# Επίσημη Εφημερίδα L 281/31Αυ

| | ISSN 1725-2547 |
| --- | --- |
| Επίσημη Εφημερίδα
  της Ευρωπαϊκής Ένωσης | L 281 |
| | |
| Έκδοση στην ελληνική γλώσσα | Νομοθεσία | 47ό έτος31 Αυγούστου 2004 |

ISSN 1725-2547

Επίσημη Εφημερίδα

της Ευρωπαϊκής Ένωσης

L 281

Έκδοση στην ελληνική γλώσσα

Νομοθεσία

47ό έτος31 Αυγούστου 2004

---

| Περιεχόμενα | | I   Πράξεις για την ισχύ των οποίων απαιτείται δημοσίευση | Σελίδα |
| --- | --- | --- | --- |
| | * | Κανονισμός (ΕΚ) αριθ. 1504/2004 του Συμβουλίου, της 19ης Ιουλίου 2004, για την τροποποίηση και την αναπροσαρμογή του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1334/2000 περί κοινοτικού συστήματος ελέγχου των εξαγωγών ειδών και τεχνολογίας διπλής χρήσης | 1 |

Περιεχόμενα

I   Πράξεις για την ισχύ των οποίων απαιτείται δημοσίευση

Σελίδα

*

Κανονισμός (ΕΚ) αριθ. 1504/2004 του Συμβουλίου, της 19ης Ιουλίου 2004, για την τροποποίηση και την αναπροσαρμογή του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1334/2000 περί κοινοτικού συστήματος ελέγχου των εξαγωγών ειδών και τεχνολογίας διπλής χρήσης

1

| EL | Οι πράξεις οι τίτλοι οποίων έχουν τυπωθεί με ημίμαυρα στοιχεία αποτελούν πράξεις τρεχούσης διαχειρίσεως που έχουν θεσπισθεί στο πλαίσιο της γεωργικής πολιτικής και είναι γενικά περιορισμένης χρονικής ισχύος.
  Οι τίτλοι όλων των υπολοίπων πράξεων έχουν τυπωθεί με μαύρα στοιχεία και επισημαίνονται με αστερίσκο. |
| --- | --- |

EL

Οι πράξεις οι τίτλοι οποίων έχουν τυπωθεί με ημίμαυρα στοιχεία αποτελούν πράξεις τρεχούσης διαχειρίσεως που έχουν θεσπισθεί στο πλαίσιο της γεωργικής πολιτικής και είναι γενικά περιορισμένης χρονικής ισχύος.

Οι τίτλοι όλων των υπολοίπων πράξεων έχουν τυπωθεί με μαύρα στοιχεία και επισημαίνονται με αστερίσκο.

---

I Πράξεις για την ισχύ των οποίων απαιτείται δημοσίευση

| 31.8.2004 | EL | Επίσημη Εφημερίδα της Ευρωπαϊκής Ένωσης | L 281/1 |
| --- | --- | --- | --- |

31.8.2004

EL

Επίσημη Εφημερίδα της Ευρωπαϊκής Ένωσης

L 281/1

---

ΚΑΝΟΝΙΣΜΌΣ (ΕΚ) αριθ. 1504/2004 ΤΟΥ ΣΥΜΒΟΥΛΊΟΥ

της 19ης Ιουλίου 2004

για την τροποποίηση και την αναπροσαρμογή του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1334/2000 περί κοινοτικού συστήματος ελέγχου των εξαγωγών ειδών και τεχνολογίας διπλής χρήσης

ΤΟ ΣΥΜΒΟΥΛΙΟ ΤΗΣ ΕΥΡΩΠΑΪΚΗΣ ΕΝΩΣΗΣ,

Έχοντας υπόψη:

τη συνθήκη για την ίδρυση της Ευρωπαϊκής Κοινότητας, και ιδίως το άρθρο 133,

την πρόταση της Επιτροπής,

Εκτιμώντας τα ακόλουθα:

| (1) | Ο κανονισμός (ΕΚ) αριθ. 1334/2000 του Συμβουλίου (1), απαιτεί να υπόκεινται τα είδη διπλής χρήσης (συμπεριλαμβανομένων του λογισμικού και της τεχνολογίας) σε πραγματικό έλεγχο όταν εξάγονται από την Κοινότητα. |
| --- | --- |

(1)

Ο κανονισμός (ΕΚ) αριθ. 1334/2000 του Συμβουλίου (1), απαιτεί να υπόκεινται τα είδη διπλής χρήσης (συμπεριλαμβανομένων του λογισμικού και της τεχνολογίας) σε πραγματικό έλεγχο όταν εξάγονται από την Κοινότητα.

| (2) | Για να μπορέσουν τα κράτη μέλη και η Κοινότητα να τηρήσουν τις διεθνείς υποχρεώσεις τους, το παράρτημα I του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1334/2000 καταρτίζει κοινό κατάλογο ειδών και τεχνολογίας διπλής χρήσης που αναφέρεται στο άρθρο 3 του εν λόγω κανονισμού, που καθιερώνει διεθνώς αναγνωρισμένους ελέγχους ειδών διπλής χρήσης, συμπεριλαμβανομένων της ρύθμισης του Wassenaar, του καθεστώτος ελέγχου τεχνολογίας πυραύλων (MTCR), της ομάδας προμηθευτών πυρηνικών υλικών (NSG), της ομάδας της Αυστραλίας και της σύμβασης για τα χημικά όπλα (CWC). |
| --- | --- |

(2)

Για να μπορέσουν τα κράτη μέλη και η Κοινότητα να τηρήσουν τις διεθνείς υποχρεώσεις τους, το παράρτημα I του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1334/2000 καταρτίζει κοινό κατάλογο ειδών και τεχνολογίας διπλής χρήσης που αναφέρεται στο άρθρο 3 του εν λόγω κανονισμού, που καθιερώνει διεθνώς αναγνωρισμένους ελέγχους ειδών διπλής χρήσης, συμπεριλαμβανομένων της ρύθμισης του Wassenaar, του καθεστώτος ελέγχου τεχνολογίας πυραύλων (MTCR), της ομάδας προμηθευτών πυρηνικών υλικών (NSG), της ομάδας της Αυστραλίας και της σύμβασης για τα χημικά όπλα (CWC).

| (3) | Το άρθρο 11 του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1334/2000 αναφέρει ότι το παράρτημα I και το παράρτημα IV αναπροσαρμόζονται σύμφωνα με τις συναφείς υποχρεώσεις και δεσμεύσεις, και τις τυχόν τροποποιήσεις αυτών, που έχει αναλάβει κάθε κράτος μέλος ως συμβαλλόμενο μέρος των οικείων διεθνών καθεστώτων μη διάδοσης και διευθετήσεων ελέγχου των εξαγωγών ή με την κύρωση των οικείων διεθνών συνθηκών. |
| --- | --- |

(3)

Το άρθρο 11 του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1334/2000 αναφέρει ότι το παράρτημα I και το παράρτημα IV αναπροσαρμόζονται σύμφωνα με τις συναφείς υποχρεώσεις και δεσμεύσεις, και τις τυχόν τροποποιήσεις αυτών, που έχει αναλάβει κάθε κράτος μέλος ως συμβαλλόμενο μέρος των οικείων διεθνών καθεστώτων μη διάδοσης και διευθετήσεων ελέγχου των εξαγωγών ή με την κύρωση των οικείων διεθνών συνθηκών.

| (4) | Θα πρέπει να τροποποιηθεί το παράρτημα I του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1334/2000, για να ληφθούν υπόψη οι αλλαγές που υιοθετήθηκαν από τη ρύθμιση του Wassenaar, την ομάδα της Αυστραλίας και το καθεστώς ελέγχου της τεχνολογίας πυραύλων μετά τις τροποποιήσεις που επήλθαν διά του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 149/2003 της 27ης Ιανουαρίου 2003 (2). |
| --- | --- |

(4)

Θα πρέπει να τροποποιηθεί το παράρτημα I του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1334/2000, για να ληφθούν υπόψη οι αλλαγές που υιοθετήθηκαν από τη ρύθμιση του Wassenaar, την ομάδα της Αυστραλίας και το καθεστώς ελέγχου της τεχνολογίας πυραύλων μετά τις τροποποιήσεις που επήλθαν διά του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 149/2003 της 27ης Ιανουαρίου 2003 (2).

| (5) | Το μέρος 3 του παραρτήματος II του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1334/2000 τροποποιήθηκε με τον κανονισμό (ΕΚ) αριθ. 885/2004 του Συμβουλίου, για να διαγραφούν η Τσεχική Δημοκρατία, η Ουγγαρία και η Πολωνία από τον ισχύοντα κατάλογο των χωρών για τις οποίες εφαρμόζεται η κοινοτική άδεια εξαγωγών. |
| --- | --- |

(5)

Το μέρος 3 του παραρτήματος II του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1334/2000 τροποποιήθηκε με τον κανονισμό (ΕΚ) αριθ. 885/2004 του Συμβουλίου, για να διαγραφούν η Τσεχική Δημοκρατία, η Ουγγαρία και η Πολωνία από τον ισχύοντα κατάλογο των χωρών για τις οποίες εφαρμόζεται η κοινοτική άδεια εξαγωγών.

| (6) | Για να απλουστευθούν οι αναφορές για τις αρχές ελέγχου των εξαγωγών και τους οικονομικούς φορείς, είναι αναγκαίο να δημοσιευθεί αναπροσαρμοσμένη και παγιοποιημένη έκδοση των παραρτημάτων του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1334/2000, λαμβανομένων υπόψη όλων των τροποποιήσεων που ενέκριναν τα κράτη μέλη σε διεθνή φόρα κατά την περίοδο από το Δεκέμβριο του 2002 έως το Δεκέμβριο του 2003. |
| --- | --- |

(6)

Για να απλουστευθούν οι αναφορές για τις αρχές ελέγχου των εξαγωγών και τους οικονομικούς φορείς, είναι αναγκαίο να δημοσιευθεί αναπροσαρμοσμένη και παγιοποιημένη έκδοση των παραρτημάτων του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1334/2000, λαμβανομένων υπόψη όλων των τροποποιήσεων που ενέκριναν τα κράτη μέλη σε διεθνή φόρα κατά την περίοδο από το Δεκέμβριο του 2002 έως το Δεκέμβριο του 2003.

| (7) | Ο κανονισμός (ΕΚ) αριθ. 1334/2000 θα πρέπει να τροποποιηθεί αναλόγως, |
| --- | --- |

(7)

Ο κανονισμός (ΕΚ) αριθ. 1334/2000 θα πρέπει να τροποποιηθεί αναλόγως,

ΕΞΕΔΩΣΕ ΤΟΝ ΠΑΡΟΝΤΑ ΚΑΝΟΝΙΣΜΟ:

Άρθρο 1

Τα παραρτήματα του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1334/2000 αντικαθίστανται από το κείμενο του παραρτήματος του παρόντος κανονισμού.

Άρθρο 2

Ο παρών κανονισμός αρχίζει να ισχύει την τριακοστή ημέρα από τη δημοσίευσή του στην Επίσημη Εφημερίδα της Ευρωπαϊκής Ένωσης.

Ο παρών κανονισμός είναι δεσμευτικός ως προς όλα τα μέρη του και ισχύει άμεσα σε κάθε κράτος μέλος.

Βρυξέλλες, 19 Ιουλίου 2004.

Για το Συμβούλιο

Ο Πρόεδρος

P. H. DONNER

---

(1)  EE L 159 της 30.6.2000, σ. 1· κανονισμός όπως τροποποιήθηκε τελευταία από τον κανονισμό (ΕΚ) αριθ. 885/2004 (ΕΕ L 168 της 1.5.2004, σ. 1).

1

(2)  ΕΕ L 30 της 5.2.2003, σ. 1.

2

---

ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ Ι

ΚΑΤΑΛΟΓΟΣ ΕΙΔΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΔΙΠΛΗΣ ΧΡΗΣΗΣ

(Κατάλογος αναφερόμενος στο άρθρο 3 του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1334/2000)

Ο παρών κατάλογος αποτελεί τεχνική εφαρμογή για τους διεθνώς συμφωνημένους ελέγχους των προϊόντων διπλής χρήσης, όπου περιλαμβάνονται η ρύθμιση του Wassenaar, το Καθεστώς Ελέγχου Πυραυλικής Τεχνολογίας (MTCR), η Ομάδα Πυρηνικών Προμηθευτών (NSG), η Ομάδα της Αυστραλίας και η Σύμβαση για τα Χημικά Όπλα. Δεν έχουν ληφθεί υπόψη προϊόντα τα οποία τα κράτη μέλη θα επιθυμούσαν να περιλάβουν σε απαγορευτικό κατάλογο. Δεν έχουν ληφθεί υπόψη οποιοιδήποτε εθνικοί έλεγχοι (μη απορρέοντες από τα καθεστώτα) που ενδέχεται να διατηρηθούν από τα κράτη μέλη.

ΓΕΝΙΚΕΣ ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΕΙΣ ΣΤΟ ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ I

| 1. | Για τον έλεγχο των προϊόντων που προορίζονται ή έχουν τροποποιηθεί για στρατιωτική χρήση βλέπε τον(τους) σχετικό(-ους) κατάλογο(-ους) ελέγχων στρατιωτικών προϊόντων οι οποίοι διατηρούνται από τα κράτη μέλη. Οι αναφορές στο παράρτημα "ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ" αφορούν τους καταλόγους αυτούς. |
| --- | --- |

1.

Για τον έλεγχο των προϊόντων που προορίζονται ή έχουν τροποποιηθεί για στρατιωτική χρήση βλέπε τον(τους) σχετικό(-ους) κατάλογο(-ους) ελέγχων στρατιωτικών προϊόντων οι οποίοι διατηρούνται από τα κράτη μέλη. Οι αναφορές στο παράρτημα "ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ" αφορούν τους καταλόγους αυτούς.

| 2. | Ο στόχος των ελέγχων που περιλαμβάνονται στο παρόν παράρτημα δεν πρέπει να παραβιάζεται με την εξαγωγή οποιωνδήποτε μη ελεγχόμενων προϊόντων (συμπεριλαμβανομένων και των εγκαταστάσεων) που περιέχουν ένα ή περισσότερα ελεγχόμενα κατασκευαστικά μέρη, όταν το ελεγχόμενο κατασκευαστικό μέρος ή μέρη αποτελούν κύρια στοιχεία των προϊόντων και είναι δυνατόν να αφαιρεθούν ή να χρησιμοποιηθούν για άλλους σκοπούς.


  ΣΗΜ.: Για να κριθεί κατά πόσο ένα κατασκευαστικό μέρος ή μέρη πρέπει να θεωρούνται κύριο στοιχείο, είναι αναγκαίο να σταθμισθούν οι παράγοντες της ποσότητας, της αξίας και της τεχνογνωσίας που υπεισέρχονται καθώς και άλλες ειδικές συνθήκες που δύνανται να καταστήσουν το ελεγχόμενο κατασκευαστικό μέρος ή μέρη κύριο στοιχείο των προϊόντων που παράγονται. |
| --- | --- |

2.

Ο στόχος των ελέγχων που περιλαμβάνονται στο παρόν παράρτημα δεν πρέπει να παραβιάζεται με την εξαγωγή οποιωνδήποτε μη ελεγχόμενων προϊόντων (συμπεριλαμβανομένων και των εγκαταστάσεων) που περιέχουν ένα ή περισσότερα ελεγχόμενα κατασκευαστικά μέρη, όταν το ελεγχόμενο κατασκευαστικό μέρος ή μέρη αποτελούν κύρια στοιχεία των προϊόντων και είναι δυνατόν να αφαιρεθούν ή να χρησιμοποιηθούν για άλλους σκοπούς.

ΣΗΜ.: Για να κριθεί κατά πόσο ένα κατασκευαστικό μέρος ή μέρη πρέπει να θεωρούνται κύριο στοιχείο, είναι αναγκαίο να σταθμισθούν οι παράγοντες της ποσότητας, της αξίας και της τεχνογνωσίας που υπεισέρχονται καθώς και άλλες ειδικές συνθήκες που δύνανται να καταστήσουν το ελεγχόμενο κατασκευαστικό μέρος ή μέρη κύριο στοιχείο των προϊόντων που παράγονται.

| 3. | Τα προϊόντα που απαριθμούνται στο παρόν παράρτημα περιλαμβάνουν τόσο νέα όσο και μεταχειρισμένα προϊόντα. |
| --- | --- |

3.

Τα προϊόντα που απαριθμούνται στο παρόν παράρτημα περιλαμβάνουν τόσο νέα όσο και μεταχειρισμένα προϊόντα.

ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΠΥΡΗΝΙΚΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ (ΝΤΝ)

(Να διαβασθεί σε σχέση με το τμήμα Ε της κατηγορίας 0)

Η "τεχνολογία" που συνδέεται άμεσα με οποιοδήποτε από τα προϊόντα που ελέγχονται στην κατηγορία 0 ελέγχεται σύμφωνα με τις διατάξεις της κατηγορίας 0.

Η "τεχνολογία" για την "ανάπτυξη", "παραγωγή" ή "χρήση" ελεγχόμενων προϊόντων παραμένει υπό έλεγχο ακόμα και αν είναι δυνατό να χρησιμοποιηθεί και στην περίπτωση μη ελεγχόμενων προϊόντων.

Η έγκριση εξαγωγής προϊόντων επιτρέπει επίσης την εξαγωγή στον ίδιο τελικό χρήστη της ελάχιστης "τεχνολογίας" που απαιτείται για την εγκατάσταση, τη λειτουργία, τη συντήρηση και την επισκευή αυτών των προϊόντων.

Οι έλεγχοι που αφορούν τη μεταφορά "τεχνολογίας" δεν εφαρμόζονται στις πληροφορίες "ελευθέρας χρήσεως" ή στη "βασική επιστημονική έρευνα".

ΓΕΝΙΚΗ ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΠΕΡΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ (GTN)

(Να διαβασθεί σε σχέση με το τμήμα Ε των κατηγοριών 1 ως 9)

Η εξαγωγή "τεχνολογίας" η οποία "απαιτείται" για την "ανάπτυξη", την "παραγωγή" ή τη "χρήση" ελεγχόμενων προϊόντων των κατηγοριών 1 ως 9, ελέγχεται σύμφωνα με τις διατάξεις των κατηγοριών 1 ως 9.

Η "τεχνολογία" που "απαιτείται" για την "ανάπτυξη", "παραγωγή" ή τη "χρήση" ελεγχόμενων προϊόντων, παραμένει υπό έλεγχο ακόμα και όταν εφαρμόζεται σε μη ελεγχόμενα προϊόντα.

Έλεγχοι δεν εφαρμόζονται στην "τεχνολογία" την ελάχιστη που απαιτείται για την εγκατάσταση, τη λειτουργία, τη συντήρηση (έλεγχο) και την επισκευή των προϊόντων που δεν ελέγχονται ή των οποίων η εξαγωγή έχει εγκριθεί:

ΣΗΜ.: Αυτό δεν καθιστά ελεύθερη την "τεχνολογία" που καθορίζεται στα σημεία 1Ε002.ε., 1Ε002.στ., 8Ε002.α. και 8Ε002.β.

Έλεγχοι στη μεταφορά "τεχνολογίας" δεν εφαρμόζονται στις πληροφορίες "ελευθέρας χρήσεως", στην "βασική επιστημονική έρευνα" ή στις ελάχιστες απαραίτητες πληροφορίες για τις αιτήσεις διπλωμάτων ευρεσιτεχνίας.

ΓΕΝΙΚΗ ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΠΕΡΙ ΛΟΓΙΣΜΙΚΟΥ (GSN)

(Οι παρατηρήσεις αυτές υπερισχύουν οποιουδήποτε ελέγχου στα πλαίσια του τμήματος Δ των κατηγοριών 0 ως 9)

Οι κατηγορίες 0 ως 9 του παρόντος καταλόγου δεν ελέγχουν το "λογισμικό" το οποίο είτε:

| α. | Διατίθεται ελεύθερα στην αγορά:






  1. | Διατίθεται στην χονδρική και λιανική πώληση, χωρίς περιορισμούς, μέσω:






  α. | Συνήθων συναλλαγών, |
| --- | --- | --- | --- |

α.

Διατίθεται ελεύθερα στην αγορά:

1.

Διατίθεται στην χονδρική και λιανική πώληση, χωρίς περιορισμούς, μέσω:

α.

Συνήθων συναλλαγών,

| β. | Ταχυδρομικών παραγγελιών, |
| --- | --- |

β.

Ταχυδρομικών παραγγελιών,

| γ. | Ηλεκτρονικών συναλλαγών, ή |
| --- | --- |

γ.

Ηλεκτρονικών συναλλαγών, ή

| δ. | Τηλεφωνικών παραγγελιών και |
| --- | --- |

δ.

Τηλεφωνικών παραγγελιών και

| 2. | Έχει σχεδιασθεί κατά τρόπο που να επιτρέπει την εγκατάστασή του από τον χρήστη χωρίς σημαντική περαιτέρω βοήθεια από τον προμηθευτή, είτε: |
| --- | --- |

2.

Έχει σχεδιασθεί κατά τρόπο που να επιτρέπει την εγκατάστασή του από τον χρήστη χωρίς σημαντική περαιτέρω βοήθεια από τον προμηθευτή, είτε:

ΣΗΜ.: Το στοιχείο α. της Γενικής Σημείωσης περί Λογισμικού δεν καθιστά ελεύθερο το "λογισμικό" που προσδιορίζεται στην Κατηγορία 5 — Μέρος 2 ("Ασφάλεια Πληροφοριών").

| β. | Είναι "ελευθέρας χρήσεως". |
| --- | --- |

β.

Είναι "ελευθέρας χρήσεως".

ΟΡΙΣΜΟΙ ΟΡΩΝ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΟΥΜΕΝΩΝ ΣΤΟ ΠΑΡΟΝ ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ

Οι ορισμοί των εντός ‧μονών εισαγωγικών‧ όρων περιέχονται σε Τεχνική Σημείωση του οικείου σημείου.

Οι ορισμοί των εντός "διπλών εισαγωγικών" όρων έχουν ως εξής:

ΣΗΜ.: Η αναφορά στην κατηγορία δίνεται εντός παρενθέσεων μετά τον οριζόμενο όρο.

| | "Αβεβαιότητα μετρήσεων" (2) είναι η χαρακτηριστική παράμετρος η οποία καθορίζει την περιοχή γύρω από την τιμή εξόδου στην οποία περιέχεται η ορθή τιμή της μετρούμενης μεταβλητής με ποσοστό εμπιστοσύνης 95 %. Περιλαμβάνει τις μη διορθωμένες συστηματικές αποκλίσεις, τη μη διορθωμένη υστέρηση του οργάνου και τις τυχαίες αποκλίσεις (βλέπε VDI/VDE 2617). |
| --- | --- |

"Αβεβαιότητα μετρήσεων" (2) είναι η χαρακτηριστική παράμετρος η οποία καθορίζει την περιοχή γύρω από την τιμή εξόδου στην οποία περιέχεται η ορθή τιμή της μετρούμενης μεταβλητής με ποσοστό εμπιστοσύνης 95 %. Περιλαμβάνει τις μη διορθωμένες συστηματικές αποκλίσεις, τη μη διορθωμένη υστέρηση του οργάνου και τις τυχαίες αποκλίσεις (βλέπε VDI/VDE 2617).

| | "Αέριος ψεκασμός" (1) είναι η διεργασία με την οποία μια ροή τηγμένου μεταλλικού κράματος μετατρέπεται σε σταγονίδια διαμέτρου 500 μικρομέτρων και κάτω μέσω μιας ροής αερίου υπό υψηλή πίεση. |
| --- | --- |

"Αέριος ψεκασμός" (1) είναι η διεργασία με την οποία μια ροή τηγμένου μεταλλικού κράματος μετατρέπεται σε σταγονίδια διαμέτρου 500 μικρομέτρων και κάτω μέσω μιας ροής αερίου υπό υψηλή πίεση.

| | "Αεροσκάφος" (1 7 9) είναι κάθε ιπτάμενο μέσο σταθερών πτερύγων, στρεπτών πτερύγων, περιστρεφόμενων πτερύγων (ελικόπτερα), πτυσσόμενων πτερύγων ή πτυσσόμενων περιστρεφόμενων πτερύγων.


  ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης "πολιτικό αεροσκάφος". |
| --- | --- |

"Αεροσκάφος" (1 7 9) είναι κάθε ιπτάμενο μέσο σταθερών πτερύγων, στρεπτών πτερύγων, περιστρεφόμενων πτερύγων (ελικόπτερα), πτυσσόμενων πτερύγων ή πτυσσόμενων περιστρεφόμενων πτερύγων.

ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης "πολιτικό αεροσκάφος".

| | "Αεροτομές μεταβλητής γεωμετρίας" (7) είναι η χρήση πτερυγίων η θέση των οποίων είναι δυνατόν να ελέγχεται κατά την πτήση. |
| --- | --- |

"Αεροτομές μεταβλητής γεωμετρίας" (7) είναι η χρήση πτερυγίων η θέση των οποίων είναι δυνατόν να ελέγχεται κατά την πτήση.

| | "Ακρίβεια" (2 6), συνήθως μετρούμενη ως μέγεθος σφάλματος, είναι η μέγιστη απόκλιση, θετική ή αρνητική, μιας δεδομένης τιμής από ένα αποδεκτό πρότυπο ή μία πραγματική τιμή. |
| --- | --- |

"Ακρίβεια" (2 6), συνήθως μετρούμενη ως μέγεθος σφάλματος, είναι η μέγιστη απόκλιση, θετική ή αρνητική, μιας δεδομένης τιμής από ένα αποδεκτό πρότυπο ή μία πραγματική τιμή.

| | "Ανακλινόμενη άτρακτος" (2) είναι ένας βραχίονας που συγκρατεί εργαλείο ο οποίος μεταβάλλει, κατά τη διάρκεια της μηχανικής κατεργασίας, τη γωνιακή θέση του κεντρικού του άξονα σε σχέση με οποιονδήποτε άλλο άξονα. |
| --- | --- |

"Ανακλινόμενη άτρακτος" (2) είναι ένας βραχίονας που συγκρατεί εργαλείο ο οποίος μεταβάλλει, κατά τη διάρκεια της μηχανικής κατεργασίας, τη γωνιακή θέση του κεντρικού του άξονα σε σχέση με οποιονδήποτε άλλο άξονα.

| | "Αναλυτές σημάτων" (3) είναι συσκευές ικανές να μετρήσουν και να εμφανίσουν τις βασικές ιδιότητες των επί μέρους συχνοτήτων σημάτων πολλαπλών συχνοτήτων. |
| --- | --- |

"Αναλυτές σημάτων" (3) είναι συσκευές ικανές να μετρήσουν και να εμφανίσουν τις βασικές ιδιότητες των επί μέρους συχνοτήτων σημάτων πολλαπλών συχνοτήτων.

| | "Αναπροσαρμογή για πολεμική χρήση" (1) είναι κάθε τροποποίηση ή επιλογή (όπως τροποποίηση της καθαρότητας, του χρόνου αποθήκευσης, της τοξικότητας, των χαρακτηριστικών διάδοσης ή της αντίστασης στην υπεριώδη ακτινοβολία) που προορίζεται να αυξήσει την αποτελεσματικότητα όσον αφορά τον αριθμό των θυμάτων, ανθρώπων ή ζώων, την αλλοίωση του εξοπλισμού ή τη φθορά των καλλιεργειών ή του περιβάλλοντος. |
| --- | --- |

"Αναπροσαρμογή για πολεμική χρήση" (1) είναι κάθε τροποποίηση ή επιλογή (όπως τροποποίηση της καθαρότητας, του χρόνου αποθήκευσης, της τοξικότητας, των χαρακτηριστικών διάδοσης ή της αντίστασης στην υπεριώδη ακτινοβολία) που προορίζεται να αυξήσει την αποτελεσματικότητα όσον αφορά τον αριθμό των θυμάτων, ανθρώπων ή ζώων, την αλλοίωση του εξοπλισμού ή τη φθορά των καλλιεργειών ή του περιβάλλοντος.

| | "Ανάπτυξη" (GTN NTN ALL) σχετίζεται με όλες τις φάσεις πριν από την μαζική παραγωγή, όπως είναι: ο σχεδιασμός, η έρευνα σχεδιασμού, η ανάλυση σχεδιασμού, οι αρχές σχεδιασμού, η συναρμολόγηση και η δοκιμή πρωτοτύπων, η πειραματική παραγωγή, τα δεδομένα σχεδιασμού, η διαδικασία μετατροπής των δεδομένων σχεδιασμού σε προϊόν, ο σχεδιασμός ολοκλήρωσης, το layout. |
| --- | --- |

"Ανάπτυξη" (GTN NTN ALL) σχετίζεται με όλες τις φάσεις πριν από την μαζική παραγωγή, όπως είναι: ο σχεδιασμός, η έρευνα σχεδιασμού, η ανάλυση σχεδιασμού, οι αρχές σχεδιασμού, η συναρμολόγηση και η δοκιμή πρωτοτύπων, η πειραματική παραγωγή, τα δεδομένα σχεδιασμού, η διαδικασία μετατροπής των δεδομένων σχεδιασμού σε προϊόν, ο σχεδιασμός ολοκλήρωσης, το layout.

| | "Ανοσοτοξίνη" (1) είναι η συνένωση μονοκλωνικού αντισώματος ειδικού για συγκεκριμένο τύπο κυττάρων, με μία "τοξίνη" ή "υπο-ενότητα τοξίνης" η οποία προσβάλει επιλεκτικά τα ασθενή κύτταρα. |
| --- | --- |

"Ανοσοτοξίνη" (1) είναι η συνένωση μονοκλωνικού αντισώματος ειδικού για συγκεκριμένο τύπο κυττάρων, με μία "τοξίνη" ή "υπο-ενότητα τοξίνης" η οποία προσβάλει επιλεκτικά τα ασθενή κύτταρα.

| | "Ανοχή σφαλμάτων" (4) είναι η ικανότητα ενός συστήματος υπολογιστή να συνεχίσει, μετά από δυσλειτουργία οποιουδήποτε συστατικού του υλικού ή του "λογισμικού" να λειτουργεί, χωρίς ανθρώπινη παρέμβαση, διατηρώντας την ποιότητα της υπηρεσίας που παρέχει: συνεχή λειτουργία, ακεραιότητα των δεδομένων και παροχή της υπηρεσίας εντός δεδομένου χρόνου. |
| --- | --- |

"Ανοχή σφαλμάτων" (4) είναι η ικανότητα ενός συστήματος υπολογιστή να συνεχίσει, μετά από δυσλειτουργία οποιουδήποτε συστατικού του υλικού ή του "λογισμικού" να λειτουργεί, χωρίς ανθρώπινη παρέμβαση, διατηρώντας την ποιότητα της υπηρεσίας που παρέχει: συνεχή λειτουργία, ακεραιότητα των δεδομένων και παροχή της υπηρεσίας εντός δεδομένου χρόνου.

| | "Αντικειμενικός κώδικας" (9) είναι η εκτελέσιμη από εξοπλισμό μορφή της κατάλληλης έκφρασης μίας ή περισσοτέρων διαδικασιών ["πηγαίος κώδικας" (γλώσσα πηγής)] η οποία έχει μετατραπεί από σύστημα προγραμματισμού. |
| --- | --- |

"Αντικειμενικός κώδικας" (9) είναι η εκτελέσιμη από εξοπλισμό μορφή της κατάλληλης έκφρασης μίας ή περισσοτέρων διαδικασιών ["πηγαίος κώδικας" (γλώσσα πηγής)] η οποία έχει μετατραπεί από σύστημα προγραμματισμού.

| | Η έννοια "απαιτούμενη (-ο)" (GTN 1-9), όπως εφαρμόζεται σε σχέση με την "τεχνολογία" ή το "λογισμικό", αφορά μόνον αυτό το μέρος της "τεχνολογίας" ή του "λογισμικού" το οποίο είναι ιδιαίτερα απαραίτητο για την επίτευξη ή την επέκταση των επιπέδων ελεγχόμενων επιδόσεων, των χαρακτηριστικών ή των λειτουργιών. Τέτοιου είδους "απαιτούμενη""τεχνολογία" ή "λογισμικό" ενδέχεται να είναι κοινή για διαφορετικά προϊόντα. |
| --- | --- |

Η έννοια "απαιτούμενη (-ο)" (GTN 1-9), όπως εφαρμόζεται σε σχέση με την "τεχνολογία" ή το "λογισμικό", αφορά μόνον αυτό το μέρος της "τεχνολογίας" ή του "λογισμικού" το οποίο είναι ιδιαίτερα απαραίτητο για την επίτευξη ή την επέκταση των επιπέδων ελεγχόμενων επιδόσεων, των χαρακτηριστικών ή των λειτουργιών. Τέτοιου είδους "απαιτούμενη""τεχνολογία" ή "λογισμικό" ενδέχεται να είναι κοινή για διαφορετικά προϊόντα.

| | "Απόληψη τήγματος" (1) είναι η διαδικασία με την οποία επιτυγχάνεται η "ταχεία στερεοποίηση" και η εξαγωγή υπό μορφή λωρίδας ενός προϊόντος κράματος με την εισαγωγή ενός βραχέως τομέα ενός περιστρεφόμενου και ψυχόμενου κυλίνδρου σε μια λεκάνη με τηγμένο κράμα μετάλλου.


  ΣΗΜ.:"Ταχεία στερεοποίηση": στερεοποίηση τηγμένου μετάλλου με ρυθμό ψύξεως άνω των 1 000 K/s. |
| --- | --- |

"Απόληψη τήγματος" (1) είναι η διαδικασία με την οποία επιτυγχάνεται η "ταχεία στερεοποίηση" και η εξαγωγή υπό μορφή λωρίδας ενός προϊόντος κράματος με την εισαγωγή ενός βραχέως τομέα ενός περιστρεφόμενου και ψυχόμενου κυλίνδρου σε μια λεκάνη με τηγμένο κράμα μετάλλου.

ΣΗΜ.:"Ταχεία στερεοποίηση": στερεοποίηση τηγμένου μετάλλου με ρυθμό ψύξεως άνω των 1 000 K/s.

| | "Απόλυτος ψηφιακός έλεγχος κινητήρα" (Full Authority Digital Engine Control — FADEC) (7 9) είναι ένα ηλεκτρονικό σύστημα ελέγχου για στροβιλοκινητήρες ή κινητήρες συνδυασμένου κύκλου το οποίο χρησιμοποιεί ψηφιακό υπολογιστή για τον έλεγχο των μεταβλητών που απαιτούνται για τη ρύθμιση της ώσης του κινητήρα ή την ισχύ στον άξονα σε όλη την περιοχή λειτουργίας από την αρχή της μέτρησης μέχρι τη διακοπή της παροχής του καυσίμου. |
| --- | --- |

"Απόλυτος ψηφιακός έλεγχος κινητήρα" (Full Authority Digital Engine Control — FADEC) (7 9) είναι ένα ηλεκτρονικό σύστημα ελέγχου για στροβιλοκινητήρες ή κινητήρες συνδυασμένου κύκλου το οποίο χρησιμοποιεί ψηφιακό υπολογιστή για τον έλεγχο των μεταβλητών που απαιτούνται για τη ρύθμιση της ώσης του κινητήρα ή την ισχύ στον άξονα σε όλη την περιοχή λειτουργίας από την αρχή της μέτρησης μέχρι τη διακοπή της παροχής του καυσίμου.

| | "Απομονωμένες ζωντανές καλλιέργειες" (1) περιλαμβάνουν ζωντανές καλλιέργειες σε λανθάνουσα κατάσταση και σε ξηραμένα παρασκευάσματα. |
| --- | --- |

"Απομονωμένες ζωντανές καλλιέργειες" (1) περιλαμβάνουν ζωντανές καλλιέργειες σε λανθάνουσα κατάσταση και σε ξηραμένα παρασκευάσματα.

| | "Ασφάλεια των πληροφοριών" (4 5) είναι όλα τα μέσα και οι λειτουργίες που εξασφαλίζουν την διαθεσιμότητα, το απόρρητο ή την ακεραιότητα των πληροφοριών ή των επικοινωνιών, εκτός από τα μέσα και τις λειτουργίες που αποβλέπουν στην προστασία των πληροφοριών από τις δυσλειτουργίες. Περιλαμβάνεται η "κρυπτογραφία", η "κρυπτανάλυση", η προστασία από επιβλαβείς διαρροές και η ασφάλεια των υπολογιστών.


  ΣΗΜ.:"Κρυπτανάλυση": η ανάλυση ενός κρυπτογραφικού συστήματος ή των σημάτων εισόδου και εξόδου στα συστήματα αυτά προκειμένου να εξαχθούν οι εμπιστευτικές μεταβλητές ή ευαίσθητα δεδομένα καθώς και συνήθη κείμενα. |
| --- | --- |

"Ασφάλεια των πληροφοριών" (4 5) είναι όλα τα μέσα και οι λειτουργίες που εξασφαλίζουν την διαθεσιμότητα, το απόρρητο ή την ακεραιότητα των πληροφοριών ή των επικοινωνιών, εκτός από τα μέσα και τις λειτουργίες που αποβλέπουν στην προστασία των πληροφοριών από τις δυσλειτουργίες. Περιλαμβάνεται η "κρυπτογραφία", η "κρυπτανάλυση", η προστασία από επιβλαβείς διαρροές και η ασφάλεια των υπολογιστών.

ΣΗΜ.:"Κρυπτανάλυση": η ανάλυση ενός κρυπτογραφικού συστήματος ή των σημάτων εισόδου και εξόδου στα συστήματα αυτά προκειμένου να εξαχθούν οι εμπιστευτικές μεταβλητές ή ευαίσθητα δεδομένα καθώς και συνήθη κείμενα.

| | "Ασυμμετρικός αλγόριθμος" (5) είναι ο κρυπτογραφικός αλγόριθμος που χρησιμοποιεί διαφορετικές αλλά μαθηματικά σχετιζόμενες μεταξύ τους κλείδες για την κρυπτογράφηση και την αποκρυπτογράφηση.


  ΣΗΜ.: Μια συνήθης χρήση "ασυμμετρικών αλγορίθμων" είναι η διαχείριση κλειδών. |
| --- | --- |

"Ασυμμετρικός αλγόριθμος" (5) είναι ο κρυπτογραφικός αλγόριθμος που χρησιμοποιεί διαφορετικές αλλά μαθηματικά σχετιζόμενες μεταξύ τους κλείδες για την κρυπτογράφηση και την αποκρυπτογράφηση.

ΣΗΜ.: Μια συνήθης χρήση "ασυμμετρικών αλγορίθμων" είναι η διαχείριση κλειδών.

| | "Αυτόματη παρακολούθηση στόχου" (6) είναι η τεχνική επεξεργασίας δεδομένων με την οποία καθορίζεται αυτομάτως και παρέχεται ως εξερχόμενο σήμα σε πραγματικό χρόνο η εκάστοτε παρατεταμένη τιμή για την πιθανότερη θέση του στόχου. |
| --- | --- |

"Αυτόματη παρακολούθηση στόχου" (6) είναι η τεχνική επεξεργασίας δεδομένων με την οποία καθορίζεται αυτομάτως και παρέχεται ως εξερχόμενο σήμα σε πραγματικό χρόνο η εκάστοτε παρατεταμένη τιμή για την πιθανότερη θέση του στόχου.

| | "Βάση" (1 2 8 9) είναι μια ουσιαστικά συνεχής φάση η οποία πληροί το χώρο μεταξύ σωματιδίων, ινοκρυστάλλων ή νημάτων. |
| --- | --- |

"Βάση" (1 2 8 9) είναι μια ουσιαστικά συνεχής φάση η οποία πληροί το χώρο μεταξύ σωματιδίων, ινοκρυστάλλων ή νημάτων.

| | "Βασική επιστημονική έρευνα" (GTN NTN) είναι οι πειραματικές ή θεωρητικές εργασίες που διεξάγονται κυρίως με σκοπό την απόκτηση νέων γνώσεων σχετικά με τις βασικές αρχές των φαινομένων, οι οποίες δεν στρέφονται κατά κύριο λόγο προς έναν ειδικό πρακτικό σκοπό ή στόχο. |
| --- | --- |

"Βασική επιστημονική έρευνα" (GTN NTN) είναι οι πειραματικές ή θεωρητικές εργασίες που διεξάγονται κυρίως με σκοπό την απόκτηση νέων γνώσεων σχετικά με τις βασικές αρχές των φαινομένων, οι οποίες δεν στρέφονται κατά κύριο λόγο προς έναν ειδικό πρακτικό σκοπό ή στόχο.

| | "Βελτιστοποίηση ίχνους πτήσης" (7) είναι μια διαδικασία που περιορίζει στο ελάχιστο τις παρεκκλίσεις από την επιθυμητή τροχιά τεσσάρων διαστάσεων (χώρος και χρόνος) χάρη στη μέγιστη αξιοποίηση της επίδοσης ή της αποτελεσματικότητας για την εκτέλεση ειδικών αποστολών. |
| --- | --- |

"Βελτιστοποίηση ίχνους πτήσης" (7) είναι μια διαδικασία που περιορίζει στο ελάχιστο τις παρεκκλίσεις από την επιθυμητή τροχιά τεσσάρων διαστάσεων (χώρος και χρόνος) χάρη στη μέγιστη αξιοποίηση της επίδοσης ή της αποτελεσματικότητας για την εκτέλεση ειδικών αποστολών.

| | "Βελτίωση εικόνας" (4) είναι η επεξεργασία εξωτερικών πληροφοριών που περιλαμβάνουν εικόνες με τη βοήθεια αλγορίθμων όπως είναι η χρονική συμπύκνωση, το φιλτράρισμα, η εξαγωγή, η επιλογή, ο συσχετισμός, η συνέλιξη ή οι μετασχηματισμοί μεταξύ περιοχών (π.χ. ταχύς μετασχηματισμός Fourier ή μετασχηματισμός Walsh). Δεν περιλαμβάνονται οι αλγόριθμοι που χρησιμοποιούν γραμμικό μετασχηματισμό ή μετασχηματισμό περιστροφής μιας και μόνον εικόνας, όπως είναι η παράλληλη μετατόπιση, η απομόνωση χαρακτηριστικών, η καταγραφή ή ο τεχνητός χρωματισμός της εικόνας. |
| --- | --- |

"Βελτίωση εικόνας" (4) είναι η επεξεργασία εξωτερικών πληροφοριών που περιλαμβάνουν εικόνες με τη βοήθεια αλγορίθμων όπως είναι η χρονική συμπύκνωση, το φιλτράρισμα, η εξαγωγή, η επιλογή, ο συσχετισμός, η συνέλιξη ή οι μετασχηματισμοί μεταξύ περιοχών (π.χ. ταχύς μετασχηματισμός Fourier ή μετασχηματισμός Walsh). Δεν περιλαμβάνονται οι αλγόριθμοι που χρησιμοποιούν γραμμικό μετασχηματισμό ή μετασχηματισμό περιστροφής μιας και μόνον εικόνας, όπως είναι η παράλληλη μετατόπιση, η απομόνωση χαρακτηριστικών, η καταγραφή ή ο τεχνητός χρωματισμός της εικόνας.

| | "Βλήματα" (1 3 6 7 9) είναι πλήρη συστήματα πυραύλων και μη επανδρωμένα αεροσκάφη ικανά να μεταφέρουν ωφέλιμο φορτίο τουλάχιστον 500 Kg σε απόσταση τουλάχιστον 300 Km. |
| --- | --- |

"Βλήματα" (1 3 6 7 9) είναι πλήρη συστήματα πυραύλων και μη επανδρωμένα αεροσκάφη ικανά να μεταφέρουν ωφέλιμο φορτίο τουλάχιστον 500 Kg σε απόσταση τουλάχιστον 300 Km.

| | "Γραμμική εκτροπή" (2) σημαίνει την ακτινική μετατόπιση της κύριας ατράκτου σε μια περιστροφή, μετρούμενη σε επίπεδο κάθετο προς τον άξονα της ατράκτου σε σημείο επί της εξωτερικής ή εσωτερική περιστρεφόμενης επιφάνειας υπό δοκιμή (στοιχεία: ISO 230/1 1986, σημείο 5.61). |
| --- | --- |

"Γραμμική εκτροπή" (2) σημαίνει την ακτινική μετατόπιση της κύριας ατράκτου σε μια περιστροφή, μετρούμενη σε επίπεδο κάθετο προς τον άξονα της ατράκτου σε σημείο επί της εξωτερικής ή εσωτερική περιστρεφόμενης επιφάνειας υπό δοκιμή (στοιχεία: ISO 230/1 1986, σημείο 5.61).

| | "Γεωγραφικά διεσπαρμένες" (6) είναι τοποθεσίες όταν από κάθε μια η απόσταση προς οποιαδήποτε άλλη είναι μεγαλύτερη από 1 500 m προς όλες τις κατευθύνσεις. Οι κινητοί αισθητήρες θεωρούνται πάντα ότι είναι "γεωγραφικά διεσπαρμένοι". |
| --- | --- |

"Γεωγραφικά διεσπαρμένες" (6) είναι τοποθεσίες όταν από κάθε μια η απόσταση προς οποιαδήποτε άλλη είναι μεγαλύτερη από 1 500 m προς όλες τις κατευθύνσεις. Οι κινητοί αισθητήρες θεωρούνται πάντα ότι είναι "γεωγραφικά διεσπαρμένοι".

| | "Γραμμικότητα" (2) (συνήθως μετρούμενη ως μη-γραμμικότητα) είναι η μέγιστη απόκλιση, θετική ή αρνητική, των πραγματικών χαρακτηριστικών μέση τιμή των αναγνώσεων προς τα άνω και προς τα κάτω της κλίμακας) από την ευθεία η οποία φέρεται ώστε να εξισορροπεί και να ελαχιστοποιεί τις μέγιστες αποκλίσεις. |
| --- | --- |

"Γραμμικότητα" (2) (συνήθως μετρούμενη ως μη-γραμμικότητα) είναι η μέγιστη απόκλιση, θετική ή αρνητική, των πραγματικών χαρακτηριστικών μέση τιμή των αναγνώσεων προς τα άνω και προς τα κάτω της κλίμακας) από την ευθεία η οποία φέρεται ώστε να εξισορροπεί και να ελαχιστοποιεί τις μέγιστες αποκλίσεις.

| | "Γωνιακή απόκλιση θέσεως" (2) είναι η μέγιστη διαφορά μεταξύ της οριακής θέσεως και της πραγματικής γωνιακής θέσεως η οποία έχει μετρηθεί με μεγάλη ακρίβεια αφότου η βάση στηρίξεως του κατεργαζόμενου αντικειμένου έχει στραφεί σε σχέση με την αρχική του θέση (αναφ. VDI/VDE 2617, Πρόχειρο: "στρεφόμενες τράπεζες σε μηχανές προσδιορισμού συντεταγμένων"). |
| --- | --- |

"Γωνιακή απόκλιση θέσεως" (2) είναι η μέγιστη διαφορά μεταξύ της οριακής θέσεως και της πραγματικής γωνιακής θέσεως η οποία έχει μετρηθεί με μεγάλη ακρίβεια αφότου η βάση στηρίξεως του κατεργαζόμενου αντικειμένου έχει στραφεί σε σχέση με την αρχική του θέση (αναφ. VDI/VDE 2617, Πρόχειρο: "στρεφόμενες τράπεζες σε μηχανές προσδιορισμού συντεταγμένων").

| | "Δεδομένα εντοπισμού" (6) είναι επεξεργασμένες, συσχετισμένες και ενημερωμένες πληροφορίες σχετικά με τη θέση πτήσεως αεροσκαφών οι οποίες παρέχονται από τους ελεγκτές εναερίου κυκλοφορίας. Ο συσχετισμός γίνεται μεταξύ των δεδομένων ραδιοεντοπισμού και των θέσεων αεροσκαφών σύμφωνα με το πρόγραμμα πτήσεων. |
| --- | --- |

"Δεδομένα εντοπισμού" (6) είναι επεξεργασμένες, συσχετισμένες και ενημερωμένες πληροφορίες σχετικά με τη θέση πτήσεως αεροσκαφών οι οποίες παρέχονται από τους ελεγκτές εναερίου κυκλοφορίας. Ο συσχετισμός γίνεται μεταξύ των δεδομένων ραδιοεντοπισμού και των θέσεων αεροσκαφών σύμφωνα με το πρόγραμμα πτήσεων.

| | "Διακριτική ικανότητα" (2) είναι το ελάχιστο βήμα ενός μετρητή. Στην περίπτωση ψηφιακών οργάνων, είναι το ελάχιστο σημαντικό bit (βλέπε ANSI Β-89.1.12). |
| --- | --- |

"Διακριτική ικανότητα" (2) είναι το ελάχιστο βήμα ενός μετρητή. Στην περίπτωση ψηφιακών οργάνων, είναι το ελάχιστο σημαντικό bit (βλέπε ANSI Β-89.1.12).

| | "Διάρκεια παλμού" (6) είναι η διάρκεια ενός παλμού "λέιζερ" η οποία μετριέται ως συνολικό εύρος στην ημιτιμή της έντασης (FWHI) |
| --- | --- |

"Διάρκεια παλμού" (6) είναι η διάρκεια ενός παλμού "λέιζερ" η οποία μετριέται ως συνολικό εύρος στην ημιτιμή της έντασης (FWHI)

| | "Διαστημικό όχημα" (7 9) είναι ενεργητικοί και παθητικοί δορυφόροι και διαστημικοί ανιχνευτές. |
| --- | --- |

"Διαστημικό όχημα" (7 9) είναι ενεργητικοί και παθητικοί δορυφόροι και διαστημικοί ανιχνευτές.

| | "Διασυνδεδεμένοι αισθητήρες ραντάρ" (6) είναι δύο ή περισσότεροι αισθητήρες ραντάρ οι οποίοι ανταλλάσσουν μεταξύ τους δεδομένα σε πραγματικό χρόνο. |
| --- | --- |

"Διασυνδεδεμένοι αισθητήρες ραντάρ" (6) είναι δύο ή περισσότεροι αισθητήρες ραντάρ οι οποίοι ανταλλάσσουν μεταξύ τους δεδομένα σε πραγματικό χρόνο.

| | "Διάταξη εστιακού επιπέδου" (6) είναι γραμμικό ή δισδιάστατο επίπεδο στρώμα, ή συνδυασμός επιπέδων στρωμάτων, επιμέρους στοιχείων ανιχνευτών με ή χωρίς ηλεκτρονικά συστήματα ανάγνωσης, που λειτουργούν στο εστιακό επίπεδο.


  ΣΗΜ.: Η διάταξη δεν προορίζεται να περιλαμβάνει συστάδα μεμονωμένων στοιχείων ανιχνευτών ή ανιχνευτές των δύο, τριών ή τεσσάρων στοιχείων, με την προϋπόθεση ότι δεν εκτελούνται χρονική καθυστέρηση και ολοκλήρωση εντός του στοιχείου. |
| --- | --- |

"Διάταξη εστιακού επιπέδου" (6) είναι γραμμικό ή δισδιάστατο επίπεδο στρώμα, ή συνδυασμός επιπέδων στρωμάτων, επιμέρους στοιχείων ανιχνευτών με ή χωρίς ηλεκτρονικά συστήματα ανάγνωσης, που λειτουργούν στο εστιακό επίπεδο.

ΣΗΜ.: Η διάταξη δεν προορίζεται να περιλαμβάνει συστάδα μεμονωμένων στοιχείων ανιχνευτών ή ανιχνευτές των δύο, τριών ή τεσσάρων στοιχείων, με την προϋπόθεση ότι δεν εκτελούνται χρονική καθυστέρηση και ολοκλήρωση εντός του στοιχείου.

| | "Διατεθεί από την ITU" (3 5) αναφέρεται στην κατανομή των ζωνών συχνοτήτων σύμφωνα με τους Κανονισμούς Ραδιοσυχνοτήτων της Διεθνούς Ένωσης Τηλεπικοινωνιών (ITU), έκδοση 1998, για τις πρωτογενείς επιτρεπόμενες και δευτερογενείς υπηρεσίες.


  ΣΗΜ.: Δεν συμπεριλαμβάνονται οι πρόσθετες και εναλλακτικές κατανομές συχνοτήτων. |
| --- | --- |

"Διατεθεί από την ITU" (3 5) αναφέρεται στην κατανομή των ζωνών συχνοτήτων σύμφωνα με τους Κανονισμούς Ραδιοσυχνοτήτων της Διεθνούς Ένωσης Τηλεπικοινωνιών (ITU), έκδοση 1998, για τις πρωτογενείς επιτρεπόμενες και δευτερογενείς υπηρεσίες.

ΣΗΜ.: Δεν συμπεριλαμβάνονται οι πρόσθετες και εναλλακτικές κατανομές συχνοτήτων.

| | "Διαχείριση ισχύος" (7) είναι η μεταβολή της μεταβιβαζόμενης ισχύος του σήματος του υψομετρικού οργάνου ώστε η λαμβανόμενη ισχύς στο ύψος του "αεροσκάφους" είναι πάντα η ελάχιστη ισχύς η οποία απαιτείται για τον προσδιορισμό του ύψους. |
| --- | --- |

"Διαχείριση ισχύος" (7) είναι η μεταβολή της μεταβιβαζόμενης ισχύος του σήματος του υψομετρικού οργάνου ώστε η λαμβανόμενη ισχύς στο ύψος του "αεροσκάφους" είναι πάντα η ελάχιστη ισχύς η οποία απαιτείται για τον προσδιορισμό του ύψους.

| | "Διεύρυνση φάσματος ραντάρ" (6) είναι κάθε τεχνική διαμόρφωσης για την κατανομή της ενέργειας, που προέρχεται από σήμα με σχετικά στενή ζώνη συχνοτήτων, σε ευρύτερη ζώνη συχνοτήτων χρησιμοποιώντας τυχαία ή ψευδο-τυχαία κωδικοποίηση. |
| --- | --- |

"Διεύρυνση φάσματος ραντάρ" (6) είναι κάθε τεχνική διαμόρφωσης για την κατανομή της ενέργειας, που προέρχεται από σήμα με σχετικά στενή ζώνη συχνοτήτων, σε ευρύτερη ζώνη συχνοτήτων χρησιμοποιώντας τυχαία ή ψευδο-τυχαία κωδικοποίηση.

| | "Δυναμικά προσαρμοζόμενη δρομολόγηση" (5) είναι η αυτόματη επαναδρομολόγηση της κυκλοφορίας η οποία βασίζεται στη διάγνωση και την ανάλυση των πραγματικών συνθηκών του δικτύου σε κάθε χρονική στιγμή.


  ΣΗΜ.: Δεν περιλαμβάνονται οι περιπτώσεις αποφάσεων σχετικά με τη δρομολόγηση οι οποίες λαμβάνονται βάσει προκαθορισμένων πληροφοριών. |
| --- | --- |

"Δυναμικά προσαρμοζόμενη δρομολόγηση" (5) είναι η αυτόματη επαναδρομολόγηση της κυκλοφορίας η οποία βασίζεται στη διάγνωση και την ανάλυση των πραγματικών συνθηκών του δικτύου σε κάθε χρονική στιγμή.

ΣΗΜ.: Δεν περιλαμβάνονται οι περιπτώσεις αποφάσεων σχετικά με τη δρομολόγηση οι οποίες λαμβάνονται βάσει προκαθορισμένων πληροφοριών.

| | "Δυναμικοί αναλυτές σημάτων" (3) είναι οι "αναλυτές σημάτων" οι οποίοι χρησιμοποιούν τεχνικές δειγματοληψίας και μετατροπής για την ανάλυση κατά Fourier της δεδομένης κυματομορφής.


  ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης "αναλυτές σημάτων". |
| --- | --- |

"Δυναμικοί αναλυτές σημάτων" (3) είναι οι "αναλυτές σημάτων" οι οποίοι χρησιμοποιούν τεχνικές δειγματοληψίας και μετατροπής για την ανάλυση κατά Fourier της δεδομένης κυματομορφής.

ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης "αναλυτές σημάτων".

| | "Εγκαταστάσεις παραγωγής" (7 9) είναι ο εξοπλισμός και το ειδικά σχεδιασμένο σχετικό λογισμικό που ενσωματώνονται σε εγκαταστάσεις που χρησιμεύουν στην "ανάπτυξη" ή σε μια ή περισσότερες φάσεις της "παραγωγής". |
| --- | --- |

"Εγκαταστάσεις παραγωγής" (7 9) είναι ο εξοπλισμός και το ειδικά σχεδιασμένο σχετικό λογισμικό που ενσωματώνονται σε εγκαταστάσεις που χρησιμεύουν στην "ανάπτυξη" ή σε μια ή περισσότερες φάσεις της "παραγωγής".

| | "Ειδικά σχάσιμα υλικά" (0) είναι το πλουτώνιο-239, το ουράνιο-233, το "ουράνιο εμπλουτισμένο σε ισότοπα 235 ή 233" και κάθε υλικό που περιέχει τα παραπάνω υλικά. |
| --- | --- |

"Ειδικά σχάσιμα υλικά" (0) είναι το πλουτώνιο-239, το ουράνιο-233, το "ουράνιο εμπλουτισμένο σε ισότοπα 235 ή 233" και κάθε υλικό που περιέχει τα παραπάνω υλικά.

| | "Ειδική αντοχή σε εφελκυσμό" (0 1 9) είναι η ανώτατη τάση εφελκυσμού σε pascal, η οποία ισοδυναμεί με το λόγο Ν/m2 προς το ειδικό βάρος σε Ν/m3, σε θερμοκρασία (296 ± 2) Κ ((23 ± 2) °C) και σχετική υγρασία (50 ± 5) %. |
| --- | --- |

"Ειδική αντοχή σε εφελκυσμό" (0 1 9) είναι η ανώτατη τάση εφελκυσμού σε pascal, η οποία ισοδυναμεί με το λόγο Ν/m2 προς το ειδικό βάρος σε Ν/m3, σε θερμοκρασία (296 ± 2) Κ ((23 ± 2) °C) και σχετική υγρασία (50 ± 5) %.

| | "Ειδικό μέτρο ελαστικότητας" (0 1 9) είναι το μέτρο Young εκφρασμένο σε pascal, το οποίο ισοδυναμεί με το λόγο Ν/m2 προς το ειδικό βάρος σε Ν/m3, μετρούμενο σε θερμοκρασία (296 ± 2) Κ ((23 ± 2) °C) και σχετική υγρασία (50 ± 5) %. |
| --- | --- |

"Ειδικό μέτρο ελαστικότητας" (0 1 9) είναι το μέτρο Young εκφρασμένο σε pascal, το οποίο ισοδυναμεί με το λόγο Ν/m2 προς το ειδικό βάρος σε Ν/m3, μετρούμενο σε θερμοκρασία (296 ± 2) Κ ((23 ± 2) °C) και σχετική υγρασία (50 ± 5) %.

| | "Εκκεντρότητα" (2) σημαίνει την αξονική μετατόπιση της κύριας ατράκτου σε μια περιστροφή, μετρούμενη σε επίπεδο κάθετο προς το επίπεδο της πρόσθιας πλάκας της ατράκτου, σε σημείο δίπλα στην περιφέρειά της (στοιχεία: ISO 230/1 1986, σημείο 5.63). |
| --- | --- |

"Εκκεντρότητα" (2) σημαίνει την αξονική μετατόπιση της κύριας ατράκτου σε μια περιστροφή, μετρούμενη σε επίπεδο κάθετο προς το επίπεδο της πρόσθιας πλάκας της ατράκτου, σε σημείο δίπλα στην περιφέρειά της (στοιχεία: ISO 230/1 1986, σημείο 5.63).

| | "Ελεγκτής διαύλου επικοινωνίας" (4 4) είναι η φυσική διεπαφή η οποία ελέγχει την ροή σύγχρονων και ασύγχρονων ψηφιακών πληροφοριών. Είναι ένα σύνολο το οποίο είναι δυνατόν να ενσωματωθεί σε συσκευές υπολογιστών ή τηλεπικοινωνιών ώστε να παρέχει πρόσβαση στο επικοινωνιακό δίκτυο. |
| --- | --- |

"Ελεγκτής διαύλου επικοινωνίας" (4 4) είναι η φυσική διεπαφή η οποία ελέγχει την ροή σύγχρονων και ασύγχρονων ψηφιακών πληροφοριών. Είναι ένα σύνολο το οποίο είναι δυνατόν να ενσωματωθεί σε συσκευές υπολογιστών ή τηλεπικοινωνιών ώστε να παρέχει πρόσβαση στο επικοινωνιακό δίκτυο.

| | "Ελεγκτής πρόσβασης στο δίκτυο" (4) είναι μια υλική διεπαφή με ένα κατανεμημένο μεταγωγικό δίκτυο. Χρησιμοποιεί ένα κοινό μέσο το οποίο λειτουργεί πάντα με τον ίδιο "ρυθμό ψηφιακής μεταβίβασης" και επιτρέπει οποιαδήποτε μεταβίβαση μέσω του δικτύου (π.χ. ανίχνευση αδειοπλαισίου ή φέρουσας) για την μεταβίβαση. Ανεξάρτητα από οποιοδήποτε άλλο, επιλέγει πακέτα δεδομένων ή ομάδες δεδομένων (π.χ. IEEE 802) που απευθύνονται σε αυτόν. Είναι ένα συναρμολογημένο σύνολο το οποίο είναι δυνατό να ενσωματωθεί σε υπολογιστή ή τηλεπικοινωνιακό εξοπλισμό ώστε να παρέχει πρόσβαση επικοινωνίας. |
| --- | --- |

"Ελεγκτής πρόσβασης στο δίκτυο" (4) είναι μια υλική διεπαφή με ένα κατανεμημένο μεταγωγικό δίκτυο. Χρησιμοποιεί ένα κοινό μέσο το οποίο λειτουργεί πάντα με τον ίδιο "ρυθμό ψηφιακής μεταβίβασης" και επιτρέπει οποιαδήποτε μεταβίβαση μέσω του δικτύου (π.χ. ανίχνευση αδειοπλαισίου ή φέρουσας) για την μεταβίβαση. Ανεξάρτητα από οποιοδήποτε άλλο, επιλέγει πακέτα δεδομένων ή ομάδες δεδομένων (π.χ. IEEE 802) που απευθύνονται σε αυτόν. Είναι ένα συναρμολογημένο σύνολο το οποίο είναι δυνατό να ενσωματωθεί σε υπολογιστή ή τηλεπικοινωνιακό εξοπλισμό ώστε να παρέχει πρόσβαση επικοινωνίας.

| | "Ελεγχόμενο μέσω αποθηκευμένου προγράμματος" (2 3 8) είναι ένα σύστημα που ελέγχεται με τη βοήθεια εντολών οι οποίες είναι αποθηκευμένες σε ηλεκτρονική μνήμη και τις οποίες ο επεξεργαστής είναι σε θέση να εκτελέσει ώστε να καθοδηγήσει τη διεξαγωγή προκαθορισμένων λειτουργιών.


  ΣΗΜ.: Ένα σύστημα θεωρείται ότι είναι "ελεγχόμενο μέσω αποθηκευμένου προγράμματος" ανεξάρτητα αν η ηλεκτρονική αποθήκευση είναι εσωτερική ή εξωτερική ως προς αυτό το σύστημα. |
| --- | --- |

"Ελεγχόμενο μέσω αποθηκευμένου προγράμματος" (2 3 8) είναι ένα σύστημα που ελέγχεται με τη βοήθεια εντολών οι οποίες είναι αποθηκευμένες σε ηλεκτρονική μνήμη και τις οποίες ο επεξεργαστής είναι σε θέση να εκτελέσει ώστε να καθοδηγήσει τη διεξαγωγή προκαθορισμένων λειτουργιών.

ΣΗΜ.: Ένα σύστημα θεωρείται ότι είναι "ελεγχόμενο μέσω αποθηκευμένου προγράμματος" ανεξάρτητα αν η ηλεκτρονική αποθήκευση είναι εσωτερική ή εξωτερική ως προς αυτό το σύστημα.

| | "Ελευθέρας χρήσεως" (GTN NTN GSN), κατά την έννοια του παρόντος εγγράφου, είναι η "τεχνολογία" ή "το λογισμικό" το οποίο επιτρέπεται να διατίθεται χωρίς περιορισμούς (οι περιορισμοί που απορρέουν από τα πνευματικά δικαιώματα δεν εξαιρούν την "τεχνολογία" ή το "λογισμικό" από την ελεύθερη χρήση). |
| --- | --- |

"Ελευθέρας χρήσεως" (GTN NTN GSN), κατά την έννοια του παρόντος εγγράφου, είναι η "τεχνολογία" ή "το λογισμικό" το οποίο επιτρέπεται να διατίθεται χωρίς περιορισμούς (οι περιορισμοί που απορρέουν από τα πνευματικά δικαιώματα δεν εξαιρούν την "τεχνολογία" ή το "λογισμικό" από την ελεύθερη χρήση).

| | "Εμβόλιο" (1) είναι ένα φαρμακευτικό προϊόν σε φαρμακευτικό σκεύασμα για το οποίο έχει χορηγηθεί γενική άδεια ή άδεια εμπορίας ή κλινικών δοκιμών από τις ρυθμιστικές αρχές είτε της χώρας παρασκευής είτε της χώρας χρήσης, που προορίζεται να προκαλέσει προστατευτική ανοσοποιητική αντίδραση σε ανθρώπους και ζώα για την πρόληψη ασθενειών σε όσους χορηγείται. |
| --- | --- |

"Εμβόλιο" (1) είναι ένα φαρμακευτικό προϊόν σε φαρμακευτικό σκεύασμα για το οποίο έχει χορηγηθεί γενική άδεια ή άδεια εμπορίας ή κλινικών δοκιμών από τις ρυθμιστικές αρχές είτε της χώρας παρασκευής είτε της χώρας χρήσης, που προορίζεται να προκαλέσει προστατευτική ανοσοποιητική αντίδραση σε ανθρώπους και ζώα για την πρόληψη ασθενειών σε όσους χορηγείται.

| | "Έμπειρα συστήματα" (7) είναι συστήματα που παρέχουν αποτελέσματα βασιζόμενα στην εφαρμογή κανόνων επί των δεδομένων που είναι αποθηκευμένα ανεξάρτητα από το "πρόγραμμα" τα οποία είναι ικανά να επιτελέσουν μια από τις ακόλουθες λειτουργίες:






  α. | Να τροποποιήσουν αυτομάτως το "πρωτογενές πρόγραμμα" που έχει εισαχθεί από τον χρήστη, |
| --- | --- | --- |

"Έμπειρα συστήματα" (7) είναι συστήματα που παρέχουν αποτελέσματα βασιζόμενα στην εφαρμογή κανόνων επί των δεδομένων που είναι αποθηκευμένα ανεξάρτητα από το "πρόγραμμα" τα οποία είναι ικανά να επιτελέσουν μια από τις ακόλουθες λειτουργίες:

α.

Να τροποποιήσουν αυτομάτως το "πρωτογενές πρόγραμμα" που έχει εισαχθεί από τον χρήστη,

| β. | Να προσφέρουν γνώσεις σχετιζόμενες με ένα σύνολο προβλημάτων σε σχεδόν φυσική γλώσσα, ή |
| --- | --- |

β.

Να προσφέρουν γνώσεις σχετιζόμενες με ένα σύνολο προβλημάτων σε σχεδόν φυσική γλώσσα, ή

| γ. | Να αποκτήσουν τις απαιτούμενες γνώσεις για την ανάπτυξή τους (συμβολική κατάρτιση). |
| --- | --- |

γ.

Να αποκτήσουν τις απαιτούμενες γνώσεις για την ανάπτυξή τους (συμβολική κατάρτιση).

| | "Εμπλουτισμένο ουράνιο ως προς τα ισότοπα 235 ή 233" (0) είναι το ουράνιο που περιέχει τα ισότοπα 235 ή 233, ή και τα δύο σε ποσότητες τέτοιες ώστε ο λόγος περιεκτικότητας του συνόλου αυτών των ισοτόπων προς το ισότοπο 238 να είναι μεγαλύτερος από το λόγο του ισοτόπου 235 προς το ισότοπο 238 στο φυσικό ουράνιο (λόγος περιεκτικότητας 0,72 %). |
| --- | --- |

"Εμπλουτισμένο ουράνιο ως προς τα ισότοπα 235 ή 233" (0) είναι το ουράνιο που περιέχει τα ισότοπα 235 ή 233, ή και τα δύο σε ποσότητες τέτοιες ώστε ο λόγος περιεκτικότητας του συνόλου αυτών των ισοτόπων προς το ισότοπο 238 να είναι μεγαλύτερος από το λόγο του ισοτόπου 235 προς το ισότοπο 238 στο φυσικό ουράνιο (λόγος περιεκτικότητας 0,72 %).

| | "Ενεργά συστήματα ελέγχου πτήσεως" (7) είναι τα συστήματα των οποίων η λειτουργία είναι η πρόληψη ανεπιθύμητων κινήσεων των "αεροσκαφών" και των πυραύλων ή ανεπιθύμητων φορτίσεων, τα οποία βασίζονται στην αυτόματη επεξεργασία δεδομένων προερχόμενων από πληθώρα αισθητήρων και στην παροχή των κατάλληλων προληπτικών εντολών για την επίτευξη του αυτομάτου ελέγχου. |
| --- | --- |

"Ενεργά συστήματα ελέγχου πτήσεως" (7) είναι τα συστήματα των οποίων η λειτουργία είναι η πρόληψη ανεπιθύμητων κινήσεων των "αεροσκαφών" και των πυραύλων ή ανεπιθύμητων φορτίσεων, τα οποία βασίζονται στην αυτόματη επεξεργασία δεδομένων προερχόμενων από πληθώρα αισθητήρων και στην παροχή των κατάλληλων προληπτικών εντολών για την επίτευξη του αυτομάτου ελέγχου.

| | "Ενεργό γραμμάριο" (0 1) "ειδικών σχάσιμων υλικών" ή "λοιπών σχάσιμων υλικών" είναι:






  α. | Για τα ισότοπα πλουτωνίου και ουρανίου-233, το βάρος του ισοτόπου σε γραμμάρια, |
| --- | --- | --- |

"Ενεργό γραμμάριο" (0 1) "ειδικών σχάσιμων υλικών" ή "λοιπών σχάσιμων υλικών" είναι:

α.

Για τα ισότοπα πλουτωνίου και ουρανίου-233, το βάρος του ισοτόπου σε γραμμάρια,

| β. | Για εμπλουτισμένο ουράνιο με περιεκτικότητα σε ισότοπο ουράνιο-235 ένα τοις εκατό και άνω, το βάρος του στοιχείου σε γραμμάρια πολλαπλασιασμένο επί το τετράγωνο του εμπλουτισμού του εκφραζόμενο ως δεκαδικό κλάσμα κατά βάρος, |
| --- | --- |

β.

Για εμπλουτισμένο ουράνιο με περιεκτικότητα σε ισότοπο ουράνιο-235 ένα τοις εκατό και άνω, το βάρος του στοιχείου σε γραμμάρια πολλαπλασιασμένο επί το τετράγωνο του εμπλουτισμού του εκφραζόμενο ως δεκαδικό κλάσμα κατά βάρος,

| γ. | Για εμπλουτισμένο ουράνιο με περιεκτικότητα σε ισότοπο ουράνιο-235 κάτω του 1 τοις εκατό, το βάρος του στοιχείου σε γραμμάρια πολλαπλασιασμένο επί 0,0001. |
| --- | --- |

γ.

Για εμπλουτισμένο ουράνιο με περιεκτικότητα σε ισότοπο ουράνιο-235 κάτω του 1 τοις εκατό, το βάρος του στοιχείου σε γραμμάρια πολλαπλασιασμένο επί 0,0001.

| | "Ενεργό εικονοκύτταρο" (6 8) είναι ένα ελάχιστο (μεμονωμένο) στοιχείο ενός πίνακα ημιαγωγού ο οποίος λειτουργεί ως φωτοηλεκτρικό μέσο όταν εκτίθεται σε φωτεινή (ηλεκτρομαγνητική) ακτινοβολία. |
| --- | --- |

"Ενεργό εικονοκύτταρο" (6 8) είναι ένα ελάχιστο (μεμονωμένο) στοιχείο ενός πίνακα ημιαγωγού ο οποίος λειτουργεί ως φωτοηλεκτρικό μέσο όταν εκτίθεται σε φωτεινή (ηλεκτρομαγνητική) ακτινοβολία.

| | "Εξαντλημένο ουράνιο" (0) είναι το ουράνιο στο οποίο η συγκέντρωση του ισοτόπου 235 έχει μειωθεί και είναι χαμηλότερη από αυτή που απαντά στη φύση. |
| --- | --- |

"Εξαντλημένο ουράνιο" (0) είναι το ουράνιο στο οποίο η συγκέντρωση του ισοτόπου 235 έχει μειωθεί και είναι χαμηλότερη από αυτή που απαντά στη φύση.

| | "Εξοπλισμός παραγωγής" (1 7 9) είναι ο μηχανικός εξοπλισμός, τα ιχνάρια, τα περιτυπώματα, τα μαντρέλια, οι τύποι, οι μήτρες, οι στηρίξεις, οι μηχανισμοί ευθυγράμμισης, ο εξοπλισμός δοκιμών, άλλες μηχανές και κατασκευαστικά μέρη των μηχανών αυτών οι οποίες έχουν σχεδιαστεί ή μετασκευαστεί ώστε να χρησιμεύουν στην "ανάπτυξη" ή σε μια ή περισσότερες φάσεις της "παραγωγής". |
| --- | --- |

"Εξοπλισμός παραγωγής" (1 7 9) είναι ο μηχανικός εξοπλισμός, τα ιχνάρια, τα περιτυπώματα, τα μαντρέλια, οι τύποι, οι μήτρες, οι στηρίξεις, οι μηχανισμοί ευθυγράμμισης, ο εξοπλισμός δοκιμών, άλλες μηχανές και κατασκευαστικά μέρη των μηχανών αυτών οι οποίες έχουν σχεδιαστεί ή μετασκευαστεί ώστε να χρησιμεύουν στην "ανάπτυξη" ή σε μια ή περισσότερες φάσεις της "παραγωγής".

| | "Επενεργητές πέρατος" (2) είναι οι αρπάγες, οι "ενεργητικές εργαλειακές διατάξεις" καθώς και κάθε άλλη εργαλειακή διάταξη προσαρμοσμένη στο βασικό έλασμα στο άκρο του βραχίονα χειρισμού ενός "ρομπότ".


  ΣΗΜ.:"Ενεργητική εργαλειακή διάταξη" σημαίνει διάταξη με την οποία ασκείται κινητήριος δύναμη, μεταβιβάζεται ενέργεια ή η οποία χρησιμεύει ως αισθητήρας επί του υπό κατεργασία αντικειμένου. |
| --- | --- |

"Επενεργητές πέρατος" (2) είναι οι αρπάγες, οι "ενεργητικές εργαλειακές διατάξεις" καθώς και κάθε άλλη εργαλειακή διάταξη προσαρμοσμένη στο βασικό έλασμα στο άκρο του βραχίονα χειρισμού ενός "ρομπότ".

ΣΗΜ.:"Ενεργητική εργαλειακή διάταξη" σημαίνει διάταξη με την οποία ασκείται κινητήριος δύναμη, μεταβιβάζεται ενέργεια ή η οποία χρησιμεύει ως αισθητήρας επί του υπό κατεργασία αντικειμένου.

| | "Επεξεργασία πολλαπλών ροών δεδομένων" (4) είναι ένα "μικροπρόγραμμα" ή μια αρχιτεκτονική η οποία επιτρέπει την ταυτόχρονη επεξεργασία δύο ή περισσότερων ακολουθιών δεδομένων υπό τον έλεγχο μιας ή περισσότερων ακολουθιών εντολών με τη βοήθεια μέσων όπως είναι:






  α. | Οι αρχιτεκτονικές SIMD (Single Instruction Multiple Data), όπως οι ανυσματικοί ή σύστοιχοι επεξεργαστές, |
| --- | --- | --- |

"Επεξεργασία πολλαπλών ροών δεδομένων" (4) είναι ένα "μικροπρόγραμμα" ή μια αρχιτεκτονική η οποία επιτρέπει την ταυτόχρονη επεξεργασία δύο ή περισσότερων ακολουθιών δεδομένων υπό τον έλεγχο μιας ή περισσότερων ακολουθιών εντολών με τη βοήθεια μέσων όπως είναι:

α.

Οι αρχιτεκτονικές SIMD (Single Instruction Multiple Data), όπως οι ανυσματικοί ή σύστοιχοι επεξεργαστές,

| β. | Αρχιτεκτονικές MSIMD (Multiple Single Instruction Multiple Data), |
| --- | --- |

β.

Αρχιτεκτονικές MSIMD (Multiple Single Instruction Multiple Data),

| γ. | Αρχιτεκτονικές MIMD (Multiple Instruction Multiple Data), που περιλαμβάνονται αυτές οι οποίες είναι άμεσα συνδεδεμένες, στενά συνδεδεμένες ή χαλαρά συνδεδεμένες, ή |
| --- | --- |

γ.

Αρχιτεκτονικές MIMD (Multiple Instruction Multiple Data), που περιλαμβάνονται αυτές οι οποίες είναι άμεσα συνδεδεμένες, στενά συνδεδεμένες ή χαλαρά συνδεδεμένες, ή

| δ. | Διαρθρωμένοι πίνακες στοιχείων επεξεργαστών, όπου περιλαμβάνονται και οι συστολικοί πίνακες. |
| --- | --- |

δ.

Διαρθρωμένοι πίνακες στοιχείων επεξεργαστών, όπου περιλαμβάνονται και οι συστολικοί πίνακες.

ΣΗΜ.:"Μικροπρόγραμμα" είναι μια ακολουθία στοιχειωδών εντολών, αποθηκευμένων σε ειδική μνήμη, η εκτέλεση των οποίων ξεκινά με την εισαγωγή της εντολής αναφοράς του μικροπρογράμματος σε έναν καταγραφέα εντολών.

| | "Επεξεργασία σε πραγματικό χρόνο" (6 7) είναι η επεξεργασία δεδομένων με σύστημα ηλεκτρονικού υπολογιστή, το οποίο παρέχει απαιτούμενο επίπεδο υπηρεσίας ως συνάρτηση των διαθέσιμων πόρων, εντός ενός εγγυημένου χρόνου απότφισης, ανεξάρτητα από το φόρτωμα του συστήματος, όταν δεχθεί εξωτερικό ερέθισμα. |
| --- | --- |

"Επεξεργασία σε πραγματικό χρόνο" (6 7) είναι η επεξεργασία δεδομένων με σύστημα ηλεκτρονικού υπολογιστή, το οποίο παρέχει απαιτούμενο επίπεδο υπηρεσίας ως συνάρτηση των διαθέσιμων πόρων, εντός ενός εγγυημένου χρόνου απότφισης, ανεξάρτητα από το φόρτωμα του συστήματος, όταν δεχθεί εξωτερικό ερέθισμα.

| | "Επεξεργασία σημάτων" (3 4 5 6) είναι η επεξεργασία εξωτερικών σημάτων που εμπεριέχουν πληροφορίες με τη βοήθεια αλγορίθμων όπως είναι η χρονική συμπίεση, το φιλτράρισμα, η εξαγωγή, η επιλογή, ο συσχετισμός, η συνέλιξη ή μετατροπή συναρτήσεων (π.χ ταχύς μετασχηματισμός Fourier ή μετασχηματισμός Walsh). |
| --- | --- |

"Επεξεργασία σημάτων" (3 4 5 6) είναι η επεξεργασία εξωτερικών σημάτων που εμπεριέχουν πληροφορίες με τη βοήθεια αλγορίθμων όπως είναι η χρονική συμπίεση, το φιλτράρισμα, η εξαγωγή, η επιλογή, ο συσχετισμός, η συνέλιξη ή μετατροπή συναρτήσεων (π.χ ταχύς μετασχηματισμός Fourier ή μετασχηματισμός Walsh).

| | "Εσωτερική επένδυση" (9) είναι κατάλληλη για την διεπαφή μεταξύ του στερεού καυσίμου και του περιβλήματος ή του μονωτικού στρώματος. Συνήθως το εσωτερικό του περιβλήματος ψεκάζεται ή επιστρώνεται με διασπορά πυρίμαχων ή μονωτικών υλικών πολυμερούς βάσεως εντός υγρού, π.χ. HTPB (πολυβουταδιένιο με υδροξύλια στα άκρα) με πλήρωση άνθρακα ή άλλο πολυμερές με πρόσθετα σκληρυντικά μέσα. |
| --- | --- |

"Εσωτερική επένδυση" (9) είναι κατάλληλη για την διεπαφή μεταξύ του στερεού καυσίμου και του περιβλήματος ή του μονωτικού στρώματος. Συνήθως το εσωτερικό του περιβλήματος ψεκάζεται ή επιστρώνεται με διασπορά πυρίμαχων ή μονωτικών υλικών πολυμερούς βάσεως εντός υγρού, π.χ. HTPB (πολυβουταδιένιο με υδροξύλια στα άκρα) με πλήρωση άνθρακα ή άλλο πολυμερές με πρόσθετα σκληρυντικά μέσα.

| | "Ευελιξία μεταβολής συχνότητας" (frequency hopping) (5) είναι μια μορφή "διευρύνσεως φάσματος", στο οποίο η συχνότητα μεταβιβάσεως ενός μεμονωμένου διαύλου επικοινωνίας μεταβάλλεται κατά μία τυχαία ή ψευδοτυχαία ακολουθία διακριτών βημάτων. |
| --- | --- |

"Ευελιξία μεταβολής συχνότητας" (frequency hopping) (5) είναι μια μορφή "διευρύνσεως φάσματος", στο οποίο η συχνότητα μεταβιβάσεως ενός μεμονωμένου διαύλου επικοινωνίας μεταβάλλεται κατά μία τυχαία ή ψευδοτυχαία ακολουθία διακριτών βημάτων.

| | "Ευελιξία μεταβολής συχνότητας ραντάρ" (6) είναι μια τεχνική με την οποία μεταβάλλεται η φέρουσα συχνότητα ενός παλμοπομπού ραντάρ σε ψευδο-τυχαία ακολουθία μεταξύ μεμονωμένων παλμών ραντάρ ή ομάδων παλμών ραντάρ κατά τιμή ίση ή μεγαλύτερη από το εύρος ζώνης των παλμών ραντάρ. |
| --- | --- |

"Ευελιξία μεταβολής συχνότητας ραντάρ" (6) είναι μια τεχνική με την οποία μεταβάλλεται η φέρουσα συχνότητα ενός παλμοπομπού ραντάρ σε ψευδο-τυχαία ακολουθία μεταξύ μεμονωμένων παλμών ραντάρ ή ομάδων παλμών ραντάρ κατά τιμή ίση ή μεγαλύτερη από το εύρος ζώνης των παλμών ραντάρ.

| | "Εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου" (2 3) για "δυναμικούς αναλυτές σημάτων" είναι η ευρύτερη περιοχή συχνοτήτων στην έξοδο του αναλυτή προς τη μονάδα απεικόνισης ή μαζικής μνήμης, η οποία δεν συνεπάγεται ασυνέχεια στην ανάλυση των δεδομένων εισόδου. Για τους αναλυτές με ένα ή περισσότερα κανάλια, για τον υπολογισμό λαμβάνεται αυτός ο συνδυασμός καναλιών ο οποίος παρέχει το μεγαλύτερο "εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου". |
| --- | --- |

"Εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου" (2 3) για "δυναμικούς αναλυτές σημάτων" είναι η ευρύτερη περιοχή συχνοτήτων στην έξοδο του αναλυτή προς τη μονάδα απεικόνισης ή μαζικής μνήμης, η οποία δεν συνεπάγεται ασυνέχεια στην ανάλυση των δεδομένων εισόδου. Για τους αναλυτές με ένα ή περισσότερα κανάλια, για τον υπολογισμό λαμβάνεται αυτός ο συνδυασμός καναλιών ο οποίος παρέχει το μεγαλύτερο "εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου".

| | "Ηλεκτρονικό συναρμολόγημα" (3 4 5) είναι ένα σύνολο ηλεκτρονικών μερών (π.χ, "στοιχεία κυκλωμάτων", "διακεκριμένων κατασκευαστικών μερών", ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κ.λπ) συνδεδεμένων μεταξύ τους ώστε να επιτελούν ειδικές λειτουργίες, το οποίο είναι δυνατόν να αντικατασταθεί ως σύνολο και να αποσυναρμολογηθεί.


  ΣΗΜ. 1:"Στοιχείο κυκλώματος": ένα χωριστό ή παθητικό λειτουργικό μέρος ενός ηλεκτρονικού κυκλώματος, όπως μία δίοδος, ένα τρανζίστορ, μία αντίσταση, ένας πυκνωτής κ.λπ.



  ΣΗΜ. 2:"Διακεκριμένο κατασκευαστικό μέρος": ένα χωριστά συσκευασμένο "στοιχείο κυκλώματος" με τις δικές του εξωτερικές συνδέσεις. |
| --- | --- |

"Ηλεκτρονικό συναρμολόγημα" (3 4 5) είναι ένα σύνολο ηλεκτρονικών μερών (π.χ, "στοιχεία κυκλωμάτων", "διακεκριμένων κατασκευαστικών μερών", ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κ.λπ) συνδεδεμένων μεταξύ τους ώστε να επιτελούν ειδικές λειτουργίες, το οποίο είναι δυνατόν να αντικατασταθεί ως σύνολο και να αποσυναρμολογηθεί.

ΣΗΜ. 1:"Στοιχείο κυκλώματος": ένα χωριστό ή παθητικό λειτουργικό μέρος ενός ηλεκτρονικού κυκλώματος, όπως μία δίοδος, ένα τρανζίστορ, μία αντίσταση, ένας πυκνωτής κ.λπ.

ΣΗΜ. 2:"Διακεκριμένο κατασκευαστικό μέρος": ένα χωριστά συσκευασμένο "στοιχείο κυκλώματος" με τις δικές του εξωτερικές συνδέσεις.

| | "Ηλεκτρονικώς οδηγούμενη φασικώς συγχρονισμένη συστοιχιοκεραία" (5 6) είναι μία κεραία η οποία εκπέμπει μια δέσμη καθοδηγούμενη με ζεύξη φάσεως, δηλαδή, η διεύθυνση της δέσμης ελέγχεται μέσω των μιγαδικών συντελεστών διεγέρσεως των στοιχείων εκπομπής και δύναται να μεταβληθεί ως προς την κλίση ή το ύψος ή και ως προς τα δύο μέσω ενός ηλεκτρικού σήματος, τόσο κατά την εκπομπή όσο και κατά τη λήψη. |
| --- | --- |

"Ηλεκτρονικώς οδηγούμενη φασικώς συγχρονισμένη συστοιχιοκεραία" (5 6) είναι μία κεραία η οποία εκπέμπει μια δέσμη καθοδηγούμενη με ζεύξη φάσεως, δηλαδή, η διεύθυνση της δέσμης ελέγχεται μέσω των μιγαδικών συντελεστών διεγέρσεως των στοιχείων εκπομπής και δύναται να μεταβληθεί ως προς την κλίση ή το ύψος ή και ως προς τα δύο μέσω ενός ηλεκτρικού σήματος, τόσο κατά την εκπομπή όσο και κατά τη λήψη.

| | "Ικανότητα προγραμματισμού από το χρήστη" (6) είναι η δυνατότητα που παρέχεται στο χρήστη να εισαγάγει, να τροποποιήσει ή να αντικαταστήσει "προγράμματα" με μεθόδους διαφορετικές από:






  α. | Τη φυσική αλλαγή της συνδεσμολογίας ή των διασυνδέσεων· ή |
| --- | --- | --- |

"Ικανότητα προγραμματισμού από το χρήστη" (6) είναι η δυνατότητα που παρέχεται στο χρήστη να εισαγάγει, να τροποποιήσει ή να αντικαταστήσει "προγράμματα" με μεθόδους διαφορετικές από:

α.

Τη φυσική αλλαγή της συνδεσμολογίας ή των διασυνδέσεων· ή

| β. | Την εφαρμογή μέσων ελέγχου των λειτουργιών συμπεριλαμβανομένης και της εισαγωγής παραμέτρων. |
| --- | --- |

β.

Την εφαρμογή μέσων ελέγχου των λειτουργιών συμπεριλαμβανομένης και της εισαγωγής παραμέτρων.

| | Στα "ινώδη ή νηματώδη υλικά" (0 1 2 8) περιλαμβάνονται:






  α. | Συνεχή "μονόκλωνα νήματα", |
| --- | --- | --- |

Στα "ινώδη ή νηματώδη υλικά" (0 1 2 8) περιλαμβάνονται:

α.

Συνεχή "μονόκλωνα νήματα",

| β. | Συνεχή "νήματα" και "rovings" με τυχαία διάταξη, |
| --- | --- |

β.

Συνεχή "νήματα" και "rovings" με τυχαία διάταξη,

| γ. | "Ταινίες", υφάσματα, πιλήματα και πλεκτά, |
| --- | --- |

γ.

"Ταινίες", υφάσματα, πιλήματα και πλεκτά,

| δ. | Κομμένα νήματα, υφαντικές ίνες, συνεχή καλύμματα, |
| --- | --- |

δ.

Κομμένα νήματα, υφαντικές ίνες, συνεχή καλύμματα,

| ε. | Ινοκρύσταλλοι, είτε υπό μονοκρυσταλλική είτε πολυκρυσταλλική μορφή οποιουδήποτε μήκους, |
| --- | --- |

ε.

Ινοκρύσταλλοι, είτε υπό μονοκρυσταλλική είτε πολυκρυσταλλική μορφή οποιουδήποτε μήκους,

| στ. | Πολτός αρωματικού πολυαμιδίου. |
| --- | --- |

στ.

Πολτός αρωματικού πολυαμιδίου.

| | "Ισοδύναμη πυκνότητα" (6) είναι η μάζα ενός οπτικού στοιχείου ανά μονάδα οπτικής επιφανείας προβαλλόμενης στο οπτικό επίπεδο. |
| --- | --- |

"Ισοδύναμη πυκνότητα" (6) είναι η μάζα ενός οπτικού στοιχείου ανά μονάδα οπτικής επιφανείας προβαλλόμενης στο οπτικό επίπεδο.

| | "Ισοστατικές πρέσες" (2) είναι συσκευές ικανές να συμπιέσουν διάφορα υλικά (αέρια, υγρά, στερεά σωματίδια κ.λπ.) μέσα σε κλειστό θάλαμο ώστε η πίεση που ασκείται επί ενός κατεργαζόμενου αντικειμένου ή υλικού να είναι ίση προς κάθε κατεύθυνση. |
| --- | --- |

"Ισοστατικές πρέσες" (2) είναι συσκευές ικανές να συμπιέσουν διάφορα υλικά (αέρια, υγρά, στερεά σωματίδια κ.λπ.) μέσα σε κλειστό θάλαμο ώστε η πίεση που ασκείται επί ενός κατεργαζόμενου αντικειμένου ή υλικού να είναι ίση προς κάθε κατεύθυνση.

| | "Ισοστατική πύκνωση εν θερμώ" (2) είναι η διαδικασία της συμπίεσης ενός χυτεύματος σε θερμοκρασίες άνω των 375 K (120 °C) σε έναν κλειστό θάλαμο διαφόρων μέσων (αερίων, υγρών, στερεών σωματιδίων κ.λπ.) για την δημιουργία ίσων δυνάμεων προς όλες τις κατευθύνσεις ώστε να μειωθούν ή να εξαλειφθούν τα εσωτερικά κενά στο χύτευμα. |
| --- | --- |

"Ισοστατική πύκνωση εν θερμώ" (2) είναι η διαδικασία της συμπίεσης ενός χυτεύματος σε θερμοκρασίες άνω των 375 K (120 °C) σε έναν κλειστό θάλαμο διαφόρων μέσων (αερίων, υγρών, στερεών σωματιδίων κ.λπ.) για την δημιουργία ίσων δυνάμεων προς όλες τις κατευθύνσεις ώστε να μειωθούν ή να εξαλειφθούν τα εσωτερικά κενά στο χύτευμα.

| | "Ισχύς αιχμής" (6) είναι το πηλίκο της ενέργειας ανά παλμό σε joule δια τη διάρκεια του παλμού σε δευτερόλεπτα. |
| --- | --- |

"Ισχύς αιχμής" (6) είναι το πηλίκο της ενέργειας ανά παλμό σε joule δια τη διάρκεια του παλμού σε δευτερόλεπτα.

| | "Καθοδήγηση τροχιάς" (2) είναι δύο ή περισσότερες "ψηφιακά ελεγχόμενες" κινήσεις εκτελούμενες βάσει εντολών που καθορίζουν την επόμενη θέση καθώς και τις επιθυμητές ταχύτητες προσαγωγής. Μεταβάλλονται σε αλληλεξάρτηση μεταξύ τους ώστε να διαγράφεται η επιθυμητή τροχιά (βλέπε ISO/DIS 2806 — 1980). |
| --- | --- |

"Καθοδήγηση τροχιάς" (2) είναι δύο ή περισσότερες "ψηφιακά ελεγχόμενες" κινήσεις εκτελούμενες βάσει εντολών που καθορίζουν την επόμενη θέση καθώς και τις επιθυμητές ταχύτητες προσαγωγής. Μεταβάλλονται σε αλληλεξάρτηση μεταξύ τους ώστε να διαγράφεται η επιθυμητή τροχιά (βλέπε ISO/DIS 2806 — 1980).

| | "Καθυστέρηση χρόνου διέλευσης της βασικής πύλης" (3) είναι η καθυστέρηση του χρόνου διέλευσης που αντιστοιχεί στη βασική πύλη που χρησιμοποιείται σ’ ένα "μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα". Για μία δεδομένη "οικογένεια""μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων", η τιμή αυτή είναι δυνατό να προσδιορισθεί είτε ως καθυστέρηση ανά τυπική πύλη εντός της δεδομένης οικογένειας, είτε ως τυπική καθυστέρηση ανά πύλη εντός της δεδομένης οικογένειας.


  ΣΗΜ. 1: Η "καθυστέρηση χρόνου διέλευσης της βασικής πύλης" δεν πρέπει να συγχέεται με την καθυστέρηση εισόδου/εξόδου ενός πολύπλοκου "μονολιθικού ολοκληρωμένου κυκλώματος".



  ΣΗΜ. 2: Ως "οικογένεια" νοούνται όλα τα ολοκληρωμένα κυκλώματα στα οποία έχουν εφαρμοστεί όλα τα παρακάτω ως κατασκευαστική μεθοδολογία και προδιαγραφές, εκτός από τις λειτουργίες καθενός:








  α. | Η κοινή αρχιτεκτονική υλικού και λογισμικού, |
| --- | --- | --- |

"Καθυστέρηση χρόνου διέλευσης της βασικής πύλης" (3) είναι η καθυστέρηση του χρόνου διέλευσης που αντιστοιχεί στη βασική πύλη που χρησιμοποιείται σ’ ένα "μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα". Για μία δεδομένη "οικογένεια""μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων", η τιμή αυτή είναι δυνατό να προσδιορισθεί είτε ως καθυστέρηση ανά τυπική πύλη εντός της δεδομένης οικογένειας, είτε ως τυπική καθυστέρηση ανά πύλη εντός της δεδομένης οικογένειας.

ΣΗΜ. 1: Η "καθυστέρηση χρόνου διέλευσης της βασικής πύλης" δεν πρέπει να συγχέεται με την καθυστέρηση εισόδου/εξόδου ενός πολύπλοκου "μονολιθικού ολοκληρωμένου κυκλώματος".

ΣΗΜ. 2: Ως "οικογένεια" νοούνται όλα τα ολοκληρωμένα κυκλώματα στα οποία έχουν εφαρμοστεί όλα τα παρακάτω ως κατασκευαστική μεθοδολογία και προδιαγραφές, εκτός από τις λειτουργίες καθενός:

α.

Η κοινή αρχιτεκτονική υλικού και λογισμικού,

| β. | Η κοινή τεχνολογία σχεδιασμού και διεργασιών, και |
| --- | --- |

β.

Η κοινή τεχνολογία σχεδιασμού και διεργασιών, και

| γ. | Τα κοινά βασικά χαρακτηριστικά. |
| --- | --- |

γ.

Τα κοινά βασικά χαρακτηριστικά.

| | "Κατάλληλα για διαστημική χρήση" (3 6) είναι τα προϊόντα που έχουν σχεδιαστεί, κατασκευαστεί και δοκιμαστεί ώστε να πληρούν τις ηλεκτρικές, μηχανικές ή περιβαλλοντικές απαιτήσεις για τη χρήση τους στην εκτόξευση και τη θέση σε τροχιά δορυφόρων ή σε ιπτάμενα συστήματα μεγάλου ύψους, δηλαδή συστήματα προοριζόμενα να λειτουργήσουν σε ύψος 100 Κm και άνω. |
| --- | --- |

"Κατάλληλα για διαστημική χρήση" (3 6) είναι τα προϊόντα που έχουν σχεδιαστεί, κατασκευαστεί και δοκιμαστεί ώστε να πληρούν τις ηλεκτρικές, μηχανικές ή περιβαλλοντικές απαιτήσεις για τη χρήση τους στην εκτόξευση και τη θέση σε τροχιά δορυφόρων ή σε ιπτάμενα συστήματα μεγάλου ύψους, δηλαδή συστήματα προοριζόμενα να λειτουργήσουν σε ύψος 100 Κm και άνω.

| | "Κατανεμημένο φάσμα" (5) είναι μια τεχνική με την οποία η ενέργεια ενός επικοινωνιακού καναλιού σχετικά στενής ζώνης κατανέμεται σε ένα κατά πολύ ευρύτερο ενεργειακό φάσμα. |
| --- | --- |

"Κατανεμημένο φάσμα" (5) είναι μια τεχνική με την οποία η ενέργεια ενός επικοινωνιακού καναλιού σχετικά στενής ζώνης κατανέμεται σε ένα κατά πολύ ευρύτερο ενεργειακό φάσμα.

| | "ΚΙΠ" (κύκλος ίσων πιθανοτήτων) (7) είναι μέτρο για την ακρίβεια ενός οργάνου. Η ακτίνα του κύκλου με κέντρο το στόχο εκτείνεται σε απόσταση τέτοια ώστε να προσπίπτουν εντός του κύκλου το 50 % των βολών. |
| --- | --- |

"ΚΙΠ" (κύκλος ίσων πιθανοτήτων) (7) είναι μέτρο για την ακρίβεια ενός οργάνου. Η ακτίνα του κύκλου με κέντρο το στόχο εκτείνεται σε απόσταση τέτοια ώστε να προσπίπτουν εντός του κύκλου το 50 % των βολών.

| | "Κλασματικό εύρος ζώνης" (3) είναι ο λόγος, εκφρασμένος ως ποσοστό επί τοις εκατό, του στιγμιαίου εύρους ζώνης προς την κεντρική συχνότητα. |
| --- | --- |

"Κλασματικό εύρος ζώνης" (3) είναι ο λόγος, εκφρασμένος ως ποσοστό επί τοις εκατό, του στιγμιαίου εύρους ζώνης προς την κεντρική συχνότητα.

| | "Κονιορτοποίηση" (1) είναι κάθε διαδικασία για την μετατροπή ενός υλικού σε σωματίδια με σύνθλιψη ή άλεση. |
| --- | --- |

"Κονιορτοποίηση" (1) είναι κάθε διαδικασία για την μετατροπή ενός υλικού σε σωματίδια με σύνθλιψη ή άλεση.

| | "Κράτη" (μη) μέρη της Σύμβασης Χημικών Όπλων (1) είναι εκείνα τα κράτη για τα οποία (δεν) έχει τεθεί σε ισχύ η Σύμβαση για την Απαγόρευση της Ανάπτυξης, Παραγωγής, Αποθεματοποίησης και Χρήσης Χημικών Όπλων (βλ. www.opcw.org). |
| --- | --- |

"Κράτη" (μη) μέρη της Σύμβασης Χημικών Όπλων (1) είναι εκείνα τα κράτη για τα οποία (δεν) έχει τεθεί σε ισχύ η Σύμβαση για την Απαγόρευση της Ανάπτυξης, Παραγωγής, Αποθεματοποίησης και Χρήσης Χημικών Όπλων (βλ. www.opcw.org).

| | "Κρίσιμη θερμοκρασία" (1 3 6) (ορισμένες φορές αναφερόμενη ως μεταβατική θερμοκρασία) ενός συγκεκριμένου "υπεραγώγιμου" υλικού είναι η θερμοκρασία στην οποία το υλικό αυτό παύει να έχει ωμική αντίσταση στο σταθερό ηλεκτρικό ρεύμα. |
| --- | --- |

"Κρίσιμη θερμοκρασία" (1 3 6) (ορισμένες φορές αναφερόμενη ως μεταβατική θερμοκρασία) ενός συγκεκριμένου "υπεραγώγιμου" υλικού είναι η θερμοκρασία στην οποία το υλικό αυτό παύει να έχει ωμική αντίσταση στο σταθερό ηλεκτρικό ρεύμα.

| | "Κρυπτογραφία" (5) είναι ο κλάδος που συνδυάζει τις αρχές, τα μέσα και τις μεθόδους για τη μετατροπή δεδομένων με σκοπό την απόκρυψη των πληροφοριών που περιέχουν, την πρόληψη της μη αντιληπτής τροποποίησής του ή της μη επιτρεπτής χρήσης του. Η "κρυπτογραφία" περιορίζεται στη μετατροπή πληροφοριών χρησιμοποιώντας μία ή περισσότερες "μυστικές παραμέτρους" (π.χ. κρυπτομεταβλητές) ή σχετική διαχείριση κλειδιών.


  ΣΗΜ.:"Μυστική παράμετρος": μία σταθερά ή κλείδα η οποία κρατείται μυστική από τους άλλους ή είναι γνωστή μόνο στα μέλη μίας ομάδας. |
| --- | --- |

"Κρυπτογραφία" (5) είναι ο κλάδος που συνδυάζει τις αρχές, τα μέσα και τις μεθόδους για τη μετατροπή δεδομένων με σκοπό την απόκρυψη των πληροφοριών που περιέχουν, την πρόληψη της μη αντιληπτής τροποποίησής του ή της μη επιτρεπτής χρήσης του. Η "κρυπτογραφία" περιορίζεται στη μετατροπή πληροφοριών χρησιμοποιώντας μία ή περισσότερες "μυστικές παραμέτρους" (π.χ. κρυπτομεταβλητές) ή σχετική διαχείριση κλειδιών.

ΣΗΜ.:"Μυστική παράμετρος": μία σταθερά ή κλείδα η οποία κρατείται μυστική από τους άλλους ή είναι γνωστή μόνο στα μέλη μίας ομάδας.

| | "Κύρια μνήμη" (4) είναι η κύρια μνήμη δεδομένων ή εντολών η οποία είναι ταχέως προσπελάσιμη από μια κεντρική μονάδα επεξεργασίας. Αποτελείται από την εσωτερική μνήμη ενός "ψηφιακού υπολογιστή" και την ιεραρχική επέκταση της μνήμης αυτής, όπως είναι μια κρυφή μνήμη ή εκτεταμένη μνήμη τυχαίας προσπελάσεως. |
| --- | --- |

"Κύρια μνήμη" (4) είναι η κύρια μνήμη δεδομένων ή εντολών η οποία είναι ταχέως προσπελάσιμη από μια κεντρική μονάδα επεξεργασίας. Αποτελείται από την εσωτερική μνήμη ενός "ψηφιακού υπολογιστή" και την ιεραρχική επέκταση της μνήμης αυτής, όπως είναι μια κρυφή μνήμη ή εκτεταμένη μνήμη τυχαίας προσπελάσεως.

| | "Κύριο στοιχείο" (4), όπως χρησιμοποιείται στην κατηγορία 4, είναι ένα "κύριο στοιχείο", όταν το κόστος για την αντικατάστασή του υπερβαίνει το 35 % της συνολικής αξίας του συστήματος, στοιχείο του οποίου αποτελεί. Η αξία του στοιχείου είναι η τιμή που καταβάλλεται για την αγορά του στοιχείου από τον κατασκευαστή ή από το συναρμολογητή του συστήματος. Η συνολική αξία είναι η συνήθης διεθνής τιμή πωλήσεως σε ανεξάρτητους αγοραστές στον τόπο κατασκευής ή αποστολής. |
| --- | --- |

"Κύριο στοιχείο" (4), όπως χρησιμοποιείται στην κατηγορία 4, είναι ένα "κύριο στοιχείο", όταν το κόστος για την αντικατάστασή του υπερβαίνει το 35 % της συνολικής αξίας του συστήματος, στοιχείο του οποίου αποτελεί. Η αξία του στοιχείου είναι η τιμή που καταβάλλεται για την αγορά του στοιχείου από τον κατασκευαστή ή από το συναρμολογητή του συστήματος. Η συνολική αξία είναι η συνήθης διεθνής τιμή πωλήσεως σε ανεξάρτητους αγοραστές στον τόπο κατασκευής ή αποστολής.

| | "Κύριο χειριστήριο πτήσης" (7) σημαίνει χειριστήριο σταθερότητας ή ελιγμών "αεροσκάφους" δια της χρήσης γεννητριών δύναμης/ροπής, δηλ. επιφάνειες αεροδυναμικού ελέγχου ή ρύθμιση της διεύθυνσης της ωστικής δύναμης. |
| --- | --- |

"Κύριο χειριστήριο πτήσης" (7) σημαίνει χειριστήριο σταθερότητας ή ελιγμών "αεροσκάφους" δια της χρήσης γεννητριών δύναμης/ροπής, δηλ. επιφάνειες αεροδυναμικού ελέγχου ή ρύθμιση της διεύθυνσης της ωστικής δύναμης.

| | "Λέιζερ" (0 2 3 5 6 7 8 9) είναι μια διάταξη η οποία παράγει μια χωρικά και χρονικά σύμφωνη δέσμη φωτός, η οποία ενισχύεται από τη διεγειρόμενη εκπομπή ακτινοβολίας.

  ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης: | "Χημικό λέιζερ", |
| --- | --- | --- |

"Λέιζερ" (0 2 3 5 6 7 8 9) είναι μια διάταξη η οποία παράγει μια χωρικά και χρονικά σύμφωνη δέσμη φωτός, η οποία ενισχύεται από τη διεγειρόμενη εκπομπή ακτινοβολίας.

"Χημικό λέιζερ",

| | "Q-switched λέίζερ", |
| --- | --- |

"Q-switched λέίζερ",

| | "Λέιζερ εξαιρετικά υψηλής ισχύος", |
| --- | --- |

"Λέιζερ εξαιρετικά υψηλής ισχύος",

| | "Transfer λέιζερ". |
| --- | --- |

"Transfer λέιζερ".

| | "Λέιζερ πολύ μεγάλης ισχύος" (SHPL) (6) είναι ένα "λέιζερ" ικανό να αποδώσει στην έξοδο (το σύνολο ή μέρος του συνόλου) ενέργειες άνω του 1 κj εντός 50 ms ή μέση ισχύ ή CW άνω των 20 KW. |
| --- | --- |

"Λέιζερ πολύ μεγάλης ισχύος" (SHPL) (6) είναι ένα "λέιζερ" ικανό να αποδώσει στην έξοδο (το σύνολο ή μέρος του συνόλου) ενέργειες άνω του 1 κj εντός 50 ms ή μέση ισχύ ή CW άνω των 20 KW.

| | "Λογισμικό" (GSN All) είναι μια συλλογή ενός ή περισσοτέρων "προγραμμάτων" ή "μικροπρογραμμάτων" τα οποία έχουν εγγραφεί σε ένα οποιοδήποτε υλικό μέσο.


  ΣΗΜ.:"Μικροπρόγραμμα" είναι μια ακολουθία στοιχειωδών εντολών, αποθηκευμένων σε ειδική μνήμη, η εκτέλεση των οποίων ξεκινά με την εισαγωγή της εντολής αναφοράς του μικροπρογράμματος σε έναν καταγραφέα εντολών. |
| --- | --- |

"Λογισμικό" (GSN All) είναι μια συλλογή ενός ή περισσοτέρων "προγραμμάτων" ή "μικροπρογραμμάτων" τα οποία έχουν εγγραφεί σε ένα οποιοδήποτε υλικό μέσο.

ΣΗΜ.:"Μικροπρόγραμμα" είναι μια ακολουθία στοιχειωδών εντολών, αποθηκευμένων σε ειδική μνήμη, η εκτέλεση των οποίων ξεκινά με την εισαγωγή της εντολής αναφοράς του μικροπρογράμματος σε έναν καταγραφέα εντολών.

| | "Μαγνητικά κλισιόμετρα" (6) είναι όργανα προοριζόμενα να ανιχνεύουν τις μεταβολές στο χώρο μαγνητικών πεδίων από πηγές εκτός του οργάνου. Αποτελούνται από πολλαπλά "μαγνητόμετρα" και τα σχετικά ηλεκτρονικά κυκλώματα, το σήμα εξόδου των οποίων αποτελεί μέτρο της κλίσης του μαγνητικού πεδίου.


  ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης "στοιχειώδη μαγνητικά κλισίμετρα". |
| --- | --- |

"Μαγνητικά κλισιόμετρα" (6) είναι όργανα προοριζόμενα να ανιχνεύουν τις μεταβολές στο χώρο μαγνητικών πεδίων από πηγές εκτός του οργάνου. Αποτελούνται από πολλαπλά "μαγνητόμετρα" και τα σχετικά ηλεκτρονικά κυκλώματα, το σήμα εξόδου των οποίων αποτελεί μέτρο της κλίσης του μαγνητικού πεδίου.

ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης "στοιχειώδη μαγνητικά κλισίμετρα".

| | "Μαγνητόμετρα" (6) είναι όργανα προοριζόμενα να ανιχνεύουν μαγνητικά πεδία από πηγές εκτός του οργάνου. Αποτελούνται από ένα μεμονωμένο αισθητήριο στοιχείο και τα σχετικά ηλεκτρονικά κυκλώματα, το σήμα εξόδου των οποίων αποτελεί μέτρο του μαγνητικού πεδίου. |
| --- | --- |

"Μαγνητόμετρα" (6) είναι όργανα προοριζόμενα να ανιχνεύουν μαγνητικά πεδία από πηγές εκτός του οργάνου. Αποτελούνται από ένα μεμονωμένο αισθητήριο στοιχείο και τα σχετικά ηλεκτρονικά κυκλώματα, το σήμα εξόδου των οποίων αποτελεί μέτρο του μαγνητικού πεδίου.

| | "Μετατροπείς πίεσης" (2) είναι συσκευές που μετατρέπουν μετρήσεις πίεσης σε ηλεκτρικό σήμα. |
| --- | --- |

"Μετατροπείς πίεσης" (2) είναι συσκευές που μετατρέπουν μετρήσεις πίεσης σε ηλεκτρικό σήμα.

| | "Μηχανική κραματοποίηση" (1) είναι η κραματοποίηση που γίνεται με συγκόλληση, θραύση και επανασυγκόλληση κόνεων καθαρών στοιχείων και προσθετικών κραμάτων με μηχανική κρούση. Μη μεταλλικά σωματίδια είναι δυνατόν να ενσωματωθούν στο κράμα με την προσθήκη των κατάλληλων κόνεων. |
| --- | --- |

"Μηχανική κραματοποίηση" (1) είναι η κραματοποίηση που γίνεται με συγκόλληση, θραύση και επανασυγκόλληση κόνεων καθαρών στοιχείων και προσθετικών κραμάτων με μηχανική κρούση. Μη μεταλλικά σωματίδια είναι δυνατόν να ενσωματωθούν στο κράμα με την προσθήκη των κατάλληλων κόνεων.

| | "Μηχανισμός αυτόματης πλοήγησης" (7) είναι ένα σύνολο συστημάτων που ολοκληρώνουν τη μέτρηση και τον υπολογισμό της θέσεως και της ταχύτητας ενός οχήματος με τον υπολογισμό και τη διαβίβαση εντολών στα συστήματα ελέγχου πτήσεως του οχήματος ώστε να διορθωθεί η πορεία του. |
| --- | --- |

"Μηχανισμός αυτόματης πλοήγησης" (7) είναι ένα σύνολο συστημάτων που ολοκληρώνουν τη μέτρηση και τον υπολογισμό της θέσεως και της ταχύτητας ενός οχήματος με τον υπολογισμό και τη διαβίβαση εντολών στα συστήματα ελέγχου πτήσεως του οχήματος ώστε να διορθωθεί η πορεία του.

| | "Μικροκύκλωμα μικροεπεξεργαστή" (3) είναι ένα "μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα ή σύνθετο ολοκληρωμένο κύκλωμα" το οποίο περιλαμβάνει μια αριθμητική λογική μονάδα (ΑLU) ικανή να εκτελεί γενικές εντολές προερχόμενες από μια εσωτερική μνήμη για την επεξεργασία δεδομένων που περιλαμβάνονται στην εσωτερική μνήμη.


  ΣΗΜ. 1: Το "μικροκύκλωμα μικροεπεξεργαστή" κατά κανόνα δεν περιλαμβάνει ενσωματωμένη μνήμη προσπελάσιμη από το χρήστη, μολονότι ενδεχομένως διαθέτει μνήμη για την πραγματοποίηση των λογικών του λειτουργιών.



  ΣΗΜ. 2: Περιλαμβάνει σύνολα μικροκυκλωμάτων τα οποία είναι σχεδιασμένα να λειτουργούν μαζί ώστε να εξασφαλίζουν την λειτουργία ενός "μικροκυκλώματος μικροεπεξεργαστή". |
| --- | --- |

"Μικροκύκλωμα μικροεπεξεργαστή" (3) είναι ένα "μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα ή σύνθετο ολοκληρωμένο κύκλωμα" το οποίο περιλαμβάνει μια αριθμητική λογική μονάδα (ΑLU) ικανή να εκτελεί γενικές εντολές προερχόμενες από μια εσωτερική μνήμη για την επεξεργασία δεδομένων που περιλαμβάνονται στην εσωτερική μνήμη.

ΣΗΜ. 1: Το "μικροκύκλωμα μικροεπεξεργαστή" κατά κανόνα δεν περιλαμβάνει ενσωματωμένη μνήμη προσπελάσιμη από το χρήστη, μολονότι ενδεχομένως διαθέτει μνήμη για την πραγματοποίηση των λογικών του λειτουργιών.

ΣΗΜ. 2: Περιλαμβάνει σύνολα μικροκυκλωμάτων τα οποία είναι σχεδιασμένα να λειτουργούν μαζί ώστε να εξασφαλίζουν την λειτουργία ενός "μικροκυκλώματος μικροεπεξεργαστή".

| | "Μικροκύκλωμα μικροϋπολογιστή" (3) είναι ένα "μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα ή σύνθετο ολοκληρωμένο κύκλωμα" το οποίο περιλαμβάνει μια αριθμητική λογική μονάδα (ΑLU) ικανή να εκτελεί γενικές εντολές προερχόμενες από μια εσωτερική μνήμη για την επεξεργασία δεδομένων που περιλαμβάνονται στην εσωτερική μνήμη.


  ΣΗΜ.: Η εσωτερική μνήμη πρέπει να διευρύνεται από μια εξωτερική μνήμη. |
| --- | --- |

"Μικροκύκλωμα μικροϋπολογιστή" (3) είναι ένα "μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα ή σύνθετο ολοκληρωμένο κύκλωμα" το οποίο περιλαμβάνει μια αριθμητική λογική μονάδα (ΑLU) ικανή να εκτελεί γενικές εντολές προερχόμενες από μια εσωτερική μνήμη για την επεξεργασία δεδομένων που περιλαμβάνονται στην εσωτερική μνήμη.

ΣΗΜ.: Η εσωτερική μνήμη πρέπει να διευρύνεται από μια εξωτερική μνήμη.

| | "Μικροοργανισμοί" (1 2) είναι τα βακτηρίδια, οι ιοί, τα μυκοπλάσματα, τα ρικέτσια, τα χλαμύδια ή οι μύκητες, σε φυσική κατάσταση, ενισχυμένη ή τροποποιημένη, είτε υπό μορφή μεμονωμένων ζωντανών καλλιεργειών είτε ως υλικό το οποίο περιλαμβάνει ζωντανό υλικό που έχει εκουσίως εμβολιαστεί ή μολυνθεί από τις καλλιέργειες αυτές. |
| --- | --- |

"Μικροοργανισμοί" (1 2) είναι τα βακτηρίδια, οι ιοί, τα μυκοπλάσματα, τα ρικέτσια, τα χλαμύδια ή οι μύκητες, σε φυσική κατάσταση, ενισχυμένη ή τροποποιημένη, είτε υπό μορφή μεμονωμένων ζωντανών καλλιεργειών είτε ως υλικό το οποίο περιλαμβάνει ζωντανό υλικό που έχει εκουσίως εμβολιαστεί ή μολυνθεί από τις καλλιέργειες αυτές.

| | "Μονόκλωνο νήμα" (1) ή νήμα είναι η μικρότερη μονάδα ίνας, συνήθως διαμέτρου αρκετών μικρών. |
| --- | --- |

"Μονόκλωνο νήμα" (1) ή νήμα είναι η μικρότερη μονάδα ίνας, συνήθως διαμέτρου αρκετών μικρών.

| | "Μονολιθικά υποστρώματα" (6) είναι μονολιθικά υλικά (ενώσεις) με κατάλληλες διαστάσεις για την παραγωγή οπτικών στοιχείων όπως είναι κάτοπτρα ή φακοί. |
| --- | --- |

"Μονολιθικά υποστρώματα" (6) είναι μονολιθικά υλικά (ενώσεις) με κατάλληλες διαστάσεις για την παραγωγή οπτικών στοιχείων όπως είναι κάτοπτρα ή φακοί.

| | "Μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα" (3) είναι συνδυασμός ενεργών ή παθητικών "στοιχείων κυκλώματος" ή και των δύο, τα οποία:






  α. | Κατασκευάζονται με τη βοήθεια διεργασιών που βασίζονται στη διάχυση, την εμφύτευση ή την εναπόθεση εντός ή επί ενός πλακιδίου ημιαγωγού υλικού που ονομάζεται "τσιπ", |
| --- | --- | --- |

"Μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα" (3) είναι συνδυασμός ενεργών ή παθητικών "στοιχείων κυκλώματος" ή και των δύο, τα οποία:

α.

Κατασκευάζονται με τη βοήθεια διεργασιών που βασίζονται στη διάχυση, την εμφύτευση ή την εναπόθεση εντός ή επί ενός πλακιδίου ημιαγωγού υλικού που ονομάζεται "τσιπ",

| β. | Είναι δυνατόν να θεωρηθούν ως άρρηκτα συνδεδεμένα και |
| --- | --- |

β.

Είναι δυνατόν να θεωρηθούν ως άρρηκτα συνδεδεμένα και

| γ. | Επιτελούν την(τις) λειτουργία(ες) ενός κυκλώματος. |
| --- | --- |

γ.

Επιτελούν την(τις) λειτουργία(ες) ενός κυκλώματος.

ΣΗΜ.:"Στοιχείο κυκλώματος": ένα μεμονωμένο ενεργητικό ή παθητικό λειτουργικό μέρος ηλεκτρονικού κυκλώματος, όπως δίοδος, τρανζίστορ, αντίσταση ή ένας πυκνωτής κ.λπ.

| | "Μονοφασματικοί αισθητήρες εικόνας" (6) είναι ικανοί να εκτελούν λήψη δεδομένων εικόνας από μία διακριτή ζώνη φάσματος. |
| --- | --- |

"Μονοφασματικοί αισθητήρες εικόνας" (6) είναι ικανοί να εκτελούν λήψη δεδομένων εικόνας από μία διακριτή ζώνη φάσματος.

| | "Μόνωση" (9) χρησιμοποιείται στα κατασκευαστικά μέρη ενός κινητήρα πυραύλου δηλαδή το περίβλημα, το ακροφύσιο, τις εισόδους, τα καλύμματα του περιβλήματος και περιλαμβάνει βουλκανισμένο ή ημιβουλκανισμένο σύμμικτο ελαστικό υπό μορφή φύλλων το οποίο περιλαμβάνει μονωτικό ή αντιπυρικό υλικό. Χρησιμοποιείται επίσης για τη μείωση των εντάσεων στα πτερύγια. |
| --- | --- |

"Μόνωση" (9) χρησιμοποιείται στα κατασκευαστικά μέρη ενός κινητήρα πυραύλου δηλαδή το περίβλημα, το ακροφύσιο, τις εισόδους, τα καλύμματα του περιβλήματος και περιλαμβάνει βουλκανισμένο ή ημιβουλκανισμένο σύμμικτο ελαστικό υπό μορφή φύλλων το οποίο περιλαμβάνει μονωτικό ή αντιπυρικό υλικό. Χρησιμοποιείται επίσης για τη μείωση των εντάσεων στα πτερύγια.

| | "Νευρωνικός υπολογιστής" (4) είναι μια υπολογιστική διάταξη που έχει σχεδιαστεί ή μετασκευαστεί ώστε να μιμείται τη συμπεριφορά ενός νευρώνα ή ενός συνόλου νευρώνων, δηλαδή μια υπολογιστική διάταξη η οποία διακρίνεται λόγω της ικανότητας του υλικού να διαμορφώνει το βάρος και τις διασυνδέσεις μιας πληθώρας υπολογιστικών στοιχείων που βασίζονται σε προηγούμενα δεδομένα. |
| --- | --- |

"Νευρωνικός υπολογιστής" (4) είναι μια υπολογιστική διάταξη που έχει σχεδιαστεί ή μετασκευαστεί ώστε να μιμείται τη συμπεριφορά ενός νευρώνα ή ενός συνόλου νευρώνων, δηλαδή μια υπολογιστική διάταξη η οποία διακρίνεται λόγω της ικανότητας του υλικού να διαμορφώνει το βάρος και τις διασυνδέσεις μιας πληθώρας υπολογιστικών στοιχείων που βασίζονται σε προηγούμενα δεδομένα.

| | "Νήμα" (1) είναι μια δέσμη περιελιγμένων "εμβόλων".


  ΣΗΜ.:"Έμβολο" είναι δέσμη "μονοκλώνων νημάτων" (τυπικά άνω των 200) με περίπου παράλληλη διάταξη. |
| --- | --- |

"Νήμα" (1) είναι μια δέσμη περιελιγμένων "εμβόλων".

ΣΗΜ.:"Έμβολο" είναι δέσμη "μονοκλώνων νημάτων" (τυπικά άνω των 200) με περίπου παράλληλη διάταξη.

| | "Όλες οι διαθέσιμες αντισταθμίσεις" (2) σημαίνει μετά την εξέταση όλων των εφικτών μέτρων που έχει στη διάθεσή του ο κατασκευαστής για να ελαχιστοποιήσει όλα τα συστηματικά σφάλματα τοποθέτησης για τη συγκεκριμένη θεωρούμενη εργαλειομηχανή. |
| --- | --- |

"Όλες οι διαθέσιμες αντισταθμίσεις" (2) σημαίνει μετά την εξέταση όλων των εφικτών μέτρων που έχει στη διάθεσή του ο κατασκευαστής για να ελαχιστοποιήσει όλα τα συστηματικά σφάλματα τοποθέτησης για τη συγκεκριμένη θεωρούμενη εργαλειομηχανή.

| | "Ολική πυκνότητα εντάσεως" (3) είναι ο συνολικός αριθμός αμπερο-σπειρών ενός πηνίου (δηλαδή το σύνολο του αριθμού των σπειρών πολλαπλασιαζόμενο επί την μέγιστη ένταση σε κάθε σπείρα και διαιρούμενο δια της ολικής διατομής του πηνίου, όπου περιλαμβάνονται οι υπεραγώγιμες ίνες, το μεταλλικό υλικό στο οποίο είναι ενσωματωμένες οι υπεραγώγιμες ίνες, το υλικό του περιβλήματος, οι τυχόν ψυκτικοί δίαυλοι κ.λπ.). |
| --- | --- |

"Ολική πυκνότητα εντάσεως" (3) είναι ο συνολικός αριθμός αμπερο-σπειρών ενός πηνίου (δηλαδή το σύνολο του αριθμού των σπειρών πολλαπλασιαζόμενο επί την μέγιστη ένταση σε κάθε σπείρα και διαιρούμενο δια της ολικής διατομής του πηνίου, όπου περιλαμβάνονται οι υπεραγώγιμες ίνες, το μεταλλικό υλικό στο οποίο είναι ενσωματωμένες οι υπεραγώγιμες ίνες, το υλικό του περιβλήματος, οι τυχόν ψυκτικοί δίαυλοι κ.λπ.).

| | "Ολοκληρωμένο κύκλωμα περισσοτέρων τσιπ" (3) είναι δύο ή περισσότερα "μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα" συνενωμένα σε ένα κοινό "υπόβαθρο". |
| --- | --- |

"Ολοκληρωμένο κύκλωμα περισσοτέρων τσιπ" (3) είναι δύο ή περισσότερα "μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα" συνενωμένα σε ένα κοινό "υπόβαθρο".

| | "Ολοκληρωμένο κύκλωμα τύπου υμενίου" (3) είναι μια διάταξη "στοιχείων κυκλώματος" και μεταλλικών διασυνδέσεων η οποία κατασκευάζεται με απόθεση μιας μεμβράνης μεγάλου ή μικρού πάχους σε ένα μονωτικό "υπόβαθρο".


  ΣΗΜ.:"Στοιχείο κυκλώματος": ένα ενεργητικό ή παθητικό λειτουργικό μέρος ενός ηλεκτρονικού κυκλώματος, όπως είναι μια δίοδος, ένα τρανζίστορ, μια αντίσταση, ένας πυκνωτής κ.λπ. |
| --- | --- |

"Ολοκληρωμένο κύκλωμα τύπου υμενίου" (3) είναι μια διάταξη "στοιχείων κυκλώματος" και μεταλλικών διασυνδέσεων η οποία κατασκευάζεται με απόθεση μιας μεμβράνης μεγάλου ή μικρού πάχους σε ένα μονωτικό "υπόβαθρο".

ΣΗΜ.:"Στοιχείο κυκλώματος": ένα ενεργητικό ή παθητικό λειτουργικό μέρος ενός ηλεκτρονικού κυκλώματος, όπως είναι μια δίοδος, ένα τρανζίστορ, μια αντίσταση, ένας πυκνωτής κ.λπ.

| | "Οπτική ενίσχυση" (5) στις οπτικές επικοινωνίες είναι η τεχνική με την οποία επιτυγχάνεται η ενίσχυση των οπτικών σημάτων που παράγονται από μια χωριστή πηγή χωρίς να μετατρέπονται αυτά σε ηλεκτρικά σήματα, δηλαδή χρησιμοποιώντας ημιαγωγούς ενισχυτές οπτικών σημάτων, και ενισχυτές φωταύγειας οπτικών ινών. |
| --- | --- |

"Οπτική ενίσχυση" (5) στις οπτικές επικοινωνίες είναι η τεχνική με την οποία επιτυγχάνεται η ενίσχυση των οπτικών σημάτων που παράγονται από μια χωριστή πηγή χωρίς να μετατρέπονται αυτά σε ηλεκτρικά σήματα, δηλαδή χρησιμοποιώντας ημιαγωγούς ενισχυτές οπτικών σημάτων, και ενισχυτές φωταύγειας οπτικών ινών.

| | "Οπτική μεταγωγή" (5) είναι η δρομολήγηση ή η μεταγωγή οπτικών σημάτων χωρίς τη μετατροπή τους σε ηλεκτρικά σήματα. |
| --- | --- |

"Οπτική μεταγωγή" (5) είναι η δρομολήγηση ή η μεταγωγή οπτικών σημάτων χωρίς τη μετατροπή τους σε ηλεκτρικά σήματα.

| | "Οπτικό ολοκληρωμένο κύκλωμα" (3) είναι ένα "μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα" ή ένα "υβριδικό ολοκληρωμένο κύκλωμα", το οποίο περιέχει ένα ή περισσότερα μέρη προοριζόμενα να λειτουργήσουν ως φωτοαισθητήρας ή φωτοπομπός ή για να επιτελέσουν μια ή περισσότερες οπτικές ή ηλεκτροοπτικές λειτουργίες. |
| --- | --- |

"Οπτικό ολοκληρωμένο κύκλωμα" (3) είναι ένα "μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα" ή ένα "υβριδικό ολοκληρωμένο κύκλωμα", το οποίο περιέχει ένα ή περισσότερα μέρη προοριζόμενα να λειτουργήσουν ως φωτοαισθητήρας ή φωτοπομπός ή για να επιτελέσουν μια ή περισσότερες οπτικές ή ηλεκτροοπτικές λειτουργίες.

| | "Οπτικός υπολογιστής" (4) είναι ένας υπολογιστής που έχει σχεδιαστεί ή μετασκευαστεί ώστε να χρησιμοποιεί φωτεινά σήματα για το συμβολισμό δεδομένων και του οποίου τα στοιχεία λογικής επεξεργασίας βασίζονται σε απ’ ευθείας συνδεδεμένες οπτικές διατάξεις. |
| --- | --- |

"Οπτικός υπολογιστής" (4) είναι ένας υπολογιστής που έχει σχεδιαστεί ή μετασκευαστεί ώστε να χρησιμοποιεί φωτεινά σήματα για το συμβολισμό δεδομένων και του οποίου τα στοιχεία λογικής επεξεργασίας βασίζονται σε απ’ ευθείας συνδεδεμένες οπτικές διατάξεις.

| | "Παραγωγή" (GTN όλες οι φάσεις) είναι όλες οι φάσεις παραγωγής όπως: κατασκευή, μηχανολογική μελέτη, βιομηχανική παραγωγή, ολοκλήρωση, συναρμολόγηση, έλεγχος, δοκιμή, διασφάλιση της ποιότητας. |
| --- | --- |

"Παραγωγή" (GTN όλες οι φάσεις) είναι όλες οι φάσεις παραγωγής όπως: κατασκευή, μηχανολογική μελέτη, βιομηχανική παραγωγή, ολοκλήρωση, συναρμολόγηση, έλεγχος, δοκιμή, διασφάλιση της ποιότητας.

| | "Παραμορφώσιμα κάτοπτρα" (6) (γνωστά επίσης και ως προσαρμόσιμα οπτικά κάτοπτρα) είναι τα κάτοπτρα που διαθέτουν:






  α. | Μία συνεχή οπτική αντανακλώσα επιφάνεια, η οποία παραμορφώνεται δυναμικά με την εξάσκηση ροπών ή δυνάμεων ώστε να αντισταθμίζονται παραμορφώσεις του οπτικού κύματος που προσπίπτει επί του κατόπτρου, ή |
| --- | --- | --- |

"Παραμορφώσιμα κάτοπτρα" (6) (γνωστά επίσης και ως προσαρμόσιμα οπτικά κάτοπτρα) είναι τα κάτοπτρα που διαθέτουν:

α.

Μία συνεχή οπτική αντανακλώσα επιφάνεια, η οποία παραμορφώνεται δυναμικά με την εξάσκηση ροπών ή δυνάμεων ώστε να αντισταθμίζονται παραμορφώσεις του οπτικού κύματος που προσπίπτει επί του κατόπτρου, ή

| β. | Πολλαπλά οπτικά αντανακλώντα στοιχεία τα οποία μπορούν να αναδιατάσσονται χωριστά και δυναμικά με την εξάσκηση ροπών ή δυνάμεων, ώστε να αντισταθμίζονται παραμορφώσεις του οπτικού κύματος που προσπίπτει επί του κατόπτρου. |
| --- | --- |

β.

Πολλαπλά οπτικά αντανακλώντα στοιχεία τα οποία μπορούν να αναδιατάσσονται χωριστά και δυναμικά με την εξάσκηση ροπών ή δυνάμεων, ώστε να αντισταθμίζονται παραμορφώσεις του οπτικού κύματος που προσπίπτει επί του κατόπτρου.

| | "Περιδίνηση τήγματος" (1) είναι η διαδικασία με την οποία επιτυγχάνεται η "ταχεία στερεοποίηση" δέσμης τηγμένου μετάλλου η οποία προσπίπτει σε περιστρεφόμενο ψυχόμενο κύλινδρο και μετατρέπεται σε ένα προϊόν που έχει τη μορφή φολίδων, λωρίδων ή ράβδων.


  ΣΗΜ.:"Ταχεία στερεοποίηση": στερεοποίηση τηγμένου μετάλλου με ρυθμούς ψύξεως άνω των 1 000 K/sec. |
| --- | --- |

"Περιδίνηση τήγματος" (1) είναι η διαδικασία με την οποία επιτυγχάνεται η "ταχεία στερεοποίηση" δέσμης τηγμένου μετάλλου η οποία προσπίπτει σε περιστρεφόμενο ψυχόμενο κύλινδρο και μετατρέπεται σε ένα προϊόν που έχει τη μορφή φολίδων, λωρίδων ή ράβδων.

ΣΗΜ.:"Ταχεία στερεοποίηση": στερεοποίηση τηγμένου μετάλλου με ρυθμούς ψύξεως άνω των 1 000 K/sec.

| | "Περιοχή ενδείξεων" (6) είναι το προδιαγεγραμμένο πεδίο ευκρινών ενδείξεων ενός ραντάρ. |
| --- | --- |

"Περιοχή ενδείξεων" (6) είναι το προδιαγεγραμμένο πεδίο ευκρινών ενδείξεων ενός ραντάρ.

| | "Πηγαίος κώδικας" (ή πρωτογενής γλώσσα) (4 6 7 9) είναι ένας εύχρηστος χαρακτηρισμός μιας ή περισσοτέρων διαδικασιών οι οποίες είναι δυνατό να μετασχηματισθούν από ένα σύστημα προγραμματισμού σε μια μορφή εκτελέσιμη από υπολογιστή ("καταληκτικός κώδικας" (ή καταληκτική γλώσσα). |
| --- | --- |

"Πηγαίος κώδικας" (ή πρωτογενής γλώσσα) (4 6 7 9) είναι ένας εύχρηστος χαρακτηρισμός μιας ή περισσοτέρων διαδικασιών οι οποίες είναι δυνατό να μετασχηματισθούν από ένα σύστημα προγραμματισμού σε μια μορφή εκτελέσιμη από υπολογιστή ("καταληκτικός κώδικας" (ή καταληκτική γλώσσα).

| | "Πλήρης έλεγχος πτήσης" (7) είναι πλήρης έλεγχος των μεταβλητών της κατάστασης του αεροσκάφους και του ίχνους πτήσης για την αντιμετώπιση στόχων της αποστολής του, που ανταποκρίνονται σε αλλαγές σε πραγματικό χρόνο στοιχείων σχετικά με τους στόχους, τους κινδύνους ή άλλα "αεροσκάφη". |
| --- | --- |

"Πλήρης έλεγχος πτήσης" (7) είναι πλήρης έλεγχος των μεταβλητών της κατάστασης του αεροσκάφους και του ίχνους πτήσης για την αντιμετώπιση στόχων της αποστολής του, που ανταποκρίνονται σε αλλαγές σε πραγματικό χρόνο στοιχείων σχετικά με τους στόχους, τους κινδύνους ή άλλα "αεροσκάφη".

| | "Πολιτικά αεροσκάφη" (1 7 9) είναι τα αεροσκάφη που περιλαμβάνονται, κατόπιν δηλώσεως, σε δημοσιευμένους καταλόγους πτητικής ικανότητας από τις αρχές της πολιτικής αεροπορίας για να χρησιμοποιηθούν σε εμπορικά εσωτερικά και εξωτερικά δρομολόγια ή για κάθε νόμιμη μη στρατιωτική, ιδιωτική ή εμπορική χρήση.


  ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης "αεροσκάφη". |
| --- | --- |

"Πολιτικά αεροσκάφη" (1 7 9) είναι τα αεροσκάφη που περιλαμβάνονται, κατόπιν δηλώσεως, σε δημοσιευμένους καταλόγους πτητικής ικανότητας από τις αρχές της πολιτικής αεροπορίας για να χρησιμοποιηθούν σε εμπορικά εσωτερικά και εξωτερικά δρομολόγια ή για κάθε νόμιμη μη στρατιωτική, ιδιωτική ή εμπορική χρήση.

ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης "αεροσκάφη".

| | "Πολυφασματικοί αισθητήρες εικόνας" (6) είναι ικανοί να εκτελούν ταυτόχρονη ή σειριακή λήψη δεδομένων εικόνας από δύο ή περισσότερες διακριτές ζώνες φάσματος. Οι αισθητήρες που έχουν περισσότερες από 20 διακριτές ζώνες φάσματος ονομάζονται ορισμένες φορές υπερφασματικοί αισθητήρες εικόνας. |
| --- | --- |

"Πολυφασματικοί αισθητήρες εικόνας" (6) είναι ικανοί να εκτελούν ταυτόχρονη ή σειριακή λήψη δεδομένων εικόνας από δύο ή περισσότερες διακριτές ζώνες φάσματος. Οι αισθητήρες που έχουν περισσότερες από 20 διακριτές ζώνες φάσματος ονομάζονται ορισμένες φορές υπερφασματικοί αισθητήρες εικόνας.

| | "Πόλωση" (μετρητής επιτάχυνσης) (7) είναι το σήμα εξόδου ενός μετρητή επιτάχυνσης όταν η εφαρμοζόμενη επιτάχυνση είναι μηδενική. |
| --- | --- |

"Πόλωση" (μετρητής επιτάχυνσης) (7) είναι το σήμα εξόδου ενός μετρητή επιτάχυνσης όταν η εφαρμοζόμενη επιτάχυνση είναι μηδενική.

| | "Πρόγραμμα" (2 6) είναι μια αλληλουχία εντολών για την διεξαγωγή μιας διαδικασίας, υπό μορφή εκτελέσιμη από ηλεκτρονικό υπολογιστή ή μετατρέψιμη σε εκτελέσιμη μορφή. |
| --- | --- |

"Πρόγραμμα" (2 6) είναι μια αλληλουχία εντολών για την διεξαγωγή μιας διαδικασίας, υπό μορφή εκτελέσιμη από ηλεκτρονικό υπολογιστή ή μετατρέψιμη σε εκτελέσιμη μορφή.

| | "Προηγουμένως διαχωρισμένο" (0 1) είναι η εφαρμογή μιας διαδικασίας που αποβλέπει στην αύξηση της συγκέντρωσης ενός ελεγχομένου ισοτόπου. |
| --- | --- |

"Προηγουμένως διαχωρισμένο" (0 1) είναι η εφαρμογή μιας διαδικασίας που αποβλέπει στην αύξηση της συγκέντρωσης ενός ελεγχομένου ισοτόπου.

| | "Προπλάσματα ανθρακικών ινών" (1) είναι μια τακτική διάταξη ανεπικάλυπτων ή επικαλυμμένων ινών που προορίζεται να αποτελέσει πλαίσιο μέρους προτού εισαχθεί η "μήτρα" για να σχηματισθεί "σύνθετο υλικό". |
| --- | --- |

"Προπλάσματα ανθρακικών ινών" (1) είναι μια τακτική διάταξη ανεπικάλυπτων ή επικαλυμμένων ινών που προορίζεται να αποτελέσει πλαίσιο μέρους προτού εισαχθεί η "μήτρα" για να σχηματισθεί "σύνθετο υλικό".

| | "Προσωπική έξυπνη κάρτα" (5) είναι μια έξυπνη κάρτα που περιέχει ένα μικροκύκλωμα το οποίο έχει προγραμματιστεί για συγκεκριμένη εφαρμογή και δεν είναι δυνατό να επαναπρογραμματιστεί για οιαδήποτε άλλη εφαρμογή από τον χρήστη. |
| --- | --- |

"Προσωπική έξυπνη κάρτα" (5) είναι μια έξυπνη κάρτα που περιέχει ένα μικροκύκλωμα το οποίο έχει προγραμματιστεί για συγκεκριμένη εφαρμογή και δεν είναι δυνατό να επαναπρογραμματιστεί για οιαδήποτε άλλη εφαρμογή από τον χρήστη.

| | "Πυρηνικός αντιδραστήρας" (0) είναι το σύνολο των διατάξεων που βρίσκονται εντός ή είναι απ’ ευθείας προσαρμοσμένες στον λέβητα του αντιδραστήρα, ο εξοπλισμός ο οποίος ρυθμίζει την στάθμη ισχύος στον πυρήνα, και τα κατασκευαστικά μέρη τα οποία κανονικά περιλαμβάνουν, έρχονται σε απ’ ευθείας επαφή ή ρυθμίζουν το πρωτεύον ψυκτικό μέσο στον πυρήνα του αντιδραστήρα. |
| --- | --- |

"Πυρηνικός αντιδραστήρας" (0) είναι το σύνολο των διατάξεων που βρίσκονται εντός ή είναι απ’ ευθείας προσαρμοσμένες στον λέβητα του αντιδραστήρα, ο εξοπλισμός ο οποίος ρυθμίζει την στάθμη ισχύος στον πυρήνα, και τα κατασκευαστικά μέρη τα οποία κανονικά περιλαμβάνουν, έρχονται σε απ’ ευθείας επαφή ή ρυθμίζουν το πρωτεύον ψυκτικό μέσο στον πυρήνα του αντιδραστήρα.

| | Ραντάρ "διεύρυνσης φάσματος" (6) — βλ. "Διεύρυνση φάσματος ραντάρ". |
| --- | --- |

Ραντάρ "διεύρυνσης φάσματος" (6) — βλ. "Διεύρυνση φάσματος ραντάρ".

| | "Ρυθμός αποκλίσεως" (gyro) (7) είναι ο χρονορυθμός της αποκλίσεως των δεδομένων εξόδου από τα επιθυμητά δεδομένα εξόδου. Περιλαμβάνει τυχαίες και συστηματικές συνιστώσες και εκφράζεται σε ισοδύναμη γωνιακή απόκλιση των δεδομένων εισόδου ανά μονάδα χρόνου ως προς τον αδρανειακό χώρο. |
| --- | --- |

"Ρυθμός αποκλίσεως" (gyro) (7) είναι ο χρονορυθμός της αποκλίσεως των δεδομένων εξόδου από τα επιθυμητά δεδομένα εξόδου. Περιλαμβάνει τυχαίες και συστηματικές συνιστώσες και εκφράζεται σε ισοδύναμη γωνιακή απόκλιση των δεδομένων εισόδου ανά μονάδα χρόνου ως προς τον αδρανειακό χώρο.

| | "Ρυθμός μεταβίβασης ψηφιακών δεδομένων" είναι ο συνολικός ρυθμός σε bit της πληροφορίας που μεταβιβάζεται απευθείας με οποιοδήποτε μέσον.


  ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης "συνολικός ρυθμός μεταβίβασης ψηφιακών πληροφοριών". |
| --- | --- |

"Ρυθμός μεταβίβασης ψηφιακών δεδομένων" είναι ο συνολικός ρυθμός σε bit της πληροφορίας που μεταβιβάζεται απευθείας με οποιοδήποτε μέσον.

ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης "συνολικός ρυθμός μεταβίβασης ψηφιακών πληροφοριών".

| | "Ρομπότ" (2 8) είναι ένας μηχανισμός χειρισμού συνεχούς ή ασυνεχούς τροχιάς, ο οποίος ενδέχεται να χρησιμοποιεί αισθητήρες και ο οποίος έχει όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Είναι πολυλειτουργικός, |
| --- | --- | --- |

"Ρομπότ" (2 8) είναι ένας μηχανισμός χειρισμού συνεχούς ή ασυνεχούς τροχιάς, ο οποίος ενδέχεται να χρησιμοποιεί αισθητήρες και ο οποίος έχει όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Είναι πολυλειτουργικός,

| β. | Είναι σε θέση να τοποθετεί ή να προσανατολίζει ειδικά, κατασκευαστικά τμήματα, εργαλεία ή ειδικές διατάξεις με τη βοήθεια μεταβλητών κινήσεων στον τρισδιάστατο χώρο, |
| --- | --- |

β.

Είναι σε θέση να τοποθετεί ή να προσανατολίζει ειδικά, κατασκευαστικά τμήματα, εργαλεία ή ειδικές διατάξεις με τη βοήθεια μεταβλητών κινήσεων στον τρισδιάστατο χώρο,

| γ. | Ενσωματώνει τρεις ή περισσότερους σερβομηχανισμούς κλειστού ή ανοιχτού κυκλώματος στους οποίους ενδέχεται να περιλαμβάνονται κλιμακωτοί κινητήρες· και |
| --- | --- |

γ.

Ενσωματώνει τρεις ή περισσότερους σερβομηχανισμούς κλειστού ή ανοιχτού κυκλώματος στους οποίους ενδέχεται να περιλαμβάνονται κλιμακωτοί κινητήρες· και

| δ. | Διαθέτει "δυνατότητα προγραμματισμού από το χρήστη" με τη βοήθεια της μεθόδου "teach/playback" ή με τη βοήθεια ενός ηλεκτρονικού υπολογιστή που ενδέχεται να είναι μια προγραμματιζόμενη μονάδα λογικού ελέγχου, δηλαδή χωρίς μηχανική παρεμβολή. |
| --- | --- |

δ.

Διαθέτει "δυνατότητα προγραμματισμού από το χρήστη" με τη βοήθεια της μεθόδου "teach/playback" ή με τη βοήθεια ενός ηλεκτρονικού υπολογιστή που ενδέχεται να είναι μια προγραμματιζόμενη μονάδα λογικού ελέγχου, δηλαδή χωρίς μηχανική παρεμβολή.

ΣΗΜ.: Ο παραπάνω ορισμός δεν περιλαμβάνει τις ακόλουθες διατάξεις:

| 1. | Μηχανισμοί χειρισμού ελεγχόμενοι μόνον απ’ ευθείας από το χρήστη με τη βοήθεια τηλεχειριστή, |
| --- | --- |

1.

Μηχανισμοί χειρισμού ελεγχόμενοι μόνον απ’ ευθείας από το χρήστη με τη βοήθεια τηλεχειριστή,

| 2. | Μηχανισμοί χειρισμού καθορισμένης σειράς κινήσεων, οι οποίοι είναι διατάξεις που κινούνται αυτόματα και λειτουργούν σύμφωνα με μηχανικά καθοριζόμενες προγραμματισμένες κινήσεις. Το πρόγραμμα περιορίζεται μηχανικά με τη βοήθεια σταθερών διατάξεων, όπως ακίδων ή δοντιών. Η σειρά των κινήσεων και η επιλογή των τροχιών ή των γωνιών δεν είναι δυνατόν να κυμανθούν ή να μεταβληθούν μηχανικά, ηλεκτρονική ή ηλεκτρικά, |
| --- | --- |

2.

Μηχανισμοί χειρισμού καθορισμένης σειράς κινήσεων, οι οποίοι είναι διατάξεις που κινούνται αυτόματα και λειτουργούν σύμφωνα με μηχανικά καθοριζόμενες προγραμματισμένες κινήσεις. Το πρόγραμμα περιορίζεται μηχανικά με τη βοήθεια σταθερών διατάξεων, όπως ακίδων ή δοντιών. Η σειρά των κινήσεων και η επιλογή των τροχιών ή των γωνιών δεν είναι δυνατόν να κυμανθούν ή να μεταβληθούν μηχανικά, ηλεκτρονική ή ηλεκτρικά,

| 3. | Μηχανισμοί χειρισμού μεταβλητής σειράς κινήσεων οι οποίοι ελέγχονται μηχανικά και είναι διατάξεις που κινούνται αυτόματα και λειτουργούν σύμφωνα με μηχανικά καθοριζόμενες προγραμματισμένες κινήσεις. Το πρόγραμμα περιορίζεται μηχανικά με τη βοήθεια σταθερών αλλά ρυθμιζόμενων διατάξεων, όπως ακίδων ή δοντιών. Η σειρά των κινήσεων και επιλογή των τροχιών ή των γωνιών μεταβάλλονται εντός των σταθερών ορίων που καθορίζονται από το πρόγραμμα. Οι μεταβολές ή οι τροποποιήσεις του προγράμματος (π.χ. αλλαγές των ακίδων ή των δοντιών) σε ένα ή περισσότερους άξονες κινήσεως πραγματοποιούνται μόνο με μηχανικούς χειρισμούς, |
| --- | --- |

3.

Μηχανισμοί χειρισμού μεταβλητής σειράς κινήσεων οι οποίοι ελέγχονται μηχανικά και είναι διατάξεις που κινούνται αυτόματα και λειτουργούν σύμφωνα με μηχανικά καθοριζόμενες προγραμματισμένες κινήσεις. Το πρόγραμμα περιορίζεται μηχανικά με τη βοήθεια σταθερών αλλά ρυθμιζόμενων διατάξεων, όπως ακίδων ή δοντιών. Η σειρά των κινήσεων και επιλογή των τροχιών ή των γωνιών μεταβάλλονται εντός των σταθερών ορίων που καθορίζονται από το πρόγραμμα. Οι μεταβολές ή οι τροποποιήσεις του προγράμματος (π.χ. αλλαγές των ακίδων ή των δοντιών) σε ένα ή περισσότερους άξονες κινήσεως πραγματοποιούνται μόνο με μηχανικούς χειρισμούς,

| 4. | Μηχανισμοί χειρισμού μεταβλητής σειράς κινήσεων μη ελεγχόμενοι με τη βοήθεια σερβομηχανισμών, οι οποίοι είναι αυτόματα κινούμενες διατάξεις που εκτελούν μηχανικά καθοριζόμενες προγραμματισμένες κινήσεις. Το πρόγραμμα είναι δυνατό να μεταβληθεί αλλά η σειρά των κινήσεων κατευθύνεται από τα ψηφιακά σήματα που προέρχονται από μηχανικά καθοριζόμενες ηλεκτρικές δυαδικές διατάξεις ή ρυθμιζόμενες στάσεις, |
| --- | --- |

4.

Μηχανισμοί χειρισμού μεταβλητής σειράς κινήσεων μη ελεγχόμενοι με τη βοήθεια σερβομηχανισμών, οι οποίοι είναι αυτόματα κινούμενες διατάξεις που εκτελούν μηχανικά καθοριζόμενες προγραμματισμένες κινήσεις. Το πρόγραμμα είναι δυνατό να μεταβληθεί αλλά η σειρά των κινήσεων κατευθύνεται από τα ψηφιακά σήματα που προέρχονται από μηχανικά καθοριζόμενες ηλεκτρικές δυαδικές διατάξεις ή ρυθμιζόμενες στάσεις,

| 5. | Γερανοί στοιβασίας οριζόμενοι ως συστήματα χειρισμού, τριών βαθμών ελευθερίας, ενσωματωμένα σε μια κατακόρυφη σειρά δοχείων στοιβασίας, τα οποία επιτρέπουν την πρόσβαση στο εσωτερικό αυτών των δοχείων με σκοπό την αποθήκευση ή την ανάκτηση του περιεχομένου τους. |
| --- | --- |

5.

Γερανοί στοιβασίας οριζόμενοι ως συστήματα χειρισμού, τριών βαθμών ελευθερίας, ενσωματωμένα σε μια κατακόρυφη σειρά δοχείων στοιβασίας, τα οποία επιτρέπουν την πρόσβαση στο εσωτερικό αυτών των δοχείων με σκοπό την αποθήκευση ή την ανάκτηση του περιεχομένου τους.

| | "Σηματοδότηση μέσω κοινού διαύλου" (5) είναι η μέθοδος σηματοδότησης στην οποία ένα μόνο κανάλι μεταξύ δύο κόμβων μεταβιβάζει, μέσω μηνυμάτων με ετικέτα, πληροφορίες σηματοδότησης που αφορούν πληθώρα κυκλωμάτων ή συνδιαλέξεων και άλλες πληροφορίες όπως αυτές που χρησιμοποιούνται στη διαχείριση δικτύων. |
| --- | --- |

"Σηματοδότηση μέσω κοινού διαύλου" (5) είναι η μέθοδος σηματοδότησης στην οποία ένα μόνο κανάλι μεταξύ δύο κόμβων μεταβιβάζει, μέσω μηνυμάτων με ετικέτα, πληροφορίες σηματοδότησης που αφορούν πληθώρα κυκλωμάτων ή συνδιαλέξεων και άλλες πληροφορίες όπως αυτές που χρησιμοποιούνται στη διαχείριση δικτύων.

| | "Σταθερότητα" (7) είναι η τυπική απόκλιση (1 σ) της μεταβολής μιας συγκεκριμένης παραμέτρου από τη βαθμονομημένη τιμή της που μετριέται υπό σταθερές συνθήκες θερμοκρασίας. Η σταθερότητα είναι δυνατό να εκφραστεί ως συνάρτηση του χρόνου. |
| --- | --- |

"Σταθερότητα" (7) είναι η τυπική απόκλιση (1 σ) της μεταβολής μιας συγκεκριμένης παραμέτρου από τη βαθμονομημένη τιμή της που μετριέται υπό σταθερές συνθήκες θερμοκρασίας. Η σταθερότητα είναι δυνατό να εκφραστεί ως συνάρτηση του χρόνου.

| | "Στάθμη θορύβου" (6) είναι ένα ηλεκτρικό σήμα εκφραζόμενο σε φασματική πυκνότητα ισχύος. Η σχέση μεταξύ της "στάθμης θορύβου" εκφραζόμενης από κορυφή σε κορυφή δίδεται με τον τύπο S 2
  pp - 8Νο(f2 - f1), όπου Spp είναι η τιμή του σήματος από κορυφή σε κορυφή (π.χ. σε nanotesla), Νο είναι η φασματική πυκνότητα ισχύος (π.χ σε (nanotesla)2/Hz) και (f2 - f1) ορίζει το αφορώμενο εύρος ζώνης. |
| --- | --- |

"Στάθμη θορύβου" (6) είναι ένα ηλεκτρικό σήμα εκφραζόμενο σε φασματική πυκνότητα ισχύος. Η σχέση μεταξύ της "στάθμης θορύβου" εκφραζόμενης από κορυφή σε κορυφή δίδεται με τον τύπο S 2
  pp - 8Νο(f2 - f1), όπου Spp είναι η τιμή του σήματος από κορυφή σε κορυφή (π.χ. σε nanotesla), Νο είναι η φασματική πυκνότητα ισχύος (π.χ σε (nanotesla)2/Hz) και (f2 - f1) ορίζει το αφορώμενο εύρος ζώνης.

| | "Στεγανός" (5) σημαίνει ότι ο αλγόριθμος για την κωδικοποίηση ή την συμπύκνωση δεν επιδέχεται εξωγενείς παραμέτρους (π.χ κρυπτογραφικές μεταβλητές ή κλείδες) και δεν είναι δυνατό να τροποποιηθεί από το χρήστη. |
| --- | --- |

"Στεγανός" (5) σημαίνει ότι ο αλγόριθμος για την κωδικοποίηση ή την συμπύκνωση δεν επιδέχεται εξωγενείς παραμέτρους (π.χ κρυπτογραφικές μεταβλητές ή κλείδες) και δεν είναι δυνατό να τροποποιηθεί από το χρήστη.

| | "Στιγμιαίο εύρος ζώνης" (3 5 7) είναι το εύρος ζώνης στο οποίο η ισχύς εξόδου παραμένει σταθερή με ακρίβεια 3 db χωρίς ρύθμιση ή χωρίς την παρέμβαση άλλων λειτουργικών παραμέτρων. |
| --- | --- |

"Στιγμιαίο εύρος ζώνης" (3 5 7) είναι το εύρος ζώνης στο οποίο η ισχύς εξόδου παραμένει σταθερή με ακρίβεια 3 db χωρίς ρύθμιση ή χωρίς την παρέμβαση άλλων λειτουργικών παραμέτρων.

| | "Στοιχειώδες μαγνητόμετρο" (6) είναι ένας αυτοτελής αισθητήρας της κλίσεως του μαγνητικού πεδίου μαζί με τις σχετικές ηλεκτρονικές διατάξεις, του οποίου το σήμα εξόδου αποτελεί μέτρο της κλίσεως του μαγνητικού πεδίου.


  ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης "μαγνητόμετρο". |
| --- | --- |

"Στοιχειώδες μαγνητόμετρο" (6) είναι ένας αυτοτελής αισθητήρας της κλίσεως του μαγνητικού πεδίου μαζί με τις σχετικές ηλεκτρονικές διατάξεις, του οποίου το σήμα εξόδου αποτελεί μέτρο της κλίσεως του μαγνητικού πεδίου.

ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης "μαγνητόμετρο".

| | "Συγκόλληση μέσω διαχύσεως" (1 2 9) είναι η βασιζόμενη στη φυσική στερεού μοριακή συγκόλληση δύο τουλάχιστον διαφορετικών μετάλλων σε ένα ενιαίο σώμα όπου η αντοχή της συγκόλλησης είναι ίση με την αντοχή του ασθενέστερου μετάλλου. |
| --- | --- |

"Συγκόλληση μέσω διαχύσεως" (1 2 9) είναι η βασιζόμενη στη φυσική στερεού μοριακή συγκόλληση δύο τουλάχιστον διαφορετικών μετάλλων σε ένα ενιαίο σώμα όπου η αντοχή της συγκόλλησης είναι ίση με την αντοχή του ασθενέστερου μετάλλου.

| | "Σύμμειξη" (1) νοείται η νήμα προς νήμα ανάμειξη θερμοπλαστικών και ενισχυτικών ινών για την παραγωγή μίγματος ενισχυτικού υλικού και υλικού "βάσης" υπό την μορφή ινών. |
| --- | --- |

"Σύμμειξη" (1) νοείται η νήμα προς νήμα ανάμειξη θερμοπλαστικών και ενισχυτικών ινών για την παραγωγή μίγματος ενισχυτικού υλικού και υλικού "βάσης" υπό την μορφή ινών.

| | "Συμμετέχον κράτος" (7 9) είναι κάθε κράτος που συμμετέχει στη Ρύθμιση του Wassenaar (βλ. www.wassenaar.org). |
| --- | --- |

"Συμμετέχον κράτος" (7 9) είναι κάθε κράτος που συμμετέχει στη Ρύθμιση του Wassenaar (βλ. www.wassenaar.org).

| | "Συμμετρικός αλγόριθμος" (5) είναι ο κρυπτογραφικός αλγόριθμος που χρησιμοποιεί την ίδια κλείδα για την κρυπτογράφηση και την αποκρυπτογράφηση.


  ΣΗΜ.: Μια συνήθης χρήση "συμμετρικών αλγορίθμων" είναι η εμπιστευτικότητα των δεδομένων. |
| --- | --- |

"Συμμετρικός αλγόριθμος" (5) είναι ο κρυπτογραφικός αλγόριθμος που χρησιμοποιεί την ίδια κλείδα για την κρυπτογράφηση και την αποκρυπτογράφηση.

ΣΗΜ.: Μια συνήθης χρήση "συμμετρικών αλγορίθμων" είναι η εμπιστευτικότητα των δεδομένων.

| | "Συμπίεση παλμού" (6) είναι η κωδικοποίηση και η επεξεργασία ενός παλμού (σήματος) ραντάρ μεγάλης διαρκείας σε έναν παλμό βραχείας διαρκείας, διατηρώντας τα πλεονεκτήματα της υψηλής παλμικής ενέργειας. |
| --- | --- |

"Συμπίεση παλμού" (6) είναι η κωδικοποίηση και η επεξεργασία ενός παλμού (σήματος) ραντάρ μεγάλης διαρκείας σε έναν παλμό βραχείας διαρκείας, διατηρώντας τα πλεονεκτήματα της υψηλής παλμικής ενέργειας.

| | "Συνθετητής συχνότητας" (3) είναι κάθε πηγή συχνότητας ή γεννήτριας σημάτων, ανεξάρτητα από την τεχνική που χρησιμοποιείται, η οποία παρέχει μια ποικιλία ταυτόχρονων ή εναλλασσόμενων συχνοτήτων εξόδου, από μια ή περισσότερες εξόδους, οι οποίες ελέγχονται, παράγονται ή οδηγούνται από ένα μικρότερο αριθμό βασικών (master) συχνοτήτων ελέγχου. |
| --- | --- |

"Συνθετητής συχνότητας" (3) είναι κάθε πηγή συχνότητας ή γεννήτριας σημάτων, ανεξάρτητα από την τεχνική που χρησιμοποιείται, η οποία παρέχει μια ποικιλία ταυτόχρονων ή εναλλασσόμενων συχνοτήτων εξόδου, από μια ή περισσότερες εξόδους, οι οποίες ελέγχονται, παράγονται ή οδηγούνται από ένα μικρότερο αριθμό βασικών (master) συχνοτήτων ελέγχου.

| | "Σύνθετο υλικό" (1 2 6 8 9) είναι ένα "πλέγμα" και μία πρόσθετη φάση ή πρόσθετες φάσεις αποτελούμενες από σωματίδια, ινοκρυστάλλους, ίνες ή οποιονδήποτε συνδυασμό αυτών, των οποίων η παρουσία εξυπηρετεί ένα ή περισσότερους ειδικούς σκοπούς. |
| --- | --- |

"Σύνθετο υλικό" (1 2 6 8 9) είναι ένα "πλέγμα" και μία πρόσθετη φάση ή πρόσθετες φάσεις αποτελούμενες από σωματίδια, ινοκρυστάλλους, ίνες ή οποιονδήποτε συνδυασμό αυτών, των οποίων η παρουσία εξυπηρετεί ένα ή περισσότερους ειδικούς σκοπούς.

| | "Συνολική θεωρητική επίδοση" (CTP) (3 4) είναι μέτρο των υπολογιστικών επιδόσεων εκφρασμένων σε εκατομμύρια θεωρητικών πράξεων ανά δευτερόλεπτο (Mtops), το οποίο υπολογίζεται χρησιμοποιώντας την σύνθεση των "υπολογιστικών στοιχείων" ("ΥΣ").


  ΣΗΜ.: Βλέπε κατηγορία 4, Τεχνικό Έγγραφο. |
| --- | --- |

"Συνολική θεωρητική επίδοση" (CTP) (3 4) είναι μέτρο των υπολογιστικών επιδόσεων εκφρασμένων σε εκατομμύρια θεωρητικών πράξεων ανά δευτερόλεπτο (Mtops), το οποίο υπολογίζεται χρησιμοποιώντας την σύνθεση των "υπολογιστικών στοιχείων" ("ΥΣ").

ΣΗΜ.: Βλέπε κατηγορία 4, Τεχνικό Έγγραφο.

| | "Συνολικός ρυθμός ψηφιακής μετάδοσης" (5) είναι ο ρυθμός των bit, συμπεριλαμβανομένου και του κωδικού σύνδεσης, overhead κ.λπ. ανά μονάδα χρόνου ο οποίος διέρχεται μεταξύ των αντίστοιχων συσκευών σε ένα ψηφιακό σύστημα επικοινωνίας.


  ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης "ψηφιακός ρυθμός μετάδοσης". |
| --- | --- |

"Συνολικός ρυθμός ψηφιακής μετάδοσης" (5) είναι ο ρυθμός των bit, συμπεριλαμβανομένου και του κωδικού σύνδεσης, overhead κ.λπ. ανά μονάδα χρόνου ο οποίος διέρχεται μεταξύ των αντίστοιχων συσκευών σε ένα ψηφιακό σύστημα επικοινωνίας.

ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης "ψηφιακός ρυθμός μετάδοσης".

| | "Συντελεστής κλίμακας" (7) είναι ο λόγος της μεταβολής του μεγέθους εξόδου προς την μεταβολή του μεγέθους εισόδου το οποίο επιδιώκεται να μετρηθεί. Ο συντελεστής κλίμακας υπολογίζεται γενικά ως η κλίση της ευθείας που χαράσσεται με τη βοήθεια της μεθόδου των ελαχίστων τετραγώνων ώστε να προσαρμόζεται στα δεδομένα εισόδου-εξόδου τα οποία λαμβάνονται με την κυκλική μεταβολή των τιμών εισόδου εντός των ορίων μεταβολής των τιμών αυτών. |
| --- | --- |

"Συντελεστής κλίμακας" (7) είναι ο λόγος της μεταβολής του μεγέθους εξόδου προς την μεταβολή του μεγέθους εισόδου το οποίο επιδιώκεται να μετρηθεί. Ο συντελεστής κλίμακας υπολογίζεται γενικά ως η κλίση της ευθείας που χαράσσεται με τη βοήθεια της μεθόδου των ελαχίστων τετραγώνων ώστε να προσαρμόζεται στα δεδομένα εισόδου-εξόδου τα οποία λαμβάνονται με την κυκλική μεταβολή των τιμών εισόδου εντός των ορίων μεταβολής των τιμών αυτών.

| | "Συντονίσιμο" (6) είναι ένα λέιζερ το οποίο είναι ικανό να παράγει συνεχές σήμα εξόδου σε όλα τα μήκη κύματος ενός φάσματος περισσότερων αποδιεγέρσεων "λέιζερ". Ένα "λέιζερ" το οποίο εκπέμπει κατ’ επιλογή διάφορα διακεκριμένα μήκη κύματος (φασματικές γραμμές) εντός μιας αποδιεγέρσεως "λέιζερ" δεν θεωρείται ως "συντονίσιμο". |
| --- | --- |

"Συντονίσιμο" (6) είναι ένα λέιζερ το οποίο είναι ικανό να παράγει συνεχές σήμα εξόδου σε όλα τα μήκη κύματος ενός φάσματος περισσότερων αποδιεγέρσεων "λέιζερ". Ένα "λέιζερ" το οποίο εκπέμπει κατ’ επιλογή διάφορα διακεκριμένα μήκη κύματος (φασματικές γραμμές) εντός μιας αποδιεγέρσεως "λέιζερ" δεν θεωρείται ως "συντονίσιμο".

| | "Συστήματα εξουδετέρωσης ροπής με ρύθμιση ροής" (7) είναι συστήματα τα οποία χρησιμοποιούν ρεύμα αέρος που διέρχεται πάνω από αεροδυναμικές επιφάνειες για να αυξήσουν τις δυνάμεις που παράγονται από τις επιφάνειες αυτές. |
| --- | --- |

"Συστήματα εξουδετέρωσης ροπής με ρύθμιση ροής" (7) είναι συστήματα τα οποία χρησιμοποιούν ρεύμα αέρος που διέρχεται πάνω από αεροδυναμικές επιφάνειες για να αυξήσουν τις δυνάμεις που παράγονται από τις επιφάνειες αυτές.

| | "Συστοιχεία οπτικών αισθητήρων ελέγχου πτήσης" (7) είναι ένα δίκτυο διανεμημένων οπτικών αισθητήρων, που χρησιμοποιούν ακτίνες "laser", για την παροχή δεδομένων ελέγχου πτήσης σε πραγματικό χρόνο προς επεξεργασία επί του αεροσκάφους. |
| --- | --- |

"Συστοιχεία οπτικών αισθητήρων ελέγχου πτήσης" (7) είναι ένα δίκτυο διανεμημένων οπτικών αισθητήρων, που χρησιμοποιούν ακτίνες "laser", για την παροχή δεδομένων ελέγχου πτήσης σε πραγματικό χρόνο προς επεξεργασία επί του αεροσκάφους.

| | Συστήματα "πλοήγησης βάσει καταχωρημένων δεδομένων" ("DBRN") (7) είναι συστήματα που χρησιμοποιούν διάφορες πηγές προμετρηθέντων χαρτογραφικών δεδομένων για να παρέχουν ακριβείς πληροφορίες ναυσιπλοΐας υπό δυναμικές συνθήκες. Οι πηγές δεδομένων περιλαμβάνουν βαθυμετρικούς χάρτες, αστρονομικούς χάρτες, χάρτες βαρύτητας, μαγνητικούς χάρτες ή τρισδιάστατους γεωγραφικούς χάρτες. |
| --- | --- |

Συστήματα "πλοήγησης βάσει καταχωρημένων δεδομένων" ("DBRN") (7) είναι συστήματα που χρησιμοποιούν διάφορες πηγές προμετρηθέντων χαρτογραφικών δεδομένων για να παρέχουν ακριβείς πληροφορίες ναυσιπλοΐας υπό δυναμικές συνθήκες. Οι πηγές δεδομένων περιλαμβάνουν βαθυμετρικούς χάρτες, αστρονομικούς χάρτες, χάρτες βαρύτητας, μαγνητικούς χάρτες ή τρισδιάστατους γεωγραφικούς χάρτες.

| | "Συστολικός σύστοιχος υπολογιστής" (4) είναι ένας υπολογιστής όπου η ροή και η μετατροπή των δεδομένων ελέγχεται δυναμικά από το χρήστη σε επίπεδο λογικής πύλης. |
| --- | --- |

"Συστολικός σύστοιχος υπολογιστής" (4) είναι ένας υπολογιστής όπου η ροή και η μετατροπή των δεδομένων ελέγχεται δυναμικά από το χρήστη σε επίπεδο λογικής πύλης.

| | "Ταινία" (1) είναι ένα υλικό κατασκευασμένο από συμπεπλεγμένα ή μονής κατεύθυνσης "μονόκλωνα νήματα", "έμβολα", "rovings", "τίλματα" ή "νήματα" κ.λπ. συνήθως προεμποτισμένα με ρητίνη.


  ΣΗΜ.:"Έμβολο" είναι δέσμη "μονοκλώνων νημάτων" (τυπικά άνω των 200) με περίπου παράλληλη διάταξη. |
| --- | --- |

"Ταινία" (1) είναι ένα υλικό κατασκευασμένο από συμπεπλεγμένα ή μονής κατεύθυνσης "μονόκλωνα νήματα", "έμβολα", "rovings", "τίλματα" ή "νήματα" κ.λπ. συνήθως προεμποτισμένα με ρητίνη.

ΣΗΜ.:"Έμβολο" είναι δέσμη "μονοκλώνων νημάτων" (τυπικά άνω των 200) με περίπου παράλληλη διάταξη.

| | "Ταχεία βαφή" (1) είναι μια διαδικασία για την "ταχεία στερεοποίηση" ρέοντος τηγμένου μετάλλου το οποίο έρχεται σε επαφή με μια ψυχόμενη επιφάνεια όπου μετατρέπεται σε φολίδες.


  ΣΗΜ.:"Ταχεία στερεοποίηση": στερεοποίηση τηγμένου υλικού με ρυθμούς ψύξεως άνω των 1 000 Κ/sec. |
| --- | --- |

"Ταχεία βαφή" (1) είναι μια διαδικασία για την "ταχεία στερεοποίηση" ρέοντος τηγμένου μετάλλου το οποίο έρχεται σε επαφή με μια ψυχόμενη επιφάνεια όπου μετατρέπεται σε φολίδες.

ΣΗΜ.:"Ταχεία στερεοποίηση": στερεοποίηση τηγμένου υλικού με ρυθμούς ψύξεως άνω των 1 000 Κ/sec.

| | "Τεχνολογία" (GTN NTN όλα) είναι οι εξειδικευμένες πληροφορίες που απαιτούνται για την "ανάπτυξη", την "παραγωγή" ή τη "χρήση" προϊόντων. Οι πληροφορίες αυτές λαμβάνουν τη μορφή "τεχνικών δεδομένων" ή "τεχνικής βοήθειας".


  ΣΗΜ. 1: Η "τεχνική βοήθεια" είναι δυνατό να λάβει τη μορφή παροχής οδηγιών, ανάπτυξης ικανοτήτων, κατάρτισης, μετάδοσης επαγγελματικής πείρας και παροχής συμβουλών και να συνοδεύεται από τη μετάβαση "τεχνικών δεδομένων".



  ΣΗΜ. 2: Τα "τεχνικά δεδομένα" είναι δυνατό να λάβουν τη μορφή οδηγιών κατασκευής, σχεδίων, διαδρομών, μοντέλων, μαθηματικών τύπων, πινάκων, μηχανολογικών σχεδίων και προδιαγραφών, εγχειριδίων και οδηγιών υπό μορφή γραπτού κειμένου ή σε μαγνητική εγγραφή διάφορα μέσα ή διατάξεις όπως είναι οι μαγνητικοί δίσκοι, οι μαγνητοταινίες, οι μνήμες ROM. |
| --- | --- |

"Τεχνολογία" (GTN NTN όλα) είναι οι εξειδικευμένες πληροφορίες που απαιτούνται για την "ανάπτυξη", την "παραγωγή" ή τη "χρήση" προϊόντων. Οι πληροφορίες αυτές λαμβάνουν τη μορφή "τεχνικών δεδομένων" ή "τεχνικής βοήθειας".

