) (3) – passiivsete või aktiivsete või mõlemat liiki vooluahela elementide kombinatsioon, mis:

a.

moodustatakse difusioonimenetluse, sisestusmenetluse või sadestusmenetluse teel ühe pooljuhtmaterjali tüki (nn kiibi) sees või peal;

| b. | mida võib käsitleda kui lahutamatut tervikut; ja |
| --- | --- |

b.

mida võib käsitleda kui lahutamatut tervikut; ja

| c. | mis täidab vooluahela ülesannet (ülesandeid). |
| --- | --- |

c.

mis täidab vooluahela ülesannet (ülesandeid).

NB!
  Vooluahela element on vooluahela üksik aktiivne või passiivne funktsionaalne osa, näiteks üks diood, üks transistor, üks takisti, üks kondensaator jne.

| | Monospektraalsed pildiandurid (Monospectral imaging sensors) (6) – võimelised omandama kujutise andmeid ühest diskreetsest spektriribast. |
| --- | --- |

Monospektraalsed pildiandurid (Monospectral imaging sensors) (6) – võimelised omandama kujutise andmeid ühest diskreetsest spektriribast.

| | Mitmekiibiline integraallülitus (Multichip integrated circuit) (3) – kaks või enam monoliit-integraallülitust, mis on ühendatud ühisele põhimikule. |
| --- | --- |

Mitmekiibiline integraallülitus (Multichip integrated circuit) (3) – kaks või enam monoliit-integraallülitust, mis on ühendatud ühisele põhimikule.

| | Mitme andmevoo töötlus (Multi-data-stream processing) (4) – mikroprogramm- või seadmearhitektuuritehnika, mis võimaldab samaaegselt töödelda kaht või enamat andmejada ühe või enama käsujada abil, kasutades seejuures:






  a. | ühe käsuvoo ja mitme andmevooga (SIMD) arvutiarhitektuuri nagu vektor- või maatriksprotsessorites; |
| --- | --- | --- |

Mitme andmevoo töötlus (Multi-data-stream processing) (4) – mikroprogramm- või seadmearhitektuuritehnika, mis võimaldab samaaegselt töödelda kaht või enamat andmejada ühe või enama käsujada abil, kasutades seejuures:

a.

ühe käsuvoo ja mitme andmevooga (SIMD) arvutiarhitektuuri nagu vektor- või maatriksprotsessorites;

| b. | mitmekordset ühe käsuvoo ja mitme andmevooga (MSIMD) arhitektuuri; |
| --- | --- |

b.

mitmekordset ühe käsuvoo ja mitme andmevooga (MSIMD) arhitektuuri;

| c. | mitme käsuvoo ja mitme andmevooga (MIMD) arhitektuuri, kaasa arvatud need arhitektuurid, mis on tihedalt sidestatud, lähedalt sidestatud või nõrgalt sidestatud; või |
| --- | --- |

c.

mitme käsuvoo ja mitme andmevooga (MIMD) arhitektuuri, kaasa arvatud need arhitektuurid, mis on tihedalt sidestatud, lähedalt sidestatud või nõrgalt sidestatud; või

| d. | struktureeritud töötlevate elementide massiive, kaasa arvatud süstoolsed massiivid. |
| --- | --- |

d.

struktureeritud töötlevate elementide massiive, kaasa arvatud süstoolsed massiivid.

NB!
  Mikroprogramm on elementaarsete käskude jada, mida säilitatakse erilises mäluseadmes ja mille täitmise käivitab tema viitekäsu saabumine käsuregistrisse.

| | Multispektraalsed pildiandurid (Multispectral imaging sensors) (6) – võimelised üheaegselt või järjestikku omandama kujutise andmeid kahes või enamas diskreetses spektriribas. Andureid, mis on tundlikud rohkem kui kahekümnes diskreetses spektraalribas, kutsutakse ka hüperspektraalseteks pildianduriteks. |
| --- | --- |

Multispektraalsed pildiandurid (Multispectral imaging sensors) (6) – võimelised üheaegselt või järjestikku omandama kujutise andmeid kahes või enamas diskreetses spektriribas. Andureid, mis on tundlikud rohkem kui kahekümnes diskreetses spektraalribas, kutsutakse ka hüperspektraalseteks pildianduriteks.

| | Looduslik uraan (Natural uranium) (0) – looduses esinevat isotoopide segu sisaldav uraan. |
| --- | --- |

Looduslik uraan (Natural uranium) (0) – looduses esinevat isotoopide segu sisaldav uraan.

| | Võrgu juurdepääsu kontroller (Network access controller) (4) – hajutatud teabevõrgu füüsiline liides. See kasutab sama edastusmeediumi, mis töötab kõikjal sama digitaalse edastuskiirusega, kasutades edastamisel arbitreerimist (nt loa või liikluse tuvastust). Sõltumata teistest, valib ta andmepaketid või andmegrupid (nt IEEE 802), mis on talle adresseeritud. Selle sõlme võib liita arvutile või telekommunikatsiooniseadmele, et tagada juurdepääs teabevahetusele. |
| --- | --- |

Võrgu juurdepääsu kontroller (Network access controller) (4) – hajutatud teabevõrgu füüsiline liides. See kasutab sama edastusmeediumi, mis töötab kõikjal sama digitaalse edastuskiirusega, kasutades edastamisel arbitreerimist (nt loa või liikluse tuvastust). Sõltumata teistest, valib ta andmepaketid või andmegrupid (nt IEEE 802), mis on talle adresseeritud. Selle sõlme võib liita arvutile või telekommunikatsiooniseadmele, et tagada juurdepääs teabevahetusele.

| | Neuroarvuti (Neural computer) (4) – arvutusseade, mis on konstrueeritud või muudetud jäljendama üksiku neuroni või enamate neuronite käitumist, st arvutusseade, mille riistvaral on võime reguleerida eelnevate andmete põhjal suure hulga arvutuselementide omavaheliste seoste kaalu ja arvu. |
| --- | --- |

Neuroarvuti (Neural computer) (4) – arvutusseade, mis on konstrueeritud või muudetud jäljendama üksiku neuroni või enamate neuronite käitumist, st arvutusseade, mille riistvaral on võime reguleerida eelnevate andmete põhjal suure hulga arvutuselementide omavaheliste seoste kaalu ja arvu.

| | Müratase (Noise level) (6) – elektrisignaal, mida esitatakse võimsuse spektraaltihedusena. Tippudevaheline müranivoo on esitatud valemina S2
  PP = 8N0(f2-f1), kus SPP on signaali tippudevaheline väärtus (nt nanoteslades), N0 on võimsuse spektraaltihedus (nt (nanotesla)2/Hz) ja (f2-f1) tähistab meid huvitavat sagedusriba. |
| --- | --- |

Müratase (Noise level) (6) – elektrisignaal, mida esitatakse võimsuse spektraaltihedusena. Tippudevaheline müranivoo on esitatud valemina S2
  PP = 8N0(f2-f1), kus SPP on signaali tippudevaheline väärtus (nt nanoteslades), N0 on võimsuse spektraaltihedus (nt (nanotesla)2/Hz) ja (f2-f1) tähistab meid huvitavat sagedusriba.

| | Tuumareaktor (Nuclear reactor) (0) – reaktorianumas paiknevad või vahetult selle külge kinnitatud osad, seadmed, mis reguleerivad reaktori südamiku võimsustaset, ning komponendid, mis tavaliselt sisaldavad reaktori südamiku primaarset jahutusainet, puutuvad sellega vahetult kokku või kontrollivad seda. |
| --- | --- |

Tuumareaktor (Nuclear reactor) (0) – reaktorianumas paiknevad või vahetult selle külge kinnitatud osad, seadmed, mis reguleerivad reaktori südamiku võimsustaset, ning komponendid, mis tavaliselt sisaldavad reaktori südamiku primaarset jahutusainet, puutuvad sellega vahetult kokku või kontrollivad seda.

| | Arvjuhtimine (Numerical control) (2) – sooritatava toimingu automaatjuhtimisseade, mis kasutab tavaliselt toimingu kestel sisestatavaid arvandmeid (vt ISO 2328). |
| --- | --- |

Arvjuhtimine (Numerical control) (2) – sooritatava toimingu automaatjuhtimisseade, mis kasutab tavaliselt toimingu kestel sisestatavaid arvandmeid (vt ISO 2328).

| | Objektkood (Object code) (9) – ühe või mitme protsessi mugava esitusviisi (lähtekoodi (lähtekeele)), seadme poolt täidetav vorm, mis on muundatud programmeerimissüsteemi abil. |
| --- | --- |

Objektkood (Object code) (9) – ühe või mitme protsessi mugava esitusviisi (lähtekoodi (lähtekeele)), seadme poolt täidetav vorm, mis on muundatud programmeerimissüsteemi abil.

| | Optiline võimendamine (Optical amplification) (5) – optilises sides kasutatav võimendustehnika, kus võimendatakse eraldiasetseva optilise allika genereeritud optilisi signaale neid elektrilisteks signaalideks muundamata, st kasutades optilisi pooljuhtvõimendeid, kiudoptilisi luminestsentsvõimendeid. |
| --- | --- |

Optiline võimendamine (Optical amplification) (5) – optilises sides kasutatav võimendustehnika, kus võimendatakse eraldiasetseva optilise allika genereeritud optilisi signaale neid elektrilisteks signaalideks muundamata, st kasutades optilisi pooljuhtvõimendeid, kiudoptilisi luminestsentsvõimendeid.

| | Optiline arvuti (Optical computer) (4) – arvuti, mis on konstrueeritud või kohandatud kasutama andmete esitamiseks valgust ning mille loogilised arvutuselemendid põhinevad omavahel vahetult seotud optilistel lülitustel. |
| --- | --- |

Optiline arvuti (Optical computer) (4) – arvuti, mis on konstrueeritud või kohandatud kasutama andmete esitamiseks valgust ning mille loogilised arvutuselemendid põhinevad omavahel vahetult seotud optilistel lülitustel.

| | Optiline integraallülitus (Optical integrated circuit) (3) – monoliit-integraallülitus või hübriidintegraallülitus, mis sisaldab üht või mitut osa, mis on kavandatud toimima valgusandurina või valguskiirgurina või täitma optilisi või elektro-optilisi funktsioone. |
| --- | --- |

Optiline integraallülitus (Optical integrated circuit) (3) – monoliit-integraallülitus või hübriidintegraallülitus, mis sisaldab üht või mitut osa, mis on kavandatud toimima valgusandurina või valguskiirgurina või täitma optilisi või elektro-optilisi funktsioone.

| | Optiline kommuteerimine (Optical switching) (5) – optiliste signaalide marsruutimine või kommuteerimine ilma nende muundamiseta elektrilisteks. |
| --- | --- |

Optiline kommuteerimine (Optical switching) (5) – optiliste signaalide marsruutimine või kommuteerimine ilma nende muundamiseta elektrilisteks.

| | Üldine voolutihedus (Overall current density) (3) – mähise amperkeerdude arv (st mähise keerdude arv, mis on korrutatud maksimaalse voolu tugevusega, mis igas keerus voolab) jagatud kogu mähise ristlõikepindalaga (kaasa arvatud ülijuhtivad kiud, metallist maatriksid, milles asuvad ülijuhtivad kiud, kattematerjalid, jahutuskanalid jne.) |
| --- | --- |

Üldine voolutihedus (Overall current density) (3) – mähise amperkeerdude arv (st mähise keerdude arv, mis on korrutatud maksimaalse voolu tugevusega, mis igas keerus voolab) jagatud kogu mähise ristlõikepindalaga (kaasa arvatud ülijuhtivad kiud, metallist maatriksid, milles asuvad ülijuhtivad kiud, kattematerjalid, jahutuskanalid jne.)

| | Osalisriik (Participating state) (7 9) – Wassenaari kokkuleppes osalev riik (vt www.wassenaar.org). |
| --- | --- |

Osalisriik (Participating state) (7 9) – Wassenaari kokkuleppes osalev riik (vt www.wassenaar.org).

| | Tippvõimsus (Peak power) (6) – džaulides väljendatud impulsi energia, mis on jagatud impulsi kestusega sekundites. |
| --- | --- |

Tippvõimsus (Peak power) (6) – džaulides väljendatud impulsi energia, mis on jagatud impulsi kestusega sekundites.

| | Personaalne kiipkaart (Personalized smart card) (5) – spetsiifiliseks kasutuseks programmeeritud mikrolülitust sisaldav kiipkaart, mida ei ole võimalik ringi programmeerida muudeks kasutajapoolseteks rakendusteks. |
| --- | --- |

Personaalne kiipkaart (Personalized smart card) (5) – spetsiifiliseks kasutuseks programmeeritud mikrolülitust sisaldav kiipkaart, mida ei ole võimalik ringi programmeerida muudeks kasutajapoolseteks rakendusteks.

| | Võimsuse juhtimine (Power management) (7) – kõrgusmõõturi lähetatud signaali võimsuse muutmine selliselt, et õhusõidukil kõrgusemõõtmiseks vastuvõetud võimsus oleks alati minimaalne. |
| --- | --- |

Võimsuse juhtimine (Power management) (7) – kõrgusmõõturi lähetatud signaali võimsuse muutmine selliselt, et õhusõidukil kõrgusemõõtmiseks vastuvõetud võimsus oleks alati minimaalne.

| | Rõhuandurid (Pressure transducers) (2) – seadmed, mis muudavad rõhu mõõtmised elektrisignaaliks. |
| --- | --- |

Rõhuandurid (Pressure transducers) (2) – seadmed, mis muudavad rõhu mõõtmised elektrisignaaliks.

| | Eelnevalt eraldatud (Previously separated) (0 1) – suvaliselt valitud protsessi kasutamine, mille eesmärgiks on jälgitava isotoobi kontsentratsiooni tõstmine. |
| --- | --- |

Eelnevalt eraldatud (Previously separated) (0 1) – suvaliselt valitud protsessi kasutamine, mille eesmärgiks on jälgitava isotoobi kontsentratsiooni tõstmine.

| | Põhijuhtimine (Primary flight control) (7) – õhusõiduki stabiilsuse ja manöövrite juhtimine, kasutades jõudude/momentide tekitajaid, st aerodünaamilisi juhtpindu või tõukejõu reaktsiooni (vektorjuhtimist). |
| --- | --- |

Põhijuhtimine (Primary flight control) (7) – õhusõiduki stabiilsuse ja manöövrite juhtimine, kasutades jõudude/momentide tekitajaid, st aerodünaamilisi juhtpindu või tõukejõu reaktsiooni (vektorjuhtimist).

| | Põhiline koostisosa (Principal element) (4) – 4. kategooria kohaselt on põhilise koostisosaga tegemist siis, kui selle asendamisväärtus on üle 35 % sellise süsteemi koguväärtusest, mille koostisosa see on. Koostisosa väärtus on hind, mida süsteemi valmistaja või koostaja selle koostisosa eest maksab. Koguväärtus on tavapärane rahvusvaheline müügihind, mille eest toimub müük mitteasjaomastele pooltele valmistamiskohas või kaubasaadetise kinnitamisel. |
| --- | --- |

Põhiline koostisosa (Principal element) (4) – 4. kategooria kohaselt on põhilise koostisosaga tegemist siis, kui selle asendamisväärtus on üle 35 % sellise süsteemi koguväärtusest, mille koostisosa see on. Koostisosa väärtus on hind, mida süsteemi valmistaja või koostaja selle koostisosa eest maksab. Koguväärtus on tavapärane rahvusvaheline müügihind, mille eest toimub müük mitteasjaomastele pooltele valmistamiskohas või kaubasaadetise kinnitamisel.

| | Tootmine (GTN NTN kõik) – kõik tootmisetapid, nagu näiteks: konstrueerimine, toote insenerlahendus, valmistamine, integreerimine, montaaž, järelevalve, katsetamine, kvaliteedi tagamine. |
| --- | --- |

Tootmine (GTN NTN kõik) – kõik tootmisetapid, nagu näiteks: konstrueerimine, toote insenerlahendus, valmistamine, integreerimine, montaaž, järelevalve, katsetamine, kvaliteedi tagamine.

| | Tootmisvahendid (Production equipment) (1 7 9) – instrumendid, šabloonid, rakised, tööriistatornid, valuvormid, stantsid, kinnitusvahendid, joondamisseadmed, katseseadmed, muud masinad ning nende osad, mis on eraldi konstrueeritud või modifitseeritud arenduse või tootmise ühe või enama järgu jaoks. |
| --- | --- |

Tootmisvahendid (Production equipment) (1 7 9) – instrumendid, šabloonid, rakised, tööriistatornid, valuvormid, stantsid, kinnitusvahendid, joondamisseadmed, katseseadmed, muud masinad ning nende osad, mis on eraldi konstrueeritud või modifitseeritud arenduse või tootmise ühe või enama järgu jaoks.

| | Tootmisseadmed (Production facilities) (7 9) – seadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud tarkvara, mis on integreeritud arenduseks mõeldud seadeldistesse või ühte või mitmesse tootmisjärku. |
| --- | --- |

Tootmisseadmed (Production facilities) (7 9) – seadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud tarkvara, mis on integreeritud arenduseks mõeldud seadeldistesse või ühte või mitmesse tootmisjärku.

| | Programm (Programme) (2 6) – käskude jada protsessi sooritamiseks elektronarvuti abil kas vahetult täidetaval või täidetavaks muundataval kujul. |
| --- | --- |

Programm (Programme) (2 6) – käskude jada protsessi sooritamiseks elektronarvuti abil kas vahetult täidetaval või täidetavaks muundataval kujul.

| | Impulsi kokkusurumine (Pulse compression) (6) – radari signaalimpulsi kodeerimine ja töötlemine pikaajalisest lühiajaliseks, säilitades kõrge impulsienergia eelised. |
| --- | --- |

Impulsi kokkusurumine (Pulse compression) (6) – radari signaalimpulsi kodeerimine ja töötlemine pikaajalisest lühiajaliseks, säilitades kõrge impulsienergia eelised.

| | Impulsi kestus (Pulse duration) (6) – laseri impulsi kestus mõõdetuna impulsi poollaiusena (FWHI) (st impulsi täislaius tema tippintensiivsuse poolkõrgusel). |
| --- | --- |

Impulsi kestus (Pulse duration) (6) – laseri impulsi kestus mõõdetuna impulsi poollaiusena (FWHI) (st impulsi täislaius tema tippintensiivsuse poolkõrgusel).

| | Hiidvälkelaser (Q-switched laser) (6) – laser, milles pöördasustuses või optilises resonaatoris salvestatud energia kiiratakse salvestusele järgnevalt impulsis. |
| --- | --- |

Hiidvälkelaser (Q-switched laser) (6) – laser, milles pöördasustuses või optilises resonaatoris salvestatud energia kiiratakse salvestusele järgnevalt impulsis.

| | Radari sagedusliikuvus (Radar frequency agility) (6) – mis tahes tehnika, mis muudab pooljuhuslikus järjestuses radari impulss-saatja kandesagedust impulsside või impulsigruppide vahel vähemalt samavõrra kui on impulsi ribalaius või rohkem. |
| --- | --- |

Radari sagedusliikuvus (Radar frequency agility) (6) – mis tahes tehnika, mis muudab pooljuhuslikus järjestuses radari impulss-saatja kandesagedust impulsside või impulsigruppide vahel vähemalt samavõrra kui on impulsi ribalaius või rohkem.

| | Radari hajaspekter (Radar spread spectrum) (6) – mis tahes modulatsioonitehnika, mis hajutab juhuslikku või pooljuhuslikku kodeerimisega suhteliselt kitsa sagedusribaga signaali energia oluliselt laiemale sagedusribale. |
| --- | --- |

Radari hajaspekter (Radar spread spectrum) (6) – mis tahes modulatsioonitehnika, mis hajutab juhuslikku või pooljuhuslikku kodeerimisega suhteliselt kitsa sagedusribaga signaali energia oluliselt laiemale sagedusribale.

| | Reaalajaline ribalaius (Real-time bandwidth) (2 3) – dünaamiliste signaalianalüsaatorite kõige laiem sageduspiirkond, mille juures analüsaator on veel võimeline tulemusi näitama või salvestama mällu, põhjustamata seejuures sissetulevate andmete analüüsi katkestusi. Enama kui ühe kanaliga analüsaatorite korral tuleb arvutustes kasutada sellist kanalikonfiguratsiooni, mille puhul saavutatakse kõige laiem reaalajaline ribalaius. |
| --- | --- |

Reaalajaline ribalaius (Real-time bandwidth) (2 3) – dünaamiliste signaalianalüsaatorite kõige laiem sageduspiirkond, mille juures analüsaator on veel võimeline tulemusi näitama või salvestama mällu, põhjustamata seejuures sissetulevate andmete analüüsi katkestusi. Enama kui ühe kanaliga analüsaatorite korral tuleb arvutustes kasutada sellist kanalikonfiguratsiooni, mille puhul saavutatakse kõige laiem reaalajaline ribalaius.

| | Reaalajas töötlemine (Real time processing) (6 7) – on andmetöötlus arvutisüsteemis, mis tagab nõutava teenindustaseme garanteeritud kosteajaga, sõltudes olemasolevatest vahenditest ja olenemata süsteemi koormusest, kui see teenus on käivitatud mingi välise sündmuse poolt. |
| --- | --- |

Reaalajas töötlemine (Real time processing) (6 7) – on andmetöötlus arvutisüsteemis, mis tagab nõutava teenindustaseme garanteeritud kosteajaga, sõltudes olemasolevatest vahenditest ja olenemata süsteemi koormusest, kui see teenus on käivitatud mingi välise sündmuse poolt.

| | Nõuetekohane (Required) (GTN 1-9) – kasutatuna koos sõnadega "tehnoloogia" või "tarkvara", tähendab üksnes seda tehnoloogia või tarkvara osa, mis peab tagama kontrollitud toimimistaseme, näitajate või funktsioonide saavutamise või laiendamise. Sellist nõuetekohast tehnoloogiat või tarkvara võivad omavahel jagada mitmed tooted. |
| --- | --- |

Nõuetekohane (Required) (GTN 1-9) – kasutatuna koos sõnadega "tehnoloogia" või "tarkvara", tähendab üksnes seda tehnoloogia või tarkvara osa, mis peab tagama kontrollitud toimimistaseme, näitajate või funktsioonide saavutamise või laiendamise. Sellist nõuetekohast tehnoloogiat või tarkvara võivad omavahel jagada mitmed tooted.

| | Eraldusvõime (Resolution) (2) – mõõteseadme väikseim inkrement; digitaalsetes mõõteseadmetes väikseim väärtust omav bitt (vt ANSI B-89.1.12). |
| --- | --- |

Eraldusvõime (Resolution) (2) – mõõteseadme väikseim inkrement; digitaalsetes mõõteseadmetes väikseim väärtust omav bitt (vt ANSI B-89.1.12).

| | Robot (Robot) (2 8) – manipulatsioonimehhanism, mis võib olla nii pideval rajal kui ka punktist punkti kulgev, võib kasutada andureid ning millel on kõik järgmised omadused:






  a. | multifunktsionaalsus; |
| --- | --- | --- |

Robot (Robot) (2 8) – manipulatsioonimehhanism, mis võib olla nii pideval rajal kui ka punktist punkti kulgev, võib kasutada andureid ning millel on kõik järgmised omadused:

a.

multifunktsionaalsus;

| b. | selle abil saab erinevate liikumiste kaudu kohale asetada või suunata materjali, osi, tööriistu või spetsiaalseid seadmeid kolmemõõtmelises ruumis; |
| --- | --- |

b.

selle abil saab erinevate liikumiste kaudu kohale asetada või suunata materjali, osi, tööriistu või spetsiaalseid seadmeid kolmemõõtmelises ruumis;

| c. | koosneb kolmest või enamast suletud või avatud ahelaga servoseadmest, mille hulka võivad kuuluda ka samm-mootorid; ja |
| --- | --- |

c.

koosneb kolmest või enamast suletud või avatud ahelaga servoseadmest, mille hulka võivad kuuluda ka samm-mootorid; ja

| d. | on kasutaja-programmeeritav kas kasutades "õpetamine/kordamine" meetodit või elektronarvuti abil, mis võib olla programmeeritav loogiline kontroller, st ilma mehaanilise vahelesegamiseta. |
| --- | --- |

d.

on kasutaja-programmeeritav kas kasutades "õpetamine/kordamine" meetodit või elektronarvuti abil, mis võib olla programmeeritav loogiline kontroller, st ilma mehaanilise vahelesegamiseta.

NB! Eespool esitatud definitsioon ei hõlma järgmisi seadmeid:

| 1. | manipulaatorid, mis on ainult käsi- või kaugjuhitavad; |
| --- | --- |

1.

manipulaatorid, mis on ainult käsi- või kaugjuhitavad;

| 2. | fikseeritud järjestusega manipulatsioonimehhanismid, mis on automaatselt liikuvad seadmed ning mis teostavad mehaaniliselt programmeeritud liikumisi. Programm on mehaaniliselt piiratud asetatavate peatustega, nagu tapid ja nukid. Liikumiste järjekord ja radade ning nurkade valik ei ole varieeritav ega muudetav ei mehaaniliselt, elektrooniliselt ega elektriliselt; |
| --- | --- |

2.

fikseeritud järjestusega manipulatsioonimehhanismid, mis on automaatselt liikuvad seadmed ning mis teostavad mehaaniliselt programmeeritud liikumisi. Programm on mehaaniliselt piiratud asetatavate peatustega, nagu tapid ja nukid. Liikumiste järjekord ja radade ning nurkade valik ei ole varieeritav ega muudetav ei mehaaniliselt, elektrooniliselt ega elektriliselt;

| 3. | mehaaniliselt juhitud muudetava järjestusega manipulatsioonimehhanismid, mis on automaatselt liikuvad seadmed ning teostavad mehaaniliselt kindlaid programmeeritud liikumisi. Programm on mehaaniliselt piiratud fikseeritud, kuid reguleeritavate peatustega, nagu tapid ja nukid. Liikumiste järjestus ning radade ja nurkade valik on varieeritav etteantud programmi mallide siseselt. Ühe või mitme liikumistelje programmi mallide varieerimine või muutmine (st tappide muutmine või nukkide ümberasetamine) on teostatav vaid mehaaniliste operatsioonide abil; |
| --- | --- |

3.

mehaaniliselt juhitud muudetava järjestusega manipulatsioonimehhanismid, mis on automaatselt liikuvad seadmed ning teostavad mehaaniliselt kindlaid programmeeritud liikumisi. Programm on mehaaniliselt piiratud fikseeritud, kuid reguleeritavate peatustega, nagu tapid ja nukid. Liikumiste järjestus ning radade ja nurkade valik on varieeritav etteantud programmi mallide siseselt. Ühe või mitme liikumistelje programmi mallide varieerimine või muutmine (st tappide muutmine või nukkide ümberasetamine) on teostatav vaid mehaaniliste operatsioonide abil;

| 4. | muud kui servo-juhitud muutuva järjestusega manipulatsioonimehhanismid mis on automaatselt liikuvad seadmed ning mis teostavad fikseeritud mehaaniliselt programmeeritud liikumisi. Programm on varieeritav, kuid järjestus toimub vaid mehaaniliselt kinnitatud elektriliste kahendseadmete või reguleeritavate peatustest saadavate kahendsignaalide põhjal; |
| --- | --- |

4.

muud kui servo-juhitud muutuva järjestusega manipulatsioonimehhanismid mis on automaatselt liikuvad seadmed ning mis teostavad fikseeritud mehaaniliselt programmeeritud liikumisi. Programm on varieeritav, kuid järjestus toimub vaid mehaaniliselt kinnitatud elektriliste kahendseadmete või reguleeritavate peatustest saadavate kahendsignaalide põhjal;

| 5. | virnastamisseadmed, mis on defineeritud kui Descartes’i koordinaatidega manipulatsiooniseadmed ning mis on vertikaalselt asetatud laokastide virna integraalseks osaks ning on ette nähtud kastide sisu kättesaamiseks või taastamiseks. |
| --- | --- |

5.

virnastamisseadmed, mis on defineeritud kui Descartes’i koordinaatidega manipulatsiooniseadmed ning mis on vertikaalselt asetatud laokastide virna integraalseks osaks ning on ette nähtud kastide sisu kättesaamiseks või taastamiseks.

| | Rotatsioonpulverisatsioon (Rotary atomisation) (1) – protsess, mille käigus tsentrifugaaljõu mõjul sulametallijuga või seisev sulametall pihustatakse mitte üle 500 mikromeetrise läbimõõduga tilkadeks. |
| --- | --- |

Rotatsioonpulverisatsioon (Rotary atomisation) (1) – protsess, mille käigus tsentrifugaaljõu mõjul sulametallijuga või seisev sulametall pihustatakse mitte üle 500 mikromeetrise läbimõõduga tilkadeks.

| | Eelketrus (Roving) (1) – ligikaudu paralleelsetest heidest (tavaliselt 12–120) koosnev kimp.


  NB!
  Heie on kogum onokiude (tavaliselt üle 200), mis on ligikaudu paralleelsed. |
| --- | --- |

Eelketrus (Roving) (1) – ligikaudu paralleelsetest heidest (tavaliselt 12–120) koosnev kimp.

NB!
  Heie on kogum onokiude (tavaliselt üle 200), mis on ligikaudu paralleelsed.

| | Viskumine (Run out, out-of-true running) (2) – telje radiaalne nihe peavõlli ühe pöörde jooksul, mõõdetuna peavõlli teljega risti asetseval tasapinnal, uuritava pöörleva sise- või välispinna punktis (vt ISO 230/1 1986, lõik 5.61). |
| --- | --- |

Viskumine (Run out, out-of-true running) (2) – telje radiaalne nihe peavõlli ühe pöörde jooksul, mõõdetuna peavõlli teljega risti asetseval tasapinnal, uuritava pöörleva sise- või välispinna punktis (vt ISO 230/1 1986, lõik 5.61).

| | Mastaabitegur (Scale factor) (güroskoop või kiirendusmõõtur) (7) – väljundi väärtuse muudu suhe sisendi väärtuse muutu, mida kavatsetakse mõõta. Mastaabiteguri väärtus hinnatakse üldiselt sirge tõusust, mis saadakse sisend- ja väljundväärtusi vähimruutude meetodiga sobitades, muutes tsükliliselt sisendväärtusi üle kogu sisendväärtuste piirkonna. |
| --- | --- |

Mastaabitegur (Scale factor) (güroskoop või kiirendusmõõtur) (7) – väljundi väärtuse muudu suhe sisendi väärtuse muutu, mida kavatsetakse mõõta. Mastaabiteguri väärtus hinnatakse üldiselt sirge tõusust, mis saadakse sisend- ja väljundväärtusi vähimruutude meetodiga sobitades, muutes tsükliliselt sisendväärtusi üle kogu sisendväärtuste piirkonna.

| | Seadumisaeg (Settling time) (3) – aeg, mis kulub muundaja suvalise kahe nivoo vahel ümberlülitamise korral, et väljund saavutaks poolebitilise täpsusega lõppväärtuse. |
| --- | --- |

Seadumisaeg (Settling time) (3) – aeg, mis kulub muundaja suvalise kahe nivoo vahel ümberlülitamise korral, et väljund saavutaks poolebitilise täpsusega lõppväärtuse.

| | SHPL (Super high power laser) – ülivõimas laser. |
| --- | --- |

SHPL (Super high power laser) – ülivõimas laser.

| | Signaalianalüsaatorid (Signal analysers) (3) – seadmed, mis on võimelised mõõtma ja näitama mitmesageduslike signaalide ühesageduslike komponentide põhiomadusi. |
| --- | --- |

Signaalianalüsaatorid (Signal analysers) (3) – seadmed, mis on võimelised mõõtma ja näitama mitmesageduslike signaalide ühesageduslike komponentide põhiomadusi.

| | Signaalitöötlus (Signal processing) (3 4 5 6) – väljastpoolt tulnud infot kandvate signaalide töötlemine selliste algoritmidega nagu ajaline kokkusurumine, filtreerimine, väljaeraldamine, väljavalimine, korrelatsioon, domeenidevaheline konvolutsioon või teisendused (nt Fourier’ kiirteisendus või Walsh`i teisendus). |
| --- | --- |

Signaalitöötlus (Signal processing) (3 4 5 6) – väljastpoolt tulnud infot kandvate signaalide töötlemine selliste algoritmidega nagu ajaline kokkusurumine, filtreerimine, väljaeraldamine, väljavalimine, korrelatsioon, domeenidevaheline konvolutsioon või teisendused (nt Fourier’ kiirteisendus või Walsh`i teisendus).

| | Tarkvara (Software) (GSN kõik) – ühest või mitmest programmist või mikroprogrammist koosnev kogum, mis on paigutatud mis tahes kättesaadavale väljundmeediale.


  NB!
  Mikroprogramm on elementaarsete käskude jada, mida säilitatakse erilises mäluseadmes ja mille täitmise käivitab tema viitekäsu saabumine käsuregistrisse. |
| --- | --- |

Tarkvara (Software) (GSN kõik) – ühest või mitmest programmist või mikroprogrammist koosnev kogum, mis on paigutatud mis tahes kättesaadavale väljundmeediale.

NB!
  Mikroprogramm on elementaarsete käskude jada, mida säilitatakse erilises mäluseadmes ja mille täitmise käivitab tema viitekäsu saabumine käsuregistrisse.

| | Lähtekood (või lähtekeel) (Source code or language) (4 6 7 9) – ühe või mitme protsessi otstarbekohane avaldis, mida võib programmeerimissüsteemi abil viia masinas täidetavale kujule (objektkood (või objektkeel)). |
| --- | --- |

Lähtekood (või lähtekeel) (Source code or language) (4 6 7 9) – ühe või mitme protsessi otstarbekohane avaldis, mida võib programmeerimissüsteemi abil viia masinas täidetavale kujule (objektkood (või objektkeel)).

| | Kosmoseaparaat (Spacecraft) (7 9) – aktiiv- ja passiivsatelliidid ja kosmosesondid. |
| --- | --- |

Kosmoseaparaat (Spacecraft) (7 9) – aktiiv- ja passiivsatelliidid ja kosmosesondid.

| | Kosmosekindel (Space qualified) (3 6) – kasutatakse toodete puhul, mis on konstrueeritud, valmistatud ja katsetatud nii, et need vastavad satelliitide või suurtes kõrgustes kasutatavate lennusüsteemide, mis töötavad 100 km kõrgusel või kõrgemal, väljasaatmise ja paigutamise suhtes kehtivatele erilistele elektri-, mehhaanika- või keskkonnanõuetele. |
| --- | --- |

Kosmosekindel (Space qualified) (3 6) – kasutatakse toodete puhul, mis on konstrueeritud, valmistatud ja katsetatud nii, et need vastavad satelliitide või suurtes kõrgustes kasutatavate lennusüsteemide, mis töötavad 100 km kõrgusel või kõrgemal, väljasaatmise ja paigutamise suhtes kehtivatele erilistele elektri-, mehhaanika- või keskkonnanõuetele.

| | Lõhustuv erimaterjal (Special fissile material) (0) – plutoonium-239, uraan-233, uraaniisotoobi U-235 või U-233 suhtes rikastatud uraan ja kõiki eelnimetatuid sisaldavad materjalid. |
| --- | --- |

Lõhustuv erimaterjal (Special fissile material) (0) – plutoonium-239, uraan-233, uraaniisotoobi U-235 või U-233 suhtes rikastatud uraan ja kõiki eelnimetatuid sisaldavad materjalid.

| | Erimoodul (Specific modulus) (0 1 9) – Young’i moodul paskalites, vastavalt N/m2 jagatud erikaaluga N/m3 mõõdetuna temperatuuril (296 ± +2) K ((23 ± +2) °C), (50 ± +5) % suhtelise niiskuse juures. |
| --- | --- |

Erimoodul (Specific modulus) (0 1 9) – Young’i moodul paskalites, vastavalt N/m2 jagatud erikaaluga N/m3 mõõdetuna temperatuuril (296 ± +2) K ((23 ± +2) °C), (50 ± +5) % suhtelise niiskuse juures.

| | Eritõmbetugevus (Specific tensile strength) (0 1 9) – maksimaalne tõmbetugevus paskalites, vastavalt N/m2 jagatud erikaaluga N/m3 mõõdetuna temperatuuril (296 ± +2) K ((23 ± +2) °C), (50 ± +5) % suhtelise niiskuse juures. |
| --- | --- |

Eritõmbetugevus (Specific tensile strength) (0 1 9) – maksimaalne tõmbetugevus paskalites, vastavalt N/m2 jagatud erikaaluga N/m3 mõõdetuna temperatuuril (296 ± +2) K ((23 ± +2) °C), (50 ± +5) % suhtelise niiskuse juures.

| | Lamepulbri tootmine sulametallist (Splat quenching) (1) – sulametalli joa kiire tahkestamise protsess joa põrkumisel jahutatud plokkide vastu, mille tulemusena moodustuvad helbed.


  NB!
  Kiire tahkestamine: sula aine tahkestamine jahutuskiirusega üle 1 000 K/s. |
| --- | --- |

Lamepulbri tootmine sulametallist (Splat quenching) (1) – sulametalli joa kiire tahkestamise protsess joa põrkumisel jahutatud plokkide vastu, mille tulemusena moodustuvad helbed.

NB!
  Kiire tahkestamine: sula aine tahkestamine jahutuskiirusega üle 1 000 K/s.

| | Hajaspekter (Spread spectrum) (5) – tehnika, milles suhteliselt kitsaribalise sidekanali energia on levitatud üle palju laiema energiaspektri. |
| --- | --- |

Hajaspekter (Spread spectrum) (5) – tehnika, milles suhteliselt kitsaribalise sidekanali energia on levitatud üle palju laiema energiaspektri.

| | Hajaspektriga radar (Spread spectrum radar) (6) – vt Radari hajaspekter. |
| --- | --- |

Hajaspektriga radar (Spread spectrum radar) (6) – vt Radari hajaspekter.

| | Stabiilsus (Stability) (7) – teatava parameetri variatsiooni standardhälve (1 sigma) oma kalibreeritud väärtusest, mis on mõõdetud muutumatu temperatuuri tingimustes. Seda võib väljendada aja funktsioonina. |
| --- | --- |

Stabiilsus (Stability) (7) – teatava parameetri variatsiooni standardhälve (1 sigma) oma kalibreeritud väärtusest, mis on mõõdetud muutumatu temperatuuri tingimustes. Seda võib väljendada aja funktsioonina.

| | Keemiarelvade konventsiooniga (mitte) ühinenud riigid (States (not) Party to the Chemical Weapon Convention) (1) – riigid, kelle suhtes keemiarelvade väljatöötamise, tootmise, varumise ja kasutamise keelustamise konventsioon on/ei ole jõustunud (vt www.opcw.org). |
| --- | --- |

Keemiarelvade konventsiooniga (mitte) ühinenud riigid (States (not) Party to the Chemical Weapon Convention) (1) – riigid, kelle suhtes keemiarelvade väljatöötamise, tootmise, varumise ja kasutamise keelustamise konventsioon on/ei ole jõustunud (vt www.opcw.org).

| | Programmeeritav (Stored programme controlled) (2 3 8) – juhitud elektroonilises mäluseadmes salvestatud käskudega, mida protsessor võib täita, et suunata kindlaksmääratud funktsioonide sooritamist.


  NB! Seadmed võivad olla programmeeritavad nii seadmesisese kui ka seadmevälise elektroonilise mäluseadme korral. |
| --- | --- |

Programmeeritav (Stored programme controlled) (2 3 8) – juhitud elektroonilises mäluseadmes salvestatud käskudega, mida protsessor võib täita, et suunata kindlaksmääratud funktsioonide sooritamist.

NB! Seadmed võivad olla programmeeritavad nii seadmesisese kui ka seadmevälise elektroonilise mäluseadme korral.

| | Põhimik (Substrate) (3) – alusmaterjali kiht koos ühendusradadega või ilma, mille peale või sisse võib paigutada diskreetkomponente või integraallülitusi.


  NB! 1: Diskreetkomponent: eraldi pakitud vooluahela element, millel on oma välisühendused.



  NB! 2: Vooluahela element: vooluahela üksik aktiivne või passiivne funktsionaalne osa, näiteks üks diood, üks transistor, üks takisti, üks kondensaator jne. |
| --- | --- |

Põhimik (Substrate) (3) – alusmaterjali kiht koos ühendusradadega või ilma, mille peale või sisse võib paigutada diskreetkomponente või integraallülitusi.

NB! 1: Diskreetkomponent: eraldi pakitud vooluahela element, millel on oma välisühendused.

NB! 2: Vooluahela element: vooluahela üksik aktiivne või passiivne funktsionaalne osa, näiteks üks diood, üks transistor, üks takisti, üks kondensaator jne.

| | Substraattoorikud (Substrate blanks) (6) – monoliitsed ühendid, mille suurus on sobiv selliste optiliste elementide tootmiseks nagu peeglid või optilised aknad. |
| --- | --- |

Substraattoorikud (Substrate blanks) (6) – monoliitsed ühendid, mille suurus on sobiv selliste optiliste elementide tootmiseks nagu peeglid või optilised aknad.

| | Toksiini alarühm (Sub-unit of toxin) (1) – struktuurselt ja funktsionaalselt kogu toksiini diskreetkomponent. |
| --- | --- |

Toksiini alarühm (Sub-unit of toxin) (1) – struktuurselt ja funktsionaalselt kogu toksiini diskreetkomponent.

| | Supersulamid (Superalloys) (2 9) – nikli-, koobalti- või rauapõhised sulamid, mis on tugevamad kui mis tahes AISI 300 seeria sulamid temperatuuridel üle 922 K (649°C) ja rasketes keskkonna- ja töötingimustes. |
| --- | --- |

Supersulamid (Superalloys) (2 9) – nikli-, koobalti- või rauapõhised sulamid, mis on tugevamad kui mis tahes AISI 300 seeria sulamid temperatuuridel üle 922 K (649°C) ja rasketes keskkonna- ja töötingimustes.

| | Ülijuhtivad materjalid (Superconductive) (1 3 6 8) – materjalid, näiteks metallid, sulamid või ühendid, mis võivad kaotada täielikult oma elektritakistuse, st võivad omandada lõpmatult suure elektrijuhtivuse ning kanda üle väga suuri elektrivoole ilma Joule’i soojenemiseta.


  NB! 1: Aine ülijuhtivat olekut iseloomustavad individuaalselt kriitiline temperatuur, kriitiline magnetväli, mis sõltub temperatuurist, ning kriitiline voolutihedus, mis sõltub nii temperatuurist kui ka magnetväljast. |
| --- | --- |

Ülijuhtivad materjalid (Superconductive) (1 3 6 8) – materjalid, näiteks metallid, sulamid või ühendid, mis võivad kaotada täielikult oma elektritakistuse, st võivad omandada lõpmatult suure elektrijuhtivuse ning kanda üle väga suuri elektrivoole ilma Joule’i soojenemiseta.

NB! 1: Aine ülijuhtivat olekut iseloomustavad individuaalselt kriitiline temperatuur, kriitiline magnetväli, mis sõltub temperatuurist, ning kriitiline voolutihedus, mis sõltub nii temperatuurist kui ka magnetväljast.

| | Ülivõimas laser (Super High Power Laser) (SHPL) (6) – laser, mille väljundenergia impulsis (tervikuna või osana sellest) ületab 1 kJ 50 ms jooksul või mille keskmine või pidevlaine (CW) võimsus ületab 20 kW. |
| --- | --- |

Ülivõimas laser (Super High Power Laser) (SHPL) (6) – laser, mille väljundenergia impulsis (tervikuna või osana sellest) ületab 1 kJ 50 ms jooksul või mille keskmine või pidevlaine (CW) võimsus ületab 20 kW.

| | Üliplastne vormimine (Superplastic forming) (1 2) – kuumvormimisprotsess, mille käigus saavutatakse metallidel, millistel toatemperatuuril tavalisel venitamiskatsel on katkemispunktis väike suhteline pikenemine (vähem kui 20 %), kuumutamist kasutades vähemalt kahekordne suhtelise pikenemise kasv. |
| --- | --- |

Üliplastne vormimine (Superplastic forming) (1 2) – kuumvormimisprotsess, mille käigus saavutatakse metallidel, millistel toatemperatuuril tavalisel venitamiskatsel on katkemispunktis väike suhteline pikenemine (vähem kui 20 %), kuumutamist kasutades vähemalt kahekordne suhtelise pikenemise kasv.

| | Sümmeetriline algoritm (Symmetric algorithm) (5) – krüptograafiline algoritm, mis kasutab nii krüpteerimise kui ka dekrüpteerimise puhul ühesugust võtit.


  NB! Sümmeetriliste algoritmide tavakasutuseks on andmete konfidentsiaalsuse tagamine. |
| --- | --- |

Sümmeetriline algoritm (Symmetric algorithm) (5) – krüptograafiline algoritm, mis kasutab nii krüpteerimise kui ka dekrüpteerimise puhul ühesugust võtit.

NB! Sümmeetriliste algoritmide tavakasutuseks on andmete konfidentsiaalsuse tagamine.

| | Marsruudid (System track) (6) – töödeldud, korreleeritud (radari sihtmärgi ja lennu plaanijärgse asukoha andmed) ning värskendatud õhusõiduki asukoha raport, mis on lennujuhtimiskeskuse lennujuhtidele kättesaadav. |
| --- | --- |

Marsruudid (System track) (6) – töödeldud, korreleeritud (radari sihtmärgi ja lennu plaanijärgse asukoha andmed) ning värskendatud õhusõiduki asukoha raport, mis on lennujuhtimiskeskuse lennujuhtidele kättesaadav.

| | Süstoolsed maatriksarvutid (Systolic array computer) (4) – arvutid, milles kasutaja võib dünaamiliselt ohjata andmete voogu ja muutumist loogikalülituste tasemel. |
| --- | --- |

Süstoolsed maatriksarvutid (Systolic array computer) (4) – arvutid, milles kasutaja võib dünaamiliselt ohjata andmete voogu ja muutumist loogikalülituste tasemel.

| | Lint (Tape) (1) – materjal, mis on valmistatud põimitud või ühesuunalistest monokiududest, heidest, eelketrusest, köisikutest või lõngadest jm, tavaliselt vaiguga impregneeritud.


  NB!
  Heie on kogum monokiude (tavaliselt üle 200), mis on ligikaudu paralleelsed. |
| --- | --- |

Lint (Tape) (1) – materjal, mis on valmistatud põimitud või ühesuunalistest monokiududest, heidest, eelketrusest, köisikutest või lõngadest jm, tavaliselt vaiguga impregneeritud.

NB!
  Heie on kogum monokiude (tavaliselt üle 200), mis on ligikaudu paralleelsed.

| | Tehnoloogia (Technology) (GTN NTN kõik) – spetsiifiline teave, mis on ette nähtud kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. See teave esineb tehnilise informatsiooni või tehnilise abi kujul.


  NB! 1: Tehniline abi võib esineda juhiste, oskuste, väljaõppe, tööalaste teadmiste ja konsultatsiooniteenuste vormis ning võib sisaldada ka tehniliste andmete edastamist.



  NB! 2: Tehnilised andmed võivad esineda tehniliste jooniste, plaanide, diagrammide, mudelite, valemite, tabelite, insener-tehniliste projektide ja spetsifikatsioonide, käsiraamatute ja juhiste kujul kas kirjalikult või muudele andmekandjatele või seadmetele nagu näiteks magnetkettad, helilindid, püsimälud, salvestatuna. |
| --- | --- |

Tehnoloogia (Technology) (GTN NTN kõik) – spetsiifiline teave, mis on ette nähtud kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. See teave esineb tehnilise informatsiooni või tehnilise abi kujul.

NB! 1: Tehniline abi võib esineda juhiste, oskuste, väljaõppe, tööalaste teadmiste ja konsultatsiooniteenuste vormis ning võib sisaldada ka tehniliste andmete edastamist.

NB! 2: Tehnilised andmed võivad esineda tehniliste jooniste, plaanide, diagrammide, mudelite, valemite, tabelite, insener-tehniliste projektide ja spetsifikatsioonide, käsiraamatute ja juhiste kujul kas kirjalikult või muudele andmekandjatele või seadmetele nagu näiteks magnetkettad, helilindid, püsimälud, salvestatuna.

| | Kallutatav spindel (Tilting spindle) (2) – tööriista hoidev spindel, mis muudab masintöötlemisprotsessi käigus oma kesktelje pöördenurka mis tahes muu telje suhtes. |
| --- | --- |

Kallutatav spindel (Tilting spindle) (2) – tööriista hoidev spindel, mis muudab masintöötlemisprotsessi käigus oma kesktelje pöördenurka mis tahes muu telje suhtes.

| | Ajakonstant (Time constant) (6) – aeg, mis kulub valgusmõjustuse andmisest 1-1/e-kordseks voolutugevuse kasvuks tema lõppväärtusest (st 63 %-ni lõppväärtusest). |
| --- | --- |

Ajakonstant (Time constant) (6) – aeg, mis kulub valgusmõjustuse andmisest 1-1/e-kordseks voolutugevuse kasvuks tema lõppväärtusest (st 63 %-ni lõppväärtusest).

| | Aegmoduleeritud ultralairiba (Time-modulated ultra-wideband) (5) – tehnika, mille käigus väga lühikesi, ajaliselt täpselt kontrollitud raadiosageduslikke impulsse moduleeritakse vastavuses ülekantavate andmetega, nihutades impulsi asukohta (nn impulsi asukohamodulatsioon – Pulse Position Modulation, PPM), ning raadiosageduslikud impulsid kanalistatakse või skrambleeritakse vastavalt pseudojuhusliku müraga impulsi asukohamodulatsiooni abil ja antakse edasi ning võetakse vastu otse impulsside kujul, kasutamata kandesagedusi, mistõttu üle ultralaia sagedusvahemiku on võimsustihedus erakordselt madal. Seda tehnikat kutsutakse ka impulssraadioks. |
| --- | --- |

Aegmoduleeritud ultralairiba (Time-modulated ultra-wideband) (5) – tehnika, mille käigus väga lühikesi, ajaliselt täpselt kontrollitud raadiosageduslikke impulsse moduleeritakse vastavuses ülekantavate andmetega, nihutades impulsi asukohta (nn impulsi asukohamodulatsioon – Pulse Position Modulation, PPM), ning raadiosageduslikud impulsid kanalistatakse või skrambleeritakse vastavalt pseudojuhusliku müraga impulsi asukohamodulatsiooni abil ja antakse edasi ning võetakse vastu otse impulsside kujul, kasutamata kandesagedusi, mistõttu üle ultralaia sagedusvahemiku on võimsustihedus erakordselt madal. Seda tehnikat kutsutakse ka impulssraadioks.

| | Täielikult automatiseeritud lennujuhtimine (Total control of flight) (7) – õhusõidukite seisundi muutujate ja lennutrajektoori automatiseeritud kontroll, et tagada ülesande eesmärkide saavutamine vastavalt reaalajas muutunud eesmärkidele, ohtudele või teistele õhusõidukitele. |
| --- | --- |

Täielikult automatiseeritud lennujuhtimine (Total control of flight) (7) – õhusõidukite seisundi muutujate ja lennutrajektoori automatiseeritud kontroll, et tagada ülesande eesmärkide saavutamine vastavalt reaalajas muutunud eesmärkidele, ohtudele või teistele õhusõidukitele.

| | Täielik digitaalne edastuskiirus (Total digital transfer rate) (5) – ajaühikus digitaalse andmeedastussüsteemi vastavate seadmete vahel liikuvate bittide arv, kaasa arvatud reakodeerimisbitid, talitusbitid jne.


  NB! Vt ka "digitaalne edastuskiirus". |
| --- | --- |

Täielik digitaalne edastuskiirus (Total digital transfer rate) (5) – ajaühikus digitaalse andmeedastussüsteemi vastavate seadmete vahel liikuvate bittide arv, kaasa arvatud reakodeerimisbitid, talitusbitid jne.

NB! Vt ka "digitaalne edastuskiirus".

| | Köisik (Tow) (1) – kogum monokiude, mis on tavaliselt ligikaudu paralleelsed. |
| --- | --- |

Köisik (Tow) (1) – kogum monokiude, mis on tavaliselt ligikaudu paralleelsed.

| | Toksiinid (Toxins) (1 2) – toksiinid, mis esinevad sihilikult isoleeritud preparaatide või segudena, olenemata tootmisviisist, välja arvatud toksiinid, mis esinevad selliste teiste materjalide nagu patoloogiliste näidiste, põllukultuuride, toiduainete või mikroorganismide külvivarude saasteainetena. |
| --- | --- |

Toksiinid (Toxins) (1 2) – toksiinid, mis esinevad sihilikult isoleeritud preparaatide või segudena, olenemata tootmisviisist, välja arvatud toksiinid, mis esinevad selliste teiste materjalide nagu patoloogiliste näidiste, põllukultuuride, toiduainete või mikroorganismide külvivarude saasteainetena.

| | Siirdelaser (Transfer laser) (6) – laser, milles laseri aktiivaine osakesi ergastatakse mitteaktiivaine aatomite või molekulide põrkumisel aktiivaine aatomite või molekulidega ülekantud energia abil. |
| --- | --- |

Siirdelaser (Transfer laser) (6) – laser, milles laseri aktiivaine osakesi ergastatakse mitteaktiivaine aatomite või molekulide põrkumisel aktiivaine aatomite või molekulidega ülekantud energia abil.

| | Timmitav (Tunable) (6) – laseri võime tekitada pidevat väljundvõimsust igal sagedusel üle paljude lasersiirete piirkonna. Laserit, mis võimaldab saada diskreetseid lainepikkusi ühel lasersiirdel, ei loeta timmitavaks. |
| --- | --- |

Timmitav (Tunable) (6) – laseri võime tekitada pidevat väljundvõimsust igal sagedusel üle paljude lasersiirete piirkonna. Laserit, mis võimaldab saada diskreetseid lainepikkusi ühel lasersiirdel, ei loeta timmitavaks.

| | Uraaniisotoobi U235 või U233 suhtes rikastatud uraan (Uranium enriched in the isotopes 235 or 233) (0) – uraan, mis sisaldab uraaniisotoopi U235 või U233 või mõlemat nimetatud uraaniisotoopi sellisel hulgal, et nende isotoopide summaarse koguse suhe isotoobi 238 kogusesse on suurem kui looduslikult esinev isotoopide 235 ja 238 suhe (0,72 %). |
| --- | --- |

Uraaniisotoobi U235 või U233 suhtes rikastatud uraan (Uranium enriched in the isotopes 235 or 233) (0) – uraan, mis sisaldab uraaniisotoopi U235 või U233 või mõlemat nimetatud uraaniisotoopi sellisel hulgal, et nende isotoopide summaarse koguse suhe isotoobi 238 kogusesse on suurem kui looduslikult esinev isotoopide 235 ja 238 suhe (0,72 %).

| | Kasutamine (Use) (GTN NTN kõik) – toimimine, paigaldus (sh kohapealne paigaldus), hooldus (kontroll), remont, kapitaalremont ja renoveerimine. |
| --- | --- |

Kasutamine (Use) (GTN NTN kõik) – toimimine, paigaldus (sh kohapealne paigaldus), hooldus (kontroll), remont, kapitaalremont ja renoveerimine.

| | Kasutajal juurdepääsetav programmeeritavus (User-accessible programmability) (6) – omadus, mis lubab kasutajal sisestada, modifitseerida või asendada programme teisiti kui:






  a. | muutes füüsiliselt lülitusskeemi või ühendusi; või |
| --- | --- | --- |

Kasutajal juurdepääsetav programmeeritavus (User-accessible programmability) (6) – omadus, mis lubab kasutajal sisestada, modifitseerida või asendada programme teisiti kui:

a.

muutes füüsiliselt lülitusskeemi või ühendusi; või

| b. | talitlusviiside sättimise, kaasa arvatud parameetrite sisestuse abil. |
| --- | --- |

b.

talitlusviiside sättimise, kaasa arvatud parameetrite sisestuse abil.

| | Vaktsiin (Vaccine) (1) – ravimvormis olev ravim, millel on valmistaja- või kasutajariigi reguleerivate asutuste antud litsents või müügiluba või kliiniliste uuringutega seotud luba ja mis on mõeldud nende inimeste või loomade immunoloogilise kaitsesüsteemi tõhustamiseks haiguste ärahoidmise eesmärgil, kellele seda manustatakse. |
| --- | --- |

Vaktsiin (Vaccine) (1) – ravimvormis olev ravim, millel on valmistaja- või kasutajariigi reguleerivate asutuste antud litsents või müügiluba või kliiniliste uuringutega seotud luba ja mis on mõeldud nende inimeste või loomade immunoloogilise kaitsesüsteemi tõhustamiseks haiguste ärahoidmise eesmärgil, kellele seda manustatakse.

| | Vaakumpulverisatsioon (Vacuum atomisation) (1) – protsess, mille käigus vaakumisse suunatud sula metallisulamijuga pihustub seal lahustunud gaasi kiirel paisumisel piiskadeks, mille läbimõõt on 500 mikromeetrit ja vähem. |
| --- | --- |

Vaakumpulverisatsioon (Vacuum atomisation) (1) – protsess, mille käigus vaakumisse suunatud sula metallisulamijuga pihustub seal lahustunud gaasi kiirel paisumisel piiskadeks, mille läbimõõt on 500 mikromeetrit ja vähem.

| | Muudetava tiivageomeetriaga aerodünaamilised pinnad (Variable geometry airfoils) (7) – kandepinna tagumisel serval tagatiibade ja trimmerite või esiserval eestiibade või kallutatava nina langetamise kasutamine, mille asendit saab lennu ajal juhtida. |
| --- | --- |

Muudetava tiivageomeetriaga aerodünaamilised pinnad (Variable geometry airfoils) (7) – kandepinna tagumisel serval tagatiibade ja trimmerite või esiserval eestiibade või kallutatava nina langetamise kasutamine, mille asendit saab lennu ajal juhtida.

| | Lõng (Yarn) (1) – kimp keerutatud heiet.


  NB!
  Heie on kogum monokiude (tavaliselt üle 200), mis on ligikaudu paralleelsed. |
| --- | --- |

Lõng (Yarn) (1) – kimp keerutatud heiet.

NB!
  Heie on kogum monokiude (tavaliselt üle 200), mis on ligikaudu paralleelsed.

KÄESOLEVAS LISAS KASUTATUD AKRONÜÜMID JA LÜHENDID

Defineeritud terminina akronüümi või lühendi leiab ka pealkirja alt "Käesolevas lisas kasutatud mõisted".

| Akronüüm või lühend | Tähendus |
| --- | --- |
| ABEC | Annular Bearing Engineers Committee (rull-laagritootjate ühendus) |
| AGMA | American Gear Manufacturers' Association (Ameerika ajamitootjate ühendus) |
| AHRS | attitude and heading reference systems (suuna ja positsiooni määramise süsteemid) |
| AISI | American Iron and Steel Institute (Ameerika Raua ja Terase Instituut) |
| ALU | arithmetic logic unit (aritmeetika-loogikaseade) |
| ANSI | American National Standards Institute (Ameerika Riiklik Standardiinstituut) |
| ASTM | American Society for Testing and Materials (USA Materjalide Katsetamise Ühing) |
| ATC | air traffic control (lennujuhtimine) |
| AVLIS | atomic vapour laser isotope separation (atomaarse gaasi isotoopiline laser-eraldus) |
| CAD | computer-aided-design (raalprojekteerimine) |
| CAS | Chemical Abstracts Service (keemiaalane referaatteenindus) |
| CCITT | International Telegraph and Telephone Consultative Committee (Rahvusvaheline Telegraafi ja Telefoni Konsultatiivkomitee) |
| CDU | control and display unit (juhtimis- ja kuvarmoodul) |
| CEP | circular error probable (tõenäolise vea ring) |
| CNTD | controlled nucleation thermal deposition (kontrollitud idustamisega termiline sadestamine) |
| CRISLA | chemical reaction by isotope selective laser activation (laseraktiveeritud keemiline reaktsioon) |
| CVD | chemical vapour deposition (keemiline aurustamine-sadestamine) |
| CW | chemical warfare (keemiasõda) |
| CW (for lasers) | continuous wave (pidevlaine) |
| DME | distance measuring equipment (kaugusmõõtur) |
| DS | directionally solidified (suunatult tahkestatud) |
| EB-PVD | electron beam physical vapour deposition (elektronkiire abil toimuv füüsikaline aurustamine- sadestamine) |
| EBU | European Broadcasting Union (Euroopa Ringhäälinguliit) |
| ECM | electro-chemical machining (elektrokeemiline töötlus) |
| ECR | electron cyclotron resonance (elektrontsüklotronresonants) |
| EDM | electrical discharge machines (elektroerosioontöötlus) |
| EEPROMS | electrically erasable programmable read only memory (programmeeritav elekterkustutusega püsimälu) |
| EIA | Electronic Industries Association (Elektroonikatööstuste Ühendus) |
| EMC | electromagnetic compatibility (elektromagnetiline ühilduvus) |
| ETSI | European Telecommunications Standards Institute (Euroopa Telekommunikatsiooni Standardiinstituut) |
| FFT | Fast Fourier Transform (Fourier’ kiirteisendus) |
| GLONASS | global navigation satellite system (globaalne sateliitnavigatsioonisüsteem) |
| GPS | global positioning system (globaalne positsioneerimissüsteem) |
| HBT | hetero-bipolar transistors (hetero-bipolaarsed transistorid) |
| HDDR | high density digital recording (kõrglahutuslik digitaalsalvestus) |
| HEMT | high electron mobility transistors (elektronide kõrgliikuvusega transistor) |
| ICAO | International Civil Aviation Organisation (Rahvusvaheline Tsiviillennundusorganisatsioon) |
| IEC | International Electro-technical Commission (Rahvusvaheline Elektrotehnikakomisjon) |
| IEEE | Institute of Electrical and Electronic Engineers (Elektri- ja Elektroonikainseneride Instituut) |
| IFOV | instantaneous-field-of-view (hetkeline vaateväli) |
| ILS | instrument landing system (instrumentaalmaandumissüsteem) |
| IRIG | inter-range instrumentation group (salvestusmeetodite normeerimise komisjon) |
| ISAR | inverse synthetic aperture radar (inverteeritud sünteesapertuuriga radar) |
| ISO-kood | International Organization for Standardization (Rahvusvaheline Standardiorganisatsioon) |
| ITU | International Telecommunication Union (Rahvusvaheline Telekommunikatsiooni Liit) |
| JIS | Japanese Industrial Standard (Jaapani tööstusstandard) |
| JT | Joule-Thomson |
| LIDAR | light detection and ranging (laserlokaator) |
| LRU | line replaceable unit (liini vahetatav moodul) |
| MAC | message authentication code (sõnumi autentimiskood) |
| Mach | ratio of speed of an object to speed of sound (after Ernst Mach) (eseme kiiruse suhe heli kiirusesse samas keskkonnas (Ernst Machi järgi)) |
| MLIS | molecular laser isotopic separation (molekulide laserergastusel põhinev eraldamine) |
| MLS | microwave landing systems (mikrolainemaandumissüsteemid) |
| MOCVD | metal organic chemical vapour deposition (keemiline aurustamine-sadestamine metallorgaanilistest ühenditest) |
| MRI | magnetic resonance imaging (magnetresonantskuvamine) |
| MTBF | mean-time-between-failures (keskmine tõrketusvältus) |
| Mtops | million theoretical operations per second (miljon teoreetilist operatsiooni sekundis) |
| MTTF | mean-time-to-failure (keskmine kasutusaeg tõrkeni) |
| NBC | Nuclear, Biological and Chemical (tuuma-, bioloogiline ja keemiline ehk massihävitus-) |
| NDT | non-destructive test (mittepurustav katsetus) |
| PAR | precision approach radar (täppislähenemisradar) |
| PIN | (personal identification number) PIN-kood |
| ppm | parts per million (miljondikosa) |
| PSD | power spectral density (võimsuse spektraaltihedus) |
| QAM | quadrature-amplitude-modulation (kvadratuurne amplituudmodulatsioon) |
| RF | radio frequency (raadiosagedus) |
| SACMA | Suppliers of Advanced Composite Materials Association (Edendatud Komposiitmaterjalide Tarnijate Assotsiatsioon) |
| SAR | synthetic aperture radar (sünteesapertuuriga radar) |
| SC | single crystal (monokristall) |
| SLAR | sidelooking airborne radar (õhusõiduki pardal külgvaateradar) |
| SMPTE | Society of Motion Picture and Television Engineers (Filmi- ja Televisiooniinseneride Ühing) |
| SRA | shop replaceable assembly (töökojas vahetatav agregaat) |
| SRAM | static random access memory (staatiline muutmälu) |
| SRM | SACMA Recommended Methods (SACMA soovitatavad meetodid) |
| SSB | single sideband (ühe külgribaga) |
| SSR | secondary surveillance radar (sekundaarseireradar) |
| TCSEC | trusted computer system evaluation criteria (Ameerika arvutisüsteemide informatsiooniturvalisuse hindamisnorm) |
| TIR | total indicated reading (kogu tulemus) |
| UV | ultraviolett |
| UTS | ultimate tensile strength (tõmbetugevus) |
| VOR | very high frequency omni-directional range (ülikõrgsageduslik ringsuunaline raadiomajakas) |
| YAG | yttrium/aluminum garnet (ütrium/alumiiniumgranaat) |

Akronüüm või lühend

Tähendus

ABEC

Annular Bearing Engineers Committee (rull-laagritootjate ühendus)

AGMA

American Gear Manufacturers' Association (Ameerika ajamitootjate ühendus)

AHRS

attitude and heading reference systems (suuna ja positsiooni määramise süsteemid)

AISI

American Iron and Steel Institute (Ameerika Raua ja Terase Instituut)

ALU

arithmetic logic unit (aritmeetika-loogikaseade)

ANSI

American National Standards Institute (Ameerika Riiklik Standardiinstituut)

ASTM

American Society for Testing and Materials (USA Materjalide Katsetamise Ühing)

ATC

air traffic control (lennujuhtimine)

AVLIS

atomic vapour laser isotope separation (atomaarse gaasi isotoopiline laser-eraldus)

CAD

computer-aided-design (raalprojekteerimine)

CAS

Chemical Abstracts Service (keemiaalane referaatteenindus)

CCITT

International Telegraph and Telephone Consultative Committee (Rahvusvaheline Telegraafi ja Telefoni Konsultatiivkomitee)

CDU

control and display unit (juhtimis- ja kuvarmoodul)

CEP

circular error probable (tõenäolise vea ring)

CNTD

controlled nucleation thermal deposition (kontrollitud idustamisega termiline sadestamine)

CRISLA

chemical reaction by isotope selective laser activation (laseraktiveeritud keemiline reaktsioon)

CVD

chemical vapour deposition (keemiline aurustamine-sadestamine)

CW

chemical warfare (keemiasõda)

CW (for lasers)

continuous wave (pidevlaine)

DME

distance measuring equipment (kaugusmõõtur)

DS

directionally solidified (suunatult tahkestatud)

EB-PVD

electron beam physical vapour deposition (elektronkiire abil toimuv füüsikaline aurustamine- sadestamine)

EBU

European Broadcasting Union (Euroopa Ringhäälinguliit)

ECM

electro-chemical machining (elektrokeemiline töötlus)

ECR

electron cyclotron resonance (elektrontsüklotronresonants)

EDM

electrical discharge machines (elektroerosioontöötlus)

EEPROMS

electrically erasable programmable read only memory (programmeeritav elekterkustutusega püsimälu)

EIA

Electronic Industries Association (Elektroonikatööstuste Ühendus)

EMC

electromagnetic compatibility (elektromagnetiline ühilduvus)

ETSI

European Telecommunications Standards Institute (Euroopa Telekommunikatsiooni Standardiinstituut)

FFT

Fast Fourier Transform (Fourier’ kiirteisendus)

GLONASS

global navigation satellite system (globaalne sateliitnavigatsioonisüsteem)

GPS

global positioning system (globaalne positsioneerimissüsteem)

HBT

hetero-bipolar transistors (hetero-bipolaarsed transistorid)

HDDR

high density digital recording (kõrglahutuslik digitaalsalvestus)

HEMT

high electron mobility transistors (elektronide kõrgliikuvusega transistor)

ICAO

International Civil Aviation Organisation (Rahvusvaheline Tsiviillennundusorganisatsioon)

IEC

International Electro-technical Commission (Rahvusvaheline Elektrotehnikakomisjon)

IEEE

Institute of Electrical and Electronic Engineers (Elektri- ja Elektroonikainseneride Instituut)

IFOV

instantaneous-field-of-view (hetkeline vaateväli)

ILS

instrument landing system (instrumentaalmaandumissüsteem)

IRIG

inter-range instrumentation group (salvestusmeetodite normeerimise komisjon)

ISAR

inverse synthetic aperture radar (inverteeritud sünteesapertuuriga radar)

ISO-kood

International Organization for Standardization (Rahvusvaheline Standardiorganisatsioon)

ITU

International Telecommunication Union (Rahvusvaheline Telekommunikatsiooni Liit)

JIS

Japanese Industrial Standard (Jaapani tööstusstandard)

JT

Joule-Thomson

LIDAR

light detection and ranging (laserlokaator)

LRU

line replaceable unit (liini vahetatav moodul)

MAC

message authentication code (sõnumi autentimiskood)

Mach

ratio of speed of an object to speed of sound (after Ernst Mach) (eseme kiiruse suhe heli kiirusesse samas keskkonnas (Ernst Machi järgi))

MLIS

molecular laser isotopic separation (molekulide laserergastusel põhinev eraldamine)

MLS

microwave landing systems (mikrolainemaandumissüsteemid)

MOCVD

metal organic chemical vapour deposition (keemiline aurustamine-sadestamine metallorgaanilistest ühenditest)

MRI

magnetic resonance imaging (magnetresonantskuvamine)

MTBF

mean-time-between-failures (keskmine tõrketusvältus)

Mtops

million theoretical operations per second (miljon teoreetilist operatsiooni sekundis)

MTTF

mean-time-to-failure (keskmine kasutusaeg tõrkeni)

NBC

Nuclear, Biological and Chemical (tuuma-, bioloogiline ja keemiline ehk massihävitus-)

NDT

non-destructive test (mittepurustav katsetus)

PAR

precision approach radar (täppislähenemisradar)

PIN

(personal identification number) PIN-kood

ppm

parts per million (miljondikosa)

PSD

power spectral density (võimsuse spektraaltihedus)

QAM

quadrature-amplitude-modulation (kvadratuurne amplituudmodulatsioon)

RF

radio frequency (raadiosagedus)

SACMA

Suppliers of Advanced Composite Materials Association (Edendatud Komposiitmaterjalide Tarnijate Assotsiatsioon)

SAR

synthetic aperture radar (sünteesapertuuriga radar)

SC

single crystal (monokristall)

SLAR

sidelooking airborne radar (õhusõiduki pardal külgvaateradar)

SMPTE

Society of Motion Picture and Television Engineers (Filmi- ja Televisiooniinseneride Ühing)

SRA

shop replaceable assembly (töökojas vahetatav agregaat)

SRAM

static random access memory (staatiline muutmälu)

SRM

SACMA Recommended Methods (SACMA soovitatavad meetodid)

SSB

single sideband (ühe külgribaga)

SSR

secondary surveillance radar (sekundaarseireradar)

TCSEC

trusted computer system evaluation criteria (Ameerika arvutisüsteemide informatsiooniturvalisuse hindamisnorm)

TIR

total indicated reading (kogu tulemus)

UV

ultraviolett

UTS

ultimate tensile strength (tõmbetugevus)

VOR

very high frequency omni-directional range (ülikõrgsageduslik ringsuunaline raadiomajakas)

YAG

yttrium/aluminum garnet (ütrium/alumiiniumgranaat)

0. KATEGOORIA

TUUMAMATERJALID, RAJATISED JA SEADMED

0ASüsteemid, seadmed ja komponendid

0A001
  Tuumareaktorid ja spetsiaalselt nende jaoks projekteeritud või valmistatud seadmed ja komponendid:

| a. | tuumareaktorid, mis on võimelised käigus hoidma kontrollitavat isekulgevat tuumade lõhastumise ahelreaktsiooni; |
| --- | --- |

a.

tuumareaktorid, mis on võimelised käigus hoidma kontrollitavat isekulgevat tuumade lõhastumise ahelreaktsiooni;

| b. | metallanumad või nende olulised osad, spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud hoidma tuumareaktori südamikku, kaasa arvatud reaktorianuma kaas reaktori surveanuma jaoks; |
| --- | --- |

b.

metallanumad või nende olulised osad, spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud hoidma tuumareaktori südamikku, kaasa arvatud reaktorianuma kaas reaktori surveanuma jaoks;

| c. | manipuleeritavad seadmed, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud tuumakütuse tuumareaktorisse sisseviimiseks või sealt eemaldamiseks; |
| --- | --- |

c.

manipuleeritavad seadmed, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud tuumakütuse tuumareaktorisse sisseviimiseks või sealt eemaldamiseks;

| d. | reaktori kontrollvardad, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud tuumareaktoris toimuva tuuma lõhustumise protsessi kontrollimiseks, nende toetus- ja riputustarindid, varraste ajamid ning varraste juhiktorud; |
| --- | --- |

d.

reaktori kontrollvardad, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud tuumareaktoris toimuva tuuma lõhustumise protsessi kontrollimiseks, nende toetus- ja riputustarindid, varraste ajamid ning varraste juhiktorud;

| e. | reaktori survetorud, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud sisaldama tuumareaktoris kütuseelemente ja primaarjahutit töörõhul üle 5,1 MPa; |
| --- | --- |

e.

reaktori survetorud, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud sisaldama tuumareaktoris kütuseelemente ja primaarjahutit töörõhul üle 5,1 MPa;

| f. | tsirkooniumist ja selle sulamitest valmistatud torud või torusõlmed, milles hafniumi ja tsirkooniumi suhe kaalu järgi on väiksem kui 1:500 ja mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kasutamiseks tuumareaktorites; |
| --- | --- |

f.

tsirkooniumist ja selle sulamitest valmistatud torud või torusõlmed, milles hafniumi ja tsirkooniumi suhe kaalu järgi on väiksem kui 1:500 ja mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kasutamiseks tuumareaktorites;

| g. | jahuti pumbad, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud primaarjahuti tsirkulatsiooni tekitamiseks tuumareaktoris; |
| --- | --- |

g.

jahuti pumbad, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud primaarjahuti tsirkulatsiooni tekitamiseks tuumareaktoris;

| h. | tuumareaktori siseosad, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kasutamiseks tuumareaktoris, sealhulgas südamiku kandetarindid, kütusekanalid, soojusekraanid, deflektorid, südamiku restplaadid ja hajutiplaadid.


  Märkus:
  Reaktori siseosad punktis 0A001.h tähendavad kõiki olulisi struktuure reaktorianumas, millel on üks või enam ülesannet, nagu südamiku toestamine, kütuse asetuse säilitamine, primaarjahuti voolu suunamine, reaktorianuma kiirgusvarje ning südamikusiseste seadmete juhtimine. |
| --- | --- |

h.

tuumareaktori siseosad, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kasutamiseks tuumareaktoris, sealhulgas südamiku kandetarindid, kütusekanalid, soojusekraanid, deflektorid, südamiku restplaadid ja hajutiplaadid.

Märkus:
  Reaktori siseosad punktis 0A001.h tähendavad kõiki olulisi struktuure reaktorianumas, millel on üks või enam ülesannet, nagu südamiku toestamine, kütuse asetuse säilitamine, primaarjahuti voolu suunamine, reaktorianuma kiirgusvarje ning südamikusiseste seadmete juhtimine.

| i. | soojusvahetid (aurugeneraatorid), mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kasutamiseks tuumareaktori primaarjahutusringis; |
| --- | --- |

i.

soojusvahetid (aurugeneraatorid), mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kasutamiseks tuumareaktori primaarjahutusringis;

| j. | neutronite detekteerimis- ja mõõteriistad, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud neutronvoo taseme kindlaksmääramiseks tuumareaktori südamikus. |
| --- | --- |

j.

neutronite detekteerimis- ja mõõteriistad, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud neutronvoo taseme kindlaksmääramiseks tuumareaktori südamikus.

0BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

0B001Isotoopide eraldustehased loodusliku uraani isotoopide, vaesestatud uraani isotoopide ja lõhustuvate erimaterjalide isotoopide eraldamiseks ning nende jaoks spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud seadmed ja komponendid:

| a. | tehased, mis on spetsiaalselt kavandatud loodusliku uraani isotoopide, vaesestatud uraani isotoopide, lõhustuvate erimaterjalide isotoopide eraldamiseks järgnevalt:






  1. | gaastsentrifugaaleraldustehas; |
| --- | --- | --- |

a.

tehased, mis on spetsiaalselt kavandatud loodusliku uraani isotoopide, vaesestatud uraani isotoopide, lõhustuvate erimaterjalide isotoopide eraldamiseks järgnevalt:

1.

gaastsentrifugaaleraldustehas;

| 2. | gaasdifusiooneraldustehas; |
| --- | --- |

2.

gaasdifusiooneraldustehas;

| 3. | aerodünaamiline eraldustehas; |
| --- | --- |

3.

aerodünaamiline eraldustehas;

| 4. | keemilise vahetusprotsessiga eraldustehas; |
| --- | --- |

4.

keemilise vahetusprotsessiga eraldustehas;

| 5. | ioonvahetuseraldustehas; |
| --- | --- |

5.

ioonvahetuseraldustehas;

| 6. | atomaarse gaasi isotoopide lasereraldustehas (AVLIS); |
| --- | --- |

6.

atomaarse gaasi isotoopide lasereraldustehas (AVLIS);

| 7. | molekulaarne isotoopide lasereraldustehas (MLIS); Plasmaeraldustehas; |
| --- | --- |

7.

molekulaarne isotoopide lasereraldustehas (MLIS); Plasmaeraldustehas;

| 8. | plasmaeraldustehas; |
| --- | --- |

8.

plasmaeraldustehas;

| 9. | elektromagnetiline eraldustehas; |
| --- | --- |

9.

elektromagnetiline eraldustehas;

| b. | gaasitsentrifuugid, komplektid ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud gaasilise tsentrifugaaleraldusprotsessi jaoks, nagu:


  Märkus: Punktis 0B001.b tähendab kõrge tugevus/tihedussuhtega materjal järgmist:








  a. | martensiitvanandatud teras, mille tõmbetugevus on 2 050 MPa või rohkem; |
| --- | --- | --- |

b.

gaasitsentrifuugid, komplektid ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud gaasilise tsentrifugaaleraldusprotsessi jaoks, nagu:

Märkus: Punktis 0B001.b tähendab kõrge tugevus/tihedussuhtega materjal järgmist:

a.

martensiitvanandatud teras, mille tõmbetugevus on 2 050 MPa või rohkem;

| b. | alumiiniumisulamid, mille tõmbetugevus on 460 MPa või rohkem; või |
| --- | --- |

b.

alumiiniumisulamid, mille tõmbetugevus on 460 MPa või rohkem; või

| c. | kiud või kiuline materjal, mille erimoodul on suurem kui 3,18 × 106 m ning mille eritõmbetugevus on suurem kui 76,2 × 103 m; |
| --- | --- |

c.

kiud või kiuline materjal, mille erimoodul on suurem kui 3,18 × 106 m ning mille eritõmbetugevus on suurem kui 76,2 × 103 m;

| 1. | gaasitsentrifuugid; |
| --- | --- |

1.

gaasitsentrifuugid;

| 2. | terviklikud rootorsõlmed; |
| --- | --- |

2.

terviklikud rootorsõlmed;

| 3. | kõrge tugevuse/tiheduse suhtega materjalist valmistatud rootori torusilindrid seinapaksusega 12 mm või vähem ja diameetriga 75–400 mm; |
| --- | --- |

3.

kõrge tugevuse/tiheduse suhtega materjalist valmistatud rootori torusilindrid seinapaksusega 12 mm või vähem ja diameetriga 75–400 mm;

| 4. | kõrge tugevuse/tiheduse suhtega materjalist valmistatud rõngad või lõõtsad seinapaksusega 3 mm või vähem ja diameetriga 75–400 mm, mis on mõeldud rootortoru kohalikuks toetamiseks või mitme sellise ühendamiseks; |
| --- | --- |

4.

kõrge tugevuse/tiheduse suhtega materjalist valmistatud rõngad või lõõtsad seinapaksusega 3 mm või vähem ja diameetriga 75–400 mm, mis on mõeldud rootortoru kohalikuks toetamiseks või mitme sellise ühendamiseks;

| 5. | kõrge tugevuse/tiheduse suhtega materjalist valmistatud ja rootortoru sisse paigaldamiseks mõeldud tõkestid diameetriga 75–400 mm; |
| --- | --- |

5.

kõrge tugevuse/tiheduse suhtega materjalist valmistatud ja rootortoru sisse paigaldamiseks mõeldud tõkestid diameetriga 75–400 mm;

| 6. | kõrge tugevuse/tiheduse suhtega materjalist valmistatud ja rootortoru otstele mõeldud ülemised ja alumised korgid diameetriga 75–400 mm; |
| --- | --- |

6.

kõrge tugevuse/tiheduse suhtega materjalist valmistatud ja rootortoru otstele mõeldud ülemised ja alumised korgid diameetriga 75–400 mm;

| 7. | magnetilised ripplaagrid, milles rõngasmagnet hõljub UF6 vastupidavatest materjalidest valmistatud ümbrises, sisaldades summutavat keskkonda ja omades magnetilist sidestust magnetpooluse või teise, rootori ülemisele kaanele sobitatud magnetiga; |
| --- | --- |

7.

magnetilised ripplaagrid, milles rõngasmagnet hõljub UF6 vastupidavatest materjalidest valmistatud ümbrises, sisaldades summutavat keskkonda ja omades magnetilist sidestust magnetpooluse või teise, rootori ülemisele kaanele sobitatud magnetiga;

| 8. | spetsiaalselt valmistatud laagrid, mis sisaldavad poolkerakujulisi vastaslaagreid (pivot-cup) ning on monteeritud summutile; |
| --- | --- |

8.

spetsiaalselt valmistatud laagrid, mis sisaldavad poolkerakujulisi vastaslaagreid (pivot-cup) ning on monteeritud summutile;

| 9. | molekulaarpumbad, mis koosnevad silindritest, millel on sisse freesitud või pressitud spiraalsed sooned ning puuritud augud; |
| --- | --- |

9.

molekulaarpumbad, mis koosnevad silindritest, millel on sisse freesitud või pressitud spiraalsed sooned ning puuritud augud;

| 10. | rõngakujulised mootori staatorid mitmefaasiliste vahelduvvoolu hüsterees- (või reluktants-) mootorite sünkroonseks tööks vaakumis sagedusvahemikus 600–2 000 Hz ja võimsuse vahemikus 50–1 000 VA; |
| --- | --- |

10.

rõngakujulised mootori staatorid mitmefaasiliste vahelduvvoolu hüsterees- (või reluktants-) mootorite sünkroonseks tööks vaakumis sagedusvahemikus 600–2 000 Hz ja võimsuse vahemikus 50–1 000 VA;

| 11. | UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud gaasitsentrifuugi rootortoru agregaadi korpus/vastuvõtja, mis koosneb jäigast silindrist seinapaksusega kuni 30 mm ja on täpselt töödeldud otstega; |
| --- | --- |

11.

UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud gaasitsentrifuugi rootortoru agregaadi korpus/vastuvõtja, mis koosneb jäigast silindrist seinapaksusega kuni 30 mm ja on täpselt töödeldud otstega;

| 12. | UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud kulbid, mis koosnevad kuni 12mm sisediameetriga torudest ja on ette nähtud UF6 gaasi eraldamiseks tsentrifuugrootortorust Pitot’ toru meetodil; |
| --- | --- |

12.

UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud kulbid, mis koosnevad kuni 12mm sisediameetriga torudest ja on ette nähtud UF6 gaasi eraldamiseks tsentrifuugrootortorust Pitot’ toru meetodil;

| 13. | gaasi tsentrifuugrikastamise mootorite staatorite toiteks spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud sagedusmuundurid (konverterid või inverterid) ja nende spetsiaalselt konstrueeritud osad, millel on kõik järgmised tunnused:






  a. | mitmefaasiline väljund 600–2 000 Hz; |
| --- | --- | --- |

13.

gaasi tsentrifuugrikastamise mootorite staatorite toiteks spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud sagedusmuundurid (konverterid või inverterid) ja nende spetsiaalselt konstrueeritud osad, millel on kõik järgmised tunnused:

a.

mitmefaasiline väljund 600–2 000 Hz;

| b. | sageduse stabiilsus on parem kui 0,1 %; |
| --- | --- |

b.

sageduse stabiilsus on parem kui 0,1 %;

| c. | harmoonmoonutused on alla 2 %; ja |
| --- | --- |

c.

harmoonmoonutused on alla 2 %; ja

| d. | efektiivsus on üle 80 %; |
| --- | --- |

d.

efektiivsus on üle 80 %;

| c. | seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud gaasilise difusiooneraldusprotsessi jaoks:






  1. | Gaasilise difusiooni tõkked, mis on valmistatud UF6 korrosioonile vastupidavast poorsest metallist, polümeerist või keraamikast, pooride suurusega 10–100 nm, paksusega 5 mm või vähem ja torukujulised diameetriga 25 mm või vähem; |
| --- | --- | --- |

c.

seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud gaasilise difusiooneraldusprotsessi jaoks:

1.

Gaasilise difusiooni tõkked, mis on valmistatud UF6 korrosioonile vastupidavast poorsest metallist, polümeerist või keraamikast, pooride suurusega 10–100 nm, paksusega 5 mm või vähem ja torukujulised diameetriga 25 mm või vähem;

| 2. | UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud gaasi difuusori korpused; |
| --- | --- |

2.

UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud gaasi difuusori korpused;

| 3. | Kompressorid (sundtoitega, tsentrifugaalse ja teljesihilise vooluga) või gaasipuhurid imivõimsusega 1 m3/min või rohkem ja väljundrõhuga kuni 666,7 kPa ning mis on valmistatud UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest või nendega kaitstud; |
| --- | --- |

3.

Kompressorid (sundtoitega, tsentrifugaalse ja teljesihilise vooluga) või gaasipuhurid imivõimsusega 1 m3/min või rohkem ja väljundrõhuga kuni 666,7 kPa ning mis on valmistatud UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest või nendega kaitstud;

| 4. | Punktis 0B001.c.3 nimetatud pöörleva võlli tihendid kompressoritele ja puhuritele, mille kavandatud puhvergaasi sisselekke kiirus on väiksem kui 1 000 cm3/min; |
| --- | --- |

4.

Punktis 0B001.c.3 nimetatud pöörleva võlli tihendid kompressoritele ja puhuritele, mille kavandatud puhvergaasi sisselekke kiirus on väiksem kui 1 000 cm3/min;

| 5. | Soojusvahetid, mis on valmistatud alumiiniumist, vasest, niklist või sulamitest, mis sisaldavad rohkem kui 60 massi% niklit, või nende metallide kombinatsioonidest kattetorudena, mis on kavandatud tööks alarõhul sellise lekkekiirusega, mis piirab rõhutõusu väiksemaks kui 10 Pa tunnis, rõhuerinevusel 100 kPa; |
| --- | --- |

5.

Soojusvahetid, mis on valmistatud alumiiniumist, vasest, niklist või sulamitest, mis sisaldavad rohkem kui 60 massi% niklit, või nende metallide kombinatsioonidest kattetorudena, mis on kavandatud tööks alarõhul sellise lekkekiirusega, mis piirab rõhutõusu väiksemaks kui 10 Pa tunnis, rõhuerinevusel 100 kPa;

| 6. | UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud lõõtsklapid diameetriga 40–1500 mm; |
| --- | --- |

6.

UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud lõõtsklapid diameetriga 40–1500 mm;

| d. | seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud aerodünaamilise eraldusprotsessi jaoks:






  1. | UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest eraldusdüüsid, mis koosnevad pilukujulistest kumeratest kanalitest kõverusraadiusega alla 1 mm, millel on düüsi sees eralduslaba düüsist läbivoolava gaasi jaotamiseks kaheks vooks; |
| --- | --- | --- |

d.

seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud aerodünaamilise eraldusprotsessi jaoks:

1.

UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest eraldusdüüsid, mis koosnevad pilukujulistest kumeratest kanalitest kõverusraadiusega alla 1 mm, millel on düüsi sees eralduslaba düüsist läbivoolava gaasi jaotamiseks kaheks vooks;

| 2. | UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud tangentsiaalse sissevooluga juhitavad silindrilised või koonilised torud (turbulentstorud) diameetriga 0,5–4 cm ning pikkuse-diameetri suhtega 20:1 või vähem, mis on ühe või mitme tangentsiaalse sissevooluavaga; |
| --- | --- |

2.

UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud tangentsiaalse sissevooluga juhitavad silindrilised või koonilised torud (turbulentstorud) diameetriga 0,5–4 cm ning pikkuse-diameetri suhtega 20:1 või vähem, mis on ühe või mitme tangentsiaalse sissevooluavaga;

| 3. | UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud kompressorid (sundtoitega, tsentrifugaalse ja teljesihilise vooluga) või gaasipuhurid imivõimsusega 2 m3/min või enam ja pöörleva võlli tihendid nende jaoks; |
| --- | --- |

3.

UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud kompressorid (sundtoitega, tsentrifugaalse ja teljesihilise vooluga) või gaasipuhurid imivõimsusega 2 m3/min või enam ja pöörleva võlli tihendid nende jaoks;

| 4. | UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud soojusvahetid; |
| --- | --- |

4.

UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud soojusvahetid;

| 5. | UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud aerodünaamilise eralduselemendi korpused turbulentstorude või eraldusdüüside jaoks; |
| --- | --- |

5.

UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud aerodünaamilise eralduselemendi korpused turbulentstorude või eraldusdüüside jaoks;

| 6. | UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud lõõtsklapid diameetriga 40–1500 mm; |
| --- | --- |

6.

UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud lõõtsklapid diameetriga 40–1500 mm;

| 7. | protsessisüsteemid UF6 eraldamiseks kandevgaasist (vesinik või heelium) UF6 sisaldusega kuni 1 miljondikosa või vähem, kaasa arvatud:






  a. | Krüogeensed soojusvahetid ja krüoseparaatorid, mis taluvad – 120 °C (153 K) või madalamat temperatuuri; |
| --- | --- | --- |

7.

protsessisüsteemid UF6 eraldamiseks kandevgaasist (vesinik või heelium) UF6 sisaldusega kuni 1 miljondikosa või vähem, kaasa arvatud:

a.

Krüogeensed soojusvahetid ja krüoseparaatorid, mis taluvad – 120 °C (153 K) või madalamat temperatuuri;

| b. | Krüogeensed jahutusseadmed, mis taluvad – 120 °C (153 K) või madalamat temperatuuri; |
| --- | --- |

b.

Krüogeensed jahutusseadmed, mis taluvad – 120 °C (153 K) või madalamat temperatuuri;

| c. | Eraldusdüüsi- või turbulentstoruseadmed UF6 eraldamiseks kandevgaasist; |
| --- | --- |

c.

Eraldusdüüsi- või turbulentstoruseadmed UF6 eraldamiseks kandevgaasist;

| d. | UF6 külmlõksud, mis taluvad 253 K (– 20 °C) või madalamat temperatuuri; |
| --- | --- |

d.

UF6 külmlõksud, mis taluvad 253 K (– 20 °C) või madalamat temperatuuri;

| e. | seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud keemilisel vahetusel põhineva eraldusprotsessi jaoks:






  1. | kontsentreeritud soolhappele vastupidavad kiirvahetuse vedelik-vedelik impulsskolonnid ühel astmel viibimisajaga 30 s või vähem (valmistatud või vooderdatud sobivate plastmaterjalidega, nt fluorosüsivesinikpolümeerid või klaas); |
| --- | --- | --- |

e.

seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud keemilisel vahetusel põhineva eraldusprotsessi jaoks:

1.

kontsentreeritud soolhappele vastupidavad kiirvahetuse vedelik-vedelik impulsskolonnid ühel astmel viibimisajaga 30 s või vähem (valmistatud või vooderdatud sobivate plastmaterjalidega, nt fluorosüsivesinikpolümeerid või klaas);

| 2. | kontsentreeritud soolhappele vastupidavad kiirvahetuse vedelik-vedelik tsentrifugaalsed kontaktorid töölava resideerimisajaga 30 s või vähem (valmistatud või vooderdatud sobivate plastmaterjalidega, nt fluorosüsivesinikpolümeerid või klaas); |
| --- | --- |

2.

kontsentreeritud soolhappele vastupidavad kiirvahetuse vedelik-vedelik tsentrifugaalsed kontaktorid töölava resideerimisajaga 30 s või vähem (valmistatud või vooderdatud sobivate plastmaterjalidega, nt fluorosüsivesinikpolümeerid või klaas);

| 3. | kontsentreeritud soolhappe lahusele vastupidavad elektrokeemilise reduktsiooni kambrid uraani taandamiseks ühest valentsolekust teise; |
| --- | --- |

3.

kontsentreeritud soolhappe lahusele vastupidavad elektrokeemilise reduktsiooni kambrid uraani taandamiseks ühest valentsolekust teise;

| 4. | sobivatest materjalidest (nt klaas, fluorosüsivesinikpolümeerid, polüfenüülsulfaat, polüeetersulfoon ja vaiguga immutatud grafiit) valmistatud või nendega kaitstud elektrokeemilise reduktsiooni kambrite etteandmise seadmed U+4 võtmiseks orgaanilisest voost ja nende protsessivooga kontaktis olevad osad; |
| --- | --- |

4.

sobivatest materjalidest (nt klaas, fluorosüsivesinikpolümeerid, polüfenüülsulfaat, polüeetersulfoon ja vaiguga immutatud grafiit) valmistatud või nendega kaitstud elektrokeemilise reduktsiooni kambrite etteandmise seadmed U+4 võtmiseks orgaanilisest voost ja nende protsessivooga kontaktis olevad osad;

| 5. | etteannet ettevalmistavad süsteemid kõrge puhtusega uraankloriidlahuse valmistamiseks, mis koosnevad lahustamise, lahusti eraldamise ja/või ioonvahetuse seadmetest lahuse puhastamiseks, ja elektrolüütilised rakud U+6 või U+4 taandamiseks U+3-ks; |
| --- | --- |

5.

etteannet ettevalmistavad süsteemid kõrge puhtusega uraankloriidlahuse valmistamiseks, mis koosnevad lahustamise, lahusti eraldamise ja/või ioonvahetuse seadmetest lahuse puhastamiseks, ja elektrolüütilised rakud U+6 või U+4 taandamiseks U+3-ks;

| 6. | uraani oksüdeerimissüsteemid U+3 oksüdeerimiseks U+4; |
| --- | --- |

6.

uraani oksüdeerimissüsteemid U+3 oksüdeerimiseks U+4;

| f. | seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud ioonvahetusega eraldusprotsessi jaoks:






  1. | kiirelt reageerivad ioonvahetusvaigud, membraanikujulised või poorsed makrovõrgustikuga vaigud, milles aktiivsed keemilised vahetusrühmad piirduvad mitteaktiivse poorse tugistruktuuri pinnakattega ning teised komposiitstruktuurid mis tahes sobival kujul, kaasa arvatud osakesed või kiud diameetriga 0,2 mm või vähem, vastupidavad kontsentreeritud soolhappele ning projekteeritud omama väiksemat vahetuskiiruse poolaega kui 10 sekundit ja on töövõimelised temperatuuride vahemikus 100–200 °C (373–473 K); |
| --- | --- | --- |

f.

seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud ioonvahetusega eraldusprotsessi jaoks:

1.

kiirelt reageerivad ioonvahetusvaigud, membraanikujulised või poorsed makrovõrgustikuga vaigud, milles aktiivsed keemilised vahetusrühmad piirduvad mitteaktiivse poorse tugistruktuuri pinnakattega ning teised komposiitstruktuurid mis tahes sobival kujul, kaasa arvatud osakesed või kiud diameetriga 0,2 mm või vähem, vastupidavad kontsentreeritud soolhappele ning projekteeritud omama väiksemat vahetuskiiruse poolaega kui 10 sekundit ja on töövõimelised temperatuuride vahemikus 100–200 °C (373–473 K);

| 2. | kontsentreeritud soolhappele vastupidavatest materjalidest (nt titaan või fluorosüsinikplast) valmistatud või nendega kaitstud ja temperatuuride vahemikus 373–473 K (100–200 °C) ning rõhul üle 0,7 MPa töövõimelised (silindrilised) ioonvahetuskolonnid, mille diameeter on üle 1 000 mm; |
| --- | --- |

2.

kontsentreeritud soolhappele vastupidavatest materjalidest (nt titaan või fluorosüsinikplast) valmistatud või nendega kaitstud ja temperatuuride vahemikus 373–473 K (100–200 °C) ning rõhul üle 0,7 MPa töövõimelised (silindrilised) ioonvahetuskolonnid, mille diameeter on üle 1 000 mm;

| 3. | ioonvahetuse tagasijooksu süsteemid (keemilised või elektrokeemilised oksüdatsioon- või reduktsioonsüsteemid) ioonvahetuse rikastuskaskaadides kasutatavate keemilise redutseerimise või oksüdeerumise toimeainete regenereerimiseks; |
| --- | --- |

3.

ioonvahetuse tagasijooksu süsteemid (keemilised või elektrokeemilised oksüdatsioon- või reduktsioonsüsteemid) ioonvahetuse rikastuskaskaadides kasutatavate keemilise redutseerimise või oksüdeerumise toimeainete regenereerimiseks;

| g. | seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud atomaarse gaasi isotoopide lasereraldusprotsessi (AVLIS) jaoks, nagu:






  1. | uraani aurustamissüsteemides kasutamiseks mõeldud suure võimsusega riba või skaneerivad elektronkiirte kahurid väljastatava võimsusega üle 2,5 kW/cm; |
| --- | --- | --- |

g.

seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud atomaarse gaasi isotoopide lasereraldusprotsessi (AVLIS) jaoks, nagu:

1.

uraani aurustamissüsteemides kasutamiseks mõeldud suure võimsusega riba või skaneerivad elektronkiirte kahurid väljastatava võimsusega üle 2,5 kW/cm;

| 2. | sulauraani või uraanisulamite käsitlemiseks sobivad sulauraani kuumusele ja korrosioonile vastupidavatest materjalidest käitlemissüsteemid, mis koosnevad sobivatest korrosiooni- ja kuumakindlatest või nendega kaitstud materjalidest (nt tantaal, ütriumiga kaetud grafiit, grafiit, mis on kaetud teiste haruldaste muldmetallide oksiididega või nende segudega) valmistatud tiiglitest ning tiiglite jahutusseadmetest;

  NB! VT KA PUNKTI 2A225. |
| --- | --- |

2.

sulauraani või uraanisulamite käsitlemiseks sobivad sulauraani kuumusele ja korrosioonile vastupidavatest materjalidest käitlemissüsteemid, mis koosnevad sobivatest korrosiooni- ja kuumakindlatest või nendega kaitstud materjalidest (nt tantaal, ütriumiga kaetud grafiit, grafiit, mis on kaetud teiste haruldaste muldmetallide oksiididega või nende segudega) valmistatud tiiglitest ning tiiglite jahutusseadmetest;

NB! VT KA PUNKTI 2A225.

| 3. | uraani korrosioonile vastupidavatest materjalidest (nt ütriumiga kaetud grafiit või tantaal) valmistatud või nendega vooderdatud saaduse ja jäätmete kogumissüsteemid; |
| --- | --- |

3.

uraani korrosioonile vastupidavatest materjalidest (nt ütriumiga kaetud grafiit või tantaal) valmistatud või nendega vooderdatud saaduse ja jäätmete kogumissüsteemid;

| 4. | uraani auru allika, elektronkiirte kahuri ning saaduse- ja jäätmekogujate jaoks ettenähtud eraldusmoodulite korpused (silindrilised või täisnurksed anumad); |
| --- | --- |

4.

uraani auru allika, elektronkiirte kahuri ning saaduse- ja jäätmekogujate jaoks ettenähtud eraldusmoodulite korpused (silindrilised või täisnurksed anumad);

| 5. | pikemate ajavahemike jooksul töötamiseks mõeldud spektri sagedusstabilisaatoriga laserid või lasersüsteemid uraani isotoopide eraldamiseks;

  NB! VT KA PUNKTE 6A005 JA 6A205. |
| --- | --- |

5.

pikemate ajavahemike jooksul töötamiseks mõeldud spektri sagedusstabilisaatoriga laserid või lasersüsteemid uraani isotoopide eraldamiseks;

NB! VT KA PUNKTE 6A005 JA 6A205.

| h. | seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud isotoopide molekulaarseks lasereraldamiseks (MLIS) või isotoopselektiivselt laseraktiveeritud keemilise reaktsiooni (CRISLA) jaoks, järgmiselt:






  1. | UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud ülehelikiirusliku paisumise düüsid UF6 ja kandevgaasi segude jahutamiseks temperatuurini – 123 °C (150 K) või alla selle; |
| --- | --- | --- |

h.

seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud isotoopide molekulaarseks lasereraldamiseks (MLIS) või isotoopselektiivselt laseraktiveeritud keemilise reaktsiooni (CRISLA) jaoks, järgmiselt:

1.

UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud ülehelikiirusliku paisumise düüsid UF6 ja kandevgaasi segude jahutamiseks temperatuurini – 123 °C (150 K) või alla selle;

| 2. | UF5/UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest uraanpentafluoriidi (UF5) saaduse kogujad, mis sisaldavad filtrit, põrke- või tsüklon-tüüpi kogujaid või nende kombinatsioone; |
| --- | --- |

2.

UF5/UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest uraanpentafluoriidi (UF5) saaduse kogujad, mis sisaldavad filtrit, põrke- või tsüklon-tüüpi kogujaid või nende kombinatsioone;

| 3. | UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud kompressorid ja nende jaoks ettenähtud pöörlevate võllide tihendid; |
| --- | --- |

3.

UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud kompressorid ja nende jaoks ettenähtud pöörlevate võllide tihendid;

| 4. | seadmed UF5 (tahke) fluoreerimiseks UF6-ks (gaasiline); |
| --- | --- |

4.

seadmed UF5 (tahke) fluoreerimiseks UF6-ks (gaasiline);

| 5. | protsessisüsteemid UF6 eraldamiseks kandevgaasist (nt lämmastik või argoon), kaasa arvatud:






  a. | krüogeensed soojusvahetid ja krüoseparaatorid, mis taluvad – 120 °C (153 K) või madalamat temperatuuri; |
| --- | --- | --- |

5.

protsessisüsteemid UF6 eraldamiseks kandevgaasist (nt lämmastik või argoon), kaasa arvatud:

a.

krüogeensed soojusvahetid ja krüoseparaatorid, mis taluvad – 120 °C (153 K) või madalamat temperatuuri;

| b. | krüogeensed jahutusseadmed, mis taluvad – 120 °C (153 K) või madalamat temperatuuri; |
| --- | --- |

b.

krüogeensed jahutusseadmed, mis taluvad – 120 °C (153 K) või madalamat temperatuuri;

| c. | UF6 külmlõksud, mis taluvad – 20 °C (253 K) või madalamat temperatuuri; |
| --- | --- |

c.

UF6 külmlõksud, mis taluvad – 20 °C (253 K) või madalamat temperatuuri;

| 6. | pikemate ajavahemike jooksul töötamiseks mõeldud spektri sagedusstabilisaatoriga laserid või lasersüsteemid uraani isotoopide eraldamiseks;

  NB! VT KA PUNKTE 6A005 JA 6A205. |
| --- | --- |

6.

pikemate ajavahemike jooksul töötamiseks mõeldud spektri sagedusstabilisaatoriga laserid või lasersüsteemid uraani isotoopide eraldamiseks;

NB! VT KA PUNKTE 6A005 JA 6A205.

| i. | seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud plasmaeraldusprotsessi jaoks:






  1. | üle 30 GHz väljundsagedusega ja üle 50 kW keskmise väljundvõimsusega võimsad mikrolaineallikad ja antennid ioonide tekitamiseks ja kiirendamiseks; |
| --- | --- | --- |

i.

seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud plasmaeraldusprotsessi jaoks:

1.

üle 30 GHz väljundsagedusega ja üle 50 kW keskmise väljundvõimsusega võimsad mikrolaineallikad ja antennid ioonide tekitamiseks ja kiirendamiseks;

| 2. | üle 40 kW keskmist võimsust käsitleda võimaldavad raadiosageduslikud ioonergastuse poolid üle 100 kHz sagedustele; |
| --- | --- |

2.

üle 40 kW keskmist võimsust käsitleda võimaldavad raadiosageduslikud ioonergastuse poolid üle 100 kHz sagedustele;

| 3. | uraaniplasma genereerimissüsteemid; |
| --- | --- |

3.

uraaniplasma genereerimissüsteemid;

| 4. | sulametalli käitlemissüsteemid sulauraani või uraanisulamite käitlemiseks, mis koosnevad sobivatest korrosiooni- ja kuumakindlatest või nendega kaitstud materjalidest (nt tantaal, ütriumiga kaetud grafiit, grafiit, mis on kaetud teiste haruldaste muldmetallide oksiididega või nende segudega) valmistatud tiiglitest ning tiiglite jahutusseadmetest;

  NB! VT KA PUNKTI 2A225. |
| --- | --- |

4.

sulametalli käitlemissüsteemid sulauraani või uraanisulamite käitlemiseks, mis koosnevad sobivatest korrosiooni- ja kuumakindlatest või nendega kaitstud materjalidest (nt tantaal, ütriumiga kaetud grafiit, grafiit, mis on kaetud teiste haruldaste muldmetallide oksiididega või nende segudega) valmistatud tiiglitest ning tiiglite jahutusseadmetest;

NB! VT KA PUNKTI 2A225.

| 5. | kuumusele ja uraaniaurude korrosioonile vastupidavatest materjalidest (nt ütriumiga kaetud grafiit või tantaal) valmistatud või nendega kaitstud saaduse- ja jäätmekogujad; |
| --- | --- |

5.

kuumusele ja uraaniaurude korrosioonile vastupidavatest materjalidest (nt ütriumiga kaetud grafiit või tantaal) valmistatud või nendega kaitstud saaduse- ja jäätmekogujad;

| 6. | sobivast mittemagnetilisest materjalist (nt roostevaba teras) valmistatud eraldusmoodulite korpused (silindrilised) uraaniplasma allika, raadiosagedusliku ergutuspooli ning saaduse- ja jäätmekoguja jaoks; |
| --- | --- |

6.

sobivast mittemagnetilisest materjalist (nt roostevaba teras) valmistatud eraldusmoodulite korpused (silindrilised) uraaniplasma allika, raadiosagedusliku ergutuspooli ning saaduse- ja jäätmekoguja jaoks;

| j. | seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud elektromagnetilise eraldusprotsessi jaoks:






  1. | sobivatest mittemagnetilistest materjalidest (nt grafiit, roostevaba teras või vask) valmistatud üksikud või kombineeritud iooniallikad, mis koosnevad auruallikatest, ionisaatorist ja kiirte kiirendist ning mis on võimelised tekitama ioonkiire koguvooluga 50 mA või enam; |
| --- | --- | --- |

j.

seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud elektromagnetilise eraldusprotsessi jaoks:

1.

sobivatest mittemagnetilistest materjalidest (nt grafiit, roostevaba teras või vask) valmistatud üksikud või kombineeritud iooniallikad, mis koosnevad auruallikatest, ionisaatorist ja kiirte kiirendist ning mis on võimelised tekitama ioonkiire koguvooluga 50 mA või enam;

| 2. | sobivast mittemagnetilisest materjalist (nt grafiit või roostevaba teras) valmistatud, kahest või enamast pilust ja kogumistaskust koosnevad ioonkollektori plaadid rikastatud või vaesestatud uraani ioonkiirte kogumiseks; |
| --- | --- |

2.

sobivast mittemagnetilisest materjalist (nt grafiit või roostevaba teras) valmistatud, kahest või enamast pilust ja kogumistaskust koosnevad ioonkollektori plaadid rikastatud või vaesestatud uraani ioonkiirte kogumiseks;

| 3. | mittemagnetilistest materjalidest (nt roostevaba teras) valmistatud vaakumkorpused uraani elektromagnetilistele separaatoritele, mis on kavandatud tööks rõhul 0,1 Pa ja vähem; |
| --- | --- |

3.

mittemagnetilistest materjalidest (nt roostevaba teras) valmistatud vaakumkorpused uraani elektromagnetilistele separaatoritele, mis on kavandatud tööks rõhul 0,1 Pa ja vähem;

| 4. | magnetpooluse detailid diameetriga üle 2 m; |
| --- | --- |

4.

magnetpooluse detailid diameetriga üle 2 m;

| 5. | kõrgepinge toiteallikad iooniallikatele, millel on kõik järgmised omadused:






  a. | võimelised pidevaks tööks; |
| --- | --- | --- |

5.

kõrgepinge toiteallikad iooniallikatele, millel on kõik järgmised omadused:

a.

võimelised pidevaks tööks;

| b. | väljundpingega 20 000 V või rohkem; |
| --- | --- |

b.

väljundpingega 20 000 V või rohkem;

| c. | väljundvooluga 1 A või rohkem; ja |
| --- | --- |

c.

väljundvooluga 1 A või rohkem; ja

| d. | pingetundlikkusega, mis on 8 tunni vältel parem kui 0,01 %; |
| --- | --- |

d.

pingetundlikkusega, mis on 8 tunni vältel parem kui 0,01 %;

NB! VT KA PUNKTI 3A227.

| 6. | magnetite toiteallikad (suure võimsusega, alalisvoolulised), millel on kõik järgmised omadused:






  a. | võimelised pidevaks tööks väljundvooluga 500 A või rohkem ja pingega 100 V või rohkem; ja |
| --- | --- | --- |

6.

magnetite toiteallikad (suure võimsusega, alalisvoolulised), millel on kõik järgmised omadused:

a.

võimelised pidevaks tööks väljundvooluga 500 A või rohkem ja pingega 100 V või rohkem; ja

| b. | voolu- ja pingetundlikkus on 8 tunni vältel parem kui 0,01 %. |
| --- | --- |

b.

voolu- ja pingetundlikkus on 8 tunni vältel parem kui 0,01 %.

NB! VT KA PUNKTI 3A226.

0B002Spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud abisüsteemid, seadmed ja komponendid punktis 0B001 nimetatud isotoopide eraldusjaamadele, mis on valmistatud UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest või nendega kaitstud:

| a. | etteande autoklaavid, ahjud või süsteemid UF6 läbilaskmiseks rikastusprotsessis; |
| --- | --- |

a.

etteande autoklaavid, ahjud või süsteemid UF6 läbilaskmiseks rikastusprotsessis;

| b. | desublimaatorid või külmlõksud, mida kasutatakse UF6 eraldamiseks rikastusprotsessist, selle järgnevaks kuumutamise abil toimuvaks edasitoimetamiseks; |
| --- | --- |

b.

desublimaatorid või külmlõksud, mida kasutatakse UF6 eraldamiseks rikastusprotsessist, selle järgnevaks kuumutamise abil toimuvaks edasitoimetamiseks;

| c. | saaduse ja jäätmete jaamad UF6 toimetamiseks mahutitesse; |
| --- | --- |

c.

saaduse ja jäätmete jaamad UF6 toimetamiseks mahutitesse;

| d. | veeldamis- või tahkestamisjaamad, mida kasutatakse UF6 eraldamiseks rikastusprotsessist UF6 kokkusurumise ja vedelasse või tahkesse olekusse viimise teel; |
| --- | --- |

d.

veeldamis- või tahkestamisjaamad, mida kasutatakse UF6 eraldamiseks rikastusprotsessist UF6 kokkusurumise ja vedelasse või tahkesse olekusse viimise teel;

| e. | toru- ja kogujasüsteemid, mis on spetsiaalselt ette nähtud UF6 käsitlemiseks gaasilise difusiooni, tsentrifuug- või aerodünaamilistes kaskaadides; |
| --- | --- |

e.

toru- ja kogujasüsteemid, mis on spetsiaalselt ette nähtud UF6 käsitlemiseks gaasilise difusiooni, tsentrifuug- või aerodünaamilistes kaskaadides;

| f. | 1. | vaakumkollektorid või vaakumkogujad imivõimsusega 5 m3/min või rohkem; või |
| --- | --- | --- |

f.

1.

vaakumkollektorid või vaakumkogujad imivõimsusega 5 m3/min või rohkem; või

| 2. | vaakumpumbad, mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks UF6 sisaldavas atmosfääris; |
| --- | --- |

2.

vaakumpumbad, mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks UF6 sisaldavas atmosfääris;

| g. | järgmiste omadustega UF6 mass-spektromeetrid/iooniallikad, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud jooksvaks proovide võtmiseks etteandest, saadusest või jäätmetest UF6 gaasivoos:






  1. | ühe aatommassiühiku lahutusvõime üle 320 amü (aatommassiühik) massi korral; |
| --- | --- | --- |

g.

järgmiste omadustega UF6 mass-spektromeetrid/iooniallikad, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud jooksvaks proovide võtmiseks etteandest, saadusest või jäätmetest UF6 gaasivoos:

1.

ühe aatommassiühiku lahutusvõime üle 320 amü (aatommassiühik) massi korral;

| 2. | iooniallikad, mis on valmistatud või vooderdatud nikroomiga, moneliga või on nikeldatud; |
| --- | --- |

2.

iooniallikad, mis on valmistatud või vooderdatud nikroomiga, moneliga või on nikeldatud;

| 3. | elektronpommitamisel põhinevad ionisatsiooniallikad; ja |
| --- | --- |

3.

elektronpommitamisel põhinevad ionisatsiooniallikad; ja

| 4. | isotoopanalüüsiks sobivad kollektorsüsteemid. |
| --- | --- |

4.

isotoopanalüüsiks sobivad kollektorsüsteemid.

0B003Uraani konversiooniks ettenähtud tööjaam ja spetsiaalselt selleks projekteeritud või valmistatud seadmed:

| a. | süsteemid, mis on ette nähtud uraanimaagi kontsentraatide konversiooniks UO3-ks; |
| --- | --- |

a.

süsteemid, mis on ette nähtud uraanimaagi kontsentraatide konversiooniks UO3-ks;

| b. | süsteemid, mis on ette nähtud UO3 konversiooniks UF6-ks; |
| --- | --- |

b.

süsteemid, mis on ette nähtud UO3 konversiooniks UF6-ks;

| c. | süsteemid, mis on ette nähtud UO3 konversiooniks UO2-ks; |
| --- | --- |

c.

süsteemid, mis on ette nähtud UO3 konversiooniks UO2-ks;

| d. | süsteemid, mis on ette nähtud UF4 konversiooniks UF6-ks; |
| --- | --- |

d.

süsteemid, mis on ette nähtud UF4 konversiooniks UF6-ks;

| e. | süsteemid, mis on ette nähtud UF6 konversiooniks UF4-ks; |
| --- | --- |

e.

süsteemid, mis on ette nähtud UF6 konversiooniks UF4-ks;

| f. | süsteemid, mis on ette nähtud UF4 konversiooniks uraanimetalliks; |
| --- | --- |

f.

süsteemid, mis on ette nähtud UF4 konversiooniks uraanimetalliks;

| g. | süsteemid, mis on ette nähtud UF4 konversiooniks UF6-ks; |
| --- | --- |

g.

süsteemid, mis on ette nähtud UF4 konversiooniks UF6-ks;

| h. | süsteemid, mis on ette nähtud UF6 konversiooniks UF4-ks; |
| --- | --- |

h.

süsteemid, mis on ette nähtud UF6 konversiooniks UF4-ks;

| i. | süsteemid, mis on ette nähtud U02 konversiooniks UCl4-ks. |
| --- | --- |

i.

süsteemid, mis on ette nähtud U02 konversiooniks UCl4-ks.

0B004Raske vee, deuteeriumi ja selle ühendite tootmiseks või kontsentreerimiseks ettenähtud tehased ja spetsiaalselt selleks projekteeritud ja valmistatud seadmed ja komponendid:

| a. | järgmised süsteemid raske vee, deuteeriumi ja selle ühendite tootmiseks:






  1. | vesi-vesiniksulfiid-vahetustehased; |
| --- | --- | --- |

a.

järgmised süsteemid raske vee, deuteeriumi ja selle ühendite tootmiseks:

1.

vesi-vesiniksulfiid-vahetustehased;

| 2. | ammoniaak-vesinik-vahetustehased; |
| --- | --- |

2.

ammoniaak-vesinik-vahetustehased;

| b. | järgmised seadmed ja komponendid:






  1. | peensüsinikterasest (nt ASTM A516) valmistatud vesi-vesiniksulfiid-vahetuskolonnid diameetriga 6–9 m, mis on töövõimelised 2 MPa või kõrgemal rõhul ning materjali korrosioonivaruga, mis on 6 mm või suurem; |
| --- | --- | --- |

b.

järgmised seadmed ja komponendid:

1.

peensüsinikterasest (nt ASTM A516) valmistatud vesi-vesiniksulfiid-vahetuskolonnid diameetriga 6–9 m, mis on töövõimelised 2 MPa või kõrgemal rõhul ning materjali korrosioonivaruga, mis on 6 mm või suurem;

| 2. | üheastmelised madalsurvelised (st 0,2 MPa) tsentrifugaalventilaatorid või kompressorid vesiniksulfiidgaasi (st gaasi, mis sisaldab enam kui 70 % H2S) ringluse tagamiseks, mille jõudlus on 56 m3/sekundis või rohkem, imedes 1,8 MPa või kõrgemal rõhul, ning mille tihendid on ette nähtud taluma niisket H2S keskkonda; |
| --- | --- |

2.

üheastmelised madalsurvelised (st 0,2 MPa) tsentrifugaalventilaatorid või kompressorid vesiniksulfiidgaasi (st gaasi, mis sisaldab enam kui 70 % H2S) ringluse tagamiseks, mille jõudlus on 56 m3/sekundis või rohkem, imedes 1,8 MPa või kõrgemal rõhul, ning mille tihendid on ette nähtud taluma niisket H2S keskkonda;

| 3. | ammoniaak-vesinik-vahetuskolonnid kõrgusega 35 m või rohkem, diameetriga 1,5 m–2,5 m, mis on töövõimelised üle 15 MPa suurusel rõhul; |
| --- | --- |

3.

ammoniaak-vesinik-vahetuskolonnid kõrgusega 35 m või rohkem, diameetriga 1,5 m–2,5 m, mis on töövõimelised üle 15 MPa suurusel rõhul;

| 4. | torni siseosad, kaasa arvatud astmereaktorid ja astmepumbad, kaasa arvatud sukelpumbad, raske vee tootmiseks ammoniaak-vesinik-vahetusprotsessi abil; |
| --- | --- |

4.

torni siseosad, kaasa arvatud astmereaktorid ja astmepumbad, kaasa arvatud sukelpumbad, raske vee tootmiseks ammoniaak-vesinik-vahetusprotsessi abil;

| 5. | 3MPa või suurema töörõhuga ammoniaagikrakkerid raske vee tootmiseks, kasutades ammoniaak-vesinik-vahetusprotsessi; |
| --- | --- |

5.

