# Euroopan unionin L 74/13.

| | ISSN 1725-261X |
| --- | --- |
| Euroopan unionin
  virallinen lehti | L 74 |
| | |
| Suomenkielinen laitos | Lainsäädäntö | 49. vuosikerta13. maaliskuu 2006 |

ISSN 1725-261X

Euroopan unionin

virallinen lehti

L 74

Suomenkielinen laitos

Lainsäädäntö

49. vuosikerta13. maaliskuu 2006

---

| Sisältö | | I   Säädökset, jotka on julkaistava | Sivu |
| --- | --- | --- | --- |
| | * | Neuvoston asetus (EY) N:o 394/2006, annettu 27 päivänä helmikuuta 2006, kaksikäyttötuotteiden ja -teknologian vientiä koskevan yhteisön valvontajärjestelmän perustamisesta annetun asetuksen (EY) N:o 1334/2000 muuttamisesta ja ajan tasalle saattamisesta | 1 |

Sisältö

I   Säädökset, jotka on julkaistava

Sivu

*

Neuvoston asetus (EY) N:o 394/2006, annettu 27 päivänä helmikuuta 2006, kaksikäyttötuotteiden ja -teknologian vientiä koskevan yhteisön valvontajärjestelmän perustamisesta annetun asetuksen (EY) N:o 1334/2000 muuttamisesta ja ajan tasalle saattamisesta

1

| FI | Säädökset, joiden otsikot on painettu laihalla kirjasintyypillä, ovat maatalouspolitiikan alaan kuuluvia juoksevien asioiden hoitoon liityviä säädöksiä, joiden voimassaoloaika on yleensä rajoitettu.
  Kaikkien muiden säädösten otsikot on painettu lihavalla kirjasintyypillä ja merkitty tähdellä. |
| --- | --- |

FI

Säädökset, joiden otsikot on painettu laihalla kirjasintyypillä, ovat maatalouspolitiikan alaan kuuluvia juoksevien asioiden hoitoon liityviä säädöksiä, joiden voimassaoloaika on yleensä rajoitettu.

Kaikkien muiden säädösten otsikot on painettu lihavalla kirjasintyypillä ja merkitty tähdellä.

---

I Säädökset, jotka on julkaistava

| 13.3.2006 | FI | Euroopan unionin virallinen lehti | L 74/1 |
| --- | --- | --- | --- |

13.3.2006

FI

Euroopan unionin virallinen lehti

L 74/1

---

NEUVOSTON ASETUS (EY) N:o 394/2006,

annettu 27 päivänä helmikuuta 2006,

kaksikäyttötuotteiden ja -teknologian vientiä koskevan yhteisön valvontajärjestelmän perustamisesta annetun asetuksen (EY) N:o 1334/2000 muuttamisesta ja ajan tasalle saattamisesta

EUROOPAN UNIONIN NEUVOSTO, joka

ottaa huomioon Euroopan yhteisön perustamissopimuksen ja erityisesti sen 133 artiklan,

ottaa huomioon komission ehdotuksen,

sekä katsoo seuraavaa:

| (1) | Asetuksen (EY) N:o 1334/2000 (1) mukaan kaksikäyttötuotteita (ohjelmistot ja teknologia mukaan luettuina) on valvottava tehokkaasti, kun niitä viedään yhteisöstä. |
| --- | --- |

(1)

Asetuksen (EY) N:o 1334/2000 (1) mukaan kaksikäyttötuotteita (ohjelmistot ja teknologia mukaan luettuina) on valvottava tehokkaasti, kun niitä viedään yhteisöstä.

| (2) | Jotta jäsenvaltiot ja yhteisö voisivat täyttää kansainväliset sitoumuksensa, mainitun asetuksen liitteessä I vahvistetaan asetuksen 3 artiklassa tarkoitettu kaksikäyttötuotteita ja -teknologiaa koskeva yhteinen luettelo, jolla pannaan täytäntöön kansainvälisesti sovitut kaksikäyttötuotteiden valvontajärjestelyt, mukaan luettuina Wassenaarin järjestely (WA), ohjusteknologian valvontajärjestely (MTCR), ydinalan viejämaiden ryhmä (NSG), Australian ryhmä (AG) ja kemiallisten aseiden kieltosopimus (CWC). |
| --- | --- |

(2)

Jotta jäsenvaltiot ja yhteisö voisivat täyttää kansainväliset sitoumuksensa, mainitun asetuksen liitteessä I vahvistetaan asetuksen 3 artiklassa tarkoitettu kaksikäyttötuotteita ja -teknologiaa koskeva yhteinen luettelo, jolla pannaan täytäntöön kansainvälisesti sovitut kaksikäyttötuotteiden valvontajärjestelyt, mukaan luettuina Wassenaarin järjestely (WA), ohjusteknologian valvontajärjestely (MTCR), ydinalan viejämaiden ryhmä (NSG), Australian ryhmä (AG) ja kemiallisten aseiden kieltosopimus (CWC).

| (3) | Mainitun asetuksen 11 artiklassa säädetään, että liitteet I ja IV on ajantasaistettava niiden asiaa koskevien velvoitteiden ja sitoumusten ja niihin tehtyjen muutosten mukaisesti, joita kukin jäsenvaltio on hyväksynyt kansainvälisten asesulku- ja vientivalvontajärjestelyjen jäsenenä tai ratifioimalla asiaa koskevia kansainvälisiä sopimuksia. |
| --- | --- |

(3)

Mainitun asetuksen 11 artiklassa säädetään, että liitteet I ja IV on ajantasaistettava niiden asiaa koskevien velvoitteiden ja sitoumusten ja niihin tehtyjen muutosten mukaisesti, joita kukin jäsenvaltio on hyväksynyt kansainvälisten asesulku- ja vientivalvontajärjestelyjen jäsenenä tai ratifioimalla asiaa koskevia kansainvälisiä sopimuksia.

| (4) | Kyseisen asetuksen liite I ja IV olisi muutettava niiden muutosten huomioon ottamiseksi, jotka on hyväksytty Wassenaarin järjestelyn, Australian ryhmän, ohjusteknologian valvontajärjestelyn ja ydinalan viejämaiden ryhmän taholla niiden muutosten jälkeen, jotka on tehty asetuksella (EY) N:o 1504/2004. |
| --- | --- |

(4)

Kyseisen asetuksen liite I ja IV olisi muutettava niiden muutosten huomioon ottamiseksi, jotka on hyväksytty Wassenaarin järjestelyn, Australian ryhmän, ohjusteknologian valvontajärjestelyn ja ydinalan viejämaiden ryhmän taholla niiden muutosten jälkeen, jotka on tehty asetuksella (EY) N:o 1504/2004.

| (5) | Jotta vientivalvontaviranomaisten ja toimijoiden olisi helpompi saada säännöksistä selvää, on tarpeen julkaista kyseisen asetuksen liitteiden ajantasaistettu ja kodifioitu toisinto. |
| --- | --- |

(5)

Jotta vientivalvontaviranomaisten ja toimijoiden olisi helpompi saada säännöksistä selvää, on tarpeen julkaista kyseisen asetuksen liitteiden ajantasaistettu ja kodifioitu toisinto.

| (6) | Asetus (EY) N:o 1334/2000 olisi muutettava tätä vastaavasti, |
| --- | --- |

(6)

Asetus (EY) N:o 1334/2000 olisi muutettava tätä vastaavasti,

ON ANTANUT TÄMÄN ASETUKSEN:

1 artikla

Korvataan asetuksen (EY) N:o 1334/2000 liitteet tämän asetuksen liitteessä olevalla tekstillä.

2 artikla

Tämä asetus tulee voimaan kolmantenakymmenentenä päivänä sen jälkeen, kun se on julkaistu Euroopan unionin virallisessa lehdessä.

Tämä asetus on kaikilta osiltaan velvoittava, ja sitä sovelletaan sellaisenaan kaikissa jäsenvaltioissa.

Tehty Brysselissä 27 päivänä helmikuuta 2006.

Neuvoston puolesta

Puheenjohtaja

U. PLASSNIK

---

(1)  EYVL L 159, 30.6.2000, s. 1. Asetus sellaisena kuin se on viimeksi muutettuna asetuksella (EY) N:o 1504/2004 (EUVL L 281, 31.8.2004, s. 1).

1

---

LIITE

LIITE I

LUETTELO KAKSIKÄYTTÖTUOTTEISTA JA -TEKNOLOGIASTA

(asetuksen (EY) N:o 1334/2000 3 artiklassa tarkoitettu)

Tällä luettelolla pannaan täytäntöön kansainvälisesti sovitut kaksikäyttötuotteiden valvonnat, mukaan lukien Wassenaarin järjestely, ohjusteknologian valvontajärjestely (MTCR), ydinalan viejämaiden ryhmä (NSG), Australia-ryhmä ja kemiallisten aseiden kieltosopimus. Huomiotta on jätetty kohdat, jotka jäsenvaltiot haluavat asettaa ulkopuolelle jätettävien listalle. Huomiotta on jätetty kansalliset valvonnat (järjestelyihin perustumattomat valvonnat), joita jäsenvaltiot saattavat harjoittaa.

YLEISET HUOMAUTUKSET LIITTEESEEN I

| 1. | Sotilaskäyttöön suunniteltujen tai muunnettujen tuotteiden valvonnan osalta katso asiaankuuluvaa yksittäisen jäsenmaan ylläpitämää valvontalistaa (-listoja) sotatarvikkeista. Tässä liitteessä viittaukset, jotka toteavat "KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO", viittaavat samoihin listoihin. |
| --- | --- |

1.

Sotilaskäyttöön suunniteltujen tai muunnettujen tuotteiden valvonnan osalta katso asiaankuuluvaa yksittäisen jäsenmaan ylläpitämää valvontalistaa (-listoja) sotatarvikkeista. Tässä liitteessä viittaukset, jotka toteavat "KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO", viittaavat samoihin listoihin.

| 2. | Tähän liitteeseen sisältyvän valvonnan tarkoitusta ei pidä kumota sellaisten ei-valvonnanalaisten tuotteiden (tuotantolaitos mukaan lukien) viennillä, jotka sisältävät yhden tai useampia valvonnanalaisia komponentteja, kun tuo valvonnanalainen komponentti tai ne komponentit ovat tuotteiden olennaisia osia ja voidaan järkevästi irrottaa tai käyttää toisiin tarkoituksiin.


  Huom.: Arvioitaessa sitä onko valvonnanalaista komponenttia tai komponentteja pidettävä olennaisina osina, on välttämätöntä punnita määrän, arvon ja sisältyvän teknologisen tietotaidon tekijöitä sekä muita erityisolosuhteita, jotka voisivat osoittaa valvonnanalaisen komponentin tai komponenttien olevan toimitettavien tuotteiden olennaisia osia. |
| --- | --- |

2.

Tähän liitteeseen sisältyvän valvonnan tarkoitusta ei pidä kumota sellaisten ei-valvonnanalaisten tuotteiden (tuotantolaitos mukaan lukien) viennillä, jotka sisältävät yhden tai useampia valvonnanalaisia komponentteja, kun tuo valvonnanalainen komponentti tai ne komponentit ovat tuotteiden olennaisia osia ja voidaan järkevästi irrottaa tai käyttää toisiin tarkoituksiin.

Huom.: Arvioitaessa sitä onko valvonnanalaista komponenttia tai komponentteja pidettävä olennaisina osina, on välttämätöntä punnita määrän, arvon ja sisältyvän teknologisen tietotaidon tekijöitä sekä muita erityisolosuhteita, jotka voisivat osoittaa valvonnanalaisen komponentin tai komponenttien olevan toimitettavien tuotteiden olennaisia osia.

| 3. | Tässä liitteessä määriteltyihin tuotteisiin kuuluvat sekä uudet että käytetyt tuotteet. |
| --- | --- |

3.

Tässä liitteessä määriteltyihin tuotteisiin kuuluvat sekä uudet että käytetyt tuotteet.

YDINTEKNOLOGIAHUOMAUTUS (Ydth)

(Sovelletaan 0 ryhmän E osan yhteydessä)

0 ryhmän kaikkiin tuotteisiin suoraan liittyvän "teknologian" siirto on saman tasoisen tarkkailun ja valvonnan alainen kuin tuotteetkin.

"Teknologia" valvonnanalaisten tuotteiden "kehittämistä", "tuotantoa" ja "käyttöä" varten on valvonnanalaista myös silloin, kun se on sovellettavissa ei-valvonnanalaisiin tuotteisiin.

Tuotteiden hyväksyminen vientiin oikeuttaa myös tuotteiden käyttöönottoa, toimintaa, ylläpitoa ja korjausta varten tarvittavan vähimmäis"teknologian" viennin samalle loppukäyttäjälle.

"Teknologian" siirron valvonta ei koske "julkista" tietoa tai "tieteellistä perustutkimusta".

YLEINEN TEKNOLOGIAHUOMAUTUS (Ylth)

(Sovelletaan 1–9 ryhmien E osan yhteydessä)

1–9 ryhmissä valvonnanalaisten tuotteiden "kehitystä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten "tarvittavan""teknologian" vienti on valvonnanalaista 1–9 ryhmien säännösten mukaisesti.

Valvonnanalaisten tuotteiden "kehitystä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten "tarvittava""teknologia" on valvonnanalaista myös silloin, kun se on sovellettavissa ei-valvonnanalaisiin tuotteisiin.

Valvonta ei koske sitä vähimmäis"teknologiaa", joka on välttämätön käyttöönottoa, toimintaa, ylläpitoa (tarkastusta) ja korjausta varten tuotteille, jotka eivät ole valvonnanalaisia tai joiden vienti on saatettu luvalliseksi.

Huom.: Tämä ei vapauta 1E002.e, 1E002.f, 8E002.a ja 8E002.b kohdassa määriteltyä vastaavaa "teknologiaa".

"Teknologian" siirron valvonta ei koske "julkista" tietoa, "tieteellistä perustutkimusta" tai välttämätöntä vähimmäistietoa patenttihakemuksiin.

YLEINEN OHJELMISTOHUOMAUTUS (Yloh)

(Tämä huomautus kumoaa kaiken 0–9 ryhmien D osan asettaman valvonnanalaisuuden)

Tämän listan 0–9 ryhmät eivät aseta valvonnanalaiseksi "ohjelmistoja", jotka

| a. | ovat yleisesti yleisön saatavissa:






  1. | Myydään vähittäismyyntipisteissä varastosta ja rajoituksetta:






  a. | käsikaupassa; |
| --- | --- | --- | --- |

a.

ovat yleisesti yleisön saatavissa:

1.

Myydään vähittäismyyntipisteissä varastosta ja rajoituksetta:

a.

käsikaupassa;

| b. | postimyynnissä; |
| --- | --- |

b.

postimyynnissä;

| c. | elektronisesti tapahtuvassa myynnissä; tai |
| --- | --- |

c.

elektronisesti tapahtuvassa myynnissä; tai

| d. | puhelinmyynnissä; ja |
| --- | --- |

d.

puhelinmyynnissä; ja

| 2. | on suunniteltu käyttäjän käyttöönotettaviksi ilman merkittävää toimittajan tukea; tai |
| --- | --- |

2.

on suunniteltu käyttäjän käyttöönotettaviksi ilman merkittävää toimittajan tukea; tai

Huom.: Yleisen ohjelmistohuomautuksen a kohta ei vapauta 5 ryhmän 2 osassa ("Tiedonsuojaus") määriteltyä "ohjelmistoa".

| b. | Ovat "julkisia". |
| --- | --- |

b.

Ovat "julkisia".

TÄSSÄ LIITTEESSÄ KÄYTETTYJEN TERMIEN MÄÄRITELMÄT

‧Yksinkertaisissa lainausmerkeissä‧ olevien termien määritelmät on annettu asianmukaisessa teknologiahuomautuksessa.

"Kaksinkertaisissa lainausmerkeissä" olevien termien määritelmät ovat seuraavat:

Huom.: Viittaukset ryhmiin ovat suluissa termin määrittelyn jälkeen.

| | "Aiemmin erotettu" (Previously separated) (0 1) tarkoittaa minkä tahansa sellaisen prosessin käyttöä, jolla halutaan lisätä kontrolloidun isotoopin konsentraatiota. |
| --- | --- |

"Aiemmin erotettu" (Previously separated) (0 1) tarkoittaa minkä tahansa sellaisen prosessin käyttöä, jolla halutaan lisätä kontrolloidun isotoopin konsentraatiota.

| | "Aikavakio" (Time constant) (6) on aika, joka kuluu valoärsytyksen antamisesta siihen kun virran lisäys saavuttaa arvon, joka on 1–1/e kertaa lopullinen arvo (so. 63 % lopullisesta arvosta). |
| --- | --- |

"Aikavakio" (Time constant) (6) on aika, joka kuluu valoärsytyksen antamisesta siihen kun virran lisäys saavuttaa arvon, joka on 1–1/e kertaa lopullinen arvo (so. 63 % lopullisesta arvosta).

| | "Aksiaalisiirtymä" (Camming) (2) on pääkaran aksiaalisiirtymä yhden kierroksen aikana, mitattuna karan tasolaikkaa vastaan kohtisuorassa olevassa tasossa, pisteessä, joka on lähinnä tasolaikan kehää (viite ISO 230/1 1986, 5.63 kohta). |
| --- | --- |

"Aksiaalisiirtymä" (Camming) (2) on pääkaran aksiaalisiirtymä yhden kierroksen aikana, mitattuna karan tasolaikkaa vastaan kohtisuorassa olevassa tasossa, pisteessä, joka on lähinnä tasolaikan kehää (viite ISO 230/1 1986, 5.63 kohta).

| | "Aktiivinen pikseli" (Active pixel) (6 8) on solid-state-matriisin pienin (yksittäinen) elementti, jolla on valosähköinen siirtofunktio, kun se altistetaan valolle (sähkömagneettiselle säteilylle). |
| --- | --- |

"Aktiivinen pikseli" (Active pixel) (6 8) on solid-state-matriisin pienin (yksittäinen) elementti, jolla on valosähköinen siirtofunktio, kun se altistetaan valolle (sähkömagneettiselle säteilylle).

| | "Aktiiviset lennonohjausjärjestelmät" (Active flight control systems) (7) ovat järjestelmiä, jotka toimivat "ilma-aluksen" tai ohjuksen ei-toivottujen liikkeiden tai rakenteellisten kuormitusten estämiseksi käsittelemällä itsenäisesti useilta antureilta tulevia tietoja ja antamalla tarvittavia automaattiohjaukseen vaikuttavia ennalta ehkäiseviä komentoja. |
| --- | --- |

"Aktiiviset lennonohjausjärjestelmät" (Active flight control systems) (7) ovat järjestelmiä, jotka toimivat "ilma-aluksen" tai ohjuksen ei-toivottujen liikkeiden tai rakenteellisten kuormitusten estämiseksi käsittelemällä itsenäisesti useilta antureilta tulevia tietoja ja antamalla tarvittavia automaattiohjaukseen vaikuttavia ennalta ehkäiseviä komentoja.

| | "Asettumisaika" (Settling time) (3) tarkoittaa aikaa, joka tarvitaan jotta ulostulo saavuttaa puolen bitin tarkkuudella lopullisen arvon, kun muunnin vaihtaa tilaa minkä tahansa kahden arvon välillä. |
| --- | --- |

"Asettumisaika" (Settling time) (3) tarkoittaa aikaa, joka tarvitaan jotta ulostulo saavuttaa puolen bitin tarkkuudella lopullisen arvon, kun muunnin vaihtaa tilaa minkä tahansa kahden arvon välillä.

| | "Asiantuntijajärjestelmät" (Expert systems) (7) tarkoittaa järjestelmiä, jotka tuottavat tuloksia soveltamalla käsittelysääntöjä tietoihin, jotka on tallennettu "ohjelmasta" riippumattomasti, ja jotka kykenevät johonkin seuraavista:






  a. | muokkaamaan automaattisesti käyttäjän antamaa "lähdekoodia"; |
| --- | --- | --- |

"Asiantuntijajärjestelmät" (Expert systems) (7) tarkoittaa järjestelmiä, jotka tuottavat tuloksia soveltamalla käsittelysääntöjä tietoihin, jotka on tallennettu "ohjelmasta" riippumattomasti, ja jotka kykenevät johonkin seuraavista:

a.

muokkaamaan automaattisesti käyttäjän antamaa "lähdekoodia";

| b. | tuottamaan johonkin ongelma-alueeseen liittyvää tietoa luonnollista muistuttavalla kielellä; tai |
| --- | --- |

b.

tuottamaan johonkin ongelma-alueeseen liittyvää tietoa luonnollista muistuttavalla kielellä; tai

| c. | keräämään tietoa itsensä kehittämiseksi (symbolinen harjaannuttaminen). |
| --- | --- |

c.

keräämään tietoa itsensä kehittämiseksi (symbolinen harjaannuttaminen).

| | "Automaattinen maalin seuranta" (Automatic target tracking) (6) tarkoittaa tietojenkäsittelytekniikkaa, joka automaattisesti määrittää ja tulostaa tosiaikaisesti maalin todennäköisimmän sijainnin extrapoloidun arvon. |
| --- | --- |

"Automaattinen maalin seuranta" (Automatic target tracking) (6) tarkoittaa tietojenkäsittelytekniikkaa, joka automaattisesti määrittää ja tulostaa tosiaikaisesti maalin todennäköisimmän sijainnin extrapoloidun arvon.

| | "Avaruusalus" (Spacecraft) (7 9) tarkoittaa aktiivisia ja passiivisia satelliitteja sekä avaruusluotaimia. |
| --- | --- |

"Avaruusalus" (Spacecraft) (7 9) tarkoittaa aktiivisia ja passiivisia satelliitteja sekä avaruusluotaimia.

| | "Avaruuskelpoinen" (Space qualified) (3 6) viittaa tuotteisiin, jotka on suunniteltu, valmistettu ja testattu kestämään avaruuden erityisiä sähköisiä, mekaanisia tai ympäristövaatimuksia, jotta niitä voidaan laukaista ja käyttää satelliiteissa tai 100 km tai sitä korkeammalla toimivissa lentojärjestelmissä. |
| --- | --- |

"Avaruuskelpoinen" (Space qualified) (3 6) viittaa tuotteisiin, jotka on suunniteltu, valmistettu ja testattu kestämään avaruuden erityisiä sähköisiä, mekaanisia tai ympäristövaatimuksia, jotta niitä voidaan laukaista ja käyttää satelliiteissa tai 100 km tai sitä korkeammalla toimivissa lentojärjestelmissä.

| | "Bias" (kiihtyvyysmittari) (7) tarkoittaa ulostulon arvoa kiihtyvyysmittarissa, kun siihen ei kohdistu mitään kiihtyvyyttä. |
| --- | --- |

"Bias" (kiihtyvyysmittari) (7) tarkoittaa ulostulon arvoa kiihtyvyysmittarissa, kun siihen ei kohdistu mitään kiihtyvyyttä.

| | "CE" vastaa "laskentaelementtiä". |
| --- | --- |

"CE" vastaa "laskentaelementtiä".

| | "CEP" (yhtäläisen todennäköisyyden ympyrä) (circle of equal probability) (7) on tarkkuuden mitta; tietyllä etäisyydellä sen ympyrän säde, jonka keskipisteessä on maali ja johon 50 % hyötykuormasta iskeytyy. |
| --- | --- |

"CEP" (yhtäläisen todennäköisyyden ympyrä) (circle of equal probability) (7) on tarkkuuden mitta; tietyllä etäisyydellä sen ympyrän säde, jonka keskipisteessä on maali ja johon 50 % hyötykuormasta iskeytyy.

| | "CTP" vastaa "yhdistettyä teoreettista tehokkuutta". |
| --- | --- |

"CTP" vastaa "yhdistettyä teoreettista tehokkuutta".

| | "DBRN-järjestelmillä" (Data-Based Referenced Navigation) (7) tarkoitetaan järjestelmiä, joissa käytetään eri lähteistä saatavaa, ennalta mitattua paikkatietoa, joka on yhdistetty tarkan navigointitiedon tuottamiseksi muuttuvissa olosuhteissa. Tietolähteet voivat olla syvyystietokarttoja, tähtikarttoja, painovoimakarttoja, magneettikarttoja tai kolmiulotteisia numeerisia maastokarttoja. |
| --- | --- |

"DBRN-järjestelmillä" (Data-Based Referenced Navigation) (7) tarkoitetaan järjestelmiä, joissa käytetään eri lähteistä saatavaa, ennalta mitattua paikkatietoa, joka on yhdistetty tarkan navigointitiedon tuottamiseksi muuttuvissa olosuhteissa. Tietolähteet voivat olla syvyystietokarttoja, tähtikarttoja, painovoimakarttoja, magneettikarttoja tai kolmiulotteisia numeerisia maastokarttoja.

| | "Diffuusioliittäminen" (Diffusion bonding) (1 2 9) tarkoittaa vähintään kahden eri metallin molekyylitasoista jähmeliittämistä yhdeksi kappaleeksi siten, että liitoslujuus vastaa heikoimman materiaalin lujuutta. |
| --- | --- |

"Diffuusioliittäminen" (Diffusion bonding) (1 2 9) tarkoittaa vähintään kahden eri metallin molekyylitasoista jähmeliittämistä yhdeksi kappaleeksi siten, että liitoslujuus vastaa heikoimman materiaalin lujuutta.

| | "Digitaalinen kokonaissiirtonopeus" (Total digital transfer rate) (5) tarkoittaa toistensa kanssa yhteydessä olevien digitaalisen siirtojärjestelmän laitteiden välillä kulkevien bittien lukumäärää aikayksikössä, mukaan lukien linjan koodaukseen tarvittavat sekä muut lisäbitit.


  Huom.: Katso myös "digitaalinen siirtonopeus". |
| --- | --- |

"Digitaalinen kokonaissiirtonopeus" (Total digital transfer rate) (5) tarkoittaa toistensa kanssa yhteydessä olevien digitaalisen siirtojärjestelmän laitteiden välillä kulkevien bittien lukumäärää aikayksikössä, mukaan lukien linjan koodaukseen tarvittavat sekä muut lisäbitit.

Huom.: Katso myös "digitaalinen siirtonopeus".

| | "Digitaalinen siirtonopeus" (Digital transfer rate) tarkoittaa minkä tahansa tyyppistä siirtotietä käyttäen suoraan siirretyn informaation kokonaisbittinopeutta.


  Huom.: Katso myös "digitaalinen kokonaissiirtonopeus". |
| --- | --- |

"Digitaalinen siirtonopeus" (Digital transfer rate) tarkoittaa minkä tahansa tyyppistä siirtotietä käyttäen suoraan siirretyn informaation kokonaisbittinopeutta.

Huom.: Katso myös "digitaalinen kokonaissiirtonopeus".

| | "Digitaalinen tietokone" (Digital computer) (4 5) tarkoittaa laitetta, joka voi suorittaa kaikkia seuraavia toimintoja yhden tai useamman erillisen muuttujan muodossa:






  a. | vastaanottaa tietoa; |
| --- | --- | --- |

"Digitaalinen tietokone" (Digital computer) (4 5) tarkoittaa laitetta, joka voi suorittaa kaikkia seuraavia toimintoja yhden tai useamman erillisen muuttujan muodossa:

a.

vastaanottaa tietoa;

| b. | tallettaa tietoa tai käskyjä kiinteille tai muutettaville (kirjoitus-) muistilaitteille; |
| --- | --- |

b.

tallettaa tietoa tai käskyjä kiinteille tai muutettaville (kirjoitus-) muistilaitteille;

| c. | käsitellä tietoa tallennetun käskyjonon avulla, joka on muokattavissa; ja |
| --- | --- |

c.

käsitellä tietoa tallennetun käskyjonon avulla, joka on muokattavissa; ja

| d. | tulostaa tietoa. |
| --- | --- |

d.

tulostaa tietoa.

Huom.: Tallennetun käskyjonon muokkaus sisältää pysyväismuistiyksiköiden vaihdon, mutta ei langoituksen tai kytkentöjen fyysistä muuttamista.

| | "Dynaamisesti adaptiivinen reititys" (Dynamic adaptive routing) (5) tarkoittaa automaattista liikenteen uudelleenreititystä, joka perustuu verkon sen hetkisen todellisen tilanteen anturointiin ja analyysiin.


  Huom.: Tähän eivät sisälly reitityksen päätöstilanteet, jotka tehdään ennalta annetun informaation pohjalta. |
| --- | --- |

"Dynaamisesti adaptiivinen reititys" (Dynamic adaptive routing) (5) tarkoittaa automaattista liikenteen uudelleenreititystä, joka perustuu verkon sen hetkisen todellisen tilanteen anturointiin ja analyysiin.

Huom.: Tähän eivät sisälly reitityksen päätöstilanteet, jotka tehdään ennalta annetun informaation pohjalta.

| | "Dynaamiset signaalianalysaattorit" (Dynamic signal analyzers) (3) tarkoittaa "signaalianalysaattoreita", jotka käyttävät digitaalista näytteenotto- ja muunnostekniikkaa muodostaakseen annetulle amplitudi- ja vaiheinformaation sisältävälle aaltomuodolle Fourierin spektrinäytön.


  Huom. Katso myös "signaalianalysaattorit". |
| --- | --- |

"Dynaamiset signaalianalysaattorit" (Dynamic signal analyzers) (3) tarkoittaa "signaalianalysaattoreita", jotka käyttävät digitaalista näytteenotto- ja muunnostekniikkaa muodostaakseen annetulle amplitudi- ja vaiheinformaation sisältävälle aaltomuodolle Fourierin spektrinäytön.

Huom. Katso myös "signaalianalysaattorit".

| | "Ekvivalenttitiheys" (Equivalent density) (6) tarkoittaa optiikan yksikkömassaa optiselle pinnalle projisoitua optisen pinta-alan yksikköä kohti. |
| --- | --- |

"Ekvivalenttitiheys" (Equivalent density) (6) tarkoittaa optiikan yksikkömassaa optiselle pinnalle projisoitua optisen pinta-alan yksikköä kohti.

| | "Elektroninen kokoonpano" (Electronic assembly) (2 3 4 5) tarkoittaa elektronisten komponenttien (so. ‧piirielementtien‧, ‧erilliskomponenttien‧, integroitujen piirien jne.) joukkoa, joka on kytketty tietyn tehtävän (tai tietyt tehtävät) suorittavaksi kokonaisuudeksi, joka voidaan yksikkönä vaihtaa ja on tavallisesti purettavissa.


  Huom. 1:‧Piirielementti‧ (Circuit element): Yksittäinen aktiivinen tai passiivinen elektronisen piirin toiminnallinen osa kuten diodi, transistori, vastus, kondensaattori jne.



