# Επίσημη Εφημερίδα L 371/2014

| | ISSN 1977-0669 |
| --- | --- |
| Επίσημη Εφημερίδα
  της Ευρωπαϊκής Ένωσης | L 371 |
| | |
| Έκδοση στην ελληνική γλώσσα | Νομοθεσία | 57ό έτος30 Δεκεμβρίου 2014 |

ISSN 1977-0669

Επίσημη Εφημερίδα

της Ευρωπαϊκής Ένωσης

L 371

Έκδοση στην ελληνική γλώσσα

Νομοθεσία

57ό έτος30 Δεκεμβρίου 2014

---

| Περιεχόμενα | | II   Μη νομοθετικές πράξεις | Σελίδα |
| --- | --- | --- | --- |
| | | ΚΑΝΟΝΙΣΜΟΙ |
| | * | Κατ’ εξουσιοδότηση κανονισμός (ΕΕ) αριθ. 1382/2014 της Επιτροπής, της 22ας Οκτωβρίου 2014, για την τροποποίηση του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 428/2009 του Συμβουλίου περί κοινοτικού συστήματος ελέγχου των εξαγωγών, της μεταφοράς, της μεσιτείας και της διαμετακόμισης ειδών διπλής χρήσης | 1 |

Περιεχόμενα

II   Μη νομοθετικές πράξεις

Σελίδα

ΚΑΝΟΝΙΣΜΟΙ

*

Κατ’ εξουσιοδότηση κανονισμός (ΕΕ) αριθ. 1382/2014 της Επιτροπής, της 22ας Οκτωβρίου 2014, για την τροποποίηση του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 428/2009 του Συμβουλίου περί κοινοτικού συστήματος ελέγχου των εξαγωγών, της μεταφοράς, της μεσιτείας και της διαμετακόμισης ειδών διπλής χρήσης

1

| EL | Οι πράξεις οι τίτλοι οποίων έχουν τυπωθεί με ημίμαυρα στοιχεία αποτελούν πράξεις τρεχούσης διαχειρίσεως που έχουν θεσπισθεί στο πλαίσιο της γεωργικής πολιτικής και είναι γενικά περιορισμένης χρονικής ισχύος.
  Οι τίτλοι όλων των υπολοίπων πράξεων έχουν τυπωθεί με μαύρα στοιχεία και επισημαίνονται με αστερίσκο. |
| --- | --- |

EL

Οι πράξεις οι τίτλοι οποίων έχουν τυπωθεί με ημίμαυρα στοιχεία αποτελούν πράξεις τρεχούσης διαχειρίσεως που έχουν θεσπισθεί στο πλαίσιο της γεωργικής πολιτικής και είναι γενικά περιορισμένης χρονικής ισχύος.

Οι τίτλοι όλων των υπολοίπων πράξεων έχουν τυπωθεί με μαύρα στοιχεία και επισημαίνονται με αστερίσκο.

---

II Μη νομοθετικές πράξεις

ΚΑΝΟΝΙΣΜΟΙ

| 30.12.2014 | EL | Επίσημη Εφημερίδα της Ευρωπαϊκής Ένωσης | L 371/1 |
| --- | --- | --- | --- |

30.12.2014

EL

Επίσημη Εφημερίδα της Ευρωπαϊκής Ένωσης

L 371/1

---

ΚΑΤ’ ΕΞΟΥΣΙΟΔΌΤΗΣΗ ΚΑΝΟΝΙΣΜΌΣ (ΕΕ) αριθ. 1382/2014 ΤΗΣ ΕΠΙΤΡΟΠΉΣ

της 22ας Οκτωβρίου 2014

για την τροποποίηση του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 428/2009 του Συμβουλίου περί κοινοτικού συστήματος ελέγχου των εξαγωγών, της μεταφοράς, της μεσιτείας και της διαμετακόμισης ειδών διπλής χρήσης

Η ΕΥΡΩΠΑΪΚΗ ΕΠΙΤΡΟΠΗ,

Έχοντας υπόψη τη Συνθήκη για τη λειτουργία της Ευρωπαϊκής Ένωσης,

Έχοντας υπόψη τον κανονισμό (ΕΚ) αριθ. 428/2009 του Συμβουλίου, της 5ης Μαΐου 2009, περί κοινοτικού συστήματος ελέγχου των εξαγωγών, της μεταφοράς, της μεσιτείας και της διαμετακόμισης ειδών διπλής χρήσης (1), και ιδίως το άρθρο 15 παράγραφος 3,

Εκτιμώντας τα ακόλουθα:

| (1) | Βάσει του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 428/2009 του Συμβουλίου, τα είδη διπλής χρήσης πρέπει να υπόκεινται σε αποτελεσματικό έλεγχο όταν εξάγονται από την Ένωση ή διαμετακομίζονται μέσω της Ένωσης, ή παραδίδονται σε τρίτη χώρα ως αποτέλεσμα υπηρεσιών μεσιτείας οι οποίες παρέχονται από μεσίτη που είναι κάτοικος της Ένωσης ή εδρεύει στην Ένωση. |
| --- | --- |

(1)

Βάσει του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 428/2009 του Συμβουλίου, τα είδη διπλής χρήσης πρέπει να υπόκεινται σε αποτελεσματικό έλεγχο όταν εξάγονται από την Ένωση ή διαμετακομίζονται μέσω της Ένωσης, ή παραδίδονται σε τρίτη χώρα ως αποτέλεσμα υπηρεσιών μεσιτείας οι οποίες παρέχονται από μεσίτη που είναι κάτοικος της Ένωσης ή εδρεύει στην Ένωση.

| (2) | Το παράρτημα I του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 428/2009 θεσπίζει τον κοινό κατάλογο των ειδών διπλής χρήσης τα οποία υπόκεινται σε ελέγχους στην Ένωση. Οι αποφάσεις για τα είδη που υπόκεινται σε ελέγχους λαμβάνονται εντός του πλαισίου της Ομάδας της Αυστραλίας, του Καθεστώτος Ελέγχου Πυραυλικής Τεχνολογίας, της ομάδας πυρηνικών προμηθευτών, της ρύθμισης του Wassenaar και της σύμβασης για τα χημικά όπλα. |
| --- | --- |

(2)

Το παράρτημα I του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 428/2009 θεσπίζει τον κοινό κατάλογο των ειδών διπλής χρήσης τα οποία υπόκεινται σε ελέγχους στην Ένωση. Οι αποφάσεις για τα είδη που υπόκεινται σε ελέγχους λαμβάνονται εντός του πλαισίου της Ομάδας της Αυστραλίας, του Καθεστώτος Ελέγχου Πυραυλικής Τεχνολογίας, της ομάδας πυρηνικών προμηθευτών, της ρύθμισης του Wassenaar και της σύμβασης για τα χημικά όπλα.

| (3) | Ο κατάλογος ειδών διπλής χρήσης που παρατίθεται στο παράρτημα I του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 428/2009 πρέπει να επικαιροποιείται τακτικά, ώστε να διασφαλίζεται η πλήρης τήρηση των διεθνών υποχρεώσεων ασφαλείας και η διαφάνεια καθώς και να διατηρείται η ανταγωνιστικότητα των εξαγωγέων. Για να διευκολυνθούν οι αναφορές για τις αρχές ελέγχου των εξαγωγών και τους οικονομικούς παράγοντες, θα πρέπει να δημοσιευθεί επικαιροποιημένη και ενοποιημένη έκδοση του παραρτήματος I του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 428/2009. |
| --- | --- |

(3)

Ο κατάλογος ειδών διπλής χρήσης που παρατίθεται στο παράρτημα I του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 428/2009 πρέπει να επικαιροποιείται τακτικά, ώστε να διασφαλίζεται η πλήρης τήρηση των διεθνών υποχρεώσεων ασφαλείας και η διαφάνεια καθώς και να διατηρείται η ανταγωνιστικότητα των εξαγωγέων. Για να διευκολυνθούν οι αναφορές για τις αρχές ελέγχου των εξαγωγών και τους οικονομικούς παράγοντες, θα πρέπει να δημοσιευθεί επικαιροποιημένη και ενοποιημένη έκδοση του παραρτήματος I του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 428/2009.

| (4) | Ο κανονισμός (ΕΚ) αριθ. 428/2009 εξουσιοδοτεί την Επιτροπή να επικαιροποιήσει τον κατάλογο των ειδών διπλής χρήσης που καθορίζονται στο παράρτημα I με κατ’ εξουσιοδότηση πράξεις, σύμφωνα με τις συναφείς υποχρεώσεις και δεσμεύσεις, και τις τυχόν τροποποιήσεις αυτών, που έχουν αναλάβει τα κράτη μέλη ως συμβαλλόμενα μέρη των διεθνών καθεστώτων μη διάδοσης και διευθετήσεων ελέγχου των εξαγωγών ή με την κύρωση των οικείων διεθνών συνθηκών. |
| --- | --- |

(4)

Ο κανονισμός (ΕΚ) αριθ. 428/2009 εξουσιοδοτεί την Επιτροπή να επικαιροποιήσει τον κατάλογο των ειδών διπλής χρήσης που καθορίζονται στο παράρτημα I με κατ’ εξουσιοδότηση πράξεις, σύμφωνα με τις συναφείς υποχρεώσεις και δεσμεύσεις, και τις τυχόν τροποποιήσεις αυτών, που έχουν αναλάβει τα κράτη μέλη ως συμβαλλόμενα μέρη των διεθνών καθεστώτων μη διάδοσης και διευθετήσεων ελέγχου των εξαγωγών ή με την κύρωση των οικείων διεθνών συνθηκών.

| (5) | Συνεπώς, ο κανονισμός (ΕΚ) αριθ. 428/2009 θα πρέπει να τροποποιηθεί αναλόγως, |
| --- | --- |

(5)

Συνεπώς, ο κανονισμός (ΕΚ) αριθ. 428/2009 θα πρέπει να τροποποιηθεί αναλόγως,

ΕΞΕΔΩΣΕ ΤΟΝ ΠΑΡΟΝΤΑ ΚΑΝΟΝΙΣΜΟ:

Άρθρο 1

Το παράρτημα I του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 428/2009 αντικαθίσταται από το κείμενο που περιλαμβάνεται στο παράρτημα του παρόντος κανονισμού.

Άρθρο 2

Ο παρών κανονισμός αρχίζει να ισχύει την επομένη της δημοσίευσής του στην Επίσημη Εφημερίδα της Ευρωπαϊκής Ένωσης.

Ο παρών κανονισμός είναι δεσμευτικός ως προς όλα τα μέρη του και ισχύει άμεσα σε κάθε κράτος μέλος.

Βρυξέλλες, 22 Οκτωβρίου 2014.

Για την Επιτροπή

Ο Πρόεδρος

José Manuel BARROSO

---

(1)  ΕΕ L 134 της 29.5.2009, σ. 1.

1

---

ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ

«ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ I

Κατάλογος αναφερόμενος στο άρθρο 3 του παρόντος κανονισμού

ΚΑΤΑΛΟΓΟΣ ΕΙΔΩΝ ΔΙΠΛΗΣ ΧΡΗΣΗΣ

Ο παρών κατάλογος αποτελεί τεχνική εφαρμογή για τους διεθνώς συμφωνημένους ελέγχους των προϊόντων διπλής χρήσης, όπου περιλαμβάνονται η Ρύθμιση του Wassenaar, το Καθεστώς Ελέγχου Πυραυλικής Τεχνολογίας (MTCR), η Ομάδα Πυρηνικών Προμηθευτών (NSG), η Ομάδα της Αυστραλίας και η σύμβαση για τα Χημικά Όπλα (CWC).

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ

Σημειώσεις

Αρκτικόλεξα και συντμήσεις

Ορισμοί

| Κατηγορία 0 | Πυρηνικά υλικά, εγκαταστάσεις και εξοπλισμός |
| --- | --- |

Κατηγορία 0

| Κατηγορία 1 | Ειδικά υλικά και συναφής εξοπλισμός |
| --- | --- |

Κατηγορία 1

| Κατηγορία 2 | Επεξεργασία υλικών |
| --- | --- |

Κατηγορία 2

| Κατηγορία 3 | Ηλεκτρονικά |
| --- | --- |

Κατηγορία 3

| Κατηγορία 4 | Ηλεκτρονικοί υπολογιστές |
| --- | --- |

Κατηγορία 4

| Κατηγορία 5 | Τηλεπικοινωνίες και «ασφάλεια πληροφοριών» |
| --- | --- |

Κατηγορία 5

| Κατηγορία 6 | Αισθητήρες και λέιζερ |
| --- | --- |

Κατηγορία 6

| Κατηγορία 7 | Αεροναυτική και αεροηλεκτρονική |
| --- | --- |

Κατηγορία 7

| Κατηγορία 8 | Θαλάσσιο περιβάλλον |
| --- | --- |

Κατηγορία 8

| Κατηγορία 9 | Αεροδιαστημική και πρόωση |
| --- | --- |

Κατηγορία 9

ΓΕΝΙΚΕΣ ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΕΙΣ ΣΤΟ ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ I

| 1. | Για τον έλεγχο των προϊόντων που προορίζονται ή έχουν τροποποιηθεί για στρατιωτική χρήση βλέπε τον ή τους σχετικούς καταλόγους ελέγχων στρατιωτικών προϊόντων οι οποίοι διατηρούνται από τα κράτη μέλη. Οι αναφορές στο παράρτημα «ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ» αφορούν τους καταλόγους αυτούς. |
| --- | --- |

1.

Για τον έλεγχο των προϊόντων που προορίζονται ή έχουν τροποποιηθεί για στρατιωτική χρήση βλέπε τον ή τους σχετικούς καταλόγους ελέγχων στρατιωτικών προϊόντων οι οποίοι διατηρούνται από τα κράτη μέλη. Οι αναφορές στο παράρτημα «ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ» αφορούν τους καταλόγους αυτούς.

| 2. | Ο στόχος των ελέγχων που περιλαμβάνονται στο παρόν παράρτημα δεν πρέπει να παραβιάζεται με την εξαγωγή οποιωνδήποτε μη ελεγχόμενων προϊόντων (συμπεριλαμβανομένων και των εγκαταστάσεων) που περιέχουν ένα ή περισσότερα ελεγχόμενα κατασκευαστικά μέρη, όταν το ελεγχόμενο κατασκευαστικό μέρος ή μέρη αποτελούν κύρια στοιχεία των προϊόντων και είναι δυνατόν να αφαιρεθούν ή να χρησιμοποιηθούν για άλλους σκοπούς.


  ΣΗΜ.: Για να κριθεί κατά πόσο ένα κατασκευαστικό μέρος ή μέρη πρέπει να θεωρούνται κύριο στοιχείο, είναι αναγκαίο να σταθμισθούν οι παράγοντες της ποσότητας, της αξίας και της τεχνογνωσίας που υπεισέρχονται καθώς και άλλες ειδικές συνθήκες που δύνανται να καταστήσουν το ελεγχόμενο κατασκευαστικό μέρος ή μέρη κύριο στοιχείο των προϊόντων που παράγονται. |
| --- | --- |

2.

Ο στόχος των ελέγχων που περιλαμβάνονται στο παρόν παράρτημα δεν πρέπει να παραβιάζεται με την εξαγωγή οποιωνδήποτε μη ελεγχόμενων προϊόντων (συμπεριλαμβανομένων και των εγκαταστάσεων) που περιέχουν ένα ή περισσότερα ελεγχόμενα κατασκευαστικά μέρη, όταν το ελεγχόμενο κατασκευαστικό μέρος ή μέρη αποτελούν κύρια στοιχεία των προϊόντων και είναι δυνατόν να αφαιρεθούν ή να χρησιμοποιηθούν για άλλους σκοπούς.

ΣΗΜ.: Για να κριθεί κατά πόσο ένα κατασκευαστικό μέρος ή μέρη πρέπει να θεωρούνται κύριο στοιχείο, είναι αναγκαίο να σταθμισθούν οι παράγοντες της ποσότητας, της αξίας και της τεχνογνωσίας που υπεισέρχονται καθώς και άλλες ειδικές συνθήκες που δύνανται να καταστήσουν το ελεγχόμενο κατασκευαστικό μέρος ή μέρη κύριο στοιχείο των προϊόντων που παράγονται.

| 3. | Τα προϊόντα που απαριθμούνται στο παρόν παράρτημα περιλαμβάνουν τόσο νέα όσο και μεταχειρισμένα προϊόντα. |
| --- | --- |

3.

Τα προϊόντα που απαριθμούνται στο παρόν παράρτημα περιλαμβάνουν τόσο νέα όσο και μεταχειρισμένα προϊόντα.

| 4. | Σε ορισμένες περιπτώσεις, οι χημικές ουσίες αναφέρονται με το όνομά τους και τον αριθμό CAS. Ο κατάλογος έχει εφαρμογή στις χημικές ουσίες με τον ίδιο συντακτικό τύπο, συμπεριλαμβανομένων των ενυδατωμένων τους μορφών, ανεξαρτήτως ονόματος ή αριθμού CAS. Οι αριθμοί CAS παρατίθενται για να διευκολύνουν τον προσδιορισμό μιας συγκεκριμένης ουσίας ή μείγματος, ανεξαρτήτως ονοματολογίας. Οι αριθμοί CAS δεν μπορούν να χρησιμοποιηθούν ως μοναδικοί κωδικοί ταυτότητας, διότι ορισμένες μορφές της αναγραφόμενης ουσίας έχουν διαφορετικούς αριθμούς CAS, ενώ και τα μείγματα που περιέχουν μια αναγραφόμενη ουσία μπορεί να έχουν διαφορετικούς αριθμούς CAS. |
| --- | --- |

4.

Σε ορισμένες περιπτώσεις, οι χημικές ουσίες αναφέρονται με το όνομά τους και τον αριθμό CAS. Ο κατάλογος έχει εφαρμογή στις χημικές ουσίες με τον ίδιο συντακτικό τύπο, συμπεριλαμβανομένων των ενυδατωμένων τους μορφών, ανεξαρτήτως ονόματος ή αριθμού CAS. Οι αριθμοί CAS παρατίθενται για να διευκολύνουν τον προσδιορισμό μιας συγκεκριμένης ουσίας ή μείγματος, ανεξαρτήτως ονοματολογίας. Οι αριθμοί CAS δεν μπορούν να χρησιμοποιηθούν ως μοναδικοί κωδικοί ταυτότητας, διότι ορισμένες μορφές της αναγραφόμενης ουσίας έχουν διαφορετικούς αριθμούς CAS, ενώ και τα μείγματα που περιέχουν μια αναγραφόμενη ουσία μπορεί να έχουν διαφορετικούς αριθμούς CAS.

ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΠΥΡΗΝΙΚΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ (ΝΤΝ)

(Να διαβαστεί σε σχέση με το τμήμα Ε της κατηγορίας 0.)

Η «τεχνολογία» που συνδέεται άμεσα με οποιοδήποτε από τα προϊόντα που υπάγονται στην κατηγορία 0 ελέγχεται σύμφωνα με τις διατάξεις της κατηγορίας 0.

Η «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» ή «χρήση» ελεγχόμενων προϊόντων παραμένει υπό έλεγχο ακόμα και αν είναι δυνατόν να χρησιμοποιηθεί και στην περίπτωση μη ελεγχόμενων προϊόντων.

Η έγκριση εξαγωγής προϊόντων επιτρέπει επίσης την εξαγωγή στον ίδιο τελικό χρήστη της ελάχιστης «τεχνολογίας» που απαιτείται για την εγκατάσταση, τη λειτουργία, τη συντήρηση και την επισκευή αυτών των προϊόντων.

Οι έλεγχοι που αφορούν τη μεταφορά «τεχνολογίας» δεν εφαρμόζονται στις πληροφορίες «ελευθέρας χρήσεως» ή στη «βασική επιστημονική έρευνα».

ΓΕΝΙΚΗ ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΠΕΡΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ (GTN)

(Να διαβαστεί σε σχέση με το τμήμα Ε των κατηγοριών 1 έως 9.)

Η εξαγωγή «τεχνολογίας» η οποία «απαιτείται» για την «ανάπτυξη», την «παραγωγή» ή τη «χρήση» ελεγχόμενων προϊόντων των κατηγοριών 1 έως 9, ελέγχεται σύμφωνα με τις διατάξεις των κατηγοριών 1 έως 9.

Η «τεχνολογία» που «απαιτείται» για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» ή τη «χρήση» ελεγχόμενων προϊόντων, παραμένει υπό έλεγχο ακόμα και όταν εφαρμόζεται σε μη ελεγχόμενα προϊόντα.

Έλεγχοι δεν εφαρμόζονται στην «τεχνολογία» την ελάχιστη που απαιτείται για την εγκατάσταση, τη λειτουργία, τη συντήρηση (έλεγχο) και την επισκευή των προϊόντων που δεν ελέγχονται ή των οποίων η εξαγωγή έχει εγκριθεί.

ΣΗΜ.: Αυτό δεν καθιστά ελεύθερη την «τεχνολογία» που καθορίζεται στα σημεία 1Ε002.ε., 1Ε002.στ., 8Ε002.α. και 8Ε002.β.

Έλεγχοι στη μεταφορά «τεχνολογίας» δεν εφαρμόζονται στις πληροφορίες «ελευθέρας χρήσεως», ούτε στη «βασική επιστημονική έρευνα» ή στις ελάχιστες απαραίτητες πληροφορίες για τις αιτήσεις διπλωμάτων ευρεσιτεχνίας.

ΓΕΝΙΚΗ ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΠΕΡΙ ΛΟΓΙΣΜΙΚΟΥ (GSN)

(Οι παρατηρήσεις αυτές υπερισχύουν οποιουδήποτε ελέγχου στα πλαίσια του τμήματος Δ των κατηγοριών 0 έως 9.)

Οι κατηγορίες 0 έως 9 του παρόντος καταλόγου δεν ελέγχουν το «λογισμικό» το οποίο είτε:

| α. | Διατίθεται ελεύθερα στην αγορά:






  1. | Διατίθεται στη χονδρική και λιανική πώληση, χωρίς περιορισμούς, μέσω:






  α. | Συνήθων συναλλαγών, |
| --- | --- | --- | --- |

α.

Διατίθεται ελεύθερα στην αγορά:

1.

Διατίθεται στη χονδρική και λιανική πώληση, χωρίς περιορισμούς, μέσω:

α.

Συνήθων συναλλαγών,

| β. | Ταχυδρομικών παραγγελιών· |
| --- | --- |

β.

Ταχυδρομικών παραγγελιών·

| γ. | Ηλεκτρονικών συναλλαγών· ή |
| --- | --- |

γ.

Ηλεκτρονικών συναλλαγών· ή

| δ. | Τηλεφωνικών παραγγελιών· και |
| --- | --- |

δ.

Τηλεφωνικών παραγγελιών· και

| 2. | Έχει σχεδιασθεί κατά τρόπο που να επιτρέπει την εγκατάστασή του από τον χρήστη χωρίς σημαντική περαιτέρω βοήθεια από τον προμηθευτή· |
| --- | --- |

2.

Έχει σχεδιασθεί κατά τρόπο που να επιτρέπει την εγκατάστασή του από τον χρήστη χωρίς σημαντική περαιτέρω βοήθεια από τον προμηθευτή·

ΣΗΜ.: Το στοιχείο α. της Γενικής Σημείωσης περί Λογισμικού δεν καθιστά ελεύθερο το «λογισμικό» που προσδιορίζεται στην Κατηγορία 5 - Μέρος 2 («Ασφάλεια Πληροφοριών»).

| β. | Είναι «ελευθέρας χρήσεως»· ή |
| --- | --- |

β.

Είναι «ελευθέρας χρήσεως»· ή

| γ. | Ο ελάχιστος «αντικειμενικός κώδικας» που απαιτείται για την εγκατάσταση, τη λειτουργία, τη συντήρηση (έλεγχο) ή την επισκευή των ΕΙΔΏΝ των οποίων η εξαγωγή έχει εγκριθεί.


  ΣΗΜ.: Το στοιχείο γ. της Γενικής Σημείωσης περί Λογισμικού δεν καθιστά ελεύθερο το «λογισμικό» που προσδιορίζεται στην Κατηγορία 5 - Μέρος 2 («Ασφάλεια Πληροφοριών»). |
| --- | --- |

γ.

Ο ελάχιστος «αντικειμενικός κώδικας» που απαιτείται για την εγκατάσταση, τη λειτουργία, τη συντήρηση (έλεγχο) ή την επισκευή των ΕΙΔΏΝ των οποίων η εξαγωγή έχει εγκριθεί.

ΣΗΜ.: Το στοιχείο γ. της Γενικής Σημείωσης περί Λογισμικού δεν καθιστά ελεύθερο το «λογισμικό» που προσδιορίζεται στην Κατηγορία 5 - Μέρος 2 («Ασφάλεια Πληροφοριών»).

ΑΚΡΩΝΥΜΙΑ Ή ΣΥΝΤΟΜΟΓΡΑΦΙΕΣ ΠΟΥ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΟΥΝΤΑΙ ΣΤΗΝ ΕΠΙΣΗΜΗ ΕΦΗΜΕΡΙΔΑ ΤΗΣ ΕΥΡΩΠΑΪΚΗΣ ΕΝΩΣΗΣ

Σύμφωνα με τους κανόνες που ορίζονται στην παράγραφο 6.5, στη σελίδα 108 του Διοργανικού εγχειριδίου σύνταξης κειμένων (έκδοση 2011), για κείμενα που δημοσιεύονται στην Επίσημη Εφημερίδα της Ευρωπαϊκής Ένωσης:

| — | χρησιμοποιείται υποδιαστολή για τον διαχωρισμό ενός ακέραιου αριθμού από τα δεκαδικά ψηφία (π.χ. 3,67 cm), |
| --- | --- |

—

χρησιμοποιείται υποδιαστολή για τον διαχωρισμό ενός ακέραιου αριθμού από τα δεκαδικά ψηφία (π.χ. 3,67 cm),

| — | χρησιμοποιείται διάστημα για την αναγραφή των χιλιάδων σε ακέραιους αριθμούς (π.χ. 100 000). |
| --- | --- |

—

χρησιμοποιείται διάστημα για την αναγραφή των χιλιάδων σε ακέραιους αριθμούς (π.χ. 100 000).

Η χρήση του κειμένου που ενσωματώνεται στο παρόν παράρτημα ακολουθεί την πρακτική που περιγράφεται ανωτέρω.

ΑΚΡΩΝΥΜΙΑ ΚΑΙ ΣΥΝΤΜΗΣΕΙΣ ΠΟΥ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΟΥΝΤΑΙ ΣΤΟ ΠΑΡΟΝ ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ

Τα ακρωνύμια ή οι συντομογραφίες που χρησιμοποιούνται ως οριζόμενοι όροι περιλαμβάνονται στο τμήμα «Ορισμοί των όρων που χρησιμοποιούνται στο παρόν παράρτημα».

| ΑΚΡΩΝΥΜΙΟ Ή ΣΥΝΤΟΜΟΓΡΑΦΙΑ | ΣΗΜΑΣΙΑ |
| --- | --- |
| ABEC | Annular Bearing Engineers Committee |
| AGMA | American Gear Manufacturers’ Association |
| AHRS | attitude and heading reference systems (συστήματα αναφοράς θέσης και πορείας αεροσκάφους) |
| AISI | American Iron and Steel Institute |
| ALU | arithmetic logic unit (αριθμητική λογική μονάδα) |
| ANSI | American National Standards Institute |
| ASTM | the American Society for Testing and Materials |
| ATC | air traffic control (έλεγχος εναέριας κυκλοφορίας) |
| AVLIS | Αtomic vapour laser isotope separation (διαχωρισμός ισοτόπων με λέιζερ ατομικού ατμού) |
| CAD | computer-aided-design (σχεδίαση μέσω ηλεκτρονικού υπολογιστή) |
| CAS | Chemical Abstracts Service |
| CDU | control and display unit (μονάδα ελέγχου και οπτικοποίησης) |
| CEP | circular error probable (πιθανότητα κυκλικού λάθους) |
| CNTD | controlled nucleation thermal deposition (θερμική αποσύνθεση με ελεγχόμενο πυρήνα αντιδράσεως) |
| CRISLA | chemical reaction by isotope selective laser activation (χημική αντίδραση με επιλεκτική ενεργοποίηση ισοτόπων με λέιζερ) |
| CVD | chemical vapour deposition (εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους) |
| CW | chemical warfare (χημικός πόλεμος) |
| CW (για λέιζερ) | continuous wave (συνεχούς κύματος) |
| DME | distance measuring equipment (εξοπλισμός μέτρησης αποστάσεων) |
| DS | directionally solidified (κατευθυνόμενη στερεοποίηση) |
| EB-PVD | electron beam physical vapour deposition (εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους δέσμης ηλεκτρονίων) |
| EBU | European Broadcasting Union (Ευρωπαϊκή Ένωση Ραδιοφωνίας και Τηλεόρασης) |
| ECM | electro-chemical machining (ηλεκτροχημικές διεργασίες) |
| ECR | electron cyclotron resonance (συντονισμός ηλεκτρονικού κυκλοτρονίου) |
| EDM | electrical discharge machines (μηχανές ηλεκτρικής εκκένωσης) |
| EEPROMS | electrically erasable programmable read only memory (ηλεκτρικά αποσβέσιμες και προγραμματιζόμενες μνήμες ανάγνωσης μόνο) |
| EIA | Electronic Industries Association |
| EMC | electromagnetic copatibility (ηλεκτρομαγνητική συμβατότητα) |
| ETSI | European Telecommunications Standards Institute (Ευρωπαϊκό Ίδρυμα Τηλεπικοινωνιακών Προτύπων) |
| FFT | Fast Fourier Transform (ταχύς μετασχηματισμός Fourier) |
| GLONASS | global navigation satellite system (παγκόσμιο δορυφορικό σύστημα πλοήγησης) |
| GPS | global positioning system (εξοπλισμός λήψης ακριβούς θέσης) |
| HBT | hetero-bipolar transistors (ετεροδιπολικά τρανζίστορ) |
| HDDR | high density digital recording (ψηφιακή εγγραφή υψηλής πυκνότητας) |
| HEMT | high electron mobility transistors (τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα) |
| ICAO | Διεθνής Οργανισμός Πολιτικής Αεροπορίας |
| IEC | International Electrotechnical Commission (Διεθνής Ηλεκτροτεχνική Επιτροπή) |
| IEEE | Institute of Electrical and Electronic Engineers |
| IFOV | instantaneous-field-of-view (στιγμιαίο οπτικό πεδίο) |
| ILS | instrument landing system (σύστημα ενόργανης προσγείωσης) |
| IRIG | inter-range instrumentation group |
| ISA | international standard atmosphere (διεθνής πρότυπη ατμόσφαιρα) |
| ISAR | inverse synthetic aperture radar (ραντάρ με ανάστροφο συνθετικό διάφραγμα) |
| ΙSΟ | Ιntrernational Organization for Standardization (Διεθνής Οργανισμός Τυποποίησης) |
| ΙΤU | Ιnternational Telecommunication Union [Διεθνής Ένωση Τηλεπικοινωνιών (ΔΕΤ)] |
| JIS | Japanese Industrial Standard (ιαπωνικό βιομηχανικό πρότυπο) |
| JT | Joule-Thomson |
| LIDAR | light detection and ranging (φωτοεντοπισμός) |
| LRU | line replaceable unit (μονάδα αντικαταστάτη στη γραμμή) |
| MAC | message authentication code (κωδικός ελέγχου γνησιότητας μηνύματος) |
| Mach | λόγος ταχύτητας αντικειμένου προς ταχύτητα ήχου (αριθμός Μαχ, από τον Ernst Mach) |
| MLIS | molecular laser isotope separation (διαχωρισμός ισοτόπων με μοριακό λέιζερ) |
| MLS | microwave landing systems (μικροκυματικά συστήματα προσγείωσης) |
| MOCVD | metal organic chemical vapour deposition (χημική εναπόθεση ατμών οργανικών μεταλλικών ενώσεων) |
| MRI | magnetic resonance imaging (απεικόνιση με μαγνητικό συντονισμό) |
| MTBF | mean-time-between-failures (μέσος χρόνος μεταξύ αστοχιών) |
| Mtops | million theoretical operations per second (εκατ. θεωρητικές πράξεις ανά δευτερόλεπτο) |
| MTTF | mean-time-to-failure (μέσος χρόνος έως την αστοχία) |
| NBC | Nuclear, Biological and Chemical (Πυρηνικά, Βιολογικά και Χημικά) |
| NDT | non-destructive test (μη καταστρεπτικές τεχνικές δοκιμής) |
| PAR | precision approach radar (ραντάρ προσέγγισης ακριβείας) |
| PIN | personal identification number (προσωπικός αναγνωριστικός αριθμός) |
| ppm | parts per million (μέρη ανά εκατ.) |
| PSD | power spectral density (φασματική πυκνότητα ισχύος) |
| QAM | quadratures-amplitude-modulation (τετραγωνισμένη διαμόρφωση πλάτους) |
| RF | radio frequency (ραδιοσυχνότητες) |
| SACMA | Suppliers of Advanced Composite Materials Association |
| SAR | synthetic aperture radar (ραντάρ συνθετικού διαφράγματος) |
| SC | single crystal (μονοκρυσταλλικά) |
| SLAR | sidelooking airborne radar (αερόφερτο ραντάρ πλευρικής σκόπευσης) |
| SMPTE | Society of Monitor Pictures and Television Engineers |
| SRA | shop replaceable assembly (συναρμολόγημα αντικαταστατό στο εργαστήριο) |
| SRAM | static random access memory (στατικές μνήμες RAM) |
| SRM | SACMA Recommended Methods [συνιστώμενες μέθοδοι SACMA (Suppliers of Advance Composite Materials)] |
| SSB | single sideband (απλή πλευρική ζώνη) |
| SSR | secondary surveillance radar (ραντάρ δευτερεύουσας επιτήρησης) |
| TCSEC | trusted computer system evaluation criteria (κριτήρια αξιολόγησης έμπιστων συστημάτων υπολογιστών) |
| TIR | total indicated reading (συνολική αναγραφόμενη ένδειξη) |
| UV | υπεριώδης |
| UTS | ultimate tensile strength (οριακή αντοχή σε εφελκυσμό) |
| VOR | very high frequency omni-directional range |
| YAG | yttrium/aluminum garnet (γρανάτης υττρίου-αργιλίου) |

ΑΚΡΩΝΥΜΙΟ Ή ΣΥΝΤΟΜΟΓΡΑΦΙΑ

ΣΗΜΑΣΙΑ

ABEC

Annular Bearing Engineers Committee

AGMA

American Gear Manufacturers’ Association

AHRS

attitude and heading reference systems (συστήματα αναφοράς θέσης και πορείας αεροσκάφους)

AISI

American Iron and Steel Institute

ALU

arithmetic logic unit (αριθμητική λογική μονάδα)

ANSI

American National Standards Institute

ASTM

the American Society for Testing and Materials

ATC

air traffic control (έλεγχος εναέριας κυκλοφορίας)

AVLIS

Αtomic vapour laser isotope separation (διαχωρισμός ισοτόπων με λέιζερ ατομικού ατμού)

CAD

computer-aided-design (σχεδίαση μέσω ηλεκτρονικού υπολογιστή)

CAS

Chemical Abstracts Service

CDU

control and display unit (μονάδα ελέγχου και οπτικοποίησης)

CEP

circular error probable (πιθανότητα κυκλικού λάθους)

CNTD

controlled nucleation thermal deposition (θερμική αποσύνθεση με ελεγχόμενο πυρήνα αντιδράσεως)

CRISLA

chemical reaction by isotope selective laser activation (χημική αντίδραση με επιλεκτική ενεργοποίηση ισοτόπων με λέιζερ)

CVD

chemical vapour deposition (εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους)

CW

chemical warfare (χημικός πόλεμος)

CW (για λέιζερ)

continuous wave (συνεχούς κύματος)

DME

distance measuring equipment (εξοπλισμός μέτρησης αποστάσεων)

DS

directionally solidified (κατευθυνόμενη στερεοποίηση)

EB-PVD

electron beam physical vapour deposition (εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους δέσμης ηλεκτρονίων)

EBU

European Broadcasting Union (Ευρωπαϊκή Ένωση Ραδιοφωνίας και Τηλεόρασης)

ECM

electro-chemical machining (ηλεκτροχημικές διεργασίες)

ECR

electron cyclotron resonance (συντονισμός ηλεκτρονικού κυκλοτρονίου)

EDM

electrical discharge machines (μηχανές ηλεκτρικής εκκένωσης)

EEPROMS

electrically erasable programmable read only memory (ηλεκτρικά αποσβέσιμες και προγραμματιζόμενες μνήμες ανάγνωσης μόνο)

EIA

Electronic Industries Association

EMC

electromagnetic copatibility (ηλεκτρομαγνητική συμβατότητα)

ETSI

European Telecommunications Standards Institute (Ευρωπαϊκό Ίδρυμα Τηλεπικοινωνιακών Προτύπων)

FFT

Fast Fourier Transform (ταχύς μετασχηματισμός Fourier)

GLONASS

global navigation satellite system (παγκόσμιο δορυφορικό σύστημα πλοήγησης)

GPS

global positioning system (εξοπλισμός λήψης ακριβούς θέσης)

HBT

hetero-bipolar transistors (ετεροδιπολικά τρανζίστορ)

HDDR

high density digital recording (ψηφιακή εγγραφή υψηλής πυκνότητας)

HEMT

high electron mobility transistors (τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα)

ICAO

Διεθνής Οργανισμός Πολιτικής Αεροπορίας

IEC

International Electrotechnical Commission (Διεθνής Ηλεκτροτεχνική Επιτροπή)

IEEE

Institute of Electrical and Electronic Engineers

IFOV

instantaneous-field-of-view (στιγμιαίο οπτικό πεδίο)

ILS

instrument landing system (σύστημα ενόργανης προσγείωσης)

IRIG

inter-range instrumentation group

ISA

international standard atmosphere (διεθνής πρότυπη ατμόσφαιρα)

ISAR

inverse synthetic aperture radar (ραντάρ με ανάστροφο συνθετικό διάφραγμα)

ΙSΟ

Ιntrernational Organization for Standardization (Διεθνής Οργανισμός Τυποποίησης)

ΙΤU

Ιnternational Telecommunication Union [Διεθνής Ένωση Τηλεπικοινωνιών (ΔΕΤ)]

JIS

Japanese Industrial Standard (ιαπωνικό βιομηχανικό πρότυπο)

JT

Joule-Thomson

LIDAR

light detection and ranging (φωτοεντοπισμός)

LRU

line replaceable unit (μονάδα αντικαταστάτη στη γραμμή)

MAC

message authentication code (κωδικός ελέγχου γνησιότητας μηνύματος)

Mach

λόγος ταχύτητας αντικειμένου προς ταχύτητα ήχου (αριθμός Μαχ, από τον Ernst Mach)

MLIS

molecular laser isotope separation (διαχωρισμός ισοτόπων με μοριακό λέιζερ)

MLS

microwave landing systems (μικροκυματικά συστήματα προσγείωσης)

MOCVD

metal organic chemical vapour deposition (χημική εναπόθεση ατμών οργανικών μεταλλικών ενώσεων)

MRI

magnetic resonance imaging (απεικόνιση με μαγνητικό συντονισμό)

MTBF

mean-time-between-failures (μέσος χρόνος μεταξύ αστοχιών)

Mtops

million theoretical operations per second (εκατ. θεωρητικές πράξεις ανά δευτερόλεπτο)

MTTF

mean-time-to-failure (μέσος χρόνος έως την αστοχία)

NBC

Nuclear, Biological and Chemical (Πυρηνικά, Βιολογικά και Χημικά)

NDT

non-destructive test (μη καταστρεπτικές τεχνικές δοκιμής)

PAR

precision approach radar (ραντάρ προσέγγισης ακριβείας)

PIN

personal identification number (προσωπικός αναγνωριστικός αριθμός)

ppm

parts per million (μέρη ανά εκατ.)

PSD

power spectral density (φασματική πυκνότητα ισχύος)

QAM

quadratures-amplitude-modulation (τετραγωνισμένη διαμόρφωση πλάτους)

RF

radio frequency (ραδιοσυχνότητες)

SACMA

Suppliers of Advanced Composite Materials Association

SAR

synthetic aperture radar (ραντάρ συνθετικού διαφράγματος)

SC

single crystal (μονοκρυσταλλικά)

SLAR

sidelooking airborne radar (αερόφερτο ραντάρ πλευρικής σκόπευσης)

SMPTE

Society of Monitor Pictures and Television Engineers

SRA

shop replaceable assembly (συναρμολόγημα αντικαταστατό στο εργαστήριο)

SRAM

static random access memory (στατικές μνήμες RAM)

SRM

SACMA Recommended Methods [συνιστώμενες μέθοδοι SACMA (Suppliers of Advance Composite Materials)]

SSB

single sideband (απλή πλευρική ζώνη)

SSR

secondary surveillance radar (ραντάρ δευτερεύουσας επιτήρησης)

TCSEC

trusted computer system evaluation criteria (κριτήρια αξιολόγησης έμπιστων συστημάτων υπολογιστών)

TIR

total indicated reading (συνολική αναγραφόμενη ένδειξη)

UV

υπεριώδης

UTS

ultimate tensile strength (οριακή αντοχή σε εφελκυσμό)

VOR

very high frequency omni-directional range

YAG

yttrium/aluminum garnet (γρανάτης υττρίου-αργιλίου)

ΟΡΙΣΜΟΙ ΟΡΩΝ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΟΥΜΕΝΩΝ ΣΤΟ ΠΑΡΟΝ ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ

Οι ορισμοί των εντός ‘μονών εισαγωγικών’ όρων περιέχονται σε Τεχνική Παρατήρηση του οικείου σημείου.

Οι ορισμοί των εντός «διπλών εισαγωγικών» όρων έχουν ως εξής:

ΣΗΜ.: Η αναφορά στην κατηγορία δίνεται εντός παρενθέσεων μετά τον οριζόμενο όρο.

«Ακρίβεια» (2 6), συνήθως μετρούμενη ως μέγεθος σφάλματος, είναι η μέγιστη απόκλιση, θετική ή αρνητική, μιας δεδομένης τιμής από ένα αποδεκτό πρότυπο ή μία πραγματική τιμή.

«Ενεργά συστήματα ελέγχου πτήσεως» (7) είναι τα συστήματα των οποίων η λειτουργία είναι η πρόληψη ανεπιθύμητων κινήσεων των «αεροσκαφών» και των βλημάτων ή ανεπιθύμητων φορτίσεων, τα οποία βασίζονται στην αυτόματη επεξεργασία δεδομένων προερχόμενων από πληθώρα αισθητήρων και στην παροχή των κατάλληλων προληπτικών εντολών για την επίτευξη του αυτομάτου ελέγχου.

«Ενεργό εικονοκύτταρο» (6 8) είναι ένα ελάχιστο (μεμονωμένο) στοιχείο ενός πίνακα ημιαγωγού ο οποίος λειτουργεί ως φωτοηλεκτρικό μέσο όταν εκτίθεται σε φωτεινή (ηλεκτρομαγνητική) ακτινοβολία.

«Αναπροσαρμογή για πολεμική χρήση» (1) είναι κάθε τροποποίηση ή επιλογή (όπως τροποποίηση της καθαρότητας, του χρόνου αποθήκευσης, της τοξικότητας, των χαρακτηριστικών διάδοσης ή της αντίστασης στην υπεριώδη ακτινοβολία) που προορίζεται να αυξήσει την αποτελεσματικότητα όσον αφορά τον αριθμό των θυμάτων, ανθρώπων ή ζώων, την αλλοίωση του εξοπλισμού ή τη φθορά των καλλιεργειών ή του περιβάλλοντος.

«Προσαρμοσμένη κορυφαία απόδοση» (4) είναι ένας προσαρμοσμένος ρυθμός αιχμής με τον οποίον οι «ψηφιακοί υπολογιστές» εκτελούν προσθέσεις και πολλαπλασιασμούς κινητής υποδιαστολής 64 bit και άνω, εκφράζεται δε ως σταθμισμένα TeraFLOPS (WT), σε μονάδες 1012 πράξεων κινητής υποδιαστολής ανά δευτερόλεπτο.

ΣΗΜ.: Κατηγορία 4, Τεχνική Παρατήρηση.

«Αεροσκάφος» (1 7 9) είναι κάθε ιπτάμενο μέσο σταθερών πτερύγων, στρεπτών πτερύγων, περιστρεφόμενων πτερύγων (ελικόπτερα), πτυσσόμενων πτερύγων ή πτυσσόμενων περιστρεφόμενων πτερύγων.

ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης «πολιτικό αεροσκάφος».

«Αερόπλοιο» (9) είναι κάθε μηχανοκίνητο αερομεταφερόμενο όχημα που ίπταται μέσω ενός όγκου αερίου (συνήθως ηλίου, παλαιότερα υδρογόνου) το οποίο είναι ελαφρύτερο από τον αέρα.

«Όλες οι διαθέσιμες αντισταθμίσεις» (2) σημαίνει μετά την εξέταση όλων των εφικτών μέτρων που έχει στη διάθεσή του ο κατασκευαστής για να ελαχιστοποιήσει όλα τα συστηματικά σφάλματα τοποθέτησης για τη συγκεκριμένη εργαλειομηχανή ή τα σφάλματα μέτρησης για τη συγκεκριμένη μηχανή μέτρησης συντεταγμένων.

«Διατεθεί από την ITU» (3 5) αναφέρεται στην κατανομή των ζωνών συχνοτήτων σύμφωνα με την τρέχουσα έκδοση των Κανονισμών Ραδιοσυχνοτήτων της Διεθνούς Ένωσης Τηλεπικοινωνιών (ITU), για τις πρωτογενείς επιτρεπόμενες και δευτερογενείς υπηρεσίες.

ΣΗΜ.: Δεν περιλαμβάνονται οι πρόσθετες και εναλλακτικές κατανομές συχνοτήτων.

«Γωνιακή απόκλιση θέσεως» (2) είναι η μέγιστη διαφορά μεταξύ της οριακής θέσεως και της πραγματικής γωνιακής θέσεως η οποία έχει μετρηθεί με μεγάλη ακρίβεια αφότου η βάση στηρίξεως του κατεργαζόμενου αντικειμένου έχει στραφεί σε σχέση με την αρχική του θέση

«Γωνιακή τυχαία όδευση» (7) είναι η χρονική σώρευση γωνιακού σφάλματος η οποία οφείλεται στο λευκό θόρυβο της γωνιακής ταχύτητας. (IEEE STD 528-2001)

«APP» (4) σημαίνει την «Προσαρμοσμένη κορυφαία απόδοση».

«Ασυμμετρικός αλγόριθμος» (5) είναι ο κρυπτογραφικός αλγόριθμος που χρησιμοποιεί διαφορετικές αλλά μαθηματικά σχετιζόμενες μεταξύ τους κλείδες για την κρυπτογράφηση και την αποκρυπτογράφηση.

ΣΗΜ.: Μια συνήθης χρήση «ασυμμετρικών αλγορίθμων» είναι η διαχείριση κλειδών.

«Αυτόματη παρακολούθηση στόχου» (6) είναι η τεχνική επεξεργασίας δεδομένων με την οποία καθορίζεται αυτομάτως και παρέχεται ως εξερχόμενο σήμα σε πραγματικό χρόνο η εκάστοτε παρατεταμένη τιμή για την πιθανότερη θέση του στόχου.

«Μέση ισχύς εξόδου» (6) είναι ο λόγος της συνολικής ενέργειας που παράγει το «λέιζερ», σε joule, προς την περίοδο κατά την οποία εκπέμπεται μια σειρά διαδοχικών παλμών σε δευτερόλεπτα. Όταν πρόκειται για σειρά παλμών με ομοιόμορφα διαστήματα, ισούται με το γινόμενο της συνολικής ενέργειας που παράγει το «λέιζερ» σε έναν επιμέρους παλμό, σε joule, επί τη συχνότητα του παλμού του «λέιζερ», σε Hertz.

«Καθυστέρηση χρόνου διέλευσης της βασικής πύλης» (3) είναι η καθυστέρηση του χρόνου διέλευσης που αντιστοιχεί στη βασική πύλη που χρησιμοποιείται σ’ ένα «μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα». Για μία ‘οικογένεια’«μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων», η τιμή αυτή είναι δυνατό να προσδιορισθεί είτε ως καθυστέρηση ανά τυπική πύλη εντός της δεδομένης ‘οικογένειας’, είτε ως τυπική καθυστέρηση ανά πύλη εντός της δεδομένης ‘οικογένειας’.

ΣΗΜ. 1: Η «καθυστέρηση χρόνου διέλευσης της βασικής πύλης» δεν πρέπει να συγχέεται με την καθυστέρηση εισόδου/εξόδου ενός πολύπλοκου «μονολιθικού ολοκληρωμένου κυκλώματος».

ΣΗΜ. 2: Ως ‘οικογένεια’ νοούνται όλα τα ολοκληρωμένα κυκλώματα στα οποία έχουν εφαρμοστεί όλα τα παρακάτω ως κατασκευαστική μεθοδολογία και προδιαγραφές, εκτός από τις λειτουργίες καθενός:

| α. | Η κοινή αρχιτεκτονική υλικού και λογισμικού, |
| --- | --- |

α.

Η κοινή αρχιτεκτονική υλικού και λογισμικού,

| β. | Η κοινή τεχνολογία σχεδιασμού και διεργασιών, και |
| --- | --- |

β.

Η κοινή τεχνολογία σχεδιασμού και διεργασιών, και

| γ. | Τα κοινά βασικά χαρακτηριστικά. |
| --- | --- |

γ.

Τα κοινά βασικά χαρακτηριστικά.

«Βασική επιστημονική έρευνα» (GTN NTN) είναι οι πειραματικές ή θεωρητικές εργασίες που διεξάγονται κυρίως με σκοπό την απόκτηση νέων γνώσεων σχετικά με τις βασικές αρχές των φαινομένων, οι οποίες δεν στρέφονται κατά κύριο λόγο προς έναν ειδικό πρακτικό σκοπό ή στόχο.

«Εγγενής απόκλιση» (γυροσκόπιο) (7) είναι ο μέσος όρος των ενδείξεων γυροσκοπίου κατά τη διάρκεια συγκεκριμένου χρόνου οι οποίες μετρώνται υπό συγκεκριμένες συνθήκες λειτουργίας και δεν σχετίζονται με την περιστροφή ή την επιτάχυνση της εισόδου. Η «εγγενής απόκλιση» εκφράζεται κατά κανόνα σε g ή σε μέτρα ανά δευτερόλεπτο στο τετράγωνο (g ή m/s2). (Πρότυπο IEEE 528-2001) (Το micro g ισούται με 1 × 10-6g).

«Εγγενής απόκλιση» (γυροσκόπιο) (7) είναι ο μέσος όρος των ενδείξεων γυροσκοπίου κατά τη διάρκεια συγκεκριμένου χρόνου οι οποίες μετρώνται υπό συγκεκριμένες συνθήκες λειτουργίας και δεν σχετίζονται με την περιστροφή ή την επιτάχυνση της εισόδου. Η «εγγενής απόκλιση» εκφράζεται σε ακτίνια ανά ώρα. (IEEE Std 528-2001).

«Εκκεντρότητα» (2) σημαίνει την αξονική μετατόπιση της κύριας ατράκτου σε μια περιστροφή, μετρούμενη σε επίπεδο κάθετο προς το επίπεδο της πρόσθιας πλάκας της ατράκτου, σε σημείο δίπλα στην περιφέρειά της (στοιχεία: ISO 230/1 1986, σημείο 5.63).

«Προπλάσματα ανθρακικών ινών» (1) είναι μια τακτική διάταξη ανεπικάλυπτων ή επικαλυμμένων ινών που προορίζεται να αποτελέσει πλαίσιο μέρους προτού εισαχθεί η «μήτρα» για να σχηματισθεί «σύνθετο υλικό».

«ΚΙΠ» (κύκλος ίσων πιθανοτήτων) (7) είναι μέτρο για την ακρίβεια ενός οργάνου. Η ακτίνα του κύκλου με κέντρο τον στόχο εκτείνεται σε απόσταση τέτοια ώστε να προσπίπτουν εντός του κύκλου το 50 % των βολών.

«Χημικό λέιζερ» (6) είναι το «λέιζερ» στο οποίο η διέγερση προκαλείται από την ενέργεια που εκλύεται από μία χημική αντίδραση.

«Χημικό μείγμα» (1) είναι ένα στερεό, υγρό ή αέριο προϊόν αποτελούμενο από δύο ή περισσότερα συστατικά που δεν αντιδρούν μεταξύ τους υπό τις συνθήκες αποθήκευσης του προϊόντος.

«Συστήματα εξουδετέρωσης ροπής με ρύθμιση ροής» (7) είναι συστήματα τα οποία χρησιμοποιούν ρεύμα αέρος που διέρχεται πάνω από αεροδυναμικές επιφάνειες για να αυξάνουν ή να ελέγχουν τις δυνάμεις που παράγονται από τις επιφάνειες αυτές.

«Πολιτικά αεροσκάφη» (1 3 4 7) είναι τα αεροσκάφη που περιλαμβάνονται, κατόπιν δηλώσεως, σε δημοσιευμένους καταλόγους πτητικής ικανότητας από τις αρχές της πολιτικής αεροπορίας για να χρησιμοποιηθούν σε εμπορικά εσωτερικά και εξωτερικά δρομολόγια ή για κάθε νόμιμη μη στρατιωτική, ιδιωτική ή εμπορική χρήση.

ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης «αεροσκάφος».

«Σύμμειξη» (1) νοείται η νήμα προς νήμα ανάμειξη θερμοπλαστικών και ενισχυτικών ινών για την παραγωγή μείγματος ενισχυτικού υλικού και υλικού «βάσης» υπό τη μορφή ινών.

«Κονιορτοποίηση» (1) είναι κάθε διαδικασία για τη μετατροπή ενός υλικού σε σωματίδια με σύνθλιψη ή άλεση.

«Ελεγκτής διαύλου επικοινωνίας» (4) είναι η φυσική διεπαφή η οποία ελέγχει τη ροή σύγχρονων και ασύγχρονων ψηφιακών πληροφοριών. Είναι ένα σύνολο το οποίο είναι δυνατόν να ενσωματωθεί σε συσκευές υπολογιστών ή τηλεπικοινωνιών ώστε να παρέχει πρόσβαση στο επικοινωνιακό δίκτυο.

«Συστήματα αντιστάθμισης» (6) περιλαμβάνουν τον πρωτοταγή βαθμωτό αισθητήρα, έναν ή περισσότερους αισθητήρες αναφοράς (π.χ. διανυσματικά μαγνητόμετρα) και το λογισμικό που επιτρέπει τον περιορισμό του λόγω στροφής της εξέδρας ως στερεού σώματος θορύβου.

«Σύνθετο υλικό» (1 2 6 8 9) είναι ένα «πλέγμα» και μία πρόσθετη φάση ή πρόσθετες φάσεις αποτελούμενες από σωματίδια, ινοκρυστάλλους, ίνες ή οποιονδήποτε συνδυασμό αυτών, των οποίων η παρουσία εξυπηρετεί έναν ή περισσότερους ειδικούς σκοπούς.

«Τράπεζα σύνθετης περιστροφής» (2) είναι μία επιφάνεια εργασίας που επιτρέπει την περιστροφή του κατεργαζόμενου τεμαχίου καθώς και την κλίση του γύρω από μη παράλληλους άξονες, οι οποίοι είναι δυνατόν να συντονισθούν ταυτοχρόνως για «καθοδήγηση τροχιάς».

«Σύνθετες ενώσεις των ομάδων III/V» (3 6) είναι πολυκρυσταλλικά ή δυαδικά ή σύνθετα μονοκρυσταλλικά προϊόντα που περιλαμβάνουν στοιχεία των ομάδων ΙΙΙΑ και VΑ του περιοδικού πίνακα του Μεντελέγιεφ (π.χ. αρσενικούχο γάλλιο, αρσενικούχο γάλλιο-αργίλιο, φωσφορούχο ίνδιο).

«Καθοδήγηση τροχιάς» (2) είναι δύο ή περισσότερες «ψηφιακά ελεγχόμενες» κινήσεις εκτελούμενες βάσει εντολών που καθορίζουν την επόμενη θέση καθώς και τις επιθυμητές ταχύτητες προσαγωγής. Αυτές οι ταχύτητες προσαγωγής μεταβάλλονται σε αλληλεξάρτηση μεταξύ τους ώστε να διαγράφεται η επιθυμητή τροχιά (βλέπε ISO/DIS 2806 - 1980).

«Κρίσιμη θερμοκρασία» (1 3 5) (ορισμένες φορές αναφερόμενη ως μεταβατική θερμοκρασία) ενός συγκεκριμένου «υπεραγώγιμου» υλικού είναι η θερμοκρασία στην οποία το υλικό αυτό παύει να έχει ωμική αντίσταση στο σταθερό ηλεκτρικό ρεύμα.

«Κρυπτογραφική ενεργοποίηση» (5) είναι κάθε τεχνική που ενεργοποιεί ή καθιστά ενεργοποιήσιμη μια κρυπτογραφική ικανότητα, μέσω ασφαλούς μηχανισμού υλοποιημένου από τον κατασκευαστή του είδους και μοναδικά συνδεδεμένου με το είδος ή τον πελάτη για το(ν) οποίο ενεργοποιείται ή καθίσταται ενεργοποιήσιμη η κρυπτογραφική ικανότητα (π.χ. κλείδα άδειας βασισμένη σε αύξοντα αριθμό, ή μέσο επικύρωσης γνησιότητας σαν τα ψηφιακώς υπογεγραμμένα πιστοποιητικά).

Τεχνική παρατήρηση:

Οι τεχνικές και μηχανισμοί «κρυπτογραφικής ενεργοποίησης» μπορούν να υλοποιούνται ως υλικό, «λογισμικό» ή «τεχνολογία».

«Κρυπτογραφία» (5) είναι ο κλάδος που συνδυάζει τις αρχές, τα μέσα και τις μεθόδους για τη μετατροπή δεδομένων με σκοπό την απόκρυψη των πληροφοριών που περιέχουν, την πρόληψη της μη αντιληπτής τροποποίησής του ή της μη επιτρεπτής χρήσης του. Η «κρυπτογραφία» περιορίζεται στη μετατροπή πληροφοριών χρησιμοποιώντας μία ή περισσότερες ‘μυστικές παραμέτρους’ (π.χ. κρυπτομεταβλητές) ή σχετική διαχείριση κλειδιών.

Σημείωση: Η «κρυπτογράφηση» περιλαμβάνει τεχνικές «σταθερής» συμπίεσης των δεδομένων ή κωδικοποίησης.

Τεχνική παρατήρηση:

‘Μυστική παράμετρος’: μία σταθερά ή κλείδα η οποία κρατείται μυστική από τους άλλους ή είναι γνωστή μόνο στα μέλη μιας ομάδας.

«Λέιζερ CW» (6) λέγεται το «λέιζερ» που παράγει ονομαστικά σταθερή ισχύ εξόδου επί περισσότερο από 0,25 δευτερόλεπτα.

Συστήματα «πλοήγησης βάσει καταχωρημένων δεδομένων» («DBRN») (7) είναι συστήματα που χρησιμοποιούν διάφορες πηγές προμετρηθέντων χαρτογραφικών δεδομένων για να παρέχουν ακριβείς πληροφορίες ναυσιπλοΐας υπό δυναμικές συνθήκες. Οι πηγές δεδομένων περιλαμβάνουν βαθυμετρικούς χάρτες, αστρονομικούς χάρτες, χάρτες βαρύτητας, μαγνητικούς χάρτες ή τρισδιάστατους γεωγραφικούς χάρτες.

«Παραμορφώσιμα κάτοπτρα» (6) (γνωστά επίσης και ως προσαρμόσιμα οπτικά κάτοπτρα) είναι τα κάτοπτρα που διαθέτουν:

| α. | Μία συνεχή οπτική αντανακλώσα επιφάνεια, η οποία παραμορφώνεται δυναμικά με την εξάσκηση ροπών ή δυνάμεων ώστε να αντισταθμίζονται παραμορφώσεις του οπτικού κύματος που προσπίπτει επί του κατόπτρου, ή |
| --- | --- |

α.

Μία συνεχή οπτική αντανακλώσα επιφάνεια, η οποία παραμορφώνεται δυναμικά με την εξάσκηση ροπών ή δυνάμεων ώστε να αντισταθμίζονται παραμορφώσεις του οπτικού κύματος που προσπίπτει επί του κατόπτρου, ή

| β. | Πολλαπλά οπτικά αντανακλώντα στοιχεία τα οποία μπορούν να αναδιατάσσονται χωριστά και δυναμικά με την εξάσκηση ροπών ή δυνάμεων, ώστε να αντισταθμίζονται παραμορφώσεις του οπτικού κύματος που προσπίπτει επί του κατόπτρου. |
| --- | --- |

β.

Πολλαπλά οπτικά αντανακλώντα στοιχεία τα οποία μπορούν να αναδιατάσσονται χωριστά και δυναμικά με την εξάσκηση ροπών ή δυνάμεων, ώστε να αντισταθμίζονται παραμορφώσεις του οπτικού κύματος που προσπίπτει επί του κατόπτρου.

«Εξαντλημένο ουράνιο» (0) είναι το ουράνιο στο οποίο η συγκέντρωση του ισοτόπου 235 έχει μειωθεί και είναι χαμηλότερη από αυτή που απαντά στη φύση.

«Ανάπτυξη» (GTN NTN ALL) σχετίζεται με όλες τις φάσεις πριν από τη μαζική παραγωγή, όπως είναι: ο σχεδιασμός, η έρευνα σχεδιασμού, η ανάλυση σχεδιασμού, οι αρχές σχεδιασμού, η συναρμολόγηση και η δοκιμή πρωτοτύπων, η πειραματική παραγωγή, τα δεδομένα σχεδιασμού, η διαδικασία μετατροπής των δεδομένων σχεδιασμού σε προϊόν, ο σχεδιασμός ολοκλήρωσης, το layout.

«Συγκόλληση μέσω διαχύσεως» (1 2 9) είναι η βασιζόμενη στη φυσική στερεού συγκόλληση δύο τουλάχιστον διαφορετικών μεταλλικών τεμαχίων σε ένα ενιαίο σώμα όπου η αντοχή της συγκόλλησης είναι ίση με την αντοχή του ασθενέστερου μετάλλου, όπου ο κύριος μηχανισμός είναι η εσωδιάχυση (interdiffusion) ατόμων σε ολόκληρη τη διεπαφή.

«Ψηφιακός υπολογιστής» (4 5) είναι η συσκευή η οποία έχει τη δυνατότητα, υπό μορφή μιας ή περισσότερων συνεχών μεταβλητών, να εκτελέσει όλες τις ακόλουθες λειτουργίες:

| α. | Να δέχεται δεδομένα, |
| --- | --- |

α.

Να δέχεται δεδομένα,

| β. | Να αποθηκεύσει δεδομένα ή εντολές σε μόνιμες ή μεταβλητές διατάξεις αποθηκεύσεως, |
| --- | --- |

β.

Να αποθηκεύσει δεδομένα ή εντολές σε μόνιμες ή μεταβλητές διατάξεις αποθηκεύσεως,

| γ. | Να επεξεργαστεί δεδομένα με τη βοήθεια μιας αποθηκευμένης αλληλουχίας εντολών η οποία είναι δυνατόν να τροποποιηθεί, και |
| --- | --- |

γ.

Να επεξεργαστεί δεδομένα με τη βοήθεια μιας αποθηκευμένης αλληλουχίας εντολών η οποία είναι δυνατόν να τροποποιηθεί, και

| δ. | Να παρέχει δεδομένα στην έξοδο. |
| --- | --- |

δ.

Να παρέχει δεδομένα στην έξοδο.

ΣΗΜ.: Στις τροποποιήσεις μιας αποθηκευμένης αλληλουχίας εντολών περιλαμβάνεται η αντικατάσταση σταθερών διατάξεων αποθήκευσης από μη υλικές αλλαγές στις διασυνδέσεις.

«Ρυθμός μεταβίβασης ψηφιακών δεδομένων» (def) είναι ο συνολικός ρυθμός σε bit της πληροφορίας που μεταβιβάζεται απευθείας με οποιοδήποτε μέσον.

ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης «συνολικός ρυθμός μεταβίβασης ψηφιακών πληροφοριών».

«Υδραυλική συμπίεση άμεσης επενέργειας» (2) είναι διαδικασία παραμόρφωσης στην οποία χρησιμοποιείται ένας εύκαμπτος ασκός γεμάτος υγρό ο οποίος έρχεται σε απευθείας επαφή με το κατεργαζόμενο υλικό.

«Ρυθμός αποκλίσεως» (περιστροφικός) (7) είναι η συστηματική συνιστώσα της περιστροφικής εξόδου η λειτουργικώς ανεξάρτητη από την περιστροφή εισόδου. Εκφράζεται ως γωνιακή ταχύτητα. (IEEE STD 528-2001).

«Ενεργό γραμμάριο» (0 1) «ειδικών σχάσιμων υλικών» είναι:

| α. | Για τα ισότοπα πλουτωνίου και ουρανίου-233, το βάρος του ισοτόπου σε γραμμάρια, |
| --- | --- |

α.

Για τα ισότοπα πλουτωνίου και ουρανίου-233, το βάρος του ισοτόπου σε γραμμάρια,

| β. | Για εμπλουτισμένο ουράνιο με περιεκτικότητα σε ισότοπο ουρανίου-235 ένα τοις εκατό και άνω, το βάρος του στοιχείου σε γραμμάρια πολλαπλασιασμένο επί το τετράγωνο του εμπλουτισμού του εκφραζόμενο ως δεκαδικό κλάσμα κατά βάρος, |
| --- | --- |

β.

Για εμπλουτισμένο ουράνιο με περιεκτικότητα σε ισότοπο ουρανίου-235 ένα τοις εκατό και άνω, το βάρος του στοιχείου σε γραμμάρια πολλαπλασιασμένο επί το τετράγωνο του εμπλουτισμού του εκφραζόμενο ως δεκαδικό κλάσμα κατά βάρος,

| γ. | Για εμπλουτισμένο ουράνιο με περιεκτικότητα σε ισότοπο ουρανίου-235 κάτω του 1 τοις εκατό, το βάρος του στοιχείου σε γραμμάρια πολλαπλασιασμένο επί 0,0001. |
| --- | --- |

γ.

Για εμπλουτισμένο ουράνιο με περιεκτικότητα σε ισότοπο ουρανίου-235 κάτω του 1 τοις εκατό, το βάρος του στοιχείου σε γραμμάρια πολλαπλασιασμένο επί 0,0001.

«Ηλεκτρονικό συναρμολόγημα» (2 3 4 5) είναι ένα σύνολο ηλεκτρονικών μερών (π.χ. ‘στοιχείων κυκλωμάτων’, ‘διακεκριμένων κατασκευαστικών μερών’, ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κ.λπ.) συνδεδεμένων μεταξύ τους ώστε να επιτελούν ειδικές λειτουργίες, το οποίο είναι δυνατόν να αντικατασταθεί ως σύνολο και να αποσυναρμολογηθεί.

ΣΗΜ. 1: ‘Στοιχείο κυκλώματος’: ένα μεμονωμένο ενεργητικό ή παθητικό λειτουργικό μέρος ηλεκτρονικού κυκλώματος, όπως δίοδος, τρανζίστορ, αντίσταση ή ένας πυκνωτής κ.λπ.

ΣΗΜ. 2: ‘Διακεκριμένο κατασκευαστικό μέρος’: ένα χωριστά συσκευασμένο «στοιχείο κυκλώματος» με τις δικές του εξωτερικές συνδέσεις.

«Ηλεκτρονικώς οδηγούμενη φασικώς συγχρονισμένη συστοιχιοκεραία» (5 6) είναι μία κεραία η οποία εκπέμπει μια δέσμη καθοδηγούμενη με ζεύξη φάσεως, δηλαδή, η διεύθυνση της δέσμης ελέγχεται μέσω των μιγαδικών συντελεστών διεγέρσεως των στοιχείων εκπομπής και δύναται να μεταβληθεί ως προς την κλίση ή το ύψος ή και ως προς τα δύο μέσω ενός ηλεκτρικού σήματος, τόσο κατά την εκπομπή όσο και κατά τη λήψη.

«Ενεργειακά υλικά» (1) λέγονται ουσίες ή μείγματα που αντιδρούν χημικώς απελευθερώνοντας την απαιτούμενη ενέργεια για τη χρήση για την οποία προορίζονται. «Εκρηκτικά», «πυροτεχνικά» και «προωθητικά» είναι υποκατηγορίες ενεργειακών υλικών.

«Επενεργητές πέρατος» (2) είναι οι αρπάγες, οι ‘ενεργητικές εργαλειακές διατάξεις’ καθώς και κάθε άλλη εργαλειακή διάταξη προσαρμοσμένη στο βασικό έλασμα στο άκρο του βραχίονα χειρισμού ενός «ρομπότ».

ΣΗΜ.: ‘Ενεργητική εργαλειακή διάταξη’ σημαίνει διάταξη με την οποία ασκείται κινητήριος δύναμη, μεταβιβάζεται ενέργεια ή η οποία χρησιμεύει ως αισθητήρας επί του υπό κατεργασία αντικειμένου.

«Ισοδύναμη πυκνότητα» (6) είναι η μάζα ενός οπτικού στοιχείου ανά μονάδα οπτικής επιφανείας προβαλλόμενης στο οπτικό επίπεδο.

«Εκρηκτικά» (1) νοούνται οι στερεές, υγρές ή αέριες ουσίες ή μείγματα ουσιών οι οποίες απαιτείται να εκραγούν, κατά την εφαρμογή τους ως πρωτογενείς, ενισχυτικές ή κύριες γομώσεις σε εκρηκτικές κεφαλές, κατεδαφίσεις ή άλλες εφαρμογές,

«Συστήματα FADEC» (7 9) σημαίνει Ψηφιακά Συστήματα Πλήρους Ελέγχου Κινητήρα - Ένα ψηφιακό ηλεκτρονικό σύστημα ελέγχου για έναν κινητήρα αεροστροβίλων που είναι σε θέση να ελέγχει αυτόνομα τον κινητήρα καθ’ όλο το εύρος της λειτουργίας του, από τη στιγμή που ζητείται η εκκίνηση του κινητήρα μέχρι τη στιγμή που ζητείται το σβήσιμο του κινητήρα, τόσο σε φυσιολογικές όσο και σε ανώμαλες συνθήκες.

Στα «ινώδη ή νηματώδη υλικά» (0 1 8) περιλαμβάνονται:

| α. | Συνεχή «μονόκλωνα νήματα», |
| --- | --- |

α.

Συνεχή «μονόκλωνα νήματα»,

| β. | Συνεχή «νήματα» και «πιλήματα» με τυχαία διάταξη, |
| --- | --- |

β.

Συνεχή «νήματα» και «πιλήματα» με τυχαία διάταξη,

| γ. | «Ταινίες», υφάσματα, πιλήματα και πλεκτά, |
| --- | --- |

γ.

«Ταινίες», υφάσματα, πιλήματα και πλεκτά,

| δ. | Κομμένα νήματα, υφαντικές ίνες, συνεχή καλύμματα, |
| --- | --- |

δ.

Κομμένα νήματα, υφαντικές ίνες, συνεχή καλύμματα,

| ε. | Ινοκρύσταλλοι, είτε υπό μονοκρυσταλλική είτε πολυκρυσταλλική μορφή οποιουδήποτε μήκους, |
| --- | --- |

ε.

Ινοκρύσταλλοι, είτε υπό μονοκρυσταλλική είτε πολυκρυσταλλική μορφή οποιουδήποτε μήκους,

| στ. | Πολτός αρωματικού πολυαμιδίου. |
| --- | --- |

στ.

Πολτός αρωματικού πολυαμιδίου.

«Ολοκληρωμένο κύκλωμα τύπου υμενίου» (3) είναι μια διάταξη ‘στοιχείων κυκλώματος’ και μεταλλικών διασυνδέσεων η οποία κατασκευάζεται με απόθεση μιας μεμβράνης μεγάλου ή μικρού πάχους σε ένα μονωτικό «υπόβαθρο».

ΣΗΜ.: ‘Στοιχείο κυκλώματος’: ένα μεμονωμένο ενεργητικό ή παθητικό λειτουργικό μέρος ηλεκτρονικού κυκλώματος, όπως δίοδος, τρανζίστορ, αντίσταση ή πυκνωτής κ.λπ.

«Στεγανός» (5) σημαίνει ότι ο αλγόριθμος για την κωδικοποίηση ή τη συμπύκνωση δεν επιδέχεται εξωγενείς παραμέτρους (π.χ. κρυπτογραφικές μεταβλητές ή κλείδες) και δεν είναι δυνατόν να τροποποιηθεί από τον χρήστη.

«Συστοιχία οπτικών αισθητήρων ελέγχου πτήσης» (7) είναι ένα δίκτυο διανεμημένων οπτικών αισθητήρων, που χρησιμοποιούν ακτίνες «λέιζερ», για την παροχή δεδομένων ελέγχου πτήσης σε πραγματικό χρόνο προς επεξεργασία επί του αεροσκάφους.

«Βελτιστοποίηση ίχνους πτήσης» (7) είναι μια διαδικασία που περιορίζει στο ελάχιστο τις παρεκκλίσεις από την επιθυμητή τροχιά τεσσάρων διαστάσεων (χώρος και χρόνος) χάρη στη μέγιστη αξιοποίηση της επίδοσης ή της αποτελεσματικότητας για την εκτέλεση ειδικών αποστολών.

«Συστοιχία εστιακού επιπέδου» (6 8) είναι γραμμικό ή δισδιάστατο επίπεδο στρώμα, ή συνδυασμός επιπέδων στρωμάτων, επιμέρους στοιχείων ανιχνευτών με ή χωρίς ηλεκτρονικά συστήματα ανάγνωσης, που λειτουργούν στο εστιακό επίπεδο.

ΣΗΜ.: Η συστοιχία δεν προορίζεται να περιλαμβάνει συστάδα μεμονωμένων στοιχείων ανιχνευτών ή ανιχνευτές των δύο, τριών ή τεσσάρων στοιχείων, με την προϋπόθεση ότι δεν εκτελούνται χρονική καθυστέρηση και ολοκλήρωση εντός του στοιχείου.

«Κλασματικό εύρος ζώνης» (3 5) είναι ο λόγος, εκφρασμένος ως ποσοστό επί τοις εκατό, του «στιγμιαίου εύρους ζώνης» προς την κεντρική συχνότητα.

«Ευελιξία μεταβολής συχνότητας» (frequency hopping) (5) είναι μια μορφή «διευρύνσεως φάσματος», στο οποίο η συχνότητα μεταβιβάσεως ενός μεμονωμένου διαύλου επικοινωνίας μεταβάλλεται κατά μία τυχαία ή ψευδοτυχαία ακολουθία διακριτών βημάτων.

«Ενεργοποιητής μάσκας συχνότητας» (3) για «αναλυτές σημάτων» είναι ο μηχανισμός κατά τον οποίον η λειτουργία ενεργοποίησης δύναται να επιλέγει ένα εύρος συχνοτήτων προκειμένου αυτό να ενεργοποιηθεί ως υποσύνολο του εύρους ζώνης απόκτησης, αγνοώντας παράλληλα άλλα σήματα που ίσως είναι επίσης παρόντα εντός του ιδίου εύρους ζώνης απόκτησης. Ο «ενεργοποιητής μάσκας συχνότητας» ίσως περιλαμβάνει περισσότερα του ενός ανεξάρτητα σύνολα ορίων.

«Χρόνος αλλαγής συχνότητας» (3) είναι ο χρόνος (η καθυστέρηση) που χρειάζεται ένα σήμα όταν μετάγεται από μιαν αρχική προσδιορισμένη συχνότητα εξόδου προκειμένου να φτάσει σε μια τελική προσδιορισμένη συχνότητα εξόδου, ακριβώς ή κατά προσέγγιση ± 0,05 %. Είδη με εύρος προσδιορισμένου φάσματος συχνοτήτων στενότερο από ± 0,05 % γύρω από την κεντρική τους συχνότητα ορίζονται ως στερούμενα δυνατότητας αλλαγής συχνότητας.

«Συνθετητής συχνότητας» (3) είναι κάθε πηγή συχνότητας, ανεξάρτητα από την τεχνική που χρησιμοποιείται, η οποία παρέχει μια ποικιλία ταυτόχρονων ή εναλλασσόμενων συχνοτήτων εξόδου, από μια ή περισσότερες εξόδους, οι οποίες ελέγχονται, παράγονται ή οδηγούνται από ένα μικρότερο αριθμό βασικών (master) συχνοτήτων ελέγχου.

«Κυψέλη καυσίμου» (8) είναι μια ηλεκτροχημική διάταξη η οποία μετατρέπει χημική ενέργεια απευθείας σε ηλεκτρισμό συνεχούς ρεύματος (DC) καταναλώνοντας καύσιμο από εξωτερική πηγή.

«Τηκόμενο» (1) σημαίνει με ικανότητα δικτύωσης ή περαιτέρω πολυμερισμού (επεξεργασία) με τη χρήση θερμότητας, ακτινοβολίας, καταλυτών κ.λπ., ή με ικανότητα τήξης χωρίς πυρόλυση (απανθράκωση).

«Φυγοκεντρικός ψεκασμός» (1) είναι η διαδικασία για τη μετατροπή ρέοντος ή ηρεμούντος τηγμένου μετάλλου σε ψεκάδες διαμέτρου 500 μικρομέτρων διά φυγοκεντρίσεως.

«Γεωγραφικά διεσπαρμένες» (6) είναι τοποθεσίες που η καθεμία απέχει από οποιαδήποτε άλλη περισσότερο 1 500 m προς όλες τις κατευθύνσεις. Οι κινητοί αισθητήρες θεωρούνται πάντα ότι είναι «γεωγραφικά διεσπαρμένοι».

«Μηχανισμός αυτόματης πλοήγησης» (7) είναι ένα σύνολο συστημάτων που ολοκληρώνουν τη μέτρηση και τον υπολογισμό της θέσεως και της ταχύτητας ενός οχήματος με τον υπολογισμό και τη διαβίβαση εντολών στα συστήματα ελέγχου πτήσεως του οχήματος ώστε να διορθωθεί η πορεία του.

«Ισοστατική πύκνωση εν θερμώ» (2) είναι η διαδικασία της συμπίεσης ενός χυτεύματος σε θερμοκρασίες άνω των 375 K (102 °C) σε έναν κλειστό θάλαμο διαφόρων μέσων (αερίων, υγρών, στερεών σωματιδίων κ.λπ.) για τη δημιουργία ίσων δυνάμεων προς όλες τις κατευθύνσεις ώστε να μειωθούν ή να εξαλειφθούν τα εσωτερικά κενά στο χύτευμα.

«Υβριδικό ολοκληρωμένο κύκλωμα» (3) είναι κάθε συνδυασμός ενός ή περισσότερων ολοκληρωμένων κυκλωμάτων, ή κάθε ολοκληρωμένο κύκλωμα με ‘στοιχεία κυκλώματος’ ή ‘διακριτά κατασκευαστικά μέρη’ τα οποία συνδέονται μεταξύ τους για να επιτελέσουν μία ή περισσότερες συγκεκριμένες λειτουργίες και τα οποία έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Περιλαμβάνουν τουλάχιστον μια μη ενθυλακωμένη διάταξη, |
| --- | --- |

α.

Περιλαμβάνουν τουλάχιστον μια μη ενθυλακωμένη διάταξη,

| β. | Είναι συνδεδεμένα μεταξύ τους με τη βοήθεια των συνήθων μεθόδων παραγωγής ολοκληρωμένων κυκλωμάτων, |
| --- | --- |

β.

Είναι συνδεδεμένα μεταξύ τους με τη βοήθεια των συνήθων μεθόδων παραγωγής ολοκληρωμένων κυκλωμάτων,

| γ. | Είναι δυνατόν να αντικατασταθούν ως ενιαίο σύνολο, και |
| --- | --- |

γ.

Είναι δυνατόν να αντικατασταθούν ως ενιαίο σύνολο, και

| δ. | Κατά κανόνα δεν είναι δυνατό να αποσυναρμολογηθούν. |
| --- | --- |

δ.

Κατά κανόνα δεν είναι δυνατό να αποσυναρμολογηθούν.

ΣΗΜ. 1: ‘Στοιχείο κυκλώματος’: ένα μεμονωμένο ενεργητικό ή παθητικό λειτουργικό μέρος ηλεκτρονικού κυκλώματος, όπως δίοδος, τρανζίστορ, αντίσταση ή ένας πυκνωτής κ.λπ.

ΣΗΜ. 2: ‘Διακεκριμένο κατασκευαστικό μέρος’: ένα χωριστά συσκευασμένο «στοιχείο κυκλώματος» με τις δικές του εξωτερικές συνδέσεις.

«Βελτίωση εικόνας» (4) είναι η επεξεργασία εικόνων εξωτερικής προέλευσης που περιέχουν πληροφορίες, μέσω αλγορίθμων όπως είναι η χρονική συμπύκνωση, το φιλτράρισμα, η εξαγωγή, η επιλογή, ο συσχετισμός, η συνέλιξη ή οι μετασχηματισμοί μεταξύ περιοχών (π.χ. ταχύς μετασχηματισμός Fourier ή μετασχηματισμός Walsh). Δεν περιλαμβάνονται οι αλγόριθμοι που χρησιμοποιούν γραμμικό μετασχηματισμό ή μετασχηματισμό περιστροφής μιας και μόνον εικόνας, όπως είναι η παράλληλη μετατόπιση, η απομόνωση χαρακτηριστικών, η καταγραφή ή ο τεχνητός χρωματισμός της εικόνας.

«Ανοσοτοξίνη» (1) είναι η συνένωση μονοκλωνικού αντισώματος ειδικού για συγκεκριμένο τύπο κυττάρων, με μία «τοξίνη» ή «υποενότητα τοξίνης» η οποία προσβάλει επιλεκτικά τα ασθενή κύτταρα.

«Ελευθέρας χρήσεως» (GTN NTN GSN), κατά την έννοια του παρόντος εγγράφου, είναι η «τεχνολογία» ή το «λογισμικό» το οποίο επιτρέπεται να διατίθεται χωρίς περιορισμούς (οι περιορισμοί που απορρέουν από τα πνευματικά δικαιώματα δεν εξαιρούν την «τεχνολογία» ή το «λογισμικό» από την «ελεύθερη χρήση»).

«Ασφάλεια των πληροφοριών» (4 5) είναι όλα τα μέσα και οι λειτουργίες που εξασφαλίζουν τη διαθεσιμότητα, το απόρρητο ή την ακεραιότητα των πληροφοριών ή των επικοινωνιών, εκτός από τα μέσα και τις λειτουργίες που αποβλέπουν στην προστασία των πληροφοριών από τις δυσλειτουργίες. Περιλαμβάνεται η «κρυπτογραφία», η «κρυπτογραφική ενεργοποίηση», η ‘κρυπτανάλυση’, η προστασία από επιβλαβείς διαρροές και η ασφάλεια των υπολογιστών.

ΣΗΜ.: ‘Κρυπτανάλυση’: η ανάλυση ενός κρυπτογραφικού συστήματος ή των σημάτων εισόδου και εξόδου στα συστήματα αυτά προκειμένου να εξαχθούν οι εμπιστευτικές μεταβλητές ή ευαίσθητα δεδομένα καθώς και το ακρυπτογράφητο κείμενο.

«Στιγμιαίο εύρος ζώνης» (3 5 7) είναι το εύρος ζώνης στο οποίο η ισχύς εξόδου παραμένει σταθερή με ακρίβεια 3 dB χωρίς ρύθμιση ή χωρίς την παρέμβαση άλλων λειτουργικών παραμέτρων.

«Περιοχή ενδείξεων» (6) είναι το προδιαγεγραμμένο πεδίο ευκρινών ενδείξεων ενός ραντάρ.

«Μόνωση» (9) χρησιμοποιείται στα κατασκευαστικά μέρη ενός κινητήρα πυραύλου δηλαδή το περίβλημα, το ακροφύσιο, τις εισόδους, τα καλύμματα του περιβλήματος και περιλαμβάνει βουλκανισμένο ή ημιβουλκανισμένο σύμμικτο ελαστικό υπό μορφή φύλλων το οποίο περιλαμβάνει μονωτικό ή αντιπυρικό υλικό. Χρησιμοποιείται επίσης για τη μείωση των εντάσεων στα πτερύγια.

«Εσωτερική επένδυση» (9) είναι κατάλληλη για τη διεπαφή μεταξύ του στερεού καυσίμου και του περιβλήματος ή του μονωτικού στρώματος. Συνήθως το εσωτερικό του περιβλήματος ψεκάζεται ή επιστρώνεται με διασπορά πυρίμαχων ή μονωτικών υλικών πολυμερούς βάσεως εντός υγρού, π.χ. HTPB (πολυβουταδιένιο με υδροξύλια στα άκρα) με πλήρωση άνθρακα ή άλλο πολυμερές με πρόσθετα σκληρυντικά μέσα.

«Στοιχειώδες μαγνητόμετρο» (6) είναι ένας αυτοτελής αισθητήρας της κλίσεως του μαγνητικού πεδίου μαζί με τις σχετικές ηλεκτρονικές διατάξεις, του οποίου το σήμα εξόδου αποτελεί μέτρο της κλίσεως του μαγνητικού πεδίου.

ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης: «Μαγνητικά κλισίμετρα»

«Λογισμικό εισβολής» (4) είναι «λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για να αποφεύγει τον εντοπισμό από ‘εργαλεία παρακολούθησης’, ή για να ξεπερνάει τα ‘προστατευτικά αντίμετρα’, ενός υπολογιστή ή μιας δικτυακά συνδεόμενης συσκευής και για να εκτελεί οποιαδήποτε από τις ακόλουθες ενέργειες:

| α. | Την εξαγωγή δεδομένων ή πληροφοριών από έναν υπολογιστή ή μια δικτυακά συνδεόμενη συσκευή, ή την τροποποίηση συστήματος ή δεδομένων χρήστη, και |
| --- | --- |

α.

Την εξαγωγή δεδομένων ή πληροφοριών από έναν υπολογιστή ή μια δικτυακά συνδεόμενη συσκευή, ή την τροποποίηση συστήματος ή δεδομένων χρήστη, και

| β. | Την τροποποίηση της τυπικής διαδρομής εκτέλεσης ενός προγράμματος ή μιας διεργασίας προκειμένου να επιτραπεί η εκτέλεση οδηγιών που δίνονται από εξωτερική πηγή. |
| --- | --- |

β.

Την τροποποίηση της τυπικής διαδρομής εκτέλεσης ενός προγράμματος ή μιας διεργασίας προκειμένου να επιτραπεί η εκτέλεση οδηγιών που δίνονται από εξωτερική πηγή.

Σημειώσεις:

| 1. | Ο όρος «λογισμικό εισβολής» δεν περιλαμβάνει οτιδήποτε από τα ακόλουθα:







  α. | Επόπτες (hypervisors), εκσφαλματωτές (debuggers) ή εργαλεία ανάδρομης τεχνικής έρευνας λογισμικού (Software Reverse Engineering - SRE), |
| --- | --- | --- |

1.

α.

Επόπτες (hypervisors), εκσφαλματωτές (debuggers) ή εργαλεία ανάδρομης τεχνικής έρευνας λογισμικού (Software Reverse Engineering - SRE),

| β. | «Λογισμικό» διαχείρισης ψηφιακών δικαιωμάτων (Digital Rights Management - DRM), ή |
| --- | --- |

β.

«Λογισμικό» διαχείρισης ψηφιακών δικαιωμάτων (Digital Rights Management - DRM), ή

| γ. | «Λογισμικό» σχεδιασμένο για εγκατάσταση από κατασκευαστές, διαχειριστές ή χρήστες με σκοπό τον εντοπισμό ή την ανάκτηση πόρων. |
| --- | --- |

γ.

«Λογισμικό» σχεδιασμένο για εγκατάσταση από κατασκευαστές, διαχειριστές ή χρήστες με σκοπό τον εντοπισμό ή την ανάκτηση πόρων.

| 2. | Στις δικτυακά συνδεόμενες συσκευές συμπεριλαμβάνονται κινητές συσκευές και έξυπνοι μετρητές. |
| --- | --- |

2.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | ‘Εργαλεία παρακολούθησης’: «λογισμικό» ή συσκευές υλικού εξοπλισμού που παρακολουθούν τις συμπεριφορές ή διεργασίες συστήματος που λειτουργούν σε μια συσκευή. Σε αυτά συμπεριλαμβάνονται αντιικά (AV) προϊόντα, προϊόντα ασφαλείας τελικού σημείου, προϊόντα προσωπικής ασφάλειας (PSP), συστήματα ανίχνευσης εισβολέων (IPS) ή τείχη προστασίας (firewalls). |
| --- | --- |

1.

| 2. | ‘Προστατευτικά αντίμετρα’: τεχνικές σχεδιασμένες για να διασφαλίζουν την ασφαλή εκτέλεση κώδικα, π.χ. αποτροπή εκτέλεσης δεδομένων (DEP), τυχαιοποίηση των διευθύνσεων των σελίδων μνήμης (ASLR) ή sandboxing. |
| --- | --- |

2.

«Απομονωμένες ζωντανές καλλιέργειες» (1) περιλαμβάνουν ζωντανές καλλιέργειες σε λανθάνουσα κατάσταση και σε ξηραμένα παρασκευάσματα.

«Ισοστατικές πρέσες» (2) είναι συσκευές ικανές να συμπιέσουν διάφορα υλικά (αέρια, υγρά, στερεά σωματίδια κ.λπ.) μέσα σε κλειστό θάλαμο ώστε η πίεση που ασκείται επί ενός κατεργαζόμενου αντικειμένου ή υλικού να είναι ίση προς κάθε κατεύθυνση.

«Λέιζερ» (0 2 3 5 6 7 8 9) είναι μια διάταξη η οποία παράγει μια χωρικά και χρονικά σύμφωνη δέσμη φωτός, η οποία ενισχύεται από τη διεγειρόμενη εκπομπή ακτινοβολίας.

| ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης: | «Χημικό λέιζερ»,


  «Λέιζερ εξαιρετικά υψηλής ισχύος»,


  «Transfer λέιζερ». |
| --- | --- |

ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης:

«Χημικό λέιζερ»,

«Λέιζερ εξαιρετικά υψηλής ισχύος»,

«Transfer λέιζερ».

«Οχήματα ελαφρότερα του αέρος» (9) υπονοούνται τα αερόστατα και αερόπλοια που για την άνωσή τους βασίζονται στο ζεστό αέρα ή σε άλλα αέρια ελαφρότερα από τον αέρα, όπως υδρογόνο και ήλιο.

«Γραμμικότητα» (2) (συνήθως μετρούμενη ως μη-γραμμικότητα) είναι η μέγιστη απόκλιση, θετική ή αρνητική, των πραγματικών χαρακτηριστικών μέση τιμή των αναγνώσεων προς τα άνω και προς τα κάτω της κλίμακας) από την ευθεία η οποία φέρεται ώστε να εξισορροπεί και να ελαχιστοποιεί τις μέγιστες αποκλίσεις.

«Τοπικό δίκτυο» (4 5) είναι ένα σύστημα μεταβίβασης δεδομένων το οποίο διαθέτει όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Επιτρέπει σε ένα τυχόντα αριθμό ανεξάρτητων «συσκευών δεδομένων» να επικοινωνούν απευθείας η μια με την άλλη, και |
| --- | --- |

α.

Επιτρέπει σε ένα τυχόντα αριθμό ανεξάρτητων «συσκευών δεδομένων» να επικοινωνούν απευθείας η μια με την άλλη, και

| β. | Περιορίζεται σε μια γεωγραφική περιοχή μικρού μεγέθους (π.χ. ένα κτίριο γραφείων, ένα εργοστάσιο, μια πανεπιστημιούπολη, μια αποθήκη). |
| --- | --- |

β.

Περιορίζεται σε μια γεωγραφική περιοχή μικρού μεγέθους (π.χ. ένα κτίριο γραφείων, ένα εργοστάσιο, μια πανεπιστημιούπολη, μια αποθήκη).

ΣΗΜ.: «Πομποδέκτης δεδομένων»: συσκευή ικανή να μεταβιβάζει ή να λαμβάνει ακολουθίες ψηφιακών πληροφοριών.

«Μαγνητικά κλισιόμετρα» (6) είναι όργανα προοριζόμενα να ανιχνεύουν τις μεταβολές στο χώρο μαγνητικών πεδίων από πηγές εκτός του οργάνου. Αποτελούνται από πολλαπλά «μαγνητόμετρα» και τα σχετικά ηλεκτρονικά κυκλώματα, το σήμα εξόδου των οποίων αποτελεί μέτρο της κλίσης του μαγνητικού πεδίου.

ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης «στοιχειώδη μαγνητικά κλισιόμετρα».

«Μαγνητόμετρα» (6) είναι όργανα προοριζόμενα να ανιχνεύουν μαγνητικά πεδία από πηγές εκτός του οργάνου. Αποτελούνται από ένα μεμονωμένο αισθητήριο στοιχείο και τα σχετικά ηλεκτρονικά κυκλώματα, το σήμα εξόδου των οποίων αποτελεί μέτρο του μαγνητικού πεδίου.

«Κύρια μνήμη» (4) είναι η κύρια μνήμη δεδομένων ή εντολών η οποία είναι ταχέως προσπελάσιμη από μια κεντρική μονάδα επεξεργασίας. Αποτελείται από την εσωτερική μνήμη ενός «ψηφιακού υπολογιστή» και την ιεραρχική επέκταση της μνήμης αυτής, όπως είναι μια κρυφή μνήμη ή εκτεταμένη μνήμη τυχαίας προσπελάσεως.

«Υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση UF6» (0) περιλαμβάνουν χαλκό, κράματα χαλκού, ανοξείδωτο χάλυβα, αργίλιο, οξείδιο του αργιλίου, κράματα αργιλίου, νικέλιο ή κράμα νικελίου με περιεκτικότητα σε νικέλιο 60 % και άνω, καθώς και πλήρως φθοριωμένα πολυμερή υδρογονανθράκων.

«Βάση» (1 2 8 9) είναι μια ουσιαστικά συνεχής φάση η οποία πληροί το χώρο μεταξύ σωματιδίων, ινοκρυστάλλων ή νημάτων.

«Αβεβαιότητα μετρήσεων» (2) είναι η χαρακτηριστική παράμετρος η οποία καθορίζει την περιοχή γύρω από την τιμή εξόδου στην οποία περιέχεται η ορθή τιμή της μετρούμενης μεταβλητής με ποσοστό εμπιστοσύνης 95 %. Περιλαμβάνει τις μη διορθωμένες συστηματικές αποκλίσεις, τη μη διορθωμένη υστέρηση του οργάνου και τις τυχαίες αποκλίσεις (βλέπε ISO 10360-2).

«Μηχανική κραματοποίηση» (1) είναι η κραματοποίηση που γίνεται με συγκόλληση, θραύση και επανασυγκόλληση κόνεων καθαρών στοιχείων και προσθετικών κραμάτων με μηχανική κρούση. Μη μεταλλικά σωματίδια είναι δυνατόν να ενσωματωθούν στο κράμα με την προσθήκη των κατάλληλων κόνεων.

«Απόληψη τήγματος» (1) είναι η διαδικασία με την οποία επιτυγχάνεται η ‘ταχεία στερεοποίηση’ και η εξαγωγή υπό μορφή λωρίδας ενός προϊόντος κράματος με την εισαγωγή ενός βραχέως τομέα ενός περιστρεφόμενου και ψυχόμενου κυλίνδρου σε μια λεκάνη με τηγμένο κράμα μετάλλου.

ΣΗΜ.: ‘Ταχεία στερεοποίηση’: στερεοποίηση τηγμένου μετάλλου με ρυθμό ψύξεως άνω των 1 000 K/s.

«Περιδίνηση τήγματος» (1) είναι η διαδικασία με την οποία επιτυγχάνεται η «ταχεία στερεοποίηση» δέσμης τηγμένου μετάλλου η οποία προσπίπτει σε περιστρεφόμενο ψυχόμενο κύλινδρο και μετατρέπεται σε ένα προϊόν που έχει τη μορφή φολίδων, λωρίδων ή ράβδων.

ΣΗΜ.: ‘Ταχεία στερεοποίηση’: στερεοποίηση τηγμένου μετάλλου με ρυθμό ψύξεως άνω των 1 000 K/s.

«Μικροκύκλωμα μικροεπεξεργαστή» (3) είναι ένα «μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα ή σύνθετο ολοκληρωμένο κύκλωμα» το οποίο περιλαμβάνει μια αριθμητική λογική μονάδα (ΑLU) ικανή να εκτελεί γενικές εντολές προερχόμενες από μια εσωτερική μνήμη για την επεξεργασία δεδομένων που περιλαμβάνονται στην εσωτερική μνήμη.

ΣΗΜ.: Η εσωτερική μνήμη πρέπει να διευρύνεται από μια εξωτερική μνήμη.

«Μικροκύκλωμα μικροεπεξεργαστή» (3) είναι ένα «μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα» ή «σύνθετο ολοκληρωμένο κύκλωμα» το οποίο περιλαμβάνει μια αριθμητική λογική μονάδα (ΑLU) ικανή να εκτελεί μια σειρά γενικών εντολών προερχόμενων από εξωτερική μνήμη.

ΣΗΜ. 1: Το «μικροκύκλωμα μικροεπεξεργαστή» κατά κανόνα δεν περιλαμβάνει ενσωματωμένη μνήμη προσπελάσιμη από τον χρήστη, μολονότι ενδεχομένως διαθέτει μνήμη για την πραγματοποίηση των λογικών του λειτουργιών.

ΣΗΜ. 2: Περιλαμβάνει σύνολα μικροκυκλωμάτων τα οποία είναι σχεδιασμένα να λειτουργούν μαζί ώστε να εξασφαλίζουν τη λειτουργία ενός «μικροκυκλώματος μικροεπεξεργαστή».

«Μικροοργανισμοί» (1 2) είναι τα βακτηρίδια, οι ιοί, τα μυκοπλάσματα, τα ρικέτσια, τα χλαμύδια ή οι μύκητες, σε φυσική κατάσταση, ενισχυμένη ή τροποποιημένη, είτε υπό μορφή «απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών» είτε ως υλικό το οποίο περιλαμβάνει ζωντανό υλικό που έχει εκουσίως εμβολιαστεί ή μολυνθεί από τις καλλιέργειες αυτές.

«Βλήματα» (1 3 6 7 9) είναι τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος ικανά να μεταφέρουν ωφέλιμο φορτίο τουλάχιστον 500 kg σε απόσταση τουλάχιστον 300 km.

«Μονόκλωνο νήμα» (1) ή νήμα είναι η μικρότερη μονάδα ίνας, συνήθως διαμέτρου αρκετών μικρών.

«Μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα» (3) είναι συνδυασμός ενεργών ή παθητικών «στοιχείων κυκλώματος» ή και των δύο, τα οποία:

| α. | Κατασκευάζονται με τη βοήθεια διεργασιών που βασίζονται στη διάχυση, την εμφύτευση ή την εναπόθεση εντός ή επί ενός πλακιδίου ημιαγωγού υλικού που ονομάζεται «τσιπ», |
| --- | --- |

α.

Κατασκευάζονται με τη βοήθεια διεργασιών που βασίζονται στη διάχυση, την εμφύτευση ή την εναπόθεση εντός ή επί ενός πλακιδίου ημιαγωγού υλικού που ονομάζεται «τσιπ»,

| β. | Είναι δυνατόν να θεωρηθούν ως άρρηκτα συνδεδεμένα, και |
| --- | --- |

β.

Είναι δυνατόν να θεωρηθούν ως άρρηκτα συνδεδεμένα, και

| γ. | Επιτελούν την ή τις λειτουργίες ενός κυκλώματος. |
| --- | --- |

γ.

Επιτελούν την ή τις λειτουργίες ενός κυκλώματος.

ΣΗΜ.: «Στοιχείο κυκλώματος»: ένα μεμονωμένο ενεργητικό ή παθητικό λειτουργικό μέρος ηλεκτρονικού κυκλώματος, όπως δίοδος, τρανζίστορ, αντίσταση ή πυκνωτής κ.λπ.

«Μονοφασματικοί αισθητήρες εικόνας» (6) είναι ικανοί να εκτελούν λήψη δεδομένων εικόνας από μία διακριτή ζώνη φάσματος.

«Ολοκληρωμένο κύκλωμα περισσοτέρων τσιπ» (3) είναι δύο ή περισσότερα «μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» συνενωμένα σε ένα κοινό «υπόβαθρο».

«Πολυφασματικοί αισθητήρες εικόνας» (6) είναι ικανοί να εκτελούν ταυτόχρονη ή σειριακή λήψη δεδομένων εικόνας από δύο ή περισσότερες διακριτές ζώνες φάσματος. Οι αισθητήρες που έχουν περισσότερες από 20 διακριτές ζώνες φάσματος ονομάζονται ορισμένες φορές υπερφασματικοί αισθητήρες εικόνας.

«Φυσικό ουράνιο» (0) είναι το ουράνιο που περιέχει το μείγμα ισοτόπων που απαντά στη φύση.

«Ελεγκτής πρόσβασης στο δίκτυο» (4) είναι μια υλική διεπαφή με ένα κατανεμημένο μεταγωγικό δίκτυο. Χρησιμοποιεί ένα κοινό μέσο το οποίο λειτουργεί πάντα με τον ίδιο «ρυθμό ψηφιακής μεταβίβασης» και επιτρέπει οποιαδήποτε μεταβίβαση μέσω του δικτύου (π.χ. ανίχνευση αδειοπλαισίου ή φέρουσας) για τη μεταβίβαση. Ανεξάρτητα από οποιοδήποτε άλλο, επιλέγει πακέτα δεδομένων ή ομάδες δεδομένων (π.χ. IEEE 802) που απευθύνονται σε αυτόν. Είναι ένα σύνολο το οποίο είναι δυνατόν να ενσωματωθεί σε συσκευές υπολογιστών ή τηλεπικοινωνιών ώστε να παρέχει πρόσβαση στο επικοινωνιακό δίκτυο.

«Νευρωνικός υπολογιστής» (4) είναι μια υπολογιστική διάταξη που έχει σχεδιαστεί ή μετασκευαστεί ώστε να μιμείται τη συμπεριφορά ενός νευρώνα ή ενός συνόλου νευρώνων, δηλαδή μια υπολογιστική διάταξη η οποία διακρίνεται λόγω της ικανότητας του υλικού να διαμορφώνει το βάρος και τις διασυνδέσεις μιας πληθώρας υπολογιστικών στοιχείων που βασίζονται σε προηγούμενα δεδομένα.

«Πυρηνικός αντιδραστήρας» (0) είναι πλήρης αντιδραστήρας ικανός να λειτουργεί κατά τρόπον ώστε να συντηρεί ελεγχόμενη αυτοσυντηρούμενη αλυσιδωτή αντίδραση σχάσης. Ο «πυρηνικός αντιδραστήρας» περιλαμβάνει το σύνολο των διατάξεων που βρίσκονται εντός ή είναι απευθείας προσαρμοσμένες στον λέβητα του αντιδραστήρα, τον εξοπλισμό ο οποίος ρυθμίζει τη στάθμη ισχύος στον πυρήνα, και τα κατασκευαστικά μέρη τα οποία κανονικά περιλαμβάνουν, έρχονται σε απευθείας επαφή ή ρυθμίζουν το πρωτεύον ψυκτικό μέσο στον πυρήνα του αντιδραστήρα.

«Ψηφιακός έλεγχος» (2) είναι ο αυτόματος έλεγχος μιας διεργασίας που επιτελείται από μια διάταξη η οποία χρησιμοποιεί ψηφιακά δεδομένα τα οποία συνήθως εισάγονται κατά τη διάρκεια της διεργασίας (βλέπε ISO 2382).

«Αντικειμενικός κώδικας» (GSN) είναι η εκτελέσιμη από εξοπλισμό μορφή της κατάλληλης έκφρασης μιας ή περισσοτέρων διαδικασιών [«πηγαίος κώδικας» (γλώσσα πηγής)] η οποία έχει μεταγλωττιστεί από σύστημα προγραμματισμού.

«Οπτική ενίσχυση» (5) στις οπτικές επικοινωνίες είναι η τεχνική με την οποία επιτυγχάνεται η ενίσχυση των οπτικών σημάτων που παράγονται από μια χωριστή πηγή χωρίς να μετατρέπονται αυτά σε ηλεκτρικά σήματα, δηλαδή χρησιμοποιώντας ημιαγωγούς ενισχυτές οπτικών σημάτων, και ενισχυτές φωταύγειας οπτικών ινών.

«Οπτικός υπολογιστής» (4) είναι ένας υπολογιστής που έχει σχεδιαστεί ή μετασκευαστεί ώστε να χρησιμοποιεί φωτεινά σήματα για το συμβολισμό δεδομένων και του οποίου τα στοιχεία λογικής επεξεργασίας βασίζονται σε απευθείας συνδεδεμένες οπτικές διατάξεις.

«Οπτικό ολοκληρωμένο κύκλωμα» (3) είναι ένα «μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα» ή ένα «υβριδικό ολοκληρωμένο κύκλωμα», το οποίο περιέχει ένα ή περισσότερα μέρη προοριζόμενα να λειτουργήσουν ως φωτοαισθητήρας ή φωτοπομπός ή για να επιτελέσουν μια ή περισσότερες οπτικές ή ηλεκτροοπτικές λειτουργίες.

«Οπτική μεταγωγή» (5) είναι η δρομολόγηση ή η μεταγωγή οπτικών σημάτων χωρίς τη μετατροπή τους σε ηλεκτρικά σήματα.

«Ολική πυκνότητα εντάσεως» (3) είναι ο συνολικός αριθμός αμπεροστροφών ενός πηνίου (δηλαδή το σύνολο του αριθμού των σπειρών πολλαπλασιαζόμενο επί τη μέγιστη ένταση σε κάθε σπείρα και διαιρούμενο διά της ολικής διατομής του πηνίου, όπου περιλαμβάνονται οι υπεραγώγιμες ίνες, το μεταλλικό υλικό στο οποίο είναι ενσωματωμένες οι υπεραγώγιμες ίνες, το υλικό του περιβλήματος, οι τυχόν ψυκτικοί δίαυλοι κ.λπ.).

«Συμμετέχον κράτος» (7 9) είναι κάθε κράτος που συμμετέχει στη Ρύθμιση του Wassenaar. (Βλέπε www.wassenaar.org)

«Ισχύς αιχμής» (6) είναι η μέγιστη ισχύς που επιτυγχάνεται κατά τη «διάρκεια του παλμού».

«Δίκτυο προσωπικού χώρου» (5) σημαίνει ένα σύστημα μεταβίβασης δεδομένων το οποίο διαθέτει αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Επιτρέπει σε ένα τυχόντα αριθμό ανεξάρτητων ή διασυνδεδεμένων «συσκευών δεδομένων» να επικοινωνούν απευθείας η μια με την άλλη, και |
| --- | --- |

α.

Επιτρέπει σε ένα τυχόντα αριθμό ανεξάρτητων ή διασυνδεδεμένων «συσκευών δεδομένων» να επικοινωνούν απευθείας η μια με την άλλη, και

| β. | Είναι περιορισμένο στην επικοινωνία μεταξύ συσκευών στο άμεσο περιβάλλον ενός προσώπου ή ελεγκτή της συσκευής (π.χ. δωμάτιο, γραφείο ή αυτοκίνητο και οι κοντινοί περιβάλλοντες χώροι). |
| --- | --- |

β.

Είναι περιορισμένο στην επικοινωνία μεταξύ συσκευών στο άμεσο περιβάλλον ενός προσώπου ή ελεγκτή της συσκευής (π.χ. δωμάτιο, γραφείο ή αυτοκίνητο και οι κοντινοί περιβάλλοντες χώροι).

Τεχνική παρατήρηση:

«Πομποδέκτης δεδομένων»: συσκευή ικανή να μεταβιβάζει ή να λαμβάνει ακολουθίες ψηφιακών πληροφοριών.

«Διαχείριση ισχύος» (7) είναι η μεταβολή της μεταβιβαζόμενης ισχύος του σήματος του υψομετρικού οργάνου ώστε η λαμβανόμενη ισχύς στο ύψος του «αεροσκάφους» είναι πάντα η ελάχιστη ισχύς η οποία απαιτείται για τον προσδιορισμό του ύψους.

«Προηγουμένως διαχωρισμένο» (0 1) είναι η εφαρμογή μιας διαδικασίας που αποβλέπει στην αύξηση της συγκέντρωσης ενός ελεγχομένου ισοτόπου.

«Κύριο χειριστήριο πτήσης» (7) σημαίνει χειριστήριο σταθερότητας ή ελιγμών «αεροσκάφους» διά της χρήσης γεννητριών δύναμης/ροπής, δηλαδή επιφάνειες αεροδυναμικού ελέγχου ή ρύθμιση της διεύθυνσης της ωστικής δύναμης.

«Κύριο στοιχείο» (4), όπως χρησιμοποιείται στη κατηγορία 4, είναι ένα «κύριο στοιχείο», όταν το κόστος για την αντικατάστασή του υπερβαίνει το 35 % της συνολικής αξίας του συστήματος, στοιχείο του οποίου αποτελεί. Η αξία του στοιχείου είναι η τιμή που καταβάλλεται για την αγορά του στοιχείου από τον κατασκευαστή ή από τον συναρμολογητή του συστήματος. Η συνολική αξία είναι η συνήθης διεθνής τιμή πωλήσεως σε ανεξάρτητους αγοραστές στον τόπο κατασκευής ή αποστολής.

«Παραγωγή» (GTN όλες οι φάσεις) είναι όλες οι φάσεις παραγωγής όπως: κατασκευή, μηχανολογική μελέτη, βιομηχανική παραγωγή, ολοκλήρωση, συναρμολόγηση, έλεγχος, δοκιμή, διασφάλιση της ποιότητας.

«Εξοπλισμός παραγωγής» (1 7 9) είναι ο μηχανικός εξοπλισμός, τα ιχνάρια, τα περιτυπώματα, τα μαντρέλια, οι τύποι, οι μήτρες, οι στηρίξεις, οι μηχανισμοί ευθυγράμμισης, ο εξοπλισμός δοκιμών, άλλες μηχανές και κατασκευαστικά μέρη των μηχανών αυτών οι οποίες έχουν σχεδιαστεί ή μετασκευαστεί ώστε να χρησιμεύουν στην «ανάπτυξη» ή σε μια ή περισσότερες φάσεις της «παραγωγής».

«Εγκαταστάσεις παραγωγής» (7 9) είναι ο «εξοπλισμός παραγωγής» και το ειδικά σχεδιασμένο σχετικό λογισμικό που ενσωματώνονται σε εγκαταστάσεις που χρησιμεύουν στην «ανάπτυξη» ή σε μια ή περισσότερες φάσεις της «παραγωγής».

«Πρόγραμμα» (2 6) είναι μια αλληλουχία εντολών για τη διεξαγωγή μιας διαδικασίας, υπό μορφή εκτελέσιμη από ηλεκτρονικό υπολογιστή ή μετατρέψιμη σε εκτελέσιμη μορφή.

«Συμπίεση παλμού» (6) είναι η κωδικοποίηση και η επεξεργασία ενός παλμού (σήματος) ραντάρ μεγάλης διαρκείας σε έναν παλμό βραχείας διαρκείας, διατηρώντας τα πλεονεκτήματα της υψηλής παλμικής ενέργειας.

«Διάρκεια παλμού» (6) είναι η διάρκεια ενός παλμού «λέιζερ» και σημαίνει το χρόνο μεταξύ των σημείων μισής ισχύος του πρόσθιου άκρου και του οπίσθιου άκρου ενός επιμέρους παλμού.

«Παλμικό λέιζερ» (6) λέγεται το «λέιζερ» που έχει «διάρκεια παλμού» μέχρι και 0,25 sec.

«Κβαντική κρυπτογραφία» (5) είναι μια οικογένεια τεχνικών για τη δημιουργία κοινής κλείδας για «κρυπτογραφία» μέσω της μέτρησης των κβαντομηχανικών ιδιοτήτων ενός φυσικού συστήματος (συμπεριλαμβανομένων των φυσικών ιδιοτήτων που διέπονται σαφώς από την κβαντική οπτική, την κβαντική θεωρία πεδίων ή την κβαντική ηλεκτροδυναμική).

«Ευελιξία μεταβολής συχνότητας ραντάρ» (6) είναι μια τεχνική με την οποία μεταβάλλεται η φέρουσα συχνότητα ενός παλμοπομπού ραντάρ σε ψευδοτυχαία ακολουθία μεταξύ μεμονωμένων παλμών ραντάρ ή ομάδων παλμών ραντάρ κατά τιμή ίση ή μεγαλύτερη από το εύρος ζώνης των παλμών ραντάρ.

«Διεύρυνση φάσματος ραντάρ» (6) είναι κάθε τεχνική διαμόρφωσης για την κατανομή της ενέργειας, που προέρχεται από σήμα με σχετικά στενή ζώνη συχνοτήτων, σε ευρύτερη ζώνη συχνοτήτων χρησιμοποιώντας τυχαία ή ψευδοτυχαία κωδικοποίηση.

«Φωτοηλεκτρική ευαισθησία» (6), μετρούμενη σε mA/W, είναι το γινόμενο της κβαντικής απόδοσης (QE) επί το μήκος κύματος σε nm επί 0,807.

Τεχνική παρατήρηση:

Η κβαντική απόδοση εκφράζεται συνήθως ως ποσοστό, στον παραπάνω τύπο όμως νοείται ως δεκαδικός αριθμός μεταξύ 0 και 1, π.χ. 0,78 αντί 78 %.

«Εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου» (3) για «αναλυτές σημάτων» είναι η ευρύτερη περιοχή συχνοτήτων για την οποία ο αναλυτής δύναται να εκτελεί συνεχή πλήρη μετατροπή χρονικών δεδομένων σε αποτελέσματα συχνοτήτων, με τη χρήση μετασχηματισμού διακριτού χρόνου Fourier ή άλλου τύπου χωρίς κενά ή «παράθυρα» (windowing effects) που προκαλούν μείωση της μετρούμενης έντασης μεγαλύτερη των 3 dB κάτω από την πραγματική ένταση του σήματος, παράγοντας ή εμφανίζοντας παράλληλα τα μετατρεπόμενα δεδομένα.

«Επεξεργασία σε πραγματικό χρόνο» (2 6 7) είναι η επεξεργασία δεδομένων με σύστημα ηλεκτρονικού υπολογιστή, το οποίο παρέχει απαιτούμενο επίπεδο υπηρεσίας ως συνάρτηση των διαθέσιμων πόρων, εντός ενός εγγυημένου χρόνου απόκρισης, ανεξάρτητα από το φόρτωμα του συστήματος, όταν δεχθεί εξωτερικό ερέθισμα.

«Επαναληψιμότητα» (7) σημαίνει την εγγύτητα συμφωνίας μεταξύ επαναλαμβανόμενων μετρήσεων της ίδιας μεταβλητής υπό τις αυτές συνθήκες λειτουργίας όταν μεταβάλλονται μεταξύ των μετρήσεων οι συνθήκες λειτουργίας ή μεσολαβούν διαστήματα μη λειτουργίας. (Αναφορά: Πρότυπο IEEE 528-2001 [τυπική απόκλιση (1 σ)]

Η έννοια «απαιτούμενη» (GTN 1-9), όπως εφαρμόζεται σε σχέση με την «τεχνολογία», αφορά μόνον αυτό το μέρος της «τεχνολογίας» το οποίο είναι ιδιαίτερα απαραίτητο για την επίτευξη ή την επέκταση των επιπέδων ελεγχόμενων επιδόσεων, των χαρακτηριστικών ή των λειτουργιών. Η «απαιτούμενη»«τεχνολογία» μπορεί να είναι κοινή για διάφορα «είδη».

«Διακριτική ικανότητα» (2) είναι το ελάχιστο βήμα ενός μετρητή. Στην περίπτωση ψηφιακών οργάνων, είναι το ελάχιστο σημαντικό bit (βλέπε ANSI Β-89.1.12).

«Παράγοντες ελέγχου ταραχών» (1) είναι οι ουσίες οι οποίες, υπό τις αναμενόμενες συνθήκες χρήσης για τον έλεγχο ταραχών, προκαλούν ταχέως στους ανθρώπους ερεθισμό των αισθητηρίων οργάνων ή σωματικά αποτελέσματα που τους θέτουν εκτός δράσης και που εξαφανίζονται γρήγορα μετά την παύση της έκθεσης.

Τεχνική παρατήρηση:

Τα δακρυγόνα αέρια είναι υποκατηγορία των «παραγόντων ελέγχου ταραχών».

«Ρομπότ» (2 8) είναι ένας μηχανισμός χειρισμού συνεχούς ή ασυνεχούς τροχιάς, ο οποίος ενδέχεται να χρησιμοποιεί αισθητήρες και ο οποίος έχει όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Είναι πολυλειτουργικός, |
| --- | --- |

α.

Είναι πολυλειτουργικός,

| β. | Είναι σε θέση να τοποθετεί ή να προσανατολίζει ειδικά, κατασκευαστικά τμήματα, εργαλεία ή ειδικές διατάξεις με τη βοήθεια μεταβλητών κινήσεων στον τρισδιάστατο χώρο, |
| --- | --- |

β.

Είναι σε θέση να τοποθετεί ή να προσανατολίζει ειδικά, κατασκευαστικά τμήματα, εργαλεία ή ειδικές διατάξεις με τη βοήθεια μεταβλητών κινήσεων στον τρισδιάστατο χώρο,

| γ. | Ενσωματώνει τρεις ή περισσότερους σερβομηχανισμούς κλειστού ή ανοιχτού κυκλώματος στους οποίους ενδέχεται να περιλαμβάνονται κλιμακωτοί κινητήρες, και |
| --- | --- |

γ.

Ενσωματώνει τρεις ή περισσότερους σερβομηχανισμούς κλειστού ή ανοιχτού κυκλώματος στους οποίους ενδέχεται να περιλαμβάνονται κλιμακωτοί κινητήρες, και

| δ. | Διαθέτει «δυνατότητα προγραμματισμού από το χρήστη» με τη βοήθεια της μεθόδου «teach/playback» ή με τη βοήθεια ενός ηλεκτρονικού υπολογιστή που ενδέχεται να είναι μια προγραμματιζόμενη μονάδα λογικού ελέγχου, δηλαδή χωρίς μηχανική παρεμβολή. |
| --- | --- |

δ.

Διαθέτει «δυνατότητα προγραμματισμού από το χρήστη» με τη βοήθεια της μεθόδου «teach/playback» ή με τη βοήθεια ενός ηλεκτρονικού υπολογιστή που ενδέχεται να είναι μια προγραμματιζόμενη μονάδα λογικού ελέγχου, δηλαδή χωρίς μηχανική παρεμβολή.

ΣΗΜ.: Ο παραπάνω ορισμός δεν περιλαμβάνει τις ακόλουθες διατάξεις:

| 1. | Μηχανισμοί χειρισμού ελεγχόμενοι μόνον απευθείας από τον χρήστη με τη βοήθεια τηλεχειριστή, |
| --- | --- |

1.

Μηχανισμοί χειρισμού ελεγχόμενοι μόνον απευθείας από τον χρήστη με τη βοήθεια τηλεχειριστή,

| 2. | Μηχανισμοί χειρισμού καθορισμένης σειράς κινήσεων, οι οποίοι είναι διατάξεις που κινούνται αυτόματα και λειτουργούν σύμφωνα με μηχανικά καθοριζόμενες προγραμματισμένες κινήσεις. Το πρόγραμμα περιορίζεται μηχανικά με τη βοήθεια σταθερών διατάξεων, όπως ακίδων ή δοντιών. Η σειρά των κινήσεων και η επιλογή των τροχιών ή των γωνιών δεν είναι δυνατόν να κυμανθούν ή να μεταβληθούν μηχανικά, ηλεκτρονικά ή ηλεκτρικά, |
| --- | --- |

2.

Μηχανισμοί χειρισμού καθορισμένης σειράς κινήσεων, οι οποίοι είναι διατάξεις που κινούνται αυτόματα και λειτουργούν σύμφωνα με μηχανικά καθοριζόμενες προγραμματισμένες κινήσεις. Το πρόγραμμα περιορίζεται μηχανικά με τη βοήθεια σταθερών διατάξεων, όπως ακίδων ή δοντιών. Η σειρά των κινήσεων και η επιλογή των τροχιών ή των γωνιών δεν είναι δυνατόν να κυμανθούν ή να μεταβληθούν μηχανικά, ηλεκτρονικά ή ηλεκτρικά,

| 3. | Μηχανισμοί χειρισμού μεταβλητής σειράς κινήσεων οι οποίοι ελέγχονται μηχανικά και είναι διατάξεις που κινούνται αυτόματα και λειτουργούν σύμφωνα με μηχανικά καθοριζόμενες προγραμματισμένες κινήσεις. Το πρόγραμμα περιορίζεται μηχανικά με τη βοήθεια σταθερών αλλά ρυθμιζόμενων διατάξεων, όπως ακίδων ή δοντιών. Η σειρά των κινήσεων και επιλογή των τροχιών ή των γωνιών μεταβάλλονται εντός των σταθερών ορίων που καθορίζονται από το πρόγραμμα. Οι μεταβολές ή οι τροποποιήσεις του προγράμματος (π.χ. αλλαγές των ακίδων ή των δοντιών) σε ένα ή περισσότερους άξονες κινήσεως πραγματοποιούνται μόνο με μηχανικούς χειρισμούς, |
| --- | --- |

3.

Μηχανισμοί χειρισμού μεταβλητής σειράς κινήσεων οι οποίοι ελέγχονται μηχανικά και είναι διατάξεις που κινούνται αυτόματα και λειτουργούν σύμφωνα με μηχανικά καθοριζόμενες προγραμματισμένες κινήσεις. Το πρόγραμμα περιορίζεται μηχανικά με τη βοήθεια σταθερών αλλά ρυθμιζόμενων διατάξεων, όπως ακίδων ή δοντιών. Η σειρά των κινήσεων και επιλογή των τροχιών ή των γωνιών μεταβάλλονται εντός των σταθερών ορίων που καθορίζονται από το πρόγραμμα. Οι μεταβολές ή οι τροποποιήσεις του προγράμματος (π.χ. αλλαγές των ακίδων ή των δοντιών) σε ένα ή περισσότερους άξονες κινήσεως πραγματοποιούνται μόνο με μηχανικούς χειρισμούς,

| 4. | Μηχανισμοί χειρισμού μεταβλητής σειράς κινήσεων μη ελεγχόμενοι με τη βοήθεια σερβομηχανισμών, οι οποίοι είναι αυτόματα κινούμενες διατάξεις που εκτελούν μηχανικά καθοριζόμενες προγραμματισμένες κινήσεις. Το πρόγραμμα είναι δυνατό να μεταβληθεί αλλά η σειρά των κινήσεων κατευθύνεται από τα ψηφιακά σήματα που προέρχονται από μηχανικά καθοριζόμενες ηλεκτρικές δυαδικές διατάξεις ή ρυθμιζόμενες στάσεις. |
| --- | --- |

4.

Μηχανισμοί χειρισμού μεταβλητής σειράς κινήσεων μη ελεγχόμενοι με τη βοήθεια σερβομηχανισμών, οι οποίοι είναι αυτόματα κινούμενες διατάξεις που εκτελούν μηχανικά καθοριζόμενες προγραμματισμένες κινήσεις. Το πρόγραμμα είναι δυνατό να μεταβληθεί αλλά η σειρά των κινήσεων κατευθύνεται από τα ψηφιακά σήματα που προέρχονται από μηχανικά καθοριζόμενες ηλεκτρικές δυαδικές διατάξεις ή ρυθμιζόμενες στάσεις.

| 5. | Γερανοί στοιβασίας οριζόμενοι ως συστήματα χειρισμού, τριών βαθμών ελευθερίας, ενσωματωμένα σε μια κατακόρυφη σειρά δοχείων στοιβασίας, τα οποία επιτρέπουν την πρόσβαση στο εσωτερικό αυτών των δοχείων με σκοπό την αποθήκευση ή την ανάκτηση του περιεχομένου τους. |
| --- | --- |

5.

Γερανοί στοιβασίας οριζόμενοι ως συστήματα χειρισμού, τριών βαθμών ελευθερίας, ενσωματωμένα σε μια κατακόρυφη σειρά δοχείων στοιβασίας, τα οποία επιτρέπουν την πρόσβαση στο εσωτερικό αυτών των δοχείων με σκοπό την αποθήκευση ή την ανάκτηση του περιεχομένου τους.

«Φυγοκεντρικός ψεκασμός» (1) είναι η διαδικασία για τη μετατροπή ρέοντος ή ηρεμούντος τηγμένου μετάλλου σε ψεκάδες διαμέτρου 500 μικρομέτρων διά φυγοκεντρίσεως.

«Roving» (1) είναι δέσμη (τυπικά 12-120) περίπου παραλλήλων ‘εμβόλων’.

ΣΗΜ.: ‘Έμβολο’ είναι η δέσμη «μονοκλώνων νημάτων» (τυπικά άνω των 200) με περίπου παράλληλη διάταξη.

«Γραμμική εκτροπή» (2) σημαίνει την ακτινική μετατόπιση της κύριας ατράκτου σε μια περιστροφή, μετρούμενη σε επίπεδο κάθετο προς τον άξονα της ατράκτου σε σημείο επί της εξωτερικής ή εσωτερική περιστρεφόμενης επιφάνειας υπό δοκιμή (στοιχεία: ISO 230/1 1986, σημείο 5.61).

«Ρυθμός αποκλίσεως» (περιστροφικός) (7) είναι η συστηματική συνιστώσα της περιστροφικής εξόδου η λειτουργικώς ανεξάρτητη από την περιστροφή εισόδου. Ο συντελεστής κλίμακας υπολογίζεται γενικά ως η κλίση της ευθείας που χαράσσεται με τη βοήθεια της μεθόδου των ελαχίστων τετραγώνων ώστε να προσαρμόζεται στα δεδομένα εισόδου-εξόδου τα οποία λαμβάνονται με την κυκλική μεταβολή των τιμών εισόδου εντός των ορίων μεταβολής των τιμών αυτών.

«Χρόνος ηρεμίας» (3) είναι ο χρόνος που απαιτείται ώστε το σήμα εισόδου να μη διαφέρει πάνω από μισό bit από την τελική τιμή κατά τη μεταγωγή μεταξύ δύο επιπέδων ενός μετατροπέα.

«SHPL» αντιστοιχεί στο «λέιζερ πολύ μεγάλης ισχύος».

«Αναλυτές σημάτων» (3) είναι συσκευές ικανές να μετρήσουν και να εμφανίσουν τις βασικές ιδιότητες των επιμέρους συχνοτήτων σημάτων πολλαπλών συχνοτήτων.

«Επεξεργασία σημάτων» (3 4 5 6) είναι η επεξεργασία εξωτερικών σημάτων που εμπεριέχουν πληροφορίες με τη βοήθεια αλγορίθμων όπως είναι η χρονική συμπίεση, το φιλτράρισμα, η εξαγωγή, η επιλογή, ο συσχετισμός, η συνέλιξη ή μετατροπή συναρτήσεων (π.χ. ταχύς μετασχηματισμός Fourier ή μετασχηματισμός Walsh).

«Λογισμικό» (GSN All) είναι μια συλλογή ενός ή περισσοτέρων «προγραμμάτων» ή ‘μικροπρογραμμάτων’ τα οποία έχουν εγγραφεί σε ένα οποιοδήποτε υλικό μέσο.

ΣΗΜ.: ‘Μικροπρόγραμμα’ είναι μια ακολουθία στοιχειωδών εντολών, αποθηκευμένων σε ειδική μνήμη, η εκτέλεση των οποίων ξεκινά με την εισαγωγή της εντολής αναφοράς του μικροπρογράμματος σε έναν καταγραφέα εντολών.

«Πηγαίος κώδικας» (ή πρωτογενής γλώσσα) (6 7 9) είναι ένας εύχρηστος χαρακτηρισμός μιας ή περισσοτέρων διαδικασιών οι οποίες είναι δυνατό να μετασχηματισθούν από ένα σύστημα προγραμματισμού σε μια μορφή εκτελέσιμη από υπολογιστή [«καταληκτικός κώδικας» (ή καταληκτική γλώσσα)].

«Διαστημικό όχημα» (7 9) είναι ενεργητικοί και παθητικοί δορυφόροι και διαστημικοί ανιχνευτές.

«Κατάλληλα για διαστημική χρήση» (3 6 7) σημαίνει σχεδιασμένα, κατασκευασμένα ή διαμορφωμένα μέσω κατάλληλων δοκιμών για λειτουργία σε υψόμετρα μεγαλύτερα των 100 km πάνω από την επιφάνεια της γης.

ΣΗΜ.: Όταν ορίζεται ότι ένα συγκεκριμένο είδος είναι «κατάλληλο για διαστημική χρήση» μέσω δοκιμών, αυτό δεν σημαίνει ότι και άλλα είδη της ίδιας παραγωγής ή σειράς μοντέλων είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση» χωρίς να δοκιμαστούν ξεχωριστά.

«Ειδικά σχάσιμα υλικά» (0) είναι το πλουτώνιο-239, το ουράνιο-233, το «ουράνιο εμπλουτισμένο σε ισότοπα 235 ή 233» και κάθε υλικό που περιέχει τα παραπάνω υλικά.

«Ειδικό μέτρο ελαστικότητας» (0 1 9) είναι το μέτρο Young εκφρασμένο σε Pascal, το οποίο ισοδυναμεί με το λόγο N/m2 προς το ειδικό βάρος σε N/m3, μετρούμενο σε θερμοκρασία (296 ± 2) Κ [(23 ± 2) °C] και σχετική υγρασία (50 ± 5) %.

«Ειδική αντοχή σε εφελκυσμό» (0 1 9) είναι η ανώτατη τάση εφελκυσμού σε Pascal, η οποία ισοδυναμεί με το λόγο N/m2 προς το ειδικό βάρος σε N/m3, σε θερμοκρασία (296 ± 2) Κ [(23 ± 2) °C] και σχετική υγρασία (50 ± 5) %.

Τα «γυροσκόπια περιστρεφόμενης μάζας» (7) είναι γυροσκόπια τα οποία χρησιμοποιούν μια συνεχώς περιστρεφόμενη μάζα για να αισθάνονται τη γωνιακή κίνηση.

«Ταχεία βαφή» (1) είναι μια διαδικασία για την ‘ταχεία στερεοποίηση’ ρέοντος τηγμένου μετάλλου το οποίο έρχεται σε επαφή με μια ψυχόμενη επιφάνεια όπου μετατρέπεται σε φολίδες.

ΣΗΜ.: ‘Ταχεία στερεοποίηση’: στερεοποίηση τηγμένου μετάλλου με ρυθμό ψύξεως άνω των 1 000 K/s.

«Κατανεμημένο φάσμα» (5) είναι μια τεχνική με την οποία η ενέργεια ενός επικοινωνιακού καναλιού σχετικά στενής ζώνης κατανέμεται σε ένα κατά πολύ ευρύτερο ενεργειακό φάσμα.

Ραντάρ «διεύρυνσης φάσματος» (6) - βλέπε «Διεύρυνση φάσματος ραντάρ».

«Σταθερότητα» (7) είναι η τυπική απόκλιση (1 σ) της μεταβολής μιας συγκεκριμένης παραμέτρου από τη βαθμονομημένη τιμή της που μετριέται υπό σταθερές συνθήκες θερμοκρασίας. Η σταθερότητα είναι δυνατό να εκφραστεί ως συνάρτηση του χρόνου.

«Κράτη (μη) μέρη της σύμβασης Χημικών Όπλων» (1) είναι εκείνα τα κράτη για τα οποία (δεν) έχει τεθεί σε ισχύ η σύμβαση για την Απαγόρευση της Ανάπτυξης, Παραγωγής, Αποθεματοποίησης και Χρήσης Χημικών Όπλων. (Βλέπε www.opcw.org)

«Υπόστρωμα» (3) είναι ένα φύλλο υλικού που χρησιμεύει ως βάση, με ή χωρίς διασυνδέσεις, επί ή εντός του οποίου είναι δυνατό να τοποθετηθούν ‘διακεκριμένα κατασκευαστικά μέρη’ ή ολοκληρωμένα κυκλώματα ή και τα δύο.

ΣΗΜ. 1: ‘Διακεκριμένο κατασκευαστικό μέρος’: ένα χωριστά συσκευασμένο «στοιχείο κυκλώματος» με τις δικές του εξωτερικές συνδέσεις.

ΣΗΜ. 2: ‘Στοιχείο κυκλώματος’: ένα μεμονωμένο ενεργητικό ή παθητικό λειτουργικό μέρος ηλεκτρονικού κυκλώματος, όπως δίοδος, τρανζίστορ, αντίσταση ή ένας πυκνωτής κ.λπ.

«Ακατέργαστα υποστρώματα» (3 6) είναι μονολιθικές ενώσεις με κατάλληλες διαστάσεις για την παραγωγή οπτικών στοιχείων όπως είναι κάτοπτρα ή φακοί.

«Υποενότητα τοξίνης» (1) είναι ένα δομικά και λειτουργικά ανεξάρτητο δομικό στοιχείο μιας πλήρους «τοξίνης».

«Υπερκράματα» (2 9) είναι κράματα βασιζόμενα στο νικέλιο, το κοβάλτιο ή το σίδηρο, τα οποία έχουν ανώτερη αντοχή από οποιαδήποτε άλλα κράματα της σειράς ΑΙSI 300 σε θερμοκρασίες 922 Κ (649 °C) υπό δυσμενείς συνθήκες περιβάλλοντος και λειτουργίας.

«Υπεραγώγιμα» (1 3 5 6 8) είναι υλικά, όπως μέταλλα, κράματα ή ενώσεις τα οποία παύουν να έχουν ηλεκτρική αντίσταση, δηλαδή τα οποία αποκτούν άπειρη ηλεκτρική αγωγιμότητα και είναι σε θέση να διοχετεύσουν πολύ υψηλές ηλεκτρικές εντάσεις χωρίς θερμικές απώλειες.

ΣΗΜ.: Η «υπεραγώγιμη» κατάσταση ενός υλικού χαρακτηρίζεται από μια «κρίσιμη θερμοκρασία», ένα κρίσιμο μαγνητικό πεδίο, το οποίο είναι συνάρτηση της θερμοκρασίας, και μια κρίσιμη πυκνότητα εντάσεως η οποία είναι επίσης συνάρτηση του μαγνητικού πεδίου και της θερμοκρασίας.

«Λέιζερ πολύ μεγάλης ισχύος» (SHPL) (6) είναι ένα «λέιζερ» ικανό να αποδώσει στην έξοδο (το σύνολο ή μέρος του συνόλου) ενέργειες άνω του 1 kJ εντός 50 ms ή μέση ισχύ ή CW άνω των 20 kW.

«Υπερπλαστική μορφοποίηση» (1 2) είναι η θερμική διαμόρφωση μετάλλων των οποίων η επιμήκυνση θραύσης υπό κανονική θερμοκρασία είναι χαμηλή (κάτω του 20 %) στο σημείο θραύσης, το οποίο καθορίζεται σε θερμοκρασία δωματίου με συμβατικές δοκιμές αντίστασης εφελκυσμού, προκειμένου να επιτευχθεί επιμήκυνση διπλάσια των τιμών αυτών.

«Συμμετρικός αλγόριθμος» (5) είναι ο κρυπτογραφικός αλγόριθμος που χρησιμοποιεί την ίδια κλείδα για την κρυπτογράφηση και την αποκρυπτογράφηση.

ΣΗΜ.: Μια συνήθης χρήση «συμμετρικών αλγορίθμων» είναι η εμπιστευτικότητα των δεδομένων.

«Δεδομένα εντοπισμού» (6) είναι επεξεργασμένες, συσχετισμένες και ενημερωμένες πληροφορίες σχετικά με τη θέση πτήσεως αεροσκαφών οι οποίες παρέχονται στους ελεγκτές εναερίου κυκλοφορίας. (Ο συσχετισμός γίνεται μεταξύ των δεδομένων ραδιοεντοπισμού και των θέσεων αεροσκαφών σύμφωνα με το πρόγραμμα πτήσεων).

«Συστολικός σύστοιχος υπολογιστής» (4) είναι ένας υπολογιστής όπου η ροή και η μετατροπή των δεδομένων ελέγχεται δυναμικά από το χρήστη σε επίπεδο λογικής πύλης.

«Ταινία» (1) είναι ένα υλικό κατασκευασμένο από συμπεπλεγμένα ή μονής κατεύθυνσης «μονόκλωνα νήματα», ‘έμβολα’, «πιλήματα», «τίλματα» ή «νήματα» κ.λπ. συνήθως προεμποτισμένα με ρητίνη.

ΣΗΜ.: ‘Έμβολο’ είναι η δέσμη «μονοκλώνων νημάτων» (τυπικά άνω των 200) με περίπου παράλληλη διάταξη.

«Τεχνολογία» (GTN NTN όλα) είναι οι εξειδικευμένες πληροφορίες που απαιτούνται για την «ανάπτυξη», την «παραγωγή» ή τη «χρήση» προϊόντων. Οι πληροφορίες αυτές λαμβάνουν τη μορφή ‘τεχνικών δεδομένων’ ή ‘τεχνικής βοήθειας’.

ΣΗΜ. 1: Η ‘τεχνική βοήθεια’ είναι δυνατόν να λάβει τη μορφή παροχής οδηγιών, ανάπτυξης ικανοτήτων, κατάρτισης, μετάδοσης επαγγελματικής πείρας και παροχής συμβουλών και να συνοδεύεται από τη μετάβαση ‘τεχνικών δεδομένων’.

ΣΗΜ. 2: Τα ‘τεχνικά δεδομένα’ είναι δυνατό να λάβουν τη μορφή οδηγιών κατασκευής, σχεδίων, διαδρομών, μοντέλων, μαθηματικών τύπων, πινάκων, μηχανολογικών σχεδίων και προδιαγραφών, εγχειριδίων και οδηγιών υπό μορφή γραπτού κειμένου ή σε μαγνητική εγγραφή διάφορα μέσα ή διατάξεις όπως είναι οι μαγνητικοί δίσκοι, οι μαγνητοταινίες, οι μνήμες ROM.

«Τρισδιάστατο ολοκληρωμένο κύκλωμα» (3) είναι μια συλλογή μητρών ημιαγωγού, ολοκληρωμένων μεταξύ τους, όπου διασυνδέσεις περνούν πλήρως διαμέσου τουλάχιστον μιας μήτρας για τη δημιουργία διασυνδέσεων μεταξύ μητρών.

«Ανακλινόμενη άτρακτος» (2) είναι ένας βραχίονας που συγκρατεί εργαλείο ο οποίος μεταβάλλει, κατά τη διάρκεια της μηχανικής κατεργασίας, τη γωνιακή θέση του κεντρικού του άξονα σε σχέση με οποιονδήποτε άλλο άξονα.

«Χρονική σταθερά» (6) είναι ο χρόνος ο οποίος απαιτείται ώστε η αύξηση του ρεύματος η οποία οφείλεται σε ένα φωτεινό ερέθισμα να φθάσει την τιμή 1-1/e φορές της τελικής της τιμής (δηλαδή το 63 % της τελικής της τιμής).

«Στεφάνη (προστατευτικό περίβλημα) ακροπτερυγίου» (9) είναι ένα σταθερό δακτυλιακό εξάρτημα, είτε συμπαγές είτε σπονδυλωτό, προσκολλημένο στην εσωτερική επιφάνεια του περιβλήματος του αεριοστροβίλου κινητήρα, ή ένα στοιχείο του εξωτερικού άκρου του πτερυγίου του αεριοστροβίλου, βασική λειτουργία του οποίου είναι να αποτελεί αεριοσφραγίδα μεταξύ του σταθερού και του κινητού στοιχείου.

«Πλήρης έλεγχος πτήσης» (7) είναι πλήρης έλεγχος των μεταβλητών της κατάστασης του «αεροσκάφους» και του ίχνους πτήσης για την αντιμετώπιση στόχων της αποστολής του, που ανταποκρίνονται σε αλλαγές σε πραγματικό χρόνο στοιχείων σχετικά με τους στόχους, τους κινδύνους ή άλλα «αεροσκάφη».

«Συνολικός ρυθμός μεταβίβασης ψηφιακών δεδομένων» (5) είναι ο ρυθμός των bit, συμπεριλαμβανομένου και του κωδικού σύνδεσης, overhead κ.λπ. ανά μονάδα χρόνου ο οποίος διέρχεται μεταξύ των αντίστοιχων συσκευών σε ένα ψηφιακό σύστημα επικοινωνίας.

ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης «Ρυθμός μεταβίβασης ψηφιακών δεδομένων».

«Τίλμα» (1) είναι μια δέσμη «μονοκλώνων νημάτων», συνήθως περίπου παραλλήλων.

«Τοξίνες» (1 2) είναι οι τοξίνες υπό μορφή εκουσίως απομονωμένων σκευασμάτων ή μειγμάτων, ανεξάρτητα από τον τρόπο παρασκευής τους, στις οποίες δεν συμπεριλαμβάνονται οι τοξίνες οι οποίες περιέχονται ως μολυντικές προσμίξεις σε άλλα υλικά όπως παθολογικά δείγματα, φυτά, τρόφιμα ή σπόρια «μικροοργανισμών».

«Τransfer laser» (6) είναι ένα «λέιζερ» στο οποίο τα σωματίδιά του διεγείρονται από την ενέργεια που μεταδίδεται από τη σύγκρουση ατόμων ή μορίων μη φωτοενισχυτικού υλικού με τα άτομα ή τα μόρια του υλικού λέιζερ.

«Συντονίσιμο» (6) είναι ένα λέιζερ το οποίο είναι ικανό να παράγει συνεχές σήμα εξόδου σε όλα τα μήκη κύματος ενός φάσματος περισσότερων αποδιεγέρσεων «λέιζερ». Ένα «λέιζερ» το οποίο εκπέμπει κατ’ επιλογή διάφορα διακεκριμένα μήκη κύματος (φασματικές γραμμές) εντός μιας αποδιεγέρσεως «λέιζερ» δεν θεωρείται ως «συντονίσιμο».

«Μη επανδρωμένο όχημα αέρος» («UAV») (9) είναι αεροσκάφος ικανό να αρχίζει πτήση και να διατηρεί ελεγχόμενη πτήση χωρίς την παρουσία ανθρώπων επ’ αυτού.

«Εμπλουτισμένο ουράνιο ως προς τα ισότοπα 235 ή 233» (0) είναι το ουράνιο που περιέχει τα ισότοπα 235 ή 233, ή και τα δύο σε ποσότητες τέτοιες ώστε ο λόγος περιεκτικότητας του συνόλου αυτών των ισοτόπων προς το ισότοπο 238 να είναι μεγαλύτερος από τον λόγο του ισοτόπου 235 προς το ισότοπο 238 στο φυσικό ουράνιο (λόγος περιεκτικότητας 0,71 %).

«Χρήση» (GTN NTN όλα) είναι η λειτουργία, εγκατάσταση (όπου περιλαμβάνεται η εγκατάσταση στον τόπο λειτουργίας), συντήρηση (έλεγχος), επιδιόρθωση, ανακαίνιση και επανεξοπλισμό.

«Ικανότητα προγραμματισμού από τον χρήστη» (6) είναι η δυνατότητα που παρέχεται στον χρήστη να εισαγάγει, να τροποποιήσει ή να αντικαταστήσει «προγράμματα» με μεθόδους διαφορετικές από:

| α. | Τη φυσική αλλαγή της συνδεσμολογίας ή των διασυνδέσεων, ή |
| --- | --- |

α.

Τη φυσική αλλαγή της συνδεσμολογίας ή των διασυνδέσεων, ή

| β. | Την εφαρμογή μέσων ελέγχου των λειτουργιών, περιλαμβανομένης και της εισαγωγής παραμέτρων. |
| --- | --- |

β.

Την εφαρμογή μέσων ελέγχου των λειτουργιών, περιλαμβανομένης και της εισαγωγής παραμέτρων.

«Εμβόλιο» (1) είναι ένα φαρμακευτικό προϊόν σε φαρμακευτικό σκεύασμα για το οποίο έχει χορηγηθεί γενική άδεια ή άδεια εμπορίας ή κλινικών δοκιμών από τις ρυθμιστικές αρχές είτε της χώρας παρασκευής είτε της χώρας χρήσης, που προορίζεται να προκαλέσει προστατευτική ανοσοποιητική αντίδραση σε ανθρώπους και ζώα για την πρόληψη ασθενειών σε όσους χορηγείται.

«Ψεκασμός εν κενώ» (1) είναι η διαδικασία με την οποία μια ροή τηγμένου μετάλλου μεταβάλλεται σε σταγονίδια διαμέτρου 500 μικρομέτρων και κάτω με την ταχεία έκλυση ενός διαλελυμένου αερίου κατά την είσοδο του τήγματος σε κενό.

«Αεροτομές μεταβλητής γεωμετρίας» (7) είναι η χρήση πτερυγίων η θέση των οποίων είναι δυνατόν να ελέγχεται κατά την πτήση.

«Νήμα» (1) είναι μια δέσμη περιελιγμένων ‘εμβόλων’.

ΣΗΜ.: ‘Έμβολο’ είναι η δέσμη «μονοκλώνων νημάτων» (τυπικά άνω των 200) με περίπου παράλληλη διάταξη.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 0 — ΠΥΡΗΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ, ΕΓΚΑΤΑΣΤΑΣΕΙΣ ΚΑΙ ΕΞΟΠΛΙΣΜΟΣ

0A   Συστήματα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη

| 0A001 | «Πυρηνικοί αντιδραστήρες» και τμήματα εξοπλισμού και κατασκευαστικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα γι’ αυτούς, ως εξής:






  α. | «Πυρηνικοί αντιδραστήρες», |
| --- | --- | --- |

0A001

«Πυρηνικοί αντιδραστήρες» και τμήματα εξοπλισμού και κατασκευαστικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα γι’ αυτούς, ως εξής:

α.

«Πυρηνικοί αντιδραστήρες»,

| β. | Μεταλλικά δοχεία ή μεγάλα μέρη τους, που περιλαμβάνουν την κεφαλή του δοχείου του αντιδραστήρα για δοχείο πιέσεως του αντιδραστήρα, κατασκευασμένα σε μηχανουργείο, ειδικά σχεδιασμένα ή ετοιμασμένα να περιλάβουν τον πυρήνα ενός «πυρηνικού αντιδραστήρα», |
| --- | --- |

β.

Μεταλλικά δοχεία ή μεγάλα μέρη τους, που περιλαμβάνουν την κεφαλή του δοχείου του αντιδραστήρα για δοχείο πιέσεως του αντιδραστήρα, κατασκευασμένα σε μηχανουργείο, ειδικά σχεδιασμένα ή ετοιμασμένα να περιλάβουν τον πυρήνα ενός «πυρηνικού αντιδραστήρα»,

| γ. | Εξοπλισμός χειρισμού ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος για την τοποθέτηση και αφαίρεση καυσίμου σε «πυρηνικό αντιδραστήρα», |
| --- | --- |

γ.

Εξοπλισμός χειρισμού ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος για την τοποθέτηση και αφαίρεση καυσίμου σε «πυρηνικό αντιδραστήρα»,

| δ. | Ράβδοι ελέγχου ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για τον έλεγχο της διεργασίας της σχάσης σε «πυρηνικό αντιδραστήρα», όπου συμπεριλαμβάνεται και η βάση ή η ανάρτηση των ράβδων και οι καθοδηγητικοί μηχανισμοί και σωλήνες των ράβδων, |
| --- | --- |

δ.

Ράβδοι ελέγχου ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για τον έλεγχο της διεργασίας της σχάσης σε «πυρηνικό αντιδραστήρα», όπου συμπεριλαμβάνεται και η βάση ή η ανάρτηση των ράβδων και οι καθοδηγητικοί μηχανισμοί και σωλήνες των ράβδων,

| ε. | Σωλήνες πιέσεως ειδικά σχεδιασμένοι ή κατασκευασμένοι για να περιλάβουν και τα στοιχεία καυσίμου και το πρωτεύον ψυκτικό μέσο σε «πυρηνικό αντιδραστήρα», |
| --- | --- |

ε.

Σωλήνες πιέσεως ειδικά σχεδιασμένοι ή κατασκευασμένοι για να περιλάβουν και τα στοιχεία καυσίμου και το πρωτεύον ψυκτικό μέσο σε «πυρηνικό αντιδραστήρα»,

| στ. | Μεταλλικοί σωλήνες ζιρκονίου ή μεταλλικοί σωλήνες κραμάτων ζιρκονίου (ή συγκροτήματα σωλήνων) ειδικά σχεδιασμένοι ή κατασκευασμένοι προκειμένου να χρησιμοποιηθούν για την επένδυση του καυσίμου σε «πυρηνικό αντιδραστήρα», και σε ποσότητες άνω των 10 kg,


  ΣΗΜ.: Σχετικά με τους σωλήνες πίεσης ζιρκονίου βλέπε 0A001.ε, και για σωλήνες καλάνδριας βλέπε 0A001.η. |
| --- | --- |

στ.

Μεταλλικοί σωλήνες ζιρκονίου ή μεταλλικοί σωλήνες κραμάτων ζιρκονίου (ή συγκροτήματα σωλήνων) ειδικά σχεδιασμένοι ή κατασκευασμένοι προκειμένου να χρησιμοποιηθούν για την επένδυση του καυσίμου σε «πυρηνικό αντιδραστήρα», και σε ποσότητες άνω των 10 kg,

ΣΗΜ.: Σχετικά με τους σωλήνες πίεσης ζιρκονίου βλέπε 0A001.ε, και για σωλήνες καλάνδριας βλέπε 0A001.η.

| ζ. | Αντλίες ή κυκλοφορητές ψυκτικού μέσου ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για την εξασφάλιση της κυκλοφορίας του πρωτεύοντος ψυκτικού μέσου σε «πυρηνικούς αντιδραστήρες», |
| --- | --- |

ζ.

Αντλίες ή κυκλοφορητές ψυκτικού μέσου ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για την εξασφάλιση της κυκλοφορίας του πρωτεύοντος ψυκτικού μέσου σε «πυρηνικούς αντιδραστήρες»,

| η. | «Εσωτερικά στοιχεία πυρηνικών αντιδραστήρων», ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για να χρησιμοποιηθούν σε «πυρηνικό αντιδραστήρα», όπου περιλαμβάνονται οι στύλοι στήριξης του πυρήνα, οι δίαυλοι καυσίμου, οι σωλήνες καλάνδριας, οι θερμικοί θώρακες, τα πετάσματα εκτροπής, τα πετάσματα πλέγματος πυρήνα και τα πετάσματα διαχύτη,


  Τεχνική παρατήρηση:


  Στο σημείο 0Α001.η., ως «εσωτερικά στοιχεία πυρηνικών αντιδραστήρων» νοείται κάθε σημαντική κατασκευή μέσα σε δοχείο αντιδραστήρα που επιτελεί μία ή περισσότερες λειτουργίες όπως να υποβαστάζει τον πυρήνα, να διατηρεί την ευθυγράμμιση του καυσίμου, να κατευθύνει τη ροή του πρωτογενούς ψυκτικού μέσου, να θωρακίζει το δοχείο του αντιδραστήρα κατά της ακτινοβολίας, και να καθοδηγεί τα εντός του πυρήνα όργανα. |
| --- | --- |

η.

«Εσωτερικά στοιχεία πυρηνικών αντιδραστήρων», ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για να χρησιμοποιηθούν σε «πυρηνικό αντιδραστήρα», όπου περιλαμβάνονται οι στύλοι στήριξης του πυρήνα, οι δίαυλοι καυσίμου, οι σωλήνες καλάνδριας, οι θερμικοί θώρακες, τα πετάσματα εκτροπής, τα πετάσματα πλέγματος πυρήνα και τα πετάσματα διαχύτη,

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 0Α001.η., ως «εσωτερικά στοιχεία πυρηνικών αντιδραστήρων» νοείται κάθε σημαντική κατασκευή μέσα σε δοχείο αντιδραστήρα που επιτελεί μία ή περισσότερες λειτουργίες όπως να υποβαστάζει τον πυρήνα, να διατηρεί την ευθυγράμμιση του καυσίμου, να κατευθύνει τη ροή του πρωτογενούς ψυκτικού μέσου, να θωρακίζει το δοχείο του αντιδραστήρα κατά της ακτινοβολίας, και να καθοδηγεί τα εντός του πυρήνα όργανα.

| θ. | Εναλλάκτες θερμότητας ως εξής:






  1. | Ατμογεννήτριες ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για το πρωτεύον ή ενδιάμεσο ψυκτικό κύκλωμα «πυρηνικού αντιδραστήρα», |
| --- | --- | --- |

θ.

Εναλλάκτες θερμότητας ως εξής:

1.

Ατμογεννήτριες ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για το πρωτεύον ή ενδιάμεσο ψυκτικό κύκλωμα «πυρηνικού αντιδραστήρα»,

| 2. | Άλλοι εναλλάκτες θερμότητας ειδικά σχεδιασμένοι ή κατασκευασμένοι για να χρησιμοποιηθούν στο πρωτεύον ψυκτικό κύκλωμα «πυρηνικού αντιδραστήρα», |
| --- | --- |

2.

Άλλοι εναλλάκτες θερμότητας ειδικά σχεδιασμένοι ή κατασκευασμένοι για να χρησιμοποιηθούν στο πρωτεύον ψυκτικό κύκλωμα «πυρηνικού αντιδραστήρα»,

Σημείωση: Το 0A001.θ. δεν ελέγχει εναλλάκτες θερμότητας για τα υποστηρικτικά συστήματα του αντιδραστήρα, π.χ. το ψυκτικό σύστημα έκτακτης ανάγκης ή το ψυκτικό σύστημα θερμότητας των ραδιενεργών διασπάσεων.

| ι. | Ανιχνευτές μέτρησης νετρονίων, ειδικά σχεδιασμένοι ή κατασκευασμένοι για τον προσδιορισμό της ροής νετρονίων μέσα στον πυρήνα «πυρηνικού αντιδραστήρα», |
| --- | --- |

ι.

Ανιχνευτές μέτρησης νετρονίων, ειδικά σχεδιασμένοι ή κατασκευασμένοι για τον προσδιορισμό της ροής νετρονίων μέσα στον πυρήνα «πυρηνικού αντιδραστήρα»,

| ια. | «Εξωτερικές θερμικές ασπίδες» ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για να χρησιμοποιηθούν σε «πυρηνικό αντιδραστήρα» για τη μείωση της απώλειας θερμότητας, καθώς και για την προστασία του προστατευτικού περιβλήματος του αντιδραστήρα.


  Τεχνική παρατήρηση:


  Στο 0A001.ια ο όρος «εξωτερικές θερμικές ασπίδες» αναφέρεται σε βασικές κατασκευές που τοποθετούνται πάνω από το περίβλημα του αντιδραστήρα και οι οποίες μειώνουν την απώλεια θερμότητας από τον αντιδραστήρα και τη θερμοκρασία στο εσωτερικό του προστατευτικού περιβλήματος του αντιδραστήρα. |
| --- | --- |

ια.

«Εξωτερικές θερμικές ασπίδες» ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για να χρησιμοποιηθούν σε «πυρηνικό αντιδραστήρα» για τη μείωση της απώλειας θερμότητας, καθώς και για την προστασία του προστατευτικού περιβλήματος του αντιδραστήρα.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο 0A001.ια ο όρος «εξωτερικές θερμικές ασπίδες» αναφέρεται σε βασικές κατασκευές που τοποθετούνται πάνω από το περίβλημα του αντιδραστήρα και οι οποίες μειώνουν την απώλεια θερμότητας από τον αντιδραστήρα και τη θερμοκρασία στο εσωτερικό του προστατευτικού περιβλήματος του αντιδραστήρα.

0B   Εξοπλισμός Δοκιμών, Ελέγχου και Παραγωγής

| 0B001 | Εγκαταστάσεις για τον διαχωρισμό των ισοτόπων «φυσικού ουρανίου», «εξαντλημένου ουρανίου» και «ειδικών σχάσιμων υλικών» και εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος για τον σκοπό αυτό, ως εξής:






  α. | Εγκαταστάσεις ειδικά σχεδιασμένες για το διαχωρισμό ισοτόπων «φυσικού ουρανίου», «εξαντλημένου ουρανίου» και «ειδικών σχάσιμων υλικών», ως ακολούθως:






  1. | Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με αέριο φυγοκέντρηση, |
| --- | --- | --- | --- |

0B001

Εγκαταστάσεις για τον διαχωρισμό των ισοτόπων «φυσικού ουρανίου», «εξαντλημένου ουρανίου» και «ειδικών σχάσιμων υλικών» και εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος για τον σκοπό αυτό, ως εξής:

α.

Εγκαταστάσεις ειδικά σχεδιασμένες για το διαχωρισμό ισοτόπων «φυσικού ουρανίου», «εξαντλημένου ουρανίου» και «ειδικών σχάσιμων υλικών», ως ακολούθως:

1.

Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με αέριο φυγοκέντρηση,

| 2. | Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με αέριο διάχυση, |
| --- | --- |

2.

Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με αέριο διάχυση,

| 3. | Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με αεροδυναμικές μεθόδους, |
| --- | --- |

3.

Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με αεροδυναμικές μεθόδους,

| 4. | Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με χημική ανταλλαγή, |
| --- | --- |

4.

Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με χημική ανταλλαγή,

| 5. | Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με ανταλλαγή ιόντων, |
| --- | --- |

5.

Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με ανταλλαγή ιόντων,

| 6. | Εγκαταστάσεις διαχωρισμού ισοτόπων με λέιζερ ατομικού ατμού (AVLIS), |
| --- | --- |

6.

Εγκαταστάσεις διαχωρισμού ισοτόπων με λέιζερ ατομικού ατμού (AVLIS),

| 7. | Εγκαταστάσεις διαχωρισμού ισοτόπων με μοριακό λέιζερ (MLIS), |
| --- | --- |

7.

Εγκαταστάσεις διαχωρισμού ισοτόπων με μοριακό λέιζερ (MLIS),

| 8. | Εγκαταστάσεις διαχωρισμού πλάσματος, |
| --- | --- |

8.

Εγκαταστάσεις διαχωρισμού πλάσματος,

| 9. | Ηλεκτρομαγνητικές εγκαταστάσεις διαχωρισμού, |
| --- | --- |

9.

Ηλεκτρομαγνητικές εγκαταστάσεις διαχωρισμού,

| β. | Φυγοκεντρητήρες αερίων, συγκροτήματα και κατασκευαστικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για το διαχωρισμό με αεριοφυγοκέντρηση, ως εξής:


  Τεχνική παρατήρηση:


  Στο 0B001.β, ως «υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα» νοούνται τα εξής:








  1. | Βαμμένος χάλυβας μαρτενγήρανσης με ανώτατο όριο εφελκυσμού 1,95 MPa και άνω, |
| --- | --- | --- |

β.

Φυγοκεντρητήρες αερίων, συγκροτήματα και κατασκευαστικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για το διαχωρισμό με αεριοφυγοκέντρηση, ως εξής:

Τεχνική παρατήρηση:

Στο 0B001.β, ως «υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα» νοούνται τα εξής:

1.

Βαμμένος χάλυβας μαρτενγήρανσης με ανώτατο όριο εφελκυσμού 1,95 MPa και άνω,

| 2. | Κράματα αργιλίου με ανώτατο όριο εφελκυσμού 0,46 MPa και άνω ή |
| --- | --- |

2.

Κράματα αργιλίου με ανώτατο όριο εφελκυσμού 0,46 MPa και άνω ή

| 3. | «Ινώδη ή νηματώδη υλικά» με «ειδικό μέτρο ελαστικότητας» άνω των 3,18 × 106 m και «ειδική αντοχή σε εφελκυσμό» άνω των 7,62 × 104 m, |
| --- | --- |

3.

«Ινώδη ή νηματώδη υλικά» με «ειδικό μέτρο ελαστικότητας» άνω των 3,18 × 106 m και «ειδική αντοχή σε εφελκυσμό» άνω των 7,62 × 104 m,

| 1. | Φυγοκεντρητήρες αερίου, |
| --- | --- |

1.

Φυγοκεντρητήρες αερίου,

| 2. | Πλήρη σύνολα στροφέα, |
| --- | --- |

2.

Πλήρη σύνολα στροφέα,

| 3. | Σωληνωτοί κύλινδροι στροφέα πάχους τοιχώματος 12 mm και κάτω, διαμέτρου μεταξύ 75 mm και 650 mm, κατασκευασμένοι από «υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα», |
| --- | --- |

3.

Σωληνωτοί κύλινδροι στροφέα πάχους τοιχώματος 12 mm και κάτω, διαμέτρου μεταξύ 75 mm και 650 mm, κατασκευασμένοι από «υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα»,

| 4. | Δακτύλιοι ή φυσητήρες με πάχος τοιχώματος 3 mm και κάτω και διάμετρο μεταξύ 75 mm και 650 mm, σχεδιασμένοι για τη στήριξη ενός σωλήνα στροφέα ή για τη συνένωση πολλών τέτοιων σωλήνων, κατασκευασμένοι από «υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα», |
| --- | --- |

4.

Δακτύλιοι ή φυσητήρες με πάχος τοιχώματος 3 mm και κάτω και διάμετρο μεταξύ 75 mm και 650 mm, σχεδιασμένοι για τη στήριξη ενός σωλήνα στροφέα ή για τη συνένωση πολλών τέτοιων σωλήνων, κατασκευασμένοι από «υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα»,

| 5. | Διαφράγματα διαμέτρου μεταξύ 75 mm και 650 mm προοριζόμενα να τοποθετηθούν μέσα σε σωλήνα στροφέα, κατασκευασμένα από «υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα», |
| --- | --- |

5.

Διαφράγματα διαμέτρου μεταξύ 75 mm και 650 mm προοριζόμενα να τοποθετηθούν μέσα σε σωλήνα στροφέα, κατασκευασμένα από «υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα»,

| 6. | Επάνω και κάτω καλύμματα διαμέτρου μεταξύ 75 mm και 650 mm τοποθετούμενα στα άκρα των σωλήνων στροφέα, κατασκευασμένα από «υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα», |
| --- | --- |

6.

Επάνω και κάτω καλύμματα διαμέτρου μεταξύ 75 mm και 650 mm τοποθετούμενα στα άκρα των σωλήνων στροφέα, κατασκευασμένα από «υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα»,

| 7. | Έδρανα μαγνητικής ανάρτησης ως ακολούθως:






  α. | Συγκροτήματα εδράνων αποτελούμενα από έναν δακτυλιοειδή μαγνήτη εξαρτημένο εντός περιβλήματος κατασκευασμένου από ή προστατευμένου με «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6», που περιέχουν αποσβεστικό μέσο και έχουν το μαγνήτη συζευγμένο με εξάρτημα πόλου ή με έναν δεύτερο μαγνήτη τοποθετημένο στην κεφαλή του στροφέα, |
| --- | --- | --- |

7.

Έδρανα μαγνητικής ανάρτησης ως ακολούθως:

α.

Συγκροτήματα εδράνων αποτελούμενα από έναν δακτυλιοειδή μαγνήτη εξαρτημένο εντός περιβλήματος κατασκευασμένου από ή προστατευμένου με «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6», που περιέχουν αποσβεστικό μέσο και έχουν το μαγνήτη συζευγμένο με εξάρτημα πόλου ή με έναν δεύτερο μαγνήτη τοποθετημένο στην κεφαλή του στροφέα,

| β. | Ενεργά μαγνητικά έδρανα ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για να χρησιμοποιηθούν σε φυγοκεντρητήρες αερίων. |
| --- | --- |

β.

Ενεργά μαγνητικά έδρανα ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για να χρησιμοποιηθούν σε φυγοκεντρητήρες αερίων.

| 8. | Ειδικά κατασκευασμένα έδρανα τα οποία περιλαμβάνουν σύνολο σφαιρικού άξονα και σφαιρικής υποδοχής, προσαρμοσμένο σε έναν αποσβεστήρα κραδασμών, |
| --- | --- |

8.

Ειδικά κατασκευασμένα έδρανα τα οποία περιλαμβάνουν σύνολο σφαιρικού άξονα και σφαιρικής υποδοχής, προσαρμοσμένο σε έναν αποσβεστήρα κραδασμών,

| 9. | Μοριακές αντλίες αποτελούμενες από κυλίνδρους οι οποίοι φέρουν εσωτερικώς εκτορευμένες ή εξηλασμένες ελικοειδείς αύλακες και εσωτερικώς εκτορευμένες οπές, |
| --- | --- |

9.

Μοριακές αντλίες αποτελούμενες από κυλίνδρους οι οποίοι φέρουν εσωτερικώς εκτορευμένες ή εξηλασμένες ελικοειδείς αύλακες και εσωτερικώς εκτορευμένες οπές,

| 10. | Δακτυλιοειδείς στάτες κινητήρων για πολυφασικούς κινητήρες AC με υστέρηση για σύγχρονη λειτουργία εντός κενού σε συχνότητα 600 Hz και άνω και σε ισχύ 40 VA και άνω, |
| --- | --- |

10.

Δακτυλιοειδείς στάτες κινητήρων για πολυφασικούς κινητήρες AC με υστέρηση για σύγχρονη λειτουργία εντός κενού σε συχνότητα 600 Hz και άνω και σε ισχύ 40 VA και άνω,

| 11. | Καλύμματα/δοχεία φυγοκεντρητήρων που περιέχουν το συναρμολογημένο σύνολο σωλήνων στροφέα ενός φυγοκεντρητήρα αερίων, αποτελούμενα από άκαμπτο κύλινδρο, πάχους τοιχωμάτων έως 30 mm, με άκρα επεξεργασμένα με υψηλή ακρίβεια, τα οποία είναι παράλληλα μεταξύ τους και κάθετα στον επιμήκη άξονα του κυλίνδρου το πολύ έως 0,05 μοίρες, |
| --- | --- |

11.

Καλύμματα/δοχεία φυγοκεντρητήρων που περιέχουν το συναρμολογημένο σύνολο σωλήνων στροφέα ενός φυγοκεντρητήρα αερίων, αποτελούμενα από άκαμπτο κύλινδρο, πάχους τοιχωμάτων έως 30 mm, με άκρα επεξεργασμένα με υψηλή ακρίβεια, τα οποία είναι παράλληλα μεταξύ τους και κάθετα στον επιμήκη άξονα του κυλίνδρου το πολύ έως 0,05 μοίρες,

| 12. | Απαγωγοί αποτελούμενοι από σωλήνες ειδικά σχεδιασμένους ή κατασκευασμένους για την αφαίρεση αερίου UF6 από το εσωτερικό του σωλήνα του στροφέα με δράση σωλήνος Pitot, οι οποίοι είναι δυνατόν να στερεωθούν στο κεντρικό σύστημα αφαίρεσης αερίου, |
| --- | --- |

12.

Απαγωγοί αποτελούμενοι από σωλήνες ειδικά σχεδιασμένους ή κατασκευασμένους για την αφαίρεση αερίου UF6 από το εσωτερικό του σωλήνα του στροφέα με δράση σωλήνος Pitot, οι οποίοι είναι δυνατόν να στερεωθούν στο κεντρικό σύστημα αφαίρεσης αερίου,

| 13. | Μετατροπείς συχνότητας (μεταλλάκτες ή αναστροφείς) ειδικά σχεδιασμένοι για την τροφοδοσία του στάτη του κινητήρα για τον εμπλουτισμό με αέρια φυγοκέντρηση, με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη των μετατροπέων αυτών:






  α. | Συχνότητα πολυφασικής εξόδου 600 Hz και άνω, και |
| --- | --- | --- |

13.

Μετατροπείς συχνότητας (μεταλλάκτες ή αναστροφείς) ειδικά σχεδιασμένοι για την τροφοδοσία του στάτη του κινητήρα για τον εμπλουτισμό με αέρια φυγοκέντρηση, με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη των μετατροπέων αυτών:

α.

Συχνότητα πολυφασικής εξόδου 600 Hz και άνω, και

| β. | Υψηλή σταθερότητα (με έλεγχο συχνότητας καλύτερο από 0,2 %), |
| --- | --- |

β.

Υψηλή σταθερότητα (με έλεγχο συχνότητας καλύτερο από 0,2 %),

| 14. | Βαλβίδες απομονώσεως και ελέγχου ως ακολούθως:






  α. | Βαλβίδες απομονώσεως ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για να λειτουργούν στην τροφοδοσία, στα προϊόντα ή στα υπολείμματα ροών αερίου UF6 ενός επιμέρους φυγοκεντρητήρα αερίων, |
| --- | --- | --- |

14.

Βαλβίδες απομονώσεως και ελέγχου ως ακολούθως:

α.

Βαλβίδες απομονώσεως ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για να λειτουργούν στην τροφοδοσία, στα προϊόντα ή στα υπολείμματα ροών αερίου UF6 ενός επιμέρους φυγοκεντρητήρα αερίων,

| β. | Βαλβίδες απομονώσεως ή ελέγχου με διαστολικό σύνδεσμο, κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6», με εσωτερική διάμετρο 10 mm έως 160 mm, ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για να χρησιμοποιηθούν σε κύρια ή βοηθητικά συστήματα εγκαταστάσεων εμπλουτισμού με αέρια φυγοκέντρηση, |
| --- | --- |

β.

Βαλβίδες απομονώσεως ή ελέγχου με διαστολικό σύνδεσμο, κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6», με εσωτερική διάμετρο 10 mm έως 160 mm, ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για να χρησιμοποιηθούν σε κύρια ή βοηθητικά συστήματα εγκαταστάσεων εμπλουτισμού με αέρια φυγοκέντρηση,

| γ. | Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τον διαχωρισμό με αέριο διάχυση, ως ακολούθως:






  1. | Πετάσματα αερίου διαχύσεως από πορώδη μεταλλικά, πολυμερή ή κεραμικά «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6» με μέγεθος πόρων 10 έως 100 nm, πάχους 5 mm και κάτω και, στην περίπτωση σωληνωτής μορφής, διαμέτρου 25 mm και κάτω, |
| --- | --- | --- |

γ.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τον διαχωρισμό με αέριο διάχυση, ως ακολούθως:

1.

Πετάσματα αερίου διαχύσεως από πορώδη μεταλλικά, πολυμερή ή κεραμικά «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6» με μέγεθος πόρων 10 έως 100 nm, πάχους 5 mm και κάτω και, στην περίπτωση σωληνωτής μορφής, διαμέτρου 25 mm και κάτω,

| 2. | Περιβλήματα διαχύτη αερίου κατασκευασμένα ή φέροντα προστασία από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6», |
| --- | --- |

2.

Περιβλήματα διαχύτη αερίου κατασκευασμένα ή φέροντα προστασία από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6»,

| 3. | Συμπιεστές ή φυσητήρες αερίων, με δυναμικότητα αναρρόφησης όγκου 1 m3/min UF6 και πλέον, πίεση εκκένωσης μέχρι 500 kPa, και μέγιστο λόγο πίεσης 10:1, κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6», |
| --- | --- |

3.

Συμπιεστές ή φυσητήρες αερίων, με δυναμικότητα αναρρόφησης όγκου 1 m3/min UF6 και πλέον, πίεση εκκένωσης μέχρι 500 kPa, και μέγιστο λόγο πίεσης 10:1, κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6»,

| 4. | Στεγανοποιητικά παρεμβύσματα περιστροφικού άξονα για συμπιεστές ή φυσητήρες που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.γ.3 και σχεδιασμένα για ρυθμό εισροής ρυθμιστικού αερίου κάτω των 1 000 cm3/min, |
| --- | --- |

4.

Στεγανοποιητικά παρεμβύσματα περιστροφικού άξονα για συμπιεστές ή φυσητήρες που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.γ.3 και σχεδιασμένα για ρυθμό εισροής ρυθμιστικού αερίου κάτω των 1 000 cm3/min,

| 5. | Εναλλάκτες θερμότητας κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6» και σχεδιασμένοι για ρυθμό πίεσης διαρροής μικρότερο των 10 Pa ανά ώρα υπό διαφορά πίεσης 100 kPa, |
| --- | --- |

5.

Εναλλάκτες θερμότητας κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6» και σχεδιασμένοι για ρυθμό πίεσης διαρροής μικρότερο των 10 Pa ανά ώρα υπό διαφορά πίεσης 100 kPa,

| 6. | Χειροκίνητες ή αυτόματες βαλβίδες απομονώσεως ή ελέγχου με διαστολικό σύνδεσμο, κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6». |
| --- | --- |

6.

Χειροκίνητες ή αυτόματες βαλβίδες απομονώσεως ή ελέγχου με διαστολικό σύνδεσμο, κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6».

| δ. | Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη διαδικασία αεροδυναμικού διαχωρισμού, ως ακολούθως:






  1. | Ακροφύσια διαχωρισμού αποτελούμενα από καμπύλους σωληνίσκους υπό μορφή εγκοπής με ακτίνα καμπυλότητας μικρότερη από 1 mm, ανθεκτικούς στη διάβρωση από UF6, τα οποία φέρουν διαχωριστική λεπίδα εντός του ακροφυσίου, η οποία διαχωρίζει το αέριο που διέρχεται από το ακροφύσιο σε δύο ρεύματα, |
| --- | --- | --- |

δ.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη διαδικασία αεροδυναμικού διαχωρισμού, ως ακολούθως:

1.

Ακροφύσια διαχωρισμού αποτελούμενα από καμπύλους σωληνίσκους υπό μορφή εγκοπής με ακτίνα καμπυλότητας μικρότερη από 1 mm, ανθεκτικούς στη διάβρωση από UF6, τα οποία φέρουν διαχωριστική λεπίδα εντός του ακροφυσίου, η οποία διαχωρίζει το αέριο που διέρχεται από το ακροφύσιο σε δύο ρεύματα,

| 2. | Κυλινδρικοί ή κωνικοί σωλήνες (σωλήνες περιδινήσεως) κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6», και με μία ή περισσότερες εφαπτομενικές εισαγωγές, |
| --- | --- |

2.

Κυλινδρικοί ή κωνικοί σωλήνες (σωλήνες περιδινήσεως) κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6», και με μία ή περισσότερες εφαπτομενικές εισαγωγές,

| 3. | Συμπιεστές κατασκευασμένοι ή φυσητήρες αερίων φέροντες προστασία από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6», στεγανοποιητικά παρεμβύσματα περιστροφικού άξονα για αυτούς, |
| --- | --- |

3.

Συμπιεστές κατασκευασμένοι ή φυσητήρες αερίων φέροντες προστασία από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6», στεγανοποιητικά παρεμβύσματα περιστροφικού άξονα για αυτούς,

| 4. | Εναλλάκτες θερμότητας κατασκευασμένοι από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6», |
| --- | --- |

4.

Εναλλάκτες θερμότητας κατασκευασμένοι από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6»,

| 5. | Περιβλήματα για τα στοιχεία των συστημάτων διαχωρισμού, κατασκευασμένα ή φέροντα προστασία από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6», για την κάλυψη σωλήνων περιδινήσεως ή ακροφυσίων διαχωρισμού, |
| --- | --- |

5.

Περιβλήματα για τα στοιχεία των συστημάτων διαχωρισμού, κατασκευασμένα ή φέροντα προστασία από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6», για την κάλυψη σωλήνων περιδινήσεως ή ακροφυσίων διαχωρισμού,

| 6. | Χειροκίνητες ή αυτόματες βαλβίδες απομονώσεως ή ελέγχου με διαστολικό σύνδεσμο, κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6», με διάμετρο 40 mm και άνω, |
| --- | --- |

6.

Χειροκίνητες ή αυτόματες βαλβίδες απομονώσεως ή ελέγχου με διαστολικό σύνδεσμο, κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6», με διάμετρο 40 mm και άνω,

| 7. | Συστήματα επεξεργασίας για το διαχωρισμό του UF6 από το φέρον αέριο (υδρογόνο ή ήλιο) με περιεκτικότητα σε UF6 το πολύ 1 ppm, στα οποία περιλαμβάνονται:






  α. | Κρυογονικοί εναλλάκτες θερμότητας και κρυοδιαχωριστές ικανοί να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 153 K (- 120 °C) ή χαμηλότερες, |
| --- | --- | --- |

7.

Συστήματα επεξεργασίας για το διαχωρισμό του UF6 από το φέρον αέριο (υδρογόνο ή ήλιο) με περιεκτικότητα σε UF6 το πολύ 1 ppm, στα οποία περιλαμβάνονται:

α.

Κρυογονικοί εναλλάκτες θερμότητας και κρυοδιαχωριστές ικανοί να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 153 K (- 120 °C) ή χαμηλότερες,

| β. | Κρυογονικές μονάδες ψύξεως ικανές να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 153 K (- 120 °C) ή χαμηλότερες, |
| --- | --- |

β.

Κρυογονικές μονάδες ψύξεως ικανές να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 153 K (- 120 °C) ή χαμηλότερες,

| γ. | Μονάδες ακροφυσίων διαχωρισμού ή σωλήνων περιδινήσεως για τον διαχωρισμό του UF6 από το φέρον αέριο, |
| --- | --- |

γ.

Μονάδες ακροφυσίων διαχωρισμού ή σωλήνων περιδινήσεως για τον διαχωρισμό του UF6 από το φέρον αέριο,

| δ. | Ψυχρές παγίδες UF6 ικανές να ψύχουν το UF6, |
| --- | --- |

δ.

Ψυχρές παγίδες UF6 ικανές να ψύχουν το UF6,

| ε. | Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη διαδικασία χημικού διαχωρισμού, ως ακολούθως:






  1. | Παλμικές στήλες ταχείας ανταλλαγής υγρού-υγρού, με χρόνους διαδικασίας το πολύ 30 sec και ανθεκτικές στο πυκνό υδροχλωρικό οξύ (π.χ. κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από κατάλληλα πλαστικά υλικά, όπως φθοριωμένα πολυμερή υδρογονανθράκων ή ύαλο), |
| --- | --- | --- |

ε.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη διαδικασία χημικού διαχωρισμού, ως ακολούθως:

1.

Παλμικές στήλες ταχείας ανταλλαγής υγρού-υγρού, με χρόνους διαδικασίας το πολύ 30 sec και ανθεκτικές στο πυκνό υδροχλωρικό οξύ (π.χ. κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από κατάλληλα πλαστικά υλικά, όπως φθοριωμένα πολυμερή υδρογονανθράκων ή ύαλο),

| 2. | Φυγοκεντρικοί εκχειλιστές υγρού-υγρού ταχείας ανταλλαγής, με χρόνους διαδικασίας το πολύ 30 sec και ανθεκτικοί στο πυκνό υδροχλωρικό οξύ (π.χ. κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από κατάλληλα πλαστικά υλικά όπως φθοριωμένα πολυμερή υδρογονανθράκων ή ύαλο), |
| --- | --- |

2.

Φυγοκεντρικοί εκχειλιστές υγρού-υγρού ταχείας ανταλλαγής, με χρόνους διαδικασίας το πολύ 30 sec και ανθεκτικοί στο πυκνό υδροχλωρικό οξύ (π.χ. κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από κατάλληλα πλαστικά υλικά όπως φθοριωμένα πολυμερή υδρογονανθράκων ή ύαλο),

| 3. | Στοιχεία ηλεκτροχημικής αναγωγής ανθεκτικά στα διαλύματα πυκνού υδροχλωρικού οξέος, κατασκευασμένα για την αναγωγή ουρανίου από μία κατάσταση σθένους σε άλλη, |
| --- | --- |

3.

Στοιχεία ηλεκτροχημικής αναγωγής ανθεκτικά στα διαλύματα πυκνού υδροχλωρικού οξέος, κατασκευασμένα για την αναγωγή ουρανίου από μία κατάσταση σθένους σε άλλη,

| 4. | Εξοπλισμός τροφοδοσίας στοιχείων ηλεκτροχημικής αναγωγής για τη λήψη U+4 από το οργανικό ρεύμα και, όσον αφορά τα τμήματα που ευρίσκονται σε επαφή με το ρεύμα της διαδικασίας, κατασκευασμένος ή με προστασία από κατάλληλα υλικά (π.χ. ύαλος, πολυμερή φθορανθράκων, θειικό πολυφαινύλιο, σουλφονικός πολυαιθέρας και γραφίτης εμποτισμένος με ρητίνες), |
| --- | --- |

4.

Εξοπλισμός τροφοδοσίας στοιχείων ηλεκτροχημικής αναγωγής για τη λήψη U+4 από το οργανικό ρεύμα και, όσον αφορά τα τμήματα που ευρίσκονται σε επαφή με το ρεύμα της διαδικασίας, κατασκευασμένος ή με προστασία από κατάλληλα υλικά (π.χ. ύαλος, πολυμερή φθορανθράκων, θειικό πολυφαινύλιο, σουλφονικός πολυαιθέρας και γραφίτης εμποτισμένος με ρητίνες),

| 5. | Συστήματα προετοιμασίας της τροφοδοσίας για την παραγωγή διαλύματος χλωριούχου ουρανίου υψηλής καθαρότητας, αποτελούμενα από εξοπλισμό διάλυσης, αφαίρεσης του διαλύτη και/ή ανταλλαγής ιόντων για την κάθαρση και ηλεκτρολυτικά στοιχεία για την αναγωγή του U+6 ή U+4 σε U+3, |
| --- | --- |

5.

Συστήματα προετοιμασίας της τροφοδοσίας για την παραγωγή διαλύματος χλωριούχου ουρανίου υψηλής καθαρότητας, αποτελούμενα από εξοπλισμό διάλυσης, αφαίρεσης του διαλύτη και/ή ανταλλαγής ιόντων για την κάθαρση και ηλεκτρολυτικά στοιχεία για την αναγωγή του U+6 ή U+4 σε U+3,

| 6. | Συστήματα οξείδωσης ουρανίου, για την οξείδωση του U+3 σε U+4, |
| --- | --- |

6.

Συστήματα οξείδωσης ουρανίου, για την οξείδωση του U+3 σε U+4,

| στ. | Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη διαδικασία διαχωρισμού μέσω ανταλλαγής ιόντων, ως εξής:






  1. | Ρητίνες ανταλλαγής ιόντων ταχείας αντιδράσεως, υμενοειδείς ή πορώδεις ρητίνες διαμορφωμένες σε μακρο-πλέγμα, στο οποίο οι ενεργές ομάδες χημικής ανταλλαγής περιορίζονται σε ένα επίχρισμα στην επιφάνεια αδρανούς πορώδους βασικής δομής και άλλων συνθετικών δομών οποιασδήποτε κατάλληλης μορφής, περιλαμβανομένων σωματιδίων ή ινών με διαμέτρους το πολύ 0,2 mm, ανθεκτικές στο πυκνό υδροχλωρικό οξύ και κατασκευασμένες ώστε να έχουν χρόνο ημιζωής της ανταλλαγής κάτω των 10 sec και ικανές να λειτουργούν σε θερμοκρασίες στην περιοχή 373 K (100 °C) έως 473 K (200 °C), |
| --- | --- | --- |

στ.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη διαδικασία διαχωρισμού μέσω ανταλλαγής ιόντων, ως εξής:

1.

Ρητίνες ανταλλαγής ιόντων ταχείας αντιδράσεως, υμενοειδείς ή πορώδεις ρητίνες διαμορφωμένες σε μακρο-πλέγμα, στο οποίο οι ενεργές ομάδες χημικής ανταλλαγής περιορίζονται σε ένα επίχρισμα στην επιφάνεια αδρανούς πορώδους βασικής δομής και άλλων συνθετικών δομών οποιασδήποτε κατάλληλης μορφής, περιλαμβανομένων σωματιδίων ή ινών με διαμέτρους το πολύ 0,2 mm, ανθεκτικές στο πυκνό υδροχλωρικό οξύ και κατασκευασμένες ώστε να έχουν χρόνο ημιζωής της ανταλλαγής κάτω των 10 sec και ικανές να λειτουργούν σε θερμοκρασίες στην περιοχή 373 K (100 °C) έως 473 K (200 °C),

| 2. | Στήλες ανταλλαγής ιόντων (κυλινδρικές), διαμέτρου άνω των 1 000 mm, κατασκευασμένες ή με προστασία από υλικά ανθεκτικά στο πυκνό υδροχλωρικό οξύ (π.χ. τιτάνιο ή πλαστικά με βάση φθοράνθρακες) και ικανές να λειτουργούν σε θερμοκρασίες στην περιοχή των 373 K (100 °C) έως 473 K (200 °C) και πιέσεις άνω των 0,7 ΜΡa, |
| --- | --- |

2.

Στήλες ανταλλαγής ιόντων (κυλινδρικές), διαμέτρου άνω των 1 000 mm, κατασκευασμένες ή με προστασία από υλικά ανθεκτικά στο πυκνό υδροχλωρικό οξύ (π.χ. τιτάνιο ή πλαστικά με βάση φθοράνθρακες) και ικανές να λειτουργούν σε θερμοκρασίες στην περιοχή των 373 K (100 °C) έως 473 K (200 °C) και πιέσεις άνω των 0,7 ΜΡa,

| 3. | Συστήματα ανταλλαγής ιόντων αντιστρόφου ροής (χημικά ή ηλεκτροχημικά συστήματα οξείδωσης ή αναγωγής) για την αναγέννηση των χημικών αναγωγικών ή οξειδωτικών ουσιών που χρησιμοποιούνται σε καταιονήσεις εμπλουτισμού ανταλλαγής ιόντων, |
| --- | --- |

3.

Συστήματα ανταλλαγής ιόντων αντιστρόφου ροής (χημικά ή ηλεκτροχημικά συστήματα οξείδωσης ή αναγωγής) για την αναγέννηση των χημικών αναγωγικών ή οξειδωτικών ουσιών που χρησιμοποιούνται σε καταιονήσεις εμπλουτισμού ανταλλαγής ιόντων,

| ζ. | Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για μεθόδους βασισμένες σε ατομικό ατμό, ως ακολούθως:






  1. | Συστήματα εξάτμισης μεταλλικού ουρανίου σχεδιασμένα για να αποδίδουν ισχύ 1 kW και άνω στο στόχο, για χρήση στον εμπλουτισμό λέιζερ, |
| --- | --- | --- |

ζ.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για μεθόδους βασισμένες σε ατομικό ατμό, ως ακολούθως:

1.

Συστήματα εξάτμισης μεταλλικού ουρανίου σχεδιασμένα για να αποδίδουν ισχύ 1 kW και άνω στο στόχο, για χρήση στον εμπλουτισμό λέιζερ,

| 2. | Συστήματα χειρισμού μεταλλικού ουρανίου σε υγρή ή αέρια μορφή ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για το χειρισμό τηγμένου ουρανίου, τηγμένων κραμάτων ουρανίου ή ατμού μεταλλικού ουρανίου για χρήση στον εμπλουτισμό λέιζερ, και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη τους,


  ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 2Α225. |
| --- | --- |

2.

Συστήματα χειρισμού μεταλλικού ουρανίου σε υγρή ή αέρια μορφή ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για το χειρισμό τηγμένου ουρανίου, τηγμένων κραμάτων ουρανίου ή ατμού μεταλλικού ουρανίου για χρήση στον εμπλουτισμό λέιζερ, και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη τους,

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 2Α225.

| 3. | Συγκροτήματα συλλογής προϊόντων και υπολειμμάτων μεταλλικού ουρανίου σε υγρή ή αέρια μορφή, κατασκευασμένα ή φέροντα προστασία από υλικά ανθεκτικά στη θερμότητα και στη διάβρωση από το μεταλλικό ουράνιο σε υγρή ή αέρια μορφή, όπως είναι ο γραφίτης με επένδυση από υττρία ή το ταντάλιο, |
| --- | --- |

3.

Συγκροτήματα συλλογής προϊόντων και υπολειμμάτων μεταλλικού ουρανίου σε υγρή ή αέρια μορφή, κατασκευασμένα ή φέροντα προστασία από υλικά ανθεκτικά στη θερμότητα και στη διάβρωση από το μεταλλικό ουράνιο σε υγρή ή αέρια μορφή, όπως είναι ο γραφίτης με επένδυση από υττρία ή το ταντάλιο,

| 4. | Περιβλήματα τμημάτων διαχωριστών (κυλινδρικά ή παραλληλεπίπεδα δοχεία) για τη συγκράτηση της πηγής ατμών μετάλλου ουρανίου, του εκτοξευτή δέσμης ηλεκτρονίων και των συλλεκτών των προϊόντων και υπολειμμάτων, |
| --- | --- |

4.

Περιβλήματα τμημάτων διαχωριστών (κυλινδρικά ή παραλληλεπίπεδα δοχεία) για τη συγκράτηση της πηγής ατμών μετάλλου ουρανίου, του εκτοξευτή δέσμης ηλεκτρονίων και των συλλεκτών των προϊόντων και υπολειμμάτων,

| 5. | «Λέιζερ» ή συστήματα «λέιζερ» ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τον διαχωρισμό των ισοτόπων του ουρανίου με σταθεροποίηση φασματικής συχνότητας για λειτουργία επί μακρές χρονικές περιόδους.


  ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 6Α005 ΚΑΙ 6Α205. |
| --- | --- |

5.

«Λέιζερ» ή συστήματα «λέιζερ» ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τον διαχωρισμό των ισοτόπων του ουρανίου με σταθεροποίηση φασματικής συχνότητας για λειτουργία επί μακρές χρονικές περιόδους.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 6Α005 ΚΑΙ 6Α205.

| η. | Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για μοριακές μεθόδους ή συστήματα λέιζερ, ως ακολούθως:






  1. | Ακροφύσια υπερηχητικής εκτονώσεως για την ψύξη μειγμάτων UF6 και φέροντος αερίου στους 150 Κ ή χαμηλότερα και κατασκευασμένα από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6» |
| --- | --- | --- |

η.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για μοριακές μεθόδους ή συστήματα λέιζερ, ως ακολούθως:

1.

Ακροφύσια υπερηχητικής εκτονώσεως για την ψύξη μειγμάτων UF6 και φέροντος αερίου στους 150 Κ ή χαμηλότερα και κατασκευασμένα από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6»

| 2. | Κατασκευαστικά τμήματα ή διατάξεις συλλογής προϊόντων ή υπολειμμάτων ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη συλλογή ουρανίου ή υπολειμμάτων ουρανίου έπειτα από φωτισμό με λέιζερ, τα οποία έχουν κατασκευαστεί από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6», |
| --- | --- |

2.

Κατασκευαστικά τμήματα ή διατάξεις συλλογής προϊόντων ή υπολειμμάτων ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη συλλογή ουρανίου ή υπολειμμάτων ουρανίου έπειτα από φωτισμό με λέιζερ, τα οποία έχουν κατασκευαστεί από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6»,

| 3. | Συμπιεστές κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6» και στεγανοποιητικά παρεμβύσματα περιστροφικού άξονα αυτών, |
| --- | --- |

3.

Συμπιεστές κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6» και στεγανοποιητικά παρεμβύσματα περιστροφικού άξονα αυτών,

| 4. | Εξοπλισμός για τη φθορίωση του (στερεού) UF5 σε (αέριο) UF6, |
| --- | --- |

4.

Εξοπλισμός για τη φθορίωση του (στερεού) UF5 σε (αέριο) UF6,

| 5. | Συστήματα επεξεργασίας για τον διαχωρισμό του UF6 από το φέρον αέριο (π.χ. άζωτο, αργό ή άλλο αέριο), όπου συμπεριλαμβάνονται:






  α. | Κρυογονικοί εναλλάκτες θερμότητας και κρυοδιαχωριστές, ικανοί να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 153 K (- 120 °C) ή χαμηλότερες, |
| --- | --- | --- |

5.

Συστήματα επεξεργασίας για τον διαχωρισμό του UF6 από το φέρον αέριο (π.χ. άζωτο, αργό ή άλλο αέριο), όπου συμπεριλαμβάνονται:

α.

Κρυογονικοί εναλλάκτες θερμότητας και κρυοδιαχωριστές, ικανοί να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 153 K (- 120 °C) ή χαμηλότερες,

| β. | Κρυογονικές μονάδες ψύξεως ικανές να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 153 K (- 120 °C) ή χαμηλότερες, |
| --- | --- |

β.

Κρυογονικές μονάδες ψύξεως ικανές να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 153 K (- 120 °C) ή χαμηλότερες,

| γ. | Ψυχρές παγίδες UF6 ικανές να ψύχουν το UF6, |
| --- | --- |

γ.

Ψυχρές παγίδες UF6 ικανές να ψύχουν το UF6,

| 6. | «Λέιζερ» ή συστήματα «λέιζερ» ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τον διαχωρισμό των ισοτόπων του ουρανίου με σταθεροποίηση φασματικής συχνότητας για λειτουργία επί μακρές χρονικές περιόδους.


  ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 6Α005 ΚΑΙ 6Α205. |
| --- | --- |

6.

«Λέιζερ» ή συστήματα «λέιζερ» ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τον διαχωρισμό των ισοτόπων του ουρανίου με σταθεροποίηση φασματικής συχνότητας για λειτουργία επί μακρές χρονικές περιόδους.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 6Α005 ΚΑΙ 6Α205.

| θ. | Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη διαδικασία διαχωρισμού πλάσματος, ως ακολούθως:






  1. | Πηγές ισχύος εκπομπής μικροκυμάτων και κεραίες για την παραγωγή ή την επιτάχυνση ιόντων, με συχνότητα εξόδου άνω των 30 GHz και μέση ισχύ εξόδου άνω των 50 kW, |
| --- | --- | --- |

θ.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη διαδικασία διαχωρισμού πλάσματος, ως ακολούθως:

1.