3MPa või suurema töörõhuga ammoniaagikrakkerid raske vee tootmiseks, kasutades ammoniaak-vesinik-vahetusprotsessi;

| 6. | infrapuna-absorptsioonanalüsaatorid, mis on võimelised jätkuvaks samaaegseks vesinik/deuteeriumi suhte analüüsiks deuteeriumi kontsentratsioonil 90 % või rohkem; |
| --- | --- |

6.

infrapuna-absorptsioonanalüsaatorid, mis on võimelised jätkuvaks samaaegseks vesinik/deuteeriumi suhte analüüsiks deuteeriumi kontsentratsioonil 90 % või rohkem;

| 7. | katalüütilised põletid, ammoonium-vesinik-vahetusprotsessi abil rikastatud gaasilise deuteeriumi muutmiseks raskeks veeks; |
| --- | --- |

7.

katalüütilised põletid, ammoonium-vesinik-vahetusprotsessi abil rikastatud gaasilise deuteeriumi muutmiseks raskeks veeks;

| 8. | täielikud raske vee parandamise süsteemid või nende kolonnid raske vee deuteeriumisisalduse muutmiseks reaktorikõlblikuks. |
| --- | --- |

8.

täielikud raske vee parandamise süsteemid või nende kolonnid raske vee deuteeriumisisalduse muutmiseks reaktorikõlblikuks.

0B005
  Tuumareaktorite kütuseelementide tootmiseks ettenähtud tehased ja spetsiaalselt selleks projekteeritud või valmistatud seadmed.

Märkus: Tuumareaktori kütuseelementide tootmise tehas sisaldab seadmeid, mis:

| a. | on tavaolukorras kokkupuutes tuumamaterjalide tootevooga või osalevad otseselt selle tootmisel või juhtimisel; |
| --- | --- |

a.

on tavaolukorras kokkupuutes tuumamaterjalide tootevooga või osalevad otseselt selle tootmisel või juhtimisel;

| b. | hermetiseerib tuumamaterjali kattesse; |
| --- | --- |

b.

hermetiseerib tuumamaterjali kattesse;

| c. | kontrollib katte terviklikkust või hermeetilisust; või |
| --- | --- |

c.

kontrollib katte terviklikkust või hermeetilisust; või

| d. | kontrollib hermeetiliselt suletud kütuse lõppkäsitlemist. |
| --- | --- |

d.

kontrollib hermeetiliselt suletud kütuse lõppkäsitlemist.

0B006Tuumareaktoris kiiritatud kütuseelementide ümbertöötamiseks ettenähtud tehased ja spetsiaalselt selleks projekteeritud või valmistatud seadmed ja komponendid.

Märkus: Punkt 0B006 hõlmab järgmist:

| a. | tuumareaktori kiiritatud kütuseelementide ümbertöötlemistehased, kaasa arvatud seadmed ja nende osad, mis otseselt juhivad kiiritatud tuumakütuse ja enamiku tuumamaterjali lõhustumissaaduste käitlemisvooge ning on tavaolukorras sellega kokkupuutes; |
| --- | --- |

a.

tuumareaktori kiiritatud kütuseelementide ümbertöötlemistehased, kaasa arvatud seadmed ja nende osad, mis otseselt juhivad kiiritatud tuumakütuse ja enamiku tuumamaterjali lõhustumissaaduste käitlemisvooge ning on tavaolukorras sellega kokkupuutes;

| b. | kütuseelementide tükeldamise või hakkimismasinad s. kaugjuhitavad seadmed kiiritatud tuumakütuse agregaatide, kimpude või varraste lõikamiseks, tükeldamiseks, hakkimiseks või lõikumiseks; |
| --- | --- |

b.

kütuseelementide tükeldamise või hakkimismasinad s. kaugjuhitavad seadmed kiiritatud tuumakütuse agregaatide, kimpude või varraste lõikamiseks, tükeldamiseks, hakkimiseks või lõikumiseks;

| c. | lahustuspaagid, kriitilisturvalised mahutid (nt väikse diameetriga, rõnga- või plaadikujulised mahutid), mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kasutamiseks kiiritatud tuumakütuse lahustamisel ja mille tööpinnad on vastupidavad kuuma ja ülimalt korrodeeriva vedeliku suhtes ning mis on kaugjuhitavalt täidetavad ja hooldatavad; |
| --- | --- |

c.

lahustuspaagid, kriitilisturvalised mahutid (nt väikse diameetriga, rõnga- või plaadikujulised mahutid), mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kasutamiseks kiiritatud tuumakütuse lahustamisel ja mille tööpinnad on vastupidavad kuuma ja ülimalt korrodeeriva vedeliku suhtes ning mis on kaugjuhitavalt täidetavad ja hooldatavad;

| d. | vastuvoolu lahustiekstraktorid ja ioonivahetusprotsessi seadmed, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kasutamiseks kiiritatud loodusliku uraani, vaesestatud uraani või lõhustuvate erimaterjalide ümbertöötlemistehases; |
| --- | --- |

d.

vastuvoolu lahustiekstraktorid ja ioonivahetusprotsessi seadmed, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kasutamiseks kiiritatud loodusliku uraani, vaesestatud uraani või lõhustuvate erimaterjalide ümbertöötlemistehases;

| e. | säilitus- ja ladustamisanumad, mis on projekteeritud kriitilisturvaliseks ning korrosioonikindlaks lämmastikhappe söövitavale mõjule;



  Märkus: Säilitus- ja ladustamisanumatel võivad olla järgmised omadused:








  1. | Seinte ja sisestruktuuride booriekvivalendi väärtus on (arvutatakse kõikide koostisosade kohta, nagu on määratletud punkti 0C004 märkuses) vähemalt 2 %; |
| --- | --- | --- |

e.

säilitus- ja ladustamisanumad, mis on projekteeritud kriitilisturvaliseks ning korrosioonikindlaks lämmastikhappe söövitavale mõjule;

Märkus: Säilitus- ja ladustamisanumatel võivad olla järgmised omadused:

1.

Seinte ja sisestruktuuride booriekvivalendi väärtus on (arvutatakse kõikide koostisosade kohta, nagu on määratletud punkti 0C004 märkuses) vähemalt 2 %;

| 2. | Silindriliste anumate diameeter ei ületa 175 mm; või |
| --- | --- |

2.

Silindriliste anumate diameeter ei ületa 175 mm; või

| 3. | Plaadi- või rõngakujuliste anumate laius ei ületa 75 mm. |
| --- | --- |

3.

Plaadi- või rõngakujuliste anumate laius ei ületa 75 mm.

| f. | protsessi juhtimisseadmed, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kiiritatud loodusliku uraani, vaesestatud uraani või lõhustuvate erimaterjalide ümbertöötlemisprotsessi jälgimiseks ja juhtimiseks. |
| --- | --- |

f.

protsessi juhtimisseadmed, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kiiritatud loodusliku uraani, vaesestatud uraani või lõhustuvate erimaterjalide ümbertöötlemisprotsessi jälgimiseks ja juhtimiseks.

0B007Uraani konversiooniks ettenähtud tööjaam ja spetsiaalselt selleks projekteeritud või valmistatud seadmed:

| a. | süsteemid, mis on ette nähtud plutooniumnitraadi muutmiseks plutooniumoksiidiks; |
| --- | --- |

a.

süsteemid, mis on ette nähtud plutooniumnitraadi muutmiseks plutooniumoksiidiks;

| b. | süsteemid, mis on ette nähtud metallilise plutooniumi tootmiseks. |
| --- | --- |

b.

süsteemid, mis on ette nähtud metallilise plutooniumi tootmiseks.

0CMaterjalid

0C001
  Looduslik uraan, vaesestatud uraan või toorium metalli, sulami, keemilise ühendi või kontsentraadi kujul ja materjalid, mis sisaldavad mis tahes eelnevalt nimetatud ühendit või ühendeid;

Märkus: Punkt 0C001 ei hõlma järgmist:

| a. | looduslik uraan või vaesestatud uraan, kui seda on instrumentide anduriosades neli grammi või vähem; |
| --- | --- |

a.

looduslik uraan või vaesestatud uraan, kui seda on instrumentide anduriosades neli grammi või vähem;

| b. | vaesestatud uraan, mis on spetsiaalselt valmistatud tsiviilkasutuseks järgmistel mittetuuma-eesmärkidel:








  1. | kaitse; |
| --- | --- | --- |

b.

vaesestatud uraan, mis on spetsiaalselt valmistatud tsiviilkasutuseks järgmistel mittetuuma-eesmärkidel:

1.

kaitse;

| 2. | pakendamine; |
| --- | --- |

2.

pakendamine;

| 3. | ballastid massiga kuni 100 kg; |
| --- | --- |

3.

ballastid massiga kuni 100 kg;

| 4. | vastukaalud massiga kuni 100 kg; |
| --- | --- |

4.

vastukaalud massiga kuni 100 kg;

| c. | sulamid, mis sisaldavad alla 5 % tooriumi; |
| --- | --- |

c.

sulamid, mis sisaldavad alla 5 % tooriumi;

| d. | tooriumi sisaldavad keraamikatooted, mis on valmistatud mitte-tuuma eesmärkidel kasutamiseks. |
| --- | --- |

d.

tooriumi sisaldavad keraamikatooted, mis on valmistatud mitte-tuuma eesmärkidel kasutamiseks.

0C002
  Lõhustuvad erimaterjalid

Märkus: Punkt 0C002 ei hõlma kogust, milleks on neli või vähem efektiivgrammi instrumentide anduriosades.

0C003Deuteerium, raske vesi (deuteeriumoksiid) ja teised deuteeriumiühendid ning segud ja deuteeriumi sisaldavad lahused, milles deuteeriumi ja vesiniku isotoopsuhe on suurem kui 1:5 000.

0C004Tuumatehnoloogilise puhtuseastmega grafiit, mille booriekvivalent on väiksem kui 5 miljondikku ja tihedus üle 1,5 g/cm3.

NB! VT KA PUNKTI 1C107.

Märkus 1: Punkt 0C004 ei hõlma järgmist:

| a. | grafiittooted, mille mass on alla 1 kg ja mis ei ole spetsiaalselt projekteeritud ega valmistatud kasutamiseks tuumareaktorites; |
| --- | --- |

a.

grafiittooted, mille mass on alla 1 kg ja mis ei ole spetsiaalselt projekteeritud ega valmistatud kasutamiseks tuumareaktorites;

| b. | grafiidipulber. |
| --- | --- |

b.

grafiidipulber.

Märkus 2: Punktis 0C004 on booriekvivalent (BE) määratletud kui lisandite BEz-de summa (v.a BEsüsinik, kuna süsinikku ei loeta lisandiks) koos booriga, kus:

BEZ(ppm) = CF x elemendi Z kontsentratsioon ppm-des;

kus CF on teisendustegur Formula

ning σB ja σZ on vastavalt loodusliku boori ja elemendi Z soojuslike neutronite haarde ristlõige (barnides); AB ja AZ on vastavalt loodusliku boori ja elemendi Z aatommassid.

0C005Gaasilise difusiooni tõkete valmistamiseks ettenähtud UF6 korrosioonile vastupidavad ühendid või pulbrid (nt nikkel või sulam, mis sisaldab 60 massi % või rohkem niklit, alumiiniumoksiid ja täielikult fluoritud süsivesinikpolümeerid) puhtusastmega 99,9 massi % või rohkem, mille osakeste suurus mõõdetuna vastavalt USA Materjalide Katsetamise Ühingu (ASTM) standardile B330 on 10 μm või vähem ning milles osakeste jaotus suuruse järgi on väga väike.

0DTarkvara

0D001
  Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud käesolevas kategoorias nimetatud kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks.

0ETehnoloogia

0E001Tuumatehnoloogia märkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud käesolevas kategoorias nimetatud kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks.

1. KATEGOORIA

MATERJALID, KEMIKAALID, MIKROORGANISMID JA TOKSIINID

1ASüsteemid, seadmed ja komponendid

1A001Järgmised fluoritud segudest valmistatud komponendid:

| a. | mansetid, tihendid, hermeetikud või kütusepõied, mis on spetsiaalselt kavandatud õhu- või kosmosesõidukitel kasutamiseks ning mille valmistamisel on kasutatud üle 50 massi% punktis 1C009.b või 1C009.c nimetatud materjale; |
| --- | --- |

a.

mansetid, tihendid, hermeetikud või kütusepõied, mis on spetsiaalselt kavandatud õhu- või kosmosesõidukitel kasutamiseks ning mille valmistamisel on kasutatud üle 50 massi% punktis 1C009.b või 1C009.c nimetatud materjale;

| b. | piesoelektrilised polümeerid ja kopolümeerid, mis on valmistatud punktis 1C009.a nimetatud vinülideenfluoriidmaterjalidest:






  1. | lehe või kilena; ja |
| --- | --- | --- |

b.

piesoelektrilised polümeerid ja kopolümeerid, mis on valmistatud punktis 1C009.a nimetatud vinülideenfluoriidmaterjalidest:

1.

lehe või kilena; ja

| 2. | paksusega üle 200 μm; |
| --- | --- |

2.

paksusega üle 200 μm;

| c. | mansetid, tihendid, klapipesad, põied ja membraanid, mis on spetsiaalselt kavandatud õhu- ja kosmosesõidukite ja rakettmürskude jaoks ning valmistatud fluoroelastomeeridest, mis sisaldavad vähemalt üht vinüüleetrirühma.


  Märkus: Punktis 1A001.c tähendab rakettmürsk terviklikke raketisüsteeme ja mehitamata õhusõidukisüsteeme. |
| --- | --- |

c.

mansetid, tihendid, klapipesad, põied ja membraanid, mis on spetsiaalselt kavandatud õhu- ja kosmosesõidukite ja rakettmürskude jaoks ning valmistatud fluoroelastomeeridest, mis sisaldavad vähemalt üht vinüüleetrirühma.

Märkus: Punktis 1A001.c tähendab rakettmürsk terviklikke raketisüsteeme ja mehitamata õhusõidukisüsteeme.

1A002
  Komposiitstruktuurid või -laminaadid, millel on:

NB! VT KA PUNKTE 1A202, 9A010 ja 9A110.

| a. | orgaaniline põhiaine, mis on valmistatud punktis 1C010.c, 1C010.d või 1C010.e nimetatud materjalidest; või |
| --- | --- |

a.

orgaaniline põhiaine, mis on valmistatud punktis 1C010.c, 1C010.d või 1C010.e nimetatud materjalidest; või

| b. | metall- või süsinikpõhiaine ning on valmistatud:






  1. | süsinikkiust või niitmaterjalist, mille:






  a. | erimoodul on üle 10,15 × 106 m; ja |
| --- | --- | --- | --- |

b.

metall- või süsinikpõhiaine ning on valmistatud:

1.

süsinikkiust või niitmaterjalist, mille:

a.

erimoodul on üle 10,15 × 106 m; ja

| b. | eritõmbetugevus on üle 17,7 × 104 m; või |
| --- | --- |

b.

eritõmbetugevus on üle 17,7 × 104 m; või

| 2. | punktis 1C010.c nimetatud materjalidest. |
| --- | --- |

2.

punktis 1C010.c nimetatud materjalidest.

Märkus 1: Punkt 1A002 ei hõlma komposiitstruktuure või- laminaate, mis on valmistatud epoksüvaiguga immutatud süsinikkiust või niitmaterjalidest, mis on ettenähtud õhusõiduki tarindite või laminaatide parandamiseks, kui pindala ei ületa 1 m2.

Märkus 2: Punkt 1A002 ei hõlma valmistooteid ega pooltooteid, mis on ette nähtud kasutamiseks tsiviilotstarbel:

| a. | spordikaupadena; |
| --- | --- |

a.

spordikaupadena;

| b. | autotööstuses; |
| --- | --- |

b.

autotööstuses;

| c. | tööpingitööstuses; |
| --- | --- |

c.

tööpingitööstuses;

| d. | meditsiinis. |
| --- | --- |

d.

meditsiinis.

1A003Punktis 1C008.a.3 nimetatud mittefluoritud polümeeridest valmistatud kile-, lehe-, lindi- või paelakujulised tooted, mis on järgmiste omadustega:

| a. | paksusega üle 0,254 mm; või |
| --- | --- |

a.

paksusega üle 0,254 mm; või

| b. | kaetud või lamineeritud süsiniku, grafiidi, metallide või magnetiliste ainetega. |
| --- | --- |

b.

kaetud või lamineeritud süsiniku, grafiidi, metallide või magnetiliste ainetega.

Märkus: Punkt 1A003 ei käsitle tooteid, mis on kaetud või lamineeritud vasega ja on kavandatud trükkplaatide tootmiseks.

1A004Kaitse- ja avastamisseadmed ning nende komponendid, mida ei ole nimetatud sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas:

NB! VT KA PUNKTE 2B351 JA 2B352.

| a. | gaasimaskid, filtrid ja saaste kõrvaldamise seadmed, mis on kavandatud või kohandatud kaitseks bioloogiliste toimeainete või sõjaliseks kasutamiseks kohandatud radioaktiivsete ainete või keemiliste ründeainete eest ning nende jaoks kavandatud komponendid; |
| --- | --- |

a.

gaasimaskid, filtrid ja saaste kõrvaldamise seadmed, mis on kavandatud või kohandatud kaitseks bioloogiliste toimeainete või sõjaliseks kasutamiseks kohandatud radioaktiivsete ainete või keemiliste ründeainete eest ning nende jaoks kavandatud komponendid;

| b. | kaitseülikonnad, -kindad ja -jalatsid, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud kaitseks bioloogiliste toimeainete või sõjaliseks kasutamiseks kohandatud radioaktiivsete ainete või keemiliste ründeainete eest; |
| --- | --- |

b.

kaitseülikonnad, -kindad ja -jalatsid, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud kaitseks bioloogiliste toimeainete või sõjaliseks kasutamiseks kohandatud radioaktiivsete ainete või keemiliste ründeainete eest;

| c. | tuuma-, bioloogilise ja keemilise (NBC) saaste avastamise süsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud bioloogiliste toimeainete või sõjaliseks kasutamiseks kohandatud radioaktiivsete ainete või keemiliste ründeainete avastamiseks ja identifitseerimiseks, ning nende jaoks kavandatud komponendid. |
| --- | --- |

c.

tuuma-, bioloogilise ja keemilise (NBC) saaste avastamise süsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud bioloogiliste toimeainete või sõjaliseks kasutamiseks kohandatud radioaktiivsete ainete või keemiliste ründeainete avastamiseks ja identifitseerimiseks, ning nende jaoks kavandatud komponendid.

Märkus: Punkt 1A004 ei hõlma järgmist:

| a. | personaalsed radiatsioonidosimeetrid; |
| --- | --- |

a.

personaalsed radiatsioonidosimeetrid;

| b. | seadmed, mille konstruktsioon või funktsioonid on piiratud kaitseks tsiviiltegevuses, nagu all- ja pealmaakaevandamine, põllumajandus, ravimitööstus, meditsiin, veterinaaria, keskkond, jäätmekäsitlus, või toiduainetööstus esinevate iseloomulike riskide eest. |
| --- | --- |

b.

seadmed, mille konstruktsioon või funktsioonid on piiratud kaitseks tsiviiltegevuses, nagu all- ja pealmaakaevandamine, põllumajandus, ravimitööstus, meditsiin, veterinaaria, keskkond, jäätmekäsitlus, või toiduainetööstus esinevate iseloomulike riskide eest.

1A005Kuulikindlad vestid ja spetsiaalselt nende jaoks kavandatud komponendid, välja arvatud need, mis on valmistatud sõjaliste standardite või spetsifikatsioonide kohaselt või nendega samaväärsete eeskirjade kohaselt.

NB! VT KA SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJA.

NB! Kuulikindlate vestide valmistamiseks kasutatavate kiudude ja kiudmaterjalide kohta vt punkti 1C010.

Märkus 1: Punkt 1A005 ei hõlma kuulikindlaid veste või kaitserõivaid, kui inimene kasutab neid oma isiklikuks kaitseks.

Märkus 2: Punkt 1A005 ei käsitle kuulikindlaid veste, mis on kavandatud pakkuma vaid frontaalset kaitset mittesõjaliste lõhkeseadeldiste kildude ja plahvatuse eest.

1A102Korduvküllastatud pürolüüsitud süsinik-süsinik-komponendid, mis on ette nähtud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettides või punktis 9A104 nimetatud sondrakettides.

1A202Komposiitstruktuurid, muud kui punktis 1A002 nimetatud, torude kujul, millel on järgmised omadused:

NB! VT KA PUNKTE 9A010 ja 9A110.

| a. | sisediameeter 75–400 mm; ja |
| --- | --- |

a.

sisediameeter 75–400 mm; ja

| b. | valmistatud punktides 1C010.a. või 1C010.b. või punktis 1C210.a nimetatud kiust või kiudmaterjalist või punktis 1C210.c nimetatud süsinikprepregmaterjalist. |
| --- | --- |

b.

valmistatud punktides 1C010.a. või 1C010.b. või punktis 1C210.a nimetatud kiust või kiudmaterjalist või punktis 1C210.c nimetatud süsinikprepregmaterjalist.

1A225Platineeritud katalüsaatorid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud vesiniku isotoopide vahetusreaktsiooni aktiveerimiseks vesiniku ja vee vahel, triitiumi tagasisaamiseks raskest veest või raske vee tootmiseks.

1A226Spetsiaalsed topendid, mida võib kasutada raske vee eraldamiseks tavalisest veest ja millel on järgmised omadused:

| a. | valmistatud fosforpronksvõrgust, mida on märguvuse parandamiseks keemiliselt töödeldud; ja |
| --- | --- |

a.

valmistatud fosforpronksvõrgust, mida on märguvuse parandamiseks keemiliselt töödeldud; ja

| b. | kavandatud kasutamiseks vaakumdestillatsioonikolonnides. |
| --- | --- |

b.

kavandatud kasutamiseks vaakumdestillatsioonikolonnides.

1A227Kõrgtihedad (pliiklaasist vms) kiirgusvarjeaknad, millel on järgmised omadused, ning spetsiaalselt selliste akende jaoks projekteeritud raamid:

| a. | külm (kiirgusvaba) piirkond on suurem kui 0,09 m2; |
| --- | --- |

a.

külm (kiirgusvaba) piirkond on suurem kui 0,09 m2;

| b. | tihedus on üle 3 g/cm3; ja |
| --- | --- |

b.

tihedus on üle 3 g/cm3; ja

| c. | paksus on 100 mm või rohkem. |
| --- | --- |

c.

paksus on 100 mm või rohkem.

Tehniline märkus:

Punktis 1A227 tähendab külm piirkond akna väljavaateala, mis on kavandatud kasutuse korral avatud madalaimale kiirgustasemele.

1BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

1B001Järgmised seadmed punktides 1A002 ja 1C010 nimetatud kiudude, prepregmaterjalide, eelvormide ja komposiitide tootmiseks ning nende jaoks ettenähtud komponendid ja lisaseadmed:

NB! VT KA PUNKTE 1B101 JA 1B201.

| a. | elementaarkiu poolimispingid, mille liikumine positsioneerimiseks, kiudude poolimiseks ja mähkimiseks on koordineeritud ja programmeeritud kolme või enama telje suhtes ja mis on spetsiaalselt ette nähtud komposiitstruktuuride või -laminaatide tootmiseks kiududest või kiudainetest; |
| --- | --- |

a.

elementaarkiu poolimispingid, mille liikumine positsioneerimiseks, kiudude poolimiseks ja mähkimiseks on koordineeritud ja programmeeritud kolme või enama telje suhtes ja mis on spetsiaalselt ette nähtud komposiitstruktuuride või -laminaatide tootmiseks kiududest või kiudainetest;

| b. | lintimis- ja köisikupaigalduspingid, mille liikumine lindi, köisiku või lehtede positsioneerimiseks ja paigaldamiseks on koordineeritud ja programmeeritud kahe või enama telje suhtes ja mis on spetsiaalselt ette nähtud komposiitsete õhusõiduki plaanerite või rakettmürskude tarindite tootmiseks;


  Märkus: Punktis 1B001.b tähendab rakettmürsk terviklikke raketisüsteeme ja mehitamata õhusõidukisüsteeme. |
| --- | --- |

b.

lintimis- ja köisikupaigalduspingid, mille liikumine lindi, köisiku või lehtede positsioneerimiseks ja paigaldamiseks on koordineeritud ja programmeeritud kahe või enama telje suhtes ja mis on spetsiaalselt ette nähtud komposiitsete õhusõiduki plaanerite või rakettmürskude tarindite tootmiseks;

Märkus: Punktis 1B001.b tähendab rakettmürsk terviklikke raketisüsteeme ja mehitamata õhusõidukisüsteeme.

| c. | mitmesuunalised ja -dimensioonilised kudumisteljed või põimimispingid kiudude kudumiseks, põimimiseks või punumiseks komposiitstruktuuride tootmise eesmärgil ning nende adapterid ja ümberseadistamiskomplektid;
  Tehniline märkus:

  Punkti 1B001.c tähenduses hõlmab "põimimine" kudumist.



  Märkus: Punkt 1B001.c ei hõlma tekstiilitööstuses kasutatavaid seadmeid, mida ei ole seadistatud punktis 1B001.c nimetatud lõppkasutuseks. |
| --- | --- |

c.

mitmesuunalised ja -dimensioonilised kudumisteljed või põimimispingid kiudude kudumiseks, põimimiseks või punumiseks komposiitstruktuuride tootmise eesmärgil ning nende adapterid ja ümberseadistamiskomplektid;

Tehniline märkus:

Punkti 1B001.c tähenduses hõlmab "põimimine" kudumist.

Märkus: Punkt 1B001.c ei hõlma tekstiilitööstuses kasutatavaid seadmeid, mida ei ole seadistatud punktis 1B001.c nimetatud lõppkasutuseks.

| d. | järgmised armeerimiskiudude tootmiseks ettenähtud või kohandatud seadmed:






  1. | seadmed polümeerkiudude (nt polüakrüülnitriil, raion, pigi või polükarbosilaan) muutmiseks süsinikkiududeks või ränikarbiidkiududeks, kaasa arvatud eriseadmed kiudude pingutamiseks kuumutamise jooksul; |
| --- | --- | --- |

d.

järgmised armeerimiskiudude tootmiseks ettenähtud või kohandatud seadmed:

1.

seadmed polümeerkiudude (nt polüakrüülnitriil, raion, pigi või polükarbosilaan) muutmiseks süsinikkiududeks või ränikarbiidkiududeks, kaasa arvatud eriseadmed kiudude pingutamiseks kuumutamise jooksul;

| 2. | seadmed kuumutatud kiudsubstraatide katmiseks elementide või ühenditega keemilise aursadestamise abil ränikarbiidkiudude tootmiseks; |
| --- | --- |

2.

seadmed kuumutatud kiudsubstraatide katmiseks elementide või ühenditega keemilise aursadestamise abil ränikarbiidkiudude tootmiseks;

| 3. | seadmed kuumuskindla portselani (nt alumiiniumoksiid) märgketruseks; |
| --- | --- |

3.

seadmed kuumuskindla portselani (nt alumiiniumoksiid) märgketruseks;

| 4. | seadmed lähteaineks olevate alumiiniumisisaldusega kiudude muutmiseks termotöötlemisel alumiiniumoksiidkiududeks; |
| --- | --- |

4.

seadmed lähteaineks olevate alumiiniumisisaldusega kiudude muutmiseks termotöötlemisel alumiiniumoksiidkiududeks;

| e. | seadmed punktis 1C010.e nimetatud prepregmaterjalide tootmiseks kuumsulatusmeetodil; |
| --- | --- |

e.

seadmed punktis 1C010.e nimetatud prepregmaterjalide tootmiseks kuumsulatusmeetodil;

| f. | spetsiaalsed mittepurustavad kontrollseadmed defektide kolmemõõtmeliseks otsinguks komposiitmaterjalides ultraheli- või röntgentomograafia abil. |
| --- | --- |

f.

spetsiaalsed mittepurustavad kontrollseadmed defektide kolmemõõtmeliseks otsinguks komposiitmaterjalides ultraheli- või röntgentomograafia abil.

1B002Seadmed, mis on ette nähtud metallisulamite, metallisulamipulbrite või legeeritud materjalide tootmiseks ja saastumise vältimiseks ning kavandatud punktis 1C002.c nimetatud protsessides kasutamiseks.

NB! VT KA PUNKTI 1B102.

1B003Titaani, alumiiniumi või nende sulamite üliplastseks vormimiseks või difusioonkeevitamiseks ettenähtud tööriistad, stantsid, vormid ja rakised järgmiste toodete valmistamiseks:

| a. | õhusõidukite plaanerite või kosmosesõidukite tarindid; |
| --- | --- |

a.

õhusõidukite plaanerite või kosmosesõidukite tarindid;

| b. | õhu- või kosmosesõidukite mootorid; või |
| --- | --- |

b.

õhu- või kosmosesõidukite mootorid; või

| c. | spetsiaalselt kavandatud komponendid nendele tarinditele või mootoritele. |
| --- | --- |

c.

spetsiaalselt kavandatud komponendid nendele tarinditele või mootoritele.

1B101Muud kui punktis 1B001 nimetatud seadmed, mis on ette nähtud järgmiste struktuurkomposiitide tootmiseks, ja nende jaoks ettenähtud komponendid ja lisaseadmed:

NB! VT KA PUNKTI 1B201.

Märkus: Punktis 1B101 määratletud komponendid ja lisaseadmed hõlmavad valuvorme, torne, stantse, rakiseid ning tööriistasid komposiitstruktuuride, -laminaatide ja nende toodete eelvormi pressimiseks, tahkestamiseks, valamiseks, paagutamiseks või kleepimiseks.

| a. | elementaarkiu poolimispingid, mille liikumine positsioneerimiseks, kiudude poolimiseks ja mähkimiseks on koordineeritud ja programmeeritud kolme või enama telje suhtes ja mis on spetsiaalselt ette nähtud komposiitstruktuuride või -laminaatide tootmiseks kiududest või kiudainetest, ning kordineerimise ja programmeerimise juhtseadmed; |
| --- | --- |

a.

elementaarkiu poolimispingid, mille liikumine positsioneerimiseks, kiudude poolimiseks ja mähkimiseks on koordineeritud ja programmeeritud kolme või enama telje suhtes ja mis on spetsiaalselt ette nähtud komposiitstruktuuride või -laminaatide tootmiseks kiududest või kiudainetest, ning kordineerimise ja programmeerimise juhtseadmed;

| b. | Lintimispingid, mille liikumine lindi või lehtede positsioneerimiseks ja paigaldamiseks on koordineeritavad ja programmeeritavad kahe või enama telje suhtes ja mis on spetsiaalselt ette nähtud komposiitsete õhusõiduki plaanerite või rakettmürskude tarindite tootmiseks; |
| --- | --- |

b.

Lintimispingid, mille liikumine lindi või lehtede positsioneerimiseks ja paigaldamiseks on koordineeritavad ja programmeeritavad kahe või enama telje suhtes ja mis on spetsiaalselt ette nähtud komposiitsete õhusõiduki plaanerite või rakettmürskude tarindite tootmiseks;

| c. | järgmised kiudude või niitmaterjalide tootmiseks kavandatud või seadistatud seadmed:






  1. | seadmed polümeerkiudude (nt polüakrüülnitriil, raion või polükarbosilaan) muutmiseks, kaasa arvatud spetsiaalne varustus kiudude pingutamiseks kuumutamise jooksul; |
| --- | --- | --- |

c.

järgmised kiudude või niitmaterjalide tootmiseks kavandatud või seadistatud seadmed:

1.

seadmed polümeerkiudude (nt polüakrüülnitriil, raion või polükarbosilaan) muutmiseks, kaasa arvatud spetsiaalne varustus kiudude pingutamiseks kuumutamise jooksul;

| 2. | kuumutatud kiudsubstraatidele elementide või ühendite aursadestamise seadmed; |
| --- | --- |

2.

kuumutatud kiudsubstraatidele elementide või ühendite aursadestamise seadmed;

| 3. | seadmed kuumuskindla portselani (nt alumiiniumoksiid) märgketruseks; |
| --- | --- |

3.

seadmed kuumuskindla portselani (nt alumiiniumoksiid) märgketruseks;

| d. | seadmed, mis on kavandatud või seadistatud spetsiaalseks kiudude pinnatöötluseks või punktis 9C110 nimetatud prepregmaterjalide ja eelvormide tootmiseks.


  Märkus: Punktis 1B101.d nimetatud seadmete hulka kuuluvad rullid, venitus-, pindamis- ja lõikeseadmed ning matriitsid. |
| --- | --- |

d.

seadmed, mis on kavandatud või seadistatud spetsiaalseks kiudude pinnatöötluseks või punktis 9C110 nimetatud prepregmaterjalide ja eelvormide tootmiseks.

Märkus: Punktis 1B101.d nimetatud seadmete hulka kuuluvad rullid, venitus-, pindamis- ja lõikeseadmed ning matriitsid.

1B102Muud kui punktis 1B002 nimetatud metallipulbri tootmisseadmed ja järgmised komponendid:

NB! VT KA PUNKTI 1B115.b.

| a. | metallipulbri tootmisseadmed, mida saab kasutada punktis 1C011.a, 1C011.b, 1C111.a.1, 1C111.a.2 või sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud sfääriliste või pihustatud materjalide tootmiseks kontrollitavas keskkonnas. |
| --- | --- |

a.

metallipulbri tootmisseadmed, mida saab kasutada punktis 1C011.a, 1C011.b, 1C111.a.1, 1C111.a.2 või sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud sfääriliste või pihustatud materjalide tootmiseks kontrollitavas keskkonnas.

| b. | spetsiaalselt kavandatud punktis 1B002 või 1B102.a nimetatud tootmisseadmed. |
| --- | --- |

b.

spetsiaalselt kavandatud punktis 1B002 või 1B102.a nimetatud tootmisseadmed.

Märkus: Punkt 1B102 hõlmab järgmist:

| a. | plasmageneraatorid (kõrgsageduslik kaarleek), mida kasutatakse pihustatud või sfääriliste metallipulbrite saamiseks argoon-vesi keskkonnas teostatava menetlusega; |
| --- | --- |

a.

plasmageneraatorid (kõrgsageduslik kaarleek), mida kasutatakse pihustatud või sfääriliste metallipulbrite saamiseks argoon-vesi keskkonnas teostatava menetlusega;

| b. | elektrilahendusseadmed, mida kasutatakse pihustatud või sfääriliste metallipulbrite saamiseks argoon-vesi keskkonnas teostatava menetlusega; |
| --- | --- |

b.

elektrilahendusseadmed, mida kasutatakse pihustatud või sfääriliste metallipulbrite saamiseks argoon-vesi keskkonnas teostatava menetlusega;

| c. | seadmed, mida kasutatakse sfääriliste alumiiniumipulbrite tootmiseks, pihustades sulametalli inertsesse keskkonda (nt lämmastik). |
| --- | --- |

c.

seadmed, mida kasutatakse sfääriliste alumiiniumipulbrite tootmiseks, pihustades sulametalli inertsesse keskkonda (nt lämmastik).

1B115Muud kui punktis 1B002 või 1B102 nimetatud seadmed raketikütuse ja raketikütuse koostisosade tootmiseks ja nende jaoks ettenähtud komponendid:

| a. | tootmisseadmed punktis 1C011.a, 1C011.b, 1C111 või sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud vedelate raketikütuste või raketikütuse koostisosade tootmiseks, käitlemiseks või heakskiidukatseteks; |
| --- | --- |

a.

tootmisseadmed punktis 1C011.a, 1C011.b, 1C111 või sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud vedelate raketikütuste või raketikütuse koostisosade tootmiseks, käitlemiseks või heakskiidukatseteks;

| b. | tootmisseadmed punktis 1C011.a, 1C011.b, 1C111 või sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud tahkete raketikütuste või raketikütuse koostisosade tootmiseks, käitlemiseks, segamiseks, tahkestamiseks, valuks, pressimiseks, töötlemiseks, ekstrusiooniks või heakskiidukatseteks.


  Märkus: Punkt 1B115.b ei hõlma perioodilisi segisteid, pidevsegisteid ega paiskveskeid. Perioodiliste segistite, pidevsegistite ja paiskveskite kontrolli vaata punktidest 1B117, 1B118 ja 1B119. |
| --- | --- |

b.

tootmisseadmed punktis 1C011.a, 1C011.b, 1C111 või sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud tahkete raketikütuste või raketikütuse koostisosade tootmiseks, käitlemiseks, segamiseks, tahkestamiseks, valuks, pressimiseks, töötlemiseks, ekstrusiooniks või heakskiidukatseteks.

Märkus: Punkt 1B115.b ei hõlma perioodilisi segisteid, pidevsegisteid ega paiskveskeid. Perioodiliste segistite, pidevsegistite ja paiskveskite kontrolli vaata punktidest 1B117, 1B118 ja 1B119.

Märkus 1: Sõjalise otstarbega kaupade tootmiseks spetsiaalselt kavandatud seadmete kohta vaata sõjalise otstarbega kaupade nimekirja.

Märkus 2: Punkt 1B115 ei hõlma boorkarbiidi tootmise, käitlemise ja heakskiidukatsete seadmeid.

1B116Düüsid, mis on spetsiaalselt kavandatud pürolüütiliselt saadud materjalide tootmiseks, mis on moodustunud valuvormil, spindlil või muul alusel lähtegaasidest, mis lagunevad temperatuurivahemikus 1 573 K (+1 300 °C) kuni 3 173 K (+2 900 °C), rõhul 130 Pa–20 kPa.

1B117Perioodilised segistid segamiseks vaakumis rõhuvahemikus 0–13 326 kPa võimalusega reguleerida segamiskambri temperatuuri, millel on kõik järgmised omadused:

| a. | kogumaht 110 liitrit ja rohkem; ja |
| --- | --- |

a.

kogumaht 110 liitrit ja rohkem; ja

| b. | vähemalt ühe ekstsentrilise segamis-/sõtkumisvõlliga. |
| --- | --- |

b.

vähemalt ühe ekstsentrilise segamis-/sõtkumisvõlliga.

1B118Pidevsegistid segamiseks vähendatud rõhul rõhuvahemikus 0–13 326 kPa reguleeritava temperatuuriga segamiskambris, millel on mis tahes järgmised omadused:

| a. | kaks või rohkem segamis-/sõtkumisvõlli; või |
| --- | --- |

a.

kaks või rohkem segamis-/sõtkumisvõlli; või

| b. | üks pöörlev võnkliikuv võll, millel on sõtkumishambad/-sõrmed nii võllil kui ka segamiskambri seinte siseküljel. |
| --- | --- |

b.

üks pöörlev võnkliikuv võll, millel on sõtkumishambad/-sõrmed nii võllil kui ka segamiskambri seinte siseküljel.

1B119Paiskveskid punktis 1C011.a, 1C011.b, 1C111 või sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud ainete peenestamiseks või jahvatamiseks ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud osad.

1B201Elementaarkiu poolimispingid, muud kui punktis 1B001 või 1B101 nimetatud, ja nendega seotud seadmed:

| a. | elementaarkiu poolimispingid, millel on kõik järgmised omadused:






  1. | mille liikumine positsioneerimiseks, kiudude poolimiseks ja mähkimiseks on koordineeritud ja programmeeritud kahe või enama telje suhtes; |
| --- | --- | --- |

a.

elementaarkiu poolimispingid, millel on kõik järgmised omadused:

1.

mille liikumine positsioneerimiseks, kiudude poolimiseks ja mähkimiseks on koordineeritud ja programmeeritud kahe või enama telje suhtes;

| 2. | mis on ette nähtud komposiitstruktuuride või -laminaatide tootmiseks kiududest või kiudainetest; ja |
| --- | --- |

2.

mis on ette nähtud komposiitstruktuuride või -laminaatide tootmiseks kiududest või kiudainetest; ja

| 3. | mis võimaldavad 75–400 mm diameetriga ja 600 mm pikkuste või pikemate silindriliste rootorite mähkimist; |
| --- | --- |

3.

mis võimaldavad 75–400 mm diameetriga ja 600 mm pikkuste või pikemate silindriliste rootorite mähkimist;

| b. | Punktis 1B201.a nimetatud elementaarkiu poolimispinkide koordineerimis- ja programmeerimisseadmed; |
| --- | --- |

b.

Punktis 1B201.a nimetatud elementaarkiu poolimispinkide koordineerimis- ja programmeerimisseadmed;

| c. | Punktis 1B201.a nimetatud elementaarkiu poolimispinkide täpsustornid. |
| --- | --- |

c.

Punktis 1B201.a nimetatud elementaarkiu poolimispinkide täpsustornid.

1B225Elektrolüüsivannid fluori tootmiseks, mille tootmisvõimsus on enam kui 250 g fluori tunnis.

1B226Elektromagnetilised isotoopseparaatorid, mis on kavandatud või varustatud ühe või mitme iooniallikaga, võimaldades maksimaalset ioonkiirte voolu 50 mA või rohkem.

Märkus: Punkt 1B226 hõlmab separaatoreid:

| a. | mis võimaldavad rikastada stabiilseid isotoope; |
| --- | --- |

a.

mis võimaldavad rikastada stabiilseid isotoope;

| b. | millel mõlemad, nii iooniallikad kui ka kollektorid võivad asuda kas magnetväljas või väljaspool magnetvälja. |
| --- | --- |

b.

millel mõlemad, nii iooniallikad kui ka kollektorid võivad asuda kas magnetväljas või väljaspool magnetvälja.

1B227Ammoniaagi sünteesimiskonverterid või ammoniaagi sünteesiseadmed, milles sünteesgaas (lämmastik ja vesinik) eemaldatakse kõrgsurve ammoniaak/vesinik-vahetuskolonnist ja sünteesitud ammoniaak suunatakse tagasi samasse kolonni.

1B228Vesiniku krüodestillatsiooni kolonnid, millel on kõik järgmised omadused:

| a. | ette nähtud tööks temperatuuril 35 K (– 238 °C) või vähem; |
| --- | --- |

a.

ette nähtud tööks temperatuuril 35 K (– 238 °C) või vähem;

| b. | ette nähtud töötama siserõhul 0,5–5 MPa; |
| --- | --- |

b.

ette nähtud töötama siserõhul 0,5–5 MPa;

| c. | valmistatud:






  1. | vähese väävlisisaldusega 300-seeria roostevabast terasest, mille austeniitse tera suurus on 5 või suurem ASTM-i (või samaväärse standardi) järgi; või |
| --- | --- | --- |

c.

valmistatud:

1.

vähese väävlisisaldusega 300-seeria roostevabast terasest, mille austeniitse tera suurus on 5 või suurem ASTM-i (või samaväärse standardi) järgi; või

| 2. | samalaadsetest ülimadalat temperatuuri ja H2 keskkonda taluvatest materjalidest; ja |
| --- | --- |

2.

samalaadsetest ülimadalat temperatuuri ja H2 keskkonda taluvatest materjalidest; ja

| d. | sisediameetriga 1 m või rohkem ning tegeliku pikkusega 5 m või üle selle. |
| --- | --- |

d.

sisediameetriga 1 m või rohkem ning tegeliku pikkusega 5 m või üle selle.

1B229Järgmised vesi-vesiniksulfiid-vahetuskolonnid ja nende sisekontaktorid:

NB! Spetsiaalselt raske vee tootmiseks kavandatud või valmistatud kolonnide kohta vt punkti 0B004.

| a. | vesi-vesiniksulfiid-taldrikvahetuskolonnid, millel on kõik järgmised omadused:






  1. | võivad töötada rõhul 2 MPa või rohkem; |
| --- | --- | --- |

a.

vesi-vesiniksulfiid-taldrikvahetuskolonnid, millel on kõik järgmised omadused:

1.

võivad töötada rõhul 2 MPa või rohkem;

| 2. | valmistatud süsinikterasest, mille austeniitse tera suurus on 5 või suurem ASTM-i (või samaväärse standardi) järgi; ja |
| --- | --- |

2.

valmistatud süsinikterasest, mille austeniitse tera suurus on 5 või suurem ASTM-i (või samaväärse standardi) järgi; ja

| 3. | diameetriga 1,8 m või rohkem; |
| --- | --- |

3.

diameetriga 1,8 m või rohkem;

| b. | punktis 1B229.a määratletud vesi-vesiniksulfiid-taldrikvahetuskolonnide jaoks ettenähtud sisekontaktorid.
  Tehniline märkus:

  Kolonnide sisekontaktoriteks on segmenditud taldrikud efektiivdiameetriga 1,8 m või rohkem, mis on konstrueeritud hõlbustama vastuvoolukontakti ning on valmistatud roostevabast terasest süsinikusisaldusega 0,03 % või vähem. Need võivad olla sõeltaldrikud, ventiiltaldrikud, kellakujulised või turbovõretaldrikud. |
| --- | --- |

b.

punktis 1B229.a määratletud vesi-vesiniksulfiid-taldrikvahetuskolonnide jaoks ettenähtud sisekontaktorid.

Tehniline märkus:

Kolonnide sisekontaktoriteks on segmenditud taldrikud efektiivdiameetriga 1,8 m või rohkem, mis on konstrueeritud hõlbustama vastuvoolukontakti ning on valmistatud roostevabast terasest süsinikusisaldusega 0,03 % või vähem. Need võivad olla sõeltaldrikud, ventiiltaldrikud, kellakujulised või turbovõretaldrikud.

1B230Pumbad, mis tsirkuleerivad kontsentreeritud või lahjendatud kaaliumamiidi katalüsaatorlahuseid vedelas ammoniaagis (KNH2/NH3) ja millel on kõik järgmised omadused:

| a. | õhutihedad (st hermeetiliselt suletud); |
| --- | --- |

a.

õhutihedad (st hermeetiliselt suletud);

| b. | tootlikkusega 8,5 m3/h või rohkem; ja |
| --- | --- |

b.

tootlikkusega 8,5 m3/h või rohkem; ja

| c. | üks järgmistest omadustest:






  1. | kontsentreeritud kaaliumamiidilahuste (üle 1 %-lise kontsentratsiooniga) jaoks on töörõhk 1,5–60 MPa; või |
| --- | --- | --- |

c.

üks järgmistest omadustest:

1.

kontsentreeritud kaaliumamiidilahuste (üle 1 %-lise kontsentratsiooniga) jaoks on töörõhk 1,5–60 MPa; või

| 2. | lahjendatud kaaliumamiidilahuste (alla 1 %-lise kontsentratsiooniga) jaoks on töörõhk 20–60 MPa. |
| --- | --- |

2.

lahjendatud kaaliumamiidilahuste (alla 1 %-lise kontsentratsiooniga) jaoks on töörõhk 20–60 MPa.

1B231Triitiumi tootmisrajatised või -tehased ning seadmed nende jaoks:

| a. | tootmisrajatised või -tehased triitiumi tootmiseks, taastamiseks, ekstraheerimiseks, kontsentreerimiseks või käitlemiseks; |
| --- | --- |

a.

tootmisrajatised või -tehased triitiumi tootmiseks, taastamiseks, ekstraheerimiseks, kontsentreerimiseks või käitlemiseks;

| b. | seadmed triitiumi tootmisrajatiste või -tehaste jaoks järgmiselt:






  1. | vesinik- või heeliumijahutusmoodulid jahutusvõimega 23 K (– 250 °C) või sellest madalamale ning soojusärastamisvõimega 150 W või rohkem; |
| --- | --- | --- |

b.

seadmed triitiumi tootmisrajatiste või -tehaste jaoks järgmiselt:

1.

vesinik- või heeliumijahutusmoodulid jahutusvõimega 23 K (– 250 °C) või sellest madalamale ning soojusärastamisvõimega 150 W või rohkem;

| 2. | vesiniku isotoopide kogumis- ja puhastussüsteemid, mis koguvad ja puhastavad metallhüdriidide keskkonnas. |
| --- | --- |

2.

vesiniku isotoopide kogumis- ja puhastussüsteemid, mis koguvad ja puhastavad metallhüdriidide keskkonnas.

1B232Turboekspandrid või turboekspander-kompressorgarnituurid, millel on järgmised omadused:

| a. | projekteeritud töötamiseks väljundtemperatuuril 35 K (– 238 °C) või madalamal; ja |
| --- | --- |

a.

projekteeritud töötamiseks väljundtemperatuuril 35 K (– 238 °C) või madalamal; ja

| b. | projekteeritud vesinikgaasi tootlikkus 1 000 kg/h või rohkem. |
| --- | --- |

b.

projekteeritud vesinikgaasi tootlikkus 1 000 kg/h või rohkem.

1B233Liitiumi isotoopide eraldusrajatised või -tehased ning seadmed nende jaoks:

| a. | rajatised või tehased liitiumi isotoopide eraldamiseks; |
| --- | --- |

a.

rajatised või tehased liitiumi isotoopide eraldamiseks;

| b. | seadmed liitiumi isotoopide eraldamiseks järgmiselt:






  1. | täidetud vedelik-vedelik-vahetuskolonnid, mis on spetsiaalselt kavandatud liitiumamalgaamidele; |
| --- | --- | --- |

b.

seadmed liitiumi isotoopide eraldamiseks järgmiselt:

1.

täidetud vedelik-vedelik-vahetuskolonnid, mis on spetsiaalselt kavandatud liitiumamalgaamidele;

| 2. | elavhõbeda või liitiumamalgaami pumbad; |
| --- | --- |

2.

elavhõbeda või liitiumamalgaami pumbad;

| 3. | liitiumamalgaami elektrolüüsikambrid; |
| --- | --- |

3.

liitiumamalgaami elektrolüüsikambrid;

| 4. | aurustid kontsentreeritud liitiumhüdroksiidilahuste jaoks. |
| --- | --- |

4.

aurustid kontsentreeritud liitiumhüdroksiidilahuste jaoks.

1CMaterjalid

Tehniline märkus:

Metallid ja sulamid:

| | Kui ei ole sätestatud teisti, kuuluvad punktides 1C001–1C012 käsitletud mõistete metall ja sulam alla järgmised metallid ja sulamid töötlemata ja pooltöödeldud kujul: |
| --- | --- |

Kui ei ole sätestatud teisti, kuuluvad punktides 1C001–1C012 käsitletud mõistete metall ja sulam alla järgmised metallid ja sulamid töötlemata ja pooltöödeldud kujul:

Töötlemata kujul:

| | Anoodid, kuulid, varbmaterjalid (kaasa arvatud sarrusvarvad ja traadi varbtoorikud), valutoorikud, pangad, bluumid, briketid, kamakad, katoodid, kristallid, kuubikud, pooljuhtmaterjalide toorikkristallid, terad, graanulid, kangid, känkrad, tabletid, toormetalli plokid, pulbrid, helmed, haavlid, slääbid e. valtsplaadid, toorikud, käsnmetallid, latid; |
| --- | --- |

Anoodid, kuulid, varbmaterjalid (kaasa arvatud sarrusvarvad ja traadi varbtoorikud), valutoorikud, pangad, bluumid, briketid, kamakad, katoodid, kristallid, kuubikud, pooljuhtmaterjalide toorikkristallid, terad, graanulid, kangid, känkrad, tabletid, toormetalli plokid, pulbrid, helmed, haavlid, slääbid e. valtsplaadid, toorikud, käsnmetallid, latid;

Pooltöödeldud kujul (pinnatud või pindamata, kaetud teisest metallist kihiga (metallitud), puuritud või augustatud):

| a. | survetöödeldud või töödeldud materjalid, mida on valtsitud, tõmmatud, ekstrudeeritud, sepistatud, vormpressitud, pressitud, sõmerdatud, pihustatud ja jahvatatud, nagu: nurkmetall, karpmetall, ringmetall, kettad, tolm, helbed, fooliumid ning õhuke lehtmetall, sepis, plaat, pulber, pressitud ja stantsitud esemed, lindid, rõngad, vardad (sh katmata keevituselektroodid, traadi varbtoorikud ja valtstraat), profiilid, vormid, plekid (lehtmetall), laastud, torud (sh ümartorud, kandilised torud ning mis tahes ristlõikega õõnesmaterjalid), tõmmatud või ekstrudeeritud traat; |
| --- | --- |

a.

survetöödeldud või töödeldud materjalid, mida on valtsitud, tõmmatud, ekstrudeeritud, sepistatud, vormpressitud, pressitud, sõmerdatud, pihustatud ja jahvatatud, nagu: nurkmetall, karpmetall, ringmetall, kettad, tolm, helbed, fooliumid ning õhuke lehtmetall, sepis, plaat, pulber, pressitud ja stantsitud esemed, lindid, rõngad, vardad (sh katmata keevituselektroodid, traadi varbtoorikud ja valtstraat), profiilid, vormid, plekid (lehtmetall), laastud, torud (sh ümartorud, kandilised torud ning mis tahes ristlõikega õõnesmaterjalid), tõmmatud või ekstrudeeritud traat;

| b. | valumaterjalid, mis on saadud valu valamisel mulda, matriitsi, metallist, kipsist või muudest materjalidest vormidesse, kaasa arvatud survevalu, paagutatud kujul ning pulbermetallurgia abil valmistatud kujul. |
| --- | --- |

b.

valumaterjalid, mis on saadud valu valamisel mulda, matriitsi, metallist, kipsist või muudest materjalidest vormidesse, kaasa arvatud survevalu, paagutatud kujul ning pulbermetallurgia abil valmistatud kujul.

Kontrolli eesmärki ei tohi nurjata materjalide eksport mitteloetletud kujul, mida väidetakse olevat lõpptooted, kuid mis tegelikult on töötlemata või pooltöödeldud kujul.

1C001Materjalid, mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks elektromagnetlainete neelajatena, või omajuhtivuslikud polümeerid.

NB! VT KA PUNKTI 1C101.

| a. | Materjalid, mis neelavad sagedusi vahemikus 2 × 108 Hz kuni 3 × 1012 Hz;


  Märkus 1: Punkt 1C001.a ei hõlma järgmist:








  a. | naturaalsetest või sünteetilistest kiududest kokkuseatud karvtüüpi neelajad, mittemagnetilise koormusega neeldumise tekitamiseks; |
| --- | --- | --- |

a.

Materjalid, mis neelavad sagedusi vahemikus 2 × 108 Hz kuni 3 × 1012 Hz;

Märkus 1: Punkt 1C001.a ei hõlma järgmist:

a.

naturaalsetest või sünteetilistest kiududest kokkuseatud karvtüüpi neelajad, mittemagnetilise koormusega neeldumise tekitamiseks;

| b. | neelajad, milles ei esine magnetilisi kadusid ning mille kohtamispind ei ole kujult tasane, hõlmates püramiide, koonuseid, kiile ning keerdunud pindu; |
| --- | --- |

b.

neelajad, milles ei esine magnetilisi kadusid ning mille kohtamispind ei ole kujult tasane, hõlmates püramiide, koonuseid, kiile ning keerdunud pindu;

| c. | tasapinnalised neelajad, millel on kõik järgmised omadused:








  1. | valmistatud järgmistest materjalidest:








  a. | süsiniktäitega (painduvad või paindumatud) vahtplastikud, või orgaanilised materjalid, sh sideained, mis annavad metalliga võrreldes enam kui 5 %-lise kaja sagedusribas, mis ulatub üle ± 15 % pealelangeva energia kesksagedusest ning mis ei talu temperatuuri üle 450 K (177 °C); või |
| --- | --- | --- | --- |

c.

tasapinnalised neelajad, millel on kõik järgmised omadused:

1.

valmistatud järgmistest materjalidest:

a.

süsiniktäitega (painduvad või paindumatud) vahtplastikud, või orgaanilised materjalid, sh sideained, mis annavad metalliga võrreldes enam kui 5 %-lise kaja sagedusribas, mis ulatub üle ± 15 % pealelangeva energia kesksagedusest ning mis ei talu temperatuuri üle 450 K (177 °C); või

| b. | keraamilised materjalid, mis annavad metalliga võrreldes enam kui 20 %-lise kaja sagedusribas, mis ulatub üle ± 15 % pealelangeva energia kesksagedusest ning mis ei talu temperatuuri üle 800 K (527 °C); |
| --- | --- |

b.

keraamilised materjalid, mis annavad metalliga võrreldes enam kui 20 %-lise kaja sagedusribas, mis ulatub üle ± 15 % pealelangeva energia kesksagedusest ning mis ei talu temperatuuri üle 800 K (527 °C);

Tehniline märkus:

Punkti 1C001.a märkuse 1.c.1 puhul peavad neeldumise proovikehad olema ruudukujulised, küljepikkusega vähemalt viis kesksageduse lainepikkust ning asetatud kiirgava elemendi kaugvälja.

| 2. | tõmbetugevus väiksem kui 7 × 106 N/m2; ja |
| --- | --- |

2.

tõmbetugevus väiksem kui 7 × 106 N/m2; ja

| 3. | survetugevus väiksem kui 14 × 106 N/m2; |
| --- | --- |

3.

survetugevus väiksem kui 14 × 106 N/m2;

| d. | paagutatud ferriidist valmistatud tasapinnalised neelajad, mille:








  1. | erikaal on üle 4,4; ja |
| --- | --- | --- |

d.

paagutatud ferriidist valmistatud tasapinnalised neelajad, mille:

1.

erikaal on üle 4,4; ja

| 2. | maksimaalne töötemperatuur on 548 K (275 °C). |
| --- | --- |

2.

maksimaalne töötemperatuur on 548 K (275 °C).

Märkus 2: Mitte miski punkti 1C001.a märkuses 1 ei vabasta värvis sisalduvaid neeldumisotstarbelisi magnetilisi materjale.

| b. | materjalid, mis neelavad sagedusi vahemikus 1,5 × 1014 Hz kuni 3,7 × 1014 Hz ega ole läbipaistvad nähtavale valgusele; |
| --- | --- |

b.

materjalid, mis neelavad sagedusi vahemikus 1,5 × 1014 Hz kuni 3,7 × 1014 Hz ega ole läbipaistvad nähtavale valgusele;

| c. | omajuhtivusega polümeersed materjalid, mille elektriline mahtjuhtivus ületab 10 000 S/m (siimensit meetri kohta) või mille kiht-/pindtakistus on vähem kui 100 oomi/m2 ning mis põhinevad mis tahes järgmisel polümeeril:






  1. | polüaniliin; |
| --- | --- | --- |

c.

omajuhtivusega polümeersed materjalid, mille elektriline mahtjuhtivus ületab 10 000 S/m (siimensit meetri kohta) või mille kiht-/pindtakistus on vähem kui 100 oomi/m2 ning mis põhinevad mis tahes järgmisel polümeeril:

1.

polüaniliin;

| 2. | polüpürrool; |
| --- | --- |

2.

polüpürrool;

| 3. | polütiofeen; |
| --- | --- |

3.

polütiofeen;

| 4. | polüfenüleenvinüleen või |
| --- | --- |

4.

polüfenüleenvinüleen või

| 5. | polütienüleenvinüleen. |
| --- | --- |

5.

polütienüleenvinüleen.

Tehniline märkus:

"Elektriline mahtjuhtivus" ning "kiht-/pindjuhtivus" tuleb määrata kas ASTM D-257 või vastava siseriikliku standardi alusel.

1C002Metallisulamid, pulbrid metallisulamitest ja legeeritud materjalid:

NB! VT KA PUNKTI 1C202.

Märkus: Punkt 1C002 ei hõlma metallisulameid, metallisulamipulbreid ning sulandunud materjale põhimiku katmiseks.

Tehnilised märkused:

| 1. | Punktis 1C002 nimetatud metallisulamid on need, milles mainitud metalli sisaldus protsentuaalselt (massi%) sulamis on suurem kui mis tahes teisel elemendil. |
| --- | --- |

1.

Punktis 1C002 nimetatud metallisulamid on need, milles mainitud metalli sisaldus protsentuaalselt (massi%) sulamis on suurem kui mis tahes teisel elemendil.

| 2. | Pingetaluvusaega purunemiseni tuleb mõõta vastavalt ASTM-i standardile E-139 või vastavale siseriiklikule standardile. |
| --- | --- |

2.

Pingetaluvusaega purunemiseni tuleb mõõta vastavalt ASTM-i standardile E-139 või vastavale siseriiklikule standardile.

| 3. | Väsimisaeg vähetsüklilise väsitamise korral tuleb mõõta vastavalt ASTM-i standardile E-606 Recommended Practice for Constant-Amplitude Low-Cycle Fatigue Testing (tööjuhend konstantse amplituudiga vähetsüklilise väsimuse katsetamiseks) või vastavale siseriiklikule standardile. Katsetamine peab toimuma teljesuunaliselt keskmise pingesuhtega 1 ning pingekontsentratsiooniteguriga (Kt) 1. Keskmine pinge on defineeritud kui maksimaalse ja minimaalse pinge vahe, jagatuna maksimaalse pinge väärtusega. |
| --- | --- |

3.

Väsimisaeg vähetsüklilise väsitamise korral tuleb mõõta vastavalt ASTM-i standardile E-606 Recommended Practice for Constant-Amplitude Low-Cycle Fatigue Testing (tööjuhend konstantse amplituudiga vähetsüklilise väsimuse katsetamiseks) või vastavale siseriiklikule standardile. Katsetamine peab toimuma teljesuunaliselt keskmise pingesuhtega 1 ning pingekontsentratsiooniteguriga (Kt) 1. Keskmine pinge on defineeritud kui maksimaalse ja minimaalse pinge vahe, jagatuna maksimaalse pinge väärtusega.

| a. | Järgmised aluminiidid:






  1. | Nikkelaluminiidid, mis sisaldavad vähemalt 15 massi%, kuid üle 38 massi% alumiiniumi ja lisaks vähemalt veel ühte legeerelementi; |
| --- | --- | --- |

a.

Järgmised aluminiidid:

1.

Nikkelaluminiidid, mis sisaldavad vähemalt 15 massi%, kuid üle 38 massi% alumiiniumi ja lisaks vähemalt veel ühte legeerelementi;

| 2. | Titaanaluminiidid, mis sisaldavad 10 massi% või rohkem alumiiniumi ja lisaks vähemalt veel ühte legeerelementi; |
| --- | --- |

2.

Titaanaluminiidid, mis sisaldavad 10 massi% või rohkem alumiiniumi ja lisaks vähemalt veel ühte legeerelementi;

| b. | Metallisulamid, mis on valmistatud punktis 1C002.c nimetatud materjalidest:






  1. | niklisulamid, mille:






  a. | pingetaluvusaeg purunemiseni on 10 000 tundi või rohkem temperatuuril 923 K (650 °C) ning pingel 676 MPa; või |
| --- | --- | --- | --- |

b.

Metallisulamid, mis on valmistatud punktis 1C002.c nimetatud materjalidest:

1.

niklisulamid, mille:

a.

pingetaluvusaeg purunemiseni on 10 000 tundi või rohkem temperatuuril 923 K (650 °C) ning pingel 676 MPa; või

| b. | väsimisaeg vähetsüklilisel väsitamisel on 10 000 tsüklit või rohkem temperatuuril 823 K (+ 450 °C) ja maksimaalsel pingel 1 095 MPa; |
| --- | --- |

b.

väsimisaeg vähetsüklilisel väsitamisel on 10 000 tsüklit või rohkem temperatuuril 823 K (+ 450 °C) ja maksimaalsel pingel 1 095 MPa;

| 2. | nioobiumisulamid, mille:






  a. | pingetaluvusaeg purunemiseni on 10 000 tundi või rohkem temperatuuril 1 073 K (800 °C) ning pingel 400 MPa; või |
| --- | --- | --- |

2.

nioobiumisulamid, mille:

a.

pingetaluvusaeg purunemiseni on 10 000 tundi või rohkem temperatuuril 1 073 K (800 °C) ning pingel 400 MPa; või

| b. | väsimisaeg vähetsüklilisel väsitamisel on 10 000 tsüklit või rohkem temperatuuril 973 K (700 °C) ja maksimaalsel pingel 700 MPa; |
| --- | --- |

b.

väsimisaeg vähetsüklilisel väsitamisel on 10 000 tsüklit või rohkem temperatuuril 973 K (700 °C) ja maksimaalsel pingel 700 MPa;

| 3. | titaanisulamid, mille:






  a. | pingetaluvusaeg purunemiseni on 10 000 tundi või rohkem temperatuuril 723 K (450 °C) ning pingel 200 MPa; või |
| --- | --- | --- |

3.

titaanisulamid, mille:

a.

pingetaluvusaeg purunemiseni on 10 000 tundi või rohkem temperatuuril 723 K (450 °C) ning pingel 200 MPa; või

| b. | väsimisaeg vähetsüklilisel väsitamisel on 10 000 tsüklit või rohkem temperatuuril 723 K (450 °C) ja maksimaalsel pingel 400 MPa; |
| --- | --- |

b.

väsimisaeg vähetsüklilisel väsitamisel on 10 000 tsüklit või rohkem temperatuuril 723 K (450 °C) ja maksimaalsel pingel 400 MPa;

| 4. | alumiiniumisulamid tõmbetugevusega:






  a. | 240 MPa või rohkem temperatuuril 473 K (+ 200°C); või |
| --- | --- | --- |

4.

alumiiniumisulamid tõmbetugevusega:

a.

240 MPa või rohkem temperatuuril 473 K (+ 200°C); või

| b. | 415 MPa või rohkem temperatuuril 298 K (+ 25 °C); |
| --- | --- |

b.

415 MPa või rohkem temperatuuril 298 K (+ 25 °C);

| 5. | magneesiumisulamid, mille:






  a. | tõmbetugevus on 345 MPa või rohkem; ja |
| --- | --- | --- |

5.

magneesiumisulamid, mille:

a.

tõmbetugevus on 345 MPa või rohkem; ja

| b. | korrosioonikiirus vähem kui 1 mm aastas 3 %-lises naatriumkloriidi vesilahuses mõõdetuna vastavuses ASTM-i standardile G-31 või vastavale siseriiklikule standardile; |
| --- | --- |

b.

korrosioonikiirus vähem kui 1 mm aastas 3 %-lises naatriumkloriidi vesilahuses mõõdetuna vastavuses ASTM-i standardile G-31 või vastavale siseriiklikule standardile;

| c. | Metallisulamipulber või peeneteraline materjal, millel on järgmised omadused:






  1. | Mis on valmistatud järgmistest segusüsteemidest:
  Tehniline märkus:

  X tähistab järgmistes valemites üht või enamat legeerelementi.







  a. | Niklisulamid (Ni-Al-X, Ni-X-Al), mis sobivad turbiinmootorite detailidele ja komponentidele, st vähem kui 3 (valmistamisprotsessis lisatud) läbimõõdult suurema kui 100 μm mittemetalse osakesega 109 sulamiosakese kohta; |
| --- | --- | --- | --- |

c.

Metallisulamipulber või peeneteraline materjal, millel on järgmised omadused:

1.

Mis on valmistatud järgmistest segusüsteemidest:

Tehniline märkus:

X tähistab järgmistes valemites üht või enamat legeerelementi.

a.

Niklisulamid (Ni-Al-X, Ni-X-Al), mis sobivad turbiinmootorite detailidele ja komponentidele, st vähem kui 3 (valmistamisprotsessis lisatud) läbimõõdult suurema kui 100 μm mittemetalse osakesega 109 sulamiosakese kohta;

| b. | Nioobiumisulamid (Nb-Al-X või Nb-X-Al, Nb-Si-X, või Nb-X-Si, Nb-Ti-X või Nb-X-Ti); |
| --- | --- |

b.

Nioobiumisulamid (Nb-Al-X või Nb-X-Al, Nb-Si-X, või Nb-X-Si, Nb-Ti-X või Nb-X-Ti);

| c. | Titaanisulamid (Ti-Al-X või Ti-X-Al); |
| --- | --- |

c.

Titaanisulamid (Ti-Al-X või Ti-X-Al);

| d. | Alumiiniumisulamid (Al-Mg-X või Al-X-Mg, Al-Zn-X või Al-X-Zn, Al-Fe-X või Al-X-Fe); või |
| --- | --- |

d.

Alumiiniumisulamid (Al-Mg-X või Al-X-Mg, Al-Zn-X või Al-X-Zn, Al-Fe-X või Al-X-Fe); või

| e. | Magneesiumisulamid (Mg-Al-X või Mg-X-Al); |
| --- | --- |

e.

Magneesiumisulamid (Mg-Al-X või Mg-X-Al);

| 2. | Valmistatud kontrollitavas keskkonnas, mis tahes järgmise protsessiga:






  a. | Vaakumpihustamine; |
| --- | --- | --- |

2.

Valmistatud kontrollitavas keskkonnas, mis tahes järgmise protsessiga:

a.

Vaakumpihustamine;

| b. | Gaaspihustamine; |
| --- | --- |

b.

Gaaspihustamine;

| c. | Rootorpihustamine; |
| --- | --- |

c.

Rootorpihustamine;

| d. | Lamepulbri tootmine sulametallist; |
| --- | --- |

d.

Lamepulbri tootmine sulametallist;

| e. | Sulandi ketramine ja peenestamine; |
| --- | --- |

e.

Sulandi ketramine ja peenestamine;

| f. | Sulandi eraldamine ja peenestamine; või |
| --- | --- |

f.

Sulandi eraldamine ja peenestamine; või

| g. | Mehaaniline legeerimine; ja |
| --- | --- |

g.

Mehaaniline legeerimine; ja

| 3. | Need võivad moodustada punktis 1C002.a või 1C002.b nimetatud materjale. |
| --- | --- |

3.

Need võivad moodustada punktis 1C002.a või 1C002.b nimetatud materjale.

| d. | Lähtematerjalid, millel on kõik järgmised omadused:






  1. | Mis on valmistatud punktis 1C002.c.1 nimetatud segusüsteemidest; |
| --- | --- | --- |

d.

Lähtematerjalid, millel on kõik järgmised omadused:

1.

Mis on valmistatud punktis 1C002.c.1 nimetatud segusüsteemidest;

| 2. | Mis on mittepeenestatud helveste, ribade või peente varbade kujul; ja |
| --- | --- |

2.

Mis on mittepeenestatud helveste, ribade või peente varbade kujul; ja

| 3. | Mis on valmistatud kontrollitavas keskkonnas, mis tahes järgmise protsessiga:






  a. | Lamepulbri tootmine sulametallist; |
| --- | --- | --- |

3.

Mis on valmistatud kontrollitavas keskkonnas, mis tahes järgmise protsessiga:

a.

Lamepulbri tootmine sulametallist;

| b. | Sulandi ketramine; või |
| --- | --- |

b.

Sulandi ketramine; või

| c. | Sulandi eraldamine. |
| --- | --- |

c.

Sulandi eraldamine.

1C003Magnetilised metallid, igat tüüpi ja mis tahes kujul, millel on järgmised omadused:

| a. | Suhteline algne magnetiline läbitavus 120 000 või rohkem ja paksus 0,05 mm või vähem;
  Tehniline märkus:

  Suhtelise algse magnetilise läbitavuse mõõtmine peab olema teostatud täielikult lõõmutatud materjalidega. |
| --- | --- |

a.

Suhteline algne magnetiline läbitavus 120 000 või rohkem ja paksus 0,05 mm või vähem;

Tehniline märkus:

Suhtelise algse magnetilise läbitavuse mõõtmine peab olema teostatud täielikult lõõmutatud materjalidega.

| b. | Magnetostriktiivsed sulamid, millel on järgmised omadused:






  1. | Magnetostriktiivne küllastus rohkem kui 5 × 10–4; või |
| --- | --- | --- |

b.

Magnetostriktiivsed sulamid, millel on järgmised omadused:

1.

Magnetostriktiivne küllastus rohkem kui 5 × 10–4; või

| 2. | Magnetomehaaniline sidestustegur (k) üle 0,8; või |
| --- | --- |

2.

Magnetomehaaniline sidestustegur (k) üle 0,8; või

| c. | amorfsed või nanokristallilised sulamiliistakud, millel on kõik järgmised omadused:






  1. | koostis, mis sisaldab vähemalt 75 massi% rauda, koobaltit või niklit; |
| --- | --- | --- |

c.

amorfsed või nanokristallilised sulamiliistakud, millel on kõik järgmised omadused:

1.

koostis, mis sisaldab vähemalt 75 massi% rauda, koobaltit või niklit;

| 2. | magnetilise induktsiooni küllastuse (BS) 1,6 T või rohkem; ja |
| --- | --- |

2.

magnetilise induktsiooni küllastuse (BS) 1,6 T või rohkem; ja

| 3. | mis tahes järgmistest:






  a. | liistaku paksus 0,02 mm või vähem; või |
| --- | --- | --- |

3.

mis tahes järgmistest:

a.

liistaku paksus 0,02 mm või vähem; või

| b. | elektriline eritakistus 2 × 10–4 oomi/cm või rohkem. |
| --- | --- |

b.

elektriline eritakistus 2 × 10–4 oomi/cm või rohkem.

Tehniline märkus:

Punktis 1C003.c nimetatud nanokristallilised materjalid on sellised materjalid, mille röntgendifraktsiooni abil määratud tera suurus on 50 nm või vähem.

1C004Raua, nikli või vase baasil uraantitaan- või volframisulamid, millel on kõik järgmised omadused:

| a. | tihedus üle 17,5 g/cm3; |
| --- | --- |

a.

tihedus üle 17,5 g/cm3;

| b. | elastsuspiir üle 880 MPa; |
| --- | --- |

b.

elastsuspiir üle 880 MPa;

| c. | tõmbetugevus üle 1 270 MPa; ja |
| --- | --- |

c.

tõmbetugevus üle 1 270 MPa; ja

| d. | suhteline pikenemine üle 8 %. |
| --- | --- |

d.

suhteline pikenemine üle 8 %.

1C005
  Ülijuhtivad komposiitjuhtmed, pikkusega üle 100 m või massiga üle 100 g:

| a. | mitmekiulised ülijuhtivad komposiitjuhtmed, mis sisaldavad üht või enamat nioobium-titaankiudu, mis on:






  1. | asetatud muudesse põhiainetesse kui vask või vase baasil segude põhiaine; või |
| --- | --- | --- |

a.

mitmekiulised ülijuhtivad komposiitjuhtmed, mis sisaldavad üht või enamat nioobium-titaankiudu, mis on:

1.

asetatud muudesse põhiainetesse kui vask või vase baasil segude põhiaine; või

| 2. | ristlõikepindalaga vähem kui 0,28 × 10–4 mm2 (väiksem kui 6 diameetriga ümarkiud); |
| --- | --- |

2.

ristlõikepindalaga vähem kui 0,28 × 10–4 mm2 (väiksem kui 6 diameetriga ümarkiud);

| b. | ülijuhtivad komposiitjuhtmed, mis koosnevad ühest või enamast ülijuhtivast kiust, muud kui nioobium-titaankiud, ning millel on kõik järgmised omadused:






  1. | kriitiline temperatuur magnetilise induktsiooni puudumise korral on üle 9,85 K (– 263,31 °C), kuid vähem kui 24 K (– 49,16 °C); |
| --- | --- | --- |

b.

ülijuhtivad komposiitjuhtmed, mis koosnevad ühest või enamast ülijuhtivast kiust, muud kui nioobium-titaankiud, ning millel on kõik järgmised omadused:

1.

kriitiline temperatuur magnetilise induktsiooni puudumise korral on üle 9,85 K (– 263,31 °C), kuid vähem kui 24 K (– 49,16 °C);

| 2. | ristlõikepindala on vähem kui 0,28 × 10–4 mm2; ja |
| --- | --- |

2.

ristlõikepindala on vähem kui 0,28 × 10–4 mm2; ja

| 3. | temperatuuril 4,2 K (– 268,96 °C) magnetvälja asetatuna säilitab ülijuhtiva oleku ka 12 T suuruse magnetvälja magnetilise induktsiooni korral. |
| --- | --- |

3.

temperatuuril 4,2 K (– 268,96 °C) magnetvälja asetatuna säilitab ülijuhtiva oleku ka 12 T suuruse magnetvälja magnetilise induktsiooni korral.

1C006Vedelikud ja määrdeained:

| a. | hüdraulilised vedelikud, mis sisaldavad oluliste koostisosadena mis tahes järgmist ühendit või ainet:






  1. | sünteetilised silasüsivesinikõlid, millel on kõik järgmised omadused:
  Tehniline märkus:

  Punkti 1C006 a.1 tähenduses sisaldavad silasüsivesinikõlid eranditult räni, vesinikku ja süsinikku.







  a. | süttimispunkt üle 477 K (+ 204 °C); |
| --- | --- | --- | --- |

a.

hüdraulilised vedelikud, mis sisaldavad oluliste koostisosadena mis tahes järgmist ühendit või ainet:

1.

sünteetilised silasüsivesinikõlid, millel on kõik järgmised omadused:

Tehniline märkus:

Punkti 1C006 a.1 tähenduses sisaldavad silasüsivesinikõlid eranditult räni, vesinikku ja süsinikku.

a.

süttimispunkt üle 477 K (+ 204 °C);

| b. | hangumistemperatuur 239 K (– 34 °C) või madalam; |
| --- | --- |

b.

hangumistemperatuur 239 K (– 34 °C) või madalam;

| c. | viskoossusindeks 75 või suurem; ja |
| --- | --- |

c.

viskoossusindeks 75 või suurem; ja

| d. | terminiline stabiilsus 616 K (+ 343 °C); või |
| --- | --- |

d.

terminiline stabiilsus 616 K (+ 343 °C); või

| 2. | klorofluorosüsinik, millel on kõik järgmised omadused:
  Tehniline märkus:

  Punkti 1C006.a.2 tähenduses sisaldab klorofluorosüsinik eranditult süsinikku, fluori ja kloori.







  a. | ei oma süttimispunkti; |
| --- | --- | --- |

2.

klorofluorosüsinik, millel on kõik järgmised omadused:

Tehniline märkus:

Punkti 1C006.a.2 tähenduses sisaldab klorofluorosüsinik eranditult süsinikku, fluori ja kloori.

a.

ei oma süttimispunkti;

| b. | isesüttimistemperatuur üle 977 K (+ 704 °C); |
| --- | --- |

b.

isesüttimistemperatuur üle 977 K (+ 704 °C);

| c. | hangumistemperatuur 219 K (– 54 °C) või madalam; |
| --- | --- |

c.

hangumistemperatuur 219 K (– 54 °C) või madalam;

| d. | viskoossusindeks 80 või suurem; ja |
| --- | --- |

d.

viskoossusindeks 80 või suurem; ja

| e. | keemispunkt 473 K (200 °C) või kõrgem; |
| --- | --- |

e.

keemispunkt 473 K (200 °C) või kõrgem;

| b. | määrdeained, mis sisaldavad oluliste koostisosadena mis tahes järgmist ühendit või ainet:






  1. | fenüleen- või alküülfenüleeneetrid või tioeetrid või nende segud, mis sisaldavad rohkem kui kaht eetri või tioeetri funktsiooni või nende segusid; või |
| --- | --- | --- |

b.

määrdeained, mis sisaldavad oluliste koostisosadena mis tahes järgmist ühendit või ainet:

1.

fenüleen- või alküülfenüleeneetrid või tioeetrid või nende segud, mis sisaldavad rohkem kui kaht eetri või tioeetri funktsiooni või nende segusid; või

| 2. | fluoritud silikoonvedelikud, mille kinemaatiline viskoossus on temperatuuril 298 K (+ 25 °C) väiksem kui 5 000 mm2/s (5 000 sentistooksi); |
| --- | --- |

2.

fluoritud silikoonvedelikud, mille kinemaatiline viskoossus on temperatuuril 298 K (+ 25 °C) väiksem kui 5 000 mm2/s (5 000 sentistooksi);

| c. | summutus- ja flotovedelikud puhtusastmega üle 99,8 %, mis sisaldavad 100 ml kohta vähem kui 25 osakest suurusega 200 või rohkem ja mis koosnevad vähemalt 85 % ulatuses mis tahes järgmisest ühendist või ainest:






  1. | dibromotetrafluoroetaan; |
| --- | --- | --- |

c.

summutus- ja flotovedelikud puhtusastmega üle 99,8 %, mis sisaldavad 100 ml kohta vähem kui 25 osakest suurusega 200 või rohkem ja mis koosnevad vähemalt 85 % ulatuses mis tahes järgmisest ühendist või ainest:

1.

dibromotetrafluoroetaan;

| 2. | polüklorotrifluoroetüleen (üksnes õli- ja vahalaadsed modifikatsioonid); või |
| --- | --- |

2.

polüklorotrifluoroetüleen (üksnes õli- ja vahalaadsed modifikatsioonid); või

| 3. | polübromotrifluoroetüleen; |
| --- | --- |

3.

polübromotrifluoroetüleen;

| d. | fluorosüsivesinikel põhinevad elektroonika jahutusvedelikud, millel on kõik järgmised omadused:






  1. | sisaldavad 85 massi% või enam mis tahes järgmist ühendit või nende segu:






  a. | perfluoropolüalküüleeter-triasiinide või perfluoroalifaatsete eetrite monomeersed vormid; |
| --- | --- | --- | --- |

d.

fluorosüsivesinikel põhinevad elektroonika jahutusvedelikud, millel on kõik järgmised omadused:

1.

sisaldavad 85 massi% või enam mis tahes järgmist ühendit või nende segu:

a.

perfluoropolüalküüleeter-triasiinide või perfluoroalifaatsete eetrite monomeersed vormid;

| b. | perfluoroalküülamiinid; |
| --- | --- |

b.

perfluoroalküülamiinid;

| c. | perfluorotsükloalkaanid; või |
| --- | --- |

c.

perfluorotsükloalkaanid; või

| d. | Perfluoroalkaanid; |
| --- | --- |

d.

Perfluoroalkaanid;

| 2. | tihedus 1,5 g/ml või rohkem mõõdetuna temperatuuril 298 K (25 °C); |
| --- | --- |

2.

tihedus 1,5 g/ml või rohkem mõõdetuna temperatuuril 298 K (25 °C);

| 3. | temperatuuril 273 K (0 °C) vedelas olekus; ja |
| --- | --- |

3.

temperatuuril 273 K (0 °C) vedelas olekus; ja

| 4. | sisaldab 60 massi% või rohkem fluori; |
| --- | --- |

4.

sisaldab 60 massi% või rohkem fluori;

Tehniline märkus:

Punkti 1C006 tähenduses:

| a. | kasutatakse süttimistemperatuuri määramisel ASTM D-92-s kirjeldatud Clevelandi lahtise tiigli meetodit või vastavat siseriiklikku meetodit; |
| --- | --- |

a.

kasutatakse süttimistemperatuuri määramisel ASTM D-92-s kirjeldatud Clevelandi lahtise tiigli meetodit või vastavat siseriiklikku meetodit;

| b. | kasutatakse hangumispunkti määramisel ASTM D-97-s kirjeldatud meetodit või vastavat siseriiklikku meetodit; |
| --- | --- |

b.

kasutatakse hangumispunkti määramisel ASTM D-97-s kirjeldatud meetodit või vastavat siseriiklikku meetodit;

| c. | kasutatakse viskoossusindeksi määramisel ASTM D-2270-s kirjeldatud meetodit või vastavat siseriiklikku meetodit; |
| --- | --- |

c.

kasutatakse viskoossusindeksi määramisel ASTM D-2270-s kirjeldatud meetodit või vastavat siseriiklikku meetodit;

| d. | kasutatakse termilise stabiilsuse määramisel järgmist katsemeetodit või vastavat siseriiklikku meetodit: | 20 ml uuritavat vedelikku valatakse 46 ml mahuga roostevabast terasest (tüüp-317) anumasse, millesse on eelnevalt asetatud 12,5 mm läbimõõduga kuulid: üks M-10 tööriistaterasest, üks 52 100-tüüpi terasest ning üks laevapronksist (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn); |
| --- | --- | --- |

d.

kasutatakse termilise stabiilsuse määramisel järgmist katsemeetodit või vastavat siseriiklikku meetodit:

20 ml uuritavat vedelikku valatakse 46 ml mahuga roostevabast terasest (tüüp-317) anumasse, millesse on eelnevalt asetatud 12,5 mm läbimõõduga kuulid: üks M-10 tööriistaterasest, üks 52 100-tüüpi terasest ning üks laevapronksist (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn);

| | Anum uhutakse seest lämmastikuga, suletakse atmosfäärirõhul õhukindlalt ja kuumutatakse temperatuurini 644 ± 6 K (371 ± 6 °C) ning hoitakse sellel temperatuuril kuus tundi; |
| --- | --- |

Anum uhutakse seest lämmastikuga, suletakse atmosfäärirõhul õhukindlalt ja kuumutatakse temperatuurini 644 ± 6 K (371 ± 6 °C) ning hoitakse sellel temperatuuril kuus tundi;

| 1. | iga kuuli kaalukaotus on vähem kui 10 mg/mm2 kuuli pinna suhtes; |
| --- | --- |

1.

iga kuuli kaalukaotus on vähem kui 10 mg/mm2 kuuli pinna suhtes;

| 2. | algse viskoossuse muutus, mis on määratud temperatuuril 311 K (38 °C), on väiksem kui 25 %; ja |
| --- | --- |

2.

algse viskoossuse muutus, mis on määratud temperatuuril 311 K (38 °C), on väiksem kui 25 %; ja

| 3. | summaarne happe- või aluselisusnumber on väiksem kui 0,40; |
| --- | --- |

3.

summaarne happe- või aluselisusnumber on väiksem kui 0,40;

| e. | kasutatakse isesüttimistemperatuuri määramisel ASTM E-659-s kirjeldatud meetodit või vastavat siseriiklikku meetodit. |
| --- | --- |

e.

kasutatakse isesüttimistemperatuuri määramisel ASTM E-659-s kirjeldatud meetodit või vastavat siseriiklikku meetodit.

1C007Keraamilised lähtematerjalid, mittekomposiitsed keraamilised materjalid, keraamilised põhimassimaterjalid ja nende lähteained:

NB! VT KA PUNKTI 1C107.

| a. | titaani liht- või kompleksboriidide lähteained, mille metalliliste lisandite hulk (v.a kavatsetult lisatud lisandid) on väiksem kui 5 000 ppm-i ning osakeste keskmine suurus ei ületa 5 μm ja kuni 10 % osakeste suurus ei ületa 10 μm; |
| --- | --- |

a.

titaani liht- või kompleksboriidide lähteained, mille metalliliste lisandite hulk (v.a kavatsetult lisatud lisandid) on väiksem kui 5 000 ppm-i ning osakeste keskmine suurus ei ületa 5 μm ja kuni 10 % osakeste suurus ei ületa 10 μm;

| b. | mittekomposiitsed keraamilised materjalid töötlemata või pooltöödeldud kujul, mis koosnevad titaanboriididest tihedusega 98 % või rohkem teoreetilisest tihedusest;


  Märkus: Punkt 1C007.b ei hõlma abrasiive. |
| --- | --- |

b.

mittekomposiitsed keraamilised materjalid töötlemata või pooltöödeldud kujul, mis koosnevad titaanboriididest tihedusega 98 % või rohkem teoreetilisest tihedusest;

Märkus: Punkt 1C007.b ei hõlma abrasiive.

| c. | keraamika-keraamika-komposiitmaterjalid klaas- või oksiidpõhimassiga, mis on armeeritud mis tahes järgmistest süsteemidest valmistatud kiududega:






  1. | valmistatud järgmistest materjalidest:






  a. | Si-N; |
| --- | --- | --- | --- |

c.

keraamika-keraamika-komposiitmaterjalid klaas- või oksiidpõhimassiga, mis on armeeritud mis tahes järgmistest süsteemidest valmistatud kiududega:

1.

valmistatud järgmistest materjalidest:

a.

Si-N;

| b. | Si-C; |
| --- | --- |

b.

Si-C;

| c. | Si-Al-O-N; või |
| --- | --- |

c.

Si-Al-O-N; või

| d. | Si-O-N; ja |
| --- | --- |

d.

Si-O-N; ja

| 2. | mille eritõmbetugevus on üle 12,7 × 103 m; |
| --- | --- |

2.

mille eritõmbetugevus on üle 12,7 × 103 m;

| d. | keraamika-keraamika-komposiitmaterjalid, pideva metallfaasiga või mitte, mis liidavad osakesi, niitkristalle või kiude, milles räni, tsirkooniumi või boori karbiidid või nitriidid moodustavad põhimassi; |
| --- | --- |

d.

keraamika-keraamika-komposiitmaterjalid, pideva metallfaasiga või mitte, mis liidavad osakesi, niitkristalle või kiude, milles räni, tsirkooniumi või boori karbiidid või nitriidid moodustavad põhimassi;

| e. | lähteained (nt spetsiaalsed polümeersed või metallorgaanilised ühendid) punktis 1C007.c nimetatud materjalide mõne faasi või faaside tootmiseks:






  1. | polüdiorganosilaanid (ränikarbiidi tootmiseks); |
| --- | --- | --- |

e.

lähteained (nt spetsiaalsed polümeersed või metallorgaanilised ühendid) punktis 1C007.c nimetatud materjalide mõne faasi või faaside tootmiseks:

1.

polüdiorganosilaanid (ränikarbiidi tootmiseks);

| 2. | polüsilatsaanid (räninitriidi tootmiseks); |
| --- | --- |

2.

polüsilatsaanid (räninitriidi tootmiseks);

| 3. | polükarbosilatsaanid (räni-, süsinik- ja lämmastikkomponentidega keraamika tootmiseks); |
| --- | --- |

3.

polükarbosilatsaanid (räni-, süsinik- ja lämmastikkomponentidega keraamika tootmiseks);

| f. | keraamika-keraamika-komposiitmaterjalid oksiid- või klaaspõhimassiga, mis on armeeritud mis tahes järgmistest süsteemidest saadud pidevkiududega:






  1. | Al2O3; või |
| --- | --- | --- |

f.

keraamika-keraamika-komposiitmaterjalid oksiid- või klaaspõhimassiga, mis on armeeritud mis tahes järgmistest süsteemidest saadud pidevkiududega:

1.

Al2O3; või

| 2. | Si-C-N. |
| --- | --- |

2.

Si-C-N.

Märkus: Punkt 1C007.f ei hõlma komposiite, mis sisaldavad nendest süsteemidest kiude kiu tõmbetugevusega alla 700 MPa temperatuuril 1 273 K (1 000 °C) või kiudu tõmbe-roome-vastupanuga rohkem kui 1 % roomedeformatsiooni 100 MPa koormisel, 1 273 K (1 000 °C) temperatuuril 100 tunni kestel.

1C008Mittefluoritud polümeersed ained:

| a. | 1. | bismaleimiidid; |
| --- | --- | --- |

a.

1.

bismaleimiidid;

| 2. | aromaatsed polüamidoimiidid; |
| --- | --- |

2.

aromaatsed polüamidoimiidid;

| 3. | aromaatsed polüimiidid; |
| --- | --- |

3.

aromaatsed polüimiidid;

| 4. | aromaatsed polüeeterimiidid, mille klaasistumistemperatuur (Tg) on üle 513 K (240 °C), mis on määratud kuivmeetodil vastavalt standardis ASTM D 3 418 nimetatud meetodile; |
| --- | --- |

4.

aromaatsed polüeeterimiidid, mille klaasistumistemperatuur (Tg) on üle 513 K (240 °C), mis on määratud kuivmeetodil vastavalt standardis ASTM D 3 418 nimetatud meetodile;

Märkus: Punkt 1C008.a ei hõlma surve all vormitavaid mittesulavaid pulbreid või vormitud detaile.

| b. | termoplastsed vedelkristallkopolümeerid, mille soojusliku deformeerumise temperatuur on üle 523 K (250 °C), mõõdetuna vastavalt ASTM standardi D-648 meetodile A või vastavale siseriiklikule meetodile koormusega 1,82 N/mm2, ja mis koosnevad:






  1. | mis tahes järgmistest:






  a. | fenüleen, bifenüleen või naftaleen; või |
| --- | --- | --- | --- |

b.

termoplastsed vedelkristallkopolümeerid, mille soojusliku deformeerumise temperatuur on üle 523 K (250 °C), mõõdetuna vastavalt ASTM standardi D-648 meetodile A või vastavale siseriiklikule meetodile koormusega 1,82 N/mm2, ja mis koosnevad:

1.

mis tahes järgmistest:

a.

fenüleen, bifenüleen või naftaleen; või

| b. | metüül, tertsiaarbutüül või fenüüliga asendatud fenüleen, bifenüleen või naftaleen; ja |
| --- | --- |

b.

metüül, tertsiaarbutüül või fenüüliga asendatud fenüleen, bifenüleen või naftaleen; ja

| 2. | mis tahes järgmisest happest:






  a. | tereftaalhape; |
| --- | --- | --- |

2.

mis tahes järgmisest happest:

a.

tereftaalhape;

| b. | 6-hüdroksü-2-naftohape; või |
| --- | --- |

b.

6-hüdroksü-2-naftohape; või

| c. | 4-hüdroksübensoehape; |
| --- | --- |

c.

4-hüdroksübensoehape;

| c. | Järgmised polüarüleeneeterketoonid:






  1. | polüeetereeterketoon (PEEK); |
| --- | --- | --- |

c.

Järgmised polüarüleeneeterketoonid:

1.

polüeetereeterketoon (PEEK);

| 2. | polüeeterketoonketoon (PEKK); |
| --- | --- |

2.

polüeeterketoonketoon (PEKK);

| 3. | polüeeterketoon (PEK); |
| --- | --- |

3.

polüeeterketoon (PEK);

| 4. | polüeeterketooneeterketoonketoon (PEKEKK); |
| --- | --- |

4.

polüeeterketooneeterketoonketoon (PEKEKK);

| d. | polüarüleenketoonid; |
| --- | --- |

d.

polüarüleenketoonid;

| e. | polüarüleensulfiidid, mille arüleeni grupp on bifenüleen, trifenüleen või nende kombinatsioon, |
| --- | --- |

e.

polüarüleensulfiidid, mille arüleeni grupp on bifenüleen, trifenüleen või nende kombinatsioon,

| f. | polübifenüleeneetersulfoon. |
| --- | --- |

f.

polübifenüleeneetersulfoon.

Tehniline märkus:

Klaasistumistemperatuui (Tg) määramisel punktis 1C008 nimetatud ainete puhul kasutatakse ASTM D 3 418-s kirjeldatud kuivmeetodit.

1C009Töötlemata fluoritud ühendid:

| a. | vinülideenfluoriidi kopolümeerid, millel on ilma venituseta rohkem kui 75 % ulatuses beetakristalliline struktuur; |
| --- | --- |

a.

vinülideenfluoriidi kopolümeerid, millel on ilma venituseta rohkem kui 75 % ulatuses beetakristalliline struktuur;

| b. | fluoritud polüimiidid, mis sisaldavad 10 massi% või rohkem seotud fluori; |
| --- | --- |

b.

fluoritud polüimiidid, mis sisaldavad 10 massi% või rohkem seotud fluori;

| c. | fluoritud fosfatseenelastomeerid, mis sisaldavad 30 massi% või rohkem seotud fluori; |
| --- | --- |

c.

fluoritud fosfatseenelastomeerid, mis sisaldavad 30 massi% või rohkem seotud fluori;

1C010
  Kiud või kiudained, mida võidakse kasutada orgaanilise, metallilise või süsinik põhimassi komposiitstruktuurides või -laminaatides:

NB! VT KA PUNKTI 1C210.

| a. | orgaanilised kiud või kiudained, millel on kõik järgmised omadused:






  1. | erimoodul üle 12,7 × 106 m; ja |
| --- | --- | --- |

a.

orgaanilised kiud või kiudained, millel on kõik järgmised omadused:

1.

erimoodul üle 12,7 × 106 m; ja

| 2. | eritõmbetugevus on üle 23,5 × 104 m; |
| --- | --- |

2.

eritõmbetugevus on üle 23,5 × 104 m;

Märkus: Punkt 1C010.a ei hõlma polüetüleeni.

| b. | süsinikust kiud või kiudained, millel on kõik järgmised omadused:






  1. | erimoodul üle 12,7 × 106 m; ja |
| --- | --- | --- |

b.

süsinikust kiud või kiudained, millel on kõik järgmised omadused:

1.

erimoodul üle 12,7 × 106 m; ja

| 2. | eritõmbetugevus on üle 23,5 × 104 m; |
| --- | --- |

2.

eritõmbetugevus on üle 23,5 × 104 m;

Märkus: Punkt 1C010.b ei hõlma kiust või kiudainest kangast, mis on ette nähtud õhusõiduki tarindite või laminaatide parandamiseks eeldusel, et iga üksiku kangatüki mõõtmed ei ületa 50 cm × 90 cm.

Tehniline märkus:

Punktis 1C010.b nimetatud materjalide omadused määratakse SACMA poolt soovitatud meetoditel SRM 12–17 või vastavate siseriiklike vedamiskatsetega nagu Jaapani Tööstusstandard JIS-R-7601, punkt 6.6.2, mis põhinevad kõigi katsetulemuste keskmistamisel.

| c. | anorgaanilised kiud või kiudained, millel on kõik järgmised omadused:






  1. | erimoodul üle 2,54 × 106 m; ja |
| --- | --- | --- |

c.

anorgaanilised kiud või kiudained, millel on kõik järgmised omadused:

1.

erimoodul üle 2,54 × 106 m; ja

| 2. | sulamis-, pehmenemis-, lagunemis- või sublimatsioonipunkt on inertses keskkonnas üle 1 922 K (1 649 °C); |
| --- | --- |

2.

sulamis-, pehmenemis-, lagunemis- või sublimatsioonipunkt on inertses keskkonnas üle 1 922 K (1 649 °C);

Märkus: Punkt 1C010 ei hõlma järgmist:

| 1. | katkendlikud, mitmefaasilised, polükristallilised alumiiniumoksiidkiud tükeldatud kiudude või reeglipäratu mati kujul, mille ränisisaldus on 3 massi% või rohkem ning mille erimoodul on väiksem kui 10 × 106 m; |
| --- | --- |

1.

katkendlikud, mitmefaasilised, polükristallilised alumiiniumoksiidkiud tükeldatud kiudude või reeglipäratu mati kujul, mille ränisisaldus on 3 massi% või rohkem ning mille erimoodul on väiksem kui 10 × 106 m;

| 2. | molübdeen- ja molübdeenisulamkiud; |
| --- | --- |

2.

molübdeen- ja molübdeenisulamkiud;

| 3. | boorkiud |
| --- | --- |

3.

boorkiud

| 4. | katkendlikud keraamilised kiud, mille sulamis-, pehmenemis-, lagunemis- või sublimatsioonipunkt on inertses keskkonnas madalam kui 2 043 K (1 770 °C). |
| --- | --- |

4.

katkendlikud keraamilised kiud, mille sulamis-, pehmenemis-, lagunemis- või sublimatsioonipunkt on inertses keskkonnas madalam kui 2 043 K (1 770 °C).

| d. | kiud või niidid:







  1. | mis koosnevad järgmistest komponentidest:






  a. | punktis 1C008.a nimetatud polüeeterimiidid; või |
| --- | --- | --- | --- |

d.

kiud või niidid:

1.

mis koosnevad järgmistest komponentidest:

a.

punktis 1C008.a nimetatud polüeeterimiidid; või

| b. | punktides 1C008.b–1C008.f nimetatud materjalid; või; |
| --- | --- |

b.

punktides 1C008.b–1C008.f nimetatud materjalid; või;

| 2. | mis koosnevad punktis 1C010.d.1.a või 1C010.d.1.b nimetatud materjalidest, mis on segatud muude, punktides 1C010.a, 1C010.b või 1C010.c nimetatud kiududega; |
| --- | --- |

2.

mis koosnevad punktis 1C010.d.1.a või 1C010.d.1.b nimetatud materjalidest, mis on segatud muude, punktides 1C010.a, 1C010.b või 1C010.c nimetatud kiududega;

| e. | vaigu või pigiga impregneeritud kiud (prepregmaterjalid), metalli või süsinikuga kaetud kiud (eelvormid) või süsinikkiu eelvormid:






  1. | mis on valmistatud punktis 1C010.a, 1C010.b või 1C010.c nimetatud kiududest või niitidest; |
| --- | --- | --- |

e.

vaigu või pigiga impregneeritud kiud (prepregmaterjalid), metalli või süsinikuga kaetud kiud (eelvormid) või süsinikkiu eelvormid:

1.

mis on valmistatud punktis 1C010.a, 1C010.b või 1C010.c nimetatud kiududest või niitidest;

| 2. | mis on valmistatud orgaanilistest või süsiniku kiududest või niitidest:






  a. | eritõmbetugevusega üle 17,7 × 104 m; |
| --- | --- | --- |

2.

mis on valmistatud orgaanilistest või süsiniku kiududest või niitidest:

a.

eritõmbetugevusega üle 17,7 × 104 m;

| b. | erimooduliga üle 10,15 × 106 m; |
| --- | --- |

b.

erimooduliga üle 10,15 × 106 m;

| c. | mis ei ole hõlmatud punktiga 1C010.a või 1C010.b; ja |
| --- | --- |

c.

mis ei ole hõlmatud punktiga 1C010.a või 1C010.b; ja

| d. | mis on impregneeritud punktides 1C008 või 1C009.b nimetatud ainetega, mille klaasistumistemperatuur (Tg) on üle 383 K (110 °C), või fenool- või epoksüvaikudega, mille klaasistumistemperatuur (Tg) on 418 K (145 °C) või kõrgem. |
| --- | --- |

d.

mis on impregneeritud punktides 1C008 või 1C009.b nimetatud ainetega, mille klaasistumistemperatuur (Tg) on üle 383 K (110 °C), või fenool- või epoksüvaikudega, mille klaasistumistemperatuur (Tg) on 418 K (145 °C) või kõrgem.

Märkused: Punkt 1C010.e ei hõlma järgmist:

| a. | epoksüvaik-põhimassiga eelimpregneeritud süsinikkiud või -niidid (prepregmaterjalid) õhusõidukite tarindite või laminaatide parandamiseks eeldusel, et iga üksiku lehe mõõtmed ei ületa 50 cm × 90 cm; |
| --- | --- |

a.

epoksüvaik-põhimassiga eelimpregneeritud süsinikkiud või -niidid (prepregmaterjalid) õhusõidukite tarindite või laminaatide parandamiseks eeldusel, et iga üksiku lehe mõõtmed ei ületa 50 cm × 90 cm;

| b. | prepregmaterjalid, mis on impregneeritud fenool- või epoksüvaikudega, mille klaasistumistemperatuur (Tg) on madalam kui 433 K (160 °C) ning tahkestumistemperatuur on madalam klaasistumistemperatuurist. |
| --- | --- |

b.

prepregmaterjalid, mis on impregneeritud fenool- või epoksüvaikudega, mille klaasistumistemperatuur (Tg) on madalam kui 433 K (160 °C) ning tahkestumistemperatuur on madalam klaasistumistemperatuurist.

Tehniline märkus:

Klaasistumistemperatuuri (Tg) määramisel punktis 1C010.e nimetatud ainete puhul kasutatakse ASTM D 3418-s kirjeldatud kuivmeetodit. Klaasistumistemperatuuri määramisel fenool- ja epoksüvaikude puhul kasutatakse ASTM D 4065-s kirjeldatud meetodit 1 Hz sageduse juures ning kuumutamiskiirusel 2 K (°C) minutis, kasutades kuivmeetodit.

1C011Metallid ja ühendid:

NB! VT KA SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJA JA PUNKTI 1C111.

| a. | metallid, mille osakeste suurus ei ületa 60 μm, kas sfäärilistena, pihustatutena, sferoidsetena, helvestatutena või jahvatatutena, ja mis on valmistatud materjalidest, mis koosnevad 99 % või suuremas ulatuses tsirkooniumist, magneesiumist või nende sulamitest;
  Tehniline märkus:

  Hafniumi loomulik sisaldus tsirkooniumis (tüüpiliselt 2–7 %) arvestatakse koos tsirkooniumiga.



  Märkus: Punktis 1C011.a loetletud metalle või sulameid kontrollitakse, olenemata sellest, kas metallid või sulamid on kapseldatud alumiiniumis, magneesiumis, tsirkooniumis või berülliumis. |
| --- | --- |

a.

metallid, mille osakeste suurus ei ületa 60 μm, kas sfäärilistena, pihustatutena, sferoidsetena, helvestatutena või jahvatatutena, ja mis on valmistatud materjalidest, mis koosnevad 99 % või suuremas ulatuses tsirkooniumist, magneesiumist või nende sulamitest;

Tehniline märkus:

Hafniumi loomulik sisaldus tsirkooniumis (tüüpiliselt 2–7 %) arvestatakse koos tsirkooniumiga.

Märkus: Punktis 1C011.a loetletud metalle või sulameid kontrollitakse, olenemata sellest, kas metallid või sulamid on kapseldatud alumiiniumis, magneesiumis, tsirkooniumis või berülliumis.

| b. | boor või boorkarbiid 85 % puhtusega või puhtam, mille osakeste suurus ei ületa 60 μm;


  Märkus: Punktis 1C011.b loetletud metalle või sulameid kontrollitakse, olenemata sellest, kas metallid või sulamid on kapseldatud alumiiniumis, magneesiumis, tsirkooniumis või berülliumis. |
| --- | --- |

b.

boor või boorkarbiid 85 % puhtusega või puhtam, mille osakeste suurus ei ületa 60 μm;

Märkus: Punktis 1C011.b loetletud metalle või sulameid kontrollitakse, olenemata sellest, kas metallid või sulamid on kapseldatud alumiiniumis, magneesiumis, tsirkooniumis või berülliumis.

| c. | guanidiinnitraat; |
| --- | --- |

c.

guanidiinnitraat;

| d. | nitroguanidiin (NQ) (CASi nr 556-88-7). |
| --- | --- |

d.

nitroguanidiin (NQ) (CASi nr 556-88-7).

1C012Järgmised materjalid:

Tehniline märkus:

Neid materjale kasutatakse enamasti tuumasoojusallikate puhul.

| a. | plutoonium mis tahes kujul, milles plutoonium-238 isotoobi sisaldus on üle 50 massi%;


  Märkus: Punkt 1C012.a ei hõlma järgmist:








  a. | Saadetised, milles on plutooniumi 1 gramm või vähem; |
| --- | --- | --- |

a.

plutoonium mis tahes kujul, milles plutoonium-238 isotoobi sisaldus on üle 50 massi%;

Märkus: Punkt 1C012.a ei hõlma järgmist:

a.

Saadetised, milles on plutooniumi 1 gramm või vähem;

| b. | Saadetised, milles on 3 efektiivgrammi või vähem plutooniumi, kui see sisaldub instrumentide anduriosades. |
| --- | --- |

b.

Saadetised, milles on 3 efektiivgrammi või vähem plutooniumi, kui see sisaldub instrumentide anduriosades.

| b. | eelnevalt
  eraldatud neptuunium-237 mis tahes kujul.


  Märkus: Punkt 1C012 ei hõlma saadetisi, milles neptuunium-237 sisaldus on 1 gramm või vähem. |
| --- | --- |

b.

eelnevalt
  eraldatud neptuunium-237 mis tahes kujul.

Märkus: Punkt 1C012 ei hõlma saadetisi, milles neptuunium-237 sisaldus on 1 gramm või vähem.

1C101Muud kui punktis 1C001 nimetatud rakettmürskudes ja nende alamsüsteemides kasutatavad materjalid ja seadmed, mis vähendavad nende märgatavust, nagu radarikiirte tagasipeegeldumine, ultraviolett-/infrapuna-ja akustilised signaalid.

Märkus 1: Punkt 1C101 hõlmab järgmist:

| a. | konstruktsioonimaterjalid ja pinnakatted, mis on spetsiaalselt ette nähtud vähendama radarikiirte tagasipeegeldumist; |
| --- | --- |

a.

konstruktsioonimaterjalid ja pinnakatted, mis on spetsiaalselt ette nähtud vähendama radarikiirte tagasipeegeldumist;

| b. | pinnakatted, sh värvid, mis on ette nähtud vähendama või muundama peegeldavust või kiiratavust elektromagnetilise spektri mikrolaine, infrapuna või ultravioleti piirkonnas. |
| --- | --- |

b.

pinnakatted, sh värvid, mis on ette nähtud vähendama või muundama peegeldavust või kiiratavust elektromagnetilise spektri mikrolaine, infrapuna või ultravioleti piirkonnas.

Märkus 2: Punkt 1C101 ei hõlma pinnakatteid, mida kasutatakse satelliitide soojuse reguleerimiseks.

1C102Korduvküllastatud pürolüüsitud süsinik-süsinik-materjalid, mis on ette nähtud punktis 9A004 nimetatud kanderakettidele või punktis 9A104 nimetatud sondrakettidele.

1C107Grafiit- ja keraamilised materjalid, muud kui punktis 1C007 nimetatud:

| a. | peeneteraline rekristalliseeritud grafiit puistetihedusega 1,72 g/cm3 või rohkem, mõõdetud temperatuuril 288 K (+ 15 °C), mille osakeste suurus on 100 μm või vähem ja mida kasutatakse rakettmürskude düüside ja atmosfääri taassisenevate lennuaparaatide ninamike otste valmistamisel:






  1. | silindrid diameetriga 120 mm või rohkem ja pikkusega 50 mm või rohkem; |
| --- | --- | --- |

a.

peeneteraline rekristalliseeritud grafiit puistetihedusega 1,72 g/cm3 või rohkem, mõõdetud temperatuuril 288 K (+ 15 °C), mille osakeste suurus on 100 μm või vähem ja mida kasutatakse rakettmürskude düüside ja atmosfääri taassisenevate lennuaparaatide ninamike otste valmistamisel:

1.

silindrid diameetriga 120 mm või rohkem ja pikkusega 50 mm või rohkem;

| 2. | torud sisediameetriga 65 mm või rohkem ja seinapaksusega 25 mm või rohkem ning pikkusega 50 mm või rohkem; |
| --- | --- |

2.

torud sisediameetriga 65 mm või rohkem ja seinapaksusega 25 mm või rohkem ning pikkusega 50 mm või rohkem;

| 3. | plokid mõõtudega 120 mm × 120 mm × 50 mm või rohkem. |
| --- | --- |

3.

plokid mõõtudega 120 mm × 120 mm × 50 mm või rohkem.

NB! Vt ka punkti 0C004.

| b. | pürolüütiline või kiudarmeeritud grafiit, mida kasutatakse rakettmürskude düüside ja atmosfääri taassisenevate sõidukite ninamike otste valmistamisel;


  NB! Vt ka punkti 0C004. |
| --- | --- |

b.

pürolüütiline või kiudarmeeritud grafiit, mida kasutatakse rakettmürskude düüside ja atmosfääri taassisenevate sõidukite ninamike otste valmistamisel;

NB! Vt ka punkti 0C004.

| c. | keraamilised komposiitmaterjalid (dielektrilise läbitavuse konstandiga 6 ja vähem, sagedusvahemikus 100 Hz kuni 10 000 MHz), mida kasutatakse rakettmürskude radoomide valmistamiseks; |
| --- | --- |

c.

keraamilised komposiitmaterjalid (dielektrilise läbitavuse konstandiga 6 ja vähem, sagedusvahemikus 100 Hz kuni 10 000 MHz), mida kasutatakse rakettmürskude radoomide valmistamiseks;

| d. | masintöödeldavad mahulised ränikarbiidiga tugevdatud põletamata keraamilised materjalid, mida kasutatakse rakettmürskude ninamike otste valmistamisel. |
| --- | --- |

d.

masintöödeldavad mahulised ränikarbiidiga tugevdatud põletamata keraamilised materjalid, mida kasutatakse rakettmürskude ninamike otste valmistamisel.

1C111Raketikütused ja raketikütuste keemilised komponendid, muud kui punktis 1C011 nimetatud:

| a. | tõukeained:






  1. | sfäärilistest osakestest alumiiniumipulber, muu kui sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud, mille osakeste ühtlane diameeter on vähem kui 200 μm ja alumiiniumisisaldus 97 massi% või rohkem, kui vähemalt 10 % kogukaalust moodustavad vähema kui 63 μm läbimõõduga osakesed, vastavalt standardile ISO 2591:1988-le või vastavale siseriiklikule standardile;
  Tehniline märkus:

  Osakese suurus 63 μm (ISO R-565) vastab 250 mešile (Tyler) või 230 mešile (ASTM standard E-11). |
| --- | --- | --- |

a.

tõukeained:

1.

sfäärilistest osakestest alumiiniumipulber, muu kui sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud, mille osakeste ühtlane diameeter on vähem kui 200 μm ja alumiiniumisisaldus 97 massi% või rohkem, kui vähemalt 10 % kogukaalust moodustavad vähema kui 63 μm läbimõõduga osakesed, vastavalt standardile ISO 2591:1988-le või vastavale siseriiklikule standardile;

Tehniline märkus:

Osakese suurus 63 μm (ISO R-565) vastab 250 mešile (Tyler) või 230 mešile (ASTM standard E-11).

| 2. | metallilised kütused, muud kui sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud, kas sfäärilised, pihustatud, helbekujulised või sferoidsed, mille osakesed on väiksemad kui 60 μm ja mis sisaldavad 97 massi% või rohkem mis tahes järgmist elementi:






  a. | tsirkoonium; |
| --- | --- | --- |

2.

metallilised kütused, muud kui sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud, kas sfäärilised, pihustatud, helbekujulised või sferoidsed, mille osakesed on väiksemad kui 60 μm ja mis sisaldavad 97 massi% või rohkem mis tahes järgmist elementi:

a.

tsirkoonium;

| b. | berüllium; |
| --- | --- |

b.

berüllium;

| c. | magneesium; või |
| --- | --- |

c.

magneesium; või

| d. | eespool punktides a–c nimetatud metallide sulamid; |
| --- | --- |

d.

eespool punktides a–c nimetatud metallide sulamid;

Tehniline märkus:

Hafniumi loomulik sisaldus tsirkooniumis (tüüpiliselt 2–7 %) arvestatakse koos tsirkooniumiga.

| 3. | järgmised vedelad oksüdeerivad ained:






  a. | dilämmastiktrioksiid; |
| --- | --- | --- |

3.

järgmised vedelad oksüdeerivad ained:

a.

dilämmastiktrioksiid;

| b. | lämmastikdioksiid/dilämmastiktetroksiid; |
| --- | --- |

b.

lämmastikdioksiid/dilämmastiktetroksiid;

| c. | dilämmastikpentoksiid; |
| --- | --- |

c.

dilämmastikpentoksiid;

| d. | lämmastikoksiidide segud (MON – Mixed Oxides of Nitrogen);
  Tehniline märkus:

  Lämmastikoksiidide segud (MON) on lämmastikoksiidi (NO) lahused dilämmastiktetroksiidis / lämmastikdioksiidis (N2O4/NO2) mida on võimalik kasutada raketisüsteemides. On olemas hulk erineva kontsentratsiooniga segusid, millele saab viidata lühendiga MONi või MONij, kus i ja j on täisarvud, mis näitavad lämmastikoksiidi kaalulist sisaldust protsentides antud segus (nt MON3 sisaldab 3 % lämmastikoksiidi, MON25 sisaldab 25 % lämmastiksoksiidi). Ülempiiriks on MON40 ehk 40 % lämmastikoksiidi). |
| --- | --- |

d.

lämmastikoksiidide segud (MON – Mixed Oxides of Nitrogen);

Tehniline märkus:

Lämmastikoksiidide segud (MON) on lämmastikoksiidi (NO) lahused dilämmastiktetroksiidis / lämmastikdioksiidis (N2O4/NO2) mida on võimalik kasutada raketisüsteemides. On olemas hulk erineva kontsentratsiooniga segusid, millele saab viidata lühendiga MONi või MONij, kus i ja j on täisarvud, mis näitavad lämmastikoksiidi kaalulist sisaldust protsentides antud segus (nt MON3 sisaldab 3 % lämmastikoksiidi, MON25 sisaldab 25 % lämmastiksoksiidi). Ülempiiriks on MON40 ehk 40 % lämmastikoksiidi).

| e. | VT SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJAS inhibeeritud suitsev lämmastikhape (IRFNA); |
| --- | --- |

e.

VT SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJAS inhibeeritud suitsev lämmastikhape (IRFNA);

| f. | VT SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJA JA PUNKTI 1C238 fluorist ja ühest või enamast muust halogeenist, hapnikust või lämmastikust koosnevad ühendid. |
| --- | --- |

f.

VT SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJA JA PUNKTI 1C238 fluorist ja ühest või enamast muust halogeenist, hapnikust või lämmastikust koosnevad ühendid.

| b. | polümeersed ained:






  1. | karboksüül-otsaga polübutadieen (CTPB); |
| --- | --- | --- |

b.

polümeersed ained:

1.

karboksüül-otsaga polübutadieen (CTPB);

| 2. | hüdroksüül-otsaga polübutadieen (HTPB), muu kui sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud; |
| --- | --- |

2.

hüdroksüül-otsaga polübutadieen (HTPB), muu kui sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud;

| 3. | polübutadieen-akrüülhape (PBAA); |
| --- | --- |

3.

polübutadieen-akrüülhape (PBAA);

| 4. | polübutadieen-akrüülhape-akrüülnitriil (PBAN); |
| --- | --- |

4.

polübutadieen-akrüülhape-akrüülnitriil (PBAN);

| c. | muud raketikütuse lisandid ja toimeained:







  1. | VT SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJAS karboraanid, dekaboraanid, pentaboraanid ja nende derivaadid |
| --- | --- | --- |

c.

muud raketikütuse lisandid ja toimeained:

1.

VT SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJAS karboraanid, dekaboraanid, pentaboraanid ja nende derivaadid

| 2. | trietüleenglükooldinitraat (TEGDN); |
| --- | --- |

2.

trietüleenglükooldinitraat (TEGDN);

| 3. | 2-nitrodifenüülamiin; |
| --- | --- |

3.

2-nitrodifenüülamiin;

| 4. | trimetüüloletaantrinitraat (TMETN); |
| --- | --- |

4.

trimetüüloletaantrinitraat (TMETN);

| 5. | dietüleenglükooldinitraat (DEGDN); |
| --- | --- |

5.

dietüleenglükooldinitraat (DEGDN);

| 6. | ferrotseeni derivaadid:







  a. | vt sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas: een; |
| --- | --- | --- |

6.

ferrotseeni derivaadid:

a.

vt sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas: een;

| b. | etüülferrotseen; |
| --- | --- |

b.

etüülferrotseen;

| c. | propüülferrotseen; |
| --- | --- |

c.

propüülferrotseen;

| d. | vt sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas: n-butüülferrotseen; |
| --- | --- |

d.

vt sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas: n-butüülferrotseen;

| e. | pentüülferrotseen; |
| --- | --- |

e.

pentüülferrotseen;

| f. | ditsüklopentüülferrotseen; |
| --- | --- |

f.

ditsüklopentüülferrotseen;

| g. | ditsükloheksüülferrotseen; |
| --- | --- |

g.

ditsükloheksüülferrotseen;

| h. | dietüülferrotseen; |
| --- | --- |

h.

dietüülferrotseen;

| i. | dipropüülferrotseen; |
| --- | --- |

i.

dipropüülferrotseen;

| j. | dibutüülferrotseen; |
| --- | --- |

j.

dibutüülferrotseen;

| k. | diheksüülferrotseen; |
| --- | --- |

k.

diheksüülferrotseen;

| l. | atsetüülferrotseenid; |
| --- | --- |

l.

atsetüülferrotseenid;

| m. | vt sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas: ferrotseenkarboksüülhapped; |
| --- | --- |

m.

vt sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas: ferrotseenkarboksüülhapped;

| n. | vt sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas: butatseen; |
| --- | --- |

n.

vt sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas: butatseen;

| o. | muud ferrotseeni derivaadid, mida kasutatakse raketikütuse põlemiskiiruse modifikaatorina, v.a. sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud. |
| --- | --- |

o.

muud ferrotseeni derivaadid, mida kasutatakse raketikütuse põlemiskiiruse modifikaatorina, v.a. sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud.