  Huom. 2:‧Erilliskomponentti‧ (Discrete component): Erikseen koteloitu ‧piirielementti‧, jolla on omat ulkoiset kytkentäpisteensä. |
| --- | --- |

"Elektroninen kokoonpano" (Electronic assembly) (2 3 4 5) tarkoittaa elektronisten komponenttien (so. ‧piirielementtien‧, ‧erilliskomponenttien‧, integroitujen piirien jne.) joukkoa, joka on kytketty tietyn tehtävän (tai tietyt tehtävät) suorittavaksi kokonaisuudeksi, joka voidaan yksikkönä vaihtaa ja on tavallisesti purettavissa.

Huom. 1:‧Piirielementti‧ (Circuit element): Yksittäinen aktiivinen tai passiivinen elektronisen piirin toiminnallinen osa kuten diodi, transistori, vastus, kondensaattori jne.

Huom. 2:‧Erilliskomponentti‧ (Discrete component): Erikseen koteloitu ‧piirielementti‧, jolla on omat ulkoiset kytkentäpisteensä.

| | "Elektronisesti ohjattavat vaiheistetut ryhmäantennit" (Electronically steerable phased array antennas) (56) tarkoittaa antennia, joka muodostaa keilan vaihekytkennän avulla, so. keilan suuntausta ohjataan säteilevien elementtien yhdistetyillä virityskertoimilla ja säteen suuntaa voidaan sähköisin signaalein muutella pysty- tai vaakasuunnassa, tai molemmissa suunnissa, niin lähetyksessä kuin vastaanotossakin. |
| --- | --- |

"Elektronisesti ohjattavat vaiheistetut ryhmäantennit" (Electronically steerable phased array antennas) (56) tarkoittaa antennia, joka muodostaa keilan vaihekytkennän avulla, so. keilan suuntausta ohjataan säteilevien elementtien yhdistetyillä virityskertoimilla ja säteen suuntaa voidaan sähköisin signaalein muutella pysty- tai vaakasuunnassa, tai molemmissa suunnissa, niin lähetyksessä kuin vastaanotossakin.

| | "Epäsymmetrinen algoritmi" (5) tarkoittaa salausalgoritmia, joka käyttää erilaisia matemaattisesti suunniteltuja salaukseen ja salauksen purkuun tarkoitettuja avaimia.


  Huom.:"Epäsymmetrisen algoritmin" tavanomainen käyttö on avaimen hallinta. |
| --- | --- |

"Epäsymmetrinen algoritmi" (5) tarkoittaa salausalgoritmia, joka käyttää erilaisia matemaattisesti suunniteltuja salaukseen ja salauksen purkuun tarkoitettuja avaimia.

Huom.:"Epäsymmetrisen algoritmin" tavanomainen käyttö on avaimen hallinta.

| | "Eristetyt elävät viljelmät" (Isolated live cultures) (1) tarkoittaa uinuvassa tilassa ja kuivatuissa preparaateissa olevia eläviä viljelmiä. |
| --- | --- |

"Eristetyt elävät viljelmät" (Isolated live cultures) (1) tarkoittaa uinuvassa tilassa ja kuivatuissa preparaateissa olevia eläviä viljelmiä.

| | "Eristystä" (Insulation) (9) käytetään rakettimoottorien osissa, so. rungossa, suuttimessa, läpivienneissä ja rungon väliseinissä, ja se käsittää eristäviä tai tulenkestäviä materiaaleja sisältäviä vulkanoidun tai puoli-vulkanoidun seoskumin levykerroksia. Sitä voidaan käyttää myös rasituksen vaimennustuppeina tai -liuskoina. |
| --- | --- |

"Eristystä" (Insulation) (9) käytetään rakettimoottorien osissa, so. rungossa, suuttimessa, läpivienneissä ja rungon väliseinissä, ja se käsittää eristäviä tai tulenkestäviä materiaaleja sisältäviä vulkanoidun tai puoli-vulkanoidun seoskumin levykerroksia. Sitä voidaan käyttää myös rasituksen vaimennustuppeina tai -liuskoina.

| | "Erityinen halkeamiskelpoinen aine" (Special fissile material) (0) tarkoittaa plutonium-239:ää, uraani-233:a, "isotoopeilla 235 tai 233 rikastettua uraania" ja mitä tahansa edellämainittuja sisältävää ainetta. |
| --- | --- |

"Erityinen halkeamiskelpoinen aine" (Special fissile material) (0) tarkoittaa plutonium-239:ää, uraani-233:a, "isotoopeilla 235 tai 233 rikastettua uraania" ja mitä tahansa edellämainittuja sisältävää ainetta.

| | "Esilanka" (Roving) (1) on suunnilleen samansuuntaisista (tavallisesti 12–120) ‧säikeistä‧ muodostuva kimppu.


  Huom.:‧Säie‧ on suunnilleen samansuuntaisista (tavallisesti useammasta kuin 200) "monofilamentista" muodostuva kimppu. |
| --- | --- |

"Esilanka" (Roving) (1) on suunnilleen samansuuntaisista (tavallisesti 12–120) ‧säikeistä‧ muodostuva kimppu.

Huom.:‧Säie‧ on suunnilleen samansuuntaisista (tavallisesti useammasta kuin 200) "monofilamentista" muodostuva kimppu.

| | "FADEC" vastaa "täyden auktoriteetin digitaalista moottorin ohjausta". |
| --- | --- |

"FADEC" vastaa "täyden auktoriteetin digitaalista moottorin ohjausta".

| | "Fokusoiva tasojärjestelmä" (Focal plane array) (6) tarkoittaa fokusoivassa tasossa toimivista, lukema-elektroniikalla varustetuista tai ilman sitä olevista yksittäisistä ilmaisinelementeistä koostuvaa lineaarista tai kaksiulotteista tasopintaa tai tasopintojen yhdistelmää.


  Huom.: Tällä ei ole tarkoitus kattaa yksittäisten ilmaisinelementtien pinoa eikä kaksi-, kolme- tai neljäelementtisiä ilmaisimia, edellyttäen että aikaviivästystä ja integrointia ei suoriteta elementeissä. |
| --- | --- |

"Fokusoiva tasojärjestelmä" (Focal plane array) (6) tarkoittaa fokusoivassa tasossa toimivista, lukema-elektroniikalla varustetuista tai ilman sitä olevista yksittäisistä ilmaisinelementeistä koostuvaa lineaarista tai kaksiulotteista tasopintaa tai tasopintojen yhdistelmää.

Huom.: Tällä ei ole tarkoitus kattaa yksittäisten ilmaisinelementtien pinoa eikä kaksi-, kolme- tai neljäelementtisiä ilmaisimia, edellyttäen että aikaviivästystä ja integrointia ei suoriteta elementeissä.

| | "Hajaspektri" (Spread spectrum) (5) tarkoittaa tekniikkaa, jolla suhteellisen kapeakaistaisen tietoliikennekanavan energia levitetään huomattavasti laajemman energiaspektrin yli. |
| --- | --- |

"Hajaspektri" (Spread spectrum) (5) tarkoittaa tekniikkaa, jolla suhteellisen kapeakaistaisen tietoliikennekanavan energia levitetään huomattavasti laajemman energiaspektrin yli.

| | "Hajaspektri"tutka (Spread spectrum radar) (6) – katso "Tutkan hajaspektri". |
| --- | --- |

"Hajaspektri"tutka (Spread spectrum radar) (6) – katso "Tutkan hajaspektri".

| | "Henkilökohtainen älykortti" (Personalized smart card) (5) tarkoittaa mikropiirin sisältävää älykorttia, joka on ohjelmoitu erityistä käyttöä varten ja jota käyttäjä ei voi ohjelmoida uudelleen mitään muuta käyttöä varten. |
| --- | --- |

"Henkilökohtainen älykortti" (Personalized smart card) (5) tarkoittaa mikropiirin sisältävää älykorttia, joka on ohjelmoitu erityistä käyttöä varten ja jota käyttäjä ei voi ohjelmoida uudelleen mitään muuta käyttöä varten.

| | "Hermoverkkotietokone" (Neural computer) (4) tarkoittaa tietokonelaitetta, joka on suunniteltu tai muunnettu jäljittelemään neuronin tai neuroniryhmän käyttäytymistä, so. tietokonetta, jolle on ominaista se, että sen laitteisto kykenee aiempaan tietoon perustuen muuttamaan suurta joukkoa laskennallisten komponenttien välisten kytkentöjen painotusta ja määrää. |
| --- | --- |

"Hermoverkkotietokone" (Neural computer) (4) tarkoittaa tietokonelaitetta, joka on suunniteltu tai muunnettu jäljittelemään neuronin tai neuroniryhmän käyttäytymistä, so. tietokonetta, jolle on ominaista se, että sen laitteisto kykenee aiempaan tietoon perustuen muuttamaan suurta joukkoa laskennallisten komponenttien välisten kytkentöjen painotusta ja määrää.

| | "Hetkellinen kaistanleveys" (Instantenous bandwidth) (3 7) tarkoittaa kaistanleveyttä, jolla lähtöteho pysyy 3 dB:n tarkkuudella vakiona, ilman että muita toimintaparametreja säädetään. |
| --- | --- |

"Hetkellinen kaistanleveys" (Instantenous bandwidth) (3 7) tarkoittaa kaistanleveyttä, jolla lähtöteho pysyy 3 dB:n tarkkuudella vakiona, ilman että muita toimintaparametreja säädetään.

| | "Huipputeho" (Peak power) (6) tarkoittaa pulssin energiaa jouleina jaettuna pulssin kestolla sekunteina. |
| --- | --- |

"Huipputeho" (Peak power) (6) tarkoittaa pulssin energiaa jouleina jaettuna pulssin kestolla sekunteina.

| | "Hybridipiiri" (Hybrid integrated circuit) (3) tarkoittaa integroitujen piirien yhdistelmää, joka käsittää integroidun piirin (tai piirejä) tai integroitua piiriä ‧piirielementtien‧ tai ‧erilliskomponenttien‧ yhteydessä, jotka on kytketty toisiinsa tietyn toiminnon (tai toimintojen) suorittamiseksi, ja jolla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  a. | sisältää vähintään yhden koteloimattoman komponentin; |
| --- | --- | --- |

"Hybridipiiri" (Hybrid integrated circuit) (3) tarkoittaa integroitujen piirien yhdistelmää, joka käsittää integroidun piirin (tai piirejä) tai integroitua piiriä ‧piirielementtien‧ tai ‧erilliskomponenttien‧ yhteydessä, jotka on kytketty toisiinsa tietyn toiminnon (tai toimintojen) suorittamiseksi, ja jolla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

sisältää vähintään yhden koteloimattoman komponentin;

| b. | kytkennät on suoritettu tyypillisiä integroitujen piirien tuotantomenetelmiä käyttäen; |
| --- | --- |

b.

kytkennät on suoritettu tyypillisiä integroitujen piirien tuotantomenetelmiä käyttäen;

| c. | on vaihdettavissa yhtenä kokonaisuutena; ja |
| --- | --- |

c.

on vaihdettavissa yhtenä kokonaisuutena; ja

| d. | ei yleensä ole purettavissa osiinsa. |
| --- | --- |

d.

ei yleensä ole purettavissa osiinsa.

Huom. 1:‧Piirielementti‧ (Circuit element): Yksittäinen aktiivinen tai passiivinen elektronisen piirin toiminnallinen osa kuten diodi, transistori, vastus, kondensaattori jne.

Huom. 2:‧Erilliskomponentti‧ (Discrete component): Erikseen koteloitu ‧piirielementti‧, jolla on omat ulkoiset kytkentäpisteensä.

| | "Hybriditietokone" (Hybrid computer) (4) tarkoittaa laitetta, joka voi suorittaa kaikkea seuraavaa:






  a. | vastaanottaa tietoa; |
| --- | --- | --- |

"Hybriditietokone" (Hybrid computer) (4) tarkoittaa laitetta, joka voi suorittaa kaikkea seuraavaa:

a.

vastaanottaa tietoa;

| b. | käsitellä tietoa sekä analogisessa että digitaalisessa muodossa; ja |
| --- | --- |

b.

käsitellä tietoa sekä analogisessa että digitaalisessa muodossa; ja

| c. | tulostaa tietoa. |
| --- | --- |

c.

tulostaa tietoa.

| | "Ilma-alus" (Aircraft) (1 7 9) tarkoittaa kiinteäsiipistä, kääntyväsiipistä, pyöriväsiipistä (helikopteri) tai kallistuvalla roottorilla tai siivillä varustettua ilmakulkuneuvoa.


  Huom.: katso myös "siviililentokone". |
| --- | --- |

"Ilma-alus" (Aircraft) (1 7 9) tarkoittaa kiinteäsiipistä, kääntyväsiipistä, pyöriväsiipistä (helikopteri) tai kallistuvalla roottorilla tai siivillä varustettua ilmakulkuneuvoa.

Huom.: katso myös "siviililentokone".

| | "Ilmaa kevyemmät ilma-alukset" (9) tarkoittavat ilmapalloja ja ilma-aluksia, jotka käyttävät nousemiseen kuumaa ilmaa tai muita ilmaa kevyempiä kaasuja, kuten heliumia tai vetyä. |
| --- | --- |

"Ilmaa kevyemmät ilma-alukset" (9) tarkoittavat ilmapalloja ja ilma-aluksia, jotka käyttävät nousemiseen kuumaa ilmaa tai muita ilmaa kevyempiä kaasuja, kuten heliumia tai vetyä.

| | "Ilmavirran avulla säädelty vastamomenttijärjestelmä tai suunnanohjausjärjestelmä" (Circulation controlled anti-torque or circulation controlled direction control system) (7) ovat järjestelmiä, jotka käyttävät ilma-aluksen aerodynaamisten pintojen ohi virtaavaa ilmaa lisäämään tai säätämään näiden pintojen synnyttämiä voimia. |
| --- | --- |

"Ilmavirran avulla säädelty vastamomenttijärjestelmä tai suunnanohjausjärjestelmä" (Circulation controlled anti-torque or circulation controlled direction control system) (7) ovat järjestelmiä, jotka käyttävät ilma-aluksen aerodynaamisten pintojen ohi virtaavaa ilmaa lisäämään tai säätämään näiden pintojen synnyttämiä voimia.

| | "Immunotoksiini" (Immunotoxin) (1) on yhden soluspesifisen monoklonaalisen vasta-aineen ja "toksiinin" tai "toksiinialayksikön" muodostama konjugaatti, joka vaikuttaa selektiivisesti sairaisiin soluihin. |
| --- | --- |

"Immunotoksiini" (Immunotoxin) (1) on yhden soluspesifisen monoklonaalisen vasta-aineen ja "toksiinin" tai "toksiinialayksikön" muodostama konjugaatti, joka vaikuttaa selektiivisesti sairaisiin soluihin.

| | "Integroitu kalvopiiri" (Film type integrated circuit) (3) tarkoittaa eristävälle "substraatille" pinnoittamalla muodostettujen ohut- tai paksukalvo‧piirielementtien‧ ja niiden välisten kytkentöjen muodostamaa kokonaisuutta.


  Huom.:‧Piirielementti‧ on yksittäinen aktiivinen tai passiivinen elektronisen piirin toiminnallinen osa, kuten diodi, transistori, vastus, kondensaattori jne. |
| --- | --- |

"Integroitu kalvopiiri" (Film type integrated circuit) (3) tarkoittaa eristävälle "substraatille" pinnoittamalla muodostettujen ohut- tai paksukalvo‧piirielementtien‧ ja niiden välisten kytkentöjen muodostamaa kokonaisuutta.

Huom.:‧Piirielementti‧ on yksittäinen aktiivinen tai passiivinen elektronisen piirin toiminnallinen osa, kuten diodi, transistori, vastus, kondensaattori jne.

| | "Integroitu monipalapiiri" (Multichip integrated circuit) (3) tarkoittaa yhteiselle "substraatille" liitettyä kahta tai useampaa "monoliittista integroitua piiriä". |
| --- | --- |

"Integroitu monipalapiiri" (Multichip integrated circuit) (3) tarkoittaa yhteiselle "substraatille" liitettyä kahta tai useampaa "monoliittista integroitua piiriä".

| | "Isostaattiset puristimet" (Isostatic presses) (2) tarkoittavat laitteita, jotka kykenevät eri väliaineiden avulla (kaasu, neste, kiinteät partikkelit jne.) paineistamaan suljetun tilan, niin että suljetussa tilassa olevaan työkappaleeseen kohdistuu kaikissa suunnissa samansuuruinen paine. |
| --- | --- |

"Isostaattiset puristimet" (Isostatic presses) (2) tarkoittavat laitteita, jotka kykenevät eri väliaineiden avulla (kaasu, neste, kiinteät partikkelit jne.) paineistamaan suljetun tilan, niin että suljetussa tilassa olevaan työkappaleeseen kohdistuu kaikissa suunnissa samansuuruinen paine.

| | "Isotoopilla 235 tai 233 rikastettu uraani" (Uranium enriched in the isotopes 235 or 233) (0) tarkoittaa uraania, joka sisältää isotooppia 235 tai 233 tai molempia siinä määrin, että näiden isotooppien ylimääräsumman suhde isotooppiin 238 nähden on enemmän kuin luonnossa esiintyvän isotoopin 235 suhde isotooppiin 238 (isotooppisuhde 0,71 %). |
| --- | --- |

"Isotoopilla 235 tai 233 rikastettu uraani" (Uranium enriched in the isotopes 235 or 233) (0) tarkoittaa uraania, joka sisältää isotooppia 235 tai 233 tai molempia siinä määrin, että näiden isotooppien ylimääräsumman suhde isotooppiin 238 nähden on enemmän kuin luonnossa esiintyvän isotoopin 235 suhde isotooppiin 238 (isotooppisuhde 0,71 %).

| | "Itseisjohtavuuteen perustuva magneettikentän gradiometri" (Intrinsic Magnetic Gradiometer) (6) on yksittäinen magneettikentän gradienttia ilmaiseva elementti ja siihen liittyvä elektroniikka, jonka tuloste on magneettikentän gradientin mitta.


  Huom.: Katso myös "magneettikentän gradiometri". |
| --- | --- |

"Itseisjohtavuuteen perustuva magneettikentän gradiometri" (Intrinsic Magnetic Gradiometer) (6) on yksittäinen magneettikentän gradienttia ilmaiseva elementti ja siihen liittyvä elektroniikka, jonka tuloste on magneettikentän gradientin mitta.

Huom.: Katso myös "magneettikentän gradiometri".

| | "ITU:n allokoima" (Allocated by the ITU) (3 5) on taajuuskaistojen allokointia ITU:n radio-ohjesääntöjen uusimman laitoksen mukaisesti primaari-, sallituille ja sekundaaripalveluille.


  Huom.: Ei sisällä lisä- ja vaihtoehtoisia allokointeja. |
| --- | --- |

"ITU:n allokoima" (Allocated by the ITU) (3 5) on taajuuskaistojen allokointia ITU:n radio-ohjesääntöjen uusimman laitoksen mukaisesti primaari-, sallituille ja sekundaaripalveluille.

Huom.: Ei sisällä lisä- ja vaihtoehtoisia allokointeja.

| | "Jauhaminen" (Comminution) (1) tarkoittaa prosessia, jossa materiaali hajotetaan hiukkasiksi murskaamalla tai jauhamalla. |
| --- | --- |

"Jauhaminen" (Comminution) (1) tarkoittaa prosessia, jossa materiaali hajotetaan hiukkasiksi murskaamalla tai jauhamalla.

| | "Julkinen" (In the public domain) (Ylth Ydth Yloh) tarkoittaa tässä yhteydessä "teknologiaa" ja "ohjelmistoja", jotka ovat saatavilla ilman edelleenlevitystä koskevia rajoituksia (kustannusoikeudelliset rajoitukset eivät estä "teknologiaa" tai "ohjelmistoa" olemasta "julkisia"). |
| --- | --- |

"Julkinen" (In the public domain) (Ylth Ydth Yloh) tarkoittaa tässä yhteydessä "teknologiaa" ja "ohjelmistoja", jotka ovat saatavilla ilman edelleenlevitystä koskevia rajoituksia (kustannusoikeudelliset rajoitukset eivät estä "teknologiaa" tai "ohjelmistoa" olemasta "julkisia").

| | "Kaasuatomisointi" (Gas atomization) (1) tarkoittaa prosessia, jossa korkeapaineisella kaasuvirtauksella sula metalliseosvirta hajotetaan pisaroiksi, joiden halkaisija on 500 mikrometriä tai vähemmän. |
| --- | --- |

"Kaasuatomisointi" (Gas atomization) (1) tarkoittaa prosessia, jossa korkeapaineisella kaasuvirtauksella sula metalliseosvirta hajotetaan pisaroiksi, joiden halkaisija on 500 mikrometriä tai vähemmän.

| | "Kaikki kompensaatiot käytettävissä" (All compensations available) (2) tarkoittaa, että otetaan huomioon kaikki valmistajan käytettävissä olevat soveltuvat toimenpiteet yksittäisen työstökonemallin kaikkien järjestelmällisten paikannusvirheiden minimoimiseksi. |
| --- | --- |

"Kaikki kompensaatiot käytettävissä" (All compensations available) (2) tarkoittaa, että otetaan huomioon kaikki valmistajan käytettävissä olevat soveltuvat toimenpiteet yksittäisen työstökonemallin kaikkien järjestelmällisten paikannusvirheiden minimoimiseksi.

| | "Kehitys" (Development) (Ylth Ydth Kaikki) liittyy kaikkiin sarjatuotantoa edeltäviin vaiheisiin kuten: suunnitteluun, suunnittelun tutkimukseen, suunnittelun analysointiin, suunnittelukäsitteisiin, prototyyppien kokoonpanoon ja testaukseen, pilottituotantohankkeisiin, suunnittelutietoihin, suunnittelutietojen muuntamiseen tuotteeksi, konfigurointisuunnitteluun, integrointisuunnitteluun ja piirustuksiin. |
| --- | --- |

"Kehitys" (Development) (Ylth Ydth Kaikki) liittyy kaikkiin sarjatuotantoa edeltäviin vaiheisiin kuten: suunnitteluun, suunnittelun tutkimukseen, suunnittelun analysointiin, suunnittelukäsitteisiin, prototyyppien kokoonpanoon ja testaukseen, pilottituotantohankkeisiin, suunnittelutietoihin, suunnittelutietojen muuntamiseen tuotteeksi, konfigurointisuunnitteluun, integrointisuunnitteluun ja piirustuksiin.

| | "Kemiallinen laser" (Chemical laser) (6) tarkoittaa "laseria", jossa virittymisen aiheuttaa kemiallisen reaktion antama energia. |
| --- | --- |

"Kemiallinen laser" (Chemical laser) (6) tarkoittaa "laseria", jossa virittymisen aiheuttaa kemiallisen reaktion antama energia.

| | "Kemiallinen seos" (Chemical mixture) (1) tarkoittaa kiinteää, nestemäistä tai kaasumaista tuotetta, joka on valmistettu kahdesta tai useammasta aineesta, jotka eivät reagoi keskenään seoksen säilytysolosuhteissa. |
| --- | --- |

"Kemiallinen seos" (Chemical mixture) (1) tarkoittaa kiinteää, nestemäistä tai kaasumaista tuotetta, joka on valmistettu kahdesta tai useammasta aineesta, jotka eivät reagoi keskenään seoksen säilytysolosuhteissa.

| | "Keskusmuisti" (Main storage) (4) tarkoittaa tietoa tai käskyjä varten tarkoitettua ensisijaista muistia, johon keskusyksiköllä on nopea pääsy. Se koostuu "digitaalisen tietokoneen" sisäisestä muistista ja sen hierarkkisista laajennuksista, kuten välimuistista tai ei-peräkkäissaantisesta laajennusmuistista. |
| --- | --- |

"Keskusmuisti" (Main storage) (4) tarkoittaa tietoa tai käskyjä varten tarkoitettua ensisijaista muistia, johon keskusyksiköllä on nopea pääsy. Se koostuu "digitaalisen tietokoneen" sisäisestä muistista ja sen hierarkkisista laajennuksista, kuten välimuistista tai ei-peräkkäissaantisesta laajennusmuistista.

| | "Kieppikara" (Tilting spindle) (2) tarkoittaa työkalunkäsittelykaraa, joka koneistusprosessin aikana muuttaa keskilinjansa kulma-asentoa mihin tahansa muuhun akseliin nähden. |
| --- | --- |

"Kieppikara" (Tilting spindle) (2) tarkoittaa työkalunkäsittelykaraa, joka koneistusprosessin aikana muuttaa keskilinjansa kulma-asentoa mihin tahansa muuhun akseliin nähden.

| | "Kiertymiskulman poikkeama" (Angular position deviation) (2) tarkoittaa kiertymiskulman ja todellisen, erittäin tarkasti mitatun kiertymiskulman välistä maksimieroa, kun pöydän työkappaleen alustaa on käännetty alkuperäisestä asennostaan (viite: VDI/VDE 2617, luonnos: "Rotary tables on coordinate measuring machines"). |
| --- | --- |

"Kiertymiskulman poikkeama" (Angular position deviation) (2) tarkoittaa kiertymiskulman ja todellisen, erittäin tarkasti mitatun kiertymiskulman välistä maksimieroa, kun pöydän työkappaleen alustaa on käännetty alkuperäisestä asennostaan (viite: VDI/VDE 2617, luonnos: "Rotary tables on coordinate measuring machines").

| | "Kiinteä" (Fixed) (5) tarkoittaa, ettei koodaus- tai pakkausalgoritmi voi ottaa vastaan ulkopuolelta syötettyjä parametrejä (esim. salaus- tai avainmuuttujia) eikä käyttäjä voi sitä muuttaa. |
| --- | --- |

"Kiinteä" (Fixed) (5) tarkoittaa, ettei koodaus- tai pakkausalgoritmi voi ottaa vastaan ulkopuolelta syötettyjä parametrejä (esim. salaus- tai avainmuuttujia) eikä käyttäjä voi sitä muuttaa.

| | "Kohdekoodi" (Object code) (9) tarkoittaa yhden tai useamman prosessin tarkoituksenmukaisen esitystavan ("lähdekoodi" (lähdekieli)) laitteessa toteutettavaa muotoa, joka on muunnettu ohjelmointijärjestelmällä. |
| --- | --- |

"Kohdekoodi" (Object code) (9) tarkoittaa yhden tai useamman prosessin tarkoituksenmukaisen esitystavan ("lähdekoodi" (lähdekieli)) laitteessa toteutettavaa muotoa, joka on muunnettu ohjelmointijärjestelmällä.

| | "Kohinataso" (Noise level) (6) tarkoittaa sähköistä signaalia, joka ilmoitetaan tehon spektritiheytenä. "Kohinatason", joka määriteltynä huipusta-huippuun on S2
  pp = 8N0(f2-f1), jossa Spp on signaalin arvo huipusta-huippuun (esim. nanotesloina), N0 on tehon spektritiheys (esim. (nanotesla)2/Hz) ja (f2-f1) määrittelee tarkasteltavan kaistanleveyden. |
| --- | --- |

"Kohinataso" (Noise level) (6) tarkoittaa sähköistä signaalia, joka ilmoitetaan tehon spektritiheytenä. "Kohinatason", joka määriteltynä huipusta-huippuun on S2
  pp = 8N0(f2-f1), jossa Spp on signaalin arvo huipusta-huippuun (esim. nanotesloina), N0 on tehon spektritiheys (esim. (nanotesla)2/Hz) ja (f2-f1) määrittelee tarkasteltavan kaistanleveyden.

| | "Kokonaisvirtatiheys" (Overall current density) (3) tarkoittaa kelan ampeerikierrosten kokonaismäärää (ts. kierrosten lukumäärä kerrottuna kunkin kierroksen kuljettaman maksimivirran arvolla) jaettuna kelan kokonaispoikkipinnalla (sisältäen suprajohtavat säikeet, metallimatriisin, johon säikeet on upotettu, suojaavan materiaalin, kaikki jäähdyttävät elementit jne.). |
| --- | --- |

"Kokonaisvirtatiheys" (Overall current density) (3) tarkoittaa kelan ampeerikierrosten kokonaismäärää (ts. kierrosten lukumäärä kerrottuna kunkin kierroksen kuljettaman maksimivirran arvolla) jaettuna kelan kokonaispoikkipinnalla (sisältäen suprajohtavat säikeet, metallimatriisin, johon säikeet on upotettu, suojaavan materiaalin, kaikki jäähdyttävät elementit jne.).

| | "Komposiitti" (Composite) (1 2 6 8 9) tarkoittaa "matriisia" ja siihen tiettyä tarkoitusta tai tarkoituksia varten lisättyä faasia tai faaseja, jotka koostuvat hiukkasista, whiskerseistä, kuiduista tai mistä tahansa näiden yhdistelmästä. |
| --- | --- |

"Komposiitti" (Composite) (1 2 6 8 9) tarkoittaa "matriisia" ja siihen tiettyä tarkoitusta tai tarkoituksia varten lisättyä faasia tai faaseja, jotka koostuvat hiukkasista, whiskerseistä, kuiduista tai mistä tahansa näiden yhdistelmästä.

| | "Kriittinen lämpötila" (Critical temperature) (1 3 6) (kutsutaan myös joskus transitiolämpötilaksi) tarkoittaa tietyn "suprajohtavan" materiaalin sitä lämpötilaa, jossa materiaali menettää täysin tasavirtavastusarvonsa. |
| --- | --- |

"Kriittinen lämpötila" (Critical temperature) (1 3 6) (kutsutaan myös joskus transitiolämpötilaksi) tarkoittaa tietyn "suprajohtavan" materiaalin sitä lämpötilaa, jossa materiaali menettää täysin tasavirtavastusarvonsa.

| | "Kuitu- tai säiemateriaalit" (Fibrous or filamentary materials) (0 1 2 8) sisältävät






  a. | jatkuvat monofilamentit; |
| --- | --- | --- |

"Kuitu- tai säiemateriaalit" (Fibrous or filamentary materials) (0 1 2 8) sisältävät

a.

jatkuvat monofilamentit;

| b. | jatkuvat langat ja rovingit (esilangat); |
| --- | --- |

b.

jatkuvat langat ja rovingit (esilangat);

| c. | teipit, kudokset, matot ja punokset; |
| --- | --- |

c.

teipit, kudokset, matot ja punokset;

| d. | katkeet, tapulikuidut ja yhtenäiset kuituhuovat; |
| --- | --- |

d.

katkeet, tapulikuidut ja yhtenäiset kuituhuovat;

| e. | erilliskuitukiteet (whiskersit), yksi- tai monikiteisinä ja kaiken pituisina; |
| --- | --- |

e.

erilliskuitukiteet (whiskersit), yksi- tai monikiteisinä ja kaiken pituisina;

| f. | aromaattisen polyamidimassan. |
| --- | --- |

f.

aromaattisen polyamidimassan.