Πηγές ισχύος εκπομπής μικροκυμάτων και κεραίες για την παραγωγή ή την επιτάχυνση ιόντων, με συχνότητα εξόδου άνω των 30 GHz και μέση ισχύ εξόδου άνω των 50 kW,

| 2. | Πηνία ραδιοσυχνοτήτων για τη διέγερση των ιόντων με συχνότητες λειτουργίας άνω των 100 kHz και ικανά να αντέξουν μέση ισχύ άνω των 40 kW, |
| --- | --- |

2.

Πηνία ραδιοσυχνοτήτων για τη διέγερση των ιόντων με συχνότητες λειτουργίας άνω των 100 kHz και ικανά να αντέξουν μέση ισχύ άνω των 40 kW,

| 3. | Συστήματα παραγωγής πλάσματος ουρανίου, |
| --- | --- |

3.

Συστήματα παραγωγής πλάσματος ουρανίου,

| 4. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

4.

Δεν χρησιμοποιείται,

| 5. | Συγκροτήματα συλλογής προϊόντων και υπολειμμάτων μεταλλικού ουρανίου σε στερεά μορφή, κατασκευασμένα ή φέροντα προστασία από υλικά ανθεκτικά στη θερμότητα και στη διάβρωση από το ουράνιο σε αέρια μορφή, όπως είναι ο γραφίτης με επένδυση από υττρία ή το ταντάλιο, |
| --- | --- |

5.

Συγκροτήματα συλλογής προϊόντων και υπολειμμάτων μεταλλικού ουρανίου σε στερεά μορφή, κατασκευασμένα ή φέροντα προστασία από υλικά ανθεκτικά στη θερμότητα και στη διάβρωση από το ουράνιο σε αέρια μορφή, όπως είναι ο γραφίτης με επένδυση από υττρία ή το ταντάλιο,

| 6. | Περιβλήματα τμημάτων διαχωριστών (κυλινδρικά), για τη συγκράτηση της πηγής πλάσματος ουρανίου, του πηνίου παραγωγής ραδιοσυχνοτήτων και των συλλεκτών των προϊόντων και των υπολειμμάτων και κατασκευασμένα από κατάλληλο μη μαγνητικό υλικό (π.χ. ανοξείδωτο χάλυβα), |
| --- | --- |

6.

Περιβλήματα τμημάτων διαχωριστών (κυλινδρικά), για τη συγκράτηση της πηγής πλάσματος ουρανίου, του πηνίου παραγωγής ραδιοσυχνοτήτων και των συλλεκτών των προϊόντων και των υπολειμμάτων και κατασκευασμένα από κατάλληλο μη μαγνητικό υλικό (π.χ. ανοξείδωτο χάλυβα),

| ι. | Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη διαδικασία ηλεκτρομαγνητικού διαχωρισμού, ως εξής:






  1. | Πηγές ιόντων, απλές ή πολλαπλές, αποτελούμενες από πηγή ατμών, ιονιστή και επιταχυντή δέσμης κατασκευασμένες από κατάλληλα μη μαγνητικά υλικά (π.χ. γραφίτη, ανοξείδωτο χάλυβα ή χαλκό) και ικανές να παρέχουν συνολικό ρεύμα δέσμης ιόντων τάξεως τουλάχιστον 50 mA, |
| --- | --- | --- |

ι.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη διαδικασία ηλεκτρομαγνητικού διαχωρισμού, ως εξής:

1.

Πηγές ιόντων, απλές ή πολλαπλές, αποτελούμενες από πηγή ατμών, ιονιστή και επιταχυντή δέσμης κατασκευασμένες από κατάλληλα μη μαγνητικά υλικά (π.χ. γραφίτη, ανοξείδωτο χάλυβα ή χαλκό) και ικανές να παρέχουν συνολικό ρεύμα δέσμης ιόντων τάξεως τουλάχιστον 50 mA,

| 2. | Πλάκες συλλογής ιόντων για τη συλλογή δεσμών ιόντων εμπλουτισμένου ή εξαντλημένου ουρανίου, αποτελούμενες από δύο ή περισσότερες σχισμές και εσοχές και κατασκευασμένες από κατάλληλα μη μαγνητικά υλικά (π.χ. γραφίτη ή ανοξείδωτο χάλυβα), |
| --- | --- |

2.

Πλάκες συλλογής ιόντων για τη συλλογή δεσμών ιόντων εμπλουτισμένου ή εξαντλημένου ουρανίου, αποτελούμενες από δύο ή περισσότερες σχισμές και εσοχές και κατασκευασμένες από κατάλληλα μη μαγνητικά υλικά (π.χ. γραφίτη ή ανοξείδωτο χάλυβα),

| 3. | Περιβλήματα κενού για ηλεκτρομαγνητικούς διαχωριστές ουρανίου, κατασκευασμένα από μη μαγνητικά υλικά (π.χ. ανοξείδωτο χάλυβα) και σχεδιασμένα για να λειτουργούν σε πιέσεις το πολύ 0,1 Ρa, |
| --- | --- |

3.

Περιβλήματα κενού για ηλεκτρομαγνητικούς διαχωριστές ουρανίου, κατασκευασμένα από μη μαγνητικά υλικά (π.χ. ανοξείδωτο χάλυβα) και σχεδιασμένα για να λειτουργούν σε πιέσεις το πολύ 0,1 Ρa,

| 4. | Τμήματα μαγνητικών πόλων, διαμέτρου άνω των 2 m, |
| --- | --- |

4.

Τμήματα μαγνητικών πόλων, διαμέτρου άνω των 2 m,

| 5. | Τροφοδοτικά ισχύος υψηλής τάσεως για πηγές ιόντων, διαθέτοντα όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Ικανά για συνεχή λειτουργία, |
| --- | --- | --- |

5.

Τροφοδοτικά ισχύος υψηλής τάσεως για πηγές ιόντων, διαθέτοντα όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Ικανά για συνεχή λειτουργία,

| β. | Τάση εξόδου τουλάχιστον 20 000 V, |
| --- | --- |

β.

Τάση εξόδου τουλάχιστον 20 000 V,

| γ. | Ρεύμα εξόδου τουλάχιστον 1 Α, και |
| --- | --- |

γ.

Ρεύμα εξόδου τουλάχιστον 1 Α, και

| δ. | Ρύθμιση τάσεως καλύτερη του 0,01 % για χρονικό διάστημα 8 ωρών, |
| --- | --- |

δ.

Ρύθμιση τάσεως καλύτερη του 0,01 % για χρονικό διάστημα 8 ωρών,

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α227.

| 6. | Τροφοδοτικά ισχύος μαγνητών (υψηλή ισχύς, συνεχές ρεύμα), διαθέτοντα όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Δυνατότητα συνεχούς λειτουργίας, με ρεύμα εξόδου τουλάχιστον 500 Α σε τάση τουλάχιστον 100 V, και |
| --- | --- | --- |

6.

Τροφοδοτικά ισχύος μαγνητών (υψηλή ισχύς, συνεχές ρεύμα), διαθέτοντα όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Δυνατότητα συνεχούς λειτουργίας, με ρεύμα εξόδου τουλάχιστον 500 Α σε τάση τουλάχιστον 100 V, και

| β. | Ρύθμιση ρεύματος ή τάσεως καλύτερη του 0,01 % σε διάστημα 8 ωρών. |
| --- | --- |

β.

Ρύθμιση ρεύματος ή τάσεως καλύτερη του 0,01 % σε διάστημα 8 ωρών.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α226.

0B002

Ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα βοηθητικά συστήματα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ως εξής, για μονάδα διαχωρισμού ισοτόπων που προδιαγράφεται στο 0Β001, κατασκευασμένα ή με προστασία από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6»:

| α. | Αυτόκλειστα τροφοδοσίας, κλίβανοι ή συστήματα που χρησιμοποιούνται για τη διοχέτευση του UF6 στη διαδικασία εμπλουτισμού, |
| --- | --- |

α.

Αυτόκλειστα τροφοδοσίας, κλίβανοι ή συστήματα που χρησιμοποιούνται για τη διοχέτευση του UF6 στη διαδικασία εμπλουτισμού,

| β. | Απεξαχνωτές ή ψυχρές παγίδες που χρησιμεύουν για την αφαίρεση του UF6 από τη διαδικασία εμπλουτισμού για επακόλουθη μεταφορά κατόπιν θερμάνσεως, |
| --- | --- |

β.

Απεξαχνωτές ή ψυχρές παγίδες που χρησιμεύουν για την αφαίρεση του UF6 από τη διαδικασία εμπλουτισμού για επακόλουθη μεταφορά κατόπιν θερμάνσεως,

| γ. | Σταθμοί προϊόντων και υπολειμμάτων για τη μεταφορά του UF6 σε περιέκτες, |
| --- | --- |

γ.

Σταθμοί προϊόντων και υπολειμμάτων για τη μεταφορά του UF6 σε περιέκτες,

| δ. | Σταθμοί υγροποίησης ή στερεοποίησης για την αφαίρεση του UF6 από τη διαδικασία εμπλουτισμού μέσω συμπίεσης, ψύξης και μετατροπής του UF6 σε υγρή ή στερεή μορφή, |
| --- | --- |

δ.

Σταθμοί υγροποίησης ή στερεοποίησης για την αφαίρεση του UF6 από τη διαδικασία εμπλουτισμού μέσω συμπίεσης, ψύξης και μετατροπής του UF6 σε υγρή ή στερεή μορφή,

| ε. | Συστήματα σωληνώσεων και συστήματα διανομής ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη λειτουργία με UF6 σε αέριο διάχυση, φυγοκέντρηση, ή αεροδυναμική καταιόνηση, |
| --- | --- |

ε.

Συστήματα σωληνώσεων και συστήματα διανομής ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη λειτουργία με UF6 σε αέριο διάχυση, φυγοκέντρηση, ή αεροδυναμική καταιόνηση,

| στ. | Συστήματα και αντλίες κενού ως ακολούθως:






  1. | Συστήματα σωληναγωγών κενού, κεφαλές σωληναγωγών κενού ή αντλίες κενού με απορροφητική ικανότητα 5 m3/min και άνω, |
| --- | --- | --- |

στ.

Συστήματα και αντλίες κενού ως ακολούθως:

1.

Συστήματα σωληναγωγών κενού, κεφαλές σωληναγωγών κενού ή αντλίες κενού με απορροφητική ικανότητα 5 m3/min και άνω,

| 2. | Αντλίες κενού ειδικά σχεδιασμένες για χρήση σε ατμόσφαιρες που περιέχουν UF6, κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6», ή |
| --- | --- |

2.

Αντλίες κενού ειδικά σχεδιασμένες για χρήση σε ατμόσφαιρες που περιέχουν UF6, κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6», ή

| 3. | Συστήματα κενού αποτελούμενα από συστήματα σωληναγωγών κενού, κεφαλές σωληναγωγών κενού και αντλίες κενού, και σχεδιασμένα για λειτουργία σε ατμόσφαιρες που περιέχουν UF6, |
| --- | --- |

3.

Συστήματα κενού αποτελούμενα από συστήματα σωληναγωγών κενού, κεφαλές σωληναγωγών κενού και αντλίες κενού, και σχεδιασμένα για λειτουργία σε ατμόσφαιρες που περιέχουν UF6,

| ζ. | Φασματογράφοι μάζας/πηγές ιόντων UF6 που έχουν τη δυνατότητα να λαμβάνουν on-line δείγματα από ροές αερίου UF6 και διαθέτουν όλα τα ακόλουθα:






  1. | Μπορούν να μετρήσουν ιόντα μεγέθους 320 ατομικών μονάδων μάζας ή παραπάνω και έχουν διακριτική ικανότητα καλύτερη από 1 μέρος στα 320, |
| --- | --- | --- |

ζ.

Φασματογράφοι μάζας/πηγές ιόντων UF6 που έχουν τη δυνατότητα να λαμβάνουν on-line δείγματα από ροές αερίου UF6 και διαθέτουν όλα τα ακόλουθα:

1.

Μπορούν να μετρήσουν ιόντα μεγέθους 320 ατομικών μονάδων μάζας ή παραπάνω και έχουν διακριτική ικανότητα καλύτερη από 1 μέρος στα 320,

| 2. | Πηγές ιόντων κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από νικέλιο, κράματα νικελίου-χαλκού με περιεκτικότητα σε νικέλιο 60 % και άνω κατά βάρος, ή κράματα νικελίου-χρωμίου, |
| --- | --- |

2.

Πηγές ιόντων κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από νικέλιο, κράματα νικελίου-χαλκού με περιεκτικότητα σε νικέλιο 60 % και άνω κατά βάρος, ή κράματα νικελίου-χρωμίου,

| 3. | Πηγές ιονισμού μέσω βομβαρδισμού ηλεκτρονίων, και |
| --- | --- |

3.

Πηγές ιονισμού μέσω βομβαρδισμού ηλεκτρονίων, και

| 4. | Διαθέτουν συστήματα συλλεκτών, κατάλληλα για ανάλυση ισοτόπων. |
| --- | --- |

4.

Διαθέτουν συστήματα συλλεκτών, κατάλληλα για ανάλυση ισοτόπων.

0B003

Εγκαταστάσεις για τη μετατροπή ουρανίου και εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος για τον σκοπό αυτό, ως εξής:

| α. | Συστήματα για τη μετατροπή συμπυκνωμένου μεταλλεύματος ουρανίου σε UO3, |
| --- | --- |

α.

Συστήματα για τη μετατροπή συμπυκνωμένου μεταλλεύματος ουρανίου σε UO3,

| β. | Συστήματα για τη μετατροπή του UO3 σε UF6, |
| --- | --- |

β.

Συστήματα για τη μετατροπή του UO3 σε UF6,

| γ. | Συστήματα για τη μετατροπή του UO3 σε UO2, |
| --- | --- |

γ.

Συστήματα για τη μετατροπή του UO3 σε UO2,

| δ. | Συστήματα για τη μετατροπή του UO2 σε UF4, |
| --- | --- |

δ.

Συστήματα για τη μετατροπή του UO2 σε UF4,

| ε. | Συστήματα για τη μετατροπή του UF4 σε UF6, |
| --- | --- |

ε.

Συστήματα για τη μετατροπή του UF4 σε UF6,

| στ. | Συστήματα για τη μετατροπή του UF4 σε μεταλλικό ουράνιο, |
| --- | --- |

στ.

Συστήματα για τη μετατροπή του UF4 σε μεταλλικό ουράνιο,

| ζ. | Συστήματα για τη μετατροπή του UF6 σε UO2, |
| --- | --- |

ζ.

Συστήματα για τη μετατροπή του UF6 σε UO2,

| η. | Συστήματα για τη μετατροπή του UF6 σε UF4, |
| --- | --- |

η.

Συστήματα για τη μετατροπή του UF6 σε UF4,

| θ. | Συστήματα για τη μετατροπή του UO2 σε UCl4. |
| --- | --- |

θ.

Συστήματα για τη μετατροπή του UO2 σε UCl4.

0B004

Εγκαταστάσεις για την παραγωγή ή τη συμπύκνωση βαρέος ύδατος, δευτερίου και ενώσεων δευτερίου, και ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος προς τούτο εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη του εξοπλισμού αυτού, ως εξής:

| α. | Εγκαταστάσεις για την παραγωγή βαρέος ύδατος, δευτερίου ή ενώσεων δευτερίου ως ακολούθως:






  1. | Εγκαταστάσεις ανταλλαγής ύδατος-υδροθείου, |
| --- | --- | --- |

α.

Εγκαταστάσεις για την παραγωγή βαρέος ύδατος, δευτερίου ή ενώσεων δευτερίου ως ακολούθως:

1.

Εγκαταστάσεις ανταλλαγής ύδατος-υδροθείου,

| 2. | Εγκαταστάσεις ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου, |
| --- | --- |

2.

Εγκαταστάσεις ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου,

| β. | Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ως ακολούθως:






  1. | Πύργοι ανταλλαγής ύδατος-υδροθείου με διάμετρο 1,5 μέτρο ή μεγαλύτερη και άνω και ικανότητα λειτουργίας σε πιέσεις 2 MPa και άνω, |
| --- | --- | --- |

β.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ως ακολούθως:

1.

Πύργοι ανταλλαγής ύδατος-υδροθείου με διάμετρο 1,5 μέτρο ή μεγαλύτερη και άνω και ικανότητα λειτουργίας σε πιέσεις 2 MPa και άνω,

| 2. | Μονοσταδιακοί φυγοκεντρικοί φυσητήρες ή συμπιεστές χαμηλής (δηλαδή 0,2 MPa) υπερπίεσης για την κυκλοφορία του αέριου υδροθείου (δηλαδή αερίου με περισσότερο από 70 % H2S), με ικανότητα συνολικής παροχής τουλάχιστον 56 m3/sec όταν λειτουργούν υπό αναρροφητική πίεση 1,8 MPa και άνω, και με στεγανοποιητές σχεδιασμένους για λειτουργία σε ατμόσφαιρα υδροθείου-υγρασίας, |
| --- | --- |

2.

Μονοσταδιακοί φυγοκεντρικοί φυσητήρες ή συμπιεστές χαμηλής (δηλαδή 0,2 MPa) υπερπίεσης για την κυκλοφορία του αέριου υδροθείου (δηλαδή αερίου με περισσότερο από 70 % H2S), με ικανότητα συνολικής παροχής τουλάχιστον 56 m3/sec όταν λειτουργούν υπό αναρροφητική πίεση 1,8 MPa και άνω, και με στεγανοποιητές σχεδιασμένους για λειτουργία σε ατμόσφαιρα υδροθείου-υγρασίας,

| 3. | Πύργοι ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου ύψους 35 μέτρων και άνω, με διάμετρο από 1,5 ως 2,5 μέτρα και ικανότητα λειτουργίας σε πιέσεις άνω των 15 MPa, |
| --- | --- |

3.

Πύργοι ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου ύψους 35 μέτρων και άνω, με διάμετρο από 1,5 ως 2,5 μέτρα και ικανότητα λειτουργίας σε πιέσεις άνω των 15 MPa,

| 4. | Εσωτερικά κατασκευαστικά στοιχεία πύργων, συμπεριλαμβανομένων των βαθμιδωτών επαφέων, και βαθμιδωτές αντλίες, συμπεριλαμβανομένων των βυθιζόμενων αντλιών, για την παραγωγή βαρέος ύδατος με τη μέθοδο της ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου, |
| --- | --- |

4.

Εσωτερικά κατασκευαστικά στοιχεία πύργων, συμπεριλαμβανομένων των βαθμιδωτών επαφέων, και βαθμιδωτές αντλίες, συμπεριλαμβανομένων των βυθιζόμενων αντλιών, για την παραγωγή βαρέος ύδατος με τη μέθοδο της ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου,

| 5. | Διασπαστήρες αμμωνίας σχεδιασμένοι για πιέσεις λειτουργίας άνω των 3 MPa, για την παραγωγή βαρέος ύδατος με τη μέθοδο της ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου, |
| --- | --- |

5.

Διασπαστήρες αμμωνίας σχεδιασμένοι για πιέσεις λειτουργίας άνω των 3 MPa, για την παραγωγή βαρέος ύδατος με τη μέθοδο της ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου,

| 6. | Αναλυτές απορρόφησης υπέρυθρων ακτίνων για την on-line ανάλυση της αναλογίας υδρογόνου-δευτερίου, όπου οι συγκεντρώσεις του δευτερίου είναι ίσες ή μεγαλύτερες από 90 %, |
| --- | --- |

6.

Αναλυτές απορρόφησης υπέρυθρων ακτίνων για την on-line ανάλυση της αναλογίας υδρογόνου-δευτερίου, όπου οι συγκεντρώσεις του δευτερίου είναι ίσες ή μεγαλύτερες από 90 %,

| 7. | Καταλυτικοί καυστήρες για τη μετατροπή εμπλουτισμένου αέριου δευτερίου σε βαρύ ύδωρ με τη μέθοδο της ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου, |
| --- | --- |

7.

Καταλυτικοί καυστήρες για τη μετατροπή εμπλουτισμένου αέριου δευτερίου σε βαρύ ύδωρ με τη μέθοδο της ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου,

| 8. | Πλήρη συστήματα εμπλουτισμού βαρέος ύδατος, ή στήλες για τέτοια συστήματα, ώστε η περιεκτικότητά του σε δευτέριο να το καθιστά κατάλληλο να χρησιμοποιηθεί σε αντιδραστήρα. |
| --- | --- |

8.

Πλήρη συστήματα εμπλουτισμού βαρέος ύδατος, ή στήλες για τέτοια συστήματα, ώστε η περιεκτικότητά του σε δευτέριο να το καθιστά κατάλληλο να χρησιμοποιηθεί σε αντιδραστήρα.

| 9. | Μετατροπείς σύνθεσης ή μονάδες σύνθεσης αμμωνίας που έχουν σχεδιαστεί ή κατασκευαστεί ειδικά για την παραγωγή βαρέος ύδατος με τη μέθοδο της ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου, |
| --- | --- |

9.

Μετατροπείς σύνθεσης ή μονάδες σύνθεσης αμμωνίας που έχουν σχεδιαστεί ή κατασκευαστεί ειδικά για την παραγωγή βαρέος ύδατος με τη μέθοδο της ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου,

0B005

Εγκαταστάσεις ειδικά σχεδιασμένες για την παραγωγή στοιχείων καυσίμου «πυρηνικών αντιδραστήρων» και εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος για τις εγκαταστάσεις αυτές.

Τεχνική παρατήρηση:

Εγκαταστάσεις για την παραγωγή στοιχείων καυσίμου για «πυρηνικούς αντιδραστήρες» περιλαμβάνουν εξοπλισμό ο οποίος:

| 1. | Κανονικά έρχεται σε άμεση επαφή ή χρησιμεύει άμεσα στην κατεργασία ή τον έλεγχο της ροής παραγωγής πυρηνικών υλικών, |
| --- | --- |

1.

Κανονικά έρχεται σε άμεση επαφή ή χρησιμεύει άμεσα στην κατεργασία ή τον έλεγχο της ροής παραγωγής πυρηνικών υλικών,

| 2. | Περιβάλλει με στεγανό περίβλημα τα πυρηνικά υλικά, |
| --- | --- |

2.

Περιβάλλει με στεγανό περίβλημα τα πυρηνικά υλικά,

| 3. | Ελέγχει την ακεραιότητα των περιβλημάτων ή των επισυγκολλήσεων, |
| --- | --- |

3.

Ελέγχει την ακεραιότητα των περιβλημάτων ή των επισυγκολλήσεων,

| 4. | Ελέγχει την τελική κατεργασία του σφραγισμένου καυσίμου, ή |
| --- | --- |

4.

Ελέγχει την τελική κατεργασία του σφραγισμένου καυσίμου, ή

| 5. | Χρησιμοποιείται για τη συναρμολόγηση στοιχείων του αντιδραστήρα. |
| --- | --- |

5.

Χρησιμοποιείται για τη συναρμολόγηση στοιχείων του αντιδραστήρα.

0B006

Εγκαταστάσεις για την επανεπεξεργασία ακτινοβολημένων στοιχείων καυσίμου «πυρηνικών αντιδραστήρων» και εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τις εγκαταστάσεις αυτές.

Σημείωση: Το σημείο 0Β006 περιλαμβάνει:

| α. | Εγκαταστάσεις για την επανεπεξεργασία ακτινοβολημένων στοιχείων καυσίμου «πυρηνικών αντιδραστήρων»· περιλαμβάνονται εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη τα οποία κανονικά έρχονται σε άμεση επαφή και χρησιμεύουν άμεσα για τον έλεγχο του ακτινοβολημένου καυσίμου και των κυριοτέρων ροών κατεργασίας των πυρηνικών υλικών και των προϊόντων σχάσεως, |
| --- | --- |

α.

Εγκαταστάσεις για την επανεπεξεργασία ακτινοβολημένων στοιχείων καυσίμου «πυρηνικών αντιδραστήρων»· περιλαμβάνονται εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη τα οποία κανονικά έρχονται σε άμεση επαφή και χρησιμεύουν άμεσα για τον έλεγχο του ακτινοβολημένου καυσίμου και των κυριοτέρων ροών κατεργασίας των πυρηνικών υλικών και των προϊόντων σχάσεως,

| β. | Μηχανές κοπής ή τεμαχισμού των στοιχείων καυσίμου, δηλαδή τηλεχειριζόμενο εξοπλισμό για την κοπή, τον μικροτεμαχισμό, ή τον ψαλιδισμό ακτινοβολημένων διατάξεων, δεσμών ή ράβδων καυσίμου «πυρηνικών αντιδραστήρων», |
| --- | --- |

β.

Μηχανές κοπής ή τεμαχισμού των στοιχείων καυσίμου, δηλαδή τηλεχειριζόμενο εξοπλισμό για την κοπή, τον μικροτεμαχισμό, ή τον ψαλιδισμό ακτινοβολημένων διατάξεων, δεσμών ή ράβδων καυσίμου «πυρηνικών αντιδραστήρων»,

| γ. | Διαλυτοποιητές, ασφαλείς δεξαμενές για την αποφυγή της κρισιμότητας (π.χ. δακτυλιοειδείς ή ορθογώνιες δεξαμενές μικρής διαμέτρου) ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη διάλυση ακτινοβολημένου καυσίμου «πυρηνικών αντιδραστήρων», με αντοχή στη θερμότητα, τα ισχυρά διαβρωτικά υγρά, και που είναι δυνατόν να τροφοδοτηθούν και να συντηρηθούν με τηλεχειρισμό, |
| --- | --- |

γ.

Διαλυτοποιητές, ασφαλείς δεξαμενές για την αποφυγή της κρισιμότητας (π.χ. δακτυλιοειδείς ή ορθογώνιες δεξαμενές μικρής διαμέτρου) ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη διάλυση ακτινοβολημένου καυσίμου «πυρηνικών αντιδραστήρων», με αντοχή στη θερμότητα, τα ισχυρά διαβρωτικά υγρά, και που είναι δυνατόν να τροφοδοτηθούν και να συντηρηθούν με τηλεχειρισμό,

| δ. | Συσκευές για την εξαγωγή του διαλύτη, όπως στήλες τύπου πλήρωσης (packed) ή παλμικές στήλες, εκχυλιστές αναμεικτικού τύπου ή φυγοκεντρικοί εκχειλιστές, που είναι ανθεκτικές στη διαβρωτική επίδραση του νιτρικού οξέος και ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για να χρησιμοποιηθούν σε εγκαταστάσεις επανεπεξεργασίας ακτινοβολημένου «φυσικού ουρανίου», «εξαντλημένου ουρανίου» ή «ειδικών σχάσιμων υλικών», |
| --- | --- |

δ.

Συσκευές για την εξαγωγή του διαλύτη, όπως στήλες τύπου πλήρωσης (packed) ή παλμικές στήλες, εκχυλιστές αναμεικτικού τύπου ή φυγοκεντρικοί εκχειλιστές, που είναι ανθεκτικές στη διαβρωτική επίδραση του νιτρικού οξέος και ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για να χρησιμοποιηθούν σε εγκαταστάσεις επανεπεξεργασίας ακτινοβολημένου «φυσικού ουρανίου», «εξαντλημένου ουρανίου» ή «ειδικών σχάσιμων υλικών»,

| ε. | Λέβητες συγκράτησης ή αποθήκευσης ειδικά σχεδιασμένους ώστε να είναι ασφαλείς από την άποψη της κρισιμότητας και ανθεκτικοί στη διαβρωτική ενέργεια του νιτρικού οξέος,



  Τεχνική παρατήρηση:


  Οι λέβητες συγκράτησης ή αποθήκευσης είναι δυνατόν να έχουν τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:








  1. | Τοιχώματα ή εσωτερικές κατασκευές με ισοδύναμο βορίου (υπολογιζόμενο για όλα τα δομικά μέρη όπως ορίζεται στη σημείωση του σημείου 0C004) τουλάχιστον 2 %, |
| --- | --- | --- |

ε.

Λέβητες συγκράτησης ή αποθήκευσης ειδικά σχεδιασμένους ώστε να είναι ασφαλείς από την άποψη της κρισιμότητας και ανθεκτικοί στη διαβρωτική ενέργεια του νιτρικού οξέος,

Τεχνική παρατήρηση:

Οι λέβητες συγκράτησης ή αποθήκευσης είναι δυνατόν να έχουν τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Τοιχώματα ή εσωτερικές κατασκευές με ισοδύναμο βορίου (υπολογιζόμενο για όλα τα δομικά μέρη όπως ορίζεται στη σημείωση του σημείου 0C004) τουλάχιστον 2 %,

| 2. | Μέγιστη διάμετρο 175 mm για τα κυλινδρικά δοχεία, ή |
| --- | --- |

2.

Μέγιστη διάμετρο 175 mm για τα κυλινδρικά δοχεία, ή

| 3. | Μέγιστο πλάτος 75 mm για τα ορθογώνια ή τα δακτυλιοειδή δοχεία. |
| --- | --- |

3.

Μέγιστο πλάτος 75 mm για τα ορθογώνια ή τα δακτυλιοειδή δοχεία.

| στ. | Συστήματα μέτρησης νετρονίων ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για ολοκλήρωση και χρήση με αυτοματοποιημένα συστήματα ελέγχου διεργασιών σε εγκαταστάσεις επανεπεξεργασίας ακτινοβολημένου «φυσικού ουρανίου», «εξαντλημένου ουρανίου» ή «ειδικών σχάσιμων υλικών», |
| --- | --- |

στ.

Συστήματα μέτρησης νετρονίων ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για ολοκλήρωση και χρήση με αυτοματοποιημένα συστήματα ελέγχου διεργασιών σε εγκαταστάσεις επανεπεξεργασίας ακτινοβολημένου «φυσικού ουρανίου», «εξαντλημένου ουρανίου» ή «ειδικών σχάσιμων υλικών»,

0B007

Εγκαταστάσεις μετατροπής πλουτωνίου και εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος γι’ αυτές, ως εξής:

| α. | Συστήματα για τη μετατροπή του νιτρικού πλουτωνίου σε οξείδιο του πλουτωνίου, |
| --- | --- |

α.

Συστήματα για τη μετατροπή του νιτρικού πλουτωνίου σε οξείδιο του πλουτωνίου,

| β. | Συστήματα για την παραγωγή μεταλλικού πλουτωνίου. |
| --- | --- |

β.

Συστήματα για την παραγωγή μεταλλικού πλουτωνίου.

0C   Υλικά

| 0C001 | «Φυσικό ουράνιο» ή «εξαντλημένο ουράνιο» ή θόριο υπό μορφή μετάλλου, κράματος, χημικής ένωσης ή συμπυκνώματος καθώς και κάθε άλλο υλικό το οποίο περιέχει ένα ή περισσότερα από τα προηγούμενα υλικά,


  Σημείωση: Το σημείο 0C001 δεν περιλαμβάνει τα εξής:








  α. | Τέσσερα γραμμάρια και κάτω «φυσικό ουράνιο» ή «εξαντλημένο ουράνιο» όταν περιέχεται ως ανιχνευτικό συστατικό σε όργανα, |
| --- | --- | --- |

0C001

«Φυσικό ουράνιο» ή «εξαντλημένο ουράνιο» ή θόριο υπό μορφή μετάλλου, κράματος, χημικής ένωσης ή συμπυκνώματος καθώς και κάθε άλλο υλικό το οποίο περιέχει ένα ή περισσότερα από τα προηγούμενα υλικά,

Σημείωση: Το σημείο 0C001 δεν περιλαμβάνει τα εξής:

α.

Τέσσερα γραμμάρια και κάτω «φυσικό ουράνιο» ή «εξαντλημένο ουράνιο» όταν περιέχεται ως ανιχνευτικό συστατικό σε όργανα,

| β. | «Εξαντλημένο ουράνιο» το οποίο έχει ειδικά παραχθεί για τις ακόλουθες πολιτικές μη πυρηνικές χρήσεις:








  1. | Θωράκιση, |
| --- | --- | --- |

β.

«Εξαντλημένο ουράνιο» το οποίο έχει ειδικά παραχθεί για τις ακόλουθες πολιτικές μη πυρηνικές χρήσεις:

1.

Θωράκιση,

| 2. | Συσκευασία, |
| --- | --- |

2.

Συσκευασία,

| 3. | Έρμα, μάζας όχι μεγαλύτερης των 100 kg, |
| --- | --- |

3.

Έρμα, μάζας όχι μεγαλύτερης των 100 kg,

| 4. | Αντίβαρο, μάζας όχι μεγαλύτερης των 100 kg, |
| --- | --- |

4.

Αντίβαρο, μάζας όχι μεγαλύτερης των 100 kg,

| γ. | Κράματα με θόριο σε ποσοστό κάτω του 5 %, |
| --- | --- |

γ.

Κράματα με θόριο σε ποσοστό κάτω του 5 %,

| δ. | Κεραμικά προϊόντα με θόριο, κατασκευασμένα για μη πυρηνική χρήση. |
| --- | --- |

δ.

Κεραμικά προϊόντα με θόριο, κατασκευασμένα για μη πυρηνική χρήση.

0C002

«Ειδικά σχάσιμα υλικά»

Σημείωση: Το σημείο 0C002 δεν υπάγει σε έλεγχο τις ποσότητες μέχρι και τεσσάρων «ενεργών γραμμαρίων» όταν περιέχονται ως ανιχνευτικό συστατικό σε όργανα.

0C003

Δευτέριο, βαρύ ύδωρ (οξείδιο του δευτερίου) και άλλες ενώσεις δευτερίου, καθώς και μείγματα και διαλύματα τα οποία περιέχουν δευτέριο, όπου η ισοτοπική αναλογία δευτερίου προς υδρογόνο υπερβαίνει το 1:5 000.

0C004

Γραφίτης με καθαρότητα ανώτερη των 5 ppm ‘ισοδυνάμου βορίου’ και πυκνότητα άνω του 1,50 g/cm3 για χρήση σε «πυρηνικό αντιδραστήρα», σε ποσότητες μεγαλύτερες του 1 kg.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 1C107

Σημείωση 1: Με σκοπό τον έλεγχο των εξαγωγών, οι αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους στο οποίο έχει την έδρα του ο εξαγωγέας καθορίζει κατά πόσον οι εξαγωγές γραφίτη που πληρούν τις ως άνω προδιαγραφές είναι για «χρήση σε πυρηνικό αντιδραστήρα».

Σημείωση 2: Στο σημείο 0C004, το ‘ισοδύναμο βορίου’ (BE) ορίζεται ως το άθροισμα των BEz για τις προσμίξεις (πλην του BEC, αφού ο άνθρακας δεν θεωρείται πρόσμιξη), συμπεριλαμβανομένου του βορίου, όπου:

BEz (ppm) = CF × συγκέντρωση στοιχείου Z σε ppm,

Formula

και σΒ και σΖ είναι αντιστοίχως οι διατομές δεσμεύσεως θερμικών νετρονίων του φυσικού βορίου και του στοιχείου Z (σε barn), ενώ AB και AZ είναι αντιστοίχως οι ατομικές μάζες του φυσικού βορίου και του στοιχείου Z.

0C005

Ενώσεις ή σκόνες ειδικά κατασκευασμένες για την παραγωγή διαφραγμάτων αερίου διαχύσεως, ανθεκτικές στη διάβρωση από το UF6 (π.χ. νικέλιο ή κράμα με περιεκτικότητα σε νικέλιο 60 % και άνω κατά βάρος, οξείδιο του αργιλίου και πλήρως φθοριωμένα πολυμερή υδρογονανθράκων), με καθαρότητα 99,9 % κατά βάρος και άνω και μέγεθος σωματιδίων κάτω των 10 μm μετρημένο βάσει του προτύπου B330 της American Society for Testing and Materials (Αμερικανική Εταιρεία Δοκιμών και Υλικών) (ASTM) και με υψηλό βαθμό ομοιογένειας των σωματιδίων.

0D   Λογισμικό

| 0D001 | «Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» ή «χρήση» προϊόντων που καθορίζονται σε αυτήν την κατηγορία. |
| --- | --- |

0D001

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» ή «χρήση» προϊόντων που καθορίζονται σε αυτήν την κατηγορία.

0E   Τεχνολογία

| 0E001 | «Τεχνολογία» σύμφωνα με το σημείωμα για την Πυρηνική Τεχνολογία για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» ή «χρήση» προϊόντων που περιγράφονται σε αυτήν την κατηγορία. |
| --- | --- |

0E001

«Τεχνολογία» σύμφωνα με το σημείωμα για την Πυρηνική Τεχνολογία για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» ή «χρήση» προϊόντων που περιγράφονται σε αυτήν την κατηγορία.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 1 — ΕΙΔΙΚΑ ΥΛΙΚΑ ΚΑΙ ΣΥΝΑΦΗΣ ΕΞΟΠΛΙΣΜΟΣ

1A   Συστήματα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη

| 1A001 | Εξαρτήματα από φθοριωμένα προϊόντα, ως εξής:






  α. | Παρεμβύσματα, φλάντζες, σφραγιστικά ή πλωτήρες καυσίμου ειδικά σχεδιασμένα για «αεροπλάνα» ή διαστημικά σκάφη, κατασκευασμένα από οποιοδήποτε υλικό που ορίζεται στο σημείο 1C009.β. ή 1C009.γ., σε αναλογία 50 % και άνω, |
| --- | --- | --- |

1A001

Εξαρτήματα από φθοριωμένα προϊόντα, ως εξής:

α.

Παρεμβύσματα, φλάντζες, σφραγιστικά ή πλωτήρες καυσίμου ειδικά σχεδιασμένα για «αεροπλάνα» ή διαστημικά σκάφη, κατασκευασμένα από οποιοδήποτε υλικό που ορίζεται στο σημείο 1C009.β. ή 1C009.γ., σε αναλογία 50 % και άνω,

| β. | Πιεζοηλεκτρικά πολυμερή και συμπολυμερή κατασκευασμένα από φθοριούχο βινυλιδένιο (CAS 75-38-7) που ορίζεται στο σημείο 1C009.α., με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | σε φύλλα ή σε φιλμ, και |
| --- | --- | --- |

β.

Πιεζοηλεκτρικά πολυμερή και συμπολυμερή κατασκευασμένα από φθοριούχο βινυλιδένιο (CAS 75-38-7) που ορίζεται στο σημείο 1C009.α., με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

σε φύλλα ή σε φιλμ, και

| 2. | πάχους ανωτέρου των 200 μm, |
| --- | --- |

2.

πάχους ανωτέρου των 200 μm,

| γ. | Παρεμβύσματα, φλάντζες, έδρες βαλβίδων, πλωτήρες ή διαφράγματα που διαθέτουν όλα τα εξής:






  1. | Είναι κατασκευασμένα από φθοριοελαστομερή περιέχοντα τουλάχιστον μία βινυλαιθερική ομάδα ως συστατική μονάδα, και |
| --- | --- | --- |

γ.

Παρεμβύσματα, φλάντζες, έδρες βαλβίδων, πλωτήρες ή διαφράγματα που διαθέτουν όλα τα εξής:

1.

Είναι κατασκευασμένα από φθοριοελαστομερή περιέχοντα τουλάχιστον μία βινυλαιθερική ομάδα ως συστατική μονάδα, και

| 2. | είναι ειδικά σχεδιασμένα για «αεροπλάνα», διαστημικά σκάφη ή «βλήματα». |
| --- | --- |

2.

είναι ειδικά σχεδιασμένα για «αεροπλάνα», διαστημικά σκάφη ή «βλήματα».

Σημείωση: Στο σημείο 1Α001.γ, ως «βλήματα» νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος.

1A002

«Σύνθετες» δομές ή ελάσματα, που έχουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:

ΣΗΜ.: ΒΛ. ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 1Α202, 9Α010 ΚΑΙ 9Α110

| α. | Αποτελούμενα από οργανική «μήτρα» και από υλικά που ορίζονται στα σημεία 1C010.γ., 1C010.δ. ή 1C010.ε., ή |
| --- | --- |

α.

Αποτελούμενα από οργανική «μήτρα» και από υλικά που ορίζονται στα σημεία 1C010.γ., 1C010.δ. ή 1C010.ε., ή

| β. | Αποτελούμενα από μεταλλική ή ανθρακούχο «μήτρα» και από οτιδήποτε από τα παρακάτω:






  1. | Ανθρακούχα «ινώδη ή νηματώδη υλικά» με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:






  α. | «Ειδικό συντελεστή» άνω των 10,15 × 106 m, και |
| --- | --- | --- | --- |

β.

Αποτελούμενα από μεταλλική ή ανθρακούχο «μήτρα» και από οτιδήποτε από τα παρακάτω:

1.

Ανθρακούχα «ινώδη ή νηματώδη υλικά» με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

α.

«Ειδικό συντελεστή» άνω των 10,15 × 106 m, και

| β. | «Ειδική αντίσταση εφελκυσμού» άνω των 17,7 Χ 104 m, ή |
| --- | --- |

β.

«Ειδική αντίσταση εφελκυσμού» άνω των 17,7 Χ 104 m, ή

| 2. | Υλικά που ορίζονται στο σημείο 1C010.γ. |
| --- | --- |

2.

Υλικά που ορίζονται στο σημείο 1C010.γ.

Σημείωση 1: Στο σημείο 1Α002 δεν υπάγονται σύνθετες δομές ή ελάσματα κατασκευασμένα από υλικά «ινώδους ή νηματώδους» άνθρακα διαποτισμένου με εποξικές ρητίνες, για την επισκευή στοιχείων ή ελασμάτων «πολιτικών αεροσκαφών», με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Εμβαδόν μέχρι 1 m2· |
| --- | --- |

α.

Εμβαδόν μέχρι 1 m2·

| β. | Μήκος που δεν υπερβαίνει τα 2,5 m, και |
| --- | --- |

β.

Μήκος που δεν υπερβαίνει τα 2,5 m, και

| γ. | Πλάτος άνω των 15 mm. |
| --- | --- |

γ.

Πλάτος άνω των 15 mm.

Σημείωση 2: Στο σημείο 1Α002 δεν υπάγονται τα ημικατεργασμένα προϊόντα που έχουν σχεδιαστεί για καθαρά πολιτικές εφαρμογές ως εξής:

| α. | Αθλητικά προϊόντα |
| --- | --- |

α.

Αθλητικά προϊόντα

| β. | Αυτοκινητοβιομηχανία |
| --- | --- |

β.

Αυτοκινητοβιομηχανία

| γ. | Βιομηχανία εργαλειομηχανών |
| --- | --- |

γ.

Βιομηχανία εργαλειομηχανών

| δ. | Ιατρικές εφαρμογές. |
| --- | --- |

δ.

Ιατρικές εφαρμογές.

Σημείωση 3: Στο σημείο 1Α002β.1 δεν υπάγονται τα ημικατεργασμένα προϊόντα που περιέχουν κατ’ ανώτατο όριο δύο διαστάσεις συνυφασμένων νημάτων και έχουν σχεδιαστεί για τις εξής εφαρμογές:

| α. | Μεταλλικές καμίνους θερμικής κατεργασίας μετάλλων |
| --- | --- |

α.

Μεταλλικές καμίνους θερμικής κατεργασίας μετάλλων

| β. | Εξοπλισμό παραγωγής πυριτιούχων συνθετικών κρυστάλλων |
| --- | --- |

β.

Εξοπλισμό παραγωγής πυριτιούχων συνθετικών κρυστάλλων

Σημείωση 4: Στο σημείο 1Α002 δεν υπάγονται τα τελικά προϊόντα τα σχεδιασμένα ειδικά για μια συγκεκριμένη εφαρμογή.

1A003

Προϊόντα από μη τηκόμενα αρωματικά πολυϊμίδια σε φιλμ, φύλλα, ταινίες ή ιμάντες, με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

| α. | Πάχος που υπερβαίνει τα 0,254 mm, ή |
| --- | --- |

α.

Πάχος που υπερβαίνει τα 0,254 mm, ή

| β. | Επιχρισμένα ή ελασμένα με άνθρακα, γραφίτη, μέταλλα ή μαγνητικές ουσίες. |
| --- | --- |

β.

Επιχρισμένα ή ελασμένα με άνθρακα, γραφίτη, μέταλλα ή μαγνητικές ουσίες.

Σημείωση: Στο σημείο 1Α003 δεν υπάγονται προϊόντα που είναι επιχρισμένα ή ελασμένα με χαλκό και έχουν σχεδιαστεί για την παραγωγή ηλεκτρονικών τυπωμένων κυκλωμάτων.

ΣΗΜ.: Για «τηκόμενα» αρωματικά πολυϊμίδια οποιασδήποτε μορφής βλέπε σημείο 1C008.α.3.

1A004

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη προστασίας και ανίχνευσης που δεν είναι ειδικά σχεδιασμένα για στρατιωτική χρήση, ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ, 2B351 ΚΑΙ 2B352.

| α. | Μάσκες ολοκλήρου προσώπου, κάνιστρα διηθήσεως και εξοπλισμός απολύμανσής τους, που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την άμυνα κατά οποιωνδήποτε από τα ακόλουθα και τα ειδικά σχεδιασμένα εξαρτήματά τους:


  Σημείωση: Το σημείο 1A004.α. περιλαμβάνει τις μηχανοκίνητες αναπνευστικές συσκευές φιλτραρίσματος του αέρα (PAPR) που είναι σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για προστασία από παράγοντες ή υλικά, που αναφέρονται στο σημείο 1A004.α.



  Τεχνική παρατήρηση:


  Για τους σκοπούς του σημείου 1A004.α.:








  1. | Οι μάσκες ολοκλήρου προσώπου είναι επίσης γνωστές ως μάσκες αερίου. |
| --- | --- | --- |

α.

Μάσκες ολοκλήρου προσώπου, κάνιστρα διηθήσεως και εξοπλισμός απολύμανσής τους, που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την άμυνα κατά οποιωνδήποτε από τα ακόλουθα και τα ειδικά σχεδιασμένα εξαρτήματά τους:

Σημείωση: Το σημείο 1A004.α. περιλαμβάνει τις μηχανοκίνητες αναπνευστικές συσκευές φιλτραρίσματος του αέρα (PAPR) που είναι σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για προστασία από παράγοντες ή υλικά, που αναφέρονται στο σημείο 1A004.α.

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του σημείου 1A004.α.:

1.

Οι μάσκες ολοκλήρου προσώπου είναι επίσης γνωστές ως μάσκες αερίου.

| 2. | Τα κάνιστρα διηθήσεως περιλαμβάνουν φυσίγγια διηθήσεως. |
| --- | --- |

2.

Τα κάνιστρα διηθήσεως περιλαμβάνουν φυσίγγια διηθήσεως.

| 1. | Βιολογικοί παράγοντες «αναπροσαρμοσμένοι για πολεμική χρήση», |
| --- | --- |

1.

Βιολογικοί παράγοντες «αναπροσαρμοσμένοι για πολεμική χρήση»,

| 2. | Ραδιενεργά υλικά «αναπροσαρμοσμένα για πολεμική χρήση», |
| --- | --- |

2.

Ραδιενεργά υλικά «αναπροσαρμοσμένα για πολεμική χρήση»,

| 3. | Παράγοντες χημικού πολέμου (CW), ή |
| --- | --- |

3.

Παράγοντες χημικού πολέμου (CW), ή

| 4. | «Παράγοντες ελέγχου ταραχών», στους οποίους περιλαμβάνονται:






  α. | α-βρωμοβενζενακετονιτρίλιο, (κυανιούχο βρωμοβενζύλιο) (CA) (CAS 5798-79-8), |
| --- | --- | --- |

4.

«Παράγοντες ελέγχου ταραχών», στους οποίους περιλαμβάνονται:

α.

α-βρωμοβενζενακετονιτρίλιο, (κυανιούχο βρωμοβενζύλιο) (CA) (CAS 5798-79-8),

| β. | [(2-χλωροφαινυλο)μεθυλενο] προπανοδινιτρίλιο, (ο-χλωροβενζυλιδενεμηλονονιτρίλιο) (CS) (CAS 2698-41-1), |
| --- | --- |

β.

[(2-χλωροφαινυλο)μεθυλενο] προπανοδινιτρίλιο, (ο-χλωροβενζυλιδενεμηλονονιτρίλιο) (CS) (CAS 2698-41-1),

| γ. | 2-χλωρο-1-φαινυλαιθανόνη, χλωριούχο φαινυλακύλιο (ω-χλωροακετοφαινόνη) (CN) (CAS 532-27-4), |
| --- | --- |

γ.

2-χλωρο-1-φαινυλαιθανόνη, χλωριούχο φαινυλακύλιο (ω-χλωροακετοφαινόνη) (CN) (CAS 532-27-4),

| δ. | διβενζο-(β, στ)-1,4-οξαζεφίνη (CR) (CAS 257-07-8), |
| --- | --- |

δ.

διβενζο-(β, στ)-1,4-οξαζεφίνη (CR) (CAS 257-07-8),

| ε. | 10-χλωρο-5,10-διυδροφαιναρσαζίνη, (Χλωριούχος φαιναρσαζίνη), (Αδαμσίτης) (DM) (CAS 578-94-9), |
| --- | --- |

ε.

10-χλωρο-5,10-διυδροφαιναρσαζίνη, (Χλωριούχος φαιναρσαζίνη), (Αδαμσίτης) (DM) (CAS 578-94-9),

| στ. | Ν-εννεϋλομορφολίνη, (MPA) (CAS 5299-64-9), |
| --- | --- |

στ.

Ν-εννεϋλομορφολίνη, (MPA) (CAS 5299-64-9),

| β. | Προστατευτικές ενδυμασίες, γάντια και παπούτσια που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την άμυνα κατά οποιωνδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Βιολογικοί παράγοντες «αναπροσαρμοσμένοι για πολεμική χρήση», |
| --- | --- | --- |

β.

Προστατευτικές ενδυμασίες, γάντια και παπούτσια που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την άμυνα κατά οποιωνδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Βιολογικοί παράγοντες «αναπροσαρμοσμένοι για πολεμική χρήση»,

| 2. | Ραδιενεργά υλικά «αναπροσαρμοσμένα για πολεμική χρήση», ή |
| --- | --- |

2.

Ραδιενεργά υλικά «αναπροσαρμοσμένα για πολεμική χρήση», ή

| 3. | Παράγοντες χημικού πολέμου (CW), |
| --- | --- |

3.

Παράγοντες χημικού πολέμου (CW),

| γ. | Συστήματα ανίχνευσης που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την ανίχνευση ή τον εντοπισμό οποιωνδήποτε από τα ακόλουθα και τα ειδικά σχεδιασμένα εξαρτήματά τους:






  1. | Βιολογικοί παράγοντες «αναπροσαρμοσμένοι για πολεμική χρήση», |
| --- | --- | --- |

γ.

Συστήματα ανίχνευσης που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την ανίχνευση ή τον εντοπισμό οποιωνδήποτε από τα ακόλουθα και τα ειδικά σχεδιασμένα εξαρτήματά τους:

1.

Βιολογικοί παράγοντες «αναπροσαρμοσμένοι για πολεμική χρήση»,

| 2. | Ραδιενεργά υλικά «αναπροσαρμοσμένα για πολεμική χρήση», ή |
| --- | --- |

2.

Ραδιενεργά υλικά «αναπροσαρμοσμένα για πολεμική χρήση», ή

| 3. | Παράγοντες χημικού πολέμου (CW). |
| --- | --- |

3.

Παράγοντες χημικού πολέμου (CW).

| δ. | Ηλεκτρονικός εξοπλισμός σχεδιασμένος για την αυτόματη ανίχνευση ή εντοπισμό της παρουσίας καταλοίπων «εκρηκτικών» και με τη χρήση τεχνικών «ανίχνευσης ιχνών» (π.χ., επιφανειακά ακουστικά κύματα, φασματομετρία ιοντικής κινητικότητας, φασματομετρία διαφορικής κινητικότητας, φασματομετρία μάζας).


  Τεχνική παρατήρηση:


  Ως «ανίχνευση ιχνών» ορίζεται η ικανότητα ανίχνευσης κάτω του 1 ppm σε αέρια κατάσταση ή του 1 mg σε στερεή ή υγρή κατάσταση.



  Σημείωση 1: Στο σημείο 1A004.δ. δεν υπάγεται ο εξοπλισμός ειδικώς σχεδιασμένος για εργαστηριακή χρήση.



  Σημείωση 2: Στο σημείο 1A004.δ. δεν υπάγονται οι πύλες ασφαλείας διέλευσης χωρίς επαφή. |
| --- | --- |

δ.

Ηλεκτρονικός εξοπλισμός σχεδιασμένος για την αυτόματη ανίχνευση ή εντοπισμό της παρουσίας καταλοίπων «εκρηκτικών» και με τη χρήση τεχνικών «ανίχνευσης ιχνών» (π.χ., επιφανειακά ακουστικά κύματα, φασματομετρία ιοντικής κινητικότητας, φασματομετρία διαφορικής κινητικότητας, φασματομετρία μάζας).

Τεχνική παρατήρηση:

Ως «ανίχνευση ιχνών» ορίζεται η ικανότητα ανίχνευσης κάτω του 1 ppm σε αέρια κατάσταση ή του 1 mg σε στερεή ή υγρή κατάσταση.

Σημείωση 1: Στο σημείο 1A004.δ. δεν υπάγεται ο εξοπλισμός ειδικώς σχεδιασμένος για εργαστηριακή χρήση.

Σημείωση 2: Στο σημείο 1A004.δ. δεν υπάγονται οι πύλες ασφαλείας διέλευσης χωρίς επαφή.

1A004

  Σημείωση: Στο σημείο 1Α004 δεν υπάγονται:

| α. | Προσωπικά δοσίμετρα παρακολούθησης της ακτινοβολίας, |
| --- | --- |

α.

Προσωπικά δοσίμετρα παρακολούθησης της ακτινοβολίας,

| β. | Εξοπλισμός ασφάλειας και υγιεινής στην εργασία ο οποίος από το σχεδιασμό ή τη λειτουργία του περιορίζεται στην προστασία από κινδύνους που ιδιάζουν στην κατ’ οίκον ασφάλεια ή στις πολιτικές βιομηχανίες, όπως:








  1. | μεταλλεία, |
| --- | --- | --- |

β.

Εξοπλισμός ασφάλειας και υγιεινής στην εργασία ο οποίος από το σχεδιασμό ή τη λειτουργία του περιορίζεται στην προστασία από κινδύνους που ιδιάζουν στην κατ’ οίκον ασφάλεια ή στις πολιτικές βιομηχανίες, όπως:

1.

μεταλλεία,

| 2. | λατομεία, |
| --- | --- |

2.

λατομεία,

| 3. | γεωργία, |
| --- | --- |

3.

γεωργία,

| 4. | φαρμακοβιομηχανία, |
| --- | --- |

4.

φαρμακοβιομηχανία,

| 5. | ιατρική, |
| --- | --- |

5.

ιατρική,

| 6. | κτηνιατρική, |
| --- | --- |

6.

κτηνιατρική,

| 7. | μέριμνα περιβάλλοντος, |
| --- | --- |

7.

μέριμνα περιβάλλοντος,

| 8. | διαχείριση αποβλήτων, |
| --- | --- |

8.

διαχείριση αποβλήτων,

| 9. | βιομηχανία τροφίμων. |
| --- | --- |

9.

βιομηχανία τροφίμων.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Στο σημείο 1A004 περιλαμβάνεται εξοπλισμός και εξαρτήματα που έχουν προσδιοριστεί, δοκιμαστεί επιτυχώς σύμφωνα με τα εθνικά πρότυπα ή έχουν με άλλο τρόπο αποδειχθεί αποτελεσματικά, για την ανίχνευση ή για την άμυνα κατά ραδιενεργών υλικών «αναπροσαρμοσμένων για πολεμική χρήση», βιολογικών παραγόντων «αναπροσαρμοσμένων για πολεμική χρήση», παραγόντων χημικού πολέμου, «προσομοιωτών» ή «παραγόντων ελέγχου ταραχών», έστω κι αν ο εν λόγω εξοπλισμός ή τα εξαρτήματα χρησιμοποιούνται σε μη στρατιωτικές βιομηχανίες, όπως οι βιομηχανίες στους τομείς των μεταλλείων, των λατομείων, της γεωργίας, των φαρμακευτικών προϊόντων, της ιατρικής, της κτηνιατρικής, του περιβάλλοντος, της διαχείρισης αποβλήτων ή των τροφίμων. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Ο «προσομοιωτής» είναι ουσία ή υλικό που χρησιμοποιείται αντί τοξικού παράγοντα (χημικού ή βιολογικού) στην εκπαίδευση, την έρευνα, τις δοκιμές ή την αξιολόγηση. |
| --- | --- |

2.

1A005

Προσωπικοί θώρακες και σχετικά δομικά στοιχεία, ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ.

| α. | Μαλακή θωράκιση σώματος εκτός εκείνης που παρασκευάζεται για να καλύπτει στρατιωτικά πρότυπα ή προδιαγραφές ή τα ισοδύναμά τους, και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη αυτής, |
| --- | --- |

α.

Μαλακή θωράκιση σώματος εκτός εκείνης που παρασκευάζεται για να καλύπτει στρατιωτικά πρότυπα ή προδιαγραφές ή τα ισοδύναμά τους, και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη αυτής,

| β. | Σκληρές πλάκες θωράκισης σώματος που παρέχουν βαλλιστική προστασία ίση προς το επίπεδο IIIΑ (NIJ 0101.06, Ιούλιος 2008) ή μικρότερη, ή εθνικός ισοδύναμος εξοπλισμός. |
| --- | --- |

β.

Σκληρές πλάκες θωράκισης σώματος που παρέχουν βαλλιστική προστασία ίση προς το επίπεδο IIIΑ (NIJ 0101.06, Ιούλιος 2008) ή μικρότερη, ή εθνικός ισοδύναμος εξοπλισμός.

ΣΗΜ.: Για τα «ινώδη ή νηματώδη υλικά» που χρησιμοποιούνται στην κατασκευή προσωπικών θωράκων, βλέπε σημείο 1C010.

Σημείωση 1: Στο σημείο 1Α005 δεν υπάγονται οι προσωπικοί θώρακες όταν συνοδεύει τον χρήστη τους για την προσωπική του προστασία.

Σημείωση 2: Στο σημείο 1Α005 δεν υπάγονται οι προσωπικοί θώρακες που έχει σχεδιαστεί για να παρέχει μετωπική προστασία μόνο από θραύσματα ή ωστικό κύμα από μη στρατιωτικά εκρηκτικά.

Σημείωση 3: Στο σημείο 1Α005 δεν υπάγονται οι προσωπικοί θώρακες που έχει σχεδιαστεί για να παρέχει μετωπική προστασία μόνο από τραύματα προκαλούμενα από μαχαίρι, καρφί ή βελόνα ή από αμβλύ τραύμα.

1A006

Εξοπλισμός που έχει σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί ειδικά για την απόρριψη αυτοσχέδιων εκρηκτικών μηχανισμών, ως εξής, και δομικά στοιχεία και εξαρτήματα που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για τον εξοπλισμό αυτόν:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ.

| α. | Τηλεχειριζόμενα οχήματα, |
| --- | --- |

α.

Τηλεχειριζόμενα οχήματα,

| β. | «Παρεμποδιστές».


  Τεχνική παρατήρηση:


  Οι «παρεμποδιστές» είναι συσκευές ειδικά σχεδιασμένες με σκοπό την παρεμπόδιση της λειτουργίας εκρηκτικής συσκευής μέσω της βολής υγρού, στερεού ή θρυμματιζόμενου βλήματος. |
| --- | --- |

β.

«Παρεμποδιστές».

Τεχνική παρατήρηση:

Οι «παρεμποδιστές» είναι συσκευές ειδικά σχεδιασμένες με σκοπό την παρεμπόδιση της λειτουργίας εκρηκτικής συσκευής μέσω της βολής υγρού, στερεού ή θρυμματιζόμενου βλήματος.

Σημείωση: Στο σημείο 1A006 δεν υπάγεται εξοπλισμός όταν συνοδεύει τον χειριστή του.

1A007

Εξοπλισμός και συσκευές που έχουν σχεδιασθεί ειδικά για την ανάφλεξη εκρηκτικών φορτίων και διατάξεων που περιέχουν «ενεργειακά υλικά», με ηλεκτρικά μέσα, ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ, 3A229 ΚΑΙ 3A232.

| α. | Συσκευές πυροδότησης για εκρηκτικούς πυροκροτητές που έχουν σχεδιασθεί για να συνδέονται με εκρηκτικούς πυροκροτητές του σημείου 1A007.β., |
| --- | --- |

α.

Συσκευές πυροδότησης για εκρηκτικούς πυροκροτητές που έχουν σχεδιασθεί για να συνδέονται με εκρηκτικούς πυροκροτητές του σημείου 1A007.β.,

| β. | Εκρηκτικοί πυροκροτητές που λειτουργούν ηλεκτρικά, ως εξής:






  1. | Εκρηγνυόμενη γέφυρα (exploding bridge - ΕΒ), |
| --- | --- | --- |

β.

Εκρηκτικοί πυροκροτητές που λειτουργούν ηλεκτρικά, ως εξής:

1.

Εκρηγνυόμενη γέφυρα (exploding bridge - ΕΒ),

| 2. | Σύρμα εκρηγνυόμενης γέφυρας (exploding bridge wire - EBW), |
| --- | --- |

2.

Σύρμα εκρηγνυόμενης γέφυρας (exploding bridge wire - EBW),

| 3. | Κολαφιστήρας (slapper). |
| --- | --- |

3.

Κολαφιστήρας (slapper).

| 4. | Συστήματα έναυσης εκρηγνυόμενου μεταλλικού φύλλου (exploding foil initiators - EFI). |
| --- | --- |

4.

Συστήματα έναυσης εκρηγνυόμενου μεταλλικού φύλλου (exploding foil initiators - EFI).

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Αντί της λέξεως detonator (πυροκροτητής) χρησιμοποιείται μερικές φορές η λέξη initiator ή igniter (αναφλεκτήρας). |
| --- | --- |

1.

| 2. | Για τους σκοπούς του σημείου 1A007.β. οι πυροκροτητές χρησιμοποιούν όλοι ένα μικρό ηλεκτρικό αγωγό (γέφυρα, σύρμα γέφυρας ή μεταλλικό φύλλο) που εξατμίζεται εκρηκτικά όταν ένας ταχύς ηλεκτρικός παλμός υψηλού ρεύματος περνάει μέσα του. Στους τύπους πυροκροτητών χωρίς κολαφιστήρα ο αγωγός που εκρήγνυται αρχίζει μία χημική πυροδότηση σε ένα εξαιρετικά εκρηκτικό υλικό με το οποίο είναι σε επαφή όπως π.χ. το PETN (Pentaerythritoltetranitrate). Σε πυροκροτητές τύπου κολαφιστήρα (slapper) η εκρηκτική εξάτμιση του ηλεκτρικού αγωγού σπρώχνει ένα έλασμα ή κολαφιστήρα διαμέσου ενός διάκενου και η πρόσκρουσή του πάνω σε ένα εκρηκτικό υλικό αρχίζει μία χημική πυροδότηση. Σε μερικά προϊόντα ο κολαφιστήρας ωθείται από μαγνητική δύναμη. Ο όρος πυροκροτητής με εκρηγνυόμενο μεταλλικό φύλλο μπορεί να αναφέρεται είτε σε πυροκροτητή τύπου εκρηγνυόμενης γέφυρας είτε σε πυροκροτητή τύπου κολαφιστήρα. |
| --- | --- |

2.

1A008

Γομώσεις, συσκευές και κατασκευαστικά στοιχεία, ως εξής:

| α. | «Κοίλες γομώσεις» με τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Καθαρή εκρηκτική ποσότητα (NEQ) μεγαλύτερη των 90 g· και |
| --- | --- | --- |

α.

«Κοίλες γομώσεις» με τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Καθαρή εκρηκτική ποσότητα (NEQ) μεγαλύτερη των 90 g· και

| 2. | Διάμετρο εξωτερικού περιβλήματος ίση ή μεγαλύτερη προς 75 mm· |
| --- | --- |

2.

Διάμετρο εξωτερικού περιβλήματος ίση ή μεγαλύτερη προς 75 mm·

| β. | Κοπτικές γομώσεις γραμμικού σχήματος που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, καθώς και τα ειδικά γι’ αυτές σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη, ως εξής:






  1. | Εκρηκτικό φορτίο άνω των 40 g/m· και |
| --- | --- | --- |

β.

Κοπτικές γομώσεις γραμμικού σχήματος που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, καθώς και τα ειδικά γι’ αυτές σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη, ως εξής:

1.

Εκρηκτικό φορτίο άνω των 40 g/m· και

| 2. | Πλάτος 10 mm ή περισσότερο· |
| --- | --- |

2.

Πλάτος 10 mm ή περισσότερο·

| γ. | Πυραγωγό σχοινί με φορτίο εκρηκτικού πυρήνα άνω των 64 g/m· |
| --- | --- |

γ.

Πυραγωγό σχοινί με φορτίο εκρηκτικού πυρήνα άνω των 64 g/m·

| δ. | Κοπτικά μέσα, εκτός από τα προσδιοριζόμενα στο 1A008.β., και αποχωριστικά μέσα, με καθαρή εκρηκτική ποσότητα (NEQ) μεγαλύτερη των 3,5 kg. |
| --- | --- |

δ.

Κοπτικά μέσα, εκτός από τα προσδιοριζόμενα στο 1A008.β., και αποχωριστικά μέσα, με καθαρή εκρηκτική ποσότητα (NEQ) μεγαλύτερη των 3,5 kg.

Τεχνική παρατήρηση:

Οι «κοίλες γομώσεις» είναι εκρηκτικές γομώσεις διαμορφωμένες με στόχο συγκεκριμένη εστίαση των αποτελεσμάτων της έκρηξης.

1A102

Επανακορεσμένα κατασκευαστικά στοιχεία από πυρολυμένο άνθρακα-άνθρακα, σχεδιασμένα για οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή για πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104.

1A202

Σύνθετες δομές, πλην εκείνων που ορίζονται στο σημείο 1Α002, υπό μορφή σωλήνων και που έχουν τα εξής δύο χαρακτηριστικά:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 9Α010 ΚΑΙ 9Α110.

| α. | Εσωτερική διάμετρο μεταξύ 75 mm και 400 mm, και |
| --- | --- |

α.

Εσωτερική διάμετρο μεταξύ 75 mm και 400 mm, και

| β. | Κατασκευασμένες από οιοδήποτε από τα «ινώδη ή νηματώδη υλικά» που ορίζονται στο σημείο 1C010.α. ή β. ή 1C210.α. ή από ανθρακούχα προ-εμποτίσματα που ορίζονται στο σημείο 1C210.γ. |
| --- | --- |

β.

Κατασκευασμένες από οιοδήποτε από τα «ινώδη ή νηματώδη υλικά» που ορίζονται στο σημείο 1C010.α. ή β. ή 1C210.α. ή από ανθρακούχα προ-εμποτίσματα που ορίζονται στο σημείο 1C210.γ.

1A225

Καταλύτες λευκόχρυσου ειδικά σχεδιασμένοι ή παρασκευασμένοι για ισοτοπικές αντιδράσεις ανταλλαγής μεταξύ υδρογόνου και ύδατος, για την ανάκτηση τριτίου από βαρύ ύδωρ ή για την παραγωγή βαρέος ύδατος.

1A226

Ειδικά συσκευάσματα που μπορούν να χρησιμοποιηθούν για τον διαχωρισμό βαρέος ύδατος από κανονικό ύδωρ, και που έχουν τα εξής δύο χαρακτηριστικά:

| α. | Παρασκευασμένα από πλέγμα φωσφορούχου χαλκού (αμφότερα χημικά επεξεργασμένα για βελτίωση της διαβρεκτικότητας), και |
| --- | --- |

α.

Παρασκευασμένα από πλέγμα φωσφορούχου χαλκού (αμφότερα χημικά επεξεργασμένα για βελτίωση της διαβρεκτικότητας), και

| β. | Σχεδιασμένα για να χρησιμοποιούνται σε πύργους απόσταξης εν κενώ. |
| --- | --- |

β.

Σχεδιασμένα για να χρησιμοποιούνται σε πύργους απόσταξης εν κενώ.

1A227

Παράθυρα ασφαλείας έναντι ακτινοβολιών υψηλής πυκνότητας (μολυβδύαλος ή άλλα) που έχουν όλα τα εξής χαρακτηριστικά και ειδικά σχεδιασμένα για τον σκοπό αυτό πλαίσια:

| α. | Πλευράς μεγαλύτερης του 0,09 m2, σε ‘ψυχρή περιοχή’, |
| --- | --- |

α.

Πλευράς μεγαλύτερης του 0,09 m2, σε ‘ψυχρή περιοχή’,

| β. | Πυκνότητας ανώτερης των 3 g/cm3, και |
| --- | --- |

β.

Πυκνότητας ανώτερης των 3 g/cm3, και

| γ. | Πάχους 100 mm ή ανωτέρου. |
| --- | --- |

γ.

Πάχους 100 mm ή ανωτέρου.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 1Α227, ο όρος «ψυχρή περιοχή» αφορά τη διαφανή επιφάνεια του παραθύρου που είναι εκτεθειμένη στη χαμηλότερη στάθμη ακτινοβολίας σύμφωνα με την εφαρμογή του σχεδίου.

1B   Εξοπλισμός Δοκιμών, Ελέγχου και Παραγωγής

| 1B001 | Εξοπλισμός για την παραγωγή ή επιθεώρηση «σύνθετων» δομών ή ελασμάτων όπως ορίζονται στο σημείο 1Α002 ή «ινωδών ή νηματωδών υλικών» όπως ορίζονται στο σημείο 1C010, ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένα για τον σκοπό αυτό συστατικά και εξαρτήματα:


  ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 1Β101 ΚΑΙ 1Β201.







  α. | Μηχανές περιέλιξης νημάτων, στις οποίες οι κινήσεις τοποθέτησης, περιτύλιξης και περιέλιξης ινών συντονίζονται και προγραμματίζονται σε τρεις ή περισσότερους άξονες ‘πρωτογενούς σερβοτοποθέτησης’, ειδικά σχεδιασμένες για την κατασκευή «σύνθετων» δομών ή ελασμάτων από «ινώδη ή νηματώδη υλικά», |
| --- | --- | --- |

1B001

Εξοπλισμός για την παραγωγή ή επιθεώρηση «σύνθετων» δομών ή ελασμάτων όπως ορίζονται στο σημείο 1Α002 ή «ινωδών ή νηματωδών υλικών» όπως ορίζονται στο σημείο 1C010, ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένα για τον σκοπό αυτό συστατικά και εξαρτήματα:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 1Β101 ΚΑΙ 1Β201.

α.

Μηχανές περιέλιξης νημάτων, στις οποίες οι κινήσεις τοποθέτησης, περιτύλιξης και περιέλιξης ινών συντονίζονται και προγραμματίζονται σε τρεις ή περισσότερους άξονες ‘πρωτογενούς σερβοτοποθέτησης’, ειδικά σχεδιασμένες για την κατασκευή «σύνθετων» δομών ή ελασμάτων από «ινώδη ή νηματώδη υλικά»,

| β. | Μηχανές τοποθέτησης ταινιών των οποίων οι κινήσεις ρύθμισης και τοποθέτησης ταινιών συντονίζονται και προγραμματίζονται σε πέντε ή περισσότερους άξονες «πρωτογενούς σερβοτοποθέτησης», ειδικά σχεδιασμένες για την κατασκευή «συνθέτων» πλαισίων αεροσκαφών ή «βλημάτων»,


  Σημείωση: Στο σημείο 1B001.β, ως «βλήματα» νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος.



  Τεχνική παρατήρηση:


  Για τους σκοπούς του σημείου 1B001.β., οι «μηχανές τοποθέτησης ταινιών» μπορούν να τοποθετούν μία ή περισσότερες «ζώνες νημάτων» πλάτους μεγαλύτερου των 25 mm και μικρότερου ή ίσου των 305 mm και να κόβουν και να επανεκκινούν επιμέρους σειρές «ζωνών νημάτων» κατά τη διαδικασία τοποθέτησης. |
| --- | --- |

β.

Μηχανές τοποθέτησης ταινιών των οποίων οι κινήσεις ρύθμισης και τοποθέτησης ταινιών συντονίζονται και προγραμματίζονται σε πέντε ή περισσότερους άξονες «πρωτογενούς σερβοτοποθέτησης», ειδικά σχεδιασμένες για την κατασκευή «συνθέτων» πλαισίων αεροσκαφών ή «βλημάτων»,

Σημείωση: Στο σημείο 1B001.β, ως «βλήματα» νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος.

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του σημείου 1B001.β., οι «μηχανές τοποθέτησης ταινιών» μπορούν να τοποθετούν μία ή περισσότερες «ζώνες νημάτων» πλάτους μεγαλύτερου των 25 mm και μικρότερου ή ίσου των 305 mm και να κόβουν και να επανεκκινούν επιμέρους σειρές «ζωνών νημάτων» κατά τη διαδικασία τοποθέτησης.

| γ. | Μηχανές ύφανσης πολλαπλών κατευθύνσεων και πολλαπλών διαστάσεων ή μηχανές πλεξίματος, όπου συμπεριλαμβάνονται και οι προσαρμογές καθώς και τα σύνεργα μετατροπής, ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για την ύφανση και το πλέξιμο ινών, για «σύνθετες δομές»,


  Τεχνική παρατήρηση:


  Για τους σκοπούς του σημείου 1B001.γ., ο όρος πλέξιμο καλύπτει τους δύο αγγλικούς όρους interlacing και knitting. |
| --- | --- |

γ.

Μηχανές ύφανσης πολλαπλών κατευθύνσεων και πολλαπλών διαστάσεων ή μηχανές πλεξίματος, όπου συμπεριλαμβάνονται και οι προσαρμογές καθώς και τα σύνεργα μετατροπής, ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για την ύφανση και το πλέξιμο ινών, για «σύνθετες δομές»,

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του σημείου 1B001.γ., ο όρος πλέξιμο καλύπτει τους δύο αγγλικούς όρους interlacing και knitting.

| δ. | Εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος ή προσαρμοσμένος για την παραγωγή ενισχυτικών ινών, ως εξής:






  1. | Εξοπλισμός μετατροπής πολυμερών ινών (όπως από πολυακρυλονιτρίλια, από ρεγιόν, από φυσικές ρητίνες ή πολυκαρβοσιλάνια) σε ίνες άνθρακα ή ίνες σιλικονούχων καρβιδίων, συμπεριλαμβανομένου και του εξοπλισμού τάνυσης ινών εν θερμώ, |
| --- | --- | --- |

δ.

Εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος ή προσαρμοσμένος για την παραγωγή ενισχυτικών ινών, ως εξής:

1.

Εξοπλισμός μετατροπής πολυμερών ινών (όπως από πολυακρυλονιτρίλια, από ρεγιόν, από φυσικές ρητίνες ή πολυκαρβοσιλάνια) σε ίνες άνθρακα ή ίνες σιλικονούχων καρβιδίων, συμπεριλαμβανομένου και του εξοπλισμού τάνυσης ινών εν θερμώ,

| 2. | Εξοπλισμός για τη χημική εναπόθεση ατμού στοιχείων ή ουσιών σε θερμά νηματώδη υποστρώματα, για την παραγωγή ινών σιλικονούχων καρβιδίων, |
| --- | --- |

2.

Εξοπλισμός για τη χημική εναπόθεση ατμού στοιχείων ή ουσιών σε θερμά νηματώδη υποστρώματα, για την παραγωγή ινών σιλικονούχων καρβιδίων,

| 3. | Εξοπλισμός υγράς ύφανσης σε αδρανή κεραμικά (όπως οξείδια του αργιλίου), |
| --- | --- |

3.

Εξοπλισμός υγράς ύφανσης σε αδρανή κεραμικά (όπως οξείδια του αργιλίου),

| 4. | Εξοπλισμός μετατροπής προδρόμων ινών που περιέχουν αργιλίου σε ίνες αλουμίνας με εν θερμώ επεξεργασία, |
| --- | --- |

4.

Εξοπλισμός μετατροπής προδρόμων ινών που περιέχουν αργιλίου σε ίνες αλουμίνας με εν θερμώ επεξεργασία,

| ε. | Εξοπλισμός παραγωγής προ-εμποτισμάτων όπως ορίζονται στο 1C010.ε., με τη μέθοδο της εν θερμώ έγχυσης, |
| --- | --- |

ε.

Εξοπλισμός παραγωγής προ-εμποτισμάτων όπως ορίζονται στο 1C010.ε., με τη μέθοδο της εν θερμώ έγχυσης,

| στ. | Εξοπλισμός μη καταστροφικού ελέγχου ειδικά σχεδιασμένος για «σύνθετα» υλικά, ως εξής:






  1. | Συστήματα τομογραφίας ακτίνων Χ για την τρισδιάστατη εξέταση ελαττωμάτων, |
| --- | --- | --- |

στ.

Εξοπλισμός μη καταστροφικού ελέγχου ειδικά σχεδιασμένος για «σύνθετα» υλικά, ως εξής:

1.

Συστήματα τομογραφίας ακτίνων Χ για την τρισδιάστατη εξέταση ελαττωμάτων,

| 2. | Μηχανές δοκιμής με υπερήχους και ψηφιακό έλεγχο, όπου οι κινήσεις τοποθέτησης πομπών ή δεκτών συντονίζονται και προγραμματίζονται ταυτόχρονα σε τέσσερις ή περισσότερους άξονες για να παρακολουθούν το τρισδιάστατο περίγραμμα του εξεταζόμενου στοιχείου. |
| --- | --- |

2.

Μηχανές δοκιμής με υπερήχους και ψηφιακό έλεγχο, όπου οι κινήσεις τοποθέτησης πομπών ή δεκτών συντονίζονται και προγραμματίζονται ταυτόχρονα σε τέσσερις ή περισσότερους άξονες για να παρακολουθούν το τρισδιάστατο περίγραμμα του εξεταζόμενου στοιχείου.

| η. | Μηχανές τοποθέτησης καλωδίων των οποίων οι κινήσεις τοποθέτησης και εγκατάστασης καλωδίων συντονίζονται και προγραμματίζονται σε δύο ή περισσότερους άξονες «πρωτογενούς σερβοτοποθέτησης», ειδικά σχεδιασμένες για την κατασκευή «συνθέτων» πλαισίων αεροσκαφών ή «βλημάτων»,


  Τεχνική παρατήρηση:


  Για τους σκοπούς του σημείου 1B001.β., οι «μηχανές τοποθέτησης καλωδίων» μπορούν να τοποθετούν μία ή περισσότερες «ζώνες νημάτων» πλάτους μικρότερου ή ίσου των 25 mm και να κόβουν και να ξαναξεκινούν επιμέρους σειρές «ζωνών νημάτων» κατά τη διαδικασία τοποθέτησης. |
| --- | --- |

η.

Μηχανές τοποθέτησης καλωδίων των οποίων οι κινήσεις τοποθέτησης και εγκατάστασης καλωδίων συντονίζονται και προγραμματίζονται σε δύο ή περισσότερους άξονες «πρωτογενούς σερβοτοποθέτησης», ειδικά σχεδιασμένες για την κατασκευή «συνθέτων» πλαισίων αεροσκαφών ή «βλημάτων»,

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του σημείου 1B001.β., οι «μηχανές τοποθέτησης καλωδίων» μπορούν να τοποθετούν μία ή περισσότερες «ζώνες νημάτων» πλάτους μικρότερου ή ίσου των 25 mm και να κόβουν και να ξαναξεκινούν επιμέρους σειρές «ζωνών νημάτων» κατά τη διαδικασία τοποθέτησης.

Τεχνική παρατήρηση:

| 1. | Για τους σκοπούς του 1B001, οι άξονες «πρωτογενούς σερβοτοποθέτησης» ελέγχουν, υπό τη διεύθυνση προγράμματος ηλεκτρονικού υπολογιστή, τη θέση της απόληξης (δηλαδή της κεφαλής) στο χώρο σχετικά με το υπό επεξεργασία αντικείμενο στο σωστό προσανατολισμό και κατεύθυνση ώστε να επιτευχθεί η επιθυμητή διαδικασία. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Για τους σκοπούς του 1B001, «ζώνη νημάτων» είναι ένα ενιαίο συνεχές πλάτος ταινίας, καλωδίου ή ίνας που έχει εμποτιστεί πλήρως ή μερικώς. |
| --- | --- |

2.

1B002

Εξοπλισμός για την παραγωγή κραμάτων μετάλλων, σκόνης μεταλλικών κραμάτων ή κραματικών υλικών, ειδικά σχεδιασμένος για την αποφυγή μόλυνσης και ειδικά σχεδιασμένος όπως ορίζονται στα σημεία για χρησιμοποίηση σε μία από τις διεργασίες του σημείου 1C002.γ.2.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ ΙΒ102.

1B003

Εργαλεία, μήτρες, καλούπια ή εξαρτήματα για «υπερελαστική διαμόρφωση» ή για «συγκόλληση με διάχυση» («diffusion bonding») τιτανίου, αργιλίου ή κραμάτων τους, ειδικά σχεδιασμένα για την παραγωγή οποιωνδήποτε από τα ακόλουθα:

| α. | Πλαίσια αεροσκαφών ή αεροδιαστημικών, |
| --- | --- |

α.

Πλαίσια αεροσκαφών ή αεροδιαστημικών,

| β. | Μηχανές «αεροσκαφών» ή αεροδιαστημικών, ή |
| --- | --- |

β.

Μηχανές «αεροσκαφών» ή αεροδιαστημικών, ή

| γ. | Ειδικά σχεδιασμένα εξαρτήματα για τα πλαίσια που προσδιορίζονται στο σημείο 1B003.α. ή τις μηχανές που προσδιορίζονται στο σημείο 1B003β. |
| --- | --- |

γ.

Ειδικά σχεδιασμένα εξαρτήματα για τα πλαίσια που προσδιορίζονται στο σημείο 1B003.α. ή τις μηχανές που προσδιορίζονται στο σημείο 1B003β.

1B101

Εξοπλισμός, πλην αυτού που ορίζεται στο σημείο 1Β001, για την «παραγωγή» δομικών συνθέτων, ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένων κατασκευαστικών μερών και εξαρτημάτων γι’ αυτόν:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 1Β201.

Σημείωση: Κατασκευαστικά μέρη και εξαρτήματα που ορίζονται στο σημείο 1B101 περιλαμβάνουν καλούπια, μαντρέλια, μήτρες, εξαρτήματα και εργαλεία για εκτύπωση προμορφωμάτων, για φινίρισμα, για έγχυση, για σύντηξη ή συγκόλληση σύνθετων δομών, ελασμάτων και προϊόντων τους.

| α. | Μηχανές περιέλιξης νημάτων ή μηχανές τοποθέτησης ινών των οποίων οι κινήσεις τοποθέτησης, περιτύλιξης και περιέλιξης ινών μπορούν να συντονίζονται καινα προγραμματίζονται σε τρεις ή περισσότερους άξονες, σχεδιασμένες για την παραγωγή συνθέτων δομών ή ελασμάτων από ινώδη ή νηματώδη υλικά και για τον συντονισμό και τον προγραμματισμό ελέγχων, |
| --- | --- |

α.

Μηχανές περιέλιξης νημάτων ή μηχανές τοποθέτησης ινών των οποίων οι κινήσεις τοποθέτησης, περιτύλιξης και περιέλιξης ινών μπορούν να συντονίζονται καινα προγραμματίζονται σε τρεις ή περισσότερους άξονες, σχεδιασμένες για την παραγωγή συνθέτων δομών ή ελασμάτων από ινώδη ή νηματώδη υλικά και για τον συντονισμό και τον προγραμματισμό ελέγχων,

| β. | Μηχανές τοποθέτησης ταινιών των οποίων οι κινήσεις τοποθέτησης και εγκατάστασης ταινιών και φύλλων μπορούν να συντονίζονται και προγραμματίζονται σε δύο ή περισσότερους άξονες, σχεδιασμένες για την κατασκευή συνθέτων πλαισίων αεροπλάνων και «βλημάτων», |
| --- | --- |

β.

Μηχανές τοποθέτησης ταινιών των οποίων οι κινήσεις τοποθέτησης και εγκατάστασης ταινιών και φύλλων μπορούν να συντονίζονται και προγραμματίζονται σε δύο ή περισσότερους άξονες, σχεδιασμένες για την κατασκευή συνθέτων πλαισίων αεροπλάνων και «βλημάτων»,

| γ. | Εξοπλισμός σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για την «παραγωγή»«ινωδών ή νηματωδών υλικών» ως εξής:






  1. | Εξοπλισμός για τη μετατροπή πολυμερών ινών (όπως πολυακρυλονιτρίλια, ρεγιόν ή πολυκαρβοσιλάνια) συμπεριλαμβανομένου και ειδικού μηχανισμού για το τάνυσμα ινών εν θερμώ, |
| --- | --- | --- |

γ.

Εξοπλισμός σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για την «παραγωγή»«ινωδών ή νηματωδών υλικών» ως εξής:

1.

Εξοπλισμός για τη μετατροπή πολυμερών ινών (όπως πολυακρυλονιτρίλια, ρεγιόν ή πολυκαρβοσιλάνια) συμπεριλαμβανομένου και ειδικού μηχανισμού για το τάνυσμα ινών εν θερμώ,

| 2. | Εξοπλισμός εναπόθεσης ατμού στοιχείων ή ουσιών σε θερμά ινώδη υποστρώματα, |
| --- | --- |

2.

Εξοπλισμός εναπόθεσης ατμού στοιχείων ή ουσιών σε θερμά ινώδη υποστρώματα,

| 3. | Εξοπλισμός υγράς ύφανσης σε αδρανή κεραμικά (όπως οξείδια του αργιλίου), |
| --- | --- |

3.

Εξοπλισμός υγράς ύφανσης σε αδρανή κεραμικά (όπως οξείδια του αργιλίου),

| δ. | Εξοπλισμός σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για την επεξεργασία επιφανείας ειδικών ινών ή για την παραγωγή προ-εμποτισμάτων και προ-μορφωμάτων που ορίζονται στο σημείο 9C110.


  Σημείωση: Το σημείο 1Β101.δ. περιλαμβάνει έλαστρα, τεντωτήρες, εξοπλισμό επίχρισης, εξοπλισμό κοπής και διατρητικά μηχανήματα. |
| --- | --- |

δ.

Εξοπλισμός σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για την επεξεργασία επιφανείας ειδικών ινών ή για την παραγωγή προ-εμποτισμάτων και προ-μορφωμάτων που ορίζονται στο σημείο 9C110.

Σημείωση: Το σημείο 1Β101.δ. περιλαμβάνει έλαστρα, τεντωτήρες, εξοπλισμό επίχρισης, εξοπλισμό κοπής και διατρητικά μηχανήματα.

1B102

«Εξοπλισμός παραγωγής» μεταλλικών κόνεων, πλην του αναφερόμενου στο σημείο 1B002, και στοιχεία του, ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 1B115.β.

| α. | «Εξοπλισμός παραγωγής» μεταλλικών κόνεων, χρησιμοποιήσιμος για την «παραγωγή», σε ελεγχόμενο περιβάλλον, σφαιρικών, σφαιροειδών ή σταγονιδιοποιημένων υλικών προσδιοριζόμενων στα σημεία 1C011.α, 1C011.β, 1C111.α.1, 1C111.α.2, ή στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων. |
| --- | --- |

α.

«Εξοπλισμός παραγωγής» μεταλλικών κόνεων, χρησιμοποιήσιμος για την «παραγωγή», σε ελεγχόμενο περιβάλλον, σφαιρικών, σφαιροειδών ή σταγονιδιοποιημένων υλικών προσδιοριζόμενων στα σημεία 1C011.α, 1C011.β, 1C111.α.1, 1C111.α.2, ή στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων.

| β. | Στοιχεία ειδικά σχεδιασμένα για τον «εξοπλισμό παραγωγής» που προσδιορίζεται στα σημεία 1Β002 ή 1Β102.α.


  Σημείωση: Το σημείο 1Β102 περιλαμβάνει:








  α. | Γεννήτριες πλάσματος (με πίδακα υψίσυχνου τόξου) για την απόκτηση έκπτυστων ή σφαιρικών μεταλλικών κόνεων με οργάνωση της διεργασίας σε περιβάλλον αργού/ύδατος, |
| --- | --- | --- |

β.

Στοιχεία ειδικά σχεδιασμένα για τον «εξοπλισμό παραγωγής» που προσδιορίζεται στα σημεία 1Β002 ή 1Β102.α.

Σημείωση: Το σημείο 1Β102 περιλαμβάνει:

α.

Γεννήτριες πλάσματος (με πίδακα υψίσυχνου τόξου) για την απόκτηση έκπτυστων ή σφαιρικών μεταλλικών κόνεων με οργάνωση της διεργασίας σε περιβάλλον αργού/ύδατος,

| β. | Ηλεκτροπαλμικό εξοπλισμό χρησιμοποιήσιμο για την απόκτηση έκπτυστων ή σφαιρικών μεταλλικών κόνεων με οργάνωση της διεργασίας σε περιβάλλον αργού/ύδατος, |
| --- | --- |

β.

Ηλεκτροπαλμικό εξοπλισμό χρησιμοποιήσιμο για την απόκτηση έκπτυστων ή σφαιρικών μεταλλικών κόνεων με οργάνωση της διεργασίας σε περιβάλλον αργού/ύδατος,

| γ. | Εξοπλισμό χρησιμοποιήσιμο για την «παραγωγή» σφαιρικών κόνεων αργιλίου με κονιοποίηση τήγματος εντός αδρανούς μέσου (π.χ. αζώτου). |
| --- | --- |

γ.

Εξοπλισμό χρησιμοποιήσιμο για την «παραγωγή» σφαιρικών κόνεων αργιλίου με κονιοποίηση τήγματος εντός αδρανούς μέσου (π.χ. αζώτου).

1B115

Εξοπλισμός, πλην του αναφερόμενου στα σημεία 1B002 και 1B102, για την «παραγωγή» προωθητικών και συστατικών για προωθητικά, ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένα στοιχεία για τον σκοπό αυτό.

| α. | «Εξοπλισμός παραγωγής» για την «παραγωγή», διαχείριση ή αποδοχή δοκιμών υγρών προωθητικών και συστατικών προωθητικών που προσδιορίζονται στα σημεία 1C011.α., 1C011.β., 1C111 ή στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων, |
| --- | --- |

α.

«Εξοπλισμός παραγωγής» για την «παραγωγή», διαχείριση ή αποδοχή δοκιμών υγρών προωθητικών και συστατικών προωθητικών που προσδιορίζονται στα σημεία 1C011.α., 1C011.β., 1C111 ή στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων,

| β. | «Εξοπλισμός παραγωγής», για την «παραγωγή», διαχείριση, ανάμειξη, παλαίωση, εντύπωση, εμπίεση, τόρνευση, εκπίεση ή αποδοχή δοκιμών στερεών προωθητικών και συστατικών προωθητικών που προσδιορίζονται στα σημεία 1C011.α., 1C011.β., 1C111 ή στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων.


  Σημείωση: Το σημείο 1B115.β δεν θέτει υπό έλεγχο τους αναμικτήρες παρτίδων, τους αναμικτήρες συνεχούς ροής και τους μύλους ρευστής ενέργειας. Για τον έλεγχο των αναμικτήρων παρτίδων, των αναμικτήρων συνεχούς ανάμειξης και των μύλων ρευστής ενέργειας βλέπε σημεία 1B117, 1B118 και 1B119. |
| --- | --- |

β.

«Εξοπλισμός παραγωγής», για την «παραγωγή», διαχείριση, ανάμειξη, παλαίωση, εντύπωση, εμπίεση, τόρνευση, εκπίεση ή αποδοχή δοκιμών στερεών προωθητικών και συστατικών προωθητικών που προσδιορίζονται στα σημεία 1C011.α., 1C011.β., 1C111 ή στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων.

Σημείωση: Το σημείο 1B115.β δεν θέτει υπό έλεγχο τους αναμικτήρες παρτίδων, τους αναμικτήρες συνεχούς ροής και τους μύλους ρευστής ενέργειας. Για τον έλεγχο των αναμικτήρων παρτίδων, των αναμικτήρων συνεχούς ανάμειξης και των μύλων ρευστής ενέργειας βλέπε σημεία 1B117, 1B118 και 1B119.

Σημείωση 1: Για εξοπλισμό ειδικά σχεδιασμένο για την παραγωγή στρατιωτικών προϊόντων, βλέπε ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων.

Σημείωση 2: Στο σημείο 1Β115 δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός για την «παραγωγή» διαχείριση και αποδοχή δοκιμών καρβιδίων βορίου.

1B116

Ειδικά σχεδιασμένα ακροφύσια για την παραγωγή πυρολυτικώς λαμβανομένων υλικών εισαγομένων σε μήτρες, μαντρέλια ή άλλα υποστρώματα από πρόδρομα αέρια που αποσυντίθενται μεταξύ 1 573 Κ (1 300 °C) έως 3 173 Κ (2 900 °C) και σε πιέσεις από 130 Ρa έως 20 κΡa.

1B117

Αναμικτήρες παρτίδων με πρόβλεψη για ανάμειξη υπό κενό σε πιέσεις από 0 έως 13,326 κΡa και ικανότητα ελέγχου της θερμοκρασίας του θαλάμου ανάμειξης και με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά, καθώς και στοιχεία ειδικά σχεδιασμένα γι’ αυτούς:

| α. | Συνολική ογκομετρική χωρητικότητα 110 λίτρων και άνω, και |
| --- | --- |

α.

Συνολική ογκομετρική χωρητικότητα 110 λίτρων και άνω, και

| β. | Τουλάχιστον έναν έκκεντρο αναμικτήρα/ζυμωτήρα.


  Σημείωση: Στο σημείο 1B117.β. ο όρος «έκκεντρος αναμικτήρας/ζυμωτήρας» δεν αναφέρεται σε διαχωριστές (deagglomerators) ή μαχαιροφόρους ατράκτους (knife-spindles). |
| --- | --- |

β.

Τουλάχιστον έναν έκκεντρο αναμικτήρα/ζυμωτήρα.

Σημείωση: Στο σημείο 1B117.β. ο όρος «έκκεντρος αναμικτήρας/ζυμωτήρας» δεν αναφέρεται σε διαχωριστές (deagglomerators) ή μαχαιροφόρους ατράκτους (knife-spindles).

1B118

Αναμικτήρες συνεχούς ανάμειξης με πρόβλεψη για ανάμειξη υπό κενό σε πιέσεις από 0 έως 13,326 κΡa και ικανότητα ελέγχου της θερμοκρασίας του θαλάμου ανάμειξης και με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά, καθώς και στοιχεία ειδικά σχεδιασμένα γι’ αυτούς:

| α. | Δύο ή περισσότερους αναμικτήρες/ζυμωτήρες, ή |
| --- | --- |

α.

Δύο ή περισσότερους αναμικτήρες/ζυμωτήρες, ή

| β. | Ένα μόνο παλλόμενο περιστρεφόμενο άξονα, και επάνω του, καθώς και μέσα στην επένδυση του θαλάμου ανάμειξης, ζυμωτικά δόντια/ακίδες. |
| --- | --- |

β.

Ένα μόνο παλλόμενο περιστρεφόμενο άξονα, και επάνω του, καθώς και μέσα στην επένδυση του θαλάμου ανάμειξης, ζυμωτικά δόντια/ακίδες.

1B119

Μύλοι ρευστής ενέργειας χρησιμοποιήσιμοι για το άλεσμα ή τη λειοτρίβηση ουσιών προσδιοριζόμενων στα σημεία 1C011.α., 1C011.β., 1C111 ή στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων, καθώς και στοιχεία ειδικά σχεδιασμένα γι’ αυτούς.

1B201

Μηχανές περιέλιξης νημάτων, εκτός αυτών που ορίζονται στο σημείο 1Β001 ή 1Β101, και συναφής εξοπλισμός, ως εξής:

| α. | Μηχανές περιέλιξης νημάτων με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Στις οποίες οι κινήσεις τοποθέτησης, περιτύλιξης και περιέλιξης ινών συντονίζονται και προγραμματίζονται σε δύο ή περισσότερους άξονες, |
| --- | --- | --- |

α.

Μηχανές περιέλιξης νημάτων με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Στις οποίες οι κινήσεις τοποθέτησης, περιτύλιξης και περιέλιξης ινών συντονίζονται και προγραμματίζονται σε δύο ή περισσότερους άξονες,

| 2. | Ειδικά σχεδιασμένες για την κατασκευή σύνθετων δομών ή ελασμάτων από «ινώδη ή νηματώδη υλικά», και |
| --- | --- |

2.

Ειδικά σχεδιασμένες για την κατασκευή σύνθετων δομών ή ελασμάτων από «ινώδη ή νηματώδη υλικά», και

| 3. | Ικανές για την περιέλιξη κυλινδρικών σωλήνων εσωτερικής διαμέτρου μεταξύ 75 και 650 mm και μήκους 300 mm και άνω, |
| --- | --- |

3.

Ικανές για την περιέλιξη κυλινδρικών σωλήνων εσωτερικής διαμέτρου μεταξύ 75 και 650 mm και μήκους 300 mm και άνω,

| β. | Για ελέγχους συντονισμού και προγραμματισμού καθώς και τα σχετικά μαντρέλια ακριβείας για τις μηχανές περιέλιξης νημάτων που ορίζονται στο σημείο 1Β201.α, |
| --- | --- |

β.

Για ελέγχους συντονισμού και προγραμματισμού καθώς και τα σχετικά μαντρέλια ακριβείας για τις μηχανές περιέλιξης νημάτων που ορίζονται στο σημείο 1Β201.α,

| γ. | Για μαντρέλια ακριβείας για τις μηχανές περιέλιξης νημάτων που ορίζονται στο σημείο 1Β201.α. |
| --- | --- |

γ.

Για μαντρέλια ακριβείας για τις μηχανές περιέλιξης νημάτων που ορίζονται στο σημείο 1Β201.α.

1B225

Ηλεκτρολυτικά κύτταρα για την παραγωγή φθορίου με παραγωγική δυνατότητα ανώτερη των 250 g φθορίου την ώρα.

1B226

Ηλεκτρομαγνητικοί διαχωριστές ισοτόπων σχεδιασμένοι για ή εφοδιασμένοι με απλές ή πολλαπλές πηγές ιόντων, ικανοί να παράγουν συνολικό ρεύμα δέσμης ιόντων 50 mΑ και άνω.

Σημείωση: Το σημείο 1Β226 περιλαμβάνει διαχωριστές:

| α. | Για τον εμπλουτισμό σταθερών ισοτόπων, |
| --- | --- |

α.

Για τον εμπλουτισμό σταθερών ισοτόπων,

| β. | Με πηγές ιόντων και συλλέκτες τόσο σε μαγνητικά πεδία όσο και σε συστήματα στα οποία οι διαχωριστές αυτοί ευρίσκονται εκτός πεδίου. |
| --- | --- |

β.

Με πηγές ιόντων και συλλέκτες τόσο σε μαγνητικά πεδία όσο και σε συστήματα στα οποία οι διαχωριστές αυτοί ευρίσκονται εκτός πεδίου.

1B228

Αποστακτικές κρυογονικές στήλες υδρογόνου που διαθέτουν όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

| α. | Σχεδιασμένες για λειτουργία σε εσωτερικές θερμοκρασίες 35 Κ (-238 °C) ή λιγότερο, |
| --- | --- |

α.

Σχεδιασμένες για λειτουργία σε εσωτερικές θερμοκρασίες 35 Κ (-238 °C) ή λιγότερο,

| β. | Σχεδιασμένες για λειτουργία με εσωτερική πίεση από 0,5 έως 5ΜΡa (5 έως 50 ατμόσφαιρες), |
| --- | --- |

β.

Σχεδιασμένες για λειτουργία με εσωτερική πίεση από 0,5 έως 5ΜΡa (5 έως 50 ατμόσφαιρες),

| γ. | Κατασκευασμένες είτε:






  1. | Από ανοξείδωτο χάλυβα σειράς 300 και με ωστευτιτικό μέγεθος κόκκου ΑSΤΜ (ή ισοδύναμου προτύπου) 5 ή μεγαλύτερο, ή |
| --- | --- | --- |

γ.

Κατασκευασμένες είτε:

1.

Από ανοξείδωτο χάλυβα σειράς 300 και με ωστευτιτικό μέγεθος κόκκου ΑSΤΜ (ή ισοδύναμου προτύπου) 5 ή μεγαλύτερο, ή

| 2. | Από ισοδύναμα υλικά που είναι και κρυογονικά και συμβατά υδρογόνου, και |
| --- | --- |

2.

Από ισοδύναμα υλικά που είναι και κρυογονικά και συμβατά υδρογόνου, και

| δ. | Εσωτερικής διαμέτρου 30 m και άνω και πραγματικού μήκους 4 m ή άνω. |
| --- | --- |

δ.

Εσωτερικής διαμέτρου 30 m και άνω και πραγματικού μήκους 4 m ή άνω.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 1B228, ο όρος «πραγματικό μήκος» σημαίνει το ενεργό ύψος του υλικού πλήρωσης σε στήλη τύπου πλήρωσης ή το ενεργό ύψος των εσωτερικών πλακών επαφής σε στήλη τύπου πλάκας.

1B229

Ανταλλακτικές στήλες νερού-υδροθείου, με δίσκους, και τα «εσωτερικά εξαρτήματα επαφής» τους, ως εξής:

ΣΗΜ.: Για στήλες ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για την παραγωγή βαρέος ύδατος βλέπε 0Β004.

| α. | Ανταλλακτικές στήλες νερού-υδροθείου, με δίσκους, με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Μπορούν να λειτουργούν υπό πίεση 2 MPa ή άνω, |
| --- | --- | --- |

α.

Ανταλλακτικές στήλες νερού-υδροθείου, με δίσκους, με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Μπορούν να λειτουργούν υπό πίεση 2 MPa ή άνω,

| 2. | Κατασκευασμένες από ανθρακούχο χάλυβα με ωστευτιτικό ASTM (ή ισοδύναμου προτύπου) μέγεθος κόκκου 5 ή άνω, και |
| --- | --- |

2.

Κατασκευασμένες από ανθρακούχο χάλυβα με ωστευτιτικό ASTM (ή ισοδύναμου προτύπου) μέγεθος κόκκου 5 ή άνω, και

| 3. | Με διάμετρο 1,8 m ή άνω, |
| --- | --- |

3.

Με διάμετρο 1,8 m ή άνω,

| β. | «Εσωτερικά εξαρτήματα επαφής» για τις ανταλλακτικές στήλες νερού-υδροθείου, με δίσκους, που ορίζονται στο σημείο 1Β229.α.


  Τεχνική παρατήρηση:


  Τα ‘εσωτερικά εξαρτήματα επαφής’ των στηλών είναι αρθρωτοί δίσκοι με πραγματική ολική διάμετρο 1,8 m και άνω, και είναι σχεδιασμένοι για να διευκολύνουν την επαφή σε αντίστροφη ροή και κατασκευασμένοι από ανοξείδωτους χάλυβες με περιεκτικότητα άνθρακα 0,03 % το πολύ. Μπορούν να είναι διάτρητοι δίσκοι, δίσκοι με βαλβίδες, ημισφαιρικοί δίσκοι παφλασμού και δίσκοι πλέγματος turbo. |
| --- | --- |

β.

«Εσωτερικά εξαρτήματα επαφής» για τις ανταλλακτικές στήλες νερού-υδροθείου, με δίσκους, που ορίζονται στο σημείο 1Β229.α.

Τεχνική παρατήρηση:

Τα ‘εσωτερικά εξαρτήματα επαφής’ των στηλών είναι αρθρωτοί δίσκοι με πραγματική ολική διάμετρο 1,8 m και άνω, και είναι σχεδιασμένοι για να διευκολύνουν την επαφή σε αντίστροφη ροή και κατασκευασμένοι από ανοξείδωτους χάλυβες με περιεκτικότητα άνθρακα 0,03 % το πολύ. Μπορούν να είναι διάτρητοι δίσκοι, δίσκοι με βαλβίδες, ημισφαιρικοί δίσκοι παφλασμού και δίσκοι πλέγματος turbo.

1B230

Αντλίες ικανές για την κυκλοφόρηση διαλυμάτων πυκνών ή αραιωμένων καταλυτών αμιδίου του καλίου σε υγρή αμμωνία (KNH2/NH3), με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

| α. | Αεροστεγείς (δηλαδή ερμητικά σφραγισμένες), |
| --- | --- |

α.

Αεροστεγείς (δηλαδή ερμητικά σφραγισμένες),

| β. | Απόδοσης άνω του 8,5 m3/h, και |
| --- | --- |

β.

Απόδοσης άνω του 8,5 m3/h, και

| γ. | Με ένα από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Για πυκνά διαλύματα αμιδίου του καλίου (1 % και άνω), πίεση λειτουργίας 1,5-60 ΜΡa, ή |
| --- | --- | --- |

γ.

Με ένα από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Για πυκνά διαλύματα αμιδίου του καλίου (1 % και άνω), πίεση λειτουργίας 1,5-60 ΜΡa, ή

| 2. | Για αραιά διαλύματα αμιδίου του καλίου (κάτω του 1 %), πίεση λειτουργίας 20-60 ΜΡa. |
| --- | --- |

2.

Για αραιά διαλύματα αμιδίου του καλίου (κάτω του 1 %), πίεση λειτουργίας 20-60 ΜΡa.

1B231

Εγκαταστάσεις ή εργοστάσια τριτίου και εξοπλισμός τους, ως εξής:

| α. | Εγκαταστάσεις ή εργοστάσια παραγωγής, ανάκτησης, εξαγωγής, συγκέντρωσης ή χειρισμού τριτίου, και εξοπλισμός ως εξής: |
| --- | --- |

α.

Εγκαταστάσεις ή εργοστάσια παραγωγής, ανάκτησης, εξαγωγής, συγκέντρωσης ή χειρισμού τριτίου, και εξοπλισμός ως εξής:

| β. | Εξοπλισμός για εγκαταστάσεις ή εργοστάσια τριτίου, ως εξής:






  1. | Μονάδες ψύξης υδρογόνου ή ηλίου με δυνατότητες ψύξης 23 Κ (-250 °C) και κάτω, με δυνατότητα απομάκρυνσης θερμότητας μεγαλύτερη των 150 W, |
| --- | --- | --- |

β.

Εξοπλισμός για εγκαταστάσεις ή εργοστάσια τριτίου, ως εξής:

1.

Μονάδες ψύξης υδρογόνου ή ηλίου με δυνατότητες ψύξης 23 Κ (-250 °C) και κάτω, με δυνατότητα απομάκρυνσης θερμότητας μεγαλύτερη των 150 W,

| 2. | Συστήματα αποθήκευσης ή καθαρισμού ισοτόπων του υδρογόνου χρησιμοποιούντα μεταλλικά υδρίδια ως μέσα αποθήκευσης ή καθαρισμού. |
| --- | --- |

2.

Συστήματα αποθήκευσης ή καθαρισμού ισοτόπων του υδρογόνου χρησιμοποιούντα μεταλλικά υδρίδια ως μέσα αποθήκευσης ή καθαρισμού.

1B232

Στροβιλοδιαστολείς ή συστήματα στροβιλοδιαστολέως συμπιεστού με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:

| α. | Σχεδιασμένοι για λειτουργία κάτω των 35 Κ (-238 °C), και |
| --- | --- |

α.

Σχεδιασμένοι για λειτουργία κάτω των 35 Κ (-238 °C), και

| β. | Σχεδιασμένοι για απόδοση διέλευση άνω των 1 000kg/h. |
| --- | --- |

β.

Σχεδιασμένοι για απόδοση διέλευση άνω των 1 000kg/h.

1B233

Εγκαταστάσεις, ή εργοστάσια για τη διαχώριση ισοτόπων λιθίου, καθώς και συστήματα και εξοπλισμός τους, ως εξής:

| α. | Εγκαταστάσεις ή εργοστάσια για τη διαχώριση ισοτόπων λιθίου. |
| --- | --- |

α.

Εγκαταστάσεις ή εργοστάσια για τη διαχώριση ισοτόπων λιθίου.

| β. | Εξοπλισμός για τη διαχώριση ισοτόπων λιθίου που βασίζεται στη διεργασία δημιουργίας αμαγάλματος λιθίου-υδραργύρου, ως εξής:






  1. | Στήλες ανταλλαγής υγρού-υγρού ειδικά σχεδιασμένες για αμαλγάματα λιθίου, |
| --- | --- | --- |

β.

Εξοπλισμός για τη διαχώριση ισοτόπων λιθίου που βασίζεται στη διεργασία δημιουργίας αμαγάλματος λιθίου-υδραργύρου, ως εξής:

1.

Στήλες ανταλλαγής υγρού-υγρού ειδικά σχεδιασμένες για αμαλγάματα λιθίου,

| 2. | Αντλίες αμαλγάματος υδραργύρου ή λιθίου, |
| --- | --- |

2.

Αντλίες αμαλγάματος υδραργύρου ή λιθίου,

| 3. | Στοιχεία ηλεκτρόλυσης αμαλγάματος λιθίου, |
| --- | --- |

3.

Στοιχεία ηλεκτρόλυσης αμαλγάματος λιθίου,

| 4. | Εξατμιστήρες πυκνού διαλύματος υδροξειδίου του λιθίου, |
| --- | --- |

4.

Εξατμιστήρες πυκνού διαλύματος υδροξειδίου του λιθίου,

| γ. | Συστήματα ανταλλαγής ιόντων ειδικά σχεδιασμένα για τη διαχώριση ισοτόπων λιθίου και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά τους, |
| --- | --- |

γ.

Συστήματα ανταλλαγής ιόντων ειδικά σχεδιασμένα για τη διαχώριση ισοτόπων λιθίου και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά τους,

| δ. | Συστήματα ανταλλαγής χημικών ουσιών [που χρησιμοποιούν crown ethers (αιθέρες στέμματος), cryptands ή lariat ethers (αιθέρες λάσου)] ειδικά σχεδιασμένα για τη διαχώριση ισοτόπων λιθίου και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά τους, |
| --- | --- |

δ.

Συστήματα ανταλλαγής χημικών ουσιών [που χρησιμοποιούν crown ethers (αιθέρες στέμματος), cryptands ή lariat ethers (αιθέρες λάσου)] ειδικά σχεδιασμένα για τη διαχώριση ισοτόπων λιθίου και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά τους,

1B234

Δοχεία, θάλαμοι, περιέκτες περιορισμού ισχυρών εκρηκτικών υλικών και άλλες παρόμοιες διατάξεις περιορισμού σχεδιασμένες για δοκιμές ισχυρά εκρηκτικών υλικών ή εκρηκτικών μηχανισμών, που έχουν τα εξής χαρακτηριστικά:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ.

| α. | Σχεδιασμένες για τον πλήρη περιορισμό έκρηξης αντίστοιχης 2 kg TNT ή μεγαλύτερης, και |
| --- | --- |

α.

Σχεδιασμένες για τον πλήρη περιορισμό έκρηξης αντίστοιχης 2 kg TNT ή μεγαλύτερης, και

| β. | Που έχουν σχεδιαστικά στοιχεία ή χαρακτηριστικά τα οποία επιτρέπουν τη μεταφορά διαγνωστικών ή μετρητικών πληροφοριών σε πραγματικό χρόνο ή με καθυστέρηση. |
| --- | --- |

β.

Που έχουν σχεδιαστικά στοιχεία ή χαρακτηριστικά τα οποία επιτρέπουν τη μεταφορά διαγνωστικών ή μετρητικών πληροφοριών σε πραγματικό χρόνο ή με καθυστέρηση.

1C   Υλικά

Τεχνική παρατήρηση:

Μέταλλα και κράματα:

Εκτός αντίθετης μνείας οι λέξεις «μέταλλα» και «κράματα» στα σημεία 1C001 έως 1C012 καλύπτουν φυσικές και ημικατεργασμένες μορφές, ως εξής:

Φυσικές μορφές:

Άνοδοι, σφαίρες, ράβδοι (συμπεριλαμβανομένων ράβδων με εγκοπές και συρμάτινων ράβδων), χελώνες σιδήρου, τρόχιλοι, χελώνες σφυρήλατου σιδήρου, πλίνθοι, συσσωματώματες, κάθοδοι, κρύσταλλα, κύβοι, δίσκοι, κόκκοι, όγκοι μετάλλου, σβώλοι, μικροί και μεγάλοι, χελώνες, σκόνη, ροδέλες, σκάγια, πλάκες, τεμάχια μεταλλεύματος, μάζες, λεπτές ράβδοι.

Ημικατεργασμένες μορφές (επικαλυμμένες, ελασματοποιημένες, αυλακωμένες, πεπιεσμένες ή όχι):

| α. | Σφυρήλατα ή επεξεργασμένα μέταλλα παρασκευασμένα με έλαση, συρματοποίηση, διαμόρφωση με ώθηση σε μήτρα, σφυρηλάτηση, εξέλαση με κρούση, συμπίεση, χονδροποίηση, τεμαχισμό και κονιοποίηση, δηλαδή: γωνίες, αγωγοί, κύκλοι, δίσκοι, σκόνη, λέπια, λεπτά φύλλα, σφυρηλατήσεις, ελάσματα, κόνις, πεπιεσμένες μορφές, ταινίες, ελατήρια, ράβδοι (συμπεριλαμβανομένων γυμνών συγκολλημένων ράβδων), συρμάτινων ράβδων και συρμάτων εξελάσεως, τομές, σχήματα, φύλλα, λωρίδες και σωλήνες (συμπεριλαμβανομένων κοίλων διατομών κυκλικής και τετραγωνικής μορφής) καθώς και με κενά παραγόμενα δι’ έλξης ή δι’ εξέλασης, σύρματα, |
| --- | --- |

α.

Σφυρήλατα ή επεξεργασμένα μέταλλα παρασκευασμένα με έλαση, συρματοποίηση, διαμόρφωση με ώθηση σε μήτρα, σφυρηλάτηση, εξέλαση με κρούση, συμπίεση, χονδροποίηση, τεμαχισμό και κονιοποίηση, δηλαδή: γωνίες, αγωγοί, κύκλοι, δίσκοι, σκόνη, λέπια, λεπτά φύλλα, σφυρηλατήσεις, ελάσματα, κόνις, πεπιεσμένες μορφές, ταινίες, ελατήρια, ράβδοι (συμπεριλαμβανομένων γυμνών συγκολλημένων ράβδων), συρμάτινων ράβδων και συρμάτων εξελάσεως, τομές, σχήματα, φύλλα, λωρίδες και σωλήνες (συμπεριλαμβανομένων κοίλων διατομών κυκλικής και τετραγωνικής μορφής) καθώς και με κενά παραγόμενα δι’ έλξης ή δι’ εξέλασης, σύρματα,

| β. | Από υλικό παραγόμενο με χύσιμο σε άμμο, καλούπια, μέταλλα, εκμαγεία ή άλλα είδη καλουπιών, συμπεριλαμβανομένου του χυσίματος υψηλής πιέσεως, συντετηγμένων μορφών και μορφών που παράγονται από τη μεταλλουργία των κόνεων. |
| --- | --- |

β.

Από υλικό παραγόμενο με χύσιμο σε άμμο, καλούπια, μέταλλα, εκμαγεία ή άλλα είδη καλουπιών, συμπεριλαμβανομένου του χυσίματος υψηλής πιέσεως, συντετηγμένων μορφών και μορφών που παράγονται από τη μεταλλουργία των κόνεων.

Ο στόχος του ελέγχου δεν θα πρέπει να καταστρατηγείται με την εξαγωγή μορφών που δεν απαριθμούνται και που δήθεν αποτελούν τελικά προϊόντα, αλλά στην πραγματικότητα είναι φυσικές ή ημικατεργασμένες μορφές.

| 1C001 | Υλικά σχεδιασμένα για να χρησιμοποιηθούν ως απορροφητές ηλεκτρομαγνητικών κυμάτων ή πολυμερή εγγενούς αγωγιμότητας ως εξής:


  ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 1C101.







  α. | Υλικά απορρόφησης συχνοτήτων ανωτέρων των 2 × 108 Hz αλλά όχι ανωτέρων των 3 × 1012 Hz,


  Σημείωση 1: Στο σημείο 1C001.α. δεν υπάγονται:








  α. | Απορροφητικά από τρίχα, κατασκευασμένα από φυσικές ή συνθετικές ίνες, περιέχοντα μη μαγνητική φόρτιση, |
| --- | --- | --- | --- |

1C001

Υλικά σχεδιασμένα για να χρησιμοποιηθούν ως απορροφητές ηλεκτρομαγνητικών κυμάτων ή πολυμερή εγγενούς αγωγιμότητας ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 1C101.

α.

Υλικά απορρόφησης συχνοτήτων ανωτέρων των 2 × 108 Hz αλλά όχι ανωτέρων των 3 × 1012 Hz,

Σημείωση 1: Στο σημείο 1C001.α. δεν υπάγονται:

α.

Απορροφητικά από τρίχα, κατασκευασμένα από φυσικές ή συνθετικές ίνες, περιέχοντα μη μαγνητική φόρτιση,

| β. | Απορροφητικά μη εμφανίζοντα μαγνητική απώλεια και των οποίων η επιφάνεια πρόσπτωσης δεν είναι επίπεδη, περιλαμβάνοντα επιφάνειες υπό μορφή πυραμίδας, κώνου, κυματοειδείς και με ακμές, |
| --- | --- |

β.

Απορροφητικά μη εμφανίζοντα μαγνητική απώλεια και των οποίων η επιφάνεια πρόσπτωσης δεν είναι επίπεδη, περιλαμβάνοντα επιφάνειες υπό μορφή πυραμίδας, κώνου, κυματοειδείς και με ακμές,

| γ. | Επίπεδα απορροφητικά με τα ακόλουθα:








  1. | Κατασκευασμένα από:








  α. | Αφρώδη πλαστικά υλικά (εύκαμπτα ή μη εύκαμπτα) με φόρτιση άνθρακα, ή οργανικά υλικά, συμπεριλαμβανομένων και συνδετικών, παρέχοντα ηχώ ανώτερη του 5 % σε σχέση με τα μέταλλα, σε εύρος ζώνης ανώτερης του ± 15 % από την κεντρική συχνότητα της προσπίπτουσας ενέργειας και μη ικανά να ανθέξουν σε θερμοκρασίες πέραν των 450 Κ (177 °C), ή |
| --- | --- | --- | --- |

γ.

Επίπεδα απορροφητικά με τα ακόλουθα:

1.

Κατασκευασμένα από:

α.

Αφρώδη πλαστικά υλικά (εύκαμπτα ή μη εύκαμπτα) με φόρτιση άνθρακα, ή οργανικά υλικά, συμπεριλαμβανομένων και συνδετικών, παρέχοντα ηχώ ανώτερη του 5 % σε σχέση με τα μέταλλα, σε εύρος ζώνης ανώτερης του ± 15 % από την κεντρική συχνότητα της προσπίπτουσας ενέργειας και μη ικανά να ανθέξουν σε θερμοκρασίες πέραν των 450 Κ (177 °C), ή

| β. | Κεραμικά υλικά παρέχοντα ηχώ μεγαλύτερη του 20 % σε σχέση με τα μέταλλα, σε εύρος ζώνης ανώτερης του ± 15 % από την κεντρική συχνότητα της προσπίπτουσας ενέργειας, και μη ικανά να ανθέξουν σε θερμοκρασίες υπερβαίνουσες τους 800Κ (527 °C), |
| --- | --- |

β.

Κεραμικά υλικά παρέχοντα ηχώ μεγαλύτερη του 20 % σε σχέση με τα μέταλλα, σε εύρος ζώνης ανώτερης του ± 15 % από την κεντρική συχνότητα της προσπίπτουσας ενέργειας, και μη ικανά να ανθέξουν σε θερμοκρασίες υπερβαίνουσες τους 800Κ (527 °C),

Τεχνική παρατήρηση:

Δείγματα δοκιμών απορρόφησης για το σημείο 1C001.α. Σημείωση: Το 1.γ.1. πρέπει να είναι τετράγωνο πλευράς τουλάχιστον ίσης προς 5 μήκη κύματος της κεντρικής συχνότητας και τοποθετημένο στο μακρινό πεδίο του ακτινοβόλου στοιχείου.

| 2. | Αντίσταση εφελκυσμού μικρότερη των 7 × 106 N/m2, και |
| --- | --- |

2.

Αντίσταση εφελκυσμού μικρότερη των 7 × 106 N/m2, και

| 3. | Αντίσταση σύνθλιψης μικρότερη των 14 × 106 N/m2, |
| --- | --- |

3.

Αντίσταση σύνθλιψης μικρότερη των 14 × 106 N/m2,

| δ. | Επίπεδα απορροφητικά κατασκευασμένα από συντετηγμένο σιδηρίτη (φερρίτη), με τα ακόλουθα:








  1. | Ειδικό βάρος ανώτερο του 4,4, και |
| --- | --- | --- |

δ.

Επίπεδα απορροφητικά κατασκευασμένα από συντετηγμένο σιδηρίτη (φερρίτη), με τα ακόλουθα:

1.

Ειδικό βάρος ανώτερο του 4,4, και

| 2. | Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας 548 Κ (275 °C). |
| --- | --- |

2.

Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας 548 Κ (275 °C).

Σημείωση 2: Τίποτε στη Σημείωση 1 του σημείου 1C001.α. δεν απαλλάσσει μαγνητικά υλικά από του να προσφέρουν απορρόφηση όταν περιέχονται σε χρώματα.

| β. | Υλικά απορρόφησης συχνοτήτων που υπερβαίνουν το 1,5 × 1014 Hz αλλά είναι κατώτερες των 3,7 × 1014 Hz, αδιαφανή στο ορατό φως,


  Σημείωση: Το σημείο 1C001.β. δεν καλύπτει υλικά ελέγχου ειδικά σχεδιασμένα ή σχηματισμένα για οποιαδήποτε από τις εξής εφαρμογές:








  α. | Σήμανση πολυμερών με λέιζερ, ή |
| --- | --- | --- |

β.

Υλικά απορρόφησης συχνοτήτων που υπερβαίνουν το 1,5 × 1014 Hz αλλά είναι κατώτερες των 3,7 × 1014 Hz, αδιαφανή στο ορατό φως,

Σημείωση: Το σημείο 1C001.β. δεν καλύπτει υλικά ελέγχου ειδικά σχεδιασμένα ή σχηματισμένα για οποιαδήποτε από τις εξής εφαρμογές:

α.

Σήμανση πολυμερών με λέιζερ, ή

| β. | Συγκόλληση πολυμερών με λέιζερ. |
| --- | --- |

β.

Συγκόλληση πολυμερών με λέιζερ.

| γ. | Πολυμερή υλικά εγγενώς αγώγιμα με «ηλεκτρική αγωγιμότητα όγκου» άνω των 10 000 S/m (Siemens ανά μέτρο) ή με «επιφανειακή ειδική αντίσταση» μικρότερη των 100 ohm/τετράγωνο, κατασκευασμένα από οποιοδήποτε από τα παρακάτω πολυμερή:






  1. | Πολυανιλίνη, |
| --- | --- | --- |

γ.

Πολυμερή υλικά εγγενώς αγώγιμα με «ηλεκτρική αγωγιμότητα όγκου» άνω των 10 000 S/m (Siemens ανά μέτρο) ή με «επιφανειακή ειδική αντίσταση» μικρότερη των 100 ohm/τετράγωνο, κατασκευασμένα από οποιοδήποτε από τα παρακάτω πολυμερή:

1.

Πολυανιλίνη,

| 2. | Πολυπυρρόλιο, |
| --- | --- |

2.

Πολυπυρρόλιο,

| 3. | Πολυθειοφένιο, |
| --- | --- |

3.

Πολυθειοφένιο,

| 4. | Πολυφαινυλένιο-βινυλένιο, ή |
| --- | --- |

4.

Πολυφαινυλένιο-βινυλένιο, ή

| 5. | Πολυθειενυλένιο-βινυλένιο. |
| --- | --- |

5.

Πολυθειενυλένιο-βινυλένιο.

Σημείωση: Το σημείο 1C001.γ. δεν καλύπτει υλικά ελέγχου σε υγρή μορφή.

Τεχνική παρατήρηση:

Η «ηλεκτρική αγωγιμότητα όγκου» και η «επιφανειακή ειδική αντίσταση» προσδιορίζονται με βάση την προδιαγραφή ASTM D-257 ή άλλη ισοδύναμη.

1C002

Κράματα μετάλλων, σκόνη μεταλλικών κραμάτων ή κραματικά υλικά ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 1C202.

Σημείωση: Στο σημείο 1C002 δεν υπάγονται κράματα μετάλλων, σκόνες μεταλλικών κραμάτων ή κραματικά υλικά για υποστρώματα επίχρισης.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Τα μεταλλικά κράματα που προσδιορίζονται στο σημείο 1C002 είναι αυτά που περιέχουν υψηλότερα κατά βάρος ποσοστά του αναφερόμενου μετάλλου από οποιοδήποτε άλλο περιεχόμενο στοιχείο. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Η «αντοχή (ζωή) σε ρήξη λόγω τάσης» πρέπει να μετράται σύμφωνα με την προδιαγραφή ASTM E-139 ή εθνική ισοδύναμη. |
| --- | --- |

2.

| 3. | «Χαμηλός κύκλος ζωής σε καταπόνηση» μετράται σε συμφωνία με την προδιαγραφή ASTM E-606 «Recommended Practice for Constant-Amplitude Low-Cycle Fatigue Testing» ή εθνική ισοδύναμη. Η δοκιμασία διενεργείται κατά τον άξονα με μέση σχέση τάσης ίση προς 1 και συντελεστή συγκέντρωσης τάσης (Κt) ίσο προς 1. Ως μέση τάση ορίζεται η μέγιστη τάση μείον την ελάχιστη τάση διά της μέγιστης τάσης. |
| --- | --- |

3.

| α. | Αργιλίδια (Αλουμινίδια) ως εξής:






  1. | Αργιλίδια του νικελίου περιέχοντα 15 % κατά βάρος και άνω αργίλιο και έως 38 % κατά βάρος αργιλίου, καθώς και τουλάχιστον ένα πρόσθετο στοιχείο κράματος, |
| --- | --- | --- |

α.

Αργιλίδια (Αλουμινίδια) ως εξής:

1.

Αργιλίδια του νικελίου περιέχοντα 15 % κατά βάρος και άνω αργίλιο και έως 38 % κατά βάρος αργιλίου, καθώς και τουλάχιστον ένα πρόσθετο στοιχείο κράματος,

| 2. | Αργιλίδια του τιτανίου περιέχοντα 10 % κατά βάρος και άνω αργίλιο και τουλάχιστον ένα στοιχείο κράματος, |
| --- | --- |

2.

Αργιλίδια του τιτανίου περιέχοντα 10 % κατά βάρος και άνω αργίλιο και τουλάχιστον ένα στοιχείο κράματος,

| β. | Μεταλλικά κράματα, κατασκευασμένα από σκόνη ή σωματιδιακό υλικό που προσδιορίζεται στο σημείο 1C002.γ., ως εξής:






  1. | Κράματα νικελίου που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | ‘Αντοχή σε ρήξη λόγω τάσης’10 000 ωρών και άνω, σε 923 K (650 °C) και υπό τάση 676 MPa, ή |
| --- | --- | --- | --- |

β.

Μεταλλικά κράματα, κατασκευασμένα από σκόνη ή σωματιδιακό υλικό που προσδιορίζεται στο σημείο 1C002.γ., ως εξής:

1.

Κράματα νικελίου που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

‘Αντοχή σε ρήξη λόγω τάσης’10 000 ωρών και άνω, σε 923 K (650 °C) και υπό τάση 676 MPa, ή

| β. | ‘Χαμηλό κύκλο ζωής σε καταπόνηση’10 000 κύκλων και άνω, σε 823 Κ (550 °C), με μέγιστες τάσεις 1 095 ΜΡa, |
| --- | --- |

β.

‘Χαμηλό κύκλο ζωής σε καταπόνηση’10 000 κύκλων και άνω, σε 823 Κ (550 °C), με μέγιστες τάσεις 1 095 ΜΡa,

| 2. | Κράματα νιοβίου που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | ‘Αντοχή σε ρήξη λόγω τάσης’10 000 ωρών και άνω, σε 1 073 K (800 °C) και υπό τάση 400 MPa, ή |
| --- | --- | --- |

2.

Κράματα νιοβίου που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

‘Αντοχή σε ρήξη λόγω τάσης’10 000 ωρών και άνω, σε 1 073 K (800 °C) και υπό τάση 400 MPa, ή

| β. | ‘Χαμηλό κύκλο ζωής σε καταπόνηση’10 000 κύκλων και άνω, σε 973 Κ (700 °C), με μέγιστες τάσεις 700 ΜΡa, |
| --- | --- |

β.

‘Χαμηλό κύκλο ζωής σε καταπόνηση’10 000 κύκλων και άνω, σε 973 Κ (700 °C), με μέγιστες τάσεις 700 ΜΡa,

| 3. | Κράματα τιτανίου που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | ‘Αντοχή σε ρήξη λόγω τάσης’10 000 ωρών και άνω, σε 723 K (450 °C) και υπό τάση 200 MPa, ή |
| --- | --- | --- |

3.

Κράματα τιτανίου που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

‘Αντοχή σε ρήξη λόγω τάσης’10 000 ωρών και άνω, σε 723 K (450 °C) και υπό τάση 200 MPa, ή

| β. | ‘Χαμηλό κύκλο ζωής σε καταπόνηση’10 000 κύκλων και άνω, σε 723 Κ (450 °C), με μέγιστες τάσεις 400 ΜΡa, |
| --- | --- |

β.

‘Χαμηλό κύκλο ζωής σε καταπόνηση’10 000 κύκλων και άνω, σε 723 Κ (450 °C), με μέγιστες τάσεις 400 ΜΡa,

| 4. | Κράματα αργιλίου που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Αντίσταση εφελκυσμού 240 Mpa ή περισσότερο σε 473 K (200 °C), ή |
| --- | --- | --- |

4.

Κράματα αργιλίου που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Αντίσταση εφελκυσμού 240 Mpa ή περισσότερο σε 473 K (200 °C), ή

| β. | Αντίσταση εφελκυσμού 415 Mpa ή περισσότερο σε 298 K (25 °C), |
| --- | --- |

β.

Αντίσταση εφελκυσμού 415 Mpa ή περισσότερο σε 298 K (25 °C),

| 5. | Κράματα μαγνησίου που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Αντίσταση εφελκυσμού 345 ΜΡa και άνω, και |
| --- | --- | --- |

5.

Κράματα μαγνησίου που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Αντίσταση εφελκυσμού 345 ΜΡa και άνω, και

| β. | Ταχύτητα διάβρωσης μικρότερη του 1 mm/έτος, σε υδατικά διαλύματα χλωριούχου νατρίου 3 %, μετρούμενη σε συμφωνία με την προδιαγραφή ASTM G-31 ή αντίστοιχο εθνικό ισοδύναμο, |
| --- | --- |

β.

Ταχύτητα διάβρωσης μικρότερη του 1 mm/έτος, σε υδατικά διαλύματα χλωριούχου νατρίου 3 %, μετρούμενη σε συμφωνία με την προδιαγραφή ASTM G-31 ή αντίστοιχο εθνικό ισοδύναμο,

| γ. | Σκόνες μεταλλικών κραμάτων ή σωματιδιακό υλικό, με όλα τα παρακάτω:






  1. | Παραγόμενες με οποιαδήποτε από τις παρακάτω συνθέσεις:


  Τεχνική παρατήρηση:


  Το Χ παριστά ένα ή περισσότερα κραματικά στοιχεία:







  α. | Κράματα νικελίου (Ni-Al-X, Ni-X-Al) κατάλληλα για εξαρτήματα ή μέρη στροβιλομηχανών, δηλαδή με λιγότερα των τριών μη μεταλλικών σωματιδίων (που εισάγονται κατά την παραγωγική διαδικασία μεγαλύτερα των 100 μικρομέτρων σε 109 κραματικά σωματίδια, |
| --- | --- | --- | --- |

γ.

Σκόνες μεταλλικών κραμάτων ή σωματιδιακό υλικό, με όλα τα παρακάτω:

1.

Παραγόμενες με οποιαδήποτε από τις παρακάτω συνθέσεις:

Τεχνική παρατήρηση:

Το Χ παριστά ένα ή περισσότερα κραματικά στοιχεία:

α.

Κράματα νικελίου (Ni-Al-X, Ni-X-Al) κατάλληλα για εξαρτήματα ή μέρη στροβιλομηχανών, δηλαδή με λιγότερα των τριών μη μεταλλικών σωματιδίων (που εισάγονται κατά την παραγωγική διαδικασία μεγαλύτερα των 100 μικρομέτρων σε 109 κραματικά σωματίδια,

| β. | Κράματα νιοβίου (Nb-Al-X ή Nb-X-Al, Nb-Si-X ή Nb-X-Si, Nb-Ti-X ή Nb-X-Ti), |
| --- | --- |

β.

Κράματα νιοβίου (Nb-Al-X ή Nb-X-Al, Nb-Si-X ή Nb-X-Si, Nb-Ti-X ή Nb-X-Ti),

| γ. | Κράματα τιτανίου (Ti-Al-X ή Ti-X-Al), |
| --- | --- |

γ.

Κράματα τιτανίου (Ti-Al-X ή Ti-X-Al),

| δ. | Κράματα αργιλίου (Al-Mg-X ή Al-X-Mg, Al-Zn-X ή Al-X-Zn, Al-Fe-X ή Al-X-Fe), ή |
| --- | --- |

δ.

Κράματα αργιλίου (Al-Mg-X ή Al-X-Mg, Al-Zn-X ή Al-X-Zn, Al-Fe-X ή Al-X-Fe), ή

| ε. | Κράματα μαγνησίου (Mg-Al-X ή Mg-X-Al), |
| --- | --- |

ε.

Κράματα μαγνησίου (Mg-Al-X ή Mg-X-Al),

| 2. | Παραγόμενα σε ελεγχόμενο περιβάλλον με οποιαδήποτε από τις παρακάτω διαδικασίες:






  α. | «Ψεκασμό εν κενώ», |
| --- | --- | --- |

2.

Παραγόμενα σε ελεγχόμενο περιβάλλον με οποιαδήποτε από τις παρακάτω διαδικασίες:

α.

«Ψεκασμό εν κενώ»,

| β. | «Ψεκασμό αερίου», |
| --- | --- |

β.

«Ψεκασμό αερίου»,

| γ. | «Κυκλικό ψεκασμό», |
| --- | --- |

γ.

«Κυκλικό ψεκασμό»,

| δ. | «Ράντισμα βαφής», |
| --- | --- |

δ.

«Ράντισμα βαφής»,

| ε. | «Κλώση τήγματος» και «κατακερματισμό», |
| --- | --- |

ε.

«Κλώση τήγματος» και «κατακερματισμό»,

| στ. | «Κλώση τήγματος» και «κατακερματισμό», ή |
| --- | --- |

στ.

«Κλώση τήγματος» και «κατακερματισμό», ή

| ζ. | «Μηχανική κραματοποίηση», και |
| --- | --- |

ζ.

«Μηχανική κραματοποίηση», και

| 3. | Ικανά να σχηματίζουν υλικά προσδιοριζόμενα στα σημεία 1C002.α ή 1C002.β, |
| --- | --- |

3.

Ικανά να σχηματίζουν υλικά προσδιοριζόμενα στα σημεία 1C002.α ή 1C002.β,

| δ. | Κραματικά υλικά με όλα τα παρακάτω:






  1. | Παραγόμενα με οποιαδήποτε από τις συνθέσεις που προσδιορίζονται στο σημείο 1C002.γ.1, |
| --- | --- | --- |

δ.

Κραματικά υλικά με όλα τα παρακάτω:

1.

Παραγόμενα με οποιαδήποτε από τις συνθέσεις που προσδιορίζονται στο σημείο 1C002.γ.1,

| 2. | Υπό μορφή μη κατακερματισμένων φολίδων, ταινιών ή ραβδίων, και |
| --- | --- |

2.

Υπό μορφή μη κατακερματισμένων φολίδων, ταινιών ή ραβδίων, και

| 3. | Παραγόμενες σε ελεγχόμενο περιβάλλον με οποιαδήποτε από τις εξής μεθόδους:






  α. | «Ράντισμα βαφής», |
| --- | --- | --- |

3.

Παραγόμενες σε ελεγχόμενο περιβάλλον με οποιαδήποτε από τις εξής μεθόδους:

α.

«Ράντισμα βαφής»,

| β. | «Κλώση τήγματος», ή |
| --- | --- |

β.

«Κλώση τήγματος», ή

| γ. | «Διαχωρισμό τήγματος». |
| --- | --- |

γ.

«Διαχωρισμό τήγματος».

1C003

Μαγνητικά μέταλλα, παντός τύπου και μορφής, εμφανίζοντα οποιοδήποτε από τα παρακάτω:

| α. | Αρχική σχετική διαπερατότητα 120 000 και άνω και πάχος 0,05 mm και άνω,


  Τεχνική παρατήρηση:


  Η μέτρηση της αρχικής σχετικής διαπερατότητας πρέπει να πραγματοποιείται σε πλήρως αναπεπηγμένα υλικά. |
| --- | --- |

α.

Αρχική σχετική διαπερατότητα 120 000 και άνω και πάχος 0,05 mm και άνω,

Τεχνική παρατήρηση:

Η μέτρηση της αρχικής σχετικής διαπερατότητας πρέπει να πραγματοποιείται σε πλήρως αναπεπηγμένα υλικά.

| β. | Κράματα μαγνητικού μετασχηματισμού που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Κορεσμό μαγνητικού μετασχηματισμού ανώτερο των 5 × 10-4, ή |
| --- | --- | --- |

β.

Κράματα μαγνητικού μετασχηματισμού που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Κορεσμό μαγνητικού μετασχηματισμού ανώτερο των 5 × 10-4, ή

| 2. | Μαγνητο-μηχανικό συντελεστή ζεύξης (k) ανώτερο του 0,8, ή |
| --- | --- |

2.

Μαγνητο-μηχανικό συντελεστή ζεύξης (k) ανώτερο του 0,8, ή

| γ. | Άμορφες ή «νανοκρυσταλλικές» κραματικές ταινίες με οποιοδήποτε από τα εξής:






  1. | Περιεκτικότητα σε σίδηρο, κοβάλτιο ή νικέλιο τουλάχιστον 75 %, |
| --- | --- | --- |

γ.

Άμορφες ή «νανοκρυσταλλικές» κραματικές ταινίες με οποιοδήποτε από τα εξής:

1.

Περιεκτικότητα σε σίδηρο, κοβάλτιο ή νικέλιο τουλάχιστον 75 %,

| 2. | Μαγνητική επαγωγή κορεσμού (Bs) 1,6 Τ και άνω, και |
| --- | --- |

2.

Μαγνητική επαγωγή κορεσμού (Bs) 1,6 Τ και άνω, και

| 3. | Οποιοδήποτε από τα εξής:






  α. | Πάχος λωρίδων 0,02 mm και κάτω, ή |
| --- | --- | --- |

3.

Οποιοδήποτε από τα εξής:

α.

Πάχος λωρίδων 0,02 mm και κάτω, ή

| β. | Ηλεκτρική ειδική αντίσταση 2 × 10-4 ohm.cm και άνω. |
| --- | --- |

β.

Ηλεκτρική ειδική αντίσταση 2 × 10-4 ohm.cm και άνω.

Τεχνική παρατήρηση:

Τα «νανοκρυσαλλικά» υλικά στο 1C003.γ. είναι τα υλικά με μέγεθος κρυστάλλων έως και 50 nm, όπως προσδιορίζεται με περίθλαση ακτίνων X.

1C004

Κράματα ουρανίου-τιτανίου ή κράματα βολφραμίου με «μήτρα» βασιζόμενη σε σίδηρο, νικέλιο ή χαλκό, με τα εξής χαρακτηριστικά:

| α. | Πυκνότητα ανώτερη του 17,5 g/cm3, |
| --- | --- |

α.

Πυκνότητα ανώτερη του 17,5 g/cm3,

| β. | Όριο ελαστικότητας ανώτερο του 880 ΜΡa, |
| --- | --- |

β.

Όριο ελαστικότητας ανώτερο του 880 ΜΡa,

| γ. | Απώτερη αντίσταση εφελκυσμού ανώτερη των 1 270 ΜΡa, και |
| --- | --- |

γ.

Απώτερη αντίσταση εφελκυσμού ανώτερη των 1 270 ΜΡa, και

| δ. | Επιμήκυνση ανώτερη του 8 %. |
| --- | --- |

δ.

Επιμήκυνση ανώτερη του 8 %.

1C005

«Υπεραγώγιμοι»«σύνθετοι» αγωγοί σε μήκη ανώτερα των 100 m ή μάζα ανώτερη των 100 g, ως εξής:

| α. | «Υπεραγώγιμοι»«σύνθετοι» αγωγοί περιέχοντες ένα ή περισσότερα «νήματα» νιοβίου-τιτανίου με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Ενσωματωμένα σε μια «μήτρα» πλην αυτών που αποτελούνται από χαλκό ή χαλκοφόρες μεικτές «μήτρες», και |
| --- | --- | --- |

α.

«Υπεραγώγιμοι»«σύνθετοι» αγωγοί περιέχοντες ένα ή περισσότερα «νήματα» νιοβίου-τιτανίου με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Ενσωματωμένα σε μια «μήτρα» πλην αυτών που αποτελούνται από χαλκό ή χαλκοφόρες μεικτές «μήτρες», και

| 2. | Με επιφάνεια διατομής μικρότερη του 0,28 × 10-4 mm2 (6 μικρόμετρα σε διάμετρο, για τα στρογγυλά ‘νήματα’), |
| --- | --- |

2.

Με επιφάνεια διατομής μικρότερη του 0,28 × 10-4 mm2 (6 μικρόμετρα σε διάμετρο, για τα στρογγυλά ‘νήματα’),

| β. | «Υπεραγώγιμοι»«σύνθετοι» αγωγοί αποτελούμενοι από ένα ή περισσότερα «υπεραγώγιμα»«νήματα» εκτός αυτών που αποτελούνται από νιόβιο-τιτάνιο, με όλα τα παρακάτω:






  1. | Με «κρίσιμη θερμοκρασία» σε μηδενική μαγνητική επαγωγή, ανώτερη των 9,85 Κ (- 263,31 °C), και |
| --- | --- | --- |

β.

«Υπεραγώγιμοι»«σύνθετοι» αγωγοί αποτελούμενοι από ένα ή περισσότερα «υπεραγώγιμα»«νήματα» εκτός αυτών που αποτελούνται από νιόβιο-τιτάνιο, με όλα τα παρακάτω:

1.

Με «κρίσιμη θερμοκρασία» σε μηδενική μαγνητική επαγωγή, ανώτερη των 9,85 Κ (- 263,31 °C), και

| 2. | Παραμένοντα σε «υπεραγώγιμη» κατάσταση σε θερμοκρασία 4,2 Κ (-268,96 °C) όταν εκτεθούν σε μαγνητικά πεδία οποιουδήποτε προσανατολισμού κάθετου προς τον διαμήκη άξονα του αγωγού και αντιστοιχούντα σε μαγνητική επαγωγή 12 Τ με κρίσιμη πυκνότητα ρεύματος άνω των 1 750 Α/mm2 στην όλη διατομή του αγωγού, |
| --- | --- |

2.

Παραμένοντα σε «υπεραγώγιμη» κατάσταση σε θερμοκρασία 4,2 Κ (-268,96 °C) όταν εκτεθούν σε μαγνητικά πεδία οποιουδήποτε προσανατολισμού κάθετου προς τον διαμήκη άξονα του αγωγού και αντιστοιχούντα σε μαγνητική επαγωγή 12 Τ με κρίσιμη πυκνότητα ρεύματος άνω των 1 750 Α/mm2 στην όλη διατομή του αγωγού,

| γ. | «Υπεραγώγιμοι»«σύνθετοι» αγωγοί αποτελούμενοι από ένα ή περισσότερα «υπεραγώγιμα»‘νήματα’ που παραμένουν «υπεραγώγιμα» και άνω των 115 Κ(-158,16 °C). |
| --- | --- |

γ.

«Υπεραγώγιμοι»«σύνθετοι» αγωγοί αποτελούμενοι από ένα ή περισσότερα «υπεραγώγιμα»‘νήματα’ που παραμένουν «υπεραγώγιμα» και άνω των 115 Κ(-158,16 °C).

Τεχνική παρατήρηση:

Για το σημείο 1C005, τα «νήματα» μπορούν να έχουν τη μορφή σύρματος, κυλίνδρου, μεμβράνης, ταινίας ή κορδέλας.

1C006

Ρευστά και υλικά λίπανσης, ως εξής:

| α. | Υδραυλικά ρευστά περιέχοντα ως κύρια συστατικά οποιαδήποτε από τα παρακάτω:






  1. | Έλαια πυριτιούχων υδρογονανθράκων με τα εξής χαρακτηριστικά:


  Τεχνική παρατήρηση:


  Για τους σκοπούς του σημείου 1C006.α.1., τα έλαια πυριτιούχων υδρογονανθράκων περιέχουν αποκλειστικά και μόνον πυρίτιο, υδρογόνο και άνθρακα.







  α. | «Σημείο ανάφλεξης» ανώτερο των 477 Κ (204 °C), |
| --- | --- | --- | --- |

α.

Υδραυλικά ρευστά περιέχοντα ως κύρια συστατικά οποιαδήποτε από τα παρακάτω:

1.

Έλαια πυριτιούχων υδρογονανθράκων με τα εξής χαρακτηριστικά:

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του σημείου 1C006.α.1., τα έλαια πυριτιούχων υδρογονανθράκων περιέχουν αποκλειστικά και μόνον πυρίτιο, υδρογόνο και άνθρακα.

α.

«Σημείο ανάφλεξης» ανώτερο των 477 Κ (204 °C),

| β. | «Σημείο ροής» σε 239 Κ (-34 °C) και κάτω, |
| --- | --- |

β.

«Σημείο ροής» σε 239 Κ (-34 °C) και κάτω,

| γ. | «Δείκτη ιξώδους» 75 και άνω, και |
| --- | --- |

γ.

«Δείκτη ιξώδους» 75 και άνω, και

| δ. | «Θερμική σταθερότητα» στους 616 Κ (343 °C), ή |
| --- | --- |

δ.

«Θερμική σταθερότητα» στους 616 Κ (343 °C), ή

| 2. | «Χλωροφθοράνθρακες» με τα εξής χαρακτηριστικά:


  Τεχνική παρατήρηση:


  Για τους σκοπούς του σημείου 1C006.α.2., οι «χλωροφθοράνθρακες» περιέχουν αποκλειστικά άνθρακα, φθόριο και χλώριο.







  α. | Χωρίς «σημείο ανάφλεξης», |
| --- | --- | --- |

2.

«Χλωροφθοράνθρακες» με τα εξής χαρακτηριστικά:

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του σημείου 1C006.α.2., οι «χλωροφθοράνθρακες» περιέχουν αποκλειστικά άνθρακα, φθόριο και χλώριο.

α.

Χωρίς «σημείο ανάφλεξης»,

| β. | «Εγγενή θερμοκρασία ανάφλεξης» ανώτερη των 977 Κ (704 °C), |
| --- | --- |

β.

«Εγγενή θερμοκρασία ανάφλεξης» ανώτερη των 977 Κ (704 °C),

| γ. | «Σημείο ροής» σε 219 Κ (-54 °C) και κάτω, |
| --- | --- |

γ.

«Σημείο ροής» σε 219 Κ (-54 °C) και κάτω,

| δ. | «Δείκτη ιξώδους» 80 και άνω, και |
| --- | --- |

δ.

«Δείκτη ιξώδους» 80 και άνω, και

| ε. | Σημείο ζέσεως σε 473 Κ (200 °C) και άνω, |
| --- | --- |

ε.

Σημείο ζέσεως σε 473 Κ (200 °C) και άνω,

| β. | Λιπαντικά υλικά περιέχοντα ως κύρια συστατικά οποιαδήποτε από τα παρακάτω:






  1. | Αιθέρες ή θειο-αιθέρες του φαινυλενίου ή του αλκυλοφαινυλενίου ή μείγματά τους περιέχοντα περισσότερες από δύο αιθερικές ή θειοαιθερικές ομάδες ή μείγματά τους, ή |
| --- | --- | --- |

β.

Λιπαντικά υλικά περιέχοντα ως κύρια συστατικά οποιαδήποτε από τα παρακάτω:

1.

Αιθέρες ή θειο-αιθέρες του φαινυλενίου ή του αλκυλοφαινυλενίου ή μείγματά τους περιέχοντα περισσότερες από δύο αιθερικές ή θειοαιθερικές ομάδες ή μείγματά τους, ή

| 2. | Φθοριωμένα σιλικονούχα ρευστά με κινηματικό ιξώδες κατώτερο των 5 000 mm2/s (5 000 centistokes) μετρούμενο σε 298 Κ (25 °C). |
| --- | --- |

2.

Φθοριωμένα σιλικονούχα ρευστά με κινηματικό ιξώδες κατώτερο των 5 000 mm2/s (5 000 centistokes) μετρούμενο σε 298 Κ (25 °C).

| γ. | Ρευστά απόσβεσης ή επίπλευσης με τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Καθαρότητα ανώτερη των 99,8 %, |
| --- | --- | --- |

γ.

Ρευστά απόσβεσης ή επίπλευσης με τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Καθαρότητα ανώτερη των 99,8 %,

| 2. | Περιέχοντα λιγότερα από 25 σωματίδια των 200 μικρομέτρων ή μεγαλύτερου μέγεθους, ανά 100 ml, και |
| --- | --- |

2.

Περιέχοντα λιγότερα από 25 σωματίδια των 200 μικρομέτρων ή μεγαλύτερου μέγεθους, ανά 100 ml, και

| 3. | Παρασκευασμένα κατά τουλάχιστον 85 % από τα παρακάτω:






  α. | Διβρωμοτετραφθοροαιθάνιο (CAS 25497-30-7, 124-73-2, 27336-23-8), |
| --- | --- | --- |

3.

Παρασκευασμένα κατά τουλάχιστον 85 % από τα παρακάτω:

α.

Διβρωμοτετραφθοροαιθάνιο (CAS 25497-30-7, 124-73-2, 27336-23-8),

| β. | Πολυχλωροτριφθοροαιθυλένιο (ελαιώδεις και κηρώδεις τροποποιήσεις μόνο), ή |
| --- | --- |

β.

Πολυχλωροτριφθοροαιθυλένιο (ελαιώδεις και κηρώδεις τροποποιήσεις μόνο), ή

| γ. | Πολυβρωμοτριφθοροαιθυλένιο. |
| --- | --- |

γ.

Πολυβρωμοτριφθοροαιθυλένιο.

| δ. | Φθορανθρακικά υγρά ηλεκτρονικής ψύξης με τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Περιέχοντα άνω του 85 % κατά βάρος ένα από τα παρακάτω συστατικά ή μείγμα αυτών:






  α. | Μονομερείς τριαζίνες υπερφθοροπολυαλκυλαιθέρα ή υπερφθοροαλειφατικούς αιθέρες, |
| --- | --- | --- | --- |

δ.

Φθορανθρακικά υγρά ηλεκτρονικής ψύξης με τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Περιέχοντα άνω του 85 % κατά βάρος ένα από τα παρακάτω συστατικά ή μείγμα αυτών:

α.

Μονομερείς τριαζίνες υπερφθοροπολυαλκυλαιθέρα ή υπερφθοροαλειφατικούς αιθέρες,

| β. | Υπερφθοροαλκυλαμίνες, |
| --- | --- |

β.

Υπερφθοροαλκυλαμίνες,

| γ. | Υπερφθοροκυκλοαλκάνια, ή |
| --- | --- |

γ.

Υπερφθοροκυκλοαλκάνια, ή

| δ. | Υπερφθοραλκάνια. |
| --- | --- |

δ.

Υπερφθοραλκάνια.

| 2. | Πυκνότητα σε 298 Κ (25 °C) άνω του 1,5 g/ml, |
| --- | --- |

2.

Πυκνότητα σε 298 Κ (25 °C) άνω του 1,5 g/ml,

| 3. | Σε υγρή μορφή σε 273 Κ (0 °C), και |
| --- | --- |

3.

Σε υγρή μορφή σε 273 Κ (0 °C), και

| 4. | Περιέχοντα άνω του 60 % φθόριο κατά βάρος. |
| --- | --- |

4.

Περιέχοντα άνω του 60 % φθόριο κατά βάρος.

Σημείωση: Το σημείο 1C006.δ. δεν καλύπτει υλικά ελέγχου που ορίζονται και συσκευάζονται ως ιατρικά προϊόντα.

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του 1C006:

| 1. | Το «σημείο ανάφλεξης» προσδιορίζεται με τη μέθοδο ανοικτού δοχείου Cleveland όπως περιγράφεται στην προδιαγραφή ASTM D-92 ή εθνικές ισοδύναμες. |
| --- | --- |

1.

Το «σημείο ανάφλεξης» προσδιορίζεται με τη μέθοδο ανοικτού δοχείου Cleveland όπως περιγράφεται στην προδιαγραφή ASTM D-92 ή εθνικές ισοδύναμες.

| 2. | Το «σημείο ροής» προσδιορίζεται χρησιμοποιώντας τη μέθοδο που περιγράφεται στην προδιαγραφή ASTM D-97 ή εθνικές ισοδύναμες. |
| --- | --- |

2.

Το «σημείο ροής» προσδιορίζεται χρησιμοποιώντας τη μέθοδο που περιγράφεται στην προδιαγραφή ASTM D-97 ή εθνικές ισοδύναμες.

| 3. | Ο «δείκτης ιξώδους» προσδιορίζεται χρησιμοποιώντας τη μέθοδο που περιγράφεται στην προδιαγραφή ASTM D-2270 ή εθνικές ισοδύναμες. |
| --- | --- |

3.

Ο «δείκτης ιξώδους» προσδιορίζεται χρησιμοποιώντας τη μέθοδο που περιγράφεται στην προδιαγραφή ASTM D-2270 ή εθνικές ισοδύναμες.

| 4. | Η «θερμική σταθερότητα» προσδιορίζεται με την εξής δοκιμασία ή εθνικές ισοδύναμες:

  Είκοσι ml του εξεταζόμενου ρευστού τοποθετούνται σε θάλαμο ανοξείδωτου χάλυβα τύπου 317 των 46 ml που περιέχει από ένα σφαιρίδιο (ονομαστικής) διαμέτρου 12,5 mm από χάλυβα εργαλείων Μ-10, από χάλυβα 52100 και από ορείχαλκο ναυτικού (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn).
  Ο θάλαμος πληρούται με άζωτο, σφραγίζεται στην ατμοσφαιρική πίεση και η θερμοκρασία υψώνεται και διατηρείται στους 644 ± 6Κ (371 ± 6 °C) για έξι ώρες.
  Το δείγμα θα θεωρηθεί ως σταθερό από θερμική άποψη, μετά το πέρας της παραπάνω διαδικασίας, αν όλες οι εξής συνθήκες έχουν ικανοποιηθεί:







  α. | Η κατά βάρος απώλεια κάθε σφαιριδίου είναι μικρότερη από 10 mg ανά mm2 σφαιρικής επιφάνειας. |
| --- | --- | --- |

4.

Η «θερμική σταθερότητα» προσδιορίζεται με την εξής δοκιμασία ή εθνικές ισοδύναμες:

α.

Η κατά βάρος απώλεια κάθε σφαιριδίου είναι μικρότερη από 10 mg ανά mm2 σφαιρικής επιφάνειας.

| β. | Η μεταβολή στο αρχικό ιξώδες όπως προσδιορίστηκε σε 311 Κ (38 °C) είναι μικρότερη από 25 %· και |
| --- | --- |

β.

Η μεταβολή στο αρχικό ιξώδες όπως προσδιορίστηκε σε 311 Κ (38 °C) είναι μικρότερη από 25 %· και

| γ. | Ο ολικός αριθμός οξέως ή βάσεως είναι μικρότερος από 0,40. |
| --- | --- |

γ.

Ο ολικός αριθμός οξέως ή βάσεως είναι μικρότερος από 0,40.

| 5. | Η «εγγενής θερμοκρασία ανάφλεξης» προσδιορίζεται με τη μέθοδο που περιγράφεται στην προδιαγραφή ASTM E-659 ή εθνικές ισοδύναμες. |
| --- | --- |

5.

Η «εγγενής θερμοκρασία ανάφλεξης» προσδιορίζεται με τη μέθοδο που περιγράφεται στην προδιαγραφή ASTM E-659 ή εθνικές ισοδύναμες.

1C007

Υλικά με βάση τα κεραμικά, μη «σύνθετα» κεραμικά υλικά, «σύνθετα» υλικά με «μήτρα» από κεραμικά και πρόδρομες ουσίες, ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 1C107.

| α. | Βασικά υλικά από απλά ή σύνθετα βορίδια του τιτανίου με μεταλλικές προσμίξεις, εξαιρουμένων των σκοπούμενων προσμίξεων, κατώτερες των 5 000 ppm, με μέση διάσταση σωματιδίων ίση ή μικρότερη των 5 μικρομέτρων και όχι περισσότερα των 10 % των σωματιδίων μεγαλύτερα των 10 μικρομέτρων, |
| --- | --- |

α.

Βασικά υλικά από απλά ή σύνθετα βορίδια του τιτανίου με μεταλλικές προσμίξεις, εξαιρουμένων των σκοπούμενων προσμίξεων, κατώτερες των 5 000 ppm, με μέση διάσταση σωματιδίων ίση ή μικρότερη των 5 μικρομέτρων και όχι περισσότερα των 10 % των σωματιδίων μεγαλύτερα των 10 μικρομέτρων,

| β. | Μη «σύνθετα» κεραμικά υλικά σε ακατέργαστη ή μη κατεργασμένη μορφή, εξαιρουμένων των λειαντικών, αποτελούμενα από βορίδια του τιτανίου με πυκνότητα 98 % και άνω της θεωρητικής,


  Σημείωση: Το σημείο 1C007.β., δεν καλύπτει τα λειαντικά. |
| --- | --- |

β.

Μη «σύνθετα» κεραμικά υλικά σε ακατέργαστη ή μη κατεργασμένη μορφή, εξαιρουμένων των λειαντικών, αποτελούμενα από βορίδια του τιτανίου με πυκνότητα 98 % και άνω της θεωρητικής,

Σημείωση: Το σημείο 1C007.β., δεν καλύπτει τα λειαντικά.

| γ. | «Σύνθετα» υλικά από κεραμικό-κεραμικό με γυαλί ή με «μήτρα» οξειδίων και ενισχυμένα με ίνες με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  1. | Κατασκευασμένες από κάποιο από τα εξής υλικά:






  α. | Si-N, |
| --- | --- | --- | --- |

γ.

«Σύνθετα» υλικά από κεραμικό-κεραμικό με γυαλί ή με «μήτρα» οξειδίων και ενισχυμένα με ίνες με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1.

Κατασκευασμένες από κάποιο από τα εξής υλικά:

α.

Si-N,

| β. | Si-C, |
| --- | --- |

β.

Si-C,

| γ. | Si-Al-Ο-N, ή |
| --- | --- |

γ.

Si-Al-Ο-N, ή

| δ. | Si-O-N, και |
| --- | --- |

δ.

Si-O-N, και

| 2. | με «ειδική αντίσταση εφελκυσμού» άνω των 12,7 × 103m, |
| --- | --- |

2.

με «ειδική αντίσταση εφελκυσμού» άνω των 12,7 × 103m,

| δ. | «Σύνθετα» υλικά από κεραμικό-κεραμικό, με ή χωρίς συνεχή μεταλλική φάση, περιέχοντα λεπτώς κατανεμημένα σωματίδια ή φάσεις από οποιοδήποτε ινώδες ή τρίχινο υλικό, στο οποίο καρβίδια ή νιτρίδια του πυριτίου, του ζιρκονίου ή του βορίου αποτελούν τη «μήτρα». |
| --- | --- |

δ.

«Σύνθετα» υλικά από κεραμικό-κεραμικό, με ή χωρίς συνεχή μεταλλική φάση, περιέχοντα λεπτώς κατανεμημένα σωματίδια ή φάσεις από οποιοδήποτε ινώδες ή τρίχινο υλικό, στο οποίο καρβίδια ή νιτρίδια του πυριτίου, του ζιρκονίου ή του βορίου αποτελούν τη «μήτρα».

| ε. | Πρόδρομα υλικά (δηλαδή, ειδικά πολυμερή ή οργανο-μεταλλικά υλικά) για την παραγωγή οποιασδήποτε φάσης ή φάσεων από τα υλικά που αναφέρονται στο σημείο 1C007.γ., ως εξής:






  1. | Πολυδιοργανοσιλάνια (για την παραγωγή καρβιδίου του πυριτίου), |
| --- | --- | --- |

ε.

Πρόδρομα υλικά (δηλαδή, ειδικά πολυμερή ή οργανο-μεταλλικά υλικά) για την παραγωγή οποιασδήποτε φάσης ή φάσεων από τα υλικά που αναφέρονται στο σημείο 1C007.γ., ως εξής:

1.

Πολυδιοργανοσιλάνια (για την παραγωγή καρβιδίου του πυριτίου),

| 2. | Πολυσιλαζάνια (για την παραγωγή νιτριδίων του πυριτίου), |
| --- | --- |

2.

Πολυσιλαζάνια (για την παραγωγή νιτριδίων του πυριτίου),

| 3. | Πολυκαρβοσιλαζάνια (για την παραγωγή κεραμικών από πυριτιούχες, ανθρακούχες και αζωτούχες ουσίες). |
| --- | --- |

3.

Πολυκαρβοσιλαζάνια (για την παραγωγή κεραμικών από πυριτιούχες, ανθρακούχες και αζωτούχες ουσίες).

| στ. | «Σύνθετα» υλικά από κεραμικό-κεραμικό με γυαλί ή με «μήτρα» οξειδίων και ενισχυμένα με ίνες οιασδήποτε σύνθεσης από τις παρακάτω:






  1. | Al2O3 (CAS 1344-28-1), ή |
| --- | --- | --- |

στ.

«Σύνθετα» υλικά από κεραμικό-κεραμικό με γυαλί ή με «μήτρα» οξειδίων και ενισχυμένα με ίνες οιασδήποτε σύνθεσης από τις παρακάτω:

1.

Al2O3 (CAS 1344-28-1), ή

| 2. | Si-C-N |
| --- | --- |

2.

Si-C-N

Σημείωση: Το σημείο 1C007.στ. δεν καλύπτει «σύνθετα» υλικά με ίνες αυτών των συνθέσεων που διαθέτουν ισχύ εφελκυσμού κάτω των 700 ΜΡa σε 1 273 Κ (1 000 °C) ή αντοχή ερπυσμού σε εφελκυσμό των ινών άνω του 1 % της τάσης ερπυσμού σε 100 MPa φορτίου και 1 273 Κ (1 000 °C) για 100 ώρες.

1C008

Μη φθοριωμένες πολυμερείς ουσίες, ως εξής:

| α. | Ιμίδια, ως εξής:






  1. | bis-μηλεϊμίδια, |
| --- | --- | --- |

α.

Ιμίδια, ως εξής:

1.

bis-μηλεϊμίδια,

| 2. | Αρωματικά πολυαμιδοϊμίδια (ΡΑΙ) με «σημείο υαλώδους μετάπτωσης (Tg)» άνω των 563 K (290 °C), |
| --- | --- |

2.

Αρωματικά πολυαμιδοϊμίδια (ΡΑΙ) με «σημείο υαλώδους μετάπτωσης (Tg)» άνω των 563 K (290 °C),

| 3. | Αρωματικά πολυαιθεριμίδια διαθέτοντα «σημείο υαλώδους μετάπτωσης (Tg)» ανώτερο των 505 Κ (232 °C). |
| --- | --- |

3.

Αρωματικά πολυαιθεριμίδια διαθέτοντα «σημείο υαλώδους μετάπτωσης (Tg)» ανώτερο των 505 Κ (232 °C).

| 4. | Αρωματικά πολυαιθεριμίδια διαθέτοντα «σημείο υαλώδους μετάπτωσης (Tg)» ανώτερο των 563 Κ (290 °C). |
| --- | --- |

4.

Αρωματικά πολυαιθεριμίδια διαθέτοντα «σημείο υαλώδους μετάπτωσης (Tg)» ανώτερο των 563 Κ (290 °C).

Σημείωση: Στο σημείο 1C008.α. υπάγονται ουσίες σε υγρή ή στερεή «τηκόμενη» μορφή, συμπεριλαμβανομένων των ρητινών, κόνεων, σφαιριδίων, μεμβρανών, φύλλων, ταινιών και κορδελών.

Σημείωση: Για μη «τηκόμενα» αρωματικά πολυϊμίδια σε μορφή φιλμ, φύλλων, ταινιών και κορδελών, βλέπε σημείο 1A003.

| β. | Θερμοπλαστικά συμπολυμερή υγρών κρυστάλλων και με θερμοκρασία θερμικής παραμόρφωσης ανώτερη των 523 Κ (250 °C) μετρούμενη σύμφωνα με την προδιαγραφή ISO 75-2 (2004) μέθοδος Α, ή εθνικές ισοδύναμες με φόρτιση 1,80 N/mm2 και αποτελούμενα από:






  1. | Οποιαδήποτε από τις εξής ενώσεις:






  α. | Φανυλένιο, διφαινυλένιο ή ναφθαλένιο, ή |
| --- | --- | --- | --- |

β.

Θερμοπλαστικά συμπολυμερή υγρών κρυστάλλων και με θερμοκρασία θερμικής παραμόρφωσης ανώτερη των 523 Κ (250 °C) μετρούμενη σύμφωνα με την προδιαγραφή ISO 75-2 (2004) μέθοδος Α, ή εθνικές ισοδύναμες με φόρτιση 1,80 N/mm2 και αποτελούμενα από:

1.

Οποιαδήποτε από τις εξής ενώσεις:

α.

Φανυλένιο, διφαινυλένιο ή ναφθαλένιο, ή

| β. | Φανυλένιο, διφαινυλένιο ή ναφθαλένιο υποκατεστημένα με μεθύλιο, τριτοταγές βουτύλιο ή φαινύλιο, και |
| --- | --- |

β.

Φανυλένιο, διφαινυλένιο ή ναφθαλένιο υποκατεστημένα με μεθύλιο, τριτοταγές βουτύλιο ή φαινύλιο, και

| 2. | Οποιοδήποτε από τα εξής οξέα:






  α. | Τερεφθαλικό οξύ (CAS 100-21-0), |
| --- | --- | --- |

2.

Οποιοδήποτε από τα εξής οξέα:

α.

Τερεφθαλικό οξύ (CAS 100-21-0),

| β. | 6-υδροξυ-2 ναφθοϊκό οξύ (CAS 16712-64-4), ή |
| --- | --- |

β.

6-υδροξυ-2 ναφθοϊκό οξύ (CAS 16712-64-4), ή

| γ. | 4-υδροξυβενζοϊκό οξύ (CAS 99-96-7). |
| --- | --- |

γ.

4-υδροξυβενζοϊκό οξύ (CAS 99-96-7).

| γ. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

γ.

Δεν χρησιμοποιείται,

| δ. | Πολυαρυλενικές κετόνες, |
| --- | --- |

δ.

Πολυαρυλενικές κετόνες,

| ε. | Πολυαρυλενικά σουλφίδια, όπου η ομάδα του αρυλενίου είναι διφαινυλένιο, τριφαινυλένιο ή συνδυασμός τους, |
| --- | --- |

ε.

Πολυαρυλενικά σουλφίδια, όπου η ομάδα του αρυλενίου είναι διφαινυλένιο, τριφαινυλένιο ή συνδυασμός τους,

| στ. | Πολυδιφαινυλενικοί αιθέρες σουλφόνης με «σημείο υαλώδους μετάπτωσης (Tg)» άνω των 563 Κ (290 °C). |
| --- | --- |

στ.

Πολυδιφαινυλενικοί αιθέρες σουλφόνης με «σημείο υαλώδους μετάπτωσης (Tg)» άνω των 563 Κ (290 °C).

Τεχνική παρατήρηση:

| 1. | Το «σημείο υαλώδους μετάπτωσης (Tg)» για τα θερμοπλαστικά υλικά του σημείου 1C008.a.2. και τα υλικά του σημείου 1C008.α.4 προσδιορίζεται με τη μέθοδο που περιγράφεται στο πρότυπο ISO 11357-2 (1999) ή εθνικά ισοδύναμα. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Το «σημείο υαλώδους μετάπτωσης (Tg)» για τα θερμοπλαστικά υλικά του σημείου 1C008.α.2 και τα υλικά του σημείου 1C008.α.3 προσδιορίζεται με τη με τη μέθοδο κάμψης τριών σημείων που περιγράφεται στο πρότυπο ASTM D 7028-07 ή εθνικό ισοδύναμο. Η δοκιμή εκτελείται με τη χρήση ξηρού δείγματος δοκιμής στο οποίο έχει επιτευχθεί ελάχιστος βαθμός ωρίμανσης (cure) 90 %, όπως ορίζει το πρότυπο ASTM E 2160-04 ή ισοδύναμο εθνικό πρότυπο, και το οποίο υποβλήθηκε σε ωρίμανση με τη χρήση πρότυπης επεξεργασίας και επεξεργασίας μετά την ωρίμανση με την οποία προέκυψε το μέγιστο Tg. |
| --- | --- |

2.

1C009

Μη επεξεργασμένες φθοριούχες ουσίες, ως εξής:

| α. | Συμπολυμερή φθοριούχου βινυλιδενίου διαθέτοντα 75 % και άνω βήτα κρυσταλλική δομή, χωρίς επιμήκυνση, |
| --- | --- |

α.

Συμπολυμερή φθοριούχου βινυλιδενίου διαθέτοντα 75 % και άνω βήτα κρυσταλλική δομή, χωρίς επιμήκυνση,

| β. | Φθοριωμένα πολυϊμίδια περιέχοντα 10 % βάρους και άνω συνδεδεμένου φθορίου, |
| --- | --- |

β.

Φθοριωμένα πολυϊμίδια περιέχοντα 10 % βάρους και άνω συνδεδεμένου φθορίου,

| γ. | Φθοριωμένα ελαστομερή του φωσφαζενίου περιέχοντα 30 % και άνω συνδεδεμένου φθορίου. |
| --- | --- |

γ.

Φθοριωμένα ελαστομερή του φωσφαζενίου περιέχοντα 30 % και άνω συνδεδεμένου φθορίου.

1C010

«Ινώδη ή νηματώδη υλικά», ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 1C210 ΚΑΙ 9C110.

| α. | Οργανικά «ινώδη ή νηματώδη υλικά» με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | «ειδικό συντελεστή» άνω των 12,7 × 106 m, και |
| --- | --- | --- |

α.

Οργανικά «ινώδη ή νηματώδη υλικά» με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

«ειδικό συντελεστή» άνω των 12,7 × 106 m, και

| 2. | «ειδική αντίσταση εφελκυσμού» άνω των 23,5 × 104 m, |
| --- | --- |

2.

«ειδική αντίσταση εφελκυσμού» άνω των 23,5 × 104 m,

Σημείωση: Στο σημείο 1C010.α. δεν ελέγχεται το πολυαιθυλένιο.

| β. | Ανθρακούχα «ινώδη ή νηματώδη υλικά» με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | «ειδικό συντελεστή» άνω των 14,65 × 106 m, και |
| --- | --- | --- |

β.

Ανθρακούχα «ινώδη ή νηματώδη υλικά» με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

«ειδικό συντελεστή» άνω των 14,65 × 106 m, και

| 2. | «ειδική αντίσταση εφελκυσμού» άνω των 26,82 × 104 m, |
| --- | --- |

2.

«ειδική αντίσταση εφελκυσμού» άνω των 26,82 × 104 m,

Σημείωση: Στο σημείο 1C010.β. δεν υπάγονται

| α. | «ινώδη ή νηματώδη υλικά», για την επισκευή τμημάτων ή ελασμάτων «πολιτικών αεροσκαφών», με τα εξής χαρακτηριστικά:








  1. | εμβαδόν μέχρι 1 m2· |
| --- | --- | --- |

α.

«ινώδη ή νηματώδη υλικά», για την επισκευή τμημάτων ή ελασμάτων «πολιτικών αεροσκαφών», με τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

εμβαδόν μέχρι 1 m2·

| 2. | Μήκος που δεν υπερβαίνει τα 2,5 m, και |
| --- | --- |

2.

Μήκος που δεν υπερβαίνει τα 2,5 m, και

| 3. | πλάτος άνω των 15 mm. |
| --- | --- |

3.

πλάτος άνω των 15 mm.

| β. | Μηχανικά τεμαχισμένα, αλεσμένα ή κομμένα «ινώδη ή νηματώδη υλικά» από άνθρακα μήκους 25 mm ή λιγότερο. |
| --- | --- |

β.

Μηχανικά τεμαχισμένα, αλεσμένα ή κομμένα «ινώδη ή νηματώδη υλικά» από άνθρακα μήκους 25 mm ή λιγότερο.

| γ. | Οργανικά «ινώδη ή νηματώδη υλικά» με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | «ειδικό συντελεστή» άνω των 2,54 × 106 m, και |
| --- | --- | --- |

γ.

Οργανικά «ινώδη ή νηματώδη υλικά» με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

«ειδικό συντελεστή» άνω των 2,54 × 106 m, και

| 2. | σημείο τήξεως, μαλακώματος, αποσύνθεσης ή εξάχνωσης ανώτερο των 1 922 Κ (1 649 °C) σε αδρανές περιβάλλον. |
| --- | --- |

2.

σημείο τήξεως, μαλακώματος, αποσύνθεσης ή εξάχνωσης ανώτερο των 1 922 Κ (1 649 °C) σε αδρανές περιβάλλον.

Σημείωση: Στο 1C010.γ. δεν υπάγονται:

| α. | Ασυνεχείς, πολυφασικές, πολυκρυσταλλικές ίνες αλουμίνας υπό μορφή τεμαχισμένων ινών ή τυχαίας διαστρωμάτωσης, που περιέχουν 3 % κατά βάρος ή περισσότερο πυριτικά με «ειδικό συντελεστή» μικρότερο του 10 × 106 m, |
| --- | --- |

α.

Ασυνεχείς, πολυφασικές, πολυκρυσταλλικές ίνες αλουμίνας υπό μορφή τεμαχισμένων ινών ή τυχαίας διαστρωμάτωσης, που περιέχουν 3 % κατά βάρος ή περισσότερο πυριτικά με «ειδικό συντελεστή» μικρότερο του 10 × 106 m,

| β. | Ίνες μολυβδαινίου και κραμάτων μολυβδαινίου, |
| --- | --- |

β.

Ίνες μολυβδαινίου και κραμάτων μολυβδαινίου,

| γ. | Ίνες βορίου, |
| --- | --- |

γ.

Ίνες βορίου,

| δ. | Ασυνεχείς κεραμικές ίνες με σημείο τήξεως, μαλακώματος, αποσύνθεσης ή εξάχνωσης κατώτερο των 2 043 Κ (1 770 °C) σε αδρανές περιβάλλον. |
| --- | --- |

δ.

Ασυνεχείς κεραμικές ίνες με σημείο τήξεως, μαλακώματος, αποσύνθεσης ή εξάχνωσης κατώτερο των 2 043 Κ (1 770 °C) σε αδρανές περιβάλλον.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Για τον υπολογισμό της «ειδικής αντίστασης εφελκυσμού», του «ειδικού μέτρου ελαστικότητας» ή του ειδικού βάρους «ινωδών ή νηματωδών υλικών» στο σημείο 1C010.α., 1C010.β. ή 1C010.γ., η αντίσταση εφελκυσμού και το ειδικό μέτρο ελαστικότητας πρέπει να καθορίζεται με τη χρήση της Μεθόδου Α που περιγράφεται στο πρότυπο ISO 10618 (2004) ή σε εθνικά ισοδύναμα. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Η εκτίμηση της «ειδικής αντίστασης εφελκυσμού», του «ειδικού μέτρου ελαστικότητας» ή του ειδικού βάρους «ινωδών ή νηματωδών υλικών» μη μονής κατεύθυνσης (π.χ., υφάσματα, πιλήματα ή πλεκτά) στο σημείο 1C010. πρέπει να βασίζεται στις μηχανικές ιδιότητες που έχουν τα μονόκλωνα νήματα μονής κατεύθυνσης από τα οποία αποτελούνται (π.χ., μονόκλωνα νήματα, νήματα, «πιλήματα» ή τίλματα) προτού υποβληθούν σε κατεργασία για να μετατραπούν σε «ινώδη ή νηματώδη υλικά» μη μονής κατεύθυνσης. |
| --- | --- |

2.

| δ. | «Ινώδη ή νηματώδη υλικά» με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Αποτελούμενα από οποιοδήποτε από τα εξής:






  α. | Πολυαιθεριμίδια όπως προσδιορίζονται στο σημείο 1C008.α., ή |
| --- | --- | --- | --- |

δ.

«Ινώδη ή νηματώδη υλικά» με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Αποτελούμενα από οποιοδήποτε από τα εξής:

α.

Πολυαιθεριμίδια όπως προσδιορίζονται στο σημείο 1C008.α., ή

| β. | Υλικά όπως προσδιορίζονται στο σημείο 1C008.β. έως 1C008.στ., ή |
| --- | --- |

β.

Υλικά όπως προσδιορίζονται στο σημείο 1C008.β. έως 1C008.στ., ή

| 2. | Αποτελούμενα από υλικά όπως αυτά προσδιορίζονται στο σημείο 1C010.δ.1.α. ή 1C010.δ.1.β και «διαπλεγμένα» με άλλες ίνες που ορίζονται στο σημείο 1C010.α., 1C010. β., ή 1C010.γ., |
| --- | --- |

2.

Αποτελούμενα από υλικά όπως αυτά προσδιορίζονται στο σημείο 1C010.δ.1.α. ή 1C010.δ.1.β και «διαπλεγμένα» με άλλες ίνες που ορίζονται στο σημείο 1C010.α., 1C010. β., ή 1C010.γ.,

| ε. | «Ινώδη ή νηματώδη υλικά» προεμποτισμένα εν όλω ή εν μέρει με ρητίνη ή πίσσα (prepregs, προ-εμποτίσματα), ή επιχρισμένα με μέταλλα ή άνθρακα (preforms, προπλάσματα) και «προπλάσματα ανθρακούχων ινών», με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | ανόργανα «ινώδη ή νηματώδη υλικά» όπως προσδιορίζονται στο σημείο 1C010.γ., ή |
| --- | --- | --- | --- |

ε.

«Ινώδη ή νηματώδη υλικά» προεμποτισμένα εν όλω ή εν μέρει με ρητίνη ή πίσσα (prepregs, προ-εμποτίσματα), ή επιχρισμένα με μέταλλα ή άνθρακα (preforms, προπλάσματα) και «προπλάσματα ανθρακούχων ινών», με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

ανόργανα «ινώδη ή νηματώδη υλικά» όπως προσδιορίζονται στο σημείο 1C010.γ., ή

| β. | οργανικά ή ανθρακούχα «ινώδη ή νηματώδη υλικά» με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | «ειδικό συντελεστή» άνω των 10,15 × 106 m, και |
| --- | --- | --- |

β.

οργανικά ή ανθρακούχα «ινώδη ή νηματώδη υλικά» με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

«ειδικό συντελεστή» άνω των 10,15 × 106 m, και

| 2. | «ειδική αντίσταση εφελκυσμού» άνω των 17,7 × 104 m, και |
| --- | --- |

2.

«ειδική αντίσταση εφελκυσμού» άνω των 17,7 × 104 m, και

| 2. | Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | ρητίνη ή πίσσα προσδιοριζόμενη στο 1C008 ή στο 1C009.β, |
| --- | --- | --- |

2.

Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

ρητίνη ή πίσσα προσδιοριζόμενη στο 1C008 ή στο 1C009.β,

| β. | «σημείο υαλώδους μετάπτωσης κατά δυναμική μηχανική ανάλυση (DMA Tg)» ίσο ή ανώτερο των 453 K (180 °C) και φαινολική ρητίνη, ή |
| --- | --- |

β.

«σημείο υαλώδους μετάπτωσης κατά δυναμική μηχανική ανάλυση (DMA Tg)» ίσο ή ανώτερο των 453 K (180 °C) και φαινολική ρητίνη, ή

| γ. | «σημείο υαλώδους μετάπτωσης κατά δυναμική μηχανική ανάλυση (DMA Tg)» ίσο ή ανώτερο των 505 K (232 °C) και ρητίνη ή πίσσα πλην φαινολικής ρητίνης, μη προσδιοριζόμενη στα σημεία 1C008 ή 1C009.β. |
| --- | --- |

γ.

«σημείο υαλώδους μετάπτωσης κατά δυναμική μηχανική ανάλυση (DMA Tg)» ίσο ή ανώτερο των 505 K (232 °C) και ρητίνη ή πίσσα πλην φαινολικής ρητίνης, μη προσδιοριζόμενη στα σημεία 1C008 ή 1C009.β.

Σημείωση 1: Τα επιχρισμένα με μέταλλα ή άνθρακα «ινώδη ή νηματώδη υλικά» (προπλάσματα) και τα «προπλάσματα ανθρακούχων ινών», που δεν είναι εμποτισμένα με ρητίνη ή πίσσα, προσδιορίζονται ως «ινώδη ή νηματώδη υλικά» στα 1C010.α, 1C010.β ή 1C010.γ.

Σημείωση 2: Στο σημείο 1C010.ε. δεν υπάγονται:

| α. | τα εμποτισμένα με «μήτρα» εποξεικής ρητίνης ανθρακούχα «ινώδη ή νηματώδη υλικά» (prepregs, προ-εμποτίσματα) για την επισκευή τμημάτων ή ελασμάτων «πολιτικών αεροσκαφών», με τα εξής χαρακτηριστικά:








  1. | εμβαδόν μέχρι 1 m2· |
| --- | --- | --- |

α.

τα εμποτισμένα με «μήτρα» εποξεικής ρητίνης ανθρακούχα «ινώδη ή νηματώδη υλικά» (prepregs, προ-εμποτίσματα) για την επισκευή τμημάτων ή ελασμάτων «πολιτικών αεροσκαφών», με τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

εμβαδόν μέχρι 1 m2·

| 2. | Μήκος που δεν υπερβαίνει τα 2,5 m, και |
| --- | --- |

2.

Μήκος που δεν υπερβαίνει τα 2,5 m, και

| 3. | πλάτος άνω των 15 mm. |
| --- | --- |

3.

πλάτος άνω των 15 mm.

| β. | τα πλήρως ή εν μέρει εμποτισμένα με ρητίνη ή πίσσα και μηχανικώς τεμαχισμένα, τορνευμένα ή κομμένα ανθρακούχα «ινώδη ή νηματώδη υλικά» μήκους έως και 25,0 mm, εφόσον χρησιμοποιούν ρητίνη ή πίσσα άλλη από τις προσδιοριζόμενες στα σημεία 1C008 ή 1C009.β. |
| --- | --- |

β.

τα πλήρως ή εν μέρει εμποτισμένα με ρητίνη ή πίσσα και μηχανικώς τεμαχισμένα, τορνευμένα ή κομμένα ανθρακούχα «ινώδη ή νηματώδη υλικά» μήκους έως και 25,0 mm, εφόσον χρησιμοποιούν ρητίνη ή πίσσα άλλη από τις προσδιοριζόμενες στα σημεία 1C008 ή 1C009.β.

Τεχνική παρατήρηση:

Το ‘σημείο υαλώδους μετάπτωσης κατά δυναμική μηχανική ανάλυση (DMA Tg)’ για τα υλικά του σημείου 1C010.ε προσδιορίζεται με τη μέθοδο του ASTM D 7028-07 ή ισοδύναμου εθνικού προτύπου, επί ξηρού δοκιμίου. Προκειμένου περί θερμοστατικών υλικών ο βαθμός ωρίμανσης (cure) του ξηρού δοκιμίου οφείλει να είναι τουλάχιστον 90 % όπως ορίζεται στο ASTM E 2160-04 ή σε ισοδύναμο εθνικό πρότυπο.

1C011

Μέταλλα και ενώσεις, ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΚΑΙ 1C111.

| α. | Μέταλλα σε μέγεθος σωματιδίων μικρότερων των 60 μm, σφαιρικών κονιορτοποιημένων σφαιροειδών, σε φολίδες ή αλεσμένων, κατασκευασμένων από υλικό που συνίσταται κατά 99 % ή περισσότερο από ζιρκόνιο, μαγνήσιο και κράματα αυτών·
  1C011 α.

  Τεχνική παρατήρηση:


  Το άφνιο που φυσικώς εμπεριέχεται στο ζιρκόνιο (κατά κανόνα 2 % έως 7 %) συνυπολογίζεται με το ζιρκόνιο.



  Σημείωση: Τα μέταλλα ή κράματα που ορίζονται στο σημείο 1C011.α. ελέγχονται ανεξάρτητα από το αν τα μέταλλα ή κράματα περικλείονται με αλουμίνιο, μαγνήσιο, ζιρκόνιο ή βηρύλλιο. |
| --- | --- |

α.

Μέταλλα σε μέγεθος σωματιδίων μικρότερων των 60 μm, σφαιρικών κονιορτοποιημένων σφαιροειδών, σε φολίδες ή αλεσμένων, κατασκευασμένων από υλικό που συνίσταται κατά 99 % ή περισσότερο από ζιρκόνιο, μαγνήσιο και κράματα αυτών·

1C011 α.

  Τεχνική παρατήρηση:

Το άφνιο που φυσικώς εμπεριέχεται στο ζιρκόνιο (κατά κανόνα 2 % έως 7 %) συνυπολογίζεται με το ζιρκόνιο.

Σημείωση: Τα μέταλλα ή κράματα που ορίζονται στο σημείο 1C011.α. ελέγχονται ανεξάρτητα από το αν τα μέταλλα ή κράματα περικλείονται με αλουμίνιο, μαγνήσιο, ζιρκόνιο ή βηρύλλιο.

| β. | Βόριο ή κράματα βορίου με μέγεθος σωματιδίων 60 μm ή λιγότερο, ως εξής:






  1. | Βόριο καθαρότητας 85 % και άνω κατά βάρος, |
| --- | --- | --- |

β.

Βόριο ή κράματα βορίου με μέγεθος σωματιδίων 60 μm ή λιγότερο, ως εξής:

1.

Βόριο καθαρότητας 85 % και άνω κατά βάρος,

| 2. | Κράματα βορίου με περιεκτικότητα σε βόριο 85 % και άνω κατά βάρος, |
| --- | --- |

2.

Κράματα βορίου με περιεκτικότητα σε βόριο 85 % και άνω κατά βάρος,

Σημείωση: Τα μέταλλα ή κράματα που ορίζονται στο σημείο 1C011.β. ελέγχονται ανεξάρτητα από το αν τα μέταλλα ή κράματα περικλείονται με αλουμίνιο, μαγνήσιο, ζιρκόνιο ή βηρύλλιο.

| γ. | Νιτρική γουανιδίνη (CAS 506-93-4) |
| --- | --- |

γ.

Νιτρική γουανιδίνη (CAS 506-93-4)

| δ. | Νιτρογουανιδίνη (NQ) (CAS 556-88-7). |
| --- | --- |

δ.

Νιτρογουανιδίνη (NQ) (CAS 556-88-7).

ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων όσον αφορά τις μεταλλικές σκόνες τις αναμεμιγμένες με άλλες ουσίες προς σχηματισμό μειγμάτων τυποποιημένων για στρατιωτικούς σκοπούς.

1C012

Υλικά ως εξής:

Τεχνική παρατήρηση:

Τα υλικά αυτά χρησιμοποιούνται κατά κανόνα για πηγές πυρηνικής θερμότητας.

| α. | Πλουτώνιο σε οποιαδήποτε μορφή με αποτέλεσμα ισοτοπικού προσδιορισμού πλουτωνίου -238 μεγαλύτερο του 50 % κατά βάρος·


  Σημείωση: Στο σημείο 1C012.α. δεν υπάγονται:








  α. | Τα φορτία με περιεκτικότητα σε πλουτώνιο 1 g ή λιγότερο. |
| --- | --- | --- |

α.

Πλουτώνιο σε οποιαδήποτε μορφή με αποτέλεσμα ισοτοπικού προσδιορισμού πλουτωνίου -238 μεγαλύτερο του 50 % κατά βάρος·

Σημείωση: Στο σημείο 1C012.α. δεν υπάγονται:

α.

Τα φορτία με περιεκτικότητα σε πλουτώνιο 1 g ή λιγότερο.

| β. | Τα φορτία με 3 «ενεργά γραμμάρια» ή λιγότερο όταν περιέχονται σε εξάρτημα αισθητήρα οργάνων. |
| --- | --- |

β.

Τα φορτία με 3 «ενεργά γραμμάρια» ή λιγότερο όταν περιέχονται σε εξάρτημα αισθητήρα οργάνων.

| β. | «Προηγουμένως διαχωρισμένο» ποσειδώνιο-237 σε οποιαδήποτε μορφή.


  Σημείωση: Στο σημείο 1C012.β δεν υπάγονται τα φορτία με περιεκτικότητα 1 g ή λιγότερο σε ποσειδώνιο-237. |
| --- | --- |

β.

«Προηγουμένως διαχωρισμένο» ποσειδώνιο-237 σε οποιαδήποτε μορφή.

Σημείωση: Στο σημείο 1C012.β δεν υπάγονται τα φορτία με περιεκτικότητα 1 g ή λιγότερο σε ποσειδώνιο-237.

1C101

Υλικά και συστήματα για μειωμένα παρατηρήσιμα χαρακτηριστικά όπως η ανακλαστικότητα, ραντάρ, η ταυτότητα σε υπεριώδη/υπέρυθρα και οι ακουστικές ταυτότητες, εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στο σημείο 1C001, και μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε «βλήματα», υποσυστήματα «βλημάτων» ή σε μη επανδρωμένα οχήματα αέρος που ορίζονται στο σημείο 9Α012.

Σημείωση 1: Στο σημείο 1C101 περιλαμβάνονται:

| α. | Δομικά υλικά και επιχρίσματα ειδικά σχεδιασμένα για χαμηλή ανακλαστικότητα ραντάρ, |
| --- | --- |

α.

Δομικά υλικά και επιχρίσματα ειδικά σχεδιασμένα για χαμηλή ανακλαστικότητα ραντάρ,

| β. | Επιχρίσματα, συμπεριλαμβανομένων και βαφών, ειδικά σχεδιασμένα για χαμηλή ή σκοπούμενη ανακλασιμότητα ή εκπομπή σε μικροκύματα, στις υπεριώδεις ή υπέρυθρες περιοχές του ηλεκτρομαγνητικού φάσματος, |
| --- | --- |

β.

Επιχρίσματα, συμπεριλαμβανομένων και βαφών, ειδικά σχεδιασμένα για χαμηλή ή σκοπούμενη ανακλασιμότητα ή εκπομπή σε μικροκύματα, στις υπεριώδεις ή υπέρυθρες περιοχές του ηλεκτρομαγνητικού φάσματος,

Σημείωση 2: Στο σημείο 1C101 δεν περιλαμβάνονται επιχρίσματα που χρησιμοποιούνται ειδικά για τον θερμικό έλεγχο των δορυφόρων.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 1C101, «βλήματα» σημαίνει πλήρη πυραυλικά συστήματα και συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος ικανά για βεληνεκές άνω των 300 km.

1C102

Υλικά από ανακεκορεσμένο πυρολυμένο άνθρακα-άνθρακα σχεδιασμένα για οχήματα εκτόξευσης προσδιοριζόμενα στο 9Α004 ή πυραυλοβολίδες προσδιοριζόμενες στο 9Α104.

1C107

Γραφιτικά και κεραμικά υλικά, εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στο 1C007, ως εξής:

| α. | Λεπτόκοκκοι γραφίτες με γενική πυκνότητα 1,72 g/cm3 και άνω, μετρούμενη σε 288 Κ (15 °C) με διαστάσεις κόκκων το πολύ 100 μm, χρησιμοποιήσιμοι σε ακροφύσια «πυραύλων» και σε ρύγχη οχημάτων επαναφοράς στην ατμόσφαιρα, από τους οποίους μπορεί να κατασκευαστεί οποιοδήποτε από τα ακόλουθα προϊόντα:






  1. | Κυλίνδρους διαμέτρου 120 mm και άνω και μήκους 50 mm και άνω, |
| --- | --- | --- |

α.

Λεπτόκοκκοι γραφίτες με γενική πυκνότητα 1,72 g/cm3 και άνω, μετρούμενη σε 288 Κ (15 °C) με διαστάσεις κόκκων το πολύ 100 μm, χρησιμοποιήσιμοι σε ακροφύσια «πυραύλων» και σε ρύγχη οχημάτων επαναφοράς στην ατμόσφαιρα, από τους οποίους μπορεί να κατασκευαστεί οποιοδήποτε από τα ακόλουθα προϊόντα:

1.

Κυλίνδρους διαμέτρου 120 mm και άνω και μήκους 50 mm και άνω,

| 2. | Σωλήνες εσωτερικής διαμέτρου τουλάχιστον 65 mm και πάχους τοιχώματος τουλάχιστον 25 mm και μήκους τουλάχιστον 50 mm, ή |
| --- | --- |

2.