Märkus: Raketikütuseid ja raketikütuste koostisse kuuluvaid kemikaalide kohta, mida ei ole punktis 1C111 nimetatud, vaata sõjalise otstarbega kaupade nimekirja.

1C116Vanandatud martensiitterased (terased, mida reeglina iseloomustab kõrge nikli- ja väga madal süsinikusisaldus ning asenduselementide ja pretsipitaatide kasutamine vanandamise eesmärgil) lehtede, plaatide ja torude kujul, mille paksus või seinapaksus ei ületa 5 mm ning mille tõmbetugevus on 1 500 MPa ja rohkem temperatuuril 293 K (+ 20 °C).

NB! VT KA PUNKTI 1C216.

1C117Volfram, molübdeen ja nende sulamid samakujuliste sfääriliste või pihustatud osakeste kujul, mille osakeste diameeter ei ületa 500 mikromeetrit, puhtusastmega 97 % või rohkem, mis on ette nähtud rakettmürskude mootorite komponentide, st soojusekraanide, düüsipõhimike, düüsikõride ja tõukevektori juhtimispindade valmistamiseks.

1C118Titaanstabiliseeritud roostevaba dupleksteras (Ti-DSS), millel on:

| a. | kõik järgmised omadused:






  1. | sisaldavad 17,0-23,0 massi% kroomi ja 4,5-7,0 massi% niklit; |
| --- | --- | --- |

a.

kõik järgmised omadused:

1.

sisaldavad 17,0-23,0 massi% kroomi ja 4,5-7,0 massi% niklit;

| 2. | nende titaanisisaldus on üle 0,10 massi%; ja |
| --- | --- |

2.

nende titaanisisaldus on üle 0,10 massi%; ja

| 3. | nende raua-austeniidi mikrostruktuur (samuti viidatud kui kahefaasiline mikrostruktuur), millest vähemalt 10 mahu% on austeniiti (kooskõlas standardi ASTM E-1181-87 või vastavate siseriiklike standarditega); ja |
| --- | --- |

3.

nende raua-austeniidi mikrostruktuur (samuti viidatud kui kahefaasiline mikrostruktuur), millest vähemalt 10 mahu% on austeniiti (kooskõlas standardi ASTM E-1181-87 või vastavate siseriiklike standarditega); ja

| b. | mis tahes järgmine omadus:






  1. | kangid või varvad mõõtmetega 100 mm või rohkem igas suunas; |
| --- | --- | --- |

b.

mis tahes järgmine omadus:

1.

kangid või varvad mõõtmetega 100 mm või rohkem igas suunas;

| 2. | lehed laiusega 600 mm või rohkem ja paksusega 3 mm või vähem; või |
| --- | --- |

2.

lehed laiusega 600 mm või rohkem ja paksusega 3 mm või vähem; või

| 3. | torud välisläbimõõduga 600 mm või rohkem ja seinapaksusega 3 mm või vähem. |
| --- | --- |

3.

torud välisläbimõõduga 600 mm või rohkem ja seinapaksusega 3 mm või vähem.

1C202Sulamid, muud kui punktis 1C002.b.3 või 1C002.b.4 nimetatud:

| a. | alumiiniumisulamid, millel on mõlemad järgmised omadused:






  1. | tõmbetugevus 460 MPa või rohkem temperatuuril 293 K (20 °C); ja |
| --- | --- | --- |

a.

alumiiniumisulamid, millel on mõlemad järgmised omadused:

1.

tõmbetugevus 460 MPa või rohkem temperatuuril 293 K (20 °C); ja

| 2. | torud või silindrikujulised täismaterjalid (sh sepised), mille välisläbimõõt on üle 75 mm; |
| --- | --- |

2.

torud või silindrikujulised täismaterjalid (sh sepised), mille välisläbimõõt on üle 75 mm;

| b. | titaanisulamid, millel on mõlemad järgmised omadused:






  1. | tõmbetugevus 900 MPa või rohkem temperatuuril 293 K (20 °C); ja |
| --- | --- | --- |

b.

titaanisulamid, millel on mõlemad järgmised omadused:

1.

tõmbetugevus 900 MPa või rohkem temperatuuril 293 K (20 °C); ja

| 2. | torud või silindrikujulised täismaterjalid (sh sepised), mille välisläbimõõt on üle 75 mm; |
| --- | --- |

2.

torud või silindrikujulised täismaterjalid (sh sepised), mille välisläbimõõt on üle 75 mm;

Tehniline märkus:

Sulam tähistab antud juhul sulamit enne ja pärast termotöötlust.

1C210Kiud või niidid või prepregmaterjalid, muud kui punktides 1C010.a, 1C010.b või 1C010.e nimetatud:

| a. | süsinik- või aramiidkiud või -niidid, millel on üks järgmistest omadustest:






  1. | erimoodul 12,7 × 106 m või rohkem; või |
| --- | --- | --- |

a.

süsinik- või aramiidkiud või -niidid, millel on üks järgmistest omadustest:

1.

erimoodul 12,7 × 106 m või rohkem; või

| 2. | eritõmbetugevus 235 × 103 m või rohkem; |
| --- | --- |

2.

eritõmbetugevus 235 × 103 m või rohkem;

Märkus: Punkt 1C210.a ei hõlma aramiidkiude ja -niite, mis sisaldavad 0,25 massi% või rohkem estril põhinevat kiupinna modifikaatorit;

| b. | Klaaskiud või -niidid, millel on mõlemad järgmised omadused:






  1. | erimoodul 3,18 × 106 m või rohkem; ja |
| --- | --- | --- |

b.

Klaaskiud või -niidid, millel on mõlemad järgmised omadused:

1.

erimoodul 3,18 × 106 m või rohkem; ja

| 2. | eritõmbetugevus 76,2 × 103 m või rohkem; |
| --- | --- |

2.

eritõmbetugevus 76,2 × 103 m või rohkem;

| c. | temperatuurikindla vaiguga impregneeritud pidevad lõngad, heided, köisikud ja lindid, mille laius ei ületa 15 mm (prepregmaterjalid) ja mis on valmistatud punktides 1C210.a või 1C210.b nimetatud süsinik- või klaaskiududest- või -niitidest.
  Tehniline märkus:

  Vaik moodustab siin komposiidi põhimassi. |
| --- | --- |

c.

temperatuurikindla vaiguga impregneeritud pidevad lõngad, heided, köisikud ja lindid, mille laius ei ületa 15 mm (prepregmaterjalid) ja mis on valmistatud punktides 1C210.a või 1C210.b nimetatud süsinik- või klaaskiududest- või -niitidest.

Tehniline märkus:

Vaik moodustab siin komposiidi põhimassi.

Märkus: Punktis 1C210 piirduvad kiud ja niidid pidevate monokiudude, lõngade, heiete, köisikute ja lintidega.

1C216Vanandatud martensiitteras, muu kui punktis 1C116 nimetatud, mille tõmbetugevus on temperatuuril 293 K (+20 °C) 2 050 MPa või rohkem.

Märkus: Punkt 1C216 ei hõlma detaile, mille ükski lineaarmõõde ei ületa 75 mm.

Tehniline märkus:

Vanandatud martensiitteras tähistab antud juhul vanandatud martentsiitterast enne ja pärast termotöötlust.

1C225Boor, mida on boor-10 isotoobi (10B) suhtes rikastatud üle selle isotoobi looduslikult esineva sisalduse, järgmiselt: elementkujul, ühenditena, boori sisaldavate segudena, nendest valmistatud toodetena, kõigi eelkirjeldatute heitmete või jäätmetena.

Märkus: Punktis 1C225 boori sisaldavate segude hulka loetakse ka boori sisaldavad materjalid.

Tehniline märkus:

Boor-10 looduslik sisaldus on ligikaudu 18,5 massi% (20 aatomprotsenti).

1C226Volfram, volframkarbiid ja sulamid, mis sisaldavad üle 90 massi% volframi, ja millel on mõlemad järgmised omadused:

| a. | silindrikujulise sümmeetriaga detailid (sh silindrite segmendid) siseläbimõõduga üle 100 mm, kuid vähem kui 300 mm; ja |
| --- | --- |

a.

silindrikujulise sümmeetriaga detailid (sh silindrite segmendid) siseläbimõõduga üle 100 mm, kuid vähem kui 300 mm; ja

| b. | kogumass üle 20 kg. |
| --- | --- |

b.

kogumass üle 20 kg.

Märkus: Punkt 1C226 ei hõlma spetsiaalselt kaaluvihtidena või gammakiirguse kollimaatoritena kasutamiseks valmistatud tooteid.

1C227Kaltsium, millel on mõlemad järgmised omadused:

| a. | sisaldab kaaluliselt vähem kui 1 000 miljondikosa muid metallilisi lisandeid kui magneesium; ja |
| --- | --- |

a.

sisaldab kaaluliselt vähem kui 1 000 miljondikosa muid metallilisi lisandeid kui magneesium; ja

| b. | sisaldab kaaluliselt vähem kui 10 miljondikosa boori. |
| --- | --- |

b.

sisaldab kaaluliselt vähem kui 10 miljondikosa boori.

1C228Magneesium, millel on mõlemad järgmised omadused:

| a. | sisaldab kaaluliselt vähem kui 200 miljondikosa muid metallilisi lisandeid kui kaltsium; ja |
| --- | --- |

a.

sisaldab kaaluliselt vähem kui 200 miljondikosa muid metallilisi lisandeid kui kaltsium; ja

| b. | sisaldab kaaluliselt vähem kui 10 miljondikosa boori. |
| --- | --- |

b.

sisaldab kaaluliselt vähem kui 10 miljondikosa boori.

1C229Vismut, millel on mõlemad järgmised omadused:

| a. | puhtusaste 99,99 massi% või rohkem; ja |
| --- | --- |

a.

puhtusaste 99,99 massi% või rohkem; ja

| b. | kaaluline hõbedasisaldus on vähem kui 10 miljondikosa. |
| --- | --- |

b.

kaaluline hõbedasisaldus on vähem kui 10 miljondikosa.

1C230Berüllium metallina ja sulamitena, mis sisaldavad üle 50 massi% berülliumi, berülliumiühendid, tooted nendest ning nende heitmed või jäätmed.

Märkus: Punkt 1C230 ei hõlma järgmist:

| a. | metallaknad röntgeniseadmetele või puuraukude sondidele; |
| --- | --- |

a.

metallaknad röntgeniseadmetele või puuraukude sondidele;

| b. | oksiidina kas valmistoodete või pooltoodete kujul, mis on spetsiaalselt ette nähtud elektroonika komponentide osadeks või elektronlülituste põhimikeks; |
| --- | --- |

b.

oksiidina kas valmistoodete või pooltoodete kujul, mis on spetsiaalselt ette nähtud elektroonika komponentide osadeks või elektronlülituste põhimikeks;

| c. | berüll (berüllium- ja alumiiniumsilikaat) smaragdide või akvamariinide kujul. |
| --- | --- |

c.

berüll (berüllium- ja alumiiniumsilikaat) smaragdide või akvamariinide kujul.

1C231Hafnium metallina ja sulamitena, mis sisaldavad üle 60 massi% hafniumi, hafniumiühendid, mis sisaldavad üle 60 massi% hafniumi, tooted nendest ning nende heitmed või jäätmed.

1C232Heelium-3 (He), või seda sisaldavad segud ning tooted ja seadmed, mis neid sisaldavad.

Märkus: Punkt 1C232 ei hõlma tooteid ega seadmeid, mis sisaldavad vähem kui 1 g heelium-3.

1C233Liitium, mida on liitium-6 isotoobi (6Li) suhtes rikastatud üle selle isotoobi looduslikult esineva sisalduse ning tooted ja seadmed, mis sisaldavad rikastatud liitiumi järgmiselt: elementkujul, sulamitena, ühenditena, liitiumi sisaldavate segudena, nendest valmistatud toodetena, kõigi eelkirjeldatute heitmete või jäätmetena.

Märkus: Punkt 1C233 ei hõlma termoluminestsentsdosimeetreid.

Tehniline märkus:

Liitium-6 looduslik sisaldus on ligikaudu 6,5 massi% (7,5 aatomprotsenti).

1C234Tsirkoonium, milles hafniumi on kaaluliselt vähem kui 1 osa hafniumi 500 osa tsirkooniumi kohta järgmiselt: tsirkoonium metallina, sulamitena, mis sisaldavad üle 50 massi% tsirkooniumi, ühendid, tooted nendest ning nende heitmed või jäätmed.

Märkus: Punkt 1C234 ei hõlma tsirkooniumi fooliumi kujul, mille paksus on 0,10 mm või vähem.

1C235Triitium, triitiumiühendid, triitiumi sisaldavad segud, milles triitiumiaatomite suhe vesinikuaatomite suhtes on suurem kui 1:1000, ning neid sisaldavad tooted ja seadmed.

Märkus: Punkt 1C235 ei hõlma kaupu ega seadmeid, milles triitiumisisaldus on kuni 1,48 × 103 GBq (40 Ci).

1C236Alfa-aktiivsed radionukliidid, poolestusajaga 10 päeva või rohkem, kuid vähem kui 200 aastat, järgmisel kujul:

| a. | elementkujul; |
| --- | --- |

a.

elementkujul;

| b. | ühenditena, mille summaarne alfa-aktiivsus on 37 GBq/kg (1 Ci/kg) või rohkem; |
| --- | --- |

b.

ühenditena, mille summaarne alfa-aktiivsus on 37 GBq/kg (1 Ci/kg) või rohkem;

| c. | segudena, mille summaarne alfa-aktiivsus on 37 GBq/kg (1 Ci/kg) või rohkem; |
| --- | --- |

c.

segudena, mille summaarne alfa-aktiivsus on 37 GBq/kg (1 Ci/kg) või rohkem;

| d. | eelnimetatuid sisaldavate toodete või seadmetena. |
| --- | --- |

d.

eelnimetatuid sisaldavate toodete või seadmetena.

Märkus: Punkt 1C236 ei hõlma kaupu ja seadmeid, milles sisalduv alfa-aktiivsus on kuni 3,7 GBq (100 milliküriid).

1C237Raadium-226 (226Ra), raadium-226 sulamid, raadium-226 ühendid ja segud, mis sisaldavad raadium-226, nendest valmistatud tooted ning neid sisaldavad tooted ja seadmed.

Märkus: Punkt 1C237 ei hõlma järgmist:

| a. | Meditsiinilised seadmed; |
| --- | --- |

a.

Meditsiinilised seadmed;

| b. | Toode või seade, mis sisaldab vähem kui 0,37 GBq (10 milliküriid) raadium-226. |
| --- | --- |

b.

Toode või seade, mis sisaldab vähem kui 0,37 GBq (10 milliküriid) raadium-226.

1C238Kloortrifluoriid (ClF3).

1C239Brisantlõhkeained, muud kui sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud, või ained või segud, mis sisaldavad neid üle 2 massi% ja mille kristalne tihedus on üle 1,8 g/cm3 ja detonatsiooni kiirus üle 8 000 m/s.

1C240Niklipulber või poorne (käsn) nikkel, muu kui punktis 0C005 nimetatud:

| a. | niklipulber, millel on mõlemad järgmised omadused:






  1. | puhtusaste 99,0 massi% või rohkem; ja |
| --- | --- | --- |

a.

niklipulber, millel on mõlemad järgmised omadused:

1.

puhtusaste 99,0 massi% või rohkem; ja

| 2. | keskmine osakese suurus alla 10 μm mõõdetuna vastavalt ASTM standardile B330; |
| --- | --- |

2.

keskmine osakese suurus alla 10 μm mõõdetuna vastavalt ASTM standardile B330;

| b. | poorne (käsn) nikkel, mis on toodetud punktis 1C240.a nimetatud materjalist. |
| --- | --- |

b.

poorne (käsn) nikkel, mis on toodetud punktis 1C240.a nimetatud materjalist.

Märkus: Punkt 1C240 ei hõlma järgmist:

| a. | kiuline niklipulber; |
| --- | --- |

a.

kiuline niklipulber;

| b. | üksikud poorsest niklist lehed pindalaga 1 000 cm2 või vähem lehe kohta. |
| --- | --- |

b.

üksikud poorsest niklist lehed pindalaga 1 000 cm2 või vähem lehe kohta.

Tehniline märkus:

Punktis 1C240.b peetakse silmas poorset metalli, mis saadakse punktis 1C240.a nimetatud materjalide kokkusurumisel ja paagutamisel metalseks materjaliks, mis sisaldab omavahel ühendatud peeneid poore läbi kogu selle struktuuri.

1C350Kemikaalid, mida võidakse kasutada lähteainena mürkkemikaalide valmistamisel, ja üht või mitut nimetatud kemikaali sisaldavad keemilised segud:

NB! VT KA SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJA JA PUNKTI 1C450.

| 1. | Tiodiglükool (111-48-8); |
| --- | --- |

1.

Tiodiglükool (111-48-8);

| 2. | Fosforoksükloriid (10025-87-3); |
| --- | --- |

2.

Fosforoksükloriid (10025-87-3);

| 3. | Dimetüülmetüülfosfonaat (756-79-6); |
| --- | --- |

3.

Dimetüülmetüülfosfonaat (756-79-6);

| 4. | VT SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJAS Metüülfosfonüüldifluoriid (676-99-3); |
| --- | --- |

4.

VT SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJAS Metüülfosfonüüldifluoriid (676-99-3);

| 5. | Metüülfosfonüüldikloriid (676-97-1); |
| --- | --- |

5.

Metüülfosfonüüldikloriid (676-97-1);

| 6. | Dimetüülfosfit (868-85-9); |
| --- | --- |

6.

Dimetüülfosfit (868-85-9);

| 7. | Fosfortrikloriid (7719-12-2); |
| --- | --- |

7.

Fosfortrikloriid (7719-12-2);

| 8. | Trimetüülfosfit (121-45-9); |
| --- | --- |

8.

Trimetüülfosfit (121-45-9);

| 9. | Tionüülkloriid (7719-09-7); |
| --- | --- |

9.

Tionüülkloriid (7719-09-7);

| 10. | 3-hüdroksü-1-metüülpiperidiin (3554-74-3); |
| --- | --- |

10.

3-hüdroksü-1-metüülpiperidiin (3554-74-3);

| 11. | N,N-diisopropüül-ß-aminoetüülkloriid (96-79-7); |
| --- | --- |

11.

N,N-diisopropüül-ß-aminoetüülkloriid (96-79-7);

| 12. | N,N-diisopropüül-ß-aminoetaantiool (5842-07-9); |
| --- | --- |

12.

N,N-diisopropüül-ß-aminoetaantiool (5842-07-9);

| 13. | 3-kinoklidinool (1619-34-7); |
| --- | --- |

13.

3-kinoklidinool (1619-34-7);

| 14. | Kaaliumfluoriid (7789-23-3); |
| --- | --- |

14.

Kaaliumfluoriid (7789-23-3);

| 15. | 2-kloroetanool (107-07-3); |
| --- | --- |

15.

2-kloroetanool (107-07-3);

| 16. | Dimetüülamiin (124-40-3); |
| --- | --- |

16.

Dimetüülamiin (124-40-3);

| 17. | Dietüületüülfosfonaat (78-38-6); |
| --- | --- |

17.

Dietüületüülfosfonaat (78-38-6);

| 18. | Dietüül-N,N-dimetüülfosforamidaat (2404-03-7); |
| --- | --- |

18.

Dietüül-N,N-dimetüülfosforamidaat (2404-03-7);

| 19. | Dietüülfosfit (762-04-9); |
| --- | --- |

19.

Dietüülfosfit (762-04-9);

| 20. | Dimetüülamiinhüdrokloriid (506-59-2); |
| --- | --- |

20.

Dimetüülamiinhüdrokloriid (506-59-2);

| 21. | Etüülfosfinüüldikloriid (1498-40-4); |
| --- | --- |

21.

Etüülfosfinüüldikloriid (1498-40-4);

| 22. | Etüülfosfonüüldikloriid (1066-50-8); |
| --- | --- |

22.

Etüülfosfonüüldikloriid (1066-50-8);

| 23. | VT SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJAS etüülfosfonüüldifluoriid (753-98-0); |
| --- | --- |

23.

VT SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJAS etüülfosfonüüldifluoriid (753-98-0);

| 24. | Vesinikfluoriid (7664-39-3); |
| --- | --- |

24.

Vesinikfluoriid (7664-39-3);

| 25. | Metüülbensilaat (76-89-1); |
| --- | --- |

25.

Metüülbensilaat (76-89-1);

| 26. | Metüülfosfinüüldikloriid (676-83-5); |
| --- | --- |

26.

Metüülfosfinüüldikloriid (676-83-5);

| 27. | N,N-diisopropüül-ß-aminoetanool (96-80-0); |
| --- | --- |

27.

N,N-diisopropüül-ß-aminoetanool (96-80-0);

| 28. | Pinakolüülalkohol ( 464-07-3); |
| --- | --- |

28.

Pinakolüülalkohol ( 464-07-3);

| 29. | VT SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJAS O-etüül-2-diisopropüülaminoetüülmetüülfosfoniit (57856-11-8); |
| --- | --- |

29.

VT SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJAS O-etüül-2-diisopropüülaminoetüülmetüülfosfoniit (57856-11-8);

| 30. | Trietüülfosfit (122-52-1); |
| --- | --- |

30.

Trietüülfosfit (122-52-1);

| 31. | Arseentrikloriid (7784-34-1); |
| --- | --- |

31.

Arseentrikloriid (7784-34-1);

| 32. | Bensüülhape ( 76-93-7); |
| --- | --- |

32.

Bensüülhape ( 76-93-7);

| 33. | Dietüülmetüülfosfoniit (15715-41-0); |
| --- | --- |

33.

Dietüülmetüülfosfoniit (15715-41-0);

| 34. | Dimetüületüülfosfonaat (6163-75-3); |
| --- | --- |

34.

Dimetüületüülfosfonaat (6163-75-3);

| 35. | Etüülfosfinüüldifluoriid (430-78-4); |
| --- | --- |

35.

Etüülfosfinüüldifluoriid (430-78-4);

| 36. | Metüülfosfinüüldifluoriid (753-59-3); |
| --- | --- |

36.

Metüülfosfinüüldifluoriid (753-59-3);

| 37. | 3-kinoklidoon (3731-38-2); |
| --- | --- |

37.

3-kinoklidoon (3731-38-2);

| 38. | Fosforpentakloriid (10026-13-8); |
| --- | --- |

38.

Fosforpentakloriid (10026-13-8);

| 39. | Pinakoloon (75-97-89); |
| --- | --- |

39.

Pinakoloon (75-97-89);

| 40. | Kaaliumtsüaniid (151-50-8); |
| --- | --- |

40.

Kaaliumtsüaniid (151-50-8);

| 41. | Kaaliumbifluoriid (7789-29-99); |
| --- | --- |

41.

Kaaliumbifluoriid (7789-29-99);

| 42. | Ammooniumvesinikfluoriid (1341-49-7); |
| --- | --- |

42.

Ammooniumvesinikfluoriid (1341-49-7);

| 43. | Naatriumfluoriid (7681-49-4); |
| --- | --- |

43.

Naatriumfluoriid (7681-49-4);

| 44. | Naatriumbifluoriid (1333-83-1); |
| --- | --- |

44.

Naatriumbifluoriid (1333-83-1);

| 45. | Naatriumtsüaniid (143-33-99); |
| --- | --- |

45.

Naatriumtsüaniid (143-33-99);

| 46. | Trietanoolamiin (102-71-6); |
| --- | --- |

46.

Trietanoolamiin (102-71-6);

| 47. | Fosforpentasulfiid (1314-80-3); |
| --- | --- |

47.

Fosforpentasulfiid (1314-80-3);

| 48. | Diisopropüülamiin (108-18-9); |
| --- | --- |

48.

Diisopropüülamiin (108-18-9);

| 49. | Dietüülaminoetanool (100-37-8); |
| --- | --- |

49.

Dietüülaminoetanool (100-37-8);

| 50. | Naatriumsulfiid (1313-82-2); |
| --- | --- |

50.

Naatriumsulfiid (1313-82-2);

| 51. | Väävelmonokloriid (10025-67-9); |
| --- | --- |

51.

Väävelmonokloriid (10025-67-9);

| 52. | Vääveldikloriid (10545-99-0); |
| --- | --- |

52.

Vääveldikloriid (10545-99-0);

| 53. | Trietanoolamiinhüdrokloriid (637-39-8); |
| --- | --- |

53.

Trietanoolamiinhüdrokloriid (637-39-8);

| 54. | N,N-diisopropüül-2-aminoetüülkloriidhüdrokloriid (4261-68-1); |
| --- | --- |

54.

N,N-diisopropüül-2-aminoetüülkloriidhüdrokloriid (4261-68-1);

Märkus 1: Keemiarelvade konventsiooniga mitteühinenud riikidesse eksportimisel ei hõlma punkt 1C350 keemilisi segusid, mis sisaldavad üht või mitut punkti 1C350 alapunktides 1, 3, 5, 11, 12, 13, 17, 18, 21, 22, 26, 27, 28, 31, 32, 33, 34, 35, 36 ja 54 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 10 massi%.

Märkus 2: Keemiarelvade konventsiooniga ühinenud riikidesse eksportimisel ei hõlma punkt 1C350 keemilisi segusid, mis sisaldavad üht või mitut punkti 1C350 alapunktides 1, 3, 5, 11, 12, 13, 17, 18, 21, 22, 26, 27, 28, 31, 32, 33, 34, 35, 36 ja 54 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 30 massi%.

Märkus 3: Punkt 1C350 ei hõlma keemilisi segusid, mis sisaldavad üht või mitut punkti 1C350 alapunktides 2, 6, 7, 8, 9, 10, 14, 15, 16, 19, 20, 24, 25, 30, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52 ja 53 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 30 massi%.

Märkus 4: Punkt 1C350 ei hõlma tarbekaupadena määratletavaid tooteid, mis on pakendatud jaemüügiks isiklikuks kasutamiseks või pakendatud üksikisikule kasutamiseks.

1C351Inimpatogeenid, zoonoosid ja toksiinid:

| a. | viirused, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:






  1. | Chikungunya viirus; |
| --- | --- | --- |

a.

viirused, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:

1.

Chikungunya viirus;

| 2. | Krimmi-Kongo hemorraagilise palaviku viirus; |
| --- | --- |

2.

Krimmi-Kongo hemorraagilise palaviku viirus;

| 3. | Dengue’i palaviku viirus; |
| --- | --- |

3.

Dengue’i palaviku viirus;

| 4. | Hobuste ida entsefalomüeliidi viirus; |
| --- | --- |

4.

Hobuste ida entsefalomüeliidi viirus;

| 5. | Ebola viirus; |
| --- | --- |

5.

Ebola viirus;

| 6. | Hantaani viirus; |
| --- | --- |

6.

Hantaani viirus;

| 7. | Junini viirus; |
| --- | --- |

7.

Junini viirus;

| 8. | Lassa palaviku viirus; |
| --- | --- |

8.

Lassa palaviku viirus;

| 9. | Lümfotsütaarse koriomeningiidi viirus; |
| --- | --- |

9.

Lümfotsütaarse koriomeningiidi viirus;

| 10. | Machupo viirus; |
| --- | --- |

10.

Machupo viirus;

| 11. | Marburgi viirus; |
| --- | --- |

11.

Marburgi viirus;

| 12. | Ahvide rõugeviirus; |
| --- | --- |

12.

Ahvide rõugeviirus;

| 13. | Rifti oru palaviku viirus; |
| --- | --- |

13.

Rifti oru palaviku viirus;

| 14. | Puukentsefaliidi viirus / vene kevad-suve entsefaliidi viirus; |
| --- | --- |

14.

Puukentsefaliidi viirus / vene kevad-suve entsefaliidi viirus;

| 15. | Variola viirus (ehk tavaline rõugeviirus); |
| --- | --- |

15.

Variola viirus (ehk tavaline rõugeviirus);

| 16. | Hobuste venetsueela entsefalomüeliidi viirus; |
| --- | --- |

16.

Hobuste venetsueela entsefalomüeliidi viirus;

| 17. | Hobuste lääne entsefalomüeliidi viirus; |
| --- | --- |

17.

Hobuste lääne entsefalomüeliidi viirus;

| 18. | White-pox’i viirus; |
| --- | --- |

18.

White-pox’i viirus;

| 19. | Kollapalaviku viirus; |
| --- | --- |

19.

Kollapalaviku viirus;

| 20. | Jaapani entsefaliidi viirus; |
| --- | --- |

20.

Jaapani entsefaliidi viirus;

| 21. | Kyasanur Foresti haiguse viirus |
| --- | --- |

21.

Kyasanur Foresti haiguse viirus

| 22. | Lammaste (šoti) entsefalomüeliidi viirus |
| --- | --- |

22.

Lammaste (šoti) entsefalomüeliidi viirus

| 23. | Murray Valley entsefaliidi viirus; |
| --- | --- |

23.

Murray Valley entsefaliidi viirus;

| 24. | Omski hemorraagilise palaviku viirus; |
| --- | --- |

24.

Omski hemorraagilise palaviku viirus;

| 25. | Oropouche'i viirus; |
| --- | --- |

25.

Oropouche'i viirus;

| 26. | Powassani viirus; |
| --- | --- |

26.

Powassani viirus;

| 27. | Rocio viirus; |
| --- | --- |

27.

Rocio viirus;

| 28. | St. Louis’i entsefaliidi viirus; |
| --- | --- |

28.

St. Louis’i entsefaliidi viirus;

| 29. | Hendra viirus (hobuste leetriviirus) |
| --- | --- |

29.

Hendra viirus (hobuste leetriviirus)

| 30. | Lõuna-Ameerika hemorraagilise palaviku viirus (Sabia, Flexal, Guanarito); |
| --- | --- |

30.

Lõuna-Ameerika hemorraagilise palaviku viirus (Sabia, Flexal, Guanarito);

| 31. | Kopsu-neerusündroomiga hemorraagilise palaviku viirused (Sõul, Dobrava, Puumala, Sin Nombre); |
| --- | --- |

31.

Kopsu-neerusündroomiga hemorraagilise palaviku viirused (Sõul, Dobrava, Puumala, Sin Nombre);

| 32. | Nipah viirus. |
| --- | --- |

32.

Nipah viirus.

| b. | riketsiad, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:






  1. | Coxiella burnetii; |
| --- | --- | --- |

b.

riketsiad, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:

1.

Coxiella burnetii;

| 2. | Bartonella quintana (Rochalimea quintana, Rickettsia quintana); |
| --- | --- |

2.

Bartonella quintana (Rochalimea quintana, Rickettsia quintana);

| 3. | Rickettsia provazekii; |
| --- | --- |

3.

Rickettsia provazekii;

| 4. | Rickettsia rickettsii; |
| --- | --- |

4.

Rickettsia rickettsii;

| c. | Bakterid, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, "isoleeritud eluskultuuride" või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:






  1. | Bacillus anthracis; |
| --- | --- | --- |

c.

Bakterid, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, "isoleeritud eluskultuuride" või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:

1.

Bacillus anthracis;

| 2. | Brucella abortus; |
| --- | --- |

2.

Brucella abortus;

| 3. | Brucella melitensis; |
| --- | --- |

3.

Brucella melitensis;

| 4. | Brucella suis; |
| --- | --- |

4.

Brucella suis;

| 5. | Chlamydia psittaci; |
| --- | --- |

5.

Chlamydia psittaci;

| 6. | Clostridium botulinum; |
| --- | --- |

6.

Clostridium botulinum;

| 7. | Francisella tularensis; |
| --- | --- |

7.

Francisella tularensis;

| 8. | Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei); |
| --- | --- |

8.

Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei);

| 9. | Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei); |
| --- | --- |

9.

Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei);

| 10. | Salmonella typhi; |
| --- | --- |

10.

Salmonella typhi;

| 11. | Shigella dysenteriae; |
| --- | --- |

11.

Shigella dysenteriae;

| 12. | Vibrio cholerae; |
| --- | --- |

12.

Vibrio cholerae;

| 13. | Yersinia pestis; |
| --- | --- |

13.

Yersinia pestis;

| 14. | Clostridium perfringens, epsilontoksiini produtseerivad tüübid; |
| --- | --- |

14.

Clostridium perfringens, epsilontoksiini produtseerivad tüübid;

| 15. | Enterohemorraagiline Escherichia coli, serotüüp O157 ja muud verotoksiini produtseerivad serotüübid. |
| --- | --- |

15.

Enterohemorraagiline Escherichia coli, serotüüp O157 ja muud verotoksiini produtseerivad serotüübid.

| d. | Toksiinid ja nende alarühmad:






  1. | Botulismitoksiin; |
| --- | --- | --- |

d.

Toksiinid ja nende alarühmad:

1.

Botulismitoksiin;

| 2. | Clostridium perfingens’i toksiin; |
| --- | --- |

2.

Clostridium perfingens’i toksiin;

| 3. | Konotoksiin; |
| --- | --- |

3.

Konotoksiin;

| 4. | Ritsiin; |
| --- | --- |

4.

Ritsiin;

| 5. | Saksitoksiin; |
| --- | --- |

5.

Saksitoksiin;

| 6. | Shigatoksiin; |
| --- | --- |

6.

Shigatoksiin;

| 7. | Staphylococcus aureus’e toksiin; |
| --- | --- |

7.

Staphylococcus aureus’e toksiin;

| 8. | Tetrodotoksiin; |
| --- | --- |

8.

Tetrodotoksiin;

| 9. | Verotoksiin; |
| --- | --- |

9.

Verotoksiin;

| 10. | Mikrotsüstiin (Cyanginosin); |
| --- | --- |

10.

Mikrotsüstiin (Cyanginosin);

| 11. | Aflatoksiinid; |
| --- | --- |

11.

Aflatoksiinid;

| 12. | Abrin; |
| --- | --- |

12.

Abrin;

| 13. | Kooleratoksiin; |
| --- | --- |

13.

Kooleratoksiin;

| 14. | Diatsetoksisksirpenooltoksiin; |
| --- | --- |

14.

Diatsetoksisksirpenooltoksiin;

| 15. | T-2 toksiin; |
| --- | --- |

15.

T-2 toksiin;

| 16. | HT-2 toksiin; |
| --- | --- |

16.

HT-2 toksiin;

| 17. | Modeksiin; |
| --- | --- |

17.

Modeksiin;

| 18. | Volkensiin; |
| --- | --- |

18.

Volkensiin;

| 19. | Viscum album Lectin 1 (viskumiin). |
| --- | --- |

19.

Viscum album Lectin 1 (viskumiin).

Märkus: Punkt 1C351.d. ei hõlma botulismitoksiini või konotoksiini toote vormis, mis vastab kõikidele järgmistele kriteeriumidele:

| 1. | On farmatseutilised formulatsioonid, mis on mõeldud inimeste meditsiiniliseks raviks; |
| --- | --- |

1.

On farmatseutilised formulatsioonid, mis on mõeldud inimeste meditsiiniliseks raviks;

| 2. | On eelnevalt pakendatud meditsiinitoodetena turustamiseks; |
| --- | --- |

2.

On eelnevalt pakendatud meditsiinitoodetena turustamiseks;

| 3. | On riigi ametiasutuse poolt lubatud turustamiseks meditsiinitoodetena. |
| --- | --- |

3.

On riigi ametiasutuse poolt lubatud turustamiseks meditsiinitoodetena.

Märkus: Punkt 1C351 ei hõlma vaktsiine ja immunotoksiine.

1C352Loompatogeenid:

| a. | viirused, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:






  1. | Sigade aafrika katku viirus; |
| --- | --- | --- |

a.

viirused, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:

1.

Sigade aafrika katku viirus;

| 2. | Lindude gripiviirus, mis on:






  a. | mittekirjeldatud; või |
| --- | --- | --- |

2.

Lindude gripiviirus, mis on:

a.

mittekirjeldatud; või

| b. | määratletud EÜ direktiivis 92/40/EÜ (EÜT L 16 23.1.1992, lk 19) kui suure patogeensusega viirused:






  1. | A- tüüpi viirused, mille intravenoosse patogeensuse indeks (IVPI) kuuenädalalastel tibudel on suurem kui 1,2; või |
| --- | --- | --- |

b.

määratletud EÜ direktiivis 92/40/EÜ (EÜT L 16 23.1.1992, lk 19) kui suure patogeensusega viirused:

1.

A- tüüpi viirused, mille intravenoosse patogeensuse indeks (IVPI) kuuenädalalastel tibudel on suurem kui 1,2; või

| 2. | A-tüüpi viiruste alatüübid H5 või H7, mille korral nukleotiidide järjestusmääramine näitab mitmealuseliste aminohapete olemasolu hemaglutiniini lõhestamispiirkonnas; |
| --- | --- |

2.

A-tüüpi viiruste alatüübid H5 või H7, mille korral nukleotiidide järjestusmääramine näitab mitmealuseliste aminohapete olemasolu hemaglutiniini lõhestamispiirkonnas;

| 3. | Lammaste katarraalse palaviku viirus; |
| --- | --- |

3.

Lammaste katarraalse palaviku viirus;

| 4. | Suu- ja sõrataudi viirus; |
| --- | --- |

4.

Suu- ja sõrataudi viirus;

| 5. | Kitsede rõugeviirus; |
| --- | --- |

5.

Kitsede rõugeviirus;

| 6. | Sigade herpesviirus/ Aujeszky haigus; |
| --- | --- |

6.

Sigade herpesviirus/ Aujeszky haigus;

| 7. | Sigade katku viirus; |
| --- | --- |

7.

Sigade katku viirus;

| 8. | Lyssa-viirus; |
| --- | --- |

8.

Lyssa-viirus;

| 9. | Newcastle’i haiguse viirus; |
| --- | --- |

9.

Newcastle’i haiguse viirus;

| 10. | Väikemäletsejate katku viirus; |
| --- | --- |

10.

Väikemäletsejate katku viirus;

| 11. | Sigade enteroviirus tüüp 9 (sigade vesikulaarhaiguste viirus); |
| --- | --- |

11.

Sigade enteroviirus tüüp 9 (sigade vesikulaarhaiguste viirus);

| 12. | Veisekatku viirus; |
| --- | --- |

12.

Veisekatku viirus;

| 13. | Lammaste rõugeviirus; |
| --- | --- |

13.

Lammaste rõugeviirus;

| 14. | Tescheni haiguse viirus; |
| --- | --- |

14.

Tescheni haiguse viirus;

| 15. | Vesikulaarse stomatiidi viirus; |
| --- | --- |

15.

Vesikulaarse stomatiidi viirus;

| 16. | Veiste nodulaarse dermatiidi viirus; |
| --- | --- |

16.

Veiste nodulaarse dermatiidi viirus;

| 17. | Hobuste aafrika katku viirus. |
| --- | --- |

17.

Hobuste aafrika katku viirus.

| b. | mükoplasma mükoidid, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult idustatud või saastatud nimetatud mükoplasma mükoididega. |
| --- | --- |

b.

mükoplasma mükoidid, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult idustatud või saastatud nimetatud mükoplasma mükoididega.

Märkus: Punkt 1C352 ei hõlma vaktsiine.

1C353Geneetilised elemendid ja geneetiliselt muundatud organismid:

| a. | Geneetiliselt muundatud organismid või geneetilised elemendid, mis sisaldavad punktis 1C351.a–c, 1C352 või 1C354 määratletud organismide patogeensusega seotud nukleiinhappejärjestusi; |
| --- | --- |

a.

Geneetiliselt muundatud organismid või geneetilised elemendid, mis sisaldavad punktis 1C351.a–c, 1C352 või 1C354 määratletud organismide patogeensusega seotud nukleiinhappejärjestusi;

| b. | Geneetiliselt muundatud organismid või geneetilised elemendid, mis sisaldavad patogeensusega seotud nukleiinhappejärjestusi, mis kodeerivad punktis 1C351.d nimetatud mis tahes toksiine või nende toksiinide alarühmasid. |
| --- | --- |

b.

Geneetiliselt muundatud organismid või geneetilised elemendid, mis sisaldavad patogeensusega seotud nukleiinhappejärjestusi, mis kodeerivad punktis 1C351.d nimetatud mis tahes toksiine või nende toksiinide alarühmasid.

Tehniline märkus:

Geneetilised elemendid hõlmavad muu hulgas geneetiliselt muundatud või muundamata kromosoome, genoome, plasmiide, transponsoone ja vektoreid.

Märkus: Punkt 1C353 ei kehti nukleiinhappejärjestuste kohta, mis on seotud enterohemorraagilise Escherichia coli (serotüüp O157) ja muude verotoksiini produtseerivate tüvede patogeensusega, välja arvatud järjestused, mis kodeerivad verotoksiini või selle allühikuid.

1C354Taimpatogeenid:

| a. | Viirused, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:






  1. | Potato Andean latent tymovirus; |
| --- | --- | --- |

a.

Viirused, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:

1.

Potato Andean latent tymovirus;

| 2. | Potato spindle tuber viroid; |
| --- | --- |

2.

Potato spindle tuber viroid;

| b. | Bakterid, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:






  1. | Xanthomonas albilineans; |
| --- | --- | --- |

b.

Bakterid, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:

1.

Xanthomonas albilineans;

| 2. | Xanthomonas campestris pv. Citri, kaasa arvatud Xanthomonas campestris pv. citri tüüpidele A, B, C, D, E omistatavad tüved või teisiti klassifitseerituna Xanthomonas citri, Xanthomonas campestris pv. aurantifolia või Xanthomonas campestris pv. citrumelo; |
| --- | --- |

2.

Xanthomonas campestris pv. Citri, kaasa arvatud Xanthomonas campestris pv. citri tüüpidele A, B, C, D, E omistatavad tüved või teisiti klassifitseerituna Xanthomonas citri, Xanthomonas campestris pv. aurantifolia või Xanthomonas campestris pv. citrumelo;

| 3. | Xanthomonas oryzae pv. Oryzae (Pseudomonas campestris pv. Oryzae); |
| --- | --- |

3.

Xanthomonas oryzae pv. Oryzae (Pseudomonas campestris pv. Oryzae);

| 4. | Clavibacter michiganensis subsp. Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum või Corynebacterium Sepedonicum); |
| --- | --- |

4.

Clavibacter michiganensis subsp. Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum või Corynebacterium Sepedonicum);

| 5. | Ralstonia solanacearum rassid 2 ja 3 (Pseudomonas solanacearum rassid 2 ja 3 või Burkholderia solanacearum rassid 2 ja 3); |
| --- | --- |

5.

Ralstonia solanacearum rassid 2 ja 3 (Pseudomonas solanacearum rassid 2 ja 3 või Burkholderia solanacearum rassid 2 ja 3);

| c. | Seened, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:






  1. | Colletotrichum coffeanum var. virulans (Colletotrichum kahawae); |
| --- | --- | --- |

c.

Seened, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:

1.

Colletotrichum coffeanum var. virulans (Colletotrichum kahawae);

| 2. | Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae); |
| --- | --- |

2.

Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae);

| 3. | Microcycolus ulei (sünonüüm Dothidella ulei); |
| --- | --- |

3.

Microcycolus ulei (sünonüüm Dothidella ulei);

| 4. | Puccinia graminis (sünonüüm Puccinia graminis f. sp. tritici); |
| --- | --- |

4.

Puccinia graminis (sünonüüm Puccinia graminis f. sp. tritici);

| 5. | Puccinia striiformis (sünonüüm Puccinia glumarum); |
| --- | --- |

5.

Puccinia striiformis (sünonüüm Puccinia glumarum);

| 6. | Magnaporthe grisea (pyricularia grisea/pyricularia oryzae). |
| --- | --- |

6.

Magnaporthe grisea (pyricularia grisea/pyricularia oryzae).

1C450Mürkkemikaalid ja nende lähteained ning üht või mitut nimetatud kemikaali sisaldavad keemilised segud:

NB! VT KA PUNKTE 1C350 JA 1C351.d NING SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJA.

| a. | mürkkemikaalid:






  1. | Amiton: O,O-dietüül-S-[2-(dietüülamino) etüül]fosforotiolaat (78-53-5) ja vastavad alküülitud või protoneeritud soolad; |
| --- | --- | --- |

a.

mürkkemikaalid:

1.

Amiton: O,O-dietüül-S-[2-(dietüülamino) etüül]fosforotiolaat (78-53-5) ja vastavad alküülitud või protoneeritud soolad;

| 2. | PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-(trifluorometüül)-1-propeen (382-21-8); |
| --- | --- |

2.

PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-(trifluorometüül)-1-propeen (382-21-8);

| 3. | VT SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJAS BZ: 3-kinoklidinüülbensülaat (6581-06-2); |
| --- | --- |

3.

VT SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJAS BZ: 3-kinoklidinüülbensülaat (6581-06-2);

| 4. | Fosgeen: karbonüüldikloriid (75-44-5); |
| --- | --- |

4.

Fosgeen: karbonüüldikloriid (75-44-5);

| 5. | Tsüaankloriid (506-77-4); |
| --- | --- |

5.

Tsüaankloriid (506-77-4);

| 6. | Vesiniktsüaniid (74-90-8); |
| --- | --- |

6.

Vesiniktsüaniid (74-90-8);

| 7. | Kloropikriin: trikloronitrometaan (76-06-2); |
| --- | --- |

7.

Kloropikriin: trikloronitrometaan (76-06-2);

Märkus 1: Keemiarelvade konventsiooniga mitteühinenud riikidesse eksportimisel ei hõlma punkt 1C450 keemilisi segusid, mis sisaldavad üht või mitut punktides 1C450.a.1 ja 1C450.a.2 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 1 massi%.

Märkus 2: Keemiarelvade konventsiooniga ühinenud riikidesse eksportimisel ei hõlma punkt 1C450 keemilisi segusid, mis sisaldavad üht või mitut punktides 1C450.a.1 ja 1C450.a.2 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 30 massi%.

Märkus 3: Punkt 1C450 ei hõlma keemilisi segusid, mis sisaldavad üht või mitut punktides 1C450.a.4, 1C450.a.5, 1C450.a.6 ja 1C450.a.7 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 30 massi%.

| b. | mürkkemikaalide lähteained:






  1. | kemikaalid, välja arvatud sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas või punktis 1C350 nimetatud, mis sisaldavad fosforiaatomit, millega on seotud üks (normaal- või iso-) metüül-, etüül- või propüülrühm, kuid mitte enam süsinikuaatomeid;


  Märkus: Punkt 1C450.b.1 ei hõlma järgmist: Fonofos: O-etüül-S-fenüületüülfosfonotiolotionaat (944-22-9); |
| --- | --- | --- |

b.

mürkkemikaalide lähteained:

1.

kemikaalid, välja arvatud sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas või punktis 1C350 nimetatud, mis sisaldavad fosforiaatomit, millega on seotud üks (normaal- või iso-) metüül-, etüül- või propüülrühm, kuid mitte enam süsinikuaatomeid;

Märkus: Punkt 1C450.b.1 ei hõlma järgmist: Fonofos: O-etüül-S-fenüületüülfosfonotiolotionaat (944-22-9);

| 2. | N,N-dialküül[metüül, etüül, n-propüül- või isopropüül-]-fosforamiidi dihalogeniidid; |
| --- | --- |

2.

N,N-dialküül[metüül, etüül, n-propüül- või isopropüül-]-fosforamiidi dihalogeniidid;

| 3. | dialküül[metüül, etüül, n-propüül või isopropüül]-N,N-dialküül[metüül, etüül, n-propüül või isopropüül]-fosforamidaadid, muud kui punktis 1C350 nimetatud dietüül-N,N-dimetüülfosforamidaat; |
| --- | --- |

3.

dialküül[metüül, etüül, n-propüül või isopropüül]-N,N-dialküül[metüül, etüül, n-propüül või isopropüül]-fosforamidaadid, muud kui punktis 1C350 nimetatud dietüül-N,N-dimetüülfosforamidaat;

| 4. | N,N-dialküül[metüül, etüül, n-propüül või isopropüül]aminoetüül-2-kloriidid ja vastavad protoneeritud soolad, muud kui punktis 1C350 nimetatud N,N-diisopropüül-(beta)-aminoetüülkloriidhüdrokloriid; |
| --- | --- |

4.

N,N-dialküül[metüül, etüül, n-propüül või isopropüül]aminoetüül-2-kloriidid ja vastavad protoneeritud soolad, muud kui punktis 1C350 nimetatud N,N-diisopropüül-(beta)-aminoetüülkloriidhüdrokloriid;

| 5. | N,N-dialküül-[metüül, etüül, n-propüül või isopropüül]aminoetaan-2-oolid ja vastavad protoneeritud soolad, muud kui punktis 1C350 nimetatud N,N-diisopropüül-(beta)-aminoetanool (96-80-0) ja N,N-dietüülaminoetanool (100-37-8);


  Märkus: Punkt 1C450.b.5 ei hõlma järgmist:








  a. | N,N-dimetüülaminoetanool (108-01-0) ja vastavad protoneeritud soolad; |
| --- | --- | --- |

5.

N,N-dialküül-[metüül, etüül, n-propüül või isopropüül]aminoetaan-2-oolid ja vastavad protoneeritud soolad, muud kui punktis 1C350 nimetatud N,N-diisopropüül-(beta)-aminoetanool (96-80-0) ja N,N-dietüülaminoetanool (100-37-8);

Märkus: Punkt 1C450.b.5 ei hõlma järgmist:

a.

N,N-dimetüülaminoetanool (108-01-0) ja vastavad protoneeritud soolad;

| b. | N,N-dietüülaminoetanool ja vastavad protoneeritud soolad (100-37-8); |
| --- | --- |

b.

N,N-dietüülaminoetanool ja vastavad protoneeritud soolad (100-37-8);

| 6. | N,N-dialküül-[metüül, etüül, n-propüül või isopropüül]aminoetaan-2-tioolid ja vastavad protoneeritud soolad, muud kui punktis 1C350 nimetatud N,N-diisopropüül-(beta)-aminoetaantiool; |
| --- | --- |

6.

N,N-dialküül-[metüül, etüül, n-propüül või isopropüül]aminoetaan-2-tioolid ja vastavad protoneeritud soolad, muud kui punktis 1C350 nimetatud N,N-diisopropüül-(beta)-aminoetaantiool;

| 7. | etüüldietanoolamiin (139-87-7); |
| --- | --- |

7.

etüüldietanoolamiin (139-87-7);

| 8. | metüüldietanoolamiin (105-59-9). |
| --- | --- |

8.

metüüldietanoolamiin (105-59-9).

Märkus 1: Keemiarelvade konventsiooniga mitteühinenud riikidesse eksportimisel ei hõlma punkt 1C450 keemilisi segusid, mis sisaldavad üht või mitut punktides 1C450.b.1, 1C450.b.2, 1C450.b.3, 1C450.b.4, 1C450.b.5 ja 1C450.b.6 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 10 massi%.

Märkus 2: Keemiarelvade konventsiooniga ühinenud riikidesse eksportimisel ei hõlma punkt 1C450 keemilisi segusid, mis sisaldavad üht või mitut punktides 1C450.b.1, 1C450.b.2, 1C450.b.3, 1C450.b.4, 1C450.b.5 ja 1C450.b.6 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 30 massi%.

Märkus 3: Punkt 1C450 ei hõlma keemilisi segusid, mis sisaldavad üht või mitut punktides 1C450.b.7 ja 1C450.b.8 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 30 massi%.

Märkus: Punkt 1C450 ei hõlma tarbekaupadena määratletavaid tooteid, mis on pakendatud jaemüügiks isiklikuks kasutamiseks või pakendatud üksikisikule kasutamiseks.

1DTarkvara

1D001
  Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktides 1B001–1B003 nimetatud seadmete arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks.

1D002
  Tarkvara, mis on ette nähtud orgaaniliste ja metalliliste põhimasside, süsinikpõhimassilaminaatide või -komposiitide arendamiseks.

1D101
  Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 1B101,1B102, 1B115, 1B117, 1B118 või 1B119 nimetatud kaupade kasutamiseks.

1D103
  Tarkvara, mis on spetsiaalselt ette nähtud selliste vähendatud märgatavusega signaalide analüüsiks nagu radarikiirte tagasipeegeldumine, ultraviolett-/infrapuna- või akustilised signaalid.

1D201
  Tarkvara, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 1B201 nimetatud kaupade kasutamiseks.

1ETehnoloogia

1E001
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia punktides 1A001.b, 1A001.c, 1A002–1A005, 1B või 1C nimetatud seadmete või materjalide arendamiseks ja tootmiseks.

1E002Muu tehnoloogia:

| a. | tehnoloogia polübensotiasoolide või polübensoksasoolide arendamiseks ja tootmiseks; |
| --- | --- |

a.

tehnoloogia polübensotiasoolide või polübensoksasoolide arendamiseks ja tootmiseks;

| b. | tehnoloogia selliste fluoroelastomeerühendite arendamiseks ja tootmiseks, mis sisaldavad vähemalt ühte vinüüleetermonomeeri; |
| --- | --- |

b.

tehnoloogia selliste fluoroelastomeerühendite arendamiseks ja tootmiseks, mis sisaldavad vähemalt ühte vinüüleetermonomeeri;

| c. | Tehnoloogia järgmiste lähtematerjalide või mittekomposiitsete keraamiliste materjalide tootmiseks:






  1. | Lähtematerjalid, millel on kõik järgmised omadused:






  a. | üks järgmisest loetelust:






  1. | tsirkooniumi liht- või kompleksoksiidid ja räni või alumiiniumi kompleksoksiidid; |
| --- | --- | --- | --- | --- |

c.

Tehnoloogia järgmiste lähtematerjalide või mittekomposiitsete keraamiliste materjalide tootmiseks:

1.

Lähtematerjalid, millel on kõik järgmised omadused:

a.

üks järgmisest loetelust:

1.

tsirkooniumi liht- või kompleksoksiidid ja räni või alumiiniumi kompleksoksiidid;

| 2. | boori lihtnitriidid (kuubilise võrega kristallide kujul); |
| --- | --- |

2.

boori lihtnitriidid (kuubilise võrega kristallide kujul);

| 3. | räni või boori liht- või komplekskarbiidid; või |
| --- | --- |

3.

räni või boori liht- või komplekskarbiidid; või

| 4. | räni liht- või kompleksnitriidid; |
| --- | --- |

4.

räni liht- või kompleksnitriidid;

| b. | summaarne metalliliste lisandite hulk, välja arvatud spetsiaalselt lisatavad, on väiksem kui:






  1. | 1 000 miljondikosa lihtoksiidide või karbiidide korral; või |
| --- | --- | --- |

b.

summaarne metalliliste lisandite hulk, välja arvatud spetsiaalselt lisatavad, on väiksem kui:

1.

1 000 miljondikosa lihtoksiidide või karbiidide korral; või

| 2. | 5 000 miljondikosa kompleksühendite või lihtnitriidide korral; ja |
| --- | --- |

2.

5 000 miljondikosa kompleksühendite või lihtnitriidide korral; ja

| c. | mis tahes järgmiste omadustega:






  1. | tsirkooniumid, mille keskmine osakeste suurus ei ületa 1 μm ja kuni 10 % osakeste suurus ei ületa 5 μm; |
| --- | --- | --- |

c.

mis tahes järgmiste omadustega:

1.

tsirkooniumid, mille keskmine osakeste suurus ei ületa 1 μm ja kuni 10 % osakeste suurus ei ületa 5 μm;

| 2. | muud lähtematerjalid, mille keskmine osakeste suurus ei ületa 5 μm ja kuni 10 % osakeste suurus ei ületa 10 μm; või |
| --- | --- |

2.

muud lähtematerjalid, mille keskmine osakeste suurus ei ületa 5 μm ja kuni 10 % osakeste suurus ei ületa 10 μm; või

| 3. | millel on kõik järgmised omadused:






  a. | liistakud, mille pikkuse ja paksuse suhe ületab 5; |
| --- | --- | --- |

3.

millel on kõik järgmised omadused:

a.

liistakud, mille pikkuse ja paksuse suhe ületab 5;

| b. | niitkristallid, mille pikkuse ja läbimõõdu suhe ületab 10 läbimõõtude korral, mis on väiksemad kui 2 μm; ja |
| --- | --- |

b.

niitkristallid, mille pikkuse ja läbimõõdu suhe ületab 10 läbimõõtude korral, mis on väiksemad kui 2 μm; ja

| c. | pidev või tükeldatud kiud, mille läbimõõt on väiksem kui 10 μm; |
| --- | --- |

c.

pidev või tükeldatud kiud, mille läbimõõt on väiksem kui 10 μm;

| 2. | mittekomposiitsed keraamilised materjalid, mis on valmistatud punktis 1E002.c.1 nimetatud materjalidest;


  Märkus: Punkt 1E002.c.2 ei hõlma tehnoloogiat abrasiivide kavandamiseks või tootmiseks. |
| --- | --- |

2.

mittekomposiitsed keraamilised materjalid, mis on valmistatud punktis 1E002.c.1 nimetatud materjalidest;

Märkus: Punkt 1E002.c.2 ei hõlma tehnoloogiat abrasiivide kavandamiseks või tootmiseks.

| d. | tehnoloogia aromaatsete polüamiidkiudude tootmiseks; |
| --- | --- |

d.

tehnoloogia aromaatsete polüamiidkiudude tootmiseks;

| e. | tehnoloogia punktis 1C001 nimetatud materjalide installeerimiseks, hooldamiseks või parandamiseks; |
| --- | --- |

e.

tehnoloogia punktis 1C001 nimetatud materjalide installeerimiseks, hooldamiseks või parandamiseks;

| f. | tehnoloogia punktis 1A002, 1C007.c või 1C007.d nimetatud komposiitstruktuuride, -laminaatide või -materjalide parandamiseks.


  Märkus: Punkt 1E002.f ei hõlma tehnoloogiat, mis on vajalik tsiviilõhusõidukite tarindite remondiks, kasutades süsinikkiude ja -niitmaterjale ning epoksüvaike, mis sisalduvad õhusõidukivalmistaja käsiraamatus. |
| --- | --- |

f.

tehnoloogia punktis 1A002, 1C007.c või 1C007.d nimetatud komposiitstruktuuride, -laminaatide või -materjalide parandamiseks.

Märkus: Punkt 1E002.f ei hõlma tehnoloogiat, mis on vajalik tsiviilõhusõidukite tarindite remondiks, kasutades süsinikkiude ja -niitmaterjale ning epoksüvaike, mis sisalduvad õhusõidukivalmistaja käsiraamatus.

1E101
  Tehnoloogia üldmärkustele vastav tehnoloogia punktis 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115–1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111–1C117, 1D101 või 1D103 nimetatud kaupade kasutamiseks.

1E102
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia punktis 1D001, 1D101 või 1D103 nimetatud tarkvara arendamiseks.

1E103
  Tehnoloogia temperatuuri, rõhu või atmosfääri reguleerimiseks autoklaavides või hüdroklaavides komposiitide või osaliselt töödeldud komposiitide tootmisel.

1E104
  Tehnoloogia pürolüütiliselt saadud materjalide tootmiseks, mis on moodustunud valuvormil, spindlil või muul alusel lähtegaasidest, mis lagunevad temperatuurivahemikus 1 573 K (1 300 °C) kuni 3 173 K (2 900 C), rõhkudel 130 Pa kuni 20 kPa.

Märkus: Punkt 1E104 hõlmab tehnoloogiat lähtegaaside koostise jaoks, voolukiirusi ja protsessi juhtimise programmi ning parameetreid.

1E201
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia punktis 1A002, 1A202, 1A225–1A227, 1B201, 1B225–1B233, 1C002.a.2.c või 1C002.a.2.d, 1C010.b, 1C202, 1C210, 1C216, 1C225–1C240 või 1D201 nimetatud kaupade kasutamiseks.

1E202
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia punktis 1A202 või 1A225–1A227 nimetatud kaupade arendamiseks või tootmiseks.

1E203
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia punktis 1D201 nimetatud tarkvara arendamiseks.

2. KATEGOORIA

MATERJALIDE TÖÖTLEMINE

2ASüsteemid, seadmed ja komponendid

NB! Müravabade laagrite kohta vaata sõjalise otstarbega kaupade nimekirja.

2A001Veerelaagrid ja laagrisüsteemid ning nende komponendid:

Märkus: Punkt 2A001 ei hõlma kuule, mille tootja poolt määratud tolerantsid ISO 3290 standardi kohaselt vastavad täpsusklassile 5 või on halvemad.

| a. | kuullaagrid või tervikrull-laagrid, mille tootja määratletud tolerantsid vastavad ISO 492 täpsusklassile 4 (või ANSI/ABMA Std 20 täpsusklassile ABEC-7 või RBEC-7 või vastavatele siseriiklikele normidele) või on paremad ja mille veerevõrud ja -kehad on valmistatud monelmetallist või berülliumist;


  Märkus: Punkt 2A001 ei hõlma koonusrull-laagreid. |
| --- | --- |

a.

kuullaagrid või tervikrull-laagrid, mille tootja määratletud tolerantsid vastavad ISO 492 täpsusklassile 4 (või ANSI/ABMA Std 20 täpsusklassile ABEC-7 või RBEC-7 või vastavatele siseriiklikele normidele) või on paremad ja mille veerevõrud ja -kehad on valmistatud monelmetallist või berülliumist;

Märkus: Punkt 2A001 ei hõlma koonusrull-laagreid.

| b. | muud kuullaagrid või tervikrull-laagrid, mille tootja määratletud tolerantsid vastavad ISO 492 täpsusklassile 2 (või ANSI/ABMA Std 20 täpsusklassile ABEC-9 või RBEC-9 või vastavatele siseriiklikele normidele) või on paremad;


  Märkus: Punkt 2A001.b ei hõlma koonusrull-laagreid. |
| --- | --- |

b.

muud kuullaagrid või tervikrull-laagrid, mille tootja määratletud tolerantsid vastavad ISO 492 täpsusklassile 2 (või ANSI/ABMA Std 20 täpsusklassile ABEC-9 või RBEC-9 või vastavatele siseriiklikele normidele) või on paremad;

Märkus: Punkt 2A001.b ei hõlma koonusrull-laagreid.

| c. | aktiivsed magnetlaagrisüsteemid, mis kasutavad mõnda järgmistest:






  1. | materjalid, mille magnetvootihedus on 2,0 T või suurem ja voolavuspiir on üle 414 MPa; |
| --- | --- | --- |

c.

aktiivsed magnetlaagrisüsteemid, mis kasutavad mõnda järgmistest:

1.

materjalid, mille magnetvootihedus on 2,0 T või suurem ja voolavuspiir on üle 414 MPa;

| 2. | täiselektromagnetilised 3D homopolaarsed eelmagneetimiskonstruktsioonid ajamitele; või |
| --- | --- |

2.

täiselektromagnetilised 3D homopolaarsed eelmagneetimiskonstruktsioonid ajamitele; või

| 3. | kõrgetemperatuurilised (450 K (117 °C ja kõrgem) asendiandurid. |
| --- | --- |

3.

kõrgetemperatuurilised (450 K (117 °C ja kõrgem) asendiandurid.

2A225Tiiglid, mis on valmistatud vedelatele aktiniidmetallidele vastupidavatest materjalidest:

| a. | tiiglid, millel on mõlemad järgmised omadused:






  1. | mahutavus 150–8 000 cm3; ja |
| --- | --- | --- |

a.

tiiglid, millel on mõlemad järgmised omadused:

1.

mahutavus 150–8 000 cm3; ja

| 2. | valmistatud järgmistest materjalidest või kaetud mis tahes järgmiste materjalidega, mille puhtusaste on 98 massi% või rohkem:






  a. | kaltsiumfluoriid (CaF2); |
| --- | --- | --- |

2.

valmistatud järgmistest materjalidest või kaetud mis tahes järgmiste materjalidega, mille puhtusaste on 98 massi% või rohkem:

a.

kaltsiumfluoriid (CaF2);

| b. | kaltsiumtsirkonaat (metatsirkonaat) (CaZrO3); |
| --- | --- |

b.

kaltsiumtsirkonaat (metatsirkonaat) (CaZrO3);

| c. | tseeriumsulfiid (Ce2S3); |
| --- | --- |

c.

tseeriumsulfiid (Ce2S3);

| d. | erbiumoksiid (Er2O3); |
| --- | --- |

d.

erbiumoksiid (Er2O3);

| e. | hafniumoksiid (HfO2); |
| --- | --- |

e.

hafniumoksiid (HfO2);

| f. | magneesiumoksiid (MgO); |
| --- | --- |

f.

magneesiumoksiid (MgO);

| g. | nitriiditud nioobiumi-titaani-volframisulam, mis sisaldab ligikaudu 50 % Nb, 30 % Ti ja 20 % W; |
| --- | --- |

g.

nitriiditud nioobiumi-titaani-volframisulam, mis sisaldab ligikaudu 50 % Nb, 30 % Ti ja 20 % W;

| h. | ütriumoksiid (Y2O3); või |
| --- | --- |

h.

ütriumoksiid (Y2O3); või

| i. | tsirkooniumoksiid (ZrO2); |
| --- | --- |

i.

tsirkooniumoksiid (ZrO2);

| b. | tiiglid, millel on mõlemad järgmised omadused:






  1. | mahutavus 50–2 000 cm3; ja |
| --- | --- | --- |

b.

tiiglid, millel on mõlemad järgmised omadused:

1.

mahutavus 50–2 000 cm3; ja

| 2. | valmistatud tantaalist või kaetud tantaaliga, mille puhtusaste on 99,9 massi% või rohkem; |
| --- | --- |

2.

valmistatud tantaalist või kaetud tantaaliga, mille puhtusaste on 99,9 massi% või rohkem;

| c. | tiiglid, millel on kõik järgmised omadused:






  1. | mahutavus 50–2 000 cm3; |
| --- | --- | --- |

c.

tiiglid, millel on kõik järgmised omadused:

1.

mahutavus 50–2 000 cm3;

| 2. | valmistatud tantaalist või kaetud tantaaliga, mille puhtusaste on 98 massi% või rohkem; ja |
| --- | --- |

2.

valmistatud tantaalist või kaetud tantaaliga, mille puhtusaste on 98 massi% või rohkem; ja

| 3. | kaetud tantaalkarbiidi, -nitriidi või -boriidiga või nende kombinatsiooniga. |
| --- | --- |

3.

kaetud tantaalkarbiidi, -nitriidi või -boriidiga või nende kombinatsiooniga.

2A226Klapid, millel on kõik järgmised omadused:

| a. | nimisuurus 5 mm või rohkem; |
| --- | --- |

a.

nimisuurus 5 mm või rohkem;

| b. | omab lõõtstihendit; ja |
| --- | --- |

b.

omab lõõtstihendit; ja

| c. | valmistatud või kaetud alumiiniumiga, alumiiniumisulamiga, nikliga või niklisulamiga, mis sisaldab 60 massi% või rohkem niklit. |
| --- | --- |

c.

valmistatud või kaetud alumiiniumiga, alumiiniumisulamiga, nikliga või niklisulamiga, mis sisaldab 60 massi% või rohkem niklit.

Tehniline märkus:

Erinevate sisendava ja väljundava läbimõõtudega klappide korral tähistab punktis 2A226 nimimõõt väikseimat läbimõõtu.

2BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

Tehnilised märkused:

| 1. | Täiendavaid paralleelseid kontuurtelgesid (nt horisontaalsete karussellsisetreipinkide w-telg või teisene pöördtelg, mille pöörlemistelg on paralleelne põhitelje pöörlemisteljega) ei loeta kontuurtelgede koguhulka. Pöördteljed ei pea pöörlema üle 360°. Pöördtelge võib pöörlema panna lineaarseade (nt tigu- või hammaslattajam). |
| --- | --- |

1.

Täiendavaid paralleelseid kontuurtelgesid (nt horisontaalsete karussellsisetreipinkide w-telg või teisene pöördtelg, mille pöörlemistelg on paralleelne põhitelje pöörlemisteljega) ei loeta kontuurtelgede koguhulka. Pöördteljed ei pea pöörlema üle 360°. Pöördtelge võib pöörlema panna lineaarseade (nt tigu- või hammaslattajam).

| 2. | Nende telgede arv, mida võib samaaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks punkti 2B tähenduses, on telgede arv, mis mõjutavad mis tahes töödeldava detaili või tööriista, lõikepea või lihvimisketta, millega lõigatakse või eemaldatakse ainet töödeldavalt detaililt, omavahelist suhtelist liikumist. Sinna hulka ei loeta lisatelgi, mis mõjutavad muid suhtelisi liikumisi seadmes.

  Niisugused teljed hõlmavad:







  a. | lihvimisketaste rihtimissüsteemi lihvmasinaid; |
| --- | --- | --- |

2.

Nende telgede arv, mida võib samaaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks punkti 2B tähenduses, on telgede arv, mis mõjutavad mis tahes töödeldava detaili või tööriista, lõikepea või lihvimisketta, millega lõigatakse või eemaldatakse ainet töödeldavalt detaililt, omavahelist suhtelist liikumist. Sinna hulka ei loeta lisatelgi, mis mõjutavad muid suhtelisi liikumisi seadmes.

Niisugused teljed hõlmavad:

a.

lihvimisketaste rihtimissüsteemi lihvmasinaid;

| b. | paralleelseid pöördtelgesid, mis on kavandatud eraldi asuvate töödeldavate detailide paigaldamiseks; |
| --- | --- |

b.

paralleelseid pöördtelgesid, mis on kavandatud eraldi asuvate töödeldavate detailide paigaldamiseks;

| c. | kolineaarseid pöörlevaid abitelgesid, mis on kavandatud sama töödeldava detaili käsitsemiseks, hoides seda kinni erinevatest punktidest. |
| --- | --- |

c.

kolineaarseid pöörlevaid abitelgesid, mis on kavandatud sama töödeldava detaili käsitsemiseks, hoides seda kinni erinevatest punktidest.

| 3. | Telgede nimestik peab olema vastavuses rahvusvahelise standardiga ISO 841 Numerical Control Machines - Axis and Motion Nomenclature (numbrilised juhtimismasinad – telje ja liikumise nimestik). |
| --- | --- |

3.

Telgede nimestik peab olema vastavuses rahvusvahelise standardiga ISO 841 Numerical Control Machines - Axis and Motion Nomenclature (numbrilised juhtimismasinad – telje ja liikumise nimestik).

| 4. | Punktide 2B001–2B009 tähenduses loetakse kaldvõll pöördteljeks. |
| --- | --- |

4.

Punktide 2B001–2B009 tähenduses loetakse kaldvõll pöördteljeks.

| 5. | ISO 230/2 (1988) (1) või vastava siseriikliku standardi kohaselt sooritatud mõõtmiste põhjal kindlaksmääratud positsioneerimise täpsusastmeid võib kasutada iga konkreetse tööpingimudeli puhul eraldi iga tööpingi katsetamise asemel. Kindlaksmääratud positsioneerimistäpsus tähendab täpsuse väärtust, mis on ette nähtud selle asukohaliikmesriigi pädevate asutuste jaoks, kus eksportija tööpingi mudeli täpsuse esindajana asub.

  Kindlaksmääratud väärtuste määramine.







  a. | valida viis tööpinki hinnatavast mudelist; |
| --- | --- | --- |

5.

ISO 230/2 (1988) (1) või vastava siseriikliku standardi kohaselt sooritatud mõõtmiste põhjal kindlaksmääratud positsioneerimise täpsusastmeid võib kasutada iga konkreetse tööpingimudeli puhul eraldi iga tööpingi katsetamise asemel. Kindlaksmääratud positsioneerimistäpsus tähendab täpsuse väärtust, mis on ette nähtud selle asukohaliikmesriigi pädevate asutuste jaoks, kus eksportija tööpingi mudeli täpsuse esindajana asub.

a.

valida viis tööpinki hinnatavast mudelist;

| b. | mõõta lineaartelje täpsused vastavalt ISO 230/2 (1988)–le;
   (1) |
| --- | --- |

b.

mõõta lineaartelje täpsused vastavalt ISO 230/2 (1988)–le;
   (1)

| c. | määrata iga tööpingi iga telje A-väärtused. A-väärtuse arvutamine on kirjeldatud ISO standardis; |
| --- | --- |

c.

määrata iga tööpingi iga telje A-väärtused. A-väärtuse arvutamine on kirjeldatud ISO standardis;

| d. | määrata iga telje A-väärtuste keskväärtus. Sellest keskväärtusest Â saab uuritava mudeli iga telje kindlaksmääratud väärtus (Âx Ây...); |
| --- | --- |

d.

määrata iga telje A-väärtuste keskväärtus. Sellest keskväärtusest Â saab uuritava mudeli iga telje kindlaksmääratud väärtus (Âx Ây...);

| e. | kuna 2. kategooria nimekiri viitab igale lineaarsele teljele eraldi, siis on kindlaksmääratud väärtusi sama palju kui lineaarseid telgi; |
| --- | --- |

e.

kuna 2. kategooria nimekiri viitab igale lineaarsele teljele eraldi, siis on kindlaksmääratud väärtusi sama palju kui lineaarseid telgi;

| f. | kui mõni sellise tööpingi mudeli telg, mis ei ole kontrollitud punktide 2B001.a–2B001.c või 2B201-ga, omab kindlaksmääratud täpsust Â 6 mikronit lihvimispinkidel ja 8 mikronit frees- ja treipinkidel või paremat, peab valmistaja kinnitama täpsusastet kord kaheksateistkümne kuu jooksul. |
| --- | --- |

f.

kui mõni sellise tööpingi mudeli telg, mis ei ole kontrollitud punktide 2B001.a–2B001.c või 2B201-ga, omab kindlaksmääratud täpsust Â 6 mikronit lihvimispinkidel ja 8 mikronit frees- ja treipinkidel või paremat, peab valmistaja kinnitama täpsusastet kord kaheksateistkümne kuu jooksul.

2B001Tööpingid ja nende kombinatsioonid metallide, keraamika ja komposiitide töötlemiseks (või lõikamiseks), mis vastavalt tootja tehnilisele spetsifikatsioonile võivad olla varustatud elektroonsete arvjuhtimisseadmetega, ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid:

NB! VT KA PUNKTI 2B201.

Märkus 1: Punkt 2B001 ei hõlma eriotstarbelisi tööpinke, mida kasutatakse üksnes hammasrataste valmistamiseks. Selliste tööpinkide kohta vt punkti 2B003.

Märkus 2: 2B001 ei hõlma eriotstarbelisi tööpinke, mida kasutatakse üksnes järgmiste detailide tootmiseks:

| a. | väntvõllid või nukkvõllid; |
| --- | --- |

a.

väntvõllid või nukkvõllid;

| b. | tööriistad või lõiketerad; |
| --- | --- |

b.

tööriistad või lõiketerad;

| c. | pressi tiguvõll; |
| --- | --- |

c.

pressi tiguvõll;

| d. | graveeritud või lihvitud juveeltooted. |
| --- | --- |

d.

graveeritud või lihvitud juveeltooted.

Märkus 3: Tööpinke, millel on vähemalt kaks kolmest võimalusest – treimise, freesimise või lihvimise võimalus (nt. treipink, millel on ka freesimise võimalus) tuleb hinnata kõigi kohaldatavate punktide 2B001.a., 2B001.b. või 2B001.c. järgi.

| a. | Treipingid, millel on kõik järgmised omadused:






  1. | positsioneerimistäpsus koos kõigi olemasolevate kompensatsioonidega on võrdne või väiksem (parem) kui 6 μm (mõõdetuna piki mis tahes lineaartelge) vastavalt ISO standardile 230/2 (1988) (1) või vastavatele siseriiklikule standarditele; ja |
| --- | --- | --- |

a.

Treipingid, millel on kõik järgmised omadused:

1.

positsioneerimistäpsus koos kõigi olemasolevate kompensatsioonidega on võrdne või väiksem (parem) kui 6 μm (mõõdetuna piki mis tahes lineaartelge) vastavalt ISO standardile 230/2 (1988) (1) või vastavatele siseriiklikule standarditele; ja

| 2. | kaks või enam telge, mida võib üheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks; |
| --- | --- |

2.

kaks või enam telge, mida võib üheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks;

Märkus: Punkt 2B001.a ei hõlma treipinke, mis on spetsiaalselt ette nähtud kontaktläätsede valmistamiseks.

| b. | freespingid, millel on üks järgmistest omadustest:






  1. | mille on kõik järgmised omadused:






  a. | positsioneerimistäpsus koos kõigi olemasolevate kompensatsioonidega on võrdne või väiksem (parem) kui 6 μm (mõõdetuna piki mis tahes lineaartelge) vastavalt ISO standardile 230/2 (1988) (1) või vastavatele siseriiklikele standarditele; ja |
| --- | --- | --- | --- |

b.

freespingid, millel on üks järgmistest omadustest:

1.

mille on kõik järgmised omadused:

a.

positsioneerimistäpsus koos kõigi olemasolevate kompensatsioonidega on võrdne või väiksem (parem) kui 6 μm (mõõdetuna piki mis tahes lineaartelge) vastavalt ISO standardile 230/2 (1988) (1) või vastavatele siseriiklikele standarditele; ja

| b. | kolm lineaarset telge ja üks pöörlemistelg, mida saab üheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks. |
| --- | --- |

b.

kolm lineaarset telge ja üks pöörlemistelg, mida saab üheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks.

| 2. | viis või enam telge, mida saab üheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks; või |
| --- | --- |

2.

viis või enam telge, mida saab üheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks; või

| 3. | koordinaatpuurpinkide positsioneerimistäpsus, mis koos kõigi olemasolevate kompensatsioonidega on võrdne või väiksem (parem) kui 4 μm (mõõdetuna piki mis tahes lineaartelge) vastavalt ISO standardile 230/2 (1988) (1) või vastavatele siseriiklikule standarditele; |
| --- | --- |

3.

koordinaatpuurpinkide positsioneerimistäpsus, mis koos kõigi olemasolevate kompensatsioonidega on võrdne või väiksem (parem) kui 4 μm (mõõdetuna piki mis tahes lineaartelge) vastavalt ISO standardile 230/2 (1988) (1) või vastavatele siseriiklikule standarditele;

| 4. | lendteraga lõikeseadmed, millel on kõik järgmised omadused:






  a. | peavõlli aksiaallõtku ja viskumise koguväärtus on väiksem (parem) kui 0,0004 mm (TIR); ja |
| --- | --- | --- |

4.

lendteraga lõikeseadmed, millel on kõik järgmised omadused:

a.

peavõlli aksiaallõtku ja viskumise koguväärtus on väiksem (parem) kui 0,0004 mm (TIR); ja

| b. | liugliikumise nurkhälvete (võnkumine risti- ja pikisuunas ning pöördliikumine) koguväärtus 300 mm teekonnal on väiksem (parem) kui 2 kaaresekundit (TIR). |
| --- | --- |

b.

liugliikumise nurkhälvete (võnkumine risti- ja pikisuunas ning pöördliikumine) koguväärtus 300 mm teekonnal on väiksem (parem) kui 2 kaaresekundit (TIR).

| c. | lihvimispingid, millel on järgmised omadused:






  1. | millel on kõik järgmised omadused:






  a. | positsioneerimistäpsus koos kõigi olemasolevate kompensatsioonidega on võrdne või väiksem (parem) kui 4 μm (mõõdetuna piki mis tahes lineaartelge) vastavalt ISO standardile 230/2 (1988) (1) või vastavatele siseriiklikule standarditele; ja |
| --- | --- | --- | --- |

c.

lihvimispingid, millel on järgmised omadused:

1.

millel on kõik järgmised omadused:

a.

positsioneerimistäpsus koos kõigi olemasolevate kompensatsioonidega on võrdne või väiksem (parem) kui 4 μm (mõõdetuna piki mis tahes lineaartelge) vastavalt ISO standardile 230/2 (1988) (1) või vastavatele siseriiklikule standarditele; ja

| b. | kolm või enam telge, mida saab üheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks; või |
| --- | --- |

b.

kolm või enam telge, mida saab üheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks; või

| 2. | viis või enam telge, mida saab üheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks; |
| --- | --- |

2.

viis või enam telge, mida saab üheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks;

Märkus: Punkt 2B001.c ei hõlma järgmisi lihvimispinke:

| 1. | silindriliste välis-, sise- ja välis-sisepindade lihvimispingid järgmiste omadustega:








  a. | ainult silindriliste pindade lihvimiseks; ja |
| --- | --- | --- |

1.

silindriliste välis-, sise- ja välis-sisepindade lihvimispingid järgmiste omadustega:

a.

ainult silindriliste pindade lihvimiseks; ja

| b. | töödeldava detaili maksimaalne välisläbimõõt või pikkus võib olla 150 mm. |
| --- | --- |

b.

töödeldava detaili maksimaalne välisläbimõõt või pikkus võib olla 150 mm.

| 2. | tööpingid, mis on spetsiaalselt kavandatud koordinaatlihvimispinkideks ja millel on järgmised omadused:








  a. | C-telge kasutatakse lihvimisketta hoidmiseks risti tööpinnaga; või |
| --- | --- | --- |

2.

tööpingid, mis on spetsiaalselt kavandatud koordinaatlihvimispinkideks ja millel on järgmised omadused:

a.

C-telge kasutatakse lihvimisketta hoidmiseks risti tööpinnaga; või

| b. | A-telg on konfigureeritud lihvima silindernukke. |
| --- | --- |

b.

A-telg on konfigureeritud lihvima silindernukke.

| 3. | pinnalihvimispingid. |
| --- | --- |

3.

pinnalihvimispingid.

| d. | juhtmeteta elektroerosioonpingid (EDM), millel on kaks või enam pöördtelge, mida saab üheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks; |
| --- | --- |

d.

juhtmeteta elektroerosioonpingid (EDM), millel on kaks või enam pöördtelge, mida saab üheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks;

| e. | tööpingid metallide, keraamika ja komposiitide eemaldamiseks, mille on kõik järgmised omadused:






  1. | kasutavad materjalide eemaldamiseks üht järgmistest moodustest:






  a. | vee- või muude vedelike joad, kaasa arvatud need, mis sisaldavad abrasiivlisandeid; |
| --- | --- | --- | --- |

e.

tööpingid metallide, keraamika ja komposiitide eemaldamiseks, mille on kõik järgmised omadused:

1.

kasutavad materjalide eemaldamiseks üht järgmistest moodustest:

a.

vee- või muude vedelike joad, kaasa arvatud need, mis sisaldavad abrasiivlisandeid;

| b. | elektronkiir; või |
| --- | --- |

b.

elektronkiir; või

| c. | laserkiir; ja |
| --- | --- |

c.

laserkiir; ja

| 2. | millel on kaks või enam pöördtelge:






  a. | mida saab üheaegselt kontuurjuhtimiseks koordineerida; ja |
| --- | --- | --- |

2.

millel on kaks või enam pöördtelge:

a.

mida saab üheaegselt kontuurjuhtimiseks koordineerida; ja

| b. | mille positsioneerimistäpsus on väiksem (parem) kui 0,003°; |
| --- | --- |

b.

mille positsioneerimistäpsus on väiksem (parem) kui 0,003°;

| f. | puurpingid sügavate aukude puurimiseks ning sügavate aukude puurimiseks kohandatud treipingid, mis võimaldavad puuritava augu maksimaalseks sügavuseks 5 000 mm ja enam, ning spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid. |
| --- | --- |

f.

puurpingid sügavate aukude puurimiseks ning sügavate aukude puurimiseks kohandatud treipingid, mis võimaldavad puuritava augu maksimaalseks sügavuseks 5 000 mm ja enam, ning spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid.

2B002Arvjuhtimisega tööpingid, mis kasutavad magneto-reoloogilist [W] viimistlusprotsessi (magnetorheological finishing process) (MRF).

Tehniline märkus:

Punkti 2B002 tähenduses on MRF materjali eemaldamise protsess, milles kasutatakse abrasiivset magnetilist vedelikku, mille viskoossust reguleerib magnetväli.

2B003Arv- ja käsijuhtimisega tööpingid ning spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid, juhtimis- ja lisaseadmed, mis on ette nähtud karastatud (Rc = 40 või enam), sirghammastega silinderrataste, kaldhammasrataste ja noolhammasrataste, mille jaotusringjoone läbimõõt on suurem kui 1 250 mm ning mille hamba tööpinna laius on 15 % jaotusringjoone läbimõõdust või enam ning mis on viimistletud AGMA 14 või parema kvaliteediga (võrdne ISO 1328 klass 3-ga), lõikamiseks, viimistlemiseks, lihvimiseks või hoonimiseks.

2B004Kuumisostaatpressid ning spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid ja lisaseadmed, millel on kõik järgmised omadused:

NB! VT KA PUNKTE 2B104 JA 2B204.

| a. | termiliselt kontrollitav keskkond suletud töökambris ning kambri siseläbimõõt on 406 mm või rohkem; ja |
| --- | --- |

a.

termiliselt kontrollitav keskkond suletud töökambris ning kambri siseläbimõõt on 406 mm või rohkem; ja

| b. | mis tahes järgmistest:






  1. | maksimaalne töörõhk üle 207 MPa; |
| --- | --- | --- |

b.

mis tahes järgmistest:

1.

maksimaalne töörõhk üle 207 MPa;

| 2. | kontrollitava termilise keskkonna temperatuur üle 1 773 K (1 500 °C); või |
| --- | --- |

2.

kontrollitava termilise keskkonna temperatuur üle 1 773 K (1 500 °C); või

| 3. | võimalus süsivesinikega impregneerimiseks ja tekkivate gaasiliste lagunemisproduktide eemaldamiseks. |
| --- | --- |

3.

võimalus süsivesinikega impregneerimiseks ja tekkivate gaasiliste lagunemisproduktide eemaldamiseks.

Tehniline märkus:

Kambri sisemõõde tähendab kambri selle osa mõõte, milles saavutatakse samaaegselt nii töötemperatuur kui ka töörõhk, ning siia ei arvestata kinnitusrakiseid. See mõõde on väiksem kas rõhukambri sisediameetrist või isoleeritud ahju sisediameetrist, sõltuvalt sellest, kumb kahest eespool nimetatud kambrist asub teise sees.

NB! Spetsiaalselt konstrueeritud stantside, valuvormide ning tööriistade kohta vaata punkte 1B003, 9B009 ja sõjalise otstarbega kaupade nimekirja.

2B005Seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud anorgaaniliste kihtide, pinnakatete ja pinna modifikatsioonide sadestamiseks ja töötlemiseks mitteelektroonsetele põhimikele ning protsessi käigu kontrollimiseks selliste menetluste abil, mis on esitatud punkti 2E003.f tabelis ja märkustes ning spetsiaalselt nende seadmete automaatseks kasutamiseks, positsioneerimiseks, käsitsemiseks ja kontrolliks kavandatud komponendid:

| a. | programmeeritavad keemilise aurustamise-sadestamise (CVD) seadmed, millel on kõik järgmised omadused:

  NB! VT KA PUNKTI 2B105.







  1. | ühe järgneva modifitseeritud protsessi kasutamine:






  a. | CVD-katmine pulseeriva rõhu juures; |
| --- | --- | --- | --- |

a.

programmeeritavad keemilise aurustamise-sadestamise (CVD) seadmed, millel on kõik järgmised omadused:

NB! VT KA PUNKTI 2B105.

1.

ühe järgneva modifitseeritud protsessi kasutamine:

a.

CVD-katmine pulseeriva rõhu juures;

| b. | kontrollitud idustamisega termiline sadestamine (CNTD); või |
| --- | --- |

b.

kontrollitud idustamisega termiline sadestamine (CNTD); või

| c. | plasmaaktiveeritud või plasma osalusel CVD; ja |
| --- | --- |

c.

plasmaaktiveeritud või plasma osalusel CVD; ja

| 2. | mis tahes järgmistest:






  a. | kasutatakse pöörlevaid kõrgvaakumtihendeid (rõhk 0,01 Pa või vähem); või |
| --- | --- | --- |

2.

mis tahes järgmistest:

a.

kasutatakse pöörlevaid kõrgvaakumtihendeid (rõhk 0,01 Pa või vähem); või

| b. | protsessi käigus kontrollitakse pidevalt katte paksust reaalajas (in situ); |
| --- | --- |

b.

protsessi käigus kontrollitakse pidevalt katte paksust reaalajas (in situ);

| b. | programmeeritavad ioonlegeerimisseadmed, milles ioonivoo vool on 5 mA või rohkem; |
| --- | --- |

b.

programmeeritavad ioonlegeerimisseadmed, milles ioonivoo vool on 5 mA või rohkem;

| c. | programmeeritavad elektronkiire abil toimuva aurustamise-sadestamise (EB-PVD) seadmed nimivõimsusega kokku üle 80 kW, millel on üks järgmistest omadustest:






  1. | vannis vedelikutaseme laserkontrollisüsteem, mis reguleerib täpselt kangide söötmiskiirust; või |
| --- | --- | --- |

c.

programmeeritavad elektronkiire abil toimuva aurustamise-sadestamise (EB-PVD) seadmed nimivõimsusega kokku üle 80 kW, millel on üks järgmistest omadustest:

1.

vannis vedelikutaseme laserkontrollisüsteem, mis reguleerib täpselt kangide söötmiskiirust; või

| 2. | arvuti abil juhitav kiirusemonitor, mis kontrollib kaht või enamat elementi sisaldava katte sadestamise kiirust ning toimib auruvoos ioniseeritud aatomite fotoluminestsentsi mõõtmise põhimõttel. |
| --- | --- |

2.

arvuti abil juhitav kiirusemonitor, mis kontrollib kaht või enamat elementi sisaldava katte sadestamise kiirust ning toimib auruvoos ioniseeritud aatomite fotoluminestsentsi mõõtmise põhimõttel.

| d. | programmeeritavad plasmapihustusseadmed, millel on järgmised omadused:






  1. | protsess viiakse läbi madalal rõhul kontrollitavas atmosfääris (10 kPa või vähem, mõõdetuna kahuri väljunddüüsi kohal 300 mm piirides) vaakumkambris, milles on võimalik vähendada rõhku kuni 0,01 Pa enne pihustamisprotsessi algust; või |
| --- | --- | --- |

d.

programmeeritavad plasmapihustusseadmed, millel on järgmised omadused:

1.

protsess viiakse läbi madalal rõhul kontrollitavas atmosfääris (10 kPa või vähem, mõõdetuna kahuri väljunddüüsi kohal 300 mm piirides) vaakumkambris, milles on võimalik vähendada rõhku kuni 0,01 Pa enne pihustamisprotsessi algust; või

| 2. | protsessi käigus kontrollitakse pidevalt katte paksust reaalajas (in situ); |
| --- | --- |

2.

protsessi käigus kontrollitakse pidevalt katte paksust reaalajas (in situ);

| e. | programmeeritavad atomisatsioonsadestusseadmed, mis võimaldavad voolutihedust 0,1 mA/mm2 või rohkem sadestuskiirusel 15 μm/h või rohkem; |
| --- | --- |

e.

programmeeritavad atomisatsioonsadestusseadmed, mis võimaldavad voolutihedust 0,1 mA/mm2 või rohkem sadestuskiirusel 15 μm/h või rohkem;

| f. | programmeeritavad katoodsadestusseadmed, mis sisaldavad elektromagnetitest võret kaare otspunkti juhtimiseks katoodil; |
| --- | --- |

f.

programmeeritavad katoodsadestusseadmed, mis sisaldavad elektromagnetitest võret kaare otspunkti juhtimiseks katoodil;

| g. | programmeeritavad ioonpindamisseadmed, mis võimaldavad protsessi käigus pidevalt reaalajas (in situ) mõõta ükskõik kumba järgmistest:






  1. | kattekihi paksus põhimikul ja sadestuskiirus; või |
| --- | --- | --- |

g.

programmeeritavad ioonpindamisseadmed, mis võimaldavad protsessi käigus pidevalt reaalajas (in situ) mõõta ükskõik kumba järgmistest:

1.

kattekihi paksus põhimikul ja sadestuskiirus; või

| 2. | optilised omadused. |
| --- | --- |

2.

optilised omadused.

Märkus: Punkt 2B005 ei hõlma keemilise aurustamise-sadestamise, katoodsadestuse, atomisatsioonsadestuse, ioonpindamise või ioonlegeerimise seadmeid, mis on spetsiaalselt kavandatud lõikamis- või tööriistade jaoks.

2B006Mõõtmelised kontrolli- või mõõtesüsteemid ja -seadmed:

| a. | arvutiga juhitavad, arvjuhitavad või programmeeritavad koordinaatmõõtemasinad (CMM), millel kolmemõõtmeline (ruumiline) lubatud piirviga (MPEE) on masina tööpiirkonna igas punktis (st telgede pikkuse ulatuses) võrdne või väiksem (parem) kui (1,7 + L/1 000) μm (L on mõõdetud pikkus millimeetrites), mõõtes vastavalt ISO standardile 10360-2 (2001); |
| --- | --- |

a.

arvutiga juhitavad, arvjuhitavad või programmeeritavad koordinaatmõõtemasinad (CMM), millel kolmemõõtmeline (ruumiline) lubatud piirviga (MPEE) on masina tööpiirkonna igas punktis (st telgede pikkuse ulatuses) võrdne või väiksem (parem) kui (1,7 + L/1 000) μm (L on mõõdetud pikkus millimeetrites), mõõtes vastavalt ISO standardile 10360-2 (2001);

NB! VT KA PUNKTI 2B206.

| b. | lineaarse ja nurknihke mõõtevahendid:






  1. | lineaarnihke mõõtevahendid, millel on mis tahes järgmised omadused:
  Tehniline märkus:

  Punktis 2B006.b.1 tähendab lineaarnihe mõõtepea ja mõõdetava objekti vahelise kauguse muutust.







  a. | mittekontakt-tüüpi mõõtesüsteemid, mille eraldusvõime on kuni 0,2 mm mõõtepiirkonnas 0,2 μm või vähem (parem); |
| --- | --- | --- | --- |

b.

lineaarse ja nurknihke mõõtevahendid:

1.

lineaarnihke mõõtevahendid, millel on mis tahes järgmised omadused:

Tehniline märkus:

Punktis 2B006.b.1 tähendab lineaarnihe mõõtepea ja mõõdetava objekti vahelise kauguse muutust.

a.

mittekontakt-tüüpi mõõtesüsteemid, mille eraldusvõime on kuni 0,2 mm mõõtepiirkonnas 0,2 μm või vähem (parem);

| b. | lineaarpinge diferentsiaaltransformaatorsüsteemid, millel on kõik järgmised omadused:






  1. | lineaarsus on 0,1 % või vähem (parem) kuni 5mm mõõtepiirkonnas; ja |
| --- | --- | --- |

b.

lineaarpinge diferentsiaaltransformaatorsüsteemid, millel on kõik järgmised omadused:

1.

lineaarsus on 0,1 % või vähem (parem) kuni 5mm mõõtepiirkonnas; ja

| 2. | triiv on väiksem (parem) kui 0,1 % päevas või sellega võrdne kontrollruumi standardtemperatuuri kõikumisel ± 1K; või |
| --- | --- |

2.

triiv on väiksem (parem) kui 0,1 % päevas või sellega võrdne kontrollruumi standardtemperatuuri kõikumisel ± 1K; või

| c. | mõõtesüsteemid, millel on kõik järgmised omadused:






  1. | sisaldavad laserit; ja |
| --- | --- | --- |

c.

mõõtesüsteemid, millel on kõik järgmised omadused:

1.

sisaldavad laserit; ja

| 2. | säilitavad vähemalt 12 tunni jooksul standardtemperatuuri kõikumisel ± 1 K ja standardrõhul kõik järgmised omadused:






  a. | eraldusvõime mõõteskaala täisulatuses 0,1 μm või vähem (parem); ja |
| --- | --- | --- |

2.

säilitavad vähemalt 12 tunni jooksul standardtemperatuuri kõikumisel ± 1 K ja standardrõhul kõik järgmised omadused:

a.

eraldusvõime mõõteskaala täisulatuses 0,1 μm või vähem (parem); ja

| b. | mõõtehälve on (0,2+L/2 000) μm (L on mõõdetud pikkus millimeetrites) või sellest väiksem (parem); |
| --- | --- |

b.

mõõtehälve on (0,2+L/2 000) μm (L on mõõdetud pikkus millimeetrites) või sellest väiksem (parem);

Märkus: Punkt 2B006.b.1 ei hõlma interferomeetrilisi mõõtesüsteeme, millel puudub avatud või suletud tagasisideahel, ja mis sisaldavad laserit tööpingi, mõõtekontrollimehhanismide või sarnaste seadmete nihkuri liikumise vigade mõõtmiseks.

| 2. | nurknihke mõõtevahendid, mille mõõtehälve on 0,00025° või vähem (parem);


  Märkus: Punkt 2B006.b.2 ei hõlma optilisi seadmeid, nagu autokollimaatorid, mis kasutavad kollimeeritud valgust (nt laservalgust) peegli nurknihke määramiseks. |
| --- | --- |

2.

nurknihke mõõtevahendid, mille mõõtehälve on 0,00025° või vähem (parem);

Märkus: Punkt 2B006.b.2 ei hõlma optilisi seadmeid, nagu autokollimaatorid, mis kasutavad kollimeeritud valgust (nt laservalgust) peegli nurknihke määramiseks.

| c. | seadmed pinna ebakorrapärasuste mõõtmiseks, mis mõõdavad optilist hajumist nurga funktsioonina, tundlikkusega 0,5 nm või vähem (parem). |
| --- | --- |

c.

seadmed pinna ebakorrapärasuste mõõtmiseks, mis mõõdavad optilist hajumist nurga funktsioonina, tundlikkusega 0,5 nm või vähem (parem).

Märkus: Tööpingid, mida võib kasutada mõõtemehhanismidena, kuuluvad kontrolli alla, kui nad vastavad või ületavad tööpinkide või mõõtemehhanismide funktsioonidele kindlaksmääratud kriteeriume.

2B007
  Robotid, millel on järgmised tehnilised omadused, ning spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud juhtimisseadmed ja tööorganid:

NB! VT KA PUNKTI 2B207.

| a. | on võimelised kolmemõõtmelise kujutise täielikuks töötluseks või vaadeldava ruumilise tööala koos objektidega (stseeni) täielikuks kolmemõõtmeliseks analüüsiks reaalajas, et genereerida või teisendada programme või et genereerida või teisendada programmi arvandmeid.
  Tehniline märkus:

  Stseenianalüüsi piirang ei haara kolmanda mõõtme lähendusi, kui vaadatakse antud nurga all, või piiratud hallskaala tõlgendusi sügavuse või tekstuuri tajumiseks heakskiidetud ülesannete jaoks (21/2 D). |
| --- | --- |

a.

on võimelised kolmemõõtmelise kujutise täielikuks töötluseks või vaadeldava ruumilise tööala koos objektidega (stseeni) täielikuks kolmemõõtmeliseks analüüsiks reaalajas, et genereerida või teisendada programme või et genereerida või teisendada programmi arvandmeid.

Tehniline märkus:

Stseenianalüüsi piirang ei haara kolmanda mõõtme lähendusi, kui vaadatakse antud nurga all, või piiratud hallskaala tõlgendusi sügavuse või tekstuuri tajumiseks heakskiidetud ülesannete jaoks (21/2 D).

| b. | on spetsiaalselt projekteeritud rahuldama siseriiklikke ohutusnorme, mida kohaldatakse plahvatusohtliku sõjamoona ümbruses; |
| --- | --- |

b.

on spetsiaalselt projekteeritud rahuldama siseriiklikke ohutusnorme, mida kohaldatakse plahvatusohtliku sõjamoona ümbruses;

| c. | on spetsiaalselt projekteeritud või liigitatud kiirgustkestvana, võimelisena taluma summaarset kiirgusdoosi 5 × 103 Gy (räni) või suuremat, ilma toimimisvõime languseta; või

  Tehniline märkus:

  Termin" Gy (räni)" tähistab ühes kilogrammis ekraneerimata räniproovis seda ioniseeriva kiirgusega kiiritamisel neeldunud energiahulka džaulides. |
| --- | --- |

c.

on spetsiaalselt projekteeritud või liigitatud kiirgustkestvana, võimelisena taluma summaarset kiirgusdoosi 5 × 103 Gy (räni) või suuremat, ilma toimimisvõime languseta; või

Tehniline märkus:

Termin" Gy (räni)" tähistab ühes kilogrammis ekraneerimata räniproovis seda ioniseeriva kiirgusega kiiritamisel neeldunud energiahulka džaulides.

| d. | spetsiaalselt ette nähtud töötama kõrgemal kui 30 000 m. |
| --- | --- |

d.

spetsiaalselt ette nähtud töötama kõrgemal kui 30 000 m.

2B008Agregaadid või moodulid, mis on spetsiaalselt ette nähtud tööpinkide jaoks, või mõõtmelised kontrolli- või mõõtesüsteemid ja -seadmed:

| a. | lineaarasendi tagasiside moodulid, (nt induktiivanduriga seadmed, kalibreerimisskaalad, infrapuna- ja lasersüsteemid), mille üldine täpsus on väiksem (parem) kui (800 + (600 × L × 10 –3)) nm (L on võrdne efektiivpikkusega mm-s);


  NB! Lasersüsteemide kohta vaata ka märkust punktis 2B006.b.1. |
| --- | --- |

a.

lineaarasendi tagasiside moodulid, (nt induktiivanduriga seadmed, kalibreerimisskaalad, infrapuna- ja lasersüsteemid), mille üldine täpsus on väiksem (parem) kui (800 + (600 × L × 10 –3)) nm (L on võrdne efektiivpikkusega mm-s);

NB! Lasersüsteemide kohta vaata ka märkust punktis 2B006.b.1.

| b. | pöördasendi tagasiside moodulid (nt induktiivanduriga seadmed, kalibreerimisskaalad, infrapuna- ja lasersüsteemid), mille täpsus on väiksem (parem) kui 0,00025°;


  NB! Lasersüsteemide kohta vaata ka märkust punktis 2B006.b.1. |
| --- | --- |

b.

pöördasendi tagasiside moodulid (nt induktiivanduriga seadmed, kalibreerimisskaalad, infrapuna- ja lasersüsteemid), mille täpsus on väiksem (parem) kui 0,00025°;

NB! Lasersüsteemide kohta vaata ka märkust punktis 2B006.b.1.

| c. | liitpöördlauad ja kaldvõllid, mis võimaldavad metallilõikepinke vastavalt tootja spetsifikatsioonidele täiustada, saavutades või ületades punktis 2B kirjeldatud taseme. |
| --- | --- |

c.

liitpöördlauad ja kaldvõllid, mis võimaldavad metallilõikepinke vastavalt tootja spetsifikatsioonidele täiustada, saavutades või ületades punktis 2B kirjeldatud taseme.

2B009Trugimis- ja tõukamispingid, mis vastavalt tootja tehnilisele kirjeldusele võivad olla varustatud arvjuhtimismooduliga või arvutijuhtimisega ja millel on kõik järgmised omadused:

NB! VT KA PUNKTE 2B109 JA 2B209.

| a. | kahe või enama juhitava teljega, millest vähemalt kaht on võimalik üheaegselt kontuurjuhtimiseks koordineerida; ja |
| --- | --- |

a.

kahe või enama juhitava teljega, millest vähemalt kaht on võimalik üheaegselt kontuurjuhtimiseks koordineerida; ja

| b. | valtsimisjõud üle 60 kN. |
| --- | --- |

b.

valtsimisjõud üle 60 kN.

Tehniline märkus:

Tööpinke, milles on ühendatud nii trugimise kui ka tõukamise põhimõtted, käsitletakse punkti 2B009 tähenduses tõukamispinkidena.

2B104
  Isostaatpressid, muud kui punktis 2B004 nimetatud, millel on kõik järgmised omadused:

NB! VT KA PUNKTI 2B204.

| a. | maksimaalne töörõhk 69 MPa või suurem; |
| --- | --- |

a.

maksimaalne töörõhk 69 MPa või suurem;

| b. | konstrueeritud reguleeritava soojusliku 873 K (600 °C) või kõrgema temperatuurilise keskkonna saavutamiseks ning säilitamiseks; ja |
| --- | --- |

b.

konstrueeritud reguleeritava soojusliku 873 K (600 °C) või kõrgema temperatuurilise keskkonna saavutamiseks ning säilitamiseks; ja

| c. | kambriõõnsuse siseläbimõõt on 254 mm või rohkem. |
| --- | --- |

c.

kambriõõnsuse siseläbimõõt on 254 mm või rohkem.

2B105Keemilise aurustamise-sadestamise (CVD) ahjud, muud kui punktis 2B005.a nimetatud, mis on kavandatud või kohandatud süsinik-süsinik-komposiitide tihendamiseks.

2B109Tõukamispingid, muud kui punktis 2B009 nimetatud, ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid:

NB! VT KA PUNKTI 2B209.

| a. | tõukamispingid, millel on kõik järgmised omadused:






  1. | vastavalt tootja tehnilisele kirjeldusele võivad olla varustatud arvjuhtimismooduli või arvutijuhtimisega ka siis, kui nad seda algselt ei ole; ja |
| --- | --- | --- |

a.

tõukamispingid, millel on kõik järgmised omadused:

1.

vastavalt tootja tehnilisele kirjeldusele võivad olla varustatud arvjuhtimismooduli või arvutijuhtimisega ka siis, kui nad seda algselt ei ole; ja

| 2. | kahe või enama juhitava teljega, millest vähemalt kaht on võimalik üheaegselt kontuurjuhtimiseks koordineerida. |
| --- | --- |

2.

kahe või enama juhitava teljega, millest vähemalt kaht on võimalik üheaegselt kontuurjuhtimiseks koordineerida.

| b. | spetsiaalselt punktis 2B009 või 2B109.a nimetatud tõukamispinkide jaoks konstrueeritud komponendid. |
| --- | --- |

b.

spetsiaalselt punktis 2B009 või 2B109.a nimetatud tõukamispinkide jaoks konstrueeritud komponendid.

Märkus: Punkt 2B109 ei hõlma masinaid, mis ei ole kasutatavad tõukemootori komponentide ja seadmete (nt mootorikestad) tootmiseks punktis 9A005, 9A007.a või 9A105.a nimetatud süsteemidele.

Tehniline märkus:

Tööpinke, milles on ühendatud nii trugimise kui ka tõukamise põhimõtted, käsitletakse punkti 2B009 tähenduses tõukamispinkidena.

2B116Vibratsiooni katsetamise süsteemid, seadmed ja komponendid:

| a. | vibratsiooni katsetamise süsteemid, milles kasutatakse tagasisidet või suletud ahela tehnikat ja mis sisaldab numbrilist kontrollerit ning on võimeline väristama süsteemi kiirendusega 10 g (ruutkeskmine väärtus) või rohkem sagedusvahemikus 20–2 000Hz ja tekitada jõudu 50 kN või rohkem, mõõdetuna tühjal aluslaual; |
| --- | --- |

a.

vibratsiooni katsetamise süsteemid, milles kasutatakse tagasisidet või suletud ahela tehnikat ja mis sisaldab numbrilist kontrollerit ning on võimeline väristama süsteemi kiirendusega 10 g (ruutkeskmine väärtus) või rohkem sagedusvahemikus 20–2 000Hz ja tekitada jõudu 50 kN või rohkem, mõõdetuna tühjal aluslaual;

| b. | digitaalkontrollerid, mis on varustatud spetsiaalse vibratsioonikatsetuste tarkvaraga, mille reaalajaline ribalaius on üle 5 kHz ja mis on ette nähtud punktis 2B116.a nimetatud vibratsiooni katsetamise süsteemidele; |
| --- | --- |

b.

digitaalkontrollerid, mis on varustatud spetsiaalse vibratsioonikatsetuste tarkvaraga, mille reaalajaline ribalaius on üle 5 kHz ja mis on ette nähtud punktis 2B116.a nimetatud vibratsiooni katsetamise süsteemidele;

| c. | väristajad (raputusmoodulid), võimenditega või ilma, mis võimaldavad tekitada jõudu 50 kN või rohkem, mõõdetuna tühjal aluslaual, ning on kasutatavad punktis 2B116.a nimetatud vibratsiooni katsetamise süsteemides; |
| --- | --- |

c.

väristajad (raputusmoodulid), võimenditega või ilma, mis võimaldavad tekitada jõudu 50 kN või rohkem, mõõdetuna tühjal aluslaual, ning on kasutatavad punktis 2B116.a nimetatud vibratsiooni katsetamise süsteemides;

| d. | katsekehade toetustarindid ja elektroonikamoodulid, mis on ette nähtud paljude raputusmoodulite kombineerimiseks süsteemi, mis võimaldab saavutada efektiivset kombineeritud jõudu 50 kN või rohkem, mõõdetuna tühjal aluslaual, ning on kasutatavad punktis 2B116.a nimetatud vibratsioonisüsteemides. |
| --- | --- |

d.

katsekehade toetustarindid ja elektroonikamoodulid, mis on ette nähtud paljude raputusmoodulite kombineerimiseks süsteemi, mis võimaldab saavutada efektiivset kombineeritud jõudu 50 kN või rohkem, mõõdetuna tühjal aluslaual, ning on kasutatavad punktis 2B116.a nimetatud vibratsioonisüsteemides.

Tehniline märkus:

Punktis 2B116 tähendab tühi laud tasast lauda või pinda, millel puuduvad kinnitusrakised ja abidetailid.

2B117Seadmete ja protsesside juhtimissüsteemid, muud kui punktis 2B004, 2B005.a, 2B104 või 2B105 nimetatud, mis on kavandatud või kohandatud raketidüüside ja atmosfääri taassisenevate lennuaparaatide ninamike otste struktuurkomposiitide tihendamiseks ja pürolüüsiks.

2B119Järgmised balansseerpingid ja nendega seotud seadmed:

NB! VT KA PUNKTI 2B219.

| a. | balansseerpingid, millel on kõik järgmised omadused:






  1. | ei suuda tasakaalustada rootoreid/sõlmi, mille mass on suurem kui 3 kg; |
| --- | --- | --- |

a.

balansseerpingid, millel on kõik järgmised omadused:

1.

ei suuda tasakaalustada rootoreid/sõlmi, mille mass on suurem kui 3 kg;

| 2. | on võimelised tasakaalustama rootoreid/sõlmi suurematel kiirustel kui 12 500 p/min; |
| --- | --- |

2.

on võimelised tasakaalustama rootoreid/sõlmi suurematel kiirustel kui 12 500 p/min;

| 3. | on võimelised korrigeerima tasakaalustamatust kahel või rohkemal tasandil; ja |
| --- | --- |

3.

on võimelised korrigeerima tasakaalustamatust kahel või rohkemal tasandil; ja

| 4. | on võimelised tasakaalustama spetsiifilise jääktasakaalustamatuseni 0,2 g mm kilogrammi rootori massi kohta; |
| --- | --- |

4.

on võimelised tasakaalustama spetsiifilise jääktasakaalustamatuseni 0,2 g mm kilogrammi rootori massi kohta;

Märkus: Punkt 2B119 ei hõlma balansseerpinke, mis on kavandatud või kohandatud hambaravi- või muudeks meditsiiniseadmeteks.

| b. | indikaatorite pead, mis on kavandatud või kohandatud kasutamiseks punktis 2B119.a nimetatud masinatel.
  Tehniline märkus:

  Indikaatorite pead on mõnel juhul tuntud tasakaalustusseadmestikuna. |
| --- | --- |

b.

indikaatorite pead, mis on kavandatud või kohandatud kasutamiseks punktis 2B119.a nimetatud masinatel.

Tehniline märkus:

Indikaatorite pead on mõnel juhul tuntud tasakaalustusseadmestikuna.

2B120Liikumissimulaatorid või pöörlemislauad, millel on kõik järgmised omadused:

| a. | kaks või rohkem telge; |
| --- | --- |

a.

kaks või rohkem telge;

| b. | kontaktrõngad, mis on võimelised edasi kandma elektrienergiat ja/või informatsiooni signaale; ja |
| --- | --- |

b.

kontaktrõngad, mis on võimelised edasi kandma elektrienergiat ja/või informatsiooni signaale; ja

| c. | mis tahes järgmise omadusega:






  1. | mis tahes üksikul teljel on kõik järgmised omadused:






  a. | võimaldavad kiirust 400 kraadi sekundis või rohkem või 30 kraadi sekundis või vähem; ja |
| --- | --- | --- | --- |

c.

mis tahes järgmise omadusega:

1.

mis tahes üksikul teljel on kõik järgmised omadused:

a.

võimaldavad kiirust 400 kraadi sekundis või rohkem või 30 kraadi sekundis või vähem; ja

| b. | nurkkiiruse eristamisvõime on 6 kraadi sekundis või vähem ja täpsus 0,6 kraadi sekundis või vähem; |
| --- | --- |

b.

nurkkiiruse eristamisvõime on 6 kraadi sekundis või vähem ja täpsus 0,6 kraadi sekundis või vähem;

| 2. | halvimal juhul on kiiruse stabiilsus võrdne või parem (vähem) kui pluss või miinus 0,05 % keskmistatuna üle 10 kraadi või enama; või |
| --- | --- |

2.

halvimal juhul on kiiruse stabiilsus võrdne või parem (vähem) kui pluss või miinus 0,05 % keskmistatuna üle 10 kraadi või enama; või

| 3. | positsioneerimistäpsus on 5 kaaresekundit või rohkem. |
| --- | --- |

3.

positsioneerimistäpsus on 5 kaaresekundit või rohkem.

Märkus: Punkt 2B120 ei hõlma pöörlemislaudu, mis on konstrueeritud või kohandatud tööpinkide või meditsiiniseadmete jaoks. Tööpinkide pöörlemislaudade kontrolli kohta vaata punkti 2B008.

2B121Positsioneerimislauad (seadmed, mis võimaldavad täpset positsioneerimist mis tahes pöördteljel), muud kui punktis 2B120 nimetatud, millel on kõik järgmised omadused:

| a. | kaks või rohkem telge; ja |
| --- | --- |

a.

kaks või rohkem telge; ja

| b. | positsioneerimistäpsus on 5 kaaresekundit või rohkem. |
| --- | --- |

b.

positsioneerimistäpsus on 5 kaaresekundit või rohkem.

Märkus: Punkt 2B121 ei hõlma pöörlemislaudu, mis on konstrueeritud või kohandatud tööpinkide või meditsiiniseadmete jaoks. Tööpinkide pöörlemislaudade kontrolli kohta vaata punkti 2B008.

2B122Tsentrifuugid, mis on võimelised tekitama kiirendusi üle 100 g ja millel on kontaktrõngad, mis võimaldavad elektrienergiat ja informatsiooni signaale edasi kanda.

2B201Tööpingid, muud kui punktis 2B001 nimetatud, metallide, keraamika ja komposiitide töötlemiseks või lõikamiseks, mis vastavalt tootja tehnilisele kirjeldusele võivad olla varustatud elektronseadmetega kahel või enamal teljel üheaegseks kontuurjuhtimiseks

| a. | freespingid, millel on üks järgmistest omadustest:






  1. | positsioneerimistäpsus koos kõigi olemasolevate kompensatsioonidega on võrdne või väiksem (parem) kui 6 μm (mõõdetuna piki mis tahes lineaartelge) vastavalt ISO standardile 230/2 (1988) (1) või vastavatele siseriiklikule standarditele; või |
| --- | --- | --- |

a.

freespingid, millel on üks järgmistest omadustest:

1.

positsioneerimistäpsus koos kõigi olemasolevate kompensatsioonidega on võrdne või väiksem (parem) kui 6 μm (mõõdetuna piki mis tahes lineaartelge) vastavalt ISO standardile 230/2 (1988) (1) või vastavatele siseriiklikule standarditele; või

| 2. | kaks või enam kontuurjuhitavat pöörlevat telge


  Märkus: Punkt 2B201 ei hõlma järgmiste omadustega freespinke:








  a. | X-telje käigupikkus on suurem kui 2 m; ja |
| --- | --- | --- |

2.

kaks või enam kontuurjuhitavat pöörlevat telge

Märkus: Punkt 2B201 ei hõlma järgmiste omadustega freespinke:

a.

X-telje käigupikkus on suurem kui 2 m; ja

| b. | X-telje üldine positsioneerimistäpsus on suurem (halvem) kui 30 μm. |
| --- | --- |

b.

X-telje üldine positsioneerimistäpsus on suurem (halvem) kui 30 μm.

| b. | lihvimispingid, millel on järgmised omadused:






  1. | positsioneerimistäpsus koos kõigi olemasolevate kompensatsioonidega on võrdne või väiksem (parem) kui 4 μm (mõõdetuna piki mis tahes lineaartelge) vastavalt ISO standardile 230/2 (1988) (1) või vastavatele siseriiklikele standarditele; või |
| --- | --- | --- |

b.

lihvimispingid, millel on järgmised omadused:

1.

positsioneerimistäpsus koos kõigi olemasolevate kompensatsioonidega on võrdne või väiksem (parem) kui 4 μm (mõõdetuna piki mis tahes lineaartelge) vastavalt ISO standardile 230/2 (1988) (1) või vastavatele siseriiklikele standarditele; või

| 2. | kaks või enam kontuurjuhitavat pöörlevat telge |
| --- | --- |

2.

kaks või enam kontuurjuhitavat pöörlevat telge

Märkus: Punkt 2B201.b ei hõlma järgmisi lihvimispinke:

| a. | silindriliste välis-, sise- ja välis-sisepindade lihvimispingid järgmiste omadustega:








  1. | ainult silindriliste pindade lihvimiseks; |
| --- | --- | --- |

a.

silindriliste välis-, sise- ja välis-sisepindade lihvimispingid järgmiste omadustega:

1.

ainult silindriliste pindade lihvimiseks;

| 2. | töödeldava detaili maksimaalne välisläbimõõt või pikkus võib olla 150 mm; |
| --- | --- |

2.

töödeldava detaili maksimaalne välisläbimõõt või pikkus võib olla 150 mm;

| 3. | mitte üle kahe telje, mida võib üheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks; ja |
| --- | --- |

3.

mitte üle kahe telje, mida võib üheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks; ja

| 4. | C-teljeliselt ei ole kontuurjuhitav; |
| --- | --- |

4.

C-teljeliselt ei ole kontuurjuhitav;

| b. | koordinaatlihvimispingid, millel on vaid x-, y-, c- ja a- telg ning kus c-telge kasutatakse lihvimisketta hoidmiseks risti tööpinnaga ja a-telg on konfigureeritud silindernukkide lihvimiseks; |
| --- | --- |

b.

koordinaatlihvimispingid, millel on vaid x-, y-, c- ja a- telg ning kus c-telge kasutatakse lihvimisketta hoidmiseks risti tööpinnaga ja a-telg on konfigureeritud silindernukkide lihvimiseks;

| c. | tööriistade või lõiketerade lihvimispingid tarkvaraga, mis on spetsiaalselt loodud tööriistade või lõiketerade tootmiseks; või |
| --- | --- |

c.

tööriistade või lõiketerade lihvimispingid tarkvaraga, mis on spetsiaalselt loodud tööriistade või lõiketerade tootmiseks; või

| d. | väntvõlli ja nukkvõlli lihvimispingid. |
| --- | --- |

d.

väntvõlli ja nukkvõlli lihvimispingid.