| | "Kuumaisostaattinen puristus" (Hot isostatic densification) (2) tarkoittaa prosessia, jossa valosta paineistetaan yli 375 K (102 °C) asteen lämpötilassa suljetussa tilassa eri väliaineiden avulla (kaasu, neste, kiinteät partikkelit jne.), jotta aikaansaadaan kaikissa suunnissa samansuuruinen voima valoksen sisäisten onteloiden vähentämiseksi tai estämiseksi. |
| --- | --- |

"Kuumaisostaattinen puristus" (Hot isostatic densification) (2) tarkoittaa prosessia, jossa valosta paineistetaan yli 375 K (102 °C) asteen lämpötilassa suljetussa tilassa eri väliaineiden avulla (kaasu, neste, kiinteät partikkelit jne.), jotta aikaansaadaan kaikissa suunnissa samansuuruinen voima valoksen sisäisten onteloiden vähentämiseksi tai estämiseksi.

| | "Kuvan parantaminen" (Image enhancement) (4) tarkoittaa ulkopuolelta saatujen informaatiota sisältävien kuvien käsittelyä algoritmeilla kuten aikakompressio, suodatus, poiminto, valinta, korrelaatio, konvoluutio tai muunnokset eri tasoihin (kuten nopea Fourier-muunnos tai Walsh-muunnos). Tämä ei sisällä algoritmeja, jotka käyttävät vain yksittäisen kuvan lineaarisia tai toisen asteen muunnoksia kuten kääntäminen, kuvionerotus, kohdistaminen tai vääräväritys. |
| --- | --- |

"Kuvan parantaminen" (Image enhancement) (4) tarkoittaa ulkopuolelta saatujen informaatiota sisältävien kuvien käsittelyä algoritmeilla kuten aikakompressio, suodatus, poiminto, valinta, korrelaatio, konvoluutio tai muunnokset eri tasoihin (kuten nopea Fourier-muunnos tai Walsh-muunnos). Tämä ei sisällä algoritmeja, jotka käyttävät vain yksittäisen kuvan lineaarisia tai toisen asteen muunnoksia kuten kääntäminen, kuvionerotus, kohdistaminen tai vääräväritys.

| | "Kvanttisalaus" (Quantum cryptography) (5) tarkoittaa ryhmää tekniikoita, joilla luodaan jaettu avain "salausta" varten mittaamalla fysikaalisen järjestelmän kvanttimekaaniset ominaisuudet (mukaan lukien ne fysikaaliset ominaisuudet, joita määrittävät nimenomaisesti kvanttioptiikka, kvanttikenttäteoria tai kvanttisähködynamiikka). |
| --- | --- |

"Kvanttisalaus" (Quantum cryptography) (5) tarkoittaa ryhmää tekniikoita, joilla luodaan jaettu avain "salausta" varten mittaamalla fysikaalisen järjestelmän kvanttimekaaniset ominaisuudet (mukaan lukien ne fysikaaliset ominaisuudet, joita määrittävät nimenomaisesti kvanttioptiikka, kvanttikenttäteoria tai kvanttisähködynamiikka).

| | "Käyttäjän ohjelmointimahdollisuus" (User-accessible programmability) (6) tarkoittaa ominaisuutta, joka sallii käyttäjän sisällyttää, muuntaa tai vaihtaa "ohjelmia" muulla tavoin kuin






  a. | langoitusta tai kytkentöjä muuttamalla; tai |
| --- | --- | --- |

"Käyttäjän ohjelmointimahdollisuus" (User-accessible programmability) (6) tarkoittaa ominaisuutta, joka sallii käyttäjän sisällyttää, muuntaa tai vaihtaa "ohjelmia" muulla tavoin kuin

a.

langoitusta tai kytkentöjä muuttamalla; tai

| b. | toimintonäppäimistä asettelemalla, parametrien syöttö mukaan lukien. |
| --- | --- |

b.

toimintonäppäimistä asettelemalla, parametrien syöttö mukaan lukien.

| | "Käyttö" (Use) (Ylth Ydth Kaikki) tarkoittaa käyttöä, asennusta (paikalla suoritettava asennus mukaan lukien), ylläpitoa (tarkastusta), korjausta, huoltoa ja kunnostusta. |
| --- | --- |

"Käyttö" (Use) (Ylth Ydth Kaikki) tarkoittaa käyttöä, asennusta (paikalla suoritettava asennus mukaan lukien), ylläpitoa (tarkastusta), korjausta, huoltoa ja kunnostusta.

| | "Köyhdytetty uraani" (Depleted uranium) (0) tarkoittaa uraania, joka on köyhdytetty alle luonnossa esiintyvän isotooppi 235:n tason. |
| --- | --- |

"Köyhdytetty uraani" (Depleted uranium) (0) tarkoittaa uraania, joka on köyhdytetty alle luonnossa esiintyvän isotooppi 235:n tason.

| | "Lanka" (Yarn) (1) on kerratuista ‧säikeistä‧ muodostuva kimppu.


  Huom.:‧Säie‧ on suunnilleen samansuuntaisista (tavallisesti useammasta kuin 200) "monofilamentista" muodostuva kimppu. |
| --- | --- |

"Lanka" (Yarn) (1) on kerratuista ‧säikeistä‧ muodostuva kimppu.

Huom.:‧Säie‧ on suunnilleen samansuuntaisista (tavallisesti useammasta kuin 200) "monofilamentista" muodostuva kimppu.

| | "Laser" (0 2 3 5 6 7 8 9) on komponenttien muodostama kokonaisuus, joka tuottaa sekä avaruudellisesti että ajallisesti koherenttia valoa, jota vahvistetaan stimuloidulla säteilyemissiolla.








  Huom.: Katso myös: | | "Kemiallinen laser"; |
| --- | --- | --- | --- |

"Laser" (0 2 3 5 6 7 8 9) on komponenttien muodostama kokonaisuus, joka tuottaa sekä avaruudellisesti että ajallisesti koherenttia valoa, jota vahvistetaan stimuloidulla säteilyemissiolla.

Huom.: Katso myös:

"Kemiallinen laser";

| | "Q-kytkin-laser"; |
| --- | --- |

"Q-kytkin-laser";

| | "Suurteholaser"; |
| --- | --- |

"Suurteholaser";

| | "Siirtolaser". |
| --- | --- |

"Siirtolaser".

| | "Laskentaelementti" ("CE") (Computing element) (4) tarkoittaa pienintä laskentayksikköä, joka tuottaa aritmeettisia tai loogisia tuloksia. |
| --- | --- |

"Laskentaelementti" ("CE") (Computing element) (4) tarkoittaa pienintä laskentayksikköä, joka tuottaa aritmeettisia tai loogisia tuloksia.

| | "Lennon kokonaisohjaus" (Total control of flight) (7) tarkoittaa "ilma-aluksen" tilamuuttujien ja lentoradan automaattista ohjausta vastaamalla lentotehtävän tavoitteiden täyttämiseksi tosiaikaisiin muutoksiin tavoitteiden, uhkien tai muiden "ilma-alusten" tiedoissa. |
| --- | --- |

"Lennon kokonaisohjaus" (Total control of flight) (7) tarkoittaa "ilma-aluksen" tilamuuttujien ja lentoradan automaattista ohjausta vastaamalla lentotehtävän tavoitteiden täyttämiseksi tosiaikaisiin muutoksiin tavoitteiden, uhkien tai muiden "ilma-alusten" tiedoissa.

| | "Lennonohjauksen optinen anturijärjestelmä" (Flight control optical sensor array) (7) on hajautettujen optisten anturien verkko, joka "laser"säteitä käyttäen tuottaa tosiaikaista lennonohjaustietoa ilma-aluksessa tapahtuvaa prosessointia varten. |
| --- | --- |

"Lennonohjauksen optinen anturijärjestelmä" (Flight control optical sensor array) (7) on hajautettujen optisten anturien verkko, joka "laser"säteitä käyttäen tuottaa tosiaikaista lennonohjaustietoa ilma-aluksessa tapahtuvaa prosessointia varten.

| | "Lentoradan optimointi" (Flight path optimization) (7) on proseduuri, jolla neljässä ulottuvuudessa (avaruus ja aika) minimoidaan poikkeamia lentotehtävien suorittamiseen tai tehokkuuteen perustuvasta halutusta lentoradasta. |
| --- | --- |

"Lentoradan optimointi" (Flight path optimization) (7) on proseduuri, jolla neljässä ulottuvuudessa (avaruus ja aika) minimoidaan poikkeamia lentotehtävien suorittamiseen tai tehokkuuteen perustuvasta halutusta lentoradasta.

| | "Lineaarisuus" (Linearity) (2) (mitataan normaalisti epälineaarisuutena) tarkoittaa varsinaisen ominaisuuden (keskimääräisen lukeman) positiivista tai negatiivista maksimipoikkeamaa suorasta, joka on asetettu siten, että se tasoittaa tai minimoi maksimipoikkeamat. |
| --- | --- |

"Lineaarisuus" (Linearity) (2) (mitataan normaalisti epälineaarisuutena) tarkoittaa varsinaisen ominaisuuden (keskimääräisen lukeman) positiivista tai negatiivista maksimipoikkeamaa suorasta, joka on asetettu siten, että se tasoittaa tai minimoi maksimipoikkeamat.

| | "Luonnonuraani" (Natural uranium) (0) tarkoittaa uraania, joka sisältää luonnossa tavattavia isotooppiseosmääriä. |
| --- | --- |

"Luonnonuraani" (Natural uranium) (0) tarkoittaa uraania, joka sisältää luonnossa tavattavia isotooppiseosmääriä.

| | "Lähdekoodi" (tai lähdekieli) (Source code or source language) (4 6 7 9) on sopiva yhden tai useamman prosessin esitystapa, joka voidaan ohjelmointijärjestelmässä muuntaa laitteessa toteutettavaan muotoon ("kohdekoodiksi" tai kohdekielelle). |
| --- | --- |

"Lähdekoodi" (tai lähdekieli) (Source code or source language) (4 6 7 9) on sopiva yhden tai useamman prosessin esitystapa, joka voidaan ohjelmointijärjestelmässä muuntaa laitteessa toteutettavaan muotoon ("kohdekoodiksi" tai kohdekielelle).

| | "Läimäyssammutus" (Splat Quenching) (1) tarkoittaa prosessia, jossa ‧nopeasti kiinteytetään‧ jäähdytetyn telan päälle sulaa metallivirtaa, joka muodostaa hiutalemaisen tuotteen.


  Huom.:‧Nopea kiinteytys‧: sulan materiaalin kiinteytys 1 000 K/s ylittävillä jäähdytysnopeuksilla. |
| --- | --- |

"Läimäyssammutus" (Splat Quenching) (1) tarkoittaa prosessia, jossa ‧nopeasti kiinteytetään‧ jäähdytetyn telan päälle sulaa metallivirtaa, joka muodostaa hiutalemaisen tuotteen.

Huom.:‧Nopea kiinteytys‧: sulan materiaalin kiinteytys 1 000 K/s ylittävillä jäähdytysnopeuksilla.

| | "Maantieteellisesti hajallaan" (Geographically dispersed) (6) tarkoittaa, että jokainen sijainti on missä tahansa suunnassa yli 1 500 m:n päässä kaikista muista. Liikkuvia antureita pidetään aina "maantieteellisesti hajallaan" olevina. |
| --- | --- |

"Maantieteellisesti hajallaan" (Geographically dispersed) (6) tarkoittaa, että jokainen sijainti on missä tahansa suunnassa yli 1 500 m:n päässä kaikista muista. Liikkuvia antureita pidetään aina "maantieteellisesti hajallaan" olevina.

| | "Magneettikentän gradiometrit" (Magnetic gradiometers) (6) ovat laitteita, jotka on suunniteltu havaitsemaan instrumentin ulkopuolisten lähteiden magneettikenttien avaruudellista vaihtelua. Ne koostuvat useista "magnetometreistä" ja niihin liittyvästä elektroniikasta, joiden tuloste on magneettikentän gradientin mitta.


  Huom.: Katso myös "itseisjohtavuuteen perustuva magneettikentän gradiometri". |
| --- | --- |

"Magneettikentän gradiometrit" (Magnetic gradiometers) (6) ovat laitteita, jotka on suunniteltu havaitsemaan instrumentin ulkopuolisten lähteiden magneettikenttien avaruudellista vaihtelua. Ne koostuvat useista "magnetometreistä" ja niihin liittyvästä elektroniikasta, joiden tuloste on magneettikentän gradientin mitta.

Huom.: Katso myös "itseisjohtavuuteen perustuva magneettikentän gradiometri".

| | "Magnetometrit" (Magnetometers) (6) ovat laitteita, jotka on suunniteltu havaitsemaan instrumentin ulkopuolisten lähteiden magneettikenttiä. Ne koostuvat yhdestä magneettikenttää havaitsevasta elementistä ja siihen liittyvästä elektroniikasta, joiden tuloste on magneettikentän mitta. |
| --- | --- |

"Magnetometrit" (Magnetometers) (6) ovat laitteita, jotka on suunniteltu havaitsemaan instrumentin ulkopuolisten lähteiden magneettikenttiä. Ne koostuvat yhdestä magneettikenttää havaitsevasta elementistä ja siihen liittyvästä elektroniikasta, joiden tuloste on magneettikentän mitta.

| | "Matriisi" (Matrix) (1 2 8 9) tarkoittaa huomattavan jatkuvaa aineen faasia, joka täyttää hiukkasten, whiskersien tai kuitujen välisen tilan. |
| --- | --- |

"Matriisi" (Matrix) (1 2 8 9) tarkoittaa huomattavan jatkuvaa aineen faasia, joka täyttää hiukkasten, whiskersien tai kuitujen välisen tilan.

| | "Mekaaninen seostaminen" (Mechanical alloying) (1) tarkoittaa seostamisprosessia, jossa alkuaineiden ja perusmetalliseosten jauheet sidostuvat, hajoavat ja sidostuvat uudelleen mekaanisen törmäyksen voimasta. Ei-metallisia hiukkasia voidaan sisällyttää seokseen tarvittavia jauheita lisäämällä. |
| --- | --- |

"Mekaaninen seostaminen" (Mechanical alloying) (1) tarkoittaa seostamisprosessia, jossa alkuaineiden ja perusmetalliseosten jauheet sidostuvat, hajoavat ja sidostuvat uudelleen mekaanisen törmäyksen voimasta. Ei-metallisia hiukkasia voidaan sisällyttää seokseen tarvittavia jauheita lisäämällä.

| | "Miehittämätön ilma-alus" (Unmanned Aerial Vehicle (UAV)) (9) tarkoittaa ilma-alusta, joka pystyy aloittamaan lennon ja pitämään yllä johdettua lentoa ja lentosuunnistusta ilman, että aluksella on ketään ihmistä. |
| --- | --- |

"Miehittämätön ilma-alus" (Unmanned Aerial Vehicle (UAV)) (9) tarkoittaa ilma-alusta, joka pystyy aloittamaan lennon ja pitämään yllä johdettua lentoa ja lentosuunnistusta ilman, että aluksella on ketään ihmistä.

| | "Mikro-organismit" (Microorganisms) (1 2) tarkoittaa bakteereita, viruksia, mykoplasmoja, riketsioita, klamydioita tai sieniä, sekä luonnontilaisia, kehitettyjä että muunneltuja, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai materiaalina, joka sisältää elävää materiaalia, johon on tarkoituksella istutettu näitä viljelmiä tai joka on saastutettu niillä. |
| --- | --- |

"Mikro-organismit" (Microorganisms) (1 2) tarkoittaa bakteereita, viruksia, mykoplasmoja, riketsioita, klamydioita tai sieniä, sekä luonnontilaisia, kehitettyjä että muunneltuja, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai materiaalina, joka sisältää elävää materiaalia, johon on tarkoituksella istutettu näitä viljelmiä tai joka on saastutettu niillä.

| | "Mikroprosessoripiiri" (Microprocessor microcircuit) (3) tarkoittaa "monoliittista integroitua piiriä" tai "monipalapiiriä", joka sisältää ulkoisen muistin yleisluontoisia käskyjä suorittamaan kykenevän aritmetiikkayksikön (ALU).


  Huom. 1:"Mikroprosessoripiiri" ei yleensä sisällä sisäistä muistia, johon käyttäjällä olisi pääsy, vaikka se saattaa käyttää samalla lastulla olevaa muistia suorittaessaan loogista toimintaansa.



  Huom. 2: Tämä määritelmä sisältää lastuyhdistelmät, jotka on suunniteltu yhdessä toimien huolehtimaan "mikroprosessoripiiri"-toiminnasta. |
| --- | --- |

"Mikroprosessoripiiri" (Microprocessor microcircuit) (3) tarkoittaa "monoliittista integroitua piiriä" tai "monipalapiiriä", joka sisältää ulkoisen muistin yleisluontoisia käskyjä suorittamaan kykenevän aritmetiikkayksikön (ALU).

Huom. 1:"Mikroprosessoripiiri" ei yleensä sisällä sisäistä muistia, johon käyttäjällä olisi pääsy, vaikka se saattaa käyttää samalla lastulla olevaa muistia suorittaessaan loogista toimintaansa.

Huom. 2: Tämä määritelmä sisältää lastuyhdistelmät, jotka on suunniteltu yhdessä toimien huolehtimaan "mikroprosessoripiiri"-toiminnasta.

| | "Mikrotietokonepiiri" (Microcomputer microcircuit) (3) tarkoittaa "monoliittista integroitua piiriä" tai "monipalapiiriä", joka sisältää sisäisessä muistissa olevia tietoja koskevia sisäisen muistin yleisluontoisten käskyjen sarjoja suorittamaan kykenevän aritmetiikkayksikön (ALU).


  Huom.: Sisäistä muistia voidaan laajentaa ulkoisen muistin avulla. |
| --- | --- |

"Mikrotietokonepiiri" (Microcomputer microcircuit) (3) tarkoittaa "monoliittista integroitua piiriä" tai "monipalapiiriä", joka sisältää sisäisessä muistissa olevia tietoja koskevia sisäisen muistin yleisluontoisten käskyjen sarjoja suorittamaan kykenevän aritmetiikkayksikön (ALU).

Huom.: Sisäistä muistia voidaan laajentaa ulkoisen muistin avulla.

| | "Mittakerroin" (Scale factor) (gyroskoopissa tai kiihtyvyysmittarissa) (7) tarkoittaa ulostulon muutoksen suhdetta mitattavaksi aiotun syötteen muutokseen nähden. Mittakerroin ilmaistaan yleisesti sen suoran kaltevuutena, joka voidaan piirtää pienimmän neliösumman menetelmällä syöte- ja tulostearvojen kautta, jotka on saatu vaihtelemalla syötteen arvoa jaksottaisesti syötearvojen alueen yli. |
| --- | --- |

"Mittakerroin" (Scale factor) (gyroskoopissa tai kiihtyvyysmittarissa) (7) tarkoittaa ulostulon muutoksen suhdetta mitattavaksi aiotun syötteen muutokseen nähden. Mittakerroin ilmaistaan yleisesti sen suoran kaltevuutena, joka voidaan piirtää pienimmän neliösumman menetelmällä syöte- ja tulostearvojen kautta, jotka on saatu vaihtelemalla syötteen arvoa jaksottaisesti syötearvojen alueen yli.

| | "Mittauksen epävarmuus" (Measurement uncertainty) (2) on ominaisparametri, joka 95 %:n luotettavuustasolla määrittelee, millä alueella saadun tuloksen molemmin puolin mitattavan suureen oikea arvo sijaitsee. Se sisältää korjaamattomat systemaattiset poikkeamat, korjaamattoman väljyyden ja satunnaiset poikkeamat (viite ISO 10360-2, tai VDI/VDE 2617). |
| --- | --- |

"Mittauksen epävarmuus" (Measurement uncertainty) (2) on ominaisparametri, joka 95 %:n luotettavuustasolla määrittelee, millä alueella saadun tuloksen molemmin puolin mitattavan suureen oikea arvo sijaitsee. Se sisältää korjaamattomat systemaattiset poikkeamat, korjaamattoman väljyyden ja satunnaiset poikkeamat (viite ISO 10360-2, tai VDI/VDE 2617).

| | "Monispektriset kuvannusanturit" (Multispectral imaging sensors) (6) ovat kykeneviä hankkimaan kuvatietoa samanaikaisesti tai peräkkäin kahdesta tai useammasta erillisestä spektrikaistasta. Antureita, joilla on enemmän kuin kaksikymmentä spektrikaistaa, kutsutaan toisinaan hyperspektrisiksi kuvannusantureiksi. |
| --- | --- |

"Monispektriset kuvannusanturit" (Multispectral imaging sensors) (6) ovat kykeneviä hankkimaan kuvatietoa samanaikaisesti tai peräkkäin kahdesta tai useammasta erillisestä spektrikaistasta. Antureita, joilla on enemmän kuin kaksikymmentä spektrikaistaa, kutsutaan toisinaan hyperspektrisiksi kuvannusantureiksi.

| | "Monitietovirtakäsittely" (Multi-data-stream processing) (4) tarkoittaa ‧mikro-ohjelmien‧ tai laitearkkitehtuurin tekniikkaa, joka mahdollistaa kahden tai useamman tietojonon samanaikaisen käsittelyn yhden tai useamman käskyjonon ohjaamana käyttäen sellaisia keinoja kuten






  a. | yksi käsky – monta tietoa (SIMD) -arkkitehtuurit, kuten vektori- ja matriisiprosessoreissa; |
| --- | --- | --- |

"Monitietovirtakäsittely" (Multi-data-stream processing) (4) tarkoittaa ‧mikro-ohjelmien‧ tai laitearkkitehtuurin tekniikkaa, joka mahdollistaa kahden tai useamman tietojonon samanaikaisen käsittelyn yhden tai useamman käskyjonon ohjaamana käyttäen sellaisia keinoja kuten

a.

yksi käsky – monta tietoa (SIMD) -arkkitehtuurit, kuten vektori- ja matriisiprosessoreissa;

| b. | monta yksittäistä käskyä – monta tietoa (MSIMD) -arkkitehtuurit; |
| --- | --- |

b.

monta yksittäistä käskyä – monta tietoa (MSIMD) -arkkitehtuurit;

| c. | monta käskyä – monta tietoa (MIMD) -arkkitehtuurit, tiiviisti kytketyt, läheisesti kytketyt ja väljästi kytketyt mukaan lukien; tai |
| --- | --- |

c.

monta käskyä – monta tietoa (MIMD) -arkkitehtuurit, tiiviisti kytketyt, läheisesti kytketyt ja väljästi kytketyt mukaan lukien; tai

| d. | strukturoidut tiedonkäsittelyelementtien ryhmät, systoliset ryhmät mukaan lukien. |
| --- | --- |

d.

strukturoidut tiedonkäsittelyelementtien ryhmät, systoliset ryhmät mukaan lukien.

Huom.:‧Mikro-ohjelma‧ tarkoittaa peruskäskyjen sarjaa, jota säilytetään erillisessä muistissa, ja jonka suoritus käynnistyy, kun sen viitekäsky tulee käskyrekisteriin.

| | "Monofilamentti" (Monofilament) (1) tai filamentti on säikeen pienin inkrementti, jonka halkaisija on tavallisesti joitakin mikrometrejä. |
| --- | --- |

"Monofilamentti" (Monofilament) (1) tai filamentti on säikeen pienin inkrementti, jonka halkaisija on tavallisesti joitakin mikrometrejä.

| | "Monoliittinen integroitu piiri" (Monolithic integrated circuit) (3) tarkoittaa passiivisten tai aktiivisten ‧piirielementtien‧ tai molempien yhdistelmää, joka






  a. | on muodostettu diffuusio-, istutus- tai pinnoitusprosesseilla yhden puolijohdepalan (ns. lastun) pintaan tai pinnalle; |
| --- | --- | --- |

"Monoliittinen integroitu piiri" (Monolithic integrated circuit) (3) tarkoittaa passiivisten tai aktiivisten ‧piirielementtien‧ tai molempien yhdistelmää, joka

a.

on muodostettu diffuusio-, istutus- tai pinnoitusprosesseilla yhden puolijohdepalan (ns. lastun) pintaan tai pinnalle;

| b. | voidaan katsoa erottamattomasti yhteen liitetyksi; ja |
| --- | --- |

b.

voidaan katsoa erottamattomasti yhteen liitetyksi; ja

| c. | suorittaa piirin tietyn toiminnon (tai toimintoja). |
| --- | --- |

c.

suorittaa piirin tietyn toiminnon (tai toimintoja).

Huom.:‧Piirielementti‧ (Circuit element) on yksittäinen aktiivinen tai passiivinen elektronisen piirin toiminnallinen osa kuten diodi, transistori, vastus, kondensaattori jne.

| | "Muotoaan muuttavat peilit" (Deformable mirrors) (6) (joita kutsutaan myös adaptiivisiksi optisiksi peileiksi) tarkoittaa peilejä, joissa






  a. | yhtä jatkuvaa optisesti heijastavaa pinnanmuotoa voidaan dynaamisesti muotoilla yksittäisillä momenteilla tai voimilla kompensoimaan peilin kohtaavan optisen aaltomuodon vääristymiä; tai |
| --- | --- | --- |

"Muotoaan muuttavat peilit" (Deformable mirrors) (6) (joita kutsutaan myös adaptiivisiksi optisiksi peileiksi) tarkoittaa peilejä, joissa

a.

yhtä jatkuvaa optisesti heijastavaa pinnanmuotoa voidaan dynaamisesti muotoilla yksittäisillä momenteilla tai voimilla kompensoimaan peilin kohtaavan optisen aaltomuodon vääristymiä; tai

| b. | useita optisesti heijastavia elementtejä voidaan yksittäin ja dynaamisesti, momentteja tai voimia käyttäen uudelleen asetella kompensoimaan peilin kohtaavan optisen aaltomuodon vääristymiä. |
| --- | --- |

b.

useita optisesti heijastavia elementtejä voidaan yksittäin ja dynaamisesti, momentteja tai voimia käyttäen uudelleen asetella kompensoimaan peilin kohtaavan optisen aaltomuodon vääristymiä.

| | "Muuttuvan geometrian kantopinnat" (Variable geometry airfoils) (7) tarkoittaa takareunan siivekkeitä tai laippoja, tai johtoreunan solasiivekkeitä tai alaspainuvaa nokkaa, joiden asentoa voidaan lennon aikana ohjata. |
| --- | --- |

"Muuttuvan geometrian kantopinnat" (Variable geometry airfoils) (7) tarkoittaa takareunan siivekkeitä tai laippoja, tai johtoreunan solasiivekkeitä tai alaspainuvaa nokkaa, joiden asentoa voidaan lennon aikana ohjata.

| | "Numeerinen ohjaus" (Numerical control) (2) tarkoittaa prosessin automaattista ohjausta, jossa ohjauslaite käyttää numeerista tietoa, jota se tavallisesti saa toiminnan edetessä (viite: ISO 2382). |
| --- | --- |

"Numeerinen ohjaus" (Numerical control) (2) tarkoittaa prosessin automaattista ohjausta, jossa ohjauslaite käyttää numeerista tietoa, jota se tavallisesti saa toiminnan edetessä (viite: ISO 2382).

| | "Näyttöalue" (Instrumented range) (6) tarkoittaa tutkan määriteltyä, yksikäsitteistä näyttöaluetta. |
| --- | --- |

"Näyttöalue" (Instrumented range) (6) tarkoittaa tutkan määriteltyä, yksikäsitteistä näyttöaluetta.

| | "Ohjautusjärjestelmä" (Guidance set) (7) tarkoittaa järjestelmiä, jotka yhdistävät kulkuvälineen paikan ja nopeuden mittaus- ja laskentaprosessin (so. navigoinnin) kulkuvälineen lennonohjausjärjestelmien lentoradan korjauskomentojen laskenta- ja välitysprosessiin. |
| --- | --- |

"Ohjautusjärjestelmä" (Guidance set) (7) tarkoittaa järjestelmiä, jotka yhdistävät kulkuvälineen paikan ja nopeuden mittaus- ja laskentaprosessin (so. navigoinnin) kulkuvälineen lennonohjausjärjestelmien lentoradan korjauskomentojen laskenta- ja välitysprosessiin.

| | "Ohjelma" (Programme) (2) tarkoittaa käskyjonoa, joka voidaan suorittaa tietokoneella tai muuntaa sen suoritettavaksi. |
| --- | --- |

"Ohjelma" (Programme) (2) tarkoittaa käskyjonoa, joka voidaan suorittaa tietokoneella tai muuntaa sen suoritettavaksi.

| | "Ohjelmisto" (Software) (Yloh Kaikki)
  Yhden tai useamman ohjelman tai ‧mikro-ohjelman‧ muodostama kokonaisuus missä tahansa käsitettävässä muodossa.


  Huom.:‧Mikro-ohjelma‧ tarkoittaa peruskäskyjen sarjaa, jota säilytetään erityisessä muistissa, ja jonka suoritus käynnistyy, kun sen viitekäsky tulee käskyrekisteriin. |
| --- | --- |

"Ohjelmisto" (Software) (Yloh Kaikki)

Yhden tai useamman ohjelman tai ‧mikro-ohjelman‧ muodostama kokonaisuus missä tahansa käsitettävässä muodossa.