ΣΗΜ. 1: Η "τεχνική βοήθεια" είναι δυνατό να λάβει τη μορφή παροχής οδηγιών, ανάπτυξης ικανοτήτων, κατάρτισης, μετάδοσης επαγγελματικής πείρας και παροχής συμβουλών και να συνοδεύεται από τη μετάβαση "τεχνικών δεδομένων".

ΣΗΜ. 2: Τα "τεχνικά δεδομένα" είναι δυνατό να λάβουν τη μορφή οδηγιών κατασκευής, σχεδίων, διαδρομών, μοντέλων, μαθηματικών τύπων, πινάκων, μηχανολογικών σχεδίων και προδιαγραφών, εγχειριδίων και οδηγιών υπό μορφή γραπτού κειμένου ή σε μαγνητική εγγραφή διάφορα μέσα ή διατάξεις όπως είναι οι μαγνητικοί δίσκοι, οι μαγνητοταινίες, οι μνήμες ROM.

| | "Τίλμα" (1) είναι μια δέσμη μονοκλώνων νημάτων, συνήθως περίπου παραλλήλων. |
| --- | --- |

"Τίλμα" (1) είναι μια δέσμη μονοκλώνων νημάτων, συνήθως περίπου παραλλήλων.

| | "Τοξίνες" (1 2) είναι οι τοξίνες υπό μορφή εκουσίως απομονωμένων σκευασμάτων ή μιγμάτων, ανεξάρτητα από τον τρόπο παρασκευής τους, στις οποίες δεν συμπεριλαμβάνονται οι τοξίνες οι οποίες περιέχονται ως μολυντικές προσμίξεις σε άλλα υλικά όπως παθολογικά δείγματα, φυτά, τρόφιμα ή σπόρια "μικροοργανισμών". |
| --- | --- |

"Τοξίνες" (1 2) είναι οι τοξίνες υπό μορφή εκουσίως απομονωμένων σκευασμάτων ή μιγμάτων, ανεξάρτητα από τον τρόπο παρασκευής τους, στις οποίες δεν συμπεριλαμβάνονται οι τοξίνες οι οποίες περιέχονται ως μολυντικές προσμίξεις σε άλλα υλικά όπως παθολογικά δείγματα, φυτά, τρόφιμα ή σπόρια "μικροοργανισμών".

| | "Τοπικό δίκτυο" (4) είναι ένα σύστημα μεταβίβασης δεδομένων το οποίο διαθέτει όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Επιτρέπει σε ένα τυχόντα αριθμό ανεξάρτητων "συσκευών δεδομένων" να επικοινωνούν απ’ ευθείας η μια με την άλλη, και |
| --- | --- | --- |

"Τοπικό δίκτυο" (4) είναι ένα σύστημα μεταβίβασης δεδομένων το οποίο διαθέτει όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Επιτρέπει σε ένα τυχόντα αριθμό ανεξάρτητων "συσκευών δεδομένων" να επικοινωνούν απ’ ευθείας η μια με την άλλη, και

| β. | Περιορίζεται σε μια γεωγραφική περιοχή μικρού μεγέθους (π.χ ένα κτίριο γραφείων, ένα εργοστάσιο, μια πανεπιστημιούπολη, μια αποθήκη). |
| --- | --- |

β.

Περιορίζεται σε μια γεωγραφική περιοχή μικρού μεγέθους (π.χ ένα κτίριο γραφείων, ένα εργοστάσιο, μια πανεπιστημιούπολη, μια αποθήκη).

ΣΗΜ.:"Πομποδέκτης δεδομένων": συσκευή ικανή να μεταβιβάζει ή να λαμβάνει ακολουθίες ψηφιακών πληροφοριών.

| | "Τράπεζα σύνθετης περιστροφής" (2) είναι μία επιφάνεια εργασίας που επιτρέπει την περιστροφή του κατεργαζόμενου τεμαχίου καθώς και την κλίση του γύρω από μη παράλληλους άξονες, οι οποίοι είναι δυνατό να συντονισθούν ταυτοχρόνως ώστε η κίνηση να ακολουθεί προκαθορισμένη τροχιά. |
| --- | --- |

"Τράπεζα σύνθετης περιστροφής" (2) είναι μία επιφάνεια εργασίας που επιτρέπει την περιστροφή του κατεργαζόμενου τεμαχίου καθώς και την κλίση του γύρω από μη παράλληλους άξονες, οι οποίοι είναι δυνατό να συντονισθούν ταυτοχρόνως ώστε η κίνηση να ακολουθεί προκαθορισμένη τροχιά.

| | "Υβριδικό ολοκληρωμένο κύκλωμα" (3) είναι κάθε συνδυασμός ολοκληρωμένου(ων) κυκλώματος(ων), ή κάθε ολοκληρωμένο κύκλωμα με "στοιχεία κυκλώματος" ή "διακριτά κατασκευαστικά μέρη" τα οποία συνδέονται μεταξύ τους για να επιτελέσουν συγκεκριμένη(ες) λειτουργία(ες) και τα οποία έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Περιλαμβάνουν τουλάχιστον μια μη ενθυλακωμένη διάταξη, |
| --- | --- | --- |

"Υβριδικό ολοκληρωμένο κύκλωμα" (3) είναι κάθε συνδυασμός ολοκληρωμένου(ων) κυκλώματος(ων), ή κάθε ολοκληρωμένο κύκλωμα με "στοιχεία κυκλώματος" ή "διακριτά κατασκευαστικά μέρη" τα οποία συνδέονται μεταξύ τους για να επιτελέσουν συγκεκριμένη(ες) λειτουργία(ες) και τα οποία έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Περιλαμβάνουν τουλάχιστον μια μη ενθυλακωμένη διάταξη,

| β. | Είναι συνδεδεμένα μεταξύ τους με τη βοήθεια των συνήθων μεθόδων παραγωγής ολοκληρωμένων κυκλωμάτων, |
| --- | --- |

β.

Είναι συνδεδεμένα μεταξύ τους με τη βοήθεια των συνήθων μεθόδων παραγωγής ολοκληρωμένων κυκλωμάτων,

| γ. | Είναι δυνατόν να αντικατασταθούν ως ενιαίο σύνολο, και |
| --- | --- |

γ.

Είναι δυνατόν να αντικατασταθούν ως ενιαίο σύνολο, και

| δ. | Κατά κανόνα δεν είναι δυνατό να αποσυναρμολογηθούν. |
| --- | --- |

δ.

Κατά κανόνα δεν είναι δυνατό να αποσυναρμολογηθούν.

ΣΗΜ. 1:"Στοιχείο κυκλώματος": ένα ενεργητικό ή παθητικό λειτουργικό μέρος ενός ηλεκτρονικού κυκλώματος, όπως μια δίοδος, ένα τρανζίστορ, μια αντίσταση, ένας πυκνωτής κ.λπ.

ΣΗΜ. 2:"Διακριτό κατασκευαστικό μέρος": ένα χωριστά συσκευασμένο "στοιχείο κυκλώματος" με τις δικές του εξωτερικές συνδέσεις.

| | "Υβριδικός υπολογιστής" (4) είναι κάθε διάταξη η οποία δύναται:






  α. | Να δέχεται δεδομένα, |
| --- | --- | --- |

"Υβριδικός υπολογιστής" (4) είναι κάθε διάταξη η οποία δύναται:

α.

Να δέχεται δεδομένα,

| β. | Να επεξεργάζεται δεδομένα, υπό αναλογική και υπό ψηφιακή μορφή, και |
| --- | --- |

β.

Να επεξεργάζεται δεδομένα, υπό αναλογική και υπό ψηφιακή μορφή, και

| γ. | Να παρέχει δεδομένα στην έξοδο. |
| --- | --- |

γ.

Να παρέχει δεδομένα στην έξοδο.

| | "Υδραυλική συμπίεση αμέσου επενεργείας" (2) είναι διαδικασία παραμόρφωσης στην οποία χρησιμοποιείται ένας εύκαμπτος ασκός γεμάτος υγρό ο οποίος έρχεται σε απευθείας επαφή με το κατεργαζόμενο υλικό. |
| --- | --- |

"Υδραυλική συμπίεση αμέσου επενεργείας" (2) είναι διαδικασία παραμόρφωσης στην οποία χρησιμοποιείται ένας εύκαμπτος ασκός γεμάτος υγρό ο οποίος έρχεται σε απευθείας επαφή με το κατεργαζόμενο υλικό.

| | "Υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση UF6" (0) μπορούν να είναι χαλκός, ανοξείδωτος χάλυβας, αλουμίνιο, οξείδιο αλουμινίου, κράματα αλουμινίου, νικέλιο ή κράμα νικελίου με περιεκτικότητα σε νικέλιο 60 % και άνω κατά βάρος, καθώς και πλήρως φθοριωμένα πολυμερή υδρογονανθράκων ανθεκτικά στο UF6, ανάλογα με το είδος διεργασίας διαχωρισμού. |
| --- | --- |

"Υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση UF6" (0) μπορούν να είναι χαλκός, ανοξείδωτος χάλυβας, αλουμίνιο, οξείδιο αλουμινίου, κράματα αλουμινίου, νικέλιο ή κράμα νικελίου με περιεκτικότητα σε νικέλιο 60 % και άνω κατά βάρος, καθώς και πλήρως φθοριωμένα πολυμερή υδρογονανθράκων ανθεκτικά στο UF6, ανάλογα με το είδος διεργασίας διαχωρισμού.

| | "Υπεραγώγιμα" (1 3 6 8) είναι υλικά, όπως μέταλλα, κράματα ή ενώσεις τα οποία παύουν να έχουν ηλεκτρική αντίσταση, δηλαδή τα οποία αποκτούν άπειρη ηλεκτρική αγωγιμότητα και είναι σε θέση να διοχετεύσουν πολύ υψηλές ηλεκτρικές εντάσεις χωρίς θερμικές απώλειες.


  ΣΗΜ.: Η "υπεραγώγιμη" κατάσταση ενός υλικού χαρακτηρίζεται από μια "κρίσιμη θερμοκρασία", ένα κρίσιμο μαγνητικό πεδίο, το οποίο είναι συνάρτηση της θερμοκρασίας, και μια κρίσιμη πυκνότητα εντάσεως η οποία είναι επίσης συνάρτηση του μαγνητικού πεδίου και της θερμοκρασίας. |
| --- | --- |

"Υπεραγώγιμα" (1 3 6 8) είναι υλικά, όπως μέταλλα, κράματα ή ενώσεις τα οποία παύουν να έχουν ηλεκτρική αντίσταση, δηλαδή τα οποία αποκτούν άπειρη ηλεκτρική αγωγιμότητα και είναι σε θέση να διοχετεύσουν πολύ υψηλές ηλεκτρικές εντάσεις χωρίς θερμικές απώλειες.

ΣΗΜ.: Η "υπεραγώγιμη" κατάσταση ενός υλικού χαρακτηρίζεται από μια "κρίσιμη θερμοκρασία", ένα κρίσιμο μαγνητικό πεδίο, το οποίο είναι συνάρτηση της θερμοκρασίας, και μια κρίσιμη πυκνότητα εντάσεως η οποία είναι επίσης συνάρτηση του μαγνητικού πεδίου και της θερμοκρασίας.

| | "Υπερκράματα" (2 9) είναι κράματα βασιζόμενα στο νικέλιο, το κοβάλτιο ή το σίδηρο, τα οποία έχουν ανώτερη αντοχή από οποιαδήποτε άλλα κράματα της σειράς ΑΙSI 300 σε θερμοκρασίες 922 Κ (649 °C) υπό δυσμενείς συνθήκες περιβάλλοντος και λειτουργίας. |
| --- | --- |

"Υπερκράματα" (2 9) είναι κράματα βασιζόμενα στο νικέλιο, το κοβάλτιο ή το σίδηρο, τα οποία έχουν ανώτερη αντοχή από οποιαδήποτε άλλα κράματα της σειράς ΑΙSI 300 σε θερμοκρασίες 922 Κ (649 °C) υπό δυσμενείς συνθήκες περιβάλλοντος και λειτουργίας.

| | "Υπερπλαστική μορφοποίηση" (1 2) είναι η θερμική διαμόρφωση μετάλλων των οποίων η επιμήκυνση θραύσης υπό κανονική θερμοκρασία είναι χαμηλή (κάτω του 20 %). Η θερμική διαμόρφωση έχει σκοπό να διπλασιάσει την επιμήκυνση αυτή. |
| --- | --- |

"Υπερπλαστική μορφοποίηση" (1 2) είναι η θερμική διαμόρφωση μετάλλων των οποίων η επιμήκυνση θραύσης υπό κανονική θερμοκρασία είναι χαμηλή (κάτω του 20 %). Η θερμική διαμόρφωση έχει σκοπό να διπλασιάσει την επιμήκυνση αυτή.

| | "Υποενότητα τοξίνης" (1) είναι ένα δομικά και λειτουργικά ανεξάρτητο δομικό στοιχείο μιας πλήρους "τοξίνης". |
| --- | --- |

"Υποενότητα τοξίνης" (1) είναι ένα δομικά και λειτουργικά ανεξάρτητο δομικό στοιχείο μιας πλήρους "τοξίνης".

| | "Υπολογιστικό στοιχείο" ("ΥΣ") (4) είναι η μικρότερη υπολογιστική μονάδα που παράγει ένα αριθμητικό ή λογικό αποτέλεσμα. |
| --- | --- |

"Υπολογιστικό στοιχείο" ("ΥΣ") (4) είναι η μικρότερη υπολογιστική μονάδα που παράγει ένα αριθμητικό ή λογικό αποτέλεσμα.

| | "Υπόστρωμα" (3) είναι ένα φύλλο υλικού που χρησιμεύει ως βάση, με ή χωρίς διασυνδέσεις, επί ή εντός του οποίου είναι δυνατό να τοποθετηθούν διακεκριμένα κατασκευαστικά στοιχεία ή ολοκληρωμένα κυκλώματα ή και τα δύο.


  ΣΗΜ. 1:"Διακεκριμένο κατασκευαστικό στοιχείο": είναι ένα στοιχείο κυκλώματος τοποθετημένο σε χωριστό περίβλημα με τις δικές του εξωτερικές συνδέσεις.



  ΣΗΜ. 2:"Στοιχείο κυκλώματος": ένα μεμονωμένο ενεργητικό ή παθητικό λειτουργικό μέρος ηλεκτρονικού κυκλώματος, όπως δίοδος, τρανζίστορ, αντίσταση ή ένας πυκνωτής κλπ. |
| --- | --- |

"Υπόστρωμα" (3) είναι ένα φύλλο υλικού που χρησιμεύει ως βάση, με ή χωρίς διασυνδέσεις, επί ή εντός του οποίου είναι δυνατό να τοποθετηθούν διακεκριμένα κατασκευαστικά στοιχεία ή ολοκληρωμένα κυκλώματα ή και τα δύο.

ΣΗΜ. 1:"Διακεκριμένο κατασκευαστικό στοιχείο": είναι ένα στοιχείο κυκλώματος τοποθετημένο σε χωριστό περίβλημα με τις δικές του εξωτερικές συνδέσεις.

ΣΗΜ. 2:"Στοιχείο κυκλώματος": ένα μεμονωμένο ενεργητικό ή παθητικό λειτουργικό μέρος ηλεκτρονικού κυκλώματος, όπως δίοδος, τρανζίστορ, αντίσταση ή ένας πυκνωτής κλπ.

| | "ΥΣ" ισοδυναμεί με "υπολογιστικά στοιχεία" |
| --- | --- |

"ΥΣ" ισοδυναμεί με "υπολογιστικά στοιχεία"

| | "Φυγοκεντρικός ψεκασμός" (1) είναι η διαδικασία για τη μετατροπή ρέοντος ή ηρεμούντος τηγμένου μετάλλου σε ψεκάδες διαμέτρου 500 μικρομέτρων δια φυγοκεντρίσεως. |
| --- | --- |

"Φυγοκεντρικός ψεκασμός" (1) είναι η διαδικασία για τη μετατροπή ρέοντος ή ηρεμούντος τηγμένου μετάλλου σε ψεκάδες διαμέτρου 500 μικρομέτρων δια φυγοκεντρίσεως.

| | "Φυσικό ουράνιο" (0) είναι το ουράνιο που περιέχει το μίγμα ισοτόπων που απαντά στη φύση. |
| --- | --- |

"Φυσικό ουράνιο" (0) είναι το ουράνιο που περιέχει το μίγμα ισοτόπων που απαντά στη φύση.

| | "Χημικό λέιζερ" (6) είναι το "λέιζερ" στο οποίο η διέγερση προκαλείται από την ενέργεια που εκλύεται από μία χημική αντίδραση. |
| --- | --- |

"Χημικό λέιζερ" (6) είναι το "λέιζερ" στο οποίο η διέγερση προκαλείται από την ενέργεια που εκλύεται από μία χημική αντίδραση.

| | "Χημικό μίγμα" (1) είναι ένα στερεό, υγρό ή αέριο προϊόν αποτελούμενο από δύο ή περισσότερα συστατικά που δεν αντιδρούν μεταξύ τους υπό τις συνθήκες αποθήκευσης του προϊόντος. |
| --- | --- |

"Χημικό μίγμα" (1) είναι ένα στερεό, υγρό ή αέριο προϊόν αποτελούμενο από δύο ή περισσότερα συστατικά που δεν αντιδρούν μεταξύ τους υπό τις συνθήκες αποθήκευσης του προϊόντος.

| | "Χρήση" (GTN NTN όλα) είναι η λειτουργία, εγκατάσταση (όπου περιλαμβάνεται η εγκατάσταση στον τόπο λειτουργίας), συντήρηση (έλεγχος), επιδιόρθωση, ανακαίνιση και επανεξοπλισμό. |
| --- | --- |

"Χρήση" (GTN NTN όλα) είναι η λειτουργία, εγκατάσταση (όπου περιλαμβάνεται η εγκατάσταση στον τόπο λειτουργίας), συντήρηση (έλεγχος), επιδιόρθωση, ανακαίνιση και επανεξοπλισμό.

| | "Χρονική σταθερά" (6) είναι ο χρόνος ο οποίος απαιτείται ώστε η αύξηση του ρεύματος η οποία οφείλεται σε ένα φωτεινό ερέθισμα να φθάσει την τιμή 1-1/e φορές της τελικής της τιμής (δηλαδή το 63 % της τελικής της τιμής). |
| --- | --- |

"Χρονική σταθερά" (6) είναι ο χρόνος ο οποίος απαιτείται ώστε η αύξηση του ρεύματος η οποία οφείλεται σε ένα φωτεινό ερέθισμα να φθάσει την τιμή 1-1/e φορές της τελικής της τιμής (δηλαδή το 63 % της τελικής της τιμής).

| | "Χρονοδιαμορφωμένη υπερευρεία ζώνη" (5) είναι η τεχνική κατά την οποία πολύ σύντομοι χρονοελεγχόμενοι παλμοί RF διαμορφώνονται σύμφωνα με δεδομένα επικοινωνίας με τη μετάθεση της θέσης των παλμών (συνήθως καλούμενη Διαμόρφωση Θέσης Παλμού ή PPM), κατανέμονται σε διαύλους ή κωδικοποιούνται σύμφωνα με ψευδοτυχαίους κωδικούς θορύβου από την ΡΡΜ, στη συνέχεια δε διαβιβάζονται και λαμβάνονται υπό μορφή άμεσου παλμού χωρίς τη χρήση φέρουσας συχνότητας και, κατά συνέπεια, έχουν πολύ χαμηλή πυκνότητα ισχύος σε ζώνες υπερευρείας συχνότητας. Γνωστό και ως "παλμοασύρματος". |
| --- | --- |

"Χρονοδιαμορφωμένη υπερευρεία ζώνη" (5) είναι η τεχνική κατά την οποία πολύ σύντομοι χρονοελεγχόμενοι παλμοί RF διαμορφώνονται σύμφωνα με δεδομένα επικοινωνίας με τη μετάθεση της θέσης των παλμών (συνήθως καλούμενη Διαμόρφωση Θέσης Παλμού ή PPM), κατανέμονται σε διαύλους ή κωδικοποιούνται σύμφωνα με ψευδοτυχαίους κωδικούς θορύβου από την ΡΡΜ, στη συνέχεια δε διαβιβάζονται και λαμβάνονται υπό μορφή άμεσου παλμού χωρίς τη χρήση φέρουσας συχνότητας και, κατά συνέπεια, έχουν πολύ χαμηλή πυκνότητα ισχύος σε ζώνες υπερευρείας συχνότητας. Γνωστό και ως "παλμοασύρματος".

| | "Χρόνος αλλαγής συχνότητας" (3 5) είναι ο μέγιστος χρόνος για τη μεταγωγή ενός σήματος από μια επιλεγμένη συχνότητα εξόδου σε μια άλλη επιλεγμένη συχνότητα εξόδου, ώστε να φθάσει:






  α. | Σε μια συχνότητα που απέχει 100 Hz από την τελική συχνότητα ή |
| --- | --- | --- |

"Χρόνος αλλαγής συχνότητας" (3 5) είναι ο μέγιστος χρόνος για τη μεταγωγή ενός σήματος από μια επιλεγμένη συχνότητα εξόδου σε μια άλλη επιλεγμένη συχνότητα εξόδου, ώστε να φθάσει:

α.

Σε μια συχνότητα που απέχει 100 Hz από την τελική συχνότητα ή

| β. | Σε μία στάθμη εξόδου που απέχει 1 dB από την τελική στάθμη εξόδου. |
| --- | --- |

β.

Σε μία στάθμη εξόδου που απέχει 1 dB από την τελική στάθμη εξόδου.

| | "Χρόνος ηρεμίας" (3) είναι ο χρόνος που απαιτείται ώστε το σήμα εισόδου να μη διαφέρει πάνω από μισό bit από την τελική τιμή κατά τη μεταγωγή μεταξύ δύο επιπέδων ενός μετατροπέα. |
| --- | --- |

"Χρόνος ηρεμίας" (3) είναι ο χρόνος που απαιτείται ώστε το σήμα εισόδου να μη διαφέρει πάνω από μισό bit από την τελική τιμή κατά τη μεταγωγή μεταξύ δύο επιπέδων ενός μετατροπέα.

| | "Ψεκασμός εν κενώ" (1) είναι η διαδικασία με την οποία μια ροή τηγμένου μετάλλου μεταβάλλεται σε σταγονίδια διαμέτρου 500 μικρομέτρων και κάτω με την ταχεία έκλυση ενός διαλελυμένου αερίου κατά την είσοδο του τήγματος σε κενό. |
| --- | --- |

"Ψεκασμός εν κενώ" (1) είναι η διαδικασία με την οποία μια ροή τηγμένου μετάλλου μεταβάλλεται σε σταγονίδια διαμέτρου 500 μικρομέτρων και κάτω με την ταχεία έκλυση ενός διαλελυμένου αερίου κατά την είσοδο του τήγματος σε κενό.

| | "Ψηφιακός έλεγχος" (2) είναι ο αυτόματος έλεγχος μιας διεργασίας που επιτελείται από μια διάταξη η οποία χρησιμοποιεί ψηφιακά δεδομένα τα οποία συνήθως εισάγονται κατά τη διάρκεια της διεργασίας (βλέπε ISO 2382). |
| --- | --- |

"Ψηφιακός έλεγχος" (2) είναι ο αυτόματος έλεγχος μιας διεργασίας που επιτελείται από μια διάταξη η οποία χρησιμοποιεί ψηφιακά δεδομένα τα οποία συνήθως εισάγονται κατά τη διάρκεια της διεργασίας (βλέπε ISO 2382).

| | "Ψηφιακός υπολογιστής" (4 5) είναι η συσκευή η οποία έχει τη δυνατότητα, υπό μορφή μιας ή περισσότερων συνεχών μεταβλητών, να εκτελέσει όλες τις ακόλουθες λειτουργίες:






  α. | Να δεχθεί δεδομένα, |
| --- | --- | --- |

"Ψηφιακός υπολογιστής" (4 5) είναι η συσκευή η οποία έχει τη δυνατότητα, υπό μορφή μιας ή περισσότερων συνεχών μεταβλητών, να εκτελέσει όλες τις ακόλουθες λειτουργίες:

α.

Να δεχθεί δεδομένα,

| β. | Να αποθηκεύσει δεδομένα ή εντολές σε μόνιμες ή μεταβλητές διατάξεις αποθηκεύσεως, |
| --- | --- |

β.

Να αποθηκεύσει δεδομένα ή εντολές σε μόνιμες ή μεταβλητές διατάξεις αποθηκεύσεως,

| γ. | Να επεξεργαστεί δεδομένα με τη βοήθεια μιας αποθηκευμένης αλληλουχίας εντολών η οποία είναι δυνατό να τροποποιηθεί, και |
| --- | --- |

γ.

Να επεξεργαστεί δεδομένα με τη βοήθεια μιας αποθηκευμένης αλληλουχίας εντολών η οποία είναι δυνατό να τροποποιηθεί, και

| δ. | Να παρέχει δεδομένα στην έξοδο. |
| --- | --- |

δ.

Να παρέχει δεδομένα στην έξοδο.

ΣΗΜ.: Στις τροποποιήσεις μιας αποθηκευμένης αλληλουχίας εντολών περιλαμβάνεται η αντικατάσταση σταθερών διατάξεων αποθήκευσης από μη υλικές αλλαγές στις διασυνδέσεις.

| | "ΑΤΜ": αντιστοιχεί στην "Ασύγχρονη μετάδοση". |
| --- | --- |

"ΑΤΜ": αντιστοιχεί στην "Ασύγχρονη μετάδοση".

| | "CTP" αντιστοιχεί στη "συνολική θεωρητική επίδοση" ("composite theoretical performance"). |
| --- | --- |

"CTP" αντιστοιχεί στη "συνολική θεωρητική επίδοση" ("composite theoretical performance").

| | "FADEC" ισοδυναμεί προς "απόλυτος ψηφιακός έλεγχος κινητήρα" ("full authority digital engine control"). |
| --- | --- |

"FADEC" ισοδυναμεί προς "απόλυτος ψηφιακός έλεγχος κινητήρα" ("full authority digital engine control").

| | "Q-switched laser" (6) είναι ένα λέιζερ στο οποίο η ενέργεια αποθηκεύεται στην αντιστροφή πληθυσμού ή στον οπτικό συντονιστή και εκπέμπεται στη συνέχεια υπό μορφή παλμού. |
| --- | --- |

"Q-switched laser" (6) είναι ένα λέιζερ στο οποίο η ενέργεια αποθηκεύεται στην αντιστροφή πληθυσμού ή στον οπτικό συντονιστή και εκπέμπεται στη συνέχεια υπό μορφή παλμού.

| | "Roving" (1) είναι δέσμη (τυπικά 12-120) περίπου παραλλήλων "εμβόλων".


  ΣΗΜ.:"Έμβολο" είναι η δέσμη "μονοκλώνων νημάτων" (τυπικά άνω των 200) με περίπου παράλληλη διάταξη. |
| --- | --- |

"Roving" (1) είναι δέσμη (τυπικά 12-120) περίπου παραλλήλων "εμβόλων".

ΣΗΜ.:"Έμβολο" είναι η δέσμη "μονοκλώνων νημάτων" (τυπικά άνω των 200) με περίπου παράλληλη διάταξη.

| | "SHPL" αντιστοιχεί στο "Laser πολύ μεγάλης ισχύος". |
| --- | --- |

"SHPL" αντιστοιχεί στο "Laser πολύ μεγάλης ισχύος".

| | "Τransfer laser" (6) είναι ένα "λέιζερ" στο οποίο τα σωματίδιά του διεγείρονται από την ενέργεια που μεταδίδεται από τη σύγκρουση ατόμων ή μορίων μη φωτοενισχυτικού υλικού με τα άτομα ή τα μόρια του υλικού λέιζερ. |
| --- | --- |

"Τransfer laser" (6) είναι ένα "λέιζερ" στο οποίο τα σωματίδιά του διεγείρονται από την ενέργεια που μεταδίδεται από τη σύγκρουση ατόμων ή μορίων μη φωτοενισχυτικού υλικού με τα άτομα ή τα μόρια του υλικού λέιζερ.

ΑΚΡΩΝΥΜΙΑ ΚΑΙ ΣΥΝΤΟΜΟΓΡΑΦΙΕΣ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΟΥΜΕΝΑ ΣΤΟ ΠΑΡΟΝ ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ

Τα ακρωνύμια ή οι συντομογραφίες που χρησιμοποιούνται ως οριζόμενοι όροι, περιλαμβάνονται στο τμήμα "Ορισμοί των Όρων που χρησιμοποιούνται στο παρόν Παράρτημα".

| Ακρωνύμιο ή συντομογραφία | Σημασία |
| --- | --- |
| ABEC | Annular Bearing Engineers Committee |
| AGMA | American Gear Manufacturers’ Association |
| AHRS | attitude and heading reference systems
  συστήματα αναφοράς θέσης και πορείας αεροσκάφους |
| AISI | American Iron and Steel Institute |
| ALU | arithmetic logic unit
  αριθμητική λογική μονάδα |
| ANSI | American National Standards Institute |
| ASTM | the American Society for Testing and Materials |
| ATC | air traffic control
  έλεγχος εναέριας κυκλοφορίας |
| AVLIS | atomic vapour "laser" isotope separation
  διαχωρισμός ισοτόπων με λέιζερ ατομικού ατμού |
| CAD | computer-aided-design
  σχεδίαση μέσω ηλεκτρονικού υπολογιστού |
| CAS | Chemical Abstracts Service |
| CCITT | International Telegraph and Telephone Consultative Committee
  Διεθνής Συμβουλευτική Επιτροπή Τηλεγραφίας και Τηλεφωνίας |
| CDU | control and display unit
  μονάδα ελέγχου και οπτικοποίησης |
| CEP | circular error probable
  πιθανότητα κυκλικού λάθους |
| CNTD | controlled nucleation thermal deposition
  θερμική αποσύνθεση με ελεγχόμενο πυρήνα αντιδράσεως |
| CRISLA | chemical reaction by isotope selective "laser" activation
  χημική αντίδραση με επιλεκτική ενεργοποίηση ισοτόπων με λέιζερ |
| CVD | chemical vapour deposition
  εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους |
| CW | chemical warfare
  χημικός πόλεμος |
| CW (για λέιζερ) | continuous wave
  συνεχούς κύματος |
| DME | distance measuring equipment
  εξοπλισμός μέτρησης αποστάσεων |
| DS | directionally solidified
  κατευθυνόμενη στερεοποίηση |
| EB-PVD | electron beam physical vapour deposition
  εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους δέσμης ηλεκτρονίων |
| EBU | European Broadcasting Union
  Ευρωπαϊκή Ένωση Ραδιοφωνίας και Τηλεόρασης |
| ECM | electro-chemical machining
  ηλεκτροχημικές διεργασίες |
| ECR | electron cyclotron resonance
  συντονισμός ηλεκτρονικού κυκλοτρονίου |
| EDM | electrical discharge machines
  μηχανές ηλεκτρικής εκκένωσης |
| EEPROMS | electrically erasable programmable read only memory
  ηλεκτρικά αποσβέσιμες και προγραμματιζόμενες μνήμες ανάγνωσης μόνο |
| EIA | Electronic Industries Association |
| EMC | electromagnetic copatibility
  ηλεκτρομαγνητική συμβατότητα |
| ETSI | European Telecommunications Standards Institute
  Ευρωπαϊκό Ίδρυμα Τηλεπικοινωνιακών Προτύπων |
| FFT | Fast Fourier Transform
  ταχύς μετασχηματισμός Fourier |
| GLONASS | global navigation satellite system
  παγκόσμιο δορυφορικό σύστημα πλοήγησης |
| GPS | global positioning system
  εξοπλισμός λήψης ακριβούς θέσης |
| HBT | hetero-bipolar transistors
  ετεροδιπολικά τρανζίστορ |
| HDDR | high density digital recording
  ψηφιακή εγγραφή υψηλής πυκνότητας |
| HEMT | high electron mobility transistors
  τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα |
| ICAO | International Civil Aviation Organisation
  Διεθνής Οργανισμός Πολιτικής Αεροπορίας |
| IEEE | Institute of Electrical and Electronic Engineers |
| IFOV | instantaneous-field-of-view
  στιγμιαίο οπτικό πεδίο |
| ILS | instrument landing system
  σύστημα ενόργανης προσγείωσης |
| IRIG | inter-range instrumentation group |
| ISAR | inverse synthetic aperture radar
  ραντάρ με ανάστροφο συνθετικό διάφραγμα |
| ΙSΟ | Ιntrernational Organization for Standardization
  Διεθνής Οργανισμός Τυποποίησης |
| ΙΤU | Ιnternational Telecommunication Union
  Διεθνής Ένωση Τηλεπικοινωνιών(ΔΕΤ) |
| JIS | Japanese Industrial Standard
  ιαπωνικό βιομηχανικό πρότυπο |
| JT | Joule-Thomson |
| LIDAR | light detection and ranging
  Φωτοεντοπισμός |
| LRU | line replaceable unit
  μονάδα αντικαταστάτη στη γραμμή |
| MAC | message authentication code
  κωδικός ελέγχου γνησιότητας μηνύματος |
| Mach | ratio of speed of an object to speed of sound (after Ernest Mach)
  λόγος ταχύτητας αντικειμένου προς ταχύτητα ήχου (αριθμός Μαχ, από τον Ernst Mach) |
| MLS | microwave landing systems
  μικροκυματικά συστήματα προσγείωσης |
| MLIS | molecular "laser" isotope separation
  διαχωρισμός ισοτόπων με μοριακό λέιζερ |
| MOCVD | metal organic chemical vapour deposition
  χημική εναπόθεση ατμών οργανικών μεταλλικών ενώσεων |
| MRI | magnetic resonance imaging
  απεικόνιση με μαγνητικό συντονισμό |
| MTBF | mean-time-between-failures
  μέσος χρόνος μεταξύ αστοχιών |
| Mtops | million theoretical operations per second
  εκατομμ. θεωρητικές πράξεις ανά sec |
| MTTF | mean-time-to-failure
  μέσος χρόνος έως την αστοχία |
| NBC | Nuclear, Biological and Chemical
  Πυρηνικά, Βιολογικά και Χημικά |
| NDT | non-destructive test
  μη καταστρεπτικές τεχνικές δοκιμής |
| PAR | precision approach radar
  ραντάρ προσέγγισης ακριβείας |
| PIN | personal identification number
  προσωπικός αναγνωριστικός αριθμός |
| ppm | parts per million
  μέρη ανά εκατομμύριο |
| PSD | power spectral density
  φασματική πυκνότητα ισχύος |
| QAM | quadratures-amplitude-modulation
  τετραγωνισμένη διαμόρφωση πλάτους |
| RF | radio frequency
  Ραδιοσυχνότητες |
| SACMA | Suppliers of Advanced Composite Materials Association |
| SAR | synthetic aperture radar
  ραντάρ συνθετικού διαφράγματος |
| SC | single crystal
  Μονοκρυσταλλικά |
| SLAR | sidelooking airborne radar
  αερόφερτο ραντάρ πλευρικής σκόπευσης |
| SMPTE | Society of Monitor Pictures and Television Engineers |
| SRA | shop replaceable assembly
  συναρμολόγημα αντικαταστατό στο εργαστήριο |
| SRAM | static random access memory
  στατικές μνήμες RAM |
| SSR | secondary surveillance radar
  ραντάρ δευτερεύουσας επιτήρησης |
| TCSEC | trusted computer system evaluation criteria
  κριτήρια αξιολόγησης έμπιστων συστημάτων υπολογιστών |
| TIR | total indicated reading
  συνολική αναγραφόμενη ένδειξη |
| UV | ultraviolet
  υπεριώδης ακτινοβολία |
| UTS | ultimate tensile strength
  οριακή αντοχή σε εφελκυσμό |
| VOR | very high frequency omni-directional range |
| YAG | yttrium/aluminum garnet
  γρανάτης υττρίου-αργιλίου |

Ακρωνύμιο ή συντομογραφία

Σημασία

ABEC

Annular Bearing Engineers Committee

AGMA

American Gear Manufacturers’ Association

AHRS

attitude and heading reference systems

συστήματα αναφοράς θέσης και πορείας αεροσκάφους

AISI

American Iron and Steel Institute

ALU

arithmetic logic unit

αριθμητική λογική μονάδα

ANSI

American National Standards Institute

ASTM

the American Society for Testing and Materials

ATC

air traffic control

έλεγχος εναέριας κυκλοφορίας

AVLIS

atomic vapour "laser" isotope separation

διαχωρισμός ισοτόπων με λέιζερ ατομικού ατμού

CAD

computer-aided-design

σχεδίαση μέσω ηλεκτρονικού υπολογιστού

CAS

Chemical Abstracts Service

CCITT

International Telegraph and Telephone Consultative Committee

Διεθνής Συμβουλευτική Επιτροπή Τηλεγραφίας και Τηλεφωνίας

CDU

control and display unit

μονάδα ελέγχου και οπτικοποίησης

CEP

circular error probable

πιθανότητα κυκλικού λάθους

CNTD

controlled nucleation thermal deposition

θερμική αποσύνθεση με ελεγχόμενο πυρήνα αντιδράσεως

CRISLA

chemical reaction by isotope selective "laser" activation

χημική αντίδραση με επιλεκτική ενεργοποίηση ισοτόπων με λέιζερ

CVD

chemical vapour deposition

εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους

CW

chemical warfare

χημικός πόλεμος

CW (για λέιζερ)

continuous wave

συνεχούς κύματος

DME

distance measuring equipment

εξοπλισμός μέτρησης αποστάσεων

DS

directionally solidified

κατευθυνόμενη στερεοποίηση

EB-PVD

electron beam physical vapour deposition

εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους δέσμης ηλεκτρονίων

EBU

European Broadcasting Union

Ευρωπαϊκή Ένωση Ραδιοφωνίας και Τηλεόρασης

ECM

electro-chemical machining

ηλεκτροχημικές διεργασίες

ECR

electron cyclotron resonance

συντονισμός ηλεκτρονικού κυκλοτρονίου

EDM

electrical discharge machines

μηχανές ηλεκτρικής εκκένωσης

EEPROMS

electrically erasable programmable read only memory

ηλεκτρικά αποσβέσιμες και προγραμματιζόμενες μνήμες ανάγνωσης μόνο

EIA

Electronic Industries Association

EMC

electromagnetic copatibility

ηλεκτρομαγνητική συμβατότητα

ETSI

European Telecommunications Standards Institute

Ευρωπαϊκό Ίδρυμα Τηλεπικοινωνιακών Προτύπων

FFT

Fast Fourier Transform

ταχύς μετασχηματισμός Fourier

GLONASS

global navigation satellite system

παγκόσμιο δορυφορικό σύστημα πλοήγησης

GPS

global positioning system

εξοπλισμός λήψης ακριβούς θέσης

HBT

hetero-bipolar transistors

ετεροδιπολικά τρανζίστορ

HDDR

high density digital recording

ψηφιακή εγγραφή υψηλής πυκνότητας

HEMT

high electron mobility transistors

τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα

ICAO

International Civil Aviation Organisation

Διεθνής Οργανισμός Πολιτικής Αεροπορίας

IEEE

Institute of Electrical and Electronic Engineers

IFOV

instantaneous-field-of-view

στιγμιαίο οπτικό πεδίο

ILS

instrument landing system

σύστημα ενόργανης προσγείωσης

IRIG

inter-range instrumentation group

ISAR

inverse synthetic aperture radar

ραντάρ με ανάστροφο συνθετικό διάφραγμα

ΙSΟ

Ιntrernational Organization for Standardization

Διεθνής Οργανισμός Τυποποίησης

ΙΤU

Ιnternational Telecommunication Union

Διεθνής Ένωση Τηλεπικοινωνιών(ΔΕΤ)

JIS

Japanese Industrial Standard

ιαπωνικό βιομηχανικό πρότυπο

JT

Joule-Thomson

LIDAR

light detection and ranging

Φωτοεντοπισμός

LRU

line replaceable unit

μονάδα αντικαταστάτη στη γραμμή

MAC

message authentication code

κωδικός ελέγχου γνησιότητας μηνύματος

Mach

ratio of speed of an object to speed of sound (after Ernest Mach)

λόγος ταχύτητας αντικειμένου προς ταχύτητα ήχου (αριθμός Μαχ, από τον Ernst Mach)

MLS

microwave landing systems

μικροκυματικά συστήματα προσγείωσης

MLIS

molecular "laser" isotope separation

διαχωρισμός ισοτόπων με μοριακό λέιζερ

MOCVD

metal organic chemical vapour deposition

χημική εναπόθεση ατμών οργανικών μεταλλικών ενώσεων

MRI

magnetic resonance imaging

απεικόνιση με μαγνητικό συντονισμό

MTBF

mean-time-between-failures

μέσος χρόνος μεταξύ αστοχιών

Mtops

million theoretical operations per second

εκατομμ. θεωρητικές πράξεις ανά sec

MTTF

mean-time-to-failure

μέσος χρόνος έως την αστοχία

NBC

Nuclear, Biological and Chemical

Πυρηνικά, Βιολογικά και Χημικά

NDT

non-destructive test

μη καταστρεπτικές τεχνικές δοκιμής

PAR

precision approach radar

ραντάρ προσέγγισης ακριβείας

PIN

personal identification number

προσωπικός αναγνωριστικός αριθμός

ppm

parts per million

μέρη ανά εκατομμύριο

PSD

power spectral density

φασματική πυκνότητα ισχύος

QAM

quadratures-amplitude-modulation

τετραγωνισμένη διαμόρφωση πλάτους

RF

radio frequency

Ραδιοσυχνότητες

SACMA

Suppliers of Advanced Composite Materials Association

SAR

synthetic aperture radar

ραντάρ συνθετικού διαφράγματος

SC

single crystal

Μονοκρυσταλλικά

SLAR

sidelooking airborne radar

αερόφερτο ραντάρ πλευρικής σκόπευσης

SMPTE

Society of Monitor Pictures and Television Engineers

SRA

shop replaceable assembly

συναρμολόγημα αντικαταστατό στο εργαστήριο

SRAM

static random access memory

στατικές μνήμες RAM

SSR

secondary surveillance radar

ραντάρ δευτερεύουσας επιτήρησης

TCSEC

trusted computer system evaluation criteria

κριτήρια αξιολόγησης έμπιστων συστημάτων υπολογιστών

TIR

total indicated reading

συνολική αναγραφόμενη ένδειξη

UV

ultraviolet

υπεριώδης ακτινοβολία

UTS

ultimate tensile strength

οριακή αντοχή σε εφελκυσμό

VOR

very high frequency omni-directional range

YAG

yttrium/aluminum garnet

γρανάτης υττρίου-αργιλίου

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 0

ΠΥΡΗΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ, ΕΓΚΑΤΑΣΤΑΣΕΙΣ ΚΑΙ ΕΞΟΠΛΙΣΜΟΣ

0AΕξοπλισμός, Τμήματα Εξοπλισμού και Κατασκευαστικά μέρη

0A001"Πυρηνικοί αντιδραστήρες" και τμήματα εξοπλισμού και κατασκευαστικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα γι' αυτούς, ως εξής:

| α. | "Πυρηνικοί αντιδραστήρες" ικανοί να λειτουργούν κατά τρόπο ώστε να διατηρούν ελεγχόμενη αυτοσυντηρούμενη αλυσιδωτή αντίδραση σχάσεως, |
| --- | --- |

α.

"Πυρηνικοί αντιδραστήρες" ικανοί να λειτουργούν κατά τρόπο ώστε να διατηρούν ελεγχόμενη αυτοσυντηρούμενη αλυσιδωτή αντίδραση σχάσεως,

| β. | Μεταλλικά δοχεία ή μεγάλα μέρη τους κατασκευασμένα σε μηχανουργείο, ειδικά σχεδιασμένα ή ετοιμασμένα να περιλάβουν τον πυρήνα ενός "πυρηνικού αντιδραστήρα", συμπεριλαμβανομένης της κεφαλής του δοχείου του αντιδραστήρα για δοχείο πιέσεως του αντιδραστήρα, |
| --- | --- |

β.

Μεταλλικά δοχεία ή μεγάλα μέρη τους κατασκευασμένα σε μηχανουργείο, ειδικά σχεδιασμένα ή ετοιμασμένα να περιλάβουν τον πυρήνα ενός "πυρηνικού αντιδραστήρα", συμπεριλαμβανομένης της κεφαλής του δοχείου του αντιδραστήρα για δοχείο πιέσεως του αντιδραστήρα,

| γ. | Εξοπλισμός χειρισμού ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος για την τοποθέτηση και αφαίρεση καυσίμου σε "πυρηνικό αντιδραστήρα", |
| --- | --- |

γ.

Εξοπλισμός χειρισμού ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος για την τοποθέτηση και αφαίρεση καυσίμου σε "πυρηνικό αντιδραστήρα",

| δ. | Ράβδοι ελέγχου ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για τον έλεγχο της διεργασίας της σχάσης σε "πυρηνικό αντιδραστήρα", όπου συμπεριλαμβάνεται και η βάση ή η ανάρτηση των ράβδων και οι καθοδηγητικοί μηχανισμοί και σωλήνες των ράβδων, |
| --- | --- |

δ.

Ράβδοι ελέγχου ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για τον έλεγχο της διεργασίας της σχάσης σε "πυρηνικό αντιδραστήρα", όπου συμπεριλαμβάνεται και η βάση ή η ανάρτηση των ράβδων και οι καθοδηγητικοί μηχανισμοί και σωλήνες των ράβδων,

| ε. | Σωλήνες πιέσεως ειδικά σχεδιασμένοι ή κατασκευασμένοι για να περιλάβουν τα στοιχεία καυσίμου ή το πρωτεύον ψυκτικό μέσο σε "πυρηνικό αντιδραστήρα", όπου η πίεση λειτουργίας υπερβαίνει τα 5,1 ΜΡa, |
| --- | --- |

ε.

Σωλήνες πιέσεως ειδικά σχεδιασμένοι ή κατασκευασμένοι για να περιλάβουν τα στοιχεία καυσίμου ή το πρωτεύον ψυκτικό μέσο σε "πυρηνικό αντιδραστήρα", όπου η πίεση λειτουργίας υπερβαίνει τα 5,1 ΜΡa,

| στ. | Μεταλλικό ζιρκόνιο και κράματα ζιρκονίου υπό μορφή σωλήνων ή συνόλων σωλήνων, όπου ο λόγος του αφνίου προς το ζιρκόνιο είναι μικρότερος από 1:500 μέρη κατά βάρος, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για να χρησιμοποιηθούν σε "πυρηνικό αντιδραστήρα", |
| --- | --- |

στ.

Μεταλλικό ζιρκόνιο και κράματα ζιρκονίου υπό μορφή σωλήνων ή συνόλων σωλήνων, όπου ο λόγος του αφνίου προς το ζιρκόνιο είναι μικρότερος από 1:500 μέρη κατά βάρος, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για να χρησιμοποιηθούν σε "πυρηνικό αντιδραστήρα",

| ζ. | Αντλίες ψυκτικού μέσου ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για την εξασφάλιση της κυκλοφορίας του πρωτεύοντος ψυκτικού μέσου σε "πυρηνικούς αντιδραστήρες", |
| --- | --- |

ζ.

Αντλίες ψυκτικού μέσου ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για την εξασφάλιση της κυκλοφορίας του πρωτεύοντος ψυκτικού μέσου σε "πυρηνικούς αντιδραστήρες",

| η. | "Εσωτερικά στοιχεία πυρηνικών αντιδραστήρων", ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για να χρησιμοποιηθούν σε "πυρηνικό αντιδραστήρα", όπου περιλαμβάνονται οι στύλοι στήριξης του πυρήνα, οι δίαυλοι καυσίμου, οι θερμικοί θώρακες, τα πετάσματα εκτροπής, τα πετάσματα πλέγματος πυρήνα και τα πετάσματα διαχύτη,


  Σημείωση: Στο σημείο 0Α001.η., ως "εσωτερικά στοιχεία πυρηνικών αντιδραστήρων" νοείται κάθε σημαντική κατασκευή μέσα σε δοχείο αντιδραστήρα που επιτελεί μία ή περισσότερες λειτουργίες όπως να υποβαστάζει τον πυρήνα, να διατηρεί την ευθυγράμμιση του καυσίμου, να κατευθύνει τη ροή του πρωτογενούς ψυκτικού μέσου, να θωρακίζει το δοχείο του αντιδραστήρα κατά της ακτινοβολίας, και να καθοδηγεί τα εντός του πυρήνα όργανα, |
| --- | --- |

η.

"Εσωτερικά στοιχεία πυρηνικών αντιδραστήρων", ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για να χρησιμοποιηθούν σε "πυρηνικό αντιδραστήρα", όπου περιλαμβάνονται οι στύλοι στήριξης του πυρήνα, οι δίαυλοι καυσίμου, οι θερμικοί θώρακες, τα πετάσματα εκτροπής, τα πετάσματα πλέγματος πυρήνα και τα πετάσματα διαχύτη,

Σημείωση: Στο σημείο 0Α001.η., ως "εσωτερικά στοιχεία πυρηνικών αντιδραστήρων" νοείται κάθε σημαντική κατασκευή μέσα σε δοχείο αντιδραστήρα που επιτελεί μία ή περισσότερες λειτουργίες όπως να υποβαστάζει τον πυρήνα, να διατηρεί την ευθυγράμμιση του καυσίμου, να κατευθύνει τη ροή του πρωτογενούς ψυκτικού μέσου, να θωρακίζει το δοχείο του αντιδραστήρα κατά της ακτινοβολίας, και να καθοδηγεί τα εντός του πυρήνα όργανα,

| θ. | Ανταλλακτήρες θερμότητας (ατμογεννήτριες), ειδικά σχεδιασμένοι ή κατασκευασμένοι για να χρησιμοποιηθούν στο πρωτεύον ψυκτικό κύκλωμα "πυρηνικού αντιδραστήρα", |
| --- | --- |

θ.

Ανταλλακτήρες θερμότητας (ατμογεννήτριες), ειδικά σχεδιασμένοι ή κατασκευασμένοι για να χρησιμοποιηθούν στο πρωτεύον ψυκτικό κύκλωμα "πυρηνικού αντιδραστήρα",

| ι. | Όργανα ανίχνευσης και μέτρησης νετρονίων, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τον προσδιορισμό της ροής νετρονίων μέσα στον πυρήνα "πυρηνικού αντιδραστήρα". |
| --- | --- |

ι.

Όργανα ανίχνευσης και μέτρησης νετρονίων, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τον προσδιορισμό της ροής νετρονίων μέσα στον πυρήνα "πυρηνικού αντιδραστήρα".

0BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχου και παραγωγής

0B001Εγκαταστάσεις για το διαχωρισμό των ισοτόπων "φυσικού ουρανίου", "εξαντλημένου ουρανίου" και "ειδικών σχάσιμων υλικών" και εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος για το σκοπό αυτό, ως ακολούθως:

| α. | Εγκαταστάσεις ειδικά σχεδιασμένες για το διαχωρισμό ισοτόπων "φυσικού ουρανίου", "εξαντλημένου ουρανίου" και "ειδικών σχάσιμων υλικών", ως ακολούθως:






  1. | Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με αέριο φυγοκέντρηση, |
| --- | --- | --- |

α.

Εγκαταστάσεις ειδικά σχεδιασμένες για το διαχωρισμό ισοτόπων "φυσικού ουρανίου", "εξαντλημένου ουρανίου" και "ειδικών σχάσιμων υλικών", ως ακολούθως:

1.

Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με αέριο φυγοκέντρηση,

| 2. | Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με αέριο διάχυση, |
| --- | --- |

2.

Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με αέριο διάχυση,

| 3. | Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με αεροδυναμικές μεθόδους, |
| --- | --- |

3.

Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με αεροδυναμικές μεθόδους,

| 4. | Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με χημική ανταλλαγή, |
| --- | --- |

4.

Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με χημική ανταλλαγή,

| 5. | Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με ανταλλαγή ιόντων, |
| --- | --- |

5.

Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με ανταλλαγή ιόντων,

| 6. | Εγκαταστάσεις διαχωρισμού ισοτόπων με λέιζερ ατομικού ατμού (AVLIS), |
| --- | --- |

6.

Εγκαταστάσεις διαχωρισμού ισοτόπων με λέιζερ ατομικού ατμού (AVLIS),

| 7. | Εγκαταστάσεις διαχωρισμού ισοτόπων με μοριακό λέιζερ (MLIS), |
| --- | --- |

7.

Εγκαταστάσεις διαχωρισμού ισοτόπων με μοριακό λέιζερ (MLIS),

| 8. | Εγκαταστάσεις διαχωρισμού πλάσματος, |
| --- | --- |

8.

Εγκαταστάσεις διαχωρισμού πλάσματος,

| 9. | Ηλεκτρομαγνητικές εγκαταστάσεις διαχωρισμού, |
| --- | --- |

9.

Ηλεκτρομαγνητικές εγκαταστάσεις διαχωρισμού,

| β. | Φυγοκεντρητήρες αερίων, συγκροτήματα και κατασκευαστικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για το διαχωρισμό με αεριοφυγοκέντρηση, ως εξής:


  Σημείωση: Στο 0B001.β, ως "υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα" νοούνται τα εξής:








  α. | Βαμμένος μαρτενσιτικός χάλυβας με ανώτατο όριο εφελκυσμού 2 050 MPa και άνω, |
| --- | --- | --- |

β.

Φυγοκεντρητήρες αερίων, συγκροτήματα και κατασκευαστικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για το διαχωρισμό με αεριοφυγοκέντρηση, ως εξής:

Σημείωση: Στο 0B001.β, ως "υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα" νοούνται τα εξής:

α.

Βαμμένος μαρτενσιτικός χάλυβας με ανώτατο όριο εφελκυσμού 2 050 MPa και άνω,

| β. | Κράματα αλουμινίου με ανώτατο όριο εφελκυσμού 460 MPa και άνω, |
| --- | --- |

β.

Κράματα αλουμινίου με ανώτατο όριο εφελκυσμού 460 MPa και άνω,

| γ. | "Ινώδη ή νηματώδη υλικά" με "ειδικό μέτρο ελαστικότητας άνω των 3,18 × 106 m και" ειδική αντοχή σε εφελκυσμό άνω των 76,2 × 103 m. |
| --- | --- |

γ.

"Ινώδη ή νηματώδη υλικά" με "ειδικό μέτρο ελαστικότητας άνω των 3,18 × 106 m και" ειδική αντοχή σε εφελκυσμό άνω των 76,2 × 103 m.

| 1. | Φυγοκεντρητήρες αερίου, |
| --- | --- |

1.

Φυγοκεντρητήρες αερίου,

| 2. | Πλήρη σύνολα στροφέα, |
| --- | --- |

2.

Πλήρη σύνολα στροφέα,

| 3. | Σωληνωτοί κύλινδροι στροφέα πάχους τοιχώματος 12 mm και κάτω, διαμέτρου μεταξύ 75 mm και 400 mm, κατασκευασμένοι από "υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα", |
| --- | --- |

3.

Σωληνωτοί κύλινδροι στροφέα πάχους τοιχώματος 12 mm και κάτω, διαμέτρου μεταξύ 75 mm και 400 mm, κατασκευασμένοι από "υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα",

| 4. | Δακτύλιοι ή φυσητήρες με πάχος τοιχώματος 3 mm και κάτω και διάμετρο μεταξύ 75 mm και 400 mm, σχεδιασμένοι για τη στήριξη ενός σωλήνα στροφέα ή για τη συνένωση πολλών τέτοιων σωλήνων, κατασκευασμένοι από "υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα", |
| --- | --- |

4.

Δακτύλιοι ή φυσητήρες με πάχος τοιχώματος 3 mm και κάτω και διάμετρο μεταξύ 75 mm και 400 mm, σχεδιασμένοι για τη στήριξη ενός σωλήνα στροφέα ή για τη συνένωση πολλών τέτοιων σωλήνων, κατασκευασμένοι από "υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα",

| 5. | Διαφράγματα διαμέτρου μεταξύ 75 mm και 400 mm προοριζόμενα να τοποθετηθούν μέσα σε σωλήνα στροφέα, κατασκευασμένα από "υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα", |
| --- | --- |

5.

Διαφράγματα διαμέτρου μεταξύ 75 mm και 400 mm προοριζόμενα να τοποθετηθούν μέσα σε σωλήνα στροφέα, κατασκευασμένα από "υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα",

| 6. | Επάνω και κάτω καλύμματα διαμέτρου μεταξύ 75 mm και 400 mm τοποθετούμενα στα άκρα των σωλήνων στροφέα, κατασκευασμένα από "υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα", |
| --- | --- |

6.

Επάνω και κάτω καλύμματα διαμέτρου μεταξύ 75 mm και 400 mm τοποθετούμενα στα άκρα των σωλήνων στροφέα, κατασκευασμένα από "υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα",

| 7. | Μαγνητικά έδρανα εξαρτήσεως αποτελούμενα από έναν δακτυλιοειδή μαγνήτη εξαρτημένο εντός περιβλήματος κατασκευασμένου από ή προστατευμένου με "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6", που περιέχουν αποσβεστικό μέσο και έχουν το μαγνήτη συζευγμένο με εξάρτημα πόλου ή με έναν δεύτερο μαγνήτη τοποθετημένο στην κεφαλή του στροφέα, |
| --- | --- |

7.

Μαγνητικά έδρανα εξαρτήσεως αποτελούμενα από έναν δακτυλιοειδή μαγνήτη εξαρτημένο εντός περιβλήματος κατασκευασμένου από ή προστατευμένου με "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6", που περιέχουν αποσβεστικό μέσο και έχουν το μαγνήτη συζευγμένο με εξάρτημα πόλου ή με έναν δεύτερο μαγνήτη τοποθετημένο στην κεφαλή του στροφέα,

| 8. | Ειδικά κατασκευασμένα έδρανα τα οποία περιλαμβάνουν σύνολο σφαιρικού άξονα και σφαιρικής υποδοχής, προσαρμοσμένο σε έναν αποσβεστήρα κραδασμών, |
| --- | --- |

8.

Ειδικά κατασκευασμένα έδρανα τα οποία περιλαμβάνουν σύνολο σφαιρικού άξονα και σφαιρικής υποδοχής, προσαρμοσμένο σε έναν αποσβεστήρα κραδασμών,

| 9. | Μοριακές αντλίες αποτελούμενες από κυλίνδρους οι οποίοι φέρουν εσωτερικώς εκτορευμένες ή εξηλασμένες ελικοειδείς αύλακες και εσωτερικώς εκτορευμένες οπές, |
| --- | --- |

9.

Μοριακές αντλίες αποτελούμενες από κυλίνδρους οι οποίοι φέρουν εσωτερικώς εκτορευμένες ή εξηλασμένες ελικοειδείς αύλακες και εσωτερικώς εκτορευμένες οπές,

| 10. | Δακτυλιοειδείς στάτες κινητήρων για πολυφασικούς κινητήρες AC με υστέρηση για σύγχρονη λειτουργία εντός κενού στην περιοχή συχνοτήτων 600 ως 2 000 Hz και στην περιοχή ισχύος από 50 ως 1 000 VA, |
| --- | --- |

10.

Δακτυλιοειδείς στάτες κινητήρων για πολυφασικούς κινητήρες AC με υστέρηση για σύγχρονη λειτουργία εντός κενού στην περιοχή συχνοτήτων 600 ως 2 000 Hz και στην περιοχή ισχύος από 50 ως 1 000 VA,

| 11. | Καλύμματα/δοχεία φυγοκεντρητήρων που περιέχουν το συναρμολογημένο σύνολο σωλήνων στροφέα ενός φυγοκεντρητήρα αερίων, αποτελούμενα από άκαμπτο κύλινδρο, πάχους τοιχωμάτων έως 30 mm, με άκρα επεξεργασμένα με υψηλή ακρίβεια και κατασκευασμένα ή φέροντα προστασία από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6", |
| --- | --- |

11.

Καλύμματα/δοχεία φυγοκεντρητήρων που περιέχουν το συναρμολογημένο σύνολο σωλήνων στροφέα ενός φυγοκεντρητήρα αερίων, αποτελούμενα από άκαμπτο κύλινδρο, πάχους τοιχωμάτων έως 30 mm, με άκρα επεξεργασμένα με υψηλή ακρίβεια και κατασκευασμένα ή φέροντα προστασία από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6",

| 12. | Απαγωγοί αποτελούμενοι από σωλήνες εσωτερικής διαμέτρου έως 12 mm για την αφαίρεση αερίου UF6 από το εσωτερικό του σωλήνα του στροφέα ενός φυγοκεντρητήρα με δράση σωλήνος Pitot, κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6", |
| --- | --- |

12.

Απαγωγοί αποτελούμενοι από σωλήνες εσωτερικής διαμέτρου έως 12 mm για την αφαίρεση αερίου UF6 από το εσωτερικό του σωλήνα του στροφέα ενός φυγοκεντρητήρα με δράση σωλήνος Pitot, κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6",

| 13. | Μετατροπείς συχνότητας (μεταλλάκτες ή αναστροφείς) ειδικά σχεδιασμένοι για την τροφοδοσία του στάτη του κινητήρα για τον εμπλουτισμό με αέρια φυγοκέντρηση, με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη των μετατροπέων αυτών:






  α. | Πολυφασική έξοδος 600 έως 2 000 Ηz, |
| --- | --- | --- |

13.

Μετατροπείς συχνότητας (μεταλλάκτες ή αναστροφείς) ειδικά σχεδιασμένοι για την τροφοδοσία του στάτη του κινητήρα για τον εμπλουτισμό με αέρια φυγοκέντρηση, με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη των μετατροπέων αυτών:

α.

Πολυφασική έξοδος 600 έως 2 000 Ηz,

| β. | Έλεγχος συχνότητας καλύτερος από 0,1 %, |
| --- | --- |

β.

Έλεγχος συχνότητας καλύτερος από 0,1 %,

| γ. | Αρμονική παραμόρφωση χαμηλότερη από 2 %, και |
| --- | --- |

γ.

Αρμονική παραμόρφωση χαμηλότερη από 2 %, και

| δ. | Αποδοτικότητα μεγαλύτερη από 80 %, |
| --- | --- |

δ.

Αποδοτικότητα μεγαλύτερη από 80 %,

| γ. | Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τον διαχωρισμό με αέριο διάχυση, ως ακολούθως:






  1. | Πετάσματα αερίου διαχύσεως από πορώδη μεταλλικά, πολυμερή ή κεραμικά "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6" με μέγεθος πόρων 10 έως 100 nm, πάχους 5 mm και κάτω και, στην περίπτωση σωληνωτής μορφής, διαμέτρου 25 mm και κάτω, |
| --- | --- | --- |

γ.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τον διαχωρισμό με αέριο διάχυση, ως ακολούθως:

1.

Πετάσματα αερίου διαχύσεως από πορώδη μεταλλικά, πολυμερή ή κεραμικά "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6" με μέγεθος πόρων 10 έως 100 nm, πάχους 5 mm και κάτω και, στην περίπτωση σωληνωτής μορφής, διαμέτρου 25 mm και κάτω,

| 2. | Περιβλήματα διαχύτη αερίου κατασκευασμένα ή φέροντα προστασία από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6", |
| --- | --- |

2.

Περιβλήματα διαχύτη αερίου κατασκευασμένα ή φέροντα προστασία από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6",

| 3. | Συμπιεστές (τύποι ροής: θετικής μετατόπισης, φυγοκεντρικός και αξονικός) ή φυσητήρες αερίων, με δυναμικότητα αναρρόφησης όγκου 1 m3/min UF6 και πλέον και πίεση εκκένωσης μέχρι 666,7 kPa, κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6", |
| --- | --- |

3.

Συμπιεστές (τύποι ροής: θετικής μετατόπισης, φυγοκεντρικός και αξονικός) ή φυσητήρες αερίων, με δυναμικότητα αναρρόφησης όγκου 1 m3/min UF6 και πλέον και πίεση εκκένωσης μέχρι 666,7 kPa, κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6",

| 4. | Στεγανοποιητικά παρεμβύσματα περιστροφικού άξονα για συμπιεστές ή φυσητήρες που προδιαγράφονται στο σημείο 0Β001.γ.3 και σχεδιασμένα για ρυθμό εισροής ρυθμιστικού αερίου κάτω των 1 000 cm3/min., |
| --- | --- |

4.

Στεγανοποιητικά παρεμβύσματα περιστροφικού άξονα για συμπιεστές ή φυσητήρες που προδιαγράφονται στο σημείο 0Β001.γ.3 και σχεδιασμένα για ρυθμό εισροής ρυθμιστικού αερίου κάτω των 1 000 cm3/min.,

| 5. | Εναλλάκτες θερμότητας κατασκευασμένοι από αλουμίνιο, χαλκό, νικέλιο ή κράματα με περιεκτικότητα άνω του 60 % σε νικέλιο ή από συνδυασμούς αυτών των μετάλλων υπό μορφή επενδεδυμένων σωλήνων, που προορίζονται να λειτουργούν σε πιέσεις υπό την ατμοσφαιρική, με ρυθμούς διαρροής που περιορίζουν την αύξηση της πιέσεως λιγότερο από 10 Pa ανά ώρα υπό διαφορά πιέσεως 100 kPa, |
| --- | --- |

5.

Εναλλάκτες θερμότητας κατασκευασμένοι από αλουμίνιο, χαλκό, νικέλιο ή κράματα με περιεκτικότητα άνω του 60 % σε νικέλιο ή από συνδυασμούς αυτών των μετάλλων υπό μορφή επενδεδυμένων σωλήνων, που προορίζονται να λειτουργούν σε πιέσεις υπό την ατμοσφαιρική, με ρυθμούς διαρροής που περιορίζουν την αύξηση της πιέσεως λιγότερο από 10 Pa ανά ώρα υπό διαφορά πιέσεως 100 kPa,

| 6. | Βαλβίδες φυσητήρων κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6", διαμέτρου 40 mm έως 1 500 mm, |
| --- | --- |

6.

Βαλβίδες φυσητήρων κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6", διαμέτρου 40 mm έως 1 500 mm,

| δ. | Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη διαδικασία αεροδυναμικού διαχωρισμού, ως ακολούθως:






  1. | Ακροφύσια διαχωρισμού αποτελούμενα από καμπύλους σωληνίσκους υπό μορφή εγκοπής με ακτίνα καμπυλότητας μικρότερη από 1 mm, ανθεκτικούς στη διάβρωση από UF6, τα οποία φέρουν διαχωριστική λεπίδα εντός του ακροφυσίου, η οποία διαχωρίζει το αέριο που διέρχεται από το ακροφύσιο σε δύο ρεύματα, |
| --- | --- | --- |

δ.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη διαδικασία αεροδυναμικού διαχωρισμού, ως ακολούθως:

1.

Ακροφύσια διαχωρισμού αποτελούμενα από καμπύλους σωληνίσκους υπό μορφή εγκοπής με ακτίνα καμπυλότητας μικρότερη από 1 mm, ανθεκτικούς στη διάβρωση από UF6, τα οποία φέρουν διαχωριστική λεπίδα εντός του ακροφυσίου, η οποία διαχωρίζει το αέριο που διέρχεται από το ακροφύσιο σε δύο ρεύματα,

| 2. | Κυλινδρικοί ή κωνικοί σωλήνες κινούμενοι από την ροή του αερίου με εφαπτομενικά τοποθετημένες εισόδους (σωλήνες περιδινήσεως) κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6", διαμέτρου μεταξύ 0,5 cm και 4 cm και λόγο μήκους προς διάμετρο το πολύ 20:1 και με μία ή περισσότερες εφαπτομενικές εισαγωγές, |
| --- | --- |

2.

Κυλινδρικοί ή κωνικοί σωλήνες κινούμενοι από την ροή του αερίου με εφαπτομενικά τοποθετημένες εισόδους (σωλήνες περιδινήσεως) κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6", διαμέτρου μεταξύ 0,5 cm και 4 cm και λόγο μήκους προς διάμετρο το πολύ 20:1 και με μία ή περισσότερες εφαπτομενικές εισαγωγές,

| 3. | Συμπιεστές (τύποι ροής: θετικής μετατόπισης, φυγοκεντρικός και αξονικός) ή φυσητήρες αερίων με δυναμικότητα αναρρόφησης όγκου 2 m3/min, ή περισσότερα, κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6", και στεγανοποιητικά παρεμβύσματα περιστροφικού άξονα για αυτούς, |
| --- | --- |

3.

Συμπιεστές (τύποι ροής: θετικής μετατόπισης, φυγοκεντρικός και αξονικός) ή φυσητήρες αερίων με δυναμικότητα αναρρόφησης όγκου 2 m3/min, ή περισσότερα, κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6", και στεγανοποιητικά παρεμβύσματα περιστροφικού άξονα για αυτούς,

| 4. | Εναλλάκτες θερμότητας κατασκευασμένοι από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6", |
| --- | --- |

4.

Εναλλάκτες θερμότητας κατασκευασμένοι από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6",

| 5. | Περιβλήματα για τα στοιχεία των συστημάτων αεροδυναμικού διαχωρισμού, κατασκευασμένα ή φέροντα προστασία από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6", για την κάλυψη σωλήνων περιδινήσεως ή ακροφυσίων διαχωρισμού, |
| --- | --- |

5.

Περιβλήματα για τα στοιχεία των συστημάτων αεροδυναμικού διαχωρισμού, κατασκευασμένα ή φέροντα προστασία από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6", για την κάλυψη σωλήνων περιδινήσεως ή ακροφυσίων διαχωρισμού,

| 6. | Βαλβίδες φυσητήρων, κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6", διαμέτρου 40 έως 1 500 mm, |
| --- | --- |

6.

Βαλβίδες φυσητήρων, κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6", διαμέτρου 40 έως 1 500 mm,

| 7. | Συστήματα επεξεργασίας για το διαχωρισμό του UF6 από το φέρον αέριο (υδρογόνο ή ήλιο) με περιεκτικότητα σε UF6 το πολύ 1 ppm, στα οποία περιλαμβάνονται:






  α. | Κρυογονικοί εναλλάκτες θερμότητας και κρυοδιαχωριστές, ικανοί να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 153 K (– 120 °C) ή χαμηλότερες, |
| --- | --- | --- |

7.

Συστήματα επεξεργασίας για το διαχωρισμό του UF6 από το φέρον αέριο (υδρογόνο ή ήλιο) με περιεκτικότητα σε UF6 το πολύ 1 ppm, στα οποία περιλαμβάνονται:

α.

Κρυογονικοί εναλλάκτες θερμότητας και κρυοδιαχωριστές, ικανοί να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 153 K (– 120 °C) ή χαμηλότερες,

| β. | κρυογονικές μονάδες ψύξεως, ικανές να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 153 K (– 120 °C) ή χαμηλότερες, |
| --- | --- |

β.

κρυογονικές μονάδες ψύξεως, ικανές να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 153 K (– 120 °C) ή χαμηλότερες,

| γ. | Μονάδες ακροφυσίων διαχωρισμού ή σωλήνων περιδινήσεως για τον διαχωρισμό του UF6 από το φέρον αέριο, |
| --- | --- |

γ.

Μονάδες ακροφυσίων διαχωρισμού ή σωλήνων περιδινήσεως για τον διαχωρισμό του UF6 από το φέρον αέριο,

| δ. | Ψυχρές παγίδες UF6, ικανές να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 253 K (– 20 °C) ή χαμηλότερες, |
| --- | --- |

δ.

Ψυχρές παγίδες UF6, ικανές να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 253 K (– 20 °C) ή χαμηλότερες,

| ε. | Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για την διαδικασία χημικού διαχωρισμού, ως ακολούθως:






  1. | Παλμικές στήλες ταχείας ανταλλαγής υγρού-υγρού, με χρόνους διαδικασίας το πολύ 30 sec και ανθεκτικές στο πυκνό υδροχλωρικό οξύ (π.χ. κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από κατάλληλα πλαστικά υλικά, όπως πολυμερή φθορανθράκων ή ύαλο), |
| --- | --- | --- |

ε.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για την διαδικασία χημικού διαχωρισμού, ως ακολούθως:

1.

Παλμικές στήλες ταχείας ανταλλαγής υγρού-υγρού, με χρόνους διαδικασίας το πολύ 30 sec και ανθεκτικές στο πυκνό υδροχλωρικό οξύ (π.χ. κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από κατάλληλα πλαστικά υλικά, όπως πολυμερή φθορανθράκων ή ύαλο),

| 2. | Φυγοκεντρικοί εκχειλιστές υγρού-υγρού ταχείας ανταλλαγής, με χρόνους διαδικασίας το πολύ 30 sec και ανθεκτικοί στο πυκνό υδροχλωρικό οξύ (π.χ. κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από κατάλληλα πλαστικά υλικά όπως πολυμερή φθορανθράκων ή ύαλο), |
| --- | --- |

2.

Φυγοκεντρικοί εκχειλιστές υγρού-υγρού ταχείας ανταλλαγής, με χρόνους διαδικασίας το πολύ 30 sec και ανθεκτικοί στο πυκνό υδροχλωρικό οξύ (π.χ. κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από κατάλληλα πλαστικά υλικά όπως πολυμερή φθορανθράκων ή ύαλο),

| 3. | Στοιχεία ηλεκτροχημικής αναγωγής ανθεκτικά στα διαλύματα πυκνού υδροχλωρικού οξέος, κατασκευασμένα για την αναγωγή ουρανίου από μία κατάσταση σθένους σε άλλη, |
| --- | --- |

3.

Στοιχεία ηλεκτροχημικής αναγωγής ανθεκτικά στα διαλύματα πυκνού υδροχλωρικού οξέος, κατασκευασμένα για την αναγωγή ουρανίου από μία κατάσταση σθένους σε άλλη,

| 4. | Εξοπλισμός τροφοδοσίας στοιχείων ηλεκτροχημικής αναγωγής για τη λήψη U+4 από το οργανικό ρεύμα και, όσον αφορά τα τμήματα που ευρίσκονται σε επαφή με το ρεύμα της διαδικασίας, κατασκευασμένος ή με προστασία από κατάλληλα υλικά (π.χ. ύαλος, πολυμερή φθορανθράκων, θειικό πολυφαινύλιο, σουλφονικός πολυαιθέρας και γραφίτης εμποτισμένος με ρητίνες), |
| --- | --- |

4.

Εξοπλισμός τροφοδοσίας στοιχείων ηλεκτροχημικής αναγωγής για τη λήψη U+4 από το οργανικό ρεύμα και, όσον αφορά τα τμήματα που ευρίσκονται σε επαφή με το ρεύμα της διαδικασίας, κατασκευασμένος ή με προστασία από κατάλληλα υλικά (π.χ. ύαλος, πολυμερή φθορανθράκων, θειικό πολυφαινύλιο, σουλφονικός πολυαιθέρας και γραφίτης εμποτισμένος με ρητίνες),

| 5. | Συστήματα προετοιμασίας της τροφοδοσίας για την παραγωγή διαλύματος χλωριούχου ουρανίου υψηλής καθαρότητας, αποτελούμενα από εξοπλισμό διάλυσης, αφαίρεσης του διαλύτη και/ή ανταλλαγής ιόντων για την κάθαρση και ηλεκτρολυτικά στοιχεία για την αναγωγή του U+6 ή U+4 σε U+3, |
| --- | --- |

5.

Συστήματα προετοιμασίας της τροφοδοσίας για την παραγωγή διαλύματος χλωριούχου ουρανίου υψηλής καθαρότητας, αποτελούμενα από εξοπλισμό διάλυσης, αφαίρεσης του διαλύτη και/ή ανταλλαγής ιόντων για την κάθαρση και ηλεκτρολυτικά στοιχεία για την αναγωγή του U+6 ή U+4 σε U+3,

| 6. | Συστήματα οξείδωσης ουρανίου, για την οξείδωση του U+3 σε U+4, |
| --- | --- |

6.

Συστήματα οξείδωσης ουρανίου, για την οξείδωση του U+3 σε U+4,

| στ. | Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για την διαδικασία διαχωρισμού μέσω ανταλλαγής ιόντων, ως εξής:






  1. | Ρητίνες ανταλλαγής ιόντων ταχείας αντιδράσεως, υμενοειδείς ή πορώδεις ρητίνες διαμορφωμένες σε μακρο-πλέγμα, στο οποίο οι ενεργές ομάδες χημικής ανταλλαγής περιορίζονται σε ένα επίχρισμα στην επιφάνεια αδρανούς πορώδους βασικής δομής και άλλων συνθετικών δομών οποιασδήποτε κατάλληλης μορφής, περιλαμβανομένων σωματιδίων ή ινών με διαμέτρους το πολύ 0,2 mm, ανθεκτικές στο πυκνό υδροχλωρικό οξύ και κατασκευασμένες ώστε να έχουν χρόνο ημιζωής της ανταλλαγής κάτω των 10 sec και ικανές να λειτουργούν σε θερμοκρασίες στην περιοχή 373 K (– 100 °C) έως 473 K (– 200 °C), |
| --- | --- | --- |

στ.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για την διαδικασία διαχωρισμού μέσω ανταλλαγής ιόντων, ως εξής:

1.

Ρητίνες ανταλλαγής ιόντων ταχείας αντιδράσεως, υμενοειδείς ή πορώδεις ρητίνες διαμορφωμένες σε μακρο-πλέγμα, στο οποίο οι ενεργές ομάδες χημικής ανταλλαγής περιορίζονται σε ένα επίχρισμα στην επιφάνεια αδρανούς πορώδους βασικής δομής και άλλων συνθετικών δομών οποιασδήποτε κατάλληλης μορφής, περιλαμβανομένων σωματιδίων ή ινών με διαμέτρους το πολύ 0,2 mm, ανθεκτικές στο πυκνό υδροχλωρικό οξύ και κατασκευασμένες ώστε να έχουν χρόνο ημιζωής της ανταλλαγής κάτω των 10 sec και ικανές να λειτουργούν σε θερμοκρασίες στην περιοχή 373 K (– 100 °C) έως 473 K (– 200 °C),

| 2. | Στήλες ανταλλαγής ιόντων (κυλινδρικές), διαμέτρου άνω των 1 000 mm, κατασκευασμένες ή με προστασία από υλικά ανθεκτικά στο πυκνό υδροχλωρικό οξύ (π.χ. τιτάνιο ή πλαστικά με βάση φθοράνθρακες) και ικανές να λειτουργούν σε θερμοκρασίες στην περιοχή των 373 K (– 100 °C) έως 473 K (– 200 °C), και πιέσεις άνω των 0,7 ΜΡa, |
| --- | --- |

2.

Στήλες ανταλλαγής ιόντων (κυλινδρικές), διαμέτρου άνω των 1 000 mm, κατασκευασμένες ή με προστασία από υλικά ανθεκτικά στο πυκνό υδροχλωρικό οξύ (π.χ. τιτάνιο ή πλαστικά με βάση φθοράνθρακες) και ικανές να λειτουργούν σε θερμοκρασίες στην περιοχή των 373 K (– 100 °C) έως 473 K (– 200 °C), και πιέσεις άνω των 0,7 ΜΡa,

| 3. | Συστήματα ανταλλαγής ιόντων αντιστρόφου ροής (χημικά ή ηλεκτροχημικά συστήματα οξείδωσης ή αναγωγής) για την αναγέννηση των χημικών αναγωγικών ή οξειδωτικών ουσιών που χρησιμοποιούνται σε καταιονήσεις εμπλουτισμού ανταλλαγής ιόντων, |
| --- | --- |

3.

Συστήματα ανταλλαγής ιόντων αντιστρόφου ροής (χημικά ή ηλεκτροχημικά συστήματα οξείδωσης ή αναγωγής) για την αναγέννηση των χημικών αναγωγικών ή οξειδωτικών ουσιών που χρησιμοποιούνται σε καταιονήσεις εμπλουτισμού ανταλλαγής ιόντων,

| ζ. | Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για διαδικασίες διαχωρισμού ισοτόπων με "λέιζερ" ατομικού ατμού (AVLIS), ως ακολούθως:






  1. | Εκτοξευτές και σαρωτές δέσμης ηλεκτρονίων υψηλής ισχύος (strip or scanning electron beam guns) με ρευματική ισχύ άνω των 2,5 kW/cm για χρήση σε συστήματα εξατμίσεως του ουρανίου, |
| --- | --- | --- |

ζ.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για διαδικασίες διαχωρισμού ισοτόπων με "λέιζερ" ατομικού ατμού (AVLIS), ως ακολούθως:

1.

Εκτοξευτές και σαρωτές δέσμης ηλεκτρονίων υψηλής ισχύος (strip or scanning electron beam guns) με ρευματική ισχύ άνω των 2,5 kW/cm για χρήση σε συστήματα εξατμίσεως του ουρανίου,

| 2. | Συστήματα χειρισμού υγρού μεταλλικού ουρανίου, για λιωμένο ουράνιο ή κράματα ουρανίου, αποτελούμενα από πυριαντήρια κατασκευασμένα ή με προστασία από κατάλληλα υλικά ανθεκτικά στην θερμότητα και στη διάβρωση (π.χ. ταντάλιο, γραφίτης με επένδυση υττρίας, γραφίτης επενδεδυμένος με άλλα οξείδια σπανίων γαιών ή μιγμάτων τους) και εξοπλισμός ψύξεως των πυριαντηρίων,

  ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 2Α225. |
| --- | --- |

2.

Συστήματα χειρισμού υγρού μεταλλικού ουρανίου, για λιωμένο ουράνιο ή κράματα ουρανίου, αποτελούμενα από πυριαντήρια κατασκευασμένα ή με προστασία από κατάλληλα υλικά ανθεκτικά στην θερμότητα και στη διάβρωση (π.χ. ταντάλιο, γραφίτης με επένδυση υττρίας, γραφίτης επενδεδυμένος με άλλα οξείδια σπανίων γαιών ή μιγμάτων τους) και εξοπλισμός ψύξεως των πυριαντηρίων,

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 2Α225.

| 3. | Συστήματα συλλογής προϊόντων και υπολειμμάτων κατασκευασμένα ή επενδεδυμένα με υλικά ανθεκτικά στην θερμότητα και την διάβρωση από το μεταλλικό ουράνιο σε υγρή ή αέρια κατάσταση, όπως είναι ο γραφίτης με επένδυση από υττρία ή το ταντάλιο, |
| --- | --- |

3.

Συστήματα συλλογής προϊόντων και υπολειμμάτων κατασκευασμένα ή επενδεδυμένα με υλικά ανθεκτικά στην θερμότητα και την διάβρωση από το μεταλλικό ουράνιο σε υγρή ή αέρια κατάσταση, όπως είναι ο γραφίτης με επένδυση από υττρία ή το ταντάλιο,

| 4. | Περιβλήματα τμημάτων διαχωριστών (κυλινδρικά ή παραλληλεπίπεδα δοχεία) για την συγκράτηση της πηγής ατμών μετάλλου ουρανίου, του εκτοξευτή δέσμης ηλεκτρονίων και των συλλεκτών των προϊόντων και υπολειμμάτων, |
| --- | --- |

4.

Περιβλήματα τμημάτων διαχωριστών (κυλινδρικά ή παραλληλεπίπεδα δοχεία) για την συγκράτηση της πηγής ατμών μετάλλου ουρανίου, του εκτοξευτή δέσμης ηλεκτρονίων και των συλλεκτών των προϊόντων και υπολειμμάτων,

| 5. | "Λέιζερ" ή συστήματα "λέιζερ" για τον διαχωρισμό ισοτόπων ουρανίου, με σταθεροποιητή συχνότητας φάσματος για χρονικά παρατεταμένη λειτουργία,

  ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 6Α005 ΚΑΙ 6Α205. |
| --- | --- |

5.

"Λέιζερ" ή συστήματα "λέιζερ" για τον διαχωρισμό ισοτόπων ουρανίου, με σταθεροποιητή συχνότητας φάσματος για χρονικά παρατεταμένη λειτουργία,

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 6Α005 ΚΑΙ 6Α205.

| η. | Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για την διαδικασία διαχωρισμού ισοτόπων με μοριακό "λέιζερ" (MLIS) ή για χημική αντίδραση με επιλεκτική ενεργοποίηση ισοτόπων με λέιζερ (CRISLA), ως ακολούθως:






  1. | Ακροφύσια υπερηχητικής εκτονώσεως για την ψύξη μιγμάτων UF6 και φέροντος αερίου στους 150 Κ (– 123 °C) ή χαμηλότερα και κατασκευασμένα από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6", |
| --- | --- | --- |

η.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για την διαδικασία διαχωρισμού ισοτόπων με μοριακό "λέιζερ" (MLIS) ή για χημική αντίδραση με επιλεκτική ενεργοποίηση ισοτόπων με λέιζερ (CRISLA), ως ακολούθως:

1.

Ακροφύσια υπερηχητικής εκτονώσεως για την ψύξη μιγμάτων UF6 και φέροντος αερίου στους 150 Κ (– 123 °C) ή χαμηλότερα και κατασκευασμένα από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6",

| 2. | Συλλέκτες προϊόντων πενταφθοριούχου ουρανίου (UF5), αποτελούμενοι από φίλτρο, συλλέκτες προσκρούσεως ή κυκλωνικού τύπου ή συνδυασμοί των ανωτέρω και κατασκευασμένοι από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF5/UF6", |
| --- | --- |

2.

Συλλέκτες προϊόντων πενταφθοριούχου ουρανίου (UF5), αποτελούμενοι από φίλτρο, συλλέκτες προσκρούσεως ή κυκλωνικού τύπου ή συνδυασμοί των ανωτέρω και κατασκευασμένοι από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF5/UF6",

| 3. | Συμπιεστές κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6", στεγανοποιητικά παρεμβύσματα περιστροφικού άξονα για αυτούς, |
| --- | --- |

3.

Συμπιεστές κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6", στεγανοποιητικά παρεμβύσματα περιστροφικού άξονα για αυτούς,

| 4. | Εξοπλισμός για την φθορίωση του (στερεού) UF5 σε (αέριο) UF6, |
| --- | --- |

4.

Εξοπλισμός για την φθορίωση του (στερεού) UF5 σε (αέριο) UF6,

| 5. | Συστήματα επεξεργασίας για το διαχωρισμό του UF6 από το φέρον αέριο (π.χ. άζωτο ή αργό), όπου συμπεριλαμβάνονται:






  α. | Κρυογονικοί εναλλάκτες θερμότητας και κρυοδιαχωριστές ικανοί να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 153 K (– 120 °C) ή χαμηλότερες, |
| --- | --- | --- |

5.

Συστήματα επεξεργασίας για το διαχωρισμό του UF6 από το φέρον αέριο (π.χ. άζωτο ή αργό), όπου συμπεριλαμβάνονται:

α.

Κρυογονικοί εναλλάκτες θερμότητας και κρυοδιαχωριστές ικανοί να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 153 K (– 120 °C) ή χαμηλότερες,

| β. | Κρυογονικές μονάδες ψύξεως ικανές να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 153 K (– 120 °C) ή χαμηλότερες, |
| --- | --- |

β.

Κρυογονικές μονάδες ψύξεως ικανές να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 153 K (– 120 °C) ή χαμηλότερες,

| γ. | Ψυχρές παγίδες UF6 ικανές να επιτυγχάνουν σε θερμοκρασίες 253 K (– 20 °C) ή χαμηλότερες, |
| --- | --- |

γ.

Ψυχρές παγίδες UF6 ικανές να επιτυγχάνουν σε θερμοκρασίες 253 K (– 20 °C) ή χαμηλότερες,

| 6. | "Λέιζερ" ή συστήματα "λέιζερ" για το διαχωρισμό των ισοτόπων του ουρανίου με σταθεροποιητή φασματικής συχνότητας για λειτουργία επί μακρές χρονικές περιόδους.

  ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 6Α005 ΚΑΙ 6Α205. |
| --- | --- |

6.

"Λέιζερ" ή συστήματα "λέιζερ" για το διαχωρισμό των ισοτόπων του ουρανίου με σταθεροποιητή φασματικής συχνότητας για λειτουργία επί μακρές χρονικές περιόδους.

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 6Α005 ΚΑΙ 6Α205.

| θ. | Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για την διαδικασία διαχωρισμού πλάσματος, ως ακολούθως:






  1. | Πηγές ισχύος εκπομπής μικροκυμάτων και κεραίες για την παραγωγή ή την επιτάχυνση ιόντων, με συχνότητα εξόδου άνω των 30 GHz και μέση ισχύ εξόδου άνω των 50 kW, |
| --- | --- | --- |

θ.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για την διαδικασία διαχωρισμού πλάσματος, ως ακολούθως:

1.

Πηγές ισχύος εκπομπής μικροκυμάτων και κεραίες για την παραγωγή ή την επιτάχυνση ιόντων, με συχνότητα εξόδου άνω των 30 GHz και μέση ισχύ εξόδου άνω των 50 kW,

| 2. | Πηνία ραδιοσυχνοτήτων για την διέγερση των ιόντων με συχνότητες λειτουργίας άνω των 100 kHz και ικανά να αντέξουν μέση ισχύ άνω των 40 kW, |
| --- | --- |

2.

Πηνία ραδιοσυχνοτήτων για την διέγερση των ιόντων με συχνότητες λειτουργίας άνω των 100 kHz και ικανά να αντέξουν μέση ισχύ άνω των 40 kW,

| 3. | Συστήματα παραγωγής πλάσματος ουρανίου, |
| --- | --- |

3.

Συστήματα παραγωγής πλάσματος ουρανίου,

| 4. | Συστήματα χειρισμού υγρού μετάλλου για λιωμένο ουράνιο ή κράματα ουρανίου, αποτελούμενα από πυριαντήρια, κατασκευασμένα ή φέροντα προστασίες από κατάλληλα υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση και στη θερμότητα (π.χ. ταντάλιο, γραφίτης με επένδυση υττρίας, γραφίτης με επένδυση οξειδίων άλλων σπανίων γαιών ή μίγματα των ανωτέρω) και εξοπλισμός ψύξεως για τα πυριαντήρια,

  ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 2Α225. |
| --- | --- |

4.

Συστήματα χειρισμού υγρού μετάλλου για λιωμένο ουράνιο ή κράματα ουρανίου, αποτελούμενα από πυριαντήρια, κατασκευασμένα ή φέροντα προστασίες από κατάλληλα υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση και στη θερμότητα (π.χ. ταντάλιο, γραφίτης με επένδυση υττρίας, γραφίτης με επένδυση οξειδίων άλλων σπανίων γαιών ή μίγματα των ανωτέρω) και εξοπλισμός ψύξεως για τα πυριαντήρια,

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 2Α225.

| 5. | Συλλέκτες προϊόντων και καταλοίπων κατασκευασμένοι ή επενδεδυμένοι με υλικά ανθεκτικά στην θερμότητα και στην διάβρωση που προκαλούν οι ατμοί ουρανίου, όπως γραφίτη επενδεδυμένο με ύττριο, ή ταντάλιο, |
| --- | --- |

5.

Συλλέκτες προϊόντων και καταλοίπων κατασκευασμένοι ή επενδεδυμένοι με υλικά ανθεκτικά στην θερμότητα και στην διάβρωση που προκαλούν οι ατμοί ουρανίου, όπως γραφίτη επενδεδυμένο με ύττριο, ή ταντάλιο,

| 6. | Περιβλήματα τμημάτων διαχωριστών (κυλινδρικά), για την συγκράτηση της πηγής πλάσματος ουρανίου, του πηνίου παραγωγής ραδιοσυχνοτήτων και των συλλεκτών των προϊόντων και των υπολειμμάτων και κατασκευασμένα από κατάλληλο μη μαγνητικό υλικό (π.χ. ανοξείδωτο χάλυβα), |
| --- | --- |

6.

Περιβλήματα τμημάτων διαχωριστών (κυλινδρικά), για την συγκράτηση της πηγής πλάσματος ουρανίου, του πηνίου παραγωγής ραδιοσυχνοτήτων και των συλλεκτών των προϊόντων και των υπολειμμάτων και κατασκευασμένα από κατάλληλο μη μαγνητικό υλικό (π.χ. ανοξείδωτο χάλυβα),

| ι. | Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη διαδικασία ηλεκτρομαγνητικού διαχωρισμού, ως εξής:






  1. | Πηγές ιόντων, απλές ή πολλαπλές, αποτελούμενες από πηγή ατμών, ιονιστή και επιταχυντή δέσμης κατασκευασμένες από κατάλληλα μη μαγνητικά υλικά (π.χ. γραφίτη, ανοξείδωτο χάλυβα ή χαλκό) και ικανές να παρέχουν συνολικό ρεύμα δέσμης ιόντων τάξεως τουλάχιστον 50 mA, |
| --- | --- | --- |

ι.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη διαδικασία ηλεκτρομαγνητικού διαχωρισμού, ως εξής:

1.

Πηγές ιόντων, απλές ή πολλαπλές, αποτελούμενες από πηγή ατμών, ιονιστή και επιταχυντή δέσμης κατασκευασμένες από κατάλληλα μη μαγνητικά υλικά (π.χ. γραφίτη, ανοξείδωτο χάλυβα ή χαλκό) και ικανές να παρέχουν συνολικό ρεύμα δέσμης ιόντων τάξεως τουλάχιστον 50 mA,

| 2. | Πλάκες συλλογής ιόντων για τη συλλογή δεσμών ιόντων εμπλουτισμένου ή εξαντλημένου ουρανίου, αποτελούμενες από δύο ή περισσότερες σχισμές και εσοχές και κατασκευασμένες από κατάλληλα μη μαγνητικά υλικά (π.χ. γραφίτη ή ανοξείδωτο χάλυβα), |
| --- | --- |

2.

Πλάκες συλλογής ιόντων για τη συλλογή δεσμών ιόντων εμπλουτισμένου ή εξαντλημένου ουρανίου, αποτελούμενες από δύο ή περισσότερες σχισμές και εσοχές και κατασκευασμένες από κατάλληλα μη μαγνητικά υλικά (π.χ. γραφίτη ή ανοξείδωτο χάλυβα),

| 3. | Περιβλήματα κενού για ηλεκτρομαγνητικούς διαχωριστές ουρανίου, κατασκευασμένα από μη μαγνητικά υλικά (π.χ. ανοξείδωτο χάλυβα) και σχεδιασμένα για να λειτουργούν σε πιέσεις το πολύ 0,1 Ρa, |
| --- | --- |

3.

Περιβλήματα κενού για ηλεκτρομαγνητικούς διαχωριστές ουρανίου, κατασκευασμένα από μη μαγνητικά υλικά (π.χ. ανοξείδωτο χάλυβα) και σχεδιασμένα για να λειτουργούν σε πιέσεις το πολύ 0,1 Ρa,

| 4. | Τμήματα μαγνητικών πόλων, διαμέτρου άνω των 2 m, |
| --- | --- |

4.

Τμήματα μαγνητικών πόλων, διαμέτρου άνω των 2 m,

| 5. | Τροφοδοτικά ισχύος υψηλής τάσεως για πηγές ιόντων, διαθέτοντα όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Ικανά για συνεχή λειτουργία, |
| --- | --- | --- |

5.

Τροφοδοτικά ισχύος υψηλής τάσεως για πηγές ιόντων, διαθέτοντα όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Ικανά για συνεχή λειτουργία,

| β. | Τάση εξόδου τουλάχιστον 20 000 V, |
| --- | --- |

β.

Τάση εξόδου τουλάχιστον 20 000 V,

| γ. | Ρεύμα εξόδου τουλάχιστον 1 Α, και |
| --- | --- |

γ.

Ρεύμα εξόδου τουλάχιστον 1 Α, και

| δ. | Ρύθμιση τάσεως καλύτερη του 0,01 % για χρονικό διάστημα 8 ωρών, |
| --- | --- |

δ.

Ρύθμιση τάσεως καλύτερη του 0,01 % για χρονικό διάστημα 8 ωρών,

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α227.

| 6. | Τροφοδοτικά ισχύος μαγνητών (υψηλή ισχύς, συνεχές ρεύμα), διαθέτοντα όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Δυνατότητα συνεχούς λειτουργίας, με ρεύμα εξόδου τουλάχιστον 500 Α σε τάση τουλάχιστον 100 V, και |
| --- | --- | --- |

6.

Τροφοδοτικά ισχύος μαγνητών (υψηλή ισχύς, συνεχές ρεύμα), διαθέτοντα όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Δυνατότητα συνεχούς λειτουργίας, με ρεύμα εξόδου τουλάχιστον 500 Α σε τάση τουλάχιστον 100 V, και

| β. | Ρύθμιση ρεύματος ή τάσεως καλύτερη του 0,01 % σε διάστημα 8 ωρών, |
| --- | --- |

β.

Ρύθμιση ρεύματος ή τάσεως καλύτερη του 0,01 % σε διάστημα 8 ωρών,

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α226.

0B002Ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα βοηθητικά συστήματα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ως εξής για μονάδα διαχωρισμού ισοτόπων που προδιαγράφεται στο 0Β001, κατασκευασμένα ή με προστασία από "υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6",

| α. | Αυτόκλειστα τροφοδοσίας, κλίβανοι ή συστήματα που χρησιμοποιούνται για τη διοχέτευση του UF6 στη διαδικασία εμπλουτισμού, |
| --- | --- |

α.

Αυτόκλειστα τροφοδοσίας, κλίβανοι ή συστήματα που χρησιμοποιούνται για τη διοχέτευση του UF6 στη διαδικασία εμπλουτισμού,

| β. | Απεξαχνωτές ή ψυχρές παγίδες που χρησιμεύουν για την αφαίρεση του UF6 από την διαδικασία εμπλουτισμού για επακόλουθη μεταφορά κατόπιν θερμάνσεως, |
| --- | --- |

β.

Απεξαχνωτές ή ψυχρές παγίδες που χρησιμεύουν για την αφαίρεση του UF6 από την διαδικασία εμπλουτισμού για επακόλουθη μεταφορά κατόπιν θερμάνσεως,

| γ. | Σταθμοί προϊόντων και υπολειμμάτων για την μεταφορά του UF6 σε περιέκτες, |
| --- | --- |

γ.

Σταθμοί προϊόντων και υπολειμμάτων για την μεταφορά του UF6 σε περιέκτες,

| δ. | Σταθμοί υγροποίησης ή στερεοποίησης για την αφαίρεση του UF6 από τη διαδικασία εμπλουτισμού μέσω συμπίεσης, ψύξης και μετατροπής του UF6 σε υγρή ή στερεή μορφή, |
| --- | --- |

δ.

Σταθμοί υγροποίησης ή στερεοποίησης για την αφαίρεση του UF6 από τη διαδικασία εμπλουτισμού μέσω συμπίεσης, ψύξης και μετατροπής του UF6 σε υγρή ή στερεή μορφή,

| ε. | Συστήματα σωληνώσεων και συστήματα διανομής ειδικά σχεδιασμένα για τη λειτουργία με UF6 σε αέριο διάχυση, φυγοκέντρηση, ή αεροδυναμική καταιόνηση, |
| --- | --- |

ε.

Συστήματα σωληνώσεων και συστήματα διανομής ειδικά σχεδιασμένα για τη λειτουργία με UF6 σε αέριο διάχυση, φυγοκέντρηση, ή αεροδυναμική καταιόνηση,

| στ. | 1. | Συστήματα σωληναγωγών κενού ή κεφαλές σωληναγωγών κενού με απορροφητική ικανότητα 5 m3/min και άνω, ή |
| --- | --- | --- |

στ.

1.

Συστήματα σωληναγωγών κενού ή κεφαλές σωληναγωγών κενού με απορροφητική ικανότητα 5 m3/min και άνω, ή

| 2. | Αντλίες κενού ειδικά σχεδιασμένες για χρήση σε ατμόσφαιρες που περιέχουν UF6, |
| --- | --- |

2.

Αντλίες κενού ειδικά σχεδιασμένες για χρήση σε ατμόσφαιρες που περιέχουν UF6,

| ζ. | Φασματόμετρα μάζας UF6/πηγές ιόντων ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για την δειγματοληψία on-line πρώτης ύλης, προϊόντων ή καταλοίπων από τις ροές UF6, τα οποία διαθέτουν το σύνολο των ακόλουθων χαρακτηριστικών:






  1. | Μοναδιαία διακριτική ικανότητα μάζας ανώτερη από 320 amu, |
| --- | --- | --- |

ζ.

Φασματόμετρα μάζας UF6/πηγές ιόντων ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για την δειγματοληψία on-line πρώτης ύλης, προϊόντων ή καταλοίπων από τις ροές UF6, τα οποία διαθέτουν το σύνολο των ακόλουθων χαρακτηριστικών:

1.

Μοναδιαία διακριτική ικανότητα μάζας ανώτερη από 320 amu,

| 2. | Πηγές ιόντων κατασκευασμένες ή επενδεδυμένες με nichrome ή monel, ή επινικελωμένες, |
| --- | --- |

2.

Πηγές ιόντων κατασκευασμένες ή επενδεδυμένες με nichrome ή monel, ή επινικελωμένες,

| 3. | Πηγές ιονισμού μέσω βομβαρδισμού ηλεκτρονίων, και |
| --- | --- |

3.

Πηγές ιονισμού μέσω βομβαρδισμού ηλεκτρονίων, και

| 4. | Συστήματα συλλεκτών, κατάλληλα για ανάλυση ισοτόπων. |
| --- | --- |

4.

Συστήματα συλλεκτών, κατάλληλα για ανάλυση ισοτόπων.

0B003Εγκαταστάσεις για τη μετατροπή ουρανίου και εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος για το σκοπό αυτό, ως εξής:

| α. | Συστήματα για τη μετατροπή συμπυκνωμένου μεταλλεύματος ουρανίου σε UO3, |
| --- | --- |

α.

Συστήματα για τη μετατροπή συμπυκνωμένου μεταλλεύματος ουρανίου σε UO3,

| β. | Συστήματα για τη μετατροπή του UO3 σε UF6, |
| --- | --- |

β.

Συστήματα για τη μετατροπή του UO3 σε UF6,

| γ. | Συστήματα για τη μετατροπή του UO3 σε UO2, |
| --- | --- |

γ.

Συστήματα για τη μετατροπή του UO3 σε UO2,

| δ. | Συστήματα για τη μετατροπή του UO2 σε UF4, |
| --- | --- |

δ.

Συστήματα για τη μετατροπή του UO2 σε UF4,

| ε. | Συστήματα για τη μετατροπή του UF4 σε UF6, |
| --- | --- |

ε.

Συστήματα για τη μετατροπή του UF4 σε UF6,

| στ. | Συστήματα για τη μετατροπή του UF4 σε μεταλλικό ουράνιο, |
| --- | --- |

στ.

Συστήματα για τη μετατροπή του UF4 σε μεταλλικό ουράνιο,

| ζ. | Συστήματα για τη μετατροπή του UF6 σε UO2, |
| --- | --- |

ζ.

Συστήματα για τη μετατροπή του UF6 σε UO2,

| η. | Συστήματα για τη μετατροπή του UF6 σε UF4, |
| --- | --- |

η.

Συστήματα για τη μετατροπή του UF6 σε UF4,

| θ. | Συστήματα για τη μετατροπή του UΟ2 σε UCl4. |
| --- | --- |

θ.

Συστήματα για τη μετατροπή του UΟ2 σε UCl4.

0B004Εγκαταστάσεις για την παραγωγή ή τη συμπύκνωση βαρέος ύδατος, δευτερίου και ενώσεων δευτερίου και ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος προς τούτο εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη του εξοπλισμού αυτού, ως ακολούθως:

| α. | Εγκαταστάσεις για την παραγωγή βαρέος ύδατος, δευτερίου ή ενώσεων δευτερίου ως ακολούθως:






  1. | Εγκαταστάσεις ανταλλαγής ύδατος-υδροθείου, |
| --- | --- | --- |

α.

Εγκαταστάσεις για την παραγωγή βαρέος ύδατος, δευτερίου ή ενώσεων δευτερίου ως ακολούθως:

1.

Εγκαταστάσεις ανταλλαγής ύδατος-υδροθείου,

| 2. | Εγκαταστάσεις ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου, |
| --- | --- |

2.

Εγκαταστάσεις ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου,

| β. | Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ως ακολούθως:






  1. | Πύργοι ανταλλαγής ύδατος-υδροθείου κατασκευασμένοι από χάλυβα λεπτόκοκκου άνθρακα (π.χ. ASTM A516), με διάμετρο από 6 ως 9 μέτρα, ικανότητα λειτουργίας σε πιέσεις τουλάχιστον 2 MPa και ανοχή διάβρωσης τουλάχιστον 6 mm, |
| --- | --- | --- |

β.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ως ακολούθως:

1.

Πύργοι ανταλλαγής ύδατος-υδροθείου κατασκευασμένοι από χάλυβα λεπτόκοκκου άνθρακα (π.χ. ASTM A516), με διάμετρο από 6 ως 9 μέτρα, ικανότητα λειτουργίας σε πιέσεις τουλάχιστον 2 MPa και ανοχή διάβρωσης τουλάχιστον 6 mm,

| 2. | Μονοσταδιακοί φυγοκεντρικοί φυσητήρες ή συμπιεστές χαμηλής (δηλ. 0,2 MPa) υπερπίεσης για την κυκλοφορία του αέριου υδροθείου (δηλ. αερίου με περισσότερο από 70 % H2S), με ικανότητα συνολικής παροχής τουλάχιστον 56 m3/sec όταν λειτουργούν υπό αναρροφητική πίεση 1,8 MPa και άνω, και με στεγανοποιητές σχεδιασμένους για λειτουργία σε ατμόσφαιρα υδροθείου-υγρασίας, |
| --- | --- |

2.

Μονοσταδιακοί φυγοκεντρικοί φυσητήρες ή συμπιεστές χαμηλής (δηλ. 0,2 MPa) υπερπίεσης για την κυκλοφορία του αέριου υδροθείου (δηλ. αερίου με περισσότερο από 70 % H2S), με ικανότητα συνολικής παροχής τουλάχιστον 56 m3/sec όταν λειτουργούν υπό αναρροφητική πίεση 1,8 MPa και άνω, και με στεγανοποιητές σχεδιασμένους για λειτουργία σε ατμόσφαιρα υδροθείου-υγρασίας,

| 3. | Πύργοι ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου ύψους 35 μέτρων και άνω, με διάμετρο από 1,5 ως 2,5 μέτρα και ικανότητα λειτουργίας σε πιέσεις άνω των 15 MPa, |
| --- | --- |

3.

Πύργοι ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου ύψους 35 μέτρων και άνω, με διάμετρο από 1,5 ως 2,5 μέτρα και ικανότητα λειτουργίας σε πιέσεις άνω των 15 MPa,

| 4. | Εσωτερικά κατασκευαστικά στοιχεία πύργων, συμπεριλαμβανομένων των βαθμιδωτών επαφέων, και βαθμιδωτές αντλίες, συμπεριλαμβανομένων των βυθιζόμενων αντλιών, για την παραγωγή βαρέος ύδατος με τη μέθοδο της ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου, |
| --- | --- |

4.

Εσωτερικά κατασκευαστικά στοιχεία πύργων, συμπεριλαμβανομένων των βαθμιδωτών επαφέων, και βαθμιδωτές αντλίες, συμπεριλαμβανομένων των βυθιζόμενων αντλιών, για την παραγωγή βαρέος ύδατος με τη μέθοδο της ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου,

| 5. | Διασπαστήρες αμμωνίας σχεδιασμένοι για πιέσεις λειτουργίας άνω των 3 MPa, για την παραγωγή βαρέος ύδατος με τη μέθοδο της ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου, |
| --- | --- |

5.

Διασπαστήρες αμμωνίας σχεδιασμένοι για πιέσεις λειτουργίας άνω των 3 MPa, για την παραγωγή βαρέος ύδατος με τη μέθοδο της ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου,

| 6. | Αναλυτές απορρόφησης υπέρυθρων ακτίνων για την on-line ανάλυση της αναλογίας υδρογόνου-δευτερίου, όπου οι συγκεντρώσεις του δευτερίου είναι ίσες ή μεγαλύτερες από 90 %, |
| --- | --- |

6.

Αναλυτές απορρόφησης υπέρυθρων ακτίνων για την on-line ανάλυση της αναλογίας υδρογόνου-δευτερίου, όπου οι συγκεντρώσεις του δευτερίου είναι ίσες ή μεγαλύτερες από 90 %,

| 7. | Καταλυτικοί καυστήρες για τη μετατροπή εμπλουτισμένου αέριου δευτερίου σε βαρύ ύδωρ με τη μέθοδο της ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου, |
| --- | --- |

7.

Καταλυτικοί καυστήρες για τη μετατροπή εμπλουτισμένου αέριου δευτερίου σε βαρύ ύδωρ με τη μέθοδο της ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου,

| 8. | Πλήρη συστήματα εμπλουτισμού βαρέος ύδατος, ή στήλες για τέτοια συστήματα, ώστε η περιεκτικότητά του σε δευτέριο να το καθιστά κατάλληλο να χρησιμοποιηθεί σε αντιδραστήρα. |
| --- | --- |

8.

Πλήρη συστήματα εμπλουτισμού βαρέος ύδατος, ή στήλες για τέτοια συστήματα, ώστε η περιεκτικότητά του σε δευτέριο να το καθιστά κατάλληλο να χρησιμοποιηθεί σε αντιδραστήρα.

0B005Εγκαταστάσεις ειδικά σχεδιασμένες για την παραγωγή στοιχείων καυσίμου "πυρηνικών αντιδραστήρων" και εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος για τις εγκαταστάσεις αυτές.

Σημείωση: Εγκαταστάσεις για την παραγωγή στοιχείων καυσίμου για "πυρηνικούς αντιδραστήρες" περιλαμβάνουν εξοπλισμό ο οποίος:

| α. | Κανονικά έρχεται σε άμεση επαφή ή χρησιμεύει άμεσα στην κατεργασία ή τον έλεγχο της ροής παραγωγής πυρηνικών υλικών, |
| --- | --- |

α.

Κανονικά έρχεται σε άμεση επαφή ή χρησιμεύει άμεσα στην κατεργασία ή τον έλεγχο της ροής παραγωγής πυρηνικών υλικών,

| β. | Περιβάλλει με στεγανό περίβλημα τα πυρηνικά υλικά, |
| --- | --- |

β.

Περιβάλλει με στεγανό περίβλημα τα πυρηνικά υλικά,

| γ. | Ελέγχει την ακεραιότητα των περιβλημάτων ή των επισυγκολλήσεων, ή |
| --- | --- |

γ.

Ελέγχει την ακεραιότητα των περιβλημάτων ή των επισυγκολλήσεων, ή

| δ. | Ελέγχει την τελική κατεργασία του σφραγισμένου καυσίμου. |
| --- | --- |

δ.

Ελέγχει την τελική κατεργασία του σφραγισμένου καυσίμου.

0B006Εγκαταστάσεις για την επανεπεξεργασία ακτινοβολημένων στοιχείων καυσίμου "πυρηνικών αντιδραστήρων" και εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τις εγκαταστάσεις αυτές.

Σημείωση: Το σημείο 0Β006 περιλαμβάνει:

| α. | Εγκαταστάσεις για την επανεπεξεργασία ακτινοβολημένων στοιχείων καυσίμου "πυρηνικών αντιδραστήρων"· περιλαμβάνονται εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη τα οποία κανονικά έρχονται σε άμεση επαφή και χρησιμεύουν άμεσα για τον έλεγχο του ακτινοβολημένου καυσίμου και των κυριοτέρων ροών κατεργασίας των πυρηνικών υλικών και των προϊόντων σχάσεως, |
| --- | --- |

α.

Εγκαταστάσεις για την επανεπεξεργασία ακτινοβολημένων στοιχείων καυσίμου "πυρηνικών αντιδραστήρων"· περιλαμβάνονται εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη τα οποία κανονικά έρχονται σε άμεση επαφή και χρησιμεύουν άμεσα για τον έλεγχο του ακτινοβολημένου καυσίμου και των κυριοτέρων ροών κατεργασίας των πυρηνικών υλικών και των προϊόντων σχάσεως,

| β. | Μηχανές κοπής ή τεμαχισμού των στοιχείων καυσίμου, δηλαδή τηλεχειριζόμενο εξοπλισμό για την κοπή, τον μικροτεμαχισμό, την απόσχιση ή τον ψαλιδισμό ακτινοβολημένων διατάξεων, δεσμών ή ράβδων καυσίμου "πυρηνικών αντιδραστήρων", |
| --- | --- |

β.

Μηχανές κοπής ή τεμαχισμού των στοιχείων καυσίμου, δηλαδή τηλεχειριζόμενο εξοπλισμό για την κοπή, τον μικροτεμαχισμό, την απόσχιση ή τον ψαλιδισμό ακτινοβολημένων διατάξεων, δεσμών ή ράβδων καυσίμου "πυρηνικών αντιδραστήρων",

| γ. | Διαλυτοποιητές, ασφαλείς δεξαμενές για την αποφυγή της κρισιμότητας (π.χ. δακτυλιοειδείς ή ορθογώνιες δεξαμενές μικρής διαμέτρου) ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για την διάλυση ακτινοβολημένου καυσίμου "πυρηνικών αντιδραστήρων", με αντοχή στην θερμότητα, τα ισχυρά διαβρωτικά υγρά, και που είναι δυνατόν να τροφοδοτηθούν και να συντηρηθούν με τηλεχειρισμό, |
| --- | --- |

γ.

Διαλυτοποιητές, ασφαλείς δεξαμενές για την αποφυγή της κρισιμότητας (π.χ. δακτυλιοειδείς ή ορθογώνιες δεξαμενές μικρής διαμέτρου) ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για την διάλυση ακτινοβολημένου καυσίμου "πυρηνικών αντιδραστήρων", με αντοχή στην θερμότητα, τα ισχυρά διαβρωτικά υγρά, και που είναι δυνατόν να τροφοδοτηθούν και να συντηρηθούν με τηλεχειρισμό,

| δ. | Συσκευές για την εξαγωγή του διαλύτη αντίστροφης ροής και εξοπλισμό κατεργασίας μέσω ανταλλαγής ιόντων ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για να χρησιμοποιηθούν σε εγκαταστάσεις επανεπεξεργασίας ακτινοβολημένου "φυσικού ουρανίου", "εξαντλημένου ουρανίου" ή "ειδικών σχάσιμων υλικών", |
| --- | --- |

δ.

Συσκευές για την εξαγωγή του διαλύτη αντίστροφης ροής και εξοπλισμό κατεργασίας μέσω ανταλλαγής ιόντων ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για να χρησιμοποιηθούν σε εγκαταστάσεις επανεπεξεργασίας ακτινοβολημένου "φυσικού ουρανίου", "εξαντλημένου ουρανίου" ή "ειδικών σχάσιμων υλικών",

| ε. | Λέβητες συγκράτησης ή αποθήκευσης ειδικά σχεδιασμένους ώστε να είναι ασφαλείς από την άποψη της κρισιμότητας και ανθεκτικοί στην διαβρωτική ενέργεια του νιτρικού οξέος,



  Σημείωση: Οι λέβητες συγκράτησης ή αποθήκευσης είναι δυνατόν να έχουν τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:








  1. | Τοιχώματα ή εσωτερικές κατασκευές με ισοδύναμο βορίου (υπολογιζόμενο για όλα τα δομικά μέρη όπως ορίζεται στη σημείωση του σημείου 0C004) τουλάχιστον 2 %, |
| --- | --- | --- |

ε.

Λέβητες συγκράτησης ή αποθήκευσης ειδικά σχεδιασμένους ώστε να είναι ασφαλείς από την άποψη της κρισιμότητας και ανθεκτικοί στην διαβρωτική ενέργεια του νιτρικού οξέος,

Σημείωση: Οι λέβητες συγκράτησης ή αποθήκευσης είναι δυνατόν να έχουν τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Τοιχώματα ή εσωτερικές κατασκευές με ισοδύναμο βορίου (υπολογιζόμενο για όλα τα δομικά μέρη όπως ορίζεται στη σημείωση του σημείου 0C004) τουλάχιστον 2 %,

| 2. | Μέγιστη διάμετρο 175 mm για τα κυλινδρικά δοχεία, ή |
| --- | --- |

2.

Μέγιστη διάμετρο 175 mm για τα κυλινδρικά δοχεία, ή

| 3. | Μέγιστο πλάτος 75 mm για τα ορθογώνια ή τα δακτυλιοειδή δοχεία. |
| --- | --- |

3.

Μέγιστο πλάτος 75 mm για τα ορθογώνια ή τα δακτυλιοειδή δοχεία.

| στ. | Όργανα ελέγχου των διεργασιών ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για την παρακολούθηση ή τον έλεγχο της επανεπεξεργασίας ακτινοβολημένου "φυσικού ουρανίου", "εξαντλημένου ουρανίου" ή "ειδικών σχάσιμων υλικών". |
| --- | --- |

στ.

Όργανα ελέγχου των διεργασιών ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για την παρακολούθηση ή τον έλεγχο της επανεπεξεργασίας ακτινοβολημένου "φυσικού ουρανίου", "εξαντλημένου ουρανίου" ή "ειδικών σχάσιμων υλικών".

0B007Εγκαταστάσεις μετατροπής πλουτωνίου και εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος γι' αυτές, ως εξής:

| α. | Συστήματα για τη μετατροπή του νιτρικού πλουτωνίου σε οξείδιο του πλουτωνίου, |
| --- | --- |

α.

Συστήματα για τη μετατροπή του νιτρικού πλουτωνίου σε οξείδιο του πλουτωνίου,

| β. | Συστήματα για την παραγωγή μεταλλικού πλουτωνίου. |
| --- | --- |

β.

Συστήματα για την παραγωγή μεταλλικού πλουτωνίου.

0CΥλικά

0C001"Φυσικό ουράνιο" ή "εξαντλημένο ουράνιο" ή θόριο υπό μορφή μετάλλου, κράματος, χημικής ένωσης ή συμπυκνώματος καθώς και κάθε άλλο υλικό το οποίο περιέχει ένα ή περισσότερα από τα προηγούμενα υλικά,

Σημείωση: Το σημείο 0C001 δεν περιλαμβάνει τα εξής:

| α. | Τέσσερα γραμμάρια και κάτω "φυσικό ουράνιο" ή "εξαντλημένο ουράνιο" όταν περιέχεται ως ανιχνευτικό συστατικό σε όργανα, |
| --- | --- |

α.

Τέσσερα γραμμάρια και κάτω "φυσικό ουράνιο" ή "εξαντλημένο ουράνιο" όταν περιέχεται ως ανιχνευτικό συστατικό σε όργανα,

| β. | "Εξαντλημένο ουράνιο" το οποίο έχει ειδικά παραχθεί για τις ακόλουθες πολιτικές μη πυρηνικές χρήσεις:








  1. | Θωράκιση, |
| --- | --- | --- |

β.

"Εξαντλημένο ουράνιο" το οποίο έχει ειδικά παραχθεί για τις ακόλουθες πολιτικές μη πυρηνικές χρήσεις:

1.

Θωράκιση,

| 2. | Συσκευασία, |
| --- | --- |

2.

Συσκευασία,

| 3. | Έρμα, μάζας όχι μεγαλύτερης των 100 kg, |
| --- | --- |

3.

Έρμα, μάζας όχι μεγαλύτερης των 100 kg,

| 4. | Αντίβαρο, μάζας όχι μεγαλύτερης των 100 kg, |
| --- | --- |

4.

Αντίβαρο, μάζας όχι μεγαλύτερης των 100 kg,

| γ. | Κράματα με θόριο σε ποσοστό κάτω του 5 %, |
| --- | --- |

γ.

Κράματα με θόριο σε ποσοστό κάτω του 5 %,

| δ. | Κεραμικά προϊόντα με θόριο, κατασκευασμένα για μη πυρηνική χρήση. |
| --- | --- |

δ.

Κεραμικά προϊόντα με θόριο, κατασκευασμένα για μη πυρηνική χρήση.

0C002"Ειδικά σχάσιμα υλικά".

Σημείωση: Το σημείο 0C002 δεν υπάγει σε έλεγχο τις ποσότητες μέχρι και τεσσάρων "ενεργών γραμμαρίων" όταν περιέχονται ως ανιχνευτικό συστατικό σε όργανα.

0C003Δευτέριο, βαρύ ύδωρ (οξείδιο του δευτερίου) και άλλες ενώσεις δευτερίου, καθώς και μείγματα και διαλύματα τα οποία περιέχουν δευτέριο, όπου η ισοτοπική αναλογία δευτερίου προς υδρογόνο υπερβαίνει το 1:5 000.

0C004Γραφίτης κατάλληλος για πυρηνική χρήση, με καθαρότητα κάτω των 5 ppm "ισοδυνάμου βορίου" και πυκνότητα άνω του 1,5g/cm3.

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 1C107

Σημείωση 1: Το σημείο 1C004 δεν υπάγει σε έλεγχο τα ακόλουθα:

| α. | Κατασκευάσματα από γραφίτη με μάζα κάτω του 1 Kg, εκτός από όσα έχουν σχεδιαστεί ή παρασκευαστεί ειδικά για να χρησιμοποιηθούν σε πυρηνικό αντιδραστήρα, |
| --- | --- |

α.

Κατασκευάσματα από γραφίτη με μάζα κάτω του 1 Kg, εκτός από όσα έχουν σχεδιαστεί ή παρασκευαστεί ειδικά για να χρησιμοποιηθούν σε πυρηνικό αντιδραστήρα,

| β. | Γραφιτόσκονη. |
| --- | --- |

β.

Γραφιτόσκονη.

Σημείωση 2: Στο σημείο 0C004, το "ισοδύναμο βορίου" (BE) ορίζεται ως το άθροισμα των BEz για τις προσμίξεις (πλην του BEC, αφού ο άνθρακας δεν θεωρείται πρόσμιξη), συμπεριλαμβανομένου του βορίου, όπου:

BEz (ppm) = CF × συγκέντρωση στοιχείου Z σε ppm,

CF είναι ο συντελεστής μετατροπής Formula

και σB και σZ είναι αντιστοίχως οι διατομές δεσμεύσεως θερμικών νετρονίων του φυσικού βορίου και του στοιχείου Z σε barn, ενώ AB και AZ είναι αντιστοίχως οι ατομικές μάζες του φυσικού βορίου και του στοιχείου Z.

0C005Ενώσεις ή σκόνες ειδικά κατασκευασμένες για την παραγωγή διαφραγμάτων αερίου διαχύσεως, ανθεκτικές στη διάβρωση από το UF6 (π.χ. νικέλιο ή κράμα με περιεκτικότητα σε νικέλιο 60 % και άνω κατά βάρος, οξείδιο του αλουμινίου και πλήρως φθοριωμένα πολυμερή υδατανθράκων), με καθαρότητα 99,9 % κατά βάρος και άνω και μέσο μέγεθος σωματιδίων κάτω των 10 μικρομέτρων μετρημένο βάσει του προτύπου B330 της American Society for Testing and Materials (Αμερικανική Εταιρεία Δοκιμών και Υλικών) (ASTM) και με υψηλό βαθμό ομοιογένειας των σωματιδίων.

0DΛογισμικό

0D001"Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την "ανάπτυξη", "παραγωγή" ή "χρήση" προϊόντων που καθορίζονται σε αυτήν την κατηγορία.

0EΤεχνολογία

0E001"Τεχνολογία" σύμφωνα με το σημείωμα για την Πυρηνική Τεχνολογία για την "ανάπτυξη", "παραγωγή" ή "χρήση" προϊόντων που περιγράφονται σε αυτήν την κατηγορία.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 1

ΥΛΙΚΑ, ΧΗΜΙΚΕΣ ΟΥΣΙΕΣ, "ΜΙΚΡΟΟΡΓΑΝΙΣΜΟΙ" & "ΤΟΞΙΝΕΣ"

1AΣυστήματα, Εξοπλισμός και Εξαρτήματα

1A001Εξαρτήματα από φθοριωμένα προϊόντα, ως εξής:

| α. | Παρεμβύσματα, φλάντζες, σφραγιστικά ή πλωτήρες καυσίμου ειδικά σχεδιασμένα για "αεροπλάνα" ή διαστημικά σκάφη, κατασκευασμένα από οποιοδήποτε υλικό που ορίζεται στο σημείο 1C009.β. ή 1C009.γ, σε αναλογία 50 % και άνω, |
| --- | --- |

α.

Παρεμβύσματα, φλάντζες, σφραγιστικά ή πλωτήρες καυσίμου ειδικά σχεδιασμένα για "αεροπλάνα" ή διαστημικά σκάφη, κατασκευασμένα από οποιοδήποτε υλικό που ορίζεται στο σημείο 1C009.β. ή 1C009.γ, σε αναλογία 50 % και άνω,

| β. | Πιεζοηλεκτρικά πολυμερή και συμπολυμερή κατασκευασμένα από φθοριούχο βινυλιδένιο που ορίζεται στο σημείο 1C009.α.:






  1. | σε φύλλα ή σε φιλμ, και |
| --- | --- | --- |

β.

Πιεζοηλεκτρικά πολυμερή και συμπολυμερή κατασκευασμένα από φθοριούχο βινυλιδένιο που ορίζεται στο σημείο 1C009.α.:

1.

σε φύλλα ή σε φιλμ, και

| 2. | πάχους ανωτέρου των 200 μm, |
| --- | --- |

2.

πάχους ανωτέρου των 200 μm,

| γ. | Παρεμβύσματα, φλάντζες, έδρες βαλβίδων, πλωτήρες ή διαφράγματα κατασκευασμένα από φθοριοελαστομερή περιέχοντα τουλάχιστον μία βινυλαιθερική ομάδα ως συστατική μονάδα, ειδικά σχεδιασμένα για "αεροπλάνα", διαστημικά σκάφη ή πυραύλους.


  Σημείωση: Στο σημείο 1Α001.γ, "πύραυλοι" νοούνται πλήρη πυραυλικά συστήματα και μη επανδρωμένα αεροσκάφη. |
| --- | --- |

γ.

Παρεμβύσματα, φλάντζες, έδρες βαλβίδων, πλωτήρες ή διαφράγματα κατασκευασμένα από φθοριοελαστομερή περιέχοντα τουλάχιστον μία βινυλαιθερική ομάδα ως συστατική μονάδα, ειδικά σχεδιασμένα για "αεροπλάνα", διαστημικά σκάφη ή πυραύλους.

Σημείωση: Στο σημείο 1Α001.γ, "πύραυλοι" νοούνται πλήρη πυραυλικά συστήματα και μη επανδρωμένα αεροσκάφη.

1A002"Σύνθετες" δομές ή ελάσματα, που έχουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛ. ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 1Α202, 9Α010 ΚΑΙ 9Α110

| α. | Οργανική "μήτρα" και είναι κατασκευασμένα από τα υλικά που ορίζονται στα σημεία 1C010.γ., 1C010.δ. ή 1C010.ε., ή |
| --- | --- |

α.

Οργανική "μήτρα" και είναι κατασκευασμένα από τα υλικά που ορίζονται στα σημεία 1C010.γ., 1C010.δ. ή 1C010.ε., ή

| β. | Μια μεταλλική ή ανθρακική "μήτρα" και είναι κατασκευασμένα από:






  1. | Ανθρακούχα "ινώδη ή νηματώδη υλικά" με:






  α. | "ειδικό συντελεστή" άνω των 10,15 × 106 m, και |
| --- | --- | --- | --- |

β.

Μια μεταλλική ή ανθρακική "μήτρα" και είναι κατασκευασμένα από:

1.

Ανθρακούχα "ινώδη ή νηματώδη υλικά" με:

α.

"ειδικό συντελεστή" άνω των 10,15 × 106 m, και

| β. | "ειδική αντίσταση εφελκυσμού" άνω των 17,7 × 104 m, ή |
| --- | --- |

β.

"ειδική αντίσταση εφελκυσμού" άνω των 17,7 × 104 m, ή

| 2. | Υλικά που ορίζονται στο σημείο 1C010.γ. |
| --- | --- |

2.

Υλικά που ορίζονται στο σημείο 1C010.γ.

Σημ. 1: Στο σημείο 1Α002 δεν ελέγχονται σύνθετες δομές ή ελάσματα κατασκευασμένα από υλικά "ινώδους ή νηματώδους" άνθρακα διαποτισμένου με εποξικές ρητίνες, για την επισκευή στοιχείων αεροσκαφών ή ελασμάτων, εφόσον οι διαστάσεις δεν υπερβαίνουν το 1 m2.

Σημ. 2: Στο σημείο 1Α002 δεν ελέγχονται τελικά ή ημικατεργασμένα προϊόντα που έχουν σχεδιαστεί για καθαρά πολιτικές εφαρμογές ως εξής:

| α. | Αθλητικά προϊόντα |
| --- | --- |

α.

Αθλητικά προϊόντα

| β. | Αυτοκινητοβιομηχανία |
| --- | --- |

β.

Αυτοκινητοβιομηχανία

| γ. | Βιομηχανία εργαλειομηχανών |
| --- | --- |

γ.

Βιομηχανία εργαλειομηχανών

| δ. | Ιατρικές εφαρμογές. |
| --- | --- |

δ.

Ιατρικές εφαρμογές.

1A003Προϊόντα από μη-φθοριωμένες πολυμερείς ουσίες που ορίζονται στο σημείο 1C008.α.3., σε φιλμ, φύλλα, ταινίες ή ιμάντες, με ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Πάχος ανώτερο των 0,254 mm, ή |
| --- | --- |

α.

Πάχος ανώτερο των 0,254 mm, ή

| β. | Επιχρισμένα ή ελασμένα με άνθρακα, γραφίτη, μέταλλα ή μαγνητικές ουσίες. |
| --- | --- |

β.

Επιχρισμένα ή ελασμένα με άνθρακα, γραφίτη, μέταλλα ή μαγνητικές ουσίες.

Σημ.: Στο σημείο 1Α003 δεν ελέγχονται προϊόντα που είναι επιχρισμένα ή ελασμένα με χαλκό και έχουν σχεδιαστεί για την παραγωγή ηλεκτρονικών τυπωμένων κυκλωμάτων.

1A004Εξοπλισμός και εξαρτήματα προστασίας και ανίχνευσης, εκτός εκείνων που ορίζονται στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων, ως εξής:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 2B351 ΚΑΙ 2B352.

| α. | Μάσκες αερίου, κάνιστρα διηθήσεως και εξοπλισμός απολύμανσής τους, που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την άμυνα κατά βιολογικών παραγόντων ή ραδιενεργών υλικών "προσαρμοσμένων για πολεμική χρήση" ή παραγόντων χημικού πολέμου (CW) και ειδικά σχεδιασμένα εξαρτήματά τους, |
| --- | --- |

α.

Μάσκες αερίου, κάνιστρα διηθήσεως και εξοπλισμός απολύμανσής τους, που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την άμυνα κατά βιολογικών παραγόντων ή ραδιενεργών υλικών "προσαρμοσμένων για πολεμική χρήση" ή παραγόντων χημικού πολέμου (CW) και ειδικά σχεδιασμένα εξαρτήματά τους,

| β. | Προστατευτικές ενδυμασίες, γάντια και παπούτσια που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την άμυνα κατά βιολογικών παραγόντων ή ραδιενεργών υλικών "προσαρμοσμένων για πολεμική χρήση" ή παραγόντων χημικού πολέμου (CW), |
| --- | --- |

β.

Προστατευτικές ενδυμασίες, γάντια και παπούτσια που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την άμυνα κατά βιολογικών παραγόντων ή ραδιενεργών υλικών "προσαρμοσμένων για πολεμική χρήση" ή παραγόντων χημικού πολέμου (CW),

| γ. | Πυρηνικά, βιολογικά και χημικά (ΝΒC) συστήματα ανίχνευσης που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την ανίχνευση ή τον εντοπισμό βιολογικών παραγόντων ή ραδιενεργών υλικών "προσαρμοσμένων για πολεμική χρήση" ή παραγόντων χημικού πολέμου (CW) και ειδικά σχεδιασμένα εξαρτήματά τους, |
| --- | --- |

γ.

Πυρηνικά, βιολογικά και χημικά (ΝΒC) συστήματα ανίχνευσης που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την ανίχνευση ή τον εντοπισμό βιολογικών παραγόντων ή ραδιενεργών υλικών "προσαρμοσμένων για πολεμική χρήση" ή παραγόντων χημικού πολέμου (CW) και ειδικά σχεδιασμένα εξαρτήματά τους,

Σημ.: Στο σημείο 1Α004 δεν ελέγχονται:

| α. | Προσωπικά δοσίμετρα παρακολούθησης της ακτινοβολίας, |
| --- | --- |

α.

Προσωπικά δοσίμετρα παρακολούθησης της ακτινοβολίας,

| β. | Εξοπλισμός ο οποίος από το σχεδιασμό ή τη λειτουργία του περιορίζεται στην προστασία από κινδύνους που ιδιάζουν στις πολιτικές βιομηχανίες, όπως οι βιομηχανίες στους τομείς των μεταλλείων, των λατομείων, της γεωργίας, των φαρμακευτικών προϊόντων, της ιατρικής, της κτηνιατρικής, του περιβάλλοντος, της διαχείρισης αποβλήτων ή των τροφίμων. |
| --- | --- |

β.

Εξοπλισμός ο οποίος από το σχεδιασμό ή τη λειτουργία του περιορίζεται στην προστασία από κινδύνους που ιδιάζουν στις πολιτικές βιομηχανίες, όπως οι βιομηχανίες στους τομείς των μεταλλείων, των λατομείων, της γεωργίας, των φαρμακευτικών προϊόντων, της ιατρικής, της κτηνιατρικής, του περιβάλλοντος, της διαχείρισης αποβλήτων ή των τροφίμων.

1A005Προσωπικοί θώρακες και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη τους, εκτός εκείνων που παρασκευάζονται για να καλύπτουν στρατιωτικά πρότυπα ή προδιαγραφών ή τα ισοδύναμά τους ως προς την απόδοση.

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ.

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: Για τα "ινώδη ή νηματώδη υλικά" που χρησιμοποιούνται στην κατασκευή προσωπικών θωράκων, βλ. σημείο 1C010.

Σημ. 1: Στο σημείο 1Α005 δεν ελέγχονται οι προσωπικοί θώρακες και τα προστατευτικά ενδύματα, όταν συνοδεύουν τον χρήστη τους για την προσωπική του προστασία.

Σημ. 2: Στο σημείο 1Α005 δεν ελέγχονται οι προσωπικοί θώρακες που έχουν σχεδιαστεί για να παρέχουν μετωπική προστασία μόνο από θραύσματα ή ωστικό κύμα από μη στρατιωτικά εκρηκτικά.

1A102Επανακορεσμένα κατασκευαστικά στοιχεία από πυρολυμένο άνθρακα-άνθρακα, σχεδιασμένα για οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή για πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104.

1A202Σύνθετες δομές, πλην εκείνων που ορίζονται στο σημείο 1Α002, υπό μορφή σωλήνων και που έχουν τα εξής δύο χαρακτηριστικά:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 9Α010 ΚΑΙ 9Α110.

| α. | Εσωτερική διάμετρο μεταξύ 75 mm και 400 mm, και |
| --- | --- |

α.

Εσωτερική διάμετρο μεταξύ 75 mm και 400 mm, και

| β. | Κατασκευασμένες από οιοδήποτε από τα "ινώδη ή νηματώδη υλικά" που ορίζονται στο σημείο 1C010.α. ή β. ή 1C210.α. ή από ανθρακούχα προ-εμποτίσματα που ορίζονται στο σημείο 1C210.γ. |
| --- | --- |

β.

Κατασκευασμένες από οιοδήποτε από τα "ινώδη ή νηματώδη υλικά" που ορίζονται στο σημείο 1C010.α. ή β. ή 1C210.α. ή από ανθρακούχα προ-εμποτίσματα που ορίζονται στο σημείο 1C210.γ.

1A225Καταλύτες λευκόχρυσου ειδικά σχεδιασμένοι ή παρασκευασμένοι για ισοτοπικές αντιδράσεις ανταλλαγής μεταξύ υδρογόνου και ύδατος, για την ανάκτηση τριτίου από βαρύ ύδωρ ή για την παραγωγή βαρέος ύδατος.

1A226Ειδικά συσκευάσματα που μπορούν να χρησιμοποιηθούν για τον διαχωρισμό βαρέος ύδατος από κανονικό ύδωρ, και που έχουν τα εξής δύο χαρακτηριστικά:

| α. | Παρασκευασμένα από πλέγμα φωσφορούχου χαλκού (αμφότερα χημικά επεξεργασμένα για βελτίωση της διαβρεκτικότητας), και |
| --- | --- |

α.

Παρασκευασμένα από πλέγμα φωσφορούχου χαλκού (αμφότερα χημικά επεξεργασμένα για βελτίωση της διαβρεκτικότητας), και

| β. | Σχεδιασμένα για να χρησιμοποιούνται σε πύργους απόσταξης εν κενώ. |
| --- | --- |

β.

Σχεδιασμένα για να χρησιμοποιούνται σε πύργους απόσταξης εν κενώ.

1A227Παράθυρα ασφαλείας έναντι ακτινοβολιών υψηλής πυκνότητας (μολυβδύαλος ή άλλα) που έχουν όλα τα εξής χαρακτηριστικά και ειδικά σχεδιασμένα για το σκοπό αυτό πλαίσια:

| α. | Πλευράς μεγαλύτερης του 0,09 m2, σε "ψυχρή περιοχή", |
| --- | --- |

α.

Πλευράς μεγαλύτερης του 0,09 m2, σε "ψυχρή περιοχή",

| β. | Πυκνότητας ανώτερης των 3 g/cm3, και |
| --- | --- |

β.

Πυκνότητας ανώτερης των 3 g/cm3, και

| γ. | Πάχους 100 mm ή ανωτέρου. |
| --- | --- |

γ.

Πάχους 100 mm ή ανωτέρου.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 1Α227, ο όρος "ψυχρή περιοχή" αφορά τη διαφανή επιφάνεια του παραθύρου που είναι εκτεθειμένη στη χαμηλότερη στάθμη ακτινοβολίας σύμφωνα με την εφαρμογή του σχεδίου.

1BΕξοπλισμός δοκιμών, επιθεώρησης και παραγωγής

1B001Εξοπλισμός για την παραγωγή ινών, προ-εμποτισμάτων, προ-μορφωμάτων ή "συνθέτων" όπως ορίζονται στα σημεία 1Α002 ή 1C010, ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένα για το σκοπό αυτό συστατικά και εξαρτήματα:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 1Β101 ΚΑΙ 1Β201.

| α. | Μηχανές περιέλιξης νημάτων στις οποίες οι κινήσεις τοποθέτησης, περιτύλιξης και περιέλιξης ινών συντονίζονται και προγραμματίζονται σε τρεις ή περισσότερους άξονες, ειδικά σχεδιασμένες για την κατασκευή "σύνθετων" δομών ή ελασμάτων από "ινώδη ή νηματώδη υλικά", |
| --- | --- |

α.

Μηχανές περιέλιξης νημάτων στις οποίες οι κινήσεις τοποθέτησης, περιτύλιξης και περιέλιξης ινών συντονίζονται και προγραμματίζονται σε τρεις ή περισσότερους άξονες, ειδικά σχεδιασμένες για την κατασκευή "σύνθετων" δομών ή ελασμάτων από "ινώδη ή νηματώδη υλικά",

| β. | Μηχανές τοποθέτησης ταινιών ή τοποθέτησης καλωδίων των οποίων οι κινήσεις ρύθμισης και τοποθέτησης ταινιών, καλωδίων ή φύλλων συντονίζονται και προγραμματίζονται σε δύο ή περισσότερους άξονες, ειδικά σχεδιασμένες για την κατασκευή "συνθέτων" πλαισίων αεροσκαφών ή "πυραυλικών" κατασκευών,


  Σημ.: Στο σημείο 1Β001.β. "πυραυλικά" νοούνται πλήρη συστήματα πυραύλων και μη επανδρωμένων αεροσκαφών. |
| --- | --- |

β.

Μηχανές τοποθέτησης ταινιών ή τοποθέτησης καλωδίων των οποίων οι κινήσεις ρύθμισης και τοποθέτησης ταινιών, καλωδίων ή φύλλων συντονίζονται και προγραμματίζονται σε δύο ή περισσότερους άξονες, ειδικά σχεδιασμένες για την κατασκευή "συνθέτων" πλαισίων αεροσκαφών ή "πυραυλικών" κατασκευών,

Σημ.: Στο σημείο 1Β001.β. "πυραυλικά" νοούνται πλήρη συστήματα πυραύλων και μη επανδρωμένων αεροσκαφών.

| γ. | Μηχανές ύφανσης πολλαπλών κατευθύνσεων και πολλαπλών διαστάσεων ή μηχανές πλεξίματος, όπου συμπεριλαμβάνονται και οι προσαρμογές καθώς και τα σύνεργα μετατροπής, για την ύφανση και το πλέξιμο ινών στην παραγωγή "συνθέτων δομών",
  Τεχνική παρατήρηση:

  Για τους σκοπούς του σημείου 1B001.γ, ο όρος πλέξιμο καλύπτει τους δύο αγγλικούς όρους interlacing και knitting.



  Σημ.: Στο σημείο 1Β001.γ. δεν ελέγχονται οι μη τροποποιημένες για τις προαναφερόμενες τελικές χρήσεις μηχανές κλωστοϋφαντουργίας. |
| --- | --- |

γ.

Μηχανές ύφανσης πολλαπλών κατευθύνσεων και πολλαπλών διαστάσεων ή μηχανές πλεξίματος, όπου συμπεριλαμβάνονται και οι προσαρμογές καθώς και τα σύνεργα μετατροπής, για την ύφανση και το πλέξιμο ινών στην παραγωγή "συνθέτων δομών",

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του σημείου 1B001.γ, ο όρος πλέξιμο καλύπτει τους δύο αγγλικούς όρους interlacing και knitting.

Σημ.: Στο σημείο 1Β001.γ. δεν ελέγχονται οι μη τροποποιημένες για τις προαναφερόμενες τελικές χρήσεις μηχανές κλωστοϋφαντουργίας.

| δ. | Εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος ή προσαρμοσμένος για την παραγωγή ενισχυτικών ινών, ως εξής:






  1. | Εξοπλισμός μετατροπής πολυμερών ινών (όπως από πολυακρυλονιτρίλια, από ρεγιόν, από φυσικές ρητίνες ή πολυκαρβοσιλάνια) σε ίνες άνθρακα ή ίνες σιλικονούχων καρβιδίων, συμπεριλαμβανομένου και του εξοπλισμού τάνυσης ινών εν θερμώ, |
| --- | --- | --- |

δ.

Εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος ή προσαρμοσμένος για την παραγωγή ενισχυτικών ινών, ως εξής:

1.

Εξοπλισμός μετατροπής πολυμερών ινών (όπως από πολυακρυλονιτρίλια, από ρεγιόν, από φυσικές ρητίνες ή πολυκαρβοσιλάνια) σε ίνες άνθρακα ή ίνες σιλικονούχων καρβιδίων, συμπεριλαμβανομένου και του εξοπλισμού τάνυσης ινών εν θερμώ,

| 2. | Εξοπλισμός για την χημική εναπόθεση ατμού στοιχείων ή ουσιών σε θερμά νηματώδη υποστρώματα, για την παραγωγή ινών σιλικονούχων καρβιδίων, |
| --- | --- |

2.

Εξοπλισμός για την χημική εναπόθεση ατμού στοιχείων ή ουσιών σε θερμά νηματώδη υποστρώματα, για την παραγωγή ινών σιλικονούχων καρβιδίων,

| 3. | Εξοπλισμός υγράς ύφανσης αδρανών κεραμικών (όπως οξειδίων του αλουμινίου), |
| --- | --- |

3.

Εξοπλισμός υγράς ύφανσης αδρανών κεραμικών (όπως οξειδίων του αλουμινίου),

| 4. | Εξοπλισμός μετατροπής προδρόμων ινών που περιέχουν αλουμίνιο σε ίνες αλουμίνας με εν θερμώ επεξεργασία, |
| --- | --- |

4.

Εξοπλισμός μετατροπής προδρόμων ινών που περιέχουν αλουμίνιο σε ίνες αλουμίνας με εν θερμώ επεξεργασία,

| ε. | Εξοπλισμός παραγωγής προ-εμποτισμάτων όπως ορίζονται στο 1C010.ε., με τη μέθοδο της εν θερμώ έγχυσης, |
| --- | --- |

ε.

Εξοπλισμός παραγωγής προ-εμποτισμάτων όπως ορίζονται στο 1C010.ε., με τη μέθοδο της εν θερμώ έγχυσης,

| στ. | Εξοπλισμός μη καταστροφικού ελέγχου ικανός για τον έλεγχο ελαττωμάτων, τριών διαστάσεων, που χρησιμοποιεί τομογραφία υπερήχων ή ακτίνων Χ, ειδικά σχεδιασμένος για «σύνθετα" υλικά. |
| --- | --- |

στ.

Εξοπλισμός μη καταστροφικού ελέγχου ικανός για τον έλεγχο ελαττωμάτων, τριών διαστάσεων, που χρησιμοποιεί τομογραφία υπερήχων ή ακτίνων Χ, ειδικά σχεδιασμένος για «σύνθετα" υλικά.

1B002Εξοπλισμός για την παραγωγή κραμάτων μετάλλων, σκόνης μεταλλικών κραμάτων ή κραματικών υλικών, ειδικά σχεδιασμένος για την αποφυγή μόλυνσης και ειδικά σχεδιασμένος όπως ορίζονται στα σημεία για χρησιμοποίηση σε μία από τις διεργασίες του σημείου 1C002.γ.2

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ ΙΒ102

1B003Εργαλεία, μήτρες, καλούπια ή εξαρτήματα για "υπερελαστική διαμόρφωση" ή για "συγκόλληση με διάχυση" ("diffusion bonding") τιτανίου ή αλουμινίου ή κραμάτων τους ειδικά σχεδιασμένα για την παραγωγή:

| α. | Πλαισίων αεροσκαφών ή αεροδιαστημικών, |
| --- | --- |

α.

Πλαισίων αεροσκαφών ή αεροδιαστημικών,

| β. | Μηχανές "αεροσκαφών" ή αεροδιαστημικών, ή |
| --- | --- |

β.

Μηχανές "αεροσκαφών" ή αεροδιαστημικών, ή

| γ. | Ειδικά σχεδιασμένα εξαρτήματα για τα εν λόγω πλαίσια ή τις μηχανές. |
| --- | --- |

γ.

Ειδικά σχεδιασμένα εξαρτήματα για τα εν λόγω πλαίσια ή τις μηχανές.

1B101Εξοπλισμός, πλην αυτού που ορίζεται στο σημείο 1Β001, για την "παραγωγή" δομικών συνθέτων, ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένων κατασκευαστικών μερών και εξαρτημάτων γι' αυτόν:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 1Β201.

Σημ.: Κατασκευαστικά μέρη και εξαρτήματα που ορίζονται στο σημείο 1B101 περιλαμβάνουν καλούπια, μαντρέλια, μήτρες, εξαρτήματα και εργαλεία για εκτύπωση προμορφωμάτων, για φινίρισμα, για έγχυση, για σύντηξη ή συγκόλληση σύνθετων δομών, ελασμάτων και προϊόντων τους.

| α. | Μηχανές περιέλιξης νημάτων των οποίων οι κινήσεις τοποθέτησης, περιτύλιξης και περιέλιξης ινών μπορούν να συντονίζονται και προγραμματίζονται σε τρεις ή περισσότερους άξονες, σχεδιασμένες για την παραγωγή συνθέτων δομών ή ελασμάτων από ινώδη ή νηματώδη υλικά και για τον συντονισμό και τον προγραμματισμό ελέγχων, |
| --- | --- |

α.

Μηχανές περιέλιξης νημάτων των οποίων οι κινήσεις τοποθέτησης, περιτύλιξης και περιέλιξης ινών μπορούν να συντονίζονται και προγραμματίζονται σε τρεις ή περισσότερους άξονες, σχεδιασμένες για την παραγωγή συνθέτων δομών ή ελασμάτων από ινώδη ή νηματώδη υλικά και για τον συντονισμό και τον προγραμματισμό ελέγχων,

| β. | Μηχανές τοποθέτησης ταινιών των οποίων οι κινήσεις τοποθέτησης και εγκατάστασης ταινιών και φύλλων μπορούν να συντονίζονται και προγραμματίζονται σε δύο ή περισσότερους άξονες, σχεδιασμένες για την κατασκευή συνθέτων πλαισίων αεροπλάνων και "πυραύλων", |
| --- | --- |

β.

Μηχανές τοποθέτησης ταινιών των οποίων οι κινήσεις τοποθέτησης και εγκατάστασης ταινιών και φύλλων μπορούν να συντονίζονται και προγραμματίζονται σε δύο ή περισσότερους άξονες, σχεδιασμένες για την κατασκευή συνθέτων πλαισίων αεροπλάνων και "πυραύλων",

| γ. | Εξοπλισμός σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για την "παραγωγή""ινωδών ή νηματωδών υλικών" ως εξής:






  1. | Εξοπλισμός για την μετατροπή πολυμερών ινών (όπως πολυακρυλονιτρίλια, ρεγιόν ή πολυκαρβοσιλάνια) συμπεριλαμβανομένου και ειδικού μηχανισμού για το τάνυσμα ινών εν θερμώ, |
| --- | --- | --- |

γ.

Εξοπλισμός σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για την "παραγωγή""ινωδών ή νηματωδών υλικών" ως εξής:

1.

Εξοπλισμός για την μετατροπή πολυμερών ινών (όπως πολυακρυλονιτρίλια, ρεγιόν ή πολυκαρβοσιλάνια) συμπεριλαμβανομένου και ειδικού μηχανισμού για το τάνυσμα ινών εν θερμώ,

| 2. | Εξοπλισμός εναπόθεσης ατμού στοιχείων ή ουσιών σε θερμά ινώδη υποστρώματα, |
| --- | --- |

2.

Εξοπλισμός εναπόθεσης ατμού στοιχείων ή ουσιών σε θερμά ινώδη υποστρώματα,

| 3. | Εξοπλισμός υγράς ύφανσης σε αδρανή κεραμικά (όπως οξείδια του αλουμινίου), |
| --- | --- |

3.

Εξοπλισμός υγράς ύφανσης σε αδρανή κεραμικά (όπως οξείδια του αλουμινίου),

| δ. | Εξοπλισμός σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για την επεξεργασία επιφανείας ειδικών ινών ή για την παραγωγή προ-εμποτισμάτων και προ-μορφωμάτων που ορίζονται στο σημείο 9C110.


  Σημ.: Το σημείο 1Β101.δ. περιλαμβάνει έλαστρα, τεντωτήρες, εξοπλισμό επίχρισης, εξοπλισμό κοπής και διατρητικά μηχανήματα. |
| --- | --- |

δ.

Εξοπλισμός σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για την επεξεργασία επιφανείας ειδικών ινών ή για την παραγωγή προ-εμποτισμάτων και προ-μορφωμάτων που ορίζονται στο σημείο 9C110.

Σημ.: Το σημείο 1Β101.δ. περιλαμβάνει έλαστρα, τεντωτήρες, εξοπλισμό επίχρισης, εξοπλισμό κοπής και διατρητικά μηχανήματα.

1B102"Εξοπλισμός παραγωγής" μεταλλικών κόνεων, πλην του αναφερόμενου στο σημείο 1B002, και στοιχεία του, ως εξής:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: Βλ. και σημείο 1B115.β.

| α. | "Εξοπλισμός παραγωγής" μεταλλικών κόνεων, χρησιμοποιήσιμος για την "παραγωγή", σε ελεγχόμενο περιβάλλον, σφαιρικών ή σταγονιδιοποιημένων υλικών προσδιοριζόμενων στα σημεία 1C011.a, 1C011.b, 1C111.a.1, 1C111.b.2, ή στους Ελέγχους Στρατιωτικών Αγαθών. |
| --- | --- |

α.

"Εξοπλισμός παραγωγής" μεταλλικών κόνεων, χρησιμοποιήσιμος για την "παραγωγή", σε ελεγχόμενο περιβάλλον, σφαιρικών ή σταγονιδιοποιημένων υλικών προσδιοριζόμενων στα σημεία 1C011.a, 1C011.b, 1C111.a.1, 1C111.b.2, ή στους Ελέγχους Στρατιωτικών Αγαθών.

| β. | Στοιχεία ειδικά σχεδιασμένα για τον "εξοπλισμό παραγωγής" που προσδιορίζεται στα σημεία 1Β002 ή 1Β102.α. |
| --- | --- |

β.

Στοιχεία ειδικά σχεδιασμένα για τον "εξοπλισμό παραγωγής" που προσδιορίζεται στα σημεία 1Β002 ή 1Β102.α.

Σημ.: Το σημείο 1Β102 περιλαμβάνει:

| α. | Γεννήτριες πλάσματος (με πίδακα υψίσυχνου τόξου) για την απόκτηση έκπτυστων ή σφαιρικών μεταλλικών κόνεων με οργάνωση της διεργασίας σε περιβάλλον αργού/ύδατος, |
| --- | --- |

α.

Γεννήτριες πλάσματος (με πίδακα υψίσυχνου τόξου) για την απόκτηση έκπτυστων ή σφαιρικών μεταλλικών κόνεων με οργάνωση της διεργασίας σε περιβάλλον αργού/ύδατος,

| β. | Ηλεκτροπαλμικό εξοπλισμό χρησιμοποιήσιμο για την απόκτηση έκπτυστων ή σφαιρικών μεταλλικών κόνεων με οργάνωση της διεργασίας σε περιβάλλον αργού/ύδατος, |
| --- | --- |

β.

Ηλεκτροπαλμικό εξοπλισμό χρησιμοποιήσιμο για την απόκτηση έκπτυστων ή σφαιρικών μεταλλικών κόνεων με οργάνωση της διεργασίας σε περιβάλλον αργού/ύδατος,

| γ. | Εξοπλισμό χρησιμοποιήσιμο για την "παραγωγή" σφαιρικών κόνεων αργιλίου με κονιοποίηση τήγματος εντός αδρανούς μέσου (π.χ. αζώτου). |
| --- | --- |

γ.

Εξοπλισμό χρησιμοποιήσιμο για την "παραγωγή" σφαιρικών κόνεων αργιλίου με κονιοποίηση τήγματος εντός αδρανούς μέσου (π.χ. αζώτου).

1B115Εξοπλισμός, πλην του αναφερόμενου στα σημεία 1B002 και 1B102, για την "παραγωγή" προωθητικών και συστατικών για προωθητικά, ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένα στοιχεία για τον σκοπό αυτό.

| α. | "Εξοπλισμός παραγωγής" για την "παραγωγή", διαχείριση ή αποδοχή δοκιμών υγρών προωθητικών και συστατικών προωθητικών που προσδιορίζονται στα σημεία 1C011.a., 1C011.b., 1C111 ή στoυς Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων, |
| --- | --- |

α.

"Εξοπλισμός παραγωγής" για την "παραγωγή", διαχείριση ή αποδοχή δοκιμών υγρών προωθητικών και συστατικών προωθητικών που προσδιορίζονται στα σημεία 1C011.a., 1C011.b., 1C111 ή στoυς Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων,

| β. | "Εξοπλισμός παραγωγής", για την "παραγωγή", διαχείριση, ανάμιξη, παλαίωση, εντύπωση, εμπίεση, τόρνευση, εκπίεση ή αποδοχή δοκιμών στερεών προωθητικών και συστατικών προωθητικών που προσδιορίζονται στα σημεία 1C011.α., 1C011.β., 1C111 ή στους Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων.


  Σημ.: Το σημείο 1B115.b δεν θέτει υπό έλεγχο τους αναμικτήρες παρτίδων, τους αναμικτήρες συνεχούς ροής και τους μύλους ρευστής ενέργειας. Για τον έλεγχο των αναμικτήρων παρτίδων, των αναμικτήρων συνεχούς ανάμιξης και των μύλων ρευστής ενέργειας βλ. σημεία 1B117, 1B118 και 1B119. |
| --- | --- |

β.

"Εξοπλισμός παραγωγής", για την "παραγωγή", διαχείριση, ανάμιξη, παλαίωση, εντύπωση, εμπίεση, τόρνευση, εκπίεση ή αποδοχή δοκιμών στερεών προωθητικών και συστατικών προωθητικών που προσδιορίζονται στα σημεία 1C011.α., 1C011.β., 1C111 ή στους Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων.

Σημ.: Το σημείο 1B115.b δεν θέτει υπό έλεγχο τους αναμικτήρες παρτίδων, τους αναμικτήρες συνεχούς ροής και τους μύλους ρευστής ενέργειας. Για τον έλεγχο των αναμικτήρων παρτίδων, των αναμικτήρων συνεχούς ανάμιξης και των μύλων ρευστής ενέργειας βλ. σημεία 1B117, 1B118 και 1B119.

Σημ. 1: Για εξοπλισμό ειδικά σχεδιασμένο για την παραγωγή στρατιωτικών αγαθών, βλέπε Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων.

Σημ. 2: Στο σημείο 1Β115 δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός για την "παραγωγή" διαχείριση και αποδοχή δοκιμών καρβιδίων βορίου.

1B116Ειδικά σχεδιασμένα ακροφύσια για την παραγωγή πυρολυτικώς λαμβανομένων υλικών εισαγομένων σε μήτρες, μαντρέλια, ή άλλα υποστρώματα από πρόδρομα αέρια που αποσυντίθενται μεταξύ 1 573 Κ (1 300 °C) έως 3 173 Κ (2 900 °C) και σε πιέσεις από 130 Ρa έως 20 kΡa.

1B117Αναμικτήρες παρτίδων με πρόβλεψη για ανάμιξη υπό κενό σε πιέσεις από 0 έως 13,326 kΡa και ικανότητα ελέγχου της θερμοκρασίας του θαλάμου ανάμιξης και με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά, καθώς και στοιχεία ειδικά σχεδιασμένα γι' αυτούς:

| α. | Συνολική ογκομετρική χωρητικότητα 110 λίτρων και άνω, και |
| --- | --- |

α.

Συνολική ογκομετρική χωρητικότητα 110 λίτρων και άνω, και

| β. | Τουλάχιστον έναν έκκεντρο αναμικτήρα/ζυμωτήρα. |
| --- | --- |

β.

Τουλάχιστον έναν έκκεντρο αναμικτήρα/ζυμωτήρα.

1B118Αναμικτήρες συνεχούς ανάμιξης με πρόβλεψη για ανάμιξη υπό κενό σε πιέσεις από 0 έως 13,326 kΡa και ικανότητα ελέγχου της θερμοκρασίας του θαλάμου ανάμιξης και με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά, καθώς και στοιχεία ειδικά σχεδιασμένα γι' αυτούς:

| α. | Δύο ή περισσότερους αναμικτήρες/ζυμωτήρες, ή |
| --- | --- |

α.

Δύο ή περισσότερους αναμικτήρες/ζυμωτήρες, ή

| β. | Ένα μόνο παλλόμενο περιστρεφόμενο άξονα, και επάνω του, καθώς και μέσα στην επένδυση του θαλάμου ανάμιξης, ζυμωτικά δόντια/ακίδες. |
| --- | --- |

β.

Ένα μόνο παλλόμενο περιστρεφόμενο άξονα, και επάνω του, καθώς και μέσα στην επένδυση του θαλάμου ανάμιξης, ζυμωτικά δόντια/ακίδες.

1B119Μύλοι ρευστής ενέργειας χρησιμοποιήσιμοι για το άλεσμα ή τη λειοτρίβηση ουσιών προσδιοριζόμενων στα σημεία 1C011.a., 1C011.b., 1C111 ή στους Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων, καθώς και στοιχεία ειδικά σχεδιασμένα γι' αυτούς:

1B201Μηχανές περιέλιξης νημάτων, εκτός αυτών που ορίζονται στο σημείο 1Β001 ή 1Β101, και συναφής εξοπλισμός, ως εξής:

| α. | Μηχανές περιέλιξης νημάτων με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Στις οποίες οι κινήσεις τοποθέτησης, περιτύλιξης και περιέλιξης ινών συντονίζονται και προγραμματίζονται σε δύο ή περισσότερους άξονες, |
| --- | --- | --- |

α.

Μηχανές περιέλιξης νημάτων με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Στις οποίες οι κινήσεις τοποθέτησης, περιτύλιξης και περιέλιξης ινών συντονίζονται και προγραμματίζονται σε δύο ή περισσότερους άξονες,

| 2. | Ειδικά σχεδιασμένες για την κατασκευή σύνθετων δομών ή ελασμάτων από "ινώδη ή νηματώδη υλικά"και |
| --- | --- |

2.

Ειδικά σχεδιασμένες για την κατασκευή σύνθετων δομών ή ελασμάτων από "ινώδη ή νηματώδη υλικά"και

| 3. | Ικανές για την περιέλιξη κυλινδρικών ροτόρων διαμέτρου μεταξύ 75 και 400 mm και μήκους 600 mm ή άνω, |
| --- | --- |

3.

Ικανές για την περιέλιξη κυλινδρικών ροτόρων διαμέτρου μεταξύ 75 και 400 mm και μήκους 600 mm ή άνω,

| β. | Για ελέγχους συντονισμού και προγραμματισμού καθώς και τα σχετικά μαντρέλια ακριβείας για τις μηχανές περιέλιξης νημάτων που ορίζονται στο σημείο 1Β201.α, |
| --- | --- |

β.

Για ελέγχους συντονισμού και προγραμματισμού καθώς και τα σχετικά μαντρέλια ακριβείας για τις μηχανές περιέλιξης νημάτων που ορίζονται στο σημείο 1Β201.α,

| γ. | Για μαντρέλια ακριβείας για τις μηχανές περιέλιξης νημάτων που ορίζονται στο σημείο 1Β201.α. |
| --- | --- |

γ.

Για μαντρέλια ακριβείας για τις μηχανές περιέλιξης νημάτων που ορίζονται στο σημείο 1Β201.α.

1B225Ηλεκτρολυτικά κύτταρα για την παραγωγή φθορίου με παραγωγική δυνατότητα ανώτερη των 250 g φθορίου την ώρα.

1B226Ηλεκτρομαγνητικοί διαχωριστές ισοτόπων σχεδιασμένοι για ή εφοδιασμένοι με απλές ή πολλαπλές πηγές ιόντων, ικανοί να παράγουν συνολικό ρεύμα δέσμης ιόντων 50 mΑ και άνω.

Σημ.: Το σημείο 1Β226 περιλαμβάνει διαχωριστές:

| α. | Για τον εμπλουτισμό σταθερών ισοτόπων, |
| --- | --- |

α.

Για τον εμπλουτισμό σταθερών ισοτόπων,

| β. | Με πηγές ιόντων και συλλέκτες τόσο σε μαγνητικά πεδία όσο και σε συστήματα στα οποία οι διαχωριστές αυτοί ευρίσκονται εκτός πεδίου. |
| --- | --- |

β.

Με πηγές ιόντων και συλλέκτες τόσο σε μαγνητικά πεδία όσο και σε συστήματα στα οποία οι διαχωριστές αυτοί ευρίσκονται εκτός πεδίου.

1B227Μετατροπείς για τη σύνθεση αμμωνίας ή μονάδες σύνθεσης αμμωνίας στις οποίες το αέριο σύνθεσης (άζωτο και υδρογόνο) λαμβάνεται από μία ανταλλακτική στήλη υψηλής πίεσης αμμωνίας/υδρογόνου και η παραγόμενη αμμωνία επιστρέφει στην προαναφερόμενη στήλη.

1B228Αποστακτικές κρυογονικές στήλες υδρογόνου που διαθέτουν όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

| α. | Σχεδιασμένες για λειτουργία σε εσωτερικές θερμοκρασίες 35 Κ (– 238 °C) ή λιγότερο, |
| --- | --- |

α.

Σχεδιασμένες για λειτουργία σε εσωτερικές θερμοκρασίες 35 Κ (– 238 °C) ή λιγότερο,

| β. | Σχεδιασμένες για λειτουργία με εσωτερική πίεση από 0,5 έως 5ΜΡa (5 έως 50 ατμόσφαιρες), |
| --- | --- |

β.

Σχεδιασμένες για λειτουργία με εσωτερική πίεση από 0,5 έως 5ΜΡa (5 έως 50 ατμόσφαιρες),

| γ. | Κατασκευασμένες είτε:






  1. | Από ανοξείδωτο χάλυβα σειράς 300 και με ωστευτιτικό μέγεθος κόκκου ΑSΤΜ (ή ισοδύναμου προτύπου 5 ή μεγαλύτερο, ή |
| --- | --- | --- |

γ.

Κατασκευασμένες είτε:

1.

Από ανοξείδωτο χάλυβα σειράς 300 και με ωστευτιτικό μέγεθος κόκκου ΑSΤΜ (ή ισοδύναμου προτύπου 5 ή μεγαλύτερο, ή

| 2. | Από ισοδύναμα υλικά που είναι και κρυογονικά και συμβατά υδρογόνου, και |
| --- | --- |

2.

Από ισοδύναμα υλικά που είναι και κρυογονικά και συμβατά υδρογόνου, και

| δ. | Εσωτερικής διαμέτρου 1 m και άνω και πραγματικού μήκους 5 m ή άνω. |
| --- | --- |

δ.

Εσωτερικής διαμέτρου 1 m και άνω και πραγματικού μήκους 5 m ή άνω.

1B229Ανταλλακτικές στήλες νερού-υδροθείου, με δίσκους, και τα εσωτερικά εξαρτήματα επαφής τους, ως εξής:

Σημ.: Για στήλες ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για την παραγωγή βαρέος ύδατος βλέπε 0Β004.

| α. | Ανταλλακτικές στήλες νερού-υδροθείου, με δίσκους, με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Μπορούν να λειτουργούν υπό πίεση 2 MPa ή άνω, |
| --- | --- | --- |

α.

Ανταλλακτικές στήλες νερού-υδροθείου, με δίσκους, με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Μπορούν να λειτουργούν υπό πίεση 2 MPa ή άνω,

| 2. | Κατασκευασμένες από ανθρακούχο χάλυβα με ωστευτιτικό ASTM (ή ισοδύναμου προτύπου μέγεθος κόκκου 5 ή άνω, και |
| --- | --- |

2.

Κατασκευασμένες από ανθρακούχο χάλυβα με ωστευτιτικό ASTM (ή ισοδύναμου προτύπου μέγεθος κόκκου 5 ή άνω, και

| 3. | Με διάμετρο 1,8 m ή άνω, |
| --- | --- |

3.

Με διάμετρο 1,8 m ή άνω,

| β. | "Εσωτερικά εξαρτήματα επαφής" για τις ανταλλακτικές στήλες νερού-υδροθείου, με δίσκους, που ορίζονται στο σημείο 1Β229.α.
  Τεχνική παρατήρηση

  Τα "εσωτερικά εξαρτήματα επαφής" των στηλών είναι αρθρωτοί δίσκοι με πραγματική ολική διάμετρο 1,8 m και άνω, και είναι σχεδιασμένοι για να διευκολύνουν την επαφή σε αντίστροφη ροή και κατασκευασμένοι από ανοξείδωτους χάλυβες με περιεκτικότητα άνθρακα 0,03 % το πολύ. Μπορούν να είναι διάτρητοι δίσκοι, δίσκοι με βαλβίδες, ημισφαιρικοί δίσκοι παφλασμού και δίσκοι πλέγματος turbo. |
| --- | --- |

β.

"Εσωτερικά εξαρτήματα επαφής" για τις ανταλλακτικές στήλες νερού-υδροθείου, με δίσκους, που ορίζονται στο σημείο 1Β229.α.

Τεχνική παρατήρηση

Τα "εσωτερικά εξαρτήματα επαφής" των στηλών είναι αρθρωτοί δίσκοι με πραγματική ολική διάμετρο 1,8 m και άνω, και είναι σχεδιασμένοι για να διευκολύνουν την επαφή σε αντίστροφη ροή και κατασκευασμένοι από ανοξείδωτους χάλυβες με περιεκτικότητα άνθρακα 0,03 % το πολύ. Μπορούν να είναι διάτρητοι δίσκοι, δίσκοι με βαλβίδες, ημισφαιρικοί δίσκοι παφλασμού και δίσκοι πλέγματος turbo.

1B230Αντλίες ικανές για την κυκλοφόρηση διαλυμάτων πυκνών ή αραιωμένων καταλυτών αμιδίου του καλίου σε υγρή αμμωνία (KNH2/NH3), με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

| α. | Αεροστεγείς (δηλαδή ερμητικά σφραγισμένες), |
| --- | --- |

α.

Αεροστεγείς (δηλαδή ερμητικά σφραγισμένες),

| β. | Απόδοσης άνω του 8,5 m3/h, και |
| --- | --- |

β.

Απόδοσης άνω του 8,5 m3/h, και

| γ. | Με ένα από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Για πυκνά διαλύματα αμιδίου του καλίου (1 % και άνω), πίεση λειτουργίας 1,5-60 ΜΡα, ή |
| --- | --- | --- |

γ.

Με ένα από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Για πυκνά διαλύματα αμιδίου του καλίου (1 % και άνω), πίεση λειτουργίας 1,5-60 ΜΡα, ή

| 2. | Για αραιά διαλύματα αμιδίου του καλίου (κάτω του 1 %), πίεση λειτουργίας 20-60 ΜΡα. |
| --- | --- |

2.

Για αραιά διαλύματα αμιδίου του καλίου (κάτω του 1 %), πίεση λειτουργίας 20-60 ΜΡα.

1B231Εγκαταστάσεις ή εργοστάσια τριτίου και εξοπλισμός τους, ως εξής:

| α. | Εγκαταστάσεις ή εργοστάσια παραγωγής, ανάκτησης, εξαγωγής, συγκέντρωσης ή χειρισμού τριτίου, και εξοπλισμός ως εξής: |
| --- | --- |

α.

Εγκαταστάσεις ή εργοστάσια παραγωγής, ανάκτησης, εξαγωγής, συγκέντρωσης ή χειρισμού τριτίου, και εξοπλισμός ως εξής:

| β. | Εξοπλισμός για εγκαταστάσεις ή εργοστάσια τριτίου, ως εξής:






  1. | Μονάδες ψύξης υδρογόνου ή ηλίου με δυνατότητες ψύξης 23 Κ (– 250 °C) και κάτω, με δυνατότητα απομάκρυνσης θερμότητας μεγαλύτερη των 150 w, |
| --- | --- | --- |

β.

Εξοπλισμός για εγκαταστάσεις ή εργοστάσια τριτίου, ως εξής:

1.

Μονάδες ψύξης υδρογόνου ή ηλίου με δυνατότητες ψύξης 23 Κ (– 250 °C) και κάτω, με δυνατότητα απομάκρυνσης θερμότητας μεγαλύτερη των 150 w,

| 2. | Συστήματα αποθήκευσης ή καθαρισμού ισοτόπων του υδρογόνου χρησιμοποιούντα μεταλλικά υδρίδια ως μέσα αποθήκευσης ή καθαρισμού. |
| --- | --- |

2.

Συστήματα αποθήκευσης ή καθαρισμού ισοτόπων του υδρογόνου χρησιμοποιούντα μεταλλικά υδρίδια ως μέσα αποθήκευσης ή καθαρισμού.

1B232Στροβιλοδιαστολείς ή συστήματα στροβιλοδιαστολέως συμπιεστού μετά εξής δύο χαρακτηριστικά:

| α. | Σχεδιασμένοι για λειτουργία κάτω των 35 Κ (– 238 °Κ), και |
| --- | --- |

α.

Σχεδιασμένοι για λειτουργία κάτω των 35 Κ (– 238 °Κ), και

| β. | Σχεδιασμένοι για απόδοση διέλευση άνω των 1 000kg/h. |
| --- | --- |

β.

Σχεδιασμένοι για απόδοση διέλευση άνω των 1 000kg/h.

1B233Εγκαταστάσεις, ή εργοστάσια για τη διαχώριση ισοτόπων λιθίου και εξοπλισμός τους, ως εξής:

| α. | Εγκαταστάσεις ή εργοστάσια για τη διαχώριση ισοτόπων λιθίου. |
| --- | --- |

α.

Εγκαταστάσεις ή εργοστάσια για τη διαχώριση ισοτόπων λιθίου.

| β. | Εξοπλισμός για τη διαχώριση ισοτόπων λιθίου, ως εξής:






  1. | Στήλες ανταλλαγής υγρού-υγρού ειδικά σχεδιασμένες για αμαλγάματα λιθίου, |
| --- | --- | --- |

β.