2B204
  Isostaatpressid, muud kui punktis 2B004 või 2B104 nimetatud, ning nende juurde kuuluvad seadmed:

| a. | isostaatpressid, millel on mõlemad järgmised omadused:






  1. | võimelised saavutama 69 MPa või suuremat maksimaalset töörõhku; ja |
| --- | --- | --- |

a.

isostaatpressid, millel on mõlemad järgmised omadused:

1.

võimelised saavutama 69 MPa või suuremat maksimaalset töörõhku; ja

| 2. | rõhukambri siseläbimõõt on üle 152 mm; |
| --- | --- |

2.

rõhukambri siseläbimõõt on üle 152 mm;

| b. | stantsid, valuvormid ning juhtimisseadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 2B204.a nimetatud isostaatpresside jaoks. |
| --- | --- |

b.

stantsid, valuvormid ning juhtimisseadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 2B204.a nimetatud isostaatpresside jaoks.

Tehniline märkus:

Kambri sisemõõde tähendab kambri selle osa mõõte, milles saavutatakse samaaegselt nii töötemperatuur kui ka töörõhk, ning siia ei arvestata kinnitusrakiseid. See mõõde on väiksem kas rõhukambri sisediameetrist või isoleeritud ahju sisediameetrist, sõltuvalt sellest, kumb kahest eespool nimetatud kambrist asub teise sees.

2B206Mõõtmelised kontrolliseadmed, -riistad või -süsteemid, muud kui punktis 2B006 nimetatud:

| a. | arvutiga juhitavad või arvjuhitavad koordinaatide kontrolliseadmed, millel on mõlemad järgmised omadused:






  1. | kaks või rohkem telge; ja |
| --- | --- | --- |

a.

arvutiga juhitavad või arvjuhitavad koordinaatide kontrolliseadmed, millel on mõlemad järgmised omadused:

1.

kaks või rohkem telge; ja

| 2. | ühemõõtmelise pikkuse mõõtemääramatus on võrdne või väiksem (parem) kui (1,25 + L/1 000) μm katsetades anduriga, mille täpsus väiksem (parem) kui 0,2 μm (L on mõõdetud pikkus millimeetrites) (vt VDI/VDE 2617 osad 1 ja 2); |
| --- | --- |

2.

ühemõõtmelise pikkuse mõõtemääramatus on võrdne või väiksem (parem) kui (1,25 + L/1 000) μm katsetades anduriga, mille täpsus väiksem (parem) kui 0,2 μm (L on mõõdetud pikkus millimeetrites) (vt VDI/VDE 2617 osad 1 ja 2);

| b. | süsteemid poolkoorikute lineaar- ja nurksiirde üheaegseks kontrolliks, millel on mõlemad järgmised omadused:






  1. | mõõtemääramatus (mõõdetuna piki mis tahes lineaartelge) on 5 mm kohta 3,5 μm või vähem (parem); ja |
| --- | --- | --- |

b.

süsteemid poolkoorikute lineaar- ja nurksiirde üheaegseks kontrolliks, millel on mõlemad järgmised omadused:

1.

mõõtemääramatus (mõõdetuna piki mis tahes lineaartelge) on 5 mm kohta 3,5 μm või vähem (parem); ja

| 2. | pöördenurga hälve on 0,02° või vähem. |
| --- | --- |

2.

pöördenurga hälve on 0,02° või vähem.

Märkus 1: Tööpingid, mida võib kasutada mõõtemehhanismidena, kuuluvad kontrolli alla, kui nad vastavad või ületavad tööpinkide või mõõtemehhanismide funktsioonidele kindlaksmääratud kriteeriume.

Märkus 2: Punktis 2B206 nimetatud seadmed kuuluvad kontrolli alla, kui nad ületavad kontroll-läve kus tahes oma toimimispiirkonnas.

Tehnilised märkused:

| 1. | Tehnilised märkused: Andur, mida kasutatakse koordinaatide kontrollsüsteemi mõõtemääramatuse määramiseks, peab olema kirjeldatud VDI/VDE 2617 osades 2, 3 ja 4. |
| --- | --- |

1.

Tehnilised märkused: Andur, mida kasutatakse koordinaatide kontrollsüsteemi mõõtemääramatuse määramiseks, peab olema kirjeldatud VDI/VDE 2617 osades 2, 3 ja 4.

| 2. | Kõik punktis 2B206 esitatud mõõteväärtuste parameetrid on antud pluss/miinus kõikumistena, st nad ei esinda kogu ribalaiust. |
| --- | --- |

2.

Kõik punktis 2B206 esitatud mõõteväärtuste parameetrid on antud pluss/miinus kõikumistena, st nad ei esinda kogu ribalaiust.

2B207
  Robotid, nende tööorganid ja juhtimismoodulid, muud kui punktis 2B007 nimetatud:

| a. | robotid või nende tööorganid, mis on spetsiaalselt projekteeritud rahuldama siseriiklikke ohutusnorme, mida kohaldatakse brisantlõhkeainete käsitlemisel (nt vastavad brisantlõhkeaineid käsitlevatele elektriohu eeskirjadele); |
| --- | --- |

a.

robotid või nende tööorganid, mis on spetsiaalselt projekteeritud rahuldama siseriiklikke ohutusnorme, mida kohaldatakse brisantlõhkeainete käsitlemisel (nt vastavad brisantlõhkeaineid käsitlevatele elektriohu eeskirjadele);

| b. | juhtimismoodulid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud punktis 2B207.a nimetatud mis tahes robotile või roboti tööorganile. |
| --- | --- |

b.

juhtimismoodulid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud punktis 2B207.a nimetatud mis tahes robotile või roboti tööorganile.

2B209Tõukamispingid, trugimispingid, mis võimaldavad muude kui punktis 2B009 või 2B109 kirjeldatud tõukamisülesannete täitmist, ning südamikud:

| a. | tööpingid, millel on mõlemad järgmised omadused:






  1. | varustatud kolme või enama rullikuga (aktiiv- või juhikrullikud); ja |
| --- | --- | --- |

a.

tööpingid, millel on mõlemad järgmised omadused:

1.

varustatud kolme või enama rullikuga (aktiiv- või juhikrullikud); ja

| 2. | vastavalt tootja tehnilisele kirjeldusele võivad olla varustatud arvjuhtimismooduli või arvutijuhtimisega; |
| --- | --- |

2.

vastavalt tootja tehnilisele kirjeldusele võivad olla varustatud arvjuhtimismooduli või arvutijuhtimisega;

| b. | rootori koolutussüdamikud, mis on ette nähtud sisediameetriga 75–400 mm silindriliste rootorite valmistamiseks. |
| --- | --- |

b.

rootori koolutussüdamikud, mis on ette nähtud sisediameetriga 75–400 mm silindriliste rootorite valmistamiseks.

Märkus: Punkt 2B209.a hõlmab ka tööpinke, millel on ainult üks rull metalli deformeerimiseks ning kaks abirulli, mis toetavad südamikku, kuid ei osale otseselt deformeerimise protsessis.

2B219Tsentrifugaalsed mitmetasandilised balansseerpingid, jäigalt kinnitatud või teisaldatavad, horisontaalsed või vertikaalsed:

| a. | tsentrifugaalsed balansseerpingid, mis on ette nähtud painduvate, vähemalt 600 mm pikkuste rootorite tasakaalustamiseks ja millel on kõik järgmised omadused:






  1. | pingi tsentri kõrgus või võllitapi läbimõõt on suurem kui 75 mm; |
| --- | --- | --- |

a.

tsentrifugaalsed balansseerpingid, mis on ette nähtud painduvate, vähemalt 600 mm pikkuste rootorite tasakaalustamiseks ja millel on kõik järgmised omadused:

1.

pingi tsentri kõrgus või võllitapi läbimõõt on suurem kui 75 mm;

| 2. | kandevõime 0,9–23 kg; ja |
| --- | --- |

2.

kandevõime 0,9–23 kg; ja

| 3. | võimalik pöörlemiskiirus tasakaalustamisel on üle 5 000 p/min; |
| --- | --- |

3.

võimalik pöörlemiskiirus tasakaalustamisel on üle 5 000 p/min;

| b. | tsentrifugaalsed balansseerpingid, mis on ette nähtud õõnsate silindriliste rootorikomponentide tasakaalustamiseks ning millel on kõik järgnevad omadused:






  1. | võllitapi läbimõõt on üle 75 mm; |
| --- | --- | --- |

b.

tsentrifugaalsed balansseerpingid, mis on ette nähtud õõnsate silindriliste rootorikomponentide tasakaalustamiseks ning millel on kõik järgnevad omadused:

1.

võllitapi läbimõõt on üle 75 mm;

| 2. | kandevõime 0,9–23 kg; |
| --- | --- |

2.

kandevõime 0,9–23 kg;

| 3. | võimaldab tasakaalustada tasapinna kohta 0,01 kg × mm/kg jääktasakaalustamatusega või väiksemaga; ja |
| --- | --- |

3.

võimaldab tasakaalustada tasapinna kohta 0,01 kg × mm/kg jääktasakaalustamatusega või väiksemaga; ja

| 4. | rihmülekandega käitatavad. |
| --- | --- |

4.

rihmülekandega käitatavad.

2B225Kaugjuhtimisega manipulaatorid, mis on kasutatavad kaugjuhitavaks tegutsemiseks radiokeemilistes eraldusprotsessides või kuumades kambrites ja millel on üks järgmistest omadustest:

| a. | võime läbida 0,6 m või paksemat kuuma kambri seina (läbi seina tegutsemine); või |
| --- | --- |

a.

võime läbida 0,6 m või paksemat kuuma kambri seina (läbi seina tegutsemine); või

| b. | võime ulatuda tegutsema üle kuuma kambri 0,6 m või paksema seina ülemise ääre (üle seina tegutsemine). |
| --- | --- |

b.

võime ulatuda tegutsema üle kuuma kambri 0,6 m või paksema seina ülemise ääre (üle seina tegutsemine).

Tehniline märkus:

Kaugjuhitavad manipulaatorid võimaldavad üle kanda seda teenindava isiku liigutused kaugel asuvale tegutsevale käele ning lõppklambrile. Manipulaatorid võivad olla ülem-alluv-tüüpi või juhitavad juhtkangi või klaviatuuri abil.

2B226Kontrollitava keskkonnaga (vaakum või väärisgaas) induktsioonahjud ning nimetatud ahjude juurde kuuluvad toiteallikad:

NB! VT KA PUNKTI 3B.

| a. | ahjud, millel on kõik järgmised omadused:






  1. | võimelised töötama temperatuuril üle 1 123 K (+ 850 °C); |
| --- | --- | --- |

a.

ahjud, millel on kõik järgmised omadused:

1.

võimelised töötama temperatuuril üle 1 123 K (+ 850 °C);

| 2. | induktsioonimähiste läbimõõt on 600 mm või vähem; ja |
| --- | --- |

2.

induktsioonimähiste läbimõõt on 600 mm või vähem; ja

| 3. | kavandatud sisendvõimsus on 5 kW või rohkem; |
| --- | --- |

3.

kavandatud sisendvõimsus on 5 kW või rohkem;

| b. | toiteallikad väljundvõimsusega 5 kW või rohkem, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 2B226.a nimetatud ahjude jaoks. |
| --- | --- |

b.

toiteallikad väljundvõimsusega 5 kW või rohkem, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 2B226.a nimetatud ahjude jaoks.

Märkus: Punkt 2B226.a ei hõlma pooljuhtkristallide tootmiseks kavandatud ahjusid.

2B227Vaakum- või muu kontrollitava atmosfääriga metallurgilise sulatamise ja valuahjud ning nende juurde kuuluvad seadmed:

| a. | kaarleekümbersulatus- ja valuahjud, millel on mõlemad järgmised omadused:






  1. | kasutatavate elektroodide ruumala on 1 000–20 000 cm3, ja |
| --- | --- | --- |

a.

kaarleekümbersulatus- ja valuahjud, millel on mõlemad järgmised omadused:

1.

kasutatavate elektroodide ruumala on 1 000–20 000 cm3, ja

| 2. | võimelised töötama sulamistemperatuuridega üle 1 973 K (+ 1 700 °C); |
| --- | --- |

2.

võimelised töötama sulamistemperatuuridega üle 1 973 K (+ 1 700 °C);

| b. | elektronkiirsulatusahjud ja plasmapihustus- ning sulatusahjud, millel on mõlemad järgmised omadused:






  1. | võimsus 50 kW või rohkem; ja |
| --- | --- | --- |

b.

elektronkiirsulatusahjud ja plasmapihustus- ning sulatusahjud, millel on mõlemad järgmised omadused:

1.

võimsus 50 kW või rohkem; ja

| 2. | võimelised töötama sulamistemperatuuridega üle 1 473 K (+ 1 200 °C); |
| --- | --- |

2.

võimelised töötama sulamistemperatuuridega üle 1 473 K (+ 1 200 °C);

| c. | arvutijuhtimis- ja valvesüsteemid, mis on konfigureeritud spetsiaalselt punktis 2B227.a või 2B227.b nimetatud ahjude jaoks. |
| --- | --- |

c.

arvutijuhtimis- ja valvesüsteemid, mis on konfigureeritud spetsiaalselt punktis 2B227.a või 2B227.b nimetatud ahjude jaoks.

2B228Rootorite tootmis- ja koostamisseadmed, rootorite joondamisseadmed ning lõõtsade vormimiseks mõeldud tornid ja stantsid:

| a. | rootori koostamisseadmed gaastsentrifuugi rootortoru sektsioonide, tõkestite ja otsakorkide monteerimiseks;


  Märkus: Punkt 2B228.a hõlmab täpsustorne, fiksaatoreid ja kahandamissobituspinke. |
| --- | --- |

a.

rootori koostamisseadmed gaastsentrifuugi rootortoru sektsioonide, tõkestite ja otsakorkide monteerimiseks;

Märkus: Punkt 2B228.a hõlmab täpsustorne, fiksaatoreid ja kahandamissobituspinke.

| b. | rootori joondamisseadmed gaasitsentrifuugi rootori torusektsioonide reastamiseks ühisele teljele;
  Tehniline märkus:

  Punktis 2B228.b nimetatud seadmed koosnevad üldjuhul arvutiga ühendatud täpsetest mõõteanduritest, mis järgnevalt kontrollib näiteks selliste pneumaatiliste rammide tegevust, mida kasutatakse rootori torusektsioonide reastamisel. |
| --- | --- |

b.

rootori joondamisseadmed gaasitsentrifuugi rootori torusektsioonide reastamiseks ühisele teljele;

Tehniline märkus:

Punktis 2B228.b nimetatud seadmed koosnevad üldjuhul arvutiga ühendatud täpsetest mõõteanduritest, mis järgnevalt kontrollib näiteks selliste pneumaatiliste rammide tegevust, mida kasutatakse rootori torusektsioonide reastamisel.

| c. | lõõtsa stantsimise tornid ja matriitsid, mis on ette nähtud ühe keeruga lõõtsade tootmiseks.
  Tehniline märkus:

  Punktis 2B228.c on lõõtsadel kõik järgmised omadused:








  1. | siseläbimõõt 75–400 mm; |
| --- | --- | --- |

c.

lõõtsa stantsimise tornid ja matriitsid, mis on ette nähtud ühe keeruga lõõtsade tootmiseks.

Tehniline märkus:

Punktis 2B228.c on lõõtsadel kõik järgmised omadused:

1.

siseläbimõõt 75–400 mm;

| 2. | pikkus 12,7 mm või rohkem; |
| --- | --- |

2.

pikkus 12,7 mm või rohkem;

| 3. | ühe keeru sügavus üle 2 mm; ja |
| --- | --- |

3.

ühe keeru sügavus üle 2 mm; ja

| 4. | valmistatud ülitugevast alumiiniumisulamist, vanandatud martensiitterasest või ülitugevast kiud või niitmaterjalist. |
| --- | --- |

4.

valmistatud ülitugevast alumiiniumisulamist, vanandatud martensiitterasest või ülitugevast kiud või niitmaterjalist.

2B230
  Rõhuandurid, mis võimaldavad mõõta absoluutrõhku vahemikus 0–13 kPa ja millel on mõlemad järgmised omadused:

| a. | rõhutundlikud elemendid on valmistatud või kaetud alumiiniumi, alumiiniumisulami, nikli või niklisulamiga, milles on 60 massi% või rohkem niklit; ja |
| --- | --- |

a.

rõhutundlikud elemendid on valmistatud või kaetud alumiiniumi, alumiiniumisulami, nikli või niklisulamiga, milles on 60 massi% või rohkem niklit; ja

| b. | millel üks järgmistest omadustest:






  1. | täisskaala ulatus on väiksem kui 13 kPa ning täpsus on ± 1 % täisskaala ulatusest; või |
| --- | --- | --- |

b.

millel üks järgmistest omadustest:

1.

täisskaala ulatus on väiksem kui 13 kPa ning täpsus on ± 1 % täisskaala ulatusest; või

| 2. | täisskaala ulatus on 13 kPa või rohkem ning täpsus on parem kui ±130 Pa. |
| --- | --- |

2.

täisskaala ulatus on 13 kPa või rohkem ning täpsus on parem kui ±130 Pa.

Tehniline märkus:

Punkti 2B230 tähenduses sisaldab täpsus mittelineaarsust, hüstereesi ning ümbritseva keskkonna temperatuuril korratavust.

2B231Vaakumpumbad, millel on kõik järgmised omadused:

| a. | sisendtoru läbimõõt on 380 mm või rohkem; |
| --- | --- |

a.

sisendtoru läbimõõt on 380 mm või rohkem;

| b. | pumpamise kiirus 15 m3/s või rohkem; ja |
| --- | --- |

b.

pumpamise kiirus 15 m3/s või rohkem; ja

| c. | võimeline saavutama madalamat piirvaakumit kui 13 MPa. |
| --- | --- |

c.

võimeline saavutama madalamat piirvaakumit kui 13 MPa.

Tehnilised märkused:

| 1. | Pumpamise kiirus on määratud mõõtepunktis kas gaasilise lämmastiku või õhu abil. |
| --- | --- |

1.

Pumpamise kiirus on määratud mõõtepunktis kas gaasilise lämmastiku või õhu abil.

| 2. | Piirvaakum on määratud pumba sisendis suletud pumba sisendi korral. |
| --- | --- |

2.

Piirvaakum on määratud pumba sisendis suletud pumba sisendi korral.

2B232Mitmeastmelised kerged gaasikahurid või teised suure lõppkiirusega relvasüsteemid (mähis, elektromagnetilist ja elektrotermilist tüüpi ning teised edasiarendatud süsteemid), mis on võimelised kiirendama mürsku kiiruseni 2 km/s või rohkem.

2B350Keemiatööstuse tootmisrajatised, -seadmed ja -komponendid:

| a. | reaktsioonianumad või reaktorid, segistitega või ilma, mille kogu (geomeetriline) maht on üle 0,1 m3 (100 l), kuid ei ületa 20 m3 (20 000 l), kui nimetatud seadmete ja komponentide tööpinnad, mis puutuvad otseselt kokku töödeldava(te) või säilitatava(te) kemikaali(de)ga, on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:






  1. | sulamid, milles on üle 25 massi% niklit ja üle 20 massi% kroomi; |
| --- | --- | --- |

a.

reaktsioonianumad või reaktorid, segistitega või ilma, mille kogu (geomeetriline) maht on üle 0,1 m3 (100 l), kuid ei ületa 20 m3 (20 000 l), kui nimetatud seadmete ja komponentide tööpinnad, mis puutuvad otseselt kokku töödeldava(te) või säilitatava(te) kemikaali(de)ga, on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:

1.

sulamid, milles on üle 25 massi% niklit ja üle 20 massi% kroomi;

| 2. | fluorpolümeerid; |
| --- | --- |

2.

fluorpolümeerid;

| 3. | klaas (sh klaasistatud või emaileeritud katted või klaasvooderdus); |
| --- | --- |

3.

klaas (sh klaasistatud või emaileeritud katted või klaasvooderdus);

| 4. | nikkel või sulamid, milles on üle 40 massi% niklit; |
| --- | --- |

4.

nikkel või sulamid, milles on üle 40 massi% niklit;

| 5. | tantaal või tantaalisulamid; |
| --- | --- |

5.

tantaal või tantaalisulamid;

| 6. | titaan või titaanisulamid; või |
| --- | --- |

6.

titaan või titaanisulamid; või

| 7. | tsirkoonium või tsirkooniumisulamid; |
| --- | --- |

7.

tsirkoonium või tsirkooniumisulamid;

| b. | punktis 2B350.a nimetatud reaktsioonianumates või reaktorites kasutatavad segistid ja selliste segistite jaoks ettenähtud rootorid, labad või võllid, mille töödeldava(te) või säilitatava(te) kemikaali(de)ga otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:






  1. | sulamid, milles on üle 25 massi% niklit ja üle 20 massi% kroomi; |
| --- | --- | --- |

b.

punktis 2B350.a nimetatud reaktsioonianumates või reaktorites kasutatavad segistid ja selliste segistite jaoks ettenähtud rootorid, labad või võllid, mille töödeldava(te) või säilitatava(te) kemikaali(de)ga otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:

1.

sulamid, milles on üle 25 massi% niklit ja üle 20 massi% kroomi;

| 2. | fluorpolümeerid; |
| --- | --- |

2.

fluorpolümeerid;

| 3. | klaas (sh klaasistatud või emaileeritud katted või klaasvooderdus); |
| --- | --- |

3.

klaas (sh klaasistatud või emaileeritud katted või klaasvooderdus);

| 4. | nikkel või sulamid, milles on üle 40 massi% niklit; |
| --- | --- |

4.

nikkel või sulamid, milles on üle 40 massi% niklit;

| 5. | tantaal või tantaalisulamid; |
| --- | --- |

5.

tantaal või tantaalisulamid;

| 6. | titaan või titaanisulamid; või |
| --- | --- |

6.

titaan või titaanisulamid; või

| 7. | tsirkoonium või tsirkooniumisulamid; |
| --- | --- |

7.

tsirkoonium või tsirkooniumisulamid;

| c. | kogumismahutid, konteinerid ja vastuvõtuanumad, mille kogu (geomeetriline) maht on suurem kui 0,1 m3 (100 l) ning kui nimetatud seadmete tööpinnad, mis puutuvad otseselt kokku töödeldava(te) või säilitatava(te) kemikaali(de)ga, on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:






  1. | sulamid, milles on üle 25 massi% niklit ja üle 20 massi% kroomi; |
| --- | --- | --- |

c.

kogumismahutid, konteinerid ja vastuvõtuanumad, mille kogu (geomeetriline) maht on suurem kui 0,1 m3 (100 l) ning kui nimetatud seadmete tööpinnad, mis puutuvad otseselt kokku töödeldava(te) või säilitatava(te) kemikaali(de)ga, on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:

1.

sulamid, milles on üle 25 massi% niklit ja üle 20 massi% kroomi;

| 2. | fluorpolümeerid; |
| --- | --- |

2.

fluorpolümeerid;

| 3. | klaas (sh klaasistatud või emaileeritud katted või klaasvooderdus); |
| --- | --- |

3.

klaas (sh klaasistatud või emaileeritud katted või klaasvooderdus);

| 4. | nikkel või sulamid, milles on üle 40 massi% niklit; |
| --- | --- |

4.

nikkel või sulamid, milles on üle 40 massi% niklit;

| 5. | tantaal või tantaalisulamid; |
| --- | --- |

5.

tantaal või tantaalisulamid;

| 6. | titaan või titaanisulamid; või |
| --- | --- |

6.

titaan või titaanisulamid; või

| 7. | tsirkoonium või tsirkooniumisulamid; |
| --- | --- |

7.

tsirkoonium või tsirkooniumisulamid;

| d. | soojusvahetid või kondensaatorid, mille soojust ülekandev pind on suurem kui 0,15 m2 ja väiksem kui 20 m2, ja selliste soojusvahetite või kondensaatorite jaoks ettenähtud torud, plaadid, spiraaltorud või plokid (südamikud), mille töödeldava(te) kemikaali(de)ga otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:






  1. | sulamid, milles on üle 25 massi% niklit ja üle 20 massi% kroomi; |
| --- | --- | --- |

d.

soojusvahetid või kondensaatorid, mille soojust ülekandev pind on suurem kui 0,15 m2 ja väiksem kui 20 m2, ja selliste soojusvahetite või kondensaatorite jaoks ettenähtud torud, plaadid, spiraaltorud või plokid (südamikud), mille töödeldava(te) kemikaali(de)ga otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:

1.

sulamid, milles on üle 25 massi% niklit ja üle 20 massi% kroomi;

| 2. | fluorpolümeerid; |
| --- | --- |

2.

fluorpolümeerid;

| 3. | klaas (sh klaasistatud või emaileeritud katted või klaasvooderdus); |
| --- | --- |

3.

klaas (sh klaasistatud või emaileeritud katted või klaasvooderdus);

| 4. | grafiit või"süsinikgrafiit"; |
| --- | --- |

4.

grafiit või"süsinikgrafiit";

| 5. | nikkel või sulamid, milles on üle 40 massi% niklit; |
| --- | --- |

5.

nikkel või sulamid, milles on üle 40 massi% niklit;

| 6. | tantaal või tantaalisulamid; |
| --- | --- |

6.

tantaal või tantaalisulamid;

| 7. | titaan või titaanisulamid; |
| --- | --- |

7.

titaan või titaanisulamid;

| 8. | tsirkoonium või tsirkooniumisulamid; |
| --- | --- |

8.

tsirkoonium või tsirkooniumisulamid;

| 9. | ränikarbiid; või |
| --- | --- |

9.

ränikarbiid; või

| 10. | titaankarbiid; |
| --- | --- |

10.

titaankarbiid;

| e. | destillatsiooni- või absorptsioonikolonnid, mille siseläbimõõt on üle 0,1 m, ja selliste destillatsiooni- või absorptsioonikolonnide jaoks ettenähtud vedeliku- ja aurujaoturid või vedelikukogujad, mille kõik töödeldava(te) kemikaali(de)ga otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:






  1. | sulamid, milles on üle 25 massi% niklit ja üle 20 massi% kroomi; |
| --- | --- | --- |

e.

destillatsiooni- või absorptsioonikolonnid, mille siseläbimõõt on üle 0,1 m, ja selliste destillatsiooni- või absorptsioonikolonnide jaoks ettenähtud vedeliku- ja aurujaoturid või vedelikukogujad, mille kõik töödeldava(te) kemikaali(de)ga otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:

1.

sulamid, milles on üle 25 massi% niklit ja üle 20 massi% kroomi;

| 2. | fluorpolümeerid; |
| --- | --- |

2.

fluorpolümeerid;

| 3. | klaas (sh klaasistatud või emaileeritud katted või klaasvooderdus); |
| --- | --- |

3.

klaas (sh klaasistatud või emaileeritud katted või klaasvooderdus);

| 4. | grafiit või ‧süsinikgrafiit‧; |
| --- | --- |

4.

grafiit või ‧süsinikgrafiit‧;

| 5. | nikkel või sulamid, milles on üle 40 massi% niklit; |
| --- | --- |

5.

nikkel või sulamid, milles on üle 40 massi% niklit;

| 6. | tantaal või tantaalisulamid; |
| --- | --- |

6.

tantaal või tantaalisulamid;

| 7. | titaan või titaanisulamid; või |
| --- | --- |

7.

titaan või titaanisulamid; või

| 8. | tsirkoonium või tsirkooniumisulamid; |
| --- | --- |

8.

tsirkoonium või tsirkooniumisulamid;

| f. | kaugjuhitav tankimisaparatuur, mille töödeldava(te) kemikaali(de)ga otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:






  1. | sulamid, milles on üle 25 massi% niklit ja üle 20 massi% kroomi; või |
| --- | --- | --- |

f.

kaugjuhitav tankimisaparatuur, mille töödeldava(te) kemikaali(de)ga otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:

1.

sulamid, milles on üle 25 massi% niklit ja üle 20 massi% kroomi; või

| 2. | nikkel või sulamid, milles on üle 40 massi% niklit; |
| --- | --- |

2.

nikkel või sulamid, milles on üle 40 massi% niklit;

| g. | ventiilid nimimõõtmetega üle 10 mm ja korpused (ventiilikorpused) või selliste ventiilide jaoks valmistatud korpuse eelvormitud voodrid, mille töödeldava(te) või seda läbiva(te) kemikaali(de)ga otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:






  1. | sulamid, milles on üle 25 massi% niklit ja üle 20 massi% kroomi; |
| --- | --- | --- |

g.

ventiilid nimimõõtmetega üle 10 mm ja korpused (ventiilikorpused) või selliste ventiilide jaoks valmistatud korpuse eelvormitud voodrid, mille töödeldava(te) või seda läbiva(te) kemikaali(de)ga otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:

1.

sulamid, milles on üle 25 massi% niklit ja üle 20 massi% kroomi;

| 2. | fluorpolümeerid; |
| --- | --- |

2.

fluorpolümeerid;

| 3. | klaas (sh klaasistatud või emaileeritud katted või klaasvooderdus); |
| --- | --- |

3.

klaas (sh klaasistatud või emaileeritud katted või klaasvooderdus);

| 4. | nikkel või sulamid, milles on üle 40 massi% niklit; |
| --- | --- |

4.

nikkel või sulamid, milles on üle 40 massi% niklit;

| 5. | tantaal või tantaalisulamid; |
| --- | --- |

5.

tantaal või tantaalisulamid;

| 6. | titaan või titaanisulamid; või |
| --- | --- |

6.

titaan või titaanisulamid; või

| 7. | tsirkoonium või tsirkooniumisulamid; |
| --- | --- |

7.

tsirkoonium või tsirkooniumisulamid;

| h. | Mitmeseinalised torud lekkeavastamise avaga, mille töödeldava(te) või säilitatava(te) kemikaali(de)ga otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:






  1. | sulamid, milles on üle 25 massi% niklit ja üle 20 massi% kroomi; |
| --- | --- | --- |

h.

Mitmeseinalised torud lekkeavastamise avaga, mille töödeldava(te) või säilitatava(te) kemikaali(de)ga otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:

1.

sulamid, milles on üle 25 massi% niklit ja üle 20 massi% kroomi;

| 2. | fluorpolümeerid; |
| --- | --- |

2.

fluorpolümeerid;

| 3. | klaas (sh klaasistatud või emaileeritud katted või klaasvooderdus); |
| --- | --- |

3.

klaas (sh klaasistatud või emaileeritud katted või klaasvooderdus);

| 4. | grafiit või süsinikgrafiit; |
| --- | --- |

4.

grafiit või süsinikgrafiit;

| 5. | nikkel või sulamid, milles on üle 40 massi% niklit; |
| --- | --- |

5.

nikkel või sulamid, milles on üle 40 massi% niklit;

| 6. | tantaal või tantaalisulamid; |
| --- | --- |

6.

tantaal või tantaalisulamid;

| 7. | titaan või titaanisulamid; või |
| --- | --- |

7.

titaan või titaanisulamid; või

| 8. | tsirkoonium või tsirkooniumisulamid; |
| --- | --- |

8.

tsirkoonium või tsirkooniumisulamid;

| i. | mitmetihendilised, isoleeritud ajamiga, magnetajamiga lõõts- või membraanpumbad tootja poolt spetsifitseeritud maksimaalse voolukiirusega üle 0,6 m3/h või vaakumpumbad tootja poolt spetsifitseeritud maksimaalse voolukiirusega üle 5 m3/h (standardtingimustel: temperatuuril 273 K (0°C) ja rõhul 101,3 kPa); ja selliste pumpade korpused (pumbakered), eelvormitud kerevooderdused, tiivikud, rootorid või jugapumbapihustid, mille otseselt töödeldava(te) kemikaali(de)ga kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:






  1. | sulamid, milles on üle 25 massi% niklit ja üle 20 massi% kroomi; |
| --- | --- | --- |

i.

mitmetihendilised, isoleeritud ajamiga, magnetajamiga lõõts- või membraanpumbad tootja poolt spetsifitseeritud maksimaalse voolukiirusega üle 0,6 m3/h või vaakumpumbad tootja poolt spetsifitseeritud maksimaalse voolukiirusega üle 5 m3/h (standardtingimustel: temperatuuril 273 K (0°C) ja rõhul 101,3 kPa); ja selliste pumpade korpused (pumbakered), eelvormitud kerevooderdused, tiivikud, rootorid või jugapumbapihustid, mille otseselt töödeldava(te) kemikaali(de)ga kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:

1.

sulamid, milles on üle 25 massi% niklit ja üle 20 massi% kroomi;

| 2. | keraamika; |
| --- | --- |

2.

keraamika;

| 3. | ferrosiliitsium; |
| --- | --- |

3.

ferrosiliitsium;

| 4. | fluorpolümeerid; |
| --- | --- |

4.

fluorpolümeerid;

| 5. | klaas (sh klaasistatud või emaileeritud katted või klaasvooderdus); |
| --- | --- |

5.

klaas (sh klaasistatud või emaileeritud katted või klaasvooderdus);

| 6. | grafiit või süsinikgrafiit; |
| --- | --- |

6.

grafiit või süsinikgrafiit;

| 7. | nikkel või sulamid, milles on üle 40 massi% niklit; |
| --- | --- |

7.

nikkel või sulamid, milles on üle 40 massi% niklit;

| 8. | tantaal või tantaalisulamid; |
| --- | --- |

8.

tantaal või tantaalisulamid;

| 9. | titaan või titaanisulamid; või |
| --- | --- |

9.

titaan või titaanisulamid; või

| 10. | tsirkoonium või tsirkooniumisulamid; |
| --- | --- |

10.

tsirkoonium või tsirkooniumisulamid;

| j. | punktis 1C350 nimetatud kemikaalide hävitamiseks ettenähtud põletusseadmed, mis on varustatud spetsiaalselt kavandatud jäätmete etteandesüsteemiga, spetsiaalsete käsitsemisseadmetega ning põletuskambri keskmise temperatuuriga üle 1 273 K (+ 1 000 °C), mille jäätmete etteandesüsteemi kemikaalidega otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:






  1. | sulamid, milles on üle 25 massi% niklit ja üle 20 massi% kroomi; |
| --- | --- | --- |

j.

punktis 1C350 nimetatud kemikaalide hävitamiseks ettenähtud põletusseadmed, mis on varustatud spetsiaalselt kavandatud jäätmete etteandesüsteemiga, spetsiaalsete käsitsemisseadmetega ning põletuskambri keskmise temperatuuriga üle 1 273 K (+ 1 000 °C), mille jäätmete etteandesüsteemi kemikaalidega otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:

1.

sulamid, milles on üle 25 massi% niklit ja üle 20 massi% kroomi;

| 2. | keraamika; või |
| --- | --- |

2.

keraamika; või

| 3. | nikkel või sulamid, milles on üle 40 massi% niklit. |
| --- | --- |

3.

nikkel või sulamid, milles on üle 40 massi% niklit.

Tehniline märkus:

Süsinikgrafiit on amorfse süsiniku ja grafiidi segu, milles kaaluline grafiidisisaldus on 8 % või rohkem.

2B351Mürgiste gaaside seiresüsteemid ja nende eriotstarbelised detektorid:

| a. | kavandatud pidevaks toimimiseks ja kasutatav keemiliste ründeainete ja punktis 1C350 nimetatud kemikaalide avastamiseks kontsentratsioonidel alla 0,3 mg/m3; või |
| --- | --- |

a.

kavandatud pidevaks toimimiseks ja kasutatav keemiliste ründeainete ja punktis 1C350 nimetatud kemikaalide avastamiseks kontsentratsioonidel alla 0,3 mg/m3; või

| b. | ainete avastamiseks, millel on koliinesteraasi inhibeeriv mõju. |
| --- | --- |

b.

ainete avastamiseks, millel on koliinesteraasi inhibeeriv mõju.

2B352Seadmed bioloogiliste materjalide käitlemiseks:

| a. | komplektsed isolaatorid, mis vastavad ohutustasemetele P3 või P4;
  Tehniline märkus:

  P3 või P4 (BL3, BL4, L3, L4) ohtutustasemed on määratletud Maailma Tervishoiuorganisatsiooni "Laboratooriumide bioohutuse käsiraamatus" (WHO Laboratory Biosafety Manual, teine väljaanne, Genf 1993). |
| --- | --- |

a.

komplektsed isolaatorid, mis vastavad ohutustasemetele P3 või P4;

Tehniline märkus:

P3 või P4 (BL3, BL4, L3, L4) ohtutustasemed on määratletud Maailma Tervishoiuorganisatsiooni "Laboratooriumide bioohutuse käsiraamatus" (WHO Laboratory Biosafety Manual, teine väljaanne, Genf 1993).

| b. | fermentaatorid, mida on ilma aerosoolide keskkonda sattumise riskita võimalik kasutada patogeensete mikroorganismide ja viiruste kultiveerimiseks või toksiinide valmistamiseks, üldmahuga 20 liitrit või enam;
  Tehniline märkus:

  Fermentaatorid sisaldavad bioreaktoreid, kemostaate ja pidevvoolusüsteeme. |
| --- | --- |

b.

fermentaatorid, mida on ilma aerosoolide keskkonda sattumise riskita võimalik kasutada patogeensete mikroorganismide ja viiruste kultiveerimiseks või toksiinide valmistamiseks, üldmahuga 20 liitrit või enam;

Tehniline märkus:

Fermentaatorid sisaldavad bioreaktoreid, kemostaate ja pidevvoolusüsteeme.

| c. | tsentrifugaalseparaatorid, mis ilma aerosoolide keskkonda sattumise riskita võimaldavad pidevat separeerimist ning millel on kõik järgmised omadused:






  1. | läbivoolukiirus üle 100 liitri tunnis; |
| --- | --- | --- |

c.

tsentrifugaalseparaatorid, mis ilma aerosoolide keskkonda sattumise riskita võimaldavad pidevat separeerimist ning millel on kõik järgmised omadused:

1.

läbivoolukiirus üle 100 liitri tunnis;

| 2. | komponendid on valmistatud poleeritud roostevabast terasest või titaanist; |
| --- | --- |

2.

komponendid on valmistatud poleeritud roostevabast terasest või titaanist;

| 3. | ühe- või mitmekordse tihendusega ühendused auru sisaldavas keskkonnas; ja |
| --- | --- |

3.

ühe- või mitmekordse tihendusega ühendused auru sisaldavas keskkonnas; ja

| 4. | auruga kohapeal steriliseeritav, ilma seadme eelneva demontaažita; |
| --- | --- |

4.

auruga kohapeal steriliseeritav, ilma seadme eelneva demontaažita;

Tehniline märkus:

Tsentrifugaalseparaatorid sisaldavad ka dekanteerimisseadmeid.

| d. | ristvoolu filtratsiooniaparatuur ja järgmised komponendid:






  1. | ristvoolu filtratsiooniaparatuur, mis ilma aerosoolide keskkonda sattumise riskita võimaldavad patogeensete mikroorganismide, viiruste, toksiinide või rakukultuuride separeerimist ning millel on mõlemad järgmised omadused:






  a. | filtri kogupindala 1 m2 või rohkem; ja |
| --- | --- | --- | --- |

d.

ristvoolu filtratsiooniaparatuur ja järgmised komponendid:

1.

ristvoolu filtratsiooniaparatuur, mis ilma aerosoolide keskkonda sattumise riskita võimaldavad patogeensete mikroorganismide, viiruste, toksiinide või rakukultuuride separeerimist ning millel on mõlemad järgmised omadused:

a.

filtri kogupindala 1 m2 või rohkem; ja

| b. | kohapeal steriliseeritav või desinfitseeritav;
  Tehniline märkus:

  Punktis 2B352.d.1.b tähendab "steriliseeritud" kõigi eluvõimeliste mikroobide elimineerimist aparatuurilt füüsikaliste mõjurite (nt aur) või keemiliste toimeainete kasutamise teel. "Desinfitseeritud" tähendab potentsiaalse mikroobidega nakkavuse kõrvaldamist aparatuurilt bakteritsiidsete keemiliste toimeainete kasutamise teel. Desinfektsioon ja steriliseerimine erinevad hügieeniliseks tegemisest (sanitization), mis tähendab puhastamist, mille eesmärk on aparatuuril mikroobe vähendada ilma, et saavutataks tingimata täielik mikroobidega nakkavuse või kõigi elujõuliste mikroobide kõrvaldamine. |
| --- | --- |

b.

kohapeal steriliseeritav või desinfitseeritav;

Tehniline märkus:

Punktis 2B352.d.1.b tähendab "steriliseeritud" kõigi eluvõimeliste mikroobide elimineerimist aparatuurilt füüsikaliste mõjurite (nt aur) või keemiliste toimeainete kasutamise teel. "Desinfitseeritud" tähendab potentsiaalse mikroobidega nakkavuse kõrvaldamist aparatuurilt bakteritsiidsete keemiliste toimeainete kasutamise teel. Desinfektsioon ja steriliseerimine erinevad hügieeniliseks tegemisest (sanitization), mis tähendab puhastamist, mille eesmärk on aparatuuril mikroobe vähendada ilma, et saavutataks tingimata täielik mikroobidega nakkavuse või kõigi elujõuliste mikroobide kõrvaldamine.

| 2. | ristvoolu filtratsiooniaparatuuri osad (nt moodulid, elemendid, kassetid, padrunid, plokid või plaadid), mille filtripindala on iga osa puhul vähemalt 0,2 m2 ja mis on kavandatud kasutamiseks punktis 2B352.d. määratletud ristvoolu filtratsiooniaparatuuris.: |
| --- | --- |

2.

ristvoolu filtratsiooniaparatuuri osad (nt moodulid, elemendid, kassetid, padrunid, plokid või plaadid), mille filtripindala on iga osa puhul vähemalt 0,2 m2 ja mis on kavandatud kasutamiseks punktis 2B352.d. määratletud ristvoolu filtratsiooniaparatuuris.:

Märkus: Punkt 2B352.d.ei hõlma pöördosmoosseadmeid, nagu on kindlaks määratud tootja poolt.

| e. | auruga steriliseeritav vaakumsublimatsioonkuivatamise seade kondensaatori suutlikkusega 50–1 000 kg jääd 24 tunni jooksul; |
| --- | --- |

e.

auruga steriliseeritav vaakumsublimatsioonkuivatamise seade kondensaatori suutlikkusega 50–1 000 kg jääd 24 tunni jooksul;

| f. | järgmised kaitsevahendid:






  1. | pool- või täiskaitseülikonnad või mütsid, mis sõltuvad nende külge kinnitatud välisest õhuvarustussüsteemist ja töötavad ülerõhul;


  Märkus: Punkt 2B352.f.1 ei hõlma ülikondi, mis on ette nähtud kasutamiseks koos kompaktse hingamisseadmega. |
| --- | --- | --- |

f.

järgmised kaitsevahendid:

1.

pool- või täiskaitseülikonnad või mütsid, mis sõltuvad nende külge kinnitatud välisest õhuvarustussüsteemist ja töötavad ülerõhul;

Märkus: Punkt 2B352.f.1 ei hõlma ülikondi, mis on ette nähtud kasutamiseks koos kompaktse hingamisseadmega.

| 2. | III klassi bioloogiliselt ohutud ruumid või isolaatorid, mis vastavad samadele toimimisstandarditele;


  Märkus: Punktis 2B352.f.2 hõlmavad isolaatorid painduvaid isolaatoreid, eksikaatoreid, anaeroobseid kambreid, kinnasbokse ja laminaarse voolu kardinaid (suletud vertikaalse vooluga). |
| --- | --- |

2.

III klassi bioloogiliselt ohutud ruumid või isolaatorid, mis vastavad samadele toimimisstandarditele;

Märkus: Punktis 2B352.f.2 hõlmavad isolaatorid painduvaid isolaatoreid, eksikaatoreid, anaeroobseid kambreid, kinnasbokse ja laminaarse voolu kardinaid (suletud vertikaalse vooluga).

| g. | aerosoolide inhalatsioonikambrid, mis on konstrueeritud katseteks mikroorganismide, viiruste või toksiinide aerosoolidega, mahuga 1 m3 või rohkem. |
| --- | --- |

g.

aerosoolide inhalatsioonikambrid, mis on konstrueeritud katseteks mikroorganismide, viiruste või toksiinide aerosoolidega, mahuga 1 m3 või rohkem.

2CMaterjalid

Puuduvad.

2DTarkvara

2D001
  Tarkvara, muu kui punktis 2D002 nimetatud, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktides 2A001 või 2B001–2B009 nimetatud seadmete arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks.

2D002
  Tarkvara elektroonsetele seadmetele, ka siis, kui see asub pidevalt salvestatuna elektroonses seadmes või süsteemis, mis võimaldab selliseid seadmeid või süsteeme toimida arvjuhitavate moodulitena ja mis suudab koordineerida üheaegselt enam kui nelja telje liikumist kontuurjuhtimiseks.

Märkus 1: Punkt 2D002 ei hõlma tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud 2. kategoorias nimetamata tööpinkide kasutamiseks.

Märkus 2: Punkt 2D002 ei hõlma tarkvara punktis 2B002 määratletud kaupadele. Punktis 2B002 määratletud kaupade tarkvara kontrolli vaata punktist 2D001.

2D101
  Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 või 2B119–2B122 nimetatud seadmete kasutamiseks.

NB! VT KA PUNKTI 9D004.

2D201
  Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 või 2B227 nimetatud seadmete kasutamiseks.

2D202
  Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 2B201 nimetatud seadmete arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks.

2ETehnoloogia

2E001
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia punktides 2A, 2B või 2D nimetatud seadmete või tarkvara arendamiseks.

2E002
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia punktis 2A või 2B nimetatud seadmete tootmiseks.

2E003Muu tehnoloogia:

| a. | tehnoloogia arvjuhtimismoodulite integreeritud osana oleva töötlemisprogrammide ettevalmistamiseks või muutmiseks vajaliku interaktiivgraafika arendamiseks; |
| --- | --- |

a.

tehnoloogia arvjuhtimismoodulite integreeritud osana oleva töötlemisprogrammide ettevalmistamiseks või muutmiseks vajaliku interaktiivgraafika arendamiseks;

| b. | metallitöötlemise tootmisprotsesside tehnoloogia:







  1. | spetsiaalselt järgnevalt loetletud protsesside jaoks loodud tööriistade, matriitside ja rakiste konstrueerimise tehnoloogia:







  a. | üliplastne vormimine; |
| --- | --- | --- | --- |

b.

metallitöötlemise tootmisprotsesside tehnoloogia:

1.

spetsiaalselt järgnevalt loetletud protsesside jaoks loodud tööriistade, matriitside ja rakiste konstrueerimise tehnoloogia:

a.

üliplastne vormimine;

| b. | difusioonkeevitus;
  või |
| --- | --- |

b.

difusioonkeevitus;
  või

| c. | otsetoimehüdropressimine; |
| --- | --- |

c.

otsetoimehüdropressimine;

| 2. | tehnilised andmed protsessi meetodite või parameetrite kohta, millega juhitakse järgmist:






  a. | alumiiniumi-, titaani- või supersulamite üliplastne vormimine:






  1. | pinna ettevalmistus; |
| --- | --- | --- | --- |

2.

tehnilised andmed protsessi meetodite või parameetrite kohta, millega juhitakse järgmist:

a.

alumiiniumi-, titaani- või supersulamite üliplastne vormimine:

1.

pinna ettevalmistus;

| 2. | deformatsiooni kiirus; |
| --- | --- |

2.

deformatsiooni kiirus;

| 3. | temperatuur; |
| --- | --- |

3.

temperatuur;

| 4. | rõhk; |
| --- | --- |

4.

rõhk;

| b. | titaani- või supersulamite difusioonkeevitus:







  1. | pinna ettevalmistus; |
| --- | --- | --- |

b.

titaani- või supersulamite difusioonkeevitus:

1.

pinna ettevalmistus;

| 2. | temperatuur; |
| --- | --- |

2.

temperatuur;

| 3. | rõhk; |
| --- | --- |

3.

rõhk;

| c. | alumiiniumi- või titaanisulamite otsetoimehüdropressimine:







  1. | rõhk; |
| --- | --- | --- |

c.

alumiiniumi- või titaanisulamite otsetoimehüdropressimine:

1.

rõhk;

| 2. | protsessi kestus; |
| --- | --- |

2.

protsessi kestus;

| d. | titaani-, alumiiniumi- või supersulamite kuumisostaattihendamine:







  1. | temperatuur; |
| --- | --- | --- |

d.

titaani-, alumiiniumi- või supersulamite kuumisostaattihendamine:

1.

temperatuur;

| 2. | rõhk; |
| --- | --- |

2.

rõhk;

| 3. | protsessi kestus; |
| --- | --- |

3.

protsessi kestus;

| c. | õhusõidukite tarindite tootmiseks hüdraulilise venitamisega vormimismasinate ja nende juurde kuuluvate matriitside arendamise või tootmise tehnoloogia; |
| --- | --- |

c.

õhusõidukite tarindite tootmiseks hüdraulilise venitamisega vormimismasinate ja nende juurde kuuluvate matriitside arendamise või tootmise tehnoloogia;

| d. | tööpingi arvjuhtimismoodulis olevatest projekteerimisandmetest juhtimiskäskude moodustamise generaatori (nt osad programmid) arendamise tehnoloogia; |
| --- | --- |

d.

tööpingi arvjuhtimismoodulis olevatest projekteerimisandmetest juhtimiskäskude moodustamise generaatori (nt osad programmid) arendamise tehnoloogia;

| e. | tehnoloogia integratsioonitarkvara arendamiseks ekspertsüsteemide sisseviimiseks arvjuhitavatesse moodulitesse, tootmispindadel toiminguotsuste edendatud toetamiseks; |
| --- | --- |

e.

tehnoloogia integratsioonitarkvara arendamiseks ekspertsüsteemide sisseviimiseks arvjuhitavatesse moodulitesse, tootmispindadel toiminguotsuste edendatud toetamiseks;

| f. | tehnoloogia mitteelektroonsete põhimike anorgaaniliste pinnakatetega katmiseks või anorgaanilise muundatud pinnakatte (määratletud alljärgneva tabeli 3. veerus) rakendamiseks (määratletud alljärgneva tabeli 2. veerus), protsessides, mis on määratletud alljärgneva tabeli 1. veerus ning on defineeritud tehnilises märkuses.


  Märkus: Tabel ning tehniline märkus on esitatud punkti 2E301 järel. |
| --- | --- |

f.

tehnoloogia mitteelektroonsete põhimike anorgaaniliste pinnakatetega katmiseks või anorgaanilise muundatud pinnakatte (määratletud alljärgneva tabeli 3. veerus) rakendamiseks (määratletud alljärgneva tabeli 2. veerus), protsessides, mis on määratletud alljärgneva tabeli 1. veerus ning on defineeritud tehnilises märkuses.

Märkus: Tabel ning tehniline märkus on esitatud punkti 2E301 järel.

2E101
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktis 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119–2B122 või 2D101 nimetatud seadmete või tarkvara kasutamiseks.

2E201
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktis 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b, 2B007.c, 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225–2B232, 2D201 või 2D202 nimetatud seadmete või tarkvara kasutamiseks.

2E301
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktides 2B350–2B352 nimetatud kaupade kasutamiseks.

Tabel

Pinnakatmise tehnikad

| 1. | Pindamismenetlus (1) (2) |
| --- | --- |

1.

Pindamismenetlus (1) (2)

| 2. | Substraat |
| --- | --- |

2.

Substraat

| 3. | Lõplikud kihid |
| --- | --- |

3.

Lõplikud kihid

| A. | Keemiline aurustamine-sadestamine (CVD) |
| --- | --- |

A.

Keemiline aurustamine-sadestamine (CVD)

Supersulamid

Aluminiidid sisemiste läbiviikude jaoks

Keraamika (19) ja vähepaisuvad klaasid (14)

Silitsiidid

Karbiidid

Dielektrilised kihid (15)

Teemant

Teemandilaadne süsinik (17)

Süsinik-süsinik, keraamiliste- ja metallpõhiainete komposiidid

Silitsiidid

Karbiidid

Rasksulavad metallid

Nende segud (4)

Dielektrilised kihid (15)

Aluminiidid

Legeeritud aluminiidid (2)

Boornitriid

Kõvasulam volframkarbiid (16), ränikarbiid (18)

Karbiidid

Volfram

Nende segud (4)

Dielektrilised kihid (15)

Molübdeen ja molübdeenisulamid

Dielektrilised kihid (15)

Berüllium ja berülliumisulamid

Dielektrilised kihid (15)

Teemant

Teemandilaadne süsinik (17)

Andur-aknamaterjalid (9)

Dielektrilised kihid (15)

Teemant

Teemandilaadne süsinik (17)

| B. | Termoaurustamine Füüsikaline aurustamine-sadestamine (TE-PVD) |
| --- | --- |

B.

Termoaurustamine Füüsikaline aurustamine-sadestamine (TE-PVD)

| B.1. | Füüsikaline aurustamine-sadestamine (PVD) Elektronkiire abil toimuv aurustamine-sadestamine (EB-PVD) |
| --- | --- |

B.1.

Füüsikaline aurustamine-sadestamine (PVD) Elektronkiire abil toimuv aurustamine-sadestamine (EB-PVD)

Supersulamid

Legeeritud silitsiidid

Legeeritud aluminiidid (2)

MCrAlX (5)

Muundatud tsirkooniumoksiid (12)

Silitsiidid

Aluminiidid

Nende segud (4)

Keraamika (19) ja vähepaisuvad klaasid (14)

Dielektrilised kihid (15)

Korrosioonikindel teras (7)

MCrAlX (5)

Muundatud tsirkooniumoksiid (12)

Nende segud (4)

Süsinik-süsinik, keraamiliste- ja metallpõhiainete komposiidid

Silitsiidid

Karbiidid

Rasksulavad metallid

Nende segud (4)

Dielektrilised kihid (15)

Boornitriid

Kõvasulam volframkarbiid (16), ränikarbiid (18)

Karbiidid

Volfram

Nende segud (4)

Dielektrilised kihid (15)

Molübdeen ja molübdeenisulamid

Dielektrilised kihid (15)

Berüllium ja berülliumisulamid

Dielektrilised kihid (15)

Boriidid

Berüllium

Andur-aknamaterjalid (9)

Dielektrilised kihid (15)

Titaanisulamid (13)

Boriidid

Nitriidid

| B.2. | Ioonide abil toimuv takistusliku kuumutamisega tekitatud aurustamine-sadestamine (PVD) (ioonpindamine) |
| --- | --- |

B.2.

Ioonide abil toimuv takistusliku kuumutamisega tekitatud aurustamine-sadestamine (PVD) (ioonpindamine)

Keraamika (19) vähepaisuu klaasid (14)

Dielektrilised kihid (15)

Teemandilaadne süsinik (17)

Süsinik-süsinik, keraamiliste- ja metallpõhiainete komposiidid

Dielektrilised kihid (15)

Kõvasulam volframkarbiid (16), ränikarbiid

Dielektrilised kihid (15)

Molübdeen ja molübdeenisulamid

Dielektrilised kihid (15)

Berüllium ja berülliumisulamid

Dielektrilised kihid (15)

Andur-aknamaterjalid (9)

Dielektrilised kihid (15)

Teemandilaadne süsinik (17)

| B.3. | Füüsikaline aurustamine-sadestamine (PVD): Laseraurustamine |
| --- | --- |

B.3.

Füüsikaline aurustamine-sadestamine (PVD): Laseraurustamine

Keraamika (19) ja vähepaisuvad klaasid (14)

Silitsiidid

Dielektrilised kihid (15)

Teemandilaadne süsinik (17)

Süsinik-süsinik, keraamiliste- ja metallpõhiainete komposiidid

Dielektrilised kihid (15)

Kõvasulam volframkarbiid (16), ränikarbiid

Dielektrilised kihid (15)

Molübdeen ja molübdeenisulamid

Dielektrilised kihid (15)

Berüllium ja berülliumisulamid

Dielektrilised kihid (15)

Andur-aknamaterjalid (9)

Dielektrilised kihid (15)

Teemandilaadne süsinik (17)

| B.4. | Füüsikaline aurustamine-sadestamine (PVD): Katoodkaarlahendus |
| --- | --- |

B.4.

Füüsikaline aurustamine-sadestamine (PVD): Katoodkaarlahendus

Supersulamid

Legeeritud silitsiidid

Legeeritud aluminiidid (2)

MCrAlX (5)

Polümeerid (11) ja orgaanilise põhimassi komposiidid

Boriidid

Karbiidid

Nitriidid

Teemandilaadne süsinik (17)

| C. | Tahke tsementiitimine (vt A ülal pakendamata tsementiitimine) (10) |
| --- | --- |

C.

Tahke tsementiitimine (vt A ülal pakendamata tsementiitimine) (10)

Süsinik-süsinik, keraamiliste- ja metallpõhiainete komposiidid

Silitsiidid

Karbiidid

Nende segud (4)

Titaanisulamid (13)

Silitsiidid

Aluminiidid

Legeeritud aluminiidid (2)

Rasksulavad metallid ja sulamid (8)

Silitsiidid

Oksiidid

| D. | Plasmapihustus |
| --- | --- |

D.

Plasmapihustus

Supersulamid

MCrAlX (5)

Muundatud tsirkooniumoksiid (12)

Nende segud (4)

Kulutatav nikkelgrafiit

Kulutatavad materjalid, mis sisaldavad Ni-Cr-Al;

Kulutatav Al-Si-polüester

Legeeritud aluminiidid (2)

Aluminiiniumsulamid (6)

MCrAlX (5)

Muundatud tsirkooniumoksiid (12)

Silitsiidid

Nende segud (4)

Rasksulavad metallid ja sulamid (8)

Aluminiidid

Silitsiidid

Karbiidid

Korrosioonikindel teras (7)

MCrAlX (5)

Muundatud tsirkooniumoksiid (12)

Nende segud (4)

Titaanisulamid (13)

Karbiidid

Aluminiidid

Silitsiidid

Legeeritud aluminiidid (2)

Kulutatav nikkelgrafiit

Kulutatavad materjalid,

mis sisaldavad Ni-Cr-Al;

Kulutatav Al-Si-polüester

| E. | Mudasadestus |
| --- | --- |

E.

Mudasadestus

Rasksulavad metallid ja sulamid (8)

Klaasistatud silitsiidid

Klaasistatud aluminiidid, v.a takistuskütteelemendid

Süsinik-süsinik, keraamiliste- ja metallpõhiaine komposiidid

Silitsiidid

Karbiidid

Nende segud (4)

| F. | Atomisatsioonsadestamine |
| --- | --- |

F.

Atomisatsioonsadestamine

Supersulamid

Legeeritud silitsiidid

Legeeritud aluminiidid (2)

Väärismetallidega muundatud aluminiidid (3)

MCrAlX (5)

Muundatud tsirkooniumoksiid (12)

Plaatina

Nende segud (4)

Keraamika ja vähepaisuvad klaasid (14)

Silitsiidid

Plaatina

Nende segud (4)

Dielektrilised kihid (15)

Teemandilaadne süsinik (17)

Titaanisulamid (13)

Boriidid

Nitriidid

Oksiidid

Silitsiidid

Aluminiidid

Legeeritud aluminiidid (2)

Karbiidid

Süsinik-süsinik, keraamiliste- ja metallpõhiainete komposiidid

Silitsiidid

Karbiidid

Rasksulavad metallid

Nende segud (4)

Dielektrilised kihid (15)

Boornitriid

Kõvasulam volframkarbiid (16), ränikarbiid (18)

Karbiidid

Volfram

Nende segud (4)

Dielektrilised kihid (15)

Boornitriid

Molübdeen ja molübdeenisulamid

Dielektrilised kihid (15)

Berüllium ja berülliumisulamid

Boriidid

Dielektrilised kihid (15)

Berüllium

Andur-aknamaterjalid (9)

Dielektrilised kihid (15)

Teemandilaadne süsinik (17)

Rasksulavad metallid ja sulamid (8)

Aluminiidid

Silitsiidid

Oksiidid

Karbiidid

| G. | Ioonlegeerimine |
| --- | --- |

G.

Ioonlegeerimine

Kõrgtemperatuursed laagriterased

Lisandid: kroom, tantaal või nioobium (kolumbium)

Titaanisulamid (13)

Boriidid

Nitriidid

Berüllium ja berülliumisulamid

Boriidid

Kõvasulam volframkarbiid (16)

Karbiidid

Nitriidid

Tabel – Pinnakatmise tehnikad-märkused

| 1. | Mõiste pindamismenetlus hõlmab nii pinnakatte parandamist ja uuendamist kui ka originaalpinnakatmist. |
| --- | --- |

1.

Mõiste pindamismenetlus hõlmab nii pinnakatte parandamist ja uuendamist kui ka originaalpinnakatmist.

| 2. | Mõiste legeeritud aluminiidkate sisaldab ühe- või mitmeastmelise katmise, mille kestel element või elemendid on sadestatud enne või ka samaaegselt aluminiidiga, ka siis, kui need elemendid sadestatakse erineva pindamismenetluse abil. See ei sisalda aga mitmekordset üheastmelist tahke tsementiitimise menetluse kasutamist legeeritud aluminiidikihi saamiseks. |
| --- | --- |

2.

Mõiste legeeritud aluminiidkate sisaldab ühe- või mitmeastmelise katmise, mille kestel element või elemendid on sadestatud enne või ka samaaegselt aluminiidiga, ka siis, kui need elemendid sadestatakse erineva pindamismenetluse abil. See ei sisalda aga mitmekordset üheastmelist tahke tsementiitimise menetluse kasutamist legeeritud aluminiidikihi saamiseks.

| 3. | Mõiste väärismetallidega muundatud aluminiidkate koosneb mitmeastmelistest kihtidest, milles väärismetall või väärismetallid on kantud põhimikule enne aluminiidiga katmist mõne muu pindamismenetluse abil. |
| --- | --- |

3.

Mõiste väärismetallidega muundatud aluminiidkate koosneb mitmeastmelistest kihtidest, milles väärismetall või väärismetallid on kantud põhimikule enne aluminiidiga katmist mõne muu pindamismenetluse abil.

| 4. | Mõiste nende segud sisaldab infiltreeritud aineid, nende astmelisi segusid, samaaegseid kaassadestamisi ja mitmekihilisi sadestamisi ning on saadud ühe või enama tabelis nimetatud pindamismenetluse teel. |
| --- | --- |

4.

Mõiste nende segud sisaldab infiltreeritud aineid, nende astmelisi segusid, samaaegseid kaassadestamisi ja mitmekihilisi sadestamisi ning on saadud ühe või enama tabelis nimetatud pindamismenetluse teel.

| 5. | McrAlX tähistab pindamissulamit, kus "M" tähistab koobaltit, rauda, niklit või nende kombinatsioone ning "X" tähistab hafniumit, ütriumit, räni, tantaali mis tahes koguses või teisi tahtlikke lisandeid üle 0,01 massi% mitmesugustes kombinatsioonides ning suhetes, välja arvatud:






  a. | CoCrAlY-katted, mis sisaldavad vähem kui 22 massi% kroomi, vähem kui 7 massi% alumiiniumi ja vähem kui 2 massi% ütriumi; |
| --- | --- | --- |

5.

McrAlX tähistab pindamissulamit, kus "M" tähistab koobaltit, rauda, niklit või nende kombinatsioone ning "X" tähistab hafniumit, ütriumit, räni, tantaali mis tahes koguses või teisi tahtlikke lisandeid üle 0,01 massi% mitmesugustes kombinatsioonides ning suhetes, välja arvatud:

a.

CoCrAlY-katted, mis sisaldavad vähem kui 22 massi% kroomi, vähem kui 7 massi% alumiiniumi ja vähem kui 2 massi% ütriumi;

| b. | CoCrAlY-katted, mis sisaldavad 22–24 massi% kroomi, 10–12 massi% alumiiniumi ja 0,5–0,7 massi% ütriumi; või |
| --- | --- |

b.

CoCrAlY-katted, mis sisaldavad 22–24 massi% kroomi, 10–12 massi% alumiiniumi ja 0,5–0,7 massi% ütriumi; või

| c. | NiCrAlY-katted, mis sisaldavad 21–23 massi% kroomi, 10–12 massi% alumiiniumi ja 0,9–1,1 massi% ütriumi. |
| --- | --- |

c.

NiCrAlY-katted, mis sisaldavad 21–23 massi% kroomi, 10–12 massi% alumiiniumi ja 0,9–1,1 massi% ütriumi.

| 6. | Mõiste alumiiniumisulam tähendab sulameid, mille tõmbetugevus on 190 MPa või rohkem, mõõdetuna temperatuuril 293 K (20 °C). |
| --- | --- |

6.

Mõiste alumiiniumisulam tähendab sulameid, mille tõmbetugevus on 190 MPa või rohkem, mõõdetuna temperatuuril 293 K (20 °C).

| 7. | Mõiste korrosioonikindel teras tähendab AISI 300 seeria või vastavale siseriiklikule standardile vastavaid terasesorte. |
| --- | --- |

7.

Mõiste korrosioonikindel teras tähendab AISI 300 seeria või vastavale siseriiklikule standardile vastavaid terasesorte.

| 8. | Rasksulavad metallid ja sulamid hõlmavad järgmisi metalle ja nende sulameid: nioobium (kolumbium), molübdeen, volfram ja tantaal. |
| --- | --- |

8.

Rasksulavad metallid ja sulamid hõlmavad järgmisi metalle ja nende sulameid: nioobium (kolumbium), molübdeen, volfram ja tantaal.

| 9. | Andur-aknamaterjalid on järgmised: alumiiniumoksiid, räni, germaanium, tsinksulfiid, tsinkseleniid, galliumarseniid, teemant, galliumfosfiid, safiir ning järgmiste metallide halogeniidid: tsirkooniumfluoriididst ja hafniumfluoriidist koosnevad andur-aknamaterjalid, mille läbimõõt on üle 40 mm. |
| --- | --- |

9.

Andur-aknamaterjalid on järgmised: alumiiniumoksiid, räni, germaanium, tsinksulfiid, tsinkseleniid, galliumarseniid, teemant, galliumfosfiid, safiir ning järgmiste metallide halogeniidid: tsirkooniumfluoriididst ja hafniumfluoriidist koosnevad andur-aknamaterjalid, mille läbimõõt on üle 40 mm.

| 10. | Kategooria ei hõlma üheastmelist massiivsete turbiinilabade tahke tsementiitimise tehnoloogiat. |
| --- | --- |

10.

Kategooria ei hõlma üheastmelist massiivsete turbiinilabade tahke tsementiitimise tehnoloogiat.

| 11. | Polymers, as follows: polüimiid, polüester, polüsulfiid, polükarbonaadid ja polüuretaanid. |
| --- | --- |

11.

Polymers, as follows: polüimiid, polüester, polüsulfiid, polükarbonaadid ja polüuretaanid.

| 12. | Muundatud tsirkooniumoksiid tähendab, et tsirkooniumis on lisandina muude metallide oksiide (nt kaltsiumoksiid, magneesiumoksiid, ütriumoksiid, hafniumoksiid, haruldaste muldmetallide oksiidid), et stabiliseerida kindlaid kristallograafilisi faase ja faaside ühendeid. Termobarjäärpinne tsirkooniumoksiidist, mis on kaltsiumoksiidiga või magneesiumoksiidiga muundatud segamise või kokkusulatamise teel, ei kuulu kontrolli alla. |
| --- | --- |

12.

Muundatud tsirkooniumoksiid tähendab, et tsirkooniumis on lisandina muude metallide oksiide (nt kaltsiumoksiid, magneesiumoksiid, ütriumoksiid, hafniumoksiid, haruldaste muldmetallide oksiidid), et stabiliseerida kindlaid kristallograafilisi faase ja faaside ühendeid. Termobarjäärpinne tsirkooniumoksiidist, mis on kaltsiumoksiidiga või magneesiumoksiidiga muundatud segamise või kokkusulatamise teel, ei kuulu kontrolli alla.

| 13. | Titaanisulamid tähendavad ainult kosmoselendude jaoks kasutatavaid sulameid, mille temperatuuril 293 K (20 °C) mõõdetud tõmbetugevus on 900 MPa või rohkem. |
| --- | --- |

13.

Titaanisulamid tähendavad ainult kosmoselendude jaoks kasutatavaid sulameid, mille temperatuuril 293 K (20 °C) mõõdetud tõmbetugevus on 900 MPa või rohkem.

| 14. | Vähepaisuvad klaasid tähendavad klaase, mille temperatuuril 293 K (20°C) mõõdetud soojusliku paisumise tegur on 1 × 10-7 K-1 või vähem. |
| --- | --- |

14.

Vähepaisuvad klaasid tähendavad klaase, mille temperatuuril 293 K (20°C) mõõdetud soojusliku paisumise tegur on 1 × 10-7 K-1 või vähem.

| 15. | Dielektrilised kihid on pinnakatted, mis koosnevad paljudest dielektrilise materjali kihtidest, mille erinevate murdumisnäitajatega ainete kombinatsioonide planeeritud interferentsiomadused on kasutatud erinevate lainepikkusvahemike peegeldamiseks, ülekandmiseks või neelamiseks. Dielektrilised kihid tähendavad rohkem kui nelja dielektrilist kihti või dielektrik/metall komposiitkihti. |
| --- | --- |

15.

Dielektrilised kihid on pinnakatted, mis koosnevad paljudest dielektrilise materjali kihtidest, mille erinevate murdumisnäitajatega ainete kombinatsioonide planeeritud interferentsiomadused on kasutatud erinevate lainepikkusvahemike peegeldamiseks, ülekandmiseks või neelamiseks. Dielektrilised kihid tähendavad rohkem kui nelja dielektrilist kihti või dielektrik/metall komposiitkihti.

| 16. | Kõvasulam volframkarbiid ei hõlma lõike- ja vormimisinstrumentide materjale, mis koosnevad volframkarbiidist/(koobalt, nikkel), titaankarbiidist/(koobalt, nikkel), kroomkarbiidist/nikkel-kroom ja kroomkarbiid/nikkel. |
| --- | --- |

16.

Kõvasulam volframkarbiid ei hõlma lõike- ja vormimisinstrumentide materjale, mis koosnevad volframkarbiidist/(koobalt, nikkel), titaankarbiidist/(koobalt, nikkel), kroomkarbiidist/nikkel-kroom ja kroomkarbiid/nikkel.

| 17. | Spetsiaalselt teemandilaadse süsiniku sadestamise tehnoloogia järgmistele materjalidele ei kuulu kontrolli alla: | magnetketta ajurid ja magnetpead, ühekordse kasutusega kaupade tootmisseadmed, kraanide klapid, valjuhääldite akustilised membraanid, autode mootoriosad, lõiketerad, stantsimise-pressimise matriitsid, kontorite automatiseerimisseadmed, mikrofonid ning meditsiinitehnika või vormid vähem kui 5 %-lise berülliumi sisaldusega sulamitest toodetud plastide valamiseks või vormimiseks. |
| --- | --- | --- |

17.

Spetsiaalselt teemandilaadse süsiniku sadestamise tehnoloogia järgmistele materjalidele ei kuulu kontrolli alla:

magnetketta ajurid ja magnetpead, ühekordse kasutusega kaupade tootmisseadmed, kraanide klapid, valjuhääldite akustilised membraanid, autode mootoriosad, lõiketerad, stantsimise-pressimise matriitsid, kontorite automatiseerimisseadmed, mikrofonid ning meditsiinitehnika või vormid vähem kui 5 %-lise berülliumi sisaldusega sulamitest toodetud plastide valamiseks või vormimiseks.

| 18. | Ränikarbiid ei hõlma lõike- ning vormimisinstrumentide materjale. |
| --- | --- |

18.

Ränikarbiid ei hõlma lõike- ning vormimisinstrumentide materjale.

| 19. | Keraamilised põhimikud ei hõlma käesolevas tähenduses keraamilisi materjale, mis sisaldavad 5 massi% või rohkem savi või tsementi kas eraldi komponentidena või kombinatsioonis. |
| --- | --- |

19.

Keraamilised põhimikud ei hõlma käesolevas tähenduses keraamilisi materjale, mis sisaldavad 5 massi% või rohkem savi või tsementi kas eraldi komponentidena või kombinatsioonis.

Tabeli 1. veerus määratud menetlused on järgmised:

| a. | keemiline aurustamine-sadestamine (CVD) on pinnakatmise või pinna muundamise protsess, mille kestel metall, sulam, dielektriline või keraamiline komposiit, sadestatakse kuumutatud põhimikule. Gaasilised reageerivad ained lagunevad või ühinevad põhimiku läheduses, põhjustades soovitud elemendi, sulami või ühendi sadestumise põhimikule. Energiat sellise lagunemise või keemilise reaktsiooni läbiviimiseks saab juurde anda põhimiku kuumutamisega, huumlahendusplasma või laserkiirguse abil.


  NB 1! CVD sisaldab järgmisi menetlusi: sadestamine suunatud gaasivoo abil, ilma otsese põhimiku pulberkontaktita (out-of-pack), CVD-katmine pulseeriva rõhu juures, kontrollitud idustamisega termiline sadestamine (CNTD), plasmaaktiveeritud või plasma osalusel CVD menetlused.



  NB 2! Pulberkontakt tähendab, et põhimik on pulbrisegusse uputatud.



  NB 3! Gaasilisi reageerivaid aineid, mida kasutatakse pulberkontaktita menetlustes, toodetakse samu põhireaktsioone ja parameetreid kasutades nagu tahke tsementiitimise protsessiski, välja arvatud see, et kaetav põhimik pole otseses kokkupuutes pulbriseguga. |
| --- | --- |

a.

keemiline aurustamine-sadestamine (CVD) on pinnakatmise või pinna muundamise protsess, mille kestel metall, sulam, dielektriline või keraamiline komposiit, sadestatakse kuumutatud põhimikule. Gaasilised reageerivad ained lagunevad või ühinevad põhimiku läheduses, põhjustades soovitud elemendi, sulami või ühendi sadestumise põhimikule. Energiat sellise lagunemise või keemilise reaktsiooni läbiviimiseks saab juurde anda põhimiku kuumutamisega, huumlahendusplasma või laserkiirguse abil.

NB 1! CVD sisaldab järgmisi menetlusi: sadestamine suunatud gaasivoo abil, ilma otsese põhimiku pulberkontaktita (out-of-pack), CVD-katmine pulseeriva rõhu juures, kontrollitud idustamisega termiline sadestamine (CNTD), plasmaaktiveeritud või plasma osalusel CVD menetlused.

NB 2! Pulberkontakt tähendab, et põhimik on pulbrisegusse uputatud.

NB 3! Gaasilisi reageerivaid aineid, mida kasutatakse pulberkontaktita menetlustes, toodetakse samu põhireaktsioone ja parameetreid kasutades nagu tahke tsementiitimise protsessiski, välja arvatud see, et kaetav põhimik pole otseses kokkupuutes pulbriseguga.

| b. | termoaurustamine – füüsikaline aurustamine-sadestamine (TE-PVD) on pinnakatmise menetlus, mis viiakse läbi vaakumis rõhul vähem kui 0,1 Pa ja milles kasutatakse kattematerjali aurustamiseks soojusallikat. Selle menetluse käigus kondenseerub või sadestub aurustunud aine sobivalt asetatud põhimiku pinnale.
  Lisagaaside juhtimine vaakumkambrisse pinnakatmise protsessi ajal sünteesimaks ühendkatteid on tavaline menetluse modifikatsioon.
  Ioon- või elektronkiirte või plasma kasutamine pinnakatte sadestumise aktiveerimiseks või aitamiseks on samuti selle tehnika tavaline modifikatsioon. Menetluse üheks iseloomulikuks jooneks võib olla protsessi käigus monitoride kasutamine katete paksuse ja optiliste parameetrite mõõtmiseks.
  Järgmised protsessid on iseloomulikud TE-PVD protsessid:






  1. | elektronkiire abil toimuval aurustamisel-sadestamisel (PVD) kasutatakse elektronkiirt katet moodustava aine soojendamiseks ning aurustamiseks; |
| --- | --- | --- |

b.

termoaurustamine – füüsikaline aurustamine-sadestamine (TE-PVD) on pinnakatmise menetlus, mis viiakse läbi vaakumis rõhul vähem kui 0,1 Pa ja milles kasutatakse kattematerjali aurustamiseks soojusallikat. Selle menetluse käigus kondenseerub või sadestub aurustunud aine sobivalt asetatud põhimiku pinnale.

Lisagaaside juhtimine vaakumkambrisse pinnakatmise protsessi ajal sünteesimaks ühendkatteid on tavaline menetluse modifikatsioon.

Ioon- või elektronkiirte või plasma kasutamine pinnakatte sadestumise aktiveerimiseks või aitamiseks on samuti selle tehnika tavaline modifikatsioon. Menetluse üheks iseloomulikuks jooneks võib olla protsessi käigus monitoride kasutamine katete paksuse ja optiliste parameetrite mõõtmiseks.

Järgmised protsessid on iseloomulikud TE-PVD protsessid:

1.

elektronkiire abil toimuval aurustamisel-sadestamisel (PVD) kasutatakse elektronkiirt katet moodustava aine soojendamiseks ning aurustamiseks;

| 2. | ioonide abil toimuva takistusliku kuumutamisega tekitatud aurustamisel-sadestamisel kasutatakse takistuslikke elektrilisi soojusallikaid kombinatsioonis põrkuvate ioonkiirtega, et saavutada reguleeritud ühtlast aurustatud katteaine voogu; |
| --- | --- |

2.

ioonide abil toimuva takistusliku kuumutamisega tekitatud aurustamisel-sadestamisel kasutatakse takistuslikke elektrilisi soojusallikaid kombinatsioonis põrkuvate ioonkiirtega, et saavutada reguleeritud ühtlast aurustatud katteaine voogu;

| 3. | laseraurustamisel kasutatakse kas impulss- või pidevlaine laserkiiri katet moodustava aine aurustamiseks; |
| --- | --- |

3.

laseraurustamisel kasutatakse kas impulss- või pidevlaine laserkiiri katet moodustava aine aurustamiseks;

| 4. | katoodsadestamisel kasutatakse pinnakatet moodustavast ainest kuluvat katoodi ja kaarlahendust, mis süüdatakse hetkelisel katoodi ja pinna kokkupuutel. Kaare kontrollitav liikumine kulutab katoodi pinda, moodustades üliioniseeritud plasma. Anoodiks võib kasutada kas katoodi lähedusse isolaatori kaudu kinnitatud koonust või kambrit. Mittesirgjoonelise sadestamise korral kasutatakse põhimiku eelpingestamist.


  NB! See definitsioon ei hõlma juhuslikku katoodsadestamist eelpingestamata põhimikele. |
| --- | --- |

4.

katoodsadestamisel kasutatakse pinnakatet moodustavast ainest kuluvat katoodi ja kaarlahendust, mis süüdatakse hetkelisel katoodi ja pinna kokkupuutel. Kaare kontrollitav liikumine kulutab katoodi pinda, moodustades üliioniseeritud plasma. Anoodiks võib kasutada kas katoodi lähedusse isolaatori kaudu kinnitatud koonust või kambrit. Mittesirgjoonelise sadestamise korral kasutatakse põhimiku eelpingestamist.

NB! See definitsioon ei hõlma juhuslikku katoodsadestamist eelpingestamata põhimikele.

| 5. | ioonpindamine on üks erijuht üldisest termoaurustamise – füüsikalise aurustamise-sadestamise (TE-PVD) menetlusest, mille käigus kasutatakse plasmat või iooniallikat sadestatava aine ioniseerimiseks ning sadestatava aine eraldamiseks plasmast rakendatakse põhimikule negatiivset eelpinget. Reageerivate ainete protsessi kaasamine, tahkiste aurustamine protsessikambris ning protsessi käigus monitoride kasutamine katete paksuse ja optiliste parameetrite mõõtmiseks on selle menetluse tavalised modifikatsioonid. |
| --- | --- |

5.

ioonpindamine on üks erijuht üldisest termoaurustamise – füüsikalise aurustamise-sadestamise (TE-PVD) menetlusest, mille käigus kasutatakse plasmat või iooniallikat sadestatava aine ioniseerimiseks ning sadestatava aine eraldamiseks plasmast rakendatakse põhimikule negatiivset eelpinget. Reageerivate ainete protsessi kaasamine, tahkiste aurustamine protsessikambris ning protsessi käigus monitoride kasutamine katete paksuse ja optiliste parameetrite mõõtmiseks on selle menetluse tavalised modifikatsioonid.

| c. | tahke tsementiitimine on pinna muundamis- või katmismenetlus, milles põhimik on asetatud pulbrisegusse (pakend), mis koosneb järgmisest:






  1. | sadestatavad metallipulbrid (tavaliselt alumiinium, kroom, räni või nende segud); |
| --- | --- | --- |

c.

tahke tsementiitimine on pinna muundamis- või katmismenetlus, milles põhimik on asetatud pulbrisegusse (pakend), mis koosneb järgmisest:

1.

sadestatavad metallipulbrid (tavaliselt alumiinium, kroom, räni või nende segud);

| 2. | aktivaator (tavaliselt halogeniidisool); ja |
| --- | --- |

2.

aktivaator (tavaliselt halogeniidisool); ja

| 3. | inertne pulber, tavaliselt alumiiniumoksiid. |
| --- | --- |

3.

inertne pulber, tavaliselt alumiiniumoksiid.

Põhimik ja pulbrisegu asetatakse retorti, mida kuumutatakse katte sadestamiseks piisava aja jooksul temperatuurivahemikus 1 030 K (757 °C) kuni 1 375 K (1 102 °C).

| d. | plasmapihustus on üks pinnakatmismenetlus, milles plasmat tekitav ja juhtiv plasmakahur võtab vastu kattematerjali pulbrit või traati, sulatab selle ning paiskab põhimikule, millel moodustubki homogeenne seotud kiht. Plasmapihustus on kas madalrõhu plasma pihustus või ülikiire plasma pihustus.


  NB 1! Madal rõhk tähendab siin ümbritsevast rõhust madalamat rõhku.



  NB 2! Ülikiire tähendab düüsist väljuva gaasi kiirust, mis on suurem kui 750 m/s, arvutatuna 293 K (20 °C) juures rõhul 0,1 MPa. |
| --- | --- |

d.

plasmapihustus on üks pinnakatmismenetlus, milles plasmat tekitav ja juhtiv plasmakahur võtab vastu kattematerjali pulbrit või traati, sulatab selle ning paiskab põhimikule, millel moodustubki homogeenne seotud kiht. Plasmapihustus on kas madalrõhu plasma pihustus või ülikiire plasma pihustus.

NB 1! Madal rõhk tähendab siin ümbritsevast rõhust madalamat rõhku.

NB 2! Ülikiire tähendab düüsist väljuva gaasi kiirust, mis on suurem kui 750 m/s, arvutatuna 293 K (20 °C) juures rõhul 0,1 MPa.

| e. | mudasadestus on üks pinna muundamis- või katmismenetlus, milles orgaanilise sideainega vedelikus suspenseeritud metalli- või keraamikapulber kantakse põhimikule kas pihustamise, sukeldamise või pintsli abil, millele järgneb õhus või ahjus kuivatamine ning termotöötlemine, saavutamaks soovitud pinnakatet. |
| --- | --- |

e.

mudasadestus on üks pinna muundamis- või katmismenetlus, milles orgaanilise sideainega vedelikus suspenseeritud metalli- või keraamikapulber kantakse põhimikule kas pihustamise, sukeldamise või pintsli abil, millele järgneb õhus või ahjus kuivatamine ning termotöötlemine, saavutamaks soovitud pinnakatet.

| f. | atomisatsioonsadestus on pinnakatmismenetlus, mis põhineb impulsi ülekande nähtusel, milles positiivsed ioonid kiirendatakse elektriväljas märklaua (kattev aine) pinna suunas. Põrkuvate ioonide kineetiline energia on piisav, et aatomeid märklauast välja lüüa ning sadestada sobivalt asetatud põhimikule.


  NB 1! Tabelis on viidatud vaid triood-, magnetron- või reaktiiv- atomisatsioonsadestamisele, mida kasutatakse katte nakkuvuse ja sadestuskiiruse suurendamiseks ning raadiosageduslikult suurendatud atomisatsioonsadestamisel, mis võimaldab aurustada ka mittemetallilisi kattematerjale.



  NB 2! Sadestumise aktiveerimiseks kasutatakse madalaenergeetilisi (alla 5 keV) ioonkiiri. |
| --- | --- |

f.

atomisatsioonsadestus on pinnakatmismenetlus, mis põhineb impulsi ülekande nähtusel, milles positiivsed ioonid kiirendatakse elektriväljas märklaua (kattev aine) pinna suunas. Põrkuvate ioonide kineetiline energia on piisav, et aatomeid märklauast välja lüüa ning sadestada sobivalt asetatud põhimikule.

NB 1! Tabelis on viidatud vaid triood-, magnetron- või reaktiiv- atomisatsioonsadestamisele, mida kasutatakse katte nakkuvuse ja sadestuskiiruse suurendamiseks ning raadiosageduslikult suurendatud atomisatsioonsadestamisel, mis võimaldab aurustada ka mittemetallilisi kattematerjale.

NB 2! Sadestumise aktiveerimiseks kasutatakse madalaenergeetilisi (alla 5 keV) ioonkiiri.

| g. | ioonlegeerimine on üks pinna muundamis- või katmismenetlus, milles sulandatav element ioniseeritakse, kiirendatakse potentsiaali gradiendi abil ning implanteeritakse põhimiku pinna piirkonnas. See hõlmab ka menetlusi, milles ioonlegeerimine teostatakse samaaegselt elektronkiire abil toimuva aurustamise-sadestamise või atomisatsioonsadestamisega. |
| --- | --- |

g.

ioonlegeerimine on üks pinna muundamis- või katmismenetlus, milles sulandatav element ioniseeritakse, kiirendatakse potentsiaali gradiendi abil ning implanteeritakse põhimiku pinna piirkonnas. See hõlmab ka menetlusi, milles ioonlegeerimine teostatakse samaaegselt elektronkiire abil toimuva aurustamise-sadestamise või atomisatsioonsadestamisega.

3. KATEGOORIA

ELEKTROONIKA

3ASüsteemid, seadmed ja komponendid

Märkus 1: Punktis 3A001 või 3A002 nimetatud selliste seadmete ja komponentide kontrolli alla kuulumine (v.a punktides 3A001.a.3–3A001.a.10 või punktis 3A001.a.12 nimetatud), mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks muudes seadmetes või millel on muudele seadmetele iseloomulikud tunnused, määratakse nende muude seadmete kontrolli alla kuulumisega.

Märkus 2: Punktides 3A001.a.3–3A001.a.9 või punktis 3A001.a.12 nimetatud selliste integraallülituste kontrolli alla kuulumine, mis on püsiprogrammeeritud või kavandatud muude seadmete spetsiifiliste funktsioonide täitmiseks, määratakse nende seadmete kontrolli alla kuulumise alusel, milles neid kasutatakse.

NB! Kui tootja või loataotleja ei suuda kindlaks määrata nende muude seadmete kontrolli alla kuulumist, määratakse nende integraallülituste kontrolli alla kuulumine

punktides 3A001.a.3–3A001.a.9 ja 3A001.a.12. Kui integraallülitus on punktis 3A001.a.3 nimetatud, ränist valmistatud mikroarvuti mikroskeem või mikrokontrolleri mikroskeem, mille operandi (andmed) sõna pikkuseks on 8 bitti või vähem, on selle integraallülituse kontrolli alla kuulumine määratud punktis 3A001.a.3.

3A001Elektroonilised komponendid:

| a. | üldise kasutusega integraallülitused:


  Märkus 1: Selliste (valmis või poolvalmis) pooljuhtplaatide kontrolli alla kuulumist, mille otstarve on kindlaks määratud, hinnatakse punkti 3A001.a parameetrite põhjal.



  Märkus 2: Integraallülituste tüübid: | Monoliit-integraallülitused; |
| --- | --- | --- |

a.

üldise kasutusega integraallülitused:

Märkus 1: Selliste (valmis või poolvalmis) pooljuhtplaatide kontrolli alla kuulumist, mille otstarve on kindlaks määratud, hinnatakse punkti 3A001.a parameetrite põhjal.

Märkus 2: Integraallülituste tüübid:

Monoliit-integraallülitused;

| | Hübriidintegraallülitused; |
| --- | --- |

Hübriidintegraallülitused;

| | Mitmekiibilised integraallülitused; |
| --- | --- |

Mitmekiibilised integraallülitused;

| | Kile-tüüpi integraallülitused, kaasa arvatud räni-safiir-tüüpi integraallülitused; |
| --- | --- |

Kile-tüüpi integraallülitused, kaasa arvatud räni-safiir-tüüpi integraallülitused;

| | Optilised integraallülitused. |
| --- | --- |

Optilised integraallülitused.

| 1. | Integraallülitused, mis on planeeritud või arvestatud taluma kiirgust järgmiselt:






  a. | kogudoos, mille väärtus on 5×103 Gy (räni) või rohkem; |
| --- | --- | --- |

1.

Integraallülitused, mis on planeeritud või arvestatud taluma kiirgust järgmiselt:

a.

kogudoos, mille väärtus on 5×103 Gy (räni) või rohkem;

| b. | doosikiirus, mille väärtus on 5×106 (räni)/s või rohkem; või |
| --- | --- |

b.

doosikiirus, mille väärtus on 5×106 (räni)/s või rohkem; või

| c. | neutronite (1 MeV ekvivalent) integreeritud vootihedus 5 × 1013 n/cm2 või suurem räni korral või selle ekvivalent muude ainete korral;


  Märkus: Punkti 3A001.a.1.c ei kohaldata metall-isolaator-pooljuht- (MIS) struktuuride suhtes. |
| --- | --- |

c.

neutronite (1 MeV ekvivalent) integreeritud vootihedus 5 × 1013 n/cm2 või suurem räni korral või selle ekvivalent muude ainete korral;

Märkus: Punkti 3A001.a.1.c ei kohaldata metall-isolaator-pooljuht- (MIS) struktuuride suhtes.

| 2. | Mikroprotsessor-mikroskeemid, mikroarvuti-mikroskeemid, mikrokontroller-mikroskeemid, liitpooljuhtidest valmistatud mäluintegraallülitused, analoog-digitaal muundajad, digitaal-analoog muundajad, signaalitöötluseks ettenähtud elektrooptilised või optilised integraallülitused, kasutaja-programmeeritavad loogilised seadmed, neurovõrgu integraallülitused, tundmatu otstarbega tavaintegraallülitused või integraallülitused, mis on ette nähtud kasutamiseks teadmata kontrollitavusega seadmes, Fourier’ kiirteisenduse (FFT) protsessorid, programmeeritavad elekterkustutusega püsimälud (EEPROM), välkmälud või staatilised muutmälud, millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | määratud toimima keskkonnatemperatuuril üle 398 K (+125 °C); |
| --- | --- | --- |

2.

Mikroprotsessor-mikroskeemid, mikroarvuti-mikroskeemid, mikrokontroller-mikroskeemid, liitpooljuhtidest valmistatud mäluintegraallülitused, analoog-digitaal muundajad, digitaal-analoog muundajad, signaalitöötluseks ettenähtud elektrooptilised või optilised integraallülitused, kasutaja-programmeeritavad loogilised seadmed, neurovõrgu integraallülitused, tundmatu otstarbega tavaintegraallülitused või integraallülitused, mis on ette nähtud kasutamiseks teadmata kontrollitavusega seadmes, Fourier’ kiirteisenduse (FFT) protsessorid, programmeeritavad elekterkustutusega püsimälud (EEPROM), välkmälud või staatilised muutmälud, millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

määratud toimima keskkonnatemperatuuril üle 398 K (+125 °C);

| b. | määratud toimima keskkonnatemperatuuril alla 218 K (–55 °C); või |
| --- | --- |

b.

määratud toimima keskkonnatemperatuuril alla 218 K (–55 °C); või

| c. | määratud toimima keskkonnatemperatuuril 218 K (–55 °C) kuni 398 K (+125 °C); |
| --- | --- |

c.

määratud toimima keskkonnatemperatuuril 218 K (–55 °C) kuni 398 K (+125 °C);

Märkus: Punkti 3A001.a.2 ei kohaldata integraallülituste suhtes, mida kasutatakse tsiviilotstarbelistes autodes või rongides.

| 3. | Mikroprotsessorite mikroskeemid, mikroarvutite mikroskeemid ja mikrokontrollerite mikroskeemid, millel on mis tahes järgmine omadus:


  Märkus: Punkt 3A001.a.3 hõlmab digitaalseid signaalprotsessoreid, digitaalmaatriksprotsessoreid ja digitaalseid kaasprotsessoreid.







  a. | ei kasutata; |
| --- | --- | --- |

3.

Mikroprotsessorite mikroskeemid, mikroarvutite mikroskeemid ja mikrokontrollerite mikroskeemid, millel on mis tahes järgmine omadus:

Märkus: Punkt 3A001.a.3 hõlmab digitaalseid signaalprotsessoreid, digitaalmaatriksprotsessoreid ja digitaalseid kaasprotsessoreid.

a.

ei kasutata;

| b. | valmistatud liitpooljuhist ja toimib taktsagedusel üle 40 MHz; või |
| --- | --- |

b.

valmistatud liitpooljuhist ja toimib taktsagedusel üle 40 MHz; või

| c. | rohkem kui üks andme- või käsusiin või järjestikuline järjestikport väliseks ühenduseks paralleelprotsessoris, edastuskiirusega üle 150 megabaidi sekundis; |
| --- | --- |

c.

rohkem kui üks andme- või käsusiin või järjestikuline järjestikport väliseks ühenduseks paralleelprotsessoris, edastuskiirusega üle 150 megabaidi sekundis;

| 4. | Liitpooljuhist valmistatud mälu integraallülitused; |
| --- | --- |

4.

Liitpooljuhist valmistatud mälu integraallülitused;

| 5. | Analoog-digitaalmuundur ja digitaal-analoogmuundur integraallülitused:






  a. | Analoog-digitaalmuundurid, millel on mis tahes järgmine omadus:

  NB! VT KA PUNKTI 3A101







  1. | eraldusvõime üle 8 biti, kuid vähem kui 12 bitti, täieliku muundamise ajaga vähem kui 5 ns; |
| --- | --- | --- | --- |

5.

Analoog-digitaalmuundur ja digitaal-analoogmuundur integraallülitused:

a.

Analoog-digitaalmuundurid, millel on mis tahes järgmine omadus:

NB! VT KA PUNKTI 3A101

1.

eraldusvõime üle 8 biti, kuid vähem kui 12 bitti, täieliku muundamise ajaga vähem kui 5 ns;

| 2. | eraldusvõime 12 bitti, täieliku muundamise ajaga vähem kui 20 ns; |
| --- | --- |

2.

eraldusvõime 12 bitti, täieliku muundamise ajaga vähem kui 20 ns;

| 3. | eraldusvõime üle 12 biti, kuid võrdne või vähem kui 14 bitti, täieliku muundamise ajaga vähem kui 200 ns; või |
| --- | --- |

3.

eraldusvõime üle 12 biti, kuid võrdne või vähem kui 14 bitti, täieliku muundamise ajaga vähem kui 200 ns; või

| 4. | eraldusvõime üle 14 biti, täieliku muundamise ajaga vähem kui 1 μs; |
| --- | --- |

4.

eraldusvõime üle 14 biti, täieliku muundamise ajaga vähem kui 1 μs;

| b. | digitaal-analoogmuundurid, mille eraldusvõime on 12 bitti või rohkem ning seadumisaeg on vähem kui 10 ns; |
| --- | --- |

b.

digitaal-analoogmuundurid, mille eraldusvõime on 12 bitti või rohkem ning seadumisaeg on vähem kui 10 ns;

Tehnilised märkused:

| 1. | Eraldusvõime n bitti vastab signaali amplituudi "kvantimisele" 2n tasemeks. |
| --- | --- |

1.

Eraldusvõime n bitti vastab signaali amplituudi "kvantimisele" 2n tasemeks.

| 2. | Täieliku muundamise aeg on pöördvõrdeline valimi väljavõtukiirusega. |
| --- | --- |

2.

Täieliku muundamise aeg on pöördvõrdeline valimi väljavõtukiirusega.

| 6. | Signaalide töötlemiseks arendatud elektro-optilised ja optilised integraallülitused, milles on:






  a. | üks või enam kui üks sisemine laserdiood; |
| --- | --- | --- |

6.

Signaalide töötlemiseks arendatud elektro-optilised ja optilised integraallülitused, milles on:

a.

üks või enam kui üks sisemine laserdiood;

| b. | üks või enam kui üks sisemine valgust detekteeriv element; ja |
| --- | --- |

b.

üks või enam kui üks sisemine valgust detekteeriv element; ja

| c. | optilised lainejuhid; |
| --- | --- |

c.

optilised lainejuhid;

| 7. | Väljaga programmeeritav loogikaseade, milles:






  a. | ekvivalentselt kasutatavate ventiilide arv on üle 30 000 (kahe sisendiga ventiilid); |
| --- | --- | --- |

7.

Väljaga programmeeritav loogikaseade, milles:

a.

ekvivalentselt kasutatavate ventiilide arv on üle 30 000 (kahe sisendiga ventiilid);

| b. | tüüpiline hilistus põhiventiilis levimisel on alla 0,1 ns; või |
| --- | --- |

b.

tüüpiline hilistus põhiventiilis levimisel on alla 0,1 ns; või

| c. | ümberlülitamissagedus on üle 133 MHz; |
| --- | --- |

c.

ümberlülitamissagedus on üle 133 MHz;

Märkus: Punkti 3A001.a.7 alla kuuluvad:

| — | Lihtsad programmeeritavad loogikaseadmed (SPLD) |
| --- | --- |

—

Lihtsad programmeeritavad loogikaseadmed (SPLD)

| — | Keerulised programmeeritavad loogikaseadmed (CPLD) |
| --- | --- |

—

Keerulised programmeeritavad loogikaseadmed (CPLD)

| — | Väljaga programmeeritavad ventiilmaatriksid (FPGA) |
| --- | --- |

—

Väljaga programmeeritavad ventiilmaatriksid (FPGA)

| — | Väljaga programmeeritavad loogikamaatriksid (FPLA) |
| --- | --- |

—

Väljaga programmeeritavad loogikamaatriksid (FPLA)

| — | Väljaga programmeeritavad ühendused (FPIC) |
| --- | --- |

—

Väljaga programmeeritavad ühendused (FPIC)

NB! Väljaga programmeeritavad loogikaseadmed on tuntud ka kui väljaga programmeeritav ventiil või väljaga programmeeritavad loogikamaatriksid.

| 8. | Ei kasutata; |
| --- | --- |

8.

Ei kasutata;

| 9. | Neurovõrkude integraallülitused; |
| --- | --- |

9.

Neurovõrkude integraallülitused;

| 10. | Tundmatu otstarbega tavaintegraallülitused või integraallülitused, mis on ette nähtud kasutamiseks seadmes, mille kontrolli alla kuulumine ei ole tootjale teada ja millel on järgmised omadused:






  a. | rohkem kui 1 000 klemmi; |
| --- | --- | --- |

10.

Tundmatu otstarbega tavaintegraallülitused või integraallülitused, mis on ette nähtud kasutamiseks seadmes, mille kontrolli alla kuulumine ei ole tootjale teada ja millel on järgmised omadused:

a.

rohkem kui 1 000 klemmi;

| b. | tüüpiline hilistus põhiventiilis levimisel on alla 0,1 ns; või |
| --- | --- |

b.

tüüpiline hilistus põhiventiilis levimisel on alla 0,1 ns; või

| c. | töösagedus on üle 3 GHz; |
| --- | --- |

c.

töösagedus on üle 3 GHz;

| 11. | Digitaalintegraallülitused, muud kui punktides 3A001.a.3–3A001.a.10 või punktis 3A001.a.12 nimetatud, mis on valmistatud liitpooljuhtide baasil ning millel on järgmised omadused:






  a. | ekvivalentsete ventiilide arv on üle 3 000 (kahe sisendiga ventiilid);või |
| --- | --- | --- |

11.

Digitaalintegraallülitused, muud kui punktides 3A001.a.3–3A001.a.10 või punktis 3A001.a.12 nimetatud, mis on valmistatud liitpooljuhtide baasil ning millel on järgmised omadused:

a.

ekvivalentsete ventiilide arv on üle 3 000 (kahe sisendiga ventiilid);või

| b. | ümberlülitussagedus on üle 1,2 GHz; |
| --- | --- |

b.

ümberlülitussagedus on üle 1,2 GHz;

| 12. | Fourier’ kiirteisenduse (FFT) protsessorid, mille arvestuslik N-punktilise kompleksse Fourier’ kiirteisenduse tegemise aeg on lühem kui (N log2 N)/20 480 ms, kus N on punktide arv;
  Tehniline märkus:

  Kui N võrdub 1 024 punktiga, siis on punktis 3A001.a.12 valemi järgi teisenduse tegemise aeg 500 μs. |
| --- | --- |

12.

Fourier’ kiirteisenduse (FFT) protsessorid, mille arvestuslik N-punktilise kompleksse Fourier’ kiirteisenduse tegemise aeg on lühem kui (N log2 N)/20 480 ms, kus N on punktide arv;

Tehniline märkus:

Kui N võrdub 1 024 punktiga, siis on punktis 3A001.a.12 valemi järgi teisenduse tegemise aeg 500 μs.

| b. | mikro- ja millimeeterlaine seadmete komponendid:






  1. | Elektroonilised vaakumlambid ja katoodid:


  Märkus 1: Punkt 3A001.b.1 ei hõlma ei hõlma lampe, mis on kavandatud või arvestatud tööks sagedusribades, mis vastavad järgmistele omadustele:








  a. | ei ole üle 31,8 GHz; ja |
| --- | --- | --- | --- |

b.

mikro- ja millimeeterlaine seadmete komponendid:

1.

Elektroonilised vaakumlambid ja katoodid:

Märkus 1: Punkt 3A001.b.1 ei hõlma ei hõlma lampe, mis on kavandatud või arvestatud tööks sagedusribades, mis vastavad järgmistele omadustele:

a.

ei ole üle 31,8 GHz; ja

| b. | ITU poolt raadioside jaoks määratletud ja mitte asukoha määramiseks ette nähtud. |
| --- | --- |

b.

ITU poolt raadioside jaoks määratletud ja mitte asukoha määramiseks ette nähtud.

Märkus 2: Punkt 3A001.b.1 ei hõlma mittekosmosekindlaid lampe, millel on kõik järgmised omadused:

| a. | keskmine väljundvõimsus 50 W või vähem;ja |
| --- | --- |

a.

keskmine väljundvõimsus 50 W või vähem;ja

| b. | mis on kavandatud või arvestatud tööks sagedusribades, mis vastavad järgmistele omadustele:








  1. | on üle 31,8 GHz, kuid mitte üle 43,5 GHz; ja |
| --- | --- | --- |

b.

mis on kavandatud või arvestatud tööks sagedusribades, mis vastavad järgmistele omadustele:

1.

on üle 31,8 GHz, kuid mitte üle 43,5 GHz; ja

| 2. | ITU poolt raadioside jaoks määratletud ja mitte asukoha määramiseks ette nähtud. |
| --- | --- |

2.

ITU poolt raadioside jaoks määratletud ja mitte asukoha määramiseks ette nähtud.

| a. | järgmised jooksva laine lambid, impulss- või pidevlainele:






  1. | mille töösagedus on üle 31,8 GHz; |
| --- | --- | --- |

a.

järgmised jooksva laine lambid, impulss- või pidevlainele:

1.

mille töösagedus on üle 31,8 GHz;

| 2. | mis on varustatud katoodi kütteelemendiga, mille käivitumisaeg raadiosagedusliku (RF) nimivõimsuse saavutamiseks on lühem kui 3 sekundit; |
| --- | --- |

2.

mis on varustatud katoodi kütteelemendiga, mille käivitumisaeg raadiosagedusliku (RF) nimivõimsuse saavutamiseks on lühem kui 3 sekundit;

| 3. | sidestatud õõnestorud või nende modifikatsioonid, fraktsionaalse ribalaiusega üle 7 % või tippvõimsusega üle 2,5 kW; |
| --- | --- |

3.

sidestatud õõnestorud või nende modifikatsioonid, fraktsionaalse ribalaiusega üle 7 % või tippvõimsusega üle 2,5 kW;

| 4. | spiraallaine torud või nende modifikatsioonid, millel on järgmised omadused:






  a. | hetkeline ribalaius on üle ühe oktaavi ja keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-des) on üle 0,5; |
| --- | --- | --- |

4.

spiraallaine torud või nende modifikatsioonid, millel on järgmised omadused:

a.

hetkeline ribalaius on üle ühe oktaavi ja keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-des) on üle 0,5;

| b. | hetkeline ribalaius on üks oktaav või vähem ja keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-des) on suurem kui 1; või |
| --- | --- |

b.

hetkeline ribalaius on üks oktaav või vähem ja keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-des) on suurem kui 1; või

| c. | on kosmosekindel |
| --- | --- |

c.

on kosmosekindel

| b. | ristväli võimenduslambid võimendusega üle 17 dB; |
| --- | --- |

b.

ristväli võimenduslambid võimendusega üle 17 dB;

| c. | elektronlampidele määratud impregneeritud katoodid, mis tagavad pideva emissioonivoolu tiheduse, mis on arvestuslikes nimitingimustes üle 5 A/cm2; |
| --- | --- |

c.

elektronlampidele määratud impregneeritud katoodid, mis tagavad pideva emissioonivoolu tiheduse, mis on arvestuslikes nimitingimustes üle 5 A/cm2;

| 2. | Microwave monolithic integrated circuits (MMIC) power amplifiers having any of the following:






  a. | määratud toimima sagedustel, mis ületavad 3,2 GHz ja ulatuvad kuni 6 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 4 W (36 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 15 %; |
| --- | --- | --- |

2.

Microwave monolithic integrated circuits (MMIC) power amplifiers having any of the following:

a.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 3,2 GHz ja ulatuvad kuni 6 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 4 W (36 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 15 %;

| b. | määratud toimima sagedustel, mis ületavad 6 GHz ja ulatuvad kuni 16 GHz, (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 10 %; |
| --- | --- |

b.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 6 GHz ja ulatuvad kuni 16 GHz, (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 10 %;

| c. | määratud toimima sagedustel, mis ületavad 16 GHz ja ulatuvad kuni 31,8 GHz, (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,8 W (29 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 10 %; |
| --- | --- |

c.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 16 GHz ja ulatuvad kuni 31,8 GHz, (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,8 W (29 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 10 %;

| d. | määratud toimima sagedustel, mis ületavad 31,8 GHz ja ulatuvad kuni 37,5 GHz (kaasa arvatud); |
| --- | --- |

d.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 31,8 GHz ja ulatuvad kuni 37,5 GHz (kaasa arvatud);

| e. | määratud toimima sagedustel, mis ületavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz, (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,25 W (24 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 10 %; või |
| --- | --- |

e.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz, (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,25 W (24 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 10 %; või

| f. | määratud toimima sagedustel, mis ületavad 43,5 GHz. |
| --- | --- |

f.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 43,5 GHz.

Märkus 1: Punkt 3A001.b.2 ei hõlma raadioülekanneteks ettenähtud satelliitseadmeid, mis kavandatud või arvestatud tööks sagedusalas 40,5 GHz kuni 42,5 GHz.

Märkus 2: MMIC kontrolli alla kuulumine, mille töösagedus hõlmab rohkem kui üht punktis 3A001.b.2 määratletud sagedusvahemikku, määratakse väikseima keskmise väljundvõimsuse kontroll-läve järgi.

Märkus 3: Märkused 1 ja 2 3. kategooria sissejuhatavas lõigus tähendavad, et punkt 3A001.b.2 ei hõlma MMIC-e, kui nad on ette nähtud spetsiaalselt muudeks kasutuseesmärkideks, näiteks telekommunikatsioonis, radarites, autodes.

| 3. | Mikrolainetransistorid, millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | määratud toimima sagedustel, mis ületavad 3,2 GHz ja ulatuvad kuni 6 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 60 W (47,8 dBm); |
| --- | --- | --- |

3.

Mikrolainetransistorid, millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 3,2 GHz ja ulatuvad kuni 6 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 60 W (47,8 dBm);

| b. | määratud toimima sagedustel, mis ületavad 6 GHz ja ulatuvad kuni 31,8 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 20 W (43 dBm); |
| --- | --- |

b.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 6 GHz ja ulatuvad kuni 31,8 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 20 W (43 dBm);

| c. | määratud toimima sagedustel, mis ületavad 31,8 GHz ja ulatuvad kuni 37,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,5 W (27 dBm); |
| --- | --- |

c.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 31,8 GHz ja ulatuvad kuni 37,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,5 W (27 dBm);

| d. | määratud toimima sagedustel, mis ületavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm); või |
| --- | --- |

d.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm); või

| e. | määratud toimima sagedustel, mis ületavad 43,5 GHz. |
| --- | --- |

e.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 43,5 GHz.

Märkus: Punktis 3A001.b.3 määratletud rohkem kui üht sagedusvahemikku hõlmava töösagedusega osa kontrolli alla kuulumine määratakse väikseima keskmise väljundvõimsuse kontroll-läve järgi.

| 4. | Mikrolaine pooljuhtvõimendid ja mikrolainevõimendeid sisaldavad mikrolainesõlmed/moodulid, millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | määratud toimima sagedustel, mis ületavad 3,2 GHz ja ulatuvad kuni 6 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 60 W (47,8 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 15 %; |
| --- | --- | --- |

4.

Mikrolaine pooljuhtvõimendid ja mikrolainevõimendeid sisaldavad mikrolainesõlmed/moodulid, millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 3,2 GHz ja ulatuvad kuni 6 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 60 W (47,8 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 15 %;

| b. | määratud toimima sagedustel, mis ületavad 6 GHz ja ulatuvad kuni 31,8 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 15 W (42 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 10 %; |
| --- | --- |

b.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 6 GHz ja ulatuvad kuni 31,8 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 15 W (42 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 10 %;

| c. | määratud toimima sagedustel, mis ületavad 31,8 GHz ja ulatuvad kuni 37,5 GHz (kaasa arvatud); |
| --- | --- |

c.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 31,8 GHz ja ulatuvad kuni 37,5 GHz (kaasa arvatud);

| d. | määratud toimima sagedustel, mis ületavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 10 %; |
| --- | --- |

d.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 10 %;

| e. | määratud toimima sagedustel, mis ületavad 43,5 GHz; või |
| --- | --- |

e.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 43,5 GHz; või

| f. | määratud toimima sagedustel üle 3 GHz ja millel on kõik järgnevad omadused:






  1. | keskmine väljundvõimsus (P, vattides), mis on suurem kui 150 jagatud maksimaalse töösageduse (gigahertsides) ruuduga [P>150 W*GHz2/fGHz
  2]; |
| --- | --- | --- |

f.

määratud toimima sagedustel üle 3 GHz ja millel on kõik järgnevad omadused:

1.

keskmine väljundvõimsus (P, vattides), mis on suurem kui 150 jagatud maksimaalse töösageduse (gigahertsides) ruuduga [P>150 W*GHz2/fGHz
  2];

| 2. | fraktsionaalne ribalaius 5 % või rohkem; ja |
| --- | --- |

2.

fraktsionaalne ribalaius 5 % või rohkem; ja

| 3. | mis tahes kaks teineteisega risti asetsevat külge, mille pikkus (d, sentimeetrites) on võrdne või väiksem kui 15 jagatud väikseima töösagedusega gigahertsides [d=15cm*GHz/ fGHz]. |
| --- | --- |

3.

mis tahes kaks teineteisega risti asetsevat külge, mille pikkus (d, sentimeetrites) on võrdne või väiksem kui 15 jagatud väikseima töösagedusega gigahertsides [d=15cm*GHz/ fGHz].

NB! MMIC võimsusvõimendeid tuleks hinnata punktis 3A001.b.2 määratletud kriteeriumide järgi.

Märkus 1: Punkt 3A001.b.4 ei hõlma raadioülekanneteks ettenähtud satelliitseadmeid, mis kavandatud või arvestatud tööks sagedusalas 40,5 kuni 42,5 GHz.

Märkus 2: Osa kontrolli alla kuulumine, mille töösagedus hõlmab rohkem kui üht punktis 3A001.b.4 määratletud sagedusvahemikku, määratakse väikseima keskmise väljundvõimsuse kontroll-läve järgi.

| 5. | Elektrooniliselt või magnetiliselt häälestatavad ribapääsfiltrid (band-pass) või ribatõkkefiltrid (band-stop), mis sisaldavad enam kui 5 timmitavat resonaatorit, mida on võimalik vähem kui 10 mikrosekundi jooksul häälestada sagedusribale, mille fmax/fmin on 1,5:1 ja millel on järgmised omadused:






  a. | ribapääs (band-pass) ribalaiusega, mis on laiem kui 0,5 % kesksagedusest; või |
| --- | --- | --- |

5.

Elektrooniliselt või magnetiliselt häälestatavad ribapääsfiltrid (band-pass) või ribatõkkefiltrid (band-stop), mis sisaldavad enam kui 5 timmitavat resonaatorit, mida on võimalik vähem kui 10 mikrosekundi jooksul häälestada sagedusribale, mille fmax/fmin on 1,5:1 ja millel on järgmised omadused:

a.

ribapääs (band-pass) ribalaiusega, mis on laiem kui 0,5 % kesksagedusest; või

| b. | ribatõke (band-stop) ribalaiusega, mis on kitsam kui 0,5 % kesksagedusest; |
| --- | --- |

b.

ribatõke (band-stop) ribalaiusega, mis on kitsam kui 0,5 % kesksagedusest;

| 6. | Ei kasutata; |
| --- | --- |

6.

Ei kasutata;

| 7. | Segustid ja muundajad, mis on konstrueeritud punktis 3A002.c, 3A002.e või 3A002.f nimetatud seadmete sagedusriba laiendamiseks üle eespool nimetatud punktides kehtestatud piiride. |
| --- | --- |

7.

Segustid ja muundajad, mis on konstrueeritud punktis 3A002.c, 3A002.e või 3A002.f nimetatud seadmete sagedusriba laiendamiseks üle eespool nimetatud punktides kehtestatud piiride.

| 8. | Mikrolaine võimsusvõimendid, mis sisaldavad punktis 3A001.b nimetatud lampe ja millel on kõik järgmised omadused:






  a. | töösagedus üle 3 GHz; |
| --- | --- | --- |

8.