Huom.:‧Mikro-ohjelma‧ tarkoittaa peruskäskyjen sarjaa, jota säilytetään erityisessä muistissa, ja jonka suoritus käynnistyy, kun sen viitekäsky tulee käskyrekisteriin.

| | "Ohjukset" (Missiles) (1 3 6 7 9) tarkoittaa täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, jotka pystyvät kuljettamaan vähintään 500 kg:n hyötykuorman vähintään 300 km:n etäisyydelle. |
| --- | --- |

"Ohjukset" (Missiles) (1 3 6 7 9) tarkoittaa täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, jotka pystyvät kuljettamaan vähintään 500 kg:n hyötykuorman vähintään 300 km:n etäisyydelle.

| | "Olennaisin osa" (Principal element) (4) on ryhmää 4 koskien sellainen osa, jonka vaihtoarvo on enemmän kuin 35 % sen järjestelmän kokonaishinnasta, jonka osa se on. Osan arvo on se arvo, jonka järjestelmän valmistaja tai järjestelmän kokoonpanija siitä maksaa. Kokonaisarvo on normaali kansainvälinen myyntihinta vieraille osapuolille valmistuspaikassa tai kuljetuspisteessä. |
| --- | --- |

"Olennaisin osa" (Principal element) (4) on ryhmää 4 koskien sellainen osa, jonka vaihtoarvo on enemmän kuin 35 % sen järjestelmän kokonaishinnasta, jonka osa se on. Osan arvo on se arvo, jonka järjestelmän valmistaja tai järjestelmän kokoonpanija siitä maksaa. Kokonaisarvo on normaali kansainvälinen myyntihinta vieraille osapuolille valmistuspaikassa tai kuljetuspisteessä.

| | "Ominaiskimmokerroin" (Specific modulus) (0 1 9) on Youngin kerroin pascaleina ja on yhtä kuin N/m2 jaettuna ominaispainolla N/m3, mitattuna (296 ± 2) K ((23 ± 2) °C) asteen lämpötilassa sekä (50 ± 5) %:n suhteellisessa kosteudessa. |
| --- | --- |

"Ominaiskimmokerroin" (Specific modulus) (0 1 9) on Youngin kerroin pascaleina ja on yhtä kuin N/m2 jaettuna ominaispainolla N/m3, mitattuna (296 ± 2) K ((23 ± 2) °C) asteen lämpötilassa sekä (50 ± 5) %:n suhteellisessa kosteudessa.

| | "Ominaismurtovetolujuus" (Specific tensile strength) (0 1 9) on lopullinen murtovoima pascaleina, joka on yhtä kuin N/m2 jaettuna ominaispainolla N/m3, mitattuna (296 ± 2) K ((23 ± 2) °C) asteen lämpötilassa sekä (50 ± 5) %:n suhteellisessa kosteudessa. |
| --- | --- |

"Ominaismurtovetolujuus" (Specific tensile strength) (0 1 9) on lopullinen murtovoima pascaleina, joka on yhtä kuin N/m2 jaettuna ominaispainolla N/m3, mitattuna (296 ± 2) K ((23 ± 2) °C) asteen lämpötilassa sekä (50 ± 5) %:n suhteellisessa kosteudessa.

| | "Optinen integroitu piiri" (Optical integrated circuit) (3) tarkoittaa "monoliittista integroitua piiriä" tai hybridipiiriä, joka sisältää yhden tai useampia osia, jotka on suunniteltu toimimaan valoanturina tai valolähteenä tai suorittamaan optista tai sähköoptista toimintoa (toimintoja). |
| --- | --- |

"Optinen integroitu piiri" (Optical integrated circuit) (3) tarkoittaa "monoliittista integroitua piiriä" tai hybridipiiriä, joka sisältää yhden tai useampia osia, jotka on suunniteltu toimimaan valoanturina tai valolähteenä tai suorittamaan optista tai sähköoptista toimintoa (toimintoja).

| | "Optinen kytkentä" (Optical switching) (5) tarkoittaa signaalien reititystä tai kytkentää optisessa muodossa muuntamatta niitä sähköisiksi signaaleiksi. |
| --- | --- |

"Optinen kytkentä" (Optical switching) (5) tarkoittaa signaalien reititystä tai kytkentää optisessa muodossa muuntamatta niitä sähköisiksi signaaleiksi.

| | "Optinen tietokone" (Optical computer) (4) tarkoittaa tietokonetta, joka on suunniteltu tai muunnettu käyttämään valoa tiedon esittämiseen ja jonka laskenta- tai loogiset tiedonkäsittelyelementit perustuvat suoraan toisiinsa kytkettyihin optisiin komponentteihin. |
| --- | --- |

"Optinen tietokone" (Optical computer) (4) tarkoittaa tietokonetta, joka on suunniteltu tai muunnettu käyttämään valoa tiedon esittämiseen ja jonka laskenta- tai loogiset tiedonkäsittelyelementit perustuvat suoraan toisiinsa kytkettyihin optisiin komponentteihin.

| | "Optinen vahvistus" (Optical amplification) (5) tarkoittaa optisen tietoliikenteen vahvistustekniikkaa, jossa erillisen optisen lähteen tuottamia signaaleja vahvistetaan muuntamatta niitä sähköisiksi signaaleiksi, ts. käyttäen optisia puolijohdevahvistimia tai valokuituluminesenssivahvistimia. |
| --- | --- |

"Optinen vahvistus" (Optical amplification) (5) tarkoittaa optisen tietoliikenteen vahvistustekniikkaa, jossa erillisen optisen lähteen tuottamia signaaleja vahvistetaan muuntamatta niitä sähköisiksi signaaleiksi, ts. käyttäen optisia puolijohdevahvistimia tai valokuituluminesenssivahvistimia.

| | "Osallistujavaltio" (Participating state) (7 9) on Wassenaarin järjestelyn jäsenmaa. (Katso www.wassenaar.org). |
| --- | --- |

"Osallistujavaltio" (Participating state) (7 9) on Wassenaarin järjestelyn jäsenmaa. (Katso www.wassenaar.org).

| | "Paikallisverkko" (Local area network) (4) on tiedonvälitysjärjestelmä, joka






  a. | sallii määrittelemättömän määrän yksittäisiä ‧tietolaitteita‧ kommunikoida suoraan toistensa kanssa; ja |
| --- | --- | --- |

"Paikallisverkko" (Local area network) (4) on tiedonvälitysjärjestelmä, joka

a.

sallii määrittelemättömän määrän yksittäisiä ‧tietolaitteita‧ kommunikoida suoraan toistensa kanssa; ja

| b. | rajoittuu maantieteellisesti kohtuullisen kokoiselle alueelle (kuten toimistorakennus, tehdas, korkeakoulu, varasto). |
| --- | --- |

b.

rajoittuu maantieteellisesti kohtuullisen kokoiselle alueelle (kuten toimistorakennus, tehdas, korkeakoulu, varasto).

Huom.:‧Tietolaite‧: laite, joka pystyy lähettämään tai vastaanottamaan digitaalista informaatiota sisältäviä sekvenssejä.

| | "Painelähettimet" (Pressure transducers) (2) ovat laitteita, jotka muuntavat paineen mittaustulokset sähköisiksi signaaleiksi. |
| --- | --- |

"Painelähettimet" (Pressure transducers) (2) ovat laitteita, jotka muuntavat paineen mittaustulokset sähköisiksi signaaleiksi.

| | "Perusportin etenemisviive" (Basic gate propagation delay time) (3) tarkoittaa etenemisviiveen arvoa, joka vastaa "monoliittisessa integroidussa piirissä" käytetyn perusportin viivettä. Monoliittisten integroitujen piirien "perheelle" tämä voidaan määritellä tietylle joko etenemisviiveenä tyypillistä porttia kohti tietyssä "perheessä" tai tyypillisenä etenemisviiveenä porttia kohti tietyssä "perheessä".


  Huom. 1: Perusportin etenemisviivettä ei pidä sekoittaa kompleksisen "monoliittisen integroidun piirin" kokonaisviiveeseen sisäänmenon ja ulostulon välillä.



  Huom. 2:"Perhe" (Family) tarkoittaa kaikkia integroituja piirejä, joilla on seuraavia valmistusmenetelmiä ja -spesifikaatioita koskevia ominaisuuksia lukuun ottamatta toimintoja, joita ovat








  a. | yhteinen laitteisto- ja ohjelmistoarkkitehtuuri; |
| --- | --- | --- |

"Perusportin etenemisviive" (Basic gate propagation delay time) (3) tarkoittaa etenemisviiveen arvoa, joka vastaa "monoliittisessa integroidussa piirissä" käytetyn perusportin viivettä. Monoliittisten integroitujen piirien "perheelle" tämä voidaan määritellä tietylle joko etenemisviiveenä tyypillistä porttia kohti tietyssä "perheessä" tai tyypillisenä etenemisviiveenä porttia kohti tietyssä "perheessä".

Huom. 1: Perusportin etenemisviivettä ei pidä sekoittaa kompleksisen "monoliittisen integroidun piirin" kokonaisviiveeseen sisäänmenon ja ulostulon välillä.

Huom. 2:"Perhe" (Family) tarkoittaa kaikkia integroituja piirejä, joilla on seuraavia valmistusmenetelmiä ja -spesifikaatioita koskevia ominaisuuksia lukuun ottamatta toimintoja, joita ovat

a.

yhteinen laitteisto- ja ohjelmistoarkkitehtuuri;

| b. | yhteinen rakenneperiaate ja prosessiteknologia; ja |
| --- | --- |

b.

yhteinen rakenneperiaate ja prosessiteknologia; ja

| c. | yhteiset perusominaisuudet. |
| --- | --- |

c.

yhteiset perusominaisuudet.

| | "Poikkeama" (Run out, out-of-true-running) (2) tarkoittaa pääkaran säteittäistä poikkeamaa yhden kierroksen aikana mitattuna karan akselia vasten suorassa kulmassa olevalla tasolla pisteessä, joka on pyörivän testattavan kappaleen sisä- tai ulkopinnalla (viite ISO 230/1-1986, 5.61 kohta). |
| --- | --- |

"Poikkeama" (Run out, out-of-true-running) (2) tarkoittaa pääkaran säteittäistä poikkeamaa yhden kierroksen aikana mitattuna karan akselia vasten suorassa kulmassa olevalla tasolla pisteessä, joka on pyörivän testattavan kappaleen sisä- tai ulkopinnalla (viite ISO 230/1-1986, 5.61 kohta).

| | "Primäärinen lennon ohjaus" (Primary flight control) (7) tarkoittaa "ilma-aluksen" stabiilisuuden ja liikkeiden ohjausta, joka käyttää voima-/momenttilähteitä, so. aerodynaamisia ohjauspintoja tai propulsiokäyttöistä vektorivastavoimaa. |
| --- | --- |

"Primäärinen lennon ohjaus" (Primary flight control) (7) tarkoittaa "ilma-aluksen" stabiilisuuden ja liikkeiden ohjausta, joka käyttää voima-/momenttilähteitä, so. aerodynaamisia ohjauspintoja tai propulsiokäyttöistä vektorivastavoimaa.

| | "Pulssin kesto" (Pulse duration) (6) on "laserin" pulssin aika, FWHI-tasoilla (Full Width Half Intensity) mitattuna. |
| --- | --- |

"Pulssin kesto" (Pulse duration) (6) on "laserin" pulssin aika, FWHI-tasoilla (Full Width Half Intensity) mitattuna.

| | "Pulssin kompressointi" (Pulse compression) (6) tarkoittaa pitkäaikaisten tutkasignaalien koodausta ja käsittelyä lyhytaikaisina, korkean pulssienergian suomat edut säilyttäen. |
| --- | --- |

"Pulssin kompressointi" (Pulse compression) (6) tarkoittaa pitkäaikaisten tutkasignaalien koodausta ja käsittelyä lyhytaikaisina, korkean pulssienergian suomat edut säilyttäen.

| | "Pyörivä atomisointi" (Rotary atomisation) (1) tarkoittaa prosessia, jossa keskipakovoimalla sulan metallin virrasta tai lähteestä aikaansaadaan läpimitaltaan korkeintaan 500 mikrometrin pisaroita. |
| --- | --- |

"Pyörivä atomisointi" (Rotary atomisation) (1) tarkoittaa prosessia, jossa keskipakovoimalla sulan metallin virrasta tai lähteestä aikaansaadaan läpimitaltaan korkeintaan 500 mikrometrin pisaroita.

| | "Päätetyövälineet" (End-effectors) (2) tarkoittavat tarraimia, ‧aktiivisia työkaluyksikköjä‧ ja kaikkia muita työkaluja, jotka kiinnitetään "robotin" tai manipulaattorin käsivarren kiinnityslaippaan.


  Huom.:‧Aktiivinen työkaluyksikkö‧ tarkoittaa laitetta, joka kohdistaa työkappaleeseen liikevoimaa tai prosessienergiaa tai anturoi sitä. |
| --- | --- |

"Päätetyövälineet" (End-effectors) (2) tarkoittavat tarraimia, ‧aktiivisia työkaluyksikköjä‧ ja kaikkia muita työkaluja, jotka kiinnitetään "robotin" tai manipulaattorin käsivarren kiinnityslaippaan.

Huom.:‧Aktiivinen työkaluyksikkö‧ tarkoittaa laitetta, joka kohdistaa työkappaleeseen liikevoimaa tai prosessienergiaa tai anturoi sitä.

| | "Q-kytkin-laser" (Q-switched laser) (6) tarkoittaa "laseria", jossa energia varastoidaan populaatio inversiossa tai optisessa resonaattorissa ja sitten emittoidaan pulssina. |
| --- | --- |

"Q-kytkin-laser" (Q-switched laser) (6) tarkoittaa "laseria", jossa energia varastoidaan populaatio inversiossa tai optisessa resonaattorissa ja sitten emittoidaan pulssina.

| | "Reitit" (System tracks) (6) tarkoittaa käsiteltyjä, korreloituja (kohteen tutkatiedot yhdistelty lentosuunnitelman mukaiseen sijaintiin) ja ajantasalle saatettuja lentokoneen sijaintiraportteja, joka on lennonjohtokeskuksen valvojien käytettävissä. |
| --- | --- |

"Reitit" (System tracks) (6) tarkoittaa käsiteltyjä, korreloituja (kohteen tutkatiedot yhdistelty lentosuunnitelman mukaiseen sijaintiin) ja ajantasalle saatettuja lentokoneen sijaintiraportteja, joka on lennonjohtokeskuksen valvojien käytettävissä.

| | "Resoluutio" (Resolution) (2) tarkoittaa mittalaitteen pienintä inkrementtiä; digitaalisissa mittalaitteissa vähiten merkitsevää bittiä (viite ANSI B-89.1.12). |
| --- | --- |

"Resoluutio" (Resolution) (2) tarkoittaa mittalaitteen pienintä inkrementtiä; digitaalisissa mittalaitteissa vähiten merkitsevää bittiä (viite ANSI B-89.1.12).

| | "Robotti" (Robot) (2 8) tarkoittaa manipulointimekanismia, joka voi olla jatkuvaa rataa tai pisteestä-pisteeseen kulkevaa tyyppiä, voi käyttää antureita ja jolla on seuraavat ominaisuudet:






  a. | on monitoiminen; |
| --- | --- | --- |

"Robotti" (Robot) (2 8) tarkoittaa manipulointimekanismia, joka voi olla jatkuvaa rataa tai pisteestä-pisteeseen kulkevaa tyyppiä, voi käyttää antureita ja jolla on seuraavat ominaisuudet:

a.

on monitoiminen;

| b. | pystyy muuttuvin liikkein asemoimaan tai suuntaamaan materiaaleja, osia, työkaluja tai erikoislaitteita kolmessa ulottuvuudessa; |
| --- | --- |

b.

pystyy muuttuvin liikkein asemoimaan tai suuntaamaan materiaaleja, osia, työkaluja tai erikoislaitteita kolmessa ulottuvuudessa;

| c. | sisältää kolme tai useampia suljetun tai avoimen piirin servolaitteita, jotka voivat sisältää askelmoottoreita; ja |
| --- | --- |

c.

sisältää kolme tai useampia suljetun tai avoimen piirin servolaitteita, jotka voivat sisältää askelmoottoreita; ja

| d. | on "käyttäjän ohjelmoitavissa" opetusajo/toistomenetelmällä tai tietokoneella, joka voi olla ohjelmoitava logiikkaohjain, ts. ilman mekaanista väliintuloa. |
| --- | --- |

d.

on "käyttäjän ohjelmoitavissa" opetusajo/toistomenetelmällä tai tietokoneella, joka voi olla ohjelmoitava logiikkaohjain, ts. ilman mekaanista väliintuloa.

Huom.: Ylläoleva määritelmä ei sisällä seuraavia laitteita:

| 1. | Manipulaatiomekanismit, jotka ovat ohjattavissa vain manuaalisesti tai kaukokäyttölaitteella; |
| --- | --- |

1.

Manipulaatiomekanismit, jotka ovat ohjattavissa vain manuaalisesti tai kaukokäyttölaitteella;

| 2. | Kiinteän sekvenssin manipulaatiomekanismit, jotka ovat automaattisesti liikkuvia laitteita ja toimivat mekaanisesti kiinteästi ohjelmoiduilla liikkeillä. Ohjelma on mekaanisesti rajoitettu kiinteillä pysäyttimillä, kuten tapeilla tai toimikäyrillä. Liikkeiden sarja ja liikeradat tai liikekulmat eivät ole muuttuvia tai muutettavissa mekaanisin, elektronisin tai sähköisin keinoin; |
| --- | --- |

2.

Kiinteän sekvenssin manipulaatiomekanismit, jotka ovat automaattisesti liikkuvia laitteita ja toimivat mekaanisesti kiinteästi ohjelmoiduilla liikkeillä. Ohjelma on mekaanisesti rajoitettu kiinteillä pysäyttimillä, kuten tapeilla tai toimikäyrillä. Liikkeiden sarja ja liikeradat tai liikekulmat eivät ole muuttuvia tai muutettavissa mekaanisin, elektronisin tai sähköisin keinoin;

| 3. | Mekaanisesti ohjatut muuttuvan sekvenssin manipulaatiomekanismit, jotka ovat automaattisesti liikkuvia laitteita ja noudattavat kiinteitä mekaanisesti ohjelmoituja ratoja. Ohjelma on mekaanisesti rajoitettu kiinteillä, mutta aseteltavilla pysäyttimillä, kuten tapeilla tai toimikäyrillä. Liikkeiden sarja ja liikeratojen tai liikekulmien valinta on muuteltavissa kiinteän ohjelmamallin rajoissa. Yhden tai useamman akselin ohjelman muutokset (esim. tapeilla tai toimikäyrillä) ovat suoritettavissa vain mekaanisilla operaatioilla; |
| --- | --- |

3.

Mekaanisesti ohjatut muuttuvan sekvenssin manipulaatiomekanismit, jotka ovat automaattisesti liikkuvia laitteita ja noudattavat kiinteitä mekaanisesti ohjelmoituja ratoja. Ohjelma on mekaanisesti rajoitettu kiinteillä, mutta aseteltavilla pysäyttimillä, kuten tapeilla tai toimikäyrillä. Liikkeiden sarja ja liikeratojen tai liikekulmien valinta on muuteltavissa kiinteän ohjelmamallin rajoissa. Yhden tai useamman akselin ohjelman muutokset (esim. tapeilla tai toimikäyrillä) ovat suoritettavissa vain mekaanisilla operaatioilla;

| 4. | Muut kuin servo-ohjatut muuttuvan sekvenssin manipulaatiomekanismit, jotka ovat automaattisesti liikkuvia laitteita ja toimivat mekaanisesti kiinteiden ohjelmaliikkeiden mukaisesti. Ohjelma on muunneltavissa, mutta liikejakso etenee vain mekaanisesti kiinnitettyjen sähköisten binaarilaitteiden tai aseteltavien pysäyttimien antamien binaarisignaalien mukaan; |
| --- | --- |

4.

Muut kuin servo-ohjatut muuttuvan sekvenssin manipulaatiomekanismit, jotka ovat automaattisesti liikkuvia laitteita ja toimivat mekaanisesti kiinteiden ohjelmaliikkeiden mukaisesti. Ohjelma on muunneltavissa, mutta liikejakso etenee vain mekaanisesti kiinnitettyjen sähköisten binaarilaitteiden tai aseteltavien pysäyttimien antamien binaarisignaalien mukaan;

| 5. | Pinoamislaitteet, joita kutsutaan karteesi-manipulaatiojärjestelmiksi ja jotka on valmistettu korkeavaraston kiinteiksi osiksi ja joiden avulla lokeroiden sisältöä käsitellään (lisätään tai poistetaan). |
| --- | --- |

5.

Pinoamislaitteet, joita kutsutaan karteesi-manipulaatiojärjestelmiksi ja jotka on valmistettu korkeavaraston kiinteiksi osiksi ja joiden avulla lokeroiden sisältöä käsitellään (lisätään tai poistetaan).

| | "Rohdin" (Tow) (1) on tavallisesti suunnilleen samansuuntaisten "monofilamenttien" kimppu. |
| --- | --- |

"Rohdin" (Tow) (1) on tavallisesti suunnilleen samansuuntaisten "monofilamenttien" kimppu.

| | "Rokote" (Vaccine) on lääkevalmisteena oleva lääke, jolla on joko valmistus- tai käyttömaan sääntelyviranomaisten myöntämä lisenssi tai markkinoille saattamista tai kliinistä tutkimusta koskeva lupa ja jonka tarkoituksena on saada aikaan suojaava immuunivaste sairauden ennaltaehkäisemiseksi niissä ihmisissä tai eläimissä, joille rokote annetaan. |
| --- | --- |

"Rokote" (Vaccine) on lääkevalmisteena oleva lääke, jolla on joko valmistus- tai käyttömaan sääntelyviranomaisten myöntämä lisenssi tai markkinoille saattamista tai kliinistä tutkimusta koskeva lupa ja jonka tarkoituksena on saada aikaan suojaava immuunivaste sairauden ennaltaehkäisemiseksi niissä ihmisissä tai eläimissä, joille rokote annetaan.

| | "Ryömintänopeus" (gyroskooppi) (Drift rate) (7) tarkoittaa ulostulon ajasta riippuvaa poikkeamaa toivotusta arvosta. Se koostuu satunnaisista ja systemaattisista osista ja ilmaistaan vastaavana sisääntulon kulmapoikkeamana aikayksikköä kohti suhteessa inertia-avaruuteen. |
| --- | --- |

"Ryömintänopeus" (gyroskooppi) (Drift rate) (7) tarkoittaa ulostulon ajasta riippuvaa poikkeamaa toivotusta arvosta. Se koostuu satunnaisista ja systemaattisista osista ja ilmaistaan vastaavana sisääntulon kulmapoikkeamana aikayksikköä kohti suhteessa inertia-avaruuteen.

| | "Salaus" (Cryptography) (5) ilmentää periaatteita, välineitä ja menetelmiä, joilla tietoa muunnetaan sen tietosisällön piilottamiseksi, huomaamatta tapahtuvien muutosten estämiseksi tai luvattoman käytön estämiseksi. Salaus rajoittuu tiedon muuntamiseen yhtä tai useampaa ‧salaista parametriä‧ (esim. salausmuuttujia) tai siihen liittyvää avainta käyttäen.


  Huom.:‧Salainen parametri‧: vakio tai avain, jota ei anneta muiden tiedoksi tai pidetään vain tietyn ryhmän tietona. |
| --- | --- |

"Salaus" (Cryptography) (5) ilmentää periaatteita, välineitä ja menetelmiä, joilla tietoa muunnetaan sen tietosisällön piilottamiseksi, huomaamatta tapahtuvien muutosten estämiseksi tai luvattoman käytön estämiseksi. Salaus rajoittuu tiedon muuntamiseen yhtä tai useampaa ‧salaista parametriä‧ (esim. salausmuuttujia) tai siihen liittyvää avainta käyttäen.

Huom.:‧Salainen parametri‧: vakio tai avain, jota ei anneta muiden tiedoksi tai pidetään vain tietyn ryhmän tietona.

| | "Sekoitettu" (Commingled) (1) tarkoittaa termoplastisten kuitujen ja lujitekuitujen filamenttien sekoittamista kokonaan kuitumuodossa olevan lujitekuitu/"matriisi"-sekoituksen tuottamiseksi. |
| --- | --- |

"Sekoitettu" (Commingled) (1) tarkoittaa termoplastisten kuitujen ja lujitekuitujen filamenttien sekoittamista kokonaan kuitumuodossa olevan lujitekuitu/"matriisi"-sekoituksen tuottamiseksi.

| | "SHPL" vastaa "suurteholaseria". |
| --- | --- |

"SHPL" vastaa "suurteholaseria".

| | "Signaalianalysaattorit" (Signal analysers) (3) tarkoittaa laitteita, jotka kykenevät mittaamaan ja näyttämään monitaajuisten signaalien yksitaajuisten komponenttien perusominaisuuksia. |
| --- | --- |

"Signaalianalysaattorit" (Signal analysers) (3) tarkoittaa laitteita, jotka kykenevät mittaamaan ja näyttämään monitaajuisten signaalien yksitaajuisten komponenttien perusominaisuuksia.

| | "Signaalin käsittely" (Signal processing) (3 4 5 6) tarkoittaa ulkoisesta lähteestä tulevien signaalien käsittelyä algoritmeilla kuten kompressio, suodatus, erottelu, valinta, korrelaatio, konvoluutio tai tasomuunnokset (esim. nopea-Fourier- tai Walsh-muunnos). |
| --- | --- |

"Signaalin käsittely" (Signal processing) (3 4 5 6) tarkoittaa ulkoisesta lähteestä tulevien signaalien käsittelyä algoritmeilla kuten kompressio, suodatus, erottelu, valinta, korrelaatio, konvoluutio tai tasomuunnokset (esim. nopea-Fourier- tai Walsh-muunnos).

| | "Siirtolaser" (Transfer laser) (6) tarkoittaa "laseria", jossa laseroivat aineslajit viritetään siirtämällä energiaa ei-laseroivan atomin tai molekyylin ja laseroivan atomin tai molekyylin aineslajien yhteentörmäyksellä. |
| --- | --- |

"Siirtolaser" (Transfer laser) (6) tarkoittaa "laseria", jossa laseroivat aineslajit viritetään siirtämällä energiaa ei-laseroivan atomin tai molekyylin ja laseroivan atomin tai molekyylin aineslajien yhteentörmäyksellä.

| | "Sisäpinnanvuoraus" (Interior lining) (9) tarkoittaa kiinteän polttoaineen ja rungon tai eristävän vuorauksen välisenä sidoksena käytettävää vuorausta. Tavallisesti se on tulenkestävien tai eristävien materiaalien nestemäiseen polymeeriin, kuten hiilitäytteinen hydroksyylipäätteinen polybutadieeni (HTPB) tai muu polymeeri, perustuva dispersio, johon on lisätty vulkanoivia aineita ja joka suihkutetaan tai levitetään rungon sisäpinnalle. |
| --- | --- |

"Sisäpinnanvuoraus" (Interior lining) (9) tarkoittaa kiinteän polttoaineen ja rungon tai eristävän vuorauksen välisenä sidoksena käytettävää vuorausta. Tavallisesti se on tulenkestävien tai eristävien materiaalien nestemäiseen polymeeriin, kuten hiilitäytteinen hydroksyylipäätteinen polybutadieeni (HTPB) tai muu polymeeri, perustuva dispersio, johon on lisätty vulkanoivia aineita ja joka suihkutetaan tai levitetään rungon sisäpinnalle.

| | "Siviililentokone" (Civil aircraft) (1 7 9) tarkoittaa "ilma-aluksia", jotka siviili-ilmailuviranomaisten julkaisemien lentokelpoisuuden vahvistavien listojen mukaan on tarkoitettu lentämään kaupallisilla sisäisillä sekä ulkomaan siviililentoreiteillä tai niitä saadaan käyttää lainmukaiseen siviili-, yksityis- tai kaupalliseen käyttöön.


  Huom.: Katso myös "ilma-alus". |
| --- | --- |

"Siviililentokone" (Civil aircraft) (1 7 9) tarkoittaa "ilma-aluksia", jotka siviili-ilmailuviranomaisten julkaisemien lentokelpoisuuden vahvistavien listojen mukaan on tarkoitettu lentämään kaupallisilla sisäisillä sekä ulkomaan siviililentoreiteillä tai niitä saadaan käyttää lainmukaiseen siviili-, yksityis- tai kaupalliseen käyttöön.

Huom.: Katso myös "ilma-alus".

| | "Sotilaskäyttöön sovitettu" (Adapted for use in war) (1) tarkoittaa mitä tahansa muuntelua tai valintaa (kuten puhtauden, varastointi-iän, myrkyllisyyden, levittämisominaisuuksien tai UV-säteilyn kestävyyden muuttamista), jolla on tarkoitus lisätä tehokkuutta aiheuttaa tappioita ihmisille tai eläimille, turmella laitteita tai vahingoittaa satoa tai ympäristöä. |
| --- | --- |

"Sotilaskäyttöön sovitettu" (Adapted for use in war) (1) tarkoittaa mitä tahansa muuntelua tai valintaa (kuten puhtauden, varastointi-iän, myrkyllisyyden, levittämisominaisuuksien tai UV-säteilyn kestävyyden muuttamista), jolla on tarkoitus lisätä tehokkuutta aiheuttaa tappioita ihmisille tai eläimille, turmella laitteita tai vahingoittaa satoa tai ympäristöä.

| | "Stabiilisuus" (Stability) (7) tarkoittaa tietyn parametrin variaation (1 sigman) standardipoikkeamaa kalibroidusta arvosta vakiolämpötilaolosuhteissa mitattuna. Se voidaan esittää ajan funktiona. |
| --- | --- |

"Stabiilisuus" (Stability) (7) tarkoittaa tietyn parametrin variaation (1 sigman) standardipoikkeamaa kalibroidusta arvosta vakiolämpötilaolosuhteissa mitattuna. Se voidaan esittää ajan funktiona.

| | "Substraatti" (Substrate) (3) tarkoittaa pohjamateriaalin ohutta levyä, jossa on tai ei ole kytkentäkuviota ja jonka päälle tai sisään voidaan sijoittaa ‧erilliskomponentteja‧ tai integroituja piirejä tai molempia.


  Huom. 1:‧Erilliskomponentti‧ (Discrete component): Erikseen koteloitu ‧piirielementti‧, jolla on omat ulkoiset kytkentäpisteensä.



  Huom. 2:‧Piirielementti‧ (Circuit element): Yksittäinen aktiivinen tai passiivinen elektronisen piirin toiminnallinen osa kuten diodi, transistori, vastus, kondensaattori jne. |
| --- | --- |

"Substraatti" (Substrate) (3) tarkoittaa pohjamateriaalin ohutta levyä, jossa on tai ei ole kytkentäkuviota ja jonka päälle tai sisään voidaan sijoittaa ‧erilliskomponentteja‧ tai integroituja piirejä tai molempia.

Huom. 1:‧Erilliskomponentti‧ (Discrete component): Erikseen koteloitu ‧piirielementti‧, jolla on omat ulkoiset kytkentäpisteensä.

Huom. 2:‧Piirielementti‧ (Circuit element): Yksittäinen aktiivinen tai passiivinen elektronisen piirin toiminnallinen osa kuten diodi, transistori, vastus, kondensaattori jne.

| | "Substraattiaihio" (Substrate blanks) (6) tarkoittaa monoliittisia yhdisteitä, joiden mitat sopivat optisten elementtien (kuten optiset peilit tai ikkunat) tuotantoon. |
| --- | --- |

"Substraattiaihio" (Substrate blanks) (6) tarkoittaa monoliittisia yhdisteitä, joiden mitat sopivat optisten elementtien (kuten optiset peilit tai ikkunat) tuotantoon.

| | "Suhteellinen kaistanleveys" (Fractional bandwidth) (3) tarkoittaa "hetkellistä kaistanleveyttä" jaettuna keskitaajuudella ja prosenttiosuutena ilmaistuna. |
| --- | --- |

"Suhteellinen kaistanleveys" (Fractional bandwidth) (3) tarkoittaa "hetkellistä kaistanleveyttä" jaettuna keskitaajuudella ja prosenttiosuutena ilmaistuna.

| | "Sulaerotus" (Melt extraction) (1) tarkoittaa prosessia, jossa ‧nopeasti kiinteytetään‧ ja erotetaan nauhamaisia metalliseostuotteita upottamalla pyörivän jäähdytetyn kappaleen lyhyt segmentti sulaan metalliseoskylpyyn.