Εξοπλισμός για τη διαχώριση ισοτόπων λιθίου, ως εξής:

1.

Στήλες ανταλλαγής υγρού-υγρού ειδικά σχεδιασμένες για αμαλγάματα λιθίου,

| 2. | Αντλίες αμαλγάματος υδραργύρου ή λιθίου, |
| --- | --- |

2.

Αντλίες αμαλγάματος υδραργύρου ή λιθίου,

| 3. | Στοιχεία ηλεκτρόλυσης αμαλγάματος λιθίου, |
| --- | --- |

3.

Στοιχεία ηλεκτρόλυσης αμαλγάματος λιθίου,

| 4. | Εξατμιστήρες πυκνού διαλύματος υδροξειδίου του λιθίου. |
| --- | --- |

4.

Εξατμιστήρες πυκνού διαλύματος υδροξειδίου του λιθίου.

1CΥλικά

Τεχνική Σημείωση:

Μέταλλα και κράματα:

| | Εκτός αντίθετης μνείας οι λέξεις "μέταλλα" και "κράματα" στο σημείο 1C001 έως 1C012 καλύπτουν φυσικές και ημικατεργασμένες μορφές, ως εξής: |
| --- | --- |

Εκτός αντίθετης μνείας οι λέξεις "μέταλλα" και "κράματα" στο σημείο 1C001 έως 1C012 καλύπτουν φυσικές και ημικατεργασμένες μορφές, ως εξής:

Φυσικές μορφές:

| | Άνοδοι, σφαίρες, ράβδοι (συμπεριλαμβανομένων ράβδων με εγκοπές και συρμάτινων ράβδων), χελώνες σιδήρου, τρόχιλοι, χελώνες σφυρήλατου σιδήρου, πλίνθοι, συσσωματώματες, κάθοδοι, κρύσταλλα, κύβοι, δίσκοι, κόκκοι, όγκοι μετάλλου, σβώλοι, μικροί και μεγάλοι, χελώνες, σκόνη, ροδέλες, σκάγια, πλάκες, τεμάχια μεταλλεύματος, μάζες, λεπτές ράβδοι. |
| --- | --- |

Άνοδοι, σφαίρες, ράβδοι (συμπεριλαμβανομένων ράβδων με εγκοπές και συρμάτινων ράβδων), χελώνες σιδήρου, τρόχιλοι, χελώνες σφυρήλατου σιδήρου, πλίνθοι, συσσωματώματες, κάθοδοι, κρύσταλλα, κύβοι, δίσκοι, κόκκοι, όγκοι μετάλλου, σβώλοι, μικροί και μεγάλοι, χελώνες, σκόνη, ροδέλες, σκάγια, πλάκες, τεμάχια μεταλλεύματος, μάζες, λεπτές ράβδοι.

Ημικατεργασμένες μορφές (επικαλυμμένες, ελασματοποιημένες, αυλακωμένες, πεπιεσμένες ή όχι):

| α. | Σφυρήλατα ή επεξεργασμένα μέταλλα παρασκευασμένα με έλαση, συρματοποίηση, διαμόρφωση με ώθηση σε μήτρα, σφυρηλάτηση, εξέλαση με κρούση, συμπίεση, χονδροποίηση, τεμαχισμό και κονιοποίηση, δηλ.: γωνίες, αγωγοί, κύκλοι, δίσκοι, σκόνη, λέπια, λεπτά φύλλα, σφυρηλατήσεις, ελάσματα, κόνις, πεπιεσμένες μορφές, ταινίες, ελατήρια, ράβδοι (συμπεριλαμβανομένων γυμνών συγκολλημένων ράβδων), συρμάτινων ράβδων και συρμάτων εξελάσεως, τομές, σχήματα, φύλλα, λωρίδες και σωλήνες (συμπεριλαμβανομένων κοίλων διατομών κυκλικής και τετραγωνικής μορφής) καθώς και με κενά παραγόμενα δι' έλξης ή δι' εξέλασης, σύρματα, |
| --- | --- |

α.

Σφυρήλατα ή επεξεργασμένα μέταλλα παρασκευασμένα με έλαση, συρματοποίηση, διαμόρφωση με ώθηση σε μήτρα, σφυρηλάτηση, εξέλαση με κρούση, συμπίεση, χονδροποίηση, τεμαχισμό και κονιοποίηση, δηλ.: γωνίες, αγωγοί, κύκλοι, δίσκοι, σκόνη, λέπια, λεπτά φύλλα, σφυρηλατήσεις, ελάσματα, κόνις, πεπιεσμένες μορφές, ταινίες, ελατήρια, ράβδοι (συμπεριλαμβανομένων γυμνών συγκολλημένων ράβδων), συρμάτινων ράβδων και συρμάτων εξελάσεως, τομές, σχήματα, φύλλα, λωρίδες και σωλήνες (συμπεριλαμβανομένων κοίλων διατομών κυκλικής και τετραγωνικής μορφής) καθώς και με κενά παραγόμενα δι' έλξης ή δι' εξέλασης, σύρματα,

| β. | από υλικό παραγόμενο με χύσιμο σε άμμο, καλούπια, μέταλλα, εκμαγεία ή άλλα είδη καλουπιών, συμπεριλαμβανομένου του χυσίματος υψηλής πιέσεως, συντετηγμένων μορφών και μορφών που παράγονται από την μεταλλουργία των κόνεων. |
| --- | --- |

β.

από υλικό παραγόμενο με χύσιμο σε άμμο, καλούπια, μέταλλα, εκμαγεία ή άλλα είδη καλουπιών, συμπεριλαμβανομένου του χυσίματος υψηλής πιέσεως, συντετηγμένων μορφών και μορφών που παράγονται από την μεταλλουργία των κόνεων.

Ο στόχος του ελέγχου δεν θα πρέπει να καταστρατηγείται με την εξαγωγή μορφών που δεν απαριθμούνται και που δήθεν αποτελούν τελικά προϊόντα, αλλά στην πραγματικότητα είναι φυσικές ή ημικατεργασμένες μορφές.

1C001Υλικά σχεδιασμένα για να χρησιμοποιηθούν ως απορροφητές ηλεκτρομαγνητικών κυμάτων ή πολυμερή εγγενούς αγωγιμότητας ως εξής:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 1C101.

| α. | Υλικά απορρόφησης συχνοτήτων ανωτέρων των 2 × 108 Hz αλλά όχι ανωτέρων των 3 × 1012 Hz,


  Σημ. 1: Το σημείο 1C001.α. δεν ελέγχει:








  α. | Απορροφητικά από τρίχα, κατασκευασμένα από φυσικές ή συνθετικές ίνες, περιέχοντα μη μαγνητική φόρτιση, |
| --- | --- | --- |

α.

Υλικά απορρόφησης συχνοτήτων ανωτέρων των 2 × 108 Hz αλλά όχι ανωτέρων των 3 × 1012 Hz,

Σημ. 1: Το σημείο 1C001.α. δεν ελέγχει:

α.

Απορροφητικά από τρίχα, κατασκευασμένα από φυσικές ή συνθετικές ίνες, περιέχοντα μη μαγνητική φόρτιση,

| β. | Απορροφητικά μη εμφανίζοντα μαγνητική απώλεια και των οποίων η επιφάνεια πρόσπτωσης δεν είναι επίπεδη, περιλαμβάνοντα επιφάνειες υπό μορφή πυραμίδας, κώνου, κυματοειδείς και με ακμές, |
| --- | --- |

β.

Απορροφητικά μη εμφανίζοντα μαγνητική απώλεια και των οποίων η επιφάνεια πρόσπτωσης δεν είναι επίπεδη, περιλαμβάνοντα επιφάνειες υπό μορφή πυραμίδας, κώνου, κυματοειδείς και με ακμές,

| γ. | Επίπεδα απορροφητικά με τα εξής χαρακτηριστικά:








  1. | Κατασκευασμένα από:








  α. | Αφρώδη πλαστικά υλικά (εύκαμπτα ή μη-εύκαμπτα) με φόρτιση άνθρακα, ή οργανικά υλικά, συμπεριλαμβανομένων και συνδετικών, παρέχοντα ηχώ ανώτερη του 5 % σε σχέση με τα μέταλλα, σε εύρος ζώνης ανώτερης του ± 15 % από την κεντρική συχνότητα της προσπίπτουσας ενέργειας και μη ικανά να ανθέξουν σε θερμοκρασίες πέραν των 450 Κ (177 °C), ή |
| --- | --- | --- | --- |

γ.

Επίπεδα απορροφητικά με τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Κατασκευασμένα από:

α.

Αφρώδη πλαστικά υλικά (εύκαμπτα ή μη-εύκαμπτα) με φόρτιση άνθρακα, ή οργανικά υλικά, συμπεριλαμβανομένων και συνδετικών, παρέχοντα ηχώ ανώτερη του 5 % σε σχέση με τα μέταλλα, σε εύρος ζώνης ανώτερης του ± 15 % από την κεντρική συχνότητα της προσπίπτουσας ενέργειας και μη ικανά να ανθέξουν σε θερμοκρασίες πέραν των 450 Κ (177 °C), ή

| β. | Κεραμικά υλικά παρέχοντα ηχώ μεγαλύτερη του 20 % σε σχέση με τα μέταλλα, σε εύρος ζώνης ανώτερης του ± 15 % από την κεντρική συχνότητα της προσπίπτουσας ενέργειας, και μη ικανά να ανθέξουν σε θερμοκρασίες υπερβαίνουσες τους 800Κ (527 °C), |
| --- | --- |

β.

Κεραμικά υλικά παρέχοντα ηχώ μεγαλύτερη του 20 % σε σχέση με τα μέταλλα, σε εύρος ζώνης ανώτερης του ± 15 % από την κεντρική συχνότητα της προσπίπτουσας ενέργειας, και μη ικανά να ανθέξουν σε θερμοκρασίες υπερβαίνουσες τους 800Κ (527 °C),

Τεχνική παρατήρηση:

Τα δείγματα των δοκιμών απορρόφησης στο σημείο 1C001.α. σημείωση 1.γ.1. πρέπει να είναι ένα τετράγωνο 5 τουλάχιστον μηκών κύματος από την κεντρική συχνότητα, κατά την πλευρά, και τοποθετημένα στο ευρύτερο πεδίο του στοιχείου ακτινοβόλησης.

| 2. | Αντίσταση εφελκυσμού μικρότερη του 7 × 106 Ν/m2, και |
| --- | --- |

2.

Αντίσταση εφελκυσμού μικρότερη του 7 × 106 Ν/m2, και

| 3. | Αντίσταση σύνθλιψης μικρότερη του 14 × 106 Ν/m2, |
| --- | --- |

3.

Αντίσταση σύνθλιψης μικρότερη του 14 × 106 Ν/m2,

| δ. | Επίπεδα απορροφητικά κατασκευασμένα από συντετηγμένο σιδηρίτη (φερρίτη), με:








  1. | Ειδικό βάρος ανώτερο του 4,4, και |
| --- | --- | --- |

δ.

Επίπεδα απορροφητικά κατασκευασμένα από συντετηγμένο σιδηρίτη (φερρίτη), με:

1.

Ειδικό βάρος ανώτερο του 4,4, και

| 2. | Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας 548 Κ (275 °C). |
| --- | --- |

2.

Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας 548 Κ (275 °C).

Σημ. 2: Τίποτε στη Σημείωση 1 του σημείου 1C001.α. δεν απαλλάσσει μαγνητικά υλικά από του να προσφέρουν απορρόφηση όταν περιέχονται σε χρώματα.

| β. | Υλικά απορρόφησης συχνοτήτων που υπερβαίνουν το 1,5 × 1014 Hz αλλά είναι κατώτερες των 3,7 × 1014 Hz, αδιαφανή στο ορατό φως, |
| --- | --- |

β.

Υλικά απορρόφησης συχνοτήτων που υπερβαίνουν το 1,5 × 1014 Hz αλλά είναι κατώτερες των 3,7 × 1014 Hz, αδιαφανή στο ορατό φως,

| γ. | Πολυμερή υλικά εγγενώς αγώγιμα με "ηλεκτρική αγωγιμότητα που υπερβαίνει σε γενικές γραμμές" τις 10 000 S/m (Siemens ανά μέτρο) ή με "επιφανειακή ειδική αντίσταση" μικρότερη των 100 ohm/τετράγωνο, κατασκευασμένα από οποιοδήποτε από τα παρακάτω πολυμερή:






  1. | Πολυανιλίνη, |
| --- | --- | --- |

γ.

Πολυμερή υλικά εγγενώς αγώγιμα με "ηλεκτρική αγωγιμότητα που υπερβαίνει σε γενικές γραμμές" τις 10 000 S/m (Siemens ανά μέτρο) ή με "επιφανειακή ειδική αντίσταση" μικρότερη των 100 ohm/τετράγωνο, κατασκευασμένα από οποιοδήποτε από τα παρακάτω πολυμερή:

1.

Πολυανιλίνη,

| 2. | Πολυπυρρόλιο, |
| --- | --- |

2.

Πολυπυρρόλιο,

| 3. | Πολυθειοφένιο, |
| --- | --- |

3.

Πολυθειοφένιο,

| 4. | Πολυφαινυλένιο-βινυλένιο, ή |
| --- | --- |

4.

Πολυφαινυλένιο-βινυλένιο, ή

| 5. | Πολυθειενυλένιο-βινυλένιο. |
| --- | --- |

5.

Πολυθειενυλένιο-βινυλένιο.

Τεχνική παρατήρηση:

Η "γενική ηλεκτρική αγωγιμότητα" και η "επιφανειακή ειδική αντίσταση" προσδιορίζονται με βάση την προδιαγραφή ASTM D-257 ή άλλη ισοδύναμη.

1C002Κράματα μετάλλων, σκόνη μεταλλικών κραμάτων ή κραματικά υλικά ως εξής:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 1C202.

Σημ.: Στο σημείο 1C002 δεν ελέγχονται κράματα μετάλλων, σκόνες μεταλλικών κραμάτων ή κραματικά υλικά για υποστρώματα επίχρισης.

Τεχνικές Παρατηρήσεις:

| 1. | Τα μεταλλικά κράματα που προσδιορίζονται στο σημείο 1C002.α. είναι αυτά που περιέχουν υψηλότερα κατά βάρος ποσοστά του αναφερόμενου μετάλλου από οποιοδήποτε άλλο περιεχόμενο στοιχείο. |
| --- | --- |

1.

Τα μεταλλικά κράματα που προσδιορίζονται στο σημείο 1C002.α. είναι αυτά που περιέχουν υψηλότερα κατά βάρος ποσοστά του αναφερόμενου μετάλλου από οποιοδήποτε άλλο περιεχόμενο στοιχείο.

| 2. | Η αντοχή (ζωή) σε ρήξη λόγω τάσης πρέπει να μετράται σύμφωνα με την προδιαγραφή ASTM E-139 ή αντίστοιχη. |
| --- | --- |

2.

Η αντοχή (ζωή) σε ρήξη λόγω τάσης πρέπει να μετράται σύμφωνα με την προδιαγραφή ASTM E-139 ή αντίστοιχη.

| 3. | Χαμηλός κύκλος ζωής σε καταπόνηση μετράται σε συμφωνία με την προδιαγραφή ASTM E-606 "Recommended Practice for Constant-Amplitude Low-Cycle Fatigue Testing" ή εθνική ισοδύναμη. Η δοκιμασία διενεργείται κατά τον άξονα με μέση σχέση τάσης ίση προς 1 και συντελεστή συγκέντρωσης τάσης (Κt) ίσο προς 1. Ως μέση τάση ορίζεται η μέγιστη τάση μείον την ελάχιστη τάση δια της μέγιστης τάσης. |
| --- | --- |

3.

Χαμηλός κύκλος ζωής σε καταπόνηση μετράται σε συμφωνία με την προδιαγραφή ASTM E-606 "Recommended Practice for Constant-Amplitude Low-Cycle Fatigue Testing" ή εθνική ισοδύναμη. Η δοκιμασία διενεργείται κατά τον άξονα με μέση σχέση τάσης ίση προς 1 και συντελεστή συγκέντρωσης τάσης (Κt) ίσο προς 1. Ως μέση τάση ορίζεται η μέγιστη τάση μείον την ελάχιστη τάση δια της μέγιστης τάσης.

| α. | Αγριλίδια (Αλουμινίδια) ως εξής:






  1. | Αγριλίδια του νικελίου περιέχοντα 15 % κατά βάρος και άνω αργίλιο και έως 38 % κατά βάρος αργιλίου, καθώς και τουλάχιστον ένα πρόσθετο στοιχείο κράματος, |
| --- | --- | --- |

α.

Αγριλίδια (Αλουμινίδια) ως εξής:

1.

Αγριλίδια του νικελίου περιέχοντα 15 % κατά βάρος και άνω αργίλιο και έως 38 % κατά βάρος αργιλίου, καθώς και τουλάχιστον ένα πρόσθετο στοιχείο κράματος,

| 2. | Αγριλίδια του τιτανίου περιέχοντα 10 % κατά βάρος και άνω αργίλιο και τουλάχιστον ένα στοιχείο κράματος, |
| --- | --- |

2.

Αγριλίδια του τιτανίου περιέχοντα 10 % κατά βάρος και άνω αργίλιο και τουλάχιστον ένα στοιχείο κράματος,

| β. | Μεταλλικά κράματα, κατασκευασμένα από υλικό που προσδιορίζεται στο σημείο 1C002.γ., ως εξής:






  1. | Κράματα νικελίου με:






  α. | Αντοχή σε ρήξη λόγω τάσης 10 000 ωρών και άνω, σε 923 Κ (650 °C) και σε τάσεις 676 ΜΡα, ή |
| --- | --- | --- | --- |

β.

Μεταλλικά κράματα, κατασκευασμένα από υλικό που προσδιορίζεται στο σημείο 1C002.γ., ως εξής:

1.

Κράματα νικελίου με:

α.

Αντοχή σε ρήξη λόγω τάσης 10 000 ωρών και άνω, σε 923 Κ (650 °C) και σε τάσεις 676 ΜΡα, ή

| β. | Χαμηλό κύκλο ζωής σε καταπόνηση 10 000 κύκλων και άνω, σε 823 Κ (550 °C), με μέγιστες τάσεις 1,095 ΜΡα, |
| --- | --- |

β.

Χαμηλό κύκλο ζωής σε καταπόνηση 10 000 κύκλων και άνω, σε 823 Κ (550 °C), με μέγιστες τάσεις 1,095 ΜΡα,

| 2. | Κράματα νιοβίου με:






  α. | Αντοχή σε ρήξη λόγω τάσης 10 000 ωρών και άνω, σε 1,073 Κ (800 °C), με τάσεις 400 ΜΡα, ή |
| --- | --- | --- |

2.

Κράματα νιοβίου με:

α.

Αντοχή σε ρήξη λόγω τάσης 10 000 ωρών και άνω, σε 1,073 Κ (800 °C), με τάσεις 400 ΜΡα, ή

| β. | Χαμηλό κύκλο ζωής σε καταπόνηση 10 000 κύκλων και άνω, σε 973 Κ (700 °C), με μέγιστες τάσεις 700 ΜΡα, |
| --- | --- |

β.

Χαμηλό κύκλο ζωής σε καταπόνηση 10 000 κύκλων και άνω, σε 973 Κ (700 °C), με μέγιστες τάσεις 700 ΜΡα,

| 3. | Κράματα τιτανίου με:






  α. | Αντοχή σε ρήξη λόγω τάσης 10 000 ωρών και άνω, σε 723 Κ (450 °C), με τάσεις 200 ΜΡα, ή |
| --- | --- | --- |

3.

Κράματα τιτανίου με:

α.

Αντοχή σε ρήξη λόγω τάσης 10 000 ωρών και άνω, σε 723 Κ (450 °C), με τάσεις 200 ΜΡα, ή

| β. | Χαμηλό κύκλο ζωής σε καταπόνηση 10 000 κύκλων και άνω, σε 723 Κ (450 °C), με μέγιστες τάσεις 400 ΜΡα, |
| --- | --- |

β.

Χαμηλό κύκλο ζωής σε καταπόνηση 10 000 κύκλων και άνω, σε 723 Κ (450 °C), με μέγιστες τάσεις 400 ΜΡα,

| 4. | Κράματα αλουμινίου με αντίσταση εφελκυσμού:






  α. | 240 ΜΡα και άνω, σε 473 Κ (200 °C), ή |
| --- | --- | --- |

4.

Κράματα αλουμινίου με αντίσταση εφελκυσμού:

α.

240 ΜΡα και άνω, σε 473 Κ (200 °C), ή

| β. | 415 ΜΡα και άνω, σε 298 Κ (25 °C), |
| --- | --- |

β.

415 ΜΡα και άνω, σε 298 Κ (25 °C),

| 5. | Κράματα μαγνησίου






  α. | με αντίσταση εφελκυσμού 345 ΜΡα και άνω, και |
| --- | --- | --- |

5.

Κράματα μαγνησίου

α.

με αντίσταση εφελκυσμού 345 ΜΡα και άνω, και

| β. | ταχύτητα διάβρωσης μικρότερη του 1mm/έτος, σε υδατικά διαλύματα χλωριούχου νατρίου 3 %, μετρούμενη σε συμφωνία με την προδιαγραφή ASTM G-31 ή αντίστοιχο εθνικό ισοδύναμο, |
| --- | --- |

β.

ταχύτητα διάβρωσης μικρότερη του 1mm/έτος, σε υδατικά διαλύματα χλωριούχου νατρίου 3 %, μετρούμενη σε συμφωνία με την προδιαγραφή ASTM G-31 ή αντίστοιχο εθνικό ισοδύναμο,

| γ. | Σκόνες μεταλλικών κραμάτων ή σωματιδιακό υλικό για υλικά, με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  1. | Παραγόμενες με οποιαδήποτε από τις παρακάτω συνθέσεις:
  Τεχνική παρατήρηση:

  Το Χ ισούται με ένα ή περισσότερα κραματικά στοιχεία.







  α. | Κράματα νικελίου (Ni-Al-X, Ni-X-Al) κατάλληλα για εξαρτήματα ή μέρη στροβιλομηχανών, δηλαδή με λιγότερα των 3 μη-μεταλλικών σωματιδίων (που εισάγονται κατά την παραγωγική διαδικασία μεγαλύτερα των 100 μικρομέτρων σε 109 κραματικά σωματίδια, |
| --- | --- | --- | --- |

γ.

Σκόνες μεταλλικών κραμάτων ή σωματιδιακό υλικό για υλικά, με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1.

Παραγόμενες με οποιαδήποτε από τις παρακάτω συνθέσεις:

Τεχνική παρατήρηση:

Το Χ ισούται με ένα ή περισσότερα κραματικά στοιχεία.

α.

Κράματα νικελίου (Ni-Al-X, Ni-X-Al) κατάλληλα για εξαρτήματα ή μέρη στροβιλομηχανών, δηλαδή με λιγότερα των 3 μη-μεταλλικών σωματιδίων (που εισάγονται κατά την παραγωγική διαδικασία μεγαλύτερα των 100 μικρομέτρων σε 109 κραματικά σωματίδια,

| β. | Κράματα νιοβίου (Nb-Al-X ή Nb-X-Al, Nb-Si-X ή Nb-X-Si, Nb-Ti-X ή Nb-X-Τi), |
| --- | --- |

β.

Κράματα νιοβίου (Nb-Al-X ή Nb-X-Al, Nb-Si-X ή Nb-X-Si, Nb-Ti-X ή Nb-X-Τi),

| γ. | Κράματα τιτανίου (Ti-Al-X ή Ti-X-Al), |
| --- | --- |

γ.

Κράματα τιτανίου (Ti-Al-X ή Ti-X-Al),

| δ. | Κράματα αλουμινίου (Al-Mg-X ή Al-X-Mg, Al-Zn-X ή Al-X-Zn, Al-Fe-X ή Al-X-Fe), ή |
| --- | --- |

δ.

Κράματα αλουμινίου (Al-Mg-X ή Al-X-Mg, Al-Zn-X ή Al-X-Zn, Al-Fe-X ή Al-X-Fe), ή

| ε. | Κράματα μαγνησίου (Mg-Al-X ή Mg-X-Al), |
| --- | --- |

ε.

Κράματα μαγνησίου (Mg-Al-X ή Mg-X-Al),

| 2. | Παραγόμενα σε ελεγχόμενο περιβάλλον με οποιαδήποτε από τις παρακάτω διαδικασίες:






  α. | "Ψεκασμό εν κενώ", |
| --- | --- | --- |

2.

Παραγόμενα σε ελεγχόμενο περιβάλλον με οποιαδήποτε από τις παρακάτω διαδικασίες:

α.

"Ψεκασμό εν κενώ",

| β. | "Ψεκασμό αερίου", |
| --- | --- |

β.

"Ψεκασμό αερίου",

| γ. | "Κυκλικό ψεκασμό", |
| --- | --- |

γ.

"Κυκλικό ψεκασμό",

| δ. | "Ράντισμα βαφής", |
| --- | --- |

δ.

"Ράντισμα βαφής",

| ε. | "Κλώση τήγματος" και "κατακερματισμό", |
| --- | --- |

ε.

"Κλώση τήγματος" και "κατακερματισμό",

| ζ. | "Διαχωρισμό τήγματος" και "κατακερματισμό", ή |
| --- | --- |

ζ.

"Διαχωρισμό τήγματος" και "κατακερματισμό", ή

| η. | "Μηχανική κραματοποίηση", και |
| --- | --- |

η.

"Μηχανική κραματοποίηση", και

| 3. | Ικανά να σχηματίζουν υλικά προσδιοριζόμενα στα σημεία 1C002.α ή 1C002.β. |
| --- | --- |

3.

Ικανά να σχηματίζουν υλικά προσδιοριζόμενα στα σημεία 1C002.α ή 1C002.β.

| δ. | Κραματικά υλικά με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  1. | Παραγόμενα με οποιαδήποτε από τις συνθέσεις που προσδιορίζονται στο σημείο 1C002.γ.1, |
| --- | --- | --- |

δ.

Κραματικά υλικά με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1.

Παραγόμενα με οποιαδήποτε από τις συνθέσεις που προσδιορίζονται στο σημείο 1C002.γ.1,

| 2. | Υπό μορφή μη κατακερματισμένων φολίδων, ταινιών ή ραβδίων, και |
| --- | --- |

2.

Υπό μορφή μη κατακερματισμένων φολίδων, ταινιών ή ραβδίων, και

| 3. | Παραγόμενες σε ελεγχόμενο περιβάλλον με οποιαδήποτε από τις εξής μεθόδους:






  α. | "ράντισμα βαφής", |
| --- | --- | --- |

3.

Παραγόμενες σε ελεγχόμενο περιβάλλον με οποιαδήποτε από τις εξής μεθόδους:

α.

"ράντισμα βαφής",

| β. | "κλώση τήγματος"ή |
| --- | --- |

β.

"κλώση τήγματος"ή

| γ. | "διαχωρισμό τήγματος" |
| --- | --- |

γ.

"διαχωρισμό τήγματος"

1C003Μαγνητικά μέταλλα, παντός τύπου και μορφής, εμφανίζοντα οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

| α. | Αρχική σχετική διαπερατότητα 120 000 και άνω και πάχος 0,05 mm και άνω,
  Τεχνική παρατήρηση:

  Η μέτρηση της αρχικής διαπερατότητας πρέπει να πραγματοποιείται σε πλήρως ανεπτηγμένα υλικά. |
| --- | --- |

α.

Αρχική σχετική διαπερατότητα 120 000 και άνω και πάχος 0,05 mm και άνω,

Τεχνική παρατήρηση:

Η μέτρηση της αρχικής διαπερατότητας πρέπει να πραγματοποιείται σε πλήρως ανεπτηγμένα υλικά.

| β. | Κράματα μαγνητικού μετασχηματισμού με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Κορεσμό μαγνητικού μετασχηματισμού ανώτερο των 5 × 10–4, ή |
| --- | --- | --- |

β.

Κράματα μαγνητικού μετασχηματισμού με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Κορεσμό μαγνητικού μετασχηματισμού ανώτερο των 5 × 10–4, ή

| 2. | Μαγνητο-μηχανικό συντελεστή ζεύξης (k) ανώτερο του 0,8, ή |
| --- | --- |

2.

Μαγνητο-μηχανικό συντελεστή ζεύξης (k) ανώτερο του 0,8, ή

| γ. | Άμορφες ή "νανοκρυστάλλινες" κραματικές ταινίες με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Περιεκτικότητα σε σίδηρο, κοβάλτιο ή νικέλιο τουλάχιστον 75 %, |
| --- | --- | --- |

γ.

Άμορφες ή "νανοκρυστάλλινες" κραματικές ταινίες με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Περιεκτικότητα σε σίδηρο, κοβάλτιο ή νικέλιο τουλάχιστον 75 %,

| 2. | Μαγνητική επαγωγή κορεσμού (Βs) 1,6 Τ και άνω, και |
| --- | --- |

2.

Μαγνητική επαγωγή κορεσμού (Βs) 1,6 Τ και άνω, και

| 3. | Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Πάχος λωρίδων 0,02 mm και κάτω, ή |
| --- | --- | --- |

3.

Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Πάχος λωρίδων 0,02 mm και κάτω, ή

| β. | Ηλεκτρική ειδική αντίσταση 2 × 10–4 ohm.cm και άνω. |
| --- | --- |

β.

Ηλεκτρική ειδική αντίσταση 2 × 10–4 ohm.cm και άνω.

Τεχνική παρατήρηση:

Τα "νανοκρυστάλλινα" υλικά στο 1C003.γ. είναι τα υλικά μεγέθους κρυστάλλου έως και 50 nm όπως ορίζεται με περίθλαση ακτίνων X.

1C004Κράματα ουρανίου-τιτανίου ή κράματα βολφραμίου με "μήτρα" βασιζόμενη σε σίδηρο, νικέλιο, ή χαλκό, με τα εξής χαρακτηριστικά:

| α. | Πυκνότητα ανώτερη του 17,5 g/cm3, |
| --- | --- |

α.

Πυκνότητα ανώτερη του 17,5 g/cm3,

| β. | Όριο ελαστικότητας ανώτερο του 880 ΜΡα, |
| --- | --- |

β.

Όριο ελαστικότητας ανώτερο του 880 ΜΡα,

| γ. | Απώτερη αντίσταση εφελκυσμού ανώτερη των 1,270 ΜΡα, και |
| --- | --- |

γ.

Απώτερη αντίσταση εφελκυσμού ανώτερη των 1,270 ΜΡα, και

| δ. | Επιμήκυνση ανώτερη του 8 %. |
| --- | --- |

δ.

Επιμήκυνση ανώτερη του 8 %.

1C005"Υπεραγώγιμοι""σύνθετοι" αγωγοί σε μήκη ανώτερα των 100 m ή μάζα ανώτερη των 100 g, ως εξής:

| α. | Πολυ-νηματικοί "υπεραγώγιμοι""σύνθετοι" αγωγοί περιέχοντες ένα ή περισσότερα νήματα νιοβίου-τιτανίου:






  1. | Ενσωματωμένα σε μια "μήτρα" πλην αυτών που αποτελούνται από χαλκό ή χαλκοφόρες μικτές "μήτρες", ή |
| --- | --- | --- |

α.

Πολυ-νηματικοί "υπεραγώγιμοι""σύνθετοι" αγωγοί περιέχοντες ένα ή περισσότερα νήματα νιοβίου-τιτανίου:

1.

Ενσωματωμένα σε μια "μήτρα" πλην αυτών που αποτελούνται από χαλκό ή χαλκοφόρες μικτές "μήτρες", ή

| 2. | Με επιφάνεια διατομής μικρότερη του 0,28 × 10–4 mm2 (6 μικρόμετρα σε διάμετρο, για τα στρόγγυλα νήματα), |
| --- | --- |

2.

Με επιφάνεια διατομής μικρότερη του 0,28 × 10–4 mm2 (6 μικρόμετρα σε διάμετρο, για τα στρόγγυλα νήματα),

| β. | "Υπεραγώγιμοι""σύνθετοι" αγωγοί αποτελούμενοι από ένα ή περισσότερα "υπεραγώγιμα" νήματα εκτός αυτών που αποτελούνται από νιόβιο-τιτάνιο, με τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Με "κρίσιμη θερμοκρασία" σε μηδενική μαγνητική επαγωγή, ανώτερη των 9,85 Κ (– 263,31 °C) αλλά κατώτερη των 24 Κ (– 249,16 °C), |
| --- | --- | --- |

β.

"Υπεραγώγιμοι""σύνθετοι" αγωγοί αποτελούμενοι από ένα ή περισσότερα "υπεραγώγιμα" νήματα εκτός αυτών που αποτελούνται από νιόβιο-τιτάνιο, με τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Με "κρίσιμη θερμοκρασία" σε μηδενική μαγνητική επαγωγή, ανώτερη των 9,85 Κ (– 263,31 °C) αλλά κατώτερη των 24 Κ (– 249,16 °C),

| 2. | Με επιφάνεια διατομής μικρότερη των 0,28 × 10–4 mm2, και |
| --- | --- |

2.

Με επιφάνεια διατομής μικρότερη των 0,28 × 10–4 mm2, και

| 3. | Παραμένοντα σε "υπεραγώγιμη" κατάσταση σε θερμοκρασία 4,2 Κ (– 268,96 °C) όταν εκτεθούν σε μαγνητικά πεδία που αντιστοιχούν σε μαγνητική επαγωγή 12 Τ. |
| --- | --- |

3.

Παραμένοντα σε "υπεραγώγιμη" κατάσταση σε θερμοκρασία 4,2 Κ (– 268,96 °C) όταν εκτεθούν σε μαγνητικά πεδία που αντιστοιχούν σε μαγνητική επαγωγή 12 Τ.

1C006Ρευστά και υλικά λίπανσης, ως εξής:

| α. | Υδραυλικά ρευστά περιέχοντα, ως κύρια συστατικά, οποιοδήποτε από τις εξής ουσίες ή υλικά:






  1. | Έλαια πυριτιούχων υδρογονανθράκων με τα εξής χαρακτηριστικά:
  Τεχνική παρατήρηση:

  Για τους σκοπούς του 1C006.α.1., τα έλαια πυριτιούχων υδρογονανθράκων περιέχουν αποκλειστικά και μόνον πυρίτιο, υδρογόνο και άνθρακα.







  α. | Σημείο ανάφλεξης ανώτερο των 477 Κ (204 °C), |
| --- | --- | --- | --- |

α.

Υδραυλικά ρευστά περιέχοντα, ως κύρια συστατικά, οποιοδήποτε από τις εξής ουσίες ή υλικά:

1.

Έλαια πυριτιούχων υδρογονανθράκων με τα εξής χαρακτηριστικά:

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του 1C006.α.1., τα έλαια πυριτιούχων υδρογονανθράκων περιέχουν αποκλειστικά και μόνον πυρίτιο, υδρογόνο και άνθρακα.

α.

Σημείο ανάφλεξης ανώτερο των 477 Κ (204 °C),

| β. | Σημείο ροής σε 239 Κ (– 34 °C) και κάτω, |
| --- | --- |

β.

Σημείο ροής σε 239 Κ (– 34 °C) και κάτω,

| γ. | Δείκτη ιξώδους 75 και άνω, και |
| --- | --- |

γ.

Δείκτη ιξώδους 75 και άνω, και

| δ. | Θερμική σταθερότητα στους 616 Κ (343 °C), ή |
| --- | --- |

δ.

Θερμική σταθερότητα στους 616 Κ (343 °C), ή

| 2. | Χλωροφθοράνθρακες με τα εξής χαρακτηριστικά:
  Τεχνική παρατήρηση:

  Για τους σκοπούς του 1C006.α.2., οι χλωροφθοράνθρακες περιέχουν αποκλειστικά άνθρακα, φθόριο και χλώριο.







  α. | Χωρίς σημείο ανάφλεξης, |
| --- | --- | --- |

2.

Χλωροφθοράνθρακες με τα εξής χαρακτηριστικά:

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του 1C006.α.2., οι χλωροφθοράνθρακες περιέχουν αποκλειστικά άνθρακα, φθόριο και χλώριο.

α.

Χωρίς σημείο ανάφλεξης,

| β. | Εγγενή θερμοκρασία ανάφλεξης ανώτερη των 977 Κ (704 °C), |
| --- | --- |

β.

Εγγενή θερμοκρασία ανάφλεξης ανώτερη των 977 Κ (704 °C),

| γ. | Σημείο ροής 219 Κ (– 54 °C) και κάτω, |
| --- | --- |

γ.

Σημείο ροής 219 Κ (– 54 °C) και κάτω,

| δ. | Δείκτη ιξώδους 80 και άνω, και |
| --- | --- |

δ.

Δείκτη ιξώδους 80 και άνω, και

| ε. | Σημείο ζέσεως σε 473 Κ (200 °C) και άνω. |
| --- | --- |

ε.

Σημείο ζέσεως σε 473 Κ (200 °C) και άνω.

| β. | Τα λιπαντικά υλικά που περιέχουν, ως κύριο συστατικό τους οποιοδήποτε από τις εξής ουσίες ή υλικά:






  1. | Αιθέρες ή θειο-αιθέρες του φαινυλενίου ή του αλκυλοφαινυλενίου ή μίγματά τους περιέχοντα περισσότερες από δύο αιθερικές ή θειοαιθερικές ομάδες ή μίγματά τους, ή |
| --- | --- | --- |

β.

Τα λιπαντικά υλικά που περιέχουν, ως κύριο συστατικό τους οποιοδήποτε από τις εξής ουσίες ή υλικά:

1.

Αιθέρες ή θειο-αιθέρες του φαινυλενίου ή του αλκυλοφαινυλενίου ή μίγματά τους περιέχοντα περισσότερες από δύο αιθερικές ή θειοαιθερικές ομάδες ή μίγματά τους, ή

| 2. | Φθοριωμένα σιλικονούχα ρευστά με κινηματικό ιξώδες κατώτερο των 5 000 mm2/s (5 000 centistokes) μετρούμενο σε 298 Κ (25 °C). |
| --- | --- |

2.

Φθοριωμένα σιλικονούχα ρευστά με κινηματικό ιξώδες κατώτερο των 5 000 mm2/s (5 000 centistokes) μετρούμενο σε 298 Κ (25 °C).

| γ. | Ρευστά απόσβεσης ή επίπλευσης με καθαρότητα ανώτερη των 99,8 %, περιέχοντα λιγότερα από 25 σωματίδια των 200 μικρομέτρων ή μεγαλύτερα ως προς το μέγεθος, ανά 100 ml και παρασκευασμένα από τα παρακάτω προϊόντα ή υλικά με περιεκτικότητα τουλάχιστο 85 %:






  1. | Διβρωμοτετραφθοροαιθάνιο, |
| --- | --- | --- |

γ.

Ρευστά απόσβεσης ή επίπλευσης με καθαρότητα ανώτερη των 99,8 %, περιέχοντα λιγότερα από 25 σωματίδια των 200 μικρομέτρων ή μεγαλύτερα ως προς το μέγεθος, ανά 100 ml και παρασκευασμένα από τα παρακάτω προϊόντα ή υλικά με περιεκτικότητα τουλάχιστο 85 %:

1.

Διβρωμοτετραφθοροαιθάνιο,

| 2. | Πολυχλωροτριφθοροαιθυλένιο (ελαιώδεις και κηρώδεις τροποποιήσεις μόνο), ή |
| --- | --- |

2.

Πολυχλωροτριφθοροαιθυλένιο (ελαιώδεις και κηρώδεις τροποποιήσεις μόνο), ή

| 3. | Πολυβρωμοτριφθοροαιθυλένιο. |
| --- | --- |

3.

Πολυβρωμοτριφθοροαιθυλένιο.

| δ. | Φλωρανθρακικά υγρά ηλεκτρονικής ψύξης με τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Περιέχοντα άνω του 85 % σε βάρος ένα από τα παρακάτω συστατικά ή μίγμα αυτών:






  α. | Μονομερείς τριαζίνες υπερφθοροπολυαλκυλαιθέρα ή υπερφθοροαλειφατικούς αιθέρες, |
| --- | --- | --- | --- |

δ.

Φλωρανθρακικά υγρά ηλεκτρονικής ψύξης με τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Περιέχοντα άνω του 85 % σε βάρος ένα από τα παρακάτω συστατικά ή μίγμα αυτών:

α.

Μονομερείς τριαζίνες υπερφθοροπολυαλκυλαιθέρα ή υπερφθοροαλειφατικούς αιθέρες,

| β. | Υπερφθοροαλκυλαμίνες, |
| --- | --- |

β.

Υπερφθοροαλκυλαμίνες,

| γ. | Υπερφθοροκυκλοαλκάνια, |
| --- | --- |

γ.

Υπερφθοροκυκλοαλκάνια,

| δ. | Υπερφθοραλκάνια. |
| --- | --- |

δ.

Υπερφθοραλκάνια.

| 2. | Πυκνότητα σε 298 Κ (25 °C) άνω του 1.5 g/ml, |
| --- | --- |

2.

Πυκνότητα σε 298 Κ (25 °C) άνω του 1.5 g/ml,

| 3. | Σε υγρή μορφή σε 273 Κ (0 °C), και |
| --- | --- |

3.

Σε υγρή μορφή σε 273 Κ (0 °C), και

| 4. | Περιέχοντα άνω του 60 % φθόριο κατά βάρος. |
| --- | --- |

4.

Περιέχοντα άνω του 60 % φθόριο κατά βάρος.

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του 1C006:

| α. | Το σημείο ανάφλεξης προσδιορίζεται με την μέθοδο ανοικτού δοχείου Cleveland όπως περιγράφεται στην προδιαγραφή ASTM D-92 ή εθνικές ισοδύναμες. |
| --- | --- |

α.

Το σημείο ανάφλεξης προσδιορίζεται με την μέθοδο ανοικτού δοχείου Cleveland όπως περιγράφεται στην προδιαγραφή ASTM D-92 ή εθνικές ισοδύναμες.

| β. | Το σημείο ροής προσδιορίζεται χρησιμοποιώντας τη μέθοδο που περιγράφεται στην προδιαγραφή ASTM D-97 ή εθνικές ισοδύναμες. |
| --- | --- |

β.

Το σημείο ροής προσδιορίζεται χρησιμοποιώντας τη μέθοδο που περιγράφεται στην προδιαγραφή ASTM D-97 ή εθνικές ισοδύναμες.

| γ. | Ο δείκτης ιξώδους προσδιορίζεται χρησιμοποιώντας τη μέθοδο που περιγράφεται στην προδιαγραφή ASTM D-2270 ή εθνικές ισοδύναμες. |
| --- | --- |

γ.

Ο δείκτης ιξώδους προσδιορίζεται χρησιμοποιώντας τη μέθοδο που περιγράφεται στην προδιαγραφή ASTM D-2270 ή εθνικές ισοδύναμες.

| δ. | Η θερμική σταθερότητα προσδιορίζεται με την εξής δοκιμασία ή εθνικές ισοδύναμες: Είκοσι ml του εξεταζόμενου ρευστού τοποθετείται σε θάλαμο ανοξείδωτου χάλυβα τύπου 317 των 46 ml που περιέχει ανά ένα σφαιρίδιο διαμέτρου 12,5 mm (ονομαστικής) από χάλυβα εργαλείων Μ-10, από χάλυβα 52 100 και από ορείχαλκο ναυτικού (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn). Ο θάλαμος πληρούται με άζωτο, σφραγίζεται στην ατμοσφαιρική πίεση και η θερμοκρασία υψώνεται και διατηρείται στους 644 ± 6Κ (371 ± 6 °C) για έξι ώρες.

  Το δείγμα θα θεωρηθεί ως σταθερό από θερμική άποψη, μετά το πέρας της παραπάνω διαδικασίας, αν όλες οι εξής συνθήκες έχουν ικανοποιηθεί:







  1. | Η κατά βάρος απώλεια κάθε σφαιριδίου είναι μικρότερη από 10 mg/mm2 σφαιρικής. |
| --- | --- | --- |

δ.

Η θερμική σταθερότητα προσδιορίζεται με την εξής δοκιμασία ή εθνικές ισοδύναμες: Είκοσι ml του εξεταζόμενου ρευστού τοποθετείται σε θάλαμο ανοξείδωτου χάλυβα τύπου 317 των 46 ml που περιέχει ανά ένα σφαιρίδιο διαμέτρου 12,5 mm (ονομαστικής) από χάλυβα εργαλείων Μ-10, από χάλυβα 52 100 και από ορείχαλκο ναυτικού (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn). Ο θάλαμος πληρούται με άζωτο, σφραγίζεται στην ατμοσφαιρική πίεση και η θερμοκρασία υψώνεται και διατηρείται στους 644 ± 6Κ (371 ± 6 °C) για έξι ώρες.

1.

Η κατά βάρος απώλεια κάθε σφαιριδίου είναι μικρότερη από 10 mg/mm2 σφαιρικής.

| 2. | Η μεταβολή στο αρχικό ιξώδες όπως προσδιορίστηκε σε 311 Κ (38 °C) είναι μικρότερη από 25 %· και |
| --- | --- |

2.

Η μεταβολή στο αρχικό ιξώδες όπως προσδιορίστηκε σε 311 Κ (38 °C) είναι μικρότερη από 25 %· και

| 3. | Ο ολικός αριθμός οξέως ή βάσεως είναι μικρότερος από 0,40. |
| --- | --- |

3.

Ο ολικός αριθμός οξέως ή βάσεως είναι μικρότερος από 0,40.

| ε. | Η εγγενής θερμοκρασία ανάφλεξης προσδιορίζεται με τη μέθοδο που περιγράφεται στην προδιαγραφή ASTM E-659 ή εθνικές ισοδύναμες. |
| --- | --- |

ε.

Η εγγενής θερμοκρασία ανάφλεξης προσδιορίζεται με τη μέθοδο που περιγράφεται στην προδιαγραφή ASTM E-659 ή εθνικές ισοδύναμες.

1C007Υλικά με βάση τα κεραμικά, μη "σύνθετα" κεραμικά υλικά, "σύνθετα" υλικά με "μήτρα" από κεραμικά και πρόδρομες ουσίες, ως εξής:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 1C107.

| α. | Βασικά υλικά από απλά ή σύνθετα βορίδια του τιτανίου με μεταλλικές προσμίξεις, εξαιρουμένων των σκοπούμενων προσμίξεων, κατώτερες των 5 000 ppm, με μέση διάσταση σωματιδίων ίση ή μικρότερη των 5 μικρομέτρων και όχι περισσότερα των 10 % των σωματιδίων μεγαλύτερα των 10 μικρομέτρων, |
| --- | --- |

α.

Βασικά υλικά από απλά ή σύνθετα βορίδια του τιτανίου με μεταλλικές προσμίξεις, εξαιρουμένων των σκοπούμενων προσμίξεων, κατώτερες των 5 000 ppm, με μέση διάσταση σωματιδίων ίση ή μικρότερη των 5 μικρομέτρων και όχι περισσότερα των 10 % των σωματιδίων μεγαλύτερα των 10 μικρομέτρων,

| β. | Μη "σύνθετα" κεραμικά υλικά σε ακατέργαστη ή μη κατεργασμένη μορφή, εξαιρουμένων των λειαντικών, αποτελούμενα από βορίδια του τιτανίου με πυκνότητα 98 % και άνω της θεωρητικής,


  Σημείωση: Το σημείο 1C007.β., δεν καλύπτει τα λειαντικά. |
| --- | --- |

β.

Μη "σύνθετα" κεραμικά υλικά σε ακατέργαστη ή μη κατεργασμένη μορφή, εξαιρουμένων των λειαντικών, αποτελούμενα από βορίδια του τιτανίου με πυκνότητα 98 % και άνω της θεωρητικής,

Σημείωση: Το σημείο 1C007.β., δεν καλύπτει τα λειαντικά.

| γ. | "Σύνθετα" υλικά από κεραμικό-κεραμικό με γυαλί ή με "μήτρα" οξειδίων και ενισχυμένα με ίνες με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  1. | Κατασκευασμένες από κάποιο από τα εξής υλικά:






  α. | Si-N, |
| --- | --- | --- | --- |

γ.

"Σύνθετα" υλικά από κεραμικό-κεραμικό με γυαλί ή με "μήτρα" οξειδίων και ενισχυμένα με ίνες με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1.

Κατασκευασμένες από κάποιο από τα εξής υλικά:

α.

Si-N,

| β. | Si-C, |
| --- | --- |

β.

Si-C,

| γ. | Si-Al-Ο-N, ή |
| --- | --- |

γ.

Si-Al-Ο-N, ή

| δ. | Si-Ο-N, και |
| --- | --- |

δ.

Si-Ο-N, και

| 2. | με ειδική ισχύ εφελκυσμού άνω του 12.7 × 103 m, |
| --- | --- |

2.

με ειδική ισχύ εφελκυσμού άνω του 12.7 × 103 m,

| δ. | "Σύνθετα" υλικά από κεραμικό-κεραμικό, με ή χωρίς συνεχή μεταλλική φάση, περιέχοντα λεπτώς κατανεμημένα σωματίδια ή φάσεις από οποιοδήποτε ινώδες ή τρίχινο υλικό, στο οποίο καρβίδια ή νιτρίδια του πυριτίου, του ζιρκονίου ή του βορίου αποτελούν τη "μήτρα". |
| --- | --- |

δ.

"Σύνθετα" υλικά από κεραμικό-κεραμικό, με ή χωρίς συνεχή μεταλλική φάση, περιέχοντα λεπτώς κατανεμημένα σωματίδια ή φάσεις από οποιοδήποτε ινώδες ή τρίχινο υλικό, στο οποίο καρβίδια ή νιτρίδια του πυριτίου, του ζιρκονίου ή του βορίου αποτελούν τη "μήτρα".

| ε. | Πρόδρομα υλικά (δηλαδή, ειδικά πολυμερή ή οργανο-μεταλλικά υλικά) για την παραγωγή οποιασδήποτε φάσης ή φάσεων από τα υλικά που αναφέρονται στο σημείο 1C007.γ., ως εξής:






  1. | Πολυδιοργανοσιλάνια (για την παραγωγή καρβιδίου του πυριτίου), |
| --- | --- | --- |

ε.

Πρόδρομα υλικά (δηλαδή, ειδικά πολυμερή ή οργανο-μεταλλικά υλικά) για την παραγωγή οποιασδήποτε φάσης ή φάσεων από τα υλικά που αναφέρονται στο σημείο 1C007.γ., ως εξής:

1.

Πολυδιοργανοσιλάνια (για την παραγωγή καρβιδίου του πυριτίου),

| 2. | Πολυσιλαζάνια (για την παραγωγή νιτριδίων του πυριτίου), |
| --- | --- |

2.

Πολυσιλαζάνια (για την παραγωγή νιτριδίων του πυριτίου),

| 3. | Πολυκαρβοσιλαζάνια (για την παραγωγή κεραμικών από πυριτιούχες, ανθρακούχες και αζωτούχες ουσίες). |
| --- | --- |

3.

Πολυκαρβοσιλαζάνια (για την παραγωγή κεραμικών από πυριτιούχες, ανθρακούχες και αζωτούχες ουσίες).

| στ. | "Σύνθετα" υλικά από κεραμικό-κεραμικό με γυαλί ή με "μήτρα" οξειδίων και ενισχυμένα με ίνες οιασδήποτε σύνθεσης από τις παρακάτω:






  1. | Al2O3, ή |
| --- | --- | --- |

στ.

"Σύνθετα" υλικά από κεραμικό-κεραμικό με γυαλί ή με "μήτρα" οξειδίων και ενισχυμένα με ίνες οιασδήποτε σύνθεσης από τις παρακάτω:

1.

Al2O3, ή

| 2. | Si-C-N |
| --- | --- |

2.

Si-C-N

Σημ.: Το σημείο 1C007.στ. δεν καλύπτει "σύνθετα" υλικά με ίνες αυτών των συνθέσεων που διαθέτουν ισχύ εφελκυσμού κάτω των 700 MPa σε 1,273 Κ (1 000 °C) ή αντοχή ερπυσμού σε εφελκυσμό των ινών άνω του 1 % της τάσης ερπυσμού σε 100 MPa φορτίου και 1,273 Κ (1 000 °C) για 100 ώρες.

1C008Μη φθοριωμένες πολυμερείς ουσίες, ως εξής:

| α. | 1. | Βισμαλεϊμίδια, |
| --- | --- | --- |

α.

1.

Βισμαλεϊμίδια,

| 2. | Αρωματικά πολυαμίδια-ιμίδια, |
| --- | --- |

2.

Αρωματικά πολυαμίδια-ιμίδια,

| 3. | Αρωματικά πολυϊμίδια, |
| --- | --- |

3.

Αρωματικά πολυϊμίδια,

| 4. | Αρωματικά πολυαιθεριμίδια διαθέτοντα σημείο υαλώδους μετάπτωσης (Tg) ανώτερο των 513 Κ (240 °C) μετρούμενο με την ξηρά μέθοδο που περιγράφεται στο ASTM D 3418, |
| --- | --- |

4.

Αρωματικά πολυαιθεριμίδια διαθέτοντα σημείο υαλώδους μετάπτωσης (Tg) ανώτερο των 513 Κ (240 °C) μετρούμενο με την ξηρά μέθοδο που περιγράφεται στο ASTM D 3418,

Σημ.: Στο σημείο 1C008.α. δεν ελέγχονται οι μη τηκόμενες σκόνες πιεστικού εκμαγείου ή διάφορα προϊόντα εκμαγείου.

| β. | Θερμοπλαστικά συμπολυμερή υγρών κρυστάλλων και με θερμοκρασία θερμικής παραμόρφωσης ανώτερη των 523 Κ (250 °C) μετρούμενη σύμφωνα με την προδιαγραφή ASTM D-648, μέθοδο Α, ή εθνικές ισοδύναμες με φόρτιση 1,82 N/mm2 και αποτελούμενα από:






  1. | Κάποιο από τα εξής:






  α. | Φανυλένιο, διφαινυλένιο ή ναφθαλένιο, ή |
| --- | --- | --- | --- |

β.

Θερμοπλαστικά συμπολυμερή υγρών κρυστάλλων και με θερμοκρασία θερμικής παραμόρφωσης ανώτερη των 523 Κ (250 °C) μετρούμενη σύμφωνα με την προδιαγραφή ASTM D-648, μέθοδο Α, ή εθνικές ισοδύναμες με φόρτιση 1,82 N/mm2 και αποτελούμενα από:

1.

Κάποιο από τα εξής:

α.

Φανυλένιο, διφαινυλένιο ή ναφθαλένιο, ή

| β. | Υποκατεστημένα φαινυλένια διφαινυλένια ή ναφθαλένια μεθυλίου, τριτοταγούς βουτυλίου ή φαινυλίου, και |
| --- | --- |

β.

Υποκατεστημένα φαινυλένια διφαινυλένια ή ναφθαλένια μεθυλίου, τριτοταγούς βουτυλίου ή φαινυλίου, και

| 2. | Κάποιο από τα εξής οξέα:






  α. | Τερεφθαλικό οξύ, |
| --- | --- | --- |

2.

Κάποιο από τα εξής οξέα:

α.

Τερεφθαλικό οξύ,

| β. | 6-υδροξυ-2 ναφθοϊκό οξύ, ή |
| --- | --- |

β.

6-υδροξυ-2 ναφθοϊκό οξύ, ή

| γ. | 4-υδροξυβενζοϊκό οξύ. |
| --- | --- |

γ.

4-υδροξυβενζοϊκό οξύ.

| γ. | Αιθερικές κετόνες του πολυαρυλενίου ως εξής:






  1. | Πολυαιθερικές αιθερικές κετόνες (PEEK), |
| --- | --- | --- |

γ.

Αιθερικές κετόνες του πολυαρυλενίου ως εξής:

1.

Πολυαιθερικές αιθερικές κετόνες (PEEK),

| 2. | Πολυαιθερικές κετόνες κετόνες (PEKK), |
| --- | --- |

2.

Πολυαιθερικές κετόνες κετόνες (PEKK),

| 3. | Πολυαιθερικές κετόνες (PEK), |
| --- | --- |

3.

Πολυαιθερικές κετόνες (PEK),

| 4. | Πολυαιθερικές κετόνες αιθέρων κετόνης κετόνης (PEKEKK), |
| --- | --- |

4.

Πολυαιθερικές κετόνες αιθέρων κετόνης κετόνης (PEKEKK),

| δ. | Πολυαρυλενικές κετόνες, |
| --- | --- |

δ.

Πολυαρυλενικές κετόνες,

| ε. | Πολυαρυλενικά σουλφίδια, όπου η ομάδα του αρυλενίου είναι διφαινυλένιο, τριφαινυλένιο ή συνδυασμός τους, |
| --- | --- |

ε.

Πολυαρυλενικά σουλφίδια, όπου η ομάδα του αρυλενίου είναι διφαινυλένιο, τριφαινυλένιο ή συνδυασμός τους,

| στ. | Πολυδιφαινυλενικοί αιθέρες σουλφόνης. |
| --- | --- |

στ.

Πολυδιφαινυλενικοί αιθέρες σουλφόνης.

Τεχνική Παρατήρηση:

Το σημείο υαλώδους μετάπτωσης (Tg) για τα υλικά του σημείου 1C008 καθορίζεται με τη μέθοδο που περιγράφεται στο ASTM D 3418 (ξηρή μέθοδος).

1C009Μη επεξεργασμένες φθοριούχες ουσίες, ως εξής:

| α. | Συμπολυμερή φθοριούχου βινυλιδενίου διαθέτοντα 75 % και άνω βήτα κρυσταλλική δομή, χωρίς επιμήκυνση, |
| --- | --- |

α.

Συμπολυμερή φθοριούχου βινυλιδενίου διαθέτοντα 75 % και άνω βήτα κρυσταλλική δομή, χωρίς επιμήκυνση,

| β. | Φθοριωμένα πολυϊμίδια περιέχοντα 10 % βάρους και άνω συνδεδεμένου φθορίου, |
| --- | --- |

β.

Φθοριωμένα πολυϊμίδια περιέχοντα 10 % βάρους και άνω συνδεδεμένου φθορίου,

| γ. | Φθοριωμένα ελαστομερή του φωσφαζενίου περιέχοντα 30 % και άνω συνδεδεμένου φθορίου. |
| --- | --- |

γ.

Φθοριωμένα ελαστομερή του φωσφαζενίου περιέχοντα 30 % και άνω συνδεδεμένου φθορίου.

1C010"Ινώδη ή νηματώδη υλικά" τα οποία μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε οργανικές "μήτρες", μεταλλικές "μήτρες" ή ανθρακικές "μήτρες""συνθέτων" δομών ή ελασμάτων, ως εξής:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 1C210.

| α. | Οργανικά "ινώδη ή νηματώδη υλικά" με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | "Ειδικό συντελεστή" (specific modulus), ανώτερο του 12,7 × 106 m· και |
| --- | --- | --- |

α.

Οργανικά "ινώδη ή νηματώδη υλικά" με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

"Ειδικό συντελεστή" (specific modulus), ανώτερο του 12,7 × 106 m· και

| 2. | "Ειδική αντίσταση εφελκυσμού" ανώτερη του 23,5 × 104 m. |
| --- | --- |

2.

"Ειδική αντίσταση εφελκυσμού" ανώτερη του 23,5 × 104 m.

Σημείωση: Στο σημείο 1C010.α. δεν ελέγχεται το πολυαιθυλένιο.

| β. | Ανθρακούχα "ινώδη ή νηματώδη υλικά" με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | "Ειδικό συντελεστή" ανώτερο του 12,7 × 106 m· και |
| --- | --- | --- |

β.

Ανθρακούχα "ινώδη ή νηματώδη υλικά" με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

"Ειδικό συντελεστή" ανώτερο του 12,7 × 106 m· και

| 2. | "Ειδική αντίσταση εφελκυσμού" ανώτερη του 23,5 × 104 m. |
| --- | --- |

2.

"Ειδική αντίσταση εφελκυσμού" ανώτερη του 23,5 × 104 m.

Σημείωση: Στο σημείο 1C010.β. δεν ελέγχονται υφάσματα κατασκευασμένα από "ινώδη ή νηματώδη υλικά" για την επισκευή τμημάτων αεροπλάνων ή ελασμάτων στα οποία το μέγεθος των επιμέρους φύλλων δεν υπερβαίνει τα 50 cm × 90 cm

Τεχνική παρατήρηση:

Οι ιδιότητες των υλικών που περιγράφονται στο σημείο 1C010.β. προσδιορίζονται σύμφωνα με τις συνιστώμενες μεθόδους SACMA (Suppliers of Advance Composite Materials) SRM 12 έως 17, ή εθνικές ισοδύναμες δοκιμασίες εφελκυσμού, όπως αυτή που περιγράφεται στο Japanese Industrial Standard JIS-R-7601, παράγραφος 6.6.2., και βασίζεται σε μέσες τιμές παρτίδων.

| γ. | Ανόργανα "ινώδη ή νηματώδη υλικά" με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | "Ειδικό συντελεστή" ανώτερο του 2,54 × 106 m· και |
| --- | --- | --- |

γ.

Ανόργανα "ινώδη ή νηματώδη υλικά" με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

"Ειδικό συντελεστή" ανώτερο του 2,54 × 106 m· και

| 2. | Σημείο τήξεως, μαλακώματος, αποσύνθεσης ή εξάχνωσης ανώτερο των 1 922 Κ (1 649 °C) σε αδρανές περιβάλλον. |
| --- | --- |

2.

Σημείο τήξεως, μαλακώματος, αποσύνθεσης ή εξάχνωσης ανώτερο των 1 922 Κ (1 649 °C) σε αδρανές περιβάλλον.

Σημ.: Στο 1C010.γ. δεν ελέγχονται:

| 1. | Ασυνεχείς, πολυφασικές, πολυκρυσταλλικές ίνες αλουμίνας υπό μορφή τεμαχισμένων ινών ή τυχαίας διαστρωμάτωσης, που περιέχουν 3 % κατά βάρος ή περισσότερο πυριτικά με "ειδικό συντελεστή" μικρότερο του 10 × 106 m, |
| --- | --- |

1.

Ασυνεχείς, πολυφασικές, πολυκρυσταλλικές ίνες αλουμίνας υπό μορφή τεμαχισμένων ινών ή τυχαίας διαστρωμάτωσης, που περιέχουν 3 % κατά βάρος ή περισσότερο πυριτικά με "ειδικό συντελεστή" μικρότερο του 10 × 106 m,

| 2. | Ίνες μολυβδαινίου και κραμάτων μολυβδαινίου, |
| --- | --- |

2.

Ίνες μολυβδαινίου και κραμάτων μολυβδαινίου,

| 3. | Ίνες βορίου, |
| --- | --- |

3.

Ίνες βορίου,

| 4. | Ασυνεχείς κεραμικές ίνες με σημείο τήξεως, μαλακώματος, αποσύνθεσης ή εξάχνωσης κατώτερο των 2 043 Κ (1 770 °C) σε αδρανές περιβάλλον. |
| --- | --- |

4.

Ασυνεχείς κεραμικές ίνες με σημείο τήξεως, μαλακώματος, αποσύνθεσης ή εξάχνωσης κατώτερο των 2 043 Κ (1 770 °C) σε αδρανές περιβάλλον.

| δ. | "Ινώδη ή νηματώδη υλικά":






  1. | Αποτελούμενα από οποιοδήποτε από τα εξής:






  α. | Πολυαιθεριμίδια όπως προσδιορίζονται στο σημείο 1C008.α., ή |
| --- | --- | --- | --- |

δ.

"Ινώδη ή νηματώδη υλικά":

1.

Αποτελούμενα από οποιοδήποτε από τα εξής:

α.

Πολυαιθεριμίδια όπως προσδιορίζονται στο σημείο 1C008.α., ή

| β. | Υλικά όπως προσδιορίζονται στο σημείο 1C008.β. έως 1C008.στ., ή |
| --- | --- |

β.

Υλικά όπως προσδιορίζονται στο σημείο 1C008.β. έως 1C008.στ., ή

| 2. | Αποτελούμενα από υλικά όπως αυτά προσδιορίζονται στο σημείο 1C010.δ.1.α.,ή 1C010.δ.1.β και "διαπλεγμένα" με άλλες ίνες που ορίζονται στο σημείο 1C010.α., 1C010. β., ή 1C010.γ., |
| --- | --- |

2.

Αποτελούμενα από υλικά όπως αυτά προσδιορίζονται στο σημείο 1C010.δ.1.α.,ή 1C010.δ.1.β και "διαπλεγμένα" με άλλες ίνες που ορίζονται στο σημείο 1C010.α., 1C010. β., ή 1C010.γ.,

| ε. | Ίνες προ-εμποτισμένες σε φυσικές ή μη ρητίνες (προ-εμποτίσματα), μεταλλικές ίνες ή ίνες επιχρισμένες με άνθρακα (προ-μορφώματα), προμορφώματα ανθρακούχων ινών, ως εξής:






  1. | Κατασκευασμένες από «ινώδη ή νηματώδη υλικά" όπως προσδιορίζοντα στο σημείο 1C010.α., 1C010.β., ή 1C010.γ.· |
| --- | --- | --- |

ε.

Ίνες προ-εμποτισμένες σε φυσικές ή μη ρητίνες (προ-εμποτίσματα), μεταλλικές ίνες ή ίνες επιχρισμένες με άνθρακα (προ-μορφώματα), προμορφώματα ανθρακούχων ινών, ως εξής:

1.

Κατασκευασμένες από «ινώδη ή νηματώδη υλικά" όπως προσδιορίζοντα στο σημείο 1C010.α., 1C010.β., ή 1C010.γ.·

| 2. | Κατασκευασμένες από οργανικά ή ανθρακούχα "ινώδη ή νηματώδη υλικά":






  α. | Με "ειδική αντίσταση εφελκυσμού" ανώτερη του 17,7 × 104 m, |
| --- | --- | --- |

2.

Κατασκευασμένες από οργανικά ή ανθρακούχα "ινώδη ή νηματώδη υλικά":

α.

Με "ειδική αντίσταση εφελκυσμού" ανώτερη του 17,7 × 104 m,

| β. | Με "ειδικό συντελεστή" ανώτερο του 10,15 × 106 m, |
| --- | --- |

β.

Με "ειδικό συντελεστή" ανώτερο του 10,15 × 106 m,

| γ. | Μη προσδιοριζόμενα στο σημείο 1C010.α., ή 1C010.β., και |
| --- | --- |

γ.

Μη προσδιοριζόμενα στο σημείο 1C010.α., ή 1C010.β., και

| δ. | Όταν είναι εμποτισμένα με υλικά που προσδιορίζονται στο σημείο 1C008 ή 1C009.β., σημείο υαλώδους μετάπτωσης με (Tg) άνω των 383 Κ (110 °C), ή εμποτισμένα με φαινολικές ή εποξεικές ρητίνες, εμφανίζοντα σημείο υαλώδους μετάπτωσης (Tg) ίσιο ή ανώτερο των 418 Κ (145 °C). |
| --- | --- |

δ.

Όταν είναι εμποτισμένα με υλικά που προσδιορίζονται στο σημείο 1C008 ή 1C009.β., σημείο υαλώδους μετάπτωσης με (Tg) άνω των 383 Κ (110 °C), ή εμποτισμένα με φαινολικές ή εποξεικές ρητίνες, εμφανίζοντα σημείο υαλώδους μετάπτωσης (Tg) ίσιο ή ανώτερο των 418 Κ (145 °C).

Σημ.: Στο σημείο 1C010.ε. δεν ελέγχονται

| α. | τα "ινώδη ή νηματώδη υλικά" (προ-εμποτίσματα) με μήτρα εποξεικής ρητίνης εμποτισμένης με άνθρακα για την επισκευή τμημάτων αεροσκαφών ή ελασμάτων, στα οποία το μέγεθος των επιμέρους φύλλων του προ-εμποτίσματος δεν υπερβαίνει τα 50 cm × 90 cm, |
| --- | --- |

α.

τα "ινώδη ή νηματώδη υλικά" (προ-εμποτίσματα) με μήτρα εποξεικής ρητίνης εμποτισμένης με άνθρακα για την επισκευή τμημάτων αεροσκαφών ή ελασμάτων, στα οποία το μέγεθος των επιμέρους φύλλων του προ-εμποτίσματος δεν υπερβαίνει τα 50 cm × 90 cm,

| β. | Προεμποτίσματα εμποτισμένα με φαινολικές ή εποξεικές ρητίνες και σημείο υαλώδους μετάπτωση (Τg) κάτω των 433 Κ (160 °C) και θερμοκρασία ωρίμανσης κάτω του σημείου υαλώδους μετάπτωσης. |
| --- | --- |

β.

Προεμποτίσματα εμποτισμένα με φαινολικές ή εποξεικές ρητίνες και σημείο υαλώδους μετάπτωση (Τg) κάτω των 433 Κ (160 °C) και θερμοκρασία ωρίμανσης κάτω του σημείου υαλώδους μετάπτωσης.

Τεχνική Παρατήρηση:

Το σημείο υαλώδους μετάπτωσης (Tg) για τα υλικά του σημείου 1C010.ε. καθορίζεται βάσει του ASTM D 3418 με την ξηρά μέθοδο. Το σημείο υαλώδους μετάπτωσης για φαινολικές ή εποξεικές ρητίνες καθορίζεται βάσει του ΑSΤΜ D 4065 σε συχνότητα 1 Hz και βαθμό θέρμανσης 2 Κ (°C) ανά πρώτο λεπτό σύμφωνα με την ξηρά μέθοδο.

1C011Μέταλλα και ενώσεις αυτών, ως εξής:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΚΑΙ 1C111.

| α. | Μέταλλα σε μέγεθος σωματιδίων μικρότερων των 60μm, σφαιρικών κονιορτοποιημένων σφαιροειδών, σε φολίδες ή αλεσμένων, κατασκευασμένων από υλικό που συνίσταται κατά 99 % ή περισσότερο από ζιρκόνιο, μαγνήσιο και κράματα αυτών.
  Τεχνική παρατήρηση:

  Το φυσικώς εμπεριεχόμενο στο ζιρκόνιο άφνιο (συνήθως 2 % έως 7 %) συνυπολογίζεται με το ζιρκόνιο.



  ΣΗΜ: Τα μέταλλα ή κράματα που αναφέρονται στο σημείο 1C011.α. ελέγχονται ανεξάρτητα από το αν τα μέταλλα ή κράματα περικλείονται με αλουμίνιο, μαγνήσιο, ζιρκόνιο ή βηρύλλιο. |
| --- | --- |

α.

Μέταλλα σε μέγεθος σωματιδίων μικρότερων των 60μm, σφαιρικών κονιορτοποιημένων σφαιροειδών, σε φολίδες ή αλεσμένων, κατασκευασμένων από υλικό που συνίσταται κατά 99 % ή περισσότερο από ζιρκόνιο, μαγνήσιο και κράματα αυτών.

Τεχνική παρατήρηση:

Το φυσικώς εμπεριεχόμενο στο ζιρκόνιο άφνιο (συνήθως 2 % έως 7 %) συνυπολογίζεται με το ζιρκόνιο.

ΣΗΜ: Τα μέταλλα ή κράματα που αναφέρονται στο σημείο 1C011.α. ελέγχονται ανεξάρτητα από το αν τα μέταλλα ή κράματα περικλείονται με αλουμίνιο, μαγνήσιο, ζιρκόνιο ή βηρύλλιο.

| β. | Βόριο ή καρβίδια βορίου με καθαρότητα 85 % ή μεγαλύτερη και μέγεθος σωματιδίων 60 μm ή λιγότερο:


  ΣΗΜ: Τα μέταλλα ή κράματα που αναφέρονται στο σημείο 1C011.β. ελέγχονται ανεξάρτητα από το αν τα μέταλλα ή κράματα περικλείονται με αλουμίνιο, μαγνήσιο, ζιρκόνιο ή βηρύλλιο. |
| --- | --- |

β.

Βόριο ή καρβίδια βορίου με καθαρότητα 85 % ή μεγαλύτερη και μέγεθος σωματιδίων 60 μm ή λιγότερο:

ΣΗΜ: Τα μέταλλα ή κράματα που αναφέρονται στο σημείο 1C011.β. ελέγχονται ανεξάρτητα από το αν τα μέταλλα ή κράματα περικλείονται με αλουμίνιο, μαγνήσιο, ζιρκόνιο ή βηρύλλιο.

| γ. | Νιτρική γουανιδίνη. |
| --- | --- |

γ.

Νιτρική γουανιδίνη.

| δ. | Νιτρογουανιδίνη (NQ) (CAS 556-88-7). |
| --- | --- |

δ.

Νιτρογουανιδίνη (NQ) (CAS 556-88-7).

1C012Υλικά ως εξής:

Τεχνική παρατήρηση:

Τα υλικά αυτά χρησιμοποιούνται κατά κανόνα για πηγές πυρηνικής θερμότητας.

| α. | Πλουτώνιο σε οποιαδήποτε μορφή σε ισοτοπική δοκιμή πλουτωνίου του πλουτωνίου 238 μεγαλύτερη του 50 % κατά βάρος·


  Σημ.: Στο σημείο 1C012.α. δεν υπάγονται:








  α. | Τα φορτία με περιεκτικότητα σε πλουτώνιο 1 g ή λιγότερο. |
| --- | --- | --- |

α.

Πλουτώνιο σε οποιαδήποτε μορφή σε ισοτοπική δοκιμή πλουτωνίου του πλουτωνίου 238 μεγαλύτερη του 50 % κατά βάρος·

Σημ.: Στο σημείο 1C012.α. δεν υπάγονται:

α.

Τα φορτία με περιεκτικότητα σε πλουτώνιο 1 g ή λιγότερο.

| β. | Τα φορτία με 3 "ενεργά γραμμάρια" ή λιγότερο όταν περιέχονται σε εξάρτημα αισθητήρα οργάνων. |
| --- | --- |

β.

Τα φορτία με 3 "ενεργά γραμμάρια" ή λιγότερο όταν περιέχονται σε εξάρτημα αισθητήρα οργάνων.

| β. | "Προηγουμένως διαχωρισμένο" ποσειδώνιο-237 σε οποιαδήποτε μορφή.


  Σημ.: Στο σημείο 1C012.β. δεν υπάγονται τα φορτία με περιεκτικότητα 1 g ή λιγότερο σε ποσειδώνιο-237. |
| --- | --- |

β.

"Προηγουμένως διαχωρισμένο" ποσειδώνιο-237 σε οποιαδήποτε μορφή.

Σημ.: Στο σημείο 1C012.β. δεν υπάγονται τα φορτία με περιεκτικότητα 1 g ή λιγότερο σε ποσειδώνιο-237.

1C101Υλικά και συστήματα για μειωμένα παρατηρήσιμα χαρακτηριστικά όπως η ανακλαστικότητα, ραντάρ, η ταυτότητα σε υπεριώδη/υπέρυθρα και οι ακουστικές ταυτότητες, εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στο σημείο 1C001, και μπορούν να χρησιμοποιηθούν στους "πυραύλους" και στα υποσυστήματά τους.

Σημ. 1: Στο σημείο 1C101 περιλαμβάνονται:

| α. | Δομικά υλικά και επιχρίσματα ειδικά σχεδιασμένα για χαμηλή ανακλαστικότητα ραντάρ, |
| --- | --- |

α.

Δομικά υλικά και επιχρίσματα ειδικά σχεδιασμένα για χαμηλή ανακλαστικότητα ραντάρ,

| β. | Επιχρίσματα, συμπεριλαμβανομένων και βαφών, ειδικά σχεδιασμένα για χαμηλή ή σκοπούμενη ανακλασιμότητα ή εκπομπή σε μικροκύματα, στις υπεριώδεις ή υπέρυθρες περιοχές του ηλεκτρομαγνητικού φάσματος, |
| --- | --- |

β.

Επιχρίσματα, συμπεριλαμβανομένων και βαφών, ειδικά σχεδιασμένα για χαμηλή ή σκοπούμενη ανακλασιμότητα ή εκπομπή σε μικροκύματα, στις υπεριώδεις ή υπέρυθρες περιοχές του ηλεκτρομαγνητικού φάσματος,

Σημ. 2: Στο σημείο 1C101 δεν περιλαμβάνονται επιχρίσματα που χρησιμοποιούνται ειδικά για τον θερμικό έλεγχο των δορυφόρων.

1C102Υλικά από ανακεκορεσμένο πυρολυμένο άνθρακα-άνθρακα σχεδιασμένα για οχήματα εκτόξευσης προσδιοριζόμενα στο 9Α004 ή πυραυλοβολίδες προσδιοριζόμενες στο 9Α104.

1C107Γραφιτικά και κεραμικά υλικά, εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στο 1C007, ως εξής:

| α. | Χύδην λεπτόκοκκοι ανακρυσταλλωμένοι γραφίτες εμφανίζοντες γενική πυκνότητα 1,72 g/cm3 και άνω, μετρούμενη σε 288 Κ (15 °C) με διαστάσεις σωματιδίων το πολύ 100 μικρομέτρων, χρησιμοποιήσιμοι σε ακροφύσια "βλημάτων" και σε ρύγχη οχημάτων επαναφοράς στην ατμόσφαιρα, ως εξής:






  1. | Κύλινδροι διαμέτρου τουλάχιστον 120 mm και μήκους τουλάχιστον 50 mm, |
| --- | --- | --- |

α.

Χύδην λεπτόκοκκοι ανακρυσταλλωμένοι γραφίτες εμφανίζοντες γενική πυκνότητα 1,72 g/cm3 και άνω, μετρούμενη σε 288 Κ (15 °C) με διαστάσεις σωματιδίων το πολύ 100 μικρομέτρων, χρησιμοποιήσιμοι σε ακροφύσια "βλημάτων" και σε ρύγχη οχημάτων επαναφοράς στην ατμόσφαιρα, ως εξής:

1.

Κύλινδροι διαμέτρου τουλάχιστον 120 mm και μήκους τουλάχιστον 50 mm,

| 2. | Σωλήνες εσωτερικής διαμέτρου τουλάχιστον 65 mm και πάχους τοιχώματος τουλάχιστον 25 mm και μήκους τουλάχιστον 50 mm, |
| --- | --- |

2.

Σωλήνες εσωτερικής διαμέτρου τουλάχιστον 65 mm και πάχους τοιχώματος τουλάχιστον 25 mm και μήκους τουλάχιστον 50 mm,

| 3. | Τρόχιλοι μεγέθους τουλάχιστον 120 mm × 120 mm × 50 mm, |
| --- | --- |

3.

Τρόχιλοι μεγέθους τουλάχιστον 120 mm × 120 mm × 50 mm,

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: Βλέπε επίσης: 0C004

| β. | Πυρολυτικοί ή ινώδεις ενισχυμένοι γραφίτες, χρησιμοποιήσιμοι σε ακροφύσια "βλημάτων" και σε ρύγχη οχημάτων επαναφοράς,


  ΣΗΜΕΙΩΣΗ: Βλέπε επίσης: 0C004 |
| --- | --- |

β.

Πυρολυτικοί ή ινώδεις ενισχυμένοι γραφίτες, χρησιμοποιήσιμοι σε ακροφύσια "βλημάτων" και σε ρύγχη οχημάτων επαναφοράς,

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: Βλέπε επίσης: 0C004

| γ. | Κεραμικά σύνθετα υλικά (με διηλεκτρική σταθερά μικρότερη του 6 σε συχνότητες από 100 Ηz έως 10 000 ΜΗz), που χρησιμοποιούνται σε σφαιρικούς θόλους "βλημάτων", |
| --- | --- |

γ.

Κεραμικά σύνθετα υλικά (με διηλεκτρική σταθερά μικρότερη του 6 σε συχνότητες από 100 Ηz έως 10 000 ΜΗz), που χρησιμοποιούνται σε σφαιρικούς θόλους "βλημάτων",

| δ. | Χύδην επεξεργάσιμο κεραμικό ενισχυμένο με πυριτιούχα καρβίδια χωρίς θερμική επεξεργασία, που χρησιμοποιείται σε ρύγχη "βλημάτων". |
| --- | --- |

δ.

Χύδην επεξεργάσιμο κεραμικό ενισχυμένο με πυριτιούχα καρβίδια χωρίς θερμική επεξεργασία, που χρησιμοποιείται σε ρύγχη "βλημάτων".

1C111Προωθητικά και χημικές ουσίες για προωθητικά, εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στο 1C011, ως εξής:

| α. | Προωστικές ουσίες:






  1. | Σκόνη σφαιρικού αλουμινίου, εκτός αυτής που αναφέρεται στους Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων, με σωματίδια ενιαίας διαμέτρου 200 μm και περιεκτικότητα κατά βάρος σε αλουμίνιο 97 % και άνω, εφόσον το 10% τουλάχιστον του συνολικού βάρους αποτελείται από σωματίδια κάτω των 63 μm, σύμφωνα με το ISO 2591 : 1998 ή τα εθνικά ισοδύναμα,
  Τεχνική παρατήρηση

  Μέγεθος σωματιδίων 63 μm (ISO R-565) αντιστοιχεί σε κόσκινο 250 (Tyler) ή 230 (πρότυπο ASTM E-11). |
| --- | --- | --- |

α.

Προωστικές ουσίες:

1.

Σκόνη σφαιρικού αλουμινίου, εκτός αυτής που αναφέρεται στους Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων, με σωματίδια ενιαίας διαμέτρου 200 μm και περιεκτικότητα κατά βάρος σε αλουμίνιο 97 % και άνω, εφόσον το 10% τουλάχιστον του συνολικού βάρους αποτελείται από σωματίδια κάτω των 63 μm, σύμφωνα με το ISO 2591 : 1998 ή τα εθνικά ισοδύναμα,

Τεχνική παρατήρηση

Μέγεθος σωματιδίων 63 μm (ISO R-565) αντιστοιχεί σε κόσκινο 250 (Tyler) ή 230 (πρότυπο ASTM E-11).

| 2. | Μεταλλικά καύσιμα, εκτός αυτών που αναφέρονται στους Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων, σε σωματίδια διαστάσεων κάτω των 500 μικρομέτρων, σφαιρικά, κονιορτοποιημένα, σφαιροειδή, σε φολίδες ή αλεσμένα, περιέχοντα από τα παρακάτω υλικά σε αναλογία 97 % κατά βάρος και άνω:






  α. | Ζιρκόνιο, |
| --- | --- | --- |

2.

Μεταλλικά καύσιμα, εκτός αυτών που αναφέρονται στους Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων, σε σωματίδια διαστάσεων κάτω των 500 μικρομέτρων, σφαιρικά, κονιορτοποιημένα, σφαιροειδή, σε φολίδες ή αλεσμένα, περιέχοντα από τα παρακάτω υλικά σε αναλογία 97 % κατά βάρος και άνω:

α.

Ζιρκόνιο,

| β. | Βηρύλλιο, |
| --- | --- |

β.

Βηρύλλιο,

| γ. | Μαγνήσιο, ή |
| --- | --- |

γ.

Μαγνήσιο, ή

| δ. | Κράματα μετάλλων που προσδιορίζονται στο σημείο α. έως γ. παραπάνω, |
| --- | --- |

δ.

Κράματα μετάλλων που προσδιορίζονται στο σημείο α. έως γ. παραπάνω,

Τεχνική παρατήρηση:

Το άφνιο που φυσικώς εμπεριέχεται στο ζιρκόνιο (κατά κανόνα 2 % έως 7 %) συνυπολογίζεται με το ζιρκόνιο.

| 3. | Υγρές οξειδωτικές ουσίες ως εξής:






  α. | Τριοξείδιο του διαζώτου, |
| --- | --- | --- |

3.

Υγρές οξειδωτικές ουσίες ως εξής:

α.

Τριοξείδιο του διαζώτου,

| β. | Διοξείδιο του αζώτου/τετροξείδιο του διαζώτου, |
| --- | --- |

β.

Διοξείδιο του αζώτου/τετροξείδιο του διαζώτου,

| γ. | Πεντοξείδιο του διαζώτου, |
| --- | --- |

γ.

Πεντοξείδιο του διαζώτου,

| δ. | Μικτά οξείδια του αζώτου (MON)
  Τεχνική παρατήρηση:

  Τα μικτά οξείδια του αζώτου (MON) είναι διαλύματα μονοξειδίου του αζώτου (NO) σε τετροξείδιο/διοξείδιο του αζώτου (N2O4/NO2), που μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε πυραυλικά συστήματα. Ανάλογα με την αναλογία των συστατικών τους χαρακτηρίζονται ως MONi ή MONij, όπου i ή ij μονοψήφιος ή διψήφιος ακέραιος που εμφαίνει το ποσοστό μονοξειδίου του αζώτου που περιέχεται στο μίγμα (π.χ. το MON3 περιέχει 3 % μονοξείδιο του αζώτου, το MON25 περιέχει 25 %υ, με ανώτατο όριο το MON40, που περιέχει 40 % μονοξείδιο του αζώτου κατά βάρος) |
| --- | --- |

δ.

Μικτά οξείδια του αζώτου (MON)

Τεχνική παρατήρηση:

Τα μικτά οξείδια του αζώτου (MON) είναι διαλύματα μονοξειδίου του αζώτου (NO) σε τετροξείδιο/διοξείδιο του αζώτου (N2O4/NO2), που μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε πυραυλικά συστήματα. Ανάλογα με την αναλογία των συστατικών τους χαρακτηρίζονται ως MONi ή MONij, όπου i ή ij μονοψήφιος ή διψήφιος ακέραιος που εμφαίνει το ποσοστό μονοξειδίου του αζώτου που περιέχεται στο μίγμα (π.χ. το MON3 περιέχει 3 % μονοξείδιο του αζώτου, το MON25 περιέχει 25 %υ, με ανώτατο όριο το MON40, που περιέχει 40 % μονοξείδιο του αζώτου κατά βάρος)

| ε. | ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΓΙΑ ΤΟ Σαθεροποιημένο ερυθρό ατμίζον νιτρικό οξύ (IRFNA)· |
| --- | --- |

ε.

ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΓΙΑ ΤΟ Σαθεροποιημένο ερυθρό ατμίζον νιτρικό οξύ (IRFNA)·

| στ. | ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΚΑΙ ΣΗΜΕΙΟ 1C238 ΓΙΑ ΤΙΣ Εώσεις αποτελούμενες από φθόριο και ένα ή περισσότερα άλλα αλογόνα, οξυγόνο ή άζωτο. |
| --- | --- |

στ.

ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΚΑΙ ΣΗΜΕΙΟ 1C238 ΓΙΑ ΤΙΣ Εώσεις αποτελούμενες από φθόριο και ένα ή περισσότερα άλλα αλογόνα, οξυγόνο ή άζωτο.

| β. | Πολυμερείς ουσίες:






  1. | Πολυβουταδιένιο με τελική καρβοξυλική ομάδα (CΤΡΒ), |
| --- | --- | --- |

β.

Πολυμερείς ουσίες:

1.

Πολυβουταδιένιο με τελική καρβοξυλική ομάδα (CΤΡΒ),

| 2. | Πολυβουταδιένιο με τελική υδροξυλική ομάδα, εκτός αυτών που προσδιορίζονται στους Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων, |
| --- | --- |

2.

Πολυβουταδιένιο με τελική υδροξυλική ομάδα, εκτός αυτών που προσδιορίζονται στους Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων,

| 3. | Πολυβουταδιένιο-ακρυλικό οξύ (ΡΒΑΑ), |
| --- | --- |

3.

Πολυβουταδιένιο-ακρυλικό οξύ (ΡΒΑΑ),

| 4. | Πολυβουταδιένιο-ακρυλικό οξύ-ακρυλονιτρίλιο (ΡΒΑΝ), |
| --- | --- |

4.

Πολυβουταδιένιο-ακρυλικό οξύ-ακρυλονιτρίλιο (ΡΒΑΝ),

| γ. | Άλλα προωθητικά πρόσθετα και ουσίες:







  1. | ΒΛ. ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΓΙΑ ΤΑ καρβοβοράνια, τα δεκαβοράνια, τα πενταβοράνια και τα παράγωγά τους |
| --- | --- | --- |

γ.

Άλλα προωθητικά πρόσθετα και ουσίες:

1.

ΒΛ. ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΓΙΑ ΤΑ καρβοβοράνια, τα δεκαβοράνια, τα πενταβοράνια και τα παράγωγά τους

| 2. | Δινιτρική τριαιθυλενογλυκόλη (ΤΕGDΝ), |
| --- | --- |

2.

Δινιτρική τριαιθυλενογλυκόλη (ΤΕGDΝ),

| 3. | Νιτροδιφαινυλαμίνη, |
| --- | --- |

3.

Νιτροδιφαινυλαμίνη,

| 4. | Τρινιτρικό τριμεθυλαιθάνιο (ΤΜΕΤΝ), |
| --- | --- |

4.

Τρινιτρικό τριμεθυλαιθάνιο (ΤΜΕΤΝ),

| 5. | Δινιτρική διαιθυλενογλυκόλη (DΕGDΝ). |
| --- | --- |

5.

Δινιτρική διαιθυλενογλυκόλη (DΕGDΝ).

| 6. | Παράγωγα σιδηροκενίου (ferrocene) εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στους Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων.







  α. | Βλ. Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων για το κατοκένιο |
| --- | --- | --- |

6.

Παράγωγα σιδηροκενίου (ferrocene) εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στους Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων.

α.

Βλ. Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων για το κατοκένιο

| β. | Αιθυλοσιδηροκένιο |
| --- | --- |

β.

Αιθυλοσιδηροκένιο

| γ. | Προπυλοσιδηροκένιο |
| --- | --- |

γ.

Προπυλοσιδηροκένιο

| δ. | Βλ. Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων για το n-βουτυλοσιδηροκένιο |
| --- | --- |

δ.

Βλ. Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων για το n-βουτυλοσιδηροκένιο

| ε. | Πεντυλοσιδηροκένιο |
| --- | --- |

ε.

Πεντυλοσιδηροκένιο

| στ. | Δικυκλοπεντυλοσιδηροκένιο |
| --- | --- |

στ.

Δικυκλοπεντυλοσιδηροκένιο

| ζ. | Δικυκλοεξυλοσιδηροκένιο |
| --- | --- |

ζ.

Δικυκλοεξυλοσιδηροκένιο

| η. | Διαιθυλοσιδηροκένιο |
| --- | --- |

η.

Διαιθυλοσιδηροκένιο

| θ. | Διπροπυλοσιδηροκένιο |
| --- | --- |

θ.

Διπροπυλοσιδηροκένιο

| ι. | Διβουτυλοσιδηροκένιο |
| --- | --- |

ι.

Διβουτυλοσιδηροκένιο

| ια. | Διεξυλοσιδηροκένιο |
| --- | --- |

ια.

Διεξυλοσιδηροκένιο

| ιβ. | Ακετυλοσιδηροκένια |
| --- | --- |

ιβ.

Ακετυλοσιδηροκένια

| ιγ. | Βλ. Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων για τα καρβοξυλικά οξέα του σιδηροκενίου |
| --- | --- |

ιγ.

Βλ. Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων για τα καρβοξυλικά οξέα του σιδηροκενίου

| ιδ. | Βλ. Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων για το βουτακένιο |
| --- | --- |

ιδ.

Βλ. Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων για το βουτακένιο

| ιε. | Άλλα παράγωγα του σιδηροκενίου που μπορούν να χρησιμοποιηθούν ως τροποποιητικά της ταχύτητας καύσης προωστικών πυραύλων, πλην εκείνων που προσδιορίζονται στους Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων. |
| --- | --- |

ιε.

Άλλα παράγωγα του σιδηροκενίου που μπορούν να χρησιμοποιηθούν ως τροποποιητικά της ταχύτητας καύσης προωστικών πυραύλων, πλην εκείνων που προσδιορίζονται στους Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων.

Σημ.: Για προωθητικά και χημικές ουσίες προωθητικών που δεν προσδιορίζονται στο 1C111 βλέπε Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων

1C116Χάλυβες μαρτενγήρανσης (χάλυβες γενικά χαρακτηριζόμενοι από υψηλή περιεκτικότητα σε νικέλιο, πολύ χαμηλή περιεκτικότητα σε άνθρακα και χρήση υποκαταστάτων στοιχείων ή ιζημάτων για τη δημιουργία γήρανσης-σκλήρυνσης) έχοντες τελική αντίσταση εφελκυσμού 1 500 ΜΡα και άνω, μετρούμενη σε 293 Κ (20 °C), υπό μορφή φύλλων, πλακών ή σωλήνων με πάχος τοιχώματος ή πλάκας ίσο ή κατώτερο των 5 mm.

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 1C216.

1C117Βολφράμιο, μολυβδαίνιο και κράματα αυτών των μετάλλων υπό μορφή ομοιόμορφων σφαιρικών ή κονιορτοποιημένων σωματιδίων διαμέτρου 500 μικρομέτρων και κάτω, καθαρότητας 97 % και άνω, για την παραγωγή στοιχείων σε κινητήρες "βλημάτων", δηλ. θερμικά διαφράγματα, προϊόντα ακροφυσίων, στόμια ακροφυσίων και επιφάνειες ρύθμισης του προωστικού κύματος.

1C118Διπλοί ανοξείδωτοι χάλυβες σταθεροποιημένοι με τιτάνιο (Ti-DSS) με όλα τα εξής:

| α. | Όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  1. | Περιεκτικότητα κατά βάρος 17,0-23,0 % σε χρώμιο και 4,5-7,0 % σε νικέλιο, |
| --- | --- | --- |

α.

Όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1.

Περιεκτικότητα κατά βάρος 17,0-23,0 % σε χρώμιο και 4,5-7,0 % σε νικέλιο,

| 2. | Περιεκτικότητα κατά βάρος άνω του 0,10 % σε τιτάνιο, και |
| --- | --- |

2.

Περιεκτικότητα κατά βάρος άνω του 0,10 % σε τιτάνιο, και

| 3. | Φερριτική-ωστενιτική (διφασική) μικροδομή με τουλάχιστον 10 % κατ' όγκο ωστενίτη (σύμφωνα με το ASTM E-1181-87 ή τα εθνικά του ισοδύναμα), και |
| --- | --- |

3.

Φερριτική-ωστενιτική (διφασική) μικροδομή με τουλάχιστον 10 % κατ' όγκο ωστενίτη (σύμφωνα με το ASTM E-1181-87 ή τα εθνικά του ισοδύναμα), και

| β. | Ένα από τα παρακάτω σχήματα:






  1. | Πλινθώματα και ράβδοι μεγέθους 100 mm και άνω σε κάθε διάσταση, |
| --- | --- | --- |

β.

Ένα από τα παρακάτω σχήματα:

1.

Πλινθώματα και ράβδοι μεγέθους 100 mm και άνω σε κάθε διάσταση,

| 2. | Φύλλα πλάτους 600 mm και άνω και πάχους 3 mm και κάτω, ή |
| --- | --- |

2.

Φύλλα πλάτους 600 mm και άνω και πάχους 3 mm και κάτω, ή

| 3. | Σωλήνες με εξωτερική διάμετρο 600 mm και άνω και πάχος τοιχωμάτων 3 mm και κάτω. |
| --- | --- |

3.

Σωλήνες με εξωτερική διάμετρο 600 mm και άνω και πάχος τοιχωμάτων 3 mm και κάτω.

1C202Κράματα, εκτός αυτών που αναφέρονται στο σημείο 1C002.β.3. ή β.4., ως εξής:

| α. | Κράματα αλουμινίου με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:






  1. | Εμφανίζοντα τελική αντίσταση εφελκυσμού 460 ΜΡα και άνω σε 293 Κ (20 °C), και |
| --- | --- | --- |

α.

Κράματα αλουμινίου με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:

1.

Εμφανίζοντα τελική αντίσταση εφελκυσμού 460 ΜΡα και άνω σε 293 Κ (20 °C), και

| 2. | Υπό μορφή σωλήνων ή κυλινδρικών στερεών σωμάτων (περιλαμβανομένων και των σφυρηλάτων) εξωτερικής διαμέτρου 75 mm και άνω, |
| --- | --- |

2.

Υπό μορφή σωλήνων ή κυλινδρικών στερεών σωμάτων (περιλαμβανομένων και των σφυρηλάτων) εξωτερικής διαμέτρου 75 mm και άνω,

| β. | Κράματα τιτανίου με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:






  1. | Εμφανίζοντα τελική αντίσταση εφελκυσμού 900 ΜΡα και άνω, σε 293 Κ (20 °C), και |
| --- | --- | --- |

β.

Κράματα τιτανίου με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:

1.

Εμφανίζοντα τελική αντίσταση εφελκυσμού 900 ΜΡα και άνω, σε 293 Κ (20 °C), και

| 2. | Υπό μορφή σωλήνων ή κυλινδρικών στερεών σωμάτων (συμπεριλαμβανομένων και των σφυρηλάτων) με εξωτερική διάμετρο 75 mm και άνω, |
| --- | --- |

2.

Υπό μορφή σωλήνων ή κυλινδρικών στερεών σωμάτων (συμπεριλαμβανομένων και των σφυρηλάτων) με εξωτερική διάμετρο 75 mm και άνω,

Τεχνική παρατήρηση:

Η φράση "κράματα εμφανίζοντα" αναφέρεται σε κράματα πριν ή μετά από τη θερμική επεξεργασία τους.

1C210"Ινώδη ή νηματώδη υλικά" ή προεμποτίσματα, εκτός αυτών που αναφέρονται στο σημείο 1C010.α., β. ή ε., ως εξής:

| α. | "Ινώδη ή νηματώδη υλικά" από άνθρακα ή αραμίδια με ένα από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | "Ειδικό συντελεστή" 12,7 × 106 m και άνω ή |
| --- | --- | --- |

α.

"Ινώδη ή νηματώδη υλικά" από άνθρακα ή αραμίδια με ένα από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

"Ειδικό συντελεστή" 12,7 × 106 m και άνω ή

| 2. | "Ειδική αντίσταση εφελκυσμού" 235 × 103 m και άνω· |
| --- | --- |

2.

"Ειδική αντίσταση εφελκυσμού" 235 × 103 m και άνω·

Σημ.: Στο σημείο 1C210.a., δεν ελέγχονται τα "ινώδη ή νηματώδη υλικά" από αραμίδια με περιεκτικότητα 0,25 % και άνω κατά βάρος σε ινώδη τροποποιητή επιφανειών με βάση εστέρες,

| β. | Υαλώδη "ινώδη ή νηματώδη υλικά" με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:






  1. | "Ειδικό συντελεστή" 3,18 × 106 m και άνω, και |
| --- | --- | --- |

β.

Υαλώδη "ινώδη ή νηματώδη υλικά" με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:

1.

"Ειδικό συντελεστή" 3,18 × 106 m και άνω, και

| 2. | "Ειδική αντίσταση εφελκυσμού" 7,62 × 103 m και άνω. |
| --- | --- |

2.

"Ειδική αντίσταση εφελκυσμού" 7,62 × 103 m και άνω.

| γ. | Θερμοσκληρική ρητίνη εμποτισμένη με συνεχή "στημόνια", "πιλήματα", "τέλματα" ή "ταινίες" πλάτους 15 mm το πολύ (προεμποτίσματα), από ανθρακούχα ή υαλώδη "ινώδη ή νηματώδη υλικά" που προσδιορίζονται στο σημείο 1C210.α. ή β.
  Τεχνική παρατήρηση:

  Η ρητίνη αποτελεί το περίβλημα του συστατικού. |
| --- | --- |

γ.

Θερμοσκληρική ρητίνη εμποτισμένη με συνεχή "στημόνια", "πιλήματα", "τέλματα" ή "ταινίες" πλάτους 15 mm το πολύ (προεμποτίσματα), από ανθρακούχα ή υαλώδη "ινώδη ή νηματώδη υλικά" που προσδιορίζονται στο σημείο 1C210.α. ή β.

Τεχνική παρατήρηση:

Η ρητίνη αποτελεί το περίβλημα του συστατικού.

Σημ.: Στο σημείο 1C210, τα "ινώδη ή νηματώδη υλικά" αφορά μόνο τα "συνεχή μονόκλωνα νήματα", τα "στημονικά", τα "πιλήματα", τα "τίλματα ή τις ταινίες".

1C216Χάλυβας μαρτενγήρανσης, εκτός αυτού που αναφέρεται στο σημείο 1C116, "εμφανίζων" τελική αντίσταση εφελκυσμού 2 050 ΜΡα και άνω, σε 293 Κ (20 °C).

Σημ.: Στο σημείο 1C216 δεν ελέγχονται προϊόντα των οποίων καμία γραμμική διάσταση δεν υπερβαίνει τα 75 mm.

Τεχνική παρατήρηση:

Η φράση "χάλυβας μαρτενγήρανσης εμφανίζων" αναφέρεται σε χάλυβα μαρτενγήρανσης πριν ή μετά από τη θερμική επεξεργασία.

1C225Βόριο εμπλουτισμένο στο ισότοπο βόριο-10 (10Β) σε αναλογία μεγαλύτερη της φυσικής, ως εξής: στοιχειακό βόριο, ενώσεις, μείγματα περιέχοντα βόριο, υλικά κατασκευασμένα από βόριο, απορρίμματα ή αποκόμματα των ανωτέρω.

Σημ.: Στο σημείο 1C225, τα μείγματα περιέχοντα βόριο περιλαμβάνουν τα υλικά στα οποία έχει προστεθεί βόριο.

Τεχνική παρατήρηση:

Η φυσική ισοτοπική αναλογία του βορίου — 10 είναι περίπου 18,5 % κατά βάρος (20 % κατ' άτομο).

1C226Βολφράμιο, καρβίδιο του βολφραμίου και κράματα περιέχοντα περισσότερο από 90 % βολφράμιο, κατά βάρος, με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:

| α. | Σε μορφές με κοίλη κυλινδρική συμμετρία (περιλαμβανομένων και κυλινδρικών τμημάτων) εσωτερικής διαμέτρου μεταξύ των 100 mm και 300 mm, και |
| --- | --- |

α.

Σε μορφές με κοίλη κυλινδρική συμμετρία (περιλαμβανομένων και κυλινδρικών τμημάτων) εσωτερικής διαμέτρου μεταξύ των 100 mm και 300 mm, και

| β. | Μάζα άνω των 20 kg. |
| --- | --- |

β.

Μάζα άνω των 20 kg.

Σημ.: Στο σημείο 1C226 δεν ελέγχονται κατασκευασμένα υλικά, ειδικά σχεδιασμένα να χρησιμοποιηθούν ως βάρη ή ως σκόπευτρα ακτίνων γ.

1C227Ασβέστιο με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:

| α. | Περιέχον λιγότερο από 1 000 ppm κατά βάρος μεταλλικές προσμίξεις διαφορετικές από μαγνήσιο και |
| --- | --- |

α.

Περιέχον λιγότερο από 1 000 ppm κατά βάρος μεταλλικές προσμίξεις διαφορετικές από μαγνήσιο και

| β. | Περιέχον λιγότερα από 10 ppm βορίου. |
| --- | --- |

β.

Περιέχον λιγότερα από 10 ppm βορίου.

1C228Μαγνήσιο με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:

| α. | Περιέχον λιγότερο από 200 ppm κατά βάρος μεταλλικές προσμίξεις, πλην του ασβεστίου, και |
| --- | --- |

α.

Περιέχον λιγότερο από 200 ppm κατά βάρος μεταλλικές προσμίξεις, πλην του ασβεστίου, και

| β. | Περιέχον λιγότερα από 10 ppm βορίου κατά βάρος. |
| --- | --- |

β.

Περιέχον λιγότερα από 10 ppm βορίου κατά βάρος.

1C229Βισμούθιο με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:

| α. | Καθαρότητας 99,99 % και άνω κατά βάρος και |
| --- | --- |

α.

Καθαρότητας 99,99 % και άνω κατά βάρος και

| β. | Περιέχον λιγότερο από 10 ppm κατά βάρος άργυρο. |
| --- | --- |

β.

Περιέχον λιγότερο από 10 ppm κατά βάρος άργυρο.

1C230Μεταλλικό βηρύλλιο, κράματα περιέχοντα περισσότερο από 50 % βηρύλλιο κατά βάρος, ενώσεις βηρυλλίου, υλικά κατασκευασμένα από βηρύλλιο, και απορρίμματα ή αποκόμματα των ανωτέρω.

Σημ.: Στο σημείο 1C230, δεν ελέγχονται τα εξής:

| α. | Μεταλλικά παράθυρα για μηχανήματα ακτίνων ·, ή συσκευές για την παρακολούθηση των τρημάτων, |
| --- | --- |

α.

Μεταλλικά παράθυρα για μηχανήματα ακτίνων ·, ή συσκευές για την παρακολούθηση των τρημάτων,

| β. | Οξείδια σε επεξεργασμένα ή ημιεπεξεργασμένα προϊόντα ειδικά σχεδιασμένα για εξαρτήματα ηλεκτρονικής ή ως υποστρώματα ηλεκτρονικών δικτύων, |
| --- | --- |

β.

Οξείδια σε επεξεργασμένα ή ημιεπεξεργασμένα προϊόντα ειδικά σχεδιασμένα για εξαρτήματα ηλεκτρονικής ή ως υποστρώματα ηλεκτρονικών δικτύων,

| γ. | Βήρυλλος (πυριτικό άλας βηρυλλίου και αλουμινίου) υπό μορφή σμαραγδιών ή ακουαμαρίνων. |
| --- | --- |

γ.

Βήρυλλος (πυριτικό άλας βηρυλλίου και αλουμινίου) υπό μορφή σμαραγδιών ή ακουαμαρίνων.

1C231Μεταλλικό άφνιο, κράματα περιέχοντα περισσότερο από 60 % κατά βάρος άφνιο, ενώσεις αφνίου περιέχουσες περισσότερο από 60 % κατά βάρος άφνιο, υλικά κατασκευασμένα από αυτά, και απορρίμματα ή αποκόμματα οποιουδήποτε των ανωτέρω.

1C232Ήλιο-3 (3He) μείγματα που περιέχουν ήλιο-3, και προϊόντα ή μηχανισμοί που περιέχουν οποιοδήποτε από τα προαναφερθέντα:

Σημ.: Στο σημείο 1C232, δεν ελέγχεται προϊόν ή συσκευή που περιέχει λιγότερο από 1 g ηλίου-3.

1C233Λίθιο εμπλουτισμένο στο ισότοπο λίθιο-6 (6Li) σε αναλογία μεγαλύτερη της φυσικής, και προϊόντα ή συσκευές που περιέχουν εμπλουτισμένο λίθιο, ως εξής: στοιχειακό λίθιο, κράματα, ενώσεις, μείγματα, περιέχοντα λίθιο, υλικά κατασκευασμένα από αυτά, απορρίμματα ή αποκόμματα οιουδήποτε των ανωτέρω.

Σημ.: Στο σημείο 1C233, δεν ελέγχονται τα δοσίμετρα θερμοφωταύγειας.

Τεχνική παρατήρηση:

Η φυσική περιεκτικότητα του λιθίου σε λίθιο -6 είναι περίπου 6,5 % κατά βάρος (7,5 % σε εκατοστιαία ποσοστά ατόμων).

1C234Ζιρκόνιο με σχέση συγκέντρωσης αφνίου προς ζιρκόνιο μικρότερη από 1 προς 500 μέρη κατά βάρος, ως εξής: μέταλλο, κράματα περιέχοντα περισσότερο από 50 % κατά βάρος ζιρκόνιο, ενώσεις, προϊόντα κατασκευασμένα από αυτό, απορρίμματα ή αποκόμματα οιουδήποτε των ανωτέρω.

Σημ.: Στο σημείο 1C234, δεν ελέγχεται το ζιρκόνιο υπό μορφή φύλλων των οποίων το πάχος δεν υπερβαίνει τα 0,10 mm.

1C235Τρίτιο, ενώσεις τριτίου και μείγματα περιέχοντα τρίτιο στο οποίο η σχέση ατόμων τριτίου προς υδρογόνο υπερβαίνει το 1 προς 1 000, και προϊόντα ή συσκευές περιέχοντα οποιοδήποτε από τα προαναφερθέντα.

Σημ.: Στο σημείο 1C235, δεν ελέγχεται προϊόν ή συσκευή περιέχουσα όχι λιγότερο από 1,48 × 103 GΒq (40 Ci) τριτίου.

1C236Ραδιονουκλίδια εκπομπής ακτίνων α με χρόνο ημιζωής α 10 ημερών ή περισσότερο αλλά μικρότερο των 200 ετών, υπό τις εξής μορφές:

| α. | Στοιχειακά, |
| --- | --- |

α.

Στοιχειακά,

| β. | Ενώσεις ολικής ενέργειας α 37 GBq/kg (1 Ci/kg) ή ανώτερης, |
| --- | --- |

β.

Ενώσεις ολικής ενέργειας α 37 GBq/kg (1 Ci/kg) ή ανώτερης,

| γ. | Μείγματα 37 GBq/kg (1 Ci/kg) ή ανώτερης, |
| --- | --- |

γ.

Μείγματα 37 GBq/kg (1 Ci/kg) ή ανώτερης,

| δ. | Προϊόντα ή συσκευές περιέχοντα οποιοδήποτε από τα προαναφερόμενα. |
| --- | --- |

δ.

Προϊόντα ή συσκευές περιέχοντα οποιοδήποτε από τα προαναφερόμενα.

Σημ.: Στο σημείο 1C236 δεν ελέγχεται προϊόν ή συσκευή περιέχουσα λιγότερο από 3,7 GΒq (100 millicuries) ενέργειας α.

1C237Ράδιο-226, (226 Ra), κράματα ραδίου-226, ενώσεις ραδίου-226, μείγματα περιέχοντα ράδιο-226, υλικά κατασκευασμένα από αυτά, και προϊόντα ή συσκευές περιέχοντα οποιοδήποτε από τα προαναφερθέντα.

Σημ.: Στο σημείο 1C237 δεν ελέγχονται τα εξής:

| α. | Ιατρικές συσκευές, |
| --- | --- |

α.

Ιατρικές συσκευές,

| β. | Προϊόν ή συσκευή περιέχουσα λιγότερο από 0,37 GΒq (10 millicuries) ραδίου-226. |
| --- | --- |

β.

Προϊόν ή συσκευή περιέχουσα λιγότερο από 0,37 GΒq (10 millicuries) ραδίου-226.

1C238Τριφθοριούχο χλώριο (CIF3).

1C239Ισχυρά εκρηκτικά, εκτός αυτών που καθορίζονται στους Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων, ή ουσίες ή μείγματα περιέχοντα περισσότερο από 2 % κατά βάρος εξ αυτών, με κρυσταλλική πυκνότητα μεγαλύτερη του 1,8 g/cm3 και εμφανίζοντα ταχύτητα έκρηξης μεγαλύτερη των 8 000 m/s.

1C240Σκόνη νικελίου και πορώδες μέταλλο νικελίου εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στο σημείο 0C005, ως εξής:

| α. | Σκόνη νικελίου με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:






  1. | Καθαρή περιεκτικότητα νικελίου 99,0 % κατά βάρος ή ανώτερη, και |
| --- | --- | --- |

α.

Σκόνη νικελίου με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:

1.

Καθαρή περιεκτικότητα νικελίου 99,0 % κατά βάρος ή ανώτερη, και

| 2. | Μέσο μέγεθος σωματιδίων μικρότερο των 10 μικρομέτρων με βάση μέτρηση σύμφωνα με το πρότυπο Β330 από την Αμερικανική Εταιρεία Δομικών Υλικών (ΑSΤΜ)· |
| --- | --- |

2.

Μέσο μέγεθος σωματιδίων μικρότερο των 10 μικρομέτρων με βάση μέτρηση σύμφωνα με το πρότυπο Β330 από την Αμερικανική Εταιρεία Δομικών Υλικών (ΑSΤΜ)·

| β. | Πορώδης σκόνη μεταλλικού νικελίου παραγόμενη από υλικά που προσδιορίζονται στο σημείο 1C240.α.· |
| --- | --- |

β.

Πορώδης σκόνη μεταλλικού νικελίου παραγόμενη από υλικά που προσδιορίζονται στο σημείο 1C240.α.·

Σημ.: Στο σημείο 1C240 δεν ελέγχονται τα εξής:

| α. | Νηματώδης σκόνη νικελίου, |
| --- | --- |

α.

Νηματώδης σκόνη νικελίου,

| β. | Ενιαία ελάσματα πορώδους νικελίου με εμβαδόν μέχρι και 1 000 cm2 ανά έλασμα. |
| --- | --- |

β.

Ενιαία ελάσματα πορώδους νικελίου με εμβαδόν μέχρι και 1 000 cm2 ανά έλασμα.

Τεχνική Σημείωση:

Το σημείο 1C240.β. αφορά πορώδες μέταλλο που σχηματίζεται με συμπίεση και περίτηξη των υλικών του σημείου 1C240.α. για σχηματισμό μεταλλικής μορφής με λεπτούς πόρους διασυνδεδεμένους με την όλη δομή.

1C350Χημικές ουσίες οι οποίες μπορούν να χρησιμοποιηθούν ως πρόδρομες ουσίες χημικών τοξικών παραγόντων ως εξής, και "χημικά μείγματα" περιέχοντα ένα ή περισσότερα από τα ακόλουθα:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΣΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΚΑΙ 1C450.

| 1. | Θειοδιγλυκόλη (111-48-8), |
| --- | --- |

1.

Θειοδιγλυκόλη (111-48-8),

| 2. | Οξυχλωριούχος φώσφορος (10025-87-3), |
| --- | --- |

2.

Οξυχλωριούχος φώσφορος (10025-87-3),

| 3. | Μεθυλοφωσφονικό διμεθύλιο (756-79-6), |
| --- | --- |

3.

Μεθυλοφωσφονικό διμεθύλιο (756-79-6),

| 4. | ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΓΙΑ ΤΟ φωσφονυλδιφθοριούχο μεθύλιο (676-99-3), |
| --- | --- |

4.

ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΓΙΑ ΤΟ φωσφονυλδιφθοριούχο μεθύλιο (676-99-3),

| 5. | Φωσφονυλδιχλωριούχο μεθύλιο (676-97-1), |
| --- | --- |

5.

Φωσφονυλδιχλωριούχο μεθύλιο (676-97-1),

| 6. | Φωσφορώδες διμεθύλιο (868-85-9), |
| --- | --- |

6.

Φωσφορώδες διμεθύλιο (868-85-9),

| 7. | Τριχλωριούχος φώσφορος (7719-12-2) |
| --- | --- |

7.

Τριχλωριούχος φώσφορος (7719-12-2)

| 8. | Φωσφορώδες τριμεθύλιο (121-45-9), |
| --- | --- |

8.

Φωσφορώδες τριμεθύλιο (121-45-9),

| 9. | Χλωριούχο θειονύλιο (7719-09-7), |
| --- | --- |

9.

Χλωριούχο θειονύλιο (7719-09-7),

| 10. | 3-υδροξυ-1-μεθυλοπιπεριδίνη (3554-74-3), |
| --- | --- |

10.

3-υδροξυ-1-μεθυλοπιπεριδίνη (3554-74-3),

| 11. | N,N-Διισοπροπυλ-β-αμινοαιθυλοχλωρίδιο (96-79-7), |
| --- | --- |

11.

N,N-Διισοπροπυλ-β-αμινοαιθυλοχλωρίδιο (96-79-7),

| 12. | Θειόλη του Ν,Ν-διισοπροπυλ-β-αμινοαιθανίου (5842-07-9), |
| --- | --- |

12.

Θειόλη του Ν,Ν-διισοπροπυλ-β-αμινοαιθανίου (5842-07-9),

| 13. | Κινουοκλιδινόλη (1619-34-7), |
| --- | --- |

13.

Κινουοκλιδινόλη (1619-34-7),

| 14. | Φθοριούχο κάλιο (7789-23-3), |
| --- | --- |

14.

Φθοριούχο κάλιο (7789-23-3),

| 15. | 2-Χλωροαιθανόλη (107-07-3), |
| --- | --- |

15.

2-Χλωροαιθανόλη (107-07-3),

| 16. | Διμεθυλαμίνη (124-40-3), |
| --- | --- |

16.

Διμεθυλαμίνη (124-40-3),

| 17. | Αιθυλοφωσφονικό διαιθύλιο (78-38-6), |
| --- | --- |

17.

Αιθυλοφωσφονικό διαιθύλιο (78-38-6),

| 18. | Ν,Ν-διμεθυλοφωσφοραμιδικό διαιθύλιο (2404-03-7), |
| --- | --- |

18.

Ν,Ν-διμεθυλοφωσφοραμιδικό διαιθύλιο (2404-03-7),

| 19. | Φωσφορώδες διαιθύλιο (762-04-9), |
| --- | --- |

19.

Φωσφορώδες διαιθύλιο (762-04-9),

| 20. | Υδροχλωρική διμεθυλαμίνη (506-59-2), |
| --- | --- |

20.

Υδροχλωρική διμεθυλαμίνη (506-59-2),

| 21. | Διχλωριούχο αιθυλοφωσφινύλιο (1498-40-4), |
| --- | --- |

21.

Διχλωριούχο αιθυλοφωσφινύλιο (1498-40-4),

| 22. | Διχλωριούχο αιθυλοφωσφονύλιο (1066-50-8), |
| --- | --- |

22.

Διχλωριούχο αιθυλοφωσφονύλιο (1066-50-8),

| 23. | ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΏΝ ΠΡΟΪΌΝΤΩΝ ΓΙΑ ΤΟ Διφθοριούχο αιθυλοφωσφονύλιο (753-98-0), |
| --- | --- |

23.

ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΏΝ ΠΡΟΪΌΝΤΩΝ ΓΙΑ ΤΟ Διφθοριούχο αιθυλοφωσφονύλιο (753-98-0),

| 24. | Υδροφθόριο (7664-39-3), |
| --- | --- |

24.

Υδροφθόριο (7664-39-3),

| 25. | Βενζυλικό μεθύλιο (76-89-1), |
| --- | --- |

25.

Βενζυλικό μεθύλιο (76-89-1),

| 26. | Διχλωριούχο μεθυλοφωσφινύλιο (676-83-5), |
| --- | --- |

26.

Διχλωριούχο μεθυλοφωσφινύλιο (676-83-5),

| 27. | Ν,Ν-διισοπροπυλ-β-αμινοαιθανόλη (96-80-0), |
| --- | --- |

27.

Ν,Ν-διισοπροπυλ-β-αμινοαιθανόλη (96-80-0),

| 28. | Πινακολυλική αλκοόλη (464-07-03), |
| --- | --- |

28.

Πινακολυλική αλκοόλη (464-07-03),

| 29. | ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΓΙΑ ΤΟ Μεθυλοφωσφονικό Ο-αιθυλ-2-διισοπροπυλαμινοαιθύλιο (57856-11-8), |
| --- | --- |

29.

ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΓΙΑ ΤΟ Μεθυλοφωσφονικό Ο-αιθυλ-2-διισοπροπυλαμινοαιθύλιο (57856-11-8),

| 30. | Φωσφορώδες τριαιθύλιο (122-52-1), |
| --- | --- |

30.

Φωσφορώδες τριαιθύλιο (122-52-1),

| 31. | Τριχλωριούχο αρσενικό (7784-34-1), |
| --- | --- |

31.

Τριχλωριούχο αρσενικό (7784-34-1),

| 32. | Βενζυλικό οξύ (76-93-7), |
| --- | --- |

32.

Βενζυλικό οξύ (76-93-7),

| 33. | Μεθυλοφωσφονικό διαιθύλιο (15715-41-0), |
| --- | --- |

33.

Μεθυλοφωσφονικό διαιθύλιο (15715-41-0),

| 34. | Αιθυλοφωσφονικό διμεθύλιο (6163-75-3), |
| --- | --- |

34.

Αιθυλοφωσφονικό διμεθύλιο (6163-75-3),

| 35. | Διφθοριούχο αιθυλοφωσφινύλιο (430-78-4), |
| --- | --- |

35.

Διφθοριούχο αιθυλοφωσφινύλιο (430-78-4),

| 36. | Διφθοριούχο μεθυλοφωσφινύλιο (753-59-3), |
| --- | --- |

36.

Διφθοριούχο μεθυλοφωσφινύλιο (753-59-3),

| 37. | 3-Κινουκλιδόνη (3731-38-2), |
| --- | --- |

37.

3-Κινουκλιδόνη (3731-38-2),

| 38. | Πενταχλωριούχος φώσφορος (10026-13-8), |
| --- | --- |

38.

Πενταχλωριούχος φώσφορος (10026-13-8),

| 39. | Πινακολόνη (75-97-8), |
| --- | --- |

39.

Πινακολόνη (75-97-8),

| 40. | Κυανιούχο κάλιο (151-50-8), |
| --- | --- |

40.

Κυανιούχο κάλιο (151-50-8),

| 41. | Διφθοριούχο κάλιο (7789-29-9), |
| --- | --- |

41.

Διφθοριούχο κάλιο (7789-29-9),

| 42. | Υδροφθοριούχο αμμώνιο (1341-49-7), |
| --- | --- |

42.

Υδροφθοριούχο αμμώνιο (1341-49-7),

| 43. | Φθοριούχο νάτριο (7681-49-4)· |
| --- | --- |

43.

Φθοριούχο νάτριο (7681-49-4)·

| 44. | Διφθοριούχο νάτριο (1333-83-1), |
| --- | --- |

44.

Διφθοριούχο νάτριο (1333-83-1),

| 45. | Κυανιούχο νάτριο (143-33-9), |
| --- | --- |

45.

Κυανιούχο νάτριο (143-33-9),

| 46. | Τριαιθανολαμίνη (102-71-6), |
| --- | --- |

46.

Τριαιθανολαμίνη (102-71-6),

| 47. | Πενταθειούχος φώσφορος (1314-80-3), |
| --- | --- |

47.

Πενταθειούχος φώσφορος (1314-80-3),

| 48. | Δι-ισοπροπυλαμίνη (108-18-9), |
| --- | --- |

48.

Δι-ισοπροπυλαμίνη (108-18-9),

| 49. | Διαιθυλαμινοαιθανόλη (100-37-8), |
| --- | --- |

49.

Διαιθυλαμινοαιθανόλη (100-37-8),

| 50. | Θειούχο νάτριο (1313-82-2), |
| --- | --- |

50.

Θειούχο νάτριο (1313-82-2),

| 51. | Μονοχλωριούχο θείο (10025-67-9), |
| --- | --- |

51.

Μονοχλωριούχο θείο (10025-67-9),

| 52. | Διχλωριούχο θείο (10545-99-0), |
| --- | --- |

52.

Διχλωριούχο θείο (10545-99-0),

| 53. | Υδροχλωρική τριαιθανολαμίνη (637-39-8), |
| --- | --- |

53.

Υδροχλωρική τριαιθανολαμίνη (637-39-8),

| 54. | Υδροχλωρικό Ν,Ν-διισοπροπυλ-β-αμινοαιθυλοχλωρίδιο (4261-68-1). |
| --- | --- |

54.

Υδροχλωρικό Ν,Ν-διισοπροπυλ-β-αμινοαιθυλοχλωρίδιο (4261-68-1).

Σημείωση 1: Για τις εξαγωγές στα "Κράτη που δεν είναι συμβαλλόμενα μέρη της Σύμβασης για τα Χημικά Όπλα", στο σημείο IC350 δεν ελέγχονται τα "χημικά μείγματα" που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ενώσεις των σημείων IC350.1, .3, .5, .11, .2, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36 και .54 και τα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 10 % κατά βάρος του μείγματος.

Σημείωση 2: Για τις εξαγωγές στα "Κράτη που είναι συμβαλλόμενα μέρη της Σύμβασης για τα Χημικά Όπλα", στο σημείο IC350 δεν ελέγχονται τα "χημικά μείγματα" που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ενώσεις των σημείων IC350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36 και .54 και στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 30 % κατά βάρος του μείγματος.

Σημείωση 3: Στο σημείο IC350 δεν ελέγχονται τα "χημικά μείγματα" που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ουσίες των σημείων IC350.2, .6, .7, .8, .9, .10, .14, .15, .16, .19, .20, .24, .25, .30, .37, .38, .40, .41, .42, .43, .44, .45, .46, .47, .48, .49, .50, .51, .52 και .53 και στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 30 % κατά βάρος του μείγματος.

Σημείωση 4: Στο σημείο IC350 δεν ελέγχονται προϊόντα που ορίζονται ως καταναλωτικά προϊόντα, συσκευασμένα για το λιανικό εμπόριο για προσωπική χρήση ή συσκευασμένα για προσωπική χρήση.

1C351Παθογόνα ανθρώπου, ζωονόσοι και "τοξίνες", ως εξής:

| α. | Ιοί, φυσικοί, διεγερμένοι ή τροποποιημένοι, υπό μορφή "απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών" ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς το οποίο έχει σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιου είδους καλλιέργειες, ως εξής:






  1. | Ιός τσικογκούνια (chikungunya), |
| --- | --- | --- |

α.

Ιοί, φυσικοί, διεγερμένοι ή τροποποιημένοι, υπό μορφή "απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών" ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς το οποίο έχει σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιου είδους καλλιέργειες, ως εξής:

1.

Ιός τσικογκούνια (chikungunya),

| 2. | Ιός αιμορραγικού πυρετού Κογκό-Κριμαίας, |
| --- | --- |

2.

Ιός αιμορραγικού πυρετού Κογκό-Κριμαίας,

| 3. | Ιός δάγγειου πυρετού, |
| --- | --- |

3.

Ιός δάγγειου πυρετού,

| 4. | Ιός ανατολικής εγκεφαλίτιδας ιπποειδών, |
| --- | --- |

4.

Ιός ανατολικής εγκεφαλίτιδας ιπποειδών,

| 5. | Ιός Ebola, |
| --- | --- |

5.

Ιός Ebola,

| 6. | Ιός Hantaan, |
| --- | --- |

6.

Ιός Hantaan,

| 7. | Ιός Junin, |
| --- | --- |

7.

Ιός Junin,

| 8. | Ιός πυρετού της Λάσσα, |
| --- | --- |

8.

Ιός πυρετού της Λάσσα,

| 9. | Ιός λυμφοκυτταρικής χοριομηνιγγίτιδας, |
| --- | --- |

9.

Ιός λυμφοκυτταρικής χοριομηνιγγίτιδας,

| 10. | Ιός του Ματσούπο (Machupo), |
| --- | --- |

10.

Ιός του Ματσούπο (Machupo),

| 11. | Ιός του Μάρμπουργκ (Marburg), |
| --- | --- |

11.

Ιός του Μάρμπουργκ (Marburg),

| 12. | Ιός ευλογιάς πιθήκων, |
| --- | --- |

12.

Ιός ευλογιάς πιθήκων,

| 13. | Ιός πυρετού του Rift Valley, |
| --- | --- |

13.

Ιός πυρετού του Rift Valley,

| 14. | Ιός επιδημικής εγκεφαλίτιδας (ρωσικός ιός εγκεφαλίτιδας), |
| --- | --- |

14.

Ιός επιδημικής εγκεφαλίτιδας (ρωσικός ιός εγκεφαλίτιδας),

| 15. | Ιός ευλογιάς, |
| --- | --- |

15.

Ιός ευλογιάς,

| 16. | Ιός εγκεφαλίτιδας ιπποειδών της Βενεζουέλας, |
| --- | --- |

16.

Ιός εγκεφαλίτιδας ιπποειδών της Βενεζουέλας,

| 17. | Δυτικός ιός εγκεφαλίτιδας ιπποειδών, |
| --- | --- |

17.

Δυτικός ιός εγκεφαλίτιδας ιπποειδών,

| 18. | Οιονεί ευλογιά (white pox), |
| --- | --- |

18.

Οιονεί ευλογιά (white pox),

| 19. | Ιός κίτρινου πυρετού, |
| --- | --- |

19.

Ιός κίτρινου πυρετού,

| 20. | Ιός ιαπωνικής εγκεφαλίτιδας, |
| --- | --- |

20.

Ιός ιαπωνικής εγκεφαλίτιδας,

| 21. | Ιός Δάσους Kvasanur |
| --- | --- |

21.

Ιός Δάσους Kvasanur

| 22. | Ιός νόσου Louping |
| --- | --- |

22.

Ιός νόσου Louping

| 23. | Ιός εγκεφαλίτιδας Κοιλάδας Murray |
| --- | --- |

23.

Ιός εγκεφαλίτιδας Κοιλάδας Murray

| 24. | Ιός αιμορραγικού πυρετού Ομσκ |
| --- | --- |

24.

Ιός αιμορραγικού πυρετού Ομσκ

| 25. | Ιός Oropouche |
| --- | --- |

25.

Ιός Oropouche

| 26. | Ιός Powassan |
| --- | --- |

26.

Ιός Powassan

| 27. | Ιός Rocio |
| --- | --- |

27.

Ιός Rocio

| 28. | Ιός εγκεφαλίτιδας St. Louis |
| --- | --- |

28.

Ιός εγκεφαλίτιδας St. Louis

| 29. | Ιός Hendra (ιλαράς των ίππων) |
| --- | --- |

29.

Ιός Hendra (ιλαράς των ίππων)

| 30. | Ιός νοτιοαμερικανικού αιμορραγικού πυρετού (Sabia, Flexal, Guanario) |
| --- | --- |

30.

Ιός νοτιοαμερικανικού αιμορραγικού πυρετού (Sabia, Flexal, Guanario)

| 31. | Ιoí αιμορραγικού πυρετού με πνευμονονεφρικό σύνδρομο (Σεούλ, Dobrava, Puumala, Sin Nombre) |
| --- | --- |

31.

Ιoí αιμορραγικού πυρετού με πνευμονονεφρικό σύνδρομο (Σεούλ, Dobrava, Puumala, Sin Nombre)

| 32. | Ιός Nipah |
| --- | --- |

32.

Ιός Nipah

| β. | Ρικέτσια, φυσικοί, διεγερμένοι ή τροποποιημένοι, υπό μορφή "απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών" ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:






  1. | Coxiella burnetti, |
| --- | --- | --- |

β.

Ρικέτσια, φυσικοί, διεγερμένοι ή τροποποιημένοι, υπό μορφή "απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών" ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:

1.

Coxiella burnetti,

| 2. | Bartonella quintana (Rochalimaea quintana, Ρικέτσια quintana), |
| --- | --- |

2.

Bartonella quintana (Rochalimaea quintana, Ρικέτσια quintana),

| 3. | Rickettsia prowasecki, |
| --- | --- |

3.

Rickettsia prowasecki,

| 4. | Rickettsia rickettsii, |
| --- | --- |

4.

Rickettsia rickettsii,

| γ. | Βακτήρια, φυσικά, διεγερμένα ή τροποποιημένα, υπό μορφή "απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών" ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:






  1. | Bacillus anthracis, |
| --- | --- | --- |

γ.

Βακτήρια, φυσικά, διεγερμένα ή τροποποιημένα, υπό μορφή "απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών" ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:

1.

Bacillus anthracis,

| 2. | Brucella abortus, |
| --- | --- |

2.

Brucella abortus,

| 3. | Brucella melitensis, |
| --- | --- |

3.

Brucella melitensis,

| 4. | Brucella suis, |
| --- | --- |

4.

Brucella suis,

| 5. | Chlamydia psittaci, |
| --- | --- |

5.

Chlamydia psittaci,

| 6. | Clostridium botulinum, |
| --- | --- |

6.

Clostridium botulinum,

| 7. | Francisella tularensis, |
| --- | --- |

7.

Francisella tularensis,

| 8. | Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei), |
| --- | --- |

8.

Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei),

| 9. | Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei), |
| --- | --- |

9.

Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei),

| 10. | Salmonella typhi, |
| --- | --- |

10.

Salmonella typhi,

| 11. | Shigella dysenteriae, |
| --- | --- |

11.

Shigella dysenteriae,

| 12. | Vibrio cholerae, |
| --- | --- |

12.

Vibrio cholerae,

| 13. | Yersinia pestis, |
| --- | --- |

13.

Yersinia pestis,

| 14. | Clostridium perfringens — τύποι που παράγουν ε-τοξίνη |
| --- | --- |

14.

Clostridium perfringens — τύποι που παράγουν ε-τοξίνη

| 15. | Εντεροαιμορραγική Escherichia coli, οροτύπου Ο157 και άλλων που παράγουν βεροτοξίνες |
| --- | --- |

15.

Εντεροαιμορραγική Escherichia coli, οροτύπου Ο157 και άλλων που παράγουν βεροτοξίνες

| δ. | "Τοξίνες", ως εξής, και σχετική «υπο-ομάδα τοξινών":






  1. | Botulinum toxins, |
| --- | --- | --- |

δ.

"Τοξίνες", ως εξής, και σχετική «υπο-ομάδα τοξινών":

1.

Botulinum toxins,

| 2. | Clostridium perfringens toxins, |
| --- | --- |

2.

Clostridium perfringens toxins,

| 3. | Conotoxin, |
| --- | --- |

3.

Conotoxin,

| 4. | Ricin, |
| --- | --- |

4.

Ricin,

| 5. | Saxitoxin, |
| --- | --- |

5.

Saxitoxin,

| 6. | Shiga toxin, |
| --- | --- |

6.

Shiga toxin,

| 7. | Staphylococcus aureus toxins, |
| --- | --- |

7.

Staphylococcus aureus toxins,

| 8. | Tetrodotoxin, |
| --- | --- |

8.

Tetrodotoxin,

| 9. | Verotoxin, |
| --- | --- |

9.

Verotoxin,

| 10. | Microcystin (Cyanginosin), |
| --- | --- |

10.

Microcystin (Cyanginosin),

| 11. | Αφλατοξίνες, |
| --- | --- |

11.

Αφλατοξίνες,

| 12. | Abrin, |
| --- | --- |

12.

Abrin,

| 13. | Τοξίνη χολέρας, |
| --- | --- |

13.

Τοξίνη χολέρας,

| 14. | Τοξίνη διακετοξυκιρπενόλης, |
| --- | --- |

14.

Τοξίνη διακετοξυκιρπενόλης,

| 15. | Τοξίνη Τ-2, |
| --- | --- |

15.

Τοξίνη Τ-2,

| 16. | Τοξίνη ΗΤ-2, |
| --- | --- |

16.

Τοξίνη ΗΤ-2,

| 17. | Modeccin, |
| --- | --- |

17.

Modeccin,

| 18. | Volkensin, |
| --- | --- |

18.

Volkensin,

| 19. | Λεκτίνη 1 του Viscum album (Viscumin). |
| --- | --- |

19.

Λεκτίνη 1 του Viscum album (Viscumin).

Σημ.: Το 1C351.d.1. δεν θέτει υπό έλεγχο τις τοξίνες botulinum ή κωνοτοξίνες υπό μορφή προϊόντων που πληρούν όλα τα παρακάτω κριτήρια:

| 1. | Είναι φαρμακευτικά σκευάσματα προοριζόμενα για χορήγηση από ανθρώπους για την αντιμετώπιση ιατρικών προβλημάτων, |
| --- | --- |

1.

Είναι φαρμακευτικά σκευάσματα προοριζόμενα για χορήγηση από ανθρώπους για την αντιμετώπιση ιατρικών προβλημάτων,

| 2. | Είναι προσυσκευασμένα προς διανομή ως ιατρικά προϊόντα, |
| --- | --- |

2.

Είναι προσυσκευασμένα προς διανομή ως ιατρικά προϊόντα,

| 3. | Έχουν εγκριθεί από κρατική αρχή προς εμπορία ως ιατρικά προϊόντα. |
| --- | --- |

3.

Έχουν εγκριθεί από κρατική αρχή προς εμπορία ως ιατρικά προϊόντα.

Σημ.: Στο σημείο 1C351 δεν ελέγχονται τα "εμβόλια" ή οι "ανοσοτοξίνες"

1C352Ζωικά παθογόνα, ως εξής:

| α. | Ιοί, φυσικοί, διεγερμένοι ή τροποποιημένοι, υπό μορφή απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς, οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:






  1. | Αφρικανικός ιός πανώλους χοίρων, |
| --- | --- | --- |

α.

Ιοί, φυσικοί, διεγερμένοι ή τροποποιημένοι, υπό μορφή απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς, οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:

1.

Αφρικανικός ιός πανώλους χοίρων,

| 2. | Ιοί γρίπης πτηνών, που είναι:






  α. | Μη χαρακτηρισμένοι, ή |
| --- | --- | --- |

2.

Ιοί γρίπης πτηνών, που είναι:

α.

Μη χαρακτηρισμένοι, ή

| β. | Μεταξύ αυτών που ορίζονται στην κοινοτική οδηγία 92/40/ΕΚ (ΕΕ L 167 της 22.6.1992, σελ. 1). ως εμφανίζοντες υψηλή παθογένεια, ως εξής:






  1. | Ιοί του τύπου Α με ένα IVPI (δείκτη ενδοφλέβιας παθογένειας) σε κοτόπουλα 6 εβδομάδων, μεγαλύτερο του 1,2, ή |
| --- | --- | --- |

β.

Μεταξύ αυτών που ορίζονται στην κοινοτική οδηγία 92/40/ΕΚ (ΕΕ L 167 της 22.6.1992, σελ. 1). ως εμφανίζοντες υψηλή παθογένεια, ως εξής:

1.

Ιοί του τύπου Α με ένα IVPI (δείκτη ενδοφλέβιας παθογένειας) σε κοτόπουλα 6 εβδομάδων, μεγαλύτερο του 1,2, ή

| 2. | Ιοί του τύπου Α υποτύπου Η5 ή Η7 στους οποίους η αλληλουχία νουκλεϊδίων κατέδειξε την ύπαρξη πολλαπλών βασικών αμινοξέων στο σημείο διάσπασης της αιμοσυγκολλητίνης. |
| --- | --- |

2.

Ιοί του τύπου Α υποτύπου Η5 ή Η7 στους οποίους η αλληλουχία νουκλεϊδίων κατέδειξε την ύπαρξη πολλαπλών βασικών αμινοξέων στο σημείο διάσπασης της αιμοσυγκολλητίνης.

| 3. | Ιός κυανής γλώσσης, |
| --- | --- |

3.

Ιός κυανής γλώσσης,

| 4. | Ιός της ασθένειας ποδών και στόματος, |
| --- | --- |

4.

Ιός της ασθένειας ποδών και στόματος,

| 5. | Ιός ευλογιάς αιγών, |
| --- | --- |

5.

Ιός ευλογιάς αιγών,

| 6. | Ιός ψευδόλυσσας (νόσος Aujeszky), |
| --- | --- |

6.

Ιός ψευδόλυσσας (νόσος Aujeszky),

| 7. | Ιός χοιρείου πυρετού (ιός χολέρας χοίρων), |
| --- | --- |

7.

Ιός χοιρείου πυρετού (ιός χολέρας χοίρων),

| 8. | Ιός λύσσας, |
| --- | --- |

8.

Ιός λύσσας,

| 9. | Ιός της ασθένειας του Newcastle, |
| --- | --- |

9.

Ιός της ασθένειας του Newcastle,

| 10. | Ιός πανώλους μικρών μηρυκαστικών, |
| --- | --- |

10.

Ιός πανώλους μικρών μηρυκαστικών,

| 11. | Εντεροϊός χοίρων του τύπου 9 (ιός της φυσαλιδώδους νόσου των χοίρων), |
| --- | --- |

11.

Εντεροϊός χοίρων του τύπου 9 (ιός της φυσαλιδώδους νόσου των χοίρων),

| 12. | Ιός πανώλους αγελάδων, |
| --- | --- |

12.

Ιός πανώλους αγελάδων,

| 13. | Ιός ευλογιάς προβάτων, |
| --- | --- |

13.

Ιός ευλογιάς προβάτων,

| 14. | Ιός ασθένειας Teschen, |
| --- | --- |

14.

Ιός ασθένειας Teschen,

| 15. | Ιός κυστικής στοματίτιδος, |
| --- | --- |

15.

Ιός κυστικής στοματίτιδος,

| 16. | Ιός οζώδους δερματίτιδας των βοοειδών, |
| --- | --- |

16.

Ιός οζώδους δερματίτιδας των βοοειδών,

| 17. | Ιός αφρικανικής νόσου των ίππων. |
| --- | --- |

17.

Ιός αφρικανικής νόσου των ίππων.

| β. | Mycoplasma mycoides, φυσικό, διεγερμένο ή τροποποιημένο, υπό μορφή "απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών" ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιο Mycoplasma mycoides. |
| --- | --- |

β.

Mycoplasma mycoides, φυσικό, διεγερμένο ή τροποποιημένο, υπό μορφή "απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών" ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιο Mycoplasma mycoides.

Σημ.: Στο σημείο 1C352 δεν ελέγχονται τα "εμβόλια".

1C353Γενετικά στοιχεία και γενετικά τροποποιημένοι οργανισμοί, ως εξής:

| α. | Γενετικά τροποποιημένοι οργανισμοί ή γενετικά στοιχεία περιέχοντα αλληλουχία νουκλεϊκών οξέων που συνεπάγονται παθογένεια οργανισμών που αναφέρονται στο σημείο 1C351.α. έως γ. ή 1C352 ή 1C354· |
| --- | --- |

α.

Γενετικά τροποποιημένοι οργανισμοί ή γενετικά στοιχεία περιέχοντα αλληλουχία νουκλεϊκών οξέων που συνεπάγονται παθογένεια οργανισμών που αναφέρονται στο σημείο 1C351.α. έως γ. ή 1C352 ή 1C354·

| β. | Γενετικά τροποποιημένοι οργανισμοί ή γενετικά στοιχεία που περιέχουν αλληλουχίες νουκλεϊκών οξέων που κωδικώς παράγουν οποιαδήποτε από τις "τοξίνες" που αναφέρονται στο σημείο 1C351.δ και σχετικές "υπο-ομάδες τοξινών". |
| --- | --- |

β.

Γενετικά τροποποιημένοι οργανισμοί ή γενετικά στοιχεία που περιέχουν αλληλουχίες νουκλεϊκών οξέων που κωδικώς παράγουν οποιαδήποτε από τις "τοξίνες" που αναφέρονται στο σημείο 1C351.δ και σχετικές "υπο-ομάδες τοξινών".

Τεχνική σημείωση:

Στα γενετικά στοιχεία περιλαμβάνονται, μεταξύ άλλων, τα χρωμοσώματα, τα γονιδιώματα, τα πλασμίδια, τα μεταθετόνια και οι φορείς, είτε γενετικώς τροποποιημένα είτε όχι.

Σημείωση: Το σημείο 1C353 δεν καλύπτει τις ακολουθίες πυρηνικών οξέων που συνδέονται με την παθογένεια της εντεροαιμορραγικής Escherichia coli, οροτύπου Ο157 και άλλων στελεχών που παράγουν βεροτοξίνες, πλην των ακολουθιών που κωδικοποιούν τη βεροτοξίνη ή τις υπομονάδες της.

1C354Παθογόνα φυτών, ως εξής:

| α. | Ιοί, φυσικοί, διεγερμένοι ή τροποποιημένοι, υπό μορφή "απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών" ή ως υλικό το οποίο έχει σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:






  1. | Λανθάνων ιός των γεωμήλων των Άνδεων, |
| --- | --- | --- |

α.

Ιοί, φυσικοί, διεγερμένοι ή τροποποιημένοι, υπό μορφή "απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών" ή ως υλικό το οποίο έχει σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:

1.

Λανθάνων ιός των γεωμήλων των Άνδεων,

| 2. | Ιός της ατράκτωσης των κονδύλων των γεωμήλων, |
| --- | --- |

2.

Ιός της ατράκτωσης των κονδύλων των γεωμήλων,

| β. | Βακτήρια, φυσικά, διεγερμένα ή τροποποιημένα, υπό μορφή "απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών" ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:






  1. | Xanthomonas albilineans, |
| --- | --- | --- |

β.

Βακτήρια, φυσικά, διεγερμένα ή τροποποιημένα, υπό μορφή "απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών" ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:

1.

Xanthomonas albilineans,

| 2. | Xanthomonas campestris pv. citri συμπεριλαμβανομένων των στελεχών που αναφέρονται ως Χanthomonas campestris pv. citri types A, B, C, D, E ή κατά τα άλλα ταξινομημένη ως Xanthomonas citri, Xanthomonas campestris pv. aurantifolia ή Xanthomonas campestris pv. citrumelo, |
| --- | --- |

2.

Xanthomonas campestris pv. citri συμπεριλαμβανομένων των στελεχών που αναφέρονται ως Χanthomonas campestris pv. citri types A, B, C, D, E ή κατά τα άλλα ταξινομημένη ως Xanthomonas citri, Xanthomonas campestris pv. aurantifolia ή Xanthomonas campestris pv. citrumelo,

| 3. | Xanthomonas oryzae pv. Oryzae (Pseudomonas campestris pv. Oryzae); |
| --- | --- |

3.

Xanthomonas oryzae pv. Oryzae (Pseudomonas campestris pv. Oryzae);

| 4. | Clavibacter michiganensis subsp. Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum ή Corynebacterium Sepedonicum); |
| --- | --- |

4.

Clavibacter michiganensis subsp. Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum ή Corynebacterium Sepedonicum);

| 5. | Ralstonia solanacearum φυλές 2 και 3 (Pseudomonas solanacearum φυλές 2 και 3 ή Burkholderia solanacearum φυλές 2 και 3) |
| --- | --- |

5.

Ralstonia solanacearum φυλές 2 και 3 (Pseudomonas solanacearum φυλές 2 και 3 ή Burkholderia solanacearum φυλές 2 και 3)

| γ. | Μύκητες, φυσικοί, διεγερμένοι ή τροποποιημένοι, υπό μορφή "απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών" ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:






  1. | Colletotrichum coffeanum var. virulans (Colletotrichum kahawae), |
| --- | --- | --- |

γ.

Μύκητες, φυσικοί, διεγερμένοι ή τροποποιημένοι, υπό μορφή "απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών" ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:

1.

Colletotrichum coffeanum var. virulans (Colletotrichum kahawae),

| 2. | Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae), |
| --- | --- |

2.

Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae),

| 3. | Microcyclus ulei (syn. Dothidella ulei), |
| --- | --- |

3.

Microcyclus ulei (syn. Dothidella ulei),

| 4. | Puccinia graminis (syn. Puccinia graminis f. sp. tritici), |
| --- | --- |

4.

Puccinia graminis (syn. Puccinia graminis f. sp. tritici),

| 5. | Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum), |
| --- | --- |

5.

Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum),

| 6. | Magnaporthe grisea (pyricularia grisea/pyricularia oryzae). |
| --- | --- |

6.

Magnaporthe grisea (pyricularia grisea/pyricularia oryzae).

1C450Τοξικές χημικές ουσίες και πρόδρομοι τοξικών χημικών ουσιών, ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 1C350, 1C351.d. ΚΑΙ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ

| α. | Τοξικές χημικές ουσίες, ως εξής:






  1. | αμιτόνη: Ο,Ο-διαίθυλο S-[2-(διαιθυλάμινο) αίθυλο] φωσφοροθειολικές ενώσεις (78-53-5) και τα αντίστοιχα αλκυλιωμένα ή πρωτονιωμένα άλατα, |
| --- | --- | --- |

α.

Τοξικές χημικές ουσίες, ως εξής:

1.

αμιτόνη: Ο,Ο-διαίθυλο S-[2-(διαιθυλάμινο) αίθυλο] φωσφοροθειολικές ενώσεις (78-53-5) και τα αντίστοιχα αλκυλιωμένα ή πρωτονιωμένα άλατα,

| 2. | PFIB: 1,1,3,3,3-πεντάφθορο-2-(τριφθορομεθύλο)-1-προπένιο (382-21-8), |
| --- | --- |

2.

PFIB: 1,1,3,3,3-πεντάφθορο-2-(τριφθορομεθύλο)-1-προπένιο (382-21-8),

| 3. | ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΏΝ ΠΡΟΪΌΝΤΩΝ ΓΙΑ ΤΟ BZ: 3 Κινουνκλιδινυλοβενζυλικές ενώσεις (6581 06 2), |
| --- | --- |

3.

ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΏΝ ΠΡΟΪΌΝΤΩΝ ΓΙΑ ΤΟ BZ: 3 Κινουνκλιδινυλοβενζυλικές ενώσεις (6581 06 2),

| 4. | Φωσγένιο: Διχλωριούχο καρβονύλιο (75-44-5), |
| --- | --- |

4.

Φωσγένιο: Διχλωριούχο καρβονύλιο (75-44-5),

| 5. | Χλωριούχο δικυάνιο (506-77-4), |
| --- | --- |

5.

Χλωριούχο δικυάνιο (506-77-4),

| 6. | Υδροκυάνιο (74-90-8), |
| --- | --- |

6.

Υδροκυάνιο (74-90-8),

| 7. | Χλωροπικρίνη: τριχλωρονιτρομεθάνιο (76-06-2), |
| --- | --- |

7.

Χλωροπικρίνη: τριχλωρονιτρομεθάνιο (76-06-2),

Σημείωση 1: Για τις εξαγωγές στα "Κράτη που δεν είναι συμβαλλόμενα μέρη της Σύμβασης για τα Χημικά Όπλα", στο σημείο IC450 δεν ελέγχονται τα "χημικά μείγματα" που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ενώσεις των σημείων IC450.a.1 και .α.2 και στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 1 % κατά βάρος του μείγματος.

Σημείωση 2: Για τις εξαγωγές στα "Κράτη που είναι συμβαλλόμενα μέρη της Σύμβασης για τα Χημικά Όπλα", στο σημείο IC450 δεν ελέγχονται τα "χημικά μείγματα" που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ενώσεις των σημείων IC450.α.1 και .α.2 και στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 30 % κατά βάρος του μείγματος.

Σημείωση 3: Στο σημείο IC450 δεν ελέγχονται τα "χημικά μείγματα" που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ουσίες των σημείων IC450.α.4, .α.5, .α.6 και .α.7 και στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 30 % κατά βάρος του μείγματος.

| β. | Πρόδρομοι τοξικών χημικών ουσιών, ως εξής:






  1. | Χημικές ουσίες, εκτός από όσες αναφέρονται στους Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων ή στο σημείο 1C350, οι οποίες περιέχουν ένα άτομο φωσφόρου με το οποίο συνδέεται μια μεθυλική, αιθυλική ή προπυλική (κανονική ή ισο-) ομάδα, όχι όμως άλλα άτομα άνθρακα,


  Σημ.: Στο σημείο 1C450.β.1 δεν ελέγχεται το Fonofos: Ο-αιθυλο S-φαινυλο αιθυλοφωσφονοθειολοθειονικές ενώσεις (944-22-9), |
| --- | --- | --- |

β.

Πρόδρομοι τοξικών χημικών ουσιών, ως εξής:

1.

Χημικές ουσίες, εκτός από όσες αναφέρονται στους Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων ή στο σημείο 1C350, οι οποίες περιέχουν ένα άτομο φωσφόρου με το οποίο συνδέεται μια μεθυλική, αιθυλική ή προπυλική (κανονική ή ισο-) ομάδα, όχι όμως άλλα άτομα άνθρακα,

Σημ.: Στο σημείο 1C450.β.1 δεν ελέγχεται το Fonofos: Ο-αιθυλο S-φαινυλο αιθυλοφωσφονοθειολοθειονικές ενώσεις (944-22-9),

| 2. | Ν,Ν-διάλκυλο [μέθυλο, αίθυλο ή πρόπυλο (κανονικό ή ισο-)] φωσφοραμιδικές διαλογονούχες ενώσεις, |
| --- | --- |

2.

Ν,Ν-διάλκυλο [μέθυλο, αίθυλο ή πρόπυλο (κανονικό ή ισο-)] φωσφοραμιδικές διαλογονούχες ενώσεις,

| 3. | Διάλκυλο [μέθυλο, αίθυλο ή πρόπυλο (κανονικό ή ισο-)] Ν,Ν-διάλκυλο [μέθυλο, αίθυλο ή πρόπυλο (κανονικό ή ισο-)]-φωσφοραμιδικές ενώσεις, εκτός από τις Διαίθυλο-Ν,Ν-διμεθυλοφωσφοραμιδικές ενώσεις που αναφέρονται στο σημείο 1C350, |
| --- | --- |

3.

Διάλκυλο [μέθυλο, αίθυλο ή πρόπυλο (κανονικό ή ισο-)] Ν,Ν-διάλκυλο [μέθυλο, αίθυλο ή πρόπυλο (κανονικό ή ισο-)]-φωσφοραμιδικές ενώσεις, εκτός από τις Διαίθυλο-Ν,Ν-διμεθυλοφωσφοραμιδικές ενώσεις που αναφέρονται στο σημείο 1C350,

| 4. | Ν,Ν-Διάλκυλο [μέθυλο, αίθυλο ή πρόπυλο (κανονικό ή ισο-)] αμινοαίθυλο-2-χλωριούχες ενώσεις και αντίστοιχα πρωτονιωμένα άλατα, εκτός από το Ν,Ν-διισοπρόπυλο-(β)-αμινοαιθυλοχλωρίδιο ή το υδροχλωριούχο Ν,Ν-διισοπρόπυλο-(β)-αμινοαιθυλοχλωρίδιο που αναφέρονται στο σημείο 1C350, |
| --- | --- |

4.

Ν,Ν-Διάλκυλο [μέθυλο, αίθυλο ή πρόπυλο (κανονικό ή ισο-)] αμινοαίθυλο-2-χλωριούχες ενώσεις και αντίστοιχα πρωτονιωμένα άλατα, εκτός από το Ν,Ν-διισοπρόπυλο-(β)-αμινοαιθυλοχλωρίδιο ή το υδροχλωριούχο Ν,Ν-διισοπρόπυλο-(β)-αμινοαιθυλοχλωρίδιο που αναφέρονται στο σημείο 1C350,

| 5. | Ν,Ν-διάλκυλο [μέθυλο, αίθυλο ή πρόπυλο (κανονικό ή ισο-)] αμινοαίθανο-2-όλες και τα αντίστοιχα πρωτονιωμένα άλατα, εκτός από την Ν,Ν-διισοπρόπυλο-(β)-αμινοαιθανόλη (96-80-0) και την Ν,Ν-διαιθυλαμινοαιθανόλη (100-37-8) που αναφέρονται στο σημείο 1C350,


  Σημ.: Στο σημείο 1C450.b.5, δεν ελέγχονται τα εξής:








  α. | Ν,Ν-διμεθυλαμινοαιθανόλη (108-01-0) και τα αντίστοιχα πρωτονιωμένα άλατα, |
| --- | --- | --- |

5.

Ν,Ν-διάλκυλο [μέθυλο, αίθυλο ή πρόπυλο (κανονικό ή ισο-)] αμινοαίθανο-2-όλες και τα αντίστοιχα πρωτονιωμένα άλατα, εκτός από την Ν,Ν-διισοπρόπυλο-(β)-αμινοαιθανόλη (96-80-0) και την Ν,Ν-διαιθυλαμινοαιθανόλη (100-37-8) που αναφέρονται στο σημείο 1C350,

Σημ.: Στο σημείο 1C450.b.5, δεν ελέγχονται τα εξής:

α.

Ν,Ν-διμεθυλαμινοαιθανόλη (108-01-0) και τα αντίστοιχα πρωτονιωμένα άλατα,

| β. | πρωτονιωμένα άλατα της Ν,Ν-διαιθυλαμινοαιθανόλης (100-37-8), |
| --- | --- |

β.

πρωτονιωμένα άλατα της Ν,Ν-διαιθυλαμινοαιθανόλης (100-37-8),

| 6. | Ν,Ν-διάλκυλο [μέθυλο, αίθυλο ή πρόπυλο (κανονικό ή ισο-)] αμινοαίθανο-2-θειόλες και τα αντίστοιχα πρωτονιωμένα άλατα, εκτός από την Ν,Ν-διισοπρόπυλο-(β)-αμινοαιθανοθειόλη που αναφέρεται στο σημείο 1C350, |
| --- | --- |

6.

Ν,Ν-διάλκυλο [μέθυλο, αίθυλο ή πρόπυλο (κανονικό ή ισο-)] αμινοαίθανο-2-θειόλες και τα αντίστοιχα πρωτονιωμένα άλατα, εκτός από την Ν,Ν-διισοπρόπυλο-(β)-αμινοαιθανοθειόλη που αναφέρεται στο σημείο 1C350,

| 7. | αιθυλοδιαιθανολαμίνη (139-87-7), |
| --- | --- |

7.

αιθυλοδιαιθανολαμίνη (139-87-7),

| 8. | μεθυλοδιαιθανολαμίνη (105-59-9). |
| --- | --- |

8.

μεθυλοδιαιθανολαμίνη (105-59-9).

Σημείωση 1: Για τις εξαγωγές στα "Κράτη που δεν είναι συμβαλλόμενα μέρη της Σύμβασης για τα Χημικά Όπλα", στο σημείο IC450 δεν ελέγχονται τα "χημικά μείγματα" που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ενώσεις των σημείων IC450.b.1, .b.2, .b.3, .b.4, .b.5 και .b.6 και στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 10 % κατά βάρος του μείγματος.

Σημείωση 2: Για τις εξαγωγές στα "Κράτη που είναι συμβαλλόμενα μέρη της Σύμβασης για τα Χημικά Όπλα", στο σημείο IC450 δεν ελέγχονται τα "χημικά μείγματα" που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ενώσεις των σημείων IC450.b.1, .b.2, .b.3, .b.4, .b.5 και b.6 στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 30 % κατά βάρος του μείγματος.

Σημείωση 3: Στο σημείο 1C450 δεν ελέγχονται "χημικά μείγματα" που περιέχουν μία ή περισσότερες από τις χημικές ουσίες που ορίζονται στο σημείο 1C450 b.7 και b.8 στις οποίες καμιά από τις οριζόμενες χημικές ουσίες δεν συνιστά άνω του 30 % κατά βάρος του μείγματος.

Σημ.: Στο σημείο IC450 δεν ελέγχονται προϊόντα που ορίζονται ως καταναλωτικά προϊόντα, συσκευασμένα για το λιανικό εμπόριο για προσωπική χρήση ή συσκευασμένα για προσωπική χρήση.

1DΛογισμικό

1D001"Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την "ανάπτυξη", την "παραγωγή" ή τη "χρήση" των προϊόντων εξοπλισμού που καθορίζονται στα σημεία 1Β001 ως 1Β003.

1D002"Λογισμικό" για την "ανάπτυξη" τελεσμάτων ή "σύνθετων υλικών", με οργανικό "συνθετικό υλικό", μεταλλικό "συνθετικό υλικό" ή ανθρακικό "συνθετικό υλικό".

1D101"Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο η τροποποιημένο για τη "χρήση" των προϊόντων που καθορίζονται στα σημεία 1Β101, ΙΒ102, ΙΒ115, ΙΒ117, ΙΒ118 ή ΙΒ119.

1D103"Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο για την ανάλυση ανοιγμένων παρατηρήσιμων μεγεθών όπως είναι η αντανακλασιμότητα των ραντάρ, οι επισημάνσεις υπεριώδους/υπέρυθρης ακτινοβολίας και οι ακουστικές επισημάνσεις.

1D201"Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο για τη "χρήση" προϊόντων που καθορίζονται στο σημείο 1Β201.

1EΤεχνολογία

1E001Σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για την "ανάπτυξη" ή την "παραγωγή" εξοπλισμού ή υλικών που καθορίζονται στα σημεία 1Α001.β., 1Α001.γ., 1Α002 ως 1Α005, 1Β ή 1C.

1E002Λοιπές "τεχνολογίες", ως εξής:

| α. | "Τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" ή την παραγωγή πολυβενζοθειαζολών ή πολυβενζοοξαζολών, |
| --- | --- |

α.

"Τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" ή την παραγωγή πολυβενζοθειαζολών ή πολυβενζοοξαζολών,

| β. | "Τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" ή την "παραγωγή" φθοριούχων ελαστομερών ενώσεων που περιέχουν τουλάχιστον ένα μονομερές βινυλαιθέρα, |
| --- | --- |

β.

"Τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" ή την "παραγωγή" φθοριούχων ελαστομερών ενώσεων που περιέχουν τουλάχιστον ένα μονομερές βινυλαιθέρα,

| γ. | "Τεχνολογία" για το σχεδιασμό ή την "παραγωγή" των ακολούθων βασικών υλικών ή μη "σύνθετων" κεραμικών υλικών:






  1. | Τα βασικά υλικά έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Η σύστασή τους είναι μια από τις ακόλουθες:






  1. | Απλά ή σύμπλοκα οξείδια ζιρκονίου και σύμπλοκα οξείδια πυριτίου ή αργιλίου, |
| --- | --- | --- | --- | --- |

γ.

"Τεχνολογία" για το σχεδιασμό ή την "παραγωγή" των ακολούθων βασικών υλικών ή μη "σύνθετων" κεραμικών υλικών:

1.

Τα βασικά υλικά έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Η σύστασή τους είναι μια από τις ακόλουθες:

1.

Απλά ή σύμπλοκα οξείδια ζιρκονίου και σύμπλοκα οξείδια πυριτίου ή αργιλίου,

| 2. | Απλά νιτρίδια βορίου (κυβικής κρυσταλλικής μορφής), |
| --- | --- |

2.

Απλά νιτρίδια βορίου (κυβικής κρυσταλλικής μορφής),

| 3. | Απλά ή σύμπλοκα καρβίδια πυριτίου ή βορίου, ή |
| --- | --- |

3.

Απλά ή σύμπλοκα καρβίδια πυριτίου ή βορίου, ή

| 4. | Απλά ή σύμπλοκα νιτρίδια πυριτίου. |
| --- | --- |

4.

Απλά ή σύμπλοκα νιτρίδια πυριτίου.

| β. | Έχουν σύνολο μεταλλικών ακαθαρσιών, εκτός από εκούσιες προσθήκες, μικρότερο από:






  1. | 1 000 ppm για τα απλά οξείδια ή καρβίδια ή |
| --- | --- | --- |

β.

Έχουν σύνολο μεταλλικών ακαθαρσιών, εκτός από εκούσιες προσθήκες, μικρότερο από:

1.

1 000 ppm για τα απλά οξείδια ή καρβίδια ή

| 2. | 5 000 ppm για τις σύμπλοκες ενώσεις ή τα απλά νιτρίδια και |
| --- | --- |

2.

5 000 ppm για τις σύμπλοκες ενώσεις ή τα απλά νιτρίδια και

| γ. | Αποτελούνται από ένα από τα εξής:






  1. | Ζιρκονία με μέσο μέγεθος σωματιδίων μέχρι και 1 μm και ποσοστό σωματιδίων μεγαλύτερων από 5 μm μέχρι και 10 %, |
| --- | --- | --- |

γ.

Αποτελούνται από ένα από τα εξής:

1.

Ζιρκονία με μέσο μέγεθος σωματιδίων μέχρι και 1 μm και ποσοστό σωματιδίων μεγαλύτερων από 5 μm μέχρι και 10 %,

| 2. | Άλλα βασικά υλικά με μέσο μέγεθος σωματιδίων μέχρι και 5 μm και ποσοστό σωματιδίων από 10 μm μέχρι και 10 %, ή |
| --- | --- |

2.

Άλλα βασικά υλικά με μέσο μέγεθος σωματιδίων μέχρι και 5 μm και ποσοστό σωματιδίων από 10 μm μέχρι και 10 %, ή

| 3. | Υλικό με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:






  α. | Πλακίδια με λόγο μήκους προς πάχος άνω του 5, |
| --- | --- | --- |

3.

Υλικό με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

α.

Πλακίδια με λόγο μήκους προς πάχος άνω του 5,

| β. | Βελονοειδείς ίνες (whiskers) με λόγο μήκους προς διάμετρο άνω του 10 για διαμέτρους κάτω των 2 μm, και |
| --- | --- |

β.

Βελονοειδείς ίνες (whiskers) με λόγο μήκους προς διάμετρο άνω του 10 για διαμέτρους κάτω των 2 μm, και

| γ. | Συνεχείς ή κομμένες ίνες με διάμετρο κάτω των 10 μm, |
| --- | --- |

γ.

Συνεχείς ή κομμένες ίνες με διάμετρο κάτω των 10 μm,

| 2. | Μη "σύνθετα" κεραμικά υλικά αποτελούμενα από υλικά που περιγράφονται στο σημείο 1Ε002.γ.1.·


  Σημ.: Στο σημείο 1Ε002.γ.2. δεν υπάγεται η τεχνολογία για το σχεδιασμό ή την παραγωγή λειαντικών. |
| --- | --- |

2.

Μη "σύνθετα" κεραμικά υλικά αποτελούμενα από υλικά που περιγράφονται στο σημείο 1Ε002.γ.1.·

Σημ.: Στο σημείο 1Ε002.γ.2. δεν υπάγεται η τεχνολογία για το σχεδιασμό ή την παραγωγή λειαντικών.

| δ. | "Τεχνολογία" για την "παραγωγή" αρωματικών πολυαμιδικών ινών, |
| --- | --- |

δ.

"Τεχνολογία" για την "παραγωγή" αρωματικών πολυαμιδικών ινών,

| ε. | "Τεχνολογία" για την εγκατάσταση, τη συντήρηση ή την επιδιόρθωση υλικών που καθορίζονται στο σημείο 1C001, |
| --- | --- |

ε.

"Τεχνολογία" για την εγκατάσταση, τη συντήρηση ή την επιδιόρθωση υλικών που καθορίζονται στο σημείο 1C001,

| στ. | "Τεχνολογία" για την επιδιόρθωση κατασκευών από "σύνθετα" υλικά, ελασμάτων ή υλικών που περιγράφονται στα σημεία 1Α002, 1C007.γ. ή δ.


  Σημ.: Το σημείο 1Ε002.στ. δεν αφορά την "τεχνολογία" για την επιδιόρθωση κατασκευαστών που χρησιμοποιούνται στα "πολιτικά αεροσκάφη" με "ινώδη ή νηματώδη υλικά" και τις εποξειρητίνες που περιέχονται στα εγχειρίδια του κατασκευαστή. |
| --- | --- |

στ.

"Τεχνολογία" για την επιδιόρθωση κατασκευών από "σύνθετα" υλικά, ελασμάτων ή υλικών που περιγράφονται στα σημεία 1Α002, 1C007.γ. ή δ.

Σημ.: Το σημείο 1Ε002.στ. δεν αφορά την "τεχνολογία" για την επιδιόρθωση κατασκευαστών που χρησιμοποιούνται στα "πολιτικά αεροσκάφη" με "ινώδη ή νηματώδη υλικά" και τις εποξειρητίνες που περιέχονται στα εγχειρίδια του κατασκευαστή.

1E101"Τεχνολογία" σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για τη "χρήση" προϊόντων που καθορίζονται στα σημεία 1Α102, 1Β001, 1Β101, 1Β115, 1Β116, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111 ως 1C117, 1D101 ή 1D103.

1E102"Τεχνολογία" σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για την "ανάπτυξη" ή το λογισμικό» που περιγράφονται στα σημεία 1D001, 1D101 ή 1D103.

1E103"Τεχνολογία" για τη ρύθμιση της θερμοκρασίας, της πιέσεως ή της ατμόσφαιρας των αυτοκλείστων ή των υδροκλείστων όταν χρησιμοποιούνται για την "παραγωγή""σύνθετων υλικών" ή ημικατεργασμένων "σύνθετων υλικών".

1E104"Τεχνολογία" σχετική με την παραγωγή πυρολυτικώς λαμβανομένων υλικών που μορφοποιούνται σε τύπους, μαντρέλια ή άλλες μήτρες από πρόδρομα αέρια που διασπώνται σε θερμοκρασίες από 1 573 Κ (1 300 °C) ως 3 173 Κ (2 900 °C) και πιέσεις από 130 Pa ως 20 kPa.

Σημ.: Στο σημείο 1Ε104 περιλαμβάνεται η "τεχνολογία" για τη σύνθεση των προδρόμων αερίων, των προγραμμάτων και τις παραμέτρους για τη ρύθμιση των ροών και των διεργασιών.

1E201"Τεχνολογία" σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για τη [Ν] "χρήση" προϊόντων που καθορίζονται στα σημεία 1Α002, 1Α202, 1Α225 ως 1Α227, 1Β201, 1Β225 ως 1Β233, 1C002.α.2.γ. ή δ., 1C010.β., 1C202, 1C210, 1C216, 1C225 ως 1C240 ή 1D201.

1E202"Τεχνολογία" σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για την "ανάπτυξη" ή την "παραγωγή" προϊόντων που καθορίζονται στα σημεία 1Α202 ή 1Α225 ως 1Α227.

1E203"Τεχνολογία" σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για την "ανάπτυξη" του "λογισμικού" που καθορίζεται στο σημείο 1D201.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 2

ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑ ΥΛΙΚΩΝ

2AΕξοπλισμός, συναρμολογήματα και συστατικά μέρη

ΣΗΜ.: Για κανονικούς τριβείς, βλ. Έλεγχους Στρατιωτικών Προϊόντων.

2A001Αντιτριβικά κουζινέτα (έδρανα) και συστήματα εδράνων ως εξής, και σχετικά συστατικά:

Σημείωση: Στο σημείο 2Α001 δεν υπάγονται τα σφαιρίδια με όρια ανοχής που προσδιορίζονται από τον κατασκευαστή σύμφωνα με το ISO 3290 ως βαθμός 5 ή κατώτερος.

| α. | Σφαιροτριβείς και συμπαγείς κυλινδροτριβείς των οποίων όλες οι ανοχές προσδιορίζονται από τον κατασκευαστή σύμφωνα με την κατηγορία ανοχής 2 του ISO 492 (ή την κατηγορία ανοχής ABEC-7 ή RBEC-7 του προτύπου ANSI/ABMA std 20, ή άλλο εθνικό ισοδύναμο) και οι οποίοι έχουν και δακτυλίους και κυλινδρικά στοιχεία (ISO 5593) από υλικό monel ή από βηρύλλιο.


  Σημείωση: Στο σημείο 2Α001.α. δεν υπάγονται οι τριβείς με κωνικούς κυλίνδρους. |
| --- | --- |

α.

Σφαιροτριβείς και συμπαγείς κυλινδροτριβείς των οποίων όλες οι ανοχές προσδιορίζονται από τον κατασκευαστή σύμφωνα με την κατηγορία ανοχής 2 του ISO 492 (ή την κατηγορία ανοχής ABEC-7 ή RBEC-7 του προτύπου ANSI/ABMA std 20, ή άλλο εθνικό ισοδύναμο) και οι οποίοι έχουν και δακτυλίους και κυλινδρικά στοιχεία (ISO 5593) από υλικό monel ή από βηρύλλιο.

Σημείωση: Στο σημείο 2Α001.α. δεν υπάγονται οι τριβείς με κωνικούς κυλίνδρους.

| β. | Άλλοι σφαιροτριβείς και συμπαγείς κυλινδροτριβείς των οποίων όλες οι ανοχές προσδιορίζονται από τον κατασκευαστή σύμφωνα με την κατηγορία ανοχής 2 του ISO 492 (ή την κατηγορία ανοχής ABEC-7 ή RBEC-7 του προτύπου ANSI/ABMA std 20, ή άλλο εθνικό ισοδύναμο).


  Σημείωση: Στο σημείο 2Α001.β. δεν υπάγονται οι τριβείς με κωνικούς κυλίνδρους. |
| --- | --- |

β.

Άλλοι σφαιροτριβείς και συμπαγείς κυλινδροτριβείς των οποίων όλες οι ανοχές προσδιορίζονται από τον κατασκευαστή σύμφωνα με την κατηγορία ανοχής 2 του ISO 492 (ή την κατηγορία ανοχής ABEC-7 ή RBEC-7 του προτύπου ANSI/ABMA std 20, ή άλλο εθνικό ισοδύναμο).

Σημείωση: Στο σημείο 2Α001.β. δεν υπάγονται οι τριβείς με κωνικούς κυλίνδρους.

| γ. | Συστήματα ενεργών μαγνητικών τριβέων που χρησιμοποιούν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Υλικά με πυκνότητες ροής 2.0 Τ και άνω και αποδόσεις ισχύος άνω των 414 ΜΡα. |
| --- | --- | --- |

γ.