Σωλήνες εσωτερικής διαμέτρου τουλάχιστον 65 mm και πάχους τοιχώματος τουλάχιστον 25 mm και μήκους τουλάχιστον 50 mm, ή

| 3. | Τρόχιλοι μεγέθους τουλάχιστον 120 mm × 120 mm × 50 mm, |
| --- | --- |

3.

Τρόχιλοι μεγέθους τουλάχιστον 120 mm × 120 mm × 50 mm,

ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης 0C004

| β. | Πυρολυτικοί ή ινώδεις ενισχυμένοι γραφίτες, χρησιμοποιήσιμοι σε ακροφύσια «πυραύλων» και σε ρύγχη οχημάτων επαναφοράς χρησιμοποιήσιμων σε «βλήματα», οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα εμπίπτοντα στο σημείο 9Α004 ή πυραυλοβολίδες εμπίπτουσες στο σημείο 9Α104,


  ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης 0C004 |
| --- | --- |

β.

Πυρολυτικοί ή ινώδεις ενισχυμένοι γραφίτες, χρησιμοποιήσιμοι σε ακροφύσια «πυραύλων» και σε ρύγχη οχημάτων επαναφοράς χρησιμοποιήσιμων σε «βλήματα», οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα εμπίπτοντα στο σημείο 9Α004 ή πυραυλοβολίδες εμπίπτουσες στο σημείο 9Α104,

ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης 0C004

| γ. | Κεραμικά σύνθετα υλικά (με διηλεκτρική σταθερά μικρότερη του 6 σε οποιαδήποτε συχνότητα από 100 ΜΗz έως 100 GHZ), που χρησιμοποιούνται σε σφαιρικούς θόλους χρησιμοποιήσιμους σε «βλήματα», οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα εμπίπτοντα στο σημείο 9Α004 ή πυραυλοβολίδες εμπίπτουσες στο σημείο 9Α104, |
| --- | --- |

γ.

Κεραμικά σύνθετα υλικά (με διηλεκτρική σταθερά μικρότερη του 6 σε οποιαδήποτε συχνότητα από 100 ΜΗz έως 100 GHZ), που χρησιμοποιούνται σε σφαιρικούς θόλους χρησιμοποιήσιμους σε «βλήματα», οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα εμπίπτοντα στο σημείο 9Α004 ή πυραυλοβολίδες εμπίπτουσες στο σημείο 9Α104,

| δ. | Χύδην επεξεργάσιμο κεραμικό ενισχυμένο με πυριτιούχα καρβίδια χωρίς θερμική επεξεργασία, που χρησιμοποιείται σε ρύγχη χρησιμοποιήσιμα σε «βλήματα», οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα εμπίπτοντα στο σημείο 9Α004 ή πυραυλοβολίδες εμπίπτουσες στο σημείο 9Α104, |
| --- | --- |

δ.

Χύδην επεξεργάσιμο κεραμικό ενισχυμένο με πυριτιούχα καρβίδια χωρίς θερμική επεξεργασία, που χρησιμοποιείται σε ρύγχη χρησιμοποιήσιμα σε «βλήματα», οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα εμπίπτοντα στο σημείο 9Α004 ή πυραυλοβολίδες εμπίπτουσες στο σημείο 9Α104,

| ε. | Ενισχυμένα κεραμικά σύνθετα υλικά από καρβίδιο του πυριτίου, χρησιμοποιήσιμα σε ρύγχη, οχήματα επαναφοράς και πτερύγια ακροφυσίων χρησιμοποιήσιμα σε «βλήματα», οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα εμπίπτοντα στο σημείο 9Α004 ή πυραυλοβολίδες εμπίπτουσες στο σημείο 9Α104. |
| --- | --- |

ε.

Ενισχυμένα κεραμικά σύνθετα υλικά από καρβίδιο του πυριτίου, χρησιμοποιήσιμα σε ρύγχη, οχήματα επαναφοράς και πτερύγια ακροφυσίων χρησιμοποιήσιμα σε «βλήματα», οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα εμπίπτοντα στο σημείο 9Α004 ή πυραυλοβολίδες εμπίπτουσες στο σημείο 9Α104.

1C111

Προωθητικά και χημικές ουσίες για προωθητικά, εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στο 1C011, ως εξής:

| α. | Προωστικές ουσίες:






  1. | Σκόνη σφαιρικού ή σφαιροειδούς αργιλίου, εκτός αυτής που αναφέρεται στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων, με διάσταση σωματιδίων κατώτερη των 200 μm και περιεκτικότητα κατά βάρος σε αργίλιο 97 % και άνω, εφόσον το 10 % τουλάχιστον του συνολικού βάρους αποτελείται από σωματίδια κάτω των 63 μm, σύμφωνα με το ISO 2591:1988 ή τα εθνικά ισοδύναμα,


  Τεχνική παρατήρηση:


  Μέγεθος σωματιδίων 63 μm (ISO R-565) αντιστοιχεί σε κόσκινο 250 (Tyler) ή 230 (πρότυπο ASTM E-11). |
| --- | --- | --- |

α.

Προωστικές ουσίες:

1.

Σκόνη σφαιρικού ή σφαιροειδούς αργιλίου, εκτός αυτής που αναφέρεται στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων, με διάσταση σωματιδίων κατώτερη των 200 μm και περιεκτικότητα κατά βάρος σε αργίλιο 97 % και άνω, εφόσον το 10 % τουλάχιστον του συνολικού βάρους αποτελείται από σωματίδια κάτω των 63 μm, σύμφωνα με το ISO 2591:1988 ή τα εθνικά ισοδύναμα,

Τεχνική παρατήρηση:

Μέγεθος σωματιδίων 63 μm (ISO R-565) αντιστοιχεί σε κόσκινο 250 (Tyler) ή 230 (πρότυπο ASTM E-11).

| 2. | Σκόνες μετάλλων εκτός από τις προσδιοριζόμενες στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων, ως εξής:






  α. | Σκόνες μετάλλων ζιρκονίου, βηρυλλίου ή μαγνησίου, ή κραμάτων των εν λόγω μετάλλων, εφόσον το 90 % τουλάχιστον του συνόλου των σωματιδίων κατά όγκο ή βάρος σωματιδίων αποτελείται από σωματίδια μικρότερα των 60 μm (καθοριζόμενα με τεχνικές μέτρησης όπως η κοσκίνιση, η περίθλαση με λέιζερ ή η οπτική σάρωση), σφαιρικά, κονιορτοποιημένα, σφαιροειδή, σε φολίδες ή αλεσμένα, περιέχοντα από τα παρακάτω υλικά σε αναλογία 97 % κατά βάρος και άνω:






  1. | Ζιρκόνιο, |
| --- | --- | --- | --- |

2.

Σκόνες μετάλλων εκτός από τις προσδιοριζόμενες στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων, ως εξής:

α.

Σκόνες μετάλλων ζιρκονίου, βηρυλλίου ή μαγνησίου, ή κραμάτων των εν λόγω μετάλλων, εφόσον το 90 % τουλάχιστον του συνόλου των σωματιδίων κατά όγκο ή βάρος σωματιδίων αποτελείται από σωματίδια μικρότερα των 60 μm (καθοριζόμενα με τεχνικές μέτρησης όπως η κοσκίνιση, η περίθλαση με λέιζερ ή η οπτική σάρωση), σφαιρικά, κονιορτοποιημένα, σφαιροειδή, σε φολίδες ή αλεσμένα, περιέχοντα από τα παρακάτω υλικά σε αναλογία 97 % κατά βάρος και άνω:

1.

Ζιρκόνιο,

| 2. | Βηρύλλιο, ή |
| --- | --- |

2.

Βηρύλλιο, ή

| 3. | Μαγνήσιο, |
| --- | --- |

3.

Μαγνήσιο,

Τεχνική παρατήρηση:

Το άφνιο που φυσικώς εμπεριέχεται στο ζιρκόνιο (κατά κανόνα 2 % έως 7 %) συνυπολογίζεται με το ζιρκόνιο.

| β. | Σκόνες μετάλλων βορίου, ή κραμάτων βορίου με περιεκτικότητα σε βόριο 85 % και άνω κατά βάρος, εφόσον το 90 % τουλάχιστον του συνόλου των σωματιδίων κατά όγκο ή βάρος σωματιδίων αποτελείται από σωματίδια μικρότερα των 60 μm (καθοριζόμενα με τεχνικές μέτρησης όπως η κοσκίνιση, η περίθλαση με λέιζερ ή η οπτική σάρωση), σφαιρικά, κονιορτοποιημένα, σφαιροειδή, σε φολίδες ή αλεσμένα, |
| --- | --- |

β.

Σκόνες μετάλλων βορίου, ή κραμάτων βορίου με περιεκτικότητα σε βόριο 85 % και άνω κατά βάρος, εφόσον το 90 % τουλάχιστον του συνόλου των σωματιδίων κατά όγκο ή βάρος σωματιδίων αποτελείται από σωματίδια μικρότερα των 60 μm (καθοριζόμενα με τεχνικές μέτρησης όπως η κοσκίνιση, η περίθλαση με λέιζερ ή η οπτική σάρωση), σφαιρικά, κονιορτοποιημένα, σφαιροειδή, σε φολίδες ή αλεσμένα,

Σημείωση: Στα σημεία 1C111α.2.α. και 1C111α.2.β. υπάγονται μείγματα σκονών με πολυτροπική κατανομή σωματιδίων (π.χ. μείγματα διαφόρων μεγεθών κόκκων), εφόσον υπάγονται σε αυτά ένας ή περισσότεροι από τους εν λόγω τρόπους.

| 3. | Οξειδωτικές ουσίες χρησιμοποιήσιμες σε πυραυλοκινητήρες υγρών καυσίμων, ως εξής:






  α. | Τριοξείδιο του διαζώτου (CAS 10544-73-7), |
| --- | --- | --- |

3.

Οξειδωτικές ουσίες χρησιμοποιήσιμες σε πυραυλοκινητήρες υγρών καυσίμων, ως εξής:

α.

Τριοξείδιο του διαζώτου (CAS 10544-73-7),

| β. | Διοξείδιο του αζώτου (CAS 10102-44-0)/τετροξείδιο του διαζώτου (CAS 10544-72-6), |
| --- | --- |

β.

Διοξείδιο του αζώτου (CAS 10102-44-0)/τετροξείδιο του διαζώτου (CAS 10544-72-6),

| γ. | Πεντοξείδιο του διαζώτου (CAS 10102-03-1), |
| --- | --- |

γ.

Πεντοξείδιο του διαζώτου (CAS 10102-03-1),

| δ. | Μικτά οξείδια του αζώτου (MON),


  Τεχνική παρατήρηση:


  Τα μεικτά οξείδια του αζώτου (MON) είναι διαλύματα μονοξειδίου του αζώτου (NO) σε τετροξείδιο/διοξείδιο του αζώτου (N2O4/NO2), που μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε πυραυλικά συστήματα. Ανάλογα με την αναλογία των συστατικών τους χαρακτηρίζονται ως MONi ή MONij, όπου i ή ij μονοψήφιος ή διψήφιος ακέραιος που εμφαίνει το ποσοστό μονοξειδίου του αζώτου που περιέχεται στο μείγμα (π.χ. το MON3 περιέχει 3 % μονοξείδιο του αζώτου, το MON25 περιέχει 25 %, με ανώτατο όριο το MON40, που περιέχει 40 % μονοξείδιο του αζώτου κατά βάρος). |
| --- | --- |

δ.

Μικτά οξείδια του αζώτου (MON),

Τεχνική παρατήρηση:

Τα μεικτά οξείδια του αζώτου (MON) είναι διαλύματα μονοξειδίου του αζώτου (NO) σε τετροξείδιο/διοξείδιο του αζώτου (N2O4/NO2), που μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε πυραυλικά συστήματα. Ανάλογα με την αναλογία των συστατικών τους χαρακτηρίζονται ως MONi ή MONij, όπου i ή ij μονοψήφιος ή διψήφιος ακέραιος που εμφαίνει το ποσοστό μονοξειδίου του αζώτου που περιέχεται στο μείγμα (π.χ. το MON3 περιέχει 3 % μονοξείδιο του αζώτου, το MON25 περιέχει 25 %, με ανώτατο όριο το MON40, που περιέχει 40 % μονοξείδιο του αζώτου κατά βάρος).

| ε. | ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ για το σταθεροποιημένο ερυθρό ατμίζον νιτρικό οξύ (IRFNA), |
| --- | --- |

ε.

ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ για το σταθεροποιημένο ερυθρό ατμίζον νιτρικό οξύ (IRFNA),

| στ. | ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ για τις ενώσεις αποτελούμενες από φθόριο και ένα ή περισσότερα άλλα αλογόνα, οξυγόνο ή άζωτο. |
| --- | --- |

στ.

ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ για τις ενώσεις αποτελούμενες από φθόριο και ένα ή περισσότερα άλλα αλογόνα, οξυγόνο ή άζωτο.

| 4. | Παράγωγα της υδραζίνης, ως εξής:


  ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ.







  α. | Τριμεθυλυδραζίνη (CAS 1741-01-1) |
| --- | --- | --- |

4.

Παράγωγα της υδραζίνης, ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ.

α.

Τριμεθυλυδραζίνη (CAS 1741-01-1)

| β. | Τετραμεθυλυδραζίνη (CAS 6415-12-9) |
| --- | --- |

β.

Τετραμεθυλυδραζίνη (CAS 6415-12-9)

| γ. | Ν,Ν-διαλλυλυδραζίνη |
| --- | --- |

γ.

Ν,Ν-διαλλυλυδραζίνη

| δ. | Αλλυλυδραζίνη (CAS 7422-78-8) |
| --- | --- |

δ.

Αλλυλυδραζίνη (CAS 7422-78-8)

| ε. | Αιθυλενοδιυδραζίνη |
| --- | --- |

ε.

Αιθυλενοδιυδραζίνη

| στ. | Δινιτρική μονομεθυλυδραζίνη |
| --- | --- |

στ.

Δινιτρική μονομεθυλυδραζίνη

| ζ. | Ασύμμετρη νιτρική διμεθυλυδραζίνη |
| --- | --- |

ζ.

Ασύμμετρη νιτρική διμεθυλυδραζίνη

| η. | Αζίδιο του υδραζινίου (CAS 14546-44-2) |
| --- | --- |

η.

Αζίδιο του υδραζινίου (CAS 14546-44-2)

| θ. | Αζίδιο του διμεθυλυδραζινίου |
| --- | --- |

θ.

Αζίδιο του διμεθυλυδραζινίου

| ι. | Δινιτρικό υδραζίνιο |
| --- | --- |

ι.

Δινιτρικό υδραζίνιο

| ια. | Διιμιδοοξαλικοδιυδραζίνη (CAS 3457-37-2) |
| --- | --- |

ια.

Διιμιδοοξαλικοδιυδραζίνη (CAS 3457-37-2)

| ιβ. | Νιτρική 2-υδροξυαιθυλυδραζίνη (HEHN) |
| --- | --- |

ιβ.

Νιτρική 2-υδροξυαιθυλυδραζίνη (HEHN)

| ιγ. | βλέπε ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων για το υπερχλωρικό υδραζίνιο |
| --- | --- |

ιγ.

βλέπε ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων για το υπερχλωρικό υδραζίνιο

| ιδ. | Διυπερχλωρικό υδραζίνιο (CAS 13812-39-0) |
| --- | --- |

ιδ.

Διυπερχλωρικό υδραζίνιο (CAS 13812-39-0)

| ιε. | Νιτρική μεθυλυδραζίνη (MHN) |
| --- | --- |

ιε.

Νιτρική μεθυλυδραζίνη (MHN)

| ιστ. | Νιτρική διαιθυλυδραζίνη (DEHN) |
| --- | --- |

ιστ.

Νιτρική διαιθυλυδραζίνη (DEHN)

| ιζ. | Νιτρική 3,6-διυδραζινοτετραζίνη (νιτρική 1,4-διυδραζίνη) (DHTN) |
| --- | --- |

ιζ.

Νιτρική 3,6-διυδραζινοτετραζίνη (νιτρική 1,4-διυδραζίνη) (DHTN)

| 5. | Υλικά με υψηλή ενεργειακή πυκνότητα, άλλα από τα προσδιοριζόμενα στους έλεγχους στρατιωτικών προϊόντων, χρησιμοποιήσιμα σε «βλήματα» ή σε μη επανδρωμένα οχήματα αέρος που ορίζονται στο σημείο 9Α012:






  α. | Σύμμικτα καύσιμα όπου ενσωματώνονται και στερεά και υγρά καύσιμα, όπως το βοριούχο αιώρημα, που έχουν ενεργειακή πυκνότητα κατά μάζα 40 × 106 J/kg και άνω, |
| --- | --- | --- |

5.

Υλικά με υψηλή ενεργειακή πυκνότητα, άλλα από τα προσδιοριζόμενα στους έλεγχους στρατιωτικών προϊόντων, χρησιμοποιήσιμα σε «βλήματα» ή σε μη επανδρωμένα οχήματα αέρος που ορίζονται στο σημείο 9Α012:

α.

Σύμμικτα καύσιμα όπου ενσωματώνονται και στερεά και υγρά καύσιμα, όπως το βοριούχο αιώρημα, που έχουν ενεργειακή πυκνότητα κατά μάζα 40 × 106 J/kg και άνω,

| β. | Άλλα καύσιμα και πρόσθετα καυσίμων με υψηλή ενεργειακή πυκνότητα, (π.χ. τα κυβάνια, τα ιοντικά διαλύματα, το JP-10) που έχουν ενεργειακή πυκνότητα κατ’ όγκο 37,5 × 109 J/m3 και άνω, μετρούμενη σε θερμοκρασία 20 °C και πίεση μιας ατμόσφαιρας (101,325 kPa)


  Σημείωση: Στο σημείο 1C111.α.5.β δεν εμπίπτουν τα διυλισμένα ορυκτά καύσιμα και τα παραγόμενα από φυτά βιοκαύσιμα, ακόμη και αν προορίζονται για κινητήρες πιστοποιημένους προς χρήση στην πολιτική αεροπορία, εκτός αν είναι διαμορφωμένα ειδικά για «βλήματα» ή μη επανδρωμένα οχήματα αέρος που ορίζονται στο σημείο 9Α012. |
| --- | --- |

β.

Άλλα καύσιμα και πρόσθετα καυσίμων με υψηλή ενεργειακή πυκνότητα, (π.χ. τα κυβάνια, τα ιοντικά διαλύματα, το JP-10) που έχουν ενεργειακή πυκνότητα κατ’ όγκο 37,5 × 109 J/m3 και άνω, μετρούμενη σε θερμοκρασία 20 °C και πίεση μιας ατμόσφαιρας (101,325 kPa)

Σημείωση: Στο σημείο 1C111.α.5.β δεν εμπίπτουν τα διυλισμένα ορυκτά καύσιμα και τα παραγόμενα από φυτά βιοκαύσιμα, ακόμη και αν προορίζονται για κινητήρες πιστοποιημένους προς χρήση στην πολιτική αεροπορία, εκτός αν είναι διαμορφωμένα ειδικά για «βλήματα» ή μη επανδρωμένα οχήματα αέρος που ορίζονται στο σημείο 9Α012.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 1C111.α.5, ‘βλήματα’ σημαίνει πλήρη πυραυλικά συστήματα και συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος ικανά για βεληνεκές άνω των 300 km.

| β. | Πολυμερείς ουσίες:






  1. | Πολυβουταδιένιο με τελική καρβοξ(υλ)ική ομάδα (CΤΡΒ) |
| --- | --- | --- |

β.

Πολυμερείς ουσίες:

1.

Πολυβουταδιένιο με τελική καρβοξ(υλ)ική ομάδα (CΤΡΒ)

| 2. | Πολυβουταδιένιο με τελική υδροξ(υλ)ική ομάδα (HTPB), εκτός αυτών που προσδιορίζονται στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων |
| --- | --- |

2.

Πολυβουταδιένιο με τελική υδροξ(υλ)ική ομάδα (HTPB), εκτός αυτών που προσδιορίζονται στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων

| 3. | Πολυβουταδιένιο-ακρυλικό οξύ (ΡΒΑΑ) |
| --- | --- |

3.

Πολυβουταδιένιο-ακρυλικό οξύ (ΡΒΑΑ)

| 4. | Πολυβουταδιένιο-ακρυλικό οξύ-ακρυλονιτρίλιο (ΡΒΑΝ) |
| --- | --- |

4.

Πολυβουταδιένιο-ακρυλικό οξύ-ακρυλονιτρίλιο (ΡΒΑΝ)

| 5. | Πολυτετραϋδροφουρανιοπολυαιθυλενογλυκόλη (TPEG)


  Τεχνική παρατήρηση:


  Η πολυτετραϋδροφουρανιοπολυαιθυλενογλυκόλη (TPEG) είναι αλυσοσυμπολυμερές πολυ-1,4-βουτανοδιόλης και πολυαιθυλενογλυκόλης (PEG). |
| --- | --- |

5.

Πολυτετραϋδροφουρανιοπολυαιθυλενογλυκόλη (TPEG)

Τεχνική παρατήρηση:

Η πολυτετραϋδροφουρανιοπολυαιθυλενογλυκόλη (TPEG) είναι αλυσοσυμπολυμερές πολυ-1,4-βουτανοδιόλης και πολυαιθυλενογλυκόλης (PEG).

| γ. | Άλλα προωθητικά πρόσθετα και ουσίες:






  1. | ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΓΙΑ τα καρβοβοράνια, τα δεκαβοράνια, τα πενταβοράνια και τα παράγωγά τους |
| --- | --- | --- |

γ.

Άλλα προωθητικά πρόσθετα και ουσίες:

1.

ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΓΙΑ τα καρβοβοράνια, τα δεκαβοράνια, τα πενταβοράνια και τα παράγωγά τους

| 2. | Δινιτρική τριαιθυλενογλυκόλη (ΤΕGDΝ) (CAS 111-22-8) |
| --- | --- |

2.

Δινιτρική τριαιθυλενογλυκόλη (ΤΕGDΝ) (CAS 111-22-8)

| 3. | 2-Νιτροδιφαινυλαμίνη (CAS 119-75-5) |
| --- | --- |

3.

2-Νιτροδιφαινυλαμίνη (CAS 119-75-5)

| 4. | Τρινιτρικό τριμεθυλαιθάνιο (ΤΜΕΤΝ) (CAS 3032-55-1) |
| --- | --- |

4.

Τρινιτρικό τριμεθυλαιθάνιο (ΤΜΕΤΝ) (CAS 3032-55-1)

| 5. | Δινιτρική διαιθυλενογλυκόλη (DEGDN) (CAS 693-21-0) |
| --- | --- |

5.

Δινιτρική διαιθυλενογλυκόλη (DEGDN) (CAS 693-21-0)

| 6. | Παράγωγα σιδηροκενίου (ferrocene) ως εξής:






  α. | Βλέπε ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων για το κατοκένιο |
| --- | --- | --- |

6.

Παράγωγα σιδηροκενίου (ferrocene) ως εξής:

α.

Βλέπε ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων για το κατοκένιο

| β. | Αιθυλοσιδηροκένιο (CAS 1273-89-8) |
| --- | --- |

β.

Αιθυλοσιδηροκένιο (CAS 1273-89-8)

| γ. | Προπυλοσιδηροκένιο |
| --- | --- |

γ.

Προπυλοσιδηροκένιο

| δ. | Βλέπε ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων για το n-βουτυλοσιδηροκένιο |
| --- | --- |

δ.

Βλέπε ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων για το n-βουτυλοσιδηροκένιο

| ε. | Πεντυλοσιδηροκένιο (CAS 1274-00-6) |
| --- | --- |

ε.

Πεντυλοσιδηροκένιο (CAS 1274-00-6)

| στ. | Δικυκλοπεντυλοσιδηροκένιο |
| --- | --- |

στ.

Δικυκλοπεντυλοσιδηροκένιο

| ζ. | Δικυκλοεξυλοσιδηροκένιο |
| --- | --- |

ζ.

Δικυκλοεξυλοσιδηροκένιο

| η. | Διαιθυλοσιδηροκένιο (CAS 1273-97-8) |
| --- | --- |

η.

Διαιθυλοσιδηροκένιο (CAS 1273-97-8)

| θ. | Διπροπυλοσιδηροκένιο |
| --- | --- |

θ.

Διπροπυλοσιδηροκένιο

| ι. | Διβουτυλοσιδηροκένιο (CAS 1274-08-4) |
| --- | --- |

ι.

Διβουτυλοσιδηροκένιο (CAS 1274-08-4)

| ια. | Διεξυλοσιδηροκένιο (CAS 93894-59-8) |
| --- | --- |

ια.

Διεξυλοσιδηροκένιο (CAS 93894-59-8)

| ιβ. | Ακετυλοσιδηροκένιο (CAS 1271-55-2), 1,1’-διακετυλοσιδηροκένιο (CAS 1273-94-5) |
| --- | --- |

ιβ.

Ακετυλοσιδηροκένιο (CAS 1271-55-2), 1,1’-διακετυλοσιδηροκένιο (CAS 1273-94-5)

| ιγ. | Βλέπε ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων για τα καρβοξυλικά οξέα του σιδηροκενίου |
| --- | --- |

ιγ.

Βλέπε ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων για τα καρβοξυλικά οξέα του σιδηροκενίου

| ιδ. | Βλέπε ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων για το βουτακένιο |
| --- | --- |

ιδ.

Βλέπε ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων για το βουτακένιο

| ιε. | Άλλα παράγωγα του σιδηροκενίου που μπορούν να χρησιμοποιηθούν ως τροποποιητικά της ταχύτητας καύσης προωστικών πυραύλων, πλην εκείνων που προσδιορίζονται στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων.


  Σημείωση: Στο 1C111.γ.6.ιε δεν εμπίπτουν τα παράγωγα του σιδηροκενίου που περιέχουν, προσδεδεμένη στο μόριο του σιδηροκενίου, αρωματική ομάδα με έξι άτομα άνθρακα. |
| --- | --- |

ιε.

Άλλα παράγωγα του σιδηροκενίου που μπορούν να χρησιμοποιηθούν ως τροποποιητικά της ταχύτητας καύσης προωστικών πυραύλων, πλην εκείνων που προσδιορίζονται στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων.

Σημείωση: Στο 1C111.γ.6.ιε δεν εμπίπτουν τα παράγωγα του σιδηροκενίου που περιέχουν, προσδεδεμένη στο μόριο του σιδηροκενίου, αρωματική ομάδα με έξι άτομα άνθρακα.

| 7. | 4,5 διαζιδομεθυλο-2-μεθυλο-1,2,3-τριαζόλη (iso- DAMTR), εκτός από την προσδιοριζόμενη στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων. |
| --- | --- |

7.

4,5 διαζιδομεθυλο-2-μεθυλο-1,2,3-τριαζόλη (iso- DAMTR), εκτός από την προσδιοριζόμενη στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων.

Σημείωση: Για προωθητικά και χημικές ουσίες προωθητικών που δεν προσδιορίζονται στο 1C111 βλέπε ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων.

1C116

Χάλυβας μαρτενγήρανσης που μπορεί να χρησιμοποιηθεί σε «βλήματα» με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 1C216.

| a) | που έχει οριακή αντοχή σε εφελκυσμό, μετρούμενη σε 293 K (20 °C), ίση ή μεγαλύτερη από:






  1. | 0,9 GPa στο στάδιο ανόπτησης διαλυτοποίησης, ή |
| --- | --- | --- |

a)

που έχει οριακή αντοχή σε εφελκυσμό, μετρούμενη σε 293 K (20 °C), ίση ή μεγαλύτερη από:

1.

0,9 GPa στο στάδιο ανόπτησης διαλυτοποίησης, ή

| 2. | 1,5 GPa στο στάδιο της σκλήρυνσης με κατακρήμνιση, και |
| --- | --- |

2.

1,5 GPa στο στάδιο της σκλήρυνσης με κατακρήμνιση, και

| b) | Οποιοδήποτε από τις εξής μορφές:






  1. | Φύλλων, πλακών ή σωλήνων με πάχος τοιχώματος ή πλάκας ίσο ή κατώτερο των 5,0 mm. |
| --- | --- | --- |

b)

Οποιοδήποτε από τις εξής μορφές:

1.

Φύλλων, πλακών ή σωλήνων με πάχος τοιχώματος ή πλάκας ίσο ή κατώτερο των 5,0 mm.

| 2. | Σωληνοειδείς μορφές με πάχος τοιχώματος ίσο ή κατώτερο των 50 mm και με εσωτερική διάμετρο ίση ή ανώτερη των 270 mm. |
| --- | --- |

2.

Σωληνοειδείς μορφές με πάχος τοιχώματος ίσο ή κατώτερο των 50 mm και με εσωτερική διάμετρο ίση ή ανώτερη των 270 mm.

Τεχνική παρατήρηση 1:

Οι χάλυβες μαρτενγήρανσης είναι κράματα σιδήρου:

| 1. | γενικά χαρακτηριζόμενα από υψηλή περιεκτικότητα σε νικέλιο, πολύ χαμηλή περιεκτικότητα σε άνθρακα και χρήση υποκαταστάτων στοιχείων ή ιζημάτων προκειμένου να παράγοντα κράματα με μεγαλύτερη ανθεκτικότητα και σκλήρυνση κατά τη γήρανση, και |
| --- | --- |

1.

γενικά χαρακτηριζόμενα από υψηλή περιεκτικότητα σε νικέλιο, πολύ χαμηλή περιεκτικότητα σε άνθρακα και χρήση υποκαταστάτων στοιχείων ή ιζημάτων προκειμένου να παράγοντα κράματα με μεγαλύτερη ανθεκτικότητα και σκλήρυνση κατά τη γήρανση, και

| 2. | υποβαλλόμενα σε κύκλους θερμικής επεξεργασίας προκειμένου να διευκολυνθεί η διαδικασία μετασχηματισμού μαρτενγήρανσης (στάδιο ανόπτησης διαλυτοποίησης) και η μετέπειτα σκλήρυνση κατά τη γήρανση (στάδιο σκλήρυνσης με κατακρήμνιση). |
| --- | --- |

2.

υποβαλλόμενα σε κύκλους θερμικής επεξεργασίας προκειμένου να διευκολυνθεί η διαδικασία μετασχηματισμού μαρτενγήρανσης (στάδιο ανόπτησης διαλυτοποίησης) και η μετέπειτα σκλήρυνση κατά τη γήρανση (στάδιο σκλήρυνσης με κατακρήμνιση).

Τεχνική παρατήρηση 2:

Στο σημείο 1C116, «βλήματα» σημαίνει πλήρη πυραυλικά συστήματα και συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος ικανά για βεληνεκές άνω των 300 km.

1C117

Υλικά για την κατασκευή δομικών στοιχείων ‘βλημάτων’, ως εξής:

| α. | Βολφράμιο και κράματα βολφραμίου υπό μορφή σωματιδίων με περιεκτικότητα σε βολφράμιο 97 % και άνω κατά βάρος και διάμετρο σωματιδίων 50 × 10-6m (50 μm) και κάτω, |
| --- | --- |

α.

Βολφράμιο και κράματα βολφραμίου υπό μορφή σωματιδίων με περιεκτικότητα σε βολφράμιο 97 % και άνω κατά βάρος και διάμετρο σωματιδίων 50 × 10-6m (50 μm) και κάτω,

| β. | Μολυβδαίνιο και κράματα μολυβδαινίου υπό μορφή σωματιδίων με περιεκτικότητα σε μολυβδαίνιο 97 % και άνω κατά βάρος και διάμετρο σωματιδίων 50 × 10-6m (50 μm) και κάτω, |
| --- | --- |

β.

Μολυβδαίνιο και κράματα μολυβδαινίου υπό μορφή σωματιδίων με περιεκτικότητα σε μολυβδαίνιο 97 % και άνω κατά βάρος και διάμετρο σωματιδίων 50 × 10-6m (50 μm) και κάτω,

| γ. | Στερεά υλικά από βολφράμιο, με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  1. | Μία από τις παρακάτω συνθέσεις υλικού:






  α. | Βολφράμιο και κράματα με περιεκτικότητα σε βολφράμιο 97 % και άνω κατά βάρος, |
| --- | --- | --- | --- |

γ.

Στερεά υλικά από βολφράμιο, με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1.

Μία από τις παρακάτω συνθέσεις υλικού:

α.

Βολφράμιο και κράματα με περιεκτικότητα σε βολφράμιο 97 % και άνω κατά βάρος,

| β. | Χαλκοδιήθητο βολφράμιο με περιεκτικότητα σε βολφράμιο 80 % και άνω κατά βάρος, ή |
| --- | --- |

β.

Χαλκοδιήθητο βολφράμιο με περιεκτικότητα σε βολφράμιο 80 % και άνω κατά βάρος, ή

| γ. | Αργυροδιήθητο βολφράμιο με περιεκτικότητα σε βολφράμιο 80 % και άνω κατά βάρος, και |
| --- | --- |

γ.

Αργυροδιήθητο βολφράμιο με περιεκτικότητα σε βολφράμιο 80 % και άνω κατά βάρος, και

| 2. | Ικανά να μεταποιηθούν μηχανουργικώς σε οτιδήποτε από τα εξής:






  α. | Κυλίνδρους διαμέτρου 120 mm και άνω και μήκους 50 mm και άνω, |
| --- | --- | --- |

2.

Ικανά να μεταποιηθούν μηχανουργικώς σε οτιδήποτε από τα εξής:

α.

Κυλίνδρους διαμέτρου 120 mm και άνω και μήκους 50 mm και άνω,

| β. | Σωλήνες εσωτερικής διαμέτρου τουλάχιστον 65 mm και πάχους τοιχώματος τουλάχιστον 25 mm και μήκους τουλάχιστον 50 mm, ή |
| --- | --- |

β.

Σωλήνες εσωτερικής διαμέτρου τουλάχιστον 65 mm και πάχους τοιχώματος τουλάχιστον 25 mm και μήκους τουλάχιστον 50 mm, ή

| γ. | Παραλληλεπίπεδα διαστάσεων 120 mm επί 120 mm επί 50 mm ή μεγαλύτερων. |
| --- | --- |

γ.

Παραλληλεπίπεδα διαστάσεων 120 mm επί 120 mm επί 50 mm ή μεγαλύτερων.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 1C117, «βλήματα» σημαίνει πλήρη πυραυλικά συστήματα και συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος ικανά για βεληνεκές άνω των 300 km.

1C118

Διπλοί ανοξείδωτοι χάλυβες σταθεροποιημένοι με τιτάνιο (Ti-DSS) με όλα τα εξής:

| α. | Όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  1. | Περιεκτικότητα κατά βάρος 17,0-23,0 % σε χρώμιο και 4,5-7,0 % σε νικέλιο, |
| --- | --- | --- |

α.

Όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1.

Περιεκτικότητα κατά βάρος 17,0-23,0 % σε χρώμιο και 4,5-7,0 % σε νικέλιο,

| 2. | Περιεκτικότητα κατά βάρος άνω του 0,10 % σε τιτάνιο, και |
| --- | --- |

2.

Περιεκτικότητα κατά βάρος άνω του 0,10 % σε τιτάνιο, και

| 3. | Φερριτική-ωστενιτική (διφασική) μικροδομή με τουλάχιστον 10 % κατ’ όγκο ωστενίτη (σύμφωνα με το ASTM E-1181-87 ή τα εθνικά του ισοδύναμα), και |
| --- | --- |

3.

Φερριτική-ωστενιτική (διφασική) μικροδομή με τουλάχιστον 10 % κατ’ όγκο ωστενίτη (σύμφωνα με το ASTM E-1181-87 ή τα εθνικά του ισοδύναμα), και

| β. | Ένα από τα παρακάτω σχήματα:






  1. | Πλινθώματα και ράβδοι μεγέθους 100 mm και άνω σε κάθε διάσταση, |
| --- | --- | --- |

β.

Ένα από τα παρακάτω σχήματα:

1.

Πλινθώματα και ράβδοι μεγέθους 100 mm και άνω σε κάθε διάσταση,

| 2. | Φύλλα πλάτους 600 mm και άνω και πάχους 3 mm και κάτω, ή |
| --- | --- |

2.

Φύλλα πλάτους 600 mm και άνω και πάχους 3 mm και κάτω, ή

| 3. | Σωλήνες με εξωτερική διάμετρο 600 mm και άνω και πάχος τοιχωμάτων 3 mm και κάτω. |
| --- | --- |

3.

Σωλήνες με εξωτερική διάμετρο 600 mm και άνω και πάχος τοιχωμάτων 3 mm και κάτω.

1C202

Κράματα, εκτός αυτών που αναφέρονται στο σημείο 1C002.β.3. ή β.4., ως εξής:

| α. | Κράματα αργιλίου με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:






  1. | «Εμφανίζοντα» τελική αντίσταση εφελκυσμού 460 ΜΡa και άνω σε 293 Κ (20 °C), και |
| --- | --- | --- |

α.

Κράματα αργιλίου με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:

1.

«Εμφανίζοντα» τελική αντίσταση εφελκυσμού 460 ΜΡa και άνω σε 293 Κ (20 °C), και

| 2. | Υπό μορφή σωλήνων ή κυλινδρικών στερεών σωμάτων (περιλαμβανομένων και των σφυρηλάτων) εξωτερικής διαμέτρου 75 mm και άνω, |
| --- | --- |

2.

Υπό μορφή σωλήνων ή κυλινδρικών στερεών σωμάτων (περιλαμβανομένων και των σφυρηλάτων) εξωτερικής διαμέτρου 75 mm και άνω,

| β. | Κράματα τιτανίου με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:






  1. | «Εμφανίζοντα» τελική αντίσταση εφελκυσμού 900 ΜΡa και άνω σε 293 Κ (20 °C), και |
| --- | --- | --- |

β.

Κράματα τιτανίου με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:

1.

«Εμφανίζοντα» τελική αντίσταση εφελκυσμού 900 ΜΡa και άνω σε 293 Κ (20 °C), και

| 2. | Υπό μορφή σωλήνων ή κυλινδρικών στερεών σωμάτων (συμπεριλαμβανομένων και των σφυρηλάτων) με εξωτερική διάμετρο 75 mm και άνω. |
| --- | --- |

2.

Υπό μορφή σωλήνων ή κυλινδρικών στερεών σωμάτων (συμπεριλαμβανομένων και των σφυρηλάτων) με εξωτερική διάμετρο 75 mm και άνω.

Τεχνική παρατήρηση:

Η φράση κράματα «εμφανίζοντα» αναφέρεται σε κράματα πριν ή μετά από τη θερμική επεξεργασία τους.

1C210

«Ινώδη ή νηματώδη υλικά» ή προεμποτίσματα, εκτός αυτών που αναφέρονται στο σημείο 1C010.α., β. ή ε., ως εξής:

| α. | «Ινώδη ή νηματώδη υλικά» από άνθρακα ή αρμίδια με ένα από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | «Ειδικό συντελεστή»12,7 Χ 106 m και άνω, ή |
| --- | --- | --- |

α.

«Ινώδη ή νηματώδη υλικά» από άνθρακα ή αρμίδια με ένα από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

«Ειδικό συντελεστή»12,7 Χ 106 m και άνω, ή

| 2. | «Ειδική αντίσταση εφελκυσμού»23,5 × 104 m και άνω· |
| --- | --- |

2.

«Ειδική αντίσταση εφελκυσμού»23,5 × 104 m και άνω·

Σημείωση: Στο σημείο 1C210.α., δεν ελέγχονται τα ‘ινώδη ή νηματώδη υλικά’ από αραμίδια με περιεκτικότητα 0,25 % και άνω κατά βάρος σε ινώδη τροποποιητή επιφανειών με βάση εστέρες,

| β. | Υαλώδη «ινώδη ή νηματώδη υλικά» με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:






  1. | «Ειδικό συντελεστή»3,18 Χ 106 m και άνω, και |
| --- | --- | --- |

β.

Υαλώδη «ινώδη ή νηματώδη υλικά» με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:

1.

«Ειδικό συντελεστή»3,18 Χ 106 m και άνω, και

| 2. | «Ειδική αντίσταση εφελκυσμού»7,62 × 104 m και άνω· |
| --- | --- |

2.

«Ειδική αντίσταση εφελκυσμού»7,62 × 104 m και άνω·

| γ. | Θερμοσκληρική ρητίνη εμποτισμένη με συνεχή «στημόνια», «πιλήματα», «τέλματα» ή «ταινίες» πλάτους 15 mm το πολύ (προεμποτίσματα), από ανθρακούχα ή υαλώδη «ινώδη ή νηματώδη υλικά» που προσδιορίζονται στο σημείο 1C210.α. ή β.


  Τεχνική παρατήρηση:


  Η ρητίνη αποτελεί το περίβλημα του συστατικού. |
| --- | --- |

γ.

Θερμοσκληρική ρητίνη εμποτισμένη με συνεχή «στημόνια», «πιλήματα», «τέλματα» ή «ταινίες» πλάτους 15 mm το πολύ (προεμποτίσματα), από ανθρακούχα ή υαλώδη «ινώδη ή νηματώδη υλικά» που προσδιορίζονται στο σημείο 1C210.α. ή β.

Τεχνική παρατήρηση:

Η ρητίνη αποτελεί το περίβλημα του συστατικού.

Σημείωση: Στο σημείο 1C210, τα «ινώδη ή νηματώδη υλικά» αφορά μόνο τα «συνεχή μονόκλωνα νήματα», τα «στημονικά», τα «πιλήματα», τα «τίλματα ή τις ταινίες».

1C216

Χάλυβας μαρτενγήρανσης, εκτός αυτού που αναφέρεται στο σημείο 1C116, ‘εμφανίζων’ τελική αντίσταση εφελκυσμού 1 950 ΜΡa και άνω, σε 293 Κ (20 °C).

Σημείωση: Στο σημείο 1C216 δεν υπάγονται προϊόντα των οποίων καμία γραμμική διάσταση δεν υπερβαίνει τα 75 mm.

Τεχνική παρατήρηση:

Η φράση χάλυβας μαρτενγήρανσης «εμφανίζων» αναφέρεται σε χάλυβα μαρτενγήρανσης πριν ή μετά από τη θερμική επεξεργασία.

1C225

Βόριο εμπλουτισμένο στο ισότοπο βόριο-10 (10Β) σε αναλογία μεγαλύτερη της φυσικής, ως εξής: στοιχειακό βόριο, ενώσεις, μείγματα περιέχοντα βόριο, υλικά κατασκευασμένα από βόριο, απορρίμματα ή αποκόμματα των ανωτέρω.

Σημείωση: Στο σημείο 1C225, τα μείγματα περιέχοντα βόριο περιλαμβάνουν τα υλικά στα οποία έχει προστεθεί βόριο.

Τεχνική παρατήρηση:

Η φυσική ισοτοπική αναλογία του βορίου-10 είναι περίπου 18,5 % κατά βάρος (20 % κατ’ άτομο).

1C226

Βολφράμιο, καρβίδιο του βολφραμίου και κράματα περιέχοντα περισσότερο από 90 % βολφράμιο κατά βάρος, πλην των οριζόμενων στο σημείο 1C117, με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Σε μορφές με κοίλη κυλινδρική συμμετρία (περιλαμβανομένων και κυλινδρικών τμημάτων) εσωτερικής διαμέτρου μεταξύ των 100 mm και 300 mm, και |
| --- | --- |

α.

Σε μορφές με κοίλη κυλινδρική συμμετρία (περιλαμβανομένων και κυλινδρικών τμημάτων) εσωτερικής διαμέτρου μεταξύ των 100 mm και 300 mm, και

| β. | Μάζα άνω των 20 kg. |
| --- | --- |

β.

Μάζα άνω των 20 kg.

Σημείωση: Στο σημείο 1C226 δεν υπάγονται κατασκευασμένα υλικά, ειδικά σχεδιασμένα να χρησιμοποιηθούν ως βάρη ή ως σκόπευτρα ακτίνων γ.

1C227

Ασβέστιο με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Περιέχον λιγότερο από 1 000 ppm κατά βάρος μεταλλικές προσμίξεις διαφορετικές από μαγνήσιο και |
| --- | --- |

α.

Περιέχον λιγότερο από 1 000 ppm κατά βάρος μεταλλικές προσμίξεις διαφορετικές από μαγνήσιο και

| β. | Περιέχον λιγότερα από 10 ppm βορίου κατά βάρος. |
| --- | --- |

β.

Περιέχον λιγότερα από 10 ppm βορίου κατά βάρος.

1C228

Μαγνήσιο με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Περιέχον λιγότερο από 200 ppm κατά βάρος μεταλλικές προσμίξεις, πλην του ασβεστίου, και |
| --- | --- |

α.

Περιέχον λιγότερο από 200 ppm κατά βάρος μεταλλικές προσμίξεις, πλην του ασβεστίου, και

| β. | Περιέχον λιγότερα από 10 ppm βορίου κατά βάρος. |
| --- | --- |

β.

Περιέχον λιγότερα από 10 ppm βορίου κατά βάρος.

1C229

Βισμούθιο με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Καθαρότητας 99,99 % και άνω κατά βάρος, και |
| --- | --- |

α.

Καθαρότητας 99,99 % και άνω κατά βάρος, και

| β. | Περιέχον λιγότερο από 10 ppm κατά βάρος άργυρο. |
| --- | --- |

β.

Περιέχον λιγότερο από 10 ppm κατά βάρος άργυρο.

1C230

Μεταλλικό βηρύλλιο, κράματα περιέχοντα περισσότερο από 50 % βηρύλλιο κατά βάρος, ενώσεις βηρυλλίου, υλικά κατασκευασμένα από βηρύλλιο, και απορρίμματα ή αποκόμματα των ανωτέρω, πλην όσων προσδιορίζονται στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ.

Σημείωση: Στο σημείο 1C230, δεν υπάγονται τα εξής:

| α. | Μεταλλικά παράθυρα για μηχανήματα ακτίνων Χ, ή συσκευές για την παρακολούθηση των τρημάτων, |
| --- | --- |

α.

Μεταλλικά παράθυρα για μηχανήματα ακτίνων Χ, ή συσκευές για την παρακολούθηση των τρημάτων,

| β. | Οξείδια σε επεξεργασμένα ή ημιεπεξεργασμένα προϊόντα ειδικά σχεδιασμένα για εξαρτήματα ηλεκτρονικής ή ως υποστρώματα ηλεκτρονικών δικτύων, |
| --- | --- |

β.

Οξείδια σε επεξεργασμένα ή ημιεπεξεργασμένα προϊόντα ειδικά σχεδιασμένα για εξαρτήματα ηλεκτρονικής ή ως υποστρώματα ηλεκτρονικών δικτύων,

| γ. | Βήρυλλος (πυριτικό άλας βηρυλλίου και αλουμινίου) υπό μορφή σμαραγδιών ή ακουαμαρίνων. |
| --- | --- |

γ.

Βήρυλλος (πυριτικό άλας βηρυλλίου και αλουμινίου) υπό μορφή σμαραγδιών ή ακουαμαρίνων.

1C231

Μεταλλικό άφνιο, κράματα περιέχοντα περισσότερο από 60 % κατά βάρος άφνιο, ενώσεις αφνίου περιέχουσες περισσότερο από 60 % κατά βάρος άφνιο, υλικά κατασκευασμένα από αυτά, και απορρίμματα ή αποκόμματα οποιουδήποτε των ανωτέρω.

1C232

Ήλιο-3 (3He) μείγματα που περιέχουν ήλιο-3, και προϊόντα ή μηχανισμοί που περιέχουν οποιοδήποτε από τα προαναφερθέντα:

Σημείωση: Στο σημείο 1C232, δεν ελέγχεται προϊόν ή συσκευή που περιέχει λιγότερο από 1 g ηλίου-3.

1C233

Λίθιο εμπλουτισμένο στο ισότοπο λίθιο-6 (Li6) σε αναλογία μεγαλύτερη της φυσικής, και προϊόντα ή συσκευές που περιέχουν εμπλουτισμένο λίθιο, ως εξής: στοιχειακό λίθιο, κράματα, ενώσεις, μείγματα, περιέχοντα λίθιο, υλικά κατασκευασμένα από αυτά, απορρίμματα ή αποκόμματα οιουδήποτε των ανωτέρω.

Σημείωση: Στο σημείο 1C233, δεν υπάγονται τα δοσίμετρα θερμοφωταύγειας.

Τεχνική παρατήρηση:

Η φυσική περιεκτικότητα του λιθίου σε λίθιο-6 είναι περίπου 6,5 % κατά βάρος (7,5 % σε εκατοστιαία ποσοστά ατόμων).

1C234

Ζιρκόνιο με σχέση συγκέντρωσης αφνίου προς ζιρκόνιο μικρότερη από 1 προς 500 μέρη κατά βάρος, ως εξής: μέταλλο, κράματα περιέχοντα περισσότερο από 50 % κατά βάρος ζιρκόνιο, ενώσεις, προϊόντα κατασκευασμένα από αυτό, απορρίμματα ή αποκόμματα οιουδήποτε των ανωτέρω, εκτός από εκείνα που ορίζονται στο σημείο 0A001.στ.

Σημείωση: Στο σημείο 1C234, δεν ελέγχεται το ζιρκόνιο υπό μορφή φύλλων των οποίων το πάχος δεν υπερβαίνει τα 0,10 mm.

1C235

Τρίτιο, ενώσεις τριτίου και μείγματα περιέχοντα τρίτιο στο οποίο η σχέση ατόμων τριτίου προς υδρογόνο υπερβαίνει το 1 προς 1 000, και προϊόντα ή συσκευές περιέχοντα οποιοδήποτε από τα προαναφερθέντα.

Σημείωση: Στο σημείο 1C235 δεν υπάγεται προϊόν ή συσκευή περιέχουσα όχι λιγότερο από 1,48 × 103 GBq (40 Ci) τριτίου.

1C236

‘Ραδιονουκλίδια’ κατάλληλα για τη δημιουργία πηγών νετρονίων βάσει της αντίδρασης α-n, εκτός εκείνων που ορίζονται στα σημεία 0C001 και 1C012.α., στις εξής μορφές:

| α. | Στοιχειακά, |
| --- | --- |

α.

Στοιχειακά,

| β. | Ενώσεις ολικής ενέργειας 37 GBq/kg (1 Ci/kg) ή ανώτερης, |
| --- | --- |

β.

Ενώσεις ολικής ενέργειας 37 GBq/kg (1 Ci/kg) ή ανώτερης,

| γ. | Μίγματα ολικής ενέργειας 37 GBq/kg (1 Ci/kg) ή ανώτερης, |
| --- | --- |

γ.

Μίγματα ολικής ενέργειας 37 GBq/kg (1 Ci/kg) ή ανώτερης,

| δ. | Προϊόντα ή συσκευές περιέχοντα οποιοδήποτε από τα προαναφερόμενα. |
| --- | --- |

δ.

Προϊόντα ή συσκευές περιέχοντα οποιοδήποτε από τα προαναφερόμενα.

Σημείωση: Στο σημείο 1C236 δεν υπάγεται προϊόν ή συσκευή περιέχουσα λιγότερο από 3,7 GΒq (100 millicuries) ενέργειας.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 1C236 τα ‘ραδιονουκλίδια’ περιλαμβάνουν οποιοδήποτε από τα εξής:

| — | Ακτίνιο-225 (Ac-225) |
| --- | --- |

—

Ακτίνιο-225 (Ac-225)

| — | Ακτίνιο-227 (Ac-227) |
| --- | --- |

—

Ακτίνιο-227 (Ac-227)

| — | Καλιφόρνιο-253 (Cf-253) |
| --- | --- |

—

Καλιφόρνιο-253 (Cf-253)

| — | Κιούριο-240 (Cm-240) |
| --- | --- |

—

Κιούριο-240 (Cm-240)

| — | Κιούριο-241 (Cm-241) |
| --- | --- |

—

Κιούριο-241 (Cm-241)

| — | Κιούριο-242 (Cm-242) |
| --- | --- |

—

Κιούριο-242 (Cm-242)

| — | Κιούριο-243 (Cm-243) |
| --- | --- |

—

Κιούριο-243 (Cm-243)

| — | Κιούριο-244 (Cm-244) |
| --- | --- |

—

Κιούριο-244 (Cm-244)

| — | Αϊνσταΐνιο-253 (Es-253) |
| --- | --- |

—

Αϊνσταΐνιο-253 (Es-253)

| — | Αϊνσταΐνιο-254 (Es-254) |
| --- | --- |

—

Αϊνσταΐνιο-254 (Es-254)

| — | Γαδολίνιο-148 (Gd-148) |
| --- | --- |

—

Γαδολίνιο-148 (Gd-148)

| — | Πλουτώνιο-236 (Pu-236) |
| --- | --- |

—

Πλουτώνιο-236 (Pu-236)

| — | Πλουτώνιο-238 (Pu-238) |
| --- | --- |

—

Πλουτώνιο-238 (Pu-238)

| — | Πλουτώνιο-208 (Po-208) |
| --- | --- |

—

Πλουτώνιο-208 (Po-208)

| — | Πλουτώνιο-209 (Po-209) |
| --- | --- |

—

Πλουτώνιο-209 (Po-209)

| — | Πλουτώνιο-210 (Po-210) |
| --- | --- |

—

Πλουτώνιο-210 (Po-210)

| — | Ράδιο-223 (Ra-223) |
| --- | --- |

—

Ράδιο-223 (Ra-223)

| — | Θόριο-227 (Th-227) |
| --- | --- |

—

Θόριο-227 (Th-227)

| — | Θόριο-228 (Th-228) |
| --- | --- |

—

Θόριο-228 (Th-228)

| — | Ουράνιο-230 (U-230) |
| --- | --- |

—

Ουράνιο-230 (U-230)

| — | Ουράνιο-232 (U-232) |
| --- | --- |

—

Ουράνιο-232 (U-232)

1C237

Ράδιο-226 (226Ra), κράματα ραδίου226, ενώσεις ραδίου-226, μείγματα περιέχοντα ράδιο-226, υλικά κατασκευασμένα από αυτά, και προϊόντα ή συσκευές περιέχοντα οποιοδήποτε από τα προαναφερθέντα.

Σημείωση: Στο σημείο 1C237 δεν υπάγονται τα εξής:

| α. | Ιατρικές συσκευές, |
| --- | --- |

α.

Ιατρικές συσκευές,

| β. | Προϊόν ή συσκευή περιέχουσα λιγότερο από 0,37 GΒq (10 millicuries) ραδίου-226. |
| --- | --- |

β.

Προϊόν ή συσκευή περιέχουσα λιγότερο από 0,37 GΒq (10 millicuries) ραδίου-226.

1C238

Τριφθοριούχο χλώριο (ClF3).

1C239

Ισχυρά εκρηκτικά, εκτός αυτών που καθορίζονται στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων, ή ουσίες ή μείγματα περιέχοντα περισσότερο από 2 % κατά βάρος εξ αυτών, με κρυσταλλική πυκνότητα μεγαλύτερη του 1,8 g/cm3 και εμφανίζοντα ταχύτητα έκρηξης μεγαλύτερη των 8 000 m/s.

1C240

Σκόνη νικελίου και πορώδες μέταλλο νικελίου εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στο σημείο 0C005, ως εξής:

| α. | Σκόνη νικελίου με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Καθαρή περιεκτικότητα νικελίου 99,0 % κατά βάρος ή ανώτερη, και |
| --- | --- | --- |

α.

Σκόνη νικελίου με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Καθαρή περιεκτικότητα νικελίου 99,0 % κατά βάρος ή ανώτερη, και

| 2. | Μέσο μέγεθος σωματιδίων μικρότερο των 10 μm με βάση μέτρηση σύμφωνα με το πρότυπο Β330 από την Αμερικανική Εταιρεία Δομικών Υλικών (ΑSΤΜ), |
| --- | --- |

2.

Μέσο μέγεθος σωματιδίων μικρότερο των 10 μm με βάση μέτρηση σύμφωνα με το πρότυπο Β330 από την Αμερικανική Εταιρεία Δομικών Υλικών (ΑSΤΜ),

| β. | Πορώδης σκόνη μεταλλικού νικελίου παραγόμενη από υλικά που προσδιορίζονται στο σημείο 1C240.α. |
| --- | --- |

β.

Πορώδης σκόνη μεταλλικού νικελίου παραγόμενη από υλικά που προσδιορίζονται στο σημείο 1C240.α.

Σημείωση: Στο σημείο 1C240 δεν υπάγονται τα εξής:

| α. | Νηματώδης σκόνη νικελίου, |
| --- | --- |

α.

Νηματώδης σκόνη νικελίου,

| β. | Ενιαία ελάσματα πορώδους νικελίου με εμβαδόν μέχρι και 1 000 cm2 ανά έλασμα. |
| --- | --- |

β.

Ενιαία ελάσματα πορώδους νικελίου με εμβαδόν μέχρι και 1 000 cm2 ανά έλασμα.

Τεχνική παρατήρηση:

Το σημείο 1C240.β. αφορά πορώδες μέταλλο που σχηματίζεται με συμπίεση και περίτηξη των υλικών του σημείου 1C240.α. για σχηματισμό μεταλλικής μορφής με λεπτούς πόρους διασυνδεδεμένους με την όλη δομή.

1C241

Ρήνιο και κράματα με περιεκτικότητα σε ρήνιο 90 % και άνω κατά βάρος, και κράματα ρηνίου και βολφραμίου με περιεκτικότητα σε οποιονδήποτε συνδυασμό ρηνίου και βολφραμίου 90 % και άνω κατά βάρος, που έχουν και τα δύο εξής χαρακτηριστικά:

| α. | Σε μορφές με κοίλη κυλινδρική συμμετρία (περιλαμβανομένων και κυλινδρικών τμημάτων) εσωτερικής διαμέτρου μεταξύ των 100 mm και 300 mm, και |
| --- | --- |

α.

Σε μορφές με κοίλη κυλινδρική συμμετρία (περιλαμβανομένων και κυλινδρικών τμημάτων) εσωτερικής διαμέτρου μεταξύ των 100 mm και 300 mm, και

| β. | Μάζα άνω των 20 kg. |
| --- | --- |

β.

Μάζα άνω των 20 kg.

1C350

Χημικές ουσίες οι οποίες μπορούν να χρησιμοποιηθούν ως πρόδρομες ουσίες χημικών τοξικών παραγόντων ως εξής, και «χημικά μείγματα» περιέχοντα ένα ή περισσότερα από τα ακόλουθα:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΣΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΚΑΙ 1C450.

| 1. | Θειοδιγλυκόλη (111-48-8), |
| --- | --- |

1.

Θειοδιγλυκόλη (111-48-8),

| 2. | Οξυχλωριούχος φώσφορος (10025-87-3), |
| --- | --- |

2.

Οξυχλωριούχος φώσφορος (10025-87-3),

| 3. | Μεθυλοφωσφονικό διμεθύλιο (756-79-6), |
| --- | --- |

3.

Μεθυλοφωσφονικό διμεθύλιο (756-79-6),

| 4. | ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ για διφθοριούχο μεθυλοφωσφινύλιο (676-99-3), |
| --- | --- |

4.

ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ για διφθοριούχο μεθυλοφωσφινύλιο (676-99-3),

| 5. | Φωσφονυλδιχλωριούχο μεθύλιο (676-97-1), |
| --- | --- |

5.

Φωσφονυλδιχλωριούχο μεθύλιο (676-97-1),

| 6. | Φωσφορώδες διμεθύλιο (DΜΡ) (868-85-9), |
| --- | --- |

6.

Φωσφορώδες διμεθύλιο (DΜΡ) (868-85-9),

| 7. | Τριχλωριούχος φώσφορος (7719-12-2), |
| --- | --- |

7.

Τριχλωριούχος φώσφορος (7719-12-2),

| 8. | Φωσφορώδες τριμεθύλιο (ΤΜΡ) (121-45-9), |
| --- | --- |

8.

Φωσφορώδες τριμεθύλιο (ΤΜΡ) (121-45-9),

| 9. | Χλωριούχο θειονύλιο (7719-09-7), |
| --- | --- |

9.

Χλωριούχο θειονύλιο (7719-09-7),

| 10. | 3-υδροξυ1-μεθυλοπιπεριδίνη (3554-74-3), |
| --- | --- |

10.

3-υδροξυ1-μεθυλοπιπεριδίνη (3554-74-3),

| 11. | N,N-Διισοπροπυλ-β-αμινοαιθυλοχλωρίδιο (96-79-7), |
| --- | --- |

11.

N,N-Διισοπροπυλ-β-αμινοαιθυλοχλωρίδιο (96-79-7),

| 12. | Θειόλη του Ν,Ν-διισοπροπυλ-β-αμινοαιθανίου (5842-07-9), |
| --- | --- |

12.

Θειόλη του Ν,Ν-διισοπροπυλ-β-αμινοαιθανίου (5842-07-9),

| 13. | 3-Κινουοκλιδινόλη (1619-34-7), |
| --- | --- |

13.

3-Κινουοκλιδινόλη (1619-34-7),

| 14. | Φθοριούχο κάλιο (7789-23-3), |
| --- | --- |

14.

Φθοριούχο κάλιο (7789-23-3),

| 15. | 2-Χλωροαιθανόλη (107-07-3), |
| --- | --- |

15.

2-Χλωροαιθανόλη (107-07-3),

| 16. | Διμεθυλαμίνη (124-40-3), |
| --- | --- |

16.

Διμεθυλαμίνη (124-40-3),

| 17. | Αιθυλοφωσφονικό διαιθύλιο (78-38-6), |
| --- | --- |

17.

Αιθυλοφωσφονικό διαιθύλιο (78-38-6),

| 18. | Ν,Ν-διμεθυλοφωσφοραμιδικό διαιθύλιο (2404-03-7), |
| --- | --- |

18.

Ν,Ν-διμεθυλοφωσφοραμιδικό διαιθύλιο (2404-03-7),

| 19. | Φωσφορώδες διαιθύλιο (762-04-9), |
| --- | --- |

19.

Φωσφορώδες διαιθύλιο (762-04-9),

| 20. | Υδροχλωρική διμεθυλαμίνη (506-59-2), |
| --- | --- |

20.

Υδροχλωρική διμεθυλαμίνη (506-59-2),

| 21. | Διχλωριούχο αιθυλοφωσφινύλιο (1498-40-4), |
| --- | --- |

21.

Διχλωριούχο αιθυλοφωσφινύλιο (1498-40-4),

| 22. | Διχλωριούχο αιθυλοφωσφονύλιο (1066-50-8), |
| --- | --- |

22.

Διχλωριούχο αιθυλοφωσφονύλιο (1066-50-8),

| 23. | ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ για διφθοριούχο αιθυλοφωσφονύλιο (753-98-0), |
| --- | --- |

23.

ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ για διφθοριούχο αιθυλοφωσφονύλιο (753-98-0),

| 24. | Υδροφθόριο (7664-39-3), |
| --- | --- |

24.

Υδροφθόριο (7664-39-3),

| 25. | Βενζυλικό μεθύλιο (76-89-1), |
| --- | --- |

25.

Βενζυλικό μεθύλιο (76-89-1),

| 26. | Διχλωριούχο μεθυλοφωσφινύλιο (676-83-5), |
| --- | --- |

26.

Διχλωριούχο μεθυλοφωσφινύλιο (676-83-5),

| 27. | Ν,Ν-διισοπροπυλ-β-αμινοαιθανόλη (96-80-0), |
| --- | --- |

27.

Ν,Ν-διισοπροπυλ-β-αμινοαιθανόλη (96-80-0),

| 28. | Πινακολυλική αλκοόλη (464-07-03), |
| --- | --- |

28.

Πινακολυλική αλκοόλη (464-07-03),

| 29. | ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ για μεθυλοφωσφονικό Ο-αιθυλ2-διισοπροπυλαμινοαιθύλιο (QL) (57856-11-8), |
| --- | --- |

29.

ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ για μεθυλοφωσφονικό Ο-αιθυλ2-διισοπροπυλαμινοαιθύλιο (QL) (57856-11-8),

| 30. | Φωσφορώδες τριαιθύλιο (122-52-1), |
| --- | --- |

30.

Φωσφορώδες τριαιθύλιο (122-52-1),

| 31. | Τριχλωριούχο αρσενικό (7784-34-1), |
| --- | --- |

31.

Τριχλωριούχο αρσενικό (7784-34-1),

| 32. | Βενζυλικό οξύ (76-93-7), |
| --- | --- |

32.

Βενζυλικό οξύ (76-93-7),

| 33. | Μεθυλοφωσφονικό διαιθύλιο (15715-41-0), |
| --- | --- |

33.

Μεθυλοφωσφονικό διαιθύλιο (15715-41-0),

| 34. | Αιθυλοφωσφονικό διμεθύλιο (6163-75-3), |
| --- | --- |

34.

Αιθυλοφωσφονικό διμεθύλιο (6163-75-3),

| 35. | Διφθοριούχο αιθυλοφωσφονύλιο (430-78-4), |
| --- | --- |

35.

Διφθοριούχο αιθυλοφωσφονύλιο (430-78-4),

| 36. | Διφθοριούχο μεθυλοφωσφινύλιο (753-59-3), |
| --- | --- |

36.

Διφθοριούχο μεθυλοφωσφινύλιο (753-59-3),

| 37. | 3-Κινουκλιδόνη (3731-38-2), |
| --- | --- |

37.

3-Κινουκλιδόνη (3731-38-2),

| 38. | Πενταχλωριούχος φώσφορος (10026-13-8), |
| --- | --- |

38.

Πενταχλωριούχος φώσφορος (10026-13-8),

| 39. | Πινακολόνη (75-97-8), |
| --- | --- |

39.

Πινακολόνη (75-97-8),

| 40. | Κυανιούχο κάλιο (151-50-8), |
| --- | --- |

40.

Κυανιούχο κάλιο (151-50-8),

| 41. | Διφθοριούχο κάλιο (7789-29-9), |
| --- | --- |

41.

Διφθοριούχο κάλιο (7789-29-9),

| 42. | Υδροφθοριούχο αμμώνιο ή διφθοριούχο αμμώνιο (1341-49-7), |
| --- | --- |

42.

Υδροφθοριούχο αμμώνιο ή διφθοριούχο αμμώνιο (1341-49-7),

| 43. | Φθοριούχο νάτριο (7681-49-4), |
| --- | --- |

43.

Φθοριούχο νάτριο (7681-49-4),

| 44. | Διφθοριούχο νάτριο (1333-83-1), |
| --- | --- |

44.

Διφθοριούχο νάτριο (1333-83-1),

| 45. | Κυανιούχο νάτριο (143-33-9), |
| --- | --- |

45.

Κυανιούχο νάτριο (143-33-9),

| 46. | Τριαιθανολαμίνη (102-71-6), |
| --- | --- |

46.

Τριαιθανολαμίνη (102-71-6),

| 47. | Πενταθειούχος φώσφορος (1314-80-3), |
| --- | --- |

47.

Πενταθειούχος φώσφορος (1314-80-3),

| 48. | Δι-ισοπροπυλαμίνη (108-18-9), |
| --- | --- |

48.

Δι-ισοπροπυλαμίνη (108-18-9),

| 49. | Διαιθυλαμινοαιθανόλη (100-37-8), |
| --- | --- |

49.

Διαιθυλαμινοαιθανόλη (100-37-8),

| 50. | Θειούχο νάτριο (1313-82-2), |
| --- | --- |

50.

Θειούχο νάτριο (1313-82-2),

| 51. | Μονοχλωριούχο θείο (10025-67-9), |
| --- | --- |

51.

Μονοχλωριούχο θείο (10025-67-9),

| 52. | Διχλωριούχο θείο (10545-99-0), |
| --- | --- |

52.

Διχλωριούχο θείο (10545-99-0),

| 53. | Υδροχλωρική τριαιθανολαμίνη (637-39-8), |
| --- | --- |

53.

Υδροχλωρική τριαιθανολαμίνη (637-39-8),

| 54. | Υδροχλωρικό Ν,Ν-διισοπροπυλ-β-αμινοαιθυλοχλωρίδιο (4261-68-1), |
| --- | --- |

54.

Υδροχλωρικό Ν,Ν-διισοπροπυλ-β-αμινοαιθυλοχλωρίδιο (4261-68-1),

| 55. | Μεθυλοφωσφονικό οξύ (993-13-5), |
| --- | --- |

55.

Μεθυλοφωσφονικό οξύ (993-13-5),

| 56. | Μεθυλοφωσφονικός διαιθυλεστέρας (683-08-9), |
| --- | --- |

56.

Μεθυλοφωσφονικός διαιθυλεστέρας (683-08-9),

| 57. | Διχλωριούχο Ν,Ν-διμεθυλαμινοφωσφορύλιο (677-43-0), |
| --- | --- |

57.

Διχλωριούχο Ν,Ν-διμεθυλαμινοφωσφορύλιο (677-43-0),

| 58. | Φωσφορώδες τριισαπροπύλιο (116-17-6), |
| --- | --- |

58.

Φωσφορώδες τριισαπροπύλιο (116-17-6),

| 59. | Αιθυλοδιαιθανολαμίνη (139-87-7), |
| --- | --- |

59.

Αιθυλοδιαιθανολαμίνη (139-87-7),

| 60. | Φωσφοροθειικό 0,0-διαιθύλιο (2465-65-8), |
| --- | --- |

60.

Φωσφοροθειικό 0,0-διαιθύλιο (2465-65-8),

| 61. | Φωσφοροδιθειικό 0,0-διαιθύλιο (298-06-6), |
| --- | --- |

61.

Φωσφοροδιθειικό 0,0-διαιθύλιο (298-06-6),

| 62. | Εξαφθοροπυριτικό νάτριο (16893-85-9), |
| --- | --- |

62.

Εξαφθοροπυριτικό νάτριο (16893-85-9),

| 63. | Διχλωριούχος μεθυλοφωσφονοϊκοθειοϊκός εστέρας (676-98-2). |
| --- | --- |

63.

Διχλωριούχος μεθυλοφωσφονοϊκοθειοϊκός εστέρας (676-98-2).

Σημείωση 1: Για τις εξαγωγές στα «Κράτη που δεν είναι συμβαλλόμενα μέρη της σύμβασης για τα Χημικά Όπλα», στο σημείο 1C350 δεν υπάγονται τα «χημικά μείγματα» που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ενώσεις των σημείων 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 και .63 και στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 10 % κατά βάρος του μείγματος.

Σημείωση 2: Για τις εξαγωγές στα «Κράτη που είναι συμβαλλόμενα μέρη της σύμβασης για τα Χημικά Όπλα», στο σημείο 1C350 δεν υπάγονται τα «χημικά μείγματα» που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ενώσεις των σημείων 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 και .63 και στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 30 % κατά βάρος του μείγματος.

Σημείωση 3: Στο σημείο 1C350 δεν υπάγονται τα «χημικά μείγματα» που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ουσίες των σημείων 1C350.2, .6, .7, .8, .9, .10, .14, .15, .16, .19, .20, .24, .25, .30, .37, .38, .39, .40, .41, .42, .43, .44, .45, .46, .47, .48, .49, .50, .51, .52, .53, .58, .59, .60, .61 και .62 και στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 30 % κατά βάρος του μείγματος.

Σημείωση 4: Στο σημείο 1C350 δεν υπάγονται προϊόντα που ορίζονται ως καταναλωτικά προϊόντα, συσκευασμένα για το λιανικό εμπόριο για προσωπική χρήση ή συσκευασμένα για προσωπική χρήση.

1C351

Παθογόνα ανθρώπου και ζώων και «τοξίνες», ως εξής:

| α. | Ιοί, φυσικοί, διεγερμένοι ή τροποποιημένοι, υπό μορφή «απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών» ή ως υλικό το οποίο έχει σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:






  1. | Ιός αφρικανικής νόσου των ίππων, |
| --- | --- | --- |

α.

Ιοί, φυσικοί, διεγερμένοι ή τροποποιημένοι, υπό μορφή «απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών» ή ως υλικό το οποίο έχει σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:

1.

Ιός αφρικανικής νόσου των ίππων,

| 2. | Αφρικανικός ιός πανώλους χοίρων, |
| --- | --- |

2.

Αφρικανικός ιός πανώλους χοίρων,

| 3. | Ιός των Άνδεων, |
| --- | --- |

3.

Ιός των Άνδεων,

| 4. | Ιοί γρίπης πτηνών, που είναι:






  α. | Μη χαρακτηρισμένοι, ή |
| --- | --- | --- |

4.

Ιοί γρίπης πτηνών, που είναι:

α.

Μη χαρακτηρισμένοι, ή

| β. | Όπως ορίζεται στο παράρτημα I παράγραφος 2 της οδηγίας 2005/94/ΕΚ (ΕΕ L.10 της 14.1.2006, σ. 16) ως έχοντα υψηλή παθογένεια, ως εξής:






  1. | Ιοί του τύπου Α με IVPI (δείκτη ενδοφλέβιας παθογένειας) σε κοτόπουλα 6 εβδομάδων, μεγαλύτερο του 1,2ή |
| --- | --- | --- |

β.

Όπως ορίζεται στο παράρτημα I παράγραφος 2 της οδηγίας 2005/94/ΕΚ (ΕΕ L.10 της 14.1.2006, σ. 16) ως έχοντα υψηλή παθογένεια, ως εξής:

1.

Ιοί του τύπου Α με IVPI (δείκτη ενδοφλέβιας παθογένειας) σε κοτόπουλα 6 εβδομάδων, μεγαλύτερο του 1,2ή

| 2. | Ιοί του τύπου Α των υποτύπων H5 ή H7 με αλληλουχίες γονιδιώματος κωδικοποιημένες για πολλαπλά βασικά αμινοξέα στη θέση διάσπασης του μορίου της αιμοσυγκολλητίνης παρόμοιες με εκείνες που παρατηρούνται σε άλλους ιούς HPAI, το οποίο υποδεικνύει ότι το μόριο της αιμοσυγκολλητίνης μπορεί να διασπαστεί από μια πρωτεάση η οποία απαντά σε όλα τα μέρη του ξενιστή, |
| --- | --- |

2.

Ιοί του τύπου Α των υποτύπων H5 ή H7 με αλληλουχίες γονιδιώματος κωδικοποιημένες για πολλαπλά βασικά αμινοξέα στη θέση διάσπασης του μορίου της αιμοσυγκολλητίνης παρόμοιες με εκείνες που παρατηρούνται σε άλλους ιούς HPAI, το οποίο υποδεικνύει ότι το μόριο της αιμοσυγκολλητίνης μπορεί να διασπαστεί από μια πρωτεάση η οποία απαντά σε όλα τα μέρη του ξενιστή,

| 5. | Ιός καταρροϊκού πυρετού, |
| --- | --- |

5.

Ιός καταρροϊκού πυρετού,

| 6. | Ιός Chapare, |
| --- | --- |

6.

Ιός Chapare,

| 7. | Ιός τσικουγκούνια (chikungunya), |
| --- | --- |

7.

Ιός τσικουγκούνια (chikungunya),

| 8. | Ιός Choclo |
| --- | --- |

8.

Ιός Choclo

| 9. | Ιός αιμορραγικού πυρετού Κονγκό-Κριμαίας, |
| --- | --- |

9.

Ιός αιμορραγικού πυρετού Κονγκό-Κριμαίας,

| 10. | Ιός δάγγειου πυρετού, |
| --- | --- |

10.

Ιός δάγγειου πυρετού,

| 11. | Ιός Ντόμπραβας-Βελιγραδιού |
| --- | --- |

11.

Ιός Ντόμπραβας-Βελιγραδιού

| 12. | Ιός ανατολικής εγκεφαλίτιδας ιπποειδών, |
| --- | --- |

12.

Ιός ανατολικής εγκεφαλίτιδας ιπποειδών,

| 13. | Ιός Ebola, |
| --- | --- |

13.

Ιός Ebola,

| 14. | Ιός αφθώδους πυρετού, |
| --- | --- |

14.

Ιός αφθώδους πυρετού,

| 15. | Ιός ευλογιάς αιγών, |
| --- | --- |

15.

Ιός ευλογιάς αιγών,

| 16. | Ιός Γουαναρίτο |
| --- | --- |

16.

Ιός Γουαναρίτο

| 17. | Ιός Hantaan, |
| --- | --- |

17.

Ιός Hantaan,

| 18. | Ιός Hendra (Morbillivirus equorum) |
| --- | --- |

18.

Ιός Hendra (Morbillivirus equorum)

| 19. | Ιός του έρπητα (νόσος Aujeszky), |
| --- | --- |

19.

Ιός του έρπητα (νόσος Aujeszky),

| 20. | Ιός χολέρας των χοίρων (ιός χοιρείου πυρετού), |
| --- | --- |

20.

Ιός χολέρας των χοίρων (ιός χοιρείου πυρετού),

| 21. | Ιός ιαπωνικής εγκεφαλίτιδας, |
| --- | --- |

21.

Ιός ιαπωνικής εγκεφαλίτιδας,

| 22. | Ιός Junin, |
| --- | --- |

22.

Ιός Junin,

| 23. | Ιός δάσους Kyasanur, |
| --- | --- |

23.

Ιός δάσους Kyasanur,

| 24. | Ιός Laguna Negra |
| --- | --- |

24.

Ιός Laguna Negra

| 25. | Ιός πυρετού της Λάσσα, |
| --- | --- |

25.

Ιός πυρετού της Λάσσα,

| 26. | Ιός εγκεφαλομυελίτιδας των προβάτων, |
| --- | --- |

26.

Ιός εγκεφαλομυελίτιδας των προβάτων,

| 27. | Ιός Lujo, |
| --- | --- |

27.

Ιός Lujo,

| 28. | Ιός οζώδους δερματίτιδας των βοοειδών, |
| --- | --- |

28.

Ιός οζώδους δερματίτιδας των βοοειδών,

| 29. | Ιός λυμφοκυτταρικής χοριομηνιγγίτιδας, |
| --- | --- |

29.

Ιός λυμφοκυτταρικής χοριομηνιγγίτιδας,

| 30. | Ιός του Ματσούπο (Machupo), |
| --- | --- |

30.

Ιός του Ματσούπο (Machupo),

| 31. | Ιός του Μάρμπουργκ (Marburg), |
| --- | --- |

31.

Ιός του Μάρμπουργκ (Marburg),

| 32. | Ιός ευλογιάς πιθήκων, |
| --- | --- |

32.

Ιός ευλογιάς πιθήκων,

| 33. | Ιός εγκεφαλίτιδας της Κοιλάδας του Murray, |
| --- | --- |

33.

Ιός εγκεφαλίτιδας της Κοιλάδας του Murray,

| 34. | Ιός της ασθένειας του Newcastle, |
| --- | --- |

34.

Ιός της ασθένειας του Newcastle,

| 35. | Ιός Nipah, |
| --- | --- |

35.

Ιός Nipah,

| 36. | Ιός αιμορραγικού πυρετού Ομσκ |
| --- | --- |

36.

Ιός αιμορραγικού πυρετού Ομσκ

| 37. | Ιός Oropouche |
| --- | --- |

37.

Ιός Oropouche

| 38. | Ιός πανώλους μικρών μηρυκαστικών, |
| --- | --- |

38.

Ιός πανώλους μικρών μηρυκαστικών,

| 39. | Εντεροϊός χοίρων του τύπου 9 (ιός της φυσαλιδώδους νόσου των χοίρων), |
| --- | --- |

39.

Εντεροϊός χοίρων του τύπου 9 (ιός της φυσαλιδώδους νόσου των χοίρων),

| 40. | Ιός Powassan |
| --- | --- |

40.

Ιός Powassan

| 41. | Ιός της λύσσας και άλλων μελών του γένους Lyssavirus, |
| --- | --- |

41.

Ιός της λύσσας και άλλων μελών του γένους Lyssavirus,

| 42. | Ιός πυρετού Κοιλάδας Rift |
| --- | --- |

42.

Ιός πυρετού Κοιλάδας Rift

| 43. | Ιός πανώλους αγελάδων, |
| --- | --- |

43.

Ιός πανώλους αγελάδων,

| 44. | Ιός Rocio |
| --- | --- |

44.

Ιός Rocio

| 45. | Ιός Sabia, |
| --- | --- |

45.

Ιός Sabia,

| 46. | Ιός της Σεούλ, |
| --- | --- |

46.

Ιός της Σεούλ,

| 47. | Ιός ευλογιάς προβάτων, |
| --- | --- |

47.

Ιός ευλογιάς προβάτων,

| 48. | Ιός sin nombre, |
| --- | --- |

48.

Ιός sin nombre,

| 49. | Ιός εγκεφαλίτιδας St.Louis |
| --- | --- |

49.

Ιός εγκεφαλίτιδας St.Louis

| 50. | Ιός ασθένειας Teschen, |
| --- | --- |

50.

Ιός ασθένειας Teschen,

| 51. | Ιός επιδημικής εγκεφαλίτιδας (ρωσικός ιός εγκεφαλίτιδας), |
| --- | --- |

51.

Ιός επιδημικής εγκεφαλίτιδας (ρωσικός ιός εγκεφαλίτιδας),

| 52. | Ιός ευλογιάς, |
| --- | --- |

52.

Ιός ευλογιάς,

| 53. | Ιός εγκεφαλίτιδας ιπποειδών της Βενεζουέλας, |
| --- | --- |

53.

Ιός εγκεφαλίτιδας ιπποειδών της Βενεζουέλας,

| 54. | Ιός κυστικής στοματίτιδος, |
| --- | --- |

54.

Ιός κυστικής στοματίτιδος,

| 55. | Δυτικός ιός εγκεφαλίτιδας ιπποειδών, |
| --- | --- |

55.

Δυτικός ιός εγκεφαλίτιδας ιπποειδών,

| 56. | Ιός κίτρινου πυρετού, |
| --- | --- |

56.

Ιός κίτρινου πυρετού,

| β. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

β.

Δεν χρησιμοποιείται,

| γ. | Βακτήρια, φυσικά, διεγερμένα ή τροποποιημένα, υπό μορφή «απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών» ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:






  1. | Bacillus anthracis, |
| --- | --- | --- |

γ.

Βακτήρια, φυσικά, διεγερμένα ή τροποποιημένα, υπό μορφή «απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών» ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:

1.

Bacillus anthracis,

| 2. | Brucella abortus, |
| --- | --- |

2.

Brucella abortus,

| 3. | Brucella melitensis, |
| --- | --- |

3.

Brucella melitensis,

| 4. | Brucella suis, |
| --- | --- |

4.

Brucella suis,

| 5. | Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei), |
| --- | --- |

5.

Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei),

| 6. | Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei), |
| --- | --- |

6.

Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei),

| 7. | Chlamydophila psittaci (παλαιότερα γνωστός ως Chlamydia psittaci), |
| --- | --- |

7.

Chlamydophila psittaci (παλαιότερα γνωστός ως Chlamydia psittaci),

| 8. | Clostridium argentinense (παλαιότερα γνωστός ως Clostridium botulinum Type G), στελέχη που παράγουν νευροτοξίνη botulinum, |
| --- | --- |

8.

Clostridium argentinense (παλαιότερα γνωστός ως Clostridium botulinum Type G), στελέχη που παράγουν νευροτοξίνη botulinum,

| 9. | Clostridium baratii, στελέχη που παράγουν νευροτοξίνη botulinum, |
| --- | --- |

9.

Clostridium baratii, στελέχη που παράγουν νευροτοξίνη botulinum,

| 10. | Clostridium botulinum, |
| --- | --- |

10.

Clostridium botulinum,

| 11. | Clostridium butyricum, στελέχη που παράγουν νευροτοξίνη botulinum, |
| --- | --- |

11.

Clostridium butyricum, στελέχη που παράγουν νευροτοξίνη botulinum,

| 12 | Clostridium perfringens — τύποι που παράγουν ε-τοξίνη, |
| --- | --- |

12

Clostridium perfringens — τύποι που παράγουν ε-τοξίνη,

| 13. | Coxiella burnetti, |
| --- | --- |

13.

Coxiella burnetti,

| 14. | Francisella tularensis, |
| --- | --- |

14.

Francisella tularensis,

| 15. | Mycoplasma capricolum, υποείδος capripneumoniae (στέλεχος F38), |
| --- | --- |

15.

Mycoplasma capricolum, υποείδος capripneumoniae (στέλεχος F38),

| 16. | Mycoplasma mycoides, υποείδος mycoides SC (μικρές αποικίες), |
| --- | --- |

16.

Mycoplasma mycoides, υποείδος mycoides SC (μικρές αποικίες),

| 17. | Rickettsia prowasecki |
| --- | --- |

17.

Rickettsia prowasecki

| 18. | Salmonella typhi, |
| --- | --- |

18.

Salmonella typhi,

| 19. | Escherichia coli που παράγει την τοξίνη shiga (STEC) των ορολογικών ομάδων O26, O45, O103, O104, O111, O121, O145, O157, και άλλων ορολογικών ομάδων που παράγουν την τοξίνη shiga, |
| --- | --- |

19.

Escherichia coli που παράγει την τοξίνη shiga (STEC) των ορολογικών ομάδων O26, O45, O103, O104, O111, O121, O145, O157, και άλλων ορολογικών ομάδων που παράγουν την τοξίνη shiga,

| 20. | Shigella dysenteriae, |
| --- | --- |

20.

Shigella dysenteriae,

| 21. | Vibrio cholerae, |
| --- | --- |

21.

Vibrio cholerae,

| 22. | Yersinia pestis, |
| --- | --- |

22.

Yersinia pestis,

| δ. | «Τοξίνες», ως εξής, και σχετική «υπο-ομάδα τοξινών»:






  1. | Τοξίνες Botulinum, |
| --- | --- | --- |

δ.

«Τοξίνες», ως εξής, και σχετική «υπο-ομάδα τοξινών»:

1.

Τοξίνες Botulinum,

| 2. | Τοξίνες Clostridium perfringens alpha, beta 1, beta 2, epsilon and iota, |
| --- | --- |

2.

Τοξίνες Clostridium perfringens alpha, beta 1, beta 2, epsilon and iota,

| 3. | Κωνοτοξίνη, |
| --- | --- |

3.

Κωνοτοξίνη,

| 4. | Ricin, |
| --- | --- |

4.

Ricin,

| 5. | Σαξιτοξίνη, |
| --- | --- |

5.

Σαξιτοξίνη,

| 6. | Τοξίνη Shiga,


  Τεχνική παρατήρηση:


  Η Escherichia coli που παράγει την τοξίνη shiga (STEC) είναι γνωστή και ως enterohaemorrhagic E. coli (EHEC) ή verocytotoxin producing E. coli (VTEC). |
| --- | --- |

6.

Τοξίνη Shiga,

Τεχνική παρατήρηση:

Η Escherichia coli που παράγει την τοξίνη shiga (STEC) είναι γνωστή και ως enterohaemorrhagic E. coli (EHEC) ή verocytotoxin producing E. coli (VTEC).

| 7. | Εντεροτοξίνες Staphylococcus aureus enterotoxins, τοξίνη hemolysin alpha, και τοξίνη συνδρόμου τοξικού σοκ (παλαιότερα γνωστή ως εντεροτοξίνη Staphylococcus F), |
| --- | --- |

7.

Εντεροτοξίνες Staphylococcus aureus enterotoxins, τοξίνη hemolysin alpha, και τοξίνη συνδρόμου τοξικού σοκ (παλαιότερα γνωστή ως εντεροτοξίνη Staphylococcus F),

| 8. | Τετροδοτοξίνη, |
| --- | --- |

8.

Τετροδοτοξίνη,

| 9. | Βεροτοξίνη και πρωτεΐνες που αδρανοποιούν τα ριβοσώματα, όπως η Shiga, |
| --- | --- |

9.

Βεροτοξίνη και πρωτεΐνες που αδρανοποιούν τα ριβοσώματα, όπως η Shiga,

| 10. | Μικροκυστίνη (κυαναγγινοσίνη), |
| --- | --- |

10.

Μικροκυστίνη (κυαναγγινοσίνη),

| 11. | Αφλατοξίνες, |
| --- | --- |

11.

Αφλατοξίνες,

| 12. | Abrin, |
| --- | --- |

12.

Abrin,

| 13. | Τοξίνη χολέρας, |
| --- | --- |

13.

Τοξίνη χολέρας,

| 14. | Τοξίνη διακετοξυσκιρπενόλης, |
| --- | --- |

14.

Τοξίνη διακετοξυσκιρπενόλης,

| 15. | Τοξίνη Τ-2, |
| --- | --- |

15.

Τοξίνη Τ-2,

| 16. | Τοξίνη ΗΤ-2, |
| --- | --- |

16.

Τοξίνη ΗΤ-2,

| 17. | Modeccin, |
| --- | --- |

17.

Modeccin,

| 18. | Volkensin, |
| --- | --- |

18.

Volkensin,

| 19. | Λεκτίνη 1 του Viscum album (Viscumin). |
| --- | --- |

19.

Λεκτίνη 1 του Viscum album (Viscumin).

Σημείωση: Το 1C351.δ. δεν θέτει υπό έλεγχο τις τοξίνες botulinum ή κωνοτοξίνες υπό μορφή προϊόντων που πληρούν όλα τα παρακάτω κριτήρια:

| 1. | Είναι φαρμακευτικά σκευάσματα προοριζόμενα για χορήγηση από ανθρώπους για την αντιμετώπιση ιατρικών προβλημάτων, |
| --- | --- |

1.

Είναι φαρμακευτικά σκευάσματα προοριζόμενα για χορήγηση από ανθρώπους για την αντιμετώπιση ιατρικών προβλημάτων,

| 2. | Είναι προσυσκευασμένα προς διανομή ως ιατρικά προϊόντα, |
| --- | --- |

2.

Είναι προσυσκευασμένα προς διανομή ως ιατρικά προϊόντα,

| 3. | Έχουν εγκριθεί από κρατική αρχή προς εμπορία ως ιατρικά προϊόντα. |
| --- | --- |

3.

Έχουν εγκριθεί από κρατική αρχή προς εμπορία ως ιατρικά προϊόντα.

| ε. | Μύκητες, φυσικοί, βελτιωμένοι ή τροποποιημένοι, είτε υπό μορφή «απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών» είτε ως υλικό περιέχον ζωντανό υλικό που έχει ηθελημένα ενοφθαλμιστεί ή μολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες ως εξής:






  1. | Coccioides immitis, |
| --- | --- | --- |

ε.

Μύκητες, φυσικοί, βελτιωμένοι ή τροποποιημένοι, είτε υπό μορφή «απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών» είτε ως υλικό περιέχον ζωντανό υλικό που έχει ηθελημένα ενοφθαλμιστεί ή μολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες ως εξής:

1.

Coccioides immitis,

| 2. | Coccioides posadasii. |
| --- | --- |

2.

Coccioides posadasii.

Σημείωση: Στο σημείο 1C351 δεν υπάγονται τα «εμβόλια» ή οι «ανοσοτοξίνες»

1C352

Δεν χρησιμοποιείται

1C353

Γενετικά στοιχεία και γενετικά τροποποιημένοι οργανισμοί, ως εξής:

| α. | Γενετικά τροποποιημένοι οργανισμοί ή γενετικά στοιχεία περιέχοντα αλληλουχία νουκλεϊκών οξέων που συνεπάγονται παθογένεια οργανισμών που αναφέρονται στο σημείο 1C351.α., 1C351.γ, 1C351.ε ή 1C354· |
| --- | --- |

α.

Γενετικά τροποποιημένοι οργανισμοί ή γενετικά στοιχεία περιέχοντα αλληλουχία νουκλεϊκών οξέων που συνεπάγονται παθογένεια οργανισμών που αναφέρονται στο σημείο 1C351.α., 1C351.γ, 1C351.ε ή 1C354·

| β. | Γενετικά τροποποιημένοι οργανισμοί ή γενετικά στοιχεία που περιέχουν αλληλουχίες νουκλεϊκών οξέων που κωδικώς παράγουν οποιαδήποτε από τις «τοξίνες» που αναφέρονται στο σημείο 1C351.δ και σχετικές «υποομάδες τοξινών». |
| --- | --- |

β.

Γενετικά τροποποιημένοι οργανισμοί ή γενετικά στοιχεία που περιέχουν αλληλουχίες νουκλεϊκών οξέων που κωδικώς παράγουν οποιαδήποτε από τις «τοξίνες» που αναφέρονται στο σημείο 1C351.δ και σχετικές «υποομάδες τοξινών».

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Στους γενετικώς τροποποιημένους οργανισμούς περιλαμβάνονται οργανισμοί των οποίων το γενετικό υλικό (αλληλουχίες νουκλεϊκών οξέων) έχει τροποποιηθεί κατά τρόπο που δεν συμβαίνει φυσιολογικά με τη σύζευξη ή/και το φυσιολογικό ανασυνδυασμό, και εμπερικλείονται εκείνοι οι οργανισμοί που παράγονται τεχνητά εν όλω ή εν μέρει. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Στα γενετικά στοιχεία περιλαμβάνονται, μεταξύ άλλων, τα χρωμοσώματα, τα γονιδιώματα, τα πλασμίδια, τα μεταθετόνια και οι φορείς, είτε είναι γενετικώς τροποποιημένα είτε όχι, είτε λαμβάνονται εν όλω είτε εν μέρει με χημική σύνθεση. |
| --- | --- |

2.

| 3. | Ως αλληλουχία νουκλεϊκών οξέων που συνεπάγεται παθογένεια οργανισμών που αναφέρονται στο σημείο 1C351.α., 1C351.γ, 1C351.ε ή 1C354 νοείται κάθε αλληλουχία προσιδιάζουσα στο συγκεκριμένο μικροοργανισμό η οποία:







  α. | αντιπροσωπεύει αφ’ εαυτής ή μέσω των προϊόντων της μεταγραφής ή μετάφρασής της ουσιαστικό κίνδυνο για την υγεία των ανθρώπων, των ζώων ή των φυτών, ή |
| --- | --- | --- |

3.

α.

αντιπροσωπεύει αφ’ εαυτής ή μέσω των προϊόντων της μεταγραφής ή μετάφρασής της ουσιαστικό κίνδυνο για την υγεία των ανθρώπων, των ζώων ή των φυτών, ή

| β. | είναι γνωστό ότι επιτείνει την ικανότητα ενός συγκεκριμένου μικροοργανισμού, ή οποιουδήποτε άλλου οργανισμού στον οποίον ενδέχεται να παρεμβληθεί ή άλλως πώς να ενσωματωθεί, να προξενεί σοβαρή βλάβη στην υγεία των ανθρώπων, των ζώων ή των φυτών. |
| --- | --- |

β.

είναι γνωστό ότι επιτείνει την ικανότητα ενός συγκεκριμένου μικροοργανισμού, ή οποιουδήποτε άλλου οργανισμού στον οποίον ενδέχεται να παρεμβληθεί ή άλλως πώς να ενσωματωθεί, να προξενεί σοβαρή βλάβη στην υγεία των ανθρώπων, των ζώων ή των φυτών.

Σημείωση: Το σημείο 1C353 δεν καλύπτει τις ακολουθίες πυρηνικών οξέων που συνδέονται με την παθογένεια της εντεροαιμορραγικής Escherichia coli, οροτύπου Ο157 και άλλων στελεχών που παράγουν βεροτοξίνες, πλην των ακολουθιών που κωδικοποιούν τη βεροτοξίνη ή τις υπομονάδες της.

1C354

Παθογόνα φυτών, ως εξής:

| α. | Ιοί, φυσικοί, διεγερμένοι ή τροποποιημένοι, υπό μορφή «απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών» ή ως υλικό το οποίο έχει σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:






  1. | Λανθάνων ιός των γεωμήλων των Άνδεων |
| --- | --- | --- |

α.

Ιοί, φυσικοί, διεγερμένοι ή τροποποιημένοι, υπό μορφή «απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών» ή ως υλικό το οποίο έχει σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:

1.

Λανθάνων ιός των γεωμήλων των Άνδεων

| 2. | Ιός της ατράκτωσης των κονδύλων των γεωμήλων, |
| --- | --- |

2.

Ιός της ατράκτωσης των κονδύλων των γεωμήλων,

| β. | Βακτήρια, φυσικά, διεγερμένα ή τροποποιημένα, υπό μορφή «απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών» ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:






  1. | Xanthomonas albilineans, |
| --- | --- | --- |

β.

Βακτήρια, φυσικά, διεγερμένα ή τροποποιημένα, υπό μορφή «απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών» ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:

1.

Xanthomonas albilineans,

| 2. | Xanthomonas axonopodis pv. citri (Xanthomonas campestris pv. citri A) [Xanthomonas campestris pv. citri], |
| --- | --- |

2.

Xanthomonas axonopodis pv. citri (Xanthomonas campestris pv. citri A) [Xanthomonas campestris pv. citri],

| 3. | Xanthomonas oryzae pv. oryzae (Pseudomonas campestris pv. oryzae), |
| --- | --- |

3.

Xanthomonas oryzae pv. oryzae (Pseudomonas campestris pv. oryzae),

| 4. | Clavibacter michiganensis subsp. sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. sepedonicum ή Corynebacterium sepedonicum), |
| --- | --- |

4.

Clavibacter michiganensis subsp. sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. sepedonicum ή Corynebacterium sepedonicum),

| 5. | Ralstonia solanacearum, race 3, biovar 2, |
| --- | --- |

5.

Ralstonia solanacearum, race 3, biovar 2,

| γ. | Μύκητες, φυσικοί, διεγερμένοι ή τροποποιημένοι, υπό μορφή «απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών» ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:






  1. | Colletotrichum kahawae (Colletotrichum coffeanum var. virulans), |
| --- | --- | --- |

γ.

Μύκητες, φυσικοί, διεγερμένοι ή τροποποιημένοι, υπό μορφή «απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών» ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:

1.

Colletotrichum kahawae (Colletotrichum coffeanum var. virulans),

| 2. | Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae), |
| --- | --- |

2.

Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae),

| 3. | Microcyclus ulei (syn. Dothidella ulei), |
| --- | --- |

3.

Microcyclus ulei (syn. Dothidella ulei),

| 4. | Puccinia graminis ssp. graminis var. graminis/Puccinia graminis ssp. graminis var. stakmanii (Puccinia graminis [syn. Puccinia graminis f. sp. tritici]), |
| --- | --- |

4.

Puccinia graminis ssp. graminis var. graminis/Puccinia graminis ssp. graminis var. stakmanii (Puccinia graminis [syn. Puccinia graminis f. sp. tritici]),

| 5. | Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum), |
| --- | --- |

5.

Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum),

| 6. | Magnaporthe oryzae (Pyricularia oryzae), |
| --- | --- |

6.

Magnaporthe oryzae (Pyricularia oryzae),

| 7. | Peronosclerospora philippinensis (Peronosclerospora sacchari), |
| --- | --- |

7.

Peronosclerospora philippinensis (Peronosclerospora sacchari),

| 8. | Sclerophthora rayssiae var. zeae, |
| --- | --- |

8.

Sclerophthora rayssiae var. zeae,

| 9. | Synchytrium endobioticium, |
| --- | --- |

9.

Synchytrium endobioticium,

| 10. | Tilletia indica, |
| --- | --- |

10.

Tilletia indica,

| 11. | Thecaphora solani. |
| --- | --- |

11.

Thecaphora solani.

1C450

Τοξικές χημικές ουσίες και πρόδρομοι τοξικών χημικών ουσιών, ως εξής, και «χημικά μείγματα» περιέχοντα ένα ή περισσότερα από τα ακόλουθα::

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 1C350, 1C351.δ. ΚΑΙ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ.

| α. | Τοξικές χημικές ουσίες, ως εξής:






  1. | αμιτόνη: Ο,Ο-διαιθυλο S-[2-(διαιθυλαμινο) αιθυλο] φωσφοροθειολικές ενώσεις (78-53-5) και τα αντίστοιχα αλκυλιωμένα ή πρωτονιωμένα άλατα, |
| --- | --- | --- |

α.

Τοξικές χημικές ουσίες, ως εξής:

1.

αμιτόνη: Ο,Ο-διαιθυλο S-[2-(διαιθυλαμινο) αιθυλο] φωσφοροθειολικές ενώσεις (78-53-5) και τα αντίστοιχα αλκυλιωμένα ή πρωτονιωμένα άλατα,

| 2. | PFIB: 1,1,3,3,3-πεντάφθορο2-(τριφθορομεθύλο)1-προπένιο (382-21-8), |
| --- | --- |

2.

PFIB: 1,1,3,3,3-πεντάφθορο2-(τριφθορομεθύλο)1-προπένιο (382-21-8),

| 3. | ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΓΙΑ BZ: 3 Κινουνκλιδινυλοβενζυλικές ενώσεις (6581-06-2), |
| --- | --- |

3.

ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΓΙΑ BZ: 3 Κινουνκλιδινυλοβενζυλικές ενώσεις (6581-06-2),

| 4. | Φωσγένιο: Διχλωριούχο καρβονύλιο (75-44-5), |
| --- | --- |

4.

Φωσγένιο: Διχλωριούχο καρβονύλιο (75-44-5),

| 5. | Χλωριούχο δικυάνιο (506-77-4), |
| --- | --- |

5.

Χλωριούχο δικυάνιο (506-77-4),

| 6. | Υδροκυάνιο (74-90-8), |
| --- | --- |

6.

Υδροκυάνιο (74-90-8),

| 7. | Χλωροπικρίνη: Τριχλωρονιτρομεθάνιο (76-06-2), |
| --- | --- |

7.

Χλωροπικρίνη: Τριχλωρονιτρομεθάνιο (76-06-2),

Σημείωση 1: Για τις εξαγωγές στα «Κράτη που είναι συμβαλλόμενα μέρη της σύμβασης για τα Χημικά Όπλα», στο σημείο 1C450 δεν υπάγονται τα «χημικά μείγματα» που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ενώσεις των σημείων 1C450.α.1. και .α.2. και στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 1 % κατά βάρος του μείγματος.

Σημείωση 2: Για τις εξαγωγές στα «Κράτη που είναι συμβαλλόμενα μέρη της σύμβασης για τα Χημικά Όπλα», στο σημείο 1C450 δεν υπάγονται τα «χημικά μείγματα» που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ενώσεις των σημείων 1C450.α.1 και .α.2 και στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 30 % κατά βάρος του μείγματος.

Σημείωση 3: Στο σημείο 1C450 δεν υπάγονται τα «χημικά μείγματα» που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ουσίες των σημείων 1C450.α.4, .α.5, .α.6 και .α.7 και στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 30 % κατά βάρος του μείγματος.

Σημείωση 4: Στο σημείο 1C450 δεν υπάγονται προϊόντα που ορίζονται ως καταναλωτικά προϊόντα, συσκευασμένα για το λιανικό εμπόριο για προσωπική χρήση ή συσκευασμένα για προσωπική χρήση.

| β. | Πρόδρομοι τοξικών χημικών ουσιών, ως εξής:






  1. | Χημικές ουσίες, εκτός από όσες αναφέρονται στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων ή στο σημείο 1C350, οι οποίες περιέχουν ένα άτομο φωσφόρου με το οποίο συνδέεται μια μεθυλική, αιθυλική, προπυλική ή ισοπροπυλική ομάδα, όχι όμως άλλα άτομα άνθρακα,


  Σημείωση: Στο σημείο 1C450.β.1 δεν ελέγχεται το Fonofos: Ο-αιθυλο S-φαινυλο αιθυλοφωσφονοθειολοθειονικές ενώσεις (944-22-9), |
| --- | --- | --- |

β.

Πρόδρομοι τοξικών χημικών ουσιών, ως εξής:

1.

Χημικές ουσίες, εκτός από όσες αναφέρονται στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων ή στο σημείο 1C350, οι οποίες περιέχουν ένα άτομο φωσφόρου με το οποίο συνδέεται μια μεθυλική, αιθυλική, προπυλική ή ισοπροπυλική ομάδα, όχι όμως άλλα άτομα άνθρακα,

Σημείωση: Στο σημείο 1C450.β.1 δεν ελέγχεται το Fonofos: Ο-αιθυλο S-φαινυλο αιθυλοφωσφονοθειολοθειονικές ενώσεις (944-22-9),

| 2. | Ν,Ν-διάλκυλο-[μεθυλο-, αιθυλο-, προπυλο- ή ισοπροπυλο-] φωσφοραμιδικές διαλογονούχες ενώσεις, πλην του Ν,Ν-διμεθυλαμινοφωσφορυλοδιχλωριδίου.


  ΣΗΜ.: Βλέπε σημείο 1C350.57 για το διμεθυλαμινοφωσφορυλοδιχλωρίδιο. |
| --- | --- |

2.

Ν,Ν-διάλκυλο-[μεθυλο-, αιθυλο-, προπυλο- ή ισοπροπυλο-] φωσφοραμιδικές διαλογονούχες ενώσεις, πλην του Ν,Ν-διμεθυλαμινοφωσφορυλοδιχλωριδίου.

ΣΗΜ.: Βλέπε σημείο 1C350.57 για το διμεθυλαμινοφωσφορυλοδιχλωρίδιο.

| 3. | Διάλκυλο-[μεθυλο-, αιθυλο-, προπυλο- ή ισοπροπυλο-] Ν,Ν-διάλκυλο-[μεθυλο-, αιθυλο-, προπυλο- ή ισοπροπυλο-]φωσφοραμιδικές ενώσεις, εκτός από τις Διαιθυλο-Ν,Ν-διμεθυλοφωσφοραμιδικές ενώσεις που αναφέρονται στο σημείο 1C350. |
| --- | --- |

3.

Διάλκυλο-[μεθυλο-, αιθυλο-, προπυλο- ή ισοπροπυλο-] Ν,Ν-διάλκυλο-[μεθυλο-, αιθυλο-, προπυλο- ή ισοπροπυλο-]φωσφοραμιδικές ενώσεις, εκτός από τις Διαιθυλο-Ν,Ν-διμεθυλοφωσφοραμιδικές ενώσεις που αναφέρονται στο σημείο 1C350.

| 4. | Ν,Ν-Διάλκυλο-[μεθυλο-, αιθυλο-, προπυλο- ή ισοπροπυλο-] αμινοαιθυλο-2-χλωριούχες ενώσεις και αντίστοιχα πρωτονιωμένα άλατα, εκτός από το Ν,Ν-διισοπρόπυλο-(β)-αμινοαιθυλοχλωρίδιο ή το υδροχλωριούχο Ν,Ν-διισοπρόπυλο-(β)-αμινοαιθυλοχλωρίδιο που αναφέρονται στο σημείο 1C350. |
| --- | --- |

4.

Ν,Ν-Διάλκυλο-[μεθυλο-, αιθυλο-, προπυλο- ή ισοπροπυλο-] αμινοαιθυλο-2-χλωριούχες ενώσεις και αντίστοιχα πρωτονιωμένα άλατα, εκτός από το Ν,Ν-διισοπρόπυλο-(β)-αμινοαιθυλοχλωρίδιο ή το υδροχλωριούχο Ν,Ν-διισοπρόπυλο-(β)-αμινοαιθυλοχλωρίδιο που αναφέρονται στο σημείο 1C350.

| 5. | Ν-διάλκυλο-[μεθυλο-, αιθυλο-, προπυλο- ή ισοπροπυλο-] αμινοαιθανο-2-όλες και τα αντίστοιχα πρωτονιωμένα άλατα, εκτός από την Ν,Ν-διισοπρόπυλο-(β)-αμινοαιθανόλη (96-80-0) και την Ν,Ν-διαιθυλαμινοαιθανόλη (100-37-8) που αναφέρονται στο σημείο 1C350.


  Σημείωση: Στο σημείο 1C450.β.5, δεν υπάγονται τα εξής:








  α. | Ν,Ν-διμεθυλαμινοαιθανόλη (108-01-0) και τα αντίστοιχα πρωτονιωμένα άλατα, |
| --- | --- | --- |

5.

Ν-διάλκυλο-[μεθυλο-, αιθυλο-, προπυλο- ή ισοπροπυλο-] αμινοαιθανο-2-όλες και τα αντίστοιχα πρωτονιωμένα άλατα, εκτός από την Ν,Ν-διισοπρόπυλο-(β)-αμινοαιθανόλη (96-80-0) και την Ν,Ν-διαιθυλαμινοαιθανόλη (100-37-8) που αναφέρονται στο σημείο 1C350.

Σημείωση: Στο σημείο 1C450.β.5, δεν υπάγονται τα εξής:

α.

Ν,Ν-διμεθυλαμινοαιθανόλη (108-01-0) και τα αντίστοιχα πρωτονιωμένα άλατα,

| β. | πρωτονιωμένα άλατα της Ν,Ν-διαιθυλαμινοαιθανόλης (100-37-8). |
| --- | --- |

β.

πρωτονιωμένα άλατα της Ν,Ν-διαιθυλαμινοαιθανόλης (100-37-8).

| 6. | Ν,Ν-διάλκυλο-[μεθυλο-, αιθυλο-, προπυλο- ή ισοπροπυλο-] αμινοαίθανο-2-θειόλες και τα αντίστοιχα πρωτονιωμένα άλατα, εκτός από την Ν,Ν-διισοπρόπυλο-(β)-αμινοαιθανοθειόλη που αναφέρεται στο σημείο 1C350. |
| --- | --- |

6.

Ν,Ν-διάλκυλο-[μεθυλο-, αιθυλο-, προπυλο- ή ισοπροπυλο-] αμινοαίθανο-2-θειόλες και τα αντίστοιχα πρωτονιωμένα άλατα, εκτός από την Ν,Ν-διισοπρόπυλο-(β)-αμινοαιθανοθειόλη που αναφέρεται στο σημείο 1C350.

| 7. | Βλέπε1C350 για την αιθυλοδιαιθανολαμίνη (139-87-7), |
| --- | --- |

7.

Βλέπε1C350 για την αιθυλοδιαιθανολαμίνη (139-87-7),

| 8. | Μεθυλοδιαιθανολαμίνη (105-59-9). |
| --- | --- |

8.

Μεθυλοδιαιθανολαμίνη (105-59-9).

Σημείωση 1: Για τις εξαγωγές στα «Κράτη που δεν είναι συμβαλλόμενα μέρη της σύμβασης για τα Χημικά Όπλα», στο σημείο 1C450 δεν υπάγονται τα «χημικά μείγματα» που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ενώσεις των σημείων 1C450.β.1, .β.2, .β.3, .β.4, .β.5 και .β.6 και στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 10 % κατά βάρος του μείγματος.

Σημείωση 2: Για τις εξαγωγές στα «Κράτη που είναι συμβαλλόμενα μέρη της σύμβασης για τα Χημικά Όπλα», στο σημείο 1C450 δεν υπάγονται τα «χημικά μείγματα» που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ενώσεις των σημείων 1C450.β.1, .β.2, .β.3, .β.4, .β.5 και .β.6 και στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 30 % κατά βάρος του μείγματος.

Σημείωση 3: Στο σημείο 1C450 δεν υπάγονται «χημικά μείγματα» που περιέχουν μία ή περισσότερες από τις χημικές ουσίες που ορίζονται στο σημείο 1C450 β.8 στις οποίες καμιά από τις οριζόμενες χημικές ουσίες δεν συνιστά άνω του 30 % κατά βάρος του μείγματος.

Σημείωση 4: Στο σημείο 1C450 δεν υπάγονται προϊόντα που ορίζονται ως καταναλωτικά προϊόντα, συσκευασμένα για το λιανικό εμπόριο για προσωπική χρήση ή συσκευασμένα για προσωπική χρήση.

1D   Λογισμικό

| 1D001 | «Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την «ανάπτυξη», την «παραγωγή» ή τη «χρήση» των προϊόντων εξοπλισμού που καθορίζονται στα σημεία 1Β001 ως 1Β003. |
| --- | --- |
| 1D002 | «Λογισμικό» για την «ανάπτυξη» τελεσμάτων ή «σύνθετων υλικών», με οργανικό «συνθετικό υλικό», μεταλλικό «συνθετικό υλικό» ή ανθρακικό «συνθετικό υλικό». |
| 1D003 | «Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για να καθιστά δυνατή την εκτέλεση των λειτουργιών του εμπίπτοντος στα σημεία 1Α004.γ ή 1Α004.δ εξοπλισμού. |
| 1D101 | «Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για τη λειτουργία ή συντήρηση των προϊόντων που καθορίζονται στο σημείο 1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 ή 1B119 ειδών. |
| 1D103 | «Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για την ανάλυση ανοιγμένων παρατηρήσιμων μεγεθών όπως είναι η αντανακλασιμότητα των ραντάρ, οι επισημάνσεις υπεριώδους/υπέρυθρης ακτινοβολίας και οι ακουστικές επισημάνσεις. |
| 1D201 | «Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για τη «χρήση» προϊόντων που καθορίζονται στο σημείο 1Β201. |

1D001

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την «ανάπτυξη», την «παραγωγή» ή τη «χρήση» των προϊόντων εξοπλισμού που καθορίζονται στα σημεία 1Β001 ως 1Β003.

1D002

«Λογισμικό» για την «ανάπτυξη» τελεσμάτων ή «σύνθετων υλικών», με οργανικό «συνθετικό υλικό», μεταλλικό «συνθετικό υλικό» ή ανθρακικό «συνθετικό υλικό».

1D003

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για να καθιστά δυνατή την εκτέλεση των λειτουργιών του εμπίπτοντος στα σημεία 1Α004.γ ή 1Α004.δ εξοπλισμού.

1D101

«Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για τη λειτουργία ή συντήρηση των προϊόντων που καθορίζονται στο σημείο 1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 ή 1B119 ειδών.

1D103

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για την ανάλυση ανοιγμένων παρατηρήσιμων μεγεθών όπως είναι η αντανακλασιμότητα των ραντάρ, οι επισημάνσεις υπεριώδους/υπέρυθρης ακτινοβολίας και οι ακουστικές επισημάνσεις.

1D201

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για τη «χρήση» προϊόντων που καθορίζονται στο σημείο 1Β201.

1E   Τεχνολογία

| 1E001 | Σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» εξοπλισμού ή υλικών που καθορίζονται στα σημεία 1Α001.β., 1Α001.γ., 1Α002 ως 1A005, 1A006.β., 1A007, 1B ή 1C. |
| --- | --- |
| 1E002 | Λοιπές «τεχνολογίες», ως εξής:






  α. | «Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή την παραγωγή πολυβενζοθειαζολών ή πολυβενζοοξαζολών, |

1E001

Σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» εξοπλισμού ή υλικών που καθορίζονται στα σημεία 1Α001.β., 1Α001.γ., 1Α002 ως 1A005, 1A006.β., 1A007, 1B ή 1C.

1E002

Λοιπές «τεχνολογίες», ως εξής:

α.

«Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή την παραγωγή πολυβενζοθειαζολών ή πολυβενζοοξαζολών,

| β. | «Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» φθοριούχων ελαστομερών ενώσεων που περιέχουν τουλάχιστον ένα μονομερές βινυλαιθέρα, |
| --- | --- |

β.

«Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» φθοριούχων ελαστομερών ενώσεων που περιέχουν τουλάχιστον ένα μονομερές βινυλαιθέρα,

| γ. | «Τεχνολογία» για το σχεδιασμό ή την «παραγωγή» των ακολούθων βασικών υλικών ή μη «σύνθετων» κεραμικών υλικών:






  1. | Τα βασικά υλικά έχουν όλα τα παρακάτω:






  α. | Η σύστασή τους είναι μια από τις ακόλουθες:






  1. | Απλά ή σύμπλοκα οξείδια ζιρκονίου και σύμπλοκα οξείδια πυριτίου ή αργιλίου, |
| --- | --- | --- | --- | --- |

γ.

«Τεχνολογία» για το σχεδιασμό ή την «παραγωγή» των ακολούθων βασικών υλικών ή μη «σύνθετων» κεραμικών υλικών:

1.

Τα βασικά υλικά έχουν όλα τα παρακάτω:

α.

Η σύστασή τους είναι μια από τις ακόλουθες:

1.

Απλά ή σύμπλοκα οξείδια ζιρκονίου και σύμπλοκα οξείδια πυριτίου ή αργιλίου,

| 2. | Απλά νιτρίδια βορίου (κυβικής κρυσταλλικής μορφής), |
| --- | --- |

2.

Απλά νιτρίδια βορίου (κυβικής κρυσταλλικής μορφής),

| 3. | Απλά ή σύμπλοκα καρβίδια πυριτίου ή βορίου, ή |
| --- | --- |

3.

Απλά ή σύμπλοκα καρβίδια πυριτίου ή βορίου, ή

| 4. | Απλά ή σύμπλοκα νιτρίδια πυριτίου. |
| --- | --- |

4.

Απλά ή σύμπλοκα νιτρίδια πυριτίου.

| β. | Οποιεσδήποτε από τις παρακάτω συνολικές μεταλλικές προσμίξεις (εκτός από εκούσιες προσθήκες):






  1. | κατώτερες των 1 000 ppm για τα απλά οξείδια ή καρβίδια, ή |
| --- | --- | --- |

β.

Οποιεσδήποτε από τις παρακάτω συνολικές μεταλλικές προσμίξεις (εκτός από εκούσιες προσθήκες):

1.

κατώτερες των 1 000 ppm για τα απλά οξείδια ή καρβίδια, ή

| 2. | κατώτερες των 5 000 ppm για τις σύμπλοκες ενώσεις ή τα απλά νιτρίδια, και |
| --- | --- |

2.

κατώτερες των 5 000 ppm για τις σύμπλοκες ενώσεις ή τα απλά νιτρίδια, και

| γ. | Έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Ζιρκονία (CAS 1314-23-4) με μέσο μέγεθος σωματιδίων μέχρι και 1 μm και ποσοστό σωματιδίων μεγαλύτερων από 5 μm μέχρι και 10 %, |
| --- | --- | --- |

γ.

Έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Ζιρκονία (CAS 1314-23-4) με μέσο μέγεθος σωματιδίων μέχρι και 1 μm και ποσοστό σωματιδίων μεγαλύτερων από 5 μm μέχρι και 10 %,

| 2. | Άλλα βασικά υλικά με μέσο μέγεθος σωματιδίων μέχρι και 5 μm και ποσοστό σωματιδίων από 10 μm μέχρι και 10 %, ή |
| --- | --- |

2.

Άλλα βασικά υλικά με μέσο μέγεθος σωματιδίων μέχρι και 5 μm και ποσοστό σωματιδίων από 10 μm μέχρι και 10 %, ή

| 3. | Όλα τα ακόλουθα:






  α. | Πλακίδια με λόγο μήκους προς πάχος άνω του 5, |
| --- | --- | --- |

3.

Όλα τα ακόλουθα:

α.

Πλακίδια με λόγο μήκους προς πάχος άνω του 5,

| β. | Βελονοειδείς ίνες (whiskers) με λόγο μήκους προς διάμετρο άνω του 10 για διαμέτρους κάτω των 2 μm, και |
| --- | --- |

β.

Βελονοειδείς ίνες (whiskers) με λόγο μήκους προς διάμετρο άνω του 10 για διαμέτρους κάτω των 2 μm, και

| γ. | Συνεχείς ή κομμένες ίνες με διάμετρο κάτω των 10 μm, |
| --- | --- |

γ.

Συνεχείς ή κομμένες ίνες με διάμετρο κάτω των 10 μm,

| 2. | Μη «σύνθετα» κεραμικά υλικά αποτελούμενα από υλικά που ορίζονται στο σημείο 1Ε002.γ.1.


  Σημείωση: Στο σημείο 1Ε002.γ.2. δεν υπάγεται η «τεχνολογία» για το σχεδιασμό ή την παραγωγή λειαντικών. |
| --- | --- |

2.

Μη «σύνθετα» κεραμικά υλικά αποτελούμενα από υλικά που ορίζονται στο σημείο 1Ε002.γ.1.

Σημείωση: Στο σημείο 1Ε002.γ.2. δεν υπάγεται η «τεχνολογία» για το σχεδιασμό ή την παραγωγή λειαντικών.

| δ. | «Τεχνολογία» για την «παραγωγή» αρωματικών πολυαμιδικών ινών, |
| --- | --- |

δ.

«Τεχνολογία» για την «παραγωγή» αρωματικών πολυαμιδικών ινών,

| ε. | «Τεχνολογία» για την εγκατάσταση, τη συντήρηση ή την επιδιόρθωση υλικών που καθορίζονται στο σημείο 1C001, |
| --- | --- |

ε.

«Τεχνολογία» για την εγκατάσταση, τη συντήρηση ή την επιδιόρθωση υλικών που καθορίζονται στο σημείο 1C001,

| στ. | «Τεχνολογία» για την επιδιόρθωση κατασκευών από «σύνθετα» υλικά, ελασμάτων ή υλικών που περιγράφονται στα σημεία 1Α002, 1C007.γ. ή 1C007.δ.


  Σημείωση: Το σημείο 1Ε002.στ. δεν αφορά την «τεχνολογία» για την επιδιόρθωση κατασκευαστών που χρησιμοποιούνται στα «πολιτικά αεροσκάφη» με «ινώδη ή νηματώδη υλικά» και τις εποξειρητίνες που περιέχονται στα εγχειρίδια του κατασκευαστή. |
| --- | --- |

στ.

«Τεχνολογία» για την επιδιόρθωση κατασκευών από «σύνθετα» υλικά, ελασμάτων ή υλικών που περιγράφονται στα σημεία 1Α002, 1C007.γ. ή 1C007.δ.

Σημείωση: Το σημείο 1Ε002.στ. δεν αφορά την «τεχνολογία» για την επιδιόρθωση κατασκευαστών που χρησιμοποιούνται στα «πολιτικά αεροσκάφη» με «ινώδη ή νηματώδη υλικά» και τις εποξειρητίνες που περιέχονται στα εγχειρίδια του κατασκευαστή.

| ζ. | ‘Βιβλιοθήκες (παραμετρικές τεχνικές βάσεις δεδομένων)’ ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για να καθιστούν δυνατή την εκτέλεση των λειτουργιών εξοπλισμού εμπίπτοντος στο σημείο 1Α004.γ ή 1Α004.δ.


  Τεχνική παρατήρηση:


  Στο σημείο 1Ε002.ζ., ως ‘βιβλιοθήκη (παραμετρική τεχνική βάση δεδομένων)’ νοείται μια συλλογή πληροφοριών, η αναφορά στην οποία μπορεί να βελτιώσει τις επιδόσεις συναφών ειδών εξοπλισμού ή συστημάτων. |
| --- | --- |

ζ.

‘Βιβλιοθήκες (παραμετρικές τεχνικές βάσεις δεδομένων)’ ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για να καθιστούν δυνατή την εκτέλεση των λειτουργιών εξοπλισμού εμπίπτοντος στο σημείο 1Α004.γ ή 1Α004.δ.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 1Ε002.ζ., ως ‘βιβλιοθήκη (παραμετρική τεχνική βάση δεδομένων)’ νοείται μια συλλογή πληροφοριών, η αναφορά στην οποία μπορεί να βελτιώσει τις επιδόσεις συναφών ειδών εξοπλισμού ή συστημάτων.

1E101

«Τεχνολογία» σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για τη «χρήση» προϊόντων που καθορίζονται στα σημεία 1Α102, 1Β001, 1Β101, 1B 102, 1Β115 έως 1Β 119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111 έως 1C118, 1D101 ή 1D103.

1E102

«Τεχνολογία» σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» ή το λογισμικό που περιγράφονται στα σημεία 1D001, 1D101 ή 1D103.

1E103

«Τεχνολογία» για τη ρύθμιση της θερμοκρασίας, της πιέσεως ή της ατμόσφαιρας των αυτοκλείστων ή των υδροκλείστων όταν χρησιμοποιούνται για την «παραγωγή»«σύνθετων υλικών» ή ημικατεργασμένων «σύνθετων υλικών».

1E104

«Τεχνολογία» σχετική με την παραγωγή πυρολυτικώς λαμβανομένων υλικών που μορφοποιούνται σε τύπους, μαντρέλια ή άλλες μήτρες από πρόδρομα αέρια που διασπώνται σε θερμοκρασίες από 1 573 Κ (1 300 °C) ως 3 173 Κ (2 900 °C) και πιέσεις από 130 Pa ως 20 kPa.

Σημείωση: Στο σημείο 1Ε104 περιλαμβάνεται η «τεχνολογία» για τη σύνθεση των προδρόμων αερίων, των προγραμμάτων και τις παραμέτρους για τη ρύθμιση των ροών και των διεργασιών.

1E201

«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη «χρήση» προϊόντων που καθορίζονται στα σημεία 1Α002, 1A007, 1Α202, 1Α225 ως 1Α227, 1Β201, 1Β225 ως 1Β234, 1C002.β.3. ή β.4., 1C010.β., 1C202, 1C210, 1C216, 1C225 ως 1C241 ή 1D201.

1E202

«Τεχνολογία» σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» προϊόντων που καθορίζονται στα σημεία 1A007, 1Α202 ή 1Α225 ως 1Α227.

1E203

«Τεχνολογία» σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» του «λογισμικού» που καθορίζεται στο σημείο 1D201.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 2 — ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑ ΥΛΙΚΩΝ

2A   Συστήματα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη

ΣΗΜ.: Για κανονικούς τριβείς, βλέπε ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων.

| 2A001 | Αντιτριβικά κουζινέτα (έδρανα) και συστήματα εδράνων ως εξής, και σχετικά συστατικά:


  ΣΗΜ.: ΒΛ. ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 2A101



  Σημείωση: Στο σημείο 2Α001 δεν υπάγονται τα σφαιρίδια με όρια ανοχής που προσδιορίζονται από τον κατασκευαστή σύμφωνα με το ISO 3290 ως βαθμός 5 ή κατώτερος.







  α. | Σφαιροτριβείς και συμπαγείς κυλινδροτριβείς των οποίων όλες οι ανοχές προσδιορίζονται από τον κατασκευαστή σύμφωνα με την κατηγορία ανοχής 4 του ISO 492 (ή άλλου εθνικού ισοδύναμου), ή καλύτερη, και οι οποίοι έχουν και δακτυλίους και κυλινδρικά στοιχεία (ISO 5593) από υλικό monel ή από βηρύλλιο.


  Σημείωση: Στο σημείο 2Α001.α. δεν υπάγονται οι τριβείς με κωνικούς κυλίνδρους. |
| --- | --- | --- |

2A001

Αντιτριβικά κουζινέτα (έδρανα) και συστήματα εδράνων ως εξής, και σχετικά συστατικά:

ΣΗΜ.: ΒΛ. ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 2A101

Σημείωση: Στο σημείο 2Α001 δεν υπάγονται τα σφαιρίδια με όρια ανοχής που προσδιορίζονται από τον κατασκευαστή σύμφωνα με το ISO 3290 ως βαθμός 5 ή κατώτερος.

α.

Σφαιροτριβείς και συμπαγείς κυλινδροτριβείς των οποίων όλες οι ανοχές προσδιορίζονται από τον κατασκευαστή σύμφωνα με την κατηγορία ανοχής 4 του ISO 492 (ή άλλου εθνικού ισοδύναμου), ή καλύτερη, και οι οποίοι έχουν και δακτυλίους και κυλινδρικά στοιχεία (ISO 5593) από υλικό monel ή από βηρύλλιο.

Σημείωση: Στο σημείο 2Α001.α. δεν υπάγονται οι τριβείς με κωνικούς κυλίνδρους.

| β. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

β.

Δεν χρησιμοποιείται,

| γ. | Συστήματα ενεργών μαγνητικών τριβέων που χρησιμοποιούν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Υλικά με πυκνότητες ροής 2,0 Τ και άνω και αποδόσεις ισχύος άνω των 414 ΜΡα. |
| --- | --- | --- |

γ.

Συστήματα ενεργών μαγνητικών τριβέων που χρησιμοποιούν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Υλικά με πυκνότητες ροής 2,0 Τ και άνω και αποδόσεις ισχύος άνω των 414 ΜΡα.

| 2. | Πλήρως ηλεκτρομαγνητικούς τρισδιάστατους τύπους ενεργοποιητών ομοπολικής διαμόρφωσης· ή |
| --- | --- |

2.

Πλήρως ηλεκτρομαγνητικούς τρισδιάστατους τύπους ενεργοποιητών ομοπολικής διαμόρφωσης· ή

| 3. | Αισθητήρες θέσεως υψηλής θερμοκρασίας [450 Κ (177 °C) και άνω]. |
| --- | --- |

3.

Αισθητήρες θέσεως υψηλής θερμοκρασίας [450 Κ (177 °C) και άνω].

2A101

Ακτινικοί σφαιροτριβείς, πλην των προσδιοριζόμενων στο σημείο 2A001, με όλες τις ανοχές να προσδιορίζονται σύμφωνα με την κατηγορία ανοχής 2 του ISO 492 (ή την κατηγορία ανοχής ABEC-9 του προτύπου ANSI/ABMA Std 20, ή άλλο εθνικό ισοδύναμο) ή καλύτερες και με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

| α. | Διάμετρο εσωτερικού δακτυλίου μεταξύ 12 και 50 mm, |
| --- | --- |

α.

Διάμετρο εσωτερικού δακτυλίου μεταξύ 12 και 50 mm,

| β. | Εξωτερική διάμετρο εξωτερικού δακτυλίου μεταξύ 25 και 100 mm, και |
| --- | --- |

β.

Εξωτερική διάμετρο εξωτερικού δακτυλίου μεταξύ 25 και 100 mm, και

| γ. | Πλάτος μεταξύ 10 και 20 mm. |
| --- | --- |

γ.

Πλάτος μεταξύ 10 και 20 mm.

2A225

Χωνευτήρια από υλικά ανθεκτικά στα τήγματα ακτινιδών, ως εξής:

| α. | Χωνευτήρια με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Χωρητικότητα 150 cm3 έως 8 000 cm3, και |
| --- | --- | --- |

α.

Χωνευτήρια με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Χωρητικότητα 150 cm3 έως 8 000 cm3, και

| 2. | Κατασκευή ή επίχρισμα από οποιοδήποτε από τα παρακάτω υλικά, συνολικής καθαρότητας 2 % ή μικρότερης κατά βάρος:






  α. | Φθοριούχο ασβέστιο (CaF2) |
| --- | --- | --- |

2.

Κατασκευή ή επίχρισμα από οποιοδήποτε από τα παρακάτω υλικά, συνολικής καθαρότητας 2 % ή μικρότερης κατά βάρος:

α.

Φθοριούχο ασβέστιο (CaF2)

| β. | Ζιρκονικό (μεταζιρκονικό) ασβέστιο (CaZrO3) |
| --- | --- |

β.

Ζιρκονικό (μεταζιρκονικό) ασβέστιο (CaZrO3)

| γ. | Θειούχο δημήτριο (Ce2S3) |
| --- | --- |

γ.

Θειούχο δημήτριο (Ce2S3)

| δ. | Οξείδιο του ερβίου (ερβία) (Er2O3) |
| --- | --- |

δ.

Οξείδιο του ερβίου (ερβία) (Er2O3)

| ε. | Οξείδιο του αφνίου (αφνία) (HfO2) |
| --- | --- |

ε.

Οξείδιο του αφνίου (αφνία) (HfO2)

| στ. | Οξείδιο του μαγνησίου (MgO) |
| --- | --- |

στ.

Οξείδιο του μαγνησίου (MgO)

| ζ. | Νιτρίδιο κράματος νιοβίου-τιτανίου-βολφραμίου (με περιεκτικότητες περίπου 50 % Nb, 30 % Ti, 20 % W) |
| --- | --- |

ζ.

Νιτρίδιο κράματος νιοβίου-τιτανίου-βολφραμίου (με περιεκτικότητες περίπου 50 % Nb, 30 % Ti, 20 % W)

| η. | Οξείδιο του υττρίου (υττρία) (Y2O3), ή |
| --- | --- |

η.

Οξείδιο του υττρίου (υττρία) (Y2O3), ή

| θ. | Οξείδιο του ζιρκονίου (ζιρκονία) (ZrO2). |
| --- | --- |

θ.

Οξείδιο του ζιρκονίου (ζιρκονία) (ZrO2).

| β. | Χωνευτήρια με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Χωρητικότητα 50 cm3 έως 2 000 cm3, και |
| --- | --- | --- |

β.

Χωνευτήρια με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Χωρητικότητα 50 cm3 έως 2 000 cm3, και

| 2. | Κατασκευή ή επένδυση από ταντάλιο καθαρότητας 99,9 % ή μεγαλύτερης κατά βάρος. |
| --- | --- |

2.

Κατασκευή ή επένδυση από ταντάλιο καθαρότητας 99,9 % ή μεγαλύτερης κατά βάρος.

| γ. | Χωνευτήρια με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Χωρητικότητα 50 cm3 έως 2 000 cm3. |
| --- | --- | --- |

γ.

Χωνευτήρια με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Χωρητικότητα 50 cm3 έως 2 000 cm3.

| 2. | Κατασκευή ή επένδυση από ταντάλιο καθαρότητας 98 % ή μεγαλύτερης κατά βάρος, και |
| --- | --- |

2.

Κατασκευή ή επένδυση από ταντάλιο καθαρότητας 98 % ή μεγαλύτερης κατά βάρος, και

| 3. | Επίχρισμα με καρβίδιο, νιτρίδιο, ή βορίδιο του τανταλίου ή οποιοδήποτε συνδυασμό αυτών. |
| --- | --- |

3.

Επίχρισμα με καρβίδιο, νιτρίδιο, ή βορίδιο του τανταλίου ή οποιοδήποτε συνδυασμό αυτών.

2A226

Βαλβίδες με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | «Ονομαστικό μέγεθος» 5 mm και άνω, |
| --- | --- |

α.

«Ονομαστικό μέγεθος» 5 mm και άνω,

| β. | Πτυσσόμενη στεγανοποιητική διάταξη (τύπου φυσητήρα), και |
| --- | --- |

β.

Πτυσσόμενη στεγανοποιητική διάταξη (τύπου φυσητήρα), και

| γ. | Εξ ολοκλήρου κατασκευασμένες ή με επένδυση από αργίλιο, κράμα αργιλίου, νικέλιο ή κράμα νικελίου με περιεκτικότητα σε νικέλιο άνω του 60 % κατά βάρος. |
| --- | --- |

γ.

Εξ ολοκλήρου κατασκευασμένες ή με επένδυση από αργίλιο, κράμα αργιλίου, νικέλιο ή κράμα νικελίου με περιεκτικότητα σε νικέλιο άνω του 60 % κατά βάρος.

Τεχνική παρατήρηση:

Για τις βαλβίδες με διαφορετικές διαμέτρους εισαγωγής και εξαγωγής, το «ονομαστικό μέγεθος» για το οποίο γίνεται λόγος στο σημείο 2A226 αφορά τη μικρότερη διάμετρο.

2B   Εξοπλισμός Δοκιμών, Ελέγχου και Παραγωγής

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Οι δευτερεύοντες παράλληλοι άξονες διαμόρφωσης περιγράμματος, π.χ. άξονας w στις οριζόντιες φραίζες διάτρησης ή ένας δευτερεύων άξονας περιστροφής, του οποίου ο κεντροφορέας είναι παράλληλος προς τον κύριο άξονα περιστροφής, δεν υπολογίζονται στο συνολικό αριθμό των αξόνων διαμόρφωσης περιγράμματος. Οι άξονες περιστροφής δεν είναι αναγκαίο να περιστρέφονται επί 360°. Ο άξονας περιστροφής μπορεί να κατευθύνεται από γραμμική διάταξη, (π.χ., από κοχλία ή οδοντωτό τροχοκανόνα). |
| --- | --- |

1.

| 2. | Για τους σκοπούς του σημείου 2Β, ο αριθμός αξόνων που μπορούν να συντονίζονται ταυτόχρονα για «έλεγχο διαμόρφωσης περιγράμματος» είναι ο αριθμός των αξόνων κατά μήκος των οποίων ή γύρω από τους οποίους, κατά την επεξεργασία του υπό επεξεργασία αντικειμένου, πραγματοποιούνται ταυτόχρονες και αλληλοσυσχετιζόμενες κινήσεις μεταξύ του υπό επεξεργασία αντικειμένου και ενός εργαλείου. Δεν συναριθμούνται οι τυχόν επιπλέον άξονες κατά μήκος των οποίων ή γύρω από τους οποίους πραγματοποιούνται άλλες σχετικά κινήσεις της μηχανής, όπως:







  α. | Συστήματα αποκατάστασης της επιφάνειας των τροχών σε λειαντικές μηχανές, |
| --- | --- | --- |

2.

α.

Συστήματα αποκατάστασης της επιφάνειας των τροχών σε λειαντικές μηχανές,

| β. | Παράλληλοι περιστροφικοί άξονες σχεδιασμένοι για τη συναρμογή χωριστών επεξεργαστέων αντικειμένων, |
| --- | --- |

β.

Παράλληλοι περιστροφικοί άξονες σχεδιασμένοι για τη συναρμογή χωριστών επεξεργαστέων αντικειμένων,

| γ. | Συγγραμμικοί περιστροφικοί άξονες σχεδιασμένοι για να χειρίζονται ένα και το αυτό αντικείμενο κρατώντας το σε σφιγκτήρα από διαφορετικές άκρες. |
| --- | --- |

γ.

Συγγραμμικοί περιστροφικοί άξονες σχεδιασμένοι για να χειρίζονται ένα και το αυτό αντικείμενο κρατώντας το σε σφιγκτήρα από διαφορετικές άκρες.

| 3. | Η ονοματολογία των αξόνων είναι σύμφωνη προς το διεθνές πρότυπο ISO 841 «Μηχανές με ψηφιακό έλεγχο - Ονοματολογία αξόνων και κινήσεων». |
| --- | --- |

3.

| 4. | Για τους σκοπούς των σημείων 2Β001 ως 2Β009, μια «ανακλινόμενη άτρακτος» συνυπολογίζεται ως άξονας περιστροφής. |
| --- | --- |

4.

| 5. | Για κάθε μοντέλο εργαλειομηχανής μπορούν να χρησιμοποιείται «δηλωμένη ακρίβεια τοποθέτησης» συναγόμενη από μετρήσεις που έχουν γίνει σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 ή με εθνικά ισοδύναμα ως εναλλακτικά των δοκιμών των επιμέρους μηχανών. «Δηλωμένη ακρίβεια τοποθέτησης» σημαίνει την τιμή ακρίβειας που γνωστοποιείται ως αντιπροσωπευτική της ακρίβειας ενός μοντέλου μηχανής στις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους όπου είναι εγκατεστημένος ο εξαγωγέας.

  Προσδιορισμός της «δηλωμένης ακρίβειας τοποθέτησης»








  α. | Επιλέγονται πέντε μηχανές του περί ου ο λόγος μοντέλου, |
| --- | --- | --- |

5.

Προσδιορισμός της «δηλωμένης ακρίβειας τοποθέτησης»

α.

Επιλέγονται πέντε μηχανές του περί ου ο λόγος μοντέλου,

| β. | Μετρούνται οι ακρίβειες γραμμικού άξονα σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2, |
| --- | --- |

β.

Μετρούνται οι ακρίβειες γραμμικού άξονα σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2,

| γ. | Προσδιορίζονται οι τιμές Α για κάθε άξονα κάθε μηχανής. Η μέθοδος υπολογισμού της τιμής Α περιγράφεται στο πρότυπο ISO, |
| --- | --- |

γ.

Προσδιορίζονται οι τιμές Α για κάθε άξονα κάθε μηχανής. Η μέθοδος υπολογισμού της τιμής Α περιγράφεται στο πρότυπο ISO,

| δ. | Προσδιορίζεται η μέση τιμή της τιμής Α για κάθε άξονα. Η εν λόγω μέση τιμή Â γίνεται η δηλωμένη τιμή (Âx, Ây ...) του αντίστοιχου άξονα για το συγκεκριμένο μοντέλο, |
| --- | --- |

δ.

Προσδιορίζεται η μέση τιμή της τιμής Α για κάθε άξονα. Η εν λόγω μέση τιμή Â γίνεται η δηλωμένη τιμή (Âx, Ây ...) του αντίστοιχου άξονα για το συγκεκριμένο μοντέλο,

| ε. | Αφού στον πίνακα της Κατηγορίας 2 γίνεται λόγος για κάθε γραμμικό άξονα, θα υπάρχουν τόσες δηλωμένες τιμές όσοι και άξονες, |
| --- | --- |

ε.

Αφού στον πίνακα της Κατηγορίας 2 γίνεται λόγος για κάθε γραμμικό άξονα, θα υπάρχουν τόσες δηλωμένες τιμές όσοι και άξονες,

| στ. | Αν κάποιος άξονας μοντέλου μηχανής μη ελεγχόμενου δυνάμει των σημείων 2B001.α έως 2B001.γ ή 2B201 έχει δηλωμένη ακρίβεια Â ίση ή μικρότερη της προδιαγραφόμενης ακρίβειας τοποθέτησης κάθε μοντέλου εργαλειομηχανής συν 2 μm, πρέπει να απαιτείται από τον κατασκευαστή να επιβεβαιώνει το επίπεδο ακρίβειας κάθε δεκαοχτώ μήνες. |
| --- | --- |

στ.

Αν κάποιος άξονας μοντέλου μηχανής μη ελεγχόμενου δυνάμει των σημείων 2B001.α έως 2B001.γ ή 2B201 έχει δηλωμένη ακρίβεια Â ίση ή μικρότερη της προδιαγραφόμενης ακρίβειας τοποθέτησης κάθε μοντέλου εργαλειομηχανής συν 2 μm, πρέπει να απαιτείται από τον κατασκευαστή να επιβεβαιώνει το επίπεδο ακρίβειας κάθε δεκαοχτώ μήνες.

| 6. | Για τους σκοπούς των σημείων 2B001.α. έως 2B001.γ.,
   (1)
  δεν εξετάζεται η αβεβαιότητα μετρήσεων σχετικά με την ακρίβεια τοποθέτησης εργαλειομηχανών, όπως ορίζεται στο διεθνές πρότυπο ISO 230/2 (2006) ή σε εθνικά ισοδύναμα. |
| --- | --- |

6.

| 2B001 | Εργαλειομηχανές και οποιοσδήποτε σχετικός συνδυασμός, για την αφαίρεση (ή κοπή) μεταλλικών, κεραμικών ή «συνθέτων» υλικών, οι οποίες, σύμφωνα με τις τεχνικές προδιαγραφές του κατασκευαστή, μπορούν να εφοδιαστούν με ηλεκτρονικές διατάξεις για «ψηφιακό έλεγχο», ως εξής:


  ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β201.



  Σημείωση 1: Στο σημείο 2Β001 δεν υπάγονται οι εργαλειομηχανές ειδικών χρήσεων που προορίζονται μόνο για την κατασκευή οδοντωτών τροχών. Για τέτοιες μηχανές βλέπε το σημείο 2B003.



  Σημείωση 2: Στο σημείο 2Β001 δεν υπάγονται οι εργαλειομηχανές ειδικών χρήσεων που προορίζονται μόνο για την κατασκευή ενός από τα ακόλουθα:








  α. | Στροφαλοφόρων ή εκκεντροφόρων αξόνων, |
| --- | --- | --- |

2B001

Εργαλειομηχανές και οποιοσδήποτε σχετικός συνδυασμός, για την αφαίρεση (ή κοπή) μεταλλικών, κεραμικών ή «συνθέτων» υλικών, οι οποίες, σύμφωνα με τις τεχνικές προδιαγραφές του κατασκευαστή, μπορούν να εφοδιαστούν με ηλεκτρονικές διατάξεις για «ψηφιακό έλεγχο», ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β201.

Σημείωση 1: Στο σημείο 2Β001 δεν υπάγονται οι εργαλειομηχανές ειδικών χρήσεων που προορίζονται μόνο για την κατασκευή οδοντωτών τροχών. Για τέτοιες μηχανές βλέπε το σημείο 2B003.

Σημείωση 2: Στο σημείο 2Β001 δεν υπάγονται οι εργαλειομηχανές ειδικών χρήσεων που προορίζονται μόνο για την κατασκευή ενός από τα ακόλουθα:

α.

Στροφαλοφόρων ή εκκεντροφόρων αξόνων,

| β. | Εργαλείων ή κοπτικών εργαλείων, |
| --- | --- |

β.

Εργαλείων ή κοπτικών εργαλείων,

| γ. | Ατερμόνων κοχλιών διελαστήρων, |
| --- | --- |

γ.

Ατερμόνων κοχλιών διελαστήρων,

| δ. | Εγχάρακτων ή πολυεδρικών στοιχείων κοσμημάτων. ή |
| --- | --- |

δ.

Εγχάρακτων ή πολυεδρικών στοιχείων κοσμημάτων. ή

| ε. | Οδοντικών προσθέσεων. |
| --- | --- |

ε.

Οδοντικών προσθέσεων.

Σημείωση 3: Οι εργαλειομηχανές που έχουν δύο τουλάχιστον από τις παρακάτω αναφερόμενες ικανότητες: τόρνευση, φρεζάρισμα, τρόχισμα (π.χ., τορνευτικές εργαλειομηχανές με ικανότητα φρεζαρίσματος), πρέπει να αξιολογούνται με βάση όλα τα αντίστοιχα υποσημεία α., β. ή/και γ. του σημείου 2Β001.

ΣΗΜ.: Για τις εργαλειομηχανές οπτικού φινιρίσματος βλέπε σημείο 2Β002.

| α. | Εργαλειομηχανές για τόρνευση έχουσες όλα τα ακόλουθα:






  1. | Ακρίβεια τοποθέτησης με «όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις» μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 3,0 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (2006) (2) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος ενός ή περισσότερων γραμμικών αξόνων, και |
| --- | --- | --- |

α.

Εργαλειομηχανές για τόρνευση έχουσες όλα τα ακόλουθα:

1.

Ακρίβεια τοποθέτησης με «όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις» μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 3,0 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (2006) (2) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος ενός ή περισσότερων γραμμικών αξόνων, και

| 2. | Δύο ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτοχρόνως για «έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος». |
| --- | --- |

2.

Δύο ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτοχρόνως για «έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος».

Σημείωση: Στο σημείο 2Β001.α. δεν υπάγονται οι μηχανές για τόρνευση, οι ειδικά σχεδιασμένες για την παραγωγή φακών επαφής, που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Ο ελεγκτής της μηχανής να έχει αποκλειστικά τη δυνατότητα χρησιμοποίησης οφθαλμολογικού λογισμικού για το μέρος του προγραμματισμού της εισόδου δεδομένων, και |
| --- | --- |

α.

Ο ελεγκτής της μηχανής να έχει αποκλειστικά τη δυνατότητα χρησιμοποίησης οφθαλμολογικού λογισμικού για το μέρος του προγραμματισμού της εισόδου δεδομένων, και

| β. | Να μη γίνεται συγκράτηση εν κενώ. |
| --- | --- |

β.

Να μη γίνεται συγκράτηση εν κενώ.

| β. | Εργαλειομηχανές για φραιζάρισμα, με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Όλα τα ακόλουθα:






  α. | Ακρίβεια τοποθέτησης με «όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις» μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 3,0 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (2006) (3) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος ενός ή περισσότερων γραμμικών αξόνων, και |
| --- | --- | --- | --- |

β.

Εργαλειομηχανές για φραιζάρισμα, με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Όλα τα ακόλουθα:

α.

Ακρίβεια τοποθέτησης με «όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις» μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 3,0 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (2006) (3) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος ενός ή περισσότερων γραμμικών αξόνων, και

| β. | Τρεις γραμμικούς άξονες και έναν άξονα περιστροφής που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον «έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος». |
| --- | --- |

β.

Τρεις γραμμικούς άξονες και έναν άξονα περιστροφής που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον «έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος».

| 2. | Πέντε ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον «έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος», που έχουν τα ακόλουθα:.


  ΣΗΜ.: Οι «εργαλειομηχανές με παράλληλο μηχανισμό» ορίζονται στη σημείο 2B001.β.2.δ.







  α. | Ακρίβεια τοποθέτησης με «όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις» μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 3,0 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (2006) (4) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος ενός ή περισσότερων γραμμικών αξόνων με μήκος διαδρομής μικρότερο του 1 m, |
| --- | --- | --- |

2.

Πέντε ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον «έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος», που έχουν τα ακόλουθα:.

ΣΗΜ.: Οι «εργαλειομηχανές με παράλληλο μηχανισμό» ορίζονται στη σημείο 2B001.β.2.δ.

α.

Ακρίβεια τοποθέτησης με «όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις» μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 3,0 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (2006) (4) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος ενός ή περισσότερων γραμμικών αξόνων με μήκος διαδρομής μικρότερο του 1 m,

| β. | Ακρίβεια τοποθέτησης με «όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις» μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 4,5 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (2006) (5) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος ενός ή περισσότερων γραμμικών αξόνων με μήκος διαδρομής ίσο ή μεγαλύτερο του 1 m και μικρότερο των 2 m, |
| --- | --- |

β.

Ακρίβεια τοποθέτησης με «όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις» μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 4,5 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (2006) (5) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος ενός ή περισσότερων γραμμικών αξόνων με μήκος διαδρομής ίσο ή μεγαλύτερο του 1 m και μικρότερο των 2 m,

| γ. | Ακρίβεια τοποθέτησης με «όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις» μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 4,5 + 7(L-2) μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (2006) (6) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος ενός ή περισσότερων γραμμικών αξόνων με μήκος διαδρομής ίσο ή μεγαλύτερο των 2 m, ή |
| --- | --- |

γ.

Ακρίβεια τοποθέτησης με «όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις» μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 4,5 + 7(L-2) μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (2006) (6) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος ενός ή περισσότερων γραμμικών αξόνων με μήκος διαδρομής ίσο ή μεγαλύτερο των 2 m, ή

| δ. | Που είναι «εργαλειομηχανή με παράλληλο μηχανισμό»,


  Τεχνική παρατήρηση:


  «Εργαλειομηχανή με παράλληλο μηχανισμό» είναι μια εργαλειομηχανή που διαθέτει πολλαπλές ράβδους συνδεδεμένες με μια πλατφόρμα και ενεργοποιητές, όπου ο καθένας από τους ενεργοποιητές ελέγχει την αντίστοιχη ράβδο ταυτόχρονα και ανεξάρτητα. |
| --- | --- |

δ.

Που είναι «εργαλειομηχανή με παράλληλο μηχανισμό»,

Τεχνική παρατήρηση:

«Εργαλειομηχανή με παράλληλο μηχανισμό» είναι μια εργαλειομηχανή που διαθέτει πολλαπλές ράβδους συνδεδεμένες με μια πλατφόρμα και ενεργοποιητές, όπου ο καθένας από τους ενεργοποιητές ελέγχει την αντίστοιχη ράβδο ταυτόχρονα και ανεξάρτητα.

| 3. | Ακρίβεια τοποθέτησης για τις μηχανές διάτρησης με πρότυπο-οδηγό, με «όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις» μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 3,0 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (2006) (7) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος ενός ή περισσότερων γραμμικών αξόνων, ή |
| --- | --- |

3.

Ακρίβεια τοποθέτησης για τις μηχανές διάτρησης με πρότυπο-οδηγό, με «όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις» μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 3,0 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (2006) (7) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος ενός ή περισσότερων γραμμικών αξόνων, ή

| 4. | Κοπτικές μηχανές κινητού εργαλείου, με όλα τα παρακάτω:






  α. | «Γραμμική εκτροπή» και «εκκεντρότητα» της ατράκτου κάτω των (καλύτερη από) 0,0004 mm TIR, και |
| --- | --- | --- |

4.

Κοπτικές μηχανές κινητού εργαλείου, με όλα τα παρακάτω:

α.

«Γραμμική εκτροπή» και «εκκεντρότητα» της ατράκτου κάτω των (καλύτερη από) 0,0004 mm TIR, και

| β. | Γωνιακή παρέκκλιση της κίνησης του κινητού μέρους (κατά τους τρεις άξονες των συντεταγμένων) κάτω των (καλύτερη από) 2′′ TIR επί διαδρομή 300 mm. |
| --- | --- |

β.

Γωνιακή παρέκκλιση της κίνησης του κινητού μέρους (κατά τους τρεις άξονες των συντεταγμένων) κάτω των (καλύτερη από) 2′′ TIR επί διαδρομή 300 mm.

| γ. | Εργαλειομηχανές για φραιζάρισμα, με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Όλα τα ακόλουθα:






  α. | Ακρίβεια τοποθέτησης με «όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις» μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 3,0 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (2006) (8) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος ενός ή περισσότερων γραμμικών αξόνων, και |
| --- | --- | --- | --- |

γ.

Εργαλειομηχανές για φραιζάρισμα, με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Όλα τα ακόλουθα:

α.

Ακρίβεια τοποθέτησης με «όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις» μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 3,0 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (2006) (8) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος ενός ή περισσότερων γραμμικών αξόνων, και

| β. | Τρεις ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον «έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος», ή |
| --- | --- |

β.

Τρεις ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον «έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος», ή

| 2. | Πέντε ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον «έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος». |
| --- | --- |

2.

Πέντε ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον «έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος».

Σημείωση: Στο σημείο 2Β001.γ. δεν υπάγονται οι μηχανές για τρόχισμα ως εξής:

| α. | Μηχανές για τρόχισμα κυλινδρικών εξωτερικών, εσωτερικών και εξωτερικών/εσωτερικών επιφανειών με όλα τα παρακάτω:








  1. | Περιορίζονται σε κυλινδρικό τρόχισμα, και |
| --- | --- | --- |

α.

Μηχανές για τρόχισμα κυλινδρικών εξωτερικών, εσωτερικών και εξωτερικών/εσωτερικών επιφανειών με όλα τα παρακάτω:

1.

Περιορίζονται σε κυλινδρικό τρόχισμα, και

| 2. | Περιορίζονται στο να δέχονται αντικείμενα προς κατεργασία μέγιστης εξωτερικής διαμέτρου ή μέγιστου μήκους 150 mm. |
| --- | --- |

2.

Περιορίζονται στο να δέχονται αντικείμενα προς κατεργασία μέγιστης εξωτερικής διαμέτρου ή μέγιστου μήκους 150 mm.

| β. | Μηχανές ειδικά σχεδιασμένες για τρόχισμα με περιτύπωμα που δεν έχουν άξονα «z» ή άξονα «w», με ακρίβεια τοποθέτησης με «όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις» μικρότερη (καλύτερη) από 3,0 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (2006)
   (9)
  ή με εθνικά ισοδύναμα. |
| --- | --- |

β.

Μηχανές ειδικά σχεδιασμένες για τρόχισμα με περιτύπωμα που δεν έχουν άξονα «z» ή άξονα «w», με ακρίβεια τοποθέτησης με «όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις» μικρότερη (καλύτερη) από 3,0 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (2006)
   (9)
  ή με εθνικά ισοδύναμα.

| γ. | Μηχανές για τρόχισμα επιφανειών. |
| --- | --- |

γ.

Μηχανές για τρόχισμα επιφανειών.

| δ. | Μηχανές ηλεκτρικής εκκένωσης (EDM) όχι του τύπου μηχανισμού πρόωσης σύρματος, με δύο ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον «έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος». |
| --- | --- |

δ.

Μηχανές ηλεκτρικής εκκένωσης (EDM) όχι του τύπου μηχανισμού πρόωσης σύρματος, με δύο ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον «έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος».

| ε. | Εργαλειομηχανές για την αφαίρεση μεταλλικών, κεραμικών ή «σύνθετων» υλικών με όλα τα παρακάτω:






  1. | Αφαίρεση υλικού με κάποιο από τα εξής μέσα:






  α. | Εκτόξευση ύδατος ή άλλων υγρών, συμπεριλαμβανομένων όσων περιέχουν λειαντικά πρόσθετα, |
| --- | --- | --- | --- |

ε.

Εργαλειομηχανές για την αφαίρεση μεταλλικών, κεραμικών ή «σύνθετων» υλικών με όλα τα παρακάτω:

1.

Αφαίρεση υλικού με κάποιο από τα εξής μέσα:

α.

Εκτόξευση ύδατος ή άλλων υγρών, συμπεριλαμβανομένων όσων περιέχουν λειαντικά πρόσθετα,

| β. | Δέσμη ηλεκτρονίων, ή |
| --- | --- |

β.

Δέσμη ηλεκτρονίων, ή

| γ. | εξάτμιση με «λέιζερ», και |
| --- | --- |

γ.

εξάτμιση με «λέιζερ», και

| 2. | Δύο ή περισσότερους άξονες περιστροφής με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  α. | Δυνατότητα ταυτόχρονου συντονισμού για «έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος», και |
| --- | --- | --- |

2.

Δύο ή περισσότερους άξονες περιστροφής με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

α.

Δυνατότητα ταυτόχρονου συντονισμού για «έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος», και

| β. | Ακρίβεια τοποθέτησης μικρότερη (καλύτερη) από 0,003°. |
| --- | --- |

β.

Ακρίβεια τοποθέτησης μικρότερη (καλύτερη) από 0,003°.

| στ. | Μηχανές για διάτρηση βαθειών οπών και μηχανές για τόρνευση τροποποιημένες για διάτρηση βαθειών οπών, με μέγιστη ικανότητα βάθους διάτρησης που υπερβαίνει 5 m. |
| --- | --- |

στ.

Μηχανές για διάτρηση βαθειών οπών και μηχανές για τόρνευση τροποποιημένες για διάτρηση βαθειών οπών, με μέγιστη ικανότητα βάθους διάτρησης που υπερβαίνει 5 m.

2B002

Εργαλειομηχανές οπτικού φινιρίσματος με ψηφιακό έλεγχο, εξοπλισμένες για επιλεκτική αφαίρεση υλικού για την παραγωγή μη σφαιρικών οπτικών επιφανειών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Φινίρισμα του προϊόντος σε λιγότερο (καλύτερο) από 1,0 μm, |
| --- | --- |

α.

Φινίρισμα του προϊόντος σε λιγότερο (καλύτερο) από 1,0 μm,

| β. | Φινίρισμα με τραχύτητα μικρότερη (καλύτερη) από 100 nm rms, |
| --- | --- |

β.

Φινίρισμα με τραχύτητα μικρότερη (καλύτερη) από 100 nm rms,

| γ. | Τέσσερεις ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον «έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος», και |
| --- | --- |

γ.

Τέσσερεις ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον «έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος», και

| δ. | Χρήση οποιασδήποτε από τις παρακάτω διεργασίες:






  1. | Μαγνητοροολογικό φινίρισμα («MRF») |
| --- | --- | --- |

δ.

Χρήση οποιασδήποτε από τις παρακάτω διεργασίες:

1.

Μαγνητοροολογικό φινίρισμα («MRF»)

| 2. | Ηλεκτροροολογικό φινίρισμα («HRF») |
| --- | --- |

2.

Ηλεκτροροολογικό φινίρισμα («HRF»)

| 3. | «Φινίρισμα με δέσμες ενεργειακών σωματιδίων» |
| --- | --- |

3.

«Φινίρισμα με δέσμες ενεργειακών σωματιδίων»

| 4. | «Φινίρισμα με εργαλείο διογκούμενης μεμβράνης», ή |
| --- | --- |

4.

«Φινίρισμα με εργαλείο διογκούμενης μεμβράνης», ή

| 5. | «Φινίρισμα με εκτόξευση υγρού». |
| --- | --- |

5.

«Φινίρισμα με εκτόξευση υγρού».

Τεχνικές παρατηρήσεις:

Για τους σκοπούς του 2B002:

| 1. | Μαγνητοροολογικό φινίρισμα είναι κάθε διεργασία αφαίρεσης υλικού που χρησιμοποιεί αποτριπτικό μαγνητικό ρευστό, το ιξώδες του οποίου ελέγχεται με μαγνητικό πεδίο. |
| --- | --- |

1.

Μαγνητοροολογικό φινίρισμα είναι κάθε διεργασία αφαίρεσης υλικού που χρησιμοποιεί αποτριπτικό μαγνητικό ρευστό, το ιξώδες του οποίου ελέγχεται με μαγνητικό πεδίο.

| 2. | Ηλεκτροροολογικό φινίρισμα είναι κάθε διεργασία αφαίρεσης που χρησιμοποιεί αποτριπτικό ρευστό, το ιξώδες του οποίου ελέγχεται με ηλεκτρικό πεδίο. |
| --- | --- |

2.

Ηλεκτροροολογικό φινίρισμα είναι κάθε διεργασία αφαίρεσης που χρησιμοποιεί αποτριπτικό ρευστό, το ιξώδες του οποίου ελέγχεται με ηλεκτρικό πεδίο.

| 3. | «Φινίρισμα με δέσμες ενεργειακών σωματιδίων» είναι η χρήση πλάσματος αντιδραστικών ατόμων (RAP) ή δεσμών ιόντων για την επιλεκτική αφαίρεση υλικού. |
| --- | --- |

3.

«Φινίρισμα με δέσμες ενεργειακών σωματιδίων» είναι η χρήση πλάσματος αντιδραστικών ατόμων (RAP) ή δεσμών ιόντων για την επιλεκτική αφαίρεση υλικού.

| 4. | Το «Φινίρισμα με εργαλείο διογκούμενης μεμβράνης» είναι διαδικασία που χρησιμοποιεί μια μεμβράνη υπό πίεση η οποία παραμορφώνεται για να έρθει σε επαφή με το προς κατεργασία αντικείμενο σε μικρό χώρο. |
| --- | --- |

4.

Το «Φινίρισμα με εργαλείο διογκούμενης μεμβράνης» είναι διαδικασία που χρησιμοποιεί μια μεμβράνη υπό πίεση η οποία παραμορφώνεται για να έρθει σε επαφή με το προς κατεργασία αντικείμενο σε μικρό χώρο.

| 5. | Στο «φινίρισμα με εκτόξευση υγρού» χρησιμοποιείται ροή υγρού για την αφαίρεση υλικού. |
| --- | --- |

5.

Στο «φινίρισμα με εκτόξευση υγρού» χρησιμοποιείται ροή υγρού για την αφαίρεση υλικού.

2B003

Εργαλειομηχανές με «ψηφιακό έλεγχο» ή χειροκίνητες, και τα ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά στοιχεία, όργανα χειρισμού και εξαρτήματά τους, ειδικά σχεδιασμένες για πλάνισμα, την τελική επεξεργασία, το τρόχισμα ή τη λείανση σκληρωμένων (Rc = 40 ή περισσότερο) ακτινωτών, ελικοειδών και διπλών ελικοειδών οδοντωτών τροχών με διάμετρο βήματος μεγαλύτερη από 1 250 mm και εύρος κεφαλής των οδόντων εντός των ορίων του 15 % της διαμέτρου βήματος ή μεγαλύτερο οι οποίοι έχουν υποστεί τελική επεξεργασία για την επίτευξη της ποιότητας που ορίζεται στο πρότυπο AGMA 14 (ισοδύναμο με το πρότυπο ISO 1328 κατηγορία 3) ή ανώτερης ποιότητας.

2B004

«Ισοστατικές πρέσες» για κατεργασία εν θερμώ που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, καθώς και τα ειδικά γι’ αυτές σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη και εξαρτήματα, ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β104 και 2Β204.

| α. | Περιβάλλον ελεγχόμενης θερμοκρασίας στο κλειστό κοίλωμα και κοίλωμα θαλάμου εσωτερικής διαμέτρου 406 mm ή μεγαλύτερης, και |
| --- | --- |

α.

Περιβάλλον ελεγχόμενης θερμοκρασίας στο κλειστό κοίλωμα και κοίλωμα θαλάμου εσωτερικής διαμέτρου 406 mm ή μεγαλύτερης, και

| β. | Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Μέγιστη πίεση εργασίας μεγαλύτερη από 207 MPa, |
| --- | --- | --- |

β.

Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Μέγιστη πίεση εργασίας μεγαλύτερη από 207 MPa,

| 2. | Περιβάλλον ελεγχόμενης θερμοκρασίας μεγαλύτερης από 1 773 Κ (1 500 °C), ή |
| --- | --- |

2.

Περιβάλλον ελεγχόμενης θερμοκρασίας μεγαλύτερης από 1 773 Κ (1 500 °C), ή

| 3. | Εγκατάσταση για τον εμποτισμό υδρογονανθράκων και την απομάκρυνση των αερίων προϊόντων αποδόμησης που προκύπτουν. |
| --- | --- |

3.

Εγκατάσταση για τον εμποτισμό υδρογονανθράκων και την απομάκρυνση των αερίων προϊόντων αποδόμησης που προκύπτουν.

Τεχνική παρατήρηση:

Εσωτερική διάσταση θαλάμου είναι η εσωτερική διάσταση του θαλάμου, στον οποίο επιτυγχάνονται τόσο η θερμοκρασία όσο και η πίεση εργασίας και δεν περιλαμβάνει τον εξοπλισμό για τη συγκράτηση των προς κατεργασίαν αντικειμένων. Η διάσταση αυτή είναι η μικρότερη από τις εσωτερικές διαμέτρους είτε του θαλάμου πιέσεως είτε του μονωμένου θαλάμου του κλιβάνου, ανάλογα με το ποιος από τους δύο βρίσκεται μέσα στον άλλο.

ΣΗΜ.: Για ειδικά σχεδιασμένες μήτρες, τύπους και εργαλεία βλέπε σημεία 1B003, 9B009 και τους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων.

2B005

Ειδικά σχεδιασμένος εξοπλισμός για την εναπόθεση, την επεξεργασία και τον κατά τη διεργασία έλεγχο ανοργάνων επιστρώσεων, επιχρίσεων και μετατροπών επιφανειών σε μη ηλεκτρονικά υποστρώματα, με τις τεχνικές που αναφέρονται στον πίνακα μετά το εδάφιο 2Ε003.στ. και στις σχετικές με αυτόν σημειώσεις, καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη αυτόματου χειρισμού, τοποθέτησης, κατεργασίας και ελέγχου για τον εν λόγω εξοπλισμό, ως εξής:

| α. | Εξοπλισμός παραγωγής για εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους (CVD), ο οποίος έχει όλα τα παρακάτω:


  ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β105.







  1. | Έχει τροποποιηθεί για μια από τις ακόλουθες τεχνικές:






  α. | Παλμική εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους, |
| --- | --- | --- | --- |

α.

Εξοπλισμός παραγωγής για εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους (CVD), ο οποίος έχει όλα τα παρακάτω:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β105.

1.

Έχει τροποποιηθεί για μια από τις ακόλουθες τεχνικές:

α.

Παλμική εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους,

| β. | Θερμική εναπόθεση με ελεγχόμενο πυρήνα αντιδράσεως (CΝΤD), ή |
| --- | --- |

β.

Θερμική εναπόθεση με ελεγχόμενο πυρήνα αντιδράσεως (CΝΤD), ή

| γ. | Εναπόθεση ατμού με χημική μέθοδο βελτιωμένη με πλάσμα ή υποβοηθούμενη από πλάσμα, και |
| --- | --- |

γ.

Εναπόθεση ατμού με χημική μέθοδο βελτιωμένη με πλάσμα ή υποβοηθούμενη από πλάσμα, και

| 2. | Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Περιστρεφόμενες στεγανοποιητικές διατάξεις υψηλού κενού (μικρότερου ή ίσου προς 0,01 Pa), ή |
| --- | --- | --- |

2.

Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Περιστρεφόμενες στεγανοποιητικές διατάξεις υψηλού κενού (μικρότερου ή ίσου προς 0,01 Pa), ή

| β. | Σύστημα ελέγχου του πάχους του επιχρίσματος επιτόπου. |
| --- | --- |

β.

Σύστημα ελέγχου του πάχους του επιχρίσματος επιτόπου.

| β. | Εξοπλισμός παραγωγής για εμφύτευση ιόντων, με ένταση ρεύματος δέσμης 5 mA ή μεγαλύτερη. |
| --- | --- |

β.

Εξοπλισμός παραγωγής για εμφύτευση ιόντων, με ένταση ρεύματος δέσμης 5 mA ή μεγαλύτερη.

| γ. | Εξοπλισμός παραγωγής για εναπόθεση ατμού με φυσική μέθοδο δέσμης ηλεκτρονίων (EB-PVD), ο οποίος φέρει ενσωματωμένα συστήματα τροφοδότησης ισχύος σχεδιασμένα για ισχύ μεγαλύτερη από 80 kW και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Σύστημα ελέγχου στάθμης υγρού με «λέιζερ», το οποίο ρυθμίζει με ακρίβεια την ταχύτητα προώσεως των τύπων, ή |
| --- | --- | --- |

γ.

Εξοπλισμός παραγωγής για εναπόθεση ατμού με φυσική μέθοδο δέσμης ηλεκτρονίων (EB-PVD), ο οποίος φέρει ενσωματωμένα συστήματα τροφοδότησης ισχύος σχεδιασμένα για ισχύ μεγαλύτερη από 80 kW και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Σύστημα ελέγχου στάθμης υγρού με «λέιζερ», το οποίο ρυθμίζει με ακρίβεια την ταχύτητα προώσεως των τύπων, ή

| 2. | Συσκευή παρακολούθησης (monitor) της ταχύτητας εναπόθεσης, η οποία ελέγχεται με υπολογιστή και λειτουργεί με βάση την αρχή της φωτοφωταύγειας των ιονισμένων ατόμων που περιέχονται στο ρεύμα του εξατμιζόμενου υλικού, για τον έλεγχο της ταχύτητας εναπόθεσης επιχρισμάτων που περιέχουν δύο ή περισσότερα χημικά στοιχεία. |
| --- | --- |

2.

Συσκευή παρακολούθησης (monitor) της ταχύτητας εναπόθεσης, η οποία ελέγχεται με υπολογιστή και λειτουργεί με βάση την αρχή της φωτοφωταύγειας των ιονισμένων ατόμων που περιέχονται στο ρεύμα του εξατμιζόμενου υλικού, για τον έλεγχο της ταχύτητας εναπόθεσης επιχρισμάτων που περιέχουν δύο ή περισσότερα χημικά στοιχεία.

| δ. | Εξοπλισμός παραγωγής για ψεκασμό πλάσματος, ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Λειτουργεί σε ελεγχόμενη ατμόσφαιρα υποπιέσεως (πίεση μικρότερη ή ίση προς 10 KPa, όπως μετράται σε απόσταση έως 300 mm επάνω από την έξοδο του ακροφυσίου του πιστολίου) μέσα σε θάλαμο κενού ικανό να επιτυγχάνει κενό έως 0,01 Ρα πριν αρχίσει η διεργασία ψεκασμού, ή |
| --- | --- | --- |

δ.

Εξοπλισμός παραγωγής για ψεκασμό πλάσματος, ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Λειτουργεί σε ελεγχόμενη ατμόσφαιρα υποπιέσεως (πίεση μικρότερη ή ίση προς 10 KPa, όπως μετράται σε απόσταση έως 300 mm επάνω από την έξοδο του ακροφυσίου του πιστολίου) μέσα σε θάλαμο κενού ικανό να επιτυγχάνει κενό έως 0,01 Ρα πριν αρχίσει η διεργασία ψεκασμού, ή

| 2. | Σύστημα ελέγχου του πάχους του επιχρίσματος επιτόπου. |
| --- | --- |

2.

Σύστημα ελέγχου του πάχους του επιχρίσματος επιτόπου.

| ε. | Εξοπλισμός παραγωγής για εναπόθεση με καθοδική διασκόρπιση, ικανός να επιτυγχάνει πυκνότητα ρεύματος 0,1 mA/mm2 ή υψηλότερη, με ταχύτητα εναπόθεσης 15 μικρόμετρα/ώρα ή υψηλότερη, |
| --- | --- |

ε.

Εξοπλισμός παραγωγής για εναπόθεση με καθοδική διασκόρπιση, ικανός να επιτυγχάνει πυκνότητα ρεύματος 0,1 mA/mm2 ή υψηλότερη, με ταχύτητα εναπόθεσης 15 μικρόμετρα/ώρα ή υψηλότερη,

| στ. | Εξοπλισμός παραγωγής για εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου, ο οποίος φέρει ενσωματωμένο πλέγμα ηλεκτρομαγνητών για την καθοδήγηση της εστίασης του τόξου στην κάθοδο, |
| --- | --- |

στ.

Εξοπλισμός παραγωγής για εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου, ο οποίος φέρει ενσωματωμένο πλέγμα ηλεκτρομαγνητών για την καθοδήγηση της εστίασης του τόξου στην κάθοδο,

| ζ. | Εξοπλισμός παραγωγής για ιοντική επιμετάλλωση, με ικανότητα επιτόπιας μέτρησης οποιουδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Του πάχους του επιχρίσματος στο υπόστρωμα και της ταχύτητας εναπόθεσης, ή |
| --- | --- | --- |

ζ.

Εξοπλισμός παραγωγής για ιοντική επιμετάλλωση, με ικανότητα επιτόπιας μέτρησης οποιουδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Του πάχους του επιχρίσματος στο υπόστρωμα και της ταχύτητας εναπόθεσης, ή

| 2. | Των οπτικών χαρακτηριστικών του επιχρίσματος. |
| --- | --- |

2.

Των οπτικών χαρακτηριστικών του επιχρίσματος.

Σημείωση: Στο σημείο 2Β005 δεν υπάγονται η εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους, η καθοδική εκκένωση τόξου, η εναπόθεση με καθοδική διασκόρπιση, ο εξοπλισμός για ιοντική επιμετάλλωση ή εμφύτευση ιόντων ο ειδικά σχεδιασμένος για εργαλεία κοπής ή μηχανουργικής κατεργασίας.

2B006

Συστήματα, εξοπλισμός και «ηλεκτρονικά συναρμολογήματα» ελέγχου ή μέτρησης διαστάσεων, ως εξής:

| α. | Μηχανές μέτρησης συντεταγμένων (CMM) με έλεγχο από υπολογιστή ή «ψηφιακό έλεγχο», με τρισδιάστατο (ογκομετρικό) μέγιστο επιτρεπτό σφάλμα μέτρησης μήκους (E0,MPE) σε κάθε σημείο μέσα στην έκταση λειτουργίας της μηχανής (δηλαδή στο μήκος των αξόνων) ίσο ή μικρότερο (καλύτερη επίδοση) από (1,7 + L/1 000) μm (L είναι το μετρούμενο μήκος σε mm), σύμφωνα με το ISΟ 10360-2(2009).


  Τεχνική παρατήρηση:


  Με το όριο των (1,7 + L/1 000) μm συγκρίνεται το E0,MPE του ακριβέστερου διασχηματισμού της μηχανής που προσδιορίζεται από τον κατασκευαστή (με όλα δηλαδή τα παρακάτω ρυθμισμένα όσο το δυνατόν καλύτερα: μήλη, μήκος στύλου, παράμετροι κίνησης, περιβάλλον) και με «όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις». |
| --- | --- |

α.

Μηχανές μέτρησης συντεταγμένων (CMM) με έλεγχο από υπολογιστή ή «ψηφιακό έλεγχο», με τρισδιάστατο (ογκομετρικό) μέγιστο επιτρεπτό σφάλμα μέτρησης μήκους (E0,MPE) σε κάθε σημείο μέσα στην έκταση λειτουργίας της μηχανής (δηλαδή στο μήκος των αξόνων) ίσο ή μικρότερο (καλύτερη επίδοση) από (1,7 + L/1 000) μm (L είναι το μετρούμενο μήκος σε mm), σύμφωνα με το ISΟ 10360-2(2009).

Τεχνική παρατήρηση:

Με το όριο των (1,7 + L/1 000) μm συγκρίνεται το E0,MPE του ακριβέστερου διασχηματισμού της μηχανής που προσδιορίζεται από τον κατασκευαστή (με όλα δηλαδή τα παρακάτω ρυθμισμένα όσο το δυνατόν καλύτερα: μήλη, μήκος στύλου, παράμετροι κίνησης, περιβάλλον) και με «όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις».

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β206.

| β. | Όργανα μέτρησης της γραμμικής και γωνιακής μετατόπισης, ως εξής:






  1. | Όργανα μέτρησης της «γραμμικής μετατόπισης» με οποιοδήποτε από τα παρακάτω:


  Σημείωση: Τα συμβολόμετρα «λέιζερ» μέτρησης μετατόπισης καλύπτονται μόνο στο σημείο 2B006.β.1.γ.



  Τεχνική παρατήρηση:


  Για το σκοπό του 2Β006.β.1., η «γραμμική μετατόπιση» είναι η μεταβολή της απόστασης μεταξύ του αισθητήρα μέτρησης και του μετρούμενου αντικειμένου.







  α. | Συστήματα μετρήσεων χωρίς απευθείας επαφή, με «διακριτική ικανότητα» ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,2 μm για κλίμακες μετρήσεων έως 0,2 mm, |
| --- | --- | --- | --- |

β.

Όργανα μέτρησης της γραμμικής και γωνιακής μετατόπισης, ως εξής:

1.

Όργανα μέτρησης της «γραμμικής μετατόπισης» με οποιοδήποτε από τα παρακάτω:

Σημείωση: Τα συμβολόμετρα «λέιζερ» μέτρησης μετατόπισης καλύπτονται μόνο στο σημείο 2B006.β.1.γ.

Τεχνική παρατήρηση:

Για το σκοπό του 2Β006.β.1., η «γραμμική μετατόπιση» είναι η μεταβολή της απόστασης μεταξύ του αισθητήρα μέτρησης και του μετρούμενου αντικειμένου.

α.

Συστήματα μετρήσεων χωρίς απευθείας επαφή, με «διακριτική ικανότητα» ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,2 μm για κλίμακες μετρήσεων έως 0,2 mm,

| β. | Γραμμικούς μεταβλητούς διαφορικούς μετασχηματιστές με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | «Γραμμικότητα» ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 0,1 % μετρούμενη από το 0 έως το ‘πλήρες εύρος της λειτουργίας’, για γραμμικούς διαφορικούς μετασχηματιστές τάσεως με «πλήρες εύρος λειτουργίας» έως και ± 5 mm, ή |
| --- | --- | --- | --- |

β.

Γραμμικούς μεταβλητούς διαφορικούς μετασχηματιστές με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

«Γραμμικότητα» ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 0,1 % μετρούμενη από το 0 έως το ‘πλήρες εύρος της λειτουργίας’, για γραμμικούς διαφορικούς μετασχηματιστές τάσεως με «πλήρες εύρος λειτουργίας» έως και ± 5 mm, ή

| β. | «Γραμμικότητα» ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 0,1 % μετρούμενη από το 0 έως 5 mm, για γραμμικούς διαφορικούς μετασχηματιστές τάσεως με ‘πλήρες εύρος λειτουργίας’ μεγαλύτερο των ± 5 mm, και |
| --- | --- |

β.

«Γραμμικότητα» ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 0,1 % μετρούμενη από το 0 έως 5 mm, για γραμμικούς διαφορικούς μετασχηματιστές τάσεως με ‘πλήρες εύρος λειτουργίας’ μεγαλύτερο των ± 5 mm, και

| 2. | Έκπτωση ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,1 % ημερησίως σε κανονική θερμοκρασία περιβάλλοντος στην αίθουσα δοκιμών ± 1 Κ, |
| --- | --- |

2.

Έκπτωση ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,1 % ημερησίως σε κανονική θερμοκρασία περιβάλλοντος στην αίθουσα δοκιμών ± 1 Κ,

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του σημείου 2B006.β.1.β., «πλήρες εύρος λειτουργίας» είναι το ήμισυ της συνολικής δυνατής γραμμικής μετατόπισης του γραμμικού διαφορικού μετασχηματιστή τάσεως. Για παράδειγμα, γραμμικοί διαφορικοί μετασχηματιστές τάσεως με «πλήρες εύρος λειτουργίας» έως και ± 5 mm δύνανται να μετρήσουν συνολική δυνατή γραμμική μετατόπιση 10 mm.

| γ. | Συστήματα μετρήσεων που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Είναι εξοπλισμένα με «λέιζερ», και |
| --- | --- | --- |

γ.

Συστήματα μετρήσεων που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Είναι εξοπλισμένα με «λέιζερ», και

| 2. | Μπορούν να διατηρούν, τουλάχιστον επί 12 ώρες σε θερμοκρασία 20 ± 1 °C, όλα τα παρακάτω:






  α. | «Διακριτική ικανότητα» στην πλήρη κλίμακα αναγνώσεώς τους 0,1 μm ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση), και |
| --- | --- | --- |

2.

Μπορούν να διατηρούν, τουλάχιστον επί 12 ώρες σε θερμοκρασία 20 ± 1 °C, όλα τα παρακάτω:

α.

«Διακριτική ικανότητα» στην πλήρη κλίμακα αναγνώσεώς τους 0,1 μm ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση), και

| β. | Μπορούν να επιτυγχάνουν «αβεβαιότητα μέτρησης», ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από (0,2 + L/2 000) μm (όπου L είναι το μετρούμενο μήκος, σε mm) σε οποιοδήποτε σημείο εντός του εύρους μέτρησης, όταν υφίσταται αντιστάθμιση για τον δείκτη διάθλασης του αέρα, ή |
| --- | --- |

β.

Μπορούν να επιτυγχάνουν «αβεβαιότητα μέτρησης», ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από (0,2 + L/2 000) μm (όπου L είναι το μετρούμενο μήκος, σε mm) σε οποιοδήποτε σημείο εντός του εύρους μέτρησης, όταν υφίσταται αντιστάθμιση για τον δείκτη διάθλασης του αέρα, ή

| δ. | «Ηλεκτρονικά συναρμολογήματα» ειδικά σχεδιασμένα για να παρέχουν δυνατότητα ανάδρασης στα συστήματα που ορίζονται στο σημείο 2Β006.β.1.γ., |
| --- | --- |

δ.

«Ηλεκτρονικά συναρμολογήματα» ειδικά σχεδιασμένα για να παρέχουν δυνατότητα ανάδρασης στα συστήματα που ορίζονται στο σημείο 2Β006.β.1.γ.,

Σημείωση: Στο σημείο 2Β006.β.1. δεν υπάγονται τα συστήματα μέτρησης συμβολομέτρων, με αυτόματο σύστημα ελέγχου σχεδιασμένο για να μη χρησιμοποιεί τεχνικές ανάδρασης, που περιλαμβάνουν «λέιζερ» για τη μέτρηση των εσφαλμένων κινήσεων ολίσθησης των εργαλειομηχανών, μηχανών ελέγχου διαστάσεων ή παρόμοιου εξοπλισμού.

| 2. | Όργανα μετρήσεων γωνιακής μετατόπισης με «ακρίβεια» γωνιακής θέσεως ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,00025°.


  Σημείωση: Στο εδάφιο 2Β006.β.2. δεν υπάγονται τα οπτικά όργανα, όπως οι αυτοδιοπτήρες, που χρησιμοποιούν παράλληλες ακτίνες φωτός (π.χ. «λέιζερ») για την ανίχνευση της γωνιακής μετατόπισης κατόπτρου. |
| --- | --- |

2.

Όργανα μετρήσεων γωνιακής μετατόπισης με «ακρίβεια» γωνιακής θέσεως ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,00025°.

Σημείωση: Στο εδάφιο 2Β006.β.2. δεν υπάγονται τα οπτικά όργανα, όπως οι αυτοδιοπτήρες, που χρησιμοποιούν παράλληλες ακτίνες φωτός (π.χ. «λέιζερ») για την ανίχνευση της γωνιακής μετατόπισης κατόπτρου.

| γ. | Εξοπλισμός μέτρησης της τραχύτητας των επιφανειών (συμπεριλαμβανομένων των επιφανειακών ελαττωμάτων) με μέτρηση της σκέδασης του φωτός, με ευαισθησία 0,5 nm ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση). |
| --- | --- |

γ.

Εξοπλισμός μέτρησης της τραχύτητας των επιφανειών (συμπεριλαμβανομένων των επιφανειακών ελαττωμάτων) με μέτρηση της σκέδασης του φωτός, με ευαισθησία 0,5 nm ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση).

Σημείωση: Στο σημείο 2B006 υπάγονται οι εργαλειομηχανές, πλην των προσδιοριζόμενων στο σημείο 2B001, που μπορούν να χρησιμοποιηθούν ως μηχανές μετρήσεων, εφόσον πληρούν τα κριτήρια που καθορίζονται για τη μετρητική λειτουργία ή ανώτερα κριτήρια.

2B007

«Ρομπότ» και τα ειδικά σχεδιασμένα όργανα αυτομάτου ελέγχου (αυτόματοι ρυθμιστές) και «επενεργητές πέρατος» αυτών, ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΠΑΡΑΓΡΑΦΟ 2Β207.

| α. | Με ικανότητα πλήρους τρισδιάστατης επεξεργασίας εικόνων ή πλήρους τρισδιάστατης «ανάλυσης του πεδίου εικόνας» για τη δημιουργία ή τροποποίηση «προγραμμάτων» ή για τη δημιουργία ή τροποποίηση ψηφιακών δεδομένων προγράμματος.


  Τεχνική παρατήρηση:


  Στον περιορισμό που αφορά την «ανάλυση πεδίου εικόνας» δεν συμπεριλαμβάνεται ο κατά προσέγγιση οπτικός προσδιορισμός της τρίτης διάστασης υπό δεδομένη γωνία ούτε η περιορισμένη ερμηνεία της χρωματικής κλίμακας του γκρι για την αντίληψη του βάθους ή της υφής στις εγκεκριμένες εργασίες (2 1/2 διαστάσεις). |
| --- | --- |

α.

Με ικανότητα πλήρους τρισδιάστατης επεξεργασίας εικόνων ή πλήρους τρισδιάστατης «ανάλυσης του πεδίου εικόνας» για τη δημιουργία ή τροποποίηση «προγραμμάτων» ή για τη δημιουργία ή τροποποίηση ψηφιακών δεδομένων προγράμματος.

Τεχνική παρατήρηση:

Στον περιορισμό που αφορά την «ανάλυση πεδίου εικόνας» δεν συμπεριλαμβάνεται ο κατά προσέγγιση οπτικός προσδιορισμός της τρίτης διάστασης υπό δεδομένη γωνία ούτε η περιορισμένη ερμηνεία της χρωματικής κλίμακας του γκρι για την αντίληψη του βάθους ή της υφής στις εγκεκριμένες εργασίες (2 1/2 διαστάσεις).

| β. | Ειδικά σχεδιασμένα ώστε να πληρούν τα εθνικά πρότυπα ασφαλείας για τους περιβάλλοντες χώρους δυνάμει εκρηκτικού πολεμικού υλικού.


  Σημείωση: Στο σημείο 2B007.β. δεν υπάγονται τα «ρομπότ» που είναι ειδικά σχεδιασμένα για θαλάμους βαφής με ψεκασμό. |
| --- | --- |

β.

Ειδικά σχεδιασμένα ώστε να πληρούν τα εθνικά πρότυπα ασφαλείας για τους περιβάλλοντες χώρους δυνάμει εκρηκτικού πολεμικού υλικού.

Σημείωση: Στο σημείο 2B007.β. δεν υπάγονται τα «ρομπότ» που είναι ειδικά σχεδιασμένα για θαλάμους βαφής με ψεκασμό.

| γ. | Ειδικά σχεδιασμένα ή με ειδική πρόβλεψη ως αυξημένης αντοχής στις ακτινοβολίες, ώστε να αντέχουν σε συνολική δόση ακτινοβολίας μεγαλύτερη από 5 × 103 Gy (πυρίτιο) χωρίς υποβάθμιση της λειτουργίας τους· ή



  Τεχνική παρατήρηση:


  Ο όρος Gy (πυρίτιο) αναφέρεται στην ενέργεια, σε Joule ανά χιλιόγραμμο, που απορροφάται αθωράκιστο δείγμα πυριτίου όταν αυτό εκτίθεται σε ιοντίζουσα ακτινοβολία. |
| --- | --- |

γ.

Ειδικά σχεδιασμένα ή με ειδική πρόβλεψη ως αυξημένης αντοχής στις ακτινοβολίες, ώστε να αντέχουν σε συνολική δόση ακτινοβολίας μεγαλύτερη από 5 × 103 Gy (πυρίτιο) χωρίς υποβάθμιση της λειτουργίας τους· ή

Τεχνική παρατήρηση:

Ο όρος Gy (πυρίτιο) αναφέρεται στην ενέργεια, σε Joule ανά χιλιόγραμμο, που απορροφάται αθωράκιστο δείγμα πυριτίου όταν αυτό εκτίθεται σε ιοντίζουσα ακτινοβολία.

| δ. | Ειδικά σχεδιασμένα για να λειτουργούν σε υψόμετρα που υπερβαίνουν τα 30 000 m. |
| --- | --- |

δ.

Ειδικά σχεδιασμένα για να λειτουργούν σε υψόμετρα που υπερβαίνουν τα 30 000 m.

2B008

Συναρμολογήματα ή μονάδες, ειδικά σχεδιασμένα για εργαλειομηχανές, ή συστήματα και εξοπλισμός ελέγχου και μέτρησης διαστάσεων, ως εξής:

| α. | Μονάδες ανάδρασης γραμμικής θέσης με γενική «ακρίβεια» μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από [800 + (600 × L/1 000)] nm (όπου L είναι το πραγματικό μήκος, σε nm).


  ΣΗΜ.: Για τα συστήματα «λέιζερ» βλέπε επίσης τη σημείωση για το σημείο 2Β006.β.1.γ. και δ. |
| --- | --- |

α.

Μονάδες ανάδρασης γραμμικής θέσης με γενική «ακρίβεια» μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από [800 + (600 × L/1 000)] nm (όπου L είναι το πραγματικό μήκος, σε nm).

ΣΗΜ.: Για τα συστήματα «λέιζερ» βλέπε επίσης τη σημείωση για το σημείο 2Β006.β.1.γ. και δ.

| β. | Μονάδες ανάδρασης περιστροφικής θέσης με «ακρίβεια» μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,00025°,


  ΣΗΜ.: Για τα συστήματα «λέιζερ» βλέπε επίσης τη σημείωση για το σημείο 2Β006.β.2. |
| --- | --- |

β.

Μονάδες ανάδρασης περιστροφικής θέσης με «ακρίβεια» μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,00025°,

ΣΗΜ.: Για τα συστήματα «λέιζερ» βλέπε επίσης τη σημείωση για το σημείο 2Β006.β.2.

Σημείωση: Στα σημεία 2B008.α. και 2B008.β. δεν υπάγονται μονάδες που δεν είναι σχεδιασμένες για το καθορισμό των πληροφοριών τοποθέτησης για έλεγχο ανάδρασης, όπως οι διατάξεις επαγωγικού τύπου, οι αριθμημένες κλίμακες, τα συστήματα υπερύθρων ή τα συστήματα «λέιζερ».

| γ. | «Τράπεζες σύνθετης περιστροφής» και «ανακλινόμενες άτρακτοι», που μπορούν να χρησιμοποιηθούν για την αναβάθμιση, σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή, εργαλειομηχανών στα καθοριζόμενα στο 2Β ή σε ανώτερα επίπεδα. |
| --- | --- |

γ.

«Τράπεζες σύνθετης περιστροφής» και «ανακλινόμενες άτρακτοι», που μπορούν να χρησιμοποιηθούν για την αναβάθμιση, σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή, εργαλειομηχανών στα καθοριζόμενα στο 2Β ή σε ανώτερα επίπεδα.

2B009

Μηχανές περιδινητικής μορφοποίησης και μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης, οι οποίες, σύμφωνα με τις τεχνικές προδιαγραφές του κατασκευαστή, μπορούν να εφοδιαστούν με μονάδες «ψηφιακού ελέγχου», ή όργανα ελέγχου με υπολογιστή, και οι οποίες έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β109 ΚΑΙ 2Β209.

| α. | Τρεις ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον «έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος», και |
| --- | --- |

α.

Τρεις ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον «έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος», και

| β. | Δύναμη κυλίνδρου άνω των 60 κΝ. |
| --- | --- |

β.

Δύναμη κυλίνδρου άνω των 60 κΝ.

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του σημείου 2Β009, οι μηχανές που συνδυάζουν την περιδινητική και την υδραυλική μορφοποίηση θεωρούνται ως μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης.

2B104

«Ισοστατικές πρέσσες» εκτός από τις προσδιοριζόμενες στην παράγραφο 2Β004, με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β204.

| α. | Μεγίστη πίεση εργασίας 69 ΜΡa ή μεγαλύτερη, |
| --- | --- |

α.

Μεγίστη πίεση εργασίας 69 ΜΡa ή μεγαλύτερη,

| β. | Επίτευξη και διατήρηση περιβάλλοντος ελεγχόμενης θερμοκρασίας 873 K (600 °C) ή μεγαλύτερης, και |
| --- | --- |

β.

Επίτευξη και διατήρηση περιβάλλοντος ελεγχόμενης θερμοκρασίας 873 K (600 °C) ή μεγαλύτερης, και

| γ. | Κοίλωμα θαλάμου εσωτερικής διαμέτρου 254 mm ή μεγαλύτερης. |
| --- | --- |

γ.

Κοίλωμα θαλάμου εσωτερικής διαμέτρου 254 mm ή μεγαλύτερης.

2B105

Κάμινοι (CVD) χημικής εναπόθεσης ατμού, εκτός των προσδιοριζομένων στο 2Β005.α, που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την πύκνωση συνθέτων υλικών άνθρακα-άνθρακα.

2B109

Μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης άλλες από εκείνες που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β009, και ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη τους, ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β209.

| α. | Μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Μπορούν να εφοδιαστούν, σύμφωνα με τις τεχνικές προδιαγραφές του κατασκευαστή, με μονάδες «ψηφιακού ελέγχου» ή όργανα ελέγχου με υπολογιστή, έστω και εάν δεν είναι εφοδιασμένες με τις μονάδες αυτές, και |
| --- | --- | --- |

α.

Μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Μπορούν να εφοδιαστούν, σύμφωνα με τις τεχνικές προδιαγραφές του κατασκευαστή, με μονάδες «ψηφιακού ελέγχου» ή όργανα ελέγχου με υπολογιστή, έστω και εάν δεν είναι εφοδιασμένες με τις μονάδες αυτές, και

| 2. | Έχουν περισσότερους από δύο άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για «έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος». |
| --- | --- |

2.

Έχουν περισσότερους από δύο άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για «έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος».

| β. | Ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη για μηχανές προσδιοριζόμενες στο σημείο 2Β009 ή 2Β109.α. |
| --- | --- |

β.

Ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη για μηχανές προσδιοριζόμενες στο σημείο 2Β009 ή 2Β109.α.

Σημείωση: Στο σημείο 2Β109 δεν υπάγονται μηχανές που δεν χρησιμοποιούνται στην παραγωγή κατασκευαστικών μερών και εξοπλισμού προώθησης (π.χ. περιβλήματα κινητήρων) για συστήματα που καθορίζονται στα σημεία 9Α005, 9Α007.α. ή 9Α105.α.

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του σημείου 2Β109, οι μηχανές που συνδυάζουν την περιδινητική και την υδραυλική μορφοποίηση θεωρούνται ως μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης.

2B116

Συστήματα δονητικών δοκιμών, εξοπλισμός και σχετικά κατασκευαστικά μέρη, ως εξής:

| α. | Συστήματα δονητικών δοκιμών με τεχνικές ανάδρασης ή κλειστού βρόχου, που περιέχουν μονάδα ψηφιακού ελέγχου ικανά να δονούν συστήματα με επιτάχυνση τουλάχιστον 10 g rms σε συχνότητα μεταξύ 20 Hz και 2 kHz ενώ ασκούν δυνάμεις τουλάχιστον 50 kN, μετρούμενες επί «ελευθέρου πάγκου», |
| --- | --- |

α.

Συστήματα δονητικών δοκιμών με τεχνικές ανάδρασης ή κλειστού βρόχου, που περιέχουν μονάδα ψηφιακού ελέγχου ικανά να δονούν συστήματα με επιτάχυνση τουλάχιστον 10 g rms σε συχνότητα μεταξύ 20 Hz και 2 kHz ενώ ασκούν δυνάμεις τουλάχιστον 50 kN, μετρούμενες επί «ελευθέρου πάγκου»,

| β. | Μονάδες ψηφιακού ελέγχου, σε συνδυασμό με ειδικά σχεδιασμένο λογισμικό δονητικών δοκιμών, με «έλεγχο εύρους ζώνης σε πραγματικό χρόνο» άνω των 5 kHz, σχεδιασμένες για χρήση με τα συστήματα δονητικών δοκιμών που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β116.α.,


  Τεχνική παρατήρηση:


  Στο 2B116.β., ως «έλεγχος εύρους ζώνης σε πραγματικό χρόνο» νοείται ο ανώτατος ρυθμός με τον οποίο η μονάδα ελέγχου μπορεί να εκτελέσει πλήρεις κύκλους δειγματοληψίας, επεξεργασίας δεδομένων και διαβίβασης σημάτων ελέγχου. |
| --- | --- |

β.

Μονάδες ψηφιακού ελέγχου, σε συνδυασμό με ειδικά σχεδιασμένο λογισμικό δονητικών δοκιμών, με «έλεγχο εύρους ζώνης σε πραγματικό χρόνο» άνω των 5 kHz, σχεδιασμένες για χρήση με τα συστήματα δονητικών δοκιμών που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β116.α.,

Τεχνική παρατήρηση:

Στο 2B116.β., ως «έλεγχος εύρους ζώνης σε πραγματικό χρόνο» νοείται ο ανώτατος ρυθμός με τον οποίο η μονάδα ελέγχου μπορεί να εκτελέσει πλήρεις κύκλους δειγματοληψίας, επεξεργασίας δεδομένων και διαβίβασης σημάτων ελέγχου.

| γ. | Δονητές (μονάδες ταλάντωσης), με ή χωρίς συνδεδεμένο ενισχυτή, ικανοί να εξασκούν δυνάμεις τουλάχιστον 50 kN, μετρούμενες επί «ελευθέρου πάγκου», και χρησιμοποιούμενοι σε συστήματα δονητικών δοκιμών που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β116.α., |
| --- | --- |

γ.

Δονητές (μονάδες ταλάντωσης), με ή χωρίς συνδεδεμένο ενισχυτή, ικανοί να εξασκούν δυνάμεις τουλάχιστον 50 kN, μετρούμενες επί «ελευθέρου πάγκου», και χρησιμοποιούμενοι σε συστήματα δονητικών δοκιμών που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β116.α.,

| δ. | Βοηθητικές κατασκευές διατάξεων δοκιμής και ηλεκτρονικές μονάδες, σχεδιασμένες να συνδυάζουν πολλαπλούς δονητές, σε σύστημα ικανό να εξασκεί πραγματική συνδυασμένη δύναμη τουλάχιστον 50 kN, μετρούμενη επί «ελευθέρου πάγκου», που χρησιμοποιούνται σε συστήματα δονητικών δοκιμών που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β116.α. |
| --- | --- |

δ.

Βοηθητικές κατασκευές διατάξεων δοκιμής και ηλεκτρονικές μονάδες, σχεδιασμένες να συνδυάζουν πολλαπλούς δονητές, σε σύστημα ικανό να εξασκεί πραγματική συνδυασμένη δύναμη τουλάχιστον 50 kN, μετρούμενη επί «ελευθέρου πάγκου», που χρησιμοποιούνται σε συστήματα δονητικών δοκιμών που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β116.α.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 2Β116, ως «ελεύθερος πάγκος» νοείται επίπεδος πάγκος ή επιφάνεια, που δεν φέρει κατασκευές ή εξαρτήματα.

2B117

Εξοπλισμός και όργανα ελέγχου διεργασιών, πλην των αναφερομένων στα σημεία 2Β004, 2Β005.α., 2Β104 ή 2Β105, που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την πύκνωση και την πυρόλυση δομικών σύνθετων ακροφυσίων πυραύλων και ρυγχών επανεισερχόμενων φορέων.

2B119

Ζυγοσταθμιστικές μηχανές και συναφής εξοπλισμός, ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2B219.

| α. | Ζυγοσταθμιστικές μηχανές με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  1. | Ανίκανες να ζυγοσταθμίζουν στροφείς/συγκροτήματα με μάζα άνω των 3 kg, |
| --- | --- | --- |

α.

Ζυγοσταθμιστικές μηχανές με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1.

Ανίκανες να ζυγοσταθμίζουν στροφείς/συγκροτήματα με μάζα άνω των 3 kg,

| 2. | Ικανές να ζυγοσταθμίζουν στροφείς/συγκροτήματα σε ταχύτητες άνω των 12 500 rpm, |
| --- | --- |

2.

Ικανές να ζυγοσταθμίζουν στροφείς/συγκροτήματα σε ταχύτητες άνω των 12 500 rpm,

| 3. | Ικανές να διορθώνουν ανιστοσταθμίσεις σε δύο ή περισσότερα επίπεδα· και |
| --- | --- |

3.

Ικανές να διορθώνουν ανιστοσταθμίσεις σε δύο ή περισσότερα επίπεδα· και

| 4. | Ικανές να ζυγοσταθμίζουν μέχρι εναπομένουσα ειδική ανισοστάθμιση 0,2 g mm ανά kg μάζας στροφέα. |
| --- | --- |

4.

Ικανές να ζυγοσταθμίζουν μέχρι εναπομένουσα ειδική ανισοστάθμιση 0,2 g mm ανά kg μάζας στροφέα.

Σημείωση: το σημείο 2B119.α. δεν θέτει υπό έλεγχο τις ζυγοσταθμιστικές μηχανές τις σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για οδοντιατρικό ή άλλον ιατρικό εξοπλισμό.

| β. | Ενδεικτικές κεφαλές σχεδιασμένες ή τροποποιημένες προς χρήση με τις μηχανές του σημείου 2B119.α.


  Τεχνική παρατήρηση:


  Οι ενδεικτικές κεφαλές αποκαλούνται ενίοτε και ζυγοσταθμιστικά όργανα. |
| --- | --- |

β.

Ενδεικτικές κεφαλές σχεδιασμένες ή τροποποιημένες προς χρήση με τις μηχανές του σημείου 2B119.α.

Τεχνική παρατήρηση:

Οι ενδεικτικές κεφαλές αποκαλούνται ενίοτε και ζυγοσταθμιστικά όργανα.

2B120

Προσομοιωτές κίνησης ή περιστροφικές τράπεζες με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

| α. | Δύο ή περισσότερους άξονες, |
| --- | --- |

α.

Δύο ή περισσότερους άξονες,

| β. | Σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι ώστε να ενσωματώνουν κινητούς δακτυλίους ή ολοκληρωμένες συσκευές χωρίς απευθείας επαφή με την ικανότητα να μεταδίδουν ηλεκτρική ισχύ, πληροφορίες σήματος ή και αμφότερα, και |
| --- | --- |

β.

Σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι ώστε να ενσωματώνουν κινητούς δακτυλίους ή ολοκληρωμένες συσκευές χωρίς απευθείας επαφή με την ικανότητα να μεταδίδουν ηλεκτρική ισχύ, πληροφορίες σήματος ή και αμφότερα, και

| γ. | Οποιαδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  1. | Όλα τα παρακάτω για κάθε έναν άξονα:






  α. | Ικανότητα ταχύτητας περιστροφής 400 μοιρών ανά sec και άνω, ή 30 μοιρών ανά sec και κάτω, και |
| --- | --- | --- | --- |

γ.

Οποιαδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1.

Όλα τα παρακάτω για κάθε έναν άξονα:

α.

Ικανότητα ταχύτητας περιστροφής 400 μοιρών ανά sec και άνω, ή 30 μοιρών ανά sec και κάτω, και

| β. | Διαχωρισμό ταχυτήτων περιστροφής 6 μοιρών ανά sec ή λιγότερο και ακρίβεια 0,6 μοιρών ανά sec ή λιγότερο, |
| --- | --- |

β.

Διαχωρισμό ταχυτήτων περιστροφής 6 μοιρών ανά sec ή λιγότερο και ακρίβεια 0,6 μοιρών ανά sec ή λιγότερο,

| 2. | Ευστάθεια στη χειρότερη περίπτωση ± 0,05 % (μέσον όρο επί 10 μοίρες ή περισσότερο) ή καλύτερη (μικρότερο ποσοστό), ή |
| --- | --- |

2.

Ευστάθεια στη χειρότερη περίπτωση ± 0,05 % (μέσον όρο επί 10 μοίρες ή περισσότερο) ή καλύτερη (μικρότερο ποσοστό), ή

| 3. | «Ακρίβεια» τοποθέτησης 5 δεύτερα της μοίρας ή λιγότερο (καλύτερη επίδοση). |
| --- | --- |

3.

«Ακρίβεια» τοποθέτησης 5 δεύτερα της μοίρας ή λιγότερο (καλύτερη επίδοση).

Σημείωση 1: Το 2B120 δεν θέτει υπό έλεγχο τις περιστροφικές τράπεζες τις σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για εργαλειομηχανές ή για ιατρικό εξοπλισμό. Για τους ελέγχους επί των περιστροφικών τραπεζών εργαλειομηχανών βλέπε2B008.

Σημείωση 2: Οι προσομοιωτές κίνησης ή περιστροφικές τράπεζες που προσδιορίζονται στο σημείο 2B120 εξακολουθούν να υπάγονται σε αυτό ανεξαρτήτως του αν έχουν τοποθετηθεί κατά τον χρόνο εξαγωγής κινητοί δακτύλιοι ή ολοκληρωμένες συσκευές χωρίς απευθείας επαφή.

2B121

Τράπεζες τοποθέτησης (εξοπλισμός ικανός να καθορίζει με ακρίβεια την περιστροφική θέση σε οποιοδήποτε άξονα) πλην των προσδιοριζόμενων στο 2B120, με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Δύο ή περισσότερους άξονες, και |
| --- | --- |

α.

Δύο ή περισσότερους άξονες, και

| β. | «Ακρίβεια» τοποθέτησης 5 δεύτερα της μοίρας ή λιγότερο (καλύτερη επίδοση). |
| --- | --- |

β.

«Ακρίβεια» τοποθέτησης 5 δεύτερα της μοίρας ή λιγότερο (καλύτερη επίδοση).

Σημείωση: Το 2B121 δεν θέτει υπό έλεγχο τις περιστροφικές τράπεζες τις σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για εργαλειομηχανές ή για ιατρικό εξοπλισμό. Για τους ελέγχους επί των περιστροφικών τραπεζών εργαλειομηχανών βλέπε2B008.

2B122

Φυγοκεντρητές ικανοί να προσδίδουν επιταχύνσεις άνω των 100 g, σχεδιασμένοι και τροποποιημένοι κατά τρόπον ώστε να έχουν ενσωματωμένους κινητούς δακτυλίους ή ολοκληρωμένες συσκευές χωρίς απευθείας επαφή με την ικανότητα να μεταδίδουν ηλεκτρική ισχύ, πληροφορίες σήματος ή και αμφότερα.

Σημείωση: Οι φυγοκεντρητές που προσδιορίζονται στο σημείο 2B122 εξακολουθούν να υπάγονται σε αυτό ανεξαρτήτως του αν έχουν τοποθετηθεί κατά τον χρόνο εξαγωγής κινητοί δακτύλιοι ή ολοκληρωμένες συσκευές χωρίς απευθείας επαφή.

2B201

Εργαλειομηχανές και συνδυασμοί τους, εκτός από εκείνες που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β001, για την αφαίρεση ή την κοπή μεταλλικών, κεραμικών ή σύνθετων υλικών, οι οποίες, σύμφωνα με τις τεχνικές προδιαγραφές του κατασκευαστή, μπορούν να εφοδιαστούν με ηλεκτρονικές διατάξεις για ταυτόχρονο «έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος» σε δύο ή περισσότερους άξονες, ως εξής:

| α. | Εργαλειομηχανές για φραιζάρισμα, με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Ακρίβεια τοποθέτησης με «όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις» μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 6 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) (10) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα, ή |
| --- | --- | --- |

α.

Εργαλειομηχανές για φραιζάρισμα, με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Ακρίβεια τοποθέτησης με «όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις» μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 6 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) (10) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα, ή

| 2. | Δύο ή περισσότερους άξονες περιστροφής για τη διαμόρφωση περιγράμματος. |
| --- | --- |

2.

Δύο ή περισσότερους άξονες περιστροφής για τη διαμόρφωση περιγράμματος.

Σημείωση: Στο σημείο 2Β201.α. δεν υπάγονται οι μηχανές για φρεζάρισμα με τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Διαδρομή κατά τον άξονα μεγαλύτερη από 2 m: και |
| --- | --- |

α.

Διαδρομή κατά τον άξονα μεγαλύτερη από 2 m: και

| β. | Γενική ακρίβεια τοποθέτησης στον άξονα των × μεγαλύτερη (χειρότερη) από 30 μm. |
| --- | --- |

β.

Γενική ακρίβεια τοποθέτησης στον άξονα των × μεγαλύτερη (χειρότερη) από 30 μm.

| β. | Εργαλειομηχανές για τρόχισμα έχουσες οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Ακρίβεια τοποθέτησης με «όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις» μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 4 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) (11) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα, ή |
| --- | --- | --- |

β.

Εργαλειομηχανές για τρόχισμα έχουσες οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Ακρίβεια τοποθέτησης με «όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις» μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 4 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) (11) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα, ή

| 2. | Δύο ή περισσότερους άξονες περιστροφής για τη διαμόρφωση περιγράμματος. |
| --- | --- |

2.

Δύο ή περισσότερους άξονες περιστροφής για τη διαμόρφωση περιγράμματος.

Σημείωση: Στο σημείο 2Β201.β. δεν υπάγονται οι ακόλουθες μηχανές για τρόχισμα:

| α. | Μηχανές για τρόχισμα κυλινδρικών εξωτερικών, εσωτερικών και εξωτερικών/εσωτερικών επιφανειών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:








  1. | Περιορίζονται στο να δέχονται αντικείμενα προς κατεργασία μέγιστης εξωτερικής διαμέτρου ή μέγιστου μήκους 150 mm, και |
| --- | --- | --- |

α.

Μηχανές για τρόχισμα κυλινδρικών εξωτερικών, εσωτερικών και εξωτερικών/εσωτερικών επιφανειών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Περιορίζονται στο να δέχονται αντικείμενα προς κατεργασία μέγιστης εξωτερικής διαμέτρου ή μέγιστου μήκους 150 mm, και

| 2. | Διαθέτουν μόνον άξονες x, z και c, |
| --- | --- |

2.

Διαθέτουν μόνον άξονες x, z και c,

| β. | Μηχανές για τρόχισμα με περιτύπωμα οι οποίες δεν διαθέτουν άξονα z ή άξονα w, με συνολική ακρίβεια τοποθέτησης μικρότερη (καλύτερη) από 4 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988)
   (12)
  ή τα εθνικά ισοδύναμα. |
| --- | --- |

β.

Μηχανές για τρόχισμα με περιτύπωμα οι οποίες δεν διαθέτουν άξονα z ή άξονα w, με συνολική ακρίβεια τοποθέτησης μικρότερη (καλύτερη) από 4 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988)
   (12)
  ή τα εθνικά ισοδύναμα.

Σημείωση 1: Στο σημείο 2Β201 δεν υπάγονται εργαλειομηχανές ειδικών χρήσεων που προορίζονται μόνον για την κατασκευή ενός από τα ακόλουθα:

| α. | Οδοντωτών τροχών, |
| --- | --- |

α.

Οδοντωτών τροχών,

| β. | Στροφαλοφόρων ή εκκεντροφόρων αξόνων, |
| --- | --- |

β.

Στροφαλοφόρων ή εκκεντροφόρων αξόνων,

| γ. | Εργαλείων ή κοπτικών εργαλείων, |
| --- | --- |

γ.

Εργαλείων ή κοπτικών εργαλείων,

| δ. | Ατερμόνων κοχλιών διελαστήρων. |
| --- | --- |

δ.

Ατερμόνων κοχλιών διελαστήρων.

Σημείωση 2: Οι εργαλειομηχανές που έχουν δύο τουλάχιστον από τις παρακάτω αναφερόμενες ικανότητες: τόρνευση, φρεζάρισμα, τρόχισμα (π.χ., τορνευτικές εργαλειομηχανές με ικανότητα φρεζαρίσματος), πρέπει να αξιολογούνται με βάση όλα τα αντίστοιχα σημεία 2Β001.α ή 2Β201.α. ή β.

2B204

«Ισοστατικές πρέσες», εκτός από τις προσδιοριζόμενες στην παράγραφο 2Β004 ή 2Β104 και συναφής εξοπλισμός, ως εξής:

| α. | «Ισοστατικές πρέσες» με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Ικανές να επιτυγχάνουν μέγιστη πίεση εργασίας 69 MPa ή μεγαλύτερη, και |
| --- | --- | --- |

α.

«Ισοστατικές πρέσες» με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Ικανές να επιτυγχάνουν μέγιστη πίεση εργασίας 69 MPa ή μεγαλύτερη, και

| 2. | Με κοίλωμα θαλάμου εσωτερικής διαμέτρου άνω των 152 mm. |
| --- | --- |

2.

Με κοίλωμα θαλάμου εσωτερικής διαμέτρου άνω των 152 mm.

| β. | Μήτρες, τύποι και όργανα χειρισμού, ειδικά σχεδιασμένα για «ισοστατικές πρέσες» που προσδιορίζονται στο σημείο 2B204.α. |
| --- | --- |

β.

Μήτρες, τύποι και όργανα χειρισμού, ειδικά σχεδιασμένα για «ισοστατικές πρέσες» που προσδιορίζονται στο σημείο 2B204.α.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 2Β204, εσωτερική διάσταση θαλάμου είναι η εσωτερική διάσταση του θαλάμου, στον οποίο επιτυγχάνονται τόσο η θερμοκρασία όσο και η πίεση εργασίας και δεν περιλαμβάνει τον εξοπλισμό για τη συγκράτηση των προς κατεργασίαν αντικειμένων. Η διάσταση αυτή είναι η μικρότερη από τις εσωτερικές διαμέτρους είτε του θαλάμου πιέσεως είτε του μονωμένου θαλάμου του κλιβάνου, ανάλογα με το ποιος από τους δύο βρίσκεται μέσα στον άλλο.

2B206

Μηχανές, όργανα ή συστήματα ελέγχου ή μέτρησης διαστάσεων, εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β006, ως εξής:

| α. | Μηχανές μέτρησης συντεταγμένων (CMM) με έλεγχο από υπολογιστή ή ψηφιακό έλεγχο με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Δύο άξονες και μέγιστο επιτρεπτό σφάλμα μέτρησης μήκους κατά μήκος οποιουδήποτε άξονα (μονοδιάστατο), συμβολιζόμενο με οποιονδήποτε συνδυασμό των E0x,MPE, E0y,MPE, ή E0z,MPE, ίσο ή μικρότερο (καλύτερο) από (1,25 + L/1 000) μm, όπου L το μετρούμενο μήκος σε mm, σε οποιοδήποτε σημείο εντός του πεδίου λειτουργίας της μηχανής (δηλαδή του μήκους του άξονα), σύμφωνα με το πρότυπο ISO 10360-2(2009), ή |
| --- | --- | --- |

α.

Μηχανές μέτρησης συντεταγμένων (CMM) με έλεγχο από υπολογιστή ή ψηφιακό έλεγχο με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Δύο άξονες και μέγιστο επιτρεπτό σφάλμα μέτρησης μήκους κατά μήκος οποιουδήποτε άξονα (μονοδιάστατο), συμβολιζόμενο με οποιονδήποτε συνδυασμό των E0x,MPE, E0y,MPE, ή E0z,MPE, ίσο ή μικρότερο (καλύτερο) από (1,25 + L/1 000) μm, όπου L το μετρούμενο μήκος σε mm, σε οποιοδήποτε σημείο εντός του πεδίου λειτουργίας της μηχανής (δηλαδή του μήκους του άξονα), σύμφωνα με το πρότυπο ISO 10360-2(2009), ή

| 2. | Τρεις ή περισσότερους άξονες και τρισδιάστατο (ογκομετρικό) μέγιστο επιτρεπτό σφάλμα μέτρησης μήκους (E0,MPE) ίσο ή μικρότερο (καλύτερο) από (1,7 + L/800) μm, όπου L το μετρούμενο μήκος σε mm, σε οποιοδήποτε σημείο εντός του πεδίου λειτουργίας της μηχανής (δηλαδή του μήκους του άξονα), σύμφωνα με το πρότυπο ISO 10360-2(2009), |
| --- | --- |

2.

Τρεις ή περισσότερους άξονες και τρισδιάστατο (ογκομετρικό) μέγιστο επιτρεπτό σφάλμα μέτρησης μήκους (E0,MPE) ίσο ή μικρότερο (καλύτερο) από (1,7 + L/800) μm, όπου L το μετρούμενο μήκος σε mm, σε οποιοδήποτε σημείο εντός του πεδίου λειτουργίας της μηχανής (δηλαδή του μήκους του άξονα), σύμφωνα με το πρότυπο ISO 10360-2(2009),

Τεχνική παρατήρηση:

Με το όριο των 1,7 + L/800 μm συγκρίνεται το E0,MPE του ακριβέστερου διασχηματισμού της μηχανής που προσδιορίζεται από τον κατασκευαστή σύμφωνα με το πρότυπο ISO 10360-2(2009) (με όλα δηλαδή τα παρακάτω ρυθμισμένα όσο το δυνατόν καλύτερα: μήλη, μήκος στύλου, παράμετροι κίνησης, περιβάλλον) και με «όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις».

| β. | Συστήματα για τον ταυτόχρονο γραμμικό και γωνιακό έλεγχο ημισφαιρικών δομών με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | «Αβεβαιότητα μέτρησης» κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 3,5 μm ανά 5 mm, και |
| --- | --- | --- |

β.

Συστήματα για τον ταυτόχρονο γραμμικό και γωνιακό έλεγχο ημισφαιρικών δομών με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

«Αβεβαιότητα μέτρησης» κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 3,5 μm ανά 5 mm, και

| 2. | «Απόκλιση γωνιακής θέσης» ίση ή μικρότερη από 0,02°. |
| --- | --- |

2.

«Απόκλιση γωνιακής θέσης» ίση ή μικρότερη από 0,02°.

Σημείωση 1: Οι εργαλειομηχανές που μπορούν να χρησιμοποιηθούν ως μηχανές μετρήσεων υπόκεινται στον έλεγχο, εφόσον πληρούν τα κριτήρια που καθορίζονται για τη λειτουργία των αντίστοιχων εργαλειομηχανών ή μηχανών μετρήσεων ή ανώτερα κριτήρια.

Σημείωση 2: Μία μηχανή που περιγράφεται στην παράγραφο 2Β206 υπόκειται στον έλεγχο, εφόσον υπερκαλύπτει το κατώτερο όριο ελέγχου σε οποιοδήποτε σημείο της κλίμακας λειτουργίας της.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

Όλες οι παράμετροι των μετρούμενων τιμών στο 2B206 παριστούν τιμές συν/πλην και όχι συνολικό εύρος.

2B207

«Ρομπότ», «επενεργητές πέρατος» και μονάδες χειρισμού, εκτός από τα προσδιοριζόμενα στην παράγραφο 2Β007, ως εξής:

| α. | «Ρομπότ» ή «επενεργητές πέρατος» ειδικά σχεδιασμένα ώστε να ανταποκρίνονται στα εθνικά πρότυπα ασφαλείας που εφαρμόζονται στο χειρισμό ισχυρών εκρηκτικών (π.χ. τιμές κανονισμού ηλεκτρολογικών εγκαταστάσεων για τα ισχυρά εκρηκτικά). |
| --- | --- |

α.

«Ρομπότ» ή «επενεργητές πέρατος» ειδικά σχεδιασμένα ώστε να ανταποκρίνονται στα εθνικά πρότυπα ασφαλείας που εφαρμόζονται στο χειρισμό ισχυρών εκρηκτικών (π.χ. τιμές κανονισμού ηλεκτρολογικών εγκαταστάσεων για τα ισχυρά εκρηκτικά).

| β. | Μονάδες χειρισμού ειδικά σχεδιασμένες για κάποιο από τα «ρομπότ» ή «επενεργητές πέρατος» του σημείου 2B207.α. |
| --- | --- |

β.

Μονάδες χειρισμού ειδικά σχεδιασμένες για κάποιο από τα «ρομπότ» ή «επενεργητές πέρατος» του σημείου 2B207.α.

2B209

Μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης, μηχανές περιδινητικής μορφοποίησης, ικανές για λειτουργίες υδραυλικής μορφοποίησης, άλλες από εκείνες που προσδιορίζονται στα σημεία 2Β009 ή 2Β109 και βοηθητικοί άξονες (μαντρέλια), ως εξής:

| α. | Μηχανές με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Τρεις ή περισσότερους κυλίνδρους (ενεργούς ή κατεύθυνσης)· και |
| --- | --- | --- |

α.

Μηχανές με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Τρεις ή περισσότερους κυλίνδρους (ενεργούς ή κατεύθυνσης)· και

| 2. | Ικανότητα να εφοδιαστούν, σύμφωνα με τις τεχνικές προδιαγραφές του κατασκευαστή, με μονάδες «ψηφιακού ελέγχου» ή όργανα ελέγχου με υπολογιστή. |
| --- | --- |

2.

Ικανότητα να εφοδιαστούν, σύμφωνα με τις τεχνικές προδιαγραφές του κατασκευαστή, με μονάδες «ψηφιακού ελέγχου» ή όργανα ελέγχου με υπολογιστή.

| β. | Βοηθητικοί άξονες (μαντρέλια) για τη μορφοποίηση κυλινδρικών δρομέων (ροτόρων) εσωτερικής διαμέτρου 75 mm έως 400 mm. |
| --- | --- |

β.

Βοηθητικοί άξονες (μαντρέλια) για τη μορφοποίηση κυλινδρικών δρομέων (ροτόρων) εσωτερικής διαμέτρου 75 mm έως 400 mm.

Σημείωση: Το σημείο 2Β209.α. περιλαμβάνει μηχανές που έχουν μόνο έναν ενιαίο κύλινδρο σχεδιασμένο για την παραμόρφωση μετάλλων και δύο επικουρικούς κυλίνδρους που υποστηρίζουν τον βοηθητικό άξονα (μαντρέλι), αλλά δεν συμμετέχουν άμεσα στη διαδικασία παραμόρφωσης.

2B219

Φυγοκεντρικά μηχανήματα πολυεπίπεδης ζυγοστάθμισης, μόνιμα ή φορητά, οριζόντια ή κατακόρυφα, ως εξής:

| α. | Φυγοκεντρικές μηχανές ζυγοστάθμισης, που έχουν σχεδιαστεί για τη ζυγοστάθμιση εύκαμπτων ροτόρων μήκους 600 mm ή μεγαλύτερου και διαθέτουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Διάμετρο ταλαντωτή ή στροφέα μεγαλύτερη από 75 mm, |
| --- | --- | --- |

α.

Φυγοκεντρικές μηχανές ζυγοστάθμισης, που έχουν σχεδιαστεί για τη ζυγοστάθμιση εύκαμπτων ροτόρων μήκους 600 mm ή μεγαλύτερου και διαθέτουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Διάμετρο ταλαντωτή ή στροφέα μεγαλύτερη από 75 mm,

| 2. | Δυναμικότητα μάζας 0,9 έως 23 kg, και |
| --- | --- |

2.

Δυναμικότητα μάζας 0,9 έως 23 kg, και

| 3. | Ικανότητα ζυγοστάθμισης σε ταχύτητες περιστροφής υψηλότερες από 5 000 rpm. |
| --- | --- |

3.

Ικανότητα ζυγοστάθμισης σε ταχύτητες περιστροφής υψηλότερες από 5 000 rpm.

| β. | Φυγοκεντρικά μηχανήματα ζυγοστάθμισης, που έχουν σχεδιαστεί για τη ζυγοστάθμιση κοίλων κυλινδρικών συστατικών μερών ροτόρων και διαθέτουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Διάμετρο στροφέα μεγαλύτερη από 75 mm, |
| --- | --- | --- |

β.

Φυγοκεντρικά μηχανήματα ζυγοστάθμισης, που έχουν σχεδιαστεί για τη ζυγοστάθμιση κοίλων κυλινδρικών συστατικών μερών ροτόρων και διαθέτουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Διάμετρο στροφέα μεγαλύτερη από 75 mm,

| 2. | Δυναμικότητα μάζας 0,9 έως 23 kg, |
| --- | --- |

2.

Δυναμικότητα μάζας 0,9 έως 23 kg,

| 3. | Ικανότητα ζυγοστάθμισης μέχρι παραμένουσα έλλειψη ισορροπίας το πολύ 0,01 kg × mm/kg ανά επίπεδο, και |
| --- | --- |

3.

Ικανότητα ζυγοστάθμισης μέχρι παραμένουσα έλλειψη ισορροπίας το πολύ 0,01 kg × mm/kg ανά επίπεδο, και

| 4. | Μετάδοση κινήσεως με ιμάντα. |
| --- | --- |

4.

Μετάδοση κινήσεως με ιμάντα.

2B225

Τηλεχειριστές που μπορούν να χρησιμοποιηθούν για χειρισμούς εξ αποστάσεως σε εργασίες ραδιοχημικού διαχωρισμού ή θερμούς θαλάμους, με ένα από τα εξής δύο χαρακτηριστικά:

| α. | Ικανότητα να διαπερνούν τοιχώματα θερμών (θωρακισμένων) θαλάμων πάχους 0,6 m ή μεγαλύτερου (εργασία διαμέσου του τοιχώματος), ή |
| --- | --- |

α.

Ικανότητα να διαπερνούν τοιχώματα θερμών (θωρακισμένων) θαλάμων πάχους 0,6 m ή μεγαλύτερου (εργασία διαμέσου του τοιχώματος), ή

| β. | Ικανότητα να υπερπηδούν τοιχώματα θερμών (θωρακισμένων) θαλάμων πάχους 0,6 m ή μεγαλύτερου (εργασία πάνω από το τοίχωμα). |
| --- | --- |

β.

Ικανότητα να υπερπηδούν τοιχώματα θερμών (θωρακισμένων) θαλάμων πάχους 0,6 m ή μεγαλύτερου (εργασία πάνω από το τοίχωμα).

Τεχνική παρατήρηση:

Οι τηλεχειριστές επιτυγχάνουν μεταφορά των κινήσεων του ανθρώπου-χειριστή με ένα ενεργητικό βραχίονα και μία τελική διάταξη συγκράτησης. Πρέπει να είναι του τύπου κύριος/υπηρέτης (master/slaνe) ή να ελέγχονται μέσω «joystick» ή πληκτρολογίου.

2B226

Επαγωγικές κάμινοι ελεγχόμενης ατμόσφαιρας (κενού ή αδρανούς αερίου), και τροφοδοτικά ισχύος γι’ αυτές, ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 3Β.

| α. | Κάμινοι με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Ικανότητα λειτουργίας σε θερμοκρασίες άνω των 1 123 K (850 °C), |
| --- | --- | --- |

α.

Κάμινοι με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Ικανότητα λειτουργίας σε θερμοκρασίες άνω των 1 123 K (850 °C),

| 2. | Επαγωγικά πηνία διαμέτρου 600 mm και κάτω, και |
| --- | --- |

2.

Επαγωγικά πηνία διαμέτρου 600 mm και κάτω, και

| 3. | Σχεδιασμό για εισροή ισχύος 5 kw και άνω. |
| --- | --- |

3.

Σχεδιασμό για εισροή ισχύος 5 kw και άνω.

| β. | Τροφοδοτικά ισχύος με προσδιορισμένη εκροή ισχύος 5 kw και άνω, ειδικά σχεδιασμένα για τις καμίνους που προσδιορίζονται στο σημείο 2B226.α. |
| --- | --- |

β.

Τροφοδοτικά ισχύος με προσδιορισμένη εκροή ισχύος 5 kw και άνω, ειδικά σχεδιασμένα για τις καμίνους που προσδιορίζονται στο σημείο 2B226.α.

Σημείωση: Στο σημείο 2Β226.α. δεν υπάγονται οι κάμινοι που προορίζονται για την επεξεργασία πλακιδίων μονοκρυστάλλου ημιαγωγών.

2B227

Μεταλλουργικές κάμινοι κενού ή άλλης ελεγχόμενης ατμόσφαιρας για τήξη και χύτευση και συναφής εξοπλισμός, ως εξής:

| α. | Κάμινοι ηλεκτρικού τόξου για ανάτηξη και χύτευση με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Δυναμικότητα αναλώσιμου ηλεκτροδίου 1 000 cm3 έως 20 000 cm3, και |
| --- | --- | --- |

α.

Κάμινοι ηλεκτρικού τόξου για ανάτηξη και χύτευση με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Δυναμικότητα αναλώσιμου ηλεκτροδίου 1 000 cm3 έως 20 000 cm3, και

| 2. | Ικανότητα λειτουργίας σε θερμοκρασίες τήξεως υψηλότερες από 1 973 K (1 700 °C). |
| --- | --- |

2.

Ικανότητα λειτουργίας σε θερμοκρασίες τήξεως υψηλότερες από 1 973 K (1 700 °C).

| β. | Κάμινοι τήξεως με δέσμη ηλεκτρονίων και κάμινοι ψεκασμού και τήξεως με πλάσμα, με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Ισχύς 50 kw ή μεγαλύτερης, και |
| --- | --- | --- |

β.

Κάμινοι τήξεως με δέσμη ηλεκτρονίων και κάμινοι ψεκασμού και τήξεως με πλάσμα, με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Ισχύς 50 kw ή μεγαλύτερης, και

| 2. | Ικανότητα λειτουργίας σε θερμοκρασίες τήξεως υψηλότερες από 1 473 K (1 200 °C). |
| --- | --- |

2.

Ικανότητα λειτουργίας σε θερμοκρασίες τήξεως υψηλότερες από 1 473 K (1 200 °C).

| γ. | Συστήματα ελέγχου και παρακολούθησης με υπολογιστή ειδικά σχεδιασμένα για οποιαδήποτε από τις καμίνους που προσδιορίζονται στα σημεία 2B227.α και β. |
| --- | --- |

γ.

Συστήματα ελέγχου και παρακολούθησης με υπολογιστή ειδικά σχεδιασμένα για οποιαδήποτε από τις καμίνους που προσδιορίζονται στα σημεία 2B227.α και β.

2B228

Εξοπλισμός κατασκευής ή συναρμολόγησης δρομέων (ροτόρων), εξοπλισμός ευθειασμού δρομέων, και βοηθητικοί άξονες (μαντρέλια) και μήτρες μορφοποίησης φυσητήρων, ως εξής:

| α. | Εξοπλισμός συναρμολόγησης ροτόρων για τη συναρμολόγηση αυλωτών διατομών ροτόρων, διαφραγμάτων και τερματικών πωμάτων ροτόρων για φυγοκέντρους αερίου,


  Σημείωση: Στο σημείο 2B228.α. περιλαμβάνονται τα ανάλογα μαντρέλια ακριβείας, οι σφιγκτήρες και τα μηχανήματα συναρμογής με σύσφιγξη διαστολής-συστολής. |
| --- | --- |

α.

Εξοπλισμός συναρμολόγησης ροτόρων για τη συναρμολόγηση αυλωτών διατομών ροτόρων, διαφραγμάτων και τερματικών πωμάτων ροτόρων για φυγοκέντρους αερίου,

Σημείωση: Στο σημείο 2B228.α. περιλαμβάνονται τα ανάλογα μαντρέλια ακριβείας, οι σφιγκτήρες και τα μηχανήματα συναρμογής με σύσφιγξη διαστολής-συστολής.

| β. | Εξοπλισμός ευθυγράμμισης ροτόρων για την ευθυγράμμιση επί κοινού άξονα αυλωτών διατομών ροτόρων για φυγοκέντρους αερίου.


  Τεχνική παρατήρηση:


  Ο προσδιοριζόμενος στο σημείο 2.Β.228.β εξοπλισμός συνίσταται κατά κανόνα από καθετήρες μετρήσεων ακριβείας συνδεδεμένους με υπολογιστή, ο οποίος ελέγχει την επενέργεια π.χ. πνευματικών εμβόλων, που ευθυγραμμίζουν τις αυλωτές διατομές των ροτόρων. |
| --- | --- |

β.

Εξοπλισμός ευθυγράμμισης ροτόρων για την ευθυγράμμιση επί κοινού άξονα αυλωτών διατομών ροτόρων για φυγοκέντρους αερίου.

Τεχνική παρατήρηση:

Ο προσδιοριζόμενος στο σημείο 2.Β.228.β εξοπλισμός συνίσταται κατά κανόνα από καθετήρες μετρήσεων ακριβείας συνδεδεμένους με υπολογιστή, ο οποίος ελέγχει την επενέργεια π.χ. πνευματικών εμβόλων, που ευθυγραμμίζουν τις αυλωτές διατομές των ροτόρων.

| γ. | Μαντρέλια και μήτρες μορφοποίησης φυσητήρων για την κατασκευή φυσητήρων απλής έλικας (φυσητήρες).


  Τεχνική παρατήρηση:


  Οι φυσητήρες του σημείου 2B228.γ. έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:








  1. | Εσωτερική διάμετρο 75 mm έως 400 mm. |
| --- | --- | --- |

γ.

Μαντρέλια και μήτρες μορφοποίησης φυσητήρων για την κατασκευή φυσητήρων απλής έλικας (φυσητήρες).

Τεχνική παρατήρηση:

Οι φυσητήρες του σημείου 2B228.γ. έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Εσωτερική διάμετρο 75 mm έως 400 mm.

| 2. | Μήκος 12,7 mm ή μεγαλύτερο. |
| --- | --- |

2.

Μήκος 12,7 mm ή μεγαλύτερο.

| 3. | Βάθος της απλής έλικας μεγαλύτερο από 2 mm· και |
| --- | --- |

3.

Βάθος της απλής έλικας μεγαλύτερο από 2 mm· και

| 4. | Κατασκευή από κράματα αργιλίου υψηλής αντοχής, χάλυβα μαρτενγήρανσης ή «ινώδη ή νηματώδη υλικά» υψηλής αντοχής. |
| --- | --- |

4.

Κατασκευή από κράματα αργιλίου υψηλής αντοχής, χάλυβα μαρτενγήρανσης ή «ινώδη ή νηματώδη υλικά» υψηλής αντοχής.

2B230

Όλοι οι τύποι «μορφοτροπέων πιέσεως» με ικανότητα μέτρησης απόλυτων πιέσεων και με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Αισθητήρες πιέσεως κατασκευασμένους ή προστατευόμενους από αργίλιο, κράματα αργιλίου, οξείδιο αργιλίου (αλουμίνα ή σάπφειρο), νικέλιο, κράματα νικελίου με περιεκτικότητα σε νικέλιο άνω του 60 % κατά βάρος, ή πλήρως φθοριωμένα πολυμερή υδρογονανθράκων, |
| --- | --- |

α.

Αισθητήρες πιέσεως κατασκευασμένους ή προστατευόμενους από αργίλιο, κράματα αργιλίου, οξείδιο αργιλίου (αλουμίνα ή σάπφειρο), νικέλιο, κράματα νικελίου με περιεκτικότητα σε νικέλιο άνω του 60 % κατά βάρος, ή πλήρως φθοριωμένα πολυμερή υδρογονανθράκων,

| β. | Παρεμβύσματα, κατά περίπτωση, για τη στεγανοποίηση του αισθητήρα πιέσεως, και σε άμεση επαφή με τον παράγοντα επεξεργασίας, κατασκευασμένα ή προστατευόμενα από αργίλιο, κράματα αργιλίου, οξείδιο αργιλίου (αλουμίνα ή σάπφειρο), νικέλιο, κράματα νικελίου με περιεκτικότητα σε νικέλιο άνω του 60 % κατά βάρος, ή πλήρως φθοριωμένα πολυμερή υδρογονανθράκων, και |
| --- | --- |

β.

Παρεμβύσματα, κατά περίπτωση, για τη στεγανοποίηση του αισθητήρα πιέσεως, και σε άμεση επαφή με τον παράγοντα επεξεργασίας, κατασκευασμένα ή προστατευόμενα από αργίλιο, κράματα αργιλίου, οξείδιο αργιλίου (αλουμίνα ή σάπφειρο), νικέλιο, κράματα νικελίου με περιεκτικότητα σε νικέλιο άνω του 60 % κατά βάρος, ή πλήρως φθοριωμένα πολυμερή υδρογονανθράκων, και

| γ. | Οποιαδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  1. | Πλήρη κλίμακα κάτω των 13 kPa και «ακρίβεια» μεγαλύτερη από +1 % της πλήρους κλίμακας, ή |
| --- | --- | --- |

γ.

Οποιαδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1.

Πλήρη κλίμακα κάτω των 13 kPa και «ακρίβεια» μεγαλύτερη από +1 % της πλήρους κλίμακας, ή

| 2. | Πλήρη κλίμακα 13 kPa ή μεγαλύτερη και «ακρίβεια» μεγαλύτερη από ± 130 Pa, μετρούμενη στα 13 kPa. |
| --- | --- |

2.

Πλήρη κλίμακα 13 kPa ή μεγαλύτερη και «ακρίβεια» μεγαλύτερη από ± 130 Pa, μετρούμενη στα 13 kPa.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Στο σημείο 2B230 «μορφοτροπέας πίεσης» σημαίνει μια διάταξη που μετατρέπει μια μέτρηση πίεσης σε σήμα. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Για τους σκοπούς του σημείου 2Β230, η «ακρίβεια» περιλαμβάνει τη μη γραμμικότητα, την υστέρηση και την επαναληψιμότητα σε θερμοκρασία περιβάλλοντος χώρου. |
| --- | --- |

2.

2B231

Αντλίες κενού με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Στόμιο εισόδου μεγέθους 380 mm ή μεγαλύτερο, |
| --- | --- |

α.

Στόμιο εισόδου μεγέθους 380 mm ή μεγαλύτερο,

| β. | Ταχύτητα άντλησης 15 m3/s ή υψηλότερη, και |
| --- | --- |

β.

Ταχύτητα άντλησης 15 m3/s ή υψηλότερη, και

| γ. | Ικανότητα επίτευξης τελικού κενού καλύτερου από 13 mPa. |
| --- | --- |

γ.

Ικανότητα επίτευξης τελικού κενού καλύτερου από 13 mPa.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Η ταχύτητα άντλησης προσδιορίζεται στο σημείο μέτρησης με άζωτο ή αέρα. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Το τελικό κενό προσδιορίζεται στην είσοδο της αντλίας ενώ αυτή είναι τελείως φραγμένη. |
| --- | --- |

2.

2B232

Συστήματα πυροβόλων υψηλής ταχύτητας (με προωθητικό, αέριο, πηνίο, ηλεκτρομαγνητικού και ηλεκτροθερμικού τύπου, και άλλα συστήματα προηγμένης τεχνολογίας), ικανά να επιταχύνουν βλήματα σε ταχύτητα 1,5 km/s ή μεγαλύτερη.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ.

2B233

Συμπιεστές τύπου κυλίσεως με διαστολικό σύνδεσμο και αντλίες κενού τύπου κυλίσεως με διαστολικό σύνδεσμο που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2B350.θ.

| α. | Με δυνατότητα ροής όγκου εισαγωγής 50 m3/h ή μεγαλύτερη, |
| --- | --- |

α.

Με δυνατότητα ροής όγκου εισαγωγής 50 m3/h ή μεγαλύτερη,

| β. | Με δυνατότητα λόγου πίεσης 2:1 ή μεγαλύτερη, και |
| --- | --- |

β.

Με δυνατότητα λόγου πίεσης 2:1 ή μεγαλύτερη, και

| γ. | Με όλες τις επιφάνειες που έρχονται σε επαφή με το αέριο επεξεργασίας κατασκευασμένες από κάποιο από τα εξής υλικά:






  1. | Αργίλιο ή κράματα αργιλίου, |
| --- | --- | --- |

γ.

Με όλες τις επιφάνειες που έρχονται σε επαφή με το αέριο επεξεργασίας κατασκευασμένες από κάποιο από τα εξής υλικά:

1.

Αργίλιο ή κράματα αργιλίου,

| 2. | Οξείδιο του αργιλίου, |
| --- | --- |

2.

Οξείδιο του αργιλίου,

| 3. | Ανοξείδωτο χάλυβα, |
| --- | --- |

3.

Ανοξείδωτο χάλυβα,

| 4. | Νικέλιο ή κράματα νικελίου, |
| --- | --- |

4.

Νικέλιο ή κράματα νικελίου,

| 5. | Φωσφορούχο χαλκό, ή |
| --- | --- |

5.

Φωσφορούχο χαλκό, ή

| 6. | Φθοριούχα πολυμερή. |
| --- | --- |

6.

Φθοριούχα πολυμερή.

2B350

Τεχνικά μέσα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη χημικής βιομηχανικής παραγωγής ως εξής:

| α. | Δοχεία αντιδραστήρων ή αντιδραστήρες, με ή χωρίς αναδευτήρες, συνολικού εσωτερικού (γεωμετρικού) όγκου άνω του 0,1 m3 (100 LTL) και κάτω των 20 m3 (20 000 LTL), στους οποίους όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:






  1. | «Κράματα» περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β., |
| --- | --- | --- |

α.

Δοχεία αντιδραστήρων ή αντιδραστήρες, με ή χωρίς αναδευτήρες, συνολικού εσωτερικού (γεωμετρικού) όγκου άνω του 0,1 m3 (100 LTL) και κάτω των 20 m3 (20 000 LTL), στους οποίους όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1.

«Κράματα» περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β.,

| 2. | Φθοριούχα πολυμερή (πολυμερή ή ελαστομερή υλικά με περιεκτικότητα σε φθόριο άνω του 35 % κ.β.) |
| --- | --- |

2.

Φθοριούχα πολυμερή (πολυμερή ή ελαστομερή υλικά με περιεκτικότητα σε φθόριο άνω του 35 % κ.β.)

| 3. | Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων), |
| --- | --- |

3.

Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων),

| 4. | Νικέλια ή «κράματα» περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο, |
| --- | --- |

4.

Νικέλια ή «κράματα» περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο,

| 5. | Ταντάλιο ή «κράματα» τανταλίου, |
| --- | --- |

5.

Ταντάλιο ή «κράματα» τανταλίου,

| 6. | Τιτάνιο ή «κράματα» τιτανίου, |
| --- | --- |

6.

Τιτάνιο ή «κράματα» τιτανίου,

| 7. | Ζιρκόνιο ή «κράματα» ζιρκονίου, ή |
| --- | --- |

7.

Ζιρκόνιο ή «κράματα» ζιρκονίου, ή

| 8. | Νιόβιο ή «κράματα» νιοβίου. |
| --- | --- |

8.

Νιόβιο ή «κράματα» νιοβίου.

| β. | Αναδευτήρες σχεδιασμένοι για να χρησιμοποιούνται σε δοχεία αντιδραστήρων ή αντιδραστήρες που ορίζονται στο σημείο 2Β350.α.· και πτερωτές, πτερύγια ή άξονες προς χρήση στους αναδευτήρες αυτούς, όπου όλες οι επιφάνειες των αναδευτήρων που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:






  1. | «Κράματα» περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β., |
| --- | --- | --- |

β.

Αναδευτήρες σχεδιασμένοι για να χρησιμοποιούνται σε δοχεία αντιδραστήρων ή αντιδραστήρες που ορίζονται στο σημείο 2Β350.α.· και πτερωτές, πτερύγια ή άξονες προς χρήση στους αναδευτήρες αυτούς, όπου όλες οι επιφάνειες των αναδευτήρων που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1.

«Κράματα» περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β.,

| 2. | Φθοριούχα πολυμερή (πολυμερή ή ελαστομερή υλικά με περιεκτικότητα σε φθόριο άνω του 35 % κ.β.) |
| --- | --- |

2.

Φθοριούχα πολυμερή (πολυμερή ή ελαστομερή υλικά με περιεκτικότητα σε φθόριο άνω του 35 % κ.β.)

| 3. | Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων), |
| --- | --- |

3.

Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων),

| 4. | Νικέλια ή «κράματα» περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο, |
| --- | --- |

4.

Νικέλια ή «κράματα» περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο,

| 5. | Ταντάλιο ή «κράματα» τανταλίου, |
| --- | --- |

5.

Ταντάλιο ή «κράματα» τανταλίου,

| 6. | Τιτάνιο ή «κράματα» τιτανίου, |
| --- | --- |

6.

Τιτάνιο ή «κράματα» τιτανίου,

| 7. | Ζιρκόνιο ή «κράματα» ζιρκονίου, ή |
| --- | --- |

7.

Ζιρκόνιο ή «κράματα» ζιρκονίου, ή

| 8. | Νιόβιο ή «κράματα» νιοβίου. |
| --- | --- |

8.

Νιόβιο ή «κράματα» νιοβίου.

| γ. | Δεξαμενές, περιέκτες ή υποδοχείς αποθήκευσης, συνολικού εσωτερικού (γεωμετρικού) όγκου άνω των 0,1 m3 (100 LTL), όπου όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:






  1. | «Κράματα» περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β., |
| --- | --- | --- |

γ.

Δεξαμενές, περιέκτες ή υποδοχείς αποθήκευσης, συνολικού εσωτερικού (γεωμετρικού) όγκου άνω των 0,1 m3 (100 LTL), όπου όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1.

«Κράματα» περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β.,

| 2. | Φθοριούχα πολυμερή (πολυμερή ή ελαστομερή υλικά με περιεκτικότητα σε φθόριο άνω του 35 % κ.β.) |
| --- | --- |

2.

Φθοριούχα πολυμερή (πολυμερή ή ελαστομερή υλικά με περιεκτικότητα σε φθόριο άνω του 35 % κ.β.)

| 3. | Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων), |
| --- | --- |

3.

Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων),

| 4. | Νικέλια ή «κράματα» περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο, |
| --- | --- |

4.

Νικέλια ή «κράματα» περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο,

| 5. | Ταντάλιο ή «κράματα» τανταλίου, |
| --- | --- |

5.

Ταντάλιο ή «κράματα» τανταλίου,

| 6. | Τιτάνιο ή «κράματα» τιτανίου, |
| --- | --- |

6.

Τιτάνιο ή «κράματα» τιτανίου,

| 7. | Ζιρκόνιο ή «κράματα» ζιρκονίου, ή |
| --- | --- |

7.

Ζιρκόνιο ή «κράματα» ζιρκονίου, ή

| 8. | Νιόβιο ή «κράματα» νιοβίου. |
| --- | --- |

8.

Νιόβιο ή «κράματα» νιοβίου.

| δ. | Εναλλάκτες θερμότητας ή συμπυκνωτές, με επιφάνεια μετάδοσης θερμότητας άνω των 0,15 m2 και κάτω των 20 m2· και σωλήνες, πετάσματα, πηνία ή τρόχιλοι (πυρήνες) προς χρήση σε αυτούς τους εναλλάκτες θερμότητας ή συμπυκνωτές, όπου όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:






  1. | «Κράματα» περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β., |
| --- | --- | --- |

δ.

Εναλλάκτες θερμότητας ή συμπυκνωτές, με επιφάνεια μετάδοσης θερμότητας άνω των 0,15 m2 και κάτω των 20 m2· και σωλήνες, πετάσματα, πηνία ή τρόχιλοι (πυρήνες) προς χρήση σε αυτούς τους εναλλάκτες θερμότητας ή συμπυκνωτές, όπου όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1.

«Κράματα» περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β.,

| 2. | Φθοριούχα πολυμερή (πολυμερή ή ελαστομερή υλικά με περιεκτικότητα σε φθόριο άνω του 35 % κ.β.) |
| --- | --- |

2.

Φθοριούχα πολυμερή (πολυμερή ή ελαστομερή υλικά με περιεκτικότητα σε φθόριο άνω του 35 % κ.β.)

| 3. | Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων), |
| --- | --- |

3.

Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων),

| 4. | Γραφίτη ή «ανθρακογραφίτη»· |
| --- | --- |

4.

Γραφίτη ή «ανθρακογραφίτη»·

| 5. | Νικέλια ή «κράματα» περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο, |
| --- | --- |

5.

Νικέλια ή «κράματα» περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο,

| 6. | Ταντάλιο ή «κράματα» τανταλίου, |
| --- | --- |

6.

Ταντάλιο ή «κράματα» τανταλίου,

| 7. | Τιτάνιο ή «κράματα» τιτανίου, |
| --- | --- |

7.

Τιτάνιο ή «κράματα» τιτανίου,

| 8. | Ζιρκόνιο ή «κράματα» ζιρκονίου. |
| --- | --- |

8.

Ζιρκόνιο ή «κράματα» ζιρκονίου.

| 9. | Καρβίδιο του πυριτίου, |
| --- | --- |

9.

Καρβίδιο του πυριτίου,

| 10. | Καρβίδιο του τιτανίου, ή |
| --- | --- |

10.

Καρβίδιο του τιτανίου, ή

| 11. | Νιόβιο ή «κράματα» νιοβίου. |
| --- | --- |

11.

Νιόβιο ή «κράματα» νιοβίου.

| ε. | Στήλες απόσταξης ή απορρόφησης, εσωτερικής διαμέτρου άνω των 0,1 m· και διανομείς υγρών, διανομείς ατόμων ή συλλεκτήρες υγρών προς χρήση σε αυτές τις στήλες απόσταξης ή απορρόφησης, όπου όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:






  1. | «Κράματα» περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β., |
| --- | --- | --- |

ε.

Στήλες απόσταξης ή απορρόφησης, εσωτερικής διαμέτρου άνω των 0,1 m· και διανομείς υγρών, διανομείς ατόμων ή συλλεκτήρες υγρών προς χρήση σε αυτές τις στήλες απόσταξης ή απορρόφησης, όπου όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1.

«Κράματα» περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β.,

| 2. | Φθοριούχα πολυμερή (πολυμερή ή ελαστομερή υλικά με περιεκτικότητα σε φθόριο άνω του 35 % κ.β.) |
| --- | --- |

2.

Φθοριούχα πολυμερή (πολυμερή ή ελαστομερή υλικά με περιεκτικότητα σε φθόριο άνω του 35 % κ.β.)

| 3. | Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων), |
| --- | --- |

3.

Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων),

| 4. | Γραφίτη ή «ανθρακογραφίτη»· |
| --- | --- |

4.

Γραφίτη ή «ανθρακογραφίτη»·

| 5. | Νικέλια ή «κράματα» περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο, |
| --- | --- |

5.

Νικέλια ή «κράματα» περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο,

| 6. | Ταντάλιο ή «κράματα» τανταλίου, |
| --- | --- |

6.

Ταντάλιο ή «κράματα» τανταλίου,

| 7. | Τιτάνιο ή «κράματα» τιτανίου, |
| --- | --- |

7.

Τιτάνιο ή «κράματα» τιτανίου,

| 8. | Ζιρκόνιο ή «κράματα» ζιρκονίου, ή |
| --- | --- |

8.

Ζιρκόνιο ή «κράματα» ζιρκονίου, ή

| 9. | Νιόβιο ή «κράματα» νιοβίου. |
| --- | --- |

9.

Νιόβιο ή «κράματα» νιοβίου.

| στ. | Τηλεχειριζόμενος εξοπλισμός πληρώσεως, στον οποίο όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την ή τις υπό επεξεργασία ή περιεχόμενες χημικές ουσίες είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:






  1. | «Κράματα» περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ. β., ή |
| --- | --- | --- |

στ.

Τηλεχειριζόμενος εξοπλισμός πληρώσεως, στον οποίο όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την ή τις υπό επεξεργασία ή περιεχόμενες χημικές ουσίες είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1.

«Κράματα» περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ. β., ή

| 2. | Νικέλια ή «κράματα» περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο, |
| --- | --- |

2.

Νικέλια ή «κράματα» περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο,

| ζ. | Βαλβίδες και κατασκευαστικά μέρη, ως ακολούθως:






  1. | Βαλβίδες με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | «Ονομαστικό μέγεθος» μεγαλύτερο από 10 mm (3/8′′), και |
| --- | --- | --- | --- |

ζ.

Βαλβίδες και κατασκευαστικά μέρη, ως ακολούθως:

1.

Βαλβίδες με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

«Ονομαστικό μέγεθος» μεγαλύτερο από 10 mm (3/8′′), και

| β. | Όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την ή τις παραγόμενες, υπό επεξεργασία ή περιεχόμενες χημικές ουσίες είναι κατασκευασμένες από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση»: |
| --- | --- |

β.

Όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την ή τις παραγόμενες, υπό επεξεργασία ή περιεχόμενες χημικές ουσίες είναι κατασκευασμένες από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση»:

| 2. | Βαλβίδες εκτός από τις προσδιοριζόμενες στην παράγραφο 2B350.γ.1., με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | ‘Ονομαστικό μέγεθος’ ίσο ή μεγαλύτερο από 25,4 mm (1′′) και ίσο ή μικρότερο από 101,6 mm (4′′), |
| --- | --- | --- |

2.

Βαλβίδες εκτός από τις προσδιοριζόμενες στην παράγραφο 2B350.γ.1., με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

‘Ονομαστικό μέγεθος’ ίσο ή μεγαλύτερο από 25,4 mm (1′′) και ίσο ή μικρότερο από 101,6 mm (4′′),

| β. | Περιβλήματα (σώματα αντλιών) ή προσχηματισμένα χιτώνια περιβλημάτων |
| --- | --- |

β.

Περιβλήματα (σώματα αντλιών) ή προσχηματισμένα χιτώνια περιβλημάτων

| γ. | Στοιχείο ασφάλισης σχεδιασμένο έτσι ώστε η λειτουργία του να μπορεί να εναλλάσσεται, και |
| --- | --- |

γ.

Στοιχείο ασφάλισης σχεδιασμένο έτσι ώστε η λειτουργία του να μπορεί να εναλλάσσεται, και

| δ. | Όλες οι επιφάνειες του περιβλήματος (σώματος αντλιών) που έρχονται σε άμεση επαφή με την ή τις παραγόμενες, υπό επεξεργασία ή περιεχόμενες χημικές ουσίες είναι κατασκευασμένες από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση»: |
| --- | --- |

δ.

Όλες οι επιφάνειες του περιβλήματος (σώματος αντλιών) που έρχονται σε άμεση επαφή με την ή τις παραγόμενες, υπό επεξεργασία ή περιεχόμενες χημικές ουσίες είναι κατασκευασμένες από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση»:

| 3. | Κατασκευαστικά μέρη σχεδιασμένα για βαλβίδες που ορίζονται στο σημείο 2B350.ζ.1 ή 2B350.ζ.2., στα οποία όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την ή τις παραγόμενες, υπό επεξεργασία ή περιεχόμενες χημικές ουσίες είναι κατασκευασμένες από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση», ως εξής:






  α. | Περιβλήματα (σώματα αντλιών), |
| --- | --- | --- |

3.

Κατασκευαστικά μέρη σχεδιασμένα για βαλβίδες που ορίζονται στο σημείο 2B350.ζ.1 ή 2B350.ζ.2., στα οποία όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την ή τις παραγόμενες, υπό επεξεργασία ή περιεχόμενες χημικές ουσίες είναι κατασκευασμένες από «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση», ως εξής:

α.

Περιβλήματα (σώματα αντλιών),

| β. | Προσχηματισμένα χιτώνια περιβλημάτων |
| --- | --- |

β.

Προσχηματισμένα χιτώνια περιβλημάτων

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Για τους σκοπούς του σημείου 2B350.ζ., «υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση» είναι οποιαδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:







  α. | Νικέλια ή «κράματα» περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο, |
| --- | --- | --- |

1.

α.

Νικέλια ή «κράματα» περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο,

| β. | «Κράματα» περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β., |
| --- | --- |

β.

«Κράματα» περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β.,

| γ. | Φθοριούχα πολυμερή (πολυμερή ή ελαστομερή υλικά με περιεκτικότητα σε φθόριο άνω του 35 % κ.β.) |
| --- | --- |

γ.

Φθοριούχα πολυμερή (πολυμερή ή ελαστομερή υλικά με περιεκτικότητα σε φθόριο άνω του 35 % κ.β.)

| δ. | Ύαλος ή υάλινη επένδυση (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων), |
| --- | --- |

δ.

Ύαλος ή υάλινη επένδυση (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων),

| ε. | Ταντάλιο ή «κράματα» τανταλίου, |
| --- | --- |

ε.

Ταντάλιο ή «κράματα» τανταλίου,

| στ. | Τιτάνιο ή «κράματα» τιτανίου, |
| --- | --- |

στ.

Τιτάνιο ή «κράματα» τιτανίου,

| ζ. | Ζιρκόνιο ή «κράματα» ζιρκονίου, |
| --- | --- |

ζ.

Ζιρκόνιο ή «κράματα» ζιρκονίου,

| η. | Νιόβιο ή «κράματα» νιοβίου, ή |
| --- | --- |

η.

Νιόβιο ή «κράματα» νιοβίου, ή

| θ. | Κεραμικά υλικά, ως εξής:








  1. | Καρβίδιο του πυριτίου με καθαρότητα τουλάχιστον 80 % κ.β., |
| --- | --- | --- |

θ.

Κεραμικά υλικά, ως εξής:

1.

Καρβίδιο του πυριτίου με καθαρότητα τουλάχιστον 80 % κ.β.,

| 2. | Οξείδιο του αργιλίου (αλουμίνα) με καθαρότητα τουλάχιστον 99,9 % κ.β., |
| --- | --- |

2.

Οξείδιο του αργιλίου (αλουμίνα) με καθαρότητα τουλάχιστον 99,9 % κ.β.,

| 3. | Οξείδιο του ζιρκονίου (ζιρκονία). |
| --- | --- |

3.

Οξείδιο του ζιρκονίου (ζιρκονία).

| 2. | Ως «ονομαστικό μέγεθος» ορίζεται η μικρότερη από τις διαμέτρους των στομίων εισαγωγής και εξαγωγής. |
| --- | --- |

2.

| η. | Πολύτοιχες σωληνώσεις με ενσωματωμένη θυρίδα ανίχνευσης διαρροών, των οποίων όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:






  1. | «Κράματα» περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β., |
| --- | --- | --- |

η.

Πολύτοιχες σωληνώσεις με ενσωματωμένη θυρίδα ανίχνευσης διαρροών, των οποίων όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1.

«Κράματα» περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β.,

| 2. | Φθοριούχα πολυμερή (πολυμερή ή ελαστομερή υλικά με περιεκτικότητα σε φθόριο άνω του 35 % κ.β.) |
| --- | --- |

2.

Φθοριούχα πολυμερή (πολυμερή ή ελαστομερή υλικά με περιεκτικότητα σε φθόριο άνω του 35 % κ.β.)

| 3. | Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων), |
| --- | --- |

3.

Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων),

| 4. | Γραφίτη ή «ανθρακογραφίτη»· |
| --- | --- |

4.

Γραφίτη ή «ανθρακογραφίτη»·

| 5. | Νικέλια ή «κράματα» περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο, |
| --- | --- |

5.

Νικέλια ή «κράματα» περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο,

| 6. | Ταντάλιο ή «κράματα» τανταλίου, |
| --- | --- |

6.

Ταντάλιο ή «κράματα» τανταλίου,

| 7. | Τιτάνιο ή «κράματα» τιτανίου, |
| --- | --- |

7.

Τιτάνιο ή «κράματα» τιτανίου,

| 8. | Ζιρκόνιο ή «κράματα» ζιρκονίου, ή |
| --- | --- |

8.

Ζιρκόνιο ή «κράματα» ζιρκονίου, ή

| 9. | Νιόβιο ή «κράματα» νιοβίου. |
| --- | --- |

9.

Νιόβιο ή «κράματα» νιοβίου.

| θ. | Αντλίες πολλαπλής στεγανότητας, και χωρίς σφραγίδες στεγανότητας, των οποίων ο μέγιστος ρυθμός ροής βάσει προδιαγραφών του κατασκευαστή είναι τουλάχιστον 0,6 m3/h, ή αντλίες κενού, των οποίων ο μέγιστος ρυθμός ροής βάσει προδιαγραφών του κατασκευαστή είναι τουλάχιστον 5 m3/h [υπό κανονικές συνθήκες θερμοκρασίας (273 K (0 °C)) και πίεσης (101,3 kPa)], εκτός από εκείνες που προσδιορίζονται στο σημείο 2B233· και περιβλήματα (σώματα αντλιών), προσχηματισμένα χιτώνια περιβλημάτων, πτερωτές, ρότορες ή ακροφύσια αντλιών δι’ εκτοξεύσεως προς χρήση στις αντλίες αυτές, των οποίων όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:






  1. | «Κράματα» περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β., |
| --- | --- | --- |

θ.

Αντλίες πολλαπλής στεγανότητας, και χωρίς σφραγίδες στεγανότητας, των οποίων ο μέγιστος ρυθμός ροής βάσει προδιαγραφών του κατασκευαστή είναι τουλάχιστον 0,6 m3/h, ή αντλίες κενού, των οποίων ο μέγιστος ρυθμός ροής βάσει προδιαγραφών του κατασκευαστή είναι τουλάχιστον 5 m3/h [υπό κανονικές συνθήκες θερμοκρασίας (273 K (0 °C)) και πίεσης (101,3 kPa)], εκτός από εκείνες που προσδιορίζονται στο σημείο 2B233· και περιβλήματα (σώματα αντλιών), προσχηματισμένα χιτώνια περιβλημάτων, πτερωτές, ρότορες ή ακροφύσια αντλιών δι’ εκτοξεύσεως προς χρήση στις αντλίες αυτές, των οποίων όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1.

«Κράματα» περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β.,

| 2. | Κεραμικά, |
| --- | --- |

2.

Κεραμικά,

| 3. | Κράματα σιδήρου με μεγάλη περιεκτικότητα σε πυρίτιο, |
| --- | --- |

3.

Κράματα σιδήρου με μεγάλη περιεκτικότητα σε πυρίτιο,

| 4. | Φθοριούχα πολυμερή (πολυμερή ή ελαστομερή υλικά με περιεκτικότητα σε φθόριο άνω του 35 % κ.β.) |
| --- | --- |

4.

Φθοριούχα πολυμερή (πολυμερή ή ελαστομερή υλικά με περιεκτικότητα σε φθόριο άνω του 35 % κ.β.)

| 5. | Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων), |
| --- | --- |

5.

Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων),

| 6. | Γραφίτη ή «ανθρακογραφίτη»· |
| --- | --- |

6.

Γραφίτη ή «ανθρακογραφίτη»·

| 7. | Νικέλια ή «κράματα» περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο, |
| --- | --- |

7.

Νικέλια ή «κράματα» περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο,

| 8. | Ταντάλιο ή «κράματα» τανταλίου, |
| --- | --- |

8.

Ταντάλιο ή «κράματα» τανταλίου,

| 9. | Τιτάνιο ή «κράματα» τιτανίου, |
| --- | --- |

9.

Τιτάνιο ή «κράματα» τιτανίου,

| 10. | Ζιρκόνιο ή «κράματα» ζιρκονίου, ή |
| --- | --- |

10.

Ζιρκόνιο ή «κράματα» ζιρκονίου, ή

| 11. | Νιόβιο ή «κράματα» νιοβίου. |
| --- | --- |

11.

Νιόβιο ή «κράματα» νιοβίου.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 2B350.θ., ο όρος «παρέμβυσμα» αναφέρεται μόνο σε εκείνα τα παρεμβύσματα που έρχονται σε άμεση επαφή με την ή τις χημικές ουσίες που υφίστανται επεξεργασία (ή είναι σχεδιασμένα γι’ αυτό) και διασφαλίζουν στεγανοποίηση όταν ο ρότορας ή ο παλινδρομικός άξονας κίνησης περνάει διαμέσου του σώματος αντλίας.

| ι. | Αποτεφρωτήρες για την καταστροφή των χημικών ουσιών που προσδιορίζονται στην παράγραφο 1C350, με ειδικά σχεδιασμένα συστήματα τροφοδοσίας αποβλήτων, ειδικές διατάξεις χειρισμού και μέση θερμοκρασία θαλάμου καύσεως άνω των 1 273 Κ (1 000 °C), στους οποίους όλες οι επιφάνειες του συστήματος τροφοδοσίας αποβλήτων που έρχονται σε άμεση επαφή με τα απόβλητα είναι κατασκευασμένες ή επενδυμένες με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:






  1. | «Κράματα» περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β., |
| --- | --- | --- |

ι.

Αποτεφρωτήρες για την καταστροφή των χημικών ουσιών που προσδιορίζονται στην παράγραφο 1C350, με ειδικά σχεδιασμένα συστήματα τροφοδοσίας αποβλήτων, ειδικές διατάξεις χειρισμού και μέση θερμοκρασία θαλάμου καύσεως άνω των 1 273 Κ (1 000 °C), στους οποίους όλες οι επιφάνειες του συστήματος τροφοδοσίας αποβλήτων που έρχονται σε άμεση επαφή με τα απόβλητα είναι κατασκευασμένες ή επενδυμένες με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1.

«Κράματα» περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β.,

| 2. | Κεραμικά, ή |
| --- | --- |

2.

Κεραμικά, ή

| 3. | Νικέλια ή «κράματα» περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο, |
| --- | --- |

3.

Νικέλια ή «κράματα» περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο,

Σημείωση: Για τους σκοπούς του σημείου 2B350, τα υλικά που χρησιμοποιούνται για φλάντζες, σαλαμάστρες, παρεμβύσματα, βίδες, ροδέλες ή άλλα στεγανοποιητικά υλικά δεν καθορίζουν την κατάσταση ελέγχου, υπό την προϋπόθεση ότι τα μέρη αυτά είναι σχεδιασμένα έτσι ώστε η λειτουργία τους να μπορεί να εναλλάσσεται.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | «Ανθρακογραφίτης» είναι μια σύνθεση που αποτελείται από άμορφο άνθρακα και γραφίτη, και στην οποία η κατά βάρος περιεκτικότητα σε γραφίτη ανέρχεται σε 8 % και άνω. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Για τα υλικά που απαριθμούνται στα παραπάνω, ο όρος «κράμα» του δείνα στοιχείου, εφόσον δεν συνοδεύεται από συγκεκριμένη περιεκτικότητα, υποδηλώνει εκείνα τα κράματα στα οποία το συγκεκριμένο μέταλλο ενυπάρχει σε ποσοστό κατά βάρος μεγαλύτερο από ό,τι οποιοδήποτε άλλο στοιχείο. |
| --- | --- |

2.

2B351

Συστήματα ελέγχου και παρακολούθησης τοξικών αερίων και ειδικά ανιχνευτικά συστατικά τους μέρη, εκτός των προσδιοριζομένων στο σημείο 1Α004, ως ακολούθως· επίσης ανιχνευτήρες, αισθητήρες και ανταλλακτικά φυσίγγια αισθητήρων γι’ αυτά:

| α. | Σχεδιασμένα για συνεχή λειτουργία και χρησιμοποιούμενα για την ανίχνευση παραγόντων χημικού πολέμου ή των χημικών ουσιών που προσδιορίζονται στην παράγραφο 1C350, σε συγκεντρώσεις χαμηλότερες από 0,3 mg/m3, ή |
| --- | --- |

α.

Σχεδιασμένα για συνεχή λειτουργία και χρησιμοποιούμενα για την ανίχνευση παραγόντων χημικού πολέμου ή των χημικών ουσιών που προσδιορίζονται στην παράγραφο 1C350, σε συγκεντρώσεις χαμηλότερες από 0,3 mg/m3, ή

| β. | Σχεδιασμένα για την ανίχνευση ενώσεων που έχουν δράση παρεμποδιστική της χολινεστεράσης. |
| --- | --- |

β.

Σχεδιασμένα για την ανίχνευση ενώσεων που έχουν δράση παρεμποδιστική της χολινεστεράσης.

2B352

Εξοπλισμός με ικανότητα χρησιμοποίησης για τον χειρισμό βιολογικών υλικών, ως εξής:

| α. | Τεχνικά μέσα πλήρους βιολογικού περιορισμού σε κλειστό περιβάλλον επιπέδων Ρ3, Ρ4,


  Τεχνική παρατήρηση:


  Τα επίπεδα περιορισμού σε κλειστό περιβάλλον Ρ3 ή Ρ4 (ΒL3, BL4, L3, L4) προσδιορίζονται στο εγχειρίδιο Εργαστηριακής Βιοασφάλειας της ΠΟΥ (Γ’ Έκδοση, Γενεύη, 2004). |
| --- | --- |

α.

Τεχνικά μέσα πλήρους βιολογικού περιορισμού σε κλειστό περιβάλλον επιπέδων Ρ3, Ρ4,

Τεχνική παρατήρηση:

Τα επίπεδα περιορισμού σε κλειστό περιβάλλον Ρ3 ή Ρ4 (ΒL3, BL4, L3, L4) προσδιορίζονται στο εγχειρίδιο Εργαστηριακής Βιοασφάλειας της ΠΟΥ (Γ’ Έκδοση, Γενεύη, 2004).

| β. | Αντιδραστήρες ζύμωσης και κατασκευαστικά μέρη, ως ακολούθως:






  1. | Αντιδραστήρες με ικανότητα καλλιέργειας παθογόνων «μικροοργανισμών» ή ζωντανών κυττάρων για την παραγωγή παθογόνων ιών ή τοξινών, χωρίς διασπορά αερολυμάτων και με συνολική χωρητικότητα 20 λίτρων ή μεγαλύτερη. |
| --- | --- | --- |

β.

Αντιδραστήρες ζύμωσης και κατασκευαστικά μέρη, ως ακολούθως:

1.

Αντιδραστήρες με ικανότητα καλλιέργειας παθογόνων «μικροοργανισμών» ή ζωντανών κυττάρων για την παραγωγή παθογόνων ιών ή τοξινών, χωρίς διασπορά αερολυμάτων και με συνολική χωρητικότητα 20 λίτρων ή μεγαλύτερη.

| 2. | Κατασκευαστικά μέρη σχεδιασμένα για αντιδραστήρες ζύμωσης στο σημείο 2B352.β.1. ως εξής:






  α. | Θάλαμοι καλλιέργειας σχεδιασμένοι για επιτόπια αποστείρωση ή απολύμανση, |
| --- | --- | --- |

2.

Κατασκευαστικά μέρη σχεδιασμένα για αντιδραστήρες ζύμωσης στο σημείο 2B352.β.1. ως εξής:

α.

Θάλαμοι καλλιέργειας σχεδιασμένοι για επιτόπια αποστείρωση ή απολύμανση,

| β. | Διατάξεις συγκράτησης θαλάμων καλλιέργειας, |
| --- | --- |

β.

Διατάξεις συγκράτησης θαλάμων καλλιέργειας,

| γ. | Μονάδας ελέγχου διεργασιών με ικανότητα ταυτόχρονης παρακολούθησης και ελέγχου δύο ή περισσότερων παραμέτρων του συστήματος ζύμωσης (π.χ. θερμοκρασία, pH, θρεπτικές ουσίες, ανάδευση, διαλελυμένο οξυγόνο, ροή αέρα, έλεγχος αφρού), |
| --- | --- |

γ.

Μονάδας ελέγχου διεργασιών με ικανότητα ταυτόχρονης παρακολούθησης και ελέγχου δύο ή περισσότερων παραμέτρων του συστήματος ζύμωσης (π.χ. θερμοκρασία, pH, θρεπτικές ουσίες, ανάδευση, διαλελυμένο οξυγόνο, ροή αέρα, έλεγχος αφρού),

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του σημείου 2B352.β., οι αντιδραστήρες ζύμωσης περιλαμβάνουν τους βιοαντιδραστήρες, τους βιοαντιδραστήρες μιας χρήσης, τους χημειοστάτες και τα συστήματα συνεχούς ροής.

| γ. | Φυγοκεντρικοί διαχωριστές με ικανότητα συνεχούς διαχωρισμού χωρίς διασπορά αερολυμάτων και με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Παροχή μεγαλύτερη από 100 λίτρα ανά ώρα, |
| --- | --- | --- |

γ.

Φυγοκεντρικοί διαχωριστές με ικανότητα συνεχούς διαχωρισμού χωρίς διασπορά αερολυμάτων και με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Παροχή μεγαλύτερη από 100 λίτρα ανά ώρα,

| 2. | Συστατικά μέρη από στιλβωμένο ανοξείδωτο χάλυβα ή τιτάνιο, |
| --- | --- |

2.

Συστατικά μέρη από στιλβωμένο ανοξείδωτο χάλυβα ή τιτάνιο,

| 3. | Έναν ή περισσότερους στεγανοποιητικούς συνδέσμους στο χώρο περιορισμού σε κλειστό περιβάλλον με ατμό, και |
| --- | --- |

3.

Έναν ή περισσότερους στεγανοποιητικούς συνδέσμους στο χώρο περιορισμού σε κλειστό περιβάλλον με ατμό, και

| 4. | Δυνατότητα επιτόπιας υγρής αποστείρωσης σε κλειστή κατάσταση. |
| --- | --- |

4.

Δυνατότητα επιτόπιας υγρής αποστείρωσης σε κλειστή κατάσταση.

Τεχνική παρατήρηση:

Στους φυγοκεντρικούς διαχωριστές συμπεριλαμβάνονται τα δοχεία ή δεξαμενές απόχυσης.

| δ. | Εξοπλισμός διήθησης με εγκάρσια (εφαπτομενική) ροή και κατασκευαστικά του μέρη, ως εξής:






  1. | Εξοπλισμός διήθησης με εγκάρσια (εφαπτομενική) ροή, ικανός να διαχωρίζει παθογόνους μικροοργανισμούς, ιούς, τοξίνες ή κυτταροκαλλιέργειες, με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά






  α. | Συνολική διηθητική επιφάνεια 1 m2 και άνω, και |
| --- | --- | --- | --- |

δ.

Εξοπλισμός διήθησης με εγκάρσια (εφαπτομενική) ροή και κατασκευαστικά του μέρη, ως εξής:

1.

Εξοπλισμός διήθησης με εγκάρσια (εφαπτομενική) ροή, ικανός να διαχωρίζει παθογόνους μικροοργανισμούς, ιούς, τοξίνες ή κυτταροκαλλιέργειες, με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά

α.

Συνολική διηθητική επιφάνεια 1 m2 και άνω, και

| β. | Οποιαδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  1. | Δυνατότητα επιτόπιας αποστείρωσης ή απολύμανσης, ή |
| --- | --- | --- |

β.

Οποιαδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1.

Δυνατότητα επιτόπιας αποστείρωσης ή απολύμανσης, ή

| 2. | χρήση στοιχείων διήθησης μιας χρήσης. |
| --- | --- |

2.

χρήση στοιχείων διήθησης μιας χρήσης.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 2B352.δ.1.β, ως αποστείρωση νοείται η εξάλειψη όλων των βιώσιμων μικροβίων από τον εξοπλισμό με χρήση είτε φυσικών μέσων (π.χ. ατμού) είτε χημικών παραγόντων, ως απολύμανση δε η εξάλειψη της δυνητικής μικροβιακής μολυσματικότητας του εξοπλισμού με χρήση μικροβιοκτόνων χημικών παραγόντων. Τα δύο αυτά διακρίνονται από την απλή εξυγίανση, τις διεργασίες δηλαδή καθαρισμού που μειώνουν το μικροβιακό περιεχόμενο του εξοπλισμού χωρίς αναγκαστικά να εξαλείφουν κάθε ίχνος μικροβιακής μολυσματικότητας ή βιωσιμότητας.

Σημείωση: Στο σημείο 2B352.δ. δεν εμπίπτει ο εξοπλισμός αντίστροφης ώσμωσης, όπως προσδιορίζεται από τον κατασκευαστή του.

| 2. | Κατασκευαστικά στοιχεία (π.χ. δομοστοιχεία, ηθμοστοιχεία, κασέτες, φυσίγγια, πλάκες και πλακίδια) εξοπλισμού διήθησης με εγκάρσια (εφαπτομενική) ροή, με διηθητική επιφάνεια 0,2 m2 και άνω για κάθε κατασκευαστικό στοιχείο, και σχεδιασμένα προς χρήση σε εξοπλισμό διήθησης με εγκάρσια (εφαπτομενική) ροή προσδιοριζόμενο στο σημείο 2B352.δ. |
| --- | --- |

2.

Κατασκευαστικά στοιχεία (π.χ. δομοστοιχεία, ηθμοστοιχεία, κασέτες, φυσίγγια, πλάκες και πλακίδια) εξοπλισμού διήθησης με εγκάρσια (εφαπτομενική) ροή, με διηθητική επιφάνεια 0,2 m2 και άνω για κάθε κατασκευαστικό στοιχείο, και σχεδιασμένα προς χρήση σε εξοπλισμό διήθησης με εγκάρσια (εφαπτομενική) ροή προσδιοριζόμενο στο σημείο 2B352.δ.

| ε. | Εξοπλισμός λυοφιλίωσης, επιδεχόμενος υγρή αποστείρωση, με δυναμικότητα συμπυκνωτή μεγαλύτερη από 10 kg πάγου το 24ωρο και μικρότερη από 1 000 kg πάγου το 24ωρο. |
| --- | --- |

ε.

Εξοπλισμός λυοφιλίωσης, επιδεχόμενος υγρή αποστείρωση, με δυναμικότητα συμπυκνωτή μεγαλύτερη από 10 kg πάγου το 24ωρο και μικρότερη από 1 000 kg πάγου το 24ωρο.

| στ. | Προστατευτικός εξοπλισμός και εξοπλισμός περιορισμού, ως εξής:






  1. | Προστατευτικές ολόσωμες ή μερικές ενδυμασίες, ή κουκούλες οι οποίες συνδέονται με παροχή εξωτερικού αέρα και λειτουργούν υπό θετική πίεση,


  Σημείωση: Στο 2Β352.στ.1, δεν υπάγονται οι ενδυμασίες που πρέπει να φέρονται με ανεξάρτητη συσκευή αναπνοής. |
| --- | --- | --- |

στ.

Προστατευτικός εξοπλισμός και εξοπλισμός περιορισμού, ως εξής:

1.

Προστατευτικές ολόσωμες ή μερικές ενδυμασίες, ή κουκούλες οι οποίες συνδέονται με παροχή εξωτερικού αέρα και λειτουργούν υπό θετική πίεση,

Σημείωση: Στο 2Β352.στ.1, δεν υπάγονται οι ενδυμασίες που πρέπει να φέρονται με ανεξάρτητη συσκευή αναπνοής.

| 2. | Ερμάρια ή στεγανές απομονωμένες συσκευές (απομονωτήρες) βιολογικής ασφαλείας, κατηγορίας III, ή με παρόμοιες προδιαγραφές επιδόσεων.


  Σημείωση: Στις στεγανές απομονωμένες συσκευές του σημείου 2Β352.στ.2, συμπεριλαμβάνονται οι εύκαμπτοι απομονωτήρες, οι θάλαμοι εργασίας σε ατμόσφαιρα αδρανούς αερίου, οι θάλαμοι εργασίας σε αναερόβιες συνθήκες, τα κιβώτια με πλαστικά γάντια και οι καπνοθάλαμοι αστρόβιλης ροής (κλειστοί με κατακόρυφη ροή). |
| --- | --- |

2.

Ερμάρια ή στεγανές απομονωμένες συσκευές (απομονωτήρες) βιολογικής ασφαλείας, κατηγορίας III, ή με παρόμοιες προδιαγραφές επιδόσεων.

Σημείωση: Στις στεγανές απομονωμένες συσκευές του σημείου 2Β352.στ.2, συμπεριλαμβάνονται οι εύκαμπτοι απομονωτήρες, οι θάλαμοι εργασίας σε ατμόσφαιρα αδρανούς αερίου, οι θάλαμοι εργασίας σε αναερόβιες συνθήκες, τα κιβώτια με πλαστικά γάντια και οι καπνοθάλαμοι αστρόβιλης ροής (κλειστοί με κατακόρυφη ροή).

| ζ. | Θάλαμοι για ανοσολογικές δοκιμές πρόκλησης (ερεθισμού) αερολυμάτων με «μικροοργανισμούς», ιούς ή «τοξίνες» χωρητικότητας 1 m3 ή μεγαλύτερης, |
| --- | --- |

ζ.

Θάλαμοι για ανοσολογικές δοκιμές πρόκλησης (ερεθισμού) αερολυμάτων με «μικροοργανισμούς», ιούς ή «τοξίνες» χωρητικότητας 1 m3 ή μεγαλύτερης,

| η. | Εξοπλισμός ξήρανσης διά ψεκασμού με την ικανότητα ξήρανσης τοξινών ή παθογόνων μικροοργανισμών που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Ικανότητα εξάτμισης ύδατος ≤ 0,4 kg/h και ≤ 400 kg/h, |
| --- | --- | --- |

η.

Εξοπλισμός ξήρανσης διά ψεκασμού με την ικανότητα ξήρανσης τοξινών ή παθογόνων μικροοργανισμών που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Ικανότητα εξάτμισης ύδατος ≤ 0,4 kg/h και ≤ 400 kg/h,

| 2. | Ικανότητα δημιουργίας τυπικού προϊόντος με μέση διάσταση σωματιδίων ≤ 10 μm με τα υπάρχοντα εξαρτήματα ή με ελάχιστη τροποποίηση του εξοπλισμού ξήρανσης διά ψεκασμού, με ακροφύσια ψεκασμού που επιτρέπουν τη δημιουργία της απαιτούμενης διάστασης σωματιδίων, και |
| --- | --- |

2.

Ικανότητα δημιουργίας τυπικού προϊόντος με μέση διάσταση σωματιδίων ≤ 10 μm με τα υπάρχοντα εξαρτήματα ή με ελάχιστη τροποποίηση του εξοπλισμού ξήρανσης διά ψεκασμού, με ακροφύσια ψεκασμού που επιτρέπουν τη δημιουργία της απαιτούμενης διάστασης σωματιδίων, και

| 3. | Δυνατότητα επιτόπιας αποστείρωσης ή απολύμανσης. |
| --- | --- |

3.

Δυνατότητα επιτόπιας αποστείρωσης ή απολύμανσης.

2C   Υλικά

Ουδέν.

2D   Λογισμικό

| 2D001 | «Λογισμικό», εκτός από εκείνο που προσδιορίζεται στο σημείο 2D002, ως εξής:






  α. | «Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» του εξοπλισμού που προσδιορίζεται στα σημεία 2A001 ή 2B001 |
| --- | --- | --- |

2D001

«Λογισμικό», εκτός από εκείνο που προσδιορίζεται στο σημείο 2D002, ως εξής:

α.

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» του εξοπλισμού που προσδιορίζεται στα σημεία 2A001 ή 2B001

| β. | «Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για τη «χρήση» εξοπλισμού που προσδιορίζεται στα σημεία 2A001.γ, 2B001 ή 2B003 έως 2B009. |
| --- | --- |

β.

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για τη «χρήση» εξοπλισμού που προσδιορίζεται στα σημεία 2A001.γ, 2B001 ή 2B003 έως 2B009.

Σημείωση: Στο σημείο 2D001 δεν καλύπτεται το «λογισμικό» προγραμματισμού εξαρτημάτων που δημιουργεί κωδικούς «αριθμητικού ελέγχου» για τη μηχανική κατεργασία διάφορων εξαρτημάτων.

2D002

«Λογισμικό» για ηλεκτρονικές διατάξεις, ακόμη και όταν ευρίσκεται σε ηλεκτρονική διάταξη ή σύστημα, που επιτρέπει σε τέτοιες διατάξεις ή συστήματα να λειτουργούν ως μονάδα «ψηφιακού ελέγχου» ικανή για ταυτόχρονο συνδυασμό περισσοτέρων των τεσσάρων αξόνων για τον «έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος».

Σημείωση 1: Στο σημείο 2D002 δεν υπάγεται το «λογισμικό» που είναι ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για τη λειτουργία ειδών που δεν προσδιορίζονται στην κατηγορία 2.

Σημείωση 2: Στο σημείο 2D002 δεν υπάγεται το «λογισμικό» για είδη που προσδιορίζονται στο 2Β002. Για το «λογισμικό» για τα είδη του σημείου 2Β002, βλέπε σημεία 2D001 και 2D003.

Σημείωση 3: Στο σημείο 2D002 δεν υπάγεται το «λογισμικό» που εξάγεται με είδη που δεν προσδιορίζονται στην κατηγορία 2 και το οποίο είναι το ελάχιστο δυνατό για τη λειτουργία των ειδών αυτών.

2D003

«Λογισμικό» σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για τη λειτουργία του εξοπλισμού που προσδιορίζεται στο σημείο 2B002, το οποίο μετατρέπει τον οπτικό σχεδιασμό, τις μετρήσεις των υπό επεξεργασία αντικειμένων και τις λειτουργίες αφαίρεσης υλικών σε εντολές «αριθμητικού ελέγχου» για την επίτευξη της επιθυμητής μορφής των υπό επεξεργασία αντικειμένων.

2D101

«Λογισμικό», ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για τη «χρήση» του εξοπλισμού που προσδιορίζεται στις παραγράφους 2Β104, 2Β105, 2Β109, 2Β116, 2Β117 ή 2Β119 έως 2Β122.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9D004.

2D201

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για «χρήση» σε εξοπλισμό προσδιοριζόμενο στο σημείο 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 ή 2B227.

2D202

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» ή «χρήση» εξοπλισμού που προσδιορίζεται στο σημείο 2Β201.

Σημείωση: Στο σημείο 2D202 δεν καλύπτεται το «λογισμικό» προγραμματισμού εξαρτημάτων που δημιουργεί κωδικούς εντολών «αριθμητικού ελέγχου», αλλά δεν επιτρέπει την άμεση χρήση του εξοπλισμού για τη μηχανική κατεργασία διάφορων εξαρτημάτων.

2D351

«Λογισμικό», εκτός του προσδιοριζόμενου στο 1D003, ειδικά σχεδιασμένο για τη «χρήση» εξοπλισμού που προσδιορίζεται στο σημείο 2Β351.

2E   Τεχνολογία

| 2E001 | «Τεχνολογία» σύμφωνα με την Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» του εξοπλισμού ή «λογισμικού» που προσδιορίζεται στις υποκατηγορίες 2Α, 2Β ή 2D.


  Σημείωση: Το σημείο 2E001 περιλαμβάνει «τεχνολογία» για την ενσωμάτωση συστημάτων ανιχνευτών σε μηχανήματα μέτρησης συντεταγμένων που ορίζονται στο σημείο 2B006.α. |
| --- | --- |
| 2E002 | «Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «παραγωγή» εξοπλισμού που καθορίζονται στις παραγράφους 2Α ή 2Β. |
| 2E003 | Λοιπές «τεχνολογίες», ως εξής:






  α. | «Τεχνολογία» για την ανάπτυξη διαλογικών γραφικών (υπολογιστή) ως αναπόσπαστου μέρους μονάδων «ψηφιακού ελέγχου» για την προετοιμασία ή την τροποποίηση υπορουτινών προγράμματος. |

2E001

«Τεχνολογία» σύμφωνα με την Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» του εξοπλισμού ή «λογισμικού» που προσδιορίζεται στις υποκατηγορίες 2Α, 2Β ή 2D.

Σημείωση: Το σημείο 2E001 περιλαμβάνει «τεχνολογία» για την ενσωμάτωση συστημάτων ανιχνευτών σε μηχανήματα μέτρησης συντεταγμένων που ορίζονται στο σημείο 2B006.α.

2E002

«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «παραγωγή» εξοπλισμού που καθορίζονται στις παραγράφους 2Α ή 2Β.

2E003

Λοιπές «τεχνολογίες», ως εξής:

α.

«Τεχνολογία» για την ανάπτυξη διαλογικών γραφικών (υπολογιστή) ως αναπόσπαστου μέρους μονάδων «ψηφιακού ελέγχου» για την προετοιμασία ή την τροποποίηση υπορουτινών προγράμματος.

| β. | «Τεχνολογία» για διεργασίες μεταλλουργικής βιομηχανικής παραγωγής, ως εξής:






  1. | «Τεχνολογία» για το σχεδιασμό εργαλείων, μητρών ή διατάξεων συγκράτησης ειδικά για τις ακόλουθες διεργασίες:






  α. | «Μορφοποίηση σε υπερπλαστική κατάσταση», |
| --- | --- | --- | --- |

β.

«Τεχνολογία» για διεργασίες μεταλλουργικής βιομηχανικής παραγωγής, ως εξής:

1.

«Τεχνολογία» για το σχεδιασμό εργαλείων, μητρών ή διατάξεων συγκράτησης ειδικά για τις ακόλουθες διεργασίες:

α.

«Μορφοποίηση σε υπερπλαστική κατάσταση»,

| β. | «Συγκόλληση με διάχυση», ή |
| --- | --- |

β.

«Συγκόλληση με διάχυση», ή

| γ. | «Υδραυλική συμπίεση άμεσης επενέργειας». |
| --- | --- |

γ.

«Υδραυλική συμπίεση άμεσης επενέργειας».

| 2. | Τεχνικά δεδομένα, τα οποία συνίστανται από τις τεχνικές ή παραμέτρους διεργασίας που απαριθμούνται παρακάτω και χρησιμοποιούνται για τον έλεγχο:






  α. | Της «μορφοποίησης σε υπερπλαστική κατάσταση» κραμάτων αργιλίου, κραμάτων τιτανίου ή «υπερκραμάτων»:






  1. | Προετοιμασία επιφανειών, |
| --- | --- | --- | --- |

2.

Τεχνικά δεδομένα, τα οποία συνίστανται από τις τεχνικές ή παραμέτρους διεργασίας που απαριθμούνται παρακάτω και χρησιμοποιούνται για τον έλεγχο:

α.

Της «μορφοποίησης σε υπερπλαστική κατάσταση» κραμάτων αργιλίου, κραμάτων τιτανίου ή «υπερκραμάτων»:

1.

Προετοιμασία επιφανειών,

| 2. | Ταχύτητα παραμόρφωσης, |
| --- | --- |

2.

Ταχύτητα παραμόρφωσης,

| 3. | Θερμοκρασία, |
| --- | --- |

3.

Θερμοκρασία,

| 4. | Πίεση, |
| --- | --- |

4.

Πίεση,

| β. | Της «συγκόλλησης με διάχυση» κραμάτων τιτανίου ή «υπερκραμάτων»:






  1. | Προετοιμασία επιφανειών, |
| --- | --- | --- |

β.

Της «συγκόλλησης με διάχυση» κραμάτων τιτανίου ή «υπερκραμάτων»:

1.

Προετοιμασία επιφανειών,

| 2. | Θερμοκρασία, |
| --- | --- |

2.

Θερμοκρασία,

| 3. | Πίεση, |
| --- | --- |

3.

Πίεση,

| γ. | Της «υδραυλικής συμπίεσης άμεσης ενέργειας» κραμάτων αργιλίου ή κραμάτων τιτανίου:






  1. | Πίεση, |
| --- | --- | --- |

γ.

Της «υδραυλικής συμπίεσης άμεσης ενέργειας» κραμάτων αργιλίου ή κραμάτων τιτανίου:

1.

Πίεση,

| 2. | Χρόνος κύκλου. |
| --- | --- |

2.

Χρόνος κύκλου.

| δ. | Της «ισοστατικής πύκνωσης εν θερμώ» κραμάτων τιτανίου, κραμάτων αργιλίου ή «υπερκραμάτων»:






  1. | Θερμοκρασία, |
| --- | --- | --- |

δ.

Της «ισοστατικής πύκνωσης εν θερμώ» κραμάτων τιτανίου, κραμάτων αργιλίου ή «υπερκραμάτων»:

1.

Θερμοκρασία,

| 2. | Πίεση, |
| --- | --- |

2.

Πίεση,

| 3. | Χρόνος κύκλου. |
| --- | --- |

3.

Χρόνος κύκλου.

| γ. | «Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» υδραυλικών μηχανών μορφοποίησης με επιμήκυνση και μητρών για τις μηχανές αυτές για την κατασκευή δομών αεροσκαφών (αεροσκάφη χωρίς το προωθητικό σύστημα). |
| --- | --- |

γ.

«Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» υδραυλικών μηχανών μορφοποίησης με επιμήκυνση και μητρών για τις μηχανές αυτές για την κατασκευή δομών αεροσκαφών (αεροσκάφη χωρίς το προωθητικό σύστημα).

| δ. | «Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» γεννητριών εντολών για εργαλειομηχανές (π.χ. υπορουτίνες προγράμματος) από δεδομένα σχεδιασμού, εγκατεστημένων σε μονάδες «ψηφιακού ελέγχου». |
| --- | --- |

δ.

«Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» γεννητριών εντολών για εργαλειομηχανές (π.χ. υπορουτίνες προγράμματος) από δεδομένα σχεδιασμού, εγκατεστημένων σε μονάδες «ψηφιακού ελέγχου».

| ε. | «Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη»«λογισμικού» ολοκλήρωσης με σκοπό την ενσωμάτωση στις μονάδες «ψηφιακού ελέγχου» έμπειρων συστημάτων που εξασφαλίζουν προηγμένη υποστήριξη αποφάσεων για τις εργασίες της αίθουσας παραγωγής. |
| --- | --- |

ε.

«Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη»«λογισμικού» ολοκλήρωσης με σκοπό την ενσωμάτωση στις μονάδες «ψηφιακού ελέγχου» έμπειρων συστημάτων που εξασφαλίζουν προηγμένη υποστήριξη αποφάσεων για τις εργασίες της αίθουσας παραγωγής.

| στ. | «Τεχνολογία» για την εφαρμογή των ανοργάνων επιχρισμάτων επίστρωσης ή ανοργάνων επιχρισμάτων μετατροπής επιφανειών που προσδιορίζονται στην τρίτη στήλη του παρακάτω πίνακα· στα μη ηλεκτρονικά υποστρώματα που προσδιορίζονται στη δεύτερη στήλη του παρακάτω πίνακα· με τις τεχνικές που αναφέρονται στην πρώτη στήλη του παρακάτω πίνακα και ορίζονται στην Τεχνική Σημείωση.


  Σημείωση: Ο πίνακας και η Τεχνική Σημείωση εμφανίζονται μετά το σημείο 2E301.



  ΣΗΜ. Ο εν λόγω πίνακας προσδιορίζει την τεχνολογία μιας συγκεκριμένης μεθόδου επίχρισης, μόνο όταν το «λαμβανόμενο επίχρισμα» της στήλης 3 βρίσκεται σε πλήρη στοίχιση με το αντίστοιχο υπόστρωμα της στήλης 2. Για παράδειγμα, τα τεχνικά δεδομένα της μεθόδου επίχρισης που αφορά την εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους (CVD) αναφέρονται στην εφαρμογή των πυριτιδίων σε υποστρώματα «σύνθετων» υλικών με «βάση» άνθρακα-άνθρακα, κεραμικό υλικό και μέταλλο, αλλά δεν αφορούν την εφαρμογή των πυριτιδίων σε υποστρώματα «επιστοιχειωμένου (ενανθρακωμένου) καρβιδίου βολφραμίου» (16) και «καρβιδίου πυριτίου» (18). Στη δεύτερη περίπτωση, η παράγραφος της στήλης 3 στην οποία αναγράφεται το λαμβανόμενο επίχρισμα δεν βρίσκεται σε πλήρη στοίχιση με την παράγραφο της στήλης 2 στην οποία αναγράφεται «επιστοιχειωμένο (ενανθρακωμένο) καρβίδιο βολφραμίου» (16), και «καρβίδιο πυριτίου» (18). |
| --- | --- |

στ.

«Τεχνολογία» για την εφαρμογή των ανοργάνων επιχρισμάτων επίστρωσης ή ανοργάνων επιχρισμάτων μετατροπής επιφανειών που προσδιορίζονται στην τρίτη στήλη του παρακάτω πίνακα· στα μη ηλεκτρονικά υποστρώματα που προσδιορίζονται στη δεύτερη στήλη του παρακάτω πίνακα· με τις τεχνικές που αναφέρονται στην πρώτη στήλη του παρακάτω πίνακα και ορίζονται στην Τεχνική Σημείωση.

Σημείωση: Ο πίνακας και η Τεχνική Σημείωση εμφανίζονται μετά το σημείο 2E301.

ΣΗΜ. Ο εν λόγω πίνακας προσδιορίζει την τεχνολογία μιας συγκεκριμένης μεθόδου επίχρισης, μόνο όταν το «λαμβανόμενο επίχρισμα» της στήλης 3 βρίσκεται σε πλήρη στοίχιση με το αντίστοιχο υπόστρωμα της στήλης 2. Για παράδειγμα, τα τεχνικά δεδομένα της μεθόδου επίχρισης που αφορά την εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους (CVD) αναφέρονται στην εφαρμογή των πυριτιδίων σε υποστρώματα «σύνθετων» υλικών με «βάση» άνθρακα-άνθρακα, κεραμικό υλικό και μέταλλο, αλλά δεν αφορούν την εφαρμογή των πυριτιδίων σε υποστρώματα «επιστοιχειωμένου (ενανθρακωμένου) καρβιδίου βολφραμίου» (16) και «καρβιδίου πυριτίου» (18). Στη δεύτερη περίπτωση, η παράγραφος της στήλης 3 στην οποία αναγράφεται το λαμβανόμενο επίχρισμα δεν βρίσκεται σε πλήρη στοίχιση με την παράγραφο της στήλης 2 στην οποία αναγράφεται «επιστοιχειωμένο (ενανθρακωμένο) καρβίδιο βολφραμίου» (16), και «καρβίδιο πυριτίου» (18).

2E101

«Τεχνολογία», κατά την έννοια της Γενικής Σημείωσης περί Τεχνολογίας, για τη «χρήση» του εξοπλισμού ή του «λογισμικού» που προσδιορίζεται στις παραγράφους 2Β004, 2Β009, 2Β104, 2Β109, 2Β116, 2Β119 έως 2Β122 ή 2D101.

2E201

«Τεχνολογία», κατά την έννοια της Γενικής Σημείωσης περί Τεχνολογίας, για τη «χρήση» του εξοπλισμού ή «λογισμικού» που προσδιορίζεται στις παραγράφους ή στα εδάφια 2Α225, 2Α226, 2Β001, 2Β006, 2Β007.β., 2Β007.γ., 2Β008, 2Β009, 2Β201, 2Β204, 2Β206, 2Β207, 2Β209, 2Β225 έως 2Β233, 2D201 ή 2D202.

2E301

«Τεχνολογία», κατά την έννοια της Γενικής Σημείωσης περί Τεχνολογίας, για τη «χρήση» των προϊόντων που προσδιορίζονται στις παραγράφους 2Β350 έως 2Β352.

Πίνακας

Τεχνικές Εναπόθεσης

| 1. | Μέθοδος επίχρισης (1) (13) |
| --- | --- |

1.

Μέθοδος επίχρισης (1) (13)

| 2. | Υπόστρωμα |
| --- | --- |

2.

Υπόστρωμα

| 3. | Λαμβανόμενο επίχρισμα |
| --- | --- |

3.

Λαμβανόμενο επίχρισμα

| A. | Εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους (CVD) |
| --- | --- |

A.

Εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους (CVD)

«Υπερκράματα»

Αργιλίδια για εσωτερικά αγωγών

Κεραμικά υλικά (19) και γυαλί μικρής διαστολής (14)

Πυριτίδια

Καρβίδια

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Αδάμας

Αδαμαντοειδής άνθρακας (17)

Άνθρακας-άνθρακας, Κεραμικά και Μεταλλικά «σύνθετα υλικά» με «μήτρα»

Πυριτίδια

Καρβίδια

Πυρίμαχα μέταλλα

Μίγματα αυτών (4)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Αργιλίδια

Κραματοποιημένα αργιλίδια (2)

Νιτρίδιο βορίου

Επιστοιχειωμένο (ενανθρακωμένο) καρβίδιο βολφραμίου (16), καρβίδιο πυριτίου (18)

Καρβίδια

Βολφράμιο

Μίγματα αυτών (4)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Μολυβδαίνιο και κράματα του μολυβδενίου

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Βηρύλλιο και κράματα του βηρυλλίου

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Αδάμας

Αδαμαντοειδής άνθρακας (17)

Υλικά παραθύρων Αισθητήρων (9)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Αδάμας

Αδαμαντοειδής άνθρακας (17)

| B. | Εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους θερμικής εξάτμισης (TE-PVD) |
| --- | --- |

B.

Εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους θερμικής εξάτμισης (TE-PVD)

| B.1. | Εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους (PVD): Δέσμη ηλεκτρονίων (EB-PVD) |
| --- | --- |

B.1.

Εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους (PVD): Δέσμη ηλεκτρονίων (EB-PVD)

«Υπερκράματα»

Κραματοποιημένα πυριτίδια

Κραματοποιημένα αργιλίδια (2)

MCrAlX (5)

Τροποποιημένη ζιρκονία (12)

Πυριτίδια

Αργιλίδια

Μίγματα αυτών (4)

Κεραμικά υλικά (19) και γυαλί μικρής διαστολής (14)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Χάλυβας ανθεκτικός στη διάβρωση (7)

MCrAlX (5)

Τροποποιημένη ζιρκονία (12)

Μίγματα αυτών (4)

Άνθρακας-άνθρακας, Κεραμικά και Μεταλλικά «σύνθετα υλικά» με «μήτρα»

Πυριτίδια

Καρβίδια

Πυρίμαχα μέταλλα

Μίγματα αυτών (4)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Νιτρίδιο βορίου

Επιστοιχειωμένο (ενανθρακωμένο) καρβίδιο βολφραμίου (16), καρβίδιο πυριτίου (18)

Καρβίδια

Βολφράμιο

Μίγματα αυτών (4)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Μολυβδαίνιο και κράματα του μολυβδενίου

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Βηρύλλιο και κράματα του βηρυλλίου

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Βορίδια

Βηρύλλιο

Υλικά παραθύρων Αισθητήρων (9)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Κράματα τιτανίου (13)

Βορίδια

Νιτρίδια

| B.2. | Εναπόθεση ατμού με φυσική μέθοδο θέρμανσης με ηλεκτρική αντίσταση, υποβοηθούμενη από ιόντα (PVD) (ιοντική επιμετάλλωση) |
| --- | --- |

B.2.

Εναπόθεση ατμού με φυσική μέθοδο θέρμανσης με ηλεκτρική αντίσταση, υποβοηθούμενη από ιόντα (PVD) (ιοντική επιμετάλλωση)

Κεραμικά υλικά (19) και γυαλί μικρής διαστολής (14)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Αδαμαντοειδής άνθρακας (17)

Άνθρακας-άνθρακας, Κεραμικά και Μεταλλικά «σύνθετα υλικά» με «μήτρα»

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Επιστοιχειωμένο (ενανθρακωμένο) καρβίδιο βολφραμίου (16), Καρβίδιο πυριτίου

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Μολυβδαίνιο και κράματα του μολυβδενίου

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Βηρύλλιο και κράματα του βηρυλλίου

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Υλικά παραθύρων Αισθητήρων (9)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Αδαμαντοειδής άνθρακας (17)

| B.3. | Εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους (PVD): εξάτμιση με «λέιζερ» |
| --- | --- |

B.3.

Εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους (PVD): εξάτμιση με «λέιζερ»

Κεραμικά υλικά (19) και γυαλί μικρής διαστολής (14)

Πυριτίδια

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Αδαμαντοειδής άνθρακας (17)

Άνθρακας-άνθρακας, Κεραμικά και Μεταλλικά «σύνθετα υλικά» με «μήτρα»

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Επιστοιχειωμένο (ενανθρακωμένο) καρβίδιο βολφραμίου (16), Καρβίδιο πυριτίου

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Μολυβδαίνιο και κράματα του μολυβδενίου

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Βηρύλλιο και κράματα του βηρυλλίου

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Υλικά παραθύρων Αισθητήρων (9)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Αδαμαντοειδής άνθρακας

| B.4. | Εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους (PVD): καθοδική εκκένωση τόξου |
| --- | --- |

B.4.

Εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους (PVD): καθοδική εκκένωση τόξου

«Υπερκράματα»

Κραματοποιημένα πυριτίδια

Κραματοποιημένα αργιλίδια (2)

MCrAlX (5)

Πολυμερή (11) και οργανικά «σύνθετα υλικά» με «μήτρα»

Βορίδια

Καρβίδια

Νιτρίδια

Αδαμαντοειδής άνθρακας (17)

| Γ. | Επιστοιχείωση (ενανθράκωση) σε στήλη (για επιστοιχείωση εκτός στήλης, βλέπε Α παραπάνω (10) |
| --- | --- |

Γ.

Επιστοιχείωση (ενανθράκωση) σε στήλη (για επιστοιχείωση εκτός στήλης, βλέπε Α παραπάνω (10)

Άνθρακας-άνθρακας, Κεραμικά και Μεταλλικά «σύνθετα υλικά» με «μήτρα»

Πυριτίδια

Καρβίδια

Μίγματα αυτών (4)

Κράματα τιτανίου (13)

Πυριτίδια

Αργιλίδια

Κραματοποιημένα αργιλίδια (2)

Πυρίμαχα μέταλλα και κράματά τους (8)

Πυριτίδια

Οξείδια

| Δ. | Ψεκασμός πλάσματος |
| --- | --- |

Δ.

Ψεκασμός πλάσματος

«Υπερκράματα»

MCrAlX (5)

Τροποποιημένη ζιρκονία (12)

Μίγματα αυτών (4)

Λειάνσιμος νικελιο-γραφίτης

Λειάνσιμα υλικά περιέχοντα Ni-Cr-Al

Λειάνσιμος Al-Si-πολυεστέρας

Κραματοποιημένα αργιλίδια (2)

Κράματα αργιλίου (6)

MCrAlX (5)

Τροποποιημένη ζιρκονία (12)

Πυριτίδια

Μίγματα αυτών (4)

Πυρίμαχα μέταλλα και κράματά τους (8)

Αργιλίδια

Πυριτίδια

Καρβίδια

Χάλυβας ανθεκτικός στη διάβρωση (7)

MCrAlX (5)

Τροποποιημένη ζιρκονία (12)

Μίγματα αυτών (4)

Κράματα τιτανίου (13)

Καρβίδια

Αργιλίδια

Πυριτίδια

Κραματοποιημένα αργιλίδια (2)

Λειάνσιμος νικελιο-γραφίτης

Λειάνσιμα υλικά περιέχοντα Ni-Cr-Al

Λειάνσιμος Al-Si-πολυεστέρας

| E. | Εναπόθεση πολτού |
| --- | --- |

E.

Εναπόθεση πολτού

Πυρίμαχα μέταλλα και κράματά τους (8)

Συντηγμένα πυριτίδια

Συντηγμένα αργιλίδια εκτός από τα στοιχεία θερμαντικών ηλεκτρικών αντιστάσεων

Άνθρακας-άνθρακας, Κεραμικά και Μεταλλικά «σύνθετα υλικά» με «μήτρα»

Πυριτίδια

Καρβίδια

Μίγματα αυτών (4)

| ΣΤ. | Εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης |
| --- | --- |

ΣΤ.

Εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης

«Υπερκράματα»

Κραματοποιημένα πυριτίδια

Κραματοποιημένα αργιλίδια (2)

Αργιλίδια τροποποιημένα με ευγενή αργιλίδια (3)

MCrAlX (5)

Τροποποιημένη ζιρκονία (12)

Λευκόχρυσος

Μίγματα αυτών (4)

Κεραμικά υλικά και γυαλί μικρής διαστολής (14)

Πυριτίδια

Λευκόχρυσος

Μίγματα αυτών (4)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Αδαμαντοειδής άνθρακας (17)

Κράματα τιτανίου (13)

Βορίδια

Νιτρίδια

Οξείδια

Πυριτίδια

Αργιλίδια

Κραματοποιημένα αργιλίδια (2)

Καρβίδια

Άνθρακας-άνθρακας, Κεραμικά και Μεταλλικά «σύνθετα υλικά» με «μήτρα»

Πυριτίδια

Καρβίδια

Πυρίμαχα μέταλλα

Μίγματα αυτών (4)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Νιτρίδιο βορίου

Επιστοιχειωμένο (ενανθρακωμένο) καρβίδιο βολφραμίου (16), καρβίδιο πυριτίου (18)

Καρβίδια

Βολφράμιο

Μίγματα αυτών (4)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Νιτρίδιο βορίου

Μολυβδαίνιο και κράματα του μολυβδενίου

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Βηρύλλιο και κράματα του βηρυλλίου

Βορίδια

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Βηρύλλιο

Υλικά παραθύρων Αισθητήρων (9)

Διηλεκτρικά στρώματα (15)

Αδαμαντοειδής άνθρακας (17)

Πυρίμαχα μέταλλα και κράματά τους (8)

Αργιλίδια

Πυριτίδια

Οξείδια

Καρβίδια

| Ζ. | Εμφύτευση ιόντων |
| --- | --- |

Ζ.

Εμφύτευση ιόντων

Χάλυβες ανθεκτικοί σε υψηλές θερμοκρασίες

Προσθήκες χρωμίου, τανταλίου ή νιοβίου (κολομβίου)

Κράματα τιτανίου (13)

Βορίδια

Νιτρίδια

Βηρύλλιο και κράματα του βηρυλλίου

Βορίδια

Επιστοιχειωμένο (ενανθρακωμένο) καρβίδιο βολφραμίου (16)

Καρβίδια

Νιτρίδια

ΠΙΝΑΚΑΣ - ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΕΝΑΠΟΘΕΣΗΣ - ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ

| 1. | Η έννοια του όρου «μέθοδος επίχρισης» περιλαμβάνει τόσο την αρχική επίχριση όσο και την επιδιόρθωση και την ανανέωση των επιχρισμάτων. |
| --- | --- |

1.

Η έννοια του όρου «μέθοδος επίχρισης» περιλαμβάνει τόσο την αρχική επίχριση όσο και την επιδιόρθωση και την ανανέωση των επιχρισμάτων.

| 2. | Η έννοια του όρου «επίχρισμα κραματοποιημένου αργιλιδίου» περιλαμβάνει τις απλές ή πολλαπλές επιχρίσεις, κατά τις οποίες ένα ή περισσότερα χημικά στοιχεία εναποτίθενται πριν από την εφαρμογή του επιχρίσματος αργιλιδίου ή κατά τη διάρκειά της, έστω και αν για την εναπόθεση των στοιχείων αυτών χρησιμοποιείται άλλη μέθοδος επίχρισης. Δεν συμπεριλαμβάνεται όμως η πολλαπλή εφαρμογή μεθόδων απλής επιστοιχείωσης (ενανθράκωσης) στήλης για την επίτευξη κραματοποιημένων αργιλιδίων. |
| --- | --- |

2.

Η έννοια του όρου «επίχρισμα κραματοποιημένου αργιλιδίου» περιλαμβάνει τις απλές ή πολλαπλές επιχρίσεις, κατά τις οποίες ένα ή περισσότερα χημικά στοιχεία εναποτίθενται πριν από την εφαρμογή του επιχρίσματος αργιλιδίου ή κατά τη διάρκειά της, έστω και αν για την εναπόθεση των στοιχείων αυτών χρησιμοποιείται άλλη μέθοδος επίχρισης. Δεν συμπεριλαμβάνεται όμως η πολλαπλή εφαρμογή μεθόδων απλής επιστοιχείωσης (ενανθράκωσης) στήλης για την επίτευξη κραματοποιημένων αργιλιδίων.

| 3. | Η έννοια του όρου «επίχριση αργιλιδίου τροποποιημένου με ευγενή μέταλλα» περιλαμβάνει τις πολλαπλές επιχρίσεις, κατά τις οποίες το ή τα ευγενή μέταλλα εναποτίθενται με άλλη μέθοδο επίχρισης πριν από την εφαρμογή του επιχρίσματος αργιλιδίου. |
| --- | --- |

3.

Η έννοια του όρου «επίχριση αργιλιδίου τροποποιημένου με ευγενή μέταλλα» περιλαμβάνει τις πολλαπλές επιχρίσεις, κατά τις οποίες το ή τα ευγενή μέταλλα εναποτίθενται με άλλη μέθοδο επίχρισης πριν από την εφαρμογή του επιχρίσματος αργιλιδίου.

| 4. | Η έννοια του όρου «μείγματα αυτών» περιλαμβάνει διείσδυση υλικών, κλιμακωτές συνθέσεις, συνεναποθέσεις και πολυστρωματικές εναποθέσεις και λαμβάνονται με μία ή περισσότερες από τις μεθόδους επίχρισης που περιλαμβάνονται στον πίνακα. |
| --- | --- |

4.

Η έννοια του όρου «μείγματα αυτών» περιλαμβάνει διείσδυση υλικών, κλιμακωτές συνθέσεις, συνεναποθέσεις και πολυστρωματικές εναποθέσεις και λαμβάνονται με μία ή περισσότερες από τις μεθόδους επίχρισης που περιλαμβάνονται στον πίνακα.

| 5. | Ο τύπος ‘ΜcrΑlX’ αναφέρεται σε κράματα επίχρισης, όπου Μ είναι κοβάλτιο, σίδηρος, νικέλιο ή συνδυασμός αυτών των μετάλλων και X είναι άφνιο, ύττριο, πυρίτιο, ταντάλιο σε οποιαδήποτε ποσότητα ή άλλες σκόπιμες προσθήκες σε ποσοστό μεγαλύτερο από 0,01 % κατά βάρος σε ποικίλες αναλογίες και ποικίλους συνδυασμούς, εκτός από:






  α. | τα επιχρίσματα CoCrAlY με κατά βάρος περιεκτικότητα σε χρώμιο μικρότερη από 22 %, σε αργίλιο μικρότερη από 7 % και σε ύττριο μικρότερη από 2 %, |
| --- | --- | --- |

5.

Ο τύπος ‘ΜcrΑlX’ αναφέρεται σε κράματα επίχρισης, όπου Μ είναι κοβάλτιο, σίδηρος, νικέλιο ή συνδυασμός αυτών των μετάλλων και X είναι άφνιο, ύττριο, πυρίτιο, ταντάλιο σε οποιαδήποτε ποσότητα ή άλλες σκόπιμες προσθήκες σε ποσοστό μεγαλύτερο από 0,01 % κατά βάρος σε ποικίλες αναλογίες και ποικίλους συνδυασμούς, εκτός από:

α.

τα επιχρίσματα CoCrAlY με κατά βάρος περιεκτικότητα σε χρώμιο μικρότερη από 22 %, σε αργίλιο μικρότερη από 7 % και σε ύττριο μικρότερη από 2 %,

| β. | τα επιχρίσματα CoCrAlY με κατά βάρος περιεκτικότητα σε χρώμιο 22-24 %, σε αργίλιο 10-12 % και σε ύττριο 0,5-0,7 %, ή |
| --- | --- |

β.

τα επιχρίσματα CoCrAlY με κατά βάρος περιεκτικότητα σε χρώμιο 22-24 %, σε αργίλιο 10-12 % και σε ύττριο 0,5-0,7 %, ή

| γ. | τα επιχρίσματα NiCrAlY με κατά βάρος περιεκτικότητα σε χρώμιο 21-23 %, σε αργίλιο 10-12 % και σε ύττριο 0,9-1,1 %. |
| --- | --- |

γ.

τα επιχρίσματα NiCrAlY με κατά βάρος περιεκτικότητα σε χρώμιο 21-23 %, σε αργίλιο 10-12 % και σε ύττριο 0,9-1,1 %.

| 6. | Ο όρος «κράματα αργιλίου» αναφέρεται σε κράματα με αντοχή στον εφελκυσμό 190 ΜΡa ή μεγαλύτερη, μετρούμενη στους 293 Κ (20 °C). |
| --- | --- |

6.

Ο όρος «κράματα αργιλίου» αναφέρεται σε κράματα με αντοχή στον εφελκυσμό 190 ΜΡa ή μεγαλύτερη, μετρούμενη στους 293 Κ (20 °C).

| 7. | Ο όρος «χάλυβας ανθεκτικός στη διάβρωση» αναφέρεται σε χάλυβες που ανταποκρίνονται στο πρότυπο AISI (American Iron and Steel Institute/Αμερικανικό Ίδρυμα Σιδήρου και χάλυβα) σειρά 300 ή σε ισότιμο εθνικό πρότυπο. |
| --- | --- |

7.

Ο όρος «χάλυβας ανθεκτικός στη διάβρωση» αναφέρεται σε χάλυβες που ανταποκρίνονται στο πρότυπο AISI (American Iron and Steel Institute/Αμερικανικό Ίδρυμα Σιδήρου και χάλυβα) σειρά 300 ή σε ισότιμο εθνικό πρότυπο.

| 8. | Ο όρος «πυρίμαχα μέταλλα και κράματα» περιλαμβάνει τα ακόλουθα μέταλλα και τα κράματά τους: νιόβιο (κολόμβιο), μολυβδαίνιο, βολφράμιο και ταντάλιο. |
| --- | --- |

8.

Ο όρος «πυρίμαχα μέταλλα και κράματα» περιλαμβάνει τα ακόλουθα μέταλλα και τα κράματά τους: νιόβιο (κολόμβιο), μολυβδαίνιο, βολφράμιο και ταντάλιο.

| 9. | «Υλικά παραθύρων αισθητήρων», ως εξής: αλουμίνα, πυρίτιο, γερμάνιο, θειούχος ψευδάργυρος, σεληνίδιο του ψευδαργύρου, αρσενίδιο του γαλλίου, αδάμας, φωσφίδιο γαλλίου, σάπφειρος και τα ακόλουθα αλογονίδια μετάλλων: υλικά παραθύρων αισθητήρων διαμέτρου άνω των 40 mm, προκειμένου για βρωμιούχο ζιρκόνιο και φθοριούχο άφνιο. |
| --- | --- |

9.

«Υλικά παραθύρων αισθητήρων», ως εξής: αλουμίνα, πυρίτιο, γερμάνιο, θειούχος ψευδάργυρος, σεληνίδιο του ψευδαργύρου, αρσενίδιο του γαλλίου, αδάμας, φωσφίδιο γαλλίου, σάπφειρος και τα ακόλουθα αλογονίδια μετάλλων: υλικά παραθύρων αισθητήρων διαμέτρου άνω των 40 mm, προκειμένου για βρωμιούχο ζιρκόνιο και φθοριούχο άφνιο.

| 10. | Η «τεχνολογία» για την απλή επιστοιχείωση (ενανθράκωση) σε στήλη συμπαγών αεροτομών δεν περιλαμβάνεται στην κατηγορία 2. |
| --- | --- |

10.

Η «τεχνολογία» για την απλή επιστοιχείωση (ενανθράκωση) σε στήλη συμπαγών αεροτομών δεν περιλαμβάνεται στην κατηγορία 2.

| 11. | «Πολυμερή» ως εξής: πολυϊμίδια, πολυεστέρες, πολυσουλφίδια, πολυανθρακικά πολυμερή και πολυουρεθάνες. |
| --- | --- |

11.

«Πολυμερή» ως εξής: πολυϊμίδια, πολυεστέρες, πολυσουλφίδια, πολυανθρακικά πολυμερή και πολυουρεθάνες.

| 12. | Η «τροποποιημένη ζιρκονία» αναφέρεται στο προϊόν προσθήκης στη ζιρκονία άλλων οξειδίων μετάλλων, (π.χ. ασβέστου, μαγνησίας, υττρίας, αφνίας, οξειδίων των σπανίων γαιών κ.λπ.), για τη σταθεροποίηση ορισμένων κρυσταλλογραφικών φάσεων και συνθέσεων φάσεων. Τα επιχρίσματα θερμικού φράγματος από ζιρκονία που τροποποιείται με ανάμειξη ή σύντηξη με άσβεστο ή μαγνησία, δεν υπόκεινται στον έλεγχο. |
| --- | --- |

12.

Η «τροποποιημένη ζιρκονία» αναφέρεται στο προϊόν προσθήκης στη ζιρκονία άλλων οξειδίων μετάλλων, (π.χ. ασβέστου, μαγνησίας, υττρίας, αφνίας, οξειδίων των σπανίων γαιών κ.λπ.), για τη σταθεροποίηση ορισμένων κρυσταλλογραφικών φάσεων και συνθέσεων φάσεων. Τα επιχρίσματα θερμικού φράγματος από ζιρκονία που τροποποιείται με ανάμειξη ή σύντηξη με άσβεστο ή μαγνησία, δεν υπόκεινται στον έλεγχο.

| 13. | Τα «κράματα τιτανίου» αναφέρονται μόνον στα κράματα της αεροδιαστημικής τεχνολογίας με αντοχή στον εφελκυσμό 900 MPa ή μεγαλύτερη, μετρούμενη στους 293 Κ (20 °C). |
| --- | --- |

13.

Τα «κράματα τιτανίου» αναφέρονται μόνον στα κράματα της αεροδιαστημικής τεχνολογίας με αντοχή στον εφελκυσμό 900 MPa ή μεγαλύτερη, μετρούμενη στους 293 Κ (20 °C).

| 14. | Το «γυαλί μικρής διαστολής» αναφέρεται σε γυαλί με συντελεστή θερμικής διαστολής 1 × 10-7 K-1 ή μικρότερο, μετρούμενο στους 293 Κ (20 °C). |
| --- | --- |

14.

Το «γυαλί μικρής διαστολής» αναφέρεται σε γυαλί με συντελεστή θερμικής διαστολής 1 × 10-7 K-1 ή μικρότερο, μετρούμενο στους 293 Κ (20 °C).

| 15. | Τα «διηλεκτρικά στρώματα» είναι επιχρίσματα που συγκροτούνται από πολλαπλές επιστρώσεις μονωτικών υλικών και στα οποία οι ιδιότητες συμβολής μιας διάταξης υλικών με διάφορους δείκτες διαθλάσεως, χρησιμοποιούνται για την ανάκλαση, τη μετάδοση ή την απορρόφηση διαφόρων ζωνών μήκους κύματος. Τα διηλεκτρικά στρώματα αναφέρονται σε περισσότερες από τέσσερις διηλεκτρικές επιστρώσεις ή «σύνθετες» επιστρώσεις διηλεκτρικού υλικού/μετάλλου. |
| --- | --- |

15.

Τα «διηλεκτρικά στρώματα» είναι επιχρίσματα που συγκροτούνται από πολλαπλές επιστρώσεις μονωτικών υλικών και στα οποία οι ιδιότητες συμβολής μιας διάταξης υλικών με διάφορους δείκτες διαθλάσεως, χρησιμοποιούνται για την ανάκλαση, τη μετάδοση ή την απορρόφηση διαφόρων ζωνών μήκους κύματος. Τα διηλεκτρικά στρώματα αναφέρονται σε περισσότερες από τέσσερις διηλεκτρικές επιστρώσεις ή «σύνθετες» επιστρώσεις διηλεκτρικού υλικού/μετάλλου.

| 16. | Στα «επιστοιχειωμένα καρβίδια του βολφραμίου» δεν περιλαμβάνονται τα υλικά κοπτικών εργαλείων και εργαλείων μορφοποίησης από καρβίδιο του βολφραμίου/(κοβάλτιο, νικέλιο), καρβίδιο του τιτανίου/(κοβάλτιο, νικέλιο), καρβίδιο του χρωμίου/νικελιο-χρώμιο και καρβίδιο του χρωμίου/νικέλιο. |
| --- | --- |

16.

Στα «επιστοιχειωμένα καρβίδια του βολφραμίου» δεν περιλαμβάνονται τα υλικά κοπτικών εργαλείων και εργαλείων μορφοποίησης από καρβίδιο του βολφραμίου/(κοβάλτιο, νικέλιο), καρβίδιο του τιτανίου/(κοβάλτιο, νικέλιο), καρβίδιο του χρωμίου/νικελιο-χρώμιο και καρβίδιο του χρωμίου/νικέλιο.

| 17. | Δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την εναπόθεση αδαμαντοειδούς άνθρακα στα ακόλουθα: οδηγοί και κεφαλές μαγνητικών δίσκων, εξοπλισμός για την κατασκευή ειδών μιας χρήσης, εξοπλισμός αρτοποιίας, βαλβίδες στροφίγγων, ακουστικά διαφράγματα μεγαφώνων, εξαρτήματα κινητήρων αυτοκινήτων, κοπτικά εργαλεία, διατμητικές και κοιλαντικές μήτρες, εξοπλισμός πληρογραφικής, μικρόφωνα ή ιατροτεχνολογικά βοηθήματα, ή καλούπια, για τη χύτευση ή το καλούπωμα πλαστικών, κατασκευασμένα από κράματα με περιεκτικότητα σε βερύλλιο κάτω του 5 %. |
| --- | --- |

17.

Δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την εναπόθεση αδαμαντοειδούς άνθρακα στα ακόλουθα: οδηγοί και κεφαλές μαγνητικών δίσκων, εξοπλισμός για την κατασκευή ειδών μιας χρήσης, εξοπλισμός αρτοποιίας, βαλβίδες στροφίγγων, ακουστικά διαφράγματα μεγαφώνων, εξαρτήματα κινητήρων αυτοκινήτων, κοπτικά εργαλεία, διατμητικές και κοιλαντικές μήτρες, εξοπλισμός πληρογραφικής, μικρόφωνα ή ιατροτεχνολογικά βοηθήματα, ή καλούπια, για τη χύτευση ή το καλούπωμα πλαστικών, κατασκευασμένα από κράματα με περιεκτικότητα σε βερύλλιο κάτω του 5 %.

| 18. | Το «καρβίδιο του πυριτίου» δεν περιλαμβάνει τα υλικά κοπτικών εργαλείων και εργαλείων μορφοποίησης. |
| --- | --- |

18.

Το «καρβίδιο του πυριτίου» δεν περιλαμβάνει τα υλικά κοπτικών εργαλείων και εργαλείων μορφοποίησης.

| 19. | Ο όρος «κεραμικά υποστρώματα», όπως χρησιμοποιείται στο σημείο αυτό, δεν περιλαμβάνει τα κεραμικά υλικά με περιεκτικότητα τουλάχιστον 5 % σε άργιλο ή τσιμέντο, είτε χωριστά είτε σε συνδυασμό. |
| --- | --- |

19.

Ο όρος «κεραμικά υποστρώματα», όπως χρησιμοποιείται στο σημείο αυτό, δεν περιλαμβάνει τα κεραμικά υλικά με περιεκτικότητα τουλάχιστον 5 % σε άργιλο ή τσιμέντο, είτε χωριστά είτε σε συνδυασμό.

ΠΙΝΑΚΑΣ - ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΕΝΑΠΟΘΕΣΗΣ - ΤΕΧΝΙΚΗ ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΗ

Οι ορισμοί των μεθόδων που καθορίζονται στη στήλη 1 του πίνακα είναι οι εξής:

| α. | Εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους (CVD) είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση ή με μετατροπή επιφανειών, κατά την οποία ένα μέταλλο, κράμα, «σύνθετο υλικό», διηλεκτρικό υλικό ή κεραμικό υλικό εναποτίθεται σε θερμαινόμενο υπόστρωμα. Τα αέρια αντιδρώντα στρώματα διασπώνται ή ενώνονται κοντά στο υπόστρωμα, με αποτέλεσμα την εναπόθεση σε αυτό του επιθυμητού υλικού — χημικού στοιχείου, κράματος ή ένωσης. Η απαιτούμενη ενέργεια για την παραπάνω διεργασία διάσπασης ή χημικής αντίδρασης παρέχεται από τη θερμότητα του υποστρώματος, από πλάσμα εκκένωσης αίγλης ή με ακτινοβόληση με «λέιζερ».


  ΣΗΜ. 1: Στην τεχνική CVD περιλαμβάνονται οι ακόλουθες μέθοδοι: εναπόθεση εκτός στήλης με κατευθυνόμενη ροή αερίου, παλμική CVD, θερμική εναπόθεση με ελεγχόμενο πυρήνα αντιδράσεως (CNTD), CVD βελτιωμένη ή υποβοηθούμενη από πλάσμα.



  ΣΗΜ. 2: Ο όρος «στήλη» σημαίνει ότι το υπόστρωμα είναι βυθισμένο σε μείγμα κόνεων.



  ΣΗΜ. 3: Τα αέρια αντιδρώντα σώματα που χρησιμοποιούνται στην τεχνική εκτός στήλης σχηματίζονται με τις ίδιες βασικές αντιδράσεις και παραμέτρους όπως και στην τεχνική επιστοιχείωσης (ενανθράκωσης) σε στήλη, εκτός από το ότι το προς επίχριση υπόστρωμα δεν έρχεται σε επαφή με το μείγμα κόνεων. |
| --- | --- |

α.

Εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους (CVD) είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση ή με μετατροπή επιφανειών, κατά την οποία ένα μέταλλο, κράμα, «σύνθετο υλικό», διηλεκτρικό υλικό ή κεραμικό υλικό εναποτίθεται σε θερμαινόμενο υπόστρωμα. Τα αέρια αντιδρώντα στρώματα διασπώνται ή ενώνονται κοντά στο υπόστρωμα, με αποτέλεσμα την εναπόθεση σε αυτό του επιθυμητού υλικού — χημικού στοιχείου, κράματος ή ένωσης. Η απαιτούμενη ενέργεια για την παραπάνω διεργασία διάσπασης ή χημικής αντίδρασης παρέχεται από τη θερμότητα του υποστρώματος, από πλάσμα εκκένωσης αίγλης ή με ακτινοβόληση με «λέιζερ».

ΣΗΜ. 1: Στην τεχνική CVD περιλαμβάνονται οι ακόλουθες μέθοδοι: εναπόθεση εκτός στήλης με κατευθυνόμενη ροή αερίου, παλμική CVD, θερμική εναπόθεση με ελεγχόμενο πυρήνα αντιδράσεως (CNTD), CVD βελτιωμένη ή υποβοηθούμενη από πλάσμα.

ΣΗΜ. 2: Ο όρος «στήλη» σημαίνει ότι το υπόστρωμα είναι βυθισμένο σε μείγμα κόνεων.

ΣΗΜ. 3: Τα αέρια αντιδρώντα σώματα που χρησιμοποιούνται στην τεχνική εκτός στήλης σχηματίζονται με τις ίδιες βασικές αντιδράσεις και παραμέτρους όπως και στην τεχνική επιστοιχείωσης (ενανθράκωσης) σε στήλη, εκτός από το ότι το προς επίχριση υπόστρωμα δεν έρχεται σε επαφή με το μείγμα κόνεων.

| β. | Εναπόθεση ατμών με φυσικές μεθόδους θερμικής εξάτμισης (ΤΕ-PVD) είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, η οποία πραγματοποιείται σε θάλαμο κενού με πίεση μικρότερη από 0,1 Pa και κατά την οποία χρησιμοποιείται πηγή θερμικής ενέργειας για την εξάτμιση του επιχριστικού υλικού. Η διεργασία αυτή έχει ως αποτέλεσμα τη συμπύκνωση ή την εναπόθεση των εξατμισμένων σωματιδίων σε καταλλήλως τοποθετημένα υποστρώματα.
  Η προσθήκη αερίων στο θάλαμο κενού κατά τη διάρκεια της επίχρισης για τη δημιουργία σύνθετων επιχρισμάτων αποτελεί συνήθη παραλλαγή της μεθόδου.
  Συνήθης επίσης τροποποίηση αυτής της τεχνικής είναι η χρήση δέσμης ιόντων ή ηλεκτρονίων, ή και πλάσματος, για την ενεργοποίηση ή τη διευκόλυνση της εναπόθεσης του επιχρίσματος. Ένα επιπλέον γνώρισμα αυτών των διεργασιών μπορεί να είναι η χρήση συσκευών παρακολούθησης (monitor) για την κατά τη διεργασία μέτρηση των οπτικών χαρακτηριστικών και του πάχους του επιχρίσματος.
  Ειδικότερα, οι μέθοδοι TE-PVD είναι οι εξής:






  1. | Στην PVD δέσμης ηλεκτρονίων χρησιμοποιείται δέσμη ηλεκτρονίων για τη θέρμανση και την εξάτμιση του υλικού που σχηματίζει το επίχρισμα, |
| --- | --- | --- |

β.

Εναπόθεση ατμών με φυσικές μεθόδους θερμικής εξάτμισης (ΤΕ-PVD) είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, η οποία πραγματοποιείται σε θάλαμο κενού με πίεση μικρότερη από 0,1 Pa και κατά την οποία χρησιμοποιείται πηγή θερμικής ενέργειας για την εξάτμιση του επιχριστικού υλικού. Η διεργασία αυτή έχει ως αποτέλεσμα τη συμπύκνωση ή την εναπόθεση των εξατμισμένων σωματιδίων σε καταλλήλως τοποθετημένα υποστρώματα.

Η προσθήκη αερίων στο θάλαμο κενού κατά τη διάρκεια της επίχρισης για τη δημιουργία σύνθετων επιχρισμάτων αποτελεί συνήθη παραλλαγή της μεθόδου.

Συνήθης επίσης τροποποίηση αυτής της τεχνικής είναι η χρήση δέσμης ιόντων ή ηλεκτρονίων, ή και πλάσματος, για την ενεργοποίηση ή τη διευκόλυνση της εναπόθεσης του επιχρίσματος. Ένα επιπλέον γνώρισμα αυτών των διεργασιών μπορεί να είναι η χρήση συσκευών παρακολούθησης (monitor) για την κατά τη διεργασία μέτρηση των οπτικών χαρακτηριστικών και του πάχους του επιχρίσματος.

Ειδικότερα, οι μέθοδοι TE-PVD είναι οι εξής:

1.

Στην PVD δέσμης ηλεκτρονίων χρησιμοποιείται δέσμη ηλεκτρονίων για τη θέρμανση και την εξάτμιση του υλικού που σχηματίζει το επίχρισμα,

| 2. | Στην υποβοηθούμενη από ιόντα PVD θέρμανση με ηλεκτρική αντίσταση χρησιμοποιούνται πηγές θερμότητας με ηλεκτρική αντίσταση, σε συνδυασμό με μία ή περισσότερες προσπίπτουσες δέσμες ιόντων, ικανές να δημιουργούν ελεγχόμενο και ομοιόμορφο ρεύμα εξατμισμένων επιχριστικών σωματιδίων, |
| --- | --- |

2.

Στην υποβοηθούμενη από ιόντα PVD θέρμανση με ηλεκτρική αντίσταση χρησιμοποιούνται πηγές θερμότητας με ηλεκτρική αντίσταση, σε συνδυασμό με μία ή περισσότερες προσπίπτουσες δέσμες ιόντων, ικανές να δημιουργούν ελεγχόμενο και ομοιόμορφο ρεύμα εξατμισμένων επιχριστικών σωματιδίων,

| 3. | Στην εξάτμιση με «λέιζερ» χρησιμοποιούνται δέσμες «λέιζερ» παλμικού ή συνεχούς κύματος για την εξάτμιση του υλικού που σχηματίζει το επίχρισμα, |
| --- | --- |

3.

Στην εξάτμιση με «λέιζερ» χρησιμοποιούνται δέσμες «λέιζερ» παλμικού ή συνεχούς κύματος για την εξάτμιση του υλικού που σχηματίζει το επίχρισμα,

| 4. | Στην εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου χρησιμοποιείται αναλώσιμη κάθοδος από το υλικό που σχηματίζει το επίχρισμα, στης οποίας την επιφάνεια προκαλείται μονίμως εκκένωση τόξου με τη στιγμιαία επαφή πολυδονητή (κύκλωμα σκανδάλης). Η ελεγχόμενη κίνηση του σχηματισμού του τόξου διαβρώνει την επιφάνεια της καθόδου δημιουργώντας εξαιρετικά ιονισμένο πλάσμα. Ως άνοδος χρησιμοποιείται είτε ένας κώνος, συνδεδεμένος με την περιφέρεια της καθόδου μέσω μονωτικού υλικού, είτε ο θάλαμος. Για εναπόθεση χωρίς σκοπευτικό άξονα χρησιμοποιείται πόλωση του υποστρώματος.


  ΣΗΜ.: Ο ορισμός αυτός δεν περιλαμβάνει την τυχαία εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου με μη πολωμένα υποστρώματα. |
| --- | --- |

4.

Στην εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου χρησιμοποιείται αναλώσιμη κάθοδος από το υλικό που σχηματίζει το επίχρισμα, στης οποίας την επιφάνεια προκαλείται μονίμως εκκένωση τόξου με τη στιγμιαία επαφή πολυδονητή (κύκλωμα σκανδάλης). Η ελεγχόμενη κίνηση του σχηματισμού του τόξου διαβρώνει την επιφάνεια της καθόδου δημιουργώντας εξαιρετικά ιονισμένο πλάσμα. Ως άνοδος χρησιμοποιείται είτε ένας κώνος, συνδεδεμένος με την περιφέρεια της καθόδου μέσω μονωτικού υλικού, είτε ο θάλαμος. Για εναπόθεση χωρίς σκοπευτικό άξονα χρησιμοποιείται πόλωση του υποστρώματος.

ΣΗΜ.: Ο ορισμός αυτός δεν περιλαμβάνει την τυχαία εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου με μη πολωμένα υποστρώματα.

| 5. | Η ιοντική επιμετάλλωση αποτελεί ειδική τροποποίηση της γενικής τεχνικής ΤΕ-PVD, κατά την οποία χρησιμοποιείται πηγή πλάσματος ή ιόντων για τον ιονισμό των προς εναπόθεση σωματιδίων ενώ στο υπόστρωμα εφαρμόζεται αρνητικό δυναμικό πολώσεως για να διευκολυνθεί η έξοδος των σωματιδίων από το πλάσμα. Η εισαγωγή δραστικών σωματιδίων, η εξάτμιση στερεών μέσα στο θάλαμο εργασίας καθώς και η χρήση συσκευών παρακολούθησης (monitor) για την κατά τη διεργασία μέτρηση των οπτικών χαρακτηριστικών και του πάχους των επιχρισμάτων, αποτελούν συνήθεις παραλλαγές της τεχνικής. |
| --- | --- |

5.

Η ιοντική επιμετάλλωση αποτελεί ειδική τροποποίηση της γενικής τεχνικής ΤΕ-PVD, κατά την οποία χρησιμοποιείται πηγή πλάσματος ή ιόντων για τον ιονισμό των προς εναπόθεση σωματιδίων ενώ στο υπόστρωμα εφαρμόζεται αρνητικό δυναμικό πολώσεως για να διευκολυνθεί η έξοδος των σωματιδίων από το πλάσμα. Η εισαγωγή δραστικών σωματιδίων, η εξάτμιση στερεών μέσα στο θάλαμο εργασίας καθώς και η χρήση συσκευών παρακολούθησης (monitor) για την κατά τη διεργασία μέτρηση των οπτικών χαρακτηριστικών και του πάχους των επιχρισμάτων, αποτελούν συνήθεις παραλλαγές της τεχνικής.

| γ. | Επιστοιχείωση (ενανθράκωση) σε στήλη είναι μέθοδος επίχρισης με μετατροπή επιφανειών ή με επίστρωση, κατά την οποία το υπόστρωμα βυθίζεται σε μείγμα κόνεων (στήλη) αποτελούμενο από:






  1. | τις κόνεις των μετάλλων που πρόκειται να εναποτεθούν (συνήθως αργίλιο, χρώμιο, πυρίτιο ή συνδυασμοί αυτών), |
| --- | --- | --- |

γ.

Επιστοιχείωση (ενανθράκωση) σε στήλη είναι μέθοδος επίχρισης με μετατροπή επιφανειών ή με επίστρωση, κατά την οποία το υπόστρωμα βυθίζεται σε μείγμα κόνεων (στήλη) αποτελούμενο από:

1.

τις κόνεις των μετάλλων που πρόκειται να εναποτεθούν (συνήθως αργίλιο, χρώμιο, πυρίτιο ή συνδυασμοί αυτών),

| 2. | έναν ενεργοποιητή (συνήθως αλογονούχο άλας), και |
| --- | --- |

2.

έναν ενεργοποιητή (συνήθως αλογονούχο άλας), και

| 3. | μία αδρανή κόνι, ως επί το πλείστον αλουμίνα. |
| --- | --- |

3.

μία αδρανή κόνι, ως επί το πλείστον αλουμίνα.

Το μείγμα υποστρώματος και κόνεων περιέχεται σε κάμινο κέρατος, που θερμαίνεται σε θερμοκρασία μεταξύ 1 030 Κ (757 °C) και 1 375 (1 102 °C) για όσο χρόνο απαιτεί η εναπόθεση του επιχρίσματος.

| δ. | Ψεκασμός πλάσματος είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, κατά την οποία τα επιχριστικά υλικά, σε μορφή κόνεως ή σύρματος, εισάγονται σε πιστόλι (δαυλό ψεκασμού) που παράγει πλάσμα και το ελέγχει, τήκονται και εκσφενδονίζονται από αυτό προς το υπόστρωμα, όπου σχηματίζουν άρρηκτα συνδεδεμένο επίχρισμα. Πρόκειται για ψεκασμό πλάσματος είτε χαμηλής πιέσεως είτε υψηλής ταχύτητας.


  ΣΗΜ. 1: Χαμηλή πίεση σημαίνει χαμηλότερη από την ατμοσφαιρική πίεση περιβάλλοντος.



  ΣΗΜ. 2: Η υψηλή ταχύτητα αναφέρεται σε ταχύτητες αερίου στην έξοδο του ακροφυσίου υψηλότερες από 750 m/s υπολογιζόμενες σε θερμοκρασία 293 Κ (20 °C) και πίεση 0,1 MPa. |
| --- | --- |

δ.

Ψεκασμός πλάσματος είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, κατά την οποία τα επιχριστικά υλικά, σε μορφή κόνεως ή σύρματος, εισάγονται σε πιστόλι (δαυλό ψεκασμού) που παράγει πλάσμα και το ελέγχει, τήκονται και εκσφενδονίζονται από αυτό προς το υπόστρωμα, όπου σχηματίζουν άρρηκτα συνδεδεμένο επίχρισμα. Πρόκειται για ψεκασμό πλάσματος είτε χαμηλής πιέσεως είτε υψηλής ταχύτητας.

ΣΗΜ. 1: Χαμηλή πίεση σημαίνει χαμηλότερη από την ατμοσφαιρική πίεση περιβάλλοντος.

ΣΗΜ. 2: Η υψηλή ταχύτητα αναφέρεται σε ταχύτητες αερίου στην έξοδο του ακροφυσίου υψηλότερες από 750 m/s υπολογιζόμενες σε θερμοκρασία 293 Κ (20 °C) και πίεση 0,1 MPa.

| ε. | Εναπόθεση πολτού είναι τεχνική επίχρισης με μετατροπή επιφανειών ή με επίστρωση, κατά την οποία σχηματίζεται εναιώρημα μεταλλικής ή κεραμικής κόνεως με οργανικό συνδετικό υλικό σε υγρό, το εναιώρημα αυτό εφαρμόζεται στο υπόστρωμα με ψεκασμό, εμβάπτιση ή βαφή και ακολουθεί ξήρανση στον αέρα ή σε κλίβανο και θερμική κατεργασία για την επίτευξη του επιθυμητού επιχρίσματος. |
| --- | --- |

ε.

Εναπόθεση πολτού είναι τεχνική επίχρισης με μετατροπή επιφανειών ή με επίστρωση, κατά την οποία σχηματίζεται εναιώρημα μεταλλικής ή κεραμικής κόνεως με οργανικό συνδετικό υλικό σε υγρό, το εναιώρημα αυτό εφαρμόζεται στο υπόστρωμα με ψεκασμό, εμβάπτιση ή βαφή και ακολουθεί ξήρανση στον αέρα ή σε κλίβανο και θερμική κατεργασία για την επίτευξη του επιθυμητού επιχρίσματος.

| στ. | Εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, που βασίζεται σε ένα φαινόμενο μεταφοράς ορμής και κατά την οποία θετικά ιόντα επιταχύνονται από ηλεκτρικό πεδίο προς την επιφάνεια του στόχου (επιχριστικό υλικό). Η κινητική ενέργεια των προσπιπτόντων ιόντων αρκεί για να προκαλέσει την ελευθέρωση των ατόμων της επιφάνειας του στόχου και την εναπόθεσή τους σε καταλλήλως τοποθετημένο υπόστρωμα.


  ΣΗΜ. 1: Ο πίνακας αναφέρεται μόνο στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης τριόδου, μαγνήτρου ή χημικής αντίδρασης, που χρησιμοποιείται για την αύξηση της πρόσφυσης του επιχρίσματος και της ταχύτητας εναπόθεσης, και στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης ενισχυμένης με ραδιοσυχνότητες (RF), που χρησιμοποιείται για να επιτρέπει την εξάτμιση μη μεταλλικών επιχριστικών υλικών.



  ΣΗΜ. 2: Για την ενεργοποίηση της εναπόθεσης είναι δυνατόν να χρησιμοποιούνται δέσμες ιόντων χαμηλής ενέργειας (κάτω των 5 keV) |
| --- | --- |

στ.

Εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, που βασίζεται σε ένα φαινόμενο μεταφοράς ορμής και κατά την οποία θετικά ιόντα επιταχύνονται από ηλεκτρικό πεδίο προς την επιφάνεια του στόχου (επιχριστικό υλικό). Η κινητική ενέργεια των προσπιπτόντων ιόντων αρκεί για να προκαλέσει την ελευθέρωση των ατόμων της επιφάνειας του στόχου και την εναπόθεσή τους σε καταλλήλως τοποθετημένο υπόστρωμα.

ΣΗΜ. 1: Ο πίνακας αναφέρεται μόνο στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης τριόδου, μαγνήτρου ή χημικής αντίδρασης, που χρησιμοποιείται για την αύξηση της πρόσφυσης του επιχρίσματος και της ταχύτητας εναπόθεσης, και στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης ενισχυμένης με ραδιοσυχνότητες (RF), που χρησιμοποιείται για να επιτρέπει την εξάτμιση μη μεταλλικών επιχριστικών υλικών.

ΣΗΜ. 2: Για την ενεργοποίηση της εναπόθεσης είναι δυνατόν να χρησιμοποιούνται δέσμες ιόντων χαμηλής ενέργειας (κάτω των 5 keV)

| ζ. | Εμφύτευση ιόντων είναι τεχνική επίχρισης με μετατροπή επιφανειών, κατά την οποία το προς κραματοποίηση στοιχείο ιονίζεται, επιταχύνεται μέσω διαβαθμιζόμενου δυναμικού και εμφυτεύεται στην επιφάνεια του υποστρώματος. Ο ορισμός αυτός περιλαμβάνει τις μεθόδους, στις οποίες η εμφύτευση ιόντων πραγματοποιείται ταυτόχρονα με εναπόθεση ατμού με φυσική μέθοδο δέσμης ηλεκτρονίων ή εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης. |
| --- | --- |

ζ.

Εμφύτευση ιόντων είναι τεχνική επίχρισης με μετατροπή επιφανειών, κατά την οποία το προς κραματοποίηση στοιχείο ιονίζεται, επιταχύνεται μέσω διαβαθμιζόμενου δυναμικού και εμφυτεύεται στην επιφάνεια του υποστρώματος. Ο ορισμός αυτός περιλαμβάνει τις μεθόδους, στις οποίες η εμφύτευση ιόντων πραγματοποιείται ταυτόχρονα με εναπόθεση ατμού με φυσική μέθοδο δέσμης ηλεκτρονίων ή εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 3 — ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

3A   Συστήματα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη

Σημείωση 1: Η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού και των δομικών στοιχείων που περιγράφονται στο σημείο 3Α001 ή 3Α002, εκτός από όσα περιγράφονται στα εδάφια3A001.α.3. έως 3Α001.α.10. ή 3Α001.α.12. ή 3A001.α.13, που έχουν σχεδιασθεί ειδικά, ή έχουν τα ίδια λειτουργικά χαρακτηριστικά όπως ο υπόλοιπος εξοπλισμός, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού.

Σημείωση 2: Η διαβάθμιση ελέγχου των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.9., 3A001.α.12. ή 3Α001.α.13., τα οποία έχουν προγραμματισθεί χωρίς δυνατότητα αλλαγής, ή έχουν σχεδιασθεί για μία επιμέρους λειτουργία άλλου εξοπλισμού, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού.

ΣΗΜ.: Όταν ο κατασκευαστής ή αυτός που υποβάλλει την αίτηση δεν μπορεί να καθορίσει τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού, η διαβάθμιση ελέγχου των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων καθορίζεται στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.9. και 3Α001.α.12. και 3Α001.α.13.

| 3A001 | Ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:






  α. | Ολοκληρωμένα κυκλώματα για γενικούς σκοπούς, ως εξής:


  Σημείωση 1: Η διαβάθμιση ελέγχου των πλακιδίων (που έχουν υποστεί φινίρισμα ή όχι), στα οποία έχει καθοριστεί η λειτουργία, πρέπει να ελεγχθεί με τις παραμέτρους του σημείου 3Α001.α.



  Σημείωση 2: Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα περιλαμβάνουν τους ακόλουθους τύπους:







  — | «Μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα», |
| --- | --- | --- | --- |

3A001

Ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:

α.

Ολοκληρωμένα κυκλώματα για γενικούς σκοπούς, ως εξής:

Σημείωση 1: Η διαβάθμιση ελέγχου των πλακιδίων (που έχουν υποστεί φινίρισμα ή όχι), στα οποία έχει καθοριστεί η λειτουργία, πρέπει να ελεγχθεί με τις παραμέτρους του σημείου 3Α001.α.

Σημείωση 2: Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα περιλαμβάνουν τους ακόλουθους τύπους:

—

«Μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα»,

| — | «Υβριδικά ολοκληρωμένα κυκλώματα», |
| --- | --- |

—

«Υβριδικά ολοκληρωμένα κυκλώματα»,

| — | «Ολοκληρωμένα κυκλώματα πολλαπλών μικροπλακετών», |
| --- | --- |

—

«Ολοκληρωμένα κυκλώματα πολλαπλών μικροπλακετών»,

| — | «Ολοκληρωμένα κυκλώματα τύπου φιλμ», που περιλαμβάνουν ολοκληρωμένα κυκλώματα με πυρίτιο πάνω σε σάπφειρο, |
| --- | --- |

—

«Ολοκληρωμένα κυκλώματα τύπου φιλμ», που περιλαμβάνουν ολοκληρωμένα κυκλώματα με πυρίτιο πάνω σε σάπφειρο,

| — | «Οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα», |
| --- | --- |

—

«Οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα»,

| — | «Τρισδιάστατα ολοκληρωμένα κυκλώματα». |
| --- | --- |

—

«Τρισδιάστατα ολοκληρωμένα κυκλώματα».

| 1. | Ολοκληρωμένα κυκλώματα σχεδιασμένα ή καθορισμένα ώστε να αντέχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Ακτινοβολία, συνολικής δόσης τουλάχιστον 5 × 103 Gy (πυρίτιο), |
| --- | --- | --- |

1.

Ολοκληρωμένα κυκλώματα σχεδιασμένα ή καθορισμένα ώστε να αντέχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Ακτινοβολία, συνολικής δόσης τουλάχιστον 5 × 103 Gy (πυρίτιο),

| β. | Διαταραχή ρυθμού ακτινοβολίας τουλάχιστον 5 × 106 Gy (πυρίτιο)/s ή υψηλότερη, ή |
| --- | --- |

β.

Διαταραχή ρυθμού ακτινοβολίας τουλάχιστον 5 × 106 Gy (πυρίτιο)/s ή υψηλότερη, ή

| γ. | Ολοκληρωμένη ροή νετρονίων (ισοδύναμο 1 MeV) τουλάχιστον 5 × 1013 n/cm2 σε πυρίτιο, και το αντίστοιχο σε άλλα υλικά,


  Σημείωση: Στο σημείο 3A001.α.1.γ δεν υπάγονται οι μεταλλομονωτικοί ημιαγωγοί (MSI). |
| --- | --- |

γ.

Ολοκληρωμένη ροή νετρονίων (ισοδύναμο 1 MeV) τουλάχιστον 5 × 1013 n/cm2 σε πυρίτιο, και το αντίστοιχο σε άλλα υλικά,

Σημείωση: Στο σημείο 3A001.α.1.γ δεν υπάγονται οι μεταλλομονωτικοί ημιαγωγοί (MSI).

| 2. | «Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές», «μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών» και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, ολοκληρωμένα κυκλώματα μνήμης κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό, μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό, μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό, ηλεκτρο-οπτικά ή «οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» σχεδιασμένα για «επεξεργασία σημάτων», προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices), ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε αγνοείται η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού, στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα, επεξεργαστές ταχέος μετασχηματισμού Fourier (FFT), ηλεκτρικά αποσβέσιμες και προγραμματιζόμενες μνήμες ανάγνωσης μόνο (EEPROM), στιγμιαίες μνήμες ή στατικές μνήμες RAM (SRAM) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος άνω των 398 K (125 °C), |
| --- | --- | --- |

2.

«Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές», «μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών» και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, ολοκληρωμένα κυκλώματα μνήμης κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό, μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό, μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό, ηλεκτρο-οπτικά ή «οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» σχεδιασμένα για «επεξεργασία σημάτων», προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices), ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε αγνοείται η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού, στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα, επεξεργαστές ταχέος μετασχηματισμού Fourier (FFT), ηλεκτρικά αποσβέσιμες και προγραμματιζόμενες μνήμες ανάγνωσης μόνο (EEPROM), στιγμιαίες μνήμες ή στατικές μνήμες RAM (SRAM) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος άνω των 398 K (125 °C),

| β. | Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω των 218 K (- 55 °C), ή |
| --- | --- |

β.

Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω των 218 K (- 55 °C), ή

| γ. | Καθορισμένα να λειτουργούν στο σύνολο της περιοχής θερμοκρασιών περιβάλλοντος από 218 K (- 55 °C) έως 398 K (125 °C). |
| --- | --- |

γ.

Καθορισμένα να λειτουργούν στο σύνολο της περιοχής θερμοκρασιών περιβάλλοντος από 218 K (- 55 °C) έως 398 K (125 °C).

Σημείωση: Στο σημείο 3A001.α.2. δεν υπάγονται τα ολοκληρωμένα κυκλώματα που προορίζονται για πολιτικά αυτοκίνητα ή για σιδηροδρόμους.

| 3. | «Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές», «μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών» και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, που κατασκευάζονται από σύνθετο ημιαγωγό και με λειτουργία σε συχνότητα χρονισμού άνω των 40 MHz.


  Σημείωση: Το σημείο 3Α001.α.3. περιλαμβάνει ψηφιακούς επεξεργαστές σημάτων, ψηφιακούς πολυεπεξεργαστές (array processors) και ψηφιακούς συνεπεξεργαστές (digital coprocessors). |
| --- | --- |

3.

«Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές», «μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών» και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, που κατασκευάζονται από σύνθετο ημιαγωγό και με λειτουργία σε συχνότητα χρονισμού άνω των 40 MHz.

Σημείωση: Το σημείο 3Α001.α.3. περιλαμβάνει ψηφιακούς επεξεργαστές σημάτων, ψηφιακούς πολυεπεξεργαστές (array processors) και ψηφιακούς συνεπεξεργαστές (digital coprocessors).

| 4. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

4.

Δεν χρησιμοποιείται,

| 5. | Ολοκληρωμένα κυκλώματα μετατροπής αναλογικού σε ψηφιακό και ψηφιακού σε αναλογικό, ως εξής:






  α. | Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό (ADC) με οιοδήποτε από τα εξής:


  ΣΗΜ. ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 3Α101







  1. | Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit αλλά μικρότερη των 10 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 1 000 εκατ. λέξεων ανά δευτερόλεπτο, |
| --- | --- | --- | --- |

5.

Ολοκληρωμένα κυκλώματα μετατροπής αναλογικού σε ψηφιακό και ψηφιακού σε αναλογικό, ως εξής:

α.

Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό (ADC) με οιοδήποτε από τα εξής:

ΣΗΜ. ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 3Α101

1.

Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit αλλά μικρότερη των 10 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 1 000 εκατ. λέξεων ανά δευτερόλεπτο,

| 2. | Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit αλλά μικρότερη των 12 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 300 εκατ. λέξεων ανά δευτερόλεπτο, |
| --- | --- |

2.

Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit αλλά μικρότερη των 12 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 300 εκατ. λέξεων ανά δευτερόλεπτο,

| 3. | Διακριτική ικανότητα 12 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 200 εκατ. λέξεων ανά δευτερόλεπτο, |
| --- | --- |

3.

Διακριτική ικανότητα 12 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 200 εκατ. λέξεων ανά δευτερόλεπτο,

| 4. | Διακριτική ικανότητα άνω των 12 bit αλλά το πολύ 14 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 125 εκατ. λέξεων ανά δευτερόλεπτο, ή |
| --- | --- |

4.

Διακριτική ικανότητα άνω των 12 bit αλλά το πολύ 14 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 125 εκατ. λέξεων ανά δευτερόλεπτο, ή

| 5. | Διακριτική ικανότητα άνω των 14 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 20 εκατ. λέξεων ανά δευτερόλεπτο, |
| --- | --- |

5.

Διακριτική ικανότητα άνω των 14 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 20 εκατ. λέξεων ανά δευτερόλεπτο,

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Διακριτική ικανότητα n bit αντιστοιχεί σε κβάντωση 2n σταθμών. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Ο αριθμός bit στη λέξη εξόδου ισούται προς τη διακριτική ικανότητα του μετατροπέα ψηφιακού σε αναλογικό. |
| --- | --- |

2.

| 3. | Ο ρυθμός εξόδου είναι ο μέγιστος ρυθμός εξόδου του μετατροπέα, ανεξαρτήτως αρχιτεκτονικής ή υπερδειγματοληψίας. |
| --- | --- |

3.

| 4. | Για τους «ADC πολλαπλών διαύλων», τα εξερχόμενα σήματα δεν αθροίζονται, ως ρυθμός δε εξόδου λαμβάνεται ο μεγαλύτερος ρυθμός εξόδου των επιμέρους διαύλων. |
| --- | --- |

4.

| 5. | Για «αλληλένθετους ADC» ή «ADC πολλαπλών διαύλων» που προσδιορίζονται ως έχοντες αλληλένθετη λειτουργία, τα εξερχόμενα σήματα αθροίζονται, ως ρυθμός δε εξόδου λαμβάνεται ο μέγιστος συνδυασμένος συνολικός ρυθμός εξόδου όλων των εξόδων. |
| --- | --- |

5.

| 6. | Οι πωλητές μπορούν επίσης να αναφέρουν το ρυθμό εξόδου ως ρυθμό δειγματοληψίας ή ως ρυθμό διεκπεραίωσης. Ο ρυθμός αυτός εκφράζεται συχνά ως megahertz (MHz) ή ως μεγαδείγματα ανά δευτερόλεπτο (MSPS). |
| --- | --- |

6.

| 7. | Για τη μέτρηση του ρυθμού εξόδου, μια λέξη εξόδου ανά δευτερόλεπτο ισοδυναμεί προς ένα Hertz ή προς ένα δείγμα ανά δευτερόλεπτο. |
| --- | --- |

7.

| 8. | Ως «ADC πολλαπλών διαύλων» ορίζονται οι συσκευές όπου συνενώνονται δύο ή περισσότεροι ADC, σχεδιασμένες κατά τρόπον ώστε κάθε ADC να έχει ξεχωριστή αναλογική είσοδο. |
| --- | --- |

8.

| 9. | Ως «αλληλένθετοι ADC» ορίζονται οι συσκευές με πολλαπλές μονάδες ADC που παίρνουν δείγματα από ένα και το αυτό αναλογικό σήμα εισόδου σε διαφορετικές στιγμές, ούτως ώστε η συνομαδοποίηση των εξόδων να οδηγεί στην πράξη σε δειγματοληψία και μετατροπή του σήματος εισόδου με μεγαλύτερο ρυθμό δειγματοληψίας. |
| --- | --- |

9.

| β. | Μετατροπείς ψηφιακού προς αναλογικό (DAC) με οιοδήποτε από τα εξής:






  1. | Διακριτική ικανότητα 10 bit και άνω με ‘προσαρμοσμένο ρυθμό ενημέρωσης’3 500 MSPS και άνω, ή |
| --- | --- | --- |

β.

Μετατροπείς ψηφιακού προς αναλογικό (DAC) με οιοδήποτε από τα εξής:

1.

Διακριτική ικανότητα 10 bit και άνω με ‘προσαρμοσμένο ρυθμό ενημέρωσης’3 500 MSPS και άνω, ή

| 2. | Διακριτική ικανότητα 12 bit και άνω με ‘προσαρμοσμένο ρυθμό ενημέρωσης’1 250 MSPS και άνω και οποιοδήποτε από τα εξής:






  α. | Χρόνο επανόδου από βήμα πλήρους κλίμακας στο 0,024 % της πλήρους κλίμακας κάτω των 9 ns, ή |
| --- | --- | --- |

2.

Διακριτική ικανότητα 12 bit και άνω με ‘προσαρμοσμένο ρυθμό ενημέρωσης’1 250 MSPS και άνω και οποιοδήποτε από τα εξής:

α.

Χρόνο επανόδου από βήμα πλήρους κλίμακας στο 0,024 % της πλήρους κλίμακας κάτω των 9 ns, ή

| β. | «Ψευδοελεύθερο δυναμικό εύρος» (SFDR) άνω των 68 dBc (φέροντος) κατά τη σύνθεση αναλογικού σήματος πλήρους κλίμακας 100 MHz ή της μεγαλύτερης προσδιορισμένης συχνότητας κάτω των 100 MHz. |
| --- | --- |

β.

«Ψευδοελεύθερο δυναμικό εύρος» (SFDR) άνω των 68 dBc (φέροντος) κατά τη σύνθεση αναλογικού σήματος πλήρους κλίμακας 100 MHz ή της μεγαλύτερης προσδιορισμένης συχνότητας κάτω των 100 MHz.

3A001 α. 5.

  Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Ως «Ψευδοελεύθερο δυναμικό εύρος» (SFDR) ορίζεται ο λόγος της τετραγωνικής μέσης τιμής της συχνότητας του φέροντος (μέγιστη συνιστώσα σήματος) στην είσοδο του DAC προς την τετραγωνική μέση τιμή της αμέσως μεγαλύτερης συνιστώσας θορύβου ή αρμονικής παραμόρφωσης στην έξοδο. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Το SFDR προσδιορίζεται απευθείας από τον πίνακα προδιαγραφών ή από τα γραφήματα χαρακτηρισμού SFDR/συχνότητας. |
| --- | --- |

2.

| 3. | Ως σήμα πλήρους κλίμακας ορίζεται το σήμα που έχει πλάτος άνω των - 3 dBfs (fs = full scale = πλήρης κλίμακα). |
| --- | --- |

3.

| 4. | Ως «προσαρμοσμένος ρυθμός ενημέρωσης» για τους DAC ορίζεται:







  α. | Για μεν τους συμβατικούς (μη παρεμβάλλοντες) DAC, η ταχύτητα με την οποία μετατρέπεται σε αναλογικό το ψηφιακό σήμα και μεταβάλλονται από τον DAC οι αναλογικές τιμές εξόδου. Οι DAC που επιτρέπουν παράκαμψη της λειτουργίας παρεμβολής (παράγοντας παρεμβολής 1) θεωρούνται συμβατικοί (μη παρεμβάλλοντες) DAC. |
| --- | --- | --- |

4.

α.

Για μεν τους συμβατικούς (μη παρεμβάλλοντες) DAC, η ταχύτητα με την οποία μετατρέπεται σε αναλογικό το ψηφιακό σήμα και μεταβάλλονται από τον DAC οι αναλογικές τιμές εξόδου. Οι DAC που επιτρέπουν παράκαμψη της λειτουργίας παρεμβολής (παράγοντας παρεμβολής 1) θεωρούνται συμβατικοί (μη παρεμβάλλοντες) DAC.

| β. | Για δε τους παρεμβάλλοντες (υπερδειγματοληπτικούς) DAC, ο λόγος του ρυθμού ενημέρωσης του DAC προς το μικρότερο παράγοντα παρεμβολής. Ο «προσαρμοσμένος ρυθμός ενημέρωσης» των παρεμβαλλόντων DAC μπορεί να αναφέρεται και με άλλες ονομασίες, όπως μεταξύ άλλων:







  — | ρυθμός δεδομένων εισόδου, |
| --- | --- | --- |

β.

Για δε τους παρεμβάλλοντες (υπερδειγματοληπτικούς) DAC, ο λόγος του ρυθμού ενημέρωσης του DAC προς το μικρότερο παράγοντα παρεμβολής. Ο «προσαρμοσμένος ρυθμός ενημέρωσης» των παρεμβαλλόντων DAC μπορεί να αναφέρεται και με άλλες ονομασίες, όπως μεταξύ άλλων:

—

ρυθμός δεδομένων εισόδου,

| — | ρυθμός λέξεων εισόδου, |
| --- | --- |

—

ρυθμός λέξεων εισόδου,

| — | ρυθμός δειγματοληψίας, |
| --- | --- |

—

ρυθμός δειγματοληψίας,

| — | μέγιστη συνολική ταχύτητα bus εισόδου, |
| --- | --- |

—

μέγιστη συνολική ταχύτητα bus εισόδου,

| — | μέγιστος ρυθμός ρολογιού DAC για την είσοδο του ρολογιού του DAC. |
| --- | --- |

—

μέγιστος ρυθμός ρολογιού DAC για την είσοδο του ρολογιού του DAC.

| 6. | Ηλεκτρο-οπτικά ή «οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» για «επεξεργασία σημάτων» που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  α. | Μία ή περισσότερες εσωτερικές διόδους «λέιζερ», |
| --- | --- | --- |

6.

Ηλεκτρο-οπτικά ή «οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» για «επεξεργασία σημάτων» που έχουν όλα τα ακόλουθα:

α.

Μία ή περισσότερες εσωτερικές διόδους «λέιζερ»,

| β. | Ένα ή περισσότερα εσωτερικά δομικά στοιχεία για την ανίχνευση φωτός, και |
| --- | --- |

β.

Ένα ή περισσότερα εσωτερικά δομικά στοιχεία για την ανίχνευση φωτός, και

| γ. | Οπτικούς κυματοδηγούς. |
| --- | --- |

γ.

Οπτικούς κυματοδηγούς.

| 7. | «Προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου» (field programmable logic devices) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Μέγιστο αριθμό μονοτερματικών ψηφιακών εισόδων/εξόδων ίσο ή μεγαλύτερο από 500· ή |
| --- | --- | --- |

7.

«Προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου» (field programmable logic devices) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Μέγιστο αριθμό μονοτερματικών ψηφιακών εισόδων/εξόδων ίσο ή μεγαλύτερο από 500· ή

| β. | «Αθροιστικό ρυθμό δεδομένων κορυφής σειριακού πομποδέκτη μονής κατεύθυνσης» ίσο ή μεγαλύτερο από 200 Gb/s, |
| --- | --- |

β.

«Αθροιστικό ρυθμό δεδομένων κορυφής σειριακού πομποδέκτη μονής κατεύθυνσης» ίσο ή μεγαλύτερο από 200 Gb/s,

Σημείωση: Το σημείο 3Α001.α.7 περιλαμβάνει:

| — | Τις απλές προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις (SPLD) |
| --- | --- |

—

Τις απλές προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις (SPLD)

| — | Τις πολύπλοκες προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις (CPLD) |
| --- | --- |

—

Τις πολύπλοκες προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις (CPLD)

| — | Τις προγραμματιζόμενες διατάξεις θυρών πεδίου (FPGA) |
| --- | --- |

—

Τις προγραμματιζόμενες διατάξεις θυρών πεδίου (FPGA)

| — | Τις προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις θυρών πεδίου (FPLA) |
| --- | --- |

—

Τις προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις θυρών πεδίου (FPLA)

| — | Τους προγραμματιζόμενους διασυνδέσμους θυρών πεδίου (FPIC) |
| --- | --- |

—

Τους προγραμματιζόμενους διασυνδέσμους θυρών πεδίου (FPIC)

3A001 α. 7.

  Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Ο τρίτος και τέταρτος όρος είναι άλλες ονομασίες των «προγραμματιζόμενων λογικών διατάξεων πεδίου». |
| --- | --- |

1.

| 2. | Ο μέγιστος αριθμός ψηφιακών εισόδων/εξόδων στο 3Α001.α.7.α. αναφέρεται επίσης ως μέγιστος αριθμός εισόδων/εξόδων χρήστη ή μέγιστος αριθμός διαθέσιμων εισόδων/εξόδων, είτε το ολοκληρωμένο κύκλωμα είναι συσκευασμένο είτε σκέτη ψηφίδα (bare die). |
| --- | --- |

2.

| 3. | «Αθροιστικός ρυθμός δεδομένων κορυφής σειριακού πομποδέκτη μονής κατεύθυνσης» είναι το γινόμενο του ρυθμού δεδομένων κορυφής σειριακού πομποδέκτη μονής κατεύθυνσης επί τον αριθμό των πομποδεκτών στην FPGA. |
| --- | --- |

3.

| 8. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

8.

Δεν χρησιμοποιείται,

| 9. | Ολοκληρωμένα κυκλώματα νευρονικών δικτύων. |
| --- | --- |

9.

Ολοκληρωμένα κυκλώματα νευρονικών δικτύων.

| 10. | Ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε ο κατασκευαστής αγνοεί τη διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα και τα οποία έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Πάνω από 1 500 τερματικές ακίδες. |
| --- | --- | --- |

10.

Ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε ο κατασκευαστής αγνοεί τη διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα και τα οποία έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Πάνω από 1 500 τερματικές ακίδες.

| β. | Χαρακτηριστικό «βασικό χρόνο διαβάσεως πύλης» χαμηλότερο από 0,02 ns, ή |
| --- | --- |

β.

Χαρακτηριστικό «βασικό χρόνο διαβάσεως πύλης» χαμηλότερο από 0,02 ns, ή

| γ. | Συχνότητα λειτουργίας που ξεπερνά τα 3 GHz. |
| --- | --- |

γ.

Συχνότητα λειτουργίας που ξεπερνά τα 3 GHz.

| 11. | Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα, εκτός αυτών που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.10. και 3Α001.α.12., που έχουν κατασκευασθεί από οποιοδήποτε μεικτό ημιαγωγό και παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Ισοδύναμο χρησιμοποιήσιμο αριθμό θυρών μεγαλύτερο από 3 000 (για 2 θύρες εισόδου), ή |
| --- | --- | --- |

11.

Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα, εκτός αυτών που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.10. και 3Α001.α.12., που έχουν κατασκευασθεί από οποιοδήποτε μεικτό ημιαγωγό και παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Ισοδύναμο χρησιμοποιήσιμο αριθμό θυρών μεγαλύτερο από 3 000 (για 2 θύρες εισόδου), ή

| β. | Συχνότητα αντιστροφής άνω των 1,2 GHz. |
| --- | --- |

β.

Συχνότητα αντιστροφής άνω των 1,2 GHz.

| 12. | Επεξεργαστές ταχέος μετασχηματισμού Fourier (Fast Fourier Transform - FFT) με ονομαστικό χρόνο εκτέλεσης για σύνθετη FFT Ν σημείων, κάτω του (N log2N)/20 480 ms, όπου N είναι ο αριθμός των σημείων.


  Τεχνική παρατήρηση:


  Όταν Ν = 1 024 σημεία, ο τύπος του σημείου 3Α001.α.12 δίνει χρόνο εκτέλεσης 500 μs. |
| --- | --- |

12.

Επεξεργαστές ταχέος μετασχηματισμού Fourier (Fast Fourier Transform - FFT) με ονομαστικό χρόνο εκτέλεσης για σύνθετη FFT Ν σημείων, κάτω του (N log2N)/20 480 ms, όπου N είναι ο αριθμός των σημείων.

Τεχνική παρατήρηση:

Όταν Ν = 1 024 σημεία, ο τύπος του σημείου 3Α001.α.12 δίνει χρόνο εκτέλεσης 500 μs.

| 13. | Ολοκληρωμένα κυκλώματα άμεσου ψηφιακού συνθεσιοποιητή (Direct Digital Synthesizer - DDS), με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Συχνότητα χρονισμού μετατροπέα ψηφιακού σε αναλογικό (DAC) ίση ή μεγαλύτερη από 3,5 GHz και διακριτική ικανότητα DAC ίση ή μεγαλύτερη από 10 bit, αλλά μικρότερη από 12 bit, ή |
| --- | --- | --- |

13.

Ολοκληρωμένα κυκλώματα άμεσου ψηφιακού συνθεσιοποιητή (Direct Digital Synthesizer - DDS), με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Συχνότητα χρονισμού μετατροπέα ψηφιακού σε αναλογικό (DAC) ίση ή μεγαλύτερη από 3,5 GHz και διακριτική ικανότητα DAC ίση ή μεγαλύτερη από 10 bit, αλλά μικρότερη από 12 bit, ή

| β. | Συχνότητα χρονισμού DAC ίση ή μεγαλύτερη από 1,25 GHz και διακριτική ικανότητα DAC ίση ή μεγαλύτερη από 12 bit, |
| --- | --- |

β.

Συχνότητα χρονισμού DAC ίση ή μεγαλύτερη από 1,25 GHz και διακριτική ικανότητα DAC ίση ή μεγαλύτερη από 12 bit,

Τεχνική παρατήρηση:

Η συχνότητα χρονισμού DAC μπορεί να προσδιοριστεί ως η κύρια συχνότητα χρονισμού ή η συχνότητα χρονισμού εισαγωγής.

| β. | Δομικά στοιχεία μικροκυμάτων ή χιλιοστομετρικών κυμάτων, ως εξής:


  Τεχνική παρατήρηση:


  Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.β., η κορεσμένη ισχύς εξόδου κορυφής παραμέτρων μπορεί να αναφερθεί επίσης στα φύλλα δεδομένων των προϊόντων ως ισχύς εξόδου, κορεσμένη ισχύς εξόδου, μέγιστη κορεσμένη ισχύς εξόδου, ισχύς εξόδου κορυφής, ή ισχύς εξόδου περιβάλλουσας κορυφής.







  1. | Ηλεκτρονικές λυχνίες κενού και κάθοδοι ως εξής:


  Σημείωση 1: Στο σημείο 3Α001.β.1. δεν υπάγονται οι λυχνίες που έχουν σχεδιαστεί ή καθορίζονται για λειτουργία σε ζώνες συχνοτήτων και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:








  α. | Δεν υπερβαίνουν τα 31,8 GHz, και |
| --- | --- | --- | --- |

β.

Δομικά στοιχεία μικροκυμάτων ή χιλιοστομετρικών κυμάτων, ως εξής:

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.β., η κορεσμένη ισχύς εξόδου κορυφής παραμέτρων μπορεί να αναφερθεί επίσης στα φύλλα δεδομένων των προϊόντων ως ισχύς εξόδου, κορεσμένη ισχύς εξόδου, μέγιστη κορεσμένη ισχύς εξόδου, ισχύς εξόδου κορυφής, ή ισχύς εξόδου περιβάλλουσας κορυφής.

1.

Ηλεκτρονικές λυχνίες κενού και κάθοδοι ως εξής:

Σημείωση 1: Στο σημείο 3Α001.β.1. δεν υπάγονται οι λυχνίες που έχουν σχεδιαστεί ή καθορίζονται για λειτουργία σε ζώνες συχνοτήτων και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Δεν υπερβαίνουν τα 31,8 GHz, και

| β. | Έχουν «διατεθεί από την ITU» για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό. |
| --- | --- |

β.

Έχουν «διατεθεί από την ITU» για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.

Σημείωση 2: Στο σημείο 3Α001.β.1., δεν υπάγονται οι «ακατάλληλες για διαστημική χρήση» λυχνίες που έχουν όλα τα παρακάτω:

| α. | Μέση ισχύ εξόδου το πολύ 50 W, και |
| --- | --- |

α.

Μέση ισχύ εξόδου το πολύ 50 W, και

| β. | Σχεδιασμένες ή καθορισμένες για λειτουργία σε οποιαδήποτε ζώνη συχνοτήτων που έχει όλα τα παρακάτω:








  1. | Υπερβαίνει τα 31,8 GHz αλλά δεν υπερβαίνει τα 43,5 GHz, και |
| --- | --- | --- |

β.

Σχεδιασμένες ή καθορισμένες για λειτουργία σε οποιαδήποτε ζώνη συχνοτήτων που έχει όλα τα παρακάτω:

1.

Υπερβαίνει τα 31,8 GHz αλλά δεν υπερβαίνει τα 43,5 GHz, και

| 2. | Έχουν «διατεθεί από την ITU» για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό. |
| --- | --- |

2.

Έχουν «διατεθεί από την ITU» για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.

| α. | Λυχνίες οδεύοντος κύματος, παλμικού ή συνεχούς κύματος, ως εξής:






  1. | Λυχνίες που λειτουργούν σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz. |
| --- | --- | --- |

α.

Λυχνίες οδεύοντος κύματος, παλμικού ή συνεχούς κύματος, ως εξής:

1.

Λυχνίες που λειτουργούν σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz.

| 2. | Λυχνίες που έχουν στοιχείο θέρμανσης καθόδου με χρόνο ανύψωσης ισχύος έως την καθορισμένη ισχύ ραδιοσυχνότητας μικρότερο από 3 δευτερόλεπτα. |
| --- | --- |

2.

Λυχνίες που έχουν στοιχείο θέρμανσης καθόδου με χρόνο ανύψωσης ισχύος έως την καθορισμένη ισχύ ραδιοσυχνότητας μικρότερο από 3 δευτερόλεπτα.

| 3. | Συζευγμένες λυχνίες cavity ή παράγωγά τους, με «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 7 % ή ισχύ αιχμής άνω των 2,5 kW. |
| --- | --- |

3.

Συζευγμένες λυχνίες cavity ή παράγωγά τους, με «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 7 % ή ισχύ αιχμής άνω των 2,5 kW.

| 4. | Ελικοειδείς λυχνίες ή παράγωγά τους με οποιοδήποτε από τα παρακάτω:






  α. | «Στιγμιαίο εύρος ζώνης» άνω της μιας οκτάβας και γινόμενο μεταξύ της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kw) και της συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) ανώτερο από 0,5, |
| --- | --- | --- |

4.

Ελικοειδείς λυχνίες ή παράγωγά τους με οποιοδήποτε από τα παρακάτω:

α.

«Στιγμιαίο εύρος ζώνης» άνω της μιας οκτάβας και γινόμενο μεταξύ της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kw) και της συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) ανώτερο από 0,5,

| β. | «Στιγμιαίο εύρος ζώνης» το πολύ μια οκτάβα, και γινόμενο της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kW) και συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) πάνω από 1, ή |
| --- | --- |

β.

«Στιγμιαίο εύρος ζώνης» το πολύ μια οκτάβα, και γινόμενο της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kW) και συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) πάνω από 1, ή

| γ. | Είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση». |
| --- | --- |

γ.

Είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση».

| β. | Ενισχυτικές λυχνίες διασταυρωμένου πεδίου με απολαβή άνω των 17 dB. |
| --- | --- |

β.

Ενισχυτικές λυχνίες διασταυρωμένου πεδίου με απολαβή άνω των 17 dB.

| γ. | Εμποτισμένες κάθοδοι (impregnated cathodes) για ηλεκτρονικές λυχνίες που παράγουν σταθερή πυκνότητα ροής ρεύματος σε συνθήκες προκαθορισμένης λειτουργίας η οποία ξεπερνά τα 5 A/cm2. |
| --- | --- |

γ.

Εμποτισμένες κάθοδοι (impregnated cathodes) για ηλεκτρονικές λυχνίες που παράγουν σταθερή πυκνότητα ροής ρεύματος σε συνθήκες προκαθορισμένης λειτουργίας η οποία ξεπερνά τα 5 A/cm2.

| 2. | Ενισχυτές ισχύος με «μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» μικροκυμάτων, με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  α. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 2,7 GHz έως και 6,8 GHz, «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 15 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 75 W (48,75 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,7 GHz έως και 2,9 GHz, |
| --- | --- | --- | --- |

2.

Ενισχυτές ισχύος με «μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» μικροκυμάτων, με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

α.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 2,7 GHz έως και 6,8 GHz, «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 15 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 75 W (48,75 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,7 GHz έως και 2,9 GHz,

| 2. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 55 W (47,4 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,9 GHz έως και 3,2 GHz, |
| --- | --- |

2.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 55 W (47,4 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,9 GHz έως και 3,2 GHz,

| 3. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 40 W (46 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,2 GHz έως και 3,7 GHz, ή |
| --- | --- |

3.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 40 W (46 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,2 GHz έως και 3,7 GHz, ή

| 4. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 20 W (43 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,7 GHz έως και 6,8 GHz, |
| --- | --- |

4.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 20 W (43 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,7 GHz έως και 6,8 GHz,

| β. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz έως και 16 GHz, «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 10 W (40 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 6,8 GHz έως και 8,5 GHz, ή |
| --- | --- | --- |

β.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz έως και 16 GHz, «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 10 W (40 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 6,8 GHz έως και 8,5 GHz, ή

| 2. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 5 W (37 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 8,5 GHz έως και 16 GHz, |
| --- | --- |

2.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 5 W (37 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 8,5 GHz έως και 16 GHz,

| γ. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 3 GHz (34,77 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 16 GHz έως και 31,8 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %, |
| --- | --- |

γ.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 3 GHz (34,77 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 16 GHz έως και 31,8 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,

| δ. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 W (-70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 31,8 GHz έως και 37 GHz, |
| --- | --- |

δ.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 W (-70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 31,8 GHz έως και 37 GHz,

| ε. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 1 GHz (30 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 37 GHz έως και 43,5 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %, |
| --- | --- |

ε.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 1 GHz (30 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 37 GHz έως και 43,5 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,

| στ. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 31,62 GHz (15 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 43,5 GHz έως και 75 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %, |
| --- | --- |

στ.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 31,62 GHz (15 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 43,5 GHz έως και 75 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,

| ζ. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 10 GHz (10 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 75 GHz έως και 90 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 5 %, ή |
| --- | --- |

ζ.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 10 GHz (10 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 75 GHz έως και 90 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 5 %, ή

| η. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 W (-70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 90 GHz, |
| --- | --- |

η.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 W (-70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 90 GHz,

Σημείωση 1: Δεν χρησιμοποιείται.

Σημείωση 2: Το καθεστώς ελέγχου των μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων, οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.2.α έως3Α001.β.2.η., καθορίζεται βάσει του κατωφλίου ελάχιστης κορεσμένης ισχύος εξόδου κορυφής.

Σημείωση 3: Οι σημειώσεις 1 και 2 στο κεφάλαιο 3A σημαίνουν ότι με το σημείο 3A001.β.2 δεν τίθενται υπό έλεγχο τα μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων όταν είναι ειδικά σχεδιασμένα για άλλες εφαρμογές, όπως π.χ. τηλεπικοινωνίες, ραντάρ, αυτοκίνητα.

| 3. | Χωριστά τρανζίστορ μικροκυμάτων με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  α. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 2,7 GHz έως και 6,8 GHz, και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 400 W (56 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,7 GHz έως και 2,9 GHz, |
| --- | --- | --- | --- |

3.

Χωριστά τρανζίστορ μικροκυμάτων με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

α.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 2,7 GHz έως και 6,8 GHz, και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 400 W (56 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,7 GHz έως και 2,9 GHz,

| 2. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 205 W (53,12 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,9 GHz έως και 3,2 GHz, |
| --- | --- |

2.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 205 W (53,12 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,9 GHz έως και 3,2 GHz,

| 3. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 115 W (50,61 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,2 GHz έως και 3,7 GHz, ή |
| --- | --- |

3.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 115 W (50,61 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,2 GHz έως και 3,7 GHz, ή

| 4. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 60 W (47,78 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,7 GHz έως και 6,8 GHz, |
| --- | --- |

4.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 60 W (47,78 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,7 GHz έως και 6,8 GHz,

| β. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz έως και 31,8 GHz, και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 50 W (47 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 6,8 GHz έως και 8,5 GHz, |
| --- | --- | --- |

β.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz έως και 31,8 GHz, και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 50 W (47 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 6,8 GHz έως και 8,5 GHz,

| 2. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 15 W (41,76 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 8,5 GHz έως και 12 GHz, |
| --- | --- |

2.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 15 W (41,76 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 8,5 GHz έως και 12 GHz,

| 3. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 40 W (46 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 12 GHz έως και 16 GHz, ή |
| --- | --- |

3.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 40 W (46 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 12 GHz έως και 16 GHz, ή

| 4. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 7 W (38,45 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 16 GHz έως και 31,8 GHz, |
| --- | --- |

4.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 7 W (38,45 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 16 GHz έως και 31,8 GHz,

| γ. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,5 W (-27 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 31,8 GHz έως και 37 GHz, |
| --- | --- |

γ.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,5 W (-27 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 31,8 GHz έως και 37 GHz,

| δ. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 1 W (-30 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 37 GHz έως και 43,5 GHz, |
| --- | --- |

δ.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 1 W (-30 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 37 GHz έως και 43,5 GHz,

| ε. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 nW (-70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 43,5 GHz, |
| --- | --- |

ε.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 nW (-70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 43,5 GHz,

Σημείωση 1: Το καθεστώς ελέγχου ενός τρανζίστορ οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας του οποίου περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.3.α έως 3Α001.β.3.ε., καθορίζεται βάσει του κατωφλίου ελάχιστης κορεσμένης ισχύος εξόδου κορυφής.

Σημείωση 2: Το σημείο 3A001.β.3. περιλαμβάνει γυμνούς δίσκους, δίσκους στερεωμένους σε φορείς ή δίσκους στερεωμένους σε πακέτα. Ορισμένα διακριτά τρανζίστορ ίσως αναφέρονται και ως ενισχυτές ισχύος, αλλά η κατάσταση των εν λόγω διακριτών τρανζίστορ προσδιορίζεται στο σημείο 3A001.β.3.

| 4. | Ενισχυτές μικροκυμάτων στερεάς κατάστασης και μικροκυματικά συναρμολογήματα ή δομοστοιχεία που περιέχουν ενισχυτές μικροκυμάτων στερεάς κατάστασης με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  α. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 2,7 GHz έως και 6,8 GHz, «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 15 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 500 W (57 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,7 GHz έως και 2,9 GHz, |
| --- | --- | --- | --- |

4.