  Huom.:‧Nopea kiinteytys‧: sulan materiaalin kiinteytys 1 000 K/s ylittävillä jäähdytysnopeuksilla. |
| --- | --- |

"Sulaerotus" (Melt extraction) (1) tarkoittaa prosessia, jossa ‧nopeasti kiinteytetään‧ ja erotetaan nauhamaisia metalliseostuotteita upottamalla pyörivän jäähdytetyn kappaleen lyhyt segmentti sulaan metalliseoskylpyyn.

Huom.:‧Nopea kiinteytys‧: sulan materiaalin kiinteytys 1 000 K/s ylittävillä jäähdytysnopeuksilla.

| | "Sulakehräys" (Melt spinning) (1) tarkoittaa prosessia, jossa ‧nopeasti kiinteytetään‧ sulaa metallivirtaa antamalla sen törmätä pyörivään jäähdytettyyn kappaleeseen, niin että muodostuu hiutalemainen, nauhamainen tai sauvamainen tuote.


  Huom.‧Nopea kiinteytys‧: sulan materiaalin kiinteytys 1 000 K/s ylittävillä jäähdytysnopeuksilla. |
| --- | --- |

"Sulakehräys" (Melt spinning) (1) tarkoittaa prosessia, jossa ‧nopeasti kiinteytetään‧ sulaa metallivirtaa antamalla sen törmätä pyörivään jäähdytettyyn kappaleeseen, niin että muodostuu hiutalemainen, nauhamainen tai sauvamainen tuote.

Huom.‧Nopea kiinteytys‧: sulan materiaalin kiinteytys 1 000 K/s ylittävillä jäähdytysnopeuksilla.

| | "Suoravaikutteinen hydraulipuristus" (Direct-acting hydraulic pressing) (2) tarkoittaa muovausprosessia, jossa käytetään nesteellä täytettyä joustavaa paljetta suorassa kontaktissa työstettävään kappaleeseen. |
| --- | --- |

"Suoravaikutteinen hydraulipuristus" (Direct-acting hydraulic pressing) (2) tarkoittaa muovausprosessia, jossa käytetään nesteellä täytettyä joustavaa paljetta suorassa kontaktissa työstettävään kappaleeseen.

| | "Superplastinen muovaus" (Superplastic forming) (1 2) tarkoittaa muovausprosessia, jossa metalleille, joilla normaalisti huoneen lämpötilassa on alhainen venymä (vähemmän kuin 20 %) tavanomaisessa murtovetolujuuskokeessa, saavutetaan lämpöä käyttämällä prosessin aikana vähintään kaksinkertainen venymä. |
| --- | --- |

"Superplastinen muovaus" (Superplastic forming) (1 2) tarkoittaa muovausprosessia, jossa metalleille, joilla normaalisti huoneen lämpötilassa on alhainen venymä (vähemmän kuin 20 %) tavanomaisessa murtovetolujuuskokeessa, saavutetaan lämpöä käyttämällä prosessin aikana vähintään kaksinkertainen venymä.

| | "Superseokset" (Superalloys) (2 9) tarkoittaa nikkeli-, koboltti- tai rautapohjaisia seoksia, joiden lujuus yli 922 K (649 °C) asteen lämpötiloissa ja ankarissa ympäristö- ja toimintaolosuhteissa on parempi kuin minkään muun AISI 300 -sarjan metalliseosten. |
| --- | --- |

"Superseokset" (Superalloys) (2 9) tarkoittaa nikkeli-, koboltti- tai rautapohjaisia seoksia, joiden lujuus yli 922 K (649 °C) asteen lämpötiloissa ja ankarissa ympäristö- ja toimintaolosuhteissa on parempi kuin minkään muun AISI 300 -sarjan metalliseosten.

| | "Suprajohtava" (Superconductive) (1 3 6 8) tarkoittaa materiaaleja, esim. metallit, metalliseokset tai yhdisteet, jotka voivat menettää kokonaan sähköisen vastusarvonsa, ts., jotka voivat saavuttaa äärettömän suuren sähköisen johtavuuden ja kuljettaa hyvin suuria sähkövirtoja ilman Joule-lämpenemistä.


  Huom.: Materiaalin "suprajohtavalle" tilalle on yksilöllisesti tunnusomaista "kriittinen lämpötila", kriittinen magneettinen kenttä, joka on lämpötilan funktio, sekä kriittinen virrantiheys, joka on sekä magneettisen kentän että lämpötilan funktio. |
| --- | --- |

"Suprajohtava" (Superconductive) (1 3 6 8) tarkoittaa materiaaleja, esim. metallit, metalliseokset tai yhdisteet, jotka voivat menettää kokonaan sähköisen vastusarvonsa, ts., jotka voivat saavuttaa äärettömän suuren sähköisen johtavuuden ja kuljettaa hyvin suuria sähkövirtoja ilman Joule-lämpenemistä.

Huom.: Materiaalin "suprajohtavalle" tilalle on yksilöllisesti tunnusomaista "kriittinen lämpötila", kriittinen magneettinen kenttä, joka on lämpötilan funktio, sekä kriittinen virrantiheys, joka on sekä magneettisen kentän että lämpötilan funktio.

| | "Suurteholaser" (Super High Power Laser) (6) tarkoittaa "laseria", joka pystyy lähettämään ulostuloenergiaa, joka (kokonaisuutena tai minä tahansa annoksena) ylittää 1 kJ 50:ssä millisekunnissa tai jonka keskimääräinen tai CW-teho ylittää 20 kW. |
| --- | --- |

"Suurteholaser" (Super High Power Laser) (6) tarkoittaa "laseria", joka pystyy lähettämään ulostuloenergiaa, joka (kokonaisuutena tai minä tahansa annoksena) ylittää 1 kJ 50:ssä millisekunnissa tai jonka keskimääräinen tai CW-teho ylittää 20 kW.

| | "Symmetrinen algoritmi" (5) tarkoittaa salausalgoritmia, joka käyttää täysin samanlaista avainta sekä salaukseen että salauksen purkuun.


  Huom.:"Symmetrisen algoritmin" tavanomainen käyttö on avaimen luottamuksellisuus. |
| --- | --- |

"Symmetrinen algoritmi" (5) tarkoittaa salausalgoritmia, joka käyttää täysin samanlaista avainta sekä salaukseen että salauksen purkuun.

Huom.:"Symmetrisen algoritmin" tavanomainen käyttö on avaimen luottamuksellisuus.

| | "Systolinen matriisitietokone" (Systolic array computer) (4) tarkoittaa tietokonetta, jossa käyttäjä voi ohjata tiedon virtausta ja muuttamista dynaamisesti loogisten porttien tasolla. |
| --- | --- |

"Systolinen matriisitietokone" (Systolic array computer) (4) tarkoittaa tietokonetta, jossa käyttäjä voi ohjata tiedon virtausta ja muuttamista dynaamisesti loogisten porttien tasolla.

| | "Taajuuden vaihtoaika" (Frequency switching time) (3 5) tarkoittaa maksimiaikaa (so. viivettä), jonka signaali tarvitsee, kun sen valittua lähtötaajuutta vaihdetaan toiselle valitulle lähtötaajuudelle, saavuttaakseen






  a. | taajuuden, joka on 100 Hz sisällä lopullisesta halutusta taajuudesta; tai |
| --- | --- | --- |

"Taajuuden vaihtoaika" (Frequency switching time) (3 5) tarkoittaa maksimiaikaa (so. viivettä), jonka signaali tarvitsee, kun sen valittua lähtötaajuutta vaihdetaan toiselle valitulle lähtötaajuudelle, saavuttaakseen

a.

taajuuden, joka on 100 Hz sisällä lopullisesta halutusta taajuudesta; tai

| b. | ulostulon tason, joka on 1 dB sisällä lopullisesta ulostulon tasosta. |
| --- | --- |

b.

ulostulon tason, joka on 1 dB sisällä lopullisesta ulostulon tasosta.

| | "Taajuushyppely" (Frequency hopping) (5) tarkoittaa "hajaspektri"ominaisuuden muotoa, jossa yksittäisen tiedonsiirtokanavan lähetystaajuutta vaihdellaan epäjatkuvasti askelittain satunnaisessa tai puolisatunnaisessa järjestyksessä. |
| --- | --- |

"Taajuushyppely" (Frequency hopping) (5) tarkoittaa "hajaspektri"ominaisuuden muotoa, jossa yksittäisen tiedonsiirtokanavan lähetystaajuutta vaihdellaan epäjatkuvasti askelittain satunnaisessa tai puolisatunnaisessa järjestyksessä.

| | "Taajuussyntesoija" (Frequency synthesiser) (3) tarkoittaa käytetystä tekniikasta riippumatta mitä tahansa taajuuslähdettä tai signaaligeneraattoria, joka tuottaa yhden tai useamman ulostulon kautta useita samanaikaisia tai vuorottelevia lähtötaajuuksia, joita ohjaavat tai jotka on johdettu tai määräytyvät pienemmästä joukosta normi- (tai perus-)taajuuksia. |
| --- | --- |

"Taajuussyntesoija" (Frequency synthesiser) (3) tarkoittaa käytetystä tekniikasta riippumatta mitä tahansa taajuuslähdettä tai signaaligeneraattoria, joka tuottaa yhden tai useamman ulostulon kautta useita samanaikaisia tai vuorottelevia lähtötaajuuksia, joita ohjaavat tai jotka on johdettu tai määräytyvät pienemmästä joukosta normi- (tai perus-)taajuuksia.

| | "Tarkkuus" (Accuracy) (2 6) tarkoittaa näyttöarvon positiivista tai negatiivista maksimipoikkeamaa standardi- tai tosiarvosta. |
| --- | --- |

"Tarkkuus" (Accuracy) (2 6) tarkoittaa näyttöarvon positiivista tai negatiivista maksimipoikkeamaa standardi- tai tosiarvosta.

| | "Tarvittava" (Required) (Ylth 1–9) viittaa, "teknologiaa" tai "ohjelmistoja" koskien, vain siihen osaan "teknologiaa" tai "ohjelmistoja", jotka nimenomaisesti aikaansaavat valvottuja ominaisuuksia tai toimintoja, tai lisäävät niitä. "Tarvittava""teknologia" tai "ohjelmisto" voivat olla yhteisiä eri tuotteille. |
| --- | --- |

"Tarvittava" (Required) (Ylth 1–9) viittaa, "teknologiaa" tai "ohjelmistoja" koskien, vain siihen osaan "teknologiaa" tai "ohjelmistoja", jotka nimenomaisesti aikaansaavat valvottuja ominaisuuksia tai toimintoja, tai lisäävät niitä. "Tarvittava""teknologia" tai "ohjelmisto" voivat olla yhteisiä eri tuotteille.

| | "Tehollinen gramma", "Erityisen halkeamiskelpoisen aineen" (Effective gramme of special fissile material) (0 1) tarkoittaa






  a. | plutoniumin isotoopeilla ja uraani-233:lla isotoopin painoa grammoina; |
| --- | --- | --- |

"Tehollinen gramma", "Erityisen halkeamiskelpoisen aineen" (Effective gramme of special fissile material) (0 1) tarkoittaa

a.

plutoniumin isotoopeilla ja uraani-233:lla isotoopin painoa grammoina;

| b. | uraanilla, joka on rikastettu yhteen prosenttiin tai enemmän isotoopilla U-235, alkuaineen painoa grammoina kerrottuna sen desimaalisina paino-osina ilmaistun rikastusmäärän neliöllä; |
| --- | --- |

b.

uraanilla, joka on rikastettu yhteen prosenttiin tai enemmän isotoopilla U-235, alkuaineen painoa grammoina kerrottuna sen desimaalisina paino-osina ilmaistun rikastusmäärän neliöllä;

| c. | uraanilla, joka on rikastettu alle yhteen prosenttiin isotoopilla U-235, alkuaineen painoa grammoina kerrottuna luvulla 0,0001. |
| --- | --- |

c.

uraanilla, joka on rikastettu alle yhteen prosenttiin isotoopilla U-235, alkuaineen painoa grammoina kerrottuna luvulla 0,0001.

| | "Tehonhallinta" (Power management) (7) tarkoittaa korkeusmittarin lähettämän signaalin tehon muuttamista siten, että "ilma-aluksen" korkeudella vastaanotettu teho on aina pienin mahdollinen korkeuden määrittämiseen. |
| --- | --- |

"Tehonhallinta" (Power management) (7) tarkoittaa korkeusmittarin lähettämän signaalin tehon muuttamista siten, että "ilma-aluksen" korkeudella vastaanotettu teho on aina pienin mahdollinen korkeuden määrittämiseen.

| | "Teippi" (Tape) (1) on punotuista tai yhdensuuntaisista "monofilamenteista", ‧säikeistä‧, "esilangoista", "touveista" tai "langoista" jne. muodostuva tavallisesti hartsilla esikyllästetty materiaali.


  Huom.:‧Säie‧ on suunnilleen samansuuntaisista (tyypillisesti useammasta kuin 200) "monofilamenteista" muodostuva kimppu. |
| --- | --- |

"Teippi" (Tape) (1) on punotuista tai yhdensuuntaisista "monofilamenteista", ‧säikeistä‧, "esilangoista", "touveista" tai "langoista" jne. muodostuva tavallisesti hartsilla esikyllästetty materiaali.

Huom.:‧Säie‧ on suunnilleen samansuuntaisista (tyypillisesti useammasta kuin 200) "monofilamenteista" muodostuva kimppu.

| | "Teknologia" (Technology) (Ylth Ydth Kaikki) tarkoittaa erityistä kirjallista tai muussa muodossa olevaa teknistä tietoa, jota tarvitaan tuotteen "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten. Tämä tieto on ‧teknisen tiedon‧ tai ‧teknisen avun‧ muodossa.


  Huom. 1:‧Tekninen apu‧ voi olla muodoltaan ohjeita, taitoja, opetusta, työnsuoritustietoutta tai konsultointipalveluja ja saattaa sisältää ‧teknisen tiedon‧ siirtoa.



  Huom. 2:‧Tekninen tieto‧ voi olla muodoltaan piirustuksia, suunnitelmia, kaavioita, malleja, kaavoja, taulukoita, suunnittelukonstruktioita tai määritelmiä, kirjallisia tai muulle medialle tai laitteille, kuten levylle, nauhalle tai lukumuistiin, talletettuja käsikirjoja ja ohjeita. |
| --- | --- |

"Teknologia" (Technology) (Ylth Ydth Kaikki) tarkoittaa erityistä kirjallista tai muussa muodossa olevaa teknistä tietoa, jota tarvitaan tuotteen "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten. Tämä tieto on ‧teknisen tiedon‧ tai ‧teknisen avun‧ muodossa.

Huom. 1:‧Tekninen apu‧ voi olla muodoltaan ohjeita, taitoja, opetusta, työnsuoritustietoutta tai konsultointipalveluja ja saattaa sisältää ‧teknisen tiedon‧ siirtoa.

Huom. 2:‧Tekninen tieto‧ voi olla muodoltaan piirustuksia, suunnitelmia, kaavioita, malleja, kaavoja, taulukoita, suunnittelukonstruktioita tai määritelmiä, kirjallisia tai muulle medialle tai laitteille, kuten levylle, nauhalle tai lukumuistiin, talletettuja käsikirjoja ja ohjeita.

| | "Tiedon suojaus" (Information security) (4 5) tarkoittaa kaikkia menetelmiä ja toimintoja, jotka takaavat tiedon tai tiedonvälityksen saatavuuden, luottamuksellisuuden tai eheyden, poislukien menetelmät tai toiminnot, joilla suojaudutaan virhetoiminnoilta. Siihen kuuluu "salaus", ‧salauksen analyysi‧, suojautuminen paljastavia vuotoja vastaan ja tietokoneturvallisuus.


  Huom.:‧Salauksen analyysi‧: salausjärjestelmän tai sen syötteiden tai tulosteiden analysointi, jonka tarkoituksena on selvittää luottamuksellisia muuttujia tai sensitiivistä tietoa, selväkielinen teksti mukaan lukien. |
| --- | --- |

"Tiedon suojaus" (Information security) (4 5) tarkoittaa kaikkia menetelmiä ja toimintoja, jotka takaavat tiedon tai tiedonvälityksen saatavuuden, luottamuksellisuuden tai eheyden, poislukien menetelmät tai toiminnot, joilla suojaudutaan virhetoiminnoilta. Siihen kuuluu "salaus", ‧salauksen analyysi‧, suojautuminen paljastavia vuotoja vastaan ja tietokoneturvallisuus.

Huom.:‧Salauksen analyysi‧: salausjärjestelmän tai sen syötteiden tai tulosteiden analysointi, jonka tarkoituksena on selvittää luottamuksellisia muuttujia tai sensitiivistä tietoa, selväkielinen teksti mukaan lukien.

| | "Tieteellinen perustutkimus" (Basic scientific research) (Ylth Ydth) tarkoittaa kokeellista tai teoreettista työtä, jota tehdään pääasiassa uuden tiedon saamiseksi ilmiöiden tai havaittavien faktojen perusperiaatteista, ja joilla ei ensisijaisesti pyritä mihinkään tiettyyn käytännön päämäärään tai tavoitteeseen. |
| --- | --- |

"Tieteellinen perustutkimus" (Basic scientific research) (Ylth Ydth) tarkoittaa kokeellista tai teoreettista työtä, jota tehdään pääasiassa uuden tiedon saamiseksi ilmiöiden tai havaittavien faktojen perusperiaatteista, ja joilla ei ensisijaisesti pyritä mihinkään tiettyyn käytännön päämäärään tai tavoitteeseen.

| | "Tietoliikennekanavan ohjain" (Communications channel controller) (4) tarkoittaa fyysistä liitäntää, joka ohjaa synkronisen tai asynkronisen digitaalisen tiedon kulkua. Se on kokoonpano, joka voidaan asentaa tietokone- tai tietoliikennelaitteisiin tietoliikenneyhteyden luomiseksi. |
| --- | --- |

"Tietoliikennekanavan ohjain" (Communications channel controller) (4) tarkoittaa fyysistä liitäntää, joka ohjaa synkronisen tai asynkronisen digitaalisen tiedon kulkua. Se on kokoonpano, joka voidaan asentaa tietokone- tai tietoliikennelaitteisiin tietoliikenneyhteyden luomiseksi.

| | "Toksiinialayksiköllä" (Sub-unit toxin) (1) tarkoitetaan kokonaisen "toksiinin" rakenteellisesti ja toiminnallisesti erillistä osaa. |
| --- | --- |

"Toksiinialayksiköllä" (Sub-unit toxin) (1) tarkoitetaan kokonaisen "toksiinin" rakenteellisesti ja toiminnallisesti erillistä osaa.

| | "Toksiinit" (Toxins) (1 2) tarkoittaa valmistustavasta riippumatta tarkoituksellisesti eristettyjen preparaattien tai seosten muodossa olevia myrkyllisiä aineita, lukuun ottamatta toksiineja, joita on saasteina muissa materiaaleissa, kuten patologisissa näytteissä, viljassa, ruokatavaroissa tai "mikro-organismien" kylvöksissä. |
| --- | --- |

"Toksiinit" (Toxins) (1 2) tarkoittaa valmistustavasta riippumatta tarkoituksellisesti eristettyjen preparaattien tai seosten muodossa olevia myrkyllisiä aineita, lukuun ottamatta toksiineja, joita on saasteina muissa materiaaleissa, kuten patologisissa näytteissä, viljassa, ruokatavaroissa tai "mikro-organismien" kylvöksissä.

| | "Tosiaikainen kaistanleveys" (Real-time bandwidth) (2 3) on "dynaamisten signaalianalysaattorien" laajin taajuuksien alue, jonka analysaattori voi tulostaa näytölle tai muistiin aiheuttamatta katkoja sisääntulevan tiedon analysoinnissa. Analysaattoreissa, joissa on enemmän kuin yksi kanava, laskelmaa varten tulee käyttää sitä kanavien konfiguraatiota, joka antaa laajimman "tosiaikaisen kaistanleveyden". |
| --- | --- |

"Tosiaikainen kaistanleveys" (Real-time bandwidth) (2 3) on "dynaamisten signaalianalysaattorien" laajin taajuuksien alue, jonka analysaattori voi tulostaa näytölle tai muistiin aiheuttamatta katkoja sisääntulevan tiedon analysoinnissa. Analysaattoreissa, joissa on enemmän kuin yksi kanava, laskelmaa varten tulee käyttää sitä kanavien konfiguraatiota, joka antaa laajimman "tosiaikaisen kaistanleveyden".

| | "Tosiaikainen käsittely" (Real time processing) (6 7) tarkoittaa tietokonejärjestelmän tiedonkäsittelykykyä, joka käytettävissä olevin resurssein ja järjestelmän kuormituksesta riippumatta turvaa tarvittavan palvelutason taatun vasteajan sisällä, kun ulkoinen tapahtuma käynnistää palvelun. |
| --- | --- |

"Tosiaikainen käsittely" (Real time processing) (6 7) tarkoittaa tietokonejärjestelmän tiedonkäsittelykykyä, joka käytettävissä olevin resurssein ja järjestelmän kuormituksesta riippumatta turvaa tarvittavan palvelutason taatun vasteajan sisällä, kun ulkoinen tapahtuma käynnistää palvelun.

| | "Tuotanto" (Production) (Ylth Ydth Kaikki) tarkoittaa kaikkia tuotantovaiheita, kuten rakentaminen, tuotanto, suunnittelu, valmistus, integrointi, kokoonpano, asennus, tarkastus, testaus, laadunvalvonta. |
| --- | --- |

"Tuotanto" (Production) (Ylth Ydth Kaikki) tarkoittaa kaikkia tuotantovaiheita, kuten rakentaminen, tuotanto, suunnittelu, valmistus, integrointi, kokoonpano, asennus, tarkastus, testaus, laadunvalvonta.

| | "Tuotantolaitteet" (Production equipment) (1 7 9) tarkoittaa "kehitystä" tai yhtä tai useampaa "tuotannon" vaihetta varten erikoisesti suunniteltuja tai muunnettuja työkaluja, mallineita, asettimia, tuurnia, muotteja, suulakkeita, kiinnittimiä, suuntausmekanismeja, testilaitteita sekä muita koneita ja niiden osia. |
| --- | --- |

"Tuotantolaitteet" (Production equipment) (1 7 9) tarkoittaa "kehitystä" tai yhtä tai useampaa "tuotannon" vaihetta varten erikoisesti suunniteltuja tai muunnettuja työkaluja, mallineita, asettimia, tuurnia, muotteja, suulakkeita, kiinnittimiä, suuntausmekanismeja, testilaitteita sekä muita koneita ja niiden osia.

| | "Tuotantoympäristö" (Production facilities) (7 9) tarkoittaa laitteita ja niitä varten erityisesti suunniteltuja ohjelmistoja, jotka on yhdistetty kokonaisuudeksi "kehitystä" tai yhtä tai useampaa "tuotannon" vaihetta varten. |
| --- | --- |

"Tuotantoympäristö" (Production facilities) (7 9) tarkoittaa laitteita ja niitä varten erityisesti suunniteltuja ohjelmistoja, jotka on yhdistetty kokonaisuudeksi "kehitystä" tai yhtä tai useampaa "tuotannon" vaihetta varten.

| | "Tutkan hajaspektri" (Radar spread spectrum) (6) tarkoittaa kaikkia modulointitekniikoita, jotka hajauttavat suhteellisen kapean taajuuskaistan signaalien energian laajemman taajuuskaistan yli käyttäen satunnaista tai puolisatunnaista koodausta. |
| --- | --- |

"Tutkan hajaspektri" (Radar spread spectrum) (6) tarkoittaa kaikkia modulointitekniikoita, jotka hajauttavat suhteellisen kapean taajuuskaistan signaalien energian laajemman taajuuskaistan yli käyttäen satunnaista tai puolisatunnaista koodausta.

| | "Tutkan taajuushyppely" (Radar frequency agility) (6) tarkoittaa kaikkia tekniikoita, jotka vaihtavat puolisatunnaisessa järjestyksessä pulssitutkan lähettimen kantoaaltotaajuutta pulssien välillä tai pulssiryhmien välillä enemmän kuin mitä on pulssin kaistanleveys. |
| --- | --- |

"Tutkan taajuushyppely" (Radar frequency agility) (6) tarkoittaa kaikkia tekniikoita, jotka vaihtavat puolisatunnaisessa järjestyksessä pulssitutkan lähettimen kantoaaltotaajuutta pulssien välillä tai pulssiryhmien välillä enemmän kuin mitä on pulssin kaistanleveys.

| | "Tyhjöatomisointi" (Vacuum atomization) (1) tarkoittaa prosessia, jossa sulasta metallivirrasta aikaansaadaan tyhjössä nopeasti kehittyvän kaasun avulla läpimitaltaan noin 500 mikrometriä tai sitä pienempiä pisaroita. |
| --- | --- |

"Tyhjöatomisointi" (Vacuum atomization) (1) tarkoittaa prosessia, jossa sulasta metallivirrasta aikaansaadaan tyhjössä nopeasti kehittyvän kaasun avulla läpimitaltaan noin 500 mikrometriä tai sitä pienempiä pisaroita.

| | "Täyden auktoriteetin digitaalinen moottorin ohjaus" ("FADEC") (Full Authority Digital Engine Control) (7 9) tarkoittaa kaasuturbiini- tai yhdistelmätahtimoottorien elektronista ohjausjärjestelmää, joka käyttää digitaalista tietokonetta ohjaamaan moottorin työntövoiman tai akselin ulostulotehon säätämiseen tarvittavia muuttujia koko moottorin toiminta-alueella polttoaineen syötön aloittamisesta sen sulkemiseen. |
| --- | --- |

"Täyden auktoriteetin digitaalinen moottorin ohjaus" ("FADEC") (Full Authority Digital Engine Control) (7 9) tarkoittaa kaasuturbiini- tai yhdistelmätahtimoottorien elektronista ohjausjärjestelmää, joka käyttää digitaalista tietokonetta ohjaamaan moottorin työntövoiman tai akselin ulostulotehon säätämiseen tarvittavia muuttujia koko moottorin toiminta-alueella polttoaineen syötön aloittamisesta sen sulkemiseen.

| | "UF6-korroosiota kestäviä aineita" (Materials resistant to corrosion by UF6) (0) voivat olla kyseessä olevasta erotusprosessista riippuen kupari, ruostumaton teräs, alumiini, alumiinioksidi, alumiiniseokset, nikkeli tai seos, joka sisältää vähintään 60 painoprosenttia nikkeliä sekä UF6-kestävää fluorattua hiilivetypolymeeriä. |
| --- | --- |

"UF6-korroosiota kestäviä aineita" (Materials resistant to corrosion by UF6) (0) voivat olla kyseessä olevasta erotusprosessista riippuen kupari, ruostumaton teräs, alumiini, alumiinioksidi, alumiiniseokset, nikkeli tai seos, joka sisältää vähintään 60 painoprosenttia nikkeliä sekä UF6-kestävää fluorattua hiilivetypolymeeriä.

| | "Valtiot, jotka ovat (eivät ole) kemiallisten aseiden kieltosopimuksen sopimuspuolia" (States (not) Party to the Chemical Weapon Convention) (1) ovat valtioita, joiden osalta kemiallisten aseiden kehittämisen, tuotannon, varastoinnin ja käytön kieltämistä koskeva yleissopimus on (ei ole) tullut voimaan. (Katso www.opcw.org). |
| --- | --- |

"Valtiot, jotka ovat (eivät ole) kemiallisten aseiden kieltosopimuksen sopimuspuolia" (States (not) Party to the Chemical Weapon Convention) (1) ovat valtioita, joiden osalta kemiallisten aseiden kehittämisen, tuotannon, varastoinnin ja käytön kieltämistä koskeva yleissopimus on (ei ole) tullut voimaan. (Katso www.opcw.org).

| | "Verkkoliityntäohjain" (Network access controller) (4) tarkoittaa fyysistä liitäntää hajautettuun tietoliikenneverkkoon. Se käyttää yhteistä siirtotietä, joka toimii kauttaaltaan samalla "digitaalisella siirtonopeudella" ja jakaa päätteille siirtovuoroja (esim. vuoromerkkien tai kuulostelun avulla). Muista riippumatta se valitsee tietopaketit tai tietoryhmät (esim. IEEE 802), jotka sille on osoitettu. Se on kokoonpano, joka voi olla liitettynä tietokone- tai tietoliikennelaitteeseen viestintäyhteyden luomiseksi. |
| --- | --- |

"Verkkoliityntäohjain" (Network access controller) (4) tarkoittaa fyysistä liitäntää hajautettuun tietoliikenneverkkoon. Se käyttää yhteistä siirtotietä, joka toimii kauttaaltaan samalla "digitaalisella siirtonopeudella" ja jakaa päätteille siirtovuoroja (esim. vuoromerkkien tai kuulostelun avulla). Muista riippumatta se valitsee tietopaketit tai tietoryhmät (esim. IEEE 802), jotka sille on osoitettu. Se on kokoonpano, joka voi olla liitettynä tietokone- tai tietoliikennelaitteeseen viestintäyhteyden luomiseksi.

| | "Vikasietoisuus" (Fault tolerance) (4) on tietokonejärjestelmän kyky minkä tahansa laitteisto- tai "ohjelmisto"komponenttinsa minkä tahansa häiriön jälkeen jatkaa toimintaansa ilman ihmisen väliintuloa tietyllä suoritustasolla, joka takaa toiminnan jatkumisen, tietojen säilymisen ja toiminnan palautumisen ennalleen tietyn ajan kuluessa. |
| --- | --- |

"Vikasietoisuus" (Fault tolerance) (4) on tietokonejärjestelmän kyky minkä tahansa laitteisto- tai "ohjelmisto"komponenttinsa minkä tahansa häiriön jälkeen jatkaa toimintaansa ilman ihmisen väliintuloa tietyllä suoritustasolla, joka takaa toiminnan jatkumisen, tietojen säilymisen ja toiminnan palautumisen ennalleen tietyn ajan kuluessa.

| | "Viritettävä" (Tunable) (6) tarkoittaa "laserin" kykyä tuottaa jatkuvaa lähtötehoa kaikilla aallonpituuksilla usean "laser"transition alueella. Viiva"laser" tuottaa diskreettejä aallonpituuksia yhdellä "laser"transitiolla eikä sitä katsota "viritettäväksi". |
| --- | --- |

"Viritettävä" (Tunable) (6) tarkoittaa "laserin" kykyä tuottaa jatkuvaa lähtötehoa kaikilla aallonpituuksilla usean "laser"transition alueella. Viiva"laser" tuottaa diskreettejä aallonpituuksia yhdellä "laser"transitiolla eikä sitä katsota "viritettäväksi".

| | "Ydinreaktori" (Nuclear reactor) (0) tarkoittaa laitteita, jotka ovat reaktoriastian sisällä tai jotka on liitetty suoraan siihen, laitteita, jotka kontrolloivat sydämen tehotasoa sekä komponentteja, jotka normaalisti sisältävät reaktorin sydämen primäärijäähdytettä tai joutuvat suoraan kosketukseen sen kanssa tai ohjaavat sen kulkua. |
| --- | --- |

"Ydinreaktori" (Nuclear reactor) (0) tarkoittaa laitteita, jotka ovat reaktoriastian sisällä tai jotka on liitetty suoraan siihen, laitteita, jotka kontrolloivat sydämen tehotasoa sekä komponentteja, jotka normaalisti sisältävät reaktorin sydämen primäärijäähdytettä tai joutuvat suoraan kosketukseen sen kanssa tai ohjaavat sen kulkua.

| | "Yhdistelmäpyöröpöytä" (Compound rotary table) (2) tarkoittaa pöytää, jolla työkappaletta voidaan pyörittää tai kallistaa kahden ei-yhdensuuntaisen akselin suhteen, ja joita voidaan ohjata samanaikaisesti "ääriviivaohjausta" varten. |
| --- | --- |

"Yhdistelmäpyöröpöytä" (Compound rotary table) (2) tarkoittaa pöytää, jolla työkappaletta voidaan pyörittää tai kallistaa kahden ei-yhdensuuntaisen akselin suhteen, ja joita voidaan ohjata samanaikaisesti "ääriviivaohjausta" varten.

| | "Yhdistetty teoreettinen tehokkuus" ("CTP") (Composite theoretical performance) (3 4) on laskentatehokkuuden mitta, joka ilmoitetaan miljoonina teoreettisina operaatioina sekunnissa (Mtops), ja joka on saatu "laskentaelementtien" ("CE") laskentatehokkuuksien yhdistämistä käyttäen.