Συστήματα ενεργών μαγνητικών τριβέων που χρησιμοποιούν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Υλικά με πυκνότητες ροής 2.0 Τ και άνω και αποδόσεις ισχύος άνω των 414 ΜΡα.

| 2. | Πλήρως ηλεκτρομαγνητικούς τρισδιάστατους τύπους ενεργοποιητών ομοπολικής διαμόρφωσης· ή |
| --- | --- |

2.

Πλήρως ηλεκτρομαγνητικούς τρισδιάστατους τύπους ενεργοποιητών ομοπολικής διαμόρφωσης· ή

| 3. | Αισθητήρες θέσεως υψηλής θερμοκρασίας [450 Κ (177 °C) και άνω]. |
| --- | --- |

3.

Αισθητήρες θέσεως υψηλής θερμοκρασίας [450 Κ (177 °C) και άνω].

2A225Χωνευτήρια από υλικά ανθεκτικά στα τήγματα ακτινιδών, ως εξής:

| α. | Χωνευτήρια με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Χωρητικότητα 150 cm3 έως 8 000 cm3, και |
| --- | --- | --- |

α.

Χωνευτήρια με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Χωρητικότητα 150 cm3 έως 8 000 cm3, και

| 2. | Κατασκευή ή επίχρισμα από οποιοδήποτε από τα παρακάτω υλικά, καθαρότητας 98 % ή μεγαλύτερης κατά βάρος:






  α. | Φθοριούχο ασβέστιο (CaF2) |
| --- | --- | --- |

2.

Κατασκευή ή επίχρισμα από οποιοδήποτε από τα παρακάτω υλικά, καθαρότητας 98 % ή μεγαλύτερης κατά βάρος:

α.

Φθοριούχο ασβέστιο (CaF2)

| β. | Ζιρκονικό (μεταζιρκονικό) ασβέστιο (CaZrO3) |
| --- | --- |

β.

Ζιρκονικό (μεταζιρκονικό) ασβέστιο (CaZrO3)

| γ. | Θειούχο δημήτριο (Ce2S3) |
| --- | --- |

γ.

Θειούχο δημήτριο (Ce2S3)

| δ. | Οξείδιο του ερβίου (ερβία) (Er2O3) |
| --- | --- |

δ.

Οξείδιο του ερβίου (ερβία) (Er2O3)

| ε. | Οξείδιο του αφνίου (αφνία) (HfO2) |
| --- | --- |

ε.

Οξείδιο του αφνίου (αφνία) (HfO2)

| στ. | Οξείδιο του μαγνησίου (MgO) |
| --- | --- |

στ.

Οξείδιο του μαγνησίου (MgO)

| ζ. | Νιτρίδιο κράματος νιοβίου-τιτανίου-βολφραμίου (με περιεκτικότητες περίπου 50 % Nb, 30 % Ti, 20 % W) |
| --- | --- |

ζ.

Νιτρίδιο κράματος νιοβίου-τιτανίου-βολφραμίου (με περιεκτικότητες περίπου 50 % Nb, 30 % Ti, 20 % W)

| η. | Οξείδιο του υττρίου (υττρία) (Υ2Ο3) ή |
| --- | --- |

η.

Οξείδιο του υττρίου (υττρία) (Υ2Ο3) ή

| θ. | Οξείδιο του ζιρκονίου (ζιρκονία) (ZrO2). |
| --- | --- |

θ.

Οξείδιο του ζιρκονίου (ζιρκονία) (ZrO2).

| β. | Χωνευτήρια με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Χωρητικότητα 50 cm3 έως 2 000 cm3
  και |
| --- | --- | --- |

β.

Χωνευτήρια με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Χωρητικότητα 50 cm3 έως 2 000 cm3
  και

| 2. | Κατασκευή ή επένδυση από ταντάλιο καθαρότητας 99,9 % ή μεγαλύτερης κατά βάρος. |
| --- | --- |

2.

Κατασκευή ή επένδυση από ταντάλιο καθαρότητας 99,9 % ή μεγαλύτερης κατά βάρος.

| γ. | Χωνευτήρια με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Χωρητικότητα 50 cm3 έως 2 000 cm3. |
| --- | --- | --- |

γ.

Χωνευτήρια με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Χωρητικότητα 50 cm3 έως 2 000 cm3.

| 2. | Κατασκευή ή επένδυση από ταντάλιο καθαρότητας 98 % ή μεγαλύτερης κατά βάρος· και |
| --- | --- |

2.

Κατασκευή ή επένδυση από ταντάλιο καθαρότητας 98 % ή μεγαλύτερης κατά βάρος· και

| 3. | Επίχρισμα με καρβίδιο, νιτρίδιο, ή βορίδιο του τανταλίου ή οποιοδήποτε συνδυασμό αυτών. |
| --- | --- |

3.

Επίχρισμα με καρβίδιο, νιτρίδιο, ή βορίδιο του τανταλίου ή οποιοδήποτε συνδυασμό αυτών.

2A226Βαλβίδες με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | "ονομαστικό μέγεθος" 5 mm και άνω, |
| --- | --- |

α.

"ονομαστικό μέγεθος" 5 mm και άνω,

| β. | πτυσσόμενη στεγανοποιητική διάταξη (τύπου φυσητήρα), και |
| --- | --- |

β.

πτυσσόμενη στεγανοποιητική διάταξη (τύπου φυσητήρα), και

| γ. | εξ ολοκλήρου κατασκευασμένες ή με επένδυση από αργίλιο, κράμα αργιλίου, νικέλιο ή κράμα νικελίου με περιεκτικότητα σε νικέλιο άνω του 60 % κατά βάρος. |
| --- | --- |

γ.

εξ ολοκλήρου κατασκευασμένες ή με επένδυση από αργίλιο, κράμα αργιλίου, νικέλιο ή κράμα νικελίου με περιεκτικότητα σε νικέλιο άνω του 60 % κατά βάρος.

Τεχνική παρατήρηση:

Για τις βαλβίδες με διαφορετικές διαμέτρους εισαγωγής και εξαγωγής, το "ονομαστικό μέγεθος" για το οποίο γίνεται λόγος στο σημείο 2A226 αφορά τη μικρότερη διάμετρο.

2BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχων και παραγωγής

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Οι δευτερεύοντες παράλληλοι άξονες διαμόρφωσης περιγράμματος, π.χ. άξονας w στις οριζόντιες φραίζες διάτρησης ή ένας δευτερεύων άξονας περιστροφής, του οποίου ο κεντροφορέας είναι παράλληλος προς τον κύριο άξονα περιστροφής, δεν υπολογίζονται στο συνολικό αριθμό των αξόνων διαμόρφωσης περιγράμματος. Οι άξονες περιστροφής δεν είναι αναγκαίο να περιστρέφονται επί 360°. Ο άξονας περιστροφής μπορεί να κατευθύνεται από γραμμική διάταξη, (π.χ. από κοχλία ή οδοντωτό τροχοκανόνα). |
| --- | --- |

1.

Οι δευτερεύοντες παράλληλοι άξονες διαμόρφωσης περιγράμματος, π.χ. άξονας w στις οριζόντιες φραίζες διάτρησης ή ένας δευτερεύων άξονας περιστροφής, του οποίου ο κεντροφορέας είναι παράλληλος προς τον κύριο άξονα περιστροφής, δεν υπολογίζονται στο συνολικό αριθμό των αξόνων διαμόρφωσης περιγράμματος. Οι άξονες περιστροφής δεν είναι αναγκαίο να περιστρέφονται επί 360°. Ο άξονας περιστροφής μπορεί να κατευθύνεται από γραμμική διάταξη, (π.χ. από κοχλία ή οδοντωτό τροχοκανόνα).

| 2. | Για τους σκοπούς του σημείου 2Β, ο αριθμός αξόνων που μπορούν να συντονίζονται ταυτόχρονα για "έλεγχο διαμόρφωσης περιγράμματος" είναι ο αριθμός των αξόνων που επηρεάζουν τη σχετική κίνηση του υπό επεξεργασία αντικειμένου και του εργαλείου κοπτικής κεφαλής ή λειαντικού τροχού που κόβει ή αφαιρεί υλικό από αυτό. Δεν συναριθμούνται οι τυχόν επιπλέον άξονες που επηρεάζουν άλλες σχετικές κινήσεις της μηχανής, και στους οποίους συμπεριλαμβάνονται:








  α. | Συστήματα αποκατάστασης της επιφάνειας των τροχών σε λειαντικές μηχανές, |
| --- | --- | --- |

2.

Για τους σκοπούς του σημείου 2Β, ο αριθμός αξόνων που μπορούν να συντονίζονται ταυτόχρονα για "έλεγχο διαμόρφωσης περιγράμματος" είναι ο αριθμός των αξόνων που επηρεάζουν τη σχετική κίνηση του υπό επεξεργασία αντικειμένου και του εργαλείου κοπτικής κεφαλής ή λειαντικού τροχού που κόβει ή αφαιρεί υλικό από αυτό. Δεν συναριθμούνται οι τυχόν επιπλέον άξονες που επηρεάζουν άλλες σχετικές κινήσεις της μηχανής, και στους οποίους συμπεριλαμβάνονται:

α.

Συστήματα αποκατάστασης της επιφάνειας των τροχών σε λειαντικές μηχανές,

| β. | Παράλληλοι περιστροφικοί άξονες σχεδιασμένοι για τη συναρμογή χωριστών επεξεργαστέων αντικειμένων, |
| --- | --- |

β.

Παράλληλοι περιστροφικοί άξονες σχεδιασμένοι για τη συναρμογή χωριστών επεξεργαστέων αντικειμένων,

| γ. | Συγγραμμικοί περιστροφικοί άξονες σχεδιασμένοι για να χειρίζονται ένα και το αυτό αντικείμενο κρατώντας το σε σφιγκτήρα από διαφορετικές άκρες. |
| --- | --- |

γ.

Συγγραμμικοί περιστροφικοί άξονες σχεδιασμένοι για να χειρίζονται ένα και το αυτό αντικείμενο κρατώντας το σε σφιγκτήρα από διαφορετικές άκρες.

| 3. | Η ονοματολογία των αξόνων είναι σύμφωνη προς το διεθνές πρότυπο ISO 841 "Μηχανές με ψηφιακό έλεγχο - Ονοματολογία αξόνων και κινήσεων". |
| --- | --- |

3.

Η ονοματολογία των αξόνων είναι σύμφωνη προς το διεθνές πρότυπο ISO 841 "Μηχανές με ψηφιακό έλεγχο - Ονοματολογία αξόνων και κινήσεων".

| 4. | Για τους σκοπούς των σημείων 2Β001 ως 2Β009, μια "ανακλινόμενη άτρακτος" συνυπολογίζεται ως άξονας περιστροφής. |
| --- | --- |

4.

Για τους σκοπούς των σημείων 2Β001 ως 2Β009, μια "ανακλινόμενη άτρακτος" συνυπολογίζεται ως άξονας περιστροφής.

| 5. | Για κάθε μοντέλο εργαλειομηχανής μπορούν να χρησιμοποιούνται δηλωμένα επίπεδα ακρίβειας τοποθέτησης συναγόμενα από μετρήσεις που έχουν γίνει σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) (1) ή με εθνικά ισοδύναμα αντί για δοκιμές των επί μέρους μηχανών. Δηλωμένη ακρίβεια τοποθέτησης σημαίνει την τιμή ακρίβειας που γνωστοποιείται ως αντιπροσωπευτική της ακρίβειας ενός συγκεκριμένου μοντέλου μηχανής στις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους όπου είναι εγκατεστημένος ο εξαγωγέας.

  Προσδιορισμός των δηλωμένων τιμών







  α. | Επιλέγονται πέντε μηχανές του περί ου ο λόγος μοντέλου, |
| --- | --- | --- |

5.

Για κάθε μοντέλο εργαλειομηχανής μπορούν να χρησιμοποιούνται δηλωμένα επίπεδα ακρίβειας τοποθέτησης συναγόμενα από μετρήσεις που έχουν γίνει σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) (1) ή με εθνικά ισοδύναμα αντί για δοκιμές των επί μέρους μηχανών. Δηλωμένη ακρίβεια τοποθέτησης σημαίνει την τιμή ακρίβειας που γνωστοποιείται ως αντιπροσωπευτική της ακρίβειας ενός συγκεκριμένου μοντέλου μηχανής στις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους όπου είναι εγκατεστημένος ο εξαγωγέας.

Προσδιορισμός των δηλωμένων τιμών

α.

Επιλέγονται πέντε μηχανές του περί ου ο λόγος μοντέλου,

| β. | Μετρούνται οι ακρίβειες γραμμικού άξονα σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988)
   (1), |
| --- | --- |

β.

Μετρούνται οι ακρίβειες γραμμικού άξονα σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988)
   (1),

| γ. | Προσδιορίζονται οι τιμές Α για κάθε άξονα κάθε μηχανής. Η μέθοδος υπολογισμού της τιμής Α περιγράφεται στο πρότυπο ISO, |
| --- | --- |

γ.

Προσδιορίζονται οι τιμές Α για κάθε άξονα κάθε μηχανής. Η μέθοδος υπολογισμού της τιμής Α περιγράφεται στο πρότυπο ISO,

| δ. | Προσδιορίζεται η μέση τιμή Â της τιμής Α κάθε άξονα, η οποία και γίνεται η δηλωμένη τιμή (Âx, Ây ...) του αντίστοιχου άξονα για το συγκεκριμένο μοντέλο, |
| --- | --- |

δ.

Προσδιορίζεται η μέση τιμή Â της τιμής Α κάθε άξονα, η οποία και γίνεται η δηλωμένη τιμή (Âx, Ây ...) του αντίστοιχου άξονα για το συγκεκριμένο μοντέλο,

| ε. | Αφού στον πίνακα της Κατηγορίας 2 γίνεται λόγος για κάθε γραμμικό άξονα, θα υπάρχουν τόσες δηλωμένες τιμές όσοι και άξονες, |
| --- | --- |

ε.

Αφού στον πίνακα της Κατηγορίας 2 γίνεται λόγος για κάθε γραμμικό άξονα, θα υπάρχουν τόσες δηλωμένες τιμές όσοι και άξονες,

| στ. | Αν κάποιος άξονας μοντέλου μηχανής μη ελεγχόμενου δυνάμει των σημείων 2B001.α έως 2B001.γ ή 2B201 έχει δηλωμένη ακρίβεια Â 6 μικρομέτρων προκειμένου για μηχανές τροχίσματος ή 8 μικρομέτρων προκειμένου για μηχανές φραιζαρίσματος ή τόρνευσης, ή καλύτερη, πρέπει να απαιτείται από τον κατασκευαστή να επιβεβαιώνει το επίπεδο ακρίβειας κάθε 18 μήνες. |
| --- | --- |

στ.

Αν κάποιος άξονας μοντέλου μηχανής μη ελεγχόμενου δυνάμει των σημείων 2B001.α έως 2B001.γ ή 2B201 έχει δηλωμένη ακρίβεια Â 6 μικρομέτρων προκειμένου για μηχανές τροχίσματος ή 8 μικρομέτρων προκειμένου για μηχανές φραιζαρίσματος ή τόρνευσης, ή καλύτερη, πρέπει να απαιτείται από τον κατασκευαστή να επιβεβαιώνει το επίπεδο ακρίβειας κάθε 18 μήνες.

2B001Εργαλειομηχανές και οποιοσδήποτε σχετικός συνδυασμός, για την αφαίρεση (ή κοπή) μεταλλικών, κεραμικών ή "συνθέτων" υλικών, οι οποίες, σύμφωνα με τις τεχνικές προδιαγραφές του κατασκευαστή, μπορούν να εφοδιαστούν με ηλεκτρονικές διατάξεις για "ψηφιακό έλεγχο", και ειδικά σχεδιασμένα γι’ αυτές κατασκευαστικά στοιχεία, ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β201.

Σημείωση 1: Στο σημείο 2Β001 δεν υπάγονται οι εργαλειομηχανές ειδικών χρήσεων που προορίζονται μόνο για την κατασκευή οδοντωτών τροχών· για αυτές βλ. σημείο 2Β003.

Σημείωση 2: Στο σημείο 2Β001 δεν υπάγονται οι εργαλειομηχανές ειδικών χρήσεων που προορίζονται μόνο για την κατασκευή ενός από τα ακόλουθα:

| α. | Στροφαλοφόρων ή εκκεντροφόρων αξόνων, |
| --- | --- |

α.

Στροφαλοφόρων ή εκκεντροφόρων αξόνων,

| β. | Εργαλείων ή κοπτικών εργαλείων, |
| --- | --- |

β.

Εργαλείων ή κοπτικών εργαλείων,

| γ. | Ατερμόνων κοχλιών διελαστήρων, |
| --- | --- |

γ.

Ατερμόνων κοχλιών διελαστήρων,

| δ. | Εγχάρακτων ή πολυεδρικών στοιχείων κοσμημάτων. |
| --- | --- |

δ.

Εγχάρακτων ή πολυεδρικών στοιχείων κοσμημάτων.

Σημείωση 3: Οι εργαλειομηχανές που έχουν δύο τουλάχιστον από τις παρακάτω αναφερόμενες ικανότητες: τόρνευση, φρεζάρισμα, τρόχισμα (π.χ. τορνευτικές εργαλειομηχανές με ικανότητα φρεζαρίσματος), πρέπει να αξιολογούνται με βάση όλα τα αντίστοιχα υποσημεία α., β. ή/και γ. του σημείου 2Β001.

| α. | Εργαλειομηχανές για τόρνευση έχουσες όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Ακρίβεια τοποθέτησης με "διαθέσιμες όλες τις αντισταθμίσεις" μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 6 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) (1) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα, και |
| --- | --- | --- |

α.

Εργαλειομηχανές για τόρνευση έχουσες όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Ακρίβεια τοποθέτησης με "διαθέσιμες όλες τις αντισταθμίσεις" μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 6 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) (1) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα, και

| 2. | Δύο ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτοχρόνως για "έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος". |
| --- | --- |

2.

Δύο ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτοχρόνως για "έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος".

Σημείωση: Στο σημείο 2Β001.α. δεν υπάγονται μηχανές για τόρνευση ειδικά σχεδιασμένες για την παραγωγή φακών επαφής.

| β. | Εργαλειομηχανές για φραιζάρισμα, έχουσες οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Τα εξής χαρακτηριστικά ταυτοχρόνως:






  α. | Ακρίβεια τοποθέτησης "διαθέσιμες όλες τις αντισταθμίσεις" μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 6 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) (1)
  ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα, και |
| --- | --- | --- | --- |

β.

Εργαλειομηχανές για φραιζάρισμα, έχουσες οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Τα εξής χαρακτηριστικά ταυτοχρόνως:

α.

Ακρίβεια τοποθέτησης "διαθέσιμες όλες τις αντισταθμίσεις" μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 6 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) (1)
  ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα, και

| β. | Τρεις γραμμικούς άξονες και έναν άξονα περιστροφής που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον "έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος". |
| --- | --- |

β.

Τρεις γραμμικούς άξονες και έναν άξονα περιστροφής που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον "έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος".

| 2. | Πέντε ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον "έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος"· ή |
| --- | --- |

2.

Πέντε ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον "έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος"· ή

| 3. | Ακρίβεια τοποθέτησης για τις μηχανές διάτρησης με πρότυπο-οδηγό, με "διαθέσιμες όλες τις αντισταθμίσεις" μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 4 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) (1) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα. |
| --- | --- |

3.

Ακρίβεια τοποθέτησης για τις μηχανές διάτρησης με πρότυπο-οδηγό, με "διαθέσιμες όλες τις αντισταθμίσεις" μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 4 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) (1) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα.

| 4. | Κοπτικές μηχανές κινητού εργαλείου, με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:






  α. | "Γραμμική εκτροπή" και "εκκεντρότητα" της ατράκτου κάτω των (καλύτερη από) 0,0004 mm TIR, και |
| --- | --- | --- |

4.

Κοπτικές μηχανές κινητού εργαλείου, με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

α.

"Γραμμική εκτροπή" και "εκκεντρότητα" της ατράκτου κάτω των (καλύτερη από) 0,0004 mm TIR, και

| β. | Γωνιακή παρέκκλιση της κίνησης του κινητού μέρους (κατά τους τρεις άξονες των συντεταγμένων) κάτω των (καλύτερη από) 2′′ TIR επί διαδρομή 300 mm. |
| --- | --- |

β.

Γωνιακή παρέκκλιση της κίνησης του κινητού μέρους (κατά τους τρεις άξονες των συντεταγμένων) κάτω των (καλύτερη από) 2′′ TIR επί διαδρομή 300 mm.

| γ. | Εργαλειομηχανές για τρόχισμα έχουσες οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Τα εξής χαρακτηριστικά ταυτοχρόνως:






  α. | Ακρίβεια τοποθέτησης με "διαθέσιμες όλες τις αντισταθμίσεις" μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 4 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) (1) με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα, και |
| --- | --- | --- | --- |

γ.

Εργαλειομηχανές για τρόχισμα έχουσες οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Τα εξής χαρακτηριστικά ταυτοχρόνως:

α.

Ακρίβεια τοποθέτησης με "διαθέσιμες όλες τις αντισταθμίσεις" μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 4 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) (1) με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα, και

| β. | Τρεις ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον "έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος"· ή |
| --- | --- |

β.

Τρεις ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον "έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος"· ή

| 2. | Πέντε ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον "έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος". |
| --- | --- |

2.

Πέντε ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον "έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος".

Σημείωση: Στο σημείο 2Β001.γ. δεν υπάγονται οι μηχανές για τρόχισμα ως εξής:

| 1. | Μηχανές για τρόχισμα κυλινδρικών εξωτερικών, εσωτερικών και εξωτερικών/εσωτερικών επιφανειών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:








  α. | Περιορίζονται σε κυλινδρικό τρόχισμα· και |
| --- | --- | --- |

1.

Μηχανές για τρόχισμα κυλινδρικών εξωτερικών, εσωτερικών και εξωτερικών/εσωτερικών επιφανειών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Περιορίζονται σε κυλινδρικό τρόχισμα· και

| β. | Περιορίζονται στο να δέχονται αντικείμενα προς κατεργασία μέγιστης εξωτερικής διαμέτρου ή μέγιστου μήκους 150 mm. |
| --- | --- |

β.

Περιορίζονται στο να δέχονται αντικείμενα προς κατεργασία μέγιστης εξωτερικής διαμέτρου ή μέγιστου μήκους 150 mm.

| 2. | Μηχανές ειδικά σχεδιασμένες για τρόχισμα με περιτύπωμα που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:








  α. | Ο άξονας C χρησιμοποιείται για τη διατήρηση του τροχού σε ορθή γωνία ως προς την υπό κατεργασία επιφάνεια· ή |
| --- | --- | --- |

2.

Μηχανές ειδικά σχεδιασμένες για τρόχισμα με περιτύπωμα που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Ο άξονας C χρησιμοποιείται για τη διατήρηση του τροχού σε ορθή γωνία ως προς την υπό κατεργασία επιφάνεια· ή

| β. | Ο άξονας α διατάσσεται για το τρόχισμα κυλινδρικών εκκέντρων (κνωδάκων). |
| --- | --- |

β.

Ο άξονας α διατάσσεται για το τρόχισμα κυλινδρικών εκκέντρων (κνωδάκων).

| 3. | Μηχανές για τρόχισμα επιφανειών. |
| --- | --- |

3.

Μηχανές για τρόχισμα επιφανειών.

| δ. | Μηχανές ηλεκτρικής εκκένωσης (EDM) όχι του τύπου μηχανισμού πρόωσης σύρματος, με δύο ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον "έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος". |
| --- | --- |

δ.

Μηχανές ηλεκτρικής εκκένωσης (EDM) όχι του τύπου μηχανισμού πρόωσης σύρματος, με δύο ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον "έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος".

| ε. | Εργαλειομηχανές για την αφαίρεση μεταλλικών, κεραμικών ή "σύνθετων" υλικών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Αφαίρεση υλικού με κάποιο από τα εξής μέσα:






  α. | Εκτόξευση ύδατος ή άλλων υγρών, συμπεριλαμβανομένων όσων περιέχουν λειαντικά πρόσθετα, |
| --- | --- | --- | --- |

ε.

Εργαλειομηχανές για την αφαίρεση μεταλλικών, κεραμικών ή "σύνθετων" υλικών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Αφαίρεση υλικού με κάποιο από τα εξής μέσα:

α.

Εκτόξευση ύδατος ή άλλων υγρών, συμπεριλαμβανομένων όσων περιέχουν λειαντικά πρόσθετα,

| β. | Δέσμη ηλεκτρονίων, ή |
| --- | --- |

β.

Δέσμη ηλεκτρονίων, ή

| γ. | Δέσμη "λέιζερ"και |
| --- | --- |

γ.

Δέσμη "λέιζερ"και

| 2. | Με δύο ή περισσότερους άξονες περιστροφής:






  α. | Ικανούς να συνδυαστούν ταυτόχρονα για "έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος"· και |
| --- | --- | --- |

2.

Με δύο ή περισσότερους άξονες περιστροφής:

α.

Ικανούς να συνδυαστούν ταυτόχρονα για "έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος"· και

| β. | Με ακρίβεια τοποθέτησης μικρότερη (καλύτερη) από 0,003°. |
| --- | --- |

β.

Με ακρίβεια τοποθέτησης μικρότερη (καλύτερη) από 0,003°.

| στ. | Μηχανές για διάτρηση βαθειών οπών και μηχανές για τόρνευση τροποποιημένες για διάτρηση βαθειών οπών, με μέγιστη ικανότητα βάθους διάτρησης που υπερβαίνει 5 000 mm και ειδικά σχεδιασμένα προς τούτο συστατικά. |
| --- | --- |

στ.

Μηχανές για διάτρηση βαθειών οπών και μηχανές για τόρνευση τροποποιημένες για διάτρηση βαθειών οπών, με μέγιστη ικανότητα βάθους διάτρησης που υπερβαίνει 5 000 mm και ειδικά σχεδιασμένα προς τούτο συστατικά.

2B002Εργαλειομηχανές με «ψηφιακό έλεγχο» που χρησιμοποιούν μαγνητοροολογική διεργασία φινιρίσματος (MRF) [W]

Τεχνική παρατήρηση:

Κατά την έννοια του σημείου 2Β002, ως μαγνητοροολογικό φινίρισμα νοείται κάθε διεργασία αφαίρεσης υλικού που χρησιμοποιεί αποτριπτικό μαγνητικό ρευστό, το ιξώδες του οποίου ελέγχεται με μαγνητικό πεδίο.

2B003Εργαλειομηχανές με "ψηφιακό έλεγχο" ή χειροκίνητες, και τα ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά στοιχεία, όργανα χειρισμού και εξαρτήματά τους, ειδικά σχεδιασμένες για πλάνισμα, την τελική επεξεργασία, το τρόχισμα ή τη λείανση σκληρωμένων (Rc = 40 ή περισσότερο) ακτινωτών, ελικοειδών και διπλών ελικοειδών οδοντωτών τροχών με διάμετρο βήματος μεγαλύτερη από 1 250 mm και εύρος κεφαλής των οδόντων εντός των ορίων του 15 % της διαμέτρου βήματος ή μεγαλύτερο οι οποίοι έχουν υποστεί τελική επεξεργασία για την επίτευξη της ποιότητας που ορίζεται στο πρότυπο AGMA 14 (ισοδύναμο με το πρότυπο ISO 1328 κατηγορία 3) ή ανώτερης ποιότητας.

2B004"Ισοστατικές πρέσες" για κατεργασία εν θερμώ που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, καθώς και τα ειδικά γι’ αυτές σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη και εξαρτήματα, ως εξής:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β104 και 2Β204.

| α. | Περιβάλλον ελεγχόμενης θερμοκρασίας στο κλειστό κοίλωμα και κοίλωμα θαλάμου εσωτερικής διαμέτρου 406 mm ή μεγαλύτερης και |
| --- | --- |

α.

Περιβάλλον ελεγχόμενης θερμοκρασίας στο κλειστό κοίλωμα και κοίλωμα θαλάμου εσωτερικής διαμέτρου 406 mm ή μεγαλύτερης και

| β. | Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Μέγιστη πίεση εργασίας μεγαλύτερη από 207 MPa. |
| --- | --- | --- |

β.

Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Μέγιστη πίεση εργασίας μεγαλύτερη από 207 MPa.

| 2. | Περιβάλλον ελεγχόμενης θερμοκρασίας μεγαλύτερης από 1 773 Κ (1 500 °C)· ή |
| --- | --- |

2.

Περιβάλλον ελεγχόμενης θερμοκρασίας μεγαλύτερης από 1 773 Κ (1 500 °C)· ή

| 3. | Εγκατάσταση για τον εμποτισμό υδρογονανθράκων και την απομάκρυνση των αερίων προϊόντων αποδόμησης που προκύπτουν. |
| --- | --- |

3.

Εγκατάσταση για τον εμποτισμό υδρογονανθράκων και την απομάκρυνση των αερίων προϊόντων αποδόμησης που προκύπτουν.

Τεχνική παρατήρηση:

Εσωτερική διάσταση θαλάμου είναι η εσωτερική διάσταση του θαλάμου, στον οποίο επιτυγχάνονται τόσο η θερμοκρασία όσο και η πίεση εργασίας και δεν περιλαμβάνει τον εξοπλισμό για τη συγκράτηση των προς κατεργασίαν αντικειμένων. Η διάσταση αυτή είναι η μικρότερη από τις εσωτερικές διαμέτρους είτε του θαλάμου πιέσεως είτε του μονωμένου θαλάμου του κλιβάνου, ανάλογα με το ποιός από τους δύο βρίσκεται μέσα στον άλλο.

Σημ.: Για ειδικά σχεδιασμένες μήτρες, τύπους και εργαλεία βλ. σημεία 1B003, 9B009 και τους Ελέγχους των Στρατιωτικών Προϊόντων.

2B005Ειδικά σχεδιασμένος εξοπλισμός για την εναπόθεση, την επεξεργασία και [C] τον κατά τη διεργασία έλεγχο ανοργάνων επιστρώσεων, επιχρίσεων και μετατροπών επιφανειών σε μη ηλεκτρονικά υποστρώματα, με τις τεχνικές που αναφέρονται στον πίνακα μετά το εδάφιο 2Ε003.δ. και στις σχετικές με αυτόν σημειώσεις, καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη αυτόματου χειρισμού, τοποθέτησης, κατεργασίας και ελέγχου για τον εν λόγω εξοπλισμό, ως εξής:

| α. | Εξοπλισμός παραγωγής με "έλεγχο μέσω αποθηκευμένου προγράμματος" για εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους (CΝD), ο οποίος έχει όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

  ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β105.







  1. | Έχει τροποποιηθεί για μια από τις ακόλουθες τεχνικές:






  α. | Παλμική εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους, |
| --- | --- | --- | --- |

α.

Εξοπλισμός παραγωγής με "έλεγχο μέσω αποθηκευμένου προγράμματος" για εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους (CΝD), ο οποίος έχει όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β105.

1.

Έχει τροποποιηθεί για μια από τις ακόλουθες τεχνικές:

α.

Παλμική εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους,

| β. | Θερμική εναπόθεση με ελεγχόμενο πυρήνα αντιδράσεως (CΝΤD), ή |
| --- | --- |

β.

Θερμική εναπόθεση με ελεγχόμενο πυρήνα αντιδράσεως (CΝΤD), ή

| γ. | Εναπόθεση ατμού με χημική μέθοδο βελτιωμένη με πλάσμα ή υποβοηθούμενη από πλάσμα, και |
| --- | --- |

γ.

Εναπόθεση ατμού με χημική μέθοδο βελτιωμένη με πλάσμα ή υποβοηθούμενη από πλάσμα, και

| 2. | Φέρει ενσωματωμένο οποιοδήποτε από τα ακόλουθα συστήματα:






  α. | Περιστρεφόμενες στεγανοποιητικές διατάξεις υψηλού κενού (μικρότερου ή ίσου προς 0,01 Pa), ή |
| --- | --- | --- |

2.

Φέρει ενσωματωμένο οποιοδήποτε από τα ακόλουθα συστήματα:

α.

Περιστρεφόμενες στεγανοποιητικές διατάξεις υψηλού κενού (μικρότερου ή ίσου προς 0,01 Pa), ή

| β. | Σύστημα ελέγχου του πάχους του επιχρίσματος επιτόπου. |
| --- | --- |

β.

Σύστημα ελέγχου του πάχους του επιχρίσματος επιτόπου.

| β. | Εξοπλισμός παραγωγής με "έλεγχο μέσω αποθηκευμένου προγράμματος" για εμφύτευση ιόντων, με ένταση ρεύματος δέσμης 5 mA ή μεγαλύτερη. |
| --- | --- |

β.

Εξοπλισμός παραγωγής με "έλεγχο μέσω αποθηκευμένου προγράμματος" για εμφύτευση ιόντων, με ένταση ρεύματος δέσμης 5 mA ή μεγαλύτερη.

| γ. | Εξοπλισμός παραγωγής με "έλεγχο μέσω αποθηκευμένου προγράμματος" για εναπόθεση ατμού με φυσική μέθοδο δέσμης ηλεκτρονίων, ο οποίος φέρει ενσωματωμένα συστήματα τροφοδότησης ισχύος σχεδιασμένα για ισχύ μεγαλύτερη από 80 kW και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Σύστημα ελέγχου στάθμης υγρού με "λέιζερ", το οποίο ρυθμίζει με ακρίβεια την ταχύτητα προώσεως των τύπων, ή |
| --- | --- | --- |

γ.

Εξοπλισμός παραγωγής με "έλεγχο μέσω αποθηκευμένου προγράμματος" για εναπόθεση ατμού με φυσική μέθοδο δέσμης ηλεκτρονίων, ο οποίος φέρει ενσωματωμένα συστήματα τροφοδότησης ισχύος σχεδιασμένα για ισχύ μεγαλύτερη από 80 kW και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Σύστημα ελέγχου στάθμης υγρού με "λέιζερ", το οποίο ρυθμίζει με ακρίβεια την ταχύτητα προώσεως των τύπων, ή

| 2. | Συσκευή παρακολούθησης (monitor) της ταχύτητας εναπόθεσης, η οποία ελέγχεται με υπολογιστή και λειτουργεί με βάση την αρχή της φωτοφωταύγειας των ιονισμένων ατόμων που περιέχονται στο ρεύμα του εξατμιζόμενου υλικού, για τον έλεγχο της ταχύτητας εναπόθεσης επιχρισμάτων που περιέχουν δύο ή περισσότερα χημικά στοιχεία. |
| --- | --- |

2.

Συσκευή παρακολούθησης (monitor) της ταχύτητας εναπόθεσης, η οποία ελέγχεται με υπολογιστή και λειτουργεί με βάση την αρχή της φωτοφωταύγειας των ιονισμένων ατόμων που περιέχονται στο ρεύμα του εξατμιζόμενου υλικού, για τον έλεγχο της ταχύτητας εναπόθεσης επιχρισμάτων που περιέχουν δύο ή περισσότερα χημικά στοιχεία.

| δ. | Εξοπλισμός παραγωγής με "έλεγχο μέσω αποθηκευμένου προγράμματος" για ψεκασμό πλάσματος, ο οποίος έχει ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Λειτουργεί σε ελεγχόμενη ατμόσφαιρα υποπιέσεως (πίεση μικρότερη ή ίση προς 10 KPa, όπως μετράται σε απόσταση έως 300 mm επάνω από την έξοδο του ακροφυσίου του πιστολίου) μέσα σε θάλαμο κενού ικανό να επιτυγχάνει κενό έως 0,01 Ρα πριν αρχίσει η διεργασία ψεκασμού, ή |
| --- | --- | --- |

δ.

Εξοπλισμός παραγωγής με "έλεγχο μέσω αποθηκευμένου προγράμματος" για ψεκασμό πλάσματος, ο οποίος έχει ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Λειτουργεί σε ελεγχόμενη ατμόσφαιρα υποπιέσεως (πίεση μικρότερη ή ίση προς 10 KPa, όπως μετράται σε απόσταση έως 300 mm επάνω από την έξοδο του ακροφυσίου του πιστολίου) μέσα σε θάλαμο κενού ικανό να επιτυγχάνει κενό έως 0,01 Ρα πριν αρχίσει η διεργασία ψεκασμού, ή

| 2. | Φέρει ενσωματωμένο σύστημα ελέγχου του πάχους του επιχρίσματος επιτόπου |
| --- | --- |

2.

Φέρει ενσωματωμένο σύστημα ελέγχου του πάχους του επιχρίσματος επιτόπου

| ε. | Εξοπλισμός παραγωγής με "έλεγχο μέσω αποθηκευμένου προγράμματος" για εναπόθεση με καθοδική διασκόρπιση, ικανός να επιτυγχάνει πυκνότητα ρεύματος 0,1 mA/mm2 ή υψηλότερη, με ταχύτητα εναπόθεσης 15 μικρόμετρα/ώρα ή υψηλότερη, |
| --- | --- |

ε.

Εξοπλισμός παραγωγής με "έλεγχο μέσω αποθηκευμένου προγράμματος" για εναπόθεση με καθοδική διασκόρπιση, ικανός να επιτυγχάνει πυκνότητα ρεύματος 0,1 mA/mm2 ή υψηλότερη, με ταχύτητα εναπόθεσης 15 μικρόμετρα/ώρα ή υψηλότερη,

| στ. | Εξοπλισμός παραγωγής με "έλεγχο μέσω αποθηκευμένου προγράμματος" για εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου, ο οποίος φέρει ενσωματωμένο πλέγμα ηλεκτρομαγνητών για την καθοδήγηση της εστίασης του τόξου στην κάθοδο, |
| --- | --- |

στ.

Εξοπλισμός παραγωγής με "έλεγχο μέσω αποθηκευμένου προγράμματος" για εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου, ο οποίος φέρει ενσωματωμένο πλέγμα ηλεκτρομαγνητών για την καθοδήγηση της εστίασης του τόξου στην κάθοδο,

| ζ. | Εξοπλισμός παραγωγής με "έλεγχο μέσω αποθηκευμένου προγράμματος" για ιοντική επιμετάλλωση, ο οποίος επιτρέπει την επιτόπια μέτρηση είτε:






  1. | Του πάχους του επιχρίσματος στο υπόστρωμα και της ταχύτητας εναπόθεσης· ή |
| --- | --- | --- |

ζ.

Εξοπλισμός παραγωγής με "έλεγχο μέσω αποθηκευμένου προγράμματος" για ιοντική επιμετάλλωση, ο οποίος επιτρέπει την επιτόπια μέτρηση είτε:

1.

Του πάχους του επιχρίσματος στο υπόστρωμα και της ταχύτητας εναπόθεσης· ή

| 2. | Των οπτικών χαρακτηριστικών του επιχρίσματος. |
| --- | --- |

2.

Των οπτικών χαρακτηριστικών του επιχρίσματος.

Σημείωση: Στο σημείο 2Β005 δεν υπάγονται η εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους, η καθοδική εκκένωση τόξου, η εναπόθεση με καθοδική διασκόρπιση, ο εξοπλισμός για ιοντική επιμετάλλωση ή εμφύτευση ιόντων ο ειδικά σχεδιασμένος για εργαλεία κοπής ή μηχανουργικής κατεργασίας.

2B006Συστήματα ή εξοπλισμός ελέγχου ή μέτρησης διαστάσεων, ως εξής:

| α. | Μηχανές μέτρησης συντεταγμένων (CMM) με έλεγχο από υπολογιστή, "ψηφιακό έλεγχο" ή "έλεγχο μέσω αποθηκευμένου προγράμματος" με τρισδιάστατο (ογκομετρικό) μέγιστο επιτρεπτό σφάλμα ένδειξης (MPEE) σε κάθε σημείο μέσα στην έκταση λειτουργίας της μηχανής (δηλ. στο μήκος των αξόνων) ίσο ή μικρότερο (καλύτερη επίδοση) από (1,7 + L/1 000) μm (L είναι το μετρούμενο μήκος σε mm) έπειτα από δοκιμή σύμφωνα με το ISΟ 10360-2(2001). |
| --- | --- |

α.

Μηχανές μέτρησης συντεταγμένων (CMM) με έλεγχο από υπολογιστή, "ψηφιακό έλεγχο" ή "έλεγχο μέσω αποθηκευμένου προγράμματος" με τρισδιάστατο (ογκομετρικό) μέγιστο επιτρεπτό σφάλμα ένδειξης (MPEE) σε κάθε σημείο μέσα στην έκταση λειτουργίας της μηχανής (δηλ. στο μήκος των αξόνων) ίσο ή μικρότερο (καλύτερη επίδοση) από (1,7 + L/1 000) μm (L είναι το μετρούμενο μήκος σε mm) έπειτα από δοκιμή σύμφωνα με το ISΟ 10360-2(2001).

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β206.

| β. | Όργανα μέτρησης της γραμμικής και γωνιακής μετατόπισης, ως εξής:






  1. | Όργανα μέτρησης της γραμμικής μετατόπισης με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
  Τεχνική σημείωση:

  Για το σκοπό του 2Β006.β.1., η "γραμμική μετατόπιση" είναι η μεταβολή της απόστασης μεταξύ του αισθητήρα μέτρησης και του μετρούμενου αντικειμένου.







  α. | Συστήματα μετρήσεων χωρίς απευθείας επαφή, με "διακριτική ικανότητα" ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,2 μm για κλίμακες μετρήσεων έως 0,2 mm, |
| --- | --- | --- | --- |

β.

Όργανα μέτρησης της γραμμικής και γωνιακής μετατόπισης, ως εξής:

1.

Όργανα μέτρησης της γραμμικής μετατόπισης με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

Τεχνική σημείωση:

Για το σκοπό του 2Β006.β.1., η "γραμμική μετατόπιση" είναι η μεταβολή της απόστασης μεταξύ του αισθητήρα μέτρησης και του μετρούμενου αντικειμένου.

α.

Συστήματα μετρήσεων χωρίς απευθείας επαφή, με "διακριτική ικανότητα" ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,2 μm για κλίμακες μετρήσεων έως 0,2 mm,

| β. | Γραμμικούς διαφορικούς μετασχηματιστές τάσεως με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | "Γραμμικότητα" ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,1 % για κλίμακες μετρήσεων έως 5 mm, και |
| --- | --- | --- |

β.

Γραμμικούς διαφορικούς μετασχηματιστές τάσεως με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

"Γραμμικότητα" ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,1 % για κλίμακες μετρήσεων έως 5 mm, και

| 2. | Έκπτωση ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,1 % ημερησίως σε κανονική θερμοκρασία περιβάλλοντος στην αίθουσα δοκιμών ± 1 Κ, ή |
| --- | --- |

2.

Έκπτωση ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,1 % ημερησίως σε κανονική θερμοκρασία περιβάλλοντος στην αίθουσα δοκιμών ± 1 Κ, ή

| γ. | Συστήματα μετρήσεων που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Είναι εξοπλισμένα με "λέιζερ", και |
| --- | --- | --- |

γ.

Συστήματα μετρήσεων που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Είναι εξοπλισμένα με "λέιζερ", και

| 2. | Μπορούν να διατηρούν, τουλάχιστον επί 12 ώρες σε θερμοκρασία ± 1 Κ περί την κανονική θερμοκρασία και σε κανονική πίεση:






  α. | "Διακριτική ικανότητα" στην πλήρη κλίμακα αναγνώσεώς τους 0,1 μm ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση), και |
| --- | --- | --- |

2.

Μπορούν να διατηρούν, τουλάχιστον επί 12 ώρες σε θερμοκρασία ± 1 Κ περί την κανονική θερμοκρασία και σε κανονική πίεση:

α.

"Διακριτική ικανότητα" στην πλήρη κλίμακα αναγνώσεώς τους 0,1 μm ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση), και

| β. | "Αβεβαιότητα μέτρησης" ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από (0,2 + L/2 000) μικρόμετρα (όπου L είναι το μετρούμενο μήκος, σε mm). |
| --- | --- |

β.

"Αβεβαιότητα μέτρησης" ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από (0,2 + L/2 000) μικρόμετρα (όπου L είναι το μετρούμενο μήκος, σε mm).

Σημείωση: Στο σημείο 2Β006.β.1. δεν υπάγονται τα συστήματα μέτρησης συμβολομέτρων χωρίς κλειστή ή ανοικτή ανάδραση που περιλαμβάνουν "λέιζερ" για τη μέτρηση των εσφαλμένων κινήσεων ολίσθησης των εργαλειομηχανών, μηχανών ελέγχου διαστάσεων ή παρόμοιου εξοπλισμού.

| 2. | Όργανα μετρήσεων γωνιακής μετατόπισης με "απόκλιση γωνιακής θέσεως" ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,00025°.


  Σημείωση: Στο εδάφιο 2Β006.β.2. δεν υπάγονται τα οπτικά όργανα, όπως οι αυτοδιοπτήρες, που χρησιμοποιούν παράλληλες ακτίνες φωτός (π.χ. "λέιζερ") για την ανίχνευση της γωνιακής μετατόπισης κατόπτρου. |
| --- | --- |

2.

Όργανα μετρήσεων γωνιακής μετατόπισης με "απόκλιση γωνιακής θέσεως" ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,00025°.

Σημείωση: Στο εδάφιο 2Β006.β.2. δεν υπάγονται τα οπτικά όργανα, όπως οι αυτοδιοπτήρες, που χρησιμοποιούν παράλληλες ακτίνες φωτός (π.χ. "λέιζερ") για την ανίχνευση της γωνιακής μετατόπισης κατόπτρου.

| γ. | Εξοπλισμός μέτρησης των ανωμαλιών των επιφανειών με μέτρηση της σκέδασης του φωτός συναρτήσει γωνίας, με ευαισθησία 0,5 nm ή λιγότερο (καλύτερη επίδοση). |
| --- | --- |

γ.

Εξοπλισμός μέτρησης των ανωμαλιών των επιφανειών με μέτρηση της σκέδασης του φωτός συναρτήσει γωνίας, με ευαισθησία 0,5 nm ή λιγότερο (καλύτερη επίδοση).

Σημείωση: Οι εργαλειομηχανές που μπορούν να χρησιμοποιηθούν ως μηχανές μετρήσεων υπόκεινται στον έλεγχο, εφόσον πληρούν τα κριτήρια που καθορίζονται για τη λειτουργία των αντίστοιχων εργαλειομηχανών ή μηχανών μετρήσεων ή ανώτερα κριτήρια.

2B007"Ρομπότ" και τα ειδικά σχεδιασμένα όργανα αυτομάτου ελέγχου (αυτόματοι ρυθμιστές) και "επενεργητές πέρατος" αυτών, ως εξής:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΠΑΡΑΓΡΑΦΟ 2Β207.

| α. | Με ικανότητα πλήρους τρισδιάστατης επεξεργασίας εικόνων ή πλήρους τρισδιάστατης "ανάλυσης του πεδίου εικόνας" για τη δημιουργία ή τροποποίηση "προγραμμάτων" ή για τη δημιουργία ή τροποποίηση ψηφιακών δεδομένων προγράμματος.
  Τεχνική παρατήρηση:

  Στον περιορισμό που αφορά την "ανάλυση πεδίου εικόνας" δεν συμπεριλαμβάνεται ο κατά προσέγγιση οπτικός προσδιορισμός της τρίτης διάστασης υπό δεδομένη γωνία ούτε η περιορισμένη ερμηνεία της χρωματικής κλίμακας του γκρι για την αντίληψη του βάθους ή της υφής στις εγκεκριμένες εργασίες (2 1/2 διαστάσεις). |
| --- | --- |

α.

Με ικανότητα πλήρους τρισδιάστατης επεξεργασίας εικόνων ή πλήρους τρισδιάστατης "ανάλυσης του πεδίου εικόνας" για τη δημιουργία ή τροποποίηση "προγραμμάτων" ή για τη δημιουργία ή τροποποίηση ψηφιακών δεδομένων προγράμματος.

Τεχνική παρατήρηση:

Στον περιορισμό που αφορά την "ανάλυση πεδίου εικόνας" δεν συμπεριλαμβάνεται ο κατά προσέγγιση οπτικός προσδιορισμός της τρίτης διάστασης υπό δεδομένη γωνία ούτε η περιορισμένη ερμηνεία της χρωματικής κλίμακας του γκρι για την αντίληψη του βάθους ή της υφής στις εγκεκριμένες εργασίες (2 1/2 διαστάσεις).

| β. | Ειδικά σχεδιασμένα ώστε να πληρούν τα εθνικά πρότυπα ασφαλείας για τους περιβάλλοντες χώρους εκρηκτικού πολεμικού υλικού. |
| --- | --- |

β.

Ειδικά σχεδιασμένα ώστε να πληρούν τα εθνικά πρότυπα ασφαλείας για τους περιβάλλοντες χώρους εκρηκτικού πολεμικού υλικού.

| γ. | Ειδικά σχεδιασμένα ή με ειδική πρόβλεψη ως αυξημένης αντοχής στις ακτινοβολίες, ώστε ν’αντέχουν σε συνολική δόση ακτινοβολίας μεγαλύτερη από 5 × 103 Gy (πυρίτιο) χωρίς υποβάθμιση της λειτουργίας τους· ή

  Τεχνική παρατήρηση:

  Ο όρος Gy (πυρίτιο) αναφέρεται στην ενέργεια, σε joule ανά χιλιόγραμμο, που απορροφάται από αθωράκιστο δείγμα πυριτίου όταν εκτίθεται στην ιοντίζουσα ακτινοβολία. |
| --- | --- |

γ.

Ειδικά σχεδιασμένα ή με ειδική πρόβλεψη ως αυξημένης αντοχής στις ακτινοβολίες, ώστε ν’αντέχουν σε συνολική δόση ακτινοβολίας μεγαλύτερη από 5 × 103 Gy (πυρίτιο) χωρίς υποβάθμιση της λειτουργίας τους· ή

Τεχνική παρατήρηση:

Ο όρος Gy (πυρίτιο) αναφέρεται στην ενέργεια, σε joule ανά χιλιόγραμμο, που απορροφάται από αθωράκιστο δείγμα πυριτίου όταν εκτίθεται στην ιοντίζουσα ακτινοβολία.

| δ. | Ειδικά σχεδιασμένα για να λειτουργούν σε υψόμετρα που υπερβαίνουν τα 30 000 m. |
| --- | --- |

δ.

Ειδικά σχεδιασμένα για να λειτουργούν σε υψόμετρα που υπερβαίνουν τα 30 000 m.

2B008Συναρμολογήματα ή μονάδες, ειδικά σχεδιασμένα για εργαλειομηχανές, ή συστήματα και εξοπλισμός ελέγχου και μέτρησης διαστάσεων, ως εξής:

| α. | Μονάδες ανάδρασης γραμμικής θέσης (π.χ. επαγωγικές διατάξεις, βαθμολογημένες κλίμακες, συστήματα υπερύθρου ακτινοβολίας ή συστήματα "λέιζερ"), με γενική "ακρίβεια" μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από [800 + (600 × L × 10–3)] nm (όπου L είναι το πραγματικό μήκος, σε nm).


  Σημ.: Για τα συστήματα "λέιζερ" βλ. επίσης τη σημείωση για το σημείο 2Β006.β.1. |
| --- | --- |

α.

Μονάδες ανάδρασης γραμμικής θέσης (π.χ. επαγωγικές διατάξεις, βαθμολογημένες κλίμακες, συστήματα υπερύθρου ακτινοβολίας ή συστήματα "λέιζερ"), με γενική "ακρίβεια" μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από [800 + (600 × L × 10–3)] nm (όπου L είναι το πραγματικό μήκος, σε nm).

Σημ.: Για τα συστήματα "λέιζερ" βλ. επίσης τη σημείωση για το σημείο 2Β006.β.1.

| β. | Μονάδες ανάδρασης γωνιακής θέσης, π.χ. επαγωγικές διατάξεις, βαθμολογημένες κλίμακες, συστήματα υπερύθρου ακτινοβολίας ή συστήματα "λέιζερ", με ακρίβεια μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,00025°.


  Σημ.: Για τα συστήματα "λέιζερ" βλ. επίσης τη σημείωση για το σημείο 2Β006.β.1. |
| --- | --- |

β.

Μονάδες ανάδρασης γωνιακής θέσης, π.χ. επαγωγικές διατάξεις, βαθμολογημένες κλίμακες, συστήματα υπερύθρου ακτινοβολίας ή συστήματα "λέιζερ", με ακρίβεια μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,00025°.

Σημ.: Για τα συστήματα "λέιζερ" βλ. επίσης τη σημείωση για το σημείο 2Β006.β.1.

| γ. | "Σύνθετες περιστροφικές τράπεζες" και "ανακλινόμενες άτρακτοι", που μπορούν να χρησιμοποιηθούν για την αναβάθμιση, σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή, εργαλειομηχανών μέχρι τα καθοριζόμενα στο 2Β επίπεδα ή ανώτερα επίπεδα. |
| --- | --- |

γ.

"Σύνθετες περιστροφικές τράπεζες" και "ανακλινόμενες άτρακτοι", που μπορούν να χρησιμοποιηθούν για την αναβάθμιση, σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή, εργαλειομηχανών μέχρι τα καθοριζόμενα στο 2Β επίπεδα ή ανώτερα επίπεδα.

2B009Μηχανές περιδινητικής μορφοποίησης και μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης, οι οποίες, σύμφωνα με τις τεχνικές προδιαγραφές του κατασκευαστή, μπορούν να εφοδιαστούν με μονάδες "ψηφιακού ελέγχου", ή όργανα ελέγχου με υπολογιστή, και οι οποίες έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β109 ΚΑΙ 2Β209.

| α. | Δύο ή περισσότερους ελεγχόμενους άξονες από τους οποίους τουλάχιστον δύο μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για "έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος", και |
| --- | --- |

α.

Δύο ή περισσότερους ελεγχόμενους άξονες από τους οποίους τουλάχιστον δύο μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για "έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος", και

| β. | Δύναμη κυλίνδρου άνω των 60 kΝ. |
| --- | --- |

β.

Δύναμη κυλίνδρου άνω των 60 kΝ.

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του σημείου 2Β009, οι μηχανές που συνδυάζουν την περιδινητική και την υδραυλική μορφοποίηση θεωρούνται ως μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης.

2B104"Ισοστατικές πρέσσες" εκτός από τις προσδιοριζόμενες στην παράγραφο 2Β004, με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ. ΕΠΙΣΗΣ 2Β204.

| α. | Μεγίστη πίεση εργασίας 69 ΜΡα ή μεγαλύτερη. |
| --- | --- |

α.

Μεγίστη πίεση εργασίας 69 ΜΡα ή μεγαλύτερη.

| β. | Επίτευξη και διατήρηση περιβάλλοντος ελεγχόμενης θερμοκρασίας 873 K (600 °C) ή μεγαλύτερης· και |
| --- | --- |

β.

Επίτευξη και διατήρηση περιβάλλοντος ελεγχόμενης θερμοκρασίας 873 K (600 °C) ή μεγαλύτερης· και

| γ. | Κοίλωμα θαλάμου εσωτερικής διαμέτρου 254 mm ή μεγαλύτερης. |
| --- | --- |

γ.

Κοίλωμα θαλάμου εσωτερικής διαμέτρου 254 mm ή μεγαλύτερης.

2B105Κάμινοι CΝD, εκτός των προσδιοριζομένων στο 2Β005.α, που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την πύκνωση συνθέτων υλικών άνθρακα-άνθρακα.

2B109Μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης άλλες από εκείνες που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β009, και ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη τους, ως εξής:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β209.

| α. | Μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Μπορούν να εφοδιαστούν, σύμφωνα με τις τεχνικές προδιαγραφές του κατασκευαστή, με μονάδες "ψηφιακού ελέγχου" ή όργανα ελέγχου με υπολογιστή, έστω και εάν δεν είναι εφοδιασμένες με τις μονάδες αυτές, και |
| --- | --- | --- |

α.

Μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Μπορούν να εφοδιαστούν, σύμφωνα με τις τεχνικές προδιαγραφές του κατασκευαστή, με μονάδες "ψηφιακού ελέγχου" ή όργανα ελέγχου με υπολογιστή, έστω και εάν δεν είναι εφοδιασμένες με τις μονάδες αυτές, και

| 2. | Έχουν περισσότερους από δύο άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για "έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος". |
| --- | --- |

2.

Έχουν περισσότερους από δύο άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για "έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος".

| β. | Ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη για μηχανές προσδιοριζόμενες στο 2Β009 ή 2Β109.α. |
| --- | --- |

β.

Ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη για μηχανές προσδιοριζόμενες στο 2Β009 ή 2Β109.α.

Σημείωση: Το σημείο 2Β109 δεν ελέγχει μηχανές που δεν χρησιμοποιούνται στην παραγωγή κατασκευαστικών μερών και εξοπλισμού προώθησης (π.χ. περιβλήματα κινητήρων) για συστήματα που καθορίζονται στα σημεία 9Α005, 9Α007.α. ή 9Α105.α.

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του σημείου 2Β109, οι μηχανές που συνδυάζουν την περιδινητική και την υδραυλική μορφοποίηση θεωρούνται ως μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης.

2B116Συστήματα δονωτικών δοκιμών, εξοπλισμός και σχετικά κατασκευαστικά μέρη, ως εξής:

| α. | Συστήματα δονητικών δοκιμών με τεχνικές ανάδρασης ή κλειστού βρόχου, που περιέχουν μονάδα ψηφιακού ελέγχου ικανά να δονούν συστήματα στα 10 g RMS ή περισσότερο σε συχνότητα κυμαινόμενη στο σύνολο της περιοχής 20 Hz έως 2 000 και να ασκούν δυνάμεις 50 kN ή μεγαλύτερες, μετρούμενες επί ελευθέρου πάγκου, |
| --- | --- |

α.

Συστήματα δονητικών δοκιμών με τεχνικές ανάδρασης ή κλειστού βρόχου, που περιέχουν μονάδα ψηφιακού ελέγχου ικανά να δονούν συστήματα στα 10 g RMS ή περισσότερο σε συχνότητα κυμαινόμενη στο σύνολο της περιοχής 20 Hz έως 2 000 και να ασκούν δυνάμεις 50 kN ή μεγαλύτερες, μετρούμενες επί ελευθέρου πάγκου,

| β. | Μονάδες ψηφιακού ελέγχου, σε συνδυασμό με ειδικά σχεδιασμένο λογισμικό δονητικών δοκιμών, με εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου άνω των 5 kHz, σχεδιασμένοι για χρήση με τα συστήματα δονητικών δοκιμών που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β116.α., |
| --- | --- |

β.

Μονάδες ψηφιακού ελέγχου, σε συνδυασμό με ειδικά σχεδιασμένο λογισμικό δονητικών δοκιμών, με εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου άνω των 5 kHz, σχεδιασμένοι για χρήση με τα συστήματα δονητικών δοκιμών που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β116.α.,

| γ. | Δονητές (μονάδες ταλάντωσης), με ή χωρίς συνδεδεμένο ενισχυτή, ικανοί να εξασκούν δυνάμεις τουλάχιστον 50 kN, μετρούμενες επί ελευθέρου πάγκου, και χρησιμοποιούμενοι σε συστήματα δονητικών δοκιμών που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β116.α., |
| --- | --- |

γ.

Δονητές (μονάδες ταλάντωσης), με ή χωρίς συνδεδεμένο ενισχυτή, ικανοί να εξασκούν δυνάμεις τουλάχιστον 50 kN, μετρούμενες επί ελευθέρου πάγκου, και χρησιμοποιούμενοι σε συστήματα δονητικών δοκιμών που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β116.α.,

| δ. | Βοηθητικές κατασκευές διατάξεων δοκιμής και ηλεκτρονικές μονάδες, σχεδιασμένες να συνδυάζουν πολλαπλούς δονητές, σε σύστημα ικανό να εξασκεί πραγματική συνδυασμένη δύναμη 50 kN και πλέον, μετρούμενη επί ελευθέρου πάγκου, που χρησιμοποιούνται σε συστήματα δονητικών δοκιμών που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β116.α. |
| --- | --- |

δ.

Βοηθητικές κατασκευές διατάξεων δοκιμής και ηλεκτρονικές μονάδες, σχεδιασμένες να συνδυάζουν πολλαπλούς δονητές, σε σύστημα ικανό να εξασκεί πραγματική συνδυασμένη δύναμη 50 kN και πλέον, μετρούμενη επί ελευθέρου πάγκου, που χρησιμοποιούνται σε συστήματα δονητικών δοκιμών που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β116.α.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 2Β116, ως "ελεύθερος πάγκος" νοείται επίπεδος πάγκος ή επιφάνεια, που δεν φέρει κατασκευές ή εξαρτήματα.

2B117Εξοπλισμός και όργανα ελέγχου διεργασιών, πλην των αναφερομένων στα σημεία 2Β004, 2Β005.α., 2Β104 ή 2Β105, που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την πύκνωση και την πυρόλυση δομικών σύνθετων ακροφυσίων πυραύλων και ρυγχών επανεισερχόμενων φορέων.

2B119Ζυγοσταθμιστικές μηχανές και συναφής εξοπλισμός, ως εξής:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2B219.

| α. | Ζυγοσταθμιστικές μηχανές με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  1. | ανίκανες να ζυγοσταθμίζουν στροφείς/συγκροτήματα με μάζα άνω των 3 kg, |
| --- | --- | --- |

α.

Ζυγοσταθμιστικές μηχανές με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1.

ανίκανες να ζυγοσταθμίζουν στροφείς/συγκροτήματα με μάζα άνω των 3 kg,

| 2. | ικανές να ζυγοσταθμίζουν στροφείς/συγκροτήματα σε ταχύτητες άνω των 12 500 rpm, |
| --- | --- |

2.

ικανές να ζυγοσταθμίζουν στροφείς/συγκροτήματα σε ταχύτητες άνω των 12 500 rpm,

| 3. | ικανές να διορθώνουν ανιστοσταθμίσεις σε δύο ή περισσότερα επίπεδα, και |
| --- | --- |

3.

ικανές να διορθώνουν ανιστοσταθμίσεις σε δύο ή περισσότερα επίπεδα, και

| 4. | ικανές να ζυγοσταθμίζουν μέχρι εναπομένουσα ειδική ανισοστάθμιση 0,2 g mm ανά kg μάζας στροφέα. |
| --- | --- |

4.

ικανές να ζυγοσταθμίζουν μέχρι εναπομένουσα ειδική ανισοστάθμιση 0,2 g mm ανά kg μάζας στροφέα.

Σημ.: το 2B119.α δεν θέτει υπό έλεγχο τις ζυγοσταθμιστικές μηχανές τις σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για οδοντιατρικό ή άλλον ιατρικό εξοπλισμό.

| β. | Ενδεικτικές κεφαλές σχεδιασμένες ή τροποποιημένες προς χρήση με τις μηχανές του 2B119.α.
  Τεχνική παρατήρηση:

  Οι ενδεικτικές κεφαλές αποκαλούνται ενίοτε και ζυγοσταθμιστικά όργανα. |
| --- | --- |

β.

Ενδεικτικές κεφαλές σχεδιασμένες ή τροποποιημένες προς χρήση με τις μηχανές του 2B119.α.

Τεχνική παρατήρηση:

Οι ενδεικτικές κεφαλές αποκαλούνται ενίοτε και ζυγοσταθμιστικά όργανα.

2B120Προσομοιωτές κίνησης ή περιστροφικές τράπεζες με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

| α. | Δύο ή περισσότερους άξονες, |
| --- | --- |

α.

Δύο ή περισσότερους άξονες,

| β. | Κινητούς δακτυλίους ικανούς να μεταδίδουν ηλεκτρική ισχύ ή/και πληροφορίες σήματος, και |
| --- | --- |

β.

Κινητούς δακτυλίους ικανούς να μεταδίδουν ηλεκτρική ισχύ ή/και πληροφορίες σήματος, και

| γ. | Οποιαδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  1. | Όλα τα παρακάτω για κάθε έναν άξονα:






  α. | ικανότητα ταχύτητας περιστροφής 400 μοιρών ανά sec και άνω, ή 30 μοιρών ανά sec και κάτω, και |
| --- | --- | --- | --- |

γ.

Οποιαδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1.

Όλα τα παρακάτω για κάθε έναν άξονα:

α.

ικανότητα ταχύτητας περιστροφής 400 μοιρών ανά sec και άνω, ή 30 μοιρών ανά sec και κάτω, και

| β. | διαχωρισμό ταχυτήτων περιστροφής 6 μοιρών ανά sec ή λιγότερο και ακρίβεια 0,6 μοιρών ανά sec ή λιγότερο, |
| --- | --- |

β.

διαχωρισμό ταχυτήτων περιστροφής 6 μοιρών ανά sec ή λιγότερο και ακρίβεια 0,6 μοιρών ανά sec ή λιγότερο,

| 2. | Ευστάθεια στη χειρότερη περίπτωση ± 0,05 % (μέσον όρο επί 10 μοίρες ή περισσότερο) ή καλύτερη (μικρότερο ποσοστό), ή |
| --- | --- |

2.

Ευστάθεια στη χειρότερη περίπτωση ± 0,05 % (μέσον όρο επί 10 μοίρες ή περισσότερο) ή καλύτερη (μικρότερο ποσοστό), ή

| 3. | Ακρίβεια τοποθέτησης 5 δεύτερα της μοίρας ή καλύτερη. |
| --- | --- |

3.

Ακρίβεια τοποθέτησης 5 δεύτερα της μοίρας ή καλύτερη.

Σημ.: Το 2B120 δεν θέτει υπό έλεγχο τις περιστροφικές τράπεζες τις σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για εργαλειομηχανές ή για ιατρικό εξοπλισμό. Για τους ελέγχους επί των περιστροφικών τραπεζών εργαλειομηχανών βλ. 2B008.

2B121Τράπεζες τοποθέτησης (εξοπλισμός ικανός να καθορίζει με ακρίβεια την περιστροφική θέση σε οποιοδήποτε άξονα) πλην των προσδιοριζόμενων στο 2B210, με όλα, τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Δύο ή περισσότερους άξονες, και |
| --- | --- |

α.

Δύο ή περισσότερους άξονες, και

| β. | Ακρίβεια τοποθέτησης 5 δεύτερα της μοίρας ή καλύτερη. |
| --- | --- |

β.

Ακρίβεια τοποθέτησης 5 δεύτερα της μοίρας ή καλύτερη.

Σημ.: Το 2B120 δεν θέτει υπό έλεγχο τις περιστροφικές τράπεζες τις σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για εργαλειομηχανές ή για ιατρικό εξοπλισμό. Για τους ελέγχους επί των περιστροφικών τραπεζών εργαλειομηχανών βλ. 2B008.

2B122Φυγοκεντρητές ικανοί να προσδίδουν επιταχύνσεις άνω των 100 g, εφοδιασμένοι με κινητούς δακτυλίους ικανούς να μεταδίδουν ηλεκτρική ισχύ ή/και πληροφορίες σήματος.

2B201Εργαλειομηχανές, εκτός από εκείνες που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β001, για την αφαίρεση ή την κοπή μεταλλικών, κεραμικών ή σύνθετων υλικών, οι οποίες, σύμφωνα με τις τεχνικές προδιαγραφές του κατασκευαστή, μπορούν να εφοδιαστούν με ηλεκτρονικές διατάξεις για ταυτόχρονο "έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος" σε δύο ή περισσότερους άξονες, ως εξής:

| α. | Εργαλειομηχανές για φραιζάρισμα, με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Ακρίβεια τοποθέτησης με "διαθέσιμες όλες τις αντισταθμίσεις" μικρότερη καλύτερη) από ή ίση με 6 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) (1) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα, ή |
| --- | --- | --- |

α.

Εργαλειομηχανές για φραιζάρισμα, με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Ακρίβεια τοποθέτησης με "διαθέσιμες όλες τις αντισταθμίσεις" μικρότερη καλύτερη) από ή ίση με 6 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) (1) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα, ή

| 2. | Δύο ή περισσότερους άξονες περιστροφής για τη διαμόρφωση περιγράμματος.


  Σημείωση: Στο σημείο 2Β201.α. δεν υπάγονται οι μηχανές για φραιζάρισμα με τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:








  α. | διαδρομή κατά τον άξονα μεγαλύτερη από 2 m: και |
| --- | --- | --- |

2.

Δύο ή περισσότερους άξονες περιστροφής για τη διαμόρφωση περιγράμματος.

Σημείωση: Στο σημείο 2Β201.α. δεν υπάγονται οι μηχανές για φραιζάρισμα με τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

διαδρομή κατά τον άξονα μεγαλύτερη από 2 m: και

| β. | γενική "ακρίβεια τοποθέτησης" στον άξονα των x μεγαλύτερη (χειρότερη) από 30 μm. |
| --- | --- |

β.

γενική "ακρίβεια τοποθέτησης" στον άξονα των x μεγαλύτερη (χειρότερη) από 30 μm.

| β. | Εργαλειομηχανές για τρόχισμα, με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Ακρίβεια τοποθέτησης με "διαθέσιμες όλες τις αντισταθμίσεις" μικρότερη (καλύτερη) από 6 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) (1) ή με εθνικά ισοδύναμα μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 4 μm κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα, ή |
| --- | --- | --- |

β.

Εργαλειομηχανές για τρόχισμα, με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Ακρίβεια τοποθέτησης με "διαθέσιμες όλες τις αντισταθμίσεις" μικρότερη (καλύτερη) από 6 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) (1) ή με εθνικά ισοδύναμα μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 4 μm κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα, ή

| 2. | Δύο ή περισσότερους άξονες περιστροφής για τη διαμόρφωση περιγράμματος. |
| --- | --- |

2.

Δύο ή περισσότερους άξονες περιστροφής για τη διαμόρφωση περιγράμματος.

Σημείωση: Στο εδάφιο 2Β201.β. δεν υπάγονται οι ακόλουθες μηχανές για τρόχισμα:

| α. | Μηχανές για τρόχισμα κυλινδρικών εξωτερικών, εσωτερικών και εξωτερικών/εσωτερικών επιφανειών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:








  1. | Περιορίζονται σε κυλινδρικό τρόχισμα. |
| --- | --- | --- |

α.

Μηχανές για τρόχισμα κυλινδρικών εξωτερικών, εσωτερικών και εξωτερικών/εσωτερικών επιφανειών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Περιορίζονται σε κυλινδρικό τρόχισμα.

| 2. | Δέχονται αντικείμενα προς κατεργασία μέγιστης εξωτερικής διαμέτρου ή μέγιστου μήκους 150 mm. |
| --- | --- |

2.

Δέχονται αντικείμενα προς κατεργασία μέγιστης εξωτερικής διαμέτρου ή μέγιστου μήκους 150 mm.

| 3. | Διαθέτουν όχι περισσότερους από δύο άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον "έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος"· και |
| --- | --- |

3.

Διαθέτουν όχι περισσότερους από δύο άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον "έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος"· και

| 4. | Δεν διαθέτουν άξονα c για διαμόρφωση περιγράμματος. |
| --- | --- |

4.

Δεν διαθέτουν άξονα c για διαμόρφωση περιγράμματος.

| β. | Μηχανές για τρόχισμα με περιτύπωμα που διαθέτουν μόνο τους άξονες x, y, c και a, όπου ο άξονας c χρησιμοποιείται για τη διατήρηση του τροχού σε ορθή γωνία ως προς την υπό κατεργασία επιφάνεια ενώ ο άξονας a διατάσσεται για το τρόχισμα κυλινδρικών εκκέντρων (κνωδάκων). |
| --- | --- |

β.

Μηχανές για τρόχισμα με περιτύπωμα που διαθέτουν μόνο τους άξονες x, y, c και a, όπου ο άξονας c χρησιμοποιείται για τη διατήρηση του τροχού σε ορθή γωνία ως προς την υπό κατεργασία επιφάνεια ενώ ο άξονας a διατάσσεται για το τρόχισμα κυλινδρικών εκκέντρων (κνωδάκων).

| γ. | Μηχανές για τρόχισμα εργαλείων ή κοπτικών εργαλείων με ειδικά σχεδιασμένο "λογισμικό" για την παραγωγή εργαλείων ή κοπτικών εργαλείων· ή |
| --- | --- |

γ.

Μηχανές για τρόχισμα εργαλείων ή κοπτικών εργαλείων με ειδικά σχεδιασμένο "λογισμικό" για την παραγωγή εργαλείων ή κοπτικών εργαλείων· ή

| δ. | Μηχανές για τρόχισμα στροφαλοφόρων ή εκκεντροφόρων αξόνων. |
| --- | --- |

δ.

Μηχανές για τρόχισμα στροφαλοφόρων ή εκκεντροφόρων αξόνων.

2B204"Ισοστατικές πρέσες", εκτός από τις προσδιοριζόμενες στην παράγραφο 2Β004 ή 2Β104 και συναφής εξοπλισμός, ως εξής:

| α. | "Ισοστατικές πρέσες" με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Ικανές να επιτυγχάνουν μέγιστη πίεση εργασίας 69 MPa ή μεγαλύτερη, και |
| --- | --- | --- |

α.

"Ισοστατικές πρέσες" με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Ικανές να επιτυγχάνουν μέγιστη πίεση εργασίας 69 MPa ή μεγαλύτερη, και

| 2. | Με κοίλωμα θαλάμου εσωτερικής διαμέτρου άνω των 152 mm. |
| --- | --- |

2.

Με κοίλωμα θαλάμου εσωτερικής διαμέτρου άνω των 152 mm.

| β. | Μήτρες, τύποι και όργανα χειρισμού, ειδικά σχεδιασμένα για "ισοστατικές πρέσες" που προσδιορίζονται στο σημείο 2B204.α. |
| --- | --- |

β.

Μήτρες, τύποι και όργανα χειρισμού, ειδικά σχεδιασμένα για "ισοστατικές πρέσες" που προσδιορίζονται στο σημείο 2B204.α.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 2Β204, εσωτερική διάσταση θαλάμου είναι η εσωτερική διάσταση του θαλάμου, στον οποίο επιτυγχάνονται τόσο η θερμοκρασία όσο και η πίεση εργασίας και δεν περιλαμβάνει τον εξοπλισμό για τη συγκράτηση των προς κατεργασίαν αντικειμένων. Η διάσταση αυτή είναι η μικρότερη από τις εσωτερικές διαμέτρους είτε του θαλάμου πιέσεως είτε του μονωμένου θαλάμου του κλιβάνου, ανάλογα με το ποιός από τους δύο βρίσκεται μέσα στον άλλο.

2B206Μηχανές, όργανα ή συστήματα ελέγχου ή μέτρησης διαστάσεων, εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β006, ως εξής:

| α. | Μηχανές ελέγχου διαστάσεων με έλεγχο από υπολογιστή ή "ψηφιακό έλεγχο" με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Δύο ή περισσότερους άξονες· και |
| --- | --- | --- |

α.

Μηχανές ελέγχου διαστάσεων με έλεγχο από υπολογιστή ή "ψηφιακό έλεγχο" με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Δύο ή περισσότερους άξονες· και

| 2. | "Αβεβαιότητα μέτρησης" του μήκους σε μια διάσταση ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από (1,25 + L/1 000) μm, εξακριβωμένη με καθετήρα, του οποίου η "ακρίβεια" είναι μικρότερη (καλύτερη) από 0,2 μm (L είναι το μετρούμενο μήκος, σε mm). (Σχετ.: ΝDI/ΝDE 2617 Μέρη 1 και 2). |
| --- | --- |

2.

"Αβεβαιότητα μέτρησης" του μήκους σε μια διάσταση ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από (1,25 + L/1 000) μm, εξακριβωμένη με καθετήρα, του οποίου η "ακρίβεια" είναι μικρότερη (καλύτερη) από 0,2 μm (L είναι το μετρούμενο μήκος, σε mm). (Σχετ.: ΝDI/ΝDE 2617 Μέρη 1 και 2).

| β. | Συστήματα για τον ταυτόχρονο γραμμικό και γωνιακό έλεγχο ημισφαιρικών δομών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | "Αβεβαιότητα μέτρησης" κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 3,5 μm ανά 5 mm και |
| --- | --- | --- |

β.

Συστήματα για τον ταυτόχρονο γραμμικό και γωνιακό έλεγχο ημισφαιρικών δομών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

"Αβεβαιότητα μέτρησης" κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 3,5 μm ανά 5 mm και

| 2. | "Απόκλιση γωνιακής θέσης" ίση ή μικρότερη από 0,02°. |
| --- | --- |

2.

"Απόκλιση γωνιακής θέσης" ίση ή μικρότερη από 0,02°.

Σημείωση 1: Οι εργαλειομηχανές που μπορούν να χρησιμοποιηθούν ως μηχανές μετρήσεων υπόκεινται στον έλεγχο, εφόσον πληρούν τα κριτήρια που καθορίζονται για τη λειτουργία των αντίστοιχων εργαλειομηχανών ή μηχανών μετρήσεων ή ανώτερα κριτήρια.

Σημείωση 2: Μία μηχανή που περιγράφεται στην παράγραφο 2Β206 υπόκειται στον έλεγχο, εφόσον υπερκαλύπτει το κατώτερο όριο ελέγχου σε οποιοδήποτε σημείο της κλίμακας λειτουργίας της.

Τεχνική παρατήρηση:

| 1. | Το στέλεχος που χρησιμοποιείται στον καθορισμό της αβεβαιότητας μέτρησης σε επιθεώρηση των διαστάσεων περιγράφεται στο ΝDI/DE 2617, μέρος 2, 3 και 4. |
| --- | --- |

1.

Το στέλεχος που χρησιμοποιείται στον καθορισμό της αβεβαιότητας μέτρησης σε επιθεώρηση των διαστάσεων περιγράφεται στο ΝDI/DE 2617, μέρος 2, 3 και 4.

| 2. | Όλες οι παράμετροι των μετρούμενων τιμών στο 2B206 παριστούν τιμές συν/πλην και όχι συνολικό εύρος. |
| --- | --- |

2.

Όλες οι παράμετροι των μετρούμενων τιμών στο 2B206 παριστούν τιμές συν/πλην και όχι συνολικό εύρος.

2B207"Ρομπότ", "επενεργητές πέρατος" και μονάδες χειρισμού, εκτός από τα προσδιοριζόμενα στην παράγραφο 2Β007, ως εξής:

| α. | "Ρομπότ" ή "επενεργητές πέρατος" ειδικά σχεδιασμένα ώστε να ανταποκρίνονται στα εθνικά πρότυπα ασφαλείας που εφαρμόζονται στο χειρισμό ισχυρών εκρηκτικών (π.χ. τιμές κανονισμού ηλεκτρολογικών εγκαταστάσεων για τα ισχυρά εκρηκτικά). |
| --- | --- |

α.

"Ρομπότ" ή "επενεργητές πέρατος" ειδικά σχεδιασμένα ώστε να ανταποκρίνονται στα εθνικά πρότυπα ασφαλείας που εφαρμόζονται στο χειρισμό ισχυρών εκρηκτικών (π.χ. τιμές κανονισμού ηλεκτρολογικών εγκαταστάσεων για τα ισχυρά εκρηκτικά).

| β. | Μονάδες χειρισμού ειδικά σχεδιασμένες για κάποιο από τα "ρομπότ" ή "επενεργητές πέρατος" του σημείου 2B207.α. |
| --- | --- |

β.

Μονάδες χειρισμού ειδικά σχεδιασμένες για κάποιο από τα "ρομπότ" ή "επενεργητές πέρατος" του σημείου 2B207.α.

2B209Μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης, μηχανές περιδινητικής μορφοποίησης, ικανές για λειτουργίες υδραυλικής μορφοποίησης, άλλες από εκείνες που προσδιορίζονται στα σημεία 2Β009 ή 2Β109 και βοηθητικοί άξονες (μαντρέλια), ως εξής:

| α. | Μηχανές με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Τρεις ή περισσότερους κυλίνδρους (ενεργούς ή κατεύθυνσης)· και |
| --- | --- | --- |

α.

Μηχανές με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Τρεις ή περισσότερους κυλίνδρους (ενεργούς ή κατεύθυνσης)· και

| 2. | Ικανότητα να εφοδιαστούν, σύμφωνα με τις τεχνικές προδιαγραφές του κατασκευαστή, με μονάδες "ψηφιακού ελέγχου" ή όργανα ελέγχου με υπολογιστή. |
| --- | --- |

2.

Ικανότητα να εφοδιαστούν, σύμφωνα με τις τεχνικές προδιαγραφές του κατασκευαστή, με μονάδες "ψηφιακού ελέγχου" ή όργανα ελέγχου με υπολογιστή.

| β. | Βοηθητικοί άξονες (μαντρέλια) για τη μορφοποίηση κυλινδρικών δρομέων (ροτόρων) εσωτερικής διαμέτρου 75 mm έως 400 mm. |
| --- | --- |

β.

Βοηθητικοί άξονες (μαντρέλια) για τη μορφοποίηση κυλινδρικών δρομέων (ροτόρων) εσωτερικής διαμέτρου 75 mm έως 400 mm.

Σημείωση: Το σημείο 2Β209.α. περιλαμβάνει μηχανές που έχουν μόνο έναν ενιαίο κύλινδρο σχεδιασμένο για την παραμόρφωση μετάλλων και δύο επικουρικούς κυλίνδρους που υποστηρίζουν τον βοηθητικό άξονα (μαντρέλι), αλλά δεν συμμετέχουν άμεσα στη διαδικασία παραμόρφωσης.

2B219Φυγοκεντρικά μηχανήματα πολυεπίπεδης ζυγοστάθμισης, μόνιμα ή φορητά, οριζόντια ή κατακόρυφα, ως εξής:

| α. | Φυγοκεντρικές μηχανές ζυγοστάθμισης, που έχουν σχεδιαστεί για τη ζυγοστάθμιση εύκαμπτων ροτόρων μήκους 600 mm ή μεγαλύτερου και διαθέτουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Διάμετρο ταλαντωτή ή στροφέα μεγαλύτερη από 75 mm, |
| --- | --- | --- |

α.

Φυγοκεντρικές μηχανές ζυγοστάθμισης, που έχουν σχεδιαστεί για τη ζυγοστάθμιση εύκαμπτων ροτόρων μήκους 600 mm ή μεγαλύτερου και διαθέτουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Διάμετρο ταλαντωτή ή στροφέα μεγαλύτερη από 75 mm,

| 2. | Δυναμικότητα μάζας 0,9 έως 23 kg, και |
| --- | --- |

2.

Δυναμικότητα μάζας 0,9 έως 23 kg, και

| 3. | κανότητα ζυγοστάθμισης σε ταχύτητες περιστροφής υψηλότερες από 5 000 r.p.m. |
| --- | --- |

3.

κανότητα ζυγοστάθμισης σε ταχύτητες περιστροφής υψηλότερες από 5 000 r.p.m.

| β. | Φυγοκεντρικά μηχανήματα ζυγοστάθμισης, που έχουν σχεδιαστεί για τη ζυγοστάθμιση κοίλων κυλινδρικών συστατικών μερών ροτόρων και διαθέτουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Διάμετρο στροφέα μεγαλύτερη από 75 mm, |
| --- | --- | --- |

β.

Φυγοκεντρικά μηχανήματα ζυγοστάθμισης, που έχουν σχεδιαστεί για τη ζυγοστάθμιση κοίλων κυλινδρικών συστατικών μερών ροτόρων και διαθέτουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Διάμετρο στροφέα μεγαλύτερη από 75 mm,

| 2. | Δυναμικότητα μάζας 0,9 έως 23 kg, |
| --- | --- |

2.

Δυναμικότητα μάζας 0,9 έως 23 kg,

| 3. | Ικανότητα ζυγοστάθμισης μέχρι παραμένουσα έλλειψη ισορροπίας το πολύ 0,01 kg × mm/kg ανά επίπεδο και |
| --- | --- |

3.

Ικανότητα ζυγοστάθμισης μέχρι παραμένουσα έλλειψη ισορροπίας το πολύ 0,01 kg × mm/kg ανά επίπεδο και

| 4. | Μετάδοση κινήσεως με ιμάντα. |
| --- | --- |

4.

Μετάδοση κινήσεως με ιμάντα.

2B225Τηλεχειριστές που μπορούν να χρησιμοποιηθούν για χειρισμούς εξ αποστάσεως σε εργασίες ραδιοχημικού διαχωρισμού ή θερμούς θαλάμους, με ένα από τα εξής δύο χαρακτηριστικά:

| α. | Ικανότητα να διαπερνούν τοιχώματα θερμών (θωρακισμένων) θαλάμων πάχους 0,6 m ή μεγαλύτερου (εργασία δια μέσου του τοιχώματος) ή |
| --- | --- |

α.

Ικανότητα να διαπερνούν τοιχώματα θερμών (θωρακισμένων) θαλάμων πάχους 0,6 m ή μεγαλύτερου (εργασία δια μέσου του τοιχώματος) ή

| β. | Ικανότητα να υπερπηδούν τοιχώματα θερμών (θωρακισμένων) θαλάμων πάχους 0,6 m ή μεγαλύτερου (εργασία πάνω από το τοίχωμα). |
| --- | --- |

β.

Ικανότητα να υπερπηδούν τοιχώματα θερμών (θωρακισμένων) θαλάμων πάχους 0,6 m ή μεγαλύτερου (εργασία πάνω από το τοίχωμα).

Τεχνική παρατήρηση:

Οι τηλεχειριστές επιτυγχάνουν μεταφορά των κινήσεων του ανθρώπου-χειριστή με ένα ενεργητικό βραχίονα και μία τελική διάταξη συγκράτησης. Πρέπει να είναι του τύπου κύριος/υπηρέτης (master/slaνe) ή να ελέγχονται μέσω "joystick" ή πληκτρολογίου.

2B226Επαγωγικές κάμινοι ελεγχόμενης ατμόσφαιρας (κενού ή αδρανούς αερίου), και τροφοδοτικά ισχύος γι’ αυτές, ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 3Β.

| α. | Κάμινοι με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Ικανότητα λειτουργίας σε θερμοκρασίες άνω των 1 123 K (850°C), |
| --- | --- | --- |

α.

Κάμινοι με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Ικανότητα λειτουργίας σε θερμοκρασίες άνω των 1 123 K (850°C),

| 2. | Επαγωγικά πηνία διαμέτρου 600 mm και κάτω, και |
| --- | --- |

2.

Επαγωγικά πηνία διαμέτρου 600 mm και κάτω, και

| 3. | Σχεδιασμό για εισροή ισχύος 5 kw και άνω. |
| --- | --- |

3.

Σχεδιασμό για εισροή ισχύος 5 kw και άνω.

| β. | Τροφοδοτικά ισχύος με προσδιορισμένη εκροή ισχύος 5 kw και άνω, ειδικά σχεδιασμένα για τις καμίνους που προσδιορίζονται στο σημείο 2B226.α. |
| --- | --- |

β.

Τροφοδοτικά ισχύος με προσδιορισμένη εκροή ισχύος 5 kw και άνω, ειδικά σχεδιασμένα για τις καμίνους που προσδιορίζονται στο σημείο 2B226.α.

Σημείωση: Στο σημείο 2Β226.α. δεν υπάγονται οι κάμινοι που προορίζονται για την επεξεργασία πλακιδίων μονοκρυστάλλου ημιαγωγών.

2B227Μεταλλουργικές κάμινοι κενού ή άλλης ελεγχόμενης ατμόσφαιρας για τήξη και χύτευση και συναφής εξοπλισμός, ως εξής:

| α. | Κάμινοι ηλεκτρικού τόξου για ανάτηξη και χύτευση με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Δυναμικότητα αναλώσιμου ηλεκτροδίου 1 000 cm3 έως 20 000 cm3
  και |
| --- | --- | --- |

α.

Κάμινοι ηλεκτρικού τόξου για ανάτηξη και χύτευση με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Δυναμικότητα αναλώσιμου ηλεκτροδίου 1 000 cm3 έως 20 000 cm3
  και

| 2. | Ικανότητα λειτουργίας σε θερμοκρασίες τήξεως υψηλότερες από 1 973 K (1 700 °C). |
| --- | --- |

2.

Ικανότητα λειτουργίας σε θερμοκρασίες τήξεως υψηλότερες από 1 973 K (1 700 °C).

| β. | Κάμινοι τήξεως με δέσμη ηλεκτρονίων και κάμινοι ψεκασμού και τήξεως με πλάσμα, με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Ισχύς 50 kw ή μεγαλύτερης και |
| --- | --- | --- |

β.

Κάμινοι τήξεως με δέσμη ηλεκτρονίων και κάμινοι ψεκασμού και τήξεως με πλάσμα, με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Ισχύς 50 kw ή μεγαλύτερης και

| 2. | Ικανότητα λειτουργίας σε θερμοκρασίες τήξεως υψηλότερες από 1 473 Κ (1 200 °C). |
| --- | --- |

2.

Ικανότητα λειτουργίας σε θερμοκρασίες τήξεως υψηλότερες από 1 473 Κ (1 200 °C).

| γ. | Συστήματα ελέγχου και παρακολούθησης με υπολογιστή ειδικά σχεδιασμένα για οποιαδήποτε από τις καμίνους που προσδιορίζονται στα σημεία 2B227.α και β. |
| --- | --- |

γ.

Συστήματα ελέγχου και παρακολούθησης με υπολογιστή ειδικά σχεδιασμένα για οποιαδήποτε από τις καμίνους που προσδιορίζονται στα σημεία 2B227.α και β.

2B228Εξοπλισμός κατασκευής ή συναρμολόγησης δρομέων (ροτόρων), εξοπλισμός ευθειασμού δρομέων, και βοηθητικοί άξονες (μαντρέλια) και μήτρες μορφοποίησης φυσητήρων, ως εξής:

| α. | Εξοπλισμός συναρμολόγησης ροτόρων για τη συναρμολόγηση αυλωτών διατομών ροτόρων, διαφραγμάτων και τερματικών πωμάτων ροτόρων για φυγοκέντρους αερίου, στον οποίο


  Σημείωση: Στο σημείο 2B228.α. περιλαμβάνονται τα ανάλογα μαντρέλια ακριβείας, οι σφιγκτήρες και τα μηχανήματα συναρμογής με σύσφιγξη διαστολής-συστολής. |
| --- | --- |

α.

Εξοπλισμός συναρμολόγησης ροτόρων για τη συναρμολόγηση αυλωτών διατομών ροτόρων, διαφραγμάτων και τερματικών πωμάτων ροτόρων για φυγοκέντρους αερίου, στον οποίο

Σημείωση: Στο σημείο 2B228.α. περιλαμβάνονται τα ανάλογα μαντρέλια ακριβείας, οι σφιγκτήρες και τα μηχανήματα συναρμογής με σύσφιγξη διαστολής-συστολής.

| β. | Εξοπλισμός ευθυγράμμισης ροτόρων για την ευθυγράμμιση επί κοινού άξονα αυλωτών διατομών ροτόρων για φυγοκέντρους αερίου.
  Τεχνική παρατήρηση:

  Ο προσδιοριζόμενος στο σημείο 2.Β.228.β εξοπλισμός συνίσταται κατά κανόνα από καθετήρες μετρήσεων ακριβείας συνδεδεμένους με υπολογιστή, ο οποίος ελέγχει την επενέργεια π.χ. πνευματικών εμβόλων, που ευθυγραμμίζουν τις αυλωτές διατομές των ροτόρων. |
| --- | --- |

β.

Εξοπλισμός ευθυγράμμισης ροτόρων για την ευθυγράμμιση επί κοινού άξονα αυλωτών διατομών ροτόρων για φυγοκέντρους αερίου.

Τεχνική παρατήρηση:

Ο προσδιοριζόμενος στο σημείο 2.Β.228.β εξοπλισμός συνίσταται κατά κανόνα από καθετήρες μετρήσεων ακριβείας συνδεδεμένους με υπολογιστή, ο οποίος ελέγχει την επενέργεια π.χ. πνευματικών εμβόλων, που ευθυγραμμίζουν τις αυλωτές διατομές των ροτόρων.

| γ. | Μαντρέλια και μήτρες μορφοποίησης φυσητήρων για την κατασκευή φυσητήρων απλής έλικας (φυσητήρες).
  Τεχνική παρατήρηση:

  Οι φυσητήρες του σημείου 2B228.γ. έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:








  1. | Εσωτερική διάμετρο 75 mm έως 400 mm. |
| --- | --- | --- |

γ.

Μαντρέλια και μήτρες μορφοποίησης φυσητήρων για την κατασκευή φυσητήρων απλής έλικας (φυσητήρες).

Τεχνική παρατήρηση:

Οι φυσητήρες του σημείου 2B228.γ. έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Εσωτερική διάμετρο 75 mm έως 400 mm.

| 2. | Μήκος 12,7 mm ή μεγαλύτερο. |
| --- | --- |

2.

Μήκος 12,7 mm ή μεγαλύτερο.

| 3. | Βάθος της απλής έλικας μεγαλύτερο από 2 mm· και |
| --- | --- |

3.

Βάθος της απλής έλικας μεγαλύτερο από 2 mm· και

| 4. | Κατασκευή από κράματα αργιλίου υψηλής αντοχής, χάλυβα μαρτενγήρανσης ή "ινώδη ή νηματώδη υλικά" υψηλής αντοχής. |
| --- | --- |

4.

Κατασκευή από κράματα αργιλίου υψηλής αντοχής, χάλυβα μαρτενγήρανσης ή "ινώδη ή νηματώδη υλικά" υψηλής αντοχής.

2B230"Μορφοτροπείς πιέσεως" με ικανότητα μέτρησης απόλυτων πιέσεων σε οποιοδήποτε σημείο από 0 ως 13 kPa, και με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:

| α. | Αισθητήρες πιέσεως κατασκευασμένους ή προστατευόμενους από αλουμίνιο, κράματα αλουμινίου, νικέλιο, ή κράματα νικελίου με περιεκτικότητα σε νικέλιο άνω του 60 % κατά βάρος, και |
| --- | --- |

α.

Αισθητήρες πιέσεως κατασκευασμένους ή προστατευόμενους από αλουμίνιο, κράματα αλουμινίου, νικέλιο, ή κράματα νικελίου με περιεκτικότητα σε νικέλιο άνω του 60 % κατά βάρος, και

| β. | Οποιοδήποτε από τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Πλήρη κλίμακα κάτω των 13 kPa και "ακρίβεια" μεγαλύτερη από ± 1 % της πλήρους κλίμακας, ή |
| --- | --- | --- |

β.

Οποιοδήποτε από τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Πλήρη κλίμακα κάτω των 13 kPa και "ακρίβεια" μεγαλύτερη από ± 1 % της πλήρους κλίμακας, ή

| 2. | Πλήρη κλίμακα 13 kPa ή μεγαλύτερη και "ακρίβεια" μεγαλύτερη από ± 130 Pa. |
| --- | --- |

2.

Πλήρη κλίμακα 13 kPa ή μεγαλύτερη και "ακρίβεια" μεγαλύτερη από ± 130 Pa.

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του σημείου 2Β230, η "ακρίβεια" περιλαμβάνει τη μη γραμμικότητα, την υστέρηση και την επαναληψιμότητα σε θερμοκρασία περιβάλλοντος χώρου.

2B231Αντλίες κενού με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Στόμιο εισόδου μεγέθους 380 mm ή μεγαλύτερο, |
| --- | --- |

α.

Στόμιο εισόδου μεγέθους 380 mm ή μεγαλύτερο,

| β. | Ταχύτητα άντλησης 15 m3/s ή υψηλότερη και |
| --- | --- |

β.

Ταχύτητα άντλησης 15 m3/s ή υψηλότερη και

| γ. | Ικανότητα επίτευξης τελικού κενού καλύτερου από 13 mPa. |
| --- | --- |

γ.

Ικανότητα επίτευξης τελικού κενού καλύτερου από 13 mPa.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Η ταχύτητα άντλησης προσδιορίζεται στο σημείο μέτρησης με άζωτο ή αέρα. |
| --- | --- |

1.

Η ταχύτητα άντλησης προσδιορίζεται στο σημείο μέτρησης με άζωτο ή αέρα.

| 2. | Το τελικό κενό προσδιορίζεται στην είσοδο της αντλίας ενώ αυτή είναι τελείως φραγμένη. |
| --- | --- |

2.

Το τελικό κενό προσδιορίζεται στην είσοδο της αντλίας ενώ αυτή είναι τελείως φραγμένη.

2B232Πολυφασικά πυροβόλα ελαφρού αερίου ή άλλα συστήματα πυροβόλων υψηλής ταχύτητας (με πηνίο, ηλεκτρομαγνητικού και ηλεκτροθερμικού τύπου, και άλλα συστήματα προηγμένης τεχνολογίας), ικανά να επιταχύνουν βλήματα σε ταχύτητα 2 km/s ή μεγαλύτερη.

2B350Τεχνικά μέσα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη χημικής βιομηχανικής παραγωγής ως εξής:

| α. | Δοχεία αντιδραστήρων ή αντιδραστήρες, με ή χωρίς αναδευτήρες, συνολικού εσωτερικού (γεωμετρικού) όγκου άνω του 0,1 m3 (100 Lt) και κάτω των 20 m3 (20 000 Lt), στους οποίους όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:






  1. | Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος, |
| --- | --- | --- |

α.

Δοχεία αντιδραστήρων ή αντιδραστήρες, με ή χωρίς αναδευτήρες, συνολικού εσωτερικού (γεωμετρικού) όγκου άνω του 0,1 m3 (100 Lt) και κάτω των 20 m3 (20 000 Lt), στους οποίους όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1.

Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος,

| 2. | Φθοριούχα πολυμερή, |
| --- | --- |

2.

Φθοριούχα πολυμερή,

| 3. | Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων), |
| --- | --- |

3.

Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων),

| 4. | Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο, |
| --- | --- |

4.

Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο,

| 5. | Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου, |
| --- | --- |

5.

Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου,

| 6. | Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου, ή |
| --- | --- |

6.

Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου, ή

| 7. | Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου. |
| --- | --- |

7.

Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου.

| β. | Αναδευτήρες χρησιμοποιούμενοι σε δοχεία αντιδραστήρων ή αντιδραστήρες που ορίζονται στο σημείο 2Β350.α.· και πτερωτές, πτερύγια ή άξονες προς χρήση στους αναδευτήρες αυτούς, όπου όλες οι επιφάνειες των αναδευτήρων που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:






  1. | Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος, |
| --- | --- | --- |

β.

Αναδευτήρες χρησιμοποιούμενοι σε δοχεία αντιδραστήρων ή αντιδραστήρες που ορίζονται στο σημείο 2Β350.α.· και πτερωτές, πτερύγια ή άξονες προς χρήση στους αναδευτήρες αυτούς, όπου όλες οι επιφάνειες των αναδευτήρων που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1.

Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος,

| 2. | Φθοριούχα πολυμερή, |
| --- | --- |

2.

Φθοριούχα πολυμερή,

| 3. | Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων), |
| --- | --- |

3.

Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων),

| 4. | Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο, |
| --- | --- |

4.

Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο,

| 5. | Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου, |
| --- | --- |

5.

Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου,

| 6. | Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου, ή |
| --- | --- |

6.

Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου, ή

| 7. | Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου. |
| --- | --- |

7.

Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου.

| γ. | Δεξαμενές, περιέκτες ή υποδοχείς αποθήκευσης, συνολικού εσωτερικού (γεωμετρικού) όγκου άνω των 0,1 m3 (100 Lt), όπου όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:






  1. | Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος, |
| --- | --- | --- |

γ.

Δεξαμενές, περιέκτες ή υποδοχείς αποθήκευσης, συνολικού εσωτερικού (γεωμετρικού) όγκου άνω των 0,1 m3 (100 Lt), όπου όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1.

Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος,

| 2. | Φθοριούχα πολυμερή, |
| --- | --- |

2.

Φθοριούχα πολυμερή,

| 3. | Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων), |
| --- | --- |

3.

Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων),

| 4. | Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο, |
| --- | --- |

4.

Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο,

| 5. | Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου, |
| --- | --- |

5.

Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου,

| 6. | Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου, ή |
| --- | --- |

6.

Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου, ή

| 7. | Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου. |
| --- | --- |

7.

Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου.

| δ. | Εναλλάκτες θερμότητας ή συμπυκνωτές, με επιφάνεια μετάδοσης θερμότητας άνω των 0,15 m2 και κάτω των 20 m2· και σωλήνες, πετάσματα, πηνία ή τρόχιλοι (πυρήνες) προς χρήση σε αυτούς τους εναλλάκτες θερμότητας ή συμπυκνωτές, όπου όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:






  1. | Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος, |
| --- | --- | --- |

δ.

Εναλλάκτες θερμότητας ή συμπυκνωτές, με επιφάνεια μετάδοσης θερμότητας άνω των 0,15 m2 και κάτω των 20 m2· και σωλήνες, πετάσματα, πηνία ή τρόχιλοι (πυρήνες) προς χρήση σε αυτούς τους εναλλάκτες θερμότητας ή συμπυκνωτές, όπου όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1.

Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος,

| 2. | Φθοριούχα πολυμερή, |
| --- | --- |

2.

Φθοριούχα πολυμερή,

| 3. | Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων), |
| --- | --- |

3.

Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων),

| 4. | Γραφίτης ή "ανθρακογραφίτης", |
| --- | --- |

4.

Γραφίτης ή "ανθρακογραφίτης",

| 5. | Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο, |
| --- | --- |

5.

Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο,

| 6. | Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου, |
| --- | --- |

6.

Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου,

| 7. | Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου, |
| --- | --- |

7.

Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου,

| 8. | Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου, |
| --- | --- |

8.

Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου,

| 9. | Καρβίδιο του πυριτίου, ή |
| --- | --- |

9.

Καρβίδιο του πυριτίου, ή

| 10. | Καρβίδιο του τιτανίου. |
| --- | --- |

10.

Καρβίδιο του τιτανίου.

| ε. | Στήλες απόσταξης ή απορρόφησης, εσωτερικής διαμέτρου άνω των 0,1 m· και διανομείς υγρών, διανομείς ατόμων ή συλλεκτήρες υγρών προς χρήση σε αυτές τις στήλες απόσταξης ή απορρόφησης, όπου όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:






  1. | Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος, |
| --- | --- | --- |

ε.

Στήλες απόσταξης ή απορρόφησης, εσωτερικής διαμέτρου άνω των 0,1 m· και διανομείς υγρών, διανομείς ατόμων ή συλλεκτήρες υγρών προς χρήση σε αυτές τις στήλες απόσταξης ή απορρόφησης, όπου όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1.

Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος,

| 2. | Φθοριούχα πολυμερή, |
| --- | --- |

2.

Φθοριούχα πολυμερή,

| 3. | Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υάλινων επενδύσεων), |
| --- | --- |

3.

Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υάλινων επενδύσεων),

| 4. | Γραφίτης ή "ανθρακογραφίτης", |
| --- | --- |

4.

Γραφίτης ή "ανθρακογραφίτης",

| 5. | Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο, |
| --- | --- |

5.

Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο,

| 6. | Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου, |
| --- | --- |

6.

Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου,

| 7. | Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου, ή |
| --- | --- |

7.

Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου, ή

| 8. | Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου. |
| --- | --- |

8.

Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου.

| στ. | Τηλεχειριζόμενος εξοπλισμός πληρώσεως, στον οποίο όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:






  1. | Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος, |
| --- | --- | --- |

στ.

Τηλεχειριζόμενος εξοπλισμός πληρώσεως, στον οποίο όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1.

Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος,

| 2. | Νικέλιο ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο. |
| --- | --- |

2.

Νικέλιο ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο.

| ζ. | Βαλβίδες ονομαστικού μεγέθους άνω των 10 mm και περιβλήματα (σώματα βαλβίδων) ή προσχηματισμένες επενδύσεις περιβλημάτων σχεδιασμένες για τέτοιες βαλβίδες, όπου όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:






  1. | Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος, |
| --- | --- | --- |

ζ.

Βαλβίδες ονομαστικού μεγέθους άνω των 10 mm και περιβλήματα (σώματα βαλβίδων) ή προσχηματισμένες επενδύσεις περιβλημάτων σχεδιασμένες για τέτοιες βαλβίδες, όπου όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1.

Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος,

| 2. | Φθοριούχα πολυμερή, |
| --- | --- |

2.

Φθοριούχα πολυμερή,

| 3. | Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υάλινων επενδύσεων), |
| --- | --- |

3.

Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υάλινων επενδύσεων),

| 4. | Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο, |
| --- | --- |

4.

Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο,

| 5. | Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου, |
| --- | --- |

5.

Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου,

| 6. | Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου, ή |
| --- | --- |

6.

Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου, ή

| 7. | Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου. |
| --- | --- |

7.

Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου.

| η. | Πολύτοιχες σωληνώσεις με ενσωματωμένη θυρίδα ανίχνευσης διαρροών, των οποίων όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:






  1. | Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος, |
| --- | --- | --- |

η.

Πολύτοιχες σωληνώσεις με ενσωματωμένη θυρίδα ανίχνευσης διαρροών, των οποίων όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1.

Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος,

| 2. | Φθοριούχα πολυμερή, |
| --- | --- |

2.

Φθοριούχα πολυμερή,

| 3. | Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υάλινων επενδύσεων), |
| --- | --- |

3.

Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υάλινων επενδύσεων),

| 4. | Γραφίτης ή "ανθρακογραφίτης", |
| --- | --- |

4.

Γραφίτης ή "ανθρακογραφίτης",

| 5. | Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο, |
| --- | --- |

5.

Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο,

| 6. | Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου, |
| --- | --- |

6.

Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου,

| 7. | Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου, ή |
| --- | --- |

7.

Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου, ή

| 8. | Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου. |
| --- | --- |

8.

Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου.

| θ. | Αντλίες πολλαπλής στεγανότητας, με κίνηση με προστατευόμενο στάτη, με μαγνητική κίνηση, με φυσητήρα ή διάφραγμα, των οποίων ο μέγιστος ρυθμός ροής βάσει προδιαγραφών του κατασκευαστή είναι τουλάχιστον 0,6 m3/h ή αντλίες κενού, των οποίων ο μέγιστος ρυθμός ροής βάσει προδιαγραφών του κατασκευαστή είναι τουλάχιστον 5 m3/h (υπό κανονικές συνθήκες θερμοκρασίας [273 K (0° C)] και πίεσης (101,3 kPa)· και περιβλήματα (σώματα αντλιών), προσχηματισμένα χιτώνια περιβλημάτων, πτερωτές, ρότορες ή ακροφύσια αντλιών δι’ εκτοξεύσεως προς χρήση στις αντλίες αυτές, των οποίων όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:






  1. | Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος, |
| --- | --- | --- |

θ.

Αντλίες πολλαπλής στεγανότητας, με κίνηση με προστατευόμενο στάτη, με μαγνητική κίνηση, με φυσητήρα ή διάφραγμα, των οποίων ο μέγιστος ρυθμός ροής βάσει προδιαγραφών του κατασκευαστή είναι τουλάχιστον 0,6 m3/h ή αντλίες κενού, των οποίων ο μέγιστος ρυθμός ροής βάσει προδιαγραφών του κατασκευαστή είναι τουλάχιστον 5 m3/h (υπό κανονικές συνθήκες θερμοκρασίας [273 K (0° C)] και πίεσης (101,3 kPa)· και περιβλήματα (σώματα αντλιών), προσχηματισμένα χιτώνια περιβλημάτων, πτερωτές, ρότορες ή ακροφύσια αντλιών δι’ εκτοξεύσεως προς χρήση στις αντλίες αυτές, των οποίων όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1.

Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος,

| 2. | Κεραμικά, |
| --- | --- |

2.

Κεραμικά,

| 3. | Σιδηρούχος σιλικόνη, |
| --- | --- |

3.

Σιδηρούχος σιλικόνη,

| 4. | Φθοριούχα πολυμερή, |
| --- | --- |

4.

Φθοριούχα πολυμερή,

| 5. | Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων), |
| --- | --- |

5.

Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων),

| 6. | Γραφίτης ή "ανθρακογραφίτης", |
| --- | --- |

6.

Γραφίτης ή "ανθρακογραφίτης",

| 7. | Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο, |
| --- | --- |

7.

Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο,

| 8. | Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου, |
| --- | --- |

8.

Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου,

| 9. | Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου, ή |
| --- | --- |

9.

Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου, ή

| 10. | Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου. |
| --- | --- |

10.

Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου.

| ι. | Αποτεφρωτήρες για την καταστροφή των χημικών ουσιών που προσδιορίζονται στην παράγραφο 1C350, με ειδικά σχεδιασμένα συστήματα τροφοδοσίας αποβλήτων, ειδικές διατάξεις χειρισμού και μέση θερμοκρασία θαλάμου καύσεως άνω των 1 273 Κ (1 000 °C), στους οποίους όλες οι επιφάνειες του συστήματος τροφοδοσίας αποβλήτων που έρχονται σε άμεση επαφή με τα απόβλητα είναι κατασκευασμένες ή επενδυμένες με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:






  1. | Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος, |
| --- | --- | --- |

ι.

Αποτεφρωτήρες για την καταστροφή των χημικών ουσιών που προσδιορίζονται στην παράγραφο 1C350, με ειδικά σχεδιασμένα συστήματα τροφοδοσίας αποβλήτων, ειδικές διατάξεις χειρισμού και μέση θερμοκρασία θαλάμου καύσεως άνω των 1 273 Κ (1 000 °C), στους οποίους όλες οι επιφάνειες του συστήματος τροφοδοσίας αποβλήτων που έρχονται σε άμεση επαφή με τα απόβλητα είναι κατασκευασμένες ή επενδυμένες με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1.

Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος,

| 2. | Κεραμικά, ή |
| --- | --- |

2.

Κεραμικά, ή

| 3. | Νικέλιο ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο. |
| --- | --- |

3.

Νικέλιο ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο.

Τεχνική παρατήρηση:

"Ανθρακογραφίτης" είναι μια σύνθεση που αποτελείται από άμορφο άνθρακα και γραφίτη, και στην οποία η κατά βάρος περιεκτικότητα σε γραφίτη ανέρχεται σε 8 % και άνω.

2B351Συστήματα ελέγχου και παρακολούθησης τοξικών αερίων ως εξής· και ειδικοί ανιχνευτές για αυτά:

| α. | Σχεδιασμένα για συνεχή λειτουργία και χρησιμοποιούμενα για την ανίχνευση παραγόντων χημικού πολέμου ή των χημικών ουσιών που προσδιορίζονται στην παράγραφο 1C350, σε συγκεντρώσεις χαμηλότερες από 0,3 mg/m3, ή |
| --- | --- |

α.

Σχεδιασμένα για συνεχή λειτουργία και χρησιμοποιούμενα για την ανίχνευση παραγόντων χημικού πολέμου ή των χημικών ουσιών που προσδιορίζονται στην παράγραφο 1C350, σε συγκεντρώσεις χαμηλότερες από 0,3 mg/m3, ή

| β. | Σχεδιασμένα για την ανίχνευση ενώσεων που έχουν δράση παρεμποδιστική της χολινεστεράσης. |
| --- | --- |

β.

Σχεδιασμένα για την ανίχνευση ενώσεων που έχουν δράση παρεμποδιστική της χολινεστεράσης.

2B352Εξοπλισμός με ικανότητα χρησιμοποίησης για τον χειρισμό βιολογικών υλικών, ως εξής:

| α. | Τεχνικά μέσα πλήρους βιολογικού περιορισμού σε κλειστό περιβάλλον επιπέδων Ρ3, Ρ4,
  Τεχνική παρατήρηση:

  Τα επίπεδα περιορισμού σε κλειστό περιβάλλον Ρ3 ή Ρ4 (ΒL3, BL4, L3, L4) προσδιορίζονται στο εγχειρίδιο Εργαστηριακής Βιοασφάλειας της ΠΟΥ (Β' Έκδοση, Γενεύη, 1993). |
| --- | --- |

α.

Τεχνικά μέσα πλήρους βιολογικού περιορισμού σε κλειστό περιβάλλον επιπέδων Ρ3, Ρ4,

Τεχνική παρατήρηση:

Τα επίπεδα περιορισμού σε κλειστό περιβάλλον Ρ3 ή Ρ4 (ΒL3, BL4, L3, L4) προσδιορίζονται στο εγχειρίδιο Εργαστηριακής Βιοασφάλειας της ΠΟΥ (Β' Έκδοση, Γενεύη, 1993).

| β. | Αντιδραστήρες με ικανότητα καλλιέργειας παθογόνων "μικροοργανισμών", ιών ή με ικανότητα παραγωγής τοξινών, χωρίς διασπορά αερολυμάτων και με συνολική χωρητικότητα 20 λίτρων ή μεγαλύτερη.
  Τεχνική παρατήρηση:

  Στους αντιδραστήρες συμπεριλαμβάνονται οι βιοαντιδραστήρες, οι χημειοστάτες και τα συστήματα συνεχούς ροής. |
| --- | --- |

β.

Αντιδραστήρες με ικανότητα καλλιέργειας παθογόνων "μικροοργανισμών", ιών ή με ικανότητα παραγωγής τοξινών, χωρίς διασπορά αερολυμάτων και με συνολική χωρητικότητα 20 λίτρων ή μεγαλύτερη.

Τεχνική παρατήρηση:

Στους αντιδραστήρες συμπεριλαμβάνονται οι βιοαντιδραστήρες, οι χημειοστάτες και τα συστήματα συνεχούς ροής.

| γ. | Φυγοκεντρικοί διαχωριστές με ικανότητα συνεχούς διαχωρισμού χωρίς διασπορά αερολυμάτων και με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Παροχή μεγαλύτερη από 100 λίτρα ανά ώρα, |
| --- | --- | --- |

γ.

Φυγοκεντρικοί διαχωριστές με ικανότητα συνεχούς διαχωρισμού χωρίς διασπορά αερολυμάτων και με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Παροχή μεγαλύτερη από 100 λίτρα ανά ώρα,

| 2. | Συστατικά μέρη από στιλβωμένο ανοξείδωτο χάλυβα ή τιτάνιο, |
| --- | --- |

2.

Συστατικά μέρη από στιλβωμένο ανοξείδωτο χάλυβα ή τιτάνιο,

| 3. | Έναν ή περισσότερους στεγανοποιητικούς συνδέσμους στο χώρο περιορισμού σε κλειστό περιβάλλον με ατμό, και |
| --- | --- |

3.

Έναν ή περισσότερους στεγανοποιητικούς συνδέσμους στο χώρο περιορισμού σε κλειστό περιβάλλον με ατμό, και

| 4. | Δυνατότητα επιτόπιας υγρής αποστείρωσης σε κλειστή κατάσταση. |
| --- | --- |

4.

Δυνατότητα επιτόπιας υγρής αποστείρωσης σε κλειστή κατάσταση.

Τεχνική παρατήρηση:

Στους φυγοκεντρικούς διαχωριστές συμπεριλαμβάνονται τα δοχεία ή δεξαμενές απόχυσης.

| δ. | Εξοπλισμός διήθησης με εγκάρσια (εφαπτομενική) ροή και κατασκευαστικά του μέρη, ως εξής:






  1. | Εξοπλισμός διήθησης με εγκάρσια (εφαπτομενική) ροή, ικανός να διαχωρίζει παθογόνους μικροοργανισμούς, ιούς, τοξίνες ή κυτταροκαλλιέργειες χωρίς διασπορά αερολυμάτων, και με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά






  α. | Συνολική διηθητική επιφάνεια 1 m2 και άνω, και |
| --- | --- | --- | --- |

δ.

Εξοπλισμός διήθησης με εγκάρσια (εφαπτομενική) ροή και κατασκευαστικά του μέρη, ως εξής:

1.

Εξοπλισμός διήθησης με εγκάρσια (εφαπτομενική) ροή, ικανός να διαχωρίζει παθογόνους μικροοργανισμούς, ιούς, τοξίνες ή κυτταροκαλλιέργειες χωρίς διασπορά αερολυμάτων, και με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά

α.

Συνολική διηθητική επιφάνεια 1 m2 και άνω, και

| β. | Δυνατότητα επιτόπιας αποστείρωσης ή απολύμανσης.
  Τεχνική παρατήρηση:

  Στο σημείο 2B352.δ.1.β, ως αποστείρωση νοείται η εξάλειψη όλων των βιώσιμων μικροβίων από τον εξοπλισμό με χρήση είτε φυσικών μέσων (π.χ. ατμού) είτε χημικών παραγόντων, ως απολύμανση δε η εξάλειψη της δυνητικής μικροβιακής μολυσματικότητας του εξοπλισμού με χρήση μικροβιοκτόνων χημικών παραγόντων. τα δύο αυτά διακρίνονται από την απλή εξυγίανση, τις διεργασίες δηλαδή καθαρισμού που μειώνουν το μικροβιακό περιεχόμενο του εξοπλισμού χωρίς αναγκαστικά να εξαλείφουν κάθε ίχνος μικροβιακής μολυσματικότητας ή βιωσιμότητας. |
| --- | --- |

β.

Δυνατότητα επιτόπιας αποστείρωσης ή απολύμανσης.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 2B352.δ.1.β, ως αποστείρωση νοείται η εξάλειψη όλων των βιώσιμων μικροβίων από τον εξοπλισμό με χρήση είτε φυσικών μέσων (π.χ. ατμού) είτε χημικών παραγόντων, ως απολύμανση δε η εξάλειψη της δυνητικής μικροβιακής μολυσματικότητας του εξοπλισμού με χρήση μικροβιοκτόνων χημικών παραγόντων. τα δύο αυτά διακρίνονται από την απλή εξυγίανση, τις διεργασίες δηλαδή καθαρισμού που μειώνουν το μικροβιακό περιεχόμενο του εξοπλισμού χωρίς αναγκαστικά να εξαλείφουν κάθε ίχνος μικροβιακής μολυσματικότητας ή βιωσιμότητας.

| 2. | Κατασκευαστικά στοιχεία (π.χ. δομοστοιχεία, ηθμοστοιχεία, κασέτες, φυσίγγια, πλάκες και πλακίδια) εξοπλισμού διήθησης με εγκάρσια (εφαπτομενική) ροή, με διηθητική επιφάνεια 0,2 m2 και άνω για κάθε κατασκευαστικό στοιχείο, και σχεδιασμένα προς χρήση σε εξοπλισμό διήθησης με εγκάρσια (εφαπτομενική) ροή προσδιοριζόμενο στο σημείο 2B352.δ. |
| --- | --- |

2.

Κατασκευαστικά στοιχεία (π.χ. δομοστοιχεία, ηθμοστοιχεία, κασέτες, φυσίγγια, πλάκες και πλακίδια) εξοπλισμού διήθησης με εγκάρσια (εφαπτομενική) ροή, με διηθητική επιφάνεια 0,2 m2 και άνω για κάθε κατασκευαστικό στοιχείο, και σχεδιασμένα προς χρήση σε εξοπλισμό διήθησης με εγκάρσια (εφαπτομενική) ροή προσδιοριζόμενο στο σημείο 2B352.δ.

Σημείωση: Στο σημείο 2B352.δ. δεν εμπίπτει ο εξοπλισμός αντίστροφης ώσμωσης, όπως προδιαγράφεται από τον κατασκευαστή του.

| ε. | Εξοπλισμός λυοφιλίωσης, επιδεχόμενος υγρή αποστείρωση, με δυναμικότητα συμπυκνωτή μεγαλύτερη από 10 kg πάγου το 24ωρο και μικρότερη από 1 000 kg πάγου το 24ωρο. |
| --- | --- |

ε.

Εξοπλισμός λυοφιλίωσης, επιδεχόμενος υγρή αποστείρωση, με δυναμικότητα συμπυκνωτή μεγαλύτερη από 10 kg πάγου το 24ωρο και μικρότερη από 1 000 kg πάγου το 24ωρο.

| στ. | Προστατευτικός εξοπλισμός και εξοπλισμός περιορισμού, ως εξής:






  1. | Προστατευτικές ολόσωμες ή μερικές ενδυμασίες, ή κουκούλες οι οποίες συνδέονται με παροχή εξωτερικού αέρα και λειτουργούν υπό θετική πίεση,


  Σημείωση: Στο 2Β352.στ.1, δεν ελέγχονται οι ενδυμασίες που πρέπει να φέρονται με ανεξάρτητη συσκευή αναπνοής. |
| --- | --- | --- |

στ.

Προστατευτικός εξοπλισμός και εξοπλισμός περιορισμού, ως εξής:

1.

Προστατευτικές ολόσωμες ή μερικές ενδυμασίες, ή κουκούλες οι οποίες συνδέονται με παροχή εξωτερικού αέρα και λειτουργούν υπό θετική πίεση,

Σημείωση: Στο 2Β352.στ.1, δεν ελέγχονται οι ενδυμασίες που πρέπει να φέρονται με ανεξάρτητη συσκευή αναπνοής.

| 2. | Ερμάρια ή στεγανές απομονωμένες συσκευές (απομονωτήρες) βιολογικής ασφαλείας, κατηγορίας III, ή με παρόμοιες προδιαγραφές επιδόσεων.


  Σημείωση: Στις στεγανές απομονωμένες συσκευές του σημείου 2Β352.στ.2, συμπεριλαμβάνονται οι εύκαμπτοι απομονωτήρες, οι θάλαμοι εργασίας σε ατμόσφαιρα αδρανούς αερίου, οι θάλαμοι εργασίας σε αναερόβιες συνθήκες, τα κιβώτια με πλαστικά γάντια και οι καπνοθάλαμοι αστρόβιλης ροής (κλειστοί με κατακόρυφη ροή). |
| --- | --- |

2.

Ερμάρια ή στεγανές απομονωμένες συσκευές (απομονωτήρες) βιολογικής ασφαλείας, κατηγορίας III, ή με παρόμοιες προδιαγραφές επιδόσεων.

Σημείωση: Στις στεγανές απομονωμένες συσκευές του σημείου 2Β352.στ.2, συμπεριλαμβάνονται οι εύκαμπτοι απομονωτήρες, οι θάλαμοι εργασίας σε ατμόσφαιρα αδρανούς αερίου, οι θάλαμοι εργασίας σε αναερόβιες συνθήκες, τα κιβώτια με πλαστικά γάντια και οι καπνοθάλαμοι αστρόβιλης ροής (κλειστοί με κατακόρυφη ροή).

| ζ. | Θάλαμοι για ανοσολογικές δοκιμές πρόκλησης (ερεθισμού) αερολυμάτων με "μικροοργανισμούς", ιούς ή "τοξίνες" χωρητικότητας 1 m3 ή μεγαλύτερης. |
| --- | --- |

ζ.

Θάλαμοι για ανοσολογικές δοκιμές πρόκλησης (ερεθισμού) αερολυμάτων με "μικροοργανισμούς", ιούς ή "τοξίνες" χωρητικότητας 1 m3 ή μεγαλύτερης.

2CΥλικά

Ουδέν.

2DΛογισμικό

2D001"Λογισμικό", πλην του "λογισμικού" που προσδιορίζεται στο σημείο 2D002, ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την "ανάπτυξη", την "παραγωγή" ή τη "χρήση" του εξοπλισμού που προσδιορίζεται στις παραγράφους 2Α001 ή 2Β001 έως 2Β009.

2D002"Λογισμικό" για ηλεκτρονικές διατάξεις, ακόμη και όταν ευρίσκεται σε ηλεκτρονική διάταξη ή σύστημα, που επιτρέπει σε τέτοιες διατάξεις ή συστήματα να λειτουργούν ως μονάδα "ψηφιακού ελέγχου" ικανή για ταυτόχρονο συνδυασμό περισσοτέρων των τεσσάρων αξόνων για τον "έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος".

Σημείωση 1: Στο σημείο 2D002 δεν υπάγεται το "λογισμικό" που είναι ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για τη λειτουργία εργαλειομηχανών που δεν προσδιορίζονται στην κατηγορία 2.

Σημείωση 2: Στο σημείο 2D002 δεν υπάγεται το" λογισμικό" για είδη που προσδιορίζονται στο 2Β002. Για τον έλεγχο του "λογισμικού" για τα είδη του σημείου 2Β002, βλ. σημείο 2D001.

2D101"Λογισμικό", ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για τη "χρήση" του εξοπλισμού που προσδιορίζεται στις παραγράφους 2Β104, 2Β105, 2Β109, 2Β116, 2Β117 ή 2Β119 έως 2Β122.

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9D004.

2D201"Λογισμικό", ειδικά σχεδιασμένο για τη "χρήση" του εξοπλισμού που προσδιορίζεται στις παραγράφους 2Β204, 2Β206, 2Β207, 2Β209, 2Β219 ή 2Β227.

2D202"Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την "ανάπτυξη", "παραγωγή" ή "χρήση" εξοπλισμού που προσδιορίζεται στη παράγραφο 2Β201.

2EΤεχνολογία

2E001"Τεχνολογία" κατά την έννοια των Παρατηρήσεων Γενικής Τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» του εξοπλισμού ή "λογισμικού" που προσδιορίζεται [Μ] στις υποκατηγορίες 2Α, 2Β ή 2D.

2E002"Τεχνολογία" κατά την έννοια των Παρατηρήσεων Γενικής Τεχνολογίας για την "παραγωγή" του εξοπλισμού που προσδιορίζεται στις υποκατηγορίες 2Α ή 2Β.

2E003Άλλη "τεχνολογία", ως εξής:

| α. | "Τεχνολογία" για την ανάπτυξη διαλογικών γραφικών (υπολογιστή) ως αναπόσπαστου μέρους μονάδων "ψηφιακού ελέγχου" για την προετοιμασία ή την τροποποίηση υπορουτινών προγράμματος. |
| --- | --- |

α.

"Τεχνολογία" για την ανάπτυξη διαλογικών γραφικών (υπολογιστή) ως αναπόσπαστου μέρους μονάδων "ψηφιακού ελέγχου" για την προετοιμασία ή την τροποποίηση υπορουτινών προγράμματος.

| β. | "Τεχνολογία" για διεργασίες μεταλλουργικής βιομηχανικής παραγωγής, ως εξής:






  1. | "Τεχνολογία" για το σχεδιασμό εργαλείων, μητρών ή διατάξεων συγκράτησης ειδικά για τις ακόλουθες διεργασίες:






  α. | "Μορφοποίηση σε υπερπλαστική κατάσταση", |
| --- | --- | --- | --- |

β.

"Τεχνολογία" για διεργασίες μεταλλουργικής βιομηχανικής παραγωγής, ως εξής:

1.

"Τεχνολογία" για το σχεδιασμό εργαλείων, μητρών ή διατάξεων συγκράτησης ειδικά για τις ακόλουθες διεργασίες:

α.

"Μορφοποίηση σε υπερπλαστική κατάσταση",

| β. | "Συγκόλληση με διάχυση", ή |
| --- | --- |

β.

"Συγκόλληση με διάχυση", ή

| γ. | "Υδραυλική συμπίεση άμεσης επενέργειας". |
| --- | --- |

γ.

"Υδραυλική συμπίεση άμεσης επενέργειας".

| 2. | Τεχνικά δεδομένα, τα οποία συνίστανται από τις τεχνικές ή παραμέτρους διεργασίας που απαριθμούνται παρακάτω και χρησιμοποιούνται για τον έλεγχο:






  α. | Της "μορφοποίησης σε υπερπλαστική κατάσταση" κραμάτων αργιλίου, κραμάτων τιτανίου ή "υπερκραμάτων":






  1. | Προετοιμασία επιφανειών, |
| --- | --- | --- | --- |

2.

Τεχνικά δεδομένα, τα οποία συνίστανται από τις τεχνικές ή παραμέτρους διεργασίας που απαριθμούνται παρακάτω και χρησιμοποιούνται για τον έλεγχο:

α.

Της "μορφοποίησης σε υπερπλαστική κατάσταση" κραμάτων αργιλίου, κραμάτων τιτανίου ή "υπερκραμάτων":

1.

Προετοιμασία επιφανειών,

| 2. | Ταχύτητα παραμόρφωσης, |
| --- | --- |

2.

Ταχύτητα παραμόρφωσης,

| 3. | Θερμοκρασία, |
| --- | --- |

3.

Θερμοκρασία,

| 4. | Πίεση. |
| --- | --- |

4.

Πίεση.

| β. | Της "συγκόλλησης με διάχυση" κραμάτων τιτανίου ή "υπερκραμάτων":






  1. | Προετοιμασία επιφανειών, |
| --- | --- | --- |

β.

Της "συγκόλλησης με διάχυση" κραμάτων τιτανίου ή "υπερκραμάτων":

1.

Προετοιμασία επιφανειών,

| 2. | Θερμοκρασία, |
| --- | --- |

2.

Θερμοκρασία,

| 3. | Πίεση. |
| --- | --- |

3.

Πίεση.

| γ. | Της "υδραυλικής συμπίεσης άμεσης ενέργειας" κραμάτων αργιλίου ή κραμάτων τιτανίου:






  1. | Πίεση, |
| --- | --- | --- |

γ.

Της "υδραυλικής συμπίεσης άμεσης ενέργειας" κραμάτων αργιλίου ή κραμάτων τιτανίου:

1.

Πίεση,

| 2. | Χρόνος κύκλου. |
| --- | --- |

2.

Χρόνος κύκλου.

| δ. | Της "ισοστατικής πύκνωσης εν θερμώ" κραμάτων τιτανίου, κραμάτων αργιλίου ή "υπερκραμάτων":






  1. | Θερμοκρασία, |
| --- | --- | --- |

δ.

Της "ισοστατικής πύκνωσης εν θερμώ" κραμάτων τιτανίου, κραμάτων αργιλίου ή "υπερκραμάτων":

1.

Θερμοκρασία,

| 2. | Πίεση, |
| --- | --- |

2.

Πίεση,

| 3. | Χρόνος κύκλου. |
| --- | --- |

3.

Χρόνος κύκλου.

| γ. | "Τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" ή την "παραγωγή" υδραυλικών μηχανών μορφοποίησης με επιμήκυνση και μητρών για τις μηχανές αυτές για την κατασκευή δομών αεροσκαφών (αεροσκάφη χωρίς το προωθητικό σύστημα). |
| --- | --- |

γ.

"Τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" ή την "παραγωγή" υδραυλικών μηχανών μορφοποίησης με επιμήκυνση και μητρών για τις μηχανές αυτές για την κατασκευή δομών αεροσκαφών (αεροσκάφη χωρίς το προωθητικό σύστημα).

| δ. | "Τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" γεννητριών εντολών για εργαλειομηχανές (π.χ. υπορουτίνες προγράμματος) από δεδομένα σχεδιασμού, εγκατεστημένων σε μονάδες "ψηφιακού ελέγχου". |
| --- | --- |

δ.

"Τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" γεννητριών εντολών για εργαλειομηχανές (π.χ. υπορουτίνες προγράμματος) από δεδομένα σχεδιασμού, εγκατεστημένων σε μονάδες "ψηφιακού ελέγχου".

| ε. | Τεχνολογία για την ανάπτυξη "λογισμικού" ολοκλήρωσης με σκοπό την ενσωμάτωση στις μονάδες "ψηφιακού ελέγχου" έμπειρων συστημάτων που εξασφαλίζουν προηγμένη υποστήριξη αποφάσεων για τις εργασίες της αίθουσας παραγωγής. |
| --- | --- |

ε.

Τεχνολογία για την ανάπτυξη "λογισμικού" ολοκλήρωσης με σκοπό την ενσωμάτωση στις μονάδες "ψηφιακού ελέγχου" έμπειρων συστημάτων που εξασφαλίζουν προηγμένη υποστήριξη αποφάσεων για τις εργασίες της αίθουσας παραγωγής.

| στ. | "Τεχνολογία" για την εφαρμογή των ανοργάνων επιχρισμάτων επίστρωσης ή ανοργάνων επιχρισμάτων μετατροπής επιφανειών που προσδιορίζονται στην τρίτη στήλη του παρακάτω πίνακα· στα μη ηλεκτρονικά υποστρώματα που προσδιορίζονται στη δεύτερη στήλη του παρακάτω πίνακα· με τις τεχνικές που αναφέρονται στην πρώτη στήλη του παρακάτω πίνακα και ορίζονται στην Τεχνική Σημείωση.


  Σημείωση: Ο πίνακας και η Τεχνική Σημείωση εμφανίζονται μετά το σημείο 2E301. |
| --- | --- |

στ.

"Τεχνολογία" για την εφαρμογή των ανοργάνων επιχρισμάτων επίστρωσης ή ανοργάνων επιχρισμάτων μετατροπής επιφανειών που προσδιορίζονται στην τρίτη στήλη του παρακάτω πίνακα· στα μη ηλεκτρονικά υποστρώματα που προσδιορίζονται στη δεύτερη στήλη του παρακάτω πίνακα· με τις τεχνικές που αναφέρονται στην πρώτη στήλη του παρακάτω πίνακα και ορίζονται στην Τεχνική Σημείωση.

Σημείωση: Ο πίνακας και η Τεχνική Σημείωση εμφανίζονται μετά το σημείο 2E301.

2E101"Τεχνολογία", κατά την έννοια της Γενικής Σημείωσης περί Τεχνολογίας, για τη "χρήση" του εξοπλισμού ή του "λογισμικού" που προσδιορίζεται στις παραγράφους 2Β004, 2Β009, 2Β104, 2Β109, 2Β116, 2Β119 έως 2Β122 ή 2D101.

2E201"Τεχνολογία", κατά την έννοια της Γενικής Σημείωσης περί Τεχνολογίας, για τη "χρήση" του εξοπλισμού ή "λογισμικού" που προσδιορίζεται στις παραγράφους ή στα εδάφια 2Α225, 2Α226, 2Β001, 2Β006, 2Β007.β., 2Β007.γ., 2Β008, 2Β009, 2Β201, 2Β204, 2Β206, 2Β207, 2Β209, 2Β225 έως 2Β232, 2D201 ή 2D202.

2E301"Τεχνολογία", κατά την έννοια της Γενικής Σημείωσης περί Τεχνολογίας, για τη "χρήση" των προϊόντων που προσδιορίζονται στις παραγράφους 2Β350 έως 2Β352.

Πίνακας

Τεχνικές εναπόθεσης

| 1. | Μέθοδος επίχρισης (1) (2) |
| --- | --- |

1.

Μέθοδος επίχρισης (1) (2)

| 2. | Υπόστρωμα |
| --- | --- |

2.

Υπόστρωμα

| 3. | Λαμβανόμενο επίχρισμα |
| --- | --- |

3.

Λαμβανόμενο επίχρισμα

| A. | Εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους (CVD) |
| --- | --- |

A.

Εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους (CVD)

"Υπερκράματα"

Αργιλίδια για εσωτερικά αγωγών

Κεραμικά υλικά (19) και γυαλί μικρής διαστολής (14)

Πυριτίδια

Καρβίδια

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Αδάμας

Αδαμαντοειδής άνθρακας (17)

"Σύνθετα υλικά" με "βάση" άνθρακα-άνθρακα, κεραμικό υλικό και μέταλλο

Πυριτίδια

Καρβίδια

Πυρίμαχα μέταλλα

Μίγματα αυτών (4)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Αργιλίδια

Κραματοποιημένα αργιλίδια (2)

Νιτρίδιο βορίου

Επιστοιχειωμένο (ενανθρακωμένο) καρβίδιο βολφραμίου (16), καρβίδιο πυριτίου (18)

Καρβίδια

Βολφράμιο

Μίγματα αυτών (4)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Μολυβδαίνιο και Κράματα μολυβδαινίου

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Βηρύλλιο και Κράματα βηρυλλίου

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Αδάμας

Αδαμαντοειδής άνθρακας (17)

Υλικά παραθύρων Αισθητήρων (9)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Αδάμας

Αδαμαντοειδής άνθρακας (17)

| B. | Εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους θερμικής εξάτμισης (TE-PVD) |
| --- | --- |

B.

Εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους θερμικής εξάτμισης (TE-PVD)

| B.1. | Εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους (PVD): Δέσμη ηλεκτρονίων (EB-PVD) |
| --- | --- |

B.1.

Εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους (PVD): Δέσμη ηλεκτρονίων (EB-PVD)

"Υπερκράματα"

Κραματοποιημένα πυριτίδια

Κραματοποιημένα αργιλίδια (2)

MCrAlX (5)

Τροποποιημένη ζιρκονία (12)

Πυριτίδια

Αργιλίδια

Μίγματα αυτών (4)

Κεραμικά υλικά (19) και γυαλί μικρής διαστολής (14)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Χάλυβας ανθεκτικός στη διάβρωση (7)

MCrAlX (5)

Τροποποιημένη ζιρκονία (12)

Μίγματα αυτών (4)

"Σύνθετα υλικά" με "βάση" άνθρακα-άνθρακα, κεραμικό υλικό και μέταλλο

Πυριτίδια

Καρβίδια

Πυρίμαχα μέταλλα

Μίγματα αυτών (4)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Νιτρίδιο βορίου

Επιστοιχειωμένο (ενανθρακωμένο) καρβίδιο βολφραμίου (16), καρβίδιο πυριτίου (18)

Καρβίδια

Βολφράμιο

Μίγματα αυτών (4)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Μολυβδαίνιο και κράματα μολυβδαινίου

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Βηρύλλιο και κράματα βηρυλλίου

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Βορίδια

Βηρύλλιο

Υλικά παραθύρων αισθητήρων (9)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Κράματα τιτανίου (13)

Βορίδια

Νιτρίδια

| B.2. | Εναπόθεση ατμού με φυσική μέθοδο θέρμανσης με ηλεκτρική αντίσταση, υποβοηθούμενη από ιόντα (PVD) (ιοντική επιμετάλλωση) |
| --- | --- |

B.2.

Εναπόθεση ατμού με φυσική μέθοδο θέρμανσης με ηλεκτρική αντίσταση, υποβοηθούμενη από ιόντα (PVD) (ιοντική επιμετάλλωση)

Κεραμικά υλικά (19) και γυαλί μικρής διαστολής (14)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Αδαμαντοειδής άνθρακας (17)

"Σύνθετα υλικά" με "βάση" άνθρακα- άνθρακα, κεραμικό υλικό και μέταλλο

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Επιστοιχειωμένο (ενανθρακωμένο) καρβίδιο βολφραμίου (16), καρβίδιο πυριτίου

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Μολυβδαίνιο και κράματα μολυβδαινίου

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Βηρύλλιο και κράματα βηρυλλίου

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Υλικά παραθύρων αισθητήρων (9)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Αδαμαντοειδής άνθρακας (17)

| B.3. | Εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους (PVD): εξάτμιση με "λέιζερ" |
| --- | --- |

B.3.

Εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους (PVD): εξάτμιση με "λέιζερ"

Κεραμικά υλικά (19) και γυαλί μικρής διαστολής (14)

Πυριτίδια

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Αδαμαντοειδής άνθρακας (17)

"Σύνθετα υλικά" με "βάση" άνθρακα-άνθρακα, κεραμικό υλικό και μέταλλο

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Επιστοιχειωμένο (ενανθρακωμένο) καρβίδιο βολφραμίου (16), καρβίδιο πυριτίου

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Μολυβδαίνιο και κράματα μολυβδαινίου

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Βηρύλλιο και κράματα βηρυλλίου

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Υλικά παραθύρων αισθητήρων (9)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Αδαμαντοειδής άνθρακας (17)

| B.4. | Εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους (PVD): καθοδική εκκένωση τόξου |
| --- | --- |

B.4.

Εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους (PVD): καθοδική εκκένωση τόξου

"Υπερκράματα"

Κραματοποιημένα πυριτίδια

Κραματοποιημένα αργιλίδια (2)

MCrAlX (5)

Πολυμερή (11) και "σύνθετα υλικά" οργανικής "βάσης"

Βορίδια

Καρβίδια

Νιτρίδια

Αδαμαντοειδής άνθρακας (17)

| Γ. | Επιστοιχείωση (ενανθράκωση) σε στήλη (για επιστοιχείωση εκτός στήλης, βλ. Α παραπάνω (10) |
| --- | --- |

Γ.

Επιστοιχείωση (ενανθράκωση) σε στήλη (για επιστοιχείωση εκτός στήλης, βλ. Α παραπάνω (10)

"Σύνθετα υλικά" με "βάση" άνθρακα-άνθρακα, κεραμικό υλικό και μέταλλο

Πυριτίδια

Καρβίδια

Μίγματα αυτών (4)

Κράματα τιτανίου (13)

Πυριτίδια

Αργιλίδια

Κραματοποιημένα αργιλίδια (2)

Πυρίμαχα μέταλλα και κράματα (8)

Πυριτίδια

Οξείδια

| Δ. | Ψεκασμός πλάσματος |
| --- | --- |

Δ.

Ψεκασμός πλάσματος

"Υπερκράματα"

MCrAlX (5)

Τροποποιημένη ζιρκονία (12)

Μίγματα αυτών (4)

Λειάνσιμος νικελιο-γραφίτης

Λειάνσιμα υλικά

περιέχοντα Ni-Cr-Al Λειάνσιμος Al-Si-πολυεστέρας Κραματοποημένα αργιλίδια (2)

Κράματα αργιλίου (6)

MCrAlX (5)

Τροποποιημένη ζιρκονία (12)

Πυριτίδια

Μίγματα αυτών (4)

Πυρίμαχα μέταλλα και κράματα (8)

Αργιλίδια

Πυριτίδια

Καρβίδια

Χάλυβας ανθεκτικός στη διάβρωση (7)

MCrAlX (5)

Τροποποιημένη ζιρκονία (12)

Μίγματα αυτής (4)

Κράματα τιτανίου (13)

Καρβίδια

Αργιλίδια

Πυριτίδια

Κραματοποιημένα αργιλίδια (2)

Λειάνσιμος νικελιο-γραφίτης

Λειάνσιμα υλικά

περιέχοντα Νi-Cr-Al

Λειάνσιμος Al-Si-πολυεστέρας

| E. | Εναπόθεση πολτού |
| --- | --- |

E.

Εναπόθεση πολτού

Πυρίμαχα μέταλλα και κράματα (8)

Συντηγμένα πυριτίδια

Συντηγμένα αργιλίδια εκτός από τα στοιχεία θερμαντικών ηλεκτρικών αντιστάσεων

"Σύνθετα υλικά" με "βάση" άνθρακα-άνθρακα, κεραμικό υλικό και μέταλλο

Πυριτίδια

Καρβίδια

Μίγματα αυτών (4)

| ΣΤ. | Εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης |
| --- | --- |

ΣΤ.

Εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης

"Υπερκράματα"

Κραματοποιημένα πυριτίδια

Κραματοποιημένα αργιλίδια (2)

Αργιλίδια τροποποιημένα με ευγενή μέταλλα (3)

MCrAlX (5)

Τροποποιημένη ζιρκονία (12)

Λευκόχρυσος

Μίγματα αυτών (4)

Κεραμικά υλικά και γυαλί μικρής διαστολής (14)

Πυριτίδια

Λευκόχρυσος

Μίγματα αυτών (4)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Αδαμαντοειδής άνθρακας (17)

Κράματα τιτανίου (13)

Βορίδια

Νιτρίδια

Οξείδια

Πυριτίδια

Αργιλίδια

Κραματοποιημένα αργιλίδια (2)

Καρβίδια

"Σύνθετα υλικά" με "βάση" άνθρακα-άνθρακα, κεραμικό υλικό και μέταλλο

Πυριτίδια

Καρβίδια

Πυρίμαχα μέταλλα

Μίγματα αυτών (4)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Νιτρίδιο βορίου

Επιστοιχειωμένο (ενανθρακωμένο) καρβίδιο βολφραμίου (16), καρβίδιο πυριτίου (18)

Καρβίδια

Βολφράμιο

Μίγματα αυτών (4)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Νιτρίδιο βορίου

Μολυβδαίνιο και κράματα μολυβδαινίου

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Βηρύλλιο και κράματα βηρυλλίου

Βορίδια

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Βηρύλλιο

Υλικά παραθύρων αισθητήρων (9)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Αδαμαντοειδής άνθρακας (17)

Πυρίμαχα μέταλλα και κράματα (8)

Αργιλίδια

Πυριτίδια

Οξείδια

Καρβίδια

| Ζ. | Εμφύτευση ιόντων |
| --- | --- |

Ζ.

Εμφύτευση ιόντων

Χάλυβες ανθεκτικοί σε υψηλές θερμοκρασίες

Προσθήκες χρωμίου, τανταλίου ή νιοβίου (κολομβίου)

Κράματα τιτανίου (13)

Βορίδια

Νιτρίδια

Βηρύλλιο και κράματα βηρυλλίου

Βορίδια

Επιστοιχειωμένο (ενανθρακωμένο) καρβίδιο βολφραμίου (16)

Καρβίδια

Νιτρίδια

Πίνακας — τεχνικές εναπόθεσης - σημειώσεις

| 1. | Η έννοια του όρου "μέθοδος επίχρισης" περιλαμβάνει τόσο την αρχική επίχριση όσο και την επιδιόρθωση και την ανανέωση των επιχρισμάτων. |
| --- | --- |

1.

Η έννοια του όρου "μέθοδος επίχρισης" περιλαμβάνει τόσο την αρχική επίχριση όσο και την επιδιόρθωση και την ανανέωση των επιχρισμάτων.

| 2. | Η έννοια του όρου "επίχρισμα κραματοποιημένου αργιλιδίου" περιλαμβάνει τις απλές ή πολλαπλές επιχρίσεις, κατά τις οποίες ένα ή περισσότερα χημικά στοιχεία εναποτίθενται πριν από την εφαρμογή του επιχρίσματος αργιλιδίου ή κατά τη διάρκειά της, έστω και αν για την εναπόθεση των στοιχείων αυτών χρησιμοποιείται άλλη μέθοδος επίχρισης. Δεν συμπεριλαμβάνεται όμως η πολλαπλή εφαρμογή μεθόδων απλής επιστοιχείωσης (ενανθράκωσης) στήλης για την επίτευξη κραματοποιημένων αργιλιδίων. |
| --- | --- |

2.

Η έννοια του όρου "επίχρισμα κραματοποιημένου αργιλιδίου" περιλαμβάνει τις απλές ή πολλαπλές επιχρίσεις, κατά τις οποίες ένα ή περισσότερα χημικά στοιχεία εναποτίθενται πριν από την εφαρμογή του επιχρίσματος αργιλιδίου ή κατά τη διάρκειά της, έστω και αν για την εναπόθεση των στοιχείων αυτών χρησιμοποιείται άλλη μέθοδος επίχρισης. Δεν συμπεριλαμβάνεται όμως η πολλαπλή εφαρμογή μεθόδων απλής επιστοιχείωσης (ενανθράκωσης) στήλης για την επίτευξη κραματοποιημένων αργιλιδίων.

| 3. | Η έννοια του όρου "επίχριση αργιλιδίου τροποποιημένου με ευγενή μέταλλα" περιλαμβάνει τις πολλαπλές επιχρίσεις, κατά τις οποίες το ή τα ευγενή μέταλλα εναποτίθενται με άλλη μέθοδο επίχρισης πριν από την εφαρμογή του επιχρίσματος αργιλιδίου. |
| --- | --- |

3.

Η έννοια του όρου "επίχριση αργιλιδίου τροποποιημένου με ευγενή μέταλλα" περιλαμβάνει τις πολλαπλές επιχρίσεις, κατά τις οποίες το ή τα ευγενή μέταλλα εναποτίθενται με άλλη μέθοδο επίχρισης πριν από την εφαρμογή του επιχρίσματος αργιλιδίου.

| 4. | Η έννοια του όρου "μίγματα αυτών" περιλαμβάνει διείσδυση υλικών, κλιμακωτές συνθέσεις, συνεναποθέσεις και πολυστρωματικές εναποθέσεις και λαμβάνονται με μία ή περισσότερες από τις μεθόδους επίχρισης που περιλαμβάνονται στον πίνακα. |
| --- | --- |

4.

Η έννοια του όρου "μίγματα αυτών" περιλαμβάνει διείσδυση υλικών, κλιμακωτές συνθέσεις, συνεναποθέσεις και πολυστρωματικές εναποθέσεις και λαμβάνονται με μία ή περισσότερες από τις μεθόδους επίχρισης που περιλαμβάνονται στον πίνακα.

| 5. | Ο τύπος "ΜcrΑlX" αναφέρεται σε κράματα επίχρισης, όπου Μ είναι κοβάλτιο, σίδηρος, νικέλιο ή συνδυασμός αυτών των μετάλλων και X είναι άφνιο, ύττριο, πυρίτιο, ταντάλιο σε οποιαδήποτε ποσότητα ή άλλες σκόπιμες προσθήκες σε ποσοστό μεγαλύτερο από 0,01 % κατά βάρος σε ποικίλες αναλογίες και ποικίλους συνδυασμούς, εκτός από:






  α. | τα επιχρίσματα CoCrAlY με κατά βάρος περιεκτικότητα σε χρώμιο μικρότερη από 22 %, σε αργίλιο μικρότερη από 7 % και σε ύττριο μικρότερη από 2 %, |
| --- | --- | --- |

5.

Ο τύπος "ΜcrΑlX" αναφέρεται σε κράματα επίχρισης, όπου Μ είναι κοβάλτιο, σίδηρος, νικέλιο ή συνδυασμός αυτών των μετάλλων και X είναι άφνιο, ύττριο, πυρίτιο, ταντάλιο σε οποιαδήποτε ποσότητα ή άλλες σκόπιμες προσθήκες σε ποσοστό μεγαλύτερο από 0,01 % κατά βάρος σε ποικίλες αναλογίες και ποικίλους συνδυασμούς, εκτός από:

α.

τα επιχρίσματα CoCrAlY με κατά βάρος περιεκτικότητα σε χρώμιο μικρότερη από 22 %, σε αργίλιο μικρότερη από 7 % και σε ύττριο μικρότερη από 2 %,

| β. | τα επιχρίσματα CoCrAlY με κατά βάρος περιεκτικότητα σε χρώμιο 22-24 %, σε αργίλιο 10-12 % και σε ύττριο 0,5-0,7 %, ή |
| --- | --- |

β.

τα επιχρίσματα CoCrAlY με κατά βάρος περιεκτικότητα σε χρώμιο 22-24 %, σε αργίλιο 10-12 % και σε ύττριο 0,5-0,7 %, ή

| γ. | τα επιχρίσματα NiCrAlY με κατά βάρος περιεκτικότητα σε χρώμιο 21-23 %, σε αργίλιο 10-12 % και σε ύττριο 0,9-1,1 %. |
| --- | --- |

γ.

τα επιχρίσματα NiCrAlY με κατά βάρος περιεκτικότητα σε χρώμιο 21-23 %, σε αργίλιο 10-12 % και σε ύττριο 0,9-1,1 %.

| 6. | Ο όρος "κράματα αργιλίου" αναφέρεται σε κράματα με αντοχή στον εφελκυσμό 190 ΜΡa ή μεγαλύτερη, μετρώμενη στους 293 Κ (20 °C). |
| --- | --- |

6.

Ο όρος "κράματα αργιλίου" αναφέρεται σε κράματα με αντοχή στον εφελκυσμό 190 ΜΡa ή μεγαλύτερη, μετρώμενη στους 293 Κ (20 °C).

| 7. | Ο όρος "χάλυβας ανθεκτικός στη διάβρωση" αναφέρεται σε χάλυβες που ανταποκρίνονται στο πρότυπο AISI (American Iron and Steel Institute/Αμερικανικό Ίδρυμα Σιδήρου και χάλυβα) σειρά 300 ή σε ισότιμο εθνικό πρότυπο. |
| --- | --- |

7.

Ο όρος "χάλυβας ανθεκτικός στη διάβρωση" αναφέρεται σε χάλυβες που ανταποκρίνονται στο πρότυπο AISI (American Iron and Steel Institute/Αμερικανικό Ίδρυμα Σιδήρου και χάλυβα) σειρά 300 ή σε ισότιμο εθνικό πρότυπο.

| 8. | Ο όρος "πυρίμαχα μέταλλα και κράματα" περιλαμβάνει τα ακόλουθα μέταλλα και τα κράματά τους: νιόβιο (κολόμβιο), μολυβδαίνιο, βολφράμιο και ταντάλιο. |
| --- | --- |

8.

Ο όρος "πυρίμαχα μέταλλα και κράματα" περιλαμβάνει τα ακόλουθα μέταλλα και τα κράματά τους: νιόβιο (κολόμβιο), μολυβδαίνιο, βολφράμιο και ταντάλιο.

| 9. | "Υλικά παραθύρων αισθητήρων", ως εξής: αλουμίνα, πυρίτιο, γερμάνιο, θειούχος ψευδάργυρος, σεληνίδιο του ψευδαργύρου, αρσενίδιο του γαλλίου, αδάμας, φωσφίδιο γαλλίου, σάπφειρος και τα ακόλουθα αλογονίδια μετάλλων: υλικά παραθύρων αισθητήρων διαμέτρου άνω των 40 mm, προκειμένου για βρωμιούχο ζιρκόνιο και φθοριούχο άφνιο. |
| --- | --- |

9.

"Υλικά παραθύρων αισθητήρων", ως εξής: αλουμίνα, πυρίτιο, γερμάνιο, θειούχος ψευδάργυρος, σεληνίδιο του ψευδαργύρου, αρσενίδιο του γαλλίου, αδάμας, φωσφίδιο γαλλίου, σάπφειρος και τα ακόλουθα αλογονίδια μετάλλων: υλικά παραθύρων αισθητήρων διαμέτρου άνω των 40 mm, προκειμένου για βρωμιούχο ζιρκόνιο και φθοριούχο άφνιο.

| 10. | Η "τεχνολογία" για την απλή επιστοιχείωση (ενανθράκωση) σε στήλη συμπαγών αεροτομών δεν περιλαμβάνεται στην κατηγορία 2. |
| --- | --- |

10.

Η "τεχνολογία" για την απλή επιστοιχείωση (ενανθράκωση) σε στήλη συμπαγών αεροτομών δεν περιλαμβάνεται στην κατηγορία 2.

| 11. | "Πολυμερή" ως εξής: πολυϊμίδια, πολυεστέρες, πολυσουλφίδια, πολυανθρακικά πολυμερή και πολυουρεθάνες. |
| --- | --- |

11.

"Πολυμερή" ως εξής: πολυϊμίδια, πολυεστέρες, πολυσουλφίδια, πολυανθρακικά πολυμερή και πολυουρεθάνες.

| 12. | Η "τροποποιημένη ζιρκονία" αναφέρεται στο προϊόν προσθήκης στη ζιρκονία άλλων οξειδίων μετάλλων, (π.χ. ασβέστου, μαγνησίας, υττρίας, αφνίας, οξειδίων των σπανίων γαιών κ.λπ.), για τη σταθεροποίηση ορισμένων κρυσταλλογραφικών φάσεων και συνθέσεων φάσεων. Τα επιχρίσματα θερμικού φράγματος από ζιρκονία που τροποποιείται με ανάμιξη ή σύντηξη με άσβεστο ή μαγνησία, δεν υπόκεινται στον έλεγχο. |
| --- | --- |

12.

Η "τροποποιημένη ζιρκονία" αναφέρεται στο προϊόν προσθήκης στη ζιρκονία άλλων οξειδίων μετάλλων, (π.χ. ασβέστου, μαγνησίας, υττρίας, αφνίας, οξειδίων των σπανίων γαιών κ.λπ.), για τη σταθεροποίηση ορισμένων κρυσταλλογραφικών φάσεων και συνθέσεων φάσεων. Τα επιχρίσματα θερμικού φράγματος από ζιρκονία που τροποποιείται με ανάμιξη ή σύντηξη με άσβεστο ή μαγνησία, δεν υπόκεινται στον έλεγχο.

| 13. | Τα "κράματα τιτανίου" αναφέρονται μόνον στα κράματα της αεροδιαστημικής τεχνολογίας με αντοχή στον εφελκυσμό 900 MPa ή μεγαλύτερη, μετρώμενη στους 293 Κ (20 °C). |
| --- | --- |

13.

Τα "κράματα τιτανίου" αναφέρονται μόνον στα κράματα της αεροδιαστημικής τεχνολογίας με αντοχή στον εφελκυσμό 900 MPa ή μεγαλύτερη, μετρώμενη στους 293 Κ (20 °C).

| 14. | Το "γυαλί μικρής διαστολής" αναφέρεται σε γυαλί με συντελεστή θερμικής διαστολής 1 × 10– 7 Κ– 1 ή μικρότερο, μετρώμενο στους 293 Κ (20 °C). |
| --- | --- |

14.

Το "γυαλί μικρής διαστολής" αναφέρεται σε γυαλί με συντελεστή θερμικής διαστολής 1 × 10– 7 Κ– 1 ή μικρότερο, μετρώμενο στους 293 Κ (20 °C).

| 15. | Τα "διηλεκτρικά στρώματα" είναι επιχρίσματα που συγκροτούνται από πολλαπλές επιστρώσεις μονωτικών υλικών και στα οποία οι ιδιότητες συμβολής μιας διάταξης υλικών με διάφορους δείκτες διαθλάσεως, χρησιμοποιούνται για την ανάκλαση, τη μετάδοση ή την απορρόφηση διαφόρων ζωνών μήκους κύματος. Τα διηλεκτρικά στρώματα αναφέρονται σε περισσότερες από τέσσερις διηλεκτρικές επιστρώσεις ή "σύνθετες" επιστρώσεις διηλεκτρικού υλικού/μετάλλου. |
| --- | --- |

15.

Τα "διηλεκτρικά στρώματα" είναι επιχρίσματα που συγκροτούνται από πολλαπλές επιστρώσεις μονωτικών υλικών και στα οποία οι ιδιότητες συμβολής μιας διάταξης υλικών με διάφορους δείκτες διαθλάσεως, χρησιμοποιούνται για την ανάκλαση, τη μετάδοση ή την απορρόφηση διαφόρων ζωνών μήκους κύματος. Τα διηλεκτρικά στρώματα αναφέρονται σε περισσότερες από τέσσερις διηλεκτρικές επιστρώσεις ή "σύνθετες" επιστρώσεις διηλεκτρικού υλικού/μετάλλου.

| 16. | Στα "επιστοιχειωμένα καρβίδια του βολφραμίου" δεν περιλαμβάνονται τα υλικά κοπτικών εργαλείων και εργαλείων μορφοποίησης από καρβίδιο του βολφραμίου/(κοβάλτιο, νικέλιο), καρβίδιο του τιτανίου/(κοβάλτιο, νικέλιο), καρβίδιο του χρωμίου/νικελιο-χρώμιο και καρβίδιο του χρωμίου/νικέλιο. |
| --- | --- |

16.

Στα "επιστοιχειωμένα καρβίδια του βολφραμίου" δεν περιλαμβάνονται τα υλικά κοπτικών εργαλείων και εργαλείων μορφοποίησης από καρβίδιο του βολφραμίου/(κοβάλτιο, νικέλιο), καρβίδιο του τιτανίου/(κοβάλτιο, νικέλιο), καρβίδιο του χρωμίου/νικελιο-χρώμιο και καρβίδιο του χρωμίου/νικέλιο.

| 17. | Δεν ελέγχεται η "τεχνολογία" που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την εναπόθεση αδαμαντοειδούς άνθρακα στα ακόλουθα: | οδηγοί και κεφαλές μαγνητικών δίσκων, εξοπλισμός για την κατασκευή ειδών μιας χρήσης, εξοπλισμός αρτοποιίας, βαλβίδες στροφίγγων, ακουστικά διαφράγματα μεγαφώνων, εξαρτήματα κινητήρων αυτοκινήτων, κοπτικά εργαλεία, διατμητικές και κοιλαντικές μήτρες, εξοπλισμός πληρογραφικής, μικρόφωνα ή ιατροτεχνολογικά βοηθήματα, ή καλούπια, για τη χύτευση ή το καλούπωμα πλαστικών, κατασκευασμένα από κράματα με περιεκτικότητα σε βερύλλιο κάτω του 5 %. |
| --- | --- | --- |

17.

Δεν ελέγχεται η "τεχνολογία" που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την εναπόθεση αδαμαντοειδούς άνθρακα στα ακόλουθα:

οδηγοί και κεφαλές μαγνητικών δίσκων, εξοπλισμός για την κατασκευή ειδών μιας χρήσης, εξοπλισμός αρτοποιίας, βαλβίδες στροφίγγων, ακουστικά διαφράγματα μεγαφώνων, εξαρτήματα κινητήρων αυτοκινήτων, κοπτικά εργαλεία, διατμητικές και κοιλαντικές μήτρες, εξοπλισμός πληρογραφικής, μικρόφωνα ή ιατροτεχνολογικά βοηθήματα, ή καλούπια, για τη χύτευση ή το καλούπωμα πλαστικών, κατασκευασμένα από κράματα με περιεκτικότητα σε βερύλλιο κάτω του 5 %.

| 18. | Το "καρβίδιο του πυριτίου" δεν περιλαμβάνει τα υλικά κοπτικών εργαλείων και εργαλείων μορφοποίησης. |
| --- | --- |

18.

Το "καρβίδιο του πυριτίου" δεν περιλαμβάνει τα υλικά κοπτικών εργαλείων και εργαλείων μορφοποίησης.

| 19. | Ο όρος "κεραμικά υποστρώματα", όπως χρησιμοποιείται στο σημείο αυτό, δεν περιλαμβάνει τα κεραμικά υλικά με περιεκτικότητα τουλάχιστον 5 % σε άργιλο ή τσιμέντο, είτε χωριστά είτε σε συνδυασμό. |
| --- | --- |

19.

Ο όρος "κεραμικά υποστρώματα", όπως χρησιμοποιείται στο σημείο αυτό, δεν περιλαμβάνει τα κεραμικά υλικά με περιεκτικότητα τουλάχιστον 5 % σε άργιλο ή τσιμέντο, είτε χωριστά είτε σε συνδυασμό.

Οι ορισμοί των μεθόδων που καθορίζονται στη στήλη 1 του πίνακα είναι οι εξής:

| α. | Εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους (CVD) είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση ή με μετατροπή επιφανειών, κατά την οποία ένα μέταλλο, κράμα, "σύνθετο υλικό", διηλεκτρικό υλικό ή κεραμικό υλικό εναποτίθεται σε θερμαινόμενο υπόστρωμα. Τα αέρια αντιδρώντα στρώματα διασπώνται ή ενώνονται κοντά στο υπόστρωμα, με αποτέλεσμα την εναπόθεση σ’ αυτό του επιθυμητού υλικού — χημικού στοιχείου, κράματος ή ένωσης. Η απαιτούμενη ενέργεια για την παραπάνω διεργασία διάσπασης ή χημικής αντίδρασης παρέχεται από τη θερμότητα του υποστρώματος, από πλάσμα εκκένωσης αίγλης ή με ακτινοβόληση με "λέιζερ".


  Σημ. 1: Στην τεχνική CVD περιλαμβάνονται οι ακόλουθες μέθοδοι: εναπόθεση εκτός στήλης με κατευθυνόμενη ροή αερίου, παλμική CVD, θερμική εναπόθεση με ελεγχόμενο πυρήνα αντιδράσεως (CNTD), CVD βελτιωμένη ή υποβοηθούμενη από πλάσμα.



  Σημ. 2: Ο όρος "στήλη" σημαίνει ότι το υπόστρωμα είναι βυθισμένο σε μίγμα κόνεων.



  Σημ. 3: Τα αέρια αντιδρώντα σώματα που χρησιμοποιούνται στην τεχνική εκτός στήλης σχηματίζονται με τις ίδιες βασικές αντιδράσεις και παραμέτρους όπως και στην τεχνική επιστοιχείωσης (ενανθράκωσης) σε στήλη, εκτός από το ότι το προς επίχριση υπόστρωμα δεν έρχεται σε επαφή με το μίγμα κόνεων. |
| --- | --- |

α.

Εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους (CVD) είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση ή με μετατροπή επιφανειών, κατά την οποία ένα μέταλλο, κράμα, "σύνθετο υλικό", διηλεκτρικό υλικό ή κεραμικό υλικό εναποτίθεται σε θερμαινόμενο υπόστρωμα. Τα αέρια αντιδρώντα στρώματα διασπώνται ή ενώνονται κοντά στο υπόστρωμα, με αποτέλεσμα την εναπόθεση σ’ αυτό του επιθυμητού υλικού — χημικού στοιχείου, κράματος ή ένωσης. Η απαιτούμενη ενέργεια για την παραπάνω διεργασία διάσπασης ή χημικής αντίδρασης παρέχεται από τη θερμότητα του υποστρώματος, από πλάσμα εκκένωσης αίγλης ή με ακτινοβόληση με "λέιζερ".

Σημ. 1: Στην τεχνική CVD περιλαμβάνονται οι ακόλουθες μέθοδοι: εναπόθεση εκτός στήλης με κατευθυνόμενη ροή αερίου, παλμική CVD, θερμική εναπόθεση με ελεγχόμενο πυρήνα αντιδράσεως (CNTD), CVD βελτιωμένη ή υποβοηθούμενη από πλάσμα.

Σημ. 2: Ο όρος "στήλη" σημαίνει ότι το υπόστρωμα είναι βυθισμένο σε μίγμα κόνεων.

Σημ. 3: Τα αέρια αντιδρώντα σώματα που χρησιμοποιούνται στην τεχνική εκτός στήλης σχηματίζονται με τις ίδιες βασικές αντιδράσεις και παραμέτρους όπως και στην τεχνική επιστοιχείωσης (ενανθράκωσης) σε στήλη, εκτός από το ότι το προς επίχριση υπόστρωμα δεν έρχεται σε επαφή με το μίγμα κόνεων.

| β. | Εναπόθεση ατμών με φυσικές μεθόδους θερμικής εξάτμισης (ΤΕ-PVD) είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, η οποία πραγματοποιείται σε θάλαμο κενού με πίεση μικρότερη από 0,1 Pa και κατά την οποία χρησιμοποιείται πηγή θερμικής ενέργειας για την εξάτμιση του επιχριστικού υλικού. Η διεργασία αυτή έχει ως αποτέλεσμα τη συμπύκνωση ή την εναπόθεση των εξατμισμένων σωματιδίων σε καταλλήλως τοποθετημένα υποστρώματα.
  Η προσθήκη αερίων στο θάλαμο κενού κατά τη διάρκεια της επίχρισης για τη δημιουργία σύνθετων επιχρισμάτων αποτελεί συνήθη παραλλαγή της μεθόδου.
  Συνήθης επίσης τροποποίηση αυτής της τεχνικής είναι η χρήση δέσμης ιόντων ή ηλεκτρονίων, ή και πλάσματος, για την ενεργοποίηση ή τη διευκόλυνση της εναπόθεσης του επιχρίσματος. Ένα επιπλέον γνώρισμα αυτών των διεργασιών μπορεί να είναι η χρήση συσκευών παρακολούθησης (monitor) για την κατά τη διεργασία μέτρηση των οπτικών χαρακτηριστικών και του πάχους του επιχρίσματος.
  Ειδικότερα, οι μέθοδοι TE-PVD είναι οι εξής:






  1. | Στην PVD δέσμης ηλεκτρονίων χρησιμοποιείται δέσμη ηλεκτρονίων για τη θέρμανση και την εξάτμιση του υλικού που σχηματίζει το επίχρισμα, |
| --- | --- | --- |

β.

Εναπόθεση ατμών με φυσικές μεθόδους θερμικής εξάτμισης (ΤΕ-PVD) είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, η οποία πραγματοποιείται σε θάλαμο κενού με πίεση μικρότερη από 0,1 Pa και κατά την οποία χρησιμοποιείται πηγή θερμικής ενέργειας για την εξάτμιση του επιχριστικού υλικού. Η διεργασία αυτή έχει ως αποτέλεσμα τη συμπύκνωση ή την εναπόθεση των εξατμισμένων σωματιδίων σε καταλλήλως τοποθετημένα υποστρώματα.

Η προσθήκη αερίων στο θάλαμο κενού κατά τη διάρκεια της επίχρισης για τη δημιουργία σύνθετων επιχρισμάτων αποτελεί συνήθη παραλλαγή της μεθόδου.

Συνήθης επίσης τροποποίηση αυτής της τεχνικής είναι η χρήση δέσμης ιόντων ή ηλεκτρονίων, ή και πλάσματος, για την ενεργοποίηση ή τη διευκόλυνση της εναπόθεσης του επιχρίσματος. Ένα επιπλέον γνώρισμα αυτών των διεργασιών μπορεί να είναι η χρήση συσκευών παρακολούθησης (monitor) για την κατά τη διεργασία μέτρηση των οπτικών χαρακτηριστικών και του πάχους του επιχρίσματος.

Ειδικότερα, οι μέθοδοι TE-PVD είναι οι εξής:

1.

Στην PVD δέσμης ηλεκτρονίων χρησιμοποιείται δέσμη ηλεκτρονίων για τη θέρμανση και την εξάτμιση του υλικού που σχηματίζει το επίχρισμα,

| 2. | Στην υποβοηθούμενη από ιόντα PVD θέρμανση με ηλεκτρική αντίσταση χρησιμοποιούνται πηγές θερμότητας με ηλεκτρική αντίσταση, σε συνδυασμό με μία ή περισσότερες προσπίπτουσες δέσμες ιόντων, ικανές να δημιουργούν ελεγχόμενο και ομοιόμορφο ρεύμα εξατμισμένων επιχριστικών σωματιδίων, |
| --- | --- |

2.

Στην υποβοηθούμενη από ιόντα PVD θέρμανση με ηλεκτρική αντίσταση χρησιμοποιούνται πηγές θερμότητας με ηλεκτρική αντίσταση, σε συνδυασμό με μία ή περισσότερες προσπίπτουσες δέσμες ιόντων, ικανές να δημιουργούν ελεγχόμενο και ομοιόμορφο ρεύμα εξατμισμένων επιχριστικών σωματιδίων,

| 3. | Στην εξάτμιση με "λέιζερ" χρησιμοποιούνται δέσμες "λέιζερ" παλμικού ή συνεχούς κύματος για την εξάτμιση του υλικού που σχηματίζει το επίχρισμα, |
| --- | --- |

3.

Στην εξάτμιση με "λέιζερ" χρησιμοποιούνται δέσμες "λέιζερ" παλμικού ή συνεχούς κύματος για την εξάτμιση του υλικού που σχηματίζει το επίχρισμα,

| 4. | Στην εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου χρησιμοποιείται αναλώσιμη κάθοδος από το υλικό που σχηματίζει το επίχρισμα, στης οποίας την επιφάνεια προκαλείται μονίμως εκκένωση τόξου με τη στιγμιαία επαφή πολυδονητή (κύκλωμα σκανδάλης). Η ελεγχόμενη κίνηση του σχηματισμού του τόξου διαβρώνει την επιφάνεια της καθόδου δημιουργώντας εξαιρετικά ιονισμένο πλάσμα. Ως άνοδος χρησιμοποιείται είτε ένας κώνος, συνδεδεμένος με την περιφέρεια της καθόδου μέσω μονωτικού υλικού, είτε ο θάλαμος. Για εναπόθεση χωρίς σκοπευτικό άξονα χρησιμοποιείται πόλωση του υποστρώματος.


  Σημ.: Ο ορισμός αυτός δεν περιλαμβάνει την τυχαία εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου με μη πολωμένα υποστρώματα. |
| --- | --- |

4.

Στην εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου χρησιμοποιείται αναλώσιμη κάθοδος από το υλικό που σχηματίζει το επίχρισμα, στης οποίας την επιφάνεια προκαλείται μονίμως εκκένωση τόξου με τη στιγμιαία επαφή πολυδονητή (κύκλωμα σκανδάλης). Η ελεγχόμενη κίνηση του σχηματισμού του τόξου διαβρώνει την επιφάνεια της καθόδου δημιουργώντας εξαιρετικά ιονισμένο πλάσμα. Ως άνοδος χρησιμοποιείται είτε ένας κώνος, συνδεδεμένος με την περιφέρεια της καθόδου μέσω μονωτικού υλικού, είτε ο θάλαμος. Για εναπόθεση χωρίς σκοπευτικό άξονα χρησιμοποιείται πόλωση του υποστρώματος.