Ενισχυτές μικροκυμάτων στερεάς κατάστασης και μικροκυματικά συναρμολογήματα ή δομοστοιχεία που περιέχουν ενισχυτές μικροκυμάτων στερεάς κατάστασης με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

α.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 2,7 GHz έως και 6,8 GHz, «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 15 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 500 W (57 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,7 GHz έως και 2,9 GHz,

| 2. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 270 W (54,3 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,9 GHz έως και 3,2 GHz, |
| --- | --- |

2.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 270 W (54,3 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,9 GHz έως και 3,2 GHz,

| 3. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 200 W (53 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,2 GHz έως και 3,7 GHz, ή |
| --- | --- |

3.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 200 W (53 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,2 GHz έως και 3,7 GHz, ή

| 4. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 90 W (49,54 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,7 GHz έως και 6,8 GHz, |
| --- | --- |

4.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 90 W (49,54 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,7 GHz έως και 6,8 GHz,

| β. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz έως και 31,8 GHz, «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 70 W (48,54 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 6,8 GHz έως και 8,5 GHz, |
| --- | --- | --- |

β.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz έως και 31,8 GHz, «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 70 W (48,54 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 6,8 GHz έως και 8,5 GHz,

| 2. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 50 W (47 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 8,5 GHz έως και 12 GHz, |
| --- | --- |

2.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 50 W (47 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 8,5 GHz έως και 12 GHz,

| 3. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 30 W (44,77 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 12 GHz έως και 16 GHz, ή |
| --- | --- |

3.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 30 W (44,77 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 12 GHz έως και 16 GHz, ή

| 4. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 20 W (43 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 16 GHz έως και 31,8 GHz, |
| --- | --- |

4.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 20 W (43 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 16 GHz έως και 31,8 GHz,

| γ. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,5 W (-27 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 31,8 GHz έως και 37 GHz, |
| --- | --- |

γ.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,5 W (-27 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 31,8 GHz έως και 37 GHz,

| δ. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 2 GHz (33 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 37 GHz έως και 43,5 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %, |
| --- | --- |

δ.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 2 GHz (33 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 37 GHz έως και 43,5 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,

| ε. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες που υπερβαίνουν τα 43,5 GHz, και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,2 GHz (23 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 43,5 GHz έως και 75 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %, |
| --- | --- | --- |

ε.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες που υπερβαίνουν τα 43,5 GHz, και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,2 GHz (23 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 43,5 GHz έως και 75 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,

| 2. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 20 GHz (13 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 75 GHz έως και 90 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 5 %, ή |
| --- | --- |

2.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 20 GHz (13 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 75 GHz έως και 90 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 5 %, ή

| 3. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 W (-70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 90 GHz, ή |
| --- | --- |

3.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 W (-70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 90 GHz, ή

| στ. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες πυ υπερβαίνουν τα 2,7 GHz, και με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  1. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής, σε βαττ, Psat, μεγαλύτερη από 400 διά το τετράγωνο της ανώτατης συχνότητας λειτουργίας σε GHz [Psat > 400 W*GHz2/fGHz
  2], |
| --- | --- | --- |

στ.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες πυ υπερβαίνουν τα 2,7 GHz, και με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής, σε βαττ, Psat, μεγαλύτερη από 400 διά το τετράγωνο της ανώτατης συχνότητας λειτουργίας σε GHz [Psat > 400 W*GHz2/fGHz
  2],

| 2. | «Κλασματικό εύρος ζώνης» τουλάχιστον 5 %, και |
| --- | --- |

2.

«Κλασματικό εύρος ζώνης» τουλάχιστον 5 %, και

| 3. | Δύο κάθετες πλευρές μήκους d (σε cm) οποιασδήποτε πλευράς το πολύ ίσου προς 15 διά την κατώτατη συχνότητα λειτουργίας σε GHz [d ≤ 15 cm*GHz/fGHz],


  Τεχνική παρατήρηση:


  Η συχνότητα 2,7 GHz θα πρέπει να χρησιμοποιείται ως η κατώτατη συχνότητα λειτουργίας (fGHz) στον τύπο του σημείου 3Α001.β.4.στ.3., για τους ενισχυτές με ονομαστικό φάσμα λειτουργίας που εκτείνεται προς τα κάτω έως τα 2,7 GHz και κατωτέρω [d ≤ 15 cm *GHz/2,7 GHz]. |
| --- | --- |

3.

Δύο κάθετες πλευρές μήκους d (σε cm) οποιασδήποτε πλευράς το πολύ ίσου προς 15 διά την κατώτατη συχνότητα λειτουργίας σε GHz [d ≤ 15 cm*GHz/fGHz],

Τεχνική παρατήρηση:

Η συχνότητα 2,7 GHz θα πρέπει να χρησιμοποιείται ως η κατώτατη συχνότητα λειτουργίας (fGHz) στον τύπο του σημείου 3Α001.β.4.στ.3., για τους ενισχυτές με ονομαστικό φάσμα λειτουργίας που εκτείνεται προς τα κάτω έως τα 2,7 GHz και κατωτέρω [d ≤ 15 cm *GHz/2,7 GHz].

ΣΗΜ.: Οι ενισχυτές ισχύος με μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων πρέπει να αξιολογούνται βάσει των κριτηρίων του σημείου 3A001.β.2.

Σημείωση 1: Δεν χρησιμοποιείται.

Σημείωση 2: Το καθεστώς ελέγχου ενός είδους οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας του οποίου περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.4.α έως 3Α001.β.4.ε., καθορίζεται βάσει του κατωφλίου ελάχιστης κορεσμένης ισχύος εξόδου κορυφής.

Σημείωση 3: Το σημείο 3A001.β.4. περιλαμβάνει μονάδες εκπομπής/λήψης και μονάδες μετάδοσης.

| 5. | Ζωνοπερατά ή ζωνοαπέρατα φίλτρα που μπορούν να συντονισθούν ηλεκτρονικά ή μαγνητικά, που έχουν πάνω από 5 ρυθμιζόμενους συντονιστές και μπορούν να συντονισθούν μέσα σε μία ζώνη συχνοτήτων με λόγο 1,5:1 (fmax./fmin.) σε χρόνο λιγότερο από 10 μs και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Εύρος ζώνης ζωνοπερατού φίλτρου πάνω από 0,5 % της κεντρικής συχνότητας, ή |
| --- | --- | --- |

5.

Ζωνοπερατά ή ζωνοαπέρατα φίλτρα που μπορούν να συντονισθούν ηλεκτρονικά ή μαγνητικά, που έχουν πάνω από 5 ρυθμιζόμενους συντονιστές και μπορούν να συντονισθούν μέσα σε μία ζώνη συχνοτήτων με λόγο 1,5:1 (fmax./fmin.) σε χρόνο λιγότερο από 10 μs και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Εύρος ζώνης ζωνοπερατού φίλτρου πάνω από 0,5 % της κεντρικής συχνότητας, ή

| β. | Εύρος ζώνης ζωνοαπέρατου φίλτρου λιγότερο από 0,5 % της κεντρικής συχνότητας. |
| --- | --- |

β.

Εύρος ζώνης ζωνοαπέρατου φίλτρου λιγότερο από 0,5 % της κεντρικής συχνότητας.

| 6. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

6.

Δεν χρησιμοποιείται,

| 7. | Μετατροπείς και αρμονικοί μίκτες σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος συχνοτήτων του εξοπλισμού που περιγράφεται στα σημεία 3Α002.γ., 3Α002.δ, 3Α002.ε. ή 3Α002.στ. πέραν των εκεί αναφερομένων ορίων. |
| --- | --- |

7.

Μετατροπείς και αρμονικοί μίκτες σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος συχνοτήτων του εξοπλισμού που περιγράφεται στα σημεία 3Α002.γ., 3Α002.δ, 3Α002.ε. ή 3Α002.στ. πέραν των εκεί αναφερομένων ορίων.

| 8. | Μικροκυματικοί ενισχυτές ισχύος που περιλαμβάνουν λυχνίες που καθορίζονταιστο σημείο 3Α001.β.1. και έχουν όλα τα ακόλουθα:






  α. | Συχνότητες λειτουργίας άνω των 3 GHz, |
| --- | --- | --- |

8.

Μικροκυματικοί ενισχυτές ισχύος που περιλαμβάνουν λυχνίες που καθορίζονταιστο σημείο 3Α001.β.1. και έχουν όλα τα ακόλουθα:

α.

Συχνότητες λειτουργίας άνω των 3 GHz,

| β. | Λόγος μέσης ισχύος εξόδου προς μάζα άνω των 80 W/kg, και |
| --- | --- |

β.

Λόγος μέσης ισχύος εξόδου προς μάζα άνω των 80 W/kg, και

| γ. | Όγκο μικρότερο από 400 cm3. |
| --- | --- |

γ.

Όγκο μικρότερο από 400 cm3.

Σημείωση: Στο σημείο 3Α001.β.8. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός που έχει σχεδιαστεί για, ή καθορίζεται να λειτουργεί σε ζώνες συχνοτήτων που έχουν «διατεθεί από την ITU» για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.

| 9. | Μικροκυματικές μονάδες ισχύος (MPM), αποτελούμενες τουλάχιστον από μία λυχνία οδεύοντος κύματος, ένα μικροκυματικό «μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα», και έναν ολοκληρωμένο ηλεκτρονικό εξομαλυντήρα τάσης, με όλα τα παρακάτω:






  α. | Χρόνο ενεργοποίησης από σβηστό σε πλήρη λειτουργία κάτω των 10 δευτερολέπτων, |
| --- | --- | --- |

9.

Μικροκυματικές μονάδες ισχύος (MPM), αποτελούμενες τουλάχιστον από μία λυχνία οδεύοντος κύματος, ένα μικροκυματικό «μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα», και έναν ολοκληρωμένο ηλεκτρονικό εξομαλυντήρα τάσης, με όλα τα παρακάτω:

α.

Χρόνο ενεργοποίησης από σβηστό σε πλήρη λειτουργία κάτω των 10 δευτερολέπτων,

| β. | Όγκο μικρότερο από το γινόμενο της μέγιστης ονομαστικής ισχύος σε W επί 10 cm3/W, και |
| --- | --- |

β.

Όγκο μικρότερο από το γινόμενο της μέγιστης ονομαστικής ισχύος σε W επί 10 cm3/W, και

| γ. | «Στιγμιαίο εύρος ζώνης» άνω της μιας οκτάβας (fmax. > 2fmin.) και με οποιοδήποτε από τα παρακάτω:






  1. | Για συχνότητες έως και 18 GHz, ισχύ εξόδου ραδιοσυχνότητας άνω των 100 W, ή |
| --- | --- | --- |

γ.

«Στιγμιαίο εύρος ζώνης» άνω της μιας οκτάβας (fmax. > 2fmin.) και με οποιοδήποτε από τα παρακάτω:

1.

Για συχνότητες έως και 18 GHz, ισχύ εξόδου ραδιοσυχνότητας άνω των 100 W, ή

| 2. | Συχνότητα άνω των 18 GHz. |
| --- | --- |

2.

Συχνότητα άνω των 18 GHz.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Ιδού ένα παράδειγμα υπολογισμού του όγκου στο σημείο 3A001.β.9.β: αν η μέγιστη ονομαστική ισχύς είναι 20 W, ο όγκος πρέπει να είναι έως 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Στο σημείο 3A001.β.9.α, ο χρόνος ενεργοποίησης σημαίνει το διάστημα που χρειάζεται η μονάδα από τελείως σβηστή να τεθεί σε πλήρη λειτουργία, περιλαμβάνει δηλαδή και το χρόνο προθέρμανσης. |
| --- | --- |

2.

| 10. | Ταλαντωτές ή συγκροτήματα ταλαντωτών, προσδιορισμένοι να λειτουργούν με όλα τα ακόλουθα:






  α. | Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, καλύτερο από - (126 + 20log10F-20log10f) οπουδήποτε σε εύρος 10 Hz < F < 10 kHz, και |
| --- | --- | --- |

10.

Ταλαντωτές ή συγκροτήματα ταλαντωτών, προσδιορισμένοι να λειτουργούν με όλα τα ακόλουθα:

α.

Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, καλύτερο από - (126 + 20log10F-20log10f) οπουδήποτε σε εύρος 10 Hz < F < 10 kHz, και

| β. | Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, καλύτερο από - (114 + 20log10F-20log10f) οπουδήποτε σε εύρος 10 kHz ≤ F < 500 kHz, |
| --- | --- |

β.

Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, καλύτερο από - (114 + 20log10F-20log10f) οπουδήποτε σε εύρος 10 kHz ≤ F < 500 kHz,

Τεχνική παρατήρηση:

Στο 3Α001.β.10., F είναι η απόκλιση από τη συχνότητα λειτουργίας σε Hz και f είναι η συχνότητα λειτουργίας σε MHz.

| 11. | «Ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις» για «γεννήτριες σύνθεσης συχνοτήτων» που έχουν «χρόνο μεταγωγής συχνότητας» ως εξής (διαζευκτικά):






  α. | κατώτερο από 156 ps, |
| --- | --- | --- |

11.

«Ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις» για «γεννήτριες σύνθεσης συχνοτήτων» που έχουν «χρόνο μεταγωγής συχνότητας» ως εξής (διαζευκτικά):

α.

κατώτερο από 156 ps,

| β. | κάτω των 100 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 1,6 GHz εντός του φάσματος συνθετόμενων συχνοτήτων από 4,8 GHz έως και 10,6 GHz, |
| --- | --- |

β.

κάτω των 100 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 1,6 GHz εντός του φάσματος συνθετόμενων συχνοτήτων από 4,8 GHz έως και 10,6 GHz,

| γ. | κάτω των 250 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 10,6 GHz έως και 31,8 GHz, |
| --- | --- |

γ.

κάτω των 250 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 10,6 GHz έως και 31,8 GHz,

| δ. | κάτω των 500 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 31,8 GHz έως και 43,5 GHz, |
| --- | --- |

δ.

κάτω των 500 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 31,8 GHz έως και 43,5 GHz,

| ε. | κάτω του 1 ms για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 43,5 GHz έως και 56 GHz, |
| --- | --- |

ε.

κάτω του 1 ms για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 43,5 GHz έως και 56 GHz,

| στ. | κάτω του 1 ms για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 2,2 GHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 56 GHz έως και 75 GHz, |
| --- | --- |

στ.

κάτω του 1 ms για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 2,2 GHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 56 GHz έως και 75 GHz,

| ζ. | κατώτερο από 1 ms εντός του φάσματος συνθετόμενων συχνοτήτων άνω των 75 GHz. |
| --- | --- |

ζ.

κατώτερο από 1 ms εντός του φάσματος συνθετόμενων συχνοτήτων άνω των 75 GHz.

ΣΗΜ.: Για γενικής χρήσης «αναλυτές σήματος», γεννήτριες σήματος, αναλυτές δικτύου και δοκιμαστικούς μικροκυματικούς δέκτες βλέπε αντιστοίχως σημεία 3A002.γ., 3A002.δ., 3A002.ε. και 3A002.στ.

| γ. | Συσκευές ακουστικών κυμάτων, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τις συσκευές αυτές ως εξής:






  1. | Συσκευές επιφανειακών ακουστικών κυμάτων και συσκευές surface skimming (shallow bulk) ακουστικών κυμάτων και οι οποίες έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Φέρουσα συχνότητα άνω των 6 GHz, |
| --- | --- | --- | --- |

γ.

Συσκευές ακουστικών κυμάτων, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τις συσκευές αυτές ως εξής:

1.

Συσκευές επιφανειακών ακουστικών κυμάτων και συσκευές surface skimming (shallow bulk) ακουστικών κυμάτων και οι οποίες έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Φέρουσα συχνότητα άνω των 6 GHz,

| β. | Φέρουσα συχνότητα άνω των 1 GHz αλλά όχι άνω των 6 GHz και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | «Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας» που ξεπερνάει τα 65 dB, |
| --- | --- | --- |

β.

Φέρουσα συχνότητα άνω των 1 GHz αλλά όχι άνω των 6 GHz και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

«Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας» που ξεπερνάει τα 65 dB,

| 2. | Το γινόμενο του μέγιστου χρόνου καθυστέρησης και του εύρους ζώνης (ο χρόνος σε μs και το εύρος ζώνης σε ΜΗz) το οποίο είναι ανώτερο του 100, |
| --- | --- |

2.

Το γινόμενο του μέγιστου χρόνου καθυστέρησης και του εύρους ζώνης (ο χρόνος σε μs και το εύρος ζώνης σε ΜΗz) το οποίο είναι ανώτερο του 100,

| 3. | Εύρος ζώνης μεγαλύτερο από 250 MHz, ή |
| --- | --- |

3.

Εύρος ζώνης μεγαλύτερο από 250 MHz, ή

| 4. | Καθυστέρηση με διασπορά (dispersive delay) περισσότερη από 10 μs, ή |
| --- | --- |

4.

Καθυστέρηση με διασπορά (dispersive delay) περισσότερη από 10 μs, ή

| γ. | Συχνότητα φέροντος 1 GHz ή λιγότερο, και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Το γινόμενο του μέγιστου χρόνου καθυστέρησης και του εύρους ζώνης (ο χρόνος σε μs και το εύρος ζώνης σε ΜΗz) το οποίο είναι ανώτερο του 100, |
| --- | --- | --- |

γ.

Συχνότητα φέροντος 1 GHz ή λιγότερο, και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Το γινόμενο του μέγιστου χρόνου καθυστέρησης και του εύρους ζώνης (ο χρόνος σε μs και το εύρος ζώνης σε ΜΗz) το οποίο είναι ανώτερο του 100,

| 2. | Καθυστέρηση με διασπορά (dispersive delay) περισσότερη από 10 μs, ή |
| --- | --- |

2.

Καθυστέρηση με διασπορά (dispersive delay) περισσότερη από 10 μs, ή

| 3. | «Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας» που ξεπερνάει τα 65 dB και εύρος ζώνης μεγαλύτερο από 100 MHz. |
| --- | --- |

3.

«Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας» που ξεπερνάει τα 65 dB και εύρος ζώνης μεγαλύτερο από 100 MHz.

Τεχνική παρατήρηση:

Η «απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας» είναι η μέγιστη τιμή απόρριψης που προσδιορίζεται στα δελτία δεδομένων.

| 2. | Συσκευές ακουστικών κυμάτων όγκου που επιτρέπουν την κατευθείαν επεξεργασία σημάτων σε συχνότητες άνω των 6 GHz. |
| --- | --- |

2.

Συσκευές ακουστικών κυμάτων όγκου που επιτρέπουν την κατευθείαν επεξεργασία σημάτων σε συχνότητες άνω των 6 GHz.

| 3. | Ακουστικο-οπτικές συσκευές «επεξεργασίας σημάτων» που βασίζονται στην αλληλεπίδραση μεταξύ ακουστικών κυμάτων (κυμάτων όγκου ή κυμάτων επιφανείας) και κυμάτων φωτός και οι οποίες επιτρέπουν την άμεση επεξεργασία σημάτων ή εικόνων. Περιλαμβάνουν φασματική ανάλυση, συσχέτιση ή συνέλιξη. |
| --- | --- |

3.

Ακουστικο-οπτικές συσκευές «επεξεργασίας σημάτων» που βασίζονται στην αλληλεπίδραση μεταξύ ακουστικών κυμάτων (κυμάτων όγκου ή κυμάτων επιφανείας) και κυμάτων φωτός και οι οποίες επιτρέπουν την άμεση επεξεργασία σημάτων ή εικόνων. Περιλαμβάνουν φασματική ανάλυση, συσχέτιση ή συνέλιξη.

Σημείωση: Στο σημείο 3Α001.γ. δεν υπάγονται οι συσκευές ακουστικών κυμάτων που περιορίζονται σε μονοπερατό, χαμηλοπερατό, υψηλοπερατό ή στενό ζωνοφρακτικό φίλτρο, ή λειτουργία συντονισμού.

| δ. | Ηλεκτρονικές συσκευές και κυκλώματα που περιέχουν δομικά στοιχεία κατασκευασμένα από «υπεραγώγιμα» υλικά και ειδικά σχεδιασμένα για λειτουργία σε θερμοκρασίες κάτω από την «κρίσιμη θερμοκρασία» τουλάχιστον ενός από τα «υπεραγώγιμα» συστατικά υλικά και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Μεταγωγή ρεύματος για ψηφιακά κυκλώματα όπου χρησιμοποιούνται «υπεραγώγιμες» πύλες με γινόμενο μεταξύ του χρόνου καθυστέρησης ανά πύλη (που εκφράζεται σε δευτερόλεπτα) και της κατανάλωσης ισχύος ανά πύλη (που εκφράζεται σε W) και το οποίο είναι λιγότερο από 10-14 J, ή |
| --- | --- | --- |

δ.

Ηλεκτρονικές συσκευές και κυκλώματα που περιέχουν δομικά στοιχεία κατασκευασμένα από «υπεραγώγιμα» υλικά και ειδικά σχεδιασμένα για λειτουργία σε θερμοκρασίες κάτω από την «κρίσιμη θερμοκρασία» τουλάχιστον ενός από τα «υπεραγώγιμα» συστατικά υλικά και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Μεταγωγή ρεύματος για ψηφιακά κυκλώματα όπου χρησιμοποιούνται «υπεραγώγιμες» πύλες με γινόμενο μεταξύ του χρόνου καθυστέρησης ανά πύλη (που εκφράζεται σε δευτερόλεπτα) και της κατανάλωσης ισχύος ανά πύλη (που εκφράζεται σε W) και το οποίο είναι λιγότερο από 10-14 J, ή

| 2. | Επιλογή συχνοτήτων σε όλες τις συχνότητες με τη χρήση συντονισμένων κυκλωμάτων με τιμές Q άνω των 10 000. |
| --- | --- |

2.

Επιλογή συχνοτήτων σε όλες τις συχνότητες με τη χρήση συντονισμένων κυκλωμάτων με τιμές Q άνω των 10 000.

| ε. | Συσκευές υψηλής ενέργειας, ως εξής:






  1. | «Ηλεκτρικά στοιχεία» ως εξής:






  α. | «Πρωτογενή στοιχεία» με «ενεργειακή πυκνότητα» άνω των 550 Wh/kg στους 20 °C, |
| --- | --- | --- | --- |

ε.

Συσκευές υψηλής ενέργειας, ως εξής:

1.

«Ηλεκτρικά στοιχεία» ως εξής:

α.

«Πρωτογενή στοιχεία» με «ενεργειακή πυκνότητα» άνω των 550 Wh/kg στους 20 °C,

| β. | «Δευτερογενή στοιχεία» με «ενεργειακή πυκνότητα» άνω των 300 Wh/kg στους 20 °C. |
| --- | --- |

β.

«Δευτερογενή στοιχεία» με «ενεργειακή πυκνότητα» άνω των 300 Wh/kg στους 20 °C.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1, η «ενεργειακή πυκνότητα» (Wh/kg) υπολογίζεται ως το γινόμενο της ονομαστικής τάσης σε βολτ επί την ονομαστική χωρητικότητα σε αμπερώρια (Ah) διά τη μάζα σε χιλιόγραμμα. Αν δεν δηλώνεται η ονομαστική χωρητικότητα, η ενεργειακή πυκνότητα υπολογίζεται ως το γινόμενο του τετραγώνου της ονομαστικής τάσης σε βολτ επί τη διάρκεια εκφόρτισης σε ώρες διαιρούμενο με το φορτίο εκφόρτισης σε ωμ και με τη μάζα σε χιλιόγραμμα. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1, ως «ηλεκτρικό στοιχείο» νοείται κάθε ηλεκτροχημική διάταξη που διαθέτει θετικό και αρνητικό ηλεκτρόδιο και ηλεκτρολύτη και αποτελεί πηγή ηλεκτρικής ενέργειας. Τα ηλεκτρικά στοιχεία αποτελούν τις βασικές μονάδες από τις οποίες συντίθενται οι ηλεκτρικές στήλες. |
| --- | --- |

2.

| 3. | Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.α, ως «πρωτογενές ηλεκτρικό στοιχείο» νοείται κάθε «ηλεκτρικό στοιχείο» που δεν είναι σχεδιασμένο για να φορτίζεται από άλλη πηγή. |
| --- | --- |

3.

| 4. | Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.β, ως «δευτερογενές ηλεκτρικό στοιχείο» νοείται κάθε «ηλεκτρικό στοιχείο» σχεδιαζόμενο ώστε να φορτίζεται από εξωτερική πηγή ηλεκτρισμού. |
| --- | --- |

4.

Σημείωση: Στο σημείο 3Α001.ε.1. εμπίπτουν οι μπαταρίες, έστω και αν αποτελούνται από ένα μόνο ηλεκτρικό στοιχείο.

| 2. | Πυκνωτές με υψηλή ενεργειακή χωρητικότητα ως εξής:


  ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΤΟ ΣΗΜΕΙΟ 3A201.α και τους Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων.







  α. | Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης κάτω από 10 Hz (πυκνωτές μιας κρούσης) και που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  1. | Ονομαστική τάση ίση ή ανώτερη από 5 kV, |
| --- | --- | --- | --- |

2.

Πυκνωτές με υψηλή ενεργειακή χωρητικότητα ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΤΟ ΣΗΜΕΙΟ 3A201.α και τους Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων.

α.

Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης κάτω από 10 Hz (πυκνωτές μιας κρούσης) και που έχουν όλα τα ακόλουθα:

1.

Ονομαστική τάση ίση ή ανώτερη από 5 kV,

| 2. | Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη από 250 J/kg, και |
| --- | --- |

2.

Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη από 250 J/kg, και

| 3. | Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη από 25 kJ. |
| --- | --- |

3.

Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη από 25 kJ.

| β. | Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης 10 Hz ή παραπάνω (επαναληπτικοί πυκνωτές) και που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  1. | Ονομαστική τάση ίση ή ανώτερη από 5 kV, |
| --- | --- | --- |

β.

Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης 10 Hz ή παραπάνω (επαναληπτικοί πυκνωτές) και που έχουν όλα τα ακόλουθα:

1.

Ονομαστική τάση ίση ή ανώτερη από 5 kV,

| 2. | Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη από 50 J/kg. |
| --- | --- |

2.

Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη από 50 J/kg.

| 3. | Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη από 100 J, και |
| --- | --- |

3.

Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη από 100 J, και

| 4. | Κύκλο ζωής για φόρτιση και εκφόρτιση ίσο ή ανώτερο από 10 000. |
| --- | --- |

4.

Κύκλο ζωής για φόρτιση και εκφόρτιση ίσο ή ανώτερο από 10 000.

| 3. | «Υπεραγώγιμοι» ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν σχεδιαστεί ειδικά ώστε να φορτίζονται πλήρως, ή να εκφορτίζονται, σε λιγότερο από ένα δευτερόλεπτο και που έχουν όλα τα ακόλουθα:


  ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α201.β.



  Σημείωση: Στο σημείο 3Α001.ε.3 δεν υπάγονται «υπεραγώγιμοι» ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν κατασκευαστεί ειδικά για ιατρικό εξοπλισμό απεικόνισης με τη βοήθεια Μαγνητικού Συντονισμού (Magnetic Resonance Imaging).







  α. | Ενέργεια που αποδίδεται κατά τη διάρκεια της εκφόρτισης η οποία υπερβαίνει τα 10 kJ το πρώτο δευτερόλεπτο, |
| --- | --- | --- |

3.

«Υπεραγώγιμοι» ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν σχεδιαστεί ειδικά ώστε να φορτίζονται πλήρως, ή να εκφορτίζονται, σε λιγότερο από ένα δευτερόλεπτο και που έχουν όλα τα ακόλουθα:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α201.β.

Σημείωση: Στο σημείο 3Α001.ε.3 δεν υπάγονται «υπεραγώγιμοι» ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν κατασκευαστεί ειδικά για ιατρικό εξοπλισμό απεικόνισης με τη βοήθεια Μαγνητικού Συντονισμού (Magnetic Resonance Imaging).

α.

Ενέργεια που αποδίδεται κατά τη διάρκεια της εκφόρτισης η οποία υπερβαίνει τα 10 kJ το πρώτο δευτερόλεπτο,

| β. | Εσωτερική διάμετρο των ρευματοφόρων περιελίξεων ανώτερη από 250 mm, και |
| --- | --- |

β.

Εσωτερική διάμετρο των ρευματοφόρων περιελίξεων ανώτερη από 250 mm, και

| γ. | Ονομαστική μαγνητική επαγωγή άνω των 8 Τ ή «συνολική πυκνότητα ρεύματος» στις περιελίξεις που είναι ανώτερη από 300 A/mm2. |
| --- | --- |

γ.

Ονομαστική μαγνητική επαγωγή άνω των 8 Τ ή «συνολική πυκνότητα ρεύματος» στις περιελίξεις που είναι ανώτερη από 300 A/mm2.

| 4. | Φωτοβολταϊκά στοιχεία, συναρμολογήματα υαλοκαλυπτρών διασυνδεδεμένων στοιχείων (CIC), φωτοβολταϊκοί επίπεδοι συλλέκτες και φωτοβολταϊκές συστοιχίες, «κατάλληλα για διαστημική χρήση», με ελάχιστη μέση απόδοση άνω του 20 % σε θερμοκρασία λειτουργίας 301 K (28 °C) υπό προσομοιωμένο φωτισμό μηδενικής μάζας αέρα «AM0», με πυκνότητα ακτινοβολίας 1 367 (W/m2),


  Τεχνική παρατήρηση:


  Ο όρος «μηδενικής μάζας αέρα» (AM0) αναφέρεται στη φασματική πυκνότητα ακτινοβολίας του ηλιακού φωτός στην εξώτερη ατμόσφαιρα της γης, όταν η απόσταση γης-ηλίου είναι μία αστρονομική μονάδα (ΑU). |
| --- | --- |

4.

Φωτοβολταϊκά στοιχεία, συναρμολογήματα υαλοκαλυπτρών διασυνδεδεμένων στοιχείων (CIC), φωτοβολταϊκοί επίπεδοι συλλέκτες και φωτοβολταϊκές συστοιχίες, «κατάλληλα για διαστημική χρήση», με ελάχιστη μέση απόδοση άνω του 20 % σε θερμοκρασία λειτουργίας 301 K (28 °C) υπό προσομοιωμένο φωτισμό μηδενικής μάζας αέρα «AM0», με πυκνότητα ακτινοβολίας 1 367 (W/m2),

Τεχνική παρατήρηση:

Ο όρος «μηδενικής μάζας αέρα» (AM0) αναφέρεται στη φασματική πυκνότητα ακτινοβολίας του ηλιακού φωτός στην εξώτερη ατμόσφαιρα της γης, όταν η απόσταση γης-ηλίου είναι μία αστρονομική μονάδα (ΑU).

| στ. | Περιστροφικοί κωδικοποιητές τιμής απόλυτης θέσης τύπου εισόδου που έχουν ακρίβεια ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από ± 1,0 δευτερόλεπτα τόξου. |
| --- | --- |

στ.

Περιστροφικοί κωδικοποιητές τιμής απόλυτης θέσης τύπου εισόδου που έχουν ακρίβεια ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από ± 1,0 δευτερόλεπτα τόξου.

| ζ. | Συσκευές και «μονάδες» στερεάς καταστάσεως με θυρίστορες για την παλμική μεταγωγή ηλεκτρισμού, που χρησιμοποιούν μεθόδους μεταγωγής ελεγχόμενες είτε ηλεκτρικώς, είτε οπτικώς, είτε με ακτινοβολία ηλεκτρονίων και έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  1. | Ανώτατη ταχύτητα αύξησης του ρεύματος (di/dt) κατά το άναμμα άνω των 30 000 A/μs και τάση σε κατάσταση σβηστή άνω των 1 100 V, ή |
| --- | --- | --- |

ζ.

Συσκευές και «μονάδες» στερεάς καταστάσεως με θυρίστορες για την παλμική μεταγωγή ηλεκτρισμού, που χρησιμοποιούν μεθόδους μεταγωγής ελεγχόμενες είτε ηλεκτρικώς, είτε οπτικώς, είτε με ακτινοβολία ηλεκτρονίων και έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1.

Ανώτατη ταχύτητα αύξησης του ρεύματος (di/dt) κατά το άναμμα άνω των 30 000 A/μs και τάση σε κατάσταση σβηστή άνω των 1 100 V, ή

| 2. | Ανώτατη ταχύτητα αύξησης του ρεύματος (di/dt) κατά το άναμμα άνω των 2 000 A/μs και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Ανώτατη τάση σε κατάσταση σβηστή τουλάχιστον 3 000 V, και |
| --- | --- | --- |

2.

Ανώτατη ταχύτητα αύξησης του ρεύματος (di/dt) κατά το άναμμα άνω των 2 000 A/μs και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Ανώτατη τάση σε κατάσταση σβηστή τουλάχιστον 3 000 V, και

| β. | Ρεύμα αιχμής τουλάχιστον 3 000 A. |
| --- | --- |

β.

Ρεύμα αιχμής τουλάχιστον 3 000 A.

Σημείωση 1: Στο 3Α001.ζ. περιλαμβάνονται:

| — | Silicon Controlled Rectifiers (SCR) |
| --- | --- |

—

Silicon Controlled Rectifiers (SCR)

| — | Electrical Triggering Thyristors (ETT) |
| --- | --- |

—

Electrical Triggering Thyristors (ETT)

| — | Light Triggering Thyristors (LTT) |
| --- | --- |

—

Light Triggering Thyristors (LTT)

| — | Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCT) |
| --- | --- |

—

Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCT)

| — | Gate Turn-off Thyristors (GTO) |
| --- | --- |

—

Gate Turn-off Thyristors (GTO)

| — | MOS Controlled Thyristors (MCT) |
| --- | --- |

—

MOS Controlled Thyristors (MCT)

| — | Solidtron. |
| --- | --- |

—

Solidtron.

Σημείωση 2: Στο σημείο 3A001.ζ δεν εμπίπτουν οι συσκευές και «μονάδες με θυρίστορες» οι ενσωματωμένες σε εξοπλισμό προοριζόμενο για εφαρμογές σε πολιτικούς σιδηροδρόμους και «πολιτικά αεροσκάφη».

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ζ, οι «μονάδες με θυρίστορες» περιέχουν μία ή περισσότερες συσκευές με θυρίστορες.

| η. | Διακόπτες, δίοδοι ή «μονάδες» ημιαγωγών ισχύος στερεάς κατάστασης, που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  1. | Ονομαστική λειτουργία σε μέγιστη λειτουργική θερμοκρασία άνω των 488 K (215 °C), |
| --- | --- | --- |

η.

Διακόπτες, δίοδοι ή «μονάδες» ημιαγωγών ισχύος στερεάς κατάστασης, που έχουν όλα τα ακόλουθα:

1.

Ονομαστική λειτουργία σε μέγιστη λειτουργική θερμοκρασία άνω των 488 K (215 °C),

| 2. | Επαναληπτική ανώτατη τάση αιχμής σε κατάσταση σβηστή (τάση εμπλοκής) που υπερβαίνει τα 300 V, και |
| --- | --- |

2.

Επαναληπτική ανώτατη τάση αιχμής σε κατάσταση σβηστή (τάση εμπλοκής) που υπερβαίνει τα 300 V, και

| 3. | Συνεχή ροή μεγαλύτερη από 1 Α. |
| --- | --- |

3.

Συνεχή ροή μεγαλύτερη από 1 Α.

Σημείωση 1: Η επαναληπτική ανώτατη τάση σε κατάσταση σβηστή στο 3Α001.η. περιλαμβάνει τάση από drain προς πηγή, τάση από συλλέκτη προς εκπομπό, επαναληπτική ανώτατη αντίστροφη τάση και ανώτατη επαναληπτική τάση εμπλοκής σε κατάσταση σβηστή.

3A001 η.

  Σημείωση 2: Στο 3Α001.η. περιλαμβάνονται:

| — | Junction Field Effect Transistors (JFETs) |
| --- | --- |

—

Junction Field Effect Transistors (JFETs)

| — | Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs) |
| --- | --- |

—

Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)

| — | Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors (MOSFETs) |
| --- | --- |

—

Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors (MOSFETs)

| — | Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET) |
| --- | --- |

—

Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)

| — | Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) |
| --- | --- |

—

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

| — | High Electron Mobility Transistors (HEMTs) |
| --- | --- |

—

High Electron Mobility Transistors (HEMTs)

| — | Bipolar Junction Transistors (BJTs) |
| --- | --- |

—

Bipolar Junction Transistors (BJTs)

| — | Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs) |
| --- | --- |

—

Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)

| — | Gate Turn-Off Thyristors (GTOs) |
| --- | --- |

—

Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)

| — | Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs) |
| --- | --- |

—

Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)

| — | PiN Diodes |
| --- | --- |

—

PiN Diodes

| — | Schottky Diodes |
| --- | --- |

—

Schottky Diodes

Σημείωση 3: Στο σημείο 3A001.η. δεν υπάγονται διακόπτες, δίοδοι ή «μονάδες» που ενσωματώνονται σε εξοπλισμό προοριζόμενο για εφαρμογές σε πολιτικούς σιδηροδρόμους και «πολιτικά αεροσκάφη».

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του σημείου 3Α001.η., οι «μονάδες» περιέχουν έναν ή περισσότερους διακόπτες ή διόδους ημιαγωγών ισχύος στερεάς κατάστασης.

3A002

Ηλεκτρονικός εξοπλισμός γενικής χρήσεως ως εξής:

| α. | Εξοπλισμός καταγραφής και παλμογράφοι ως εξής:






  1. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- | --- |

α.

Εξοπλισμός καταγραφής και παλμογράφοι ως εξής:

1.

Δεν χρησιμοποιείται,

| 2. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

2.

Δεν χρησιμοποιείται,

| 3. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

3.

Δεν χρησιμοποιείται,

| 4. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

4.

Δεν χρησιμοποιείται,

| 5. | Μετατροπείς κυματομορφών σε ψηφιακή μορφή και καταγραφείς μεταβατικών φαινομένων, που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Ρυθμό ψηφιακής μετατροπής τουλάχιστον 200 εκατ. δειγμάτων ανά δευτερόλεπτο και διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit, και |
| --- | --- | --- |

5.

Μετατροπείς κυματομορφών σε ψηφιακή μορφή και καταγραφείς μεταβατικών φαινομένων, που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Ρυθμό ψηφιακής μετατροπής τουλάχιστον 200 εκατ. δειγμάτων ανά δευτερόλεπτο και διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit, και

| β. | «Συνεχή διεκπεραίωση» τουλάχιστον 2 Gbit/s. |
| --- | --- |

β.

«Συνεχή διεκπεραίωση» τουλάχιστον 2 Gbit/s.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Για όργανα με αρτηρία (bus) παραλλήλου αρχιτεκτονικής, ο ρυθμός «συνεχούς διεκπεραίωσης» είναι ο υψηλότερος ρυθμός λέξεων πολλαπλασιασμένος επί τον αριθμό bits σε μια λέξη. |
| --- | --- |

1.

| 2. | «Συνεχής διεκπεραίωση» είναι ο ταχύτερος ρυθμός δεδομένων τον οποίο το όργανο μπορεί να προωθήσει στην εκροή προς τη μαζική μνήμη, χωρίς απώλεια πληροφοριών, διατηρώντας παράλληλα το ρυθμό δειγματοληψίας και τη μετατροπή αναλογικού προς ψηφιακό. |
| --- | --- |

2.

| 6. | Συστήματα καταγραφής δεδομένων με ψηφιακά όργανα που χρησιμοποιούν τεχνικές αποθήκευσης με μαγνητικούς δίσκους και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά και ειδικά σχεδιασμένοι ψηφιακοί καταγραφείς για αυτά:






  α. | Ρυθμό ψηφιοποιημένων δεδομένων οργάνων τουλάχιστον 100 εκατ. δείγματα ανά δευτερόλεπτο με διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit, και |
| --- | --- | --- |

6.

Συστήματα καταγραφής δεδομένων με ψηφιακά όργανα που χρησιμοποιούν τεχνικές αποθήκευσης με μαγνητικούς δίσκους και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά και ειδικά σχεδιασμένοι ψηφιακοί καταγραφείς για αυτά:

α.

Ρυθμό ψηφιοποιημένων δεδομένων οργάνων τουλάχιστον 100 εκατ. δείγματα ανά δευτερόλεπτο με διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit, και

| β. | «Συνεχή διεκπεραίωση» τουλάχιστον 1 Gbit/s. |
| --- | --- |

β.

«Συνεχή διεκπεραίωση» τουλάχιστον 1 Gbit/s.

Τεχνική παρατήρηση:

Τα συστήματα καταγραφής δεδομένων με ψηφιακά όργανα μπορούν να διαμορφωθούν με ψηφιοποιητή είτε ενσωματωμένο εσωτερικά είτε εκτός του ψηφιακού καταγραφέα.

| 7. | Παλμογράφοι πραγματικού χρόνου που έχουν πραγματική τιμή (rms) τάσης θορύβου μικρότερη από 2 % της πλήρους κλίμακας στην κάθετη κλίμακα που ορίζει την ελάχιστη τιμή θορύβου για κάθε εύρος ζώνης εισόδου 3 dB των 60 GHz και άνω ανά δίαυλο,


  Σημείωση: Στο σημείο 3A002.α.7. δεν υπάγονται οι παλμογράφοι δειγματοληψίας ισοδύναμου χρόνου. |
| --- | --- |

7.

Παλμογράφοι πραγματικού χρόνου που έχουν πραγματική τιμή (rms) τάσης θορύβου μικρότερη από 2 % της πλήρους κλίμακας στην κάθετη κλίμακα που ορίζει την ελάχιστη τιμή θορύβου για κάθε εύρος ζώνης εισόδου 3 dB των 60 GHz και άνω ανά δίαυλο,

Σημείωση: Στο σημείο 3A002.α.7. δεν υπάγονται οι παλμογράφοι δειγματοληψίας ισοδύναμου χρόνου.

| β. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

β.

Δεν χρησιμοποιείται,

| γ. | «Συστήματα ανάλυσης σημάτων» ραδιοσυχνοτήτων ως εξής:






  1. | «Συστήματα ανάλυσης σημάτων» και με διακριτική ικανότητα εύρους ζώνης (RBW) 3 dB άνω των 10 MHz οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 31,8 GHz αλλά όχι άνω των 37,5 GHz, |
| --- | --- | --- |

γ.

«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» ραδιοσυχνοτήτων ως εξής:

1.

«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» και με διακριτική ικανότητα εύρους ζώνης (RBW) 3 dB άνω των 10 MHz οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 31,8 GHz αλλά όχι άνω των 37,5 GHz,

| 2. | «Συστήματα ανάλυσης σημάτων» με αναγραφόμενη μέση στάθμη θορύβου (DANL) κάτω των (καλύτερη από) -150 dBm/Hz οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 43,5 GHz αλλά όχι άνω των 75 GHz, |
| --- | --- |

2.

«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» με αναγραφόμενη μέση στάθμη θορύβου (DANL) κάτω των (καλύτερη από) -150 dBm/Hz οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 43,5 GHz αλλά όχι άνω των 75 GHz,

| 3. | «Συστήματα ανάλυσης σημάτων» με συχνότητα άνω των 75 GHz, |
| --- | --- |

3.

«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» με συχνότητα άνω των 75 GHz,

| 4. | «Συστήματα ανάλυσης σημάτων» με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | «Εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου» που υπερβαίνει τα 85 MHz, και |
| --- | --- | --- |

4.

«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

«Εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου» που υπερβαίνει τα 85 MHz, και

| β. | 100 % πιθανότητα ανακάλυψης με μείωση μικρότερη των 3 dB από το πλήρες πλάτος εξαιτίας κενών ή «παραθύρων» (windowing effects) στα σήματα που έχουν διάρκεια 15 μs ή μικρότερη,


  Τεχνικές παρατηρήσεις:








  1. | Η πιθανότητα ανακάλυψης στο σημείο 3A002.γ.4.β. αναφέρεται και ως πιθανότητα αναχαίτισης ή πιθανότητα δέσμευσης. |
| --- | --- | --- |

β.

100 % πιθανότητα ανακάλυψης με μείωση μικρότερη των 3 dB από το πλήρες πλάτος εξαιτίας κενών ή «παραθύρων» (windowing effects) στα σήματα που έχουν διάρκεια 15 μs ή μικρότερη,

Τεχνικές παρατηρήσεις:

1.

| 2. | Για τους σκοπούς του σημείου 3A002.γ.4.β., η διάρκεια για πιθανότητα ανακάλυψης 100 % είναι ισοδύναμη με την ελάχιστη διάρκεια σήματος που απαιτείται για την αβεβαιότητα μετρήσεων της προσδιοριζόμενης στάθμης. |
| --- | --- |

2.

Σημείωση: Στο σημείο 3Α002.γ.4. δεν υπάγονται τα «συστήματα ανάλυσης σημάτων» που χρησιμοποιούν μόνο φίλτρα σταθερού ποσοστιαίου εύρους ζώνης (γνωστά και σαν φίλτρα οκτάβας ή κλασματικής οκτάβας).

| 5. | «Συστήματα ανάλυσης σημάτων» που έχουν λειτουργία «ενεργοποιητή μάσκας συχνότητας» με 100 % πιθανότητα ενεργοποίησης (δέσμευσης) σημάτων διάρκειας 15 μs ή μικρότερης, |
| --- | --- |

5.

«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» που έχουν λειτουργία «ενεργοποιητή μάσκας συχνότητας» με 100 % πιθανότητα ενεργοποίησης (δέσμευσης) σημάτων διάρκειας 15 μs ή μικρότερης,

| δ. | Γεννήτριες σημάτων με σύνθεση συχνοτήτων που παράγουν συχνότητες εξόδου με ακρίβεια και βραχυπρόθεσμη και μακροπρόθεσμη σταθερότητα που ελέγχεται, παράγεται ή διορθώνεται από τον εσωτερικό ταλαντευτή αναφοράς και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Προδιαγεγραμμένες για την παραγωγή σημάτων διαμόρφωσης παλμών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά οπουδήποτε εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων άνω των 31,8 GHz και έως και 75 GHz,






  α. | «Διάρκεια παλμού» κάτω του 100 ns, και |
| --- | --- | --- | --- |

δ.

Γεννήτριες σημάτων με σύνθεση συχνοτήτων που παράγουν συχνότητες εξόδου με ακρίβεια και βραχυπρόθεσμη και μακροπρόθεσμη σταθερότητα που ελέγχεται, παράγεται ή διορθώνεται από τον εσωτερικό ταλαντευτή αναφοράς και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Προδιαγεγραμμένες για την παραγωγή σημάτων διαμόρφωσης παλμών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά οπουδήποτε εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων άνω των 31,8 GHz και έως και 75 GHz,

α.

«Διάρκεια παλμού» κάτω του 100 ns, και

| β. | Αναλογία on/off ίση ή ανώτερη από 65 dB, |
| --- | --- |

β.

Αναλογία on/off ίση ή ανώτερη από 65 dB,

| 2. | Ισχύ εξόδου άνω των 100 mW (20 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων άνω των 43,5 GHz και έως και 75 GHz, |
| --- | --- |

2.

Ισχύ εξόδου άνω των 100 mW (20 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων άνω των 43,5 GHz και έως και 75 GHz,

| 3. | «Χρόνο μεταγωγής συχνότητας» προσδιοριζόμενο από οποιοδήποτε από τα εξής:






  α. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- | --- |

3.

«Χρόνο μεταγωγής συχνότητας» προσδιοριζόμενο από οποιοδήποτε από τα εξής:

α.

Δεν χρησιμοποιείται,

| β. | κάτω των 100 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 1,6 GHz εντός του φάσματος συνθετόμενων συχνοτήτων από 4,8 GHz έως και 10,6 GHz, |
| --- | --- |

β.

κάτω των 100 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 1,6 GHz εντός του φάσματος συνθετόμενων συχνοτήτων από 4,8 GHz έως και 10,6 GHz,

| γ. | κάτω των 250 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 10,6 GHz έως και 31,8 GHz, |
| --- | --- |

γ.

κάτω των 250 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 10,6 GHz έως και 31,8 GHz,

| δ. | κάτω των 500 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 31,8 GHz έως και 43,5 GHz, |
| --- | --- |

δ.

κάτω των 500 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 31,8 GHz έως και 43,5 GHz,

| ε. | κάτω του 1 ms για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 43,5 GHz έως και 56 GHz, ή |
| --- | --- |

ε.

κάτω του 1 ms για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 43,5 GHz έως και 56 GHz, ή

| στ. | κάτω του 1 ms για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 2,2 GHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 56 GHz έως και 75 GHz, |
| --- | --- |

στ.

κάτω του 1 ms για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 2,2 GHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 56 GHz έως και 75 GHz,

| 4. | Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, που ορίζεται ως ακολούθως:






  α. | κάτω (καλύτερο) των - (126 + 20log10F-20log10f) οπουδήποτε εντός της ζώνης των 10 Hz < F < 10 kHz οπουδήποτε εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων άνω των 3,2 GHz αλλά όχι άνω των 75 GHz, και |
| --- | --- | --- |

4.

Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, που ορίζεται ως ακολούθως:

α.

κάτω (καλύτερο) των - (126 + 20log10F-20log10f) οπουδήποτε εντός της ζώνης των 10 Hz < F < 10 kHz οπουδήποτε εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων άνω των 3,2 GHz αλλά όχι άνω των 75 GHz, και

| β. | κάτω (καλύτερο) των - (114 + 20log10F-20log10f) οπουδήποτε εντός της ζώνης των 10 kHz ≤ F < 500 kHz οπουδήποτε εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων άνω των 3,2 GHz αλλά όχι άνω των 75 GHz, ή |
| --- | --- |

β.

κάτω (καλύτερο) των - (114 + 20log10F-20log10f) οπουδήποτε εντός της ζώνης των 10 kHz ≤ F < 500 kHz οπουδήποτε εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων άνω των 3,2 GHz αλλά όχι άνω των 75 GHz, ή

Τεχνική παρατήρηση:

Στο 3Α002.δ.4., F είναι η απόκλιση από τη συχνότητα λειτουργίας σε Hz και f είναι η συχνότητα λειτουργίας σε MHz.

| 5. | Ανώτατη συντιθέμενη συχνότητα άνω των 75 GHz. |
| --- | --- |

5.

Ανώτατη συντιθέμενη συχνότητα άνω των 75 GHz.

Σημείωση 1: Για τους σκοπούς του σημείου 3A002.δ., στις γεννήτριες σημάτων με σύνθεση συχνοτήτων περιλαμβάνονται οι γεννήτριες σημάτων τυχούσας κυματομορφής και συνάρτησης.

Σημείωση 2: Στο σημείο 3Α002.δ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός στον οποίο η συχνότητα εξόδου παράγεται, είτε μέσω της πρόσθεσης ή αφαίρεσης δύο ή περισσοτέρων συχνοτήτων που παράγει κρυσταλλικός ταλαντωτής, είτε από την πρόσθεση ή αφαίρεση την οποία ακολουθεί πολλαπλασιασμός του αποτελέσματος.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Η μέγιστη συντιθέμενη συχνότητα μιας γεννήτριας σημάτων τυχούσας κυματομορφής ή συνάρτησης υπολογίζεται διαιρώντας το ρυθμό δειγματοληψίας, σε δείγματα ανά δευτερόλεπτο, με συντελεστή 2,5. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Για τους σκοπούς του σημείου 3A002.δ.1.α, η «διάρκεια παλμού» ορίζεται ως το χρονικό διάστημα από το σημείο του πρόσθιου άκρου που αντιστοιχεί στο 50 % του πλάτους του παλμού έως το σημείο του οπίσθιου άκρου που αντιστοιχεί στο 50 % του πλάτους του παλμού. |
| --- | --- |

2.

| ε. | Αναλυτές δικτύου με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Ισχύ εξόδου άνω των 31,62 mW (15 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων λειτουργίας άνω των 43,5 GHz και έως και 75 GHz, |
| --- | --- | --- |

ε.

Αναλυτές δικτύου με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Ισχύ εξόδου άνω των 31,62 mW (15 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων λειτουργίας άνω των 43,5 GHz και έως και 75 GHz,

| 2. | Ισχύ εξόδου άνω των 1 mW (0 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων λειτουργίας άνω των 75 GHz και έως και 110 GHz, |
| --- | --- |

2.

Ισχύ εξόδου άνω των 1 mW (0 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων λειτουργίας άνω των 75 GHz και έως και 110 GHz,

| 3. | «Λειτουργία μέτρησης μη γραμμικού διανύσματος» σε συχνότητες άνω των 50 GHz και έως και 110 GHz, ή



  Τεχνική Σημείωση:


  «Λειτουργία μέτρησης μη γραμμικού διανύσματος» είναι η ικανότητα ενός οργάνου να αναλύει τα αποτελέσματα δοκιμών συσκευών που οδηγούνται στη περιοχή του μεγάλου σήματος ή στο εύρος της μη γραμμικής παραμόρφωσης. |
| --- | --- |

3.

«Λειτουργία μέτρησης μη γραμμικού διανύσματος» σε συχνότητες άνω των 50 GHz και έως και 110 GHz, ή

Τεχνική Σημείωση:

«Λειτουργία μέτρησης μη γραμμικού διανύσματος» είναι η ικανότητα ενός οργάνου να αναλύει τα αποτελέσματα δοκιμών συσκευών που οδηγούνται στη περιοχή του μεγάλου σήματος ή στο εύρος της μη γραμμικής παραμόρφωσης.

| 4. | Μέγιστη λειτουργική συχνότητα άνω των 110 GHz. |
| --- | --- |

4.

Μέγιστη λειτουργική συχνότητα άνω των 110 GHz.

| στ. | Δοκιμαστικοί μικροκυματικοί δέκτες που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Μέγιστη λειτουργική συχνότητα άνω των 110 GHz, και |
| --- | --- | --- |

στ.

Δοκιμαστικοί μικροκυματικοί δέκτες που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Μέγιστη λειτουργική συχνότητα άνω των 110 GHz, και

| 2. | Μπορούν να μετρήσουν συγχρόνως το πλάτος και τη φάση. |
| --- | --- |

2.

Μπορούν να μετρήσουν συγχρόνως το πλάτος και τη φάση.

| ζ. | Πρότυπα ατομικής συχνότητας που έχουν ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση», |
| --- | --- | --- |

ζ.

Πρότυπα ατομικής συχνότητας που έχουν ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση»,

| 2. | Δεν βασίζονται σε ρουβιδίο και έχουν μακροπρόθεσμη σταθερότητα (γήρανση) μικρότερη (καλύτερη) από 1 × 10-11/μήνα, ή |
| --- | --- |

2.

Δεν βασίζονται σε ρουβιδίο και έχουν μακροπρόθεσμη σταθερότητα (γήρανση) μικρότερη (καλύτερη) από 1 × 10-11/μήνα, ή

| 3. | Δεν είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση» και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Αποτελούν πρότυπα ρουβιδίου, |
| --- | --- | --- |

3.

Δεν είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση» και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Αποτελούν πρότυπα ρουβιδίου,

| β. | Μακροπρόθεσμη σταθερότητα μικρότερη (καλύτερη) από 1 × 10-11/μήνα, και |
| --- | --- |

β.

Μακροπρόθεσμη σταθερότητα μικρότερη (καλύτερη) από 1 × 10-11/μήνα, και

| γ. | Συνολική κατανάλωση ενέργειας κάτω του 1 W. |
| --- | --- |

γ.

Συνολική κατανάλωση ενέργειας κάτω του 1 W.

3A003

Συστήματα θερμοδιαχείρισης με ψύξη διά ψεκασμού, που χρησιμοποιούν εξοπλισμό χειρισμού και επαναχρησιμοποίησης ρευστών σε κλειστό βρόχο μέσα σε σφραγισμένο περιβάλλον, όπου ψεκάζεται διηλεκτρικό ρευστό πάνω σε ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία με χρήση ειδικά σχεδιασμένων ψεκαστικών ακροφυσίων σχεδιασμένων να διατηρούν τα ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία εντός του αντίστοιχου φάσματος θερμοκρασιών λειτουργίας, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τον εξοπλισμό αυτό.

3A101

Ηλεκτρονικός εξοπλισμός, συσκευές και δομικά στοιχεία εκτός από αυτά που ορίζονται στο σημείο 3Α001, ως εξής:

| α. | Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό που μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε «βλήματα» και που έχουν σχεδιαστεί για να πληρούν στρατιωτικές προδιαγραφές για ανθεκτικό εξοπλισμό, |
| --- | --- |

α.

Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό που μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε «βλήματα» και που έχουν σχεδιαστεί για να πληρούν στρατιωτικές προδιαγραφές για ανθεκτικό εξοπλισμό,

| β. | Επιταχυντές ικανοί να αποδώσουν ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία που παράγεται από ακτινοβολία επιβράδυνσης από επιταχυνόμενα ηλεκτρόνια ύψους 2 MeV ή παραπάνω, και συστήματα που περιέχουν τους επιταχυντές αυτούς.


  Σημείωση: Το παραπάνω σημείο 3Α101.β. δεν περιλαμβάνει εξοπλισμό ο οποίος έχει ειδικά σχεδιαστεί για ιατρικούς σκοπούς. |
| --- | --- |

β.

Επιταχυντές ικανοί να αποδώσουν ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία που παράγεται από ακτινοβολία επιβράδυνσης από επιταχυνόμενα ηλεκτρόνια ύψους 2 MeV ή παραπάνω, και συστήματα που περιέχουν τους επιταχυντές αυτούς.

Σημείωση: Το παραπάνω σημείο 3Α101.β. δεν περιλαμβάνει εξοπλισμό ο οποίος έχει ειδικά σχεδιαστεί για ιατρικούς σκοπούς.

3A102

«Θερμικές μπαταρίες» σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για «βλήματα».

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Στο σημείο 3Α102, ως «θερμικές μπαταρίες» νοούνται οι ηλεκτρικές στήλες μιας χρήσεως που χρησιμοποιούν ως ηλεκτρολύτη στερεό δυσηλεκτραγωγό ανόργανο άλας. Οι μπαταρίες αυτές περιέχουν και κάποιο πυρολυτικό υλικό το οποίο, αναφλεγόμενο, λιώνει τον ηλεκτρολύτη και θέτει σε λειτουργία την ηλεκτρική στήλη. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Στο σημείο 3A102, ως «βλήματα» νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων εναέριων οχημάτων με ακτίνα δράσης άνω των 300 km. |
| --- | --- |

2.

3A201

Ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία εκτός από όσα καθορίζονται στο σημείο 3Α001, ως εξής:

| α. | Πυκνωτές με μία από τις ακόλουθες ομάδες χαρακτηριστικών:






  1. | α. | Ονομαστική τάση πάνω από 1,4 kV, |
| --- | --- | --- | --- |

α.

Πυκνωτές με μία από τις ακόλουθες ομάδες χαρακτηριστικών:

1.

α.

Ονομαστική τάση πάνω από 1,4 kV,

| β. | Αποθήκευση ενέργειας ανώτερη από 10 J, |
| --- | --- |

β.

Αποθήκευση ενέργειας ανώτερη από 10 J,

| γ. | Χωρητικότητα πάνω από 0,5 μF, και |
| --- | --- |

γ.

Χωρητικότητα πάνω από 0,5 μF, και

| δ. | Αυτεπαγωγή σειράς μικρότερη από 50 nH, ή |
| --- | --- |

δ.

Αυτεπαγωγή σειράς μικρότερη από 50 nH, ή

| 2. | α. | Ονομαστική τάση πάνω από 750 V, |
| --- | --- | --- |

2.

α.

Ονομαστική τάση πάνω από 750 V,

| β. | Χωρητικότητα πάνω από 0,25 μF, και |
| --- | --- |

β.

Χωρητικότητα πάνω από 0,25 μF, και

| γ. | Αυτεπαγωγή σειράς μικρότερη από 10 nH. |
| --- | --- |

γ.

Αυτεπαγωγή σειράς μικρότερη από 10 nH.

| β. | Υπεραγώγιμοι σωληνοειδείς ηλεκτρομαγνήτες που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Ικανότητα να δημιουργούν μαγνητικά πεδία άνω των 2 T, |
| --- | --- | --- |

β.

Υπεραγώγιμοι σωληνοειδείς ηλεκτρομαγνήτες που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Ικανότητα να δημιουργούν μαγνητικά πεδία άνω των 2 T,

| 2. | Λόγο μήκους προς εσωτερική διάμετρο μεγαλύτερο από 2, |
| --- | --- |

2.

Λόγο μήκους προς εσωτερική διάμετρο μεγαλύτερο από 2,

| 3. | Εσωτερική διάμετρο άνω των 300 mm, και |
| --- | --- |

3.

Εσωτερική διάμετρο άνω των 300 mm, και

| 4. | Ομοιογένεια μαγνητικού πεδίου καλύτερη από 1 % όταν μετριέται στο κεντρικό 50 % του εσωτερικού όγκου. |
| --- | --- |

4.

Ομοιογένεια μαγνητικού πεδίου καλύτερη από 1 % όταν μετριέται στο κεντρικό 50 % του εσωτερικού όγκου.

Σημείωση: Το σημείο 3Α201.β. δεν θέτει υπό έλεγχο μαγνήτες που έχουν ειδικά σχεδιαστεί και εξάγονται «ως μέρος» ιατρικών συστημάτων απεικόνισης που βασίζονται σε πυρηνικό μαγνητικό συντονισμό (nuclear magnetic resonance). Η φράση «ως μέρος» δεν σημαίνει κατ' ανάγκη ότι αποτελεί υλικό τμήμα της ίδιας αποστολής. Επιτρέπονται ξεχωριστές αποστολές από διαφορετικές πηγές υπό τον όρο τα σχετικά εξαγωγικά έγγραφα να καθορίζουν σαφώς ότι οι αποστολές διακινούνται «ως μέρος» των συστημάτων απεικόνισης.

| γ. | Γεννήτριες ακτίνων Χ στιγμιαίας λειτουργίας, ή παλμικοί επιταχυντές ηλεκτρονίων με ένα από τα ακόλουθα σύνολα χαρακτηριστικών:






  1. | α. | Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 500 keV και άνω, αλλά κάτω των 25 MeV, και |
| --- | --- | --- | --- |

γ.

Γεννήτριες ακτίνων Χ στιγμιαίας λειτουργίας, ή παλμικοί επιταχυντές ηλεκτρονίων με ένα από τα ακόλουθα σύνολα χαρακτηριστικών:

1.

α.

Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 500 keV και άνω, αλλά κάτω των 25 MeV, και

| β. | «Συντελεστή κέρδους» (Κ) 0,25 ή παραπάνω, ή |
| --- | --- |

β.

«Συντελεστή κέρδους» (Κ) 0,25 ή παραπάνω, ή

| 2. | α. | Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 25 MeV και άνω, και |
| --- | --- | --- |

2.

α.

Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 25 MeV και άνω, και

| β. | «Ανώτατη ισχύ» μεγαλύτερη από 50 MW. |
| --- | --- |

β.

«Ανώτατη ισχύ» μεγαλύτερη από 50 MW.

Σημείωση: Το σημείο 3Α201.γ. δεν καλύπτει τους επιταχυντές που αποτελούν δομικά στοιχεία συσκευών που έχουν σχεδιαστεί για σκοπούς άλλους εκτός από την ακτινοβολία με ακτίνες Χ ή με ηλεκτρονική δέσμη (για παράδειγμα ηλεκτρονικά μικροσκόπια), καθώς και συσκευών που έχουν σχεδιαστεί για ιατρικούς σκοπούς.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Ο «συντελεστής κέρδους» Κ ορίζεται ως εξής:

  K = 1,7 × 103 × V2,65 × Q


  όπου V είναι η ανώτατη ενέργεια των ηλεκτρονίων σε MeV, και


  Q είναι το συνολικό φορτίο σε Coulomb που έχει επιταχυνθεί, αν η διάρκεια της παλμικής δέσμης του επιταχυντή είναι μικρότερη από ή ίση προς 1 μικροδευτερόλεπτο. Αν η διάρκεια της παλμικής δέσμης του επιταχυντή είναι μεγαλύτερη από 1 μικροδευτερόλεπτο, τότε το Q είναι το μέγιστο φορτίο που επιταχύνεται σε 1 μικροδευτερόλεπτο.


  Το Q είναι ίσο με το ολοκλήρωμα του i ως προς το t επί το μικρότερο από τους δύο χρόνους, δηλαδή 1 μικροδευτερόλεπτο ή τη διάρκεια σε χρόνο της παλμικής δέσμης (Q = ∫ idt), όπου i είναι το ρεύμα της δέσμης σε αμπέρ και t είναι ο χρόνος σε δευτερόλεπτα |
| --- | --- |

1.

K = 1,7 × 103 × V2,65 × Q

όπου V είναι η ανώτατη ενέργεια των ηλεκτρονίων σε MeV, και

Q είναι το συνολικό φορτίο σε Coulomb που έχει επιταχυνθεί, αν η διάρκεια της παλμικής δέσμης του επιταχυντή είναι μικρότερη από ή ίση προς 1 μικροδευτερόλεπτο. Αν η διάρκεια της παλμικής δέσμης του επιταχυντή είναι μεγαλύτερη από 1 μικροδευτερόλεπτο, τότε το Q είναι το μέγιστο φορτίο που επιταχύνεται σε 1 μικροδευτερόλεπτο.

Το Q είναι ίσο με το ολοκλήρωμα του i ως προς το t επί το μικρότερο από τους δύο χρόνους, δηλαδή 1 μικροδευτερόλεπτο ή τη διάρκεια σε χρόνο της παλμικής δέσμης (Q = ∫ idt), όπου i είναι το ρεύμα της δέσμης σε αμπέρ και t είναι ο χρόνος σε δευτερόλεπτα

| 2. | «Ανώτατη ισχύς» είναι το γινόμενο του μέγιστου δυναμικού (σε βολτ) επί το μέγιστο ρεύμα δέσμης (σε αμπέρ). |
| --- | --- |

2.

| 3. | Στις μηχανές που βασίζονται σε κοιλότητες επιταχύνσεως μικροκυμάτων, ο χρόνος διάρκειας της παλμικής δέσμης είναι το μικρότερο από τις δύο ποσότητες, δηλαδή 1 μs ή τη διάρκεια του συμπιεσμένου πακέτου δέσμης που προκύπτει από έναν παλμό μικροκυματικού διαμορφωτή. |
| --- | --- |

3.

| 4. | Στις μηχανές που βασίζονται σε κοιλότητες επιτάχυνσης μικροκυμάτων το μέγιστο ρεύμα δέσμης ισούται με το μέσο ρεύμα κατά τη διάρκεια σε χρόνο ενός συμπιεσμένου πακέτου δέσμης. |
| --- | --- |

4.

3A225

Μετατροπείς συχνότητας ή γεννήτριες, εκτός από τις συσκευές που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.β.13., που δύνανται να χρησιμοποιηθούν ως κινητήρες μετάδοσης μεταβλητής ή σταθερής συχνότητας και που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

ΣΗΜ. 1: «Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ενός μετατροπέα ή μιας γεννήτριας συχνοτήτων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225 προσδιορίζεται στο σημείο 3D225.

ΣΗΜ. 2: «Τεχνολογία» υπό τη μορφή κωδικών ή κλειδών για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ενός μετατροπέα ή μιας γεννήτριας συχνοτήτων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225 προσδιορίζεται στο σημείο 3E225.

| α. | Πολυφασική έξοδο που αποδίδει ισχύ 40 VA ή παραπάνω, |
| --- | --- |

α.

Πολυφασική έξοδο που αποδίδει ισχύ 40 VA ή παραπάνω,

| β. | Λειτουργία σε συχνότητα 600 Hz και άνω, και |
| --- | --- |

β.

Λειτουργία σε συχνότητα 600 Hz και άνω, και

| γ. | Έλεγχο συχνότητας καλύτερο (κάτω) από 0,2 %. |
| --- | --- |

γ.

Έλεγχο συχνότητας καλύτερο (κάτω) από 0,2 %.

Σημείωση: Στο σημείο 3A225 δεν υπάγονται οι μετατροπείς ή γεννήτριες συχνοτήτων αν έχουν περιορισμούς υλισμικού, «λογισμικού» ή «τεχνολογίας» που περιορίζουν τις επιδόσεις σε επίπεδο κατώτερο του ως άνω προσδιοριζόμενου, υπό την προϋπόθεση ότι πληρούν τα εξής:

| 1. | Χρειάζεται να επιστραφούν στον αρχικό κατασκευαστή για τη διενέργεια βελτιώσεων ή την αποδέσμευση των περιορισμών, |
| --- | --- |

1.

Χρειάζεται να επιστραφούν στον αρχικό κατασκευαστή για τη διενέργεια βελτιώσεων ή την αποδέσμευση των περιορισμών,

| 2. | Απαιτούν το «λογισμικό» που προσδιορίζεται στο σημείο 3D225 για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3D225, ή |
| --- | --- |

2.

Απαιτούν το «λογισμικό» που προσδιορίζεται στο σημείο 3D225 για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3D225, ή

| 3. | Απαιτούν την «τεχνολογία» υπό τη μορφή κλειδών που προσδιορίζονται στο σημείο 3E225 για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225. |
| --- | --- |

3.

Απαιτούν την «τεχνολογία» υπό τη μορφή κλειδών που προσδιορίζονται στο σημείο 3E225 για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Οι κατά το σημείο 3Α225 μετατροπείς συχνότητας είναι γνωστοί και ως μεταλλάκτες ή inverters. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Οι μετατροπείς συχνότητας του σημείου 3A225 δύνανται να κυκλοφορούν στην αγορά ως γεννήτριες, εξοπλισμός ηλεκτρονικών δοκιμών, τροφοδοτικά AC, κινητήρες μετάδοσης μεταβλητής ταχύτητας, συστήματα μετάδοσης μεταβλητής ταχύτητας (VSDs), συστήματα μετάδοσης μεταβλητής συχνότητας (VFDs), συστήματα μετάδοσης ρυθμιζόμενης συχνότητας (AFDs), ή συστήματα μετάδοσης ρυθμιζόμενης ταχύτητας (ASDs). |
| --- | --- |

2.

3A226

Τροφοδοτικά συνεχούς ρεύματος υψηλής ισχύος, εκτός εκείνων που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.ι.6., που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 100 V ή παραπάνω, με ρεύμα εξόδου 500 Α ή παραπάνω, και |
| --- | --- |

α.

μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 100 V ή παραπάνω, με ρεύμα εξόδου 500 Α ή παραπάνω, και

| β. | εμφανίζουν σταθερότητα τάσης ή ρεύματος καλύτερη από 0,1 % σε χρονική περίοδο 8 ωρών. |
| --- | --- |

β.

εμφανίζουν σταθερότητα τάσης ή ρεύματος καλύτερη από 0,1 % σε χρονική περίοδο 8 ωρών.

3A227

Τροφοδοτικά συνεχούς ρεύματος υψηλής τάσης, εκτός εκείνων που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.ι.5., που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 20 kV ή παραπάνω, με ρεύμα εξόδου 1 Α ή παραπάνω, και |
| --- | --- |

α.

μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 20 kV ή παραπάνω, με ρεύμα εξόδου 1 Α ή παραπάνω, και

| β. | εμφανίζουν σταθερότητα τάσης ή ρεύματος καλύτερη από 0,1 % σε χρονική περίοδο 8 ωρών. |
| --- | --- |

β.

εμφανίζουν σταθερότητα τάσης ή ρεύματος καλύτερη από 0,1 % σε χρονική περίοδο 8 ωρών.

3A228

Συσκευές μεταγωγής ως εξής:

| α. | Λυχνίες κρύας καθόδου, είτε γεμισμένες με αέριο είτε όχι, που λειτουργούν παρόμοια με διάκενο σπινθηρισμού και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Τρία ή περισσότερα ηλεκτρόδια, |
| --- | --- | --- |

α.

Λυχνίες κρύας καθόδου, είτε γεμισμένες με αέριο είτε όχι, που λειτουργούν παρόμοια με διάκενο σπινθηρισμού και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Τρία ή περισσότερα ηλεκτρόδια,

| 2. | Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου 2,5 kV ή παραπάνω, |
| --- | --- |

2.

Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου 2,5 kV ή παραπάνω,

| 3. | Ανώτατη ονομαστική τιμή ρεύματος ανόδου 100 Α ή παραπάνω, και |
| --- | --- |

3.

Ανώτατη ονομαστική τιμή ρεύματος ανόδου 100 Α ή παραπάνω, και

| 4. | Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 10 μικροδευτερόλεπτα ή λιγότερο. |
| --- | --- |

4.

Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 10 μικροδευτερόλεπτα ή λιγότερο.

Σημείωση: το σημείο 3Α228 περιλαμβάνει τις λυχνίες τύπου krytron με αέριο και sprytron με κενό.

| β. | Διάκενα σπινθηρισμού με σκανδαλισμό που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 15 μικροδευτερόλεπτα ή λιγότερο, και |
| --- | --- | --- |

β.

Διάκενα σπινθηρισμού με σκανδαλισμό που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 15 μικροδευτερόλεπτα ή λιγότερο, και

| 2. | Ονομαστική ανώτατη τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω. |
| --- | --- |

2.

Ονομαστική ανώτατη τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω.

| γ. | Μονάδες ή συναρμολογήσεις με ταχεία λειτουργία μεταγωγής, πλην των προσδιοριζόμενων στο σημείο 3Α001.ζ ή 3A001.η, που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου άνω των 2 kV, |
| --- | --- | --- |

γ.

Μονάδες ή συναρμολογήσεις με ταχεία λειτουργία μεταγωγής, πλην των προσδιοριζόμενων στο σημείο 3Α001.ζ ή 3A001.η, που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου άνω των 2 kV,

| 2. | Ανώτατη ονομαστική τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω, και |
| --- | --- |

2.

Ανώτατη ονομαστική τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω, και

| 3. | Χρόνο ενεργοποίησης 1 μικροδευτερολέπτου ή λιγότερο. |
| --- | --- |

3.

Χρόνο ενεργοποίησης 1 μικροδευτερολέπτου ή λιγότερο.

3A229

Γεννήτριες παλμών υψηλού ρεύματος, ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ.

| α. | Συσκευές πυροδότησης για εκρηκτικούς πυροκροτητές (συστήματα έναυσης/πυροδότησης) συμπεριλαμβανομένων συσκευών πυροδότησης που φορτίζονται ηλεκτρονικά, που λειτουργούν εκρηκτικά και οπτικά, εκτός από εκείνες που ορίζονται στο σημείο 1A007.α., που έχουν σχεδιαστεί για να συνδέονται με πολλαπλούς εκρηκτικούς πυροκροτητές του σημείου 1A007.β. |
| --- | --- |

α.

Συσκευές πυροδότησης για εκρηκτικούς πυροκροτητές (συστήματα έναυσης/πυροδότησης) συμπεριλαμβανομένων συσκευών πυροδότησης που φορτίζονται ηλεκτρονικά, που λειτουργούν εκρηκτικά και οπτικά, εκτός από εκείνες που ορίζονται στο σημείο 1A007.α., που έχουν σχεδιαστεί για να συνδέονται με πολλαπλούς εκρηκτικούς πυροκροτητές του σημείου 1A007.β.

| β. | Βαθμιδωτές ηλεκτρικές παλμογεννήτριες (pulsers) που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Έχουν σχεδιαστεί για να είναι φορητές, κινητές ή ανθεκτικές, |
| --- | --- | --- |

β.

Βαθμιδωτές ηλεκτρικές παλμογεννήτριες (pulsers) που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Έχουν σχεδιαστεί για να είναι φορητές, κινητές ή ανθεκτικές,

| 2. | Μπορούν να αποδώσουν την ενέργειά τους σε λιγότερο από 15 μικροδευτερόλεπτα σε φορτία μικρότερα από 40 ohms, |
| --- | --- |

2.

Μπορούν να αποδώσουν την ενέργειά τους σε λιγότερο από 15 μικροδευτερόλεπτα σε φορτία μικρότερα από 40 ohms,

| 3. | Έχουν ρεύμα εξόδου μεγαλύτερο από 100 Α, |
| --- | --- |

3.

Έχουν ρεύμα εξόδου μεγαλύτερο από 100 Α,

| 4. | Καμία από τις διαστάσεις τους δεν είναι μεγαλύτερη από 30 mm, |
| --- | --- |

4.

Καμία από τις διαστάσεις τους δεν είναι μεγαλύτερη από 30 mm,

| 5. | Το βάρος τους είναι μικρότερο από 30 kg, και |
| --- | --- |

5.

Το βάρος τους είναι μικρότερο από 30 kg, και

| 6. | Οι προδιαγραφές τους είναι για χρήση σε εκτεταμένο φάσμα θερμοκρασιών 223 K (- 50 °C) έως 373 K (100 °C) ή για αεροδιαστημικές εφαρμογές. |
| --- | --- |

6.

Οι προδιαγραφές τους είναι για χρήση σε εκτεταμένο φάσμα θερμοκρασιών 223 K (- 50 °C) έως 373 K (100 °C) ή για αεροδιαστημικές εφαρμογές.

Σημείωση: Το σημείο 3Α229.β. περιλαμβάνει και συσκευές με λυχνίες εκκενώσεως ξένου.

| γ. | Μονάδες μικρο-πυροδότησης με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Καμία από τις διαστάσεις τους δεν είναι μεγαλύτερη από 35 mm, |
| --- | --- | --- |

γ.

Μονάδες μικρο-πυροδότησης με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Καμία από τις διαστάσεις τους δεν είναι μεγαλύτερη από 35 mm,

| 2. | Τάση ίση ή μεγαλύτερη από 1 kV, και |
| --- | --- |

2.

Τάση ίση ή μεγαλύτερη από 1 kV, και

| 3. | Χωρητικότητα ίση ή μεγαλύτερη από 100 nF. |
| --- | --- |

3.

Χωρητικότητα ίση ή μεγαλύτερη από 100 nF.

3A230

Παλμογεννήτριες υψηλής ταχύτητας, και οι «κεφαλές παλμού» τους, που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Τάση εξόδου ανώτερη από 6 V όταν συνδέονται με φορτίο αντίστασης μικρότερο από 55 Ω, και |
| --- | --- |

α.

Τάση εξόδου ανώτερη από 6 V όταν συνδέονται με φορτίο αντίστασης μικρότερο από 55 Ω, και

| β. | «Χρόνο μετάβασης παλμού» κάτω από 500 πικο-δευτερόλεπτα. |
| --- | --- |

β.

«Χρόνο μετάβασης παλμού» κάτω από 500 πικο-δευτερόλεπτα.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Στο σημείο 3Α230, ο «χρόνος μετάβασης του παλμού» ορίζεται σαν το χρονικό διάστημα μεταξύ του 10 % και του 90 % του εύρους της τάσης. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Οι «κεφαλές παλμού» είναι δίκτυα σχηματισμού ώσεων σχεδιασμένα για να δέχονται λειτουργία βήματος τάσης και να τη διαμορφώνουν σε παλμούς διάφορων μορφών που μπορεί να περιλαμβάνουν παραλληλεπίπεδους, τριγωνικούς, βηματικούς, ωστικούς, εκθετικούς ή μονοκλωνικούς τύπους. Οι «κεφαλές παλμού» δύνανται να αποτελούν αναπόσπαστο μέρος της γεννήτριας παλμών, να αποτελούν μονάδα που προστίθεται στη συσκευή ή να συνδέονται εξωτερικά με τη συσκευή. |
| --- | --- |

2.

3A231

Συστήματα παραγωγής νετρονίων, συμπεριλαμβανομένων των σωλήνων, με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Έχουν σχεδιαστεί για λειτουργία χωρίς εξωτερικό σύστημα κενού, και |
| --- | --- |

α.

Έχουν σχεδιαστεί για λειτουργία χωρίς εξωτερικό σύστημα κενού, και

| β. | που χρησιμοποιούν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | ηλεκτροστατική επιτάχυνση ώστε να προκαλέσουν πυρηνική αντίδραση τριτίου-δευτερίου, ή |
| --- | --- | --- |

β.

που χρησιμοποιούν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

ηλεκτροστατική επιτάχυνση ώστε να προκαλέσουν πυρηνική αντίδραση τριτίου-δευτερίου, ή

| 2. | ηλεκτροστατική επιτάχυνση ώστε να προκαλέσουν πυρηνική αντίδραση δευτερίου-δευτερίου, ικανά για παραγωγή 3 × 109 νετρονίων/s ή μεγαλύτερη. |
| --- | --- |

2.

ηλεκτροστατική επιτάχυνση ώστε να προκαλέσουν πυρηνική αντίδραση δευτερίου-δευτερίου, ικανά για παραγωγή 3 × 109 νετρονίων/s ή μεγαλύτερη.

3A232

Συστήματα έναυσης πολλαπλών σημείων, διαφορετικά από τα προδιαγραφόμενα στο σημείο 1A007, ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ.

ΣΗΜ.: Βλέπε 1A007.β. για τους πυροκροτητές.

| α. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

α.

Δεν χρησιμοποιείται,

| β. | Συστήματα που χρησιμοποιούν απλούς ή πολλαπλούς πυροκροτητές και έχουν σχεδιαστεί για να προκαλούν σχεδόν ταυτόχρονα την έναυση μιας εκρηκτικής επιφάνειας εμβαδού άνω των 5 000 mm2 από ένα μόνο σήμα πυροδότησης με χρόνο έναυσης όπως εκτείνεται στην επιφάνεια λιγότερο από 2,5 μικροδευτερόλεπτα. |
| --- | --- |

β.

Συστήματα που χρησιμοποιούν απλούς ή πολλαπλούς πυροκροτητές και έχουν σχεδιαστεί για να προκαλούν σχεδόν ταυτόχρονα την έναυση μιας εκρηκτικής επιφάνειας εμβαδού άνω των 5 000 mm2 από ένα μόνο σήμα πυροδότησης με χρόνο έναυσης όπως εκτείνεται στην επιφάνεια λιγότερο από 2,5 μικροδευτερόλεπτα.

Σημείωση: Το σημείο 3Α232 δεν θέτει υπό έλεγχο πυροκροτητές που χρησιμοποιούν μόνο πρωτογενείς εκρηκτικές ύλες, όπως τον αζωτούχο μόλυβδο.

3A233

Φασματογράφοι μάζας εκτός από αυτούς που αναφέρονται στο σημείο 0Β002.ζ., που μπορούν να μετρήσουν ιόντα μεγέθους 230 ατομικών μονάδων μάζας ή παραπάνω και οι οποίοι έχουν διακριτική ικανότητα καλύτερη από 2 μέρη στα 230, ως εξής, καθώς επίσης και πηγές ιόντων για τους φασματογράφους αυτούς:

| α. | Επαγωγικά συζευγμένοι φασματογράφοι μάζας πλάσματος (ICP/ΜS). |
| --- | --- |

α.

Επαγωγικά συζευγμένοι φασματογράφοι μάζας πλάσματος (ICP/ΜS).

| β. | Φασματογράφοι μάζας εκκένωσης με διαύγεια (GDMS). |
| --- | --- |

β.

Φασματογράφοι μάζας εκκένωσης με διαύγεια (GDMS).

| γ. | Φασματογράφοι μάζας με θερμικό ιονισμό (TIMS), |
| --- | --- |

γ.

Φασματογράφοι μάζας με θερμικό ιονισμό (TIMS),

| δ. | Φασματογράφοι μάζας βομβαρδισμού ηλεκτρονίων, με τα ακόλουθα δύο χαρακτηριστικά:






  1. | Σύστημα εισαγωγής μοριακής δέσμης που εγχέει μια παραλληλισμένη δέσμη μορίων αναλύτη σε μια περιοχή της πηγής ιόντων όπου τα μόρια ιονίζονται από τη δέσμη ηλεκτρονίων, και |
| --- | --- | --- |

δ.

Φασματογράφοι μάζας βομβαρδισμού ηλεκτρονίων, με τα ακόλουθα δύο χαρακτηριστικά:

1.

Σύστημα εισαγωγής μοριακής δέσμης που εγχέει μια παραλληλισμένη δέσμη μορίων αναλύτη σε μια περιοχή της πηγής ιόντων όπου τα μόρια ιονίζονται από τη δέσμη ηλεκτρονίων, και

| 2. | Μία ή περισσότερες «ψυχρές παγίδες» που μπορούν να ψυχθούν στους 193 K (- 80 °C), |
| --- | --- |

2.

Μία ή περισσότερες «ψυχρές παγίδες» που μπορούν να ψυχθούν στους 193 K (- 80 °C),

| ε. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

ε.

Δεν χρησιμοποιείται,

| στ. | Φασματογράφοι μάζας εξοπλισμένοι με πηγή ιόντων μικροφθορίωσης που έχουν σχεδιαστεί για ακτινίδες ή φθοριούχες ακτινίδες. |
| --- | --- |

στ.

Φασματογράφοι μάζας εξοπλισμένοι με πηγή ιόντων μικροφθορίωσης που έχουν σχεδιαστεί για ακτινίδες ή φθοριούχες ακτινίδες.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Οι φασματογράφοι μάζας βομβαρδισμού ηλεκτρονίων στο σημείο 3A233.δ. είναι γνωστοί και ως φασματογράφοι μάζας πρόσπτωσης ηλεκτρονίων ή φασματογράφοι μάζας ιονισμού ηλεκτρονίων. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Στο σημείο 3A233.δ.2., «ψυχρή παγίδα» είναι μια διάταξη που παγιδεύει μόρια συμπυκνώνοντας ή ψύχοντάς τα πάνω σε ψυχρές επιφάνειες. Για τους σκοπούς του σημείου 3A233.δ.2., μια κρυογενική αντλία κενού αέριου ηλίου κλειστού τύπου δεν είναι «ψυχρή παγίδα». |
| --- | --- |

2.

3A234

Γυμνές αγώγιμες γραμμές για την παροχή διαδρομής χαμηλής αυτεπαγωγής προς τους πυροκροτητές, με τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Τάση μεγαλύτερη από 2 kV, και |
| --- | --- |

α.

Τάση μεγαλύτερη από 2 kV, και

| β. | Αυτεπαγωγή μικρότερη από 20 nH. |
| --- | --- |

β.

Αυτεπαγωγή μικρότερη από 20 nH.

3B   Εξοπλισμός Δοκιμών, Ελέγχου και Παραγωγής

| 3B001 | Εξοπλισμός για παραγωγή συσκευών με ημιαγωγούς, ή υλικών ημιαγωγών, ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία και εξαρτήματα για τον σκοπό αυτό:






  α. | Εξοπλισμός σχεδιασμένος για επιταξιακή ανάπτυξη, ως εξής:






  1. | Εξοπλισμός που μπορεί να παράγει στρώμα οποιουδήποτε άλλου υλικού πλην πυριτίου ομοιογενούς πάχους με διαφορά λιγότερη από ± 2,5 % σε απόσταση 75 mm ή παραπάνω,


  Σημείωση: Το σημείο 3B001.α.1. περιλαμβάνει εξοπλισμό επίταξης ατομικού στρώματος (Atomic Layer Epitaxy - ALE). |
| --- | --- | --- | --- |

3B001

Εξοπλισμός για παραγωγή συσκευών με ημιαγωγούς, ή υλικών ημιαγωγών, ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία και εξαρτήματα για τον σκοπό αυτό:

α.

Εξοπλισμός σχεδιασμένος για επιταξιακή ανάπτυξη, ως εξής:

1.

Εξοπλισμός που μπορεί να παράγει στρώμα οποιουδήποτε άλλου υλικού πλην πυριτίου ομοιογενούς πάχους με διαφορά λιγότερη από ± 2,5 % σε απόσταση 75 mm ή παραπάνω,

Σημείωση: Το σημείο 3B001.α.1. περιλαμβάνει εξοπλισμό επίταξης ατομικού στρώματος (Atomic Layer Epitaxy - ALE).

| 2. | Αντιδραστήρες για χημική εναπόθεση ατμών οργανικών μεταλλικών ενώσεων (ΜΟCVD), που έχουν σχεδιαστεί για την επιταξιακή ανάπτυξη από σύνθετους ημιαγωγούς υλικών που έχουν δύο ή περισσότερα από τα ακόλουθα στοιχεία: αργίλιο, γάλλιο, ίνδιο, αρσενικό, φωσφόρο, αντιμόνιο ή άζωτο. |
| --- | --- |

2.

Αντιδραστήρες για χημική εναπόθεση ατμών οργανικών μεταλλικών ενώσεων (ΜΟCVD), που έχουν σχεδιαστεί για την επιταξιακή ανάπτυξη από σύνθετους ημιαγωγούς υλικών που έχουν δύο ή περισσότερα από τα ακόλουθα στοιχεία: αργίλιο, γάλλιο, ίνδιο, αρσενικό, φωσφόρο, αντιμόνιο ή άζωτο.

| 3. | Εξοπλισμός επιταξιακής ανάπτυξης μέσω μοριακής δέσμης ο οποίος χρησιμοποιεί αέριες ή στερεές πηγές. |
| --- | --- |

3.

Εξοπλισμός επιταξιακής ανάπτυξης μέσω μοριακής δέσμης ο οποίος χρησιμοποιεί αέριες ή στερεές πηγές.

| β. | Εξοπλισμός σχεδιασμένος για εμφύτευση ιόντων που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- | --- |

β.

Εξοπλισμός σχεδιασμένος για εμφύτευση ιόντων που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Δεν χρησιμοποιείται,

| 2. | Σχεδιασμένος και βελτιστοποιημένος για λειτουργία με ενέργεια δέσμης 20 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 10 mA και άνω, για εμφύτευση υδρογόνου, δευτερίου ή ηλίου, |
| --- | --- |

2.

Σχεδιασμένος και βελτιστοποιημένος για λειτουργία με ενέργεια δέσμης 20 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 10 mA και άνω, για εμφύτευση υδρογόνου, δευτερίου ή ηλίου,

| 3. | Δυνατότητα απευθείας εγγραφής, |
| --- | --- |

3.

Δυνατότητα απευθείας εγγραφής,

| 4. | Ενέργεια δέσμης 65 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 45 mA και άνω, για εμφύτευση οξυγόνου υψηλής ενέργειας πάνω σε θερμαινόμενο «υπόστρωμα» ημιαγωγού, ή |
| --- | --- |

4.

Ενέργεια δέσμης 65 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 45 mA και άνω, για εμφύτευση οξυγόνου υψηλής ενέργειας πάνω σε θερμαινόμενο «υπόστρωμα» ημιαγωγού, ή

| 5. | Σχεδιασμένος και βελτιστοποιημένος για λειτουργία με ενέργεια δέσμης 20 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 10 mA και άνω, για εμφύτευση πυριτίου πάνω σε «υπόστρωμα» ημιαγωγού θερμασμένου στους 600 °C και άνω, |
| --- | --- |

5.

Σχεδιασμένος και βελτιστοποιημένος για λειτουργία με ενέργεια δέσμης 20 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 10 mA και άνω, για εμφύτευση πυριτίου πάνω σε «υπόστρωμα» ημιαγωγού θερμασμένου στους 600 °C και άνω,

| γ. | Εξοπλισμός για ξερή χάραξη μέσω ανισότροπου πλάσματος με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Σχεδιασμένος ή βελτιστοποιημένος για να παράγει κρίσιμες διαστάσεις 65 nm ή μικρότερες, και |
| --- | --- | --- |

γ.

Εξοπλισμός για ξερή χάραξη μέσω ανισότροπου πλάσματος με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Σχεδιασμένος ή βελτιστοποιημένος για να παράγει κρίσιμες διαστάσεις 65 nm ή μικρότερες, και

| 2. | Με ανομοιομορφία εντός του πλακιδίου έως και 10 % 3σ, μετρούμενη με αποκλεισμό άκρων 2 mm και κάτω. |
| --- | --- |

2.

Με ανομοιομορφία εντός του πλακιδίου έως και 10 % 3σ, μετρούμενη με αποκλεισμό άκρων 2 mm και κάτω.

| δ. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

δ.

Δεν χρησιμοποιείται,

| ε. | Κεντρικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων (wafer), πολλαπλών θαλάμων, αυτόματης φόρτωσης, τα οποία έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Διεπαφές για είσοδο και έξοδο πλακιδίων, στις οποίες μπορούν ως εκ του σχεδιασμού να συνδεθούν περισσότερα από δύο λειτουργικώς διαφορετικά «εργαλεία επεξεργασίας ημιαγωγών» προσδιοριζόμενα στο 3B001.α, 3B001.β ή 3B001.γ, και |
| --- | --- | --- |

ε.

Κεντρικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων (wafer), πολλαπλών θαλάμων, αυτόματης φόρτωσης, τα οποία έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Διεπαφές για είσοδο και έξοδο πλακιδίων, στις οποίες μπορούν ως εκ του σχεδιασμού να συνδεθούν περισσότερα από δύο λειτουργικώς διαφορετικά «εργαλεία επεξεργασίας ημιαγωγών» προσδιοριζόμενα στο 3B001.α, 3B001.β ή 3B001.γ, και

| 2. | Είναι σχεδιασμένα για να αποτελέσουν ένα ολοκληρωμένο σύστημα σε περιβάλλον κενού για «σειριακή επεξεργασία πολλαπλών πλακιδίων». |
| --- | --- |

2.

Είναι σχεδιασμένα για να αποτελέσουν ένα ολοκληρωμένο σύστημα σε περιβάλλον κενού για «σειριακή επεξεργασία πολλαπλών πλακιδίων».

Σημείωση: Στο σημείο 3Β001.ε. δεν υπάγονται τα αυτόματα ρομποτικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων τα ειδικά σχεδιασμένα για την παράλληλη επεξεργασία πλακιδίων.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Για τους σκοπούς του σημείου 3B001.ε, ως «εργαλεία επεξεργασίας ημιαγωγών» νοούνται τα σπονδυλωτά εργαλεία που επιτελούν λειτουργικά διαφορετικές φυσικές διεργασίες, όπως π.χ. επικάθηση, χάραξη, εμφύτευση ή θερμική επεξεργασία, για την παραγωγή ημιαγωγών |
| --- | --- |

1.

| 2. | Για τους σκοπούς του σημείου 3B001.ε, ως «σειριακή επεξεργασία πολλαπλών πλακιδίων» νοείται η ικανότητα επεξεργασίας κάθε πλακιδίου με διαφορετικά «εργαλεία επεξεργασίας ημιαγωγών», π.χ. με τη μεταφορά κάθε πλακιδίου από ένα εργαλείο σε άλλο και από εκεί σε τρίτο με τη βοήθεια των κεντρικών συστημάτων χειρισμού πλακιδίων πολλαπλών θαλάμων και αυτόματης φόρτωσης. |
| --- | --- |

2.

| στ. | Εξοπλισμός λιθογραφίας, ως εξής:






  1. | Εξοπλισμός ευθυγράμμισης και έκθεσης step and repeat (με άμεσο βήμα πάνω στο πλακίδιο) ή step and scan (με σάρωση) για την επεξεργασία πλακιδίων με τη χρήση φωτο-οπτικών μεθόδων ή μεθόδων ακτίνων Χ και ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Μήκος κύματος φωτεινής πηγής βραχύτερο από 245 nm, ή |
| --- | --- | --- | --- |

στ.

Εξοπλισμός λιθογραφίας, ως εξής:

1.

Εξοπλισμός ευθυγράμμισης και έκθεσης step and repeat (με άμεσο βήμα πάνω στο πλακίδιο) ή step and scan (με σάρωση) για την επεξεργασία πλακιδίων με τη χρήση φωτο-οπτικών μεθόδων ή μεθόδων ακτίνων Χ και ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Μήκος κύματος φωτεινής πηγής βραχύτερο από 245 nm, ή

| β. | Ικανότητα να συνθέτει σχήματα με «ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος» (MRF) 95 nm ή μικρότερο.


  Τεχνική παρατήρηση:


  Το «ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος» (MRF) υπολογίζεται με τον εξής τύπο:





  όπου ο συντελεστής K = 0,35. |
| --- | --- |

β.

Ικανότητα να συνθέτει σχήματα με «ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος» (MRF) 95 nm ή μικρότερο.

Τεχνική παρατήρηση:

Το «ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος» (MRF) υπολογίζεται με τον εξής τύπο:

Formula

όπου ο συντελεστής K = 0,35.

| 2. | Εξοπλισμός εντυπωτικής λιθογραφίας ικανός να παράγει λεπτομέρειες διαστάσεων 95 nm και κάτω.


  Σημείωση: Στο σημείο 3Β001.στ.2. περιλαμβάνονται:







  — | Τα εργαλεία τυπογραφίας μικροεπαφής, |
| --- | --- | --- |

2.

Εξοπλισμός εντυπωτικής λιθογραφίας ικανός να παράγει λεπτομέρειες διαστάσεων 95 nm και κάτω.

Σημείωση: Στο σημείο 3Β001.στ.2. περιλαμβάνονται:

—

Τα εργαλεία τυπογραφίας μικροεπαφής,

| — | Τα εργαλεία θερμοεντύπωσης, |
| --- | --- |

—

Τα εργαλεία θερμοεντύπωσης,

| — | Τα εργαλεία νανοεντυπωτικής λιθογραφίας, |
| --- | --- |

—

Τα εργαλεία νανοεντυπωτικής λιθογραφίας,

| — | Τα εργαλεία εντυπωτικής λιθογραφίας με βήμα και λάμψη (step-and-flash) |
| --- | --- |

—

Τα εργαλεία εντυπωτικής λιθογραφίας με βήμα και λάμψη (step-and-flash)

| 3. | Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την παραγωγή μασκών ή για επεξεργασία συσκευών ημιαγωγών με τη χρήση μεθόδων άμεσης εγγραφής και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | με τη χρήση εκτρεπόμενης εστιασμένης δέσμης ηλεκτρονίων, δέσμης ιόντων ή δέσμης «λέιζερ», και |
| --- | --- | --- |

3.

Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την παραγωγή μασκών ή για επεξεργασία συσκευών ημιαγωγών με τη χρήση μεθόδων άμεσης εγγραφής και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

με τη χρήση εκτρεπόμενης εστιασμένης δέσμης ηλεκτρονίων, δέσμης ιόντων ή δέσμης «λέιζερ», και

| β. | Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Εστιακό μέγεθος μικρότερο από 0,2 μm, |
| --- | --- | --- |

β.

Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Εστιακό μέγεθος μικρότερο από 0,2 μm,

| 2. | Είναι ικανός να παράγει σχήμα με χαρακτηριστικό μέγεθος κάτω από 1 μm, ή |
| --- | --- |

2.

Είναι ικανός να παράγει σχήμα με χαρακτηριστικό μέγεθος κάτω από 1 μm, ή

| 3. | Ακρίβεια επικάλυψης καλύτερη από ± 0,20 μm (3 sigma). |
| --- | --- |

3.

Ακρίβεια επικάλυψης καλύτερη από ± 0,20 μm (3 sigma).

| ζ. | Μάσκες ή πλεγματίδια που έχουν σχεδιαστεί για ολοκληρωμένα κυκλώματα που καθορίζονται στο σημείο 3Α001. |
| --- | --- |

ζ.

Μάσκες ή πλεγματίδια που έχουν σχεδιαστεί για ολοκληρωμένα κυκλώματα που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.

| η. | Μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης και οι οποίες δεν προσδιορίζονται στο σημείο 3B001.ζ., με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Κατασκευασμένες πάνω σε «ακατέργαστο υπόστρωμα» μάσκας από ύαλο που προσδιορίζεται ως έχουσα διπλή διάθλαση μικρότερη από 7 nm/cm, ή |
| --- | --- | --- |

η.

Μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης και οι οποίες δεν προσδιορίζονται στο σημείο 3B001.ζ., με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Κατασκευασμένες πάνω σε «ακατέργαστο υπόστρωμα» μάσκας από ύαλο που προσδιορίζεται ως έχουσα διπλή διάθλαση μικρότερη από 7 nm/cm, ή

| 2. | Σχεδιασμένες για να χρησιμοποιηθούν σε εξοπλισμό λιθογραφίας που έχει μήκος κύματος πηγής φωτός μικρότερο από 245 nm, |
| --- | --- |

2.

Σχεδιασμένες για να χρησιμοποιηθούν σε εξοπλισμό λιθογραφίας που έχει μήκος κύματος πηγής φωτός μικρότερο από 245 nm,

Σημείωση: Στο σημείο 3Β001.η. δεν υπάγονται οι μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης οι σχεδιασμένες για την κατασκευή συσκευών μνήμης που δεν υπάγονται στο σημείο 3Α001.

| θ. | Μακέτες εντυπωτικής λιθογραφίας σχεδιασμένες για τα ηλεκτρονικά κυκλώματα που προσδιορίζονται στο 3Α001. |
| --- | --- |

θ.

Μακέτες εντυπωτικής λιθογραφίας σχεδιασμένες για τα ηλεκτρονικά κυκλώματα που προσδιορίζονται στο 3Α001.

3B002

Εξοπλισμός δοκιμών που έχει ειδικά σχεδιαστεί για να δοκιμάζονται τελειωμένες ή ημιτελείς συσκευές ημιαγωγών, ως εξής, και δομικά στοιχεία και εξαρτήματα που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για τον εξοπλισμό αυτό:

| α. | Για να δοκιμάζονται οι παράμετροι S συσκευών τρανζίστορ σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz |
| --- | --- |

α.

Για να δοκιμάζονται οι παράμετροι S συσκευών τρανζίστορ σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz

| β. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

β.

Δεν χρησιμοποιείται,

| γ. | Για τη δοκιμή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων προσδιοριζόμενων στο 3Α001.β.2. |
| --- | --- |

γ.

Για τη δοκιμή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων προσδιοριζόμενων στο 3Α001.β.2.

3C   Υλικά

| 3C001 | Ετερο-επιταξιακά υλικά, που αποτελούνται από «υπόστρωμα» πάνω στο οποίο έχουν αποτεθεί επιταξιακά ανεπτυγμένα πολλαπλά στρώματα οποιουδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:






  α. | Πυρίτιο (Si), |
| --- | --- | --- |

3C001

Ετερο-επιταξιακά υλικά, που αποτελούνται από «υπόστρωμα» πάνω στο οποίο έχουν αποτεθεί επιταξιακά ανεπτυγμένα πολλαπλά στρώματα οποιουδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

α.

Πυρίτιο (Si),

| β. | Γερμάνιο (Ge), |
| --- | --- |

β.

Γερμάνιο (Ge),

| γ. | Καρβίδιο του πυριτίου (SiC), ή |
| --- | --- |

γ.

Καρβίδιο του πυριτίου (SiC), ή

| δ. | «Σύνθετες ενώσεις των ομάδων III/V» περιέχουσες γάλλιο ή ίνδιο. |
| --- | --- |

δ.

«Σύνθετες ενώσεις των ομάδων III/V» περιέχουσες γάλλιο ή ίνδιο.

Σημείωση: Στο σημείο 3C001.δ. δεν υπάγεται «υπόστρωμα» που έχει ένα ή περισσότερα επιταξιακά στρώματα τύπου Ρ GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP ή InGaAlP, ανεξάρτητα από την αλληλουχία των στοιχείων, εκτός εάν το επιταξιακό στρώμα τύπου Ρ βρίσκεται μεταξύ στρωμάτων τύπου Ν.

3C002

Φωτοανθεκτικά υλικά, ως εξής, καθώς και «υποστρώματα» που έχουν επίστρωση των ακόλουθων φωτοανθεκτικών ουσιών:

| α. | Φωτοανθεκτικά υλικά σχεδιασμένα για λιθογραφία με ημιαγωγούς, ως εξής:






  1. | Θετικά φωτοανθεκτικά υλικά προσαρμοσμένα (αριστοποιημένα) για να χρησιμοποιηθούν σε μήκη κύματος μικρότερα από 245 nm και ίσα ή μεγαλύτερα από 15 nm, |
| --- | --- | --- |

α.

Φωτοανθεκτικά υλικά σχεδιασμένα για λιθογραφία με ημιαγωγούς, ως εξής:

1.

Θετικά φωτοανθεκτικά υλικά προσαρμοσμένα (αριστοποιημένα) για να χρησιμοποιηθούν σε μήκη κύματος μικρότερα από 245 nm και ίσα ή μεγαλύτερα από 15 nm,

| 2. | Φωτοανθεκτικά υλικά προσαρμοσμένα (αριστοποιημένα) για να χρησιμοποιηθούν σε μήκη κύματος μικρότερα από 15 nm και μεγαλύτερα από 1 nm, |
| --- | --- |

2.

Φωτοανθεκτικά υλικά προσαρμοσμένα (αριστοποιημένα) για να χρησιμοποιηθούν σε μήκη κύματος μικρότερα από 15 nm και μεγαλύτερα από 1 nm,

| β. | Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με δέσμες ηλεκτρονίων ή ιόντων που έχουν ευαισθησία 0,01 μcoulomb/mm2 ή καλύτερη, |
| --- | --- |

β.

Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με δέσμες ηλεκτρονίων ή ιόντων που έχουν ευαισθησία 0,01 μcoulomb/mm2 ή καλύτερη,

| γ. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

γ.

Δεν χρησιμοποιείται,

| δ. | Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά αριστοποιημένα για τεχνολογίες απεικόνισης επιφανειών, |
| --- | --- |

δ.

Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά αριστοποιημένα για τεχνολογίες απεικόνισης επιφανειών,

| ε. | Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά σχεδιασμένα ή αριστοποιημένα για χρήση με τον εξοπλισμό εντυπωτικής λιθογραφίας που καθορίζεται στο 3B001.στ.2. που χρησιμοποιούν είτε θερμική είτε φωτο-στυπωτική διαδικασία. |
| --- | --- |

ε.

Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά σχεδιασμένα ή αριστοποιημένα για χρήση με τον εξοπλισμό εντυπωτικής λιθογραφίας που καθορίζεται στο 3B001.στ.2. που χρησιμοποιούν είτε θερμική είτε φωτο-στυπωτική διαδικασία.

3C003

Ενώσεις οργανικού με ανόργανο στοιχείο ως εξής:

| α. | Οργανομεταλλικές ενώσεις αργιλίου, γαλλίου ή ινδίου που έχουν καθαρότητα (με βάση το μέταλλο) καλύτερη από 99,999 %, |
| --- | --- |

α.

Οργανομεταλλικές ενώσεις αργιλίου, γαλλίου ή ινδίου που έχουν καθαρότητα (με βάση το μέταλλο) καλύτερη από 99,999 %,

| β. | Οργανικές ενώσεις αρσενικού, αντιμονίου και φωσφόρου που έχουν καθαρότητα (με βάση το ανόργανο στοιχείο) καλύτερη από 99,999 %. |
| --- | --- |

β.

Οργανικές ενώσεις αρσενικού, αντιμονίου και φωσφόρου που έχουν καθαρότητα (με βάση το ανόργανο στοιχείο) καλύτερη από 99,999 %.

Σημείωση: Στο σημείο 3C003 υπάγονται μόνο οι ενώσεις των οποίων το μεταλλικό, μερικώς μεταλλικό ή μη μεταλλικό στοιχείο συνδέεται άμεσα με άνθρακα στο οργανικό τμήμα του μορίου.

3C004

Υδρίδια φωσφόρου, αρσενικού ή αντιμονίου που έχουν καθαρότητα καλύτερη από 99,999 %, ακόμη και αν έχουν διαλυθεί σε αδρανή αέρια ή υδρογόνο.

Σημείωση: Στο σημείο 3C004 δεν υπάγονται υδρίδια που περιέχουν γραμμομοριακό ποσοστό 20 % και άνω αδρανή αέρια ή υδρογόνο.

3C005

Καρβίδιο του πυριτίου (SiC), νιτρίδιο του γαλλίου (GaN), νιτρίδιο του αργιλίου (AlN) ή νιτρίδιο του αργιλίου-γαλλίου (AlGaN) «υποστρώματα» ημιαγωγών, ή πλινθώματα, συνθετικοί κρύσταλλοι, ή άλλα προμορφώματα αυτών των υλικών, που έχουν ειδικές αντιστάσεις μεγαλύτερες από 10 000 ωμ-cm στους 20 °C.

3C006

«Υποστρώματα» που καθορίζονται στο 3C005 με τουλάχιστον ένα επιταξιακό στρώμα καρβιδίου του πυριτίου, νιτριδίου του γαλλίου, νιτριδίου του αργιλίου ή νιτριδίου του αργιλίου-γαλλίου.

3D   Λογισμικό

| 3D001 | «Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.β. έως 3Α002.ζ. ή 3Β. |
| --- | --- |
| 3D002 | «Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για τη «χρήση» εξοπλισμού προδιαγραφόμενου στα σημεία 3B001.α. έως στ. ή 3B002 ή 3A225. |
| 3D003 | «Λογισμικό» προσομοίωσης, «βασισμένο στη φυσική», ειδικά σχεδιασμένο για την «ανάπτυξη» διεργασιών λιθογραφίας, χάραξης ή εναπόθεσης ώστε τα σχήματα μάσκας να μεταφράζονται σε επιμέρους τοπογραφικά σχήματα με αγωγούς, διηλεκτρικά ή υλικά ημιαγωγών.


  Τεχνική παρατήρηση:


  Στο σημείο 3D003., οι λέξεις «βασισμένο στη φυσική» υποδηλώνουν ότι χρησιμοποιεί υπολογισμούς για να προσδιορίσει μια ακολουθία φυσικών αιτίων/αιτιατών βασισμένων σε φυσικές ιδιότητες (π.χ. θερμοκρασία, πίεση, σταθερές διάχυσης και ιδιότητες υλικών ημιαγωγών).



  Σημείωση: Οι βιβλιοθήκες, τα χαρακτηριστικά σχεδιασμού ή συναφή δεδομένα για το σχεδιασμό συσκευών ημιαγωγών ή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων θεωρούνται «τεχνολογία». |
| 3D004 | «Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για την «ανάπτυξη» του εξοπλισμού που ορίζεται στο σημείο 3Α003. |
| 3D101 | «Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για τη «χρήση» εξοπλισμού που ορίζεται στο σημείο 3Α101.β. |
| 3D225 | «Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ενός μετατροπέα ή μιας γεννήτριας συχνοτήτων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225. |

3D001

«Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.β. έως 3Α002.ζ. ή 3Β.

3D002

«Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για τη «χρήση» εξοπλισμού προδιαγραφόμενου στα σημεία 3B001.α. έως στ. ή 3B002 ή 3A225.

3D003

«Λογισμικό» προσομοίωσης, «βασισμένο στη φυσική», ειδικά σχεδιασμένο για την «ανάπτυξη» διεργασιών λιθογραφίας, χάραξης ή εναπόθεσης ώστε τα σχήματα μάσκας να μεταφράζονται σε επιμέρους τοπογραφικά σχήματα με αγωγούς, διηλεκτρικά ή υλικά ημιαγωγών.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 3D003., οι λέξεις «βασισμένο στη φυσική» υποδηλώνουν ότι χρησιμοποιεί υπολογισμούς για να προσδιορίσει μια ακολουθία φυσικών αιτίων/αιτιατών βασισμένων σε φυσικές ιδιότητες (π.χ. θερμοκρασία, πίεση, σταθερές διάχυσης και ιδιότητες υλικών ημιαγωγών).

Σημείωση: Οι βιβλιοθήκες, τα χαρακτηριστικά σχεδιασμού ή συναφή δεδομένα για το σχεδιασμό συσκευών ημιαγωγών ή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων θεωρούνται «τεχνολογία».

3D004

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για την «ανάπτυξη» του εξοπλισμού που ορίζεται στο σημείο 3Α003.

3D101

«Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για τη «χρήση» εξοπλισμού που ορίζεται στο σημείο 3Α101.β.

3D225

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ενός μετατροπέα ή μιας γεννήτριας συχνοτήτων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225.

3E   Τεχνολογία

| 3E001 | «Τεχνολογία» σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού ή υλικών που καθορίζονται στα σημεία 3Α, 3Β ή 3C.


  Σημείωση 1: Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» για την «παραγωγή» εξοπλισμού ή δομικών στοιχείων που ελέγχονται σύμφωνα με το σημείο 3Α003.



  Σημείωση 2: Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» ολοκληρωμένων κυκλωμάτων προδιαγραφόμενων στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.12., και που έχουν όλα τα ακόλουθα:








  α. | Χρησιμοποιούν «τεχνολογία»0,130 μm ή παραπάνω, και |
| --- | --- | --- |

3E001

«Τεχνολογία» σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού ή υλικών που καθορίζονται στα σημεία 3Α, 3Β ή 3C.

Σημείωση 1: Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» για την «παραγωγή» εξοπλισμού ή δομικών στοιχείων που ελέγχονται σύμφωνα με το σημείο 3Α003.

Σημείωση 2: Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» ολοκληρωμένων κυκλωμάτων προδιαγραφόμενων στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.12., και που έχουν όλα τα ακόλουθα:

α.

Χρησιμοποιούν «τεχνολογία»0,130 μm ή παραπάνω, και

| β. | Περιλαμβάνουν δομές με πολλαπλά μεν στρώματα, αλλά με τρία το πολύ μεταλλικά στρώματα. |
| --- | --- |

β.

Περιλαμβάνουν δομές με πολλαπλά μεν στρώματα, αλλά με τρία το πολύ μεταλλικά στρώματα.

3E002

«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας, άλλη από την προσδιοριζόμενη στο 3Ε001, για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή»«μικροκυκλωμάτων μικροεπεξεργαστών», «μικροκυκλωμάτων μικροϋπολογιστών» και πυρήνων μικροκυκλωμάτων μικροσυσκευών ελέγχου, με αριθμητική λογική μονάδα με εύρος προσπέλασης 32 bit και άνω και οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

| α. | Περιλαμβάνει «διανυσματικό επεξεργαστή» σχεδιασμένον ώστε να εκτελεί ταυτόχρονα περισσότερους από δύο υπολογισμούς επί διανυσμάτων κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατων πινάκων αριθμών 32 ή περισσότερων bit),


  Τεχνική παρατήρηση:


  «Διανυσματικός επεξεργαστής» λέγεται ένα στοιχείο επεξεργαστή με ενσωματωμένες εντολές που εκτελεί ταυτόχρονα πολλούς υπολογισμούς επί διανυσμάτων κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατων πινάκων αριθμών 32 ή περισσότερων bit) και έχει τουλάχιστον μία αριθμητική λογική μονάδα. |
| --- | --- |

α.

Περιλαμβάνει «διανυσματικό επεξεργαστή» σχεδιασμένον ώστε να εκτελεί ταυτόχρονα περισσότερους από δύο υπολογισμούς επί διανυσμάτων κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατων πινάκων αριθμών 32 ή περισσότερων bit),

Τεχνική παρατήρηση:

«Διανυσματικός επεξεργαστής» λέγεται ένα στοιχείο επεξεργαστή με ενσωματωμένες εντολές που εκτελεί ταυτόχρονα πολλούς υπολογισμούς επί διανυσμάτων κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατων πινάκων αριθμών 32 ή περισσότερων bit) και έχει τουλάχιστον μία αριθμητική λογική μονάδα.

| β. | Είναι σχεδιασμένοι ώστε να εκτελούν περισσότερους από τέσσερις υπολογισμούς εξαγομένων πράξεων κινητής υποδιαστολής 64 ή περισσότερων bit ανά κύκλο, ή |
| --- | --- |

β.

Είναι σχεδιασμένοι ώστε να εκτελούν περισσότερους από τέσσερις υπολογισμούς εξαγομένων πράξεων κινητής υποδιαστολής 64 ή περισσότερων bit ανά κύκλο, ή

| γ. | Είναι σχεδιασμένοι ώστε να εκτελούν περισσότερους από τέσσερις υπολογισμούς εξαγομένων πράξεων πολλαπλασιασμού και σωρευτικής άθροισης σταθερής υποδιαστολής 16 bit ανά κύκλο (π.χ. ψηφιακό χειρισμό αναλογικών πληροφοριών που έχουν προηγουμένως μετατραπεί σε ψηφιακή μορφή, το γνωστό και ως «ψηφιακή επεξεργασία σήματος»).


  Σημείωση: Στο σημείο 3E002.γ. δεν εμπίπτει η «τεχνολογία» επεκτάσεων πολυμέσων. |
| --- | --- |

γ.

Είναι σχεδιασμένοι ώστε να εκτελούν περισσότερους από τέσσερις υπολογισμούς εξαγομένων πράξεων πολλαπλασιασμού και σωρευτικής άθροισης σταθερής υποδιαστολής 16 bit ανά κύκλο (π.χ. ψηφιακό χειρισμό αναλογικών πληροφοριών που έχουν προηγουμένως μετατραπεί σε ψηφιακή μορφή, το γνωστό και ως «ψηφιακή επεξεργασία σήματος»).

Σημείωση: Στο σημείο 3E002.γ. δεν εμπίπτει η «τεχνολογία» επεκτάσεων πολυμέσων.

Σημείωση 1: Στο σημείο 3E002 δεν εμπίπτει η «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» πυρήνων μικροεπεξεργαστών με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

| α. | Χρησιμοποιούν «τεχνολογία»0,130 μm ή παραπάνω, και |
| --- | --- |

α.

Χρησιμοποιούν «τεχνολογία»0,130 μm ή παραπάνω, και

| β. | Ενσωμάτωση πολυστιβαδικών δομών με έως και πέντε μεταλλικές στιβάδες. |
| --- | --- |

β.

Ενσωμάτωση πολυστιβαδικών δομών με έως και πέντε μεταλλικές στιβάδες.

Σημείωση 2: Στο σημείο 3E002 εμπίπτει η «τεχνολογία» για ψηφιακούς επεξεργαστές σήματος και συστοιχίες ψηφιακών επεξεργαστών.

3E003

Άλλη «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» των παρακάτω:

| α. | Μικροηλεκτρονικών συσκευών κενού, |
| --- | --- |

α.

Μικροηλεκτρονικών συσκευών κενού,

| β. | Ετερο-δομικών ηλεκτρονικών συσκευών ημιαγωγών, όπως τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ), ετεροδιπολικών τρανζίστορ (ΗΒΤ), συσκευών κβαντικού πηγαδιού και υπέρ πλέγματος (super lattice devices).


  Σημείωση: Στο σημείο 3Ε003.β. δεν υπάγεται η «τεχνολογία» για τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz και για ετεροδιπολικά τρανζίστορ (ΗΒΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz. |
| --- | --- |

β.

Ετερο-δομικών ηλεκτρονικών συσκευών ημιαγωγών, όπως τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ), ετεροδιπολικών τρανζίστορ (ΗΒΤ), συσκευών κβαντικού πηγαδιού και υπέρ πλέγματος (super lattice devices).

Σημείωση: Στο σημείο 3Ε003.β. δεν υπάγεται η «τεχνολογία» για τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz και για ετεροδιπολικά τρανζίστορ (ΗΒΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz.

| γ. | «Υπεραγώγιμων» ηλεκτρονικών συσκευών, |
| --- | --- |

γ.

«Υπεραγώγιμων» ηλεκτρονικών συσκευών,

| δ. | Υποστρωμάτων υμενίων αδάμαντος για ηλεκτρονικά δομοστοιχεία, |
| --- | --- |

δ.

Υποστρωμάτων υμενίων αδάμαντος για ηλεκτρονικά δομοστοιχεία,

| ε. | Υποστρωμάτων πυριτίου επί μονωτικού (SOI) για ολοκληρωμένα κυκλώματα, όπου το μονωτικό υλικό είναι διοξείδιο του πυριτίου, |
| --- | --- |

ε.

Υποστρωμάτων πυριτίου επί μονωτικού (SOI) για ολοκληρωμένα κυκλώματα, όπου το μονωτικό υλικό είναι διοξείδιο του πυριτίου,

| στ. | Υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου για ηλεκτρονικά δομοστοιχεία, |
| --- | --- |

στ.

Υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου για ηλεκτρονικά δομοστοιχεία,

| ζ. | Ηλεκτρονικές λυχνίες που λειτουργούν σε συχνότητες τουλάχιστον 31,8 GHz. |
| --- | --- |

ζ.

Ηλεκτρονικές λυχνίες που λειτουργούν σε συχνότητες τουλάχιστον 31,8 GHz.

3E101

«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη «χρήση» εξοπλισμού ή «λογισμικού» που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.α.1 ή 2, 3Α101, 3Α102 ή 3D101.

3E102

«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» λογισμικού που καθορίζεται στο σημείο 3D101.

3E201

«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη «χρήση» εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.ε.2, 3Α001.ε.3., 3Α001.ζ., 3Α201, 3Α225 έως 3Α234.

3E225

«Τεχνολογία» υπό τη μορφή κωδικών ή κλειδών για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ενός μετατροπέα ή μιας γεννήτριας συχνοτήτων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 4 — ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΕΣ

Σημείωση 1: Ηλεκτρονικοί υπολογιστές, συναφής εξοπλισμός και «λογισμικό» το οποίο εκτελεί λειτουργίες τηλεπικοινωνιών ή «τοπικού δικτύου» (δίκτυο LAN) θα πρέπει να ελεγχθούν σύμφωνα επίσης με τα χαρακτηριστικά απόδοσης της κατηγορίας 5, Μέρος 1 (Τηλεπικοινωνίες).

Σημείωση 2: Οι μονάδες ελέγχου που διασυνδέουν απευθείας τους διαδρόμους ή τους διαύλους των μονάδων κεντρικής επεξεργασίας, οι μονάδες ελέγχου της «κυρίως μνήμης» ή των δίσκων δεν θεωρούνται σαν εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών όπως περιγράφεται στην κατηγορία 5, Μέρος 1o (Τηλεπικοινωνίες).

ΣΗΜ.: Όσον αφορά τη διαβάθμιση ελέγχου του «λογισμικού» που έχει ειδικά σχεδιαστεί για μεταγωγή πακέτων βλέπε την κατηγορία 5D001.

Σημείωση 3: Ηλεκτρονικοί υπολογιστές, συναφής εξοπλισμός και «λογισμικό» που εκτελεί λειτουργίες κρυπτογράφησης, κρυπτανάλυσης, ασφάλειας πολλαπλών βαθμίδων που μπορεί να επιβεβαιωθεί, ή απομόνωσης χρηστών που επίσης μπορεί να βεβαιωθεί, ή που περιορίζουν την ηλεκτρομαγνητική συμβατότητα, πρέπει επίσης να ελεγχθούν σύμφωνα με τα χαρακτηριστικά απόδοσης της κατηγορίας 5, Μέρος 2 («Ασφάλεια πληροφοριών»).

4A   Συστήματα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη

| 4A001 | Ηλεκτρονικοί υπολογιστές και συναφής εξοπλισμός, που έχουν οποιαδήποτε από τα κατωτέρω καθώς και «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τα συστήματα αυτά:


  ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 4Α101.







  α. | Που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ώστε να έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω:






  1. | Ονομαστική λειτουργία σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω από 228 Κ (-45 °C) ή άνω των 358 Κ (85 °C), ή



  Σημείωση: Το σημείο 4Α001.α.1 δεν ελέγχει τους υπολογιστές που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για εφαρμογές πολιτικών αυτοκινήτων ή σιδηροδρομικών συρμών ή «πολιτικών αεροσκαφών». |
| --- | --- | --- | --- |

4A001

Ηλεκτρονικοί υπολογιστές και συναφής εξοπλισμός, που έχουν οποιαδήποτε από τα κατωτέρω καθώς και «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τα συστήματα αυτά:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 4Α101.

α.

Που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ώστε να έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω:

1.

Ονομαστική λειτουργία σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω από 228 Κ (-45 °C) ή άνω των 358 Κ (85 °C), ή

Σημείωση: Το σημείο 4Α001.α.1 δεν ελέγχει τους υπολογιστές που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για εφαρμογές πολιτικών αυτοκινήτων ή σιδηροδρομικών συρμών ή «πολιτικών αεροσκαφών».

| 2. | Που έχουν υποστεί ειδική επεξεργασία να αντέχουν στην ακτινοβολία που μπορεί να ξεπεράσει οποιαδήποτε από τις ακόλουθες προδιαγραφές:







  α. | Συνολική δόση | 5 × 103 Gy (πυρίτιο), |
| --- | --- | --- | --- |
| β. | Απότομη αλλαγή του ρυθμού ακτινοβολίας | 5 × 106 Gy (πυρίτιο)/s· ή |
| γ. | Απότομη αλλαγή από ένα και μόνο γεγονός | 1 × 10-8 Λάθη/bit/ημέρα. |

2.

Που έχουν υποστεί ειδική επεξεργασία να αντέχουν στην ακτινοβολία που μπορεί να ξεπεράσει οποιαδήποτε από τις ακόλουθες προδιαγραφές:

α.

Συνολική δόση

5 × 103 Gy (πυρίτιο),

β.

Απότομη αλλαγή του ρυθμού ακτινοβολίας

5 × 106 Gy (πυρίτιο)/s· ή

γ.

Απότομη αλλαγή από ένα και μόνο γεγονός

1 × 10-8 Λάθη/bit/ημέρα.

Σημείωση: Το σημείο 4Α001.α.2 δεν ελέγχει τους υπολογιστές που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για εφαρμογές «πολιτικών αεροσκαφών».

| β. | Δεν χρησιμοποιείται. |
| --- | --- |

β.

Δεν χρησιμοποιείται.

4A003

«Ψηφιακοί υπολογιστές», «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και συναφής εξοπλισμός γι’ αυτούς, ως εξής, καθώς επίσης και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία γι’ αυτά:

Σημείωση 1: Το σημείο 4Α003 περιλαμβάνει τα ακόλουθα:

| — | Ανυσματικούς επεξεργαστές (vector processors), |
| --- | --- |

—

Ανυσματικούς επεξεργαστές (vector processors),

| — | Πολυεπεξεργαστές (array processors), |
| --- | --- |

—

Πολυεπεξεργαστές (array processors),

| — | Επεξεργαστές ψηφιακού σήματος, |
| --- | --- |

—

Επεξεργαστές ψηφιακού σήματος,

| — | Λογικούς επεξεργαστές, |
| --- | --- |

—

Λογικούς επεξεργαστές,

| — | Εξοπλισμό σχεδιασμένο για «βελτίωση εικόνων», |
| --- | --- |

—

Εξοπλισμό σχεδιασμένο για «βελτίωση εικόνων»,

| — | Εξοπλισμό σχεδιασμένο για «επεξεργασία σημάτων». |
| --- | --- |

—

Εξοπλισμό σχεδιασμένο για «επεξεργασία σημάτων».

Σημείωση 2: Η διαβάθμιση ελέγχου των «ψηφιακών υπολογιστών» και του συναφούς εξοπλισμού που περιγράφεται στο σημείο 4Α003 καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου άλλου εξοπλισμού συστημάτων υπό τον όρο ότι:

| α. | Οι «ψηφιακοί υπολογιστές» ή ο συναφής εξοπλισμός είναι απολύτως απαραίτητοι για τη λειτουργία του λοιπού εξοπλισμού ή των λοιπών συστημάτων, |
| --- | --- |

α.

Οι «ψηφιακοί υπολογιστές» ή ο συναφής εξοπλισμός είναι απολύτως απαραίτητοι για τη λειτουργία του λοιπού εξοπλισμού ή των λοιπών συστημάτων,

| β. | Οι «ψηφιακοί υπολογιστές» ή ο συναφής εξοπλισμός δεν αποτελούν «βασικό στοιχείο» του έτερου εξοπλισμού ή συστημάτων, και




  ΣΗΜ. 1: Η διαβάθμιση ελέγχου εξοπλισμού για «επεξεργασία σημάτων» ή «βελτίωση εικόνων» ειδικά σχεδιασμένου για άλλο εξοπλισμό με λειτουργίες που περιορίζονται σε αυτές που απαιτούνται για τον άλλο εξοπλισμό, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του έτερου εξοπλισμού ακόμη κι αν υπερβαίνει το κριτήριο του «βασικού στοιχείου».



  ΣΗΜ. 2: Για διαβάθμιση ελέγχου των «ψηφιακών υπολογιστών» ή συναφούς εξοπλισμού για εξοπλισμό τηλεπικοινωνιών βλέπε την κατηγορία 5, Μέρος 1 (Τηλεπικοινωνίες). |
| --- | --- |

β.

Οι «ψηφιακοί υπολογιστές» ή ο συναφής εξοπλισμός δεν αποτελούν «βασικό στοιχείο» του έτερου εξοπλισμού ή συστημάτων, και

ΣΗΜ. 1: Η διαβάθμιση ελέγχου εξοπλισμού για «επεξεργασία σημάτων» ή «βελτίωση εικόνων» ειδικά σχεδιασμένου για άλλο εξοπλισμό με λειτουργίες που περιορίζονται σε αυτές που απαιτούνται για τον άλλο εξοπλισμό, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του έτερου εξοπλισμού ακόμη κι αν υπερβαίνει το κριτήριο του «βασικού στοιχείου».

ΣΗΜ. 2: Για διαβάθμιση ελέγχου των «ψηφιακών υπολογιστών» ή συναφούς εξοπλισμού για εξοπλισμό τηλεπικοινωνιών βλέπε την κατηγορία 5, Μέρος 1 (Τηλεπικοινωνίες).

| γ. | Η «τεχνολογία» για τους «ψηφιακούς υπολογιστές» και το συναφή εξοπλισμό καθορίζεται στο σημείο 4Ε. |
| --- | --- |

γ.

Η «τεχνολογία» για τους «ψηφιακούς υπολογιστές» και το συναφή εξοπλισμό καθορίζεται στο σημείο 4Ε.

| α. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

α.

Δεν χρησιμοποιείται,

| β. | «Ψηφιακοί υπολογιστές» που έχουν «Προσαρμοσμένη Κορυφαία Απόδοση» («APP») άνω των 8,0 σταθμισμένων TeraFLOPS (WT), |
| --- | --- |

β.

«Ψηφιακοί υπολογιστές» που έχουν «Προσαρμοσμένη Κορυφαία Απόδοση» («APP») άνω των 8,0 σταθμισμένων TeraFLOPS (WT),

| γ. | «Ηλεκτρονικά συγκροτήματα» που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί ώστε να ενισχύουν την απόδοση με τη συγκέντρωση επεξεργαστών ούτως ώστε η «APP» του συγκροτήματος να υπερβαίνει το όριο που καθορίζεται στο σημείο 4Α003.β.,


  Σημείωση 1: Το σημείο 4Α003.γ., ελέγχει μόνον «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και προγραμματιζόμενες διασυνδέσεις που δεν υπερβαίνουν το όριο που καθορίζεται στο σημείο 4Α003.β., όταν αποστέλλονται σαν μη ενσωματωμένα «ηλεκτρονικά συγκροτήματα». Το σημείο αυτό δεν ελέγχει τα «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» που περιορίζονται εγγενώς ως εκ της φύσεως της σχεδίασης τους να χρησιμοποιούνται σαν συναφής εξοπλισμός όπως αναφέρεται στο σημείο 4Α003.ε.



  Σημείωση 2: Στο σημείο 4Α003.γ. δεν υπάγονται τα «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για ένα προϊόν ή οικογένεια προϊόντων για τα οποία η μέγιστη διάρθρωση δεν υπερβαίνει το όριο που καθορίζεται στο σημείο 4Α003.β. |
| --- | --- |

γ.

«Ηλεκτρονικά συγκροτήματα» που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί ώστε να ενισχύουν την απόδοση με τη συγκέντρωση επεξεργαστών ούτως ώστε η «APP» του συγκροτήματος να υπερβαίνει το όριο που καθορίζεται στο σημείο 4Α003.β.,

Σημείωση 1: Το σημείο 4Α003.γ., ελέγχει μόνον «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και προγραμματιζόμενες διασυνδέσεις που δεν υπερβαίνουν το όριο που καθορίζεται στο σημείο 4Α003.β., όταν αποστέλλονται σαν μη ενσωματωμένα «ηλεκτρονικά συγκροτήματα». Το σημείο αυτό δεν ελέγχει τα «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» που περιορίζονται εγγενώς ως εκ της φύσεως της σχεδίασης τους να χρησιμοποιούνται σαν συναφής εξοπλισμός όπως αναφέρεται στο σημείο 4Α003.ε.

Σημείωση 2: Στο σημείο 4Α003.γ. δεν υπάγονται τα «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για ένα προϊόν ή οικογένεια προϊόντων για τα οποία η μέγιστη διάρθρωση δεν υπερβαίνει το όριο που καθορίζεται στο σημείο 4Α003.β.

| δ. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

δ.

Δεν χρησιμοποιείται,

| ε. | Εξοπλισμός που επιτελεί μετατροπές αναλογικών σημάτων προς ψηφιακά υπερβαίνοντας τα όρια που καθορίζεται στο σημείο 3Α001.α.5., |
| --- | --- |

ε.

Εξοπλισμός που επιτελεί μετατροπές αναλογικών σημάτων προς ψηφιακά υπερβαίνοντας τα όρια που καθορίζεται στο σημείο 3Α001.α.5.,

| στ. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

στ.

Δεν χρησιμοποιείται,

| ζ. | Ειδικώς σχεδιασμένος εξοπλισμός για τη συνάθροιση των επιδόσεων «ψηφιακών υπολογιστών» με την παροχή εξωτερικών διασυνδέσεων, που επιτρέπει την επικοινωνία με μονόδρομες ταχύτητες μεταβίβασης δεδομένων υπερβαίνουσες τα 2,0 Gbyte/s ανά σύνδεσμο.


  Σημείωση: Στο σημείο 4Α003.ζ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός εσωτερικής διασύνδεσης (π.χ. βασική πλακέτα, ζυγοί), ο εξοπλισμός παθητικής διασύνδεσης, οι «ελεγκτές πρόσβασης δικτύου» ή οι «ελεγκτές διαύλων επικοινωνίας». |
| --- | --- |

ζ.

Ειδικώς σχεδιασμένος εξοπλισμός για τη συνάθροιση των επιδόσεων «ψηφιακών υπολογιστών» με την παροχή εξωτερικών διασυνδέσεων, που επιτρέπει την επικοινωνία με μονόδρομες ταχύτητες μεταβίβασης δεδομένων υπερβαίνουσες τα 2,0 Gbyte/s ανά σύνδεσμο.

Σημείωση: Στο σημείο 4Α003.ζ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός εσωτερικής διασύνδεσης (π.χ. βασική πλακέτα, ζυγοί), ο εξοπλισμός παθητικής διασύνδεσης, οι «ελεγκτές πρόσβασης δικτύου» ή οι «ελεγκτές διαύλων επικοινωνίας».

4A004

Υπολογιστές ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένος συναφής εξοπλισμός, «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και δομικά στοιχεία αυτών:

| α. | «Υπολογιστές συστολικής συστοιχίας», |
| --- | --- |

α.

«Υπολογιστές συστολικής συστοιχίας»,

| β. | «Νευρωνικοί υπολογιστές», |
| --- | --- |

β.

«Νευρωνικοί υπολογιστές»,

| γ. | «Οπτικοί υπολογιστές». |
| --- | --- |

γ.

«Οπτικοί υπολογιστές».

4A005

Συστήματα, εξοπλισμός και τα δομικά μέρη τους, που είναι ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για την παραγωγή, λειτουργία ή απόδοση «λογισμικού εισβολής» ή για την επικοινωνία με το λογισμικό αυτό.

4A101

Αναλογικοί υπολογιστές, «ψηφιακοί υπολογιστές» ή ψηφιακοί διαφορικοί αναλυτές διαφορετικοί από εκείνους του σημείου 4Α001.α.1., που είναι ανθεκτικοί και έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούνται σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104.

4A102

«Υβριδικοί υπολογιστές» που έχουν σχεδιαστεί ειδικά για την εκπόνηση μοντέλων, τη διενέργεια προσομοίωσης ή τη σχεδιαστική ενσωμάτωση οχημάτων εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή πυραυλοβολίδων που ορίζονται στο σημείο 9Α104.

Σημείωση: Ο έλεγχος ισχύει μόνο για τον εξοπλισμό που παρέχεται μαζί με το λογισμικό το οποίο καθορίζεται στο σημείο 7D103 ή 9D103.

4B   Εξοπλισμός Δοκιμών, Ελέγχου και Παραγωγής

Ουδέν.

4C   Υλικά

Ουδέν.

4D   Λογισμικό

Σημείωση: Η διαβάθμιση ελέγχου του «λογισμικού» για εξοπλισμό που περιγράφεται σε άλλες κατηγορίες περιέχεται στην αντίστοιχη κατηγορία.

| 4D001 | «Λογισμικό» ως εξής:






  α. | «Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» εξοπλισμού ή «λογισμικού» που καθορίζονται στα σημεία 4Α001 έως 4Α004, ή 4D. |
| --- | --- | --- |

4D001

«Λογισμικό» ως εξής:

α.

«Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» εξοπλισμού ή «λογισμικού» που καθορίζονται στα σημεία 4Α001 έως 4Α004, ή 4D.

| β. | «Λογισμικό», εκτός του περιγραφόμενου στο 4D001.α, που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού ως εξής:






  1. | «Ψηφιακοί υπολογιστές» που έχουν «Προσαρμοσμένη Κορυφαία Απόδοση» («APP») άνω των 0,60 σταθμισμένων TeraFLOPS (WT), |
| --- | --- | --- |

β.

«Λογισμικό», εκτός του περιγραφόμενου στο 4D001.α, που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού ως εξής:

1.

«Ψηφιακοί υπολογιστές» που έχουν «Προσαρμοσμένη Κορυφαία Απόδοση» («APP») άνω των 0,60 σταθμισμένων TeraFLOPS (WT),

| 2. | «Ηλεκτρονικών συγκροτημάτων» που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την αύξηση της απόδοσης με τη συνάθροιση επεξεργαστών ούτως ώστε η «APP» του συνόλου να υπερβαίνει το όριο του 4D001.β.1. |
| --- | --- |

2.

«Ηλεκτρονικών συγκροτημάτων» που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την αύξηση της απόδοσης με τη συνάθροιση επεξεργαστών ούτως ώστε η «APP» του συνόλου να υπερβαίνει το όριο του 4D001.β.1.

4D002

«Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να λειτουργεί με «τεχνολογία» που καθορίζεται στο σημείο 4Ε.

4D003

Δεν χρησιμοποιείται.

4D004

«Λογισμικό» που είναι ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την παραγωγή, λειτουργία ή απόδοση «λογισμικού εισβολής» ή για την επικοινωνία με το λογισμικό αυτό.

4E   Τεχνολογία

| 4E001 | α. | «Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» ή «χρήση» εξοπλισμού ή «λογισμικού» που καθορίζονται στα σημεία 4Α, ή 4D. |
| --- | --- | --- |

4E001

α.

«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» ή «χρήση» εξοπλισμού ή «λογισμικού» που καθορίζονται στα σημεία 4Α, ή 4D.

| β. | «Τεχνολογία», εκτός του περιγραφόμενου στο 4E001.α, που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού ως εξής:






  1. | «Ψηφιακοί υπολογιστές» που έχουν «Προσαρμοσμένη Κορυφαία Απόδοση» («APP») άνω των 0,60 σταθμισμένων TeraFLOPS (WT), |
| --- | --- | --- |

β.

«Τεχνολογία», εκτός του περιγραφόμενου στο 4E001.α, που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού ως εξής:

1.

«Ψηφιακοί υπολογιστές» που έχουν «Προσαρμοσμένη Κορυφαία Απόδοση» («APP») άνω των 0,60 σταθμισμένων TeraFLOPS (WT),

| 2. | «Ηλεκτρονικών συγκροτημάτων» που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την αύξηση της απόδοσης με τη συνάθροιση επεξεργαστών ούτως ώστε η «APP» του συνόλου να υπερβαίνει το όριο του 4Ε001.β.1. |
| --- | --- |

2.

«Ηλεκτρονικών συγκροτημάτων» που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την αύξηση της απόδοσης με τη συνάθροιση επεξεργαστών ούτως ώστε η «APP» του συνόλου να υπερβαίνει το όριο του 4Ε001.β.1.

| γ. | «Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη»«λογισμικού εισβολής». |
| --- | --- |

γ.

«Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη»«λογισμικού εισβολής».

ΤΕΧΝΙΚΗ ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΗ ΣΧΕΤΙΚΑ ΜΕ ΤΗΝ «ΠΡΟΣΑΡΜΟΣΜΕΝΗ ΚΟΡΥΦΑΙΑ ΑΠΟΔΟΣΗ» («APP»)

Η «APP» είναι ένας προσαρμοσμένος ρυθμός με τον οποίον οι «ψηφιακοί υπολογιστές» εκτελούν προσθέσεις και πολλαπλασιασμούς κινητής υποδιαστολής 64 bit και άνω.

Η «APP» εκφράζονται ως σταθμισμένα TeraFLOPS (WT), σε μονάδες 1012 πράξεων κινητής υποδιαστολής ανά δευτερόλεπτο.

Χρησιμοποιούμενες στην παρούσα τεχνική παρατήρηση συντμήσεις

| n | αριθμός επεξεργαστών του «ψηφιακού υπολογιστή» |
| --- | --- |
| i | αριθμός επεξεργαστή (i,...,n) |
| ti | χρόνος κύκλου επεξεργαστή (ti = 1/Fi) |
| Fi | συχνότητα επεξεργαστή |
| Ri | κορυφαίος ρυθμός υπολογισμού κινητής υποδιαστολής |
| Wi | συντελεστής προσαρμογής αρχιτεκτονικής |

n

αριθμός επεξεργαστών του «ψηφιακού υπολογιστή»

i

αριθμός επεξεργαστή (i,...,n)

ti

χρόνος κύκλου επεξεργαστή (ti = 1/Fi)

Fi

συχνότητα επεξεργαστή

Ri

κορυφαίος ρυθμός υπολογισμού κινητής υποδιαστολής

Wi

συντελεστής προσαρμογής αρχιτεκτονικής

Η μέθοδος υπολογισμού της «APP» σε αδρές γραμμές

| 1. | Για κάθε επεξεργαστή i, προσδιορίζεται ο κορυφαίος αριθμός πράξεων κινητής υποδιαστολής 64 bit και άνω, FPOi, που εκτελούνται ανά κύκλο για κάθε επεξεργαστή του «ψηφιακού υπολογιστή».


  Σημείωση: Κατά τον προσδιορισμό του FPO, λαμβάνονται υπόψη μόνον οι προσθέσεις ή/και πολλαπλασιασμοί κινητής υποδιαστολής 64 bit και άνω. Όλες οι πράξεις κινητής υποδιαστολής πρέπει να εκφράζονται ως πράξεις ανά κύκλο επεξεργαστή· οι πράξεις για τις οποίες απαιτούνται περισσότεροι του ενός κύκλοι μπορούν να εκφράζονται ως κλασματικά αποτελέσματα ανά κύκλο. Για τους επεξεργαστές που δεν είναι ικανοί να εκτελούν υπολογισμούς σε τελεστές 64 bit ή άνω, ο ενεργός ρυθμός υπολογισμού R είναι μηδέν. |
| --- | --- |

1.

Για κάθε επεξεργαστή i, προσδιορίζεται ο κορυφαίος αριθμός πράξεων κινητής υποδιαστολής 64 bit και άνω, FPOi, που εκτελούνται ανά κύκλο για κάθε επεξεργαστή του «ψηφιακού υπολογιστή».

Σημείωση: Κατά τον προσδιορισμό του FPO, λαμβάνονται υπόψη μόνον οι προσθέσεις ή/και πολλαπλασιασμοί κινητής υποδιαστολής 64 bit και άνω. Όλες οι πράξεις κινητής υποδιαστολής πρέπει να εκφράζονται ως πράξεις ανά κύκλο επεξεργαστή· οι πράξεις για τις οποίες απαιτούνται περισσότεροι του ενός κύκλοι μπορούν να εκφράζονται ως κλασματικά αποτελέσματα ανά κύκλο. Για τους επεξεργαστές που δεν είναι ικανοί να εκτελούν υπολογισμούς σε τελεστές 64 bit ή άνω, ο ενεργός ρυθμός υπολογισμού R είναι μηδέν.

| 2. | Υπολογίζεται ο ρυθμός κινητής υποδιαστολής R για κάθε επεξεργαστή Ri = FPOi/ti. |
| --- | --- |

2.

Υπολογίζεται ο ρυθμός κινητής υποδιαστολής R για κάθε επεξεργαστή Ri = FPOi/ti.

| 3. | Υπολογίζεται η «APP» ως εξής: «APP» = W1 × R1 + W2 × R2 + ... + Wn × Rn. |
| --- | --- |

3.

Υπολογίζεται η «APP» ως εξής: «APP» = W1 × R1 + W2 × R2 + ... + Wn × Rn.

| 4. | Για τους «ανυσματικούς επεξεργαστές», Wi = 0,9. Για τους μη «ανυσματικούς επεξεργαστές», Wi = 0,3. |
| --- | --- |

4.

Για τους «ανυσματικούς επεξεργαστές», Wi = 0,9. Για τους μη «ανυσματικούς επεξεργαστές», Wi = 0,3.

Σημείωση 1: Για τους επεξεργαστές που εκτελούν σύνθετες πράξεις σε έναν κύκλο, όπως πρόσθεση και πολλαπλασιασμό, λαμβάνεται υπόψη κάθε πράξη.

Σημείωση 2: Για έναν επεξεργαστή συνεχούς διοχέτευσης, o ενεργός ρυθμός υπολογισμού (R) είναι o ταχύτερος από τους ρυθμούς εκτέλεσης, με και χωρίς συνεχή διοχέτευση.

Σημείωση 3: Ο ρυθμός υπολογισμού R για κάθε συμμετέχοντα επεξεργαστή υπολογίζεται στη μεγαλύτερη θεωρητικά δυνατή τιμή του πριν υπολογιστεί η «APP» του συνδυασμού. Θεωρείται ότι υπάρχουν ταυτόχρονες λειτουργίες και πράξεις όταν o κατασκευαστής του υπολογιστή αναφέρει παράλληλες, σύγχρονες, ή ταυτόχρονες πράξεις ή εκτελέσεις σε ένα εγχειρίδιο ή φυλλάδιο που αφορά τοv υπολογιστή.

Σημείωση 4: Κατά τον υπολογισμό της «APP», δεν λαμβάνονται υπόψη οι επεξεργαστές που χρησιμοποιούνται μόνον για λειτουργίες εισόδου/εξόδου και περιφερειακών μονάδων (π.χ. μηχανισμού δίσκου, ελεγκτών επικοινωνίας και οθόνης).

Σημείωση 5: Οι τιμές της «APP» δεν υπολογίζονται για συνδυασμούς επεξεργαστών (διά)συνδεόμενους με «τοπικά δίκτυα», δίκτυα ευρείας περιοχής, κατανεμημένες συνδέσεις/συσκευές εισόδου/εξόδου, ελεγκτές εισόδου/εξόδου και τυχόν διασύνδεση επικοινωνίας πραγματοποιούμενης μέσω «λογισμικού».

Σημείωση 6: Τιμές «APP» πρέπει να υπολογίζονται για τα εξής:

| 1. | Συνδυασμούς επεξεργαστών που περιέχουν επεξεργαστές ειδικά σχεδιασμένους για τη βελτίωση των επιδόσεων με τη συγκέντρωση, οι οποίοι λειτουργούν ταυτοχρόνως και μοιράζονται μνήμη, ή |
| --- | --- |

1.

Συνδυασμούς επεξεργαστών που περιέχουν επεξεργαστές ειδικά σχεδιασμένους για τη βελτίωση των επιδόσεων με τη συγκέντρωση, οι οποίοι λειτουργούν ταυτοχρόνως και μοιράζονται μνήμη, ή

| 2. | Λειτουργούντες ταυτοχρόνως συνδυασμούς - πολλαπλής μνήμης/επεξεργαστή - που χρησιμοποιούν ειδικώς σχεδιασμένο εξοπλισμό. |
| --- | --- |

2.

Λειτουργούντες ταυτοχρόνως συνδυασμούς - πολλαπλής μνήμης/επεξεργαστή - που χρησιμοποιούν ειδικώς σχεδιασμένο εξοπλισμό.

Τεχνική παρατήρηση:

Αθροιστικά όλοι οι επεξεργαστές και επιταχυντές που λειτουργούν ταυτόχρονα και βρίσκονται στην ίδια ψηφίδα.

Σημείωση 7: Ως «ανυσματικός επεξεργαστής» νοείται ένας επεξεργαστής με ενσωματωμένες οδηγίες που εκτελούν ταυτόχρονα πολλαπλούς υπολογισμούς σε ανύσματα κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατες συστοιχίες αριθμών 64 bit ή μεγαλύτερων), ο οποίος έχει τουλάχιστον 2 ανυσματικές λειτουργικές μονάδες και τουλάχιστον 8 ανυσματικούς καταχωρητές τουλάχιστον 64 στοιχείων το καθένα.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 5 — ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ ΚΑΙ «ΑΣΦΑΛΕΙΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΩΝ»

ΜΕΡΟΣ 1 — ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ

Σημείωση 1: Η διαβάθμιση ελέγχου των δομικών στοιχείων, εξοπλισμού «λέιζερ» εξοπλισμού δοκιμών και «παραγωγής» καθώς και λογισμικού που προορίζεται γι’ αυτά, τα οποία είναι ειδικά σχεδιασμένα για τηλεπικοινωνιακό εξοπλισμό ή συστήματα καθορίζεται στην Κατηγορία 5, Μέρος 1.

ΣΗΜ. 1: Για τα «λέιζερ» τα ειδικά σχεδιασμένα για εξοπλισμό ή συστήματα τηλεπικοινωνιών, βλέπε 6A005.

ΣΗΜ. 2: Για τον εξοπλισμό, τα συστατικά μέρη και το «λογισμικό» που επιτελούν ή έχουν ενσωματωμένες λειτουργίες «ασφάλειας πληροφοριών» βλέπε επίσης Κατηγορία 5, Μέρος 2.

Σημείωση 2: «Ψηφιακοί υπολογιστές», συναφής εξοπλισμός «λογισμικό», όταν είναι απαραίτητα για τη λειτουργία και υποστήριξη τηλεπικοινωνιακού εξοπλισμού που περιγράφεται στην παρούσα κατηγορία θεωρούνται ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία υπό τον όρο ότι είναι τα τυποποιημένα μοντέλα που συνήθως προμηθεύει ο κατασκευαστής. Εδώ περιλαμβάνονται συστήματα υπολογιστών για λειτουργία, διαχείριση, συντήρηση, μηχανολογικές ή λογιστικές εφαρμογές.

5A1   Συστήματα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη

| 5A001 | Τηλεπικοινωνιακά συστήματα, εξοπλισμός, δομικά στοιχεία και εξαρτήματα γι’ αυτά ως εξής:






  α. | Οποιοσδήποτε τύπος εξοπλισμού τηλεπικοινωνιών που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, λειτουργίες ή γνωρίσματα:






  1. | Που είναι ειδικά σχεδιασμένος για να αντέχει σε μεταβατικά ηλεκτρονικά φαινόμενα ή ηλεκτρομαγνητικούς παλμούς που προκύπτουν από μία πυρηνική έκρηξη. |
| --- | --- | --- | --- |

5A001

Τηλεπικοινωνιακά συστήματα, εξοπλισμός, δομικά στοιχεία και εξαρτήματα γι’ αυτά ως εξής:

α.

Οποιοσδήποτε τύπος εξοπλισμού τηλεπικοινωνιών που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, λειτουργίες ή γνωρίσματα:

1.

Που είναι ειδικά σχεδιασμένος για να αντέχει σε μεταβατικά ηλεκτρονικά φαινόμενα ή ηλεκτρομαγνητικούς παλμούς που προκύπτουν από μία πυρηνική έκρηξη.

| 2. | Που έχει υποστεί ειδική επεξεργασία για να αντέχει σε ακτινοβολία σωματιδίων γάμα, νετρονίων ή ιόντων, ή |
| --- | --- |

2.

Που έχει υποστεί ειδική επεξεργασία για να αντέχει σε ακτινοβολία σωματιδίων γάμα, νετρονίων ή ιόντων, ή

| 3. | Καθορισμένα να λειτουργούν στο σύνολο της περιοχής θερμοκρασιών περιβάλλοντος από 218 K (- 55 °C) έως 397 K (124 °C).


  Σημείωση: Το σημείο 5Α001.α.3. αφορά μόνο ηλεκτρονικό εξοπλισμό. |
| --- | --- |

3.

Καθορισμένα να λειτουργούν στο σύνολο της περιοχής θερμοκρασιών περιβάλλοντος από 218 K (- 55 °C) έως 397 K (124 °C).

Σημείωση: Το σημείο 5Α001.α.3. αφορά μόνο ηλεκτρονικό εξοπλισμό.

Σημείωση: Τα σημεία 5Α001.α.2. και 5Α001.α.3 δεν αφορούν εξοπλισμό που είναι εγκατεστημένος σε δορυφόρους.

| β. | Τηλεπικοινωνιακά συστήματα και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία και εξαρτήματα γι’ αυτά, που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, λειτουργίες ή γνωρίσματα:






  1. | Που είναι υποβρύχια μη προσδεδεμένα συστήματα επικοινωνιών και έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω:






  α. | Ακουστική συχνότητα φέρουσας εκτός του φάσματος από 20 kHz έως 60 kHz, |
| --- | --- | --- | --- |

β.

Τηλεπικοινωνιακά συστήματα και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία και εξαρτήματα γι’ αυτά, που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, λειτουργίες ή γνωρίσματα:

1.

Που είναι υποβρύχια μη προσδεδεμένα συστήματα επικοινωνιών και έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω:

α.

Ακουστική συχνότητα φέρουσας εκτός του φάσματος από 20 kHz έως 60 kHz,

| β. | Χρησιμοποιούν ηλεκτρομαγνητική συχνότητα φέρουσας κάτω από 30 kHz, |
| --- | --- |

β.

Χρησιμοποιούν ηλεκτρομαγνητική συχνότητα φέρουσας κάτω από 30 kHz,

| γ. | Χρησιμοποιούν τεχνικές οδήγησης ηλεκτρονικής δέσμης, ή |
| --- | --- |

γ.

Χρησιμοποιούν τεχνικές οδήγησης ηλεκτρονικής δέσμης, ή

| δ. | Χρησιμοποιούν «λέιζερ» ή διόδους φωτοεκπομπής (LED) με μήκος κύματος εξόδου μεγαλύτερο από 400 nm και μικρότερο από 700 nm, σε «τοπικό δίκτυο»· |
| --- | --- |

δ.

Χρησιμοποιούν «λέιζερ» ή διόδους φωτοεκπομπής (LED) με μήκος κύματος εξόδου μεγαλύτερο από 400 nm και μικρότερο από 700 nm, σε «τοπικό δίκτυο»·

| 2. | Που είναι εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που λειτουργεί στο φάσμα συχνοτήτων 1,5 MHz έως 87,5 MHz και έχει όλα τα παρακάτω:






  α. | Προβλέπει και επιλέγει αυτόματα συχνότητες και «συνολικούς ρυθμούς ψηφιακής μεταφοράς», ανά κανάλι για να βελτιστοποιήσει τη μετάδοση, και |
| --- | --- | --- |

2.

Που είναι εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που λειτουργεί στο φάσμα συχνοτήτων 1,5 MHz έως 87,5 MHz και έχει όλα τα παρακάτω:

α.

Προβλέπει και επιλέγει αυτόματα συχνότητες και «συνολικούς ρυθμούς ψηφιακής μεταφοράς», ανά κανάλι για να βελτιστοποιήσει τη μετάδοση, και

| β. | Έχει ενσωματωμένη μία διάταξη γραμμικού ενισχυτή ισχύος, με δυνατότητα να υποστηρίζει πολλαπλά σήματα συγχρόνως με ισχύ εξόδου 1 kW ή παραπάνω στο φάσμα συχνοτήτων 1,5 MHz έως 30 MHz ή με έξοδο ισχύος 250 W ή παραπάνω στο φάσμα συχνοτήτων 30 MHz έως 87,5 MHz, σε «στιγμιαίο εύρος ζώνης» μιας οκτάβας ή παραπάνω και με παραμόρφωση και αρμονικές εξόδους καλύτερες από -80 dB. |
| --- | --- |

β.

Έχει ενσωματωμένη μία διάταξη γραμμικού ενισχυτή ισχύος, με δυνατότητα να υποστηρίζει πολλαπλά σήματα συγχρόνως με ισχύ εξόδου 1 kW ή παραπάνω στο φάσμα συχνοτήτων 1,5 MHz έως 30 MHz ή με έξοδο ισχύος 250 W ή παραπάνω στο φάσμα συχνοτήτων 30 MHz έως 87,5 MHz, σε «στιγμιαίο εύρος ζώνης» μιας οκτάβας ή παραπάνω και με παραμόρφωση και αρμονικές εξόδους καλύτερες από -80 dB.

| 3. | Που είναι εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που χρησιμοποιεί τεχνικές μεθόδους «διασκορπισμένου φάσματος» όπως π.χ. τεχνικές, μεταπήδησης συχνοτήτων, πλην των οριζόμενων στο σημείο 5Α001.β.4., και ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα παρακάτω:






  α. | Χρησιμοποιεί κωδικούς διασκορπισμού του φάσματος που προγραμματίζονται, ή |
| --- | --- | --- |

3.

Που είναι εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που χρησιμοποιεί τεχνικές μεθόδους «διασκορπισμένου φάσματος» όπως π.χ. τεχνικές, μεταπήδησης συχνοτήτων, πλην των οριζόμενων στο σημείο 5Α001.β.4., και ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα παρακάτω:

α.

Χρησιμοποιεί κωδικούς διασκορπισμού του φάσματος που προγραμματίζονται, ή

| β. | Ένα συνολικό εύρος ζώνης που μεταδίδεται που είναι 100 ή παραπάνω φορές το εύρος ζώνης ενός οποιουδήποτε καναλιού πληροφορίας και παραάνω των 50 kHz.


  Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.β.3.β. δεν υπάγεται ο ασύρματος εξοπλισμός ο ειδικά σχεδιασμένος για χρήση σε μη στρατιωτικά συστήματα κυψελωτών ραδιοεπικοινωνιών.








  α. | Συστήματα κυψελωτών επικοινωνιών για μη στρατιωτική χρήση, ή |
| --- | --- | --- |

β.

Ένα συνολικό εύρος ζώνης που μεταδίδεται που είναι 100 ή παραπάνω φορές το εύρος ζώνης ενός οποιουδήποτε καναλιού πληροφορίας και παραάνω των 50 kHz.

Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.β.3.β. δεν υπάγεται ο ασύρματος εξοπλισμός ο ειδικά σχεδιασμένος για χρήση σε μη στρατιωτικά συστήματα κυψελωτών ραδιοεπικοινωνιών.

α.

Συστήματα κυψελωτών επικοινωνιών για μη στρατιωτική χρήση, ή

| β. | Σταθεροί ή κινητοί επίγειοι δορυφορικοί σταθμοί για εμπορικές τηλεπικοινωνίες για μη στρατιωτική χρήση. |
| --- | --- |

β.

Σταθεροί ή κινητοί επίγειοι δορυφορικοί σταθμοί για εμπορικές τηλεπικοινωνίες για μη στρατιωτική χρήση.

Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.β.3. δεν υπάγεται ο εξοπλισμός που έχει σχεδιαστεί για να λειτουργεί με ισχύ εξόδου 1 W ή λιγότερο.

| 4. | Που είναι εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που χρησιμοποιεί τεχνικές υπερευρείας διαμορφωμένης ζώνης και έχει κωδικούς κατανομής σε διαύλους που είναι δυνατόν να προγραμματίζονται από το χρήστη, ή κρυπτογράφησης ή κωδικούς αναγνώρισης δικτύου, και ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα παρακάτω:






  α. | Εύρος ζώνης άνω των 500 MHz, ή |
| --- | --- | --- |

4.

Που είναι εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που χρησιμοποιεί τεχνικές υπερευρείας διαμορφωμένης ζώνης και έχει κωδικούς κατανομής σε διαύλους που είναι δυνατόν να προγραμματίζονται από το χρήστη, ή κρυπτογράφησης ή κωδικούς αναγνώρισης δικτύου, και ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα παρακάτω:

α.

Εύρος ζώνης άνω των 500 MHz, ή

| β. | «Κλασματικό εύρος ζώνης» τουλάχιστον 20 %, |
| --- | --- |

β.

«Κλασματικό εύρος ζώνης» τουλάχιστον 20 %,

| 5. | Που είναι ψηφιακά ελεγχόμενοι ραδιοφωνικοί δέκτες οι οποίοι έχουν όλα τα ακόλουθα:






  α. | Περισσότερα από 1 000 κανάλια, |
| --- | --- | --- |

5.

Που είναι ψηφιακά ελεγχόμενοι ραδιοφωνικοί δέκτες οι οποίοι έχουν όλα τα ακόλουθα:

α.

Περισσότερα από 1 000 κανάλια,

| β. | «Χρόνο μεταγωγής διαύλων» μικρότερο από 1 ms, |
| --- | --- |

β.

«Χρόνο μεταγωγής διαύλων» μικρότερο από 1 ms,

| γ. | Μπορούν να ψάξουν ή να σαρώσουν αυτόματα ένα τμήμα του ηλεκτρομαγνητικού φάσματος, και |
| --- | --- |

γ.

Μπορούν να ψάξουν ή να σαρώσουν αυτόματα ένα τμήμα του ηλεκτρομαγνητικού φάσματος, και

| δ. | Μπορούν να εξακριβώσουν από που προέρχονται τα σήματα που γίνονται δεκτά ή τον τύπο του πομπού, ή |
| --- | --- |

δ.

Μπορούν να εξακριβώσουν από που προέρχονται τα σήματα που γίνονται δεκτά ή τον τύπο του πομπού, ή

Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.β.5. δεν ελέγχεται ο ασύρματος εξοπλισμός ο ειδικά σχεδιασμένος για χρήση σε μη στρατιωτικά συστήματα κυψελωτών ραδιοεπικοινωνιών.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

«Χρόνος μεταγωγής συχνοτήτων» σημαίνει τον χρόνο (δηλαδή την καθυστέρηση) για την αλλαγή από τη μία συχνότητα λήψης στην άλλη ώστε να επιτευχθεί η τελική προσδιορισμένη συχνότητα λήψης είτε ακριβώς είτε με απόκλιση ± 0,05 %. Είδη με εύρος προσδιορισμένου φάσματος συχνοτήτων στενότερο από ± 0,05 % γύρω από την κεντρική τους συχνότητα ορίζονται ως στερούμενα δυνατότητας αλλαγής συχνότητας διαύλου.

| 6. | Που χρησιμοποιεί λειτουργίες ψηφιακής «επεξεργασίας σημάτων» για την παροχή εξόδου «κωδικοποίησης φωνής» με ρυθμό χαμηλότερο από 2 400 bits/s.


  Τεχνικές παρατηρήσεις:








  1. | Για κωδικοποίηση φωνής μεταβλητού ρυθμού, το 5A001.β.6 εφαρμόζεται στην έξοδο «κωδικοποίησης φωνής» συνεχούς ομιλίας. |
| --- | --- | --- |

6.

Που χρησιμοποιεί λειτουργίες ψηφιακής «επεξεργασίας σημάτων» για την παροχή εξόδου «κωδικοποίησης φωνής» με ρυθμό χαμηλότερο από 2 400 bits/s.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

1.

| 2. | Για τους σκοπούς του σημείου 5Α001.β.6., η «κωδικοποίηση φωνής» ορίζεται ως η τεχνική δειγματοληψίας της ανθρώπινης φωνής και η μετατροπή των δειγμάτων αυτών σε ψηφιακό σήμα, λαμβάνοντας υπόψη συγκεκριμένα χαρακτηριστικά της ανθρώπινης ομιλίας. |
| --- | --- |

2.

| γ. | Οπτικές ίνες μήκους άνω των 500 m που μπορούν σύμφωνα με τα στοιχεία του κατασκευαστή να αντέξουν «δοκιμές αντοχής» (tensile stress) της τάξεως των 2 × 109 N/m2 ή παραπάνω.


  ΣΗΜ.: Για υποβύχια καλώδια τροφοδοσίας, βλέπε σημείο 8A002.α.3



  Τεχνική παρατήρηση:


  «Δοκιμή αντοχής» (Proof test): δοκιμή επί της γραμμής παραγωγής, ή εκτός της γραμμής παραγωγής, όπου εφαρμόζεται μία προκαθορισμένη τάση επί ενός μήκους ίνας από 0,5 έως 3 m που κινείται με ταχύτητα 2 έως 5 m/s ενώ η ίνα περνάει ανάμεσα από άξονες περιστροφής της ίνας που έχουν διάμετρο περίπου 150 mm. Η θερμοκρασία περιβάλλοντος είναι ονομαστικά 293 K (20 °C) και η σχετική υγρασία είναι 40 %. Για την εκτέλεση της δοκιμής αντοχής μπορεί να χρησιμοποιηθούν ισοδύναμα εθνικά πρότυπα. |
| --- | --- |

γ.

Οπτικές ίνες μήκους άνω των 500 m που μπορούν σύμφωνα με τα στοιχεία του κατασκευαστή να αντέξουν «δοκιμές αντοχής» (tensile stress) της τάξεως των 2 × 109 N/m2 ή παραπάνω.

ΣΗΜ.: Για υποβύχια καλώδια τροφοδοσίας, βλέπε σημείο 8A002.α.3

Τεχνική παρατήρηση:

«Δοκιμή αντοχής» (Proof test): δοκιμή επί της γραμμής παραγωγής, ή εκτός της γραμμής παραγωγής, όπου εφαρμόζεται μία προκαθορισμένη τάση επί ενός μήκους ίνας από 0,5 έως 3 m που κινείται με ταχύτητα 2 έως 5 m/s ενώ η ίνα περνάει ανάμεσα από άξονες περιστροφής της ίνας που έχουν διάμετρο περίπου 150 mm. Η θερμοκρασία περιβάλλοντος είναι ονομαστικά 293 K (20 °C) και η σχετική υγρασία είναι 40 %. Για την εκτέλεση της δοκιμής αντοχής μπορεί να χρησιμοποιηθούν ισοδύναμα εθνικά πρότυπα.

| δ. | «Ηλεκτρονικά οδηγούμενες φασικά ελεγχόμενες στοιχειοκεραίες» συχνότητα άνω των 31,8 GHz.


  Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.δ. δεν υπάγονται οι «ηλεκτρονικά διευθυνόμενες φασικά ελεγχόμενες στοιχειοκεραίες» για συστήματα προσγείωσης που περιλαμβάνουν όργανα που συμμορφώνονται με τα πρότυπα του Διεθνούς Οργανισμού Πολιτικής Αεροπορίας (ICAO) που καλύπτουν μικροκυματικά συστήματα προσγείωσης (ΜLS). |
| --- | --- |

δ.

«Ηλεκτρονικά οδηγούμενες φασικά ελεγχόμενες στοιχειοκεραίες» συχνότητα άνω των 31,8 GHz.

Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.δ. δεν υπάγονται οι «ηλεκτρονικά διευθυνόμενες φασικά ελεγχόμενες στοιχειοκεραίες» για συστήματα προσγείωσης που περιλαμβάνουν όργανα που συμμορφώνονται με τα πρότυπα του Διεθνούς Οργανισμού Πολιτικής Αεροπορίας (ICAO) που καλύπτουν μικροκυματικά συστήματα προσγείωσης (ΜLS).

| ε. | Εξοπλισμός ραδιοκαθορισμού κατεύθυνσης που λειτουργεί σε συχνότητες άνω των 30 MHz και παρουσιάζει όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, και ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη του:






  1. | «Στιγμιαίο εύρος ζώνης» τουλάχιστον 10 MHz, και |
| --- | --- | --- |

ε.

Εξοπλισμός ραδιοκαθορισμού κατεύθυνσης που λειτουργεί σε συχνότητες άνω των 30 MHz και παρουσιάζει όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, και ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη του:

1.

«Στιγμιαίο εύρος ζώνης» τουλάχιστον 10 MHz, και

| 2. | Ικανός να εντοπίζει προσανατολισμό (LOB) μη συνεργαζόμενων ραδιοπομπών με διάρκεια σήματος μικρότερη του 1 ms. |
| --- | --- |

2.

Ικανός να εντοπίζει προσανατολισμό (LOB) μη συνεργαζόμενων ραδιοπομπών με διάρκεια σήματος μικρότερη του 1 ms.

| στ. | Εξοπλισμός υποκλοπών ή ηλεκτρονικών παρεμβολών κινητών τηλεπικοινωνιών και εξοπλισμός παρακολούθησής τους, ως ακολούθως, και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη αυτών:






  1. | Εξοπλισμός υποκλοπών σχεδιασμένος για την εξαγωγή φωνής ή δεδομένων, που μεταδίδονται διαμέσου της ραδιοδιεπαφής, |
| --- | --- | --- |

στ.

Εξοπλισμός υποκλοπών ή ηλεκτρονικών παρεμβολών κινητών τηλεπικοινωνιών και εξοπλισμός παρακολούθησής τους, ως ακολούθως, και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη αυτών:

1.

Εξοπλισμός υποκλοπών σχεδιασμένος για την εξαγωγή φωνής ή δεδομένων, που μεταδίδονται διαμέσου της ραδιοδιεπαφής,

| 2. | Εξοπλισμός υποκλοπών που δεν προσδιορίζεται στο σημείο 5A001.στ.1., σχεδιασμένος για την εξαγωγή κωδικών ταυτότητας συσκευών πελατών ή συνδρομητών (π.χ. IMSI, TIMSI ή IMEI), σηματοδότησης, ή άλλων μεταδεδομένων που μεταδίδονται διαμέσου της ραδιοδιεπαφής, |
| --- | --- |

2.

Εξοπλισμός υποκλοπών που δεν προσδιορίζεται στο σημείο 5A001.στ.1., σχεδιασμένος για την εξαγωγή κωδικών ταυτότητας συσκευών πελατών ή συνδρομητών (π.χ. IMSI, TIMSI ή IMEI), σηματοδότησης, ή άλλων μεταδεδομένων που μεταδίδονται διαμέσου της ραδιοδιεπαφής,

| 3. | Εξοπλισμός ηλεκτρονικών παρεμβολών ειδικά σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για τη σκόπιμη και επιλεκτική παρεμβολή, απαγόρευση, παρεμπόδιση, υποβάθμιση ή προσέλκυση κινητών τηλεπικοινωνιακών υπηρεσιών, που εκτελεί όλα τα ακόλουθα:






  α. | Προσομοίωση των λειτουργιών εξοπλισμού Δικτύου Ραδιοπρόσβασης (RAN), |
| --- | --- | --- |

3.

Εξοπλισμός ηλεκτρονικών παρεμβολών ειδικά σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για τη σκόπιμη και επιλεκτική παρεμβολή, απαγόρευση, παρεμπόδιση, υποβάθμιση ή προσέλκυση κινητών τηλεπικοινωνιακών υπηρεσιών, που εκτελεί όλα τα ακόλουθα:

α.

Προσομοίωση των λειτουργιών εξοπλισμού Δικτύου Ραδιοπρόσβασης (RAN),

| β. | Ανίχνευση και εκμετάλλευση συγκεκριμένων χαρακτηριστικών του χρησιμοποιούμενου πρωτοκόλλου κινητής τηλεπικοινωνίας (π.χ. GSM), ή |
| --- | --- |

β.

Ανίχνευση και εκμετάλλευση συγκεκριμένων χαρακτηριστικών του χρησιμοποιούμενου πρωτοκόλλου κινητής τηλεπικοινωνίας (π.χ. GSM), ή

| γ. | Εκμετάλλευση συγκεκριμένων χαρακτηριστικών του χρησιμοποιούμενου πρωτοκόλλου κινητής τηλεπικοινωνίας (π.χ. GSM). |
| --- | --- |

γ.

Εκμετάλλευση συγκεκριμένων χαρακτηριστικών του χρησιμοποιούμενου πρωτοκόλλου κινητής τηλεπικοινωνίας (π.χ. GSM).

| 4. | Εξοπλισμός παρακολούθησης ραδιοσυχνοτήτων σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για να αναγνωρίζει τη λειτουργία ειδών που προσδιορίζονται στα σημεία 5A001.στ.1., 5A001.στ.2. ή 5A001.στ.3., |
| --- | --- |

4.

Εξοπλισμός παρακολούθησης ραδιοσυχνοτήτων σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για να αναγνωρίζει τη λειτουργία ειδών που προσδιορίζονται στα σημεία 5A001.στ.1., 5A001.στ.2. ή 5A001.στ.3.,

Σημείωση: Στα σημεία 5Α001.ζ.1. και 5Α001.ζ.2.δεν υπάγονται τα εξής:

| α. | Εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος για την υποκλοπή αναλογικών ιδιωτικών κινητών ραδιοεπικοινωνιών (PMR), IEEE 802.11 WLAN, |
| --- | --- |

α.

Εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος για την υποκλοπή αναλογικών ιδιωτικών κινητών ραδιοεπικοινωνιών (PMR), IEEE 802.11 WLAN,

| β. | Εξοπλισμός σχεδιασμένος για φορείς εκμετάλλευσης δικτύων κινητών τηλεπικοινωνιών, ή |
| --- | --- |

β.

Εξοπλισμός σχεδιασμένος για φορείς εκμετάλλευσης δικτύων κινητών τηλεπικοινωνιών, ή

| γ. | Εξοπλισμός σχεδιασμένος για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» εξοπλισμού ή συστημάτων κινητών τηλεπικοινωνιών. |
| --- | --- |

γ.

Εξοπλισμός σχεδιασμένος για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» εξοπλισμού ή συστημάτων κινητών τηλεπικοινωνιών.

ΣΗΜ. 1: Βλέπε επίσης ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ.

ΣΗΜ. 2: Για ραδιοδέκτες, βλέπε το σημείο 5A001.β.5.

| ζ. | Παθητικά συνεκτικά συστήματα (PCL) ή εξοπλισμός εντοπισμού, ειδικά σχεδιασμένος για την ανίχνευση και παρακολούθηση κινητών αντικειμένων με τη μέτρηση των ανακλάσεων εκπομπών ραδιοσυχνοτήτων του περιβάλλοντος, παραγόμενων από πομπούς άλλους πλην ραντάρ.


  Τεχνική παρατήρηση:


  Στους άλλους πομπούς πλην ραντάρ περιλαμβάνονται οι πομποί ραδιοφωνίας και τηλεόρασης και οι σταθμοί βάσης κινητής τηλεφωνίας.



  Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.ζ. δεν υπάγονται τα εξής:








  α. | Ο ραδιοαστρονομικός εξοπλισμός, ή |
| --- | --- | --- |

ζ.

Παθητικά συνεκτικά συστήματα (PCL) ή εξοπλισμός εντοπισμού, ειδικά σχεδιασμένος για την ανίχνευση και παρακολούθηση κινητών αντικειμένων με τη μέτρηση των ανακλάσεων εκπομπών ραδιοσυχνοτήτων του περιβάλλοντος, παραγόμενων από πομπούς άλλους πλην ραντάρ.

Τεχνική παρατήρηση:

Στους άλλους πομπούς πλην ραντάρ περιλαμβάνονται οι πομποί ραδιοφωνίας και τηλεόρασης και οι σταθμοί βάσης κινητής τηλεφωνίας.

Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.ζ. δεν υπάγονται τα εξής:

α.

Ο ραδιοαστρονομικός εξοπλισμός, ή

| β. | Τα συστήματα και ο εξοπλισμός που χρειάζονται εκπομπές ραδιοκυμάτων από το στόχο. |
| --- | --- |

β.

Τα συστήματα και ο εξοπλισμός που χρειάζονται εκπομπές ραδιοκυμάτων από το στόχο.

| η. | Εξοπλισμός αντιμετώπισης αυτοσχέδιων εκρηκτικών μηχανισμών (IED) και σχετικός εξοπλισμός, ως ακολούθως:






  1. | Ηλεκτρονικός εξοπλισμός εκπομπής ραδιοσυχνοτήτων, που δεν προσδιορίζεται στο σημείο 5A001.στ., σχεδιασμένος ή τροποποιημένος με στόχο την πρόωρη ενεργοποίηση ή αποτροπή της ανάφλεξης αυτοσχέδιων εκρηκτικών μηχανισμών. |
| --- | --- | --- |

η.

Εξοπλισμός αντιμετώπισης αυτοσχέδιων εκρηκτικών μηχανισμών (IED) και σχετικός εξοπλισμός, ως ακολούθως:

1.

Ηλεκτρονικός εξοπλισμός εκπομπής ραδιοσυχνοτήτων, που δεν προσδιορίζεται στο σημείο 5A001.στ., σχεδιασμένος ή τροποποιημένος με στόχο την πρόωρη ενεργοποίηση ή αποτροπή της ανάφλεξης αυτοσχέδιων εκρηκτικών μηχανισμών.

| 2. | Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί τεχνικές σχεδιασμένες για να επιτρέπουν τη διενέργεια ραδιοεπικοινωνιών στους ίδιους διαύλους συχνοτήτων στους οποίους εκπέμπει συνεγκατεστημένος εξοπλισμός που προσδιορίζεται στο σημείο 5A001.η.1. |
| --- | --- |

2.

Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί τεχνικές σχεδιασμένες για να επιτρέπουν τη διενέργεια ραδιοεπικοινωνιών στους ίδιους διαύλους συχνοτήτων στους οποίους εκπέμπει συνεγκατεστημένος εξοπλισμός που προσδιορίζεται στο σημείο 5A001.η.1.

ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ.

| θ. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

θ.

Δεν χρησιμοποιείται,

| ι. | Συστήματα ή εξοπλισμός επιτήρησης επικοινωνιών δικτύων στο Πρωτόκολλο Διαδικτύου (IP), και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη τους, με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Που εκτελούν όλα τα ακόλουθα σε ένα δίκτυο κατηγορίας φορέων Πρωτοκόλλου Διαδικτύου (IP) (π.χ. δίκτυο κορμού IP εθνικού επιπέδου):






  α. | Ανάλυση στο επίπεδο εφαρμογών [π.χ. επίπεδο 7 του μοντέλου διασύνδεσης ανοιχτών συστημάτων (OSI) (ISO/IEC 7498-1)], |
| --- | --- | --- | --- |

ι.

Συστήματα ή εξοπλισμός επιτήρησης επικοινωνιών δικτύων στο Πρωτόκολλο Διαδικτύου (IP), και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη τους, με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Που εκτελούν όλα τα ακόλουθα σε ένα δίκτυο κατηγορίας φορέων Πρωτοκόλλου Διαδικτύου (IP) (π.χ. δίκτυο κορμού IP εθνικού επιπέδου):

α.

Ανάλυση στο επίπεδο εφαρμογών [π.χ. επίπεδο 7 του μοντέλου διασύνδεσης ανοιχτών συστημάτων (OSI) (ISO/IEC 7498-1)],

| β. | Εξαγωγή επιλεγμένων μεταδεδομένων και περιεχομένου εφαρμογών (π.χ. φωνή, βίντεο, μηνύματα, συνημμένα), και |
| --- | --- |

β.

Εξαγωγή επιλεγμένων μεταδεδομένων και περιεχομένου εφαρμογών (π.χ. φωνή, βίντεο, μηνύματα, συνημμένα), και

| γ. | Ευρετηρίαση των εξαγόμενων δεδομένων, και |
| --- | --- |

γ.

Ευρετηρίαση των εξαγόμενων δεδομένων, και

| 2. | Που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για να εκτελούν όλα τα ακόλουθα:






  α. | Εκτέλεση αναζητήσεων με βάση «βασικών επιλογέων», και |
| --- | --- | --- |

2.

Που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για να εκτελούν όλα τα ακόλουθα:

α.

Εκτέλεση αναζητήσεων με βάση «βασικών επιλογέων», και

| β. | Χαρτογράφηση του σχεσιακού δικτύου ενός ατόμου ή μιας ομάδας ατόμων. |
| --- | --- |

β.

Χαρτογράφηση του σχεσιακού δικτύου ενός ατόμου ή μιας ομάδας ατόμων.

Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.ι. δεν υπάγονται συστήματα ή εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένα για οποιαδήποτε από τις ακόλουθες χρήσεις:

| α. | Εμπορικούς σκοπούς, |
| --- | --- |

α.

Εμπορικούς σκοπούς,

| β. | Ποιότητα υπηρεσιών δικτύου (QoS), ή |
| --- | --- |

β.

Ποιότητα υπηρεσιών δικτύου (QoS), ή

| γ. | Ποιότητα εμπειρίας (QoE). |
| --- | --- |

γ.

Ποιότητα εμπειρίας (QoE).

Τεχνική παρατήρηση:

«Βασικοί επιλογείς» είναι δεδομένα ή σύνολα δεδομένων που σχετίζονται με ένα άτομο (π.χ. επώνυμο, όνομα, e-mail, οδός, αριθμός τηλεφώνου ή ομάδες στις οποίες ανήκει).

5A101

Εξοπλισμός τηλεμετρίας και τηλε-ελέγχου, συμπεριλαμβανομένου του εξοπλισμού εδάφους, σχεδιασμένος ή τροποποιήμενος για «βλήματα».

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 5A101, ως «βλήματα» νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων εναέριων οχημάτων με ακτίνα δράσης άνω των 300 km.

Σημείωση: Στο σημείο 5Α101 δεν υπάγεται ο εξοπλισμός:

| α. | Εξοπλισμός σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για επανδρωμένα αεροσκάφη ή δορυφόρους, |
| --- | --- |

α.

Εξοπλισμός σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για επανδρωμένα αεροσκάφη ή δορυφόρους,

| β. | Εξοπλισμός εδάφους, σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για χερσαίες ή θαλάσσιες εφαρμογές, |
| --- | --- |

β.

Εξοπλισμός εδάφους, σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για χερσαίες ή θαλάσσιες εφαρμογές,

| γ. | Εξοπλισμός σχεδιασμένος για εμπορικές, πολιτικές ή «Safety of Life» (π.χ. ακεραιότητα δεδομένων, ασφάλεια πτήσεων) υπηρεσίες GNSS. |
| --- | --- |

γ.

Εξοπλισμός σχεδιασμένος για εμπορικές, πολιτικές ή «Safety of Life» (π.χ. ακεραιότητα δεδομένων, ασφάλεια πτήσεων) υπηρεσίες GNSS.

5B1   Εξοπλισμός Δοκιμών, Ελέγχου και Παραγωγής

| 5B001 | Τηλεπικοινωνιακά συστήματα, εξοπλισμός ελέγχου και παραγωγής, δομικά στοιχεία και εξαρτήματα γι’ αυτά ως εξής:






  α. | Εξοπλισμός και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία ή εξαρτήματα για τον σκοπό αυτό τα οποία έχουν σχεδιαστεί ειδικά για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» του εξοπλισμού, των λειτουργιών ή των γνωρισμάτων που ορίζονται στο σημείο 5Α001.


  Σημείωση: Στο σημείο 5B001.α δεν υπάγονται οι εξοπλισμοί χαρακτηρισμού οπτικών ινών. |
| --- | --- | --- |

5B001

Τηλεπικοινωνιακά συστήματα, εξοπλισμός ελέγχου και παραγωγής, δομικά στοιχεία και εξαρτήματα γι’ αυτά ως εξής:

α.

Εξοπλισμός και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία ή εξαρτήματα για τον σκοπό αυτό τα οποία έχουν σχεδιαστεί ειδικά για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» του εξοπλισμού, των λειτουργιών ή των γνωρισμάτων που ορίζονται στο σημείο 5Α001.

Σημείωση: Στο σημείο 5B001.α δεν υπάγονται οι εξοπλισμοί χαρακτηρισμού οπτικών ινών.

| β. | Εξοπλισμός και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία ή εξαρτήματα για το σκοπό αυτό που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την ανάπτυξη οποιουδήποτε από τους ακόλουθους εξοπλισμούς μετάδοσης τηλεπικοινωνιών ή μεταγωγής:






  1. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- | --- |

β.

Εξοπλισμός και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία ή εξαρτήματα για το σκοπό αυτό που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την ανάπτυξη οποιουδήποτε από τους ακόλουθους εξοπλισμούς μετάδοσης τηλεπικοινωνιών ή μεταγωγής:

1.

Δεν χρησιμοποιείται,

| 2. | Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί «λέιζερ» και έχει ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Μήκος κύματος μετάδοσης άνω των 1 750 nm. |
| --- | --- | --- |

2.

Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί «λέιζερ» και έχει ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Μήκος κύματος μετάδοσης άνω των 1 750 nm.

| β. | Εκτελεί «οπτική ενίσχυση» με τη χρήση PDFFA, |
| --- | --- |

β.

Εκτελεί «οπτική ενίσχυση» με τη χρήση PDFFA,

| γ. | Χρησιμοποιεί τεχνικές συνεκτικής οπτικής μετάδοσης ή συνεκτικής οπτικής ενίσχυσης, ή



  Σημείωση: Στο σημείο 5B001.β.2.γ. υπάγεται εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος για την «ανάπτυξη» συστημάτων που χρησιμοποιούν οπτικό τοπικό ταλαντωτή στην πλευρά της λήψης για το συγχρονισμό με «λέιζερ»-φορέα.



  Τεχνική παρατήρηση:


  Για τους σκοπούς του σημείου 5B001.β.2.γ., οι τεχνικές αυτές περιλαμβάνουν ετερόδυνες ή ομοιόδυνες ή ενδόδυνες τεχνικές. |
| --- | --- |

γ.

Χρησιμοποιεί τεχνικές συνεκτικής οπτικής μετάδοσης ή συνεκτικής οπτικής ενίσχυσης, ή

Σημείωση: Στο σημείο 5B001.β.2.γ. υπάγεται εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος για την «ανάπτυξη» συστημάτων που χρησιμοποιούν οπτικό τοπικό ταλαντωτή στην πλευρά της λήψης για το συγχρονισμό με «λέιζερ»-φορέα.

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του σημείου 5B001.β.2.γ., οι τεχνικές αυτές περιλαμβάνουν ετερόδυνες ή ομοιόδυνες ή ενδόδυνες τεχνικές.

| δ. | Χρησιμοποιεί αναλογικές τεχνικές και έχει πλάτος ζώνης άνω των 2,5 GHz, ή



  Σημείωση: Στο σημείο 5B001.β.2.δ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την «ανάπτυξη» εμπορικών συστημάτων τηλεόρασης. |
| --- | --- |

δ.

Χρησιμοποιεί αναλογικές τεχνικές και έχει πλάτος ζώνης άνω των 2,5 GHz, ή

Σημείωση: Στο σημείο 5B001.β.2.δ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την «ανάπτυξη» εμπορικών συστημάτων τηλεόρασης.

| 3. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

3.

Δεν χρησιμοποιείται,

| 4. | Ασύρματος εξοπλισμός που χρησιμοποιεί τεχνικές τετραγωνικής διαμόρφωσης του πλάτους (QAM) πάνω από το επίπεδο 256. |
| --- | --- |

4.

Ασύρματος εξοπλισμός που χρησιμοποιεί τεχνικές τετραγωνικής διαμόρφωσης του πλάτους (QAM) πάνω από το επίπεδο 256.

| 5. | Δεν χρησιμοποιείται. |
| --- | --- |

5.

Δεν χρησιμοποιείται.

5C1   Υλικά

Ουδέν

5D1   Λογισμικό

| 5D001 | «Λογισμικό» ως εξής:






  α. | «Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» ή «χρήση» εξοπλισμού, λειτουργιών ή γνωρισμάτων που καθορίζονται στο σημείο 5Α001. |
| --- | --- | --- |

5D001

«Λογισμικό» ως εξής:

α.

«Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» ή «χρήση» εξοπλισμού, λειτουργιών ή γνωρισμάτων που καθορίζονται στο σημείο 5Α001.

| β. | «Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί ώστε να μπορεί να χρησιμοποιηθεί με «τεχνολογία» που καθορίζεται στο σημείο 5Ε001. |
| --- | --- |

β.

«Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί ώστε να μπορεί να χρησιμοποιηθεί με «τεχνολογία» που καθορίζεται στο σημείο 5Ε001.

| γ. | Ειδικό «λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί ώστε να παρέχει τα χαρακτηριστικά, τις λειτουργίες ή τα γνωρίσματα του εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 5Α001 ή 5Β001. |
| --- | --- |

γ.

Ειδικό «λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί ώστε να παρέχει τα χαρακτηριστικά, τις λειτουργίες ή τα γνωρίσματα του εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 5Α001 ή 5Β001.

| δ. | «Λογισμικό» ειδικά συνδυασμένο ή τροποποιημένο για την «ανάπτυξη» κάθε είδους από τους ακόλουθους εξοπλισμούς μετάδοσης τηλεπικοινωνιών ή μεταγωγής:






  1. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- | --- |

δ.

«Λογισμικό» ειδικά συνδυασμένο ή τροποποιημένο για την «ανάπτυξη» κάθε είδους από τους ακόλουθους εξοπλισμούς μετάδοσης τηλεπικοινωνιών ή μεταγωγής:

1.

Δεν χρησιμοποιείται,

| 2. | Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί «λέιζερ» και έχει ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Μήκος κύματος μετάδοσης άνω των 1 750 nm, ή |
| --- | --- | --- |

2.

Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί «λέιζερ» και έχει ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Μήκος κύματος μετάδοσης άνω των 1 750 nm, ή

| β. | Χρησιμοποιεί αναλογικές τεχνικές και έχει πλάτος ζώνης άνω των 2,5 GHz, ή



  Σημείωση: Στο σημείο 5D001.δ.2.β. δεν ελέγχεται το «λογισμικό» έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την «ανάπτυξη» εμπορικών συστημάτων τηλεόρασης. |
| --- | --- |

β.

Χρησιμοποιεί αναλογικές τεχνικές και έχει πλάτος ζώνης άνω των 2,5 GHz, ή

Σημείωση: Στο σημείο 5D001.δ.2.β. δεν ελέγχεται το «λογισμικό» έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την «ανάπτυξη» εμπορικών συστημάτων τηλεόρασης.

| 3. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

3.

Δεν χρησιμοποιείται,

| 4. | Ασύρματος εξοπλισμός που χρησιμοποιεί τεχνικές τετραγωνικής διαμόρφωσης του πλάτους (QAM) πάνω από το επίπεδο 256. |
| --- | --- |

4.

Ασύρματος εξοπλισμός που χρησιμοποιεί τεχνικές τετραγωνικής διαμόρφωσης του πλάτους (QAM) πάνω από το επίπεδο 256.

5D101

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για «χρήση» σε εξοπλισμό προσδιοριζόμενο στο 5Α101.

5E1   Τεχνολογία

| 5E001 | «Τεχνολογία» ως εξής:






  α. | «Τεχνολογία» σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» ή «χρήση» (εκτός της λειτουργίας) εξοπλισμού, λειτουργιών ή γνωρισμάτων υλικών που καθορίζονται στο σημείο 5Α001 ή «λογισμικού» που καθορίζεται στο σημείο 5D001.α. |
| --- | --- | --- |

5E001

«Τεχνολογία» ως εξής:

α.

«Τεχνολογία» σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» ή «χρήση» (εκτός της λειτουργίας) εξοπλισμού, λειτουργιών ή γνωρισμάτων υλικών που καθορίζονται στο σημείο 5Α001 ή «λογισμικού» που καθορίζεται στο σημείο 5D001.α.

| β. | Επί μέρους «τεχνολογίες» ως εξής:






  1. | «Τεχνολογία» που «απαιτείται» για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» τηλεπικονωνιακού εξοπλισμού που έχει ειδικά σχεδιαστεί για να χρησιμοποιείται επί των δορυφόρων. |
| --- | --- | --- |

β.

Επί μέρους «τεχνολογίες» ως εξής:

1.

«Τεχνολογία» που «απαιτείται» για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» τηλεπικονωνιακού εξοπλισμού που έχει ειδικά σχεδιαστεί για να χρησιμοποιείται επί των δορυφόρων.

| 2. | «Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή «χρήση» τεχνικών μεθόδων επικοινωνίας μέσω «λέιζερ» με τη δυνατότητα της αυτόματης σύλληψης και παρακολούθησης σημάτων καθώς και με τη δυνατότητα να διατηρεί επικοινωνίες διαμέσου της εξωτερικής ατμόσφαιρας της γης ή υποβρυχίως. |
| --- | --- |

2.

«Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή «χρήση» τεχνικών μεθόδων επικοινωνίας μέσω «λέιζερ» με τη δυνατότητα της αυτόματης σύλληψης και παρακολούθησης σημάτων καθώς και με τη δυνατότητα να διατηρεί επικοινωνίες διαμέσου της εξωτερικής ατμόσφαιρας της γης ή υποβρυχίως.

| 3. | «Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ψηφιακού εξοπλισμού σταθμού βάσης για τη λήψη κυψελωτών επικοινωνιών του οποίου οι ικανότητες λήψης που επιτρέπουν τη λειτουργία βάσει πολλαπλών ζωνών, πολλαπλών διαύλων, πολλαπλών τρόπων, πολλαπλών αλγορίθμων κωδικοποίησης ή πολλαπλών πρωτοκόλλων μπορούν να τροποποιούνται με αλλαγή του «λογισμικού». |
| --- | --- |

3.

«Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ψηφιακού εξοπλισμού σταθμού βάσης για τη λήψη κυψελωτών επικοινωνιών του οποίου οι ικανότητες λήψης που επιτρέπουν τη λειτουργία βάσει πολλαπλών ζωνών, πολλαπλών διαύλων, πολλαπλών τρόπων, πολλαπλών αλγορίθμων κωδικοποίησης ή πολλαπλών πρωτοκόλλων μπορούν να τροποποιούνται με αλλαγή του «λογισμικού».

| 4. | «Τεχνολογία» για την ανάπτυξη τεχνικών «διασκορπισμένου φάσματος», όπως π.χ. τεχνικών «μεταπήδησης συχνοτήτων» (frequency hopping).


  Σημείωση: Στο σημείο 5E001.β.4. δεν υπάγεται η «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» οιουδήποτε των ακολούθων:








  α. | Συστήματα κυψελωτών επικοινωνιών για μη στρατιωτική χρήση, ή |
| --- | --- | --- |

4.

«Τεχνολογία» για την ανάπτυξη τεχνικών «διασκορπισμένου φάσματος», όπως π.χ. τεχνικών «μεταπήδησης συχνοτήτων» (frequency hopping).

Σημείωση: Στο σημείο 5E001.β.4. δεν υπάγεται η «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» οιουδήποτε των ακολούθων:

α.

Συστήματα κυψελωτών επικοινωνιών για μη στρατιωτική χρήση, ή

| β. | Σταθεροί ή κινητοί επίγειοι δορυφορικοί σταθμοί για εμπορικές τηλεπικοινωνίες για μη στρατιωτική χρήση. |
| --- | --- |

β.

Σταθεροί ή κινητοί επίγειοι δορυφορικοί σταθμοί για εμπορικές τηλεπικοινωνίες για μη στρατιωτική χρήση.

| γ. | «Τεχνολογία» σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» οποιουδήποτε από τα παρακάτω:






  1. | Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί ψηφιακές τεχνικές και που έχει σχεδιαστεί για να λειτουργεί με συνολική ψηφιακή ταχύτητα μεταφοράς που υπερβαίνει τα 120 Gbit/s.