  Huom.: Katso ryhmä 4, tekninen huomautus. |
| --- | --- |

"Yhdistetty teoreettinen tehokkuus" ("CTP") (Composite theoretical performance) (3 4) on laskentatehokkuuden mitta, joka ilmoitetaan miljoonina teoreettisina operaatioina sekunnissa (Mtops), ja joka on saatu "laskentaelementtien" ("CE") laskentatehokkuuksien yhdistämistä käyttäen.

Huom.: Katso ryhmä 4, tekninen huomautus.

| | "Yhteen kytketyt tutka-anturit" (Interconnected radar sensors) (6) tarkoittaa, että kaksi tai useampi tutka-anturi on kytketty yhteen, kun ne vaihtavat keskenään tietoa tosiaikaisesti. |
| --- | --- |

"Yhteen kytketyt tutka-anturit" (Interconnected radar sensors) (6) tarkoittaa, että kaksi tai useampi tutka-anturi on kytketty yhteen, kun ne vaihtavat keskenään tietoa tosiaikaisesti.

| | "Yhteiskanavamerkinanto" (Common channel signalling) (5) on merkinantomenetelmä, jossa puhelinkeskusten välillä yhdellä kanavalla välitetään tunnuksella varustettujen viestien avulla merkinantotietoa, joka koskee useita piirejä tai puheluja, sekä muuta esim. verkonhallintaan liittyvää tietoa. |
| --- | --- |

"Yhteiskanavamerkinanto" (Common channel signalling) (5) on merkinantomenetelmä, jossa puhelinkeskusten välillä yhdellä kanavalla välitetään tunnuksella varustettujen viestien avulla merkinantotietoa, joka koskee useita piirejä tai puheluja, sekä muuta esim. verkonhallintaan liittyvää tietoa.

| | "Yksispektriset kuvannusanturit" (Monospectral imaging sensors) (6) ovat kykeneviä hankkimaan kuvatietoa yhdestä erillisestä spektrikaistasta. |
| --- | --- |

"Yksispektriset kuvannusanturit" (Monospectral imaging sensors) (6) ovat kykeneviä hankkimaan kuvatietoa yhdestä erillisestä spektrikaistasta.

| | "Ääriviivaohjaus" (Contouring control) (2) tarkoittaa kahden tai useamman liikkeen "numeerista ohjausta" käskyillä, jotka määrittävät seuraavan vaadittavan aseman sekä tarvittavat syöttönopeudet tähän asemaan siirtymiseksi. Syöttönopeuksia vaihdellaan toistensa suhteen halutun ääriviivan aikaansaamiseksi (viite ISO/DIS 2806–1980). |
| --- | --- |

"Ääriviivaohjaus" (Contouring control) (2) tarkoittaa kahden tai useamman liikkeen "numeerista ohjausta" käskyillä, jotka määrittävät seuraavan vaadittavan aseman sekä tarvittavat syöttönopeudet tähän asemaan siirtymiseksi. Syöttönopeuksia vaihdellaan toistensa suhteen halutun ääriviivan aikaansaamiseksi (viite ISO/DIS 2806–1980).

TÄSSÄ LIITTEESSÄ KÄYTETYT AKRONYYMIT JA LYHENTEET

Akronyymi tai lyhenne, jota käytetään määritellyistä termeistä löytyy ‧tämän liitteen termien määritelmistä‧.

| Akronyymi tai lyhenne | Merkitys |
| --- | --- |
| ABEC | Annular Bearing Engineers Committee |
| AGMA | American Gear Manufacturers' Association |
| AHRS | attitude and heading reference systems (asennon ja suunnan referenssijärjestelmät) |
| AISI | American Iron and Steel Institute |
| ALU | arithmetic logic unit (aritmetiikkayksikkö) |
| ANSI | American National Standards Institute |
| ASTM | the American Society for Testing and Materials |
| ATC | air traffic control (lennonjohto) |
| AVLIS | Atomic Vapour Laser Isotope Separation (atomihöyryn laserviritykseen perustuva isotooppierotus) |
| CAD | computer-aided-design (tietokoneavusteinen suunnittelu) |
| CAS | Chemical Abstracts Service |
| CCITT | International Telegraph and Telephone Consultative Committee (kansainvälinen neuvoa-antava lennätin- ja puhelinkomitea) |
| CDU | control and display unit (ohjaus- ja näyttöyksikkö) |
| CEP | circular error probable (yhtäläisen todennäköisyyden ympyrä) |
| CNTD | controlled nucleation thermal deposition (säädeltävä ydintymislämpöhajoaminen) |
| CRISLA | Chemical Reaction by Isotope Selective Laser Activation (isotooppiselektiivisellä laserilla aktivoitu kemiallinen reaktio) |
| CVD | chemical vapour deposition (kemiallinen kaasufaasipinnoitus) |
| CW | chemical warfare (kemiallinen sodankäynti) |
| CW (for lasers) | continuous wave (jatkuva aalto (laserit)) |
| DME | distance measuring equipment (etäisyydenmittauslaite) |
| DS | directionally solidified (suunnatusti kiinteytetty) |
| EB-PVD | electron beam physical vapour deposition (elektronisuihkun avulla tapahtuva fysikaalinen kaasufaasipinnoitus) |
| EBU | European Broadcasting Union |
| ECM | electro-chemical machining (sähkökemiallinen työstö) |
| ECR | electron cyclotron resonance (elektroni-syklotroni-resonanssi) |
| EDM | electrical discharge machines (kipinätyöstökoneet) |
| EEPROMS | electrically erasable programmable read only memory (elektronisesti pyyhittävä ohjelmoitava lukumuisti) |
| EIA | Electronic Industries Association |
| EMC | electromagnetic compatibility (sähkömagneettinen mukautuvuus) |
| ETSI | European Telecommunications Standards Institute (Euroopan telealan standardointilaitos) |
| FFT | Fast Fourier Transform (Nopea Fourier-muunnos) |
| GLONASS | global navigation satellite system (globaali navigointisatelliittijärjestelmä) |
| GPS | global positioning system (globaali paikannusjärjestelmä) |
| HBT | hetero-bipolar transistors (heterobipolaaritransistori) |
| HDDR | high density digital recording (suurtiheyksinen digitaalitallennus) |
| HEMT | high electron mobility transistors (korkean elektroniliikkuvuuden transistorit) |
| ICAO | International Civil Aviation Organisation (Kansainvälinen siviili-ilmailujärjestö) |
| IEC | International Electro-technical Commission (Kansainvälinen sähkötekniikan toimikunta) |
| IEEE | Institute of Electrical and Electronic Engineers |
| IFOV | instantaneous-field-of-view (hetkellinen näkökenttä) |
| ILS | instrument landing system (mittarilaskeutumisjärjestelmä) |
| IRIG | inter-range instrumentation group (monialueinstrumentointiryhmä) |
| ISAR | inverse synthetic aperture radar (käänteinen synteettinen apertuuritutka) |
| ISO | International Organization for Standardization (Kansainvälinen standardisoimisjärjestö) |
| ITU | International Telecommunication Union (Kansainvälinen televiestintäliitto) |
| JIS | Japanese Industrial Standard |
| JT | Joule-Thomson |
| LIDAR | light detecting and ranging (valoon perustuva havainnointi ja etäisyyden mittaus) |
| LRU | line replaceable unit (linjahuollossa vaihdettava yksikkö) |
| MAC | message authentication code (sanoman autentikointikoodi) |
| Mach | ratio of speed of an object to speed of sound (after Ernst Mach) (kohteen nopeuden suhde äänen nopeuteen (Ernst Machin mukaan)) |
| MLIS | Molecular laser Isotopic separation (molekyylien laserviritykseen perustuva isotooppien erotus) |
| MLS | microwave landing systems (mikroaaltolaskeutumisjärjestelmät) |
| MOCVD | metal organic chemical vapour deposition (metalliorgaaninen kemiallinen kaasufaasipinnoitus) |
| MRI | magnetic resonance imaging (magneettiresonanssikuvaus) |
| MTBF | mean-time-between-failures (keskimääräinen vikaväli) |
| Mtops | million theoretical operations per second (miljoonaa teoreettista operaatiota sekunnissa) |
| MTTF | mean-time-to-failure (keskimääräinen vioittumisaika) |
| NBC | Nuclear, Biological and Chemical (ydin-, biologinen tai kemiallinen) |
| NDT | non-destructive test (ainetta rikkomaton testi) |
| PAR | precision approach radar (tarkkuuslähestymistutka) |
| PIN | personal identification number (henkilökohtainen tunnusnumero) |
| ppm | parts per million (miljoonasosa) |
| PSD | power spectral density (tehon spektritiheys) |
| QAM | quadrature-amplitude-modulation (kvadratuuri-amplitudi-modulaatio) |
| RF | radio frequency (radiotaajuus) |
| SACMA | Suppliers of Advanced Composite Materials Association |
| SAR | synthetic aperture radar (synteettinen apertuuritutka) |
| SC | single crystal (yksikide-) |
| SLAR | sidelooking airborne radar (sivukulmatutka) |
| SMPTE | Society of Motion Picture and Television Engineers (Elokuva- ja televisioalan insinöörien yhdistys) |
| SRA | shop replaceable assembly (korjaamolla vaihdettava kokoonpano) |
| SRAM | static random access memory (staattinen luku-/kirjoitusmuisti) |
| SRM | SACMA Recommended Methods (SACMA:n suosittelemat menetelmät) |
| SSB | single sideband (yksisivukaista) |
| SSR | secondary surveillance radar (toisiovalvontatutka) |
| TCSEC | trusted computer system evaluation criteria (luotettavien tietokonejärjestelmien varmennuskriteerit) |
| TIR | total indicated reading (koko näyttöalue) |
| UV | ultraviolet (ultravioletti) |
| UTS | ultimate tensile strength (murtovetolujuus) |
| VOR | very high frequency omni-directional range (VHF-monisuuntamajakka) |
| YAG | yttrium/aluminium garnet (yttrium/alumiinigranaatti) |

Akronyymi tai lyhenne

Merkitys

ABEC

Annular Bearing Engineers Committee

AGMA

American Gear Manufacturers' Association

AHRS

attitude and heading reference systems (asennon ja suunnan referenssijärjestelmät)

AISI

American Iron and Steel Institute

ALU

arithmetic logic unit (aritmetiikkayksikkö)

ANSI

American National Standards Institute

ASTM

the American Society for Testing and Materials

ATC

air traffic control (lennonjohto)

AVLIS

Atomic Vapour Laser Isotope Separation (atomihöyryn laserviritykseen perustuva isotooppierotus)

CAD

computer-aided-design (tietokoneavusteinen suunnittelu)

CAS

Chemical Abstracts Service

CCITT

International Telegraph and Telephone Consultative Committee (kansainvälinen neuvoa-antava lennätin- ja puhelinkomitea)

CDU

control and display unit (ohjaus- ja näyttöyksikkö)

CEP

circular error probable (yhtäläisen todennäköisyyden ympyrä)

CNTD

controlled nucleation thermal deposition (säädeltävä ydintymislämpöhajoaminen)

CRISLA

Chemical Reaction by Isotope Selective Laser Activation (isotooppiselektiivisellä laserilla aktivoitu kemiallinen reaktio)

CVD

chemical vapour deposition (kemiallinen kaasufaasipinnoitus)

CW

chemical warfare (kemiallinen sodankäynti)

CW (for lasers)

continuous wave (jatkuva aalto (laserit))

DME

distance measuring equipment (etäisyydenmittauslaite)

DS

directionally solidified (suunnatusti kiinteytetty)

EB-PVD

electron beam physical vapour deposition (elektronisuihkun avulla tapahtuva fysikaalinen kaasufaasipinnoitus)

EBU

European Broadcasting Union

ECM

electro-chemical machining (sähkökemiallinen työstö)

ECR

electron cyclotron resonance (elektroni-syklotroni-resonanssi)

EDM

electrical discharge machines (kipinätyöstökoneet)

EEPROMS

electrically erasable programmable read only memory (elektronisesti pyyhittävä ohjelmoitava lukumuisti)

EIA

Electronic Industries Association

EMC

electromagnetic compatibility (sähkömagneettinen mukautuvuus)

ETSI

European Telecommunications Standards Institute (Euroopan telealan standardointilaitos)

FFT

Fast Fourier Transform (Nopea Fourier-muunnos)

GLONASS

global navigation satellite system (globaali navigointisatelliittijärjestelmä)

GPS

global positioning system (globaali paikannusjärjestelmä)

HBT

hetero-bipolar transistors (heterobipolaaritransistori)

HDDR

high density digital recording (suurtiheyksinen digitaalitallennus)

HEMT

high electron mobility transistors (korkean elektroniliikkuvuuden transistorit)

ICAO

International Civil Aviation Organisation (Kansainvälinen siviili-ilmailujärjestö)

IEC

International Electro-technical Commission (Kansainvälinen sähkötekniikan toimikunta)

IEEE

Institute of Electrical and Electronic Engineers

IFOV

instantaneous-field-of-view (hetkellinen näkökenttä)

ILS

instrument landing system (mittarilaskeutumisjärjestelmä)

IRIG

inter-range instrumentation group (monialueinstrumentointiryhmä)

ISAR

inverse synthetic aperture radar (käänteinen synteettinen apertuuritutka)

ISO

International Organization for Standardization (Kansainvälinen standardisoimisjärjestö)

ITU

International Telecommunication Union (Kansainvälinen televiestintäliitto)

JIS

Japanese Industrial Standard

JT

Joule-Thomson

LIDAR

light detecting and ranging (valoon perustuva havainnointi ja etäisyyden mittaus)

LRU

line replaceable unit (linjahuollossa vaihdettava yksikkö)

MAC

message authentication code (sanoman autentikointikoodi)

Mach

ratio of speed of an object to speed of sound (after Ernst Mach) (kohteen nopeuden suhde äänen nopeuteen (Ernst Machin mukaan))

MLIS

Molecular laser Isotopic separation (molekyylien laserviritykseen perustuva isotooppien erotus)

MLS

microwave landing systems (mikroaaltolaskeutumisjärjestelmät)

MOCVD

metal organic chemical vapour deposition (metalliorgaaninen kemiallinen kaasufaasipinnoitus)

MRI

magnetic resonance imaging (magneettiresonanssikuvaus)

MTBF

mean-time-between-failures (keskimääräinen vikaväli)

Mtops

million theoretical operations per second (miljoonaa teoreettista operaatiota sekunnissa)

MTTF

mean-time-to-failure (keskimääräinen vioittumisaika)

NBC

Nuclear, Biological and Chemical (ydin-, biologinen tai kemiallinen)

NDT

non-destructive test (ainetta rikkomaton testi)

PAR

precision approach radar (tarkkuuslähestymistutka)

PIN

personal identification number (henkilökohtainen tunnusnumero)

ppm

parts per million (miljoonasosa)

PSD

power spectral density (tehon spektritiheys)

QAM

quadrature-amplitude-modulation (kvadratuuri-amplitudi-modulaatio)

RF

radio frequency (radiotaajuus)

SACMA

Suppliers of Advanced Composite Materials Association

SAR

synthetic aperture radar (synteettinen apertuuritutka)

SC

single crystal (yksikide-)

SLAR

sidelooking airborne radar (sivukulmatutka)

SMPTE

Society of Motion Picture and Television Engineers (Elokuva- ja televisioalan insinöörien yhdistys)

SRA

shop replaceable assembly (korjaamolla vaihdettava kokoonpano)

SRAM

static random access memory (staattinen luku-/kirjoitusmuisti)

SRM

SACMA Recommended Methods (SACMA:n suosittelemat menetelmät)

SSB

single sideband (yksisivukaista)

SSR

secondary surveillance radar (toisiovalvontatutka)

TCSEC

trusted computer system evaluation criteria (luotettavien tietokonejärjestelmien varmennuskriteerit)

TIR

total indicated reading (koko näyttöalue)

UV

ultraviolet (ultravioletti)

UTS

ultimate tensile strength (murtovetolujuus)

VOR

very high frequency omni-directional range (VHF-monisuuntamajakka)

YAG

yttrium/aluminium garnet (yttrium/alumiinigranaatti)

RYHMÄ 0

YDINAINEET, LAITTEISTOT JA LAITTEET

0AJärjestelmät, laitteet ja komponentit

0A001"Ydinreaktorit" ja niitä varten erityisesti suunnitellut ja valmistetut komponentit seuraavasti:

| a. | "Ydinreaktorit", jotka voivat ylläpitää säädettävää jatkuvaa ytimien halkeamisketjureaktiota; |
| --- | --- |

a.

"Ydinreaktorit", jotka voivat ylläpitää säädettävää jatkuvaa ytimien halkeamisketjureaktiota;

| b. | Sellaiset metalliset astiat tai niiden merkittävät rakenne-elementit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu sisältämään "ydinreaktorin" sydän, mukaan lukien reaktoripaineastian kansi; |
| --- | --- |

b.

Sellaiset metalliset astiat tai niiden merkittävät rakenne-elementit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu sisältämään "ydinreaktorin" sydän, mukaan lukien reaktoripaineastian kansi;

| c. | Käsittelylaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu polttoaineen viemiseksi "ydinreaktoriin" tai polttoaineen poistamiseksi sieltä; |
| --- | --- |

c.

Käsittelylaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu polttoaineen viemiseksi "ydinreaktoriin" tai polttoaineen poistamiseksi sieltä;

| d. | Säätösauvat, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu halkeamisprosessin säätämiseksi "ydinreaktorissa", sauvojen tuki- ja ripustusrakenteet, säätösauvojen käyttökoneistot ja ohjausputket; |
| --- | --- |

d.

Säätösauvat, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu halkeamisprosessin säätämiseksi "ydinreaktorissa", sauvojen tuki- ja ripustusrakenteet, säätösauvojen käyttökoneistot ja ohjausputket;

| e. | Paineputket, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu sisältämään "ydinreaktorin" polttoaine-elementtejä ja primäärijäähdytettä yli 5,1 MPa:n käyttöpaineessa; |
| --- | --- |

e.

Paineputket, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu sisältämään "ydinreaktorin" polttoaine-elementtejä ja primäärijäähdytettä yli 5,1 MPa:n käyttöpaineessa;

| f. | Putket tai putkisarjat, jotka on valmistettu zirkoniummetallista tai seoksesta, jossa hafniumin painosuhde zirkoniumiin on pienempi kuin 1:500, ja jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäväksi "ydinreaktorissa"; |
| --- | --- |

f.

Putket tai putkisarjat, jotka on valmistettu zirkoniummetallista tai seoksesta, jossa hafniumin painosuhde zirkoniumiin on pienempi kuin 1:500, ja jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäväksi "ydinreaktorissa";

| g. | Jäähdytepumput, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu "ydinreaktorin" primäärijäähdytteen kierrättämiseksi; |
| --- | --- |

g.

Jäähdytepumput, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu "ydinreaktorin" primäärijäähdytteen kierrättämiseksi;

| h. | ‧Ydinreaktorin sisäosat‧, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäviksi "ydinreaktorissa", mukaan lukien sydämen tukirakenteet, polttoainekanavat, termiset suojat, verholevyt, sydänritilät ja diffuuserilevyt;


  Huom.: 0A001.h kohdassa ‧ydinreaktorin sisäosat‧ tarkoittaa mitä tahansa reaktoriastiassa olevaa merkittävää rakennetta, jolla on yksi tai useampi seuraavanlaisista tehtävistä: sydämen tukeminen, polttoaineen paikallaan pitäminen, primäärijäähdytteen virtauksen ohjaus, toimiminen reaktoriastian säteilysuojana ja sydämessä olevien instrumentointilaitteiden ohjaaminen. |
| --- | --- |

h.

‧Ydinreaktorin sisäosat‧, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäviksi "ydinreaktorissa", mukaan lukien sydämen tukirakenteet, polttoainekanavat, termiset suojat, verholevyt, sydänritilät ja diffuuserilevyt;

Huom.: 0A001.h kohdassa ‧ydinreaktorin sisäosat‧ tarkoittaa mitä tahansa reaktoriastiassa olevaa merkittävää rakennetta, jolla on yksi tai useampi seuraavanlaisista tehtävistä: sydämen tukeminen, polttoaineen paikallaan pitäminen, primäärijäähdytteen virtauksen ohjaus, toimiminen reaktoriastian säteilysuojana ja sydämessä olevien instrumentointilaitteiden ohjaaminen.

| i. | Lämmönvaihtimet (höyrystimet), jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäviksi "ydinreaktorin" primäärijäähdytyspiirissä; |
| --- | --- |

i.

Lämmönvaihtimet (höyrystimet), jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäviksi "ydinreaktorin" primäärijäähdytyspiirissä;

| j. | Neutronien ilmaisin- ja mittauslaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu "ydinreaktorin" sydämessä vallitsevan neutronivuon määrittämiseen. |
| --- | --- |

j.

Neutronien ilmaisin- ja mittauslaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu "ydinreaktorin" sydämessä vallitsevan neutronivuon määrittämiseen.

0BTestaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet

0B001Laitokset "luonnonuraanin", "köyhdytetyn uraanin" ja "erityisten halkeamiskelpoisten aineiden" isotooppien erotusta varten ja niitä varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet ja komponentit seuraavasti:

| a. | Laitokset, jotka on erityisesti suunniteltu "luonnonuraanin", "köyhdytetyn uraanin" ja "erityisten halkeamiskelpoisten aineiden" isotooppien erotusta varten, seuraavasti:






  1. | Kaasusentrifugierotuslaitos |
| --- | --- | --- |

a.

Laitokset, jotka on erityisesti suunniteltu "luonnonuraanin", "köyhdytetyn uraanin" ja "erityisten halkeamiskelpoisten aineiden" isotooppien erotusta varten, seuraavasti:

1.

Kaasusentrifugierotuslaitos

| 2. | Kaasudiffuusioerotuslaitos |
| --- | --- |

2.

Kaasudiffuusioerotuslaitos

| 3. | Aerodynaaminen erotuslaitos |
| --- | --- |

3.

Aerodynaaminen erotuslaitos

| 4. | Kemialliseen vaihtoon perustuva erotuslaitos |
| --- | --- |

4.

Kemialliseen vaihtoon perustuva erotuslaitos

| 5. | Ionivaihtoon perustuva erotuslaitos |
| --- | --- |

5.

Ionivaihtoon perustuva erotuslaitos

| 6. | Atomihöyryn "laser"viritykseen perustuva isotooppierotuslaitos (AVLIS) |
| --- | --- |

6.

Atomihöyryn "laser"viritykseen perustuva isotooppierotuslaitos (AVLIS)

| 7. | Molekyylien "laser"viritykseen perustuva isotooppierotuslaitos (MLIS) |
| --- | --- |

7.

Molekyylien "laser"viritykseen perustuva isotooppierotuslaitos (MLIS)

| 8. | Plasmaerotuslaitos |
| --- | --- |

8.

Plasmaerotuslaitos

| 9. | Sähkömagneettinen erotuslaitos |
| --- | --- |

9.

Sähkömagneettinen erotuslaitos

| b. | Kaasusentrifugit sekä rakenteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäviksi kaasusentrifugierotusprosessissa, seuraavasti:


  Huom.: 0B001.b kohdassa ‧korkean lujuus/tiheys -suhteen aineella‧ tarkoitetaan jotakin seuraavista:








  a. | Maraging-teräs, jonka murtovetolujuus on 2 050 MPa tai suurempi; |
| --- | --- | --- |

b.

Kaasusentrifugit sekä rakenteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäviksi kaasusentrifugierotusprosessissa, seuraavasti:

Huom.: 0B001.b kohdassa ‧korkean lujuus/tiheys -suhteen aineella‧ tarkoitetaan jotakin seuraavista:

a.

Maraging-teräs, jonka murtovetolujuus on 2 050 MPa tai suurempi;

| b. | Alumiiniseokset, joiden murtovetolujuus on 460 MPa tai suurempi; tai |
| --- | --- |

b.

Alumiiniseokset, joiden murtovetolujuus on 460 MPa tai suurempi; tai

| c. | "Kuitu- tai säiemateriaalit", joiden "ominaiskimmomoduuli" on suurempi kuin 3,18 × 106 m ja "ominaisvetolujuus" suurempi kuin 76,2 × 103 m; |
| --- | --- |

c.

"Kuitu- tai säiemateriaalit", joiden "ominaiskimmomoduuli" on suurempi kuin 3,18 × 106 m ja "ominaisvetolujuus" suurempi kuin 76,2 × 103 m;

| 1. | Kaasusentrifugit; |
| --- | --- |

1.

Kaasusentrifugit;

| 2. | Täydelliset roottorikokoonpanot; |
| --- | --- |

2.

Täydelliset roottorikokoonpanot;

| 3. | Roottoriputkisylinterit, joiden seinien paksuus on 12 mm tai pienempi ja halkaisija 75 mm:n ja 400 mm:n välillä ja jotka on valmistettu ‧korkean lujuus/tiheys -suhteen aineista‧; |
| --- | --- |

3.

Roottoriputkisylinterit, joiden seinien paksuus on 12 mm tai pienempi ja halkaisija 75 mm:n ja 400 mm:n välillä ja jotka on valmistettu ‧korkean lujuus/tiheys -suhteen aineista‧;

| 4. | Renkaat tai palkeet, joiden seinämän paksuus on 3 mm tai pienempi sekä halkaisija 75 mm:n ja 400 mm:n välillä ja jotka on suunniteltu tukemaan paikallisesti roottoriputkea tai liittämään useita putkia yhteen ja jotka on valmistettu ‧korkean lujuus/tiheys -suhteen aineista‧; |
| --- | --- |

4.

Renkaat tai palkeet, joiden seinämän paksuus on 3 mm tai pienempi sekä halkaisija 75 mm:n ja 400 mm:n välillä ja jotka on suunniteltu tukemaan paikallisesti roottoriputkea tai liittämään useita putkia yhteen ja jotka on valmistettu ‧korkean lujuus/tiheys -suhteen aineista‧;

| 5. | Halkaisijaltaan 75 mm:n ja 400 mm:n välillä olevat ohjauslevyt, jotka on tarkoitettu asennettavaksi roottoriputken sisään ja jotka on valmistettu ‧korkean lujuus/tiheys -suhteen aineista‧; |
| --- | --- |

5.

Halkaisijaltaan 75 mm:n ja 400 mm:n välillä olevat ohjauslevyt, jotka on tarkoitettu asennettavaksi roottoriputken sisään ja jotka on valmistettu ‧korkean lujuus/tiheys -suhteen aineista‧;

| 6. | Halkaisijaltaan 75 mm:n ja 400 mm:n välillä olevat roottoriputken ylä- tai alalaipat, jotka on valmistettu ‧korkean lujuus/tiheys -suhteen aineista‧; |
| --- | --- |

6.

Halkaisijaltaan 75 mm:n ja 400 mm:n välillä olevat roottoriputken ylä- tai alalaipat, jotka on valmistettu ‧korkean lujuus/tiheys -suhteen aineista‧;

| 7. | "UF6-korroosiota kestävistä aineista" valmistettuun tai sellaisella suojattuun koteloon ripustetut magneettiset ripustuslaakerit, jotka koostuvat rengasmaisesta magneetista ja jotka sisältävät vaimentavan väliaineen ja joissa magneetti kytkeytyy napakappaleeseen tai toiseen roottorin yläkanteen kiinnitettyyn magneettiin; |
| --- | --- |

7.

"UF6-korroosiota kestävistä aineista" valmistettuun tai sellaisella suojattuun koteloon ripustetut magneettiset ripustuslaakerit, jotka koostuvat rengasmaisesta magneetista ja jotka sisältävät vaimentavan väliaineen ja joissa magneetti kytkeytyy napakappaleeseen tai toiseen roottorin yläkanteen kiinnitettyyn magneettiin;

| 8. | Erityisvalmisteiset laakerit, jotka koostuvat vaimentimelle asennetusta laakeritappi-kuppi-kokoonpanosta; |
| --- | --- |

8.

Erityisvalmisteiset laakerit, jotka koostuvat vaimentimelle asennetusta laakeritappi-kuppi-kokoonpanosta;

| 9. | Sylintereistä koostuvat molekylaariset pumput, joihin on sisäisesti koneistettu tai puristettu kierrerihlaus ja sisäisesti koneistettu porausreikiä; |
| --- | --- |

9.

Sylintereistä koostuvat molekylaariset pumput, joihin on sisäisesti koneistettu tai puristettu kierrerihlaus ja sisäisesti koneistettu porausreikiä;

| 10. | Monivaiheisten vaihtovirralla toimivien hystereesi- (tai reluktanssi-) moottorien renkaan muotoiset moottoristaattorit tahtikäyttöön tyhjössä taajuusalueella 600–2 000 Hz ja tehoalueella 50–1 000 VA; |
| --- | --- |

10.