Σημ.: Ο ορισμός αυτός δεν περιλαμβάνει την τυχαία εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου με μη πολωμένα υποστρώματα.

| 5. | Η ιοντική επιμετάλλωση αποτελεί ειδική τροποποίηση της γενικής τεχνικής ΤΕ-PVD, κατά την οποία χρησιμοποιείται πηγή πλάσματος ή ιόντων για τον ιονισμό των προς εναπόθεση σωματιδίων ενώ στο υπόστρωμα εφαρμόζεται αρνητικό δυναμικό πολώσεως για να διευκολυνθεί η έξοδος των σωματιδίων από το πλάσμα. Η εισαγωγή δραστικών σωματιδίων, η εξάτμιση στερεών μέσα στο θάλαμο εργασίας καθώς και η χρήση συσκευών παρακολούθησης (monitor) για την κατά τη διεργασία μέτρηση των οπτικών χαρακτηριστικών και του πάχους των επιχρισμάτων, αποτελούν συνήθεις παραλλαγές της τεχνικής. |
| --- | --- |

5.

Η ιοντική επιμετάλλωση αποτελεί ειδική τροποποίηση της γενικής τεχνικής ΤΕ-PVD, κατά την οποία χρησιμοποιείται πηγή πλάσματος ή ιόντων για τον ιονισμό των προς εναπόθεση σωματιδίων ενώ στο υπόστρωμα εφαρμόζεται αρνητικό δυναμικό πολώσεως για να διευκολυνθεί η έξοδος των σωματιδίων από το πλάσμα. Η εισαγωγή δραστικών σωματιδίων, η εξάτμιση στερεών μέσα στο θάλαμο εργασίας καθώς και η χρήση συσκευών παρακολούθησης (monitor) για την κατά τη διεργασία μέτρηση των οπτικών χαρακτηριστικών και του πάχους των επιχρισμάτων, αποτελούν συνήθεις παραλλαγές της τεχνικής.

| γ. | Επιστοιχείωση (ενανθράκωση) σε στήλη είναι μέθοδος επίχρισης με μετατροπή επιφανειών ή με επίστρωση, κατά την οποία το υπόστρωμα βυθίζεται σε μίγμα κόνεων (στήλη) αποτελούμενο από:






  1. | τις κόνεις των μετάλλων που πρόκειται να εναποτεθούν (συνήθως αργίλιο, χρώμιο, πυρίτιο ή συνδυασμοί αυτών), |
| --- | --- | --- |

γ.

Επιστοιχείωση (ενανθράκωση) σε στήλη είναι μέθοδος επίχρισης με μετατροπή επιφανειών ή με επίστρωση, κατά την οποία το υπόστρωμα βυθίζεται σε μίγμα κόνεων (στήλη) αποτελούμενο από:

1.

τις κόνεις των μετάλλων που πρόκειται να εναποτεθούν (συνήθως αργίλιο, χρώμιο, πυρίτιο ή συνδυασμοί αυτών),

| 2. | έναν ενεργοποιητή (συνήθως αλογονούχο άλας), και |
| --- | --- |

2.

έναν ενεργοποιητή (συνήθως αλογονούχο άλας), και

| 3. | μία αδρανή κόνι, ως επί το πλείστον αλουμίνα. |
| --- | --- |

3.

μία αδρανή κόνι, ως επί το πλείστον αλουμίνα.

Το μίγμα υποστρώματος και κόνεων περιέχεται σε κάμινο κέρατος, που θερμαίνεται σε θερμοκρασία μεταξύ 1 030 Κ (757 °C) και 1 375 (1 102 °C) για όσο χρόνο απαιτεί η εναπόθεση του επιχρίσματος.

| δ. | Ψεκασμός πλάσματος είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, κατά την οποία τα επιχριστικά υλικά, σε μορφή κόνεως ή σύρματος, εισάγονται σε πιστόλι (δαυλό ψεκασμού) που παράγει πλάσμα και το ελέγχει, τήκονται και εκσφενδονίζονται από αυτό προς το υπόστρωμα, όπου σχηματίζουν άρρηκτα συνδεδεμένο επίχρισμα. Πρόκειται για ψεκασμό πλάσματος είτε χαμηλής πιέσεως είτε υψηλής ταχύτητας.


  Σημ. 1: Χαμηλή πίεση σημαίνει χαμηλότερη από την ατμοσφαιρική πίεση περιβάλλοντος.



  Σημ. 2: Η υψηλή ταχύτητα αναφέρεται σε ταχύτητες αερίου στην έξοδο του ακροφυσίου υψηλότερες από 750 m/s υπολογιζόμενες σε θερμοκρασία 293 Κ (20 °C) και πίεση 0,1 MPa. |
| --- | --- |

δ.

Ψεκασμός πλάσματος είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, κατά την οποία τα επιχριστικά υλικά, σε μορφή κόνεως ή σύρματος, εισάγονται σε πιστόλι (δαυλό ψεκασμού) που παράγει πλάσμα και το ελέγχει, τήκονται και εκσφενδονίζονται από αυτό προς το υπόστρωμα, όπου σχηματίζουν άρρηκτα συνδεδεμένο επίχρισμα. Πρόκειται για ψεκασμό πλάσματος είτε χαμηλής πιέσεως είτε υψηλής ταχύτητας.

Σημ. 1: Χαμηλή πίεση σημαίνει χαμηλότερη από την ατμοσφαιρική πίεση περιβάλλοντος.

Σημ. 2: Η υψηλή ταχύτητα αναφέρεται σε ταχύτητες αερίου στην έξοδο του ακροφυσίου υψηλότερες από 750 m/s υπολογιζόμενες σε θερμοκρασία 293 Κ (20 °C) και πίεση 0,1 MPa.

| ε. | Εναπόθεση πολτού είναι τεχνική επίχρισης με μετατροπή επιφανειών ή με επίστρωση, κατά την οποία σχηματίζεται εναιώρημα μεταλλικής ή κεραμικής κόνεως με οργανικό συνδετικό υλικό σε υγρό, το εναιώρημα αυτό εφαρμόζεται στο υπόστρωμα με ψεκασμό, εμβάπτιση ή βαφή και ακολουθεί ξήρανση στον αέρα ή σε κλίβανο και θερμική κατεργασία για την επίτευξη του επιθυμητού επιχρίσματος. |
| --- | --- |

ε.

Εναπόθεση πολτού είναι τεχνική επίχρισης με μετατροπή επιφανειών ή με επίστρωση, κατά την οποία σχηματίζεται εναιώρημα μεταλλικής ή κεραμικής κόνεως με οργανικό συνδετικό υλικό σε υγρό, το εναιώρημα αυτό εφαρμόζεται στο υπόστρωμα με ψεκασμό, εμβάπτιση ή βαφή και ακολουθεί ξήρανση στον αέρα ή σε κλίβανο και θερμική κατεργασία για την επίτευξη του επιθυμητού επιχρίσματος.

| στ. | Εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, που βασίζεται σε ένα φαινόμενο μεταφοράς ορμής και κατά την οποία θετικά ιόντα επιταχύνονται από ηλεκτρικό πεδίο προς την επιφάνεια του στόχου (επιχριστικό υλικό). Η κινητική ενέργεια των προσπιπτόντων ιόντων αρκεί για να προκαλέσει την ελευθέρωση των ατόμων της επιφάνειας του στόχου και την εναπόθεσή τους σε καταλλήλως τοποθετημένο υπόστρωμα.


  Σημ. 1: Ο πίνακας αναφέρεται μόνο στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης τριόδου, μαγνήτρου ή χημικής αντίδρασης, που χρησιμοποιείται για την αύξηση της πρόσφυσης του επιχρίσματος και της ταχύτητας εναπόθεσης, και στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης ενισχυμένης με ραδιοσυχνότητες (RF), που χρησιμοποιείται για να επιτρέπει την εξάτμιση μη μεταλλικών επιχριστικών υλικών.



  Σημ. 2: Για την ενεργοποίηση της εναπόθεσης είναι δυνατόν να χρησιμοποιούνται δέσμες ιόντων χαμηλής ενέργειας (κάτω των 5 keV) |
| --- | --- |

στ.

Εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, που βασίζεται σε ένα φαινόμενο μεταφοράς ορμής και κατά την οποία θετικά ιόντα επιταχύνονται από ηλεκτρικό πεδίο προς την επιφάνεια του στόχου (επιχριστικό υλικό). Η κινητική ενέργεια των προσπιπτόντων ιόντων αρκεί για να προκαλέσει την ελευθέρωση των ατόμων της επιφάνειας του στόχου και την εναπόθεσή τους σε καταλλήλως τοποθετημένο υπόστρωμα.

Σημ. 1: Ο πίνακας αναφέρεται μόνο στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης τριόδου, μαγνήτρου ή χημικής αντίδρασης, που χρησιμοποιείται για την αύξηση της πρόσφυσης του επιχρίσματος και της ταχύτητας εναπόθεσης, και στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης ενισχυμένης με ραδιοσυχνότητες (RF), που χρησιμοποιείται για να επιτρέπει την εξάτμιση μη μεταλλικών επιχριστικών υλικών.

Σημ. 2: Για την ενεργοποίηση της εναπόθεσης είναι δυνατόν να χρησιμοποιούνται δέσμες ιόντων χαμηλής ενέργειας (κάτω των 5 keV)

| ζ. | Εμφύτευση ιόντων είναι τεχνική επίχρισης με μετατροπή επιφανειών, κατά την οποία το προς κραματοποίηση στοιχείο ιονίζεται, επιταχύνεται μέσω διαβαθμιζόμενου δυναμικού και εμφυτεύεται στην επιφάνεια του υποστρώματος. Ο ορισμός αυτός περιλαμβάνει τις μεθόδους, στις οποίες η εμφύτευση ιόντων πραγματοποιείται ταυτόχρονα με εναπόθεση ατμού με φυσική μέθοδο δέσμης ηλεκτρονίων ή εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης. |
| --- | --- |

ζ.

Εμφύτευση ιόντων είναι τεχνική επίχρισης με μετατροπή επιφανειών, κατά την οποία το προς κραματοποίηση στοιχείο ιονίζεται, επιταχύνεται μέσω διαβαθμιζόμενου δυναμικού και εμφυτεύεται στην επιφάνεια του υποστρώματος. Ο ορισμός αυτός περιλαμβάνει τις μεθόδους, στις οποίες η εμφύτευση ιόντων πραγματοποιείται ταυτόχρονα με εναπόθεση ατμού με φυσική μέθοδο δέσμης ηλεκτρονίων ή εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 3

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

3AΣυστήματα, εξοπλισμός και δομικά στοιχεία

Σημείωση 1: Η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού και των δομικών στοιχείων που περιγράφονται στο σημείο 3Α001 ή 3Α002, εκτός από όσα περιγράφονται στα εδάφια 3Α001.a.10. ή 3Α001.a.12., που έχουν σχεδιασθεί ειδικά, ή έχουν τα ίδια λειτουργικά χαρακτηριστικά όπως ο υπόλοιπος εξοπλισμός, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού.

Σημείωση 2: Η διαβάθμιση ελέγχου των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.a.3. έως 3Α001.a.9. ή 3Α001.a.12., τα οποία έχουν προγραμματισθεί χωρίς δυνατότητα αλλαγής, ή έχουν σχεδιασθεί για μία επί μέρους λειτουργία άλλου εξοπλισμού, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού.

Υποσημείωση: Όταν ο κατασκευαστής ή αυτός που υποβάλλει την αίτηση δεν μπορεί να καθορίσει τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού, η διαβάθμιση ελέγχου των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων καθορίζεται στα σημεία 3Α001.a.3. έως 3Α001.a.9. και 3Α001.a.12. Εάν το ολοκληρωμένο κύκλωμα είναι τύπου "μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών" ή μικροκύκλωμα μικρομονάδας ελέγχου με βάση το πυρίτιο, όπως περιγράφεται στο σημείο 3Α001.a.3., με μήκος λέξεως τελεστού (δεδομένων) το πολύ 8 bit, η διαβάθμιση ελέγχου του ολοκληρωμένου κυκλώματος καθορίζεται στο 3Α001.a.3.

3A001Ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία, ως εξής :

| α. | Ολοκληρωμένα κυκλώματα για γενικούς σκοπούς, ως εξής :


  Σημείωση 1: Η διαβάθμιση ελέγχου των πλακιδίων (που έχουν υποστεί φινίρισμα ή όχι), στα οποία έχει καθοριστεί η λειτουργία, πρέπει να ελεγχθεί με τις παραμέτρους του σημείου 3Α001.α.



  Σημείωση 2: Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα περιλαμβάνουν τους ακόλουθους τύπους: | "Μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα", |
| --- | --- | --- |

α.

Ολοκληρωμένα κυκλώματα για γενικούς σκοπούς, ως εξής :

Σημείωση 1: Η διαβάθμιση ελέγχου των πλακιδίων (που έχουν υποστεί φινίρισμα ή όχι), στα οποία έχει καθοριστεί η λειτουργία, πρέπει να ελεγχθεί με τις παραμέτρους του σημείου 3Α001.α.

Σημείωση 2: Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα περιλαμβάνουν τους ακόλουθους τύπους:

"Μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα",

| | "Υβριδικά ολοκληρωμένα κυκλώματα", |
| --- | --- |

"Υβριδικά ολοκληρωμένα κυκλώματα",

| | "Ολοκληρωμένα κυκλώματα πολλαπλών μικροπλακετών", |
| --- | --- |

"Ολοκληρωμένα κυκλώματα πολλαπλών μικροπλακετών",

| | "Ολοκληρωμένα κυκλώματα τύπου φιλμ", που περιλαμβάνουν ολοκληρωμένα κυκλώματα με πυρίτιο πάνω σε σάπφειρο, |
| --- | --- |

"Ολοκληρωμένα κυκλώματα τύπου φιλμ", που περιλαμβάνουν ολοκληρωμένα κυκλώματα με πυρίτιο πάνω σε σάπφειρο,

| | "Οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα". |
| --- | --- |

"Οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα".

| 1. | Ολοκληρωμένα κυκλώματα σχεδιασμένα ή καθορισμένα ώστε να αντέχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα :






  α. | Ακτινοβολία, συνολικής δόσης τουλάχιστον 5 × 103 Gy (πυρίτιο), |
| --- | --- | --- |

1.

Ολοκληρωμένα κυκλώματα σχεδιασμένα ή καθορισμένα ώστε να αντέχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα :

α.

Ακτινοβολία, συνολικής δόσης τουλάχιστον 5 × 103 Gy (πυρίτιο),

| β. | Διαταραχή ρυθμού ακτινοβολίας τουλάχιστον 5 × 106 Gy (πυρίτιο)/s ή υψηλότερη, ή |
| --- | --- |

β.

Διαταραχή ρυθμού ακτινοβολίας τουλάχιστον 5 × 106 Gy (πυρίτιο)/s ή υψηλότερη, ή

| γ. | Ολοκληρωμένη ροή νετρονίων (ισοδύναμο 1 MeV) τουλάχιστον 5 x 1013 n/cm2 σε πυρίτιο, και το αντίστοιχο σε άλλα υλικά,


  Σημ: το 3A001.α.1.γ δεν έχει εφαρμογή στους μεταλλομονωτικούς ημιαγωγούς (MSI). |
| --- | --- |

γ.

Ολοκληρωμένη ροή νετρονίων (ισοδύναμο 1 MeV) τουλάχιστον 5 x 1013 n/cm2 σε πυρίτιο, και το αντίστοιχο σε άλλα υλικά,

Σημ: το 3A001.α.1.γ δεν έχει εφαρμογή στους μεταλλομονωτικούς ημιαγωγούς (MSI).

| 2. | "Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές", "μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών" και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, ολοκληρωμένα κυκλώματα μνήμης κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό, μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό, μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό, ηλεκτρο-οπτικά ή "οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα" σχεδιασμένα για "επεξεργασία σημάτων", προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices), ολοκληρωμένα κυκλώματα νευρονικών δικτύων, ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε αγνοείται η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού, στον οποίο θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα, επεξεργαστές ταχείας μετατροπής Fourier (Fast Fourier Transform - FFT), ηλεκτρικά αποσβέσιμες και προγραμματιζόμενες μνήμες ανάγνωσης μόνο (EEPROM), στιγμιαίες μνήμες ή στατικές μνήμες RAM (SRAM) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα :






  α. | Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος άνω των 398 K (125 °C), |
| --- | --- | --- |

2.

"Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές", "μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών" και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, ολοκληρωμένα κυκλώματα μνήμης κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό, μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό, μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό, ηλεκτρο-οπτικά ή "οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα" σχεδιασμένα για "επεξεργασία σημάτων", προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices), ολοκληρωμένα κυκλώματα νευρονικών δικτύων, ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε αγνοείται η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού, στον οποίο θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα, επεξεργαστές ταχείας μετατροπής Fourier (Fast Fourier Transform - FFT), ηλεκτρικά αποσβέσιμες και προγραμματιζόμενες μνήμες ανάγνωσης μόνο (EEPROM), στιγμιαίες μνήμες ή στατικές μνήμες RAM (SRAM) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα :

α.

Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος άνω των 398 K (125 °C),

| β. | Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω των 218 K (– 55 °C), ή |
| --- | --- |

β.

Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω των 218 K (– 55 °C), ή

| γ. | Καθορισμένα να λειτουργούν στο σύνολο της περιοχής θερμοκρασιών περιβάλλοντος από 218 K (– 55 °C) έως 398 K (125 °C). |
| --- | --- |

γ.

Καθορισμένα να λειτουργούν στο σύνολο της περιοχής θερμοκρασιών περιβάλλοντος από 218 K (– 55 °C) έως 398 K (125 °C).

Σημείωση: Το σημείο 3Α001.α.2. δεν εφαρμόζεται στα ολοκληρωμένα κυκλώματα που προορίζονται για πολιτικά αυτοκίνητα/οχήματα ή για μηχανές σιδηροδρόμων.

| 3. | "Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές", "μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών" και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου που έχουν οιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:


  Σημείωση: Το σημείο 3Α001.α.3. περιλαμβάνει ψηφιακούς επεξεργαστές σημάτων, ψηφιακούς πολυεπεξεργαστές (array processors) και ψηφιακούς συνεπεξεργαστές (digital coprocessors).







  α. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- | --- |

3.

"Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές", "μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών" και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου που έχουν οιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

Σημείωση: Το σημείο 3Α001.α.3. περιλαμβάνει ψηφιακούς επεξεργαστές σημάτων, ψηφιακούς πολυεπεξεργαστές (array processors) και ψηφιακούς συνεπεξεργαστές (digital coprocessors).

α.

Δεν χρησιμοποιείται,

| β. | Κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό και με λειτουργία σε συχνότητα χρονισμού πάνω από 40 MHz, ή |
| --- | --- |

β.

Κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό και με λειτουργία σε συχνότητα χρονισμού πάνω από 40 MHz, ή

| γ. | Πάνω από μια αρτηρία δεδομένων ή εντολών, ή πάνω από μια σειριακή θύρα επικοινωνιών η οποία παρέχει άμεση εξωτερική διασύνδεση μεταξύ παράλληλων "μικροκυκλωμάτων μικροεπεξεργαστών" με ρυθμό μεταδόσεως δεδομένων που ξεπερνά τα 150 Μbyte/s. |
| --- | --- |

γ.

Πάνω από μια αρτηρία δεδομένων ή εντολών, ή πάνω από μια σειριακή θύρα επικοινωνιών η οποία παρέχει άμεση εξωτερική διασύνδεση μεταξύ παράλληλων "μικροκυκλωμάτων μικροεπεξεργαστών" με ρυθμό μεταδόσεως δεδομένων που ξεπερνά τα 150 Μbyte/s.

| 4. | Ολοκληρωμένα κυκλώματα μνήμης κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό. |
| --- | --- |

4.

Ολοκληρωμένα κυκλώματα μνήμης κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό.

| 5. | Ολοκληρωμένα κυκλώματα μετατροπής αναλογικού σε ψηφιακό και ψηφιακού σε αναλογικό, ως εξής :






  α. | Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό που έχουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:

  ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 3Α101







  1. | Διακριτική ικανότητα μεταξύ 8 και 12 bit, με "συνολικό χρόνο μετατροπής" κάτω από 5 ns, |
| --- | --- | --- | --- |

5.

Ολοκληρωμένα κυκλώματα μετατροπής αναλογικού σε ψηφιακό και ψηφιακού σε αναλογικό, ως εξής :

α.

Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό που έχουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 3Α101

1.

Διακριτική ικανότητα μεταξύ 8 και 12 bit, με "συνολικό χρόνο μετατροπής" κάτω από 5 ns,

| 2. | Διακριτική ικανότητα 12 bit, με "συνολικό χρόνο μετατροπής" κάτω από 20 ns, |
| --- | --- |

2.

Διακριτική ικανότητα 12 bit, με "συνολικό χρόνο μετατροπής" κάτω από 20 ns,

| 3. | Διακριτική ικανότητα πάνω από 12 bit και μέχρι 14 bit, με "συνολικό χρόνο μετατροπής" κάτω από 200 ns, ή |
| --- | --- |

3.

Διακριτική ικανότητα πάνω από 12 bit και μέχρι 14 bit, με "συνολικό χρόνο μετατροπής" κάτω από 200 ns, ή

| 4. | Διακριτική ικανότητα πάνω από 14 bit, με "συνολικό χρόνο μετατροπής" πάνω από 1 μs. |
| --- | --- |

4.

Διακριτική ικανότητα πάνω από 14 bit, με "συνολικό χρόνο μετατροπής" πάνω από 1 μs.

| β. | Μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό με διακριτική ικανότητα 12 bit ή παραπάνω και "χρόνο αποκατάστασης" ("settling time") κάτω από 10 ns. |
| --- | --- |

β.

Μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό με διακριτική ικανότητα 12 bit ή παραπάνω και "χρόνο αποκατάστασης" ("settling time") κάτω από 10 ns.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Διακριτική ικανότητα η bit αντιστοιχεί σε κβάντωση 2η σταθμών. |
| --- | --- |

1.

Διακριτική ικανότητα η bit αντιστοιχεί σε κβάντωση 2η σταθμών.

| 2. | Ο "συνολικός χρόνος μετατροπής" είναι το αντίστροφο της συχνότητας δειγματοληψίας. |
| --- | --- |

2.

Ο "συνολικός χρόνος μετατροπής" είναι το αντίστροφο της συχνότητας δειγματοληψίας.

| 6. | Ηλεκτρο-οπτικά ή "οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα" για "επεξεργασία σημάτων" που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  α. | Μία ή περισσότερες εσωτερικές διόδους "λέιζερ", |
| --- | --- | --- |

6.

Ηλεκτρο-οπτικά ή "οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα" για "επεξεργασία σημάτων" που έχουν όλα τα ακόλουθα:

α.

Μία ή περισσότερες εσωτερικές διόδους "λέιζερ",

| β. | Ένα ή περισσότερα εσωτερικά δομικά στοιχεία για την ανίχνευση φωτός, και |
| --- | --- |

β.

Ένα ή περισσότερα εσωτερικά δομικά στοιχεία για την ανίχνευση φωτός, και

| γ. | Οπτικούς κυματοδηγούς. |
| --- | --- |

γ.

Οπτικούς κυματοδηγούς.

| 7. | Προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices) που έχουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Ισοδύναμο χρησιμοποιήσιμο αριθμό θυρών μεγαλύτερο από 30 000 (για 2 θύρες εισόδου), ή |
| --- | --- | --- |

7.

Προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices) που έχουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Ισοδύναμο χρησιμοποιήσιμο αριθμό θυρών μεγαλύτερο από 30 000 (για 2 θύρες εισόδου), ή

| β. | Χαρακτηριστικό "βασικό χρόνο διαβάσεως πύλης" μικρότερο από 0,1 ns, ή |
| --- | --- |

β.

Χαρακτηριστικό "βασικό χρόνο διαβάσεως πύλης" μικρότερο από 0,1 ns, ή

| γ. | Συχνότητα αντιστροφής (toggle frequency) άνω των 133 MHz. |
| --- | --- |

γ.

Συχνότητα αντιστροφής (toggle frequency) άνω των 133 MHz.

Σημείωση: Το 3Α001.α.7 περιλαμβάνει :

| | τις απλές προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις (SPLD) |
| --- | --- |

τις απλές προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις (SPLD)

| | τις πολύπλοκες προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις (CPLD) |
| --- | --- |

τις πολύπλοκες προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις (CPLD)

| | τις προγραμματιζόμενες διατάξεις θυρών πεδίου (FPGA) |
| --- | --- |

τις προγραμματιζόμενες διατάξεις θυρών πεδίου (FPGA)

| | τις προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις θυρών πεδίου (FPLA) |
| --- | --- |

τις προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις θυρών πεδίου (FPLA)

| | τους προγραμματιζόμενους διασυνδέσμους θυρών πεδίου (FPIC) |
| --- | --- |

τους προγραμματιζόμενους διασυνδέσμους θυρών πεδίου (FPIC)

Σημ.: Ο τρίτος και τέταρτος όρος είναι συνώνυμοι.

| 8. | Δεν χρησιμοποιείται. |
| --- | --- |

8.

Δεν χρησιμοποιείται.

| 9. | Ολοκληρωμένα κυκλώματα νευρονικών δικτύων. |
| --- | --- |

9.

Ολοκληρωμένα κυκλώματα νευρονικών δικτύων.

| 10. | Ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε ο κατασκευαστής αγνοεί την διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα και τα οποία έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Πάνω από 1 000 τερματικές ακίδες. |
| --- | --- | --- |

10.

Ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε ο κατασκευαστής αγνοεί την διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα και τα οποία έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Πάνω από 1 000 τερματικές ακίδες.

| β. | Χαρακτηριστικό "βασικό χρόνο διαβάσεως πύλης" χαμηλότερο από 0,1 ns, ή |
| --- | --- |

β.

Χαρακτηριστικό "βασικό χρόνο διαβάσεως πύλης" χαμηλότερο από 0,1 ns, ή

| γ. | Συχνότητα λειτουργίας που ξεπερνά τα 3 GHz. |
| --- | --- |

γ.

Συχνότητα λειτουργίας που ξεπερνά τα 3 GHz.

| 11. | Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα, εκτός αυτών που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.10. και 3Α001.α.12., που έχουν κατασκευασθεί από οποιοδήποτε μικτό ημιαγωγό και παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα :






  α. | Ισοδύναμο αριθμό θυρών πάνω από 3 000 (για 2 θύρες εισόδου), ή |
| --- | --- | --- |

11.

Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα, εκτός αυτών που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.10. και 3Α001.α.12., που έχουν κατασκευασθεί από οποιοδήποτε μικτό ημιαγωγό και παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα :

α.

Ισοδύναμο αριθμό θυρών πάνω από 3 000 (για 2 θύρες εισόδου), ή

| β. | Συχνότητα αντιστροφής πάνω από 1,2 GHz. |
| --- | --- |

β.

Συχνότητα αντιστροφής πάνω από 1,2 GHz.

| 12. | Επεξεργαστές ταχέος μετασχηματισμού Fourier (Fast Fourier Transform — FFT) με ονομαστικό χρόνο εκτέλεσης για σύνθετη FFT Ν σημείων, κάτω του (N log2N)/20 480 ms, όπου N είναι ο αριθμός των σημείων.
  Τεχνική Παρατήρηση

  Όταν Ν = 1 024 σημεία, ο τύπος του σημείου 3Α001.α.12 δίνει χρόνο εκτέλεσης 500 μs. |
| --- | --- |

12.

Επεξεργαστές ταχέος μετασχηματισμού Fourier (Fast Fourier Transform — FFT) με ονομαστικό χρόνο εκτέλεσης για σύνθετη FFT Ν σημείων, κάτω του (N log2N)/20 480 ms, όπου N είναι ο αριθμός των σημείων.

Τεχνική Παρατήρηση

Όταν Ν = 1 024 σημεία, ο τύπος του σημείου 3Α001.α.12 δίνει χρόνο εκτέλεσης 500 μs.

| β. | Δομικά στοιχεία μικροκυμάτων ή χιλιοστομετρικών κυμάτων, ως εξής:






  1. | Ηλεκτρονικές λυχνίες κενού και κάθοδοι ως εξής:


  Σημείωση 1: Στο σημείο 3Α001.β.1. δεν ελέγχονται οι λυχνίες που έχουν σχεδιασθεί ή καθορίζονται για λειτουργία σε ζώνες συχνοτήτων που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:








  α. | Δεν υπερβαίνουν τα 31,8 GHz, και |
| --- | --- | --- | --- |

β.

Δομικά στοιχεία μικροκυμάτων ή χιλιοστομετρικών κυμάτων, ως εξής:

1.

Ηλεκτρονικές λυχνίες κενού και κάθοδοι ως εξής:

Σημείωση 1: Στο σημείο 3Α001.β.1. δεν ελέγχονται οι λυχνίες που έχουν σχεδιασθεί ή καθορίζονται για λειτουργία σε ζώνες συχνοτήτων που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Δεν υπερβαίνουν τα 31,8 GHz, και

| β. | Έχουν "διατεθεί από την ITU" για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό. |
| --- | --- |

β.

Έχουν "διατεθεί από την ITU" για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.

Σημείωση 2: Στο σημείο 3Α001.β.1., δεν ελέγχονται οι "ακατάλληλες για διαστημική χρήση" λυχνίες που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Μέση ισχύ εξόδου το πολύ 50 W, και |
| --- | --- |

α.

Μέση ισχύ εξόδου το πολύ 50 W, και

| β. | Σχεδιασμένες ή καθορισμένες για λειτουργία σε οποιαδήποτε ζώνη συχνοτήτων που έχει όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:








  1. | Υπερβαίνει τα 31,8 GHz αλλά δεν υπερβαίνει τα 43,5 GHz, και |
| --- | --- | --- |

β.

Σχεδιασμένες ή καθορισμένες για λειτουργία σε οποιαδήποτε ζώνη συχνοτήτων που έχει όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Υπερβαίνει τα 31,8 GHz αλλά δεν υπερβαίνει τα 43,5 GHz, και

| 2. | Έχουν "διατεθεί από την ITU" για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό. |
| --- | --- |

2.

Έχουν "διατεθεί από την ITU" για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.

| α. | Λυχνίες οδεύοντος κύματος, παλμικού ή συνεχούς κύματος, ως εξής:






  1. | Που λειτουργούν σε συχνότητες πάνω από 31,8 GHz. |
| --- | --- | --- |

α.

Λυχνίες οδεύοντος κύματος, παλμικού ή συνεχούς κύματος, ως εξής:

1.

Που λειτουργούν σε συχνότητες πάνω από 31,8 GHz.

| 2. | Που έχουν στοιχείο θέρμανσης καθόδου με χρόνο ανύψωσης ισχύος μέχρι την καθορισμένη ισχύ ραδιοσυχνότητας ο οποίος είναι μικρότερος από 3 δευτερόλεπτα. |
| --- | --- |

2.

Που έχουν στοιχείο θέρμανσης καθόδου με χρόνο ανύψωσης ισχύος μέχρι την καθορισμένη ισχύ ραδιοσυχνότητας ο οποίος είναι μικρότερος από 3 δευτερόλεπτα.

| 3. | Συζευγμένες λυχνίες cavity ή παράγωγά τους, με "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 7 % ή ισχύ αιχμής άνω των 2,5 kw. |
| --- | --- |

3.

Συζευγμένες λυχνίες cavity ή παράγωγά τους, με "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 7 % ή ισχύ αιχμής άνω των 2,5 kw.

| 4. | Ελικοειδείς λυχνίες ή παράγωγά τους με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | "Στιγμιαίο εύρος ζώνης" άνω της μιας οκτάβας και γινόμενο μεταξύ της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kw) και της συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) ανώτερο από 0,5, |
| --- | --- | --- |

4.

Ελικοειδείς λυχνίες ή παράγωγά τους με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

"Στιγμιαίο εύρος ζώνης" άνω της μιας οκτάβας και γινόμενο μεταξύ της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kw) και της συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) ανώτερο από 0,5,

| β. | "Στιγμιαίο εύρος ζώνης" το πολύ μια οκτάβα, και γινόμενο της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kw) και συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) πάνω από 1, ή |
| --- | --- |

β.

"Στιγμιαίο εύρος ζώνης" το πολύ μια οκτάβα, και γινόμενο της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kw) και συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) πάνω από 1, ή

| γ. | Είναι "κατάλληλες για διαστημική χρήση". |
| --- | --- |

γ.

Είναι "κατάλληλες για διαστημική χρήση".

| β. | Ενισχυτικές λυχνίες διασταυρωμένου πεδίου με απολαβή άνω των 17 dB. |
| --- | --- |

β.

Ενισχυτικές λυχνίες διασταυρωμένου πεδίου με απολαβή άνω των 17 dB.

| γ. | Εμποτισμένες κάθοδοι (impregnated cathodes) για ηλεκτρονικές λυχνίες που παράγουν σταθερή πυκνότητα ροής ρεύματος σε συνθήκες προκαθορισμένης λειτουργίας η οποία ξεπερνά τα 5 A/cm2. |
| --- | --- |

γ.

Εμποτισμένες κάθοδοι (impregnated cathodes) για ηλεκτρονικές λυχνίες που παράγουν σταθερή πυκνότητα ροής ρεύματος σε συνθήκες προκαθορισμένης λειτουργίας η οποία ξεπερνά τα 5 A/cm2.

| 2. | Ενισχυτές ισχύος με μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων, με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  α. | εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz μέχρι και 6.6 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 4 W (36 dBm( και "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 15 %, |
| --- | --- | --- |

2.

Ενισχυτές ισχύος με μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων, με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

α.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz μέχρι και 6.6 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 4 W (36 dBm( και "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 15 %,

| β. | εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6 GHz μέχρι και 16 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω του 1 W (30 dBm) και "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 10 %, |
| --- | --- |

β.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6 GHz μέχρι και 16 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω του 1 W (30 dBm) και "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 10 %,

| γ. | εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 16 GHz μέχρι και 31,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,8 W (29 dBm) και "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 10 %, |
| --- | --- |

γ.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 16 GHz μέχρι και 31,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,8 W (29 dBm) και "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 10 %,

| δ. | εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz μέχρι και 37,5 GHz, |
| --- | --- |

δ.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz μέχρι και 37,5 GHz,

| ε. | εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 37,5 GHz μέχρι και 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,25 W (24 dBm) και "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 10 %, ή |
| --- | --- |

ε.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 37,5 GHz μέχρι και 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,25 W (24 dBm) και "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 10 %, ή

| στ. | εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 43,5 GHz. |
| --- | --- |

στ.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 43,5 GHz.

Σημείωση 1: Στο σημείο 3A001.β.2 δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός δορυφορικών ραδιοτηλεοπτικών μεταδόσεων που έχει σχεδιαστεί ή εγκριθεί για να λειτουργεί στη ζώνη συχνοτήτων 40,5 έως 42,5 GHz.

Σημείωση 2: Το καθεστώς ελέγχου των μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων, οι συχνότητες λειτουργίας των οποίων εμπίπτουν σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων κατά τα οριζόμενα στο σημείο 3A001.β.2 καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.

Σημείωση 3: Οι εισαγωγικές σημειώσεις 1 και 2 στην αρχή της κατηγορίας 3 σημαίνουν ότι με το σημείο 3A001.β.2 δεν τίθενται υπό έλεγχο τα μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων όταν είναι ειδικά σχεδιασμένα για άλλες εφαρμογές, όπως π.χ. τηλεπικοινωνίες, ραντάρ, αυτοκίνητα

| 3. | Τρανζίστορ μικροκυμάτων με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  α. | εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz μέχρι και 6,6 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 60 W (47,8 dBm), |
| --- | --- | --- |

3.

Τρανζίστορ μικροκυμάτων με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

α.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz μέχρι και 6,6 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 60 W (47,8 dBm),

| β. | εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6 GHz μέχρι και 31,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 20 W (43 dBm), |
| --- | --- |

β.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6 GHz μέχρι και 31,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 20 W (43 dBm),

| γ. | εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz μέχρι και 37,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,5 W (27 dBm), |
| --- | --- |

γ.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz μέχρι και 37,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,5 W (27 dBm),

| δ. | εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 37,5 GHz μέχρι και 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω του 1 W (30 dBm), ή |
| --- | --- |

δ.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 37,5 GHz μέχρι και 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω του 1 W (30 dBm), ή

| ε. | εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 43,5 GHz. |
| --- | --- |

ε.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 43,5 GHz.

Σημείωση: Το καθεστώς ελέγχου των ειδών οι συχνότητες λειτουργίας των οποίων εμπίπτουν σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων κατά τα οριζόμενα στο σημείο 3A001.β..3 καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.

| 4. | Ενισχυτές μικροκυμάτων στερεάς κατάστασης και μικροκυματικά συναρμολογήματα ή δομοστοιχεία που περιέχουν ενισχυτές μικροκυμάτων με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  α. | εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz μέχρι και 6 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 60 W (47,8 dBm) και "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 15 %, |
| --- | --- | --- |

4.

Ενισχυτές μικροκυμάτων στερεάς κατάστασης και μικροκυματικά συναρμολογήματα ή δομοστοιχεία που περιέχουν ενισχυτές μικροκυμάτων με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

α.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz μέχρι και 6 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 60 W (47,8 dBm) και "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 15 %,

| β. | εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6 GHz μέχρι και 31,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 15 W (42 dBm) και "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 10 %, |
| --- | --- |

β.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6 GHz μέχρι και 31,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 15 W (42 dBm) και "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 10 %,

| γ. | εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz μέχρι και 37,5 GHz, |
| --- | --- |

γ.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz μέχρι και 37,5 GHz,

| δ. | εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 37,5 GHz μέχρι και 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω του 1 W (30 dBm) και "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 10 %, |
| --- | --- |

δ.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 37,5 GHz μέχρι και 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω του 1 W (30 dBm) και "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 10 %,

| ε. | εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 43,5 GHz, ή |
| --- | --- |

ε.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 43,5 GHz, ή

| στ. | εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3 GHz και με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  1. | μέση ισχύ εξόδου P, σε βαττ, μεγαλύτερη από 150 διά το τετράγωνο της ανώτατης συχνότητας λειτουργίας σε GHz (P>150 W*GHz2/fGHz
  2), |
| --- | --- | --- |

στ.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3 GHz και με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1.

μέση ισχύ εξόδου P, σε βαττ, μεγαλύτερη από 150 διά το τετράγωνο της ανώτατης συχνότητας λειτουργίας σε GHz (P>150 W*GHz2/fGHz
  2),

| 2. | "κλασματικό εύρος ζώνης" 5 % και άνω, και |
| --- | --- |

2.

"κλασματικό εύρος ζώνης" 5 % και άνω, και

| 3. | δύο κάθετες πλευρές μήκους d (σε cm) το πολύ ίσου προς 15 διά την κατώτατη συχνότητα λειτουργίας σε GHz (d=15cm*GHz/ fGHz), |
| --- | --- |

3.

δύο κάθετες πλευρές μήκους d (σε cm) το πολύ ίσου προς 15 διά την κατώτατη συχνότητα λειτουργίας σε GHz (d=15cm*GHz/ fGHz),

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: Οι ενισχυτές ισχύος με μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων πρέπει να αξιολογούνται βάσει των κριτηρίων του σημείου 3A001.β.2

Σημείωση 1: Στο σημείο 3A001.β.4 δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός δορυφορικών ραδιοτηλεοπτικών μεταδόσεων που έχει σχεδιαστεί ή εγκριθεί για να λειτουργεί στη ζώνη συχνοτήτων 40,5 έως 42,5 GHz.

Σημείωση 2: Το καθεστώς ελέγχου των μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων, οι συχνότητες λειτουργίας των οποίων εμπίπτουν σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων κατά τα οριζόμενα στο σημείο 3A001.β.4, καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.

| 5. | Ζωνοπερατά ή ζωνοαπέρατα φίλτρα που μπορούν να συντονισθούν ηλεκτρονικά ή μαγνητικά, που έχουν πάνω από 5 ρυθμιζόμενους συντονιστές και μπορούν να συντονισθούν μέσα σε μία ζώνη συχνοτήτων με λόγο 1,5:1 (fmax/fmin) σε χρόνο λιγότερο από 10 μs που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Εύρος ζώνης ζωνοπερατού φίλτρου πάνω από 0,5 % της κεντρικής συχνότητας, ή |
| --- | --- | --- |

5.

Ζωνοπερατά ή ζωνοαπέρατα φίλτρα που μπορούν να συντονισθούν ηλεκτρονικά ή μαγνητικά, που έχουν πάνω από 5 ρυθμιζόμενους συντονιστές και μπορούν να συντονισθούν μέσα σε μία ζώνη συχνοτήτων με λόγο 1,5:1 (fmax/fmin) σε χρόνο λιγότερο από 10 μs που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Εύρος ζώνης ζωνοπερατού φίλτρου πάνω από 0,5 % της κεντρικής συχνότητας, ή

| β. | Εύρος ζώνης ζωνοαπέρατου φίλτρου λιγότερο από 0,5 % της κεντρικής συχνότητας. |
| --- | --- |

β.

Εύρος ζώνης ζωνοαπέρατου φίλτρου λιγότερο από 0,5 % της κεντρικής συχνότητας.

| 6. | (Δεν χρησιμοποιείται.) |
| --- | --- |

6.

(Δεν χρησιμοποιείται.)

| 7. | Μίκτες και μετατροπείς σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος συχνοτήτων του εξοπλισμού που περιγράφεται στα σημεία 3Α002.γ., 3Α002.ε. ή 3Α002.στ. πέραν των εκεί αναφερομένων ορίων. |
| --- | --- |

7.

Μίκτες και μετατροπείς σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος συχνοτήτων του εξοπλισμού που περιγράφεται στα σημεία 3Α002.γ., 3Α002.ε. ή 3Α002.στ. πέραν των εκεί αναφερομένων ορίων.

| 8. | Μικροκυματικοί ενισχυτές ισχύος που περιλαμβάνουν λυχνίες που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.β. και έχουν όλα τα ακόλουθα:






  α. | Συχνότητες λειτουργίας πάνω από 3 GHz, |
| --- | --- | --- |

8.

Μικροκυματικοί ενισχυτές ισχύος που περιλαμβάνουν λυχνίες που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.β. και έχουν όλα τα ακόλουθα:

α.

Συχνότητες λειτουργίας πάνω από 3 GHz,

| β. | Μέση πυκνότητα ισχύος εξόδου άνω των 80 W/kg, και |
| --- | --- |

β.

Μέση πυκνότητα ισχύος εξόδου άνω των 80 W/kg, και

| γ. | Όγκο μικρότερο από 400 cm3. |
| --- | --- |

γ.

Όγκο μικρότερο από 400 cm3.

Σημείωση: Στο σημείο 3Α001.β.8. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός που έχει σχεδιασθεί για, ή καθορίζεται να λειτουργεί σε ζώνες συχνοτήτων που έχουν "διατεθεί από την ITU" για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.

| γ. | Συσκευές ακουστικών κυμάτων, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τις συσκευές αυτές ως εξής:






  1. | Συσκευές επιφανειακών ακουστικών κυμάτων και συσκευές surface skimming (shallow bulk) ακουστικών κυμάτων (δηλαδή συσκευές για "επεξεργασία σημάτων" που χρησιμοποιούν ελαστικά κύματα σε υλικά) και οι οποίες έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Φέρουσα συχνότητα πάνω από 2,5 GHz, |
| --- | --- | --- | --- |

γ.

Συσκευές ακουστικών κυμάτων, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τις συσκευές αυτές ως εξής:

1.

Συσκευές επιφανειακών ακουστικών κυμάτων και συσκευές surface skimming (shallow bulk) ακουστικών κυμάτων (δηλαδή συσκευές για "επεξεργασία σημάτων" που χρησιμοποιούν ελαστικά κύματα σε υλικά) και οι οποίες έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Φέρουσα συχνότητα πάνω από 2,5 GHz,

| β. | Φέρουσα συχνότητα πάνω από 1 GHz αλλά όχι πάνω από 2,5 GHz και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας που ξεπερνάει τα 55 dB, |
| --- | --- | --- |

β.

Φέρουσα συχνότητα πάνω από 1 GHz αλλά όχι πάνω από 2,5 GHz και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας που ξεπερνάει τα 55 dB,

| 2. | Το γινόμενο του μέγιστου χρόνου καθυστέρησης και του εύρους ζώνης (ο χρόνος σε μs και το εύρος ζώνης σε ΜΗz) το οποίο είναι ανώτερο του 100, |
| --- | --- |

2.

Το γινόμενο του μέγιστου χρόνου καθυστέρησης και του εύρους ζώνης (ο χρόνος σε μs και το εύρος ζώνης σε ΜΗz) το οποίο είναι ανώτερο του 100,

| 3. | Εύρος ζώνης μεγαλύτερο από 250 MHz, ή |
| --- | --- |

3.

Εύρος ζώνης μεγαλύτερο από 250 MHz, ή

| 4. | Καθυστέρηση με διασπορά (dispersive delay) περισσότερη από 10 μs, ή |
| --- | --- |

4.

Καθυστέρηση με διασπορά (dispersive delay) περισσότερη από 10 μs, ή

| γ. | Συχνότητα φέροντος 1 GHz ή λιγότερο, και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Το γινόμενο του μέγιστου χρόνου καθυστέρησης και του εύρους ζώνης (ο χρόνος σε μs και το εύρος ζώνης σε ΜΗz) το οποίο είναι ανώτερο του 100, |
| --- | --- | --- |

γ.

Συχνότητα φέροντος 1 GHz ή λιγότερο, και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Το γινόμενο του μέγιστου χρόνου καθυστέρησης και του εύρους ζώνης (ο χρόνος σε μs και το εύρος ζώνης σε ΜΗz) το οποίο είναι ανώτερο του 100,

| 2. | Καθυστέρηση με διασπορά (dispersive delay) περισσότερη από 10 μs, ή |
| --- | --- |

2.

Καθυστέρηση με διασπορά (dispersive delay) περισσότερη από 10 μs, ή

| 3. | Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας που ξεπερνάει τα 55 dB και εύρος ζώνης μεγαλύτερο από 50 MHz. |
| --- | --- |

3.

Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας που ξεπερνάει τα 55 dB και εύρος ζώνης μεγαλύτερο από 50 MHz.

| 2. | Συσκευές ακουστικών κυμάτων όγκου (δηλαδή συσκευές για "επεξεργασία σημάτων" που χρησιμοποιούν ελαστικά κύματα) που επιτρέπουν την κατ’ ευθείαν επεξεργασία σημάτων σε συχνότητες πάνω από 1 GHz. |
| --- | --- |

2.

Συσκευές ακουστικών κυμάτων όγκου (δηλαδή συσκευές για "επεξεργασία σημάτων" που χρησιμοποιούν ελαστικά κύματα) που επιτρέπουν την κατ’ ευθείαν επεξεργασία σημάτων σε συχνότητες πάνω από 1 GHz.

| 3. | Ακουστικο-οπτικές συσκευές "επεξεργασίας σημάτων" που βασίζονται στην αλληλεπίδραση μεταξύ ακουστικών κυμάτων (κυμάτων όγκου ή κυμάτων επιφανείας) και κυμάτων φωτός και οι οποίες επιτρέπουν την άμεση επεξεργασία σημάτων ή εικόνων. Περιλαμβάνουν φασματική ανάλυση, συσχέτιση ή συνέλιξη. |
| --- | --- |

3.

Ακουστικο-οπτικές συσκευές "επεξεργασίας σημάτων" που βασίζονται στην αλληλεπίδραση μεταξύ ακουστικών κυμάτων (κυμάτων όγκου ή κυμάτων επιφανείας) και κυμάτων φωτός και οι οποίες επιτρέπουν την άμεση επεξεργασία σημάτων ή εικόνων. Περιλαμβάνουν φασματική ανάλυση, συσχέτιση ή συνέλιξη.

| δ. | Ηλεκτρονικές συσκευές και κυκλώματα που περιέχουν δομικά στοιχεία κατασκευασμένα από "υπεραγώγιμα" υλικά και ειδικά σχεδιασμένα για λειτουργία σε θερμοκρασίες κάτω από την "κρίσιμη θερμοκρασία" τουλάχιστον ενός από τα "υπεραγώγιμα" συστατικά υλικά με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Μεταγωγή ρεύματος για ψηφιακά κυκλώματα όπου χρησιμοποιούνται "υπεραγώγιμες" πύλες με γινόμενο μεταξύ του χρόνου καθυστέρησης ανά πύλη (που εκφράζεται σε δευτερόλεπτα) και της κατανάλωσης ισχύος ανά πύλη (που εκφράζεται σε W) και το οποίο είναι λιγότερο από 10– 14 J, ή |
| --- | --- | --- |

δ.

Ηλεκτρονικές συσκευές και κυκλώματα που περιέχουν δομικά στοιχεία κατασκευασμένα από "υπεραγώγιμα" υλικά και ειδικά σχεδιασμένα για λειτουργία σε θερμοκρασίες κάτω από την "κρίσιμη θερμοκρασία" τουλάχιστον ενός από τα "υπεραγώγιμα" συστατικά υλικά με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Μεταγωγή ρεύματος για ψηφιακά κυκλώματα όπου χρησιμοποιούνται "υπεραγώγιμες" πύλες με γινόμενο μεταξύ του χρόνου καθυστέρησης ανά πύλη (που εκφράζεται σε δευτερόλεπτα) και της κατανάλωσης ισχύος ανά πύλη (που εκφράζεται σε W) και το οποίο είναι λιγότερο από 10– 14 J, ή

| 2. | Επιλογή συχνοτήτων σε όλες τις συχνότητες με τη χρήση συντονισμένων κυκλωμάτων με τιμές Q πάνω από 10 000. |
| --- | --- |

2.

Επιλογή συχνοτήτων σε όλες τις συχνότητες με τη χρήση συντονισμένων κυκλωμάτων με τιμές Q πάνω από 10 000.

| ε. | Συσκευές υψηλής ενέργειας, ως εξής:






  1. | Μπαταρίες και φωτοβολταϊκές συστοιχίες ως εξής:


  Σημείωση: Στο σημείο 3Α001.ε.1. δεν ελέγχονται οι μπαταρίες που έχουν όγκο ίσο ή μικρότερο από 27 cm3 (δηλαδή τα τυποποιημένα στοιχεία C ή τις μπαταρίες τύπου R14).







  α. | Πρωτογενή στοιχεία και μπαταρίες που έχουν "ενεργειακή πυκνότητα" πάνω από 480 Wh/kg και έχουν καθορισθεί για λειτουργία στο φάσμα θερμοκρασιών που εκτείνεται από κάτω από 243 K (– 30 °C) μέχρι πάνω από 343 K (70 °C). |
| --- | --- | --- | --- |

ε.

Συσκευές υψηλής ενέργειας, ως εξής:

1.

Μπαταρίες και φωτοβολταϊκές συστοιχίες ως εξής:

Σημείωση: Στο σημείο 3Α001.ε.1. δεν ελέγχονται οι μπαταρίες που έχουν όγκο ίσο ή μικρότερο από 27 cm3 (δηλαδή τα τυποποιημένα στοιχεία C ή τις μπαταρίες τύπου R14).

α.

Πρωτογενή στοιχεία και μπαταρίες που έχουν "ενεργειακή πυκνότητα" πάνω από 480 Wh/kg και έχουν καθορισθεί για λειτουργία στο φάσμα θερμοκρασιών που εκτείνεται από κάτω από 243 K (– 30 °C) μέχρι πάνω από 343 K (70 °C).

| β. | Επαναφορτιζόμενα στοιχεία και μπαταρίες που έχουν "ενεργειακή πυκνότητα" πάνω από 150 Wh/kg μετά από 75 κύκλους φόρτισης/εκφόρτισης με ρεύμα εκφόρτισης ίσο προς C/5 ώρες (όπου C είναι η ονομαστική χωρητικότητα σε αμπερώρες) όταν λειτουργούν στο φάσμα θερμοκρασιών που εκτείνεται κάτω από 253 Κ (-20° C) μέχρι πάνω από 333 Κ (60° C).
  Τεχνική παρατήρηση:

  Η "ενεργειακή πυκνότητα" λαμβάνεται με τον πολλαπλασιασμό της μέσης ισχύος σε Watts (η μέση τάση σε βολτ επί το μέσο ρεύμα σε αμπέρ) επί τη διάρκεια της εκφόρτισης σε ώρες μέχρι να φθάσει η εκφόρτιση στα 75 % της τάσεως του ανοικτού κυκλώματος και όλο αυτό διαιρεμένο με την συνολική μάζα του στοιχείου (ή της μπαταρίας) που εκφράζεται σε kg. |
| --- | --- |

β.

Επαναφορτιζόμενα στοιχεία και μπαταρίες που έχουν "ενεργειακή πυκνότητα" πάνω από 150 Wh/kg μετά από 75 κύκλους φόρτισης/εκφόρτισης με ρεύμα εκφόρτισης ίσο προς C/5 ώρες (όπου C είναι η ονομαστική χωρητικότητα σε αμπερώρες) όταν λειτουργούν στο φάσμα θερμοκρασιών που εκτείνεται κάτω από 253 Κ (-20° C) μέχρι πάνω από 333 Κ (60° C).

Τεχνική παρατήρηση:

Η "ενεργειακή πυκνότητα" λαμβάνεται με τον πολλαπλασιασμό της μέσης ισχύος σε Watts (η μέση τάση σε βολτ επί το μέσο ρεύμα σε αμπέρ) επί τη διάρκεια της εκφόρτισης σε ώρες μέχρι να φθάσει η εκφόρτιση στα 75 % της τάσεως του ανοικτού κυκλώματος και όλο αυτό διαιρεμένο με την συνολική μάζα του στοιχείου (ή της μπαταρίας) που εκφράζεται σε kg.

| γ. | Φωτοβολταϊκές συστοιχίες οι οποίες είναι "κατάλληλες για διαστημική χρήση" και έχουν υποστεί επεξεργασία για να αντέχουν σε ακτινοβολία, με ειδική ισχύ που ξεπερνά τα 160 W/m2 σε θερμοκρασία λειτουργίας 301 K (28 °C) όταν υφίστανται φωτισμό από βολφράμιο ισχύος 1 kW/m2 στους 2 800 K (2 527 °C). |
| --- | --- |

γ.

Φωτοβολταϊκές συστοιχίες οι οποίες είναι "κατάλληλες για διαστημική χρήση" και έχουν υποστεί επεξεργασία για να αντέχουν σε ακτινοβολία, με ειδική ισχύ που ξεπερνά τα 160 W/m2 σε θερμοκρασία λειτουργίας 301 K (28 °C) όταν υφίστανται φωτισμό από βολφράμιο ισχύος 1 kW/m2 στους 2 800 K (2 527 °C).

| 2. | Πυκνωτές με υψηλή ενεργειακή χωρητικότητα ως εξής:

  ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α201.α.







  α. | Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης κάτω από 10 Hz (πυκνωτές μιας κρούσης) που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  1. | Ονομαστική τάση ίση ή ανώτερη από 5 kV, |
| --- | --- | --- | --- |

2.

Πυκνωτές με υψηλή ενεργειακή χωρητικότητα ως εξής:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α201.α.

α.

Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης κάτω από 10 Hz (πυκνωτές μιας κρούσης) που έχουν όλα τα ακόλουθα:

1.

Ονομαστική τάση ίση ή ανώτερη από 5 kV,

| 2. | Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη από 250 J/kg, και |
| --- | --- |

2.

Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη από 250 J/kg, και

| 3. | Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη από 25 kJ. |
| --- | --- |

3.

Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη από 25 kJ.

| β. | Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης 10 Hz ή παραπάνω (επαναληπτικοί πυκνωτές) που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  1. | Ονομαστική τάση ίση ή ανώτερη από 5 kV. |
| --- | --- | --- |

β.

Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης 10 Hz ή παραπάνω (επαναληπτικοί πυκνωτές) που έχουν όλα τα ακόλουθα:

1.

Ονομαστική τάση ίση ή ανώτερη από 5 kV.

| 2. | Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη από 50 J/kg. |
| --- | --- |

2.

Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη από 50 J/kg.

| 3. | Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη από 100 J, και |
| --- | --- |

3.

Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη από 100 J, και

| 4. | Κύκλο ζωής για φόρτιση και εκφόρτιση ίσο ή ανώτερο από 10 000. |
| --- | --- |

4.

Κύκλο ζωής για φόρτιση και εκφόρτιση ίσο ή ανώτερο από 10 000.

| 3. | «Υπεραγώγιμοι» ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν σχεδιασθεί ειδικά ώστε να φορτίζονται πλήρως, ή να εκφορτίζονται, σε λιγότερο από ένα δευτερόλεπτο και που έχουν όλα τα ακόλουθα:

  ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α201.β.



  Σημείωση: Στο σημείο 3Α001.ε.3 δεν ελέγχονται "υπεραγώγιμοι" ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν κατασκευασθεί ειδικά για ιατρικό εξοπλισμό απεικόνισης με τη βοήθεια Μαγνητικού Συντονισμού (Magnetic Resonance Imaging).







  α. | Ενέργεια που αποδίδεται κατά τη διάρκεια της εκφόρτισης η οποία υπερβαίνει τα 10 kJ το πρώτο δευτερόλεπτο, |
| --- | --- | --- |

3.

«Υπεραγώγιμοι» ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν σχεδιασθεί ειδικά ώστε να φορτίζονται πλήρως, ή να εκφορτίζονται, σε λιγότερο από ένα δευτερόλεπτο και που έχουν όλα τα ακόλουθα:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α201.β.

Σημείωση: Στο σημείο 3Α001.ε.3 δεν ελέγχονται "υπεραγώγιμοι" ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν κατασκευασθεί ειδικά για ιατρικό εξοπλισμό απεικόνισης με τη βοήθεια Μαγνητικού Συντονισμού (Magnetic Resonance Imaging).

α.

Ενέργεια που αποδίδεται κατά τη διάρκεια της εκφόρτισης η οποία υπερβαίνει τα 10 kJ το πρώτο δευτερόλεπτο,

| β. | Εσωτερική διάμετρο των ρευματοφόρων περιελίξεων ανώτερη από 250 mm, και |
| --- | --- |

β.

Εσωτερική διάμετρο των ρευματοφόρων περιελίξεων ανώτερη από 250 mm, και

| γ. | Ονομαστική μαγνητική επαγωγή πάνω από 8 Τ ή "συνολική πυκνότητα ρεύματος" στις περιελίξεις που είναι ανώτερη από 300 A/mm2. |
| --- | --- |

γ.

Ονομαστική μαγνητική επαγωγή πάνω από 8 Τ ή "συνολική πυκνότητα ρεύματος" στις περιελίξεις που είναι ανώτερη από 300 A/mm2.

| στ. | Rotary input type shaft absolute position encoders που έχουν ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Διακριτική ικανότητα καλύτερη από 1 μέρος στα 265 000 της πλήρους κλίμακας (διακριτική ικανότητα 18 bit), ή |
| --- | --- | --- |

στ.

Rotary input type shaft absolute position encoders που έχουν ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Διακριτική ικανότητα καλύτερη από 1 μέρος στα 265 000 της πλήρους κλίμακας (διακριτική ικανότητα 18 bit), ή

| 2. | Ακρίβεια καλύτερη από ± 2,5 δευτερόλεπτα τόξου. |
| --- | --- |

2.

Ακρίβεια καλύτερη από ± 2,5 δευτερόλεπτα τόξου.

3A002Ηλεκτρονικός εξοπλισμός γενικής χρήσεως:

| α. | Εξοπλισμός καταγραφής ως εξής και ειδικά σχεδιασμένες μαγνητικές ταινίες δοκιμής γι’ αυτόν:






  1. | Μαγνητόφωνα με αναλογικά όργανα, που περιλαμβάνουν μαγνητόφωνα που επιτρέπουν την καταγραφή ψηφιακών σημάτων (για παράδειγμα χρησιμοποιώντας μονάδα για ψηφιακή εγγραφή)






  α. | Εύρος ζώνης πάνω από 4 MHz ανά ηλεκτρονικό κανάλι ή ζώνη (trαck). |
| --- | --- | --- | --- |

α.

Εξοπλισμός καταγραφής ως εξής και ειδικά σχεδιασμένες μαγνητικές ταινίες δοκιμής γι’ αυτόν:

1.

Μαγνητόφωνα με αναλογικά όργανα, που περιλαμβάνουν μαγνητόφωνα που επιτρέπουν την καταγραφή ψηφιακών σημάτων (για παράδειγμα χρησιμοποιώντας μονάδα για ψηφιακή εγγραφή)

α.

Εύρος ζώνης πάνω από 4 MHz ανά ηλεκτρονικό κανάλι ή ζώνη (trαck).

| β. | Εύρος ζώνης πάνω από 2 MHz ανά ηλεκτρονικό κανάλι ή ζώνη και τα οποία έχουν πάνω από 42 ζώνες, ή |
| --- | --- |

β.

Εύρος ζώνης πάνω από 2 MHz ανά ηλεκτρονικό κανάλι ή ζώνη και τα οποία έχουν πάνω από 42 ζώνες, ή

| γ. | Χρονικό σφάλμα βάσης χρόνου (time displacement error) το οποίο μετριέται σύμφωνα με τα ισχύοντα έγγραφα κανονισμών IRIG (Inter Range Instrumentation Group) ή ΕΙΑ (Electronic Industries Association), το οποίο είναι μικρότερο από ± 0,1 μs. |
| --- | --- |

γ.

Χρονικό σφάλμα βάσης χρόνου (time displacement error) το οποίο μετριέται σύμφωνα με τα ισχύοντα έγγραφα κανονισμών IRIG (Inter Range Instrumentation Group) ή ΕΙΑ (Electronic Industries Association), το οποίο είναι μικρότερο από ± 0,1 μs.

Σημείωση: Τα αναλογικά μαγνητόφωνα που είναι ειδικά σχεδιασμένα για μη στρατιωτική χρήση βίντεο δεν θεωρούνται ως μαγνητόφωνα με αναλογικά όργανα.

| 2. | Ψηφιακά μαγνητοσκόπια που έχουν μέγιστο ρυθμό μετάδοσης ψηφιακής διασύνδεσης πάνω από 360 Mbit/s,


  Σημείωση: Στο σημείο 3Α002.α.2 δεν ελέγχονται τα ψηφιακά μαγνητοσκόπια που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για τηλεοπτικές μαγνητοσκοπήσεις και χρησιμοποιούν μορφές σήματος, ενδεχομένως συμπιεσμένες, που έχουν τυποποιηθεί ή συνιστώνται από τους οργανισμούς ITU, IEC, SMPTE, EBU, ETSI ή IEEE για εφαρμογές πολιτικής τηλεόρασης. |
| --- | --- |

2.

Ψηφιακά μαγνητοσκόπια που έχουν μέγιστο ρυθμό μετάδοσης ψηφιακής διασύνδεσης πάνω από 360 Mbit/s,

Σημείωση: Στο σημείο 3Α002.α.2 δεν ελέγχονται τα ψηφιακά μαγνητοσκόπια που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για τηλεοπτικές μαγνητοσκοπήσεις και χρησιμοποιούν μορφές σήματος, ενδεχομένως συμπιεσμένες, που έχουν τυποποιηθεί ή συνιστώνται από τους οργανισμούς ITU, IEC, SMPTE, EBU, ETSI ή IEEE για εφαρμογές πολιτικής τηλεόρασης.

| 3. | Μαγνητόφωνα δεδομένων με ψηφιακά όργανα τα οποία χρησιμοποιούν ελικοειδείς τεχνικές σάρωσης ή τεχνικές σταθερής κεφαλής και τα οποία έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Μέγιστο ρυθμό μετάδοσης ψηφιακής διασύνδεσης πάνω από 175 Mbit/s, ή |
| --- | --- | --- |

3.

Μαγνητόφωνα δεδομένων με ψηφιακά όργανα τα οποία χρησιμοποιούν ελικοειδείς τεχνικές σάρωσης ή τεχνικές σταθερής κεφαλής και τα οποία έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Μέγιστο ρυθμό μετάδοσης ψηφιακής διασύνδεσης πάνω από 175 Mbit/s, ή

| β. | Είναι "κατάλληλα για διαστημική χρήση". |
| --- | --- |

β.

Είναι "κατάλληλα για διαστημική χρήση".

Σημείωση: Στο σημείο 3Α002.α.3. δεν ελέγχονται αναλογικά μαγνητόφωνα εξοπλισμένα με ηλεκτρονικό εξοπλισμό μετατροπής ΗDDR τα οποία έχουν σχεδιασθεί για να καταγράφουν μόνο ψηφιακά δεδομένα.

| 4. | Εξοπλισμός με μέγιστο ρυθμό μετάδοσης ψηφιακής διασύνδεσης πάνω από 175 Mbit/s που έχει σχεδιασθεί για να μετατρέπει ψηφιακά μαγνητοσκόπια ώστε να μπορούν να χρησιμοποιηθούν σαν ψηφιακά όργανα καταγραφής δεδομένων. |
| --- | --- |

4.

Εξοπλισμός με μέγιστο ρυθμό μετάδοσης ψηφιακής διασύνδεσης πάνω από 175 Mbit/s που έχει σχεδιασθεί για να μετατρέπει ψηφιακά μαγνητοσκόπια ώστε να μπορούν να χρησιμοποιηθούν σαν ψηφιακά όργανα καταγραφής δεδομένων.

| 5. | Μετατροπείς κυματομορφών σε ψηφιακή μορφή και καταγραφείς μεταβατικών φαινομένων, που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  α. | Ρυθμό ψηφιακής μετατροπής τουλάχιστον 200 εκατ. δείγματα ανά δευτερόλεπτο και διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit, και |
| --- | --- | --- |

5.

Μετατροπείς κυματομορφών σε ψηφιακή μορφή και καταγραφείς μεταβατικών φαινομένων, που έχουν όλα τα ακόλουθα:

α.

Ρυθμό ψηφιακής μετατροπής τουλάχιστον 200 εκατ. δείγματα ανά δευτερόλεπτο και διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit, και

| β. | Συνεχή διεκπεραίωση τουλάχιστον 2 Gbit/s. |
| --- | --- |

β.

Συνεχή διεκπεραίωση τουλάχιστον 2 Gbit/s.

Τεχνική παρατήρηση

Για όργανα με αρτηρία (bus) παραλλήλου αρχιτεκτονικής, ο ρυθμός συνεχούς διεκπεραίωσης είναι ο υψηλότερος ρυθμός λέξεων πολλαπλασιασμένος επί τον αριθμό bits σε μια λέξη.

"Συνεχής διεκπεραίωση" είναι ο ταχύτερος ρυθμός δεδομένων τον οποίο το όργανο μπορεί να προωθήσει στην εκροή προς τη μαζική μνήμη, χωρίς απώλεια πληροφοριών, διατηρώντας παράλληλα το ρυθμό δειγματοληψίας και τη μετατροπή αναλογικού προς ψηφιακό.

| 6. | Καταγραφείς δεδομένων με ψηφιακά όργανα που χρησιμοποιούν τεχνικές αποθήκευσης με μαγνητικούς δίσκους και έχουν όλα τα ακόλουθα:






  α. | Ρυθμό ψηφιακής μετατροπής τουλάχιστον 100 εκατ. δείγματα ανά δευτερόλεπτο και διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit, και |
| --- | --- | --- |

6.

Καταγραφείς δεδομένων με ψηφιακά όργανα που χρησιμοποιούν τεχνικές αποθήκευσης με μαγνητικούς δίσκους και έχουν όλα τα ακόλουθα:

α.

Ρυθμό ψηφιακής μετατροπής τουλάχιστον 100 εκατ. δείγματα ανά δευτερόλεπτο και διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit, και

| β. | Συνεχή διεκπεραίωση τουλάχιστον 1 Gbit/s. |
| --- | --- |

β.

Συνεχή διεκπεραίωση τουλάχιστον 1 Gbit/s.

| β. | "Ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις" για "γεννήτριες σύνθεσης συχνοτήτων" που έχουν "χρόνο μεταγωγής συχνότητας" από μία επιλεγμένη συχνότητα σε άλλη κατώτερο από 1 ms. |
| --- | --- |

β.

"Ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις" για "γεννήτριες σύνθεσης συχνοτήτων" που έχουν "χρόνο μεταγωγής συχνότητας" από μία επιλεγμένη συχνότητα σε άλλη κατώτερο από 1 ms.

| γ. | "Συστήματα ανάλυσης σημάτων" ραδιοσυχνοτήτων ως εξής:






  1. | "Συστήματα ανάλυσης σημάτων" ικανά να αναλύουν συχνότητες πάνω από 31,8 GHz και κάτω από 37,5 GHz, ή πάνω από 43,5 GHz. |
| --- | --- | --- |

γ.

"Συστήματα ανάλυσης σημάτων" ραδιοσυχνοτήτων ως εξής:

1.

"Συστήματα ανάλυσης σημάτων" ικανά να αναλύουν συχνότητες πάνω από 31,8 GHz και κάτω από 37,5 GHz, ή πάνω από 43,5 GHz.

| 2. | "Συστήματα δυναμικής ανάλυσης σημάτων" με "εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου" ανώτερο από 500 kHz


  Σημείωση: Στο σημείο 3Α002.γ.2. δεν ελέγχονται τα "συστήματα δυναμικής ανάλυσης σημάτων" που χρησιμοποιούν μόνο φίλτρα σταθερού ποσοστιαίου εύρους ζώνης (γνωστά και σαν φίλτρα οκτάβας ή κλασματικής οκτάβας). |
| --- | --- |

2.

"Συστήματα δυναμικής ανάλυσης σημάτων" με "εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου" ανώτερο από 500 kHz

Σημείωση: Στο σημείο 3Α002.γ.2. δεν ελέγχονται τα "συστήματα δυναμικής ανάλυσης σημάτων" που χρησιμοποιούν μόνο φίλτρα σταθερού ποσοστιαίου εύρους ζώνης (γνωστά και σαν φίλτρα οκτάβας ή κλασματικής οκτάβας).

| δ. | Γεννήτριες σημάτων με σύνθεση συχνοτήτων. Οι συχνότητες εξόδου που παράγονται έχουν ακρίβεια και βραχυπρόθεσμη και μακροπρόθεσμη σταθερότητα που ελέγχεται, ή παράγεται ή διορθώνεται από την εσωτερική κύρια συχνότητα. Οι γεννήτριες έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Μέγιστη συχνότητα που προκύπτει από σύνθεση πάνω από 31,8 GHz και μέχρι και 43,5 GHz , και εγκεκριμένες για την παραγωγή παλμών διαρκείας < 100 ns, |
| --- | --- | --- |

δ.

Γεννήτριες σημάτων με σύνθεση συχνοτήτων. Οι συχνότητες εξόδου που παράγονται έχουν ακρίβεια και βραχυπρόθεσμη και μακροπρόθεσμη σταθερότητα που ελέγχεται, ή παράγεται ή διορθώνεται από την εσωτερική κύρια συχνότητα. Οι γεννήτριες έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Μέγιστη συχνότητα που προκύπτει από σύνθεση πάνω από 31,8 GHz και μέχρι και 43,5 GHz , και εγκεκριμένες για την παραγωγή παλμών διαρκείας < 100 ns,

| 2. | Μέγιστη συχνότητα που προκύπτει από σύνθεση άνω των 43,5 GHz, |
| --- | --- |

2.

Μέγιστη συχνότητα που προκύπτει από σύνθεση άνω των 43,5 GHz,

| 3. | Χρόνο μεταγωγής συχνότητας» από μία επιλεγμένη συχνότητα στην άλλη μικρότερο από 1 ms, ή |
| --- | --- |

3.

Χρόνο μεταγωγής συχνότητας» από μία επιλεγμένη συχνότητα στην άλλη μικρότερο από 1 ms, ή

| 4. | Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB) καλύτερο από – (126 + 20 log10F – 20 log10f), εκφρασμένο σε dBc/Hz, όπου F είναι η απόκλιση από τη συχνότητα λειτουργίας σε Hz και f είναι η συχνότητα λειτουργίας σε MHz.
  Τεχνική παρατήρηση:

  Για το σημείο 3Α002.δ. ως "διάρκεια παλμού" ορίζεται το χρονικό διάστημα μεταξύ του πρότερου άκρου του παλμού που αντιστοιχεί στο 90 % του μεγίστου και του ύστερου άρκου του παλμού που αντιστοιχεί στο 10 % του μεγίστου. |
| --- | --- |

4.

Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB) καλύτερο από – (126 + 20 log10F – 20 log10f), εκφρασμένο σε dBc/Hz, όπου F είναι η απόκλιση από τη συχνότητα λειτουργίας σε Hz και f είναι η συχνότητα λειτουργίας σε MHz.

Τεχνική παρατήρηση:

Για το σημείο 3Α002.δ. ως "διάρκεια παλμού" ορίζεται το χρονικό διάστημα μεταξύ του πρότερου άκρου του παλμού που αντιστοιχεί στο 90 % του μεγίστου και του ύστερου άρκου του παλμού που αντιστοιχεί στο 10 % του μεγίστου.

Σημείωση: Στο σημείο 3Α002.δ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός στον οποίο η συχνότητα εξόδου παράγεται, είτε μέσω της πρόσθεσης ή αφαίρεσης δύο ή περισσοτέρων συχνοτήτων που παράγει κρυσταλλικός ταλαντωτής, είτε από την πρόσθεση ή αφαίρεση την οποία ακολουθεί πολλαπλασιασμός του αποτελέσματος.

| ε. | Αναλυτές δικτύου με μέγιστη λειτουργική συχνότητα πάνω από 43,5 GHz. |
| --- | --- |

ε.

Αναλυτές δικτύου με μέγιστη λειτουργική συχνότητα πάνω από 43,5 GHz.

| στ. | Δοκιμαστικοί μικροκυματικοί δέκτες που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  1. | Μέγιστη λειτουργική συχνότητα πάνω από 43,5 GHz, και |
| --- | --- | --- |

στ.

Δοκιμαστικοί μικροκυματικοί δέκτες που έχουν όλα τα ακόλουθα:

1.

Μέγιστη λειτουργική συχνότητα πάνω από 43,5 GHz, και

| 2. | Μπορούν να μετρήσουν συγχρόνως το πλάτος και τη φάση. |
| --- | --- |

2.

Μπορούν να μετρήσουν συγχρόνως το πλάτος και τη φάση.

| ζ. | Πρότυπα ατομικής συχνότητας που έχουν ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Μακροπρόθεσμη σταθερότητα (γήρανση) μικρότερη (καλύτερη) από 1 × 10– 11/μήνα, ή |
| --- | --- | --- |

ζ.

Πρότυπα ατομικής συχνότητας που έχουν ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Μακροπρόθεσμη σταθερότητα (γήρανση) μικρότερη (καλύτερη) από 1 × 10– 11/μήνα, ή

| 2. | Είναι "κατάλληλα για διαστημική χρήση". |
| --- | --- |

2.

Είναι "κατάλληλα για διαστημική χρήση".

Σημείωση: Στο σημείο 3Α002.ζ.1. δεν ελέγχονται τα πρότυπα ρουβιδίου που δεν είναι "κατάλληλα για διαστημική χρήση".

3A003Συστήματα θερμοδιαχείρισης με ψύξη διά ψεκασμού, που χρησιμοποιούν εξοπλισμό χειρισμού και επαναχρησιμοποίησης ρευστών σε κλειστό βρόχο μέσα σε σφραγισμένο περιβάλλον, όπου ψεκάζεται διηλεκτρικό ρευστό πάνω σε ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία με χρήση ειδικά σχεδιασμένων ψεκαστικών ακροφυσίων σχεδιασμένων να διατηρούν τα ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία εντός του αντίστοιχου φάσματος θερμοκρασιών λειτουργίας, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τον εξοπλισμό αυτό.

3A101Ηλεκτρονικός εξοπλισμός, συσκευές και δομικά στοιχεία εκτός από αυτά που ορίζονται στο σημείο 3Α001, ως εξής:

| α. | Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό που μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε "πυραύλους" και που έχουν σχεδιασθεί για να πληρούν στρατιωτικές προδιαγραφές για ανθεκτικό εξοπλισμό· |
| --- | --- |

α.

Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό που μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε "πυραύλους" και που έχουν σχεδιασθεί για να πληρούν στρατιωτικές προδιαγραφές για ανθεκτικό εξοπλισμό·

| β. | Επιταχυντές ικανοί να αποδώσουν ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία που παράγεται από ακτινοβολία επιβράδυνσης από επιταχυνόμενα ηλεκτρόνια ύψους 2 MeV ή παραπάνω, και συστήματα που περιέχουν τους επιταχυντές αυτούς.


  Σημείωση: Το παραπάνω σημείο 3Α101.β. δεν περιλαμβάνει εξοπλισμό ο οποίος έχει ειδικά σχεδιασθεί για ιατρικούς σκοπούς. |
| --- | --- |

β.

Επιταχυντές ικανοί να αποδώσουν ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία που παράγεται από ακτινοβολία επιβράδυνσης από επιταχυνόμενα ηλεκτρόνια ύψους 2 MeV ή παραπάνω, και συστήματα που περιέχουν τους επιταχυντές αυτούς.

Σημείωση: Το παραπάνω σημείο 3Α101.β. δεν περιλαμβάνει εξοπλισμό ο οποίος έχει ειδικά σχεδιασθεί για ιατρικούς σκοπούς.

3A201Ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία εκτός από όσα καθορίζονται στο σημείο 3Α001, ως εξής:

| α. | Πυκνωτές με μία από τις ακόλουθες ομάδες χαρακτηριστικών:






  1. | α. | Ονομαστική τάση πάνω από 1,4 kV, |
| --- | --- | --- | --- |

α.

Πυκνωτές με μία από τις ακόλουθες ομάδες χαρακτηριστικών:

1.

α.

Ονομαστική τάση πάνω από 1,4 kV,

| β. | Αποθήκευση ενέργειας ανώτερη από 10 J, |
| --- | --- |

β.

Αποθήκευση ενέργειας ανώτερη από 10 J,

| γ. | Χωρητικότητα πάνω από 0,5 μF και |
| --- | --- |

γ.

Χωρητικότητα πάνω από 0,5 μF και

| δ. | iΑυτεπαγωγή σειράς μικρότερη από 50 nH, ή |
| --- | --- |

δ.

iΑυτεπαγωγή σειράς μικρότερη από 50 nH, ή

| 2. | α. | Ονομαστική τάση πάνω από 750 V, |
| --- | --- | --- |

2.

α.

Ονομαστική τάση πάνω από 750 V,

| β. | Χωρητικότητα πάνω από 0,25 μF, και |
| --- | --- |

β.

Χωρητικότητα πάνω από 0,25 μF, και

| γ. | Αυτεπαγωγή σειράς μικρότερη από 10 nH. |
| --- | --- |

γ.

Αυτεπαγωγή σειράς μικρότερη από 10 nH.

| β. | Υπεραγώγιμοι σωληνοειδείς ηλεκτρομαγνήτες που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Ικανότητα να δημιουργούν μαγνητικά πεδία πάνω από 2 T, |
| --- | --- | --- |

β.

Υπεραγώγιμοι σωληνοειδείς ηλεκτρομαγνήτες που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Ικανότητα να δημιουργούν μαγνητικά πεδία πάνω από 2 T,

| 2. | Λόγο μήκους προς εσωτερική διάμετρο μεγαλύτερο από 2, |
| --- | --- |

2.

Λόγο μήκους προς εσωτερική διάμετρο μεγαλύτερο από 2,

| 3. | Εσωτερική διάμετρο πάνω από 300 mm, και |
| --- | --- |

3.

Εσωτερική διάμετρο πάνω από 300 mm, και

| 4. | Ομοιογένεια μαγνητικού πεδίου καλύτερη από 1 % όταν μετριέται στο κεντρικό 50 % του εσωτερικού όγκου. |
| --- | --- |

4.

Ομοιογένεια μαγνητικού πεδίου καλύτερη από 1 % όταν μετριέται στο κεντρικό 50 % του εσωτερικού όγκου.

Σημείωση: Το σημείο 3Α201.β. δεν θέτει υπό έλεγχο μαγνήτες που έχουν ειδικά σχεδιασθεί και εξάγονται ως μέρος ιατρικών συστημάτων απεικόνισης που βασίζονται σε πυρηνικό μαγνητικό συντονισμό (nuclear magnetic resonance). Η φράση "ως μέρος" δεν σημαίνει κατ’ ανάγκη ότι αποτελεί υλικό τμήμα της ίδιας αποστολής. Επιτρέπονται ξεχωριστές αποστολές από διαφορετικές πηγές υπό τον όρο τα σχετικά εξαγωγικά έγγραφα να καθορίζουν σαφώς ότι οι αποστολές διακινούνται "ως μέρος" των συστημάτων απεικόνισης.

| γ. | Γεννήτριες ακτίνων Χ στιγμιαίας λειτουργίας, ή παλμικοί επιταχυντές ηλεκτρονίων με ένα από τα ακόλουθα σύνολα χαρακτηριστικών:






  1. | α. | Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 500 keV και άνω, αλλά κάτω των 25 MeV, και |
| --- | --- | --- | --- |

γ.

Γεννήτριες ακτίνων Χ στιγμιαίας λειτουργίας, ή παλμικοί επιταχυντές ηλεκτρονίων με ένα από τα ακόλουθα σύνολα χαρακτηριστικών:

1.

α.

Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 500 keV και άνω, αλλά κάτω των 25 MeV, και

| β. | «Συντελεστή κέρδους» (Κ) 0,25 ή παραπάνω, ή |
| --- | --- |

β.

«Συντελεστή κέρδους» (Κ) 0,25 ή παραπάνω, ή

| 2. | α. | Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 25 MeV και άνω, και |
| --- | --- | --- |

2.

α.

Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 25 MeV και άνω, και

| β. | Ανώτατη ισχύ μεγαλύτερη από 50 MW. |
| --- | --- |

β.

Ανώτατη ισχύ μεγαλύτερη από 50 MW.

Σημείωση: Το σημείο 3Α201.γ. δεν καλύπτει τους επιταχυντές που αποτελούν δομικά στοιχεία συσκευών που έχουν σχεδιασθεί για σκοπούς άλλους εκτός από την ακτινοβολία με ακτίνες Χ ή με ηλεκτρονική δέσμη (για παράδειγμα ηλεκτρονικά μικροσκόπια), καθώς και συσκευών που έχουν σχεδιασθεί για ιατρικούς σκοπούς.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Ο "συντελεστής κέρδους" Κ ορίζεται ως εξής:


  όπου V είναι η ανώτατη ενέργεια των ηλεκτρονίων σε MeV, και
  Q είναι το συνολικό φορτίο σε Coulomb που έχει επιταχυνθεί, αν η διάρκεια της παλμικής δέσμης του επιταχυντή είναι μικρότερη από ή ίση προς 1 μικροδευτερόλεπτο. Αν η διάρκεια της παλμικής δέσμης του επιταχυντή είναι μεγαλύτερη από 1 μικροδευτερόλεπτο, τότε το Q είναι το μέγιστο φορτίο που επιταχύνεται σε 1 μικροδευτερόλεπτο.
  Το Q είναι ίσο με το ολοκλήρωμα του i ως προς το t επί το μικρότερο από τους δύο χρόνους, δηλαδή 1 μικροδευτερόλεπτο ή την διάρκεια σε χρόνο της παλμικής δέσμης (Q = ∫ idt), όπου i είναι το ρεύμα της δέσμης σε αμπέρ και t είναι ο χρόνος σε δευτερόλεπτα |
| --- | --- |

1.

Ο "συντελεστής κέρδους" Κ ορίζεται ως εξής:

| 2. | "Ανώτατη ισχύς" είναι το γινόμενο του μέγιστου δυναμικού (σε βολτ) επί το μέγιστο ρεύμα δέσμης (σε αμπέρ). |
| --- | --- |

2.

"Ανώτατη ισχύς" είναι το γινόμενο του μέγιστου δυναμικού (σε βολτ) επί το μέγιστο ρεύμα δέσμης (σε αμπέρ).

| 3. | Στις μηχανές που βασίζονται σε κοιλότητες επιταχύνσεως μικροκυμάτων, ο χρόνος διάρκειας της παλμικής δέσμης είναι το μικρότερο από τις δύο ποσότητες, δηλαδή 1 μs ή τη διάρκεια του συμπιεσμένου πακέτου δέσμης που προκύπτει από έναν παλμό μικροκυματικού διαμορφωτή. |
| --- | --- |

3.

Στις μηχανές που βασίζονται σε κοιλότητες επιταχύνσεως μικροκυμάτων, ο χρόνος διάρκειας της παλμικής δέσμης είναι το μικρότερο από τις δύο ποσότητες, δηλαδή 1 μs ή τη διάρκεια του συμπιεσμένου πακέτου δέσμης που προκύπτει από έναν παλμό μικροκυματικού διαμορφωτή.

| 4. | Στις μηχανές που βασίζονται σε κοιλότητες επιτάχυνσης μικροκυμάτων το μέγιστο ρεύμα δέσμης ισούται με το μέσο ρεύμα κατά τη διάρκεια σε χρόνο ενός συμπιεσμένου πακέτου δέσμης. |
| --- | --- |

4.

Στις μηχανές που βασίζονται σε κοιλότητες επιτάχυνσης μικροκυμάτων το μέγιστο ρεύμα δέσμης ισούται με το μέσο ρεύμα κατά τη διάρκεια σε χρόνο ενός συμπιεσμένου πακέτου δέσμης.

3A225Μετατροπείς συχνότητας ή γεννήτριες, εκτός από τις συσκευές που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.β.13., που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Πολυφασική έξοδο που μπορεί να αποδώσει ισχύ 40 W ή παραπάνω, |
| --- | --- |

α.

Πολυφασική έξοδο που μπορεί να αποδώσει ισχύ 40 W ή παραπάνω,

| β. | Ικανότητα λειτουργίας στο φάσμα συχνοτήτων μεταξύ 600 και 2000 Hz, |
| --- | --- |

β.

Ικανότητα λειτουργίας στο φάσμα συχνοτήτων μεταξύ 600 και 2000 Hz,

| γ. | Συνολική αρμονική παραμόρφωση καλύτερη (κάτω) από 10 %, και |
| --- | --- |

γ.

Συνολική αρμονική παραμόρφωση καλύτερη (κάτω) από 10 %, και

| δ. | Έλεγχο συχνότητας καλύτερο (κάτω) από 0,1 %. |
| --- | --- |

δ.

Έλεγχο συχνότητας καλύτερο (κάτω) από 0,1 %.

Τεχνική παρατήρηση:

Οι κατά το σημείο 3Α225 μετατροπείς συχνότητας είναι γνωστοί και ως μεταλλάκτες ή inverters.

3A226Τροφοδοτικά συνεχούς ρεύματος υψηλής ισχύος, εκτός εκείνων που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.ι.6., που έχουν και τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 100 V ή παραπάνω, με ρεύμα εξόδου 500 Α ή παραπάνω και |
| --- | --- |

α.

μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 100 V ή παραπάνω, με ρεύμα εξόδου 500 Α ή παραπάνω και

| β. | εμφανίζουν σταθερότητα τάσης ή ρεύματος καλύτερη από 0,1 % σε χρονική περίοδο 8 ωρών. |
| --- | --- |

β.

εμφανίζουν σταθερότητα τάσης ή ρεύματος καλύτερη από 0,1 % σε χρονική περίοδο 8 ωρών.

3A227Τροφοδοτικά συνεχούς ρεύματος υψηλής τάσης, εκτός εκείνων που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.ι.5, που έχουν και τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 20 kV ή παραπάνω με ρεύμα εξόδου 1 Α ή παραπάνω, και |
| --- | --- |

α.

μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 20 kV ή παραπάνω με ρεύμα εξόδου 1 Α ή παραπάνω, και

| β. | εμφανίζουν σταθερότητα τάσης ή ρεύματος καλύτερη από 0,1 % σε χρονική περίοδο 8 ωρών. |
| --- | --- |

β.

εμφανίζουν σταθερότητα τάσης ή ρεύματος καλύτερη από 0,1 % σε χρονική περίοδο 8 ωρών.

3A228Συσκευές μεταγωγής ως εξής:

| α. | Λυχνίες κρύας καθόδου, είτε γεμισμένες με αέριο είτε όχι, που λειτουργούν παρόμοια με διάκενο σπινθηρισμού και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Τρία ή περισσότερα ηλεκτρόδια, |
| --- | --- | --- |

α.

Λυχνίες κρύας καθόδου, είτε γεμισμένες με αέριο είτε όχι, που λειτουργούν παρόμοια με διάκενο σπινθηρισμού και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Τρία ή περισσότερα ηλεκτρόδια,

| 2. | Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου 2,5 kV ή παραπάνω, |
| --- | --- |

2.

Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου 2,5 kV ή παραπάνω,

| 3. | Ανώτατη ονομαστική τιμή ρεύματος ανόδου 100 Α ή παραπάνω, και |
| --- | --- |

3.

Ανώτατη ονομαστική τιμή ρεύματος ανόδου 100 Α ή παραπάνω, και

| 4. | Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 10 μικροδευτερόλεπτα ή λιγότερο. |
| --- | --- |

4.

Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 10 μικροδευτερόλεπτα ή λιγότερο.

Σημείωση: το σημείο 3Α228 περιλαμβάνει τις λυχνίες τύπου krytron με αέριο και sprytron με κενό.

| β. | Διάκενα σπινθηρισμού με σκανδαλισμό που έχουν και τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά






  1. | Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 15 μικροδευτερόλεπτα ή λιγότερο, και |
| --- | --- | --- |

β.

Διάκενα σπινθηρισμού με σκανδαλισμό που έχουν και τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά

1.

Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 15 μικροδευτερόλεπτα ή λιγότερο, και

| 2. | Ονομαστική ανώτατη τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω. |
| --- | --- |

2.

Ονομαστική ανώτατη τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω.

| γ. | Βαθμιδωτά στοιχεία ή συναρμολογήσεις με ταχεία λειτουργία μεταγωγής που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου παραπάνω από 2 kV, |
| --- | --- | --- |

γ.

Βαθμιδωτά στοιχεία ή συναρμολογήσεις με ταχεία λειτουργία μεταγωγής που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου παραπάνω από 2 kV,

| 2. | Ανώτατη ονομαστική τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω, και |
| --- | --- |

2.

Ανώτατη ονομαστική τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω, και

| 3. | Χρόνο ενεργοποίησης 1 μικροδευτερολέπτου ή λιγότερο. |
| --- | --- |

3.

Χρόνο ενεργοποίησης 1 μικροδευτερολέπτου ή λιγότερο.

3A229Συσκευές εκπυρσοκρότησης και ισοδύναμες γεννήτριες παλμών υψηλού ρεύματος, ως εξής:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ.

| α. | Συσκευές πυροδότησης για εκρηκτικούς πυροκροτητές που έχουν σχεδιασθεί για να συνδέονται με πολλαπλούς ελεγχόμενους πυροκροτητές του σημείου 3Α232. |
| --- | --- |

α.

Συσκευές πυροδότησης για εκρηκτικούς πυροκροτητές που έχουν σχεδιασθεί για να συνδέονται με πολλαπλούς ελεγχόμενους πυροκροτητές του σημείου 3Α232.

| β. | Βαθμιδωτές ηλεκτρικές παλμογεννήτριες (pulsers) που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Έχουν σχεδιασθεί για να είναι φορητές, κινητές ή ανθεκτικές, |
| --- | --- | --- |

β.

Βαθμιδωτές ηλεκτρικές παλμογεννήτριες (pulsers) που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Έχουν σχεδιασθεί για να είναι φορητές, κινητές ή ανθεκτικές,

| 2. | Είναι τοποθετημένες μέσα σε περίβλημα στο οποίο δεν μπορεί να μπει σκόνη, |
| --- | --- |

2.

Είναι τοποθετημένες μέσα σε περίβλημα στο οποίο δεν μπορεί να μπει σκόνη,

| 3. | Μπορούν να αποδώσουν την ενέργειά τους σε λιγότερο από 15 μικροδευτερόλεπτα, |
| --- | --- |

3.

Μπορούν να αποδώσουν την ενέργειά τους σε λιγότερο από 15 μικροδευτερόλεπτα,

| 4. | Έχουν ρεύμα εξόδου μεγαλύτερο από 100 Α, |
| --- | --- |

4.

Έχουν ρεύμα εξόδου μεγαλύτερο από 100 Α,

| 5. | Έχουν "χρόνο ανύψωσης" λιγότερο από 10 μικροδευτερόλεπτα όταν συνδέονται με φορτία μικρότερα από 40 Ω, |
| --- | --- |

5.

Έχουν "χρόνο ανύψωσης" λιγότερο από 10 μικροδευτερόλεπτα όταν συνδέονται με φορτία μικρότερα από 40 Ω,

| 6. | Καμία από τις διαστάσεις τους δεν είναι μεγαλύτερη από 254 mm, |
| --- | --- |

6.

Καμία από τις διαστάσεις τους δεν είναι μεγαλύτερη από 254 mm,

| 7. | Το βάρος τους είναι μικρότερο από 25 kg, και |
| --- | --- |

7.

Το βάρος τους είναι μικρότερο από 25 kg, και

| 8. | Οι προδιαγραφές τους είναι για χρήση σε εκτεταμένο φάσμα θερμοκρασιών 223 K (– 50 °C) έως 373 K (100 °C) ή για αεροδιαστημικές εφαρμογές. |
| --- | --- |

8.

Οι προδιαγραφές τους είναι για χρήση σε εκτεταμένο φάσμα θερμοκρασιών 223 K (– 50 °C) έως 373 K (100 °C) ή για αεροδιαστημικές εφαρμογές.

Σημείωση: Το σημείο 3Α229.β. περιλαμβάνει και συσκευές με λυχνίες εκκενώσεως ξένου.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 3Α229.β.5 ως "χρόνος ανύψωσης" ορίζεται το χρονικό διάστημα από το 10 % μέχρι το 90 % του ύψους του ρεύματος όταν η συσκευή συνδέεται με φορτίο αντίστασης).

3A230Παλμογεννήτριες υψηλής ταχύτητας με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Τάση εξόδου ανώτερη από 6 V όταν συνδέονται με φορτίο αντίστασης μικρότερο από 55 Ω, και |
| --- | --- |

α.

Τάση εξόδου ανώτερη από 6 V όταν συνδέονται με φορτίο αντίστασης μικρότερο από 55 Ω, και

| β. | "Χρόνο μετάβασης παλμού" κάτω από 500 πικο-δευτερόλεπτα. |
| --- | --- |

β.

"Χρόνο μετάβασης παλμού" κάτω από 500 πικο-δευτερόλεπτα.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 3Α230, "ο χρόνος μετάβασης του παλμού" ορίζεται σαν το χρονικό διάστημα μεταξύ του 10 % και του 90 % του πλάτους της τάσης.

3A231Συστήματα παραγωγής νετρονίων, συμπεριλαμβανομένων των σωλήνων, με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Έχουν σχεδιασθεί για λειτουργία χωρίς εξωτερικό σύστημα κενού, |
| --- | --- |

α.

Έχουν σχεδιασθεί για λειτουργία χωρίς εξωτερικό σύστημα κενού,

| β. | Χρησιμοποιούν ηλεκτροστατική επιτάχυνση ώστε να προκαλέσουν πυρηνική αντίδραση τριτίου-δευτερίου. |
| --- | --- |

β.

Χρησιμοποιούν ηλεκτροστατική επιτάχυνση ώστε να προκαλέσουν πυρηνική αντίδραση τριτίου-δευτερίου.

3A232Πυροκροτητές και συστήματα έναυσης πολλαπλών σημείων ως εξής:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ.

| α. | Εκρηκτικοί πυροκροτητές που λειτουργούν ηλεκτρικά, ως εξής:






  1. | Εκρηγνυόμενη γέφυρα (exploding bridge – ΕΒ). |
| --- | --- | --- |

α.

Εκρηκτικοί πυροκροτητές που λειτουργούν ηλεκτρικά, ως εξής:

1.

Εκρηγνυόμενη γέφυρα (exploding bridge – ΕΒ).

| 2. | Σύρμα εκρηγνυόμενης γέφυρας (exploding bridge wire – EBW). |
| --- | --- |

2.

Σύρμα εκρηγνυόμενης γέφυρας (exploding bridge wire – EBW).

| 3. | Κολαφιστήρας (slapper). |
| --- | --- |

3.

Κολαφιστήρας (slapper).

| 4. | Συστήματα έναυσης εκρηγνυόμενου μεταλλικού φύλλου (exploding foil initiators – EFI). |
| --- | --- |

4.

Συστήματα έναυσης εκρηγνυόμενου μεταλλικού φύλλου (exploding foil initiators – EFI).

| β. | Συστήματα που χρησιμοποιούν απλούς ή πολλαπλούς πυροκροτητές και έχουν σχεδιασθεί για να προκαλούν σχεδόν ταυτόχρονα την έναυση μιας εκρηκτικής επιφάνειας εμβαδού πάνω από 5 000 mm2 από ένα μόνο σήμα πυροδότησης με χρόνο έναυσης όπως εκτείνεται στην επιφάνεια λιγότερο από 2,5 μικροδευτερόλεπτα. |
| --- | --- |

β.

Συστήματα που χρησιμοποιούν απλούς ή πολλαπλούς πυροκροτητές και έχουν σχεδιασθεί για να προκαλούν σχεδόν ταυτόχρονα την έναυση μιας εκρηκτικής επιφάνειας εμβαδού πάνω από 5 000 mm2 από ένα μόνο σήμα πυροδότησης με χρόνο έναυσης όπως εκτείνεται στην επιφάνεια λιγότερο από 2,5 μικροδευτερόλεπτα.

Σημείωση: Το σημείο 3Α232 δεν θέτει υπό έλεγχο πυροκροτητές που χρησιμοποιούν μόνο πρωτογενείς εκρηκτικές ύλες, όπως τον αζωτούχο μόλυβδο.

Τεχνική παρατήρηση:

Οι πυροκροτητές τους οποίους αφορά το σημείο 3Α232 χρησιμοποιούν όλοι ένα μικρό ηλεκτρικό αγωγό (γέφυρα, σύρμα γέφυρας ή μεταλλικό φύλλο) που εξατμίζεται εκρηκτικά όταν ένας ταχύς ηλεκτρικός παλμός υψηλού ρεύματος περνάει μέσα του. Στους τύπους πυροκροτητών χωρίς κολαφιστήρα ο αγωγός που εκρήγνυται αρχίζει μία χημική πυροδότηση σε ένα εξαιρετικά εκρηκτικό υλικό με το οποίο είναι σε επαφή όπως π.χ. το PETN (Pentaerythritoltetranitrate). Σε πυροκροτητές τύπου κολαφιστήρα (slapper) η εκρηκτική εξάτμιση του ηλεκτρικού αγωγού σπρώχνει ένα έλασμα ή κολαφιστήρα διαμέσου ενός διάκενου και η πρόσκρουσή του πάνω σε ένα εκρηκτικό υλικό αρχίζει μία χημική πυροδότηση. Σε μερικά προϊόντα ο κολαφιστήρας ωθείται από μαγνητική δύναμη. Ο όρος πυροκροτητής με εκρηγνυόμενο μεταλλικό φύλλο μπορεί να αναφέρεται είτε σε πυροκροτητή τύπου exploding bridge είτε σε πυροκροτητή τύπου slapper. Επίσης η λέξη initiator χρησιμοποιείται μερικές φορές αντί της λέξεως detonator (πυροκροτητής).

3A233Φασματογράφοι μάζας εκτός από αυτούς που αναφέρονται στο σημείο 0Β002.ζ., που μπορούν να μετρήσουν ιόντα μεγέθους 230 ατομικών μονάδων μάζας ή παραπάνω και οι οποίοι έχουν διακριτική ικανότητα καλύτερη από 2 μέρη στα 230, ως εξής, καθώς επίσης και πηγές ιόντων για τους φασματογράφους αυτούς:

| α. | Επαγωγικά συζευγμένοι φασματογράφοι μάζας πλάσματος (ICP/ΜS). |
| --- | --- |

α.

Επαγωγικά συζευγμένοι φασματογράφοι μάζας πλάσματος (ICP/ΜS).

| β. | Φασματογράφοι μάζας εκκένωσης με διαύγεια (GDMS). |
| --- | --- |

β.

Φασματογράφοι μάζας εκκένωσης με διαύγεια (GDMS).

| γ. | Φασματογράφοι μάζας με θερμικό ιονισμό (TIMS). |
| --- | --- |

γ.

Φασματογράφοι μάζας με θερμικό ιονισμό (TIMS).

| δ. | Φασματογράφοι μάζας με βομβαρδισμό ηλεκτρονίων που έχουν θάλαμο πηγής κατασκευασμένο από, με επίστρωση, ή κάλυψη από, υλικά που αντέχουν στο UF6. |
| --- | --- |

δ.

Φασματογράφοι μάζας με βομβαρδισμό ηλεκτρονίων που έχουν θάλαμο πηγής κατασκευασμένο από, με επίστρωση, ή κάλυψη από, υλικά που αντέχουν στο UF6.

| ε. | Φασματογράφοι μάζας δέσμης μορίων, με ένα από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Θάλαμο πηγής κατασκευασμένο από, με επίστρωση ή με κάλυψη από, ανοξείδωτο χάλυβα ή μολυβδαίνιο και εξοπλισμοί με ψυχρή παγίδα που μπορεί να ψυχθεί σε θερμοκρασία 193 K (– 80 °C) ή χαμηλότερη, ή |
| --- | --- | --- |

ε.

Φασματογράφοι μάζας δέσμης μορίων, με ένα από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Θάλαμο πηγής κατασκευασμένο από, με επίστρωση ή με κάλυψη από, ανοξείδωτο χάλυβα ή μολυβδαίνιο και εξοπλισμοί με ψυχρή παγίδα που μπορεί να ψυχθεί σε θερμοκρασία 193 K (– 80 °C) ή χαμηλότερη, ή

| 2. | Θάλαμο πηγής κατασκευασμένο από, με επίστρωση ή με κάλυψη από υλικά που αντέχουν στο UF6. |
| --- | --- |

2.

Θάλαμο πηγής κατασκευασμένο από, με επίστρωση ή με κάλυψη από υλικά που αντέχουν στο UF6.

| στ. | Φασματογράφοι μάζας εξοπλισμένοι με πηγή ιόντων μικροφθορίωσης που έχουν σχεδιασθεί για ακτινίδες ή φθοριούχες ακτινίδες. |
| --- | --- |

στ.

Φασματογράφοι μάζας εξοπλισμένοι με πηγή ιόντων μικροφθορίωσης που έχουν σχεδιασθεί για ακτινίδες ή φθοριούχες ακτινίδες.

3BΕξοπλισμός για δοκιμές, επιθεωρήσεις και παραγωγή

3B001Εξοπλισμός για παραγωγή συσκευών με ημιαγωγούς, ή υλικών ημιαγωγών, ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία και εξαρτήματα για το σκοπό αυτό:

| α. | Εξοπλισμός σχεδιασμένος για επιταξιακή ανάπτυξη, ως εξής:






  1. | Εξοπλισμός που μπορεί να παράγει κάτι από εξής:






  α. | στρώμα πυριτίου ομοιογενούς πάχους με διαφορά λιγότερη από ± 2,5 % σε απόσταση 200 mm ή παραπάνω, ή |
| --- | --- | --- | --- |

α.

Εξοπλισμός σχεδιασμένος για επιταξιακή ανάπτυξη, ως εξής:

1.

Εξοπλισμός που μπορεί να παράγει κάτι από εξής:

α.

στρώμα πυριτίου ομοιογενούς πάχους με διαφορά λιγότερη από ± 2,5 % σε απόσταση 200 mm ή παραπάνω, ή

| β. | στρώμα οποιουδήποτε άλλου υλικού πλην πυριτίου ομοιογενούς πάχους με διαφορά λιγότερη από ± 2,5 % σε απόσταση 75 mm ή παραπάνω. |
| --- | --- |

β.

στρώμα οποιουδήποτε άλλου υλικού πλην πυριτίου ομοιογενούς πάχους με διαφορά λιγότερη από ± 2,5 % σε απόσταση 75 mm ή παραπάνω.

| 2. | Αντιδραστήρες για χημική εναπόθεση ατμών οργανικών μεταλλικών ενώσεων (ΜΟCVD), που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για την παραγωγή κρυστάλλων από σύνθετους ημιαγωγούς μέσω της χημικής αντίδρασης μεταξύ υλικών που καθορίζονται στα σημεία 3C003 ή 3C004. |
| --- | --- |

2.

Αντιδραστήρες για χημική εναπόθεση ατμών οργανικών μεταλλικών ενώσεων (ΜΟCVD), που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για την παραγωγή κρυστάλλων από σύνθετους ημιαγωγούς μέσω της χημικής αντίδρασης μεταξύ υλικών που καθορίζονται στα σημεία 3C003 ή 3C004.

| 3. | Εξοπλισμός επιταξιακής ανάπτυξης μέσω μοριακής δέσμης ο οποίος χρησιμοποιεί αέριες ή στερεές πηγές. |
| --- | --- |

3.

Εξοπλισμός επιταξιακής ανάπτυξης μέσω μοριακής δέσμης ο οποίος χρησιμοποιεί αέριες ή στερεές πηγές.

| β | Εξοπλισμός σχεδιασμένος για εμφύτευση ιόντων και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Ενέργεια δέσμης (τάση επιτάχυνσης) ανώτερη από 1 MeV, |
| --- | --- | --- |

β

Εξοπλισμός σχεδιασμένος για εμφύτευση ιόντων και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Ενέργεια δέσμης (τάση επιτάχυνσης) ανώτερη από 1 MeV,

| 2. | Ειδικό σχεδιασμό και βελτιστοποίηση για να λειτουργεί με ενέργεια δέσμης (τάση επιτάχυνσης) λιγότερη από 2 keV, |
| --- | --- |

2.

Ειδικό σχεδιασμό και βελτιστοποίηση για να λειτουργεί με ενέργεια δέσμης (τάση επιτάχυνσης) λιγότερη από 2 keV,

| 3. | Δυνατότητα απ’ ευθείας εγγραφής, ή |
| --- | --- |

3.

Δυνατότητα απ’ ευθείας εγγραφής, ή

| 4. | Ενέργεια δέσμης 65 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 45 mA και άνω, για εμφύτευση οξυγόνου υψηλής ενέργειας πάνω σε θερμαινόμενο «υπόστρωμα» ημιαγωγού. |
| --- | --- |

4.

Ενέργεια δέσμης 65 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 45 mA και άνω, για εμφύτευση οξυγόνου υψηλής ενέργειας πάνω σε θερμαινόμενο «υπόστρωμα» ημιαγωγού.

| γ. | Εξοπλισμός για ξερή χάραξη μέσω ανισότροπου πλάσματος, ως εξής:






  1. | Εξοπλισμός με λειτουργία από κασέτα προς κασέτα και κλείδωμα φορτίου, και που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Σχεδιασμένος ή βελτιστοποιημένος για να παράγει κρίσιμες διαστάσεις 0,3 μm ή μικρότερες, με ακρίβεια 3 σ ± 5 % ή |
| --- | --- | --- | --- |

γ.

Εξοπλισμός για ξερή χάραξη μέσω ανισότροπου πλάσματος, ως εξής:

1.

Εξοπλισμός με λειτουργία από κασέτα προς κασέτα και κλείδωμα φορτίου, και που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Σχεδιασμένος ή βελτιστοποιημένος για να παράγει κρίσιμες διαστάσεις 0,3 μm ή μικρότερες, με ακρίβεια 3 σ ± 5 % ή

| β. | Σχεδιασμένος για να παράγει λιγότερα από 0,04 σωματίδια/cm2 με μετρήσιμη διάμετρο σωματιδίου άνω του 0,1 μm. |
| --- | --- |

β.

Σχεδιασμένος για να παράγει λιγότερα από 0,04 σωματίδια/cm2 με μετρήσιμη διάμετρο σωματιδίου άνω του 0,1 μm.

| 2. | Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για εξοπλισμό που καθορίζεται στο σημείο 3Β001.ε. και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Σχεδιασμένος ή βελτιστοποιημένος για να παράγει κρίσιμες διαστάσεις 0,3 μm ή μικρότερες, με ακρίβεια 3 σ ± 5 % ή |
| --- | --- | --- |

2.

Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για εξοπλισμό που καθορίζεται στο σημείο 3Β001.ε. και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Σχεδιασμένος ή βελτιστοποιημένος για να παράγει κρίσιμες διαστάσεις 0,3 μm ή μικρότερες, με ακρίβεια 3 σ ± 5 % ή

| β. | Σχεδιασμένος για να παράγει λιγότερα από 0,04 σωματίδια/cm2 με μετρήσιμη διάμετρο σωματιδίου άνω του 0,1 μm. |
| --- | --- |

β.

Σχεδιασμένος για να παράγει λιγότερα από 0,04 σωματίδια/cm2 με μετρήσιμη διάμετρο σωματιδίου άνω του 0,1 μm.

| δ. | Εξοπλισμός για χημική εναπόθεση με εξάτμιση (CVD) και με την ενίσχυση πλάσματος, ως εξής:






  1. | Εξοπλισμός με λειτουργία από κασέτα προς κασέτα και κλείδωμα φορτίου, σχεδιασμένος σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή ή βελτιστοποιημένος προς χρήση στην παραγωγή συσκευών ημιαγωγών με κρίσιμες διαστάσεις έως και 180 mm. |
| --- | --- | --- |

δ.

Εξοπλισμός για χημική εναπόθεση με εξάτμιση (CVD) και με την ενίσχυση πλάσματος, ως εξής:

1.

Εξοπλισμός με λειτουργία από κασέτα προς κασέτα και κλείδωμα φορτίου, σχεδιασμένος σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή ή βελτιστοποιημένος προς χρήση στην παραγωγή συσκευών ημιαγωγών με κρίσιμες διαστάσεις έως και 180 mm.

| 2. | Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για εξοπλισμό που καθορίζεται στο σημείο 3Β001.ε. και σχεδιασμένος σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή ή βελτιστοποιημένος προς χρήση στην παραγωγή συσκευών ημιαγωγών με κρίσιμες διαστάσεις έως και 180 mm. |
| --- | --- |

2.

Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για εξοπλισμό που καθορίζεται στο σημείο 3Β001.ε. και σχεδιασμένος σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή ή βελτιστοποιημένος προς χρήση στην παραγωγή συσκευών ημιαγωγών με κρίσιμες διαστάσεις έως και 180 mm.

| ε. | "Κεντρικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων (wafer)", πολλαπλών θαλάμων, αυτόματης φόρτωσης, τα οποία έχουν όλα τα ακόλουθα:






  1. | Διεπαφές για είσοδο και έξοδο πλακιδίων, στις οποίες μπορούν να συνδεθούν περισσότερα από δύο τμήματα εξοπλισμού επεξεργασίας ημιαγωγών, και |
| --- | --- | --- |

ε.

"Κεντρικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων (wafer)", πολλαπλών θαλάμων, αυτόματης φόρτωσης, τα οποία έχουν όλα τα ακόλουθα:

1.

Διεπαφές για είσοδο και έξοδο πλακιδίων, στις οποίες μπορούν να συνδεθούν περισσότερα από δύο τμήματα εξοπλισμού επεξεργασίας ημιαγωγών, και

| 2. | Είναι σχεδιασμένα για να αποτελέσουν ένα ολοκληρωμένο σύστημα σε περιβάλλον κενού για σειριακή επεξεργασία πολλαπλών πλακιδίων. |
| --- | --- |

2.

Είναι σχεδιασμένα για να αποτελέσουν ένα ολοκληρωμένο σύστημα σε περιβάλλον κενού για σειριακή επεξεργασία πολλαπλών πλακιδίων.

Σημείωση: Στο σημείο 3Β001.ε. δεν ελέγχονται τα αυτόματα ρομποτικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων τα οποία δεν έχουν σχεδιασθεί για να λειτουργούν σε περιβάλλον κενού.

| στ. | Εξοπλισμός λιθογραφίας, ως εξής:






  1. | Εξοπλισμός ευθυγράμμισης και έκθεσης step and repeat (με άμεσο βήμα πάνω στο πλακίδιο) ή step and scan (με σάρωση) για την επεξεργασία πλακιδίων με τη χρήση φωτο-οπτικών μεθόδων ή μεθόδων ακτίνων Χ, ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Μήκος κύματος φωτεινής πηγής βραχύτερο από 350 nm, ή |
| --- | --- | --- | --- |

στ.

Εξοπλισμός λιθογραφίας, ως εξής:

1.

Εξοπλισμός ευθυγράμμισης και έκθεσης step and repeat (με άμεσο βήμα πάνω στο πλακίδιο) ή step and scan (με σάρωση) για την επεξεργασία πλακιδίων με τη χρήση φωτο-οπτικών μεθόδων ή μεθόδων ακτίνων Χ, ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Μήκος κύματος φωτεινής πηγής βραχύτερο από 350 nm, ή

| β. | Ικανότητα να συνθέτει σχήματα με ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος 0,35 μm ή μικρότερο.
  Τεχνική παρατήρηση

  Το "ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος" υπολογίζεται με τον εξής τύπο:





  όπου ο συντελεστής K ισούται προς 0,7


  MRF = ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος |
| --- | --- |

β.

Ικανότητα να συνθέτει σχήματα με ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος 0,35 μm ή μικρότερο.

Τεχνική παρατήρηση

Το "ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος" υπολογίζεται με τον εξής τύπο:

Formula

όπου ο συντελεστής K ισούται προς 0,7

MRF = ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος

| 2. | Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για την παραγωγή μασκών ή για επεξεργασία συσκευών ημιαγωγών με τη χρήση εκτρεπόμενης εστιασμένης δέσμης ηλεκτρονίων, δέσμης ιόντων ή δέσμης "λέιζερ", που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Εστιακό μέγεθος μικρότερο από 0,2 μm, |
| --- | --- | --- |

2.

Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για την παραγωγή μασκών ή για επεξεργασία συσκευών ημιαγωγών με τη χρήση εκτρεπόμενης εστιασμένης δέσμης ηλεκτρονίων, δέσμης ιόντων ή δέσμης "λέιζερ", που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Εστιακό μέγεθος μικρότερο από 0,2 μm,

| β. | Είναι ικανός να παράγει σχήμα με χαρακτηριστικό μέγεθος κάτω από 1 μm, ή |
| --- | --- |

β.

Είναι ικανός να παράγει σχήμα με χαρακτηριστικό μέγεθος κάτω από 1 μm, ή

| γ. | Ακρίβεια επικάλυψης καλύτερη από ± 0,20 μm (3 sigma). |
| --- | --- |

γ.

Ακρίβεια επικάλυψης καλύτερη από ± 0,20 μm (3 sigma).

| ζ. | Μάσκες ή reticles που έχουν σχεδιαστεί για ολοκληρωμένα κυκλώματα που καθορίζονται στο σημείο 3Α001. |
| --- | --- |

ζ.

Μάσκες ή reticles που έχουν σχεδιαστεί για ολοκληρωμένα κυκλώματα που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.

| η. | Μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης.


  Σημείωση: Στο σημείο 3Β001.η. δεν ελέγχονται οι μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης οι σχεδιασμένες για την κατασκευή συσκευών μνήμης που δεν ελέγχονται στο σημείο 3Α001. |
| --- | --- |

η.

Μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης.

Σημείωση: Στο σημείο 3Β001.η. δεν ελέγχονται οι μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης οι σχεδιασμένες για την κατασκευή συσκευών μνήμης που δεν ελέγχονται στο σημείο 3Α001.

3B002"Εξοπλισμός δοκιμών ελεγχόμενος με ενταμιευμένο πρόγραμμα", που έχει ειδικά σχεδιασθεί για να δοκιμάζονται τελειωμένες ή ημιτελείς συσκευές ημιαγωγών, ως εξής, και δομικά στοιχεία και εξαρτήματα που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για τον εξοπλισμό αυτό:

| α. | Για να δοκιμάζονται οι παράμετροι S συσκευών τρανζίστορ σε συχνότητες πάνω από 31,8 GHz |
| --- | --- |

α.

Για να δοκιμάζονται οι παράμετροι S συσκευών τρανζίστορ σε συχνότητες πάνω από 31,8 GHz

| β. | Για να δοκιμάζονται ολοκληρωμένα κυκλώματα ικανά να εκτελούν λειτουργικές δοκιμές (πίνακας αλήθειας) με "ρυθμό σχημάτων" πάνω από 667 MHz.


  Σημείωση: Στο σημείο 3Β002.β. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός δοκιμών που έχει ειδικά σχεδιασθεί για να δοκιμάζονται:








  1. | "Ηλεκτρονικά συγκροτήματα" ή μία τάξη "ηλεκτρονικών συγκροτημάτων" για ιδιωτικές ή ψυχαγωγικές εφαρμογές, |
| --- | --- | --- |

β.

Για να δοκιμάζονται ολοκληρωμένα κυκλώματα ικανά να εκτελούν λειτουργικές δοκιμές (πίνακας αλήθειας) με "ρυθμό σχημάτων" πάνω από 667 MHz.

Σημείωση: Στο σημείο 3Β002.β. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός δοκιμών που έχει ειδικά σχεδιασθεί για να δοκιμάζονται:

1.

"Ηλεκτρονικά συγκροτήματα" ή μία τάξη "ηλεκτρονικών συγκροτημάτων" για ιδιωτικές ή ψυχαγωγικές εφαρμογές,

| 2. | Μη ελεγμένα ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία, "ηλεκτρονικά συγκροτήματα" ή ολοκληρωμένα κυκλώματα, |
| --- | --- |

2.

Μη ελεγμένα ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία, "ηλεκτρονικά συγκροτήματα" ή ολοκληρωμένα κυκλώματα,

| 3. | Μνήμες. |
| --- | --- |

3.

Μνήμες.

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς αυτού του σημείου, ο "ρυθμός σχημάτων" ορίζεται ως η ανώτατη συχνότητα ψηφιακής λειτουργίας του δοκιμαστήρα. Ισοδυναμεί επομένως με το μέγιστο ρυθμό δεδομένων που μπορεί να παρέχει ο δοκιμαστήρας όταν λειτουργεί χωρίς πολυπλεξία. Αναφέρεται και ως ταχύτητα δοκιμής, με ανώτατη ψηφιακή συχνότητα ή μέγιστη ψηφιακή ταχύτητα.

| γ. | Για την δοκιμή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων προσδιοριζόμενων στο 3Α001.β.2. |
| --- | --- |

γ.

Για την δοκιμή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων προσδιοριζόμενων στο 3Α001.β.2.

3CΥλικά

3C001Ετερο-επιταξιακά υλικά, που αποτελούνται από "υπόστρωμα" πάνω στο οποίο έχουν αποτεθεί επιταξιακά ανεπτυγμένα πολλαπλά στρώματα οποιουδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

| α. | Πυρίτιο. |
| --- | --- |

α.

Πυρίτιο.

| β. | Γερμάνιο, ή |
| --- | --- |

β.

Γερμάνιο, ή

| γ. | Καρβίδιο του πυριτίου, ή |
| --- | --- |

γ.

Καρβίδιο του πυριτίου, ή

| δ. | dΣύνθετες ενώσεις γαλλίου ή ινδίου με στοιχεία του πίνακα III/V.
  Τεχνική παρατήρηση:

  Οι σύνθετες ενώσεις του πίνακα III/V είναι πολυκρυσταλλικά ή δυαδικά ή σύνθετα μονοκρυσταλλικά προϊόντα που περιλαμβάνουν στοιχεία των ομάδων ΙΙΙΑ και VΑ του περιοδικού πίνακα του Μεντελέγιεφ (π.χ. αρσενικούχο γάλλιο, αρσενικούχο γάλλιο-αργίλιο, φωσφορούχο ίνδιο). |
| --- | --- |

δ.

dΣύνθετες ενώσεις γαλλίου ή ινδίου με στοιχεία του πίνακα III/V.

Τεχνική παρατήρηση:

Οι σύνθετες ενώσεις του πίνακα III/V είναι πολυκρυσταλλικά ή δυαδικά ή σύνθετα μονοκρυσταλλικά προϊόντα που περιλαμβάνουν στοιχεία των ομάδων ΙΙΙΑ και VΑ του περιοδικού πίνακα του Μεντελέγιεφ (π.χ. αρσενικούχο γάλλιο, αρσενικούχο γάλλιο-αργίλιο, φωσφορούχο ίνδιο).

3C002Φωτοανθεκτικά υλικά, ως εξής, καθώς και "υποστρώματα" που έχουν επίστρωση ελεγμένων φωτοανθεκτικών ουσιών:

| α. | Θετικά φωτοανθεκτικά υλικά για λιθογραφικές εργασίες με ημιαγωγούς, ειδικώς ρυθμισμένα (αριστοποιημένα) για χρήση σε μήκη κύματος κάτω από 350 nm, |
| --- | --- |

α.

Θετικά φωτοανθεκτικά υλικά για λιθογραφικές εργασίες με ημιαγωγούς, ειδικώς ρυθμισμένα (αριστοποιημένα) για χρήση σε μήκη κύματος κάτω από 350 nm,

| β. | Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με δέσμες ηλεκτρονίων ή ιόντων που έχουν ευαισθησία 0,01 μcoulomb/mm2 ή καλύτερη, |
| --- | --- |

β.

Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με δέσμες ηλεκτρονίων ή ιόντων που έχουν ευαισθησία 0,01 μcoulomb/mm2 ή καλύτερη,

| γ. | Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με ακτίνες Χ, με ευαισθησία 2,5 mJ/mm2 ή καλύτερη, |
| --- | --- |

γ.

Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με ακτίνες Χ, με ευαισθησία 2,5 mJ/mm2 ή καλύτερη,

| δ. | Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά αριστοποιημένα για τεχνολογίες απεικόνισης επιφανειών, συμπεριλαμβανομένων των πυριτικοποιημένων φωτοανθεκτικών υλικών.
  Τεχνική παρατήρηση:

  Οι τεχνικές μέθοδοι πυριτικοποίησης ορίζονται ως οι διαδικασίες που περιλαμβάνουν οξείδωση της επιφάνειας του φωτοανθεκτικού υλικού ώστε να ενισχυθεί η απόδοσή του τόσο για υγρή όσο και για ξηρά εμφάνιση. |
| --- | --- |

δ.

Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά αριστοποιημένα για τεχνολογίες απεικόνισης επιφανειών, συμπεριλαμβανομένων των πυριτικοποιημένων φωτοανθεκτικών υλικών.

Τεχνική παρατήρηση:

Οι τεχνικές μέθοδοι πυριτικοποίησης ορίζονται ως οι διαδικασίες που περιλαμβάνουν οξείδωση της επιφάνειας του φωτοανθεκτικού υλικού ώστε να ενισχυθεί η απόδοσή του τόσο για υγρή όσο και για ξηρά εμφάνιση.

3C003Ενώσεις οργανικού με ανόργανο στοιχείο ως εξής:

| α. | Οργανομεταλλικές ενώσεις αργιλίου, γαλλίου ή ινδίου που έχουν καθαρότητα (με βάση το μέταλλο) καλύτερη από 99,999 %, |
| --- | --- |

α.

Οργανομεταλλικές ενώσεις αργιλίου, γαλλίου ή ινδίου που έχουν καθαρότητα (με βάση το μέταλλο) καλύτερη από 99,999 %,

| β. | Οργανικές ενώσεις αρσενικού, αντιμονίου και φωσφόρου που έχουν καθαρότητα (με βάση το ανόργανο στοιχείο) καλύτερη από 99,999 %. |
| --- | --- |

β.

Οργανικές ενώσεις αρσενικού, αντιμονίου και φωσφόρου που έχουν καθαρότητα (με βάση το ανόργανο στοιχείο) καλύτερη από 99,999 %.

Σημείωση: Στο σημείο 3C003 ελέγχονται μόνο οι ενώσεις των οποίων το μεταλλικό, μερικώς μεταλλικό ή μη μεταλλικό στοιχείο συνδέεται άμεσα με άνθρακα στο οργανικό τμήμα του μορίου.

3C004Υδρίδια φωσφόρου, αρσενικού ή αντιμονίου που έχουν καθαρότητα καλύτερη από 99,999 %, ακόμη και αν έχουν διαλυθεί σε αδρανή αέρια ή υδρογόνο.

Σημείωση: Στο σημείο 3C004 δεν ελέγχονται υδρίδια που περιέχουν γραμμομοριακό ποσοστό 20 % και άνω αδρανή αέρια ή υδρογόνο.

3DΛογισμικό

3D001"Λογισμικό" που έχει ειδικά σχεδιασθεί για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή" εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.β. έως 3Α002.ζ. ή 3Β.

3D002"Λογισμικό" που έχει ειδικά σχεδιασθεί για τη "χρήση" εξοπλισμού που προσδιορίζεται

| α. | στα σημεία 3Β001.α. έως στ., ή |
| --- | --- |

α.

στα σημεία 3Β001.α. έως στ., ή

| β. | στο σημείο 3Β002. |
| --- | --- |

β.

στο σημείο 3Β002.

3D003"Λογισμικό" προσομοίωσης, βασισμένο στη φυσική, ειδικά σχεδιασμένο για την "ανάπτυξη" διεργασιών λιθογραφίας, χάραξης ή εναπόθεσης προκειμένου τα σχήματα μάσκας να μεταφράζονται σε επί μέρους τοπογραφικά σχήματα με αγωγούς, διηλεκτρικά ή υλικά ημιαγωγών.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 3.D.3., οι λέξεις "βασισμένο στη φυσική" υποδηλώνουν ότι χρησιμοποιεί υπολογισμούς για να προσδιορίσει μια ακολουθία φυσικών αιτίων/αιτιατών βασισμένων σε φυσικές ιδιότητες (πχ. θερμοκρασία, πίεση, σταθερές διάχυσης και ιδιότητες υλικών ημιαγωγών).

Σημεiωση: Οι βιβλιοθήκες, τα χαρακτηριστικά σχεδιασμού ή συναφή δεδομένα για το σχεδιασμό συσκευών ημιαγωγών ή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων θεωρούνται σαν "τεχνολογία".

3D004"Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο για την "ανάπτυξη" του εξοπλισμού που ορίζεται στο σημείο 3Α003.

3D101"Λογισμικό" που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για τη "χρήση" εξοπλισμού που ορίζεται στο σημείο 3Α101.β.

3EΤεχνολογία

3E001"Τεχνολογία" σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή" εξοπλισμού ή υλικών που καθορίζονται στα σημεία 3Α, 3Β ή 3C.

Σημείωση 1: Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η "τεχνολογία" για την "παραγωγή" εξοπλισμού ή δομικών στοιχείων που ελέγχονται σύμφωνα με το σημείο 3Α003.

Σημείωση 2: Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η "τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή" ολοκληρωμένων κυκλωμάτων προδιαγραφόμενων στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.12., και που έχουν όλα τα ακόλουθα:

| 1. | Χρησιμοποιούν "τεχνολογία" 0,5 μm ή παραπάνω, και |
| --- | --- |

1.

Χρησιμοποιούν "τεχνολογία" 0,5 μm ή παραπάνω, και

| 2. | Δεν περιλαμβάνουν δομές με πολλαπλά στρώματα. |
| --- | --- |

2.

Δεν περιλαμβάνουν δομές με πολλαπλά στρώματα.

Τεχνική παρατήρηση:

Ο όρος "δομές με πολλαπλά στρώματα" δεν περιλαμβάνει συσκευές που περιλαμβάνουν το πολύ τρία μεταλλικά στρώματα και τρία στρώματα πολυπυριτίου.

3E002"Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας, άλλη από την προσδιοριζόμενη στο 3Ε001, για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή μικροκυκλωμάτων μικροεπεξεργαστών", "μικροκυκλωμάτων μικροϋπολογιστών" και μικροκυκλωμάτων μικροσυσκευών ελέγχου με "σύνθετη θεωρητική επίδοση" (CTP) 530 000 000 θεωρητικών πράξεων ανά δευτερόλεπτο (530 Μtpos) και άνω και αριθμητική λογική μονάδα με εύρος προσπέλασης 32 bit και άνω.

Σημείωση: Η περί μη ελέγχου σημείωση 2 του 3Ε001 ισχύει και για το 3Ε00.2.

3E003Άλλη "τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή":

| α. | Μικροηλεκτρονικών συσκευών κενού, |
| --- | --- |

α.

Μικροηλεκτρονικών συσκευών κενού,

| β. | Ετερο-δομικών συσκευών ημιαγωγών, όπως τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ), ετεροδιπολικών τρανζίστορ (ΗΒΤ), συσκευών κβαντικού πηγαδιού και υπέρ πλέγματος (super lattice devices).


  Σημείωση: Το σημείο 3Ε003.β. δεν ελέγχει την τεχνολογία για τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz και για ετεροδιπολικά τρανζίστορ (ΗΒΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτων των 31,8 GHz. |
| --- | --- |

β.

Ετερο-δομικών συσκευών ημιαγωγών, όπως τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ), ετεροδιπολικών τρανζίστορ (ΗΒΤ), συσκευών κβαντικού πηγαδιού και υπέρ πλέγματος (super lattice devices).

Σημείωση: Το σημείο 3Ε003.β. δεν ελέγχει την τεχνολογία για τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz και για ετεροδιπολικά τρανζίστορ (ΗΒΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτων των 31,8 GHz.

| γ. | "Υπεραγώγιμων" ηλεκτρονικών συσκευών, |
| --- | --- |

γ.

"Υπεραγώγιμων" ηλεκτρονικών συσκευών,

| δ. | Υποστρωμάτων υμενίων αδάμαντος για ηλεκτρονικά δομοστοιχεία, |
| --- | --- |

δ.

Υποστρωμάτων υμενίων αδάμαντος για ηλεκτρονικά δομοστοιχεία,

| ε. | Υποστρωμάτων πυριτίου επί μονωτικού (SOI) για ολοκληρωμένα κυκλώματα, όπου το μονωτικό υλικό είναι διοξείδιο του πυριτίου, |
| --- | --- |

ε.

Υποστρωμάτων πυριτίου επί μονωτικού (SOI) για ολοκληρωμένα κυκλώματα, όπου το μονωτικό υλικό είναι διοξείδιο του πυριτίου,

| στ. | Υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου για ηλεκτρονικά δομοστοιχεία, |
| --- | --- |

στ.

Υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου για ηλεκτρονικά δομοστοιχεία,

| ζ. | Ηλεκτρονικές λυχνίες που λειτουργούν σε συχνότητες τουλάχιστον 31,8 GHz. |
| --- | --- |

ζ.

Ηλεκτρονικές λυχνίες που λειτουργούν σε συχνότητες τουλάχιστον 31,8 GHz.

3E101"Τεχνολογία" σύμφωνα με την Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη "χρήση" εξοπλισμού ή "λογισμικού" που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.α.1 ή 2, 3Α101 ή 3D101.

3E102"Τεχνολογία" σύμφωνα με την Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την "ανάπτυξη" λογισμικού που καθορίζεται στο σημείο 3D101.

3E201"Τεχνολογία" σύμφωνα με την Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη "χρήση" εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.ε.2, 3Α001.ε.3., 3Α201, 3Α225 έως 3Α233.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 4

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΕΣ

Σημείωση 1: Ηλεκτρονικοί υπολογιστές, συναφής εξοπλισμός και "λογισμικό" το οποίο εκτελεί λειτουργίες τηλεπικοινωνιών ή τοπικού δικτύου (δίκτυο LAN) θα πρέπει να ελεγχθούν σύμφωνα επίσης με τα χαρακτηριστικά απόδοσης της κατηγορίας 5, Μέρος 1 (Τηλεπικοινωνίες).

Σημείωση 2: Οι μονάδες ελέγχου που διασυνδέουν απ 'ευθείας τους διαδρόμους ή τους διαύλους των μονάδων κεντρικής επεξεργασίας, οι μονάδες ελέγχου της "κυρίως μνήμης" ή των δίσκων δεν θεωρούνται σαν εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών όπως περιγράφεται στην κατηγορία 5, Μέρος 1o (Τηλεπικοινωνίες).

ΣΗΜ.: Όσον αφορά τη διαβάθμιση ελέγχου του "λογισμικού" που έχει ειδικά σχεδιασθεί για μεταγωγή πακέτων βλέπε την κατηγορία 5D001.

Σημείωση 3: Ηλεκτρονικοί υπολογιστές, συναφής εξοπλισμός και "λογισμικό" που εκτελεί λειτουργίες κρυπτογράφησης, κρυπτανάλυσης, ασφάλειας πολλαπλών βαθμίδων που μπορεί να επιβεβαιωθεί, ή απομόνωσης χρηστών που επίσης μπορεί να βεβαιωθεί, ή που περιορίζουν την ηλεκτρομαγνητική συμβατότητα, πρέπει επίσης να ελεγχθούν σύμφωνα με τα χαρακτηριστικά απόδοσης της κατηγορίας 5, Μέρος 2 ("Ασφάλεια πληροφοριών").

4AΣυστήματα, Εξοπλισμός και Δομικά στοιχεία

4A001Ηλεκτρονικοί υπολογιστές και συναφής εξοπλισμός, ως εξής καθώς και "ηλεκτρονικά συγκροτήματα" και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τα συστήματα αυτά:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 4Α101.

| α. | Που έχουν ειδικά σχεδιασθεί ώστε να έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Ονομαστική λειτουργία σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω από 228 Κ (– 45° C) ή πάνω από 358 Κ (85 °C),


  Σημείωση: Το σημείο 4Α001.α.1 δεν αφορά τους υπολογιστές που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για αυτοκινητικές ή σιδηροδρομικές πολιτικές εφαρμογές. |
| --- | --- | --- |

α.

Που έχουν ειδικά σχεδιασθεί ώστε να έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Ονομαστική λειτουργία σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω από 228 Κ (– 45° C) ή πάνω από 358 Κ (85 °C),

Σημείωση: Το σημείο 4Α001.α.1 δεν αφορά τους υπολογιστές που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για αυτοκινητικές ή σιδηροδρομικές πολιτικές εφαρμογές.

| 2. | Που έχουν υποστεί ειδική επεξεργασία να αντέχουν στην ακτινοβολία που μπορεί να ξεπεράσει οποιαδήποτε από τις ακόλουθες προδιαγραφές:







  α. | Συνολική δόση | 5 × 103 Gy (πυρίτιο), |
| --- | --- | --- | --- |
| β. | Απότομη αλλαγή του ρυθμού ακτινοβολίας | 5 × 106 Gy (πυρίτιο)/s, ή |
| γ. | Απότομη αλλαγή από ένα και μόνο γεγονός | 1 × 10–7 Λάθη/bit/ημέρα. |

2.

Που έχουν υποστεί ειδική επεξεργασία να αντέχουν στην ακτινοβολία που μπορεί να ξεπεράσει οποιαδήποτε από τις ακόλουθες προδιαγραφές:

α.

Συνολική δόση

5 × 103 Gy (πυρίτιο),

β.

Απότομη αλλαγή του ρυθμού ακτινοβολίας

5 × 106 Gy (πυρίτιο)/s, ή

γ.

Απότομη αλλαγή από ένα και μόνο γεγονός

1 × 10–7 Λάθη/bit/ημέρα.

| β. | Που έχουν χαρακτηριστικά ή εκτελούν λειτουργίες πάνω από τα όρια της κατηγορίας 5, Μέρος 2 ("Ασφάλεια πληροφοριών").


  Σημείωση: Στο σημείο 4A001.β. δεν ελέγχονται οι ηλεκτρονικοί υπολογιστές και ο συναφής εξοπλισμός όταν συνοδεύουν το χρήστη τους για την προσωπική του χρήση. |
| --- | --- |

β.

Που έχουν χαρακτηριστικά ή εκτελούν λειτουργίες πάνω από τα όρια της κατηγορίας 5, Μέρος 2 ("Ασφάλεια πληροφοριών").

Σημείωση: Στο σημείο 4A001.β. δεν ελέγχονται οι ηλεκτρονικοί υπολογιστές και ο συναφής εξοπλισμός όταν συνοδεύουν το χρήστη τους για την προσωπική του χρήση.

4A003"Ψηφιακοί υπολογιστές", "ηλεκτρονικά συγκροτήματα" και συναφής εξοπλισμός γι' αυτούς, ως εξής, καθώς επίσης και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία γι' αυτά:

Σημείωση 1: Το σημείο 4Α003 περιλαμβάνει τα ακόλουθα:

| α. | Ανυσματικούς επεξεργαστές (vector processors), |
| --- | --- |

α.

Ανυσματικούς επεξεργαστές (vector processors),

| β. | Πολυεπεξεργαστές (array processors), |
| --- | --- |

β.

Πολυεπεξεργαστές (array processors),

| γ. | Επεξεργαστές ψηφιακού σήματος, |
| --- | --- |

γ.

Επεξεργαστές ψηφιακού σήματος,

| δ. | Λογικούς επεξεργαστές, |
| --- | --- |

δ.

Λογικούς επεξεργαστές,

| ε. | Εξοπλισμό σχεδιασμένο για "βελτίωση εικόνων", |
| --- | --- |

ε.

Εξοπλισμό σχεδιασμένο για "βελτίωση εικόνων",

| στ. | Εξοπλισμό σχεδιασμένο για "επεξεργασία σημάτων". |
| --- | --- |

στ.

Εξοπλισμό σχεδιασμένο για "επεξεργασία σημάτων".

Σημείωση 2: Η διαβάθμιση ελέγχου των "ψηφιακών υπολογιστών" και του συναφούς εξοπλισμού που περιγράφεται στο σημείο 4Α003 καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου άλλου εξοπλισμού συστημάτων υπό τον όρο ότι:

| α. | Οι "ψηφιακοί υπολογιστές" ή ο συναφής εξοπλισμός είναι απολύτως απαραίτητοι για την λειτουργία του λοιπού εξοπλισμού ή των λοιπών συστημάτων, |
| --- | --- |

α.

Οι "ψηφιακοί υπολογιστές" ή ο συναφής εξοπλισμός είναι απολύτως απαραίτητοι για την λειτουργία του λοιπού εξοπλισμού ή των λοιπών συστημάτων,

| β. | Οι "ψηφιακοί υπολογιστές" ή ο συναφής εξοπλισμός δεν αποτελούν "βασικό στοιχείο" του έτερου εξοπλισμού ή συστημάτων, και




  ΣΗΜ. 1: Η διαβάθμιση ελέγχου εξοπλισμού για "επεξεργασία σημάτων" ή "βελτίωση εικόνων" που έχει ειδικά σχεδιασθεί για έτερο εξοπλισμό με λειτουργίες που περιορίζονται σε αυτές που απαιτούνται για τον έτερο εξοπλισμό, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του έτερου εξοπλισμού ακόμη κι αν υπερβαίνει το κριτήριο του "βασικού στοιχείου".



  ΣΗΜ. 2: Για διαβάθμιση ελέγχου των "ψηφιακών υπολογιστών" ή συναφούς εξοπλισμού για εξοπλισμό τηλεπικοινωνιών βλέπε την κατηγορία 5, Μέρος 1 (Τηλεπικοινωνίες). |
| --- | --- |

β.

Οι "ψηφιακοί υπολογιστές" ή ο συναφής εξοπλισμός δεν αποτελούν "βασικό στοιχείο" του έτερου εξοπλισμού ή συστημάτων, και

ΣΗΜ. 1: Η διαβάθμιση ελέγχου εξοπλισμού για "επεξεργασία σημάτων" ή "βελτίωση εικόνων" που έχει ειδικά σχεδιασθεί για έτερο εξοπλισμό με λειτουργίες που περιορίζονται σε αυτές που απαιτούνται για τον έτερο εξοπλισμό, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του έτερου εξοπλισμού ακόμη κι αν υπερβαίνει το κριτήριο του "βασικού στοιχείου".

ΣΗΜ. 2: Για διαβάθμιση ελέγχου των "ψηφιακών υπολογιστών" ή συναφούς εξοπλισμού για εξοπλισμό τηλεπικοινωνιών βλέπε την κατηγορία 5, Μέρος 1 (Τηλεπικοινωνίες).

| γ. | Η "τεχνολογία" για τους "ψηφιακούς υπολογιστές" και το συναφή εξοπλισμό καθορίζεται στο σημείο 4Ε. |
| --- | --- |

γ.

Η "τεχνολογία" για τους "ψηφιακούς υπολογιστές" και το συναφή εξοπλισμό καθορίζεται στο σημείο 4Ε.

| α. | Που έχουν σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για "ανοχή λαθών".


  Σημείωση: Για τους σκοπούς του σημείου 4Α003.α., "οι ψηφιακοί υπολογιστές" και ο συναφής εξοπλισμός δεν θεωρούνται ότι έχουν σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για να παρέχουν "ανοχή λαθών" αν χρησιμοποιούν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:








  1. | Αλγόριθμους αναγνώρισης ή διόρθωσης λαθών που λειτουργούν στην "κύρια μνήμη". |
| --- | --- | --- |

α.

Που έχουν σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για "ανοχή λαθών".

Σημείωση: Για τους σκοπούς του σημείου 4Α003.α., "οι ψηφιακοί υπολογιστές" και ο συναφής εξοπλισμός δεν θεωρούνται ότι έχουν σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για να παρέχουν "ανοχή λαθών" αν χρησιμοποιούν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Αλγόριθμους αναγνώρισης ή διόρθωσης λαθών που λειτουργούν στην "κύρια μνήμη".

| 2. | Τη διασύνδεση δύο "ψηφιακών υπολογιστών" έτσι ώστε, εάν σημειωθεί βλάβη στην ενεργό κεντρική μονάδα επεξεργασίας, να μπορεί να συνεχισθεί η λειτουργία του συστήματος από μία δεύτερη κεντρική μονάδα επεξεργασίας που παρακολουθεί τις λειτουργίες της πρώτης αλλά δεν είναι ενεργά συνδεδεμένη. |
| --- | --- |

2.

Τη διασύνδεση δύο "ψηφιακών υπολογιστών" έτσι ώστε, εάν σημειωθεί βλάβη στην ενεργό κεντρική μονάδα επεξεργασίας, να μπορεί να συνεχισθεί η λειτουργία του συστήματος από μία δεύτερη κεντρική μονάδα επεξεργασίας που παρακολουθεί τις λειτουργίες της πρώτης αλλά δεν είναι ενεργά συνδεδεμένη.

| 3. | Τη διασύνδεση δύο κεντρικών μονάδων επεξεργασίας με διαύλους δεδομένων, ή με τη χρήση κοινής μνήμης, ώστε να επιτρέπουν σε μία κεντρική μονάδα επεξεργασίας να εκτελεί άλλες εργασίες μέχρις ότου σημειωθεί βλάβη στη δεύτερη κεντρική μονάδα επεξεργασίας οπότε η πρώτη κεντρική μονάδα επεξεργασίας αναλαμβάνει να λειτουργεί έτσι ώστε να συνεχισθεί η λειτουργία του συστήματος, ή |
| --- | --- |

3.

Τη διασύνδεση δύο κεντρικών μονάδων επεξεργασίας με διαύλους δεδομένων, ή με τη χρήση κοινής μνήμης, ώστε να επιτρέπουν σε μία κεντρική μονάδα επεξεργασίας να εκτελεί άλλες εργασίες μέχρις ότου σημειωθεί βλάβη στη δεύτερη κεντρική μονάδα επεξεργασίας οπότε η πρώτη κεντρική μονάδα επεξεργασίας αναλαμβάνει να λειτουργεί έτσι ώστε να συνεχισθεί η λειτουργία του συστήματος, ή

| 4. | Το συγχρονισμό δύο κεντρικών μονάδων επεξεργασίας μέσω "λογισμικού" έτσι ώστε η μία κεντρική μονάδα επεξεργασίας να αναγνωρίζει πότε στην άλλη κεντρική μονάδα σημειώνεται βλάβη και να αναλαμβάνει τις λειτουργίες της μονάδας που έχει σταματήσει να λειτουργεί. |
| --- | --- |

4.

Το συγχρονισμό δύο κεντρικών μονάδων επεξεργασίας μέσω "λογισμικού" έτσι ώστε η μία κεντρική μονάδα επεξεργασίας να αναγνωρίζει πότε στην άλλη κεντρική μονάδα σημειώνεται βλάβη και να αναλαμβάνει τις λειτουργίες της μονάδας που έχει σταματήσει να λειτουργεί.

| β. | "Ψηφιακοί υπολογιστές" που έχουν μια "σύνθεση θεωρητική απόδοση" (composite theoretical performance — "CTP") πάνω από 190.000 εκατομμύρια θεωρητικές πράξεις ανά δευτερόλεπτο (Mtops). |
| --- | --- |

β.

"Ψηφιακοί υπολογιστές" που έχουν μια "σύνθεση θεωρητική απόδοση" (composite theoretical performance — "CTP") πάνω από 190.000 εκατομμύρια θεωρητικές πράξεις ανά δευτερόλεπτο (Mtops).

| γ. | "Ηλεκτρονικά συγκροτήματα" που έχουν ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί ώστε να ενισχύουν την απόδοση με την συγκέντρωση "υπολογιστικών στοιχείων" ("CE") ούτως ώστε η "σύνθετη θεωρητική απόδοση" ("CTP") του συγκροτήματος να υπερβαίνει το τεθέν στο σημείο 4Α003.β. όριο.


  Σημείωση 1: Το σημείο 4Α003.γ., αφορά μόνον "ηλεκτρονικά συγκροτήματα" και προγραμματιζόμενες διασυνδέσεις που δεν υπερβαίνουν το όριο του σημείου 4Α003.β., όταν αποστέλλονται σαν μη ενσωματωμένα "ηλεκτρονικά συγκροτήματα". Το σημείο αυτό δεν αφορά τα "ηλεκτρονικά συγκροτήματα" που περιορίζονται εγγενώς ως εκ της φύσεως της σχεδίασης τους να χρησιμοποιούνται σαν συναφής εξοπλισμός όπως αναφέρεται στα σημεία 4Α003.δ, ή 4Α003.ε.



  Σημείωση 2: Στο σημείο 4Α003.γ. δεν ελέγχονται τα "ηλεκτρονικά συγκροτήματα" που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για ένα προϊόν ή οικογένεια προϊόντων για τα οποία η μέγιστη διάρθρωση δεν υπερβαίνει το όριο του σημείου 4Α003.β.. |
| --- | --- |

γ.

"Ηλεκτρονικά συγκροτήματα" που έχουν ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί ώστε να ενισχύουν την απόδοση με την συγκέντρωση "υπολογιστικών στοιχείων" ("CE") ούτως ώστε η "σύνθετη θεωρητική απόδοση" ("CTP") του συγκροτήματος να υπερβαίνει το τεθέν στο σημείο 4Α003.β. όριο.

Σημείωση 1: Το σημείο 4Α003.γ., αφορά μόνον "ηλεκτρονικά συγκροτήματα" και προγραμματιζόμενες διασυνδέσεις που δεν υπερβαίνουν το όριο του σημείου 4Α003.β., όταν αποστέλλονται σαν μη ενσωματωμένα "ηλεκτρονικά συγκροτήματα". Το σημείο αυτό δεν αφορά τα "ηλεκτρονικά συγκροτήματα" που περιορίζονται εγγενώς ως εκ της φύσεως της σχεδίασης τους να χρησιμοποιούνται σαν συναφής εξοπλισμός όπως αναφέρεται στα σημεία 4Α003.δ, ή 4Α003.ε.

Σημείωση 2: Στο σημείο 4Α003.γ. δεν ελέγχονται τα "ηλεκτρονικά συγκροτήματα" που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για ένα προϊόν ή οικογένεια προϊόντων για τα οποία η μέγιστη διάρθρωση δεν υπερβαίνει το όριο του σημείου 4Α003.β..

| δ. | Δεν χρησιμοποιείται. |
| --- | --- |

δ.

Δεν χρησιμοποιείται.

| ε. | Εξοπλισμός που επιτελεί μετατροπές αναλογικών σημάτων προς ψηφιακά υπερβαίνοντας τα όρια του σημείου 3Α001.α.5. |
| --- | --- |

ε.

Εξοπλισμός που επιτελεί μετατροπές αναλογικών σημάτων προς ψηφιακά υπερβαίνοντας τα όρια του σημείου 3Α001.α.5.

| στ. | Δεν χρησιμοποιείται. |
| --- | --- |

στ.

Δεν χρησιμοποιείται.

| ζ. | Ειδικώς σχεδιασμένος εξοπλισμός που εξασφαλίζει την εξωτερική διασύνδεση "ψηφιακών υπολογιστών" ή συναφής εξοπλισμός που επιτρέπει την επικοινωνία με ταχύτητες μεταβίβασης δεδομένων υπερβαίνουσες τα 1,25 Gbyte/s.


  Σημείωση: Στο σημείο 4Α003.ζ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός εσωτερικής διασύνδεσης (π.χ. βασική πλακέτα, ζυγοί), ο εξοπλισμός παθητικής διασύνδεσης, οι "ελεγκτές πρόσβασης δικτύου" ή οι "ελεγκτές διαύλων επικοινωνίας". |
| --- | --- |

ζ.

Ειδικώς σχεδιασμένος εξοπλισμός που εξασφαλίζει την εξωτερική διασύνδεση "ψηφιακών υπολογιστών" ή συναφής εξοπλισμός που επιτρέπει την επικοινωνία με ταχύτητες μεταβίβασης δεδομένων υπερβαίνουσες τα 1,25 Gbyte/s.

Σημείωση: Στο σημείο 4Α003.ζ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός εσωτερικής διασύνδεσης (π.χ. βασική πλακέτα, ζυγοί), ο εξοπλισμός παθητικής διασύνδεσης, οι "ελεγκτές πρόσβασης δικτύου" ή οι "ελεγκτές διαύλων επικοινωνίας".

4A004Υπολογιστές ως ακολούθως, και ειδικά σχεδιασμένος συναφής εξοπλισμός, "ηλεκτρονικά συγκροτήματα" και δομικά στοιχεία αυτών:

| α. | "Υπολογιστές συστολικής συστοιχίας", |
| --- | --- |

α.

"Υπολογιστές συστολικής συστοιχίας",

| β. | "Νευρωνικοί υπολογιστές", |
| --- | --- |

β.

"Νευρωνικοί υπολογιστές",

| γ. | "Οπτικοί υπολογιστές". |
| --- | --- |

γ.

"Οπτικοί υπολογιστές".

4A101Αναλογικοί υπολογιστές, "ψηφιακοί υπολογιστές" ή ψηφιακοί διαφορικοί αναλυτές διαφορετικοί από εκείνους του σημείου 4Α001.α.1., που είναι ανθεκτικοί και έχουν σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούνται σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104.

4A102"Υβριδικοί υπολογιστές" που έχουν σχεδιασθεί ειδικά για την εκπόνηση μοντέλων, τη διενέργεια προσομοίωσης ή τη σχεδιαστική ενσωμάτωση οχημάτων εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή πυραυλοβολίδων που ορίζονται στο σημείο 9Α104.

Σημείωση: Ο έλεγχος ισχύει μόνο για τον εξοπλισμό που παρέχεται μαζί με το λογισμικό το οποίο καθορίζεται στο σημείο 7D103 ή 9D103.

4BΕξοπλισμός δοκιμών, επιθεώρησης και παραγωγής

Ουδείς.

4CΥλικά

Ουδείς.

4DΛογισμικό

Σημείωση: Η διαβάθμιση ελέγχου του "λογισμικού" για την "ανάπτυξη", "παραγωγή" ή "χρήση" εξοπλισμού που περιγράφεται σε άλλες κατηγορίες περιέχεται στην αντίστοιχη κατηγορία. Η διαβάθμιση ελέγχου του "λογισμικού" για εξοπλισμό που περιγράφεται στην παρούσα κατηγορία αναφέρεται εδώ.

| α. | "Λογισμικό" που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την "ανάπτυξη", "παραγωγή" ή "χρήση" εξοπλισμού ή "λογισμικού" που καθορίζονται στα σημεία 4Α001 έως 4Α004, ή 4D |
| --- | --- |

α.

"Λογισμικό" που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την "ανάπτυξη", "παραγωγή" ή "χρήση" εξοπλισμού ή "λογισμικού" που καθορίζονται στα σημεία 4Α001 έως 4Α004, ή 4D

| β. | "Λογισμικό", εκτός του περιγραφόμενου στο 4D001.α, που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή":






  1. | "Ψηφιακών ηλεκτρονικών υπολογιστών" με "σύνθετη θεωρητική απόδοση" (CTP) πάνω από 28.000 εκατομμύρια θεωρητικές πράξεις ανά δευτερόλεπτο (Mtops), |
| --- | --- | --- |

β.

"Λογισμικό", εκτός του περιγραφόμενου στο 4D001.α, που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή":

1.

"Ψηφιακών ηλεκτρονικών υπολογιστών" με "σύνθετη θεωρητική απόδοση" (CTP) πάνω από 28.000 εκατομμύρια θεωρητικές πράξεις ανά δευτερόλεπτο (Mtops),

| 2. | "Ηλεκτρονικών συγκροτημάτων" που έχουν ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την αύξηση της απόδοσης με τη συνάθροιση "υπολογιστικών στοιχείων" ("CEs") ούτως ώστε η "CTP" του συνόλου να υπερβαίνει το όριο του 4D001.β.1. |
| --- | --- |

2.

"Ηλεκτρονικών συγκροτημάτων" που έχουν ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την αύξηση της απόδοσης με τη συνάθροιση "υπολογιστικών στοιχείων" ("CEs") ούτως ώστε η "CTP" του συνόλου να υπερβαίνει το όριο του 4D001.β.1.

4D002"Λογισμικό" που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για να λειτουργεί με "τεχνολογία" που καθορίζεται στο σημείο 4Ε.

4D003Ιδιαίτερο "λογισμικό", ως εξής:

| α. | "Λογισμικό" λειτουργικών συστημάτων, εργαλεία ανάπτυξης "λογισμικού" και συμβολομεταφραστές που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για εξοπλισμό επεξεργασίας ρεύματος πολλαπλών δεδομένων (multi-data-stream processing), σε "πηγαίο κώδικα", |
| --- | --- |

α.

"Λογισμικό" λειτουργικών συστημάτων, εργαλεία ανάπτυξης "λογισμικού" και συμβολομεταφραστές που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για εξοπλισμό επεξεργασίας ρεύματος πολλαπλών δεδομένων (multi-data-stream processing), σε "πηγαίο κώδικα",

| β. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

β.

Δεν χρησιμοποιείται,

| γ. | "Λογισμικό" που έχει χαρακτηριστικά ή εκτελεί λειτουργίες που υπερβαίνουν τα όρια της Κατηγορίας 5, Μέρος 2 ("Ασφάλεια πληροφοριών"),


  Σημείωση: Στο 4D003.γ. δεν ελέγχεται το "λογισμικό" που συνοδεύει το χρήστη του για την προσωπική χρήση του χρήστη. |
| --- | --- |

γ.

"Λογισμικό" που έχει χαρακτηριστικά ή εκτελεί λειτουργίες που υπερβαίνουν τα όρια της Κατηγορίας 5, Μέρος 2 ("Ασφάλεια πληροφοριών"),

Σημείωση: Στο 4D003.γ. δεν ελέγχεται το "λογισμικό" που συνοδεύει το χρήστη του για την προσωπική χρήση του χρήστη.

4EΤεχνολογία

| α. | "Τεχνολογία" σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την "ανάπτυξη", "παραγωγή" ή "χρήση" εξοπλισμού ή "λογισμικού" που καθορίζονται στα σημεία 4Α, ή 4D. |
| --- | --- |

α.

"Τεχνολογία" σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την "ανάπτυξη", "παραγωγή" ή "χρήση" εξοπλισμού ή "λογισμικού" που καθορίζονται στα σημεία 4Α, ή 4D.

| β. | "Τεχνολογία", εκτός της περιγραφόμενης στο 4E001.α, που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή":






  1. | "Ψηφιακών ηλεκτρονικών υπολογιστών" με "σύνθετη θεωρητική απόδοση" (CTP) πάνω από 28.000 εκατομμύρια θεωρητικές πράξεις ανά δευτερόλεπτο (Mtops), |
| --- | --- | --- |

β.

"Τεχνολογία", εκτός της περιγραφόμενης στο 4E001.α, που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή":

1.

"Ψηφιακών ηλεκτρονικών υπολογιστών" με "σύνθετη θεωρητική απόδοση" (CTP) πάνω από 28.000 εκατομμύρια θεωρητικές πράξεις ανά δευτερόλεπτο (Mtops),

| 2. | "Ηλεκτρονικών συγκροτημάτων" που έχουν ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την αύξηση της απόδοσης με τη συνάθροιση "υπολογιστικών στοιχείων" ("CEs") ούτως ώστε η "CTP" του συνόλου να υπερβαίνει το όριο του 4D001.β.1. |
| --- | --- |

2.

"Ηλεκτρονικών συγκροτημάτων" που έχουν ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την αύξηση της απόδοσης με τη συνάθροιση "υπολογιστικών στοιχείων" ("CEs") ούτως ώστε η "CTP" του συνόλου να υπερβαίνει το όριο του 4D001.β.1.

Τεχνική σημείωση σχετικά με τη "Σύνθετη θεωρητική απόδοση" (CTP)

Χρησιμοποιούμενες στην παρούσα Τεχνική Σημείωση Συντμήσεις

| "CE" | "υπολογιστικό στοιχείο" (computing element) (συνήθως μια αριθμητική λογική μονάδα) |
| --- | --- |
| FP | κινητή υποδιαστολή (floating point) |
| XP | σταθερή υποδιαστολή (fixed point) |
| t | χρόνος εκτέλεσης |
| XOR | αποκλειστικό Ή |
| CPU | κεντρική μονάδα επεξεργασίας |
| TP | θεωρητική απόδοση (theoretical performance) [ενός απλού υπολογιστικού στοιχείου ("CE")] |
| "CTP" | "σύνθετη θεωρητική απόδοση" [πολλαπλά υπολογιστικά στοιχεία ("CE")] |
| R | ενεργός ρυθμός υπολογισμού |
| WL | μήκος λέξης |
| L | συντελεστής προσαρμογής μήκους λέξης |
| × | επί (σημείο του πολλαπλασιασμού) |

"CE"

"υπολογιστικό στοιχείο" (computing element) (συνήθως μια αριθμητική λογική μονάδα)

FP

κινητή υποδιαστολή (floating point)

XP

σταθερή υποδιαστολή (fixed point)

t

χρόνος εκτέλεσης

XOR

αποκλειστικό Ή

CPU

κεντρική μονάδα επεξεργασίας

TP

θεωρητική απόδοση (theoretical performance) [ενός απλού υπολογιστικού στοιχείου ("CE")]

"CTP"

"σύνθετη θεωρητική απόδοση" [πολλαπλά υπολογιστικά στοιχεία ("CE")]

R

ενεργός ρυθμός υπολογισμού

WL

μήκος λέξης

L

συντελεστής προσαρμογής μήκους λέξης

×

επί (σημείο του πολλαπλασιασμού)

Ο χρόνος εκτέλεσης "t" εκφράζεται σε μικροδευτερόλεπτα, η θεωρητική απόδοση ΤΡ και η σύνθετη θεωρητική απόδοση "CTP" εκφράζονται σε Mtops (εκατομ. θεωρητικών πράξεων ανά δευτερόλεπτο), ενώ το μήκος λέξης WL εκφράζεται σε bit.

Η μέθοδος υπολογισμού της "CTP" σε αδρές γραμμές

Η "CTP" αποτελεί μέτρο της υπολογιστικής απόδοσης που δίδεται σε Mtops. Κατά τον υπολογισμό της "CTP" δέσμης υπολογιστικών στοιχείων "CE", απαιτούνται τα εξής τρία βήματα:

| 1. | Να υπολογισθεί ο ενεργός ρυθμός υπολογισμού R για κάθε στοιχείο "CE", |
| --- | --- |

1.

Να υπολογισθεί ο ενεργός ρυθμός υπολογισμού R για κάθε στοιχείο "CE",

| 2. | Να εφαρμοσθεί ο συντελεστής προσαρμογής μήκους λέξεως (L) στον ενεργό ρυθμό υπολογισμού (R), ώστε να προκύψει μια θεωρητική απόδοση (ΤΡ) για κάθε στοιχείο "CE", |
| --- | --- |

2.

Να εφαρμοσθεί ο συντελεστής προσαρμογής μήκους λέξεως (L) στον ενεργό ρυθμό υπολογισμού (R), ώστε να προκύψει μια θεωρητική απόδοση (ΤΡ) για κάθε στοιχείο "CE",

| 3. | Εάν υπάρχουν περισσότερα από ένα "CE", πρέπει να συνδυασθούν οι αποδόσεις ΤΡ έτσι ώστε να προκύψει μία "CTP" για όλη τη δέσμη. |
| --- | --- |

3.

Εάν υπάρχουν περισσότερα από ένα "CE", πρέπει να συνδυασθούν οι αποδόσεις ΤΡ έτσι ώστε να προκύψει μία "CTP" για όλη τη δέσμη.

Τα ανωτέρω βήματα αναλύονται κατωτέρω.

Σημ. 1: Για δέσμες πολλαπλών "CE" που έχουν και επιμερισμένα και μη επιμερισμένα υποσυστήματα μνήμης, ο υπολογισμός της "CTP" γίνεται κατά εντελώς ιεραρχημένο τρόπο, σε δύο στάδια: κατά πρώτο συγκεντρώνονται οι ομάδες "CE" που μοιράζονται την μνήμη και κατά δεύτερο υπολογίζεται η "CTP" των ομάδων με τη χρήση της υπολογιστικής μεθόδου για πολλαπλά "CE" που δεν μοιράζονται μνήμη.

Σημ. 2: Τα "CE" που περιορίζονται σε λειτουργίες εισόδου/εξόδου και περιφερειακών μονάδων (π.χ. μηχανισμού δίσκου, ελεγκτών επικοινωνίας και οθόνης) δεν συγκεντρώνονται στον υπολογισμό της "CTP".

ΤΕΧΝΙΚΗ ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΣΧΕΤΙΚΑ ΜΕ ΤΗ "CTP"

Ο ακόλουθος πίνακας παρουσιάζει την μέθοδο υπολογισμού του ενεργού ρυθμού υπολογισμού R για κάθε Υπολογιστικό Στοιχείο "CE":

Βήμα 1: Ενεργός ρυθμός υπολογισμού R

| Για τα "CE" που εκτελούν:

  Σημ. Κάθε "CE" πρέπει να αξιολογείται ανεξάρτητα | Ενεργός ρυθμός υπολογισμού |
| --- | --- |
| μόνο XP | εάν δεν εκτελείται λειτουργία πρόσθεσης χρησιμοποιείστε τον τύπο:



  Εάν δεν εκτελούνται ούτε πρόσθεση ούτε πολλαπλασιασμός τότε χρησιμοποιείστε την ταχύτερη διαθέσιμη αριθμητική πράξη ως εξής:



  Βλέπε σημειώσεις Χ & Ω |
| μόνο FP | ,


  Βλέπε σημειώσεις X & Ψ |
| Πράξεις FP και XP (R) | Να υπολογισθούν οι δύο τιμές Rxp, Rfp |
| Για απλούς λογικούς επεξεργαστές που δεν εκτελούν καμία από τις προσδιοριζόμενες αριθμητικές πράξεις. | όπου t log είναι ο χρόνος εκτέλεσης του XOR, ή για λογικό εξοπλισμό που δεν μπορεί να εκτελέσει την πράξη XOR, ο χρόνος της πιο γρήγορης απλής λογικής πράξης.
  Βλέπε σημειώσεις Χ & Ω |
| Για ειδικούς λογικούς επεξεργαστές που δεν χρησιμοποιούν καμία από τις προσδιοριζόμενες αριθμητικές ή λογικές πράξεις. | R=R'×WL/64
  όπου R' είναι ο αριθμός των αποτελεσμάτων ανά δευτερόλεπτο, WL είναι ο αριθμός των δυαδικών ψηφίων (bit) στα οποία εκτελείται η λογική πράξη και το 64 συντελεστής αναγωγής σε πράξη των 64 bit. |

Για τα "CE" που εκτελούν:

Σημ. Κάθε "CE" πρέπει να αξιολογείται ανεξάρτητα

Ενεργός ρυθμός υπολογισμού

μόνο XP

Formula

εάν δεν εκτελείται λειτουργία πρόσθεσης χρησιμοποιείστε τον τύπο:

Formula

Εάν δεν εκτελούνται ούτε πρόσθεση ούτε πολλαπλασιασμός τότε χρησιμοποιείστε την ταχύτερη διαθέσιμη αριθμητική πράξη ως εξής:

Formula

Βλέπε σημειώσεις Χ & Ω

μόνο FP

Formula

Formula

Βλέπε σημειώσεις X & Ψ

Πράξεις FP και XP (R)

Να υπολογισθούν οι δύο τιμές Rxp, Rfp

Για απλούς λογικούς επεξεργαστές που δεν εκτελούν καμία από τις προσδιοριζόμενες αριθμητικές πράξεις.

Formula

όπου t log είναι ο χρόνος εκτέλεσης του XOR, ή για λογικό εξοπλισμό που δεν μπορεί να εκτελέσει την πράξη XOR, ο χρόνος της πιο γρήγορης απλής λογικής πράξης.

Βλέπε σημειώσεις Χ & Ω

Για ειδικούς λογικούς επεξεργαστές που δεν χρησιμοποιούν καμία από τις προσδιοριζόμενες αριθμητικές ή λογικές πράξεις.

R=R'×WL/64

όπου R' είναι ο αριθμός των αποτελεσμάτων ανά δευτερόλεπτο, WL είναι ο αριθμός των δυαδικών ψηφίων (bit) στα οποία εκτελείται η λογική πράξη και το 64 συντελεστής αναγωγής σε πράξη των 64 bit.

Σημ. Φ: Για ένα "CE" συνεχούς διοχέτευσης, ικανό να εκτελεί μέχρι μία αριθμητική ή λογική πράξη σε κάθε ωρολογιακό κύκλο μετά την πλήρωση των σταδίων λειτουργίας, μπορεί να ευρεθεί ο ρυθμός κατά την επεξεργασία με συνεχή διοχέτευση. Για ένα τέτοιο "CE" ο ενεργός ρυθμός υπολογισμού (R) είναι ο ταχύτερος από τους ρυθμούς εκτέλεσης, με και χωρίς συνεχή διοχέτευση.

Σημ. Χ: Για ένα "CE" που εκτελεί πολλαπλές πράξεις ενός καθορισμένου τύπου σε ένα μοναδικό κύκλο (για παράδειγμα δύο αθροιστικές πράξεις ανά κύκλο ή δύο πανομοιότυπες λογικές πράξεις ανά κύκλο), ο χρόνος εκτέλεσης t δίδεται από τον εξής τύπο:

Formula

Τα υπολογιστικά στοιχεία "CE" που εκτελούν διαφορετικούς τύπους αριθμητικών ή λογικών πράξεων σε ένα και μοναδικό κύκλο μηχανής θα πρέπει να θεωρούνται ως πολλαπλά χωριστά "CE" που εκτελούν πράξεις συγχρόνως (για παράδειγμα ένα "CE" που εκτελεί μία πρόσθεση και ένα πολλαπλασιασμό σε ένα κύκλο θα πρέπει να θεωρείται σαν δύο "CE", εκ των οποίων το πρώτο εκτελεί μία πρόσθεση σε ένα κύκλο και το δεύτερο ένα πολλαπλασιασμό σε ένα κύκλο).

Αν ένα μοναδικό "CE" μπορεί να εκτελέσει τόσο μονόμετρη όσο και διανυσματική πράξη, να χρησιμοποιηθεί η τιμή του ταχύτερου χρόνου εκτέλεσης.

Σημ. Ψ: Για το "CE" που δεν εκτελεί προσθέσεις με FP ή πολλαπλασιασμούς με FP αλλά που εκτελεί διαίρεση με FP, τότε:

Formula

Αν το "CE" εκτελεί αντιστροφή με FP και όχι πρόσθεση με FP, πολλαπλασιασμό με FP ή διαίρεση με FP, τότε:

Formula

Αν δεν μπορεί να εκτελεσθεί καμιά από τις αναφερθείσες εντολές, ο ενεργός ρυθμός FP ισούται με 0.

Σημ. Ω: Σε απλές λογικές πράξεις μία μοναδιαία εντολή εκτελεί μία μοναδιαία λογική πράξη μεταξύ το πολύ δύο τελεστών που έχουν ο καθένας δεδομένο μήκος.

Σε σύνθετες λογικές πράξεις, μία απλή εντολή εκτελεί πολλαπλές λογικές πράξεις ώστε να δώσει ένα ή περισσότερα αποτελέσματα από δύο ή παραπάνω τελεστές.

Οι ρυθμοί θα πρέπει να υπολογισθούν για όλα τα υποστηριζόμενα μήκη τελεστού, λαμβανομένων υπόψη τόσο των πράξεων συνεχούς διοχέτευσης (εάν υποστηρίζονται) όσο και των πράξεων μη συνεχούς διοχέτευσης, με τη χρήση της ταχύτερης εντολής εκτέλεσης για κάθε μήκος τελεστού με βάση τα ακόλουθα:

| 1. | Πράξεις με συνεχή διοχέτευση ή από καταχωρητή σε καταχωρητή. Εξαιρούνται οι εξαιρετικά βραχείς χρόνοι εκτέλεσης που προκύπτουν από πράξεις πάνω σε ένα προκαθορισμένο τελεστή ή τελεστές (για παράδειγμα πολλαπλασιασμός με 0 ή 1). Εάν δεν εκτελούνται πράξεις από καταχωρητή σε καταχωρητή, τότε συνεχίζει κανείς με το δεύτερο στάδιο. |
| --- | --- |

1.

Πράξεις με συνεχή διοχέτευση ή από καταχωρητή σε καταχωρητή. Εξαιρούνται οι εξαιρετικά βραχείς χρόνοι εκτέλεσης που προκύπτουν από πράξεις πάνω σε ένα προκαθορισμένο τελεστή ή τελεστές (για παράδειγμα πολλαπλασιασμός με 0 ή 1). Εάν δεν εκτελούνται πράξεις από καταχωρητή σε καταχωρητή, τότε συνεχίζει κανείς με το δεύτερο στάδιο.

| 2. | Η ταχύτερη μεταξύ των πράξεων:από καταχωρητή σε μνήμη ή από μνήμη σε καταχωρητή· αν ούτε και αυτές οι πράξεις υπάρχουν, τότε συνεχίζει κανείς με το τρίτο στάδιο. |
| --- | --- |

2.

Η ταχύτερη μεταξύ των πράξεων:από καταχωρητή σε μνήμη ή από μνήμη σε καταχωρητή· αν ούτε και αυτές οι πράξεις υπάρχουν, τότε συνεχίζει κανείς με το τρίτο στάδιο.

| 3. | Από μνήμη προς μνήμη. |
| --- | --- |

3.

Από μνήμη προς μνήμη.

Σε κάθε μία από τις ανωτέρω περιπτώσεις, να χρησιμοποιείται ο βραχύτερος χρόνος εκτέλεσης που δηλώνεται από τον κατασκευαστή.

Βήμα 2: Θεωρητική απόδοση (TP) για καθένα από τα υποστηριζόμενα μήκη τελεστή WL

Προσαρμόζεται ο ενεργός ρυθμός R (ή R') ανάλογα με το μήκος λέξης L ως εξής:

| | TP = R × L
  όπου L = (1/3+WL/96) |
| --- | --- |

TP = R × L

όπου L = (1/3+WL/96)

Σημ.: Το μήκος λέξης WL που χρησιμοποιείται στους υπολογισμούς αυτούς είναι το μήκος του τελεστή σε δυαδικά ψηφία (bit). (Αν μια πράξη χρησιμοποιεί τελεστές που έχουν διαφορετικά μήκη, τότε επιλέγεται το μεγαλύτερο μήκος λέξης).

Για τους σκοπούς υπολογισμού της "CTP", ως συνδυασμός μιας αριθμητικής λογικής μονάδας ALU σημαντικών ψηφίων και μιας εκθετικής αριθμητικής λογικής μονάδας επεξεργαστή ή συγκροτήματος κινητής υποδιαστολής θεωρείται ένα "CE" με μήκος λέξης (WL) ίσο προς το πλήθος των δυαδικών ψηφίων (bit) στην παράσταση δεδομένων (τυπικώς 32 ή 64).