  Τεχνική παρατήρηση:


  Για τον τηλεπικοινωνιακό εξοπλισμό μεταγωγής, ως «συνολική ψηφιακή ταχύτητα μεταφοράς» νοείται η μονόδρομη ταχύτητα μιας και μόνης διεπαφής, μετρούμενη στη θύρα ή τη γραμμή με τη μεγαλύτερη ταχύτητα. |
| --- | --- | --- |

γ.

«Τεχνολογία» σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» οποιουδήποτε από τα παρακάτω:

1.

Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί ψηφιακές τεχνικές και που έχει σχεδιαστεί για να λειτουργεί με συνολική ψηφιακή ταχύτητα μεταφοράς που υπερβαίνει τα 120 Gbit/s.

Τεχνική παρατήρηση:

Για τον τηλεπικοινωνιακό εξοπλισμό μεταγωγής, ως «συνολική ψηφιακή ταχύτητα μεταφοράς» νοείται η μονόδρομη ταχύτητα μιας και μόνης διεπαφής, μετρούμενη στη θύρα ή τη γραμμή με τη μεγαλύτερη ταχύτητα.

| 2. | Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί «λέιζερ» και έχει ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Μήκος κύματος μετάδοσης άνω των 1 750 nm. |
| --- | --- | --- |

2.

Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί «λέιζερ» και έχει ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Μήκος κύματος μετάδοσης άνω των 1 750 nm.

| β. | Εκτελεί «οπτική ενίσχυση» με τη χρήση ενισχυτών PDFFA. |
| --- | --- |

β.

Εκτελεί «οπτική ενίσχυση» με τη χρήση ενισχυτών PDFFA.

| γ. | Χρησιμοποιεί τεχνικές συνεκτικής οπτικής μετάδοσης ή συνεκτικής οπτικής ενίσχυσης,


  Σημείωση: Στο σημείο 5E001.γ.2.γ. υπάγεται «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» συστημάτων που χρησιμοποιούν οπτικό τοπικό ταλαντωτή στην πλευρά της λήψης για το συγχρονισμό με «λέιζερ»-φορέα.



  Τεχνική παρατήρηση:


  Για τους σκοπούς του σημείου5E001.γ.2.γ., οι τεχνικές αυτές περιλαμβάνουν ετερόδυνες ή ομοιόδυνες ή ενδόδυνες τεχνικές. |
| --- | --- |

γ.

Χρησιμοποιεί τεχνικές συνεκτικής οπτικής μετάδοσης ή συνεκτικής οπτικής ενίσχυσης,

Σημείωση: Στο σημείο 5E001.γ.2.γ. υπάγεται «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» συστημάτων που χρησιμοποιούν οπτικό τοπικό ταλαντωτή στην πλευρά της λήψης για το συγχρονισμό με «λέιζερ»-φορέα.

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του σημείου5E001.γ.2.γ., οι τεχνικές αυτές περιλαμβάνουν ετερόδυνες ή ομοιόδυνες ή ενδόδυνες τεχνικές.

| δ. | Χρησιμοποιεί τεχνικές «multiplexing» - πολύπλεξης οπτικών φερουσών σε διάστημα μικρότερο των 100 GHz, ή |
| --- | --- |

δ.

Χρησιμοποιεί τεχνικές «multiplexing» - πολύπλεξης οπτικών φερουσών σε διάστημα μικρότερο των 100 GHz, ή

| ε. | Χρησιμοποιεί αναλογικές τεχνικές και έχει πλάτος ζώνης άνω των 2,5 GHz.


  Σημείωση: Στο σημείο 5Ε001.γ.2.ε. δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» εμπορικών συστημάτων τηλεόρασης. |
| --- | --- |

ε.

Χρησιμοποιεί αναλογικές τεχνικές και έχει πλάτος ζώνης άνω των 2,5 GHz.

Σημείωση: Στο σημείο 5Ε001.γ.2.ε. δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» εμπορικών συστημάτων τηλεόρασης.

ΣΗΜ.: Για την «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» μη τηλεπικονωνιακού εξοπλισμού με χρήση λέιζερ, βλέπε 6E.

| 3. | Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί «οπτική μεταγωγή» και έχει χρόνο μεταγωγής κάτω του 1 μs. |
| --- | --- |

3.

Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί «οπτική μεταγωγή» και έχει χρόνο μεταγωγής κάτω του 1 μs.

| 4. | Ραδιοφωνικός εξοπλισμός με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Τεχνικές «Quadrature-amplitude-modulation - τετραγωνικής διαμόρφωσης του πλάτους» (QAM) πάνω από το επίπεδο 256, |
| --- | --- | --- |

4.

Ραδιοφωνικός εξοπλισμός με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Τεχνικές «Quadrature-amplitude-modulation - τετραγωνικής διαμόρφωσης του πλάτους» (QAM) πάνω από το επίπεδο 256,

| β. | Που λειτουργεί με συχνότητες εισόδου ή εξόδου άνω των 31,8 GHz, ή



  Σημείωση: Στο σημείο 5Ε001.γ.4.β. δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» εξοπλισμού που έχει σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για λειτουργία σε οποιαδήποτε ζώνη συχνοτήτων που «διατίθεται από την ITU», για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό. |
| --- | --- |

β.

Που λειτουργεί με συχνότητες εισόδου ή εξόδου άνω των 31,8 GHz, ή

Σημείωση: Στο σημείο 5Ε001.γ.4.β. δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» εξοπλισμού που έχει σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για λειτουργία σε οποιαδήποτε ζώνη συχνοτήτων που «διατίθεται από την ITU», για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.

| γ. | Που λειτουργούν στη ζώνη συχνοτήτων 1,5 MHz έως 87,5 MHz και έχουν ενσωματωμένες προσαρμοστικές τεχνικές μεθόδους που επιτρέπουν άνω των 15 dB εξάλειψη παρεμβαλλόμενου σήματος, ή |
| --- | --- |

γ.

Που λειτουργούν στη ζώνη συχνοτήτων 1,5 MHz έως 87,5 MHz και έχουν ενσωματωμένες προσαρμοστικές τεχνικές μεθόδους που επιτρέπουν άνω των 15 dB εξάλειψη παρεμβαλλόμενου σήματος, ή

| 5. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

5.

Δεν χρησιμοποιείται,

| 6. | Εξοπλισμός κινητής τηλεφωνίας που παρουσιάζει όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Λειτουργεί σε οπτικό μήκος κύματος από 200 nm έως 400 nm, και |
| --- | --- | --- |

6.

Εξοπλισμός κινητής τηλεφωνίας που παρουσιάζει όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Λειτουργεί σε οπτικό μήκος κύματος από 200 nm έως 400 nm, και

| β. | Λειτουργεί ως «τοπικό δίκτυο». |
| --- | --- |

β.

Λειτουργεί ως «τοπικό δίκτυο».

| δ. | «Τεχνολογία» σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» ενισχυτών ισχύος με μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων (MMIC) ειδικά σχεδιασμένων για τηλεπικοινωνίες και που είναι οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:


  Τεχνική παρατήρηση:


  Για τους σκοπούς του σημείου 5E001.δ., η κορεσμένη ισχύς εξόδου κορυφής παραμέτρων μπορεί να αναφερθεί επίσης στα φύλλα δεδομένων των προϊόντων ως ισχύς εξόδου, κορεσμένη ισχύς εξόδου, μέγιστη κορεσμένη ισχύς εξόδου, ισχύς εξόδου κορυφής, ή ισχύς εξόδου περιβάλλουσας κορυφής.







  1. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 2,7 GHz έως και 6,8 GHz, «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 15 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 75 W (48,75 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,7 GHz έως και 2,9 GHz, |
| --- | --- | --- | --- |

δ.

«Τεχνολογία» σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» ενισχυτών ισχύος με μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων (MMIC) ειδικά σχεδιασμένων για τηλεπικοινωνίες και που είναι οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του σημείου 5E001.δ., η κορεσμένη ισχύς εξόδου κορυφής παραμέτρων μπορεί να αναφερθεί επίσης στα φύλλα δεδομένων των προϊόντων ως ισχύς εξόδου, κορεσμένη ισχύς εξόδου, μέγιστη κορεσμένη ισχύς εξόδου, ισχύς εξόδου κορυφής, ή ισχύς εξόδου περιβάλλουσας κορυφής.

1.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 2,7 GHz έως και 6,8 GHz, «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 15 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 75 W (48,75 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,7 GHz έως και 2,9 GHz,

| β. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 55 W (47,4 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,9 GHz έως και 3,2 GHz, |
| --- | --- |

β.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 55 W (47,4 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,9 GHz έως και 3,2 GHz,

| γ. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 40 W (46 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,2 GHz έως και 3,7 GHz, ή |
| --- | --- |

γ.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 40 W (46 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,2 GHz έως και 3,7 GHz, ή

| δ. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 20 W (43 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,7 GHz έως και 6,8 GHz, |
| --- | --- |

δ.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 20 W (43 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,7 GHz έως και 6,8 GHz,

| 2. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz έως και 16 GHz, «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 10 W (40 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 6,8 GHz έως και 8,5 GHz, ή |
| --- | --- | --- |

2.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz έως και 16 GHz, «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 10 W (40 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 6,8 GHz έως και 8,5 GHz, ή

| β. | Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 5 W (37 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 8,5 GHz έως και 16 GHz, |
| --- | --- |

β.

Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 5 W (37 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 8,5 GHz έως και 16 GHz,

| 3. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 3 GHz (34,77 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 16 GHz έως και 31,8 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %, |
| --- | --- |

3.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 3 GHz (34,77 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 16 GHz έως και 31,8 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,

| 4. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 W (-70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 31,8 GHz έως και 37 GHz, |
| --- | --- |

4.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 W (-70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 31,8 GHz έως και 37 GHz,

| 5. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 1 GHz (30 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 37 GHz έως και 43,5 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %, |
| --- | --- |

5.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 1 GHz (30 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 37 GHz έως και 43,5 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,

| 6. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 31,62 GHz (15 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 43,5 GHz έως και 75 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %, |
| --- | --- |

6.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 31,62 GHz (15 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 43,5 GHz έως και 75 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,

| 7. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 10 GHz (10 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 75 GHz έως και 90 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 5 %, ή |
| --- | --- |

7.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 10 GHz (10 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 75 GHz έως και 90 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 5 %, ή

| 8. | Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 W (-70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 90 GHz, |
| --- | --- |

8.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 W (-70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 90 GHz,

| ε. | «Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» ηλεκτρονικών συσκευών και κυκλωμάτων ειδικά σχεδιασμένων για τηλεπικοινωνίες που περιέχουν δομικά στοιχεία κατασκευασμένα από «υπεραγώγιμα» υλικά, ειδικά σχεδιασμένα για λειτουργία σε θερμοκρασίες κάτω από την «κρίσιμη θερμοκρασία» τουλάχιστον ενός από τα «υπεραγώγιμα» συστατικά υλικά και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Μεταγωγή ρεύματος για ψηφιακά κυκλώματα όπου χρησιμοποιούνται «υπεραγώγιμες» πύλες με γινόμενο μεταξύ του χρόνου καθυστέρησης ανά πύλη (που εκφράζεται σε δευτερόλεπτα) και της κατανάλωσης ισχύος ανά πύλη (που εκφράζεται σε W) και το οποίο είναι λιγότερο από 10-14 J, ή |
| --- | --- | --- |

ε.

«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» ηλεκτρονικών συσκευών και κυκλωμάτων ειδικά σχεδιασμένων για τηλεπικοινωνίες που περιέχουν δομικά στοιχεία κατασκευασμένα από «υπεραγώγιμα» υλικά, ειδικά σχεδιασμένα για λειτουργία σε θερμοκρασίες κάτω από την «κρίσιμη θερμοκρασία» τουλάχιστον ενός από τα «υπεραγώγιμα» συστατικά υλικά και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Μεταγωγή ρεύματος για ψηφιακά κυκλώματα όπου χρησιμοποιούνται «υπεραγώγιμες» πύλες με γινόμενο μεταξύ του χρόνου καθυστέρησης ανά πύλη (που εκφράζεται σε δευτερόλεπτα) και της κατανάλωσης ισχύος ανά πύλη (που εκφράζεται σε W) και το οποίο είναι λιγότερο από 10-14 J, ή

| 2. | Επιλογή συχνοτήτων σε όλες τις συχνότητες με τη χρήση συντονισμένων κυκλωμάτων με τιμές Q άνω των 10 000. |
| --- | --- |

2.

Επιλογή συχνοτήτων σε όλες τις συχνότητες με τη χρήση συντονισμένων κυκλωμάτων με τιμές Q άνω των 10 000.

5Ε101

«Τεχνολογία» σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» ή «χρήση» εξοπλισμού που καθορίζεται στο σημείο 5Α101.

ΜΕΡΟΣ 2 — «ΑΣΦΑΛΕΙΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΩΝ»

Σημείωση 1: Η διαβάθμιση ελέγχου εξοπλισμού «ασφάλειας πληροφοριών», συστημάτων, «ηλεκτρονικών συναρμολογήσεων» που έχουν αναπτυχθεί ειδικά για εφαρμογές, ενοτήτων (modules) ολοκληρωμένων κυκλωμάτων, δομικών στοιχείων ή λειτουργιών καθορίζεται στην Κατηγορία 5, Μέρος 2, ακόμη και αν αυτά αποτελούν δομικά στοιχεία ή «ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις» ετέρου εξοπλισμού.

Σημείωση 2: Στην Κατηγορία 5 - Μέρος 2 δεν υπάγονται τα προϊόντα όταν συνοδεύουν το χρήστη για την προσωπική του χρήση.

Σημείωση 3: Σημείωση για την κρυπτογράφηση

Στα σημεία 5A002 και 5D002 δεν υπάγονται τα ακόλουθα είδη:

| α. | Είδη που πληρούν όλα τα ακόλουθα:








  1. | Είναι γενικά διαθέσιμα στο κοινό μέσω πώλησης χωρίς περιορισμούς, από απόθεμα σε σημεία λιανικής πώλησης με κάποιον από τους ακόλουθους τρόπους:








  α. | Συνήθων συναλλαγών, |
| --- | --- | --- | --- |

α.

Είδη που πληρούν όλα τα ακόλουθα:

1.

Είναι γενικά διαθέσιμα στο κοινό μέσω πώλησης χωρίς περιορισμούς, από απόθεμα σε σημεία λιανικής πώλησης με κάποιον από τους ακόλουθους τρόπους:

α.

Συνήθων συναλλαγών,

| β. | Ταχυδρομικών παραγγελιών· |
| --- | --- |

β.

Ταχυδρομικών παραγγελιών·

| γ. | Ηλεκτρονικών συναλλαγών, ή |
| --- | --- |

γ.

Ηλεκτρονικών συναλλαγών, ή

| δ. | Πώληση μέσω τηλεφώνου. |
| --- | --- |

δ.

Πώληση μέσω τηλεφώνου.

| 2. | Η κρυπτογραφική λειτουργικότητά τους δεν μπορεί εύκολα να μεταβληθεί από τον χρήστη. |
| --- | --- |

2.

Η κρυπτογραφική λειτουργικότητά τους δεν μπορεί εύκολα να μεταβληθεί από τον χρήστη.

| 3. | Έχουν σχεδιαστεί κατά τρόπο που να επιτρέπει την εγκατάστασή τους από τον χρήστη χωρίς σημαντική περαιτέρω βοήθεια από τον προμηθευτή, και |
| --- | --- |

3.

Έχουν σχεδιαστεί κατά τρόπο που να επιτρέπει την εγκατάστασή τους από τον χρήστη χωρίς σημαντική περαιτέρω βοήθεια από τον προμηθευτή, και

| 4. | Όταν απαιτείται, οι λεπτομέρειες για τα αγαθά αυτά είναι προσιτές και μπορούν να παρασχεθούν κατόπιν αιτήσεως στις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους όπου είναι εγκατεστημένος ο εξαγωγέας ώστε να εξακριβωθεί η συμμόρφωση με τους όρους που περιγράφονται στις παραγράφους 1. έως 3. παραπάνω. |
| --- | --- |

4.

Όταν απαιτείται, οι λεπτομέρειες για τα αγαθά αυτά είναι προσιτές και μπορούν να παρασχεθούν κατόπιν αιτήσεως στις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους όπου είναι εγκατεστημένος ο εξαγωγέας ώστε να εξακριβωθεί η συμμόρφωση με τους όρους που περιγράφονται στις παραγράφους 1. έως 3. παραπάνω.

| β. | Δομικά στοιχεία υλισμικού ή «εκτελέσιμο λογισμικό» υφιστάμενων ειδών που περιγράφονται στην παράγραφο α. της παρούσας σημείωσης, τα οποία έχουν σχεδιαστεί για αυτά τα υφιστάμενα είδη και πληρούν όλα τα ακόλουθα:








  1. | Η «ασφάλεια πληροφοριών» δεν είναι η πρωτεύουσα λειτουργία ή το πρωτεύον σύνολο λειτουργιών του δομικού στοιχείου ή του «εκτελέσιμου λογισμικού». |
| --- | --- | --- |

β.

Δομικά στοιχεία υλισμικού ή «εκτελέσιμο λογισμικό» υφιστάμενων ειδών που περιγράφονται στην παράγραφο α. της παρούσας σημείωσης, τα οποία έχουν σχεδιαστεί για αυτά τα υφιστάμενα είδη και πληρούν όλα τα ακόλουθα:

1.

Η «ασφάλεια πληροφοριών» δεν είναι η πρωτεύουσα λειτουργία ή το πρωτεύον σύνολο λειτουργιών του δομικού στοιχείου ή του «εκτελέσιμου λογισμικού».

| 2. | Το δομικό στοιχείο ή το «εκτελέσιμο λογισμικό» δεν αλλάζει οποιαδήποτε λειτουργικότητα κρυπτογράφησης των υφιστάμενων ειδών ούτε προσθέτει νέα λειτουργικότητα κρυπτογράφησης στα υφιστάμενα είδη, |
| --- | --- |

2.

Το δομικό στοιχείο ή το «εκτελέσιμο λογισμικό» δεν αλλάζει οποιαδήποτε λειτουργικότητα κρυπτογράφησης των υφιστάμενων ειδών ούτε προσθέτει νέα λειτουργικότητα κρυπτογράφησης στα υφιστάμενα είδη,

| 3. | Το σύνολο χαρακτηριστικών του δομικού στοιχείου ή του «εκτελέσιμου λογισμικού» είναι σταθερό και δεν σχεδιάζεται ούτε τροποποιείται ανάλογα με τις προδιαγραφές του πελάτη, και |
| --- | --- |

3.

Το σύνολο χαρακτηριστικών του δομικού στοιχείου ή του «εκτελέσιμου λογισμικού» είναι σταθερό και δεν σχεδιάζεται ούτε τροποποιείται ανάλογα με τις προδιαγραφές του πελάτη, και

| 4. | Όταν απαιτείται κατά πώς ορίζουν οι αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους στο οποίο είναι εγκατεστημένος ο εξαγωγέας, λεπτομέρειες για το δομικό στοιχείο ή το «εκτελέσιμο λογισμικό» και λεπτομέρειες για τα σχετικά τελικά είδη είναι προσιτές και παρέχονται κατόπιν αιτήσεως στις αρμόδιες αρχές ώστε να εξακριβωθεί η συμμόρφωση με τους όρους που περιγράφονται ανωτέρω. |
| --- | --- |

4.

Όταν απαιτείται κατά πώς ορίζουν οι αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους στο οποίο είναι εγκατεστημένος ο εξαγωγέας, λεπτομέρειες για το δομικό στοιχείο ή το «εκτελέσιμο λογισμικό» και λεπτομέρειες για τα σχετικά τελικά είδη είναι προσιτές και παρέχονται κατόπιν αιτήσεως στις αρμόδιες αρχές ώστε να εξακριβωθεί η συμμόρφωση με τους όρους που περιγράφονται ανωτέρω.

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς της σημείωσης για την κρυπτογράφηση, «εκτελέσιμο λογισμικό» σημαίνει «λογισμικό» σε εκτελέσιμη μορφή, από υφιστάμενο στοιχείο υλισμικού που εξαιρέθηκε από το σημείο 5A002 δυνάμει της σημείωσης για την κρυπτογράφηση.

Σημείωση: Το «εκτελέσιμο λογισμικό» δεν περιλαμβάνει πλήρεις δυαδικές εικόνες του «λογισμικού» που λειτουργεί σε ένα τελικό είδος.

Σημείωση για την κρυπτογράφηση

| 1. | Ώστε να εκπληρώνεται η παράγραφος α. της σημείωσης 3, πρέπει να ισχύουν όλα τα ακόλουθα:







  α. | Το είδος παρουσιάζει ενδεχομένως ενδιαφέρον για μεγάλη ποικιλία ατόμων και επιχειρήσεων, και |
| --- | --- | --- |

1.

α.

Το είδος παρουσιάζει ενδεχομένως ενδιαφέρον για μεγάλη ποικιλία ατόμων και επιχειρήσεων, και

| β. | Η τιμή και οι πληροφορίες σχετικά με την κύρια λειτουργικότητα του είδους είναι διαθέσιμες πριν από την αγορά χωρίς να χρειάζεται να επικοινωνήσει κανείς με τον πωλητή ή τον προμηθευτή. |
| --- | --- |

β.

Η τιμή και οι πληροφορίες σχετικά με την κύρια λειτουργικότητα του είδους είναι διαθέσιμες πριν από την αγορά χωρίς να χρειάζεται να επικοινωνήσει κανείς με τον πωλητή ή τον προμηθευτή.

| 2. | Για τον καθορισμό της επιλεξιμότητας βάσει της παραγράφου α. της σημείωσης 3, οι αρμόδιες αρχές δύνανται να λάβουν υπόψη σχετικούς παράγοντες όπως η ποσότητα, η τιμή, οι απαιτούμενες τεχνικές δεξιότητες, οι υπάρχοντες δίαυλοι πωλήσεων, οι συνήθεις πελάτες, η συνήθης χρήση ή οποιεσδήποτε πρακτικές αποκλεισμού που εφαρμόζει ο προμηθευτής. |
| --- | --- |

2.

Σημείωση 4: Στο Μέρος 2 της Κατηγορίας 5 δεν υπάγονται τα αγαθά όπου ενσωματώνεται ή χρησιμοποιείται «κρυπτογραφία», εφόσον ανταποκρίνονται σε όλες τις παρακάτω απαιτήσεις:

| α. | Η κύρια λειτουργία ή ομάδα λειτουργιών δεν είναι μία από τις εξής:








  1. | «ασφάλεια πληροφοριών», |
| --- | --- | --- |

α.

Η κύρια λειτουργία ή ομάδα λειτουργιών δεν είναι μία από τις εξής:

1.

«ασφάλεια πληροφοριών»,

| 2. | Υπολογιστής, συμπεριλαμβανομένων των λειτουργικών συστημάτων και των ανταλλακτικών και κατασκευαστικών του στοιχείων, |
| --- | --- |

2.

Υπολογιστής, συμπεριλαμβανομένων των λειτουργικών συστημάτων και των ανταλλακτικών και κατασκευαστικών του στοιχείων,

| 3. | Αποστολή, λήψη ή αποθήκευση πληροφοριών (εκτός προς υποστήριξη δραστηριοτήτων αναψυχής, μαζικών εμπορικών εκπομπών, διαχείρισης ψηφιακών δικαιωμάτων ή διαχείρισης ιατρικών φακέλων), ή |
| --- | --- |

3.

Αποστολή, λήψη ή αποθήκευση πληροφοριών (εκτός προς υποστήριξη δραστηριοτήτων αναψυχής, μαζικών εμπορικών εκπομπών, διαχείρισης ψηφιακών δικαιωμάτων ή διαχείρισης ιατρικών φακέλων), ή

| 4. | Δικτυακές λειτουργίες (συμπεριλαμβανομένης της λειτουργίας, της διαχείρισης, της συντήρησης και της παροχής νέων υπηρεσιών), |
| --- | --- |

4.

Δικτυακές λειτουργίες (συμπεριλαμβανομένης της λειτουργίας, της διαχείρισης, της συντήρησης και της παροχής νέων υπηρεσιών),

| β. | Η κρυπτογραφική λειτουργικότητα περιορίζεται στην υποστήριξη της κύριας λειτουργίας ή ομάδας λειτουργιών, και |
| --- | --- |

β.

Η κρυπτογραφική λειτουργικότητα περιορίζεται στην υποστήριξη της κύριας λειτουργίας ή ομάδας λειτουργιών, και

| γ. | Όταν απαιτείται, οι λεπτομέρειες για τα αγαθά αυτά είναι προσιτές και μπορούν να παρασχεθούν κατόπιν αιτήσεως στις αρμόδιες αρχές της χώρας του εξαγωγέα ώστε να εξακριβωθεί η συμμόρφωση με τους όρους που περιγράφονται στις παραγράφους α. και γ. παραπάνω. |
| --- | --- |

γ.

Όταν απαιτείται, οι λεπτομέρειες για τα αγαθά αυτά είναι προσιτές και μπορούν να παρασχεθούν κατόπιν αιτήσεως στις αρμόδιες αρχές της χώρας του εξαγωγέα ώστε να εξακριβωθεί η συμμόρφωση με τους όρους που περιγράφονται στις παραγράφους α. και γ. παραπάνω.

5Α2   Συστήματα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη

| 5Α002 | Συστήματα «ασφάλειας πληροφοριών», εξοπλισμός και σχετικά κατασκευαστικά μέρη, ως εξής:






  α. | Συστήματα, εξοπλισμός, «ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις» που έχουν αναπτυχθεί ειδικά για εφαρμογές, ενότητες (modules) και ολοκληρωμένα κυκλώματα για «ασφάλεια πληροφοριών» ως εξής, καθώς και δομικά στοιχεία τους ειδικά σχεδιασμένα για «ασφάλεια πληροφοριών»:


  ΣΗΜ.: Για τον έλεγχο του εξοπλισμού λήψης ακριβούς θέσης από Δορυφόρο των παγκοσμίων δορυφορικών συστημάτων πλοήγησης (GNSS) που περιλαμβάνει ή χρησιμοποιεί αποκρυπτογράφηση, βλέπε σημείο 7Α005 και για το σχετικό «λογισμικό» και τη σχετική «τεχνολογία» αποκρυπτογράφησης βλέπε τα σημεία 7D005 και 7E001.







  1. | Που να έχουν σχεδιαστεί ή να έχουν τροποποιηθεί για τη χρησιμοποίηση ψηφιακών τεχνικών που κάνουν χρήση «κρυπτογράφησης» και εκτελούν οποιαδήποτε κρυπτογραφική λειτουργία πέραν του ελέγχου της γνησιότητας, της ηλεκτρονικής υπογραφής ή της εκτέλεσης «λογισμικού» προστατευμένου κατά της αντιγραφής, τα οποία διαθέτουν οιοδήποτε των ακόλουθων χαρακτηριστικών:


  Τεχνικές παρατηρήσεις:








  1. | Οι λειτουργίες ελέγχου της γνησιότητας, της ηλεκτρονικής υπογραφής και της εκτέλεσης «λογισμικού» προστατευμένου κατά της αντιγραφής περιλαμβάνουν συνδεδεμένη λειτουργία διαχείρισης της κλείδας. |
| --- | --- | --- | --- | --- |

5Α002

Συστήματα «ασφάλειας πληροφοριών», εξοπλισμός και σχετικά κατασκευαστικά μέρη, ως εξής:

α.

Συστήματα, εξοπλισμός, «ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις» που έχουν αναπτυχθεί ειδικά για εφαρμογές, ενότητες (modules) και ολοκληρωμένα κυκλώματα για «ασφάλεια πληροφοριών» ως εξής, καθώς και δομικά στοιχεία τους ειδικά σχεδιασμένα για «ασφάλεια πληροφοριών»:

ΣΗΜ.: Για τον έλεγχο του εξοπλισμού λήψης ακριβούς θέσης από Δορυφόρο των παγκοσμίων δορυφορικών συστημάτων πλοήγησης (GNSS) που περιλαμβάνει ή χρησιμοποιεί αποκρυπτογράφηση, βλέπε σημείο 7Α005 και για το σχετικό «λογισμικό» και τη σχετική «τεχνολογία» αποκρυπτογράφησης βλέπε τα σημεία 7D005 και 7E001.

1.

Που να έχουν σχεδιαστεί ή να έχουν τροποποιηθεί για τη χρησιμοποίηση ψηφιακών τεχνικών που κάνουν χρήση «κρυπτογράφησης» και εκτελούν οποιαδήποτε κρυπτογραφική λειτουργία πέραν του ελέγχου της γνησιότητας, της ηλεκτρονικής υπογραφής ή της εκτέλεσης «λογισμικού» προστατευμένου κατά της αντιγραφής, τα οποία διαθέτουν οιοδήποτε των ακόλουθων χαρακτηριστικών:

Τεχνικές παρατηρήσεις:

1.

| 2. | Ο έλεγχος της γνησιότητας περιλαμβάνει όλες τις πτυχές του ελέγχου της πρόσβασης στην περίπτωση που δεν προβλέπεται κρυπτογράφηση αρχείων ή κειμένου εκτός από τις περιπτώσεις που άπτονται της προστασίας των κωδικών διέλευσης (passwords) των «Personal Identification Numbers - Προσωπικών αριθμών αναγνώρισης» (PINs) ή ανάλογων στοιχείων για την πρόληψη της άνευ αδείας πρόσβασης. |
| --- | --- |

2.

| α. | «Συμμετρικό αλγόριθμο» που χρησιμοποιεί μήκος κλείδας άνω των 56 bits, ή



  Τεχνική παρατήρηση:


  Στην κατηγορία 5 - Μέρος 2, τα ψηφία ελέγχου (parity bits) δεν περιλαμβάνονται στο μήκος της κλείδας. |
| --- | --- |

α.

«Συμμετρικό αλγόριθμο» που χρησιμοποιεί μήκος κλείδας άνω των 56 bits, ή

Τεχνική παρατήρηση:

Στην κατηγορία 5 - Μέρος 2, τα ψηφία ελέγχου (parity bits) δεν περιλαμβάνονται στο μήκος της κλείδας.

| β. | Κάθε είδος «ασύμμετρου αλγορίθμου» όπου η ασφάλειά του βασίζεται σε οποιαδήποτε από τις εξής μεθόδους:






  1. | Παραγοντοποίηση ακεραίων άνω των 512 bits (π.χ. RSA), |
| --- | --- | --- |

β.

Κάθε είδος «ασύμμετρου αλγορίθμου» όπου η ασφάλειά του βασίζεται σε οποιαδήποτε από τις εξής μεθόδους:

1.

Παραγοντοποίηση ακεραίων άνω των 512 bits (π.χ. RSA),

| 2. | Υπολογισμό διαφορετικών λογαρίθμων στην πολλαπλασιαστική ομάδα πεπερασμένου πεδίου μεγέθους άνω των 512 bits (π.χ. Diffie-Hellman στο πεδίο Z/pZ), ή |
| --- | --- |

2.

Υπολογισμό διαφορετικών λογαρίθμων στην πολλαπλασιαστική ομάδα πεπερασμένου πεδίου μεγέθους άνω των 512 bits (π.χ. Diffie-Hellman στο πεδίο Z/pZ), ή

| 3. | Διακριτούς λογαρίθμους σε ομάδα άλλη από την αναφερόμενη στο σημείο 5Α002.α.1.β.2, άνω των 112 bits (π.χ., Diffie-Hellman σε ελλειπτική καμπύλη), |
| --- | --- |

3.

Διακριτούς λογαρίθμους σε ομάδα άλλη από την αναφερόμενη στο σημείο 5Α002.α.1.β.2, άνω των 112 bits (π.χ., Diffie-Hellman σε ελλειπτική καμπύλη),

| 2. | Που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να επιτελούν κρυπτοαναλυτικές λειτουργίες,


  Σημείωση: Το σημείο 5A002.α.2. περιλαμβάνει συστήματα ή εξοπλισμό σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για να εκτελούν κρυπτανάλυση μέσω ανάδρομης τεχνικής έρευνας. |
| --- | --- |

2.

Που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να επιτελούν κρυπτοαναλυτικές λειτουργίες,

Σημείωση: Το σημείο 5A002.α.2. περιλαμβάνει συστήματα ή εξοπλισμό σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για να εκτελούν κρυπτανάλυση μέσω ανάδρομης τεχνικής έρευνας.

| 3. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

3.

Δεν χρησιμοποιείται,

| 4. | Που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για τη μείωση των επισφαλών παρασιτικών εκπομπών των σημάτων που μεταφέρουν πληροφορίες πέραν του επιπέδου που απαιτείται για την προστασία της υγείας, την ασφάλεια ή τις προδιαγραφές που αφορούν τις ηλεκτρομαγνητικές παρεμβολές, |
| --- | --- |

4.

Που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για τη μείωση των επισφαλών παρασιτικών εκπομπών των σημάτων που μεταφέρουν πληροφορίες πέραν του επιπέδου που απαιτείται για την προστασία της υγείας, την ασφάλεια ή τις προδιαγραφές που αφορούν τις ηλεκτρομαγνητικές παρεμβολές,

| 5. | Που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούν μεθόδους κρυπτογράφησης ώστε να παράγουν τους κώδικες διασκορπισμού για συστήματα «διασκορπισμένου φάσματος», πλην των οριζόμενων στο σημείο 5Α002.α.6., συμπεριλαμβανομένων των κωδίκων μεταπήδησης για συστήματα «μεταπήδησης συχνοτήτων», |
| --- | --- |

5.

Που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούν μεθόδους κρυπτογράφησης ώστε να παράγουν τους κώδικες διασκορπισμού για συστήματα «διασκορπισμένου φάσματος», πλην των οριζόμενων στο σημείο 5Α002.α.6., συμπεριλαμβανομένων των κωδίκων μεταπήδησης για συστήματα «μεταπήδησης συχνοτήτων»,

| 6. | Που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούν μεθόδους κρυπτογράφησης, ώστε να παράγουν κωδικούς κατανομής σε διαύλους, κωδικούς κρυπτογράφησης ή κωδικούς αναγνώρισης δικτύου, για συστήματα που χρησιμοποιούν τεχνικές υπερευρείας διαμορφωμένης ζώνης, και οι οποίοι έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Εύρος ζώνης άνω των 500 MHz, ή |
| --- | --- | --- |

6.

Που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούν μεθόδους κρυπτογράφησης, ώστε να παράγουν κωδικούς κατανομής σε διαύλους, κωδικούς κρυπτογράφησης ή κωδικούς αναγνώρισης δικτύου, για συστήματα που χρησιμοποιούν τεχνικές υπερευρείας διαμορφωμένης ζώνης, και οι οποίοι έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Εύρος ζώνης άνω των 500 MHz, ή

| β. | «Κλασματικό εύρος ζώνης» τουλάχιστον 20 %, |
| --- | --- |

β.

«Κλασματικό εύρος ζώνης» τουλάχιστον 20 %,

| 7. | Συστήματα και συσκευές ασφαλείας μη κρυπτογραφικής τεχνολογίας πληροφοριών και επικοινωνιών (ΤΠΕ) που, βάσει αξιολόγησης και πιστοποίησης διενεργηθείσας από εθνική αρχή, υπερβαίνει την κατηγορία EAL-6 (επίπεδο εξασφάλισης της αξιολόγησης) των κοινών κριτηρίων (CC) ή ισοδύναμων, |
| --- | --- |

7.

Συστήματα και συσκευές ασφαλείας μη κρυπτογραφικής τεχνολογίας πληροφοριών και επικοινωνιών (ΤΠΕ) που, βάσει αξιολόγησης και πιστοποίησης διενεργηθείσας από εθνική αρχή, υπερβαίνει την κατηγορία EAL-6 (επίπεδο εξασφάλισης της αξιολόγησης) των κοινών κριτηρίων (CC) ή ισοδύναμων,

| 8. | Συστήματα τηλεπικοινωνιακών καλωδίων που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί και χρησιμοποιούν μηχανικό, ηλεκτρικό ή ηλεκτρονικό τρόπο για να ανιχνεύουν ανεπιθύμητη παρουσία,


  Σημείωση: Στο σημείο 5A002.α.8. υπάγεται μόνο η ασφάλεια φυσικού στρώματος. |
| --- | --- |

8.

Συστήματα τηλεπικοινωνιακών καλωδίων που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί και χρησιμοποιούν μηχανικό, ηλεκτρικό ή ηλεκτρονικό τρόπο για να ανιχνεύουν ανεπιθύμητη παρουσία,

Σημείωση: Στο σημείο 5A002.α.8. υπάγεται μόνο η ασφάλεια φυσικού στρώματος.

| 9. | Που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούν ή να εκτελούν «κβαντική κρυπτογραφία».


  Τεχνική παρατήρηση:


  Η «κβαντική κρυπτογραφία» είναι γνωστή και ως κβαντική διανομή κλειδών (QKD). |
| --- | --- |

9.

Που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούν ή να εκτελούν «κβαντική κρυπτογραφία».

Τεχνική παρατήρηση:

Η «κβαντική κρυπτογραφία» είναι γνωστή και ως κβαντική διανομή κλειδών (QKD).

| β. | Συστήματα, εξοπλισμός, «ηλεκτρονικά συναρμολογήματα» για ειδικές εφαρμογές, ενότητες και ολοκληρωμένα κυκλώματα, που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί ώστε να επιτρέπουν σε ένα είδος να επιτυγχάνει ή και να υπερβαίνει τα ελεγχόμενα επίπεδα επιδόσεων για λειτουργίες προσδιοριζόμενες στο σημείο 5A002.α, τα οποία δεν θα επιτύγχανε χωρίς τη βοήθειά τους. |
| --- | --- |

β.

Συστήματα, εξοπλισμός, «ηλεκτρονικά συναρμολογήματα» για ειδικές εφαρμογές, ενότητες και ολοκληρωμένα κυκλώματα, που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί ώστε να επιτρέπουν σε ένα είδος να επιτυγχάνει ή και να υπερβαίνει τα ελεγχόμενα επίπεδα επιδόσεων για λειτουργίες προσδιοριζόμενες στο σημείο 5A002.α, τα οποία δεν θα επιτύγχανε χωρίς τη βοήθειά τους.

Σημείωση: Στο σημείο 5Α002 δεν υπάγονται τα εξής:

| α. | Έξυπνες κάρτες και «αναγνωστήρες/εγγραφείς» έξυπνων καρτών, ως εξής:








  1. | Έξυπνη κάρτα ή ηλεκτρονικά αναγνώσιμο ατομικό έγγραφο (π.χ. κέρμα ασφαλείας, ηλεκτρονικό διαβατήριο) που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:








  α. | η κρυπτογραφική ικανότητα περιορίζεται για χρήση σε εξοπλισμό ή συστήματα που εξαιρούνται από το 5A002 από τη Σημείωση 4 στο Μέρος 2 της Κατηγορίας 5 ή από τα στοιχεία β. έως θ. της παρούσας Σημείωσης και δεν μπορεί να αναπρογραμματιστεί για καμία άλλη χρήση, ή |
| --- | --- | --- | --- |

α.

Έξυπνες κάρτες και «αναγνωστήρες/εγγραφείς» έξυπνων καρτών, ως εξής:

1.

Έξυπνη κάρτα ή ηλεκτρονικά αναγνώσιμο ατομικό έγγραφο (π.χ. κέρμα ασφαλείας, ηλεκτρονικό διαβατήριο) που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

η κρυπτογραφική ικανότητα περιορίζεται για χρήση σε εξοπλισμό ή συστήματα που εξαιρούνται από το 5A002 από τη Σημείωση 4 στο Μέρος 2 της Κατηγορίας 5 ή από τα στοιχεία β. έως θ. της παρούσας Σημείωσης και δεν μπορεί να αναπρογραμματιστεί για καμία άλλη χρήση, ή

| β. | Όλα τα ακόλουθα:








  1. | έχει ειδικά σχεδιαστεί και περιοριστεί ώστε να επιτρέπει την προστασία των εντός αποθηκευμένων «προσωπικών δεδομένων», |
| --- | --- | --- |

β.

Όλα τα ακόλουθα:

1.

έχει ειδικά σχεδιαστεί και περιοριστεί ώστε να επιτρέπει την προστασία των εντός αποθηκευμένων «προσωπικών δεδομένων»,

| 2. | έχει εξατομικευθεί ή μπορεί να εξατομικευθεί μόνο για δημόσιες ή εμπορικές συναλλαγές ή για ατομική ταυτοποίηση, και |
| --- | --- |

2.

έχει εξατομικευθεί ή μπορεί να εξατομικευθεί μόνο για δημόσιες ή εμπορικές συναλλαγές ή για ατομική ταυτοποίηση, και

| 3. | η κρυπτογραφική ικανότητα δεν είναι προσπελάσιμη από το χρήστη. |
| --- | --- |

3.

η κρυπτογραφική ικανότητα δεν είναι προσπελάσιμη από το χρήστη.

Τεχνική παρατήρηση:

Στα «προσωπικά δεδομένα» περιλαμβάνονται οποιαδήποτε δεδομένα αφορούν ειδικά ένα συγκεκριμένο πρόσωπο ή οντότητα, όπως το ύψος του αποθηκευμένου χρηματικού ποσού και τα αναγκαία προς εξακρίβωση της ταυτότητάς του δεδομένα.

| 2. | «Αναγνωστήρες/εγγραφείς» ειδικά σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι, και περιορισμένοι, για αγαθά προσδιοριζόμενα στο σημείο α.1 της παρούσας Σημείωσης.



  Τεχνική παρατήρηση:


  Οι «αναγνωστήρες/εγγραφείς» περιλαμβάνουν και τον εξοπλισμό που επικοινωνεί με τις έξυπνες κάρτες και τα ηλεκτρονικώς αναγνώσιμα ατομικά έγγραφα μέσω δικτύου. |
| --- | --- |

2.

«Αναγνωστήρες/εγγραφείς» ειδικά σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι, και περιορισμένοι, για αγαθά προσδιοριζόμενα στο σημείο α.1 της παρούσας Σημείωσης.

Τεχνική παρατήρηση:

Οι «αναγνωστήρες/εγγραφείς» περιλαμβάνουν και τον εξοπλισμό που επικοινωνεί με τις έξυπνες κάρτες και τα ηλεκτρονικώς αναγνώσιμα ατομικά έγγραφα μέσω δικτύου.

| β. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

β.

Δεν χρησιμοποιείται,

| γ. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

γ.

Δεν χρησιμοποιείται,

| δ. | Κρυπτογραφικός εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος και περιορισμένος για τραπεζική χρήση ή «χρηματικές συναλλαγές»,



  Τεχνική παρατήρηση:


  Οι «χρηματικές συναλλαγές» του σημείου 5A002. Σημείωση δ. περιλαμβάνουν τη συλλογή και το συμψηφισμό λειτουργιών που αφορούν ναύλους ή τραπεζική πίστη. |
| --- | --- |

δ.

Κρυπτογραφικός εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος και περιορισμένος για τραπεζική χρήση ή «χρηματικές συναλλαγές»,

Τεχνική παρατήρηση:

Οι «χρηματικές συναλλαγές» του σημείου 5A002. Σημείωση δ. περιλαμβάνουν τη συλλογή και το συμψηφισμό λειτουργιών που αφορούν ναύλους ή τραπεζική πίστη.

| ε. | Φορητά ή κινητά ραδιοτηλέφωνα για μη στρατιωτική χρήση, (π.χ. για χρήσεις στο πλαίσιο εμπορικών κυψελωτών συστημάτων ραδιοεπικοινωνιών), τα οποία δεν έχουν δυνατότητα της διαβίβασης δεδομένων υπό κρυπτογραφημένη μορφή απευθείας σε άλλο ραδιοτηλέφωνο ή εξοπλισμό [εκτός του εξοπλισμού Δικτύου Ραδιοπρόσβασης (RAN]), ούτε της διέλευσης δεδομένων υπό κρυπτογραφημένη μορφή μέσω εξοπλισμού RAN [π.χ., ελεγκτής ραδιοφωνικού δικτύου (RNC) ή ελεγκτής σταθμού βάσης (BSC)], |
| --- | --- |

ε.

Φορητά ή κινητά ραδιοτηλέφωνα για μη στρατιωτική χρήση, (π.χ. για χρήσεις στο πλαίσιο εμπορικών κυψελωτών συστημάτων ραδιοεπικοινωνιών), τα οποία δεν έχουν δυνατότητα της διαβίβασης δεδομένων υπό κρυπτογραφημένη μορφή απευθείας σε άλλο ραδιοτηλέφωνο ή εξοπλισμό [εκτός του εξοπλισμού Δικτύου Ραδιοπρόσβασης (RAN]), ούτε της διέλευσης δεδομένων υπό κρυπτογραφημένη μορφή μέσω εξοπλισμού RAN [π.χ., ελεγκτής ραδιοφωνικού δικτύου (RNC) ή ελεγκτής σταθμού βάσης (BSC)],

| στ. | Ασύρματος τηλεφωνικός εξοπλισμός, χωρίς δυνατότητα κρυπτογράφησης από την πηγή, έως τον προορισμό, όπου η πραγματική εμβέλεια της ασύρματης λειτουργίας χωρίς ενίσχυση (δηλαδή απλό, άνευ αναμετάδοσης άλμα μεταξύ του τερματικού και του σταθμού βάσης) σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή είναι μικρότερο των 400 μέτρων, |
| --- | --- |

στ.

Ασύρματος τηλεφωνικός εξοπλισμός, χωρίς δυνατότητα κρυπτογράφησης από την πηγή, έως τον προορισμό, όπου η πραγματική εμβέλεια της ασύρματης λειτουργίας χωρίς ενίσχυση (δηλαδή απλό, άνευ αναμετάδοσης άλμα μεταξύ του τερματικού και του σταθμού βάσης) σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή είναι μικρότερο των 400 μέτρων,

| ζ. | Φορητά ή κινητά ραδιοτηλέφωνα και παρόμοιες ασύρματες συσκευές πελατών για μη στρατιωτική χρήση, τα οποία εφαρμόζουν μόνο δημοσιευμένα ή εμπορικά κρυπτογραφικά πρότυπα (εκτός από τις λειτουργίες κατά της πειρατείας, οι οποίες μπορεί να μη δημοσιεύονται) και επίσης τηρούν τις διατάξεις των παραγράφων α.2 έως α.4 της σημείωσης για την κρυπτογράφηση (σημείωση 3 στην Κατηγορία 5 - Μέρος 2), οι οποίες έχουν προσαρμοστεί ειδικά για συγκεκριμένη εφαρμογή της μη στρατιωτικής βιομηχανίας με χαρακτηριστικά που δεν θίγουν την κρυπτογραφική λειτουργικότητα αυτών των πρωτότυπων μη προσαρμοσμένων συσκευών, |
| --- | --- |

ζ.

Φορητά ή κινητά ραδιοτηλέφωνα και παρόμοιες ασύρματες συσκευές πελατών για μη στρατιωτική χρήση, τα οποία εφαρμόζουν μόνο δημοσιευμένα ή εμπορικά κρυπτογραφικά πρότυπα (εκτός από τις λειτουργίες κατά της πειρατείας, οι οποίες μπορεί να μη δημοσιεύονται) και επίσης τηρούν τις διατάξεις των παραγράφων α.2 έως α.4 της σημείωσης για την κρυπτογράφηση (σημείωση 3 στην Κατηγορία 5 - Μέρος 2), οι οποίες έχουν προσαρμοστεί ειδικά για συγκεκριμένη εφαρμογή της μη στρατιωτικής βιομηχανίας με χαρακτηριστικά που δεν θίγουν την κρυπτογραφική λειτουργικότητα αυτών των πρωτότυπων μη προσαρμοσμένων συσκευών,

| η. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

η.

Δεν χρησιμοποιείται,

| θ. | Ασύρματος εξοπλισμός «προσωπικού δικτύου» που εκτελεί μόνο δημοσιευμένα ή εμπορικά κρυπτογραφικά πρότυπα και όπου η κρυπτογραφική ικανότητα περιορίζεται σε ονομαστική εμβέλεια λειτουργίας μη υπερβαίνουσα τα 30 μέτρα σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή, ή μη υπερβαίνουσα τα 100 μέτρα σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή για εξοπλισμό που δεν μπορεί να διασυνδεθεί με περισσότερες από επτά συσκευές, |
| --- | --- |

θ.

Ασύρματος εξοπλισμός «προσωπικού δικτύου» που εκτελεί μόνο δημοσιευμένα ή εμπορικά κρυπτογραφικά πρότυπα και όπου η κρυπτογραφική ικανότητα περιορίζεται σε ονομαστική εμβέλεια λειτουργίας μη υπερβαίνουσα τα 30 μέτρα σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή, ή μη υπερβαίνουσα τα 100 μέτρα σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή για εξοπλισμό που δεν μπορεί να διασυνδεθεί με περισσότερες από επτά συσκευές,

| ι. | Εξοπλισμός που δεν έχει καμία λειτουργία από τις προδιαγραφόμενες στα σημεία 5A002.α.2, 5A002.α.4, 5A002.α.7 ή 5A002.α.8, εφόσον όλη η κρυπτογραφική ικανότητα που προδιαγράφεται στο σημείο 5A002.α πληροί κάποιο από τα εξής κριτήρια:








  1. | Δεν μπορεί να χρησιμοποιηθεί, ή |
| --- | --- | --- |

ι.

Εξοπλισμός που δεν έχει καμία λειτουργία από τις προδιαγραφόμενες στα σημεία 5A002.α.2, 5A002.α.4, 5A002.α.7 ή 5A002.α.8, εφόσον όλη η κρυπτογραφική ικανότητα που προδιαγράφεται στο σημείο 5A002.α πληροί κάποιο από τα εξής κριτήρια:

1.

Δεν μπορεί να χρησιμοποιηθεί, ή

| 2. | Μπορεί να χρησιμοποιηθεί μόνο με «κρυπτογραφική ενεργοποίηση», ή




  ΣΗΜ.: Για εξοπλισμό που έχει υποστεί «κρυπτογραφική ενεργοποίηση» βλέπε σημείο 5A002.α. |
| --- | --- |

2.

Μπορεί να χρησιμοποιηθεί μόνο με «κρυπτογραφική ενεργοποίηση», ή

ΣΗΜ.: Για εξοπλισμό που έχει υποστεί «κρυπτογραφική ενεργοποίηση» βλέπε σημείο 5A002.α.

| ια. | Εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών Δικτύου Ραδιοπρόσβασης (RAN) σχεδιασμένος για μη στρατιωτική χρήση, που πληροί επίσης τις διατάξεις των παραγράφων α.2. έως α.4. της σημείωσης για την κρυπτογράφηση (σημείωση 3 στην Κατηγορία 5, Μέρος 2), του οποίου η ισχύς εξόδου ραδιοσυχνοτήτων δεν υπερβαίνει τα 0,1W (20 dBm) και ο οποίος υποστηρίζει 16 ή λιγότερους ταυτόχρονους χρήστες. |
| --- | --- |

ια.

Εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών Δικτύου Ραδιοπρόσβασης (RAN) σχεδιασμένος για μη στρατιωτική χρήση, που πληροί επίσης τις διατάξεις των παραγράφων α.2. έως α.4. της σημείωσης για την κρυπτογράφηση (σημείωση 3 στην Κατηγορία 5, Μέρος 2), του οποίου η ισχύς εξόδου ραδιοσυχνοτήτων δεν υπερβαίνει τα 0,1W (20 dBm) και ο οποίος υποστηρίζει 16 ή λιγότερους ταυτόχρονους χρήστες.

5B2   Εξοπλισμός Δοκιμών, Ελέγχου και Παραγωγής

| 5B002 | Δοκιμή «ασφάλειας πληροφοριών», εξοπλισμός ελέγχου και «παραγωγής», ως εξής:






  α. | «Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού που προσδιορίζεται στις κατηγορίες 5A002 ή 5B002.β.· |
| --- | --- | --- |

5B002

Δοκιμή «ασφάλειας πληροφοριών», εξοπλισμός ελέγχου και «παραγωγής», ως εξής:

α.

«Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού που προσδιορίζεται στις κατηγορίες 5A002 ή 5B002.β.·

| β. | Εξοπλισμός μετρήσεων που έχει ειδικά σχεδιαστεί για να αξιολογεί και να επικυρώνει τις λειτουργίες «ασφαλείας πληροφοριών» του εξοπλισμού που καθορίζεται στο σημείο 5A002 ή του «λογισμικού» στα σημεία 5D002.α. ή 5D002.γ. |
| --- | --- |

β.

Εξοπλισμός μετρήσεων που έχει ειδικά σχεδιαστεί για να αξιολογεί και να επικυρώνει τις λειτουργίες «ασφαλείας πληροφοριών» του εξοπλισμού που καθορίζεται στο σημείο 5A002 ή του «λογισμικού» στα σημεία 5D002.α. ή 5D002.γ.

5C2   Υλικά

Ουδέν.

5D2   Λογισμικό

| 5D002 | «Λογισμικό» ως εξής:






  α. | «Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» ή «χρήση» του εξοπλισμού που καθορίζεται στο σημείο 5A002 ή του «λογισμικού» στο σημείο 5D002.γ., |
| --- | --- | --- |

5D002

«Λογισμικό» ως εξής:

α.

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» ή «χρήση» του εξοπλισμού που καθορίζεται στο σημείο 5A002 ή του «λογισμικού» στο σημείο 5D002.γ.,

| β. | «Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την υποστήριξη «τεχνολογίας» που καθορίζεται στο σημείο 5Ε002. |
| --- | --- |

β.

«Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την υποστήριξη «τεχνολογίας» που καθορίζεται στο σημείο 5Ε002.

| γ. | Ιδιαίτερο «λογισμικό», ως εξής:






  1. | «Λογισμικό» που έχει τα χαρακτηριστικά ή εκτελεί τις λειτουργίες ή προσομοιώνει τις λειτουργίες του εξοπλισμού που καθορίζεται στο σημείο 5Α002, |
| --- | --- | --- |

γ.

Ιδιαίτερο «λογισμικό», ως εξής:

1.

«Λογισμικό» που έχει τα χαρακτηριστικά ή εκτελεί τις λειτουργίες ή προσομοιώνει τις λειτουργίες του εξοπλισμού που καθορίζεται στο σημείο 5Α002,

| 2. | «Λογισμικό» για να παρέχει επικύρωση «λογισμικού» που καθορίζεται στο σημείο 5D002.γ.1. |
| --- | --- |

2.

«Λογισμικό» για να παρέχει επικύρωση «λογισμικού» που καθορίζεται στο σημείο 5D002.γ.1.

| δ. | «Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο ώστε να επιτρέπει σε ένα είδος να επιτυγχάνει ή και να υπερβαίνει τα ελεγχόμενα επίπεδα επιδόσεων για λειτουργίες προσδιοριζόμενες στο σημείο 5A002.α, τα οποία δεν θα επιτύγχανε χωρίς τη βοήθειά του. |
| --- | --- |

δ.

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο ώστε να επιτρέπει σε ένα είδος να επιτυγχάνει ή και να υπερβαίνει τα ελεγχόμενα επίπεδα επιδόσεων για λειτουργίες προσδιοριζόμενες στο σημείο 5A002.α, τα οποία δεν θα επιτύγχανε χωρίς τη βοήθειά του.

5E2   Τεχνολογία

| 5E002 | «Τεχνολογία» ως εξής:






  α. | «Τεχνολογία» σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» ή «χρήση» του εξοπλισμού που προσδιορίζεται στα σημεία 5A002, 5B002 ή του «λογισμικού» που προσδιορίζεται στα σημεία 5D002.α. ή 5D002.γ. |
| --- | --- | --- |

5E002

«Τεχνολογία» ως εξής:

α.

«Τεχνολογία» σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» ή «χρήση» του εξοπλισμού που προσδιορίζεται στα σημεία 5A002, 5B002 ή του «λογισμικού» που προσδιορίζεται στα σημεία 5D002.α. ή 5D002.γ.

| β. | «Τεχνολογία» που επιτρέπει σε ένα είδος να επιτυγχάνει ή και να υπερβαίνει τα ελεγχόμενα επίπεδα επιδόσεων για λειτουργίες προσδιοριζόμενες στο σημείο 5A002.α, τα οποία δεν θα επιτύγχανε χωρίς τη βοήθειά της. |
| --- | --- |

β.

«Τεχνολογία» που επιτρέπει σε ένα είδος να επιτυγχάνει ή και να υπερβαίνει τα ελεγχόμενα επίπεδα επιδόσεων για λειτουργίες προσδιοριζόμενες στο σημείο 5A002.α, τα οποία δεν θα επιτύγχανε χωρίς τη βοήθειά της.

Σημείωση: Το σημείο 5E002 περιλαμβάνει τεχνικά δεδομένα «ασφάλειας πληροφοριών» που προκύπτουν από διαδικασίες εκτελούμενες ώστε να αξιολογηθεί ή να καθοριστεί η υλοποίηση λειτουργιών, χαρακτηριστικών ή τεχνικών που ορίζονται στην Κατηγορία 5 - Μέρος 2.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 6 — ΑΙΣΘΗΤΗΡΕΣ ΚΑΙ ΛΕΪΖΕΡ

6A   Συστήματα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη

| 6A001 | Ηχητικά συστήματα, εξοπλισμός και συστατικά στοιχεία ως εξής:






  α. | Συστήματα θαλάσσιων ηχομέτρων, εξοπλισμός ή ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:






  1. | Ενεργητικά συστήματα (πομποί ή πομποδέκτες), εξοπλισμός και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:
  6A001 α. 1.

  Σημείωση: Στο σημείο 6A001.α.1. δεν υπάγεται εξοπλισμός ως εξής:








  α. | Βαθύμετρα που λειτουργούν κατακορύφως κάτω από τη συσκευή και δεν περιλαμβάνουν λειτουργία σάρωσης υπερβαίνουσα ± 20°, περιοριζόμενα στη μέτρηση του βάθους ύδατος, την απόσταση βυθισμένων ή θαμμένων αντικειμένων ή τον εντοπισμό κοπαδιών ψαριών. |
| --- | --- | --- | --- | --- |

6A001

Ηχητικά συστήματα, εξοπλισμός και συστατικά στοιχεία ως εξής:

α.

Συστήματα θαλάσσιων ηχομέτρων, εξοπλισμός ή ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:

1.

Ενεργητικά συστήματα (πομποί ή πομποδέκτες), εξοπλισμός και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:

6A001 α. 1.

  Σημείωση: Στο σημείο 6A001.α.1. δεν υπάγεται εξοπλισμός ως εξής:

α.

Βαθύμετρα που λειτουργούν κατακορύφως κάτω από τη συσκευή και δεν περιλαμβάνουν λειτουργία σάρωσης υπερβαίνουσα ± 20°, περιοριζόμενα στη μέτρηση του βάθους ύδατος, την απόσταση βυθισμένων ή θαμμένων αντικειμένων ή τον εντοπισμό κοπαδιών ψαριών.

| β. | Ηχητικοί σηματοδότες, ως εξής:








  1. | Ηχητικοί σηματοδότες έκτακτης ανάγκης, |
| --- | --- | --- |

β.

Ηχητικοί σηματοδότες, ως εξής:

1.

Ηχητικοί σηματοδότες έκτακτης ανάγκης,

| 2. | Σηματοδότες υποβρύχιων ηχοκυμάτων ειδικά σχεδιασμένοι για τον επανεντοπισμό ή την επιστροφή σε μια υποβρύχια θέση. |
| --- | --- |

2.

Σηματοδότες υποβρύχιων ηχοκυμάτων ειδικά σχεδιασμένοι για τον επανεντοπισμό ή την επιστροφή σε μια υποβρύχια θέση.

| α. | Ηχητικός εξοπλισμός επισκόπησης θαλάσσιου βυθού, ως εξής:






  1. | Εξοπλισμός επισκόπησης πλοίου επιφανείας που είναι σχεδιασμένος για την τοπογραφική χαρτογράφηση του θαλάσσιου βυθού και διαθέτει όλα τα ακόλουθα:






  α. | Είναι σχεδιασμένος για να λαμβάνει μετρήσεις υπό γωνία υπερβαίνουσα τις 20° από την κατακόρυφο, |
| --- | --- | --- | --- |

α.

Ηχητικός εξοπλισμός επισκόπησης θαλάσσιου βυθού, ως εξής:

1.

Εξοπλισμός επισκόπησης πλοίου επιφανείας που είναι σχεδιασμένος για την τοπογραφική χαρτογράφηση του θαλάσσιου βυθού και διαθέτει όλα τα ακόλουθα:

α.

Είναι σχεδιασμένος για να λαμβάνει μετρήσεις υπό γωνία υπερβαίνουσα τις 20° από την κατακόρυφο,

| β. | Είναι σχεδιασμένος για να μετρά την τοπογραφία του βυθού σε βάθη βυθού που υπερβαίνουν τα 600 m, |
| --- | --- |

β.

Είναι σχεδιασμένος για να μετρά την τοπογραφία του βυθού σε βάθη βυθού που υπερβαίνουν τα 600 m,

| γ. | Έχει «ανάλυση βαθοσκόπησης» κάτω του 2, και |
| --- | --- |

γ.

Έχει «ανάλυση βαθοσκόπησης» κάτω του 2, και

| δ. | Έχει «ενίσχυση» της ακρίβειας βάθους μέσω αντιστάθμισης για όλα από τα ακόλουθα:






  1. | Κίνηση του ηχητικού αισθητήρα, |
| --- | --- | --- |

δ.

Έχει «ενίσχυση» της ακρίβειας βάθους μέσω αντιστάθμισης για όλα από τα ακόλουθα:

1.

Κίνηση του ηχητικού αισθητήρα,

| 2. | Μετάδοση εντός του ύδατος από τον αισθητήρα στον θαλάσσιο βυθό και πίσω, |
| --- | --- |

2.

Μετάδοση εντός του ύδατος από τον αισθητήρα στον θαλάσσιο βυθό και πίσω,

| 3. | Ταχύτητα ήχου στον αισθητήρα, |
| --- | --- |

3.

Ταχύτητα ήχου στον αισθητήρα,

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | «Ανάλυση βαθοσκόπησης» είναι το πλάτος λωρίδας (βαθμοί) διά τον ανώτατο αριθμό βαθοσκοπήσεων ανά λωρίδα. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Η «ενίσχυση» περιλαμβάνει την ικανότητα αντιστάθμισης με εξωτερικά μέσα. |
| --- | --- |

2.

| 2. | Υποβρύχιος εξοπλισμός επισκόπησης που είναι σχεδιασμένος για την τοπογραφική χαρτογράφηση του θαλάσσιου βυθού και διαθέτει οποιαδήποτε από τα ακόλουθα:


  Τεχνική παρατήρηση:


  Ο συντελεστής πίεσης του ηχητικού αισθητήρα καθορίζει τον συντελεστή βάθος του εξοπλισμού που προσδιορίζεται στο σημείο 6A001.α.1.α.2.







  α. | Όλα τα ακόλουθα:






  1. | Έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να λειτουργούν σε βάθος άνω των 300 m, και |
| --- | --- | --- | --- |

2.

Υποβρύχιος εξοπλισμός επισκόπησης που είναι σχεδιασμένος για την τοπογραφική χαρτογράφηση του θαλάσσιου βυθού και διαθέτει οποιαδήποτε από τα ακόλουθα:

Τεχνική παρατήρηση:

Ο συντελεστής πίεσης του ηχητικού αισθητήρα καθορίζει τον συντελεστή βάθος του εξοπλισμού που προσδιορίζεται στο σημείο 6A001.α.1.α.2.

α.

Όλα τα ακόλουθα:

1.

Έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να λειτουργούν σε βάθος άνω των 300 m, και

| 2. | Έχει «συντελεστή βαθοσκόπησης» μεγαλύτερο του 3 800, ή |
| --- | --- |

2.

Έχει «συντελεστή βαθοσκόπησης» μεγαλύτερο του 3 800, ή

Τεχνική παρατήρηση:

«Συντελεστής βαθοσκόπησης» είναι το γινόμενο της ανώτατης ταχύτητας (m/s) με την οποία μπορεί να λειτουργήσει ο αισθητήρας επί τον ανώτατο αριθμό βαθοσκοπήσεων ανά λωρίδα, λαμβάνοντας κάλυψη 100 %.

| β. | Εξοπλισμός επισκόπησης που δεν προσδιορίζεται στο σημείο 6A001.α.1.α.2.α., με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Είναι σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για να λειτουργεί σε όλα τα βάθη άνω των 100 m, |
| --- | --- | --- |

β.

Εξοπλισμός επισκόπησης που δεν προσδιορίζεται στο σημείο 6A001.α.1.α.2.α., με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Είναι σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για να λειτουργεί σε όλα τα βάθη άνω των 100 m,

| 2. | Είναι σχεδιασμένος για να λαμβάνει μετρήσεις υπό γωνία υπερβαίνουσα τις 20° από την κατακόρυφο, |
| --- | --- |

2.

Είναι σχεδιασμένος για να λαμβάνει μετρήσεις υπό γωνία υπερβαίνουσα τις 20° από την κατακόρυφο,

| 3. | Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Συχνότητα λειτουργίας κάτω των 350 kHz, ή |
| --- | --- | --- |

3.

Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Συχνότητα λειτουργίας κάτω των 350 kHz, ή

| β. | Είναι σχεδιασμένος για να μετρά την τοπογραφία του θαλάσσιου βυθού σε βάθη που υπερβαίνουν τα 200 m από τον ηχητικό αισθητήρα, και |
| --- | --- |

β.

Είναι σχεδιασμένος για να μετρά την τοπογραφία του θαλάσσιου βυθού σε βάθη που υπερβαίνουν τα 200 m από τον ηχητικό αισθητήρα, και

| 4. | Έχει «ενίσχυση» της ακρίβειας βάθους μέσω αντιστάθμισης για όλα από τα ακόλουθα:






  α. | Κίνηση του ηχητικού αισθητήρα, |
| --- | --- | --- |

4.

Έχει «ενίσχυση» της ακρίβειας βάθους μέσω αντιστάθμισης για όλα από τα ακόλουθα:

α.

Κίνηση του ηχητικού αισθητήρα,

| β. | Μετάδοση εντός του ύδατος από τον αισθητήρα στο θαλάσσιο βυθό και πίσω, και |
| --- | --- |

β.

Μετάδοση εντός του ύδατος από τον αισθητήρα στο θαλάσσιο βυθό και πίσω, και

| γ. | Ταχύτητα ήχου στον αισθητήρα, |
| --- | --- |

γ.

Ταχύτητα ήχου στον αισθητήρα,

| 3. | Σύστημα ηχοεντοπισμού (σονάρ) πλευρικής σάρωσης (SSS) ή σονάρ με συνθετικό διάφραγμα (SAS), που είναι σχεδιασμένα για απεικόνιση βυθού και διαθέτουν όλα από τα ακόλουθα:






  α. | Είναι σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για να λειτουργεί σε όλα τα βάθη άνω των 500 m, |
| --- | --- | --- |

3.

Σύστημα ηχοεντοπισμού (σονάρ) πλευρικής σάρωσης (SSS) ή σονάρ με συνθετικό διάφραγμα (SAS), που είναι σχεδιασμένα για απεικόνιση βυθού και διαθέτουν όλα από τα ακόλουθα:

α.

Είναι σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για να λειτουργεί σε όλα τα βάθη άνω των 500 m,

| β. | Έχει «συντελεστή κάλυψης ζώνης» μεγαλύτερο των 570 m2/s όταν λειτουργεί στο μέγιστο εύρος στο οποίο δύναται να λειτουργήσει με «ανάλυση κατά μήκος ζώνης (track)» κάτω των 15 cm, και |
| --- | --- |

β.

Έχει «συντελεστή κάλυψης ζώνης» μεγαλύτερο των 570 m2/s όταν λειτουργεί στο μέγιστο εύρος στο οποίο δύναται να λειτουργήσει με «ανάλυση κατά μήκος ζώνης (track)» κάτω των 15 cm, και

| γ. | «Ανάλυση κατά πλάτος ζώνης (track)» κάτω των 15 cm. |
| --- | --- |

γ.

«Ανάλυση κατά πλάτος ζώνης (track)» κάτω των 15 cm.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Ο «συντελεστής κάλυψης ζώνης» (m2/s) είναι το διπλάσιο του γινομένου του φάσματος ηχοεντοπισμού (m) επί την ανώτατη ταχύτητα (m/s) με την οποία μπορεί να λειτουργήσει ο αισθητήρας σε αυτό το φάσμα. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Η «ανάλυση κατά μήκος ζώνης (track)» (cm), αποκλειστικά για το SSS, είναι το γινόμενο του αζιμούθ (οριζόντιου) εύρους ακτίνας (βαθμοί) επί το φάσμα ηχοεντοπισμού (m) και επί το 0,873. |
| --- | --- |

2.

| 3. | Η «ανάλυση κατά πλάτος ζώνης (track)» (cm) είναι το 75 διά το εύρος ζώνης του σήματος (kHz). |
| --- | --- |

3.

| β. | Συστήματα εκπομπής και λήψης συστοιχιών σχεδιασμένα για την ανίχνευση ή τον εντοπισμό αντικειμένων, με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Συχνότητα εκπομπής κάτω των 10 kHz, |
| --- | --- | --- |

β.

Συστήματα εκπομπής και λήψης συστοιχιών σχεδιασμένα για την ανίχνευση ή τον εντοπισμό αντικειμένων, με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Συχνότητα εκπομπής κάτω των 10 kHz,

| 2. | Ηχοστάθμη πίεσης υπερβαίνουσα τα 224 dΒ (τιμή αναφοράς 1 μΡa σε απόσταση 1 m) για εξοπλισμό λειτουργικής συχνότητας στη ζώνη συχνοτήτων από 10 kHz έως και τα 24 kHz, |
| --- | --- |

2.

Ηχοστάθμη πίεσης υπερβαίνουσα τα 224 dΒ (τιμή αναφοράς 1 μΡa σε απόσταση 1 m) για εξοπλισμό λειτουργικής συχνότητας στη ζώνη συχνοτήτων από 10 kHz έως και τα 24 kHz,

| 3. | Ηχοστάθμη πίεσης υπερβαίνουσα τα 235 dΒ (τιμή αναφοράς 1 μΡa σε απόσταση 1 m) για εξοπλισμό λειτουργικής συχνότητας στη ζώνη συχνοτήτων μεταξύ 24 kHz έως 30 kHz, |
| --- | --- |

3.

Ηχοστάθμη πίεσης υπερβαίνουσα τα 235 dΒ (τιμή αναφοράς 1 μΡa σε απόσταση 1 m) για εξοπλισμό λειτουργικής συχνότητας στη ζώνη συχνοτήτων μεταξύ 24 kHz έως 30 kHz,

| 4. | Σχηματίζουν δέσμες κάτω της 1° σε οποιοδήποτε άξονα και έχουν λειτουργική συχνότητα κάτω των 100 kHz, |
| --- | --- |

4.

Σχηματίζουν δέσμες κάτω της 1° σε οποιοδήποτε άξονα και έχουν λειτουργική συχνότητα κάτω των 100 kHz,

| 5. | Έχουν σχεδιαστεί για να παρέχουν καθαρή εικόνα από αποστάσεις άνω των 5 120 m, ή |
| --- | --- |

5.

Έχουν σχεδιαστεί για να παρέχουν καθαρή εικόνα από αποστάσεις άνω των 5 120 m, ή

| 6. | Έχουν σχεδιαστεί για να αντέχουν πιέσεις, υπό συνθήκες ομαλής λειτουργίας, σε βάθη υπερβαίνοντα τα 1 000 m και που έχουν μορφοτροπείς με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Δυναμική αντιστάθμιση έναντι πίεσης, ή |
| --- | --- | --- |

6.

Έχουν σχεδιαστεί για να αντέχουν πιέσεις, υπό συνθήκες ομαλής λειτουργίας, σε βάθη υπερβαίνοντα τα 1 000 m και που έχουν μορφοτροπείς με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Δυναμική αντιστάθμιση έναντι πίεσης, ή

| β. | Έχουν ενσωματωμένο στοιχείο μορφοτροπής διαφορετικό από ζιρκονικό-τιτανικό άλας μολύβδου. |
| --- | --- |

β.

Έχουν ενσωματωμένο στοιχείο μορφοτροπής διαφορετικό από ζιρκονικό-τιτανικό άλας μολύβδου.

| γ. | Ηχοπροβολείς, συμπεριλαμβανομένων μορφοτροπέων, στους οποίους είναι ενσωματωμένα πιεζοηλεκτρικά, μαγνητοπεριοριστικά, ηλεκτροπεριοριστικά, ηλεκτροδυναμικά ή υδραυλικά στοιχεία που λειτουργούν μεμονωμένως ή με επί τούτου μελετημένο συνδυασμό, με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:


  Σημείωση 1: Η διαβάθμιση ελέγχου ηχοπροβολέων, συμπεριλαμβανομένων των μορφοτροπέων, που είναι ειδικώς μελετημένοι για άλλο εξοπλισμό, υπαγορεύεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του άλλου εξοπλισμού.



  Σημείωση 2: Στο σημείο 6Α001.α.1.γ. δεν υπάγονται ηλεκτρονικές πηγές που κατευθύνουν τον ήχο μόνο κατακορύφως, ή μηχανικές πηγές (π.χ. αεριοβόλο ή κρουστικό ατμοβόλο) ή χημικές πηγές (π.χ. εκρηκτικά).



  Σημείωση 3: Τα πιεζοηλεκτρικά στοιχεία που προσδιορίζονται στο σημείο 6A001.α.1.γ. περιλαμβάνουν εκείνα που είναι κατασκευασμένα από μονοκρυστάλλους νιοβικού μολυβδο-μαγνησίου/τιτανικού μολύβδου [Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3, ή PMN-PT] που έχουν παραχθεί από στερεό διάλυμα ή από μονοκρυστάλλους νιοβικού μολυβδο-ινδίου/νιοβικού μολυβδο-μαγνησίου/τιτανικού μολύβδου [Pb(In1/2Nb1/1/2)O3–Pb(Mg1/2Nb3)O1/3–PbTiO2/3, ή PIN-PMN-PT] που έχουν παραχθεί από στερεό διάλυμα.







  1. | Στιγμιαία «πυκνότητα ακτινοβολούμενης ηχητικής ισχύος» υπερβαίνουσα τα 0,01 mW/mm2/Hz για συσκευές λειτουργούσες σε συχνότητες κάτω των 10 kHz, |
| --- | --- | --- |

γ.

Ηχοπροβολείς, συμπεριλαμβανομένων μορφοτροπέων, στους οποίους είναι ενσωματωμένα πιεζοηλεκτρικά, μαγνητοπεριοριστικά, ηλεκτροπεριοριστικά, ηλεκτροδυναμικά ή υδραυλικά στοιχεία που λειτουργούν μεμονωμένως ή με επί τούτου μελετημένο συνδυασμό, με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

Σημείωση 1: Η διαβάθμιση ελέγχου ηχοπροβολέων, συμπεριλαμβανομένων των μορφοτροπέων, που είναι ειδικώς μελετημένοι για άλλο εξοπλισμό, υπαγορεύεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του άλλου εξοπλισμού.

Σημείωση 2: Στο σημείο 6Α001.α.1.γ. δεν υπάγονται ηλεκτρονικές πηγές που κατευθύνουν τον ήχο μόνο κατακορύφως, ή μηχανικές πηγές (π.χ. αεριοβόλο ή κρουστικό ατμοβόλο) ή χημικές πηγές (π.χ. εκρηκτικά).

Σημείωση 3: Τα πιεζοηλεκτρικά στοιχεία που προσδιορίζονται στο σημείο 6A001.α.1.γ. περιλαμβάνουν εκείνα που είναι κατασκευασμένα από μονοκρυστάλλους νιοβικού μολυβδο-μαγνησίου/τιτανικού μολύβδου [Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3, ή PMN-PT] που έχουν παραχθεί από στερεό διάλυμα ή από μονοκρυστάλλους νιοβικού μολυβδο-ινδίου/νιοβικού μολυβδο-μαγνησίου/τιτανικού μολύβδου [Pb(In1/2Nb1/1/2)O3–Pb(Mg1/2Nb3)O1/3–PbTiO2/3, ή PIN-PMN-PT] που έχουν παραχθεί από στερεό διάλυμα.

1.

Στιγμιαία «πυκνότητα ακτινοβολούμενης ηχητικής ισχύος» υπερβαίνουσα τα 0,01 mW/mm2/Hz για συσκευές λειτουργούσες σε συχνότητες κάτω των 10 kHz,

| 2. | Συνεχή «πυκνότητα ακτινοβολούμενης ηχητικής ισχύος» υπερβαίνουσα τα 0,001 mW/mm2/Hz για συσκευές λειτουργούσες σε συχνότητες κάτω των 10 kHz, ή |
| --- | --- |

2.

Συνεχή «πυκνότητα ακτινοβολούμενης ηχητικής ισχύος» υπερβαίνουσα τα 0,001 mW/mm2/Hz για συσκευές λειτουργούσες σε συχνότητες κάτω των 10 kHz, ή

Τεχνική παρατήρηση:

Η «πυκνότητα ηχητικής ισχύος» λαμβάνεται διαιρώντας την ηχητική ισχύ εξόδου με το γινόμενο της ακτινοβολούσας επιφάνειας επί τη συχνότητα λειτουργίας.

| 3. | Καταστολή πλευρικού λωβού υπερβαίνουσα τα 22 dΒ, |
| --- | --- |

3.

Καταστολή πλευρικού λωβού υπερβαίνουσα τα 22 dΒ,

| δ. | Ηχητικά συστήματα και εξοπλισμός, σχεδιασμένα για την εξακρίβωση της θέσης πλοίων επιφανείας ή υποβρυχίων σκαφών, που έχουν όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά, καθώς και δομικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα γι’ αυτά:






  1. | εμβέλεια ανίχνευσης άνω των 1 000 m, και |
| --- | --- | --- |

δ.

Ηχητικά συστήματα και εξοπλισμός, σχεδιασμένα για την εξακρίβωση της θέσης πλοίων επιφανείας ή υποβρυχίων σκαφών, που έχουν όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά, καθώς και δομικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα γι’ αυτά:

1.

εμβέλεια ανίχνευσης άνω των 1 000 m, και

| 2. | ακρίβεια εντοπισμού κάτω των 10 m rms (τετραγωνικός μέσος όρος), μετρούμενη σε απόσταση 1 000 m. |
| --- | --- |

2.

ακρίβεια εντοπισμού κάτω των 10 m rms (τετραγωνικός μέσος όρος), μετρούμενη σε απόσταση 1 000 m.

Σημείωση: Στο σημείο 6Α001.α.1.δ. περιλαμβάνονται:

| α. | Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί ισοφασική «επεξεργασία σήματος» μεταξύ δύο ή περισσοτέρων σημαντήρων και του υδροφώνου που είναι τοποθετημένο στο πλοίο επιφανείας ή το υποβρύχιο σκάφος, |
| --- | --- |

α.

Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί ισοφασική «επεξεργασία σήματος» μεταξύ δύο ή περισσοτέρων σημαντήρων και του υδροφώνου που είναι τοποθετημένο στο πλοίο επιφανείας ή το υποβρύχιο σκάφος,

| β. | Εξοπλισμός που είναι ικανός να διορθώνει αυτομάτως σφάλματα μετάδοσης με την ταχύτητα του ήχου για τον υπολογισμό ενός στίγματος. |
| --- | --- |

β.

Εξοπλισμός που είναι ικανός να διορθώνει αυτομάτως σφάλματα μετάδοσης με την ταχύτητα του ήχου για τον υπολογισμό ενός στίγματος.

| ε. | Ενεργά ατομικά σονάρ, ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για την ανίχνευση, τον εντοπισμό και την αυτόματη ταξινόμηση κολυμβητών ή δυτών και ειδικά σχεδιασμένα για την εκπομπή και λήψη ακουστικών συστοιχιών για αυτούς:






  1. | εμβέλεια ανίχνευσης άνω των 530 m, |
| --- | --- | --- |

ε.

Ενεργά ατομικά σονάρ, ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για την ανίχνευση, τον εντοπισμό και την αυτόματη ταξινόμηση κολυμβητών ή δυτών και ειδικά σχεδιασμένα για την εκπομπή και λήψη ακουστικών συστοιχιών για αυτούς:

1.

εμβέλεια ανίχνευσης άνω των 530 m,

| 2. | ακρίβεια εντοπισμού κάτω των 15 m rms (τετραγωνικός μέσος όρος), μετρούμενη σε απόσταση 530 m, και |
| --- | --- |

2.

ακρίβεια εντοπισμού κάτω των 15 m rms (τετραγωνικός μέσος όρος), μετρούμενη σε απόσταση 530 m, και

| 3. | εύρος ζώνης διαβιβαζόμενου παλμικού σήματος άνω των 3 kHz. |
| --- | --- |

3.

εύρος ζώνης διαβιβαζόμενου παλμικού σήματος άνω των 3 kHz.

ΣΗΜ.: Για συστήματα ανίχνευσης δυτών ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για στρατιωτική χρήση, βλέπε ελέγχους στρατιωτικών αγαθών.

Σημείωση: Στο σημείο 6A001.α.1.ε, αν προσδιορίζονται διάφορες εμβέλειες ανίχνευσης για διάφορα περιβάλλοντα χρησιμοποιείται η μεγαλύτερη.

| 2. | Παθητικά συστήματα, εξοπλισμός και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:






  α. | Υδρόφωνα (μορφοτροπείς) με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:


  Σημείωση: Οι έλεγχοι οι εφαρμοστέοι στα ειδικά σχεδιασμένα για άλλον εξοπλισμό υδρόφωνα καθορίζονται από τους ελέγχους που διέπουν τον εν λόγω άλλον εξοπλισμό.



  Τεχνική παρατήρηση:


  Τα υδρόφωνα αποτελούνται από ένα ή περισσότερα αισθητήρια στοιχεία που παράγουν έναν και μόνο δίαυλο ακουστικής εξόδου. Εκείνα που περιέχουν πολλαπλά στοιχεία μπορούν να αναφερθούν και ως ομάδα υδροφώνων.







  1. | Που έχουν ενσωματωμένα συνεχή εύκαμπτα αισθητήρια στοιχεία, |
| --- | --- | --- | --- |

2.

Παθητικά συστήματα, εξοπλισμός και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:

α.

Υδρόφωνα (μορφοτροπείς) με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

Σημείωση: Οι έλεγχοι οι εφαρμοστέοι στα ειδικά σχεδιασμένα για άλλον εξοπλισμό υδρόφωνα καθορίζονται από τους ελέγχους που διέπουν τον εν λόγω άλλον εξοπλισμό.

Τεχνική παρατήρηση:

Τα υδρόφωνα αποτελούνται από ένα ή περισσότερα αισθητήρια στοιχεία που παράγουν έναν και μόνο δίαυλο ακουστικής εξόδου. Εκείνα που περιέχουν πολλαπλά στοιχεία μπορούν να αναφερθούν και ως ομάδα υδροφώνων.

1.

Που έχουν ενσωματωμένα συνεχή εύκαμπτα αισθητήρια στοιχεία,

| 2. | Που έχουν ενσωματωμένα εύκαμπτα συγκροτήματα διακεκριμένων αισθητηρίων στοιχείων διαμέτρου ή μήκους μικρότερου από 20 mm και με διαχωρισμό μεταξύ στοιχείων μικρότερο από 20 mm, |
| --- | --- |

2.

Που έχουν ενσωματωμένα εύκαμπτα συγκροτήματα διακεκριμένων αισθητηρίων στοιχείων διαμέτρου ή μήκους μικρότερου από 20 mm και με διαχωρισμό μεταξύ στοιχείων μικρότερο από 20 mm,

| 3. | Που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα αισθητήρια στοιχεία:






  α. | Οπτικές ίνες, |
| --- | --- | --- |

3.

Που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα αισθητήρια στοιχεία:

α.

Οπτικές ίνες,

| β. | «Μεμβράνες πιεζοηλεκτρικών πολυμερών» πλην του φθοριούχου πολυβινυλιδενίου (PVDF) και των συμπολυμερών του {P(VDF-TrFE) και P(VDF-TFE)}, |
| --- | --- |

β.

«Μεμβράνες πιεζοηλεκτρικών πολυμερών» πλην του φθοριούχου πολυβινυλιδενίου (PVDF) και των συμπολυμερών του {P(VDF-TrFE) και P(VDF-TFE)},

| γ. | «Εύκαμπτα πιεζοηλεκτρικά σύνθετα υλικά». |
| --- | --- |

γ.

«Εύκαμπτα πιεζοηλεκτρικά σύνθετα υλικά».

| δ. | Επιμέρους πιεζοηλεκτρικοί μονοκρύσταλλοι νιοβικού μολυβδο-μαγνησίου/τιτανικού μολύβδου [δηλαδή Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3, ή PMN-PT] που έχουν παραχθεί από στερεό διάλυμα, ή |
| --- | --- |

δ.

Επιμέρους πιεζοηλεκτρικοί μονοκρύσταλλοι νιοβικού μολυβδο-μαγνησίου/τιτανικού μολύβδου [δηλαδή Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3, ή PMN-PT] που έχουν παραχθεί από στερεό διάλυμα, ή

| ε. | Επιμέρους πιεζοηλεκτρικοί μονοκρύσταλλοι νιοβικού μολυβδο-ινδίου/τιτανικού μολύβδου [δηλαδή Pb(In1/2Nb1/2)O3–Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–PbTiO3, ή PIN-PMN-PT] που έχουν παραχθεί από στερεό διάλυμα, |
| --- | --- |

ε.

Επιμέρους πιεζοηλεκτρικοί μονοκρύσταλλοι νιοβικού μολυβδο-ινδίου/τιτανικού μολύβδου [δηλαδή Pb(In1/2Nb1/2)O3–Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–PbTiO3, ή PIN-PMN-PT] που έχουν παραχθεί από στερεό διάλυμα,

| 4. | «Ευαισθησία υδροφώνων» ανώτερη των -180 dB σε οποιοδήποτε βάθος χωρίς αντιστάθμιση επιταχύνσεως, |
| --- | --- |

4.

«Ευαισθησία υδροφώνων» ανώτερη των -180 dB σε οποιοδήποτε βάθος χωρίς αντιστάθμιση επιταχύνσεως,

| 5. | Όταν είναι σχεδιασμένα να λειτουργούν σε βάθη άνω των 35 m, με αντιστάθμιση επιτάχυνσης, ή |
| --- | --- |

5.

Όταν είναι σχεδιασμένα να λειτουργούν σε βάθη άνω των 35 m, με αντιστάθμιση επιτάχυνσης, ή

| 6. | Είναι σχεδιασμένα για λειτουργία σε βάθη υπερβαίνοντα τα 1 000 m. |
| --- | --- |

6.

Είναι σχεδιασμένα για λειτουργία σε βάθη υπερβαίνοντα τα 1 000 m.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Τα αισθητήρια στοιχεία από «μεμβράνες πιεζοηλεκτρικών πολυμερών» αποτελούνται από μεμβράνη πολωμένου πολυμερούς που τεντώνεται και στερεώνεται σε πλαίσιο στήριξης. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Τα αισθητήρια στοιχεία από «εύκαμπτα πιεζοηλεκτρικά σύνθετα υλικά» αποτελούνται από κεραμικά σωματίδια ή ίνες με ηλεκτρικώς μονωτικό αλλά ακουστικώς διαφανές, ελαστικό, πολυμερές ή εποξική ένωση, όπου ή ένωση αποτελεί αναπόσπαστο μέρος των αισθητήριων στοιχείων. |
| --- | --- |

2.

| 3. | Ως «ευαισθησία υδροφώνων» ορίζεται το εικοσαπλάσιο του δεκαδικού λογαρίθμου του λόγου της ενεργού τάσεως εξόδου ως προς τιμή αναφοράς 1 V rms, όταν ο υδροφωνικός αισθητήρας, χωρίς προενισχυτή, τοποθετείται σε επίπεδο πεδίο ηχητικών κυμάτων με ενεργό τιμή πιέσεως 1 μΡa. Για παράδειγμα, ένα υδρόφωνο των -160 dΒ (τιμή αναφοράς 1 V ανά μΡa) θα απέδιδε τάση εξόδου 10-8 V σε ένα τέτοιο πεδίο, ενώ ένα υδρόφωνο ευαισθησίας -180 dΒ θα απέδιδε τάση εξόδου 10-9V. Τοιουτοτρόπως, τα -160 dΒ είναι καλύτερα από τα -180 dΒ. |
| --- | --- |

3.

| β. | Ρυμουλκούμενες συστοιχίες ηχητικών υδροφώνων με τα ακόλουθα:


  Τεχνική παρατήρηση:


  Οι συστοιχίες υδροφώνων αποτελούνται από έναν αριθμό υδροφώνων που παρέχει πολλαπλές διαύλους ακουστικής εξόδου.







  1. | Βήμα ομάδας υδροφώνων μικρότερο από 12,5 m, ή «ικανές να τροποποιηθούν» ώστε να έχουν βήμα ομάδων υδροφώνων μικρότερο από 12,5 m, |
| --- | --- | --- |

β.

Ρυμουλκούμενες συστοιχίες ηχητικών υδροφώνων με τα ακόλουθα:

Τεχνική παρατήρηση:

Οι συστοιχίες υδροφώνων αποτελούνται από έναν αριθμό υδροφώνων που παρέχει πολλαπλές διαύλους ακουστικής εξόδου.

1.

Βήμα ομάδας υδροφώνων μικρότερο από 12,5 m, ή «ικανές να τροποποιηθούν» ώστε να έχουν βήμα ομάδων υδροφώνων μικρότερο από 12,5 m,

| 2. | Σχεδιασμένα ή «ικανά να τροποποιηθούν» ώστε να λειτουργούν σε βάθη υπερβαίνοντα τα 35 m·


  Τεχνική παρατήρηση:


  Η φράση «ικανές να τροποποιηθούν» στα σημεία 6Α001.α.2.β.1. και 2. σημαίνει να υπάρχει πρόβλεψη για αλλαγή της συρμάτωσης ή των διασυνδέσεων ώστε να μεταβληθεί το βήμα μεταξύ των υδροφώνων της ομάδας ή τα όρια του βάθους λειτουργίας. Οι προβλέψεις αυτές είναι: εφεδρική συρμάτωση υπερβαίνουσα ποσοστό 10 % του αριθμού των αγωγών, εξαρτήματα ρύθμισης του βήματος μεταξύ των υδροφώνων της ομάδας ή εσωτερικές συσκευές περιορισμού του βάθους που να είναι ρυθμίσιμες ή να ελέγχουν περισσότερες από μια ομάδα υδροφώνων. |
| --- | --- |

2.

Σχεδιασμένα ή «ικανά να τροποποιηθούν» ώστε να λειτουργούν σε βάθη υπερβαίνοντα τα 35 m·

Τεχνική παρατήρηση:

Η φράση «ικανές να τροποποιηθούν» στα σημεία 6Α001.α.2.β.1. και 2. σημαίνει να υπάρχει πρόβλεψη για αλλαγή της συρμάτωσης ή των διασυνδέσεων ώστε να μεταβληθεί το βήμα μεταξύ των υδροφώνων της ομάδας ή τα όρια του βάθους λειτουργίας. Οι προβλέψεις αυτές είναι: εφεδρική συρμάτωση υπερβαίνουσα ποσοστό 10 % του αριθμού των αγωγών, εξαρτήματα ρύθμισης του βήματος μεταξύ των υδροφώνων της ομάδας ή εσωτερικές συσκευές περιορισμού του βάθους που να είναι ρυθμίσιμες ή να ελέγχουν περισσότερες από μια ομάδα υδροφώνων.

| 3. | Αισθητήρες πορείας υπαγόμενοι στο σημείο 6Α001.α.2.δ., |
| --- | --- |

3.

Αισθητήρες πορείας υπαγόμενοι στο σημείο 6Α001.α.2.δ.,

| 4. | Ενισχυμένοι κατά το διαμήκη άξονα εύκαμπτοι στοιχειοσωλήνες, |
| --- | --- |

4.

Ενισχυμένοι κατά το διαμήκη άξονα εύκαμπτοι στοιχειοσωλήνες,

| 5. | Συναρμολογημένη συστοιχία διαμέτρου μικρότερης των 40 mm, |
| --- | --- |

5.

Συναρμολογημένη συστοιχία διαμέτρου μικρότερης των 40 mm,

| 6. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

6.

Δεν χρησιμοποιείται,

| 7. | Χαρακτηριστικά υδροφώνων προδιαγραφόμενα στο σημείο 6Α001.α.2.α., ή |
| --- | --- |

7.

Χαρακτηριστικά υδροφώνων προδιαγραφόμενα στο σημείο 6Α001.α.2.α., ή

| 8. | Υδροακουστικοί αισθητήρες βασισμένοι σε επιταχυνσιόμετρα που προσδιορίζονται στο σημείο 6A001.α.2.ζ., |
| --- | --- |

8.

Υδροακουστικοί αισθητήρες βασισμένοι σε επιταχυνσιόμετρα που προσδιορίζονται στο σημείο 6A001.α.2.ζ.,

| γ. | Εξοπλισμός επεξεργασίας, ειδικά σχεδιασμένος για ρυμουλκούμενες συστοιχίες ηχητικών υδροφώνων, που έχει «δυνατότητα προγραμματισμού προσπελάσιμη από το χρήστη» και επεξεργασία και συσχέτιση σε κλίμακα χρόνου ή συχνοτήτων, συμπεριλαμβανομένης φασματικής ανάλυσης, διόδου από ψηφιακό φίλτρο και διαμόρφωσης σε δέσμη με τη χρήση ταχείας ανάλυσης κατά Fourier ή άλλων μετασχηματισμών ή διεργασιών. |
| --- | --- |

γ.

Εξοπλισμός επεξεργασίας, ειδικά σχεδιασμένος για ρυμουλκούμενες συστοιχίες ηχητικών υδροφώνων, που έχει «δυνατότητα προγραμματισμού προσπελάσιμη από το χρήστη» και επεξεργασία και συσχέτιση σε κλίμακα χρόνου ή συχνοτήτων, συμπεριλαμβανομένης φασματικής ανάλυσης, διόδου από ψηφιακό φίλτρο και διαμόρφωσης σε δέσμη με τη χρήση ταχείας ανάλυσης κατά Fourier ή άλλων μετασχηματισμών ή διεργασιών.

| δ. | Αισθητήρες πορείας που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  1. | Ακρίβεια καλύτερη από ± 0,5°, και |
| --- | --- | --- |

δ.

Αισθητήρες πορείας που έχουν όλα τα ακόλουθα:

1.

Ακρίβεια καλύτερη από ± 0,5°, και

| 2. | Σχεδιασμένοι ώστε να λειτουργούν σε βάθη άνω των 35 m ή εφοδιασμένοι με ρυθμιζόμενη ή αντικαταστάσιμη αισθητήρια διάταξη ώστε να λειτουργούν σε βάθη άνω των 35 m, |
| --- | --- |

2.

Σχεδιασμένοι ώστε να λειτουργούν σε βάθη άνω των 35 m ή εφοδιασμένοι με ρυθμιζόμενη ή αντικαταστάσιμη αισθητήρια διάταξη ώστε να λειτουργούν σε βάθη άνω των 35 m,

| ε. | Συστοιχίες υδροφώνων καλωδίων βυθού ή κόλπων που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Ενσωματωμένα υδρόφωνα που ορίζονται στο σημείο 6Α001.α.2.α., |
| --- | --- | --- |

ε.

Συστοιχίες υδροφώνων καλωδίων βυθού ή κόλπων που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Ενσωματωμένα υδρόφωνα που ορίζονται στο σημείο 6Α001.α.2.α.,

| 2. | Ενσωματωμένες πολυπλεκτικές μονάδες σήματος ομάδας υδροφώνων με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  α. | Σχεδιασμένοι ώστε να λειτουργούν σε βάθη άνω των 35 m ή εφοδιασμένοι με ρυθμιζόμενη ή αντικαταστάσιμη αισθητήρια διάταξη ώστε να λειτουργούν σε βάθη άνω των 35 m, και |
| --- | --- | --- |

2.

Ενσωματωμένες πολυπλεκτικές μονάδες σήματος ομάδας υδροφώνων με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

α.

Σχεδιασμένοι ώστε να λειτουργούν σε βάθη άνω των 35 m ή εφοδιασμένοι με ρυθμιζόμενη ή αντικαταστάσιμη αισθητήρια διάταξη ώστε να λειτουργούν σε βάθη άνω των 35 m, και

| β. | Επιδέχονται λειτουργική ανταλλαγή με συρόμενες μονάδες συστοιχιών ακουστικών υδροφώνων, ή |
| --- | --- |

β.

Επιδέχονται λειτουργική ανταλλαγή με συρόμενες μονάδες συστοιχιών ακουστικών υδροφώνων, ή

| 3. | Ενσωματώνουν υδροακουστικούς αισθητήρες βασισμένους σε επιταχυνσιόμετρα που προσδιορίζονται στο σημείο 6A001.α.2.ζ., |
| --- | --- |

3.

Ενσωματώνουν υδροακουστικούς αισθητήρες βασισμένους σε επιταχυνσιόμετρα που προσδιορίζονται στο σημείο 6A001.α.2.ζ.,

| στ. | Εξοπλισμός επεξεργασίας, ειδικά σχεδιασμένο για καλωδιακά συστήματα βυθού ή ανοικτού κόλπου, που έχει «δυνατότητα προγραμματισμού προσπελάσιμη από το χρήστη» και επεξεργασία και συσχέτιση σε κλίμακα χρόνου ή συχνοτήτων, συμπεριλαμβανομένης φασματικής ανάλυσης, διόδου από ψηφιακό φίλτρο και διαμόρφωσης σε δέσμη με τη χρήση ταχείας ανάλυσης κατά Fourier ή άλλων μετασχηματισμών ή διεργασιών. |
| --- | --- |

στ.

Εξοπλισμός επεξεργασίας, ειδικά σχεδιασμένο για καλωδιακά συστήματα βυθού ή ανοικτού κόλπου, που έχει «δυνατότητα προγραμματισμού προσπελάσιμη από το χρήστη» και επεξεργασία και συσχέτιση σε κλίμακα χρόνου ή συχνοτήτων, συμπεριλαμβανομένης φασματικής ανάλυσης, διόδου από ψηφιακό φίλτρο και διαμόρφωσης σε δέσμη με τη χρήση ταχείας ανάλυσης κατά Fourier ή άλλων μετασχηματισμών ή διεργασιών.

| ζ. | Υδροακουστικοί αισθητήρες βασισμένοι σε επιταχυνσιόμετρα που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Αποτελούμενοι από τρία επιταχυνσιόμετρα διευθετημένα κατά μήκος τριών διακριτών αξόνων, |
| --- | --- | --- |

ζ.

Υδροακουστικοί αισθητήρες βασισμένοι σε επιταχυνσιόμετρα που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Αποτελούμενοι από τρία επιταχυνσιόμετρα διευθετημένα κατά μήκος τριών διακριτών αξόνων,

| 2. | Που έχουν συνολική «ευαισθησία στην επιτάχυνση» καλύτερη από 48 dB (τιμή αναφορά 1 000 mV rms ανά 1 g), |
| --- | --- |

2.

Που έχουν συνολική «ευαισθησία στην επιτάχυνση» καλύτερη από 48 dB (τιμή αναφορά 1 000 mV rms ανά 1 g),

| 3. | Σχεδιασμένα να λειτουργούν σε βάθος μεγαλύτερο από 35 m, και |
| --- | --- |

3.

Σχεδιασμένα να λειτουργούν σε βάθος μεγαλύτερο από 35 m, και

| 4. | Συχνότητα λειτουργίας κάτω των 20 kHz. |
| --- | --- |

4.

Συχνότητα λειτουργίας κάτω των 20 kHz.

Σημείωση: Στο σημείο 6A001.α.2.ζ. δεν υπάγονται αισθητήρες ταχύτητας σωματιδίων ή γεώφωνα.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Οι υδροακουστικοί αισθητήρες βασισμένοι σε επιταχυνσιόμετρα είναι γνωστοί και ως αισθητήρες διανύσματος. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Ως «ευαισθησία στην επιτάχυνση» ορίζεται το εικοσαπλάσιο του δεκαδικού λογαρίθμου του λόγου της ενεργού τάσεως εξόδου ως προς τιμή αναφοράς 1 V rms, όταν ο υδροακουστικός αισθητήρας, χωρίς προενισχυτή, τοποθετείται σε επίπεδο πεδίο ηχητικών κυμάτων με ενεργό τιμή επιτάχυνσης 1 g (δηλαδή 9,81 m/s2). |
| --- | --- |

2.

Σημείωση: Στο 6Α001.α.2 υπάγονται επίσης ο εξοπλισμός λήψης, είτε σχετίζεται είτε όχι, στη συνήθη εφαρμογή του, με χωριστό ενεργητικό εξοπλισμό, και οι ειδικά σχεδιασμένες συνιστώσες του.

| β. | Εξοπλισμός ηχοβολιστικού δρομομέτρου με συσχετισμό ταχύτητας και ταχύτητα Doppler σχεδιασμένος για να μετρά την οριζόντια ταχύτητα του μεταφέροντος τον εξοπλισμό μέσου σχετικώς προς το θαλάσσιο βυθό ως εξής:






  1. | Εξοπλισμός ηχοβολιστικού δρομομέτρου με συσχετισμό ταχύτητας, ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Σχεδιασμένος για λειτουργία σε αποστάσεις μεταξύ μεταφορικού μέσου και θαλάσσιου βυθού άνω των 500 m, ή |
| --- | --- | --- | --- |

β.

Εξοπλισμός ηχοβολιστικού δρομομέτρου με συσχετισμό ταχύτητας και ταχύτητα Doppler σχεδιασμένος για να μετρά την οριζόντια ταχύτητα του μεταφέροντος τον εξοπλισμό μέσου σχετικώς προς το θαλάσσιο βυθό ως εξής:

1.

Εξοπλισμός ηχοβολιστικού δρομομέτρου με συσχετισμό ταχύτητας, ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Σχεδιασμένος για λειτουργία σε αποστάσεις μεταξύ μεταφορικού μέσου και θαλάσσιου βυθού άνω των 500 m, ή

| β. | Με ακρίβεια ταχύτητας καλύτερη από το 1 % της ταχύτητας. |
| --- | --- |

β.

Με ακρίβεια ταχύτητας καλύτερη από το 1 % της ταχύτητας.

| 2. | Εξοπλισμός ηχοβολιστικού δρομομέτρου με ταχύτητα Doppler που έχει ακρίβεια ταχύτητας καλύτερη από το 1 % της ταχύτητας. |
| --- | --- |

2.

Εξοπλισμός ηχοβολιστικού δρομομέτρου με ταχύτητα Doppler που έχει ακρίβεια ταχύτητας καλύτερη από το 1 % της ταχύτητας.

Σημείωση 1: Στο σημείο 6A001.β. δεν υπάγονται τα βαθύμετρα που περιορίζονται σε οποιοδήποτε από τα εξής:

| α. | Μέτρηση του βάθους ύδατος, |
| --- | --- |

α.

Μέτρηση του βάθους ύδατος,

| β. | Μέτρηση της απόστασης βυθισμένων ή θαμμένων αντικειμένων, ή |
| --- | --- |

β.

Μέτρηση της απόστασης βυθισμένων ή θαμμένων αντικειμένων, ή

| γ. | Εντοπισμό κοπαδιών ψαριών. |
| --- | --- |

γ.

Εντοπισμό κοπαδιών ψαριών.

Σημείωση 2: Στο σημείο 6A001.β. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιαστεί για εγκατάσταση σε σκάφη επιφανείας.

| γ. | Δεν χρησιμοποιείται. |
| --- | --- |

γ.

Δεν χρησιμοποιείται.

6A002

Οπτικοί αισθητήρες ή εξοπλισμός και σχετικά δομικά στοιχεία, ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 6Α102

| α. | Οπτικοί ανιχνευτές, ως εξής:






  1. | «Κατάλληλοι για διαστημική χρήση» ηλεκτρονικοί ανιχνευτές, ως εξής:


  Σημείωση: Για τους σκοπούς του σημείου 6Α002.α.1., οι ηλεκτρονικοί ανιχνευτές περιλαμβάνουν τις «συστοιχίες εστιακού επιπέδου».







  α. | «Κατάλληλοι για διαστημική χρήση» ηλεκτρονικοί ανιχνευτές, που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  1. | Απόκριση αιχμής σε μήκη κύματος κλίμακας άνω των 10 nm και έως 300 nm, και |
| --- | --- | --- | --- | --- |

α.

Οπτικοί ανιχνευτές, ως εξής:

1.

«Κατάλληλοι για διαστημική χρήση» ηλεκτρονικοί ανιχνευτές, ως εξής:

Σημείωση: Για τους σκοπούς του σημείου 6Α002.α.1., οι ηλεκτρονικοί ανιχνευτές περιλαμβάνουν τις «συστοιχίες εστιακού επιπέδου».

α.

«Κατάλληλοι για διαστημική χρήση» ηλεκτρονικοί ανιχνευτές, που έχουν όλα τα ακόλουθα:

1.

Απόκριση αιχμής σε μήκη κύματος κλίμακας άνω των 10 nm και έως 300 nm, και

| 2. | Απόκριση μικρότερη από 0,1 % σχετικώς προς την απόκριση αιχμής σε μήκος κύματος άνω των 400 nm, |
| --- | --- |

2.

Απόκριση μικρότερη από 0,1 % σχετικώς προς την απόκριση αιχμής σε μήκος κύματος άνω των 400 nm,

| β. | «Κατάλληλοι για διαστημική χρήση» ηλεκτρονικοί ανιχνευτές, που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  1. | Απόκριση αιχμής σε μήκη κύματος κλίμακας άνω των 900 nm και έως 1 200 nm, και |
| --- | --- | --- |

β.

«Κατάλληλοι για διαστημική χρήση» ηλεκτρονικοί ανιχνευτές, που έχουν όλα τα ακόλουθα:

1.

Απόκριση αιχμής σε μήκη κύματος κλίμακας άνω των 900 nm και έως 1 200 nm, και

| 2. | «Σταθερά χρόνου» απόκρισης το πολύ 95 ns. |
| --- | --- |

2.

«Σταθερά χρόνου» απόκρισης το πολύ 95 ns.

| γ. | «Κατάλληλοι για διαστημική χρήση» ηλεκτρονικοί ανιχνευτές, που έχουν απόκριση αιχμής σε μήκος κύματος κλίμακας άνω των 1 200 nm και έως 30 000 nm. |
| --- | --- |

γ.

«Κατάλληλοι για διαστημική χρήση» ηλεκτρονικοί ανιχνευτές, που έχουν απόκριση αιχμής σε μήκος κύματος κλίμακας άνω των 1 200 nm και έως 30 000 nm.

| δ. | «Κατάλληλες για διαστημική χρήση»«συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που έχουν περισσότερα από 2 048 στοιχεία ανά συστοιχία και απόκριση αιχμής σε κλίμακα μήκους κύματος άνω των 300 nm και έως 900 nm. |
| --- | --- |

δ.

«Κατάλληλες για διαστημική χρήση»«συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που έχουν περισσότερα από 2 048 στοιχεία ανά συστοιχία και απόκριση αιχμής σε κλίμακα μήκους κύματος άνω των 300 nm και έως 900 nm.

| 2. | Λυχνίες προβολής εντονότερων εικόνων και ειδικώς σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:


  Σημείωση: Στο σημείο 6A002.α.2. δεν υπάγονται μη απεικονιστικές λυχνίες φωτοπολλαπλασιασμού που διαθέτουν αισθητήρια διάταξη ηλεκτρονίων στο κενό διάστημα και περιορίζονται αποκλειστικά σε οποιοδήποτε από τα παρακάτω:








  α. | Μία μόνη μεταλλική άνοδο, ή |
| --- | --- | --- |

2.

Λυχνίες προβολής εντονότερων εικόνων και ειδικώς σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:

Σημείωση: Στο σημείο 6A002.α.2. δεν υπάγονται μη απεικονιστικές λυχνίες φωτοπολλαπλασιασμού που διαθέτουν αισθητήρια διάταξη ηλεκτρονίων στο κενό διάστημα και περιορίζονται αποκλειστικά σε οποιοδήποτε από τα παρακάτω:

α.

Μία μόνη μεταλλική άνοδο, ή

| β. | Μεταλλικές ανόδους με διάστημα μεταξύ κέντρων μεγαλύτερο των 500 μm. |
| --- | --- |

β.

Μεταλλικές ανόδους με διάστημα μεταξύ κέντρων μεγαλύτερο των 500 μm.

Τεχνική παρατήρηση:

Ο «πολλαπλασιασμός φορτίου» είναι μια μορφή ηλεκτρονικής ενίσχυσης εικόνας και ορίζεται ως η παραγωγή φορέων φορτίου ως αποτέλεσμα διαδικασίας ιονισμού κρούσης. Οι αισθητήρες «πολλαπλασιασμού φορτίου» μπορούν να λάβουν τη μορφή λυχνίας προβολής εντονότερων εικόνων, ηλεκτρονικού ανιχνευτή ή «συστοιχίας εστιακού επιπέδου».

| α. | Λυχνίες προβολής εντονότερων εικόνων που ανταποκρίνονται σε όλα τα κατωτέρω:






  1. | Απόκριση αιχμής σε μήκη κύματος κλίμακας άνω των 400 nm και έως 1 050 nm, |
| --- | --- | --- |

α.

Λυχνίες προβολής εντονότερων εικόνων που ανταποκρίνονται σε όλα τα κατωτέρω:

1.

Απόκριση αιχμής σε μήκη κύματος κλίμακας άνω των 400 nm και έως 1 050 nm,

| 2. | Ηλεκτρονική ενίσχυση εικόνας που χρησιμοποιεί οποιοδήποτε από τα εξής:






  α. | Πλάκα μικροδιαύλου με βήμα οπών (διάστημα από κέντρο σε κέντρο) 12 μm ή μικρότερο, ή |
| --- | --- | --- |

2.

Ηλεκτρονική ενίσχυση εικόνας που χρησιμοποιεί οποιοδήποτε από τα εξής:

α.

Πλάκα μικροδιαύλου με βήμα οπών (διάστημα από κέντρο σε κέντρο) 12 μm ή μικρότερο, ή

| β. | Αισθητήρια διάταξη ηλεκτρονίων με non-binned pixel pitch 500 μm ή λιγότερων, ειδικά σχεδιασμένη ή τροποποιημένη για να επιτύχει «πολλαπλασιασμό φορτίου» με τρόπο πέραν της πλάκας μικροδιαύλου, και |
| --- | --- |

β.

Αισθητήρια διάταξη ηλεκτρονίων με non-binned pixel pitch 500 μm ή λιγότερων, ειδικά σχεδιασμένη ή τροποποιημένη για να επιτύχει «πολλαπλασιασμό φορτίου» με τρόπο πέραν της πλάκας μικροδιαύλου, και

| 3. | Φωτοκάθοδοι οποιουδήποτε από τους εξής τύπους:






  α. | Φωτοκάθοδοι πολυαλκαλίων (π.χ., S-20 και S-25) με φωτεινή ευαισθησία άνω των 350 μΑ/lm, |
| --- | --- | --- |

3.

Φωτοκάθοδοι οποιουδήποτε από τους εξής τύπους:

α.

Φωτοκάθοδοι πολυαλκαλίων (π.χ., S-20 και S-25) με φωτεινή ευαισθησία άνω των 350 μΑ/lm,

| β. | Φωτοκάθοδοι GaAs ή GaInAs, ή |
| --- | --- |

β.

Φωτοκάθοδοι GaAs ή GaInAs, ή

| γ. | Άλλες φωτοκάθοδοι σύνθετων ημιαγωγών «III-V» με μέγιστη «ευαισθησία ακτινοβολίας» άνω των 10 mΑ/W, |
| --- | --- |

γ.

Άλλες φωτοκάθοδοι σύνθετων ημιαγωγών «III-V» με μέγιστη «ευαισθησία ακτινοβολίας» άνω των 10 mΑ/W,

| β. | Λυχνίες προβολής εντονότερων εικόνων που ανταποκρίνονται σε όλα τα κατωτέρω:






  1. | Απόκριση αιχμής σε μήκη κύματος κλίμακας άνω των 1 050 nm και έως 1 800 nm, |
| --- | --- | --- |

β.

Λυχνίες προβολής εντονότερων εικόνων που ανταποκρίνονται σε όλα τα κατωτέρω:

1.

Απόκριση αιχμής σε μήκη κύματος κλίμακας άνω των 1 050 nm και έως 1 800 nm,

| 2. | Ηλεκτρονική ενίσχυση εικόνας που χρησιμοποιεί οποιοδήποτε από τα εξής:






  α. | Πλάκα μικροδιαύλου με βήμα οπών (διάστημα από κέντρο σε κέντρο) 12 μm ή μικρότερο, ή |
| --- | --- | --- |

2.

Ηλεκτρονική ενίσχυση εικόνας που χρησιμοποιεί οποιοδήποτε από τα εξής:

α.

Πλάκα μικροδιαύλου με βήμα οπών (διάστημα από κέντρο σε κέντρο) 12 μm ή μικρότερο, ή

| β. | Αισθητήρια διάταξη ηλεκτρονίων με non-binned pixel pitch 500 μm ή λιγότερων, ειδικά σχεδιασμένη ή τροποποιημένη για να επιτύχει «πολλαπλασιασμό φορτίου» με τρόπο πέραν της πλάκας μικροδιαύλου, και |
| --- | --- |

β.

Αισθητήρια διάταξη ηλεκτρονίων με non-binned pixel pitch 500 μm ή λιγότερων, ειδικά σχεδιασμένη ή τροποποιημένη για να επιτύχει «πολλαπλασιασμό φορτίου» με τρόπο πέραν της πλάκας μικροδιαύλου, και

| 3. | Φωτοκάθοδοι σύνθετων ημιαγωγών «III-V» (π.χ. GaAs ή GaInAs) και φωτοκάθοδοι μεταφερόμενων ηλεκτρονίων με μέγιστη «ευαισθησία ακτινοβολίας» άνω των 15 mΑ/W· |
| --- | --- |

3.

Φωτοκάθοδοι σύνθετων ημιαγωγών «III-V» (π.χ. GaAs ή GaInAs) και φωτοκάθοδοι μεταφερόμενων ηλεκτρονίων με μέγιστη «ευαισθησία ακτινοβολίας» άνω των 15 mΑ/W·

| γ. | Ειδικώς σχεδιασμένα δομικά μέρη, ως εξής:






  1. | Πλάκες μικροδιαύλων με βήμα οπών (διάστημα από κέντρο σε κέντρο) 12 μm ή μικρότερο, |
| --- | --- | --- |

γ.

Ειδικώς σχεδιασμένα δομικά μέρη, ως εξής:

1.

Πλάκες μικροδιαύλων με βήμα οπών (διάστημα από κέντρο σε κέντρο) 12 μm ή μικρότερο,

| 2. | Αισθητήρια διάταξη ηλεκτρονίων με non-binned pixel pitch 500 μm ή λιγότερων, ειδικά σχεδιασμένη ή τροποποιημένη για να επιτύχει «πολλαπλασιασμό φορτίου» με τρόπο πέραν της πλάκας μικροδιαύλου, |
| --- | --- |

2.

Αισθητήρια διάταξη ηλεκτρονίων με non-binned pixel pitch 500 μm ή λιγότερων, ειδικά σχεδιασμένη ή τροποποιημένη για να επιτύχει «πολλαπλασιασμό φορτίου» με τρόπο πέραν της πλάκας μικροδιαύλου,

| 3. | Φωτοκάθοδοι σύνθετων ημιαγωγών «III-V» (π.χ. GaAs ή GaInAs) και φωτοκάθοδοι μεταφερόμενων ηλεκτρονίων,


  Σημείωση: Το σημείο 6Α002.α.2.γ.3 δεν ελέγχει τις φωτοκαθόδους σύνθετων ημιαγωγών που έχουν σχεδιαστεί γαι την επίτευξη μέγιστης «ευαισθησίας ακτινοβολίας» οποιουδήποτε από τα παρακάτω:








  α. | 10 mΑ/W ή λιγότερο στην απόκριση αιχμής σε μήκη κύματος κλίμακας άνω των 400 nm και έως 1 050 nm, ή |
| --- | --- | --- |

3.

Φωτοκάθοδοι σύνθετων ημιαγωγών «III-V» (π.χ. GaAs ή GaInAs) και φωτοκάθοδοι μεταφερόμενων ηλεκτρονίων,

Σημείωση: Το σημείο 6Α002.α.2.γ.3 δεν ελέγχει τις φωτοκαθόδους σύνθετων ημιαγωγών που έχουν σχεδιαστεί γαι την επίτευξη μέγιστης «ευαισθησίας ακτινοβολίας» οποιουδήποτε από τα παρακάτω:

α.

10 mΑ/W ή λιγότερο στην απόκριση αιχμής σε μήκη κύματος κλίμακας άνω των 400 nm και έως 1 050 nm, ή

| β. | 15 mΑ/W ή λιγότερο στην απόκριση αιχμής σε μήκη κύματος κλίμακας άνω των 1 050 nm και έως 1 800 nm. |
| --- | --- |

β.

15 mΑ/W ή λιγότερο στην απόκριση αιχμής σε μήκη κύματος κλίμακας άνω των 1 050 nm και έως 1 800 nm.

| 3. | Μη «κατάλληλες για διαστημική χρήση»«συστοιχίες εστιακού επιπέδου», ως εξής:


  ΣΗΜ.: Οι μη «κατάλληλες για διαστημική χρήση»«συστοιχίες εστιακού επιπέδου» οι απαρτιζόμενες από μικροβολόμετρα περιλαμβάνονται μόνο στο σημείο 6A002.α.3.στ.



  Τεχνική παρατήρηση:


  Οι γραμμικές ή διδιάστατες πολυστοιχειακές συστοιχίες αναφέρονται ως «συστοιχίες εστιακού επιπέδου».



  Σημείωση 1: Στο σημείο 6Α002.α.3. περιλαμβάνονται φωτοαγώγιμες και φωτοβολταϊκές συστοιχίες.



  Σημείωση 2: Στο σημείο 6Α002.α.3. δεν υπάγονται:








  α. | πολυστοιχειακές (έως και 16 στοιχείων) εγκιβωτισμένες φωτοαγώγιμες κυψέλες που χρησιμοποιούν θειούχο ή σεληνιούχο μόλυβδο, |
| --- | --- | --- |

3.

Μη «κατάλληλες για διαστημική χρήση»«συστοιχίες εστιακού επιπέδου», ως εξής:

ΣΗΜ.: Οι μη «κατάλληλες για διαστημική χρήση»«συστοιχίες εστιακού επιπέδου» οι απαρτιζόμενες από μικροβολόμετρα περιλαμβάνονται μόνο στο σημείο 6A002.α.3.στ.

Τεχνική παρατήρηση:

Οι γραμμικές ή διδιάστατες πολυστοιχειακές συστοιχίες αναφέρονται ως «συστοιχίες εστιακού επιπέδου».

Σημείωση 1: Στο σημείο 6Α002.α.3. περιλαμβάνονται φωτοαγώγιμες και φωτοβολταϊκές συστοιχίες.

Σημείωση 2: Στο σημείο 6Α002.α.3. δεν υπάγονται:

α.

πολυστοιχειακές (έως και 16 στοιχείων) εγκιβωτισμένες φωτοαγώγιμες κυψέλες που χρησιμοποιούν θειούχο ή σεληνιούχο μόλυβδο,

| β. | πυροηλεκτρικοί ανιχνευτές που χρησιμοποιούν κάποιο από τα εξής:








  1. | Θειική τριγλυκίνη και παραλλαγές, |
| --- | --- | --- |

β.

πυροηλεκτρικοί ανιχνευτές που χρησιμοποιούν κάποιο από τα εξής:

1.

Θειική τριγλυκίνη και παραλλαγές,

| 2. | Τιτανικό μόλυβδο-λανθάνιο-ζιρκόνιο και παραλλαγές, |
| --- | --- |

2.

Τιτανικό μόλυβδο-λανθάνιο-ζιρκόνιο και παραλλαγές,

| 3. | Τανταλικό λίθιο, |
| --- | --- |

3.

Τανταλικό λίθιο,

| 4. | Φθοριούχο πολυβινυλιδένιο και παραλλαγές, ή |
| --- | --- |

4.

Φθοριούχο πολυβινυλιδένιο και παραλλαγές, ή

| 5. | Νιοβικό στροντιοβάριο και παραλλαγές. |
| --- | --- |

5.

Νιοβικό στροντιοβάριο και παραλλαγές.

| γ. | «Συστοιχίες εστιακού επιπέδου» ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες ώστε να επιτυγχάνουν «πολλαπλασιασμό φορτίου» και περιορισμένες εκ σχεδιασμού να έχουν μέγιστη «ευαισθησία ακτινοβολίας» 10 mΑ/W ή λιγότερο για μήκη κύματος άνω των 760 nm και που έχουν όλα τα παρακάτω:








  1. | ενσωματωμένο μηχανισμό περιορισμού της απόκρισης, σχεδιασμένο έτσι ώστε να μην αφαιρείται ούτε να τροποποιείται, και |
| --- | --- | --- |

γ.

«Συστοιχίες εστιακού επιπέδου» ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες ώστε να επιτυγχάνουν «πολλαπλασιασμό φορτίου» και περιορισμένες εκ σχεδιασμού να έχουν μέγιστη «ευαισθησία ακτινοβολίας» 10 mΑ/W ή λιγότερο για μήκη κύματος άνω των 760 nm και που έχουν όλα τα παρακάτω:

1.

ενσωματωμένο μηχανισμό περιορισμού της απόκρισης, σχεδιασμένο έτσι ώστε να μην αφαιρείται ούτε να τροποποιείται, και

| 2. | Οποιοδήποτε από τα εξής:








  α. | Ο μηχανισμός περιορισμού της απόκρισης είναι ενσωματωμένος στο ανιχνευτικό στοιχείο ή συνδυάζεται με αυτό, ή |
| --- | --- | --- |

2.

Οποιοδήποτε από τα εξής:

α.

Ο μηχανισμός περιορισμού της απόκρισης είναι ενσωματωμένος στο ανιχνευτικό στοιχείο ή συνδυάζεται με αυτό, ή

| β. | Η «συστοιχία εστιακού επιπέδου» έχει δυνατότητα λειτουργίας μόνον εφόσον είναι εγκατεστημένος ο μηχανισμός περιορισμού της απόκρισης. |
| --- | --- |

β.

Η «συστοιχία εστιακού επιπέδου» έχει δυνατότητα λειτουργίας μόνον εφόσον είναι εγκατεστημένος ο μηχανισμός περιορισμού της απόκρισης.

Τεχνική παρατήρηση:

Ο μηχανισμός περιορισμού της απόκρισης που είναι ενσωματωμένος στο ανιχνευτικό στοιχείο έχει σχεδιαστεί κατά τρόπον ώστε να είναι αδύνατη η αφαίρεση ή η τροποποίησή του χωρίς να αχρηστευθεί το ανιχνευτικό στοιχείο.

Τεχνική παρατήρηση:

Ο «πολλαπλασιασμός φορτίου» είναι μια μορφή ηλεκτρονικής ενίσχυσης εικόνας και ορίζεται ως η παραγωγή φορέων φορτίου ως αποτέλεσμα διαδικασίας ιονισμού κρούσης. Οι αισθητήρες «πολλαπλασιασμού φορτίου» μπορούν να λάβουν τη μορφή λυχνίας προβολής εντονότερων εικόνων, ηλεκτρονικού ανιχνευτή ή «συστοιχίας εστιακού επιπέδου».

| α. | Μη «κατάλληλες για διαστημική χρήση»«συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  1. | Μεμονωμένα στοιχεία με απόκριση αιχμής σε κλίμακα μήκους κύματος υπερβαίνουσα τα 900 nm και έως 1 050 nm, και |
| --- | --- | --- |

α.

Μη «κατάλληλες για διαστημική χρήση»«συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που έχουν όλα τα ακόλουθα:

1.

Μεμονωμένα στοιχεία με απόκριση αιχμής σε κλίμακα μήκους κύματος υπερβαίνουσα τα 900 nm και έως 1 050 nm, και

| 2. | Οποιοδήποτε από τα εξής:






  α. | «Σταθερά χρόνου» απόκρισης μικρότερη από 0,5 ns, ή |
| --- | --- | --- |

2.

Οποιοδήποτε από τα εξής:

α.

«Σταθερά χρόνου» απόκρισης μικρότερη από 0,5 ns, ή

| β. | Είναι ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες ώστε να επιτυγχάνουν «πολλαπλασιασμό φορτίου» και να έχουν μέγιστη «ευαισθησία ακτινοβολίας» που να υπερβαίνει τα 10 mΑ/W, |
| --- | --- |

β.

Είναι ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες ώστε να επιτυγχάνουν «πολλαπλασιασμό φορτίου» και να έχουν μέγιστη «ευαισθησία ακτινοβολίας» που να υπερβαίνει τα 10 mΑ/W,

| β. | Μη «κατάλληλες για διαστημική χρήση»«συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  1. | Μεμονωμένα στοιχεία με απόκριση αιχμής στο φάσμα μήκους κύματος από 1 050 nm και έως 1 200 nm, και |
| --- | --- | --- |

β.

Μη «κατάλληλες για διαστημική χρήση»«συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που έχουν όλα τα ακόλουθα:

1.

Μεμονωμένα στοιχεία με απόκριση αιχμής στο φάσμα μήκους κύματος από 1 050 nm και έως 1 200 nm, και

| 2. | Οποιοδήποτε από τα εξής:






  α. | «Σταθερά χρόνου» απόκρισης το πολύ 95 ns· ή |
| --- | --- | --- |

2.

Οποιοδήποτε από τα εξής:

α.

«Σταθερά χρόνου» απόκρισης το πολύ 95 ns· ή

| β. | Είναι ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες ώστε να επιτυγχάνουν «πολλαπλασιασμό φορτίου» και να έχουν μέγιστη «ευαισθησία ακτινοβολίας» που να υπερβαίνει τα 10 mΑ/W, |
| --- | --- |

β.

Είναι ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες ώστε να επιτυγχάνουν «πολλαπλασιασμό φορτίου» και να έχουν μέγιστη «ευαισθησία ακτινοβολίας» που να υπερβαίνει τα 10 mΑ/W,

| γ. | Μη «κατάλληλες για διαστημική χρήση» μη γραμμικές (διδιάστατες) «συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που έχουν μεμονωμένα στοιχεία με απόκριση αιχμής σε κλίμακα μήκους κύματος άνω των 1 200 nm και έως 30 000 nm.


  ΣΗΜ.: Οι μη «κατάλληλες για διαστημική χρήση»«συστοιχίες εστιακού επιπέδου» οι απαρτιζόμενες από μικροβολόμετρα με βάση πυρίτιο και άλλα υλικά περιλαμβάνονται μόνο στο σημείο 6A002.α.3.στ. |
| --- | --- |

γ.

Μη «κατάλληλες για διαστημική χρήση» μη γραμμικές (διδιάστατες) «συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που έχουν μεμονωμένα στοιχεία με απόκριση αιχμής σε κλίμακα μήκους κύματος άνω των 1 200 nm και έως 30 000 nm.

ΣΗΜ.: Οι μη «κατάλληλες για διαστημική χρήση»«συστοιχίες εστιακού επιπέδου» οι απαρτιζόμενες από μικροβολόμετρα με βάση πυρίτιο και άλλα υλικά περιλαμβάνονται μόνο στο σημείο 6A002.α.3.στ.

| δ. | Μη «κατάλληλες για διαστημική χρήση» γραμμικές (μονοδιάστατες) «συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  1. | Μεμονωμένα στοιχεία με απόκριση αιχμής στο φάσμα μήκους κύματος από 1 200 nm και έως 3 000 nm, και |
| --- | --- | --- |

δ.

Μη «κατάλληλες για διαστημική χρήση» γραμμικές (μονοδιάστατες) «συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που έχουν όλα τα ακόλουθα:

1.

Μεμονωμένα στοιχεία με απόκριση αιχμής στο φάσμα μήκους κύματος από 1 200 nm και έως 3 000 nm, και

| 2. | Οποιοδήποτε από τα εξής:






  α. | Λόγο της διάστασης του ανιχνευτικού στοιχείου στην «κατεύθυνση σάρωσης» προς τη διάστασή του στην «εγκάρσια κατεύθυνση σάρωσης» κάτω του 3,8, ή |
| --- | --- | --- |

2.

Οποιοδήποτε από τα εξής:

α.

Λόγο της διάστασης του ανιχνευτικού στοιχείου στην «κατεύθυνση σάρωσης» προς τη διάστασή του στην «εγκάρσια κατεύθυνση σάρωσης» κάτω του 3,8, ή

| β. | Επεξεργασία σήματος μέσα στα στοιχεία ανιχνευτών, |
| --- | --- |

β.

Επεξεργασία σήματος μέσα στα στοιχεία ανιχνευτών,

Σημείωση: Στο σημείο 6A002.α.3.δ. δεν υπάγονται οι «συστοιχίες εστιακού επιπέδου» (να μην υπερβαίνουν τα 32 στοιχεία) που έχουν ανιχνευτικά στοιχεία περιοριζόμενα αποκλειστικά στο υλικό γερμανίου.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 6A002.α.3.δ., ως «εγκάρσια κατεύθυνση σάρωσης» νοείται ο άξονας ο παράλληλος προς τη γραμμική συστοιχία ανιχνευτικών στοιχείων, ως «κατεύθυνση σάρωσης» δε ο άξονας ο κάθετος προς τη γραμμική συστοιχία ανιχνευτικών στοιχείων.

| ε. | Μη «κατάλληλες για διαστημική χρήση» γραμμικές (μονοδιάστατες) «συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που έχουν μεμονωμένα στοιχεία με απόκριση αιχμής στο φάσμα μήκους κύματος από 3 000 nm και έως 30 000 nm, |
| --- | --- |

ε.

Μη «κατάλληλες για διαστημική χρήση» γραμμικές (μονοδιάστατες) «συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που έχουν μεμονωμένα στοιχεία με απόκριση αιχμής στο φάσμα μήκους κύματος από 3 000 nm και έως 30 000 nm,

| στ. | Μη «κατάλληλες για διαστημική χρήση» μη γραμμικές (διδιάστατες) «συστοιχίες εστιακού επιπέδου» υπέρυθρων ακτίνων βασισμένες σε «μικροβολομετρικά» υλικά, που έχουν μεμονωμένα στοιχεία με αδιήθητη απόκριση στο φάσμα μήκους κύματος από 8 000 nm και έως και 14 000 nm.


  Τεχνική παρατήρηση:


  Για τους σκοπούς του σημείου 6A002.α.3.στ, ως «μικροβολόμετρο» ορίζεται κάθε ανιχνευτής θερμικής απεικόνισης που χρησιμοποιείται για να παράγει κάποιο χρησιμοποιήσιμο σήμα ως αποτέλεσμα μεταβολής της θερμοκρασίας του προκαλούμενης από απορρόφηση υπέρυθρων ακτίνων. |
| --- | --- |

στ.

Μη «κατάλληλες για διαστημική χρήση» μη γραμμικές (διδιάστατες) «συστοιχίες εστιακού επιπέδου» υπέρυθρων ακτίνων βασισμένες σε «μικροβολομετρικά» υλικά, που έχουν μεμονωμένα στοιχεία με αδιήθητη απόκριση στο φάσμα μήκους κύματος από 8 000 nm και έως και 14 000 nm.

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του σημείου 6A002.α.3.στ, ως «μικροβολόμετρο» ορίζεται κάθε ανιχνευτής θερμικής απεικόνισης που χρησιμοποιείται για να παράγει κάποιο χρησιμοποιήσιμο σήμα ως αποτέλεσμα μεταβολής της θερμοκρασίας του προκαλούμενης από απορρόφηση υπέρυθρων ακτίνων.

| ζ. | Μη «κατάλληλες για διαστημική χρήση»«συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  1. | Μεμονωμένα ανιχνευτικά στοιχεία με απόκριση αιχμής στο φάσμα μήκους κύματος από 400 nm και έως 900 nm, |
| --- | --- | --- |

ζ.

Μη «κατάλληλες για διαστημική χρήση»«συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που έχουν όλα τα ακόλουθα:

1.

Μεμονωμένα ανιχνευτικά στοιχεία με απόκριση αιχμής στο φάσμα μήκους κύματος από 400 nm και έως 900 nm,

| 2. | Είναι ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες ώστε να επιτυγχάνουν «πολλαπλασιασμό φορτίου» και να έχουν μέγιστη «ευαισθησία ακτινοβολίας» που να υπερβαίνει τα 10 mΑ/W για μήκη κύματος άνω των 760 nm, και |
| --- | --- |

2.

Είναι ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες ώστε να επιτυγχάνουν «πολλαπλασιασμό φορτίου» και να έχουν μέγιστη «ευαισθησία ακτινοβολίας» που να υπερβαίνει τα 10 mΑ/W για μήκη κύματος άνω των 760 nm, και

| 3. | Μεγαλύτερες των 32 στοιχείων, |
| --- | --- |

3.

Μεγαλύτερες των 32 στοιχείων,

| β. | «Αισθητήρες μονοφασματικής απεικόνισης» και «αισθητήρες πολυφασματικής απεικόνισης» σχεδιασμένοι για εφαρμογές τηλεπισκόπισης, που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Στιγμιαίο οπτικό πεδίο (IFOV) μικρότερο από 200 μrad (μικροακτίνια), ή |
| --- | --- | --- |

β.

«Αισθητήρες μονοφασματικής απεικόνισης» και «αισθητήρες πολυφασματικής απεικόνισης» σχεδιασμένοι για εφαρμογές τηλεπισκόπισης, που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Στιγμιαίο οπτικό πεδίο (IFOV) μικρότερο από 200 μrad (μικροακτίνια), ή

| 2. | Έχουν προδιαγραφεί για να λειτουργούν σε κλίμακα μήκους κύματος άνω των 400 nm και έως 30 000 nm και έχουν όλα τα ακόλουθα:






  α. | Παρέχουν έξοδο δεδομένων απεικόνισης σε ψηφιακή μορφή, και |
| --- | --- | --- |

2.

Έχουν προδιαγραφεί για να λειτουργούν σε κλίμακα μήκους κύματος άνω των 400 nm και έως 30 000 nm και έχουν όλα τα ακόλουθα:

α.

Παρέχουν έξοδο δεδομένων απεικόνισης σε ψηφιακή μορφή, και

| β. | Οποιαδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  1. | Είναι «κατάλληλοι για διαστημική χρήση», ή |
| --- | --- | --- |

β.

Οποιαδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1.

Είναι «κατάλληλοι για διαστημική χρήση», ή

| 2. | Είναι σχεδιασμένοι για αεροφερόμενη λειτουργία και χρησιμοποιούν σύστημα διαφορετικό από ανιχνευτές πυριτίου και έχουν IFOV κάτω των 2,5 mrad (χιλιοστοακτίνια). |
| --- | --- |

2.

Είναι σχεδιασμένοι για αεροφερόμενη λειτουργία και χρησιμοποιούν σύστημα διαφορετικό από ανιχνευτές πυριτίου και έχουν IFOV κάτω των 2,5 mrad (χιλιοστοακτίνια).

Σημείωση: Στο σημείο 6Α002.β.1. δεν υπάγονται οι «αισθητήρες μονοφασματικής απεικόνισης» με απόκριση αιχμής στο φάσμα μήκους κύματος από 300 nm έως και 900 nm και που μόνο ενσωματώνουν οποιονδήποτε από τους ακόλουθους «ακατάλληλους για διαστημική χρήση» ανιχνευτές ή οποιαδήποτε από τις ακόλουθες «ακατάλληλες για διαστημική χρήση»«συστοιχίες εστιακού επιπέδου»:

| 1. | Διατάξεις με σύζευξη φορτίου (CCD) που δεν είναι ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες ώστε να επιτυγχάνουν «πολλαπλασιασμό φορτίου»· ή |
| --- | --- |

1.

Διατάξεις με σύζευξη φορτίου (CCD) που δεν είναι ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες ώστε να επιτυγχάνουν «πολλαπλασιασμό φορτίου»· ή

| 2. | Διατάξεις συμπληρωματικών ημιαγωγών μεταλλικών οξειδίων (CMOS) που δεν είναι ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες ώστε να επιτυγχάνουν «πολλαπλασιασμό φορτίου». |
| --- | --- |

2.

Διατάξεις συμπληρωματικών ημιαγωγών μεταλλικών οξειδίων (CMOS) που δεν είναι ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες ώστε να επιτυγχάνουν «πολλαπλασιασμό φορτίου».

| γ. | Εξοπλισμός απεικόνισης «άμεσης όψης» που περιλαμβάνει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Λυχνίες ενίσχυσης εικόνων που καθορίζονται στο σημείο 6Α002.α.2.α. ή στο 6A002.α.2.β., |
| --- | --- | --- |

γ.

Εξοπλισμός απεικόνισης «άμεσης όψης» που περιλαμβάνει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Λυχνίες ενίσχυσης εικόνων που καθορίζονται στο σημείο 6Α002.α.2.α. ή στο 6A002.α.2.β.,

| 2. | «Συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που καθορίζονται στο σημείο 6Α002.α.3., ή |
| --- | --- |

2.

«Συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που καθορίζονται στο σημείο 6Α002.α.3., ή

| 3. | Ηλεκτρονικοί ανιχνευτές που ορίζονται στο σημείο 6Α002.α.1. |
| --- | --- |

3.

Ηλεκτρονικοί ανιχνευτές που ορίζονται στο σημείο 6Α002.α.1.

6A002 γ.

  Τεχνική παρατήρηση:

Η έκφραση «άμεση όψη» αφορά εξοπλισμό απεικόνισης που παρουσιάζει οπτική εικόνα σε ανθρώπινο παρατηρητή, χωρίς να μετατρέπει την εικόνα σε ηλεκτρονικό σήμα για τηλεοπτική παρουσίαση και που δεν μπορεί να καταγράψει ή αποθηκεύσει την εικόνα κατά τρόπο φωτογραφικό, ηλεκτρονικό ή οποιοδήποτε άλλο.

Σημείωση: Στο σημείο 6Α002.γ. δεν ελέγχεται ο ακόλουθος εξοπλισμός που περιλαμβάνει είδη διαφορετικά από φωτοκαθόδους GaAs ή GaInAs:

| α. | Βιομηχανικά ή πολιτικά συστήματα συναγερμού που ανιχνεύουν την είσοδο ατόμων, συστήματα ελέγχου κυκλοφορίας ή κινήσεων στη βιομηχανία, συστήματα μέτρησης, |
| --- | --- |

α.

Βιομηχανικά ή πολιτικά συστήματα συναγερμού που ανιχνεύουν την είσοδο ατόμων, συστήματα ελέγχου κυκλοφορίας ή κινήσεων στη βιομηχανία, συστήματα μέτρησης,

| β. | Ιατρικός εξοπλισμός, |
| --- | --- |

β.

Ιατρικός εξοπλισμός,

| γ. | Βιομηχανικός εξοπλισμός χρησιμοποιούμενος για την επιθεώρηση, τη διαλογή ή την ανάλυση ιδιοτήτων των υλικών, |
| --- | --- |

γ.

Βιομηχανικός εξοπλισμός χρησιμοποιούμενος για την επιθεώρηση, τη διαλογή ή την ανάλυση ιδιοτήτων των υλικών,

| δ. | Ανιχνευτές φλόγας για βιομηχανικούς κλιβάνους, |
| --- | --- |

δ.

Ανιχνευτές φλόγας για βιομηχανικούς κλιβάνους,

| ε. | Εξοπλισμός ειδικώς σχεδιασμένος για εργαστηριακή χρήση. |
| --- | --- |

ε.

Εξοπλισμός ειδικώς σχεδιασμένος για εργαστηριακή χρήση.

| δ. | Ειδικά βοηθητικά δομικά μέρη για οπτικούς αισθητήρες, ως εξής:






  1. | «Κατάλληλοι για διαστημική χρήση» κρυογενείς ψύκτες, |
| --- | --- | --- |

δ.

Ειδικά βοηθητικά δομικά μέρη για οπτικούς αισθητήρες, ως εξής:

1.

«Κατάλληλοι για διαστημική χρήση» κρυογενείς ψύκτες,

| 2. | Μη «κατάλληλοι για διαστημική χρήση» κρυογενείς ψύκτες με θερμοκρασία ψυκτικής πηγής κάτω από 218 Κ (-55 °C), ως εξής:






  α. | Τύπου κλειστού κύκλου με καθορισμένο μέσο χρόνο έως το σφάλμα (MTTF), ή μέσο χρόνο μεταξύ σφαλμάτων (MTBF), άνω των 2 500 ωρών, |
| --- | --- | --- |

2.

Μη «κατάλληλοι για διαστημική χρήση» κρυογενείς ψύκτες με θερμοκρασία ψυκτικής πηγής κάτω από 218 Κ (-55 °C), ως εξής:

α.

Τύπου κλειστού κύκλου με καθορισμένο μέσο χρόνο έως το σφάλμα (MTTF), ή μέσο χρόνο μεταξύ σφαλμάτων (MTBF), άνω των 2 500 ωρών,

| β. | Αυτορυθμιζόμενοι μίνι-ψύκτες Joule-Thomson (JT), με εξωτερική διάμετρο μικρότερη από 8 mm. |
| --- | --- |

β.

Αυτορυθμιζόμενοι μίνι-ψύκτες Joule-Thomson (JT), με εξωτερική διάμετρο μικρότερη από 8 mm.

| 3. | Οπτικές αισθητήριες ίνες ειδικώς κατασκευασμένες μέσω επέμβασης είτε στη σύνθεση είτε στη δομή, ή τροποποιημένες με επίστρωση, ώστε να καταστούν ευαίσθητες στον ήχο, τη θερμότητα, την αδράνεια, τον ηλεκτρομαγνητισμό ή την πυρηνική ακτινοβολία.


  Σημείωση: Το 6Α002.δ.3 δεν καλύπτει τις εγκιβωτισμένες οπτικές αισθητήριες ίνες που είναι ειδικά σχεδιασμένες για αισθητήριες εφαρμογές τρημάτων. |
| --- | --- |

3.

Οπτικές αισθητήριες ίνες ειδικώς κατασκευασμένες μέσω επέμβασης είτε στη σύνθεση είτε στη δομή, ή τροποποιημένες με επίστρωση, ώστε να καταστούν ευαίσθητες στον ήχο, τη θερμότητα, την αδράνεια, τον ηλεκτρομαγνητισμό ή την πυρηνική ακτινοβολία.

Σημείωση: Το 6Α002.δ.3 δεν καλύπτει τις εγκιβωτισμένες οπτικές αισθητήριες ίνες που είναι ειδικά σχεδιασμένες για αισθητήριες εφαρμογές τρημάτων.

| ε. | Δεν χρησιμοποιείται. |
| --- | --- |

ε.

Δεν χρησιμοποιείται.

6A003

Μηχανές κινηματογράφησης, συστήματα ή εξοπλισμός και σχετικά δομικά στοιχεία, ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 6Α203.

ΣΗΜ.: Για φωτογραφικές μηχανές με φιλμ και τηλεοπτικές κάμερες ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για υποβρύχια χρήση, βλέπε σημεία 8Α002.δ.1 και 8Α002.ε.

| α. | Μηχανές κινηματογράφησης και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:


  Σημείωση: Οι μηχανές κινηματογράφησης στο πλαίσιο εξοπλισμού με όργανα που προσδιορίζονται στα σημεία 6Α003.α.3 έως 6Α003.α.5 που διαθέτουν σπονδυλωτές δομές πρέπει να κρίνονται ανάλογα με τη μέγιστη ικανότητά τους, με χρήση διαθέσιμων «ηλεκτρονικών συγκροτημάτων» σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή.







  1. | Μηχανές κινηματογραφικής λήψης υψηλής ταχύτητας που χρησιμοποιούν οποιοδήποτε μέγεθος φιλμ από 8 mm έως και 16 mm, στις οποίες το κινηματογραφικό φιλμ προωθείται συνεχώς σε όλη τη διάρκεια της λήψης και που είναι ικανές να αποτυπώνουν με ρυθμούς άνω των 13 150 εικόνων ανά δευτερόλεπτο.


  Σημείωση: Στο σημείο 6Α003.α.1. δεν υπάγονται μηχανές κινηματογραφικών λήψεων σχεδιασμένες για μη στρατιωτικούς σκοπούς. |
| --- | --- | --- |

α.

Μηχανές κινηματογράφησης και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:

Σημείωση: Οι μηχανές κινηματογράφησης στο πλαίσιο εξοπλισμού με όργανα που προσδιορίζονται στα σημεία 6Α003.α.3 έως 6Α003.α.5 που διαθέτουν σπονδυλωτές δομές πρέπει να κρίνονται ανάλογα με τη μέγιστη ικανότητά τους, με χρήση διαθέσιμων «ηλεκτρονικών συγκροτημάτων» σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή.

1.

Μηχανές κινηματογραφικής λήψης υψηλής ταχύτητας που χρησιμοποιούν οποιοδήποτε μέγεθος φιλμ από 8 mm έως και 16 mm, στις οποίες το κινηματογραφικό φιλμ προωθείται συνεχώς σε όλη τη διάρκεια της λήψης και που είναι ικανές να αποτυπώνουν με ρυθμούς άνω των 13 150 εικόνων ανά δευτερόλεπτο.

Σημείωση: Στο σημείο 6Α003.α.1. δεν υπάγονται μηχανές κινηματογραφικών λήψεων σχεδιασμένες για μη στρατιωτικούς σκοπούς.

| 2. | Μηχανικής λειτουργίας κινηματογραφικές μηχανές υψηλής ταχύτητας, στις οποίες δεν μετακινείται το φιλμ, ικανές να αποτυπώνουν με ρυθμούς άνω του 1 000 000 εικόνων ανά δευτερόλεπτο για το πλήρες ύψος της εικόνας φιλμ των 35 mm ή με αναλογικώς υψηλότερους ρυθμούς για εικόνες μικρότερου ύψους ή με αναλογικώς κατώτερους ρυθμούς για εικόνες μεγαλύτερου ύψους. |
| --- | --- |

2.

Μηχανικής λειτουργίας κινηματογραφικές μηχανές υψηλής ταχύτητας, στις οποίες δεν μετακινείται το φιλμ, ικανές να αποτυπώνουν με ρυθμούς άνω του 1 000 000 εικόνων ανά δευτερόλεπτο για το πλήρες ύψος της εικόνας φιλμ των 35 mm ή με αναλογικώς υψηλότερους ρυθμούς για εικόνες μικρότερου ύψους ή με αναλογικώς κατώτερους ρυθμούς για εικόνες μεγαλύτερου ύψους.

| 3. | Μηχανικής ή ηλεκτρονικής λειτουργίας κινηματογραφικές μηχανές συνεχούς εικόνας, με ταχύτητες γραφής άνω των 10 mm/μs. |
| --- | --- |

3.

Μηχανικής ή ηλεκτρονικής λειτουργίας κινηματογραφικές μηχανές συνεχούς εικόνας, με ταχύτητες γραφής άνω των 10 mm/μs.

| 4. | Ηλεκτρονικής λειτουργίας μηχανές αποτύπωσης εικόνων, ταχύτητας άνω του 1 000 000 εικόνων ανά δευτερόλεπτο. |
| --- | --- |

4.

Ηλεκτρονικής λειτουργίας μηχανές αποτύπωσης εικόνων, ταχύτητας άνω του 1 000 000 εικόνων ανά δευτερόλεπτο.

| 5. | Ηλεκτρονικής λειτουργίας κινηματογραφικές μηχανές που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  α. | Ταχύτητα ηλεκτρονικού διαφράγματος (ικανότητα προσπέλασης στην πύλη) κάτω του 1 μs ανά πλήρη εικόνα, και |
| --- | --- | --- |

5.

Ηλεκτρονικής λειτουργίας κινηματογραφικές μηχανές που έχουν όλα τα ακόλουθα:

α.

Ταχύτητα ηλεκτρονικού διαφράγματος (ικανότητα προσπέλασης στην πύλη) κάτω του 1 μs ανά πλήρη εικόνα, και

| β. | Χρόνο ανάγνωσης που επιτρέπει ρυθμό αποτύπωσης εικόνων άνω των 125 πλήρων εικόνων ανά δευτερόλεπτο. |
| --- | --- |

β.

Χρόνο ανάγνωσης που επιτρέπει ρυθμό αποτύπωσης εικόνων άνω των 125 πλήρων εικόνων ανά δευτερόλεπτο.

| 6. | Ηλεκτρονικά συγκροτήματα με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:






  α. | Ειδικά σχεδιασμένα για μηχανές κινηματογράφησης σπονδυλωτής δομής που ορίζονται στο σημείο 6Α003.α., και |
| --- | --- | --- |

6.

Ηλεκτρονικά συγκροτήματα με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

α.

Ειδικά σχεδιασμένα για μηχανές κινηματογράφησης σπονδυλωτής δομής που ορίζονται στο σημείο 6Α003.α., και

| β. | Που επιτρέπουν στις μηχανές αυτές να τηρούν τα χαρακτηριστικά που ορίζονται στα σημεία 6Α003.α.3., 6Α003.α.4., ή 6Α003.α.5., σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή. |
| --- | --- |

β.

Που επιτρέπουν στις μηχανές αυτές να τηρούν τα χαρακτηριστικά που ορίζονται στα σημεία 6Α003.α.3., 6Α003.α.4., ή 6Α003.α.5., σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή.

| β. | Μηχανές απεικόνισης ως εξής:


  Σημείωση: Στο σημείο 6Α003.β. δεν υπάγονται μηχανές τηλεοπτικών ή οπτικοακουστικών λήψεων ειδικά σχεδιασμένες για τηλεοπτικές μεταδόσεις.







  1. | Μηχανές μαγνητοσκόπησης εμπεριέχουσες αισθητήρες στερεάς κατάστασης, που έχουν απόκριση αιχμής στο φάσμα μηκών κύματος άνω των 10 nm και έως 30 000 nm· και όλα τα ακόλουθα:






  α. | Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Άνω των 4 × 106«ενεργά εικονοκύτταρα» ανά συστοιχία στερεάς κατάστασης για μηχανές μονοχρωματικής (μαυρόασπρης) λήψης, |
| --- | --- | --- | --- | --- |

β.

Μηχανές απεικόνισης ως εξής:

Σημείωση: Στο σημείο 6Α003.β. δεν υπάγονται μηχανές τηλεοπτικών ή οπτικοακουστικών λήψεων ειδικά σχεδιασμένες για τηλεοπτικές μεταδόσεις.

1.

Μηχανές μαγνητοσκόπησης εμπεριέχουσες αισθητήρες στερεάς κατάστασης, που έχουν απόκριση αιχμής στο φάσμα μηκών κύματος άνω των 10 nm και έως 30 000 nm· και όλα τα ακόλουθα:

α.

Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Άνω των 4 × 106«ενεργά εικονοκύτταρα» ανά συστοιχία στερεάς κατάστασης για μηχανές μονοχρωματικής (μαυρόασπρης) λήψης,

| 2. | Άνω των 4 × 106«ενεργά εικονοκύτταρα» ανά συστοιχία στερεάς κατάστασης για μηχανές έγχρωμης λήψης εμπεριέχουσες τρεις συστοιχίες στερεάς κατάστασης, ή |
| --- | --- |

2.

Άνω των 4 × 106«ενεργά εικονοκύτταρα» ανά συστοιχία στερεάς κατάστασης για μηχανές έγχρωμης λήψης εμπεριέχουσες τρεις συστοιχίες στερεάς κατάστασης, ή

| 3. | Άνω των 12 × 106«ενεργά εικονοκύτταρα» ανά συστοιχία στερεάς κατάστασης για μηχανές έγχρωμης λήψης εμπεριέχουσες μια μόνο συστοιχία στερεάς κατάστασης, και |
| --- | --- |

3.

Άνω των 12 × 106«ενεργά εικονοκύτταρα» ανά συστοιχία στερεάς κατάστασης για μηχανές έγχρωμης λήψης εμπεριέχουσες μια μόνο συστοιχία στερεάς κατάστασης, και

| β. | Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Οπτικά κάτοπτρα που ορίζονται στο σημείο 6Α004.α., |
| --- | --- | --- |

β.

Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Οπτικά κάτοπτρα που ορίζονται στο σημείο 6Α004.α.,

| 2. | Εξοπλισμός οπτικού ελέγχου που ορίζεται στο σημείο 6Α004.δ., ή |
| --- | --- |

2.

Εξοπλισμός οπτικού ελέγχου που ορίζεται στο σημείο 6Α004.δ., ή

| 3. | Ικανότητα σχολιασμού ενδογενών «δεδομένων σκόπευσης της κάμερας». |
| --- | --- |

3.

Ικανότητα σχολιασμού ενδογενών «δεδομένων σκόπευσης της κάμερας».

Τεχνική παρατήρηση:

| 1. | Για τους σκοπούς του παρόντος σημείου, οι ψηφιακές μηχανές μαγνητοσκόπησης πρέπει να αξιολογούνται βάσει του μέγιστου πλήθους «ενεργών εικονοκυττάρων» που χρησιμοποιούνται για την καταγραφή κινούμενων εικόνων. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Για τους σκοπούς του παρόντος σημείου, ως «δεδομένα σκόπευσης της κάμερας» νοούνται οι πληροφορίες οι αναγκαίες για τον καθορισμό του προσανατολισμού της οπτικής γραμμής της κάμερας ως προς τη γη, και στις οποίες περιλαμβάνονται: 1) η οριζόντια γωνία της γραμμής αυτής με την κατεύθυνση του μαγνητικού πεδίου της γης, και 2) η κατακόρυφη γωνία μεταξύ της γραμμής και του ορίζοντα. |
| --- | --- |

2.

| 2. | Μηχανές σάρωσης και συστήματα μηχανών σάρωσης, που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  α. | Απόκριση αιχμής σε μήκη κύματος κλίμακας άνω των 10 nm και έως 30 000 nm, |
| --- | --- | --- |

2.

Μηχανές σάρωσης και συστήματα μηχανών σάρωσης, που έχουν όλα τα ακόλουθα:

α.

Απόκριση αιχμής σε μήκη κύματος κλίμακας άνω των 10 nm και έως 30 000 nm,

| β. | Συστοιχίες γραμμικής ανίχνευσης με άνω των 8 192 στοιχεία ανά συστοιχία, και |
| --- | --- |

β.

Συστοιχίες γραμμικής ανίχνευσης με άνω των 8 192 στοιχεία ανά συστοιχία, και

| γ. | Μηχανική σάρωση προς τη μια κατεύθυνση. |
| --- | --- |

γ.

Μηχανική σάρωση προς τη μια κατεύθυνση.

Σημείωση: Στο 6A003.β.2 δεν υπάγονται οι μηχανές σάρωσης και τα συστήματα μηχανών σάρωσης που έχουν σχεδιαστεί ειδικά για ένα από τα εξής:

| α. | Βιομηχανικά ή πολιτικά φωτοτυπεία, |
| --- | --- |

α.

Βιομηχανικά ή πολιτικά φωτοτυπεία,

| β. | Σαρωτές εικόνων ειδικά σχεδιασμένους για μη στρατιωτικές, μη κινητές εφαρμογές σάρωσης από πολύ κοντά (π.χ. αναπαραγωγή εικόνων ή τυπωμένων κειμένων περιεχόμενων σε έγγραφα, καλλιτεχνικών έργων ή φωτογραφιών), ή |
| --- | --- |

β.

Σαρωτές εικόνων ειδικά σχεδιασμένους για μη στρατιωτικές, μη κινητές εφαρμογές σάρωσης από πολύ κοντά (π.χ. αναπαραγωγή εικόνων ή τυπωμένων κειμένων περιεχόμενων σε έγγραφα, καλλιτεχνικών έργων ή φωτογραφιών), ή

| γ. | Ιατρικό εξοπλισμό. |
| --- | --- |

γ.

Ιατρικό εξοπλισμό.

| 3. | Μηχανές απεικόνισης εμπεριέχουσες λυχνίες προβολής εντονότερων εικόνων που καθορίζονται στα σημεία 6Α002.α.2.α. ή 6A002.α.2.β., |
| --- | --- |

3.

Μηχανές απεικόνισης εμπεριέχουσες λυχνίες προβολής εντονότερων εικόνων που καθορίζονται στα σημεία 6Α002.α.2.α. ή 6A002.α.2.β.,

| 4. | Μηχανές απεικόνισης εμπεριέχουσες «συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω:






  α. | εμπεριέχουσες «συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που καθορίζονται στα σημεία 6Α002.α.3.α έως 6Α002.α.3.ε, |
| --- | --- | --- |

4.

Μηχανές απεικόνισης εμπεριέχουσες «συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω:

α.

εμπεριέχουσες «συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που καθορίζονται στα σημεία 6Α002.α.3.α έως 6Α002.α.3.ε,

| β. | εμπεριέχουσες «Συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που καθορίζονται στο σημείο 6Α002.α.3.στ. ή |
| --- | --- |

β.

εμπεριέχουσες «Συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που καθορίζονται στο σημείο 6Α002.α.3.στ. ή

| γ. | Εμπεριέχουσες «Συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που καθορίζονται στο σημείο 6Α002.α.3.ζ. |
| --- | --- |

γ.

Εμπεριέχουσες «Συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που καθορίζονται στο σημείο 6Α002.α.3.ζ.

Σημείωση 1: Οι μηχανές απεικόνισης που καθορίζονται στο σημείο 6A003.β.4 εμπεριέχουν «συστοιχίες εστιακού επιπέδου» σε συνδυασμό με αρκετές ηλεκτρονικές διατάξεις «επεξεργασίας σήματος», πέραν του ολοκληρωμένου κυκλώματος ανάγνωσης του αποτελέσματος, ώστε να μπορούν να παράγουν τουλάχιστον αναλογικό ή ψηφιακό σήμα εξόδου άμα τροφοδοτηθούν με ηλεκτρισμό.

Σημείωση 2: Στο σημείο 6A003.β.4.α δεν υπάγονται οι μηχανές απεικόνισης οι εμπεριέχουσες γραμμικές «συστοιχίες εστιακού επιπέδου» με δώδεκα το πολύ στοιχεία, οι οποίες δεν χρησιμοποιούν χρονοκαθυστέρηση-και-ολοκλήρωση μέσα στο στοιχείο και είναι σχεδιασμένες για οποιονδήποτε από τους εξής σκοπούς:

| α. | Βιομηχανικά ή πολιτικά συστήματα συναγερμού που ανιχνεύουν την είσοδο ατόμων, συστήματα ελέγχου κυκλοφορίας ή κινήσεων στη βιομηχανία, συστήματα μέτρησης, |
| --- | --- |

α.

Βιομηχανικά ή πολιτικά συστήματα συναγερμού που ανιχνεύουν την είσοδο ατόμων, συστήματα ελέγχου κυκλοφορίας ή κινήσεων στη βιομηχανία, συστήματα μέτρησης,

| β. | Βιομηχανικό εξοπλισμό χρησιμοποιούμενο για την επιθεώρηση ή παρακολούθηση των ροών θερμότητας σε κτίρια, εξοπλισμό ή βιομηχανικές διεργασίες, |
| --- | --- |

β.

Βιομηχανικό εξοπλισμό χρησιμοποιούμενο για την επιθεώρηση ή παρακολούθηση των ροών θερμότητας σε κτίρια, εξοπλισμό ή βιομηχανικές διεργασίες,

| γ. | Βιομηχανικός εξοπλισμός χρησιμοποιούμενος για την επιθεώρηση, τη διαλογή ή την ανάλυση ιδιοτήτων των υλικών, |
| --- | --- |

γ.

Βιομηχανικός εξοπλισμός χρησιμοποιούμενος για την επιθεώρηση, τη διαλογή ή την ανάλυση ιδιοτήτων των υλικών,

| δ. | Εξοπλισμό ειδικώς σχεδιασμένο για εργαστηριακή χρήση, ή |
| --- | --- |

δ.

Εξοπλισμό ειδικώς σχεδιασμένο για εργαστηριακή χρήση, ή

| ε. | Ιατρικό εξοπλισμό. |
| --- | --- |

ε.

Ιατρικό εξοπλισμό.

Σημείωση 3: Στο σημείο 6Α003.β.4.β δεν υπάγονται οι μηχανές απεικόνισης που έχουν ένα τουλάχιστον από τα εξής:

| α. | Μέγιστη συχνότητα λήψεων έως και 9 Hz, |
| --- | --- |

α.

Μέγιστη συχνότητα λήψεων έως και 9 Hz,

| β. | Όλα τα ακόλουθα:








  1. | ελάχιστο οριζόντιο ή κατακόρυφο «στιγμιαίο οπτικό πεδίο (IFOV)» τουλάχιστον 10 mrad ανά pixel (χιλιοστοακτίνια ανά εικονοστοιχείο), |
| --- | --- | --- |

β.

Όλα τα ακόλουθα:

1.

ελάχιστο οριζόντιο ή κατακόρυφο «στιγμιαίο οπτικό πεδίο (IFOV)» τουλάχιστον 10 mrad ανά pixel (χιλιοστοακτίνια ανά εικονοστοιχείο),

| 2. | ενσωματωμένο φακό σταθερής εστιακής απόστασης, σχεδιασμένο ώστε να μην αφαιρείται, |
| --- | --- |

2.

ενσωματωμένο φακό σταθερής εστιακής απόστασης, σχεδιασμένο ώστε να μην αφαιρείται,

| 3. | απουσία «άμεσης θέασης», και |
| --- | --- |

3.

απουσία «άμεσης θέασης», και

| 4. | Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:








  α. | Απουσία δυνατότητας λήψης ορατής απεικόνισης του ανιχνευόμενου οπτικού πεδίου, ή |
| --- | --- | --- |

4.

Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Απουσία δυνατότητας λήψης ορατής απεικόνισης του ανιχνευόμενου οπτικού πεδίου, ή

| β. | η μηχανή είναι σχεδιασμένη για ένα και μόνο είδος εφαρμογής και σχεδιασμένη έτσι ώστε να μην μπορεί να τροποποιηθεί από το χρήστη, ή |
| --- | --- |

β.

η μηχανή είναι σχεδιασμένη για ένα και μόνο είδος εφαρμογής και σχεδιασμένη έτσι ώστε να μην μπορεί να τροποποιηθεί από το χρήστη, ή

| γ. | η μηχανή είναι ειδικά σχεδιασμένη για να εγκατασταθεί σε μη στρατιωτικό όχημα χερσαίας μεταφοράς επιβατών, μεικτού βάρους οχήματος κάτω των τριών τόνων και έχει όλα τα παρακάτω:








  1. | Δυνατότητα λειτουργίας μόνον εφόσον είναι εγκατεστημένη:








  α. | στο μη στρατιωτικό όχημα χερσαίας μεταφοράς επιβατών για το οποίο προοριζόταν, ή |
| --- | --- | --- | --- |

γ.

η μηχανή είναι ειδικά σχεδιασμένη για να εγκατασταθεί σε μη στρατιωτικό όχημα χερσαίας μεταφοράς επιβατών, μεικτού βάρους οχήματος κάτω των τριών τόνων και έχει όλα τα παρακάτω:

1.

Δυνατότητα λειτουργίας μόνον εφόσον είναι εγκατεστημένη:

α.

στο μη στρατιωτικό όχημα χερσαίας μεταφοράς επιβατών για το οποίο προοριζόταν, ή

| β. | σε ειδικά σχεδιασμένη και εγκεκριμένη εγκατάσταση δοκιμών και συντήρησης, και |
| --- | --- |

β.

σε ειδικά σχεδιασμένη και εγκεκριμένη εγκατάσταση δοκιμών και συντήρησης, και

| 2. | Ενσωματωμένο ενεργό μηχανισμό που την αναγκάζει να μη λειτουργεί όταν έχει αφαιρεθεί από το όχημα για το οποίο προοριζόταν. |
| --- | --- |

2.

Ενσωματωμένο ενεργό μηχανισμό που την αναγκάζει να μη λειτουργεί όταν έχει αφαιρεθεί από το όχημα για το οποίο προοριζόταν.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Το «στιγμιαίο οπτικό πεδίο (IFOV)» για το οποίο γίνεται λόγος στο σημείο 6A003.β.4, σημείωση 3.β, είναι το μικρότερο από τα δύο μεγέθη «οριζόντιο στιγμιαίο οπτικό πεδίο» και «κατακόρυφο στιγμιαίο οπτικό πεδίο».

  «Οριζόντιο στιγμιαίο οπτικό πεδίο» είναι ο λόγος του οριζόντιου οπτικού πεδίου προς τον αριθμό των οριζόντιων ανιχνευτικών στοιχείων.


  «Κατακόρυφο στιγμιαίο οπτικό πεδίο» είναι ο λόγος του κατακόρυφου οπτικού πεδίου προς τον αριθμό των κατακόρυφων ανιχνευτικών στοιχείων. |
| --- | --- |

1.

«Οριζόντιο στιγμιαίο οπτικό πεδίο» είναι ο λόγος του οριζόντιου οπτικού πεδίου προς τον αριθμό των οριζόντιων ανιχνευτικών στοιχείων.

«Κατακόρυφο στιγμιαίο οπτικό πεδίο» είναι ο λόγος του κατακόρυφου οπτικού πεδίου προς τον αριθμό των κατακόρυφων ανιχνευτικών στοιχείων.

| 2. | Ο όρος «άμεση θέαση» στο σημείο 6A003.β.4, σημείωση 3.β, αναφέρεται σε μηχανή απεικόνισης λειτουργούσα στο υπέρυθρο μέρος του φάσματος, η οποία εμφανίζει στον άνθρωπο παρατηρητή οπτική εικόνα με χρήση προσοφθάλμιας μικροαπεικονιστικής διάταξης με ενσωματωμένο κάποιο μηχανισμό φωτασφάλειας. |
| --- | --- |

2.

Σημείωση 4: Στο σημείο 6Α003.β.4.γ δεν υπάγονται μηχανές απεικόνισης που έχουν ένα τουλάχιστον από τα εξής:

| α. | Όλα τα ακόλουθα:








  1. | Εφόσον η μηχανή έχει σχεδιαστεί ειδικά για εγκατάσταση ως ολοκληρωμένο δομικό στοιχείο συστημάτων ή εξοπλισμού εσωτερικού χώρου και με λειτουργία πρίζας και περιορίζεται εκ σχεδιασμού σε ένα μόνο είδος εφαρμογής, ως εξής:








  α. | Παρακολούθηση βιομηχανικών διεργασιών, έλεγχο ποιότητας ή ανάλυση ιδιοτήτων των υλικών, |
| --- | --- | --- | --- |

α.

Όλα τα ακόλουθα:

1.

Εφόσον η μηχανή έχει σχεδιαστεί ειδικά για εγκατάσταση ως ολοκληρωμένο δομικό στοιχείο συστημάτων ή εξοπλισμού εσωτερικού χώρου και με λειτουργία πρίζας και περιορίζεται εκ σχεδιασμού σε ένα μόνο είδος εφαρμογής, ως εξής:

α.

Παρακολούθηση βιομηχανικών διεργασιών, έλεγχο ποιότητας ή ανάλυση ιδιοτήτων των υλικών,

| β. | Εργαστηριακό εξοπλισμό ειδικά σχεδιασμένο για επιστημονική έρευνα, |
| --- | --- |

β.

Εργαστηριακό εξοπλισμό ειδικά σχεδιασμένο για επιστημονική έρευνα,

| γ. | Ιατρικός εξοπλισμός, |
| --- | --- |

γ.

Ιατρικός εξοπλισμός,

| δ. | Εξοπλισμό ανίχνευσης οικονομικής απάτης, και |
| --- | --- |

δ.

Εξοπλισμό ανίχνευσης οικονομικής απάτης, και

| 2. | Δυνατότητα λειτουργίας μόνον εφόσον είναι εγκατεστημένη:








  α. | στο ή τα συστήματα ή τον εξοπλισμό για τα οποία προορίζεται, ή |
| --- | --- | --- |

2.

Δυνατότητα λειτουργίας μόνον εφόσον είναι εγκατεστημένη:

α.

στο ή τα συστήματα ή τον εξοπλισμό για τα οποία προορίζεται, ή

| β. | σε ειδικά σχεδιασμένη και εγκεκριμένη εγκατάσταση συντήρησης, και |
| --- | --- |

β.

σε ειδικά σχεδιασμένη και εγκεκριμένη εγκατάσταση συντήρησης, και

| 3. | Ενσωματωμένο ενεργό μηχανισμό που την αναγκάζει να μη λειτουργεί όταν έχει αφαιρεθεί από το ή τα συστήματα ή τον εξοπλισμό για τα οποία προοριζόταν. |
| --- | --- |

3.

Ενσωματωμένο ενεργό μηχανισμό που την αναγκάζει να μη λειτουργεί όταν έχει αφαιρεθεί από το ή τα συστήματα ή τον εξοπλισμό για τα οποία προοριζόταν.

| β. | Εφόσον η μηχανή είναι ειδικά σχεδιασμένη για να εγκατασταθεί σε μη στρατιωτικό όχημα χερσαίας μεταφοράς επιβατών, μεικτού βάρους οχήματος κάτω των τριών τόνων, ή σε πορθμεία επιβατών και οχημάτων που έχουν συνολικό μήκος 65 m και άνω, και έχει όλα τα κάτωθι χαρακτηριστικά:








  1. | Δυνατότητα λειτουργίας μόνον εφόσον είναι εγκατεστημένη:








  α. | στο μη στρατιωτικό όχημα χερσαίας μεταφοράς επιβατών ή στο πορθμείο επιβατών και οχημάτων για το οποίο προορίζεται, ή |
| --- | --- | --- | --- |

β.

Εφόσον η μηχανή είναι ειδικά σχεδιασμένη για να εγκατασταθεί σε μη στρατιωτικό όχημα χερσαίας μεταφοράς επιβατών, μεικτού βάρους οχήματος κάτω των τριών τόνων, ή σε πορθμεία επιβατών και οχημάτων που έχουν συνολικό μήκος 65 m και άνω, και έχει όλα τα κάτωθι χαρακτηριστικά:

1.

Δυνατότητα λειτουργίας μόνον εφόσον είναι εγκατεστημένη:

α.

στο μη στρατιωτικό όχημα χερσαίας μεταφοράς επιβατών ή στο πορθμείο επιβατών και οχημάτων για το οποίο προορίζεται, ή

| β. | σε ειδικά σχεδιασμένη και εγκεκριμένη εγκατάσταση δοκιμών και συντήρησης, και |
| --- | --- |

β.

σε ειδικά σχεδιασμένη και εγκεκριμένη εγκατάσταση δοκιμών και συντήρησης, και

| 2. | Ενσωματωμένο ενεργό μηχανισμό που την αναγκάζει να μη λειτουργεί όταν έχει αφαιρεθεί από το όχημα για το οποίο προοριζόταν. |
| --- | --- |

2.

Ενσωματωμένο ενεργό μηχανισμό που την αναγκάζει να μη λειτουργεί όταν έχει αφαιρεθεί από το όχημα για το οποίο προοριζόταν.

| γ. | Περιορίζεται εκ σχεδιασμού να έχει μέγιστη «ευαισθησία ακτινοβολίας» 10 mΑ/W ή λιγότερο για μήκη κύματος άνω των 760 nm και έχει όλα τα παρακάτω:








  1. | Ενσωματωμένο μηχανισμό περιορισμού της απόκρισης, σχεδιασμένο έτσι ώστε να μην αφαιρείται ούτε να τροποποιείται, |
| --- | --- | --- |

γ.

Περιορίζεται εκ σχεδιασμού να έχει μέγιστη «ευαισθησία ακτινοβολίας» 10 mΑ/W ή λιγότερο για μήκη κύματος άνω των 760 nm και έχει όλα τα παρακάτω:

1.

Ενσωματωμένο μηχανισμό περιορισμού της απόκρισης, σχεδιασμένο έτσι ώστε να μην αφαιρείται ούτε να τροποποιείται,

| 2. | Ενσωματωμένο ενεργό μηχανισμό που αναγκάζει τη μηχανή να μη λειτουργεί όταν αφαιρεθεί ο μηχανισμός περιορισμού της απόκρισης, και |
| --- | --- |

2.

Ενσωματωμένο ενεργό μηχανισμό που αναγκάζει τη μηχανή να μη λειτουργεί όταν αφαιρεθεί ο μηχανισμός περιορισμού της απόκρισης, και

| 3. | Δεν είναι ειδικά σχεδιασμένη ή τροποποιημένη για υποβρύχια χρησιμοποίηση, ή |
| --- | --- |

3.

Δεν είναι ειδικά σχεδιασμένη ή τροποποιημένη για υποβρύχια χρησιμοποίηση, ή

| δ. | Όλα τα ακόλουθα:








  1. | Απουσία «άμεσης θέασης» και ηλεκτρονικής εικόνας, |
| --- | --- | --- |

δ.

Όλα τα ακόλουθα:

1.

Απουσία «άμεσης θέασης» και ηλεκτρονικής εικόνας,

| 2. | Απουσία δυνατότητας ορατής απεικόνισης του ανιχνευόμενου οπτικού πεδίου, |
| --- | --- |

2.

Απουσία δυνατότητας ορατής απεικόνισης του ανιχνευόμενου οπτικού πεδίου,

| 3. | Η «συστοιχία εστιακού επιπέδου» έχει δυνατότητα λειτουργίας εφόσον είναι εγκατεστημένη στη μηχανή για την οποία προορίζεται, και |
| --- | --- |

3.

Η «συστοιχία εστιακού επιπέδου» έχει δυνατότητα λειτουργίας εφόσον είναι εγκατεστημένη στη μηχανή για την οποία προορίζεται, και

| 4. | Η «συστοιχία εστιακού επιπέδου» έχει ενσωματωμένο ενεργό μηχανισμό που την αναγκάζει να μη λειτουργεί οριστικά εφόσον αφαιρεθεί από τη μηχανή για την οποία προοριζόταν. |
| --- | --- |

4.

Η «συστοιχία εστιακού επιπέδου» έχει ενσωματωμένο ενεργό μηχανισμό που την αναγκάζει να μη λειτουργεί οριστικά εφόσον αφαιρεθεί από τη μηχανή για την οποία προοριζόταν.

| 5. | Μηχανές απεικόνισης εμπεριέχουσες ηλεκτρονικούς ανιχνευτές που ορίζονται στο σημείο 6Α002.α.1. |
| --- | --- |

5.

Μηχανές απεικόνισης εμπεριέχουσες ηλεκτρονικούς ανιχνευτές που ορίζονται στο σημείο 6Α002.α.1.

6A004

Οπτικός εξοπλισμός και δομικά στοιχεία, ως εξής:

| α. | Οπτικά κάτοπτρα (ανακλαστικές διατάξεις), ως εξής:


  ΣΗΜ.: Για τα οπτικά κάτοπτρα τα ειδικά σχεδιασμένα για λιθογραφικό εξοπλισμό, βλέπε σημείο 3B001.







  1. | «Παραμορφώσιμα κάτοπτρα» με συνεχείς ή πολυστοιχειακές επιφάνειες και ειδικώς σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ικανά να μεταθέτουν δυναμικώς τμήματα επιφανείας του κατόπτρου με ρυθμούς άνω των 100 Hz, |
| --- | --- | --- |

α.

Οπτικά κάτοπτρα (ανακλαστικές διατάξεις), ως εξής:

ΣΗΜ.: Για τα οπτικά κάτοπτρα τα ειδικά σχεδιασμένα για λιθογραφικό εξοπλισμό, βλέπε σημείο 3B001.

1.

«Παραμορφώσιμα κάτοπτρα» με συνεχείς ή πολυστοιχειακές επιφάνειες και ειδικώς σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ικανά να μεταθέτουν δυναμικώς τμήματα επιφανείας του κατόπτρου με ρυθμούς άνω των 100 Hz,

| 2. | Μονολιθικά κάτοπτρα ελαφρού βάρους με μέση «ισοδύναμη πυκνότητα» κάτω των 30 kg/m2 και συνολική μάζα άνω των 10 kg, |
| --- | --- |

2.

Μονολιθικά κάτοπτρα ελαφρού βάρους με μέση «ισοδύναμη πυκνότητα» κάτω των 30 kg/m2 και συνολική μάζα άνω των 10 kg,

| 3. | Ελαφρού βάρους «σύνθετης κατασκευής» ή από αφρό συγκροτήματα καθρεπτών με μέση «ισοδύναμη πυκνότητα» κάτω των 30 kg/m2 και συνολική μάζα άνω των 2 kg, |
| --- | --- |

3.

Ελαφρού βάρους «σύνθετης κατασκευής» ή από αφρό συγκροτήματα καθρεπτών με μέση «ισοδύναμη πυκνότητα» κάτω των 30 kg/m2 και συνολική μάζα άνω των 2 kg,

| 4. | Κάτοπτρα καθοδήγησης δεσμών με διάμετρο ή μήκος μείζονος άξονος άνω των 100 mm που διατηρούν επιπεδότητα λ/2 ή καλύτερη (λ = 633 nm) και με εύρος ζώνης του συστήματος ελέγχου άνω των 100 Hz. |
| --- | --- |

4.

Κάτοπτρα καθοδήγησης δεσμών με διάμετρο ή μήκος μείζονος άξονος άνω των 100 mm που διατηρούν επιπεδότητα λ/2 ή καλύτερη (λ = 633 nm) και με εύρος ζώνης του συστήματος ελέγχου άνω των 100 Hz.

| β. | Δομικά μέρη οπτικών συστημάτων κατασκευασμένα από σεληνιούχο ψευδάργυρο (ZnSe) ή θειούχο ψευδάργυρο (ZnS), με εκπομπή σε κλίμακα μήκους κύματος άνω των 3 000 nm και μέχρι 25 000 nm, τα οποία έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Όγκο άνω των 100 cm3· ή |
| --- | --- | --- |

β.

Δομικά μέρη οπτικών συστημάτων κατασκευασμένα από σεληνιούχο ψευδάργυρο (ZnSe) ή θειούχο ψευδάργυρο (ZnS), με εκπομπή σε κλίμακα μήκους κύματος άνω των 3 000 nm και μέχρι 25 000 nm, τα οποία έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Όγκο άνω των 100 cm3· ή

| 2. | Διάμετρο ή μήκος μείζονος άξονος άνω των 80 mm και πάχος (βάθος) άνω των 20 mm. |
| --- | --- |

2.

Διάμετρο ή μήκος μείζονος άξονος άνω των 80 mm και πάχος (βάθος) άνω των 20 mm.

| γ. | «Κατάλληλα για διαστημική χρήση» δομικά μέρη οπτικών συστημάτων, ως εξής:






  1. | Δομικά μέρη ελαφρού βάρους έως κάτω του 20 % «ισοδύναμης πυκνότητας» συγκρινόμενα προς συμπαγές ακατέργαστο τεμάχιο του ιδίου ανοίγματος και βάρους· |
| --- | --- | --- |

γ.

«Κατάλληλα για διαστημική χρήση» δομικά μέρη οπτικών συστημάτων, ως εξής:

1.

Δομικά μέρη ελαφρού βάρους έως κάτω του 20 % «ισοδύναμης πυκνότητας» συγκρινόμενα προς συμπαγές ακατέργαστο τεμάχιο του ιδίου ανοίγματος και βάρους·

| 2. | Ανεπεξέργαστα υποστρώματα, επεξεργασμένα υποστρώματα που έχουν επιφανειακές επικαλύψεις (μονής ή πολλών στρώσεων, μεταλλικής ή διηλεκτρικής, αγώγιμης, ημιαγώγιμης ή μονωτικής) ή που έχουν προστατευτικά υμένια, |
| --- | --- |

2.

Ανεπεξέργαστα υποστρώματα, επεξεργασμένα υποστρώματα που έχουν επιφανειακές επικαλύψεις (μονής ή πολλών στρώσεων, μεταλλικής ή διηλεκτρικής, αγώγιμης, ημιαγώγιμης ή μονωτικής) ή που έχουν προστατευτικά υμένια,

| 3. | Τμήματα ή συγκροτήματα κατόπτρων σχεδιασμένα για να συναρμολογηθούν στο διάστημα σε οπτικό σύστημα με άνοιγμα συλλογής ισοδύναμο τουλάχιστον προς μεμονωμένο οπτικό σύστημα διαμέτρου 1 μέτρου, |
| --- | --- |

3.

Τμήματα ή συγκροτήματα κατόπτρων σχεδιασμένα για να συναρμολογηθούν στο διάστημα σε οπτικό σύστημα με άνοιγμα συλλογής ισοδύναμο τουλάχιστον προς μεμονωμένο οπτικό σύστημα διαμέτρου 1 μέτρου,

| 4. | Δομικά μέρη κατασκευασμένα από «σύνθετα» υλικά με συντελεστή γραμμικής θερμικής διαστολής το πολύ ίσο προς 5 × 10-6 προς οποιαδήποτε κατεύθυνση συντεταγμένων. |
| --- | --- |

4.

Δομικά μέρη κατασκευασμένα από «σύνθετα» υλικά με συντελεστή γραμμικής θερμικής διαστολής το πολύ ίσο προς 5 × 10-6 προς οποιαδήποτε κατεύθυνση συντεταγμένων.

| δ. | Εξοπλισμός οπτικού ελέγχου ως εξής:






  1. | Εξοπλισμός ειδικώς σχεδιασμένος για να διατηρεί την εικόνα της επιφάνειας ή τον προσανατολισμό των «κατάλληλων για διαστημική χρήση» δομικών μερών που καθορίζονται στο σημείο 6Α004.γ.1. ή 6Α004.γ.3., |
| --- | --- | --- |

δ.

Εξοπλισμός οπτικού ελέγχου ως εξής:

1.

Εξοπλισμός ειδικώς σχεδιασμένος για να διατηρεί την εικόνα της επιφάνειας ή τον προσανατολισμό των «κατάλληλων για διαστημική χρήση» δομικών μερών που καθορίζονται στο σημείο 6Α004.γ.1. ή 6Α004.γ.3.,

| 2. | Εξοπλισμός που διαθέτει εύρη ζώνης για καθοδήγηση, ιχνηλασία, σταθεροποίηση ή ευθυγράμμιση αντηχείου τουλάχιστον ίσα προς 100 Hz και ακρίβεια έως και 10 μrad (μικροακτίνια), |
| --- | --- |

2.

Εξοπλισμός που διαθέτει εύρη ζώνης για καθοδήγηση, ιχνηλασία, σταθεροποίηση ή ευθυγράμμιση αντηχείου τουλάχιστον ίσα προς 100 Hz και ακρίβεια έως και 10 μrad (μικροακτίνια),

| 3. | Αναρτήρες συστήματος καρντάν που έχουν όλα τα ακόλουθα:






  α. | Μέγιστη απόκλιση άνω των 5°, |
| --- | --- | --- |

3.

Αναρτήρες συστήματος καρντάν που έχουν όλα τα ακόλουθα:

α.

Μέγιστη απόκλιση άνω των 5°,

| β. | Εύρος ζώνης συχνοτήτων τουλάχιστον 100 Hz, |
| --- | --- |

β.

Εύρος ζώνης συχνοτήτων τουλάχιστον 100 Hz,

| γ. | Παρουσιάζουν σφάλματα γωνιακής σκόπευσης το πολύ ίσα προς 200 μrad (μικροακτίνια), και |
| --- | --- |

γ.

Παρουσιάζουν σφάλματα γωνιακής σκόπευσης το πολύ ίσα προς 200 μrad (μικροακτίνια), και

| δ. | Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Έχουν διάμετρο ή μήκος μείζονος άξονος άνω των 0,15 m και μέχρι 1 m και είναι ικανά για γωνιακές επιταχύνσεις άνω των 2 rad (ακτινίων)/s2, ή |
| --- | --- | --- |

δ.

Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Έχουν διάμετρο ή μήκος μείζονος άξονος άνω των 0,15 m και μέχρι 1 m και είναι ικανά για γωνιακές επιταχύνσεις άνω των 2 rad (ακτινίων)/s2, ή

| 2. | Έχουν διάμετρο ή μήκος μείζονος άξονος άνω του 1 m και είναι ικανά για γωνιακές επιταχύνσεις άνω των 0,5 rad (ακτινίων)/s2, |
| --- | --- |

2.

Έχουν διάμετρο ή μήκος μείζονος άξονος άνω του 1 m και είναι ικανά για γωνιακές επιταχύνσεις άνω των 0,5 rad (ακτινίων)/s2,

| 4. | Είναι ειδικά σχεδιασμένα για να διατηρούν την ευθυγράμμιση κατοπτρικών συστημάτων με συγχρονισμένες συστοιχίες ή συγχρονισμένους τομείς κατόπτρων που αποτελούνται από κάτοπτρα με τομέα διαμέτρου ή μήκους μείζονος άξονα τουλάχιστον 1 m. |
| --- | --- |

4.

Είναι ειδικά σχεδιασμένα για να διατηρούν την ευθυγράμμιση κατοπτρικών συστημάτων με συγχρονισμένες συστοιχίες ή συγχρονισμένους τομείς κατόπτρων που αποτελούνται από κάτοπτρα με τομέα διαμέτρου ή μήκους μείζονος άξονα τουλάχιστον 1 m.

| ε. | «Ασφαιρικά οπτικά στοιχεία» με όλα τα ακόλουθα:






  1. | Μέγιστη διάσταση του οπτικού ανοίγματος άνω των 400 mm, |
| --- | --- | --- |

ε.

«Ασφαιρικά οπτικά στοιχεία» με όλα τα ακόλουθα:

1.

Μέγιστη διάσταση του οπτικού ανοίγματος άνω των 400 mm,

| 2. | Επιφανειακή τραχύτητα κάτω του 1 nm (rms) για μήκη δειγματοληψίας τουλάχιστον 1 nm, και |
| --- | --- |

2.

Επιφανειακή τραχύτητα κάτω του 1 nm (rms) για μήκη δειγματοληψίας τουλάχιστον 1 nm, και

| 3. | Συντελεστή γραμμικής θερμικής διαστολής με απόλυτο μέγεθος κάτω του 3×10-6/K στους 25 °C. |
| --- | --- |

3.

Συντελεστή γραμμικής θερμικής διαστολής με απόλυτο μέγεθος κάτω του 3×10-6/K στους 25 °C.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Ως «ασφαιρικό οπτικό στοιχείο» νοείται κάθε στοιχείο που χρησιμοποιείται σε οπτικό σύστημα και του οποίου η εικονιστική επιφάνεια ή επιφάνειες είναι σχεδιασμένες ώστε να μην έχουν το σχήμα τέλειας σφαίρας. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Οι κατασκευαστές δεν έχουν υποχρέωση να μετρούν την επιφανειακή τραχύτητα που αναφέρεται στο 6A004.ε.2. εκτός εάν το οπτικό στοιχείο έχει σχεδιαστεί ή κατασκευαστεί με την πρόθεση να επιτύχει τη συγκεκριμένη τιμή της παραμέτρου ελέγχου (ή μικρότερη τιμή). |
| --- | --- |

2.

Σημείωση Στο 6A004.ε. δεν υπάγονται τα «ασφαιρικά οπτικά στοιχεία» που έχουν κάποιο από τα ακόλουθα:

| α. | Μέγιστη διάσταση οπτικού ανοίγματος κάτω του 1 m και λόγο εστιακής απόστασης προς άνοιγμα 4,5:1 ή μεγαλύτερο, |
| --- | --- |

α.

Μέγιστη διάσταση οπτικού ανοίγματος κάτω του 1 m και λόγο εστιακής απόστασης προς άνοιγμα 4,5:1 ή μεγαλύτερο,

| β. | Μέγιστη διάσταση οπτικού ανοίγματος 1 m και άνω και λόγο εστιακής απόστασης προς άνοιγμα 7:1 ή μεγαλύτερο, |
| --- | --- |

β.

Μέγιστη διάσταση οπτικού ανοίγματος 1 m και άνω και λόγο εστιακής απόστασης προς άνοιγμα 7:1 ή μεγαλύτερο,

| γ. | Σχεδιασμό ως οπτικών στοιχείων Fresnel, ματιών μύγας, ραβδωτών, πρισματικών ή περιθλαστικών, |
| --- | --- |

γ.

Σχεδιασμό ως οπτικών στοιχείων Fresnel, ματιών μύγας, ραβδωτών, πρισματικών ή περιθλαστικών,

| δ. | Κατασκευή από βοριοπυριτική ύαλο με συντελεστή γραμμικής θερμικής διαστολής άνω του 2,5x10-6/K στους 25 °C, ή |
| --- | --- |

δ.

Κατασκευή από βοριοπυριτική ύαλο με συντελεστή γραμμικής θερμικής διαστολής άνω του 2,5x10-6/K στους 25 °C, ή

| ε. | Λειτουργία ως οπτικού στοιχείου ακτίνων X με εσωτερικές κατοπτρικές ικανότητες (π.χ. κάτοπτρα σωληνωτού τύπου). |
| --- | --- |

ε.

Λειτουργία ως οπτικού στοιχείου ακτίνων X με εσωτερικές κατοπτρικές ικανότητες (π.χ. κάτοπτρα σωληνωτού τύπου).

ΣΗΜ. Για τα «ασφαιρικά οπτικά στοιχεία» που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για εξοπλισμό λιθογραφίας, βλέπε 3B001.

6A005

«Λέιζερ», εκτός εκείνων που καθορίζονται στα σημεία 0Β001.ζ.5. ή 0Β001.η.6., δομικά μέρη και οπτικός εξοπλισμός, ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 6Α205.

Σημείωση 1: Τα παλμικά «λέιζερ» περιλαμβάνουν εκείνα που οδεύουν υπό τύπο συνεχούς κύματος (CW) με υπερτιθέμενους παλμούς.

Σημείωση 2: Τα «λέιζερ» excimer, ημιαγωγών, χημικής λειτουργίας, CO, CO2 και τα «μη επαναληπτικά παλμικά»«λέιζερ» γυαλιού-νεοδυμίου προσδιορίζονται μόνο στο σημείο 6A005.δ.

Τεχνική παρατήρηση:

Οι λέξεις «μη επαναληπτικά παλμικά» αναφέρονται στα «λέιζερ» που είτε παράγουν έναν και μόνο παλμό εξόδου είτε έχουν χρονικό διάστημα άνω του ενός λεπτού μεταξύ παλμών.

Σημείωση 3: Στο σημείο 6A005 περιλαμβάνονται και τα «λέιζερ» ινών.

Σημείωση 4: Το κατά πόσον υπόκεινται σε έλεγχο τα «λέιζερ» που ενσωματώνουν μετατροπή συχνότητας (= αλλαγή μήκους κύματος) με μέσα άλλα πλην της διέγερσης ενός «λέιζερ» από άλλο «λέιζερ» καθορίζεται με την εφαρμογή των παραμέτρων ελέγχου τόσο στο προϊόν εξόδου του «λέιζερ» πηγής όσο και στο μεταλλαγμένης συχνότητας οπτικό προϊόν εξόδου.

Σημείωση 5: Στο σημείο 6A005 δεν υπάγονται «λέιζερ» ως εξής:

| α. | «Λέιζερ» ρουμπινιού με ενέργεια εξόδου κάτω των 20 J, |
| --- | --- |

α.

«Λέιζερ» ρουμπινιού με ενέργεια εξόδου κάτω των 20 J,

| β. | «λέιζερ» αζώτου, |
| --- | --- |

β.

«λέιζερ» αζώτου,

| γ. | «λέιζερ» κρυπτού. |
| --- | --- |

γ.

«λέιζερ» κρυπτού.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 6A005, η «απόδοση πρίζας» ορίζεται ως ο λόγος της ισχύος εξόδου του «λέιζερ» (ή της «μέσης ισχύος εξόδου») προς τη συνολική ηλεκτρική ισχύ εισόδου που απαιτείται για να λειτουργήσει το «λέιζερ», συμπεριλαμβανομένης της τροφοδοσίας, του κλιματισμού και της θερμικής προπαρασκευής ή του ανταλλακτήρα θερμότητας.

| α. | Μη «συντονίσιμα»«λέιζερ συνεχούς κύματος (CW)», με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Μήκος κύματος εξόδου κάτω των 150 nm και ισχύ εξόδου άνω του 1 W, |
| --- | --- | --- |

α.

Μη «συντονίσιμα»«λέιζερ συνεχούς κύματος (CW)», με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Μήκος κύματος εξόδου κάτω των 150 nm και ισχύ εξόδου άνω του 1 W,

| 2. | Μήκος κύματος εξόδου από 150 nm και μέχρι 510 nm και ισχύ εξόδου άνω των 30 W,


  Σημείωση: Στο σημείο 6A005.α.2 δεν εμπίπτουν τα «λέιζερ» αργού με ισχύ εξόδου έως και 50 W. |
| --- | --- |

2.

Μήκος κύματος εξόδου από 150 nm και μέχρι 510 nm και ισχύ εξόδου άνω των 30 W,

Σημείωση: Στο σημείο 6A005.α.2 δεν εμπίπτουν τα «λέιζερ» αργού με ισχύ εξόδου έως και 50 W.

| 3. | Μήκος κύματος εξόδου από 510 nm και μέχρι 540 nm και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  α. | Έξοδο απλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης και ισχύ εξόδου άνω των 50 W, ή |
| --- | --- | --- |

3.

Μήκος κύματος εξόδου από 510 nm και μέχρι 540 nm και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

α.