Monivaiheisten vaihtovirralla toimivien hystereesi- (tai reluktanssi-) moottorien renkaan muotoiset moottoristaattorit tahtikäyttöön tyhjössä taajuusalueella 600–2 000 Hz ja tehoalueella 50–1 000 VA;

| 11. | Kaasusentrifugin roottoriputkikokoonpanon sentrifugikotelo, joka koostuu jäykästä sylinteristä, jonka seinämän paksuus on enintään 30 mm ja jonka päädyt on tarkkuuskoneistettu ja valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä; |
| --- | --- |

11.

Kaasusentrifugin roottoriputkikokoonpanon sentrifugikotelo, joka koostuu jäykästä sylinteristä, jonka seinämän paksuus on enintään 30 mm ja jonka päädyt on tarkkuuskoneistettu ja valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä;

| 12. | Sisähalkaisijaltaan enintään 12 mm:n putkista koostuvat kauhakerääjät, jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä, UF6-kaasun poistamiseksi sentrifugiroottoriputken sisältä Pitot'n putken toimintaperiaatteella; |
| --- | --- |

12.

Sisähalkaisijaltaan enintään 12 mm:n putkista koostuvat kauhakerääjät, jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä, UF6-kaasun poistamiseksi sentrifugiroottoriputken sisältä Pitot'n putken toimintaperiaatteella;

| 13. | Taajuusmuuntimet (konvertterit tai invertterit), jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu syöttämään kaasusentrifugirikastukseen tarkoitettuja moottorin staattoreita ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet, ja tällaisia muuntimia varten erityisesti suunnitellut komponentit:






  a. | Monivaiheinen ulostulo 600–2 000 Hz; |
| --- | --- | --- |

13.

Taajuusmuuntimet (konvertterit tai invertterit), jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu syöttämään kaasusentrifugirikastukseen tarkoitettuja moottorin staattoreita ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet, ja tällaisia muuntimia varten erityisesti suunnitellut komponentit:

a.

Monivaiheinen ulostulo 600–2 000 Hz;

| b. | Taajuuden hallinta parempi kuin 0,1 %; |
| --- | --- |

b.

Taajuuden hallinta parempi kuin 0,1 %;

| c. | Harmoninen kokonaissärö pienempi kuin 2 % ja |
| --- | --- |

c.

Harmoninen kokonaissärö pienempi kuin 2 % ja

| d. | Hyötysuhde yli 80 %; |
| --- | --- |

d.

Hyötysuhde yli 80 %;

| c. | Laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu kaasudiffuusioerotusprosessia varten, seuraavasti:






  1. | Huokoisista metallisista, polymeerisista tai keraamisista "UF6-korroosiota kestävistä aineista" valmistetut kaasudiffuusiosulut, joiden huokosten koko on 10 nm:n ja 100 nm:n välillä ja paksuus 5 mm tai vähemmän sekä putkimaisten muotojen halkaisija 25 mm tai pienempi; |
| --- | --- | --- |

c.

Laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu kaasudiffuusioerotusprosessia varten, seuraavasti:

1.

Huokoisista metallisista, polymeerisista tai keraamisista "UF6-korroosiota kestävistä aineista" valmistetut kaasudiffuusiosulut, joiden huokosten koko on 10 nm:n ja 100 nm:n välillä ja paksuus 5 mm tai vähemmän sekä putkimaisten muotojen halkaisija 25 mm tai pienempi;

| 2. | Kaasudiffuusioyksikön kotelot, jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä; |
| --- | --- |

2.

Kaasudiffuusioyksikön kotelot, jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä;

| 3. | Kompressorit (pakkosyöttö-, keskipakois- ja aksiaalivirtaustyyppiä) tai kaasupuhaltimet, joiden UF6-imuteho on 1 m3/min tai suurempi ja poistopaine enintään 666,7 kPa ja jotka on tehty "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä; |
| --- | --- |

3.

Kompressorit (pakkosyöttö-, keskipakois- ja aksiaalivirtaustyyppiä) tai kaasupuhaltimet, joiden UF6-imuteho on 1 m3/min tai suurempi ja poistopaine enintään 666,7 kPa ja jotka on tehty "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä;

| 4. | Pyörivien akselien tiivisteet kompressoreihin ja puhaltimiin, jotka on määritelty 0B001.c.3 kohdassa ja suunniteltu salpakaasun sisäänvuotonopeudelle, joka on pienempi kuin 1 000 cm3/min; |
| --- | --- |

4.

Pyörivien akselien tiivisteet kompressoreihin ja puhaltimiin, jotka on määritelty 0B001.c.3 kohdassa ja suunniteltu salpakaasun sisäänvuotonopeudelle, joka on pienempi kuin 1 000 cm3/min;

| 5. | Lämmönvaihtimet, jotka on valmistettu alumiinista, kuparista, nikkelistä tai yli 60 prosenttia nikkeliä sisältävistä seoksista taikka näiden metallien kombinaatioista verhoiltuina putkina ja jotka on suunniteltu toimimaan normaalin ilmanpaineen alapuolella vuotonopeudella, joka rajoittaa paineen nousun pienemmäksi kuin 10 Pa tunnissa 100 kPa:n paine-eron vallitessa; |
| --- | --- |

5.

Lämmönvaihtimet, jotka on valmistettu alumiinista, kuparista, nikkelistä tai yli 60 prosenttia nikkeliä sisältävistä seoksista taikka näiden metallien kombinaatioista verhoiltuina putkina ja jotka on suunniteltu toimimaan normaalin ilmanpaineen alapuolella vuotonopeudella, joka rajoittaa paineen nousun pienemmäksi kuin 10 Pa tunnissa 100 kPa:n paine-eron vallitessa;

| 6. | Paljetiivisteillä varustetut venttiilit, jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä ja joiden halkaisija on 40 mm:n ja 1 500 mm:n välillä; |
| --- | --- |

6.

Paljetiivisteillä varustetut venttiilit, jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä ja joiden halkaisija on 40 mm:n ja 1 500 mm:n välillä;

| d. | Laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu aerodynaamista erotusprosessia varten, seuraavasti:






  1. | Raonmuotoisista kaarevista kanavista tehdyt erotussuuttimet, joiden kaarevuussäde on pienempi kuin 1 mm ja jotka ovat UF6-korroosiokestoisia sekä joissa on veitsenterä, joka erottaa suuttimen läpi virtaavan kaasun kahdeksi virraksi; |
| --- | --- | --- |

d.

Laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu aerodynaamista erotusprosessia varten, seuraavasti:

1.

Raonmuotoisista kaarevista kanavista tehdyt erotussuuttimet, joiden kaarevuussäde on pienempi kuin 1 mm ja jotka ovat UF6-korroosiokestoisia sekä joissa on veitsenterä, joka erottaa suuttimen läpi virtaavan kaasun kahdeksi virraksi;

| 2. | Tangentiaalisen sisäänmenovirtauksen pyörittämät sylinterimäiset tai kartiomaiset putket (pyörreputket), jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä ja joiden halkaisija on 0,5 cm:n ja 4 cm:n välillä, pituus/halkaisija -suhde pienempi kuin 20:1 ja joilla on yksi tai useampi tangentiaalinen sisäänmenoaukko; |
| --- | --- |

2.

Tangentiaalisen sisäänmenovirtauksen pyörittämät sylinterimäiset tai kartiomaiset putket (pyörreputket), jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä ja joiden halkaisija on 0,5 cm:n ja 4 cm:n välillä, pituus/halkaisija -suhde pienempi kuin 20:1 ja joilla on yksi tai useampi tangentiaalinen sisäänmenoaukko;

| 3. | Kompressorit (pakkosyöttö-, keskipako- ja aksiaalivirtaustyyppiä) tai kaasupuhaltimet, joiden UF6-imuteho on vähintään 2 m3/min ja jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä, ja niitä varten tarkoitetut pyörimisakselien tiivisteet; |
| --- | --- |

3.

Kompressorit (pakkosyöttö-, keskipako- ja aksiaalivirtaustyyppiä) tai kaasupuhaltimet, joiden UF6-imuteho on vähintään 2 m3/min ja jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä, ja niitä varten tarkoitetut pyörimisakselien tiivisteet;

| 4. | "UF6-korroosiota kestävistä aineista" valmistetut tai niillä suojatut lämmönvaihtimet; |
| --- | --- |

4.

"UF6-korroosiota kestävistä aineista" valmistetut tai niillä suojatut lämmönvaihtimet;

| 5. | "UF6-korroosiota kestävistä aineista" valmistetut tai niillä suojatut aerodynaamisten erotuselementtien kotelot pyörreputkia tai erotussuuttimia varten; |
| --- | --- |

5.

"UF6-korroosiota kestävistä aineista" valmistetut tai niillä suojatut aerodynaamisten erotuselementtien kotelot pyörreputkia tai erotussuuttimia varten;

| 6. | Paljeventtiilit, jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä ja joiden halkaisija on 40 mm:n ja 1 500 mm:n välillä; |
| --- | --- |

6.

Paljeventtiilit, jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä ja joiden halkaisija on 40 mm:n ja 1 500 mm:n välillä;

| 7. | Prosessijärjestelmät UF6-kaasun erottamiseksi kantokaasusta (vety tai helium) 1 ppm:n tai alhaisempaan UF6-pitoisuuteen, mukaan lukien:






  a. | Kryogeeniset lämmönvaihtimet ja kryoerottimet, jotka kykenevät toimimaan 153 K (– 120 °C) asteen tai sitä alhaisemmissa lämpötiloissa; |
| --- | --- | --- |

7.

Prosessijärjestelmät UF6-kaasun erottamiseksi kantokaasusta (vety tai helium) 1 ppm:n tai alhaisempaan UF6-pitoisuuteen, mukaan lukien:

a.

Kryogeeniset lämmönvaihtimet ja kryoerottimet, jotka kykenevät toimimaan 153 K (– 120 °C) asteen tai sitä alhaisemmissa lämpötiloissa;

| b. | Kryogeeniset jäähdytysyksiköt, jotka kykenevät toimimaan 153 K (– 120 °C) asteen tai sitä alhaisemmissa lämpötiloissa; |
| --- | --- |

b.

Kryogeeniset jäähdytysyksiköt, jotka kykenevät toimimaan 153 K (– 120 °C) asteen tai sitä alhaisemmissa lämpötiloissa;

| c. | Erotussuutin- tai pyörreputkiyksiköt UF6-kaasun erottamiseksi kantokaasusta; |
| --- | --- |

c.

Erotussuutin- tai pyörreputkiyksiköt UF6-kaasun erottamiseksi kantokaasusta;

| d. | UF6-kylmäloukut, jotka pystyvät toimimaan 253 K (– 20 °C) asteen tai sitä alhaisemmissa lämpötiloissa; |
| --- | --- |

d.

UF6-kylmäloukut, jotka pystyvät toimimaan 253 K (– 20 °C) asteen tai sitä alhaisemmissa lämpötiloissa;

| e. | Laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu kemialliseen vaihtoon perustuvaa erotusprosessia varten, seuraavasti:






  1. | Nopeavaihtoiset neste-neste-pulssikolonnit, joiden saosaika vaihetta kohti on 30 sekuntia tai lyhyempi ja jotka kestävät vahvaa suolahappoa (esim. sopivista muoviaineista kuten fluorihiilipolymeereistä tai lasista valmistetut tai niillä vuoratut); |
| --- | --- | --- |

e.

Laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu kemialliseen vaihtoon perustuvaa erotusprosessia varten, seuraavasti:

1.

Nopeavaihtoiset neste-neste-pulssikolonnit, joiden saosaika vaihetta kohti on 30 sekuntia tai lyhyempi ja jotka kestävät vahvaa suolahappoa (esim. sopivista muoviaineista kuten fluorihiilipolymeereistä tai lasista valmistetut tai niillä vuoratut);

| 2. | Nopeavaihtoiset neste-neste-keskipakokontaktorit, joiden saosaika vaihetta kohti on 30 sekuntia tai lyhyempi ja jotka kestävät vahvaa suolahappoa (esim. sopivista muoviaineista kuten fluorihiilipolymeereistä tai lasista valmistetut tai niillä vuoratut); |
| --- | --- |

2.

Nopeavaihtoiset neste-neste-keskipakokontaktorit, joiden saosaika vaihetta kohti on 30 sekuntia tai lyhyempi ja jotka kestävät vahvaa suolahappoa (esim. sopivista muoviaineista kuten fluorihiilipolymeereistä tai lasista valmistetut tai niillä vuoratut);

| 3. | Vahvoja suolahappoliuoksia kestävät sähkökemialliset pelkistyskennot, jotka soveltuvat yhden valenssitilan uraanin pelkistämiseen toiseen valenssitilaan; |
| --- | --- |

3.

Vahvoja suolahappoliuoksia kestävät sähkökemialliset pelkistyskennot, jotka soveltuvat yhden valenssitilan uraanin pelkistämiseen toiseen valenssitilaan;

| 4. | Sähkökemialliset pelkistyskennojen syöttölaitteet U+4-ionien erottamiseksi orgaanisesta virrasta ja ne prosessivirran kanssa kosketuksissa olevat laitteet, jotka on valmistettu sopivista aineista (esim. lasi, fluorihiilipolymeerit, polyfenyylisulfaatti, polyeetterisulfoni ja hartsikyllästetty grafiitti) tai suojattu niillä; |
| --- | --- |

4.

Sähkökemialliset pelkistyskennojen syöttölaitteet U+4-ionien erottamiseksi orgaanisesta virrasta ja ne prosessivirran kanssa kosketuksissa olevat laitteet, jotka on valmistettu sopivista aineista (esim. lasi, fluorihiilipolymeerit, polyfenyylisulfaatti, polyeetterisulfoni ja hartsikyllästetty grafiitti) tai suojattu niillä;

| 5. | Hyvin puhdistetun uraanikloridiliuoksen tuottamiseen tarkoitetut syötön valmistelujärjestelmät, jotka koostuvat puhdistukseen tarkoitetuista liuotus-, uutin- ja/tai ioninvaihtolaitteista sekä U+6- tai U+4-uraanin pelkistämiseen U+3-uraaniksi soveltuvista elektrolyyttisistä kennoista; |
| --- | --- |

5.

Hyvin puhdistetun uraanikloridiliuoksen tuottamiseen tarkoitetut syötön valmistelujärjestelmät, jotka koostuvat puhdistukseen tarkoitetuista liuotus-, uutin- ja/tai ioninvaihtolaitteista sekä U+6- tai U+4-uraanin pelkistämiseen U+3-uraaniksi soveltuvista elektrolyyttisistä kennoista;

| 6. | Uraanin hapettamisjärjestelmät U+3-uraanin hapettamiseksi U+4-uraaniksi; |
| --- | --- |

6.

Uraanin hapettamisjärjestelmät U+3-uraanin hapettamiseksi U+4-uraaniksi;

| f. | Laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu ioninvaihtoon perustuvaa erotusprosessia varten, seuraavasti:






  1. | Nopeasti reagoivat ioninvaihtohartsit, kalvomaiset tai huokoiset makroverkkomaiset hartsit, joissa aktiiviset kemialliset vaihtoryhmät on rajoitettu ei-aktiivisen huokoisen tukirakenteen pinnoitteeksi, ja muut komposiittirakenteet missä tahansa sopivassa muodossa, mukaan lukien partikkelit ja kuidut, joiden halkaisija on 0,2 mm tai pienempi ja suunniteltu vaihtopuoliintumisaika on alle 10 sekuntia ja jotka kestävät vahvaa suolahappoa ja kykenevät toimimaan 373 K–473 K (100 °C–200 °C) asteen lämpötila-alueella; |
| --- | --- | --- |

f.

Laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu ioninvaihtoon perustuvaa erotusprosessia varten, seuraavasti:

1.

Nopeasti reagoivat ioninvaihtohartsit, kalvomaiset tai huokoiset makroverkkomaiset hartsit, joissa aktiiviset kemialliset vaihtoryhmät on rajoitettu ei-aktiivisen huokoisen tukirakenteen pinnoitteeksi, ja muut komposiittirakenteet missä tahansa sopivassa muodossa, mukaan lukien partikkelit ja kuidut, joiden halkaisija on 0,2 mm tai pienempi ja suunniteltu vaihtopuoliintumisaika on alle 10 sekuntia ja jotka kestävät vahvaa suolahappoa ja kykenevät toimimaan 373 K–473 K (100 °C–200 °C) asteen lämpötila-alueella;

| 2. | (Sylinterinmuotoiset) ioninvaihtokolonnit, joiden halkaisija on suurempi kuin 1 000 mm ja jotka on valmistettu vahvaa suolahappoa kestävistä aineista (esim. titaani tai fluorihiilimuovit) tai suojattu niillä ja jotka kykenevät toimimaan 373 K–473 K (100 °C–200 °C) asteen lämpötila-alueella ja yli 0,7 MPa:n paineessa; |
| --- | --- |

2.

(Sylinterinmuotoiset) ioninvaihtokolonnit, joiden halkaisija on suurempi kuin 1 000 mm ja jotka on valmistettu vahvaa suolahappoa kestävistä aineista (esim. titaani tai fluorihiilimuovit) tai suojattu niillä ja jotka kykenevät toimimaan 373 K–473 K (100 °C–200 °C) asteen lämpötila-alueella ja yli 0,7 MPa:n paineessa;

| 3. | Ioninvaihtotakaisinvirtausjärjestelmät (kemialliset tai sähkökemialliset hapetus- tai pelkistysjärjestelmät) kemiallisten pelkistys- tai hapetusaineiden talteenottamiseksi ioninvaihtoon perustuvissa rikastuskaskadeissa; |
| --- | --- |

3.

Ioninvaihtotakaisinvirtausjärjestelmät (kemialliset tai sähkökemialliset hapetus- tai pelkistysjärjestelmät) kemiallisten pelkistys- tai hapetusaineiden talteenottamiseksi ioninvaihtoon perustuvissa rikastuskaskadeissa;

| g. | Atomihöyryn "laser"viritykseen perustuvaa isotooppierotusmenetelmää (AVLIS) varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet ja komponentit seuraavasti:






  1. | Uraanin höyrystämiseen soveltuvat suuritehoiset kaista- tai pyyhkäisyelektronisuihkutykit, joiden tuottama teho on enemmän kuin 2,5 kW/cm; |
| --- | --- | --- |

g.

Atomihöyryn "laser"viritykseen perustuvaa isotooppierotusmenetelmää (AVLIS) varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet ja komponentit seuraavasti:

1.

Uraanin höyrystämiseen soveltuvat suuritehoiset kaista- tai pyyhkäisyelektronisuihkutykit, joiden tuottama teho on enemmän kuin 2,5 kW/cm;

| 2. | Sulan uraanin tai uraaniseosten käsittelyyn soveltuvat sulan uraanimetallin käsittelyjärjestelmät, jotka koostuvat sopivista korroosiota ja lämpöä kestävistä aineista (esim. tantaalista, yttriumoksidilla päällystetystä grafiitista, muiden harvinaisten maametallien oksideilla päällystetystä grafiitista tai niiden seoksista) valmistetuista tai suojatuista upokkaista ja upokkaiden jäähdytyslaitteista;

  HUOM.: KATSO MYÖS 2A225 KOHTA. |
| --- | --- |

2.

Sulan uraanin tai uraaniseosten käsittelyyn soveltuvat sulan uraanimetallin käsittelyjärjestelmät, jotka koostuvat sopivista korroosiota ja lämpöä kestävistä aineista (esim. tantaalista, yttriumoksidilla päällystetystä grafiitista, muiden harvinaisten maametallien oksideilla päällystetystä grafiitista tai niiden seoksista) valmistetuista tai suojatuista upokkaista ja upokkaiden jäähdytyslaitteista;

HUOM.: KATSO MYÖS 2A225 KOHTA.

| 3. | Tuote- ja jätekerääjäjärjestelmät, jotka on valmistettu uraanimetallihöyryn tai nestemäisen uraanin korroosiota ja lämpöä kestävistä aineista, kuten yttriumoksidilla päällystetystä grafiitista tai tantaalista, tai pinnoitettu niillä; |
| --- | --- |

3.

Tuote- ja jätekerääjäjärjestelmät, jotka on valmistettu uraanimetallihöyryn tai nestemäisen uraanin korroosiota ja lämpöä kestävistä aineista, kuten yttriumoksidilla päällystetystä grafiitista tai tantaalista, tai pinnoitettu niillä;

| 4. | Erotusyksikön kotelot (sylinterinmuotoiset tai suorakulmaiset astiat), joihin voidaan sijoittaa uraanimetallin höyrystin, elektronisuihkutykki ja tuote- ja jätekerääjät; |
| --- | --- |

4.

Erotusyksikön kotelot (sylinterinmuotoiset tai suorakulmaiset astiat), joihin voidaan sijoittaa uraanimetallin höyrystin, elektronisuihkutykki ja tuote- ja jätekerääjät;

| 5. | Uraani-isotooppien erottamiseen soveltuvat "laserit" tai "laser"järjestelmät, joissa oleva taajuusspektrin stabilaattori mahdollistaa pitkäaikaisen käytön;

  HUOM.: KATSO MYÖS 6A005 JA 6A205 KOHTA. |
| --- | --- |

5.

Uraani-isotooppien erottamiseen soveltuvat "laserit" tai "laser"järjestelmät, joissa oleva taajuusspektrin stabilaattori mahdollistaa pitkäaikaisen käytön;

HUOM.: KATSO MYÖS 6A005 JA 6A205 KOHTA.

| h. | Molekyylien "laser"viritykseen perustuvaa isotooppien erotusprosessia (MLIS) tai isotooppiselektiivisellä laserilla aktivoitua kemiallista reaktiota (CRISLA) varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet ja komponentit seuraavasti:






  1. | Ääntä nopeammilla virtauksilla toimivat paisuntasuuttimet, joilla voidaan jäähdyttää UF6:n ja kantokaasun seokset 150 K (– 123 °C) asteeseen tai sitä alhaisempaan lämpötilaan ja jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista"; |
| --- | --- | --- |

h.

Molekyylien "laser"viritykseen perustuvaa isotooppien erotusprosessia (MLIS) tai isotooppiselektiivisellä laserilla aktivoitua kemiallista reaktiota (CRISLA) varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet ja komponentit seuraavasti:

1.

Ääntä nopeammilla virtauksilla toimivat paisuntasuuttimet, joilla voidaan jäähdyttää UF6:n ja kantokaasun seokset 150 K (– 123 °C) asteeseen tai sitä alhaisempaan lämpötilaan ja jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista";

| 2. | Uraanipentafluoridin (UF5) kerääjät, jotka koostuvat suodatin-, törmäys-, tai syklonityyppisistä kerääjistä tai niiden yhdistelmistä ja jotka on valmistettu "UF5-/UF6-korroosiota kestävistä aineista"; |
| --- | --- |

2.

Uraanipentafluoridin (UF5) kerääjät, jotka koostuvat suodatin-, törmäys-, tai syklonityyppisistä kerääjistä tai niiden yhdistelmistä ja jotka on valmistettu "UF5-/UF6-korroosiota kestävistä aineista";

| 3. | Kompressorit, jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä, ja niihin soveltuvat pyörimisakselien tiivisteet; |
| --- | --- |

3.

Kompressorit, jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä, ja niihin soveltuvat pyörimisakselien tiivisteet;

| 4. | Laitteet UF5:n (kiinteä aine) fluoraamiseksi UF6:ksi (kaasu); |
| --- | --- |

4.

Laitteet UF5:n (kiinteä aine) fluoraamiseksi UF6:ksi (kaasu);

| 5. | Prosessijärjestelmät UF6:n erottamiseksi kantokaasusta (esim. typestä tai argonista) mukaan lukien:






  a. | Kryogeeniset lämmönvaihtimet ja kryogeeniset erottimet, jotka kykenevät toimimaan 153 K (– 120 °C) asteen tai sitä alhaisemmissa lämpötiloissa; |
| --- | --- | --- |

5.

Prosessijärjestelmät UF6:n erottamiseksi kantokaasusta (esim. typestä tai argonista) mukaan lukien:

a.

Kryogeeniset lämmönvaihtimet ja kryogeeniset erottimet, jotka kykenevät toimimaan 153 K (– 120 °C) asteen tai sitä alhaisemmissa lämpötiloissa;

| b. | Kryogeeniset jäähdytinyksiköt, jotka kykenevät toimimaan 153 K (– 120 °C) asteen tai sitä alhaisemmissa lämpötiloissa; |
| --- | --- |

b.

Kryogeeniset jäähdytinyksiköt, jotka kykenevät toimimaan 153 K (– 120 °C) asteen tai sitä alhaisemmissa lämpötiloissa;

| c. | UF6-kylmäloukut, jotka kykenevät toimimaan 253 K (– 20 °C) asteen tai sitä alhaisemmissa lämpötiloissa; |
| --- | --- |

c.

UF6-kylmäloukut, jotka kykenevät toimimaan 253 K (– 20 °C) asteen tai sitä alhaisemmissa lämpötiloissa;

| 6. | Uraani-isotooppien erottamiseen soveltuvat "laserit" tai "laser"järjestelmät, joissa oleva taajuusspektrin stabilaattori mahdollistaa pitkäaikaisen käytön;

  HUOM.: KATSO MYÖS 6A005 JA 6A205 KOHTA. |
| --- | --- |

6.

Uraani-isotooppien erottamiseen soveltuvat "laserit" tai "laser"järjestelmät, joissa oleva taajuusspektrin stabilaattori mahdollistaa pitkäaikaisen käytön;

HUOM.: KATSO MYÖS 6A005 JA 6A205 KOHTA.

| i. | Plasmaerotusmenetelmää varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet ja komponentit seuraavasti:






  1. | Ionien tuottamiseen tai kiihdyttämiseen soveltuvat mikroaaltoteholähteet ja antennit, joiden ulostulotaajuus on enemmän kuin 30 GHz ja keskimääräinen ulostuloteho suurempi kuin 50 kW; |
| --- | --- | --- |

i.

Plasmaerotusmenetelmää varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet ja komponentit seuraavasti:

1.

Ionien tuottamiseen tai kiihdyttämiseen soveltuvat mikroaaltoteholähteet ja antennit, joiden ulostulotaajuus on enemmän kuin 30 GHz ja keskimääräinen ulostuloteho suurempi kuin 50 kW;

| 2. | Radiotaajuusioninvirityskelat, jotka toimivat yli 100 kHz:n taajuuksilla ja kykenevät käsittelemään yli 40 kW:n keskimääräisen tehon; |
| --- | --- |

2.

Radiotaajuusioninvirityskelat, jotka toimivat yli 100 kHz:n taajuuksilla ja kykenevät käsittelemään yli 40 kW:n keskimääräisen tehon;

| 3. | Uraaniplasman synnyttämiseen soveltuvat järjestelmät; |
| --- | --- |

3.

Uraaniplasman synnyttämiseen soveltuvat järjestelmät;

| 4. | Sulan uraanin tai uraaniseosten käsittelyyn soveltuvat sulan metallin käsittelyjärjestelmät, jotka koostuvat sopivista korroosiota ja lämpöä kestävistä aineista (esim. tantaalista, yttriumoksidilla päällystetystä grafiitista, muiden harvinaisten maametallien oksideilla päällystetystä grafiitista tai niiden seoksista) valmistetuista tai suojatuista upokkaista ja upokkaiden jäähdytyslaitteista;

  HUOM.: KATSO MYÖS 2A225 KOHTA. |
| --- | --- |

4.

Sulan uraanin tai uraaniseosten käsittelyyn soveltuvat sulan metallin käsittelyjärjestelmät, jotka koostuvat sopivista korroosiota ja lämpöä kestävistä aineista (esim. tantaalista, yttriumoksidilla päällystetystä grafiitista, muiden harvinaisten maametallien oksideilla päällystetystä grafiitista tai niiden seoksista) valmistetuista tai suojatuista upokkaista ja upokkaiden jäähdytyslaitteista;

HUOM.: KATSO MYÖS 2A225 KOHTA.

| 5. | Tuote- ja jätekerääjät, jotka on valmistettu uraanihöyryn korroosiota ja lämpöä kestävistä aineista, kuten yttriumoksidilla päällystetystä grafiitista tai tantaalista, tai suojattu niillä; |
| --- | --- |

5.

Tuote- ja jätekerääjät, jotka on valmistettu uraanihöyryn korroosiota ja lämpöä kestävistä aineista, kuten yttriumoksidilla päällystetystä grafiitista tai tantaalista, tai suojattu niillä;

| 6. | Erotusyksikön (sylinterimäinen) kotelo, johon voidaan sijoittaa uraaniplasmalähde, radiotaajuinen ajokela ja tuote- ja jätekerääjät, ja joka on tehty sopivasta ei-magneettisesta aineesta (esim. ruostumattomasta teräksestä); |
| --- | --- |

6.

Erotusyksikön (sylinterimäinen) kotelo, johon voidaan sijoittaa uraaniplasmalähde, radiotaajuinen ajokela ja tuote- ja jätekerääjät, ja joka on tehty sopivasta ei-magneettisesta aineesta (esim. ruostumattomasta teräksestä);

| j. | Sähkömagneettista isotooppierotusmenetelmää varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet ja komponentit seuraavasti:






  1. | Joko yhden tai useita ionisuihkuja synnyttävät ionilähteet, jotka koostuvat höyrylähteestä, ionisaattorista ja suihkun kiihdyttimestä, jotka on valmistettu sopivasta ei-magneettisesta aineesta (esim. grafiitista, ruostumattomasta teräksestä tai kuparista) ja jotka kykenevät tuottamaan 50 mA:n tai suuremman kokonaisionivirran; |
| --- | --- | --- |

j.

Sähkömagneettista isotooppierotusmenetelmää varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet ja komponentit seuraavasti:

1.

Joko yhden tai useita ionisuihkuja synnyttävät ionilähteet, jotka koostuvat höyrylähteestä, ionisaattorista ja suihkun kiihdyttimestä, jotka on valmistettu sopivasta ei-magneettisesta aineesta (esim. grafiitista, ruostumattomasta teräksestä tai kuparista) ja jotka kykenevät tuottamaan 50 mA:n tai suuremman kokonaisionivirran;

| 2. | Rikastetun tai köyhdytetyn uraani-ionisuihkun keräyslevyt, jotka koostuvat kahdesta tai useammasta raosta ja keräystaskusta ja jotka on valmistettu sopivista ei-magneettisista aineista (esim. grafiitista tai ruostumattomasta teräksestä); |
| --- | --- |

2.

Rikastetun tai köyhdytetyn uraani-ionisuihkun keräyslevyt, jotka koostuvat kahdesta tai useammasta raosta ja keräystaskusta ja jotka on valmistettu sopivista ei-magneettisista aineista (esim. grafiitista tai ruostumattomasta teräksestä);

| 3. | Uraanin sähkömagneettisten erotusyksiköiden tyhjökotelot, jotka on valmistettu ei-magneettisista aineista (esim. ruostumattomasta teräksestä) ja suunniteltu toimimaan 0,1 Pa:n tai sitä alhaisemmissa paineissa; |
| --- | --- |

3.