Η προσαρμογή αυτή δεν εφαρμόζεται σε ειδικευμένους λογικούς επεξεργαστές που δεν χρησιμοποιούν εντολές αποκλειστικού 'Η. Στην περίπτωση αυτή το ΤΡ = R.

Επιλέξατε την μέγιστη προκύπτουσα τιμή ΤΡ για:

| | Κάθε XP-μόνο "CE" (Rxp), |
| --- | --- |

Κάθε XP-μόνο "CE" (Rxp),

| | Κάθε FP-μόνο "CE" (Rfp), |
| --- | --- |

Κάθε FP-μόνο "CE" (Rfp),

| | Κάθε "CE" με συνδυασμένη FP και XP (R), |
| --- | --- |

Κάθε "CE" με συνδυασμένη FP και XP (R),

| | Κάθε απλό λογικό επεξεργαστή που δεν εκτελεί καμία από τις αναφερθείσες αριθμητικές πράξεις, και |
| --- | --- |

Κάθε απλό λογικό επεξεργαστή που δεν εκτελεί καμία από τις αναφερθείσες αριθμητικές πράξεις, και

| | Κάθε ειδικό λογικό επεξεργαστή που δεν χρησιμοποιεί καμία από τις αναφερθείσες αριθμητικές ή λογικές πράξεις. |
| --- | --- |

Κάθε ειδικό λογικό επεξεργαστή που δεν χρησιμοποιεί καμία από τις αναφερθείσες αριθμητικές ή λογικές πράξεις.

Βήμα 3: "CTP" για δέσμες "CE", συμπεριλαμβανομένων και κεντρικών μονάδων επεξεργασίας (CPU)

Για μία CPU με ένα μοναδιαίο "CE",

"CTP" = TP

[για "CE" που εκτελούν τόσο πράξεις σταθερής όσο και κινητής υποδιαστολής, η τιμή

TP = το μέγιστο (TPfp, TPxp)]

Για συνδυασμούς πολλαπλών "CE" που λειτουργούν ταυτοχρόνως, η "CTP" υπολογίζεται ως εξής:

Σημ. 1: Για τις δέσμες που δεν επιτρέπουν σε όλα τα "CE" να τρέχουν ταυτοχρόνως, θα πρέπει να χρησιμοποιείται ο δυνατός συνδυασμός "CE" που παρέχει την μεγαλύτερη "CTP". Η ΤΡ εκάστου συμβάλλοντος "CE" θα πρέπει να υπολογίζεται στη θεωρητικά μέγιστη δυνατή τιμή της προτού εξαχθεί η "CTP" του συνδυασμού.

ΣΗΜ.: Για να ευρεθούν οι δυνατοί συνδυασμοί λειτουργούντων ταυτοχρόνως "CE", διατυπώσατε αλληλουχία εντολών που ενεργοποιεί πράξεις σε πολλαπλά "CE", αρχίζοντας με το βραδύτερο "CE" (εκείνο που χρειάζεται το μεγαλύτερο πλήθος κύκλων για να ολοκληρώσει την λειτουργία του) και τελειώνοντας με το ταχύτερο "CE". Σε έκαστο κύκλο της αλληλουχίας, δυνατό συνδυασμό αποτελεί ο συνδυασμός εκείνος "CE" που λειτουργούν στον υπόψη κύκλο. Η αλληλουχία εντολών πρέπει να λάβει υπόψη όλους τους περιορισμούς λόγω εξοπλισμού ή/και αρχιτεκτονικής του συστήματος σε επικαλυπτόμενες πράξεις.

Σημ. 2: Ένα μοναδιαίο συγκρότημα ολοκληρωμένου μικροκυκλώματος ή μικροπλακέτας μπορεί να περιέχει πολλαπλά "CE".

Σημ. 3: Θεωρείται ότι υπάρχουν ταυτόχρονες λειτουργίες και πράξεις όταν ο κατασκευαστής του υπολογιστή αναφέρει παράλληλες, σύγχρονες, ή ταυτόχρονες πράξεις ή εκτελέσεις σε ένα εγχειρίδιο ή φυλλάδιο που αφορά τον υπολογιστή.

Σημ. 4: Οι τιμές "CTP» δεν πρέπει να συγκεντρώνονται για συνδυασμούς "CE" (δια)συνδεόμενους με τοπικά δίκτυα υπολογιστών ("Local Area Networks"), δίκτυα ευρείας περιοχής, κατανεμημένες συνδέσεις/συσκευές εισόδου/εξόδου, ελεγκτές εισόδου/εξόδου και τυχόν διασύνδεση επικοινωνίας πραγματοποιούμενης μέσω λογισμικού.

Σημ. 5: Οι τιμές "CTP" πρέπει να συγκεντρώνονται για πολλαπλά "CE" ειδικώς σχεδιασμένα για βελτίωση των επιδόσεων με την συγκέντρωση, τα οποία λειτουργούν ταυτοχρόνως και μοιράζονται μνήμη, ή για λειτουργούντες ταυτοχρόνως συνδυασμούς - πολλαπλής μνήμης/"CE" - που χρησιμοποιούν ειδικώς σχεδιασμένο εξοπλισμό.

Η συγκέντρωση αυτή δεν ισχύει για "ηλεκτρονικά συγκροτήματα" περιγραφόμενα στο σημείο 4Α003.γ.

"CTP" = TP1 + C2 × TP2 + ... + Cn × TP n,

όπου οι τιμές ΤΡ διατάσσονται κατά φθίνουσα σειρά μεγέθους, από την μεγαλύτερη ΤΡ1 έως την μικρότερη ΤΡn. Ci αποτελεί συντελεστή εξαρτώμενο από την ρώμη της διασύνδεσης μεταξύ "CE" και ευρισκόμενο ως εξής:

Για πολλαπλά "CE" που λειτουργούν ταυτοχρόνως και μοιράζονται μνήμη:

| | C2 = C3 = C4 = ... = Cn = 0.75 |
| --- | --- |

C2 = C3 = C4 = ... = Cn = 0.75

Σημ. 1: Όταν η υπολογιζόμενη με την ανωτέρω μέθοδο "CTP" δεν υπερβαίνει τα 194 Mtops, για να υπολογισθεί ο Ci μπορεί να χρησιμοποιηθεί ο εξής τύπος:

Formula
  (i = 2,...,n)

όπου m το πλήθος των "CE" ή ομάδων "CE" που μοιράζονται την πρόσβαση, υπό τον όρο ότι:

| 1. | Το ΤΡi εκάστου "CE" ή ομάδας "CE" δεν υπερβαίνει τα 30 Mtops, |
| --- | --- |

1.

Το ΤΡi εκάστου "CE" ή ομάδας "CE" δεν υπερβαίνει τα 30 Mtops,

| 2. | Τα "CE" ή ομάδες "CE" μοιράζονται πρόσβαση στην κύρια μνήμη (αποκλειόμενης της κρυφής μνήμης) σε ένα μοναδιαίο δίαυλο· και |
| --- | --- |

2.

Τα "CE" ή ομάδες "CE" μοιράζονται πρόσβαση στην κύρια μνήμη (αποκλειόμενης της κρυφής μνήμης) σε ένα μοναδιαίο δίαυλο· και

| 3. | Μόνο ένα "CE" ή μία ομάδα "CE" μπορεί να κάνει χρήση του διαύλου κάποια δεδομένη χρονική στιγμή.



  ΣΗΜ.: Τούτο δεν ισχύει για τα υπαγόμενα σε έλεγχο είδη της κατηγορίας 3. |
| --- | --- |

3.

Μόνο ένα "CE" ή μία ομάδα "CE" μπορεί να κάνει χρήση του διαύλου κάποια δεδομένη χρονική στιγμή.

ΣΗΜ.: Τούτο δεν ισχύει για τα υπαγόμενα σε έλεγχο είδη της κατηγορίας 3.

Σημ. 2: Τα CE μοιράζονται μνήμη αν έχουν πρόσβαση σε κοινό τμήμα μιας μνήμης στερεάς κατάστασης. Η μνήμη αυτή μπορεί να είναι κρυφή, κύρια ή άλλου τύπου εσωτερική μνήμη. Δεν περιλαμβάνονται περιφερειακές συσκευές μνήμης όπως μηχανισμοί δίσκου, μαγνητοταινίας ή δίσκοι RAM.

Για πολλαπλά "CE" ή ομάδες "CE" που δεν μοιράζονται μνήμη, τα οποία διασυνδέονται με έναν ή περισσότερους διαύλους μεταβίβασης δεδομένων:

| | Ci = 0,75 × ki (i = 2, ..., 32) (βλέπε σημείωση κατωτέρω) |
| --- | --- |

Ci = 0,75 × ki (i = 2, ..., 32) (βλέπε σημείωση κατωτέρω)

| | = 0,60 × ki (i = 33, ..., 64) |
| --- | --- |

= 0,60 × ki (i = 33, ..., 64)

| | = 0,45 × ki (i = 65, ..., 256) |
| --- | --- |

= 0,45 × ki (i = 65, ..., 256)

| | = 0,30 × ki (i > 256) |
| --- | --- |

= 0,30 × ki (i > 256)

Η τιμή Ci βασίζεται στο πλήθος των "CE" και όχι των κόμβων.

όπου:

| ki | = | min (Si/Kr, 1), και |
| --- | --- | --- |
| Kr | = | συντελεστής αναγωγής στα 20 MByte/s. |
| Si | = | άθροισμα των μέγιστων ρυθμών ροής δεδομένων (σε Mbyte/s) για όλους τους διαύλους μεταβίβασης δεδομένων που συνδέονται με το i-οστό "CE" ή ομάδα "CE" που μοιράζονται τη μνήμη. |

ki

=

min (Si/Kr, 1), και

Kr

=

συντελεστής αναγωγής στα 20 MByte/s.

Si

=

άθροισμα των μέγιστων ρυθμών ροής δεδομένων (σε Mbyte/s) για όλους τους διαύλους μεταβίβασης δεδομένων που συνδέονται με το i-οστό "CE" ή ομάδα "CE" που μοιράζονται τη μνήμη.

Όταν υπολογίζεται ένας συντελεστής Ci για μια ομάδα "CE", το πλήθος των πρώτων "CE" σε μια ομάδα προσδιορίζει το σωστό όριο για τον Ci. Π.χ., σε μια δέσμη ομάδων αποτελούμενων η καθεμιά από 3 "CΕ", η 22η ομάδα θα περιέχει τα "CE"64, "CE"65 και "CE"66. Το σωστό όριο του συντελεστή Ci για την ομάδα αυτή είναι το 0.60.

Η δέσμη ("CE" ή ομάδων από "CE") θα πρέπει να συγκεντρώνεται από το ταχύτερο προς το βραδύτερο, δηλαδή:

| | TP1 ≥ TP2 ≥ ... ≥ TPn, και |
| --- | --- |

TP1 ≥ TP2 ≥ ... ≥ TPn, και

σε περίπτωση που TPi = TPi + 1 από το μεγαλύτερο προς το μικρότερο, δηλαδή:

| | Ci ≥ Ci+1 |
| --- | --- |

Ci ≥ Ci+1

Σημ.: Ο συντελεστής ki δεν εφαρμόζεται στα "CE" 2 έως 12 αν η ΤΡi του "CE" ή της ομάδας "CE" υπερβαίνει τα 50 Μtops, δηλαδή Ci = 0,75 για τα CE 2 έως 12.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 5

ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ ΚΑΙ "ΑΣΦΑΛΕΙΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΩΝ"

ΜΈΡΟΣ 1

ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ

Σημείωση 1: Η διαβάθμιση ελέγχου των δομικών στοιχείων, εξοπλισμού "λέιζερ" εξοπλισμού δοκιμών και "παραγωγής" καθώς και λογισμικού που προορίζεται γι’ αυτά, τα οποία είναι ειδικά σχεδιασμένα για τηλεπικοινωνιακό εξοπλισμό ή συστήματα καθορίζεται στην Κατηγορία 5, Μέρος 1.

Σημείωση 2:"Ψηφιακοί υπολογιστές", συναφής εξοπλισμός "λογισμικό", όταν είναι απαραίτητα για την λειτουργία και υποστήριξη τηλεπικοινωνιακού εξοπλισμού που περιγράφεται στην παρούσα κατηγορία θεωρούνται σαν ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία υπό τον όρο ότι είναι τα τυποποιημένα μοντέλα που συνήθως προμηθεύει ο κατασκευαστής. Εδώ περιλαμβάνονται συστήματα υπολογιστών για λειτουργία, διαχείριση, συντήρηση, μηχανολογικές ή λογιστικές εφαρμογές.

5A1Συστήματα, εξοπλισμός και δομικά στοιχεία

| α. | Οποιοσδήποτε τύπος εξοπλισμού τηλεπικοινωνιών που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, λειτουργίες ή γνωρίσματα:






  1. | Που είναι ειδικά σχεδιασμένος για να αντέχει σε μεταβατικά ηλεκτρονικά φαινόμενα ή ηλεκτρομαγνητικούς παλμούς που προκύπτουν από μία πυρηνική έκρηξη. |
| --- | --- | --- |

α.

Οποιοσδήποτε τύπος εξοπλισμού τηλεπικοινωνιών που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, λειτουργίες ή γνωρίσματα:

1.

Που είναι ειδικά σχεδιασμένος για να αντέχει σε μεταβατικά ηλεκτρονικά φαινόμενα ή ηλεκτρομαγνητικούς παλμούς που προκύπτουν από μία πυρηνική έκρηξη.

| 2. | Που έχει υποστεί ειδική επεξεργασία για να αντέχει σε ακτινοβολία σωματιδίων γάμα, νετρονίων ή ιόντων, ή |
| --- | --- |

2.

Που έχει υποστεί ειδική επεξεργασία για να αντέχει σε ακτινοβολία σωματιδίων γάμα, νετρονίων ή ιόντων, ή

| 3. | Που έχει ειδικά σχεδιασθεί για να λειτουργεί εκτός του φάσματος θερμοκρασιών από 218 K (– 55 °C) έως 397 K (124 °C).


  Σημείωση: Το σημείο 5Α001.α.3. αφορά μόνο ηλεκτρονικό εξοπλισμό. |
| --- | --- |

3.

Που έχει ειδικά σχεδιασθεί για να λειτουργεί εκτός του φάσματος θερμοκρασιών από 218 K (– 55 °C) έως 397 K (124 °C).

Σημείωση: Το σημείο 5Α001.α.3. αφορά μόνο ηλεκτρονικό εξοπλισμό.

Σημείωση: Τα σημεία 5Α001.α.2. και 5Α001.α.3 δεν αφορούν εξοπλισμό που είναι εγκατεστημένος σε δορυφόρους.

| β. | Τηλεπικοινωνιακός εξοπλισμός και συστήματα μετάδοσης και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία και εξαρτήματα γι’ αυτά, που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, λειτουργίες ή γνωρίσματα:






  1. | Που είναι υποβρύχια συστήματα επικοινωνιών και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Ακουστική συχνότητα φέρουσας εκτός του φάσματος από 20 kHz έως 60 kHz, |
| --- | --- | --- | --- |

β.

Τηλεπικοινωνιακός εξοπλισμός και συστήματα μετάδοσης και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία και εξαρτήματα γι’ αυτά, που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, λειτουργίες ή γνωρίσματα:

1.

Που είναι υποβρύχια συστήματα επικοινωνιών και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Ακουστική συχνότητα φέρουσας εκτός του φάσματος από 20 kHz έως 60 kHz,

| β. | Χρησιμοποιούν ηλεκτρομαγνητική συχνότητα φέρουσας κάτω από 30 kHz, ή |
| --- | --- |

β.

Χρησιμοποιούν ηλεκτρομαγνητική συχνότητα φέρουσας κάτω από 30 kHz, ή

| γ. | Χρησιμοποιούν τεχνικές οδήγησης ηλεκτρονικής δέσμης. |
| --- | --- |

γ.

Χρησιμοποιούν τεχνικές οδήγησης ηλεκτρονικής δέσμης.

| 2. | Που είναι εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που λειτουργεί στο φάσμα συχνοτήτων 1,5 MHz έως 87,5 MHz και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Έχει ενσωματωμένες προσαρμοστικές τεχνικές μεθόδους που επιτρέπουν εξάλειψη παραπάνω από 15 dB ενός παρεμβαλλόμενου σήματος, ή |
| --- | --- | --- |

2.

Που είναι εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που λειτουργεί στο φάσμα συχνοτήτων 1,5 MHz έως 87,5 MHz και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Έχει ενσωματωμένες προσαρμοστικές τεχνικές μεθόδους που επιτρέπουν εξάλειψη παραπάνω από 15 dB ενός παρεμβαλλόμενου σήματος, ή

| β. | Έχει όλα τα ακόλουθα:






  1. | Προβλέπει και επιλέγει αυτόματα συχνότητες και "συνολικούς ρυθμούς ψηφιακής μεταφοράς", ανά κανάλι για να βελτιστοποιήσει τη μετάδοση, και |
| --- | --- | --- |

β.

Έχει όλα τα ακόλουθα:

1.

Προβλέπει και επιλέγει αυτόματα συχνότητες και "συνολικούς ρυθμούς ψηφιακής μεταφοράς", ανά κανάλι για να βελτιστοποιήσει τη μετάδοση, και

| 2. | Έχει ενσωματωμένη μία διάταξη γραμμικού ενισχυτή ισχύος, με δυνατότητα να υποστηρίζει πολλαπλά σήματα συγχρόνως με ισχύ εξόδου 1 kW ή παραπάνω στο φάσμα συχνοτήτων 1,5 MHz έως 30 MHz ή με έξοδο ισχύος 250 W ή παραπάνω στο φάσμα συχνοτήτων 30 MHz έως 87,5 MHz, σε "στιγμιαίο εύρος ζώνης" μίας οκτάβας ή παραπάνω και με παραμόρφωση και αρμονικές εξόδους καλύτερες από – 80 dB. |
| --- | --- |

2.

Έχει ενσωματωμένη μία διάταξη γραμμικού ενισχυτή ισχύος, με δυνατότητα να υποστηρίζει πολλαπλά σήματα συγχρόνως με ισχύ εξόδου 1 kW ή παραπάνω στο φάσμα συχνοτήτων 1,5 MHz έως 30 MHz ή με έξοδο ισχύος 250 W ή παραπάνω στο φάσμα συχνοτήτων 30 MHz έως 87,5 MHz, σε "στιγμιαίο εύρος ζώνης" μίας οκτάβας ή παραπάνω και με παραμόρφωση και αρμονικές εξόδους καλύτερες από – 80 dB.

| 3. | Που είναι εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που χρησιμοποιεί τεχνικές μεθόδους "διασκορπισμένου φάσματος" όπως π.χ. τεχνικές, μεταπήδησης συχνοτήτων και ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Χρησιμοποιεί κωδικούς διασκορπισμού του φάσματος που προγραμματίζονται, ή |
| --- | --- | --- |

3.

Που είναι εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που χρησιμοποιεί τεχνικές μεθόδους "διασκορπισμένου φάσματος" όπως π.χ. τεχνικές, μεταπήδησης συχνοτήτων και ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Χρησιμοποιεί κωδικούς διασκορπισμού του φάσματος που προγραμματίζονται, ή

| β.. | Ένα συνολικό εύρος ζώνης που μεταδίδεται που είναι 100 ή παραπάνω φορές το εύρος ζώνης ενός οποιουδήποτε καναλιού πληροφορίας και παραπάνω από 50 kHz.


  Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.β.3.β. δεν ελέγχεται ο ασύρματος εξοπλισμός ο ειδικά σχεδιασμένος για χρήση σε μη στρατιωτικά συστήματα κυψελωτών ραδιοεπικοινωνιών. |
| --- | --- |

β..

Ένα συνολικό εύρος ζώνης που μεταδίδεται που είναι 100 ή παραπάνω φορές το εύρος ζώνης ενός οποιουδήποτε καναλιού πληροφορίας και παραπάνω από 50 kHz.

Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.β.3.β. δεν ελέγχεται ο ασύρματος εξοπλισμός ο ειδικά σχεδιασμένος για χρήση σε μη στρατιωτικά συστήματα κυψελωτών ραδιοεπικοινωνιών.

Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.β.3. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός που έχει σχεδιασθεί για να λειτουργεί με ισχύ εξόδου 1,0 Watt ή λιγότερο.

| 4. | Που είναι εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που χρησιμοποιεί τεχνικές "χρονοδιαμορφωμένης υπερευρείας ζώνης" και έχει κωδικούς κατανομής σε διαύλους ή κρυπτογράφησης που είναι δυνατόν να προγραμματίζονται από το χρήστη. |
| --- | --- |

4.

Που είναι εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που χρησιμοποιεί τεχνικές "χρονοδιαμορφωμένης υπερευρείας ζώνης" και έχει κωδικούς κατανομής σε διαύλους ή κρυπτογράφησης που είναι δυνατόν να προγραμματίζονται από το χρήστη.

| 5. | Που είναι ψηφιακά ελεγχόμενοι ραδιοφωνικοί δέκτες οι οποίοι έχουν όλα τα ακόλουθα:






  α. | Περισσότερα από 1 000 κανάλια, |
| --- | --- | --- |

5.

Που είναι ψηφιακά ελεγχόμενοι ραδιοφωνικοί δέκτες οι οποίοι έχουν όλα τα ακόλουθα:

α.

Περισσότερα από 1 000 κανάλια,

| β. | "Χρόνο μεταγωγής συχνοτήτων" μικρότερο από ms, |
| --- | --- |

β.

"Χρόνο μεταγωγής συχνοτήτων" μικρότερο από ms,

| γ. | Μπορούν να ψάξουν ή να σαρώσουν αυτόματα ένα τμήμα του ηλεκτρομαγνητικού φάσματος, και |
| --- | --- |

γ.

Μπορούν να ψάξουν ή να σαρώσουν αυτόματα ένα τμήμα του ηλεκτρομαγνητικού φάσματος, και

| δ. | Μπορούν να εξακριβώσουν από που προέρχονται τα σήματα που γίνονται δεκτά ή τον τύπο του πομπού, ή



  Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.β.5. δεν ελέγχεται ο ασύρματος εξοπλισμός ο ειδικά σχεδιασμένος για χρήση σε μη στρατιωτικά συστήματα κυψελωτών ραδιοεπικοινωνιών. |
| --- | --- |

δ.

Μπορούν να εξακριβώσουν από που προέρχονται τα σήματα που γίνονται δεκτά ή τον τύπο του πομπού, ή

Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.β.5. δεν ελέγχεται ο ασύρματος εξοπλισμός ο ειδικά σχεδιασμένος για χρήση σε μη στρατιωτικά συστήματα κυψελωτών ραδιοεπικοινωνιών.

| 6. | Που χρησιμοποιεί λειτουργίες ψηφιακής "επεξεργασίας σημάτων" για την παροχή εξόδου κωδικοποίησης φωνής με ρυθμό χαμηλότερο από 2 400 bits/s.
  Τεχνική παρατήρηση:

  Για κωδικοποίηση φωνής μεταβλητού ρυθμού, το 5A001.β.6 εφαρμόζεται στην έξοδο κωδικοποίησης φωνής συνεχούς ομιλίας. |
| --- | --- |

6.

Που χρησιμοποιεί λειτουργίες ψηφιακής "επεξεργασίας σημάτων" για την παροχή εξόδου κωδικοποίησης φωνής με ρυθμό χαμηλότερο από 2 400 bits/s.

Τεχνική παρατήρηση:

Για κωδικοποίηση φωνής μεταβλητού ρυθμού, το 5A001.β.6 εφαρμόζεται στην έξοδο κωδικοποίησης φωνής συνεχούς ομιλίας.

| γ. | Καλώδια επικοινωνιών με οπτικές ίνες, οπτικές ίνες και εξαρτήματα γι’ αυτά, ως εξής:






  1. | Οπτικές ίνες μήκους πάνω από 500 m που μπορούν σύμφωνα με τα στοιχεία του κατασκευαστή να αντέξουν δοκιμές αντοχής (tensile stress) της τάξεως των 2 × 109 N/m2 ή παραπάνω.
  Τεχνική Σημείωση:

  Δοκιμή αντοχής (Proof test): δοκιμή επί της γραμμής παραγωγής, ή εκτός της γραμμής παραγωγής, όπου εφαρμόζεται μία προκαθορισμένη τάση επί ενός μήκους ίνας από 0,5 έως 3 m που κινείται με ταχύτητα 2 έως 5 m/s ενώ η ίνα περνάει ανάμεσα από άξονες περιστροφής της ίνας που έχουν περίπου 150 mm διάμετρο. Η θερμοκρασία περιβάλλοντος είναι ονομαστικά 293 K (20 °C) και η σχετική υγρασία είναι 40 %. Για την εκτέλεση της δοκιμής αντοχής μπορεί να χρησιμοποιηθούν ισοδύναμα εθνικά πρότυπα. |
| --- | --- | --- |

γ.

Καλώδια επικοινωνιών με οπτικές ίνες, οπτικές ίνες και εξαρτήματα γι’ αυτά, ως εξής:

1.

Οπτικές ίνες μήκους πάνω από 500 m που μπορούν σύμφωνα με τα στοιχεία του κατασκευαστή να αντέξουν δοκιμές αντοχής (tensile stress) της τάξεως των 2 × 109 N/m2 ή παραπάνω.

Τεχνική Σημείωση:

Δοκιμή αντοχής (Proof test): δοκιμή επί της γραμμής παραγωγής, ή εκτός της γραμμής παραγωγής, όπου εφαρμόζεται μία προκαθορισμένη τάση επί ενός μήκους ίνας από 0,5 έως 3 m που κινείται με ταχύτητα 2 έως 5 m/s ενώ η ίνα περνάει ανάμεσα από άξονες περιστροφής της ίνας που έχουν περίπου 150 mm διάμετρο. Η θερμοκρασία περιβάλλοντος είναι ονομαστικά 293 K (20 °C) και η σχετική υγρασία είναι 40 %. Για την εκτέλεση της δοκιμής αντοχής μπορεί να χρησιμοποιηθούν ισοδύναμα εθνικά πρότυπα.

| 2. | Καλώδια οπτικών ινών και εξαρτήματά τους που έχουν σχεδιασθεί για υποβρύχια χρήση.


  Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.γ.2. δεν ελέγχονται τα τυποποιημένα καλώδια και εξαρτήματά τους για πολιτικές τηλεπικοινωνίες.



  ΣΗΜ. 1: Για υποβρύχια καλώδια τροφοδοσίας και τις συνδέσεις τους βλ. το σημείο 8A002.a.3.



  ΣΗΜ. 2: Για hull penetrators ή για συνδέσεις τους μέσω οπτικών ινών βλ. το σημείο 8A002.γ. |
| --- | --- |

2.

Καλώδια οπτικών ινών και εξαρτήματά τους που έχουν σχεδιασθεί για υποβρύχια χρήση.

Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.γ.2. δεν ελέγχονται τα τυποποιημένα καλώδια και εξαρτήματά τους για πολιτικές τηλεπικοινωνίες.

ΣΗΜ. 1: Για υποβρύχια καλώδια τροφοδοσίας και τις συνδέσεις τους βλ. το σημείο 8A002.a.3.

ΣΗΜ. 2: Για hull penetrators ή για συνδέσεις τους μέσω οπτικών ινών βλ. το σημείο 8A002.γ.

| δ. | "Ηλεκτρονικά οδηγούμενες φασικά ελεγχόμενες στοιχειοκεραίες"συχνότητα πάνω από 31 GHz.


  Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.δ. δεν ελέγχονται οι «ηλεκτρονικά διευθυνόμενες φασικά ελεγχόμενες στοιχειοκεραίες» για συστήματα προσγείωσης που περιλαμβάνουν όργανα που συμμορφώνονται με τα πρότυπα του Διεθνούς Οργανισμού Πολιτικής Αεροπορίας (ICAO) που καλύπτουν μικροκυματικά συστήματα προσγείωσης (ΜLS). |
| --- | --- |

δ.

"Ηλεκτρονικά οδηγούμενες φασικά ελεγχόμενες στοιχειοκεραίες"συχνότητα πάνω από 31 GHz.

Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.δ. δεν ελέγχονται οι «ηλεκτρονικά διευθυνόμενες φασικά ελεγχόμενες στοιχειοκεραίες» για συστήματα προσγείωσης που περιλαμβάνουν όργανα που συμμορφώνονται με τα πρότυπα του Διεθνούς Οργανισμού Πολιτικής Αεροπορίας (ICAO) που καλύπτουν μικροκυματικά συστήματα προσγείωσης (ΜLS).

5A101Εξοπλισμός τηλεμετρίας και τηλε-ελέγχου, συμπεριλαμβανομένου του εξοπλισμού εδάφους, σχεδιασμένος ή τροποποιήμενος για "βλήματα".

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 5Α101, "βλήματα" νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος με εμβέλεια άνω των 300 km.

Σημείωση: Στο σημείο 5Α101 δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός:

| α. | ο σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για επανδρωμένα αεροσκάφη ή δορυφόρους, |
| --- | --- |

α.

ο σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για επανδρωμένα αεροσκάφη ή δορυφόρους,

| β. | εδάφους, ο σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για χερσαίες ή θαλάσσιες εφαρμογές, |
| --- | --- |

β.

εδάφους, ο σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για χερσαίες ή θαλάσσιες εφαρμογές,

| γ. | ο σχεδιασμένος για εμπορικές, πολιτικές ή "Safety of Life" (πχ. ακεραιότητα δεδομένων, ασφάλεια πτήσεων) υπηρεσίες GNSS. |
| --- | --- |

γ.

ο σχεδιασμένος για εμπορικές, πολιτικές ή "Safety of Life" (πχ. ακεραιότητα δεδομένων, ασφάλεια πτήσεων) υπηρεσίες GNSS.

5B1Εξοπλισμός δοκιμών, επιθεώρησης και παραγωγής

| α. | Εξοπλισμός και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία ή εξαρτήματα για το σκοπό αυτό τα οποία έχουν σχεδιασθεί ειδικά για την "ανάπτυξη", την "παραγωγή", τη "χρήση" του εξοπλισμού, των λειτουργιών ή των γνωρισμάτων που ορίζονται στα σημεία 5Α001, 5Β001, 5D001 ή 5Ε001.


  Σημείωση: Στο σημείο 5B001.α δεν ελέγχονται οι εξοπλισμοί χαρακτηρισμού οπτικών ινών. |
| --- | --- |

α.

Εξοπλισμός και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία ή εξαρτήματα για το σκοπό αυτό τα οποία έχουν σχεδιασθεί ειδικά για την "ανάπτυξη", την "παραγωγή", τη "χρήση" του εξοπλισμού, των λειτουργιών ή των γνωρισμάτων που ορίζονται στα σημεία 5Α001, 5Β001, 5D001 ή 5Ε001.

Σημείωση: Στο σημείο 5B001.α δεν ελέγχονται οι εξοπλισμοί χαρακτηρισμού οπτικών ινών.

| β. | Εξοπλισμός και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία ή εξαρτήματα για το σκοπό αυτό που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την ανάπτυξη οποιουδήποτε από τους ακόλουθους εξοπλισμούς μετάδοσης τηλεπικοινωνιών ή μεταγωγής:






  1. | Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί ψηφιακές τεχνικές και που έχει σχεδιαστεί για να λειτουργεί με "συνολική ψηφιακή ταχύτητα μεταφοράς" που υπερβαίνει τα 15 Gbit/s.
  Τεχνική παρατήρηση:

  Για τον εξοπλισμό μεταγωγής, η "συνολική ψηφιακή ταχύτητα μεταφοράς" μετριέται στη θύρα ή τη γραμμή με τη μεγαλύτερη ταχύτητα. |
| --- | --- | --- |

β.

Εξοπλισμός και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία ή εξαρτήματα για το σκοπό αυτό που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την ανάπτυξη οποιουδήποτε από τους ακόλουθους εξοπλισμούς μετάδοσης τηλεπικοινωνιών ή μεταγωγής:

1.

Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί ψηφιακές τεχνικές και που έχει σχεδιαστεί για να λειτουργεί με "συνολική ψηφιακή ταχύτητα μεταφοράς" που υπερβαίνει τα 15 Gbit/s.

Τεχνική παρατήρηση:

Για τον εξοπλισμό μεταγωγής, η "συνολική ψηφιακή ταχύτητα μεταφοράς" μετριέται στη θύρα ή τη γραμμή με τη μεγαλύτερη ταχύτητα.

| 2. | Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί "λέιζερ" και έχει ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Μήκος κύματος μετάδοσης άνω των 1 750 nm, |
| --- | --- | --- |

2.

Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί "λέιζερ" και έχει ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Μήκος κύματος μετάδοσης άνω των 1 750 nm,

| β. | Εκτελεί "οπτική ενίσχυση", |
| --- | --- |

β.

Εκτελεί "οπτική ενίσχυση",

| γ. | Χρησιμοποιεί τεχνικές συνεκτικής οπτικής μετάδοσης ή συνεκτικής οπτικής ενίσχυσης (οι οποίες επίσης καλούνται οπτικές ετερόδυνες ή ομόδυνες τεχνικές, ή |
| --- | --- |

γ.

Χρησιμοποιεί τεχνικές συνεκτικής οπτικής μετάδοσης ή συνεκτικής οπτικής ενίσχυσης (οι οποίες επίσης καλούνται οπτικές ετερόδυνες ή ομόδυνες τεχνικές, ή

| δ. | Χρησιμοποιεί αναλογικές τεχνικές και έχει πλάτος ζώνης άνω των 2,5 GHz.


  Σημείωση: Στο σημείο 5B001.β.2.δ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την "ανάπτυξη" εμπορικών συστημάτων τηλεόρασης. |
| --- | --- |

δ.

Χρησιμοποιεί αναλογικές τεχνικές και έχει πλάτος ζώνης άνω των 2,5 GHz.

Σημείωση: Στο σημείο 5B001.β.2.δ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την "ανάπτυξη" εμπορικών συστημάτων τηλεόρασης.

| 3. | Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί "οπτική μεταγωγή". |
| --- | --- |

3.

Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί "οπτική μεταγωγή".

| 4. | Ασύρματος εξοπλισμός που χρησιμοποιεί τεχνικές τετραγωνικής διαμόρφωσης πλάτους (QAM) πάνω από το επίπεδο 256, ή |
| --- | --- |

4.

Ασύρματος εξοπλισμός που χρησιμοποιεί τεχνικές τετραγωνικής διαμόρφωσης πλάτους (QAM) πάνω από το επίπεδο 256, ή

| 5. | Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί "common channel signalling – σήμανση κοινού διαύλου" που λειτουργεί με μη συνδεδεμένο τρόπο λειτουργίας. |
| --- | --- |

5.

Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί "common channel signalling – σήμανση κοινού διαύλου" που λειτουργεί με μη συνδεδεμένο τρόπο λειτουργίας.

5C1Υλικά

Ουδέν

5D1Λογισμικό

| α. | "Λογισμικό" που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την "ανάπτυξη", "παραγωγή" ή "χρήση" εξοπλισμού, λειτουργιών ή γνωρισμάτων που καθορίζονται στα σημεία 5Α001, 5Β001. |
| --- | --- |

α.

"Λογισμικό" που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την "ανάπτυξη", "παραγωγή" ή "χρήση" εξοπλισμού, λειτουργιών ή γνωρισμάτων που καθορίζονται στα σημεία 5Α001, 5Β001.

| β. | "Λογισμικό" που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί ώστε να μπορεί να χρησιμοποιηθεί με «τεχνολογία» που καθορίζεται στο σημείο 5Ε001. |
| --- | --- |

β.

"Λογισμικό" που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί ώστε να μπορεί να χρησιμοποιηθεί με «τεχνολογία» που καθορίζεται στο σημείο 5Ε001.

| γ. | Επί μέρους "λογισμικό" ως εξής:






  1. | "Λογισμικό" που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί ώστε να παρέχει τα χαρακτηριστικά, τις λειτουργίες ή τα γνωρίσματα του εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 5Α001 ή 5Β001. |
| --- | --- | --- |

γ.

Επί μέρους "λογισμικό" ως εξής:

1.

"Λογισμικό" που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί ώστε να παρέχει τα χαρακτηριστικά, τις λειτουργίες ή τα γνωρίσματα του εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 5Α001 ή 5Β001.

| 2. | Δεν χρησιμοποιείται. |
| --- | --- |

2.

Δεν χρησιμοποιείται.

| 3. | "Λογισμικό", πλην εκείνου που είναι άμεσα εκτελεστό σε γλώσσα μηχανής (machine-executable form) ειδικά σχεδιασμένο για"dynamic adaptive routing — δυναμικά προσαρμοστική δρομολόγηση". |
| --- | --- |

3.

"Λογισμικό", πλην εκείνου που είναι άμεσα εκτελεστό σε γλώσσα μηχανής (machine-executable form) ειδικά σχεδιασμένο για"dynamic adaptive routing — δυναμικά προσαρμοστική δρομολόγηση".

| δ. | "Λογισμικό" ειδικά συνδυασμένο ή τροποποιημένο για την "ανάπτυξη" κάθε είδους από τους ακόλουθους εξοπλισμούς μετάδοσης τηλεπικοινωνιών ή μεταγωγής:






  1. | Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί ψηφιακές τεχνικές και που έχει σχεδιαστεί για να λειτουργεί με συνολική ψηφιακή ταχύτητα μεταφοράς που υπερβαίνει τα 15 Gbit/s.
  Τεχνική παρατήρηση:

  Για τον εξοπλισμό μεταγωγής, η "συνολική ψηφιακή ταχύτητα μεταφοράς" μετριέται στη θύρα ή τη γραμμή με τη μεγαλύτερη ταχύτητα. |
| --- | --- | --- |

δ.

"Λογισμικό" ειδικά συνδυασμένο ή τροποποιημένο για την "ανάπτυξη" κάθε είδους από τους ακόλουθους εξοπλισμούς μετάδοσης τηλεπικοινωνιών ή μεταγωγής:

1.

Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί ψηφιακές τεχνικές και που έχει σχεδιαστεί για να λειτουργεί με συνολική ψηφιακή ταχύτητα μεταφοράς που υπερβαίνει τα 15 Gbit/s.

Τεχνική παρατήρηση:

Για τον εξοπλισμό μεταγωγής, η "συνολική ψηφιακή ταχύτητα μεταφοράς" μετριέται στη θύρα ή τη γραμμή με τη μεγαλύτερη ταχύτητα.

| 2. | Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί λέιζερ και έχει ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Μήκος κύματος μετάδοσης άνω των 1 750 nm, ή |
| --- | --- | --- |

2.

Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί λέιζερ και έχει ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Μήκος κύματος μετάδοσης άνω των 1 750 nm, ή

| β. | Χρησιμοποιεί αναλογικές τεχνικές και έχει πλάτος ζώνης άνω των 2,5 GHz.


  Σημείωση: Στο σημείο 5D001.δ.2.β. δεν ελέγχεται το "λογισμικό" έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την "ανάπτυξη" εμπορικών συστημάτων τηλεόρασης. |
| --- | --- |

β.

Χρησιμοποιεί αναλογικές τεχνικές και έχει πλάτος ζώνης άνω των 2,5 GHz.

Σημείωση: Στο σημείο 5D001.δ.2.β. δεν ελέγχεται το "λογισμικό" έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την "ανάπτυξη" εμπορικών συστημάτων τηλεόρασης.

| 3. | Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί "οπτική μεταγωγή", ή |
| --- | --- |

3.

Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί "οπτική μεταγωγή", ή

| 4. | Ασύρματος εξοπλισμός που χρησιμοποιεί τεχνικές τετραγωνικής διαμόρφωσης του πλάτους (QAM) πάνω από το επίπεδο 256. |
| --- | --- |

4.

Ασύρματος εξοπλισμός που χρησιμοποιεί τεχνικές τετραγωνικής διαμόρφωσης του πλάτους (QAM) πάνω από το επίπεδο 256.

5D101"Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για "χρήση" σε εξοπλισμό προσδιοριζόμενο στο 5Α101.

5E1Τεχνολογία

| α. | "Τεχνολογία" σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την "ανάπτυξη", "παραγωγή" ή "χρήση" (εκτός της λειτουργίας) εξοπλισμού, λειτουργιών ή γνωρισμάτων υλικών ή "λογισμικού" που καθορίζονται στα σημεία 5Α001, 5Β001, ή 5D001. |
| --- | --- |

α.

"Τεχνολογία" σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την "ανάπτυξη", "παραγωγή" ή "χρήση" (εκτός της λειτουργίας) εξοπλισμού, λειτουργιών ή γνωρισμάτων υλικών ή "λογισμικού" που καθορίζονται στα σημεία 5Α001, 5Β001, ή 5D001.

| β. | Επί μέρους "τεχνολογίες" ως εξής:






  1. | "Τεχνολογία" που "απαιτείται" για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή" τηλεπικονωνιακού εξοπλισμού που έχει ειδικά σχεδιασθεί για να χρησιμοποιείται επί των δορυφόρων. |
| --- | --- | --- |

β.

Επί μέρους "τεχνολογίες" ως εξής:

1.

"Τεχνολογία" που "απαιτείται" για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή" τηλεπικονωνιακού εξοπλισμού που έχει ειδικά σχεδιασθεί για να χρησιμοποιείται επί των δορυφόρων.

| 2. | "Τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" ή "χρήση" τεχνικών μεθόδων επικοινωνίας μέσω "λέιζερ" με την δυνατότητα της αυτόματης σύλληψης και παρακολούθησης σημάτων καθώς και με την δυνατότητα να διατηρεί επικοινωνίες δια μέσου της εξωτερικής ατμόσφαιρας της γης ή υποβρυχίως. |
| --- | --- |

2.

"Τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" ή "χρήση" τεχνικών μεθόδων επικοινωνίας μέσω "λέιζερ" με την δυνατότητα της αυτόματης σύλληψης και παρακολούθησης σημάτων καθώς και με την δυνατότητα να διατηρεί επικοινωνίες δια μέσου της εξωτερικής ατμόσφαιρας της γης ή υποβρυχίως.

| 3. | "Τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" ψηφιακού εξοπλισμού σταθμού βάσης για τη λήψη κυψελωτών επικοινωνιών του οποίου οι ικανότητες λήψης που επιτρέπουν τη λειτουργία βάσει πολλαπλών ζωνών, πολλαπλών διαύλων, πολλαπλών τρόπων, πολλαπλών αλγορίθμων κωδικοποίησης ή πολλαπλών πρωτοκόλλων μπορούν να τροποποιούνται με αλλαγή του "λογισμικού". |
| --- | --- |

3.

"Τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" ψηφιακού εξοπλισμού σταθμού βάσης για τη λήψη κυψελωτών επικοινωνιών του οποίου οι ικανότητες λήψης που επιτρέπουν τη λειτουργία βάσει πολλαπλών ζωνών, πολλαπλών διαύλων, πολλαπλών τρόπων, πολλαπλών αλγορίθμων κωδικοποίησης ή πολλαπλών πρωτοκόλλων μπορούν να τροποποιούνται με αλλαγή του "λογισμικού".

| 4. | "Τεχνολογία" για την ανάπτυξη τεχνικών "διασκορπισμένου φάσματος", όπως π.χ. τεχνικών "μεταπήδησης συχνοτήτων" (frequency hopping). |
| --- | --- |

4.

"Τεχνολογία" για την ανάπτυξη τεχνικών "διασκορπισμένου φάσματος", όπως π.χ. τεχνικών "μεταπήδησης συχνοτήτων" (frequency hopping).

| γ. | "Τεχνολογίες" σύμφωνα με το σημείωμα για τη γενική τεχνολογία που αφορά την "ανάπτυξη" ή την "παραγωγή" οποιουδήποτε από τους ακόλουθους εξοπλισμούς μετάδοσης τηλεπικοινωνιών ή μεταγωγής λειτουργιών ή χαρακτηριστικών:






  1. | Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί ψηφιακές τεχνικές και που έχει σχεδιαστεί για να λειτουργεί με συνολική ψηφιακή ταχύτητα μεταφοράς που υπερβαίνει τα 15 Gbit/s.
  Τεχνική παρατήρηση:

  Για τον εξοπλισμό μεταγωγής, η "συνολική ψηφιακή ταχύτητα μεταφοράς" μετριέται στη θύρα ή τη γραμμή με τη μεγαλύτερη ταχύτητα. |
| --- | --- | --- |

γ.

"Τεχνολογίες" σύμφωνα με το σημείωμα για τη γενική τεχνολογία που αφορά την "ανάπτυξη" ή την "παραγωγή" οποιουδήποτε από τους ακόλουθους εξοπλισμούς μετάδοσης τηλεπικοινωνιών ή μεταγωγής λειτουργιών ή χαρακτηριστικών:

1.

Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί ψηφιακές τεχνικές και που έχει σχεδιαστεί για να λειτουργεί με συνολική ψηφιακή ταχύτητα μεταφοράς που υπερβαίνει τα 15 Gbit/s.

Τεχνική παρατήρηση:

Για τον εξοπλισμό μεταγωγής, η "συνολική ψηφιακή ταχύτητα μεταφοράς" μετριέται στη θύρα ή τη γραμμή με τη μεγαλύτερη ταχύτητα.

| 2. | Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί "λέιζερ" και έχει ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Μήκος κύματος μετάδοσης άνω των 1 750 nm. |
| --- | --- | --- |

2.

Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί "λέιζερ" και έχει ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Μήκος κύματος μετάδοσης άνω των 1 750 nm.

| β. | Εκτελεί "οπτική ενίσχυση". |
| --- | --- |

β.

Εκτελεί "οπτική ενίσχυση".

| γ. | Χρησιμοποιεί τεχνικές συνεκτικής οπτικής μετάδοσης ή συνεκτικής οπτικής ενίσχυσης (οι οποίες επίσης καλούνται οπτικές ετερόδυνες ή ομόδυνες τεχνικές). |
| --- | --- |

γ.

Χρησιμοποιεί τεχνικές συνεκτικής οπτικής μετάδοσης ή συνεκτικής οπτικής ενίσχυσης (οι οποίες επίσης καλούνται οπτικές ετερόδυνες ή ομόδυνες τεχνικές).

| δ. | Χρησιμοποιεί τεχνικές «multiplexing – πολύπλεξης που διαθέτουν άνω των 8 οπτικών φερουσών σε ένα μόνο οπτικό "παράθυρο", ή |
| --- | --- |

δ.

Χρησιμοποιεί τεχνικές «multiplexing – πολύπλεξης που διαθέτουν άνω των 8 οπτικών φερουσών σε ένα μόνο οπτικό "παράθυρο", ή

| ε. | Χρησιμοποιεί αναλογικές τεχνικές και έχει πλάτος ζώνης άνω των 2,5 GHz.


  Σημείωση: Στο σημείο 5Ε001.γ.2.ε. δεν ελέγχεται η "τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" ή την "παραγωγή" εμπορικών συστημάτων τηλεόρασης. |
| --- | --- |

ε.

Χρησιμοποιεί αναλογικές τεχνικές και έχει πλάτος ζώνης άνω των 2,5 GHz.

Σημείωση: Στο σημείο 5Ε001.γ.2.ε. δεν ελέγχεται η "τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" ή την "παραγωγή" εμπορικών συστημάτων τηλεόρασης.

| 3. | Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί "οπτική μεταγωγή". |
| --- | --- |

3.

Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί "οπτική μεταγωγή".

| 4. | Ραδιοφωνικός εξοπλισμός με ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Τεχνικές "Quadrature-amplitude-modulation — τετραγωνικής διαμόρφωσης του πλάτους" (QAM) πάνω από το επίπεδο 256, ή |
| --- | --- | --- |

4.

Ραδιοφωνικός εξοπλισμός με ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Τεχνικές "Quadrature-amplitude-modulation — τετραγωνικής διαμόρφωσης του πλάτους" (QAM) πάνω από το επίπεδο 256, ή

| β. | Που λειτουργεί με συχνότητες εισόδου ή εξόδου άνω των 31,8 GHz, ή



  Σημείωση: Στο σημείο 5Ε001.γ.4.β. δεν ελέγχεται η "τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" ή την "παραγωγή" εξοπλισμού που έχει σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για λειτουργία σε οποιαδήποτε ζώνη συχνοτήτων που "διατίθεται από την ITU", για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό. |
| --- | --- |

β.

Που λειτουργεί με συχνότητες εισόδου ή εξόδου άνω των 31,8 GHz, ή

Σημείωση: Στο σημείο 5Ε001.γ.4.β. δεν ελέγχεται η "τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" ή την "παραγωγή" εξοπλισμού που έχει σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για λειτουργία σε οποιαδήποτε ζώνη συχνοτήτων που "διατίθεται από την ITU", για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.

| 5. | Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί "Common channel signalling" σήμανση κοινού διαύλου — που λειτουργεί με μη συνδεδεμένο τρόπο λειτουργίας (non-associated mode). |
| --- | --- |

5.

Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί "Common channel signalling" σήμανση κοινού διαύλου — που λειτουργεί με μη συνδεδεμένο τρόπο λειτουργίας (non-associated mode).

5E101"Τεχνολογία" σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την "ανάπτυξη", "παραγωγή" ή "χρήση" εξοπλισμού που καθορίζεται στο σημείο 5Α101.

ΜΈΡΟΣ 2

"ΑΣΦΑΛΕΙΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΩΝ"

Σημ. 1: Η διαβάθμιση ελέγχου εξοπλισμού "ασφάλειας πληροφοριών", συστημάτων, "ηλεκτρονικών συναρμολογήσεων" που έχουν αναπτυχθεί ειδικά για εφαρμογές, ενοτήτων (modules) ολοκληρωμένων κυκλωμάτων, δομικών στοιχείων ή λειτουργιών καθορίζεται στην Κατηγορία 5, Μέρος 2, ακόμη και αν αυτά αποτελούν δομικά στοιχεία ή "ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις" ετέρου εξοπλισμού.

Σημ. 2: Στην Κατηγορία 5 — Μέρος 2 δεν ελέγχονται τα προϊόντα όταν συνοδεύουν το χρήστη για την προσωπική του χρήση.

Σημ. 3:

Σημείωση για την κρυπτογράφηση

Στα σημεία 5Α002 και 5D002 δεν ελέγχονται τα αγαθά τα οποία ανταποκρίνονται σε όλες τις παρακάτω απαιτήσεις:

| α. | Είναι γενικά διαθέσιμα στο κοινό μέσω πώλησης χωρίς περιορισμούς, από απόθεμα σε σημεία λιανικής πώλησης με κάποιο από τους ακόλουθους τρόπους:








  1. | Απ’ ευθείας πώληση. |
| --- | --- | --- |

α.

Είναι γενικά διαθέσιμα στο κοινό μέσω πώλησης χωρίς περιορισμούς, από απόθεμα σε σημεία λιανικής πώλησης με κάποιο από τους ακόλουθους τρόπους:

1.

Απ’ ευθείας πώληση.

| 2. | Πώληση δια αλληλογραφίας. |
| --- | --- |

2.

Πώληση δια αλληλογραφίας.

| 3. | Ηλεκτρονικές πωλήσεις ή |
| --- | --- |

3.

Ηλεκτρονικές πωλήσεις ή

| 4. | Πωλήσεις δια τηλεφώνου. |
| --- | --- |

4.

Πωλήσεις δια τηλεφώνου.

| β. | Η κρυπτογραφική λειτουργικότητά τους δεν μπορεί εύκολα να μεταβληθεί από το χρήστη. |
| --- | --- |

β.

Η κρυπτογραφική λειτουργικότητά τους δεν μπορεί εύκολα να μεταβληθεί από το χρήστη.

| γ. | Χρησιμοποιούνται για εγκατάσταση από το χρήστη χωρίς περαιτέρω ουσιαστική υποστήριξη από τον προμηθευτή, και |
| --- | --- |

γ.

Χρησιμοποιούνται για εγκατάσταση από το χρήστη χωρίς περαιτέρω ουσιαστική υποστήριξη από τον προμηθευτή, και

| δ. | Όταν απαιτείται οι λεπτομέρειες για τα αγαθά αυτά είναι προσιτές και μπορούν να παρασχεθούν κατόπιν αιτήσεως στις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους στις οποίες ο εξαγωγέας είναι εγκατεστημένος προκειμένου να εξακριβωθεί η συμμόρφωση με τους όρους που περιγράφονται στις παραγράφους α. και γ. παραπάνω. |
| --- | --- |

δ.

Όταν απαιτείται οι λεπτομέρειες για τα αγαθά αυτά είναι προσιτές και μπορούν να παρασχεθούν κατόπιν αιτήσεως στις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους στις οποίες ο εξαγωγέας είναι εγκατεστημένος προκειμένου να εξακριβωθεί η συμμόρφωση με τους όρους που περιγράφονται στις παραγράφους α. και γ. παραπάνω.

Τεχνική Σημείωση:

Στην κατηγορία 5 — Μέρος 2, τα ψηφία ελέγχου (parity bits) δεν περιλαμβάνονται στο μήκος της κλείδας.

5A2Συστήματα, Εξοπλισμός και Δομικά Στοιχεία

5A002

| α. | Συστήματα, εξοπλισμός, "ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις" που έχουν αναπτυχθεί ειδικά για εφαρμογές, ενότητες (modules) και ολοκληρωμένα κυκλώματα για "ασφάλεια πληροφοριών" ως εξής, καθώς και άλλα ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τον σκοπό αυτό:


  ΣΗΜ.: Για τον έλεγχο του εξοπλισμού λήψης ακριβούς θέσης από Δορυφόρο των παγκοσμίων δορυφορικών συστημάτων πλοήγησης που περιλαμβάνει ή χρησιμοποιεί αποκρυπτογράφηση (δηλ. GPS ή GLONASS), βλ. σημείο 7Α005.







  1. | Που να έχουν σχεδιαστεί ή να έχουν τροποποιηθεί για τη χρησιμοποίηση ψηφιακών τεχνικών που κάνουν χρήση "κρυπτογράφησης" και εκτελούν κρυπτογραφική λειτουργία πέραν του ελέγχου της γνησιότητας ή της ηλεκτρονικής υπογραφής και διαθέτουν οιοδήποτε των ακόλουθων χαρακτηριστικών:
  Τεχνικές Σημειώσεις:







  1. | Οι λειτουργίες ελέγχου της γνησιότητας και ηλεκτρονικής υπογραφής περιλαμβάνουν συνδεδεμένη λειτουργία διαχείρισης της κλείδας. |
| --- | --- | --- | --- |

α.

Συστήματα, εξοπλισμός, "ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις" που έχουν αναπτυχθεί ειδικά για εφαρμογές, ενότητες (modules) και ολοκληρωμένα κυκλώματα για "ασφάλεια πληροφοριών" ως εξής, καθώς και άλλα ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τον σκοπό αυτό:

ΣΗΜ.: Για τον έλεγχο του εξοπλισμού λήψης ακριβούς θέσης από Δορυφόρο των παγκοσμίων δορυφορικών συστημάτων πλοήγησης που περιλαμβάνει ή χρησιμοποιεί αποκρυπτογράφηση (δηλ. GPS ή GLONASS), βλ. σημείο 7Α005.

1.

Που να έχουν σχεδιαστεί ή να έχουν τροποποιηθεί για τη χρησιμοποίηση ψηφιακών τεχνικών που κάνουν χρήση "κρυπτογράφησης" και εκτελούν κρυπτογραφική λειτουργία πέραν του ελέγχου της γνησιότητας ή της ηλεκτρονικής υπογραφής και διαθέτουν οιοδήποτε των ακόλουθων χαρακτηριστικών:

Τεχνικές Σημειώσεις:

1.

Οι λειτουργίες ελέγχου της γνησιότητας και ηλεκτρονικής υπογραφής περιλαμβάνουν συνδεδεμένη λειτουργία διαχείρισης της κλείδας.

| 2. | Ο έλεγχος της γνησιότητας περιλαμβάνει όλες τις πτυχές του ελέγχου της πρόσβασης στην περίπτωση που δεν προβλέπεται κρυπτογράφηση αρχείων ή κειμένου εκτός από τις περιπτώσεις που άπτονται της προστασίας των κωδικών διέλευσης (passwords) των "Personal Identification Numbers — Προσωπικών αριθμών αναγνώρισης" (PINs) ή ανάλογων στοιχείων για την πρόληψη της άνευ αδείας πρόσβασης. |
| --- | --- |

2.

Ο έλεγχος της γνησιότητας περιλαμβάνει όλες τις πτυχές του ελέγχου της πρόσβασης στην περίπτωση που δεν προβλέπεται κρυπτογράφηση αρχείων ή κειμένου εκτός από τις περιπτώσεις που άπτονται της προστασίας των κωδικών διέλευσης (passwords) των "Personal Identification Numbers — Προσωπικών αριθμών αναγνώρισης" (PINs) ή ανάλογων στοιχείων για την πρόληψη της άνευ αδείας πρόσβασης.

| 3. | Η "κρυπτογράφηση" περιλαμβάνει τεχνικές «σταθερής» συμπίεσης των δεδομένων ή κωδικοποίησης. |
| --- | --- |

3.

Η "κρυπτογράφηση" περιλαμβάνει τεχνικές «σταθερής» συμπίεσης των δεδομένων ή κωδικοποίησης.

Σημείωση: Στο σημείο 5A002.a.1.περιλαμβάνεται ο εξοπλισμός που έχει σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί ούτως ώστε να χρησιμοποιεί "κρυπτογράφηση" μέσω της χρήσης αναλογικών αρχών όταν χρησιμοποιείται με ψηφιακές τεχνικές.

| α. | "Συμμετρικό αλγόριθμο" που χρησιμοποιεί μήκος κλείδας άνω των 56 bits, ή |
| --- | --- |

α.

"Συμμετρικό αλγόριθμο" που χρησιμοποιεί μήκος κλείδας άνω των 56 bits, ή

| β. | Κάθε είδος "ασύμμετρου αλγορίθμου" όπου η ασφάλειά του βασίζεται σε οποιαδήποτε από τις εξής μεθόδους:






  1. | Παραγοντοποίηση ακεραίων άνω των 512 bits (π.χ., RSA). |
| --- | --- | --- |

β.

Κάθε είδος "ασύμμετρου αλγορίθμου" όπου η ασφάλειά του βασίζεται σε οποιαδήποτε από τις εξής μεθόδους:

1.

Παραγοντοποίηση ακεραίων άνω των 512 bits (π.χ., RSA).

| 2. | Υπολογισμός διαφορετικών λογαρίθμων σε πολλαπλασιαστική ομάδα ορισμένης περιοχής μεγαλύτερης των 512 bits (π.χ., Diffie-Hellman στην περιοχή Z/pZ), ή |
| --- | --- |

2.

Υπολογισμός διαφορετικών λογαρίθμων σε πολλαπλασιαστική ομάδα ορισμένης περιοχής μεγαλύτερης των 512 bits (π.χ., Diffie-Hellman στην περιοχή Z/pZ), ή

| 3. | Διαφορετικοί λογάριθμοι σε ομάδες διαφορετική από την αναφερόμενη στο σημείο 5Α002.α.1.β.2, άνω των 112 bits (π.χ., Diffie-Hellman σε ελλειπτική καμπύλη). |
| --- | --- |

3.

Διαφορετικοί λογάριθμοι σε ομάδες διαφορετική από την αναφερόμενη στο σημείο 5Α002.α.1.β.2, άνω των 112 bits (π.χ., Diffie-Hellman σε ελλειπτική καμπύλη).

| 2. | Που έχουν σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για να επιτελούν κρυπτοαναλυτικές λειτουργίες. |
| --- | --- |

2.

Που έχουν σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για να επιτελούν κρυπτοαναλυτικές λειτουργίες.

| 3. | (Δεν χρησιμοποιείται.). |
| --- | --- |

3.

(Δεν χρησιμοποιείται.).

| 4. | Που έχουν σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για τη μείωση των επισφαλών παρασιτικών εκπομπών των σημάτων που μεταφέρουν πληροφορίες πέραν του επιπέδου που απαιτείται για την προστασία της υγείας, την ασφάλεια ή τις προδιαγραφές που αφορούν τις ηλεκτρομαγνητικές παρεμβολές. |
| --- | --- |

4.

Που έχουν σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για τη μείωση των επισφαλών παρασιτικών εκπομπών των σημάτων που μεταφέρουν πληροφορίες πέραν του επιπέδου που απαιτείται για την προστασία της υγείας, την ασφάλεια ή τις προδιαγραφές που αφορούν τις ηλεκτρομαγνητικές παρεμβολές.

| 5. | Που έχουν σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούν μεθόδους κρυπτογράφησης ώστε να παράγουν τους κώδικες διασκορπισμού για συστήματα "διασκορπισμένου φάσματος", συμπεριλαμβανομένων των κωδίκων μεταπήδησης για συστήματα "μεταπήδησης συχνοτήτων"; |
| --- | --- |

5.

Που έχουν σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούν μεθόδους κρυπτογράφησης ώστε να παράγουν τους κώδικες διασκορπισμού για συστήματα "διασκορπισμένου φάσματος", συμπεριλαμβανομένων των κωδίκων μεταπήδησης για συστήματα "μεταπήδησης συχνοτήτων";

| 6. | Που έχουν σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούν μεθόδους κρυπτογράφησης, ώστε να παράγουν κωδικούς κατανομής σε διαύλους ή κρυπτογράφησης για συστήματα "χρονοδιαμορφωμένης υπερευρείας ζώνης". |
| --- | --- |

6.

Που έχουν σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούν μεθόδους κρυπτογράφησης, ώστε να παράγουν κωδικούς κατανομής σε διαύλους ή κρυπτογράφησης για συστήματα "χρονοδιαμορφωμένης υπερευρείας ζώνης".

| 7. | (Δεν χρησιμοποιείται). |
| --- | --- |

7.

(Δεν χρησιμοποιείται).

| 8. | Συστήματα τηλεπικοινωνιακών καλωδίων που έχουν σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί και χρησιμοποιούν μηχανικό, ηλεκτρικό ή ηλεκτρονικό τρόπο για να ανιχνεύουν ανεπιθύμητη παρουσία. |
| --- | --- |

8.

Συστήματα τηλεπικοινωνιακών καλωδίων που έχουν σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί και χρησιμοποιούν μηχανικό, ηλεκτρικό ή ηλεκτρονικό τρόπο για να ανιχνεύουν ανεπιθύμητη παρουσία.

Σημείωση: Στο σημείο 5A002 δεν ελέγχονται:

| α. | "Προσωπικές έξυπνες κάρτες":








  1. | στις οποίες η κρυπτογραφική ικανότητα περιορίζεται για χρήση σε εξοπλισμό ή συστήματα που εξαιρούνται από τον έλεγχο δυνάμει των στοιχείων β. έως στ. της παρούσας Σημείωσης, ή |
| --- | --- | --- |

α.

"Προσωπικές έξυπνες κάρτες":

1.

στις οποίες η κρυπτογραφική ικανότητα περιορίζεται για χρήση σε εξοπλισμό ή συστήματα που εξαιρούνται από τον έλεγχο δυνάμει των στοιχείων β. έως στ. της παρούσας Σημείωσης, ή

| 2. | που προορίζονται για γενικές εφαρμογές δημόσιας χρήσης, εφόσον η κρυπτογραφική ικανότητα δεν είναι προσπελάσιμη από το χρήστη και έχει ειδικά σχεδιαστεί και περιοριστεί ώστε να επιτρέπει την προστασία των προσωπικών δεδομένων των αποθηκευμένων μέσα σ’ αυτές. |
| --- | --- |

2.

που προορίζονται για γενικές εφαρμογές δημόσιας χρήσης, εφόσον η κρυπτογραφική ικανότητα δεν είναι προσπελάσιμη από το χρήστη και έχει ειδικά σχεδιαστεί και περιοριστεί ώστε να επιτρέπει την προστασία των προσωπικών δεδομένων των αποθηκευμένων μέσα σ’ αυτές.

Σημ.: Εάν μία "προσωπική έξυπνη κάρτα" έχει πολλαπλές λειτουργίες, η κατάσταση ελέγχου κάθε λειτουργίας αξιολογείται χώρια.

| β. | Εξοπλισμός λήψης ραδιομεταδόσεων, τηλεοπτικών προγραμμάτων με πληρωμή ή παρόμοιων εκπομπών προγραμμάτων προοριζόμενων για περιορισμένο ακροατήριο καταναλωτών, χωρίς ψηφιακή κρυπτογράφηση πλην εκείνης που χρησιμοποιείται αποκλειστικά για την αποστολή της χρέωσης ή πληροφοριών σχετικά με τον προγραμματισμό στους φορείς εκπομπής. |
| --- | --- |

β.

Εξοπλισμός λήψης ραδιομεταδόσεων, τηλεοπτικών προγραμμάτων με πληρωμή ή παρόμοιων εκπομπών προγραμμάτων προοριζόμενων για περιορισμένο ακροατήριο καταναλωτών, χωρίς ψηφιακή κρυπτογράφηση πλην εκείνης που χρησιμοποιείται αποκλειστικά για την αποστολή της χρέωσης ή πληροφοριών σχετικά με τον προγραμματισμό στους φορείς εκπομπής.

| γ. | Εξοπλισμός όπου η κρυπτογραφική δυνατότητα δεν είναι προσιτή στο χρήστη και ο οποίος έχει ειδικά σχεδιαστεί και περιορισθεί ώστε να επιτρέπει οποιαδήποτε από τις ακόλουθες λειτουργίες:








  1. | Εκτέλεση "λογισμικού" προστατευμένου κατά της αντιγραφής. |
| --- | --- | --- |

γ.

Εξοπλισμός όπου η κρυπτογραφική δυνατότητα δεν είναι προσιτή στο χρήστη και ο οποίος έχει ειδικά σχεδιαστεί και περιορισθεί ώστε να επιτρέπει οποιαδήποτε από τις ακόλουθες λειτουργίες:

1.

Εκτέλεση "λογισμικού" προστατευμένου κατά της αντιγραφής.

| 2. | Πρόσβαση σε οποιαδήποτε από τα εξής:








  α. | Περιεχόμενα προστατευμένα κατά της αντιγραφής αποθηκευμένα σε μέσα των οποίων επιτρέπεται μόνο η ανάγνωση, ή |
| --- | --- | --- |

2.

Πρόσβαση σε οποιαδήποτε από τα εξής:

α.

Περιεχόμενα προστατευμένα κατά της αντιγραφής αποθηκευμένα σε μέσα των οποίων επιτρέπεται μόνο η ανάγνωση, ή

| β. | Πληροφορίες αποθηκευμένες υπό κρυπτογραφημένη μορφή σε μέσα (π.χ. σε σχέση με την προστασία των δικαιωμάτων πνευματικής ιδιοκτησίας) όταν τα μέσα διατίθενται προς πώληση στο κοινό σε όμοια σύνολα, ή |
| --- | --- |

β.

Πληροφορίες αποθηκευμένες υπό κρυπτογραφημένη μορφή σε μέσα (π.χ. σε σχέση με την προστασία των δικαιωμάτων πνευματικής ιδιοκτησίας) όταν τα μέσα διατίθενται προς πώληση στο κοινό σε όμοια σύνολα, ή

| 3. | Έλεγχο της αντιγραφής ακουστικών και οπτικών δεδομένων τα οποία προστατεύονται όσον αφορά την πνευματική ιδιοκτησία. |
| --- | --- |

3.

Έλεγχο της αντιγραφής ακουστικών και οπτικών δεδομένων τα οποία προστατεύονται όσον αφορά την πνευματική ιδιοκτησία.

| δ. | Κρυπτογραφικός εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος και περιορισμένος για τραπεζική χρήση ή χρηματικές συναλλαγές.

  Τεχνική Σημείωση:

  "Οι χρηματικές συναλλαγές" του σημείου 5A002. Σημ. δ. περιλαμβάνουν τη συλλογή και το συμψηφισμό λειτουργιών που αφορούν ναύλους ή τραπεζική πίστη. |
| --- | --- |

δ.

Κρυπτογραφικός εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος και περιορισμένος για τραπεζική χρήση ή χρηματικές συναλλαγές.

Τεχνική Σημείωση:

"Οι χρηματικές συναλλαγές" του σημείου 5A002. Σημ. δ. περιλαμβάνουν τη συλλογή και το συμψηφισμό λειτουργιών που αφορούν ναύλους ή τραπεζική πίστη.

| ε. | Φορητά ή κινητά ραδιοτηλέφωνα για μη στρατιωτική χρήση, (π.χ. για χρήσεις στο πλαίσιο εμπορικών κυψελωτών συστημάτων ραδιοεπικοινωνιών), τα οποία δεν έχουν δυνατότητα κρυπτογράφησης από την πηγή έως τον προορισμό (end-to-end). |
| --- | --- |

ε.

Φορητά ή κινητά ραδιοτηλέφωνα για μη στρατιωτική χρήση, (π.χ. για χρήσεις στο πλαίσιο εμπορικών κυψελωτών συστημάτων ραδιοεπικοινωνιών), τα οποία δεν έχουν δυνατότητα κρυπτογράφησης από την πηγή έως τον προορισμό (end-to-end).

| στ. | Ασύρματος τηλεφωνικός εξοπλισμός, χωρίς δυνατότητα κρυπτογράφησης από την πηγή, μέχρι τον προορισμό, όπου η πραγματική εμβέλεια της ασύρματης λειτουργίας χωρίς ενίσχυση (δηλαδή απλό, άνευ αναμετάδοσης άλμα μεταξύ του τερματικού και του σταθμού βάσης) σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή είναι μικρότερο των 400 μέτρων. |
| --- | --- |

στ.

Ασύρματος τηλεφωνικός εξοπλισμός, χωρίς δυνατότητα κρυπτογράφησης από την πηγή, μέχρι τον προορισμό, όπου η πραγματική εμβέλεια της ασύρματης λειτουργίας χωρίς ενίσχυση (δηλαδή απλό, άνευ αναμετάδοσης άλμα μεταξύ του τερματικού και του σταθμού βάσης) σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή είναι μικρότερο των 400 μέτρων.

5B2Εξοπλισμός δοκιμών, Επιθεώρησης και Παραγωγής

| α. | Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για:






  1. | Την "ανάπτυξη" εξοπλισμού ή λειτουργιών που καθορίζονται στα σημεία 5Α002, 5Β002, 5D002 ή 5Ε002, και όπου συμπεριλαμβάνεται εξοπλισμός μετρήσεων ή δοκιμών, |
| --- | --- | --- |

α.

Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για:

1.

Την "ανάπτυξη" εξοπλισμού ή λειτουργιών που καθορίζονται στα σημεία 5Α002, 5Β002, 5D002 ή 5Ε002, και όπου συμπεριλαμβάνεται εξοπλισμός μετρήσεων ή δοκιμών,

| 2. | Την "παραγωγή" εξοπλισμού ή λειτουργιών που καθορίζονται στα σημεία 5Α002, 5Β002, 5D002 ή 5Ε002, όπου συμπεριλαμβάνεται εξοπλισμός μετρήσεων, δοκιμών, επιδιόρθωσης ή παραγωγής. |
| --- | --- |

2.

Την "παραγωγή" εξοπλισμού ή λειτουργιών που καθορίζονται στα σημεία 5Α002, 5Β002, 5D002 ή 5Ε002, όπου συμπεριλαμβάνεται εξοπλισμός μετρήσεων, δοκιμών, επιδιόρθωσης ή παραγωγής.

| β. | Εξοπλισμός μετρήσεων που έχει ειδικά σχεδιασθεί για να αξιολογεί και να επικυρώνει τις λειτουργίες "ασφάλειας πληροφοριών" που καθορίζονται στα σημεία 5Α002 ή 5D002. |
| --- | --- |

β.

Εξοπλισμός μετρήσεων που έχει ειδικά σχεδιασθεί για να αξιολογεί και να επικυρώνει τις λειτουργίες "ασφάλειας πληροφοριών" που καθορίζονται στα σημεία 5Α002 ή 5D002.

5C2Υλικά

Ουδέν.

5D2Λογισμικό

| α. | "Λογισμικό" που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την "ανάπτυξη", "παραγωγή" ή "χρήση" εξοπλισμού ή "λογισμικού" που καθορίζεται στα σημεία 5Α002, 5Β002 ή 5D002. |
| --- | --- |

α.

"Λογισμικό" που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την "ανάπτυξη", "παραγωγή" ή "χρήση" εξοπλισμού ή "λογισμικού" που καθορίζεται στα σημεία 5Α002, 5Β002 ή 5D002.

| β. | "Λογισμικό" που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την υποστήριξη "τεχνολογίας" που καθορίζεται στο σημείο 5Ε002. |
| --- | --- |

β.

"Λογισμικό" που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την υποστήριξη "τεχνολογίας" που καθορίζεται στο σημείο 5Ε002.

| γ. | Επί μέρους "λογισμικό" ως εξής:






  1. | "Λογισμικό" που έχει τα χαρακτηριστικά ή εκτελεί τις λειτουργίες ή προσομοιώνει τις λειτουργίες του εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 5Α002 ή 5Β002, |
| --- | --- | --- |

γ.

Επί μέρους "λογισμικό" ως εξής:

1.

"Λογισμικό" που έχει τα χαρακτηριστικά ή εκτελεί τις λειτουργίες ή προσομοιώνει τις λειτουργίες του εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 5Α002 ή 5Β002,

| 2. | "Λογισμικό" για να παρέχει επικύρωση "λογισμικού" που καθορίζεται στο σημείο 5D002.γ.1. |
| --- | --- |

2.

"Λογισμικό" για να παρέχει επικύρωση "λογισμικού" που καθορίζεται στο σημείο 5D002.γ.1.

Σημείωση: Στο σημείο 5D002 δεν ελέγχονται:

| α. | "Λογισμικό" που απαιτείται για τη "χρήση" εξοπλισμού που εξαιρείται από τον έλεγχο δυνάμει της Σημείωσης του σημείου 5A002, |
| --- | --- |

α.

"Λογισμικό" που απαιτείται για τη "χρήση" εξοπλισμού που εξαιρείται από τον έλεγχο δυνάμει της Σημείωσης του σημείου 5A002,

| β. | "Λογισμικό" που παρέχει οποιαδήποτε από τις λειτουργίες του εξοπλισμού που εξαιρείται από τον έλεγχο δυνάμει της Σημείωσης στο σημείο 5Α002. |
| --- | --- |

β.

"Λογισμικό" που παρέχει οποιαδήποτε από τις λειτουργίες του εξοπλισμού που εξαιρείται από τον έλεγχο δυνάμει της Σημείωσης στο σημείο 5Α002.

5E2Τεχνολογία

5E002"Τεχνολογία" σύμφωνα με την Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την "ανάπτυξη", "παραγωγή" ή "χρήση" εξοπλισμού ή "λογισμικού" που καθορίζεται στα σημεία 5Α002, 5Β002 ή 5D002.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 6

ΑΙΣΘΗΤΗΡΕΣ ΚΑΙ ΛΕΪΖΕΡ

6AΣυστήματα, εξοπλισμός και δομικά μέρη

6A001Ηχομετρικά συστήματα

| α. | Συστήματα θαλάσσιων ηχομέτρων, εξοπλισμός ή ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:






  1. | Ενεργητικά συστήματα (πομποί ή πομποδέκτες), εξοπλισμός και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:


  Σημείωση: Στο σημείο 6Α001.α.1. δεν ελέγχονται:








  α. | Βαθύμετρα που λειτουργούν κατακορύφως κάτω από τη συσκευή και δεν περιλαμβάνουν λειτουργία σάρωσης υπερβαίνουσα ± 20°, περιοριζόμενα στη μέτρηση του βάθους ύδατος, την απόσταση βυθισμένων ή θαμμένων αντικειμένων ή τον εντοπισμό κοπαδιών ψαριών. |
| --- | --- | --- | --- |

α.

Συστήματα θαλάσσιων ηχομέτρων, εξοπλισμός ή ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:

1.

Ενεργητικά συστήματα (πομποί ή πομποδέκτες), εξοπλισμός και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:

Σημείωση: Στο σημείο 6Α001.α.1. δεν ελέγχονται:

α.

Βαθύμετρα που λειτουργούν κατακορύφως κάτω από τη συσκευή και δεν περιλαμβάνουν λειτουργία σάρωσης υπερβαίνουσα ± 20°, περιοριζόμενα στη μέτρηση του βάθους ύδατος, την απόσταση βυθισμένων ή θαμμένων αντικειμένων ή τον εντοπισμό κοπαδιών ψαριών.

| β. | Ηχητικοί σηματοδότες, ως εξής:








  1. | Ηχητικοί σηματοδότες έκτακτης ανάγκης, |
| --- | --- | --- |

β.

Ηχητικοί σηματοδότες, ως εξής:

1.

Ηχητικοί σηματοδότες έκτακτης ανάγκης,

| 2. | Σηματοδότες υποβρύχιων ηχοκυμάτων ειδικά σχεδιασμένοι για τον επανεντοπισμό ή την επιστροφή σε μια υποβρύχια θέση. |
| --- | --- |

2.

Σηματοδότες υποβρύχιων ηχοκυμάτων ειδικά σχεδιασμένοι για τον επανεντοπισμό ή την επιστροφή σε μια υποβρύχια θέση.

| α. | Συστήματα βαθυμετρικής επισκόπησης ευρέων λωρίδων σχεδιασμένα για την τοπογραφική αποτύπωση του θαλάσσιου βυθού, που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  1. | Είναι σχεδιασμένα για να λαμβάνουν μετρήσεις υπό γωνία υπερβαίνουσα τις 20° από την κατακόρυφο, |
| --- | --- | --- |

α.

Συστήματα βαθυμετρικής επισκόπησης ευρέων λωρίδων σχεδιασμένα για την τοπογραφική αποτύπωση του θαλάσσιου βυθού, που έχουν όλα τα ακόλουθα:

1.

Είναι σχεδιασμένα για να λαμβάνουν μετρήσεις υπό γωνία υπερβαίνουσα τις 20° από την κατακόρυφο,

| 2. | Είναι σχεδιασμένα για να μετρούν βάθη που υπερβαίνουν τα 600 m κάτω από την επιφάνεια του ύδατος· και |
| --- | --- |

2.

Είναι σχεδιασμένα για να μετρούν βάθη που υπερβαίνουν τα 600 m κάτω από την επιφάνεια του ύδατος· και

| 3. | Είναι σχεδιασμένα για να εξασφαλίζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Ενσωμάτωση πολλαπλών δεσμών, οποιαδήποτε από τις οποίες είναι κάτω του 1.9°· ή |
| --- | --- | --- |

3.

Είναι σχεδιασμένα για να εξασφαλίζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Ενσωμάτωση πολλαπλών δεσμών, οποιαδήποτε από τις οποίες είναι κάτω του 1.9°· ή

| β. | Ακρίβεια δεδομένων ανώτερη του 0,3 % του βάθους ύδατος στο πλάτος της λωρίδας, ως μέσου όρου των μεμονωμένων μετρήσεων στη λωρίδα αυτή. |
| --- | --- |

β.

Ακρίβεια δεδομένων ανώτερη του 0,3 % του βάθους ύδατος στο πλάτος της λωρίδας, ως μέσου όρου των μεμονωμένων μετρήσεων στη λωρίδα αυτή.

| β. | Συστήματα ανίχνευσης ή εντοπισμού αντικειμένων που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Συχνότητα εκπομπής κάτω των 10 kHz, |
| --- | --- | --- |

β.

Συστήματα ανίχνευσης ή εντοπισμού αντικειμένων που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Συχνότητα εκπομπής κάτω των 10 kHz,

| 2. | Ηχοστάθμη πίεσης υπερβαίνουσα τα 224 dΒ (τιμή αναφοράς 1 μΡa σε απόσταση 1 m) για εξοπλισμό λειτουργικής συχνότητας στη ζώνη συχνοτήτων από 10 kHz έως και τα 24 kHz, |
| --- | --- |

2.

Ηχοστάθμη πίεσης υπερβαίνουσα τα 224 dΒ (τιμή αναφοράς 1 μΡa σε απόσταση 1 m) για εξοπλισμό λειτουργικής συχνότητας στη ζώνη συχνοτήτων από 10 kHz έως και τα 24 kHz,

| 3. | Ηχοστάθμη πίεσης υπερβαίνουσα τα 235 dΒ (τιμή αναφοράς 1 μΡa σε απόσταση 1 m) για εξοπλισμό λειτουργικής συχνότητας στη ζώνη συχνοτήτων μεταξύ 24 kHz έως 30 kHz, |
| --- | --- |

3.

Ηχοστάθμη πίεσης υπερβαίνουσα τα 235 dΒ (τιμή αναφοράς 1 μΡa σε απόσταση 1 m) για εξοπλισμό λειτουργικής συχνότητας στη ζώνη συχνοτήτων μεταξύ 24 kHz έως 30 kHz,

| 4. | Σχηματίζουν δέσμες κάτω της 1° σε οποιοδήποτε άξονα και έχουν λειτουργική συχνότητα κάτω των 100 kHz, |
| --- | --- |

4.

Σχηματίζουν δέσμες κάτω της 1° σε οποιοδήποτε άξονα και έχουν λειτουργική συχνότητα κάτω των 100 kHz,

| 5. | Έχουν σχεδιασθεί για να παρέχουν καθαρή εικόνα από αποστάσεις άνω των 5,120 m· ή |
| --- | --- |

5.

Έχουν σχεδιασθεί για να παρέχουν καθαρή εικόνα από αποστάσεις άνω των 5,120 m· ή

| 6. | Έχουν σχεδιασθεί για να αντέχουν πιέσεις, υπό συνθήκες ομαλής λειτουργίας, σε βάθη υπερβαίνοντα τα 1 000 m και που έχουν μορφοτροπείς με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Δυναμική αντιστάθμιση έναντι πίεσης· ή |
| --- | --- | --- |

6.

Έχουν σχεδιασθεί για να αντέχουν πιέσεις, υπό συνθήκες ομαλής λειτουργίας, σε βάθη υπερβαίνοντα τα 1 000 m και που έχουν μορφοτροπείς με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Δυναμική αντιστάθμιση έναντι πίεσης· ή

| β. | Έχουν ενσωματωμένο στοιχείο μορφοτροπής διαφορετικό από ζιρκονικό-τιτανικό άλας μολύβδου. |
| --- | --- |

β.

Έχουν ενσωματωμένο στοιχείο μορφοτροπής διαφορετικό από ζιρκονικό-τιτανικό άλας μολύβδου.

| γ. | Ηχοπροβολείς, συμπεριλαμβανομένων μορφοτροπέων, στους οποίους είναι ενσωματωμένα πιεζοηλεκτρικά, μαγνητοπεριοριστικά, ηλεκτροπεριοριστικά, ηλεκτροδυναμικά ή υδραυλικά στοιχεία που λειτουργούν μεμονωμένως ή με επί τούτου μελετημένο συνδυασμό, με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:


  Σημείωση 1: Η διαβάθμιση ελέγχου ηχοπροβολέων, συμπεριλαμβανομένων των μορφοτροπέων, που είναι ειδικώς μελετημένοι για άλλο εξοπλισμό, υπαγορεύεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του άλλου εξοπλισμού.



  Σημείωση 2: Στο σημείο 6Α001.α.1.γ. δεν ελέγχονται ηλεκτρονικές πηγές που κατευθύνουν τον ήχο μόνο κατακορύφως, ή μηχανικές πηγές (π. χ. αεριοβόλο ή κρουστικό ατμοβόλο) ή χημικές πηγές (π.χ. εκρηκτικά).







  1. | Στιγμιαία πυκνότητα ακτινοβολούμενης ηχητικής ισχύος υπερβαίνουσα τα 0,01 mW/mm2/Hz για συσκευές λειτουργούσες σε συχνότητες κάτω των 10 kHz, |
| --- | --- | --- |

γ.

Ηχοπροβολείς, συμπεριλαμβανομένων μορφοτροπέων, στους οποίους είναι ενσωματωμένα πιεζοηλεκτρικά, μαγνητοπεριοριστικά, ηλεκτροπεριοριστικά, ηλεκτροδυναμικά ή υδραυλικά στοιχεία που λειτουργούν μεμονωμένως ή με επί τούτου μελετημένο συνδυασμό, με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

Σημείωση 1: Η διαβάθμιση ελέγχου ηχοπροβολέων, συμπεριλαμβανομένων των μορφοτροπέων, που είναι ειδικώς μελετημένοι για άλλο εξοπλισμό, υπαγορεύεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του άλλου εξοπλισμού.

Σημείωση 2: Στο σημείο 6Α001.α.1.γ. δεν ελέγχονται ηλεκτρονικές πηγές που κατευθύνουν τον ήχο μόνο κατακορύφως, ή μηχανικές πηγές (π. χ. αεριοβόλο ή κρουστικό ατμοβόλο) ή χημικές πηγές (π.χ. εκρηκτικά).

1.

Στιγμιαία πυκνότητα ακτινοβολούμενης ηχητικής ισχύος υπερβαίνουσα τα 0,01 mW/mm2/Hz για συσκευές λειτουργούσες σε συχνότητες κάτω των 10 kHz,

| 2. | Συνεχή πυκνότητα ακτινοβολούμενης ηχητικής ισχύος υπερβαίνουσα τα 0,001 mW/mm2/Hz για συσκευές λειτουργούσες σε συχνότητες κάτω των 10 kHz· ή |
| --- | --- |

2.

Συνεχή πυκνότητα ακτινοβολούμενης ηχητικής ισχύος υπερβαίνουσα τα 0,001 mW/mm2/Hz για συσκευές λειτουργούσες σε συχνότητες κάτω των 10 kHz· ή

Τεχνική σημείωση:

Η πυκνότητα ηχητικής ισχύος λαμβάνεται διαιρώντας την ηχητική ισχύ εξόδου με το γινόμενο της ακτινοβολούσας επιφάνειας επί την συχνότητα λειτουργίας.

| 3. | Καταστολή πλευρικού λωβού υπερβαίνουσα τα 22 dΒ. |
| --- | --- |

3.

Καταστολή πλευρικού λωβού υπερβαίνουσα τα 22 dΒ.

| δ. | Ηχητικά συστήματα, εξοπλισμός και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη για την εξακρίβωση της θέσης πλοίων επιφανείας ή υποβρυχίων σκαφών, σχεδιασμένα για να λειτουργούν σε εμβέλεια υπερβαίνουσα τα 1 000 m με ακρίβεια εντοπισμού κάτω των 10 m rms (μέση τετραγωνική ρίζα), για μετρήσεις σε απόσταση 1 000 m:


  Σημείωση: Στο σημείο 6Α001.α.1.δ. περιλαμβάνονται:








  α. | Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί ισοφασική "επεξεργασία σήματος" μεταξύ δύο ή περισσοτέρων σημαντήρων και του υδροφώνου που είναι τοποθετημένο στο πλοίο επιφανείας ή το υποβρύχιο σκάφος, |
| --- | --- | --- |

δ.

Ηχητικά συστήματα, εξοπλισμός και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη για την εξακρίβωση της θέσης πλοίων επιφανείας ή υποβρυχίων σκαφών, σχεδιασμένα για να λειτουργούν σε εμβέλεια υπερβαίνουσα τα 1 000 m με ακρίβεια εντοπισμού κάτω των 10 m rms (μέση τετραγωνική ρίζα), για μετρήσεις σε απόσταση 1 000 m:

Σημείωση: Στο σημείο 6Α001.α.1.δ. περιλαμβάνονται:

α.

Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί ισοφασική "επεξεργασία σήματος" μεταξύ δύο ή περισσοτέρων σημαντήρων και του υδροφώνου που είναι τοποθετημένο στο πλοίο επιφανείας ή το υποβρύχιο σκάφος,

| β. | Εξοπλισμός που είναι ικανός να διορθώνει αυτομάτως σφάλματα μετάδοσης με την ταχύτητα του ήχου για τον υπολογισμό ενός στίγματος. |
| --- | --- |

β.

Εξοπλισμός που είναι ικανός να διορθώνει αυτομάτως σφάλματα μετάδοσης με την ταχύτητα του ήχου για τον υπολογισμό ενός στίγματος.

| 2. | Παθητικά συστήματα (λήψης, είτε σχετίζονται είτε όχι — στη συνήθη εφαρμογή τους — με χωριστό ενεργητικό εξοπλισμό), εξοπλισμός και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:






  α. | Υδρόφωνα (μορφοτροπείς) με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:


  Σημείωση: Οι έλεγχοι οι εφαρμοστέοι στα ειδικά σχεδιασμένα για άλλον εξοπλισμό υδρόφωνα καθορίζονται από τους ελέγχους που διέπουν τον εν λόγω άλλον εξοπλισμό.







  1. | Που έχουν ενσωματωμένους συνεχείς εύκαμπτους αισθητήρες ή συγκροτήματα διακεκριμένων αισθητηρίων στοιχείων διαμέτρου ή μήκους μικρότερου από 20 mm και με διαχωρισμό μεταξύ στοιχείων μικρότερο από 20 mm, |
| --- | --- | --- | --- |

2.

Παθητικά συστήματα (λήψης, είτε σχετίζονται είτε όχι — στη συνήθη εφαρμογή τους — με χωριστό ενεργητικό εξοπλισμό), εξοπλισμός και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:

α.

Υδρόφωνα (μορφοτροπείς) με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

Σημείωση: Οι έλεγχοι οι εφαρμοστέοι στα ειδικά σχεδιασμένα για άλλον εξοπλισμό υδρόφωνα καθορίζονται από τους ελέγχους που διέπουν τον εν λόγω άλλον εξοπλισμό.

1.

Που έχουν ενσωματωμένους συνεχείς εύκαμπτους αισθητήρες ή συγκροτήματα διακεκριμένων αισθητηρίων στοιχείων διαμέτρου ή μήκους μικρότερου από 20 mm και με διαχωρισμό μεταξύ στοιχείων μικρότερο από 20 mm,

| 2. | Που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα αισθητήρια στοιχεία:






  α. | Οπτικές ίνες, ή |
| --- | --- | --- |

2.

Που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα αισθητήρια στοιχεία:

α.

Οπτικές ίνες, ή

| β. | Εύκαμπτα πιεζοηλεκτρικά κεραμικά υλικά. |
| --- | --- |

β.

Εύκαμπτα πιεζοηλεκτρικά κεραμικά υλικά.

| 3. | Ευαισθησία υδροφώνων ανώτερη των -180 dB σε οποιοδήποτε βάθος χωρίς αντιστάθμιση επιταχύνσεως, |
| --- | --- |

3.

Ευαισθησία υδροφώνων ανώτερη των -180 dB σε οποιοδήποτε βάθος χωρίς αντιστάθμιση επιταχύνσεως,

| 4. | Όταν είναι σχεδιασμένα να λειτουργούν σε βάθη άνω των 35 m, με αντιστάθμιση επιτάχυνσης, ή |
| --- | --- |

4.

Όταν είναι σχεδιασμένα να λειτουργούν σε βάθη άνω των 35 m, με αντιστάθμιση επιτάχυνσης, ή

| 5. | Είναι σχεδιασμένα για λειτουργία σε βάθη υπερβαίνοντα τα 1 000 m. |
| --- | --- |

5.

Είναι σχεδιασμένα για λειτουργία σε βάθη υπερβαίνοντα τα 1 000 m.

Τεχνική σημείωση:

"Ως ευαισθησία υδροφώνων" ορίζεται το εικοσαπλάσιο του δεκαδικού λογαρίθμου του λόγου της ενεργού τάσεως εξόδου ως προς τιμή αναφοράς 1 V rms, όταν ο υδροφωνικός αισθητήρας, χωρίς προενισχυτή, τοποθετείται σε επίπεδο πεδίο ηχητικών κυμάτων με ενεργό τιμή πιέσεως 1 μΡa. Για παράδειγμα, ένα υδρόφωνο των – 160 dΒ (τιμή αναφοράς 1 V ανά μΡa) θα απέδιδε τάση εξόδου 10–8 V σε ένα τέτοιο πεδίο, ενώ ένα υδρόφωνο ευαισθησίας – 180 dΒ θα απέδιδε έξοδο μόνο 10–9 V. Τοιουτοτρόπως, τα – 160 dΒ είναι καλύτερα από τα – 180 dΒ.

| β. | Ρυμουλκούμενες συστοιχίες ηχητικών υδροφώνων με τα ακόλουθα:






  1. | Βήμα ομάδας υδροφώνων μικρότερο από 12,5 m, ή "ικανές να τροποποιηθούν" ώστε να έχουν βήμα ομάδων υδροφώνων μικρότερο από 12,5 m |
| --- | --- | --- |

β.

Ρυμουλκούμενες συστοιχίες ηχητικών υδροφώνων με τα ακόλουθα:

1.

Βήμα ομάδας υδροφώνων μικρότερο από 12,5 m, ή "ικανές να τροποποιηθούν" ώστε να έχουν βήμα ομάδων υδροφώνων μικρότερο από 12,5 m

| 2. | Σχεδιασμένα ή "ικανά να τροποποιηθούν" ώστε να λειτουργούν σε βάθη υπερβαίνοντα τα 35 m·
  Τεχνική σημείωση:

  Η φράση "ικανές να τροποποιηθούν" στο σημείο 6Α001.α.2.β.1. και 2. σημαίνει να υπάρχει πρόβλεψη για αλλαγή της συρμάτωσης ή των διασυνδέσεων ώστε να μεταβληθεί το βήμα μεταξύ των υδροφώνων της ομάδας ή τα όρια του βάθους λειτουργίας. Οι προβλέψεις αυτές είναι: εφεδρική συρμάτωση υπερβαίνουσα ποσοστό 10 % του αριθμού των αγωγών, εξαρτήματα ρύθμισης του βήματος μεταξύ των υδροφώνων της ομάδας ή εσωτερικές συσκευές περιορισμού του βάθους που να είναι ρυθμίσιμες ή να ελέγχουν περισσότερες από μια ομάδα υδροφώνων. |
| --- | --- |

2.

Σχεδιασμένα ή "ικανά να τροποποιηθούν" ώστε να λειτουργούν σε βάθη υπερβαίνοντα τα 35 m·

Τεχνική σημείωση:

Η φράση "ικανές να τροποποιηθούν" στο σημείο 6Α001.α.2.β.1. και 2. σημαίνει να υπάρχει πρόβλεψη για αλλαγή της συρμάτωσης ή των διασυνδέσεων ώστε να μεταβληθεί το βήμα μεταξύ των υδροφώνων της ομάδας ή τα όρια του βάθους λειτουργίας. Οι προβλέψεις αυτές είναι: εφεδρική συρμάτωση υπερβαίνουσα ποσοστό 10 % του αριθμού των αγωγών, εξαρτήματα ρύθμισης του βήματος μεταξύ των υδροφώνων της ομάδας ή εσωτερικές συσκευές περιορισμού του βάθους που να είναι ρυθμίσιμες ή να ελέγχουν περισσότερες από μια ομάδα υδροφώνων.

| 3. | Αισθητήρες πορείας υπαγόμενοι στο σημείο 6Α001,α.2.δ., |
| --- | --- |

3.

Αισθητήρες πορείας υπαγόμενοι στο σημείο 6Α001,α.2.δ.,

| 4. | Ενισχυμένοι κατά το διαμήκη άξονα εύκαμπτοι στοιχειοσωλήνες, |
| --- | --- |

4.

Ενισχυμένοι κατά το διαμήκη άξονα εύκαμπτοι στοιχειοσωλήνες,

| 5. | Συναρμολογημένη συστοιχία διαμέτρου μικρότερης των 40 mm, |
| --- | --- |

5.

Συναρμολογημένη συστοιχία διαμέτρου μικρότερης των 40 mm,

| 6. | Πολυπλεκτικά σήματα ομάδας υδροφώνων που είναι σχεδιασμένα για να λειτουργούν σε βάθη άνω των 35 m ή έχουν ρυθμίσιμη ή αντικαταστάσιμη αισθητήρια διάταξη προκειμένου να λειτουργούν σε βάθη άνω των 35 m, ή |
| --- | --- |

6.

Πολυπλεκτικά σήματα ομάδας υδροφώνων που είναι σχεδιασμένα για να λειτουργούν σε βάθη άνω των 35 m ή έχουν ρυθμίσιμη ή αντικαταστάσιμη αισθητήρια διάταξη προκειμένου να λειτουργούν σε βάθη άνω των 35 m, ή

| 7. | Χαρακτηριστικά υδροφώνων προδιαγραφόμενα στο σημείο 6Α001.α.2.α. |
| --- | --- |

7.

Χαρακτηριστικά υδροφώνων προδιαγραφόμενα στο σημείο 6Α001.α.2.α.

| γ. | Εξοπλισμός επεξεργασίας, ειδικά σχεδιασμένος για ρυμουλκούμενες συστοιχίες ηχητικών υδροφώνων, που έχει "δυνατότητα προγραμματισμού προσπελάσιμη από το χρήστη" και επεξεργασία και συσχέτιση σε κλίμακα χρόνου ή συχνοτήτων, συμπεριλαμβανομένης φασματικής ανάλυσης, διόδου από ψηφιακό φίλτρο και διαμόρφωσης σε δέσμη με τη χρήση ταχείας ανάλυσης κατά Fourier ή άλλων μετασχηματισμών ή διεργασιών. |
| --- | --- |

γ.

Εξοπλισμός επεξεργασίας, ειδικά σχεδιασμένος για ρυμουλκούμενες συστοιχίες ηχητικών υδροφώνων, που έχει "δυνατότητα προγραμματισμού προσπελάσιμη από το χρήστη" και επεξεργασία και συσχέτιση σε κλίμακα χρόνου ή συχνοτήτων, συμπεριλαμβανομένης φασματικής ανάλυσης, διόδου από ψηφιακό φίλτρο και διαμόρφωσης σε δέσμη με τη χρήση ταχείας ανάλυσης κατά Fourier ή άλλων μετασχηματισμών ή διεργασιών.

| δ. | Αισθητήρες πορείας που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  1. | Ακρίβεια καλύτερη από ± 0,5°, και |
| --- | --- | --- |

δ.

Αισθητήρες πορείας που έχουν όλα τα ακόλουθα:

1.

Ακρίβεια καλύτερη από ± 0,5°, και

| 2. | Σχεδιασμένοι ώστε να λειτουργούν σε βάθη άνω των 35 m ή εφοδιασμένοι με ρυθμιζόμενη ή αντικαταστάσιμη αισθητήρια διάταξη ώστε να λειτουργούν σε βάθη άνω των 35 m, |
| --- | --- |

2.

Σχεδιασμένοι ώστε να λειτουργούν σε βάθη άνω των 35 m ή εφοδιασμένοι με ρυθμιζόμενη ή αντικαταστάσιμη αισθητήρια διάταξη ώστε να λειτουργούν σε βάθη άνω των 35 m,

| ε. | Καλωδιακά συστήματα βυθού ή ανοικτού κόλπου που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Ενσωματωμένα υδρόφωνα που ορίζονται στο σημείο 6Α001.α.2.α., ή |
| --- | --- | --- |

ε.

Καλωδιακά συστήματα βυθού ή ανοικτού κόλπου που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Ενσωματωμένα υδρόφωνα που ορίζονται στο σημείο 6Α001.α.2.α., ή

| 2. | Ενσωματωμένες πολυπλεκτικές μονάδες σήματος ομάδας υδροφώνων με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  α) | είναι σχεδιασμένα για να λειτουργούν σε βάθη άνω των 35 m ή έχουν ρυθμίσιμη ή αντικαταστάσιμη αισθητήρια διάταξη προκειμένου να λειτουργούν σε βάθη άνω των 35 m, και |
| --- | --- | --- |

2.

Ενσωματωμένες πολυπλεκτικές μονάδες σήματος ομάδας υδροφώνων με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

α)

είναι σχεδιασμένα για να λειτουργούν σε βάθη άνω των 35 m ή έχουν ρυθμίσιμη ή αντικαταστάσιμη αισθητήρια διάταξη προκειμένου να λειτουργούν σε βάθη άνω των 35 m, και

| β) | επιδέχονται λειτουργική ανταλλαγή με συρόμενες μονάδες συστοιχιών ακουστικών υδροφώνων. |
| --- | --- |

β)

επιδέχονται λειτουργική ανταλλαγή με συρόμενες μονάδες συστοιχιών ακουστικών υδροφώνων.

| στ. | Εξοπλισμός επεξεργασίας, ειδικά σχεδιασμένο για καλωδιακά συστήματα βυθού ή ανοικτού κόλπου, που έχει "δυνατότητα προγραμματισμού προσπελάσιμη από το χρήστη" και επεξεργασία και συσχέτιση σε κλίμακα χρόνου ή συχνοτήτων, συμπεριλαμβανομένης φασματικής ανάλυσης, διόδου από ψηφιακό φίλτρο και διαμόρφωσης σε δέσμη με τη χρήση ταχείας ανάλυσης κατά Fourier ή άλλων μετασχηματισμών ή διεργασιών. |
| --- | --- |

στ.

Εξοπλισμός επεξεργασίας, ειδικά σχεδιασμένο για καλωδιακά συστήματα βυθού ή ανοικτού κόλπου, που έχει "δυνατότητα προγραμματισμού προσπελάσιμη από το χρήστη" και επεξεργασία και συσχέτιση σε κλίμακα χρόνου ή συχνοτήτων, συμπεριλαμβανομένης φασματικής ανάλυσης, διόδου από ψηφιακό φίλτρο και διαμόρφωσης σε δέσμη με τη χρήση ταχείας ανάλυσης κατά Fourier ή άλλων μετασχηματισμών ή διεργασιών.

| β. | Εξοπλισμός ηχοβολιστικού δρομομέτρου με συσχετισμό ταχύτητας σχεδιασμένος για να μετρά την οριζόντια ταχύτητα του μεταφέροντος τον εξοπλισμό μέσου σχετικώς προς το θαλάσσιο βυθό σε αποστάσεις μεταξύ μεταφορικού μέσου και θαλάσσιου βυθού άνω των 500 m. |
| --- | --- |

β.

Εξοπλισμός ηχοβολιστικού δρομομέτρου με συσχετισμό ταχύτητας σχεδιασμένος για να μετρά την οριζόντια ταχύτητα του μεταφέροντος τον εξοπλισμό μέσου σχετικώς προς το θαλάσσιο βυθό σε αποστάσεις μεταξύ μεταφορικού μέσου και θαλάσσιου βυθού άνω των 500 m.

6A002Οπτικοί αισθητήρες

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 6Α102

| α. | Οπτικοί ανιχνευτές, ως εξής:


  Σημείωση: Στο σημείο 6Α002.α. δεν ελέγχονται οι φωτοευαίσθητες συσκευές γερμανίου ή πυριτίου.







  1. | "Κατάλληλοι για διαστημική χρήση" ηλεκτρονικοί ανιχνευτές, ως εξής:






  α. | "Κατάλληλοι για διαστημική χρήση" ηλεκτρονικοί ανιχνευτές, που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  1. | Απόκριση αιχμής σε μήκος κύματος κλίμακας άνω των 10 nm και μέχρι 300 nm, και |
| --- | --- | --- | --- | --- |

α.

Οπτικοί ανιχνευτές, ως εξής:

Σημείωση: Στο σημείο 6Α002.α. δεν ελέγχονται οι φωτοευαίσθητες συσκευές γερμανίου ή πυριτίου.

1.

"Κατάλληλοι για διαστημική χρήση" ηλεκτρονικοί ανιχνευτές, ως εξής:

α.

"Κατάλληλοι για διαστημική χρήση" ηλεκτρονικοί ανιχνευτές, που έχουν όλα τα ακόλουθα:

1.

Απόκριση αιχμής σε μήκος κύματος κλίμακας άνω των 10 nm και μέχρι 300 nm, και

| 2. | Απόκριση μικρότερη από 0,1 % σχετικώς προς την απόκριση αιχμής σε μήκος κύματος άνω των 400 nm. |
| --- | --- |

2.

Απόκριση μικρότερη από 0,1 % σχετικώς προς την απόκριση αιχμής σε μήκος κύματος άνω των 400 nm.

| β. | "Κατάλληλοι για διαστημική χρήση" ηλεκτρονικοί ανιχνευτές, που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  1. | Απόκριση αιχμής σε μήκος κύματος κλίμακας άνω των 900 nm και μέχρι 1 200 nm, και |
| --- | --- | --- |

β.

"Κατάλληλοι για διαστημική χρήση" ηλεκτρονικοί ανιχνευτές, που έχουν όλα τα ακόλουθα:

1.

Απόκριση αιχμής σε μήκος κύματος κλίμακας άνω των 900 nm και μέχρι 1 200 nm, και

| 2. | "Σταθερά χρόνου" απόκρισης το πολύ 95 ns. |
| --- | --- |

2.

"Σταθερά χρόνου" απόκρισης το πολύ 95 ns.

| γ. | "Κατάλληλοι για διαστημική χρήση" ηλεκτρονικοί ανιχνευτές, που έχουν απόκριση αιχμής σε μήκος κύματος κλίμακας άνω των 1 200 nm και μέχρι 30 000 nm. |
| --- | --- |

γ.

"Κατάλληλοι για διαστημική χρήση" ηλεκτρονικοί ανιχνευτές, που έχουν απόκριση αιχμής σε μήκος κύματος κλίμακας άνω των 1 200 nm και μέχρι 30 000 nm.

| 2. | Λυχνίες προβολής εντονότερων εικόνων και ειδικώς σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:






  α. | Λυχνίες προβολής εντονότερων εικόνων που ανταποκρίνονται σε όλα τα κατωτέρω:






  1. | Απόκριση αιχμής σε μήκη κύματος κλίμακας άνω των 400 nm και μέχρι 1 050 nm, |
| --- | --- | --- | --- |

2.

Λυχνίες προβολής εντονότερων εικόνων και ειδικώς σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:

α.

Λυχνίες προβολής εντονότερων εικόνων που ανταποκρίνονται σε όλα τα κατωτέρω:

1.

Απόκριση αιχμής σε μήκη κύματος κλίμακας άνω των 400 nm και μέχρι 1 050 nm,

| 2. | Πλάκα μικροδιαύλου για ηλεκτρονική ενίσχυση εικόνας με βήμα οπών (διάστημα από κέντρο σε κέντρο) 12 μm ή μικρότερο, και |
| --- | --- |

2.

Πλάκα μικροδιαύλου για ηλεκτρονική ενίσχυση εικόνας με βήμα οπών (διάστημα από κέντρο σε κέντρο) 12 μm ή μικρότερο, και

| 3. | Φωτοκάθοδοι, οποιουδήποτε από τους εξής τύπους:






  α. | S-20, S-25 ή φωτοκάθοδοι πολυαλκαλίων με φωτεινή ευαισθησία άνω των 350 μΑ/lm, |
| --- | --- | --- |

3.

Φωτοκάθοδοι, οποιουδήποτε από τους εξής τύπους:

α.

S-20, S-25 ή φωτοκάθοδοι πολυαλκαλίων με φωτεινή ευαισθησία άνω των 350 μΑ/lm,

| β. | Φωτοκάθοδοι GaAS ή GaInAs, ή |
| --- | --- |

β.

Φωτοκάθοδοι GaAS ή GaInAs, ή

| γ. | Άλλες φωτοκάθοδοι σύνθετων ημιαγωγών III-V.


  Σημείωση: Το σημείο 6Α002.α.2.α.3.γ. δεν έχει εφαρμογή στις φωτοκαθόδους σύνθετων ημιαγωγών με μέγιστη ευαισθησία ακτινοβολίας 10 mΑ/W ή λιγότερο. |
| --- | --- |

γ.

Άλλες φωτοκάθοδοι σύνθετων ημιαγωγών III-V.

Σημείωση: Το σημείο 6Α002.α.2.α.3.γ. δεν έχει εφαρμογή στις φωτοκαθόδους σύνθετων ημιαγωγών με μέγιστη ευαισθησία ακτινοβολίας 10 mΑ/W ή λιγότερο.

| β. | Ειδικώς σχεδιασμένα δομικά μέρη, ως εξής:






  1. | Πλάκες μικροδιαύλων με βήμα οπών (διάστημα από κέντρο σε κέντρο) 12 μm ή μικρότερο, |
| --- | --- | --- |

β.

Ειδικώς σχεδιασμένα δομικά μέρη, ως εξής:

1.

Πλάκες μικροδιαύλων με βήμα οπών (διάστημα από κέντρο σε κέντρο) 12 μm ή μικρότερο,

| 2. | Φωτοκάθοδοι GaAs ή GaInAs, |
| --- | --- |

2.

Φωτοκάθοδοι GaAs ή GaInAs,

| 3. | Άλλες φωτοκάθοδοι σύνθετων ημιαγωγών III-V.


  Σημείωση: Στο σημείο 6Α002.α.2.β.3. δεν ελέγχονται οι φωτοκάθοδοι σύνθετων ημιαγωγών με μέγιστη ευαισθησία ακτινοβολίας 10 mΑ/W ή λιγότερο. |
| --- | --- |

3.

Άλλες φωτοκάθοδοι σύνθετων ημιαγωγών III-V.

Σημείωση: Στο σημείο 6Α002.α.2.β.3. δεν ελέγχονται οι φωτοκάθοδοι σύνθετων ημιαγωγών με μέγιστη ευαισθησία ακτινοβολίας 10 mΑ/W ή λιγότερο.

| 3. | Μη "κατάλληλες για διαστημική χρήση""συστοιχίες εστιακού επιπέδου", ως εξής:
  Τεχνικές σημειώσεις:







  1. | Οι γραμμικές ή δισδιάστατες πολυστοιχειακές συστοιχίες αναφέρονται ως "συστοιχίες εστιακού επιπέδου". |
| --- | --- | --- |

3.

Μη "κατάλληλες για διαστημική χρήση""συστοιχίες εστιακού επιπέδου", ως εξής:

Τεχνικές σημειώσεις:

1.

Οι γραμμικές ή δισδιάστατες πολυστοιχειακές συστοιχίες αναφέρονται ως "συστοιχίες εστιακού επιπέδου".

| 2. | Στο 6A002.α.3, ως "εγκάρσια κατεύθυνση σάρωσης" νοείται ο άξονας ο παράλληλος προς τη γραμμική συστοιχία ανιχνευτικών στοιχείων, ως "κατεύθυνση σάρωσης" δε ο άξονας ο κάθετος προς τη γραμμική συστοιχία ανιχνευτικών στοιχείων. |
| --- | --- |

2.

Στο 6A002.α.3, ως "εγκάρσια κατεύθυνση σάρωσης" νοείται ο άξονας ο παράλληλος προς τη γραμμική συστοιχία ανιχνευτικών στοιχείων, ως "κατεύθυνση σάρωσης" δε ο άξονας ο κάθετος προς τη γραμμική συστοιχία ανιχνευτικών στοιχείων.

Σημείωση 1: Στο σημείο 6Α002.α.3. περιλαμβάνονται φωτοαγώγιμες και φωτοβολταϊκές συστοιχίες.

Σημείωση 2: Στο σημείο 6Α002.α.3. δεν ελέγχονται

| α. | "συστοιχίες εστιακού επιπέδου" με πυρίτιο, |
| --- | --- |

α.

"συστοιχίες εστιακού επιπέδου" με πυρίτιο,

| β. | πολυστοιχειακές (μέχρι και 16 στοιχείων) εγκιβωτισμένες φωτοαγώγιμες κυψέλες που χρησιμοποιούν θειούχο ή σεληνιούχο μόλυβδο, |
| --- | --- |

β.

πολυστοιχειακές (μέχρι και 16 στοιχείων) εγκιβωτισμένες φωτοαγώγιμες κυψέλες που χρησιμοποιούν θειούχο ή σεληνιούχο μόλυβδο,

| γ. | πυροηλεκτρικοί ανιχνευτές που χρησιμοποιούν κάποιο από τα εξής:








  1. | Θειική τριγλυκίνη και παραλλαγές, |
| --- | --- | --- |

γ.

πυροηλεκτρικοί ανιχνευτές που χρησιμοποιούν κάποιο από τα εξής:

1.

Θειική τριγλυκίνη και παραλλαγές,

| 2. | Τιτανικό μόλυβδο-λανθάνιο-ζιρκόνιο και παραλλαγές, |
| --- | --- |

2.

Τιτανικό μόλυβδο-λανθάνιο-ζιρκόνιο και παραλλαγές,

| 3. | Τανταλικό λίθιο, |
| --- | --- |

3.

Τανταλικό λίθιο,

| 4. | Φθοριούχο πολυβινυλιδένιο και παραλλαγές, ή |
| --- | --- |

4.

Φθοριούχο πολυβινυλιδένιο και παραλλαγές, ή

| 5. | Νιοβικό στροντιοβάριο και παραλλαγές. |
| --- | --- |

5.

Νιοβικό στροντιοβάριο και παραλλαγές.

| α. | Μη "κατάλληλες για διαστημική χρήση""συστοιχίες εστιακού επιπέδου" που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  1. | Μεμονωμένα στοιχεία με απόκριση αιχμής σε κλίμακα μήκους κύματος υπερβαίνουσα τα 900 nm και μέχρι 1 050 nm, και |
| --- | --- | --- |

α.

Μη "κατάλληλες για διαστημική χρήση""συστοιχίες εστιακού επιπέδου" που έχουν όλα τα ακόλουθα:

1.

Μεμονωμένα στοιχεία με απόκριση αιχμής σε κλίμακα μήκους κύματος υπερβαίνουσα τα 900 nm και μέχρι 1 050 nm, και

| 2. | "Σταθερά χρόνου" απόκρισης μικρότερη από 0,5 ns. |
| --- | --- |

2.

"Σταθερά χρόνου" απόκρισης μικρότερη από 0,5 ns.

| β. | Μη "κατάλληλες για διαστημική χρήση""συστοιχίες εστιακού επιπέδου" που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  1. | Μεμονωμένα στοιχεία με απόκριση αιχμής στο φάσμα μήκους κύματος από 1 050 nm και μέχρι 1 200 nm· και |
| --- | --- | --- |

β.

Μη "κατάλληλες για διαστημική χρήση""συστοιχίες εστιακού επιπέδου" που έχουν όλα τα ακόλουθα:

1.

Μεμονωμένα στοιχεία με απόκριση αιχμής στο φάσμα μήκους κύματος από 1 050 nm και μέχρι 1 200 nm· και

| 2. | "Σταθερά χρόνου" απόκρισης το πολύ 95 ns. |
| --- | --- |

2.

"Σταθερά χρόνου" απόκρισης το πολύ 95 ns.

| γ. | Μη "κατάλληλες για διαστημική χρήση" μη γραμμικές (δισδιάστατες) "συστοιχίες εστιακού επιπέδου" που έχουν μεμονωμένα στοιχεία με απόκριση αιχμής σε κλίμακα μήκους κύματος άνω των 1 200 nm και μέχρι 30 000 nm· |
| --- | --- |

γ.

Μη "κατάλληλες για διαστημική χρήση" μη γραμμικές (δισδιάστατες) "συστοιχίες εστιακού επιπέδου" που έχουν μεμονωμένα στοιχεία με απόκριση αιχμής σε κλίμακα μήκους κύματος άνω των 1 200 nm και μέχρι 30 000 nm·

| δ. | Μη "κατάλληλες για διαστημική χρήση" γραμμικές (μονοδιάστατες) "συστοιχίες εστιακού επιπέδου" που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  1. | Μεμονωμένα στοιχεία με απόκριση αιχμής στο φάσμα μήκους κύματος από 1 200 nm και μέχρι 2 500 nm· και |
| --- | --- | --- |

δ.

Μη "κατάλληλες για διαστημική χρήση" γραμμικές (μονοδιάστατες) "συστοιχίες εστιακού επιπέδου" που έχουν όλα τα ακόλουθα:

1.

Μεμονωμένα στοιχεία με απόκριση αιχμής στο φάσμα μήκους κύματος από 1 200 nm και μέχρι 2 500 nm· και

| 2. | Κάτι από τα εξής:






  α. | Λόγο της διάστασης του ανιχνευτικού στοιχείου στην κατεύθυνση σάρωσης προς τη διάστασή του στην εγκάρσια κατεύθυνση σάρωσης κάτω του 3,8, ή |
| --- | --- | --- |

2.

Κάτι από τα εξής:

α.

Λόγο της διάστασης του ανιχνευτικού στοιχείου στην κατεύθυνση σάρωσης προς τη διάστασή του στην εγκάρσια κατεύθυνση σάρωσης κάτω του 3,8, ή

| β. | Επεξεργασία σήματος μέσα στο στοιχείο (SPRITE) |
| --- | --- |

β.

Επεξεργασία σήματος μέσα στο στοιχείο (SPRITE)

| ε. | Μη "κατάλληλες για διαστημική χρήση" γραμμικές (μονοδιάστατες) "συστοιχίες εστιακού επιπέδου" που έχουν μεμονωμένα στοιχεία με απόκριση αιχμής στο φάσμα μήκους κύματος από 2 500 nm και μέχρι 30 000 nm |
| --- | --- |

ε.

Μη "κατάλληλες για διαστημική χρήση" γραμμικές (μονοδιάστατες) "συστοιχίες εστιακού επιπέδου" που έχουν μεμονωμένα στοιχεία με απόκριση αιχμής στο φάσμα μήκους κύματος από 2 500 nm και μέχρι 30 000 nm

| β. | "Αισθητήρες μονοφασματικής απεικόνισης" και "αισθητήρες πολυφασματικής απεικόνισης" σχεδιασμένοι για εφαρμογές τηλεπισκόπισης, που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Στιγμιαίο οπτικό πεδίο (IFOV) μικρότερο από 200 μrad (μικροακτίνια), ή |
| --- | --- | --- |

β.

"Αισθητήρες μονοφασματικής απεικόνισης" και "αισθητήρες πολυφασματικής απεικόνισης" σχεδιασμένοι για εφαρμογές τηλεπισκόπισης, που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Στιγμιαίο οπτικό πεδίο (IFOV) μικρότερο από 200 μrad (μικροακτίνια), ή

| 2. | Έχουν προδιαγραφεί για να λειτουργούν σε κλίμακα μήκους κύματος άνω των 400 nm και μέχρι 30 000 nm και έχουν όλα τα ακόλουθα:






  α. | Παρέχουν έξοδο δεδομένων απεικόνισης σε ψηφιακή μορφή, και |
| --- | --- | --- |

2.

Έχουν προδιαγραφεί για να λειτουργούν σε κλίμακα μήκους κύματος άνω των 400 nm και μέχρι 30 000 nm και έχουν όλα τα ακόλουθα:

α.

Παρέχουν έξοδο δεδομένων απεικόνισης σε ψηφιακή μορφή, και

| β. | Έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Είναι "κατάλληλα για διαστημική χρήση", ή |
| --- | --- | --- |

β.

Έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Είναι "κατάλληλα για διαστημική χρήση", ή

| 2. | Είναι σχεδιασμένα για αεροφερόμενη λειτουργία και χρησιμοποιούν σύστημα διαφορετικό από ανιχνευτές πυριτίου και έχουν IFOV κάτω των 2.5 mrad (χιλιοστοακτίνια). |
| --- | --- |

2.

Είναι σχεδιασμένα για αεροφερόμενη λειτουργία και χρησιμοποιούν σύστημα διαφορετικό από ανιχνευτές πυριτίου και έχουν IFOV κάτω των 2.5 mrad (χιλιοστοακτίνια).

| γ. | Εξοπλισμός απεικόνισης άμεσης όψης που λειτουργεί στο ορατό και υπέρυθρο φάσμα φωτός και περιλαμβάνει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Λυχνίες ενίσχυσης εικόνων που καθορίζονται στο σημείο 6Α002.α.2.α., ή |
| --- | --- | --- |

γ.

Εξοπλισμός απεικόνισης άμεσης όψης που λειτουργεί στο ορατό και υπέρυθρο φάσμα φωτός και περιλαμβάνει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Λυχνίες ενίσχυσης εικόνων που καθορίζονται στο σημείο 6Α002.α.2.α., ή

| 2. | "Συστοιχίες εστιακού επιπέδου" που καθορίζονται στο σημείο 6Α002.α.3. |
| --- | --- |

2.

"Συστοιχίες εστιακού επιπέδου" που καθορίζονται στο σημείο 6Α002.α.3.

Τεχνική σημείωση:

Η έκφραση "άμεση όψη" αφορά εξοπλισμό απεικόνισης που λειτουργεί στο ορατό ή υπέρυθρο φάσμα φωτός και παρουσιάζει οπτική εικόνα σε ανθρώπινο παρατηρητή, χωρίς να μετατρέπει την εικόνα σε ηλεκτρονικό σήμα για τηλεοπτική παρουσίαση και που δεν μπορεί να καταγράψει ή αποθηκεύσει την εικόνα κατά τρόπο φωτογραφικό, ηλεκτρονικό ή οποιοδήποτε άλλο.

Σημείωση: Στο σημείο 6Α002.γ. δεν ελέγχεται ο ακόλουθος εξοπλισμός που περιλαμβάνει είδη διαφορετικά από φωτοκαθόδους GaAs ή GaInAs:

| α. | Συστήματα συναγερμού κατά των εισχωρούντων καταχρηστικώς σε βιομηχανίες ή οικίες, συστήματα ελέγχου κυκλοφορίας ή βιομηχανικών κινήσεων ή συστήματα καταμέτρησης, |
| --- | --- |

α.

Συστήματα συναγερμού κατά των εισχωρούντων καταχρηστικώς σε βιομηχανίες ή οικίες, συστήματα ελέγχου κυκλοφορίας ή βιομηχανικών κινήσεων ή συστήματα καταμέτρησης,

| β. | Ιατρικός εξοπλισμός, |
| --- | --- |

β.

Ιατρικός εξοπλισμός,

| γ. | Βιομηχανικός εξοπλισμός χρησιμοποιούμενος για επιθεώρηση, διαλογή ή ανάλυση ιδιοτήτων των υλικών, |
| --- | --- |

γ.

Βιομηχανικός εξοπλισμός χρησιμοποιούμενος για επιθεώρηση, διαλογή ή ανάλυση ιδιοτήτων των υλικών,

| δ. | Ανιχνευτές φλόγας για βιομηχανικούς κλιβάνους, |
| --- | --- |

δ.

Ανιχνευτές φλόγας για βιομηχανικούς κλιβάνους,

| ε. | Εξοπλισμός ειδικώς σχεδιασμένος για εργαστηριακή χρήση. |
| --- | --- |

ε.

Εξοπλισμός ειδικώς σχεδιασμένος για εργαστηριακή χρήση.

| δ. | Ειδικά βοηθητικά δομικά μέρη για οπτικούς αισθητήρες, ως εξής:






  1. | "Κατάλληλοι για διαστημική χρήση" κρυογενείς ψύκτες, |
| --- | --- | --- |

δ.

Ειδικά βοηθητικά δομικά μέρη για οπτικούς αισθητήρες, ως εξής:

1.

"Κατάλληλοι για διαστημική χρήση" κρυογενείς ψύκτες,

| 2. | Μη "κατάλληλοι για διαστημική χρήση" κρυογενείς ψύκτες με θερμοκρασία ψυκτικής πηγής κάτω από 218 Κ (– 55 °C), ως εξής:






  α. | Τύπου κλειστού κύκλου με καθορισμένο μέσο χρόνο έως το σφάλμα (MTTF), ή μέσο χρόνο μεταξύ σφαλμάτων (MTBF), άνω των 2 500 ωρών, |
| --- | --- | --- |

2.

Μη "κατάλληλοι για διαστημική χρήση" κρυογενείς ψύκτες με θερμοκρασία ψυκτικής πηγής κάτω από 218 Κ (– 55 °C), ως εξής:

α.

Τύπου κλειστού κύκλου με καθορισμένο μέσο χρόνο έως το σφάλμα (MTTF), ή μέσο χρόνο μεταξύ σφαλμάτων (MTBF), άνω των 2 500 ωρών,

| β. | Αυτορυθμιζόμενοι μίνι-ψύκτες Joule-Thomson (JT), με εξωτερική διάμετρο μικρότερη από 8 mm. |
| --- | --- |

β.

Αυτορυθμιζόμενοι μίνι-ψύκτες Joule-Thomson (JT), με εξωτερική διάμετρο μικρότερη από 8 mm.

| 3. | Οπτικές αισθητήριες ίνες ειδικώς κατασκευασμένες μέσω επέμβασης είτε στη σύνθεση είτε στη δομή, ή τροποποιημένες με επίστρωση, ώστε να καταστούν ευαίσθητες στον ήχο, τη θερμότητα, την αδράνεια, τον ηλεκτρομαγνητισμό ή την πυρηνική ακτινοβολία. |
| --- | --- |

3.

Οπτικές αισθητήριες ίνες ειδικώς κατασκευασμένες μέσω επέμβασης είτε στη σύνθεση είτε στη δομή, ή τροποποιημένες με επίστρωση, ώστε να καταστούν ευαίσθητες στον ήχο, τη θερμότητα, την αδράνεια, τον ηλεκτρομαγνητισμό ή την πυρηνική ακτινοβολία.

| ε. | "Κατάλληλες για διαστημική χρήση""συστοιχίες εστιακού επιπέδου" που έχουν περισσότερα από 2 048 στοιχεία ανά συστοιχία και απόκριση αιχμής σε κλίμακα μήκους κύματος άνω των 300 nm και μέχρι 900 nm. |
| --- | --- |

ε.

"Κατάλληλες για διαστημική χρήση""συστοιχίες εστιακού επιπέδου" που έχουν περισσότερα από 2 048 στοιχεία ανά συστοιχία και απόκριση αιχμής σε κλίμακα μήκους κύματος άνω των 300 nm και μέχρι 900 nm.

6A003Μηχανές κινηματογράφησης

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 6Α203.

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: Για μηχανές κινηματογράφησης ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για υποβρύχια χρήση, βλ. σημεία 8Α002.δ. και 8Α002.ε.

| α. | Μηχανές κινηματογράφησης και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:


  Σημείωση: Οι μηχανές κινηματογράφησης στο πλαίσιο εξοπλισμού με όργανα που προσδιορίζονται στα σημεία 6Α003.α.3 έως 6Α003.α.5 που διαθέτουν σπονδυλωτές δομές πρέπει να κρίνονται ανάλογα με τη μέγιστή τους ικανότητα, με χρήση διαθέσιμων "ηλεκτρονικών συγκροτημάτων" σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή.







  1. | Μηχανές κινηματογραφικής λήψης υψηλής ταχύτητας που χρησιμοποιούν οποιοδήποτε μέγεθος φιλμ από 8 mm έως και 16 mm, στις οποίες το κινηματογραφικό φιλμ προωθείται συνεχώς σε όλη τη διάρκεια της λήψης και που είναι ικανές να αποτυπώνουν με ρυθμούς άνω των 13 150 εικόνων ανά δευτερόλεπτο.


  Σημείωση: Στο σημείο 6Α003.α.1. δεν ελέγχονται μηχανές κινηματογραφικών λήψεων σχεδιασμένες για μη στρατιωτικούς σκοπούς. |
| --- | --- | --- |

α.

Μηχανές κινηματογράφησης και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:

Σημείωση: Οι μηχανές κινηματογράφησης στο πλαίσιο εξοπλισμού με όργανα που προσδιορίζονται στα σημεία 6Α003.α.3 έως 6Α003.α.5 που διαθέτουν σπονδυλωτές δομές πρέπει να κρίνονται ανάλογα με τη μέγιστή τους ικανότητα, με χρήση διαθέσιμων "ηλεκτρονικών συγκροτημάτων" σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή.

1.

Μηχανές κινηματογραφικής λήψης υψηλής ταχύτητας που χρησιμοποιούν οποιοδήποτε μέγεθος φιλμ από 8 mm έως και 16 mm, στις οποίες το κινηματογραφικό φιλμ προωθείται συνεχώς σε όλη τη διάρκεια της λήψης και που είναι ικανές να αποτυπώνουν με ρυθμούς άνω των 13 150 εικόνων ανά δευτερόλεπτο.

Σημείωση: Στο σημείο 6Α003.α.1. δεν ελέγχονται μηχανές κινηματογραφικών λήψεων σχεδιασμένες για μη στρατιωτικούς σκοπούς.

| 2. | Μηχανικής λειτουργίας κινηματογραφικές μηχανές υψηλής ταχύτητας, στις οποίες δεν μετακινείται το φιλμ, ικανές να αποτυπώνουν με ρυθμούς άνω του 1 000 000 εικόνων ανά δευτερόλεπτο για το πλήρες ύψος της εικόνας φιλμ των 35 mm ή με αναλογικώς υψηλότερους ρυθμούς για εικόνες μικρότερου ύψους ή με αναλογικώς κατώτερους ρυθμούς για εικόνες μεγαλύτερου ύψους. |
| --- | --- |

2.

Μηχανικής λειτουργίας κινηματογραφικές μηχανές υψηλής ταχύτητας, στις οποίες δεν μετακινείται το φιλμ, ικανές να αποτυπώνουν με ρυθμούς άνω του 1 000 000 εικόνων ανά δευτερόλεπτο για το πλήρες ύψος της εικόνας φιλμ των 35 mm ή με αναλογικώς υψηλότερους ρυθμούς για εικόνες μικρότερου ύψους ή με αναλογικώς κατώτερους ρυθμούς για εικόνες μεγαλύτερου ύψους.

| 3. | Μηχανικής ή ηλεκτρονικής λειτουργίας κινηματογραφικές μηχανές συνεχούς εικόνας, με ταχύτητες γραφής άνω των 10 mm/μs. |
| --- | --- |

3.

Μηχανικής ή ηλεκτρονικής λειτουργίας κινηματογραφικές μηχανές συνεχούς εικόνας, με ταχύτητες γραφής άνω των 10 mm/μs.

| 4. | Ηλεκτρονικής λειτουργίας μηχανές αποτύπωσης εικόνων, ταχύτητας άνω του 1 000 000 εικόνων ανά δευτερόλεπτο. |
| --- | --- |

4.

Ηλεκτρονικής λειτουργίας μηχανές αποτύπωσης εικόνων, ταχύτητας άνω του 1 000 000 εικόνων ανά δευτερόλεπτο.

| 5. | Ηλεκτρονικής λειτουργίας κινηματογραφικές μηχανές που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  α. | Ταχύτητα ηλεκτρονικού διαφράγματος (ικανότητα προσπέλασης στην πύλη) κάτω του 1 μs ανά πλήρη εικόνα, και |
| --- | --- | --- |

5.

Ηλεκτρονικής λειτουργίας κινηματογραφικές μηχανές που έχουν όλα τα ακόλουθα:

α.

Ταχύτητα ηλεκτρονικού διαφράγματος (ικανότητα προσπέλασης στην πύλη) κάτω του 1 μs ανά πλήρη εικόνα, και

| β. | Χρόνο ανάγνωσης που επιτρέπει ρυθμό αποτύπωσης εικόνων άνω των 125 πλήρων εικόνων ανά δευτερόλεπτο. |
| --- | --- |

β.

Χρόνο ανάγνωσης που επιτρέπει ρυθμό αποτύπωσης εικόνων άνω των 125 πλήρων εικόνων ανά δευτερόλεπτο.

| 6. | Ηλεκτρονικά συγκροτήματα με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:






  α. | Ειδικά σχεδιασμένα για μηχανές κινηματογράφησης σπονδυλωτής δομής που ορίζονται στο σημείο 6Α003.α., και |
| --- | --- | --- |

6.

Ηλεκτρονικά συγκροτήματα με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

α.

Ειδικά σχεδιασμένα για μηχανές κινηματογράφησης σπονδυλωτής δομής που ορίζονται στο σημείο 6Α003.α., και

| β. | Που επιτρέπουν στις μηχανές αυτές να τηρούν τα χαρακτηριστικά που ορίζονται στα σημεία 6Α003.α.3., 6Α003.α.4., ή 6Α003.α.5., σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή. |
| --- | --- |

β.

Που επιτρέπουν στις μηχανές αυτές να τηρούν τα χαρακτηριστικά που ορίζονται στα σημεία 6Α003.α.3., 6Α003.α.4., ή 6Α003.α.5., σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή.

| β. | Μηχανές απεικόνισης ως εξής:


  Σημείωση: Στο σημείο 6Α003.β. δεν ελέγχονται μηχανές τηλεοπτικών ή οπτικοακουστικών λήψεων ειδικά σχεδιασμένες για τηλεοπτικές μεταδόσεις.







  1. | Μηχανές μαγνητοσκόπησης εμπεριέχουσες αισθητήρες στερεάς κατάστασης, που έχουν απόκριση αιχμής στο φάσμα μηκών κύματος άνω των 10 nm και μέχρι 30 000 nm· και όλα τα ακόλουθα:






  α. | Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Άνω των 4 × 106"ενεργά εικονοκύτταρα" ανά συστοιχία στερεάς κατάστασης για μηχανές μονοχρωματικής (μαυρόασπρης) λήψης, |
| --- | --- | --- | --- | --- |

β.

Μηχανές απεικόνισης ως εξής:

Σημείωση: Στο σημείο 6Α003.β. δεν ελέγχονται μηχανές τηλεοπτικών ή οπτικοακουστικών λήψεων ειδικά σχεδιασμένες για τηλεοπτικές μεταδόσεις.

1.

Μηχανές μαγνητοσκόπησης εμπεριέχουσες αισθητήρες στερεάς κατάστασης, που έχουν απόκριση αιχμής στο φάσμα μηκών κύματος άνω των 10 nm και μέχρι 30 000 nm· και όλα τα ακόλουθα:

α.

Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Άνω των 4 × 106"ενεργά εικονοκύτταρα" ανά συστοιχία στερεάς κατάστασης για μηχανές μονοχρωματικής (μαυρόασπρης) λήψης,

| 2. | Άνω των 4 × 106"ενεργά εικονοκύτταρα" ανά συστοιχία στερεάς κατάστασης για μηχανές έγχρωμης λήψης εμπεριέχουσες τρεις συστοιχίες στερεάς κατάστασης, ή |
| --- | --- |

2.

Άνω των 4 × 106"ενεργά εικονοκύτταρα" ανά συστοιχία στερεάς κατάστασης για μηχανές έγχρωμης λήψης εμπεριέχουσες τρεις συστοιχίες στερεάς κατάστασης, ή

| 3. | Άνω των 12 × 106"ενεργά εικονοκύτταρα" ανά συστοιχία στερεάς κατάστασης για μηχανές έγχρωμης λήψης εμπεριέχουσες μια μόνο συστοιχία στερεάς κατάστασης, και |
| --- | --- |

3.

Άνω των 12 × 106"ενεργά εικονοκύτταρα" ανά συστοιχία στερεάς κατάστασης για μηχανές έγχρωμης λήψης εμπεριέχουσες μια μόνο συστοιχία στερεάς κατάστασης, και

| β. | Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Οπτικά κάτοπτρα ελεγχόμενα σύμφωνα με το σημείο 6Α004.α., |
| --- | --- | --- |

β.

Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Οπτικά κάτοπτρα ελεγχόμενα σύμφωνα με το σημείο 6Α004.α.,

| 2. | Εξοπλισμό οπτικού ελέγχου ελεγχόμενο σύμφωνα με το σημείο 6Α004.δ., ή |
| --- | --- |

2.

Εξοπλισμό οπτικού ελέγχου ελεγχόμενο σύμφωνα με το σημείο 6Α004.δ., ή

| 3. | Ικανότητα σχολιασμού ενδογενών δεδομένων σκόπευσης της κάμερας. |
| --- | --- |

3.

Ικανότητα σχολιασμού ενδογενών δεδομένων σκόπευσης της κάμερας.

Τεχνική παρατήρηση:

| 1. | Για τους σκοπούς του παρόντος σημείου, οι ψηφιακές μηχανές μαγνητοσκόπησης πρέπει να αξιολογούνται βάσει του μέγιστου πλήθους "ενεργών εικονοκυττάρων" που χρησιμοποιούνται για την καταγραφή κινούμενων εικόνων. |
| --- | --- |

1.

Για τους σκοπούς του παρόντος σημείου, οι ψηφιακές μηχανές μαγνητοσκόπησης πρέπει να αξιολογούνται βάσει του μέγιστου πλήθους "ενεργών εικονοκυττάρων" που χρησιμοποιούνται για την καταγραφή κινούμενων εικόνων.

| 2. | Για τους σκοπούς του παρόντος σημείου, ως δεδομένα σκόπευσης της κάμερας νοούνται οι πληροφορίες οι αναγκαίες για τον καθορισμό του προσανατολισμού της οπτικής γραμμής της κάμερας ως προς τη γη, και στις οποίες περιλαμβάνονται: 1) η οριζόντια γωνία της γραμμής αυτής με την κατεύθυνση του μαγνητικού πεδίου της γης, και 2) η κατακόρυφη γωνία μεταξύ της γραμμής και του ορίζοντα. |
| --- | --- |

2.

Για τους σκοπούς του παρόντος σημείου, ως δεδομένα σκόπευσης της κάμερας νοούνται οι πληροφορίες οι αναγκαίες για τον καθορισμό του προσανατολισμού της οπτικής γραμμής της κάμερας ως προς τη γη, και στις οποίες περιλαμβάνονται: 1) η οριζόντια γωνία της γραμμής αυτής με την κατεύθυνση του μαγνητικού πεδίου της γης, και 2) η κατακόρυφη γωνία μεταξύ της γραμμής και του ορίζοντα.

| 2. | Μηχανές σάρωσης και συστήματα μηχανών σάρωσης, που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  α. | Απόκριση αιχμής στο φάσμα μηκών κύματος άνω των 10 nm και μέχρι 30 000 nm· |
| --- | --- | --- |

2.

Μηχανές σάρωσης και συστήματα μηχανών σάρωσης, που έχουν όλα τα ακόλουθα:

α.

Απόκριση αιχμής στο φάσμα μηκών κύματος άνω των 10 nm και μέχρι 30 000 nm·

| β. | Συστοιχίες γραμμικής ανίχνευσης με άνω των 8 192 στοιχεία ανά συστοιχία, και |
| --- | --- |

β.

Συστοιχίες γραμμικής ανίχνευσης με άνω των 8 192 στοιχεία ανά συστοιχία, και

| γ. | Μηχανική σάρωση προς τη μια κατεύθυνση. |
| --- | --- |

γ.

Μηχανική σάρωση προς τη μια κατεύθυνση.

| 3. | Μηχανές απεικόνισης εμπεριέχουσες λυχνίες προβολής εντονότερων εικόνων που καθορίζονται στο σημείο 6Α002.α.2.α. |
| --- | --- |

3.

Μηχανές απεικόνισης εμπεριέχουσες λυχνίες προβολής εντονότερων εικόνων που καθορίζονται στο σημείο 6Α002.α.2.α.

| 4. | Μηχανές απεικόνισης εμπεριέχουσες "συστοιχίες εστιακού επιπέδου" που καθορίζονται στο σημείο 6Α002.α.3.


  Σημείωση: Στο σημείο 6A003.β.4 δεν τίθενται υπό έλεγχο οι μηχανές απεικόνισης οι εμπεριέχουσες γραμμικές "συστοιχίες εστιακού επιπέδου" με δώδεκα το πολύ στοιχεία, οι οποίες δεν χρησιμοποιούν χρονοκαθυστέρηση-και-ολοκλήρωση μέσα στο στοιχείο και είναι σχεδιασμένες για τους εξής σκοπούς:








  α. | Βιομηχανικά ή πολιτικά συστήματα συναγερμού που ανιχνεύουν την είσοδο ατόμων, συστήματα ελέγχου κυκλοφορίας ή κινήσεων στη βιομηχανία, συστήματα μέτρησης, |
| --- | --- | --- |

4.

Μηχανές απεικόνισης εμπεριέχουσες "συστοιχίες εστιακού επιπέδου" που καθορίζονται στο σημείο 6Α002.α.3.

Σημείωση: Στο σημείο 6A003.β.4 δεν τίθενται υπό έλεγχο οι μηχανές απεικόνισης οι εμπεριέχουσες γραμμικές "συστοιχίες εστιακού επιπέδου" με δώδεκα το πολύ στοιχεία, οι οποίες δεν χρησιμοποιούν χρονοκαθυστέρηση-και-ολοκλήρωση μέσα στο στοιχείο και είναι σχεδιασμένες για τους εξής σκοπούς:

α.

Βιομηχανικά ή πολιτικά συστήματα συναγερμού που ανιχνεύουν την είσοδο ατόμων, συστήματα ελέγχου κυκλοφορίας ή κινήσεων στη βιομηχανία, συστήματα μέτρησης,

| β. | Βιομηχανικό εξοπλισμό χρησιμοποιούμενο για την επιθεώρηση ή παρακολούθηση των ροών θερμότητας σε κτίρια, εξοπλισμό ή βιομηχανικές διεργασίες, |
| --- | --- |

β.

Βιομηχανικό εξοπλισμό χρησιμοποιούμενο για την επιθεώρηση ή παρακολούθηση των ροών θερμότητας σε κτίρια, εξοπλισμό ή βιομηχανικές διεργασίες,

| γ. | Βιομηχανικό εξοπλισμό χρησιμοποιούμενο για την επιθεώρηση, τη διαλογή ή την ανάλυση ιδιοτήτων των υλικών, |
| --- | --- |

γ.

Βιομηχανικό εξοπλισμό χρησιμοποιούμενο για την επιθεώρηση, τη διαλογή ή την ανάλυση ιδιοτήτων των υλικών,

| δ. | Εξοπλισμό ειδικά σχεδιασμένο για εργαστηριακή χρήση, ή |
| --- | --- |

δ.

Εξοπλισμό ειδικά σχεδιασμένο για εργαστηριακή χρήση, ή

| ε. | Ιατρικό εξοπλισμό. |
| --- | --- |

ε.

Ιατρικό εξοπλισμό.

6A004Οπτικά συστήματα

| α. | Οπτικά κάτοπτρα (ανακλαστικές διατάξεις), ως εξής:






  1. | "Παραμορφώσιμα κάτοπτρα" με συνεχείς ή πολυστοιχειακές επιφάνειες και ειδικώς σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ικανά να μεταθέτουν δυναμικώς τμήματα επιφανείας του κατόπτρου με ρυθμούς άνω των 100 Hz, |
| --- | --- | --- |

α.

Οπτικά κάτοπτρα (ανακλαστικές διατάξεις), ως εξής:

1.

"Παραμορφώσιμα κάτοπτρα" με συνεχείς ή πολυστοιχειακές επιφάνειες και ειδικώς σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ικανά να μεταθέτουν δυναμικώς τμήματα επιφανείας του κατόπτρου με ρυθμούς άνω των 100 Hz,

| 2. | Μονολιθικά κάτοπτρα ελαφρού βάρους με μέση "ισοδύναμη πυκνότητα" κάτω των 30 kg/m2 και συνολική μάζα άνω των 10 kg, |
| --- | --- |

2.

Μονολιθικά κάτοπτρα ελαφρού βάρους με μέση "ισοδύναμη πυκνότητα" κάτω των 30 kg/m2 και συνολική μάζα άνω των 10 kg,

| 3. | Ελαφρού βάρους "σύνθετης κατασκευής" ή από αφρό συγκροτήματα καθρεπτών με μέση "ισοδύναμη πυκνότητα" κάτω των 30 kg/m2 και συνολική μάζα άνω των 2 kg, |
| --- | --- |

3.

Ελαφρού βάρους "σύνθετης κατασκευής" ή από αφρό συγκροτήματα καθρεπτών με μέση "ισοδύναμη πυκνότητα" κάτω των 30 kg/m2 και συνολική μάζα άνω των 2 kg,

| 4. | Κάτοπτρα καθοδήγησης δεσμών με διάμετρο ή μήκος μείζονος άξονος άνω των 100 mm που διατηρούν επιπεδότητα λ/2 ή καλύτερη (λ= 633 nm) και με εύρος ζώνης του συστήματος ελέγχου άνω των 100 Hz. |
| --- | --- |

4.

Κάτοπτρα καθοδήγησης δεσμών με διάμετρο ή μήκος μείζονος άξονος άνω των 100 mm που διατηρούν επιπεδότητα λ/2 ή καλύτερη (λ= 633 nm) και με εύρος ζώνης του συστήματος ελέγχου άνω των 100 Hz.

| β. | Δομικά μέρη οπτικών συστημάτων κατασκευασμένα από σεληνιούχο ψευδάργυρο (ZnSe) ή θειούχο ψευδάργυρο (ZnS), με εκπομπή σε κλίμακα μήκους κύματος άνω των 3 000 nm και μέχρι 25 000 nm, τα οποία έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Όγκο άνω των 100 cm3, ή |
| --- | --- | --- |

β.

Δομικά μέρη οπτικών συστημάτων κατασκευασμένα από σεληνιούχο ψευδάργυρο (ZnSe) ή θειούχο ψευδάργυρο (ZnS), με εκπομπή σε κλίμακα μήκους κύματος άνω των 3 000 nm και μέχρι 25 000 nm, τα οποία έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Όγκο άνω των 100 cm3, ή

| 2. | Διάμετρο ή μήκος μείζονος άξονος άνω των 80 mm και πάχος (βάθος) άνω των 20 mm. |
| --- | --- |

2.

Διάμετρο ή μήκος μείζονος άξονος άνω των 80 mm και πάχος (βάθος) άνω των 20 mm.

| γ. | "Κατάλληλα για διαστημική χρήση" δομικά μέρη οπτικών συστημάτων, ως εξής:






  1. | Ελαφρού βάρους έως κάτω του 20 % "ισοδύναμης πυκνότητας" συγκρινόμενο προς συμπαγές ακατέργαστο τεμάχιο του ιδίου ανοίγματος και βάρους, |
| --- | --- | --- |

γ.

"Κατάλληλα για διαστημική χρήση" δομικά μέρη οπτικών συστημάτων, ως εξής:

1.

Ελαφρού βάρους έως κάτω του 20 % "ισοδύναμης πυκνότητας" συγκρινόμενο προς συμπαγές ακατέργαστο τεμάχιο του ιδίου ανοίγματος και βάρους,

| 2. | Ανεπεξέργαστα υποστρώματα, επεξεργασμένα υποστρώματα που έχουν επιφανειακές επικαλύψεις (μονής ή πολλών στρώσεων, μεταλλικής ή διηλεκτρικής, αγώγιμης, ημιαγώγιμης ή μονωτικής) ή που έχουν προστατευτικά υμένια, |
| --- | --- |

2.

Ανεπεξέργαστα υποστρώματα, επεξεργασμένα υποστρώματα που έχουν επιφανειακές επικαλύψεις (μονής ή πολλών στρώσεων, μεταλλικής ή διηλεκτρικής, αγώγιμης, ημιαγώγιμης ή μονωτικής) ή που έχουν προστατευτικά υμένια,

| 3. | Τμήματα ή συγκροτήματα κατόπτρων σχεδιασμένα για να συναρμολογηθούν στο διάστημα σε οπτικό σύστημα με άνοιγμα συλλογής ισοδύναμο τουλάχιστον προς μεμονωμένο οπτικό σύστημα διαμέτρου 1 μέτρου, |
| --- | --- |

3.

Τμήματα ή συγκροτήματα κατόπτρων σχεδιασμένα για να συναρμολογηθούν στο διάστημα σε οπτικό σύστημα με άνοιγμα συλλογής ισοδύναμο τουλάχιστον προς μεμονωμένο οπτικό σύστημα διαμέτρου 1 μέτρου,

| 4. | Κατασκευασμένα από "σύνθετα" υλικά με συντελεστή γραμμικής θερμικής διαστολής το πολύ ίσο προς 5 × 10–6 προς οποιαδήποτε κατεύθυνση συντεταγμένων. |
| --- | --- |

4.

Κατασκευασμένα από "σύνθετα" υλικά με συντελεστή γραμμικής θερμικής διαστολής το πολύ ίσο προς 5 × 10–6 προς οποιαδήποτε κατεύθυνση συντεταγμένων.

| δ. | Εξοπλισμός οπτικού ελέγχου, ως εξής:






  1. | Ειδικώς σχεδιασμένος για να διατηρεί την εικόνα της επιφάνειας ή τον προσανατολισμό των "κατάλληλων για διαστημική χρήση" δομικών μερών που προδιαγράφονται στο σημείο 6Α004.γ.1. ή 6Α004.γ.3, |
| --- | --- | --- |

δ.

Εξοπλισμός οπτικού ελέγχου, ως εξής:

1.

Ειδικώς σχεδιασμένος για να διατηρεί την εικόνα της επιφάνειας ή τον προσανατολισμό των "κατάλληλων για διαστημική χρήση" δομικών μερών που προδιαγράφονται στο σημείο 6Α004.γ.1. ή 6Α004.γ.3,

| 2. | Που διαθέτει εύρη ζώνης για καθοδήγηση, ιχνηλασία, σταθεροποίηση ή ευθυγράμμιση αντηχείου τουλάχιστον ίσα προς 100 Hz και ακρίβεια έως και 10 μrad (μικροακτίνια), |
| --- | --- |

2.

Που διαθέτει εύρη ζώνης για καθοδήγηση, ιχνηλασία, σταθεροποίηση ή ευθυγράμμιση αντηχείου τουλάχιστον ίσα προς 100 Hz και ακρίβεια έως και 10 μrad (μικροακτίνια),

| 3. | Αναρτήρες συστήματος καρντάν που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  α. | Μέγιστη απόκλιση άνω των 5°, |
| --- | --- | --- |

3.

Αναρτήρες συστήματος καρντάν που έχουν όλα τα ακόλουθα:

α.

Μέγιστη απόκλιση άνω των 5°,

| β. | Εύρος ζώνης συχνοτήτων τουλάχιστον 100 Hz, |
| --- | --- |

β.

Εύρος ζώνης συχνοτήτων τουλάχιστον 100 Hz,

| γ. | Παρουσιάζουν σφάλματα γωνιακής σκόπευσης το πολύ ίσα προς 200 μrad (μικροακτίνια), και |
| --- | --- |

γ.

Παρουσιάζουν σφάλματα γωνιακής σκόπευσης το πολύ ίσα προς 200 μrad (μικροακτίνια), και

| δ. | Έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Έχουν διάμετρο ή μήκος μείζονος άξονος άνω των 0,15 m και μέχρι 1 m και είναι ικανά για γωνιακές επιταχύνσεις άνω των 2 rad (ακτινίων)/s2, ή |
| --- | --- | --- |

δ.

Έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Έχουν διάμετρο ή μήκος μείζονος άξονος άνω των 0,15 m και μέχρι 1 m και είναι ικανά για γωνιακές επιταχύνσεις άνω των 2 rad (ακτινίων)/s2, ή

| 2. | Έχουν διάμετρο ή μήκος μείζονος άξονος άνω του 1 m και είναι ικανά για γωνιακές επιταχύνσεις άνω των 0,5 rad (ακτινίων)/s2, |
| --- | --- |

2.

Έχουν διάμετρο ή μήκος μείζονος άξονος άνω του 1 m και είναι ικανά για γωνιακές επιταχύνσεις άνω των 0,5 rad (ακτινίων)/s2,

| 4. | Είναι ειδικά σχεδιασμένα για να διατηρούν την ευθυγράμμιση κατοπτρικών συστημάτων με συγχρονισμένες συστοιχίες ή συγχρονισμένους τομείς κατόπτρων που αποτελούνται από κάτοπτρα με τομέα διαμέτρου ή μήκους μείζονος άξονα τουλάχιστον 1 m. |
| --- | --- |

4.

Είναι ειδικά σχεδιασμένα για να διατηρούν την ευθυγράμμιση κατοπτρικών συστημάτων με συγχρονισμένες συστοιχίες ή συγχρονισμένους τομείς κατόπτρων που αποτελούνται από κάτοπτρα με τομέα διαμέτρου ή μήκους μείζονος άξονα τουλάχιστον 1 m.

| ε. | "Ασφαιρικά οπτικά στοιχεία" με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Μέγιστη διάσταση του οπτικού ανοίγματος άνω των 400 mm, |
| --- | --- | --- |

ε.

"Ασφαιρικά οπτικά στοιχεία" με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Μέγιστη διάσταση του οπτικού ανοίγματος άνω των 400 mm,

| 2. | Επιφανειακή τραχύτητα κάτω του 1 nm (rms) για μήκη δειγματοληψίας τουλάχιστον 1 nm, και |
| --- | --- |

2.

Επιφανειακή τραχύτητα κάτω του 1 nm (rms) για μήκη δειγματοληψίας τουλάχιστον 1 nm, και

| 3. | Συντελεστή γραμμικής θερμικής διαστολής με απόλυτο μέγεθος κάτω του 3 × 10–6/K στους 25 °C. |
| --- | --- |

3.

Συντελεστή γραμμικής θερμικής διαστολής με απόλυτο μέγεθος κάτω του 3 × 10–6/K στους 25 °C.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Ως "ασφαιρικό οπτικό στοιχείο" νοείται κάθε στοιχείο που χρησιμοποιείται σε οπτικό σύστημα και του οποίου η εικονιστική επιφάνεια ή επιφάνειες είναι σχεδιασμένες ώστε να μην έχουν το σχήμα τέλειας σφαίρας. |
| --- | --- |

1.

Ως "ασφαιρικό οπτικό στοιχείο" νοείται κάθε στοιχείο που χρησιμοποιείται σε οπτικό σύστημα και του οποίου η εικονιστική επιφάνεια ή επιφάνειες είναι σχεδιασμένες ώστε να μην έχουν το σχήμα τέλειας σφαίρας.

| 2. | Οι κατασκευαστές δεν έχουν υποχρέωση να μετρούν την επιφανειακή τραχύτητα που αναφέρεται στο 6A004.ε.2. εκτός εάν το οπτικό στοιχείο έχει σχεδιαστεί ή κατασκευαστεί με την πρόθεση να επιτύχει τη συγκεκριμένη τιμή της παραμέτρου ελέγχου (ή μικρότερη τιμή). |
| --- | --- |

2.

Οι κατασκευαστές δεν έχουν υποχρέωση να μετρούν την επιφανειακή τραχύτητα που αναφέρεται στο 6A004.ε.2. εκτός εάν το οπτικό στοιχείο έχει σχεδιαστεί ή κατασκευαστεί με την πρόθεση να επιτύχει τη συγκεκριμένη τιμή της παραμέτρου ελέγχου (ή μικρότερη τιμή).

Σημείωση: Το 6A004.ε. δεν επιβάλλει ελέγχους στα ασφαιρικά οπτικά στοιχεία που έχουν κάποιο από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Μέγιστη διάσταση οπτικού ανοίγματος κάτω του 1 m και λόγο εστιακής απόστασης προς άνοιγμα 4,5:1 ή μεγαλύτερο, |
| --- | --- |

α.

Μέγιστη διάσταση οπτικού ανοίγματος κάτω του 1 m και λόγο εστιακής απόστασης προς άνοιγμα 4,5:1 ή μεγαλύτερο,

| β. | Μέγιστη διάσταση οπτικού ανοίγματος 1 m και άνω και λόγο εστιακής απόστασης προς άνοιγμα 7:1 ή μεγαλύτερο, |
| --- | --- |

β.

Μέγιστη διάσταση οπτικού ανοίγματος 1 m και άνω και λόγο εστιακής απόστασης προς άνοιγμα 7:1 ή μεγαλύτερο,

| γ. | Σχεδιασμό ως οπτικών στοιχείων Fresnel, ματιών μύγας, ραβδωτών, πρισματικών ή περιθλαστικών, |
| --- | --- |

γ.

Σχεδιασμό ως οπτικών στοιχείων Fresnel, ματιών μύγας, ραβδωτών, πρισματικών ή περιθλαστικών,

| δ. | Κατασκευή από βοριοπυριτική ύαλο με συντελεστή γραμμικής θερμικής διαστολής άνω του 2,5 × 10–6/K στους 25 °C, ή |
| --- | --- |

δ.

Κατασκευή από βοριοπυριτική ύαλο με συντελεστή γραμμικής θερμικής διαστολής άνω του 2,5 × 10–6/K στους 25 °C, ή

| ε. | Λειτουργία ως οπτικού στοιχείου ακτίνων X με εσωτερικές κατοπτρικές ικανότητες (π.χ. κάτοπτρα σωληνωτού τύπου). |
| --- | --- |

ε.

Λειτουργία ως οπτικού στοιχείου ακτίνων X με εσωτερικές κατοπτρικές ικανότητες (π.χ. κάτοπτρα σωληνωτού τύπου).

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: Για τα ασφαιρικά οπτικά στοιχεία που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για εξοπλισμό λιθογραφίας, βλ. 3B001.

6A005"Λέιζερ", εκτός εκείνων που καθορίζονται στα σημεία 0Β001.ζ.5. ή 0Β001.η.6., δομικά μέρη και οπτικός εξοπλισμός, ως εξής:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 6Α205.

Σημείωση 1: Τα παλμικά "λέιζερ" περιλαμβάνουν εκείνα που οδεύουν υπό τύπο συνεχούς κύματος (CW) με υπερτιθέμενους παλμούς.

Σημείωση 2: Τα διεγειρόμενα με παλμούς "λέιζερ" περιλαμβάνουν εκείνα που οδεύουν κατά συνεχώς διεγειρόμενο τρόπο με υπερτιθέμενη διέγερση με παλμούς.

Σημείωση 3: Οι συνθήκες υπαγωγής σε έλεγχο των "Λέιζερ" Raman υπαγορεύονται από τις παραμέτρους των "λέιζερ" της πηγής άντλησης. Τα "λέιζερ" της πηγής άντλησης δύνανται να είναι οποιαδήποτε από τα κατωτέρω περιγραφόμενα "λέιζερ".

| α. | "Λέιζερ" αερίου, ως εξής:






  1. | "Λέιζερ" διηγερμένου διατομικού μορίου που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Μήκος κύματος εξόδου το πολύ ίσο προς 150 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Ενέργεια εξόδου άνω των 50 mJ ανά παλμό, ή |
| --- | --- | --- | --- | --- |

α.

"Λέιζερ" αερίου, ως εξής:

1.

"Λέιζερ" διηγερμένου διατομικού μορίου που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Μήκος κύματος εξόδου το πολύ ίσο προς 150 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Ενέργεια εξόδου άνω των 50 mJ ανά παλμό, ή

| 2. | Μέση ισχύ εξόδου άνω του 1, |
| --- | --- |

2.

Μέση ισχύ εξόδου άνω του 1,

| β. | Μήκος κύματος εξόδου άνω των 150 nm και μέχρι 190 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Ενέργεια εξόδου άνω του 1,5 J ανά παλμό, ή |
| --- | --- | --- |

β.

Μήκος κύματος εξόδου άνω των 150 nm και μέχρι 190 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Ενέργεια εξόδου άνω του 1,5 J ανά παλμό, ή

| 2. | Μέση ισχύ εξόδου άνω των 120 W, |
| --- | --- |

2.

Μέση ισχύ εξόδου άνω των 120 W,

| γ. | Μήκος κύματος εξόδου άνω των 190 nm και μέχρι 360 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Ενέργεια εξόδου άνω των 10 J ανά παλμό, ή |
| --- | --- | --- |

γ.

Μήκος κύματος εξόδου άνω των 190 nm και μέχρι 360 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Ενέργεια εξόδου άνω των 10 J ανά παλμό, ή

| 2. | Μέση ισχύ εξόδου άνω των 500 W, ή |
| --- | --- |

2.

Μέση ισχύ εξόδου άνω των 500 W, ή

| δ. | Μήκος κύματος εξόδου άνω των 360 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Ενέργεια εξόδου άνω του 1,5 J ανά παλμό, ή |
| --- | --- | --- |

δ.

Μήκος κύματος εξόδου άνω των 360 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Ενέργεια εξόδου άνω του 1,5 J ανά παλμό, ή

| 2. | Μέση ισχύ εξόδου άνω των 30 W. |
| --- | --- |

2.

Μέση ισχύ εξόδου άνω των 30 W.

Σημ.: Για τα "Λέιζερ" διηγερμένου διατομικού μορίου τα ειδικά σχεδιασμένα για λιθογραφικό εξοπλισμό βλ. σημείο 3Β001

| 2. | "Λέιζερ" ατμών μετάλλου, ως εξής:






  α. | "Λέιζερ" χαλκού (Cu) με μέση ισχύ εξόδου άνω των 20 W, |
| --- | --- | --- |

2.

"Λέιζερ" ατμών μετάλλου, ως εξής:

α.

"Λέιζερ" χαλκού (Cu) με μέση ισχύ εξόδου άνω των 20 W,

| β. | "Λέιζερ" χρυσού (Αu) με μέση ισχύ εξόδου άνω των 5 W, |
| --- | --- |

β.

"Λέιζερ" χρυσού (Αu) με μέση ισχύ εξόδου άνω των 5 W,

| γ. | "Λέιζερ" νατρίου (Na) με μέση ισχύ εξόδου άνω των 5 W, |
| --- | --- |

γ.

"Λέιζερ" νατρίου (Na) με μέση ισχύ εξόδου άνω των 5 W,

| δ. | "Λέιζερ" βαρίου (Ba) με μέση ισχύ εξόδου άνω των 2 W. |
| --- | --- |

δ.

"Λέιζερ" βαρίου (Ba) με μέση ισχύ εξόδου άνω των 2 W.

| 3. | "Λέιζερ" μονοξειδίου του άνθρακα (CΟ) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Ενέργεια εξόδου άνω των 2 J ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω των 5 kw, ή |
| --- | --- | --- |

3.

"Λέιζερ" μονοξειδίου του άνθρακα (CΟ) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Ενέργεια εξόδου άνω των 2 J ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω των 5 kw, ή

| β. | Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 5 kw. |
| --- | --- |

β.

Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 5 kw.

| 4. | "Λέιζερ" διοξειδίου του άνθρακα (CO2) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | CW ισχύ εξόδου άνω των 15 kw, |
| --- | --- | --- |

4.

"Λέιζερ" διοξειδίου του άνθρακα (CO2) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

CW ισχύ εξόδου άνω των 15 kw,

| β. | Παλλόμενη έξοδο με "διάρκεια παλμού" άνω των 10 μs και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Μέση ισχύ εξόδου άνω των 10 kw, ή |
| --- | --- | --- |

β.

Παλλόμενη έξοδο με "διάρκεια παλμού" άνω των 10 μs και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Μέση ισχύ εξόδου άνω των 10 kw, ή

| 2. | Παλμική "ισχύ αιχμής" άνω των 100 kw, ή |
| --- | --- |

2.

Παλμική "ισχύ αιχμής" άνω των 100 kw, ή

| γ. | Παλμική έξοδο με "διάρκεια παλμού" ίση το πολύ προς 10 μs και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Ενέργεια παλμού άνω των 5 J ανά παλμό, ή |
| --- | --- | --- |

γ.

Παλμική έξοδο με "διάρκεια παλμού" ίση το πολύ προς 10 μs και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Ενέργεια παλμού άνω των 5 J ανά παλμό, ή

| 2. | Μέση ισχύ εξόδου άνω των 2,5 kw. |
| --- | --- |

2.

Μέση ισχύ εξόδου άνω των 2,5 kw.

| 5. | "Χημικά λέιζερ" ως εξής:






  α. | "Λέιζερ" υδροφθορίου (HF), |
| --- | --- | --- |

5.

"Χημικά λέιζερ" ως εξής:

α.

"Λέιζερ" υδροφθορίου (HF),

| β. | "Λέιζερ" φθοριούχου δευτερίου (DF), |
| --- | --- |

β.

"Λέιζερ" φθοριούχου δευτερίου (DF),

| γ. | "Λέιζερ μεταφοράς", ως εξής:






  1. | "Λέιζερ" οξυγόνου-ιωδίου (Ο2 -I), |
| --- | --- | --- |

γ.

"Λέιζερ μεταφοράς", ως εξής:

1.

"Λέιζερ" οξυγόνου-ιωδίου (Ο2 -I),

| 2. | "Λέιζερ" φθοριούχου δευτερίου-διοξειδίου του άνθρακα (DF-CO2). |
| --- | --- |

2.

"Λέιζερ" φθοριούχου δευτερίου-διοξειδίου του άνθρακα (DF-CO2).

| 6. | "Λέιζερ" ιόντων κρυπτού ή ιόντων αργού, που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Ενέργεια εξόδου άνω του 1,5 J ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω των 50 W, ή |
| --- | --- | --- |

6.

"Λέιζερ" ιόντων κρυπτού ή ιόντων αργού, που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Ενέργεια εξόδου άνω του 1,5 J ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω των 50 W, ή

| β. | Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 50 W. |
| --- | --- |

β.

Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 50 W.

| 7. | Λοιπά "λέιζερ" αερίου, που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:


  Σημείωση: Στο σημείο 6Α005.α.7. δεν ελέγχονται τα "λέιζερ" αζώτου.







  α. | Μήκος κύματος εξόδου το πολύ ίσο προς 150 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Ενέργεια εξόδου άνω των 50 mJ ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω του 1 W, ή |
| --- | --- | --- | --- |

7.

Λοιπά "λέιζερ" αερίου, που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

Σημείωση: Στο σημείο 6Α005.α.7. δεν ελέγχονται τα "λέιζερ" αζώτου.

α.

Μήκος κύματος εξόδου το πολύ ίσο προς 150 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Ενέργεια εξόδου άνω των 50 mJ ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω του 1 W, ή

| 2. | Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 1 W. |
| --- | --- |

2.

Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 1 W.

| β. | Μήκος κύματος εξόδου άνω των 150 nm και μέχρι 800 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Ενέργεια εξόδου άνω του 1,5 J ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω των 30 W, ή |
| --- | --- | --- |

β.

Μήκος κύματος εξόδου άνω των 150 nm και μέχρι 800 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Ενέργεια εξόδου άνω του 1,5 J ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω των 30 W, ή

| 2. | Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 30 W. |
| --- | --- |

2.

Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 30 W.

| γ. | Μήκος κύματος εξόδου άνω των 800 nm και μέχρι 1 400 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Ενέργεια εξόδου άνω του 0,25 J ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω των 10 W· ή |
| --- | --- | --- |

γ.

Μήκος κύματος εξόδου άνω των 800 nm και μέχρι 1 400 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Ενέργεια εξόδου άνω του 0,25 J ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω των 10 W· ή

| 2. | Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 10 W, ή |
| --- | --- |

2.

Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 10 W, ή

| δ. | Μήκος κύματος εξόδου άνω των 1 400 nm και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 1 W. |
| --- | --- |

δ.

Μήκος κύματος εξόδου άνω των 1 400 nm και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 1 W.

| β. | "Λέιζερ" ημιαγωγών, ως εξής:






  1. | Μεμονωμένα "λέιζερ" ημιαγωγών, απλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης, με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  α. | Μήκος κύματος το πολύ 1 510 nm και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 1,5 W, ή |
| --- | --- | --- | --- |

β.

"Λέιζερ" ημιαγωγών, ως εξής:

1.

Μεμονωμένα "λέιζερ" ημιαγωγών, απλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης, με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

α.

Μήκος κύματος το πολύ 1 510 nm και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 1,5 W, ή

| β. | Μήκος κύματος άνω των 1 510 nm και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 500 mW. |
| --- | --- |

β.

Μήκος κύματος άνω των 1 510 nm και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 500 mW.

| 2. | Μεμονωμένα "λέιζερ" ημιαγωγών, πολλαπλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης, με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  α. | Μήκος κύματος κάτω των 1 400 nm ή και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 10 W, |
| --- | --- | --- |

2.

Μεμονωμένα "λέιζερ" ημιαγωγών, πολλαπλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης, με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

α.

Μήκος κύματος κάτω των 1 400 nm ή και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 10 W,

| β. | Μήκος κύματος από 1 400 nm έως 1 900 nm και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 2,5 W, |
| --- | --- |

β.

Μήκος κύματος από 1 400 nm έως 1 900 nm και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 2,5 W,

| γ. | Μήκος κύματος από 1900 nm και άνω και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 1 W, |
| --- | --- |

γ.

Μήκος κύματος από 1900 nm και άνω και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 1 W,

| 3. | Μεμονωμένες συστοιχίες "λέιζερ" ημιαγωγών με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:






  α. | Μήκος κύματος κάτω των 1 400 nm ή και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 80 W, |
| --- | --- | --- |

3.

Μεμονωμένες συστοιχίες "λέιζερ" ημιαγωγών με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

α.

Μήκος κύματος κάτω των 1 400 nm ή και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 80 W,

| β. | Μήκος κύματος από 1 400 nm έως 1 900 nm και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 25 W, |
| --- | --- |

β.

Μήκος κύματος από 1 400 nm έως 1 900 nm και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 25 W,

| γ. | Μήκος κύματος από 1 900 nm και άνω και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 10 W, |
| --- | --- |

γ.

Μήκος κύματος από 1 900 nm και άνω και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 10 W,

| 4. | Σειρές συστοιχιών "λέιζερ" ημιαγωγών με τουλάχιστον μια συστοιχία ελεγχόμενη σύμφωνα με το σημείο 6Α005.β.3. |
| --- | --- |

4.

Σειρές συστοιχιών "λέιζερ" ημιαγωγών με τουλάχιστον μια συστοιχία ελεγχόμενη σύμφωνα με το σημείο 6Α005.β.3.

Τεχνική σημείωση:

| 1. | Τα "λέιζερ" ημιαγωγών συνήθως αποκαλούνται δίοδοι "λέιζερ". |
| --- | --- |

1.

Τα "λέιζερ" ημιαγωγών συνήθως αποκαλούνται δίοδοι "λέιζερ".

| 2. | Οι "συστοιχίες" αποτελούνται από πολλαπλούς ημιαγωγικούς εκπομπούς "λέιζερ" κατασκευασμένους ως ενιαίο πλακίδιο, ούτως ώστε τα κέντρα των εκπεμπομένων δεσμών φωτός να βρίσκονται σε παράλληλες τροχιές. |
| --- | --- |

2.

Οι "συστοιχίες" αποτελούνται από πολλαπλούς ημιαγωγικούς εκπομπούς "λέιζερ" κατασκευασμένους ως ενιαίο πλακίδιο, ούτως ώστε τα κέντρα των εκπεμπομένων δεσμών φωτός να βρίσκονται σε παράλληλες τροχιές.

| 3. | Οι "συστοιχίες συστοιχιών" κατασκευάζονται με τη στοιβασία ή άλλου είδους συναρμολόγηση "συστοιχιών" κατά τρόπον ώστε τα κέντρα των εκπεμπομένων δεσμών φωτός να βρίσκονται σε παράλληλες τροχιές. |
| --- | --- |

3.

Οι "συστοιχίες συστοιχιών" κατασκευάζονται με τη στοιβασία ή άλλου είδους συναρμολόγηση "συστοιχιών" κατά τρόπον ώστε τα κέντρα των εκπεμπομένων δεσμών φωτός να βρίσκονται σε παράλληλες τροχιές.

Σημείωση 1: Στο σημείο 6Α005.β. περιλαμβάνονται τα "λέιζερ" ημιαγωγών που έχουν οπτικές συνδέσεις εξόδου (π.χ. βόστρυχοι οπτικών ινών).

Σημείωση 2: Η διαβάθμιση ελέγχου των "λέιζερ" ημιαγωγών που έχουν ειδικώς σχεδιαστεί για άλλο εξοπλισμό υπαγορεύονται από τη διαβάθμιση ελέγχου του άλλου εξοπλισμού.

| γ. | "Λέιζερ" στερεάς κατάστασης, ως εξής:






  1. | "Συντονίσιμα""λέιζερ" που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:


  Σημείωση: Το σημείο 6Α005.γ.1. περιλαμβάνει "λέιζερ" τιτανίου-σαπφείρου (Ti: Αl2 Ο3), Θουλίου-YAG (Tm:YAG), Θουλίου-YSGG (Tm:YSGG), αλεξανδρίτη (Cr:BeAl2 Ο4) και έγχρωμου κέντρου.







  α. | Μήκος κύματος εξόδου μικρότερο από 600 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Ενέργεια εξόδου άνω των 50 mJ ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω του 1 W, ή |
| --- | --- | --- | --- | --- |

γ.

"Λέιζερ" στερεάς κατάστασης, ως εξής:

1.

"Συντονίσιμα""λέιζερ" που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

Σημείωση: Το σημείο 6Α005.γ.1. περιλαμβάνει "λέιζερ" τιτανίου-σαπφείρου (Ti: Αl2 Ο3), Θουλίου-YAG (Tm:YAG), Θουλίου-YSGG (Tm:YSGG), αλεξανδρίτη (Cr:BeAl2 Ο4) και έγχρωμου κέντρου.