Mikrolaine võimsusvõimendid, mis sisaldavad punktis 3A001.b nimetatud lampe ja millel on kõik järgmised omadused:

a.

töösagedus üle 3 GHz;

| b. | keskmine väljundvõimsuse tihedus üle 80 W/kg; ja |
| --- | --- |

b.

keskmine väljundvõimsuse tihedus üle 80 W/kg; ja

| c. | maht on väiksem kui 400 cm3; |
| --- | --- |

c.

maht on väiksem kui 400 cm3;

Märkus: Punkt 3A001.b.8 ei hõlma seadmeid, mis on kavandatud või kohandatud töötamiseks igas ITU poolt raadioside jaoks määratletud ja mitte asukoha määramiseks ettenähtud sagedusribas.

| c. | järgmised akustilise laine seadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid:






  1. | akustilise pinnalaine- ja akustilise pinnalähedase ruumlaine seadmed (st signaalitöötlusseadmed, mis akustilis-mehhaanilisi võnkumisi aines kasutavad), millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | kandesagedus üle 2,5 GHz; |
| --- | --- | --- | --- |

c.

järgmised akustilise laine seadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid:

1.

akustilise pinnalaine- ja akustilise pinnalähedase ruumlaine seadmed (st signaalitöötlusseadmed, mis akustilis-mehhaanilisi võnkumisi aines kasutavad), millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

kandesagedus üle 2,5 GHz;

| b. | kandesagedus üle 1 GHz, kuid vähem kui 2,5 GHz, ja millel on mis tahes järgmised omadused:






  1. | külghõlma allasurumine üle 55 dB; |
| --- | --- | --- |

b.

kandesagedus üle 1 GHz, kuid vähem kui 2,5 GHz, ja millel on mis tahes järgmised omadused:

1.

külghõlma allasurumine üle 55 dB;

| 2. | maksimaalse viivise ja ribalaiuse korrutis (aeg mikrosekundites ja ribalaius MHz-des) üle 100; |
| --- | --- |

2.

maksimaalse viivise ja ribalaiuse korrutis (aeg mikrosekundites ja ribalaius MHz-des) üle 100;

| 3. | ribalaius üle 250 MHz; või |
| --- | --- |

3.

ribalaius üle 250 MHz; või

| 4. | dispersiivne viivis on suurem kui 10 μs; või |
| --- | --- |

4.

dispersiivne viivis on suurem kui 10 μs; või

| c. | kandesagedus on 1 GHz või vähem, ja millel on mis tahes järgmised omadused:






  1. | maksimaalse viivise ja ribalaiuse korrutis (aeg mikrosekundites ja ribalaius MHz-des) üle 100; |
| --- | --- | --- |

c.

kandesagedus on 1 GHz või vähem, ja millel on mis tahes järgmised omadused:

1.

maksimaalse viivise ja ribalaiuse korrutis (aeg mikrosekundites ja ribalaius MHz-des) üle 100;

| 2. | dispersiivne viivis on suurem kui 10 μs; või |
| --- | --- |

2.

dispersiivne viivis on suurem kui 10 μs; või

| 3. | külghõlma allasurumine üle 55 dB ja ribalaius on suurem kui 50 MHz; |
| --- | --- |

3.

külghõlma allasurumine üle 55 dB ja ribalaius on suurem kui 50 MHz;

| 2. | akustilise ruumlaine seadmed (st signaali töötlemise seadmed, mis kasutavad aines akustilis-mehhaanilisi võnkumisi), mis võimaldavad vahetult töödelda signaale sagedustel, mis ületavad 1 GHz; |
| --- | --- |

2.

akustilise ruumlaine seadmed (st signaali töötlemise seadmed, mis kasutavad aines akustilis-mehhaanilisi võnkumisi), mis võimaldavad vahetult töödelda signaale sagedustel, mis ületavad 1 GHz;

| 3. | akustilis-optilised signaali töötlemise seadmed, mis kasutavad akustiliste lainete (ruumlaine või pinnalaine) ja valguslainete vahelist vastasmõju, mis võimaldab vahetult töödelda signaale või kujutisi, kaasa arvatud spektraalanalüüs, korrelatsioon või konvolutsioon; |
| --- | --- |

3.

akustilis-optilised signaali töötlemise seadmed, mis kasutavad akustiliste lainete (ruumlaine või pinnalaine) ja valguslainete vahelist vastasmõju, mis võimaldab vahetult töödelda signaale või kujutisi, kaasa arvatud spektraalanalüüs, korrelatsioon või konvolutsioon;

| d. | elektroonilised seadmed või skeemid, mis sisaldavad ülijuhtivatest materjalidest valmistatud komponente ja on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks temperatuuril, mis on madalam kui vähemalt ühe ülijuhtivast materjalist komponendi kriitiline temperatuur, ja millel on järgmised omadused:






  1. | voolulülitid digitaalskeemidele, milles kasutatakse ülijuhtivaid ventiile, mille ventiili kohta viivise (sekundites) ja ventiilis hajunud võimsuse korrutis ventiili kohta (vattides) on väiksem kui 10– 14 J; või |
| --- | --- | --- |

d.

elektroonilised seadmed või skeemid, mis sisaldavad ülijuhtivatest materjalidest valmistatud komponente ja on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks temperatuuril, mis on madalam kui vähemalt ühe ülijuhtivast materjalist komponendi kriitiline temperatuur, ja millel on järgmised omadused:

1.

voolulülitid digitaalskeemidele, milles kasutatakse ülijuhtivaid ventiile, mille ventiili kohta viivise (sekundites) ja ventiilis hajunud võimsuse korrutis ventiili kohta (vattides) on väiksem kui 10– 14 J; või

| 2. | sageduse selekteerimine kõikidel sagedustel, kasutades resonantsahelaid, mille hüveteguri Q väärtus on üle 10 000; |
| --- | --- |

2.

sageduse selekteerimine kõikidel sagedustel, kasutades resonantsahelaid, mille hüveteguri Q väärtus on üle 10 000;

| e. | suurenergiaseadmed:






  1. | patareid ja fotoelektrilised paneelid:


  Märkus: Punkt 3A001.e.1 ei hõlma patareisid ruumalaga 27 cm3 ja alla selle (nt standardsed C- elemendid või R14 patareid).







  a. | primaarelemendid ja patareid, mille energiatihedus on üle 480 Wh/kg, mis on ette nähtud kasutamiseks temperatuurivahemikus 243 K (–30 °C) kuni 343 K (+70 °C); |
| --- | --- | --- | --- |

e.

suurenergiaseadmed:

1.

patareid ja fotoelektrilised paneelid:

Märkus: Punkt 3A001.e.1 ei hõlma patareisid ruumalaga 27 cm3 ja alla selle (nt standardsed C- elemendid või R14 patareid).

a.

primaarelemendid ja patareid, mille energiatihedus on üle 480 Wh/kg, mis on ette nähtud kasutamiseks temperatuurivahemikus 243 K (–30 °C) kuni 343 K (+70 °C);

| b. | korduvlaetavad elemendid ja patareid, mille energiatihedus on üle 150 Wh/kg pärast 75 laadimis-/tühjendamistsüklit, tühjendamisel vooluga, mis on võrdne suurusega C/5 tundi (C – nimimahtuvuse väärtus ampertundides), nende kasutamisel temperatuurivahemikus 253 K (–20 °C) kuni 333 K (+60 °C)
  Tehniline märkus:


  Energiatihedus saadakse, kui korrutatakse omavahel keskmise võimsuse vattides (keskmine pinge voltides korrutatud keskmise voolutugevusega amprites) tühjenemise kestusega tundides 75 % väärtuseni avatud vooluringi pingest jagatuna elemendi (või patarei) kogumassiga kg-des. |
| --- | --- |

b.

korduvlaetavad elemendid ja patareid, mille energiatihedus on üle 150 Wh/kg pärast 75 laadimis-/tühjendamistsüklit, tühjendamisel vooluga, mis on võrdne suurusega C/5 tundi (C – nimimahtuvuse väärtus ampertundides), nende kasutamisel temperatuurivahemikus 253 K (–20 °C) kuni 333 K (+60 °C)

Tehniline märkus:

Energiatihedus saadakse, kui korrutatakse omavahel keskmise võimsuse vattides (keskmine pinge voltides korrutatud keskmise voolutugevusega amprites) tühjenemise kestusega tundides 75 % väärtuseni avatud vooluringi pingest jagatuna elemendi (või patarei) kogumassiga kg-des.

| c. | kosmosekindlad ja kiirguskindlad fotoelektrilised paneelid, mille erivõimsus töötemperatuuril 301 K (28 °C) on üle 160 W/m2, valgustades neid temperatuuril 2 800 K (+2 527 °C) hõõguva volframi kiirgusega 1 kW/m2; |
| --- | --- |

c.

kosmosekindlad ja kiirguskindlad fotoelektrilised paneelid, mille erivõimsus töötemperatuuril 301 K (28 °C) on üle 160 W/m2, valgustades neid temperatuuril 2 800 K (+2 527 °C) hõõguva volframi kiirgusega 1 kW/m2;

| 2. | järgmised suure energiaga kogumiskondensaatorid:

  NB! VT KA PUNKTI 3A201.a.







  a. | kondensaatorid, mille kordussagedus on väiksem kui 10 Hz (üksiklahendusega kondensaator) ning millel on kõik järgmised omadused:






  1. | nimipinge 5 kV või rohkem; |
| --- | --- | --- | --- |

2.

järgmised suure energiaga kogumiskondensaatorid:

NB! VT KA PUNKTI 3A201.a.

a.

kondensaatorid, mille kordussagedus on väiksem kui 10 Hz (üksiklahendusega kondensaator) ning millel on kõik järgmised omadused:

1.

nimipinge 5 kV või rohkem;

| 2. | energiatihedus 250 J/kg või rohkem; ja |
| --- | --- |

2.

energiatihedus 250 J/kg või rohkem; ja

| 3. | koguenergia 25 kJ või rohkem; |
| --- | --- |

3.

koguenergia 25 kJ või rohkem;

| b. | kondensaatorid, mille kordussagedus on 10 Hz või rohkem (korduvlahendusega kondensaatorid) ja millel on kõik järgmised omadused:






  1. | nimipinge 5 kV või rohkem; |
| --- | --- | --- |

b.

kondensaatorid, mille kordussagedus on 10 Hz või rohkem (korduvlahendusega kondensaatorid) ja millel on kõik järgmised omadused:

1.

nimipinge 5 kV või rohkem;

| 2. | energiatihedus 50 J/kg või rohkem; |
| --- | --- |

2.

energiatihedus 50 J/kg või rohkem;

| 3. | koguenergia 100 J või rohkem; ja |
| --- | --- |

3.

koguenergia 100 J või rohkem; ja

| 4. | laadimis-/tühjenemistsükleid 10 000 või rohkem; |
| --- | --- |

4.

laadimis-/tühjenemistsükleid 10 000 või rohkem;

| 3. | ülijuhtivad elektromagnetid või solenoidid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud täieliku laadimis- või tühjenemisajaga alla ühe sekundi ja millel on kõik järgmised omadused:

  NB! VT KA PUNKTI 3A201.b.


  Märkus:
  Punkt 3A001.e.3 ei hõlma ülijuhtivaid elektromagneteid või solenoide, mis on spetsiaalselt ette nähtud magnetresonantskuva meditsiiniseadmetele.







  a. | tühjenemise esimesel sekundil vabanev energia on üle 10 kJ; |
| --- | --- | --- |

3.

ülijuhtivad elektromagnetid või solenoidid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud täieliku laadimis- või tühjenemisajaga alla ühe sekundi ja millel on kõik järgmised omadused:

NB! VT KA PUNKTI 3A201.b.

Märkus:
  Punkt 3A001.e.3 ei hõlma ülijuhtivaid elektromagneteid või solenoide, mis on spetsiaalselt ette nähtud magnetresonantskuva meditsiiniseadmetele.

a.

tühjenemise esimesel sekundil vabanev energia on üle 10 kJ;

| b. | voolu kandva mähise sisediameeter on üle 250 mm; ja |
| --- | --- |

b.

voolu kandva mähise sisediameeter on üle 250 mm; ja

| c. | magnetilise induktsiooni nimiväärtus on üle 8 T või üldine voolutihedus mähises üle 300 A/mm2; |
| --- | --- |

c.

magnetilise induktsiooni nimiväärtus on üle 8 T või üldine voolutihedus mähises üle 300 A/mm2;

| f. | absoluutse pöördenurga andurid, millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | lahutusvõime parem kui 1 osa 265 000-st (18 bitine lahutus) täisskaala ulatuses; või |
| --- | --- | --- |

f.

absoluutse pöördenurga andurid, millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

lahutusvõime parem kui 1 osa 265 000-st (18 bitine lahutus) täisskaala ulatuses; või

| 2. | täpsus parem kui ±2,5 kaaresekundit. |
| --- | --- |

2.

täpsus parem kui ±2,5 kaaresekundit.

3A002Järgmised üldotstarbelised elektroonilised seadmed:

| a. | järgmised lindistusseadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud testlindid:






  1. | analoogmagnetofonid, kaasa arvatud seadmed, mis võimaldavad salvestada digitaalsignaale (st kasutatakse kõrgtihedusliku digitaalsalvestuse moodulit (HDDR)) ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | ribalaius üle 4 MHz ühe elektrontrakti või salvestusraja kohta; |
| --- | --- | --- | --- |

a.

järgmised lindistusseadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud testlindid:

1.

analoogmagnetofonid, kaasa arvatud seadmed, mis võimaldavad salvestada digitaalsignaale (st kasutatakse kõrgtihedusliku digitaalsalvestuse moodulit (HDDR)) ja millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

ribalaius üle 4 MHz ühe elektrontrakti või salvestusraja kohta;

| b. | ribalaius üle 2 MHz ühe elektrontrakti või salvestusraja kohta, omades enam kui 42 salvestusrada; või |
| --- | --- |

b.

ribalaius üle 2 MHz ühe elektrontrakti või salvestusraja kohta, omades enam kui 42 salvestusrada; või

| c. | ajaline nihe (viga) ajabaasi suhtes (base error), mis on mõõdetud vastavalt salvestusmeetodite normeerimise komisjoni (IRIG) või Elektroonikatööstuste Ühenduse (EIA) nõuetele, ei ületa ± 0,1 μs; |
| --- | --- |

c.

ajaline nihe (viga) ajabaasi suhtes (base error), mis on mõõdetud vastavalt salvestusmeetodite normeerimise komisjoni (IRIG) või Elektroonikatööstuste Ühenduse (EIA) nõuetele, ei ületa ± 0,1 μs;

Märkus: Analoogmagnetofone, mis on spetsiaalselt kavandatud tsiviilotstarbelise videoseadmena, ei käsitleta aparatuuri lindistusseadmena.

| 2. | digitaalsed videomagnetofonid, mille digitaalliidese maksimaalne edastuskiirus on üle 360 Mbit/s;


  Märkus: Punkt 3A002.a.2 ei hõlma digitaalset videomagnetofoni, mis on spetsiaalselt ette nähtud televisiooni tarbeks ja milles kasutatava signaali formaat (võib sisaldada ka kokkusurutud signaali formaati) on standardiseeritud või soovitatud Rahvusvahelise Telekommunikatsiooni Liidu (ITU), Rahvusvahelise Elektrotehnikakomisjoni (IEC), Filmi ja Televisiooniinseneride Ühingu (SMPTE), Euroopa Ringhäälinguliidu (EBU), Euroopa Telekommunikatsiooni Standardiinstituudi (ETSI) või Elektri- ja Elektroonikainseneride Instituudi (IEEE) poolt tsiviiltelevisiooni tarbeks. |
| --- | --- |

2.

digitaalsed videomagnetofonid, mille digitaalliidese maksimaalne edastuskiirus on üle 360 Mbit/s;

Märkus: Punkt 3A002.a.2 ei hõlma digitaalset videomagnetofoni, mis on spetsiaalselt ette nähtud televisiooni tarbeks ja milles kasutatava signaali formaat (võib sisaldada ka kokkusurutud signaali formaati) on standardiseeritud või soovitatud Rahvusvahelise Telekommunikatsiooni Liidu (ITU), Rahvusvahelise Elektrotehnikakomisjoni (IEC), Filmi ja Televisiooniinseneride Ühingu (SMPTE), Euroopa Ringhäälinguliidu (EBU), Euroopa Telekommunikatsiooni Standardiinstituudi (ETSI) või Elektri- ja Elektroonikainseneride Instituudi (IEEE) poolt tsiviiltelevisiooni tarbeks.

| 3. | kruvilaotustehnikat või liikumatu magnetpeatehnikat rakendavad digitaalsed magnetofonid, millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | digitaalliidese maksimaalne edastuskiirus on üle 175 Mbit/s; või |
| --- | --- | --- |

3.

kruvilaotustehnikat või liikumatu magnetpeatehnikat rakendavad digitaalsed magnetofonid, millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

digitaalliidese maksimaalne edastuskiirus on üle 175 Mbit/s; või

| b. | on kosmosekindel; |
| --- | --- |

b.

on kosmosekindel;

Märkus: Punkt 3A002.a.3 ei hõlma analoogmagnetofone, mis on varustatud HDDR-i muundamise elektroonikaga ja ette nähtud ainult digitaalsete andmete salvestamiseks.

| 4. | seadmed, mille digitaalliidese maksimaalne edastuskiirus on üle 17 Mbit/s ja mis on kavandatud digitaalse videomagnetofoni muutmiseks aparatuuri andmete digitaalseks salvestusseadmeks; |
| --- | --- |

4.

seadmed, mille digitaalliidese maksimaalne edastuskiirus on üle 17 Mbit/s ja mis on kavandatud digitaalse videomagnetofoni muutmiseks aparatuuri andmete digitaalseks salvestusseadmeks;

| 5. | lainekuju digitaatorid ja ajutised salvestusseadmed, millel on kõik järgmised omadused:






  a. | digiteerimikiirus on 200 miljonit või rohkem valimit sekundis ja lahutusvõime 10 bitti või enam; ja |
| --- | --- | --- |

5.

lainekuju digitaatorid ja ajutised salvestusseadmed, millel on kõik järgmised omadused:

a.

digiteerimikiirus on 200 miljonit või rohkem valimit sekundis ja lahutusvõime 10 bitti või enam; ja

| b. | pidev jõudlus 2 Gbit/s või rohkem; |
| --- | --- |

b.

pidev jõudlus 2 Gbit/s või rohkem;

Tehniline märkus:

Seadmete korral on pidev jõudlus suurim sõnakiirus, mis on korrutatud bittide arvuga sõnas.

Pidevaks jõudluseks nimetatakse andmete suurimat väljastuskiirust massmälusse, mida seade võib arendada ilma mingisuguse informatsiooni kaota, säilitades valimi võtmise kiiruse ja selle analoog-digitaalse muundamise.

| 6. | andmete digitaalsed salvestusseadmed, milles kasutatakse magnetkettale salvestamise tehnikat ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | digiteerimikiirus on 100 miljonit või rohkem valimit sekundis ja lahutusvõime 8 bitti või enam; ja |
| --- | --- | --- |

6.

andmete digitaalsed salvestusseadmed, milles kasutatakse magnetkettale salvestamise tehnikat ja millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

digiteerimikiirus on 100 miljonit või rohkem valimit sekundis ja lahutusvõime 8 bitti või enam; ja

| b. | pidev jõudlus 1 Gbit/s või rohkem; |
| --- | --- |

b.

pidev jõudlus 1 Gbit/s või rohkem;

| b. | sagedussüntesaatori elektroonikasõlmed, mille sageduse ümberlülitusaeg ühelt valitud sageduselt teisele on alla 1 ms; |
| --- | --- |

b.

sagedussüntesaatori elektroonikasõlmed, mille sageduse ümberlülitusaeg ühelt valitud sageduselt teisele on alla 1 ms;

| c. | järgmised raadiosageduse signaalianalüsaatorid:






  1. | signaalianalüsaatorid, mis on võimelised analüüsima üle 31,8 GHz, kuid alla 37,5 GHz või üle 43,5 GHz sagedusi; |
| --- | --- | --- |

c.

järgmised raadiosageduse signaalianalüsaatorid:

1.

signaalianalüsaatorid, mis on võimelised analüüsima üle 31,8 GHz, kuid alla 37,5 GHz või üle 43,5 GHz sagedusi;

| 2. | dünaamilised signaalianalüsaatorid, mille reaalajaline ribalaius on üle 500 kHz;


  Märkus: Punkt 3A002.c.2 ei hõlma neid dünaamilisi signaalianalüsaatoreid, milles kasutatakse konstantseid protsentuaalse ribalaiusega filtreid (samuti tuntud kui oktaav- või murdosa-oktaavfiltrid). |
| --- | --- |

2.

dünaamilised signaalianalüsaatorid, mille reaalajaline ribalaius on üle 500 kHz;

Märkus: Punkt 3A002.c.2 ei hõlma neid dünaamilisi signaalianalüsaatoreid, milles kasutatakse konstantseid protsentuaalse ribalaiusega filtreid (samuti tuntud kui oktaav- või murdosa-oktaavfiltrid).

| d. | sagedussüntesaator-signaalgeneraatorid, mis toodavad väljundsagedusi, mille täpsus ning lühi- ja pikaajaline stabiilsus on juhitud, tuletatud ja kontrollitud sisemise etalonsageduse poolt ja millel on mis tahes järgmised omadused:






  1. | maksimaalne sünteesitav sagedus ületab 31,8 GHz, kuid mitte 43,5 GHz ja genereeritava impulsi pikkus on alla 100 ns; |
| --- | --- | --- |

d.

sagedussüntesaator-signaalgeneraatorid, mis toodavad väljundsagedusi, mille täpsus ning lühi- ja pikaajaline stabiilsus on juhitud, tuletatud ja kontrollitud sisemise etalonsageduse poolt ja millel on mis tahes järgmised omadused:

1.

maksimaalne sünteesitav sagedus ületab 31,8 GHz, kuid mitte 43,5 GHz ja genereeritava impulsi pikkus on alla 100 ns;

| 2. | maksimaalne sünteesitav sagedus on üle 43,5 GHz; |
| --- | --- |

2.

maksimaalne sünteesitav sagedus on üle 43,5 GHz;

| 3. | sageduste ümberlülitusaeg ühelt valitud sageduselt teisele on lühem kui 1 ms; või |
| --- | --- |

3.

sageduste ümberlülitusaeg ühelt valitud sageduselt teisele on lühem kui 1 ms; või

| 4. | ühe külgriba (SSB) faasimüra on parem kui –(126 + 20 log10F – 20 log10f), dBc/Hz, kus F on külgriba sageduse erinevus põhisagedusest hertsides ja f on põhisagedus megahertsides;
  Tehniline märkus:

  Punkti 3A002.d.1 tähenduses määratletakse impulsi
  kestust ajavahemikuna, mis jääb impulsi esifrondi, mis saavutab 90 % maksimumist, ja impulsi tagafrondi vahele, mis saavutab 10 % maksimumist. |
| --- | --- |

4.

ühe külgriba (SSB) faasimüra on parem kui –(126 + 20 log10F – 20 log10f), dBc/Hz, kus F on külgriba sageduse erinevus põhisagedusest hertsides ja f on põhisagedus megahertsides;

Tehniline märkus:

Punkti 3A002.d.1 tähenduses määratletakse impulsi
  kestust ajavahemikuna, mis jääb impulsi esifrondi, mis saavutab 90 % maksimumist, ja impulsi tagafrondi vahele, mis saavutab 10 % maksimumist.

Märkus: Punkt 3A002.d ei hõlma seadmeid, milles väljundsagedus saadakse kahe või enama kvartsostsillaatori sageduste lisamisel või mahaarvamisel või tulemuse korrutise lisamisel või mahaarvamisel.

| e. | võrguanalüsaatorid, mille maksimaalne töösagedus on üle 43,5 GHz; |
| --- | --- |

e.

võrguanalüsaatorid, mille maksimaalne töösagedus on üle 43,5 GHz;

| f. | mikrolaine testvastuvõtjad, millel on kõik järgmised omadused:






  1. | maksimaalne töösagedus on üle 43,5 GHz; ja |
| --- | --- | --- |

f.

mikrolaine testvastuvõtjad, millel on kõik järgmised omadused:

1.

maksimaalne töösagedus on üle 43,5 GHz; ja

| 2. | võimaldavad amplituudi ja faasi üheaegset mõõtmist; |
| --- | --- |

2.

võimaldavad amplituudi ja faasi üheaegset mõõtmist;

| g. | aatomi võnkesageduse standardid, millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | pikaajalise stabiilsusega (vananemine), mis on vähem (parem) kui 1 × 10– 11/kuu; või |
| --- | --- | --- |

g.

aatomi võnkesageduse standardid, millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

pikaajalise stabiilsusega (vananemine), mis on vähem (parem) kui 1 × 10– 11/kuu; või

| 2. | on kosmosekindel. |
| --- | --- |

2.

on kosmosekindel.

Märkus: Punkt 3A002.g.1 ei hõlma mittekosmosekindlaid rubiidiumistandardeid.

3A003Pihustusjahutusega temperatuurikontrollisüsteemid, mis kasutavad hermeetilises korpuses suletud ahelaga vedeliku käitlemise ja uuestikasutuse seadmeid, kus dielektrilist vedelikku pihustatakse elektroonikakomponentidele, kasutades spetsiaalseid elektroonikakomponentide nõutud töötemperatuurivahemiku hoidmiseks mõeldud pihustusdüüse ning nende jaoks spetsiaalselt mõeldud komponente.

3A101Elektroonilised seadmed ja komponendid, muud kui punktis 3A001 nimetatud:

| a. | analoog-digitaalmuundurid, mis on kasutatavad rakettmürskudes ja mis on kavandatud vastama robustsetele seadmetele kehtestatud sõjalistele nõuetele; |
| --- | --- |

a.

analoog-digitaalmuundurid, mis on kasutatavad rakettmürskudes ja mis on kavandatud vastama robustsetele seadmetele kehtestatud sõjalistele nõuetele;

| b. | kiirendid, mis on võimelised lähetama elektromagnetilist kiirgust, mis tekitatakse kuni 2 MeV või suurema energiani kiirendatud elektronide pidurdamisel (bremsstrahlung), ning neid kiirendeid sisaldavad süsteemid.


  Märkus: Punkt 3A101.b ei hõlma seadmeid, mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks meditsiinis. |
| --- | --- |

b.

kiirendid, mis on võimelised lähetama elektromagnetilist kiirgust, mis tekitatakse kuni 2 MeV või suurema energiani kiirendatud elektronide pidurdamisel (bremsstrahlung), ning neid kiirendeid sisaldavad süsteemid.

Märkus: Punkt 3A101.b ei hõlma seadmeid, mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks meditsiinis.

3A201Elektroonilised komponendid, muud kui punktis 3A001 nimetatud;

| a. | kondensaatorid, millel on järgmised omaduste kombinatsioonid:






  1. | a. | tööpinge suurem kui 1,4 kV; |
| --- | --- | --- | --- |

a.

kondensaatorid, millel on järgmised omaduste kombinatsioonid:

1.

a.

tööpinge suurem kui 1,4 kV;

| b. | energiamahutavus suurem kui 10 J; |
| --- | --- |

b.

energiamahutavus suurem kui 10 J;

| c. | elektrimahtuvus suurem kui 0,5 μF; ja |
| --- | --- |

c.

elektrimahtuvus suurem kui 0,5 μF; ja

| d. | jadainduktiivsus väiksem kui 50 nH; või |
| --- | --- |

d.

jadainduktiivsus väiksem kui 50 nH; või

| 2. | a. | tööpinge suurem kui 750 V; |
| --- | --- | --- |

2.

a.

tööpinge suurem kui 750 V;

| b. | elektrimahtuvus suurem kui 0,25 μF; ja |
| --- | --- |

b.

elektrimahtuvus suurem kui 0,25 μF; ja

| c. | jadainduktiivsus väiksem kui 10 nH; |
| --- | --- |

c.

jadainduktiivsus väiksem kui 10 nH;

| b. | ülijuhtivad solenoid-elektromagnetid, millel on kõik järgmised omadused:






  1. | võimaldavad tekitada magnetvälja tugevusega 2 teslat või rohkem; |
| --- | --- | --- |

b.

ülijuhtivad solenoid-elektromagnetid, millel on kõik järgmised omadused:

1.

võimaldavad tekitada magnetvälja tugevusega 2 teslat või rohkem;

| 2. | pikkuse ja sisediameetri suhe 2 või rohkem; |
| --- | --- |

2.

pikkuse ja sisediameetri suhe 2 või rohkem;

| 3. | sisediameeter üle 300 mm; ja |
| --- | --- |

3.

sisediameeter üle 300 mm; ja

| 4. | 50 % solenoidi südamiku keskses ruumalas on magnetvälja ühetasasus parem kui 1 %; |
| --- | --- |

4.

50 % solenoidi südamiku keskses ruumalas on magnetvälja ühetasasus parem kui 1 %;

Märkus: Punkt 3A201.b. ei hõlma magneteid, mis on spetsiaalselt kavandatud tuumamagnetresonantskuvamise süsteemi jaoks ja eksporditud tuumamagnetresonantskuvamise süsteemi osadena. Sõna osadena ei tähenda tingimata sama saadetise füüsilist osa; on lubatud erinevad saadetised ka erinevatest allikatest, kusjuures nende saadetiste ekspordidokumentides peab olema selgelt märgitud, et saadetis on saadetud kui kuvamissüsteemi
  osa.

| c. | impulss röntgenikiirguse generaatorid või impulsselektronkiirendid, millel on mis tahes järgmine omaduste kombinatsioon:






  1. | a. | kiirendatud elektronide tippenergia 500 keV või rohkem, kuid vähem kui 25 MeV; ja |
| --- | --- | --- | --- |

c.

impulss röntgenikiirguse generaatorid või impulsselektronkiirendid, millel on mis tahes järgmine omaduste kombinatsioon:

1.

a.

kiirendatud elektronide tippenergia 500 keV või rohkem, kuid vähem kui 25 MeV; ja

| b. | hüvetegur (K) 0,25 või rohkem; või |
| --- | --- |

b.

hüvetegur (K) 0,25 või rohkem; või

| 2. | a. | kiirendatud elektronide tippenergia 25 MeV või rohkem; ja |
| --- | --- | --- |

2.

a.

kiirendatud elektronide tippenergia 25 MeV või rohkem; ja

| b. | tippvõimsus on suurem kui 50 MW. |
| --- | --- |

b.

tippvõimsus on suurem kui 50 MW.

Märkus: Punkt 3A201.c ei hõlma kiirendeid, mida kasutatakse muude seadmete komponentidena, mille eesmärgiks ei ole elektronkiire- või röntgenikiirguse tekitamine (nt elektronmikroskoopia) või mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks meditsiinis:

Tehnilised märkused:

| 1. | Hüvetegur on defineeritud järgmiselt:


  kus V on elektronide tippenergia megaelektronvoltides.
  Kui kiirendi impulsi kestus on 1 ìs või vähem, siis Q tähistab kogu kiirendatud laengut kulonites. Kui aga kiirendi impulsi kestvus on pikem kui 1 μs, siis tähistab Q 1 μs jooksul kiirendatud maksimaalset laengut.
  Q on võrdne elektronkiire voolu i amprites integraaliga aja t suhtes sekundites, üle impulsi kestvuse (Q = ∫ idt). Tippvõimsus = (tipp-pinge voltides) x (elektronkiire tippvool amprites). |
| --- | --- |

1.

Hüvetegur on defineeritud järgmiselt:

| 2. | Tippvõimsus = (tipp-pinge voltides) x (elektronkiire tippvool amprites). |
| --- | --- |

2.

Tippvõimsus = (tipp-pinge voltides) x (elektronkiire tippvool amprites).

| 3. | Kiirendites, mis põhinevad mikrolaine õõnesresonaatoritel, loetakse impulsi kestvuseks järgmistest väikseim: kas 1 μs või ühe mikrolaine modulaatoriimpulsi tekitatud kokkusurutud kiirepaketi kestvus. |
| --- | --- |

3.

Kiirendites, mis põhinevad mikrolaine õõnesresonaatoritel, loetakse impulsi kestvuseks järgmistest väikseim: kas 1 μs või ühe mikrolaine modulaatoriimpulsi tekitatud kokkusurutud kiirepaketi kestvus.

| 4. | Kiirendites, mis põhinevad mikrolaine õõnesresonaatoritel, loetakse kiire tippvoolu väärtuseks kokkusurutud kiirepaketi keskmistatud voolu väärtust selle kiirepaketi kestel. |
| --- | --- |

4.

Kiirendites, mis põhinevad mikrolaine õõnesresonaatoritel, loetakse kiire tippvoolu väärtuseks kokkusurutud kiirepaketi keskmistatud voolu väärtust selle kiirepaketi kestel.

3A225Sagedusmuundurid või generaatorid, muud kui punktis 0B001.b.13 nimetatud, millel on kõik järgmised omadused:

| a. | mitmefaasiline väljund, võimaliku väljundvõimsusega 40 W või rohkem; |
| --- | --- |

a.

mitmefaasiline väljund, võimaliku väljundvõimsusega 40 W või rohkem;

| b. | sagedusvahemik 600–2 000 Hz; |
| --- | --- |

b.

sagedusvahemik 600–2 000 Hz;

| c. | täielik harmooniline moonutus alla 10 %; ja |
| --- | --- |

c.

täielik harmooniline moonutus alla 10 %; ja

| d. | sageduse stabiilsus parem kui 0,1 %. |
| --- | --- |

d.

sageduse stabiilsus parem kui 0,1 %.

Tehniline märkus:

Sagedusmuundureid 3A225 tähenduses tuntakse ka konverterite või inverteritena.

3A226Suure võimsusega alalisvooluallikad, muud kui punktis 0B001.j.6 nimetatud, millel on mõlemad järgmised omadused:

| a. | võimaldavad 8 tunni jooksul saada pidevalt väljundpinget 100 V või rohkem voolutugevusel 500 A või rohkem; ja |
| --- | --- |

a.

võimaldavad 8 tunni jooksul saada pidevalt väljundpinget 100 V või rohkem voolutugevusel 500 A või rohkem; ja

| b. | voolu ja pinge stabiilsus 8 tunni vältel on parem kui 0,1 %. |
| --- | --- |

b.

voolu ja pinge stabiilsus 8 tunni vältel on parem kui 0,1 %.

3A227Kõrgepingelised alalisvooluallikad, muud kui punktis 0B001.j.5 nimetatud, millel on mõlemad järgmised omadused:

| a. | võimaldavad 8 tunni jooksul saada pidevalt väljundpinget 20 kV või rohkem voolutugevusel 1 A või rohkem; ja |
| --- | --- |

a.

võimaldavad 8 tunni jooksul saada pidevalt väljundpinget 20 kV või rohkem voolutugevusel 1 A või rohkem; ja

| b. | voolu ja pinge stabiilsus 8 tunni vältel on parem kui 0,1 %. |
| --- | --- |

b.

voolu ja pinge stabiilsus 8 tunni vältel on parem kui 0,1 %.

3A228Lülitusseadmed:

| a. | külmkatoodiga lambid, gaasiga täidetult või mitte, mis töötavad analoogiliselt kaitsesädemikuga ja millel on kõik järgmised omadused:






  1. | sisaldavad kolme või enamat elektroodi; |
| --- | --- | --- |

a.

külmkatoodiga lambid, gaasiga täidetult või mitte, mis töötavad analoogiliselt kaitsesädemikuga ja millel on kõik järgmised omadused:

1.

sisaldavad kolme või enamat elektroodi;

| 2. | anoodpinge tippnimiväärtusega 2,5 kV või rohkem; |
| --- | --- |

2.

anoodpinge tippnimiväärtusega 2,5 kV või rohkem;

| 3. | anoodvoolu tippnimiväärtus 100 A või rohkem; ja |
| --- | --- |

3.

anoodvoolu tippnimiväärtus 100 A või rohkem; ja

| 4. | anoodi viiteaeg 10 μs või vähem; |
| --- | --- |

4.

anoodi viiteaeg 10 μs või vähem;

Märkus: Punkt 3A228 hõlmab gaastäitega krütrone ja vakuumsprütrone.

| b. | ümberlülitatavad sädevahemikud, millel on mõlemad järgmised omadused:






  1. | anoodi viiteaeg 15 μs või vähem; ja |
| --- | --- | --- |

b.

ümberlülitatavad sädevahemikud, millel on mõlemad järgmised omadused:

1.

anoodi viiteaeg 15 μs või vähem; ja

| 2. | tippnimivoolatugerus 500 A või rohkem; |
| --- | --- |

2.

tippnimivoolatugerus 500 A või rohkem;

| c. | kiirlülitustoimega moodulid või sõlmed, millel on kõik järgmised tehnilised omadused:






  1. | anoodpinge tippnimiväärtus üle 2 000 V; |
| --- | --- | --- |

c.

kiirlülitustoimega moodulid või sõlmed, millel on kõik järgmised tehnilised omadused:

1.

anoodpinge tippnimiväärtus üle 2 000 V;

| 2. | anoodvoolu tippnimiväärtus 500 A või rohkem; ja |
| --- | --- |

2.

anoodvoolu tippnimiväärtus 500 A või rohkem; ja

| 3. | sisselülitusaeg 1 μs või vähem |
| --- | --- |

3.

sisselülitusaeg 1 μs või vähem

3A229Süütesüsteemid ja vastavad suure voolu impulssgeneraatorid:

NB! VT KA SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJA.

| a. | lõhkeaine detonaatorite süütamise süsteemid, mis on ette nähtud punktis 3A232 nimetatud multidetonaatorite käivitamiseks; |
| --- | --- |

a.

lõhkeaine detonaatorite süütamise süsteemid, mis on ette nähtud punktis 3A232 nimetatud multidetonaatorite käivitamiseks;

| b. | moodul-elektriimpulsi generaatorid (pulsarid), millel on kõik järgmised tehnilised omadused:






  1. | ette nähtud portatiivseks, mobiilseks või karmides tingimustes kasutamiseks; |
| --- | --- | --- |

b.

moodul-elektriimpulsi generaatorid (pulsarid), millel on kõik järgmised tehnilised omadused:

1.

ette nähtud portatiivseks, mobiilseks või karmides tingimustes kasutamiseks;

| 2. | suletud tolmukindlasse pakendisse; |
| --- | --- |

2.

suletud tolmukindlasse pakendisse;

| 3. | võimelised andma energiat vähem kui 15 μs jooksul; |
| --- | --- |

3.

võimelised andma energiat vähem kui 15 μs jooksul;

| 4. | väljundvool 100 A või rohkem; |
| --- | --- |

4.

väljundvool 100 A või rohkem;

| 5. | tõusuaeg vähem kui 10 μs, koormusel vähem kui 40 oomi; |
| --- | --- |

5.

tõusuaeg vähem kui 10 μs, koormusel vähem kui 40 oomi;

| 6. | ükski mõõde ei ületa 254 mm; |
| --- | --- |

6.

ükski mõõde ei ületa 254 mm;

| 7. | raskus on vähem kui 25 kg; ja |
| --- | --- |

7.

raskus on vähem kui 25 kg; ja

| 8. | ette nähtud kasutamiseks laiendatud temperatuurivahemikus 223 K (–50 °C) kuni 373 K (+100 °C) või määratletud kohaseks kasutamiseks kosmoses. |
| --- | --- |

8.

ette nähtud kasutamiseks laiendatud temperatuurivahemikus 223 K (–50 °C) kuni 373 K (+100 °C) või määratletud kohaseks kasutamiseks kosmoses.

Märkus: Punkt 3A229.b hõlmab ka ksenoonvälklampide juhtimisseadmeid.

Tehniline märkus:

Punktis 3A229.b.5 on tõusuaeg defineeritud kui ajavahemik, mis on vajalik voolu amplituudi kasvamiseks aktiivkoormusel 10 %-st kuni 90 %-ni.

3A230Kiired impulssgeneraatorid, millel on mõlemad järgmised omadused:

| a. | väljundpinge üle 6 V, aktiivkoormusel vähem kui 55 oomi; ja |
| --- | --- |

a.

väljundpinge üle 6 V, aktiivkoormusel vähem kui 55 oomi; ja

| b. | impulsi siirdeaeg 500 ps või vähem. |
| --- | --- |

b.

impulsi siirdeaeg 500 ps või vähem.

Tehniline märkus:

Punktis 3A230 on impulsi siirdeaeg defineeritud kui ajavahemik pinge amplituudi väärtuste 10 % ja 90 % vahel.

3A231Neutronite genereerimise süsteemid, kaasa arvatud lambid, millel on mõlemad järgmised omadused:

| a. | nad on ette nähtud tööoperatsioonide täitmiseks ilma välise vaakumsüsteemita; ja |
| --- | --- |

a.

nad on ette nähtud tööoperatsioonide täitmiseks ilma välise vaakumsüsteemita; ja

| b. | triitium-deuteerium tuumareaktsiooni esilekutsumiseks kasutatakse elektrostaatilist kiirendamist. |
| --- | --- |

b.

triitium-deuteerium tuumareaktsiooni esilekutsumiseks kasutatakse elektrostaatilist kiirendamist.

3A232Detonaatorid ja mitmepunktilised süütesüsteemid:

NB! VT KA SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJA.

| a. | elektriliselt käivitatavad lõhkeaine detonaatorid:






  1. | olahvatav sild (EB); |
| --- | --- | --- |

a.

elektriliselt käivitatavad lõhkeaine detonaatorid:

1.

olahvatav sild (EB);

| 2. | olahvatav sildtraat (EBW); |
| --- | --- |

2.

olahvatav sildtraat (EBW);

| 3. | lööksütik; |
| --- | --- |

3.

lööksütik;

| 4. | plahvatava fooliumi initsiaatorid (EFI); |
| --- | --- |

4.

plahvatava fooliumi initsiaatorid (EFI);

| b. | süsteemid, mis kasutatavad üksik- või mitmikdetonaatoreid, mis on ette nähtud üle 5 000 mm2 lõhkeaine pinna peaaegu samaaegseks initsieerimiseks ühe süütesignaaliga nii, et initsieerimise ajaline ulatus üle kogu pinna oleks vähem kui 2,5 μs. |
| --- | --- |

b.

süsteemid, mis kasutatavad üksik- või mitmikdetonaatoreid, mis on ette nähtud üle 5 000 mm2 lõhkeaine pinna peaaegu samaaegseks initsieerimiseks ühe süütesignaaliga nii, et initsieerimise ajaline ulatus üle kogu pinna oleks vähem kui 2,5 μs.

Märkus: Punkt 3A232 ei hõlma detonaatoreid, mis kasutavad ainult initsieerivaid lõhkeaineid, nagu näiteks pliiasiid.

Tehniline märkus:

Kõigi punktis 3A232 nimetatud detonaatorite puhul kasutatakse väikest elektrijuhti (silda, sildtraati või fooliumi), mis aurustub plahvatuslikult, kui kiire suurevooluline elektriline impulss seda läbib. Mittelöök-tüüpi detonaatorites vallandab plahvatav voolujuht keemilise detonatsiooni nendega kontaktis olevas kergelt plahvatavas aines, nagu PETN (pentaerütritooltetranitraat). Löökdetonaatorites paiskab elektrijuhtide plahvatuslik aurustumine lööknõela üle vahemiku ning lööknõela põrge lõhkeaine pihta vallandab keemilise detonatsiooni. Mõnedes konstruktsioonides paisatakse lööknõela magnetjõudude abil. Mõiste “plahvatav fooliumdetonaator” võib osutada nii plahvatavale sillale kui ka löök-tüüpi detonaatorile. Samuti kasutatakse mõnikord sõna “initsiaator” sõna “detonaator” asemel.

3A233Massispektromeetrid, muud kui punktis 0B002.g nimetatud, mis võimaldavad mõõta ioone massiga 230 aatommassiühikut või rohkem ning mille lahutusvõime on parem kui 2 osa 230-st, ning nende iooniallikad:

| a. | induktiivselt sidestatud plasma massispektromeetrid (ICP/MS); |
| --- | --- |

a.

induktiivselt sidestatud plasma massispektromeetrid (ICP/MS);

| b. | huumlahendus-massispektromeetrid (GDMS); |
| --- | --- |

b.

huumlahendus-massispektromeetrid (GDMS);

| c. | termilise ionisatsiooni massispektromeetrid (TIMS); |
| --- | --- |

c.

termilise ionisatsiooni massispektromeetrid (TIMS);

| d. | elektronpommitusega massispektromeetrid, mille allikakonteiner on valmistatud, vooderdatud või kaetud UF6 kindlate materjalidega; |
| --- | --- |

d.

elektronpommitusega massispektromeetrid, mille allikakonteiner on valmistatud, vooderdatud või kaetud UF6 kindlate materjalidega;

| e. | molekulaarkimbu massispektromeetrid, millel on üks järgmistest omadustest:






  1. | kiirgusallika konteiner on valmistatud, vooderdatud või kaetud roostevaba terasega või molübdeeniga ja varustatud külmalõksuga, mida on võimalik jahutada temperatuurile 193 K (–80 °C) või madalamale; või |
| --- | --- | --- |

e.

molekulaarkimbu massispektromeetrid, millel on üks järgmistest omadustest:

1.

kiirgusallika konteiner on valmistatud, vooderdatud või kaetud roostevaba terasega või molübdeeniga ja varustatud külmalõksuga, mida on võimalik jahutada temperatuurile 193 K (–80 °C) või madalamale; või

| 2. | kiirgusallika konteiner on valmistatud, vooderdatud või kaetud UF6 kindlate materjalidega; |
| --- | --- |

2.

kiirgusallika konteiner on valmistatud, vooderdatud või kaetud UF6 kindlate materjalidega;

| f. | massispektromeetrid, mis on varustatud mikrofluorimisioonallikaga ja on ette nähtud aktiniididele või aktiniidfluoriididele. |
| --- | --- |

f.

massispektromeetrid, mis on varustatud mikrofluorimisioonallikaga ja on ette nähtud aktiniididele või aktiniidfluoriididele.

3BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

3B001Seadmed pooljuhtseadmete ja -materjalide tootmiseks ning nende komponendid ja abiseadmed:

| a. | epitakskasvatamise seadmed:






  1. | seadmed, mis on võimelised tootma üht järgmistest:






  a. | ühtlast ränikihti 200 mm või pikemal vahemikul, mille ebaühtlus on väiksem kui ± 2,5 %; või |
| --- | --- | --- | --- |

a.

epitakskasvatamise seadmed:

1.

seadmed, mis on võimelised tootma üht järgmistest:

a.

ühtlast ränikihti 200 mm või pikemal vahemikul, mille ebaühtlus on väiksem kui ± 2,5 %; või

| b. | ühtlast muu materjali kihti, kui räni, 75 mm või pikemal vahemikul, mille ebaühtlus on väiksem kui ± 2,5 %; |
| --- | --- |

b.

ühtlast muu materjali kihti, kui räni, 75 mm või pikemal vahemikul, mille ebaühtlus on väiksem kui ± 2,5 %;

| 2. | metallorgaanilised keemilise aurustamise-sadestamise reaktorid (MOCVD), mis on spetsiaalselt kavandatud ühendpooljuhtkristallide kasvatamiseks punktis 3C003 või 3C004 nimetatud materjalide vahelise keemilise reaktsiooni abil; |
| --- | --- |

2.

metallorgaanilised keemilise aurustamise-sadestamise reaktorid (MOCVD), mis on spetsiaalselt kavandatud ühendpooljuhtkristallide kasvatamiseks punktis 3C003 või 3C004 nimetatud materjalide vahelise keemilise reaktsiooni abil;

| 3. | molekulaarkimp-epitakskasvatamise seadmed milles kasutatakse gaasilisi või tahkeid allikaid; |
| --- | --- |

3.

molekulaarkimp-epitakskasvatamise seadmed milles kasutatakse gaasilisi või tahkeid allikaid;

| b. | ioonlegeerimisseadmed, millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | kimbu energia (kiirenduspinge) on üle 1 MeV; |
| --- | --- | --- |

b.

ioonlegeerimisseadmed, millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

kimbu energia (kiirenduspinge) on üle 1 MeV;

| 2. | spetsiaalselt ette nähtud ja optimeeritud töötamaks kimbu energial (kiirenduspingel), mis on väiksem kui 2 keV; |
| --- | --- |

2.

spetsiaalselt ette nähtud ja optimeeritud töötamaks kimbu energial (kiirenduspingel), mis on väiksem kui 2 keV;

| 3. | otsekirje võimega; või |
| --- | --- |

3.

otsekirje võimega; või

| 4. | kimbu energiaga 65 keV või rohkem ja kimbu vooluga 45 mA või rohkem kõrgenergeetiliseks hapniku istutamiseks kuumutatud pooljuhtmaterjali põhimikku; |
| --- | --- |

4.

kimbu energiaga 65 keV või rohkem ja kimbu vooluga 45 mA või rohkem kõrgenergeetiliseks hapniku istutamiseks kuumutatud pooljuhtmaterjali põhimikku;

| c. | anisotroopsed plasmakuivsöövitusseadmed:






  1. | seadmed kassetist-kassetti tüüpi toimimisviisi ning täitelüüsidega, millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | kavandatud või optimeeritud saavutama kriitilist mõõtu 0,3 μm või vähem ± 5 % 3sigmalise täpsusega; või |
| --- | --- | --- | --- |

c.

anisotroopsed plasmakuivsöövitusseadmed:

1.

seadmed kassetist-kassetti tüüpi toimimisviisi ning täitelüüsidega, millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

kavandatud või optimeeritud saavutama kriitilist mõõtu 0,3 μm või vähem ± 5 % 3sigmalise täpsusega; või

| b. | kavandatud tekitama vähem kui 0,04 osakest/cm2, mille mõõdetav osakese diameeter on suurem kui 0,1 μm; |
| --- | --- |

b.

kavandatud tekitama vähem kui 0,04 osakest/cm2, mille mõõdetav osakese diameeter on suurem kui 0,1 μm;

| 2. | seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 3B001.e nimetatud seadmetele ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | kavandatud või optimeeritud saavutama kriitilist mõõtu 0,3 μm või vähem ± 5 % 3sigmalise täpsusega; või |
| --- | --- | --- |

2.

seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 3B001.e nimetatud seadmetele ja millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

kavandatud või optimeeritud saavutama kriitilist mõõtu 0,3 μm või vähem ± 5 % 3sigmalise täpsusega; või

| b. | kavandatud tekitama vähem kui 0,04 osakest/cm2, mille mõõdetav osakese diameeter on suurem kui 0,1 μm; |
| --- | --- |

b.

kavandatud tekitama vähem kui 0,04 osakest/cm2, mille mõõdetav osakese diameeter on suurem kui 0,1 μm;

| d. | plasmaaktiveeritud keemilise aurustamise-sadestamise (CVD) seadmed:






  1. | seadmed kassetist-kassetti tüüpi toimimisviisi ning täitelüüsidega, mis on tootja spetsifikatsioonide järgi ette nähtud või optimeeritud pooljuhtseadmete tootmises kasutamiseks kriitiliste mõõtmetega 180 nm või vähem; |
| --- | --- | --- |

d.

plasmaaktiveeritud keemilise aurustamise-sadestamise (CVD) seadmed:

1.

seadmed kassetist-kassetti tüüpi toimimisviisi ning täitelüüsidega, mis on tootja spetsifikatsioonide järgi ette nähtud või optimeeritud pooljuhtseadmete tootmises kasutamiseks kriitiliste mõõtmetega 180 nm või vähem;

| 2. | seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktiga 3B001.e hõlmatud seadmete jaoks ja mis on tootja spetsifikatsioonide järgi ette nähtud või optimeeritud pooljuhtseadmete tootmises kasutamiseks kriitiliste mõõtmetega 180 nm või vähem; |
| --- | --- |

2.

seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktiga 3B001.e hõlmatud seadmete jaoks ja mis on tootja spetsifikatsioonide järgi ette nähtud või optimeeritud pooljuhtseadmete tootmises kasutamiseks kriitiliste mõõtmetega 180 nm või vähem;

| e. | automaatse laadimisega mitmekambrilised kesksed toorikkiipide käsitsemise süsteemid, millel on järgmised omadused:






  1. | liides toorikkiipide sisestamiseks ja väljavõtmiseks, millega võib liita enam kui kaks pooljuhte töötlevat seadet; ja |
| --- | --- | --- |

e.

automaatse laadimisega mitmekambrilised kesksed toorikkiipide käsitsemise süsteemid, millel on järgmised omadused:

1.

liides toorikkiipide sisestamiseks ja väljavõtmiseks, millega võib liita enam kui kaks pooljuhte töötlevat seadet; ja

| 2. | on arendatud moodustama integreeritud süsteemi kiipide järjestiktöötlemiseks vaakumkeskkonnas; |
| --- | --- |

2.

on arendatud moodustama integreeritud süsteemi kiipide järjestiktöötlemiseks vaakumkeskkonnas;

Märkus: Punkt 3B001.e ei hõlma automaatseid kiipide käsitlemise robotsüsteeme, mis pole ette nähtud toimima vaakumkeskkonnas.

| f. | järgmised litograafiaseadmed:






  1. | “paiguta ja särita ning korda sammhaaval” (otsene samm kiibil) või “samm ja skaneeri” (skanner) tüüpi seadmed kiipide töötlemiseks, mis kasutavad valgusoptilist või röntgenikiirte meetodeid ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | valgusallika lainepikkus on lühem kui 350 nm; või |
| --- | --- | --- | --- |

f.

järgmised litograafiaseadmed:

1.

“paiguta ja särita ning korda sammhaaval” (otsene samm kiibil) või “samm ja skaneeri” (skanner) tüüpi seadmed kiipide töötlemiseks, mis kasutavad valgusoptilist või röntgenikiirte meetodeid ja millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

valgusallika lainepikkus on lühem kui 350 nm; või

| b. | on võimelised tekitama mustrit, milles vähima
  lahutatava
  elemendi mõõt on 0,35 μm või vähem;
  Tehniline märkus:


  Vähima
  lahutatava
  elemendi mõõt arvutatakse järgmise valemi põhjal:





  kus K tegur = 0,7


  MRF = vähima lahutatava elemendi mõõt |
| --- | --- |

b.

on võimelised tekitama mustrit, milles vähima
  lahutatava
  elemendi mõõt on 0,35 μm või vähem;

Tehniline märkus:

Vähima
  lahutatava
  elemendi mõõt arvutatakse järgmise valemi põhjal:

Formula

kus K tegur = 0,7

MRF = vähima lahutatava elemendi mõõt

| 2. | seadmed pooljuhtide maskide valmistamiseks või pooljuhtseadiste töötlemiseks, rakendades hälvitatud-fokuseeritud elektronkimpu, ioonkimpu või laserkiirt, millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | laotuspunkti suurus väiksem kui 0,2 μm; |
| --- | --- | --- |

2.

seadmed pooljuhtide maskide valmistamiseks või pooljuhtseadiste töötlemiseks, rakendades hälvitatud-fokuseeritud elektronkimpu, ioonkimpu või laserkiirt, millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

laotuspunkti suurus väiksem kui 0,2 μm;

| b. | on võimelised tekitama mustreid, milles vähima lahutatava elemendi mõõt on väiksem kui 1 μm; või |
| --- | --- |

b.

on võimelised tekitama mustreid, milles vähima lahutatava elemendi mõõt on väiksem kui 1 μm; või

| c. | paigutustäpsus parem kui ± 0,20 μm (3 sigmat); |
| --- | --- |

c.

paigutustäpsus parem kui ± 0,20 μm (3 sigmat);

| g. | maskid ja niitvörgustikud, mis on ette nähtud punktis 3A001 nimetatud integraallülitustele; |
| --- | --- |

g.

maskid ja niitvörgustikud, mis on ette nähtud punktis 3A001 nimetatud integraallülitustele;

| h. | mitmekihilised maskid faasinihke kihiga.


  Märkus: Punkt 3B001.h ei hõlma mitmekihilisi maske faasinihke kihiga, mis on ette nähtud punktis 3A001 mitte hõlmatud mäluseadmete tootmiseks. |
| --- | --- |

h.

mitmekihilised maskid faasinihke kihiga.

Märkus: Punkt 3B001.h ei hõlma mitmekihilisi maske faasinihke kihiga, mis on ette nähtud punktis 3A001 mitte hõlmatud mäluseadmete tootmiseks.

3B002
  Programmeeritavad testimisseadmed ning spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid ja lisavarustus järgmiste lõpetatud või lõpetamata pooljuhtseadmete testimiseks:

| a. | transistoride S parameetrite testimiseks sagedustel üle 31,8 GHz; |
| --- | --- |

a.

transistoride S parameetrite testimiseks sagedustel üle 31,8 GHz;

| b. | integraallülituste testimiseks, mis on võimelised sooritama funktsionaalset testimist tõeväärtustabelitega, näidiste
  esitamise
  kiirusega üle 667 MHz;


  Märkus: Punkt 3B002.b. ei hõlma testimisseadmeid, mis on spetsiaalselt ette nähtud järgmiseks testimiseks:








  1. | Elektroonikasõlmed või elektroonikasõlmede klass; |
| --- | --- | --- |

b.

integraallülituste testimiseks, mis on võimelised sooritama funktsionaalset testimist tõeväärtustabelitega, näidiste
  esitamise
  kiirusega üle 667 MHz;

Märkus: Punkt 3B002.b. ei hõlma testimisseadmeid, mis on spetsiaalselt ette nähtud järgmiseks testimiseks:

1.

Elektroonikasõlmed või elektroonikasõlmede klass;

| 2. | Kontrollimatud elektroonilised komponendid, elektroonikasõlmed või integraallülitused; |
| --- | --- |

2.

Kontrollimatud elektroonilised komponendid, elektroonikasõlmed või integraallülitused;

| 3. | Mälud. |
| --- | --- |

3.

Mälud.

Tehniline märkus:

Käesolevas punktis tähendab näidiste esitamise kiirus testimisseadme digitaaloperatsioonide maksimaalset sagedust. See vastab kõrgeimale edastuskiirusele, mida testimisseade tagab mittemultiplekssel režiimil. Seda kutsutakse ka testkiiruseks, maksimaalseks digitaalseks sageduseks või maksimaalseks digitaalseks kiiruseks.

| c. | punktis 3A001.b.2 nimetatud mikrolaine integraallülituste testimiseks. |
| --- | --- |

c.

punktis 3A001.b.2 nimetatud mikrolaine integraallülituste testimiseks.

3CMaterjalid

3C001Hetero-epitaksiaalsed materjalid, mis koosnevad järgmiste materjalide epitakskasvatamisel saadud põhimikest:

| a. | räni; |
| --- | --- |

a.

räni;

| b. | germaanium |
| --- | --- |

b.

germaanium

| c. | ränikarbiid; või |
| --- | --- |

c.

ränikarbiid; või

| d. | galliumi või indiumi III/V ühendid.
  Tehniline märkus:

  III/V ühendid on polükristallilised, binaarsed või kompleksmonokristallilised tooted, mis koosnevad Mendelejevi perioodilisussüsteemi tabeli IIIA ja VA grupi elementidest (nt gallium-alumiiniumarseniid, indiumfosfiid). |
| --- | --- |

d.

galliumi või indiumi III/V ühendid.

Tehniline märkus:

III/V ühendid on polükristallilised, binaarsed või kompleksmonokristallilised tooted, mis koosnevad Mendelejevi perioodilisussüsteemi tabeli IIIA ja VA grupi elementidest (nt gallium-alumiiniumarseniid, indiumfosfiid).

3C002Resistmaterjalid ja põhimikud, mis on kaetud kontrolli alla kuuluvate resistmaterjalidega:

| a. | positiivsed resistid, mis on ette nähtud pooljuhtide litograafiaks ning spetsiaalselt kohandatud (optimeeritud) kasutamiseks lainepikkustel alla 350 nm; |
| --- | --- |

a.

positiivsed resistid, mis on ette nähtud pooljuhtide litograafiaks ning spetsiaalselt kohandatud (optimeeritud) kasutamiseks lainepikkustel alla 350 nm;

| b. | kõik resistid, mis on ette nähtud kasutamiseks elektron- või ioonkimpudega, tundlikkusega 0,01 μC/mm2 või parem; |
| --- | --- |

b.

kõik resistid, mis on ette nähtud kasutamiseks elektron- või ioonkimpudega, tundlikkusega 0,01 μC/mm2 või parem;

| c. | kõik resistid, mis on ette nähtud kasutamiseks röntgenikiirtega, tundlikkusega 2,5 mJ/mm2 või parem; |
| --- | --- |

c.

kõik resistid, mis on ette nähtud kasutamiseks röntgenikiirtega, tundlikkusega 2,5 mJ/mm2 või parem;

| d. | kõik resistid, mis on optimeeritud pinnakujundamise tehnoloogiate jaoks, sealhulgas ka silüleeritud resistid.
  Tehniline märkus:


  Silüleerimistehnika tähendab protsesse, mis sisaldavad resisti pinna oksüdeerimist, et parandada selle omadusi nii märg- kui ka kuivilmutamisel. |
| --- | --- |

d.

kõik resistid, mis on optimeeritud pinnakujundamise tehnoloogiate jaoks, sealhulgas ka silüleeritud resistid.

Tehniline märkus:

Silüleerimistehnika tähendab protsesse, mis sisaldavad resisti pinna oksüdeerimist, et parandada selle omadusi nii märg- kui ka kuivilmutamisel.

3C003Orgaanilis-anorgaanilised ühendid:

| a. | alumiiniumi, galliumi või indiumi metallorgaanilised ühendid puhtusega (metalli baasil) üle 99,999 %; |
| --- | --- |

a.

alumiiniumi, galliumi või indiumi metallorgaanilised ühendid puhtusega (metalli baasil) üle 99,999 %;

| b. | arseeni, antimoni või fosfori orgaanilised ühendid puhtusega üle 99,999 % (anorgaaniliste elementide baasil). |
| --- | --- |

b.

arseeni, antimoni või fosfori orgaanilised ühendid puhtusega üle 99,999 % (anorgaaniliste elementide baasil).

Märkus: Punkt 3C003 hõlmab üksnes neid ühendeid, milles metalliline, poolmetalliline või mittemetalliline element on molekuli orgaanilises osas oleva süsinikuga otseses sidemes.

3C004Fosfori, arseeni või antimoni hüdriidid puhtusega üle 99,999 %, ka inertgaasides või vesinikus lahjendatuna.

Märkus: Punkt 3C004 ei hõlma hüdriide, mis sisaldavad 20 moolprotsenti või enam inertgaase või vesinikku.

3DTarkvara

3D001
  Tarkvara, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktides 3A001.b–3A002.g või 3B nimetatud seadmete arendamiseks või tootmiseks.

3D002
  Tarkvara, mis on spetsiaalselt ette nähtud mis tahes järgmiste seadmete kasutamiseks:

| a. | punktides 3B001.a kuni 3B001.f nimetatud seadmed; või |
| --- | --- |

a.

punktides 3B001.a kuni 3B001.f nimetatud seadmed; või

| b. | punktis 3B002 nimetatud seadmed. |
| --- | --- |

b.

punktis 3B002 nimetatud seadmed.

3D003Füüsikalistel alustel põhinev simulatsioonitarkvara, mis on ette nähtud litograafia-, söövitus- või pinnakatmisprotsesside arendamiseks maskide struktuuri üleviimisel spetsiifiliseks juhtide, dielektrikute või pooljuhtide topograafiliseks struktuuriks.

Tehniline märkus:

Füüsikalistel alustel põhinev tähendab punktis 3.D.3 arvutuste kasutamist füüsikalistel omadustel (nt temperatuur, rõhk, difusioonikonstandid ja pooljuhtmaterjalide omadused) põhinevate füüsikaliste põhjus-tagajärg sündmuste järjestuse kindlakstegemiseks.

Märkus: Pooljuhtseadmete või integraallülituste projekteerimise raamatukogud, olulised tunnused ja projekteerimisega seotud andmed loetakse tehnoloogiaks.

3D004
  Tarkvara, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 3A003 nimetatud seadmete arendamiseks.

3D101
  Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 3A101.b nimetatud seadmete kasutamiseks.

3ETehnoloogia

3E001
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktides 3A, 3B või 3C nimetatud seadmete või materjalide arendamiseks või tootmiseks;

Märkus 1: Punkt 3E001 ei hõlma tehnoloogiat seadmete või komponentide tootmiseks, mis on hõlmatud punktiga 3A003.

Märkus 2: Punkt 3E001 ei hõlma tehnoloogiat punktides 3A001.a.3–3A001.a.12 nimetatud integraallülituste arendamiseks või tootmiseks, millel on kõik järgmised omadused:

| 1. | on kasutatud 0,5 μm või suurema struktuurielemendi tehnoloogiat; ja |
| --- | --- |

1.

on kasutatud 0,5 μm või suurema struktuurielemendi tehnoloogiat; ja

| 2. | ei sisalda mitmekihilisi
  struktuure. |
| --- | --- |

2.

ei sisalda mitmekihilisi
  struktuure.

Tehniline märkus:

Väljend mitmekihilised
  struktuurid ei hõlma seadmeid, mis sisaldavad maksimaalselt kaht metallikihti ja kolme polükristalset ränikihti.

3E002
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, muu kui punktis 3E001 nimetatud, mikroprotsessor-mikroskeemide, mikroarvuti-mikroskeemide ja mikrokontroller-mikroskeemide arendamiseks või tootmiseks, mille ühendatud teoreetiline suutlikkus (CTP) on 530 miljonit teoreetilist operatsiooni sekundis (Mtops) või rohkem ja aritmeetika-loogikaseade juurdepääsu laius 32 bitti või rohkem;

Märkus: Punktile 3E001 lisatud kontrolli alla mittekuulumise märkus 2 kehtib ka punkti 3E002 kohta.

3E003Muu tehnoloogia, mida kasutatakse järgmiste seadmete ja komponentide arendamiseks või tootmiseks:

| a. | vaakummikroelektroonilised seadmed; |
| --- | --- |

a.

vaakummikroelektroonilised seadmed;

| b. | heterostruktuuriga pooljuhtseadmed (nt elektronide kõrgliikuvusega transistorid (HEMT), heterobipolaartransistorid (HBT) kvantkaev- ja supervõreseadmed;


  Märkus: Punkt 3E003.b ei hõlma suure liikuvusega elektronidega transistoride tehnoloogiat, mis töötavad sagedustel alla 31,8 GHz ja heterosiirdega bipolaarsete transistoride tehnoloogiat, mis töötavad sagedustel alla 31,8 GHz. |
| --- | --- |

b.

heterostruktuuriga pooljuhtseadmed (nt elektronide kõrgliikuvusega transistorid (HEMT), heterobipolaartransistorid (HBT) kvantkaev- ja supervõreseadmed;

Märkus: Punkt 3E003.b ei hõlma suure liikuvusega elektronidega transistoride tehnoloogiat, mis töötavad sagedustel alla 31,8 GHz ja heterosiirdega bipolaarsete transistoride tehnoloogiat, mis töötavad sagedustel alla 31,8 GHz.

| c. | ülijuhtivad elektroonilised seadmed; |
| --- | --- |

c.

ülijuhtivad elektroonilised seadmed;

| d. | teemantpõhimikud või -kiled elektroonilistele komponentidele. |
| --- | --- |

d.

teemantpõhimikud või -kiled elektroonilistele komponentidele.

| e. | räni-isolaator-põhimikud integraallülitustele, milles isolaatoriks on ränidioksiid; |
| --- | --- |

e.

räni-isolaator-põhimikud integraallülitustele, milles isolaatoriks on ränidioksiid;

| f. | ränikarbiidpõhimikud elektroonilistele komponentidele; |
| --- | --- |

f.

ränikarbiidpõhimikud elektroonilistele komponentidele;

| g. | elektroonilised vaakumlambid, mille töösagedus on üle 31,8 GHz. |
| --- | --- |

g.

elektroonilised vaakumlambid, mille töösagedus on üle 31,8 GHz.

3E101
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktis 3A001.a.1 või 3A001.a.2, 3A101.a või 3D101 nimetatud seadmete või tarkvara kasutamiseks.

3E102
  Tehnoloogiaüldmärkusele vastav tehnoloogia punktis 3D101 nimetatud tarkvara arendamiseks.

3E201
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on vajalik punktides 3A00l.e.2, 3A001.e.3, 3A201, 3A225–3A233 nimetatud seadmete kasutamiseks.

4. KATEGOORIA

ARVUTID

Märkus 1: Arvuteid, vastavaid seadmeid ja tarkvara, mis täidavad telekommunikatsiooni- või kohtvõrgu ülesandeid, tuleb hinnata samuti 5. kategooria 1. osa jõudlusparameetrite järgi (Telekommunikatsioon).

Märkus 2: Juhtimismoodulid, mis ühendavad otseselt keskseadet, põhimälu või ketta juhtseadet siinide või kanalitega, ei loeta 5. kategooria 1. osas (Telekommunikatsioon) nimetatud telekommunikatsiooniseadmeteks.

NB! Pakettkommuteerimise jaoks spetsiaalselt loodud tarkvara kontrolli alla kuulumise kohta vaata punkti 5D001.

Märkus 3: Arvuteid, vastavaid seadmeid ja tarkvara, mis täidavad krüptograafilisi, krüptoanalüüsi, tunnistavaid mitmeastmelisi turva- või tunnistavaid kasutajate eraldamisülesandeid või mis piiravad elektromagnetilist ühilduvust, tuleb hinnata samuti 5. kategooria 2. osa jõudlusparameetrite järgi (Infoturve).

4ASüsteemid, seadmed ja komponendid

4A001Elektronarvutid ja nendega seotud seadmed, elektroonikasõlmed ja spetsiaalselt neile ette nähtud komponendid:

NB! VT KA PUNKTI 4A101.

| a. | mis on konstrueeritud nii, et neil oleks mis tahes järgmine omadus:






  1. | ette nähtud tööülesannete täitmiseks keskkonnas, mille temperatuur on madalam kui 228 K (– 45 °C) või üle 358 K (+85 °C);


  Märkus: Punkti 4A001.a.1 ei kohaldata tsiviilotstarbeliste mootorsõidukites ja raudteerongides kasutamiseks ettenähtud arvutite suhtes. |
| --- | --- | --- |

a.

mis on konstrueeritud nii, et neil oleks mis tahes järgmine omadus:

1.

ette nähtud tööülesannete täitmiseks keskkonnas, mille temperatuur on madalam kui 228 K (– 45 °C) või üle 358 K (+85 °C);

Märkus: Punkti 4A001.a.1 ei kohaldata tsiviilotstarbeliste mootorsõidukites ja raudteerongides kasutamiseks ettenähtud arvutite suhtes.

| 2. | kiirguskindlad, mis taluvad mis tahes järgmise piirväärtuse ületamist:







  a. | kogudoos | 5 × 103 Gy (räni); |
| --- | --- | --- | --- |
| b. | doosikiirus | 5 × 106 Gy (räni)/s; või |
| c. | ühele tuumasündmusele vastab | 5 × 10–7 viga/bit/päev; |

2.

kiirguskindlad, mis taluvad mis tahes järgmise piirväärtuse ületamist:

a.

kogudoos

5 × 103 Gy (räni);

b.

doosikiirus

5 × 106 Gy (räni)/s; või

c.

ühele tuumasündmusele vastab

5 × 10–7 viga/bit/päev;

| b. | mille tehnilised omadused ja jõudlus ületavad 5. kategooria 2. osas (Infoturve) kirjeldatud piire.


  Märkus: Punkt 4A001.b ei hõlma elektronarvuteid ja vastavaid seadmeid, kui need on kasutajal kaasas isiklikuks kasutamiseks. |
| --- | --- |

b.

mille tehnilised omadused ja jõudlus ületavad 5. kategooria 2. osas (Infoturve) kirjeldatud piire.

Märkus: Punkt 4A001.b ei hõlma elektronarvuteid ja vastavaid seadmeid, kui need on kasutajal kaasas isiklikuks kasutamiseks.

4A003
  Digitaalarvutid, elektroonikasõlmed ja nendega seotud seadmed nende jaoks ettenähtud komponentidega:

Märkus 1: Punkt 4A003 hõlmab järgmist:

| a. | vektorprotsessorid; |
| --- | --- |

a.

vektorprotsessorid;

| b. | massiiviprotsessorid; |
| --- | --- |

b.

massiiviprotsessorid;

| c. | digitaalsed signaaliprotsessorid; |
| --- | --- |

c.

digitaalsed signaaliprotsessorid;

| d. | loogikaprotsessorid; |
| --- | --- |

d.

loogikaprotsessorid;

| e. | pildiväärinduseks kavandatud seadmed; |
| --- | --- |

e.

pildiväärinduseks kavandatud seadmed;

| f. | signaalitöötluseks kavandatud seadmed. |
| --- | --- |

f.

signaalitöötluseks kavandatud seadmed.

Märkus 2: Punktis 4A003 nimetatud digitaalarvutite ja nendega seotud seadmete kontrolli alla kuulumine määratakse vastavalt nende seadmete või süsteemi kontrolli alla kuulumisele, mille jaoks nad on ette nähtud:

| a. | digitaalarvutid või seotud seadmed on olulised teise süsteemi või seadme toimimiseks; |
| --- | --- |

a.

digitaalarvutid või seotud seadmed on olulised teise süsteemi või seadme toimimiseks;

| b. | digitaalarvutid või seotud seadmed ei ole muu süsteemi või seadme oluliseks osaks; ja




  NB 1! Muudele seadmetele spetsiaalselt ettenähtud signaalitöötlus- või pildiväärindusseadmete kontrolli alla kuulumine määratakse vastavalt muude seadmete kontrolli alla kuulumisele isegi siis, kui nad ei täida olulise osa kriteeriumit.



  NB 2! Digitaalarvutite või telekommunikatsiooniseadmete kontrolli alla kuulumise kohta vaata 5. kategooria 1. osa (Telekommunikatsioon). |
| --- | --- |

b.

digitaalarvutid või seotud seadmed ei ole muu süsteemi või seadme oluliseks osaks; ja

NB 1! Muudele seadmetele spetsiaalselt ettenähtud signaalitöötlus- või pildiväärindusseadmete kontrolli alla kuulumine määratakse vastavalt muude seadmete kontrolli alla kuulumisele isegi siis, kui nad ei täida olulise osa kriteeriumit.

NB 2! Digitaalarvutite või telekommunikatsiooniseadmete kontrolli alla kuulumise kohta vaata 5. kategooria 1. osa (Telekommunikatsioon).

| c. | Tehnoloogia digitaalarvutite või seotud seadmete jaoks määratakse kindlaks punktis 4E. |
| --- | --- |

c.

Tehnoloogia digitaalarvutite või seotud seadmete jaoks määratakse kindlaks punktis 4E.

| a. | kavandatud või kohandatud tõrketaluvusega süsteemi jaoks;


  Märkus: Punkt 4A003.a tähenduses ei käsitleta digitaalarvuteid ja nendega seotud seadmeid kavandatuna või kohandatuna tõrketaluvusega süsteemide jaoks, kui nendes on kasutatud järgmist:








  1. | arvuti põhimälu sisaldab vigade avastamise ja korrigeerimise algoritme; |
| --- | --- | --- |

a.

kavandatud või kohandatud tõrketaluvusega süsteemi jaoks;

Märkus: Punkt 4A003.a tähenduses ei käsitleta digitaalarvuteid ja nendega seotud seadmeid kavandatuna või kohandatuna tõrketaluvusega süsteemide jaoks, kui nendes on kasutatud järgmist:

1.

arvuti põhimälu sisaldab vigade avastamise ja korrigeerimise algoritme;

| 2. | Kaks digitaalarvutit on omavahel ühendatud selliselt, et aktiivse keskseadme tõrke korral jätkab süsteemi toimimist seni tühikäigul jooksnud ja aktiivset keskseadet peegeldav keskseade; |
| --- | --- |

2.

Kaks digitaalarvutit on omavahel ühendatud selliselt, et aktiivse keskseadme tõrke korral jätkab süsteemi toimimist seni tühikäigul jooksnud ja aktiivset keskseadet peegeldav keskseade;

| 3. | kahe keskseadme omavaheline side andmekanalite või ühismälu kaudu, mis võimaldab ühel keskseadmel sooritada muid ülesandeid kuni teise keskseadme tõrkeni, millisest hetkest alates esimene keskseade võtab üle süsteemi toimimise tagamise; või |
| --- | --- |

3.

kahe keskseadme omavaheline side andmekanalite või ühismälu kaudu, mis võimaldab ühel keskseadmel sooritada muid ülesandeid kuni teise keskseadme tõrkeni, millisest hetkest alates esimene keskseade võtab üle süsteemi toimimise tagamise; või

| 4. | kahe keskseadme sünkroniseerimine tarkvara abil nii, et üks keskseade on võimeline avastama teises keskseadmes tekkinud tõrke ning taastama ja võtma üle selle seadme töö. |
| --- | --- |

4.

kahe keskseadme sünkroniseerimine tarkvara abil nii, et üks keskseade on võimeline avastama teises keskseadmes tekkinud tõrke ning taastama ja võtma üle selle seadme töö.

| b. | Digitaalarvutid ühendatud teoreetilise jõudlusega (CTP) üle 190 000 miljoni teoreetilise operatsiooni sekundis (Mtops); |
| --- | --- |

b.

Digitaalarvutid ühendatud teoreetilise jõudlusega (CTP) üle 190 000 miljoni teoreetilise operatsiooni sekundis (Mtops);

| c. | elektroonikasõlmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või kohandatud, et suurendada jõudlust arvutuselementide liitmise teel nii, et sellise ühenduse ühendatud teoreetiline jõudlus (CTP) ületab punktis 4A003.b sätestatud piiri;


  Märkus 1: Punkti 4A003.c kohaldatakse üksnes elektroonikasõlmedele ja programmeeritavatele omavahelistele ühendustele, mis ei ületa punktis 4A003.b esitatud piire, kui neid toimetatakse kohale mitteühendatud elektroonikasõlmedena. Seda ei kohaldata elektroonikasõlmedele, mille rakendamine loomupäraselt oma konstruktsiooni tõttu punktides 4A003.d või 4A003.e nimetatud seadmete vastava osana on piiratud.



  Märkus 2: Punkt 4A003.c ei hõlma elektroonikasõlmi, mis on spetsiaalselt konstrueeritud toodetele või tooteperekondadele, mille maksimaalne konfiguratsioon ei ületa punktis 4A003.b sätestatud piiri. |
| --- | --- |

c.

elektroonikasõlmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või kohandatud, et suurendada jõudlust arvutuselementide liitmise teel nii, et sellise ühenduse ühendatud teoreetiline jõudlus (CTP) ületab punktis 4A003.b sätestatud piiri;

Märkus 1: Punkti 4A003.c kohaldatakse üksnes elektroonikasõlmedele ja programmeeritavatele omavahelistele ühendustele, mis ei ületa punktis 4A003.b esitatud piire, kui neid toimetatakse kohale mitteühendatud elektroonikasõlmedena. Seda ei kohaldata elektroonikasõlmedele, mille rakendamine loomupäraselt oma konstruktsiooni tõttu punktides 4A003.d või 4A003.e nimetatud seadmete vastava osana on piiratud.

Märkus 2: Punkt 4A003.c ei hõlma elektroonikasõlmi, mis on spetsiaalselt konstrueeritud toodetele või tooteperekondadele, mille maksimaalne konfiguratsioon ei ületa punktis 4A003.b sätestatud piiri.

| d. | ei kasutata; |
| --- | --- |

d.

ei kasutata;

| e. | seadmed, mis teostavad analoog-digitaalmuundamist, mille parameetrid ületavad punktis 3A001.a.5 sätestatud piirid; |
| --- | --- |

e.

seadmed, mis teostavad analoog-digitaalmuundamist, mille parameetrid ületavad punktis 3A001.a.5 sätestatud piirid;

| f. | ei kasutata; |
| --- | --- |

f.

ei kasutata;

| g. | seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud võimaldama digitaalarvutite või nende juurde kuuluvate seadmete omavahelist välist ühendust ja võimaldavad andmevahetust kiirusega üle 1,25 gigabaidi sekundis.


  Märkus: Punkt 4A003.g ei hõlma sisemise ühenduse seadmeid (nt põhiplaate, siine), passiivseid ühendusseadmeid, võrgu ligipääsu kontrollereid või sidekanali kontrollereid. |
| --- | --- |

g.

seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud võimaldama digitaalarvutite või nende juurde kuuluvate seadmete omavahelist välist ühendust ja võimaldavad andmevahetust kiirusega üle 1,25 gigabaidi sekundis.

Märkus: Punkt 4A003.g ei hõlma sisemise ühenduse seadmeid (nt põhiplaate, siine), passiivseid ühendusseadmeid, võrgu ligipääsu kontrollereid või sidekanali kontrollereid.

4A004Arvutid ja nende jaoks ettenähtud vastavad seadmed, elektroonikasõlmed ja komponendid:

| a. | süstoolsed massiiviarvutid; |
| --- | --- |

a.

süstoolsed massiiviarvutid;

| b. | neuronarvutid; |
| --- | --- |

b.

neuronarvutid;

| c. | optilised arvutid. |
| --- | --- |

c.

optilised arvutid.

4A101Analoogarvutid, digitaalarvutid või digitaalsed diferentsiaalanalüsaatorid, muud kui punktis 4A001.a.1 nimetatud, mis on karmide tingimuste jaoks ning spetsiaalselt ette nähtud või kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettides või punktis 9A104 nimetatud sondrakettides

4A102
  Hübriidarvutid, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 9A004 nimetatud kanderakettide või punktis 9A104 nimetatud sondrakettide modelleerimiseks, simulatsiooniks või projektide integreerimiseks.

Märkus: Nimetatud kontrolli kohaldatakse vaid juhul, kui nimetatud seadmed on varustatud punktis 7D103 või 9D103 nimetatud tarkvaraga.

4BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

Puuduvad.

4CMaterjalid

Puuduvad.

4DTarkvara

Märkus: Teistes kategooriates nimetatud seadmete arendamis-, tootmis- või kasutustarkvara kontrolli alla kuulumine määratakse vastavates kategooriates. Käesolevas kategoorias nimetatud seadmete jaoks ettenähtud tarkvara kontrolli alla kuulumine määratakse siin.

| a. | Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktides 4A001–4A004 või 4D nimetatud seadmete ja tarkvara arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. |
| --- | --- |

a.

Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktides 4A001–4A004 või 4D nimetatud seadmete ja tarkvara arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks.

| b. | Tarkvara, muu kui punktis 4D001.a nimetatud, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud järgmiste arendamiseks või tootmiseks:






  1. | digitaalarvutid ühendatud teoreetilise jõudlusega (CTP) üle 28 000 miljoni teoreetilise operatsiooni sekundis (Mtops); või |
| --- | --- | --- |

b.

Tarkvara, muu kui punktis 4D001.a nimetatud, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud järgmiste arendamiseks või tootmiseks:

1.

digitaalarvutid ühendatud teoreetilise jõudlusega (CTP) üle 28 000 miljoni teoreetilise operatsiooni sekundis (Mtops); või

| 2. | elektroonikasõlmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või kohandatud, et suurendada jõudlust arvutuselementide liitmise teel nii, et sellise ühenduse ühendatud teoreetiline jõudlus (CTP) ületab punktis 4D001.b.1 sätestatud piiri; |
| --- | --- |

2.

elektroonikasõlmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või kohandatud, et suurendada jõudlust arvutuselementide liitmise teel nii, et sellise ühenduse ühendatud teoreetiline jõudlus (CTP) ületab punktis 4D001.b.1 sätestatud piiri;

4D002
  Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 4E nimetatud tehnoloogia toetamiseks.

4D003
  Järgmine spetsiifiline tarkvara:

| a. | programmikeelne operatsioonisüsteemide tarkvara ja spetsiaalselt paljude andmete voogtöötlemiseks ettenähtud seadmetele tarkvara arendamise vahendid ja kompilaatorid; |
| --- | --- |

a.

programmikeelne operatsioonisüsteemide tarkvara ja spetsiaalselt paljude andmete voogtöötlemiseks ettenähtud seadmetele tarkvara arendamise vahendid ja kompilaatorid;

| b. | ei kasutata; |
| --- | --- |

b.

ei kasutata;

| c. | tarkvara, mille omadused või funktsioonid ületavad 5. kategooria 2. osas (Infoturve) sätestatud piire;


  Märkus: Punkt 4D003.c ei hõlma tarkvara, kui see on kasutajal kaasas isiklikuks kasutamiseks. |
| --- | --- |

c.

tarkvara, mille omadused või funktsioonid ületavad 5. kategooria 2. osas (Infoturve) sätestatud piire;

Märkus: Punkt 4D003.c ei hõlma tarkvara, kui see on kasutajal kaasas isiklikuks kasutamiseks.

4ETehnoloogia

| a. | Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktis 4A või 4D nimetatud seadmete või tarkvara arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. |
| --- | --- |

a.

Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktis 4A või 4D nimetatud seadmete või tarkvara arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks.

| b. | Tarkvara, muu kui punktis 4E001.a nimetatud, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud järgmiste arendamiseks või tootmiseks:






  1. | digitaalarvutid ühendatud teoreetilise jõudlusega (CTP) üle 28 000 miljoni teoreetilise operatsiooni sekundis (Mtops); või |
| --- | --- | --- |

b.

Tarkvara, muu kui punktis 4E001.a nimetatud, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud järgmiste arendamiseks või tootmiseks:

1.

digitaalarvutid ühendatud teoreetilise jõudlusega (CTP) üle 28 000 miljoni teoreetilise operatsiooni sekundis (Mtops); või

| 2. | elektroonikasõlmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või kohandatud, et suurendada jõudlust arvutuselementide liitmise teel nii, et sellise ühenduse ühendatud teoreetiline jõudlus (CTP) ületab punktis 4E001.b.1 sätestatud piiri; |
| --- | --- |

2.

elektroonikasõlmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või kohandatud, et suurendada jõudlust arvutuselementide liitmise teel nii, et sellise ühenduse ühendatud teoreetiline jõudlus (CTP) ületab punktis 4E001.b.1 sätestatud piiri;

Tehniline märkus ühendatud teoreetilise jõudluse (CTP) kohta

Tehnilises märkuses kasutatud lühendid

| CE | arvutuselement (tüüpiline aritmeetika-loogikaseade) |
| --- | --- |
| FP | ujukoma |
| XP | püsikoma |
| t | täitmisaeg |
| XOR | välistav VÕI |
| CPU | keskseade |
| TP | teoreetiline jõudlus (üksiku arvutuselemendi) |
| CTP | ühendatud teoreetiline jõudlus (mitme arvutuselemendi) |
| R | efektiivne arvutuskiirus |
| WL | sõnapikkus |
| L | sõnapikkuse normeerimine |
| x | korrutusmärk |

CE

arvutuselement (tüüpiline aritmeetika-loogikaseade)

FP

ujukoma

XP

püsikoma

t

täitmisaeg

XOR

välistav VÕI

CPU

keskseade

TP

teoreetiline jõudlus (üksiku arvutuselemendi)

CTP

ühendatud teoreetiline jõudlus (mitme arvutuselemendi)

R

efektiivne arvutuskiirus

WL

sõnapikkus

L

sõnapikkuse normeerimine

x

korrutusmärk

Täitmisaeg t väljendatakse mikrosekundites, teoreetilist jõudlust TP ja ühendatud teoreetilist jõudlust CTP väljendatakse miljonites teoreetilistes operatsioonides sekundis (Mtops) ning sõnapikkust WL väljendatakse bittides.

CTP – ühendatud teoreetilise jõudluse arvutamismeetodi kirjeldus

CTP on arvutusjõudluse mõõt, mida väljendatakse Mtops ühikutes. Ühendatud CE-de CTP arvutamine toimub kolmes etapis järgmiselt:

| 1. | arvutada eraldi igale CE-le efektiivne arvutuskiirus R; |
| --- | --- |

1.

arvutada eraldi igale CE-le efektiivne arvutuskiirus R;

| 2. | rakendada sõnapikkuse normeerimist (L) efektiivsele arvutuskiirusele (R), saades teoreetilise jõudluse (TP) iga arvutuselemendi CE jaoks; |
| --- | --- |

2.

rakendada sõnapikkuse normeerimist (L) efektiivsele arvutuskiirusele (R), saades teoreetilise jõudluse (TP) iga arvutuselemendi CE jaoks;

| 3. | kui CE-sid on rohkem kui üks, liita teoreetilised jõudlused TP kogu ühendatud teoreetilise jõudluse CTP saamiseks. |
| --- | --- |

3.

kui CE-sid on rohkem kui üks, liita teoreetilised jõudlused TP kogu ühendatud teoreetilise jõudluse CTP saamiseks.

Nende sammude üksikasjad on esitatud järgmistes lõikudes.

1. märkus Kui mitmel CE-l on nii omi kui ka ühiseid mälu alamsüsteeme, siis CTP arvutamine teostatakse hierarhiliselt kahes jaos: esiteks liidetakse ühismäluga CE-de grupid, teiseks arvutatakse gruppide CTP, kasutades paljude ühismäluta CE-de korral kasutatavat arvutusmetoodikat.

2. märkus CE-d, mis piirduvad sisend-/väljund- ja välisfunktsioonidega (nt kettaseade, andmeside ja kuvari kontrollerid), ei liideta CTP arvutamisel.

TEHNILINE MÄRKUS CTP KOHTA

Järgmises tabelis on esitatud igale CE-le efektiivse arvutuskiiruse R arvutamise meetod:

1. etapp: Efektiivne arvutuskiirus R

| CE:


  Märkus Iga CE-d tuleb hinnata eraldi. | Efektiivne arvutuskiirus R |
| --- | --- |
| Ainult XP | Kui ei ole liitmiskäsku:



  Kui puudub nii liitmis- kui korrutamiskäsk, tuleb kasutada kiireima võimaliku aritmeetilise operatsiooni täitmisaega:



  Vt märkusi X ja Z |
| Ainult FP | ,


  Vt märkusi X ja Y |
| Nii FP kui ka XP (R) | Arvutada mõlemad Rxp, Rfp |
| Lihtsad loogikaprotsessorid, kus puuduvad aritmeetikakäsud. | Kus tlog on välistav-VÕI-käsu täitmise aeg või kui riistvaral pole välistav-VÕI-käsu täitmist ette nähtud, siis kiireima lihtsa loogikaoperatsiooni täitmise aeg.
  Vt märkusi X ja Z |
| Spetsiaalsete loogikaprotsessorite jaoks, mis ei kasuta ühtki spetsifitseeritud aritmeetika- või loogikaoperatsiooni. | R = R' × WL/64
  Kus R' on vastuste arv sekundis, WL on loogikaoperatsiooni kohta tulev bittide arv ning 64 on koefitsient, millega normaliseeritakse tulemus 64 bitise operatsiooni tulemuseks. |

CE:

Märkus Iga CE-d tuleb hinnata eraldi.

Efektiivne arvutuskiirus R

Ainult XP

Formula

Kui ei ole liitmiskäsku:

Formula

Kui puudub nii liitmis- kui korrutamiskäsk, tuleb kasutada kiireima võimaliku aritmeetilise operatsiooni täitmisaega:

Formula

Vt märkusi X ja Z

Ainult FP

Formula

Formula

Vt märkusi X ja Y

Nii FP kui ka XP (R)

Arvutada mõlemad Rxp, Rfp

Lihtsad loogikaprotsessorid, kus puuduvad aritmeetikakäsud.

Formula

Kus tlog on välistav-VÕI-käsu täitmise aeg või kui riistvaral pole välistav-VÕI-käsu täitmist ette nähtud, siis kiireima lihtsa loogikaoperatsiooni täitmise aeg.

Vt märkusi X ja Z

Spetsiaalsete loogikaprotsessorite jaoks, mis ei kasuta ühtki spetsifitseeritud aritmeetika- või loogikaoperatsiooni.

R = R' × WL/64

Kus R' on vastuste arv sekundis, WL on loogikaoperatsiooni kohta tulev bittide arv ning 64 on koefitsient, millega normaliseeritakse tulemus 64 bitise operatsiooni tulemuseks.

Märkus W Konveierrežiimil töötava CE korral, mis on võimeline iga kellatsükli jooksul sooritama ühe aritmeetika- või loogikaoperatsiooni, võib määrata konveierkiiruse, kui "konveier on täis". Sellise arvutuselemendi efektiivseks arvutuskiiruseks (R) on kiireim kahest, kas konveierkiirus või mittekonveierrežiimil täitmiskiirus.

Märkus X CE jaoks, mis täidab ühe tsükli kestel mitu spetsiifilist operatsiooni (nt kaks liitmist või kaks identset loogikaoperatsiooni ühe tsükli kestel), on täitmisaeg t esitatud järgmiselt:

Formula

CE-sid, mis ühe masinatsükli jooksul sooritavad mitmeid eri tüüpi matemaatilisi või loogikaoperatsioone, tuleb käsitleda kui mitut erinevat üheaegselt töötavat CE-d (nt CE-d, mis ühe tsükli jooksul teostab liitmist ja korrutamist, tuleb käsitleda kui kaht arvutuselementi, millest üks sooritab ühe tsükli liitmist jooksul ja teine korrutamist). Kui CE sooritab nii skalaarseid kui ka vektorarvutusi, kasutatakse lühima täitmisaja väärtust.

Märkus Y Kui CE ei soorita ujukomaarvude liitmis- ega korrutamistehet, kuid sooritab ujukomaarvude jagamistehet, siis:

Formula

Kui CE arvutab ujukomaarvude pöördväärtusi, kuid ei teosta ujukomaarvude liitmis-, korrutamis- või jagamistehet, siis:

Formula

Kui ülalmainitud käskudest ühtegi ei täideta, on efektiivne ujukomaarvutuskiirus null.

Märkus Z Lihtsa loogikaoperatsiooni korral sooritab üksik käsk ühe loogilise operatsiooni mitte enam kui kahe antud pikkusega operandi vahel. Keerulise loogikaoperatsiooni korral sooritab üksik käsk mitmeid loogilisi operatsioone kahe või enama operandi vahel, et saada üht või enamat tulemust.

Kiirused tuleb arvutada kõigi toetatavate operandi pikkuste jaoks, võttes arvesse nii konveierrežiimis operatsioone (kui neid toetatakse) kui ka mitte konveierrežiimis operatsioone, kasutades kiireimat täidetavat käsku iga operandi pikkuse jaoks, millel see põhineb:

| 1. | konveierrežiim või registrist-registrisse operatsioonid. Ebatavaliselt lühikesed täitmisajad, mis tekivad ettemääratud operandi või operandide korral (nt korrutamine nulli või ühega), jäetakse kõrvale. Kui ei käsitleta registrist-registrisse operatsioone, jätkata punktiga 2. |
| --- | --- |

1.

konveierrežiim või registrist-registrisse operatsioonid. Ebatavaliselt lühikesed täitmisajad, mis tekivad ettemääratud operandi või operandide korral (nt korrutamine nulli või ühega), jäetakse kõrvale. Kui ei käsitleta registrist-registrisse operatsioone, jätkata punktiga 2.

| 2. | kiireim registrist-mälusse või mälust-registrisse operatsioon; nende puudumisel jätkata punktiga 3. |
| --- | --- |

2.

kiireim registrist-mälusse või mälust-registrisse operatsioon; nende puudumisel jätkata punktiga 3.

| 3. | mälust-mälusse operatsioonid. |
| --- | --- |

3.

mälust-mälusse operatsioonid.

Iga eespool nimetatud juhu jaoks kasutada tootja poolt deklareeritud lühimat täitmisaega.

2. etapp: TP arvutamine igale toetatava operandi pikkusele WL

Normaliseerida efektiivne kiirus R (või R’) sõna pikkuse L abil järgmiselt:

| | TP = R × L,
  kus L = (1/3 ± WL/96) |
| --- | --- |

TP = R × L,

kus L = (1/3 ± WL/96)

Märkus Sõna pikkus WL, mida kasutatakse nendes arvutustes, on operandi pikkus bittides. (Kui operatsiooni sooritamisel kasutatakse erineva pikkusega operande, tuleb valida pikim).

Ujukomaprotsessori või ujukomaploki mantissi aritmeetika-loogikaseadme ALU ja eksponendi aritmeetika-loogikaseadme ALU kombinatsiooni loetakse üheks CE-ks sõnapikkusega WL, mis on võrdne võetud bittide arvuga andmete esitamisel (tavaliselt 32 või 64), pidades silmas CTP arvutamist.

Sellist normaliseerimist ei rakendata spetsiaalsete loogikaprotsessorite korral, mis ei kasuta välistav-VÕI-käskusid. Sel juhul TP = R.

Valida välja saadud TP väärtustest maksimaalsed:

| | Igale ainult XP arvutuselemendile – Rxp; |
| --- | --- |

Igale ainult XP arvutuselemendile – Rxp;

| | Igale ainult FP arvutuselemendile – Rfp; |
| --- | --- |

Igale ainult FP arvutuselemendile – Rfp;

| | Igale kombineeritud FP ja XP arvutuselemendile – R; |
| --- | --- |

Igale kombineeritud FP ja XP arvutuselemendile – R;

| | Igale lihtsale loogikaprotsessorile, mis ei teosta aritmeetilisi operatsioone; ja |
| --- | --- |

Igale lihtsale loogikaprotsessorile, mis ei teosta aritmeetilisi operatsioone; ja

| | Igale spetsiaalsele loogikaprotsessorile, mis ei kasuta ühtegi nimetatud aritmeetilist või loogilist operatsiooni. |
| --- | --- |

Igale spetsiaalsele loogikaprotsessorile, mis ei kasuta ühtegi nimetatud aritmeetilist või loogilist operatsiooni.

3. etapp: CTP leidmine CE-de jaoks, mille hulka on arvatud ka CPU-d

CPU jaoks, millel on üks CE,

"CTP" = TP

(CE-de jaoks, mis teostavad nii püsikoma kui ka ujukoma operatsioone

TP = max (TPfp, TPxp))

Paljude liidetud samaaegselt töötavate CE-de jaoks arvutatakse CTP järgmiselt:

1. märkus Liidetud CE-de korral, mis ei võimalda kõigi CE-de samaaegset töötamist, kasutatakse võimalike CE-de kombinatsiooni, mis annab suurima CTP. Iga osaleva CE jaoks tuleb leida selle teoreetiliselt maksimaalne TP, enne kui tuletatakse selle kogu CTP.

NB! Et määrata samaaegselt töötavate CE-de võimalikud kombinatsioonid, tuleb tekitada käskude jada, mis algataks paljudes CE-des töö, alustades kõige aeglasemast CE-st (selline eksemplar, mis vajab kõige enam tsükleid oma operatsiooni sooritamiseks) ning lõpetades kiireima CE-ga. Iga jadatsükli korral CE-de kombinatsioon, mis töötavad selle tsükli kestel, ongi võimalik kombinatsioon. Käskude jada peab arvesse võtma kõik riistvara- ja/või arhitektuuripiirangud vaheliti osaliselt kattuvatele operatsioonidele.

2. märkus Üks integraallülitus või koostplaat võib sisaldada mitut CE-d.

3. märkus Samaaegsed operatsioonid loetakse võimalikuks, kui arvutivalmistaja teatab arvuti juhendis või tutvustuses konkurentsetest, paralleelsetest või samaaegsetest operatsioonidest või täitmistest.

4. märkus CTP väärtusi ei tohi liita CE-de kombinatsioonide jaoks, mis on omavahel ühendatud kohtvõrgu, laivõrgu kaudu, ühise sisend-/väljund- ühenduste/seadmetega, sisend-/väljundkontrolleritega või muu tarkvara pakutava andmesidega.

5. märkus CTP väärtused tuleb liita mitme CE korral, mille jõudlust on tõstetud ühendamise teel ja mis toimivad üheaegselt ning kasutavad samu üheaegselt toimivaid ühismälu- või ühismälu/CE kombinatsioone, kasutades spetsiaalselt kavandatud riistvara. Seda liitmist ei rakendata punktis 4A003.c nimetatud elektroonikasõlmede korral.

"CTP" = TP1 + C2 × TP2 + ... + Cn × TPn,

kus TP-d on järjestatud väärtuste järgi nii, et TP1 on suurim, TP2 on suuruselt järgmine, ... ning TPn on väikseim. Ci tähistab koefitsenti, mis määratakse CE-de vahelise ühenduse tugevusega järgmiselt:

Mitme üheaegselt töötava ja sama mälu kasutava CE korral:

| | C2 = C3 = C4 = ... = Cn = 0,75 |
| --- | --- |

C2 = C3 = C4 = ... = Cn = 0,75

1. märkus Kui esitatud meetodil arvutatud CTP väärtus ei ole üle 194 Mtops’i, võib kasutada Ci arvutamiseks järgmist valemit:

Formula
  (i = 2, ..., n)

kus m = on ühist mälu jagavate CE-de või nende rühmade arv.

| 1. | tingimusel, et: ühegi CE või CE-rühma TPi ei ole üle 30 Mtops’i; |
| --- | --- |

1.

tingimusel, et: ühegi CE või CE-rühma TPi ei ole üle 30 Mtops’i;

| 2. | CE-d või CE-rühmad jagavad juurdepääsu põhimälule (arvestamata vahemälu) üht kanalit pidi; ja |
| --- | --- |

2.

CE-d või CE-rühmad jagavad juurdepääsu põhimälule (arvestamata vahemälu) üht kanalit pidi; ja

| 3. | ainult üks CE või CE-rühm võib kasutada kanalit korraga etteantud ajal. |
| --- | --- |

3.

ainult üks CE või CE-rühm võib kasutada kanalit korraga etteantud ajal.

NB! See ei kehti 3. kategooriaga kontrollitavate kaubaartiklite puhul.

2. märkus CE-del on ühine mälu, kui neil on ligipääs pooljuhtmälu ühisele segmendile. See mälu võib sisaldada vahemälu, põhimälu või muud sisemälu. Arvesse ei võeta välismäluseadmeid, nagu kettaseadmed, lindiseadmed või pseudoketas.

Mitme CE või CE-rühmade jaoks, millel pole ühismälu ning mis on omavahel ühendatud ühe või enama kanali abil:

| | Ci = 0,75 × ki (i = 2, ..., 32) (vt allolevat märkust) |
| --- | --- |

Ci = 0,75 × ki (i = 2, ..., 32) (vt allolevat märkust)

| | = 0,60 × ki (i = 33, ..., 64) |
| --- | --- |

= 0,60 × ki (i = 33, ..., 64)

| | = 0,45 × ki (i = 65, ..., 256) |
| --- | --- |

= 0,45 × ki (i = 65, ..., 256)

| | = 0,30 × ki (i > 256) |
| --- | --- |

= 0,30 × ki (i > 256)

Ci väärtus põhineb CE-de arvul, mitte sõlmede arvul,

kus:

| ki | = | min (Si/Kr, 1), ja |
| --- | --- | --- |
| Kr | = | on 20 MB/s normaliseerimistegur; |
| Si | = | on kõigi andmekanalite, mis ühendavad ühismäluga i-ndat CE-d või CE-rühma, maksimaalsete andmeedastuskiiruste summa (MB/s ühikutes). |

ki

=

min (Si/Kr, 1), ja

Kr

=

on 20 MB/s normaliseerimistegur;

Si

=

on kõigi andmekanalite, mis ühendavad ühismäluga i-ndat CE-d või CE-rühma, maksimaalsete andmeedastuskiiruste summa (MB/s ühikutes).

Arvutades CE-rühmale Ci määrab esimese CE järjekorranumber rühmas õige Ci piirkonna. Näiteks liites kolme CE-d sisaldavaid rühmi, sisaldab 22. rühm liikmeid CE64, CE65 ja CE66. Sellise arvutusrühma Ci õige väärtus on järelikult 0,60.

(CE-de või CE-rühmade) liitmine tuleb teostada kiiremast aeglasema suunas, st:

| | TP1 ≥ TP2 ≥ ... ≥ TPn, ja |
| --- | --- |

TP1 ≥ TP2 ≥ ... ≥ TPn, ja

kui TPi = TPi + 1 suuremast väiksema suunas, st:

| | Ci ≥ Ci + 1 |
| --- | --- |

Ci ≥ Ci + 1

Märkus Tegurit ki ei rakendata CE-dele 2–12, kui CE või CE-rühma TPi on suurem kui 50 Mtops’i; st et Ci on CE-de 2–12 jaoks 0,75.

5. KATEGOORIA

TELEKOMMUNIKATSIOON JA INFOTURVE

1. OSA

TELEKOMMUNIKATSIOON

Märkus 1: Spetsiaalselt telekommunikatsiooniseadmete või -süsteemide jaoks kavandatud komponentide, laserite, katse- ja tootmisseadmete ning nendele loodud tarkvara kontrolli alla kuulumine määratakse 5. kategooria 1. osas.

Märkus 2: Digitaalarvuteid, vastavaid seadmeid või tarkvara, mis on selles kategoorias nimetatud telekommunikatsiooniseadmete tööks või töö toetamiseks olulise tähtsusega, käsitletakse selleks ülesandeks spetsiaalselt kavandatud komponentidena tingimusel, et nad kujutavad endast tootja poolt tarnitavaid harilikke standardseid mudeleid. See hõlmab arvutisüsteemide töö, haldamise, hoolduse, ekspluatatsiooni või maksustamise.

5A1Süsteemid, seadmed ja komponendid

| a. | Telekommunikatsiooniseadmed, millel on mis tahes järgmine omadus, funktsioon või iseärasus:






  1. | on spetsiaalselt ette nähtud taluma ajutisi elektroonilisi ilminguid või elektromagnetilist impulssi, mille tekitab tuumaplahvatus; |
| --- | --- | --- |

a.

Telekommunikatsiooniseadmed, millel on mis tahes järgmine omadus, funktsioon või iseärasus:

1.

on spetsiaalselt ette nähtud taluma ajutisi elektroonilisi ilminguid või elektromagnetilist impulssi, mille tekitab tuumaplahvatus;

| 2. | kõrgendatud vastupanuvõime gamma-, neutroni- või ioonkiirgusele; või |
| --- | --- |

2.

kõrgendatud vastupanuvõime gamma-, neutroni- või ioonkiirgusele; või

| 3. | on spetsiaalselt ette nähtud tööülesannete täitmiseks keskkonnas, mille temperatuur on madalam kui 218 K (– 55 °C) ja kõrgem kui 397 K (+ 124 °C).


  Märkus: Punkt 5A001.a.3 kehtib üksnes elektrooniliste seadmete kohta. |
| --- | --- |

3.

on spetsiaalselt ette nähtud tööülesannete täitmiseks keskkonnas, mille temperatuur on madalam kui 218 K (– 55 °C) ja kõrgem kui 397 K (+ 124 °C).

Märkus: Punkt 5A001.a.3 kehtib üksnes elektrooniliste seadmete kohta.

Märkus: Punktid 5A00l.a.2. ja 5A001.a.3 ei hõlma seadmeid, mis on kavandatud või kohandatud kasutamiseks satelliitide pardal.

| b. | Telekommunikatsiooni ülekandeseadmed ja -süsteemid ning spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid, millel on mis tahes järgmine omadus, funktsioon või eripära:






  1. | veealused sidesüsteemid, millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | akustiline kandesagedus väljaspool sagedusvahemikku 20–60 kHz; |
| --- | --- | --- | --- |

b.

Telekommunikatsiooni ülekandeseadmed ja -süsteemid ning spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid, millel on mis tahes järgmine omadus, funktsioon või eripära:

1.

veealused sidesüsteemid, millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

akustiline kandesagedus väljaspool sagedusvahemikku 20–60 kHz;

| b. | elektromagnetiliste lainete kandesagedus sagedustel 30 kHz; või |
| --- | --- |

b.

elektromagnetiliste lainete kandesagedus sagedustel 30 kHz; või

| c. | kasutavad elektroonilist kiirejuhtimistehnikat; |
| --- | --- |

c.

kasutavad elektroonilist kiirejuhtimistehnikat;

| 2. | raadioseadmestik, mis töötab sagedusribas 1,5–87,5 MHz millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | sisaldab adaptiivtehnikat, mis võimaldab häiresignaalide enam kui 15 dB allasurumist; või |
| --- | --- | --- |

2.

raadioseadmestik, mis töötab sagedusribas 1,5–87,5 MHz millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

sisaldab adaptiivtehnikat, mis võimaldab häiresignaalide enam kui 15 dB allasurumist; või

| b. | millel on kõik järgmised omadused:






  1. | prognoosib automaatselt ja valib sagedusi ning täielikke digitaalseid edastuskiirusi kanali kohta ülekande optimeerimise eesmärgil; ja |
| --- | --- | --- |

b.

millel on kõik järgmised omadused:

1.

prognoosib automaatselt ja valib sagedusi ning täielikke digitaalseid edastuskiirusi kanali kohta ülekande optimeerimise eesmärgil; ja

| 2. | sisaldab lineaarset võimsusvõimendit, mis suudab toetada samaaegselt mitut signaali väljundvõimsusega 1 kW või rohkem sagedusvahemikus 1,5–30 MHz või väljundvõimsusega 250 W või rohkem sagedusvahemikus 30–87,5 MHz, üheoktavilise või laiema hetkelise ribalaiusega ning ebalineaarmoonutuste sisaldusega väljundsignaalis vähem kui -80 dB; |
| --- | --- |

2.

sisaldab lineaarset võimsusvõimendit, mis suudab toetada samaaegselt mitut signaali väljundvõimsusega 1 kW või rohkem sagedusvahemikus 1,5–30 MHz või väljundvõimsusega 250 W või rohkem sagedusvahemikus 30–87,5 MHz, üheoktavilise või laiema hetkelise ribalaiusega ning ebalineaarmoonutuste sisaldusega väljundsignaalis vähem kui -80 dB;

| 3. | raadioseadmestik, mis rakendab hajaspektri tehnikat, sealhulgas ka sagedushüplemise tehnikat, millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | kasutaja programmeeritavad hajutamiskoodid; või |
| --- | --- | --- |

3.

raadioseadmestik, mis rakendab hajaspektri tehnikat, sealhulgas ka sagedushüplemise tehnikat, millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

kasutaja programmeeritavad hajutamiskoodid; või

| b. | ülekantav riba kogulaius on 100 või enam korda laiem ükskõik millisest informatsioonikanali ribalaiusest ning laiem kui 50 kHz;


  Märkus: Punkt 5A001.b.3.b ei hõlma raadioseadmeid, mis on ette nähtud kasutamiseks tsiviilotstarbelistes kärgside (mobiiltelefoni) süsteemides. |
| --- | --- |

b.

ülekantav riba kogulaius on 100 või enam korda laiem ükskõik millisest informatsioonikanali ribalaiusest ning laiem kui 50 kHz;

Märkus: Punkt 5A001.b.3.b ei hõlma raadioseadmeid, mis on ette nähtud kasutamiseks tsiviilotstarbelistes kärgside (mobiiltelefoni) süsteemides.

Märkus: Punkt 5A001.b.3 ei hõlma seadmeid, mis on ette nähtud töötama väljundvõimsusel 1,0 W või vähem.

| 4. | raadioseadmed, mis kasutavad aegmoduleeritud ultralairiba tehnikaid kasutaja programmeeritava kanalistamise ja skrambleerimise koodidega; |
| --- | --- |

4.

raadioseadmed, mis kasutavad aegmoduleeritud ultralairiba tehnikaid kasutaja programmeeritava kanalistamise ja skrambleerimise koodidega;

| 5. | digitaalselt tüüritavad raadiovastuvõtjad, millel on kõik järgmised omadused:






  a. | üle 1 000 kanali; |
| --- | --- | --- |

5.

digitaalselt tüüritavad raadiovastuvõtjad, millel on kõik järgmised omadused:

a.

üle 1 000 kanali;

| b. | sageduse ümberlülitusaeg lühem kui 1 ms; |
| --- | --- |

b.

sageduse ümberlülitusaeg lühem kui 1 ms;

| c. | elektromagnetilises võnkespektris automaatne otsimis- või skaneerimisvõime; ja |
| --- | --- |

c.

elektromagnetilises võnkespektris automaatne otsimis- või skaneerimisvõime; ja

| d. | vastuvõetud signaalide või saatjatüüpide identifitseerimisvõime; või



  Märkus: Punkt 5A001.b.4 ei hõlma raadioseadmeid, mis on ette nähtud kasutamiseks tsiviilotstarbelistes kärgside (mobiiltelefoni) süsteemides. |
| --- | --- |

d.

vastuvõetud signaalide või saatjatüüpide identifitseerimisvõime; või

Märkus: Punkt 5A001.b.4 ei hõlma raadioseadmeid, mis on ette nähtud kasutamiseks tsiviilotstarbelistes kärgside (mobiiltelefoni) süsteemides.

| 6. | kasutavad digitaalset signaalitöötlust kõne kodeerimiseks kiirusega vähem kui 2 400 bit/s.
  Tehniline märkus:

  Hääle kodeerimisel muutuvate kodeerimiskiirustega (variable rate voice coding) kohaldatakse punkti 5A001.b.6 pideva kõne häälkodeerimise väljundi suhtes. |
| --- | --- |

6.

kasutavad digitaalset signaalitöötlust kõne kodeerimiseks kiirusega vähem kui 2 400 bit/s.

Tehniline märkus:

Hääle kodeerimisel muutuvate kodeerimiskiirustega (variable rate voice coding) kohaldatakse punkti 5A001.b.6 pideva kõne häälkodeerimise väljundi suhtes.

| c. | Järgmised kiudoptilised sidekaablid, optilised kiud ja tarvikud:






  1. | optilised kiud, mis on üle 500 m pikad ja mis kannatavad tootja määratluse kohaselt tõestuskatsel tõmbepinget vähemalt 2 × 109 N/m2 või rohkem;
  Tehniline märkus:

  Tõestuskatse: tootmisprotsessisisene või tootmisprotsessist sõltumatu toodangu katsetamine, mille käigus rakendatakse 0,5–3 meetri pikkusele kiule, mis liigub kiirusega 2–5 m/s umbes 150 mm läbimõõduga surverullide vahelt läbi, etteantud dünaamilist tõmbepinget. Keskkonna nominaalne temperatuur on seejuures 293 K (20 °C) ning suhteline õhuniiskus 40 %. Tõestuskatse sooritamisel võib kasutada vastavaid siseriiklike standardeid. |
| --- | --- | --- |

c.

Järgmised kiudoptilised sidekaablid, optilised kiud ja tarvikud:

1.

optilised kiud, mis on üle 500 m pikad ja mis kannatavad tootja määratluse kohaselt tõestuskatsel tõmbepinget vähemalt 2 × 109 N/m2 või rohkem;

Tehniline märkus:

Tõestuskatse: tootmisprotsessisisene või tootmisprotsessist sõltumatu toodangu katsetamine, mille käigus rakendatakse 0,5–3 meetri pikkusele kiule, mis liigub kiirusega 2–5 m/s umbes 150 mm läbimõõduga surverullide vahelt läbi, etteantud dünaamilist tõmbepinget. Keskkonna nominaalne temperatuur on seejuures 293 K (20 °C) ning suhteline õhuniiskus 40 %. Tõestuskatse sooritamisel võib kasutada vastavaid siseriiklike standardeid.

| 2. | kiudoptilised kaablid ja tarvikud, mis on ette nähtud veealuseks kasutamiseks.


  Märkus: Punkt 5A001.c.2 ei hõlma standardseid tsiviilkasutuses olevaid telekommunikatsioonikaableid ja -tarvikuid.



  NB 1! Veealuste teeninduskaablite ja nende pistikühenduste kohta vaata punkti 8A002.a.3.



  NB 2! Kiudoptiliste laevakere läbiviikude või pistikühenduste kohta vaata punkti 8A002.c. |
| --- | --- |

2.

kiudoptilised kaablid ja tarvikud, mis on ette nähtud veealuseks kasutamiseks.

Märkus: Punkt 5A001.c.2 ei hõlma standardseid tsiviilkasutuses olevaid telekommunikatsioonikaableid ja -tarvikuid.

NB 1! Veealuste teeninduskaablite ja nende pistikühenduste kohta vaata punkti 8A002.a.3.

NB 2! Kiudoptiliste laevakere läbiviikude või pistikühenduste kohta vaata punkti 8A002.c.

| d. | Elektrooniliselt formeeritava suunadiagrammiga antennid töösagedusega üle 31 GHz.


  Märkus: Punkt 5A001.d ei hõlma elektrooniliselt formeeritava suunadiagrammiga antenne maandumissüsteemide jaoks, milles on mikrolainemaandumissüsteemide (MLS) ICAO standardite kohased mõõteriistad. |
| --- | --- |

d.

Elektrooniliselt formeeritava suunadiagrammiga antennid töösagedusega üle 31 GHz.

Märkus: Punkt 5A001.d ei hõlma elektrooniliselt formeeritava suunadiagrammiga antenne maandumissüsteemide jaoks, milles on mikrolainemaandumissüsteemide (MLS) ICAO standardite kohased mõõteriistad.

5A101Kaugmõõte- ja kaugjuhtimisseadmed, kaasa arvatud maapealsed seadmed, mis on kavandatud või kohandatud rakettmürskudel kasutamiseks.

Tehniline märkus:

Punktis 5A101 tähendab rakettmürsk terviklikke raketisüsteeme ja mehitamata õhusõidukisüsteeme, mille lennuulatus ületab 300 km.

Märkus: Punkt 5A101 ei hõlma järgmist:

| a. | seadmed, mis on kavandatud või kohandatud mehitatud õhusõidukites või satelliitides kasutamiseks; |
| --- | --- |

a.

seadmed, mis on kavandatud või kohandatud mehitatud õhusõidukites või satelliitides kasutamiseks;

| b. | maapealsed seadmed, mis on kavandatud või kohandatud maismaa- või merekasutuseks; |
| --- | --- |

b.

maapealsed seadmed, mis on kavandatud või kohandatud maismaa- või merekasutuseks;

| c. | seadmed, mis on ette nähtud kaubanduslike, tsiviilotstarbeliste või inimelude ohutusega (nt andmete terviklikkus, lennuohutus) seotud GNSS teenuste jaoks; |
| --- | --- |

c.

seadmed, mis on ette nähtud kaubanduslike, tsiviilotstarbeliste või inimelude ohutusega (nt andmete terviklikkus, lennuohutus) seotud GNSS teenuste jaoks;

5B1Testimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

| a. | Seadmed ja nende jaoks ettenähtud komponendid või tarvikud, mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 5A001, 5B001, 5D001 või 5E001 nimetatud funktsioonide või eripäraga seadmete arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks.


  Märkus: Punkt 5B001.a ei hõlma optilise kiu omaduste uurimise seadmeid. |
| --- | --- |

a.

Seadmed ja nende jaoks ettenähtud komponendid või tarvikud, mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 5A001, 5B001, 5D001 või 5E001 nimetatud funktsioonide või eripäraga seadmete arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks.

Märkus: Punkt 5B001.a ei hõlma optilise kiu omaduste uurimise seadmeid.

| b. | Seadmed ning nende jaoks ettenähtud komponendid ja tarvikud, mis on spetsiaalselt kavandatud mis tahes järgmise telekommunikatsiooni ülekandeseadmete või kommutatsiooniseadmete arendamiseks:






  1. | seadmed, mis kasutavad digitaaltehnikat, mis on kavandatud toimima üle 15 Gbit/s täieliku digitaalse edastuskiirusega;
  Tehniline märkus:

  Kommutatsiooniseadmete puhul on täielik digitaalne edastuskiirus kiireimas pordis või kiireimal liinil mõõdetav kiirus. |
| --- | --- | --- |

b.

Seadmed ning nende jaoks ettenähtud komponendid ja tarvikud, mis on spetsiaalselt kavandatud mis tahes järgmise telekommunikatsiooni ülekandeseadmete või kommutatsiooniseadmete arendamiseks:

1.

seadmed, mis kasutavad digitaaltehnikat, mis on kavandatud toimima üle 15 Gbit/s täieliku digitaalse edastuskiirusega;

Tehniline märkus:

Kommutatsiooniseadmete puhul on täielik digitaalne edastuskiirus kiireimas pordis või kiireimal liinil mõõdetav kiirus.

| 2. | seadmed, mis kasutavad laserit ning millel on järgmised omadused:






  a. | ülekandel kasutatav lainepikkus on üle 1 750 nm; |
| --- | --- | --- |

2.

seadmed, mis kasutavad laserit ning millel on järgmised omadused:

a.

ülekandel kasutatav lainepikkus on üle 1 750 nm;

| b. | teostatakse optilist võimendamist; |
| --- | --- |

b.

teostatakse optilist võimendamist;

| c. | kasutatakse koherentset optilist ülekannet või koherentse optilise detekteerimise tehnikat (tuntud ka optilise heterodüün- või homodüüntehnikana); või |
| --- | --- |

c.

kasutatakse koherentset optilist ülekannet või koherentse optilise detekteerimise tehnikat (tuntud ka optilise heterodüün- või homodüüntehnikana); või

| d. | kasutatakse analoogtehnikat ribalaiusel üle 2,5 GHz;


  Märkus: Punkt 5B001.b.2.d ei hõlma kommertstelevisioonisüsteemide arendamiseks spetsiaalselt kavandatud seadmeid. |
| --- | --- |

d.

kasutatakse analoogtehnikat ribalaiusel üle 2,5 GHz;

Märkus: Punkt 5B001.b.2.d ei hõlma kommertstelevisioonisüsteemide arendamiseks spetsiaalselt kavandatud seadmeid.

| 3. | seadmed, mis kasutavad optilist kommuteerimist; |
| --- | --- |

3.

seadmed, mis kasutavad optilist kommuteerimist;

| 4. | raadioseadmed, mis kasutavad kvadratuur-amplituudmodulatsiooni (QAM) tehnikat kõrgemal kui 256. nivool; või |
| --- | --- |

4.

raadioseadmed, mis kasutavad kvadratuur-amplituudmodulatsiooni (QAM) tehnikat kõrgemal kui 256. nivool; või

| 5. | seadmed, mis kasutavad ühiskanaliga signaalimist ning töötavad mitteliitunud töörežiimil. |
| --- | --- |

5.

seadmed, mis kasutavad ühiskanaliga signaalimist ning töötavad mitteliitunud töörežiimil.

5C1Materjalid

Ei ole.

5D1Tarkvara

| a. | Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 5A001 või 5B001 nimetatud seadmete, funktsioonide või tunnuste arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. |
| --- | --- |

a.

Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 5A001 või 5B001 nimetatud seadmete, funktsioonide või tunnuste arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks.

| b. | Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 5E001 nimetatud tehnoloogia toetamiseks. |
| --- | --- |

b.

Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 5E001 nimetatud tehnoloogia toetamiseks.

| c. | Järgmine spetsiifiline tarkvara:






  1. | tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 5A001 või 5B001 nimetatud seadmete tehniliste näitajate, funktsioonide ja tunnuste tagamiseks; |
| --- | --- | --- |

c.

Järgmine spetsiifiline tarkvara:

1.

tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 5A001 või 5B001 nimetatud seadmete tehniliste näitajate, funktsioonide ja tunnuste tagamiseks;

| 2. | ei kasutata; |
| --- | --- |

2.

ei kasutata;

| 3. | muu kui masina täidetaval kujul olev tarkvara, mis on spetsiaalselt ette nähtud dünaamiliseks adaptiivseks marsruutimiseks, |
| --- | --- |

3.

muu kui masina täidetaval kujul olev tarkvara, mis on spetsiaalselt ette nähtud dünaamiliseks adaptiivseks marsruutimiseks,

| d. | Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud mis tahes järgmise telekommunikatsiooni ülekandeseadmete või kommutatsiooniseadmete arendamiseks:






  1. | seadmed, mis kasutavad digitaaltehnikat, mis on kavandatud toimima üle 15 Gbit/s täieliku digitaalse edastuskiirusega;
  Tehniline märkus:

  Kommutatsiooniseadmete puhul on täielik digitaalne edastuskiirus kiireimas pordis või kiireimal liinil mõõdetav kiirus. |
| --- | --- | --- |

d.

Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud mis tahes järgmise telekommunikatsiooni ülekandeseadmete või kommutatsiooniseadmete arendamiseks:

1.

seadmed, mis kasutavad digitaaltehnikat, mis on kavandatud toimima üle 15 Gbit/s täieliku digitaalse edastuskiirusega;

Tehniline märkus:

Kommutatsiooniseadmete puhul on täielik digitaalne edastuskiirus kiireimas pordis või kiireimal liinil mõõdetav kiirus.

| 2. | seadmed, mis kasutavad laserit ning millel on järgmised omadused:






  a. | ülekandel kasutatav lainepikkus on üle 1 750 nm; või |
| --- | --- | --- |

2.

seadmed, mis kasutavad laserit ning millel on järgmised omadused:

a.

ülekandel kasutatav lainepikkus on üle 1 750 nm; või

| b. | kasutatakse analoogtehnikat ribalaiusel üle 2,5 GHz;


  Märkus: Punkt 5D001.d.2.b. ei hõlma kommertstelevisioonisüsteemide arendamiseks spetsiaalselt loodud või kohandatud tarkvara. |
| --- | --- |

b.

kasutatakse analoogtehnikat ribalaiusel üle 2,5 GHz;

Märkus: Punkt 5D001.d.2.b. ei hõlma kommertstelevisioonisüsteemide arendamiseks spetsiaalselt loodud või kohandatud tarkvara.

| 3. | seadmed, mis kasutavad optilist kommuteerimist; või |
| --- | --- |

3.

seadmed, mis kasutavad optilist kommuteerimist; või

| 4. | raadioseadmed, mis kasutavad kvadratuur-amplituudmodulatsiooni (QAM) tehnikat kõrgemal kui 256. nivool. |
| --- | --- |

4.

raadioseadmed, mis kasutavad kvadratuur-amplituudmodulatsiooni (QAM) tehnikat kõrgemal kui 256. nivool.

5D101
  Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 5A101 nimetatud seadmete kasutamiseks.

5E1Tehnoloogia

| a. | Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktis 5A001, 5B001 või 5D001 nimetatud seadmete, funktsioonide või tunnuste või tarkvara arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks (v.a töötamine). |
| --- | --- |

a.

Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktis 5A001, 5B001 või 5D001 nimetatud seadmete, funktsioonide või tunnuste või tarkvara arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks (v.a töötamine).

| b. | Spetsiifiline tehnoloogia:






  1. | satelliitidel kasutamiseks ettenähtud telekommunikatsiooniseadmete arendamiseks või tootmiseks vajalik tehnoloogia; |
| --- | --- | --- |

b.

Spetsiifiline tehnoloogia:

1.

satelliitidel kasutamiseks ettenähtud telekommunikatsiooniseadmete arendamiseks või tootmiseks vajalik tehnoloogia;

| 2. | tehnoloogia laserandmesidetehnika arendamiseks või kasutamiseks, mis on võimeline automaatselt signaale tabama ja neid jälgima ning andmesidet üleval hoidma nii läbi atmosfäärivälise kui ka veealuse keskkonna; |
| --- | --- |

2.

tehnoloogia laserandmesidetehnika arendamiseks või kasutamiseks, mis on võimeline automaatselt signaale tabama ja neid jälgima ning andmesidet üleval hoidma nii läbi atmosfäärivälise kui ka veealuse keskkonna;

| 3. | tehnoloogia selliste digitaalsete kärg-raadioside tugijaamade vastuvõtuseadmete arendamiseks, mille vastuvõtuvõimeid, mis võimaldavad paljuribalisust, paljukanalisust, paljumoodilisust, paljukoodilist algoritmi või paljuprotokollilist tööd, võib muuta muudatustega tarkvaras; |
| --- | --- |

3.

tehnoloogia selliste digitaalsete kärg-raadioside tugijaamade vastuvõtuseadmete arendamiseks, mille vastuvõtuvõimeid, mis võimaldavad paljuribalisust, paljukanalisust, paljumoodilisust, paljukoodilist algoritmi või paljuprotokollilist tööd, võib muuta muudatustega tarkvaras;

| 4. | tehnoloogia hajaspektri tehnika, sh sagedushüplemise tehnika, arendamiseks. |
| --- | --- |

4.

tehnoloogia hajaspektri tehnika, sh sagedushüplemise tehnika, arendamiseks.

| c. | Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud mis tahes järgmise telekommunikatsiooni ülekande- või kommutatsiooniseadmete, funktsioonide või iseärasuste arendamiseks või tootmiseks:






  1. | seadmed, mis kasutavad digitaaltehnikat, mis on kavandatud toimima üle 15 Gbit/s täieliku digitaalse edastuskiirusega;
  Tehniline märkus:

  Kommutatsiooniseadmete puhul on täielik digitaalne edastuskiirus kiireimas pordis või kiireimal liinil mõõdetav kiirus. |
| --- | --- | --- |

c.

Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud mis tahes järgmise telekommunikatsiooni ülekande- või kommutatsiooniseadmete, funktsioonide või iseärasuste arendamiseks või tootmiseks:

1.

seadmed, mis kasutavad digitaaltehnikat, mis on kavandatud toimima üle 15 Gbit/s täieliku digitaalse edastuskiirusega;

Tehniline märkus:

Kommutatsiooniseadmete puhul on täielik digitaalne edastuskiirus kiireimas pordis või kiireimal liinil mõõdetav kiirus.

| 2. | seadmed, mis kasutavad laserit ning millel on järgmised omadused:






  a. | ülekandel kasutatav lainepikkus on üle 1 750 nm; |
| --- | --- | --- |

2.

seadmed, mis kasutavad laserit ning millel on järgmised omadused:

a.

ülekandel kasutatav lainepikkus on üle 1 750 nm;

| b. | teostatakse optilist võimendamist, kasutades praseodüümlisandiga fluoriidkiudvõimendeid (PDFFA); |
| --- | --- |

b.

teostatakse optilist võimendamist, kasutades praseodüümlisandiga fluoriidkiudvõimendeid (PDFFA);

| c. | kasutatakse koherentset optilist ülekannet või koherentse optilise detekteerimise tehnikat (tuntud ka optilise heterodüün- või homodüüntehnikana); |
| --- | --- |

c.

kasutatakse koherentset optilist ülekannet või koherentse optilise detekteerimise tehnikat (tuntud ka optilise heterodüün- või homodüüntehnikana);

| d. | kasutatakse lainepikkuste jaotamise-multipleksimise tehnikat selliselt, et ühte optilisse aknasse mahub üle 8 kandelaine; või |
| --- | --- |

d.

kasutatakse lainepikkuste jaotamise-multipleksimise tehnikat selliselt, et ühte optilisse aknasse mahub üle 8 kandelaine; või

| e. | kasutatakse analoogtehnikat ribalaiusel üle 2,5 GHz;


  Märkus: Punkt 5E001.c.2.e ei hõlma kommertstelevisioonisüsteemide arendamiseks või tootmiseks ettenähtud tehnoloogiat. |
| --- | --- |

e.

kasutatakse analoogtehnikat ribalaiusel üle 2,5 GHz;

Märkus: Punkt 5E001.c.2.e ei hõlma kommertstelevisioonisüsteemide arendamiseks või tootmiseks ettenähtud tehnoloogiat.

| 3. | seadmed, mis kasutavad optilist kommuteerimist; |
| --- | --- |

3.

seadmed, mis kasutavad optilist kommuteerimist;

| 4. | raadioseadmed, millel on järgmised omadused:






  a. | kasutavad kvadratuur-amplituudmodulatsiooni (QAM) tehnikat kõrgemal kui 256. nivool; või |
| --- | --- | --- |

4.

raadioseadmed, millel on järgmised omadused:

a.

kasutavad kvadratuur-amplituudmodulatsiooni (QAM) tehnikat kõrgemal kui 256. nivool; või

| b. | töötavad sisend- ja väljundsagedustel üle 31,8 GHz; või



  Märkus: Punkt 5E001.c.4.b ei hõlma selliste seadmete arendamiseks või tootmiseks ettenähtud tehnoloogiat, mis on kavandatud või kohandatud töötamiseks igas ITU poolt raadioside jaoks määratletud ja mitte asukoha määramiseks ettenähtud sagedusribas. |
| --- | --- |

b.

töötavad sisend- ja väljundsagedustel üle 31,8 GHz; või

Märkus: Punkt 5E001.c.4.b ei hõlma selliste seadmete arendamiseks või tootmiseks ettenähtud tehnoloogiat, mis on kavandatud või kohandatud töötamiseks igas ITU poolt raadioside jaoks määratletud ja mitte asukoha määramiseks ettenähtud sagedusribas.

| 5. | seadmed, mis kasutavad ühiskanaliga signaalimist ning töötavad mitteliitunud töörežiimil. |
| --- | --- |

5.

seadmed, mis kasutavad ühiskanaliga signaalimist ning töötavad mitteliitunud töörežiimil.

5E101
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia punktis 5A101 nimetatud seadmete arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks.

2. OSA

"INFOTURVE"

Märkus 1: Infoturbe seadmete, tarkvara, süsteemide, spetsiaalsete elektroonikasõlmede kasutamine, moodulite, integraallülituste, komponentide või funktsioonide kontrolli alla kuulumine on määratud 5. kategooria 2. osas isegi juhul, kui nad on teiste seadmete komponendid või elektroonikasõlmed.

Märkus 2: 5. kategooria 2. osa ei hõlma tooteid, mis on kasutajal kaasas isiklikuks kasutamiseks.

Märkus 3:

Märkus krüptograafia kohta:

Punktid 5A002 ja 5D002 ei hõlma kaupu, mis vastavad kõigile järgmistele tingimustele:

| a. | nad on avalikult ja kitsendusteta saadaval jaemüügikohtades mis tahes järgmisel viisil:








  1. | käsimüügi teel; |
| --- | --- | --- |

a.

nad on avalikult ja kitsendusteta saadaval jaemüügikohtades mis tahes järgmisel viisil:

1.

käsimüügi teel;

| 2. | postimüügi teel; |
| --- | --- |

2.

postimüügi teel;

| 3. | elektronkaubandus; või |
| --- | --- |

3.

elektronkaubandus; või

| 4. | telefonimüük; |
| --- | --- |

4.

telefonimüük;

| b. | nende krüptograafilist funktsionaalsust ei saa kasutaja kergesti muuta; |
| --- | --- |

b.

nende krüptograafilist funktsionaalsust ei saa kasutaja kergesti muuta;

| c. | nad on ette nähtud paigaldamiseks kasutaja oma jõududega, ilma tarnija olulise abita; ja |
| --- | --- |

c.

nad on ette nähtud paigaldamiseks kasutaja oma jõududega, ilma tarnija olulise abita; ja

| d. | nende tehnilised üksikasjad on kättesaadavad ja need tehakse nõudmise korral teatavaks eksportija liikmesriigi pädevale asutusele nende vastavuse määramiseks käesoleva märkuse lõikudes a–d kirjeldatud nõuetele. |
| --- | --- |

d.

nende tehnilised üksikasjad on kättesaadavad ja need tehakse nõudmise korral teatavaks eksportija liikmesriigi pädevale asutusele nende vastavuse määramiseks käesoleva märkuse lõikudes a–d kirjeldatud nõuetele.

Tehniline märkus:

kategooria 2. osas ei arvestata paarsusbitte võtmepikkuse määramisel.

5A2Süsteemid, seadmed ja komponendid

5A002

| a. | Süsteemid, seadmed, rakendusspetsiifilised elektroonikasõlmed, moodulid ja integraallülitused infoturbeks vastavalt alljärgnevale ning muud spetsiaalselt selleks otstarbeks kavandatud komponendid:


  NB! Globaalsete navigatsioonisatelliitide süsteemide vastuvõtuseadmete, mis sisaldavad või kasutavad dekrüpteerimist (st GPS või GLONASS), kontrolli alla kuulumise kohta vt punkti 7A005.







  1. | kavandatud või kohandatud kasutama krüptograafiat, rakendades digitaalmeetodeid, mis täidavad mingeid krüptograafilisi funktsioone peale autentimise või digitaalsignatuuri ning millel on mis tahes järgmised omadused:
  Tehnilised märkused:







  1. | Autentimis- ja digitaalsignatuurifunktsioonid sisaldavad nendega seotud võtmehaldusfunktsioone. |
| --- | --- | --- | --- |

a.

Süsteemid, seadmed, rakendusspetsiifilised elektroonikasõlmed, moodulid ja integraallülitused infoturbeks vastavalt alljärgnevale ning muud spetsiaalselt selleks otstarbeks kavandatud komponendid:

NB! Globaalsete navigatsioonisatelliitide süsteemide vastuvõtuseadmete, mis sisaldavad või kasutavad dekrüpteerimist (st GPS või GLONASS), kontrolli alla kuulumise kohta vt punkti 7A005.

1.

kavandatud või kohandatud kasutama krüptograafiat, rakendades digitaalmeetodeid, mis täidavad mingeid krüptograafilisi funktsioone peale autentimise või digitaalsignatuuri ning millel on mis tahes järgmised omadused:

Tehnilised märkused:

1.

Autentimis- ja digitaalsignatuurifunktsioonid sisaldavad nendega seotud võtmehaldusfunktsioone.

| 2. | Autentimine hõlmab kõiki pääsu (access) reguleerimise aspekte, mille puhul ei ole tegemist failide või teksti krüpteerimisega, välja arvatud volitamatu pääsu vältimiseks otseselt paroolide, isiklike tunnusnumbrite (PIN-kood) või muude samalaadsete andmete kaitsega seotud otstarbel. |
| --- | --- |

2.

Autentimine hõlmab kõiki pääsu (access) reguleerimise aspekte, mille puhul ei ole tegemist failide või teksti krüpteerimisega, välja arvatud volitamatu pääsu vältimiseks otseselt paroolide, isiklike tunnusnumbrite (PIN-kood) või muude samalaadsete andmete kaitsega seotud otstarbel.

| 3. | Krüptograafia ei hõlma fikseeritud andmetihenduse ega kodeerimise meetodeid. |
| --- | --- |

3.

Krüptograafia ei hõlma fikseeritud andmetihenduse ega kodeerimise meetodeid.

Märkus: Punkt 5A002.a.1 hõlmab ka seadmeid, mis on kavandatud või kohandatud kasutama analoogpõhimõttel põhinevat krüptograafiat, mis on teostatud digitaalsete meetoditega.

| a. | sümmeetriline algoritm võtmepikkusega üle 56 biti; või |
| --- | --- |

a.

sümmeetriline algoritm võtmepikkusega üle 56 biti; või

| b. | asümmeetriline algoritm, kus algoritmi turvalisus põhineb mis tahes järgmisel omadusel:






  1. | 512 bitti ületavate täisarvude faktoriseerimine (nt RSA); |
| --- | --- | --- |

b.

asümmeetriline algoritm, kus algoritmi turvalisus põhineb mis tahes järgmisel omadusel:

1.

512 bitti ületavate täisarvude faktoriseerimine (nt RSA);

| 2. | diskreetsete logaritmide arvutamine (nt Diffie-Hellmani meetodil üle Z/pZ); või |
| --- | --- |

2.

diskreetsete logaritmide arvutamine (nt Diffie-Hellmani meetodil üle Z/pZ); või

| 3. | diskreetsed logaritmid teistes rühmades kui punktis 5A002.a.1.b.2 nimetatud, suuremates kui 112 bitti (nt Diffie-Hellmani meetod üle ellipsi); |
| --- | --- |

3.

diskreetsed logaritmid teistes rühmades kui punktis 5A002.a.1.b.2 nimetatud, suuremates kui 112 bitti (nt Diffie-Hellmani meetod üle ellipsi);

| 2. | kavandatud või kohandatud krüptoanalüütiliste funktsioonide täitmiseks; |
| --- | --- |

2.

kavandatud või kohandatud krüptoanalüütiliste funktsioonide täitmiseks;

| 3. | ei kasutata; |
| --- | --- |

3.

ei kasutata;

| 4. | spetsiaalselt kavandatud või kohandatud vähendama informatsiooni kandvaid signaale paljastavat kiirgust rohkem, kui seda nõuavad tervishoiu-, ohutus- või elektromagnetilise häire standardid; |
| --- | --- |

4.

spetsiaalselt kavandatud või kohandatud vähendama informatsiooni kandvaid signaale paljastavat kiirgust rohkem, kui seda nõuavad tervishoiu-, ohutus- või elektromagnetilise häire standardid;

| 5. | kavandatud või kohandatud kasutama krüptograafiatehnikat hajutamiskoodi genereerimiseks hajaspektri süsteemidele, kaasa arvatud sagedushüplemise koodi genereerimiseks sagedushüplemise süsteemidele; |
| --- | --- |

5.

kavandatud või kohandatud kasutama krüptograafiatehnikat hajutamiskoodi genereerimiseks hajaspektri süsteemidele, kaasa arvatud sagedushüplemise koodi genereerimiseks sagedushüplemise süsteemidele;

| 6. | kavandatud või kohandatud kasutama krüptograafiatehnikat kanalistamise või skrambleerimise koodide genereerimiseks aegmoduleeritud ultralairiba süsteemide jaoks; |
| --- | --- |

6.

kavandatud või kohandatud kasutama krüptograafiatehnikat kanalistamise või skrambleerimise koodide genereerimiseks aegmoduleeritud ultralairiba süsteemide jaoks;

| 7. | ei kasutata; |
| --- | --- |

7.

ei kasutata;

| 8. | andmesidekaablisüsteemid, mis on kavandatud või kohandatud avastama mehaaniliste, elektriliste või elektrooniliste vahenditega kõrvalist (illegaalset) sisenemist süsteemi. |
| --- | --- |

8.

andmesidekaablisüsteemid, mis on kavandatud või kohandatud avastama mehaaniliste, elektriliste või elektrooniliste vahenditega kõrvalist (illegaalset) sisenemist süsteemi.

Märkus: Punkt 5A002 ei hõlma järgmist:

| a. | personaalsed kiipkaardid:








  1. | mille krüptograafilised võimalused on piiratud kasutamisega seadmetes või süsteemides, mis ei kuulu kontrolli alla käesoleva märkuse punktide b–f alusel; või |
| --- | --- | --- |

a.

personaalsed kiipkaardid:

1.

mille krüptograafilised võimalused on piiratud kasutamisega seadmetes või süsteemides, mis ei kuulu kontrolli alla käesoleva märkuse punktide b–f alusel; või

| 2. | üldkasutatavate rakenduste jaoks, mille krüpteerimisvõimet pole kasutajal võimalik mõjutada ja mis on spetsiaalselt kavandatud ja piiratud kaitsma nendele salvestatud isikuandmeid. |
| --- | --- |

2.

üldkasutatavate rakenduste jaoks, mille krüpteerimisvõimet pole kasutajal võimalik mõjutada ja mis on spetsiaalselt kavandatud ja piiratud kaitsma nendele salvestatud isikuandmeid.

NB! Kui personaalsel kiipkaardil on mitmeid funktsioone, tuleb iga funktsiooni kontrolli alla kuulumist hinnata eraldi;

| b. | vastuvõtuseadmed raadioringhäälingule, tasulisele televisioonile või sarnasele piiratud auditooriumiga tarbija tüüpi ringhäälingule, milles ei kasutata digitaalset krüpteerimist, v.a üksnes juhul, kui seda kasutatakse arvete või programmi käsitleva teabe saatmiseks ringhäälinguteenuse pakkujale; |
| --- | --- |

b.

vastuvõtuseadmed raadioringhäälingule, tasulisele televisioonile või sarnasele piiratud auditooriumiga tarbija tüüpi ringhäälingule, milles ei kasutata digitaalset krüpteerimist, v.a üksnes juhul, kui seda kasutatakse arvete või programmi käsitleva teabe saatmiseks ringhäälinguteenuse pakkujale;

| c. | seadmed, mille krüpteerimisvõimet pole kasutajal võimalik mõjutada ja mis on spetsiaalselt kavandatud ja piiratud lubama järgmist:








  1. | kopeerimiskaitsega tarkvara käivitamine; |
| --- | --- | --- |

c.

seadmed, mille krüpteerimisvõimet pole kasutajal võimalik mõjutada ja mis on spetsiaalselt kavandatud ja piiratud lubama järgmist:

1.

kopeerimiskaitsega tarkvara käivitamine;

| 2. | juurdepääs järgmisele:








  a. | kopeerimiskaitsega, kirjutuskaitstud andmekandjatele salvestatud sisu; või |
| --- | --- | --- |

2.

juurdepääs järgmisele:

a.

kopeerimiskaitsega, kirjutuskaitstud andmekandjatele salvestatud sisu; või

| b. | andmed, mis on salvestatud krüpteeritud kujul andmekandjale (nt seoses intellektuaalomandi õiguste kaitsega), kui andmekandjaid pakutakse identsel kujul avalikult müügiks; või |
| --- | --- |

b.

andmed, mis on salvestatud krüpteeritud kujul andmekandjale (nt seoses intellektuaalomandi õiguste kaitsega), kui andmekandjaid pakutakse identsel kujul avalikult müügiks; või

| 3. | autoriõigusega kaitstud audio-/videoandmete kopeerimise kontrollimine. |
| --- | --- |

3.

autoriõigusega kaitstud audio-/videoandmete kopeerimise kontrollimine.

| d. | krüpteerimisseadmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud ning ette nähtud üksnes kasutamiseks panganduses või rahalisteks tehinguteks;

  Tehniline märkus:

  Punkti 5A002 märkuses d kasutatud mõiste rahalised tehingud hõlmab nii maksude käsitlemist ja kogumist kui ka krediidifunktsioone. |
| --- | --- |

d.

krüpteerimisseadmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud ning ette nähtud üksnes kasutamiseks panganduses või rahalisteks tehinguteks;

Tehniline märkus:

Punkti 5A002 märkuses d kasutatud mõiste rahalised tehingud hõlmab nii maksude käsitlemist ja kogumist kui ka krediidifunktsioone.

| e. | portatiivsed või mobiilsed tsiviilkasutusega raadiotelefonid (nt kasutamiseks kommertsliku tsiviilkasutusega kärgsidesüsteemides), mis ei ole võimelised otspunktkrüpteerimiseks; |
| --- | --- |

e.

portatiivsed või mobiilsed tsiviilkasutusega raadiotelefonid (nt kasutamiseks kommertsliku tsiviilkasutusega kärgsidesüsteemides), mis ei ole võimelised otspunktkrüpteerimiseks;

| f. | juhtmeta telefoniseadmed, mis pole võimelised otspunktkrüpteerimiseks, kui võimendamata, juhtmeta maksimaalselt efektiivne tööulatus (st ühekordne releetu hüpe terminali ja tugijaama vahel) on vastavalt valmistaja kirjeldusele vähem kui 400 meetrit. |
| --- | --- |

f.

juhtmeta telefoniseadmed, mis pole võimelised otspunktkrüpteerimiseks, kui võimendamata, juhtmeta maksimaalselt efektiivne tööulatus (st ühekordne releetu hüpe terminali ja tugijaama vahel) on vastavalt valmistaja kirjeldusele vähem kui 400 meetrit.

5B2Testimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

| a. | Seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud järgmiseks:






  1. | punktides 5A002, 5B002, 5D002 või 5E002 nimetatud seadmete või funktsioonide arendamiseks, kaasa arvatud mõõte- või katseseadmed; |
| --- | --- | --- |

a.

Seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud järgmiseks:

1.

punktides 5A002, 5B002, 5D002 või 5E002 nimetatud seadmete või funktsioonide arendamiseks, kaasa arvatud mõõte- või katseseadmed;

| 2. | punktis 5A002, 5B002, 5D002 või 5E002 nimetatud seadmete või funktsioonide tootmine, kaasa arvatud mõõte-, katse-, parandus- ja tootmisseadmed; |
| --- | --- |

2.

punktis 5A002, 5B002, 5D002 või 5E002 nimetatud seadmete või funktsioonide tootmine, kaasa arvatud mõõte-, katse-, parandus- ja tootmisseadmed;

| b. | Mõõteseadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 5A002 või 5D002 nimetatud infoturbefunktsioonide hindamiseks või kinnitamiseks. |
| --- | --- |

b.

Mõõteseadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 5A002 või 5D002 nimetatud infoturbefunktsioonide hindamiseks või kinnitamiseks.

5C2Materjalid

Puuduvad.

5D2Tarkvara

| a. | Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 5A002, 5B002 või 5D002 nimetatud seadmete või tarkvara arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks; |
| --- | --- |

a.

Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 5A002, 5B002 või 5D002 nimetatud seadmete või tarkvara arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks;

| b. | Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 5E002 nimetatud tehnoloogia toetamiseks; |
| --- | --- |

b.

Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 5E002 nimetatud tehnoloogia toetamiseks;

| c. | Järgmine spetsiifiline tarkvara:






  1. | tarkvara, millel on punktis 5A002 või 5B002 nimetatud seadmete tunnuseid või mis täidavad või simuleerib nende funktsioone; |
| --- | --- | --- |

c.

Järgmine spetsiifiline tarkvara:

1.

tarkvara, millel on punktis 5A002 või 5B002 nimetatud seadmete tunnuseid või mis täidavad või simuleerib nende funktsioone;

| 2. | tarkvara, mis sertifitseerib punktis 5D002.c.1 nimetatud tarkvara. |
| --- | --- |

2.

tarkvara, mis sertifitseerib punktis 5D002.c.1 nimetatud tarkvara.

Märkus: Punkt 5D002 ei hõlma järgmist:

| a. | tarkvara, mida on vaja punkti 5A002 märkuse alusel kontrolli alt välja arvatud seadmete kasutamiseks; |
| --- | --- |

a.

tarkvara, mida on vaja punkti 5A002 märkuse alusel kontrolli alt välja arvatud seadmete kasutamiseks;

| b. | tarkvara, mis võimaldab punkti 5A002 märkuse alusel kontrolli alt välja arvatud seadmete funktsioneerimise. |
| --- | --- |

b.

tarkvara, mis võimaldab punkti 5A002 märkuse alusel kontrolli alt välja arvatud seadmete funktsioneerimise.

5E2Tehnoloogia

5E002
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia punktis 5A002, 5B002 või 5D002 nimetatud seadmete või tarkvara arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks;

6. KATEGOORIA

SENSORID JA LASERID

6ASüsteemid, seadmed ja komponendid

6A001Akustika:

| a. | mereakustikasüsteemid, -seadmed ja nende jaoks ettenähtud komponendid






  1. | aktiivsüsteemid (saate- või saate- ja vastuvõtusüsteemid), seadmed ja nende jaoks ettenähtud komponendid:


  Märkus: Punkt 6A001.a.1 ei hõlma järgmist:








  a. | akustilised sügavusloodid, mis töötavad vertikaalselt aparatuuri all ja mis ei skaneeri üle ± 20° ning mille ülesanded piirduvad vee sügavuse mõõtmisega, kauguse mõõtmisega uppunud või maetud objektideni või kalaparvede leidmisega; |
| --- | --- | --- | --- |

a.

mereakustikasüsteemid, -seadmed ja nende jaoks ettenähtud komponendid

1.

aktiivsüsteemid (saate- või saate- ja vastuvõtusüsteemid), seadmed ja nende jaoks ettenähtud komponendid:

Märkus: Punkt 6A001.a.1 ei hõlma järgmist:

a.

akustilised sügavusloodid, mis töötavad vertikaalselt aparatuuri all ja mis ei skaneeri üle ± 20° ning mille ülesanded piirduvad vee sügavuse mõõtmisega, kauguse mõõtmisega uppunud või maetud objektideni või kalaparvede leidmisega;

| b. | akustilised paakpoid:








  1. | akustilised avariipoid; |
| --- | --- | --- |

b.

akustilised paakpoid:

1.

akustilised avariipoid;

| 2. | erilised veealuste lühikeste akustiliste signaalide saatja (pinger), mis on spetsiaalselt kavandatud veealuse asukoha taasleidmiseks või sinna tagasipöördumiseks. |
| --- | --- |

2.

erilised veealuste lühikeste akustiliste signaalide saatja (pinger), mis on spetsiaalselt kavandatud veealuse asukoha taasleidmiseks või sinna tagasipöördumiseks.

| a. | laialehvikulised veesügavuse mõõtesüsteemid, mis on kavandatud merepõhja topograafiliseks kaardistamiseks ning millel on kõik järgmised omadused:






  1. | kavandatud mõõtmiseks vertikaali suhtes üle 20° nurga all; |
| --- | --- | --- |

a.

laialehvikulised veesügavuse mõõtesüsteemid, mis on kavandatud merepõhja topograafiliseks kaardistamiseks ning millel on kõik järgmised omadused:

1.

kavandatud mõõtmiseks vertikaali suhtes üle 20° nurga all;

| 2. | kavandatud enam kui 600 m allpool veepinda olevate sügavuste mõõtmiseks; ja |
| --- | --- |

2.

kavandatud enam kui 600 m allpool veepinda olevate sügavuste mõõtmiseks; ja

| 3. | kavandatud võimaldama mis tahes järgnevat:






  a. | paljude kimpude samaaegne kasutamine, millest igaüks on kitsam kui 1,9°; või |
| --- | --- | --- |

3.

kavandatud võimaldama mis tahes järgnevat:

a.

paljude kimpude samaaegne kasutamine, millest igaüks on kitsam kui 1,9°; või

| b. | andmete täpsus on parem kui 0,3 % vee sügavuse väärtusest kogu mõõtelehviku ulatuses, mis on saadud lehvikut moodustavate üksikute mõõtetulemuste keskmistamisel; |
| --- | --- |

b.

andmete täpsus on parem kui 0,3 % vee sügavuse väärtusest kogu mõõtelehviku ulatuses, mis on saadud lehvikut moodustavate üksikute mõõtetulemuste keskmistamisel;

| b. | 6A001.a.1.b Objektide avastamise ja asukoha kindlaksmääramise süsteemid, millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | saatesagedus alla 10 kHz; |
| --- | --- | --- |

b.

6A001.a.1.b Objektide avastamise ja asukoha kindlaksmääramise süsteemid, millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

saatesagedus alla 10 kHz;

| 2. | sagedusribas 10 kHz kuni 24 kHz (kaasa arvatud) töötavate seadmete helirõhk on üle 224 dB (arvestatud 1 μPa kohta 1 m kaugusel); |
| --- | --- |

2.

sagedusribas 10 kHz kuni 24 kHz (kaasa arvatud) töötavate seadmete helirõhk on üle 224 dB (arvestatud 1 μPa kohta 1 m kaugusel);

| 3. | sagedusribas 24–30 kHz töötavate seadmete helirõhk ületab 235 dB (arvestatud 1 μPa kohta 1 m kaugusel); |
| --- | --- |

3.

sagedusribas 24–30 kHz töötavate seadmete helirõhk ületab 235 dB (arvestatud 1 μPa kohta 1 m kaugusel);

| 4. | moodustab mis tahes telje suunas kitsamaid kui 1° kimpe ning mille töösagedus on väiksem kui 100 kHz; |
| --- | --- |

4.

moodustab mis tahes telje suunas kitsamaid kui 1° kimpe ning mille töösagedus on väiksem kui 100 kHz;

| 5. | kavandatud töötama üheselt mõistetava näidikuga, mille näitepiirkond ületab 5 120 m; või |
| --- | --- |

5.

kavandatud töötama üheselt mõistetava näidikuga, mille näitepiirkond ületab 5 120 m; või

| 6. | kavandatud normaalse töö käigus taluma sügavamal kui 1 000 m valitsevat rõhku ning millel on muundurid ühega järgmistest:






  a. | rõhu dünaamilise kompenseerimine; või |
| --- | --- | --- |

6.

kavandatud normaalse töö käigus taluma sügavamal kui 1 000 m valitsevat rõhku ning millel on muundurid ühega järgmistest:

a.

rõhu dünaamilise kompenseerimine; või

| b. | muundurelemendina kasutatakse muud kui pliitsirkonaattitanaati; |
| --- | --- |

b.

muundurelemendina kasutatakse muud kui pliitsirkonaattitanaati;

| c. | akustilised projektorid, kaasa arvatud muundurid, mis sisaldavad piesoelektrilisi, magnetostriktsioon-, elektrostriktsioon-, elektrodünaamilisi või hüdraulilisi elemente, mis toimivad individuaalselt või kavandatud kombinatsioonis ja millel on mis tahes järgmine omadus:


  Märkus 1: Akustiliste projektorite, kaasa arvatud muundurite, mis on spetsiaalselt kavandatud muude seadmete jaoks, kontrolli alla kuulumine määratakse vastavalt muude seadmete kontrolli alla kuulumisega.



  Märkus 2: Punkt 6A001.a.1.c ei hõlma elektroonilisi heliallikaid, mis suunab heli ainult vertikaalses suunas või mehaanilisi heliallikaid (nt õhkkahur või aurulöökkahur) või keemilisi heliallikaid (nt lõhkeained).







  1. | sagedustel alla 10 kHz töötavate seadmete kiiratud hetkeline helivõimsuse tihedus ületab 0,01 mW/mm2/Hz; |
| --- | --- | --- |

c.

akustilised projektorid, kaasa arvatud muundurid, mis sisaldavad piesoelektrilisi, magnetostriktsioon-, elektrostriktsioon-, elektrodünaamilisi või hüdraulilisi elemente, mis toimivad individuaalselt või kavandatud kombinatsioonis ja millel on mis tahes järgmine omadus:

Märkus 1: Akustiliste projektorite, kaasa arvatud muundurite, mis on spetsiaalselt kavandatud muude seadmete jaoks, kontrolli alla kuulumine määratakse vastavalt muude seadmete kontrolli alla kuulumisega.

Märkus 2: Punkt 6A001.a.1.c ei hõlma elektroonilisi heliallikaid, mis suunab heli ainult vertikaalses suunas või mehaanilisi heliallikaid (nt õhkkahur või aurulöökkahur) või keemilisi heliallikaid (nt lõhkeained).

1.

sagedustel alla 10 kHz töötavate seadmete kiiratud hetkeline helivõimsuse tihedus ületab 0,01 mW/mm2/Hz;

| 2. | sagedustel alla 10 kHz töötavate seadmete pidevalt kiiratav helivõimsuse tihedus ületab 0,001 mW/mm2/Hz; või |
| --- | --- |

2.

sagedustel alla 10 kHz töötavate seadmete pidevalt kiiratav helivõimsuse tihedus ületab 0,001 mW/mm2/Hz; või

Tehniline märkus:

Akustilise võimsuse tihedus saadakse akustilise väljundvõimsuse väärtuse jagamisel kiirgava pinna pindala ja töösageduse väärtuse korrutisega.

| 3. | karakteristiku külghõlma allasurumine on parem kui 22 dB; |
| --- | --- |

3.

karakteristiku külghõlma allasurumine on parem kui 22 dB;

| d. | akustilised süsteemid, seadmed ja nende jaoks ettenähtud komponendid peal- või allveesõidukite asukoha kindlaksmääramiseks ning mille kavandatud tegevusraadius ületab 1 000 m, asukoha kindlaksmääramise ruutkeskmine täpsus on väiksem kui 10 m mõõdetuna 1 000 m piirkonnas;


  Märkus: Punkt 6A00.a.1.d hõlmab järgmist:








  a. | Seadmed, mis kasutavad koherentset signaalitöötlust kahe või enama akustilise majaka vahel ja hüdrofonmoodulit, mis asub kas peal- või allveesõidukis; |
| --- | --- | --- |

d.

akustilised süsteemid, seadmed ja nende jaoks ettenähtud komponendid peal- või allveesõidukite asukoha kindlaksmääramiseks ning mille kavandatud tegevusraadius ületab 1 000 m, asukoha kindlaksmääramise ruutkeskmine täpsus on väiksem kui 10 m mõõdetuna 1 000 m piirkonnas;

Märkus: Punkt 6A00.a.1.d hõlmab järgmist:

a.

Seadmed, mis kasutavad koherentset signaalitöötlust kahe või enama akustilise majaka vahel ja hüdrofonmoodulit, mis asub kas peal- või allveesõidukis;

| b. | Seadmed, mis võimaldavad automaatselt korrigeerida heli levimise kiiruse vigu mingi punkti asukoha arvutamisel. |
| --- | --- |

b.

Seadmed, mis võimaldavad automaatselt korrigeerida heli levimise kiiruse vigu mingi punkti asukoha arvutamisel.

| 2. | passiivsed süsteemid (vastuvõtusüsteemid, olenemata sellest, kas kuuluvad tavalises kasutuses aktiivsüsteemide juurde või mitte), seadmed ja nende jaoks ettenähtud komponendid:






  a. | hüdrofonid, millel on mis tahes järgmine omadus:


  Märkus: Muu seadmestiku jaoks spetsiaalselt kavandatud hüdrofonide kontrolli alla kuulumine määratakse muu seadmestiku kontrolli alla kuulumisega.







  1. | sisaldavad ühtselt pidevaid painduvaid andureid või üksikute andurelementide sõlmi, mille diameeter või pikkus ei ületa 20 mm ning elementidevaheline eraldatus ei ületa 20 mm; |
| --- | --- | --- | --- |

2.

passiivsed süsteemid (vastuvõtusüsteemid, olenemata sellest, kas kuuluvad tavalises kasutuses aktiivsüsteemide juurde või mitte), seadmed ja nende jaoks ettenähtud komponendid:

a.

hüdrofonid, millel on mis tahes järgmine omadus:

Märkus: Muu seadmestiku jaoks spetsiaalselt kavandatud hüdrofonide kontrolli alla kuulumine määratakse muu seadmestiku kontrolli alla kuulumisega.

1.

sisaldavad ühtselt pidevaid painduvaid andureid või üksikute andurelementide sõlmi, mille diameeter või pikkus ei ületa 20 mm ning elementidevaheline eraldatus ei ületa 20 mm;

| 2. | omavad mis tahes järgmisi tundlikke elemente:






  a. | optilised kiud; või |
| --- | --- | --- |

2.

omavad mis tahes järgmisi tundlikke elemente:

a.

optilised kiud; või

| b. | painduvad piesoelektrilised keraamilised ained; |
| --- | --- |

b.

painduvad piesoelektrilised keraamilised ained;

| 3. | hüdrofoni tundlikkus on parem kui – 180 dB igal sügavusel ilma kiirenduse kompensatsioonita; |
| --- | --- |

3.

hüdrofoni tundlikkus on parem kui – 180 dB igal sügavusel ilma kiirenduse kompensatsioonita;

| 4. | kavandatud tööks sügavamal kui 35 m kiirenduse kompenseerimisega; või |
| --- | --- |

4.

kavandatud tööks sügavamal kui 35 m kiirenduse kompenseerimisega; või

| 5. | kavandatud tööks sügavamal kui 1 000 m; |
| --- | --- |

5.

kavandatud tööks sügavamal kui 1 000 m;

Tehniline märkus:

Hüdrofoni tundlikkus on kahekümnekordne kümnendlogaritm väljundpinge ruutkeskmise väärtuse suhtest 1 V võrdluspingesse, kusjuures ilma eelvõimendajata hüdrofoni andur on asetatud akustilise tasalainete välja, milles ruutkeskmine helirõhu väärtus on 1 μPa. Näiteks – 160 dB (võrdlusväärtus 1 V 1 μPa kohta) tundlikkusega hüdrofon tekitab sellises väljas väljundpinge 10-8 V, kuna – 180 dB tundlikkuse juures tekiks sellises väljas ainult 10– 9 V väljundpinge. Niisiis – 160 dB on parem kui – 180 dB.

| b. | järelveetavad akustiliste hüdrofonide võresüsteemid, millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | üksikute hüdrofonigruppide vaheline kaugus on vähem kui 12,5 m või kohandatav, et hüdrofonigruppide vaheline kaugus oleks väiksem, kui 12,5 m; |
| --- | --- | --- |

b.

järelveetavad akustiliste hüdrofonide võresüsteemid, millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

üksikute hüdrofonigruppide vaheline kaugus on vähem kui 12,5 m või kohandatav, et hüdrofonigruppide vaheline kaugus oleks väiksem, kui 12,5 m;

| 2. | kavandatud või kohandatav tööks sügavamal kui 35 m;
  Tehniline märkus:


  Kohandatavus punktides 6A001.a.2.b.1 ja 2 tähendab seda, et on olemas tingimused, mis võimaldavad muuta juhtmestkku või ühendusi, et muuta hüdrofonigrupi vahekaugusi või töösügavuse piire. Need tingimused on: varujuhtmestik ületab 10 % juhtmete koguarvust, hüdrofonigrupi vahekauguste reguleerimise blokid või sisemised sügavust piiravad seadmed, mis on reguleeritavad või mis juhivad enam kui üht hüdrofonigruppi. |
| --- | --- |

2.

kavandatud või kohandatav tööks sügavamal kui 35 m;

Tehniline märkus:

Kohandatavus punktides 6A001.a.2.b.1 ja 2 tähendab seda, et on olemas tingimused, mis võimaldavad muuta juhtmestkku või ühendusi, et muuta hüdrofonigrupi vahekaugusi või töösügavuse piire. Need tingimused on: varujuhtmestik ületab 10 % juhtmete koguarvust, hüdrofonigrupi vahekauguste reguleerimise blokid või sisemised sügavust piiravad seadmed, mis on reguleeritavad või mis juhivad enam kui üht hüdrofonigruppi.

| 3. | punktis 6A001.a.2.d nimetatud suunaandurid; |
| --- | --- |

3.

punktis 6A001.a.2.d nimetatud suunaandurid;

| 4. | pikisuunas tugevdatud võresüsteemi sukad; |
| --- | --- |

4.

pikisuunas tugevdatud võresüsteemi sukad;

| 5. | valmismonteeritud võresüsteemi elementide diameeter on väiksem kui 40 mm; |
| --- | --- |

5.

valmismonteeritud võresüsteemi elementide diameeter on väiksem kui 40 mm;

| 6. | selliste hüdrofonigruppide tihendatud (multiplexed) signaalid, mis on kavandatud tööks sügavamal kui 35 m või millel on reguleeritav või eemaldatav sügavusandurseade, mis võimaldab töötada sügavamal kui 35 m; või |
| --- | --- |

6.

selliste hüdrofonigruppide tihendatud (multiplexed) signaalid, mis on kavandatud tööks sügavamal kui 35 m või millel on reguleeritav või eemaldatav sügavusandurseade, mis võimaldab töötada sügavamal kui 35 m; või

| 7. | punktis 6A001.a.2.a nimetatud hüdrofonide omadused; |
| --- | --- |

7.

punktis 6A001.a.2.a nimetatud hüdrofonide omadused;

| c. | andmetöötlusseadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud järelveetava akustiliste hüdrofonide võresüsteemidele, mis on kasutaja programmeeritavad ning milles on aja ja sageduspiirkondade töötlemis- ja korreleerimisvõimalused, kaasa arvatud spektraalanalüüs, numbriline filtratsioon ning kiiremoodustamine, kasutades kiiret Fourier’ pööret või teisi muundamivõtteid ja –meetodeid; |
| --- | --- |

c.

andmetöötlusseadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud järelveetava akustiliste hüdrofonide võresüsteemidele, mis on kasutaja programmeeritavad ning milles on aja ja sageduspiirkondade töötlemis- ja korreleerimisvõimalused, kaasa arvatud spektraalanalüüs, numbriline filtratsioon ning kiiremoodustamine, kasutades kiiret Fourier’ pööret või teisi muundamivõtteid ja –meetodeid;

| d. | suunaandurid, millel on kõik järgmised omadused:






  1. | täpsus parem kui ±0,5°; ja |
| --- | --- | --- |

d.

suunaandurid, millel on kõik järgmised omadused:

1.

täpsus parem kui ±0,5°; ja

| 2. | kavandatud töötama sügavamal kui 35 m või millel on reguleeritav või eemaldatav sügavusandurseade, et töötada sügavamal kui 35 meetrit; |
| --- | --- |

2.

kavandatud töötama sügavamal kui 35 m või millel on reguleeritav või eemaldatav sügavusandurseade, et töötada sügavamal kui 35 meetrit;

| e. | merepõhja või lahe kaablisüsteemid, mis:






  1. | sisaldavad punktis 6A001.a.2.a nimetatud hüdrofone; või |
| --- | --- | --- |

e.

merepõhja või lahe kaablisüsteemid, mis:

1.

sisaldavad punktis 6A001.a.2.a nimetatud hüdrofone; või

| 2. | sisaldavad hüdrofonigrupi tihendatud signaali mooduleid, millel on kõik järgmised omadused:






  a. | kavandatud töötama sügavamal kui 35 m või millel on reguleeritav või eemaldatav sügavusandurseade, et töötada sügavamal kui 35 meetrit; ja |
| --- | --- | --- |

2.

sisaldavad hüdrofonigrupi tihendatud signaali mooduleid, millel on kõik järgmised omadused:

a.

kavandatud töötama sügavamal kui 35 m või millel on reguleeritav või eemaldatav sügavusandurseade, et töötada sügavamal kui 35 meetrit; ja

| b. | omavahel vahetatavad järelveetavate akustiliste hüdrofonide võresüsteemi moodulitega; |
| --- | --- |

b.

omavahel vahetatavad järelveetavate akustiliste hüdrofonide võresüsteemi moodulitega;

| f. | andmetöötlusseadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud merepõhja või lahe kaablisüsteemidele, mis on kasutaja programmeeritavad ning milles on aja ja sageduspiirkondade töötlemis- ja korreleerimisvõimalused, kaasa arvatud spektraalanalüüs, numbriline filtratsioon ning kiiremoodustamine, kasutades kiiret Fourier’ pööret või teisi spektrimuundamisvõtteid ja -meetodeid; |
| --- | --- |

f.

andmetöötlusseadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud merepõhja või lahe kaablisüsteemidele, mis on kasutaja programmeeritavad ning milles on aja ja sageduspiirkondade töötlemis- ja korreleerimisvõimalused, kaasa arvatud spektraalanalüüs, numbriline filtratsioon ning kiiremoodustamine, kasutades kiiret Fourier’ pööret või teisi spektrimuundamisvõtteid ja -meetodeid;

| b. | korrelatsioon-kiiruse hüdrolokatsioonil põhinevad logiseadmed, mis on kavandatud seadmete kandja horisontaalkiiruse mõõtmiseks merepõhja suhtes, kui vahemik merepõhja ja kandja vahel on üle 500 m. |
| --- | --- |

b.

korrelatsioon-kiiruse hüdrolokatsioonil põhinevad logiseadmed, mis on kavandatud seadmete kandja horisontaalkiiruse mõõtmiseks merepõhja suhtes, kui vahemik merepõhja ja kandja vahel on üle 500 m.

6A002Optilised andurid

NB! VT KA PUNKTI 6A102.

| a. | Optilised detektorid:


  Märkus: Punkt 6A002.a ei hõlma germaaniumist ja ränist fotoseadmeid.







  1. | Kosmosekindlad tahkisdetektorid






  a. | kosmosekindlad tahkisdetektorid, millel on kõik järgmised omadused:






  1. | tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku 10 nm kuni 300 nm; ja |
| --- | --- | --- | --- | --- |

a.

Optilised detektorid:

Märkus: Punkt 6A002.a ei hõlma germaaniumist ja ränist fotoseadmeid.

1.

Kosmosekindlad tahkisdetektorid

a.

kosmosekindlad tahkisdetektorid, millel on kõik järgmised omadused:

1.

tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku 10 nm kuni 300 nm; ja

| 2. | koste väärtus on lainepikkuste piirkonnas üle 400 nm vähem kui 0,1 % tippkoste väärtusest; |
| --- | --- |

2.

koste väärtus on lainepikkuste piirkonnas üle 400 nm vähem kui 0,1 % tippkoste väärtusest;

| b. | kosmosekindlad tahkisdetektorid, millel on kõik järgmised omadused:






  1. | Tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku 900 nm kuni 1 200 nm; ja |
| --- | --- | --- |

b.

kosmosekindlad tahkisdetektorid, millel on kõik järgmised omadused:

1.

Tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku 900 nm kuni 1 200 nm; ja

| 2. | koste ajakonstant on lühem kui 95 ns; |
| --- | --- |

2.

koste ajakonstant on lühem kui 95 ns;

| c. | kosmosekindlad tahkisdetektorid, mille tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku 1 200 nm kuni 30 000 nm; |
| --- | --- |

c.

kosmosekindlad tahkisdetektorid, mille tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku 1 200 nm kuni 30 000 nm;

| 2. | kujutisevõimendustorud ja spetsiaalselt nende jaoks kavandatud komponendid:






  a. | kujutisevõimendustorud, millel on kõik järgmised omadused:






  1. | tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku 400 nm kuni 1 050 nm; |
| --- | --- | --- | --- |

2.

kujutisevõimendustorud ja spetsiaalselt nende jaoks kavandatud komponendid:

a.

kujutisevõimendustorud, millel on kõik järgmised omadused:

1.

tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku 400 nm kuni 1 050 nm;

| 2. | mikrokanalplaat elektroonseks kujutise võimendamiseks, mille maskis augu samm (tsentritevaheline kaugus) on 12 μm või vähem; ja |
| --- | --- |

2.

mikrokanalplaat elektroonseks kujutise võimendamiseks, mille maskis augu samm (tsentritevaheline kaugus) on 12 μm või vähem; ja

| 3. | mis tahes järgmistest fotokatoodidest:






  a. | S-20, S-25 või multileelisfotokatoodid, mille valgustundlikkus on üle 350 μA/lm; |
| --- | --- | --- |

3.

mis tahes järgmistest fotokatoodidest:

a.

S-20, S-25 või multileelisfotokatoodid, mille valgustundlikkus on üle 350 μA/lm;

| b. | GaAs- või GaInAs-fotokatoodid; või |
| --- | --- |

b.

GaAs- või GaInAs-fotokatoodid; või

| c. | muud III–V ühenditest pooljuhtfotokatoodid;


  Märkus: Punkt 6A002.a.2.a.3.c ei kehti ühendpooljuhtidel põhinevate fotokatoodide suhtes, mille maksimaalne kiirgustundlikkus on 10 mA/W või vähem. |
| --- | --- |

c.

muud III–V ühenditest pooljuhtfotokatoodid;

Märkus: Punkt 6A002.a.2.a.3.c ei kehti ühendpooljuhtidel põhinevate fotokatoodide suhtes, mille maksimaalne kiirgustundlikkus on 10 mA/W või vähem.

| b. | spetsiaalselt kavandatud komponendid:






  1. | mikrokanaliplaadid, mille maskis augu samm (tsentritevaheline kaugus) on 12 μm või vähem; |
| --- | --- | --- |

b.

spetsiaalselt kavandatud komponendid:

1.

mikrokanaliplaadid, mille maskis augu samm (tsentritevaheline kaugus) on 12 μm või vähem;

| 2. | GaAs- või GaInAs-fotokatoodid; |
| --- | --- |

2.

GaAs- või GaInAs-fotokatoodid;

| 3. | muud III–V ühenditest pooljuhtfotokatoodid;


  Märkus: Punkt 6A002.a.2.b.3 ei hõlma ühendpooljuhtidel põhinevaid fotokatoode, mille maksimaalne kiirgustundlikkus on 10 mA/W või vähem. |
| --- | --- |

3.

muud III–V ühenditest pooljuhtfotokatoodid;

Märkus: Punkt 6A002.a.2.b.3 ei hõlma ühendpooljuhtidel põhinevaid fotokatoode, mille maksimaalne kiirgustundlikkus on 10 mA/W või vähem.

| 3. | Mittekosmosekindlad fokaaltasandilised massiivid:
  Tehnilised märkused:







  1. | Lineaarseid või kahemõõtmelisi mitmeelemendilisi detektormassiive käsitatakse fokaaltasandiliste massiividena. |
| --- | --- | --- |

3.

Mittekosmosekindlad fokaaltasandilised massiivid:

Tehnilised märkused:

1.

Lineaarseid või kahemõõtmelisi mitmeelemendilisi detektormassiive käsitatakse fokaaltasandiliste massiividena.

| 2. | Punkti 6A002.a.3 tähenduses on ristiskaneerimise suund määratletud detektorielementide lineaarse reaga paralleelse teljena ja skaneerimise suund on määratletud detektorielementide lineaarse reaga risti asetseva teljega. |
| --- | --- |

2.

Punkti 6A002.a.3 tähenduses on ristiskaneerimise suund määratletud detektorielementide lineaarse reaga paralleelse teljena ja skaneerimise suund on määratletud detektorielementide lineaarse reaga risti asetseva teljega.

Märkus 1: Punkt 6A002.a.3 hõlmab fotojuhtivaid ja fotogalvaanilisi massiive.

Märkus 2: Punkt 6A002.a.3 ei hõlma järgmist:

| a. | ränist fokaaltasandilised massiivid, |
| --- | --- |

a.

ränist fokaaltasandilised massiivid,

| b. | mitmeelemendilised (mitte üle 16 elemendi) kaitseümbrisesse kapseldatud fototakistid, milles kasutatakse kas pliisulfiidi või pliiseleniidi; |
| --- | --- |

b.

mitmeelemendilised (mitte üle 16 elemendi) kaitseümbrisesse kapseldatud fototakistid, milles kasutatakse kas pliisulfiidi või pliiseleniidi;

| c. | püroelektrilised detektorid, milles kasutatakse mis tahes järgmisi materjale:








  1. | triglütsiinsulfaat ja derivaadid; |
| --- | --- | --- |

c.

püroelektrilised detektorid, milles kasutatakse mis tahes järgmisi materjale:

1.

triglütsiinsulfaat ja derivaadid;

| 2. | pliilantaantsirkooniumtitanaat ja derivaadid; |
| --- | --- |

2.

pliilantaantsirkooniumtitanaat ja derivaadid;

| 3. | liitiumtantalaat; |
| --- | --- |

3.

liitiumtantalaat;

| 4. | polüvinülideenfluoriid ja derivaadid; või |
| --- | --- |

4.

polüvinülideenfluoriid ja derivaadid; või

| 5. | strontsiumbaariumniobaat ja derivaadid. |
| --- | --- |

5.

strontsiumbaariumniobaat ja derivaadid.

| a. | mittekosmosekindlad fokaaltasandilised massiivid, millel on järgmised omadused:






  1. | üksikelemendid, mille tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku 900 nm kuni 1 050 nm; ja |
| --- | --- | --- |

a.

mittekosmosekindlad fokaaltasandilised massiivid, millel on järgmised omadused:

1.

üksikelemendid, mille tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku 900 nm kuni 1 050 nm; ja

| 2. | koste ajakonstant on lühem kui 0,5 ns; |
| --- | --- |

2.

koste ajakonstant on lühem kui 0,5 ns;

| b. | mittekosmosekindlad fokaaltasandilised massiivid, millel on järgmised omadused:






  1. | üksikelemendid, mille tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku 1 050 nm kuni 1 200 nm; ja |
| --- | --- | --- |

b.

mittekosmosekindlad fokaaltasandilised massiivid, millel on järgmised omadused:

1.

üksikelemendid, mille tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku 1 050 nm kuni 1 200 nm; ja

| 2. | koste ajakonstant on lühem kui 95 ns; |
| --- | --- |

2.

koste ajakonstant on lühem kui 95 ns;

| c. | mittekosmosekindlad mittelineaarsed (kahemõõtmelised) fokaaltasandilised massiivid, millel on üksikelemendid, mille tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku 1 200 nm kuni 30 000 nm; |
| --- | --- |

c.

mittekosmosekindlad mittelineaarsed (kahemõõtmelised) fokaaltasandilised massiivid, millel on üksikelemendid, mille tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku 1 200 nm kuni 30 000 nm;

| d. | mittekosmosekindlad lineaarsed (ühemõõtmelised) fokaaltasandilised massiivid, millel on järgmised omadused:






  1. | üksikelemendid, mille tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku 1 200 nm kuni 2 500 nm; ja |
| --- | --- | --- |

d.

mittekosmosekindlad lineaarsed (ühemõõtmelised) fokaaltasandilised massiivid, millel on järgmised omadused:

1.

üksikelemendid, mille tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku 1 200 nm kuni 2 500 nm; ja

| 2. | mis tahes järgmistest:






  a. | detektorielementide skaneerimissuuna mõõdu suhe detektorielementide ristiskaneerimise suuna mõõtu on väiksem kui 3,8; või |
| --- | --- | --- |

2.

mis tahes järgmistest:

a.

detektorielementide skaneerimissuuna mõõdu suhe detektorielementide ristiskaneerimise suuna mõõtu on väiksem kui 3,8; või

| b. | signaalitöötlus elemendis (SPRITE); |
| --- | --- |

b.

signaalitöötlus elemendis (SPRITE);

| e. | mittekosmosekindlad lineaarsed (ühemõõtmelised) fokaaltasandilised massiivid, millel on üksikelemendid, mille tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku 2 500 nm kuni 30 000 nm; |
| --- | --- |

e.

mittekosmosekindlad lineaarsed (ühemõõtmelised) fokaaltasandilised massiivid, millel on üksikelemendid, mille tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku 2 500 nm kuni 30 000 nm;

| b. | Kaugjälgimisseadmetele kavandatud monospektraalsed ja multispektraalsed pildiandurid, millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | hetkeline vaateväli (IFOV) on väiksem kui 200 μrad (mikroradiaani); või |
| --- | --- | --- |

b.

Kaugjälgimisseadmetele kavandatud monospektraalsed ja multispektraalsed pildiandurid, millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

hetkeline vaateväli (IFOV) on väiksem kui 200 μrad (mikroradiaani); või

| 2. | spetsifitseeritud tööks lainepikkuste vahemikus 400 nm kuni 30 000 nm ja millel on kõik järgmised omadused;






  a. | esitab kujutise väljundandmed numbrilisel kujul; ja |
| --- | --- | --- |

2.

spetsifitseeritud tööks lainepikkuste vahemikus 400 nm kuni 30 000 nm ja millel on kõik järgmised omadused;

a.

esitab kujutise väljundandmed numbrilisel kujul; ja

| b. | mis tahes järgmiste omadustega:






  1. | kosmosekindel; või |
| --- | --- | --- |

b.

mis tahes järgmiste omadustega:

1.

kosmosekindel; või

| 2. | kavandatud õhus toimuvaks tööks, kasutades muid kui ränidetektoreid, ning mille hetkeline vaateväli (IFOV) on väiksem kui 2,5 mrad (milliradiaani). |
| --- | --- |

2.

kavandatud õhus toimuvaks tööks, kasutades muid kui ränidetektoreid, ning mille hetkeline vaateväli (IFOV) on väiksem kui 2,5 mrad (milliradiaani).

| c. | Vahetu vaatega kuvaseadmed, mis töötavad nähtavas või infrapunases spektriosas ja mis sisaldavad mis tahes järgmist:






  1. | punktis 6A002.a.2.a nimetatud kujutisevõimendustorud; või |
| --- | --- | --- |

c.

Vahetu vaatega kuvaseadmed, mis töötavad nähtavas või infrapunases spektriosas ja mis sisaldavad mis tahes järgmist:

1.

punktis 6A002.a.2.a nimetatud kujutisevõimendustorud; või

| 2. | punktis 6A002.a.3 nimetatud fokaaltasandilised massiivid. |
| --- | --- |

2.

punktis 6A002.a.3 nimetatud fokaaltasandilised massiivid.

Tehniline märkus:

Mõiste vahetu vaatega viitab kuvaseadmetele, mis töötavad nähtavas või infrapunases spektriosas ja esitavad vaatlejale nähtava kujundi, muutmata seda elektrooniliseks signaaliks televiisoriekraani jaoks, võimaldamata esitatavaid kujutusi elektrooniliselt, fotograafiliselt või mõnel muul viisil säilitada või salvestada.

Märkus: Punkt 6A002.c ei hõlma järgmisi seadmeid, mis sisaldavad muid kui GaAs- või GaInAs-fotokatoode:

| a. | tööstus- või tsiviilkasutuses olevad sissemurdmise alarmsüsteemid, liikluses või tööstuses kasutatavad liikumise kontrolli- või loendussüsteemid; |
| --- | --- |

a.

tööstus- või tsiviilkasutuses olevad sissemurdmise alarmsüsteemid, liikluses või tööstuses kasutatavad liikumise kontrolli- või loendussüsteemid;

| b. | meditsiiniseadmed; |
| --- | --- |

b.

meditsiiniseadmed;

| c. | tööstusseadmed, mida kasutatakse materjalide omaduste kontrollimiseks, sorteerimiseks või analüüsiks; |
| --- | --- |

c.

tööstusseadmed, mida kasutatakse materjalide omaduste kontrollimiseks, sorteerimiseks või analüüsiks;

| d. | leegidetektorid tööstuslikes ahjudes; |
| --- | --- |

d.

leegidetektorid tööstuslikes ahjudes;

| e. | laboratoorseks kasutamiseks kavandatud seadmed. |
| --- | --- |

e.

laboratoorseks kasutamiseks kavandatud seadmed.

| d. | Spetsiaalsed optiliste andurite abikomponendid:






  1. | kosmosekindlad krüojahutid; |
| --- | --- | --- |

d.

Spetsiaalsed optiliste andurite abikomponendid:

1.

kosmosekindlad krüojahutid;

| 2. | mittekosmosekindlad krüojahutid, mille jahutustemperatuur on madalam kui 218 K (-55°C):






  a. | suletud tsükliga jahuti, mis on spetsifitseeritud töötama keskmise kasutusajaga tõrkeni (MTTF) või keskmise tõrketusvältusega (MTBF) üle 2 500 tunni; |
| --- | --- | --- |

2.

mittekosmosekindlad krüojahutid, mille jahutustemperatuur on madalam kui 218 K (-55°C):

a.

suletud tsükliga jahuti, mis on spetsifitseeritud töötama keskmise kasutusajaga tõrkeni (MTTF) või keskmise tõrketusvältusega (MTBF) üle 2 500 tunni;

| b. | Joule-Thomsoni isereguleeruvad minijahutid, mille välisdiameeter on vähem kui 8 mm; |
| --- | --- |

b.

Joule-Thomsoni isereguleeruvad minijahutid, mille välisdiameeter on vähem kui 8 mm;

| 3. | optiliselt tundlikud kiud, mis on spetsiaalselt valmistatud kas koostiseliselt või struktuurselt või kohandatud katmise teel olema akustiliselt, termiliselt, inertsiaalselt, elektromagnetiliselt või tuumakiirguse suhtes tundlikud. |
| --- | --- |

3.

optiliselt tundlikud kiud, mis on spetsiaalselt valmistatud kas koostiseliselt või struktuurselt või kohandatud katmise teel olema akustiliselt, termiliselt, inertsiaalselt, elektromagnetiliselt või tuumakiirguse suhtes tundlikud.

| e. | Kosmosekindlad fokaaltasandilised massiivid, milles on rohkem kui 2 048 elementi massiivi kohta ja mille tippkoste lainepikkuse väärtus jääb vahemikku 300 nm kuni 900 nm. |
| --- | --- |

e.

Kosmosekindlad fokaaltasandilised massiivid, milles on rohkem kui 2 048 elementi massiivi kohta ja mille tippkoste lainepikkuse väärtus jääb vahemikku 300 nm kuni 900 nm.

6A003Kaamerad

NB! VT KA PUNKTI 6A203.

NB! Kaamerate kohta, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud veealuseks kasutamiseks, vt ka punkte 8A002.d ja 8A002.e.

| a. | Seadistuskaamerad ja spetsiaalselt nende jaoks kavandatud komponendid:


  Märkus: Punktides 6A003.a.3–6A003.a.5 nimetatud modulaarse ehitusega seadistuskaameraid tuleks hinnata nende maksimaalse suutlikkuse alusel, kasutades olemasolevaid lisandprogramme vastavalt kaameratootja spetsifikatsioonile.







  1. | suurekiiruselised kinokaamerad, mis kasutavad mis tahes laiusega filmi vahemikus 8–16 mm ja milles film filmimise ajal pidevalt liigub ning mis on võimelised filmima kaadrikiirusega üle 13 150 kaadri sekundis;


  Märkus: Punkt 6A003.a.1 ei hõlma tsiviilotstarbeliseks kasutamiseks kavandatud kinokaameraid. |
| --- | --- | --- |

a.

Seadistuskaamerad ja spetsiaalselt nende jaoks kavandatud komponendid:

Märkus: Punktides 6A003.a.3–6A003.a.5 nimetatud modulaarse ehitusega seadistuskaameraid tuleks hinnata nende maksimaalse suutlikkuse alusel, kasutades olemasolevaid lisandprogramme vastavalt kaameratootja spetsifikatsioonile.

1.

suurekiiruselised kinokaamerad, mis kasutavad mis tahes laiusega filmi vahemikus 8–16 mm ja milles film filmimise ajal pidevalt liigub ning mis on võimelised filmima kaadrikiirusega üle 13 150 kaadri sekundis;

Märkus: Punkt 6A003.a.1 ei hõlma tsiviilotstarbeliseks kasutamiseks kavandatud kinokaameraid.

| 2. | mehaanilised kiirkaamerad, milles film ei liigu ja mis on võimelised filmima kiirusega üle 1 000 000 kaadri sekundis 35 mm filmi kaadri täiskõrguse korral või proportsionaalselt suurema kiirusega väiksema kaadrikõrguse korral või proportsionaalselt aeglasemalt suuremate kaadrikõrguste korral. |
| --- | --- |

2.

mehaanilised kiirkaamerad, milles film ei liigu ja mis on võimelised filmima kiirusega üle 1 000 000 kaadri sekundis 35 mm filmi kaadri täiskõrguse korral või proportsionaalselt suurema kiirusega väiksema kaadrikõrguse korral või proportsionaalselt aeglasemalt suuremate kaadrikõrguste korral.

| 3. | mehaanilised või elektroonsed (elektronoptilised) vöötkaamerad, mille kirjutuskiirus on üle 10mm/μs; |
| --- | --- |

3.

mehaanilised või elektroonsed (elektronoptilised) vöötkaamerad, mille kirjutuskiirus on üle 10mm/μs;

| 4. | elektroonilised kaaderkaamerad, mille kiirus on üle 1 000 000 kaadri sekundis; |
| --- | --- |

4.

elektroonilised kaaderkaamerad, mille kiirus on üle 1 000 000 kaadri sekundis;

| 5. | elektroonilised kaamerad, millel on kõik järgmised omadused:






  a. | elektroonilise katiku kiirus (strobeerimisvõime) on lühem kui 1 μs ühe täiskaadri kohta; ja |
| --- | --- | --- |

5.

elektroonilised kaamerad, millel on kõik järgmised omadused:

a.

elektroonilise katiku kiirus (strobeerimisvõime) on lühem kui 1 μs ühe täiskaadri kohta; ja

| b. | lugemisaeg võimaldab kaadrijoondamiskiirust üle 125 täiskaadri sekundis. |
| --- | --- |

b.

lugemisaeg võimaldab kaadrijoondamiskiirust üle 125 täiskaadri sekundis.

| 6. | lisandprogrammid, millel on kõik järgmised omadused:






  a. | mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 6A003.a nimetatud modulaarse ehitusega seadistuskaamerate jaoks; ja |
| --- | --- | --- |

6.

lisandprogrammid, millel on kõik järgmised omadused:

a.

mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 6A003.a nimetatud modulaarse ehitusega seadistuskaamerate jaoks; ja

| b. | mis võimaldavad nendel kaameratel täita valmistaja kirjeldusele vastavad ja punktis 6A003.a.3, 6A003.a.4 või 6A003.a.5 nimetatud omadused. |
| --- | --- |

b.

mis võimaldavad nendel kaameratel täita valmistaja kirjeldusele vastavad ja punktis 6A003.a.3, 6A003.a.4 või 6A003.a.5 nimetatud omadused.

| b. | Järgmised pildistuskaamerad:


  Märkus: Punkt 6A003.b ei hõlma spetsiaalselt televisioonisaadete jaoks konstrueeritud televisiooni- ja videokaameraid.







  1. | videokaamerad, mis sisaldavad pooljuhtandureid, mille tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku 10 nm kuni 30 000 nm, ja millel on kõik järgmised omadused:






  a. | mis tahes järgmise omadusega:






  1. | monokroomkaamerad (must-valge) rohkem kui 4×106
  aktiivpiksliga tahkismassiivi kohta; |
| --- | --- | --- | --- | --- |

b.

Järgmised pildistuskaamerad:

Märkus: Punkt 6A003.b ei hõlma spetsiaalselt televisioonisaadete jaoks konstrueeritud televisiooni- ja videokaameraid.

1.

videokaamerad, mis sisaldavad pooljuhtandureid, mille tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku 10 nm kuni 30 000 nm, ja millel on kõik järgmised omadused:

a.

mis tahes järgmise omadusega:

1.

monokroomkaamerad (must-valge) rohkem kui 4×106
  aktiivpiksliga tahkismassiivi kohta;

| 2. | kolme tahkismassiiviga värvikaamerad rohkem kui 4×106
  aktiivpiksliga tahkismassiivi kohta; või |
| --- | --- |

2.

kolme tahkismassiiviga värvikaamerad rohkem kui 4×106
  aktiivpiksliga tahkismassiivi kohta; või

| 3. | ühe tahkismassiiviga värvikaamerad rohkem kui 12×106
  aktiivpiksliga tahkismassiivi kohta; ja |
| --- | --- |

3.

ühe tahkismassiiviga värvikaamerad rohkem kui 12×106
  aktiivpiksliga tahkismassiivi kohta; ja

| b. | Mis tahes järgmise omadusega:






  1. | punktiga 6A004.a hõlmatud optilised peeglid; |
| --- | --- | --- |

b.

Mis tahes järgmise omadusega:

1.

punktiga 6A004.a hõlmatud optilised peeglid;

| 2. | punktiga 6A004.d hõlmatud optilised juhtseadmed; või |
| --- | --- |

2.

punktiga 6A004.d hõlmatud optilised juhtseadmed; või

| 3. | võime salvestada sisemiselt genereeritud andmeid kaamera positsiooni kohta. |
| --- | --- |

3.

võime salvestada sisemiselt genereeritud andmeid kaamera positsiooni kohta.

Tehniline märkus:

| 1. | Käesoleva punkti tähenduses tuleks digitaalkaameraid hinnata liikuvate kujutiste salvestamiseks kasutatud aktiivpikslite maksimaalse arvu alusel. |
| --- | --- |

1.

Käesoleva punkti tähenduses tuleks digitaalkaameraid hinnata liikuvate kujutiste salvestamiseks kasutatud aktiivpikslite maksimaalse arvu alusel.

| 2. | Käesoleva punkti tähenduses on andmed kaamera positsiooni kohta info, mis on vajalik kaamera vaatenurga asetuse määratlemiseks maa suhtes. Sealhulgas: 1) horisontaalne nurk, mis jääb kaamera vaatenurga ja maa magnetvälja suuna vahele ja 2) vertikaalne nurk, mis jääb kaamera vaatenurga ja maa horisondi vahele. |
| --- | --- |

2.

Käesoleva punkti tähenduses on andmed kaamera positsiooni kohta info, mis on vajalik kaamera vaatenurga asetuse määratlemiseks maa suhtes. Sealhulgas: 1) horisontaalne nurk, mis jääb kaamera vaatenurga ja maa magnetvälja suuna vahele ja 2) vertikaalne nurk, mis jääb kaamera vaatenurga ja maa horisondi vahele.

| 2. | skaneerkaamerad ja skaneerkaamerasüsteemid, millel on kõik järgmised omadused:






  a. | tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku 10 nm kuni 30 000 nm; |
| --- | --- | --- |

2.

skaneerkaamerad ja skaneerkaamerasüsteemid, millel on kõik järgmised omadused:

a.

tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku 10 nm kuni 30 000 nm;

| b. | lineaarsed detektormassiivid üle 8 192 elemendiga massiivis; ja |
| --- | --- |

b.

lineaarsed detektormassiivid üle 8 192 elemendiga massiivis; ja

| c. | mehaanilise ühesuunalise laotusega; |
| --- | --- |

c.

mehaanilise ühesuunalise laotusega;

| 3. | pildistuskaamerad, mis sisaldavad punktis 6A002.a.2.a nimetatud kujutisevõimendustorusid; |
| --- | --- |

3.

pildistuskaamerad, mis sisaldavad punktis 6A002.a.2.a nimetatud kujutisevõimendustorusid;

| 4. | pildistuskaamerad, mis sisaldavad punktis 6A002.a.3 nimetatud fokaaltasandilisi massiive.


  Märkus Punkt 6A003.b.4 ei hõlma pildistuskaameraid, mis sisaldavad lineaarset kaheteistkümne või vähema elemendiga fokaaltasandilisi massiivi ja mis ei kasuta elemendisisest ajalist viivitust ja integreerimist ning mis on kavandatud järgmiseks:








  a. | tööstus- või tsiviilkasutuses olevad sissemurdmise alarmsüsteemid, liikluses või tööstuses kasutatavad liikumise kontrolli- või loendussüsteemid; |
| --- | --- | --- |

4.

pildistuskaamerad, mis sisaldavad punktis 6A002.a.3 nimetatud fokaaltasandilisi massiive.

Märkus Punkt 6A003.b.4 ei hõlma pildistuskaameraid, mis sisaldavad lineaarset kaheteistkümne või vähema elemendiga fokaaltasandilisi massiivi ja mis ei kasuta elemendisisest ajalist viivitust ja integreerimist ning mis on kavandatud järgmiseks:

a.

tööstus- või tsiviilkasutuses olevad sissemurdmise alarmsüsteemid, liikluses või tööstuses kasutatavad liikumise kontrolli- või loendussüsteemid;

| b. | tööstusseadmed, mida kasutatakse soojuse voolamise kontrollimiseks või seireks hoonetes, seadmetes või tootmisprotsessides; |
| --- | --- |

b.

tööstusseadmed, mida kasutatakse soojuse voolamise kontrollimiseks või seireks hoonetes, seadmetes või tootmisprotsessides;

| c. | tööstusseadmed, mida kasutatakse materjalide omaduste kontrollimiseks, sorteerimiseks või analüüsiks; |
| --- | --- |

c.

tööstusseadmed, mida kasutatakse materjalide omaduste kontrollimiseks, sorteerimiseks või analüüsiks;

| d. | laboratoorseks kasutamiseks kavandatud seadmed; või |
| --- | --- |

d.

laboratoorseks kasutamiseks kavandatud seadmed; või

| e. | meditsiiniseadmed. |
| --- | --- |

e.

meditsiiniseadmed.

6A004Optika

| a. | Järgmised optilised peeglid (reflektorid):






  1. | deformeeritavad peeglid pideva või mitmeelemendilise pinnakihiga ja nende jaoks ettenähtud komponendid, mis võimaldavad peegli pinnakihi osade dünaamilist ümberpositsioneerimist kiirusega üle 100 Hz; |
| --- | --- | --- |

a.

Järgmised optilised peeglid (reflektorid):

1.

deformeeritavad peeglid pideva või mitmeelemendilise pinnakihiga ja nende jaoks ettenähtud komponendid, mis võimaldavad peegli pinnakihi osade dünaamilist ümberpositsioneerimist kiirusega üle 100 Hz;

| 2. | kergekaalulised monoliitsed peeglid keskmise ekvivalenttihedusega alla 30 kg/m2 ja täismassiga üle 10 kg; |
| --- | --- |

2.

kergekaalulised monoliitsed peeglid keskmise ekvivalenttihedusega alla 30 kg/m2 ja täismassiga üle 10 kg;

| 3. | komposiit- või vahtstruktuurid kergpeeglid, mille keskmine ekvivalenttihedus on väiksem kui 30 kg/m2 ja täismass üle 2 kg; |
| --- | --- |

3.

komposiit- või vahtstruktuurid kergpeeglid, mille keskmine ekvivalenttihedus on väiksem kui 30 kg/m2 ja täismass üle 2 kg;

| 4. | kiirejuhtimispeeglid üle 100 mm diameetriga või põhitelje pikkusega, pinnatasasusega l/2 või parem (kusjuures l = 633 nm), mille reguleerimisriba laius ületab 100 Hz. |
| --- | --- |

4.

kiirejuhtimispeeglid üle 100 mm diameetriga või põhitelje pikkusega, pinnatasasusega l/2 või parem (kusjuures l = 633 nm), mille reguleerimisriba laius ületab 100 Hz.

| b. | Tsinkseleniidist (ZnSe) või tsinksulfiidist (ZnS) valmistatud optilised komponendid läbilaskvusega lainepikkuste piirkonnas 3 000 nm kuni 25 000 nm, millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | maht üle 100 cm3; või |
| --- | --- | --- |

b.

Tsinkseleniidist (ZnSe) või tsinksulfiidist (ZnS) valmistatud optilised komponendid läbilaskvusega lainepikkuste piirkonnas 3 000 nm kuni 25 000 nm, millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

maht üle 100 cm3; või

| 2. | diameeter või peatelje pikkus üle 80 mm ja paksus (sügavus) üle 20 mm. |
| --- | --- |

2.

diameeter või peatelje pikkus üle 80 mm ja paksus (sügavus) üle 20 mm.

| c. | Järgmised kosmosekindlad optiliste süsteemide komponendid:






  1. | mida on kergendatud vähem kui 20 %-ni ekvivalenttiheduse väärtusest, võrreldes sama paksuse ja apertuuriga tahkistoorikuga; |
| --- | --- | --- |

c.

Järgmised kosmosekindlad optiliste süsteemide komponendid:

1.

mida on kergendatud vähem kui 20 %-ni ekvivalenttiheduse väärtusest, võrreldes sama paksuse ja apertuuriga tahkistoorikuga;

| 2. | töötlemata põhimikud, töödeldud põhimikud, millel on pinnakate (ühe- ja mitmekihiliste metalsete, dielektriliste, juhtivate, pooljuhtivate või isoleerivate katetega) või kaitsekiled; |
| --- | --- |

2.

töötlemata põhimikud, töödeldud põhimikud, millel on pinnakate (ühe- ja mitmekihiliste metalsete, dielektriliste, juhtivate, pooljuhtivate või isoleerivate katetega) või kaitsekiled;

| 3. | peeglite segmendid või koostad, mis on kavandatud optilise süsteemi montaažiks kosmoses, mille koguv apertuur on võrdväärne või suurem kui 1-meetrilise läbimõõduga üksikul optilisel süsteemil; |
| --- | --- |

3.

peeglite segmendid või koostad, mis on kavandatud optilise süsteemi montaažiks kosmoses, mille koguv apertuur on võrdväärne või suurem kui 1-meetrilise läbimõõduga üksikul optilisel süsteemil;

| 4. | valmistatud komposiitmaterjalidest, mille lineaarne soojuspaisumistegur mis tahes telje suunas ei ole üle 5×10-6; |
| --- | --- |

4.

valmistatud komposiitmaterjalidest, mille lineaarne soojuspaisumistegur mis tahes telje suunas ei ole üle 5×10-6;

| d. | Järgmised optilised juhtseadmed:






  1. | spetsiaalselt kavandatud punktis 6A004.c.1 või 6A004.c.3 nimetatud kosmosekindlate komponentide pinnakuju või orientatsiooni säilitamiseks; |
| --- | --- | --- |

d.

Järgmised optilised juhtseadmed:

1.

spetsiaalselt kavandatud punktis 6A004.c.1 või 6A004.c.3 nimetatud kosmosekindlate komponentide pinnakuju või orientatsiooni säilitamiseks;

| 2. | juhtimise, jälgimise, stabiliseerimise või resonaatori häälestamise ribalaiused on 100 Hz või rohkem ja täpsus 10 μrad (mikroradiaani) või vähem; |
| --- | --- |

2.

juhtimise, jälgimise, stabiliseerimise või resonaatori häälestamise ribalaiused on 100 Hz või rohkem ja täpsus 10 μrad (mikroradiaani) või vähem;

| 3. | kardaanriputid, millel on kõik järgmised omadused:






  a. | maksimaalne pöördenurk üle 5°; |
| --- | --- | --- |

3.

kardaanriputid, millel on kõik järgmised omadused:

a.

maksimaalne pöördenurk üle 5°;

| b. | ribalaius 100 Hz või rohkem; |
| --- | --- |

b.

ribalaius 100 Hz või rohkem;

| c. | nurga fikseerimise viga 200 μrad (mikroradiaani) või vähem; ja |
| --- | --- |

c.

nurga fikseerimise viga 200 μrad (mikroradiaani) või vähem; ja

| d. | mis tahes järgmise omadusega:






  1. | diameetri või peatelje pikkus on üle 0,15 m, kuid vähem kui 1 m, ja võimaldab nurkkiirendust 2 rad/s2; või |
| --- | --- | --- |

d.

mis tahes järgmise omadusega:

1.

diameetri või peatelje pikkus on üle 0,15 m, kuid vähem kui 1 m, ja võimaldab nurkkiirendust 2 rad/s2; või

| 2. | diameetri või peatelje pikkus on üle 1 m ja võimaldab nurkkiirendust 0,5 rad/s2; |
| --- | --- |

2.

diameetri või peatelje pikkus on üle 1 m ja võimaldab nurkkiirendust 0,5 rad/s2;

| 4. | seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud häälestuse hoidmiseks faseeritud maatriksile või segmentpeeglite süsteemidele, mis koosnevad peeglitest, mille segmendi diameeter või peatelje pikkus on 1 m või rohkem. |
| --- | --- |

4.

seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud häälestuse hoidmiseks faseeritud maatriksile või segmentpeeglite süsteemidele, mis koosnevad peeglitest, mille segmendi diameeter või peatelje pikkus on 1 m või rohkem.

| e. | Mittesfäärilised optilised elemendid, millel on kõik järgmised omadused:






  1. | optilise ava suurim mõõde on üle 400 mm; |
| --- | --- | --- |

e.

Mittesfäärilised optilised elemendid, millel on kõik järgmised omadused:

1.

optilise ava suurim mõõde on üle 400 mm;

| 2. | pinna ebatasasus on väiksem kui 1 nm (ruutkeskmine) valimi pikkusel, mis on võrdne või suurem kui 1 mm; ja |
| --- | --- |

2.

pinna ebatasasus on väiksem kui 1 nm (ruutkeskmine) valimi pikkusel, mis on võrdne või suurem kui 1 mm; ja

| 3. | lineaarse soojuspaisumise absoluutsuuruse tegur on väiksem kui 3×10-6/K, 25 °C juures. |
| --- | --- |

3.

lineaarse soojuspaisumise absoluutsuuruse tegur on väiksem kui 3×10-6/K, 25 °C juures.

Tehnilised märkused

| 1. | Mittesfääriline optiline element on mis tahes optilises süsteemis kasutatav element, mille kujutispind või pinnad on projekteeritud erinema ideaalse sfääri kujust. |
| --- | --- |

1.

Mittesfääriline optiline element on mis tahes optilises süsteemis kasutatav element, mille kujutispind või pinnad on projekteeritud erinema ideaalse sfääri kujust.

| 2. | Valmistajatelt ei nõuta punktis 6A004.e.2 nimetatud pinna ebatasasuse mõõtmist, kui optiline element ei ole kavandatud või valmistatud kavatsusega kontrollparameetrile vastata või seda ületada. |
| --- | --- |

2.

Valmistajatelt ei nõuta punktis 6A004.e.2 nimetatud pinna ebatasasuse mõõtmist, kui optiline element ei ole kavandatud või valmistatud kavatsusega kontrollparameetrile vastata või seda ületada.

Märkus Punkt 600A4.e ei hõlma mittesfäärilisi optilisi elemente, millel on mis tahes järgmine omadus:

| a. | suurim optilise ava mõõde on väiksem kui 1 m ja fookuskauguse suhe ava suurusesse on võrdne või suurem kui 4,5:1; |
| --- | --- |

a.

suurim optilise ava mõõde on väiksem kui 1 m ja fookuskauguse suhe ava suurusesse on võrdne või suurem kui 4,5:1;

| b. | suurim optilise ava mõõde on võrdne või suurem kui 1 m ja fookuskauguse suhe ava suurusesse on võrdne või suurem kui 7:1; |
| --- | --- |

b.

suurim optilise ava mõõde on võrdne või suurem kui 1 m ja fookuskauguse suhe ava suurusesse on võrdne või suurem kui 7:1;

| c. | kavandatud Fresnel-, flyeye-, vööt-, prisma- või difrakteeriv-tüüpi optilise elemendina; |
| --- | --- |

c.

kavandatud Fresnel-, flyeye-, vööt-, prisma- või difrakteeriv-tüüpi optilise elemendina;

| d. | valmistatud boorsilikaatklaasist, mille lineaarse soojuspaisumise tegur on suurem kui 2,5×10-6/K 25 °C; või |
| --- | --- |

d.

valmistatud boorsilikaatklaasist, mille lineaarse soojuspaisumise tegur on suurem kui 2,5×10-6/K 25 °C; või

| e. | on röntgenoptiline element, millel on sisepeegli omadused (nt toru-tüüpi peeglid). |
| --- | --- |

e.

on röntgenoptiline element, millel on sisepeegli omadused (nt toru-tüüpi peeglid).

NB! Mittesfääriliste optiliste elementide kohta, mis on spetsiaalselt kavandatud litograafiaseadmetele, vaata punkti 3B001.

6A005
  Laserid, muud kui punktis 0B001.g.5 või 0B001.h.6 nimetatud, komponendid ning optilised seadmed:

NB! VT KA PUNKTI 6A205.

Märkus 1: Impulsslaserite hulka kuuluvad ka need laserid, mis töötavad impulsistatuna pidevlaine (CW) moodis.

Märkus 2: Impulssergastusega laserite hulka kuuluvad ka need laserid, mis töötavad pidevergastusmoodis, kui neile on rakendatud impulssergastus.

Märkus 3: Raman-laserite kontrolli alla kuulumine määratakse pumpava laseri parameetrite alusel. Pumpavaks laseriks võib olla mis tahes allpool kirjeldatud laser.

| a. | Gaaslaserid:






  1. | eksimeerlaserid, millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | laserkiirguse lainepikkus ei ole üle 150 nm ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | väljundenergia üle 50 mJ impulsi kohta; või |
| --- | --- | --- | --- | --- |

a.

Gaaslaserid:

1.

eksimeerlaserid, millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

laserkiirguse lainepikkus ei ole üle 150 nm ja millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

väljundenergia üle 50 mJ impulsi kohta; või

| 2. | keskmise väljundvõimsusega üle 1 W; |
| --- | --- |

2.

keskmise väljundvõimsusega üle 1 W;

| b. | väljundkiirguse lainepikkus üle 150 nm, kuid mitte üle 190 nm, ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | väljundenergia üle 1,5 J impulsi kohta; või |
| --- | --- | --- |

b.

väljundkiirguse lainepikkus üle 150 nm, kuid mitte üle 190 nm, ja millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

väljundenergia üle 1,5 J impulsi kohta; või

| 2. | keskmise väljundvõimsusega üle 120 W; |
| --- | --- |

2.

keskmise väljundvõimsusega üle 120 W;

| c. | väljundkiirguse lainepikkus üle 190 nm, kuid mitte üle 360 nm, ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | väljundenergia üle 10 J impulsi kohta; või |
| --- | --- | --- |

c.

väljundkiirguse lainepikkus üle 190 nm, kuid mitte üle 360 nm, ja millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

väljundenergia üle 10 J impulsi kohta; või

| 2. | keskmise väljundvõimsusega üle 500 W; või |
| --- | --- |

2.

keskmise väljundvõimsusega üle 500 W; või

| d. | laseri väljundkiirguse lainepikkus on üle 360 nm ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | väljundenergia üle 1,5 J impulsi kohta; või |
| --- | --- | --- |

d.

laseri väljundkiirguse lainepikkus on üle 360 nm ja millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

väljundenergia üle 1,5 J impulsi kohta; või

| 2. | keskmise väljundvõimsusega üle 30 W; |
| --- | --- |

2.

keskmise väljundvõimsusega üle 30 W;

NB! Eksimeerlaserite kohta, mis on spetsiaalselt kavandatud litograafiaseadmete jaoks, vt punkti 3B001.

| 2. | Metalliaurudel töötavad laserid:






  a. | vask(Cu)laserid, mille keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus on üle 20 W; |
| --- | --- | --- |

2.

Metalliaurudel töötavad laserid:

a.

vask(Cu)laserid, mille keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus on üle 20 W;

| b. | kuld(Au)laserid, mille keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus on üle 5 W; |
| --- | --- |

b.

kuld(Au)laserid, mille keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus on üle 5 W;

| c. | naatrium(Na)laserid, mille väljundvõimsus on üle 5 W; |
| --- | --- |

c.

naatrium(Na)laserid, mille väljundvõimsus on üle 5 W;

| d. | baarium(Ba)laserid, mille keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus on üle 2 W; |
| --- | --- |

d.

baarium(Ba)laserid, mille keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus on üle 2 W;

| 3. | süsinikoksiid(CO)laserid, millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | väljundenergia üle 2 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 5 kW; või |
| --- | --- | --- |

3.

süsinikoksiid(CO)laserid, millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

väljundenergia üle 2 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 5 kW; või

| b. | keskmise võimsuse või pidevlaine (CW) väljundvõimsusega üle 5 kW; |
| --- | --- |

b.

keskmise võimsuse või pidevlaine (CW) väljundvõimsusega üle 5 kW;

| 4. | süsinikdioksiid(CO2) laserid, millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 15 kW; |
| --- | --- | --- |

4.

süsinikdioksiid(CO2) laserid, millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 15 kW;

| b. | laserkiirguse impulsi kestusega üle 10 μs ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | keskmise väljundvõimsusega üle 10 kW; või |
| --- | --- | --- |

b.

laserkiirguse impulsi kestusega üle 10 μs ja millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

keskmise väljundvõimsusega üle 10 kW; või

| 2. | impulsi tippvõimsus üle 100 kW; või |
| --- | --- |

2.

impulsi tippvõimsus üle 100 kW; või

| c. | laserkiirguse impulsi kestusega 10 μs või rohkem; ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | Väljundenergia üle 5 J impulsi kohta; või |
| --- | --- | --- |

c.

laserkiirguse impulsi kestusega 10 μs või rohkem; ja millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

Väljundenergia üle 5 J impulsi kohta; või

| 2. | Keskmise väljundvõimsusega üle 2,5 kW; |
| --- | --- |

2.

Keskmise väljundvõimsusega üle 2,5 kW;

| 5. | kemolaserid:






  a. | vesinikfluoriid(HF)laserid; |
| --- | --- | --- |

5.

kemolaserid:

a.

vesinikfluoriid(HF)laserid;

| b. | deuteeriumfluoriid(DF)laserid; |
| --- | --- |

b.

deuteeriumfluoriid(DF)laserid;

| c. | siirdelaserid:






  1. | hapnikjood(O2I)laserid; |
| --- | --- | --- |

c.

siirdelaserid:

1.

hapnikjood(O2I)laserid;

| 2. | deuteeriumfluoriidsüsinikdioksiid(DF-CO2) laserid; |
| --- | --- |

2.

deuteeriumfluoriidsüsinikdioksiid(DF-CO2) laserid;

| 6. | krüptoonioon- või argoonioonlaserid, millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | väljundenergia üle 1,5 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 50 W; või |
| --- | --- | --- |

6.

krüptoonioon- või argoonioonlaserid, millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

väljundenergia üle 1,5 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 50 W; või

| b. | keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 50 W; |
| --- | --- |

b.

keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 50 W;

| 7. | Muud gaaslaserid, millel on mis tahes järgmine omadus:


  Märkus: Punkt 6A001 ei hõlma lämmastiklasereid.







  a. | laserkiirguse lainepikkus ei ole üle 150 nm ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | väljundenergia üle 50 mJ impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 1 W; või |
| --- | --- | --- | --- |

7.

Muud gaaslaserid, millel on mis tahes järgmine omadus:

Märkus: Punkt 6A001 ei hõlma lämmastiklasereid.

a.

laserkiirguse lainepikkus ei ole üle 150 nm ja millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

väljundenergia üle 50 mJ impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 1 W; või

| 2. | keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 1 W; |
| --- | --- |

2.

keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 1 W;

| b. | väljundkiirguse lainepikkus üle 150 nm, kuid mitte üle 800 nm, ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | väljundenergia üle 1,5 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 30 W; või |
| --- | --- | --- |

b.

väljundkiirguse lainepikkus üle 150 nm, kuid mitte üle 800 nm, ja millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

väljundenergia üle 1,5 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 30 W; või

| 2. | keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 30 W; |
| --- | --- |

2.

keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 30 W;

| c. | väljundkiirguse lainepikkus üle 800 nm, kuid mitte üle 1 400 nm, ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | väljundenergia üle 0,25 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 10 W; või |
| --- | --- | --- |

c.

väljundkiirguse lainepikkus üle 800 nm, kuid mitte üle 1 400 nm, ja millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

väljundenergia üle 0,25 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 10 W; või

| 2. | keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 10 W; või |
| --- | --- |

2.

keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 10 W; või

| d. | laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1 400 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 1 W. |
| --- | --- |

d.

laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1 400 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 1 W.

| b. | Kemolaserid:






  1. | üksikud ristimoodiga, ühemoodilised pooljuhtlaserid, millel on mis tahes järgmised omadused:






  a. | laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1 510 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 1,5 W; või |
| --- | --- | --- | --- |

b.

Kemolaserid:

1.

üksikud ristimoodiga, ühemoodilised pooljuhtlaserid, millel on mis tahes järgmised omadused:

a.

laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1 510 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 1,5 W; või

| b. | laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1 510 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 500 mW; |
| --- | --- |

b.

laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1 510 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 500 mW;

| 2. | üksikud ristimoodiga, mitmikmoodilised pooljuhtlaserid, millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1 400 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 10 W; |
| --- | --- | --- |

2.

üksikud ristimoodiga, mitmikmoodilised pooljuhtlaserid, millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1 400 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 10 W;

| b. | laseri väljundkiirguse lainepikkus 1 400 nm või suurem ja väiksem kui 1 900 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 2,5 W; või |
| --- | --- |

b.

laseri väljundkiirguse lainepikkus 1 400 nm või suurem ja väiksem kui 1 900 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 2,5 W; või

| c. | laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1 900 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 1 W; |
| --- | --- |

c.

laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1 900 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 1 W;

| 3. | üksikute pooljuhtlaserite massiivid, millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1 400 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 80 W; |
| --- | --- | --- |

3.

üksikute pooljuhtlaserite massiivid, millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1 400 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 80 W;

| b. | laseri väljundkiirguse lainepikkus 1 400 nm või suurem ja väiksem kui 1 900 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 25 W; või |
| --- | --- |

b.

laseri väljundkiirguse lainepikkus 1 400 nm või suurem ja väiksem kui 1 900 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 25 W; või

| c. | laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1 900 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 10 W; |
| --- | --- |

c.

laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1 900 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 10 W;

| 4. | pooljuhtlaserite liitmassiivid, mis sisaldavad vähemalt üht punktiga 6A005.b.3 hõlmatud massiivi. |
| --- | --- |

4.

pooljuhtlaserite liitmassiivid, mis sisaldavad vähemalt üht punktiga 6A005.b.3 hõlmatud massiivi.

Tehnilised märkused:

| 1. | Pooljuhtlasereid nimetatakse sageli laserdioodideks. |
| --- | --- |

1.

Pooljuhtlasereid nimetatakse sageli laserdioodideks.

| 2. | Massiiv koosneb mitmest pooljuhtlaserist, mis on toodetud ühe kiibina, nii et nende kiiratavate valguskiirte keskpunktid on paralleelsed. |
| --- | --- |

2.

Massiiv koosneb mitmest pooljuhtlaserist, mis on toodetud ühe kiibina, nii et nende kiiratavate valguskiirte keskpunktid on paralleelsed.

| 3. | Liitmassiiv valmistatakse massiivide liitmise või muudmoodi ühendamise teel, nii et nende kiiratavate valguskiirte keskpunktid on paralleelsed. |
| --- | --- |

3.

Liitmassiiv valmistatakse massiivide liitmise või muudmoodi ühendamise teel, nii et nende kiiratavate valguskiirte keskpunktid on paralleelsed.

Märkus 1: Punkt 6A005.b hõlmab ka pooljuhtlasereid, millel on optilised väljundliitmikud (nt kiudoptilised "patsid").

Märkus 2: Nende pooljuhtlaserite kontrolli alla kuulumine, mis on spetsiaalselt kavandatud muude seadmete jaoks, määratakse muude seadmete kontrolli alla kuulumisega.

| c. | Tahkislaserid:






  1. | timmitavad laserid, millel on mis tahes järgmine omadus:


  Märkus: Punkt 6A005.c.1 hõlmab titaan-safiir (Ti: Al2O3)-, tuulium-YAG (Tm: YAG)-, tuulium-YSGG (Tm: YSGG), aleksandriit (Cr: BeAl2O4)- ja värvustsenterlasereid.







  a. | laseri väljundkiirguse lainepikkus on lühem kui 600 nm ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | väljundenergia üle 50 mJ impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 1 W; või |
| --- | --- | --- | --- | --- |

c.

Tahkislaserid:

1.

timmitavad laserid, millel on mis tahes järgmine omadus:

Märkus: Punkt 6A005.c.1 hõlmab titaan-safiir (Ti: Al2O3)-, tuulium-YAG (Tm: YAG)-, tuulium-YSGG (Tm: YSGG), aleksandriit (Cr: BeAl2O4)- ja värvustsenterlasereid.

a.

laseri väljundkiirguse lainepikkus on lühem kui 600 nm ja millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

väljundenergia üle 50 mJ impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 1 W; või

| 2. | keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 1 W; |
| --- | --- |

2.

keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 1 W;

| b. | laseri väljundkiirguse lainepikkus on üle 600 nm, kuid mitte üle 1 400 nm, ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | väljundenergia üle 1 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 20 W; või |
| --- | --- | --- |

b.

laseri väljundkiirguse lainepikkus on üle 600 nm, kuid mitte üle 1 400 nm, ja millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

väljundenergia üle 1 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 20 W; või

| 2. | keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 20 W; või |
| --- | --- |

2.

keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 20 W; või

| c. | laseri väljundkiirguse lainepikkus on üle 1 400 nm ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | väljundenergia üle 50 mJ impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 1 W; või |
| --- | --- | --- |

c.

laseri väljundkiirguse lainepikkus on üle 1 400 nm ja millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

väljundenergia üle 50 mJ impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 1 W; või

| 2. | keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 1 W; |
| --- | --- |

2.

keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 1 W;

| 2. | mittetimmitavad laserid:


  Märkus: Punkt 6A005.c.2 hõlmab ka aatomsiirdetahkislasereid







  a. | neodüümklaaslaserid:






  1. | hiidvälkelaserid, millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | väljundenergia üle 20 J, kuid mitte üle 50 J impulsi kohta, ja keskmine väljundvõimsus üle 10 W; või |
| --- | --- | --- | --- | --- |

2.

mittetimmitavad laserid:

Märkus: Punkt 6A005.c.2 hõlmab ka aatomsiirdetahkislasereid

a.

neodüümklaaslaserid:

1.

hiidvälkelaserid, millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

väljundenergia üle 20 J, kuid mitte üle 50 J impulsi kohta, ja keskmine väljundvõimsus üle 10 W; või

| b. | väljundenergia üle 50 J impulsi kohta; |
| --- | --- |

b.

väljundenergia üle 50 J impulsi kohta;

| 2. | mittehiidvälkelaserid, millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | väljundenergia üle 50 J, kuid mitte üle 100 J impulsi kohta, ja keskmine väljundvõimsus üle 20 W; või |
| --- | --- | --- |

2.

mittehiidvälkelaserid, millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

väljundenergia üle 50 J, kuid mitte üle 100 J impulsi kohta, ja keskmine väljundvõimsus üle 20 W; või

| b. | väljundenergia üle 100 J impulsi kohta; |
| --- | --- |

b.

väljundenergia üle 100 J impulsi kohta;

| b. | neodüümlisandiga laserid (v.a neodüümklaaslaserid), mille väljundkiirguse lainepikkus on üle 1 000 nm, kuid mitte üle 1 100 nm:


  NB! Neodüümlisandiga laserite (v.a neodüümklaaslaserid) kohta, mille väljundkiirguse lainepikkus ei ole üle 1 000 nm või on üle 1 100 nm, vaata punkti 6A005.c.2.c.







  1. | impulssergastusega sünkroniseeritud moodiga hiidvälkelaserid, mille laserkiirguse impulsi kestus on vähem kui 1 ns ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | tippvõimsus üle 5 GW; |
| --- | --- | --- | --- |

b.

neodüümlisandiga laserid (v.a neodüümklaaslaserid), mille väljundkiirguse lainepikkus on üle 1 000 nm, kuid mitte üle 1 100 nm:

NB! Neodüümlisandiga laserite (v.a neodüümklaaslaserid) kohta, mille väljundkiirguse lainepikkus ei ole üle 1 000 nm või on üle 1 100 nm, vaata punkti 6A005.c.2.c.

1.

impulssergastusega sünkroniseeritud moodiga hiidvälkelaserid, mille laserkiirguse impulsi kestus on vähem kui 1 ns ja millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

tippvõimsus üle 5 GW;

| b. | keskmise väljundvõimsusega üle 10 W; või |
| --- | --- |

b.

keskmise väljundvõimsusega üle 10 W; või

| c. | impulsienergiaga üle 0,1 J; |
| --- | --- |

c.

impulsienergiaga üle 0,1 J;

| 2. | impulssergastusega hiidvälkelaserid laserkiirguse impulsi kestusega 1 ns või rohkem, millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | ristimoodiga, ühemoodiline väljundkiirgus:






  1. | tippvõimsusega üle 100 MW; |
| --- | --- | --- | --- |

2.

impulssergastusega hiidvälkelaserid laserkiirguse impulsi kestusega 1 ns või rohkem, millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

ristimoodiga, ühemoodiline väljundkiirgus:

1.

tippvõimsusega üle 100 MW;

| 2. | keskmise väljundvõimsusega üle 20 W; või |
| --- | --- |

2.

keskmise väljundvõimsusega üle 20 W; või

| 3. | impulsienergiaga üle 2 J; või |
| --- | --- |

3.

impulsienergiaga üle 2 J; või

| b. | ristimoodiga, mitmikmoodiline väljundkiirgus:






  1. | tippvõimsusega üle 400 MW; |
| --- | --- | --- |

b.

ristimoodiga, mitmikmoodiline väljundkiirgus:

1.

tippvõimsusega üle 400 MW;

| 2. | keskmise väljundvõimsusega üle 2 kW; või |
| --- | --- |

2.

keskmise väljundvõimsusega üle 2 kW; või

| 3. | impulsienergiaga üle 2 J; |
| --- | --- |

3.

impulsienergiaga üle 2 J;

| 3. | impulssergastusega mittehiidvälkelaserid, millel on:






  a. | ristimoodiga, ühemoodiline väljundkiirgus:






  1. | tippvõimsusega üle 500 kW; või |
| --- | --- | --- | --- |

3.

impulssergastusega mittehiidvälkelaserid, millel on:

a.

ristimoodiga, ühemoodiline väljundkiirgus:

1.

tippvõimsusega üle 500 kW; või

| 2. | keskmise väljundvõimsusega üle 150 W; või |
| --- | --- |

2.

keskmise väljundvõimsusega üle 150 W; või

| b. | ristimoodiga, mitmikmoodiline väljundkiirgus:






  1. | tippvõimsusega üle 1 MW; või |
| --- | --- | --- |

b.

ristimoodiga, mitmikmoodiline väljundkiirgus:

1.

tippvõimsusega üle 1 MW; või

| 2. | keskmise võimsusega üle 2 kW; |
| --- | --- |

2.

keskmise võimsusega üle 2 kW;

| 4. | pidevergastamisega laserid, millel on:






  a. | ristimoodiga, ühemoodiline väljundkiirgus:






  1. | tippvõimsusega üle 500 kW; või |
| --- | --- | --- | --- |

4.

pidevergastamisega laserid, millel on:

a.

ristimoodiga, ühemoodiline väljundkiirgus:

1.

tippvõimsusega üle 500 kW; või

| 2. | keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 150 W; või |
| --- | --- |

2.

keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 150 W; või

| b. | ristimoodiga, mitmikmoodiline väljundkiirgus:






  1. | tippvõimsusega üle 1 MW; või |
| --- | --- | --- |

b.

ristimoodiga, mitmikmoodiline väljundkiirgus:

1.

tippvõimsusega üle 1 MW; või

| 2. | keskmise võimsuse või pidevlaine (CW) väljundvõimsusega üle 2 kW; |
| --- | --- |

2.

keskmise võimsuse või pidevlaine (CW) väljundvõimsusega üle 2 kW;

| c. | muud mittetimmitavad laserid, millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | laseri väljundkiirguse lainepikkus on vähem kui 150 nm ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | väljundenergia üle 50 mJ impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 1 W; või |
| --- | --- | --- | --- |

c.

muud mittetimmitavad laserid, millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

laseri väljundkiirguse lainepikkus on vähem kui 150 nm ja millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

väljundenergia üle 50 mJ impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 1 W; või

| b. | keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 1 W; |
| --- | --- |

b.

keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 1 W;

| 2. | laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 150 nm, kuid mitte üle 800 nm, ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | väljundenergia üle 1,5 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 30 W; või |
| --- | --- | --- |

2.

laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 150 nm, kuid mitte üle 800 nm, ja millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

väljundenergia üle 1,5 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 30 W; või

| b. | keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 30 W; |
| --- | --- |

b.

keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 30 W;

| 3. | laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 800 nm, kuid mitte üle 1 400 nm:






  a. | hiidvälkelaserid:






  1. | väljundenergia üle 0,5 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 50 W; või |
| --- | --- | --- | --- |

3.

laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 800 nm, kuid mitte üle 1 400 nm:

a.

hiidvälkelaserid:

1.

väljundenergia üle 0,5 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 50 W; või

| 2. | keskmine väljundvõimsus üle:






  a. | 10 W ristimoodiga, ühemoodilistel laseritel; |
| --- | --- | --- |

2.

keskmine väljundvõimsus üle:

a.

10 W ristimoodiga, ühemoodilistel laseritel;

| b. | 30 W ristimoodiga, mitmikmoodilistel laseritel; |
| --- | --- |

b.

30 W ristimoodiga, mitmikmoodilistel laseritel;

| b. | mittehiidvälkelaserid:






  1. | väljundenergia üle 2 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 50 W; või |
| --- | --- | --- |

b.

mittehiidvälkelaserid:

1.

väljundenergia üle 2 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 50 W; või

| 2. | keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 50 W; või |
| --- | --- |

2.

keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 50 W; või

| 4. | laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1 400 nm ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | väljundenergia üle 100 mJ impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 1 W; või |
| --- | --- | --- |

4.

laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1 400 nm ja millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

väljundenergia üle 100 mJ impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 1 W; või

| b. | keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 1 W; |
| --- | --- |

b.

keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 1 W;

| d. | Värvlaserid ja muud vedeliklaserid, millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | laseri väljundkiirguse lainepikkus on vähem kui 150 nm:






  a. | väljundenergia üle 50 mJ impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 1 W; või |
| --- | --- | --- | --- |

d.

Värvlaserid ja muud vedeliklaserid, millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

laseri väljundkiirguse lainepikkus on vähem kui 150 nm:

a.

väljundenergia üle 50 mJ impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 1 W; või

| b. | keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 1 W; |
| --- | --- |

b.

keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 1 W;

| 2. | laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 150 nm, kuid mitte üle 800 nm, ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | väljundenergia üle 1,5 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 20 W; |
| --- | --- | --- |

2.

laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 150 nm, kuid mitte üle 800 nm, ja millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

väljundenergia üle 1,5 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 20 W;

| b. | keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 20 W; või |
| --- | --- |

b.

keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 20 W; või

| c. | pulseeriv ühe pikimoodiline ostsillaator keskmise väljundvõimsusega üle 1 W ja impulsside kordussagedusega üle 1 kHz, kui impulsi kestus on lühem kui 100 ns; |
| --- | --- |

c.

pulseeriv ühe pikimoodiline ostsillaator keskmise väljundvõimsusega üle 1 W ja impulsside kordussagedusega üle 1 kHz, kui impulsi kestus on lühem kui 100 ns;

| 3. | laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 800 nm, kuid mitte üle 1 400 nm, ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | väljundenergia üle 0,5 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 10 W; või |
| --- | --- | --- |

3.

laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 800 nm, kuid mitte üle 1 400 nm, ja millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

väljundenergia üle 0,5 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 10 W; või

| b. | keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 10 W; või |
| --- | --- |

b.

keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 10 W; või

| 4. | laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1 400 nm ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | väljundenergia üle 100 mJ impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 1 W; või |
| --- | --- | --- |

4.

laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1 400 nm ja millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

väljundenergia üle 100 mJ impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 1 W; või

| b. | keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 1 W; |
| --- | --- |

b.

keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 1 W;

| e. | Järgmised komponendid:






  1. | aktiivjahutusega või soojusjuhtiva toru abil jahutatavad peeglid;
  Tehniline märkus:


  Aktiivjahutus on jahutustehnika optiliste detailide jahutamiseks, milleks kasutatakse detaili optilise pinna all voolavat vedelikku (tavaliselt vähem kui 1 mm kaugusel optilisest pinnast), et kõrvaldada optilise detaili pinnal tekkiv soojus. |
| --- | --- | --- |

e.

Järgmised komponendid:

1.

aktiivjahutusega või soojusjuhtiva toru abil jahutatavad peeglid;

Tehniline märkus:

Aktiivjahutus on jahutustehnika optiliste detailide jahutamiseks, milleks kasutatakse detaili optilise pinna all voolavat vedelikku (tavaliselt vähem kui 1 mm kaugusel optilisest pinnast), et kõrvaldada optilise detaili pinnal tekkiv soojus.

| 2. | optilised peeglid või täielikult või osaliselt valgust läbilaskvad optilised või elektro-optilised komponendid, mis on spetsiaalselt kavandatud kasutamiseks kontrolli alla kuuluvates laserites; |
| --- | --- |

2.

optilised peeglid või täielikult või osaliselt valgust läbilaskvad optilised või elektro-optilised komponendid, mis on spetsiaalselt kavandatud kasutamiseks kontrolli alla kuuluvates laserites;

| f. | Järgmised optilised seadmed:


  NB! Ühise avaga optiliste elementide kohta, mida on võimalik kasutada hiidvälkelaseris (SHPL), vaata sõjalise otstarbega kaupade nimekirja.







  1. | dünaamilist lainefronti (faasi) mõõtvad seadmed, mis võimaldavad kiire lainefrondil eristada vähemalt 50 positsiooni ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | kaadri sagedus on 100 Hz või rohkem ja faasi väljaeraldamise võime vähemalt 5 % kiire lainepikkusest; või |
| --- | --- | --- | --- |

f.

Järgmised optilised seadmed:

NB! Ühise avaga optiliste elementide kohta, mida on võimalik kasutada hiidvälkelaseris (SHPL), vaata sõjalise otstarbega kaupade nimekirja.

1.

dünaamilist lainefronti (faasi) mõõtvad seadmed, mis võimaldavad kiire lainefrondil eristada vähemalt 50 positsiooni ja millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

kaadri sagedus on 100 Hz või rohkem ja faasi väljaeraldamise võime vähemalt 5 % kiire lainepikkusest; või

| b. | kaadri sagedus on 1 000 Hz või rohkem ja faasi väljaeraldamise võime vähemalt 20 % kiire lainepikkusest; |
| --- | --- |

b.

kaadri sagedus on 1 000 Hz või rohkem ja faasi väljaeraldamise võime vähemalt 20 % kiire lainepikkusest;

| 2. | laserdiagnostika seadmed, mis võimaldavad mõõta hiidvälkelaseri (SHPL) süsteemi kiire nurgajuhtimise vigu, mis on 10 μrad või vähem; |
| --- | --- |

2.

laserdiagnostika seadmed, mis võimaldavad mõõta hiidvälkelaseri (SHPL) süsteemi kiire nurgajuhtimise vigu, mis on 10 μrad või vähem;

| 3. | optilised seadmed ning komponendid, mis on spetsiaalselt kavandatud faseeritud hiidvälkelasersüsteemide rühmale selle kiirte kombinatsiooni koherentsuse saavutamiseks täpsusega 1/10 kavandatud lainepikkusest või 0,1 μm, olenevalt sellest, kumb on väiksem; |
| --- | --- |

3.

optilised seadmed ning komponendid, mis on spetsiaalselt kavandatud faseeritud hiidvälkelasersüsteemide rühmale selle kiirte kombinatsiooni koherentsuse saavutamiseks täpsusega 1/10 kavandatud lainepikkusest või 0,1 μm, olenevalt sellest, kumb on väiksem;

| 4. | projektsiooniteleskoobid, mis on spetsiaalselt projekteeritud kasutamiseks koos hiidvälkelaserite (SHPL) süsteemidega. |
| --- | --- |

4.

projektsiooniteleskoobid, mis on spetsiaalselt projekteeritud kasutamiseks koos hiidvälkelaserite (SHPL) süsteemidega.

6A006
  Magnetomeetrid, magnetvälja gradiomeetrid, sisemised magnetvälja gradiomeetrid ja kompensatsioonisüsteemid ning nende jaoks ettenähtud komponendid:

Märkus: Punkt 6A006 ei hõlma vahendeid, mis on ette nähtud meditsiinidiagnostikas biomagnetiliste mõõtmiste tegemiseks.

| a. | magnetomeetrid, mis kasutavad ülijuhtivat, optilise pumpamise, tuumapretsessiooni (prooton/Overhauser) või kolmeteljelise õhupiluga tehnoloogiat, mille müratase (tundlikkus) on madalam (parem) ruutkeskmiselt kui 0,05 nT Hz ruutjuure kohta; |
| --- | --- |

a.

magnetomeetrid, mis kasutavad ülijuhtivat, optilise pumpamise, tuumapretsessiooni (prooton/Overhauser) või kolmeteljelise õhupiluga tehnoloogiat, mille müratase (tundlikkus) on madalam (parem) ruutkeskmiselt kui 0,05 nT Hz ruutjuure kohta;

| b. | induktiivsuspoolmagnetomeetrid, mille müratase (tundlikkus) on madalam (parem) ruutkeskmiselt kui:






  1. | 0,05 nT Hz ruutjuure kohta sagedustel alla 1 Hz; |
| --- | --- | --- |

b.

induktiivsuspoolmagnetomeetrid, mille müratase (tundlikkus) on madalam (parem) ruutkeskmiselt kui:

1.

0,05 nT Hz ruutjuure kohta sagedustel alla 1 Hz;

| 2. | 1 × 10–3 nT Hz ruutjuure kohta sagedustel 1–10 Hz; või |
| --- | --- |

2.

1 × 10–3 nT Hz ruutjuure kohta sagedustel 1–10 Hz; või

| 3. | 1 × 10–4 nT Hz ruutjuure kohta sagedustel üle 10 Hz; |
| --- | --- |

3.

1 × 10–4 nT Hz ruutjuure kohta sagedustel üle 10 Hz;

| c. | kiudoptilised magnetomeetrid, mille müratase (tundlikkus) on madalam (parem) ruutkeskmiselt kui 1 nT Hz ruutjuure kohta; |
| --- | --- |

c.

kiudoptilised magnetomeetrid, mille müratase (tundlikkus) on madalam (parem) ruutkeskmiselt kui 1 nT Hz ruutjuure kohta;

| d. | magnetvälja gradiomeetrid, mis sisaldavad punktis 6A006.a, 6A006.b või 6A006.c nimetatud kombineeritud magnetomeetreid; |
| --- | --- |

d.

magnetvälja gradiomeetrid, mis sisaldavad punktis 6A006.a, 6A006.b või 6A006.c nimetatud kombineeritud magnetomeetreid;

| e. | kiudoptilised sisemised magnetvälja gradiomeetrid, mille magnetilise gradientvälja müratase (tundlikkus) on madalam (parem) ruutkeskmiselt kui 0,3 nT/m Hz ruutjuure kohta; |
| --- | --- |

e.

kiudoptilised sisemised magnetvälja gradiomeetrid, mille magnetilise gradientvälja müratase (tundlikkus) on madalam (parem) ruutkeskmiselt kui 0,3 nT/m Hz ruutjuure kohta;

| f. | sisemised magnetvälja gradiomeetrid, mis kasutavad muud tehnoloogiat kui kiudoptilist, mille magnetilise gradientvälja müratase (tundlikkus) on madalam (parem) ruutkeskmiselt kui 0,015 nT/m Hz ruutjuure kohta; |
| --- | --- |

f.

sisemised magnetvälja gradiomeetrid, mis kasutavad muud tehnoloogiat kui kiudoptilist, mille magnetilise gradientvälja müratase (tundlikkus) on madalam (parem) ruutkeskmiselt kui 0,015 nT/m Hz ruutjuure kohta;

| g. | magnetvälja kompensatsioonisüsteemid magnetilistele anduritele, mis on kavandatud toimima liikuvatel alustel; |
| --- | --- |

g.

magnetvälja kompensatsioonisüsteemid magnetilistele anduritele, mis on kavandatud toimima liikuvatel alustel;

| h. | ülijuhtivad elektromagnetilised andurid, mis sisaldavad ülijuhtivatest materjalidest valmistatud komponente ning millel on kõik järgmised omadused:






  1. | kavandatud toimima allpool vähemalt ühe oma ülijuhtivast materjalist koostisosa kriitilist temperatuuri (kaasa arvatud Josephsoni efektil põhinevad seadmed või ülijuht-kvantinterferentsseadmed (SQUID)); |
| --- | --- | --- |

h.

ülijuhtivad elektromagnetilised andurid, mis sisaldavad ülijuhtivatest materjalidest valmistatud komponente ning millel on kõik järgmised omadused:

1.

kavandatud toimima allpool vähemalt ühe oma ülijuhtivast materjalist koostisosa kriitilist temperatuuri (kaasa arvatud Josephsoni efektil põhinevad seadmed või ülijuht-kvantinterferentsseadmed (SQUID));

| 2. | kavandatud tajuma elektromagnetilise välja muutusi sagedusel 1 kHz või vähem; ja: |
| --- | --- |

2.

kavandatud tajuma elektromagnetilise välja muutusi sagedusel 1 kHz või vähem; ja:

| 3. | mis tahes järgmise omadusega:






  a. | sisaldavad õhukesekilelisi SQUID-e, mille vähim mõõde on väiksem kui 2 μm, koos kaasneva sisend- ja väljundsidestusahelaga; |
| --- | --- | --- |

3.

mis tahes järgmise omadusega:

a.

sisaldavad õhukesekilelisi SQUID-e, mille vähim mõõde on väiksem kui 2 μm, koos kaasneva sisend- ja väljundsidestusahelaga;

| b. | konstrueeritud kasutamiseks magnetvälja muutumiskiirusel, mis on üle 1 × 106 magnetvoo kvandi sekundis; |
| --- | --- |

b.

konstrueeritud kasutamiseks magnetvälja muutumiskiirusel, mis on üle 1 × 106 magnetvoo kvandi sekundis;

| c. | kavandatud kasutamiseks Maa magnetväljas ilma magnetilise varjeta; või |
| --- | --- |

c.

kavandatud kasutamiseks Maa magnetväljas ilma magnetilise varjeta; või

| d. | temperatuuritegur on väiksem kui 0,1 magnetvoo kvanti Kelvini kohta. |
| --- | --- |

d.

temperatuuritegur on väiksem kui 0,1 magnetvoo kvanti Kelvini kohta.