Έξοδο απλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης και ισχύ εξόδου άνω των 50 W, ή

| β. | Έξοδο πολλαπλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης και ισχύ εξόδου άνω των 150 W, |
| --- | --- |

β.

Έξοδο πολλαπλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης και ισχύ εξόδου άνω των 150 W,

| 4. | Μήκος κύματος εξόδου από 540 nm και μέχρι 800 nm και ισχύ εξόδου άνω των 30 W, |
| --- | --- |

4.

Μήκος κύματος εξόδου από 540 nm και μέχρι 800 nm και ισχύ εξόδου άνω των 30 W,

| 5. | Μήκος κύματος εξόδου από 800 nm και μέχρι 975 nm και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  α. | Έξοδο απλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης και ισχύ εξόδου άνω των 50 W, ή |
| --- | --- | --- |

5.

Μήκος κύματος εξόδου από 800 nm και μέχρι 975 nm και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

α.

Έξοδο απλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης και ισχύ εξόδου άνω των 50 W, ή

| β. | Έξοδο πολλαπλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης και ισχύ εξόδου άνω των 80 W, |
| --- | --- |

β.

Έξοδο πολλαπλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης και ισχύ εξόδου άνω των 80 W,

| 6. | Μήκος κύματος εξόδου από 975 nm και μέχρι 1 150 nm και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  α. | Απλό εγκάρσιο τρόπο μετάδοσης και ισχύ εξόδου άνω των 200 W, ή |
| --- | --- | --- |

6.

Μήκος κύματος εξόδου από 975 nm και μέχρι 1 150 nm και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

α.

Απλό εγκάρσιο τρόπο μετάδοσης και ισχύ εξόδου άνω των 200 W, ή

| β. | Έξοδο πολλαπλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | «Απόδοση πρίζας» άνω του 18 % και ισχύ εξόδου άνω των 500 W, ή |
| --- | --- | --- |

β.

Έξοδο πολλαπλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

«Απόδοση πρίζας» άνω του 18 % και ισχύ εξόδου άνω των 500 W, ή

| 2. | Ισχύ εξόδου άνω των 2 kW, |
| --- | --- |

2.

Ισχύ εξόδου άνω των 2 kW,

Σημείωση 1: Στο σημείο 6A005.α.6.β δεν εμπίπτουν τα βιομηχανικά «λέιζερ» πολλαπλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης με ισχύ εξόδου μεταξύ 2 και 6 kW και συνολική μάζα άνω των 1 200 kg. Κατά την έννοια της παρούσας σημείωσης, στη συνολική μάζα συμπεριλαμβάνονται όλα τα συστατικά μέρη που χρειάζονται για να λειτουργήσει το «λέιζερ», π.χ. το ίδιο το «λέιζερ», το τροφοδοτικό ή ο ανταλλακτήρας θερμότητας, όχι όμως και οι εξωτερικές οπτικές διατάξεις για την προετοιμασία ή/και την απόδοση της δέσμης.

Σημείωση 2: Στο σημείο 6A005.α.6.β. δεν υπάγονται μεμονωμένα βιομηχανικά «λέιζερ», πολλαπλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης, με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

| α. | Ισχύ εξόδου άνω των 500 W αλλά όχι άνω του 1 kW και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:








  1. | Γινόμενο Παραμέτρων Δέσμης (BPP) άνω των 0,7 mm•mrad, και |
| --- | --- | --- |

α.

Ισχύ εξόδου άνω των 500 W αλλά όχι άνω του 1 kW και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Γινόμενο Παραμέτρων Δέσμης (BPP) άνω των 0,7 mm•mrad, και

| 2. | Φωτεινότητα όχι άνω των 1 024 W/(mm•mrad)2, |
| --- | --- |

2.

Φωτεινότητα όχι άνω των 1 024 W/(mm•mrad)2,

| β. | Ισχύ εξόδου άνω του 1 kW αλλά όχι άνω των 1,6 kW και έχουν BPP άνω των 1,25 mm•mrad, |
| --- | --- |

β.

Ισχύ εξόδου άνω του 1 kW αλλά όχι άνω των 1,6 kW και έχουν BPP άνω των 1,25 mm•mrad,

| γ. | Ισχύ εξόδου άνω των 1,6 kW αλλά όχι άνω των 2,5 kW και έχουν BPP άνω των 1,7 mm•mrad, |
| --- | --- |

γ.

Ισχύ εξόδου άνω των 1,6 kW αλλά όχι άνω των 2,5 kW και έχουν BPP άνω των 1,7 mm•mrad,

| δ. | Ισχύ εξόδου άνω των 2,5 kW αλλά όχι άνω των 3,3 kW και έχουν BPP άνω των 2,5 mm•mrad, |
| --- | --- |

δ.

Ισχύ εξόδου άνω των 2,5 kW αλλά όχι άνω των 3,3 kW και έχουν BPP άνω των 2,5 mm•mrad,

| ε. | Ισχύ εξόδου άνω των 3,3 kW αλλά όχι άνω των 4 kW και έχουν BPP άνω των 3,5 mm•mrad, |
| --- | --- |

ε.

Ισχύ εξόδου άνω των 3,3 kW αλλά όχι άνω των 4 kW και έχουν BPP άνω των 3,5 mm•mrad,

| στ. | Ισχύ εξόδου άνω των 4 kW αλλά όχι άνω των 5 kW και έχουν BPP άνω των 5 mm•mrad, |
| --- | --- |

στ.

Ισχύ εξόδου άνω των 4 kW αλλά όχι άνω των 5 kW και έχουν BPP άνω των 5 mm•mrad,

| ζ. | Ισχύ εξόδου άνω των 5 kW αλλά όχι άνω των 6 kW και έχουν BPP άνω των 7,2 mm•mrad, |
| --- | --- |

ζ.

Ισχύ εξόδου άνω των 5 kW αλλά όχι άνω των 6 kW και έχουν BPP άνω των 7,2 mm•mrad,

| η. | Ισχύ εξόδου άνω των 6 kW αλλά όχι άνω των 8 kW και έχουν BPP άνω των 12 mm•mrad, ή |
| --- | --- |

η.

Ισχύ εξόδου άνω των 6 kW αλλά όχι άνω των 8 kW και έχουν BPP άνω των 12 mm•mrad, ή

| θ. | Ισχύ εξόδου άνω των 8 kW αλλά όχι άνω των 10 kW και έχουν BPP άνω των 24 mm•mrad.



  Τεχνική παρατήρηση:


  Για τους σκοπούς του 6A005.α.6.β. στη σημείωση 2.α. η «φωτεινότητα» ορίζεται ως η ισχύς εξόδου του «λέιζερ» διά της τετραγωνικής ρίζας του γινομένου των παραμέτρων δέσμης (BPP), δηλαδή (ισχύς εξόδου)/BPP2. |
| --- | --- |

θ.

Ισχύ εξόδου άνω των 8 kW αλλά όχι άνω των 10 kW και έχουν BPP άνω των 24 mm•mrad.

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του 6A005.α.6.β. στη σημείωση 2.α. η «φωτεινότητα» ορίζεται ως η ισχύς εξόδου του «λέιζερ» διά της τετραγωνικής ρίζας του γινομένου των παραμέτρων δέσμης (BPP), δηλαδή (ισχύς εξόδου)/BPP2.

| 7. | Μήκος κύματος εξόδου από 1 150 nm και μέχρι 1 555 nm και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  α. | Απλό εγκάρσιο τρόπο μετάδοσης και ισχύ εξόδου άνω των 50 W, ή |
| --- | --- | --- |

7.

Μήκος κύματος εξόδου από 1 150 nm και μέχρι 1 555 nm και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

α.

Απλό εγκάρσιο τρόπο μετάδοσης και ισχύ εξόδου άνω των 50 W, ή

| β. | Πολλαπλό εγκάρσιο τρόπο μετάδοσης και ισχύ εξόδου άνω των 80 W, ή |
| --- | --- |

β.

Πολλαπλό εγκάρσιο τρόπο μετάδοσης και ισχύ εξόδου άνω των 80 W, ή

| 8. | Μήκος κύματος εξόδου άνω των 1 555 nm και ισχύ εξόδου άνω του 1 W, |
| --- | --- |

8.

Μήκος κύματος εξόδου άνω των 1 555 nm και ισχύ εξόδου άνω του 1 W,

| β. | Μη «συντονίσιμα»«παλμικά λέιζερ» που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Μήκος κύματος εξόδου μικρότερο από 150 nm και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Ενέργεια εξόδου άνω των 50 mJ ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω του 1 W, ή |
| --- | --- | --- | --- |

β.

Μη «συντονίσιμα»«παλμικά λέιζερ» που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Μήκος κύματος εξόδου μικρότερο από 150 nm και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Ενέργεια εξόδου άνω των 50 mJ ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω του 1 W, ή

| β. | «Μέση ισχύ εξόδου» πάνω από 1 W. |
| --- | --- |

β.

«Μέση ισχύ εξόδου» πάνω από 1 W.

| 2. | Μήκος κύματος εξόδου από 150 nm και μέχρι 510 nm και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  α. | Ενέργεια εξόδου άνω των 1,5 J ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω των 30 W, ή |
| --- | --- | --- |

2.

Μήκος κύματος εξόδου από 150 nm και μέχρι 510 nm και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

α.

Ενέργεια εξόδου άνω των 1,5 J ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω των 30 W, ή

| β. | «Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 30 W.


  Σημείωση: Στο σημείο 6A005.β.2β. δεν υπάγονται τα «λέιζερ» αργού με «μέση ισχύ εξόδου» έως και 50 W. |
| --- | --- |

β.

«Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 30 W.

Σημείωση: Στο σημείο 6A005.β.2β. δεν υπάγονται τα «λέιζερ» αργού με «μέση ισχύ εξόδου» έως και 50 W.

| 3. | Μήκος κύματος εξόδου από 510 nm και μέχρι 540 nm και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  α. | Έξοδο απλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Ενέργεια εξόδου άνω των 1,5 J ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω των 50 W, ή |
| --- | --- | --- | --- |

3.

Μήκος κύματος εξόδου από 510 nm και μέχρι 540 nm και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

α.

Έξοδο απλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Ενέργεια εξόδου άνω των 1,5 J ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω των 50 W, ή

| 2. | «Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 50 W, ή |
| --- | --- |

2.

«Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 50 W, ή

| β. | Έξοδο πολλαπλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Ενέργεια εξόδου άνω των 1,5 J ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω των 150 W, ή |
| --- | --- | --- |

β.

Έξοδο πολλαπλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Ενέργεια εξόδου άνω των 1,5 J ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω των 150 W, ή

| 2. | «Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 150 W. |
| --- | --- |

2.

«Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 150 W.

| 4. | Μήκος κύματος εξόδου από 540 nm και μέχρι 800 nm και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  α. | «Διάρκεια παλμού» κάτω του 1 ps και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Ενέργεια εξόδου άνω των 0,005 J ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω των 5 W, ή |
| --- | --- | --- | --- |

4.

Μήκος κύματος εξόδου από 540 nm και μέχρι 800 nm και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

α.

«Διάρκεια παλμού» κάτω του 1 ps και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Ενέργεια εξόδου άνω των 0,005 J ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω των 5 W, ή

| 2. | «Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 20 W, ή |
| --- | --- |

2.

«Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 20 W, ή

| β. | «Διάρκεια παλμού» ίση ή ανώτερη του 1 ps και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Ενέργεια εξόδου άνω των 1,5 J ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω των 30 W, ή |
| --- | --- | --- |

β.

«Διάρκεια παλμού» ίση ή ανώτερη του 1 ps και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Ενέργεια εξόδου άνω των 1,5 J ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω των 30 W, ή

| 2. | «Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 30 W. |
| --- | --- |

2.

«Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 30 W.

| 5. | Μήκος κύματος εξόδου από 800 nm και μέχρι 975 nm και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  α. | «Διάρκεια παλμού» κάτω του 1 ps και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Ενέργεια εξόδου άνω των 0,005 J ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω των 5 W, ή |
| --- | --- | --- | --- |

5.

Μήκος κύματος εξόδου από 800 nm και μέχρι 975 nm και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

α.

«Διάρκεια παλμού» κάτω του 1 ps και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Ενέργεια εξόδου άνω των 0,005 J ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω των 5 W, ή

| 2. | Έξοδο απλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης και «μέση ισχύ εξόδου» άνω των 20 W, |
| --- | --- |

2.

Έξοδο απλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης και «μέση ισχύ εξόδου» άνω των 20 W,

| β. | «Διάρκεια παλμού» ίση ή ανώτερη του 1 ps και μέχρι και 1 μs και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Ενέργεια εξόδου άνω των 0,5 J ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω των 50 W, |
| --- | --- | --- |

β.

«Διάρκεια παλμού» ίση ή ανώτερη του 1 ps και μέχρι και 1 μs και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Ενέργεια εξόδου άνω των 0,5 J ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω των 50 W,

| 2. | Έξοδο απλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης και «μέση ισχύ εξόδου» άνω των 20 W, ή |
| --- | --- |

2.

Έξοδο απλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης και «μέση ισχύ εξόδου» άνω των 20 W, ή

| 3. | Έξοδο πολλαπλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης και «μέση ισχύ εξόδου» άνω των 50 W, ή |
| --- | --- |

3.

Έξοδο πολλαπλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης και «μέση ισχύ εξόδου» άνω των 50 W, ή

| γ. | «Διάρκεια παλμού» άνω του 1 μs και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Ενέργεια εξόδου άνω των 2 J ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω των 50 W, |
| --- | --- | --- |

γ.

«Διάρκεια παλμού» άνω του 1 μs και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Ενέργεια εξόδου άνω των 2 J ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω των 50 W,

| 2. | Έξοδο απλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης και «μέση ισχύ εξόδου» άνω των 50 W, ή |
| --- | --- |

2.

Έξοδο απλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης και «μέση ισχύ εξόδου» άνω των 50 W, ή

| 3. | Έξοδο πολλαπλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης και «μέση ισχύ εξόδου» άνω των 80 W, |
| --- | --- |

3.

Έξοδο πολλαπλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης και «μέση ισχύ εξόδου» άνω των 80 W,

| 6. | Μήκος κύματος εξόδου από 975 nm και μέχρι 1 150 nm και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  α. | «Διάρκεια παλμού» κάτω του 1 ps και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | «Ισχύ αιχμής» εξόδου άνω των 2 GW ανά παλμό, |
| --- | --- | --- | --- |

6.

Μήκος κύματος εξόδου από 975 nm και μέχρι 1 150 nm και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

α.

«Διάρκεια παλμού» κάτω του 1 ps και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

«Ισχύ αιχμής» εξόδου άνω των 2 GW ανά παλμό,

| 2. | «Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 10 W, ή |
| --- | --- |

2.

«Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 10 W, ή

| 3. | Ενέργεια εξόδου πάνω από 0,002 J ανά παλμό, |
| --- | --- |

3.

Ενέργεια εξόδου πάνω από 0,002 J ανά παλμό,

| β. | «Διάρκεια παλμού» ίση ή ανώτερη του 1 ps και κατώτερη του 1 ns και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | «Ισχύ αιχμής» εξόδου άνω των 5 GW ανά παλμό, |
| --- | --- | --- |

β.

«Διάρκεια παλμού» ίση ή ανώτερη του 1 ps και κατώτερη του 1 ns και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

«Ισχύ αιχμής» εξόδου άνω των 5 GW ανά παλμό,

| 2. | «Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 10 W, ή |
| --- | --- |

2.

«Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 10 W, ή

| 3. | Ενέργεια εξόδου πάνω από 0,1 J ανά παλμό, |
| --- | --- |

3.

Ενέργεια εξόδου πάνω από 0,1 J ανά παλμό,

| γ. | «Διάρκεια παλμού» ίση ή ανώτερη του 1 ns και μέχρι και 1 μs και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Έξοδο απλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  α. | «Ισχύ αιχμής» άνω των 100 MW, |
| --- | --- | --- | --- |

γ.

«Διάρκεια παλμού» ίση ή ανώτερη του 1 ns και μέχρι και 1 μs και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Έξοδο απλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

α.

«Ισχύ αιχμής» άνω των 100 MW,

| β. | «Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 20 W, αλλά περιορισμένη ως εκ του σχεδιασμού σε μέγιστη συχνότητα επανάληψης παλμών έως και 1 kHz, |
| --- | --- |

β.

«Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 20 W, αλλά περιορισμένη ως εκ του σχεδιασμού σε μέγιστη συχνότητα επανάληψης παλμών έως και 1 kHz,

| γ. | «Απόδοση πρίζας» άνω του 12 %, «μέση ισχύ εξόδου» άνω των 100 W, και ικανότητα λειτουργίας σε συχνότητα επανάληψης παλμών άνω του 1 kHz, |
| --- | --- |

γ.

«Απόδοση πρίζας» άνω του 12 %, «μέση ισχύ εξόδου» άνω των 100 W, και ικανότητα λειτουργίας σε συχνότητα επανάληψης παλμών άνω του 1 kHz,

| δ. | «Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 150 W και ικανότητα λειτουργίας σε συχνότητα επανάληψης παλμών άνω του 1 kHz, ή |
| --- | --- |

δ.

«Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 150 W και ικανότητα λειτουργίας σε συχνότητα επανάληψης παλμών άνω του 1 kHz, ή

| ε. | Ενέργεια εξόδου άνω των 2 J ανά παλμό, ή |
| --- | --- |

ε.

Ενέργεια εξόδου άνω των 2 J ανά παλμό, ή

| 2. | Έξοδο πολλαπλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  α. | «Ισχύ αιχμής» άνω των 400 MW, |
| --- | --- | --- |

2.

Έξοδο πολλαπλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

α.

«Ισχύ αιχμής» άνω των 400 MW,

| β. | «Απόδοση πρίζας» άνω του 18 % και «μέση ισχύ εξόδου» άνω των 500 W, |
| --- | --- |

β.

«Απόδοση πρίζας» άνω του 18 % και «μέση ισχύ εξόδου» άνω των 500 W,

| γ. | «Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 2 kW, ή |
| --- | --- |

γ.

«Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 2 kW, ή

| δ. | Ενέργεια εξόδου άνω των 4 J ανά παλμό, ή |
| --- | --- |

δ.

Ενέργεια εξόδου άνω των 4 J ανά παλμό, ή

| δ. | «Διάρκεια παλμού» άνω του 1 μs και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Έξοδο απλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  α. | «Ισχύ αιχμής» άνω των 500 kW, |
| --- | --- | --- | --- |

δ.

«Διάρκεια παλμού» άνω του 1 μs και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Έξοδο απλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

α.

«Ισχύ αιχμής» άνω των 500 kW,

| β. | «Απόδοση πρίζας» άνω του 12 % και «μέση ισχύ εξόδου» άνω των 100 W, ή |
| --- | --- |

β.

«Απόδοση πρίζας» άνω του 12 % και «μέση ισχύ εξόδου» άνω των 100 W, ή

| γ. | «Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 150 W, ή |
| --- | --- |

γ.

«Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 150 W, ή

| 2. | Έξοδο πολλαπλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  α. | «Ισχύ αιχμής» άνω των 1 MW, |
| --- | --- | --- |

2.

Έξοδο πολλαπλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

α.

«Ισχύ αιχμής» άνω των 1 MW,

| β. | «Απόδοση πρίζας» άνω του 18 % και «μέση ισχύ εξόδου» άνω των 500 W, ή |
| --- | --- |

β.

«Απόδοση πρίζας» άνω του 18 % και «μέση ισχύ εξόδου» άνω των 500 W, ή

| γ. | «Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 2 kW, |
| --- | --- |

γ.

«Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 2 kW,

| 7. | Μήκος κύματος εξόδου από 1 150 nm και μέχρι 1 555 nm και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  α. | «Διάρκεια παλμού» μέχρι και 1 μs και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Ενέργεια εξόδου άνω των 0,5 J ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω των 50 W, |
| --- | --- | --- | --- |

7.

Μήκος κύματος εξόδου από 1 150 nm και μέχρι 1 555 nm και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

α.

«Διάρκεια παλμού» μέχρι και 1 μs και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Ενέργεια εξόδου άνω των 0,5 J ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω των 50 W,

| 2. | Έξοδο απλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης και «μέση ισχύ εξόδου» άνω των 20 W, ή |
| --- | --- |

2.

Έξοδο απλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης και «μέση ισχύ εξόδου» άνω των 20 W, ή

| 3. | Έξοδο πολλαπλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης και «μέση ισχύ εξόδου» άνω των 50 W, ή |
| --- | --- |

3.

Έξοδο πολλαπλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης και «μέση ισχύ εξόδου» άνω των 50 W, ή

| β. | «Διάρκεια παλμού» άνω του 1 μs και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Ενέργεια εξόδου άνω των 2 J ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω των 50 W, |
| --- | --- | --- |

β.

«Διάρκεια παλμού» άνω του 1 μs και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Ενέργεια εξόδου άνω των 2 J ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω των 50 W,

| 2. | Έξοδο απλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης και «μέση ισχύ εξόδου» άνω των 50 W, ή |
| --- | --- |

2.

Έξοδο απλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης και «μέση ισχύ εξόδου» άνω των 50 W, ή

| 3. | Έξοδο πολλαπλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης και «μέση ισχύ εξόδου» άνω των 80 W, ή |
| --- | --- |

3.

Έξοδο πολλαπλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης και «μέση ισχύ εξόδου» άνω των 80 W, ή

| 8. | Μήκος κύματος εξόδου άνω των 1 555 nm και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Ενέργεια εξόδου άνω των 100 mJ ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω του 1 W, ή |
| --- | --- | --- |

8.

Μήκος κύματος εξόδου άνω των 1 555 nm και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Ενέργεια εξόδου άνω των 100 mJ ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω του 1 W, ή

| β. | «Μέση ισχύ εξόδου» πάνω από 1 W. |
| --- | --- |

β.

«Μέση ισχύ εξόδου» πάνω από 1 W.

| γ. | «Συντονίσιμα»«λέιζερ» που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:


  Σημείωση: Το σημείο 6Α005.γ. περιλαμβάνει «λέιζερ» τιτανίου-σαπφείρου (Ti: Al2Ο3), Θουλίου-YAG (Tm: YAG), Θουλίου-YSGG (Tm: YSGG), αλεξανδρίτη (Cr: BeAl2Ο4), έγχρωμου κέντρου, χρωστικής και υγρά.







  1. | Μήκος κύματος εξόδου μικρότερο από 600 nm και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Ενέργεια εξόδου άνω των 50 mJ ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω του 1 W, ή |
| --- | --- | --- | --- |

γ.

«Συντονίσιμα»«λέιζερ» που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

Σημείωση: Το σημείο 6Α005.γ. περιλαμβάνει «λέιζερ» τιτανίου-σαπφείρου (Ti: Al2Ο3), Θουλίου-YAG (Tm: YAG), Θουλίου-YSGG (Tm: YSGG), αλεξανδρίτη (Cr: BeAl2Ο4), έγχρωμου κέντρου, χρωστικής και υγρά.

1.

Μήκος κύματος εξόδου μικρότερο από 600 nm και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Ενέργεια εξόδου άνω των 50 mJ ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω του 1 W, ή

| β. | Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 1 W. |
| --- | --- |

β.

Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 1 W.

Σημείωση: Το 6Α005.γ.1 δεν καλύπτει τα λέιζερ χρωστικής ουσίας ή άλλα υγρά λείζερ που έχουν έξοδο πολλαπλών τρόπων και μήκος κύματος 150 nm και άνω το οποίο όμως δεν υπερβαίνει τα 600 nm, διαθέτουν δε όλα από τα ακόλουθα:

| 1. | Ενέργεια εξόδου κάτω των 1,5 J ανά παλμό ή «ισχύ αιχμής» κάτω των 20 W, και |
| --- | --- |

1.

Ενέργεια εξόδου κάτω των 1,5 J ανά παλμό ή «ισχύ αιχμής» κάτω των 20 W, και

| 2. | Μέση ή CW ισχύ εξόδου κάτω των 20 W. |
| --- | --- |

2.

Μέση ή CW ισχύ εξόδου κάτω των 20 W.

| 2. | Μήκος κύματος εξόδου από 600 nm και μέχρι 1 400 nm και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  α. | Ενέργεια εξόδου άνω των 1 J ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω των 20 W, ή |
| --- | --- | --- |

2.

Μήκος κύματος εξόδου από 600 nm και μέχρι 1 400 nm και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

α.

Ενέργεια εξόδου άνω των 1 J ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω των 20 W, ή

| β. | Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 20 W, ή |
| --- | --- |

β.

Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 20 W, ή

| 3. | Μήκος κύματος εξόδου άνω των 1 400 nm και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Ενέργεια εξόδου άνω των 50 mJ ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω του 1 W, ή |
| --- | --- | --- |

3.

Μήκος κύματος εξόδου άνω των 1 400 nm και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Ενέργεια εξόδου άνω των 50 mJ ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω του 1 W, ή

| β. | Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 1 W. |
| --- | --- |

β.

Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 1 W.

| δ. | Άλλα «λέιζερ», μη προσδιοριζόμενα στα σημεία 6A005.α, 6A005.β. και 6A005.γ., ως εξής:






  1. | «Λέιζερ» ημιαγωγών, ως εξής:


  Σημείωση 1: Στο σημείο 6Α005.δ.1. περιλαμβάνονται τα «λέιζερ» ημιαγωγών που έχουν οπτικές συνδέσεις εξόδου (π.χ. βόστρυχοι οπτικών ινών).



  Σημείωση 2: Η διαβάθμιση ελέγχου των «λέιζερ» ημιαγωγών που έχουν ειδικώς σχεδιαστεί για άλλο εξοπλισμό υπαγορεύονται από τη διαβάθμιση ελέγχου του άλλου εξοπλισμού.







  α. | Μεμονωμένα «λέιζερ» ημιαγωγών, απλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης, με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Μήκος κύματος το πολύ 1 510 nm και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 1,5 W, ή |
| --- | --- | --- | --- | --- |

δ.

Άλλα «λέιζερ», μη προσδιοριζόμενα στα σημεία 6A005.α, 6A005.β. και 6A005.γ., ως εξής:

1.

«Λέιζερ» ημιαγωγών, ως εξής:

Σημείωση 1: Στο σημείο 6Α005.δ.1. περιλαμβάνονται τα «λέιζερ» ημιαγωγών που έχουν οπτικές συνδέσεις εξόδου (π.χ. βόστρυχοι οπτικών ινών).

Σημείωση 2: Η διαβάθμιση ελέγχου των «λέιζερ» ημιαγωγών που έχουν ειδικώς σχεδιαστεί για άλλο εξοπλισμό υπαγορεύονται από τη διαβάθμιση ελέγχου του άλλου εξοπλισμού.

α.

Μεμονωμένα «λέιζερ» ημιαγωγών, απλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης, με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Μήκος κύματος το πολύ 1 510 nm και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 1,5 W, ή

| 2. | Μήκος κύματος άνω των 1 510 nm και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 500 mW. |
| --- | --- |

2.

Μήκος κύματος άνω των 1 510 nm και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 500 mW.

| β. | Μεμονωμένα «λέιζερ» ημιαγωγών, πολλαπλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης, με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Μήκος κύματος κάτω από 1 400 nm και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 15 W, |
| --- | --- | --- |

β.

Μεμονωμένα «λέιζερ» ημιαγωγών, πολλαπλού εγκάρσιου τρόπου μετάδοσης, με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Μήκος κύματος κάτω από 1 400 nm και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 15 W,

| 2. | Μήκος κύματος τουλάχιστον 1 400 nm και έως 1 900 nm και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 2,5 W, ή |
| --- | --- |

2.

Μήκος κύματος τουλάχιστον 1 400 nm και έως 1 900 nm και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 2,5 W, ή

| 3. | Μήκος κύματος τουλάχιστον 1 900 nm και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 1 W, |
| --- | --- |

3.

Μήκος κύματος τουλάχιστον 1 900 nm και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 1 W,

| γ. | Μεμονωμένες «ράβδοι»«λέιζερ» ημιαγωγών με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Μήκος κύματος κάτω των 1 400 nm και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 100 W. |
| --- | --- | --- |

γ.

Μεμονωμένες «ράβδοι»«λέιζερ» ημιαγωγών με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Μήκος κύματος κάτω των 1 400 nm και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 100 W.

| 2. | Μήκος κύματος τουλάχιστον 1 400 nm και έως 1 900 nm και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 25 W, ή |
| --- | --- |

2.

Μήκος κύματος τουλάχιστον 1 400 nm και έως 1 900 nm και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 25 W, ή

| 3. | Μήκος κύματος τουλάχιστον 1 900 nm και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 10 W, |
| --- | --- |

3.

Μήκος κύματος τουλάχιστον 1 900 nm και μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω του 10 W,

| δ. | Διδιάστατες συστοιχίες «λέιζερ» ημιαγωγών με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  1. | Μήκος κύματος κάτω από 1 400 nm και οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  α. | Μέση ή CW ολική ισχύ εξόδου κάτω των 3 kW και μέση ή CW «πυκνότητα ισχύος» εξόδου άνω των 500 W/cm2, |
| --- | --- | --- | --- |

δ.

Διδιάστατες συστοιχίες «λέιζερ» ημιαγωγών με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1.

Μήκος κύματος κάτω από 1 400 nm και οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

α.

Μέση ή CW ολική ισχύ εξόδου κάτω των 3 kW και μέση ή CW «πυκνότητα ισχύος» εξόδου άνω των 500 W/cm2,

| β. | Μέση ή CW ολική ισχύ εξόδου τουλάχιστον 3 kW αλλά κάτω των 5 kW και μέση ή CW «πυκνότητα ισχύος» εξόδου άνω των 350 W/cm2, |
| --- | --- |

β.

Μέση ή CW ολική ισχύ εξόδου τουλάχιστον 3 kW αλλά κάτω των 5 kW και μέση ή CW «πυκνότητα ισχύος» εξόδου άνω των 350 W/cm2,

| γ. | Μέση ή CW ολική ισχύ εξόδου άνω των 5 kW, |
| --- | --- |

γ.

Μέση ή CW ολική ισχύ εξόδου άνω των 5 kW,

| δ. | Παλμική «πυκνότητα ισχύος» αιχμής άνω των 2 500 W/cm2, ή |
| --- | --- |

δ.

Παλμική «πυκνότητα ισχύος» αιχμής άνω των 2 500 W/cm2, ή

| ε. | Χωρικά συνεκτική μέση ή CW ολική ισχύ εξόδου άνω των 150 W. |
| --- | --- |

ε.

Χωρικά συνεκτική μέση ή CW ολική ισχύ εξόδου άνω των 150 W.

| 2. | Μήκος κύματος τουλάχιστον 1 400 nm αλλά κάτω των 1 900 nm και οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  α. | Μέση ή CW ολική ισχύ εξόδου κάτω των 250 W και μέση ή CW «πυκνότητα ισχύος» εξόδου άνω των 150 W/cm2, |
| --- | --- | --- |

2.

Μήκος κύματος τουλάχιστον 1 400 nm αλλά κάτω των 1 900 nm και οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

α.

Μέση ή CW ολική ισχύ εξόδου κάτω των 250 W και μέση ή CW «πυκνότητα ισχύος» εξόδου άνω των 150 W/cm2,

| β. | Μέση ή CW ολική ισχύ εξόδου τουλάχιστον 250 W αλλά κάτω των 500 W και μέση ή CW «πυκνότητα ισχύος» εξόδου άνω των 50 W/cm2, |
| --- | --- |

β.

Μέση ή CW ολική ισχύ εξόδου τουλάχιστον 250 W αλλά κάτω των 500 W και μέση ή CW «πυκνότητα ισχύος» εξόδου άνω των 50 W/cm2,

| γ. | Μέση ή CW ολική ισχύ εξόδου άνω των 500 W, |
| --- | --- |

γ.

Μέση ή CW ολική ισχύ εξόδου άνω των 500 W,

| δ. | Παλμική «πυκνότητα ισχύος» αιχμής άνω των 500 W/cm2, ή |
| --- | --- |

δ.

Παλμική «πυκνότητα ισχύος» αιχμής άνω των 500 W/cm2, ή

| ε. | Χωρικά συνεκτική μέση ή CW ολική ισχύ εξόδου άνω των 15 W. |
| --- | --- |

ε.

Χωρικά συνεκτική μέση ή CW ολική ισχύ εξόδου άνω των 15 W.

| 3. | Μήκος κύματος άνω των 1 900 nm και οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  α. | Μέση ή CW «πυκνότητα ισχύος» εξόδου άνω των 50 W/cm2, |
| --- | --- | --- |

3.

Μήκος κύματος άνω των 1 900 nm και οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

α.

Μέση ή CW «πυκνότητα ισχύος» εξόδου άνω των 50 W/cm2,

| β. | Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 10 W, ή |
| --- | --- |

β.

Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 10 W, ή

| γ. | Χωρικά συνεκτική μέση ή CW ολική ισχύ εξόδου άνω του 1,5 W, ή |
| --- | --- |

γ.

Χωρικά συνεκτική μέση ή CW ολική ισχύ εξόδου άνω του 1,5 W, ή

| 4. | Τουλάχιστον μία «ράβδο»«λέιζερ» από τις προσδιοριζόμενες στο 6A005.δ.1.γ. |
| --- | --- |

4.

Τουλάχιστον μία «ράβδο»«λέιζερ» από τις προσδιοριζόμενες στο 6A005.δ.1.γ.

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του 6A005.δ.1.δ., ως «πυκνότητα ισχύος» νοείται το λόγο της ολικής ισχύος εξόδου «λέιζερ» προς το εμβαδό της επιφάνειας εκπομπής της «διδιάστατης συστοιχίας».

| ε. | «Διδιάστατες συστοιχίες»«λέιζερ» ημιαγωγών, πλην των προσδιοριζόμενων στο 6A005.δ.1.δ., με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  1. | Ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες ούτως ώστε να συνενώνονται με άλλες «διδιάστατες συστοιχίες» σχηματίζοντας μεγαλύτερες «διδιάστατες συστοιχίες», και |
| --- | --- | --- |

ε.

«Διδιάστατες συστοιχίες»«λέιζερ» ημιαγωγών, πλην των προσδιοριζόμενων στο 6A005.δ.1.δ., με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1.

Ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες ούτως ώστε να συνενώνονται με άλλες «διδιάστατες συστοιχίες» σχηματίζοντας μεγαλύτερες «διδιάστατες συστοιχίες», και

| 2. | Ολοκληρωμένες συνδέσεις, κοινές τόσο για τα ηλεκτρονικά όσο και για τα ψυκτικά τους στοιχεία.


  Σημείωση 1: Οι «διδιάστατες συστοιχίες» που σχηματίζονται με τη συνένωση «διδιάστατων συστοιχιών»«λέιζερ» ημιαγωγών προσδιοριζόμενων στο 6A005.δ.1.ε και δεν είναι σχεδιασμένες για περαιτέρω συνένωση ή τροποποίηση, προσδιορίζονται στο 6A005.δ.1.δ.



  Σημείωση 2: Οι «διδιάστατες συστοιχίες» που σχηματίζονται με τη συνένωση «διδιάστατων συστοιχιών»«λέιζερ» ημιαγωγών προσδιοριζόμενων στο 6A005.δ.1.ε και είναι σχεδιασμένες για περαιτέρω συνένωση ή τροποποίηση προσδιορίζονται στο 6A005.δ.1.ε.



  Σημείωση 3: Το σημείο 6A005.δ.1.ε δεν καλύπτει τα σπονδυλωτά συγκροτήματα μεμονωμένων «ράβδων» που προορίζονται προς μεταποίηση σε γραμμικές συστοιχίες γραμμικά συνενωμένες. |
| --- | --- |

2.

Ολοκληρωμένες συνδέσεις, κοινές τόσο για τα ηλεκτρονικά όσο και για τα ψυκτικά τους στοιχεία.

Σημείωση 1: Οι «διδιάστατες συστοιχίες» που σχηματίζονται με τη συνένωση «διδιάστατων συστοιχιών»«λέιζερ» ημιαγωγών προσδιοριζόμενων στο 6A005.δ.1.ε και δεν είναι σχεδιασμένες για περαιτέρω συνένωση ή τροποποίηση, προσδιορίζονται στο 6A005.δ.1.δ.

Σημείωση 2: Οι «διδιάστατες συστοιχίες» που σχηματίζονται με τη συνένωση «διδιάστατων συστοιχιών»«λέιζερ» ημιαγωγών προσδιοριζόμενων στο 6A005.δ.1.ε και είναι σχεδιασμένες για περαιτέρω συνένωση ή τροποποίηση προσδιορίζονται στο 6A005.δ.1.ε.

Σημείωση 3: Το σημείο 6A005.δ.1.ε δεν καλύπτει τα σπονδυλωτά συγκροτήματα μεμονωμένων «ράβδων» που προορίζονται προς μεταποίηση σε γραμμικές συστοιχίες γραμμικά συνενωμένες.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Τα «λέιζερ» ημιαγωγών συνήθως αποκαλούνται δίοδοι «λέιζερ». |
| --- | --- |

1.

| 2. | Οι «ράβδοι»«λέιζερ» ημιαγωγών, γνωστές και ως «ράβδοι» διόδων «λέιζερ» ή απλώς «ράβδοι»«διόδων», αποτελούνται από πολλά «λέιζερ» ημιαγωγών τοποθετημένα σε μια μονοδιάστατη συστοιχία. |
| --- | --- |

2.

| 3. | Οι «διδιάστατες συστοιχίες» αποτελούνται από πολλές «ράβδους»«λέιζερ» ημιαγωγών κατάλληλα τοποθετημένες. |
| --- | --- |

3.

| 2. | «Λέιζερ» μονοξειδίου του άνθρακα (CΟ) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Ενέργεια εξόδου άνω των 2 J ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω των 5 kW, ή |
| --- | --- | --- |

2.

«Λέιζερ» μονοξειδίου του άνθρακα (CΟ) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Ενέργεια εξόδου άνω των 2 J ανά παλμό και παλμική «ισχύ αιχμής» άνω των 5 kW, ή

| β. | Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 5 kW, |
| --- | --- |

β.

Μέση ή CW ισχύ εξόδου άνω των 5 kW,

| 3. | «Λέιζερ» διοξειδίου του άνθρακα (CO2) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | CW ισχύ εξόδου άνω των 15 kW, |
| --- | --- | --- |

3.

«Λέιζερ» διοξειδίου του άνθρακα (CO2) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

CW ισχύ εξόδου άνω των 15 kW,

| β. | Παλλόμενη έξοδο με «διάρκεια παλμού» άνω των 10 μs και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | «Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 10 kW, ή |
| --- | --- | --- |

β.

Παλλόμενη έξοδο με «διάρκεια παλμού» άνω των 10 μs και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

«Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 10 kW, ή

| 2. | «Ισχύ αιχμής» άνω των 100 kW, ή |
| --- | --- |

2.

«Ισχύ αιχμής» άνω των 100 kW, ή

| γ. | Παλμική έξοδο με «διάρκεια παλμού» ίση το πολύ προς 10 μs και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Ενέργεια παλμού άνω των 5 J ανά παλμό, ή |
| --- | --- | --- |

γ.

Παλμική έξοδο με «διάρκεια παλμού» ίση το πολύ προς 10 μs και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Ενέργεια παλμού άνω των 5 J ανά παλμό, ή

| 2. | «Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 2,5 kW, |
| --- | --- |

2.

«Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 2,5 kW,

| 4. | «Λέιζερ» τύπου excimer με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Μήκος κύματος εξόδου κάτω από 150 nm και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Ενέργεια εξόδου άνω του 50 mJ ανά παλμό, ή |
| --- | --- | --- | --- |

4.

«Λέιζερ» τύπου excimer με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Μήκος κύματος εξόδου κάτω από 150 nm και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Ενέργεια εξόδου άνω του 50 mJ ανά παλμό, ή

| 2. | «Μέση ισχύ εξόδου» πάνω από 1 W. |
| --- | --- |

2.

«Μέση ισχύ εξόδου» πάνω από 1 W.

| β. | Μήκος κύματος εξόδου από 150 nm και μέχρι 190 nm και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Ενέργεια εξόδου άνω των 1,5 J ανά παλμό, ή |
| --- | --- | --- |

β.

Μήκος κύματος εξόδου από 150 nm και μέχρι 190 nm και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Ενέργεια εξόδου άνω των 1,5 J ανά παλμό, ή

| 2. | «Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 120 W, |
| --- | --- |

2.

«Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 120 W,

| γ. | Μήκος κύματος εξόδου από 190 nm και μέχρι 360 nm και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Ενέργεια εξόδου άνω των 10 J ανά παλμό, ή |
| --- | --- | --- |

γ.

Μήκος κύματος εξόδου από 190 nm και μέχρι 360 nm και οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Ενέργεια εξόδου άνω των 10 J ανά παλμό, ή

| 2. | «Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 500 W, ή |
| --- | --- |

2.

«Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 500 W, ή

| δ. | Μήκος κύματος εξόδου άνω των 360 nm και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Ενέργεια εξόδου άνω των 1,5 J ανά παλμό, ή |
| --- | --- | --- |

δ.

Μήκος κύματος εξόδου άνω των 360 nm και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Ενέργεια εξόδου άνω των 1,5 J ανά παλμό, ή

| 2. | «Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 30 W. |
| --- | --- |

2.

«Μέση ισχύ εξόδου» άνω των 30 W.

ΣΗΜ.: Για τα «λέιζερ» διηγερμένου διατομικού μορίου τα ειδικά σχεδιασμένα για λιθογραφικό εξοπλισμό βλέπε σημείο 3Β001.

| 5. | «Χημικά λέιζερ» ως εξής:






  α. | «Λέιζερ» υδροφθορίου (HF), |
| --- | --- | --- |

5.

«Χημικά λέιζερ» ως εξής:

α.

«Λέιζερ» υδροφθορίου (HF),

| β. | «Λέιζερ» φθοριούχου δευτερίου (DF), |
| --- | --- |

β.

«Λέιζερ» φθοριούχου δευτερίου (DF),

| γ. | «Λέιζερ μεταφοράς», ως εξής:






  1. | «Λέιζερ» οξυγόνου-ιωδίου (O2-I), |
| --- | --- | --- |

γ.

«Λέιζερ μεταφοράς», ως εξής:

1.

«Λέιζερ» οξυγόνου-ιωδίου (O2-I),

| 2. | «Λέιζερ» φθοριούχου δευτερίου-διοξειδίου του άνθρακα (DF-CO2). |
| --- | --- |

2.

«Λέιζερ» φθοριούχου δευτερίου-διοξειδίου του άνθρακα (DF-CO2).

| 6. | «Μη επαναληπτικά παλμικά»«λέιζερ» νεοδυμίου/γυαλιού με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | «Διάρκεια παλμού» κάτω από 1 μs και ενέργεια εξόδου άνω των 50 J ανά παλμό, ή |
| --- | --- | --- |

6.

«Μη επαναληπτικά παλμικά»«λέιζερ» νεοδυμίου/γυαλιού με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

«Διάρκεια παλμού» κάτω από 1 μs και ενέργεια εξόδου άνω των 50 J ανά παλμό, ή

| β. | «Διάρκεια παλμού» πάνω από 1 μs και ενέργεια εξόδου άνω των 100 J ανά παλμό, |
| --- | --- |

β.

«Διάρκεια παλμού» πάνω από 1 μs και ενέργεια εξόδου άνω των 100 J ανά παλμό,

Σημείωση: Οι λέξεις «μη επαναληπτικά παλμικά» αναφέρονται στα «λέιζερ» που είτε παράγουν έναν και μόνο παλμό εξόδου είτε έχουν χρονικό διάστημα άνω του ενός λεπτού μεταξύ παλμών.

| ε. | Δομικά μέρη, ως εξής:






  1. | Κάτοπτρα ψυχόμενα είτε με «ενεργητικό σύστημα ψύξης» είτε με σωλήνες απαγωγής θερμότητας.


  Τεχνική παρατήρηση:


  Το «ενεργητικό σύστημα ψύξης» αποτελεί τεχνική ψύξης οπτικών κατασκευαστικών στοιχείων με τη χρήση ρεόντων ρευστών στο υπόστρωμα της επιφάνειας (ονομαστικώς σε απόσταση μικρότερη από 1 mm κάτω από την οπτική επιφάνεια) του οπτικού κατασκευαστικού στοιχείου για την απαγωγή της θερμότητας από το οπτικό σύστημα. |
| --- | --- | --- |

ε.

Δομικά μέρη, ως εξής:

1.

Κάτοπτρα ψυχόμενα είτε με «ενεργητικό σύστημα ψύξης» είτε με σωλήνες απαγωγής θερμότητας.

Τεχνική παρατήρηση:

Το «ενεργητικό σύστημα ψύξης» αποτελεί τεχνική ψύξης οπτικών κατασκευαστικών στοιχείων με τη χρήση ρεόντων ρευστών στο υπόστρωμα της επιφάνειας (ονομαστικώς σε απόσταση μικρότερη από 1 mm κάτω από την οπτική επιφάνεια) του οπτικού κατασκευαστικού στοιχείου για την απαγωγή της θερμότητας από το οπτικό σύστημα.

| 2. | Οπτικά κάτοπτρα ή μεταδόσιμα ή εν μέρει μεταδόσιμα οπτικά ή ηλεκτροπτικά δομικά μέρη ειδικώς σχεδιασμένα για να χρησιμοποιούνται με καθοριζόμενα «λέιζερ». |
| --- | --- |

2.

Οπτικά κάτοπτρα ή μεταδόσιμα ή εν μέρει μεταδόσιμα οπτικά ή ηλεκτροπτικά δομικά μέρη ειδικώς σχεδιασμένα για να χρησιμοποιούνται με καθοριζόμενα «λέιζερ».

| στ. | Οπτικός εξοπλισμός, ως εξής:


  ΣΗΜ.: Για οπτικά στοιχεία επιμεριζόμενου ανοίγματος, ικανά να λειτουργούν σε εφαρμογές «Λέιζερ υπερυψηλής ισχύος» («SHPL»), βλέπε τους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων.







  1. | Δυναμικός μετρητικός εξοπλισμός μετώπου κύματος (φάσης), ικανός να αποτυπώνει τουλάχιστον 50 θέσεις στο μέτωπο κύματος δέσμης, που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Ρυθμούς μετάδοσης εικόνων τουλάχιστον ίσους προς 100 Hz και διάκριση φάσης τουλάχιστον 5 % του μήκους κύματος της δέσμης, ή |
| --- | --- | --- | --- |

στ.

Οπτικός εξοπλισμός, ως εξής:

ΣΗΜ.: Για οπτικά στοιχεία επιμεριζόμενου ανοίγματος, ικανά να λειτουργούν σε εφαρμογές «Λέιζερ υπερυψηλής ισχύος» («SHPL»), βλέπε τους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων.

1.

Δυναμικός μετρητικός εξοπλισμός μετώπου κύματος (φάσης), ικανός να αποτυπώνει τουλάχιστον 50 θέσεις στο μέτωπο κύματος δέσμης, που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Ρυθμούς μετάδοσης εικόνων τουλάχιστον ίσους προς 100 Hz και διάκριση φάσης τουλάχιστον 5 % του μήκους κύματος της δέσμης, ή

| β. | Ρυθμούς μετάδοσης εικόνων τουλάχιστον ίσους προς 1 000 Hz και διάκριση φάσης τουλάχιστον 20 % του μήκους κύματος της δέσμης, |
| --- | --- |

β.

Ρυθμούς μετάδοσης εικόνων τουλάχιστον ίσους προς 1 000 Hz και διάκριση φάσης τουλάχιστον 20 % του μήκους κύματος της δέσμης,

| 2. | Εξοπλισμός διάγνωσης με «λέιζερ», ικανός να μετρά σφάλματα γωνιακής καθοδήγησης δεσμών από «λέιζερ υπερυψηλής ισχύος» («SHPL») το πολύ ίσα προς 10 μrad, |
| --- | --- |

2.

Εξοπλισμός διάγνωσης με «λέιζερ», ικανός να μετρά σφάλματα γωνιακής καθοδήγησης δεσμών από «λέιζερ υπερυψηλής ισχύος» («SHPL») το πολύ ίσα προς 10 μrad,

| 3. | Οπτικός εξοπλισμός, συγκροτήματα ή δομικά μέρη ειδικώς σχεδιασμένα για συστήματα «SHPL» συγχρονισμένης συστοιχίας για σύγχρονο συνδυασμό δεσμών με ακρίβεια 1/10 του λ στο μήκος κύματος κατά τη μελέτη ή 0,1 μm, όποιο είναι μικρότερο, |
| --- | --- |

3.

Οπτικός εξοπλισμός, συγκροτήματα ή δομικά μέρη ειδικώς σχεδιασμένα για συστήματα «SHPL» συγχρονισμένης συστοιχίας για σύγχρονο συνδυασμό δεσμών με ακρίβεια 1/10 του λ στο μήκος κύματος κατά τη μελέτη ή 0,1 μm, όποιο είναι μικρότερο,

| 4. | Τηλεσκόπια προβολής, ειδικώς σχεδιασμένα για να χρησιμοποιούνται με συστήματα «SHPL», |
| --- | --- |

4.

Τηλεσκόπια προβολής, ειδικώς σχεδιασμένα για να χρησιμοποιούνται με συστήματα «SHPL»,

| ζ. | «Ηχητικός εξοπλισμός ανίχνευσης λέιζερ» που διαθέτει όλα από τα ακόλουθα:






  1. | CW ισχύ εξόδου λέιζερ ίση ή ανώτερη των 20 mW, |
| --- | --- | --- |

ζ.

«Ηχητικός εξοπλισμός ανίχνευσης λέιζερ» που διαθέτει όλα από τα ακόλουθα:

1.

CW ισχύ εξόδου λέιζερ ίση ή ανώτερη των 20 mW,

| 2. | Σταθερότητα συχνότητας λέιζερ ίση ή καλύτερη (χαμηλότερη) από 10 MHz, |
| --- | --- |

2.

Σταθερότητα συχνότητας λέιζερ ίση ή καλύτερη (χαμηλότερη) από 10 MHz,

| 3. | Μήκη κύματος λέιζερ ίσα ή ανώτερα από 1 000 nm αλλά όχι ανώτερα από 2 000 nm, |
| --- | --- |

3.

Μήκη κύματος λέιζερ ίσα ή ανώτερα από 1 000 nm αλλά όχι ανώτερα από 2 000 nm,

| 4. | Ευκρίνεια οπτικού συστήματος καλύτερη (χαμηλότερη) από 1 nm, και |
| --- | --- |

4.

Ευκρίνεια οπτικού συστήματος καλύτερη (χαμηλότερη) από 1 nm, και

| 5. | Αναλογία οπτικού σήματος/θορύβου ίση ή ανώτερη από 103. |
| --- | --- |

5.

Αναλογία οπτικού σήματος/θορύβου ίση ή ανώτερη από 103.

Τεχνική παρατήρηση:

Ο «ηχητικός εξοπλισμός ανίχνευσης λέιζερ» αναφέρεται ενίοτε ως μικρόφωνο λέιζερ ή μικρόφωνο ροής μορίων.

6A006

«Μαγνητόμετρα», «μαγνητικά κλισίμετρα», «ενδογενή μαγνητικά βαθμιδόμετρα», αισθητήρες υποβρύχιων ηλεκτρικών πεδίων και «συστήματα αντιστάθμισης», και ειδικώς σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 7A103.δ.

Σημείωση: Στο σημείο 6Α006 δεν υπάγονται όργανα ειδικώς σχεδιασμένα για αλιευτική χρήση ή για βιομαγνητικές μετρήσεις στο πλαίσιο ιατρικών διαγνώσεων.

| α. | «Μαγνητόμετρα» και υποσυστήματα ως εξής:






  1. | «Μαγνητόμετρα» που χρησιμοποιούν «τεχνολογία»«υπεραγωγιμότητας» (SQUID) και παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Συστήματα SQUID σχεδιασμένα για σταθερή λειτουργία, χωρίς ειδικά σχεδιασμένα υποσυστήματα για τη μείωση του θορύβου κατά την κίνηση, και με «ευαισθησία» ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 50 fT (rms) ανά τετραγωνική ρίζα Hz σε συχνότητα 1 Hz, ή |
| --- | --- | --- | --- |

α.

«Μαγνητόμετρα» και υποσυστήματα ως εξής:

1.

«Μαγνητόμετρα» που χρησιμοποιούν «τεχνολογία»«υπεραγωγιμότητας» (SQUID) και παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Συστήματα SQUID σχεδιασμένα για σταθερή λειτουργία, χωρίς ειδικά σχεδιασμένα υποσυστήματα για τη μείωση του θορύβου κατά την κίνηση, και με «ευαισθησία» ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 50 fT (rms) ανά τετραγωνική ρίζα Hz σε συχνότητα 1 Hz, ή

| β. | Συστήματα SQUID με «ευαισθησία» μαγνητομέτρου κατά την κίνηση μικρότερη (καλύτερη) από 20 pT (rms) ανά τετραγωνική ρίζα Hz σε συχνότητα 1 Hz και ειδικά σχεδιασμένα για τη μείωση του θορύβου κατά την κίνηση, |
| --- | --- |

β.

Συστήματα SQUID με «ευαισθησία» μαγνητομέτρου κατά την κίνηση μικρότερη (καλύτερη) από 20 pT (rms) ανά τετραγωνική ρίζα Hz σε συχνότητα 1 Hz και ειδικά σχεδιασμένα για τη μείωση του θορύβου κατά την κίνηση,

| 2. | «Μαγνητόμετρα» που χρησιμοποιούν «τεχνολογία» οπτικής επαναληπτικής ενίσχυσης ή πυρηνικής εκτροπής (πρωτονίων/Overhauser) με «ευαισθησία» μικρότερη (καλύτερη) από 20 pT (rms) ανά τετραγωνική ρίζα Hz και σε συχνότητα 1 Hz, |
| --- | --- |

2.

«Μαγνητόμετρα» που χρησιμοποιούν «τεχνολογία» οπτικής επαναληπτικής ενίσχυσης ή πυρηνικής εκτροπής (πρωτονίων/Overhauser) με «ευαισθησία» μικρότερη (καλύτερη) από 20 pT (rms) ανά τετραγωνική ρίζα Hz και σε συχνότητα 1 Hz,

| 3. | «Μαγνητόμετρα» που χρησιμοποιούν «τεχνολογία» πύλης ροής με «ευαισθησία» ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 10 pT (rms) ανά τετραγωνική ρίζα Hz σε συχνότητα 1 Hz, |
| --- | --- |

3.

«Μαγνητόμετρα» που χρησιμοποιούν «τεχνολογία» πύλης ροής με «ευαισθησία» ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 10 pT (rms) ανά τετραγωνική ρίζα Hz σε συχνότητα 1 Hz,

| 4. | «Μαγνητόμετρα» επαγωγικής σπείρας, με «ευαισθησία» μικρότερη (καλύτερη) από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | 0,05 nT (rms) ανά τετραγωνική ρίζα Hz σε συχνότητες μικρότερες από 1 Hz, |
| --- | --- | --- |

4.

«Μαγνητόμετρα» επαγωγικής σπείρας, με «ευαισθησία» μικρότερη (καλύτερη) από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

0,05 nT (rms) ανά τετραγωνική ρίζα Hz σε συχνότητες μικρότερες από 1 Hz,

| β. | 1 × 10-3 nT (rms) ανά τετραγωνική ρίζα Hz σε συχνότητες τουλάχιστον 1 Hz και μέχρι 10 Hz, ή |
| --- | --- |

β.

1 × 10-3 nT (rms) ανά τετραγωνική ρίζα Hz σε συχνότητες τουλάχιστον 1 Hz και μέχρι 10 Hz, ή

| γ. | 1 × 10-4 nT (rms) ανά τετραγωνική ρίζα Hz σε συχνότητες άνω των 10 Hz. |
| --- | --- |

γ.

1 × 10-4 nT (rms) ανά τετραγωνική ρίζα Hz σε συχνότητες άνω των 10 Hz.

| 5. | «Μαγνητόμετρα» οπτικών ινών, με «ευαισθησία» μικρότερη (καλύτερη) από 1 nT (rms) ανά τετραγωνική ρίζα Hz, |
| --- | --- |

5.

«Μαγνητόμετρα» οπτικών ινών, με «ευαισθησία» μικρότερη (καλύτερη) από 1 nT (rms) ανά τετραγωνική ρίζα Hz,

| β. | Αισθητήρες υποβρύχιων ηλεκτρικών πεδίων με «ευαισθησία» μικρότερη (καλύτερη) από 8 nanovolt ανά μέτρο ανά τετραγωνική ρίζα Hz όταν μετράται σε 1 Hz, |
| --- | --- |

β.

Αισθητήρες υποβρύχιων ηλεκτρικών πεδίων με «ευαισθησία» μικρότερη (καλύτερη) από 8 nanovolt ανά μέτρο ανά τετραγωνική ρίζα Hz όταν μετράται σε 1 Hz,

| γ. | «Μαγνητικά κλισίμετρα», ως εξής:






  1. | «Μαγνητικά κλισίμετρα» με τη χρήση πολλαπλών «μαγνητομέτρων» που καθορίζονται στο σημείο 6Α006.α., |
| --- | --- | --- |

γ.

«Μαγνητικά κλισίμετρα», ως εξής:

1.

«Μαγνητικά κλισίμετρα» με τη χρήση πολλαπλών «μαγνητομέτρων» που καθορίζονται στο σημείο 6Α006.α.,

| 2. | «Ενδογενή μαγνητικά κλισίμετρα» οπτικών ινών, με «ευαισθησία» πεδίου μαγνητικής βαθμίδας μικρότερη (καλύτερη) από 0,3 nT/m rms ανά τετραγωνική ρίζα Hz, |
| --- | --- |

2.

«Ενδογενή μαγνητικά κλισίμετρα» οπτικών ινών, με «ευαισθησία» πεδίου μαγνητικής βαθμίδας μικρότερη (καλύτερη) από 0,3 nT/m rms ανά τετραγωνική ρίζα Hz,

| 3. | «Ενδογενή μαγνητικά βαθμιδόμετρα» που χρησιμοποιούν «τεχνολογία» διαφορετική από τις οπτικές ίνες, με «ευαισθησία» πεδίου μαγνητικής βαθμίδας μικρότερη (καλύτερη) από 0,015 nT/m rms ανά τετραγωνική ρίζα Hz, |
| --- | --- |

3.

«Ενδογενή μαγνητικά βαθμιδόμετρα» που χρησιμοποιούν «τεχνολογία» διαφορετική από τις οπτικές ίνες, με «ευαισθησία» πεδίου μαγνητικής βαθμίδας μικρότερη (καλύτερη) από 0,015 nT/m rms ανά τετραγωνική ρίζα Hz,

| δ. | «Συστήματα αντιστάθμισης» για μαγνητικούς αισθητήρες ή αισθητήρες υποβρύχιων ηλεκτρικών πεδίων με επιδόσεις τουλάχιστον ίση προς τις παραμέτρους που καθορίζονται στα σημεία 6Α006.α., 6Α006.β. ή 6Α006.γ. |
| --- | --- |

δ.

«Συστήματα αντιστάθμισης» για μαγνητικούς αισθητήρες ή αισθητήρες υποβρύχιων ηλεκτρικών πεδίων με επιδόσεις τουλάχιστον ίση προς τις παραμέτρους που καθορίζονται στα σημεία 6Α006.α., 6Α006.β. ή 6Α006.γ.

| ε. | Υποβρύχιοι ηλεκτρομαγνητικοί λήπτες που ενσωματώνουν αισθητήρες μαγνητικού πεδίου όπως ορίζονται στο 6Α006.α ή υποβρύχιους αισθητήρες ηλεκτρικού πεδίου όπως ορίζονται στο 6Α006.β. |
| --- | --- |

ε.

Υποβρύχιοι ηλεκτρομαγνητικοί λήπτες που ενσωματώνουν αισθητήρες μαγνητικού πεδίου όπως ορίζονται στο 6Α006.α ή υποβρύχιους αισθητήρες ηλεκτρικού πεδίου όπως ορίζονται στο 6Α006.β.

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του 6A006., «ευαισθησία» (στάθμη θορύβου) είναι η μέση τετραγωνική ρίζα του αθροίσματος του θορύβου στο πλαίσιο βάσει της συσκευής και είναι το χαμηλότερο σήμα που μπορεί να μετρηθεί.

6A007

Μετρητές βαρύτητας (βαρυτόμετρα) και βαρυτικά κλισιόμετρα, ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 6Α107.

| α. | Βαρυτόμετρα σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για χρήση στο έδαφος και με στατική ακρίβεια κάτω (καλύτερη) από 10 μgal,


  Σημείωση: Στο σημείο 6Α007.α. δεν υπάγονται βαρυτόμετρα εδάφους του τύπου στοιχείου χαλαζία (Worden). |
| --- | --- |

α.

Βαρυτόμετρα σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για χρήση στο έδαφος και με στατική ακρίβεια κάτω (καλύτερη) από 10 μgal,

Σημείωση: Στο σημείο 6Α007.α. δεν υπάγονται βαρυτόμετρα εδάφους του τύπου στοιχείου χαλαζία (Worden).

| β. | Βαρυτόμετρα σχεδιασμένα για κινητές εξέδρες και με τα εξής χαρακτηριστικά:






  1. | Στατική ακρίβεια κάτω (καλύτερη) από 0,7 mgal, και |
| --- | --- | --- |

β.

Βαρυτόμετρα σχεδιασμένα για κινητές εξέδρες και με τα εξής χαρακτηριστικά:

1.

Στατική ακρίβεια κάτω (καλύτερη) από 0,7 mgal, και

| 2. | Λειτουργική ακρίβεια κάτω (καλύτερη) από 0,7 mgal με «καταγραφή χρόνου προς μόνιμη κατάσταση» μικρότερη από 2 min. υπό οποιοδήποτε συνδυασμό συνοδευουσών διορθωτικών αντισταθμίσεων και κινησιακών επιδράσεων. |
| --- | --- |

2.

Λειτουργική ακρίβεια κάτω (καλύτερη) από 0,7 mgal με «καταγραφή χρόνου προς μόνιμη κατάσταση» μικρότερη από 2 min. υπό οποιοδήποτε συνδυασμό συνοδευουσών διορθωτικών αντισταθμίσεων και κινησιακών επιδράσεων.

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του σημείου 6A007.β., «καταγραφή χρόνου προς μόνιμη κατάσταση» (που αναφέρεται και ως χρόνος απόκρισης βαρυτόμετρου) είναι ο χρόνος κατά τον οποίον είναι μειωμένες οι ενοχλητικές επιδράσεις των επιταχύνσεων που προκαλούνται από την εξέδρα (υψίσυχνος θόρυβος).

| γ. | Βαρυτικά κλισίμετρα. |
| --- | --- |

γ.

Βαρυτικά κλισίμετρα.

6A008

Συστήματα ραδιοεντοπισμού (ραντάρ), εξοπλισμός και συγκροτήματα που παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα, και ειδικώς σχεδιασμένα δομικά μέρη τους:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 6Α108.

Σημείωση: Στο σημείο 6Α008 δεν υπάγονται:

| — | Ραδιοεντοπιστές δευτερεύουσας επιτήρησης (SSR), |
| --- | --- |

—

Ραδιοεντοπιστές δευτερεύουσας επιτήρησης (SSR),

| — | Ραδιοεντοπιστές αυτοκινήτων μη στρατιωτικής χρήσης, |
| --- | --- |

—

Ραδιοεντοπιστές αυτοκινήτων μη στρατιωτικής χρήσης,

| — | Οθόνες απεικόνισης ή παρακολούθησης που χρησιμοποιούνται στον έλεγχο εναέριας κυκλοφορίας (ATC), |
| --- | --- |

—

Οθόνες απεικόνισης ή παρακολούθησης που χρησιμοποιούνται στον έλεγχο εναέριας κυκλοφορίας (ATC),

| — | Μετεωρολογικοί ραδιοεντοπιστές (καιρικών προγνώσεων), |
| --- | --- |

—

Μετεωρολογικοί ραδιοεντοπιστές (καιρικών προγνώσεων),

| — | Εξοπλισμός ραδιοεντοπισμού προσέγγισης ακριβείας (PAR) που συμμορφώνεται προς τα πρότυπα του ICAO και χρησιμοποιεί ηλεκτρονικώς διευθυνόμενες γραμμικές (μονοδιάστατες) συστοιχίες ή μηχανικώς τοποθετούμενες παθητικές κεραίες. |
| --- | --- |

—

Εξοπλισμός ραδιοεντοπισμού προσέγγισης ακριβείας (PAR) που συμμορφώνεται προς τα πρότυπα του ICAO και χρησιμοποιεί ηλεκτρονικώς διευθυνόμενες γραμμικές (μονοδιάστατες) συστοιχίες ή μηχανικώς τοποθετούμενες παθητικές κεραίες.

| α. | Λειτουργούν σε συχνότητες από 40 GHz έως 230 GHz και έχουν οποιοδήποτε από τα εξής:






  1. | Μέση ισχύ εξόδου άνω των 100 mW, ή |
| --- | --- | --- |

α.

Λειτουργούν σε συχνότητες από 40 GHz έως 230 GHz και έχουν οποιοδήποτε από τα εξής:

1.

Μέση ισχύ εξόδου άνω των 100 mW, ή

| 2. | Ακρίβεια εντοπισμού 1 μέτρου ή καλύτερη σε απόσταση και 0,2 μοιρών ή καλύτερη σε αζιμούθ· |
| --- | --- |

2.

Ακρίβεια εντοπισμού 1 μέτρου ή καλύτερη σε απόσταση και 0,2 μοιρών ή καλύτερη σε αζιμούθ·

| β. | Έχουν συντονίσιμο εύρος ζώνης άνω του ± 6,25 % της «λειτουργικής συχνότητας στο κέντρο»,


  Τεχνική παρατήρηση:


  Η «λειτουργική συχνότητα κέντρου» είναι ίση προς το ήμισυ του αθροίσματος της μεγαλύτερης και μικρότερης προδιαγραφόμενης λειτουργικής συχνότητας. |
| --- | --- |

β.

Έχουν συντονίσιμο εύρος ζώνης άνω του ± 6,25 % της «λειτουργικής συχνότητας στο κέντρο»,

Τεχνική παρατήρηση:

Η «λειτουργική συχνότητα κέντρου» είναι ίση προς το ήμισυ του αθροίσματος της μεγαλύτερης και μικρότερης προδιαγραφόμενης λειτουργικής συχνότητας.

| γ. | Είναι ικανά να λειτουργούν ταυτοχρόνως επιπλέον των δύο φερουσών συχνοτήτων, |
| --- | --- |

γ.

Είναι ικανά να λειτουργούν ταυτοχρόνως επιπλέον των δύο φερουσών συχνοτήτων,

| δ. | Είναι ικανά να λειτουργούν υπό τύπο ραδιοεντοπιστή συνθετικού διαφράγματος (SAR), ραδιοεντοπιστή αναστρόφου συνθετικού διαφράγματος (ISAR) ή αεροφερόμενου ραδιοεντοπιστή πλευρικής σκόπευσης (SLAR), |
| --- | --- |

δ.

Είναι ικανά να λειτουργούν υπό τύπο ραδιοεντοπιστή συνθετικού διαφράγματος (SAR), ραδιοεντοπιστή αναστρόφου συνθετικού διαφράγματος (ISAR) ή αεροφερόμενου ραδιοεντοπιστή πλευρικής σκόπευσης (SLAR),

| ε. | Έχουν ενσωματωμένες «ηλεκτρονικώς καθοδηγούμενες φασικώς συγχρονισμένες συστοιχιοκεραίες», |
| --- | --- |

ε.

Έχουν ενσωματωμένες «ηλεκτρονικώς καθοδηγούμενες φασικώς συγχρονισμένες συστοιχιοκεραίες»,

| στ. | Είναι ικανά να ευρίσκουν το ύψος μη συνεργάσιμων στόχων, |
| --- | --- |

στ.

Είναι ικανά να ευρίσκουν το ύψος μη συνεργάσιμων στόχων,

| ζ. | Είναι σχεδιασμένα ειδικώς για αεροφερόμενη (τοποθετημένα σε αερόστατο ή αεροπλαίσιο) λειτουργία και με «επεξεργασία σήματος» Doppler για την ανίχνευση κινούμενων στόχων, |
| --- | --- |

ζ.

Είναι σχεδιασμένα ειδικώς για αεροφερόμενη (τοποθετημένα σε αερόστατο ή αεροπλαίσιο) λειτουργία και με «επεξεργασία σήματος» Doppler για την ανίχνευση κινούμενων στόχων,

| η. | Χρησιμοποιούν επεξεργασία σημάτων ραδιοεντοπισμού και χρησιμοποιούν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Τεχνικές «ραδιοεντοπισμού εκτεταμένου φάσματος», ή |
| --- | --- | --- |

η.

Χρησιμοποιούν επεξεργασία σημάτων ραδιοεντοπισμού και χρησιμοποιούν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Τεχνικές «ραδιοεντοπισμού εκτεταμένου φάσματος», ή

| 2. | Τεχνικές «ευκινησίας συχνοτήτων ραδιοεντοπισμού». |
| --- | --- |

2.

Τεχνικές «ευκινησίας συχνοτήτων ραδιοεντοπισμού».

| θ. | Εξασφαλίζουν επίγεια λειτουργία με μέγιστη «εμβέλεια οργάνου» άνω των 185 km.


  Σημείωση: Στο σημείο 6Α008.θ. δεν υπάγονται:








  α. | Ραδιοεντοπιστές επιτήρησης αλιευτικών ζωνών, |
| --- | --- | --- |

θ.

Εξασφαλίζουν επίγεια λειτουργία με μέγιστη «εμβέλεια οργάνου» άνω των 185 km.

Σημείωση: Στο σημείο 6Α008.θ. δεν υπάγονται:

α.

Ραδιοεντοπιστές επιτήρησης αλιευτικών ζωνών,

| β. | Επίγειος εξοπλισμός ραδιοεντοπισμού ειδικά μελετημένος για τον έλεγχο εναέριας κυκλοφορίας en route και με όλα τα ακόλουθα:








  1. | Μέγιστη «εμβέλεια οργάνου» 500 km ή μικρότερη, |
| --- | --- | --- |

β.

Επίγειος εξοπλισμός ραδιοεντοπισμού ειδικά μελετημένος για τον έλεγχο εναέριας κυκλοφορίας en route και με όλα τα ακόλουθα:

1.

Μέγιστη «εμβέλεια οργάνου» 500 km ή μικρότερη,

| 2. | Είναι διαρθρωμένος κατά τρόπον ώστε τα δεδομένα ραδιοεντοπισμού να μεταδίδονται μόνο από τη θέση του ραδιοεντοπιστή σε ένα ή περισσότερα μη στρατιωτικά κέντρα ATC, |
| --- | --- |

2.

Είναι διαρθρωμένος κατά τρόπον ώστε τα δεδομένα ραδιοεντοπισμού να μεταδίδονται μόνο από τη θέση του ραδιοεντοπιστή σε ένα ή περισσότερα μη στρατιωτικά κέντρα ATC,

| 3. | Δεν περιλαμβάνει προβλέψεις για έλεγχο εξ αποστάσεως του ρυθμού σάρωσης του ραδιοεντοπιστή από το κέντρο ATC en route, και |
| --- | --- |

3.

Δεν περιλαμβάνει προβλέψεις για έλεγχο εξ αποστάσεως του ρυθμού σάρωσης του ραδιοεντοπιστή από το κέντρο ATC en route, και

| 4. | Είναι μόνιμα εγκατεστημένος, |
| --- | --- |

4.

Είναι μόνιμα εγκατεστημένος,

| γ. | Ραδιοεντοπιστές μετεωρολογικών αεροστατών. |
| --- | --- |

γ.

Ραδιοεντοπιστές μετεωρολογικών αεροστατών.

| ι. | Είναι ραδιοεντοπιστές με «λέιζερ» ή ελαφρό εξοπλισμό ανίχνευσης και σκόπευσης (LIDAR) και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση», |
| --- | --- | --- |

ι.

Είναι ραδιοεντοπιστές με «λέιζερ» ή ελαφρό εξοπλισμό ανίχνευσης και σκόπευσης (LIDAR) και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση»,

| 2. | Χρησιμοποιούν σύμφωνες ετερόδυνες ή ομοιόδυνες τεχνικές φώρασης, με γωνιακή ανάλυση μικρότερη (καλύτερη) από 20 μrad (μικροακτίνια), ή |
| --- | --- |

2.

Χρησιμοποιούν σύμφωνες ετερόδυνες ή ομοιόδυνες τεχνικές φώρασης, με γωνιακή ανάλυση μικρότερη (καλύτερη) από 20 μrad (μικροακτίνια), ή

| 3. | Είναι σχεδιασμένοι για την πραγματοποίηση αεροφερόμενων βαθυμετρικών παράκτιων επισκοπήσεων σύμφωνα με το πρότυπο τάξεως 1α της Διεθνούς Υδρογραφικής Οργάνωσης (IHO) (5η έκδοση Φεβρουαρίου 2008) για τις υδρογραφικές επισκοπήσεις ή και καλύτερα, και χρησιμοποιούν ένα ή περισσότερα λέιζερ με μήκος κύματος που υπερβαίνει τα 400 nm αλλά όχι τα 600 nm. |
| --- | --- |

3.

Είναι σχεδιασμένοι για την πραγματοποίηση αεροφερόμενων βαθυμετρικών παράκτιων επισκοπήσεων σύμφωνα με το πρότυπο τάξεως 1α της Διεθνούς Υδρογραφικής Οργάνωσης (IHO) (5η έκδοση Φεβρουαρίου 2008) για τις υδρογραφικές επισκοπήσεις ή και καλύτερα, και χρησιμοποιούν ένα ή περισσότερα λέιζερ με μήκος κύματος που υπερβαίνει τα 400 nm αλλά όχι τα 600 nm.

Σημείωση 1: Εξοπλισμός LIDAR ειδικά σχεδιασμένος για επισκόπηση καθορίζεται μόνο στο σημείο 6A008.ι.3.

Σημείωση 2: Στο σημείο 6Α008.ι. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός LIDAR ο ειδικώς σχεδιασμένος για μετεωρολογικές παρατηρήσεις.

Σημείωση 3: Οι παράμετροι του προτύπου τάξεως 1α της IHO (5η έκδοση Φεβρουαρίου 2008) συνοψίζονται ως εξής:

| — | Οριζόντια ακρίβεια (ποσοστό εμπιστοσύνης 95 %) = 5 m + 5 % βάθους. |
| --- | --- |

—

Οριζόντια ακρίβεια (ποσοστό εμπιστοσύνης 95 %) = 5 m + 5 % βάθους.

| — | Ακρίβεια βάθους για μειωμένα βάθη (ποσοστό εμπιστοσύνης 95 %)

  = , όπου:


  a
  =
  0,5 m = σφάλμα σταθερού βάθους, ήτοι το άθροισμα όλων των σφαλμάτων σταθερού βάθους


  b
  =
  0,013 = παράγοντας σφάλματος εξαρτώμενου από το βάθος


  b × d
  =
  σφάλμα εξαρτώμενο από το βάθος, ήτοι το άθροισμα όλων των σφαλμάτων που εξαρτώνται από το βάθος


  d
  =
  βάθος |
| --- | --- |

—

Ακρίβεια βάθους για μειωμένα βάθη (ποσοστό εμπιστοσύνης 95 %)

= Formula, όπου:

a
  =

b
  =

b × d
  =

d
  =

| — | Ανίχνευση χαρακτηριστικών = Κυβικά χαρακτηριστικά > 2 m σε βάθη έως 40 m· 10 % του βάθους πέραν των 40 m. |
| --- | --- |

—

Ανίχνευση χαρακτηριστικών = Κυβικά χαρακτηριστικά > 2 m σε βάθη έως 40 m· 10 % του βάθους πέραν των 40 m.

| ια. | Διαθέτουν υποσυστήματα «επεξεργασίας σημάτων» με τη χρήση «συμπίεσης παλμού» με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Λόγο «συμπίεσης παλμού» άνω των 150, ή |
| --- | --- | --- |

ια.

Διαθέτουν υποσυστήματα «επεξεργασίας σημάτων» με τη χρήση «συμπίεσης παλμού» με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Λόγο «συμπίεσης παλμού» άνω των 150, ή

| 2. | Εύρος συμπιεσμένου παλμού μικρότερο από 200 ns, ή



  Σημείωση: Στο σημείο 6A008.ια.2. δεν υπάγονται διδιάστατοι «ραδιοεντοπιστές θαλάσσης» ή ραδιοεντοπιστές «υπηρεσίας κίνησης σκαφών», που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά,








  α. | Λόγο «συμπίεσης παλμού» άνω των 150, |
| --- | --- | --- |

2.

Εύρος συμπιεσμένου παλμού μικρότερο από 200 ns, ή

Σημείωση: Στο σημείο 6A008.ια.2. δεν υπάγονται διδιάστατοι «ραδιοεντοπιστές θαλάσσης» ή ραδιοεντοπιστές «υπηρεσίας κίνησης σκαφών», που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά,

α.

Λόγο «συμπίεσης παλμού» άνω των 150,

| β. | Εύρος παλμού μικρότερο από 30 ns, |
| --- | --- |

β.

Εύρος παλμού μικρότερο από 30 ns,

| γ. | Μονή και περιστρεφόμενη κεραία μηχανικής σάρωσης, |
| --- | --- |

γ.

Μονή και περιστρεφόμενη κεραία μηχανικής σάρωσης,

| δ. | Ισχύς εξόδου αιχμής όχι άνω των 250 W, και |
| --- | --- |

δ.

Ισχύς εξόδου αιχμής όχι άνω των 250 W, και

| ε. | Χωρίς δυνατότητα «μεταπήδησης συχνοτήτων». |
| --- | --- |

ε.

Χωρίς δυνατότητα «μεταπήδησης συχνοτήτων».

| ιβ. | Διαθέτουν υποσυστήματα επεξεργασίας δεδομένων και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | «Αυτόματη παρακολούθηση στόχου» η οποία δίνει, σε οποιαδήποτε θέση στροφής της κεραίας, την προβλεπόμενη θέση του στόχου πέραν του χρόνου της επομένης διόδου της δέσμης της κεραίας, ή



  Σημείωση: Στο σημείο 6Α008.ιβ.1. δεν υπάγεται η ικανότητα συναγερμού σε περίπτωση διάστασης σε συστήματα ATC ή ραδιοεντοπιστές θαλάσσης. |
| --- | --- | --- |

ιβ.

Διαθέτουν υποσυστήματα επεξεργασίας δεδομένων και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

«Αυτόματη παρακολούθηση στόχου» η οποία δίνει, σε οποιαδήποτε θέση στροφής της κεραίας, την προβλεπόμενη θέση του στόχου πέραν του χρόνου της επομένης διόδου της δέσμης της κεραίας, ή

Σημείωση: Στο σημείο 6Α008.ιβ.1. δεν υπάγεται η ικανότητα συναγερμού σε περίπτωση διάστασης σε συστήματα ATC ή ραδιοεντοπιστές θαλάσσης.

| 2. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

2.

Δεν χρησιμοποιείται,

| 3. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

3.

Δεν χρησιμοποιείται,

| 4. | Διαμόρφωση για την παροχή υπέρθεσης και συσχετισμού ή συγχώνευσης δεδομένων στόχων εντός έξι δευτερολέπτων από δύο ή περισσότερους «γεωγραφικώς διεσπαρμένους» αισθητήρες ραδιοεντοπισμού για τη βελτίωση των συνολικών επιδόσεων πέραν εκείνων οποιουδήποτε μεμονωμένου αισθητήρα όπως ορίζεται στο 6Α008.στ ή 6Α008.θ.


  ΣΗΜ. Βλέπε επίσης ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων.



  Σημείωση: Στο σημείο 6Α008.ιβ.4. δεν υπάγονται τα συστήματα, ο εξοπλισμός και τα συγκροτήματα που χρησιμοποιούνται για την «υπηρεσία κίνησης σκαφών». |
| --- | --- |

4.

Διαμόρφωση για την παροχή υπέρθεσης και συσχετισμού ή συγχώνευσης δεδομένων στόχων εντός έξι δευτερολέπτων από δύο ή περισσότερους «γεωγραφικώς διεσπαρμένους» αισθητήρες ραδιοεντοπισμού για τη βελτίωση των συνολικών επιδόσεων πέραν εκείνων οποιουδήποτε μεμονωμένου αισθητήρα όπως ορίζεται στο 6Α008.στ ή 6Α008.θ.

ΣΗΜ. Βλέπε επίσης ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων.

Σημείωση: Στο σημείο 6Α008.ιβ.4. δεν υπάγονται τα συστήματα, ο εξοπλισμός και τα συγκροτήματα που χρησιμοποιούνται για την «υπηρεσία κίνησης σκαφών».

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Για τους σκοπούς του σημείου 6A008, «ραδιοεντοπιστής θαλάσσης» είναι ένας ραδιοεντοπιστής που χρησιμοποιείται για την ασφαλή ναυσιπλοΐα στη θάλασσα, σε εσωτερικές υδάτινες οδούς ή σε παράκτια περιβάλλοντα. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Για τους σκοπούς του σημείου 6A008, η «υπηρεσία κίνησης σκαφών» ορίζεται ως υπηρεσία παρακολούθησης και ελέγχου της κίνησης των σκαφών που μοιάζει με τον έλεγχο κίνησης αεροσκαφών. |
| --- | --- |

2.

6A102

«Ανιχνευτές» προστατευμένοι έναντι ακτινοβολίας, διαφορετικοί από τους προδιαγραφόμενους στο σημείο 6Α002, ειδικώς σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι για χρήση προστασίας από πυρηνικές επενέργειες (π.χ. ηλεκτρομαγνητικούς παλμούς (ΕΜΡ), ακτίνες Χ, συνδυασμένη επενέργεια θερμικού και κρουστικού κύματος) και δυνάμενοι να χρησιμοποιηθούν για «βλήματα», μελετημένοι ή βαθμολογημένοι για να αντέχουν στάθμες ακτινοβολίας που ανταποκρίνονται ή και υπερβαίνουν συνολική δόση ακτινοβόλησης ύψους 5 × 105 rad (πυρίτιο).

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 6A102, ως «ανιχνευτής» ορίζεται μια μηχανική, ηλεκτρική, οπτική ή χημική διάταξη που εξακριβώνει και καταγράφει αυτομάτως, ή καταχωρεί ένα ερέθισμα, όπως περιβαλλοντική μεταβολή πίεσης ή θερμοκρασίας, ένα ηλεκτρικό ή ηλεκτρομαγνητικό σήμα ή ακτινοβολία από ραδιενεργό υλικό. Περιλαμβάνονται επίσης οι διατάξεις μιας χρήσης.

6A107

Μετρητές βαρύτητας (βαρυτόμετρα) και δομικά μέρη για μετρητές βαρύτητας και βαρυτικά κλισιόμετρα, ως εξής:

| α. | Μετρητές βαρύτητας, εκτός εκείνων που ορίζονται στο σημείο 6Α007.β, που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για εναέρια ή θαλάσσια χρήση, με στατική ή λειτουργική ακρίβεια ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 0,7 milligal (mgal), και με καταγραφή χρόνου προς μόνιμη κατάσταση 2 min ή μικρότερη, |
| --- | --- |

α.

Μετρητές βαρύτητας, εκτός εκείνων που ορίζονται στο σημείο 6Α007.β, που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για εναέρια ή θαλάσσια χρήση, με στατική ή λειτουργική ακρίβεια ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 0,7 milligal (mgal), και με καταγραφή χρόνου προς μόνιμη κατάσταση 2 min ή μικρότερη,

| β. | Ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη για μετρητές βαρύτητας που ορίζονται στα σημεία 6Α007.β ή 6Α107.α και βαρυτικά κλισιόμετρα που ορίζονται στο σημείο 6Α007.γ. |
| --- | --- |

β.

Ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη για μετρητές βαρύτητας που ορίζονται στα σημεία 6Α007.β ή 6Α107.α και βαρυτικά κλισιόμετρα που ορίζονται στο σημείο 6Α007.γ.

6A108

Συστήματα ραδιοεντοπισμού και ιχνηλασίας, διαφορετικά από τα προδιαγραφόμενα στο σημείο 6Α008, ως εξής:

| α. | Συστήματα ραδιοεντοπισμού και ραδιοεντοπιστών με λέιζερ σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για να χρησιμοποιούνται σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104.


  Σημείωση: Στο σημείο 6Α108.α. περιλαμβάνονται τα εξής:








  α. | Εξοπλισμός χαρτογράφησης εδάφους, |
| --- | --- | --- |

α.

Συστήματα ραδιοεντοπισμού και ραδιοεντοπιστών με λέιζερ σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για να χρησιμοποιούνται σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104.

Σημείωση: Στο σημείο 6Α108.α. περιλαμβάνονται τα εξής:

α.

Εξοπλισμός χαρτογράφησης εδάφους,

| β. | Αισθητήρες εξοπλισμού απεικόνισης, |
| --- | --- |

β.

Αισθητήρες εξοπλισμού απεικόνισης,

| γ. | Εξοπλισμός (ψηφιακός και αναλογικός) χαρτογράφησης και αντιπαραβολής σκηνών, |
| --- | --- |

γ.

Εξοπλισμός (ψηφιακός και αναλογικός) χαρτογράφησης και αντιπαραβολής σκηνών,

| δ. | Ραδιοναυτιλιακός εξοπλισμός Doppler. |
| --- | --- |

δ.

Ραδιοναυτιλιακός εξοπλισμός Doppler.

| β. | Συστήματα ιχνηλασίας ακριβείας χρησιμοποιήσιμα για «βλήματα», ως εξής:






  1. | Συστήματα ιχνηλασίας που χρησιμοποιούν μεταφραστή κώδικα σε συνδυασμό είτε με σημεία αναφοράς εδάφους ή από τον αέρα ή συστήματα ναυτιλίας μέσω δορυφόρου για την παροχή μετρήσεων σε κλίμακα πραγματικού χρόνου της θέσης και ταχύτητας κατά την πτήση· |
| --- | --- | --- |

β.

Συστήματα ιχνηλασίας ακριβείας χρησιμοποιήσιμα για «βλήματα», ως εξής:

1.

Συστήματα ιχνηλασίας που χρησιμοποιούν μεταφραστή κώδικα σε συνδυασμό είτε με σημεία αναφοράς εδάφους ή από τον αέρα ή συστήματα ναυτιλίας μέσω δορυφόρου για την παροχή μετρήσεων σε κλίμακα πραγματικού χρόνου της θέσης και ταχύτητας κατά την πτήση·

| 2. | Ραδιοεντοπιστές σκόπευσης εξοπλισμένοι με ηλεκτρονικά όργανα, οι οποίοι περιλαμβάνουν συναφείς οπτικούς/υπέρυθρους ιχνηλάτες και με όλες τις ακόλουθες ικανότητες:






  α. | Γωνιακή ανάλυση καλύτερη από 1,5 χιλιοστοακτίνια, |
| --- | --- | --- |

2.

Ραδιοεντοπιστές σκόπευσης εξοπλισμένοι με ηλεκτρονικά όργανα, οι οποίοι περιλαμβάνουν συναφείς οπτικούς/υπέρυθρους ιχνηλάτες και με όλες τις ακόλουθες ικανότητες:

α.

Γωνιακή ανάλυση καλύτερη από 1,5 χιλιοστοακτίνια,

| β. | Εμβέλεια τουλάχιστον 30 km με ανάλυση απόστασης καλύτερη από 10 m rms, |
| --- | --- |

β.

Εμβέλεια τουλάχιστον 30 km με ανάλυση απόστασης καλύτερη από 10 m rms,

| γ. | Ανάλυση ταχύτητας καλύτερη από 3 m/s. |
| --- | --- |

γ.

Ανάλυση ταχύτητας καλύτερη από 3 m/s.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 6A108.β. «βλήματα» σημαίνει πλήρη πυραυλικά συστήματα και συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος ικανά για βεληνεκές άνω των 300 km.

6A202

Λυχνίες φωτοπολλαπλασιασμού με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Επιφάνεια φωτοκαθόδου μεγαλύτερη από 20 cm2, και |
| --- | --- |

α.

Επιφάνεια φωτοκαθόδου μεγαλύτερη από 20 cm2, και

| β. | Χρόνο ανόδου του παλμού της ανόδου μικρότερο από 1 ns. |
| --- | --- |

β.

Χρόνο ανόδου του παλμού της ανόδου μικρότερο από 1 ns.

6A203

Μηχανές κινηματογράφησης και δομικά μέρη, διαφορετικά από τα προδιαγραφόμενα στο σημείο 6Α003, ως εξής:

ΣΗΜ. 1: «Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων μιας μηχανής λήψης ή συσκευής απεικόνισης ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 6A203.α., 6A203.β. ή 6A203.γ. προσδιορίζεται στο σημείο 6A203.

ΣΗΜ. 2: «Τεχνολογία» υπό τη μορφή κωδικών ή κλειδών για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων μιας μηχανής ή συσκευής απεικόνισης ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 6A203.α., 6A203.β. ή 6A203.γ. προσδιορίζεται στο σημείο 6E203.

Σημείωση: Στα σημεία 6A203.α. έως 6A203.γ. δεν υπάγονται οι μηχανές λήψης ή συσκευές απεικόνισης αν έχουν περιορισμούς υλισμικού, «λογισμικού» ή «τεχνολογίας» που περιορίζουν τις επιδόσεις σε επίπεδο κατώτερο του ως άνω προσδιοριζόμενου, υπό την προϋπόθεση ότι πληρούν τα εξής:

| 1. | Χρειάζεται να επιστραφούν στον αρχικό κατασκευαστή για τη διενέργεια βελτιώσεων ή την αποδέσμευση των περιορισμών, |
| --- | --- |

1.

Χρειάζεται να επιστραφούν στον αρχικό κατασκευαστή για τη διενέργεια βελτιώσεων ή την αποδέσμευση των περιορισμών,

| 2. | Απαιτούν το «λογισμικό» που προσδιορίζεται στο σημείο 6D203 για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 6A203, ή |
| --- | --- |

2.

Απαιτούν το «λογισμικό» που προσδιορίζεται στο σημείο 6D203 για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 6A203, ή

| 3. | Απαιτούν την «τεχνολογία» υπό τη μορφή κλειδών που προσδιορίζονται στο σημείο 6E203 για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 6A203. |
| --- | --- |

3.

Απαιτούν την «τεχνολογία» υπό τη μορφή κλειδών που προσδιορίζονται στο σημείο 6E203 για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 6A203.

| α. | Μηχανές συνεχούς φιλμ και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:






  1. | Μηχανές συνεχούς φιλμ με ταχύτητες γραφής μεγαλύτερες από 0,5 mm/μs, |
| --- | --- | --- |

α.

Μηχανές συνεχούς φιλμ και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:

1.

Μηχανές συνεχούς φιλμ με ταχύτητες γραφής μεγαλύτερες από 0,5 mm/μs,

| 2. | Ηλεκτρονικές μηχανές συνεχούς φιλμ, ικανές για ανάλυση χρόνου 50 ns και κάτω, |
| --- | --- |

2.

Ηλεκτρονικές μηχανές συνεχούς φιλμ, ικανές για ανάλυση χρόνου 50 ns και κάτω,

| 3. | Λυχνίες συνεχούς φιλμ για μηχανές λήψης προσδιοριζόμενες στο σημείο 6A203.α.2., |
| --- | --- |

3.

Λυχνίες συνεχούς φιλμ για μηχανές λήψης προσδιοριζόμενες στο σημείο 6A203.α.2.,

| 4. | Ηλεκτρονικά συγκροτήματα ειδικά σχεδιασμένα για χρήση με μηχανές συνεχούς φιλμ που διαθέτουν σπονδυλωτές δομές και επιτρέπουν την εκπλήρωση των προδιαγραφών επιδόσεων που ορίζονται στο σημείο 6Α003.α.1. ή 6A203.α.2., |
| --- | --- |

4.

Ηλεκτρονικά συγκροτήματα ειδικά σχεδιασμένα για χρήση με μηχανές συνεχούς φιλμ που διαθέτουν σπονδυλωτές δομές και επιτρέπουν την εκπλήρωση των προδιαγραφών επιδόσεων που ορίζονται στο σημείο 6Α003.α.1. ή 6A203.α.2.,

| 5. | Ηλεκτρονικές μονάδες συντονισμού, συγκροτήματα δρομέα που αποτελούνται από στροβίλους, κάτοπτρα και έδρανα ειδικά σχεδιασμένα για μηχανές λήψης που ορίζονται στο σημείο 6A203.α.1., |
| --- | --- |

5.

Ηλεκτρονικές μονάδες συντονισμού, συγκροτήματα δρομέα που αποτελούνται από στροβίλους, κάτοπτρα και έδρανα ειδικά σχεδιασμένα για μηχανές λήψης που ορίζονται στο σημείο 6A203.α.1.,

| β. | Μηχανές μηχανικής αποτύπωσης εικόνων και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:






  1. | Μηχανές μηχανικής αποτύπωσης εικόνων με ταχύτητες λήψης μεγαλύτερες των 225 000 εικόνων ανά δευτερόλεπτο, |
| --- | --- | --- |

β.

Μηχανές μηχανικής αποτύπωσης εικόνων και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:

1.

Μηχανές μηχανικής αποτύπωσης εικόνων με ταχύτητες λήψης μεγαλύτερες των 225 000 εικόνων ανά δευτερόλεπτο,

| 2. | Μηχανές μηχανικής αποτύπωσης εικόνων ικανές για διάρκεια ανοικτού πετάσματος το πολύ 50 ns, |
| --- | --- |

2.

Μηχανές μηχανικής αποτύπωσης εικόνων ικανές για διάρκεια ανοικτού πετάσματος το πολύ 50 ns,

| 3. | Λυχνίες αποτύπωσης εικόνων και συσκευές απεικόνισης στερεάς κατάστασης με χρόνους διόδου από την πύλη ταχέως λαμβανόμενων εικόνων ίσους ή μικρότερους από 50 ns, ειδικά σχεδιασμένες για τις μηχανές λήψης που ορίζονται στο σημείο 6Α203.β.1. ή 6Α203.β.2., |
| --- | --- |

3.

Λυχνίες αποτύπωσης εικόνων και συσκευές απεικόνισης στερεάς κατάστασης με χρόνους διόδου από την πύλη ταχέως λαμβανόμενων εικόνων ίσους ή μικρότερους από 50 ns, ειδικά σχεδιασμένες για τις μηχανές λήψης που ορίζονται στο σημείο 6Α203.β.1. ή 6Α203.β.2.,

| 4. | Ηλεκτρονικά συγκροτήματα ειδικά σχεδιασμένα για χρήση με μηχανές μηχανικής αποτύπωσης εικόνων που διαθέτουν σπονδυλωτές δομές και επιτρέπουν την εκπλήρωση των προδιαγραφών επιδόσεων που ορίζονται στο σημείο 6A203.β.1 ή 6A203.β.2., |
| --- | --- |

4.

Ηλεκτρονικά συγκροτήματα ειδικά σχεδιασμένα για χρήση με μηχανές μηχανικής αποτύπωσης εικόνων που διαθέτουν σπονδυλωτές δομές και επιτρέπουν την εκπλήρωση των προδιαγραφών επιδόσεων που ορίζονται στο σημείο 6A203.β.1 ή 6A203.β.2.,

| 5. | Ηλεκτρονικές μονάδες συντονισμού, συγκροτήματα δρομέα που αποτελούνται από στροβίλους, κάτοπτρα και έδρανα ειδικά σχεδιασμένα για μηχανές λήψης που ορίζονται στο σημείο 6A203.β.1. ή 6A203.β.2., |
| --- | --- |

5.

Ηλεκτρονικές μονάδες συντονισμού, συγκροτήματα δρομέα που αποτελούνται από στροβίλους, κάτοπτρα και έδρανα ειδικά σχεδιασμένα για μηχανές λήψης που ορίζονται στο σημείο 6A203.β.1. ή 6A203.β.2.,

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 6A203.β., οι υψηλής ταχύτητας μηχανές λήψης μεμονωμένης εικόνας μπορούν να χρησιμοποιηθούν για την παραγωγή μιας μεμονωμένης εικόνας ενός δυναμικού γεγονότος, ή μπορούν να συνδυαστούν αρκετές τέτοιες μηχανές λήψης σε ένα σύστημα ενεργοποιούμενο κατ’ αλληλουχία για την παραγωγή πολλαπλών εικόνων ενός γεγονότος.

| γ. | Μηχανές λήψης στερεάς κατάστασης ή λυχνίας ηλεκτρονίων και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:






  1. | Μηχανές λήψης στερεάς κατάστασης ή λυχνίας ηλεκτρονίων με χρόνους διόδου από την πύλη ταχέως λαμβανόμενων εικόνων ίσους ή μικρότερους από 50 ns, |
| --- | --- | --- |

γ.

Μηχανές λήψης στερεάς κατάστασης ή λυχνίας ηλεκτρονίων και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:

1.

Μηχανές λήψης στερεάς κατάστασης ή λυχνίας ηλεκτρονίων με χρόνους διόδου από την πύλη ταχέως λαμβανόμενων εικόνων ίσους ή μικρότερους από 50 ns,

| 2. | Συσκευές απεικόνισης στερεάς κατάστασης και λυχνίες προβολής εντονότερων εικόνων με χρόνους διόδου από την πύλη ταχέως λαμβανόμενων εικόνων ίσους ή μικρότερους από 50 ns, ειδικά σχεδιασμένες για τις μηχανές λήψης που ορίζονται στο σημείο 6A203.γ.1., |
| --- | --- |

2.

Συσκευές απεικόνισης στερεάς κατάστασης και λυχνίες προβολής εντονότερων εικόνων με χρόνους διόδου από την πύλη ταχέως λαμβανόμενων εικόνων ίσους ή μικρότερους από 50 ns, ειδικά σχεδιασμένες για τις μηχανές λήψης που ορίζονται στο σημείο 6A203.γ.1.,

| 3. | Συσκευές ηλεκτρο-οπτικού διαφράγματος (κυψέλες Kerr ή Pockels) με χρόνους διόδου από την πύλη ταχέως λαμβανόμενων εικόνων ίσους ή μικρότερους από 50 ns, |
| --- | --- |

3.

Συσκευές ηλεκτρο-οπτικού διαφράγματος (κυψέλες Kerr ή Pockels) με χρόνους διόδου από την πύλη ταχέως λαμβανόμενων εικόνων ίσους ή μικρότερους από 50 ns,

| 4. | Ηλεκτρονικά συγκροτήματα ειδικά σχεδιασμένα για χρήση με μηχανές που διαθέτουν σπονδυλωτές δομές και επιτρέπουν την εκπλήρωση των προδιαγραφών επιδόσεων που ορίζονται στο σημείο 6A203.γ.1. |
| --- | --- |

4.

Ηλεκτρονικά συγκροτήματα ειδικά σχεδιασμένα για χρήση με μηχανές που διαθέτουν σπονδυλωτές δομές και επιτρέπουν την εκπλήρωση των προδιαγραφών επιδόσεων που ορίζονται στο σημείο 6A203.γ.1.

| δ. | Μηχανές τηλεοπτικής λήψης ανθεκτικές στις ακτινοβολίες ειδικώς σχεδιασμένες ή βαθμολογημένες για να αντέχουν ολική δόση ακτινοβολίας μεγαλύτερη από 50 × 103 Gy(πυρίτιο) [5 × 106 rad (πυρίτιο)] χωρίς υποβάθμιση της λειτουργίας.


  Τεχνική παρατήρηση:


  Ο όρος Gy (πυρίτιο) αναφέρεται στην ενέργεια, σε Joule ανά χιλιόγραμμο, που απορροφάται αθωράκιστο δείγμα πυριτίου όταν αυτό εκτίθεται σε ιοντίζουσα ακτινοβολία. |
| --- | --- |

δ.

Μηχανές τηλεοπτικής λήψης ανθεκτικές στις ακτινοβολίες ειδικώς σχεδιασμένες ή βαθμολογημένες για να αντέχουν ολική δόση ακτινοβολίας μεγαλύτερη από 50 × 103 Gy(πυρίτιο) [5 × 106 rad (πυρίτιο)] χωρίς υποβάθμιση της λειτουργίας.

Τεχνική παρατήρηση:

Ο όρος Gy (πυρίτιο) αναφέρεται στην ενέργεια, σε Joule ανά χιλιόγραμμο, που απορροφάται αθωράκιστο δείγμα πυριτίου όταν αυτό εκτίθεται σε ιοντίζουσα ακτινοβολία.

6A205

«Λέιζερ», ενισχυτές και ταλαντωτές με «λέιζερ», διαφορετικά από εκείνα που καθορίζονται στα σημεία 0Β001.ζ.5., 0Β001.η.6. και 6Α005, ως εξής:

ΣΗΜ.: Για λέιζερ ατμών χαλκού βλέπε 6A005.β.

| α. | «Λέιζερ» ιόντων αργού με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Λειτουργία σε μήκος κύματος μεταξύ 400 nm και 515 nm, και |
| --- | --- | --- |

α.

«Λέιζερ» ιόντων αργού με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Λειτουργία σε μήκος κύματος μεταξύ 400 nm και 515 nm, και

| 2. | Μέση ισχύ εξόδου άνω των 40 W, |
| --- | --- |

2.

Μέση ισχύ εξόδου άνω των 40 W,

| β. | Συντονίσιμοι παλμικοί μονότροποι ταλαντωτές λέιζερ χρωστικής ουσίας με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Λειτουργία σε μήκος κύματος μεταξύ 300 nm και 800 nm, |
| --- | --- | --- |

β.

Συντονίσιμοι παλμικοί μονότροποι ταλαντωτές λέιζερ χρωστικής ουσίας με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Λειτουργία σε μήκος κύματος μεταξύ 300 nm και 800 nm,

| 2. | Μέση ισχύ εξόδου ανώτερη από 1 W, |
| --- | --- |

2.

Μέση ισχύ εξόδου ανώτερη από 1 W,

| 3. | Ρυθμό επανάληψης μεγαλύτερο από 1 kHz, και |
| --- | --- |

3.

Ρυθμό επανάληψης μεγαλύτερο από 1 kHz, και

| 4. | Πλάτος παλμού μικρότερο από 100 ns. |
| --- | --- |

4.

Πλάτος παλμού μικρότερο από 100 ns.

| γ. | Συντονίσιμοι ενισχυτές και ταλαντωτές παλμικού λέιζερ χρωστικής ουσίας με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Λειτουργία σε μήκος κύματος μεταξύ 300 nm και 800 nm, |
| --- | --- | --- |

γ.

Συντονίσιμοι ενισχυτές και ταλαντωτές παλμικού λέιζερ χρωστικής ουσίας με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Λειτουργία σε μήκος κύματος μεταξύ 300 nm και 800 nm,

| 2. | Μέση ισχύ εξόδου ανώτερη από 30 W, |
| --- | --- |

2.

Μέση ισχύ εξόδου ανώτερη από 30 W,

| 3. | Ρυθμό επανάληψης μεγαλύτερο από 1 kHz, και |
| --- | --- |

3.

Ρυθμό επανάληψης μεγαλύτερο από 1 kHz, και

| 4. | Πλάτος παλμού μικρότερο από 100 ns. |
| --- | --- |

4.

Πλάτος παλμού μικρότερο από 100 ns.

Σημείωση: Στο σημείο 6A205.γ. δεν υπάγονται οι μονότροποι ταλαντωτές.

| δ. | Παλμικά «λέιζερ» διοξειδίου του άνθρακα με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Λειτουργία σε μήκος κύματος μεταξύ 9 000 nm και 11 000 nm, |
| --- | --- | --- |

δ.

Παλμικά «λέιζερ» διοξειδίου του άνθρακα με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Λειτουργία σε μήκος κύματος μεταξύ 9 000 nm και 11 000 nm,

| 2. | Ρυθμό επανάληψης μεγαλύτερο των 250 kHz, |
| --- | --- |

2.

Ρυθμό επανάληψης μεγαλύτερο των 250 kHz,

| 3. | Μέση ισχύ εξόδου ανώτερη από 500 W, και |
| --- | --- |

3.

Μέση ισχύ εξόδου ανώτερη από 500 W, και

| 4. | Πλάτος παλμού μικρότερο από 200 ns. |
| --- | --- |

4.

Πλάτος παλμού μικρότερο από 200 ns.

| ε. | Μετατοπιστές παρα-υδρογόνου κατά Raman, σχεδιασμένοι να λειτουργούν σε μήκος κύματος εξόδου 16 μm και με ρυθμό επανάληψης άνω των 250 Hz. |
| --- | --- |

ε.

Μετατοπιστές παρα-υδρογόνου κατά Raman, σχεδιασμένοι να λειτουργούν σε μήκος κύματος εξόδου 16 μm και με ρυθμό επανάληψης άνω των 250 Hz.

| στ. | «Λέιζερ» με προσμίξεις νεοδυμίου (όχι γυαλιού/νεοδυμίου) με μήκος κύματος εξόδου μεταξύ 1 000 και 1 100 nm, μιας από τις εξής δύο κατηγορίες:






  1. | Διεγειρόμενα με παλμούς και με μεταγωγή Q, με διάρκεια παλμών τουλάχιστον 1ns, και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | έξοδο απλού-εγκάρσιου τρόπου λειτουργίας με μέση ισχύ εξόδου άνω των 40 W, ή |
| --- | --- | --- | --- |

στ.

«Λέιζερ» με προσμίξεις νεοδυμίου (όχι γυαλιού/νεοδυμίου) με μήκος κύματος εξόδου μεταξύ 1 000 και 1 100 nm, μιας από τις εξής δύο κατηγορίες:

1.

Διεγειρόμενα με παλμούς και με μεταγωγή Q, με διάρκεια παλμών τουλάχιστον 1ns, και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

έξοδο απλού-εγκάρσιου τρόπου λειτουργίας με μέση ισχύ εξόδου άνω των 40 W, ή

| β. | έξοδο πολλαπλού-εγκάρσιου τρόπου λειτουργίας με μέση ισχύ άνω των 50 W, ή |
| --- | --- |

β.

έξοδο πολλαπλού-εγκάρσιου τρόπου λειτουργίας με μέση ισχύ άνω των 50 W, ή

| 2. | Με ενσωματωμένο διπλασιασμό συχνότητας ώστε να έχουν μήκος κύματος εξόδου μεταξύ 500 και 550 nm με μέση ισχύ εξόδου άνω των 40 W. |
| --- | --- |

2.

Με ενσωματωμένο διπλασιασμό συχνότητας ώστε να έχουν μήκος κύματος εξόδου μεταξύ 500 και 550 nm με μέση ισχύ εξόδου άνω των 40 W.

| ζ. | Παλμικά λέιζερ μονοξειδίου του άνθρακα, πλην των προσδιοριζόμενων στο 6A005.δ.2., με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  1. | Λειτουργία σε μήκος κύματος μεταξύ 5 000 nm και 6 000 nm, |
| --- | --- | --- |

ζ.

Παλμικά λέιζερ μονοξειδίου του άνθρακα, πλην των προσδιοριζόμενων στο 6A005.δ.2., με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1.

Λειτουργία σε μήκος κύματος μεταξύ 5 000 nm και 6 000 nm,

| 2. | Ρυθμό επανάληψης μεγαλύτερο των 250 kHz, |
| --- | --- |

2.

Ρυθμό επανάληψης μεγαλύτερο των 250 kHz,

| 3. | Μέση ισχύ εξόδου ανώτερη από 200 W, και |
| --- | --- |

3.

Μέση ισχύ εξόδου ανώτερη από 200 W, και

| 4. | Πλάτος παλμού μικρότερο από 200 ns. |
| --- | --- |

4.

Πλάτος παλμού μικρότερο από 200 ns.

6A225

Συμβολόμετρα ταχύτητας για μέτρηση ταχυτήτων άνω του 1 km/s σε χρονικά διαστήματα μικρότερα από 10 μικροδευτερόλεπτα.

Σημείωση: Το σημείο 6A225 περιλαμβάνει συμβολόμετρα ταχύτητας όπως τα VISAR (συστήματα συμβολομέτρων ταχύτητας για κάθε ανακλαστήρα), τα DLI (συμβολόμετρα λέιζερ με φαινόμενο Doppler) και τα PDV (φωτονικά ταχόμετρα ντόπλερ) που είναι γνωστά και ως Het-V (ετερόδυνα ταχύμετρα).

6A226

Αισθητήρες πίεσης, ως εξής:

| α. | Μανόμετρα κρούσεως ικανά για μετρήσεις πιέσεων άνω των 10 GPa, συμπεριλαμβανομένων μανομέτρων κατασκευασμένων από μαγκανίνη, υττέρβιο και διφθοριούχο βινυλιδένιο (PVBF, PVF2), |
| --- | --- |

α.

Μανόμετρα κρούσεως ικανά για μετρήσεις πιέσεων άνω των 10 GPa, συμπεριλαμβανομένων μανομέτρων κατασκευασμένων από μαγκανίνη, υττέρβιο και διφθοριούχο βινυλιδένιο (PVBF, PVF2),

| β. | Μορφοτροπείς πίεσης με χαλαζία για πιέσεις μεγαλύτερες από 10 GPa. |
| --- | --- |

β.

Μορφοτροπείς πίεσης με χαλαζία για πιέσεις μεγαλύτερες από 10 GPa.

6B   Εξοπλισμός Δοκιμών, Ελέγχου και Παραγωγής

| 6B004 | Οπτικός εξοπλισμός, ως εξής:






  α. | Εξοπλισμός για τη μέτρηση της απόλυτης ανάκλασης με ακρίβεια ± 0,1 % της τιμής της ανάκλασης. |
| --- | --- | --- |

6B004

Οπτικός εξοπλισμός, ως εξής:

α.

Εξοπλισμός για τη μέτρηση της απόλυτης ανάκλασης με ακρίβεια ± 0,1 % της τιμής της ανάκλασης.

| β. | Εξοπλισμός εκτός του εξοπλισμού μέτρησης της επιφανειακής σκέδασης, με ενεργό άνοιγμα διαφράγματος άνω των 10 cm, ειδικά μελετημένος για οπτικές μετρήσεις εξ αποστάσεως ενός σχήματος επί μιας μη επίπεδης οπτικής επιφάνειας (προφίλ), με ακρίβεια 2 nm ή μεγαλύτερη σε σύγκριση με το απαιτούμενο προφίλ. |
| --- | --- |

β.

Εξοπλισμός εκτός του εξοπλισμού μέτρησης της επιφανειακής σκέδασης, με ενεργό άνοιγμα διαφράγματος άνω των 10 cm, ειδικά μελετημένος για οπτικές μετρήσεις εξ αποστάσεως ενός σχήματος επί μιας μη επίπεδης οπτικής επιφάνειας (προφίλ), με ακρίβεια 2 nm ή μεγαλύτερη σε σύγκριση με το απαιτούμενο προφίλ.

Σημείωση: Στο σημείο 6Β004 δεν υπάγονται τα μικροσκόπια.

6B007

Εξοπλισμός για την παραγωγή, ευθυγράμμιση και βαθμονόμηση χερσαίων βαρυτομέτρων με στατική ακρίβεια καλύτερη από 0,1 mgal.

6B008

Συστήματα μέτρησης διατομών με παλμικό ραδιοεντοπιστή, εύρους παλμού εκπομπής το πολύ ίσου προς 100 ns και ειδικώς σχεδιασμένα προς τούτο δομικά μέρη.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 6Β108.

6B108

Συστήματα, εκτός των καθοριζομένων στο 6Β008, ειδικώς σχεδιασμένα για μέτρηση διατομής σε ραδιοεντοπιστή, χρησιμοποιήσιμα για «βλήματα» και υποσυστήματα αυτών.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 6B108, ως «βλήματα» νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα μη επανδρωμένα συστήματα εναέριων οχημάτων με ακτίνα δράσης άνω των 300 km.

6C   Υλικά

| 6C002 | Υλικά οπτικών αισθητήρων, ως εξής:






  α. | Στοιχειακό τελλούριο (Te) επιπέδων καθαρότητας ίσων ή ανώτερων του 99,9995 %, |
| --- | --- | --- |

6C002

Υλικά οπτικών αισθητήρων, ως εξής:

α.

Στοιχειακό τελλούριο (Te) επιπέδων καθαρότητας ίσων ή ανώτερων του 99,9995 %,

| β. | Μονοκρύσταλλοι (συμπεριλαμβανομένων των επιταξιακών δισκίων) οποιουδήποτε από τα εξής:






  1. | Τελλουριούχου καδμίου-ψευδαργύρου (CdZnTe), με περιεκτικότητα σε ψευδάργυρο κάτω του 6 % κατά «γραμμομοριακό κλάσμα», |
| --- | --- | --- |

β.

Μονοκρύσταλλοι (συμπεριλαμβανομένων των επιταξιακών δισκίων) οποιουδήποτε από τα εξής:

1.

Τελλουριούχου καδμίου-ψευδαργύρου (CdZnTe), με περιεκτικότητα σε ψευδάργυρο κάτω του 6 % κατά «γραμμομοριακό κλάσμα»,

| 2. | Τελλουριούχου καδμίου (CdTe) ή οποιουδήποτε επιπέδου καθαρότητας, ή |
| --- | --- |

2.

Τελλουριούχου καδμίου (CdTe) ή οποιουδήποτε επιπέδου καθαρότητας, ή

| 3. | Τελλουριούχου υδραργύρου-καδμίου (HgCdTe) οποιουδήποτε επιπέδου καθαρότητας.


  Τεχνική παρατήρηση:


  Το «γραμμομοριακό κλάσμα» ορίζεται ως ο λόγος γραμμομορίων ZnTe προς το άθροισμα των γραμμομορίων CdTe και ZnTe που υπάρχουν στον κρύσταλλο. |
| --- | --- |

3.

Τελλουριούχου υδραργύρου-καδμίου (HgCdTe) οποιουδήποτε επιπέδου καθαρότητας.

Τεχνική παρατήρηση:

Το «γραμμομοριακό κλάσμα» ορίζεται ως ο λόγος γραμμομορίων ZnTe προς το άθροισμα των γραμμομορίων CdTe και ZnTe που υπάρχουν στον κρύσταλλο.

6C004

Οπτικά υλικά, ως εξής:

| α. | «Ακατέργαστα υποστρώματα» σεληνιούχου ψευδαργύρου (ZnSe) και θειούχου ψευδαργύρου (ZnS) παραγόμενα με τη χημική διεργασία εναπόθεσης ατμών, που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Όγκο μεγαλύτερο από 100 cm3, ή |
| --- | --- | --- |

α.

«Ακατέργαστα υποστρώματα» σεληνιούχου ψευδαργύρου (ZnSe) και θειούχου ψευδαργύρου (ZnS) παραγόμενα με τη χημική διεργασία εναπόθεσης ατμών, που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Όγκο μεγαλύτερο από 100 cm3, ή

| 2. | Διάμετρο μεγαλύτερη από 80 mm με πάχος τουλάχιστον ίσο προς 20 mm, |
| --- | --- |

2.

Διάμετρο μεγαλύτερη από 80 mm με πάχος τουλάχιστον ίσο προς 20 mm,

| β. | Ηλεκτρο-οπτικά υλικά και μη γραμμικά οπτικά υλικά, ως ακολούθως:






  1. | Αρσενικικό καλιοτιτανύλιο (KTA) (CAS 59400-80-5), |
| --- | --- | --- |

β.

Ηλεκτρο-οπτικά υλικά και μη γραμμικά οπτικά υλικά, ως ακολούθως:

1.

Αρσενικικό καλιοτιτανύλιο (KTA) (CAS 59400-80-5),

| 2. | Σεληνιούχο αργυρογάλλιο (AgGaSe2, γνωστό και ως AGSE) (CAS 12002-67-4), |
| --- | --- |

2.

Σεληνιούχο αργυρογάλλιο (AgGaSe2, γνωστό και ως AGSE) (CAS 12002-67-4),

| 3. | Σεληνιούχο θαλιοαρσενικό (Tl3AsSe3, γνωστό επίσης ως TAS) (CAS 16142-89-5), |
| --- | --- |

3.

Σεληνιούχο θαλιοαρσενικό (Tl3AsSe3, γνωστό επίσης ως TAS) (CAS 16142-89-5),

| 4. | Φωσφορούχο ψευδαργυρογερμάνιο (ZnGeP2, γνωστό επίσης ως ZGP, διφωσφορούχο ψευδαργυρογερμάνιο), ή |
| --- | --- |

4.

Φωσφορούχο ψευδαργυρογερμάνιο (ZnGeP2, γνωστό επίσης ως ZGP, διφωσφορούχο ψευδαργυρογερμάνιο), ή

| 5. | Σεληνιούχο γάλλιο (GaSe) (CAS 12024-11-2), |
| --- | --- |

5.

Σεληνιούχο γάλλιο (GaSe) (CAS 12024-11-2),

| γ. | Μη γραμμικά οπτικά υλικά, εκτός από τα προσδιοριζόμενα στο σημείο 6C004.β., με οποιοδήποτε τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Όλα τα ακόλουθα:






  α. | Δυναμική (γνωστή και ως μη στατική) μη γραμμική επιδεκτικότητα τρίτης τάξης [χ(3)]) των 10-6 m2/V2 και άνω, και |
| --- | --- | --- | --- |

γ.

Μη γραμμικά οπτικά υλικά, εκτός από τα προσδιοριζόμενα στο σημείο 6C004.β., με οποιοδήποτε τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Όλα τα ακόλουθα:

α.

Δυναμική (γνωστή και ως μη στατική) μη γραμμική επιδεκτικότητα τρίτης τάξης [χ(3)]) των 10-6 m2/V2 και άνω, και

| β. | Χρόνο απόκρισης μικρότερο από 1 ms, ή |
| --- | --- |

β.

Χρόνο απόκρισης μικρότερο από 1 ms, ή

| 2. | Μη γραμμική επιδεκτικότητα δεύτερης τάξης [χ(2)] των 3,3×10-11 m/V και άνω, |
| --- | --- |

2.

Μη γραμμική επιδεκτικότητα δεύτερης τάξης [χ(2)] των 3,3×10-11 m/V και άνω,

| δ. | «Ακατέργαστα υποστρώματα» πυριτοκαρβιδίου ή υλικά με εναπόθεση βηρυλλίου βηρυλλίου (Be/Be) με διάμετρο ή μήκος μείζονος άξονα άνω των 300 mm, |
| --- | --- |

δ.

«Ακατέργαστα υποστρώματα» πυριτοκαρβιδίου ή υλικά με εναπόθεση βηρυλλίου βηρυλλίου (Be/Be) με διάμετρο ή μήκος μείζονος άξονα άνω των 300 mm,

| ε. | Ύαλος, περιλαμβανομένων τηγμένου διοξειδίου του πυριτίου, φωσφορικής υάλου, φθοριο-φωσφορικής υάλου, φθοριούχου ζιρκονίου (ZrF4) (CAS 7783-64-4) και φθοριούχου αφνίου (HfF4) (CAS 13709-52-9), με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Συγκέντρωση ιόντων υδροξυλίου (ΟΗ-) μικρότερη από 5 ppm, |
| --- | --- | --- |

ε.

Ύαλος, περιλαμβανομένων τηγμένου διοξειδίου του πυριτίου, φωσφορικής υάλου, φθοριο-φωσφορικής υάλου, φθοριούχου ζιρκονίου (ZrF4) (CAS 7783-64-4) και φθοριούχου αφνίου (HfF4) (CAS 13709-52-9), με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Συγκέντρωση ιόντων υδροξυλίου (ΟΗ-) μικρότερη από 5 ppm,

| 2. | Ενοποιημένα επίπεδα μεταλλικής καθαρότητας κάτω του 1 ppm, και |
| --- | --- |

2.

Ενοποιημένα επίπεδα μεταλλικής καθαρότητας κάτω του 1 ppm, και

| 3. | Υψηλή ομοιογένεια (δείκτης διαθλαστικής διακύμανσης) κάτω των 5 × 10-6, |
| --- | --- |

3.

Υψηλή ομοιογένεια (δείκτης διαθλαστικής διακύμανσης) κάτω των 5 × 10-6,

| στ. | Υλικό συνθετικώς παραγόμενων αδαμάντων με απορρόφηση κάτω του 10-5 cm-1 για μήκη κύματος άνω των 200 nm και μέχρι 14 000 nm, |
| --- | --- |

στ.

Υλικό συνθετικώς παραγόμενων αδαμάντων με απορρόφηση κάτω του 10-5 cm-1 για μήκη κύματος άνω των 200 nm και μέχρι 14 000 nm,

6C005

Συνθετικό υλικό ξενιστή «λέιζερ» σε ημιτελή μορφή, ως εξής:

| α. | Σάπφειροι με προσμίξεις τιτανίου, |
| --- | --- |

α.

Σάπφειροι με προσμίξεις τιτανίου,

| β. | Δεν χρησιμοποιείται. |
| --- | --- |

β.

Δεν χρησιμοποιείται.

6D   Λογισμικό

| 6D001 | «Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού που προδιαγράφεται στις κατηγορίες 6Α004, 6Α005, 6Α008 ή 6Β008. |
| --- | --- |
| 6D002 | «Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για τη «χρήση» εξοπλισμού προδιαγραφόμενου στα σημεία 6A002.β., 6A008 ή 6B008. |
| 6D003 | Λοιπό «λογισμικό», ως εξής:






  α. | «Λογισμικό» ως εξής:






  1. | «Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για διαμόρφωση ηχητικών δεσμών για την επεξεργασία σε κλίμακα «πραγματικού χρόνου» ηχητικών δεδομένων για παθητική λήψη με τη χρήση ρυμουλκούμενων συστοιχιών υδροφώνων, |

6D001

«Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού που προδιαγράφεται στις κατηγορίες 6Α004, 6Α005, 6Α008 ή 6Β008.

6D002

«Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για τη «χρήση» εξοπλισμού προδιαγραφόμενου στα σημεία 6A002.β., 6A008 ή 6B008.

6D003

Λοιπό «λογισμικό», ως εξής:

α.

«Λογισμικό» ως εξής:

1.

«Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για διαμόρφωση ηχητικών δεσμών για την επεξεργασία σε κλίμακα «πραγματικού χρόνου» ηχητικών δεδομένων για παθητική λήψη με τη χρήση ρυμουλκούμενων συστοιχιών υδροφώνων,

| 2. | «Πηγαίος κώδικας» για την «επεξεργασία σε κλίμακα πραγματικού χρόνου» ηχητικών δεδομένων για παθητική λήψη που χρησιμοποιεί ρυμουλκούμενες συστοιχίες υδροφώνων, |
| --- | --- |

2.

«Πηγαίος κώδικας» για την «επεξεργασία σε κλίμακα πραγματικού χρόνου» ηχητικών δεδομένων για παθητική λήψη που χρησιμοποιεί ρυμουλκούμενες συστοιχίες υδροφώνων,

| 3. | «Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για διαμόρφωση ηχητικών δεσμών για την επεξεργασία σε κλίμακα «πραγματικού χρόνου» ηχητικών δεδομένων για παθητική λήψη με τη χρήση συστήματος καλωδίων βυθού ή κόλπων, |
| --- | --- |

3.

«Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για διαμόρφωση ηχητικών δεσμών για την επεξεργασία σε κλίμακα «πραγματικού χρόνου» ηχητικών δεδομένων για παθητική λήψη με τη χρήση συστήματος καλωδίων βυθού ή κόλπων,

| 4. | «Πηγαίος κώδικας» για την «επεξεργασία σε κλίμακα πραγματικού χρόνου» ηχητικών δεδομένων για παθητική λήψη με τη χρήση συστήματος καλωδίων βυθού ή κόλπων, |
| --- | --- |

4.

«Πηγαίος κώδικας» για την «επεξεργασία σε κλίμακα πραγματικού χρόνου» ηχητικών δεδομένων για παθητική λήψη με τη χρήση συστήματος καλωδίων βυθού ή κόλπων,

| 5. | «Λογισμικό» ή «πηγαίος κώδικας» ειδικώς σχεδιασμένα για όλα τα εξής:






  α. | «Επεξεργασία σε πραγματικό χρόνο» ηχητικών δεδομένων από συστήματα ηχοεντοπισμού (σονάρ) προσδιοριζόμενα στο 6Α001.α.1.ε, και |
| --- | --- | --- |

5.

«Λογισμικό» ή «πηγαίος κώδικας» ειδικώς σχεδιασμένα για όλα τα εξής:

α.

«Επεξεργασία σε πραγματικό χρόνο» ηχητικών δεδομένων από συστήματα ηχοεντοπισμού (σονάρ) προσδιοριζόμενα στο 6Α001.α.1.ε, και

| β. | Αυτόματη ανίχνευση, ταξινόμηση και προσδιορισμός θέσης κολυμβητών ή δυτών. |
| --- | --- |

β.

Αυτόματη ανίχνευση, ταξινόμηση και προσδιορισμός θέσης κολυμβητών ή δυτών.

ΣΗΜ.: Για «λογισμικό» ή «πηγαίο κώδικα» ανίχνευσης δυτών, ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για στρατιωτική χρήση, βλέπε ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων.

| β. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

β.

Δεν χρησιμοποιείται,

| γ. | «Λογισμικό» σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για κινηματογραφικές μηχανές με ενσωματωμένες «συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που καθορίζονται στο σημείο 6A002.α.3.στ. και σχεδιασμένο ή τροποποιημένο ώστε να αφαιρεί τον περιορισμό συχνότητας λήψεων και να επιτρέπει στην κινηματογραφική μηχανή να υπερβαίνει τη συχνότητα λήψεως που καθορίζεται στο σημείο 6A003.β.4. Σημείωση 3.α. |
| --- | --- |

γ.

«Λογισμικό» σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για κινηματογραφικές μηχανές με ενσωματωμένες «συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που καθορίζονται στο σημείο 6A002.α.3.στ. και σχεδιασμένο ή τροποποιημένο ώστε να αφαιρεί τον περιορισμό συχνότητας λήψεων και να επιτρέπει στην κινηματογραφική μηχανή να υπερβαίνει τη συχνότητα λήψεως που καθορίζεται στο σημείο 6A003.β.4. Σημείωση 3.α.

| δ. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

δ.

Δεν χρησιμοποιείται,

| ε. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

ε.

Δεν χρησιμοποιείται,

| στ. | «Λογισμικό» ως εξής:






  1. | «Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για «συστήματα αντιστάθμισης» μαγνητικού και αντιστάθμισης ηλεκτρικού πεδίου για μαγνητικούς αισθητήρες μελετημένους ώστε να λειτουργούν σε κινητές εξέδρες, |
| --- | --- | --- |

στ.

«Λογισμικό» ως εξής:

1.

«Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για «συστήματα αντιστάθμισης» μαγνητικού και αντιστάθμισης ηλεκτρικού πεδίου για μαγνητικούς αισθητήρες μελετημένους ώστε να λειτουργούν σε κινητές εξέδρες,

| 2. | «Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για ανίχνευση μαγνητικών ανωμαλιών και ανωμαλιών ηλεκτρικού πεδίου σε κινητές εξέδρες. |
| --- | --- |

2.

«Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για ανίχνευση μαγνητικών ανωμαλιών και ανωμαλιών ηλεκτρικού πεδίου σε κινητές εξέδρες.

| 3. | «Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για «επεξεργασία ηλεκτρομαγνητικών δεδομένων σε πραγματικό χρόνο» με τη χρήση υποβρύχιων ηλεκτρομαγνητικών ληπτών όπως ορίζονται στο 6Α006.ε. |
| --- | --- |

3.

«Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για «επεξεργασία ηλεκτρομαγνητικών δεδομένων σε πραγματικό χρόνο» με τη χρήση υποβρύχιων ηλεκτρομαγνητικών ληπτών όπως ορίζονται στο 6Α006.ε.

| 4. | «Πηγαίος κώδικας» για «επεξεργασία ηλεκτρομαγνητικών δεδομένων σε πραγματικό χρόνο» με τη χρήση υποβρύχιων ηλεκτρομαγνητικών ληπτών όπως ορίζονται στο 6Α006.ε. |
| --- | --- |

4.

«Πηγαίος κώδικας» για «επεξεργασία ηλεκτρομαγνητικών δεδομένων σε πραγματικό χρόνο» με τη χρήση υποβρύχιων ηλεκτρομαγνητικών ληπτών όπως ορίζονται στο 6Α006.ε.

| ζ. | «Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για τη διόρθωση κινησιακών επιδράσεων βαρυτομέτρων ή βαρυτικών κλισιμέτρων. |
| --- | --- |

ζ.

«Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για τη διόρθωση κινησιακών επιδράσεων βαρυτομέτρων ή βαρυτικών κλισιμέτρων.

| η. | «Λογισμικό» ως εξής:






  1. | «Προγράμματα» εφαρμογών «λογισμικού» ελέγχου εναέριας κυκλοφορίας (ΑΤC), σχεδιασμένα ώστε να φιλοξενούνται σε ηλεκτρονικούς υπολογιστές γενικής χρήσης και ευρισκόμενα σε κέντρα ελέγχου εναέριας κυκλοφορίας και ικανά να δέχονται δεδομένα στόχων ραδιοεντοπισμού από άνω των τεσσάρων πρωτεύοντες ραδιοεντοπιστές. |
| --- | --- | --- |

η.

«Λογισμικό» ως εξής:

1.

«Προγράμματα» εφαρμογών «λογισμικού» ελέγχου εναέριας κυκλοφορίας (ΑΤC), σχεδιασμένα ώστε να φιλοξενούνται σε ηλεκτρονικούς υπολογιστές γενικής χρήσης και ευρισκόμενα σε κέντρα ελέγχου εναέριας κυκλοφορίας και ικανά να δέχονται δεδομένα στόχων ραδιοεντοπισμού από άνω των τεσσάρων πρωτεύοντες ραδιοεντοπιστές.

| 2. | «Λογισμικό» για τη μελέτη ή «παραγωγή» θόλων τοποθέτησης κεραιών και εμφανίζον όλα τα ακόλουθα:






  α. | Έχει μελετηθεί ειδικώς για να προστατεύει τις «ηλεκτρονικώς οδηγούμενες φασικώς συγχρονισμένες συστοιχιοκεραίες» που προδιαγράφονται στο σημείο 6Α008.ε., και |
| --- | --- | --- |

2.

«Λογισμικό» για τη μελέτη ή «παραγωγή» θόλων τοποθέτησης κεραιών και εμφανίζον όλα τα ακόλουθα:

α.

Έχει μελετηθεί ειδικώς για να προστατεύει τις «ηλεκτρονικώς οδηγούμενες φασικώς συγχρονισμένες συστοιχιοκεραίες» που προδιαγράφονται στο σημείο 6Α008.ε., και

| β. | Καταλήγει σε διάγραμμα κεραίας με «μέση στάθμη του πλευρικού λωβού» άνω των 40 dB κάτω από την κορυφή της στάθμης της κύριας δέσμης.


  Τεχνική παρατήρηση:


  Η «μέση στάθμη του πλευρικού λωβού» του σημείου 6D003.η.2.β μετράται επί ολόκληρης της συστοιχίας εκτός της γωνίας της κύριας δέσμης και των πρώτων δύο πλευρικών λωβών εκατέρωθεν της κύριας δέσμης. |
| --- | --- |

β.

Καταλήγει σε διάγραμμα κεραίας με «μέση στάθμη του πλευρικού λωβού» άνω των 40 dB κάτω από την κορυφή της στάθμης της κύριας δέσμης.

Τεχνική παρατήρηση:

Η «μέση στάθμη του πλευρικού λωβού» του σημείου 6D003.η.2.β μετράται επί ολόκληρης της συστοιχίας εκτός της γωνίας της κύριας δέσμης και των πρώτων δύο πλευρικών λωβών εκατέρωθεν της κύριας δέσμης.

6D102

«Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για τη «χρήση» των προδιαγραφόμενων στο 6Α108 ειδών.

6D103

«Λογισμικό» που επεξεργάζεται καταγεγραμμένα δεδομένα μετά την πτήση, επιτρέπει δε τον προσδιορισμό της θέσης οχημάτων σε όλη την τροχιά πτήσεώς τους, ειδικώς σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για «βλήματα».

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 6D103, ως «βλήματα» νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος με βεληνεκές άνω των 300 km.

6D203

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων μηχανών λήψης ή συσκευών απεικόνισης ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 6A203.α. έως 6A203.γ.

6E   Τεχνολογία

| 6E001 | «Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» εξοπλισμού, υλικών ή «λογισμικού» που προδιαγράφονται στα 6Α, 6Β, 6C ή 6D. |
| --- | --- |
| 6E002 | «Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «παραγωγή» εξοπλισμού ή υλικών προδιαγραφόμενων στα 6Α, 6Β ή 6C. |
| 6E003 | Λοιπές «τεχνολογίες», ως εξής:






  α. | «Τεχνολογία» ως εξής:






  1. | «Τεχνολογία» επικάλυψης και κατεργασίας οπτικών επιφανειών, «απαιτούμενη» για την επίτευξη ομοιομορφίας «οπτικού πάχους» βαθμού 99,5 % ή καλύτερου για οπτικές επικαλύψεις διαμέτρου ή μήκους μείζονος άξονος άνω των 500 mm και με συνολική απώλεια (λόγω απορρόφησης και σκέδασης) κάτω των 5 × 10-3,


  ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης 2Ε003.στ.



  Τεχνική παρατήρηση:


  Το «οπτικό πάχος» είναι το μαθηματικό γινόμενο του δείκτη διάθλασης επί το φυσικό πάχος της επικάλυψης. |

6E001

«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» εξοπλισμού, υλικών ή «λογισμικού» που προδιαγράφονται στα 6Α, 6Β, 6C ή 6D.

6E002

«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «παραγωγή» εξοπλισμού ή υλικών προδιαγραφόμενων στα 6Α, 6Β ή 6C.

6E003

Λοιπές «τεχνολογίες», ως εξής:

α.

«Τεχνολογία» ως εξής:

1.

«Τεχνολογία» επικάλυψης και κατεργασίας οπτικών επιφανειών, «απαιτούμενη» για την επίτευξη ομοιομορφίας «οπτικού πάχους» βαθμού 99,5 % ή καλύτερου για οπτικές επικαλύψεις διαμέτρου ή μήκους μείζονος άξονος άνω των 500 mm και με συνολική απώλεια (λόγω απορρόφησης και σκέδασης) κάτω των 5 × 10-3,

ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης 2Ε003.στ.

Τεχνική παρατήρηση:

Το «οπτικό πάχος» είναι το μαθηματικό γινόμενο του δείκτη διάθλασης επί το φυσικό πάχος της επικάλυψης.

| 2. | Τεχνολογίες οπτικών κατασκευών, που χρησιμοποιούν τεχνικές τόρνευσης με μονοσημειακό αδάμαντα που παράγουν ακρίβειες φινιρισμένης επιφάνειας καλύτερες από 10 nm rms σε μη επίπεδες επιφάνειες άνω των 0,5 m2, |
| --- | --- |

2.

Τεχνολογίες οπτικών κατασκευών, που χρησιμοποιούν τεχνικές τόρνευσης με μονοσημειακό αδάμαντα που παράγουν ακρίβειες φινιρισμένης επιφάνειας καλύτερες από 10 nm rms σε μη επίπεδες επιφάνειες άνω των 0,5 m2,

| β. | «Τεχνολογία»«απαιτούμενη» για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» ή «χρήση» ειδικώς σχεδιασμένων οργάνων διάγνωσης ή στόχων σε εγκαταστάσεις δοκιμών «laser υπερυψηλής ισχύος» (SHPL) ή για τη δοκιμή ή αξιολόγηση υλικών ακτινοβολημένων με δέσμες SHPL, |
| --- | --- |

β.

«Τεχνολογία»«απαιτούμενη» για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» ή «χρήση» ειδικώς σχεδιασμένων οργάνων διάγνωσης ή στόχων σε εγκαταστάσεις δοκιμών «laser υπερυψηλής ισχύος» (SHPL) ή για τη δοκιμή ή αξιολόγηση υλικών ακτινοβολημένων με δέσμες SHPL,

6E101

«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη «χρήση» εξοπλισμού ή «λογισμικού» προδιαγραφόμενου στο σημείο 6Α002, 6Α007.β. και γ., 6Α008, 6Α102, 6Α107, 6Α108, 6Β108, 6D102 ή 6D103.

Σημείωση: Στο 6Ε101 προσδιορίζεται μόνο «τεχνολογία» για εξοπλισμό προδιαγραφόμενο στο 6Α008, όταν ο τελευταίος έχει μελετηθεί για αεροφερόμενες εφαρμογές και είναι χρησιμοποιήσιμος σε «βλήματα».

6E201

«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη «χρήση» εξοπλισμού προδιαγραφόμενου στα σημεία 6A003, 6A005.α.2., 6A005.β.2., 6A005.β.3., 6A005.β.4., 6A005.β.6., 6A005.γ.2., 6A005.δ.3.γ., 6A005.δ.4.γ., 6A202, 6A203, 6A205, 6A225 ή 6A226.

6E203

«Τεχνολογία» υπό τη μορφή κωδικών ή κλειδών για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων μιας μηχανών λήψης ή συσκευών απεικόνισης ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 6A203a.α. έως 6A203.γ.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 7 — ΑΕΡΟΝΑΥΤΙΚΗ ΚΑΙ ΑΕΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

7A   Συστήματα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη

ΣΗΜ.: Για αυτόματους πιλότους υποβρυχίων οχημάτων, βλέπε κατηγορία 8. Για τους ραδιοεντοπιστές, βλέπε κατηγορία 6.

| 7A001 | Επιταχυνσιόμετρα ως εξής, καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη τους:


  ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 7A101.



  ΣΗΜ.: Για τα γωνιακά ή περιστροφικά επιταχυνσιόμετρα, βλέπε 7A001.β.







  α. | Γραμμικά επιταχυνσιόμετρα με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Προδιαγεγραμμένα ώστε να λειτουργούν σε επίπεδα γραμμικής επιτάχυνσης μέχρι και 15 g, και έχοντα οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | «Σταθερότητα»«εγγενούς απόκλισης» μικρότερη (καλύτερη) από 130 micro g ως προς σταθερή τιμή διακρίβωσης σε χρονικό διάστημα ενός έτους, ή |
| --- | --- | --- | --- | --- |

7A001

Επιταχυνσιόμετρα ως εξής, καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη τους:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 7A101.

ΣΗΜ.: Για τα γωνιακά ή περιστροφικά επιταχυνσιόμετρα, βλέπε 7A001.β.

α.

Γραμμικά επιταχυνσιόμετρα με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Προδιαγεγραμμένα ώστε να λειτουργούν σε επίπεδα γραμμικής επιτάχυνσης μέχρι και 15 g, και έχοντα οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

«Σταθερότητα»«εγγενούς απόκλισης» μικρότερη (καλύτερη) από 130 micro g ως προς σταθερή τιμή διακρίβωσης σε χρονικό διάστημα ενός έτους, ή

| β. | «Σταθερότητα»«συντελεστή κλίμακας» μικρότερη (καλύτερη) από 130 ppm ως προς σταθερή τιμή διακρίβωσης σε χρονικό διάστημα ενός έτους, |
| --- | --- |

β.

«Σταθερότητα»«συντελεστή κλίμακας» μικρότερη (καλύτερη) από 130 ppm ως προς σταθερή τιμή διακρίβωσης σε χρονικό διάστημα ενός έτους,

| 2. | Προδιαγεγραμμένα ώστε να λειτουργούν σε επίπεδα γραμμικής επιτάχυνσης άνω των 15 g και έως 100 g και έχοντα όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | «Επαναληψιμότητα»«εγγενούς απόκλισης» μικρότερη (καλύτερη) από 1 250 micro g επί χρονικό διάστημα ενός έτους, και |
| --- | --- | --- |

2.

Προδιαγεγραμμένα ώστε να λειτουργούν σε επίπεδα γραμμικής επιτάχυνσης άνω των 15 g και έως 100 g και έχοντα όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

«Επαναληψιμότητα»«εγγενούς απόκλισης» μικρότερη (καλύτερη) από 1 250 micro g επί χρονικό διάστημα ενός έτους, και

| β. | «Επαναληψιμότητα»«εγγενούς απόκλισης» μικρότερη (καλύτερη) από 1 250 micro g επί χρονικό διάστημα ενός έτους, ή |
| --- | --- |

β.

«Επαναληψιμότητα»«εγγενούς απόκλισης» μικρότερη (καλύτερη) από 1 250 micro g επί χρονικό διάστημα ενός έτους, ή

| 3. | Σχεδιασμένα προς χρήση σε συστήματα αδρανειακής πλοήγησης ή καθοδήγησης και προδιαγεγραμμένα ώστε να λειτουργούν σε επίπεδα γραμμικής επιτάχυνσης άνω των 100 g. |
| --- | --- |

3.

Σχεδιασμένα προς χρήση σε συστήματα αδρανειακής πλοήγησης ή καθοδήγησης και προδιαγεγραμμένα ώστε να λειτουργούν σε επίπεδα γραμμικής επιτάχυνσης άνω των 100 g.

Σημείωση: Τα σημεία 7Α001.α.1 και 7Α001.α.2 δεν καλύπτουν τα επιταχυνσιόμετρα που προορίζονται αποκλειστικά για τη μέτρηση δόνησης ή κραδασμού.

| β. | Γωνιακά ή περιστροφικά επιταχυνσιόμετρα προδιαγεγραμμένα ώστε να λειτουργούν σε επίπεδα γραμμικής επιτάχυνσης άνω των 100 g. |
| --- | --- |

β.

Γωνιακά ή περιστροφικά επιταχυνσιόμετρα προδιαγεγραμμένα ώστε να λειτουργούν σε επίπεδα γραμμικής επιτάχυνσης άνω των 100 g.

7A002

Γυροσκόπια ή αισθητήρες γωνιακής ταχύτητας που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα, καθώς και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 7A102.

ΣΗΜ.: Για τα γωνιακά ή περιστροφικά επιταχυνσιόμετρα, βλέπε 7A001.β.

| α. | Προδιαγεγραμμένα ώστε να λειτουργούν σε επίπεδα γραμμικής επιτάχυνσης έως 100 g και έχοντα οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Εύρος ταχυτήτων κάτω των 500 μοιρών ανά δευτερόλεπτο και έχοντα οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | «Σταθερότητα»«εγγενούς απόκλισης» μικρότερη (καλύτερη) από 0,5 μοίρες ανά ώρα, όταν μετράται σε περιβάλλον 1 g για περίοδο ενός μηνός και ως προς σταθερή τιμή διακρίβωσης οργάνου, ή |
| --- | --- | --- | --- |

α.

Προδιαγεγραμμένα ώστε να λειτουργούν σε επίπεδα γραμμικής επιτάχυνσης έως 100 g και έχοντα οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Εύρος ταχυτήτων κάτω των 500 μοιρών ανά δευτερόλεπτο και έχοντα οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

«Σταθερότητα»«εγγενούς απόκλισης» μικρότερη (καλύτερη) από 0,5 μοίρες ανά ώρα, όταν μετράται σε περιβάλλον 1 g για περίοδο ενός μηνός και ως προς σταθερή τιμή διακρίβωσης οργάνου, ή

| β. | «Γωνιακή τυχαία όδευση» μικρότερη (καλύτερη) ή ίση με 0,0035 μοίρες ανά τετραγωνική ρίζα ώρας, ή



  Σημείωση: Στο σημείο 7Α002.α.1.β δεν υπάγονται τα «γυροσκόπια περιστρεφόμενης μάζας». |
| --- | --- |

β.

«Γωνιακή τυχαία όδευση» μικρότερη (καλύτερη) ή ίση με 0,0035 μοίρες ανά τετραγωνική ρίζα ώρας, ή

Σημείωση: Στο σημείο 7Α002.α.1.β δεν υπάγονται τα «γυροσκόπια περιστρεφόμενης μάζας».

| 2. | Εύρος ταχυτήτων τουλάχιστον 500 μοιρών ανά δευτερόλεπτο και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | «Σταθερότητα»«εγγενούς απόκλισης» μικρότερη (καλύτερη) από 4 μοίρες ανά ώρα, όταν μετράται σε περιβάλλον 1 g για περίοδο τριών λεπτών και ως προς σταθερή τιμή διακρίβωσης οργάνου, ή |
| --- | --- | --- |

2.

Εύρος ταχυτήτων τουλάχιστον 500 μοιρών ανά δευτερόλεπτο και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

«Σταθερότητα»«εγγενούς απόκλισης» μικρότερη (καλύτερη) από 4 μοίρες ανά ώρα, όταν μετράται σε περιβάλλον 1 g για περίοδο τριών λεπτών και ως προς σταθερή τιμή διακρίβωσης οργάνου, ή

| β. | «Γωνιακή τυχαία όδευση» μικρότερη (καλύτερη) ή ίση με 0,1 μοίρες ανά τετραγωνική ρίζα ώρας, ή



  Σημείωση: Στο σημείο 7Α002.α.2.β δεν υπάγονται τα «γυροσκόπια περιστρεφόμενης μάζας». |
| --- | --- |

β.

«Γωνιακή τυχαία όδευση» μικρότερη (καλύτερη) ή ίση με 0,1 μοίρες ανά τετραγωνική ρίζα ώρας, ή

Σημείωση: Στο σημείο 7Α002.α.2.β δεν υπάγονται τα «γυροσκόπια περιστρεφόμενης μάζας».

| β. | Που προορίζονται να λειτουργούν σε μεγέθη γραμμικής επιτάχυνσης άνω των 100 g. |
| --- | --- |

β.

Που προορίζονται να λειτουργούν σε μεγέθη γραμμικής επιτάχυνσης άνω των 100 g.

7A003

«Εξοπλισμός ή συστήματα αδρανειακών μετρήσεων», που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 7A103.

Σημείωση 1: Ο «εξοπλισμός ή τα συστήματα αδρανειακών μετρήσεων» περιλαμβάνουν επιταχυνσιόμετρα ή γυροσκόπια για τη μέτρηση αλλαγών στην ταχύτητα και τον προσανατολισμό για τον καθορισμό ή τη διατήρηση της κατεύθυνσης ή της θέσης χωρίς να απαιτείται εξωτερική αναφορά μετά την ευθυγράμμιση. Ο «εξοπλισμός ή τα συστήματα αδρανειακών μετρήσεων» περιλαμβάνουν:

| — | Συστήματα αναφοράς θέσης και πορείας αεροσκάφους (AHRS), |
| --- | --- |

—

Συστήματα αναφοράς θέσης και πορείας αεροσκάφους (AHRS),

| — | Γυροσκοπικές πυξίδες |
| --- | --- |

—

Γυροσκοπικές πυξίδες

| — | Αδρανειακές μονάδες μετρήσεων (IMU), |
| --- | --- |

—

Αδρανειακές μονάδες μετρήσεων (IMU),

| — | Αδρανειακά συστήματα αεροναυτιλίας (INS), |
| --- | --- |

—

Αδρανειακά συστήματα αεροναυτιλίας (INS),

| — | Αδρανειακά συστήματα αναφοράς (IRS), |
| --- | --- |

—

Αδρανειακά συστήματα αναφοράς (IRS),

| — | Αδρανειακές μονάδες αναφοράς (IRU). |
| --- | --- |

—

Αδρανειακές μονάδες αναφοράς (IRU).

Σημείωση 2: Στο σημείο 7Α003 δεν ελέγχεται ο «εξοπλισμός ή τα συστήματα αδρανειακών μετρήσεων» που έχουν εγκριθεί για χρήση στα αεροσκάφη «πολιτικής αεροπορίας» από τις αρχές πολιτικής αεροπορίας «συμμετεχόντων κρατών».

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Οι «αναφορές υποβοήθησης εντοπισμού θέσης» δίνουν τη θέση ανεξάρτητα, και περιλαμβάνουν:







  α. | Παγκόσμια δορυφορικά συστήματα πλοήγησης (GNSS), |
| --- | --- | --- |

1.

α.

Παγκόσμια δορυφορικά συστήματα πλοήγησης (GNSS),

| β. | «Πλοήγηση βάσει Καταχωρημένων Δεδομένων» («DBRN»). |
| --- | --- |

β.

«Πλοήγηση βάσει Καταχωρημένων Δεδομένων» («DBRN»).

| 2. | «Ισοπιθανοτικός κύκλος» (CEP) — Σε μια κυκλική κανονική κατανομή, η ακτίνα του κύκλου που περιέχει το 50 % των πραγματοποιούμενων μετρήσεων, ή η ακτίνα του κύκλου εντός του οποίου υπάρχει 50 % πιθανότητα να βρίσκεται η πραγματική θέση. |
| --- | --- |

2.

| α. | Είναι σχεδιασμένα για «αεροσκάφη», χερσαία οχήματα ή σκάφη και δίνουν τη θέση χωρίς τη χρήση «αναφορών υποβοήθησης εντοπισμού θέσης», και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα επίπεδα ακρίβειας κατόπιν κανονικής ευθυγράμμισης:






  1. | ρυθμό «ισοπιθανοτικού κύκλου» (CEP) 0,8 ναυτικά μίλια ανά ώρα (nm/hr) ή μικρότερο (καλύτερο), |
| --- | --- | --- |

α.

Είναι σχεδιασμένα για «αεροσκάφη», χερσαία οχήματα ή σκάφη και δίνουν τη θέση χωρίς τη χρήση «αναφορών υποβοήθησης εντοπισμού θέσης», και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα επίπεδα ακρίβειας κατόπιν κανονικής ευθυγράμμισης:

1.

ρυθμό «ισοπιθανοτικού κύκλου» (CEP) 0,8 ναυτικά μίλια ανά ώρα (nm/hr) ή μικρότερο (καλύτερο),

| 2. | «CEP»0,5 % της καλυπτόμενης απόστασης ή μικρότερο (καλύτερο), ή |
| --- | --- |

2.

«CEP»0,5 % της καλυπτόμενης απόστασης ή μικρότερο (καλύτερο), ή

| 3. | Συνολική απόκλιση «CEP» 1 ναυτικού μιλίου ή μικρότερη (καλύτερη) κατά τη διάρκεια 24 ωρών, |
| --- | --- |

3.

Συνολική απόκλιση «CEP» 1 ναυτικού μιλίου ή μικρότερη (καλύτερη) κατά τη διάρκεια 24 ωρών,

Τεχνική παρατήρηση:

Οι παράμετροι επιδόσεων των σημείων 7A003.α.1., 7A003.α.2. και 7A003.α.3. ισχύουν κανονικά για ‘εξοπλισμό ή συστήματα αδρανειακών μετρήσεων’ σχεδιασμένα για «αεροσκάφη», οχήματα και σκάφη, αντίστοιχα. Οι παράμετροι αυτοί προκύπτουν από τη χρήση εξειδικευμένων αναφορών υποβοήθησης που δεν σχετίζονται με τον εντοπισμό θέσης (π.χ. υψομετρικό όργανο, οδόμετρο, δρομόμετρο). Συνεπώς, δεν είναι εύκολη η μετατροπή των εξειδικευμένων τιμών επιδόσεων μεταξύ των παραμέτρων αυτών. Ο εξοπλισμός που είναι σχεδιασμένος για πολλαπλές πλατφόρμες αξιολογείται βάσει κάθε εφαρμοστέου σημείου 7A003.α.1., 7A003.α.2., ή 7A003.α.3.

| β. | Είναι σχεδιασμένα για «αεροσκάφη», χερσαία οχήματα ή σκάφη, με ενσωματωμένη «αναφορά υποβοήθησης εντοπισμού θέσης» και που δίνουν τη θέση κατόπιν απώλειας όλων των «αναφορών υποβοήθησης εντοπισμού θέσης» για περίοδο έως 4 λεπτών, με ακρίβεια μικρότερη (καλύτερη) από «CEP» 10 μέτρων,


  Τεχνική παρατήρηση:


  Το σημείο 7Α003.β. αφορά συστήματα στα οποία ο «εξοπλισμός ή τα συστήματα αδρανειακών μετρήσεων», καθώς και άλλες ανεξάρτητες «αναφορές υποβοήθησης εντοπισμού θέσης», είναι ενσωματωμένα σε μια μόνον μονάδα ώστε να επιτυγχάνονται καλύτερες επιδόσεις. |
| --- | --- |

β.

Είναι σχεδιασμένα για «αεροσκάφη», χερσαία οχήματα ή σκάφη, με ενσωματωμένη «αναφορά υποβοήθησης εντοπισμού θέσης» και που δίνουν τη θέση κατόπιν απώλειας όλων των «αναφορών υποβοήθησης εντοπισμού θέσης» για περίοδο έως 4 λεπτών, με ακρίβεια μικρότερη (καλύτερη) από «CEP» 10 μέτρων,

Τεχνική παρατήρηση:

Το σημείο 7Α003.β. αφορά συστήματα στα οποία ο «εξοπλισμός ή τα συστήματα αδρανειακών μετρήσεων», καθώς και άλλες ανεξάρτητες «αναφορές υποβοήθησης εντοπισμού θέσης», είναι ενσωματωμένα σε μια μόνον μονάδα ώστε να επιτυγχάνονται καλύτερες επιδόσεις.

| γ. | Είναι σχεδιασμένα για «αεροσκάφη», χερσαία οχήματα ή σκάφη που δίνουν την κατεύθυνση ή προσδιορίζουν τον πραγματικό βορρά, και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Μέγιστη γωνιακή ταχύτητα λειτουργίας μικρότερη από 500 deg/s και ακρίβεια κατεύθυνσης χωρίς τη χρήση «αναφορών υποβοήθησης εντοπισμού θέσης» ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 0,07 deg sec(Lat) (αντίστοιχων με 6 λεπτά τόξου RMS σε πλάτος 45 μοιρών), ή |
| --- | --- | --- |

γ.

Είναι σχεδιασμένα για «αεροσκάφη», χερσαία οχήματα ή σκάφη που δίνουν την κατεύθυνση ή προσδιορίζουν τον πραγματικό βορρά, και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Μέγιστη γωνιακή ταχύτητα λειτουργίας μικρότερη από 500 deg/s και ακρίβεια κατεύθυνσης χωρίς τη χρήση «αναφορών υποβοήθησης εντοπισμού θέσης» ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 0,07 deg sec(Lat) (αντίστοιχων με 6 λεπτά τόξου RMS σε πλάτος 45 μοιρών), ή

| 2. | Μέγιστη γωνιακή ταχύτητα λειτουργίας ίση ή μεγαλύτερη από 500 deg/s και ακρίβεια κατεύθυνσης χωρίς τη χρήση «αναφορών υποβοήθησης εντοπισμού θέσης» ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 0,2 deg sec(Lat) (αντίστοιχων με 17 λεπτά τόξου RMS σε πλάτος 45 μοιρών), ή |
| --- | --- |

2.

Μέγιστη γωνιακή ταχύτητα λειτουργίας ίση ή μεγαλύτερη από 500 deg/s και ακρίβεια κατεύθυνσης χωρίς τη χρήση «αναφορών υποβοήθησης εντοπισμού θέσης» ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 0,2 deg sec(Lat) (αντίστοιχων με 17 λεπτά τόξου RMS σε πλάτος 45 μοιρών), ή

| δ. | Που δίνουν μετρήσεις επιτάχυνσης ή γωνιακής ταχύτητας, σε περισσότερες της μιας διάστασης, και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Επιδόσεις προσδιοριζόμενες στο σημείο 7A001 ή 7A002 κατά μήκος οποιουδήποτε άξονα, χωρίς τη χρήση οποιωνδήποτε αναφορών υποβοήθησης, ή |
| --- | --- | --- |

δ.

Που δίνουν μετρήσεις επιτάχυνσης ή γωνιακής ταχύτητας, σε περισσότερες της μιας διάστασης, και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Επιδόσεις προσδιοριζόμενες στο σημείο 7A001 ή 7A002 κατά μήκος οποιουδήποτε άξονα, χωρίς τη χρήση οποιωνδήποτε αναφορών υποβοήθησης, ή

| 2. | Είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση» και δίνουν μετρήσεις γωνιακής ταχύτητας και έχουν «γωνιακή τυχαία όδευση» κατά μήκος οποιουδήποτε άξονα μικρότερη (καλύτερη) ή ίση με 0,1 μοίρες ανά τετραγωνική ρίζα ώρας.


  Σημείωση: Στο σημείο 7A003.δ.2. δεν υπάγονται «εξοπλισμός ή συστήματα αδρανειακών μετρήσεων» στα οποία ο μόνος τύπος γυροσκοπίων που περιλαμβάνεται είναι τα «γυροσκόπια περιστρεφόμενης μάζας». |
| --- | --- |

2.

Είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση» και δίνουν μετρήσεις γωνιακής ταχύτητας και έχουν «γωνιακή τυχαία όδευση» κατά μήκος οποιουδήποτε άξονα μικρότερη (καλύτερη) ή ίση με 0,1 μοίρες ανά τετραγωνική ρίζα ώρας.

Σημείωση: Στο σημείο 7A003.δ.2. δεν υπάγονται «εξοπλισμός ή συστήματα αδρανειακών μετρήσεων» στα οποία ο μόνος τύπος γυροσκοπίων που περιλαμβάνεται είναι τα «γυροσκόπια περιστρεφόμενης μάζας».

7A004

«Εντοπιστές αστέρων» και σχετικά δομικά στοιχεία, ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 7A104.

| α. | «Εντοπιστές αστέρων» με καθορισμένη ακρίβεια αζιμουθίου ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 20′′ καθ όλη την προσδιοριζόμενη διάρκεια ζωής του εξοπλισμού, |
| --- | --- |

α.

«Εντοπιστές αστέρων» με καθορισμένη ακρίβεια αζιμουθίου ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 20′′ καθ όλη την προσδιοριζόμενη διάρκεια ζωής του εξοπλισμού,

| β. | Δομικά στοιχεία ειδικά σχεδιασμένα για τον εξοπλισμό που καθορίζεται στο σημείο 7A004.α., ως εξής:






  1. | Οπτικές κεφαλές ή διαφράγματα, |
| --- | --- | --- |

β.

Δομικά στοιχεία ειδικά σχεδιασμένα για τον εξοπλισμό που καθορίζεται στο σημείο 7A004.α., ως εξής:

1.

Οπτικές κεφαλές ή διαφράγματα,

| 2. | Μονάδες επεξεργασίας δεδομένων. |
| --- | --- |

2.

Μονάδες επεξεργασίας δεδομένων.

Τεχνική παρατήρηση:

Οι «εντοπιστές αστέρων» αναφέρονται και ως αισθητήρες αστρικού υψομέτρου ή γυροαστρικές πυξίδες.

7A005

Εξοπλισμός λήψης ακριβούς θέσης από δορυφορικά συστήματα παγκόσμιας πλοήγησης (GNSS) που χρησιμοποιεί οιοδήποτε από τα ακόλουθα, καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά τους μέρη:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 7A105.

ΣΗΜ.: Για εξοπλισμό ειδικά σχεδιασμένο για στρατιωτική χρήση, βλέπε ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων.

| α. | Αποκρυπτογραφικό αλγόριθμο ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για κρατική χρήση για την πρόσβαση στους κωδικούς εντοπισμού θέσης και χρόνου, ή |
| --- | --- |

α.

Αποκρυπτογραφικό αλγόριθμο ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για κρατική χρήση για την πρόσβαση στους κωδικούς εντοπισμού θέσης και χρόνου, ή

| β. | «Αυτοπροσαρμοζόμενα συστήματα κεραίας».


  Σημείωση: Στο σημείο 7Α005.β δεν υπάγεται ο εξοπλισμός λήψης ακριβούς θέσης από δορυφορικά συστήματα παγκόσμιας πλοήγησης, ο οποίος χρησιμοποιεί μόνο δομικά στοιχεία σχεδιασμένα να φιλτράρουν, να μετάγουν ή να συνδυάζουν σήματα από πολλαπλές πολυκατευθυντικές κεραίες χωρίς να εφαρμόζουν τεχνικές αυτοπροσαρμοζόμενων κεραιών.



  Τεχνική παρατήρηση:


  Για τους σκοπούς του 7Α005.β, τα «αυτοπροσαρμοζόμενα συστήματα κεραίας» παράγουν δυναμικά ένα ή περισσότερα χωρικά μηδενικά σε μια συστοιχία κεραιών με επεξεργασία σήματος στο πεδίο του χρόνου ή των συχνοτήτων. |
| --- | --- |

β.

«Αυτοπροσαρμοζόμενα συστήματα κεραίας».

Σημείωση: Στο σημείο 7Α005.β δεν υπάγεται ο εξοπλισμός λήψης ακριβούς θέσης από δορυφορικά συστήματα παγκόσμιας πλοήγησης, ο οποίος χρησιμοποιεί μόνο δομικά στοιχεία σχεδιασμένα να φιλτράρουν, να μετάγουν ή να συνδυάζουν σήματα από πολλαπλές πολυκατευθυντικές κεραίες χωρίς να εφαρμόζουν τεχνικές αυτοπροσαρμοζόμενων κεραιών.

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του 7Α005.β, τα «αυτοπροσαρμοζόμενα συστήματα κεραίας» παράγουν δυναμικά ένα ή περισσότερα χωρικά μηδενικά σε μια συστοιχία κεραιών με επεξεργασία σήματος στο πεδίο του χρόνου ή των συχνοτήτων.

7A006

Υψίμετρα εν πτήσει που λειτουργούν εκτός του φάσματος συχνοτήτων από 4,2 μέχρι 4,4 GHz και παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 7A106.

| α. | «Διαχείριση ισχύος», ή |
| --- | --- |

α.

«Διαχείριση ισχύος», ή

| β. | Χρησιμοποιούν διαμόρφωση μετατόπισης φάσεως. |
| --- | --- |

β.

Χρησιμοποιούν διαμόρφωση μετατόπισης φάσεως.

7A008

Υποβρύχια συστήματα πλοήγησης με ηχοεντοπισμό (sonar), που χρησιμοποιούν καταγραφείς ταχύτητας Doppler ή συσχέτισης συνολοκληρωμένους μαζί με πηγή σήματος πορείας, εφόσον έχουν ακρίβεια προσδιορισμού θέσης («ακτίνα ισοπιθανοτικού κύκλου») («CEP») ίση με ή καλύτερη από το 3 % της διανυθείσας απόστασης, καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά τους μέρη.

Σημείωση: Στο σημείο 7A008 δεν εμπίπτουν τα συστήματα τα ειδικά σχεδιασμένα για εγκατάσταση σε σκάφη επιφανείας, ούτε τα συστήματα που για να δώσουν στοιχεία θέσης χρειάζονται ακουστικούς φάρους ή σημαντήρες.

ΣΗΜ.: Για τα ακουστικά συστήματα βλέπε σημείο 6A001.α, για τον εξοπλισμό ηχοεντοπισμού με καταγραφή συσχέτισης ταχύτητας και ταχύτητας Doppler βλέπε σημείο 6A001.β.

Για άλλα θαλάσσια συστήματα βλέπε σημείο 8A002.

7A101

Γραμμικά επιταχυνσιόμετρα, διαφορετικά από τα αναφερόμενα στην παράγραφο 7Α001, που έχουν σχεδιαστεί προς χρήση σε συστήματα αδρανειακής πλοήγησης ή σε συστήματα καθοδήγησης όλων των τύπων, ικανά να χρησιμοποιηθούν σε «βλήματα» που παρουσιάζουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά τους μέρη:

| α. | «Επαναληψιμότητα»«εγγενούς απόκλισης» μικρότερη (καλύτερη) από 1 250 micro g, και |
| --- | --- |

α.

«Επαναληψιμότητα»«εγγενούς απόκλισης» μικρότερη (καλύτερη) από 1 250 micro g, και

| β. | «Επαναληψιμότητα»«συντελεστή κλίμακας» μικρότερη (καλύτερη) από 1 250 ppm, |
| --- | --- |

β.

«Επαναληψιμότητα»«συντελεστή κλίμακας» μικρότερη (καλύτερη) από 1 250 ppm,

7A101

  Σημείωση: Το σημείο 7Α101 α δεν υποβάλλει σε έλεγχο επιταχυνσιόμετρα ειδικά σχεδιασμένα και αναπτυγμένα ως αισθητήρες MWD (Measurement While Drilling - Μέτρηση κατά τη γεώτρηση), που χρησιμοποιούνται για εργασίες στο φρέαρ της γεώτρησης.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Στο σημείο 7A101, ως «βλήματα» νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων εναέριων οχημάτων με ακτίνα δράσης άνω των 300 km. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Στο σημείο 7Α101, η μέτρηση της «εγγενούς απόκλισης» και του «συντελεστή κλίμακας» αφορά την τυπική απόκλιση (1 σ) σε σχέση με σταθερή βαθμονόμηση κατά τη διάρκεια ενός έτους. |
| --- | --- |

2.

7A102

Όλοι οι τύποι γυροσκοπίων, εκτός των αναφερομένων στην παράγραφο 7Α002, που μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε «βλήματα» και των οποίων η «σταθερότητα ρυθμού εκτροπής» είναι μικρότερη από 0,50 (1 σίγμα ή rms) ανά ώρα σε συνθήκες επιτάχυνσης 1 g και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά στοιχεία για τα ανωτέρω.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Στο σημείο 7A102, ως «βλήματα» νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων εναέριων οχημάτων με ακτίνα δράσης άνω των 300 km. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Στο σημείο 7Α102, η «σταθερότητα» ορίζεται ως μέτρο της ικανότητας ενός συγκεκριμένου μηχανισμού ή συντελεστή επιδόσεων να παραμένει αμετάβλητος όταν εκτίθεται συνεχώς σε μια καθορισμένη συνθήκη λειτουργίας (Πρότυπο IEEE 528-2001, παράγραφος 2.247). |
| --- | --- |

2.

7A103

Όργανα, εξοπλισμός και συστήματα πλοήγησης, εκτός των αναφερομένων στην παράγραφο 7Α003, που παρουσιάζουν τα ακόλουθα, καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους:

| α. | Αδρανειακοί ή λοιποί εξοπλισμοί που χρησιμοποιούν επιταχυνσιόμετρα ή γυροσκόπια ως ακολούθως, καθώς και τα συστήματα όπου ενσωματώνεται ο εξοπλισμός αυτός,






  1. | Επιταχυνσιόμετρα που καθορίζονται στα σημεία 7A001.α.3., 7A001.β. ή 7A101 ή γυροσκόπια που καθορίζονται στα σημεία 7A002 ή 7A102, ή |
| --- | --- | --- |

α.

Αδρανειακοί ή λοιποί εξοπλισμοί που χρησιμοποιούν επιταχυνσιόμετρα ή γυροσκόπια ως ακολούθως, καθώς και τα συστήματα όπου ενσωματώνεται ο εξοπλισμός αυτός,

1.

Επιταχυνσιόμετρα που καθορίζονται στα σημεία 7A001.α.3., 7A001.β. ή 7A101 ή γυροσκόπια που καθορίζονται στα σημεία 7A002 ή 7A102, ή

| 2. | Επιταχυνσιόμετρα προσδιοριζόμενα στο σημείο 7A001.α.1. ή 7A001.α.2., σχεδιασμένα για χρήση σε συστήματα αδρανειακής πλοήγησης ή σε συστήματα καθοδήγησης όλων των τύπων, ικανά να χρησιμοποιηθούν σε «βλήματα», |
| --- | --- |

2.

Επιταχυνσιόμετρα προσδιοριζόμενα στο σημείο 7A001.α.1. ή 7A001.α.2., σχεδιασμένα για χρήση σε συστήματα αδρανειακής πλοήγησης ή σε συστήματα καθοδήγησης όλων των τύπων, ικανά να χρησιμοποιηθούν σε «βλήματα»,

Σημείωση: Το σημείο 7Α103.α. δεν ορίζει τον εξοπλισμό που περιέχει επιταχυνσιόμετρα που ορίζονται στο 7Α001 όπου τα επιταχυνσιόμετρα αυτά σχεδιάζονται και κατασκευάζονται ειδικά ως αισθητήρες MWD (Μέτρηση κατά τη Γεώτρηση) για χρήση σε εργασίες στο βυθό φρέατος.

| β. | Ολοκληρωμένα συστήματα οργάνων πτήσης, περιλαμβανομένων των γυροσκοπικών σταθεροποιητών ή των αυτομάτων πιλότων, που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούνται σε «βλήματα», |
| --- | --- |

β.

Ολοκληρωμένα συστήματα οργάνων πτήσης, περιλαμβανομένων των γυροσκοπικών σταθεροποιητών ή των αυτομάτων πιλότων, που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούνται σε «βλήματα»,

| γ. | «Ολοκληρωμένα συστήματα αεροπλοήγησης», σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για «βλήματα», και ικανά να παρέχουν πλοηγική ακρίβεια ισοπιθανοτικού κύκλου (CEP) 200 m ή καλύτερη.


  Τεχνική παρατήρηση:


  Τα «ολοκληρωμένα συστήματα αεροπλοήγησης» περιλαμβάνουν κατά κανόνα τα εξής συστατικά μέρη:








  1. | Μια αδρανειακή μετρητική συσκευή (π.χ. σύστημα αναφοράς θέσης και πορείας, αδρανειακή μονάδα αναφοράς ή αδρανειακό σύστημα αεροπλοήγησης), |
| --- | --- | --- |

γ.

«Ολοκληρωμένα συστήματα αεροπλοήγησης», σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για «βλήματα», και ικανά να παρέχουν πλοηγική ακρίβεια ισοπιθανοτικού κύκλου (CEP) 200 m ή καλύτερη.

Τεχνική παρατήρηση:

Τα «ολοκληρωμένα συστήματα αεροπλοήγησης» περιλαμβάνουν κατά κανόνα τα εξής συστατικά μέρη:

1.

Μια αδρανειακή μετρητική συσκευή (π.χ. σύστημα αναφοράς θέσης και πορείας, αδρανειακή μονάδα αναφοράς ή αδρανειακό σύστημα αεροπλοήγησης),

| 2. | Έναν ή περισσότερους εξωτερικούς αισθητήρες χρησιμοποιούμενους για την ενημέρωση της θέσης ή/και της ταχύτητας, είτε κατά διαστήματα είτε συνεχώς καθ όλη την πτήση (π.χ. δορυφορικό αεροπλοηγικό δέκτη, υψόμετρο με ραντάρ ή/και ραντάρ Doppler), και |
| --- | --- |

2.

Έναν ή περισσότερους εξωτερικούς αισθητήρες χρησιμοποιούμενους για την ενημέρωση της θέσης ή/και της ταχύτητας, είτε κατά διαστήματα είτε συνεχώς καθ όλη την πτήση (π.χ. δορυφορικό αεροπλοηγικό δέκτη, υψόμετρο με ραντάρ ή/και ραντάρ Doppler), και

| 3. | Συνολοκληρωτικό υλικό και λογισμικό, |
| --- | --- |

3.

Συνολοκληρωτικό υλικό και λογισμικό,

| δ. | Τριαξονικοί μαγνητικοί αισθητήρες πορείας, σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι ώστε να συνολοκληρώνονται με συστήματα ελέγχου πτήσης και αεροπλοήγησης, εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στο σημείο 6A006, που παρουσιάζουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη τους:






  1. | Εσωτερική αντιστάθμιση κατά τους άξονες πρόνευσης (± 90 μοίρες) και διατοιχισμού (± 180 μοίρες), |
| --- | --- | --- |

δ.

Τριαξονικοί μαγνητικοί αισθητήρες πορείας, σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι ώστε να συνολοκληρώνονται με συστήματα ελέγχου πτήσης και αεροπλοήγησης, εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στο σημείο 6A006, που παρουσιάζουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη τους:

1.

Εσωτερική αντιστάθμιση κατά τους άξονες πρόνευσης (± 90 μοίρες) και διατοιχισμού (± 180 μοίρες),

| 2. | Ικανότητα επίτευξης αζιμουθιακής ακρίβειας μικρότερης (καλύτερης) από 0,5 μοίρες rms σε γεωγραφικό πλάτος ± 80 μοιρών, με αναφορά στο τοπικό μαγνητικό πεδίο. |
| --- | --- |

2.

Ικανότητα επίτευξης αζιμουθιακής ακρίβειας μικρότερης (καλύτερης) από 0,5 μοίρες rms σε γεωγραφικό πλάτος ± 80 μοιρών, με αναφορά στο τοπικό μαγνητικό πεδίο.

Σημείωση: Στα κατά την έννοια του σημείου 7A103.δ συστήματα ελέγχου πτήσης και αεροπλοήγησης περιλαμβάνονται οι γυροσκοπικοί σταθεροποιητές, οι αυτόματοι πιλότοι και αδρανειακά συστήματα πλοήγησης.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 7A103, ως «βλήματα» νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων εναέριων οχημάτων με ακτίνα δράσης άνω των 300 km.

7A104

Γυροαστροσκοπικές πυξίδες και άλλες διατάξεις, εκτός των προβλεπομένων στην παράγραφο 7Α004, που καθορίζουν τη θέση ή τον προσανατολισμό μέσω αυτόματης παρακολούθησης ουρανίων σωμάτων ή δορυφόρων, καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη τους.

7A105

Εξοπλισμοί λήψης σημάτων από παγκόσμια συστήματα δορυφορικής πλοήγησης (GNSS, π.χ. το GPS, το GLONASS ή το Galileo), εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στο σημείο 7A005, με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά, καθώς και συστατικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα γι’ αυτούς:

| α. | σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι προς χρήση σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004, σε μη επανδρωμένα εναέρια οχήματα που ορίζονται στο σημείο 9Α012 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104, ή |
| --- | --- |

α.

σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι προς χρήση σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004, σε μη επανδρωμένα εναέρια οχήματα που ορίζονται στο σημείο 9Α012 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104, ή

| β. | σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι για εναέριες εφαρμογές, με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:






  1. | ικανότητα παροχής αεροπλοηγικών πληροφοριών σε ταχύτητες άνω των 600 m/s, |
| --- | --- | --- |

β.

σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι για εναέριες εφαρμογές, με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1.

ικανότητα παροχής αεροπλοηγικών πληροφοριών σε ταχύτητες άνω των 600 m/s,

| 2. | χρησιμοποίηση αποκρυπτογραφικών μέσων σχεδιασμένων ή τροποποιημένων για στρατιωτικές ή κρατικές υπηρεσίες, με σκοπό την πρόσβαση σε ασφαλισμένα σήματα/δεδομένα GNSS, ή |
| --- | --- |

2.

χρησιμοποίηση αποκρυπτογραφικών μέσων σχεδιασμένων ή τροποποιημένων για στρατιωτικές ή κρατικές υπηρεσίες, με σκοπό την πρόσβαση σε ασφαλισμένα σήματα/δεδομένα GNSS, ή

| 3. | ειδικό σχεδιασμό για να χρησιμοποιούν αντιπαρεμβολικά χαρακτηριστικά (π.χ. κεραία μηδενικής ή ηλεκτρονικής καθοδήγησης) για να λειτουργούν σε περιβάλλον ενεργητικών ή παθητικών αντιμέτρων. |
| --- | --- |

3.

ειδικό σχεδιασμό για να χρησιμοποιούν αντιπαρεμβολικά χαρακτηριστικά (π.χ. κεραία μηδενικής ή ηλεκτρονικής καθοδήγησης) για να λειτουργούν σε περιβάλλον ενεργητικών ή παθητικών αντιμέτρων.

Σημείωση: Στα σημεία 7Α105.β.2 και 7Α105.β.3 δεν υπάγεται ο εξοπλισμός που είναι σχεδιασμένος για εμπορικές, πολιτικές ή σωστικές (π.χ. ακεραιότητα δεδομένων, ασφάλεια πτήσεων) υπηρεσίες GNSS.

7A106

Ραδιοϋψίμετρα ή ραδιοϋψίμετρα laser, εκτός των καθοριζομένων στην παράγραφο 7Α006, τα οποία έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούνται σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104.

7A115

Παθητικοί αισθητήρες για τον καθορισμό της συμπεριφοράς έναντι ειδικών ηλεκτρομαγνητικών πηγών (εξοπλισμός εξεύρεσης της κατεύθυνσης) ή για τον καθορισμό των χαρακτηριστικών του εδάφους, οι οποίοι έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούνται σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104.

Σημείωση: Το 7Α115 περιλαμβάνει αισθητήρες για τον ακόλουθο εξοπλισμό:

| α. | Εξοπλισμός χαρτογράφησης εδάφους, |
| --- | --- |

α.

Εξοπλισμός χαρτογράφησης εδάφους,

| β. | Αισθητήρες εξοπλισμού απεικόνισης (ενεργητικοί και παθητικοί), |
| --- | --- |

β.

Αισθητήρες εξοπλισμού απεικόνισης (ενεργητικοί και παθητικοί),

| γ. | Παθητικός εξοπλισμός συμβολομέτρου. |
| --- | --- |

γ.

Παθητικός εξοπλισμός συμβολομέτρου.

7A116

Συστήματα ελέγχου πτήσης και σερβοβαλβίδες των ακολούθων τύπων που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για χρήση σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή για πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104.

| α. | Υδραυλικά, μηχανικά, ηλεκτρο-οπτικά, ή ηλεκτρομηχανικά συστήματα ελέγχου πτήσης [συμπεριλαμβανομένων των τύπων εκτέλεσης χειρισμών διά ηλεκτρικών σημάτων (fly by wire)], |
| --- | --- |

α.

Υδραυλικά, μηχανικά, ηλεκτρο-οπτικά, ή ηλεκτρομηχανικά συστήματα ελέγχου πτήσης [συμπεριλαμβανομένων των τύπων εκτέλεσης χειρισμών διά ηλεκτρικών σημάτων (fly by wire)],

| β. | Εξοπλισμός ένδειξης του ύψους, |
| --- | --- |

β.

Εξοπλισμός ένδειξης του ύψους,

| γ. | Σερβοβαλβίδες ελέγχου πτήσης, σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για τα συστήματα που προσδιορίζονται στο 7Α116.α ή στο 7Α116.β, και σχεδιασμένες ή τροποποιημένες ώστε να λειτουργούν σε περιβάλλον κραδασμών με τετραγωνικό μέσο όρο (rms) επιτάχυνσης άνω των 10 g μεταξύ 20 Hz και 2 kHz. |
| --- | --- |

γ.

Σερβοβαλβίδες ελέγχου πτήσης, σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για τα συστήματα που προσδιορίζονται στο 7Α116.α ή στο 7Α116.β, και σχεδιασμένες ή τροποποιημένες ώστε να λειτουργούν σε περιβάλλον κραδασμών με τετραγωνικό μέσο όρο (rms) επιτάχυνσης άνω των 10 g μεταξύ 20 Hz και 2 kHz.

7A117

«Σύνολα καθοδήγησης», χρησιμοποιήσιμα σε «βλήματα» ικανά να επιτύχουν ακρίβεια συστήματος μικρότερη ή ίση προς 3,33 % της εμβέλειας (π.χ. πιθανότητα κυκλικού σφάλματος «CEP» 10 km ή λιγότερο σε εμβέλεια 300 km).

7B   Εξοπλισμός Δοκιμών, Ελέγχου και Παραγωγής

| 7B001 | Εξοπλισμός δοκιμής, διακρίβωσης ή ευθυγράμμισης που έχει ειδικά σχεδιαστεί για τον εξοπλισμό που καθορίζεται στην υποκατηγορία 7Α.


  Σημείωση: Στο σημείο 7Β001 δεν υπάγεται ο εξοπλισμός δοκιμής, διακρίβωσης ή ευθυγράμμισης για το «Επίπεδο Συντήρησης I» και το «Επίπεδο Συντήρησης II».



  Τεχνικές παρατηρήσεις:








  1. | «Συντήρηση επιπέδου I»

  Η αστοχία μονάδας αδρανειακής πλοήγησης εντοπίζεται στο αεροσκάφος με ενδείξεις στη μονάδα ελέγχου και οπτικοποίησης (control and display unit, CDU) ή με το μήνυμα που στέλνει το αντίστοιχο υποσύστημα. Σύμφωνα με το εγχειρίδιο του κατασκευαστή το αίτιο της αστοχίας είναι δυνατό να εντοπιστεί στο επίπεδο της κακά λειτουργούσης αντικαταστάσιμης μονάδας (line replaceable unit, LRU). Ο χειριστής αφαιρεί εν συνεχεία τη μονάδα LRU και την αντικαθιστά με εφεδρική. |
| --- | --- | --- |

7B001

Εξοπλισμός δοκιμής, διακρίβωσης ή ευθυγράμμισης που έχει ειδικά σχεδιαστεί για τον εξοπλισμό που καθορίζεται στην υποκατηγορία 7Α.

Σημείωση: Στο σημείο 7Β001 δεν υπάγεται ο εξοπλισμός δοκιμής, διακρίβωσης ή ευθυγράμμισης για το «Επίπεδο Συντήρησης I» και το «Επίπεδο Συντήρησης II».

Τεχνικές παρατηρήσεις:

1.

Η αστοχία μονάδας αδρανειακής πλοήγησης εντοπίζεται στο αεροσκάφος με ενδείξεις στη μονάδα ελέγχου και οπτικοποίησης (control and display unit, CDU) ή με το μήνυμα που στέλνει το αντίστοιχο υποσύστημα. Σύμφωνα με το εγχειρίδιο του κατασκευαστή το αίτιο της αστοχίας είναι δυνατό να εντοπιστεί στο επίπεδο της κακά λειτουργούσης αντικαταστάσιμης μονάδας (line replaceable unit, LRU). Ο χειριστής αφαιρεί εν συνεχεία τη μονάδα LRU και την αντικαθιστά με εφεδρική.

| 2. | «Συντήρηση επιπέδου ΙI»

  Η ελαττωματική LRU αποστέλλεται στο εργαστήριο συντήρησης (του κατασκευαστή ή του χρήστη που είναι υπεύθυνος για τη συντήρηση δευτέρου επιπέδου). Στο εργαστήριο συντήρησης η κακώς λειτουργούσα LRU υπόκειται σε δοκιμές με τα κατάλληλα μέσα για να διαπιστωθεί και εντοπιστεί το ελαττωματικό συναρμολόγημα προς αντικατάσταση στο εργαστήριο (shop replaceable assembly, SRA). Το SRA αφαιρείται και αντικαθίσταται με εφεδρικό που λειτουργεί. Το ελαττωματικό SRA (ή ενδεχομένως η πλήρης LRU) αποστέλλεται εν συνεχεία στον κατασκευαστή. Το «επίπεδο συντήρησης II» δεν περιλαμβάνει την αποσυναρμολόγηση ή επισκευή των επιταχυνσιομέτρων ή αισθητήρων γυροσκοπίων που υπόκεινται σε ελέγχους. |
| --- | --- |

2.

Η ελαττωματική LRU αποστέλλεται στο εργαστήριο συντήρησης (του κατασκευαστή ή του χρήστη που είναι υπεύθυνος για τη συντήρηση δευτέρου επιπέδου). Στο εργαστήριο συντήρησης η κακώς λειτουργούσα LRU υπόκειται σε δοκιμές με τα κατάλληλα μέσα για να διαπιστωθεί και εντοπιστεί το ελαττωματικό συναρμολόγημα προς αντικατάσταση στο εργαστήριο (shop replaceable assembly, SRA). Το SRA αφαιρείται και αντικαθίσταται με εφεδρικό που λειτουργεί. Το ελαττωματικό SRA (ή ενδεχομένως η πλήρης LRU) αποστέλλεται εν συνεχεία στον κατασκευαστή. Το «επίπεδο συντήρησης II» δεν περιλαμβάνει την αποσυναρμολόγηση ή επισκευή των επιταχυνσιομέτρων ή αισθητήρων γυροσκοπίων που υπόκεινται σε ελέγχους.

7B002

Ο εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιαστεί για τον ποιοτικό χαρακτηρισμό των καθρεπτών για γυροσκόπια δακτυλίων «λέιζερ» ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 7B102.

| α. | Μετρητές διασποράς με ακρίβεια μέτρησης ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 10 ppm, |
| --- | --- |

α.

Μετρητές διασποράς με ακρίβεια μέτρησης ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 10 ppm,

| β. | Κατατομόμετρα (profilometers) με ακρίβεια μέτρησης ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 0,5 nm (5 angstrom). |
| --- | --- |

β.

Κατατομόμετρα (profilometers) με ακρίβεια μέτρησης ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 0,5 nm (5 angstrom).

7B003

Εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος για την «παραγωγή» του εξοπλισμού που καθορίζεται στην υποπαράγραφο 7Α.

Σημείωση: Στο 7B003 περιλαμβάνονται:

| — | Σταθμοί δοκιμών συντονισμού γυροσκοπίων, |
| --- | --- |

—

Σταθμοί δοκιμών συντονισμού γυροσκοπίων,

| — | Σταθμοί δυναμικής ζυγοστάθμισης γυροσκοπίων, |
| --- | --- |

—

Σταθμοί δυναμικής ζυγοστάθμισης γυροσκοπίων,

| — | Σταθμοί ελέγχου του ρονταρίσματος γυροσκοπίων δοκιμών κινητήρων, |
| --- | --- |

—

Σταθμοί ελέγχου του ρονταρίσματος γυροσκοπίων δοκιμών κινητήρων,

| — | Σταθμοί εκκένωσης και πλήρωσης γυροσκοπίων, |
| --- | --- |

—

Σταθμοί εκκένωσης και πλήρωσης γυροσκοπίων,

| — | Κεντρόφυγη στερέωση για εφέδρανα γυροσκοπίων, |
| --- | --- |

—

Κεντρόφυγη στερέωση για εφέδρανα γυροσκοπίων,

| — | Σταθμοί για την ευθυγράμμιση των αξόνων επιταχυνσιομέτρων, |
| --- | --- |

—

Σταθμοί για την ευθυγράμμιση των αξόνων επιταχυνσιομέτρων,

| — | Μηχανές περιέλιξης γυροσκοπικών πηνίων οπτικών ινών. |
| --- | --- |

—

Μηχανές περιέλιξης γυροσκοπικών πηνίων οπτικών ινών.

7B102

Ανακλασιόμετρα ειδικά σχεδιασμένα για τον χαρακτηρισμό κατόπτρων, για γυροσκόπια «laser» με ακρίβεια μέτρησης ίση ή μικρότερη (καλύτερη) των 50 ppm.

7B103

«Εγκαταστάσεις παραγωγής» και «εξοπλισμός παραγωγής» ως εξής:

| α. | «Εγκαταστάσεις παραγωγής» ειδικά σχεδιασμένες για τον εξοπλισμό που καθορίζεται στο 7A117, |
| --- | --- |

α.

«Εγκαταστάσεις παραγωγής» ειδικά σχεδιασμένες για τον εξοπλισμό που καθορίζεται στο 7A117,

| β. | «Εξοπλισμός παραγωγής», και άλλος εξοπλισμός δοκιμής, διακρίβωσης και ευθυγράμμισης, εκτός από αυτόν που καθορίζεται στα 7Β001 έως 7Β003, σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για να χρησιμοποιείται με τον εξοπλισμό που καθορίζεται στο 7Α. |
| --- | --- |

β.

«Εξοπλισμός παραγωγής», και άλλος εξοπλισμός δοκιμής, διακρίβωσης και ευθυγράμμισης, εκτός από αυτόν που καθορίζεται στα 7Β001 έως 7Β003, σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για να χρησιμοποιείται με τον εξοπλισμό που καθορίζεται στο 7Α.

7C   Υλικά

Ουδέν.

7D   Λογισμικό

| 7D001 | «Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» του εξοπλισμού που καθορίζεται στις παραγράφους 7Α ή 7Β. |
| --- | --- |
| 7D002 | Λογισμικό σε «πηγαίο κώδικα» για τη λειτουργία ή συντήρηση οποιουδήποτε εξοπλισμού αδρανειακής πλοήγησης, συμπεριλαμβανομένων των αδρανειακών εξοπλισμών που δεν καθορίζονται στα σημεία 7Α003 ή 7Α004, ή σε συστήματα αναφοράς θέσης και πορείας αεροσκάφους (Attitude Heading Reference Systems, «AHRS»).


  Σημείωση: Στο σημείο 7D002 δεν υπάγεται ο «πηγαίος κώδικας» για τη «χρήση»«AHRS» με καρδανική ανάρτηση.



  Τεχνική παρατήρηση:


  Τα συστήματα «AHRS» κατά κανόνα διαφέρουν από τα συστήματα αδρανειακής πλοήγησης (INS) κατά το ότι ένα σύστημα «AHRS» παρέχει πληροφορίες για την πορεία του αεροσκάφους και κατά κανόνα δεν παρέχει πληροφορίες σχετικά με την επιτάχυνση, την ταχύτητα και τη θέση που παρέχονται από ένα σύστημα INS. |
| 7D003 | Λοιπό «λογισμικό», ως εξής:






  α. | «Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για να βελτιώνει τις επιδόσεις σε επιχειρησιακό επίπεδο ή να περιορίζει το σφάλμα πλοήγησης των συστημάτων στα μεγέθη που καθορίζονται στις παραγράφους 7Α003, 7Α004 ή 7Α008, |

7D001

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» του εξοπλισμού που καθορίζεται στις παραγράφους 7Α ή 7Β.

7D002

Λογισμικό σε «πηγαίο κώδικα» για τη λειτουργία ή συντήρηση οποιουδήποτε εξοπλισμού αδρανειακής πλοήγησης, συμπεριλαμβανομένων των αδρανειακών εξοπλισμών που δεν καθορίζονται στα σημεία 7Α003 ή 7Α004, ή σε συστήματα αναφοράς θέσης και πορείας αεροσκάφους (Attitude Heading Reference Systems, «AHRS»).

Σημείωση: Στο σημείο 7D002 δεν υπάγεται ο «πηγαίος κώδικας» για τη «χρήση»«AHRS» με καρδανική ανάρτηση.

Τεχνική παρατήρηση:

Τα συστήματα «AHRS» κατά κανόνα διαφέρουν από τα συστήματα αδρανειακής πλοήγησης (INS) κατά το ότι ένα σύστημα «AHRS» παρέχει πληροφορίες για την πορεία του αεροσκάφους και κατά κανόνα δεν παρέχει πληροφορίες σχετικά με την επιτάχυνση, την ταχύτητα και τη θέση που παρέχονται από ένα σύστημα INS.

7D003

Λοιπό «λογισμικό», ως εξής:

α.

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για να βελτιώνει τις επιδόσεις σε επιχειρησιακό επίπεδο ή να περιορίζει το σφάλμα πλοήγησης των συστημάτων στα μεγέθη που καθορίζονται στις παραγράφους 7Α003, 7Α004 ή 7Α008,

| β. | Λογισμικό σε «πηγαίο κώδικα» για υβριδικά ολοκληρωμένα συστήματα το οποίο βελτιώνει τις επιδόσεις σε επιχειρησιακό επίπεδο ή περιορίζει το σφάλμα πλοήγησης των συστημάτων στα μεγέθη που καθορίζονται στην παράγραφο 7Α003 ή 7Α008, διά του συνεχούς συνδυασμού δεδομένων από την αδρανειακή πλοήγηση με οιαδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Δεδομένα ταχύτητας ηχοεντοπιστή ή ραδιοεντοπιστή Doppler, |
| --- | --- | --- |

β.

Λογισμικό σε «πηγαίο κώδικα» για υβριδικά ολοκληρωμένα συστήματα το οποίο βελτιώνει τις επιδόσεις σε επιχειρησιακό επίπεδο ή περιορίζει το σφάλμα πλοήγησης των συστημάτων στα μεγέθη που καθορίζονται στην παράγραφο 7Α003 ή 7Α008, διά του συνεχούς συνδυασμού δεδομένων από την αδρανειακή πλοήγηση με οιαδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Δεδομένα ταχύτητας ηχοεντοπιστή ή ραδιοεντοπιστή Doppler,

| 2. | Δεδομένα αναφοράς από δορυφορικά συστήματα παγκόσμιας πλοήγησης (GNSS), ή |
| --- | --- |

2.

Δεδομένα αναφοράς από δορυφορικά συστήματα παγκόσμιας πλοήγησης (GNSS), ή

| 3. | Δεδομένα συστημάτων «Πλοήγησης βάσει Καταχωρημένων Δεδομένων» («DBRN»). |
| --- | --- |

3.

Δεδομένα συστημάτων «Πλοήγησης βάσει Καταχωρημένων Δεδομένων» («DBRN»).

| γ. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

γ.

Δεν χρησιμοποιείται,

| δ. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

δ.

Δεν χρησιμοποιείται,

| ε. | Λογισμικό σχεδιασμού με τη βοήθεια ηλεκτρονικού υπολογιστή (CAD) ειδικά σχεδιασμένο για την «ανάπτυξη»«ενεργών συστημάτων ελέγχου πτήσης», πολυαξονικών συστημάτων χειρισμού διά ηλεκτρικών ή οπτο-ηλεκτρονικών σημάτων ελικοπτέρων ή συστημάτων χειρισμού της εκτροπής ή της κατεύθυνσης δι’ ελέγχου της κυκλοφορίας, των οποίων «η τεχνολογία», καθορίζεται στο 7Ε004.β., 7Ε004.γ.1. ή 7Ε004.γ.2. |
| --- | --- |

ε.

Λογισμικό σχεδιασμού με τη βοήθεια ηλεκτρονικού υπολογιστή (CAD) ειδικά σχεδιασμένο για την «ανάπτυξη»«ενεργών συστημάτων ελέγχου πτήσης», πολυαξονικών συστημάτων χειρισμού διά ηλεκτρικών ή οπτο-ηλεκτρονικών σημάτων ελικοπτέρων ή συστημάτων χειρισμού της εκτροπής ή της κατεύθυνσης δι’ ελέγχου της κυκλοφορίας, των οποίων «η τεχνολογία», καθορίζεται στο 7Ε004.β., 7Ε004.γ.1. ή 7Ε004.γ.2.