α.

Μήκος κύματος εξόδου μικρότερο από 600 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Ενέργεια εξόδου άνω των 50 mJ ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω του 1 W, ή

| 2. | Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 1 W. |
| --- | --- |

2.

Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 1 W.

| β. | Μήκος κύματος εξόδου τουλάχιστον 600 nm και μέχρι 1 400 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Ενέργεια εξόδου άνω του 1 J ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω των 20 W, ή |
| --- | --- | --- |

β.

Μήκος κύματος εξόδου τουλάχιστον 600 nm και μέχρι 1 400 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Ενέργεια εξόδου άνω του 1 J ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω των 20 W, ή

| 2. | Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 20 W, ή |
| --- | --- |

2.

Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 20 W, ή

| γ. | Μήκος κύματος εξόδου άνω των 1 400 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Ενέργεια εξόδου άνω των 50 mJ ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω του 1 W, ή |
| --- | --- | --- |

γ.

Μήκος κύματος εξόδου άνω των 1 400 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Ενέργεια εξόδου άνω των 50 mJ ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω του 1 W, ή

| 2. | Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 1 W. |
| --- | --- |

2.

Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 1 W.

| 2. | Μη "συντονίσιμα""λέιζερ", ως εξής:


  Σημείωση: Το σημείο 6Α005.γ.2. περιλαμβάνει "λέιζερ" στέρεας κατάστασης, ατομικής μετάβασης.







  α. | "Λέιζερ" υάλου νεοδυμίου, ως εξής:






  1. | "Λέιζερ με μεταγωγή Q" που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Ενέργεια εξόδου άνω των 20 J και μέχρι 50 J ανά παλμό και μέση ισχύ εξόδου άνω των 10 W, ή |
| --- | --- | --- | --- | --- |

2.

Μη "συντονίσιμα""λέιζερ", ως εξής:

Σημείωση: Το σημείο 6Α005.γ.2. περιλαμβάνει "λέιζερ" στέρεας κατάστασης, ατομικής μετάβασης.

α.

"Λέιζερ" υάλου νεοδυμίου, ως εξής:

1.

"Λέιζερ με μεταγωγή Q" που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Ενέργεια εξόδου άνω των 20 J και μέχρι 50 J ανά παλμό και μέση ισχύ εξόδου άνω των 10 W, ή

| β. | Ενέργεια εξόδου άνω των 50 J ανά παλμό. |
| --- | --- |

β.

Ενέργεια εξόδου άνω των 50 J ανά παλμό.

| 2. | "Λέιζερ" χωρίς "μεταγωγή Q" που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Ενέργεια εξόδου άνω των 50 J και μέχρι 100 J ανά παλμό και μέση ισχύ εξόδου άνω των 20 W, ή |
| --- | --- | --- |

2.

"Λέιζερ" χωρίς "μεταγωγή Q" που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Ενέργεια εξόδου άνω των 50 J και μέχρι 100 J ανά παλμό και μέση ισχύ εξόδου άνω των 20 W, ή

| β. | Ενέργεια εξόδου άνω των 100 J ανά παλμό. |
| --- | --- |

β.

Ενέργεια εξόδου άνω των 100 J ανά παλμό.

| β. | "Λέιζερ" με προσμείξεις νεοδυμίου (διαφορετικά από υάλου), που έχουν μήκος κύματος εξόδου άνω των 1 000 nm και μέχρι 1 100 nm, ως εξής:


  ΣΗΜΕΙΩΣΗ: Για τα "λέιζερ" με προσμείξεις νεοδυμίου (διαφορετικά από υάλου) και με μήκος κύματος εξόδου το πολύ 1 000 nm ή άνω των 1 100 nm, βλέπε σημείο 6Α005.γ.2.γ.







  1. | Διεγειρόμενα με παλμούς "λέιζερ με μεταγωγή Q", μανδαλούμενου τρόπου λειτουργίας, με "διάρκεια παλμού" μικρότερη από 1 ns και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | "Ισχύ αιχμής" άνω των 5 GW, |
| --- | --- | --- | --- |

β.

"Λέιζερ" με προσμείξεις νεοδυμίου (διαφορετικά από υάλου), που έχουν μήκος κύματος εξόδου άνω των 1 000 nm και μέχρι 1 100 nm, ως εξής:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: Για τα "λέιζερ" με προσμείξεις νεοδυμίου (διαφορετικά από υάλου) και με μήκος κύματος εξόδου το πολύ 1 000 nm ή άνω των 1 100 nm, βλέπε σημείο 6Α005.γ.2.γ.

1.

Διεγειρόμενα με παλμούς "λέιζερ με μεταγωγή Q", μανδαλούμενου τρόπου λειτουργίας, με "διάρκεια παλμού" μικρότερη από 1 ns και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

"Ισχύ αιχμής" άνω των 5 GW,

| β. | Μέση ισχύ εξόδου άνω των 10 W, ή |
| --- | --- |

β.

Μέση ισχύ εξόδου άνω των 10 W, ή

| γ. | Παλμική ενέργεια άνω του 0,1 J. |
| --- | --- |

γ.

Παλμική ενέργεια άνω του 0,1 J.

| 2. | Διεγειρόμενα με παλμούς "λέιζερ με μεταγωγή Q", με "διάρκεια παλμού" τουλάχιστον ίση προς 1 ns και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Έξοδο σε μονο-εγκάρσιο τρόπο λειτουργίας που έχει:






  1. | "Ισχύ αιχμής" άνω των 100 MW, |
| --- | --- | --- | --- |

2.

Διεγειρόμενα με παλμούς "λέιζερ με μεταγωγή Q", με "διάρκεια παλμού" τουλάχιστον ίση προς 1 ns και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Έξοδο σε μονο-εγκάρσιο τρόπο λειτουργίας που έχει:

1.

"Ισχύ αιχμής" άνω των 100 MW,

| 2. | Μέση ισχύ εξόδου άνω των 20 W, ή |
| --- | --- |

2.

Μέση ισχύ εξόδου άνω των 20 W, ή

| 3. | Παλμική ενέργεια άνω των 2 J, ή |
| --- | --- |

3.

Παλμική ενέργεια άνω των 2 J, ή

| β. | Έξοδο πολλαπλού-εγκάρσιου τρόπου λειτουργίας που έχει:






  1. | "Ισχύ αιχμής" άνω των 400 MW, |
| --- | --- | --- |

β.

Έξοδο πολλαπλού-εγκάρσιου τρόπου λειτουργίας που έχει:

1.

"Ισχύ αιχμής" άνω των 400 MW,

| 2. | Μέση ισχύ εξόδου άνω των 2 kw, ή |
| --- | --- |

2.

Μέση ισχύ εξόδου άνω των 2 kw, ή

| 3. | Παλμική ενέργεια άνω των 2 J. |
| --- | --- |

3.

Παλμική ενέργεια άνω των 2 J.

| 3. | Διεγειρόμενα με παλμούς "λέιζερ" χωρίς "μεταγωγή Q", που έχουν:






  α. | Έξοδο σε μονο-εγκάρσιο τρόπο λειτουργίας που έχει:






  1. | "Ισχύ αιχμής" άνω των 500 kw, ή |
| --- | --- | --- | --- |

3.

Διεγειρόμενα με παλμούς "λέιζερ" χωρίς "μεταγωγή Q", που έχουν:

α.

Έξοδο σε μονο-εγκάρσιο τρόπο λειτουργίας που έχει:

1.

"Ισχύ αιχμής" άνω των 500 kw, ή

| 2. | Μέση ισχύ εξόδου άνω των 150 W, ή |
| --- | --- |

2.

Μέση ισχύ εξόδου άνω των 150 W, ή

| β. | Έξοδο πολλαπλού-εγκάρσιου τρόπου λειτουργίας που έχει:






  1. | "Ισχύ αιχμής" άνω του 1 MW, ή |
| --- | --- | --- |

β.

Έξοδο πολλαπλού-εγκάρσιου τρόπου λειτουργίας που έχει:

1.

"Ισχύ αιχμής" άνω του 1 MW, ή

| 2. | Μέση ισχύ άνω των 2 kw. |
| --- | --- |

2.

Μέση ισχύ άνω των 2 kw.

| 4. | Συνεχώς διεγειρόμενα "λέιζερ" που έχουν:






  α. | Έξοδο σε μονό-εγκάρσιο τρόπο λειτουργίας που έχει:






  1. | "Ισχύ αιχμής" άνω των 500 kw, ή |
| --- | --- | --- | --- |

4.

Συνεχώς διεγειρόμενα "λέιζερ" που έχουν:

α.

Έξοδο σε μονό-εγκάρσιο τρόπο λειτουργίας που έχει:

1.

"Ισχύ αιχμής" άνω των 500 kw, ή

| 2. | Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 150 W, ή |
| --- | --- |

2.

Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 150 W, ή

| β. | Έξοδο σε πολλαπλό-εγκάρσιο τρόπο λειτουργίας που έχει:






  1. | "Ισχύ αιχμής" άνω του 1 MW, ή |
| --- | --- | --- |

β.

Έξοδο σε πολλαπλό-εγκάρσιο τρόπο λειτουργίας που έχει:

1.

"Ισχύ αιχμής" άνω του 1 MW, ή

| 2. | Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 2 kw. |
| --- | --- |

2.

Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 2 kw.

| γ. | Διαφορετικά από "μη συντονίσιμα""λέιζερ", που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Μήκος κύματος μικρότερο από 150 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Ενέργεια εξόδου άνω των 50 mJ ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω του 1 W, ή |
| --- | --- | --- | --- |

γ.

Διαφορετικά από "μη συντονίσιμα""λέιζερ", που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Μήκος κύματος μικρότερο από 150 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Ενέργεια εξόδου άνω των 50 mJ ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω του 1 W, ή

| β. | Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 1 W. |
| --- | --- |

β.

Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 1 W.

| 2. | Μήκος κύματος τουλάχιστον 150 nm και μέχρι 800 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Ενέργεια εξόδου άνω του 1,5 J ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω των 30 W, ή |
| --- | --- | --- |

2.

Μήκος κύματος τουλάχιστον 150 nm και μέχρι 800 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Ενέργεια εξόδου άνω του 1,5 J ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω των 30 W, ή

| β. | Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 30 W. |
| --- | --- |

β.

Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 30 W.

| 3. | Μήκος κύματος άνω των 800 nm και μέχρι 1 400 nm, ως εξής:






  α. | "Λέιζερ με μεταγωγή Q" που έχουν:






  1. | Ενέργεια εξόδου άνω του 0,5 J ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω των 50 W, ή |
| --- | --- | --- | --- |

3.

Μήκος κύματος άνω των 800 nm και μέχρι 1 400 nm, ως εξής:

α.

"Λέιζερ με μεταγωγή Q" που έχουν:

1.

Ενέργεια εξόδου άνω του 0,5 J ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω των 50 W, ή

| 2. | Μέση ισχύ εξόδου άνω των:






  α. | 10 W για "λέιζερ" μονού-εγκάρσιου τρόπου λειτουργίας, |
| --- | --- | --- |

2.

Μέση ισχύ εξόδου άνω των:

α.

10 W για "λέιζερ" μονού-εγκάρσιου τρόπου λειτουργίας,

| β. | 30 W για "λέιζερ" πολλαπλού-εγκάρσιου τρόπου λειτουργίας. |
| --- | --- |

β.

30 W για "λέιζερ" πολλαπλού-εγκάρσιου τρόπου λειτουργίας.

| β. | "Λέιζερ" χωρίς "μεταγωγή Q" που έχουν:






  1. | Ενέργεια εξόδου άνω των 2 J ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω των 50 W, ή |
| --- | --- | --- |

β.

"Λέιζερ" χωρίς "μεταγωγή Q" που έχουν:

1.

Ενέργεια εξόδου άνω των 2 J ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω των 50 W, ή

| 2. | Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 50 W, ή |
| --- | --- |

2.

Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 50 W, ή

| 4. | Μήκος κύματος άνω των 1 400 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Ενέργεια εξόδου άνω των 100 mJ ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω του 1 W, ή |
| --- | --- | --- |

4.

Μήκος κύματος άνω των 1 400 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Ενέργεια εξόδου άνω των 100 mJ ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω του 1 W, ή

| β. | Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 1 W. |
| --- | --- |

β.

Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 1 W.

| δ. | "Λέιζερ" χρωστικής ουσίας και λοιπά "λέιζερ" υγρού, με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Μήκος κύματος μικρότερο από 150 nm και:






  α. | Ενέργεια εξόδου άνω των 50 mJ ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω του 1 W, ή |
| --- | --- | --- | --- |

δ.

"Λέιζερ" χρωστικής ουσίας και λοιπά "λέιζερ" υγρού, με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Μήκος κύματος μικρότερο από 150 nm και:

α.

Ενέργεια εξόδου άνω των 50 mJ ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω του 1 W, ή

| β. | Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 1 W. |
| --- | --- |

β.

Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 1 W.

| 2. | Μήκος κύματος τουλάχιστον 150 nm και μέχρι 800 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Ενέργεια εξόδου άνω του 1,5 J ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω των 20 W. |
| --- | --- | --- |

2.

Μήκος κύματος τουλάχιστον 150 nm και μέχρι 800 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Ενέργεια εξόδου άνω του 1,5 J ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω των 20 W.

| β. | Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 20 W, ή |
| --- | --- |

β.

Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 20 W, ή

| γ. | Ταλαντωτή παλμικού μονού διαμήκους τρόπου λειτουργίας που έχει μέση ισχύ εξόδου άνω του 1 W και ταχύτητα επανάληψης άνω του 1 kHz εφόσον η "διάρκεια παλμού" είναι μικρότερη από 100 ns. |
| --- | --- |

γ.

Ταλαντωτή παλμικού μονού διαμήκους τρόπου λειτουργίας που έχει μέση ισχύ εξόδου άνω του 1 W και ταχύτητα επανάληψης άνω του 1 kHz εφόσον η "διάρκεια παλμού" είναι μικρότερη από 100 ns.

| 3. | Μήκος κύματος άνω των 800 nm και μέχρι 1 400 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Ενέργεια εξόδου άνω του 0,5 J ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω των 10 W, ή |
| --- | --- | --- |

3.

Μήκος κύματος άνω των 800 nm και μέχρι 1 400 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Ενέργεια εξόδου άνω του 0,5 J ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω των 10 W, ή

| β. | Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 10 W, ή |
| --- | --- |

β.

Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 10 W, ή

| 4. | Μήκος κύματος άνω των 1 400 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Ενέργεια εξόδου άνω των 100 mJ ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω του 1 W, ή |
| --- | --- | --- |

4.

Μήκος κύματος άνω των 1 400 nm και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Ενέργεια εξόδου άνω των 100 mJ ανά παλμό και παλμική "ισχύ αιχμής" άνω του 1 W, ή

| β. | Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 1 W. |
| --- | --- |

β.

Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 1 W.

| ε. | Δομικά μέρη, ως εξής:






  1. | Κάτοπτρα ψυχωμένα είτε με "ενεργητικό σύστημα ψύξης" είτε με σωλήνες απαγωγής θερμότητας.
  Τεχνικές παρατηρήσεις:

  Το "ενεργητικό σύστημα ψύξης" αποτελεί τεχνική ψύξης οπτικών κατασκευαστικών στοιχείων με τη χρήση ρεόντων ρευστών στο υπόστρωμα της επιφάνειας (ονομαστικώς σε απόσταση μικρότερη από 1 mm κάτω από την οπτική επιφάνεια) του οπτικού κατασκευαστικού στοιχείου για την απαγωγή της θερμότητας από το οπτικό σύστημα. |
| --- | --- | --- |

ε.

Δομικά μέρη, ως εξής:

1.

Κάτοπτρα ψυχωμένα είτε με "ενεργητικό σύστημα ψύξης" είτε με σωλήνες απαγωγής θερμότητας.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

Το "ενεργητικό σύστημα ψύξης" αποτελεί τεχνική ψύξης οπτικών κατασκευαστικών στοιχείων με τη χρήση ρεόντων ρευστών στο υπόστρωμα της επιφάνειας (ονομαστικώς σε απόσταση μικρότερη από 1 mm κάτω από την οπτική επιφάνεια) του οπτικού κατασκευαστικού στοιχείου για την απαγωγή της θερμότητας από το οπτικό σύστημα.

| 2. | Οπτικά κάτοπτρα ή μεταδόσιμα ή εν μέρει μεταδόσιμα οπτικά ή ηλεκτροπτικά δομικά μέρη ειδικώς σχεδιασμένα για να χρησιμοποιούνται με ελεγχόμενα "λέιζερ". |
| --- | --- |

2.

Οπτικά κάτοπτρα ή μεταδόσιμα ή εν μέρει μεταδόσιμα οπτικά ή ηλεκτροπτικά δομικά μέρη ειδικώς σχεδιασμένα για να χρησιμοποιούνται με ελεγχόμενα "λέιζερ".

| στ. | Οπτικός εξοπλισμός, ως εξής:


  Σημ.: Για οπτικά στοιχεία επιμεριζόμενου ανοίγματος, ικανά να λειτουργούν σε εφαρμογές "Λέιζερ υπερυψηλής ισχύος" ("SHPL"), βλέπε τους καταλόγους στρατιωτικών προϊόντων.







  1. | Δυναμικός μετρητικός εξοπλισμός μετώπου κύματος (φάσης), ικανός να αποτυπώνει τουλάχιστον 50 θέσεις στο μέτωπο κύματος δέσμης, που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Ρυθμούς μετάδοσης εικόνων τουλάχιστον ίσους προς 100 Hz και διάκριση φάσης τουλάχιστον 5 % του μήκους κύματος της δέσμης, ή |
| --- | --- | --- | --- |

στ.

Οπτικός εξοπλισμός, ως εξής:

Σημ.: Για οπτικά στοιχεία επιμεριζόμενου ανοίγματος, ικανά να λειτουργούν σε εφαρμογές "Λέιζερ υπερυψηλής ισχύος" ("SHPL"), βλέπε τους καταλόγους στρατιωτικών προϊόντων.

1.

Δυναμικός μετρητικός εξοπλισμός μετώπου κύματος (φάσης), ικανός να αποτυπώνει τουλάχιστον 50 θέσεις στο μέτωπο κύματος δέσμης, που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Ρυθμούς μετάδοσης εικόνων τουλάχιστον ίσους προς 100 Hz και διάκριση φάσης τουλάχιστον 5 % του μήκους κύματος της δέσμης, ή

| β. | Ρυθμούς μετάδοσης εικόνων τουλάχιστον ίσους προς 1 000 Hz και διάκριση φάσης τουλάχιστον 20 % του μήκους κύματος της δέσμης. |
| --- | --- |

β.

Ρυθμούς μετάδοσης εικόνων τουλάχιστον ίσους προς 1 000 Hz και διάκριση φάσης τουλάχιστον 20 % του μήκους κύματος της δέσμης.

| 2. | Εξοπλισμός διάγνωσης με "λέιζερ", ικανός να μετρά σφάλματα γωνιακής καθοδήγησης δεσμών από "λέιζερ υπερυψηλής ισχύος" ("SHPL") το πολύ ίσα προς 10 μrad. |
| --- | --- |

2.

Εξοπλισμός διάγνωσης με "λέιζερ", ικανός να μετρά σφάλματα γωνιακής καθοδήγησης δεσμών από "λέιζερ υπερυψηλής ισχύος" ("SHPL") το πολύ ίσα προς 10 μrad.

| 3. | Οπτικός εξοπλισμός, συγκροτήματα ή δομικά μέρη ειδικώς σχεδιασμένα για συστήματα "SHPL" συγχρονισμένης συστοιχίας για σύγχρονο συνδυασμό δεσμών με ακρίβεια 1/10 του λ στο μήκος κύματος κατά τη μελέτη ή 0,1 μm, όποιο είναι μικρότερο. |
| --- | --- |

3.

Οπτικός εξοπλισμός, συγκροτήματα ή δομικά μέρη ειδικώς σχεδιασμένα για συστήματα "SHPL" συγχρονισμένης συστοιχίας για σύγχρονο συνδυασμό δεσμών με ακρίβεια 1/10 του λ στο μήκος κύματος κατά τη μελέτη ή 0,1 μm, όποιο είναι μικρότερο.

| 4. | Τηλεσκόπια προβολής, ειδικώς σχεδιασμένα για να χρησιμοποιούνται με συστήματα "SHPL". |
| --- | --- |

4.

Τηλεσκόπια προβολής, ειδικώς σχεδιασμένα για να χρησιμοποιούνται με συστήματα "SHPL".

6A006"Μαγνητόμετρα", "μαγνητικά κλισίμετρα", "ενδογενή μαγνητικά βαθμιδόμετρα" και συστήματα αντιστάθμισης, και ειδικώς σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:

Σημείωση: Στο σημείο 6Α006 δεν ελέγχονται όργανα ειδικώς σχεδιασμένα για βιομαγνητικές μετρήσεις στο πλαίσιο ιατρικών διαγνώσεων.

| α. | "Μαγνητόμετρα" που χρησιμοποιούν τεχνολογία "υπεραγωγιμότητας", οπτικής επαναληπτικής ενίσχυσης, πυρηνικής εκτροπής (πρωτονίων/Ονerhauser), ή τριαξονικής πύλης ροής με "στάθμη θορύβου" (ευαισθησία) μικρότερη (καλύτερη) από 0,05 nT rms ανά τετραγωνική ρίζα Hz, |
| --- | --- |

α.

"Μαγνητόμετρα" που χρησιμοποιούν τεχνολογία "υπεραγωγιμότητας", οπτικής επαναληπτικής ενίσχυσης, πυρηνικής εκτροπής (πρωτονίων/Ονerhauser), ή τριαξονικής πύλης ροής με "στάθμη θορύβου" (ευαισθησία) μικρότερη (καλύτερη) από 0,05 nT rms ανά τετραγωνική ρίζα Hz,

| β. | "Μαγνητόμετρα" επαγωγικής σπείρας, με "στάθμη θορύβου" (ευαισθησία) μικρότερη (καλύτερη) από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | 0,05 nT rms ανά τετραγωνική ρίζα Hz σε συχνότητες μικρότερες από 1 Hz, |
| --- | --- | --- |

β.

"Μαγνητόμετρα" επαγωγικής σπείρας, με "στάθμη θορύβου" (ευαισθησία) μικρότερη (καλύτερη) από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

0,05 nT rms ανά τετραγωνική ρίζα Hz σε συχνότητες μικρότερες από 1 Hz,

| 2. | 1 × 10–3 nT rms ανά τετραγωνική ρίζα Hz σε συχνότητες τουλάχιστον 1 Hz και μέχρι 10 Hz, ή |
| --- | --- |

2.

1 × 10–3 nT rms ανά τετραγωνική ρίζα Hz σε συχνότητες τουλάχιστον 1 Hz και μέχρι 10 Hz, ή

| 3. | 1 × 10–4 nT rms ανά τετραγωνική ρίζα Hz σε συχνότητες άνω των 10 Hz. |
| --- | --- |

3.

1 × 10–4 nT rms ανά τετραγωνική ρίζα Hz σε συχνότητες άνω των 10 Hz.

| γ. | "Μαγνητόμετρα" οπτικών ινών, με "στάθμη θορύβου" (ευαισθησία) μικρότερη (καλύτερη) από 1 nT rms ανά τετραγωνική ρίζα Hz, |
| --- | --- |

γ.

"Μαγνητόμετρα" οπτικών ινών, με "στάθμη θορύβου" (ευαισθησία) μικρότερη (καλύτερη) από 1 nT rms ανά τετραγωνική ρίζα Hz,

| δ. | "Μαγνητικά κλισίμετρα" με τη χρήση πολλαπλών "μαγνητομέτρων" που καθορίζονται στα σημεία 6Α006.α., 6Α006.β. ή 6Α006.γ, |
| --- | --- |

δ.

"Μαγνητικά κλισίμετρα" με τη χρήση πολλαπλών "μαγνητομέτρων" που καθορίζονται στα σημεία 6Α006.α., 6Α006.β. ή 6Α006.γ,

| ε. | "Ενδογενή μαγνητικά κλισίμετρα" οπτικών ινών, με "στάθμη θορύβου" (ευαισθησία) πεδίου μαγνητικής βαθμίδας μικρότερη (καλύτερη) από 0,3 nT/m rms ανά τετραγωνική ρίζα Hz, |
| --- | --- |

ε.

"Ενδογενή μαγνητικά κλισίμετρα" οπτικών ινών, με "στάθμη θορύβου" (ευαισθησία) πεδίου μαγνητικής βαθμίδας μικρότερη (καλύτερη) από 0,3 nT/m rms ανά τετραγωνική ρίζα Hz,

| στ. | "Ενδογενή μαγνητικά βαθμιδόμετρα" που χρησιμοποιούν τεχνολογία διαφορετική από τις οπτικές ίνες, με "στάθμη θορύβου" (ευαισθησία) πεδίου μαγνητικής βαθμίδας μικρότερη (καλύτερη) από 0,015 nT/m rms ανά τετραγωνική ρίζα Hz, |
| --- | --- |

στ.

"Ενδογενή μαγνητικά βαθμιδόμετρα" που χρησιμοποιούν τεχνολογία διαφορετική από τις οπτικές ίνες, με "στάθμη θορύβου" (ευαισθησία) πεδίου μαγνητικής βαθμίδας μικρότερη (καλύτερη) από 0,015 nT/m rms ανά τετραγωνική ρίζα Hz,

| ζ. | Συστήματα μαγνητικής αντιστάθμισης για μαγνητικούς αισθητήρες σχεδιασμένα να λειτουργούν σε κινητές εξέδρες, |
| --- | --- |

ζ.

Συστήματα μαγνητικής αντιστάθμισης για μαγνητικούς αισθητήρες σχεδιασμένα να λειτουργούν σε κινητές εξέδρες,

| η. | "Υπεραγώγιμοι" ηλεκτρομαγνητικοί αισθητήρες που περιέχουν δομικά μέρη κατασκευασμένα από "υπεραγώγιμα" υλικά και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Είναι σχεδιασμένοι να λειτουργούν σε θερμοκρασίες κάτω από την "κρίσιμη θερμοκρασία" ενός τουλάχιστον από τα "υπεραγώγιμα" συστατικά τους μέρη (συμπεριλαμβανομένων συσκευών φαινομένου Josephson ή συσκευών παρεμβολής "υπεραγώγιμων" quanta (SQUIDS)), |
| --- | --- | --- |

η.

"Υπεραγώγιμοι" ηλεκτρομαγνητικοί αισθητήρες που περιέχουν δομικά μέρη κατασκευασμένα από "υπεραγώγιμα" υλικά και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Είναι σχεδιασμένοι να λειτουργούν σε θερμοκρασίες κάτω από την "κρίσιμη θερμοκρασία" ενός τουλάχιστον από τα "υπεραγώγιμα" συστατικά τους μέρη (συμπεριλαμβανομένων συσκευών φαινομένου Josephson ή συσκευών παρεμβολής "υπεραγώγιμων" quanta (SQUIDS)),

| 2. | Είναι σχεδιασμένοι για να ανιχνεύουν μεταβολές ηλεκτρομαγνητικού πεδίου σε συχνότητες το πολύ 1 kHz, και |
| --- | --- |

2.

Είναι σχεδιασμένοι για να ανιχνεύουν μεταβολές ηλεκτρομαγνητικού πεδίου σε συχνότητες το πολύ 1 kHz, και

| 3. | Που παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Έχουν ενσωματωμένα SQUIDS λεπτού υμενίου ελάχιστου μεγέθους κάτω από 2 μm και με συναφή κυκλώματα ζεύξης εισόδου και εξόδου, |
| --- | --- | --- |

3.

Που παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Έχουν ενσωματωμένα SQUIDS λεπτού υμενίου ελάχιστου μεγέθους κάτω από 2 μm και με συναφή κυκλώματα ζεύξης εισόδου και εξόδου,

| β. | Είναι σχεδιασμένοι να λειτουργούν σε ρυθμούς απόκλισης μαγνητικού πεδίου άνω του 1 × 106 quanta μαγνητικής ροής ανά δευτερόλεπτο, |
| --- | --- |

β.

Είναι σχεδιασμένοι να λειτουργούν σε ρυθμούς απόκλισης μαγνητικού πεδίου άνω του 1 × 106 quanta μαγνητικής ροής ανά δευτερόλεπτο,

| γ. | Είναι σχεδιασμένοι να λειτουργούν χωρίς μαγνητική θωράκιση στο περιβάλλον γήινο μαγνητικό πεδίο, ή |
| --- | --- |

γ.

Είναι σχεδιασμένοι να λειτουργούν χωρίς μαγνητική θωράκιση στο περιβάλλον γήινο μαγνητικό πεδίο, ή

| δ. | Έχουν συντελεστή θερμοκρασίας κατώτερο (μικρότερο) από 0,1 quanta μαγνητικής ροής/Κ. |
| --- | --- |

δ.

Έχουν συντελεστή θερμοκρασίας κατώτερο (μικρότερο) από 0,1 quanta μαγνητικής ροής/Κ.

6A007Μετρητές βαρύτητας (βαρυτόμετρα) και βαρυτικά κλισιόμετρα, ως εξής:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 6Α107.

| α. | Βαρυτόμετρα σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για χρήση στο έδαφος, με στατική ακρίβεια κάτω (καλύτερη) από 10 μgal,


  Σημείωση: Στο σημείο 6Α007.α. δεν ελέγχονται βαρυτόμετρα εδάφους του τύπου στοιχείου χαλαζία (Worden). |
| --- | --- |

α.

Βαρυτόμετρα σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για χρήση στο έδαφος, με στατική ακρίβεια κάτω (καλύτερη) από 10 μgal,

Σημείωση: Στο σημείο 6Α007.α. δεν ελέγχονται βαρυτόμετρα εδάφους του τύπου στοιχείου χαλαζία (Worden).

| β. | Βαρυτόμετρα σχεδιασμένα για κινητές εξέδρες, με τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Στατική ακρίβεια κάτω (καλύτερη) από 0,7 mgal, και |
| --- | --- | --- |

β.

Βαρυτόμετρα σχεδιασμένα για κινητές εξέδρες, με τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Στατική ακρίβεια κάτω (καλύτερη) από 0,7 mgal, και

| 2. | Λειτουργική ακρίβεια κάτω (καλύτερη) από 0,7 mgal με καταγραφή χρόνου προς μόνιμη κατάσταση μικρότερη από 2 min. υπό οποιοδήποτε συνδυασμό συνοδευουσών διορθωτικών αντισταθμίσεων και κινησιακών επιδράσεων. |
| --- | --- |

2.

Λειτουργική ακρίβεια κάτω (καλύτερη) από 0,7 mgal με καταγραφή χρόνου προς μόνιμη κατάσταση μικρότερη από 2 min. υπό οποιοδήποτε συνδυασμό συνοδευουσών διορθωτικών αντισταθμίσεων και κινησιακών επιδράσεων.

| γ. | Βαρυτικά κλισίμετρα. |
| --- | --- |

γ.

Βαρυτικά κλισίμετρα.

6A008Συστήματα ραδιοεντοπισμού, εξοπλισμός και συγκροτήματα που παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, και ειδικώς σχεδιασμένα δομικά μέρη τους:

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 6Α108.

Σημείωση: Στο σημείο 6Α008 δεν ελέγχονται:

| α. | Ραδιοεντοπιστές δευτερεύουσας επιτήρησης (SSR), |
| --- | --- |

α.

Ραδιοεντοπιστές δευτερεύουσας επιτήρησης (SSR),

| β. | Ραδιοεντοπιστές αυτοκινήτων σχεδιασμένοι για την πρόληψη συγκρούσεων, |
| --- | --- |

β.

Ραδιοεντοπιστές αυτοκινήτων σχεδιασμένοι για την πρόληψη συγκρούσεων,

| γ. | Οθόνες απεικόνισης ή παρακολούθησης που χρησιμοποιούνται στον έλεγχο εναέριας κυκλοφορίας (ATC) που φθάνουν μέχρι 12 αναλύσιμα στοιχεία ανά mm, |
| --- | --- |

γ.

Οθόνες απεικόνισης ή παρακολούθησης που χρησιμοποιούνται στον έλεγχο εναέριας κυκλοφορίας (ATC) που φθάνουν μέχρι 12 αναλύσιμα στοιχεία ανά mm,

| δ. | Μετεωρολογικοί ραδιοεντοπιστές (καιρικών προγνώσεων). |
| --- | --- |

δ.

Μετεωρολογικοί ραδιοεντοπιστές (καιρικών προγνώσεων).

| α. | Λειτουργούν σε συχνότητες από 40 GHz έως 230 GHz και με μέση ισχύ εξόδου άνω των 100 mW, |
| --- | --- |

α.

Λειτουργούν σε συχνότητες από 40 GHz έως 230 GHz και με μέση ισχύ εξόδου άνω των 100 mW,

| β. | Έχουν συντονίσιμο εύρος ζώνης άνω του ± 6,25 % της λειτουργικής συχνότητας στο κέντρο,
  Τεχνική σημείωση:

  Η "λειτουργική συχνότητα κέντρου" είναι ίση προς το ήμισυ του αθροίσματος της μεγαλύτερης και μικρότερης προδιαγραφόμενης λειτουργικής συχνότητας. |
| --- | --- |

β.

Έχουν συντονίσιμο εύρος ζώνης άνω του ± 6,25 % της λειτουργικής συχνότητας στο κέντρο,

Τεχνική σημείωση:

Η "λειτουργική συχνότητα κέντρου" είναι ίση προς το ήμισυ του αθροίσματος της μεγαλύτερης και μικρότερης προδιαγραφόμενης λειτουργικής συχνότητας.

| γ. | Είναι ικανά να λειτουργούν ταυτοχρόνως επιπλέον των δύο φερουσών συχνοτήτων, |
| --- | --- |

γ.

Είναι ικανά να λειτουργούν ταυτοχρόνως επιπλέον των δύο φερουσών συχνοτήτων,

| δ. | Είναι ικανά να λειτουργούν υπό τύπο ραδιοεντοπιστή συνθετικού διαφράγματος (SAR), ραδιοεντοπιστή αναστρόφου συνθετικού διαφράγματος (ISAR) ή αεροφερόμενου ραδιοεντοπιστή πλευρικής σκόπευσης (SLAR), |
| --- | --- |

δ.

Είναι ικανά να λειτουργούν υπό τύπο ραδιοεντοπιστή συνθετικού διαφράγματος (SAR), ραδιοεντοπιστή αναστρόφου συνθετικού διαφράγματος (ISAR) ή αεροφερόμενου ραδιοεντοπιστή πλευρικής σκόπευσης (SLAR),

| ε. | Έχουν ενσωματωμένες "ηλεκτρονικώς καθοδηγούμενες φασικώς συγχρονισμένες συστοιχιοκεραίες", |
| --- | --- |

ε.

Έχουν ενσωματωμένες "ηλεκτρονικώς καθοδηγούμενες φασικώς συγχρονισμένες συστοιχιοκεραίες",

| στ. | Είναι ικανά να ευρίσκουν το ύψος μη συνεργάσιμων στόχων,


  Σημείωση: Στο σημείο 6Α008.στ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός ραδιοεντοπισμού ακρίβειας προσέγγισης (PAR) που συμμορφώνεται προς τα πρότυπα της πολιτικής αεροπορίας ICAO. |
| --- | --- |

στ.

Είναι ικανά να ευρίσκουν το ύψος μη συνεργάσιμων στόχων,

Σημείωση: Στο σημείο 6Α008.στ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός ραδιοεντοπισμού ακρίβειας προσέγγισης (PAR) που συμμορφώνεται προς τα πρότυπα της πολιτικής αεροπορίας ICAO.

| ζ. | Είναι σχεδιασμένα ειδικώς για αεροφερόμενη (τοποθετημένα σε αερόστατο ή αεροπλαίσιο) λειτουργία και με "επεξεργασία σήματος" Doppler για την ανίχνευση κινούμενων στόχων, |
| --- | --- |

ζ.

Είναι σχεδιασμένα ειδικώς για αεροφερόμενη (τοποθετημένα σε αερόστατο ή αεροπλαίσιο) λειτουργία και με "επεξεργασία σήματος" Doppler για την ανίχνευση κινούμενων στόχων,

| η. | Χρησιμοποιούν επεξεργασία σημάτων ραδιοεντοπισμού με τη χρήση οποιουδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Τεχνικών "ραδιοεντοπισμού εκτεταμένου φάσματος", ή |
| --- | --- | --- |

η.

Χρησιμοποιούν επεξεργασία σημάτων ραδιοεντοπισμού με τη χρήση οποιουδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Τεχνικών "ραδιοεντοπισμού εκτεταμένου φάσματος", ή

| 2. | Τεχνικών "ευκινησίας συχνοτήτων ραδιοεντοπισμού". |
| --- | --- |

2.

Τεχνικών "ευκινησίας συχνοτήτων ραδιοεντοπισμού".

| θ. | Εξασφαλίζουν επίγεια λειτουργία με μέγιστη "εμβέλεια οργάνου" άνω των 185 km,


  Σημείωση: Στο σημείο 6Α008.θ. δεν ελέγχονται:








  α. | Ραδιοεντοπιστές επιτήρησης αλιευτικών ζωνών, |
| --- | --- | --- |

θ.

Εξασφαλίζουν επίγεια λειτουργία με μέγιστη "εμβέλεια οργάνου" άνω των 185 km,

Σημείωση: Στο σημείο 6Α008.θ. δεν ελέγχονται:

α.

Ραδιοεντοπιστές επιτήρησης αλιευτικών ζωνών,

| β. | Επίγειος εξοπλισμός ραδιοεντοπισμού ειδικά μελετημένος για τον έλεγχο εναέριας κυκλοφορίας en route, εφόσον πληρούνται όλες οι ακόλουθες προϋποθέσεις:








  1. | Έχει μέγιστη "εμβέλεια οργάνου" 500 km ή μικρότερη, |
| --- | --- | --- |

β.

Επίγειος εξοπλισμός ραδιοεντοπισμού ειδικά μελετημένος για τον έλεγχο εναέριας κυκλοφορίας en route, εφόσον πληρούνται όλες οι ακόλουθες προϋποθέσεις:

1.

Έχει μέγιστη "εμβέλεια οργάνου" 500 km ή μικρότερη,

| 2. | Είναι διαρθρωμένος κατά τρόπον ώστε τα δεδομένα ραδιοεντοπισμού να μεταδίδονται μόνο από τη θέση του ραδιοεντοπιστή σε ένα ή περισσότερα μη στρατιωτικά κέντρα ATC, |
| --- | --- |

2.

Είναι διαρθρωμένος κατά τρόπον ώστε τα δεδομένα ραδιοεντοπισμού να μεταδίδονται μόνο από τη θέση του ραδιοεντοπιστή σε ένα ή περισσότερα μη στρατιωτικά κέντρα ATC,

| 3. | Δεν περιλαμβάνει προβλέψεις για έλεγχο εξ αποστάσεως του ρυθμού σάρωσης του ραδιοεντοπιστή από το κέντρο ATC en route, και |
| --- | --- |

3.

Δεν περιλαμβάνει προβλέψεις για έλεγχο εξ αποστάσεως του ρυθμού σάρωσης του ραδιοεντοπιστή από το κέντρο ATC en route, και

| 4. | Προορίζεται για μόνιμη εγκατάσταση. |
| --- | --- |

4.

Προορίζεται για μόνιμη εγκατάσταση.

| γ. | Ραδιοεντοπιστές μετεωρολογικών αεροστατών. |
| --- | --- |

γ.

Ραδιοεντοπιστές μετεωρολογικών αεροστατών.

| ι. | Είναι ραδιοεντοπιστές με "λέιζερ" ή ελαφρό εξοπλισμό ανίχνευσης και σκόπευσης (LIDAR), ο οποίος:






  1. | Είτε "είναι κατάλληλος για διαστημική χρήση", είτε |
| --- | --- | --- |

ι.

Είναι ραδιοεντοπιστές με "λέιζερ" ή ελαφρό εξοπλισμό ανίχνευσης και σκόπευσης (LIDAR), ο οποίος:

1.

Είτε "είναι κατάλληλος για διαστημική χρήση", είτε

| 2. | Χρησιμοποιεί σύμφωνες ετερόδυνες ή ομοιόδυνες τεχνικές φώρασης, με γωνιακή ανάλυση μικρότερη (καλύτερη) από 20 μrad (μικροακτίνια). |
| --- | --- |

2.

Χρησιμοποιεί σύμφωνες ετερόδυνες ή ομοιόδυνες τεχνικές φώρασης, με γωνιακή ανάλυση μικρότερη (καλύτερη) από 20 μrad (μικροακτίνια).

Σημείωση: Στο σημείο 6Α008.ι. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός LIDAR ο ειδικώς σχεδιασμένος για την επισκόπηση ή για μετεωρολογικές παρατηρήσεις.

| ια. | Διαθέτουν υποσυστήματα "επεξεργασίας σημάτων" με τη χρήση "συμπίεσης παλμού" με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Λόγο "συμπίεσης παλμού" άνω των 150, ή |
| --- | --- | --- |

ια.

Διαθέτουν υποσυστήματα "επεξεργασίας σημάτων" με τη χρήση "συμπίεσης παλμού" με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Λόγο "συμπίεσης παλμού" άνω των 150, ή

| 2. | Εύρος παλμού μικρότερο από 200 ns, ή |
| --- | --- |

2.

Εύρος παλμού μικρότερο από 200 ns, ή

| ιβ. | Διαθέτουν υποσυστήματα επεξεργασίας δεδομένων με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | "Αυτόματη παρακολούθηση στόχου" η οποία δίνει, σε οποιαδήποτε θέση στροφής της κεραίας, την προβλεπόμενη θέση του στόχου πέραν του χρόνου της επομένης διόδου της δέσμης της κεραίας,


  Σημείωση: Στο σημείο 6Α008.ιβ.1. δεν ελέγχεται η "ικανότητα συναγερμού σε περίπτωση διάστασης" σε συστήματα ATC ή ραδιοεντοπιστές θαλάσσης ή λιμένων. |
| --- | --- | --- |

ιβ.

Διαθέτουν υποσυστήματα επεξεργασίας δεδομένων με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

"Αυτόματη παρακολούθηση στόχου" η οποία δίνει, σε οποιαδήποτε θέση στροφής της κεραίας, την προβλεπόμενη θέση του στόχου πέραν του χρόνου της επομένης διόδου της δέσμης της κεραίας,

Σημείωση: Στο σημείο 6Α008.ιβ.1. δεν ελέγχεται η "ικανότητα συναγερμού σε περίπτωση διάστασης" σε συστήματα ATC ή ραδιοεντοπιστές θαλάσσης ή λιμένων.

| 2. | Υπολογισμό της ταχύτητας του στόχου από πρωτεύοντα ραδιοεντοπιστή με μη περιοδικούς (μεταβλητούς) ρυθμούς σάρωσης, |
| --- | --- |

2.

Υπολογισμό της ταχύτητας του στόχου από πρωτεύοντα ραδιοεντοπιστή με μη περιοδικούς (μεταβλητούς) ρυθμούς σάρωσης,

| 3. | Επεξεργασία για αυτόματη αναγνώριση σχημάτων (εξαγωγή χαρακτηριστικών) και σύγκριση με βάσεις δεδομένων που περιέχουν χαρακτηριστικά στόχων (κυματομορφές ή εικονογραφίσεις) για την εξακρίβωση ή ταξινόμηση στόχων, ή |
| --- | --- |

3.

Επεξεργασία για αυτόματη αναγνώριση σχημάτων (εξαγωγή χαρακτηριστικών) και σύγκριση με βάσεις δεδομένων που περιέχουν χαρακτηριστικά στόχων (κυματομορφές ή εικονογραφίσεις) για την εξακρίβωση ή ταξινόμηση στόχων, ή

| 4. | Υπέρθεση και συσχετισμό ή συγχώνευση δεδομένων στόχων από δύο ή περισσότερους "γεωγραφικώς διεσπαρμένους" και "διασυνδεδεμένους αισθητήρες ραδιοεντοπισμού" για την ενίσχυση και διάκριση στόχων.


  Σημείωση: Στο σημείο 6Α008.ιβ.4. δεν ελέγχονται τα συστήματα, ο εξοπλισμός και τα συγκροτήματα που χρησιμοποιούνται για θαλάσσιες πλοηγήσεις. |
| --- | --- |

4.

Υπέρθεση και συσχετισμό ή συγχώνευση δεδομένων στόχων από δύο ή περισσότερους "γεωγραφικώς διεσπαρμένους" και "διασυνδεδεμένους αισθητήρες ραδιοεντοπισμού" για την ενίσχυση και διάκριση στόχων.

Σημείωση: Στο σημείο 6Α008.ιβ.4. δεν ελέγχονται τα συστήματα, ο εξοπλισμός και τα συγκροτήματα που χρησιμοποιούνται για θαλάσσιες πλοηγήσεις.

6A102"Ανιχνευτές" προστατευμένοι έναντι ακτινοβολίας, διαφορετικοί από τους προδιαγραφόμενους στο σημείο 6Α002, ειδικώς σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι για χρήση προστασίας από πυρηνικές επενέργειες (π.χ. ηλεκτρομαγνητικούς παλμούς (ΕΜΡ), ακτίνες Χ, συνδυασμένη επενέργεια θερμικού και κρουστικού κύματος) και δυνάμενοι να χρησιμοποιηθούν για "βλήματα", μελετημένοι ή βαθμολογημένοι για να αντέχουν στάθμες ακτινοβολίας που ανταποκρίνονται ή και υπερβαίνουν συνολική δόση ακτινοβόλησης ύψους 5 × 105 rad (πυρίτιο).

Τεχνική σημείωση:

Στην κατηγορία αυτή ειδών, ως "ανιχνευτής" ορίζεται μια μηχανική, ηλεκτρική, οπτική ή χημική διάταξη που εξακριβώνει και καταγράφει αυτομάτως, ή καταχωρεί ένα ερέθισμα, όπως περιβαλλοντική μεταβολή πίεσης ή θερμοκρασίας, ένα ηλεκτρικό ή ηλεκτρομαγνητικό σήμα ή ακτινοβολία από ραδιενεργό υλικό. Περιλαμβάνονται επίσης οι διατάξεις μιας χρήσης.

6A107Μετρητές βαρύτητας (βαρυτόμετρα) και δομικά μέρη για μετρητές βαρύτητας και βαρυτικά κλισιόμετρα, ως εξής:

| α. | Μετρητές βαρύτητας, εκτός εκείνων που ορίζονται στο σημείο 6Α007.β, που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για εναέρια ή θαλάσσια χρήση, με στατική ή λειτουργική ακρίβεια 7 × 10–6 m/s2 (0,7 mgal) ή μικρότερη (καλύτερη), και με καταγραφή χρόνου προς μόνιμη κατάσταση 2 min ή μικρότερη, |
| --- | --- |

α.

Μετρητές βαρύτητας, εκτός εκείνων που ορίζονται στο σημείο 6Α007.β, που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για εναέρια ή θαλάσσια χρήση, με στατική ή λειτουργική ακρίβεια 7 × 10–6 m/s2 (0,7 mgal) ή μικρότερη (καλύτερη), και με καταγραφή χρόνου προς μόνιμη κατάσταση 2 min ή μικρότερη,

| β. | Ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη για μετρητές βαρύτητας που ορίζονται στα σημεία 6Α007.β ή 6Α107.α και βαρυτικά κλισιόμετρα που ορίζονται στο σημείο 6Α007.γ. |
| --- | --- |

β.

Ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη για μετρητές βαρύτητας που ορίζονται στα σημεία 6Α007.β ή 6Α107.α και βαρυτικά κλισιόμετρα που ορίζονται στο σημείο 6Α007.γ.

6A108Συστήματα ραδιοεντοπισμού και ιχνηλασίας, διαφορετικά από τα προδιαγραφόμενα στο σημείο 6Α008, ως εξής:

| α. | Συστήματα ραδιοεντοπισμού και ραδιοεντοπιστών με λέιζερ σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για να χρησιμοποιούνται σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104·


  Σημείωση 6Α108.α. περιλαμβάνονται τα εξής:








  α. | Εξοπλισμός χαρτογράφησης εδάφους, |
| --- | --- | --- |

α.

Συστήματα ραδιοεντοπισμού και ραδιοεντοπιστών με λέιζερ σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για να χρησιμοποιούνται σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104·

Σημείωση 6Α108.α. περιλαμβάνονται τα εξής:

α.

Εξοπλισμός χαρτογράφησης εδάφους,

| β. | Αισθητήρες εξοπλισμού απεικόνισης, |
| --- | --- |

β.

Αισθητήρες εξοπλισμού απεικόνισης,

| γ. | Εξοπλισμός (ψηφιακός και αναλογικός) χαρτογράφησης και αντιπαραβολής σκηνών, |
| --- | --- |

γ.

Εξοπλισμός (ψηφιακός και αναλογικός) χαρτογράφησης και αντιπαραβολής σκηνών,

| δ. | Ραδιοναυτιλιακός εξοπλισμός Doppler. |
| --- | --- |

δ.

Ραδιοναυτιλιακός εξοπλισμός Doppler.

| β. | Συστήματα ιχνηλασίας ακριβείας χρησιμοποιήσιμα για "βλήματα", ως εξής:






  1. | Συστήματα ιχνηλασίας που χρησιμοποιούν μεταφραστή κώδικα σε συνδυασμό είτε με σημεία αναφοράς εδάφους ή από τον αέρα ή συστήματα ναυτιλίας μέσω δορυφόρου για την παροχή μετρήσεων σε κλίμακα πραγματικού χρόνου της θέσης και ταχύτητας κατά την πτήση· |
| --- | --- | --- |

β.

Συστήματα ιχνηλασίας ακριβείας χρησιμοποιήσιμα για "βλήματα", ως εξής:

1.

Συστήματα ιχνηλασίας που χρησιμοποιούν μεταφραστή κώδικα σε συνδυασμό είτε με σημεία αναφοράς εδάφους ή από τον αέρα ή συστήματα ναυτιλίας μέσω δορυφόρου για την παροχή μετρήσεων σε κλίμακα πραγματικού χρόνου της θέσης και ταχύτητας κατά την πτήση·

| 2. | Ραδιοεντοπιστές σκόπευσης εξοπλισμένοι με ηλεκτρονικά όργανα, οι οποίοι περιλαμβάνουν συναφείς οπτικούς/υπέρυθρους ιχνηλάτες και με όλες τις ακόλουθες ικανότητες:






  α. | Γωνιακή ανάλυση καλύτερη από 3 χιλιοστοακτίνια (0,5 mils), |
| --- | --- | --- |

2.

Ραδιοεντοπιστές σκόπευσης εξοπλισμένοι με ηλεκτρονικά όργανα, οι οποίοι περιλαμβάνουν συναφείς οπτικούς/υπέρυθρους ιχνηλάτες και με όλες τις ακόλουθες ικανότητες:

α.

Γωνιακή ανάλυση καλύτερη από 3 χιλιοστοακτίνια (0,5 mils),

| β. | Εμβέλεια τουλάχιστον 30 km με ανάλυση απόστασης καλύτερη από 10 m rms, |
| --- | --- |

β.

Εμβέλεια τουλάχιστον 30 km με ανάλυση απόστασης καλύτερη από 10 m rms,

| γ. | Ανάλυση ταχύτητας καλύτερη από 3 m/s. |
| --- | --- |

γ.

Ανάλυση ταχύτητας καλύτερη από 3 m/s.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 6Α108.β., ως "βλήματα" νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος με εμβέλεια άνω των 300 km.

6A202Λυχνίες φωτοπολλαπλασιασμού με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Επιφάνεια φωτοκαθόδου μεγαλύτερη από 20 cm2, και |
| --- | --- |

α.

Επιφάνεια φωτοκαθόδου μεγαλύτερη από 20 cm2, και

| β. | Χρόνο ανόδου του παλμού της ανόδου μικρότερο από 1 ns. |
| --- | --- |

β.

Χρόνο ανόδου του παλμού της ανόδου μικρότερο από 1 ns.

6A203Μηχανές κινηματογράφησης και δομικά μέρη, διαφορετικά από τα προδιαγραφόμενα στο σημείο 6Α003, ως εξής:

| α. | Κινηματογραφικές μηχανές μηχανικώς περιστρεφόμενου κατόπτρου και ειδικώς σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:






  1. | Μηχανές μηχανικής αποτύπωσης εικόνων με ταχύτητες λήψης μεγαλύτερες των 225 000 εικόνων ανά δευτερόλεπτο, |
| --- | --- | --- |

α.

Κινηματογραφικές μηχανές μηχανικώς περιστρεφόμενου κατόπτρου και ειδικώς σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:

1.

Μηχανές μηχανικής αποτύπωσης εικόνων με ταχύτητες λήψης μεγαλύτερες των 225 000 εικόνων ανά δευτερόλεπτο,

| 2. | Μηχανές συνεχούς φιλμ με ταχύτητες γραφής μεγαλύτερες από 0,5 mm ανά ms. |
| --- | --- |

2.

Μηχανές συνεχούς φιλμ με ταχύτητες γραφής μεγαλύτερες από 0,5 mm ανά ms.

Σημείωση: Στο σημείο 6Α203.α., τα δομικά μέρη τέτοιων κινηματογραφικών μηχανών περιλαμβάνουν τις ηλεκτρονικές μονάδες συντονισμού τους και τα συγκροτήματα δρομέα τους που αποτελούνται από στροβίλους, κάτοπτρα και έδρανα.

| β. | Μηχανές λήψης με συνεχές φιλμ, ηλεκτρονικές μηχανές αποτύπωσης εικόνων, λυχνίες και συσκευές, ως εξής:






  1. | Ηλεκτρονικές μηχανές λήψης με συνεχές φιλμ, ικανές για ανάλυση χρόνου 50 ns και κάτω, |
| --- | --- | --- |

β.

Μηχανές λήψης με συνεχές φιλμ, ηλεκτρονικές μηχανές αποτύπωσης εικόνων, λυχνίες και συσκευές, ως εξής:

1.

Ηλεκτρονικές μηχανές λήψης με συνεχές φιλμ, ικανές για ανάλυση χρόνου 50 ns και κάτω,

| 2. | Λυχνίες συνεχούς φιλμ για μηχανές λήψης προσδιοριζόμενες στο σημείο 6A203.β.1., |
| --- | --- |

2.

Λυχνίες συνεχούς φιλμ για μηχανές λήψης προσδιοριζόμενες στο σημείο 6A203.β.1.,

| 3. | Ηλεκτρονικές (ή ηλεκτρονικού πετάσματος) μηχανές αποτύπωσης εικόνων ικανές για διάρκεια ανοικτού πετάσματος το πολύ 50 ns, |
| --- | --- |

3.

Ηλεκτρονικές (ή ηλεκτρονικού πετάσματος) μηχανές αποτύπωσης εικόνων ικανές για διάρκεια ανοικτού πετάσματος το πολύ 50 ns,

| 4. | Λυχνίες αποτύπωσης εικόνων και συσκευές απεικόνισης στερεάς κατάστασης για χρήση με κινηματογραφικές μηχανές προδιαγραφόμενες στο σημείο 6Α203.β.3., ως εξής:






  α. | Λυχνίες ενίσχυσης εικόνων εστιαζόμενων εκ του σύνεγγυς, έχουσες τη φωτοκάθοδο εναποτεθειμένη σε διαφανή αγώγιμη επικάλυψη για τη μείωση της αντίστασης του φύλλου φωτοκαθόδου, |
| --- | --- | --- |

4.

Λυχνίες αποτύπωσης εικόνων και συσκευές απεικόνισης στερεάς κατάστασης για χρήση με κινηματογραφικές μηχανές προδιαγραφόμενες στο σημείο 6Α203.β.3., ως εξής:

α.

Λυχνίες ενίσχυσης εικόνων εστιαζόμενων εκ του σύνεγγυς, έχουσες τη φωτοκάθοδο εναποτεθειμένη σε διαφανή αγώγιμη επικάλυψη για τη μείωση της αντίστασης του φύλλου φωτοκαθόδου,

| β. | Λυχνίες videcon πύλης πυριτίου για ενίσχυση στόχων (SIT), όπου ένα ταχύ σύστημα επιτρέπει τη δίοδο των φωτοηλεκτρονίων από την πύλη της φωτοκαθόδου πριν να προσκρούσουν στην πλάκα SIT, |
| --- | --- |

β.

Λυχνίες videcon πύλης πυριτίου για ενίσχυση στόχων (SIT), όπου ένα ταχύ σύστημα επιτρέπει τη δίοδο των φωτοηλεκτρονίων από την πύλη της φωτοκαθόδου πριν να προσκρούσουν στην πλάκα SIT,

| γ. | Ηλεκτροοπτικό σύστημα διαφράγματος κυψέλης Kerr ή Pockels, ή |
| --- | --- |

γ.

Ηλεκτροοπτικό σύστημα διαφράγματος κυψέλης Kerr ή Pockels, ή

| δ. | Άλλου τύπου λυχνίες αποτύπωσης εικόνων και συσκευές απεικόνισης στερεάς κατάστασης με χρόνους διόδου από την πύλη ταχέως λαμβανόμενων εικόνων μικρότερους από 50 ns, ειδικώς σχεδιασμένες για τις προδιαγραφόμενες στο σημείο 6Α203.β.3. μηχανές κινηματογράφησης. |
| --- | --- |

δ.

Άλλου τύπου λυχνίες αποτύπωσης εικόνων και συσκευές απεικόνισης στερεάς κατάστασης με χρόνους διόδου από την πύλη ταχέως λαμβανόμενων εικόνων μικρότερους από 50 ns, ειδικώς σχεδιασμένες για τις προδιαγραφόμενες στο σημείο 6Α203.β.3. μηχανές κινηματογράφησης.

| γ. | Μηχανές τηλεοπτικής λήψης ανθεκτικές στις ακτινοβολίες ειδικώς σχεδιασμένες ή βαθμολογημένες για να αντέχουν ολική δόση ακτινοβολίας μεγαλύτερη από 5 × 103 Gy (πυρίτιο) [5 × 106 rad (πυρίτιο)] χωρίς υποβάθμιση της λειτουργίας.
  Τεχνική σημείωση:

  Ο όρος Gy (πυρίτιο) αναφέρεται στην ενέργεια, σε joule ανά χιλιόγραμμο, που απορροφάται αθωράκιστο δείγμα πυριτίου όταν αυτό εκτίθεται σε ιοντίζουσα ακτινοβολία. |
| --- | --- |

γ.

Μηχανές τηλεοπτικής λήψης ανθεκτικές στις ακτινοβολίες ειδικώς σχεδιασμένες ή βαθμολογημένες για να αντέχουν ολική δόση ακτινοβολίας μεγαλύτερη από 5 × 103 Gy (πυρίτιο) [5 × 106 rad (πυρίτιο)] χωρίς υποβάθμιση της λειτουργίας.

Τεχνική σημείωση:

Ο όρος Gy (πυρίτιο) αναφέρεται στην ενέργεια, σε joule ανά χιλιόγραμμο, που απορροφάται αθωράκιστο δείγμα πυριτίου όταν αυτό εκτίθεται σε ιοντίζουσα ακτινοβολία.

6A205"Λέιζερ", ενισχυτές και ταλαντωτές με "λέιζερ", διαφορετικά από εκείνα που προδιαγράφονται στα σημεία 0Β001.ζ.5., 0Β001.η.6. και 6Α005, ως εξής:

| α. | "Λέιζερ" ιόντων αργού με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Λειτουργία σε μήκη κύματος μεταξύ 400 nm και 515 nm, και |
| --- | --- | --- |

α.

"Λέιζερ" ιόντων αργού με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Λειτουργία σε μήκη κύματος μεταξύ 400 nm και 515 nm, και

| 2. | Μέση ισχύ εξόδου μεγαλύτερη από 40 W, |
| --- | --- |

2.

Μέση ισχύ εξόδου μεγαλύτερη από 40 W,

| β. | Συντονίσιμοι παλμικοί μονότροποι ταλαντωτές λέιζερ χρωστικής ουσίας με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Λειτουργία σε μήκος κύματος μεταξύ 300 nm και 800 nm, |
| --- | --- | --- |

β.

Συντονίσιμοι παλμικοί μονότροποι ταλαντωτές λέιζερ χρωστικής ουσίας με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Λειτουργία σε μήκος κύματος μεταξύ 300 nm και 800 nm,

| 2. | Μέση ισχύ εξόδου άνω του 1 W, |
| --- | --- |

2.

Μέση ισχύ εξόδου άνω του 1 W,

| 3. | Ρυθμό επανάληψης μεγαλύτερο του 1 kHz, και |
| --- | --- |

3.

Ρυθμό επανάληψης μεγαλύτερο του 1 kHz, και

| 4. | Πλάτος παλμού μικρότερο από 100 ns. |
| --- | --- |

4.

Πλάτος παλμού μικρότερο από 100 ns.

| γ. | Συντονίσιμοι παλμικοί ενισχυτές και ταλαντωτές με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Λειτουργία σε μήκος κύματος μεταξύ 300 nm και 800 nm, |
| --- | --- | --- |

γ.

Συντονίσιμοι παλμικοί ενισχυτές και ταλαντωτές με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Λειτουργία σε μήκος κύματος μεταξύ 300 nm και 800 nm,

| 2. | Μέση ισχύ εξόδου άνω των 30 W, |
| --- | --- |

2.

Μέση ισχύ εξόδου άνω των 30 W,

| 3. | Ρυθμό επανάληψης μεγαλύτερο του 1 kHz, και |
| --- | --- |

3.

Ρυθμό επανάληψης μεγαλύτερο του 1 kHz, και

| 4. | Πλάτος παλμού μικρότερο από 100 ns. |
| --- | --- |

4.

Πλάτος παλμού μικρότερο από 100 ns.

Σημείωση: το σημείο 6A205.γ. δεν ελέγχει τους μονότροπους ταλαντωτές.

| δ. | Παλμικά "λέιζερ" διοξειδίου του άνθρακα με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Λειτουργία σε μήκος κύματος μεταξύ 9 000 nm και 11 000 nm, |
| --- | --- | --- |

δ.

Παλμικά "λέιζερ" διοξειδίου του άνθρακα με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Λειτουργία σε μήκος κύματος μεταξύ 9 000 nm και 11 000 nm,

| 2. | Ρυθμό επανάληψης μεγαλύτερο των 250 kHz, |
| --- | --- |

2.

Ρυθμό επανάληψης μεγαλύτερο των 250 kHz,

| 3. | Μέση ισχύ εξόδου άνω των 500 W, και |
| --- | --- |

3.

Μέση ισχύ εξόδου άνω των 500 W, και

| 4. | Πλάτος παλμού μικρότερο από 200 ns. |
| --- | --- |

4.

Πλάτος παλμού μικρότερο από 200 ns.

| ε. | Μετατοπιστές παρα-υδρογόνου κατά Raman, σχεδιασμένοι να λειτουργούν σε μήκος κύματος εξόδου 16 μm και με ρυθμό επανάληψης άνω των 250 Hz. |
| --- | --- |

ε.

Μετατοπιστές παρα-υδρογόνου κατά Raman, σχεδιασμένοι να λειτουργούν σε μήκος κύματος εξόδου 16 μm και με ρυθμό επανάληψης άνω των 250 Hz.

| στ. | Διεγειρόμενα με παλμούς "λέιζερ" με μεταγωγή Q, με προσμείξεις νεοδυμίου (διαφορετικά από υάλου), που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Μήκος κύματος εξόδου άνω των 1 000 nm και μέχρι 1 100 nm, |
| --- | --- | --- |

στ.

Διεγειρόμενα με παλμούς "λέιζερ" με μεταγωγή Q, με προσμείξεις νεοδυμίου (διαφορετικά από υάλου), που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Μήκος κύματος εξόδου άνω των 1 000 nm και μέχρι 1 100 nm,

| 2. | Διάρκεια παλμού τουλάχιστον 1 ns, και |
| --- | --- |

2.

Διάρκεια παλμού τουλάχιστον 1 ns, και

| 3. | Έξοδο σε πολλαπλό-εγκάρσιο τρόπο λειτουργίας με μέση ισχύ άνω των 50 W. |
| --- | --- |

3.

Έξοδο σε πολλαπλό-εγκάρσιο τρόπο λειτουργίας με μέση ισχύ άνω των 50 W.

6A225Συμβολόμετρα ταχύτητας για μέτρηση ταχυτήτων άνω του 1 km/s σε χρονικά διαστήματα μικρότερα από 10 μικροδευτερόλεπτα.

Σημείωση: Το σημείο 6A225 περιλαμβάνει συμβολόμετρα ταχύτητας όπως τα VISAR (συστήματα συμβολομέτρων ταχύτητας για κάθε ανακλαστήρα) και τα DLI (συμβολόμετρα λέιζερ με φαινόμενο Doppler).

6A226Αισθητήρες πίεσης, ως εξής:

| α. | Δείκτες μαγγανίνης για πιέσεις μεγαλύτερες από 10 GPa, |
| --- | --- |

α.

Δείκτες μαγγανίνης για πιέσεις μεγαλύτερες από 10 GPa,

| β. | Μορφοτροπείς πίεσης με χαλαζία για πιέσεις μεγαλύτερες από 10 GPa. |
| --- | --- |

β.

Μορφοτροπείς πίεσης με χαλαζία για πιέσεις μεγαλύτερες από 10 GPa.

6BΕξοπλισμός δοκιμών, επιθεώρησης και παραγωγής

6B004Οπτικός εξοπλισμός, ως εξής:

| α. | Εξοπλισμός για τη μέτρηση της απόλυτης ανάκλασης με ακρίβεια ± 0,1 % της τιμής της ανάκλασης. |
| --- | --- |

α.

Εξοπλισμός για τη μέτρηση της απόλυτης ανάκλασης με ακρίβεια ± 0,1 % της τιμής της ανάκλασης.

| β. | Εξοπλισμός εκτός του εξοπλισμού μέτρησης της επιφανειακής σκέδασης, με ενεργό άνοιγμα διαφράγματος άνω των 10 cm, ειδικά μελετημένος για οπτικές μετρήσεις εξ αποστάσεως ενός σχήματος επί μιας μη επίπεδης οπτικής επιφάνειας (προφίλ), με ακρίβεια 2 nm ή μεγαλύτερη σε σύγκριση με το απαιτούμενο προφίλ. |
| --- | --- |

β.

Εξοπλισμός εκτός του εξοπλισμού μέτρησης της επιφανειακής σκέδασης, με ενεργό άνοιγμα διαφράγματος άνω των 10 cm, ειδικά μελετημένος για οπτικές μετρήσεις εξ αποστάσεως ενός σχήματος επί μιας μη επίπεδης οπτικής επιφάνειας (προφίλ), με ακρίβεια 2 nm ή μεγαλύτερη σε σύγκριση με το απαιτούμενο προφίλ.

Σημείωση: Το 6Β004 δεν ελέγχει τα μικροσκόπια

6B007Εξοπλισμός για την παραγωγή, ευθυγράμμιση και βαθμονόμηση χερσαίων βαρυτομέτρων με στατική ακρίβεια καλύτερη από 0,1 mgal.

6B008Συστήματα μέτρησης διατομών με παλμικό ραδιοεντοπιστή, εύρους παλμού εκπομπής το πολύ ίσου προς 100 ns και ειδικώς σχεδιασμένα προς τούτο δομικά μέρη.

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 6Β108.

6B108Συστήματα, εκτός των καθοριζομένων στο 6Β008, ειδικώς σχεδιασμένα για μέτρηση διατομής σε ραδιοεντοπιστή, χρησιμοποιήσιμα για "βλήματα" και υποσυστήματα αυτών.

6CΥλικά

6C002Υλικά οπτικών αισθητήρων, ως εξής:

| α. | Στοιχειακό τελλούριο (Te) επιπέδων καθαρότητας ίσων ή ανώτερων του 99,9995 %, |
| --- | --- |

α.

Στοιχειακό τελλούριο (Te) επιπέδων καθαρότητας ίσων ή ανώτερων του 99,9995 %,

| β. | Μονοκρύσταλλοι (συμπεριλαμβανομένων των επιταξιακών δισκίων) οποιουδήποτε από τα εξής:






  1. | Τελλουριούχου καδμίου-ψευδαργύρου (CdZnTe), με περιεκτικότητα σε ψευδάργυρο κάτω του 6 % κατά "γραμμομοριακό κλάσμα", |
| --- | --- | --- |

β.

Μονοκρύσταλλοι (συμπεριλαμβανομένων των επιταξιακών δισκίων) οποιουδήποτε από τα εξής:

1.

Τελλουριούχου καδμίου-ψευδαργύρου (CdZnTe), με περιεκτικότητα σε ψευδάργυρο κάτω του 6 % κατά "γραμμομοριακό κλάσμα",

| 2. | Τελλουριούχου καδμίου (CdTe) ή οποιουδήποτε επιπέδου καθαρότητας, ή |
| --- | --- |

2.

Τελλουριούχου καδμίου (CdTe) ή οποιουδήποτε επιπέδου καθαρότητας, ή

| 3. | Τελλουριούχου υδραργύρου-καδμίου (HgCdTe) οποιουδήποτε επιπέδου καθαρότητας. |
| --- | --- |

3.

Τελλουριούχου υδραργύρου-καδμίου (HgCdTe) οποιουδήποτε επιπέδου καθαρότητας.

Τεχνική παρατήρηση:

Το "γραμμομοριακό κλάσμα" ορίζεται ως ο λόγος γραμμομορίων ZnTe προς το άθροισμα των γραμμομορίων CdTe και ZnTe που υπάρχουν στον κρύσταλλο.

6C004Οπτικά υλικά, ως εξής:

| α. | "Ακατέργαστα υποστρώματα" σεληνιούχου ψευδαργύρου (ZnSe) και θειούχου ψευδαργύρου (ZnS) παραγόμενα με τη χημική διεργασία εναπόθεσης ατμών, που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Όγκο μεγαλύτερο από 100 cm3, ή |
| --- | --- | --- |

α.

"Ακατέργαστα υποστρώματα" σεληνιούχου ψευδαργύρου (ZnSe) και θειούχου ψευδαργύρου (ZnS) παραγόμενα με τη χημική διεργασία εναπόθεσης ατμών, που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Όγκο μεγαλύτερο από 100 cm3, ή

| 2. | Διάμετρο μεγαλύτερη από 80 mm με πάχος τουλάχιστον ίσο προς 20 mm, |
| --- | --- |

2.

Διάμετρο μεγαλύτερη από 80 mm με πάχος τουλάχιστον ίσο προς 20 mm,

| β. | Συνθετικοί κρύσταλλοι από τα ακόλουθα ηλεκτροοπτικά υλικά:






  1. | Αρσενικικό καλιοτιτανύλιο (KTA), |
| --- | --- | --- |

β.

Συνθετικοί κρύσταλλοι από τα ακόλουθα ηλεκτροοπτικά υλικά:

1.

Αρσενικικό καλιοτιτανύλιο (KTA),

| 2. | Σεληνιούχο αργυρογάλλιο (AgGaSe2), |
| --- | --- |

2.

Σεληνιούχο αργυρογάλλιο (AgGaSe2),

| 3. | Σεληνιούχο θαλιοαρσενικό (Tl3AsSe3, γνωστό επίσης ως TAS), |
| --- | --- |

3.

Σεληνιούχο θαλιοαρσενικό (Tl3AsSe3, γνωστό επίσης ως TAS),

| γ. | Μη γραμμικά οπτικά υλικά που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Επιδεκτικότητα τρίτης τάξης (chi 3) ίση με 10–6 m2/V2 ή μεγαλύτερη, και |
| --- | --- | --- |

γ.

Μη γραμμικά οπτικά υλικά που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Επιδεκτικότητα τρίτης τάξης (chi 3) ίση με 10–6 m2/V2 ή μεγαλύτερη, και

| 2. | Χρόνο απόκρισης μικρότερο από 1 ms, |
| --- | --- |

2.

Χρόνο απόκρισης μικρότερο από 1 ms,

| δ. | "Ακατέργαστα υποστρώματα" πυριτοκαρβιδίου ή υλικά με εναπόθεση βηρυλλίου βηρυλλίου (Be/Be) με διάμετρο ή μήκος μείζονος άξονα άνω των 300 mm, |
| --- | --- |

δ.

"Ακατέργαστα υποστρώματα" πυριτοκαρβιδίου ή υλικά με εναπόθεση βηρυλλίου βηρυλλίου (Be/Be) με διάμετρο ή μήκος μείζονος άξονα άνω των 300 mm,

| ε. | Ύαλος, περιλαμβανομένων τηγμένου διοξειδίου του πυριτίου, φωσφορικής υάλου, φθοριοφωσφορικής υάλου, φθοριούχου ζιρκονίου (ZrF4) και φθοριούχου αφνίου (HfF 4) με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Συγκέντρωση ιόντων υδροξυλίου (ΟΗ-) μικρότερη από 5 ppm, |
| --- | --- | --- |

ε.

Ύαλος, περιλαμβανομένων τηγμένου διοξειδίου του πυριτίου, φωσφορικής υάλου, φθοριοφωσφορικής υάλου, φθοριούχου ζιρκονίου (ZrF4) και φθοριούχου αφνίου (HfF 4) με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Συγκέντρωση ιόντων υδροξυλίου (ΟΗ-) μικρότερη από 5 ppm,

| 2. | Ενοποιημένα επίπεδα μεταλλικής καθαρότητας κάτω του 1 ppm, και |
| --- | --- |

2.

Ενοποιημένα επίπεδα μεταλλικής καθαρότητας κάτω του 1 ppm, και

| 3. | Υψηλή ομοιογένεια (δείκτης διαθλαστικής διακύμανσης) κάτω των 5 × 10–6, |
| --- | --- |

3.

Υψηλή ομοιογένεια (δείκτης διαθλαστικής διακύμανσης) κάτω των 5 × 10–6,

| στ. | Υλικό συνθετικώς παραγόμενων αδαμάντων με απορρόφηση κάτω του 10–5 cm–1 για μήκη κύματος άνω των 200 nm και μέχρι 14 000 nm, |
| --- | --- |

στ.

Υλικό συνθετικώς παραγόμενων αδαμάντων με απορρόφηση κάτω του 10–5 cm–1 για μήκη κύματος άνω των 200 nm και μέχρι 14 000 nm,

6C005Συνθετικό υλικό ξενιστή "λέιζερ" σε ημιτελή μορφή, ως εξής:

| α. | Σάπφειροι με προσμείξεις τιτανίου, |
| --- | --- |

α.

Σάπφειροι με προσμείξεις τιτανίου,

| β. | Αλεξανδρίτης. |
| --- | --- |

β.

Αλεξανδρίτης.

6DΛογισμικό

6D001"Λογισμικό" ειδικώς σχεδιασμένο για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή" εξοπλισμού που προδιαγράφεται στις κατηγορίες 6Α004, 6Α005, 6Α008 ή 6Β008.

6D002"Λογισμικό" ειδικώς σχεδιασμένο για τη "χρήση" εξοπλισμού προδιαγραφόμενου στα σημεία 6Α002.β., ή 6Α008 ή 6Β008.

6D003Λοιπό "λογισμικό", ως εξής:

| α. | 1. | "Λογισμικό" ειδικώς σχεδιασμένο για διαμόρφωση ηχητικών δεσμών για την επεξεργασία σε κλίμακα "πραγματικού χρόνου" ηχητικών δεδομένων για παθητική λήψη με τη χρήση ρυμουλκούμενων συστοιχιών υδροφώνων, |
| --- | --- | --- |

α.

1.

"Λογισμικό" ειδικώς σχεδιασμένο για διαμόρφωση ηχητικών δεσμών για την επεξεργασία σε κλίμακα "πραγματικού χρόνου" ηχητικών δεδομένων για παθητική λήψη με τη χρήση ρυμουλκούμενων συστοιχιών υδροφώνων,

| 2. | "Κώδικας πηγής" για την "επεξεργασία σε κλίμακα πραγματικού χρόνου" ηχητικών δεδομένων για παθητική λήψη που χρησιμοποιεί ρυμουλκούμενες συστοιχίες υδροφώνων, |
| --- | --- |

2.

"Κώδικας πηγής" για την "επεξεργασία σε κλίμακα πραγματικού χρόνου" ηχητικών δεδομένων για παθητική λήψη που χρησιμοποιεί ρυμουλκούμενες συστοιχίες υδροφώνων,

| 3. | "Λογισμικό" ειδικώς σχεδιασμένο για διαμόρφωση ηχητικών δεσμών για την επεξεργασία σε κλίμακα "πραγματικού χρόνου" ηχητικών δεδομένων για παθητική λήψη με τη χρήση συστήματος καλωδίων βυθού ή κόλπων, |
| --- | --- |

3.

"Λογισμικό" ειδικώς σχεδιασμένο για διαμόρφωση ηχητικών δεσμών για την επεξεργασία σε κλίμακα "πραγματικού χρόνου" ηχητικών δεδομένων για παθητική λήψη με τη χρήση συστήματος καλωδίων βυθού ή κόλπων,

| 4. | "Κώδικας πηγής" για την "επεξεργασία σε κλίμακα πραγματικού χρόνου" ηχητικών δεδομένων για παθητική λήψη με τη χρήση συστήματος καλωδίων βυθού ή κόλπων,. |
| --- | --- |

4.

"Κώδικας πηγής" για την "επεξεργασία σε κλίμακα πραγματικού χρόνου" ηχητικών δεδομένων για παθητική λήψη με τη χρήση συστήματος καλωδίων βυθού ή κόλπων,.

| β. | 1. | "Λογισμικό" ειδικώς σχεδιασμένο για συστήματα μαγνητικής αντιστάθμισης για μαγνητικούς αισθητήρες μελετημένους ώστε να λειτουργούν σε κινητές εξέδρες, |
| --- | --- | --- |

β.

1.

"Λογισμικό" ειδικώς σχεδιασμένο για συστήματα μαγνητικής αντιστάθμισης για μαγνητικούς αισθητήρες μελετημένους ώστε να λειτουργούν σε κινητές εξέδρες,

| 2. | "Λογισμικό" ειδικώς σχεδιασμένο για ανίχνευση μαγνητικών ανωμαλιών σε κινητές εξέδρες. |
| --- | --- |

2.

"Λογισμικό" ειδικώς σχεδιασμένο για ανίχνευση μαγνητικών ανωμαλιών σε κινητές εξέδρες.

| γ. | "Λογισμικό" ειδικώς σχεδιασμένο για τη διόρθωση κινησιακών επιδράσεων βαρυτομέτρων ή βαρυτικών κλισιμέτρων. |
| --- | --- |

γ.

"Λογισμικό" ειδικώς σχεδιασμένο για τη διόρθωση κινησιακών επιδράσεων βαρυτομέτρων ή βαρυτικών κλισιμέτρων.

| δ. | 1. | "Προγράμματα" εφαρμογών "λογισμικού" ελέγχου εναερίου κυκλοφορίας, φιλοξενούμενα σε ηλεκτρονικούς υπολογιστές γενικής χρήσης και ευρισκόμενα σε κέντρα ελέγχου εναέριας κυκλοφορίας (ΑΤC) και ικανά για οιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Να επεξεργάζονται και να προβάλλουν σε οθόνη άνω των 150 ταυτοχρόνων "ιχνών συστήματος", ή |
| --- | --- | --- | --- |

δ.

1.

"Προγράμματα" εφαρμογών "λογισμικού" ελέγχου εναερίου κυκλοφορίας, φιλοξενούμενα σε ηλεκτρονικούς υπολογιστές γενικής χρήσης και ευρισκόμενα σε κέντρα ελέγχου εναέριας κυκλοφορίας (ΑΤC) και ικανά για οιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Να επεξεργάζονται και να προβάλλουν σε οθόνη άνω των 150 ταυτοχρόνων "ιχνών συστήματος", ή

| β. | Να δέχονται δεδομένα στόχων ραδιοεντοπισμού από άνω των τεσσάρων πρωτεύοντες ραδιοεντοπιστές, |
| --- | --- |

β.

Να δέχονται δεδομένα στόχων ραδιοεντοπισμού από άνω των τεσσάρων πρωτεύοντες ραδιοεντοπιστές,

| 2. | "Λογισμικό" για τη μελέτη ή "παραγωγή" θόλων τοποθέτησης κεραιών οι οποίοι:






  α. | Έχουν μελετηθεί ειδικώς για να προστατεύουν τις "ηλεκτρονικώς οδηγούμενες φασικώς συγχρονισμένες συστοιχιοκεραίες" που προδιαγράφονται στο σημείο 6Α008.ε., και |
| --- | --- | --- |

2.

"Λογισμικό" για τη μελέτη ή "παραγωγή" θόλων τοποθέτησης κεραιών οι οποίοι:

α.

Έχουν μελετηθεί ειδικώς για να προστατεύουν τις "ηλεκτρονικώς οδηγούμενες φασικώς συγχρονισμένες συστοιχιοκεραίες" που προδιαγράφονται στο σημείο 6Α008.ε., και

| β. | Καταλήγουν σε διάγραμμα κεραίας με μέση στάθμη του πλευρικού λωβού άνω των 40 dB κάτω από την κορυφή της στάθμης της κύριας δέσμης.
  Τεχνική σημείωση:

  Η "μέση στάθμη του πλευρικού λωβού" μετράται επί ολόκληρης της συστοιχίας εκτός της γωνίας της κύριας δέσμης και των πρώτων δύο πλευρικών λωβών εκατέρωθεν της κύριας δέσμης. |
| --- | --- |

β.

Καταλήγουν σε διάγραμμα κεραίας με μέση στάθμη του πλευρικού λωβού άνω των 40 dB κάτω από την κορυφή της στάθμης της κύριας δέσμης.

Τεχνική σημείωση:

Η "μέση στάθμη του πλευρικού λωβού" μετράται επί ολόκληρης της συστοιχίας εκτός της γωνίας της κύριας δέσμης και των πρώτων δύο πλευρικών λωβών εκατέρωθεν της κύριας δέσμης.

6D102"Λογισμικό" ειδικώς σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για τη "χρήση" των προδιαγραφόμενων στο 6Α108 ειδών.

6D103"Λογισμικό" που επεξεργάζεται καταγεγραμμένα δεδομένα μετά την πτήση, επιτρέπει δε τον προσδιορισμό της θέσης οχημάτων σε όλη την τροχιά πτήσεώς τους, ειδικώς σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για "βλήματα".

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 6D103, ως "βλήματα" νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος με εμβέλεια άνω των 300 km.

6EΤεχνολογία

6E001"Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την "ανάπτυξη" εξοπλισμού, υλικών ή «λογισμικού" που προδιαγράφονται στα 6Α, 6Β, 6C ή 6D.

6E002"Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την "παραγωγή" εξοπλισμού ή υλικών προδιαγραφόμενων στα 6Α, 6Β ή 6C.

6E003Λοιπή "τεχνολογία", ως εξής:

| α. | 1. | "Τεχνολογία" επικάλυψης και κατεργασίας οπτικών επιφανειών, απαιτούμενη για την επίτευξη ομοιομορφίας βαθμού 99,5 % ή καλύτερου για οπτικές επικαλύψεις διαμέτρου ή μήκους μείζονος άξονος άνω των 500 mm και με συνολική απώλεια (λόγω απορρόφησης και σκέδασης) κάτω των 5 × 10–3·


  Σημείωση: Βλέπε επίσης 2Ε003.στ. |
| --- | --- | --- |

α.

1.

"Τεχνολογία" επικάλυψης και κατεργασίας οπτικών επιφανειών, απαιτούμενη για την επίτευξη ομοιομορφίας βαθμού 99,5 % ή καλύτερου για οπτικές επικαλύψεις διαμέτρου ή μήκους μείζονος άξονος άνω των 500 mm και με συνολική απώλεια (λόγω απορρόφησης και σκέδασης) κάτω των 5 × 10–3·

Σημείωση: Βλέπε επίσης 2Ε003.στ.

| 2. | Τεχνολογίες οπτικών κατασκευών, που χρησιμοποιούν: Τεχνικές τόρνευσης με μονοσημειακό αδάμαντα που παράγουν ακρίβειες φινιρισμένης επιφάνειας καλύτερες από 10 nm rms σε μη επίπεδες επιφάνειες άνω των 0,5 m2, |
| --- | --- |

2.

Τεχνολογίες οπτικών κατασκευών, που χρησιμοποιούν: Τεχνικές τόρνευσης με μονοσημειακό αδάμαντα που παράγουν ακρίβειες φινιρισμένης επιφάνειας καλύτερες από 10 nm rms σε μη επίπεδες επιφάνειες άνω των 0,5 m2,

| β. | "Τεχνολογία""απαιτούμενη" για την "ανάπτυξη", "παραγωγή" ή "χρήση" ειδικώς σχεδιασμένων οργάνων διάγνωσης ή στόχων σε εγκαταστάσεις δοκιμών "laser υπερυψηλής ισχύος" (SHPL) ή για τη δοκιμή ή αξιολόγηση υλικών ακτινοβολημένων με δέσμες SHPL, |
| --- | --- |

β.

"Τεχνολογία""απαιτούμενη" για την "ανάπτυξη", "παραγωγή" ή "χρήση" ειδικώς σχεδιασμένων οργάνων διάγνωσης ή στόχων σε εγκαταστάσεις δοκιμών "laser υπερυψηλής ισχύος" (SHPL) ή για τη δοκιμή ή αξιολόγηση υλικών ακτινοβολημένων με δέσμες SHPL,

| γ. | "Τεχνολογία""απαιτούμενη" για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή""μαγνητομέτρων" με μη τριαξονική πύλη ροής ή "συστημάτων μαγνητομέτρων" με μη τριαξονική πύλη ροής, που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | "Στάθμη θορύβου" μικρότερη από 0,05 nT rms ανά τετραγωνική ρίζα Hz σε συχνότητες κάτω του 1 Hz, ή |
| --- | --- | --- |

γ.

"Τεχνολογία""απαιτούμενη" για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή""μαγνητομέτρων" με μη τριαξονική πύλη ροής ή "συστημάτων μαγνητομέτρων" με μη τριαξονική πύλη ροής, που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

"Στάθμη θορύβου" μικρότερη από 0,05 nT rms ανά τετραγωνική ρίζα Hz σε συχνότητες κάτω του 1 Hz, ή

| 2. | "Στάθμη θορύβου" κάτω του 1 × 10–3 nT rms ανά τετραγωνική ρίζα Hz σε συχνότητες 1 Hz και άνω. |
| --- | --- |

2.

"Στάθμη θορύβου" κάτω του 1 × 10–3 nT rms ανά τετραγωνική ρίζα Hz σε συχνότητες 1 Hz και άνω.

6E101"Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη "χρήση" εξοπλισμού ή "λογισμικού" προδιαγραφόμενου στα 6Α002, 6Α007.β. και γ., 6Α008, 6Α102, 6Α107, 6Α108, 6D102 ή 6D103.

Σημείωση: Στο 6Ε101 προδιαγράφεται μόνο "τεχνολογία" για εξοπλισμό προδιαγραφόμενο στο 6Α008, όταν ο τελευταίος έχει μελετηθεί για αεροφερόμενες εφαρμογές και είναι χρησιμοποιήσιμος σε "βλήματα".

6E201"Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη "χρήση" εξοπλισμού προδιαγραφόμενου στα 6Α003, 6Α005.α.1.γ., 6Α005.α.2.α., 6Α005.γ.1.β., 6Α005.γ.2.γ.2., 6Α005.γ.2.δ.2.β., 6Α202, 6Α203, 6Α205, 6Α225 ή 6Α226.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 7

ΑΕΡΟΝΑΥΤΙΚΗ ΚΑΙ ΑΕΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

7AΣυστήματα, Εξοπλισμός και συστατικά μέρη

ΣΗΜ.: Για αυτόματους πιλότους υποβρυχίων οχημάτων, βλέπε kατηγορία 8.

Για τους ραδιοεντοπιστές, βλέπε kατηγορία 6.

7A001Γραμμικά επιταχυνσίμετρα προοριζόμενα προς χρήση για συστήματα αδρανειακής πλοήγησης ή καθοδήγησης, τα οποία παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη τους:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 7A101. Για τα γωνιακά ή περιστροφικά επιταχυνσίμετρα, βλ. 7A002.

| α. | "Σταθερότητα""εγγενούς απόκλισης" μικρότερη (καλύτερη) από 130 micro g ως προς σταθερή τιμή διακρίβωσης σε χρονικό διάστημα ενός έτους, |
| --- | --- |

α.

"Σταθερότητα""εγγενούς απόκλισης" μικρότερη (καλύτερη) από 130 micro g ως προς σταθερή τιμή διακρίβωσης σε χρονικό διάστημα ενός έτους,

| β. | "Σταθερότητα""συντελεστή κλίμακας" μικρότερη (καλύτερη) από 130 ppm ως προς σταθερή τιμή διακρίβωσης σε χρονικό διάστημα ενός έτους, ή |
| --- | --- |

β.

"Σταθερότητα""συντελεστή κλίμακας" μικρότερη (καλύτερη) από 130 ppm ως προς σταθερή τιμή διακρίβωσης σε χρονικό διάστημα ενός έτους, ή

| γ. | Προοριζόμενα να λειτουργούν σε γραμμική επιτάχυνση που υπερβαίνει τα 100 g. |
| --- | --- |

γ.

Προοριζόμενα να λειτουργούν σε γραμμική επιτάχυνση που υπερβαίνει τα 100 g.

7A002Γυροσκόπια, και γωνιακά ή περιστροφικά επιταχυνσίμετρα που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, καθώς και ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη τους:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 7A102.

| α. | "Σταθερότητα""ρυθμού εκτροπής" ένδειξης που μετράται σε περιβάλλον 1 g για περίοδο τριών μηνών και ως προς σταθερή τιμή διακρίβωσης οργάνου:






  1. | Μικρότερη (καλύτερη) από 0,1° ανά ώρα όταν προορίζεται να λειτουργήσει σε γραμμική επιτάχυνση που δεν υπερβαίνει τα 10 g, ή |
| --- | --- | --- |

α.

"Σταθερότητα""ρυθμού εκτροπής" ένδειξης που μετράται σε περιβάλλον 1 g για περίοδο τριών μηνών και ως προς σταθερή τιμή διακρίβωσης οργάνου:

1.

Μικρότερη (καλύτερη) από 0,1° ανά ώρα όταν προορίζεται να λειτουργήσει σε γραμμική επιτάχυνση που δεν υπερβαίνει τα 10 g, ή

| 2. | Μικρότερη (καλύτερη) από 0,5° ανά ώρα όταν προορίζεται να λειτουργήσει σε γραμμική επιτάχυνση από 10 g μέχρι και 100 g, ή |
| --- | --- |

2.

Μικρότερη (καλύτερη) από 0,5° ανά ώρα όταν προορίζεται να λειτουργήσει σε γραμμική επιτάχυνση από 10 g μέχρι και 100 g, ή

| β. | Που προορίζονται να λειτουργούν σε μεγέθη γραμμικής επιτάχυνσης άνω των 100 g. |
| --- | --- |

β.

Που προορίζονται να λειτουργούν σε μεγέθη γραμμικής επιτάχυνσης άνω των 100 g.

7A003Αδρανειακά συστήματα (IS) και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία, ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 7A103.

| α. | Συστήματα αδρανειακής πλοήγησης (INS) (με καρδανική ανάρτηση ή συνδέσμους=strapdown) καθώς και αδρανειακός εξοπλισμός σχεδιασμένα για "αεροσκάφη", επίγεια οχήματα, σκάφη (επιφανείας ή υποβρύχια), ή "διαστημικά οχήματα", για τον προσανατολισμό, την καθοδήγηση, τον χειρισμό, που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, καθώς και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία τους:






  1. | Σφάλμα πλοήγησης (απηλλαγμένο αδρανείας) κατόπιν κανονικής ευθυγράμμισης 0,8 ναυτικών μιλίων ανά ώρα (ν.μ./hr) ‧Πιθανότητα κυκλικού λάθους‧ (CEP) ή λιγότερο (καλύτερα), ή |
| --- | --- | --- |

α.

Συστήματα αδρανειακής πλοήγησης (INS) (με καρδανική ανάρτηση ή συνδέσμους=strapdown) καθώς και αδρανειακός εξοπλισμός σχεδιασμένα για "αεροσκάφη", επίγεια οχήματα, σκάφη (επιφανείας ή υποβρύχια), ή "διαστημικά οχήματα", για τον προσανατολισμό, την καθοδήγηση, τον χειρισμό, που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, καθώς και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία τους:

1.

Σφάλμα πλοήγησης (απηλλαγμένο αδρανείας) κατόπιν κανονικής ευθυγράμμισης 0,8 ναυτικών μιλίων ανά ώρα (ν.μ./hr) ‧Πιθανότητα κυκλικού λάθους‧ (CEP) ή λιγότερο (καλύτερα), ή

| 2. | Που προορίζονται να λειτουργούν σε μεγέθη γραμμικής επιτάχυνσης άνω των 10 g, |
| --- | --- |

2.

Που προορίζονται να λειτουργούν σε μεγέθη γραμμικής επιτάχυνσης άνω των 10 g,

| β. | Υβριδικά συστήματα αδρανειακής πλοήγησης με ενσωματωμένο(α) Παγκόσμιο Δορυφορικό Σύστημα Πλοήγησης (GNSS) ή Σύστημα(τα) "Πλοήγησης βάσει Καταχωρημένων Δεδομένων" ("DBRN") για τον προσανατολισμό, την καθοδήγηση ή το χειρισμό, κατόπιν κανονικής ευθυγράμμισης, με ακρίβεια στίγματος INS, μετά την απώλεια του GNSS ή της "DBRN" επί διάρκεια μέχρι τεσσάρων λεπτών, μικρότερη (καλύτερη) από 10 μέτρα "πιθανότητας κυκλικού λάθους" (CEP). |
| --- | --- |

β.

Υβριδικά συστήματα αδρανειακής πλοήγησης με ενσωματωμένο(α) Παγκόσμιο Δορυφορικό Σύστημα Πλοήγησης (GNSS) ή Σύστημα(τα) "Πλοήγησης βάσει Καταχωρημένων Δεδομένων" ("DBRN") για τον προσανατολισμό, την καθοδήγηση ή το χειρισμό, κατόπιν κανονικής ευθυγράμμισης, με ακρίβεια στίγματος INS, μετά την απώλεια του GNSS ή της "DBRN" επί διάρκεια μέχρι τεσσάρων λεπτών, μικρότερη (καλύτερη) από 10 μέτρα "πιθανότητας κυκλικού λάθους" (CEP).

| γ. | Αδρανειακός εξοπλισμός για αζιμούθ, κατεύθυνση ή στίγμα του Βορρά, με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά, και ειδικά σχεδιασμένα γι’ αυτόν δομικά στοιχεία:






  1. | Σχεδιασμένος ώστε να έχει ακρίβεια προσδιορισμού αζιμούθ, κατεύθυνσης ή στίγματος του Βορρά 6 λεπτών τόξου RMS σε πλάτος 45 μοιρών, ή |
| --- | --- | --- |

γ.

Αδρανειακός εξοπλισμός για αζιμούθ, κατεύθυνση ή στίγμα του Βορρά, με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά, και ειδικά σχεδιασμένα γι’ αυτόν δομικά στοιχεία:

1.

Σχεδιασμένος ώστε να έχει ακρίβεια προσδιορισμού αζιμούθ, κατεύθυνσης ή στίγματος του Βορρά 6 λεπτών τόξου RMS σε πλάτος 45 μοιρών, ή

| 2. | Σχεδιασμένος ώστε να έχει επίπεδο κραδασμού μη λειτουργίας 900 g ή μεγαλύτερο επί 1 msec ή περισσότερο. |
| --- | --- |

2.

Σχεδιασμένος ώστε να έχει επίπεδο κραδασμού μη λειτουργίας 900 g ή μεγαλύτερο επί 1 msec ή περισσότερο.

Σημ. 1: Οι παράμετροι του 7Α003.α. και του Α7003.β. εφαρμόζονται σε οιαδήποτε από τις ακόλουθες συνθήκες περιβάλλοντος:

| 1. | Εισαγωγή τυχαίων κραδασμών με συνολικό μέγεθος 7.7 g rms την πρώτη μισή ώρα και συνολική διάρκεια δοκιμής μιάμιση ώρα ανά άξονα στον καθένα από τους τρεις κάθετους άξονες, όπου οι τυχαίοι κραδασμοί ανταποκρίνονται στα ακόλουθα:








  α. | Σταθερή τιμή της PSD 0,04 g2/Hz σε διάστημα συχνότητας 15 έως 1 000 Hz, και |
| --- | --- | --- |

1.

Εισαγωγή τυχαίων κραδασμών με συνολικό μέγεθος 7.7 g rms την πρώτη μισή ώρα και συνολική διάρκεια δοκιμής μιάμιση ώρα ανά άξονα στον καθένα από τους τρεις κάθετους άξονες, όπου οι τυχαίοι κραδασμοί ανταποκρίνονται στα ακόλουθα:

α.

Σταθερή τιμή της PSD 0,04 g2/Hz σε διάστημα συχνότητας 15 έως 1 000 Hz, και

| β. | Η PSD μειούται με συχνότητα από 0,04 g2/Hz έως 0,01 g2/Hz σε διάστημα συχνότητας από 1 000 έως 2 000 Hz, |
| --- | --- |

β.

Η PSD μειούται με συχνότητα από 0,04 g2/Hz έως 0,01 g2/Hz σε διάστημα συχνότητας από 1 000 έως 2 000 Hz,

| 2. | Ταχύτητα εγκάρσιας περιστροφής και εκτροπής ίση ή μεγαλύτερη από + 2,62 ακτίνια ανά δευτερόλεπτο (150 deg/s), |
| --- | --- |

2.

Ταχύτητα εγκάρσιας περιστροφής και εκτροπής ίση ή μεγαλύτερη από + 2,62 ακτίνια ανά δευτερόλεπτο (150 deg/s),

| 3. | Σύμφωνα με εθνικά πρότυπα ισοδύναμα με τα ως άνω 1. ή 2. |
| --- | --- |

3.

Σύμφωνα με εθνικά πρότυπα ισοδύναμα με τα ως άνω 1. ή 2.

Σημ. 2: Το 7Α003 δεν ελέγχει τα συστήματα αδρανειακής πλοήγησης που έχουν εγκριθεί για χρήση στα αεροσκάφη "πολιτικής αεροπορίας" από τις αρχές πολιτικής αεροπορίας "συμμετέχοντος κράτους".

Σημ.3: Το 7Α003.γ.1. δεν ελέγχει τα συστήματα θεοδολίχων που εμπεριέχουν αδρανειακό εξοπλισμό ειδικά σχεδιασμένο για πολιτικές γεωδαιτικές εφαρμογές.

Τεχνικές σημειώσεις:

| 1. | Το σημείο 7Α003.β. αφορά συστήματα στα οποία το INS και άλλα ανεξάρτητα βοηθήματα πλοήγησης είναι ενσωματωμένα σε μια μόνον μονάδα ώστε να επιτυγχάνονται καλύτερες επιδόσεις. |
| --- | --- |

1.

Το σημείο 7Α003.β. αφορά συστήματα στα οποία το INS και άλλα ανεξάρτητα βοηθήματα πλοήγησης είναι ενσωματωμένα σε μια μόνον μονάδα ώστε να επιτυγχάνονται καλύτερες επιδόσεις.

| 2. | ‧Πιθανότητα κυκλικού λάθους‧ (CEP) — Σε μια κυκλική κανονική κατανομή, η ακτίνα του κύκλου που περιέχει το 50 % των πραγματοποιούμενων μετρήσεων, ή η ακτίνα του κύκλου εντός του οποίου υπάρχει 50 % πιθανότητα να βρίσκεται η πραγματική θέση. |
| --- | --- |

2.

‧Πιθανότητα κυκλικού λάθους‧ (CEP) — Σε μια κυκλική κανονική κατανομή, η ακτίνα του κύκλου που περιέχει το 50 % των πραγματοποιούμενων μετρήσεων, ή η ακτίνα του κύκλου εντός του οποίου υπάρχει 50 % πιθανότητα να βρίσκεται η πραγματική θέση.

7A004Γυροαστρικές πυξίδες και άλλες διατάξεις για τον ακριβή προσδιορισμό της θέσης ή του προσανατολισμού μέσω αυτόματης παρακολούθησης ουρανίων σωμάτων ή δορυφόρων, με ακρίβεια αζιμουθίου ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 5 δεύτερα του τόξου.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 7A104.

7A005Εξοπλισμοί λήψης ακριβούς θέσης από δορυφορικά συστήματα Παγκόσμιας αεροπλοΐας (π.χ. GPS ή GLONASS) που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά τους μέρη:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 7A105.

| α. | Χρησιμοποιούν αποκρυπτογράφηση, ή |
| --- | --- |

α.

Χρησιμοποιούν αποκρυπτογράφηση, ή

| β. | Αυτοπροσαρμοζόμενη κεραία. |
| --- | --- |

β.

Αυτοπροσαρμοζόμενη κεραία.

7A006Υψίμετρα εν πτήσει που λειτουργούν εκτός του φάσματος συχνοτήτων από 4,2 μέχρι 4,4 GHz και παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 7A106.

| α. | "Διαχείριση ισχύος", ή |
| --- | --- |

α.

"Διαχείριση ισχύος", ή

| β. | Χρησιμοποιούν διαμόρφωση μετατόπισης φάσεως. |
| --- | --- |

β.

Χρησιμοποιούν διαμόρφωση μετατόπισης φάσεως.

7A007Εξοπλισμός καθορισμού λειτουργεί σε συχνότητες άνω των 30 MHz και παρουσιάζει όλα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, και ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη του:

| α. | "Στιγμιαίο εύρος ζώνης" 1 MHz ή περισσότερη, |
| --- | --- |

α.

"Στιγμιαίο εύρος ζώνης" 1 MHz ή περισσότερη,

| β. | Παράλληλη επεξεργασία άνω των 100 διαύλων συχνότητας, και |
| --- | --- |

β.

Παράλληλη επεξεργασία άνω των 100 διαύλων συχνότητας, και

| γ. | Ρυθμό επεξεργασίας άνω των 1 000 αποτελεσμάτων καθορισμού διεύθυνσης ανά δευτερόλεπτο και ανά δίαυλο συχνότητας. |
| --- | --- |

γ.

Ρυθμό επεξεργασίας άνω των 1 000 αποτελεσμάτων καθορισμού διεύθυνσης ανά δευτερόλεπτο και ανά δίαυλο συχνότητας.

7A101Επιταχυνσίμετρα διαφορετικά από τα αναφερόμενα στην παράγραφο 7Α001, ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένα μέρη τους:

| α. | επιταχυνσίμετρα των οποίων η κατώτατη τιμή ένδειξης είναι 0,05 g ή μικρότερη, ή που παρουσιάζουν σφάλμα γραμμικότητας που κείται εντός του 0,25 % του πλήρους φάσματος μέτρησης, ή παρουσιάζουν αμφότερα τα προηγούμενα χαρακτηριστικά και έχουν σχεδιαστεί προς χρήση σε συστήματα αδρανειακής πλοήγησης ή σε συστήματα καθοδήγησης όλων των τύπων.


  Παρατ.: Το σημείο 7Α101 α δεν προσδιορίζει επιταχυνσιόμετρα τα οποία είναι ειδικά σχεδιασμένα και αναπτυγμένα ως αισθητήρες MWD (Measurement While Drilling - Μέτρηση κατά την γεώτρηση), που χρησιμοποιούνται για εργασίες στο φρέαρ της γεώτρησης. |
| --- | --- |

α.

επιταχυνσίμετρα των οποίων η κατώτατη τιμή ένδειξης είναι 0,05 g ή μικρότερη, ή που παρουσιάζουν σφάλμα γραμμικότητας που κείται εντός του 0,25 % του πλήρους φάσματος μέτρησης, ή παρουσιάζουν αμφότερα τα προηγούμενα χαρακτηριστικά και έχουν σχεδιαστεί προς χρήση σε συστήματα αδρανειακής πλοήγησης ή σε συστήματα καθοδήγησης όλων των τύπων.

Παρατ.: Το σημείο 7Α101 α δεν προσδιορίζει επιταχυνσιόμετρα τα οποία είναι ειδικά σχεδιασμένα και αναπτυγμένα ως αισθητήρες MWD (Measurement While Drilling - Μέτρηση κατά την γεώτρηση), που χρησιμοποιούνται για εργασίες στο φρέαρ της γεώτρησης.

| β. | Επιταχυνσίμετρα με συνεχές σήμα εξόδου προορισμένα να λειτουργούν σε επιτάχυνση άνω των 100 g. |
| --- | --- |

β.

Επιταχυνσίμετρα με συνεχές σήμα εξόδου προορισμένα να λειτουργούν σε επιτάχυνση άνω των 100 g.

7A102Όλοι οι τύποι γυροσκοπίων, εκτός των αναφερομένων στην παράγραφο 7Α002, που μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε "βλήματα" και των οποίων η "σταθερότητα ρυθμού εκτροπής" είναι μικρότερη από 0,50 (1 σίγμα ή rms) ανά ώρα σε συνθήκες επιτάχυνσης 1 g και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά στοιχεία για τα ανωτέρω.

7A103Όργανα, εξοπλισμός και συστήματα πλοήγησης, εκτός των αναφερομένων στην παράγραφο 7Α003, που παρουσιάζουν τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη τους:

| α. | Αδρανειακοί ή λοιποί εξοπλισμοί που χρησιμοποιούν επιταχυνσίμετρα που καθορίζονται στις παραγράφους 7Α001 ή 7Α101 ή γυροσκόπια που καθορίζονται στις παραγράφους 7Α002, ή 7Α102 καθώς και τα συστήματα όπου ενσωματώνεται ο εξοπλισμός αυτός,


  Παρατ.: Το 7Α103.α. δεν ορίζει τον εξοπλισμό που περιέχει επιταχυνσίμετρα που ορίζονται στο 7Α001 όπου τα επιταχυνσίμετρα αυτά σχεδιάζονται και κατασκευάζονται ειδικά ως αισθητήρες MWD (Μέτρηση κατά τη Γεώτρηση) για χρήση σε εργασίες στο βυθό φρέατος. |
| --- | --- |

α.

Αδρανειακοί ή λοιποί εξοπλισμοί που χρησιμοποιούν επιταχυνσίμετρα που καθορίζονται στις παραγράφους 7Α001 ή 7Α101 ή γυροσκόπια που καθορίζονται στις παραγράφους 7Α002, ή 7Α102 καθώς και τα συστήματα όπου ενσωματώνεται ο εξοπλισμός αυτός,

Παρατ.: Το 7Α103.α. δεν ορίζει τον εξοπλισμό που περιέχει επιταχυνσίμετρα που ορίζονται στο 7Α001 όπου τα επιταχυνσίμετρα αυτά σχεδιάζονται και κατασκευάζονται ειδικά ως αισθητήρες MWD (Μέτρηση κατά τη Γεώτρηση) για χρήση σε εργασίες στο βυθό φρέατος.

| β. | Ολοκληρωμένα συστήματα οργάνων πτήσης, περιλαμβανομένων των γυροσκοπικών σταθεροποιητών ή των αυτομάτων πιλότων, που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούνται σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004, σε μη επανδρωμένα εναέρια οχήματα που ορίζονται στο σημείο 9Α012 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104, |
| --- | --- |

β.

Ολοκληρωμένα συστήματα οργάνων πτήσης, περιλαμβανομένων των γυροσκοπικών σταθεροποιητών ή των αυτομάτων πιλότων, που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούνται σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004, σε μη επανδρωμένα εναέρια οχήματα που ορίζονται στο σημείο 9Α012 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104,

| γ. | ‧Ολοκληρωμένα συστήματα αεροπλοήγησης‧, σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004, για μη επανδρωμένα εναέρια οχήματα που ορίζονται στο σημείο 9Α012 ή για πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104, και ικανά να παρέχουν πλοηγική ακρίβεια ισοπιθανοτικού κύκλου (CEP) 200 m ή καλύτερη.

  Τεχνική παρατήρηση:

  Τα ‧ολοκληρωμένα συστήματα αεροπλοήγησης‧ περιλαμβάνουν κατά κανόνα τα εξής συστατικά μέρη:








  1. | μια αδρανειακή μετρητική συσκευή (π.χ. σύστημα αναφοράς θέσης και πορείας, αδρανειακή μονάδα αναφοράς ή αδρανειακό σύστημα αεροπλοήγησης), |
| --- | --- | --- |

γ.

‧Ολοκληρωμένα συστήματα αεροπλοήγησης‧, σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004, για μη επανδρωμένα εναέρια οχήματα που ορίζονται στο σημείο 9Α012 ή για πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104, και ικανά να παρέχουν πλοηγική ακρίβεια ισοπιθανοτικού κύκλου (CEP) 200 m ή καλύτερη.

Τεχνική παρατήρηση:

Τα ‧ολοκληρωμένα συστήματα αεροπλοήγησης‧ περιλαμβάνουν κατά κανόνα τα εξής συστατικά μέρη:

1.

μια αδρανειακή μετρητική συσκευή (π.χ. σύστημα αναφοράς θέσης και πορείας, αδρανειακή μονάδα αναφοράς ή αδρανειακό σύστημα αεροπλοήγησης),

| 2. | έναν ή περισσότερους εξωτερικούς αισθητήρες χρησιμοποιούμενους για την ενημέρωση της θέσης ή/και της ταχύτητας, είτε κατά διαστήματα είτε συνεχώς καθ’όλη την πτήση (π.χ. δορυφορικό αεροπλοηγικό δέκτη, υψόμετρο με ραντάρ ή/και ραντάρ Doppler), και |
| --- | --- |

2.

έναν ή περισσότερους εξωτερικούς αισθητήρες χρησιμοποιούμενους για την ενημέρωση της θέσης ή/και της ταχύτητας, είτε κατά διαστήματα είτε συνεχώς καθ’όλη την πτήση (π.χ. δορυφορικό αεροπλοηγικό δέκτη, υψόμετρο με ραντάρ ή/και ραντάρ Doppler), και

| 3. | συνολοκληρωτικό υλικό και λογισμικό. |
| --- | --- |

3.

συνολοκληρωτικό υλικό και λογισμικό.

7A104Γυροαστροσκοπικές πυξίδες και άλλες διατάξεις, εκτός των προβλεπομένων στην παράγραφο 7Α004, που καθορίζουν τη θέση ή τον προσανατολισμό μέσω αυτόματης παρακολούθησης ουρανίων σωμάτων ή δορυφόρων, καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη τους.

7A105Εξοπλισμοί λήψης σημάτων από παγκόσμια συστήματα δορυφορικής πλοήγησης (GNSS, π.χ. το GPS, το Glonass ή το Galileo) με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά, καθώς και συστατικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα γι’ αυτούς:

| α. | σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι προς χρήση σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004, σε μη επανδρωμένα εναέρια οχήματα που ορίζονται στο σημείο 9Α012 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104, ή |
| --- | --- |

α.

σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι προς χρήση σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004, σε μη επανδρωμένα εναέρια οχήματα που ορίζονται στο σημείο 9Α012 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104, ή

| β. | σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι για εναέριες εφαρμογές, με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  1. | ικανότητα παροχής αεροπλοηγικών πληροφοριών σε ταχύτητες άνω των 600 m/s (1 165 ναυτικών μιλίων ανά ώρα), |
| --- | --- | --- |

β.

σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι για εναέριες εφαρμογές, με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1.

ικανότητα παροχής αεροπλοηγικών πληροφοριών σε ταχύτητες άνω των 600 m/s (1 165 ναυτικών μιλίων ανά ώρα),

| 2. | χρησιμοποίηση αποκρυπτογραφικών μέσων σχεδιασμένων ή τροποποιημένων για στρατιωτικές ή κρατικές υπηρεσίες, με σκοπό την πρόσβαση σε ασφαλισμένα σήματα/δεδομένα GNSS, ή |
| --- | --- |

2.

χρησιμοποίηση αποκρυπτογραφικών μέσων σχεδιασμένων ή τροποποιημένων για στρατιωτικές ή κρατικές υπηρεσίες, με σκοπό την πρόσβαση σε ασφαλισμένα σήματα/δεδομένα GNSS, ή

| 3. | ειδικό σχεδιασμό για να χρησιμοποιούν αντιπαρεμβολικά χαρακτηριστικά (π.χ. κεραία μηδενικής ή ηλεκτρονικής καθοδήγησης) για να λειτουργούν σε περιβάλλον ενεργητικών ή παθητικών αντιμέτρων. |
| --- | --- |

3.

ειδικό σχεδιασμό για να χρησιμοποιούν αντιπαρεμβολικά χαρακτηριστικά (π.χ. κεραία μηδενικής ή ηλεκτρονικής καθοδήγησης) για να λειτουργούν σε περιβάλλον ενεργητικών ή παθητικών αντιμέτρων.

Σημείωση: Τα σημεία 7Α105.β.2 και 7Α105.β.3 δεν θέτουν υπό έλεγχο τον εξοπλισμό το σχεδιασμένο για εμπορικές, πολιτικές ή ζωοσωστικές (π.χ. ακεραιότητα δεδομένων, ασφάλεια πτήσεων) υπηρεσίες GNSS.

7A106Ραδιοϋψίμετρα ή ραδιοϋψίμετρα laser, εκτός των καθοριζομένων στην παράγραφο 7Α006, τα οποία έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούνται σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104.

7A115Παθητικοί αισθητήρες για τον καθορισμό της συμπεριφοράς έναντι ειδικών ηλεκτρομαγνητικών πηγών (εξοπλισμός εξεύρεσης της κατεύθυνσης) ή για τον καθορισμό των χαρακτηριστικών του εδάφους, οι οποίοι έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούνται σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104.

Παρά.: Το 7Α115 περιλαμβάνει αισθητήρες για τον ακόλουθο εξοπλισμό:

| α. | Εξοπλισμός χαρτογράφησης εδάφους, |
| --- | --- |

α.

Εξοπλισμός χαρτογράφησης εδάφους,

| β. | Αισθητήρες εξοπλισμού απεικόνισης (ενεργητικοί και παθητικοί), |
| --- | --- |

β.

Αισθητήρες εξοπλισμού απεικόνισης (ενεργητικοί και παθητικοί),

| γ. | Παθητικός εξοπλισμός συμβολομέτρου. |
| --- | --- |

γ.

Παθητικός εξοπλισμός συμβολομέτρου.

7A116Συστήματα ελέγχου πτήσης και σερβοβαλβίδες των ακολούθων τύπων που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για χρήση σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή για πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104:

| α. | Υδραυλικά, μηχανικά, ηλεκτρο-οπτικά, ή ηλεκτρομηχανικά συστήματα ελέγχου πτήσης (συμπεριλαμβανομένων των τύπων εκτέλεσης χειρισμών δια ηλεκτρικών σημάτων (fly by wire)), |
| --- | --- |

α.

Υδραυλικά, μηχανικά, ηλεκτρο-οπτικά, ή ηλεκτρομηχανικά συστήματα ελέγχου πτήσης (συμπεριλαμβανομένων των τύπων εκτέλεσης χειρισμών δια ηλεκτρικών σημάτων (fly by wire)),

| β. | Εξοπλισμός ένδειξης του ύψους, |
| --- | --- |

β.

Εξοπλισμός ένδειξης του ύψους,

| γ. | Σερβοβαλβίδες ελέγχου πτήσης, σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για τα συστήματα που προσδιορίζονται στο 7Α116.α ή στο 7Α116.β, και σχεδιασμένες ή τροποποιημένες ώστε να λειτουργούν σε περιβάλλον κραδασμών με τετραγωνικό μέσο όρο (rms) επιτάχυνσης άνω των 10 g σ’ ολόκληρο τα φάσμα από 20 Hz μέχρι 2 kHz. |
| --- | --- |

γ.

Σερβοβαλβίδες ελέγχου πτήσης, σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για τα συστήματα που προσδιορίζονται στο 7Α116.α ή στο 7Α116.β, και σχεδιασμένες ή τροποποιημένες ώστε να λειτουργούν σε περιβάλλον κραδασμών με τετραγωνικό μέσο όρο (rms) επιτάχυνσης άνω των 10 g σ’ ολόκληρο τα φάσμα από 20 Hz μέχρι 2 kHz.

7A117"Σύνολα καθοδήγησης", χρησιμοποιήσιμα σε "βλήματα" ικανά να επιτύχουν ακρίβεια συστήματος μικρότερη ή ίση προς 3,33 % της εμβέλειας (π.χ., πιθανότητα κυκλικού σφάλματος "CEP" 10 km ή λιγότερο σε εμβέλεια 300 km).

7BΕξοπλισμός δοκιμών, επιθεωρήσεων και παραγωγής

7B001Εξοπλισμός δοκιμής, διακρίβωσης ή ευθυγράμμισης που έχει ειδικά σχεδιαστεί για τον εξοπλισμό που καθορίζεται στην υποκατηγορία 7Α.

Παρατ.: Το 7Β001 δεν ελέγχει τον εξοπλισμό δοκιμής, διακρίβωσης ή ευθυγράμμισης για το Επίπεδο Συντήρησης I και το Επίπεδο Συντήρησης II.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Συντήρηση επιπέδου I


  Η αστοχία μονάδας αδρανειακής πλοήγησης εντοπίζεται στο αεροσκάφος με ενδείξεις στη μονάδα ελέγχου και οπτικοποίησης (control and display unit, CDU) ή με το μήνυμα που στέλνει το αντίστοιχο υποσύστημα. Σύμφωνα με το εγχειρίδιο του κατασκευαστή το αίτιο της αστοχίας είναι δυνατό να εντοπιστεί στο επίπεδο της κακά λειτουργούσης αντικαταστάσιμης μονάδας (line replaceable unit, LRU). Ο χειριστής αφαιρεί εν συνεχεία τη μονάδα LRU και την αντικαθιστά με εφεδρική. |
| --- | --- |

1.

Συντήρηση επιπέδου I

| 2. | Συντήρηση επιπέδου II


  Η ελαττωματική LRU αποστέλλεται στο εργαστήριο συντήρησης (του κατασκευαστή ή του χρήστη που είναι υπεύθυνος για τη συντήρηση δευτέρου επιπέδου). Στο εργαστήριο συντήρησης η κακώς λειτουργούσα LRU υπόκειται σε δοκιμές με τα κατάλληλα μέσα για να διαπιστωθεί και εντοπιστεί το ελαττωματικό συναρμολόγημα προς αντικατάσταση στο εργαστήριο (shop replaceable assembly, SRA). Το SRA αφαιρείται και αντικαθίσταται με εφεδρικό που λειτουργεί. Το ελαττωματικό SRA (ή ενδεχομένως η πλήρης LRU) αποστέλλεται εν συνεχεία στον κατασκευαστή.


  ΣΗΜ.: Το επίπεδο συντήρησης II δεν περιλαμβάνει την αφαίρεση από το SRA των επιταχυνσιμέτρων ή αισθητήρων γυροσκοπίων που υπόκεινται σε ελέγχους. |
| --- | --- |

2.

Συντήρηση επιπέδου II

ΣΗΜ.: Το επίπεδο συντήρησης II δεν περιλαμβάνει την αφαίρεση από το SRA των επιταχυνσιμέτρων ή αισθητήρων γυροσκοπίων που υπόκεινται σε ελέγχους.

7B002Ο ακόλουθος εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιαστεί για τον ποιοτικό χαρακτηρισμό των καθρεπτών για γυροσκόπια δακτυλίων laser:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 7B102.

| α. | Μετρητές διασποράς με ακρίβεια μέτρησης ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 10 ppm, |
| --- | --- |

α.

Μετρητές διασποράς με ακρίβεια μέτρησης ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 10 ppm,

| β. | Κατατομόμετρα (profilometers) με ακρίβεια μέτρησης ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 0,5 nm (5 angstrom). |
| --- | --- |

β.

Κατατομόμετρα (profilometers) με ακρίβεια μέτρησης ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 0,5 nm (5 angstrom).

7B003Εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος για την «παραγωγή» του εξοπλισμού που καθορίζεται στην υποπαράγραφο 7Α.

Σημ.: Στο 7B003 περιλαμβάνονται:

| α. | Σταθμοί δοκιμών συντονισμού γυροσκοπίων, |
| --- | --- |

α.

Σταθμοί δοκιμών συντονισμού γυροσκοπίων,

| β. | Σταθμοί δυναμικής ζυγοστάθμισης γυροσκοπίων, |
| --- | --- |

β.

Σταθμοί δυναμικής ζυγοστάθμισης γυροσκοπίων,

| γ. | Σταθμοί ελέγχου του ρονταρίσματος γυροσκοπίων δοκιμών κινητήρων, |
| --- | --- |

γ.

Σταθμοί ελέγχου του ρονταρίσματος γυροσκοπίων δοκιμών κινητήρων,

| δ. | Σταθμοί εκκένωσης και πλήρωσης γυροσκοπίων, |
| --- | --- |

δ.

Σταθμοί εκκένωσης και πλήρωσης γυροσκοπίων,

| ε. | Κεντρόφυγη στερέωση για εφέδρανα γυροσκοπίων, |
| --- | --- |

ε.

Κεντρόφυγη στερέωση για εφέδρανα γυροσκοπίων,

| στ. | Σταθμοί για την ευθυγράμμιση των αξόνων επιταχυνσιμέτρων. |
| --- | --- |

στ.

Σταθμοί για την ευθυγράμμιση των αξόνων επιταχυνσιμέτρων.

7B102Ανακλασιόμετρα ειδικά σχεδιασμένα για τον χαρακτηρισμό κατόπτρων, για γυροσκόπια «laser» με ακρίβεια μέτρησης ίση ή μικρότερη (καλύτερη) των 50 ppm.

7B103"Εγκαταστάσεις παραγωγής" και "εξοπλισμός παραγωγής" ως εξής:

| α. | "Εγκαταστάσεις παραγωγής" ειδικά σχεδιασμένες για τον εξοπλισμό που καθορίζεται στο 7A117, |
| --- | --- |

α.

"Εγκαταστάσεις παραγωγής" ειδικά σχεδιασμένες για τον εξοπλισμό που καθορίζεται στο 7A117,

| β. | Εξοπλισμός παραγωγής, και άλλος εξοπλισμός δοκιμής, διακρίβωσης και ευθυγράμμισης, εκτός από αυτόν που καθορίζεται στα 7Β001 έως 7Β003, σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για να χρησιμοποιείται με τον εξοπλισμό που καθορίζεται στο 7Α. |
| --- | --- |

β.

Εξοπλισμός παραγωγής, και άλλος εξοπλισμός δοκιμής, διακρίβωσης και ευθυγράμμισης, εκτός από αυτόν που καθορίζεται στα 7Β001 έως 7Β003, σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για να χρησιμοποιείται με τον εξοπλισμό που καθορίζεται στο 7Α.

7CΥλικά

Ουδέν.

7DΛογισμικό

7D001"Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή" του εξοπλισμού που καθορίζεται στις παραγράφους 7Α ή 7Β.

7D002Λογισμικό σε "πηγαίο κώδικα" προς "χρήση" σε οιοδήποτε εξοπλισμό αδρανειακής πλοήγησης, συμπεριλαμβανομένων των αδρανειακών εξοπλισμών που δεν ελέγχονται από τις παραγράφους 7Α003 ή 7Α004, ή σε συστήματα αναφοράς θέσης και πορείας αεροσκάφους (Attitude Heading Reference Systems, AHRS).

Σημ.: Το 7D002 δεν ελέγχει "πηγαίο κώδικα" για τη "χρήση" AHRS με καρδανική ανάρτηση.

Τεχνική παρατήρηση:

Τα συστήματα AHRS κατά κανόνα διαφέρουν από τα συστήματα αδρανειακής πλοήγησης (INS) κατά το ότι ένα σύστημα AHRS παρέχει πληροφορίες για την πορεία του αεροσκάφους και κατά κανόνα δεν παρέχει πληροφορίες σχετικά με την επιτάχυνση, την ταχύτητα και τη θέση που παρέχονται από ένα σύστημα INS.

7D003Λοιπό "λογισμικό", ως εξής:

| α. | "Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για να βελτιώνει τις επιδόσεις σε επιχειρησιακό επίπεδο ή να περιορίζει το σφάλμα πλοήγησης των συστημάτων στα μεγέθη που καθορίζονται στις παραγράφους 7Α003 ή 7Α004, |
| --- | --- |

α.

"Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για να βελτιώνει τις επιδόσεις σε επιχειρησιακό επίπεδο ή να περιορίζει το σφάλμα πλοήγησης των συστημάτων στα μεγέθη που καθορίζονται στις παραγράφους 7Α003 ή 7Α004,

| β. | Λογισμικό σε "πηγαίο κώδικα" για υβριδικά ολοκληρωμένα συστήματα το οποίο βελτιώνει τις επιδόσεις σε επιχειρησιακό επίπεδο ή περιορίζει το σφάλμα πλοήγησης των συστημάτων στα μεγέθη που καθορίζονται στην παράγραφο 7Α003, δια του συνεχούς συνδυασμού δεδομένων από την αδρανειακή πλοήγηση με οιαδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Δεδομένα ταχύτητας ραδιοεντοπιστή Doppler, |
| --- | --- | --- |

β.

Λογισμικό σε "πηγαίο κώδικα" για υβριδικά ολοκληρωμένα συστήματα το οποίο βελτιώνει τις επιδόσεις σε επιχειρησιακό επίπεδο ή περιορίζει το σφάλμα πλοήγησης των συστημάτων στα μεγέθη που καθορίζονται στην παράγραφο 7Α003, δια του συνεχούς συνδυασμού δεδομένων από την αδρανειακή πλοήγηση με οιαδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Δεδομένα ταχύτητας ραδιοεντοπιστή Doppler,

| 2. | Δεδομένα αναφοράς από δορυφορικά συστήματα παγκόσμιας αεροπλοΐας (π.χ. GPS ή GLONASS), ή |
| --- | --- |

2.

Δεδομένα αναφοράς από δορυφορικά συστήματα παγκόσμιας αεροπλοΐας (π.χ. GPS ή GLONASS), ή

| 3. | Δεδομένα συστημάτων "Πλοήγησης βάσει Καταχωρημένων Δεδομένων" ("DBRN"). |
| --- | --- |

3.

Δεδομένα συστημάτων "Πλοήγησης βάσει Καταχωρημένων Δεδομένων" ("DBRN").

| γ. | Λογισμικό σε "Πηγαίο κώδικα" για ολοκληρωμένα συστήματα αεροηλεκτρονικής ή ελέγχου πτήσεων τα οποία συνδυάζουν δεδομένα από αισθητήρες και χρησιμοποιούν "έμπειρα συστήματα", |
| --- | --- |

γ.

Λογισμικό σε "Πηγαίο κώδικα" για ολοκληρωμένα συστήματα αεροηλεκτρονικής ή ελέγχου πτήσεων τα οποία συνδυάζουν δεδομένα από αισθητήρες και χρησιμοποιούν "έμπειρα συστήματα",

| δ. | Λογισμικό σε "Πηγαίο κώδικα" για την "ανάπτυξη" οιουδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Ψηφιακών συστημάτων διαχείρισης πτήσης για "πλήρη έλεγχο της πτήσης", |
| --- | --- | --- |

δ.

Λογισμικό σε "Πηγαίο κώδικα" για την "ανάπτυξη" οιουδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Ψηφιακών συστημάτων διαχείρισης πτήσης για "πλήρη έλεγχο της πτήσης",

| 2. | Ολοκληρωμένων συστημάτων πρόωσης και ελέγχου πτήσης, |
| --- | --- |

2.

Ολοκληρωμένων συστημάτων πρόωσης και ελέγχου πτήσης,

| 3. | Συστημάτων χειρισμού δια ηλεκτρικών (fly-by-wire) ή οπτο-ηλεκτρονικών σημάτων (flight-by-light), |
| --- | --- |

3.

Συστημάτων χειρισμού δια ηλεκτρικών (fly-by-wire) ή οπτο-ηλεκτρονικών σημάτων (flight-by-light),

| 4. | "Ενεργών συστημάτων ελέγχου πτήσης" με ανοχή βλάβης ή αυτοεπανόρθωση, |
| --- | --- |

4.

"Ενεργών συστημάτων ελέγχου πτήσης" με ανοχή βλάβης ή αυτοεπανόρθωση,

| 5. | Αερομεταφερόμενου εξοπλισμού αυτομάτου ευρέσεως κατεύθυνσης, |
| --- | --- |

5.

Αερομεταφερόμενου εξοπλισμού αυτομάτου ευρέσεως κατεύθυνσης,

| 6. | Συστημάτων πληροφοριών αέρος βασιζομένων σε στατικές πληροφορίες επιφανείας, ή |
| --- | --- |

6.

Συστημάτων πληροφοριών αέρος βασιζομένων σε στατικές πληροφορίες επιφανείας, ή

| 7. | Οθονών απεικόνισης στο ύψος οπτικού πεδίου σε πλέγμα ή οθονών τρισδιάστατης απεικόνισης. |
| --- | --- |

7.

Οθονών απεικόνισης στο ύψος οπτικού πεδίου σε πλέγμα ή οθονών τρισδιάστατης απεικόνισης.

| ε. | Λογισμικό σχεδιασμού με τη βοήθεια ηλεκτρονικού υπολογιστή (CAD) ειδικά σχεδιασμένο για την "ανάπτυξη""ενεργών συστημάτων ελέγχου πτήσhς", πολυαξονικών συστημάτων χειρισμού δια ηλεκτρικών ή οπτο-ηλεκτρονικών σημάτων ελικοπτέρων ή συστημάτων χειρισμού της εκτροπής ή της κατεύθυνσης δι’ ελέγχου της κυκλοφορίας, των οποίων "η τεχνολογία", καθορίζεται στο 7Ε004.β., 7Ε004.γ.1. ή 7Ε004.γ.2. |
| --- | --- |

ε.

Λογισμικό σχεδιασμού με τη βοήθεια ηλεκτρονικού υπολογιστή (CAD) ειδικά σχεδιασμένο για την "ανάπτυξη""ενεργών συστημάτων ελέγχου πτήσhς", πολυαξονικών συστημάτων χειρισμού δια ηλεκτρικών ή οπτο-ηλεκτρονικών σημάτων ελικοπτέρων ή συστημάτων χειρισμού της εκτροπής ή της κατεύθυνσης δι’ ελέγχου της κυκλοφορίας, των οποίων "η τεχνολογία", καθορίζεται στο 7Ε004.β., 7Ε004.γ.1. ή 7Ε004.γ.2.

7D101"Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο προς "χρήση" στον εξοπλισμό που καθορίζεται στις παραγράφους 7Α001 μέχρι 7Α006, 7Α101 μέχρι 7Α106, 7Α115, 7Α116.α., 7Α116.β., 7Β001, 7Β002, 7Β003, 7Β102 ή 7Β103.

7D102Συνολοκληρωτικό "λογισμικό" ως εξής:

| α. | Συνολοκληρωτικό "λογισμικό" για τον εξοπλισμό που καθορίζεται στην παράγραφο 7Α103.β., |
| --- | --- |

α.

Συνολοκληρωτικό "λογισμικό" για τον εξοπλισμό που καθορίζεται στην παράγραφο 7Α103.β.,

| β. | Συνολοκληρωτικό"λογισμικό" ειδικώς σχεδιασμένο για τον εξοπλισμό που καθορίζεται στις παραγράφους 7Α003 ή 7Α103.α. |
| --- | --- |

β.

Συνολοκληρωτικό"λογισμικό" ειδικώς σχεδιασμένο για τον εξοπλισμό που καθορίζεται στις παραγράφους 7Α003 ή 7Α103.α.

| γ. | Συνολοκληρωτικό "λογισμικό" σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για τον εξοπλισμό που καθορίζεται στην παράγραφο 7Α103.γ.,


  Σημείωση: Μια συχνή μορφή συνολοκληρωτικού "λογισμικού" χρησιμοποιεί φίλτρα Kalman. |
| --- | --- |

γ.

Συνολοκληρωτικό "λογισμικό" σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για τον εξοπλισμό που καθορίζεται στην παράγραφο 7Α103.γ.,

Σημείωση: Μια συχνή μορφή συνολοκληρωτικού "λογισμικού" χρησιμοποιεί φίλτρα Kalman.

7D103"Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο για δραστηριότητες εκπόνησης μοντέλων ή εξομοίωσης των "συνόλων καθοδήγησης" που προσδιορίζονται στο σημείο 7Α117 ή για τη σχεδιαστική τους ολοκλήρωση με τα οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή τις πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104.

Παρατ.: Το "λογισμικό" που προσδιορίζεται στο σημείο 7D103 εξακολουθεί να ελέγχεται όταν συνδυάζεται με ειδικά σχεδιασμένο υλικό που προσδιορίζεται στο σημείο 4Α102.

7EΤεχνολογία

7E001"Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την "ανάπτυξη εξοπλισμού" ή "λογισμικού" που καθορίζονται στα 7Α, 7Β ή 7D.

7E002"Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την "παραγωγή" ξοπλισμού που καθορίζονται στις υποπαραγράφους 7Α ή 7Β.

7E003"Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την επιδιόρθωση, ανακαίνιση ή γενική επισκευή του εξοπλισμού που καθορίζεται στις παραγράφους 7Α001 έως 7Α004.

Σημ.: Το 7Ε003 δεν ελέγχει την "τεχνολογία" συντήρησης που αφορά άμεσα τη διακρίβωση, την αφαίρεση ή την αντικατάσταση φθαρμένων ή μη επιδεχομένων επιδιόρθωση LRU και SRA "πολιτικού αεροσκάφους" σύμφωνα με την περιγραφή του Επιπέδου Συντήρησης I ή του Επιπέδου Συντήρησης II.

ΣΗΜ.: Βλέπε τεχνικές παρατηρήσεις επί της παραγράφου 7B001.

7E004Λοιπές "τεχνολογίες", ως εξής:

| α. | "Τεχνολογία"για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή":






  1. | Αερομεταφερόμενου εξοπλισμού αυτόματης ανευρέσεως κατευθύνσεως που λειτουργεί σε συχνότητες άνω των 5 MHz, |
| --- | --- | --- |

α.

"Τεχνολογία"για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή":

1.

Αερομεταφερόμενου εξοπλισμού αυτόματης ανευρέσεως κατευθύνσεως που λειτουργεί σε συχνότητες άνω των 5 MHz,

| 2. | Συστημάτων πληροφοριών αέρος βασιζομένων μόνο σε στατικές πληροφορίες επιφανείας, δηλαδή που δεν χρησιμοποιούν συμβατικά αεροστόμια συλλογής δεδομένων, |
| --- | --- |

2.

Συστημάτων πληροφοριών αέρος βασιζομένων μόνο σε στατικές πληροφορίες επιφανείας, δηλαδή που δεν χρησιμοποιούν συμβατικά αεροστόμια συλλογής δεδομένων,

| 3. | Οθονών απεικόνισης στο ύψος του οπτικού πεδίου σε πλέγμα ή οθονών τρισδιάστατης απεικόνισης, |
| --- | --- |

3.

Οθονών απεικόνισης στο ύψος του οπτικού πεδίου σε πλέγμα ή οθονών τρισδιάστατης απεικόνισης,

| 4. | Συστημάτων αδρανειακής πλοήγησης ή γυροαστρικών πυξίδων που περιέχουν τα επιταχυνσίμετρα ή τα γυροσκόπια που καθορίζονται στις παραγράφους 7Α001 ή 7Α002, |
| --- | --- |

4.

Συστημάτων αδρανειακής πλοήγησης ή γυροαστρικών πυξίδων που περιέχουν τα επιταχυνσίμετρα ή τα γυροσκόπια που καθορίζονται στις παραγράφους 7Α001 ή 7Α002,

| 5. | Ηλεκτρικών συστημάτων κίνησης (actuator) (δηλ. ηλεκτρομηχανικών, ηλεκτροϋδραυλικών και ολοκληρωμένων συσκευών κίνησης), ειδικά σχεδιασμένων για "κύριο έλεγχο πτήσης", |
| --- | --- |

5.

Ηλεκτρικών συστημάτων κίνησης (actuator) (δηλ. ηλεκτρομηχανικών, ηλεκτροϋδραυλικών και ολοκληρωμένων συσκευών κίνησης), ειδικά σχεδιασμένων για "κύριο έλεγχο πτήσης",

| 6. | "Συστοιχίας οπτικών αισθητήρων ελέγχου πτήσης" ειδικά σχεδιασμένης για την εφαρμογή "ενεργών συστημάτων ελέγχου πτήσης". |
| --- | --- |

6.

"Συστοιχίας οπτικών αισθητήρων ελέγχου πτήσης" ειδικά σχεδιασμένης για την εφαρμογή "ενεργών συστημάτων ελέγχου πτήσης".

| β. | Η ακόλουθη "τεχνολογία""ανάπτυξης""ενεργών συστημάτων ελέγχου πτήσης" (περιλαμβανομένων των συστημάτων χειρισμού δια ηλεκτρικών ή οπτο-ηλεκτρονικών σημάτων):






  1. | Σχεδιασμός διάρθρωσης για την συνδεσμολογία πολλών μικροηλεκτρονικών στοιχείων επεξεργασίας (ηλεκτρονικών υπολογιστών αεροσκάφους) για την επίτευξη "επεξεργασίας πραγματικού χρόνου" όσον αφορά την εφαρμογή των κανόνων ελέγχου, |
| --- | --- | --- |

β.

Η ακόλουθη "τεχνολογία""ανάπτυξης""ενεργών συστημάτων ελέγχου πτήσης" (περιλαμβανομένων των συστημάτων χειρισμού δια ηλεκτρικών ή οπτο-ηλεκτρονικών σημάτων):

1.

Σχεδιασμός διάρθρωσης για την συνδεσμολογία πολλών μικροηλεκτρονικών στοιχείων επεξεργασίας (ηλεκτρονικών υπολογιστών αεροσκάφους) για την επίτευξη "επεξεργασίας πραγματικού χρόνου" όσον αφορά την εφαρμογή των κανόνων ελέγχου,

| 2. | Αντιστάθμιση των κανόνων ελέγχου για τη θέση των αισθητήρων ή τις δυναμικές φορτίσεις του αεροσκάφους, δηλαδή αντιστάθμιση των δονήσεων του περιβάλλοντος των αισθητήρων ή τις αποκλίσεις της θέσης του αισθητήρα από το κέντρο βαρύτητας, |
| --- | --- |

2.

Αντιστάθμιση των κανόνων ελέγχου για τη θέση των αισθητήρων ή τις δυναμικές φορτίσεις του αεροσκάφους, δηλαδή αντιστάθμιση των δονήσεων του περιβάλλοντος των αισθητήρων ή τις αποκλίσεις της θέσης του αισθητήρα από το κέντρο βαρύτητας,

| 3. | Ηλεκτρονική διαχείριση πλεονασματικών δεδομένων ή πλεονασματικών συστημάτων για την ανίχνευση σφαλμάτων, την ανοχή σφαλμάτων, την απομόνωση σφαλμάτων ή την επανόρθωση,


  Παρατ.: Στο εδάφιο 7Ε004.β.3. δεν ελέγχεται η "τεχνολογία" για τον σχεδιασμό πλεονασματικών φυσικών μεγεθών. |
| --- | --- |

3.

Ηλεκτρονική διαχείριση πλεονασματικών δεδομένων ή πλεονασματικών συστημάτων για την ανίχνευση σφαλμάτων, την ανοχή σφαλμάτων, την απομόνωση σφαλμάτων ή την επανόρθωση,

Παρατ.: Στο εδάφιο 7Ε004.β.3. δεν ελέγχεται η "τεχνολογία" για τον σχεδιασμό πλεονασματικών φυσικών μεγεθών.

| 4. | Χειριστήρια πτήσεως που επιτρέπουν την εν πτήση επανόρθωση των χειριστηρίων δύναμης και ροπής για πραγματικού χρόνου αυτόνομο έλεγχο του αεροσκάφους, |
| --- | --- |

4.

Χειριστήρια πτήσεως που επιτρέπουν την εν πτήση επανόρθωση των χειριστηρίων δύναμης και ροπής για πραγματικού χρόνου αυτόνομο έλεγχο του αεροσκάφους,

| 5. | Ενοποίηση των ψηφιακών πληροφοριών ελέγχου πτήσης, πλοήγησης και πρόωσης σε ενιαίο ψηφιακό σύστημα διαχείρισης πτήσης για τον "πλήρη έλεγχο της πτήσης",


  Σημ.: Το 7Ε004.β.5. δεν ελέγχει:








  α. | Την "τεχνολογία""ανάπτυξης" για την ενοποίηση των ψηφιακών πληροφοριών ελέγχου πτήσης, πλοήγησης σε ενιαίο ψηφιακό σύστημα ελέγχου πτήσης για την "βελτιστοποίηση της πορείας πτήσης", |
| --- | --- | --- |

5.

Ενοποίηση των ψηφιακών πληροφοριών ελέγχου πτήσης, πλοήγησης και πρόωσης σε ενιαίο ψηφιακό σύστημα διαχείρισης πτήσης για τον "πλήρη έλεγχο της πτήσης",

Σημ.: Το 7Ε004.β.5. δεν ελέγχει:

α.

Την "τεχνολογία""ανάπτυξης" για την ενοποίηση των ψηφιακών πληροφοριών ελέγχου πτήσης, πλοήγησης σε ενιαίο ψηφιακό σύστημα ελέγχου πτήσης για την "βελτιστοποίηση της πορείας πτήσης",

| β. | Την "τεχνολογία""ανάπτυξης" συστημάτων οργάνων πτήσης "αεροσκαφών" ενοποιημένων μόνο για την πλοήγηση και την προσγείωση για VOR, DME, ILS ή MLS. |
| --- | --- |

β.

Την "τεχνολογία""ανάπτυξης" συστημάτων οργάνων πτήσης "αεροσκαφών" ενοποιημένων μόνο για την πλοήγηση και την προσγείωση για VOR, DME, ILS ή MLS.

| 6. | Πλήρως αυτόματα ψηφιακά συστήματα ελέγχου πτήσης ή πλήρως αυτόματα συστήματα ελέγχου της πτήσης με πολλούς αισθητήρες που χρησιμοποιούν έμπειρα συστήματα γνώσεων.


  ΣΗΜ.: Όσον αφορά την "τεχνολογία" των πλήρως αυτομάτων ψηφιακών χειριστηρίων κινητήρα (Full Authority Digital Engine Control (FADEC) βλέπε παράγραφο 9Ε003.α.9. |
| --- | --- |

6.

Πλήρως αυτόματα ψηφιακά συστήματα ελέγχου πτήσης ή πλήρως αυτόματα συστήματα ελέγχου της πτήσης με πολλούς αισθητήρες που χρησιμοποιούν έμπειρα συστήματα γνώσεων.

ΣΗΜ.: Όσον αφορά την "τεχνολογία" των πλήρως αυτομάτων ψηφιακών χειριστηρίων κινητήρα (Full Authority Digital Engine Control (FADEC) βλέπε παράγραφο 9Ε003.α.9.

| γ. | Η ακόλουθη "Τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" συστημάτων οργάνων ελικοπτέρων:






  1. | Πολυαξονικά χειριστήρια πτήσης δι’ ηλεκτρικών ή οπτοηλεκτρονικών σημάτων που συνδυάζουν σε ένα και μόνο στοιχείο χειρισμού τουλάχιστον δύο από τις ακόλουθες λειτουργίες:






  α. | Συλλογικό χειρισμό, |
| --- | --- | --- | --- |

γ.

Η ακόλουθη "Τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" συστημάτων οργάνων ελικοπτέρων:

1.

Πολυαξονικά χειριστήρια πτήσης δι’ ηλεκτρικών ή οπτοηλεκτρονικών σημάτων που συνδυάζουν σε ένα και μόνο στοιχείο χειρισμού τουλάχιστον δύο από τις ακόλουθες λειτουργίες:

α.

Συλλογικό χειρισμό,

| β. | Κυκλικό χειρισμό, |
| --- | --- |

β.

Κυκλικό χειρισμό,

| γ. | Χειρισμό εκτροπής. |
| --- | --- |

γ.

Χειρισμό εκτροπής.

| 2. | "Συστήματα χειρισμού με ελεγχόμενη ροή για την εξουδετέρωση ροπής ή κατεύθυνσης". |
| --- | --- |

2.

"Συστήματα χειρισμού με ελεγχόμενη ροή για την εξουδετέρωση ροπής ή κατεύθυνσης".

| 3. | Πτερύγια ρότορα ελικοπτέρου "Μεταβλητής Γεωμετρίας Αεροτομής" προς χρήση σε συστήματα τα οποία χρησιμοποιούν χειρισμό μεμονωμένων πτερυγίων. |
| --- | --- |

3.

Πτερύγια ρότορα ελικοπτέρου "Μεταβλητής Γεωμετρίας Αεροτομής" προς χρήση σε συστήματα τα οποία χρησιμοποιούν χειρισμό μεμονωμένων πτερυγίων.

7E101"Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας προς "χρήση" στον εξοπλισμό που καθορίζεται στις παραγράφους 7Α001 μέχρι 7Α006, 7Α101 μέχρι 7Α106, 7Α115 μέχρι 7Α117, 7Β001, 7Β002, 7Β003, 7Β102, 7Β103, 7D101 μέχρι 7D103.

7E102Η ακόλουθη "Τεχνολογία" για την προστασία αεροηλεκρονικών και ηλεκτρικών υποσυστημάτων από κινδύνους ηλεκτρομαγνητικών παλμών (EMP) και ηλεκτρομαγνητικών παρεμβολών (EMI) από εξωτερικές πηγές:

| α. | "Τεχνολογία" σχεδιασμού συστημάτων θωράκισης, |
| --- | --- |

α.

"Τεχνολογία" σχεδιασμού συστημάτων θωράκισης,

| β. | "Τεχνολογία" σχεδιασμού για τη διαμόρφωση ατρωτοποιημένων ηλεκτρικών κυκλωμάτων και υποσυστημάτων, |
| --- | --- |

β.

"Τεχνολογία" σχεδιασμού για τη διαμόρφωση ατρωτοποιημένων ηλεκτρικών κυκλωμάτων και υποσυστημάτων,

| γ. | "Τεχνολογία" σχεδιασμού για τον προσδιορισμό των κριτηρίων ατρωσίας της παραγράφου 7Ε102.α. και 7Ε102.β. |
| --- | --- |

γ.

"Τεχνολογία" σχεδιασμού για τον προσδιορισμό των κριτηρίων ατρωσίας της παραγράφου 7Ε102.α. και 7Ε102.β.

7E104"Τεχνολογία" για την ενοποίηση των πληροφοριών ελέγχου πτήσεως, καθοδήγησης και προώσεως σε ένα σύστημα διαχείρισης πτήσεως με σκοπό τη βελτιστοποίηση της τροχιάς πυραυλικού συστήματος.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 8

ΝΑΥΤΙΚΟ

8AΣυστήματα, εξοπλισμός, και κατασκευαστικά μέρη

8A001Τα εξής υποβρύχια οχήματα ή σκάφη επιφανείας:

Σημείωση: Όσον αφορά τους περιορισμούς για τον εξοπλισμό υποβρυχίων οχημάτων, βλέπε:

| | Κατηγορία 5 "ασφάλεια πληροφοριών" για τον εξοπλισμό κρυπτογραφημένης επικοινωνίας, |
| --- | --- |

Κατηγορία 5 "ασφάλεια πληροφοριών" για τον εξοπλισμό κρυπτογραφημένης επικοινωνίας,

| | Κατηγορία 6 για τους αισθητήρες, |
| --- | --- |

Κατηγορία 6 για τους αισθητήρες,

| | Κατηγορίες 7 και 8 για τον εξοπλισμό πλοήγησης, |
| --- | --- |

Κατηγορίες 7 και 8 για τον εξοπλισμό πλοήγησης,

| | Κατηγορία 8Α για τον υποβρύχιο εξοπλισμό. |
| --- | --- |

Κατηγορία 8Α για τον υποβρύχιο εξοπλισμό.

| α. | Επανδρωμένα, προσδεδεμένα υποβρύχια οχήματα σχεδιασμένα για να λειτουργούν σε βάθος άνω των 1 000 m, |
| --- | --- |

α.

Επανδρωμένα, προσδεδεμένα υποβρύχια οχήματα σχεδιασμένα για να λειτουργούν σε βάθος άνω των 1 000 m,

| β. | Επανδρωμένα, μη προσδεδεμένα υποβρύχια οχήματα που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Σχεδιασμένα να ‧λειτουργούν αυτόνομα‧ και με ικανότητα ανύψωσης:






  α. | 10 % ή περισσότερο του βάρους τους στον αέρα, και |
| --- | --- | --- | --- |

β.

Επανδρωμένα, μη προσδεδεμένα υποβρύχια οχήματα που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Σχεδιασμένα να ‧λειτουργούν αυτόνομα‧ και με ικανότητα ανύψωσης:

α.

10 % ή περισσότερο του βάρους τους στον αέρα, και

| β. | 15 kN ή περισσότερο, |
| --- | --- |

β.

15 kN ή περισσότερο,

| 2. | Σχεδιασμένα να λειτουργούν σε βάθος μεγαλύτερο από 1 000 m· ή |
| --- | --- |

2.

Σχεδιασμένα να λειτουργούν σε βάθος μεγαλύτερο από 1 000 m· ή

| 3. | Παρουσιάζουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Σχεδιασμένα να φέρουν πλήρωμα 4 ή περισσοτέρων ατόμων, |
| --- | --- | --- |

3.

Παρουσιάζουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Σχεδιασμένα να φέρουν πλήρωμα 4 ή περισσοτέρων ατόμων,

| β. | Σχεδιασμένα να λειτουργούν αυτόνομα για 10 ή περισσότερες ώρες, |
| --- | --- |

β.

Σχεδιασμένα να λειτουργούν αυτόνομα για 10 ή περισσότερες ώρες,

| γ. | Με ‧εμβέλεια‧ 25 ναυτικά μίλια ή περισσότερα, και |
| --- | --- |

γ.

Με ‧εμβέλεια‧ 25 ναυτικά μίλια ή περισσότερα, και

| δ. | Με μήκος 21 m ή λιγότερο, |
| --- | --- |

δ.

Με μήκος 21 m ή λιγότερο,

Τεχνικές Παρατηρήσεις:

| 1. | Για τους σκοπούς του 8Α001.β ‧λειτουργούν αυτόνομα‧ σημαίνει πλήρως καταδεδυμένα, χωρίς σνόρκες με όλα τα συστήματα να λειτουργούν και να πλέουν με ελάχιστη ταχύτητα στην οποία το υποβρύχιο όχημα μπορεί να ελέγχει ασφαλώς δυναμικά το βάθος του χρησιμοποιώντας μόνο τα πτερύγια βάθους χωρίς να χρειάζεται πλοίο υποστήριξης ή βάση υποστήριξης στην επιφάνεια, στο βυθό ή στην ακτή και περιέχει προωστικό σύστημα για χρήση υποβρυχίως ή στην επιφάνεια. |
| --- | --- |

1.

Για τους σκοπούς του 8Α001.β ‧λειτουργούν αυτόνομα‧ σημαίνει πλήρως καταδεδυμένα, χωρίς σνόρκες με όλα τα συστήματα να λειτουργούν και να πλέουν με ελάχιστη ταχύτητα στην οποία το υποβρύχιο όχημα μπορεί να ελέγχει ασφαλώς δυναμικά το βάθος του χρησιμοποιώντας μόνο τα πτερύγια βάθους χωρίς να χρειάζεται πλοίο υποστήριξης ή βάση υποστήριξης στην επιφάνεια, στο βυθό ή στην ακτή και περιέχει προωστικό σύστημα για χρήση υποβρυχίως ή στην επιφάνεια.

| 2. | Για τους σκοπούς του 8Α001.β. ως ‧εμβέλεια‧ νοείται η μέγιστη απόσταση που μπορεί να καλύψει ένα υποβρύχιο όχημα. |
| --- | --- |

2.

Για τους σκοπούς του 8Α001.β. ως ‧εμβέλεια‧ νοείται η μέγιστη απόσταση που μπορεί να καλύψει ένα υποβρύχιο όχημα.

| γ. | Μη επανδρωμένα, προσδεδεμένα υποβρύχια οχήματα σχεδιασμένα να λειτουργούν σε βάθος μεγαλύτερο από 1 000 m που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Σχεδιασμένα για αυτοπροωθούμενους ελιγμούς χρησιμοποιώντας κινητήρες πρόωσης ή προωθητήρες ‧έλικας-πηδαλίου‧ που καθορίζονται στο εδάφιο 8Α002.α.2., ή |
| --- | --- | --- |

γ.

Μη επανδρωμένα, προσδεδεμένα υποβρύχια οχήματα σχεδιασμένα να λειτουργούν σε βάθος μεγαλύτερο από 1 000 m που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Σχεδιασμένα για αυτοπροωθούμενους ελιγμούς χρησιμοποιώντας κινητήρες πρόωσης ή προωθητήρες ‧έλικας-πηδαλίου‧ που καθορίζονται στο εδάφιο 8Α002.α.2., ή

| 2. | Διαθέτουν ζεύξη μεταβίβασης δεδομένων από οπτικές ίνες. |
| --- | --- |

2.

Διαθέτουν ζεύξη μεταβίβασης δεδομένων από οπτικές ίνες.

| δ. | Μη επανδρωμένα προσδεδεμένα υποβρύχια οχήματα που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Σχεδιασμένα για τον καθορισμό της πορείας σε σχέση προς οιαδήποτε γεωγραφική βάση αναφοράς χωρίς την ανθρώπινη παρέμβαση σε πραγματικό χρόνο, |
| --- | --- | --- |

δ.

Μη επανδρωμένα προσδεδεμένα υποβρύχια οχήματα που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Σχεδιασμένα για τον καθορισμό της πορείας σε σχέση προς οιαδήποτε γεωγραφική βάση αναφοράς χωρίς την ανθρώπινη παρέμβαση σε πραγματικό χρόνο,

| 2. | Που διαθέτουν ζεύξη μεταβίβασης ακουστικών δεδομένων ή κυβέρνησης, ή |
| --- | --- |

2.

Που διαθέτουν ζεύξη μεταβίβασης ακουστικών δεδομένων ή κυβέρνησης, ή

| 3. | Που διαθέτουν ζεύξη μεταβίβασης δεδομένων ή διακυβέρνησης από οπτικές ίνες μήκους άνω των 1 000 m. |
| --- | --- |

3.

Που διαθέτουν ζεύξη μεταβίβασης δεδομένων ή διακυβέρνησης από οπτικές ίνες μήκους άνω των 1 000 m.

| ε. | Συστήματα ανάσυρσης από τον ωκεανό με ικανότητα ανάσυρσης άνω των 5 MN για την ανάσυρση αντικειμένων από βάθος μεγαλύτερο των 250 m, τα οποία παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Σύστημα δυναμικού προσδιορισμού θέσης που καθιστά δυνατή τη διατήρηση της θέσης εντός ακτίνας 20 m από σημείο προκαθοριζόμενο από το σύστημα πλοήγησης, ή |
| --- | --- | --- |

ε.

Συστήματα ανάσυρσης από τον ωκεανό με ικανότητα ανάσυρσης άνω των 5 MN για την ανάσυρση αντικειμένων από βάθος μεγαλύτερο των 250 m, τα οποία παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Σύστημα δυναμικού προσδιορισμού θέσης που καθιστά δυνατή τη διατήρηση της θέσης εντός ακτίνας 20 m από σημείο προκαθοριζόμενο από το σύστημα πλοήγησης, ή

| 2. | Συστήματα πλοήγησης βυθού και ενσωμάτωσης δεδομένων πλοήγησης για βάθη μεγαλύτερα από 1 000, με ακρίβεια θέσης 10 m ως προς προκαθορισμένο σημείο. |
| --- | --- |

2.

Συστήματα πλοήγησης βυθού και ενσωμάτωσης δεδομένων πλοήγησης για βάθη μεγαλύτερα από 1 000, με ακρίβεια θέσης 10 m ως προς προκαθορισμένο σημείο.

| στ. | Οχήματα επιφανείας (πλήρως περικλειόμενα από ‧ποδιά‧) που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Μέγιστη ταχύτητα σχεδιασμού, του έμφορτου οχήματος, που υπερβαίνει τους 30 κόμβους υπό χαρακτηριστικό ύψος κυμάτων 1,25 m (κατάσταση θαλάσσης 3) ή περισσότερο, |
| --- | --- | --- |

στ.

Οχήματα επιφανείας (πλήρως περικλειόμενα από ‧ποδιά‧) που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Μέγιστη ταχύτητα σχεδιασμού, του έμφορτου οχήματος, που υπερβαίνει τους 30 κόμβους υπό χαρακτηριστικό ύψος κυμάτων 1,25 m (κατάσταση θαλάσσης 3) ή περισσότερο,

| 2. | Πίεση αεροστρώματος (cushion) άνω των 3 830 Pa, και |
| --- | --- |

2.

Πίεση αεροστρώματος (cushion) άνω των 3 830 Pa, και

| 3. | Λόγω άφορτου εκτοπίσματος προς έμφορτο εκτόπισμα μικρότερο του 0,7. |
| --- | --- |

3.

Λόγω άφορτου εκτοπίσματος προς έμφορτο εκτόπισμα μικρότερο του 0,7.

| ζ. | Οχήματα επιφανείας (με άκαμπτα τοιχώματα) μεγίστης ταχύτητας σχεδιασμού, του έμφορτου οχήματος, που υπερβαίνει τους 40 κόμβους υπό χαρακτηριστικό ύψος κύματος 3,25 m (κατάσταση θαλάσσης 5) ή περισσότερο. |
| --- | --- |

ζ.

Οχήματα επιφανείας (με άκαμπτα τοιχώματα) μεγίστης ταχύτητας σχεδιασμού, του έμφορτου οχήματος, που υπερβαίνει τους 40 κόμβους υπό χαρακτηριστικό ύψος κύματος 3,25 m (κατάσταση θαλάσσης 5) ή περισσότερο.

| η. | Υδροπτέρυγα σκάφη με ενεργά συστήματα αυτομάτου ελέγχου των υδροπτερύγων, μεγίστης ταχύτητας σχεδιασμού, έμφορτου σκάφους, 40 κόμβους ή περισσότερο υπό χαρακτηριστικό ύψος κύματος 3,25 m (κατάσταση θαλάσσης 5) ή περισσότερο. |
| --- | --- |

η.

Υδροπτέρυγα σκάφη με ενεργά συστήματα αυτομάτου ελέγχου των υδροπτερύγων, μεγίστης ταχύτητας σχεδιασμού, έμφορτου σκάφους, 40 κόμβους ή περισσότερο υπό χαρακτηριστικό ύψος κύματος 3,25 m (κατάσταση θαλάσσης 5) ή περισσότερο.

| θ. | ‧Σκάφη μικρής επιφάνειας ισάλου‧ που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Έμφορτο εκτόπισμα που υπερβαίνει τους 500 τόνους και μέγιστη ταχύτητα σχεδιασμού, έμφορτου σκάφους, μεγαλύτερη των 35 κόμβων υπό χαρακτηριστικό ύψος κύματος 3,25 m (κατάσταση θαλάσσης 5) ή περισσότερο, ή |
| --- | --- | --- |

θ.

‧Σκάφη μικρής επιφάνειας ισάλου‧ που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Έμφορτο εκτόπισμα που υπερβαίνει τους 500 τόνους και μέγιστη ταχύτητα σχεδιασμού, έμφορτου σκάφους, μεγαλύτερη των 35 κόμβων υπό χαρακτηριστικό ύψος κύματος 3,25 m (κατάσταση θαλάσσης 5) ή περισσότερο, ή

| 2. | 'Εμφορτο εκτόπισμα που υπερβαίνει τους 1 500 τόνους και μέγιστη ταχύτητα σχεδιασμού, έμφορτου σκάφους, μεγαλύτερη των 25 κόμβων υπό χαρακτηριστικό ύψος κύματος 4 m (κατάσταση θαλάσσης 6) ή περισσότερο. |
| --- | --- |

2.

'Εμφορτο εκτόπισμα που υπερβαίνει τους 1 500 τόνους και μέγιστη ταχύτητα σχεδιασμού, έμφορτου σκάφους, μεγαλύτερη των 25 κόμβων υπό χαρακτηριστικό ύψος κύματος 4 m (κατάσταση θαλάσσης 6) ή περισσότερο.

Τεχνική παρατήρηση:

Το σκάφος μικρής επιφανείας ισάλου ορίζεται με τον ακόλουθο τύπο: η ίσαλος για συγκεκριμένο επιχειρησιακό βύθισμα πρέπει να είναι μικρότερη από 2 Χ (εκτοπιζόμενος όγκος γι’ αυτό το βύθισμα)2/3.

8A002Τα ακόλουθα συστήματα ή εξοπλισμοί:

Σημείωση: Για υποβρύχια συστήματα επικοινωνιών, Βλ. Κατηγορία 5, Μέρος 1 - Τηλεπικοινωνίες.

| α. | Συστήματα και εξοπλισμοί, που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για υποβρύχια οχήματα, σχεδιασμένα να λειτουργούν σε βάθη μεγαλύτερα των 1 000 m, ως εξής:






  1. | Περιβλήματα ή σκάφη έκθλιψης με μέγιστη διάμετρο εσωτερικού θαλάμου άνω του 1,5 m, |
| --- | --- | --- |

α.

Συστήματα και εξοπλισμοί, που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για υποβρύχια οχήματα, σχεδιασμένα να λειτουργούν σε βάθη μεγαλύτερα των 1 000 m, ως εξής:

1.

Περιβλήματα ή σκάφη έκθλιψης με μέγιστη διάμετρο εσωτερικού θαλάμου άνω του 1,5 m,

| 2. | Κινητήρες ή προωθητήρες «έλικας- πηδαλίου» συνεχούς ρεύματος, |
| --- | --- |

2.

Κινητήρες ή προωθητήρες «έλικας- πηδαλίου» συνεχούς ρεύματος,

| 3. | Καλώδια τροφοδοσίας και συνδέσεις τους που χρησιμοποιούν οπτικές ίνες και είναι ενισχυμένα με στοιχεία από συνθετικά υλικά. |
| --- | --- |

3.

Καλώδια τροφοδοσίας και συνδέσεις τους που χρησιμοποιούν οπτικές ίνες και είναι ενισχυμένα με στοιχεία από συνθετικά υλικά.

| β. | Συστήματα, ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για τον αυτόματο έλεγχο της κίνησης των υποβρυχίων οχημάτων που καθορίζονται στην παράγραφο 8Α001, τα οποία χρησιμοποιούν πληροφορίες πλοήγησης και διαθέτουν κλειστού κυκλώματος σερβομηχανισμούς χειρισμού που:






  1. | Καθιστούν το όχημα ικανό να κινείται εντός ακτίνας 10 m από προκαθορισμένο σημείο της στήλης ύδατος, |
| --- | --- | --- |

β.

Συστήματα, ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για τον αυτόματο έλεγχο της κίνησης των υποβρυχίων οχημάτων που καθορίζονται στην παράγραφο 8Α001, τα οποία χρησιμοποιούν πληροφορίες πλοήγησης και διαθέτουν κλειστού κυκλώματος σερβομηχανισμούς χειρισμού που:

1.

Καθιστούν το όχημα ικανό να κινείται εντός ακτίνας 10 m από προκαθορισμένο σημείο της στήλης ύδατος,

| 2. | Διατηρούν τη θέση του οχήματος εντός ακτίνας 10 m από προκαθορισμένο σημείο της στήλης ύδατος, ή |
| --- | --- |

2.

Διατηρούν τη θέση του οχήματος εντός ακτίνας 10 m από προκαθορισμένο σημείο της στήλης ύδατος, ή

| 3. | Διατηρούν τη θέση του οχήματος εντός ακτίνας 10 m ακολουθώντας καλώδιο τοποθετημένο επί του βυθού ή κάτω από αυτόν. |
| --- | --- |

3.

Διατηρούν τη θέση του οχήματος εντός ακτίνας 10 m ακολουθώντας καλώδιο τοποθετημένο επί του βυθού ή κάτω από αυτόν.

| γ. | Αγωγοί διείσδυσης στο σκάφος ή βύσματα διασύνδεσης οπτικών ινών. |
| --- | --- |

γ.

Αγωγοί διείσδυσης στο σκάφος ή βύσματα διασύνδεσης οπτικών ινών.

| δ. | Τα ακόλουθα συστήματα υποβρύχιας απεικόνισης:






  1. | Τηλεοπτικά συστήματα και μηχανές τηλεοπτικής λήψης, ως εξής:






  α. | Τηλεοπτικά συστήματα (που περιλαμβάνουν μηχανή λήψης/κάμερα, σύστημα φωτισμού, εξοπλισμό παρακολούθησης και μετάδοσης σήματος) των οποίων η οριακή ευκρίνεια όταν μετράται στον αέρα υπερβαίνει τις 800 γραμμές και που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για τηλεχειρισμό με υποβρύχιο όχημα, |
| --- | --- | --- | --- |

δ.

Τα ακόλουθα συστήματα υποβρύχιας απεικόνισης:

1.

Τηλεοπτικά συστήματα και μηχανές τηλεοπτικής λήψης, ως εξής:

α.

Τηλεοπτικά συστήματα (που περιλαμβάνουν μηχανή λήψης/κάμερα, σύστημα φωτισμού, εξοπλισμό παρακολούθησης και μετάδοσης σήματος) των οποίων η οριακή ευκρίνεια όταν μετράται στον αέρα υπερβαίνει τις 800 γραμμές και που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για τηλεχειρισμό με υποβρύχιο όχημα,

| β. | Υποβρύχιες μηχανές τηλεοπτικής λήψης με οριακή ευκρίνεια όταν μετράται στον αέρα μεγαλύτερη των 1 100 γραμμών, |
| --- | --- |

β.

Υποβρύχιες μηχανές τηλεοπτικής λήψης με οριακή ευκρίνεια όταν μετράται στον αέρα μεγαλύτερη των 1 100 γραμμών,

| γ. | Μηχανές τηλεοπτικής λήψης χαμηλού φωτισμού, ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για υποβρύχια χρήση οι οποίες περιλαμβάνουν:






  1. | Σωλήνες ενίσχυσης εικόνας που καθορίζονται στο σημείο 6Α002.α.2.α., και |
| --- | --- | --- |

γ.

Μηχανές τηλεοπτικής λήψης χαμηλού φωτισμού, ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για υποβρύχια χρήση οι οποίες περιλαμβάνουν:

1.

Σωλήνες ενίσχυσης εικόνας που καθορίζονται στο σημείο 6Α002.α.2.α., και

| 2. | Παρέχουν περισσότερα από 150 000"ενεργά εικονοκύτταρα" (active pixels) ανά συστοιχία εικονοκυττάρων στερεάς κατάστασης (solid state area array). |
| --- | --- |

2.

Παρέχουν περισσότερα από 150 000"ενεργά εικονοκύτταρα" (active pixels) ανά συστοιχία εικονοκυττάρων στερεάς κατάστασης (solid state area array).

Τεχνική παρατήρηση:

Η οριακή ευκρίνεια στα τηλεοπτικά συστήματα είναι μέτρο της οριζόντιας ευκρίνειας που συνήθως εκφράζεται ως ο μέγιστος αριθμός γραμμών ανά ύψος εικόνας που διακρίνονται με δοκίμιο, χρησιμοποιώντας το πρότυπο ΙΕΕΕ 208/1960 ή άλλο ισοδύναμο πρότυπο.

| 2. | Συστήματα ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για τηλεχειρισμό με υποβρύχιο όχημα, που χρησιμοποιούν τεχνικές ελαχιστοποίησης των αποτελεσμάτων οπισθοδιάχυσης, συμπεριλαμβανομένων των στροβοσκοπικών διατάξεων φωτισμού (range-gated illuminators) ή συστημάτων "λέιζερ". |
| --- | --- |

2.

Συστήματα ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για τηλεχειρισμό με υποβρύχιο όχημα, που χρησιμοποιούν τεχνικές ελαχιστοποίησης των αποτελεσμάτων οπισθοδιάχυσης, συμπεριλαμβανομένων των στροβοσκοπικών διατάξεων φωτισμού (range-gated illuminators) ή συστημάτων "λέιζερ".

| ε. | Φωτογραφικές μηχανές ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για υποβρύχια χρήση κάτω των 150 μ., με φιλμ 35 mm ή μεγαλύτερα και παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Δυνατότητα αναγραφής στο φιλμ πληροφοριών που προέρχονται από πηγή εκτός της φωτογραφικής μηχανής, |
| --- | --- | --- |

ε.

Φωτογραφικές μηχανές ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για υποβρύχια χρήση κάτω των 150 μ., με φιλμ 35 mm ή μεγαλύτερα και παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Δυνατότητα αναγραφής στο φιλμ πληροφοριών που προέρχονται από πηγή εκτός της φωτογραφικής μηχανής,

| 2. | Αυτόματη διόρθωση της εστιακής απόστασης, ή |
| --- | --- |

2.

Αυτόματη διόρθωση της εστιακής απόστασης, ή

| 3. | Αυτόματο χειριστήριο αντιστάθμισης ειδικά σχεδιασμένο για να καθιστά δυνατή τη χρήση του περιβλήματος της υποβρύχιας φωτογραφικής μηχανής σε βάθη μεγαλύτερα των 1 000 m, |
| --- | --- |

3.

Αυτόματο χειριστήριο αντιστάθμισης ειδικά σχεδιασμένο για να καθιστά δυνατή τη χρήση του περιβλήματος της υποβρύχιας φωτογραφικής μηχανής σε βάθη μεγαλύτερα των 1 000 m,

| στ. | Ηλεκτρονικά συστήματα απεικόνισης ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για υποβρύχια χρήση τα οποία να μπορούν να αποθηκεύουν ψηφιακά περισσότερες από 50 εμφανισμένες εικόνες. |
| --- | --- |

στ.

Ηλεκτρονικά συστήματα απεικόνισης ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για υποβρύχια χρήση τα οποία να μπορούν να αποθηκεύουν ψηφιακά περισσότερες από 50 εμφανισμένες εικόνες.

| ζ. | Τα ακόλουθα συστήματα φωτισμού που είναι ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για υποβρύχια χρήση:






  1. | Στροβοσκοπικά συστήματα φωτισμού ικανά να παρέχουν φωτεινή ενέργεια μεγαλύτερη από 300 J ανά αναλαμπή και ρυθμό άνω των 5 αναλαμπών ανά δευτερόλεπτο, |
| --- | --- | --- |

ζ.

Τα ακόλουθα συστήματα φωτισμού που είναι ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για υποβρύχια χρήση:

1.

Στροβοσκοπικά συστήματα φωτισμού ικανά να παρέχουν φωτεινή ενέργεια μεγαλύτερη από 300 J ανά αναλαμπή και ρυθμό άνω των 5 αναλαμπών ανά δευτερόλεπτο,

| 2. | Συστήματα φωτισμού τόξου αργού ειδικά σχεδιασμένα προς χρήση σε βάθος μεγαλύτερο των 1 000 m. |
| --- | --- |

2.

Συστήματα φωτισμού τόξου αργού ειδικά σχεδιασμένα προς χρήση σε βάθος μεγαλύτερο των 1 000 m.

| η. | "Ρομπότ" ειδικά σχεδιασμένα για υποβρύχια χρήση τα οποία ελέγχονται μέσω εξειδικευμένου "υπολογιστή με καταχωρημένο πρόγραμμα" και παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Διαθέτουν συστήματα ελέγχου του "ρομπότ" με τη χρήση πληροφοριών από αισθητήρες οι οποίοι μετρούν τη δύναμη ή τη ροπή που ασκείται σε εξωτερικό αντικείμενο, την απόσταση εξωτερικού αντικειμένου, ή αντιλαμβάνονται την επαφή μεταξύ του "ρομπότ" και εξωτερικού αντικειμένου, ή |
| --- | --- | --- |

η.