6A007Gravimeetrid ja gravitatsiooni gradiomeetrid:

NB! VT KA PUNKTI 6A107.

| a. | Maapinnal kasutamiseks kavandatud või kohandatud gravimeetrid (raskusjõu mõõtjad), mille staatiline täpsus on vähem (parem) kui 10 μgal;


  Märkus: Punkt 6A007.a ei hõlma kvartselemendiga (Worden-tüüpi) maapinnagravimeetreid. |
| --- | --- |

a.

Maapinnal kasutamiseks kavandatud või kohandatud gravimeetrid (raskusjõu mõõtjad), mille staatiline täpsus on vähem (parem) kui 10 μgal;

Märkus: Punkt 6A007.a ei hõlma kvartselemendiga (Worden-tüüpi) maapinnagravimeetreid.

| b. | Gravimeetrid, mis on kavandatud liikuvatel alustel kasutamiseks ja millel on kõik järgmised omadused:






  1. | staatiline täpsus on vähem (parem) kui 0,7 mgal; ja |
| --- | --- | --- |

b.

Gravimeetrid, mis on kavandatud liikuvatel alustel kasutamiseks ja millel on kõik järgmised omadused:

1.

staatiline täpsus on vähem (parem) kui 0,7 mgal; ja

| 2. | kasutamistäpsus on vähem (parem) kui 0,7 mgal ja mõõtenäidu stabiliseerumisaeg on lühem kui 2 minutit kõigi kaasnevate korrigeerivate kompensatsioonide ja liikumismõjude kombinatsioonidena; |
| --- | --- |

2.

kasutamistäpsus on vähem (parem) kui 0,7 mgal ja mõõtenäidu stabiliseerumisaeg on lühem kui 2 minutit kõigi kaasnevate korrigeerivate kompensatsioonide ja liikumismõjude kombinatsioonidena;

| c. | Gravitatsiooni gradiomeetrid. |
| --- | --- |

c.

Gravitatsiooni gradiomeetrid.

6A008Radarisüsteemid, -seadmed ja -sõlmed ning nende jaoks ettenähtud komponendid, millel on järgmine omadus:

NB! VT KA PUNKTI 6A108.

Märkus: Punkt 6A008 ei hõlma järgmist:

| a. | sekundaarseireradarid (SSR); |
| --- | --- |

a.

sekundaarseireradarid (SSR);

| b. | autoradarid, mis on ette nähtud kokkupõrgete ärahoidmiseks; |
| --- | --- |

b.

autoradarid, mis on ette nähtud kokkupõrgete ärahoidmiseks;

| c. | kuvarid või monitorid, mida kasutatakse lennujuhtimises ja millel on kuni 12 lahutatavat elementi 1 mm kohta; |
| --- | --- |

c.

kuvarid või monitorid, mida kasutatakse lennujuhtimises ja millel on kuni 12 lahutatavat elementi 1 mm kohta;

| d. | meteoroloogilised (ilmastiku) radarsüsteemid. |
| --- | --- |

d.

meteoroloogilised (ilmastiku) radarsüsteemid.

| a. | mis töötavad sagedusvahemikus 40–230 GHz ning mille keskmise väljundvõimsus on üle 100 mW; |
| --- | --- |

a.

mis töötavad sagedusvahemikus 40–230 GHz ning mille keskmise väljundvõimsus on üle 100 mW;

| b. | reguleeritava sagedusribaga, mille reguleerimisulatus on üle ± 6,25 % töösageduse keskmisest väärtusest;
  Tehniline märkus:


  Töösageduse keskmine väärtus on võrdne kirjeldatud kõrgema ja madalama töösageduse poolsummaga. |
| --- | --- |

b.

reguleeritava sagedusribaga, mille reguleerimisulatus on üle ± 6,25 % töösageduse keskmisest väärtusest;

Tehniline märkus:

Töösageduse keskmine väärtus on võrdne kirjeldatud kõrgema ja madalama töösageduse poolsummaga.

| c. | võimelised töötama üheaegselt rohkem kui kahel kandesagedusel; |
| --- | --- |

c.

võimelised töötama üheaegselt rohkem kui kahel kandesagedusel;

| d. | võimelised töötama sünteesapertuuriga radari (SAR), inverteeritud sünteesapertuuriga radari (ISAR) või õhusõiduki pardal oleva külgvaateradari (SLAR) režiimil; |
| --- | --- |

d.

võimelised töötama sünteesapertuuriga radari (SAR), inverteeritud sünteesapertuuriga radari (ISAR) või õhusõiduki pardal oleva külgvaateradari (SLAR) režiimil;

| e. | sisaldavad elektrooniliselt formeeritava suunadiagrammiga antenne; |
| --- | --- |

e.

sisaldavad elektrooniliselt formeeritava suunadiagrammiga antenne;

| f. | võimaldavad määrata ennast mitteidentifitseerivate (non-cooperative) sihtmärkide kõrguse;


  Märkus: Punkt 6A008.f ei hõlma täppislähenemiseradari (PAR) seadmestikku, mis vastab Rahvusvahelise Tsiviillennundusorganisatsiooni (ICAO) standarditele. |
| --- | --- |

f.

võimaldavad määrata ennast mitteidentifitseerivate (non-cooperative) sihtmärkide kõrguse;

Märkus: Punkt 6A008.f ei hõlma täppislähenemiseradari (PAR) seadmestikku, mis vastab Rahvusvahelise Tsiviillennundusorganisatsiooni (ICAO) standarditele.

| g. | spetsiaalselt kavandatud õhusõidukitel (õhupallidele või plaaneritele kinnitatuna) kasutamiseks ning omab Doppleri signaalitöötlusvõimalust liikuvate sihtmärkide avastamiseks; |
| --- | --- |

g.

spetsiaalselt kavandatud õhusõidukitel (õhupallidele või plaaneritele kinnitatuna) kasutamiseks ning omab Doppleri signaalitöötlusvõimalust liikuvate sihtmärkide avastamiseks;

| h. | mis töötlevad radarisignaale, kasutades järgmist:






  1. | radari hajaspektri tehnika; või |
| --- | --- | --- |

h.

mis töötlevad radarisignaale, kasutades järgmist:

1.

radari hajaspektri tehnika; või

| 2. | radari sagedusliikuvuse tehnika; |
| --- | --- |

2.

radari sagedusliikuvuse tehnika;

| i. | mis tagavad maapinnal töötades üle 185 km maksimaalse nägemisulatuse;


  Märkus: Punkt 6A008.i ei hõlma järgmist:








  a. | kalastuspiirkondade seireradarid; |
| --- | --- | --- |

i.

mis tagavad maapinnal töötades üle 185 km maksimaalse nägemisulatuse;

Märkus: Punkt 6A008.i ei hõlma järgmist:

a.

kalastuspiirkondade seireradarid;

| b. | maapealsed radariseadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud lennuliikluse trajektooride juhtimiseks, tingimusel et oleksid täidetud järgmised tingimused:








  1. | selle maksimaalne nägemisulatus on 500 km või vähem; |
| --- | --- | --- |

b.

maapealsed radariseadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud lennuliikluse trajektooride juhtimiseks, tingimusel et oleksid täidetud järgmised tingimused:

1.

selle maksimaalne nägemisulatus on 500 km või vähem;

| 2. | see on konfigureeritud nii, et radari sihtmärgi andmed liiguksid vaid ühes suunas: radari asukohast ühele või enamale tsiviillennujuhtimiskeskusele; |
| --- | --- |

2.

see on konfigureeritud nii, et radari sihtmärgi andmed liiguksid vaid ühes suunas: radari asukohast ühele või enamale tsiviillennujuhtimiskeskusele;

| 3. | selles ei ole tingimusi radarilaotuse kiiruse kaugjuhtimiseks trajektoori lennujuhtimiskeskusest; ja |
| --- | --- |

3.

selles ei ole tingimusi radarilaotuse kiiruse kaugjuhtimiseks trajektoori lennujuhtimiskeskusest; ja

| 4. | see on statsionaarselt paigaldatud; |
| --- | --- |

4.

see on statsionaarselt paigaldatud;

| c. | meteoroloogiliste õhupallide jälgimisradarid. |
| --- | --- |

c.

meteoroloogiliste õhupallide jälgimisradarid.

| j. | laserradarid või laserlokaatorseadmed (LIDAR), millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | kosmosekindel; või |
| --- | --- | --- |

j.

laserradarid või laserlokaatorseadmed (LIDAR), millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

kosmosekindel; või

| 2. | rakendavad koherentse heterodüün- või homodüündetekteerimise tehnikat ja mille nurklahutus on väiksem (parem) kui 20 μrad (mikroradiaani); |
| --- | --- |

2.

rakendavad koherentse heterodüün- või homodüündetekteerimise tehnikat ja mille nurklahutus on väiksem (parem) kui 20 μrad (mikroradiaani);

Märkus: Punkt 6A008.j ei hõlma LIDAR-seadmeid, mis on spetsiaalselt kavandatud kaardistamiseks või meteoroloogiliste vaatluste jaoks.

| k. | varustatud signaalide töötlemise alamsüsteemidega, milles kasutatakse impulsi kokkusurumise tehnikat ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | impulsi kokkusurumise suhe on üle 150; või |
| --- | --- | --- |

k.

varustatud signaalide töötlemise alamsüsteemidega, milles kasutatakse impulsi kokkusurumise tehnikat ja millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

impulsi kokkusurumise suhe on üle 150; või

| 2. | impulsi vältus on lühem kui 200 ns; või |
| --- | --- |

2.

impulsi vältus on lühem kui 200 ns; või

| l. | varustatud andmetöötlemise alamsüsteemidega, millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | automaatne sihtmärgi järgimine, mille väljund näitab iga antennipöörde jooksul sihtmärgi enam tõenäolist asukohta antennikiire järgmise pöörde ajal;


  Märkus: Punkt 6A008.l.1 ei hõlma kokkupõrkeohu hoiatusvõimalust lennujuhtimissüsteemides või mere või sadama radaril. |
| --- | --- | --- |

l.

varustatud andmetöötlemise alamsüsteemidega, millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

automaatne sihtmärgi järgimine, mille väljund näitab iga antennipöörde jooksul sihtmärgi enam tõenäolist asukohta antennikiire järgmise pöörde ajal;

Märkus: Punkt 6A008.l.1 ei hõlma kokkupõrkeohu hoiatusvõimalust lennujuhtimissüsteemides või mere või sadama radaril.

| 2. | arvutavad sihtmärgi hetkelise kiiruse primaarradari poolt, mille laotuskiirus on mitteperioodiline (muutuv); |
| --- | --- |

2.

arvutavad sihtmärgi hetkelise kiiruse primaarradari poolt, mille laotuskiirus on mitteperioodiline (muutuv);

| 3. | töötlevad andmeid automaatseks kujutuvastuseks (piirjoonte eraldamine) ja võrdlevad neid andmebaasi kantud sihtmärgi omadustega (lainekujud või kujundlikkus), et identifitseerida või klassifitseerida sihtmärke; või |
| --- | --- |

3.

töötlevad andmeid automaatseks kujutuvastuseks (piirjoonte eraldamine) ja võrdlevad neid andmebaasi kantud sihtmärgi omadustega (lainekujud või kujundlikkus), et identifitseerida või klassifitseerida sihtmärke; või

| 4. | kahe või enama geograafiliselt hajutatud ja omavahel ühendatud radaranduri poolt saadud sihtmärgi andmete superpositsioon ja korrelatsioon sihtmärkide selgitamiseks ja eristamiseks.


  Märkus: Punkt 6A008.l.4 ei hõlma süsteeme, seadmeid ega elektroonikasõlmi, mida kasutatakse mereliikluse kontrolli eesmärkidel. |
| --- | --- |

4.

kahe või enama geograafiliselt hajutatud ja omavahel ühendatud radaranduri poolt saadud sihtmärgi andmete superpositsioon ja korrelatsioon sihtmärkide selgitamiseks ja eristamiseks.

Märkus: Punkt 6A008.l.4 ei hõlma süsteeme, seadmeid ega elektroonikasõlmi, mida kasutatakse mereliikluse kontrolli eesmärkidel.

6A102Kiirguskindlad detektorid, muud kui punktis 6A002 nimetatud, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud kaitseks tuumaplahvatusega kaasnevate nähtuste eest (nt elektromagnetiline impulss (EMP), röntgenikiirgus, kombineeritud lööklaine ja soojuslikud efektid) ning on kasutatavad rakettmürskudel, kavandatud või arvestatud taluma kiirgustaseme väärtusi, mis tekitavad suurusele 5 × 105 rad (räni) vastava või seda ületava maksimaalse kiirgusdoosi.

Tehniline märkus:

Punktis 6A102 nimetatud detektor on määratletud kui mehaaniline, elektri-, optika- või keemiaseade, mis automaatselt identifitseerib ja salvestab või registreerib selliseid mõjureid nagu keskkonna temperatuuri või rõhu muutus, elektrilised või elektromagnetilised signaalid või radioaktiivsete ainete kiirgus. See hõlmab seadeldisi, mis tajuvad ühekordse toimingu või tõrke alusel.

6A107Gravitatsiooni mõõtjad (gravimeetrid) ning komponendid gravitatsiooni mõõtjatele ja gravitatsiooni gradiomeetritele:

| a. | Gravimeetrid, muud kui punktis 6A007.b nimetatud, mis on kavandatud või kohandatud kasutamiseks õhusõidukites või merel ning millel on staatiline või toiminguline täpsus 7 × 10-6 m/s2 (0,7 milligal) või vähem (parem) ning mõõtenäidu stabiliseerumisaeg on 2 minutit või vähem; |
| --- | --- |

a.

Gravimeetrid, muud kui punktis 6A007.b nimetatud, mis on kavandatud või kohandatud kasutamiseks õhusõidukites või merel ning millel on staatiline või toiminguline täpsus 7 × 10-6 m/s2 (0,7 milligal) või vähem (parem) ning mõõtenäidu stabiliseerumisaeg on 2 minutit või vähem;

| b. | Punktides 6A007.b või 6A107.a nimetatud gravimeetrite ja punktis 6A007.c nimetatud gravitatsiooni gradiomeetrite jaoks ettenähtud komponendid. |
| --- | --- |

b.

Punktides 6A007.b või 6A107.a nimetatud gravimeetrite ja punktis 6A007.c nimetatud gravitatsiooni gradiomeetrite jaoks ettenähtud komponendid.

6A108Radarisüsteemid ja jälgimissüsteemid, muud kui punktis 6A008 nimetatud:

| a. | Radari- ja laserradarisüsteemid, mis on kavandatud või kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettides või punktis 9A104 nimetatud sondrakettides;


  Märkus: Punkt 6A108.a hõlmab järgmist:








  a. | Maapinna kuju kaardistamise seadmed; |
| --- | --- | --- |

a.

Radari- ja laserradarisüsteemid, mis on kavandatud või kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettides või punktis 9A104 nimetatud sondrakettides;

Märkus: Punkt 6A108.a hõlmab järgmist:

a.

Maapinna kuju kaardistamise seadmed;

| b. | Kujutavad andurseadmed; |
| --- | --- |

b.

Kujutavad andurseadmed;

| c. | Sündmuspaiga kaardistamise ja korrelatsiooni (nii digitaalsed kui ka analoog-) seadmed; |
| --- | --- |

c.

Sündmuspaiga kaardistamise ja korrelatsiooni (nii digitaalsed kui ka analoog-) seadmed;

| d. | Navigatsiooni Doppler-radarseadmed. |
| --- | --- |

d.

Navigatsiooni Doppler-radarseadmed.

| b. | Täppisjälgimissüsteemid, mis on kasutatavad rakettmürskudel:






  1. | jälgimissüsteemid, mis kasutavad kooditranslaatorit koos maapinnal või õhusõidukil olevate võrdlusandmetega või navigatsioonisatelliitide süsteemidega reaalajalise asukoha ja lennukiiruse määramiseks; |
| --- | --- | --- |

b.

Täppisjälgimissüsteemid, mis on kasutatavad rakettmürskudel:

1.

jälgimissüsteemid, mis kasutavad kooditranslaatorit koos maapinnal või õhusõidukil olevate võrdlusandmetega või navigatsioonisatelliitide süsteemidega reaalajalise asukoha ja lennukiiruse määramiseks;

| 2. | kaugusmõõteradarid, sealhulgas nendega seotud optilised/infrapuna jälgimisseadmed koos kõigi järgmiste võimalustega:






  a. | nurklahutus on parem kui 3 milliradiaani (0,5 milli); |
| --- | --- | --- |

2.

kaugusmõõteradarid, sealhulgas nendega seotud optilised/infrapuna jälgimisseadmed koos kõigi järgmiste võimalustega:

a.

nurklahutus on parem kui 3 milliradiaani (0,5 milli);

| b. | tööpiirkond on 30 km või suurem ning kauguse lahutusvõime on ruutkeskmiselt parem kui 10 m; |
| --- | --- |

b.

tööpiirkond on 30 km või suurem ning kauguse lahutusvõime on ruutkeskmiselt parem kui 10 m;

| c. | kiiruse lahutusvõime on parem kui 3 m/s. |
| --- | --- |

c.

kiiruse lahutusvõime on parem kui 3 m/s.

Tehniline märkus:

Punktis 6A108.b tähendab rakettmürsk terviklikke raketisüsteeme ja mehitamata õhusõidukisüsteeme, mille lennuulatus ületab 300 km.

6A202Fotokordistitorud, millel on mõlemad järgmised omadused:

| a. | Fotokatoodi pindala on suurem kui 20 cm2; ja |
| --- | --- |

a.

Fotokatoodi pindala on suurem kui 20 cm2; ja

| b. | Anoodimpulsi tõusuaeg on lühem kui 1 ns. |
| --- | --- |

b.

Anoodimpulsi tõusuaeg on lühem kui 1 ns.

6A203Kaamerad ja komponendid, muud kui punktis 6A003 nimetatud:

| a. | Mehaanilised pöördpeegelkaamerad ja nende jaoks ettenähtud komponendid:






  1. | kaaderkaamerad, mille salvestuskiirus on üle 225 000 kaadrit sekundis; |
| --- | --- | --- |

a.

Mehaanilised pöördpeegelkaamerad ja nende jaoks ettenähtud komponendid:

1.

kaaderkaamerad, mille salvestuskiirus on üle 225 000 kaadrit sekundis;

| 2. | vöötkaamerad, mille kirjutuskiirus on üle 0,5 mm mikrosekundis; |
| --- | --- |

2.

vöötkaamerad, mille kirjutuskiirus on üle 0,5 mm mikrosekundis;

Märkus: Punktis 6A203.a kuuluvad selliste kaamerate komponentide hulka sünkroniseeriva elektroonika moodulid ning rootorikoostud, mis koosnevad turbiinidest, peeglitest ja laagritest.

| b. | Elektroonilised vööt- ja kaaderkaamerad, lambid ja seadmed:






  1. | elektroonilised vöötkaamerad, mille võimalik ajaline lahutus on parem kui 50 ns; |
| --- | --- | --- |

b.

Elektroonilised vööt- ja kaaderkaamerad, lambid ja seadmed:

1.

elektroonilised vöötkaamerad, mille võimalik ajaline lahutus on parem kui 50 ns;

| 2. | punktis 6A203.b.1 nimetatud kaamerate vöötlambid; |
| --- | --- |

2.

punktis 6A203.b.1 nimetatud kaamerate vöötlambid;

| 3. | elektroonilised (või elektroonilise katikuga) kaaderkaamerad, mille võimalik kaadri säriaeg on 50 ns või vähem; |
| --- | --- |

3.

elektroonilised (või elektroonilise katikuga) kaaderkaamerad, mille võimalik kaadri säriaeg on 50 ns või vähem;

| 4. | järgmised kaaderpildistuslambid ja tahkis-pildistusseadmed, mis on ette nähtud kasutamiseks koos punktis 6A203.b nimetatud kaameratega:






  a. | lühifookuselised kujutisevõimendustorud, mille fotokatood on sadestatud läbipaistvale juhtivale kattele, et vähendada fotokatoodi pindtakistust; |
| --- | --- | --- |

4.

järgmised kaaderpildistuslambid ja tahkis-pildistusseadmed, mis on ette nähtud kasutamiseks koos punktis 6A203.b nimetatud kaameratega:

a.

lühifookuselised kujutisevõimendustorud, mille fotokatood on sadestatud läbipaistvale juhtivale kattele, et vähendada fotokatoodi pindtakistust;

| b. | juhitava suunajaga ränivõimendiga (SIT) vidikonlambid, milles kiire süsteem võimaldab fotokatoodilt lähtunud elektrone strobeerida, enne kui nad põrkavad ränist võimendusplaadile; |
| --- | --- |

b.

juhitava suunajaga ränivõimendiga (SIT) vidikonlambid, milles kiire süsteem võimaldab fotokatoodilt lähtunud elektrone strobeerida, enne kui nad põrkavad ränist võimendusplaadile;

| c. | Kerri või Pockelsi rakuga elektro-optiline katik; |
| --- | --- |

c.

Kerri või Pockelsi rakuga elektro-optiline katik;

| d. | teised kaaderpildistuslambid ja tahkis-pildistusseadmed, millel on kujutise kiire strobeerimise aeg vähem kui 50 ns ja mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 6A203.b.3 nimetatud kaamerate jaoks; |
| --- | --- |

d.

teised kaaderpildistuslambid ja tahkis-pildistusseadmed, millel on kujutise kiire strobeerimise aeg vähem kui 50 ns ja mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 6A203.b.3 nimetatud kaamerate jaoks;

| c. | Kiirguskindlad televisioonikaamerad või nende jaoks ettenähtud läätsed, mis on spetsiaalselt kavandatud või arvestatud taluma kiirguse kogudoosi üle 50 × 103 Gy (räni) (5 × 106 rad (räni)) ilma nende töövõimet halvendamata.
  Tehniline märkus:

  Termin "Gy (räni)" tähistab ühes kilogrammis ekraneerimata räniproovis seda ioniseeriva kiirgusega kiiritamisel neeldunud energiahulka džaulides. |
| --- | --- |

c.

Kiirguskindlad televisioonikaamerad või nende jaoks ettenähtud läätsed, mis on spetsiaalselt kavandatud või arvestatud taluma kiirguse kogudoosi üle 50 × 103 Gy (räni) (5 × 106 rad (räni)) ilma nende töövõimet halvendamata.

Tehniline märkus:

Termin "Gy (räni)" tähistab ühes kilogrammis ekraneerimata räniproovis seda ioniseeriva kiirgusega kiiritamisel neeldunud energiahulka džaulides.

6A205
  Laserid, laservõimendid ja ostsillaatorid, muud kui punktides 0B001.g.5, 0B001.h.6 ja 6A005 nimetatud:

| a. | Argoonioonlaserid, millel on mõlemad järgmised omadused:






  1. | töötavad lainepikkustel 400–515 nm; ja |
| --- | --- | --- |

a.

Argoonioonlaserid, millel on mõlemad järgmised omadused:

1.

töötavad lainepikkustel 400–515 nm; ja

| 2. | keskmine väljundvõimsus üle 40 W; |
| --- | --- |

2.

keskmine väljundvõimsus üle 40 W;

| b. | Timmitavad impulss-ühemoodilised värvilaser-ostsillaatorid, millel on kõik järgmised omadused:






  1. | töötavad lainepikkustel 300–800 nm; |
| --- | --- | --- |

b.

Timmitavad impulss-ühemoodilised värvilaser-ostsillaatorid, millel on kõik järgmised omadused:

1.

töötavad lainepikkustel 300–800 nm;

| 2. | keskmine väljundvõimsus üle 1 W; |
| --- | --- |

2.

keskmine väljundvõimsus üle 1 W;

| 3. | kordumissagedus on suurem kui 1 kHz; ja |
| --- | --- |

3.

kordumissagedus on suurem kui 1 kHz; ja

| 4. | impulsi kestus on lühem kui 100 ns; |
| --- | --- |

4.

impulsi kestus on lühem kui 100 ns;

| c. | Timmitavad impulss-värvilaser-võimendid ja -ostsillaatorid, millel on kõik järgmised omadused:






  1. | töötavad lainepikkustel 300–800 nm; |
| --- | --- | --- |

c.

Timmitavad impulss-värvilaser-võimendid ja -ostsillaatorid, millel on kõik järgmised omadused:

1.

töötavad lainepikkustel 300–800 nm;

| 2. | keskmine väljundvõimsus üle 30 W; |
| --- | --- |

2.

keskmine väljundvõimsus üle 30 W;

| 3. | kordumissagedus on suurem kui 1 kHz; ja |
| --- | --- |

3.

kordumissagedus on suurem kui 1 kHz; ja

| 4. | impulsi kestus on lühem kui 100 ns; |
| --- | --- |

4.

impulsi kestus on lühem kui 100 ns;

Märkus: Punkt 6A205.c ei hõlma ühemoodilisi ostsillaatoreid;

| d. | Süsinikdioksiidimpulsslaserid, millel on kõik järgmised omadused:






  1. | töötavad lainepikkustel 9 000–11 000 nm; |
| --- | --- | --- |

d.

Süsinikdioksiidimpulsslaserid, millel on kõik järgmised omadused:

1.

töötavad lainepikkustel 9 000–11 000 nm;

| 2. | kordumissagedus on suurem kui 250 Hz; |
| --- | --- |

2.

kordumissagedus on suurem kui 250 Hz;

| 3. | keskmine väljundvõimsus üle 500 W; ja |
| --- | --- |

3.

keskmine väljundvõimsus üle 500 W; ja

| 4. | impulsi kestus on lühem kui 200 ns; |
| --- | --- |

4.

impulsi kestus on lühem kui 200 ns;

| e. | Paravesinikul Ramani muundajad, mis on kavandatud tööks väljundi lainepikkusel 16 μm ja mille kordumissagedus on kõrgem kui 250 Hz; |
| --- | --- |

e.

Paravesinikul Ramani muundajad, mis on kavandatud tööks väljundi lainepikkusel 16 μm ja mille kordumissagedus on kõrgem kui 250 Hz;

| f. | Impulssergastusega neodüümlisandiga hiidvälkelaserid (v.a neodüümklaaslaserid), millel on kõik järgmised omadused:






  1. | laserkiirguse lainepikkus on üle 1 000 nm, kuid mitte üle 1 100 nm; |
| --- | --- | --- |

f.

Impulssergastusega neodüümlisandiga hiidvälkelaserid (v.a neodüümklaaslaserid), millel on kõik järgmised omadused:

1.

laserkiirguse lainepikkus on üle 1 000 nm, kuid mitte üle 1 100 nm;

| 2. | laserkiirguse impulsi kestus on üle 1 ns; ja |
| --- | --- |

2.

laserkiirguse impulsi kestus on üle 1 ns; ja

| 3. | ristimoodiga, mitmikmoodilise väljundkiirgusega, mille keskmine võimsus on üle 50 W. |
| --- | --- |

3.

ristimoodiga, mitmikmoodilise väljundkiirgusega, mille keskmine võimsus on üle 50 W.

6A225Kiiruse mõõtmise interferomeetrid, mis on ette nähtud üle 1 km/s kiiruste mõõtmiseks ajavahemike vältel, mis on lühemad kui 10 μs.

Märkus: Punkt 6A225 hõlmab kiiruse mõõtmise interferomeetreid, nagu kiiruse interferomeeter-süsteem mis tahes reflektori jaoks (VISAR) ja Doppleri laserinterferomeetrid (DLI).

6A226Rõhuandurid:

| a. | Manganiinkalibraatorid, suurematele rõhkudele kui 10 GPa; |
| --- | --- |

a.

Manganiinkalibraatorid, suurematele rõhkudele kui 10 GPa;

| b. | Kvartsist rõhuandurid, suurematele rõhkudele kui 10 GPa. |
| --- | --- |

b.

Kvartsist rõhuandurid, suurematele rõhkudele kui 10 GPa.

6BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

6B004Optilised seadmed:

| a. | Seadmed absoluutse peegeldusvõime mõõtmiseks täpsusega ± 0,1 % peegeldusvõime väärtusest; |
| --- | --- |

a.

Seadmed absoluutse peegeldusvõime mõõtmiseks täpsusega ± 0,1 % peegeldusvõime väärtusest;

| b. | Seadmed, muud kui optilise pinna hajupeegelduse mõõtmise seadmed, millel on suurem kui 10 cm mittematistatud ava ja mis on spetsiaalselt kavandatud mittetasaste optiliste pindade kuju (profiili) 2 nm või vähema (parema) täpsusega mõõtmiseks soovitud profiili suhtes. |
| --- | --- |

b.

Seadmed, muud kui optilise pinna hajupeegelduse mõõtmise seadmed, millel on suurem kui 10 cm mittematistatud ava ja mis on spetsiaalselt kavandatud mittetasaste optiliste pindade kuju (profiili) 2 nm või vähema (parema) täpsusega mõõtmiseks soovitud profiili suhtes.

Märkus: Punkt 6B004 ei hõlma mikroskoope.

6B007Seadmed maapealse kasutusega gravimeetrite tootmiseks, reguleerimiseks ja kalibreerimiseks staatilise täpsusega, mis on parem kui 0,1 mgal.

6B008Impulssradari mõõtesüsteemid, mis on ette nähtud tagasikiirgumise ristlõike määramiseks, kui kiiratava impulsi pikkus on 100 ns või lühem, ning nende jaoks spetsiaalselt kavandatud komponendid.

NB! VT KA PUNKTI 6B108.

6B108Mõõtesüsteemid, muud kui punktis 6B008 nimetatud, mis on spetsiaalselt kavandatud radari tagasikiirgumise ristlõike mõõtmiseks ja on kasutatavad rakettmürskudel ja nende alamsüsteemides.

6CMaterjalid

6C002Optiliste andurite materjalid:

| a. | Telluur, puhtusega 99,9995 % või rohkem; |
| --- | --- |

a.

Telluur, puhtusega 99,9995 % või rohkem;

| b. | Järgmiste monokristallid, kaasa arvatud epitaksiaalsed kiibitoorikud:






  1. | kaadmiumtsinktelluriid (CdZnTe), mille tsingisisaldus on vähem kui 6 moolosa; |
| --- | --- | --- |

b.

Järgmiste monokristallid, kaasa arvatud epitaksiaalsed kiibitoorikud:

1.

kaadmiumtsinktelluriid (CdZnTe), mille tsingisisaldus on vähem kui 6 moolosa;

| 2. | kaadmiumtelluriid (CdTe), mis tahes puhtusastmega; või |
| --- | --- |

2.

kaadmiumtelluriid (CdTe), mis tahes puhtusastmega; või

| 3. | elavhõbekaadmiumtelluriid (HgCdTe), mis tahes puhtusastmega; |
| --- | --- |

3.

elavhõbekaadmiumtelluriid (HgCdTe), mis tahes puhtusastmega;

Tehniline märkus:

Moolosa määratletakse ZnTe moolide ning kristallis oleva CdTe ja ZnTe moolide summa suhtena.

6C004Järgmised optilised materjalid:

| a. | Tsinkseleniidist (ZnSe) või tsinksulfiidist (ZnS) põhimikutoorikud, mis on valmistatud keemilise aurustamise-sadestamise protsessi abil ning millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | maht üle 100 cm3; või |
| --- | --- | --- |

a.

Tsinkseleniidist (ZnSe) või tsinksulfiidist (ZnS) põhimikutoorikud, mis on valmistatud keemilise aurustamise-sadestamise protsessi abil ning millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

maht üle 100 cm3; või

| 2. | diameeter üle 80 mm ja paksus 20 mm või rohkem; |
| --- | --- |

2.

diameeter üle 80 mm ja paksus 20 mm või rohkem;

| b. | Järgmiste elektro-optiliste materjalide pirnikujulised toorikkristallid:






  1. | kaaliumtitanüülarsenaat (KTA); |
| --- | --- | --- |

b.

Järgmiste elektro-optiliste materjalide pirnikujulised toorikkristallid:

1.

kaaliumtitanüülarsenaat (KTA);

| 2. | hõbegalliumseleniid (AgGaSe2); |
| --- | --- |

2.

hõbegalliumseleniid (AgGaSe2);

| 3. | talliumarseenseleniid (Tl3AsSe3, tuntakse ka TASi nime all); |
| --- | --- |

3.

talliumarseenseleniid (Tl3AsSe3, tuntakse ka TASi nime all);

| c. | Mittelineaarsed optilised materjalid, millel on kõik järgmised omadused:






  1. | kolmanda järgu vastuvõtlikkusega (chi 3), mis on 10-6m2/V2; või rohkem; ja |
| --- | --- | --- |

c.

Mittelineaarsed optilised materjalid, millel on kõik järgmised omadused:

1.

kolmanda järgu vastuvõtlikkusega (chi 3), mis on 10-6m2/V2; või rohkem; ja

| 2. | kosteaeg lühem kui 1 ms; |
| --- | --- |

2.

kosteaeg lühem kui 1 ms;

| d. | Ränikarbiidi või berüllium-berülliumi (Be/Be) sadestamisel saadud põhimikutoorikud, mille diameeter või peatelje pikkus on üle 300 mm; |
| --- | --- |

d.

Ränikarbiidi või berüllium-berülliumi (Be/Be) sadestamisel saadud põhimikutoorikud, mille diameeter või peatelje pikkus on üle 300 mm;

| e. | Klaas, kaasa arvatud sulakvarts (SiO2), fosfaatklaas, fluorofosfaatklaas, tsirkooniumfluoriid (ZrF4) ja hafniumfluoriid (HfF4), millel on kõik järgmised omadused:






  1. | hüdroksüülioonide (OH–) kontsentratsioon on väiksem kui 5 ppm; |
| --- | --- | --- |

e.

Klaas, kaasa arvatud sulakvarts (SiO2), fosfaatklaas, fluorofosfaatklaas, tsirkooniumfluoriid (ZrF4) ja hafniumfluoriid (HfF4), millel on kõik järgmised omadused:

1.

hüdroksüülioonide (OH–) kontsentratsioon on väiksem kui 5 ppm;

| 2. | metalliliste lisandite hulk on väiksem kui 1 ppm; ja |
| --- | --- |

2.

metalliliste lisandite hulk on väiksem kui 1 ppm; ja

| 3. | kõrge homogeensusega (murdumisnäitaja väärtuse variatsioonid on alla 5 × 10–6); |
| --- | --- |

3.

kõrge homogeensusega (murdumisnäitaja väärtuse variatsioonid on alla 5 × 10–6);

| f. | Sünteetilised teemandid, milles optiline neeldumine on väiksem kui 10-5 cm–1 lainepikkustel 200–14 000 nm. |
| --- | --- |

f.

Sünteetilised teemandid, milles optiline neeldumine on väiksem kui 10-5 cm–1 lainepikkustel 200–14 000 nm.

6C005Sünteetilised kristalse struktuuriga laseri põhimaterjalid töötlemata kujul:

| a. | Titaanlisandiga safiir; |
| --- | --- |

a.

Titaanlisandiga safiir;

| b. | Aleksandriit. |
| --- | --- |

b.

Aleksandriit.

6DTarkvara

6D001
  Tarkvara, mis on ette nähtud punktis 6A004, 6A005, 6A008 või 6B008 nimetatud seadmete arendamiseks või tootmiseks.

6D002
  Tarkvara, mis on ette nähtud punktis 6A002.b, 6A008 või 6B008 nimetatud seadmete kasutamiseks.

6D003Muu tarkvara:

| a. | 1. | Tarkvara, mis on ette nähtud akustiliste kimpude moodustamiseks akustiliste andmete reaalajaliseks töötlemiseks passiivse vastuvõtu korral, kui kasutatakse järelveetavaid hüdrofonide võresüsteeme. |
| --- | --- | --- |

a.

1.

Tarkvara, mis on ette nähtud akustiliste kimpude moodustamiseks akustiliste andmete reaalajaliseks töötlemiseks passiivse vastuvõtu korral, kui kasutatakse järelveetavaid hüdrofonide võresüsteeme.

| 2. | Lähtekood akustiliste andmete reaalajaliseks töötlemiseks passiivse vastuvõtu korral, kui kasutatakse järelveetavaid hüdrofonide võresüsteeme; |
| --- | --- |

2.

Lähtekood akustiliste andmete reaalajaliseks töötlemiseks passiivse vastuvõtu korral, kui kasutatakse järelveetavaid hüdrofonide võresüsteeme;

| 3. | Tarkvara, mis on ette nähtud akustiliste kimpude moodustamiseks akustiliste andmete reaalajaliseks töötlemiseks passiivse vastuvõtu korral, kui kasutatakse merepõhja või lahe kaablisüsteeme; |
| --- | --- |

3.

Tarkvara, mis on ette nähtud akustiliste kimpude moodustamiseks akustiliste andmete reaalajaliseks töötlemiseks passiivse vastuvõtu korral, kui kasutatakse merepõhja või lahe kaablisüsteeme;

| 4. | Lähtekood akustiliste andmete reaalajaliseks töötlemiseks passiivse vastuvõtu korral, kui kasutatakse merepõhja või lahe kaablisüsteeme; |
| --- | --- |

4.

Lähtekood akustiliste andmete reaalajaliseks töötlemiseks passiivse vastuvõtu korral, kui kasutatakse merepõhja või lahe kaablisüsteeme;

| b. | 1. | Tarkvara, mis on ette nähtud liikuvatel alustel kasutamiseks kavandatud magnetiliste andurite magnetilise kompensatsiooni süsteemidele; |
| --- | --- | --- |

b.

1.

Tarkvara, mis on ette nähtud liikuvatel alustel kasutamiseks kavandatud magnetiliste andurite magnetilise kompensatsiooni süsteemidele;

| 2. | Tarkvara, mis on ette nähtud magnetiliste anomaaliate avastamiseks liikuvatel alustel; |
| --- | --- |

2.

Tarkvara, mis on ette nähtud magnetiliste anomaaliate avastamiseks liikuvatel alustel;

| c. | Tarkvara, mis on ette nähtud selleks, et parandada gravimeetrite ja gravitatsiooni gradiomeetrite liikumisest tingitud hälbed; |
| --- | --- |

c.

Tarkvara, mis on ette nähtud selleks, et parandada gravimeetrite ja gravitatsiooni gradiomeetrite liikumisest tingitud hälbed;

| d. | 1. | Lennujuhtimise tarkvaraprogrammid, mis on kasutatavad üldkasutatavates arvutites lennujuhtimiskeskustes ning mis suudavad järgmist:






  a. | võimaldavad üheaegselt töödelda ja kuvada 150 erineva lendava objekti lennuandmeid ja asukohta; või |
| --- | --- | --- | --- |

d.

1.

Lennujuhtimise tarkvaraprogrammid, mis on kasutatavad üldkasutatavates arvutites lennujuhtimiskeskustes ning mis suudavad järgmist:

a.

võimaldavad üheaegselt töödelda ja kuvada 150 erineva lendava objekti lennuandmeid ja asukohta; või

| b. | radari sihtmärgi andmed võetakse vastu rohkem kui neljalt primaarradarilt; |
| --- | --- |

b.

radari sihtmärgi andmed võetakse vastu rohkem kui neljalt primaarradarilt;

| 2. | Tarkvara radoomide projekteerimiseks või tootmiseks, mis:






  a. | on ette nähtud punktis 6A008.e nimetatud elektrooniliselt formeeritava suunadiagrammiga antennide kaitseks; ja |
| --- | --- | --- |

2.

Tarkvara radoomide projekteerimiseks või tootmiseks, mis:

a.

on ette nähtud punktis 6A008.e nimetatud elektrooniliselt formeeritava suunadiagrammiga antennide kaitseks; ja

| b. | põhjustavad antenni kiirgusdiagrammis keskmise karakteristliku külghõlma vähenemist rohkem kui 40 dB peakiire nivoost.
  Tehniline märkus:


  Keskmine karakteristlik külghõlm punktis 6D003.d.2.b mõõdetakse üle kogu antennide massiivi, välja arvatud peakiire ulatusnurk ning kaks külghõlma, kummalgi pool peakiirt. |
| --- | --- |

b.

põhjustavad antenni kiirgusdiagrammis keskmise karakteristliku külghõlma vähenemist rohkem kui 40 dB peakiire nivoost.

Tehniline märkus:

Keskmine karakteristlik külghõlm punktis 6D003.d.2.b mõõdetakse üle kogu antennide massiivi, välja arvatud peakiire ulatusnurk ning kaks külghõlma, kummalgi pool peakiirt.

6D102
  Tarkvara, mis on spetsiaalselt ette nähtud või kohandatud punktis 6A108 nimetatud kaupade kasutamiseks.

6D103
  Tarkvara, mis on ette nähtud lennul salvestatud andmete lennujärgseks töötlemiseks, võimaldades kindlaks määrata lendava objekti asukoha kogu tema liikumistee jooksul ja on spetsiaalselt ette nähtud või kohandatud rakettmürskude jaoks.

Tehniline märkus:

Punktis 6D103 tähendab rakettmürsk terviklikke raketisüsteeme ja mehitamata õhusõidukisüsteeme, mille lennuulatus ületab 300 km.

6ETehnoloogia

6E001
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktides 6A, 6B, 6C või 6D nimetatud seadmete, materjalide või tarkvara arendamiseks.

6E002
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktides 6A, 6B või 6C nimetatud seadmete või materjalide tootmiseks.

6E003Muu tehnoloogia:

| a. | 1. | Optilise pinna katmise ja töötlemise tehnoloogia, mis on vajalik 99,5 %-lise või parema tasasusega pinnakatte saamiseks pindadel, mille diameeter või peatelje pikkus on üle 500 mm ja millest neeldumise või hajumise tõttu põhjustatud totaalne kadu on väiksem kui 5 × 10–3;


  NB! Vt ka punkti 2E003.f. |
| --- | --- | --- |

a.

1.

Optilise pinna katmise ja töötlemise tehnoloogia, mis on vajalik 99,5 %-lise või parema tasasusega pinnakatte saamiseks pindadel, mille diameeter või peatelje pikkus on üle 500 mm ja millest neeldumise või hajumise tõttu põhjustatud totaalne kadu on väiksem kui 5 × 10–3;

NB! Vt ka punkti 2E003.f.

| 2. | Tehnoloogia optiliste pindade valmistamiseks, mis on kasutatav ühe lõiketeraga teemanttreimise seadmete juures, mille abil saavutatakse üle 0,5 m2 pindalaga mittetasapinnaliste pindade korral lõplik ruutkeskmine täpsus 10 nm või parem; |
| --- | --- |

2.

Tehnoloogia optiliste pindade valmistamiseks, mis on kasutatav ühe lõiketeraga teemanttreimise seadmete juures, mille abil saavutatakse üle 0,5 m2 pindalaga mittetasapinnaliste pindade korral lõplik ruutkeskmine täpsus 10 nm või parem;

| b. | Tehnoloogia, mis on vajalik spetsiaalselt kavandatud diagnostikaseadmete või märklaudade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks katserajatistes, mis on ette nähtud hiidvälkelaserite katsetamiseks või hiidvälkelaseri kiirtega kiiritatud materjalide katsetamiseks ja hindamiseks; |
| --- | --- |

b.

Tehnoloogia, mis on vajalik spetsiaalselt kavandatud diagnostikaseadmete või märklaudade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks katserajatistes, mis on ette nähtud hiidvälkelaserite katsetamiseks või hiidvälkelaseri kiirtega kiiritatud materjalide katsetamiseks ja hindamiseks;

| c. | Tehnoloogia, mis on vajalik mis tahes järgmiste omadustega mittekolmeteljeliste õhupiluga-magnetomeetrite või mittekolmeteljeliste õhupiluga-magnetomeetersüsteemide arendamiseks või tootmiseks:






  1. | müratase on ruutkeskmiselt väiksem kui 0,05 nT sageduse ruutjuure kohta sagedustel alla 1 Hz; või |
| --- | --- | --- |

c.

Tehnoloogia, mis on vajalik mis tahes järgmiste omadustega mittekolmeteljeliste õhupiluga-magnetomeetrite või mittekolmeteljeliste õhupiluga-magnetomeetersüsteemide arendamiseks või tootmiseks:

1.

müratase on ruutkeskmiselt väiksem kui 0,05 nT sageduse ruutjuure kohta sagedustel alla 1 Hz; või

| 2. | müratase on ruutkeskmiselt väiksem kui 1 × 10–3 nT sageduse ruutjuure kohta sagedustel 1 Hz või enam. |
| --- | --- |

2.

müratase on ruutkeskmiselt väiksem kui 1 × 10–3 nT sageduse ruutjuure kohta sagedustel 1 Hz või enam.

6E101
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktis 6A002, 6A007.b, 6A007.c, 6A008, 6A102, 6A107, 6A108, 6B108, 6D102 või 6D103 nimetatud seadmete või tarkvara kasutamiseks.

Märkus: Punktis 6E101 määratletakse tehnoloogia üksnes punktis 6A008 nimetatud seadmetele, kui nad on ette nähtud õhusõidukitel kasutamiseks ning on kasutatavad rakettmürskudel.

6E201
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktis 6A003, 6A005.a.1.c, 6A005.a.2.a, 6A005.c.1.b, 6A005.c.2.c.2, 6A005.c.2.d.2.b, 6A202, 6A203, 6A205, 6A225 või 6A226 nimetatud seadmete kasutamiseks.

7. KATEGOORIA

NAVIGATSIOONI- JA LENNUELEKTROONIKA

7ASüsteemid, seadmed ja komponendid

NB! Allveesõidukite automaatjuhtimisseadmete kohta vt 8. kategooriat.

Radarite kohta vt 6. kategooriat.

7A001Kiirendusmõõturid, mis on kavandatud kasutamiseks inertsiaalsetes navigatsiooni- või juhtimissüsteemides ning spetsiaalselt nende jaoks projekteeritud komponendid, millel on mis tahes järgmine omadus:

NB! VT KA PUNKTI 7A101. Nurk- või pöördkiirendusmõõturite kohta vt punkti 7A002.

| a. | kõrvalekalde stabiilsus on väiksem (parem) kui 130 μg fikseeritud kalibreerimisväärtuse suhtes üheaastase perioodi vältel; |
| --- | --- |

a.

kõrvalekalde stabiilsus on väiksem (parem) kui 130 μg fikseeritud kalibreerimisväärtuse suhtes üheaastase perioodi vältel;

| b. | mõõteskaala koefitsiendi stabiilsus on väiksem (parem) kui 130 ppm fikseeritud kalibreerimisväärtuse suhtes üheaastase perioodi vältel; või |
| --- | --- |

b.

mõõteskaala koefitsiendi stabiilsus on väiksem (parem) kui 130 ppm fikseeritud kalibreerimisväärtuse suhtes üheaastase perioodi vältel; või

| c. | ette nähtud kasutamiseks üle 100 g lineaarkiirenduse korral. |
| --- | --- |

c.

ette nähtud kasutamiseks üle 100 g lineaarkiirenduse korral.

7A002Güroskoobid või nurk- või pöördkiirendusmõõturid, millel on mis tahes järgmine omadus, ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid:

NB! VT KA PUNKTI 7A102.

| a. | Triivi kiiruse stabiilsus on 1 g kiirendusega keskkonnas kolmekuise perioodi vältel fikseeritud kalibreerimisväärtuse suhtes järgmine:






  1. | väiksem (parem) kui 0,1° tunnis, kui need on ette nähtud kasutamiseks lineaarkiirenduse korral kuni 10 g; või |
| --- | --- | --- |

a.

Triivi kiiruse stabiilsus on 1 g kiirendusega keskkonnas kolmekuise perioodi vältel fikseeritud kalibreerimisväärtuse suhtes järgmine:

1.

väiksem (parem) kui 0,1° tunnis, kui need on ette nähtud kasutamiseks lineaarkiirenduse korral kuni 10 g; või

| 2. | väiksem (parem) kui 0,5° tunnis, kui need on ette nähtud kasutamiseks lineaarkiirenduse korral 10–100 g (kaasa arvatud); või |
| --- | --- |

2.

väiksem (parem) kui 0,5° tunnis, kui need on ette nähtud kasutamiseks lineaarkiirenduse korral 10–100 g (kaasa arvatud); või

| b. | ette nähtud kasutamiseks üle 100 g lineaarkiirenduse korral. |
| --- | --- |

b.

ette nähtud kasutamiseks üle 100 g lineaarkiirenduse korral.

7A003Inertsiaalsed süsteemid ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid:

NB! VT KA PUNKTI 7A103.

| a. | Inertsiaalsed navigatsioonisüsteemid (INS) (kardaanriputiga või tervikkinnitusega) ja inertsiaalseadmed, mis on kavandatud õhusõidukite, maismaasõidukite, veesõidukite (veepealsete või veealuste) või kosmosesõidukite asendi reguleerimiseks, juhtimiseks ja kontrolliks ning millel on järgmised omadused, ning nende jaoks spetsiaalselt ettenähtud komponendid:






  1. | navigatsiooniviga (inertsiaalselt vaba), mis allub normaali orientatsioonile 0,8 meremiili tunnis (tõenäolise vea ring (CEP)) või vähem (parem); või |
| --- | --- | --- |

a.

Inertsiaalsed navigatsioonisüsteemid (INS) (kardaanriputiga või tervikkinnitusega) ja inertsiaalseadmed, mis on kavandatud õhusõidukite, maismaasõidukite, veesõidukite (veepealsete või veealuste) või kosmosesõidukite asendi reguleerimiseks, juhtimiseks ja kontrolliks ning millel on järgmised omadused, ning nende jaoks spetsiaalselt ettenähtud komponendid:

1.

navigatsiooniviga (inertsiaalselt vaba), mis allub normaali orientatsioonile 0,8 meremiili tunnis (tõenäolise vea ring (CEP)) või vähem (parem); või

| 2. | ette nähtud kasutamiseks üle 10 g lineaarkiirenduse korral; |
| --- | --- |

2.

ette nähtud kasutamiseks üle 10 g lineaarkiirenduse korral;

| b. | Hübriidsed inertsiaalsed navigatsioonisüsteemid, mis on integreeritud globaalse navigatsiooni satelliitsüsteemi(de)ga (GNSS) või andmebaasidega toetatava(te) navigatsioonisüsteemi(de)ga (DBRN) ruumasendi, suunamise või juhtimise jaoks, vastavalt normaali suunale, millel on INS navigatsiooni positsioonitäpsus pärast GNSS või DBRN kaotamist kuni neljaminutilise perioodi jooksul väiksem (parem) kui 10 meetrit tõenäolise vea ringis (CEP). |
| --- | --- |

b.

Hübriidsed inertsiaalsed navigatsioonisüsteemid, mis on integreeritud globaalse navigatsiooni satelliitsüsteemi(de)ga (GNSS) või andmebaasidega toetatava(te) navigatsioonisüsteemi(de)ga (DBRN) ruumasendi, suunamise või juhtimise jaoks, vastavalt normaali suunale, millel on INS navigatsiooni positsioonitäpsus pärast GNSS või DBRN kaotamist kuni neljaminutilise perioodi jooksul väiksem (parem) kui 10 meetrit tõenäolise vea ringis (CEP).

| c. | Inertsiaalsed seadmed asimuudi, suuna või põhjasuuna määramiseks, millel on mis tahes järgmine omadus, ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid:






  1. | ette nähtud asimuudi, suuna või põhjasuuna määramise ruutkeskmine (rms) täpsus 6 kaareminutit või vähem (parem) 45 laiuskraadi juures; või |
| --- | --- | --- |

c.

Inertsiaalsed seadmed asimuudi, suuna või põhjasuuna määramiseks, millel on mis tahes järgmine omadus, ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid:

1.

ette nähtud asimuudi, suuna või põhjasuuna määramise ruutkeskmine (rms) täpsus 6 kaareminutit või vähem (parem) 45 laiuskraadi juures; või

| 2. | mittetöötavana ette nähtud taluma 900 g või rohkem löögikoormust 1 msec või rohkem jooksul. |
| --- | --- |

2.

mittetöötavana ette nähtud taluma 900 g või rohkem löögikoormust 1 msec või rohkem jooksul.

Märkus 1: Punktides 7A003.a ja 7A003.b esitatud parameetrid on rakendatavad koos mõnega järgmiselt esitatud keskkonnatingimustest:

| 1. | sisendi juhuslik vibratsioon, mille ruutkeskmine üldamplituud on 7,7 g testi esimese poole tunni vältel ning testi kogukestus on poolteist tundi telje kohta igal kolmest ristiasetsevast teljest, kui juhuslik vibratsioon vastab järgmistele tingimustele:








  a. | konstantse võimsuse spektraaltiheduse väärtus (PSD) on 0,04 g2/Hz sagedusvahemikus 15–1 000 Hz; ja |
| --- | --- | --- |

1.

sisendi juhuslik vibratsioon, mille ruutkeskmine üldamplituud on 7,7 g testi esimese poole tunni vältel ning testi kogukestus on poolteist tundi telje kohta igal kolmest ristiasetsevast teljest, kui juhuslik vibratsioon vastab järgmistele tingimustele:

a.

konstantse võimsuse spektraaltiheduse väärtus (PSD) on 0,04 g2/Hz sagedusvahemikus 15–1 000 Hz; ja

| b. | konstantse võimsuse spektraaltiheduse väärtus (PSD) langeb sagedusega 0,04 g2/Hz kuni 0,01 g2/Hz sagedusvahemikus 1 000–2 000 Hz; |
| --- | --- |

b.

konstantse võimsuse spektraaltiheduse väärtus (PSD) langeb sagedusega 0,04 g2/Hz kuni 0,01 g2/Hz sagedusvahemikus 1 000–2 000 Hz;

| 2. | keerlemis- ja lengerduskiirus on +2,62 rad/s (150°/s) või rohkem; või |
| --- | --- |

2.

keerlemis- ja lengerduskiirus on +2,62 rad/s (150°/s) või rohkem; või

| 3. | vastavalt siseriiklikele standarditele, mis on samaväärsed ülalolevate punktidega 1 või 2. |
| --- | --- |

3.

vastavalt siseriiklikele standarditele, mis on samaväärsed ülalolevate punktidega 1 või 2.

Märkus 2: Punkt 7A003 ei hõlma inertsiaalseid navigatsioonisüsteeme, mis on osalisriikide tsiviilvõimude poolt sertifitseeritud kasutamiseks tsiviillennukitel.

Märkus 3: Punkt 7A003.c.1 ei hõlma spetsiaalselt tsiviilseireotstarbeliseks kasutamiseks kavandatud inertsiaalseadmeid sisaldavaid teodoliitsüsteeme.

Tehnilised märkused:

| 1. | Punkt 7A003.b viitab süsteemidele, milles INS ja teised sõltumatud navigatsiooni abiseadmed on koondatud üheks ühikuks (ühendatud), et saavutada parimat tulemust. |
| --- | --- |

1.

Punkt 7A003.b viitab süsteemidele, milles INS ja teised sõltumatud navigatsiooni abiseadmed on koondatud üheks ühikuks (ühendatud), et saavutada parimat tulemust.

| 2. | Tõenäolise vea ring (CEP) – ringikujulise normaaljaotuse korral sellise ringi raadius, mille sisse jääb 50 % üksikult tehtud mõõtmiste tulemustest, või ringi raadius, mille sees asetseb midagi 50 % tõenäosusega. |
| --- | --- |

2.

Tõenäolise vea ring (CEP) – ringikujulise normaaljaotuse korral sellise ringi raadius, mille sisse jääb 50 % üksikult tehtud mõõtmiste tulemustest, või ringi raadius, mille sees asetseb midagi 50 % tõenäosusega.

7A004Güro- ja astrokompassid ning muud seadmed, mis tuletavad asukoha või suuna automaatselt taevakehade või satelliitide jälgimise abil asimuuttäpsusega 5 kaaresekundit või vähem (parem).

NB! VT KA PUNKTI 7A104.

7A005Globaalne navigatsioonisatelliitide süsteemide (GPS või GLONASS) vastuvõtuseadmed, millel on järgmised omadused, ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid:

NB! VT KA PUNKTI 7A105.

| a. | kasutatakse dekrüpteerimist; või |
| --- | --- |

a.

kasutatakse dekrüpteerimist; või

| b. | null-juhitavusega antenni. |
| --- | --- |

b.

null-juhitavusega antenni.

7A006Õhusõidukite altimeetrid (kõrgusmõõturid), mis toimivad muudel sagedustel kui 4,2 GHz kuni 4,4 GHz (kaasa arvatud) ning millel on järgmised omadused:

NB! VT KA PUNKTI 7A106.

| a. | võimsuse juhtimine; või |
| --- | --- |

a.

võimsuse juhtimine; või

| b. | kasutatakse faasmodulatsiooni. |
| --- | --- |

b.

kasutatakse faasmodulatsiooni.

7A007Raadiopeilimisseadmed, mis toimivad üle 30 MHz sagedustel ja millel on kõik järgmised omadused, ning nende jaoks spetsiaalselt ettenähtud komponendid:

| a. | hetkeline ribalaius on 1 MHz või rohkem; |
| --- | --- |

a.

hetkeline ribalaius on 1 MHz või rohkem;

| b. | rohkem kui 100 sageduskanali paralleelne töötlemine; ja |
| --- | --- |

b.

rohkem kui 100 sageduskanali paralleelne töötlemine; ja

| c. | töötlemiskiirus üle 1 000 peilingu sekundis ühe sageduskanali kohta. |
| --- | --- |

c.

töötlemiskiirus üle 1 000 peilingu sekundis ühe sageduskanali kohta.

7A101Kiirendusmõõturid, muud kui punktis 7A001 nimetatud, ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid:

| a. | Kiirendusmõõturid mõõtelävega 0,05 g või vähem või lineaarsusveaga, mis on 0,25 % väljundi täisskaalast, või mõlema tingimuse täitmisega ning mis on kavandatud kasutamiseks mis tahes tüüpi inertsiaalsetes navigatsiooni- või juhtimissüsteemides;


  Märkus: Punkt 7A101.a ei hõlma kiirendusmõõtureid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud ja arendatud puuraukude teenindamiseks MWD (Measurement While Drilling – mõõtmine puurimise käigus) anduritena. |
| --- | --- |

a.

Kiirendusmõõturid mõõtelävega 0,05 g või vähem või lineaarsusveaga, mis on 0,25 % väljundi täisskaalast, või mõlema tingimuse täitmisega ning mis on kavandatud kasutamiseks mis tahes tüüpi inertsiaalsetes navigatsiooni- või juhtimissüsteemides;

Märkus: Punkt 7A101.a ei hõlma kiirendusmõõtureid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud ja arendatud puuraukude teenindamiseks MWD (Measurement While Drilling – mõõtmine puurimise käigus) anduritena.

| b. | Pideva väljundiga kiirendusmõõturid, mis on ette nähtud kasutamiseks üle 100 g kiirenduse korral. |
| --- | --- |

b.

Pideva väljundiga kiirendusmõõturid, mis on ette nähtud kasutamiseks üle 100 g kiirenduse korral.

7A102Mis tahes tüüpi güroskoobid, muud kui punktis 7A002 nimetatud, mis on kasutatavad rakettmürskudes ja mille hinnatud triivi kiiruse stabiilsus on 1 g kiirendusega keskkonnas väiksem kui 0,5° (???või ruutkeskmiselt)?tunnis ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid.

7A103Seadmestik, navigatsiooniseadmed ja -süsteemid, muud kui punktis 7A003 nimetatud, ning spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid:

| a. | Inertsiaalsed või muud seadmed, milles kasutatakse punktis 7A001 või 7A002 nimetatud kiirendusmõõtureid või punktis 7A002 või 7A102 nimetatud güroskoope, ja selliseid seadmeid sisaldavad süsteemid;


  Märkus: Punkt 7A103.a ei hõlma seadmeid, mis sisaldavad punktis 7A001 nimetatud kiirendusmõõtureid ja mille jaoks sellised kiirendusmõõturid on spetsiaalselt projekteeritud ja kavandatud kui MWD-andurid ning mida kasutatakse puuraukude teenindamisel. |
| --- | --- |

a.

Inertsiaalsed või muud seadmed, milles kasutatakse punktis 7A001 või 7A002 nimetatud kiirendusmõõtureid või punktis 7A002 või 7A102 nimetatud güroskoope, ja selliseid seadmeid sisaldavad süsteemid;

Märkus: Punkt 7A103.a ei hõlma seadmeid, mis sisaldavad punktis 7A001 nimetatud kiirendusmõõtureid ja mille jaoks sellised kiirendusmõõturid on spetsiaalselt projekteeritud ja kavandatud kui MWD-andurid ning mida kasutatakse puuraukude teenindamisel.

| b. | Integreeritud lennuseadmesüsteemid, mis sisaldavad güroskoopstabilisaatoreid või automaatjuhtimissüsteeme, mis on kavandatud või kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettidel, punktis 9A012 nimetatud mehitamata õhusõidukitel või punktis 9A104 nimetatud sondrakettides. |
| --- | --- |

b.

Integreeritud lennuseadmesüsteemid, mis sisaldavad güroskoopstabilisaatoreid või automaatjuhtimissüsteeme, mis on kavandatud või kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettidel, punktis 9A012 nimetatud mehitamata õhusõidukitel või punktis 9A104 nimetatud sondrakettides.

| c. | Integreeritud navigatsioonisüsteemid, mis on kavandatud või kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettidel, punktis 9A012 nimetatud mehitamata õhusõidukitel või punktis 9A104 nimetatud sondrakettidel ning millega on võimalik saavutada navigatsioonitäpsus, mille puhul samavõrdne tõenäosusring (CEP) on 200 m või vähem.
  Tehniline märkus:


  Integreeritud navigatsioonisüsteem koosneb tavaliselt järgmistest komponentidest:








  1. | inertsiaalne mõõteseade (nt suuna ja positsiooni määramise süsteem, inertsiaalne viiteüksus või inertsiaalne navigatsioonisüsteem); |
| --- | --- | --- |

c.

Integreeritud navigatsioonisüsteemid, mis on kavandatud või kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettidel, punktis 9A012 nimetatud mehitamata õhusõidukitel või punktis 9A104 nimetatud sondrakettidel ning millega on võimalik saavutada navigatsioonitäpsus, mille puhul samavõrdne tõenäosusring (CEP) on 200 m või vähem.

Tehniline märkus:

Integreeritud navigatsioonisüsteem koosneb tavaliselt järgmistest komponentidest:

1.

inertsiaalne mõõteseade (nt suuna ja positsiooni määramise süsteem, inertsiaalne viiteüksus või inertsiaalne navigatsioonisüsteem);

| 2. | üks või mitu välisandurit, mida kasutatakse asukoha ja/või kiiruse ajakohastamiseks kas perioodiliselt või pidevalt kogu lennu jooksul (nt satelliitnavigatsiooni vastuvõtuseade, radari kõrgusmõõtur ja/või Doppler-radar); ja; |
| --- | --- |

2.

üks või mitu välisandurit, mida kasutatakse asukoha ja/või kiiruse ajakohastamiseks kas perioodiliselt või pidevalt kogu lennu jooksul (nt satelliitnavigatsiooni vastuvõtuseade, radari kõrgusmõõtur ja/või Doppler-radar); ja;

| 3. | integratsiooni riist- ja tarkvara |
| --- | --- |

3.

integratsiooni riist- ja tarkvara

7A104Güro- ja astrokompassid ning muud seadmed, muud kui punktis 7A004 nimetatud, mis tuletavad asukoha või suuna automaatselt taevakehade või satelliitide jälgimise abil, ning spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid.

7A105Vastuvõtuseadmed globaalsete navigatsioonisatelliitide süsteemide jaoks (GNSS; nt GPS, GLONASS või Galileo), millel on mis tahes järgmine omadus, ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid:

| a. | mis on kavandatud või kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettidel, punktis 9A012 nimetatud mehitamata õhusõidukitel või punktis 9A104 nimetatud sondrakettidel; või |
| --- | --- |

a.

mis on kavandatud või kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettidel, punktis 9A012 nimetatud mehitamata õhusõidukitel või punktis 9A104 nimetatud sondrakettidel; või

| b. | mis on kavandatud või kohandatud kasutamiseks õhusõidukites ja millel on järgmised omadused:






  1. | mis on võimelised saama navigatsiooniteavet kiirustel üle 600 m/s (1 165 meremiili/tunnis); |
| --- | --- | --- |

b.

mis on kavandatud või kohandatud kasutamiseks õhusõidukites ja millel on järgmised omadused:

1.

mis on võimelised saama navigatsiooniteavet kiirustel üle 600 m/s (1 165 meremiili/tunnis);

| 2. | mis kasutavad sõjaliste või valitsusteenistuste jaoks kavandatud või kohandatud dekrüpteerimist, et saada juurdepääs GNSSi turvatud signaalile/andmetele; või |
| --- | --- |

2.

mis kasutavad sõjaliste või valitsusteenistuste jaoks kavandatud või kohandatud dekrüpteerimist, et saada juurdepääs GNSSi turvatud signaalile/andmetele; või

| 3. | mis on spetsiaalselt kavandatud raadiohäireid välistavatena (nt nulljuhtimisega antenn või elektrooniliselt juhitav antenn), et need toimiksid aktiivsete või passiivsete vastumõjude keskkonnas. |
| --- | --- |

3.

mis on spetsiaalselt kavandatud raadiohäireid välistavatena (nt nulljuhtimisega antenn või elektrooniliselt juhitav antenn), et need toimiksid aktiivsete või passiivsete vastumõjude keskkonnas.

Märkus: Punktid 7A105.b.2 ja 7A105.b.3 ei hõlma seadmeid, mis on ette nähtud kaubanduslike, tsiviilotstarbeliste või inimelude ohutusega (nt andmete terviklikkus, lennuohutus) seotud GNSS teenuste jaoks.

7A106Kõrgusmõõturid, muud kui punktis 7A006 nimetatud, kas radar- või laserradartüüpi, mis on kavandatud või kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettidel või punktis 9A104 nimetatud sondrakettidel.

7A115Passiivsed andurid, mis võimaldavad kindlaks määrata suuna spetsiifilistele elektromagnetlainete allikatele (peilimisseadmed) või maastiku iseärasustele ning on kavandatud või kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettidel või punktis 9A104 nimetatud sondrakettidel.

Märkus: Punkt 7A115 hõlmab järgmiste seadmete andureid:

| a. | maapinna kuju kaardistamise seadmed; |
| --- | --- |

a.

maapinna kuju kaardistamise seadmed;

| b. | kujutavad andurseadmed (aktiivsed ja passiivsed); |
| --- | --- |

b.

kujutavad andurseadmed (aktiivsed ja passiivsed);

| c. | passiivsed interferomeetrilised seadmed. |
| --- | --- |

c.

passiivsed interferomeetrilised seadmed.

7A116Lennujuhtimissüsteemid ja servoventiilid, mis on kavandatud või kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettides või punktis 9A104 nimetatud sondrakettides.

| a. | Hüdraulilised, mehaanilised, elektro-optilised või elektromehaanilised lennujuhtimissüsteemid (kaasa arvatud elektrooniline juhtimine – fly-by-wire); |
| --- | --- |

a.

Hüdraulilised, mehaanilised, elektro-optilised või elektromehaanilised lennujuhtimissüsteemid (kaasa arvatud elektrooniline juhtimine – fly-by-wire);

| b. | Asendi kontrolliseadmed; |
| --- | --- |

b.

Asendi kontrolliseadmed;

| c. | Lennujuhtimise servoventiilid, mis on loodud või kohandatud punktis 7A116.a või 7A116.b nimetatud süsteemide jaoks ning töötama vibratsioonilises keskkonnas ja mille väärtus ruutkeskmiselt on üle 10 g ja sagedusvahemik 20–2000 Hz. |
| --- | --- |

c.

Lennujuhtimise servoventiilid, mis on loodud või kohandatud punktis 7A116.a või 7A116.b nimetatud süsteemide jaoks ning töötama vibratsioonilises keskkonnas ja mille väärtus ruutkeskmiselt on üle 10 g ja sagedusvahemik 20–2000 Hz.

7A117
  Rakettmürskudel kasutatavad juhtimisseadmed, mis on võimelised saavutama süsteemset täpsust 3,33 % või vähem lennuulatusest (nt samavõrdne tõenäosusring (CEP) 10 km või väiksem kaugusel 300 km).

7BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

7B001Testimis-, kalibreerimis- ja reguleerimisseadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 7A nimetatud seadmete jaoks.

Märkus: Punkt 7B001 ei hõlma I või II hooldustasemele vajalikke testimis-, kalibreerimis- ja reguleerimisseadmeid.

Tehnilised märkused:

| 1. | I hooldustase


  Õhusõiduki inertsiaalse navigatsioonisõlme tõrge avastatakse teenindus- ja kuvarmooduli näitude või vastava allsüsteemi seisukorra teate abil. Tootja juhendi abil on võimalik tõrke põhjus lokaliseerida korrast ära oleva asendatava mooduli (LRU) tasemel. Väljavahetatav moodul asendatakse seejärel teenindava personali poolt varumooduliga. |
| --- | --- |

1.

I hooldustase

| 2. | II hooldustase


  Defektne moodul saadetakse parandustöökotta (tootja omasse või sellisesse, mille personal on vastutav II hooldustaseme eest). Parandustöökojas testitakse defektset moodulit erinevate asjakohaste vahenditega, et kindlaks teha ning lokaliseerida defektne, töökojas asendatav sõlm, mis põhjustas väljavahetatud mooduli tõrke. Nimetatud asendatav sõlm eemaldatakse ning asendatakse toimiva varusõlmega. Defektne sõlm (või võimaluse korral kogu väljavahetatud moodul) saadetakse tootjale.


  NB! II hooldustase ei hõlma kontrolli alla kuuluvate kiirendusmõõturite või güroskoopiliste andurite eemaldamist asendatavatest sõlmedest. |
| --- | --- |

2.

II hooldustase

NB! II hooldustase ei hõlma kontrolli alla kuuluvate kiirendusmõõturite või güroskoopiliste andurite eemaldamist asendatavatest sõlmedest.

7B002Järgmised seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud ringlasergüroskoopide peeglite iseloomustamiseks:

NB! VT KA PUNKTI 7B102.

| a. | Hajuvusmõõturid, mille mõõtetäpsus on väiksem (parem) kui 10 ppm; |
| --- | --- |

a.

Hajuvusmõõturid, mille mõõtetäpsus on väiksem (parem) kui 10 ppm;

| b. | Profilomeetrid, mille mõõtetäpsus on väiksem (parem) kui 0,5 nm (5 ångströmi). |
| --- | --- |

b.

Profilomeetrid, mille mõõtetäpsus on väiksem (parem) kui 0,5 nm (5 ångströmi).

7B003Seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 7A nimetatud seadmete tootmiseks.

Märkus: Punkt 7B003 hõlmab järgmist:

| a. | güroskoopide reguleerimise testimisseadmed; |
| --- | --- |

a.

güroskoopide reguleerimise testimisseadmed;

| b. | güroskoopide dünaamilise tasakaalustamise seadmed; |
| --- | --- |

b.

güroskoopide dünaamilise tasakaalustamise seadmed;

| c. | güroskoopide sissetöötamise/mootorite testimisseadmed; |
| --- | --- |

c.

güroskoopide sissetöötamise/mootorite testimisseadmed;

| d. | güroskoopide tühjendamise ja täitmise seadmed; |
| --- | --- |

d.

güroskoopide tühjendamise ja täitmise seadmed;

| e. | tsentrifuugirakised güroskoopide laagritele; |
| --- | --- |

e.

tsentrifuugirakised güroskoopide laagritele;

| f. | kiirendusmõõturite telgede reastamise seadmed. |
| --- | --- |

f.

kiirendusmõõturite telgede reastamise seadmed.

7B102Peegeldusmõõturid (reflektomeetrid), mis on spetsiaalselt ette nähtud lasergüroskoopide peeglite iseloomustamiseks ja mille mõõtetäpsus on 50 ppm või väiksem (parem).

7B103
  Tootmisvarustus- ja vahendid:

| a. | Tootmisvarustus, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 7A117 nimetatud seadmete jaoks; |
| --- | --- |

a.

Tootmisvarustus, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 7A117 nimetatud seadmete jaoks;

| b. | Tootmisvahendid ning testimis-, kalibreerimis- ja reguleerimisseadmed, muud kui punktides 7B001–7B003 nimetatud, mis on kavandatud või seadistatud kasutamiseks koos punktis 7A nimetatud seadmetega. |
| --- | --- |

b.

Tootmisvahendid ning testimis-, kalibreerimis- ja reguleerimisseadmed, muud kui punktides 7B001–7B003 nimetatud, mis on kavandatud või seadistatud kasutamiseks koos punktis 7A nimetatud seadmetega.

7CMaterjalid

Puuduvad.

7DTarkvara

7D001
  Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 7A või 7B nimetatud seadmete arendamiseks või tootmiseks.

7D002
  Lähtekoodid, mis on vajalikud mis tahes inertsiaalsete navigatsiooniseadmete, kaasa arvatud punktidega 7A003 või 7A004 hõlmamata, inertsiaalsete seadmete või suuna ja positsiooni määramise süsteemi (AHRS) kasutamiseks.

Märkus: Punkt 7D002 ei hõlma lähtekoodi kardaanriputiga AHRS-i kasutamiseks.

Tehniline märkus:

AHRS erineb üldiselt inertsiaalsest navigatsioonisüsteemist (INS) selle poolest, et AHRS annab suuna ja positsiooni informatsiooni ning tavaliselt ei anna teavet kiirenduse, kiiruse ja asukoha kohta, mida seostatakse INS-iga.

7D003Muu tarkvara:

| a. | Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud süsteemide toimimise tõhustamiseks või nende navigatsioonivigade vähendamiseks punktides 7A003 või 7A004 kirjeldatud tasemeni; |
| --- | --- |

a.

Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud süsteemide toimimise tõhustamiseks või nende navigatsioonivigade vähendamiseks punktides 7A003 või 7A004 kirjeldatud tasemeni;

| b. | Programmi lähtekoodid hübriidintegraalsüsteemidele, mis tõhustavad süsteemide toimimist või vähendavad nende navigatsioonivigu punktis 7A003 kirjeldatud tasemeni inertsiaalandmete pideva sidumisega mis tahes järgmisega:






  1. | Doppler-radari antud kiirusandmed; |
| --- | --- | --- |

b.

Programmi lähtekoodid hübriidintegraalsüsteemidele, mis tõhustavad süsteemide toimimist või vähendavad nende navigatsioonivigu punktis 7A003 kirjeldatud tasemeni inertsiaalandmete pideva sidumisega mis tahes järgmisega:

1.

Doppler-radari antud kiirusandmed;

| 2. | globaalsete navigatsioonisatelliitide süsteemide (GPS või GLONASS) tugiandmed; või |
| --- | --- |

2.

globaalsete navigatsioonisatelliitide süsteemide (GPS või GLONASS) tugiandmed; või

| 3. | andmebaasidega toetatavatest navigatsioonisüsteemidest (DBRN) saadud andmed; |
| --- | --- |

3.

andmebaasidega toetatavatest navigatsioonisüsteemidest (DBRN) saadud andmed;

| c. | Programmi lähtekoodid integreeritud avioonika- või lennuülesandesüsteemidele, mis seovad andurite andmeid ja kasutavad ekspertsüsteeme; |
| --- | --- |

c.

Programmi lähtekoodid integreeritud avioonika- või lennuülesandesüsteemidele, mis seovad andurite andmeid ja kasutavad ekspertsüsteeme;

| d. | Lähtekoodid mis tahes järgmiste süsteemide arendamiseks:






  1. | digitaalsed lennujuhtimissüsteemid, mis on ette nähtud lendude täielikult automatiseeritud juhtimiseks; |
| --- | --- | --- |

d.

Lähtekoodid mis tahes järgmiste süsteemide arendamiseks:

1.

digitaalsed lennujuhtimissüsteemid, mis on ette nähtud lendude täielikult automatiseeritud juhtimiseks;

| 2. | integreeritud tõukejõu- ja lennujuhtimissüsteemid; |
| --- | --- |

2.

integreeritud tõukejõu- ja lennujuhtimissüsteemid;

| 3. | elektroonilised või valgusoptilised lennujuhtimissüsteemid; |
| --- | --- |

3.

elektroonilised või valgusoptilised lennujuhtimissüsteemid;

| 4. | tõrketaluvusega või iserekonfigureeruvad lennujuhtimise aktiivsüsteemid; |
| --- | --- |

4.

tõrketaluvusega või iserekonfigureeruvad lennujuhtimise aktiivsüsteemid;

| 5. | õhusõidukite automaatsed peilimisseadmed; |
| --- | --- |

5.

õhusõidukite automaatsed peilimisseadmed;

| 6. | õhuväärtuste andmesüsteemid, mis põhinevad staatilistel andmetel maapinnalt; või |
| --- | --- |

6.

õhuväärtuste andmesüsteemid, mis põhinevad staatilistel andmetel maapinnalt; või

| 7. | Raster-tüüpi esiklaasiindikaatorid või kolmemõõtmelised kuvarid. |
| --- | --- |

7.

Raster-tüüpi esiklaasiindikaatorid või kolmemõõtmelised kuvarid.

| e. | Raalprojekteerimise (CAD) tarkvara, mis on spetsiaalselt kavandatud lennujuhtimise aktiivsüsteemide, helikopterite mitmeteljelise elektroonilise või valgusoptilise juhtimise kontrollerite või helikopterite õhuvoolu abil juhitud pöörlemisvastaste või õhuvoolu abil juhitud suunajuhtimise süsteemide arendamiseks, mille tehnoloogia on määratletud punktis 7E004.b, 7E004.c.1 või 7E004.c.2. |
| --- | --- |

e.

Raalprojekteerimise (CAD) tarkvara, mis on spetsiaalselt kavandatud lennujuhtimise aktiivsüsteemide, helikopterite mitmeteljelise elektroonilise või valgusoptilise juhtimise kontrollerite või helikopterite õhuvoolu abil juhitud pöörlemisvastaste või õhuvoolu abil juhitud suunajuhtimise süsteemide arendamiseks, mille tehnoloogia on määratletud punktis 7E004.b, 7E004.c.1 või 7E004.c.2.

7D101
  Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktides 7A001–7A006, 7A101–7A106, 7A115, 7A116.a, 7A116.b, 7B001, 7B002, 7B003, 7B102 või 7B103 nimetatud seadmete kasutamiseks.

7D102Järgmine integratsioonitarkvara:

| a. | Integratsioonitarkvara punktis 7A103.b nimetatud seadmete jaoks; |
| --- | --- |

a.

Integratsioonitarkvara punktis 7A103.b nimetatud seadmete jaoks;

| b. | Integratsioonitarkvara punktis 7A003 või 7A103.a nimetatud seadmete jaoks. |
| --- | --- |

b.

Integratsioonitarkvara punktis 7A003 või 7A103.a nimetatud seadmete jaoks.

| c. | Integratsioonitarkvara punktis 7A103.c nimetatud seadmete jaoks.


  Märkus: Integratsioonitarkvara tavavormide puhul kasutatakse Kalmani filtrit. |
| --- | --- |

c.

Integratsioonitarkvara punktis 7A103.c nimetatud seadmete jaoks.

Märkus: Integratsioonitarkvara tavavormide puhul kasutatakse Kalmani filtrit.

7D103
  Tarkvara, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 7A117 nimetatud juhtimisseadmete modelleerimiseks või simuleerimiseks või nende planeerimise integreerimiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettidega või punktis 9A104 nimetatud sondrakettidega.

Märkus: Punktis 7D103 nimetatud tarkvara jääb kontrolli alla kuuluvaks, kui ta on ühendatud punktis 4A102 nimetatud spetsiaalselt loodud riistvaraga.

7ETehnoloogia

7E001
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktis 7A, 7B või 7D nimetatud seadmete või tarkvara arendamiseks.

7E002
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktis 7A või 7B nimetatud seadmete tootmiseks.

7E003
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktides 7A001–7A004 nimetatud seadmete parandamiseks, remontimiseks või uuendamiseks.

Märkus: Punkt 7E003 ei hõlma hooldustehnoloogiat, mis on otseselt seotud tsiviilotstarbeliste õhusõidukite I hooldustasemes või II hooldustasemes määratletud vigastatud või kasutamiskõlbmatute asendatavate moodulite (LRU) ja asendatavate sõlmede (SRA) kalibreerimise, eemaldamise või asendamisega.

NB! Vaata punkti 7B001 tehnilisi märkusi.

7E004Muu tehnoloogia:

| a. | Tehnoloogia, mis on ette nähtud järgmiste seadmete arendamiseks ja tootmiseks:






  1. | õhusõidukite automaatsed peilimisseadmed, mille töösagedus on üle 5 MHz; |
| --- | --- | --- |

a.

Tehnoloogia, mis on ette nähtud järgmiste seadmete arendamiseks ja tootmiseks:

1.

õhusõidukite automaatsed peilimisseadmed, mille töösagedus on üle 5 MHz;

| 2. | õhuväärtuste andmesüsteemid, mis põhinevad ainult staatilistel andmetel maapinnalt, st mis korvavad tavapäraseid õhusonde; |
| --- | --- |

2.

õhuväärtuste andmesüsteemid, mis põhinevad ainult staatilistel andmetel maapinnalt, st mis korvavad tavapäraseid õhusonde;

| 3. | Raster-tüüpi esiklaasiindikaatorid või kolmemõõtmelised kuvarid; |
| --- | --- |

3.

Raster-tüüpi esiklaasiindikaatorid või kolmemõõtmelised kuvarid;

| 4. | inertsiaalsed navigatsioonisüsteemid või güro- ja astrokompassid, mis sisaldavad punktis 7A001 või 7A002 nimetatud kiirendusmõõtureid või güroskoope; |
| --- | --- |

4.

inertsiaalsed navigatsioonisüsteemid või güro- ja astrokompassid, mis sisaldavad punktis 7A001 või 7A002 nimetatud kiirendusmõõtureid või güroskoope;

| 5. | elektrilised ajamid (st elektromehaanilised, elektrohüdrostaatilised ja ajamsüsteemidesse integreeritud ajamid), mis on spetsiaalselt ette nähtud lennu põhijuhtimise jaoks; |
| --- | --- |

5.

elektrilised ajamid (st elektromehaanilised, elektrohüdrostaatilised ja ajamsüsteemidesse integreeritud ajamid), mis on spetsiaalselt ette nähtud lennu põhijuhtimise jaoks;

| 6. | lennujuhtimise optiliste andurite massiivid, mis on spetsiaalselt ette nähtud lennujuhtimise aktiivsüsteemide seadmestamiseks; |
| --- | --- |

6.

lennujuhtimise optiliste andurite massiivid, mis on spetsiaalselt ette nähtud lennujuhtimise aktiivsüsteemide seadmestamiseks;

| b. | Arendustehnoloogia, mis on ette nähtud järgmiste lennujuhtimise aktiivsüsteemide (kaasa arvatud elektrooniline või valgusoptiline juhtimine) arendamiseks:






  1. | konfigureerimiskeem mitme mikroelektroonilise arvutuselemendi (pardaarvutid) ühendamiseks reaalajalise töötluse tarvis, mis võimaldaks jälgida kontrollreeglistiku täitmist; |
| --- | --- | --- |

b.

Arendustehnoloogia, mis on ette nähtud järgmiste lennujuhtimise aktiivsüsteemide (kaasa arvatud elektrooniline või valgusoptiline juhtimine) arendamiseks:

1.

konfigureerimiskeem mitme mikroelektroonilise arvutuselemendi (pardaarvutid) ühendamiseks reaalajalise töötluse tarvis, mis võimaldaks jälgida kontrollreeglistiku täitmist;

| 2. | andurite asukoha või lennuplaaneri dünaamilise koormuse kontrollreeglistikupärane kompenseerimine, st andurite vibratsioonilise ümbruse või andurite asukohtade erinevuse raskuskeskme suhtes kompenseerimine; |
| --- | --- |

2.

andurite asukoha või lennuplaaneri dünaamilise koormuse kontrollreeglistikupärane kompenseerimine, st andurite vibratsioonilise ümbruse või andurite asukohtade erinevuse raskuskeskme suhtes kompenseerimine;

| 3. | andmete või süsteemide liiasuse elektrooniline haldamine tõrgete avastamiseks, tõrketaluvuseks, tõrke lokaliseerimiseks või uuesti konfigureerimiseks;


  Märkus: Punkt 7E004.b.3 ei hõlma füüsilise liiasuse planeerimise tehnoloogiat. |
| --- | --- |

3.

andmete või süsteemide liiasuse elektrooniline haldamine tõrgete avastamiseks, tõrketaluvuseks, tõrke lokaliseerimiseks või uuesti konfigureerimiseks;

Märkus: Punkt 7E004.b.3 ei hõlma füüsilise liiasuse planeerimise tehnoloogiat.

| 4. | lennujuhtimissüsteemid, mis võimaldavad lennu kestel jõu- ja momentjuhtimise ümberkonfigureerimist reaalajaliseks autonoomseks õhusõiduki juhtimiseks; |
| --- | --- |

4.

lennujuhtimissüsteemid, mis võimaldavad lennu kestel jõu- ja momentjuhtimise ümberkonfigureerimist reaalajaliseks autonoomseks õhusõiduki juhtimiseks;

| 5. | digitaalsete lennujuhtimis-, navigatsiooni- ja mootorite juhtimise andmete ühendamine ühtsesse digitaalsesse lennujuhtimissüsteemi täielikult automatiseeritud lennujuhtimise saavutamiseks;


  Märkus: Punkt 7E004.b.5 ei hõlma:








  a. | Arendustehnoloogiat, et digitaalsete lennujuhtimis-, navigatsioon- ja mootorite juhtimise andmete ühendamisega ühtsesse digitaalsesse lennujuhtimissüsteemi optimeerida lennutrajektoori; |
| --- | --- | --- |

5.

digitaalsete lennujuhtimis-, navigatsiooni- ja mootorite juhtimise andmete ühendamine ühtsesse digitaalsesse lennujuhtimissüsteemi täielikult automatiseeritud lennujuhtimise saavutamiseks;

Märkus: Punkt 7E004.b.5 ei hõlma:

a.

Arendustehnoloogiat, et digitaalsete lennujuhtimis-, navigatsioon- ja mootorite juhtimise andmete ühendamisega ühtsesse digitaalsesse lennujuhtimissüsteemi optimeerida lennutrajektoori;

| b. | Selliste õhusõiduki lennumõõteriistasüsteemide arendamistehnoloogiat, mis on integreeritud ainult VOR-, DME-, ILS- või MLS-navigatsiooni või -lähenemise jaoks. |
| --- | --- |

b.

Selliste õhusõiduki lennumõõteriistasüsteemide arendamistehnoloogiat, mis on integreeritud ainult VOR-, DME-, ILS- või MLS-navigatsiooni või -lähenemise jaoks.

| 6. | täisautomaatsed digitaalsed lennujuhtimissüsteemid või paljuandurilised lennuülesande haldamissüsteemid, mis kasutavad ekspertsüsteeme;


  NB! Täisautomaatse digitaalse mootori juhtimise (FADEC) tehnoloogia kohta vaata punkti 9E003.a.9. |
| --- | --- |

6.

täisautomaatsed digitaalsed lennujuhtimissüsteemid või paljuandurilised lennuülesande haldamissüsteemid, mis kasutavad ekspertsüsteeme;

NB! Täisautomaatse digitaalse mootori juhtimise (FADEC) tehnoloogia kohta vaata punkti 9E003.a.9.

| c. | Tehnoloogia, mis on ette nähtud järgmiste helikopterisüsteemide arendamiseks:






  1. | mitmeteljelise elektroonilise või valgusoptilise juhtimise kontrollerid, mis ühendavad vähemalt kaks järgmist funktsiooni ühte kontrollielementi:






  a. | kollektiivjuhtimine; |
| --- | --- | --- | --- |

c.

Tehnoloogia, mis on ette nähtud järgmiste helikopterisüsteemide arendamiseks:

1.

mitmeteljelise elektroonilise või valgusoptilise juhtimise kontrollerid, mis ühendavad vähemalt kaks järgmist funktsiooni ühte kontrollielementi:

a.

kollektiivjuhtimine;

| b. | tsükliline juhtimine; |
| --- | --- |

b.

tsükliline juhtimine;

| c. | lengerdusjuhtimine; |
| --- | --- |

c.

lengerdusjuhtimine;

| 2. | õhuvoolu abil juhitud pöörlemisvastased või õhuvoolu abil juhitud suunajuhtimise süsteemid; |
| --- | --- |

2.

õhuvoolu abil juhitud pöörlemisvastased või õhuvoolu abil juhitud suunajuhtimise süsteemid;

| 3. | rootori labad, mis sisaldavad muudetava tiivageomeetriaga aerodünaamilisi pindu, mida kasutatakse individuaalse labajuhtimisega süsteemides. |
| --- | --- |

3.

rootori labad, mis sisaldavad muudetava tiivageomeetriaga aerodünaamilisi pindu, mida kasutatakse individuaalse labajuhtimisega süsteemides.

7E101
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktides 7A001–7A006, 7A101–7A106, 7A115–7A117, 7B001, 7B002, 7B003, 7B102, 7B103, 7D101–7D103 nimetatud seadmete kasutamiseks.

7E102
  Tehnoloogia, mis on ette nähtud avioonika ja elektriliste alamsüsteemide kaitseks välistest allikatest pärineva elektromagnetilise impulsi (EMP) ja elektromagnetiliste häirete (EMI) ohu eest:

| a. | Ekraneerimissüsteemide projekteerimise tehnoloogia; |
| --- | --- |

a.

Ekraneerimissüsteemide projekteerimise tehnoloogia;

| b. | Projekteerimistehnoloogia kõrgendatud taluvusega elektriliste lülitusskeemide ja alamsüsteemide konfigureerimiseks; |
| --- | --- |

b.

Projekteerimistehnoloogia kõrgendatud taluvusega elektriliste lülitusskeemide ja alamsüsteemide konfigureerimiseks;

| c. | Projekteerimistehnoloogia punktides 7E102.a ja 7E102.b nimetatud kõrgendatud taluvuse kriteeriumide kindlaksmääramiseks; |
| --- | --- |

c.

Projekteerimistehnoloogia punktides 7E102.a ja 7E102.b nimetatud kõrgendatud taluvuse kriteeriumide kindlaksmääramiseks;

7E104
  Tehnoloogia, mis on ette nähtud lennujuhtimise ja tõukejõu andmete integreerimiseks lennujuhtimissüsteemi, et optimeerida raketisüsteemide trajektoori.

8. KATEGOORIA

MERENDUS

8ASüsteemid, seadmed ja komponendid

8A001Sukelaparaadid ja pealveesõidukid:

Märkus: Sukelaparaatide seadmete kontrolli alla kuulumise kohta vaata:

| | kategooria, 2. osa: infoturve krüpteeritud andmeside seadmete jaoks; |
| --- | --- |

kategooria, 2. osa: infoturve krüpteeritud andmeside seadmete jaoks;

| | kategooria: sensorid; |
| --- | --- |

kategooria: sensorid;

| | ja 8. kategooria: navigatsiooniseadmed; |
| --- | --- |

ja 8. kategooria: navigatsiooniseadmed;

| | Punkt 8A: veealused seadmed. |
| --- | --- |

Punkt 8A: veealused seadmed.

| a. | Mehitatud, lõastatud sukelaparaadid, mis on kavandatud toimima sügavamal kui 1 000 m; |
| --- | --- |

a.

Mehitatud, lõastatud sukelaparaadid, mis on kavandatud toimima sügavamal kui 1 000 m;

| b. | Mehitatud, lõastamata sukelaparaadid, millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | kavandatud toimima iseseisvalt ja neil on järgmine tõstevõime:






  a. | 10 % või rohkem nende raskusest õhus; ja |
| --- | --- | --- | --- |

b.

Mehitatud, lõastamata sukelaparaadid, millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

kavandatud toimima iseseisvalt ja neil on järgmine tõstevõime:

a.

10 % või rohkem nende raskusest õhus; ja

| b. | 15 kN või rohkem; |
| --- | --- |

b.

15 kN või rohkem;

| 2. | kavandatud toimima sügavamal kui 1 000 m; või |
| --- | --- |

2.

kavandatud toimima sügavamal kui 1 000 m; või

| 3. | millel on kõik järgmised omadused:






  a. | kavandatud nelja- või enamaliikmelisele meeskonnale; |
| --- | --- | --- |

3.

millel on kõik järgmised omadused:

a.

kavandatud nelja- või enamaliikmelisele meeskonnale;

| b. | kavandatud toimima iseseisvalt kümne tunni jooksul või kauem; |
| --- | --- |

b.

kavandatud toimima iseseisvalt kümne tunni jooksul või kauem;

| c. | tegevusulatus 25 meremiili või rohkem; ja |
| --- | --- |

c.

tegevusulatus 25 meremiili või rohkem; ja

| d. | pikkus kuni 21 m; |
| --- | --- |

d.

pikkus kuni 21 m;

Tehnilised märkused:

| 1. | Punkti 8A001.b tähenduses on iseseisvalt toimimine täielik sukeldumine ilma õhutoruta (snorkel), kõigi süsteemide töötamine ning liikumine minimaalse kiirusega, millega allveesõiduk suudab ohutult juhtida dünaamiliselt oma sügavust, kasutades ainult oma sügavustüüre ja vajamata tugialust või veepinnal, merepõhjas või kaldal asuvat tugibaasi ning sisaldades tõukejõusüsteemi kasutamiseks nii veepinnal kui ka vee all. |
| --- | --- |

1.

Punkti 8A001.b tähenduses on iseseisvalt toimimine täielik sukeldumine ilma õhutoruta (snorkel), kõigi süsteemide töötamine ning liikumine minimaalse kiirusega, millega allveesõiduk suudab ohutult juhtida dünaamiliselt oma sügavust, kasutades ainult oma sügavustüüre ja vajamata tugialust või veepinnal, merepõhjas või kaldal asuvat tugibaasi ning sisaldades tõukejõusüsteemi kasutamiseks nii veepinnal kui ka vee all.

| 2. | Punkti 8A001.b tähenduses on tegevusulatus pool vahemaast, mille sukelaparaat suudab läbida. |
| --- | --- |

2.

Punkti 8A001.b tähenduses on tegevusulatus pool vahemaast, mille sukelaparaat suudab läbida.

| c. | Mehitamata, lõastatud sukelaparaadid, mis on kavandatud toimima sügavamal kui 1 000 m ning millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | kavandatud iseseisvaks manööverdamiseks, kasutades punktis 8A002.a.2 nimetatud tõukemootoreid või lisamootoreid; või |
| --- | --- | --- |

c.

Mehitamata, lõastatud sukelaparaadid, mis on kavandatud toimima sügavamal kui 1 000 m ning millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

kavandatud iseseisvaks manööverdamiseks, kasutades punktis 8A002.a.2 nimetatud tõukemootoreid või lisamootoreid; või

| 2. | varustatud kiudoptilise andmesidelüliga; |
| --- | --- |

2.

varustatud kiudoptilise andmesidelüliga;

| d. | Mehitamata, lõastamata sukelaparaadid, millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | kavandatud määrama kurssi mis tahes geograafilise reeperi suhtes ilma reaalajalise inimsekkumiseta; |
| --- | --- | --- |

d.

Mehitamata, lõastamata sukelaparaadid, millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

kavandatud määrama kurssi mis tahes geograafilise reeperi suhtes ilma reaalajalise inimsekkumiseta;

| 2. | varustatud akustilise andmeside- või käsulüliga; või |
| --- | --- |

2.

varustatud akustilise andmeside- või käsulüliga; või

| 3. | varustatud pikema kui 1 000 m kiudoptilise andmeside- või käsulüliga; |
| --- | --- |

3.

varustatud pikema kui 1 000 m kiudoptilise andmeside- või käsulüliga;

| e. | Ookeani päästesüsteemid, mille tõstevõime on üle 5 MN objektide päästmiseks sügavamalt kui 250 m ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | dünaamilised positsiooneerimissüsteemid, mis võimaldavad säilitada navigatsioonisüsteemiga määratud asukohta 20 m täpsusega; või |
| --- | --- | --- |

e.

Ookeani päästesüsteemid, mille tõstevõime on üle 5 MN objektide päästmiseks sügavamalt kui 250 m ja millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

dünaamilised positsiooneerimissüsteemid, mis võimaldavad säilitada navigatsioonisüsteemiga määratud asukohta 20 m täpsusega; või

| 2. | merepõhjas navigeerimise ja navigatsiooniandmete integreerimise süsteemid sügavustes üle 1 000 m positsioneerimistäpsusega 10 m etteantud punkti suhtes; |
| --- | --- |

2.

merepõhjas navigeerimise ja navigatsiooniandmete integreerimise süsteemid sügavustes üle 1 000 m positsioneerimistäpsusega 10 m etteantud punkti suhtes;

| f. | Õhkpadjal sõidukid (täispõllega), millel on kõik järgmised omadused:






  1. | maksimaalne kavandatud kiirus täislastis, olulise lainekõrgusega 1,25 m (mere olukord 3) või rohkem, on üle 30 sõlme; |
| --- | --- | --- |

f.

Õhkpadjal sõidukid (täispõllega), millel on kõik järgmised omadused:

1.

maksimaalne kavandatud kiirus täislastis, olulise lainekõrgusega 1,25 m (mere olukord 3) või rohkem, on üle 30 sõlme;

| 2. | õhkpadja rõhk on üle 3 830 Pa; ja |
| --- | --- |

2.

õhkpadja rõhk on üle 3 830 Pa; ja

| 3. | tühja- ja täislastis laeva veeväljasurvete suhe on väiksem kui 0,70; |
| --- | --- |

3.

tühja- ja täislastis laeva veeväljasurvete suhe on väiksem kui 0,70;

| g. | Õhkpadjal sõidukid (jäiga külgseinaga), mille maksimaalne projekteeritud kiirus täislastis, olulise lainekõrgusega 3,25 m (mere olukord 5) või rohkem, on üle 40 sõlme; |
| --- | --- |

g.

Õhkpadjal sõidukid (jäiga külgseinaga), mille maksimaalne projekteeritud kiirus täislastis, olulise lainekõrgusega 3,25 m (mere olukord 5) või rohkem, on üle 40 sõlme;

| h. | Tiiburlaevad, mis on varustatud aktiivse tiibade asendi automaatse juhtimissüsteemiga ja mille maksimaalne projekteeritud kiirus täislastis, olulise lainekõrgusega 3,25 m (mere olukord 5) või rohkem, on üle 40 sõlme; |
| --- | --- |

h.

Tiiburlaevad, mis on varustatud aktiivse tiibade asendi automaatse juhtimissüsteemiga ja mille maksimaalne projekteeritud kiirus täislastis, olulise lainekõrgusega 3,25 m (mere olukord 5) või rohkem, on üle 40 sõlme;

| i. | Väikese veeliinitasandi pindalaga sõidukid, millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | veeväljasurve täislastis on üle 500 tonni ja maksimaalne projekteeritud kiirus täislastis, olulise lainekõrgusega 3,25 m (mere olukord 5) või rohkem, on üle 35 sõlme; või |
| --- | --- | --- |

i.

Väikese veeliinitasandi pindalaga sõidukid, millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

veeväljasurve täislastis on üle 500 tonni ja maksimaalne projekteeritud kiirus täislastis, olulise lainekõrgusega 3,25 m (mere olukord 5) või rohkem, on üle 35 sõlme; või

| 2. | veeväljasurve täislastis on üle 1 500 tonni ja maksimaalne projekteeritud kiirus täislastis, olulise lainekõrgusega 4 m (mere olukord 6) või rohkem, on üle 25 sõlme. |
| --- | --- |

2.

veeväljasurve täislastis on üle 1 500 tonni ja maksimaalne projekteeritud kiirus täislastis, olulise lainekõrgusega 4 m (mere olukord 6) või rohkem, on üle 25 sõlme.

Tehniline märkus:

Väikese veeliinitasandi pindalaga sõidukid on defineeritud järgmise valemiga: veeliinitasandi pindala on projekteeritud töösüvise korral väiksem kui 2 × (väljasurutud ruumala projekteeritud töösüvise korral)2/3.

8A002Järgmised süsteemid ja seadmed:

Märkus: Veealuste andmesidesüsteemide kohta vaata 5. kategooria 1. osa: Telekommunikatsioon.

| a. | Süsteemid ja seadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud järgmistele sukelaparaatidele, mis on projekteeritud tööks sügavamal kui 1 000 m:






  1. | survekambrid ja survekered, mille kambri maksimaalne sisediameeter on üle 1,5 m; |
| --- | --- | --- |

a.

Süsteemid ja seadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud järgmistele sukelaparaatidele, mis on projekteeritud tööks sügavamal kui 1 000 m:

1.

survekambrid ja survekered, mille kambri maksimaalne sisediameeter on üle 1,5 m;

| 2. | otsevoolu tõukemootorid või lisamootorid; |
| --- | --- |

2.

otsevoolu tõukemootorid või lisamootorid;

| 3. | teeninduskaablid ja nende ühendused, milles kasutatakse optilist kiudu ja mis on tugevdatud sünteetilisest materjalist elementidega; |
| --- | --- |

3.

teeninduskaablid ja nende ühendused, milles kasutatakse optilist kiudu ja mis on tugevdatud sünteetilisest materjalist elementidega;

| b. | Süsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud punktis 8A001 nimetatud sukelaparaatide käigu automaatseks juhtimiseks, kasutades navigatsiooniandmeid ja tagasisideahelaga servojuhtimist, mis:






  1. | võimaldavad sõidukil liikuda 10 m ulatusse etteantud punktist veesambas; |
| --- | --- | --- |

b.

Süsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud punktis 8A001 nimetatud sukelaparaatide käigu automaatseks juhtimiseks, kasutades navigatsiooniandmeid ja tagasisideahelaga servojuhtimist, mis:

1.

võimaldavad sõidukil liikuda 10 m ulatusse etteantud punktist veesambas;

| 2. | säilitavad sõiduki asukoha 10 meetri piirides etteantud punkti suhtes veesambas; või |
| --- | --- |

2.

säilitavad sõiduki asukoha 10 meetri piirides etteantud punkti suhtes veesambas; või

| 3. | säilitavad sõiduki asukoha 10 meetri piirides, jälgides merepõhjal või merepõhja all asuvat kaablit; |
| --- | --- |

3.

säilitavad sõiduki asukoha 10 meetri piirides, jälgides merepõhjal või merepõhja all asuvat kaablit;

| c. | Kiudoptilised kereläbiviigud ja ühendused; |
| --- | --- |

c.

Kiudoptilised kereläbiviigud ja ühendused;

| d. | Järgmised veealuse vaatluse süsteemid:






  1. | järgmised televisioonisüsteemid ja -kaamerad:






  a. | televisioonisüsteemid (mis sisaldavad kaamerat, jälgimis- ja signaaliülekandeseadmeid), mille piireraldusvõime õhus mõõdetuna on üle 800 laotusrea ning on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud sukelaparaatide kaugjuhtimiseks; |
| --- | --- | --- | --- |

d.

Järgmised veealuse vaatluse süsteemid:

1.

järgmised televisioonisüsteemid ja -kaamerad:

a.

televisioonisüsteemid (mis sisaldavad kaamerat, jälgimis- ja signaaliülekandeseadmeid), mille piireraldusvõime õhus mõõdetuna on üle 800 laotusrea ning on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud sukelaparaatide kaugjuhtimiseks;

| b. | veealused televisioonikaamerad, mille piireraldusvõime õhus mõõdetuna on üle 1 100 laotusrea; |
| --- | --- |

b.

veealused televisioonikaamerad, mille piireraldusvõime õhus mõõdetuna on üle 1 100 laotusrea;

| c. | madalal valgustustasemel töötavad televisioonikaamerad, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud veealuseks kasutamiseks ja sisaldavad kõike järgmist:






  1. | punktis 6A002.a.2.a nimetatud kujutisevõimendustorud; ja |
| --- | --- | --- |

c.

madalal valgustustasemel töötavad televisioonikaamerad, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud veealuseks kasutamiseks ja sisaldavad kõike järgmist:

1.

punktis 6A002.a.2.a nimetatud kujutisevõimendustorud; ja

| 2. | üle 150 000 aktiivpiksli tahkismaatriksi pinna kohta; |
| --- | --- |

2.

üle 150 000 aktiivpiksli tahkismaatriksi pinna kohta;

Tehniline märkus:

Piireraldusvõime televisioonis on horisontaalse lahutusvõime mõõt, mida tavaliselt väljendatakse maksimaalse ridadearvuna pildi kõrguse kohta, mida IEEE Standardi 208/1960 või muu vastava standardi alusel võib proovitabelil eristada.

| 2. | süsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud allveesõidukite kaugjuhtimiseks ja kasutatavad valguse tagasihajumise mõju minimeerimise tehnikaid, kaasa arvatud valguse suunamine kaugkatiku abil või lasersüsteemid; |
| --- | --- |

2.

süsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud allveesõidukite kaugjuhtimiseks ja kasutatavad valguse tagasihajumise mõju minimeerimise tehnikaid, kaasa arvatud valguse suunamine kaugkatiku abil või lasersüsteemid;

| e. | Fotokaamerad, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud veealuseks kasutamiseks sügavamal kui 150 m ja milles kasutatava filmi formaat on 35 mm või rohkem ning millel on järgmine omadus:






  1. | filmi varustamine kaameravälisest allikast pärinevate andmetega; |
| --- | --- | --- |

e.

Fotokaamerad, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud veealuseks kasutamiseks sügavamal kui 150 m ja milles kasutatava filmi formaat on 35 mm või rohkem ning millel on järgmine omadus:

1.

filmi varustamine kaameravälisest allikast pärinevate andmetega;

| 2. | automaatne tagumise fookuskauguse korrigeerimine; või |
| --- | --- |

2.

automaatne tagumise fookuskauguse korrigeerimine; või

| 3. | automaatne kompensatsiooni juhtimine, mis on spetsiaalselt nii kavandatud, et veealuse kaamera kest oleks kasutatav sügavamal kui 1 000 m; |
| --- | --- |

3.

automaatne kompensatsiooni juhtimine, mis on spetsiaalselt nii kavandatud, et veealuse kaamera kest oleks kasutatav sügavamal kui 1 000 m;

| f. | Elektroonilised kujutussüsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud veealuseks kasutamiseks ning võimaldavad rohkem kui 50 säritatud kujutise digitaalset salvestust; |
| --- | --- |

f.

Elektroonilised kujutussüsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud veealuseks kasutamiseks ning võimaldavad rohkem kui 50 säritatud kujutise digitaalset salvestust;

| g. | Järgmised valgussüsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud veealuseks kasutamiseks:






  1. | stroboskoopvalgussüsteemid, mille valguse väljundenergia on üle 300 J välke kohta ja välgete kiirus on üle 5 välgu sekundis; |
| --- | --- | --- |

g.

Järgmised valgussüsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud veealuseks kasutamiseks:

1.

stroboskoopvalgussüsteemid, mille valguse väljundenergia on üle 300 J välke kohta ja välgete kiirus on üle 5 välgu sekundis;

| 2. | argoonlahendusega valgussüsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud kasutamiseks sügavamal kui 1 000 m; |
| --- | --- |

2.

argoonlahendusega valgussüsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud kasutamiseks sügavamal kui 1 000 m;

| h. | Spetsiaalselt veealuseks kasutamiseks kavandatud robotid, mida juhitakse eriotstarbelise programmeeritava arvuti abil ning millel on mis tahes järgmised omadused:






  1. | süsteemid robotite juhtimiseks, mis kasutavad anduritelt saadud informatsiooni, mis mõõdavad välisele objektile rakendatavat jõudu või pöördemomenti, vahemaad välisobjektini või kompimismeelt roboti ja välisobjekti vahel; või |
| --- | --- | --- |

h.

Spetsiaalselt veealuseks kasutamiseks kavandatud robotid, mida juhitakse eriotstarbelise programmeeritava arvuti abil ning millel on mis tahes järgmised omadused:

1.

süsteemid robotite juhtimiseks, mis kasutavad anduritelt saadud informatsiooni, mis mõõdavad välisele objektile rakendatavat jõudu või pöördemomenti, vahemaad välisobjektini või kompimismeelt roboti ja välisobjekti vahel; või

| 2. | võimaldavad rakendada jõudu 250 N või rohkem või pöördemomenti 250 Nm või rohkem ja mille koosteelemendid on valmistatud titaanisulamitest või kiud- või niitkomposiitmaterjalidest; |
| --- | --- |

2.

võimaldavad rakendada jõudu 250 N või rohkem või pöördemomenti 250 Nm või rohkem ja mille koosteelemendid on valmistatud titaanisulamitest või kiud- või niitkomposiitmaterjalidest;

| i. | Kaugjuhitavad liigendmanipulaatorid, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud kasutamiseks sukelaparaatidel ja millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | süsteemid manipulaatorite juhtimiseks, mis kasutavad anduritelt saadud informatsiooni, mis mõõdavad välisele objektile rakendatavat jõudu või pöördemomenti või kompimismeelt roboti ja välisobjekti vahel; või |
| --- | --- | --- |

i.

Kaugjuhitavad liigendmanipulaatorid, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud kasutamiseks sukelaparaatidel ja millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

süsteemid manipulaatorite juhtimiseks, mis kasutavad anduritelt saadud informatsiooni, mis mõõdavad välisele objektile rakendatavat jõudu või pöördemomenti või kompimismeelt roboti ja välisobjekti vahel; või

| 2. | juhitakse ülem-alluv-tüüpi proportsionaalse tehnika abil või kasutades eriotstarbelist programmeeritavat arvutit ning mille liikumise vabadusaste on 5 või rohkem;


  Märkus: Liikumise vabadusastmete arvu määramisel võetakse arvesse üksnes need toimingud, mille korral kasutatakse proportsionaalse tagasisidega asendi kontrolli või eriotstarbelist programmeeritavat arvutit. |
| --- | --- |

2.

juhitakse ülem-alluv-tüüpi proportsionaalse tehnika abil või kasutades eriotstarbelist programmeeritavat arvutit ning mille liikumise vabadusaste on 5 või rohkem;

Märkus: Liikumise vabadusastmete arvu määramisel võetakse arvesse üksnes need toimingud, mille korral kasutatakse proportsionaalse tagasisidega asendi kontrolli või eriotstarbelist programmeeritavat arvutit.

| j. | Järgmised õhust sõltumatud jõusüsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud veealuseks kasutamiseks:






  1. | Braytoni või Rankine’i ringprotsess-mootoritega välisõhu juurdelisamisest sõltumatud jõusüsteemid, millel on mis tahes järgmine omadus:






  a. | keemilised gaasipesu- või absorptsioonisüsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud süsinikdioksiidi, süsinikmonooksiidi ja aineosakeste kõrvaldamiseks mootorisse tagasijuhitavatest heitgaasidest; |
| --- | --- | --- | --- |

j.

Järgmised õhust sõltumatud jõusüsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud veealuseks kasutamiseks:

1.

Braytoni või Rankine’i ringprotsess-mootoritega välisõhu juurdelisamisest sõltumatud jõusüsteemid, millel on mis tahes järgmine omadus:

a.

keemilised gaasipesu- või absorptsioonisüsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud süsinikdioksiidi, süsinikmonooksiidi ja aineosakeste kõrvaldamiseks mootorisse tagasijuhitavatest heitgaasidest;

| b. | süsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud monoatomaarse gaasi kasutamiseks; |
| --- | --- |

b.

süsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud monoatomaarse gaasi kasutamiseks;

| c. | seadmed või kaitsed, mis on spetsiaalselt kavandatud veealuse müra summutamiseks sagedustel alla 10 kHz või spetsiaalsed lööke pehmendavad kinnitusseadmed; või |
| --- | --- |

c.

seadmed või kaitsed, mis on spetsiaalselt kavandatud veealuse müra summutamiseks sagedustel alla 10 kHz või spetsiaalsed lööke pehmendavad kinnitusseadmed; või

| d. | süsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud:






  1. | reaktsioonijääkide survestamiseks või kütuse reformeerimiseks; |
| --- | --- | --- |

d.

süsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud:

1.

reaktsioonijääkide survestamiseks või kütuse reformeerimiseks;

| 2. | reaktsioonijääkide talletamiseks; ja |
| --- | --- |

2.

reaktsioonijääkide talletamiseks; ja

| 3. | reaktsioonisaaduste tühjendamiseks 100 kPa või kõrgema rõhu vastu; |
| --- | --- |

3.

reaktsioonisaaduste tühjendamiseks 100 kPa või kõrgema rõhu vastu;

| 2. | õhust sõltumatud diiselmootorsüsteemid, millel on:






  a. | keemilised gaasipesu- või absorptsioonisüsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud süsinikdioksiidi, süsinikmonooksiidi ja aineosakeste kõrvaldamiseks mootorisse tagasijuhitavatest heitgaasidest; |
| --- | --- | --- |

2.

õhust sõltumatud diiselmootorsüsteemid, millel on:

a.

keemilised gaasipesu- või absorptsioonisüsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud süsinikdioksiidi, süsinikmonooksiidi ja aineosakeste kõrvaldamiseks mootorisse tagasijuhitavatest heitgaasidest;

| b. | süsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud monoatomaarse gaasi kasutamiseks; |
| --- | --- |

b.

süsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud monoatomaarse gaasi kasutamiseks;

| c. | seadmed või kaitsed, mis on spetsiaalselt kavandatud veealuse müra summutamiseks sagedustel alla 10 kHz või spetsiaalsed lööke pehmendavad kinnitusseadmed; ja |
| --- | --- |

c.

seadmed või kaitsed, mis on spetsiaalselt kavandatud veealuse müra summutamiseks sagedustel alla 10 kHz või spetsiaalsed lööke pehmendavad kinnitusseadmed; ja

| d. | spetsiaalselt kavandatud heitgaasisüsteemid, mis ei eemalda põlemisjääke pidevalt; |
| --- | --- |

d.

spetsiaalselt kavandatud heitgaasisüsteemid, mis ei eemalda põlemisjääke pidevalt;

| 3. | kütuselementidel põhinevad, lisaõhu juurdeandmisest sõltumatud jõusüsteemid, mille väljundvõimsus on üle 2 kW ja millel on:






  a. | seadmed või kaitsed, mis on spetsiaalselt kavandatud veealuse müra summutamiseks sagedustel alla 10 kHz või spetsiaalsed lööke pehmendavad kinnitusseadmed; või |
| --- | --- | --- |

3.

kütuselementidel põhinevad, lisaõhu juurdeandmisest sõltumatud jõusüsteemid, mille väljundvõimsus on üle 2 kW ja millel on:

a.

seadmed või kaitsed, mis on spetsiaalselt kavandatud veealuse müra summutamiseks sagedustel alla 10 kHz või spetsiaalsed lööke pehmendavad kinnitusseadmed; või

| b. | süsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud:






  1. | reaktsioonijääkide survestamiseks või kütuse reformeerimiseks; |
| --- | --- | --- |

b.

süsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud:

1.

reaktsioonijääkide survestamiseks või kütuse reformeerimiseks;

| 2. | reaktsioonijääkide talletamiseks; ja |
| --- | --- |

2.

reaktsioonijääkide talletamiseks; ja

| 3. | reaktsioonisaaduste tühjendamiseks 100 kPa või kõrgema rõhu vastu; |
| --- | --- |

3.

reaktsioonisaaduste tühjendamiseks 100 kPa või kõrgema rõhu vastu;

| 4. | järgmised lisaõhu juurdeandmisest sõltumatud stirlingmootoriga jõusüsteemid, millel on:






  a. | seadmed või kaitsed, mis on spetsiaalselt kavandatud veealuse müra summutamiseks sagedustel alla 10 kHz või spetsiaalsed lööke pehmendavad kinnitusseadmed; ja |
| --- | --- | --- |

4.

järgmised lisaõhu juurdeandmisest sõltumatud stirlingmootoriga jõusüsteemid, millel on:

a.

seadmed või kaitsed, mis on spetsiaalselt kavandatud veealuse müra summutamiseks sagedustel alla 10 kHz või spetsiaalsed lööke pehmendavad kinnitusseadmed; ja

| b. | spetsiaalselt kavandatud heitgaasisüsteemid, mis eemaldavad reaktsioonisaadused 100 kPa või kõrgema rõhu vastu; |
| --- | --- |

b.

spetsiaalselt kavandatud heitgaasisüsteemid, mis eemaldavad reaktsioonisaadused 100 kPa või kõrgema rõhu vastu;

| k. | Elastsed põlled, tihendid ja tapid, millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | kavandatud õhkpadja rõhkudele 3 830 Pa või rohkem, töötamiseks olulise lainekõrgusega 1,25 m (mere olukord 3) või rohkem, ning mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 8A001.f nimetatud õhkpadjal liikuvale (täispõllega) sõidukile; või |
| --- | --- | --- |

k.

Elastsed põlled, tihendid ja tapid, millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

kavandatud õhkpadja rõhkudele 3 830 Pa või rohkem, töötamiseks olulise lainekõrgusega 1,25 m (mere olukord 3) või rohkem, ning mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 8A001.f nimetatud õhkpadjal liikuvale (täispõllega) sõidukile; või

| 2. | kavandatud õhkpadja rõhkudele 6 224 Pa või rohkem, töötamiseks olulise lainekõrgusega 3,25 m (mere olukord 5) või rohkem, ning mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 8A001.g nimetatud õhkpadjal liikuvale (jäiga külgseinaga) sõidukile; |
| --- | --- |

2.

kavandatud õhkpadja rõhkudele 6 224 Pa või rohkem, töötamiseks olulise lainekõrgusega 3,25 m (mere olukord 5) või rohkem, ning mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 8A001.g nimetatud õhkpadjal liikuvale (jäiga külgseinaga) sõidukile;

| l. | Tõsteventilaatorid võimsusega üle 400 kW, mis on spetsiaalselt kavandatud kasutamiseks punktis 8A001.f või 8A001.g nimetatud õhkpadjal liikuvatele sõidukitele; |
| --- | --- |

l.

Tõsteventilaatorid võimsusega üle 400 kW, mis on spetsiaalselt kavandatud kasutamiseks punktis 8A001.f või 8A001.g nimetatud õhkpadjal liikuvatele sõidukitele;

| m. | Täielikult vee all töötavad alakaviteerivad või ülikaviteerivad veealused tiivad, mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 8A001.h nimetatud sõidukitele; |
| --- | --- |

m.

Täielikult vee all töötavad alakaviteerivad või ülikaviteerivad veealused tiivad, mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 8A001.h nimetatud sõidukitele;

| n. | Aktiivsüsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud punktis 8A001.f, 8A001.g, 8A001.h või 8A001.i nimetatud laevade või veesõidukite mere poolt põhjustatud liikumise automaatseks kontrolliks; |
| --- | --- |

n.

Aktiivsüsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud punktis 8A001.f, 8A001.g, 8A001.h või 8A001.i nimetatud laevade või veesõidukite mere poolt põhjustatud liikumise automaatseks kontrolliks;

| o. | Järgmised propellerid, jõuülekandesüsteemid, energiatootmissüsteemid ja müra vähendamise süsteemid:






  1. | järgmised spiraalsete labadega sõukruvid või jõusülekandesüsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud kasutamiseks punktis 8A001.f, 8A001.g või 8A001.h nimetatud õhkpadjal liikuvatele (täispõllega või jäiga külgseinaga) sõidukitele, tiiburlaevadele või väikese veeliinitasandi pindalaga sõidukitele:






  a. | ülikaviteerivad, üliventileeritud, osaliselt uputatud või pinda lõikavad sõukruvid, mis on arvestatud suuremale võimsusele kui 7,5 MW; |
| --- | --- | --- | --- |

o.

Järgmised propellerid, jõuülekandesüsteemid, energiatootmissüsteemid ja müra vähendamise süsteemid:

1.

järgmised spiraalsete labadega sõukruvid või jõusülekandesüsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud kasutamiseks punktis 8A001.f, 8A001.g või 8A001.h nimetatud õhkpadjal liikuvatele (täispõllega või jäiga külgseinaga) sõidukitele, tiiburlaevadele või väikese veeliinitasandi pindalaga sõidukitele:

a.

ülikaviteerivad, üliventileeritud, osaliselt uputatud või pinda lõikavad sõukruvid, mis on arvestatud suuremale võimsusele kui 7,5 MW;

| b. | vastupöörlevad propellersüsteemid, mis on arvestatud suuremale võimsusele kui 15 MW; |
| --- | --- |

b.

vastupöörlevad propellersüsteemid, mis on arvestatud suuremale võimsusele kui 15 MW;

| c. | süsteemid, mis rakendavad keerise-eelset või keerisejärgset tehnikat propellerisse voolava õhuvoo ühtlustamiseks; |
| --- | --- |

c.

süsteemid, mis rakendavad keerise-eelset või keerisejärgset tehnikat propellerisse voolava õhuvoo ühtlustamiseks;

| d. | kergekaalulised, suure mahajagamisvõimega (tegur K on suurem kui 300) reduktorid; |
| --- | --- |

d.

kergekaalulised, suure mahajagamisvõimega (tegur K on suurem kui 300) reduktorid;

| e. | jõuülekande võllsüsteemid, mis sisaldavad komposiitmaterjalidest komponente ja on võimelised üle kandma rohkem kui 1 MW; |
| --- | --- |

e.

jõuülekande võllsüsteemid, mis sisaldavad komposiitmaterjalidest komponente ja on võimelised üle kandma rohkem kui 1 MW;

| 2. | järgmised spiraalsete labadega sõukruvid, energiatootmissüsteemid või jõusülekandesüsteemid, mis on kavandatud kasutamiseks laevadel:






  a. | reguleeritavate labadega propellerid ja rummusõlm, mis on arvestatud suuremale võimsusele kui 30 MW; |
| --- | --- | --- |

2.

järgmised spiraalsete labadega sõukruvid, energiatootmissüsteemid või jõusülekandesüsteemid, mis on kavandatud kasutamiseks laevadel:

a.

reguleeritavate labadega propellerid ja rummusõlm, mis on arvestatud suuremale võimsusele kui 30 MW;

| b. | sisemise vedelikjahutusega elektrilised tõukemootorid, mille väljundvõimsus on üle 2,5 MW; |
| --- | --- |

b.

sisemise vedelikjahutusega elektrilised tõukemootorid, mille väljundvõimsus on üle 2,5 MW;

| c. | ülijuhtivatest materjalidest tõukemootorid või püsimagnetelektrilised tõukemootorid, mille väljundvõimsus on üle 0,1 MW; |
| --- | --- |

c.

ülijuhtivatest materjalidest tõukemootorid või püsimagnetelektrilised tõukemootorid, mille väljundvõimsus on üle 0,1 MW;

| d. | jõuülekande võllsüsteemid, mis sisaldavad komposiitmaterjalidest komponente ja on võimelised üle kandma rohkem kui 2 MW; |
| --- | --- |

d.

jõuülekande võllsüsteemid, mis sisaldavad komposiitmaterjalidest komponente ja on võimelised üle kandma rohkem kui 2 MW;

| e. | ventileeritud või ventileeritud alusega propellersüsteemid, mis on arvestatud suuremale võimsusele kui 2,5 MW; |
| --- | --- |

e.

ventileeritud või ventileeritud alusega propellersüsteemid, mis on arvestatud suuremale võimsusele kui 2,5 MW;

| 3. | järgmised müravähendamissüsteemid, mis on kavandatud kasutamiseks 1 000 tonnise ja suurema veeväljasurvega laevadel:






  a. | süsteemid, mis summutavad alla 500 Hz sagedusega veealust müra ja koosnevad kokkupandud akustilistest alustest diiselmootorite, diiselgeneraatorite, gaasiturbiinide, gaasiturbiingeneraatorite, tõukemootorite või tõukemootorite reduktorite akustiliseks isoleerimiseks ja mis on spetsiaalselt kavandatud heli või vibratsiooni summutamiseks ning mille mass on üle 30 % neile monteeritavate seadmete massist; |
| --- | --- | --- |

3.

järgmised müravähendamissüsteemid, mis on kavandatud kasutamiseks 1 000 tonnise ja suurema veeväljasurvega laevadel:

a.

süsteemid, mis summutavad alla 500 Hz sagedusega veealust müra ja koosnevad kokkupandud akustilistest alustest diiselmootorite, diiselgeneraatorite, gaasiturbiinide, gaasiturbiingeneraatorite, tõukemootorite või tõukemootorite reduktorite akustiliseks isoleerimiseks ja mis on spetsiaalselt kavandatud heli või vibratsiooni summutamiseks ning mille mass on üle 30 % neile monteeritavate seadmete massist;

| b. | aktiivsed müravähendamis- ja mürakõrvaldamissüsteemid või spetsiaalselt jõuülekandesüsteemi jaoks projekteeritud magnetlaagrid ning selles sisalduvad elektroonilised juhtimissüsteemid, mis võimaldavad aktiivselt vähendada seadmete vibratsiooni, tekitades antimüra või antivibratsiooni signaale otse müraallikasse; |
| --- | --- |

b.

aktiivsed müravähendamis- ja mürakõrvaldamissüsteemid või spetsiaalselt jõuülekandesüsteemi jaoks projekteeritud magnetlaagrid ning selles sisalduvad elektroonilised juhtimissüsteemid, mis võimaldavad aktiivselt vähendada seadmete vibratsiooni, tekitades antimüra või antivibratsiooni signaale otse müraallikasse;

| p. | Veejugatõukesüsteemid, mille väljundvõimsus on üle 2,5 MW ning milles rakendatakse laienevaid düüse ja voolust tingitud suunavat labatehnikat, et parandada tõuke efektiivsust või vähendada tõukemootori tekitatud vee alla kiiratavat müra; |
| --- | --- |

p.

Veejugatõukesüsteemid, mille väljundvõimsus on üle 2,5 MW ning milles rakendatakse laienevaid düüse ja voolust tingitud suunavat labatehnikat, et parandada tõuke efektiivsust või vähendada tõukemootori tekitatud vee alla kiiratavat müra;

| q. | Iseseisvad, suletud või poolsuletud hingamisõhu uuendamistsükliga sukeldumise ja allveeujumise aparaadid.


  Märkus: Punkt 8A002.q ei hõlma isiklikuks kasutamiseks mõeldud individuaalseid aparaate, kui need on kasutajal kaasas. |
| --- | --- |

q.

Iseseisvad, suletud või poolsuletud hingamisõhu uuendamistsükliga sukeldumise ja allveeujumise aparaadid.

Märkus: Punkt 8A002.q ei hõlma isiklikuks kasutamiseks mõeldud individuaalseid aparaate, kui need on kasutajal kaasas.

8BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

8B001Hüdrodünaamilised torud, mille taustmüra on väiksem kui 100 dB (1 μPa ja 1 Hz suhtes) sagedusvahemikus 0–500 Hz ja mis on projekteeritud veevoolu tekitatud akustiliste väljade mõõtmiseks ümber tõukejõusüsteemide mudelite.

8CMaterjalid

8C001
  Õõnestäidisvaht, mis on valmistatud veealuseks kasutamiseks ja millel on kõik järgmised omadused:

| a. | ette nähtud kasutamiseks vees sügavamal kui 1 000 m; ja |
| --- | --- |

a.

ette nähtud kasutamiseks vees sügavamal kui 1 000 m; ja

| b. | tihedus on väiksem kui 561 kg/m3. |
| --- | --- |

b.

tihedus on väiksem kui 561 kg/m3.

Tehniline märkus:

Õõnestäidisvaht koosneb õõnsatest klaas- või plastmasskuulikestest, mis on viidud vaigust põhiainesse.

8DTarkvara

8D001
  Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 8A, 8B või 8C nimetatud seadmete või materjalide arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks.

8D002Spetsiifiline tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud veealuse müra vähendamiseks kavandatud sõukruvide arendamiseks, tootmiseks, parandamiseks, remontimiseks või uuendamiseks (uuesti töötlemine).

8ETehnoloogia

8E001
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktis 8A, 8B või 8C nimetatud seadmete või materjalide arendamiseks või tootmiseks;

8E002Muu tehnoloogia:

| a. | Tehnoloogia veealuse müra vähendamiseks spetsiaalselt kavandatud sõukruvide arendamiseks, tootmiseks, parandamiseks, remontimiseks või uuendamiseks (uuesti töötlemine); |
| --- | --- |

a.

Tehnoloogia veealuse müra vähendamiseks spetsiaalselt kavandatud sõukruvide arendamiseks, tootmiseks, parandamiseks, remontimiseks või uuendamiseks (uuesti töötlemine);

| b. | Tehnoloogia punktis 8A001, 8A002.b, 8A002.j, 8A002.o või 8A002.p nimetatud seadmete remontimiseks või uuendamiseks (uuesti töötlemine). |
| --- | --- |

b.

Tehnoloogia punktis 8A001, 8A002.b, 8A002.j, 8A002.o või 8A002.p nimetatud seadmete remontimiseks või uuendamiseks (uuesti töötlemine).

9. KATEGOORIA

TÕUKEJÕUSÜSTEEMID, KOSMOSESÕIDUKID JA NENDEGA SEOTUD SEADMED

9ASüsteemid, seadmed ja komponendid

NB! Tõukejõusüsteemide kohta, mis on kavandatud või arvestatud neutron- või ioniseeriva kiirguse siirdepulsi vastu, vaata sõjalise otstarbega kaupade nimekirja.

9A001Järgmised õhusõidukite gaasiturbiinmootorid, mis sisaldavad punktis 9E003.a nimetatud mis tahes tehnoloogiat:

NB! VT KA PUNKTI 9A101.

| a. | Ei ole sertifitseeritud kasutamiseks spetsiifilistel tsiviillennukitel, mille jaoks nad on ette nähtud; |
| --- | --- |

a.

Ei ole sertifitseeritud kasutamiseks spetsiifilistel tsiviillennukitel, mille jaoks nad on ette nähtud;

| b. | Ei ole sertifitseeritud tsiviilkasutuseks osalisriigi lennundusasutuste poolt; |
| --- | --- |

b.

Ei ole sertifitseeritud tsiviilkasutuseks osalisriigi lennundusasutuste poolt;

| c. | On kavandatud lendama üle 1,2-kordse helikiiruse (1,2 Machi) kauem kui 30 minutit. |
| --- | --- |

c.

On kavandatud lendama üle 1,2-kordse helikiiruse (1,2 Machi) kauem kui 30 minutit.

9A002
  Laevade gaasiturbiinmootorid, mille arvestuslik ISO standardile vastav alaline võimsus on 24 245 kW või rohkem ja mille kütuse erikulu ei ületa 0,219 kg/kWh võimsuste vahemikus 35–100 % ning nende jaoks spetsiaalselt kavandatud sõlmed ja komponendid.

Märkus: Termin laevade gaasiturbiinmootorid hõlmab ka selliseid tööstuslikke või lennukite gaasiturbiinmootoreid, mis on kohandatud laevadel elektrilise võimsuse tootmiseks või tõukejõu tekitamiseks.

9A003Järgmised gaasiturbiinmootoriga tõukejõusüsteemidele spetsiaalselt kavandatud sõlmed ja komponendid, mis sisaldavad punktis 9E003.a nimetatud mis tahes tehnoloogiat:

| a. | Punktis 9A001 nimetatud; |
| --- | --- |

a.

Punktis 9A001 nimetatud;

| b. | Mille projekteerimine või valmistamine pärineb kas mitteosalisriigist või on tootjale tundmatu. |
| --- | --- |

b.

Mille projekteerimine või valmistamine pärineb kas mitteosalisriigist või on tootjale tundmatu.

9A004Kanderaketid ja kosmosesõidukid.

NB! VT KA PUNKTI 9A104.

Märkus: Punkt 9A004 ei hõlma kasulikku lasti.

NB! Kosmosesõidukite kasulikus lastis sisalduva toodangu kontrolli alla kuulumise kohta vaata vastavat kategooriat.

9A005Vedelkütusega rakettide tõukejõusüsteemid, mis sisaldavad punktis 9A006 nimetatud süsteeme või komponente.

NB! VT KA PUNKTE 9A105 ja 9A119.

9A006Järgmised süsteemid ja komponendid, mis on spetsiaalselt kavandatud vedelkütusega rakettide tõukejõusüsteemide jaoks:

NB! VT KA PUNKTE 9A106 ja 9A108.

| a. | Krüogeensed jahutid, lennukerged Dewari anumad, krüogeensed soojatorud või krüogeensed süsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud kasutamiseks kosmosesõidukitel ning mis on võimelised piirama krüovedelike kadusid alla 30 % aastas; |
| --- | --- |

a.

Krüogeensed jahutid, lennukerged Dewari anumad, krüogeensed soojatorud või krüogeensed süsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud kasutamiseks kosmosesõidukitel ning mis on võimelised piirama krüovedelike kadusid alla 30 % aastas;

| b. | Krüogeensed konteinerid või suletud tsükliga jahutussüsteemid, mis võimaldavad kindlustada temperatuuri 100 K (- 173 °C) või madalamat õhusõidukitel, mis on võimelised taluma lendamist üle kolmekordse helikiirusega (3 Machi), kanderakettidel või kosmosesõidukitel; |
| --- | --- |

b.

Krüogeensed konteinerid või suletud tsükliga jahutussüsteemid, mis võimaldavad kindlustada temperatuuri 100 K (- 173 °C) või madalamat õhusõidukitel, mis on võimelised taluma lendamist üle kolmekordse helikiirusega (3 Machi), kanderakettidel või kosmosesõidukitel;

| c. | Vesiniksuspensiooni säilitus- ja edastussüsteemid; |
| --- | --- |

c.

Vesiniksuspensiooni säilitus- ja edastussüsteemid;

| d. | Kõrgsurvelised (üle 17,5 MPa) turbopumbad, pumpade komponendid või nendega seotud gaasigeneraator või paisumistsükli turbiini ajamsüsteemid; |
| --- | --- |

d.

Kõrgsurvelised (üle 17,5 MPa) turbopumbad, pumpade komponendid või nendega seotud gaasigeneraator või paisumistsükli turbiini ajamsüsteemid;

| e. | Kõrgsurvelised (üle 10,6 MPa) tõukekambrid ning nende düüsid; |
| --- | --- |

e.

Kõrgsurvelised (üle 10,6 MPa) tõukekambrid ning nende düüsid;

| f. | Raketikütuse säilitussüsteemid, mis rakendavad kapillaarset mahutust või positiivset väljatõukamist (nt painduvatest mahutitest); |
| --- | --- |

f.

Raketikütuse säilitussüsteemid, mis rakendavad kapillaarset mahutust või positiivset väljatõukamist (nt painduvatest mahutitest);

| g. | Vedela raketikütuse sissepritsedüüsid ava läbimõõduga 0,381 mm või vähem (mittesõõrjatel düüsidel ava pindala 1,14 × 10–3 cm2 või vähem), mis on spetsiaalselt kavandatud vedelkütuse rakettmootoritele; |
| --- | --- |

g.

Vedela raketikütuse sissepritsedüüsid ava läbimõõduga 0,381 mm või vähem (mittesõõrjatel düüsidel ava pindala 1,14 × 10–3 cm2 või vähem), mis on spetsiaalselt kavandatud vedelkütuse rakettmootoritele;

| h. | Ühes tükis olevad süsinik-süsinik tõukekambrid või väljundkoonused, mille tihedus on üle 1,4 g/cm3 ja tõmbetugevus üle 48 MPa. |
| --- | --- |

h.

Ühes tükis olevad süsinik-süsinik tõukekambrid või väljundkoonused, mille tihedus on üle 1,4 g/cm3 ja tõmbetugevus üle 48 MPa.

9A007Tahkekütuse tõukejõusüsteemid, millel on mis tahes järgmine omadus:

NB! VT KA PUNKTI 9A119.

| a. | Koguimpulss on üle 1,1 MNs; |
| --- | --- |

a.

Koguimpulss on üle 1,1 MNs;

| b. | Eriimpulss on 2,4 kNs/kg või rohkem, kui düüsist voolav juga paisub merepinna tasemele vastavate atmosfääritingimusteni ja põlemiskambris on reguleeritud töörõhk 7 MPa; |
| --- | --- |

b.

Eriimpulss on 2,4 kNs/kg või rohkem, kui düüsist voolav juga paisub merepinna tasemele vastavate atmosfääritingimusteni ja põlemiskambris on reguleeritud töörõhk 7 MPa;

| c. | Astme massiosa on üle 88 % ja tahke raketikütuse osa on üle 86 %; |
| --- | --- |

c.

Astme massiosa on üle 88 % ja tahke raketikütuse osa on üle 86 %;

| d. | Mis tahes punktis 9A008 nimetatud komponent; või |
| --- | --- |

d.

Mis tahes punktis 9A008 nimetatud komponent; või

| e. | Raketikütuse isoleerimis- ja kinnitamissüsteemid, mis kasutavad otse mootoriga seotud konstruktsioone, et tagada tugev mehaaniline side või tõke keemilisele migratsioonile tahke raketikütuse ja kesta isolatsiooni materjali vahel.
  Tehniline märkus:

  Punkti 9A007.e tähenduses on tugev mehaaniline side vähemalt tahke raketikütuse tugevusega võrdne side. |
| --- | --- |

e.

Raketikütuse isoleerimis- ja kinnitamissüsteemid, mis kasutavad otse mootoriga seotud konstruktsioone, et tagada tugev mehaaniline side või tõke keemilisele migratsioonile tahke raketikütuse ja kesta isolatsiooni materjali vahel.

Tehniline märkus:

Punkti 9A007.e tähenduses on tugev mehaaniline side vähemalt tahke raketikütuse tugevusega võrdne side.

9A008Järgmised komponendid, mis on spetsiaalselt kavandatud tahkekütuse raketi tõukejõusüsteemidele:

NB! VT KA PUNKTI 9A108.

| a. | Raketikütuse isoleerimis- ja kinnitamissüsteemid, mis kasutavad vooderdusi, et tagada tugev mehaaniline side või tõke keemilisele migratsioonile tahke raketikütuse ja kesta isolatsiooni materjali vahel;
  Tehniline märkus:

  Punkti 9A007.e tähenduses on tugev mehaaniline side vähemalt tahke raketikütuse tugevusega võrdne side. |
| --- | --- |

a.

Raketikütuse isoleerimis- ja kinnitamissüsteemid, mis kasutavad vooderdusi, et tagada tugev mehaaniline side või tõke keemilisele migratsioonile tahke raketikütuse ja kesta isolatsiooni materjali vahel;

Tehniline märkus:

Punkti 9A007.e tähenduses on tugev mehaaniline side vähemalt tahke raketikütuse tugevusega võrdne side.

| b. | Kiust keritud mootori komposiitkestad, mille läbimõõt on üle 0,61 m või mille strukturaalne efektiivsuse suhe (PV/W)' on üle 25 km;
  Tehniline märkus:


  Strukturaalne efektiivsuse suhe (PV/W)' on plahvatuse surve (P) korrutatuna anuma ruumalaga (V) ja jagatud rõhuanuma kogukaaluga (W). |
| --- | --- |

b.

Kiust keritud mootori komposiitkestad, mille läbimõõt on üle 0,61 m või mille strukturaalne efektiivsuse suhe (PV/W)' on üle 25 km;

Tehniline märkus:

Strukturaalne efektiivsuse suhe (PV/W)' on plahvatuse surve (P) korrutatuna anuma ruumalaga (V) ja jagatud rõhuanuma kogukaaluga (W).

| c. | Düüsid, mille tõukejõu tase on üle 45 kN või mille kõri kulumiskiirus on väiksem kui 0,075 mm/s; |
| --- | --- |

c.

Düüsid, mille tõukejõu tase on üle 45 kN või mille kõri kulumiskiirus on väiksem kui 0,075 mm/s;

| d. | Liigutatavad düüsid või sekundaarse vedeliku sissepritsega tõuke vektorjuhtimise süsteemid, mis võimaldavad järgmist:






  1. | telje suhtes igasuunalist liikumist üle ± 5°; |
| --- | --- | --- |

d.

Liigutatavad düüsid või sekundaarse vedeliku sissepritsega tõuke vektorjuhtimise süsteemid, mis võimaldavad järgmist:

1.

telje suhtes igasuunalist liikumist üle ± 5°;

| 2. | nurkvektori pöörlemist 20 °/s või rohkem; või |
| --- | --- |

2.

nurkvektori pöörlemist 20 °/s või rohkem; või

| 3. | nurkvektori kiirendust 40 °/s2 või rohkem. |
| --- | --- |

3.

nurkvektori kiirendust 40 °/s2 või rohkem.

9A009Hübriidsed raketi tõukejõusüsteemid, mille:

NB! VT KA PUNKTE 9A109 ja 9A119.

| a. | Koguimpulss on üle 1,1 MNs; või |
| --- | --- |

a.

Koguimpulss on üle 1,1 MNs; või

| b. | Tõukejõud vaakumi tingimustes on üle 220 kN. |
| --- | --- |

b.

Tõukejõud vaakumi tingimustes on üle 220 kN.

9A010Järgmised spetsiaalselt kanderakettide, kanderakettide tõukejõusüsteemide või kosmosesõidukite jaoks kavandatud komponendid, süsteemid ja tarindid:

NB! VT KA PUNKTE 9A002 ja 9A110.

| a. | Komponendid ja struktuurid, millest igaühe mass on üle 10 kg ja mis on spetsiaalselt kavandatud kanderakettide jaoks ja mille valmistamisel on kasutatud punktis 1C007 või 1C010 nimetatud metallpõhiainet, komposiiti, orgaanilist komposiiti, keraamilist põhiainet või intermetalliliselt tugevdatud materjale;


  Märkus: Kaalupiir ei puuduta ninakoonuseid. |
| --- | --- |

a.

Komponendid ja struktuurid, millest igaühe mass on üle 10 kg ja mis on spetsiaalselt kavandatud kanderakettide jaoks ja mille valmistamisel on kasutatud punktis 1C007 või 1C010 nimetatud metallpõhiainet, komposiiti, orgaanilist komposiiti, keraamilist põhiainet või intermetalliliselt tugevdatud materjale;

Märkus: Kaalupiir ei puuduta ninakoonuseid.

| b. | Komponendid ja tarindid, mis on spetsiaalselt kavandatud punktides 9A005–9A009 nimetatud kanderakettide tõukejõusüsteemide jaoks ja mille valmistamisel on kasutatud punktis 1C007 või 1C010 nimetatud metallpõhiainet, komposiiti, orgaanilist komposiiti, keraamilist põhiainet või intermetalliliselt tugevdatud materjale; |
| --- | --- |

b.

Komponendid ja tarindid, mis on spetsiaalselt kavandatud punktides 9A005–9A009 nimetatud kanderakettide tõukejõusüsteemide jaoks ja mille valmistamisel on kasutatud punktis 1C007 või 1C010 nimetatud metallpõhiainet, komposiiti, orgaanilist komposiiti, keraamilist põhiainet või intermetalliliselt tugevdatud materjale;

| c. | Tarindikomponendid ja isolatsioonisüsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud aktiivselt kontrollima kosmosesõiduki tarindite dünaamilist kostet või deformatsioone; |
| --- | --- |

c.

Tarindikomponendid ja isolatsioonisüsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud aktiivselt kontrollima kosmosesõiduki tarindite dünaamilist kostet või deformatsioone;

| d. | Vedelkütusega impulssrakettmootorid, mille tõukejõu ja massi suhe on 1 kN/kg või suurem ja reaktsiooniaeg (aeg, mis on vajalik 90 % tõukejõu saavutamiseks stardihetkest) on lühem kui 30 ms. |
| --- | --- |

d.

Vedelkütusega impulssrakettmootorid, mille tõukejõu ja massi suhe on 1 kN/kg või suurem ja reaktsiooniaeg (aeg, mis on vajalik 90 % tõukejõu saavutamiseks stardihetkest) on lühem kui 30 ms.

9A011Otsevoolu-reaktiivmootor, ülehelikiirusel toimuva põlemisega otsevoolu-reaktiivmootor või kombineeritud tsükkelmootorid ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid.

NB! VT KA PUNKTE 9A111 ja 9A118.

9A012Mehitamata õhusõidukid, millel on mis tahes järgmine omadus:

| a. | autonoomne lennujuhtimise ja navigatsioonivõime (nt inertsiaalse navigatsioonisüsteemiga varustatud autopiloot ); või |
| --- | --- |

a.

autonoomne lennujuhtimise ja navigatsioonivõime (nt inertsiaalse navigatsioonisüsteemiga varustatud autopiloot ); või

| b. | võime sooritada juhitav lend väljaspool otsest nägemisulatust operaatori abiga (nt televisuaalne kaugjuhtimine). |
| --- | --- |

b.

võime sooritada juhitav lend väljaspool otsest nägemisulatust operaatori abiga (nt televisuaalne kaugjuhtimine).

9A101Muud kui punktis 9A001 nimetatud kergekaalulised turboreaktiivmootorid ja turboventilaatormootorid (sh liitturbiinmootorid), mis on kasutatavad rakettmürskudes:

| a. | Mootorid, millel on mõlemad järgmised omadused:






  1. | maksimaalne tõukejõud on üle 400 N (paigaldamata mootoril mõõdetud väärtus), välja arvatud tsiviilotstarbelisteks tunnistatud mootorid, mille maksimaalne tõukejõud on üle 8 890 N (paigaldamata mootoril mõõdetud väärtus); ja |
| --- | --- | --- |

a.

Mootorid, millel on mõlemad järgmised omadused:

1.

maksimaalne tõukejõud on üle 400 N (paigaldamata mootoril mõõdetud väärtus), välja arvatud tsiviilotstarbelisteks tunnistatud mootorid, mille maksimaalne tõukejõud on üle 8 890 N (paigaldamata mootoril mõõdetud väärtus); ja

| 2. | kütuse erikulu on väiksem kui 0,15 kg/N/h (merepinna tasemel muutumatutes ning standardtingimustes); |
| --- | --- |

2.

kütuse erikulu on väiksem kui 0,15 kg/N/h (merepinna tasemel muutumatutes ning standardtingimustes);

| b. | Mootorid, mis on kavandatud või kohandatud kasutamiseks rakettmürskudel. |
| --- | --- |

b.

Mootorid, mis on kavandatud või kohandatud kasutamiseks rakettmürskudel.

9A104Sondraketid, mille tegevusulatus on vähemalt 300 km.

NB! VT KA PUNKTI 9A004.

9A105Järgmised vedelkütuse rakettmootorid:

NB! VT KA PUNKTI 9A119.

| a. | Muud kui punktis 9A005 nimetatud vedelkütuse rakettmootorid, mis on kasutatavad rakettmürskudes ja millega saavutatav koguimpulss on üle 1,1 MNs; |
| --- | --- |

a.

Muud kui punktis 9A005 nimetatud vedelkütuse rakettmootorid, mis on kasutatavad rakettmürskudes ja millega saavutatav koguimpulss on üle 1,1 MNs;

| b. | Muud kui punktis 9A005 või 9A105.a nimetatud vedelkütuse rakettmootorid, mis on kasutatavad terviklikes raketisüsteemides või mehitamatutel õhusõidukitel lennuulatusega vähemalt 300 km ja millega saavutatav koguimpulss on 0,841 MNs või suurem. |
| --- | --- |

b.

Muud kui punktis 9A005 või 9A105.a nimetatud vedelkütuse rakettmootorid, mis on kasutatavad terviklikes raketisüsteemides või mehitamatutel õhusõidukitel lennuulatusega vähemalt 300 km ja millega saavutatav koguimpulss on 0,841 MNs või suurem.

9A106Muud kui punktis 9A006 nimetatud spetsiaalselt vedelkütusega raketi tõukejõusüsteemide jaoks kavandatud süsteemid või komponendid, mis on kasutatavad rakettmürskudes:

| a. | Kuluv vooderdus tõuke- või põlemiskambritele; |
| --- | --- |

a.

Kuluv vooderdus tõuke- või põlemiskambritele;

| b. | Raketi düüsid; |
| --- | --- |

b.

Raketi düüsid;

| c. | Tõukejõuvektori juhtimise alamsüsteemid;
  Tehniline märkus:

  Näiteid punktis 9A106.c kirjeldatud tõukejõu vektori juhtimise meetoditest:








  1. | painduvad düüsid; |
| --- | --- | --- |

c.

Tõukejõuvektori juhtimise alamsüsteemid;

Tehniline märkus:

Näiteid punktis 9A106.c kirjeldatud tõukejõu vektori juhtimise meetoditest:

1.

painduvad düüsid;

| 2. | vedeliku või sekundaargaasi sissepritse; |
| --- | --- |

2.

vedeliku või sekundaargaasi sissepritse;

| 3. | liikuv mootor või düüs; |
| --- | --- |

3.

liikuv mootor või düüs;

| 4. | väljuva gaasijoa kõrvalekallutamine (joa labad või sondid); või |
| --- | --- |

4.

väljuva gaasijoa kõrvalekallutamine (joa labad või sondid); või

| 5. | tõukejõu klapid. |
| --- | --- |

5.

tõukejõu klapid.

| d. | Vedela ja suspensioonilaadse raketikütuse (sh oksüdeerijad) reguleerimissüsteemid ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid, mis on loodud või kohandatud töötama vibratsioonilises keskkonnas ja mille väärtus ruutkeskmiselt on üle 10 g ja sagedusvahemik 20–2 000 Hz.


  Märkus: Ainukesed servoventiilid ja pumbad, mis on määratletud punktis 9A106.d., on järgmised:








  a. | servoventiilid, mis on kavandatud voolukiirustele 24 liitrit minutis või rohkem absoluutse rõhu korral 7 MPa või rohkem ja mille käivitumise reaktsiooniaeg on lühem kui 100 ms; |
| --- | --- | --- |

d.

Vedela ja suspensioonilaadse raketikütuse (sh oksüdeerijad) reguleerimissüsteemid ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid, mis on loodud või kohandatud töötama vibratsioonilises keskkonnas ja mille väärtus ruutkeskmiselt on üle 10 g ja sagedusvahemik 20–2 000 Hz.

Märkus: Ainukesed servoventiilid ja pumbad, mis on määratletud punktis 9A106.d., on järgmised:

a.

servoventiilid, mis on kavandatud voolukiirustele 24 liitrit minutis või rohkem absoluutse rõhu korral 7 MPa või rohkem ja mille käivitumise reaktsiooniaeg on lühem kui 100 ms;

| b. | vedela raketikütuse pumbad, mille võllikiirus on 8 000 pööret minutis või rohkem või mille tühjendusrõhk on 7 MPa või rohkem. |
| --- | --- |

b.

vedela raketikütuse pumbad, mille võllikiirus on 8 000 pööret minutis või rohkem või mille tühjendusrõhk on 7 MPa või rohkem.

9A107Muud kui punktis 9A007 nimetatud tahkekütuse rakettmootorid, mis on kasutatavad terviklikes raketisüsteemides või mehitamatutel õhusõidukitel lennuulatusega vähemalt 300 km ja millega saavutatav koguimpulss on 0,841 MNs.

NB! VT KA PUNKTI 9A119.

9A108Muud kui punktis 9A008 nimetatud spetsiaalselt tahkekütuse tõukejõusüsteemide jaoks kavandatud komponendid, mis on kasutatavad rakettmürskudel:

| a. | Rakettmootorite korpused, sisevooderdus ja nende isolatsioon; |
| --- | --- |

a.

Rakettmootorite korpused, sisevooderdus ja nende isolatsioon;

| b. | Raketi düüsid; |
| --- | --- |

b.

Raketi düüsid;

| c. | Tõukejõuvektori juhtimise alamsüsteemid.
  Tehniline märkus:

  Näiteid punktis 9A108.c kirjeldatud tõukejõu vektori juhtimise meetoditest:








  1. | painduvad düüsid; |
| --- | --- | --- |

c.

Tõukejõuvektori juhtimise alamsüsteemid.

Tehniline märkus:

Näiteid punktis 9A108.c kirjeldatud tõukejõu vektori juhtimise meetoditest:

1.

painduvad düüsid;

| 2. | vedeliku või sekundaargaasi sissepritse; |
| --- | --- |

2.

vedeliku või sekundaargaasi sissepritse;

| 3. | liikuv mootor või düüs; |
| --- | --- |

3.

liikuv mootor või düüs;

| 4. | väljuva gaasijoa kõrvalekallutamine (joa labad või sondid); või |
| --- | --- |

4.

väljuva gaasijoa kõrvalekallutamine (joa labad või sondid); või

| 5. | tõukejõu klapid. |
| --- | --- |

5.

tõukejõu klapid.

9A109Muud kui punktis 9A009 nimetatud hübriidrakettmootorid, mis on kasutatavad rakettmürskudel ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid.

NB! VT KA PUNKTI 9A119.

9A110Muud kui punktis 9A010 nimetatud komposiitstruktuurid, -laminaadid ja nendest valmistatud tooted, mis on spetsiaalselt kavandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettides või 9A104 nimetatud sondrakettides või punktides 9A005, 9A007, 9A105.a, 9A106–9A108, 9A116 või 9A119 nimetatud alamsüsteemides.

NB! VT KA PUNKTI 1A002.

9A111Pulseerivad reaktiivmootorid, mis on kasutatavad rakettmürskudel ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid.

NB! VT KA PUNKTE 9A011 ja 9A118.

9A115Järgmised stardi abiseadmed:

| a. | Vahendid ja seadmed käsitsemise, kontrolli, aktiveerimise ja stardi jaoks, mis on kavandatud või kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettidel, punktis 9A012 nimetatud mehitamata õhusõidukitel või punktis 9A104 nimetatud sondrakettides. |
| --- | --- |

a.

Vahendid ja seadmed käsitsemise, kontrolli, aktiveerimise ja stardi jaoks, mis on kavandatud või kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettidel, punktis 9A012 nimetatud mehitamata õhusõidukitel või punktis 9A104 nimetatud sondrakettides.

| b. | Sõidukid transpordi, käsitsemise, kontrolli, aktiveerimise ja stardi jaoks, mis on kavandatud või kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettidel või punktis 9A104 nimetatud sondrakettides. |
| --- | --- |

b.

Sõidukid transpordi, käsitsemise, kontrolli, aktiveerimise ja stardi jaoks, mis on kavandatud või kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettidel või punktis 9A104 nimetatud sondrakettides.

9A116Järgmised rakettmürskudes kasutatavad atmosfääri taassisenevad sõidukid ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud või kohandatud komponendid:

| a. | Atmosfääri taassisenevad sõidukid; |
| --- | --- |

a.

Atmosfääri taassisenevad sõidukid;

| b. | Kuumakaitsekilbid ja nende komponendid, mis on valmistatud keraamilistest või kuluvmaterjalidest; |
| --- | --- |

b.

Kuumakaitsekilbid ja nende komponendid, mis on valmistatud keraamilistest või kuluvmaterjalidest;

| c. | Kergetest, suure soojamahtuvusega materjalidest valmistatud jahutusradiaatorid ja nende komponendid; |
| --- | --- |

c.

Kergetest, suure soojamahtuvusega materjalidest valmistatud jahutusradiaatorid ja nende komponendid;

| d. | Elektroonilised seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud atmosfääri taassisenevatele sõidukitele. |
| --- | --- |

d.

Elektroonilised seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud atmosfääri taassisenevatele sõidukitele.

9A117
  Rakettmürskudes kasutatavad astmestusmehhanismid, eraldamismehhanismid ja astmete vaheseadmed.

9A118Punktis 9A011 või 9A111 nimetatud mootorites kasutatavad põlemisprotsessi reguleerimise seadmed, mis on kasutatavad rakettmürskudes.

9A119Muud kui punktis 9A005, 9A007, 9A009, 9A105, 9A107 või 9A109 nimetatud üksikud raketiastmed, mis on kasutatavad terviklikes raketisüsteemides või mehitamatutel õhusõidukitel lennuulatusega vähemalt 300 km.

9BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

9B001Järgmised spetsiaalselt kavandatud seadmed, instrumentaarium ja kinnitusvahendid gaasiturbiinide valatud labade, tiivikute või labaotsbandaažide tootmiseks:

| a. | Suunatud tahkumise või monokristall-valamise seadmed; |
| --- | --- |

a.

Suunatud tahkumise või monokristall-valamise seadmed;

| b. | Keraamilised südamikud või kestad; |
| --- | --- |

b.

Keraamilised südamikud või kestad;

9B002
  On-line (reaalajas) juhtimissüsteemid, mõõteseadmed (kaasa arvatud sensorid) või automaatsed andmekogumis- ja andmetöötlusseadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 9E003.a nimetatud tehnoloogiat sisaldavate gaasiturbiinmootorite, nende sõlmede või komponentide arendamiseks.

9B003Seadmed selliste gaasiturbiini harjatihendite tootmiseks või katsetamiseks, mis on kavandatud tööks otste kiirusel üle 335 m/s ning temperatuuridel üle 773 K (500 °C), ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid ja abiseadmed.

9B004Tööriistad, matriitsid või kinnitusseadmed supersulamist, titaanist või punktis 9E003.a.3 või 9E003.a.6 nimetatud intermetallilistest ühenditest "labad-kettale" tahkisliitmise jaoks.

9B005
  On-line (reaalajas) juhtimissüsteemid, mõõteseadmed (kaasa arvatud sensorid) või automaatsed andmekogumis- ja andmetöötlusseadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud kasutamiseks mis tahes järgmiste aerodünaamiliste torude või seadmete juures:

NB! VT KA PUNKTI 9B105.

| a. | Aerodünaamilised torud, mis on ette nähtud 1,2-kordse helikiiruse (1,2 Machi) või suuremate kiiruste jaoks, välja arvatud need, mis on spetsiaalselt kavandatud õppeotstarbel ja mille katsekambri ristlõike suurus (külgmiselt mõõdetuna) on vähem kui 250 mm.
  Tehniline märkus:

  Punktis 9B005.a tähendab katsekambri suurus ringi läbimõõtu, ruudu külge või täisnurga pikimat külge, mis on mõõdetud katsekambri ristlõike laiemast kohast. |
| --- | --- |

a.

Aerodünaamilised torud, mis on ette nähtud 1,2-kordse helikiiruse (1,2 Machi) või suuremate kiiruste jaoks, välja arvatud need, mis on spetsiaalselt kavandatud õppeotstarbel ja mille katsekambri ristlõike suurus (külgmiselt mõõdetuna) on vähem kui 250 mm.

Tehniline märkus:

Punktis 9B005.a tähendab katsekambri suurus ringi läbimõõtu, ruudu külge või täisnurga pikimat külge, mis on mõõdetud katsekambri ristlõike laiemast kohast.

| b. | Seadmed voolukeskkondade simuleerimiseks 5-kordsel (5 Machi) või suuremal helikiirusel, kaasa arvatud kaarlahendusega käivitatavad (hotshot) aerodünaamilised torud, plasmakaarega käivitatavad aerodünaamilised torud, lööklainetorud, lööklainega käivitatavad aerodünaamilised torud, gaasi aerodünaamilised torud ning kerged gaasikahurid; või |
| --- | --- |

b.

Seadmed voolukeskkondade simuleerimiseks 5-kordsel (5 Machi) või suuremal helikiirusel, kaasa arvatud kaarlahendusega käivitatavad (hotshot) aerodünaamilised torud, plasmakaarega käivitatavad aerodünaamilised torud, lööklainetorud, lööklainega käivitatavad aerodünaamilised torud, gaasi aerodünaamilised torud ning kerged gaasikahurid; või

| c. | Aerodünaamilised torud või seadmed, muud kui kahemõõtmelised lõiked, mis võimaldavad simuleerida voolamisi, mille korral Reynoldsi arv on üle 25 × 106. |
| --- | --- |

c.

Aerodünaamilised torud või seadmed, muud kui kahemõõtmelised lõiked, mis võimaldavad simuleerida voolamisi, mille korral Reynoldsi arv on üle 25 × 106.

9B006Akustilise vibratsiooni katseseadmed, mis võimaldavad tekitada helirõhku 160 dB või rohkem (20 μPa suhtes), arvestusliku väljundvõimsusega 4 kW või rohkem katsekambri temperatuuril üle 1 273 K (+ 1 000 °C), ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud kvartsküttekehad.

NB! VT KA PUNKTI 9B106.

9B007Seadmed, mis on kavandatud rakettmootorite terviklikkuse kontrolliks, kasutades muid mittepurustavaid katsevõtteid (NDT) kui planaarne röntgenikiirgus või keemilised või füüsikalised alusanalüüsid).

9B008Muundurid, mis on spetsiaalselt projekteeritud katsevoolus seinakatte hõõrdetakistuse vahetuks mõõtmiseks üle 833 K (+ 560 °C) stagnatsioonitemperatuuril.

9B009Instrumentaarium, mis on spetsiaalselt projekteeritud selliste turbiinmootorite pulbermetallurgiliste rootorikomponentide tootmiseks, mis kannatavad välja 60 % tõmbetugevusest või rohkem ja metallitemperatuuri 873 K (600 °C) või rohkem.

9B105Aerodünaamilised torud, mis on ette nähtud 0,9-kordse helikiiruse (0,9 Machi) või suuremate kiiruste jaoks ja on kasutatavad rakettmürskude ja nende alamsüsteemide jaoks.

NB! VT KA PUNKTI 9B005.

9B106Järgmised katsekeskkonnakambrid ja kajavabad ruumid:

| a. | Katsekeskkonnakambrid, mis võimaldavad simuleerida järgmisi lennutingimusi:






  1. | vibratsiooniline keskkond, mille väärtus ruutkeskmiselt on üle 10 g sagedusvahemikus 20–2 000 Hz ja edastatav jõud on 5 kN või rohkem; ja |
| --- | --- | --- |

a.

Katsekeskkonnakambrid, mis võimaldavad simuleerida järgmisi lennutingimusi:

1.

vibratsiooniline keskkond, mille väärtus ruutkeskmiselt on üle 10 g sagedusvahemikus 20–2 000 Hz ja edastatav jõud on 5 kN või rohkem; ja

| 2. | lennukõrgus 15 000 m või rohkem; või |
| --- | --- |

2.

lennukõrgus 15 000 m või rohkem; või

| 3. | temperatuurivahemik vähemalt 223 K (– 50 °C) kuni 398 K (+ 125 °C); |
| --- | --- |

3.

temperatuurivahemik vähemalt 223 K (– 50 °C) kuni 398 K (+ 125 °C);

| b. | Kajavabad ruumid, mis võimaldavad simuleerida järgmisi lennutingimusi:






  1. | ruumi üldine helirõhu tase on 140 dB või rohkem (20 μPa suhtes) või arvestuslik väljundvõimsus on 4 kW või rohkem; ja |
| --- | --- | --- |

b.

Kajavabad ruumid, mis võimaldavad simuleerida järgmisi lennutingimusi:

1.

ruumi üldine helirõhu tase on 140 dB või rohkem (20 μPa suhtes) või arvestuslik väljundvõimsus on 4 kW või rohkem; ja

| 2. | lennukõrgus 15 000 m või rohkem; või |
| --- | --- |

2.

lennukõrgus 15 000 m või rohkem; või

| 3. | temperatuurivahemik vähemalt 223 K (– 50 °C) kuni 398 K (+ 125 °C). |
| --- | --- |

3.

temperatuurivahemik vähemalt 223 K (– 50 °C) kuni 398 K (+ 125 °C).

9B115
  Tootmisseadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud punktides 9A005–9A009, 9A011, 9A101, 9A105–9A109, 9A111, 9A116–9A119 nimetatud süsteemide, alamsüsteemide ja komponentide tootmiseks.

9B116
  Tootmisseadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 9A004 nimetatud kanderakettide või punktides 9A005–9A009, 9A011, 9A101, 9A104–9A109, 9A111 või 9A116–9A119 nimetatud süsteemide, alamsüsteemide ja komponentide tootmiseks.

9B117Katsepingid ja katsestendid tahke- või vedelkütuse rakettide või rakettmootorite katsetamiseks, millel on üks järgmistest omadustest:

| a. | võimaldavad käsitleda tõukejõudu üle 90 kN; või |
| --- | --- |

a.

võimaldavad käsitleda tõukejõudu üle 90 kN; või

| b. | võimaldavad samaaegselt mõõta kolme telje tõukejõu komponente. |
| --- | --- |

b.

võimaldavad samaaegselt mõõta kolme telje tõukejõu komponente.

9CMaterjalid

9C110Vaiguga immutatud kiudkarkassid ja metalliga kaetud kiust eelvormid nendele, komposiitstruktuuridele, -laminaatidele ja punktis 9A110 nimetatud toodetele, mis on valmistatud kas orgaanilisest põhiainest või metallpõhiainest, kasutades kiud- või niitarmeerimist, ja mille eritõmbetugevus on suurem kui 7,62 × 104 m ja erimoodul on suurem kui 3,18 × 106 m.

NB! VT KA PUNKTE 1C010 ja 1C210.

Märkus: Ainsad punktis 9C110 nimetatud vaiguga immutatud kiudprepregmaterjalid on need, milles kasutatakse vaiku, mille klaasistumistemperatuur (Tg) on pärast vulkaniseerimist üle 418 K (145 °C) vastavalt ASTM D4065 või samaväärse standardiga.

9DTarkvara

9D001
  Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 9A, 9B või 9E003 nimetatud seadmete või tehnoloogia arendamiseks.

9D002
  Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 9A või 9B nimetatud seadmete tootmiseks.

9D003
  Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 9A nimetatud täisautomaatse digitaalse mootori juhtimise (FADEC) kasutamiseks tõukejõusüsteemide jaoks või punktis 9B nimetatud seadmete jaoks:

| a. | tarkvara tõukejõusüsteemide, kosmosekatseseadmete või atmosfääriõhku kasutavate lennumootorite katseseadmete digitaalelektroonilistes juhtimissüsteemides; |
| --- | --- |

a.

tarkvara tõukejõusüsteemide, kosmosekatseseadmete või atmosfääriõhku kasutavate lennumootorite katseseadmete digitaalelektroonilistes juhtimissüsteemides;

| b. | tõrketaluvusega tarkvara, mida kasutatakse täisautomaatse digitaalse mootori juhtimise (FADEC) süsteemides tõukejõusüsteemide ja nendega seotud katseseadmete jaoks. |
| --- | --- |

b.

tõrketaluvusega tarkvara, mida kasutatakse täisautomaatse digitaalse mootori juhtimise (FADEC) süsteemides tõukejõusüsteemide ja nendega seotud katseseadmete jaoks.

9D004Muu tarkvara:

| a. | 2D või 3D viskoosse voolamise tarkvara, mida on kontrollitud aerodünaamilise toru või proovilennu andmetega ja mida vajatakse detailse mootorivoolu modelleerimiseks; |
| --- | --- |

a.

2D või 3D viskoosse voolamise tarkvara, mida on kontrollitud aerodünaamilise toru või proovilennu andmetega ja mida vajatakse detailse mootorivoolu modelleerimiseks;

| b. | Tarkvara lennu gaasiturbiinmootorite, nende sõlmede või komponentide katsetamiseks, mis on spetsiaalselt loodud andmete reaalajas kogumiseks, töötlemiseks ja analüüsiks ning võimaldab tagasisidega reguleerimist, kaasa arvatud katse kestel katseartikli või katsetingimuste dünaamiline muutmine; |
| --- | --- |

b.

Tarkvara lennu gaasiturbiinmootorite, nende sõlmede või komponentide katsetamiseks, mis on spetsiaalselt loodud andmete reaalajas kogumiseks, töötlemiseks ja analüüsiks ning võimaldab tagasisidega reguleerimist, kaasa arvatud katse kestel katseartikli või katsetingimuste dünaamiline muutmine;

| c. | Tarkvara, mis on spetsiaalselt kavandatud suunatud tahkumise või monokristallide valamise juhtimiseks; |
| --- | --- |

c.

Tarkvara, mis on spetsiaalselt kavandatud suunatud tahkumise või monokristallide valamise juhtimiseks;

| d. | Tarkvara lähtekoodidena, objektkoodidena või masinkoodidena, mida on vaja rootori labaotste vaba liikumisruumi kontrolli aktiivkompensatsiooni süsteemide rakendamiseks.


  Märkus: Punkt 9D004.d ei hõlma tarkvara, mis on installeeritud kontrolli alla mittekuuluvatesse seadmetesse või mida vajatakse vaba liikumisruumi kontrolli aktiivkompensatsiooni süsteemide hooldustöödel, mis on seotud kalibreerimise või remondi või ajakohastamisega. |
| --- | --- |

d.

Tarkvara lähtekoodidena, objektkoodidena või masinkoodidena, mida on vaja rootori labaotste vaba liikumisruumi kontrolli aktiivkompensatsiooni süsteemide rakendamiseks.

Märkus: Punkt 9D004.d ei hõlma tarkvara, mis on installeeritud kontrolli alla mittekuuluvatesse seadmetesse või mida vajatakse vaba liikumisruumi kontrolli aktiivkompensatsiooni süsteemide hooldustöödel, mis on seotud kalibreerimise või remondi või ajakohastamisega.

9D101
  Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 9B105, 9B106, 9B116 või 9B117 nimetatud kaupade kasutamiseks.

9D103
  Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud punktis 9A004 nimetatud kanderakettide või punktis 9A104 nimetatud sondrakettide või punktis 9A005, 9A007, 9A105.a, 9A106, 9A108, 9A116 või 9A119 nimetatud alamsüsteemide modelleerimiseks, simuleerimiseks või projektide integreerimiseks.

Märkus: Punktis 9D103 nimetatud tarkvara kuulub kontrolli alla, kui ta on kombineeritud punktis 4A102 nimetatud spetsiaalselt kavandatud riistvaraga.

9D104
  Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 9A001, 9A005, 9A006.d, 9A006.g, 9A007.a, 9A008.d, 9A009.a, 9A010.d, 9A011, 9A101, 9A105, 9A106.c, 9A106.d, 9A107, 9A108.c, 9A109, 9A111, 9A115.a, 9A116.d, 9A117 või 9A118 nimetatud kaupade kasutamiseks.

9D105
  Tarkvara, mis koordineerib rohkem kui ühe alamsüsteemi funktsioneerimist ja on spetsiaalselt loodud või kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettides või 9A104 punktis nimetatud sondrakettides.

9ETehnoloogia

Märkus: Punktides 9E001–9E003 nimetatud gaasiturbiinmootorite arendus- või tootmistehnoloogia kuulub kontrolli alla ka siis, kui seda kasutatakse rakendustehnoloogiana parandamiseks, ümberehitamiseks ja kapitaalremondiks. Kontrolli alla ei kuulu: tehnilised andmed, joonised või dokumentatsioon, mida vajatakse hooldetöödel ja mis on otseses seoses vigastatud või kasutamiskõlbmatute vahetatavate osade kalibreerimise, eemaldamise või asendamisega, kaasa arvatud terve mootori või mootori moodulite asendamine.

9E001
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on vajalik punktides 9A001.c, 9A004–9A011, 9B või 9D nimetatud seadmete või tarkvara arendamiseks.

9E002
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on vajalik punktides 9A001.c, 9A004–9A011 või 9B nimetatud seadmete tootmiseks.

NB! Tehnoloogia kohta, mis on mõeldud kontrolli alla kuuluvate struktuuride, laminaatide või materjalide parandamiseks, vaata punkti 1E002.f.

9E003Muu tehnoloogia:

| a. | Tehnoloogia, mis on vajalik mis tahes järgmiste gaasiturbiinmootorite komponentide või süsteemide arendamiseks või tootmiseks:






  1. | gaasiturbiinide labad, tiivikud või labaotsabandaažid, mis on valmistatud suunatud tahkumisega (DS) sulamitest või monokristallilistest (SC) sulamitest (Milleri indeksi suund 001), mille pingetaluvusaeg purunemiseni on temperatuuril 1 273 K (1 000 °C) ja pingel 200 MPa üle 400 tunni ja mis põhineb mõõdetud keskmistel väärtustel; |
| --- | --- | --- |

a.

Tehnoloogia, mis on vajalik mis tahes järgmiste gaasiturbiinmootorite komponentide või süsteemide arendamiseks või tootmiseks:

1.

gaasiturbiinide labad, tiivikud või labaotsabandaažid, mis on valmistatud suunatud tahkumisega (DS) sulamitest või monokristallilistest (SC) sulamitest (Milleri indeksi suund 001), mille pingetaluvusaeg purunemiseni on temperatuuril 1 273 K (1 000 °C) ja pingel 200 MPa üle 400 tunni ja mis põhineb mõõdetud keskmistel väärtustel;

| 2. | mitmekuplilise põlemiskambriga põletid, mille keskmine väljundi temperatuur on üle 1 813 K (1 540 °C), või põletid, mis sisaldavad termiliselt eristatud silindrihülsse, mittemetallilisi silindrihülsse või mittemetallilisi kesti; |
| --- | --- |

2.

mitmekuplilise põlemiskambriga põletid, mille keskmine väljundi temperatuur on üle 1 813 K (1 540 °C), või põletid, mis sisaldavad termiliselt eristatud silindrihülsse, mittemetallilisi silindrihülsse või mittemetallilisi kesti;

| 3. | komponendid, mis on valmistatud mis tahes järgmisest materjalist:






  a. | orgaanilistest komposiitmaterjalidest, mis on kavandatud tööks üle 588 K (+ 315 °C) temperatuuril; |
| --- | --- | --- |

3.

komponendid, mis on valmistatud mis tahes järgmisest materjalist:

a.

orgaanilistest komposiitmaterjalidest, mis on kavandatud tööks üle 588 K (+ 315 °C) temperatuuril;

| b. | metallpõhiainega komposiit, keraamilise põhiaine, intermetalliline ühend või punktis 1C007 nimetatud armeeritud intermetalliline materjal; või |
| --- | --- |

b.

metallpõhiainega komposiit, keraamilise põhiaine, intermetalliline ühend või punktis 1C007 nimetatud armeeritud intermetalliline materjal; või

| c. | komposiitmaterjalid, mis on nimetatud punktis 1C010 ja toodetud punktis 1C008 nimetatud vaikudega. |
| --- | --- |

c.

komposiitmaterjalid, mis on nimetatud punktis 1C010 ja toodetud punktis 1C008 nimetatud vaikudega.

| 4. | jahutuseta turbiinide labad, tiivikud, labaotsabandaažid või muud komponendid, mis on kavandatud tööks gaasijoa temperatuuril 1 323 K (1 050 °C) või rohkem; |
| --- | --- |

4.

jahutuseta turbiinide labad, tiivikud, labaotsabandaažid või muud komponendid, mis on kavandatud tööks gaasijoa temperatuuril 1 323 K (1 050 °C) või rohkem;

| 5. | jahutusega turbiinide labad, tiivikud, labaotsabandaažid, muud kui punktis 9E003.a.1 nimetatud, mis on kavandatud tööks gaasijoa temperatuuril 1 643 K (1 370 °C) või rohkem; |
| --- | --- |

5.

jahutusega turbiinide labad, tiivikud, labaotsabandaažid, muud kui punktis 9E003.a.1 nimetatud, mis on kavandatud tööks gaasijoa temperatuuril 1 643 K (1 370 °C) või rohkem;

| 6. | labad-kettale labade kombinatsioonid, kus kasutatakse tahkisliitmist; |
| --- | --- |

6.

labad-kettale labade kombinatsioonid, kus kasutatakse tahkisliitmist;

| 7. | gaasiturbiinmootorite komponendid, milles kasutatakse punktis 2E003.b nimetatud difusioonkeevitustehnoloogiat; |
| --- | --- |

7.

gaasiturbiinmootorite komponendid, milles kasutatakse punktis 2E003.b nimetatud difusioonkeevitustehnoloogiat;

| 8. | vigastustaluvusega gaasiturbiinmootorite pöörlevad komponendid, mille puhul on kasutatud punktis 1C002.b nimetatud pulbermetallurgia materjale; |
| --- | --- |

8.

vigastustaluvusega gaasiturbiinmootorite pöörlevad komponendid, mille puhul on kasutatud punktis 1C002.b nimetatud pulbermetallurgia materjale;

| 9. | gaasiturbiinidele ja kombineeritud tsükkelmootoritele ettenähtud täisautomaatse digitaalse mootori juhtimise (FADEC) süsteemid ning nendega seotud diagnostikakomponendid, andurid ja spetsiaalselt projekteeritud komponendid; |
| --- | --- |

9.

gaasiturbiinidele ja kombineeritud tsükkelmootoritele ettenähtud täisautomaatse digitaalse mootori juhtimise (FADEC) süsteemid ning nendega seotud diagnostikakomponendid, andurid ja spetsiaalselt projekteeritud komponendid;

| 10. | reguleeritava gaasivoo geomeetriaga süsteemid ja vastavad reguleerimissüsteemid järgmistele:






  a. | gaasigeneraatori turbiinidele; |
| --- | --- | --- |

10.

reguleeritava gaasivoo geomeetriaga süsteemid ja vastavad reguleerimissüsteemid järgmistele:

a.

gaasigeneraatori turbiinidele;

| b. | ventilaator- või elektriturbiinidele; |
| --- | --- |

b.

ventilaator- või elektriturbiinidele;

| c. | tõukedüüsidele; |
| --- | --- |

c.

tõukedüüsidele;

Märkus 1: Reguleeritava gaasivoo geomeetriaga süsteemid ja vastavad reguleerimissüsteemid punktis 9E003.a.10 ei hõlma sisendvoo juhtlabasid, reguleeritava sammuga ventilaatoreid, reguleeritavaid staatoreid või kompressorite vedelikueemaldamise ventiile.

Märkus 2: Punkt 9E003.a.10 ei hõlma reguleeritava gaasivoo geomeetriaga süsteemide arendus- või tootmistehnoloogiat pööratava tõuke jaoks.

| 11. | suure profiilisügavusega õõnsad tiiviku labad, ilma labade vastastikuse toetuseta; |
| --- | --- |

11.

suure profiilisügavusega õõnsad tiiviku labad, ilma labade vastastikuse toetuseta;

| b. | Tehnoloogia, mis on vajalik mis tahes järgmise arendamiseks või tootmiseks:






  1. | aerodünaamilistes torudes kasutatavad lennumudelid, mis on varustatud pindanduritega, mis on võimelised edastama andmed andmekogumissüsteemi; või |
| --- | --- | --- |

b.

Tehnoloogia, mis on vajalik mis tahes järgmise arendamiseks või tootmiseks:

1.

aerodünaamilistes torudes kasutatavad lennumudelid, mis on varustatud pindanduritega, mis on võimelised edastama andmed andmekogumissüsteemi; või

| 2. | komposiitmaterjalidest propellerite labad või propellerventilaatorid, mis on võimelised 0,55-kordse helikiirusega (0,55 Machi) ja kiiremini lennates vastu võtma üle 2 000 kW; |
| --- | --- |

2.

komposiitmaterjalidest propellerite labad või propellerventilaatorid, mis on võimelised 0,55-kordse helikiirusega (0,55 Machi) ja kiiremini lennates vastu võtma üle 2 000 kW;

| c. | Tehnoloogia, mis on vajalik gaasiturbiinmootorite komponentide arendamiseks või tootmiseks, kasutades laser-, veejoa-, elektrokeemilist- (ECM) või elektrilahenduslikku (EDM) süvistusmeetodit, et puurida järgmiste tunnuskombinatsioonidega auke:






  1. | kõik järgmine:






  a. | sügavus ületab neljakordselt nende läbimõõdu; |
| --- | --- | --- | --- |

c.

Tehnoloogia, mis on vajalik gaasiturbiinmootorite komponentide arendamiseks või tootmiseks, kasutades laser-, veejoa-, elektrokeemilist- (ECM) või elektrilahenduslikku (EDM) süvistusmeetodit, et puurida järgmiste tunnuskombinatsioonidega auke:

1.

kõik järgmine:

a.

sügavus ületab neljakordselt nende läbimõõdu;

| b. | läbimõõdud on väiksemad kui 0,76 mm; ja |
| --- | --- |

b.

läbimõõdud on väiksemad kui 0,76 mm; ja

| c. | kohtumisnurgad on 25 ° või vähem; või |
| --- | --- |

c.

kohtumisnurgad on 25 ° või vähem; või

| 2. | kõik järgmine:






  a. | sügavus ületab viiekordselt nende läbimõõdu; |
| --- | --- | --- |

2.

kõik järgmine:

a.

sügavus ületab viiekordselt nende läbimõõdu;

| b. | läbimõõdud on väiksemad kui 0,4 mm; ja |
| --- | --- |

b.

läbimõõdud on väiksemad kui 0,4 mm; ja

| c. | kohtumisnurgad on üle 25 °; |
| --- | --- |

c.

kohtumisnurgad on üle 25 °;

Tehniline märkus:

Punkti 9E003.c tähenduses on kohtumisnurk mõõdetud kandepinna puutujatasandi suhtes kandepinna punktis, kus augu telg siseneb kandepinda.

| d. | Tehnoloogia helikopterite jõuülekandesüsteemide või kaldrootori või kaldtiivaga õhusõidukite jõuülekandesüsteemide arendamiseks või tootmiseks; |
| --- | --- |

d.

Tehnoloogia helikopterite jõuülekandesüsteemide või kaldrootori või kaldtiivaga õhusõidukite jõuülekandesüsteemide arendamiseks või tootmiseks;

| e. | Tehnoloogia järgmiste omadustega diiselkolbmootoritega maismaasõidukite jõusüsteemide arendamiseks või tootmiseks:






  1. | "Kasti"ruumala on 1,2 m3 või vähem; |
| --- | --- | --- |

e.

Tehnoloogia järgmiste omadustega diiselkolbmootoritega maismaasõidukite jõusüsteemide arendamiseks või tootmiseks:

1.

"Kasti"ruumala on 1,2 m3 või vähem;

| 2. | Üldine väljundvõimsus, mis on üle 750 kW vastavalt 80/1269/EMÜ, ISO 2534 või samaväärsetele siseriiklikele standarditele; ja |
| --- | --- |

2.

Üldine väljundvõimsus, mis on üle 750 kW vastavalt 80/1269/EMÜ, ISO 2534 või samaväärsetele siseriiklikele standarditele; ja

| 3. | "Kasti"ruumala võimsustihedus on üle 700 kW/m3; |
| --- | --- |

3.

"Kasti"ruumala võimsustihedus on üle 700 kW/m3;

Tehniline märkus:

Punktis 9E003.e on "kasti"ruumala määratud kolme alljärgneval viisil mõõdetud risti asetseva mõõte korrutisena:

| Pikkus: | : | Väntvõlli pikkus esiäärikust kuni hooratta pinnani; |
| --- | --- | --- |
| Laius: | : | Kõige laiem järgmistest:








  a. | välismõõt klapikambri kaanest teise klapikambri kaaneni; |

Pikkus:

:

Väntvõlli pikkus esiäärikust kuni hooratta pinnani;

Laius:

:

Kõige laiem järgmistest:

a.

välismõõt klapikambri kaanest teise klapikambri kaaneni;

| b. | silindripeade välisservade vaheline kaugus; või |
| --- | --- |

b.

silindripeade välisservade vaheline kaugus; või

| c. | hooratta korpuse välisläbimõõt; |
| --- | --- |

c.

hooratta korpuse välisläbimõõt;

Kõrgus:

:

Suurim järgmistest:

| a. | mõõt väntvõlli teljest klapikambri kaane (või silindripea) ülemise tasapinnani pluss kahekordne kolvikäik; või |
| --- | --- |

a.

mõõt väntvõlli teljest klapikambri kaane (või silindripea) ülemise tasapinnani pluss kahekordne kolvikäik; või

| b. | hooratta korpuse välisläbimõõt. |
| --- | --- |

b.

hooratta korpuse välisläbimõõt.

| f. | Tehnoloogia, mis on vajalik järgmiste suure võimsusega diiselmootoritele spetsiaalselt projekteeritud komponentide tootmiseks:






  1. | tehnoloogia, mis on vajalik mootorisüsteemide tootmiseks, mille kõik järgmised komponendid on valmistatud punktis 1C007 nimetatud keraamilistest materjalidest:






  a. | silindrihülsid; |
| --- | --- | --- | --- |

f.

Tehnoloogia, mis on vajalik järgmiste suure võimsusega diiselmootoritele spetsiaalselt projekteeritud komponentide tootmiseks:

1.

tehnoloogia, mis on vajalik mootorisüsteemide tootmiseks, mille kõik järgmised komponendid on valmistatud punktis 1C007 nimetatud keraamilistest materjalidest:

a.

silindrihülsid;

| b. | kolvid; |
| --- | --- |

b.

kolvid;

| c. | silindripead; ja |
| --- | --- |

c.

silindripead; ja

| d. | üks või mitu muud komponenti (nt väljalaskeavad, turbolaadurid, klapi juhtpuksid, klapisõlmed või isoleeritud kütuse sissepritsedüüsid); |
| --- | --- |

d.

üks või mitu muud komponenti (nt väljalaskeavad, turbolaadurid, klapi juhtpuksid, klapisõlmed või isoleeritud kütuse sissepritsedüüsid);

| 2. | tehnoloogia, mis on vajalik üheastmelise kompressoriga turbolaadurite süsteemide tootmiseks, millel on kõik järgmised omadused:






  a. | töötavad rõhkude suhtel 4:1 või kõrgemal; |
| --- | --- | --- |

2.

tehnoloogia, mis on vajalik üheastmelise kompressoriga turbolaadurite süsteemide tootmiseks, millel on kõik järgmised omadused:

a.

töötavad rõhkude suhtel 4:1 või kõrgemal;

| b. | läbivoolav mass on 30–130 kg minutis; ja |
| --- | --- |

b.

läbivoolav mass on 30–130 kg minutis; ja

| c. | kompressorit või turbiini läbiva voo ristlõikepindala muutmise võimalus; |
| --- | --- |

c.

kompressorit või turbiini läbiva voo ristlõikepindala muutmise võimalus;

| 3. | tehnoloogia, mis on vajalik kütuse sissepritsesüsteemide tootmiseks, millel on spetsiaalselt kavandatud mitut sorti kütuse (nt diisel- või reaktiivkütus) kasutamise võimalus, mis katab viskoossusvahemiku alates diiselkütusest (2,5 cSt 310,8 K (37,8 °C)) kuni bensiinini (0,5 cSt 310,8 K (37,8 °C)) ja millel on mõlemad järgmised omadused:






  a. | sissepritsitava kütuse hulk on üle 230 mm3 ühe sissepritse kohta ühte silindrisse; ja |
| --- | --- | --- |

3.

tehnoloogia, mis on vajalik kütuse sissepritsesüsteemide tootmiseks, millel on spetsiaalselt kavandatud mitut sorti kütuse (nt diisel- või reaktiivkütus) kasutamise võimalus, mis katab viskoossusvahemiku alates diiselkütusest (2,5 cSt 310,8 K (37,8 °C)) kuni bensiinini (0,5 cSt 310,8 K (37,8 °C)) ja millel on mõlemad järgmised omadused:

a.

sissepritsitava kütuse hulk on üle 230 mm3 ühe sissepritse kohta ühte silindrisse; ja

| b. | spetsiaalne projekteeritud elektrooniline juhtimisfunktsioon, mis võimaldab sobivate andurite abil olenevalt kütuse omadustest automaatselt seadistada turbolaaduri kiirusregulaatorit nii, et säiliksid samad pöördemomendi karakteristikud; |
| --- | --- |

b.

spetsiaalne projekteeritud elektrooniline juhtimisfunktsioon, mis võimaldab sobivate andurite abil olenevalt kütuse omadustest automaatselt seadistada turbolaaduri kiirusregulaatorit nii, et säiliksid samad pöördemomendi karakteristikud;

| g. | Tehnoloogia, mis on vajalik tahke, gaasfaasilise või vedelikkelmelise (või nende kombinatsioonid) määrdega määritavate silindriseintega suure võimsusega diiselmootorite arendamiseks või tootmiseks, mis võimaldavad üle 723 K (450 °C) töötemperatuuri mõõdetuna kolvi ülemises surnud seisus silindriseinal ülemise kolvirõnga kohal.
  Tehniline märkus:

  Suure võimsusega diiselmootorid on diiselmootorid, mille keskmine spetsiifiline efektiivrõhk kolvi põhjale töötakti kestel, tuletatuna pidurdatava väljundvõimsuse mõõtmistest, on 1,8 MPa või rohkem mõõdetuna pöörlemissagedusel 2 300 pööret minutis, tingimusel et nende nimipöörlemissagedus oleks 2 300 pööret minutis või rohkem. |
| --- | --- |

g.

Tehnoloogia, mis on vajalik tahke, gaasfaasilise või vedelikkelmelise (või nende kombinatsioonid) määrdega määritavate silindriseintega suure võimsusega diiselmootorite arendamiseks või tootmiseks, mis võimaldavad üle 723 K (450 °C) töötemperatuuri mõõdetuna kolvi ülemises surnud seisus silindriseinal ülemise kolvirõnga kohal.

Tehniline märkus:

Suure võimsusega diiselmootorid on diiselmootorid, mille keskmine spetsiifiline efektiivrõhk kolvi põhjale töötakti kestel, tuletatuna pidurdatava väljundvõimsuse mõõtmistest, on 1,8 MPa või rohkem mõõdetuna pöörlemissagedusel 2 300 pööret minutis, tingimusel et nende nimipöörlemissagedus oleks 2 300 pööret minutis või rohkem.

9E101
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on vajalik punktides 9A101, 9A104–9A111, 9A115–9A119 nimetatud kaupade arendamiseks ja tootmiseks.

9E102
  Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on vajalik punktis 9A004 nimetatud kanderakettide või punktides 9A005–9A011, 9A101, 9A104–9A111, 9A115–9A119, 9B105, 9B106, 9B115, 9B116, 9B117, 9D101 või 9D103 nimetatud kaupade kasutamiseks.

---

(1)  Tootjad, kes arvutavad positsioneerimistäpsust vastavalt ISO standardile 230/2 (1997), peaksid konsulteerima oma asukohaliikmesriigi pädevate asutustega.

(2)  Sulgudes olevad numbrid viitavad tabelile järgnevatele märkustele.

---

II LISA

ÜHENDUSE ÜLDINE EKSPORDILUBA Nr EU001

(vastavalt määruse (EÜ) nr 1334/2000 artiklile 6)

Väljaandnud asutus: Euroopa Ühendus:

1. osa

Käesolev ekspordiluba hõlmab järgmist:

Kõik käesoleva määruse I lisas esitatud kahesuguse kasutusega kaubad, välja arvatud 2. osas esitatud kaubad.

2. osa

| — | | Kõik IV lisas määratletud kaubad. |
| --- | --- | --- |
| — | 0C001 | Looduslik uraan, vaesestatud uraan või toorium metalli, sulami, keemilise ühendi või kontsentraadi kujul ja materjalid, mis sisaldavad mis tahes eelnevalt nimetatud ühendit või ühendeid. |
| — | 0C002 | Lõhustuvad erimaterjalid, muud kui IV lisas nimetatud. |
| — | 0D001 | Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud 0. kategoorias nimetatud kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks, kuivõrd see on seotud punktiga 0C001 või punkti 0C002 IV lisast välja arvatud kaubanimetustega. |
| — | 0E001 | Tuumatehnoloogia märkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud 0. kategoorias nimetatud kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks, kuivõrd see on seotud punktiga 0C001 või punkti 0C002 IV lisast välja arvatud kaubanimetustega. |
| — | 1A102 | Korduvküllastatud pürolüüsitud süsinik-süsinik-komponendid, mis on ette nähtud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettides või punktis 9A104 nimetatud sondrakettides. |
| — | 1C351 | Inimpatogeenid, zoonoosid ja toksiinid. |
| — | 1C352 | Loompatogeenid. |
| — | 1C353 | Geneetilised elemendid ja geneetiliselt muundatud organismid. |
| — | 1C354 | Taimpatogeenid. |
| — | 7E104 | Tehnoloogia, mis on ette nähtud lennujuhtimise ja tõukejõu andmete integreerimiseks lennujuhtimissüsteemi, et optimeerida raketisüsteemide trajektoori. |
| — | 9A009.a | Hübriidsed raketi tõukejõusüsteemid, mille koguimpulss on üle 1,1 MNs. |
| — | 9A117 | Rakettmürskudes kasutatavad astmestusmehhanismid, eraldamismehhanismid ja astmete vaheseadmed. |

—

Kõik IV lisas määratletud kaubad.

—

0C001

Looduslik uraan, vaesestatud uraan või toorium metalli, sulami, keemilise ühendi või kontsentraadi kujul ja materjalid, mis sisaldavad mis tahes eelnevalt nimetatud ühendit või ühendeid.

—

0C002

Lõhustuvad erimaterjalid, muud kui IV lisas nimetatud.

—

0D001

Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud 0. kategoorias nimetatud kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks, kuivõrd see on seotud punktiga 0C001 või punkti 0C002 IV lisast välja arvatud kaubanimetustega.

—

0E001

Tuumatehnoloogia märkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud 0. kategoorias nimetatud kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks, kuivõrd see on seotud punktiga 0C001 või punkti 0C002 IV lisast välja arvatud kaubanimetustega.

—

1A102

Korduvküllastatud pürolüüsitud süsinik-süsinik-komponendid, mis on ette nähtud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettides või punktis 9A104 nimetatud sondrakettides.

—

1C351

Inimpatogeenid, zoonoosid ja toksiinid.

—

1C352

Loompatogeenid.

—

1C353

Geneetilised elemendid ja geneetiliselt muundatud organismid.

—

1C354

Taimpatogeenid.

—

7E104

Tehnoloogia, mis on ette nähtud lennujuhtimise ja tõukejõu andmete integreerimiseks lennujuhtimissüsteemi, et optimeerida raketisüsteemide trajektoori.

—

9A009.a

Hübriidsed raketi tõukejõusüsteemid, mille koguimpulss on üle 1,1 MNs.

—

9A117

Rakettmürskudes kasutatavad astmestusmehhanismid, eraldamismehhanismid ja astmete vaheseadmed.

3. osa

Käesolev ekspordiluba kehtib kogu ühenduses järgmistesse sihtkohtadesse suunduva ekspordi osas:

| | Austraalia |
| --- | --- |

Austraalia

| | Kanada |
| --- | --- |

Kanada

| | Jaapan |
| --- | --- |

Jaapan

| | Uus-Meremaa |
| --- | --- |

Uus-Meremaa

| | Norra |
| --- | --- |

Norra

| | Šveits |
| --- | --- |

Šveits

| | Ameerika Ühendriigid |
| --- | --- |

Ameerika Ühendriigid

Märkus: 2. ja 3. osa võib muuta üksnes kooskõlas nende asjaomaste ülesannete ja kohustustega, mida iga liikmesriik on võtnud tuumarelva leviku tõkestamise rahvusvahelise korra ja ekspordi kontrollimise korra raames ning kooskõlas iga liikmesriigi avaliku julgeoleku huvidega, mis kajastuvad tema kohustuses otsustada kahesuguse kasutusega kaupade ekspordilubade taotluste üle vastavalt käesoleva määruse artikli 6 lõikele 2.

Kõnealuse loa kasutustingimused ja -nõuded

| (1) | Üldluba ei tohi kasutada, kui eksportija asukohaliikmesriigi pädev asutus on eksportijat teavitanud, et kõnealused kaubad on ette nähtud kasutamiseks või neid saab kasutada tervikuna või osaliselt keemia-, tuuma- või bioloogiliste relvade või teiste tuumalõhkeseadmete arendamiseks, tootmiseks, käsitlemiseks, kasutamiseks, hooldamiseks, ladustamiseks, avastamiseks, identifitseerimiseks või levitamiseks või selliste relvade kanderakettide arendamiseks, tootmiseks, hooldamiseks või ladustamiseks, või kui eksportija teab, et kõnealuseid kaubad on ette nähtud selliseks kasutuseks. |
| --- | --- |

(1)

Üldluba ei tohi kasutada, kui eksportija asukohaliikmesriigi pädev asutus on eksportijat teavitanud, et kõnealused kaubad on ette nähtud kasutamiseks või neid saab kasutada tervikuna või osaliselt keemia-, tuuma- või bioloogiliste relvade või teiste tuumalõhkeseadmete arendamiseks, tootmiseks, käsitlemiseks, kasutamiseks, hooldamiseks, ladustamiseks, avastamiseks, identifitseerimiseks või levitamiseks või selliste relvade kanderakettide arendamiseks, tootmiseks, hooldamiseks või ladustamiseks, või kui eksportija teab, et kõnealuseid kaubad on ette nähtud selliseks kasutuseks.

| (2) | Üldluba ei tohi kasutada, kui eksportija asukohaliikmesriigi pädev asutus on eksportijat teavitanud sellest, et kõnealused kaubad on ette nähtud või neid saab kasutada käesoleva määruse artikli 4 lõikes 2 nimetatud sõjaliseks lõppkasutuseks riigis, mille suhtes kehtib EL, OSCE või ÜRO relvaembargo, või kui eksportija teab, et kõnealused kaubad on ette nähtud selliseks kasutuseks. |
| --- | --- |

(2)

Üldluba ei tohi kasutada, kui eksportija asukohaliikmesriigi pädev asutus on eksportijat teavitanud sellest, et kõnealused kaubad on ette nähtud või neid saab kasutada käesoleva määruse artikli 4 lõikes 2 nimetatud sõjaliseks lõppkasutuseks riigis, mille suhtes kehtib EL, OSCE või ÜRO relvaembargo, või kui eksportija teab, et kõnealused kaubad on ette nähtud selliseks kasutuseks.

| (3) | Üldluba ei tohi kasutada, kui asjaomased kaubad eksporditakse tollivabasse tsooni või vabalattu, mis asub selle loaga hõlmatud sihtkohas. |
| --- | --- |

(3)

Üldluba ei tohi kasutada, kui asjaomased kaubad eksporditakse tollivabasse tsooni või vabalattu, mis asub selle loaga hõlmatud sihtkohas.

| (4) | Liikmesriigid määravad kindlaks üldloa kasutamise kohta lisatud registreerimis- ja aruandenõuded ning lisateabe, mida liikmesriik, kust eksportimine toimub, võib nõuda kõnealuse loa alusel eksporditavate kaupade kohta. Nende nõuete aluseks peavad olema nõuded, mille kõnealuseid lube andvad liikmesriigid on kehtestanud üldiste ekspordilubade kasutamise kohta. |
| --- | --- |

(4)

Liikmesriigid määravad kindlaks üldloa kasutamise kohta lisatud registreerimis- ja aruandenõuded ning lisateabe, mida liikmesriik, kust eksportimine toimub, võib nõuda kõnealuse loa alusel eksporditavate kaupade kohta. Nende nõuete aluseks peavad olema nõuded, mille kõnealuseid lube andvad liikmesriigid on kehtestanud üldiste ekspordilubade kasutamise kohta.

---

III a LISA

Image

Image

Image

---

III b LISA

EKSPORDI ÜLDLUBADE AVALDAMISE ÜHISNÕUDED

(vastavalt artikli 10 lõikele 3)

| 1. | Ekspordi üldloa nimetus |
| --- | --- |

1.

Ekspordi üldloa nimetus

| 2. | Luba väljaandev asutus |
| --- | --- |

2.

Luba väljaandev asutus

| 3. | Kehtivus EÜ territooriumil. Kasutatakse järgmist teksti:
  “Käesolev ekspordi üldluba vastab määruse (EÜ) nr 1334/2000 artikli 6 lõike 2 nõuetele. Vastavalt nimetatud määruse artikli 6 lõikele 2 kehtib käesolev luba kõikides Euroopa Ühenduse liikmesriikides”. |
| --- | --- |

3.

Kehtivus EÜ territooriumil. Kasutatakse järgmist teksti:

“Käesolev ekspordi üldluba vastab määruse (EÜ) nr 1334/2000 artikli 6 lõike 2 nõuetele. Vastavalt nimetatud määruse artikli 6 lõikele 2 kehtib käesolev luba kõikides Euroopa Ühenduse liikmesriikides”.

| 4. | Asjaomased kaubad: kasutatakse järgmist sissejuhatavat teksti:
  “Käesolev ekspordiluba hõlmab järgmist” |
| --- | --- |

4.

Asjaomased kaubad: kasutatakse järgmist sissejuhatavat teksti:

“Käesolev ekspordiluba hõlmab järgmist”

| 5. | Asjaomased sihtkohad. Kasutatakse järgmist sissejuhatavat teksti:
  “Käesolev ekspordiluba kehtib järgmistesse sihtkohtadesse suunduva ekspordi osas” |
| --- | --- |

5.

Asjaomased sihtkohad. Kasutatakse järgmist sissejuhatavat teksti:

“Käesolev ekspordiluba kehtib järgmistesse sihtkohtadesse suunduva ekspordi osas”

| 6. | Tingimused ja nõuded |
| --- | --- |

6.

Tingimused ja nõuded

---

IV LISA

(määruse (EÜ) nr 1334/2000 artikli 21 lõikes 1 osutatud nimekiri)

Kanded ei sisalda alati I lisas esitatud täielikku kauba kirjeldust ja sellega seotud märkusi. (1) Täielik kaupade kirjeldus esitatakse üksnes I lisas.

Kauba nimetamine käesolevas lisas ei mõjuta I lisas esitatud masstooteid käsitlevate tingimuste kohaldamist.

I Jagu

(siseriikliku üldloa kasutamine ühendusesiseses kaubanduses)

Varjamistehnoloogia alla kuuluvad kaubad

| 1C001 | Materjalid, mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks elektromagnetlainete neelajatena, või omajuhtivuslikud polümeerid.


  NB: VT KA PUNKTI 1C101. |
| --- | --- |
| 1C101 | Muud kui punktis 1C001 nimetatud, rakettmürskudes ja nende alamsüsteemides kasutatavad materjalid ja seadmed, mis vähendavad nende märgatavust, nagu radarikiirte tagasipeegeldumine, ultraviolett-/infrapuna-ja akustilised signaalid. |
| 1D103 | Tarkvara, mis on spetsiaalselt ette nähtud selliste vähendatud märgatavusega signaalide analüüsiks nagu radarikiirte tagasipeegeldumine, ultraviolett-/infrapuna- või akustiliste signaalid. |
| 1E101 | Tehnoloogia üldmärkustele vastav tehnoloogia punktis 1C101 või 1D103 nimetatud kaupade kasutamiseks. |
| 1E102 | Tehnoloogia üldmärkustele vastav tehnoloogia punktis 1D103 nimetatud tarkvara arendamiseks. |
| 6B008 | Impulssradari mõõtesüsteemid, mis on ette nähtud tagasikiirgumise ristlõike määramiseks, kui kiiratava impulsi pikkus on 100 ns või lühem, ning nende jaoks spetsiaalselt kavandatud komponendid.


  NB: VT KA PUNKTI 6B108. |
| 6B108 | Mõõtesüsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud radari tagasikiirgumise ristlõike mõõtmiseks ja on kasutatavad rakettmürskudel ja nende alamsüsteemides. |

1C001

Materjalid, mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks elektromagnetlainete neelajatena, või omajuhtivuslikud polümeerid.

NB: VT KA PUNKTI 1C101.

1C101

Muud kui punktis 1C001 nimetatud, rakettmürskudes ja nende alamsüsteemides kasutatavad materjalid ja seadmed, mis vähendavad nende märgatavust, nagu radarikiirte tagasipeegeldumine, ultraviolett-/infrapuna-ja akustilised signaalid.

1D103

Tarkvara, mis on spetsiaalselt ette nähtud selliste vähendatud märgatavusega signaalide analüüsiks nagu radarikiirte tagasipeegeldumine, ultraviolett-/infrapuna- või akustiliste signaalid.

1E101

Tehnoloogia üldmärkustele vastav tehnoloogia punktis 1C101 või 1D103 nimetatud kaupade kasutamiseks.

1E102

Tehnoloogia üldmärkustele vastav tehnoloogia punktis 1D103 nimetatud tarkvara arendamiseks.

6B008

Impulssradari mõõtesüsteemid, mis on ette nähtud tagasikiirgumise ristlõike määramiseks, kui kiiratava impulsi pikkus on 100 ns või lühem, ning nende jaoks spetsiaalselt kavandatud komponendid.

NB: VT KA PUNKTI 6B108.

6B108

Mõõtesüsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud radari tagasikiirgumise ristlõike mõõtmiseks ja on kasutatavad rakettmürskudel ja nende alamsüsteemides.

Ühenduse strateegilise kontrolli alla kuuluvad kaubad

| 1C239 | Brisantlõhkeained, muud kui sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud, või ained või segud, mis sisaldavad neid üle 2 massi% ja mille kristalne tihedus on üle 1,8 g/cm3 ja detonatsiooni kiirus üle 8 000 m/s. |
| --- | --- |
| 1E201 | Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktis 1C239 nimetatud kaupade kasutamiseks. |
| 3A229 | Süütesüsteemid ja vastavad suure voolu impulssgeneraatorid ...


  NB: VT KA SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJA. |
| 3A232 | Detonaatorid ja mitmepunktilised süütesüsteemid ...


  NB: VT KA SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJA. |
| 3E201 | Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia punktis 3A229 või 3A232 nimetatud seadmete kasutamiseks. |
| 6A001 | Akustika: |
| 6A001.a.1.b. | Objektide avastamise ja asukoha kindlaksmääramise süsteemid, millel on mis tahes järgmine omadus:






  1. | Saatesagedus alla 5 kHz; |

1C239

Brisantlõhkeained, muud kui sõjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud, või ained või segud, mis sisaldavad neid üle 2 massi% ja mille kristalne tihedus on üle 1,8 g/cm3 ja detonatsiooni kiirus üle 8 000 m/s.

1E201

Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktis 1C239 nimetatud kaupade kasutamiseks.

3A229

Süütesüsteemid ja vastavad suure voolu impulssgeneraatorid ...

NB: VT KA SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJA.

3A232

Detonaatorid ja mitmepunktilised süütesüsteemid ...

NB: VT KA SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJA.

3E201

Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia punktis 3A229 või 3A232 nimetatud seadmete kasutamiseks.

6A001

Akustika:

6A001.a.1.b.

Objektide avastamise ja asukoha kindlaksmääramise süsteemid, millel on mis tahes järgmine omadus:

1.

Saatesagedus alla 5 kHz;

| 6. | Ette nähtud taluma ...; |
| --- | --- |

6.

Ette nähtud taluma ...;

6A001.a.2.a.1.

Hüdrofonid ... Sisaldavad ...

6A001.a.2.a.2.

Hüdrofonid ... Omavad mis tahes ...

6A001.a.2.a.5.

Hüdrofonid ... Kavandatud ...

6A001.a.2.b.

Järelveetavad akustiliste hüdrofonide võresüsteemid ...

6A001.a.2.c.

Andmetöötlusseadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud
  reaalajas kasutamiseks
  järelveetava akustiliste hüdrofonide võresüsteemidele, mis on
  kasutaja programmeeritavad
  ning milles on aja ja sageduspiirkondade töötlemis- ja korreleerimisvõimalused, kaasa arvatud spektraalanalüüs, numbriline filtratsioon ning kiiremoodustamine, kasutades kiiret Fourier’ pööret või teisi muundamisvõtteid ja -meetodeid.

6A001.a.2.e.

Merepõhja või lahe kaablisüsteemid, mis:

| 1. | Sisaldavad ... hüdrofone ..., või |
| --- | --- |

1.

Sisaldavad ... hüdrofone ..., või

| 2. | Sisaldavad hüdrofonigrupi tihendatud signaali mooduleid ..., |
| --- | --- |

2.

Sisaldavad hüdrofonigrupi tihendatud signaali mooduleid ...,

6A001.a.2.f.

Andmetöötlusseadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud
  reaalajas kasutamiseks
  merepõhja- või lahe kaablisüsteemides, mis on
  kasutaja programmeeritavad
  ning milles on aja ja sageduspiirkondade töötlemis- ja korreleerimisvõimalused, kaasa arvatud spektraalanalüüs, numbriline filtratsioon ning kiiremoodustamine, kasutades kiiret Fourier’ pööret või teisi spektrimuundamisvõtteid ja -meetodeid.

6D003.a.

Tarkvara akustiliste andmete töötlemiseks reaalajas.

8A002.o.3.

Järgmised müravähendamissüsteemid, mis on kavandatud kasutamiseks 1 000 tonnise ja suurema veeväljasurvega laevadel:

| b) | Aktiivsed müravähendamis- ja mürakõrvaldamissüsteemid või spetsiaalselt jõuülekandesüsteemi jaoks projekteeritud magnetlaagrid ning selles sisalduvad elektroonilised juhtimissüsteemid, mis võimaldavad aktiivselt vähendada seadmete vibratsiooni, tekitades antimüra või antivibratsiooni signaale otse müraallikasse. |
| --- | --- |

b)

Aktiivsed müravähendamis- ja mürakõrvaldamissüsteemid või spetsiaalselt jõuülekandesüsteemi jaoks projekteeritud magnetlaagrid ning selles sisalduvad elektroonilised juhtimissüsteemid, mis võimaldavad aktiivselt vähendada seadmete vibratsiooni, tekitades antimüra või antivibratsiooni signaale otse müraallikasse.

8E002.a.

Tehnoloogia veealuse müra vähendamiseks spetsiaalselt kavandatud sõukruvide arendamiseks, tootmiseks, parandamiseks, remontimiseks või uuendamiseks (uuesti töötlemine).

Ühenduse strateegilise kontrolli alla kuuluvad kaubad – Krüptograafia – 5. kategooria, 2. osa

| 5A002.a.2. | Seadmed, mis on kavandatud või kohandatud krüptoanalüütiliste funktsioonide täitmiseks. |
| --- | --- |
| 5D002.c.1 | Üksnes tarkvara, millel on punktis 5A002.a.2 nimetatud seadmete tunnuseid või mis simuleerib nende funktsioone. |
| 5E002 | Üksnes tehnoloogia punktis 5A002.a.2 või 5D002.c.1 nimetatud kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutami seks. |

5A002.a.2.

Seadmed, mis on kavandatud või kohandatud krüptoanalüütiliste funktsioonide täitmiseks.

5D002.c.1

Üksnes tarkvara, millel on punktis 5A002.a.2 nimetatud seadmete tunnuseid või mis simuleerib nende funktsioone.

5E002

Üksnes tehnoloogia punktis 5A002.a.2 või 5D002.c.1 nimetatud kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutami seks.

MTCR-tehnoloogia

| 7A117 | Rakettmürskudel kasutatavad juhtimisseadmed, mis on võimelised saavutama süsteemset täpsust 3,33% või vähem lennuulatusest (nt samavõrdne tõenäosusring (CEP) 10 km või väiksem kaugusel 300 km),
  välja arvatud juhtimisseadmed, mis on kavandatud rakettmürskude jaoks, mille lennuulatus on alla 300 km või mehitatud õhusõidukite jaoks. |
| --- | --- |
| 7B001 | Testimis-, kalibreerimis- ja reguleerimisseadmed
  eespool punktis 7A117
  nimetatud seadmetele.


  Märkus: Punkt 7B001 ei hõlma I või II hooldustasemele vajalikke testimis-, kalibreerimis- ja reguleerimisseadmeid. |
| 7B003 | Seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud
  eespool punktis 7A117
  nimetatud seadmete tootmiseks. |
| 7B103 | Tootmisvarustus, mis on spetsiaalselt ette nähtud
  eespool punktis 7A117 nimetatud seadmete tootmiseks. |
| 7D101 | Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud
  eespool
  punktis 7B003 või 7B103 nimetatud seadmete kasutamiseks. |
| 7E001 | Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud
  eespool
  punktis 7A117, 7B003, 7B103 või 7D101 nimetatud seadmete või tarkvara arendamiseks. |
| 7E002 | Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud
  eespool
  punktides 7A117, 7B003 ja 7B103 nimetatud seadmete tootmiseks. |
| 7E101 | Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud
  eespool
  punktides 7A117, 7B003, 7B103 ja 7D101 nimetatud seadmete kasutamiseks. |
| 9A004 | Kanderaketid,
  millega on võimalik toimetada vähemalt 500 kg kasulikku lasti vähemalt 300 km kaugusele
  .

  NB! VT KA PUNKTI 9A104.



  Märkus 1: Punkt 9A004 ei hõlma kasulikku lasti. |
| 9A005 | Vedelkütusega rakettide tõukejõusüsteemid,
  mis sisaldavad punktis 9A006 nimetatud süsteeme või komponente, mis on kasutatavad punktis 9A004 nimetatud kanderakettides või punktis 9A104 nimetatud sondrakettides.



  NB! VT KA PUNKTE 9A105 ja 9A119. |
| 9A007.a. | Tahkekütuse tõukejõusüsteemid,
  mis on kasutatavad punktis 9A004 nimetatud kanderakettides või punktis 9A104 nimetatud sondrakettides ja millel on mis tahes järgmine omadus:


  NB! VT KA PUNKTI 9A119.







  a) | koguimpulss on üle 1,1 MNs. |

7A117

Rakettmürskudel kasutatavad juhtimisseadmed, mis on võimelised saavutama süsteemset täpsust 3,33% või vähem lennuulatusest (nt samavõrdne tõenäosusring (CEP) 10 km või väiksem kaugusel 300 km),
  välja arvatud juhtimisseadmed, mis on kavandatud rakettmürskude jaoks, mille lennuulatus on alla 300 km või mehitatud õhusõidukite jaoks.

7B001

Testimis-, kalibreerimis- ja reguleerimisseadmed
  eespool punktis 7A117
  nimetatud seadmetele.

Märkus: Punkt 7B001 ei hõlma I või II hooldustasemele vajalikke testimis-, kalibreerimis- ja reguleerimisseadmeid.

7B003

Seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud
  eespool punktis 7A117
  nimetatud seadmete tootmiseks.

7B103

Tootmisvarustus, mis on spetsiaalselt ette nähtud
  eespool punktis 7A117 nimetatud seadmete tootmiseks.

7D101

Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud
  eespool
  punktis 7B003 või 7B103 nimetatud seadmete kasutamiseks.

7E001

Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud
  eespool
  punktis 7A117, 7B003, 7B103 või 7D101 nimetatud seadmete või tarkvara arendamiseks.

7E002

Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud
  eespool
  punktides 7A117, 7B003 ja 7B103 nimetatud seadmete tootmiseks.

7E101

Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud
  eespool
  punktides 7A117, 7B003, 7B103 ja 7D101 nimetatud seadmete kasutamiseks.

9A004

Kanderaketid,
  millega on võimalik toimetada vähemalt 500 kg kasulikku lasti vähemalt 300 km kaugusele
  .

NB! VT KA PUNKTI 9A104.

Märkus 1: Punkt 9A004 ei hõlma kasulikku lasti.

9A005

Vedelkütusega rakettide tõukejõusüsteemid,
  mis sisaldavad punktis 9A006 nimetatud süsteeme või komponente, mis on kasutatavad punktis 9A004 nimetatud kanderakettides või punktis 9A104 nimetatud sondrakettides.

NB! VT KA PUNKTE 9A105 ja 9A119.

9A007.a.

Tahkekütuse tõukejõusüsteemid,
  mis on kasutatavad punktis 9A004 nimetatud kanderakettides või punktis 9A104 nimetatud sondrakettides ja millel on mis tahes järgmine omadus:

NB! VT KA PUNKTI 9A119.

a)

koguimpulss on üle 1,1 MNs.

9A008.d.

Järgmised komponendid, mis on spetsiaalselt kavandatud tahkekütuse raketi tõukejõusüsteemidele:

NB! VT KA PUNKTI 9A108.c.

| d) | Liigutatavad düüsid või sekundaarse vedeliku sissepritsega tõuke vektorjuhtimise süsteemid,
  mis on kasutatavad punktis 9A004 nimetatud kanderakettides või punktis 9A104 nimetatud sondrakettides
  ja mis võimaldavad järgmist:






  1. | telje suhtes igasuunalist liikumist üle ± 5°; |
| --- | --- | --- |

d)

Liigutatavad düüsid või sekundaarse vedeliku sissepritsega tõuke vektorjuhtimise süsteemid,
  mis on kasutatavad punktis 9A004 nimetatud kanderakettides või punktis 9A104 nimetatud sondrakettides
  ja mis võimaldavad järgmist:

1.

telje suhtes igasuunalist liikumist üle ± 5°;

| 2. | nurkvektori pöörlemist 20°/s või rohkem; või |
| --- | --- |

2.

nurkvektori pöörlemist 20°/s või rohkem; või

| 3. | nurkvektori kiirendust 40°/s2 või rohkem. |
| --- | --- |

3.

nurkvektori kiirendust 40°/s2 või rohkem.

9A104

Sondraketid, mis on võimelised toimetama vähemalt 500 kg kasulikku lasti
  vähemalt 300 km kaugusele.

NB! VT KA PUNKTI 9A004.

9A105.a.

Järgmised vedelkütuse rakettmootorid:

NB! VT KA PUNKTI 9A119.

| a) | Muud kui punktis 9A005 nimetatud vedelkütuse rakettmootorid, mis on kasutatavad rakettmürskudes ja millega saavutatav koguimpulss on üle 1,1 MNs;
  välja arvatud vedelkütuse apogeemootorid, mis on konstrueeritud või kohandatud satelliitide jaoks kasutatavaks ning millel on kõik järgmised omadused:










  1. | Düüsi kõri läbimõõt on 20 mm või vähem; ja |
| --- | --- | --- |

a)

Muud kui punktis 9A005 nimetatud vedelkütuse rakettmootorid, mis on kasutatavad rakettmürskudes ja millega saavutatav koguimpulss on üle 1,1 MNs;
  välja arvatud vedelkütuse apogeemootorid, mis on konstrueeritud või kohandatud satelliitide jaoks kasutatavaks ning millel on kõik järgmised omadused:

1.

Düüsi kõri läbimõõt on 20 mm või vähem; ja

| 2. | Põlemiskambri rõhk on 15 baari või madalam. |
| --- | --- |

2.

Põlemiskambri rõhk on 15 baari või madalam.

9A106.c.

Muud kui punktis 9A006 nimetatud spetsiaalselt vedelkütusega raketi tõukejõusüsteemide jaoks kavandatud süsteemid või komponendid, mis on kasutatavad rakettmürskudes:

| c) | Tõukejõuvektori juhtimise alamsüsteemid,
  välja arvatud need, mis on kavandatud raketisüsteemidele, mis ei võimalda vähemalt 500 kg kasuliku lasti toimetamist vähemalt 300 km kaugusele. |
| --- | --- |

c)

Tõukejõuvektori juhtimise alamsüsteemid,
  välja arvatud need, mis on kavandatud raketisüsteemidele, mis ei võimalda vähemalt 500 kg kasuliku lasti toimetamist vähemalt 300 km kaugusele.

Tehniline märkus:

Näiteid punktis 9A106.c kirjeldatud tõukejõu vektori juhtimise meetoditest:

| 1. | painduvad düüsid; |
| --- | --- |

1.

painduvad düüsid;

| 2. | vedeliku või sekundaargaasi sissepritse; |
| --- | --- |

2.

vedeliku või sekundaargaasi sissepritse;

| 3. | liikuv mootor või düüs; |
| --- | --- |

3.

liikuv mootor või düüs;

| 4. | väljuva gaasijoa kõrvalekallutamine (joa labad või sondid); või |
| --- | --- |

4.

väljuva gaasijoa kõrvalekallutamine (joa labad või sondid); või

| 5. | tõukejõu klapid. |
| --- | --- |

5.

tõukejõu klapid.

9A108.c.

Muud kui punktis 9A008 nimetatud spetsiaalselt tahkekütuse tõukejõusüsteemide jaoks kavandatud komponendid, mis on kasutatavad rakettmürskudel:

| c) | Tõukejõuvektori juhtimise alamsüsteemid,
  välja arvatud need, mis on kavandatud raketisüsteemidele, mis ei võimalda vähemalt 500 kg kasuliku lasti toimetamist vähemalt 300 km kaugusele. |
| --- | --- |

c)

Tõukejõuvektori juhtimise alamsüsteemid,
  välja arvatud need, mis on kavandatud raketisüsteemidele, mis ei võimalda vähemalt 500 kg kasuliku lasti toimetamist vähemalt 300 km kaugusele.

Tehniline märkus:

Näiteid punktis 9A108.c kirjeldatud tõukejõu vektori juhtimise meetoditest:

| 1. | painduvad düüsid; |
| --- | --- |

1.

painduvad düüsid;

| 2. | vedeliku või sekundaargaasi sissepritse; |
| --- | --- |

2.

vedeliku või sekundaargaasi sissepritse;

| 3. | liikuv mootor või düüs; |
| --- | --- |

3.

liikuv mootor või düüs;

| 4. | väljuva gaasijoa kõrvalekallutamine (joa labad või sondid); või |
| --- | --- |

4.

väljuva gaasijoa kõrvalekallutamine (joa labad või sondid); või

| 5. | tõukejõu klapid. |
| --- | --- |

5.

tõukejõu klapid.

9A116

Järgmised rakettmürskudes kasutatavad atmosfääri taassisenevad sõidukid ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud või kohandatud komponendid,
  välja arvatud need atmosfääri taassisenevad sõidukid, mis on kavandatud kandma mitterelvastuslikku lasti;

| a) | Atmosfääri taassisenevad sõidukid; |
| --- | --- |

a)

Atmosfääri taassisenevad sõidukid;

| b) | Kuumakaitsekilbid ja nende komponendid, mis on valmistatud keraamilistest või kuluvmaterjalidest; |
| --- | --- |

b)

Kuumakaitsekilbid ja nende komponendid, mis on valmistatud keraamilistest või kuluvmaterjalidest;

| c) | Kergetest, suure soojamahtuvusega materjalidest valmistatud jahutusradiaatorid ja nende komponendid; |
| --- | --- |

c)

Kergetest, suure soojamahtuvusega materjalidest valmistatud jahutusradiaatorid ja nende komponendid;

| d) | Elektroonilised seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud atmosfääri taassisenevatele sõidukitele. |
| --- | --- |

d)

Elektroonilised seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud atmosfääri taassisenevatele sõidukitele.

9A119

Muud kui
  eespool
  punktis 9A005 või 9A007.a nimetatud üksikud raketiastmed, mis on kasutatavad terviklikes raketisüsteemides või mehitamatutel õhusõidukitel ja mis on võimelised toimetama vähemalt 500 kg kasulikku lasti vähemalt 300 km kaugusele.

9B115

Tootmisseadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud
  eespool
  punktides 9A005, 9A007.a, 9A008.d, 9A105.a, 9A106.c, 9A108.c, 9A116 või 9A119 nimetatud süsteemide, alamsüsteemide ja komponentide tootmiseks.

9B116

Tootmisseadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud
  eespool
  punktis 9A004 nimetatud kanderakettide või punktides 9A005, 9A007.a, 9A008.d, 9A104, 9A105.a, 9A106.c, 9A108.c, 9A116 või 9A119 nimetatud süsteemide, alamsüsteemide ja komponentide tootmiseks.

9D101

Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud
  eespool
  punktis 9B116 nimetatud kaupade kasutamiseks.

9E001

Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on vajalik
  eespool
  punktides 9A004, 9A005, 9A007.a., 9A008.d., 9B115, 9B116 või 9D101 nimetatud seadmete või tarkvara arendamiseks.

9E002

Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on vajalik
  eespool
  punktides 9A004, 9A005, 9A007.a, 9A008.d, 9B115 või 9B116 nimetatud seadmete tootmiseks.

Märkus: Tehnoloogia kohta, mis on mõeldud kontrolli alla kuuluvate struktuuride, laminaatide või materjalide parandamiseks, vaata punkti 1E002.f.

9E101

Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on vajalik
  eespool
  punktides 9A104, 9A105.a, 9A106.c, 9A108.c, 9A116 või 9A119 nimetatud kaupade arendamiseks ja tootmiseks.

9E102

Tehnoloogia üldmärkuselevastav tehnoloogia, mis on vajalik
  eespool
  punktides 9A004, 9A005, 9A007.a, 9A008.d, 9A104, 9A105.a, 9A106.c., 9A108.c, 9A116, 9A119, 9B115, 9B116 või 9D101 nimetatud kanderakettides.

—   Erandid:

IV lisa ei hõlma järgmisi MTCR-tehnoloogia alla kuuluvaid kaupu, mis:

| 1) | antakse üle tellimuste alusel, mille on esitanud Euroopa Kosmoseagentuur (ESA) vastavalt lepingulisele suhtele või mille annab üle ESA oma ametlike kohustuste täitmiseks; |
| --- | --- |

1)

antakse üle tellimuste alusel, mille on esitanud Euroopa Kosmoseagentuur (ESA) vastavalt lepingulisele suhtele või mille annab üle ESA oma ametlike kohustuste täitmiseks;

| 2) | antakse üle tellimuste alusel, mille on esitanud liikmesriigi kosmoseagentuur vastavalt lepingulistele suhetele või mille annab üle siseriiklik kosmoseagentuur oma ametlike kohustuste täitmiseks; |
| --- | --- |

2)

antakse üle tellimuste alusel, mille on esitanud liikmesriigi kosmoseagentuur vastavalt lepingulistele suhetele või mille annab üle siseriiklik kosmoseagentuur oma ametlike kohustuste täitmiseks;

| 3) | antakse üle tellimuste alusel, mis on esitatud seoses kahe või enama Euroopa riigi valitsuse poolt allkirjastatud ühenduse kosmoselendude arendus- ja tootmisprogrammidega vastavalt lepingulistele suhetele; |
| --- | --- |

3)

antakse üle tellimuste alusel, mis on esitatud seoses kahe või enama Euroopa riigi valitsuse poolt allkirjastatud ühenduse kosmoselendude arendus- ja tootmisprogrammidega vastavalt lepingulistele suhetele;

| 4) | antakse üle liikmesriigi riiklikult kontrollitava kosmodroomi territooriumil, välja arvatud juhul, kui kõnealune liikmesriik kontrollib selliseid üleandmisi vastavalt käesoleva määruse tingimustele. |
| --- | --- |

4)

antakse üle liikmesriigi riiklikult kontrollitava kosmodroomi territooriumil, välja arvatud juhul, kui kõnealune liikmesriik kontrollib selliseid üleandmisi vastavalt käesoleva määruse tingimustele.

II jagu

(siseriiklikku üldluba ei kasutata ühendusesiseses kaubanduses)

Keemiarelvade konventsiooni (CWC) alla kuuluvad kaubad

| 1C351.d.4. | ritsiin |
| --- | --- |
| 1C351.d.5. | saksitoksiin |

1C351.d.4.

ritsiin

1C351.d.5.

saksitoksiin

Tuumatarneriikide grupi tehnoloogia alla kuuluvad kaubad

I lisa
  kogu 0. kategooria
  sisaldub IV lisas, välja arvatud järgmised:

| — | 0C001: antud kaubanimetus ei sisaldu IV lisas |
| --- | --- |

—

0C001: antud kaubanimetus ei sisaldu IV lisas

| — | 0C002: antud kaubanimetus ei sisaldu IV lisas, välja arvatud järgmised lõhustuvad erimaterjalid:






  a) | eraldatud plutoonium; |
| --- | --- | --- |

—

0C002: antud kaubanimetus ei sisaldu IV lisas, välja arvatud järgmised lõhustuvad erimaterjalid:

a)

eraldatud plutoonium;

| b) | uraaniisotoobi U235 või U233 suhtes üle 20 % rikastatud uraan. |
| --- | --- |

b)

uraaniisotoobi U235 või U233 suhtes üle 20 % rikastatud uraan.

| — | 0D001 | (tarkvara) sisaldub IV lisas, välja arvatud sedavõrd, kui see on seotud punktiga 0C001 või punkti 0C002 kaubanimetustega, mis on IV lisast välja arvatud. |
| --- | --- | --- |

—

0D001

(tarkvara) sisaldub IV lisas, välja arvatud sedavõrd, kui see on seotud punktiga 0C001 või punkti 0C002 kaubanimetustega, mis on IV lisast välja arvatud.

| — | 0E001 | (tehnoloogia) sisaldub IV lisas, välja arvatud sedavõrd, kui need on seotud punktiga 0C001 või punkti 0C002 kaubanimetustega, mis on IV lisast välja arvatud. |
| --- | --- | --- |

—

0E001

(tehnoloogia) sisaldub IV lisas, välja arvatud sedavõrd, kui need on seotud punktiga 0C001 või punkti 0C002 kaubanimetustega, mis on IV lisast välja arvatud.

NB! Punktide 0C003 ja 0C004 osas üksnes kasutamisel tuumareaktorites (punktis 0A001.a).

| 1B226 | Elektromagnetilised isotoopseparaatorid, mis on kavandatud või varustatud ühe või mitme iooniallikaga, võimaldades maksimaalset ioonkiirte voolu 50 mA või rohkem.


  Märkus: Punkt 1B226 hõlmab separaatoreid:








  a) | mis võimaldavad rikastada stabiilseid isotoope; |
| --- | --- | --- |

1B226

Elektromagnetilised isotoopseparaatorid, mis on kavandatud või varustatud ühe või mitme iooniallikaga, võimaldades maksimaalset ioonkiirte voolu 50 mA või rohkem.

Märkus: Punkt 1B226 hõlmab separaatoreid:

a)

mis võimaldavad rikastada stabiilseid isotoope;

| b) | millel mõlemad, nii iooniallikad kui ka kollektorid võivad asuda kas magnetväljas või väljaspool magnetvälja. |
| --- | --- |

b)

millel mõlemad, nii iooniallikad kui ka kollektorid võivad asuda kas magnetväljas või väljaspool magnetvälja.

1C012

Järgmised materjalid:

Tehniline märkus:

Neid materjale kasutatakse enamasti tuumasoojusallikate puhul.

| b) | Eelnevalt eraldatud neptuunium-237 mis tahes kujul.


  Märkus: Punkt 1C012 ei hõlma saadetisi, milles neptuunium-237 sisaldus on 1 gramm või vähem. |
| --- | --- |

b)

Eelnevalt eraldatud neptuunium-237 mis tahes kujul.

Märkus: Punkt 1C012 ei hõlma saadetisi, milles neptuunium-237 sisaldus on 1 gramm või vähem.

1B231

Triitiumi tootmisrajatised või -tehased ning seadmed nende jaoks:

| a) | Tootmisrajatised või -tehased triitiumi tootmiseks, taastamiseks, ekstraheerimiseks, kontsentreerimiseks või käitlemiseks; |
| --- | --- |

a)

Tootmisrajatised või -tehased triitiumi tootmiseks, taastamiseks, ekstraheerimiseks, kontsentreerimiseks või käitlemiseks;

| b) | Seadmed triitiumi tootmisrajatiste või -tehaste jaoks järgmiselt:






  1. | vesinik- või heeliumijahutusmoodulid jahutusvõimega 23K (– 250 °C) või sellest madalamale ning soojusärastamisvõimega 150W või rohkem; |
| --- | --- | --- |

b)

Seadmed triitiumi tootmisrajatiste või -tehaste jaoks järgmiselt:

1.

vesinik- või heeliumijahutusmoodulid jahutusvõimega 23K (– 250 °C) või sellest madalamale ning soojusärastamisvõimega 150W või rohkem;

| 2. | vesiniku isotoopide kogumis- ja puhastussüsteemid, mis koguvad ja puhastavad metallhüdriidide keskkonnas. |
| --- | --- |

2.

vesiniku isotoopide kogumis- ja puhastussüsteemid, mis koguvad ja puhastavad metallhüdriidide keskkonnas.

1B233

Liitiumi isotoopide eraldusrajatised või -tehased ning seadmed nende jaoks:

| a) | Rajatised või tehased liitiumi isotoopide eraldamiseks; |
| --- | --- |

a)

Rajatised või tehased liitiumi isotoopide eraldamiseks;

| b) | Seadmed liitiumi isotoopide eraldamiseks järgmiselt:






  1. | täidetud vedelik-vedelik-vahetuskolonnid, mis on spetsiaalselt kavandatud liitiumamalgaamidele; |
| --- | --- | --- |

b)

Seadmed liitiumi isotoopide eraldamiseks järgmiselt:

1.

täidetud vedelik-vedelik-vahetuskolonnid, mis on spetsiaalselt kavandatud liitiumamalgaamidele;

| 2. | elavhõbeda või liitiumamalgaami pumbad; |
| --- | --- |

2.

elavhõbeda või liitiumamalgaami pumbad;

| 3. | liitiumamalgaami elektrolüüsikambrid; |
| --- | --- |

3.

liitiumamalgaami elektrolüüsikambrid;

| 4. | aurustid kontsentreeritud liitiumhüdroksiidilahuste jaoks. |
| --- | --- |

4.

aurustid kontsentreeritud liitiumhüdroksiidilahuste jaoks.

1C233

Liitium, mida on liitium-6 isotoobi (6Li) suhtes rikastatud üle selle isotoobi looduslikult esineva sisalduse ning tooted ja seadmed, mis sisaldavad rikastatud liitiumi järgmiselt: elementkujul, sulamitena, ühenditena, liitiumi sisaldavate segudena, nendest valmistatud toodetena, kõigi eelkirjeldatute heitmete või jäätmetena.

Märkus: Punkt 1C233 ei hõlma termoluminestsentsdosimeetreid.

Tehniline märkus:

Liitium-6 looduslik sisaldus on ligikaudu 6,5 massi% (7,5 aatomprotsenti).

1C235

Triitium, triitiumiühendid, triitiumi sisaldavad segud, milles triitiumiaatomite suhe vesinikuaatomite suhtes on suurem kui 1:1000, ning neid sisaldavad tooted ja seadmed.

Märkus: Punkt 1C235 ei hõlma kaupu ega seadmeid, milles triitiumisisaldus on kuni 1,48 x 103 GBq (40 Ci)

1E001

Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia punktis 1C012.b nimetatud seadmete või materjalide arendamiseks või tootmiseks.

1E201

Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia punktides 1B226, 1B231, 1B233, 1C233 ja 1C235 nimetatud kaupade kasutamiseks.

3A228

Lülitusseadmed:

| a) | Külmkatoodiga lambid, gaasiga täidetult või mitte, mis töötavad analoogiliselt kaitsesädemikuga ja millel on kõik järgmised omadused:






  1. | sisaldavad kolme või enamat elektroodi; |
| --- | --- | --- |

a)

Külmkatoodiga lambid, gaasiga täidetult või mitte, mis töötavad analoogiliselt kaitsesädemikuga ja millel on kõik järgmised omadused:

1.

sisaldavad kolme või enamat elektroodi;

| 2. | anoodpinge tippnimiväärtusega 2,5 kV või rohkem; |
| --- | --- |

2.

anoodpinge tippnimiväärtusega 2,5 kV või rohkem;

| 3. | anoodvoolu tippnimiväärtus 100 A või rohkem; ja |
| --- | --- |

3.

anoodvoolu tippnimiväärtus 100 A või rohkem; ja

| 4. | anoodi viiteaeg 10 μs või vähem; |
| --- | --- |

4.

anoodi viiteaeg 10 μs või vähem;

Märkus: Punkt 3A228 hõlmab gaastäitega krütrone ja vakuumsprütrone

| b) | Ümberlülitatavad sädevahemikud, millel on mõlemad järgmised omadused:






  1. | anoodi viiteaeg 15 μs või vähem; ja |
| --- | --- | --- |

b)

Ümberlülitatavad sädevahemikud, millel on mõlemad järgmised omadused:

1.

anoodi viiteaeg 15 μs või vähem; ja

| 2. | tippnimivoolutugevus 500 A või rohkem; |
| --- | --- |

2.

tippnimivoolutugevus 500 A või rohkem;

3A231

Neutronite genereerimise süsteemid, kaasa arvatud lambid, millel on mõlemad järgmised omadused:

| a) | nad on ette nähtud tööoperatsioonide täitmiseks ilma välise vaakumsüsteemita; ja |
| --- | --- |

a)

nad on ette nähtud tööoperatsioonide täitmiseks ilma välise vaakumsüsteemita; ja

| b) | triitium-deuteerium tuumareaktsiooni esilekutsumiseks kasutatakse elektrostaatilist kiirendamist |
| --- | --- |

b)

triitium-deuteerium tuumareaktsiooni esilekutsumiseks kasutatakse elektrostaatilist kiirendamist

3E201

Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on vajalik punktides 3A228.a, 3A228.b või 3A231 nimetatud seadmete kasutamiseks.

6A203

Kaamerad ja komponendid, muud kui punktis 6A003 nimetatud:

| a) | Mehaanilised pöördpeegelkaamerad ja nende jaoks ettenähtud komponendid:






  1. | kaaderkaamerad, mille salvestuskiirus on üle 225 000 kaadrit sekundis; |
| --- | --- | --- |

a)

Mehaanilised pöördpeegelkaamerad ja nende jaoks ettenähtud komponendid:

1.

kaaderkaamerad, mille salvestuskiirus on üle 225 000 kaadrit sekundis;

| 2. | vöötkaamerad, mille kirjutuskiirus on üle 0,5 mm mikrosekundis; |
| --- | --- |

2.

vöötkaamerad, mille kirjutuskiirus on üle 0,5 mm mikrosekundis;

Märkus: Punktis 6A203.a kuuluvad selliste kaamerate komponentide hulka sünkroniseeriva elektroonika moodulid ning rootorikoostud, mis koosnevad turbiinidest, peeglitest ja laagritest.

6A225

Kiiruse mõõtmise interferomeetrid, mis on ette nähtud üle 1 km/s kiiruste mõõtmiseks ajavahemike vältel, mis on lühemad kui 10 μs.

Märkus: Punkt 6A225 hõlmab kiiruse mõõtmise interferomeetreid, nagu kiiruse interferomeeter-süsteem mis tahes reflektori jaoks (VISAR) ja Doppleri laserinterferomeetrid (DLI).

6A226

Rõhuandurid:

| a) | Manganiinkalibraatorid, suurematele rõhkudele kui 10 GPa; |
| --- | --- |

a)

Manganiinkalibraatorid, suurematele rõhkudele kui 10 GPa;

| b) | Kvartsist rõhuandurid, suurematele rõhkudele kui 10 GPa. |
| --- | --- |

b)

Kvartsist rõhuandurid, suurematele rõhkudele kui 10 GPa.

---

(1)  Erinevused I ja IV lisa sõnastuses/reguleerimisalas on märgitud poolpaksus kursiivkirjas.

---