7D004

«Πηγαίος κώδικας» που εμπεριέχει «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» που προσδιορίζεται στα σημεία 7E004.α.1. έως 7E004.α.6. ή 7E004.β., για οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

| α. | Ψηφιακά συστήματα διαχείρισης πτήσης για «πλήρη έλεγχο της πτήσης», |
| --- | --- |

α.

Ψηφιακά συστήματα διαχείρισης πτήσης για «πλήρη έλεγχο της πτήσης»,

| β. | Ολοκληρωμένα συστήματα πρόωσης και ελέγχου πτήσης, |
| --- | --- |

β.

Ολοκληρωμένα συστήματα πρόωσης και ελέγχου πτήσης,

| γ. | Συστήματα χειρισμού διά ηλεκτρικών (fly-by-wire) ή οπτο-ηλεκτρονικών σημάτων (flight-by-light), |
| --- | --- |

γ.

Συστήματα χειρισμού διά ηλεκτρικών (fly-by-wire) ή οπτο-ηλεκτρονικών σημάτων (flight-by-light),

| δ. | «Ενεργά συστήματα ελέγχου πτήσης» με ανοχή βλάβης ή αυτοεπανόρθωση, |
| --- | --- |

δ.

«Ενεργά συστήματα ελέγχου πτήσης» με ανοχή βλάβης ή αυτοεπανόρθωση,

| ε. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

ε.

Δεν χρησιμοποιείται,

| στ. | Συστήματα πληροφοριών αέρος βασιζόμενα σε στατικές πληροφορίες επιφανείας, ή |
| --- | --- |

στ.

Συστήματα πληροφοριών αέρος βασιζόμενα σε στατικές πληροφορίες επιφανείας, ή

| ζ. | Οθόνες τρισδιάστατης απεικόνισης. |
| --- | --- |

ζ.

Οθόνες τρισδιάστατης απεικόνισης.

Σημείωση: Στο σημείο 7D004. δεν υπάγεται «πηγαίος κώδικας» που συνδέεται με κοινά στοιχεία και προγράμματα (utilities) υπολογιστών (π.χ. απόκτηση σημάτων εισόδου, μετάδοση σημάτων εξόδου, φόρτωση προγραμμάτων και δεδομένων υπολογιστών, ενσωματωμένη δοκιμή, μηχανισμοί προγραμματισμού εργασιών) που δεν παρέχουν συγκεκριμένη λειτουργία για τα συστήματα ελέγχου πτήσης.

7D005

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για την αποκρυπτογράφηση κωδικών μέτρησης των παγκόσμιων συστημάτων δορυφορικής πλοήγησης (GNSS) σχεδιασμένο για κρατική χρήση.

7D101

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για «χρήση» σε εξοπλισμό προσδιοριζόμενο στα σημεία 7A001 έως 7A006, 7A101 έως 7A106, 7A115, 7A116.α., 7A116.β., 7B001, 7B002, 7B003, 7B102 ή 7B103.

7D102

Συνολοκληρωτικό «λογισμικό», ως εξής:

| α. | Συνολοκληρωτικό «λογισμικό» για τον εξοπλισμό που καθορίζεται στην παράγραφο 7Α103.β., |
| --- | --- |

α.

Συνολοκληρωτικό «λογισμικό» για τον εξοπλισμό που καθορίζεται στην παράγραφο 7Α103.β.,

| β. | Συνολοκληρωτικό «λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για τον εξοπλισμό που καθορίζεται στις παραγράφους 7Α003 ή 7Α103.α. |
| --- | --- |

β.

Συνολοκληρωτικό «λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για τον εξοπλισμό που καθορίζεται στις παραγράφους 7Α003 ή 7Α103.α.

| γ. | Συνολοκληρωτικό «λογισμικό» σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για τον εξοπλισμό που καθορίζεται στην παράγραφο 7Α103.γ.


  Σημείωση: Μια συχνή μορφή συνολοκληρωτικού «λογισμικού» χρησιμοποιεί φίλτρα Kalman. |
| --- | --- |

γ.

Συνολοκληρωτικό «λογισμικό» σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για τον εξοπλισμό που καθορίζεται στην παράγραφο 7Α103.γ.

Σημείωση: Μια συχνή μορφή συνολοκληρωτικού «λογισμικού» χρησιμοποιεί φίλτρα Kalman.

7D103

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για δραστηριότητες εκπόνησης μοντέλων ή εξομοίωσης των «συνόλων καθοδήγησης» που προσδιορίζονται στο σημείο 7Α117 ή για τη σχεδιαστική τους ολοκλήρωση με τα οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή τις πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104.

Σημείωση: Το «λογισμικό» που προσδιορίζεται στο σημείο 7D103 εξακολουθεί να ελέγχεται όταν συνδυάζεται με ειδικά σχεδιασμένο υλικό που προσδιορίζεται στο σημείο 4Α102.

7E   Τεχνολογία

| 7E001 | «Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» εξοπλισμού ή «λογισμικού» που καθορίζονται στα σημεία 7Α, 7Β, 7D001, 7D002, 7D003, 7D005 και 7D101 έως 7D103.


  Σημείωση: Το σημείο 7E001 περιλαμβάνει «τεχνολογία» διαχείρισης κλειδών αποκλειστικά για τον εξοπλισμό που προσδιορίζεται στο σημείο 7A005.α. |
| --- | --- |
| 7E002 | «Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «παραγωγή» εξοπλισμού που καθορίζονται στις παραγράφους 7Α ή 7Β. |
| 7E003 | «Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την επιδιόρθωση, ανακαίνιση ή γενική επισκευή του εξοπλισμού που καθορίζεται στις παραγράφους 7Α001 έως 7Α004.


  Σημείωση: Στο σημείο 7Ε003 δεν υπάγεται η «τεχνολογία» συντήρησης που αφορά άμεσα τη διακρίβωση, την αφαίρεση ή την αντικατάσταση φθαρμένων ή μη επιδεχομένων επιδιόρθωση LRU και SRA «πολιτικού αεροσκάφους» σύμφωνα με την περιγραφή του «Επιπέδου Συντήρησης I» ή του «Επιπέδου Συντήρησης II».



  ΣΗΜ.: Βλέπε τεχνικές παρατηρήσεις επί της παραγράφου 7B001. |
| 7E004 | Λοιπές «τεχνολογίες», ως εξής:






  α. | «Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» οιουδήποτε των ακολούθων:






  1. | Δεν χρησιμοποιείται, |

7E001

«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» εξοπλισμού ή «λογισμικού» που καθορίζονται στα σημεία 7Α, 7Β, 7D001, 7D002, 7D003, 7D005 και 7D101 έως 7D103.

Σημείωση: Το σημείο 7E001 περιλαμβάνει «τεχνολογία» διαχείρισης κλειδών αποκλειστικά για τον εξοπλισμό που προσδιορίζεται στο σημείο 7A005.α.

7E002

«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «παραγωγή» εξοπλισμού που καθορίζονται στις παραγράφους 7Α ή 7Β.

7E003

«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την επιδιόρθωση, ανακαίνιση ή γενική επισκευή του εξοπλισμού που καθορίζεται στις παραγράφους 7Α001 έως 7Α004.

Σημείωση: Στο σημείο 7Ε003 δεν υπάγεται η «τεχνολογία» συντήρησης που αφορά άμεσα τη διακρίβωση, την αφαίρεση ή την αντικατάσταση φθαρμένων ή μη επιδεχομένων επιδιόρθωση LRU και SRA «πολιτικού αεροσκάφους» σύμφωνα με την περιγραφή του «Επιπέδου Συντήρησης I» ή του «Επιπέδου Συντήρησης II».

ΣΗΜ.: Βλέπε τεχνικές παρατηρήσεις επί της παραγράφου 7B001.

7E004

Λοιπές «τεχνολογίες», ως εξής:

α.

«Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» οιουδήποτε των ακολούθων:

1.

Δεν χρησιμοποιείται,

| 2. | Συστημάτων πληροφοριών αέρος βασιζομένων μόνο σε στατικές πληροφορίες επιφανείας, δηλαδή που δεν χρησιμοποιούν συμβατικά αεροστόμια συλλογής δεδομένων, |
| --- | --- |

2.

Συστημάτων πληροφοριών αέρος βασιζομένων μόνο σε στατικές πληροφορίες επιφανείας, δηλαδή που δεν χρησιμοποιούν συμβατικά αεροστόμια συλλογής δεδομένων,

| 3. | Οθονών τρισδιάστατης απεικόνισης για «αεροσκάφη», |
| --- | --- |

3.

Οθονών τρισδιάστατης απεικόνισης για «αεροσκάφη»,

| 4. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

4.

Δεν χρησιμοποιείται,

| 5. | Ηλεκτρικών συστημάτων κίνησης (actuator) (δηλαδή ηλεκτρομηχανικών, ηλεκτροϋδραυλικών και ολοκληρωμένων συσκευών κίνησης), ειδικά σχεδιασμένων για «κύριο έλεγχο πτήσης», |
| --- | --- |

5.

Ηλεκτρικών συστημάτων κίνησης (actuator) (δηλαδή ηλεκτρομηχανικών, ηλεκτροϋδραυλικών και ολοκληρωμένων συσκευών κίνησης), ειδικά σχεδιασμένων για «κύριο έλεγχο πτήσης»,

| 6. | «Συστοιχίας οπτικών αισθητήρων ελέγχου πτήσης» ειδικά σχεδιασμένης για την εφαρμογή «ενεργών συστημάτων ελέγχου πτήσης», ή |
| --- | --- |

6.

«Συστοιχίας οπτικών αισθητήρων ελέγχου πτήσης» ειδικά σχεδιασμένης για την εφαρμογή «ενεργών συστημάτων ελέγχου πτήσης», ή

| 7. | Συστημάτων «DBRN» σχεδιασμένων για υποβρύχια πλοήγηση με χρήση ηχοεντοπιστικών ή βαρυτικών βάσεων δεδομένων που παρέχουν ακρίβεια προσδιορισμού θέσης ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 0,4 ναυτικά μίλια. |
| --- | --- |

7.

Συστημάτων «DBRN» σχεδιασμένων για υποβρύχια πλοήγηση με χρήση ηχοεντοπιστικών ή βαρυτικών βάσεων δεδομένων που παρέχουν ακρίβεια προσδιορισμού θέσης ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 0,4 ναυτικά μίλια.

| β. | Η ακόλουθη «τεχνολογία»«ανάπτυξης»«ενεργών συστημάτων ελέγχου πτήσης» (περιλαμβανομένων των συστημάτων χειρισμού διά ηλεκτρικών ή οπτο-ηλεκτρονικών σημάτων):






  1. | Φωτονική «τεχνολογία» για την αναγνώριση της κατάστασης δομικών στοιχείων αεροσκαφών ή ελέγχου πτήσεως, τη «μετάδοση δεδομένων ελέγχου πτήσεως» ή την έκδοση εντολών κίνησης ενεργοποιητή, που «απαιτείται» για «ενεργά συστήματα ελέγχου πτήσεως» διά οπτο-ηλεκτρονικών σημάτων (flight-by-light), |
| --- | --- | --- |

β.

Η ακόλουθη «τεχνολογία»«ανάπτυξης»«ενεργών συστημάτων ελέγχου πτήσης» (περιλαμβανομένων των συστημάτων χειρισμού διά ηλεκτρικών ή οπτο-ηλεκτρονικών σημάτων):

1.

Φωτονική «τεχνολογία» για την αναγνώριση της κατάστασης δομικών στοιχείων αεροσκαφών ή ελέγχου πτήσεως, τη «μετάδοση δεδομένων ελέγχου πτήσεως» ή την έκδοση εντολών κίνησης ενεργοποιητή, που «απαιτείται» για «ενεργά συστήματα ελέγχου πτήσεως» διά οπτο-ηλεκτρονικών σημάτων (flight-by-light),

| 2. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

2.

Δεν χρησιμοποιείται,

| 3. | Αλγόριθμοι πραγματικού χρόνου για την ανάλυση πληροφοριών από αισθητήρες δομικών στοιχείων με σκοπό την πρόβλεψη και την προληπτική απάλυνση επερχόμενων υποβαθμίσεων και βλαβών των δομικών στοιχείων εντός «ενεργού συστήματος ελέγχου πτήσεως»,


  Σημείωση: Στο σημείο 7E004.β.3. δεν υπάγονται αλγόριθμοι που προορίζονται για συντήρηση εκτός γραμμής. |
| --- | --- |

3.

Αλγόριθμοι πραγματικού χρόνου για την ανάλυση πληροφοριών από αισθητήρες δομικών στοιχείων με σκοπό την πρόβλεψη και την προληπτική απάλυνση επερχόμενων υποβαθμίσεων και βλαβών των δομικών στοιχείων εντός «ενεργού συστήματος ελέγχου πτήσεως»,

Σημείωση: Στο σημείο 7E004.β.3. δεν υπάγονται αλγόριθμοι που προορίζονται για συντήρηση εκτός γραμμής.

| 4. | Αλγόριθμοι πραγματικού χρόνου για τον εντοπισμό βλαβών σε δομικά στοιχεία και την επανόρθωση των χειριστηρίων δύναμης και ροπής με σκοπό την απάλυνση υποβαθμίσεων και βλαβών του «ενεργού συστήματος ελέγχου πτήσεως»,


  Σημείωση: Στο σημείο 7E004.β.4. δεν υπάγονται αλγόριθμοι για την εξάλειψη των συνεπειών βλαβών μέσω σύγκρισης των εφεδρικών πηγών δεδομένων, ή τις εκτός γραμμής, εκ των προτέρων προγραμματισμένες αποκρίσεις σε αναμενόμενες βλάβες. |
| --- | --- |

4.

Αλγόριθμοι πραγματικού χρόνου για τον εντοπισμό βλαβών σε δομικά στοιχεία και την επανόρθωση των χειριστηρίων δύναμης και ροπής με σκοπό την απάλυνση υποβαθμίσεων και βλαβών του «ενεργού συστήματος ελέγχου πτήσεως»,

Σημείωση: Στο σημείο 7E004.β.4. δεν υπάγονται αλγόριθμοι για την εξάλειψη των συνεπειών βλαβών μέσω σύγκρισης των εφεδρικών πηγών δεδομένων, ή τις εκτός γραμμής, εκ των προτέρων προγραμματισμένες αποκρίσεις σε αναμενόμενες βλάβες.

| 5. | Ενοποίηση των ψηφιακών πληροφοριών ελέγχου πτήσης, πλοήγησης και πρόωσης σε ενιαίο ψηφιακό σύστημα διαχείρισης πτήσης για τον «πλήρη έλεγχο της πτήσης»,


  Σημείωση: Στο 7Ε004.β.5. δεν υπάγονται:








  α. | Η «τεχνολογία»«ανάπτυξης» για την ενοποίηση των ψηφιακών πληροφοριών ελέγχου πτήσης, πλοήγησης σε ενιαίο ψηφιακό σύστημα ελέγχου πτήσης για την «βελτιστοποίηση της πορείας πτήσης», |
| --- | --- | --- |

5.

Ενοποίηση των ψηφιακών πληροφοριών ελέγχου πτήσης, πλοήγησης και πρόωσης σε ενιαίο ψηφιακό σύστημα διαχείρισης πτήσης για τον «πλήρη έλεγχο της πτήσης»,

Σημείωση: Στο 7Ε004.β.5. δεν υπάγονται:

α.

Η «τεχνολογία»«ανάπτυξης» για την ενοποίηση των ψηφιακών πληροφοριών ελέγχου πτήσης, πλοήγησης σε ενιαίο ψηφιακό σύστημα ελέγχου πτήσης για την «βελτιστοποίηση της πορείας πτήσης»,

| β. | Η «τεχνολογία»«ανάπτυξης» συστημάτων οργάνων πτήσης «αεροσκαφών» ενοποιημένων μόνο για την πλοήγηση και την προσγείωση για VOR, DME, ILS ή MLS. |
| --- | --- |

β.

Η «τεχνολογία»«ανάπτυξης» συστημάτων οργάνων πτήσης «αεροσκαφών» ενοποιημένων μόνο για την πλοήγηση και την προσγείωση για VOR, DME, ILS ή MLS.

| 6. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

6.

Δεν χρησιμοποιείται,

Σημείωση: Στο σημείο 7E004.β. δεν υπάγεται «τεχνολογία» που συνδέεται με κοινά στοιχεία και προγράμματα (utilities) υπολογιστών (π.χ. απόκτηση σημάτων εισόδου, μετάδοση σημάτων εξόδου, φόρτωση προγραμμάτων και δεδομένων υπολογιστών, ενσωματωμένη δοκιμή, μηχανισμοί προγραμματισμού εργασιών) που δεν παρέχουν συγκεκριμένη λειτουργία για τα συστήματα ελέγχου πτήσης.

| γ. | Η ακόλουθη «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» συστημάτων οργάνων ελικοπτέρων:






  1. | Πολυαξονικά χειριστήρια πτήσης δι’ ηλεκτρικών ή οπτοηλεκτρονικών σημάτων που συνδυάζουν σε ένα και μόνο στοιχείο χειρισμού τουλάχιστον δύο από τις ακόλουθες λειτουργίες:






  α. | Συλλογικό χειρισμό, |
| --- | --- | --- | --- |

γ.

Η ακόλουθη «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» συστημάτων οργάνων ελικοπτέρων:

1.

Πολυαξονικά χειριστήρια πτήσης δι’ ηλεκτρικών ή οπτοηλεκτρονικών σημάτων που συνδυάζουν σε ένα και μόνο στοιχείο χειρισμού τουλάχιστον δύο από τις ακόλουθες λειτουργίες:

α.

Συλλογικό χειρισμό,

| β. | Κυκλικό χειρισμό, |
| --- | --- |

β.

Κυκλικό χειρισμό,

| γ. | Χειρισμό εκτροπής. |
| --- | --- |

γ.

Χειρισμό εκτροπής.

| 2. | «Συστήματα χειρισμού με ελεγχόμενη ροή για την εξουδετέρωση ροπής ή κατεύθυνσης». |
| --- | --- |

2.

«Συστήματα χειρισμού με ελεγχόμενη ροή για την εξουδετέρωση ροπής ή κατεύθυνσης».

| 3. | Πτερύγια ρότορα ελικοπτέρου «Μεταβλητής Γεωμετρίας Αεροτομής» προς χρήση σε συστήματα τα οποία χρησιμοποιούν χειρισμό μεμονωμένων πτερυγίων. |
| --- | --- |

3.

Πτερύγια ρότορα ελικοπτέρου «Μεταβλητής Γεωμετρίας Αεροτομής» προς χρήση σε συστήματα τα οποία χρησιμοποιούν χειρισμό μεμονωμένων πτερυγίων.

7E101

«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας προς «χρήση» στον εξοπλισμό που καθορίζεται στις παραγράφους 7Α001 μέχρι 7Α006, 7Α101 μέχρι 7Α106, 7Α115 μέχρι 7Α117, 7Β001, 7Β002, 7Β003, 7Β102, 7Β103, 7D101 μέχρι 7D103.

7E102

Η ακόλουθη «τεχνολογία» για την προστασία αεροηλεκρονικών και ηλεκτρικών υποσυστημάτων από κινδύνους ηλεκτρομαγνητικών παλμών (EMP) και ηλεκτρομαγνητικών παρεμβολών (EMI) από εξωτερικές πηγές:

| α. | «Τεχνολογία» σχεδιασμού συστημάτων θωράκισης, |
| --- | --- |

α.

«Τεχνολογία» σχεδιασμού συστημάτων θωράκισης,

| β. | «Τεχνολογία» σχεδιασμού για τη διαμόρφωση ατρωτοποιημένων ηλεκτρικών κυκλωμάτων και υποσυστημάτων, |
| --- | --- |

β.

«Τεχνολογία» σχεδιασμού για τη διαμόρφωση ατρωτοποιημένων ηλεκτρικών κυκλωμάτων και υποσυστημάτων,

| γ. | «Τεχνολογία» σχεδιασμού για τον προσδιορισμό των κριτηρίων ατρωσίας της παραγράφου 7Ε102.α. και 7Ε102.β. |
| --- | --- |

γ.

«Τεχνολογία» σχεδιασμού για τον προσδιορισμό των κριτηρίων ατρωσίας της παραγράφου 7Ε102.α. και 7Ε102.β.

7E104

«Τεχνολογία» για την ενοποίηση των πληροφοριών ελέγχου πτήσεως, καθοδήγησης και προώσεως σε ένα σύστημα διαχείρισης πτήσεως με σκοπό τη βελτιστοποίηση της τροχιάς πυραυλικού συστήματος.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 8 — ΝΑΥΤΙΚΟ

8A   Συστήματα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη

| 8A001 | Τα εξής υποβρύχια οχήματα ή σκάφη επιφανείας:


  Σημείωση: Όσον αφορά τους περιορισμούς για τον εξοπλισμό υποβρυχίων οχημάτων, βλέπε:







  — | Κατηγορία 5, Μέρος 2 «Ασφάλεια πληροφοριών» για τον εξοπλισμό κρυπτογραφημένης επικοινωνίας, |
| --- | --- | --- |

8A001

Τα εξής υποβρύχια οχήματα ή σκάφη επιφανείας:

Σημείωση: Όσον αφορά τους περιορισμούς για τον εξοπλισμό υποβρυχίων οχημάτων, βλέπε:

—

Κατηγορία 5, Μέρος 2 «Ασφάλεια πληροφοριών» για τον εξοπλισμό κρυπτογραφημένης επικοινωνίας,

| — | Κατηγορία 6 για τους αισθητήρες, |
| --- | --- |

—

Κατηγορία 6 για τους αισθητήρες,

| — | Κατηγορίες 7 και 8 για τον εξοπλισμό πλοήγησης, |
| --- | --- |

—

Κατηγορίες 7 και 8 για τον εξοπλισμό πλοήγησης,

| — | Κατηγορία 8Α για τον υποβρύχιο εξοπλισμό. |
| --- | --- |

—

Κατηγορία 8Α για τον υποβρύχιο εξοπλισμό.

| α. | Επανδρωμένα, προσδεδεμένα υποβρύχια οχήματα σχεδιασμένα για να λειτουργούν σε βάθος άνω των 1 000 m, |
| --- | --- |

α.

Επανδρωμένα, προσδεδεμένα υποβρύχια οχήματα σχεδιασμένα για να λειτουργούν σε βάθος άνω των 1 000 m,

| β. | Επανδρωμένα, μη προσδεδεμένα υποβρύχια οχήματα που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Σχεδιασμένα να «λειτουργούν αυτόνομα» και με ικανότητα ανύψωσης:






  α. | 10 % ή περισσότερο του βάρους τους στον αέρα, και |
| --- | --- | --- | --- |

β.

Επανδρωμένα, μη προσδεδεμένα υποβρύχια οχήματα που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Σχεδιασμένα να «λειτουργούν αυτόνομα» και με ικανότητα ανύψωσης:

α.

10 % ή περισσότερο του βάρους τους στον αέρα, και

| β. | 15 kN ή περισσότερο, |
| --- | --- |

β.

15 kN ή περισσότερο,

| 2. | Σχεδιασμένα να λειτουργούν σε βάθος μεγαλύτερο από 1 000 m, ή |
| --- | --- |

2.

Σχεδιασμένα να λειτουργούν σε βάθος μεγαλύτερο από 1 000 m, ή

| 3. | Όλα τα ακόλουθα:






  α. | Σχεδιασμένα να «λειτουργούν αυτόνομα» για 10 ή περισσότερες ώρες, και |
| --- | --- | --- |

3.

Όλα τα ακόλουθα:

α.

Σχεδιασμένα να «λειτουργούν αυτόνομα» για 10 ή περισσότερες ώρες, και

| β. | Με «εμβέλεια» 25 ναυτικά μίλια ή περισσότερα, |
| --- | --- |

β.

Με «εμβέλεια» 25 ναυτικά μίλια ή περισσότερα,

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Για τους σκοπούς του σημείου 8Α001.β. «λειτουργούν αυτόνομα» σημαίνει πλήρως καταδεδυμένα, χωρίς σνόρκες με όλα τα συστήματα να λειτουργούν και να πλέουν με ελάχιστη ταχύτητα στην οποία το υποβρύχιο όχημα μπορεί να ελέγχει ασφαλώς δυναμικά το βάθος του χρησιμοποιώντας μόνο τα πτερύγια βάθους χωρίς να χρειάζεται πλοίο υποστήριξης ή βάση υποστήριξης στην επιφάνεια, στο βυθό ή στην ακτή και περιέχει προωστικό σύστημα για χρήση υποβρυχίως ή στην επιφάνεια. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Για τους σκοπούς του 8Α001.β. ως «εμβέλεια» νοείται η μέγιστη απόσταση κατά την οποία ένα υποβρύχιο όχημα μπορεί να «λειτουργήσει αυτόνομα». |
| --- | --- |

2.

| γ. | Μη επανδρωμένα, προσδεδεμένα υποβρύχια οχήματα σχεδιασμένα να λειτουργούν σε βάθος μεγαλύτερο από 1 000 m που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Σχεδιασμένα για αυτοπροωθούμενους ελιγμούς χρησιμοποιώντας κινητήρες πρόωσης ή προωθητήρες «έλικας-πηδαλίου» που καθορίζονται στο εδάφιο 8Α002.α.2., ή |
| --- | --- | --- |

γ.

Μη επανδρωμένα, προσδεδεμένα υποβρύχια οχήματα σχεδιασμένα να λειτουργούν σε βάθος μεγαλύτερο από 1 000 m που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Σχεδιασμένα για αυτοπροωθούμενους ελιγμούς χρησιμοποιώντας κινητήρες πρόωσης ή προωθητήρες «έλικας-πηδαλίου» που καθορίζονται στο εδάφιο 8Α002.α.2., ή

| 2. | Ζεύξη μεταβίβασης δεδομένων από οπτικές ίνες. |
| --- | --- |

2.

Ζεύξη μεταβίβασης δεδομένων από οπτικές ίνες.

| δ. | Μη επανδρωμένα, μη προσδεδεμένα υποβρύχια οχήματα που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Σχεδιασμένα για τον καθορισμό της πορείας σε σχέση προς οιαδήποτε γεωγραφική βάση αναφοράς χωρίς την ανθρώπινη παρέμβαση σε πραγματικό χρόνο, |
| --- | --- | --- |

δ.

Μη επανδρωμένα, μη προσδεδεμένα υποβρύχια οχήματα που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Σχεδιασμένα για τον καθορισμό της πορείας σε σχέση προς οιαδήποτε γεωγραφική βάση αναφοράς χωρίς την ανθρώπινη παρέμβαση σε πραγματικό χρόνο,

| 2. | Ζεύξη μεταβίβασης ακουστικών δεδομένων ή διακυβέρνησης, ή |
| --- | --- |

2.

Ζεύξη μεταβίβασης ακουστικών δεδομένων ή διακυβέρνησης, ή

| 3. | Ζεύξη μεταβίβασης οπτικών δεδομένων ή διακυβέρνησης με εμβέλεια άνω των 1 000 m. |
| --- | --- |

3.

Ζεύξη μεταβίβασης οπτικών δεδομένων ή διακυβέρνησης με εμβέλεια άνω των 1 000 m.

| ε. | Συστήματα ανάσυρσης από τον ωκεανό με ικανότητα ανάσυρσης άνω των 5 MN για την ανάσυρση αντικειμένων από βάθος μεγαλύτερο των 250 m, τα οποία παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Σύστημα δυναμικού προσδιορισμού θέσης που καθιστά δυνατή τη διατήρηση της θέσης εντός ακτίνας 20 m από σημείο προκαθοριζόμενο από το σύστημα πλοήγησης, ή |
| --- | --- | --- |

ε.

Συστήματα ανάσυρσης από τον ωκεανό με ικανότητα ανάσυρσης άνω των 5 MN για την ανάσυρση αντικειμένων από βάθος μεγαλύτερο των 250 m, τα οποία παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Σύστημα δυναμικού προσδιορισμού θέσης που καθιστά δυνατή τη διατήρηση της θέσης εντός ακτίνας 20 m από σημείο προκαθοριζόμενο από το σύστημα πλοήγησης, ή

| 2. | Συστήματα πλοήγησης βυθού και ενσωμάτωσης δεδομένων πλοήγησης για βάθη μεγαλύτερα από 1 000 m, με ακρίβεια θέσης 10 m ως προς προκαθορισμένο σημείο. |
| --- | --- |

2.

Συστήματα πλοήγησης βυθού και ενσωμάτωσης δεδομένων πλοήγησης για βάθη μεγαλύτερα από 1 000 m, με ακρίβεια θέσης 10 m ως προς προκαθορισμένο σημείο.

| στ. | Οχήματα επιφανείας (πλήρως περικλειόμενα από «ποδιά») που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Μέγιστη ταχύτητα σχεδιασμού, του έμφορτου οχήματος, που υπερβαίνει τους 30 κόμβους υπό χαρακτηριστικό ύψος κυμάτων 1,25 m (κατάσταση θαλάσσης 3) ή περισσότερο, |
| --- | --- | --- |

στ.

Οχήματα επιφανείας (πλήρως περικλειόμενα από «ποδιά») που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Μέγιστη ταχύτητα σχεδιασμού, του έμφορτου οχήματος, που υπερβαίνει τους 30 κόμβους υπό χαρακτηριστικό ύψος κυμάτων 1,25 m (κατάσταση θαλάσσης 3) ή περισσότερο,

| 2. | Πίεση αεροστρώματος (cushion) άνω των 3 830 Pa, και |
| --- | --- |

2.

Πίεση αεροστρώματος (cushion) άνω των 3 830 Pa, και

| 3. | Λόγω άφορτου εκτοπίσματος προς έμφορτο εκτόπισμα μικρότερο του 0,70. |
| --- | --- |

3.

Λόγω άφορτου εκτοπίσματος προς έμφορτο εκτόπισμα μικρότερο του 0,70.

| ζ. | Οχήματα επιφανείας (με άκαμπτα τοιχώματα) μεγίστης ταχύτητας σχεδιασμού, του έμφορτου οχήματος, που υπερβαίνει τους 40 κόμβους υπό χαρακτηριστικό ύψος κύματος 3,25 m (κατάσταση θαλάσσης 5) ή περισσότερο. |
| --- | --- |

ζ.

Οχήματα επιφανείας (με άκαμπτα τοιχώματα) μεγίστης ταχύτητας σχεδιασμού, του έμφορτου οχήματος, που υπερβαίνει τους 40 κόμβους υπό χαρακτηριστικό ύψος κύματος 3,25 m (κατάσταση θαλάσσης 5) ή περισσότερο.

| η. | Υδροπτέρυγα σκάφη με ενεργά συστήματα αυτομάτου ελέγχου των υδροπτερύγων, μεγίστης ταχύτητας σχεδιασμού, έμφορτου σκάφους, 40 κόμβους ή περισσότερο υπό χαρακτηριστικό ύψος κύματος 3,25 m (κατάσταση θαλάσσης 5) ή περισσότερο. |
| --- | --- |

η.

Υδροπτέρυγα σκάφη με ενεργά συστήματα αυτομάτου ελέγχου των υδροπτερύγων, μεγίστης ταχύτητας σχεδιασμού, έμφορτου σκάφους, 40 κόμβους ή περισσότερο υπό χαρακτηριστικό ύψος κύματος 3,25 m (κατάσταση θαλάσσης 5) ή περισσότερο.

| θ. | «Σκάφη μικρής επιφάνειας ισάλου» που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Έμφορτο εκτόπισμα που υπερβαίνει τους 500 τόνους και μέγιστη ταχύτητα σχεδιασμού, έμφορτου σκάφους, μεγαλύτερη των 35 κόμβων υπό χαρακτηριστικό ύψος κύματος 3,25 m (κατάσταση θαλάσσης 5) ή περισσότερο, ή |
| --- | --- | --- |

θ.

«Σκάφη μικρής επιφάνειας ισάλου» που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Έμφορτο εκτόπισμα που υπερβαίνει τους 500 τόνους και μέγιστη ταχύτητα σχεδιασμού, έμφορτου σκάφους, μεγαλύτερη των 35 κόμβων υπό χαρακτηριστικό ύψος κύματος 3,25 m (κατάσταση θαλάσσης 5) ή περισσότερο, ή

| 2. | Έμφορτο εκτόπισμα που υπερβαίνει τους 1 500 τόνους και μέγιστη ταχύτητα σχεδιασμού, έμφορτου σκάφους, μεγαλύτερη των 25 κόμβων υπό χαρακτηριστικό ύψος κύματος 4 m (κατάσταση θαλάσσης 6) ή περισσότερο. |
| --- | --- |

2.

Έμφορτο εκτόπισμα που υπερβαίνει τους 1 500 τόνους και μέγιστη ταχύτητα σχεδιασμού, έμφορτου σκάφους, μεγαλύτερη των 25 κόμβων υπό χαρακτηριστικό ύψος κύματος 4 m (κατάσταση θαλάσσης 6) ή περισσότερο.

Τεχνική παρατήρηση:

Το «σκάφος μικρής επιφανείας ισάλου» ορίζεται με τον ακόλουθο τύπο: η ίσαλος για συγκεκριμένο επιχειρησιακό βύθισμα πρέπει να είναι μικρότερη από 2 × (εκτοπιζόμενος όγκος γι’ αυτό το βύθισμα)2/3.

8A002

Θαλάσσια συστήματα, εξοπλισμός και συστατικά στοιχεία ως εξής:

Σημείωση: Για υποβρύχια συστήματα επικοινωνιών, βλέπε Κατηγορία 5, Μέρος 1 - Τηλεπικοινωνίες.

| α. | Συστήματα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά στοιχεία που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για υποβρύχια οχήματα, σχεδιασμένα να λειτουργούν σε βάθη μεγαλύτερα των 1 000 m, ως εξής:






  1. | Περιβλήματα ή σκάφη έκθλιψης με μέγιστη διάμετρο εσωτερικού θαλάμου άνω του 1,5 m, |
| --- | --- | --- |

α.

Συστήματα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά στοιχεία που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για υποβρύχια οχήματα, σχεδιασμένα να λειτουργούν σε βάθη μεγαλύτερα των 1 000 m, ως εξής:

1.

Περιβλήματα ή σκάφη έκθλιψης με μέγιστη διάμετρο εσωτερικού θαλάμου άνω του 1,5 m,

| 2. | Κινητήρες ή προωθητήρες «έλικας-πηδαλίου» συνεχούς ρεύματος, |
| --- | --- |

2.

Κινητήρες ή προωθητήρες «έλικας-πηδαλίου» συνεχούς ρεύματος,

| 3. | Καλώδια τροφοδοσίας και συνδέσεις τους που χρησιμοποιούν οπτικές ίνες και είναι ενισχυμένα με στοιχεία από συνθετικά υλικά, |
| --- | --- |

3.

Καλώδια τροφοδοσίας και συνδέσεις τους που χρησιμοποιούν οπτικές ίνες και είναι ενισχυμένα με στοιχεία από συνθετικά υλικά,

| 4. | Κατασκευαστικά στοιχεία κατασκευασμένα από υλικά εμπίπτοντα στο σημείο 8C001.


  Τεχνική παρατήρηση:


  Δεν πρέπει να παρακάμπτεται ο στόχος του σημείου 8A002.α.4. με την εξαγωγή «συντηγμένου αφρού» εμπίπτοντος στο σημείο 8C001, όταν έχει εκτελεστεί ένα ενδιάμεσο στάδιο της κατασκευής αλλά το υλικό δεν έχει ακόμη λάβει την τελική του μορφή ως κατασκευαστικό στοιχείο. |
| --- | --- |

4.

Κατασκευαστικά στοιχεία κατασκευασμένα από υλικά εμπίπτοντα στο σημείο 8C001.

Τεχνική παρατήρηση:

Δεν πρέπει να παρακάμπτεται ο στόχος του σημείου 8A002.α.4. με την εξαγωγή «συντηγμένου αφρού» εμπίπτοντος στο σημείο 8C001, όταν έχει εκτελεστεί ένα ενδιάμεσο στάδιο της κατασκευής αλλά το υλικό δεν έχει ακόμη λάβει την τελική του μορφή ως κατασκευαστικό στοιχείο.

| β. | Συστήματα, ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για τον αυτόματο έλεγχο της κίνησης των υποβρυχίων οχημάτων που καθορίζονται στο σημείο 8Α001, τα οποία χρησιμοποιούν πληροφορίες πλοήγησης, διαθέτουν κλειστού κυκλώματος σερβομηχανισμούς χειρισμού και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Καθιστούν το όχημα ικανό να κινείται εντός ακτίνας 10 m από προκαθορισμένο σημείο της στήλης ύδατος, |
| --- | --- | --- |

β.

Συστήματα, ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για τον αυτόματο έλεγχο της κίνησης των υποβρυχίων οχημάτων που καθορίζονται στο σημείο 8Α001, τα οποία χρησιμοποιούν πληροφορίες πλοήγησης, διαθέτουν κλειστού κυκλώματος σερβομηχανισμούς χειρισμού και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Καθιστούν το όχημα ικανό να κινείται εντός ακτίνας 10 m από προκαθορισμένο σημείο της στήλης ύδατος,

| 2. | Διατηρούν τη θέση του οχήματος εντός ακτίνας 10 m από προκαθορισμένο σημείο της στήλης ύδατος, ή |
| --- | --- |

2.

Διατηρούν τη θέση του οχήματος εντός ακτίνας 10 m από προκαθορισμένο σημείο της στήλης ύδατος, ή

| 3. | Διατηρούν τη θέση του οχήματος εντός ακτίνας 10 m ακολουθώντας καλώδιο τοποθετημένο επί του βυθού ή κάτω από αυτόν, |
| --- | --- |

3.

Διατηρούν τη θέση του οχήματος εντός ακτίνας 10 m ακολουθώντας καλώδιο τοποθετημένο επί του βυθού ή κάτω από αυτόν,

| γ. | Αγωγοί οπτικών ινών για διείσδυση στο σκάφος, |
| --- | --- |

γ.

Αγωγοί οπτικών ινών για διείσδυση στο σκάφος,

| δ. | Τα ακόλουθα συστήματα υποβρύχιας απεικόνισης:






  1. | Τηλεοπτικά συστήματα και μηχανές τηλεοπτικής λήψης, ως εξής:






  α. | Τηλεοπτικά συστήματα (που περιλαμβάνουν μηχανή λήψης/κάμερα, σύστημα φωτισμού, εξοπλισμό παρακολούθησης και μετάδοσης σήματος) των οποίων η οριακή ευκρίνεια όταν μετράται στον αέρα υπερβαίνει τις 800 γραμμές και που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για τηλεχειρισμό με υποβρύχιο όχημα, |
| --- | --- | --- | --- |

δ.

Τα ακόλουθα συστήματα υποβρύχιας απεικόνισης:

1.

Τηλεοπτικά συστήματα και μηχανές τηλεοπτικής λήψης, ως εξής:

α.

Τηλεοπτικά συστήματα (που περιλαμβάνουν μηχανή λήψης/κάμερα, σύστημα φωτισμού, εξοπλισμό παρακολούθησης και μετάδοσης σήματος) των οποίων η οριακή ευκρίνεια όταν μετράται στον αέρα υπερβαίνει τις 800 γραμμές και που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για τηλεχειρισμό με υποβρύχιο όχημα,

| β. | Υποβρύχιες μηχανές τηλεοπτικής λήψης με «οριακή ευκρίνεια» όταν μετράται στον αέρα μεγαλύτερη των 1 100 γραμμών, |
| --- | --- |

β.

Υποβρύχιες μηχανές τηλεοπτικής λήψης με «οριακή ευκρίνεια» όταν μετράται στον αέρα μεγαλύτερη των 1 100 γραμμών,

| γ. | Μηχανές τηλεοπτικής λήψης χαμηλού φωτισμού, ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για υποβρύχια χρήση οι οποίες έχουν όλα τα ακόλουθα:






  1. | Σωλήνες ενίσχυσης εικόνας που καθορίζονται στο σημείο 6Α002.α.2.α., και |
| --- | --- | --- |

γ.

Μηχανές τηλεοπτικής λήψης χαμηλού φωτισμού, ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για υποβρύχια χρήση οι οποίες έχουν όλα τα ακόλουθα:

1.

Σωλήνες ενίσχυσης εικόνας που καθορίζονται στο σημείο 6Α002.α.2.α., και

| 2. | Παρέχουν περισσότερα από 150 000«ενεργά εικονοκύτταρα» (active pixels) ανά συστοιχία εικονοκυττάρων στερεάς κατάστασης (solid state area array). |
| --- | --- |

2.

Παρέχουν περισσότερα από 150 000«ενεργά εικονοκύτταρα» (active pixels) ανά συστοιχία εικονοκυττάρων στερεάς κατάστασης (solid state area array).

Τεχνική παρατήρηση:

Η «οριακή ευκρίνεια» είναι μέτρο της οριζόντιας ευκρίνειας που συνήθως εκφράζεται ως ο μέγιστος αριθμός γραμμών ανά ύψος εικόνας που διακρίνονται με δοκίμιο, χρησιμοποιώντας το Πρότυπο ΙΕΕΕ 208/1960 ή άλλο ισοδύναμο πρότυπο.

| 2. | Συστήματα ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για τηλεχειρισμό με υποβρύχιο όχημα, που χρησιμοποιούν τεχνικές ελαχιστοποίησης των αποτελεσμάτων οπισθοδιάχυσης, συμπεριλαμβανομένων των στροβοσκοπικών διατάξεων φωτισμού (range-gated illuminators) ή συστημάτων «λέιζερ». |
| --- | --- |

2.

Συστήματα ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για τηλεχειρισμό με υποβρύχιο όχημα, που χρησιμοποιούν τεχνικές ελαχιστοποίησης των αποτελεσμάτων οπισθοδιάχυσης, συμπεριλαμβανομένων των στροβοσκοπικών διατάξεων φωτισμού (range-gated illuminators) ή συστημάτων «λέιζερ».

| ε. | Φωτογραφικές μηχανές ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για υποβρύχια χρήση κάτω των 150 m, με φιλμ 35 mm ή μεγαλύτερα και παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Δυνατότητα αναγραφής στο φιλμ πληροφοριών που προέρχονται από πηγή εκτός της φωτογραφικής μηχανής, |
| --- | --- | --- |

ε.

Φωτογραφικές μηχανές ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για υποβρύχια χρήση κάτω των 150 m, με φιλμ 35 mm ή μεγαλύτερα και παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Δυνατότητα αναγραφής στο φιλμ πληροφοριών που προέρχονται από πηγή εκτός της φωτογραφικής μηχανής,

| 2. | Αυτόματη διόρθωση της εστιακής απόστασης, ή |
| --- | --- |

2.

Αυτόματη διόρθωση της εστιακής απόστασης, ή

| 3. | Αυτόματο χειριστήριο αντιστάθμισης ειδικά σχεδιασμένο για να καθιστά δυνατή τη χρήση του περιβλήματος της υποβρύχιας φωτογραφικής μηχανής σε βάθη μεγαλύτερα των 1 000 m, |
| --- | --- |

3.

Αυτόματο χειριστήριο αντιστάθμισης ειδικά σχεδιασμένο για να καθιστά δυνατή τη χρήση του περιβλήματος της υποβρύχιας φωτογραφικής μηχανής σε βάθη μεγαλύτερα των 1 000 m,

| στ. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

στ.

Δεν χρησιμοποιείται,

| ζ. | Τα συστήματα φωτισμού που είναι ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για υποβρύχια χρήση, ως ακολούθως:






  1. | Στροβοσκοπικά συστήματα φωτισμού ικανά να παρέχουν φωτεινή ενέργεια μεγαλύτερη από 300 J ανά αναλαμπή και ρυθμό άνω των 5 αναλαμπών ανά δευτερόλεπτο, |
| --- | --- | --- |

ζ.

Τα συστήματα φωτισμού που είναι ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για υποβρύχια χρήση, ως ακολούθως:

1.

Στροβοσκοπικά συστήματα φωτισμού ικανά να παρέχουν φωτεινή ενέργεια μεγαλύτερη από 300 J ανά αναλαμπή και ρυθμό άνω των 5 αναλαμπών ανά δευτερόλεπτο,

| 2. | Συστήματα φωτισμού τόξου αργού ειδικά σχεδιασμένα προς χρήση σε βάθος μεγαλύτερο των 1 000 m. |
| --- | --- |

2.

Συστήματα φωτισμού τόξου αργού ειδικά σχεδιασμένα προς χρήση σε βάθος μεγαλύτερο των 1 000 m.

| η. | «Ρομπότ» ειδικά σχεδιασμένα για υποβρύχια χρήση τα οποία ελέγχονται μέσω εξειδικευμένου υπολογιστή και παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Διαθέτουν συστήματα ελέγχου του «ρομπότ» με τη χρήση πληροφοριών από αισθητήρες οι οποίοι μετρούν τη δύναμη ή τη ροπή που ασκείται σε εξωτερικό αντικείμενο, την απόσταση εξωτερικού αντικειμένου, ή αντιλαμβάνονται την επαφή μεταξύ του «ρομπότ» και εξωτερικού αντικειμένου, ή |
| --- | --- | --- |

η.

«Ρομπότ» ειδικά σχεδιασμένα για υποβρύχια χρήση τα οποία ελέγχονται μέσω εξειδικευμένου υπολογιστή και παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Διαθέτουν συστήματα ελέγχου του «ρομπότ» με τη χρήση πληροφοριών από αισθητήρες οι οποίοι μετρούν τη δύναμη ή τη ροπή που ασκείται σε εξωτερικό αντικείμενο, την απόσταση εξωτερικού αντικειμένου, ή αντιλαμβάνονται την επαφή μεταξύ του «ρομπότ» και εξωτερικού αντικειμένου, ή

| 2. | Δύνανται να ασκήσουν δύναμη 250 Ν ή περισσότερο ή ροπή 250 Νm ή περισσότερο και χρησιμοποιούν κράματα τιτανίου ή «σύμμικτα»«ινώδη ή νηματώδη υλικά» στα δομικά τους μέρη. |
| --- | --- |

2.

Δύνανται να ασκήσουν δύναμη 250 Ν ή περισσότερο ή ροπή 250 Νm ή περισσότερο και χρησιμοποιούν κράματα τιτανίου ή «σύμμικτα»«ινώδη ή νηματώδη υλικά» στα δομικά τους μέρη.

| θ. | Τηλεκατευθυνόμενοι αρθρωτοί βραχίονες ειδικά σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι για υποβρύχια χρήση οι οποίοι παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Συστήματα χειρισμού του βραχίονα με τη χρησιμοποίηση πληροφοριών από αισθητήρες οι οποίοι μετρούν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Τη ροπή ή τη δύναμη που ασκείται σε εξωτερικό αντικείμενο, ή |
| --- | --- | --- | --- |

θ.

Τηλεκατευθυνόμενοι αρθρωτοί βραχίονες ειδικά σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι για υποβρύχια χρήση οι οποίοι παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Συστήματα χειρισμού του βραχίονα με τη χρησιμοποίηση πληροφοριών από αισθητήρες οι οποίοι μετρούν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Τη ροπή ή τη δύναμη που ασκείται σε εξωτερικό αντικείμενο, ή

| β. | Την απτική επαφή μεταξύ του βραχίονα και εξωτερικού αντικειμένου, ή |
| --- | --- |

β.

Την απτική επαφή μεταξύ του βραχίονα και εξωτερικού αντικειμένου, ή

| 2. | Ελέγχονται μέσω αναλογικών τεχνικών κυρίου-υποτελούς (master-slave techniques) και διαθέτουν τουλάχιστον 5 βαθμούς «ελευθερίας κινήσεως».


  Τεχνική παρατήρηση:


  Για τον καθορισμό του αριθμού των βαθμών «ελευθερίας κινήσεων» μετρούνται μόνο οι λειτουργίες με αναλογικά σχετιζόμενο χειριστήριο κίνησης που χρησιμοποιεί ανάδραση καθορισμού θέσης. |
| --- | --- |

2.

Ελέγχονται μέσω αναλογικών τεχνικών κυρίου-υποτελούς (master-slave techniques) και διαθέτουν τουλάχιστον 5 βαθμούς «ελευθερίας κινήσεως».

Τεχνική παρατήρηση:

Για τον καθορισμό του αριθμού των βαθμών «ελευθερίας κινήσεων» μετρούνται μόνο οι λειτουργίες με αναλογικά σχετιζόμενο χειριστήριο κίνησης που χρησιμοποιεί ανάδραση καθορισμού θέσης.

| ι. | Τα ακόλουθα συστήματα τροφοδοσίας που είναι ανεξάρτητα του εξωτερικού αέρα, όταν είναι ειδικά σχεδιασμένα για υποβρύχια χρήση:






  1. | Κινητήρες κύκλου Brayton ή Rankine ως συστήματα τροφοδοσίας ανεξάρτητα αέρος με οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Χημικά συστήματα καθαρισμού ή απορρόφησης αερίων ειδικά σχεδιασμένα για την κατακράτηση του διοξειδίου του άνθρακα, του μονοξειδίου του άνθρακα και σωματιδίων από ανακυκλούμενα αποβαλλόμενα αέρια κινητήρος, |
| --- | --- | --- | --- |

ι.

Τα ακόλουθα συστήματα τροφοδοσίας που είναι ανεξάρτητα του εξωτερικού αέρα, όταν είναι ειδικά σχεδιασμένα για υποβρύχια χρήση:

1.

Κινητήρες κύκλου Brayton ή Rankine ως συστήματα τροφοδοσίας ανεξάρτητα αέρος με οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Χημικά συστήματα καθαρισμού ή απορρόφησης αερίων ειδικά σχεδιασμένα για την κατακράτηση του διοξειδίου του άνθρακα, του μονοξειδίου του άνθρακα και σωματιδίων από ανακυκλούμενα αποβαλλόμενα αέρια κινητήρος,

| β. | Συστήματα ειδικά σχεδιασμένα να χρησιμοποιούν μονοατομικά αέρια, |
| --- | --- |

β.

Συστήματα ειδικά σχεδιασμένα να χρησιμοποιούν μονοατομικά αέρια,

| γ. | Διατάξεις ή περιβλήματα ειδικά σχεδιασμένα για τη μείωση του θορύβου υποβρυχίως σε συχνότητες κάτω των 10 kHz, ή ειδικές διατάξεις ανάρτησης για την εξασθένιση των δονήσεων πρόσκρουσης, ή |
| --- | --- |

γ.

Διατάξεις ή περιβλήματα ειδικά σχεδιασμένα για τη μείωση του θορύβου υποβρυχίως σε συχνότητες κάτω των 10 kHz, ή ειδικές διατάξεις ανάρτησης για την εξασθένιση των δονήσεων πρόσκρουσης, ή

| δ. | Συστήματα που παρουσιάζουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Ειδικά σχεδιασμένα ώστε να συμπυκνώνουν τα προϊόντα της αντίδρασης ή για την αναμόρφωση καυσίμων, |
| --- | --- | --- |

δ.

Συστήματα που παρουσιάζουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Ειδικά σχεδιασμένα ώστε να συμπυκνώνουν τα προϊόντα της αντίδρασης ή για την αναμόρφωση καυσίμων,

| 2. | Ειδικά σχεδιασμένα για την αποθήκευση των προϊόντων της αντίδρασης, και |
| --- | --- |

2.

Ειδικά σχεδιασμένα για την αποθήκευση των προϊόντων της αντίδρασης, και

| 3. | Ειδικά σχεδιασμένα για τη διάθεση των προϊόντων της αντίδρασης έναντι πιέσεως 100 kPa ή περισσότερο. |
| --- | --- |

3.

Ειδικά σχεδιασμένα για τη διάθεση των προϊόντων της αντίδρασης έναντι πιέσεως 100 kPa ή περισσότερο.

| 2. | Ντηζελοκινητήρες ως συστήματα ανεξάρτητα αέρος που παρουσιάζουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Χημικά συστήματα καθαρισμού ή απορρόφησης αερίων ειδικά σχεδιασμένα για την κατακράτηση του διοξειδίου του άνθρακα, του μονοξειδίου του άνθρακα και σωματιδίων από ανακυκλούμενα αποβαλλόμενα αέρια κινητήρος, |
| --- | --- | --- |

2.

Ντηζελοκινητήρες ως συστήματα ανεξάρτητα αέρος που παρουσιάζουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Χημικά συστήματα καθαρισμού ή απορρόφησης αερίων ειδικά σχεδιασμένα για την κατακράτηση του διοξειδίου του άνθρακα, του μονοξειδίου του άνθρακα και σωματιδίων από ανακυκλούμενα αποβαλλόμενα αέρια κινητήρος,

| β. | Συστήματα ειδικά σχεδιασμένα να χρησιμοποιούν μονοατομικά αέρια, |
| --- | --- |

β.

Συστήματα ειδικά σχεδιασμένα να χρησιμοποιούν μονοατομικά αέρια,

| γ. | Διατάξεις ή περιβλήματα ειδικά σχεδιασμένα για τη μείωση του θορύβου υποβρυχίως σε συχνότητες κάτω των 10 kHz, ή ειδικές διατάξεις ανάρτησης για την εξασθένιση των δονήσεων πρόσκρουσης, και |
| --- | --- |

γ.

Διατάξεις ή περιβλήματα ειδικά σχεδιασμένα για τη μείωση του θορύβου υποβρυχίως σε συχνότητες κάτω των 10 kHz, ή ειδικές διατάξεις ανάρτησης για την εξασθένιση των δονήσεων πρόσκρουσης, και

| δ. | Ειδικά σχεδιασμένα συστήματα εξαγωγής αερίων που δεν αποβάλλουν συνεχώς τα προϊόντα της καύσης. |
| --- | --- |

δ.

Ειδικά σχεδιασμένα συστήματα εξαγωγής αερίων που δεν αποβάλλουν συνεχώς τα προϊόντα της καύσης.

| 3. | Ανεξάρτητα αέρος ηλεκτροπαραγωγά συστήματα «κυψελών καυσίμου», ισχύος άνω των 2 kw που παρουσιάζουν ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Διατάξεις ή περιβλήματα ειδικά σχεδιασμένα για τη μείωση του θορύβου υποβρυχίως σε συχνότητες κάτω των 10 kHz, ή ειδικές διατάξεις ανάρτησης για την εξασθένιση των δονήσεων πρόσκρουσης, ή |
| --- | --- | --- |

3.

Ανεξάρτητα αέρος ηλεκτροπαραγωγά συστήματα «κυψελών καυσίμου», ισχύος άνω των 2 kw που παρουσιάζουν ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Διατάξεις ή περιβλήματα ειδικά σχεδιασμένα για τη μείωση του θορύβου υποβρυχίως σε συχνότητες κάτω των 10 kHz, ή ειδικές διατάξεις ανάρτησης για την εξασθένιση των δονήσεων πρόσκρουσης, ή

| β. | Συστήματα που παρουσιάζουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Ειδικά σχεδιασμένα ώστε να συμπυκνώνουν τα προϊόντα της αντίδρασης ή για την αναμόρφωση καυσίμων, |
| --- | --- | --- |

β.

Συστήματα που παρουσιάζουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Ειδικά σχεδιασμένα ώστε να συμπυκνώνουν τα προϊόντα της αντίδρασης ή για την αναμόρφωση καυσίμων,

| 2. | Ειδικά σχεδιασμένα για την αποθήκευση των προϊόντων της αντίδρασης, και |
| --- | --- |

2.

Ειδικά σχεδιασμένα για την αποθήκευση των προϊόντων της αντίδρασης, και

| 3. | Ειδικά σχεδιασμένα για τη διάθεση των προϊόντων της αντίδρασης έναντι πιέσεως 100 kPa ή περισσότερο. |
| --- | --- |

3.

Ειδικά σχεδιασμένα για τη διάθεση των προϊόντων της αντίδρασης έναντι πιέσεως 100 kPa ή περισσότερο.

| 4. | Κινητήρες κύκλου Stirling ως συστήματα τροφοδοσίας ανεξάρτητα αέρος που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Διατάξεις ή περιβλήματα ειδικά σχεδιασμένα για τη μείωση του θορύβου υποβρυχίως σε συχνότητες κάτω των 10 kHz, ή ειδικές διατάξεις ανάρτησης για την εξασθένιση των δονήσεων πρόσκρουσης, και |
| --- | --- | --- |

4.

Κινητήρες κύκλου Stirling ως συστήματα τροφοδοσίας ανεξάρτητα αέρος που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Διατάξεις ή περιβλήματα ειδικά σχεδιασμένα για τη μείωση του θορύβου υποβρυχίως σε συχνότητες κάτω των 10 kHz, ή ειδικές διατάξεις ανάρτησης για την εξασθένιση των δονήσεων πρόσκρουσης, και

| β. | Ειδικά σχεδιασμένα συστήματα εξάτμισης για τη διάθεση των προϊόντων της καύσης έναντι πιέσεως 100 kPa ή περισσότερο. |
| --- | --- |

β.

Ειδικά σχεδιασμένα συστήματα εξάτμισης για τη διάθεση των προϊόντων της καύσης έναντι πιέσεως 100 kPa ή περισσότερο.

| ια. | Ποδιές, παρεμβύσματα και δάκτυλοι που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Είναι σχεδιασμένα για πιέσεις αεροστρώματος 3 830 Ρα ή περισσότερο, προς χρήση υπό χαρακτηριστικό ύψος κύματος ίσο/μεγαλύτερο του 1,25 μέτρων (κατάσταση θαλάσσης 3) και ειδικά σχεδιασμένα για τα οχήματα επιφανείας που καθορίζονται στο σημείο 8Α001.στ. (πλήρως περικλειόμενα από «ποδιά»), ή |
| --- | --- | --- |

ια.

Ποδιές, παρεμβύσματα και δάκτυλοι που παρουσιάζουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Είναι σχεδιασμένα για πιέσεις αεροστρώματος 3 830 Ρα ή περισσότερο, προς χρήση υπό χαρακτηριστικό ύψος κύματος ίσο/μεγαλύτερο του 1,25 μέτρων (κατάσταση θαλάσσης 3) και ειδικά σχεδιασμένα για τα οχήματα επιφανείας που καθορίζονται στο σημείο 8Α001.στ. (πλήρως περικλειόμενα από «ποδιά»), ή

| 2. | Είναι σχεδιασμένα για πίεση αεροστρώματος ίση/μεγαλύτερη των 6 224 Ρα, για τη χρήση υπό χαρακτηριστικό ύψος κύματος ίσο/μεγαλύτερο των 3,25 m (κατάσταση θαλάσσης 5) και ειδικά σχεδιασμένα για οχήματα επιφανείας που καθορίζονται στο εδάφιο 8Α001.ζ. (με άκαμπτα πλευρικά τοιχώματα). |
| --- | --- |

2.

Είναι σχεδιασμένα για πίεση αεροστρώματος ίση/μεγαλύτερη των 6 224 Ρα, για τη χρήση υπό χαρακτηριστικό ύψος κύματος ίσο/μεγαλύτερο των 3,25 m (κατάσταση θαλάσσης 5) και ειδικά σχεδιασμένα για οχήματα επιφανείας που καθορίζονται στο εδάφιο 8Α001.ζ. (με άκαμπτα πλευρικά τοιχώματα).

| ιβ. | Ανεμιστήρες ανύψωσης, ισχύος άνω των 400 kW, ειδικά σχεδιασμένοι για τα οχήματα επιφανείας που καθορίζονται στα εδάφια 8Α001.στ. ή 8Α001.ζ. |
| --- | --- |

ιβ.

Ανεμιστήρες ανύψωσης, ισχύος άνω των 400 kW, ειδικά σχεδιασμένοι για τα οχήματα επιφανείας που καθορίζονται στα εδάφια 8Α001.στ. ή 8Α001.ζ.

| ιγ. | Πλήρως βυθιζόμενα υδροπτέρυγα υποσπηλαίωσης ή υπερσπηλαίωσης σχεδιασμένα για τα σκάφη που καθορίζονται στο εδάφιο 8Α001.η. |
| --- | --- |

ιγ.

Πλήρως βυθιζόμενα υδροπτέρυγα υποσπηλαίωσης ή υπερσπηλαίωσης σχεδιασμένα για τα σκάφη που καθορίζονται στο εδάφιο 8Α001.η.

| ιδ. | Ενεργά συστήματα ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για την αυτόματη ρύθμιση της προκαλούμενης από τη θάλασσα κινήσεως των οχημάτων ή σκαφών που καθορίζονται στα εδάφια 8Α001.στ., 8Α001.ζ., 8α001.η., ή 8Α001.θ. |
| --- | --- |

ιδ.

Ενεργά συστήματα ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για την αυτόματη ρύθμιση της προκαλούμενης από τη θάλασσα κινήσεως των οχημάτων ή σκαφών που καθορίζονται στα εδάφια 8Α001.στ., 8Α001.ζ., 8α001.η., ή 8Α001.θ.

| ιε. | Έλικες, συστήματα μετάδοσης ισχύος, συστήματα παραγωγής ισχύος και συστήματα μείωσης του θορύβου, ως εξής:






  1. | Προωστικοί έλικες ή συστήματα μετάδοσης ισχύος ειδικά σχεδιασμένα για τα οχήματα επιφανείας (πλήρως περικλειόμενα με ποδιά ή με άκαμπτα πλευρικά τοιχώματα), υδροπτέρυγα ή σκάφη μικρής επιφανείας ισάλου που καθορίζονται στις παραγράφους 8Α001.στ., 8Α001.ζ., 8α001.η., ή 8Α001.θ., ως ακολούθως:






  α. | Έλικες υπερσπηλαίωσης, υπεραεριζόμενες, μερικώς βυθιζόμενες ή διαπερνώσες την επιφάνεια, ισχύος άνω των 7,5 MW, |
| --- | --- | --- | --- |

ιε.

Έλικες, συστήματα μετάδοσης ισχύος, συστήματα παραγωγής ισχύος και συστήματα μείωσης του θορύβου, ως εξής:

1.

Προωστικοί έλικες ή συστήματα μετάδοσης ισχύος ειδικά σχεδιασμένα για τα οχήματα επιφανείας (πλήρως περικλειόμενα με ποδιά ή με άκαμπτα πλευρικά τοιχώματα), υδροπτέρυγα ή σκάφη μικρής επιφανείας ισάλου που καθορίζονται στις παραγράφους 8Α001.στ., 8Α001.ζ., 8α001.η., ή 8Α001.θ., ως ακολούθως:

α.

Έλικες υπερσπηλαίωσης, υπεραεριζόμενες, μερικώς βυθιζόμενες ή διαπερνώσες την επιφάνεια, ισχύος άνω των 7,5 MW,

| β. | Αντιπεριστρεφόμενα συστήματα ελίκων ισχύος άνω των 15 MW, |
| --- | --- |

β.

Αντιπεριστρεφόμενα συστήματα ελίκων ισχύος άνω των 15 MW,

| γ. | Συστήματα που χρησιμοποιούν τεχνικές προ-περιδύνησης (pre-swirl) ή μετα-περιδύνησης (post-swirl) για την εξομάλυνση της ροής στον έλικα, |
| --- | --- |

γ.

Συστήματα που χρησιμοποιούν τεχνικές προ-περιδύνησης (pre-swirl) ή μετα-περιδύνησης (post-swirl) για την εξομάλυνση της ροής στον έλικα,

| δ. | Ελαφρά, υψηλής απόδοσης (συντελεστής Κ μεγαλύτερος του 300) συστήματα υποπολλαπλασιασμού, |
| --- | --- |

δ.

Ελαφρά, υψηλής απόδοσης (συντελεστής Κ μεγαλύτερος του 300) συστήματα υποπολλαπλασιασμού,

| ε. | Αξονικά συστήματα μετάδοσης ισχύος ικανά να μεταδίδουν ισχύ μεγαλύτερη από 1 MW, τα οποία περιέχουν συστατικά μέρη από «σύμμικτα» υλικά, |
| --- | --- |

ε.

Αξονικά συστήματα μετάδοσης ισχύος ικανά να μεταδίδουν ισχύ μεγαλύτερη από 1 MW, τα οποία περιέχουν συστατικά μέρη από «σύμμικτα» υλικά,

| 2. | Προωστικοί έλικες, συστήματα παραγωγής ή μετάδοσης ισχύος που προορίζονται για χρήση επί σκαφών, ως ακολούθως:






  α. | Έλικες ελεγχομένου βήματος και μηχανικά συναρμολογήματα πλήμνης, ισχύος άνω των 30 MW, |
| --- | --- | --- |

2.

Προωστικοί έλικες, συστήματα παραγωγής ή μετάδοσης ισχύος που προορίζονται για χρήση επί σκαφών, ως ακολούθως:

α.

Έλικες ελεγχομένου βήματος και μηχανικά συναρμολογήματα πλήμνης, ισχύος άνω των 30 MW,

| β. | Εσωτερικά υδρόψυκτοι ηλεκτροκινητήρες που αποδίδουν ισχύ άνω των 2,5 MW, |
| --- | --- |

β.

Εσωτερικά υδρόψυκτοι ηλεκτροκινητήρες που αποδίδουν ισχύ άνω των 2,5 MW,

| γ. | «Υπεραγώγιμοι» κινητήρες πρόωσης, ή ηλεκτροκινητήρες μονίμου μαγνήτη, που αποδίδουν ισχύ άνω του 0,1 MW, |
| --- | --- |

γ.

«Υπεραγώγιμοι» κινητήρες πρόωσης, ή ηλεκτροκινητήρες μονίμου μαγνήτη, που αποδίδουν ισχύ άνω του 0,1 MW,

| δ. | Αξονικά συστήματα μετάδοσης ισχύος ικανά να μεταδίδουν ισχύ μεγαλύτερη από 2 MW, τα οποία περιέχουν συστατικά μέρη από «σύμμικτα» υλικά, |
| --- | --- |

δ.

Αξονικά συστήματα μετάδοσης ισχύος ικανά να μεταδίδουν ισχύ μεγαλύτερη από 2 MW, τα οποία περιέχουν συστατικά μέρη από «σύμμικτα» υλικά,

| ε. | Αεριζόμενα ή βασικώς με αεριζόμενα συστήματα ελίκων ισχύος άνω των 2,5 MW. |
| --- | --- |

ε.

Αεριζόμενα ή βασικώς με αεριζόμενα συστήματα ελίκων ισχύος άνω των 2,5 MW.

| 3. | Τα ακόλουθα συστήματα περιορισμού του θορύβου προς χρήση σε σκάφη εκτοπίσματος μεγαλυτέρου/ίσου προς 1 000 τόνους, ως εξής:






  α. | Συστήματα περιορισμού του υποβρυχίου θορύβου σε συχνότητες κάτω των 500 Hz που αποτελούνται από σύνθετες ακουστικές αναρτήσεις για την ηχομόνωση ντηζελοκινητήρων, ντηζελογεννητριών, αεριοστροβίλων, αεριοπαραγωγών στροβίλων, κινητήρων πρόωσης ή μηχανισμών υποπολλαπλασιασμού της πρόωσης, που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για την ηχομόνωση ή την απορρόφηση δονήσεων και των οποίων η ενδιάμεση μάζα είναι μεγαλύτερη από 30 % της μάζας του εξοπλισμού που θα συναρμολογηθεί επ’ αυτών, |
| --- | --- | --- |

3.

Τα ακόλουθα συστήματα περιορισμού του θορύβου προς χρήση σε σκάφη εκτοπίσματος μεγαλυτέρου/ίσου προς 1 000 τόνους, ως εξής:

α.

Συστήματα περιορισμού του υποβρυχίου θορύβου σε συχνότητες κάτω των 500 Hz που αποτελούνται από σύνθετες ακουστικές αναρτήσεις για την ηχομόνωση ντηζελοκινητήρων, ντηζελογεννητριών, αεριοστροβίλων, αεριοπαραγωγών στροβίλων, κινητήρων πρόωσης ή μηχανισμών υποπολλαπλασιασμού της πρόωσης, που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για την ηχομόνωση ή την απορρόφηση δονήσεων και των οποίων η ενδιάμεση μάζα είναι μεγαλύτερη από 30 % της μάζας του εξοπλισμού που θα συναρμολογηθεί επ’ αυτών,

| β. | «Ενεργά συστήματα περιορισμού ή εξουδετέρωσης του θορύβου», ή μαγνητικά εφέδρανα, που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για συστήματα μετάδοσης της ισχύος,


  Τεχνική παρατήρηση:


  Τα «ενεργά συστήματα περιορισμού ή εξουδετέρωσης του θορύβου» διαθέτουν ηλεκτρονικά συστήματα ρύθμισης ικανά να μειώνουν ενεργώς τις δονήσεις του εξοπλισμού, διά της δημιουργίας αντιθορυβικών ή αντιδονητικών σημάτων άμεσα στην πηγή θορύβου ή δονήσεως. |
| --- | --- |

β.

«Ενεργά συστήματα περιορισμού ή εξουδετέρωσης του θορύβου», ή μαγνητικά εφέδρανα, που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για συστήματα μετάδοσης της ισχύος,

Τεχνική παρατήρηση:

Τα «ενεργά συστήματα περιορισμού ή εξουδετέρωσης του θορύβου» διαθέτουν ηλεκτρονικά συστήματα ρύθμισης ικανά να μειώνουν ενεργώς τις δονήσεις του εξοπλισμού, διά της δημιουργίας αντιθορυβικών ή αντιδονητικών σημάτων άμεσα στην πηγή θορύβου ή δονήσεως.

| ιστ. | Προωστικά συστήματα υδροστροβίλου που διαθέτουν όλα τα ακόλουθα:






  1. | Απόδοση ισχύος μεγαλύτερη των 2,5 MW, και |
| --- | --- | --- |

ιστ.

Προωστικά συστήματα υδροστροβίλου που διαθέτουν όλα τα ακόλουθα:

1.

Απόδοση ισχύος μεγαλύτερη των 2,5 MW, και

| 2. | Χρήση αποκλινόντων ακροφυσίων και πτερυγίων ρύθμισης της ροής για τη βελτίωση της απόδοσης πρόωσης και τον περιορισμό των δημιουργουμένων από την πρόωση θορύβων που εκπέμπονται υποβρυχίως, |
| --- | --- |

2.

Χρήση αποκλινόντων ακροφυσίων και πτερυγίων ρύθμισης της ροής για τη βελτίωση της απόδοσης πρόωσης και τον περιορισμό των δημιουργουμένων από την πρόωση θορύβων που εκπέμπονται υποβρυχίως,

| ιζ. | Εξοπλισμός υποβρύχιας κολύμβησης και καταδύσεων, ως εξής:






  1. | Επανεισπνευστήρες κλειστού κυκλώματος, |
| --- | --- | --- |

ιζ.

Εξοπλισμός υποβρύχιας κολύμβησης και καταδύσεων, ως εξής:

1.

Επανεισπνευστήρες κλειστού κυκλώματος,

| 2. | Επανεισπνευστήρες ημίκλειστου κυκλώματος, |
| --- | --- |

2.

Επανεισπνευστήρες ημίκλειστου κυκλώματος,

Σημείωση: Το 8Α002.ιζ δεν καλύπτει τους ατομικούς επανεισπνευστήρες για προσωπική χρήση όταν συνοδεύουν το χρήστη τους.

ΣΗΜ.: Για εξοπλισμό και συσκευές ειδικά σχεδιασμένα για στρατιωτική χρήση, βλέπε τους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων.

| ιη. | Ακουστικά συστήματα αποτροπής δυτών ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για παρακώλυση των δυτών και έχοντα ηχοστάθμη πίεσης ίση με ή υπερβαίνουσα τα 190 dB (τιμή αναφοράς 1 μΡa σε απόσταση 1 m) σε συχνότητες 200 Hz και κάτω.


  Σημείωση 1: Στο σημείο 8Α002.ιη δεν υπάγονται συστήματα αποτροπής δυτών βασιζόμενα σε υποβρύχια εκρηκτικά, αεριοβόλα ή καύσιμες πηγές.



  Σημείωση 2: Το σημείο 8Α002.ιη περιλαμβάνει τα ακουστικά συστήματα αποτροπής δυτών που χρησιμοποιούν πηγές με διάκενο σπινθηρισμού, γνωστές και ως «plasma sound sources». |
| --- | --- |

ιη.

Ακουστικά συστήματα αποτροπής δυτών ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για παρακώλυση των δυτών και έχοντα ηχοστάθμη πίεσης ίση με ή υπερβαίνουσα τα 190 dB (τιμή αναφοράς 1 μΡa σε απόσταση 1 m) σε συχνότητες 200 Hz και κάτω.

Σημείωση 1: Στο σημείο 8Α002.ιη δεν υπάγονται συστήματα αποτροπής δυτών βασιζόμενα σε υποβρύχια εκρηκτικά, αεριοβόλα ή καύσιμες πηγές.

Σημείωση 2: Το σημείο 8Α002.ιη περιλαμβάνει τα ακουστικά συστήματα αποτροπής δυτών που χρησιμοποιούν πηγές με διάκενο σπινθηρισμού, γνωστές και ως «plasma sound sources».

8B   Εξοπλισμός Δοκιμών, Ελέγχου και Παραγωγής

| 8B001 | Υδροσήραγγες στις οποίες η στάθμη θορύβου είναι μικρότερη από 100 db (βάση αναφοράς 1 μΡa, 1 Hz), στο φάσμα συχνοτήτων από 0 μέχρι 500 Hz, οι οποίες έχουν σχεδιαστεί για τη μέτρηση των ακουστικών πεδίων που δημιουργούνται από τη ροή του ύδατος γύρω από μοντέλα συστημάτων πρόωσης. |
| --- | --- |

8B001

Υδροσήραγγες στις οποίες η στάθμη θορύβου είναι μικρότερη από 100 db (βάση αναφοράς 1 μΡa, 1 Hz), στο φάσμα συχνοτήτων από 0 μέχρι 500 Hz, οι οποίες έχουν σχεδιαστεί για τη μέτρηση των ακουστικών πεδίων που δημιουργούνται από τη ροή του ύδατος γύρω από μοντέλα συστημάτων πρόωσης.

8C   Υλικά

| 8C001 | «Συντηγμένος αφρός» για υποβρύχια χρήση που παρουσιάζει όλα τα ακόλουθα:


  ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης το σημείο 8A002.α.4.







  α. | Προορίζεται για υποβρύχιο βάθος μεγαλύτερο από 1 000 μ, και |
| --- | --- | --- |

8C001

«Συντηγμένος αφρός» για υποβρύχια χρήση που παρουσιάζει όλα τα ακόλουθα:

ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης το σημείο 8A002.α.4.

α.

Προορίζεται για υποβρύχιο βάθος μεγαλύτερο από 1 000 μ, και

| β. | Έχει πυκνότητα μικρότερη από 561 kg/m3. |
| --- | --- |

β.

Έχει πυκνότητα μικρότερη από 561 kg/m3.

Τεχνική παρατήρηση:

Ο «συντηγμένος αφρός» αποτελείται από κούφια σφαιρίδια από πλαστικό ή γυαλί, εντός ρητινώδους μάζας.

8D   Λογισμικό

| 8D001 | «Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» ή «χρήση» εξοπλισμού ή υλικών που καθορίζονται στις παραγράφους 8Α, 8Β ή 8C. |
| --- | --- |
| 8D002 | Ειδικό «λογισμικό», ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την «ανάπτυξη», «παραγωγή», επιδιόρθωση, γενική επισκευή ή ανακαίνιση των υλικών που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για τον περιορισμό του υποβρυχίου θορύβου. |

8D001

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» ή «χρήση» εξοπλισμού ή υλικών που καθορίζονται στις παραγράφους 8Α, 8Β ή 8C.

8D002

Ειδικό «λογισμικό», ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την «ανάπτυξη», «παραγωγή», επιδιόρθωση, γενική επισκευή ή ανακαίνιση των υλικών που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για τον περιορισμό του υποβρυχίου θορύβου.

8E   Τεχνολογία

| 8E001 | «Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» του εξοπλισμού ή των υλικών που καθορίζονται στις παραγράφους 8Α, 8Β, ή 8C. |
| --- | --- |
| 8E002 | Λοιπές «τεχνολογίες», ως εξής:






  α. | «Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη», «παραγωγή», επιδιόρθωση, γενική επισκευή ή ανακαίνιση των ελίκων που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για τη μείωση του υποβρυχίου θορύβου, |

8E001

«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» του εξοπλισμού ή των υλικών που καθορίζονται στις παραγράφους 8Α, 8Β, ή 8C.

8E002

Λοιπές «τεχνολογίες», ως εξής:

α.

«Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη», «παραγωγή», επιδιόρθωση, γενική επισκευή ή ανακαίνιση των ελίκων που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για τη μείωση του υποβρυχίου θορύβου,

| β. | «Τεχνολογία» για τη γενική επισκευή ή την ανακαίνιση του εξοπλισμού που καθορίζεται στα εδάφια 8Α001, 8Α002.β., 8Α002.ι., 8Α002.ιε., ή 8Α002.ιζ. |
| --- | --- |

β.

«Τεχνολογία» για τη γενική επισκευή ή την ανακαίνιση του εξοπλισμού που καθορίζεται στα εδάφια 8Α001, 8Α002.β., 8Α002.ι., 8Α002.ιε., ή 8Α002.ιζ.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 9 — ΑΕΡΟΔΙΑΣΤΗΜΙΚΗ ΚΑΙ ΠΡΟΩΣΗ

9A   Συστήματα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη

ΣΗΜ.: Όσον αφορά τα συστήματα πρόωσης ειδικά σχεδιασμένα ή δοκιμασμένα κατά της ακτινοβολίας νετρονίων ή της μεταβατικής ιοντίζουσας ακτινοβολίας, βλέπε ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων.

| 9A001 | Αεριοστρόβιλοι αεροσκαφών που παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:


  ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Α101.







  α. | Με ενσωματωμένη οποιαδήποτε από τις «τεχνολογίες» που ορίζονται στα 9Ε003.α, 9Ε003.η ή 9A003.θ, ή



  Σημείωση 1: Στο σημείο 9Α001.α. δεν υπάγονται οι αεριοστρόβιλοι αεροσκαφών που πληρούν όλα τα κατωτέρω κριτήρια:








  α. | Πιστοποιημένοι από την υπηρεσία πολιτικής αεροπορίας «συμμετέχοντος κράτους», και |
| --- | --- | --- | --- |

9A001

Αεριοστρόβιλοι αεροσκαφών που παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Α101.

α.

Με ενσωματωμένη οποιαδήποτε από τις «τεχνολογίες» που ορίζονται στα 9Ε003.α, 9Ε003.η ή 9A003.θ, ή

Σημείωση 1: Στο σημείο 9Α001.α. δεν υπάγονται οι αεριοστρόβιλοι αεροσκαφών που πληρούν όλα τα κατωτέρω κριτήρια:

α.

Πιστοποιημένοι από την υπηρεσία πολιτικής αεροπορίας «συμμετέχοντος κράτους», και

| β. | Προοριζόμενοι για χρήση σε μη στρατιωτικά επανδρωμένα αεροσκάφη για τα οποία έχει εκδοθεί από ένα «συμμετέχον κράτος» για αεροσκάφη με αυτόν τον συγκεκριμένο τύπο κινητήρα ένα από τα ακόλουθα:








  1. | Πολιτικό Πιστοποιητικό Τύπου, ή |
| --- | --- | --- |

β.

Προοριζόμενοι για χρήση σε μη στρατιωτικά επανδρωμένα αεροσκάφη για τα οποία έχει εκδοθεί από ένα «συμμετέχον κράτος» για αεροσκάφη με αυτόν τον συγκεκριμένο τύπο κινητήρα ένα από τα ακόλουθα:

1.

Πολιτικό Πιστοποιητικό Τύπου, ή

| 2. | Ισοδύναμο έγγραφο που αναγνωρίζεται από τη Διεθνή Οργάνωση Πολιτικής Αεροπορίας (ICAO). |
| --- | --- |

2.

Ισοδύναμο έγγραφο που αναγνωρίζεται από τη Διεθνή Οργάνωση Πολιτικής Αεροπορίας (ICAO).

Σημείωση 2: Στο σημείο 9A001.α. δεν υπάγονται αεριοστρόβιλοι αεροσκαφών σχεδιασμένοι για βοηθητικές μονάδες ισχύος (APU) εγκεκριμένοι από την υπηρεσία πολιτικής αεροπορίας σε «συμμετέχον κράτος».

| β. | Έχουν σχεδιαστεί για να χρησιμοποιούνται σε αεροσκάφη που αναπτύσσουν ταχύτητα τουλάχιστον 1 Mach επί περισσότερο από τριάντα λεπτά. |
| --- | --- |

β.

Έχουν σχεδιαστεί για να χρησιμοποιούνται σε αεροσκάφη που αναπτύσσουν ταχύτητα τουλάχιστον 1 Mach επί περισσότερο από τριάντα λεπτά.

9A002

«Αεριοστρόβιλοι θαλάσσης» με συνεχή ονομαστική ισχύ (πρότυπο ISO) ίση προς ή μεγαλύτερη από 24 245 kW και ειδική κατανάλωση καυσίμου που δεν υπερβαίνει τα 0,219 kg/kWh στο φάσμα ισχύος από 35 έως 100 % καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα συναρμολογημένα σύνολα και τα συστατικά μέρη τους.

Σημείωση: Ο όρος «αεριοστρόβιλοι θαλάσσης» περιλαμβάνει επίσης τους παράγωγους τύπους αεριοστροβίλων βιομηχανικής ή αεροπορικής χρήσεως που είναι προσαρμοσμένοι ώστε να χρησιμοποιούνται για προώθηση ενός σκάφους ή την παραγωγή ηλεκτρικής ισχύος.

9A003

Ειδικά σχεδιασμένα συναρμολογημένα σύνολα και συστατικά μέρη που περιέχουν οιαδήποτε από τις οριζόμενες στα 9Ε003.α, 9Ε003.η ή 9Ε003.θ «τεχνολογίες», για τα συστήματα πρόωσης αεροστροβίλων που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

| α. | Υπάγονται στο σημείο 9Α001, ή |
| --- | --- |

α.

Υπάγονται στο σημείο 9Α001, ή

| β. | Η προέλευση του σχεδιασμού ή της παραγωγής τους είναι είτε από μη «συμμετέχοντα κράτη» είτε άγνωστη στον κατασκευαστή. |
| --- | --- |

β.

Η προέλευση του σχεδιασμού ή της παραγωγής τους είναι είτε από μη «συμμετέχοντα κράτη» είτε άγνωστη στον κατασκευαστή.

9A004

Οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα ή «διαστημικά οχήματα».

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Α104.

Σημείωση: Στο σημείο 9Α004 δεν υπάγονται τα ωφέλιμα φορτία.

ΣΗΜ.: Για το καθεστώς ελέγχου των προϊόντων που περιέχονται στο ωφέλιμο φορτίο των «διαστημικών οχημάτων» βλέπε τις σχετικές Κατηγορίες.

9A005

Πυραυλικά προωστικά συστήματα υγρού καυσίμου που περιέχουν οιοδήποτε από τα συστήματα ή τα συστατικά μέρη που ορίζονται στην παράγραφο 9Α006.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Α105 ΚΑΙ 9Α119.

9A006

Συστήματα ή συστατικά μέρη, ως εξής, ειδικά σχεδιασμένα για πυραυλικά προωστικά συστήματα υγρού καυσίμου:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 9A106, 9A108 ΚΑΙ 9A120.

| α. | Κρυογενικοί ψύκτες, δοχεία Dewar, μεταφερόμενα επί του σκάφους, κρυογενικοί αγωγοί θερμότητας ή κρυογενικά συστήματα ειδικά σχεδιασμένα για χρήση σε διαστημικά οχήματα και ικανά για περιορισμό των απωλειών κρυογενικού υγρού σε ποσοστό κάτω του 30 % ετησίως, |
| --- | --- |

α.

Κρυογενικοί ψύκτες, δοχεία Dewar, μεταφερόμενα επί του σκάφους, κρυογενικοί αγωγοί θερμότητας ή κρυογενικά συστήματα ειδικά σχεδιασμένα για χρήση σε διαστημικά οχήματα και ικανά για περιορισμό των απωλειών κρυογενικού υγρού σε ποσοστό κάτω του 30 % ετησίως,

| β. | Κρυογενικές δεξαμενές ή ψυκτικά συστήματα κλειστού κύκλου ικανά για εξασφάλιση θερμοκρασιών ίσων προς ή μικρότερων από 100 Κ (-173 °C) για «αεροσκάφη» ικανά για διαρκή πτήση σε ταχύτητα άνω των 3 Mach, για οχήματα εκτόξευσης ή για «διαστημικά οχήματα», |
| --- | --- |

β.

Κρυογενικές δεξαμενές ή ψυκτικά συστήματα κλειστού κύκλου ικανά για εξασφάλιση θερμοκρασιών ίσων προς ή μικρότερων από 100 Κ (-173 °C) για «αεροσκάφη» ικανά για διαρκή πτήση σε ταχύτητα άνω των 3 Mach, για οχήματα εκτόξευσης ή για «διαστημικά οχήματα»,

| γ. | Συστήματα αποθήκευσης ή μεταφοράς υδρογόνου σε ημιστερεά κατάσταση, |
| --- | --- |

γ.

Συστήματα αποθήκευσης ή μεταφοράς υδρογόνου σε ημιστερεά κατάσταση,

| δ. | Στροβιλαντλίες υψηλής πιέσεως (άνω των 17,5 ΜΡa), συστατικά μέρη αντλιών ή τα συναφή συστήματά τους για μετάδοση κίνησης αεριοπαραγωγού στροβίλου ή στροβίλου κύκλου με εξωτερικό μηχανικό έργο, |
| --- | --- |

δ.

Στροβιλαντλίες υψηλής πιέσεως (άνω των 17,5 ΜΡa), συστατικά μέρη αντλιών ή τα συναφή συστήματά τους για μετάδοση κίνησης αεριοπαραγωγού στροβίλου ή στροβίλου κύκλου με εξωτερικό μηχανικό έργο,

| ε. | Υψηλής πιέσεως θάλαμοι ώθησης (άνω των 10,6 ΜΡa) και ακροφύσιά τους, |
| --- | --- |

ε.

Υψηλής πιέσεως θάλαμοι ώθησης (άνω των 10,6 ΜΡa) και ακροφύσιά τους,

| στ. | Συστήματα αποθήκευσης προωστικής ύλης που λειτουργούν σύμφωνα με την αρχή της τριχοειδούς επισχέσεως ή με θετική εξώθηση (δηλαδή με εύκαμπτες ελαστικές δεξαμενές), |
| --- | --- |

στ.

Συστήματα αποθήκευσης προωστικής ύλης που λειτουργούν σύμφωνα με την αρχή της τριχοειδούς επισχέσεως ή με θετική εξώθηση (δηλαδή με εύκαμπτες ελαστικές δεξαμενές),

| ζ. | Εγχυτήρες προωστικού υγρού με μεμονωμένα ανοίγματα 0,381 mm ή μικρότερης διαμέτρου (διατομής 1,14 × 10-3 cm2 ή μικρότερης ώστε για μη κυκλικά ανοίγματα) ειδικά σχεδιασμένα για πυραυλοκινητήρες καυσίμου, |
| --- | --- |

ζ.

Εγχυτήρες προωστικού υγρού με μεμονωμένα ανοίγματα 0,381 mm ή μικρότερης διαμέτρου (διατομής 1,14 × 10-3 cm2 ή μικρότερης ώστε για μη κυκλικά ανοίγματα) ειδικά σχεδιασμένα για πυραυλοκινητήρες καυσίμου,

| η. | Μονοκόμματοι θάλαμοι ώσης ανθρακο-άνθρακα ή μονοκόμματοι κώνοι εξαγωγής άνθρακα-άνθρακα με πυκνότητα άνω του 1,4 g/cm3 και αντοχή εφελκυσμού άνω των 48 MPa. |
| --- | --- |

η.

Μονοκόμματοι θάλαμοι ώσης ανθρακο-άνθρακα ή μονοκόμματοι κώνοι εξαγωγής άνθρακα-άνθρακα με πυκνότητα άνω του 1,4 g/cm3 και αντοχή εφελκυσμού άνω των 48 MPa.

9A007

Πυραυλικά προωστικά συστήματα στερεού καυσίμου που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9A107 ΚΑΙ 9Α119.

| α. | Συνολική ωστική ικανότητα άνω των 1,1 MNs, |
| --- | --- |

α.

Συνολική ωστική ικανότητα άνω των 1,1 MNs,

| β. | Ειδική ωστική ισχύς ίση ή μεγαλύτερη με 2,4 kNs/kg, με ροή ακροφυσίου υπό συνθήκες περιβάλλοντος επιφάνειας θαλάσσης για ρυθμισμένη πίεση θαλάμου 7 MPa, |
| --- | --- |

β.

Ειδική ωστική ισχύς ίση ή μεγαλύτερη με 2,4 kNs/kg, με ροή ακροφυσίου υπό συνθήκες περιβάλλοντος επιφάνειας θαλάσσης για ρυθμισμένη πίεση θαλάμου 7 MPa,

| γ. | Λόγος μάζας καυσίμου ανά όροφο άνω του 88 % και φόρτιση στερεού καυσίμου άνω του 86 %, |
| --- | --- |

γ.

Λόγος μάζας καυσίμου ανά όροφο άνω του 88 % και φόρτιση στερεού καυσίμου άνω του 86 %,

| δ. | Τα κατασκευαστικά στοιχεία που καθορίζονται στο στοιχείο 9Α008, ή |
| --- | --- |

δ.

Τα κατασκευαστικά στοιχεία που καθορίζονται στο στοιχείο 9Α008, ή

| ε. | Συστήματα μόνωσης και δέσμευσης καυσίμου που λειτουργούν με βάση σχέδια κινητήρων απευθείας συνδεδεμένων για την εξασφάλιση «ισχυρής μηχανικής σύνδεσης» ή ως φραγμός στη χημική μετανάστευση μεταξύ του στέρεου καυσίμου και του μονωτικού υλικού του περιβλήματος.


  Τεχνική παρατήρηση:


  Ως «ισχυρός μηχανικός δεσμός» νοείται αντοχή δεσμού ίση ή μεγαλύτερη από τη δύναμη που ασκείται από το προωστικό υλικό. |
| --- | --- |

ε.

Συστήματα μόνωσης και δέσμευσης καυσίμου που λειτουργούν με βάση σχέδια κινητήρων απευθείας συνδεδεμένων για την εξασφάλιση «ισχυρής μηχανικής σύνδεσης» ή ως φραγμός στη χημική μετανάστευση μεταξύ του στέρεου καυσίμου και του μονωτικού υλικού του περιβλήματος.

Τεχνική παρατήρηση:

Ως «ισχυρός μηχανικός δεσμός» νοείται αντοχή δεσμού ίση ή μεγαλύτερη από τη δύναμη που ασκείται από το προωστικό υλικό.

9A008

Συστατικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα για πυραυλικά προωστικά συστήματα στερεού καυσίμου, ως ακολούθως:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9A108.

| α. | Συστήματα μόνωσης και δέσμευσης καυσίμου με χρήση χιτωνίων για την εξασφάλιση «ισχυρού μηχανικού δεσμού» ή ως φραγμός σε χημική μετανάστευση μεταξύ του στερεού καυσίμου και του μονωτικού υλικού του περιβλήματος.


  Τεχνική παρατήρηση:


  Ως «ισχυρός μηχανικός δεσμός» νοείται αντοχή δεσμού ίση ή μεγαλύτερη από τη δύναμη που ασκείται από το προωστικό υλικό. |
| --- | --- |

α.

Συστήματα μόνωσης και δέσμευσης καυσίμου με χρήση χιτωνίων για την εξασφάλιση «ισχυρού μηχανικού δεσμού» ή ως φραγμός σε χημική μετανάστευση μεταξύ του στερεού καυσίμου και του μονωτικού υλικού του περιβλήματος.

Τεχνική παρατήρηση:

Ως «ισχυρός μηχανικός δεσμός» νοείται αντοχή δεσμού ίση ή μεγαλύτερη από τη δύναμη που ασκείται από το προωστικό υλικό.

| β. | Περιβλήματα κινητήρων με περιέλιξη από «σύνθετα υλικά» διαμέτρου άνω των 0,61 m ή με «λόγο δομικής απόδοσης (PV/W)» άνω των 25 km,


  Τεχνική παρατήρηση:


  Ο «λόγος δομικής απόδοσης (PV/W)» είναι η πίεση ρήξεως (Ρ) πολλαπλασιασμένη επί τον όγκο του δοχείου (V) διαιρούμενη διά του συνολικού βάρους του δοχείου πιέσεως (W). |
| --- | --- |

β.

Περιβλήματα κινητήρων με περιέλιξη από «σύνθετα υλικά» διαμέτρου άνω των 0,61 m ή με «λόγο δομικής απόδοσης (PV/W)» άνω των 25 km,

Τεχνική παρατήρηση:

Ο «λόγος δομικής απόδοσης (PV/W)» είναι η πίεση ρήξεως (Ρ) πολλαπλασιασμένη επί τον όγκο του δοχείου (V) διαιρούμενη διά του συνολικού βάρους του δοχείου πιέσεως (W).

| γ. | Ακροφύσια με επίπεδο ώσης άνω των 45 kN ή λόγος επιφανειακής διάβρωσης λαιμού ακροφυσίου κάτω των 0,075 mm/s, |
| --- | --- |

γ.

Ακροφύσια με επίπεδο ώσης άνω των 45 kN ή λόγος επιφανειακής διάβρωσης λαιμού ακροφυσίου κάτω των 0,075 mm/s,

| δ. | Συστήματα ελέγχου ανύσματος ώσεως μέσω κινητών ακροφυσίων μέσω δευτερεύουσας εγχύσεως υγρού, ικανά για οιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Πανταξονική κίνηση άνω των ± 5°, |
| --- | --- | --- |

δ.

Συστήματα ελέγχου ανύσματος ώσεως μέσω κινητών ακροφυσίων μέσω δευτερεύουσας εγχύσεως υγρού, ικανά για οιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Πανταξονική κίνηση άνω των ± 5°,

| 2. | Περιστροφή γωνιακού ανύσματος ίση ή μεγαλύτερη από 20°/s, ή |
| --- | --- |

2.

Περιστροφή γωνιακού ανύσματος ίση ή μεγαλύτερη από 20°/s, ή

| 3. | Επιτάχυνση γωνιακού ανύσματος ίση ή μεγαλύτερη από 40°/s2. |
| --- | --- |

3.

Επιτάχυνση γωνιακού ανύσματος ίση ή μεγαλύτερη από 40°/s2.

9A009

Πυραυλικά προωστικά συστήματα στερεού καυσίμου που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9A109 ΚΑΙ 9Α119.

| α. | Συνολική ωστική ικανότητα άνω των 1,1 MNs, ή |
| --- | --- |

α.

Συνολική ωστική ικανότητα άνω των 1,1 MNs, ή

| β. | Επίπεδα ώσης άνω των 220 kN σε εξωτερικές συνθήκες κενού. |
| --- | --- |

β.

Επίπεδα ώσης άνω των 220 kN σε εξωτερικές συνθήκες κενού.

9A010

Ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη, συστήματα και δομήματα για οχήματα εκτόξευσης ή προωστικά συστήματα οχημάτων εκτόξευσης ή «διαστημικά οχήματα» ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 1Α002 ΚΑΙ 9Α110.

| α. | Συστατικά μέρη το καθένα άνω των 10 kg και ειδικά σχεδιασμένα για οχήματα εκτόξευσης κατασκευασμένα με χρήση «σύνθετων» υλικών, υλικών μεταλλικής «μήτρας» οργανικών «σύνθετων» υλικών, υλικών κεραμικής «μήτρας» ή διαμεταλλικών ενισχυμένων υλικών που καθορίζονται στις παραγράφους 1C007 ή 1C010.


  Σημείωση: Το όριο βάρους δεν αφορά τους ριναίους κώνους. |
| --- | --- |

α.

Συστατικά μέρη το καθένα άνω των 10 kg και ειδικά σχεδιασμένα για οχήματα εκτόξευσης κατασκευασμένα με χρήση «σύνθετων» υλικών, υλικών μεταλλικής «μήτρας» οργανικών «σύνθετων» υλικών, υλικών κεραμικής «μήτρας» ή διαμεταλλικών ενισχυμένων υλικών που καθορίζονται στις παραγράφους 1C007 ή 1C010.

Σημείωση: Το όριο βάρους δεν αφορά τους ριναίους κώνους.

| β. | Συστατικά μέρη και δομήματα ειδικά σχεδιασμένα για προωστικά συστήματα οχημάτων εκτόξευσης που καθορίζονται στα εδάφια 9Α005 έως 9Α009 κατασκευασμένα με χρήση υλικών μεταλλικής «μήτρας» σύνθετων υλικών, οργανικών «σύνθετων» υλικών, υλικών κεραμικής «μήτρας» ή διαμεταλλικών ενισχυμένων υλικών που καθορίζονται στις παραγράφους 1C007 ή 1C010, |
| --- | --- |

β.

Συστατικά μέρη και δομήματα ειδικά σχεδιασμένα για προωστικά συστήματα οχημάτων εκτόξευσης που καθορίζονται στα εδάφια 9Α005 έως 9Α009 κατασκευασμένα με χρήση υλικών μεταλλικής «μήτρας» σύνθετων υλικών, οργανικών «σύνθετων» υλικών, υλικών κεραμικής «μήτρας» ή διαμεταλλικών ενισχυμένων υλικών που καθορίζονται στις παραγράφους 1C007 ή 1C010,

| γ. | Δομικά μέρη και συστήματα μόνωσης ειδικά σχεδιασμένα για να ελέγχουν ενεργά τη δυναμική απόκρισης ή παραμόρφωση δομών «διαστημικών οχημάτων», |
| --- | --- |

γ.

Δομικά μέρη και συστήματα μόνωσης ειδικά σχεδιασμένα για να ελέγχουν ενεργά τη δυναμική απόκρισης ή παραμόρφωση δομών «διαστημικών οχημάτων»,

| δ. | Παλμικοί πυραυλοκινητήρες υγρού καυσίμου με σχέση ώσης/βάρους τουλάχιστον ίση προς 1 kN/kg και χρόνο απόκρισης (χρόνος που απαιτείται για την επίτευξη του 90 % της συνολικής ονομαστικής ώσης από τη στιγμή της εκκίνησης) κάτω των 30 ms. |
| --- | --- |

δ.

Παλμικοί πυραυλοκινητήρες υγρού καυσίμου με σχέση ώσης/βάρους τουλάχιστον ίση προς 1 kN/kg και χρόνο απόκρισης (χρόνος που απαιτείται για την επίτευξη του 90 % της συνολικής ονομαστικής ώσης από τη στιγμή της εκκίνησης) κάτω των 30 ms.

9A011

Αυλοαεριωθητές, αυλοαεριωθητές υπερηχητικής καύσεως ή κινητήρες συνδυασμένου κύκλου και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη τους.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Α111 ΚΑΙ 9Α118.

9A012

«Μη επανδρωμένα εναέρια οχήματα» («UAV»), μη επανδρωμένα «αερόπλοια», συναφή συστήματα, εξοπλισμός και συστατικά στοιχεία ως εξής:

| α. | «UAV» ή μη επανδρωμένα «αερόπλοια» που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  1. | Αυτόνομη ικανότητα ελέγχου πτήσης και πλοήγησης (π.χ. αυτόματο πιλότο με Σύστημα Αδρανειακής Πλοήγησης), ή |
| --- | --- | --- |

α.

«UAV» ή μη επανδρωμένα «αερόπλοια» που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1.

Αυτόνομη ικανότητα ελέγχου πτήσης και πλοήγησης (π.χ. αυτόματο πιλότο με Σύστημα Αδρανειακής Πλοήγησης), ή

| 2. | Ικανότητα ελεγχόμενης πτήσης εκτός της εμβέλειας άμεσης όρασης που απαιτεί ανθρώπινο χειριστή (π.χ. τηλεοπτικό τηλεχειρισμό). |
| --- | --- |

2.

Ικανότητα ελεγχόμενης πτήσης εκτός της εμβέλειας άμεσης όρασης που απαιτεί ανθρώπινο χειριστή (π.χ. τηλεοπτικό τηλεχειρισμό).

| β. | Συναφή συστήματα, εξοπλισμός και συστατικά στοιχεία ως εξής:






  1. | Εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος για τον τηλεχειρισμό των «UAV» ή μη επανδρωμένων «αερόπλοιων» που ορίζονται στο σημείο 9Α012.α., |
| --- | --- | --- |

β.

Συναφή συστήματα, εξοπλισμός και συστατικά στοιχεία ως εξής:

1.

Εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος για τον τηλεχειρισμό των «UAV» ή μη επανδρωμένων «αερόπλοιων» που ορίζονται στο σημείο 9Α012.α.,

| 2. | Συστήματα πλοήγησης, προσανατολισμού, καθοδήγησης ή ελέγχου, πλην εκείνων που ορίζονται στο σημείο 7Α, ειδικά σχεδιασμένα για ενσωμάτωση στα «UAV» ή μη επανδρωμένα «αερόπλοια» που καθορίζονται στο σημείο 9Α012.α., |
| --- | --- |

2.

Συστήματα πλοήγησης, προσανατολισμού, καθοδήγησης ή ελέγχου, πλην εκείνων που ορίζονται στο σημείο 7Α, ειδικά σχεδιασμένα για ενσωμάτωση στα «UAV» ή μη επανδρωμένα «αερόπλοια» που καθορίζονται στο σημείο 9Α012.α.,

| 3. | Εξοπλισμός ή συστατικά στοιχεία ειδικά σχεδιασμένα για τη μετατροπή επανδρωμένου «αεροσκάφους» ή επανδρωμένου «αερόπλοιου» σε «UAV» ή μη επανδρωμένο «αερόπλοιο», όπως ορίζεται στο σημείο 9Α012.α., |
| --- | --- |

3.

Εξοπλισμός ή συστατικά στοιχεία ειδικά σχεδιασμένα για τη μετατροπή επανδρωμένου «αεροσκάφους» ή επανδρωμένου «αερόπλοιου» σε «UAV» ή μη επανδρωμένο «αερόπλοιο», όπως ορίζεται στο σημείο 9Α012.α.,

| 4. | Αερόβιοι παλινδρομικοί η περιστροφικοί κινητήρες τύπου εσωτερικής καύσεως, ειδικά σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι για την πρόωση «UAV» ή μη επανδρωμένων «αερόπλοιων» σε υψόμετρο άνω των 50 000 ποδών (15 240 μέτρων). |
| --- | --- |

4.

Αερόβιοι παλινδρομικοί η περιστροφικοί κινητήρες τύπου εσωτερικής καύσεως, ειδικά σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι για την πρόωση «UAV» ή μη επανδρωμένων «αερόπλοιων» σε υψόμετρο άνω των 50 000 ποδών (15 240 μέτρων).

9A101

Στροβιλοκινητήρες και στροβιλοκινητήρες διπλής ροής οι οποίοι χρησιμοποιούνται σε «βλήματα», εκτός αυτών που ορίζονται στην παράγραφο 9Α001, ως εξής:

| α. | Κινητήρες που διαθέτουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | «Μέγιστη προωθητική δύναμη» άνω των 400 Ν (επιτυγχάνεται όταν ο κινητήρας δεν είναι εγκατεστημένος), εξαιρουμένων των κινητήρων που είναι πιστοποιημένοι για πολιτική χρήση, με «μέγιστη προωθητική δύναμη»8 890 N (όταν ο κινητήρας δεν είναι εγκατεστημένος), και |
| --- | --- | --- |

α.

Κινητήρες που διαθέτουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

«Μέγιστη προωθητική δύναμη» άνω των 400 Ν (επιτυγχάνεται όταν ο κινητήρας δεν είναι εγκατεστημένος), εξαιρουμένων των κινητήρων που είναι πιστοποιημένοι για πολιτική χρήση, με «μέγιστη προωθητική δύναμη»8 890 N (όταν ο κινητήρας δεν είναι εγκατεστημένος), και

| 2. | Ειδική κατανάλωση καυσίμου 0,15 kg/N/hr το πολύ (στη μέγιστη συνεχή ισχύ, υπό στατικές συνθήκες στο επίπεδο της θάλασσας με τη χρήση της τυπικής ατμόσφαιρας του ICAO), |
| --- | --- |

2.

Ειδική κατανάλωση καυσίμου 0,15 kg/N/hr το πολύ (στη μέγιστη συνεχή ισχύ, υπό στατικές συνθήκες στο επίπεδο της θάλασσας με τη χρήση της τυπικής ατμόσφαιρας του ICAO),

Τεχνική παρατήρηση:

Για τους σκοπούς του σημείου 9A101.α.1. ως «μέγιστη προωθητική δύναμη» ορίζεται η μέγιστη ώση που προδιαγράφει ο κατασκευαστής για το συγκεκριμένο τύπο κινητήρα όταν δεν είναι εγκατεστημένος. Η τιμή της ώσης που έχει πιστοποιηθεί για πολιτικούς σκοπούς είναι ίση ή μικρότερη από τη μέγιστη ώση που προδιαγράφει ο κατασκευαστής για το συγκεκριμένο τύπο κινητήρα.

| β. | Κινητήρες σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι για χρήση σε «βλήματα» ή μη επανδρωμένα εναέρια οχήματα που ορίζονται στο σημείο 9Α012. |
| --- | --- |

β.

Κινητήρες σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι για χρήση σε «βλήματα» ή μη επανδρωμένα εναέρια οχήματα που ορίζονται στο σημείο 9Α012.

9A102

«Συστήματα ελικοστροβιλοκινητήρων» ειδικά σχεδιασμένα για μη επανδρωμένα εναέρια οχήματα που ορίζονται στο σημείο 9A012, και τα ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά στοιχεία τους, με «μέγιστη ισχύ» μεγαλύτερη από 10 kW.

Σημείωση: Στο σημείο 9A102 δεν υπάγονται οι κινητήρες που είναι πιστοποιημένοι για πολιτική χρήση.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Για τους σκοπούς του 9A102 το «σύστημα ελικοστροβιλοκινητήρων» περιλαμβάνει όλα τα ακόλουθα:







  α. | στροβιλοαξονικό κινητήρα, και |
| --- | --- | --- |

1.

α.

στροβιλοαξονικό κινητήρα, και

| β. | και σύστημα μετάδοσης ισχύος σε έλικα. |
| --- | --- |

β.

και σύστημα μετάδοσης ισχύος σε έλικα.

| 2. | Για τους σκοπούς του στοιχείου 9A102 η «μέγιστη ισχύς» επιτυγχάνεται χωρίς εγκατάσταση υπό στατικές συνθήκες στο επίπεδο της θάλασσας με τη χρήση της τυπικής ατμόσφαιρας του ICAO. |
| --- | --- |

2.

9A104

Πυραυλοβολίδες, εμβέλειας τουλάχιστον 300 km.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Α004.

9A105

Πυραυλοκινητήρες υγρού καυσίμου ως εξής:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Α119.

| α. | Πυραυλοκινητήρες υγρού καυσίμου που χρησιμοποιούνται σε «βλήματα», εκτός αυτών που ορίζονται στο σημείο 9Α005, ενσωματωμένοι, ή σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι να ενσωματωθούν, σε σύστημα προώθηση υγρού καυσίμου με ολική ικανότητα ώσης ίση ή μεγαλύτερη από 1,1 ΜΝs, |
| --- | --- |

α.

Πυραυλοκινητήρες υγρού καυσίμου που χρησιμοποιούνται σε «βλήματα», εκτός αυτών που ορίζονται στο σημείο 9Α005, ενσωματωμένοι, ή σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι να ενσωματωθούν, σε σύστημα προώθηση υγρού καυσίμου με ολική ικανότητα ώσης ίση ή μεγαλύτερη από 1,1 ΜΝs,

| β. | Πυραυλοκινητήρες υγρού καυσίμου που χρησιμοποιούνται σε πλήρη πυραυλικά συστήματα ή σε μη επανδρωμένα οχήματα αέρος ικανά για βεληνεκές 300 km, εκτός αυτών που ορίζονται στο σημείο 9A005 ή 9A105.α., ενσωματωμένοι, ή σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι να ενσωματωθούν, σε σύστημα προώθηση υγρού καυσίμου με ολική ικανότητα ώσης ίση ή μεγαλύτερη από 0,841 MNs. |
| --- | --- |

β.

Πυραυλοκινητήρες υγρού καυσίμου που χρησιμοποιούνται σε πλήρη πυραυλικά συστήματα ή σε μη επανδρωμένα οχήματα αέρος ικανά για βεληνεκές 300 km, εκτός αυτών που ορίζονται στο σημείο 9A005 ή 9A105.α., ενσωματωμένοι, ή σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι να ενσωματωθούν, σε σύστημα προώθηση υγρού καυσίμου με ολική ικανότητα ώσης ίση ή μεγαλύτερη από 0,841 MNs.

9A106

Συστήματα ή συστατικά μέρη εκτός αυτών που ορίζονται στην παράγραφο 9Α006 ως ακολούθως και που είναι ειδικά σχεδιασμένα για πυραυλικά προωστικά συστήματα υγρού καυσίμου:

| α. | Πεπλατυσμένα χιτώνια για θαλάμους ώσης ή καύσης που χρησιμοποιούνται σε «βλήματα», σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104. |
| --- | --- |

α.

Πεπλατυσμένα χιτώνια για θαλάμους ώσης ή καύσης που χρησιμοποιούνται σε «βλήματα», σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104.

| β. | Ακροφύσια πυραύλων που χρησιμοποιούνται σε «βλήματα», σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104. |
| --- | --- |

β.

Ακροφύσια πυραύλων που χρησιμοποιούνται σε «βλήματα», σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104.

| γ. | Υποσυστήματα ελέγχου ωστικού ανύσματος που χρησιμοποιούνται σε «βλήματα»,


  Τεχνική παρατήρηση:


  Παραδείγματα μεθόδων για την επίτευξη ελέγχου ωστικού ανύσματος που ορίζονται στο εδάφιο 9Α106.γ. περιλαμβάνουν:








  1. | Εύκαμπτο ακροφύσιο, |
| --- | --- | --- |

γ.

Υποσυστήματα ελέγχου ωστικού ανύσματος που χρησιμοποιούνται σε «βλήματα»,

Τεχνική παρατήρηση:

Παραδείγματα μεθόδων για την επίτευξη ελέγχου ωστικού ανύσματος που ορίζονται στο εδάφιο 9Α106.γ. περιλαμβάνουν:

1.

Εύκαμπτο ακροφύσιο,

| 2. | Έγχυση υγρού ή δευτερεύοντος αερίου, |
| --- | --- |

2.

Έγχυση υγρού ή δευτερεύοντος αερίου,

| 3. | Κινητός κινητήρας ή ακροφύσιο, |
| --- | --- |

3.

Κινητός κινητήρας ή ακροφύσιο,

| 4. | Εκτροπή του ρεύματος των καυσαερίων (πτερύγια jet ή αεροστόμια), ή |
| --- | --- |

4.

Εκτροπή του ρεύματος των καυσαερίων (πτερύγια jet ή αεροστόμια), ή

| 5. | Ωστικές γλωττίδες. |
| --- | --- |

5.

Ωστικές γλωττίδες.

| δ. | Συστήματα ελέγχου που χρησιμοποιούν καύσιμο σε υγρή ή υδαρή μορφή ή σε μορφή γέλης (συμπεριλαμβανομένων των οξειδωτών) καθώς και ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη αυτών, που χρησιμοποιούνται σε «βλήματα» και έχουν σχεδιαστεί ή μετατραπεί για λειτουργία σε περιβάλλοντα δονήσεων άνω των 10 g rms μεταξύ 20 Hz και 2 kHz.


  Σημείωση: Οι μόνες σερβοβαλβίδες και αντλίες που ορίζονται στο 9Α106.δ. είναι οι ακόλουθες:








  α. | Σερβοβαλβίδες σχεδιασμένες για αριθμό ροής ίσο ή μεγαλύτερο από 24 λίτρα ανά λεπτό, σε απόλυτη πίεση ίση ή μεγαλύτερη από 7 MPa, που διαθέτουν χρόνο απόκρισης ενεργοποιητή μικρότερο των 100 ms, |
| --- | --- | --- |

δ.

Συστήματα ελέγχου που χρησιμοποιούν καύσιμο σε υγρή ή υδαρή μορφή ή σε μορφή γέλης (συμπεριλαμβανομένων των οξειδωτών) καθώς και ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη αυτών, που χρησιμοποιούνται σε «βλήματα» και έχουν σχεδιαστεί ή μετατραπεί για λειτουργία σε περιβάλλοντα δονήσεων άνω των 10 g rms μεταξύ 20 Hz και 2 kHz.

Σημείωση: Οι μόνες σερβοβαλβίδες και αντλίες που ορίζονται στο 9Α106.δ. είναι οι ακόλουθες:

α.

Σερβοβαλβίδες σχεδιασμένες για αριθμό ροής ίσο ή μεγαλύτερο από 24 λίτρα ανά λεπτό, σε απόλυτη πίεση ίση ή μεγαλύτερη από 7 MPa, που διαθέτουν χρόνο απόκρισης ενεργοποιητή μικρότερο των 100 ms,

| β. | Αντλίες υγρών καυσίμων με αξονική ταχύτητα ίση με ή μεγαλύτερη από 8 000 r.p.m. ή με πίεση κατάθλιψης ίση με ή μεγαλύτερη από 7 MPa. |
| --- | --- |

β.

Αντλίες υγρών καυσίμων με αξονική ταχύτητα ίση με ή μεγαλύτερη από 8 000 r.p.m. ή με πίεση κατάθλιψης ίση με ή μεγαλύτερη από 7 MPa.

9A107

Πυραυλοκινητήρες στερεού καυσίμου, που χρησιμοποιούνται σε πλήρη πυραυλικά συστήματα ή σε μη επανδρωμένα οχήματα αέρος ικανά για βεληνεκές 300 km, εκτός εκείνων που ορίζονται στην παράγραφο 9Α007, με ολική ικανότητα ώσεως ίση ή μεγαλύτερη από 0,841 ΜΝs.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Α119.

9A108

Συστατικά μέρη, εκτός από τα οριζόμενα στην παράγραφο 9Α008, ειδικά σχεδιασμένα για πυραυλικά προωστικά συστήματα στερεών καυσίμων, ως εξής:

| α. | Περιβλήματα πυραυλοκινητήρων και συστατικά στοιχεία «μόνωσής» τους, που χρησιμοποιούνται σε «βλήματα», σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104· |
| --- | --- |

α.

Περιβλήματα πυραυλοκινητήρων και συστατικά στοιχεία «μόνωσής» τους, που χρησιμοποιούνται σε «βλήματα», σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104·

| β. | Ακροφύσια πυραύλων που χρησιμοποιούνται σε «βλήματα», σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104. |
| --- | --- |

β.

Ακροφύσια πυραύλων που χρησιμοποιούνται σε «βλήματα», σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104.

| γ. | Υποσυστήματα ελέγχου ωστικού ανύσματος που χρησιμοποιούνται σε «βλήματα»,


  Τεχνική παρατήρηση:


  Παραδείγματα μεθόδων επίτευξης ελέγχου ωστικού ανύσματος που ορίζεται στο εδάφιο 9Α108.γ. είναι:








  1. | Εύκαμπτο ακροφύσιο, |
| --- | --- | --- |

γ.

Υποσυστήματα ελέγχου ωστικού ανύσματος που χρησιμοποιούνται σε «βλήματα»,

Τεχνική παρατήρηση:

Παραδείγματα μεθόδων επίτευξης ελέγχου ωστικού ανύσματος που ορίζεται στο εδάφιο 9Α108.γ. είναι:

1.

Εύκαμπτο ακροφύσιο,

| 2. | Έγχυση υγρού ή δευτερεύοντος αερίου, |
| --- | --- |

2.

Έγχυση υγρού ή δευτερεύοντος αερίου,

| 3. | Κινητός κινητήρας ή ακροφύσιο, |
| --- | --- |

3.

Κινητός κινητήρας ή ακροφύσιο,

| 4. | Εκτροπή του ρεύματος των καυσαερίων (πτερύγια jet ή αεροστόμια), ή |
| --- | --- |

4.

Εκτροπή του ρεύματος των καυσαερίων (πτερύγια jet ή αεροστόμια), ή

| 5. | Ωστικές γλωττίδες. |
| --- | --- |

5.

Ωστικές γλωττίδες.

9A109

Υβριδικοί πυραυλοκινητήρες, καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη τους, ως εξής:

| α. | Υβριδικοί πυραυλοκινητήρες χρησιμοποιούμενοι σε πλήρη πυραυλικά συστήματα ή μη επανδρωμένα εναέρια οχήματα με εμβέλεια 300 km, εκτός από τους προσδιοριζόμενους στο σημείο 9Α009, με συνολική ωστική ικανότητα τουλάχιστον 0,841 ΜΝs, καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη τους, |
| --- | --- |

α.

Υβριδικοί πυραυλοκινητήρες χρησιμοποιούμενοι σε πλήρη πυραυλικά συστήματα ή μη επανδρωμένα εναέρια οχήματα με εμβέλεια 300 km, εκτός από τους προσδιοριζόμενους στο σημείο 9Α009, με συνολική ωστική ικανότητα τουλάχιστον 0,841 ΜΝs, καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη τους,

| β. | Ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη των υβριδικών πυραυλοκινητήρων οι οποίοι προσδιορίζονται στο 9Α009, που μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε «βλήματα». |
| --- | --- |

β.

Ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη των υβριδικών πυραυλοκινητήρων οι οποίοι προσδιορίζονται στο 9Α009, που μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε «βλήματα».

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Α009 και 9Α119.

9A110

Σύνθετα δομήματα, πολυστρωματικά υλικά και κατασκευές τους, εκτός των οριζομένων στο σημείο 9Α010, ειδικά σχεδιασμένα για να χρησιμοποιούνται σε «βλήματα» ή στα υποσυστήματα που καθορίζονται στις παραγράφους 9A005, 9A007, 9A105, 9A106.γ., 9A107, 9A108.γ., 9A116 ή 9A119.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 1A002.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 9A110, ως «βλήματα» νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων εναέριων οχημάτων με ακτίνα δράσης άνω των 300 km.

9A111

Κινητήρες αεριωθητή, χρησιμοποιήσιμοι σε «βλήματα» ή σε μη επανδρωμένα εναέρια οχήματα εμπίπτοντα στο σημείο 9Α012, καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη τους.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9A011 ΚΑΙ 9Α118.

9A115

Εξοπλισμός υποστήριξης εκτοξεύσεων, ως εξής:

| α. | Συσκευές και διατάξεις για χειρισμό, έλεγχο, ενεργοποίηση ή εκτόξευση, σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004, για μη επανδρωμένα εναέρια οχήματα που ορίζονται στο σημείο 9Α012, ή για πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104, |
| --- | --- |

α.

Συσκευές και διατάξεις για χειρισμό, έλεγχο, ενεργοποίηση ή εκτόξευση, σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004, για μη επανδρωμένα εναέρια οχήματα που ορίζονται στο σημείο 9Α012, ή για πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104,

| β. | Οχήματα για μεταφορά, χειρισμό, έλεγχο, ενεργοποίηση ή εκτόξευση, σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή για πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104. |
| --- | --- |

β.

Οχήματα για μεταφορά, χειρισμό, έλεγχο, ενεργοποίηση ή εκτόξευση, σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή για πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104.

9A116

Οχήματα επανεισόδου στην ατμόσφαιρα χρησιμοποιούμενα σε «βλήματα», καθώς και σχεδιασμένος ή τροποποιημένος εξοπλισμός τους, ως εξής:

| α. | Οχήματα επανεισόδου, |
| --- | --- |

α.

Οχήματα επανεισόδου,

| β. | Θερμικοί θώρακες και συστατικά μέρη τους κατασκευασμένοι από κεραμικά ή θερμοαπαγωγά υλικά, |
| --- | --- |

β.

Θερμικοί θώρακες και συστατικά μέρη τους κατασκευασμένοι από κεραμικά ή θερμοαπαγωγά υλικά,

| γ. | Απαγωγείς θερμότητας και συστατικά μέρη τους κατασκευασμένα από ελαφρά υλικά με υψηλή θερμοανθεκτικότητα, |
| --- | --- |

γ.

Απαγωγείς θερμότητας και συστατικά μέρη τους κατασκευασμένα από ελαφρά υλικά με υψηλή θερμοανθεκτικότητα,

| δ. | Ηλεκτρονικός εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος για οχήματα επανεισόδου στην ατμόσφαιρα. |
| --- | --- |

δ.

Ηλεκτρονικός εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος για οχήματα επανεισόδου στην ατμόσφαιρα.

9A117

Μηχανισμοί αποχωρισμού βαθμίδων, μηχανισμοί αποκόλλησης και ενδιάμεσες βαθμίδες, χρησιμοποιούμενοι σε «βλήματα».

ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης 9A121.

9A118

Μηχανισμοί για τη ρύθμιση καύσης κινητήρων, χρησιμοποιήσιμοι σε «βλήματα» ή σε μη επανδρωμένα εναέρια οχήματα εμπίπτοντα στο σημείο 9Α012 που εμπίπτουν στα σημεία 9Α011 ή 9Α111.

9A119

Μεμονωμένες βαθμίδες πυραύλων, που χρησιμοποιούνται σε πλήρη πυραυλικά συστήματα ή σε μη επανδρωμένα οχήματα αέρος ικανά για βεληνεκές 300 km, εκτός των οριζομένων στις παραγράφους 9Α005, 9Α007, 9Α009, 9Α105, 9Α107 και 9Α109.

9A120

Δεξαμενές προωστικών υγρών, πλην εκείνων που ορίζονται στο σημείο 9Α006, ειδικά σχεδιασμένες για τα προωστικά που ορίζονται στο σημείο 1C111 ή «άλλα προωστικά υγρά», που χρησιμοποιούνται σε πυραυλικά συστήματα ικανά να μεταφέρουν ωφέλιμο φορτίο τουλάχιστον 500 kg σε απόσταση τουλάχιστον 300 km.

Σημείωση: Στο σημείο 9Α120, τα «άλλα προωστικά υγρά» περιλαμβάνουν, μεταξύ άλλων, τα προωστικά που ορίζονται στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων.

9A121

Καλώδια τροφοδοσίας και ενδιάμεσοι ηλεκτρικοί σύνδεσμοι που έχουν σχεδιαστεί ειδικά για «βλήματα», οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104.

Τεχνική παρατήρηση:

Οι ενδιάμεσοι ηλεκτρικοί σύνδεσμοι που αναφέρονται στο σημείο 9A121 περιλαμβάνουν και ηλεκτρικούς συνδέσμους εγκατεστημένους μεταξύ «βλημάτων», οχημάτων εκτόξευσης στο διάστημα ή πυραυλοβολίδων και του ωφέλιμου φορτίου τους.

9A350

Συστήματα ψεκασμού ή δημιουργίας ομίχλης, ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για εγκατάσταση σε αεροσκάφη, «οχήματα ελαφρότερα του αέρος» ή μη επανδρωμένα εναέρια οχήματα, καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη τους, ως εξής:

| α. | Πλήρη συστήματα ψεκασμού ή δημιουργίας ομίχλης, ικανά να εκχέουν, από υγρό αιώρημα, σταγονίδια αρχικής «VMD» κάτω των 50 μm με παροχή άνω των δύο λίτρων ανά λεπτό, |
| --- | --- |

α.

Πλήρη συστήματα ψεκασμού ή δημιουργίας ομίχλης, ικανά να εκχέουν, από υγρό αιώρημα, σταγονίδια αρχικής «VMD» κάτω των 50 μm με παροχή άνω των δύο λίτρων ανά λεπτό,

| β. | Ψεκαστικοί ιστοί ή συστοιχίες μονάδων παραγωγής αερολυμάτων, ικανά να εκχέουν, από υγρό αιώρημα, σταγονίδια αρχικής «VMD» κάτω των 50 μm με παροχή άνω των δύο λίτρων ανά λεπτό, |
| --- | --- |

β.

Ψεκαστικοί ιστοί ή συστοιχίες μονάδων παραγωγής αερολυμάτων, ικανά να εκχέουν, από υγρό αιώρημα, σταγονίδια αρχικής «VMD» κάτω των 50 μm με παροχή άνω των δύο λίτρων ανά λεπτό,

| γ. | Μονάδες παραγωγής αερολυμάτων ειδικά σχεδιασμένες για εγκατάσταση στα συστήματα που προσδιορίζονται στα σημεία 9A350.α και .β.


  Σημείωση: Ως μονάδες παραγωγής αερολυμάτων νοούνται οι διατάξεις οι ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για εγκατάσταση σε αεροσκάφη, όπως ακροφύσια, καταιωνιστήρες με περιστροφικό τύμπανο και παρόμοιες διατάξεις. |
| --- | --- |

γ.

Μονάδες παραγωγής αερολυμάτων ειδικά σχεδιασμένες για εγκατάσταση στα συστήματα που προσδιορίζονται στα σημεία 9A350.α και .β.

Σημείωση: Ως μονάδες παραγωγής αερολυμάτων νοούνται οι διατάξεις οι ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για εγκατάσταση σε αεροσκάφη, όπως ακροφύσια, καταιωνιστήρες με περιστροφικό τύμπανο και παρόμοιες διατάξεις.

Σημείωση: Το σημείο 9A350 δεν θέτει υπό έλεγχο τα συστήματα ψεκασμού ή δημιουργίας ομίχλης που αποδεδειγμένα δεν είναι ικανά να εκπέμπουν βιολογικούς παράγοντες υπό μορφή μολυσματικών αερολυμάτων.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Ώστε περί ψεκαστικού εξοπλισμού ή ακροφυσίων ειδικά σχεδιασμένων προς χρήση σε αεροσκάφη, «οχήματα ελαφρότερα του αέρος» ή μη επανδρωμένα εναέρια οχήματα, το μέγεθος των σταγονιδίων θα πρέπει να μετριέται με μία από τις εξής δύο μεθόδους:







  α. | Μέθοδο Doppler με λέιζερ, |
| --- | --- | --- |

1.

α.

Μέθοδο Doppler με λέιζερ,

| β. | Μέθοδο περίθλασης με λέιζερ πρόσθιας εκπομπής. |
| --- | --- |

β.

Μέθοδο περίθλασης με λέιζερ πρόσθιας εκπομπής.

| 2. | Στο σημείο 9A350, «VMD» σημαίνει διάμεση διάμετρος κατ’ όγκο, πράγμα που για τα υδατικά συστήματα ισούται με τη διάμεση διάμετρο κατά μάζα (MMD). |
| --- | --- |

2.

9B   Εξοπλισμός Δοκιμών, Ελέγχου και Παραγωγής

| 9B001 | Εξοπλισμός, εργαλεία ή διατάξεις στήριξης, ειδικά σχεδιασμένα για την κατασκευή των πτερυγίων των αεριοστροβίλων, των σταθερών πτερυγίων ή των χυτευμένων «στεφανών (προστατευτικών περιβλημάτων) των ακροπτερυγίων» ως εξής:






  α. | Εξοπλισμός κατευθυνόμενης στερεοποίησης ή μονοκρυσταλλικής χύτευσης, |
| --- | --- | --- |

9B001

Εξοπλισμός, εργαλεία ή διατάξεις στήριξης, ειδικά σχεδιασμένα για την κατασκευή των πτερυγίων των αεριοστροβίλων, των σταθερών πτερυγίων ή των χυτευμένων «στεφανών (προστατευτικών περιβλημάτων) των ακροπτερυγίων» ως εξής:

α.

Εξοπλισμός κατευθυνόμενης στερεοποίησης ή μονοκρυσταλλικής χύτευσης,

| β. | Κεραμικοί πυρήνες ή κελύφη. |
| --- | --- |

β.

Κεραμικοί πυρήνες ή κελύφη.

9B002

Συστήματα ελέγχου ανοικτής γραμμής (σε πραγματικό χρόνο), όργανα (συμπεριλαμβανομένων των αισθητήρων) ή αυτοματοποιημένος εξοπλισμός απόκτησης και επεξεργασίας δεδομένων, που διαθέτουν όλα τα ακόλουθα:

| α. | Είναι ειδικά σχεδιασμένοι για την «ανάπτυξη» κινητήρων αεριοστροβίλων, συναρμολογημάτων ή συστατικών μερών, και |
| --- | --- |

α.

Είναι ειδικά σχεδιασμένοι για την «ανάπτυξη» κινητήρων αεριοστροβίλων, συναρμολογημάτων ή συστατικών μερών, και

| β. | Περιλαμβάνουν «τεχνολογία» των σημείων 9Ε003.η ή 9Ε003.θ. |
| --- | --- |

β.

Περιλαμβάνουν «τεχνολογία» των σημείων 9Ε003.η ή 9Ε003.θ.

9B003

Ειδικά σχεδιασμένος εξοπλισμός για την «παραγωγή» ή δοκιμή στεγανωτικών δακτυλίων ψηκτρών για αεριοστροβίλους, σχεδιασμένων για λειτουργία σε ταχύτητες ακροπτερυγίου άνω των 335 m/s, και θερμοκρασίες άνω των 773 K (500 °C), καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα ανταλλακτικά ή εξαρτήματά τους.

9B004

Εργαλεία, μήτρες ή διατάξεις στερέωσης για την ένωση σε στερεή κατάσταση συστατικών μερών αεριοστροβίλων από «υπέρκραμα», ή τιτάνιο ή διαμεταλλικών συνδυασμών αεροτομής-δίσκου όπως περιγράφονται στο 9Ε003.α.3. ή 9Ε003.α.6. για αεριοστροβίλους.

9B005

Συστήματα ελέγχου ανοιχτής γραμμής (σε πραγματικό χρόνο), όργανα (συμπεριλαμβανομένων των αισθητήρων) ή αυτοματοποιημένος εξοπλισμός απόκτησης και επεξεργασίας δεδομένων, ειδικά σχεδιασμένα για χρήση με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Β105.

| α. | Αεροσήραγγες σχεδιασμένες για ταχύτητες ίσες προς ή μεγαλύτερες από 1,2 Mach.


  Σημείωση: Στο σημείο 9B005.α. δεν υπάγονται αεροσήραγγες ειδικά σχεδιασμένες για εκπαιδευτικούς σκοπούς και με «διάσταση διατομής δοκιμών» (μετρούμενη πλαγίως) μικρότερη των 250 mm.



  Τεχνική παρατήρηση:


  Ως «διάσταση διατομής δοκιμών» νοείται η διάμετρος του κύκλου ή η πλευρά τετραγώνου ή η μεγαλύτερη πλευρά ορθογωνίου στη θέση της μεγαλύτερης διατομής δοκιμών. |
| --- | --- |

α.

Αεροσήραγγες σχεδιασμένες για ταχύτητες ίσες προς ή μεγαλύτερες από 1,2 Mach.

Σημείωση: Στο σημείο 9B005.α. δεν υπάγονται αεροσήραγγες ειδικά σχεδιασμένες για εκπαιδευτικούς σκοπούς και με «διάσταση διατομής δοκιμών» (μετρούμενη πλαγίως) μικρότερη των 250 mm.

Τεχνική παρατήρηση:

Ως «διάσταση διατομής δοκιμών» νοείται η διάμετρος του κύκλου ή η πλευρά τετραγώνου ή η μεγαλύτερη πλευρά ορθογωνίου στη θέση της μεγαλύτερης διατομής δοκιμών.

| β. | Διατάξεις για την προσομοίωση περιβαλλόντων ροής σε ταχύτητες άνω των 5 Mach, συμπεριλαμβανομένων σηράγγων θερμής βολής, σηράγγων τόξου πλάσματος, σωλήνων κρούσεως, σηράγγων κρούσεως, σηράγγων αερίου και πυροσωλήνων ελαφρού αερίου, ή |
| --- | --- |

β.

Διατάξεις για την προσομοίωση περιβαλλόντων ροής σε ταχύτητες άνω των 5 Mach, συμπεριλαμβανομένων σηράγγων θερμής βολής, σηράγγων τόξου πλάσματος, σωλήνων κρούσεως, σηράγγων κρούσεως, σηράγγων αερίου και πυροσωλήνων ελαφρού αερίου, ή

| γ. | Αεροσήραγγες ή διατάξεις εκτός των διδιάστατων διατομών, ικανά για προσομοίωση ροών αριθμού Reynolds άνω των 25 × 106. |
| --- | --- |

γ.

Αεροσήραγγες ή διατάξεις εκτός των διδιάστατων διατομών, ικανά για προσομοίωση ροών αριθμού Reynolds άνω των 25 × 106.

9B006

Εξοπλισμός δοκιμής ακουστικών κραδασμών, ικανών να παράγουν επίπεδα ηχητικής πίεσης ίσα προς ή μεγαλύτερα των 160 dB (αναφερόμενα σε 20 Ρa) με ονομαστική δύναμη εξόδου ίση προς ή μεγαλύτερη των 4 kW σε θερμοκρασία θαλάμου δοκιμής άνω των 1 273 K (1 000 °C), καθώς και ειδικά σχεδιασμένοι θερμαντήρες χαλαζία.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Β106.

9B007

Ειδικά σχεδιασμένος εξοπλισμός για επιθεώρηση της αρτιότητας πυραυλοκινητήρων με χρήση μη καταστρεπτικών τεχνικών δοκιμής εκτός από επίπεδη ανάλυση ακτίνων και βασική φυσική ή χημική ανάλυση.

9B008

Απευθείας μέτρηση της επιφανειακής τριβής τοιχωμάτων μορφοτροπέων ειδικά σχεδιασμένων για να λειτουργούν σε ροή δοκιμής με συνολική θερμοκρασία ανακοπής (στάσιμων στιβάδων) άνω των 833 K (560 °C).

9B009

Ειδικά σχεδιασμένα εργαλεία για την παραγωγή συστατικών μερών στροφείου κινητήρα αεριοστροβίλου που παράγονται από μεταλλουργία κόνεων ικανά να λειτουργούν σε επίπεδα τάσης ίσα προς ή μεγαλύτερα από 60 % της οριακής αντοχής σε εφελκυσμό και σε θερμοκρασίες μετάλλου ίσες προς ή μεγαλύτερες από 873 Κ(600 °C).

9B010

Εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος για την παραγωγή «UAV» και συναφών συστημάτων, εξοπλισμού και συστατικών στοιχείων που ορίζονται στο σημείο 9Α012.

9B105

«Εγκαταστάσεις αεροδυναμικών δοκιμών» για ταχύτητες ίσες προς ή μεγαλύτερες από 0,9 Mach, χρησιμοποιούμενες για «βλήματα» και τα υποσυστήματά τους.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9Β005.

Σημείωση: Στο σημείο 9B105 δεν υπάγονται αεροσήραγγες για ταχύτητες ίσες ή μικρότερες από Mach 3 με διάσταση «διατομής δοκιμών» ίση ή μικρότερη από 250 mm.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Στο σημείο 9B105 οι «Εγκαταστάσεις αεροδυναμικών δοκιμών» περιλαμβάνουν αεροσήραγγγες και σήραγγες κρούσης για τη μελέτη της ροής αέρα πάνω από αντικείμενα. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Στη σημείωση στο σημείο 9B105, ως «διάσταση διατομής δοκιμών» νοείται η διάμετρος του κύκλου ή η πλευρά τετραγώνου ή η μεγαλύτερη πλευρά ορθογωνίου ή ο μεγάλος άξονας της έλλειψης στη θέση της μεγαλύτερης διατομής δοκιμών. Ως «διατομή δοκιμών» νοείται η τομή που είναι κάθετη προς την κατεύθυνση της ροής. |
| --- | --- |

2.

| 3. | Στο σημείο 9B105, ως «βλήματα» νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα μη επανδρωμένα συστήματα εναέριων οχημάτων με ακτίνα δράσης άνω των 300 km. |
| --- | --- |

3.

9B106

Θάλαμοι συνθηκών περιβάλλοντος και αντιηχητικοί θάλαμοι ως εξής:

| α. | Θάλαμοι συνθηκών περιβάλλοντος ικανοί για προσομοίωση όλων των ακολούθων συνθηκών πτήσεως:






  1. | Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Υψόμετρο ίσο προς ή μεγαλύτερο από 15 km, ή |
| --- | --- | --- | --- |

α.

Θάλαμοι συνθηκών περιβάλλοντος ικανοί για προσομοίωση όλων των ακολούθων συνθηκών πτήσεως:

1.

Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Υψόμετρο ίσο προς ή μεγαλύτερο από 15 km, ή

| β. | Φάσμα θερμοκρασίας από κάτω των 223 Κ (–50 °C) έως άνω των 398 Κ (+ 125 °C). |
| --- | --- |

β.

Φάσμα θερμοκρασίας από κάτω των 223 Κ (–50 °C) έως άνω των 398 Κ (+ 125 °C).

| 2. | Περιέχουν, ή έχουν «σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί» ώστε να περιέχουν, μονάδα δόνησης ή άλλο εξοπλισμό δοκιμής κραδασμών ώστε να παράγουν περιβάλλοντα κραδασμών ίσα προς ή μεγαλύτερα από 10 g rms, μετρούμενα επί «ελευθέρου πάγκου», μεταξύ 20 Hz και 2 kHz και μεταδιδόμενες δυνάμεις ίσες προς ή μεγαλύτερες από 5 kN, |
| --- | --- |

2.

Περιέχουν, ή έχουν «σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί» ώστε να περιέχουν, μονάδα δόνησης ή άλλο εξοπλισμό δοκιμής κραδασμών ώστε να παράγουν περιβάλλοντα κραδασμών ίσα προς ή μεγαλύτερα από 10 g rms, μετρούμενα επί «ελευθέρου πάγκου», μεταξύ 20 Hz και 2 kHz και μεταδιδόμενες δυνάμεις ίσες προς ή μεγαλύτερες από 5 kN,

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Το σημείο 9Β106.α.2. περιγράφει συστήματα ικανά να παράγουν περιβάλλον κραδασμών απλού κύματος (π.χ. ημιτονοειδές κύμα) και συστήματα ικανά να παράγουν τυχαίους κραδασμούς ευρέως φάσματος (δηλαδή φάσματος ισχύος). |
| --- | --- |

1.

| 2. | Στο σημείο 9B106.α.2., με την έκφραση «σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί» εννοείται ότι ο θάλαμος συνθηκών περιβάλλοντος παρέχει τις κατάλληλες διεπαφές (π.χ. συστήματα σφράγισης) ώστε να περιέχει μονάδα δόνησης ή άλλο εξοπλισμό δοκιμής κραδασμών όπως ορίζεται στο σημείο 2B116. |
| --- | --- |

2.

| 3. | Στο σημείο 9Β106.α.2., ως «ελεύθερος πάγκος» νοείται επίπεδος πάγκος ή επιφάνεια που δεν φέρει κατασκευές ή εξαρτήματα. |
| --- | --- |

3.

| β. | Θάλαμοι συνθηκών περιβάλλοντος ικανοί για προσομοίωση των ακολούθων συνθηκών πτήσεως:






  1. | Ακουστικά περιβάλλοντα συνολικού επιπέδου πιέσεως ήχου ίσου προς ή μεγαλύτερου από 140 dB (αναφερόμενο σε 20 μΡa) ή με συνολική ονομαστική απόδοση εξόδου ίση προς ή μεγαλύτερη από 4 kW, και |
| --- | --- | --- |

β.

Θάλαμοι συνθηκών περιβάλλοντος ικανοί για προσομοίωση των ακολούθων συνθηκών πτήσεως:

1.

Ακουστικά περιβάλλοντα συνολικού επιπέδου πιέσεως ήχου ίσου προς ή μεγαλύτερου από 140 dB (αναφερόμενο σε 20 μΡa) ή με συνολική ονομαστική απόδοση εξόδου ίση προς ή μεγαλύτερη από 4 kW, και

| 2. | Υψόμετρο ίσο προς ή μεγαλύτερο από 15 km, ή |
| --- | --- |

2.

Υψόμετρο ίσο προς ή μεγαλύτερο από 15 km, ή

| 3. | Φάσμα θερμοκρασίας από κάτω των 223 Κ (–50 °C) έως άνω των 398 Κ (+ 125 °C). |
| --- | --- |

3.

Φάσμα θερμοκρασίας από κάτω των 223 Κ (–50 °C) έως άνω των 398 Κ (+ 125 °C).

9B115

Ειδικά σχεδιασμένος «εξοπλισμός παραγωγής» για τα συστήματα, υποσυστήματα και τα συστατικά μέρη των σημείων 9Α005 έως 9Α009, 9Α011, 9Α101, 9A102, 9Α105 έως 9Α109, 9Α111, 9Α116 έως 9Α120.

9B116

Ειδικά σχεδιασμένες «εγκαταστάσεις παραγωγής» για τα οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004, ή τα συστήματα, υποσυστήματα και συστατικά μέρη που ορίζονται στα σημεία 9A005 έως 9A009, 9A011, 9A101, 9A102, 9A104 έως 9A109, 9A111, 9A116 έως 9A120 ή «βλήματα».

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 9Β116, «βλήματα» σημαίνει πλήρη πυραυλικά συστήματα και συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος ικανά για βεληνεκές άνω των 300 km.

9B117

Τράπεζες δοκιμών και εξέδρες δοκιμών για πυραύλους στερεάς ή υγρής προωστικής ύλης ή πυραυλοκινητήρες, με εκάτερο των ακόλουθων χαρακτηριστικών:

| α. | Ικανότητα να ανταπεξέλθουν σε ώση μεγαλύτερη από 68 kN, ή |
| --- | --- |

α.

Ικανότητα να ανταπεξέλθουν σε ώση μεγαλύτερη από 68 kN, ή

| β. | Ικανότητα ταυτόχρονης μέτρησης των συνισταμένων ώσης στους τρεις άξονες. |
| --- | --- |

β.

Ικανότητα ταυτόχρονης μέτρησης των συνισταμένων ώσης στους τρεις άξονες.

9C   Υλικά

| 9C108 | Χύδην υλικό «μόνωσης» και «εσωτερική επένδυση», πλην εκείνων που ορίζονται στο σημείο στο σημείο 9Α008, για περιβλήματα πυραυλοκινητήρων που είναι δυνατόν να χρησιμοποιηθούν σε «βλήματα» ή ειδικά σχεδιασμένα για «βλήματα».


  Τεχνική παρατήρηση:


  Στο σημείο 9C108, «βλήματα» σημαίνει πλήρη πυραυλικά συστήματα και συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος ικανά για βεληνεκές άνω των 300 km. |
| --- | --- |
| 9C110 | Προεμποτισμένα με ρητίνες ινώδη υλικά και ινώδη προπλάσματά τους (προφόρμες) με μεταλλική επίστρωση για σύνθετα δομήματα, πολυστρωματικά υλικά και κατασκευές τους που ορίζονται στην παράγραφο 9Α110, κατασκευασμένα είτε από οργανική μήτρα ή μεταλλική μήτρα με χρήση ινών ή νηματοειδών ενισχύσεων με «ειδική αντοχή στον εφελκυσμό» μεγαλύτερη από 7,62 × 104 m και «ειδικό μέτρο ελαστικότητας» μεγαλύτερο από 3,18 × 106 m.


  ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 1C010 ΚΑΙ 1C210.



  Σημείωση: Τα μόνα προεμποτισμένα με ρητίνες ινώδη υλικά που ορίζονται στην παράγραφο 9C110 είναι εκείνα που χρησιμοποιούν ρητίνες με θερμοκρασία υαλώδους μετάπτωσης (Tg), μετά την κατεργασία, άνω των 418 Κ (145 °C), όπως ορίζεται στο πρότυπο ΑΤΜ D4065 ή ισοδύναμο. |

9C108

Χύδην υλικό «μόνωσης» και «εσωτερική επένδυση», πλην εκείνων που ορίζονται στο σημείο στο σημείο 9Α008, για περιβλήματα πυραυλοκινητήρων που είναι δυνατόν να χρησιμοποιηθούν σε «βλήματα» ή ειδικά σχεδιασμένα για «βλήματα».

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 9C108, «βλήματα» σημαίνει πλήρη πυραυλικά συστήματα και συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος ικανά για βεληνεκές άνω των 300 km.

9C110

Προεμποτισμένα με ρητίνες ινώδη υλικά και ινώδη προπλάσματά τους (προφόρμες) με μεταλλική επίστρωση για σύνθετα δομήματα, πολυστρωματικά υλικά και κατασκευές τους που ορίζονται στην παράγραφο 9Α110, κατασκευασμένα είτε από οργανική μήτρα ή μεταλλική μήτρα με χρήση ινών ή νηματοειδών ενισχύσεων με «ειδική αντοχή στον εφελκυσμό» μεγαλύτερη από 7,62 × 104 m και «ειδικό μέτρο ελαστικότητας» μεγαλύτερο από 3,18 × 106 m.

ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 1C010 ΚΑΙ 1C210.

Σημείωση: Τα μόνα προεμποτισμένα με ρητίνες ινώδη υλικά που ορίζονται στην παράγραφο 9C110 είναι εκείνα που χρησιμοποιούν ρητίνες με θερμοκρασία υαλώδους μετάπτωσης (Tg), μετά την κατεργασία, άνω των 418 Κ (145 °C), όπως ορίζεται στο πρότυπο ΑΤΜ D4065 ή ισοδύναμο.

9D   Λογισμικό

| 9D001 | «Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την «ανάπτυξη» εξοπλισμού ή «τεχνολογίας» των υποκατηγοριών 9Α001 έως 9A119, 9Β ή 9Ε003. |
| --- | --- |
| 9D002 | «Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την «παραγωγή» εξοπλισμού των υποκατηγοριών 9A001 έως 9A119 ή 9B. |
| 9D003 | «Λογισμικό» που περιλαμβάνει «τεχνολογία» προσδιοριζόμενη στο 9Ε003.η και χρησιμοποιείται σε «συστήματα FADEC» για προωστικά συστήματα προσδιοριζόμενα στο 9Α ή για εξοπλισμό προσδιοριζόμενο στο 9Β. |
| 9D004 | Λοιπό «λογισμικό», ως εξής:






  α. | «Λογισμικό» διδιάστατης ή τρισδιάστατης εξόδου ροής, ελεγμένης καταλληλότητας μαζί με δεδομένα δοκιμών αεροσήραγγας ή πτήσεων, που απαιτείται για λεπτομερή κατάρτιση μοντέλου ροής κινητήρα, |

9D001

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την «ανάπτυξη» εξοπλισμού ή «τεχνολογίας» των υποκατηγοριών 9Α001 έως 9A119, 9Β ή 9Ε003.

9D002

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την «παραγωγή» εξοπλισμού των υποκατηγοριών 9A001 έως 9A119 ή 9B.

9D003

«Λογισμικό» που περιλαμβάνει «τεχνολογία» προσδιοριζόμενη στο 9Ε003.η και χρησιμοποιείται σε «συστήματα FADEC» για προωστικά συστήματα προσδιοριζόμενα στο 9Α ή για εξοπλισμό προσδιοριζόμενο στο 9Β.

9D004

Λοιπό «λογισμικό», ως εξής:

α.

«Λογισμικό» διδιάστατης ή τρισδιάστατης εξόδου ροής, ελεγμένης καταλληλότητας μαζί με δεδομένα δοκιμών αεροσήραγγας ή πτήσεων, που απαιτείται για λεπτομερή κατάρτιση μοντέλου ροής κινητήρα,

| β. | «Λογισμικό» για τη δοκιμή αεριοστροβίλων αεροσκαφών, συναρμολογημάτων ή συστατικών μερών, ειδικά σχεδιασμένο για τη συλλογή, αναγωγή και ανάλυση δεδομένων σε πραγματικό χρόνο, και με ικανότητα ελέγχου ανάδρασης, συμπεριλαμβανομένης της δυναμικής προσαρμογής των αντικειμένων ή των συνθηκών δοκιμής, κατά τη διάρκεια εκτέλεσης της δοκιμής, |
| --- | --- |

β.

«Λογισμικό» για τη δοκιμή αεριοστροβίλων αεροσκαφών, συναρμολογημάτων ή συστατικών μερών, ειδικά σχεδιασμένο για τη συλλογή, αναγωγή και ανάλυση δεδομένων σε πραγματικό χρόνο, και με ικανότητα ελέγχου ανάδρασης, συμπεριλαμβανομένης της δυναμικής προσαρμογής των αντικειμένων ή των συνθηκών δοκιμής, κατά τη διάρκεια εκτέλεσης της δοκιμής,

| γ. | «Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για τον έλεγχο της κατευθυνόμενης στερεοποίησης ή της μονοκρυσταλλικής χύτευσης, |
| --- | --- |

γ.

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για τον έλεγχο της κατευθυνόμενης στερεοποίησης ή της μονοκρυσταλλικής χύτευσης,

| δ. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

δ.

Δεν χρησιμοποιείται,

| ε. | «Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για τη λειτουργία «UAV» και συναφών συστημάτων, εξοπλισμού και συστατικών στοιχείων που ορίζονται στο σημείο 9Α012, |
| --- | --- |

ε.

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για τη λειτουργία «UAV» και συναφών συστημάτων, εξοπλισμού και συστατικών στοιχείων που ορίζονται στο σημείο 9Α012,

| στ. | «Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για το σχεδιασμό των εσωτερικών διόδων ψύξης πτερυγίων, σταθερών πτερυγίων και «στεφανών (προστατευτικών περιβλημάτων) ακροπτερυγίων» των αεριοστροβίλων αεροσκαφών, |
| --- | --- |

στ.

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για το σχεδιασμό των εσωτερικών διόδων ψύξης πτερυγίων, σταθερών πτερυγίων και «στεφανών (προστατευτικών περιβλημάτων) ακροπτερυγίων» των αεριοστροβίλων αεροσκαφών,

| ζ. | «Λογισμικό» με όλα τα παρακάτω:






  1. | Ειδικά σχεδιασμένο για την πρόβλεψη αεροθερμικών, και αερομηχανικών συνθηκών και συνθηκών καύσης στους αεριοστροβίλους αεροσκαφών, και |
| --- | --- | --- |

ζ.

«Λογισμικό» με όλα τα παρακάτω:

1.

Ειδικά σχεδιασμένο για την πρόβλεψη αεροθερμικών, και αερομηχανικών συνθηκών και συνθηκών καύσης στους αεριοστροβίλους αεροσκαφών, και

| 2. | Με θεωρητικές προβλέψεις μοντελοποίησης των προαναφερόμενων συνθηκών που να έχουν επιβεβαιωθεί με πραγματικά δεδομένα (πειραματικά ή παραγωγής) επιδόσεων τέτοιων αεριοστροβίλων. |
| --- | --- |

2.

Με θεωρητικές προβλέψεις μοντελοποίησης των προαναφερόμενων συνθηκών που να έχουν επιβεβαιωθεί με πραγματικά δεδομένα (πειραματικά ή παραγωγής) επιδόσεων τέτοιων αεριοστροβίλων.

9D101

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την «χρησιμοποίηση» των προϊόντων των παραγράφων 9Β105, 9Β106, 9Β116 ή 9Β117.

9D103

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για κατάρτιση μοντέλων, προσομοίωση ή σχεδιαστική ολοκλήρωση των οχημάτων εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή των πυραυλοβολίδων που ορίζονται στο σημείο 9Α104, ή των υποσυστημάτων που ορίζονται στις παραγράφους 9A005, 9A007, 9A105, 9A106.γ., 9A107, 9A108.γ., 9A116 ή 9A119.

Σημείωση: Το καθοριζόμενο στο σημείο 9D103 «λογισμικό» τελεί υπό έλεγχο όταν συνδυάζεται με ειδικά σχεδιασμένο υλικό της παραγράφου 4Α102.

9D104

«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την «χρησιμοποίηση» των προϊόντων των παραγράφων 9A001, 9A005, 9A006.δ., 9A006.ζ., 9A007.α., 9A008.δ., 9A009.α., 9A010.δ., 9A011, 9A101, 9A102, 9A105, 9A106.γ., 9A106.δ., 9A107, 9A108.γ., 9A109, 9A111, 9A115.α., 9A116.δ., 9A117 ή 9A118.

9D105

«Λογισμικό» το οποίο συντονίζει τη λειτουργία περισσότερων του ενός υποσυστημάτων, ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την «χρησιμοποίηση» σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή πυραυλοβολίδων που ορίζονται στο σημείο 9Α104.

9E   Τεχνολογία

Σημείωση: Η «τεχνολογία»«ανάπτυξης» ή «παραγωγής» που καθορίζεται στα εδάφια 9Ε001 έως 9Ε003, για αεριοστροβίλους τελεί υπό έλεγχο όταν χρησιμοποιείται για επισκευές ή γενική επισκευή. Δεν υπόκεινται σε έλεγχο: τεχνικά δεδομένα, σχέδια ή τεκμηρίωση που προορίζεται για εργασίες συντήρησης που συνδέονται άμεσα με τη διακρίβωση, αφαίρεση ή αντικατάσταση τμημάτων που είναι δυνατόν να αντικατασταθούν στην επιχειρησιακή βάση (LRU), που έχουν υποστεί βλάβη ή που δεν δύνανται να χρησιμοποιηθούν, συμπεριλαμβανόμενης της αντικατάστασης ολόκληρων κινητήρων ή δομοστοιχείων κινητήρων.

| 9E001 | «Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας, για την «ανάπτυξη» εξοπλισμού ή «λογισμικού» των εδαφίων, παραγράφων ή υποκατηγοριών 9Α001.β., 9Α004 έως 9Α012, 9Α350, 9Β ή 9D. |
| --- | --- |
| 9E002 | «Τεχνολογία», σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας, για την «παραγωγή» εξοπλισμού που καθορίζεται στα 9Α001.β., 9Α004 έως 9Α011, 9Α350 ή 9Β.


  ΣΗΜ.: Για «τεχνολογία» επισκευής δομημάτων, πολυστρωματικών υλικών ή υλικών που υπόκεινται σε έλεγχο, βλέπε 1Ε002.στ. |
| 9E003 | Λοιπές «τεχνολογίες», ως εξής:






  α. | «Τεχνολογία»«απαιτούμενη» για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» οιουδήποτε των ακόλουθων συστατικών μερών ή συστημάτων αεριοστροβίλου:






  1. | Πτερύγια, σταθερά πτερύγια ή «στεφάνες (προστατευτικά περιβλήματα) ακροπτερυγίων» αεριοστροβίλων που παράγονται από κράματα κατευθυνόμενης στερεοποίησης, ή μονοκρυσταλλικά που έχουν (ως προς τη Διεύθυνση του Δείκτου Miller 001) διάρκεια ζωής προ της θραύσεως λόγω καταπονήσεως άνω των 400 ωρών στους 1,273 K (1 000 °C) υπό τάση 200 MPa, επί τη βάσει των μέσων τιμών των ιδιοτήτων τους, |

9E001

«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας, για την «ανάπτυξη» εξοπλισμού ή «λογισμικού» των εδαφίων, παραγράφων ή υποκατηγοριών 9Α001.β., 9Α004 έως 9Α012, 9Α350, 9Β ή 9D.

9E002

«Τεχνολογία», σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας, για την «παραγωγή» εξοπλισμού που καθορίζεται στα 9Α001.β., 9Α004 έως 9Α011, 9Α350 ή 9Β.

ΣΗΜ.: Για «τεχνολογία» επισκευής δομημάτων, πολυστρωματικών υλικών ή υλικών που υπόκεινται σε έλεγχο, βλέπε 1Ε002.στ.

9E003

Λοιπές «τεχνολογίες», ως εξής:

α.

«Τεχνολογία»«απαιτούμενη» για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» οιουδήποτε των ακόλουθων συστατικών μερών ή συστημάτων αεριοστροβίλου:

1.

Πτερύγια, σταθερά πτερύγια ή «στεφάνες (προστατευτικά περιβλήματα) ακροπτερυγίων» αεριοστροβίλων που παράγονται από κράματα κατευθυνόμενης στερεοποίησης, ή μονοκρυσταλλικά που έχουν (ως προς τη Διεύθυνση του Δείκτου Miller 001) διάρκεια ζωής προ της θραύσεως λόγω καταπονήσεως άνω των 400 ωρών στους 1,273 K (1 000 °C) υπό τάση 200 MPa, επί τη βάσει των μέσων τιμών των ιδιοτήτων τους,

| 2. | Θάλαμοι καύσης με οιοδήποτε από τα εξής:






  α. | Χιτώνια θερμικής απόζευξης σχεδιασμένα για λειτουργία σε «θερμοκρασία εξόδου θαλάμου καύσης» που υπερβαίνει τους 1 883K (1 610 °C), |
| --- | --- | --- |

2.

Θάλαμοι καύσης με οιοδήποτε από τα εξής:

α.

Χιτώνια θερμικής απόζευξης σχεδιασμένα για λειτουργία σε «θερμοκρασία εξόδου θαλάμου καύσης» που υπερβαίνει τους 1 883K (1 610 °C),

| β. | Μη μεταλλικά χιτώνια, |
| --- | --- |

β.

Μη μεταλλικά χιτώνια,

| γ. | Μη μεταλλικά κελύφη, ή |
| --- | --- |

γ.

Μη μεταλλικά κελύφη, ή

| δ. | Χιτώνια σχεδιασμένα για λειτουργία σε «θερμοκρασία εξόδου θαλάμου καύσης» που υπερβαίνει τους 1 883K (1 610 °C) και με οπές που πληρούν τις παραμέτρους που ορίζονται στο σημείο 9E003.γ., |
| --- | --- |

δ.

Χιτώνια σχεδιασμένα για λειτουργία σε «θερμοκρασία εξόδου θαλάμου καύσης» που υπερβαίνει τους 1 883K (1 610 °C) και με οπές που πληρούν τις παραμέτρους που ορίζονται στο σημείο 9E003.γ.,

Σημείωση: Η «απαιτούμενη» τεχνολογία για τις οπές που αναφέρονται στο σημείο 9E003.α.2. περιορίζεται στον καθορισμό της γεωμετρίας και της θέσης των οπών.

Τεχνική παρατήρηση:

«Θερμοκρασία εξόδου θαλάμου καύσης» είναι η μέση συνολική θερμοκρασία (ανακοπής) όγκου αερίου μεταξύ του επιπέδου εξόδου του θαλάμου καύσης και του πρόσθιου άκρου του κατευθυντήριου σταθερού πτερυγίου της εισόδου του αεριοστροβίλου (δηλαδή μετρούμενη στο σταθμό κινητήρα T40 όπως ορίζεται στο SAE ARP 755A) όταν ο κινητήρας λειτουργεί σε «φάση σταθερής λειτουργίας» στην πιστοποιημένη μέγιστη συνεχή θερμοκρασία λειτουργίας.

ΣΗΜ.: Βλέπε σημείο 9E003.γ. για «τεχνολογία»«απαιτούμενη» για την κατασκευή οπών ψύξης.

| 3. | Συστατικά μέρη κατασκευασμένα από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:






  α. | Οργανικά «σύνθετα» υλικά σχεδιασμένα για λειτουργία άνω των 588 K (315 °C), |
| --- | --- | --- |

3.

Συστατικά μέρη κατασκευασμένα από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.

Οργανικά «σύνθετα» υλικά σχεδιασμένα για λειτουργία άνω των 588 K (315 °C),

| β. | «Σύνθετα» υλικά μεταλλικής «μήτρας», κεραμικής «μήτρας» διαμεταλλικά ή μεσομεταλλικά ενισχυμένα υλικά που ορίζονται στο σημείο 1C007, ή |
| --- | --- |

β.

«Σύνθετα» υλικά μεταλλικής «μήτρας», κεραμικής «μήτρας» διαμεταλλικά ή μεσομεταλλικά ενισχυμένα υλικά που ορίζονται στο σημείο 1C007, ή

| γ. | «Σύνθετα» υλικά που ορίζονται στο σημείο 1C010 και κατασκευάζονται από ρητίνες που ορίζονται στο σημείο 1C008, |
| --- | --- |

γ.

«Σύνθετα» υλικά που ορίζονται στο σημείο 1C010 και κατασκευάζονται από ρητίνες που ορίζονται στο σημείο 1C008,

| 4. | Μη ψυχόμενα πτερύγια, σταθερά πτερύγια, «στεφάνες (προστατευτικά περιβλήματα) ακροπτερυγίων» ή άλλα συστατικά μέρη αεριοστροβίλου, σχεδιασμένα για να λειτουργούν σε συνολικές θερμοκρασίες (ανακοπής) αερίου ίσες προς ή μεγαλύτερες από 1 323 K (1 050 °C), σε στατική απογείωση στο επίπεδο θαλάσσης (ISA) σε «φάση σταθερής λειτουργίας» του κινητήρα, |
| --- | --- |

4.

Μη ψυχόμενα πτερύγια, σταθερά πτερύγια, «στεφάνες (προστατευτικά περιβλήματα) ακροπτερυγίων» ή άλλα συστατικά μέρη αεριοστροβίλου, σχεδιασμένα για να λειτουργούν σε συνολικές θερμοκρασίες (ανακοπής) αερίου ίσες προς ή μεγαλύτερες από 1 323 K (1 050 °C), σε στατική απογείωση στο επίπεδο θαλάσσης (ISA) σε «φάση σταθερής λειτουργίας» του κινητήρα,

| 5. | Ψυχόμενα πτερύγια, σταθερά πτερύγια ή «στεφάνες (προστατευτικά περιβλήματα) ακροπτερυγίων», άλλα από τα οριζόμενα στο σημείο 9E003.α.1., σχεδιασμένα για λειτουργία σε «θερμοκρασία αερίου» ίση ή μεγαλύτερη από 1 693 K (1 420 °C),


  Τεχνικές παρατηρήσεις:








  1. | «Θερμοκρασία αερίου» είναι η μέση συνολική θερμοκρασία (ανακοπής) όγκου αερίου μεταξύ του πρόσθιου ακραίου επιπέδου του στοιχείου του αεριοστροβίλου όταν ο κινητήρας λειτουργεί σε «φάση σταθερής λειτουργίας» στην πιστοποιημένη ή προσδιορισμένη μέγιστη συνεχή θερμοκρασία λειτουργίας. |
| --- | --- | --- |

5.

Ψυχόμενα πτερύγια, σταθερά πτερύγια ή «στεφάνες (προστατευτικά περιβλήματα) ακροπτερυγίων», άλλα από τα οριζόμενα στο σημείο 9E003.α.1., σχεδιασμένα για λειτουργία σε «θερμοκρασία αερίου» ίση ή μεγαλύτερη από 1 693 K (1 420 °C),

Τεχνικές παρατηρήσεις:

1.

| 2. | Με τον όρο «φάση σταθερής λειτουργίας» νοούνται οι συνθήκες λειτουργίας του κινητήρα, όπου οι παράμετροι του κινητήρα, όπως ώση/ισχύς, σ.α.λ. και άλλες, δεν παρουσιάζουν αξιόλογες διακυμάνσεις, όταν η θερμοκρασία περιβάλλοντος και η πίεση του συλλέκτη εισαγωγής του κινητήρα είναι σταθερές. |
| --- | --- |

2.

| 6. | Συνδυασμοί πτερυγίων αεροτομής-δίσκου για τις οποίες χρησιμοποιούνται ενώσεις στερεάς κατάστασης, |
| --- | --- |

6.

Συνδυασμοί πτερυγίων αεροτομής-δίσκου για τις οποίες χρησιμοποιούνται ενώσεις στερεάς κατάστασης,

| 7. | Συστατικά μέρη αεριοστροβίλων που χρησιμοποιούν «τεχνολογία»«συγκόλλησης με διάχυση (μορίων)» του σημείου 2Ε003.β., |
| --- | --- |

7.

Συστατικά μέρη αεριοστροβίλων που χρησιμοποιούν «τεχνολογία»«συγκόλλησης με διάχυση (μορίων)» του σημείου 2Ε003.β.,

| 8. | Συστατικά μέρη ροτόρων αεριοστροβίλων «με ανοχή σε ζημίες» που χρησιμοποιούν υλικά μεταλλουργίας κόνεων του σημείου 1C002.β., ή



  Τεχνική παρατήρηση:


  Τα συστατικά μέρη «με ανοχή σε ζημίες» είναι σχεδιασμένα με χρήση μεθοδολογίας και τεκμηρίωσης που προβλέπουν και περιορίζουν την ανάπτυξη ρωγμών. |
| --- | --- |

8.

Συστατικά μέρη ροτόρων αεριοστροβίλων «με ανοχή σε ζημίες» που χρησιμοποιούν υλικά μεταλλουργίας κόνεων του σημείου 1C002.β., ή

Τεχνική παρατήρηση:

Τα συστατικά μέρη «με ανοχή σε ζημίες» είναι σχεδιασμένα με χρήση μεθοδολογίας και τεκμηρίωσης που προβλέπουν και περιορίζουν την ανάπτυξη ρωγμών.

| 9. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

9.

Δεν χρησιμοποιείται,

| 10. | Δεν χρησιμοποιείται, |
| --- | --- |

10.

Δεν χρησιμοποιείται,

| 11. | Κοίλα πτερύγια ανεμοστρόβιλου, |
| --- | --- |

11.

Κοίλα πτερύγια ανεμοστρόβιλου,

| β. | «Τεχνολογία»«απαιτούμενη» για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» οιουδήποτε των ακολούθων:






  1. | Προπλασμάτων αεροσηράγγων εξοπλισμένων με μη διεισδυτικούς αισθητήρες και ικανών για διαβίβαση δεδομένων από τους αισθητήρες προς το σύστημα απόκτησης δεδομένων, ή |
| --- | --- | --- |

β.

«Τεχνολογία»«απαιτούμενη» για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» οιουδήποτε των ακολούθων:

1.

Προπλασμάτων αεροσηράγγων εξοπλισμένων με μη διεισδυτικούς αισθητήρες και ικανών για διαβίβαση δεδομένων από τους αισθητήρες προς το σύστημα απόκτησης δεδομένων, ή

| 2. | Πτερύγια έλικα ή ελικοστρόβιλοι από «σύνθετα υλικά» που δύνανται να απορροφούν περισσότερα από 2 000 kW σε ταχύτητες πτήσης μεγαλύτερης από 0,55 Mach, |
| --- | --- |

2.

Πτερύγια έλικα ή ελικοστρόβιλοι από «σύνθετα υλικά» που δύνανται να απορροφούν περισσότερα από 2 000 kW σε ταχύτητες πτήσης μεγαλύτερης από 0,55 Mach,

| γ. | «Τεχνολογία»«απαιτούμενη» για την κατασκευή οπών ψύξης σε συστατικά μέρη αεριοστροβίλων που περιέχουν οιαδήποτε από τις οριζόμενες στα 9E003.α.1., 9E003.α.2. ή 9E003.α.5. «τεχνολογίες» και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  1. | Όλα τα ακόλουθα:






  α. | Ελάχιστο «εμβαδόν διατομής» μικρότερο από 0,45 mm2, |
| --- | --- | --- | --- |

γ.

«Τεχνολογία»«απαιτούμενη» για την κατασκευή οπών ψύξης σε συστατικά μέρη αεριοστροβίλων που περιέχουν οιαδήποτε από τις οριζόμενες στα 9E003.α.1., 9E003.α.2. ή 9E003.α.5. «τεχνολογίες» και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.

Όλα τα ακόλουθα:

α.

Ελάχιστο «εμβαδόν διατομής» μικρότερο από 0,45 mm2,

| β. | «Λόγος σχήματος οπής» μεγαλύτερος από 4,52και |
| --- | --- |

β.

«Λόγος σχήματος οπής» μεγαλύτερος από 4,52και

| γ. | «Γωνία προσβολής» ίση προς ή μικρότερη από 25°, ή |
| --- | --- |

γ.

«Γωνία προσβολής» ίση προς ή μικρότερη από 25°, ή

| 2. | Όλα τα ακόλουθα:






  α. | Ελάχιστο «εμβαδόν διατομής» μικρότερο από 0,12 mm2, |
| --- | --- | --- |

2.

Όλα τα ακόλουθα:

α.

Ελάχιστο «εμβαδόν διατομής» μικρότερο από 0,12 mm2,

| β. | «Λόγος σχήματος οπής» μεγαλύτερος από 5,65, και |
| --- | --- |

β.

«Λόγος σχήματος οπής» μεγαλύτερος από 5,65, και

| γ. | «Γωνία προσβολής» μεγαλύτερη από 25°, |
| --- | --- |

γ.

«Γωνία προσβολής» μεγαλύτερη από 25°,

9E003 γ.

  Σημείωση: Στο σημείο 9E003.γ. δεν υπάγεται «τεχνολογία» για την κατασκευή κυλινδρικών οπών συνεχούς ακτίνας που είναι διαμπερείς και εισέρχονται και εξέρχονται στις εξωτερικές επιφάνειες του συστατικού στοιχείου.

Τεχνικές παρατηρήσεις:

| 1. | Για τους σκοπούς του σημείου 9E003.γ., ως «εμβαδόν διατομής» νοείται το εμβαδόν της οπής στο επίπεδο που είναι κάθετο στον άξονα της οπής. |
| --- | --- |

1.

| 2. | Για τους σκοπούς του σημείου 9E003.γ., «λόγος σχήματος οπής» νοείται το ονομαστικό μήκος του άξονα της οπής διαιρούμενο διά της τετραγωνικής ρίζας του ελάχιστου «εμβαδού διατομής» της. |
| --- | --- |

2.

| 3. | Για τους σκοπούς του σημείου 9Ε003.γ., ως «γωνία προσβολής» νοείται η οξεία γωνία που σχηματίζεται μεταξύ του επιπέδου που εφάπτεται με την επιφάνεια της αεροτομής και του άξονα της οπής, στο σημείο όπου ο άξονας της οπής τέμνει την επιφάνεια της αεροτομής. |
| --- | --- |

3.

| 4. | Οι τεχνικές για την κατασκευή οπών που αναφέρονται στο σημείο 9E003.γ περιλαμβάνουν τις μεθόδους «λέιζερ», πίδακα νερού, ηλεκτροχημικών διεργασιών (ECM) ή ηλεκτροδιαβρωτικής διεργασίας διάτρησης (EDM). |
| --- | --- |

4.

| δ. | «Τεχνολογία»«απαιτούμενη» για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» συστημάτων μετάδοσης ενέργειας για ελικόπτερα ή συστημάτων μετάδοσης ενέργειας για «αεροσκάφη» με κλίνον στροφείο ή κλίνουσες πτέρυγες, |
| --- | --- |

δ.

«Τεχνολογία»«απαιτούμενη» για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» συστημάτων μετάδοσης ενέργειας για ελικόπτερα ή συστημάτων μετάδοσης ενέργειας για «αεροσκάφη» με κλίνον στροφείο ή κλίνουσες πτέρυγες,

| ε. | «Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» προωστικών συστημάτων οχημάτων επιφανείας παλινδρομικού κινητήρα ντήζελ που παρουσιάζουν το σύνολο των ακόλουθων χαρακτηριστικών:






  1. | «Όγκο παραλληλεπιπέδου» ίσο προς ή μικρότερο από 1,2 m3, |
| --- | --- | --- |

ε.

«Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» προωστικών συστημάτων οχημάτων επιφανείας παλινδρομικού κινητήρα ντήζελ που παρουσιάζουν το σύνολο των ακόλουθων χαρακτηριστικών:

1.

«Όγκο παραλληλεπιπέδου» ίσο προς ή μικρότερο από 1,2 m3,

| 2. | Ολική ισχύ εξόδου μεγαλύτερη από 750 kW, σύμφωνα με τις 80/1269/ΕΟΚ, ISO 2534 ή ισοδύναμα πρότυπα, και |
| --- | --- |

2.

Ολική ισχύ εξόδου μεγαλύτερη από 750 kW, σύμφωνα με τις 80/1269/ΕΟΚ, ISO 2534 ή ισοδύναμα πρότυπα, και

| 3. | Ισχύ όγκου μεγαλύτερο από 700 kW/m3«όγκου παραλληλεπιπέδου», |
| --- | --- |

3.

Ισχύ όγκου μεγαλύτερο από 700 kW/m3«όγκου παραλληλεπιπέδου»,

Τεχνική παρατήρηση:

Ο «όγκος παραλληλεπιπέδου» που αναφέρεται στο σημείο 9Ε003.ε. είναι το γινόμενο τριών καθέτων μεταξύ τους διαστάσεων που μετρούνται ως εξής:

| Μήκος | : | Το μήκος του στροφαλοφόρου άξονα από το εμπρόσθιο παρέμβυσμα έως το πρόσωπο σπονδύλου, |
| --- | --- | --- |
| Εύρος | : | Η μεγαλύτερη διάσταση από τις ακόλουθες:








  α. | Η εξωτερική διάσταση μεταξύ των επικαλυμμάτων βαλβίδων, |

Μήκος

:

Το μήκος του στροφαλοφόρου άξονα από το εμπρόσθιο παρέμβυσμα έως το πρόσωπο σπονδύλου,

Εύρος

:

Η μεγαλύτερη διάσταση από τις ακόλουθες:

α.

Η εξωτερική διάσταση μεταξύ των επικαλυμμάτων βαλβίδων,

| β. | Οι διαστάσεις των εξωτερικών ακμών των πωμάτων κυλίνδρων, ή |
| --- | --- |

β.

Οι διαστάσεις των εξωτερικών ακμών των πωμάτων κυλίνδρων, ή

| γ. | Η διάμετρος του περιβλήματος σπονδύλου, |
| --- | --- |

γ.

Η διάμετρος του περιβλήματος σπονδύλου,

Καθ’ ύψος

:

Η μεγαλύτερη διάσταση από τις ακόλουθες:

| α. | Η διάσταση από την κεντρική γραμμή του στροφαλοφόρου έως την άνω κορυφαία επιφάνεια του επικαλύμματος βαλβίδος (ή της κεφαλής κυλίνδρου) συν τη διπλή διαδρομή του εμβόλου, ή |
| --- | --- |

α.

Η διάσταση από την κεντρική γραμμή του στροφαλοφόρου έως την άνω κορυφαία επιφάνεια του επικαλύμματος βαλβίδος (ή της κεφαλής κυλίνδρου) συν τη διπλή διαδρομή του εμβόλου, ή

| β. | Η διάμετρος του περιβλήματος σπονδύλου. |
| --- | --- |

β.

Η διάμετρος του περιβλήματος σπονδύλου.

| στ. | «Τεχνολογία»«απαιτούμενη» για την «παραγωγή» ειδικά σχεδιασμένων συστατικών μερών για κινητήρες ντήζελ υψηλής ισχύος εξόδου, ως εξής






  1. | «Τεχνολογία»«απαιτούμενη» για την «παραγωγή» κινητήρων που περιλαμβάνουν όλα τα ακόλουθα συστατικά μέρη και που χρησιμοποιούν κεραμικά υλικά της παραγράφου 1C007:






  α. | Χιτώνια κυλίνδρων, |
| --- | --- | --- | --- |

στ.

«Τεχνολογία»«απαιτούμενη» για την «παραγωγή» ειδικά σχεδιασμένων συστατικών μερών για κινητήρες ντήζελ υψηλής ισχύος εξόδου, ως εξής

1.

«Τεχνολογία»«απαιτούμενη» για την «παραγωγή» κινητήρων που περιλαμβάνουν όλα τα ακόλουθα συστατικά μέρη και που χρησιμοποιούν κεραμικά υλικά της παραγράφου 1C007:

α.

Χιτώνια κυλίνδρων,

| β. | Έμβολα, |
| --- | --- |

β.

Έμβολα,

| γ. | Κεφαλές κυλίνδρων, και |
| --- | --- |

γ.

Κεφαλές κυλίνδρων, και

| δ. | Ένα ή περισσότερα άλλα συστατικά μέρη (συμπεριλαμβανομένων των σημείων εξαγωγής καυσαερίων, στροβιλοσυμπιεστών, οδηγών βαλβίδων, συναρμολογημάτων βαλβίδων ή μονωμένων εγχυτών καυσίμου). |
| --- | --- |

δ.

Ένα ή περισσότερα άλλα συστατικά μέρη (συμπεριλαμβανομένων των σημείων εξαγωγής καυσαερίων, στροβιλοσυμπιεστών, οδηγών βαλβίδων, συναρμολογημάτων βαλβίδων ή μονωμένων εγχυτών καυσίμου).

| 2. | «Τεχνολογία»«απαραίτητη» για την «παραγωγή» συστημάτων στροβιλοσυμπιεστών με μονόβαθμους συμπιεστές ενός σταδίου, που διαθέτουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Λειτουργία σε τιμές συμπίεσης 4:1 ή υψηλότερες, |
| --- | --- | --- |

2.

«Τεχνολογία»«απαραίτητη» για την «παραγωγή» συστημάτων στροβιλοσυμπιεστών με μονόβαθμους συμπιεστές ενός σταδίου, που διαθέτουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Λειτουργία σε τιμές συμπίεσης 4:1 ή υψηλότερες,

| β. | Μαζική ροή μεταξύ 30 και 130 kg ανά λεπτό, και |
| --- | --- |

β.

Μαζική ροή μεταξύ 30 και 130 kg ανά λεπτό, και

| γ. | Μεταβλητή επιφάνεια ροής εντός της διατομής του συμπιεστή ή του στροβίλου. |
| --- | --- |

γ.

Μεταβλητή επιφάνεια ροής εντός της διατομής του συμπιεστή ή του στροβίλου.

| 3. | «Τεχνολογία»«απαιτούμενη» για την «παραγωγή» συστημάτων εγχύσεως καυσίμου με δυνατότητα χρήσης ειδικά σχεδιασμένου πολλαπλού καυσίμου (π.χ. ντήζελ ή καύσιμο αεριωθουμένων) που καλύπτουν κλίμακα εξόδου από το καύσιμο ντήζελ [2,5 cSt στους 310,8 K (37,8 °C)], έως τη βενζίνη [0,5 cSt στους 310,8 Κ (37,8 °C)], που παρουσιάζουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:






  α. | Ποσότητα έγχυσης που υπερβαίνει τα 230 mm3 ανά έγχυση και κύλινδρο, και |
| --- | --- | --- |

3.

«Τεχνολογία»«απαιτούμενη» για την «παραγωγή» συστημάτων εγχύσεως καυσίμου με δυνατότητα χρήσης ειδικά σχεδιασμένου πολλαπλού καυσίμου (π.χ. ντήζελ ή καύσιμο αεριωθουμένων) που καλύπτουν κλίμακα εξόδου από το καύσιμο ντήζελ [2,5 cSt στους 310,8 K (37,8 °C)], έως τη βενζίνη [0,5 cSt στους 310,8 Κ (37,8 °C)], που παρουσιάζουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.

Ποσότητα έγχυσης που υπερβαίνει τα 230 mm3 ανά έγχυση και κύλινδρο, και

| β. | Μέσα ηλεκτρονικού ελέγχου ειδικά σχεδιασμένα για την αυτόματη μεταβολή των χαρακτηριστικών του ρυθμιστή ανάλογα με τις ιδιότητες του καυσίμου, ώστε να παρέχονται τα ίδια χαρακτηριστικά ροπής στρέψης με τη χρήση των κατάλληλων αισθητήρων. |
| --- | --- |

β.

Μέσα ηλεκτρονικού ελέγχου ειδικά σχεδιασμένα για την αυτόματη μεταβολή των χαρακτηριστικών του ρυθμιστή ανάλογα με τις ιδιότητες του καυσίμου, ώστε να παρέχονται τα ίδια χαρακτηριστικά ροπής στρέψης με τη χρήση των κατάλληλων αισθητήρων.

| ζ. | «Τεχνολογία»«απαιτούμενη» για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή»«ντηζελοκινητήρων υψηλών επιδόσεων» για τη λίπανση των εσωτερικών τοιχωμάτων των κυλίνδρων με στερεά, αέρια, ή υγρά υμένια (ή με συνδυασμούς των), που επιτρέπουν τη λειτουργία σε θερμοκρασίες άνω των 723 Κ (450 °C), μετρούμενες επί του τοιχώματος του κυλίνδρου στο ανώτατο όριο της διαδρομής του άνω δακτυλίου του εμβόλου.


  Τεχνική παρατήρηση:


  «Ντηζελοκινητήρες υψηλών επιδόσεων» είναι ντηζελοκινητήρες με προσδιορισμένη μέση πραγματική πίεση πέδησης ίση προς ή μεγαλύτερη από 1,8 ΜΡa σε ταχύτητα 2 300 σ.α.λ., εφόσον η ονομαστική ταχύτητα είναι ίση προς ή ανώτερη από 2 300 σ.α.λ. |
| --- | --- |

ζ.

«Τεχνολογία»«απαιτούμενη» για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή»«ντηζελοκινητήρων υψηλών επιδόσεων» για τη λίπανση των εσωτερικών τοιχωμάτων των κυλίνδρων με στερεά, αέρια, ή υγρά υμένια (ή με συνδυασμούς των), που επιτρέπουν τη λειτουργία σε θερμοκρασίες άνω των 723 Κ (450 °C), μετρούμενες επί του τοιχώματος του κυλίνδρου στο ανώτατο όριο της διαδρομής του άνω δακτυλίου του εμβόλου.

Τεχνική παρατήρηση:

«Ντηζελοκινητήρες υψηλών επιδόσεων» είναι ντηζελοκινητήρες με προσδιορισμένη μέση πραγματική πίεση πέδησης ίση προς ή μεγαλύτερη από 1,8 ΜΡa σε ταχύτητα 2 300 σ.α.λ., εφόσον η ονομαστική ταχύτητα είναι ίση προς ή ανώτερη από 2 300 σ.α.λ.

| η. | «Τεχνολογία» για ψηφιακά συστήματα πλήρους ελέγχου κινητήρα («συστήματα FADEC»), ως εξής:






  1. | «Τεχνολογία»«ανάπτυξης» για τη συναγωγή των λειτουργικών απαιτήσεων για τα δομικά στοιχεία τα αναγκαία ώστε το «σύστημα FADEC» να ρυθμίζει την ώθηση του κινητήρα ή την ισχύ στον άξονα (π.χ. σταθερές και όρια ακρίβειας χρόνου ανάδρασης αισθητήρων, ταχύτητα στροφής βαλβίδων), |
| --- | --- | --- |

η.

«Τεχνολογία» για ψηφιακά συστήματα πλήρους ελέγχου κινητήρα («συστήματα FADEC»), ως εξής:

1.

«Τεχνολογία»«ανάπτυξης» για τη συναγωγή των λειτουργικών απαιτήσεων για τα δομικά στοιχεία τα αναγκαία ώστε το «σύστημα FADEC» να ρυθμίζει την ώθηση του κινητήρα ή την ισχύ στον άξονα (π.χ. σταθερές και όρια ακρίβειας χρόνου ανάδρασης αισθητήρων, ταχύτητα στροφής βαλβίδων),

| 2. | «Τεχνολογία»«ανάπτυξης» ή «παραγωγής» για τα στοιχεία ελέγχου και διάγνωσης που προσιδιάζουν στο «σύστημα FADEC» και χρησιμοποιούνται για να ρυθμίζεται η ώθηση του κινητήρα ή η ισχύς στον άξονα, |
| --- | --- |

2.

«Τεχνολογία»«ανάπτυξης» ή «παραγωγής» για τα στοιχεία ελέγχου και διάγνωσης που προσιδιάζουν στο «σύστημα FADEC» και χρησιμοποιούνται για να ρυθμίζεται η ώθηση του κινητήρα ή η ισχύς στον άξονα,

| 3. | «Τεχνολογία»«ανάπτυξης» για τους αλγορίθμους των νόμων ελέγχου, συμπεριλαμβανομένου του «πηγαίου κώδικα», που προσιδιάζουν στο «σύστημα FADEC» και χρησιμοποιούνται για να ρυθμίζεται η ώθηση του κινητήρα ή η ισχύς στον άξονα. |
| --- | --- |

3.

«Τεχνολογία»«ανάπτυξης» για τους αλγορίθμους των νόμων ελέγχου, συμπεριλαμβανομένου του «πηγαίου κώδικα», που προσιδιάζουν στο «σύστημα FADEC» και χρησιμοποιούνται για να ρυθμίζεται η ώθηση του κινητήρα ή η ισχύς στον άξονα.

Σημείωση: Με το 9E003.η δεν υποβάλλονται σε έλεγχο τα σχετικά με τη συνολοκλήρωση κινητήρα/αεροσκάφους τεχνικά δεδομένα τη δημοσίευση των οποίων απαιτούν οι αρχές πιστοποίησης πολιτικής αεροπορίας προς γενική χρήση των αερογραμμών (π.χ. εγχειρίδια εγκατάστασης, οδηγίες λειτουργίας, οδηγίες για τη διατήρηση της αξιοπλοΐας) ή οι συναρτήσεις διεπαφής (π.χ. επεξεργασία στοιχείων εισόδου/εξόδου, ώθηση πλαισίου αεροσκάφους ή ζήτηση ισχύος στον άξονα).

| θ. | «Τεχνολογία» για συστήματα ρυθμιζόμενης γεωμετρίας ίχνους ροής που είναι σχεδιασμένα ώστε να διατηρούν τη σταθερότητα του κινητήρα των αεριοπαραγωγών στροβίλων, στροβίλων με ανεμιστήρα ή στροβίλων ισχύος ή προωθητικών ακροφυσίων, ως εξής:






  1. | «Τεχνολογία ανάπτυξης» από την οποία προκύπτουν οι λειτουργικές απαιτήσεις για τα συστατικά μέρη που διατηρούν τη σταθερότητα του κινητήρα, |
| --- | --- | --- |

θ.

«Τεχνολογία» για συστήματα ρυθμιζόμενης γεωμετρίας ίχνους ροής που είναι σχεδιασμένα ώστε να διατηρούν τη σταθερότητα του κινητήρα των αεριοπαραγωγών στροβίλων, στροβίλων με ανεμιστήρα ή στροβίλων ισχύος ή προωθητικών ακροφυσίων, ως εξής:

1.

«Τεχνολογία ανάπτυξης» από την οποία προκύπτουν οι λειτουργικές απαιτήσεις για τα συστατικά μέρη που διατηρούν τη σταθερότητα του κινητήρα,

| 2. | «Τεχνολογία ανάπτυξης» ή «τεχνολογία παραγωγής» για τα συστατικά μέρη που προορίζονται αποκλειστικά για το σύστημα ρυθμιζόμενης γεωμετρίας ίχνους ροής και διατηρούν τη σταθερότητα του κινητήρα, |
| --- | --- |

2.

«Τεχνολογία ανάπτυξης» ή «τεχνολογία παραγωγής» για τα συστατικά μέρη που προορίζονται αποκλειστικά για το σύστημα ρυθμιζόμενης γεωμετρίας ίχνους ροής και διατηρούν τη σταθερότητα του κινητήρα,

| 3. | «Τεχνολογία ανάπτυξης» για τους αλγορίθμους των κανόνων ελέγχου, περιλαμβανομένου του «πηγιαίου κώδικα», που προορίζονται αποκλειστικά για το σύστημα ρυθμιζόμενης γεωμετρίας ίχνους ροής και διατηρούν τη σταθερότητα του κινητήρα. |
| --- | --- |

3.

«Τεχνολογία ανάπτυξης» για τους αλγορίθμους των κανόνων ελέγχου, περιλαμβανομένου του «πηγιαίου κώδικα», που προορίζονται αποκλειστικά για το σύστημα ρυθμιζόμενης γεωμετρίας ίχνους ροής και διατηρούν τη σταθερότητα του κινητήρα.

9E003 θ.

  Σημείωση: Το 9Ε003.θ δεν καλύπτει την «τεχνολογία ανάπτυξης» ή «τεχνολογία παραγωγής» για οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

| α. | Κατευθυντήρια σταθερά πτερύγια, |
| --- | --- |

α.

Κατευθυντήρια σταθερά πτερύγια,

| β. | Ανεμιστήρες μεταβλητού βήματος ή ανεμιστήρες ανύψωσης, |
| --- | --- |

β.

Ανεμιστήρες μεταβλητού βήματος ή ανεμιστήρες ανύψωσης,

| γ. | Μεταβλητά σταθερά πτερύγια για συμπιεστές, |
| --- | --- |

γ.

Μεταβλητά σταθερά πτερύγια για συμπιεστές,

| δ. | Βαλβίδες εξαέρωσης για συμπιεστές, ή |
| --- | --- |

δ.

Βαλβίδες εξαέρωσης για συμπιεστές, ή

| ε. | Ρυθμιζόμενη γεωμετρία ίχνους ροής για ανάστροφη ώση. |
| --- | --- |

ε.

Ρυθμιζόμενη γεωμετρία ίχνους ροής για ανάστροφη ώση.

9E101

| α. | «Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» προϊόντων που καθορίζονται στα σημεία 9A006.β., 9A006.στ., 9A101, 9A102, 9A104 έως 9A111 ή 9A115 έως 9A121. |
| --- | --- |

α.

«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» προϊόντων που καθορίζονται στα σημεία 9A006.β., 9A006.στ., 9A101, 9A102, 9A104 έως 9A111 ή 9A115 έως 9A121.

| β. | «Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «παραγωγή»«UAV» που καθορίζονται στο σημείο 9A012 ή προϊόντων που καθορίζονται στα σημεία 9A006.β., 9A006.στ., 9A101, 9A102, 9A104 έως 9A111 ή 9A115 έως 9A121.


  Τεχνική παρατήρηση:


  Στο σημείο 9E101.β., «UAV» σημαίνει συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος ικανά για βεληνεκές άνω των 300 km. |
| --- | --- |

β.

«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «παραγωγή»«UAV» που καθορίζονται στο σημείο 9A012 ή προϊόντων που καθορίζονται στα σημεία 9A006.β., 9A006.στ., 9A101, 9A102, 9A104 έως 9A111 ή 9A115 έως 9A121.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 9E101.β., «UAV» σημαίνει συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος ικανά για βεληνεκές άνω των 300 km.

9E102

«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για «χρήση» οχημάτων εκτόξευσης στο διάστημα που καθορίζονται στο σημείο 9Α004, ή προϊόντων που καθορίζονται στα σημεία 9Α005 έως 9Α011, «UAV» που καθορίζονται στο σημείο 9A012 ή προϊόντα που καθορίζονται στα σημεία 9A101, 9A102, 9A104 έως 9A111, 9A115 έως 9A121, 9B105, 9B106, 9B115, 9B116, 9B117, 9D101 ή 9D103.

Τεχνική παρατήρηση:

Στο σημείο 9E102, «UAV» σημαίνει συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος ικανά για βεληνεκές άνω των 300 km.»

---

(1)  όπως στο σημείο 2B001.α.1.

1

(2)  Οι κατασκευαστές που υπολογίζουν την ακρίβεια τοποθέτησης σύμφωνα με το έγγραφο ISO 230/2 (1988) ή (1997) οφείλουν να συμβουλευθούν τις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους όπου είναι εγκατεστημένοι.

2

(3)  Οι κατασκευαστές που υπολογίζουν την ακρίβεια τοποθέτησης σύμφωνα με το έγγραφο ISO 230/2 (1988) ή (1997) οφείλουν να συμβουλευθούν τις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους όπου είναι εγκατεστημένοι.

3

(4)  Οι κατασκευαστές που υπολογίζουν την ακρίβεια τοποθέτησης σύμφωνα με το έγγραφο ISO 230/2 (1988) ή (1997) οφείλουν να συμβουλευθούν τις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους όπου είναι εγκατεστημένοι.

4

(5)  Οι κατασκευαστές που υπολογίζουν την ακρίβεια τοποθέτησης σύμφωνα με το έγγραφο ISO 230/2 (1988) ή (1997) οφείλουν να συμβουλευθούν τις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους όπου είναι εγκατεστημένοι.

5

(6)  Οι κατασκευαστές που υπολογίζουν την ακρίβεια τοποθέτησης σύμφωνα με το έγγραφο ISO 230/2 (1988) ή (1997) οφείλουν να συμβουλευθούν τις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους όπου είναι εγκατεστημένοι.

6

(7)  Οι κατασκευαστές που υπολογίζουν την ακρίβεια τοποθέτησης σύμφωνα με το έγγραφο ISO 230/2 (1988) ή (1997) οφείλουν να συμβουλευθούν τις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους όπου είναι εγκατεστημένοι.

7

(8)  Οι κατασκευαστές που υπολογίζουν την ακρίβεια τοποθέτησης σύμφωνα με το έγγραφο ISO 230/2 (1988) ή (1997) οφείλουν να συμβουλευθούν τις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους όπου είναι εγκατεστημένοι.

8

(9)  Οι κατασκευαστές που υπολογίζουν την ακρίβεια τοποθέτησης σύμφωνα με το έγγραφο ISO 230/2 (1988) ή (1997) οφείλουν να συμβουλευθούν τις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους όπου είναι εγκατεστημένοι.

9

(10)  Οι κατασκευαστές που υπολογίζουν την ακρίβεια τοποθέτησης σύμφωνα με το έγγραφο ISO 230/2 (1997) ή (2006) οφείλουν να συμβουλευθούν τις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους όπου είναι εγκατεστημένοι.

10

(11)  Οι κατασκευαστές που υπολογίζουν την ακρίβεια τοποθέτησης σύμφωνα με το έγγραφο ISO 230/2 (1997) ή (2006) οφείλουν να συμβουλευθούν τις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους όπου είναι εγκατεστημένοι.

11

(12)  Οι κατασκευαστές που υπολογίζουν την ακρίβεια τοποθέτησης σύμφωνα με το έγγραφο ISO 230/2 (1997) ή (2006) οφείλουν να συμβουλευθούν τις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους όπου είναι εγκατεστημένοι.

12

(13)  Οι αριθμοί σε παρένθεση παραπέμπουν στις Σημειώσεις που συνοδεύουν αυτόν τον πίνακα.

13

---