"Ρομπότ" ειδικά σχεδιασμένα για υποβρύχια χρήση τα οποία ελέγχονται μέσω εξειδικευμένου "υπολογιστή με καταχωρημένο πρόγραμμα" και παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Διαθέτουν συστήματα ελέγχου του "ρομπότ" με τη χρήση πληροφοριών από αισθητήρες οι οποίοι μετρούν τη δύναμη ή τη ροπή που ασκείται σε εξωτερικό αντικείμενο, την απόσταση εξωτερικού αντικειμένου, ή αντιλαμβάνονται την επαφή μεταξύ του "ρομπότ" και εξωτερικού αντικειμένου, ή

| 2. | Δύνανται να ασκήσουν δύναμη 250 Ν ή περισσότερο ή ροπή 250 Νm ή περισσότερο και χρησιμοποιούν κράματα τιτανίου ή "ινώδη ή νηματώδη""σύμμεικτα" υλικά στα δομικά τους μέρη. |
| --- | --- |

2.

Δύνανται να ασκήσουν δύναμη 250 Ν ή περισσότερο ή ροπή 250 Νm ή περισσότερο και χρησιμοποιούν κράματα τιτανίου ή "ινώδη ή νηματώδη""σύμμεικτα" υλικά στα δομικά τους μέρη.

| θ. | Τηλεκατευθυνόμενοι αρθρωτοί βραχίονες ειδικά σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι για υποβρύχια χρήση οι οποίοι παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Διαθέτουν συστήματα χειρισμού του βραχίονα με τη χρησιμοποίηση πληροφοριών από αισθητήρες οι οποίοι μετρούν τη ροπή ή τη δύναμη που ασκείται σε εξωτερικό αντικείμενο, ή αντιλαμβάνονται την επαφή μεταξύ του βραχίονα και εξωτερικού αντικειμένου, ή |
| --- | --- | --- |

θ.

Τηλεκατευθυνόμενοι αρθρωτοί βραχίονες ειδικά σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι για υποβρύχια χρήση οι οποίοι παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Διαθέτουν συστήματα χειρισμού του βραχίονα με τη χρησιμοποίηση πληροφοριών από αισθητήρες οι οποίοι μετρούν τη ροπή ή τη δύναμη που ασκείται σε εξωτερικό αντικείμενο, ή αντιλαμβάνονται την επαφή μεταξύ του βραχίονα και εξωτερικού αντικειμένου, ή

| 2. | Ελέγχονται μέσω αναλογικών τεχνικών κυρίου-υποτελούς (master-slave techniques) ή με τη χρήση εξειδικευμένου "υπολογιστή καταχωρημένου προγράμματος", και διαθέτουν τουλάχιστον 5 βαθμούς ελευθερίας κινήσεως.


  Παρατήρηση: Για τον καθορισμό του αριθμού των βαθμών ελευθερίας κινήσεων μετρούνται μόνο οι λειτουργίες με αναλογικό χειριστήριο που χρησιμοποιεί ανάδραση καθορισμού θέσης ή οι οποίες χρησιμοποιούν εξειδικευμένο "υπολογιστή καταχωρημένου προγράμματος". |
| --- | --- |

2.

Ελέγχονται μέσω αναλογικών τεχνικών κυρίου-υποτελούς (master-slave techniques) ή με τη χρήση εξειδικευμένου "υπολογιστή καταχωρημένου προγράμματος", και διαθέτουν τουλάχιστον 5 βαθμούς ελευθερίας κινήσεως.

Παρατήρηση: Για τον καθορισμό του αριθμού των βαθμών ελευθερίας κινήσεων μετρούνται μόνο οι λειτουργίες με αναλογικό χειριστήριο που χρησιμοποιεί ανάδραση καθορισμού θέσης ή οι οποίες χρησιμοποιούν εξειδικευμένο "υπολογιστή καταχωρημένου προγράμματος".

| ι. | Τα ακόλουθα συστήματα τροφοδοσίας που είναι ανεξάρτητα του εξωτερικού αέρα, όταν είναι ειδικά σχεδιασμένα για υποβρύχια χρήση:






  1. | Κινητήρες κύκλου Brayton ή Rankine ως συστήματα τροφοδοσίας ανεξάρτητα αέρος με οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Χημικά συστήματα καθαρισμού ή απορρόφησης αερίων ειδικά σχεδιασμένα για την κατακράτηση του διοξειδίου του άνθρακα, του μονοξειδίου του άνθρακα και σωματιδίων από ανακυκλούμενα αποβαλλόμενα αέρια κινητήρος, |
| --- | --- | --- | --- |

ι.

Τα ακόλουθα συστήματα τροφοδοσίας που είναι ανεξάρτητα του εξωτερικού αέρα, όταν είναι ειδικά σχεδιασμένα για υποβρύχια χρήση:

1.

Κινητήρες κύκλου Brayton ή Rankine ως συστήματα τροφοδοσίας ανεξάρτητα αέρος με οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Χημικά συστήματα καθαρισμού ή απορρόφησης αερίων ειδικά σχεδιασμένα για την κατακράτηση του διοξειδίου του άνθρακα, του μονοξειδίου του άνθρακα και σωματιδίων από ανακυκλούμενα αποβαλλόμενα αέρια κινητήρος,

| β. | Συστήματα ειδικά σχεδιασμένα να χρησιμοποιούν μονοατομικά αέρια, |
| --- | --- |

β.

Συστήματα ειδικά σχεδιασμένα να χρησιμοποιούν μονοατομικά αέρια,

| γ. | Διατάξεις ή περιβλήματα ειδικά σχεδιασμένα για τη μείωση του θορύβου υποβρυχίως σε συχνότητες κάτω των 10 kHz, ή ειδικές διατάξεις ανάρτησης για την εξασθένιση των δονήσεων πρόσκρουσης, ή |
| --- | --- |

γ.

Διατάξεις ή περιβλήματα ειδικά σχεδιασμένα για τη μείωση του θορύβου υποβρυχίως σε συχνότητες κάτω των 10 kHz, ή ειδικές διατάξεις ανάρτησης για την εξασθένιση των δονήσεων πρόσκρουσης, ή

| δ. | Συστήματα ειδικά σχεδιασμένα για:






  1. | Να συμπυκνώνουν τα προϊόντα της αντίδρασης ή για την αναμόρφωση καυσίμων, |
| --- | --- | --- |

δ.

Συστήματα ειδικά σχεδιασμένα για:

1.

Να συμπυκνώνουν τα προϊόντα της αντίδρασης ή για την αναμόρφωση καυσίμων,

| 2. | Την αποθήκευση των προϊόντων της αντίδρασης, και |
| --- | --- |

2.

Την αποθήκευση των προϊόντων της αντίδρασης, και

| 3. | Την διάθεση των προϊόντων της αντίδρασης έναντι πιέσεως 100 kPa ή περισσότερο. |
| --- | --- |

3.

Την διάθεση των προϊόντων της αντίδρασης έναντι πιέσεως 100 kPa ή περισσότερο.

| 2. | Ντηζελοκινητήρες ως συστήματα ανεξάρτητα αέρος που παρουσιάζουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Χημικά συστήματα καθαρισμού ή απορρόφησης αερίων ειδικά σχεδιασμένα για την κατακράτηση του διοξειδίου του άνθρακα, του μονοξειδίου του άνθρακα και σωματιδίων από ανακυκλούμενα αποβαλλόμενα αέρια κινητήρος, |
| --- | --- | --- |

2.

Ντηζελοκινητήρες ως συστήματα ανεξάρτητα αέρος που παρουσιάζουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Χημικά συστήματα καθαρισμού ή απορρόφησης αερίων ειδικά σχεδιασμένα για την κατακράτηση του διοξειδίου του άνθρακα, του μονοξειδίου του άνθρακα και σωματιδίων από ανακυκλούμενα αποβαλλόμενα αέρια κινητήρος,

| β. | Συστήματα ειδικά σχεδιασμένα να χρησιμοποιούν μονοατομικά αέρια, |
| --- | --- |

β.

Συστήματα ειδικά σχεδιασμένα να χρησιμοποιούν μονοατομικά αέρια,

| γ. | Διατάξεις ή περιβλήματα ειδικά σχεδιασμένα για τη μείωση του θορύβου υποβρυχίως σε συχνότητες κάτω των 10 kHz, ή ειδικές διατάξεις ανάρτησης για την εξασθένιση των δονήσεων πρόσκρουσης, και |
| --- | --- |

γ.

Διατάξεις ή περιβλήματα ειδικά σχεδιασμένα για τη μείωση του θορύβου υποβρυχίως σε συχνότητες κάτω των 10 kHz, ή ειδικές διατάξεις ανάρτησης για την εξασθένιση των δονήσεων πρόσκρουσης, και

| δ. | Ειδικά σχεδιασμένα συστήματα εξαγωγής αερίων που δεν αποβάλλουν συνεχώς τα προϊόντα της καύσης. |
| --- | --- |

δ.

Ειδικά σχεδιασμένα συστήματα εξαγωγής αερίων που δεν αποβάλλουν συνεχώς τα προϊόντα της καύσης.

| 3. | Ανεξάρτητα αέρος ηλεκτροπαραγωγά συστήματα στοιχείων καυσίμου, ισχύος άνω των 2 kw που παρουσιάζουν ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Διατάξεις ή περιβλήματα ειδικά σχεδιασμένα για τη μείωση του θορύβου υποβρυχίως σε συχνότητες κάτω των 10 kHz, ή ειδικές διατάξεις ανάρτησης για την εξασθένιση των δονήσεων πρόσκρουσης, ή |
| --- | --- | --- |

3.

Ανεξάρτητα αέρος ηλεκτροπαραγωγά συστήματα στοιχείων καυσίμου, ισχύος άνω των 2 kw που παρουσιάζουν ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Διατάξεις ή περιβλήματα ειδικά σχεδιασμένα για τη μείωση του θορύβου υποβρυχίως σε συχνότητες κάτω των 10 kHz, ή ειδικές διατάξεις ανάρτησης για την εξασθένιση των δονήσεων πρόσκρουσης, ή

| β. | Συστήματα ειδικά σχεδιασμένα για:






  1. | Να συμπυκνώνουν τα προϊόντα της αντίδρασης ή για την αναμόρφωση καυσίμων, |
| --- | --- | --- |

β.

Συστήματα ειδικά σχεδιασμένα για:

1.

Να συμπυκνώνουν τα προϊόντα της αντίδρασης ή για την αναμόρφωση καυσίμων,

| 2. | Την αποθήκευση των προϊόντων της αντίδρασης, και |
| --- | --- |

2.

Την αποθήκευση των προϊόντων της αντίδρασης, και

| 3. | Την διάθεση των προϊόντων της αντίδρασης έναντι πιέσεως 100 kPa ή περισσότερο. |
| --- | --- |

3.

Την διάθεση των προϊόντων της αντίδρασης έναντι πιέσεως 100 kPa ή περισσότερο.

| 4. | Κινητήρες κύκλου Stirling ως συστήματα τροφοδοσίας ανεξάρτητα αέρος που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Διατάξεις ή περιβλήματα ειδικά σχεδιασμένα για τη μείωση του θορύβου υποβρυχίως σε συχνότητες κάτω των 10 kHz ή ειδικές διατάξεις ανάρτισης για την εξασθένιση των δονήσεων πρόσκρουσης, και |
| --- | --- | --- |

4.

Κινητήρες κύκλου Stirling ως συστήματα τροφοδοσίας ανεξάρτητα αέρος που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Διατάξεις ή περιβλήματα ειδικά σχεδιασμένα για τη μείωση του θορύβου υποβρυχίως σε συχνότητες κάτω των 10 kHz ή ειδικές διατάξεις ανάρτισης για την εξασθένιση των δονήσεων πρόσκρουσης, και

| β. | Ειδικά σχεδιασμένα συστήματα εξάτμισης για τη διάθεση των προϊόντων της καύσης έναντι πιέσεως 100 kPa ή περισσότερο. |
| --- | --- |

β.

Ειδικά σχεδιασμένα συστήματα εξάτμισης για τη διάθεση των προϊόντων της καύσης έναντι πιέσεως 100 kPa ή περισσότερο.

| ια. | ‧Ποδιές‧, παρεμβύσματα και δάκτυλοι που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Είναι σχεδιασμένα για πιέσεις αεροστρώματος 3 830 Ρα ή περισσότερο, προς χρήση υπό χαρακτηριστικό ύψος κύματος ίσο/μεγαλύτερο του 1,25 μέτρων (κατάσταση θαλάσσης 3) και ειδικά σχεδιασμένα για τα οχήματα επιφανείας που καθορίζονται στο εδάφιο 8Α001.στ. (πλήρως περικλειόμενα από ‧ποδιά‧), ή |
| --- | --- | --- |

ια.

‧Ποδιές‧, παρεμβύσματα και δάκτυλοι που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Είναι σχεδιασμένα για πιέσεις αεροστρώματος 3 830 Ρα ή περισσότερο, προς χρήση υπό χαρακτηριστικό ύψος κύματος ίσο/μεγαλύτερο του 1,25 μέτρων (κατάσταση θαλάσσης 3) και ειδικά σχεδιασμένα για τα οχήματα επιφανείας που καθορίζονται στο εδάφιο 8Α001.στ. (πλήρως περικλειόμενα από ‧ποδιά‧), ή

| 2. | Είναι σχεδιασμένα για πίεση αεροστρώματος ίση/μεγαλύτερη των 6 224 Ρα, για την χρήση υπό χαρακτηριστικό ύψος κύματος ίσο/μεγαλύτερο των 3,25 m (κατάσταση θαλάσσης 5) και ειδικά σχεδιασμένα για οχήματα επιφανείας που καθορίζονται στο εδάφιο 8Α001.ζ. (με άκαμπτα πλευρικά τοιχώματα). |
| --- | --- |

2.

Είναι σχεδιασμένα για πίεση αεροστρώματος ίση/μεγαλύτερη των 6 224 Ρα, για την χρήση υπό χαρακτηριστικό ύψος κύματος ίσο/μεγαλύτερο των 3,25 m (κατάσταση θαλάσσης 5) και ειδικά σχεδιασμένα για οχήματα επιφανείας που καθορίζονται στο εδάφιο 8Α001.ζ. (με άκαμπτα πλευρικά τοιχώματα).

| ιβ. | Ανεμιστήρες ανύψωσης, ισχύος άνω των 400 kw, ειδικά σχεδιασμένοι για τα οχήματα επιφανείας που καθορίζονται στα εδάφια 8Α001.στ. ή 8Α001.ζ. |
| --- | --- |

ιβ.

Ανεμιστήρες ανύψωσης, ισχύος άνω των 400 kw, ειδικά σχεδιασμένοι για τα οχήματα επιφανείας που καθορίζονται στα εδάφια 8Α001.στ. ή 8Α001.ζ.

| ιγ. | Πλήρως βυθιζόμενα υδροπτέρυγα υποσπηλαίωσης ή υπερσπηλαίωσης σχεδιασμένα για τα σκάφη που καθορίζονται στο εδάφιο 8Α001.η. |
| --- | --- |

ιγ.

Πλήρως βυθιζόμενα υδροπτέρυγα υποσπηλαίωσης ή υπερσπηλαίωσης σχεδιασμένα για τα σκάφη που καθορίζονται στο εδάφιο 8Α001.η.

| ιδ. | Ενεργά συστήματα ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για την αυτόματη ρύθμιση της προκαλούμενης από τη θάλασσα κινήσεως των οχημάτων ή σκαφών που καθορίζονται στα εδάφια 8Α001.στ., 8Α001.ζ., 8α001.η., ή 8Α001.θ. |
| --- | --- |

ιδ.

Ενεργά συστήματα ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για την αυτόματη ρύθμιση της προκαλούμενης από τη θάλασσα κινήσεως των οχημάτων ή σκαφών που καθορίζονται στα εδάφια 8Α001.στ., 8Α001.ζ., 8α001.η., ή 8Α001.θ.

| ιε. | Έλικες, συστήματα μετάδοσης ισχύος, συστήματα παραγωγής ισχύος και συστήματα μείωσης του θορύβου, ως εξής:






  1. | Προωστικοί έλικες ή συστήματα μετάδοσης ισχύος ειδικά σχεδιασμένα για τα οχήματα επιφανείας (πλήρως περικλειόμενα με ποδιά ή με άκαμπτα πλευρικά τοιχώματα), υδροπτέρυγα ή σκάφη μικρής επιφανείας ισάλου που καθορίζονται στις παραγράφους 8Α001.στ., 8Α001.ζ., 8α001.η., ή 8Α001.θ.:






  α. | Έλικες υπερσπηλαίωσης, υπεραεριζόμενες, μερικώς βυθιζόμενες ή διαπερνούσες την επιφάνεια, ισχύος άνω των 7,5 MW, |
| --- | --- | --- | --- |

ιε.

Έλικες, συστήματα μετάδοσης ισχύος, συστήματα παραγωγής ισχύος και συστήματα μείωσης του θορύβου, ως εξής:

1.

Προωστικοί έλικες ή συστήματα μετάδοσης ισχύος ειδικά σχεδιασμένα για τα οχήματα επιφανείας (πλήρως περικλειόμενα με ποδιά ή με άκαμπτα πλευρικά τοιχώματα), υδροπτέρυγα ή σκάφη μικρής επιφανείας ισάλου που καθορίζονται στις παραγράφους 8Α001.στ., 8Α001.ζ., 8α001.η., ή 8Α001.θ.:

α.

Έλικες υπερσπηλαίωσης, υπεραεριζόμενες, μερικώς βυθιζόμενες ή διαπερνούσες την επιφάνεια, ισχύος άνω των 7,5 MW,

| β. | Αντιπεριστρεφόμενα συστήματα ελίκων ισχύος άνω των 15 MW, |
| --- | --- |

β.

Αντιπεριστρεφόμενα συστήματα ελίκων ισχύος άνω των 15 MW,

| γ. | Συστήματα που χρησιμοποιούν τεχνικές προ-περιδύνησης (pre-swirl) ή μετα-περιδύνησης (post-swirl) για την εξομάλυνση της ροής στον έλικα, |
| --- | --- |

γ.

Συστήματα που χρησιμοποιούν τεχνικές προ-περιδύνησης (pre-swirl) ή μετα-περιδύνησης (post-swirl) για την εξομάλυνση της ροής στον έλικα,

| δ. | Ελαφρά, υψηλής απόδοσης (συντελεστής Κ μεγαλύτερος του 300) συστήματα υποπολλαπλασιασμού, |
| --- | --- |

δ.

Ελαφρά, υψηλής απόδοσης (συντελεστής Κ μεγαλύτερος του 300) συστήματα υποπολλαπλασιασμού,

| ε. | Αξονικά συστήματα μετάδοσης ισχύος, ικανά να μεταδίδουν ισχύ μεγαλύτερη από 1 MW, τα οποία περιέχουν συστατικά μέρη από "σύμμεικτα" υλικά. |
| --- | --- |

ε.

Αξονικά συστήματα μετάδοσης ισχύος, ικανά να μεταδίδουν ισχύ μεγαλύτερη από 1 MW, τα οποία περιέχουν συστατικά μέρη από "σύμμεικτα" υλικά.

| 2. | Προωστικοί έλικες, συστήματα παραγωγής ή μετάδοσης ισχύος που προορίζονται για χρήση επί σκαφών, ως ακολούθως:






  α. | Έλικες ελεγχομένου βήματος και μηχανικά συναρμολογήματα πλήμνης, ισχύος άνω των 30 MW, |
| --- | --- | --- |

2.

Προωστικοί έλικες, συστήματα παραγωγής ή μετάδοσης ισχύος που προορίζονται για χρήση επί σκαφών, ως ακολούθως:

α.

Έλικες ελεγχομένου βήματος και μηχανικά συναρμολογήματα πλήμνης, ισχύος άνω των 30 MW,

| β. | Εσωτερικά υδρόψυκτοι ηλεκτροκινητήρες που αποδίδουν ισχύ άνω των 2,5 MW, |
| --- | --- |

β.

Εσωτερικά υδρόψυκτοι ηλεκτροκινητήρες που αποδίδουν ισχύ άνω των 2,5 MW,

| γ. | "Υπεραγώγιμοι" κινητήρες πρόωσης, ή ηλεκτροκινητήρες μονίμου μαγνήτη, που αποδίδουν ισχύ άνω του 0,1 MW, |
| --- | --- |

γ.

"Υπεραγώγιμοι" κινητήρες πρόωσης, ή ηλεκτροκινητήρες μονίμου μαγνήτη, που αποδίδουν ισχύ άνω του 0,1 MW,

| δ. | Αξονικά συστήματα μετάδοσης ισχύος ικανά να μεταδίδουν ισχύ μεγαλύτερη από 2 MW, τα οποία περιέχουν συστατικά μέρη από "σύμμεικτα" υλικά, |
| --- | --- |

δ.

Αξονικά συστήματα μετάδοσης ισχύος ικανά να μεταδίδουν ισχύ μεγαλύτερη από 2 MW, τα οποία περιέχουν συστατικά μέρη από "σύμμεικτα" υλικά,

| ε. | Αεριζόμενα ή βασικώς με αεριζόμενα συστήματα ελίκων ισχύος άνω των 2,5 MW. |
| --- | --- |

ε.

Αεριζόμενα ή βασικώς με αεριζόμενα συστήματα ελίκων ισχύος άνω των 2,5 MW.

| 3. | Τα ακόλουθα συστήματα περιορισμού του θορύβου προς χρήση σε σκάφη εκτοπίσματος μεγαλυτέρου/ίσου προς 1 000 τόνους, ως εξής:






  α. | Συστήματα περιορισμού του υποβρυχίου θορύβου σε συχνότητες κάτω των 500 Hz που αποτελούνται από σύνθετες ακουστικές αναρτήσεις για την ηχομόνωση ντηζελοκινητήρων, ντηζελογεννητριών, αεριοστροβίλων, αεριοπαραγωγών στροβίλων, κινητήρων πρόωσης ή μηχανισμών υποπολλαπλασιασμού της πρόωσης, που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για την ηχομόνωση ή την απορρόφηση δονήσεων και των οποίων η ενδιάμεση μάζα είναι μεγαλύτερη από 30 % της μάζας του εξοπλισμού που θα συναρμολογηθεί επ’ αυτών, |
| --- | --- | --- |

3.

Τα ακόλουθα συστήματα περιορισμού του θορύβου προς χρήση σε σκάφη εκτοπίσματος μεγαλυτέρου/ίσου προς 1 000 τόνους, ως εξής:

α.

Συστήματα περιορισμού του υποβρυχίου θορύβου σε συχνότητες κάτω των 500 Hz που αποτελούνται από σύνθετες ακουστικές αναρτήσεις για την ηχομόνωση ντηζελοκινητήρων, ντηζελογεννητριών, αεριοστροβίλων, αεριοπαραγωγών στροβίλων, κινητήρων πρόωσης ή μηχανισμών υποπολλαπλασιασμού της πρόωσης, που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για την ηχομόνωση ή την απορρόφηση δονήσεων και των οποίων η ενδιάμεση μάζα είναι μεγαλύτερη από 30 % της μάζας του εξοπλισμού που θα συναρμολογηθεί επ’ αυτών,

| β. | Ενεργά συστήματα περιορισμού ή εξουδετέρωσης του θορύβου, ή μαγνητικά εφέδρανα, που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για συστήματα μετάδοσης της ισχύος και διαθέτουν ηλεκτρονικά συστήματα ρύθμισης ικανά να μειώνουν ενεργώς τις δονήσεις του εξοπλισμού, δια της δημιουργίας αντιθορυβικών ή αντιδονητικών σημάτων άμεσα στην πηγή θορύβου ή δονήσεως. |
| --- | --- |

β.

Ενεργά συστήματα περιορισμού ή εξουδετέρωσης του θορύβου, ή μαγνητικά εφέδρανα, που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για συστήματα μετάδοσης της ισχύος και διαθέτουν ηλεκτρονικά συστήματα ρύθμισης ικανά να μειώνουν ενεργώς τις δονήσεις του εξοπλισμού, δια της δημιουργίας αντιθορυβικών ή αντιδονητικών σημάτων άμεσα στην πηγή θορύβου ή δονήσεως.

| ιζ. | Προωστικά συστήματα υδροστροβίλου που έχουν απόδοση ισχύος μεγαλύτερη των 2,5 MW, χρησιμοποιώντας αποκλίνοντα ακροφύσια και πτερύγια ρύθμισης της ροής για τη βελτίωση της απόδοσης πρόωσης και τον περιορισμό των δημιουργουμένων από την πρόωση θορύβων που εκπέμπονται υποβρυχίως. |
| --- | --- |

ιζ.

Προωστικά συστήματα υδροστροβίλου που έχουν απόδοση ισχύος μεγαλύτερη των 2,5 MW, χρησιμοποιώντας αποκλίνοντα ακροφύσια και πτερύγια ρύθμισης της ροής για τη βελτίωση της απόδοσης πρόωσης και τον περιορισμό των δημιουργουμένων από την πρόωση θορύβων που εκπέμπονται υποβρυχίως.

| ιστ. | Αυτοτελείς συσκευές κατάδυσης ή υποβρύχιας κολύμβησης κλειστού ή ημίκλειστου τύπου (rebreathing).


  Παρατήρηση: Το 8Α002.ιστ. δεν ελέγχει επιμέρους συσκευές για προσωπική χρήση όταν συνοδεύουν το χρήστη τους. |
| --- | --- |

ιστ.

Αυτοτελείς συσκευές κατάδυσης ή υποβρύχιας κολύμβησης κλειστού ή ημίκλειστου τύπου (rebreathing).

Παρατήρηση: Το 8Α002.ιστ. δεν ελέγχει επιμέρους συσκευές για προσωπική χρήση όταν συνοδεύουν το χρήστη τους.

8BΕξοπλισμοί δοκιμών, ελέγχου και παραγωγής

8B001Υδροσήραγγες στις οποίες η στάθμη θορύβου είναι μικρότερη από 100 db (βάση αναφοράς 1 μΡa, 1 Hz), στο φάσμα συχνοτήτων από 0 μέχρι 500 Hz, οι οποίες έχουν σχεδιαστεί για τη μέτρηση των ακουστικών πεδίων που δημιουργούνται από τη ροή του ύδατος γύρω από μοντέλα συστημάτων πρόωσης.

8CΥλικά

8C001‧Συντηγμένος αφρός‧ για υποβρύχια χρήση που παρουσιάζει όλα τα ακόλουθα:

| α. | Προορίζεται για υποβρύχιο βάθος μεγαλύτερο από 1 000 μ, και |
| --- | --- |

α.

Προορίζεται για υποβρύχιο βάθος μεγαλύτερο από 1 000 μ, και

| β. | Έχει πυκνότητα μικρότερη από 561 kg/m3. |
| --- | --- |

β.

Έχει πυκνότητα μικρότερη από 561 kg/m3.

Τεχνική παρατήρηση:

Ο ‧συντηγμένος αφρός‧ αποτελείται από κούφια σφαιρίδια από πλαστικό ή γυαλί, εντός ρητινώδους μάζας.

8DΛογισμικό

8D001"Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την "ανάπτυξη""παραγωγή" ή "χρήση" εξοπλισμού ή υλικών που καθορίζονται στις υποκατηγορίες 8Α, 8Β ή 8C.

8D002Ειδικό "λογισμικό", ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την "ανάπτυξη", "παραγωγή", επιδιόρθωση, γενική επισκευή ή ανακαίνιση των υλικών που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για τον περιορισμό του υποβρυχίου θορύβου.

8EΤεχνολογία

8E001"Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή" του εξοπλισμού ή των υλικών που καθορίζονται στις υποκατηγορίες 8Α, 8Β, ή 8C.

8E002Λοιπές "τεχνολογίες":

| α. | "Τεχνολογία" για την "ανάπτυξη", "παραγωγή", επιδιόρθωση, γενική επισκευή ή ανακαίνιση των ελίκων που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για τη μείωση του υποβρυχίου θορύβου, |
| --- | --- |

α.

"Τεχνολογία" για την "ανάπτυξη", "παραγωγή", επιδιόρθωση, γενική επισκευή ή ανακαίνιση των ελίκων που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για τη μείωση του υποβρυχίου θορύβου,

| β. | "Τεχνολογία" για τη γενική επισκευή ή την ανακαίνιση του εξοπλισμού που καθορίζεται στα εδάφια 8Α001, ή 8Α002.β., 8Α002.ι., 8Α002.ιε., ή 8Α002.ιζ. |
| --- | --- |

β.

"Τεχνολογία" για τη γενική επισκευή ή την ανακαίνιση του εξοπλισμού που καθορίζεται στα εδάφια 8Α001, ή 8Α002.β., 8Α002.ι., 8Α002.ιε., ή 8Α002.ιζ.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 9

ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΠΡΟΩΣΗΣ, ΔΙΑΣΤΗΜΙΚΑ ΟΧΗΜΑΤΑ ΚΑΙ ΣΥΝΑΦΗΣ ΕΞΟΠΛΙΣΜΟΣ

9AΣυστήματα, Εξοπλισμός και Συστατικά Μέρη

Σημ. Όσον αφορά τα συστήματα πρόωσης ειδικά σχεδιασμένα ή δοκιμασμένα κατά της ακτινοβολίας νετρονίων ή της μεταβατικής ιοντίζουσας ακτινοβολίας, βλέπε Ελέγχους Στρατιωτικών Αγαθών.

9A001Αεριοστρόβιλοι αεροσκαφών που περιλαμβάνουν οιαδήποτε από τις τεχνολογίες τις οριζόμενες στο εδάφιο 9Ε003.α., ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Α101.

| α. | Μη πιστοποιημένες για το συγκεκριμένο "αεροσκάφος της πολιτικής αεροπορίας" για το οποίο προορίζονται, |
| --- | --- |

α.

Μη πιστοποιημένες για το συγκεκριμένο "αεροσκάφος της πολιτικής αεροπορίας" για το οποίο προορίζονται,

| β. | Δεν έχουν πιστοποιηθεί για χρήση στην πολιτική αεροπορία από την υπηρεσία πολιτικής αεροπορίας σε ένα "συμμετέχον κράτος", |
| --- | --- |

β.

Δεν έχουν πιστοποιηθεί για χρήση στην πολιτική αεροπορία από την υπηρεσία πολιτικής αεροπορίας σε ένα "συμμετέχον κράτος",

| γ. | Έχουν σχεδιασθεί για πτήση πλεύσης ταχύτητας μεγαλύτερης από 1,2 Mach για περισσότερο από τριάντα λεπτά. |
| --- | --- |

γ.

Έχουν σχεδιασθεί για πτήση πλεύσης ταχύτητας μεγαλύτερης από 1,2 Mach για περισσότερο από τριάντα λεπτά.

9A002‧Αεριοστρόβιλοι θαλάσσης‧ με συνεχή ονομαστική ισχύ (πρότυπο ISO) ίση προς ή μεγαλύτερη από 24 245 kW και ειδική κατανάλωση καυσίμου που δεν υπερβαίνει τα 0,219 kg/kWh στο φάσμα ισχύος από 35 έως 100 % καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα συναρμολογημένα σύνολα και τα συστατικά μέρη τους.

Παρατήρηση: Ο όρος ‧αεριοστρόβιλοι θαλάσσης‧ περιλαμβάνει επίσης τους παράγωγους τύπους αεριοστροβίλων βιομηχανικής ή αεροπορικής χρήσεως που είναι προσαρμοσμένοι προκειμένου να χρησιμοποιούνται για προώθηση ενός σκάφους ή την παραγωγή ηλεκτρικής ισχύος.

9A003Ειδικά σχεδιασμένα συναρμολογημένα σύνολα και συστατικά μέρη που περιέχουν οιαδήποτε από τις οριζόμενες στο εδάφιο 9Ε003.α. "τεχνολογίες", για τα εξής συστήματα πρόωσης αεροστροβίλων:

| α. | Της παραγράφου 9Α001, ή |
| --- | --- |

α.

Της παραγράφου 9Α001, ή

| β. | Των οποίων η προέλευση του σχεδιασμού ή της παραγωγής είναι είτε από μη "συμμετέχοντα κράτη" είτε άγνωστη στον κατασκευαστή. |
| --- | --- |

β.

Των οποίων η προέλευση του σχεδιασμού ή της παραγωγής είναι είτε από μη "συμμετέχοντα κράτη" είτε άγνωστη στον κατασκευαστή.

9A004Οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα ή "διαστημικά οχήματα".

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9A104.

Παρατήρηση: Το 9Α004 δεν ελέγχει τα ωφέλιμα φορτία.

Σημ.: Για το καθεστώς ελέγχου των προϊόντων που περιέχονται στο ωφέλιμο φορτίο των "διαστημικών οχημάτων" βλέπε τις σχετικές Κατηγορίες.

9A005Πυραυλικά προωστικά συστήματα υγρού καυσίμου που περιέχουν οιοδήποτε από τα συστήματα ή τα συστατικά μέρη που ορίζονται στην παράγραφο 9Α006.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9A105 ΚΑΙ 9A119.

9A006Συστήματα ή συστατικά μέρη, ως εξής, ειδικά σχεδιασμένα για πυραυλικά προωστικά συστήματα υγρού καυσίμου:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9A106 ΚΑΙ 9A108.

| α. | Κρυογενικοί ψύκτες, δοχεία Dewar, μεταφερόμενα επί του σκάφους, κρυογενικοί αγωγοί θερμότητας ή κρυογενικά συστήματα ειδικά σχεδιασμένα για χρήση σε διαστημικά οχήματα και ικανά για περιορισμό των απωλειών κρυογενικού υγρού σε ποσοστό κάτω του 30 % ετησίως, |
| --- | --- |

α.

Κρυογενικοί ψύκτες, δοχεία Dewar, μεταφερόμενα επί του σκάφους, κρυογενικοί αγωγοί θερμότητας ή κρυογενικά συστήματα ειδικά σχεδιασμένα για χρήση σε διαστημικά οχήματα και ικανά για περιορισμό των απωλειών κρυογενικού υγρού σε ποσοστό κάτω του 30 % ετησίως,

| β. | Κρυογενικές δεξαμενές ή ψυκτικά συστήματα κλειστού κύκλου ικανά για εξασφάλιση θερμοκρασιών ίσων προς ή μικρότερων από 100 Κ (– 173 °C) για "αεροσκάφη" ικανά για διαρκή πτήση σε ταχύτητα άνω των 3 Mach, για οχήματα εκτόξευσης ή για "διαστημικά οχήματα", |
| --- | --- |

β.

Κρυογενικές δεξαμενές ή ψυκτικά συστήματα κλειστού κύκλου ικανά για εξασφάλιση θερμοκρασιών ίσων προς ή μικρότερων από 100 Κ (– 173 °C) για "αεροσκάφη" ικανά για διαρκή πτήση σε ταχύτητα άνω των 3 Mach, για οχήματα εκτόξευσης ή για "διαστημικά οχήματα",

| γ. | Συστήματα αποθήκευσης ή μεταφοράς υδρογόνου σε ημιστερεά κατάσταση, |
| --- | --- |

γ.

Συστήματα αποθήκευσης ή μεταφοράς υδρογόνου σε ημιστερεά κατάσταση,

| δ. | Στροβιλαντλίες υψηλής πιέσεως (άνω των 17,5 ΜΡa), συστατικά μέρη αντλιών ή τα συναφή συστήματά τους για μετάδοση κίνησης αεριοπαραγωγού στροβίλου ή στροβίλου κύκλου με εξωτερικό μηχανικό έργο, |
| --- | --- |

δ.

Στροβιλαντλίες υψηλής πιέσεως (άνω των 17,5 ΜΡa), συστατικά μέρη αντλιών ή τα συναφή συστήματά τους για μετάδοση κίνησης αεριοπαραγωγού στροβίλου ή στροβίλου κύκλου με εξωτερικό μηχανικό έργο,

| ε. | Υψηλής πιέσεως θάλαμοι ώθησης (άνω των 10,6 ΜΡa) και ακροφύσιά τους, |
| --- | --- |

ε.

Υψηλής πιέσεως θάλαμοι ώθησης (άνω των 10,6 ΜΡa) και ακροφύσιά τους,

| στ. | Συστήματα αποθήκευσης προωστικής ύλης που λειτουργούν σύμφωνα με την αρχή της τριχοειδούς επισχέσεως ή με θετική εξώθηση (δηλ. με εύκαμπτες ελαστικές δεξαμενές), |
| --- | --- |

στ.

Συστήματα αποθήκευσης προωστικής ύλης που λειτουργούν σύμφωνα με την αρχή της τριχοειδούς επισχέσεως ή με θετική εξώθηση (δηλ. με εύκαμπτες ελαστικές δεξαμενές),

| ζ. | Εγχυτήρες προωστικού υγρού με μεμονωμένα ανοίγματα 0,381 mm ή μικρότερης διαμέτρου (διατομής 1,14 × 10–3 cm2 ή μικρότερης προκειμένου για μη κυκλικά ανοίγματα) ειδικά σχεδιασμένα για πυραυλοκινητήρες καυσίμου, |
| --- | --- |

ζ.

Εγχυτήρες προωστικού υγρού με μεμονωμένα ανοίγματα 0,381 mm ή μικρότερης διαμέτρου (διατομής 1,14 × 10–3 cm2 ή μικρότερης προκειμένου για μη κυκλικά ανοίγματα) ειδικά σχεδιασμένα για πυραυλοκινητήρες καυσίμου,

| η. | Μονοκόματοι θάλαμοι ώσης ανθρακο-άνθρακα ή μονοκόματοι κώνοι εξαγωγής άνθρακα-άνθρακα με πυκνότητα άνω του 1,4 g/cm3 και αντοχή εφελκυσμού άνω των 48 MPa. |
| --- | --- |

η.

Μονοκόματοι θάλαμοι ώσης ανθρακο-άνθρακα ή μονοκόματοι κώνοι εξαγωγής άνθρακα-άνθρακα με πυκνότητα άνω του 1,4 g/cm3 και αντοχή εφελκυσμού άνω των 48 MPa.

9A007Πυραυλικά προωστικά συστήματα στερεού καυσίμου με οιοδήποτε των ακολούθων στοιχείων:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9A119.

| α. | Συνολική ωστική ικανότητα άνω των 1,1 MNs· ή, |
| --- | --- |

α.

Συνολική ωστική ικανότητα άνω των 1,1 MNs· ή,

| β. | Ειδική ωστική ισχύς ίση ή μεγαλύτερη με 2,4 kNs/kg, με ροή ακροφυσίου υπό συνθήκες περιβάλλοντος επιφάνειας θαλάσσης για ρυθμισμένη πίεση θαλάμου 7 MPa, |
| --- | --- |

β.

Ειδική ωστική ισχύς ίση ή μεγαλύτερη με 2,4 kNs/kg, με ροή ακροφυσίου υπό συνθήκες περιβάλλοντος επιφάνειας θαλάσσης για ρυθμισμένη πίεση θαλάμου 7 MPa,

| γ. | Λόγος μάζας καυσίμου ανά όροφο άνω του 88 %· και φόρτιση στερεού καυσίμου άνω του 86 %, |
| --- | --- |

γ.

Λόγος μάζας καυσίμου ανά όροφο άνω του 88 %· και φόρτιση στερεού καυσίμου άνω του 86 %,

| δ. | Οιοδήποτε των συστατικών μερών που καθορίζονται στην παράγραφο 9Α008·ή, |
| --- | --- |

δ.

Οιοδήποτε των συστατικών μερών που καθορίζονται στην παράγραφο 9Α008·ή,

| ε. | Συστήματα μόνωσης και δέσμευσης καυσίμου που λειτουργούν με βάση σχέδια κινητήρων απευθείας συνδεδεμένων για την εξασφάλιση ‧ισχυρής μηχανικής‧ σύνδεσης ή ως φραγμός στην χημική μετανάστευση μεταξύ του στέρεου καυσίμου και του μονωτικού υλικού του περιβλήματος.
  Τεχνική παρατήρηση:

  Για τους σκοπούς του 9Α007.ε, ως ‧ισχυρός μηχανικός δεσμός‧ νοείται ανοχή δεσμού ίση ή μεγαλύτερη από τη δύναμη που ασκείται από το προωστικό υλικό. |
| --- | --- |

ε.

Συστήματα μόνωσης και δέσμευσης καυσίμου που λειτουργούν με βάση σχέδια κινητήρων απευθείας συνδεδεμένων για την εξασφάλιση ‧ισχυρής μηχανικής‧ σύνδεσης ή ως φραγμός στην χημική μετανάστευση μεταξύ του στέρεου καυσίμου και του μονωτικού υλικού του περιβλήματος.

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του 9Α007.ε, ως ‧ισχυρός μηχανικός δεσμός‧ νοείται ανοχή δεσμού ίση ή μεγαλύτερη από τη δύναμη που ασκείται από το προωστικό υλικό.

9A008Συστατικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα για πυραυλικά προωστικά συστήματα στερεού καυσίμου:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9A108.

| α. | Συστήματα μόνωσης και δέσμευσης καυσίμου με χρήση χιτωνίων για την εξασφάλιση‧ισχυρού μηχανικού δεσμού‧ ή ως φραγμός σε χημική μετανάστευση μεταξύ του στερεού καυσίμου και του μονωτικού υλικού του περιβλήματος,
  Τεχνική παρατήρηση:

  Για τους σκοπούς του 9Α008.α ως ‧ισχυρός μηχανικός δεσμός‧ νοείται αντοχή δεσμού ίση ή μεγαλύτερη από τη δύναμη που ασκείται από το προωστικό υλικό, |
| --- | --- |

α.

Συστήματα μόνωσης και δέσμευσης καυσίμου με χρήση χιτωνίων για την εξασφάλιση‧ισχυρού μηχανικού δεσμού‧ ή ως φραγμός σε χημική μετανάστευση μεταξύ του στερεού καυσίμου και του μονωτικού υλικού του περιβλήματος,

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του 9Α008.α ως ‧ισχυρός μηχανικός δεσμός‧ νοείται αντοχή δεσμού ίση ή μεγαλύτερη από τη δύναμη που ασκείται από το προωστικό υλικό,

| β. | Περιβλήματα κινητήρων με περιέλιξη από "σύνθετα υλικά" διαμέτρου άνω των 0,61m ή με ‧λόγο δομικής απόδοσης (PV/W)‧ άνω των 25 km,
  Τεχνική παρατήρηση:

  Ο ‧λόγος δομικής απόδοσης (PV/W)‧ είναι η πίεση ρήξεως (Ρ) πολλαπλασιασμένη επί τον όγκο του δοχείου (V) διαιρούμενη δια του συνολικού βάρους του δοχείου πιέσεως (W). |
| --- | --- |

β.

Περιβλήματα κινητήρων με περιέλιξη από "σύνθετα υλικά" διαμέτρου άνω των 0,61m ή με ‧λόγο δομικής απόδοσης (PV/W)‧ άνω των 25 km,

Τεχνική παρατήρηση:

Ο ‧λόγος δομικής απόδοσης (PV/W)‧ είναι η πίεση ρήξεως (Ρ) πολλαπλασιασμένη επί τον όγκο του δοχείου (V) διαιρούμενη δια του συνολικού βάρους του δοχείου πιέσεως (W).

| γ. | Ακροφύσια με επίπεδο ώσης άνω των 45 kN ή λόγος επιφανειακής διάβρωσης λαιμού ακροφυσίου κάτω των 0,075 mm/s, |
| --- | --- |

γ.

Ακροφύσια με επίπεδο ώσης άνω των 45 kN ή λόγος επιφανειακής διάβρωσης λαιμού ακροφυσίου κάτω των 0,075 mm/s,

| δ. | Συστήματα ελέγχου ανύσματος ώσεως μέσω κινητών ακροφυσίων μέσω δευτερεύουσας εγχύσεως υγρού, ικανά για οιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Παντιαξονική κίνηση άνω των ± 5°, |
| --- | --- | --- |

δ.

Συστήματα ελέγχου ανύσματος ώσεως μέσω κινητών ακροφυσίων μέσω δευτερεύουσας εγχύσεως υγρού, ικανά για οιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Παντιαξονική κίνηση άνω των ± 5°,

| 2. | Περιστροφή γωνιακού ανύσματος ίση ή μεγαλύτερη από 20°/s· ή, |
| --- | --- |

2.

Περιστροφή γωνιακού ανύσματος ίση ή μεγαλύτερη από 20°/s· ή,

| 3. | Επιτάχυνση γωνιακού ανύσματος ίση ή μεγαλύτερη από 40°/s2. |
| --- | --- |

3.

Επιτάχυνση γωνιακού ανύσματος ίση ή μεγαλύτερη από 40°/s2.

9A009Υβριδικά πυραυλικά προωστικά συστήματα με:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Α109 ΚΑΙ 9Α119.

| α. | Ικανότητα ολικής ώσης άνω των 1,1 MNs· ή |
| --- | --- |

α.

Ικανότητα ολικής ώσης άνω των 1,1 MNs· ή

| β. | Επίπεδα ώσης άνω των 220 kN σε εξωτερικές συνθήκες κενού. |
| --- | --- |

β.

Επίπεδα ώσης άνω των 220 kN σε εξωτερικές συνθήκες κενού.

9A010Ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη, συστήματα και δομήματα για οχήματα εκτόξευσης ή προωστικά συστήματα οχημάτων εκτόξευσης ή "διαστημικά οχήματα" ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 1Α002 ΚΑΙ 9Α110.

| α. | Συστατικά μέρη το καθένα άνω των 10 kg ειδικά σχεδιασμένα για οχήματα εκτόξευσης κατασκευασμένα με χρήση "σύνθετων" υλικών, υλικών μεταλλικής "μήτρας" οργανικών "σύνθετων" υλικών, υλικών κεραμικής "μήτρας" ή διαμεταλλικών ενισχυμένων υλικών που καθορίζονται στις παραγράφους 1C007 ή 1C010,


  Παρατήρηση: Το όριο βάρους δεν αφορά τους ριναίους κώνους. |
| --- | --- |

α.

Συστατικά μέρη το καθένα άνω των 10 kg ειδικά σχεδιασμένα για οχήματα εκτόξευσης κατασκευασμένα με χρήση "σύνθετων" υλικών, υλικών μεταλλικής "μήτρας" οργανικών "σύνθετων" υλικών, υλικών κεραμικής "μήτρας" ή διαμεταλλικών ενισχυμένων υλικών που καθορίζονται στις παραγράφους 1C007 ή 1C010,

Παρατήρηση: Το όριο βάρους δεν αφορά τους ριναίους κώνους.

| β. | Συστατικά μέρη και δομήματα ειδικά σχεδιασμένα για προωστικά συστήματα οχημάτων εκτόξευσης που καθορίζονται στα εδάφια 9Α005 έως 9Α009 κατασκευασμένα με χρήση υλικών, υλικών κεραμικής μήτρας ή διαμεταλλικών ενισχυμένων υλικών που καθορίζονται στις παραγράφους 1C007 ή 1C010, |
| --- | --- |

β.

Συστατικά μέρη και δομήματα ειδικά σχεδιασμένα για προωστικά συστήματα οχημάτων εκτόξευσης που καθορίζονται στα εδάφια 9Α005 έως 9Α009 κατασκευασμένα με χρήση υλικών, υλικών κεραμικής μήτρας ή διαμεταλλικών ενισχυμένων υλικών που καθορίζονται στις παραγράφους 1C007 ή 1C010,

| γ. | Δομικά μέρη και συστήματα μόνωσης ειδικά σχεδιασμένα για να ελέγχουν ενεργά τη δυναμική απόκρισης ή παραμόρφωση δομών "διαστημικών οχημάτων", |
| --- | --- |

γ.

Δομικά μέρη και συστήματα μόνωσης ειδικά σχεδιασμένα για να ελέγχουν ενεργά τη δυναμική απόκρισης ή παραμόρφωση δομών "διαστημικών οχημάτων",

| δ. | Παλμικοί πυραυλοκινητήρες υγρού καυσίμου με σχέση ώσης/βάρους τουλάχιστον ίση προς 1 kN/kg και χρόνο απόκρισης (χρόνος που απαιτείται για την επίτευξη του 90 % της συνολικής ονομαστικής ώσης από τη στιγμή της εκκίνησης) κάτω των 30 ms. |
| --- | --- |

δ.

Παλμικοί πυραυλοκινητήρες υγρού καυσίμου με σχέση ώσης/βάρους τουλάχιστον ίση προς 1 kN/kg και χρόνο απόκρισης (χρόνος που απαιτείται για την επίτευξη του 90 % της συνολικής ονομαστικής ώσης από τη στιγμή της εκκίνησης) κάτω των 30 ms.

9A011Αυλοαεριωθητές, αυλοαεριωθητές υπερηχητικής καύσεως ή κινητήρες συνδυασμένου κύκλου και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη τους.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Α111 και 9Α118.

9A012Μη επανδρωμένα εναέρια οχήματα με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Αυτόνομη ικανότητα ελέγχου πτήσης και πλοήγησης (π.χ. αυτόματο πιλότο με Σύστημα Αδρανειακής Πλοήγησης), ή |
| --- | --- |

α.

Αυτόνομη ικανότητα ελέγχου πτήσης και πλοήγησης (π.χ. αυτόματο πιλότο με Σύστημα Αδρανειακής Πλοήγησης), ή

| β. | Ικανότητα ελεγχόμενης πτήσης εκτός της εμβέλειας άμεσης όρασης που απαιτεί ανθρώπινο χειριστή (π.χ. τηλεοπτικό τηλεχειρισμό). |
| --- | --- |

β.

Ικανότητα ελεγχόμενης πτήσης εκτός της εμβέλειας άμεσης όρασης που απαιτεί ανθρώπινο χειριστή (π.χ. τηλεοπτικό τηλεχειρισμό).

9A101Ελαφροί στροβιλοκινητήρες και στροβιλοκινητήρες διπλής ροής (συμπεριλαμβανομένων εμβολοστροβιλοκινητήρων) οι οποίοι χρησιμοποιούνται σε "βλήματα", εκτός αυτών που ορίζονται στην παράγραφο 9Α001, ως εξής:

| α. | Κινητήρες που διαθέτουν τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Μέγιστη προωθητική δύναμη άνω των 400 Ν (επιτυγχάνεται όταν ο κινητήρας δεν είναι εγκατεστημένος), εξαιρουμένων των κινητήρων που είναι πιστοποιημένοι για πολιτική χρήση, με μέγιστη προωθητική δύναμη 8 890 N (όταν ο κινητήρας δεν είναι εγκατεστημένος), και |
| --- | --- | --- |

α.

Κινητήρες που διαθέτουν τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Μέγιστη προωθητική δύναμη άνω των 400 Ν (επιτυγχάνεται όταν ο κινητήρας δεν είναι εγκατεστημένος), εξαιρουμένων των κινητήρων που είναι πιστοποιημένοι για πολιτική χρήση, με μέγιστη προωθητική δύναμη 8 890 N (όταν ο κινητήρας δεν είναι εγκατεστημένος), και

| 2. | Ειδική κατανάλωση καυσίμου 0,15 kg/N/hr το πολύ (στη μέγιστη συνεχή ισχύ, υπό κανονικές και στατικές συνθήκες, στο επίπεδο της θάλασσας), |
| --- | --- |

2.

Ειδική κατανάλωση καυσίμου 0,15 kg/N/hr το πολύ (στη μέγιστη συνεχή ισχύ, υπό κανονικές και στατικές συνθήκες, στο επίπεδο της θάλασσας),

| β. | Κινητήρες σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι για χρήση σε "βλήματα". |
| --- | --- |

β.

Κινητήρες σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι για χρήση σε "βλήματα".

9A104Πυραυλοβολίδες, εμβέλειας τουλάχιστον 300 km.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Α004.

9A105Πυραυλοκινητήρες υγρού καυσίμου ως εξής:

ΣΗΜ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Α119.

| α. | Πυραυλοκινητήρες υγρού καυσίμου που χρησιμοποιούνται σε "βλήματα", εκτός αυτών που ορίζονται στην παράγραφο 9Α005, με ολική ικανότητα ώσης ίση ή μεγαλύτερη από 1,1 ΜΝ, |
| --- | --- |

α.

Πυραυλοκινητήρες υγρού καυσίμου που χρησιμοποιούνται σε "βλήματα", εκτός αυτών που ορίζονται στην παράγραφο 9Α005, με ολική ικανότητα ώσης ίση ή μεγαλύτερη από 1,1 ΜΝ,

| β. | Πυραυλοκινητήρες υγρού καυσίμου, που χρησιμοποιούνται σε πλήρη πυραυλικά συστήματα ή σε μη επανδρωμένα αεροσκάφη ικανά να επιτυγχάνουν βεληνεκές 300 km, εκτός εκείνων που ορίζονται στην παράγραφο 9Α005 ή 9Α105α., με ολική ικανότητα ώσεως τουλάχιστον 0,841 MN. |
| --- | --- |

β.

Πυραυλοκινητήρες υγρού καυσίμου, που χρησιμοποιούνται σε πλήρη πυραυλικά συστήματα ή σε μη επανδρωμένα αεροσκάφη ικανά να επιτυγχάνουν βεληνεκές 300 km, εκτός εκείνων που ορίζονται στην παράγραφο 9Α005 ή 9Α105α., με ολική ικανότητα ώσεως τουλάχιστον 0,841 MN.

9A106Συστήματα ή συστατικά μέρη, εκτός αυτών που ορίζονται στην παράγραφο 9Α006, που χρησιμοποιούνται σε "βλήματα", και που είναι ειδικά σχεδιασμένα για πυραυλικά προωστικά συστήματα υγρού καυσίμου:

| α. | Πεπλατυσμένα χιτώνια για θαλάμους ώσης ή καύσης, |
| --- | --- |

α.

Πεπλατυσμένα χιτώνια για θαλάμους ώσης ή καύσης,

| β. | Ακροφύσια πυραύλων, |
| --- | --- |

β.

Ακροφύσια πυραύλων,

| γ. | Υποσυστήματα ελέγχου ωστικού ανύσματος.
  Τεχνικές παρατηρήσεις:

  Παραδείγματα μεθόδων για την επίτευξη ελέγχου ωστικού ανύσματος που ορίζονται στο εδάφιο 9Α106.γ. περιλαμβάνουν:








  1. | Εύκαμπτο ακροφύσιο, |
| --- | --- | --- |

γ.

Υποσυστήματα ελέγχου ωστικού ανύσματος.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

Παραδείγματα μεθόδων για την επίτευξη ελέγχου ωστικού ανύσματος που ορίζονται στο εδάφιο 9Α106.γ. περιλαμβάνουν:

1.

Εύκαμπτο ακροφύσιο,

| 2. | Έγχυση υγρού ή δευτερεύοντος αερίου, |
| --- | --- |

2.

Έγχυση υγρού ή δευτερεύοντος αερίου,

| 3. | Κινητός κινητήρας ή ακροφύσιο, |
| --- | --- |

3.

Κινητός κινητήρας ή ακροφύσιο,

| 4. | Εκτροπή του ρεύματος των καυσαερίων (πτερύγια jet ή αεροστόμια) ή, |
| --- | --- |

4.

Εκτροπή του ρεύματος των καυσαερίων (πτερύγια jet ή αεροστόμια) ή,

| 5. | Ωστικές γλωττίδες. |
| --- | --- |

5.

Ωστικές γλωττίδες.

| δ. | Συστήματα ελέγχου υγρών και υδαρών καυσίμων (συμπεριλαμβανομένων των οξειδωτών) καθώς και ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη για αυτά, που έχουν σχεδιασθεί ή μετατραπεί για λειτουργία σε περιβάλλοντα δονήσεων άνω των 10 g rms μεταξύ 20 Hz και 2 000 Hz.


  Σημ.: Οι μόνες σερβοβαλβίδες και αντλίες που ορίζονται στο 9Α106.δ. είναι οι ακόλουθες:








  α. | Σερβοβαλβίδες σχεδιασμένες για αριθμό ροής ίσο ή μεγαλύτερο από 24 λίτρα ανά λεπτό, σε απόλυτη πίεση ίση ή μεγαλύτερη από 7 MPa, που διαθέτουν χρόνο απόκρισης ενεργοποιητή μικρότερο των 100 ms, |
| --- | --- | --- |

δ.

Συστήματα ελέγχου υγρών και υδαρών καυσίμων (συμπεριλαμβανομένων των οξειδωτών) καθώς και ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη για αυτά, που έχουν σχεδιασθεί ή μετατραπεί για λειτουργία σε περιβάλλοντα δονήσεων άνω των 10 g rms μεταξύ 20 Hz και 2 000 Hz.

Σημ.: Οι μόνες σερβοβαλβίδες και αντλίες που ορίζονται στο 9Α106.δ. είναι οι ακόλουθες:

α.

Σερβοβαλβίδες σχεδιασμένες για αριθμό ροής ίσο ή μεγαλύτερο από 24 λίτρα ανά λεπτό, σε απόλυτη πίεση ίση ή μεγαλύτερη από 7 MPa, που διαθέτουν χρόνο απόκρισης ενεργοποιητή μικρότερο των 100 ms,

| β. | Αντλίες υγρών καυσίμων με αξονική ταχύτητα ίση με ή μεγαλύτερη από 8 000 r.p.m. ή με πίεση κατάθλιψης ίση με ή μεγαλύτερη από 7 MPa. |
| --- | --- |

β.

Αντλίες υγρών καυσίμων με αξονική ταχύτητα ίση με ή μεγαλύτερη από 8 000 r.p.m. ή με πίεση κατάθλιψης ίση με ή μεγαλύτερη από 7 MPa.

9A107Πυραυλοκινητήρες στερεού καυσίμου, που χρησιμοποιούνται σε πλήρη πυραυλικά συστήματα ή σε μη επανδρωμένα αεροσκάφη ικανά να επιτυγχάνουν βεληνεκές 300 km, εκτός εκείνων που ορίζονται στην παράγραφο 9Α007, με ολική ικανότητα ώσεως τουλάχιστον 0,841 ΜΝ.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Α119.

9A108Συστατικά μέρη, εκτός από τα οριζόμενα στην παράγραφο 9Α008, χρησιμοποιούμενα σε "βλήματα", ειδικά σχεδιασμένα για πυραυλικά προωστικά συστήματα στερεών καυσίμων, ως εξής:

| α. | Περιβλήματα πυραυλοκινητήρων, "εσωτερική επένδυση" και "μόνωσή" τους, |
| --- | --- |

α.

Περιβλήματα πυραυλοκινητήρων, "εσωτερική επένδυση" και "μόνωσή" τους,

| β. | Ακροφύσια πυραύλων, |
| --- | --- |

β.

Ακροφύσια πυραύλων,

| γ. | Υποσυστήματα ελέγχου ωστικού ανύσματος.
  Τεχνική παρατήρηση:

  Παραδείγματα μεθόδων επίτευξης ελέγχου ωστικού ανύσματος που ορίζεται στο εδάφιο 9Α108.γ. είναι:








  1. | Εύκαμπτο ακροφύσιο, |
| --- | --- | --- |

γ.

Υποσυστήματα ελέγχου ωστικού ανύσματος.

Τεχνική παρατήρηση:

Παραδείγματα μεθόδων επίτευξης ελέγχου ωστικού ανύσματος που ορίζεται στο εδάφιο 9Α108.γ. είναι:

1.

Εύκαμπτο ακροφύσιο,

| 2. | Έγχυση υγρού ή δευτερεύοντος αερίου, |
| --- | --- |

2.

Έγχυση υγρού ή δευτερεύοντος αερίου,

| 3. | Κινητός κινητήρας ή ακροφύσιο, |
| --- | --- |

3.

Κινητός κινητήρας ή ακροφύσιο,

| 4. | Εκτροπή του ρεύματος των καυσαερίων (πτερύγια jet ή αεροστόμια)· ή |
| --- | --- |

4.

Εκτροπή του ρεύματος των καυσαερίων (πτερύγια jet ή αεροστόμια)· ή

| 5. | Ωστικές γλωττίδες. |
| --- | --- |

5.

Ωστικές γλωττίδες.

9A109Υβριδικοί πυραυλοκινητήρες χρησιμοποιούμενοι σε "βλήματα", εκτός των περιγραφομένων στην παράγραφο 9Α009, καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη τους.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9A119.

9A110Σύνθετα δομήματα, πολυστρωματικά υλικά και κατασκευές τους, εκτός των οριζομένων στην παράγραφο 9Α010, ειδικά σχεδιασμένα για να χρησιμοποιούνται σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104 ή στα υποσυστήματα που καθορίζονται στις παραγράφους 9Α005, 9Α007, 9Α105.α, 9Α106 έως 9Α108, 9Α116 ή 9Α119.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 1A002.

9A111Κινητήρες αεριωθητή, χρησιμοποιούμενοι σε "βλήματα" καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη τους.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Α011 και 9Α118.

9A115Εξοπλισμός υποστήριξης εκτοξεύσεων, ως εξής:

| α. | Συσκευές και διατάξεις για χειρισμό, έλεγχο, ενεργοποίηση ή εκτόξευση, σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004, για μη επανδρωμένα εναέρια οχήματα που ορίζονται στο σημείο 9Α012, ή για πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104, |
| --- | --- |

α.

Συσκευές και διατάξεις για χειρισμό, έλεγχο, ενεργοποίηση ή εκτόξευση, σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004, για μη επανδρωμένα εναέρια οχήματα που ορίζονται στο σημείο 9Α012, ή για πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104,

| β. | Οχήματα για μεταφορά, χειρισμό, έλεγχο, ενεργοποίηση ή εκτόξευση, σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή για πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104. |
| --- | --- |

β.

Οχήματα για μεταφορά, χειρισμό, έλεγχο, ενεργοποίηση ή εκτόξευση, σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή για πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104.

9A116Οχήματα επανεισόδου στην ατμόσφαιρα χρησιμοποιούμενα σε "βλήματα", καθώς και σχεδιασμένος ή τροποποιημένος εξοπλισμός τους, ως εξής:

| α. | Οχήματα επανεισόδου στην ατμόσφαιρα, |
| --- | --- |

α.

Οχήματα επανεισόδου στην ατμόσφαιρα,

| β. | Θερμικοί θώρακες και συστατικά μέρη τους κατασκευασμένοι από κεραμικά ή θερμοαπαγωγά υλικά, |
| --- | --- |

β.

Θερμικοί θώρακες και συστατικά μέρη τους κατασκευασμένοι από κεραμικά ή θερμοαπαγωγά υλικά,

| γ. | Απαγωγείς θερμότητας και συστατικά μέρη τους κατασκευασμένα από ελαφρά υλικά με υψηλή θερμοανθεκτικότητα, |
| --- | --- |

γ.

Απαγωγείς θερμότητας και συστατικά μέρη τους κατασκευασμένα από ελαφρά υλικά με υψηλή θερμοανθεκτικότητα,

| δ. | Ηλεκτρονικός εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος για οχήματα επανεισόδου στην ατμόσφαιρα. |
| --- | --- |

δ.

Ηλεκτρονικός εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος για οχήματα επανεισόδου στην ατμόσφαιρα.

9A117Μηχανισμοί αποχωρισμού βαθμίδων, μηχανισμοί αποκόλλησης και ενδιάμεσες βαθμίδες, χρησιμοποιούμενοι σε "βλήματα".

9A118Μηχανισμοί για τη ρύθμιση καύσης κινητήρων, χρησιμοποιούμενοι σε "βλήματα", που καθορίζεται στις παραγράφους 9Α011 ή 9Α111.

9A119Μεμονωμένες βαθμίδες πυραύλων, που χρησιμοποιούνται σε πλήρη πυραυλικά συστήματα ή σε μη επανδρωμένα αεροσκάφη ικανά να επιτυγχάνουν βεληνεκές 300 km, εκτός των οριζομένων στις παραγράφους 9Α005, 9Α007, 9Α009, 9Α105, 9Α107 και 9Α109.

9BΕξοπλισμός Δοκιμών, Ελέγχου και Παραγωγής

9B001Ειδικά σχεδιασμένος εξοπλισμός, εργαλεία ή διατάξεις στήριξης για την κατασκευή των πτερυγίων των αεριοστροβίλων, των σταθερών πτερυγίων ή των χυτευμένων στεγανών (προστατευτικών περιβλημάτων) των ακροπτερυγίων:

| α. | Εξοπλισμός κατευθυνόμενης στερεοποίησης ή μονοκρυσταλλικής χύτευσης, |
| --- | --- |

α.

Εξοπλισμός κατευθυνόμενης στερεοποίησης ή μονοκρυσταλλικής χύτευσης,

| β. | Κεραμικοί πυρήνες ή κελύφη. |
| --- | --- |

β.

Κεραμικοί πυρήνες ή κελύφη.

9B002Συστήματα ελέγχου ανοικτής γραμμής (σε πραγματικό χρόνο), όργανα (συμπεριλαμβανομένων των αισθητήρων) ή αυτοματοποιημένος εξοπλισμός απόκτησης και επεξεργασίας δεδομένων, ειδικά σχεδιασμένοι για την "ανάπτυξη" κινητήρων αεριοστροβίλων, συναρμολογημάτων ή συστατικών μερών που περιλαμβάνουν "τεχνολογίες" του εδαφίου 9Ε003.α.

9B003Ειδικά σχεδιασμένος εξοπλισμός για την "παραγωγή" ή δοκιμή στεγανωτικών δακτυλίων ψηκτρών για αεριοστροβίλους, σχεδιασμένων για λειτουργία σε ταχύτητες ακροπτερυγίου άνω των 335 m/s, και θερμοκρασίες άνω των 773 K (500 °C), καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα ανταλλακτικά ή εξαρτήματά τους.

9B004Εργαλεία, μήτρες ή διατάξεις στερέωσης για την ένωση σε στερεή κατάσταση συστατικών μερών αεριοστροβίλων από "υπέρκραμα", ή τιτάνιο ή διαμεταλλικών συνδυασμών αεροτομής-δίσκου όπως περιγράφονται στο 9Ε003.α.3. ή 9Ε003.α.6. για αεριοστροβίλους.

9B005Συστήματα ελέγχου ανοιχτής γραμμής (σε πραγματικό χρόνο), όργανα (συμπεριλαμβανομένων των αισθητήρων) ή αυτοματοποιημένος εξοπλισμός απόκτησης και επεξεργασίας δεδομένων, ειδικά σχεδιασμένα για χρήση με οιαδήποτε από τις ακόλουθες αεροσήραγγες ή διατάξεις:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Β105.

| α. | Αεροσήραγγες σχεδιασμένες για ταχύτητες ίσες προς ή μεγαλύτερες από 1,2 Mach, εκτός, των ειδικά σχεδιασμένων για εκπαιδευτικούς σκοπούς και με ‧διάσταση διατομής δοκιμών‧ (μετρούμενη πλαγίως) μικρότερη των 250 mm,
  Τεχνική παρατήρηση:

  Ως ‧διάσταση διατομής δοκιμών‧ στο σημείο 9Β005.α. νοείται η διάμετρος του κύκλου ή η πλευρά τετραγώνου ή η μεγαλύτερη πλευρά ορθογωνίου στη θέση της μεγαλύτερης διατομής δοκιμών. |
| --- | --- |

α.

Αεροσήραγγες σχεδιασμένες για ταχύτητες ίσες προς ή μεγαλύτερες από 1,2 Mach, εκτός, των ειδικά σχεδιασμένων για εκπαιδευτικούς σκοπούς και με ‧διάσταση διατομής δοκιμών‧ (μετρούμενη πλαγίως) μικρότερη των 250 mm,

Τεχνική παρατήρηση:

Ως ‧διάσταση διατομής δοκιμών‧ στο σημείο 9Β005.α. νοείται η διάμετρος του κύκλου ή η πλευρά τετραγώνου ή η μεγαλύτερη πλευρά ορθογωνίου στη θέση της μεγαλύτερης διατομής δοκιμών.

| β. | Διατάξεις για την προσομοίωση περιβαλλόντων ροής σε ταχύτητες άνω των 5 Mach, συμπεριλαμβανομένων σηράγγων θερμής βολής, σηράγγων τόξου πλάσματος, σωλήνων κρούσεως, σηράγγων κρούσεως, σηράγγων αερίου και πυροσωλήνων ελαφρού αερίου, |
| --- | --- |

β.

Διατάξεις για την προσομοίωση περιβαλλόντων ροής σε ταχύτητες άνω των 5 Mach, συμπεριλαμβανομένων σηράγγων θερμής βολής, σηράγγων τόξου πλάσματος, σωλήνων κρούσεως, σηράγγων κρούσεως, σηράγγων αερίου και πυροσωλήνων ελαφρού αερίου,

| γ. | Αεροσήραγγες ή διατάξεις εκτός των δισδιάστατων διατομών, ικανά για προσομοίωση ροών αριθμού Reynolds άνω των 25 × 106. |
| --- | --- |

γ.

Αεροσήραγγες ή διατάξεις εκτός των δισδιάστατων διατομών, ικανά για προσομοίωση ροών αριθμού Reynolds άνω των 25 × 106.

9B006Εξοπλισμός δοκιμής ακουστικών κραδασμών, ικανών να παράγουν επίπεδα ηχητικής πίεσης ίσα προς ή μεγαλύτερα των 160 dB (αναφερόμενα σε 20 Ρa) με ονομαστική δύναμη εξόδου ίση προς ή μεγαλύτερη των 4 kw σε θερμοκρασία θαλάμου δοκιμής άνω των 1 273 K (1 000 °C), καθώς και ειδικά σχεδιασμένοι θερμαντήρες χαλαζία.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Β106.

9B007Ειδικά σχεδιασμένος εξοπλισμός για επιθεώρηση της αρτιότητας πυραυλοκινητήρων με χρήση μη καταστρεπτικών τεχνικών δοκιμής εκτός από επίπεδη ανάλυση ακτίνων· και βασική φυσική ή χημική, ανάλυση.

9B008Ειδικά σχεδιασμένοι μορφοτροπείς για την απευθείας μέτρηση της επιφανειακής τριβής τοιχωμάτων της ροής δοκιμής με θερμοκρασία ανακοπής (στάσιμων στιβάδων) άνω των 833 K (560 °C).

9B009Ειδικά σχεδιασμένα εργαλεία για την παραγωγή συστατικών μερών στροφείου κινητήρα αεριοστροβίλου που παράγονται από μεταλλουργία κόνεων ικανά να λειτουργούν σε επίπεδα τάσης ίσα προς ή μεγαλύτερα από 60 % της οριακής αντοχής σε εφελκυσμό και σε θερμοκρασίες μετάλλου ίσες προς ή μεγαλύτερες από 873 Κ(600 °C).

9B105Αεροσήραγγες για ταχύτητες ίσες προς ή μεγαλύτερες από 0,9 Mach, χρησιμοποιούμενες για "βλήματα" και τα υποσυστήματά τους.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Β005.

9B106Θάλαμοι συνθηκών περιβάλλοντος και αντιηχητικοί θάλαμοι ως εξής:

| α. | Θάλαμοι συνθηκών περιβάλλοντος ικανοί για προσομοίωση των ακολούθων συνθηκών πτήσεως:






  1. | Περιβάλλοντα κραδασμών ίσα προς ή μεγαλύτερα από 10 g rms μεταξύ 20 και 2 000 Hz και μεταδιδόμενες δυνάμεις ίσες προς ή μεγαλύτερες από 5 kN, και |
| --- | --- | --- |

α.

Θάλαμοι συνθηκών περιβάλλοντος ικανοί για προσομοίωση των ακολούθων συνθηκών πτήσεως:

1.

Περιβάλλοντα κραδασμών ίσα προς ή μεγαλύτερα από 10 g rms μεταξύ 20 και 2 000 Hz και μεταδιδόμενες δυνάμεις ίσες προς ή μεγαλύτερες από 5 kN, και

| 2. | Υψόμετρο ίσο προς ή μεγαλύτερο από 15 000 m· ή |
| --- | --- |

2.

Υψόμετρο ίσο προς ή μεγαλύτερο από 15 000 m· ή

| 3. | Φάσμα θερμοκρασίας τουλάχιστον 223 K (– 50 °C) έως 398 Κ (+ 125 °C). |
| --- | --- |

3.

Φάσμα θερμοκρασίας τουλάχιστον 223 K (– 50 °C) έως 398 Κ (+ 125 °C).

| β. | Αντιηχητικοί θάλαμοι ικανοί για προσομοίωση των ακολούθων συνθηκών πτήσεως:






  1. | Ακουστικά περιβάλλοντα συνολικού επιπέδου πιέσεως ήχου ίσου προς ή μεγαλύτερου από 140 dB (αναφερόμενο σε 20 Pa) ή με ονομαστική απόδοση εξόδου ίση προς ή μεγαλύτερη από 4 kw, και |
| --- | --- | --- |

β.

Αντιηχητικοί θάλαμοι ικανοί για προσομοίωση των ακολούθων συνθηκών πτήσεως:

1.

Ακουστικά περιβάλλοντα συνολικού επιπέδου πιέσεως ήχου ίσου προς ή μεγαλύτερου από 140 dB (αναφερόμενο σε 20 Pa) ή με ονομαστική απόδοση εξόδου ίση προς ή μεγαλύτερη από 4 kw, και

| 2. | Υψόμετρο ίσο προς ή μεγαλύτερο από 15 000 m, ή |
| --- | --- |

2.

Υψόμετρο ίσο προς ή μεγαλύτερο από 15 000 m, ή

| 3. | Φάσμα θερμοκρασίας τουλάχιστον 223 Κ (– 50 °C) έως 398 Κ (+ 125 °C). |
| --- | --- |

3.

Φάσμα θερμοκρασίας τουλάχιστον 223 Κ (– 50 °C) έως 398 Κ (+ 125 °C).

9B115Ειδικά σχεδιασμένος "εξοπλισμός παραγωγής" για τα συστήματα, υποσυστήματα και τα συστατικά μέρη των παραγράφων 9Α005 έως 9Α009, 9Α011, 9Α101, 9Α105 έως 9Α109, 9Α111, 9Α116 έως 9Α119.

9B116Ειδικά σχεδιασμένες "εγκαταστάσεις παραγωγής" για τα οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004, ή τα συστήματα, υποσυστήματα και συστατικά μέρη που ορίζονται στα σημεία 9Α005 έως 9Α009, 9Α011, 9Α101, 9Α104 έως 9Α109, 9Α111, ή 9Α116 έως 9Α119.

9B117Τράπεζες δοκιμών και εξέδρες δοκιμών για πυραύλους στερεάς ή υγρής προωστικής ύλης ή πυραυλοκινητήρες, με εκάτερο των ακόλουθων χαρακτηριστικών:

| α. | Ικανότητα να ανταπεξέλθουν σε ώση μεγαλύτερη από 90 kN, ή |
| --- | --- |

α.

Ικανότητα να ανταπεξέλθουν σε ώση μεγαλύτερη από 90 kN, ή

| β. | Ικανότητα ταυτόχρονης μέτρησης των συνισταμένων ώσης στους τρεις άξονες. |
| --- | --- |

β.

Ικανότητα ταυτόχρονης μέτρησης των συνισταμένων ώσης στους τρεις άξονες.

9CΥλικά

9C110Προεμποτισμένα με ρητίνες ινώδη υλικά και ινώδη προπλάσματά τους (προφόρμες) με μεταλλική επίστρωση για σύνθετα δομήματα, πολυστρωματικά υλικά και κατασκευές τους που ορίζονται στην παράγραφο 9Α110, κατασκευασμένα είτε από οργανική μήτρα ή μεταλλική μήτρα με χρήση ινών ή νηματοειδών ενισχύσεων με "ειδική αντοχή στον εφελκυσμό" μεγαλύτερη από 7,62 × 104 m και "ειδικό μέτρο ελαστικότητας" μεγαλύτερο από 3,18 × 106 m.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 1C010 και 1C210.

Σημ.: Τα μόνα προεμποτισμένα με ρητίνες ινώδη υλικά που ορίζονται στην παράγραφο 9C110 είναι εκείνα που χρησιμοποιούν ρητίνες με θερμοκρασία υαλώδους μετάπτωσης (Tg), μετά την κατεργασία, άνω των 418 Κ (145 ° C), όπως ορίζεται στο πρότυπο ΑΤΜ D4065 ή ισοδύναμο.

9DΛογισμικό

9D001"Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την "ανάπτυξη" εξοπλισμού ή "τεχνολογίας" των υποκατηγοριών 9Α, 9Β ή 9Ε003.

9D002"Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την "παραγωγή" εξοπλισμού των υποκατηγοριών 9Α ή 9Β.

9D003"Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την "χρήση""ηλεκτροψηφιακών συστημάτων πλήρους ελέγχου κινητήρα" ("FADEC") για προωστικά συστήματα της υποκατηγορίας 9Α ή για εξοπλισμό της υποκατηγορίας 9Β, ως εξής:

| α. | "Λογισμικό" ηλεκτροψηφιακών συστημάτων ελέγχου για προωστικά συστήματα, αεροδιαστημικές εγκαταστάσεις δοκιμών ή εγκαταστάσεις δοκιμών αερόβιων αεροκινητήρων, |
| --- | --- |

α.

"Λογισμικό" ηλεκτροψηφιακών συστημάτων ελέγχου για προωστικά συστήματα, αεροδιαστημικές εγκαταστάσεις δοκιμών ή εγκαταστάσεις δοκιμών αερόβιων αεροκινητήρων,

| β. | "Λογισμικό" με ανοχή σφαλμάτων χρησιμοποιούμενο σε συστήματα "FADEC" για προωστικά συστήματα και συναφείς εγκαταστάσεις δοκιμών. |
| --- | --- |

β.

"Λογισμικό" με ανοχή σφαλμάτων χρησιμοποιούμενο σε συστήματα "FADEC" για προωστικά συστήματα και συναφείς εγκαταστάσεις δοκιμών.

9D004Λοιπό "λογισμικό", ως εξής:

| α. | "Λογισμικό" δυσδιάστατης ή τρισδιάστατης εξόδου ροής, ελεγμένης καταλληλότητας μαζί με δεδομένα δοκιμών αεροσήραγγας ή πτήσεων, που απαιτείται για λεπτομερή κατάρτιση μοντέλου ροής κινητήρα, |
| --- | --- |

α.

"Λογισμικό" δυσδιάστατης ή τρισδιάστατης εξόδου ροής, ελεγμένης καταλληλότητας μαζί με δεδομένα δοκιμών αεροσήραγγας ή πτήσεων, που απαιτείται για λεπτομερή κατάρτιση μοντέλου ροής κινητήρα,

| β. | "Λογισμικό" για τη δοκιμή αεριοστροβίλων αεροσκαφών, συναρμολογημάτων ή συστατικών μερών, ειδικά σχεδιασμένο για τη συλλογή, αναγωγή και ανάλυση δεδομένων σε πραγματικό χρόνο, και με ικανότητα ελέγχου ανάδρασης, συμπεριλαμβανομένης της δυναμικής προσαρμογής των αντικειμένων ή των συνθηκών δοκιμής, κατά τη διάρκεια εκτέλεσης της δοκιμής, |
| --- | --- |

β.

"Λογισμικό" για τη δοκιμή αεριοστροβίλων αεροσκαφών, συναρμολογημάτων ή συστατικών μερών, ειδικά σχεδιασμένο για τη συλλογή, αναγωγή και ανάλυση δεδομένων σε πραγματικό χρόνο, και με ικανότητα ελέγχου ανάδρασης, συμπεριλαμβανομένης της δυναμικής προσαρμογής των αντικειμένων ή των συνθηκών δοκιμής, κατά τη διάρκεια εκτέλεσης της δοκιμής,

| γ. | "Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο για τον έλεγχο της κατευθυνόμενης στερεοποίησης ή της μονοκρυσταλλικής χύτευσης, |
| --- | --- |

γ.

"Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο για τον έλεγχο της κατευθυνόμενης στερεοποίησης ή της μονοκρυσταλλικής χύτευσης,

| δ. | "Λογισμικό" σε "πηγαίο κώδικα", "αντικειμενικό κώδικα" ή κώδικα μηχανής που απαιτείται για την "χρήση" συστημάτων ενεργού αντιστάθμισης για τον έλεγχο ανοχών ύψους ασφαλείας των ακροπτερυγίων του στροφείου.


  Σημ.: Το εδάφιο 9D004.δ. δεν ελέγχει "λογισμικό" ενσωματωμένο σε μη ελεγχόμενο εξοπλισμό ή απαιτούμενο για εργασίες συντήρησης συναφείς με τη διακρίβωση ή επισκευές ή τον εκσυγχρονισμό του συστήματος ενεργού αντιστάθμισης για τον έλεγχο ανοχών. |
| --- | --- |

δ.

"Λογισμικό" σε "πηγαίο κώδικα", "αντικειμενικό κώδικα" ή κώδικα μηχανής που απαιτείται για την "χρήση" συστημάτων ενεργού αντιστάθμισης για τον έλεγχο ανοχών ύψους ασφαλείας των ακροπτερυγίων του στροφείου.

Σημ.: Το εδάφιο 9D004.δ. δεν ελέγχει "λογισμικό" ενσωματωμένο σε μη ελεγχόμενο εξοπλισμό ή απαιτούμενο για εργασίες συντήρησης συναφείς με τη διακρίβωση ή επισκευές ή τον εκσυγχρονισμό του συστήματος ενεργού αντιστάθμισης για τον έλεγχο ανοχών.

9D101"Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την "χρησιμοποίηση" των προϊόντων των παραγράφων 9Β105, 9Β106, 9Β116 ή 9Β117.

9D103"Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο για κατάρτιση μοντέλων, προσομοίωση ή σχεδιαστική ολοκλήρωση των οχημάτων εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή των πυραυλοβολίδων που ορίζονται στο σημείο 9Α104, ή των υποσυστημάτων που ορίζονται στις παραγράφους 9Α005, 9Α007, 9Α105.α., 9Α106, 9Α108, 9Α118 ή 9Α119.

Σημ.: Το καθοριζόμενο στο σημείο 9D103 "λογισμικό" τελεί υπό έλεγχο όταν συνδυάζεται με ειδικά σχεδιασμένο υλικό της παραγράφου 4Α102.

9D104"Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την "χρησιμοποίηση" των προϊόντων των παραγράφων 9Α001, 9Α005, 9Α006.δ., 9Α006.ζ., 9Α007.α., 9Α008.δ., 9Α009.α., 9Α010.δ., 9Α011, 9Α101, 9Α105, 9Α106.γ., 9Α106.δ., 9Α107, 9Α108.γ., 9Α109, 9Α111, 9Α115.α., 9A116.δ., 9Α117 ή 9Α118.

9D105"Λογισμικό" το οποίο συντονίζει τη λειτουργία περισσότερων του ενός υποσυστημάτων, ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την "χρησιμοποίηση" σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή πυραυλοβολίδων που ορίζονται στο σημείο 9Α104.

9EΤεχνολογία

Σημ.: Η "τεχνολογία""ανάπτυξης" ή "παραγωγής" που καθορίζεται στα εδάφια 9Ε001 έως 9Ε003, για αεριοστροβίλους τελεί υπό έλεγχο ως τεχνολογία "χρήσης" για επισκευές, ανακατασκευή και γενική επισκευή. Δεν υπόκεινται σε έλεγχο: τεχνικά δεδομένα, σχέδια ή τεκμηρίωση που προορίζεται για εργασίες συντήρησης που συνδέονται άμεσα με τη διακρίβωση, αφαίρεση ή αντικατάσταση τμημάτων που είναι δυνατόν να αντικατασταθούν στην επιχειρησιακή βάση (LRU), που έχουν υποστεί βλάβη ή που δεν δύνανται να χρησιμοποιηθούν, συμπεριλαμβανόμενης της αντικατάστασης ολόκληρων κινητήρων ή δομοστοιχείων κινητήρων.

9E001"Τεχνολογία" σύμφωνα με τις παρατηρήσεις γενικής τεχνολογίας, για την "ανάπτυξη" εξοπλισμού ή "λογισμικού" των εδαφίων, παραγράφων ή υποκατηγοριών 9Α001.γ., 9Α004 έως 9Α011, 9Β ή 9D.

9E002"Τεχνολογία", σύμφωνα με τις παρατηρήσεις γενικής τεχνολογίας, για την "παραγωγή" εξοπλισμού που καθορίζεται στα 9Α001.γ., 9Α004 έως 9Α011, ή 9Β.

Σημ.: Για "τεχνολογία" επισκευής δομημάτων, πολυστρωματικών υλικών ή υλικών που υπόκεινται σε έλεγχο, βλέπε 1Ε002.στ.

9E003Λοιπές "τεχνολογίες", ως εξής:

| α. | "Τεχνολογία""απαιτούμενη" για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή" οιουδήποτε των ακόλουθων συστατικών μερών ή συστημάτων αεριοστροβίλου:






  1. | Πτερύγια, σταθερά πτερύγια ή στεφάνες (προστατευτικά περιβλήματα) ακροπτερυγίων αεριοστροβίλων που παράγονται από κράματα κατευθυνόμενης στερεοποίησης, ή μονοκρυσταλλικά που έχουν (ως προς τη Διεύθυνση του Δείκτου Miller 001) διάρκεια ζωής προ της θραύσεως λόγω καταπονήσεως άνω των 400 ωρών στους 1 273 K (1 000 °C) υπό τάση 200 MPa, επί τη βάσει των μέσων τιμών των ιδιοτήτων τους, |
| --- | --- | --- |

α.

"Τεχνολογία""απαιτούμενη" για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή" οιουδήποτε των ακόλουθων συστατικών μερών ή συστημάτων αεριοστροβίλου:

1.

Πτερύγια, σταθερά πτερύγια ή στεφάνες (προστατευτικά περιβλήματα) ακροπτερυγίων αεριοστροβίλων που παράγονται από κράματα κατευθυνόμενης στερεοποίησης, ή μονοκρυσταλλικά που έχουν (ως προς τη Διεύθυνση του Δείκτου Miller 001) διάρκεια ζωής προ της θραύσεως λόγω καταπονήσεως άνω των 400 ωρών στους 1 273 K (1 000 °C) υπό τάση 200 MPa, επί τη βάσει των μέσων τιμών των ιδιοτήτων τους,

| 2. | Θάλαμοι καύσης με πολλαπλούς θόλους που λειτουργούν με μέσες θερμοκρασίες εξόδου άνω των 1 813 K (1 540 °C) ή θάλαμοι καύσης που περιλαμβάνουν θερμικά αποσυνδεμένα χιτώνια καύσης, μη μεταλλικά χιτώνια ή μη μεταλλικά κελύφη, |
| --- | --- |

2.

Θάλαμοι καύσης με πολλαπλούς θόλους που λειτουργούν με μέσες θερμοκρασίες εξόδου άνω των 1 813 K (1 540 °C) ή θάλαμοι καύσης που περιλαμβάνουν θερμικά αποσυνδεμένα χιτώνια καύσης, μη μεταλλικά χιτώνια ή μη μεταλλικά κελύφη,

| 3. | Συστατικά μέρη κατασκευασμένα από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Οργανικά "σύνθετα" υλικά σχεδιασμένα για λειτουργία πάνω από 588 K (315 °C), |
| --- | --- | --- |

3.

Συστατικά μέρη κατασκευασμένα από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Οργανικά "σύνθετα" υλικά σχεδιασμένα για λειτουργία πάνω από 588 K (315 °C),

| β. | "Σύνθετα" υλικά μεταλλικής "μήτρας", κεραμικής"μήτρας" διαμεταλλικά ή μεσομεταλλικά ενισχυμένα υλικά που ορίζονται στο σημείο 1C007, ή |
| --- | --- |

β.

"Σύνθετα" υλικά μεταλλικής "μήτρας", κεραμικής"μήτρας" διαμεταλλικά ή μεσομεταλλικά ενισχυμένα υλικά που ορίζονται στο σημείο 1C007, ή

| γ. | "Σύνθετα" υλικά που ορίζονται στο σημείο 1C010 και κατασκευάζονται από ρητίνες που ορίζονται στο σημείο 1C008, |
| --- | --- |

γ.

"Σύνθετα" υλικά που ορίζονται στο σημείο 1C010 και κατασκευάζονται από ρητίνες που ορίζονται στο σημείο 1C008,

| 4. | Πτερύγια, σταθερά πτερύγια, στεφάνες (προστατευτικά περιβλήματα) ακροπτερυγίων ή άλλα συστατικά μέρη αεριοστροβίλου που δεν έχουν ψυχθεί, σχεδιασμένα για να λειτουργούν σε θερμοκρασίες αερίου ίσες προς ή μεγαλύτερες από 1 323 K (1 050 °C), |
| --- | --- |

4.

Πτερύγια, σταθερά πτερύγια, στεφάνες (προστατευτικά περιβλήματα) ακροπτερυγίων ή άλλα συστατικά μέρη αεριοστροβίλου που δεν έχουν ψυχθεί, σχεδιασμένα για να λειτουργούν σε θερμοκρασίες αερίου ίσες προς ή μεγαλύτερες από 1 323 K (1 050 °C),

| 5. | Πτερύγια, σταθερά πτερύγια ή στεφάνες (προστατευτικά περιβλήματα) ακροπτερυγίων, εκτός των περιγραφομένων στα εδάφια 9Ε003.α.1. και 2., που εκτίθενται σε θερμοκρασίες αερίου ίσες προς ή μεγαλύτερες από 1 643 K (1 370 °C), |
| --- | --- |

5.

Πτερύγια, σταθερά πτερύγια ή στεφάνες (προστατευτικά περιβλήματα) ακροπτερυγίων, εκτός των περιγραφομένων στα εδάφια 9Ε003.α.1. και 2., που εκτίθενται σε θερμοκρασίες αερίου ίσες προς ή μεγαλύτερες από 1 643 K (1 370 °C),

| 6. | Συνδυασμοί πτερυγίων αεροτομής-δίσκου για τις οποίες χρησιμοποιούνται ενώσεις στερεάς κατάστασης, |
| --- | --- |

6.

Συνδυασμοί πτερυγίων αεροτομής-δίσκου για τις οποίες χρησιμοποιούνται ενώσεις στερεάς κατάστασης,

| 7. | Συστατικά μέρη αεριοστροβίλων που χρησιμοποιούν "τεχνολογία""συγκόλλησης με διάχυση (μορίων)" του εδαφίου 2Ε003.β., |
| --- | --- |

7.

Συστατικά μέρη αεριοστροβίλων που χρησιμοποιούν "τεχνολογία""συγκόλλησης με διάχυση (μορίων)" του εδαφίου 2Ε003.β.,

| 8. | Περιστρεπτά συστατικά μέρη αεριοστροβίλων με ανοχή σε ζημίες που χρησιμοποιούν υλικά μεταλλουργίας κόνεων του εδαφίου 1C002.β., |
| --- | --- |

8.

Περιστρεπτά συστατικά μέρη αεριοστροβίλων με ανοχή σε ζημίες που χρησιμοποιούν υλικά μεταλλουργίας κόνεων του εδαφίου 1C002.β.,

| 9. | Συστήματα"FADEC" για αεριοστροβίλους και κινητήρες συνδυασμένου κύκλου καθώς και τα συναφή τους διαγνωστικά συστατικά μέρη, αισθητήρες και ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη, |
| --- | --- |

9.

Συστήματα"FADEC" για αεριοστροβίλους και κινητήρες συνδυασμένου κύκλου καθώς και τα συναφή τους διαγνωστικά συστατικά μέρη, αισθητήρες και ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη,

| 10. | Ρυθμιζόμενη γεωμετρία ίχνους ροής και συναφή συστήματα ελέγχου για:






  α. | Στροβίλους αεριογεννήτριας, |
| --- | --- | --- |

10.

Ρυθμιζόμενη γεωμετρία ίχνους ροής και συναφή συστήματα ελέγχου για:

α.

Στροβίλους αεριογεννήτριας,

| β. | Ανεμοστρόβιλους ή μηχανοστρόβιλους, |
| --- | --- |

β.

Ανεμοστρόβιλους ή μηχανοστρόβιλους,

| γ. | Προωστικά ακροφύσια. |
| --- | --- |

γ.

Προωστικά ακροφύσια.

Σημ. 1: Η ρυθμιζόμενη γεωμετρία ίχνους ροής και τα συναφή συστήματα ελέγχου του 9Ε003.α.10. δεν περιλαμβάνουν τα κατευθυντήρια σταθερά πτερύγια, ανεμιστήρες μεταβλητού βήματος, μεταβλητούς στάτες ή βαλβίδες εξαέρωσης για συμπιεστές.

Σημ. 2: Το 9Ε003.α.10. δεν ελέγχει "ανάπτυξη" ή "παραγωγική""τεχνολογία" για ρυθμιζόμενη γεωμετρία του ίχνους ροής για ανάστροφη ώση.

| 11. | Κοίλα πτερύγια ανεμοστρόβιλου, ευρείας χορδής, χωρίς ενδιάμεσα στηρίγματα. |
| --- | --- |

11.

Κοίλα πτερύγια ανεμοστρόβιλου, ευρείας χορδής, χωρίς ενδιάμεσα στηρίγματα.

| β. | "Τεχνολογία""απαιτούμενη" για την "ανάπτυξη" ή την "παραγωγή" οιουδήποτε των ακολούθων:






  1. | Προπλασμάτων αεροσηράγγων εξοπλισμένων με μη διεισδυτικούς αισθητήρες και ικανών για διαβίβαση δεδομένων από τους αισθητήρες προς το σύστημα απόκτησης δεδομένων, ή |
| --- | --- | --- |

β.

"Τεχνολογία""απαιτούμενη" για την "ανάπτυξη" ή την "παραγωγή" οιουδήποτε των ακολούθων:

1.

Προπλασμάτων αεροσηράγγων εξοπλισμένων με μη διεισδυτικούς αισθητήρες και ικανών για διαβίβαση δεδομένων από τους αισθητήρες προς το σύστημα απόκτησης δεδομένων, ή

| 2. | Πτερύγια έλικα ή ελικοστρόβιλοι από "σύνθετα υλικά" που δύνανται να απορροφούν περισσότερα από 2 000 kW σε ταχύτητες πτήσης μεγαλύτερης από 0,55 Mach. |
| --- | --- |

2.

Πτερύγια έλικα ή ελικοστρόβιλοι από "σύνθετα υλικά" που δύνανται να απορροφούν περισσότερα από 2 000 kW σε ταχύτητες πτήσης μεγαλύτερης από 0,55 Mach.

| γ. | "Τεχνολογία""απαιτούμενη" για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή" συστατικών μερών αεριοστροβίλων που χρησιμοποιούν μεθόδους με "λέιζερ", εκτόξευση ύδατος ή ηλεκτροχημικές (ΕCM) ηλεκτροδιαβρωτικές (EDM) διεργασίες για διάτρηση και έχουν οιαδήποτε από τις ακόλουθες δέσμες χαρακτηριστικών:






  1. | Όλα τα εξής:






  α. | Βάθη υπερτετραπλάσια της διαμέτρου τους, |
| --- | --- | --- | --- |

γ.

"Τεχνολογία""απαιτούμενη" για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή" συστατικών μερών αεριοστροβίλων που χρησιμοποιούν μεθόδους με "λέιζερ", εκτόξευση ύδατος ή ηλεκτροχημικές (ΕCM) ηλεκτροδιαβρωτικές (EDM) διεργασίες για διάτρηση και έχουν οιαδήποτε από τις ακόλουθες δέσμες χαρακτηριστικών:

1.

Όλα τα εξής:

α.

Βάθη υπερτετραπλάσια της διαμέτρου τους,

| β. | Διάμετρο μικρότερη από 0,76 mm, και |
| --- | --- |

β.

Διάμετρο μικρότερη από 0,76 mm, και

| γ. | Γωνία προσβολής ίση προς ή μικρότερη από 25°, ή |
| --- | --- |

γ.

Γωνία προσβολής ίση προς ή μικρότερη από 25°, ή

| 2. | Όλα τα εξής:






  α. | Βάθη υπερπενταπλάσια της διαμέτρου τους, |
| --- | --- | --- |

2.

Όλα τα εξής:

α.

Βάθη υπερπενταπλάσια της διαμέτρου τους,

| β. | Διάμετρο μικρότερη από 0,4 mm, και |
| --- | --- |

β.

Διάμετρο μικρότερη από 0,4 mm, και

| γ. | Γωνία προσβολής μεγαλύτερη από 25 °, |
| --- | --- |

γ.

Γωνία προσβολής μεγαλύτερη από 25 °,

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του εδαφίου 9Ε003.γ., η γωνία προσβολής μετράται σε εφαπτόμενο προς την επιφάνεια της αεροτομής επίπεδο, στο σημείο όπου ο άξονας της οπής τέμνει την επιφάνεια της αεροτομής.

| δ. | "Τεχνολογία""απαιτούμενη" για την "ανάπτυξη" ή την "παραγωγή" συστημάτων μετάδοσης ενέργειας για ελικόπτερα ή συστημάτων μετάδοσης ενέργειας για "αεροσκάφη" με κλίνον στροφείο ή κλίνουσες πτέρυγες. |
| --- | --- |

δ.

"Τεχνολογία""απαιτούμενη" για την "ανάπτυξη" ή την "παραγωγή" συστημάτων μετάδοσης ενέργειας για ελικόπτερα ή συστημάτων μετάδοσης ενέργειας για "αεροσκάφη" με κλίνον στροφείο ή κλίνουσες πτέρυγες.

| ε. | "Τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" ή την "παραγωγή" προωστικών συστημάτων οχημάτων επιφανείας παλινδρομικού κινητήρα ντήζελ που παρουσιάζουν το σύνολο των ακόλουθων χαρακτηριστικών:






  1. | ‧Όγκο παραλληλεπιπέδου‧ ίσο προς ή μικρότερο από 1,2 m3, |
| --- | --- | --- |

ε.

"Τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" ή την "παραγωγή" προωστικών συστημάτων οχημάτων επιφανείας παλινδρομικού κινητήρα ντήζελ που παρουσιάζουν το σύνολο των ακόλουθων χαρακτηριστικών:

1.

‧Όγκο παραλληλεπιπέδου‧ ίσο προς ή μικρότερο από 1,2 m3,

| 2. | Ολική ισχύ εξόδου μεγαλύτερη από 750 kw, σύμφωνα με της 80/1269/ΕΟΚ, ISO 2534 ή ισοδύναμα πρότυπα, και |
| --- | --- |

2.

Ολική ισχύ εξόδου μεγαλύτερη από 750 kw, σύμφωνα με της 80/1269/ΕΟΚ, ISO 2534 ή ισοδύναμα πρότυπα, και

| 3. | Ισχύ όγκου μεγαλύτερο από 700 kW/m3‧όγκου παραλληλεπιπέδου‧. |
| --- | --- |

3.

Ισχύ όγκου μεγαλύτερο από 700 kW/m3‧όγκου παραλληλεπιπέδου‧.

Τεχνική παρατήρηση:

‧Ο όγκος παραλληλεπιπέδου‧ που αναφέρεται στο 9Ε003.ε.1. είναι το γινόμενο τριών καθέτων μεταξύ τους διαστάσεων που μετρούνται ως εξής:

| Μήκος | : | Το μήκος του στροφαλοφόρου άξονα από το εμπρόσθιο παρέμβυσμα έως το πρόσωπο σπονδύλου, |
| --- | --- | --- |
| Εύρος | : | Η μεγαλύτερη διάσταση από τις ακόλουθες:








  α. | Η εξωτερική διάσταση μεταξύ των επικαλυμμάτων βαλβίδων, |

Μήκος

:

Το μήκος του στροφαλοφόρου άξονα από το εμπρόσθιο παρέμβυσμα έως το πρόσωπο σπονδύλου,

Εύρος

:

Η μεγαλύτερη διάσταση από τις ακόλουθες:

α.

Η εξωτερική διάσταση μεταξύ των επικαλυμμάτων βαλβίδων,

| β. | Οι διαστάσεις των εξωτερικών ακμών των πωμάτων κυλίνδρων, ή |
| --- | --- |

β.

Οι διαστάσεις των εξωτερικών ακμών των πωμάτων κυλίνδρων, ή

| γ. | Η διάμετρος του περιβλήματος σπονδύλου, |
| --- | --- |

γ.

Η διάμετρος του περιβλήματος σπονδύλου,

Ύψος

:

Η μεγαλύτερη διάσταση από τις ακόλουθες:

| α. | Η διάσταση από την κεντρική γραμμή του στροφαλοφόρου έως την άνω κορυφαία επιφάνεια του επικαλύμματος βαλβίδος (ή της κεφαλής κυλίνδρου) συν τη διπλή διαδρομή του εμβόλου, ή |
| --- | --- |

α.

Η διάσταση από την κεντρική γραμμή του στροφαλοφόρου έως την άνω κορυφαία επιφάνεια του επικαλύμματος βαλβίδος (ή της κεφαλής κυλίνδρου) συν τη διπλή διαδρομή του εμβόλου, ή

| β. | Η διάμετρος του περιβλήματος σπονδύλου. |
| --- | --- |

β.

Η διάμετρος του περιβλήματος σπονδύλου.

| στ. | "Τεχνολογία""απαιτούμενη" για την "παραγωγή" ειδικά σχεδιασμένων συστατικών μερών για κινητήρες ντήζελ υψηλής ισχύος εξόδου:






  1. | "Τεχνολογία""απαιτούμενη" για την "παραγωγή" κινητήρων που περιλαμβάνουν όλα τα ακόλουθα συστατικά μέρη και που χρησιμοποιούν κεραμικά υλικά της παραγράφου 1C007:






  α. | Χιτώνια κυλίνδρων, |
| --- | --- | --- | --- |

στ.

"Τεχνολογία""απαιτούμενη" για την "παραγωγή" ειδικά σχεδιασμένων συστατικών μερών για κινητήρες ντήζελ υψηλής ισχύος εξόδου:

1.

"Τεχνολογία""απαιτούμενη" για την "παραγωγή" κινητήρων που περιλαμβάνουν όλα τα ακόλουθα συστατικά μέρη και που χρησιμοποιούν κεραμικά υλικά της παραγράφου 1C007:

α.

Χιτώνια κυλίνδρων,

| β. | Έμβολα, |
| --- | --- |

β.

Έμβολα,

| γ. | Κεφαλές κυλίνδρων, και |
| --- | --- |

γ.

Κεφαλές κυλίνδρων, και

| δ. | Ένα ή περισσότερα άλλα συστατικά μέρη (συμπεριλαμβανομένων των σημείων εξαγωγής καυσαερίων, στροβιλοσυμπιεστών, οδηγών βαλβίδων, συναρμολογημάτων βαλβίδων ή μονωμένων εγχυτών καυσίμου). |
| --- | --- |

δ.

Ένα ή περισσότερα άλλα συστατικά μέρη (συμπεριλαμβανομένων των σημείων εξαγωγής καυσαερίων, στροβιλοσυμπιεστών, οδηγών βαλβίδων, συναρμολογημάτων βαλβίδων ή μονωμένων εγχυτών καυσίμου).

| 2. | "Τεχνολογία""απαραίτητη"για την "παραγωγή" συστημάτων στροβιλοσυμπιεστών με μονόβαθμους συμπιεστές ενός σταδίου, που διαθέτουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Λειτουργία σε τιμές συμπίεσης 4:1 ή υψηλότερες, |
| --- | --- | --- |

2.

"Τεχνολογία""απαραίτητη"για την "παραγωγή" συστημάτων στροβιλοσυμπιεστών με μονόβαθμους συμπιεστές ενός σταδίου, που διαθέτουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Λειτουργία σε τιμές συμπίεσης 4:1 ή υψηλότερες,

| β. | Μαζική ροή μεταξύ 30 και 130 kg ανά λεπτό, και |
| --- | --- |

β.

Μαζική ροή μεταξύ 30 και 130 kg ανά λεπτό, και

| γ. | Μεταβλητή επιφάνεια ροής εντός της διατομής του συμπιεστή ή του στροβίλου. |
| --- | --- |

γ.

Μεταβλητή επιφάνεια ροής εντός της διατομής του συμπιεστή ή του στροβίλου.

| 3. | "Τεχνολογία""απαιτούμενη" για την "παραγωγή" συστημάτων εγχύσεως καυσίμου με δυνατότητα χρήσης ειδικά σχεδιασμένου πολλαπλού καυσίμου (π.χ. ντήζελ ή καύσιμο αεριωθουμένων) που καλύπτουν κλίμακα εξόδου από το καύσιμο ντήζελ [2,5 cSt στους 310,8 K (37,8 °C)], έως την βενζίνη [0,5 cSt στους 310,8 Κ (37,8 °C)], που παρουσιάζουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Ποσότητα έγχυσης που υπερβαίνει τα 230 mm3 ανά έγχυση και κύλινδρο, και |
| --- | --- | --- |

3.

"Τεχνολογία""απαιτούμενη" για την "παραγωγή" συστημάτων εγχύσεως καυσίμου με δυνατότητα χρήσης ειδικά σχεδιασμένου πολλαπλού καυσίμου (π.χ. ντήζελ ή καύσιμο αεριωθουμένων) που καλύπτουν κλίμακα εξόδου από το καύσιμο ντήζελ [2,5 cSt στους 310,8 K (37,8 °C)], έως την βενζίνη [0,5 cSt στους 310,8 Κ (37,8 °C)], που παρουσιάζουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Ποσότητα έγχυσης που υπερβαίνει τα 230 mm3 ανά έγχυση και κύλινδρο, και

| β. | Ειδικά σχεδιασμένα μέσα ηλεκτρονικού ελέγχου για την αυτόματη μεταβολή των χαρακτηριστικών του ρυθμιστή ανάλογα με τις ιδιότητες του καυσίμου, ώστε να παρέχονται τα ίδια χαρακτηριστικά ροπής στρέψης με την χρήση των κατάλληλων αισθητήρων. |
| --- | --- |

β.

Ειδικά σχεδιασμένα μέσα ηλεκτρονικού ελέγχου για την αυτόματη μεταβολή των χαρακτηριστικών του ρυθμιστή ανάλογα με τις ιδιότητες του καυσίμου, ώστε να παρέχονται τα ίδια χαρακτηριστικά ροπής στρέψης με την χρήση των κατάλληλων αισθητήρων.

| ζ. | "Τεχνολογία""απαιτούμενη" για την "ανάπτυξη" ή την "παραγωγή" ντηζελοκινητήρων υψηλών επιδόσεων για την λίπανση των εσωτερικών τοιχωμάτων των κυλίνδρων με στερεά, αέρια, ή υγρά υμένια (ή με συνδυασμούς των), που επιτρέπουν τη λειτουργία σε θερμοκρασίες άνω των 723 Κ (450 °C), μετρούμενες επί του τοιχώματος του κυλίνδρου στο ανώτατο όριο της διαδρομής του άνω δακτυλίου του εμβόλου.
  Τεχνικές παρατηρήσεις:

  Ντηζελομηχανές ντήζελ υψηλών επιδόσεων: Ντηζελομηχανές με προσδιορισμένη μέση πραγματική πίεση πέδησης ίση προς ή μεγαλύτερη από 1,8 ΜΡa σε ταχύτητα 2 300 σ.α.λ., εφόσον η ονομαστική ταχύτητα είναι ίση προς ή ανώτερη από 2 300 σ.α.λ. |
| --- | --- |

ζ.

"Τεχνολογία""απαιτούμενη" για την "ανάπτυξη" ή την "παραγωγή" ντηζελοκινητήρων υψηλών επιδόσεων για την λίπανση των εσωτερικών τοιχωμάτων των κυλίνδρων με στερεά, αέρια, ή υγρά υμένια (ή με συνδυασμούς των), που επιτρέπουν τη λειτουργία σε θερμοκρασίες άνω των 723 Κ (450 °C), μετρούμενες επί του τοιχώματος του κυλίνδρου στο ανώτατο όριο της διαδρομής του άνω δακτυλίου του εμβόλου.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

Ντηζελομηχανές ντήζελ υψηλών επιδόσεων: Ντηζελομηχανές με προσδιορισμένη μέση πραγματική πίεση πέδησης ίση προς ή μεγαλύτερη από 1,8 ΜΡa σε ταχύτητα 2 300 σ.α.λ., εφόσον η ονομαστική ταχύτητα είναι ίση προς ή ανώτερη από 2 300 σ.α.λ.

9E101"Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την "ανάπτυξη" ή την "παραγωγή" προϊόντων που ορίζονται στις παραγράφους 9Α101, 9Α104 έως 9Α111 ή 9Α115 έως 9Α119.

9E102"Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για "χρήση" οχημάτων εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004, ή προϊόντων που ορίζονται στα σημεία 9Α005 έως 9Α011, 9Α101, 9Α104 έως 9Α111, 9Α115 έως 9Α119, 9Β105, 9Β106, 9Β115, 9Β116, 9Β117, 9D101 ή 9D103.

---

(1)  Οι κατασκευαστές που υπολογίζουν την ακρίβεια τοποθέτησης σύμφωνα με το έγγραφο ISO 230/2 (1997) οφείλουν να συμβουλευθούν τις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους όπου είναι εγκατεστημένοι.

(2)  Οι αριθμοί σε παρένθεση παραπέμπουν στις Σημειώσεις που συνοδεύουν αυτόν τον πίνακα.

---

ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ ΙΙ

ΓΕΝΙΚΗ ΚΟΙΝΟΤΙΚΗ ΑΔΕΙΑ ΕΞΑΓΩΓΗΣ αριθ. EU001

[που αναφέρεται στο άρθρο 6 του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1334/2000]

Εκδίδουσα αρχή: Ευρωπαϊκή Κοινότητα

Μέρος 1

Η παρούσα άδεια εξαγωγής καλύπτει τα παρακάτω είδη:

Όλα τα είδη διπλής χρήσης που προσδιορίζονται σε οποιονδήποτε κωδικό του παραρτήματος I του παρόντος κανονισμού, εκτός από όσα απαριθμούνται στο Μέρος 2 παρακάτω.

Μέρος 2

| — | | όλα τα είδη που προσδιορίζονται στο παράρτημα IV. |
| --- | --- | --- |
| — | 0C001 | "Φυσικό ουράνιο" ή "εξαντλημένο ουράνιο" ή θόριο υπό μορφή μετάλλου, κράματος, χημικής ένωσης ή συμπυκνώματος καθώς και κάθε άλλο υλικό το οποίο περιέχει ένα ή περισσότερα από τα προηγούμενα υλικά. |
| — | 0C002 | "Ειδικά σχάσιμα υλικά" πλην αυτών που ορίζονται στο παράρτημα IV. |
| — | 0D001 | "Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την "ανάπτυξη", "παραγωγή" ή "χρήση" προϊόντων που καθορίζονται στην κατηγορία 0, στο μέτρο που σχετίζεται με το σημείο 0C001 ή με τα είδη του σημείου 0C002 που εξαιρούνται από το παράρτημα IV. |
| — | 0E001 | "Τεχνολογία" σύμφωνα με το σημείωμα για την Πυρηνική Τεχνολογία για την "ανάπτυξη", "παραγωγή" ή "χρήση" προϊόντων που περιγράφονται στην κατηγορία 0, στο μέτρο που σχετίζεται με το σημείο 0C001 ή με τα είδη του σημείου 0C002 που εξαιρούνται από το παράρτημα IV. |
| — | 1A102 | Επανακορεσμένα κατασκευαστικά στοιχεία από πυρολυμένο άνθρακα-άνθρακα, σχεδιασμένα για οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή για πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104. |
| — | 1C351 | Ανθρώπινα παθογόνα, ζωονόσοι και "τοξίνες". |
| — | 1C352 | Ζωικά παθογόνα. |
| — | 1C353 | Γενετικά στοιχεία και γενετικώς τροποποιημένοι οργανισμοί. |
| — | 1C354 | Φυτικά παθογόνα. |
| — | 7E104 | "Τεχνολογία" για την ενοποίηση των πληροφοριών ελέγχου πτήσεως, καθοδήγησης και προώσεως σε ένα σύστημα διαχείρισης πτήσεως με σκοπό τη βελτιστοποίηση της τροχιάς πυραυλικού συστήματος. |
| — | 9A009.a. | Υβριδικά πυραυλικά προωστικά συστήματα με ικανότητα ολικής ώσης άνω των 1,1 MNs. |
| — | 9A117 | Μηχανισμοί αποχωρισμού βαθμίδων, μηχανισμοί αποκόλλησης και ενδιάμεσες βαθμίδες, χρησιμοποιούμενοι σε "λήματα". |

—

όλα τα είδη που προσδιορίζονται στο παράρτημα IV.

—

0C001

"Φυσικό ουράνιο" ή "εξαντλημένο ουράνιο" ή θόριο υπό μορφή μετάλλου, κράματος, χημικής ένωσης ή συμπυκνώματος καθώς και κάθε άλλο υλικό το οποίο περιέχει ένα ή περισσότερα από τα προηγούμενα υλικά.

—

0C002

"Ειδικά σχάσιμα υλικά" πλην αυτών που ορίζονται στο παράρτημα IV.

—

0D001

"Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την "ανάπτυξη", "παραγωγή" ή "χρήση" προϊόντων που καθορίζονται στην κατηγορία 0, στο μέτρο που σχετίζεται με το σημείο 0C001 ή με τα είδη του σημείου 0C002 που εξαιρούνται από το παράρτημα IV.

—

0E001

"Τεχνολογία" σύμφωνα με το σημείωμα για την Πυρηνική Τεχνολογία για την "ανάπτυξη", "παραγωγή" ή "χρήση" προϊόντων που περιγράφονται στην κατηγορία 0, στο μέτρο που σχετίζεται με το σημείο 0C001 ή με τα είδη του σημείου 0C002 που εξαιρούνται από το παράρτημα IV.

—

1A102

Επανακορεσμένα κατασκευαστικά στοιχεία από πυρολυμένο άνθρακα-άνθρακα, σχεδιασμένα για οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή για πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104.

—

1C351

Ανθρώπινα παθογόνα, ζωονόσοι και "τοξίνες".

—

1C352

Ζωικά παθογόνα.

—

1C353

Γενετικά στοιχεία και γενετικώς τροποποιημένοι οργανισμοί.

—

1C354

Φυτικά παθογόνα.

—

7E104

"Τεχνολογία" για την ενοποίηση των πληροφοριών ελέγχου πτήσεως, καθοδήγησης και προώσεως σε ένα σύστημα διαχείρισης πτήσεως με σκοπό τη βελτιστοποίηση της τροχιάς πυραυλικού συστήματος.

—

9A009.a.

Υβριδικά πυραυλικά προωστικά συστήματα με ικανότητα ολικής ώσης άνω των 1,1 MNs.

—

9A117

Μηχανισμοί αποχωρισμού βαθμίδων, μηχανισμοί αποκόλλησης και ενδιάμεσες βαθμίδες, χρησιμοποιούμενοι σε "λήματα".

Μέρος 3

Η παρούσα άδεια εξαγωγής ισχύει σε ολόκληρη την Κοινότητα για εξαγωγές προς τους εξής προορισμούς:

| | Αυστραλία |
| --- | --- |

Αυστραλία

| | Ελβετία |
| --- | --- |

Ελβετία

| | Ηνωμένες Πολιτείες Αμερικής |
| --- | --- |

Ηνωμένες Πολιτείες Αμερικής

| | Ιαπωνία |
| --- | --- |

Ιαπωνία

| | Καναδά |
| --- | --- |

Καναδά

| | Νέα Ζηλανδία |
| --- | --- |

Νέα Ζηλανδία

| | Νορβηγία |
| --- | --- |

Νορβηγία

Σημείωση: Τα Μέρη 2 και 3 μπορούν να τροποποιούνται μόνο σύμφωνα με τις συναφείς υποχρεώσεις και δεσμεύσεις που έχει αναλάβει κάθε κράτος μέλος ως συμβαλλόμενο μέρος των διεθνών καθεστώτων μη διάδοσης και διευθετήσεων ελέγχου των εξαγωγών, και σύμφωνα με τα συμφέροντα δημόσιας ασφάλειας κάθε κράτους μέλους, όπως αντικατοπτρίζονται στην ευθύνη που έχει να αποφασίζει επί των αιτήσεων αδειών εξαγωγής ειδών διπλής χρήσης σύμφωνα με το άρθρο 6 παράγραφος 2 του παρόντος κανονισμού.

Προϋποθέσεις και απαιτήσεις για τη χρησιμοποίηση της παρούσας άδειας

| 1) | Η παρούσα γενική άδεια δεν επιτρέπεται να χρησιμοποιείται αν ο εξαγωγέας έχει ενημερωθεί από τις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους όπου είναι εγκατεστημένος ότι τα είδη προορίζονται ή ενδέχεται να προορίζονται, εν όλω ή εν μέρει, να χρησιμοποιηθούν σε συνάρτηση με την ανάπτυξη, την παραγωγή, το χειρισμό, τη λειτουργία, τη συντήρηση, την αποθήκευση, την ανίχνευση, τον εντοπισμό ή τη διάδοση χημικών, βιολογικών ή πυρηνικών όπλων ή άλλων εκρηκτικών πυρηνικών διατάξεων, ή την ανάπτυξη, την παραγωγή, τη λειτουργία ή την αποθήκευση πυραύλων ικανών να μεταφέρουν τέτοια όπλα, ή αν ο εξαγωγέας γνωρίζει ότι τα συγκεκριμένα είδη προορίζονται για τέτοια χρήση. |
| --- | --- |

1)

Η παρούσα γενική άδεια δεν επιτρέπεται να χρησιμοποιείται αν ο εξαγωγέας έχει ενημερωθεί από τις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους όπου είναι εγκατεστημένος ότι τα είδη προορίζονται ή ενδέχεται να προορίζονται, εν όλω ή εν μέρει, να χρησιμοποιηθούν σε συνάρτηση με την ανάπτυξη, την παραγωγή, το χειρισμό, τη λειτουργία, τη συντήρηση, την αποθήκευση, την ανίχνευση, τον εντοπισμό ή τη διάδοση χημικών, βιολογικών ή πυρηνικών όπλων ή άλλων εκρηκτικών πυρηνικών διατάξεων, ή την ανάπτυξη, την παραγωγή, τη λειτουργία ή την αποθήκευση πυραύλων ικανών να μεταφέρουν τέτοια όπλα, ή αν ο εξαγωγέας γνωρίζει ότι τα συγκεκριμένα είδη προορίζονται για τέτοια χρήση.

| 2) | Η παρούσα γενική άδεια δεν επιτρέπεται να χρησιμοποιείται αν ο εξαγωγέας έχει ενημερωθεί από τις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους όπου είναι εγκατεστημένος ότι τα είδη προορίζονται ή ενδέχεται να προορίζονται για στρατιωτική τελική χρήση, κατά την έννοια του άρθρου 4 παράγραφος 2 του παρόντος κανονισμού, σε χώρα υποκείμενη σε απαγόρευση αποστολής όπλων από την Ευρωπαϊκή Ένωση, τον ΟΑΣΕ ή τον ΟΗΕ, ή αν ο εξαγωγέας γνωρίζει ότι προορίζονται για τέτοια χρήση. |
| --- | --- |

2)

Η παρούσα γενική άδεια δεν επιτρέπεται να χρησιμοποιείται αν ο εξαγωγέας έχει ενημερωθεί από τις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους όπου είναι εγκατεστημένος ότι τα είδη προορίζονται ή ενδέχεται να προορίζονται για στρατιωτική τελική χρήση, κατά την έννοια του άρθρου 4 παράγραφος 2 του παρόντος κανονισμού, σε χώρα υποκείμενη σε απαγόρευση αποστολής όπλων από την Ευρωπαϊκή Ένωση, τον ΟΑΣΕ ή τον ΟΗΕ, ή αν ο εξαγωγέας γνωρίζει ότι προορίζονται για τέτοια χρήση.

| 3) | Η παρούσα γενική άδεια δεν επιτρέπεται να χρησιμοποιείται όταν τα συγκεκριμένα είδη εξάγονται σε ελεύθερη τελωνειακή ζώνη ή σε ελεύθερη αποθήκη που ευρίσκεται σε προορισμό που καλύπτεται από την παρούσα άδεια. |
| --- | --- |

3)

Η παρούσα γενική άδεια δεν επιτρέπεται να χρησιμοποιείται όταν τα συγκεκριμένα είδη εξάγονται σε ελεύθερη τελωνειακή ζώνη ή σε ελεύθερη αποθήκη που ευρίσκεται σε προορισμό που καλύπτεται από την παρούσα άδεια.

| 4) | Οι απαιτήσεις καταγραφής και αναφορών από τις οποίες συνοδεύεται η χρησιμοποίηση της παρούσας γενικής άδειας, και οι τυχόν πρόσθετες πληροφορίες τις οποίες απαιτούν, για τα είδη που καλύπτονται από την παρούσα άδεια, τα κράτη μέλη από τα οποία πραγματοποιείται η εξαγωγή, ορίζονται από τα κράτη μέλη, οφείλουν δε να είναι οι ίδιες με εκείνες που ορίζονται για τη χρησιμοποίηση γενικών αδειών εξαγωγής που εκδίδονται από όσα κράτη μέλη προβλέπουν τέτοιες άδειες. |
| --- | --- |

4)

Οι απαιτήσεις καταγραφής και αναφορών από τις οποίες συνοδεύεται η χρησιμοποίηση της παρούσας γενικής άδειας, και οι τυχόν πρόσθετες πληροφορίες τις οποίες απαιτούν, για τα είδη που καλύπτονται από την παρούσα άδεια, τα κράτη μέλη από τα οποία πραγματοποιείται η εξαγωγή, ορίζονται από τα κράτη μέλη, οφείλουν δε να είναι οι ίδιες με εκείνες που ορίζονται για τη χρησιμοποίηση γενικών αδειών εξαγωγής που εκδίδονται από όσα κράτη μέλη προβλέπουν τέτοιες άδειες.

---

ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ ΙΙΙα

Image

Image

Image

---

ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ III β

ΚΟΙΝΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΓΙΑ ΤΗ ΔΗΜΟΣΙΕΥΣΗ ΤΩΝ ΓΕΝΙΚΩΝ ΑΔΕΙΩΝ ΕΞΑΓΩΓΗΣ

[αναφερόμενα στο άρθρο 10 (3)]

| 1) | Τίτλος της γενικής άδειας εξαγωγής |
| --- | --- |

1)

Τίτλος της γενικής άδειας εξαγωγής

| 2) | Αρχή που εκδίδει την άδεια |
| --- | --- |

2)

Αρχή που εκδίδει την άδεια

| 3) | Κοινοτική ισχύς. Χρησιμοποιείται το εξής κείμενο:
  «Η παρούσα αποτελεί γενική άδεια εξαγωγής κατά την έννοια του άρθρου 6 παράγραφος 2 του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1334/2000, σύμφωνα δε με το άρθρο 6 παράγραφος 2 του ίδιου κανονισμού, ισχύει σε όλα τα κράτη μέλη της Ευρωπαϊκής Κοινότητας.» |
| --- | --- |

3)

Κοινοτική ισχύς. Χρησιμοποιείται το εξής κείμενο:

«Η παρούσα αποτελεί γενική άδεια εξαγωγής κατά την έννοια του άρθρου 6 παράγραφος 2 του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1334/2000, σύμφωνα δε με το άρθρο 6 παράγραφος 2 του ίδιου κανονισμού, ισχύει σε όλα τα κράτη μέλη της Ευρωπαϊκής Κοινότητας.»

| 4) | Καλυπτόμενα είδη: Χρησιμοποιείται το εξής εισαγωγικό κείμενο:
  «Η παρούσα άδεια εξαγωγής καλύπτει τα εξής είδη:» |
| --- | --- |

4)

Καλυπτόμενα είδη: Χρησιμοποιείται το εξής εισαγωγικό κείμενο:

«Η παρούσα άδεια εξαγωγής καλύπτει τα εξής είδη:»

| 5) | Καλυπτόμενοι προορισμοί: Χρησιμοποιείται το εξής εισαγωγικό κείμενο:
  «Η παρούσα άδεια εξαγωγής ισχύει για εξαγωγές προς τους εξής προορισμούς:» |
| --- | --- |

5)

Καλυπτόμενοι προορισμοί: Χρησιμοποιείται το εξής εισαγωγικό κείμενο:

«Η παρούσα άδεια εξαγωγής ισχύει για εξαγωγές προς τους εξής προορισμούς:»

| 6) | Προϋποθέσεις και απαιτήσεις |
| --- | --- |

6)

Προϋποθέσεις και απαιτήσεις

---

ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ IV

[Κατάλογος που αναφέρεται στο άρθρο 21 παράγραφος 1 του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1334/2000]

Οι περιγραφικές φράσεις δεν καλύπτουν πάντοτε πλήρως την περιγραφή του είδους και τις συναφείς σημειώσεις του παραρτήματος I
   (1)
  . Μόνο στο παράρτημα I περιέχεται η πλήρης περιγραφή των ειδών.

Η αναγραφή ενός είδους στο παρόν παράρτημα δεν επηρεάζει την εφαρμογή των διατάξεων σχετικά με τα προϊόντα μαζικής αγοράς που αναγράφονται στο παράρτημα Ι.

Μέρος I

(δυνατότητα Εθνικής Γενικής Άδειας για το ενδοκοινοτικό εμπόριο)

Είδη τεχνολογίας Stealth

| 1C001 | Υλικά σχεδιασμένα ειδικά για να χρησιμοποιηθούν ως απορροφητές ηλεκτρομαγνητικών κυμάτων ή εγγενώς αγώγιμα πολυμερή.

  ΣΗΜ.: ΒΛ. ΕΠΙΣΗΣ 1C101 |
| --- | --- |
| 1C101 | Υλικά και συστήματα για μειωμένα παρατηρήσιμα χαρακτηριστικά, όπως η ανακλαστικότητα ραντάρ, η επισήμανση σε υπεριώδεις/υπέρυθρες ακτίνες και ηχητικά κύματα· εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στο σημείο 1C001, και που μπορούν να χρησιμοποιηθούν στους "πυραύλους" και στα υποσυστήματα τους. |
| 1D103 | "Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο για την ανάλυση ανηγμένων παρατηρήσιμων μεγεθών όπως η ανακλαστικότητα στο ραδιοεντοπιστή, οι επισημάνσεις υπεριώδους/υπέρυθρης ακτινοβολίας και οι ακουστικές επισημάνσεις. |
| 1E101 | "Τεχνολογία" σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για τη "χρήση" προϊόντων που προσδιορίζονται στα 1C101 ή 1D103. |
| 1E102 | "Τεχνολογία" σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για την "ανάπτυξη""λογισμικού" που προσδιορίζεται στο 1D103. |
| 6B008 | Συστήματα μέτρησης διατομών με παλμικό ραδιοεντοπιστή εύρους παλμού μέχρι και 100 ns, και ειδικά σχεδιασμένα προς τούτο δομικά στοιχεία.

  ΣΗΜ.: ΒΛ. ΕΠΙΣΗΣ 6B108 |
| 6B108 | Συστήματα ειδικά σχεδιασμένα για τη μέτρηση διατομών με ραδιοεντοπιστή, χρησιμοποιήσιμα για "βλήματα" και υποσυστήματα αυτών. |

1C001

Υλικά σχεδιασμένα ειδικά για να χρησιμοποιηθούν ως απορροφητές ηλεκτρομαγνητικών κυμάτων ή εγγενώς αγώγιμα πολυμερή.

ΣΗΜ.: ΒΛ. ΕΠΙΣΗΣ 1C101

1C101

Υλικά και συστήματα για μειωμένα παρατηρήσιμα χαρακτηριστικά, όπως η ανακλαστικότητα ραντάρ, η επισήμανση σε υπεριώδεις/υπέρυθρες ακτίνες και ηχητικά κύματα· εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στο σημείο 1C001, και που μπορούν να χρησιμοποιηθούν στους "πυραύλους" και στα υποσυστήματα τους.

1D103

"Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο για την ανάλυση ανηγμένων παρατηρήσιμων μεγεθών όπως η ανακλαστικότητα στο ραδιοεντοπιστή, οι επισημάνσεις υπεριώδους/υπέρυθρης ακτινοβολίας και οι ακουστικές επισημάνσεις.

1E101

"Τεχνολογία" σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για τη "χρήση" προϊόντων που προσδιορίζονται στα 1C101 ή 1D103.

1E102

"Τεχνολογία" σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για την "ανάπτυξη""λογισμικού" που προσδιορίζεται στο 1D103.

6B008

Συστήματα μέτρησης διατομών με παλμικό ραδιοεντοπιστή εύρους παλμού μέχρι και 100 ns, και ειδικά σχεδιασμένα προς τούτο δομικά στοιχεία.

ΣΗΜ.: ΒΛ. ΕΠΙΣΗΣ 6B108

6B108

Συστήματα ειδικά σχεδιασμένα για τη μέτρηση διατομών με ραδιοεντοπιστή, χρησιμοποιήσιμα για "βλήματα" και υποσυστήματα αυτών.

Είδη του κοινοτικού στρατηγικού ελέγχου

| 1C239 | Ισχυρά εκρηκτικά, εκτός αυτών που καθορίζονται στους Έλεγχους Στρατιωτικών Προϊόντων, ή ουσίες ή μίγματα περιέχοντα περισσότερο από 2 % κατά βάρος εξ αυτών, με κρυσταλλική πυκνότητα μεγαλύτερη του 1,8 g/cm3 και εμφανίζοντα ταχύτητα έκρηξης μεγαλύτερη των 8 000 m/s. |
| --- | --- |
| 1E201 | "Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας, προς "χρήση" των αγαθών που προσδιορίζονται στο σημείο 1C239. |
| 3A229 | Συσκευές εκπυρσοκρότησης και ισοδύναμες γεννήτριες παλμών υψηλού ρεύματος, ως εξής:

  ΣΗΜ.: ΒΛ. ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ |
| 3A232 | Πυροκροτητές και συστήματα έναυσης πολλαπλών σημείων ως εξής:

  ΣΗΜ.: ΒΛ. ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΓΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ |
| 3E201 | "Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας, προς "χρήση" των εξοπλισμών που προσδιορίζονται στα σημεία 3Α229 ή 3Α232. |
| 6A001 | Ακουστική, μόνον όσον αφορά τα εξής είδη: |
| 6A001.α.1.β. | Συστήματα ανίχνευσης ή εντοπισμού αντικειμένων που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Συχνότητα εκπομπής
  κάτω των 5 kHz
  , |

1C239

Ισχυρά εκρηκτικά, εκτός αυτών που καθορίζονται στους Έλεγχους Στρατιωτικών Προϊόντων, ή ουσίες ή μίγματα περιέχοντα περισσότερο από 2 % κατά βάρος εξ αυτών, με κρυσταλλική πυκνότητα μεγαλύτερη του 1,8 g/cm3 και εμφανίζοντα ταχύτητα έκρηξης μεγαλύτερη των 8 000 m/s.

1E201

"Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας, προς "χρήση" των αγαθών που προσδιορίζονται στο σημείο 1C239.

3A229

Συσκευές εκπυρσοκρότησης και ισοδύναμες γεννήτριες παλμών υψηλού ρεύματος, ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛ. ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ

3A232

Πυροκροτητές και συστήματα έναυσης πολλαπλών σημείων ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛ. ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΓΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ

3E201

"Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας, προς "χρήση" των εξοπλισμών που προσδιορίζονται στα σημεία 3Α229 ή 3Α232.

6A001

Ακουστική, μόνον όσον αφορά τα εξής είδη:

6A001.α.1.β.

Συστήματα ανίχνευσης ή εντοπισμού αντικειμένων που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Συχνότητα εκπομπής
  κάτω των 5 kHz
  ,

| 6. | Έχουν σχεδιασθεί για να αντέχουν ..., |
| --- | --- |

6.

Έχουν σχεδιασθεί για να αντέχουν ...,

6Α001.α.2.α.1.

Υδρόφωνα ... που έχουν ενσωματωμένους ...

6Α001.α.2.α.2.

Υδρόφωνα ... που έχουν οποιοδήποτε ....

6Α001.α.2.α.5.

Υδρόφωνα .... σχεδιασμένα για ....

6Α001.α.2.β.

Ρυμουλκούμενες συστοιχίες ηχητικών υδροφώνων ....

6Α001.α.2.γ.

Εξοπλισμός επεξεργασίας, ειδικά σχεδιασμένος για
  εφαρμογή πραγματικού χρόνου με
  ρυμουλκούμενες συστοιχίες ηχητικών υδροφώνων, που έχει "δυνατότητα προγραμματισμού προσπελάσιμη από το χρήστη" και επεξεργασία και συσχέτιση σε κλίμακα χρόνου ή συχνοτήτων, συμπεριλαμβανομένης φασματικής ανάλυσης, διόδου από ψηφιακό φίλτρο και διαμόρφωσης σε δέσμη με τη χρήση ταχείας ανάλυσης κατά Fourier ή άλλων μετασχηματισμών ή διεργασιών.

6Α001.α.2.ε.

Καλωδιακά συστήματα βυθού ή ανοικτού κόλπου που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

| 1. | Ενσωματωμένα υδρόφωνα ...., ή |
| --- | --- |

1.

Ενσωματωμένα υδρόφωνα ...., ή

| 2. | Ενσωματωμένες πολυπλεκτικές μονάδες σήματος ομάδας υδροφώνων .... |
| --- | --- |

2.

Ενσωματωμένες πολυπλεκτικές μονάδες σήματος ομάδας υδροφώνων ....

6Α001.α.2.στ.

Εξοπλισμός επεξεργασίας, ειδικά σχεδιασμένο για
  εφαρμογή πραγματικού χρόνου με
  καλωδιακά συστήματα βυθού ή ανοικτού κόλπου, που έχει "δυνατότητα προγραμματισμού προσπελάσιμη από το χρήστη" και επεξεργασία και συσχέτιση σε κλίμακα χρόνου ή συχνοτήτων, συμπεριλαμβανομένης φασματικής ανάλυσης, διόδου από ψηφιακό φίλτρο και διαμόρφωσης σε δέσμη με τη χρήση ταχείας ανάλυσης κατά Fourier ή άλλων μετασχηματισμών ή διεργασιών,

6D003.α

"Λογισμικό" για την επεξεργασία σε κλίμακα "πραγματικού χρόνου" ηχητικών δεδομένων,

8A002.ο.3

Τα ακόλουθα συστήματα περιορισμού του θορύβου προς χρήση σε σκάφη εκτοπίσματος μεγαλυτέρου/ίσου προς 1 000 τόνους, ως εξής:

| β) | ενεργά συστήματα περιορισμού ή εξουδετέρωσης του θορύβου, ή μαγνητικά εφέδρανα, που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για συστήματα μετάδοσης της ισχύος και διαθέτουν ηλεκτρονικά συστήματα ρύθμισης ικανά να μειώνουν ενεργώς τις δονήσεις του εξοπλισμού, δια της δημιουργίας αντιθορυβικών ή αντιδονητικών σημάτων άμεσα στην πηγή θορύβου ή δονήσεως. |
| --- | --- |

β)

ενεργά συστήματα περιορισμού ή εξουδετέρωσης του θορύβου, ή μαγνητικά εφέδρανα, που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για συστήματα μετάδοσης της ισχύος και διαθέτουν ηλεκτρονικά συστήματα ρύθμισης ικανά να μειώνουν ενεργώς τις δονήσεις του εξοπλισμού, δια της δημιουργίας αντιθορυβικών ή αντιδονητικών σημάτων άμεσα στην πηγή θορύβου ή δονήσεως.

8Ε002.α

"Τεχνολογία" για την "ανάπτυξη", "παραγωγή", επιδιόρθωση, γενική επισκευή ή ανακαίνιση των ελίκων που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για τη μείωση του υποβρυχίου θορύβου.

Είδη του κοινοτικού στρατηγικού ελέγχου — Κρυπτογραφία — κατηγορία 5 Μέρος 2

| Α002.α.2. | Εξοπλισμός που έχει σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για να εκτελεί κρυπτογραφικές λειτουργίες. |
| --- | --- |
| 5D002.γ.1. | Μόνο λογισμικό που έχει τα χαρακτηριστικά ή που εκτελεί ή προσομοιώνει τις λειτουργίες, εξοπλισμού που καθορίζεται στο σημείο 5Α002.α2. |
| 5E002 | Μόνον "τεχνολογία" για την "ανάπτυξη", την "παραγωγή" ή τη "χρήση" των αγαθών που καθορίζονται στο σημείο 5Α002.α.2. ή το σημείο 5D002.γ.1. παραπάνω. |

Α002.α.2.

Εξοπλισμός που έχει σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για να εκτελεί κρυπτογραφικές λειτουργίες.

5D002.γ.1.

Μόνο λογισμικό που έχει τα χαρακτηριστικά ή που εκτελεί ή προσομοιώνει τις λειτουργίες, εξοπλισμού που καθορίζεται στο σημείο 5Α002.α2.

5E002

Μόνον "τεχνολογία" για την "ανάπτυξη", την "παραγωγή" ή τη "χρήση" των αγαθών που καθορίζονται στο σημείο 5Α002.α.2. ή το σημείο 5D002.γ.1. παραπάνω.

Τεχνολογία καθεστώτος ελέγχου τεχνολογίας πυραύλων (MTCR)

| 7A117 | "Σύνολα καθοδήγησης", χρησιμοποιήσιμα σε "βλήματα" ικανά να επιτύχουν ακρίβεια συστήματος μικρότερη ή ίση προς 3,33 % της εμβέλειας (π.χ. πιθανότητα κυκλικού σφάλματος "CEP" 10 km ή λιγότερο σε εμβέλεια 300 km),
  πλην των "συνόλων καθοδήγησης" που είναι σχεδιασμένα για βλήματα με εμβέλεια κάτω των 300 km ή για επανδρωμένα αεροσκάφη. |
| --- | --- |
| 7B001 | Εξοπλισμός δοκιμής, διακρίβωσης ή ευθυγράμμισης που έχει ειδικά σχεδιαστεί για τον εξοπλισμό που καθορίζεται
  στο σημείο 7A117 παραπάνω.




  Παρατ.: Το 7Β001 δεν ελέγχει τον εξοπλισμό δοκιμής, διακρίβωσης ή ευθυγράμμισης για το Επίπεδο Συντήρησης I και το Επίπεδο Συντήρησης II. |
| 7B003 | Εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος για την "παραγωγή" του εξοπλισμού που καθορίζεται
  στο σημείο 7Α117 παραπάνω. |
| 7B103 | "Εγκαταστάσεις παραγωγής" ιδιαίτερα σχεδιασμένες για τον εξοπλισμό που καθορίζεται
  στο σημείο 7Α117 παραπάνω. |
| 7D101 | "Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο προς "χρήση" στον εξοπλισμό που καθορίζεται στα σημεία 7B003 ή 7Β103
  παραπάνω. |
| 7E001 | "Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την "ανάπτυξη" εξοπλισμού ή "λογισμικού" που καθορίζονται στα σημεία 7Α117, 7Β003, 7Β103 ή 7D101
  παραπάνω. |
| 7E002 | "Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την "παραγωγή" εξοπλισμού που καθορίζονται στα σημεία 7Α117, 7Β003 και 7Β103
  παραπάνω. |
| 7E101 | "Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας προς "χρήση" στον εξοπλισμό που καθορίζεται στις παραγράφους 7Α117, 7Β003, 7Β103 και 7D101
  παραπάνω. |
| 9A004 | Οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα
  με ωφέλιμο φορτίο τουλάχιστον 500 kg και εμβέλεια τουλάχιστον 300 km.



  ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Α104.



  Παρατ. 1: Το 9Α004 δεν ελέγχει τα ωφέλιμα φορτία. |
| 9A005 | Πυραυλικά προωστικά συστήματα υγρού καυσίμου που περιέχουν οιοδήποτε από τα συστήματα ή τα συστατικά μέρη που ορίζονται στο σημείο 9Α006,
  τα οποία μπορούν να χρησιμοποιούνται για τα οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που καθορίζονται στο σημείο 9Α004 παραπάνω ή για τις πυραυλοβολίδες που καθορίζονται στο σημείο 9Α104 παρακάτω.



  ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Α105 και 9Α119. |
| 9Α007.α. | Πυραυλικά προωστικά συστήματα στερεού καυσίμου,
  τα οποία μπορούν να χρησιμοποιούνται για τα οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που καθορίζονται στο σημείο 9Α004 παραπάνω ή για τις πυραυλοβολίδες που καθορίζονται στο σημείο 9Α104 παρακάτω,
  με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

  ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Α119.







  α. | συνολική ωστική ικανότητα άνω των 1,1 ΜΝs. |

7A117

"Σύνολα καθοδήγησης", χρησιμοποιήσιμα σε "βλήματα" ικανά να επιτύχουν ακρίβεια συστήματος μικρότερη ή ίση προς 3,33 % της εμβέλειας (π.χ. πιθανότητα κυκλικού σφάλματος "CEP" 10 km ή λιγότερο σε εμβέλεια 300 km),
  πλην των "συνόλων καθοδήγησης" που είναι σχεδιασμένα για βλήματα με εμβέλεια κάτω των 300 km ή για επανδρωμένα αεροσκάφη.

7B001

Εξοπλισμός δοκιμής, διακρίβωσης ή ευθυγράμμισης που έχει ειδικά σχεδιαστεί για τον εξοπλισμό που καθορίζεται
  στο σημείο 7A117 παραπάνω.

Παρατ.: Το 7Β001 δεν ελέγχει τον εξοπλισμό δοκιμής, διακρίβωσης ή ευθυγράμμισης για το Επίπεδο Συντήρησης I και το Επίπεδο Συντήρησης II.

7B003

Εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος για την "παραγωγή" του εξοπλισμού που καθορίζεται
  στο σημείο 7Α117 παραπάνω.

7B103

"Εγκαταστάσεις παραγωγής" ιδιαίτερα σχεδιασμένες για τον εξοπλισμό που καθορίζεται
  στο σημείο 7Α117 παραπάνω.

7D101

"Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο προς "χρήση" στον εξοπλισμό που καθορίζεται στα σημεία 7B003 ή 7Β103
  παραπάνω.

7E001

"Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την "ανάπτυξη" εξοπλισμού ή "λογισμικού" που καθορίζονται στα σημεία 7Α117, 7Β003, 7Β103 ή 7D101
  παραπάνω.

7E002

"Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την "παραγωγή" εξοπλισμού που καθορίζονται στα σημεία 7Α117, 7Β003 και 7Β103
  παραπάνω.

7E101

"Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας προς "χρήση" στον εξοπλισμό που καθορίζεται στις παραγράφους 7Α117, 7Β003, 7Β103 και 7D101
  παραπάνω.

9A004

Οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα
  με ωφέλιμο φορτίο τουλάχιστον 500 kg και εμβέλεια τουλάχιστον 300 km.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Α104.

Παρατ. 1: Το 9Α004 δεν ελέγχει τα ωφέλιμα φορτία.

9A005

Πυραυλικά προωστικά συστήματα υγρού καυσίμου που περιέχουν οιοδήποτε από τα συστήματα ή τα συστατικά μέρη που ορίζονται στο σημείο 9Α006,
  τα οποία μπορούν να χρησιμοποιούνται για τα οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που καθορίζονται στο σημείο 9Α004 παραπάνω ή για τις πυραυλοβολίδες που καθορίζονται στο σημείο 9Α104 παρακάτω.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Α105 και 9Α119.

9Α007.α.

Πυραυλικά προωστικά συστήματα στερεού καυσίμου,
  τα οποία μπορούν να χρησιμοποιούνται για τα οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που καθορίζονται στο σημείο 9Α004 παραπάνω ή για τις πυραυλοβολίδες που καθορίζονται στο σημείο 9Α104 παρακάτω,
  με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Α119.

α.

συνολική ωστική ικανότητα άνω των 1,1 ΜΝs.

9A008.δ.

Κατασκευαστικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα για προωστικά συστήματα στερεών καυσίμων, ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Α108.γ.

| δ. | Συστήματα ελέγχου ανύσματος ώσεως μέσω κινητών ακροφυσίων μέσω δευτερεύουσας εγχύσεως υγρού,
  τα οποία μπορούν να χρησιμοποιούνται για τα οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που καθορίζονται στο σημείο 9Α004 παραπάνω ή για τις πυραυλοβολίδες που καθορίζονται στο σημείο 9Α104 παρακάτω
  , ικανά για οιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Πανταξονική κίνηση άνω των ± 5°, |
| --- | --- | --- |

δ.

Συστήματα ελέγχου ανύσματος ώσεως μέσω κινητών ακροφυσίων μέσω δευτερεύουσας εγχύσεως υγρού,
  τα οποία μπορούν να χρησιμοποιούνται για τα οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που καθορίζονται στο σημείο 9Α004 παραπάνω ή για τις πυραυλοβολίδες που καθορίζονται στο σημείο 9Α104 παρακάτω
  , ικανά για οιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Πανταξονική κίνηση άνω των ± 5°,

| 2. | Περιστροφή γωνιακού ανύσματος ίση ή μεγαλύτερη από 20°/s, ή |
| --- | --- |

2.

Περιστροφή γωνιακού ανύσματος ίση ή μεγαλύτερη από 20°/s, ή

| 3. | Επιτάχυνση γωνιακού ανύσματος ίση ή μεγαλύτερη από 40°/s2. |
| --- | --- |

3.

Επιτάχυνση γωνιακού ανύσματος ίση ή μεγαλύτερη από 40°/s2.

9A104

Πυραυλοβολίδες
  , με ωφέλιμο φορτίο τουλάχιστον 500 kg
  και εμβέλεια τουλάχιστον 300 km.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Α004.

9A105.α

Πυραυλοκινητήρες υγρού καυσίμου ως εξής:

ΣΗΜ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Α119.

| α. | Πυραυλοκινητήρες υγρού καυσίμου που χρησιμοποιούνται σε «βλήματα», εκτός αυτών που ορίζονται στην παράγραφο 9Α005, με ολική ικανότητα ώσης ίση ή μεγαλύτερη από 1,1 ΜΝs,
  πλην των κινητήρων απογείου υγρού καυσίμου που είναι σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι για δορυφορικές εφαρμογές και που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:










  1. | διάμετρο στομίου ακροφυσίου το πολύ 20 mm, και |
| --- | --- | --- |

α.

Πυραυλοκινητήρες υγρού καυσίμου που χρησιμοποιούνται σε «βλήματα», εκτός αυτών που ορίζονται στην παράγραφο 9Α005, με ολική ικανότητα ώσης ίση ή μεγαλύτερη από 1,1 ΜΝs,
  πλην των κινητήρων απογείου υγρού καυσίμου που είναι σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι για δορυφορικές εφαρμογές και που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

διάμετρο στομίου ακροφυσίου το πολύ 20 mm, και

| 2. | πίεση θαλάμου καύσης το πολύ 15 bar. |
| --- | --- |

2.

πίεση θαλάμου καύσης το πολύ 15 bar.

9A106.γ

Συστήματα ή συστατικά μέρη, εκτός αυτών που ορίζονται στην παράγραφο 9Α006, που χρησιμοποιούνται σε "βλήματα", και που είναι ειδικά σχεδιασμένα για πυραυλικά προωστικά συστήματα υγρού καυσίμου:

| γ. | Υποσυστήματα ελέγχου ωστικού ανύσματος,
  πλην εκείνων που είναι σχεδιασμένα για πυραυλικά συστήματα που δεν έχουν ωφέλιμο φορτίο τουλάχιστον 500 kg και εμβέλεια τουλάχιστον 300 km. |
| --- | --- |

γ.

Υποσυστήματα ελέγχου ωστικού ανύσματος,
  πλην εκείνων που είναι σχεδιασμένα για πυραυλικά συστήματα που δεν έχουν ωφέλιμο φορτίο τουλάχιστον 500 kg και εμβέλεια τουλάχιστον 300 km.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

Παραδείγματα μεθόδων για την επίτευξη ελέγχου ωστικού ανύσματος που ορίζονται στο εδάφιο 9Α106.γ. περιλαμβάνουν:

| 1. | Εύκαμπτο ακροφύσιο, |
| --- | --- |

1.

Εύκαμπτο ακροφύσιο,

| 2. | Έγχυση υγρού ή δευτερεύοντος αερίου, |
| --- | --- |

2.

Έγχυση υγρού ή δευτερεύοντος αερίου,

| 3. | Κινητός κινητήρας ή ακροφύσιο, |
| --- | --- |

3.

Κινητός κινητήρας ή ακροφύσιο,

| 4. | Εκτροπή του ρεύματος των καυσαερίων (πτερύγια jet ή αεροστόμια) ή, |
| --- | --- |

4.

Εκτροπή του ρεύματος των καυσαερίων (πτερύγια jet ή αεροστόμια) ή,

| 5. | Ωστικές γλωττίδες. |
| --- | --- |

5.

Ωστικές γλωττίδες.

9A108.γ

Συστατικά μέρη, εκτός από τα οριζόμενα στην παράγραφο 9Α008, χρησιμοποιούμενα σε "βλήματα", ειδικά σχεδιασμένα για πυραυλικά προωστικά συστήματα στερεών καυσίμων, ως εξής:

| γ. | Υποσυστήματα ελέγχου ωστικού ανύσματος,
  πλην εκείνων που είναι σχεδιασμένα για πυραυλικά συστήματα που δεν έχουν ωφέλιμο φορτίο τουλάχιστον 500 kg και εμβέλεια τουλάχιστον 300 km. |
| --- | --- |

γ.

Υποσυστήματα ελέγχου ωστικού ανύσματος,
  πλην εκείνων που είναι σχεδιασμένα για πυραυλικά συστήματα που δεν έχουν ωφέλιμο φορτίο τουλάχιστον 500 kg και εμβέλεια τουλάχιστον 300 km.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

Παραδείγματα μεθόδων για την επίτευξη ελέγχου ωστικού ανύσματος που ορίζονται στο εδάφιο 9Α106.γ. περιλαμβάνουν:

| 1. | Εύκαμπτο ακροφύσιο, |
| --- | --- |

1.

Εύκαμπτο ακροφύσιο,

| 2. | Έγχυση υγρού ή δευτερεύοντος αερίου, |
| --- | --- |

2.

Έγχυση υγρού ή δευτερεύοντος αερίου,

| 3. | Κινητός κινητήρας ή ακροφύσιο, |
| --- | --- |

3.

Κινητός κινητήρας ή ακροφύσιο,

| 4. | Εκτροπή του ρεύματος των καυσαερίων (πτερύγια jet ή αεροστόμια) ή, |
| --- | --- |

4.

Εκτροπή του ρεύματος των καυσαερίων (πτερύγια jet ή αεροστόμια) ή,

| 5. | Ωστικές γλωττίδες. |
| --- | --- |

5.

Ωστικές γλωττίδες.

9A116

Οχήματα επανεισόδου στην ατμόσφαιρα χρησιμοποιούμενα σε "βλήματα", καθώς και σχεδιασμένος ή τροποποιημένος εξοπλισμός τους, ως εξής:
  πλην των οχημάτων επανεισόδου που είναι σχεδιασμένα για μη οπλικά ωφέλιμα φορτία:

| α. | Οχήματα επανεισόδου στην ατμόσφαιρα, |
| --- | --- |

α.

Οχήματα επανεισόδου στην ατμόσφαιρα,

| β. | Θερμικοί θώρακες και συστατικά μέρη τους κατασκευασμένοι από κεραμικά ή θερμοαπαγωγά υλικά, |
| --- | --- |

β.

Θερμικοί θώρακες και συστατικά μέρη τους κατασκευασμένοι από κεραμικά ή θερμοαπαγωγά υλικά,

| γ. | Απαγωγείς θερμότητας και συστατικά μέρη τους κατασκευασμένα από ελαφρά υλικά με υψηλή θερμοανθεκτικότητα, |
| --- | --- |

γ.

Απαγωγείς θερμότητας και συστατικά μέρη τους κατασκευασμένα από ελαφρά υλικά με υψηλή θερμοανθεκτικότητα,

| δ. | Ηλεκτρονικός εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος για οχήματα επανεισόδου στην ατμόσφαιρα. |
| --- | --- |

δ.

Ηλεκτρονικός εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος για οχήματα επανεισόδου στην ατμόσφαιρα.

9A119

Μεμονωμένες βαθμίδες πυραύλων, που χρησιμοποιούνται σε πλήρη πυραυλικά συστήματα ή σε μη επανδρωμένα αεροσκάφη ικανά
  για ωφέλιμο φορτίο τουλάχιστον 500 kg
  και βεληνεκές 300 km, εκτός των οριζομένων στις παραγράφους 9Α005 ή 9Α007.α.
  παραπάνω

9B115

Ειδικά σχεδιασμένος "εξοπλισμός παραγωγής" για τα συστήματα, υποσυστήματα και τα συστατικά μέρη των παραγράφων 9Α005, 9Α007.α, 9Α008.δ, 9Α105.α, 9Α106.γ, 9Α108.γ, 9Α116 ή 9Α119
  παραπάνω.

9B116

Ειδικά σχεδιασμένες "εγκαταστάσεις παραγωγής" για τα οχήματα εκτόξευσης στο αιάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004, ή τα συστήματα, υποσυστήματα και συστατικά μέρη που ορίζονται στα σημεία 9Α005, 9Α007.α, 9Α008.δ, 9Α104, 9Α105.α, 9Α106.γ, 9Α108.γ, 9Α116 ή 9Α119
  παραπάνω.

9D101

"Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο για την χρησιμοποίηση των προϊόντων του σημείου 9Β116
  παραπάνω.

9E001

"Τεχνολογία" σύμφωνα με τις παρατηρήσεις γενικής τεχνολογίας, για την "ανάπτυξη" εξοπλισμού ή "λογισμικού" των σημείων 9Α004, 9Α005, 9Α007.α., 9Α008.δ,. 9Β115, 9B116 ή 9D101
  παραπάνω.

9E002

"Τεχνολογία", σύμφωνα με τις παρατηρήσεις γενικής τεχνολογίας, για την "παραγωγή" εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 9Α004, 9Α005, 9Α007.α., 9Α008.δ., 9Β115 ή 9B116
  παραπάνω.

Παρατ.: Για "τεχνολογία" επισκευής δομημάτων, πολυστρωματικών υλικών ή υλικών που υπόκεινται σε έλεγχο, βλέπε 1Ε002.στ.

9E101

"Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την "ανάπτυξη" ή την "παραγωγή" προϊόντων που ορίζονται στις παραγράφους 9Α104, 9A105.α., 9A106.γ., 9A108.γ., 9A116 ή 9Α119
  παραπάνω.

9E102

"Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για "χρήση" οχημάτων εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στα σημεία 9Α004, 9Α005, 9A007.α., 9A008.δ., 9A104, 9A105.α., 9A106.γ, 9A108.γ., 9A116, 9A119, 9B115, 9B116 ή 9D101
  παραπάνω.

Εξαιρέσεις:

Το παράρτημα IV δεν υποβάλλει σε έλεγχο τα εξής στοιχεία τεχνολογίας MTCR:

| 1) | όσα μεταβιβάζονται βάσει παραγγελιών δυνάμει συμβατικής σχέσης του Ευρωπαϊκού Οργανισμού Διαστήματος (ESA) ή μεταβιβάζονται προς αυτόν για την εκτέλεση των επίσημων καθηκόντων του, |
| --- | --- |

1)

όσα μεταβιβάζονται βάσει παραγγελιών δυνάμει συμβατικής σχέσης του Ευρωπαϊκού Οργανισμού Διαστήματος (ESA) ή μεταβιβάζονται προς αυτόν για την εκτέλεση των επίσημων καθηκόντων του,

| 2) | όσα μεταβιβάζονται βάσει παραγγελιών δυνάμει συμβατικής σχέσης του εθνικού οργανισμού διαστήματος κράτους μέλους ή μεταβιβάζονται προς αυτόν για την εκτέλεση των επίσημων καθηκόντων του, |
| --- | --- |

2)

όσα μεταβιβάζονται βάσει παραγγελιών δυνάμει συμβατικής σχέσης του εθνικού οργανισμού διαστήματος κράτους μέλους ή μεταβιβάζονται προς αυτόν για την εκτέλεση των επίσημων καθηκόντων του,

| 3) | όσα μεταβιβάζονται βάσει παραγγελιών δυνάμει συμβατικής σχέσης που γίνονται σε συνάρτηση με κοινοτικό πρόγραμμα ανάπτυξης και παραγωγής διαστημικών εκτοξευτήρων υπογεγραμμένου από δύο ή περισσότερες ευρωπαϊκές κυβερνήσεις, |
| --- | --- |

3)

όσα μεταβιβάζονται βάσει παραγγελιών δυνάμει συμβατικής σχέσης που γίνονται σε συνάρτηση με κοινοτικό πρόγραμμα ανάπτυξης και παραγωγής διαστημικών εκτοξευτήρων υπογεγραμμένου από δύο ή περισσότερες ευρωπαϊκές κυβερνήσεις,

| 4) | όσα μεταβιβάζονται προς πεδίο διαστημικών εκτοξεύσεων που τελεί υπό κρατικό έλεγχο και βρίσκεται στο έδαφος κράτους μέλους, εκτός εάν το κράτος μέλος αυτό ελέγχει τις μεταβιβάσεις αυτές σύμφωνα με τον παρόντα κανονισμό. |
| --- | --- |

4)

όσα μεταβιβάζονται προς πεδίο διαστημικών εκτοξεύσεων που τελεί υπό κρατικό έλεγχο και βρίσκεται στο έδαφος κράτους μέλους, εκτός εάν το κράτος μέλος αυτό ελέγχει τις μεταβιβάσεις αυτές σύμφωνα με τον παρόντα κανονισμό.

Μέρος ΙΙ

(δεν χορηγούνται εθνικές γενικές άδειες για το ενδοκοινοτικό εμπόριο)

Είδη που εμπίπτουν στη Σύμβαση για τα Χημικά Όπλα (CWC)

| 1C351.δ.4 | Ρικίνη. |
| --- | --- |
| 1C351.δ.5 | Σαξιτοξίνη. |

1C351.δ.4

Ρικίνη.

1C351.δ.5

Σαξιτοξίνη.

Είδη τεχνολογίας NSG

Όλη η Κατηγορία 0 του παραρτήματος I περιλαμβάνεται στο παράρτημα IV, με τις εξής προϋποθέσεις:

| — | 0C001: το είδος αυτό δεν περιλαμβάνεται στο παράρτημα IV. |
| --- | --- |

—

0C001: το είδος αυτό δεν περιλαμβάνεται στο παράρτημα IV.

| — | 0C002: το είδος αυτό δεν περιλαμβάνεται στο παράρτημα IV, πλην των εξής ειδικών σχάσιμων υλικών:






  α. | διαχωρισμένο πλουτώνιο, |
| --- | --- | --- |

—

0C002: το είδος αυτό δεν περιλαμβάνεται στο παράρτημα IV, πλην των εξής ειδικών σχάσιμων υλικών:

α.

διαχωρισμένο πλουτώνιο,

| β. | "ουράνιο εμπλουτισμένο σε ισότοπα 233 ή 235" κατά άνω του 20 %. |
| --- | --- |

β.

"ουράνιο εμπλουτισμένο σε ισότοπα 233 ή 235" κατά άνω του 20 %.

| — | 0D001 (το λογισμικό) περιλαμβάνεται στο παράρτημα ΙV εκτός εάν σχετίζεται με το σημείο 0C001 ή με τα είδη του σημείου 0C002 που εξαιρούνται από το παράρτημα ΙV.. |
| --- | --- |

—

0D001 (το λογισμικό) περιλαμβάνεται στο παράρτημα ΙV εκτός εάν σχετίζεται με το σημείο 0C001 ή με τα είδη του σημείου 0C002 που εξαιρούνται από το παράρτημα ΙV..

| — | 0E001 (η τεχνολογία) περιλαμβάνεται στο παράρτημα ΙV εκτός εάν σχετίζεται με το σημείο 0C001 ή με τα υλικά του σημείου 0C002 που εξαιρούνται από το παράρτημα ΙV. |
| --- | --- |

—

0E001 (η τεχνολογία) περιλαμβάνεται στο παράρτημα ΙV εκτός εάν σχετίζεται με το σημείο 0C001 ή με τα υλικά του σημείου 0C002 που εξαιρούνται από το παράρτημα ΙV.

ΣΗΜ.: Για τα 0C003 και 0C004, μόνον αν είναι προς χρήση σε "πυρηνικό αντιδραστήρα" (κατά την έννοια του 0A001.α.)

| 1B226 | Ηλεκτρομαγνητικοί διαχωριστές ισοτόπων σχεδιασμένοι για ή εφοδιασμένοι με απλές ή πολλαπλές πηγές ιόντων, ικανοί να παράγουν συνολικό ρεύμα δέσμης ιόντων 50 mΑ και άνω.


  Σημ.: Το σημείο 1Β226 περιλαμβάνει διαχωριστές:








  α. | Για τον εμπλουτισμό σταθερών ισοτόπων, |
| --- | --- | --- |

1B226

Ηλεκτρομαγνητικοί διαχωριστές ισοτόπων σχεδιασμένοι για ή εφοδιασμένοι με απλές ή πολλαπλές πηγές ιόντων, ικανοί να παράγουν συνολικό ρεύμα δέσμης ιόντων 50 mΑ και άνω.

Σημ.: Το σημείο 1Β226 περιλαμβάνει διαχωριστές:

α.

Για τον εμπλουτισμό σταθερών ισοτόπων,

| β. | Με πηγές ιόντων και συλλέκτες τόσο σε μαγνητικά πεδία όσο και σε συστήματα στα οποία οι διαχωριστές αυτοί ευρίσκονται εκτός πεδίου. |
| --- | --- |

β.

Με πηγές ιόντων και συλλέκτες τόσο σε μαγνητικά πεδία όσο και σε συστήματα στα οποία οι διαχωριστές αυτοί ευρίσκονται εκτός πεδίου.

1C012

Τα εξής υλικά:

Τεχνική σημ.:

Τα υλικά αυτά χρησιμοποιούν συνήθως για πηγές πυρηνικής θερμότητας.

| β. | "Προηγουμένως διαχωρισμένο" ποσειδώνιο-237 σε οποιαδήποτε μορφή.


  Σημ.: Στο σημείο 1C012.β δεν υπάγονται τα φορτία με περιεκτικότητα 1 g ή λιγότερο σε ποσειδώνιο-237. |
| --- | --- |

β.

"Προηγουμένως διαχωρισμένο" ποσειδώνιο-237 σε οποιαδήποτε μορφή.

Σημ.: Στο σημείο 1C012.β δεν υπάγονται τα φορτία με περιεκτικότητα 1 g ή λιγότερο σε ποσειδώνιο-237.

1B231

Εγκαταστάσεις ή εργοστάσια τριτίου και εξοπλισμός τους, ως εξής:

| α. | Εγκαταστάσεις ή εργοστάσια παραγωγής, ανάκτησης, εξαγωγής, συγκέντρωσης ή χειρισμού τριτίου, και εξοπλισμός ως εξής: |
| --- | --- |

α.

Εγκαταστάσεις ή εργοστάσια παραγωγής, ανάκτησης, εξαγωγής, συγκέντρωσης ή χειρισμού τριτίου, και εξοπλισμός ως εξής:

| β. | Εξοπλισμός για εγκαταστάσεις ή εργοστάσια τριτίου, ως εξής:






  1. | Μονάδες ψύξης υδρογόνου ή ηλίου με δυνατότητες ψύξης 23 Κ (– 250°C) και κάτω, με δυνατότητα απομάκρυνσης θερμότητας μεγαλύτερη των 150 W, |
| --- | --- | --- |

β.

Εξοπλισμός για εγκαταστάσεις ή εργοστάσια τριτίου, ως εξής:

1.

Μονάδες ψύξης υδρογόνου ή ηλίου με δυνατότητες ψύξης 23 Κ (– 250°C) και κάτω, με δυνατότητα απομάκρυνσης θερμότητας μεγαλύτερη των 150 W,

| 2. | Συστήματα αποθήκευσης ή καθαρισμού ισοτόπων του υδρογόνου χρησιμοποιούντα μεταλλικά υδρίδια ως μέσα αποθήκευσης ή καθαρισμού. |
| --- | --- |

2.

Συστήματα αποθήκευσης ή καθαρισμού ισοτόπων του υδρογόνου χρησιμοποιούντα μεταλλικά υδρίδια ως μέσα αποθήκευσης ή καθαρισμού.

1B233

Εγκαταστάσεις, ή εργοστάσια για τη διαχώριση ισοτόπων λιθίου και εξοπλισμός τους, ως εξής:

| α. | Εγκαταστάσεις ή εργοστάσια για τη διαχώριση ισοτόπων λιθίου. |
| --- | --- |

α.

Εγκαταστάσεις ή εργοστάσια για τη διαχώριση ισοτόπων λιθίου.

| β. | Εξοπλισμός για τη διαχώριση ισοτόπων λιθίου, ως εξής:






  1. | Στήλες ανταλλαγής υγρού-υγρού ειδικά σχεδιασμένες για αμαλγάματα λιθίου, |
| --- | --- | --- |

β.

Εξοπλισμός για τη διαχώριση ισοτόπων λιθίου, ως εξής:

1.

Στήλες ανταλλαγής υγρού-υγρού ειδικά σχεδιασμένες για αμαλγάματα λιθίου,

| 2. | Αντλίες αμαλγάματος υδραργύρου ή λιθίου, |
| --- | --- |

2.

Αντλίες αμαλγάματος υδραργύρου ή λιθίου,

| 3. | Στοιχεία ηλεκτρόλυσης αμαλγάματος λιθίου, |
| --- | --- |

3.

Στοιχεία ηλεκτρόλυσης αμαλγάματος λιθίου,

| 4. | Εξατμιστήρες πυκνού διαλύματος υδροξειδίου του λιθίου. |
| --- | --- |

4.

Εξατμιστήρες πυκνού διαλύματος υδροξειδίου του λιθίου.

1C233

Λίθιο εμπλουτισμένο στο ισότοπο λίθιο-6 (6Li) σε αναλογία μεγαλύτερη της φυσικής, και προϊόντα ή συσκευές που περιέχουν εμπλουτισμένο λίθιο, ως εξής: στοιχειακό λίθιο, κράματα, ενώσεις, μείγματα, περιέχοντα λίθιο, υλικά κατασκευασμένα από αυτά, απορρίμματα ή αποκόμματα οιουδήποτε των ανωτέρω.

Σημ.: Στο σημείο 1C233, δεν ελέγχονται τα δοσίμετρα θερμοφωταύγειας.

Τεχνική παρατήρηση:

Η φυσική περιεκτικότητα του λιθίου σε λίθιο -6 είναι περίπου 6,5 % κατά βάρος (7,5 % σε εκατοστιαία ποσοστά ατόμων).

1C235

Τρίτιο, ενώσεις τριτίου και μείγματα περιέχοντα τρίτιο στο οποίο η σχέση ατόμων τριτίου προς υδρογόνο υπερβαίνει το 1 προς 1000, και προϊόντα ή συσκευές περιέχοντα οποιοδήποτε από τα προαναφερθέντα.

Σημ.: Στο σημείο 1C235, δεν ελέγχεται προϊόν ή συσκευή περιέχουσα όχι λιγότερο από 1,48 × 103 GBq (40 Ci) τριτίου.

1E001

"Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την "ανάπτυξη" ή την "παραγωγή" εξοπλισμού ή υλικών που καθορίζονται στο σημείο 1C012.β.

1E201

"Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη "χρήση" αγαθών που καθορίζονται στα σημεία 1Β226, 1Β231, 1B233, 1C233 ή 1C235.

3A228

Συσκευές μεταγωγής, ως εξής:

| α. | Λυχνίες κρύας καθόδου, είτε γεμισμένες με αέριο είτε όχι, που λειτουργούν παρόμοια με διάκενο σπινθηρισμού και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Τρία ή περισσότερα ηλεκτρόδια, |
| --- | --- | --- |

α.

Λυχνίες κρύας καθόδου, είτε γεμισμένες με αέριο είτε όχι, που λειτουργούν παρόμοια με διάκενο σπινθηρισμού και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Τρία ή περισσότερα ηλεκτρόδια,

| 2. | Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου 2,5 kV ή παραπάνω, |
| --- | --- |

2.

Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου 2,5 kV ή παραπάνω,

| 3. | Ανώτατη ονομαστική τιμή ρεύματος ανόδου 100 Α ή παραπάνω, και |
| --- | --- |

3.

Ανώτατη ονομαστική τιμή ρεύματος ανόδου 100 Α ή παραπάνω, και

| 4. | Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 10 μικροδευτερόλεπτα ή λιγότερο. |
| --- | --- |

4.

Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 10 μικροδευτερόλεπτα ή λιγότερο.

Σημείωση: το σημείο 3Α228 περιλαμβάνει τις λυχνίες τύπου krytron με αέριο και sprytron με κενό.

| β. | Διάκενα σπινθηρισμού με σκανδαλισμό που έχουν και τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά.






  1. | Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 15 μικροδευτερόλεπτα ή λιγότερο, και |
| --- | --- | --- |

β.

Διάκενα σπινθηρισμού με σκανδαλισμό που έχουν και τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά.

1.

Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 15 μικροδευτερόλεπτα ή λιγότερο, και

| 2. | Ονομαστική ανώτατη τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω. |
| --- | --- |

2.

Ονομαστική ανώτατη τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω.

3A231

Συστήματα παραγωγής νετρονίων, συμπεριλαμβανομένων των σωλήνων, με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Έχουν σχεδιασθεί για λειτουργία χωρίς εξωτερικό σύστημα κενού, και |
| --- | --- |

α.

Έχουν σχεδιασθεί για λειτουργία χωρίς εξωτερικό σύστημα κενού, και

| β. | Χρησιμοποιούν ηλεκτροστατική επιτάχυνση ώστε να προκαλέσουν πυρηνική αντίδραση τριτίου-δευτερίου. |
| --- | --- |

β.

Χρησιμοποιούν ηλεκτροστατική επιτάχυνση ώστε να προκαλέσουν πυρηνική αντίδραση τριτίου-δευτερίου.

3E201

"Τεχνολογία" σύμφωνα με την Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη "χρήση" εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 3A228.α., 3Α228.β. ή 3A231.

6A203

Μηχανές κινηματογράφησης και δομικά μέρη, διαφορετικά από τα προδιαγραφόμενα στο σημείο 6Α003, ως εξής:

| α. | Κινηματογραφικές μηχανές μηχανικώς περιστρεφόμενου κατόπτρου και ειδικώς σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:






  1. | Μηχανές μηχανικής αποτύπωσης εικόνων με ταχύτητες λήψης μεγαλύτερες των 225 000 εικόνων ανά δευτερόλεπτο, |
| --- | --- | --- |

α.

Κινηματογραφικές μηχανές μηχανικώς περιστρεφόμενου κατόπτρου και ειδικώς σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:

1.

Μηχανές μηχανικής αποτύπωσης εικόνων με ταχύτητες λήψης μεγαλύτερες των 225 000 εικόνων ανά δευτερόλεπτο,

| 2. | Μηχανές συνεχούς φιλμ με ταχύτητες γραφής μεγαλύτερες από 0,5 mm ανά ms. |
| --- | --- |

2.

Μηχανές συνεχούς φιλμ με ταχύτητες γραφής μεγαλύτερες από 0,5 mm ανά ms.

Σημείωση: Στο σημείο 6Α203.α., τα δομικά μέρη τέτοιων κινηματογραφικών μηχανών περιλαμβάνουν τις ηλεκτρονικές μονάδες συντονισμού τους και τα συγκροτήματα δρομέα τους που αποτελούνται από στροβίλους, κάτοπτρα και έδρανα.

6A225

Συμβολόμετρα ταχύτητας για μέτρηση ταχυτήτων άνω του 1 km/s σε χρονικά διαστήματα μικρότερα από 10 μικροδευτερόλεπτα.

Σημείωση: Το σημείο 6A225 περιλαμβάνει συμβολόμετρα ταχύτητας όπως τα VISAR (συστήματα συμβολομέτρων ταχύτητας για κάθε ανακλαστήρα) και τα DLI (συμβολόμετρα λέιζερ με φαινόμενο Doppler).

6A226

Αισθητήρες πίεσης, ως εξής:

| α. | Δείκτες μαγγανίνης για πιέσεις μεγαλύτερες από 10 GPa, |
| --- | --- |

α.

Δείκτες μαγγανίνης για πιέσεις μεγαλύτερες από 10 GPa,

| β. | Μορφοτροπείς πίεσης με χαλαζία για πιέσεις μεγαλύτερες από 10 GPa. |
| --- | --- |

β.

Μορφοτροπείς πίεσης με χαλαζία για πιέσεις μεγαλύτερες από 10 GPa.

---

(1)  Οι διαφορές μεταξύ του παραρτήματος Ι και του παραρτήματος IV όσον αφορά τη διατύπωση ή τα καλυπτόμενα είδη υποδεικνύονται με παχείς πλάγιους χαρακτήρες.

---