Uraanin sähkömagneettisten erotusyksiköiden tyhjökotelot, jotka on valmistettu ei-magneettisista aineista (esim. ruostumattomasta teräksestä) ja suunniteltu toimimaan 0,1 Pa:n tai sitä alhaisemmissa paineissa;

| 4. | Magneettinapakappaleet, joiden läpimitta on suurempi kuin 2 m; |
| --- | --- |

4.

Magneettinapakappaleet, joiden läpimitta on suurempi kuin 2 m;

| 5. | Ionilähteisiin tarvittavat suurjänniteteholähteet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  a. | Kykenevät toimimaan jatkuvasti; |
| --- | --- | --- |

5.

Ionilähteisiin tarvittavat suurjänniteteholähteet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

Kykenevät toimimaan jatkuvasti;

| b. | Ulostulojännite 20 000 V tai suurempi; |
| --- | --- |

b.

Ulostulojännite 20 000 V tai suurempi;

| c. | Ulostulovirta 1 A tai suurempi ja |
| --- | --- |

c.

Ulostulovirta 1 A tai suurempi ja

| d. | Jännitteen stabiilisuus parempi kuin 0,01 % kahdeksan tunnin jakson aikana; |
| --- | --- |

d.

Jännitteen stabiilisuus parempi kuin 0,01 % kahdeksan tunnin jakson aikana;

HUOM.: KATSO MYÖS 3A227 KOHTA.

| 6. | Magneettien teholähteet (suuritehoiset, tasavirta-), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  a. | Kykenevät toimimaan jatkuvasti siten, että ulostulovirta on 500 A tai suurempi jännitteen ollessa 100 V tai suurempi; ja |
| --- | --- | --- |

6.

Magneettien teholähteet (suuritehoiset, tasavirta-), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

Kykenevät toimimaan jatkuvasti siten, että ulostulovirta on 500 A tai suurempi jännitteen ollessa 100 V tai suurempi; ja

| b. | Virran tai jännitteen stabiilisuus parempi kuin 0,01 % kahdeksan tunnin jakson aikana. |
| --- | --- |

b.

Virran tai jännitteen stabiilisuus parempi kuin 0,01 % kahdeksan tunnin jakson aikana.

HUOM.: KATSO MYÖS 3A226 KOHTA.

0B002Kohdassa 0B001 määriteltyjä isotooppierotuslaitoksia varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut, "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tehdyt tai niillä suojatut apujärjestelmät, laitteet ja komponentit seuraavasti:

| a. | Autoklaavit, uunit tai järjestelmät, joita käytetään UF6:n syöttämiseen rikastusprosessiin; |
| --- | --- |

a.

Autoklaavit, uunit tai järjestelmät, joita käytetään UF6:n syöttämiseen rikastusprosessiin;

| b. | Kiinteyttimet (desublimaattorit) tai kylmäloukut, joita käytetään UF6:n poistamiseen rikastusprosessista myöhempää lämmittämällä tapahtuvaa siirtoa varten; |
| --- | --- |

b.

Kiinteyttimet (desublimaattorit) tai kylmäloukut, joita käytetään UF6:n poistamiseen rikastusprosessista myöhempää lämmittämällä tapahtuvaa siirtoa varten;

| c. | Tuote- ja jäteasemat UF6:n siirtämiseksi säilytysastioihin; |
| --- | --- |

c.

Tuote- ja jäteasemat UF6:n siirtämiseksi säilytysastioihin;

| d. | Nesteytys- tai kiinteytysasemat, joita käytetään poistamaan UF6 väkevöintiprosessista puristamalla ja jäähdyttämällä UF6 nestemäiseen tai kiinteään olomuotoon; |
| --- | --- |

d.

Nesteytys- tai kiinteytysasemat, joita käytetään poistamaan UF6 väkevöintiprosessista puristamalla ja jäähdyttämällä UF6 nestemäiseen tai kiinteään olomuotoon;

| e. | Putkisto- ja kokoojajärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu UF6:n käsittelyyn kaasudiffuusio-, sentrifugi- ja aerodynaamisen erotuslaitoksen kaskadissa; |
| --- | --- |

e.

Putkisto- ja kokoojajärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu UF6:n käsittelyyn kaasudiffuusio-, sentrifugi- ja aerodynaamisen erotuslaitoksen kaskadissa;

| f. | 1. | Tyhjöjakoputket tai tyhjökokoojat, joiden imukyky on 5 m3/min tai suurempi; tai |
| --- | --- | --- |

f.

1.

Tyhjöjakoputket tai tyhjökokoojat, joiden imukyky on 5 m3/min tai suurempi; tai

| 2. | Tyhjöpumput, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi UF6:tta sisältävässä ilmakehässä; |
| --- | --- |

2.

Tyhjöpumput, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi UF6:tta sisältävässä ilmakehässä;

| g. | UF6-massaspektrometrit/ionilähteet, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu ottamaan jatkuvatoimisesti näytteitä UF6-kaasun syötteestä, tuotteesta tai jätteestä ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Yhden atomimassayksikön erotuskyky, kun mitattava massa on suurempi kuin 320 atomimassayksikköä; |
| --- | --- | --- |

g.

UF6-massaspektrometrit/ionilähteet, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu ottamaan jatkuvatoimisesti näytteitä UF6-kaasun syötteestä, tuotteesta tai jätteestä ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Yhden atomimassayksikön erotuskyky, kun mitattava massa on suurempi kuin 320 atomimassayksikköä;

| 2. | Ionilähteet, jotka on valmistettu nichrome- tai monel-metallista tai vuorattu niillä taikka päällystetty nikkelillä; |
| --- | --- |

2.

Ionilähteet, jotka on valmistettu nichrome- tai monel-metallista tai vuorattu niillä taikka päällystetty nikkelillä;

| 3. | Elektronipommitukseen perustuva ionisointilähde; ja |
| --- | --- |

3.

Elektronipommitukseen perustuva ionisointilähde; ja

| 4. | Isotooppianalyysiin soveltuva kokoojajärjestelmä. |
| --- | --- |

4.

Isotooppianalyysiin soveltuva kokoojajärjestelmä.

0B003Uraanin konversiolaitos ja erityisesti sitä varten suunnitellut tai valmistetut laitteet seuraavasti:

| a. | Järjestelmät, joilla uraanimalmikonsentraatit voidaan muuttaa UO3:ksi; |
| --- | --- |

a.

Järjestelmät, joilla uraanimalmikonsentraatit voidaan muuttaa UO3:ksi;

| b. | Järjestelmät, joilla UO3 voidaan muuttaa UF6:ksi; |
| --- | --- |

b.

Järjestelmät, joilla UO3 voidaan muuttaa UF6:ksi;

| c. | Järjestelmät, joilla UO3 voidaan muuttaa UO2:ksi; |
| --- | --- |

c.

Järjestelmät, joilla UO3 voidaan muuttaa UO2:ksi;

| d. | Järjestelmät, joilla UO2 voidaan muuttaa UF4:ksi; |
| --- | --- |

d.

Järjestelmät, joilla UO2 voidaan muuttaa UF4:ksi;

| e. | Järjestelmät, joilla UF4 voidaan muuttaa UF6:ksi; |
| --- | --- |

e.

Järjestelmät, joilla UF4 voidaan muuttaa UF6:ksi;

| f. | Järjestelmät, joilla UF4 voidaan muuttaa uraanimetalliksi; |
| --- | --- |

f.

Järjestelmät, joilla UF4 voidaan muuttaa uraanimetalliksi;

| g. | Järjestelmät, joilla UF6 voidaan muuttaa UO2:ksi; |
| --- | --- |

g.

Järjestelmät, joilla UF6 voidaan muuttaa UO2:ksi;

| h. | Järjestelmät, joilla UF6 voidaan muuttaa UF4:ksi; |
| --- | --- |

h.

Järjestelmät, joilla UF6 voidaan muuttaa UF4:ksi;

| i. | järjestelmät, joilla UO2 voidaan muuttaa UCl4:ksi. |
| --- | --- |

i.

järjestelmät, joilla UO2 voidaan muuttaa UCl4:ksi.

0B004Raskaan veden, deuteriumin ja deuteriumyhdisteen tuotanto- tai konsentrointilaitos ja sitä varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet ja komponentit seuraavasti:

| a. | Raskaan veden, deuteriumin tai deuteriumyhdisteen tuotantolaitos seuraavasti:






  1. | Vesi-rikkivety-erotuslaitokset; |
| --- | --- | --- |

a.

Raskaan veden, deuteriumin tai deuteriumyhdisteen tuotantolaitos seuraavasti:

1.

Vesi-rikkivety-erotuslaitokset;

| 2. | Ammoniakki-vety-erotuslaitokset; |
| --- | --- |

2.

Ammoniakki-vety-erotuslaitokset;

| b. | Laitteet ja komponentit seuraavasti:






  1. | Hienohiiliteräksestä (esim. ASTM A 516) valmistetut vesi-rikkivety-erotustornit, joiden läpimitta on 6 m:n ja 9 m:n välillä ja jotka voivat toimia 2 MPa:n tai sitä suuremmassa paineessa sekä joiden korroosiovara on 6 mm tai enemmän; |
| --- | --- | --- |

b.

Laitteet ja komponentit seuraavasti:

1.

Hienohiiliteräksestä (esim. ASTM A 516) valmistetut vesi-rikkivety-erotustornit, joiden läpimitta on 6 m:n ja 9 m:n välillä ja jotka voivat toimia 2 MPa:n tai sitä suuremmassa paineessa sekä joiden korroosiovara on 6 mm tai enemmän;

| 2. | Rikkivetykaasun (yli 70 prosenttia H2S:ää sisältävän kaasun) kierrätykseen soveltuvat yksivaiheiset pienipaineiset (0,2 MPa) keskipakopuhaltimet tai kompressorit, joiden tilavuusvirta on 56 m3/s tai suurempi niiden toimiessa 1,8 MPa:n imua vastaavassa tai suuremmassa paineessa ja jotka on varustettu H2S-märkäkäyttöön suunnitelluilla tiivisteillä; |
| --- | --- |

2.

Rikkivetykaasun (yli 70 prosenttia H2S:ää sisältävän kaasun) kierrätykseen soveltuvat yksivaiheiset pienipaineiset (0,2 MPa) keskipakopuhaltimet tai kompressorit, joiden tilavuusvirta on 56 m3/s tai suurempi niiden toimiessa 1,8 MPa:n imua vastaavassa tai suuremmassa paineessa ja jotka on varustettu H2S-märkäkäyttöön suunnitelluilla tiivisteillä;

| 3. | Ammoniakki-vety-erotustornit, joiden korkeus on 35 m tai suurempi ja läpimitta 1,5 m:n ja 2,5 m:n välillä ja jotka voivat toimia suuremmissa paineissa kuin 15 MPa; |
| --- | --- |

3.

Ammoniakki-vety-erotustornit, joiden korkeus on 35 m tai suurempi ja läpimitta 1,5 m:n ja 2,5 m:n välillä ja jotka voivat toimia suuremmissa paineissa kuin 15 MPa;

| 4. | Tornien sisäiset osat, mukaan lukien kosketuspinnat, ja vaihepumput, mukaan lukien upotettavat pumput, jotka soveltuvat raskaan veden valmistukseen ammoniakki-vety-erotusprosessin avulla; |
| --- | --- |

4.

Tornien sisäiset osat, mukaan lukien kosketuspinnat, ja vaihepumput, mukaan lukien upotettavat pumput, jotka soveltuvat raskaan veden valmistukseen ammoniakki-vety-erotusprosessin avulla;

| 5. | Ammoniakkikrakkerit, joiden käyttöpaine on yhtä suuri tai suurempi kuin 3 MPa ja jotka soveltuvat raskaan veden valmistukseen ammoniakki-vety-erotusprosessin avulla; |
| --- | --- |

5.

Ammoniakkikrakkerit, joiden käyttöpaine on yhtä suuri tai suurempi kuin 3 MPa ja jotka soveltuvat raskaan veden valmistukseen ammoniakki-vety-erotusprosessin avulla;

| 6. | Infrapuna-absorptioanalysaattorit, jotka kykenevät jatkuvaan vety-deuterium-suhteen mittaamiseen, kun deuteriumpitoisuus on 90 prosenttia tai enemmän; |
| --- | --- |

6.

Infrapuna-absorptioanalysaattorit, jotka kykenevät jatkuvaan vety-deuterium-suhteen mittaamiseen, kun deuteriumpitoisuus on 90 prosenttia tai enemmän;

| 7. | Katalyyttipolttimet, joilla väkevöity deuterium muutetaan raskaaksi vedeksi ammoniakki-vety-erotusprosessin avulla; |
| --- | --- |

7.

Katalyyttipolttimet, joilla väkevöity deuterium muutetaan raskaaksi vedeksi ammoniakki-vety-erotusprosessin avulla;

| 8. | Täydelliset järjestelmät tai niiden kolonnit, joilla parannetaan raskaan veden laatua, raskaan veden deuteriumpitoisuuden konsentroimiseksi reaktoriluokkaan. |
| --- | --- |

8.

Täydelliset järjestelmät tai niiden kolonnit, joilla parannetaan raskaan veden laatua, raskaan veden deuteriumpitoisuuden konsentroimiseksi reaktoriluokkaan.

0B005"Ydinreaktorin" polttoaine-elementtien valmistukseen erityisesti suunniteltu laitos ja sitä varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet.

Huom.:"Ydinreaktorin" polttoaine-elementtien valmistukseen erityisesti suunniteltu laitos sisältää laitteet, jotka:

| a. | Tavallisesti ovat suoraan yhteydessä ydinaineiden tuotantovirtaan tai suoraan prosessoivat tai valvovat sitä; |
| --- | --- |

a.

Tavallisesti ovat suoraan yhteydessä ydinaineiden tuotantovirtaan tai suoraan prosessoivat tai valvovat sitä;

| b. | Sulkevat ydinaineet ilmatiiviisti suojakuoren sisään; |
| --- | --- |

b.

Sulkevat ydinaineet ilmatiiviisti suojakuoren sisään;

| c. | Tarkistavat suojakuoren eheyden tai sulkemisen ilmatiiviyden; tai |
| --- | --- |

c.

Tarkistavat suojakuoren eheyden tai sulkemisen ilmatiiviyden; tai

| d. | Tarkistavat suljetun polttoaineen viimeistelyn. |
| --- | --- |

d.

Tarkistavat suljetun polttoaineen viimeistelyn.

0B006"Ydinreaktorin" säteilytettyjen polttoaine-elementtien jälleenkäsittelylaitos ja sitä varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet ja komponentit.

Huom.: 0B006 kohtaan kuuluvat:

| a. | "Ydinreaktorin" säteilytettyjen polttoaine-elementtien jälleenkäsittelylaitos sekä laitteet ja komponentit, jotka tavallisesti ovat suoraan yhteydessä säteilytettyyn polttoaineeseen ja pääasiallisiin ydinaineiden ja fissiotuotteiden prosessivirtoihin ja suoraan ohjaavat niitä; |
| --- | --- |

a.

"Ydinreaktorin" säteilytettyjen polttoaine-elementtien jälleenkäsittelylaitos sekä laitteet ja komponentit, jotka tavallisesti ovat suoraan yhteydessä säteilytettyyn polttoaineeseen ja pääasiallisiin ydinaineiden ja fissiotuotteiden prosessivirtoihin ja suoraan ohjaavat niitä;

| b. | Polttoaine-elementtien paloittelu- tai pilkkomiskoneet, ts. kauko-ohjatut laitteet, jotka leikkaavat, paloittelevat, pilkkovat tai katkovat "ydinreaktorien" säteilytettyjä polttoainekokoonpanoja, -nippuja tai -sauvoja; |
| --- | --- |

b.

Polttoaine-elementtien paloittelu- tai pilkkomiskoneet, ts. kauko-ohjatut laitteet, jotka leikkaavat, paloittelevat, pilkkovat tai katkovat "ydinreaktorien" säteilytettyjä polttoainekokoonpanoja, -nippuja tai -sauvoja;

| c. | Liuotinastiat, kriittisyysturvalliset tankit (esim. pieniläpimittaiset tankit, rengasmaiset tai laattatankit), jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu "ydinreaktorien" säteilytetyn polttoaineen liuottamiseen ja jotka kykenevät kestämään kuumia, voimakkaasti syövyttäviä nesteitä ja joita voidaan täyttää ja huoltaa kauko-ohjatusti; |
| --- | --- |

c.

Liuotinastiat, kriittisyysturvalliset tankit (esim. pieniläpimittaiset tankit, rengasmaiset tai laattatankit), jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu "ydinreaktorien" säteilytetyn polttoaineen liuottamiseen ja jotka kykenevät kestämään kuumia, voimakkaasti syövyttäviä nesteitä ja joita voidaan täyttää ja huoltaa kauko-ohjatusti;

| d. | Vastavirtauuttimet ja ioninvaihtoprosessilaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäviksi säteilytetyn "luonnonuraanin", "köyhdytetyn uraanin" tai "erityisten halkeamiskelpoisten aineiden" jälleenkäsittelylaitoksissa; |
| --- | --- |

d.

Vastavirtauuttimet ja ioninvaihtoprosessilaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäviksi säteilytetyn "luonnonuraanin", "köyhdytetyn uraanin" tai "erityisten halkeamiskelpoisten aineiden" jälleenkäsittelylaitoksissa;

| e. | Säilytys- tai varastoastiat, jotka on erityisesti suunniteltu kriittisyysturvallisiksi ja kestämään typpihapon syövyttäviä vaikutuksia;



  Huom.: Säilytys- tai varastoastioilla voi olla seuraavat ominaisuudet:








  1. | Seinämien tai sisärakenteiden booriekvivalenttipitoisuus (laskettuna 0C004:ää koskevassa huomautuksessa olevan kaavan mukaisesti kaikkien olennaisten elementtien osalta) vähintään kaksi prosenttia; |
| --- | --- | --- |

e.

Säilytys- tai varastoastiat, jotka on erityisesti suunniteltu kriittisyysturvallisiksi ja kestämään typpihapon syövyttäviä vaikutuksia;

Huom.: Säilytys- tai varastoastioilla voi olla seuraavat ominaisuudet:

1.

Seinämien tai sisärakenteiden booriekvivalenttipitoisuus (laskettuna 0C004:ää koskevassa huomautuksessa olevan kaavan mukaisesti kaikkien olennaisten elementtien osalta) vähintään kaksi prosenttia;

| 2. | Sylinterimäisen astian halkaisija korkeintaan 175 mm; tai |
| --- | --- |

2.

Sylinterimäisen astian halkaisija korkeintaan 175 mm; tai

| 3. | Joko laatta- tai rengasmaisen astian leveys korkeintaan 75 mm. |
| --- | --- |

3.

Joko laatta- tai rengasmaisen astian leveys korkeintaan 75 mm.

| f. | Prosessin valvontainstrumentointi, joka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu säteilytetyn "luonnonuraanin", "köyhdytetyn uraanin" tai "erityisten halkeamiskelpoisten aineiden" jälleenkäsittelyn valvontaan tai ohjaamiseen. |
| --- | --- |

f.

Prosessin valvontainstrumentointi, joka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu säteilytetyn "luonnonuraanin", "köyhdytetyn uraanin" tai "erityisten halkeamiskelpoisten aineiden" jälleenkäsittelyn valvontaan tai ohjaamiseen.

0B007Plutoniumin konversiolaitos ja sitä varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet seuraavasti:

| a. | Järjestelmät plutoniumnitraatin muuttamiseksi plutoniumoksidiksi; |
| --- | --- |

a.

Järjestelmät plutoniumnitraatin muuttamiseksi plutoniumoksidiksi;

| b. | Järjestelmät plutoniummetallin tuottamiseksi. |
| --- | --- |

b.

Järjestelmät plutoniummetallin tuottamiseksi.

0CMateriaalit

0C001"Luonnonuraani" tai "köyhdytetty uraani" tai torium metallina, seoksena, kemiallisena yhdisteenä tai konsentraattina ja mikä tahansa muu aine, joka sisältää yhtä tai useampaa edellä mainituista;

Huom.: 0C001 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi seuraavia:

| a. | Neljä grammaa tai vähemmän "luonnonuraania" tai "köyhdytettyä uraania", kun se on instrumenttien anturoivassa osassa; |
| --- | --- |

a.

Neljä grammaa tai vähemmän "luonnonuraania" tai "köyhdytettyä uraania", kun se on instrumenttien anturoivassa osassa;

| b. | Erityisesti seuraaviin rauhanomaisiin, ei-ydinteknisiin sovellutuksiin käytetty "köyhdytetty uraani":








  1. | Suojaus; |
| --- | --- | --- |

b.

Erityisesti seuraaviin rauhanomaisiin, ei-ydinteknisiin sovellutuksiin käytetty "köyhdytetty uraani":

1.

Suojaus;

| 2. | Pakkaus; |
| --- | --- |

2.

Pakkaus;

| 3. | Painolastit, joiden massa on pienempi kuin 100 kg; |
| --- | --- |

3.

Painolastit, joiden massa on pienempi kuin 100 kg;

| 4. | Vastapainot, joiden massa on pienempi kuin 100 kg; |
| --- | --- |

4.

Vastapainot, joiden massa on pienempi kuin 100 kg;

| c. | Vähemmän kuin viisi prosenttia toriumia sisältävät seokset; |
| --- | --- |

c.

Vähemmän kuin viisi prosenttia toriumia sisältävät seokset;

| d. | Toriumia sisältävät keraamiset tuotteet, jotka on valmistettu muuta kuin ydinteknistä käyttöä varten. |
| --- | --- |

d.

Toriumia sisältävät keraamiset tuotteet, jotka on valmistettu muuta kuin ydinteknistä käyttöä varten.

0C002"Erityinen halkeamiskelpoinen aine"

Huom.: 0C002 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi määrää, joka on neljä "tehollista grammaa" tai vähemmän kyseistä ainetta, kun se on instrumenttien anturoivassa osassa.

0C003Deuterium, raskas vesi (deuteriumoksidi) ja muut deuteriumyhdisteet sekä deuteriumia sisältävät seokset ja liuokset, joissa deuterium-vety-isotooppisuhde ylittää arvon 1:5 000.

0C004Reaktoriluokan grafiitti, jonka puhtaustaso on vähemmän kuin 5 miljoonasosaa "booriekvivalenttia" ja jonka tiheys on suurempi kuin 1,5 g/cm3.

HUOM.: KATSO MYÖS 1C107 KOHTA.

Huom. 1: 0C004 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi:

| a. | grafiittivalmisteita, joiden massa on pienempi kuin 1 kg, lukuun ottamatta sellaisia jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäväksi ydinreaktorissa, |
| --- | --- |

a.

grafiittivalmisteita, joiden massa on pienempi kuin 1 kg, lukuun ottamatta sellaisia jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäväksi ydinreaktorissa,

| b. | grafiittijauhetta. |
| --- | --- |

b.

grafiittijauhetta.

Huom. 2: 0C004 kohdassa "booriekvivalentti" (BE) (Boron equivalent) määritellään epäpuhtauksille summana BEZ:ista (lukuun ottamatta BEhiili:ia, koska hiiltä ei lasketa epäpuhtaudeksi) mukaan lukien boorin, jolloin

BEZ (ppm) = CF × alkuaineen Z konsentraatio ppm-yksiköinä,

jossa CF on muunnoskerroin Formula

σB ja σZ ovat vastaavat boorin ja alkuaineen Z termiset neutronikaappausvaikutusalat (barn-yksiköinä); AB ja AZ ovat boorin ja alkuaineen Z atomipainot.

0C005Kaasudiffuusiokalvojen valmistukseen erityisesti valmistetut UF6-korroosiota kestävät yhdisteet tai jauheet (esim. nikkeli tai seos, joka sisältää 60 painoprosenttia tai enemmän nikkeliä, alumiinioksidi ja täysin fluoratut hiilivetypolymeerit), joiden puhtaus on 99,9 painoprosenttia tai enemmän ja joissa keskimääräinen partikkelikoko on vähemmän kuin 10 mikrometriä mitattuna ASTM (American Society for Testing and Materials) B 330 -standardin mukaisesti ja joissa partikkelit ovat hyvin samankokoisia.

0DOhjelmistot

0D001"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu tässä ryhmässä määriteltyjen tavaroiden "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten.

0ETeknologia

0E001"Teknologia" ydinteknologiahuomautuksen mukaisesti tässä ryhmässä määriteltyjen tavaroiden "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten.

RYHMÄ 1

MATERIAALIT, KEMIKAALIT, "MIKRO-ORGANISMIT" JA "TOKSIINIT"

1AJärjestelmät, laitteet ja komponentit

1A001Seuraavat fluoratuista yhdisteistä valmistetut komponentit:

| a. | "Ilma-aluksiin" tai avaruuskäyttöön erityisesti suunnitellut tiivisteet, tiivisterenkaat, tiivisteaineet tai polttoainekalvot, joiden valmistuksessa on käytetty yli 50 painoprosenttia 1C009.b tai 1C009.c kohdassa määritettyjä materiaaleja; |
| --- | --- |

a.

"Ilma-aluksiin" tai avaruuskäyttöön erityisesti suunnitellut tiivisteet, tiivisterenkaat, tiivisteaineet tai polttoainekalvot, joiden valmistuksessa on käytetty yli 50 painoprosenttia 1C009.b tai 1C009.c kohdassa määritettyjä materiaaleja;

| b. | Pietsosähköiset polymeerit ja sekapolymeerit, jotka on valmistettu 1C009.a kohdassa määritellyistä vinyylideenifluorideista:






  1. | Levyn tai kalvon muodossa; ja |
| --- | --- | --- |

b.

Pietsosähköiset polymeerit ja sekapolymeerit, jotka on valmistettu 1C009.a kohdassa määritellyistä vinyylideenifluorideista:

1.

Levyn tai kalvon muodossa; ja

| 2. | Joiden paksuus on yli 200 mikrometriä; |
| --- | --- |

2.

Joiden paksuus on yli 200 mikrometriä;

| c. | "Ilma-aluksiin", ‧ohjuksiin‧ tai avaruuskäyttöön erityisesti suunnitellut tiivisteet, tiivisterenkaat, venttiilien istukat tai kalvot, jotka on valmistettu fluoroelastomeerista, joka sisältää ainakin yhden vinyylieetteriryhmän ainesosana.


  Huom.: 1A001.c kohdassa ‧ohjus‧ tarkoittaa täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä. |
| --- | --- |

c.

"Ilma-aluksiin", ‧ohjuksiin‧ tai avaruuskäyttöön erityisesti suunnitellut tiivisteet, tiivisterenkaat, venttiilien istukat tai kalvot, jotka on valmistettu fluoroelastomeerista, joka sisältää ainakin yhden vinyylieetteriryhmän ainesosana.

Huom.: 1A001.c kohdassa ‧ohjus‧ tarkoittaa täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä.

1A002Seuraavat "komposiitti"rakenteet tai -laminaatit:

Huom.: KATSO MYÖS 1A202, 9A010 ja 9A110 KOHTA.

| a. | Joilla on orgaaninen "matriisi" ja jotka on valmistettu 1C010.c, 1C010.d tai 1C010.e kohdassa määritellyistä materiaaleista; tai |
| --- | --- |

a.

Joilla on orgaaninen "matriisi" ja jotka on valmistettu 1C010.c, 1C010.d tai 1C010.e kohdassa määritellyistä materiaaleista; tai

| b. | Joilla on metalli- tai hiili"matriisi" ja jotka on valmistettu:






  1. | Hiili"kuitu- tai -säiemateriaaleista", joiden:






  a. | "Ominaiskimmokerroin" ylittää 10,15 × 106 m; ja |
| --- | --- | --- | --- |

b.

Joilla on metalli- tai hiili"matriisi" ja jotka on valmistettu:

1.

Hiili"kuitu- tai -säiemateriaaleista", joiden:

a.

"Ominaiskimmokerroin" ylittää 10,15 × 106 m; ja

| b. | "Ominaismurtovetolujuus" ylittää 17,7 × 104 m; tai |
| --- | --- |

b.

"Ominaismurtovetolujuus" ylittää 17,7 × 104 m; tai

| 2. | 1C010.c kohdassa määritellyistä materiaaleista. |
| --- | --- |

2.

1C010.c kohdassa määritellyistä materiaaleista.

Huom. 1: 1A002 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi hartsilla kyllästetyistä hiili"kuitu- tai -säiemateriaaleista" valmistettuja komposiitti-rakenteita tai -laminaatteja, jotka on tarkoitettu lentokoneiden rakenteiden tai laminointien korjaukseen edellyttäen, ettei niiden koko ylitä 1 m2.

Huom. 2: 1A002 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi valmiita tai puolivalmiita tuotenimikkeitä, jotka on erityisesti suunniteltu seuraaviin puhtaasti siviilitarkoituksiin:

| a. | Urheilutarvikkeisiin; |
| --- | --- |

a.

Urheilutarvikkeisiin;

| b. | Autoteollisuuteen; |
| --- | --- |

b.

Autoteollisuuteen;

| c. | Työstökoneteollisuuteen; |
| --- | --- |

c.

Työstökoneteollisuuteen;

| d. | Lääkinnällisiin käyttötarkoituksiin. |
| --- | --- |

d.

Lääkinnällisiin käyttötarkoituksiin.

1A0031C008.a.3 kohdassa määritellyistä fluoraamattomista polymeereistä valmistetut kalvot, levyt, teipit tai nauhat:

| a. | Joiden paksuus ylittää 0,254 mm; tai |
| --- | --- |

a.

Joiden paksuus ylittää 0,254 mm; tai

| b. | Jotka on pinnoitettu tai laminoitu hiilellä, grafiitilla, metallilla tai magneettisilla aineilla. |
| --- | --- |

b.

Jotka on pinnoitettu tai laminoitu hiilellä, grafiitilla, metallilla tai magneettisilla aineilla.

Huom.: 1A003 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi valmisteita, jotka ovat pinnoitettu tai laminoitu kuparilla ja suunniteltu elektronisten piirilevyjen tuotantoon.

1A004Muut kuin asetarvikelistassa määritellyt suojaus- ja ilmaisinlaitteet ja komponentit seuraavasti:

Huom.: KATSO MYÖS 2B351 JA 2B352 KOHTA.

| a. | Kaasunaamarit, suodatinrasiat ja niiden puhdistuslaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu suojaamaan biologisia vaikuteaineita tai "sotilaskäyttöön muunneltuja" radioaktiivisia aineita tai kemiallisen sodankäynnin (CW) vaikuteaineita vastaan, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit; |
| --- | --- |

a.

Kaasunaamarit, suodatinrasiat ja niiden puhdistuslaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu suojaamaan biologisia vaikuteaineita tai "sotilaskäyttöön muunneltuja" radioaktiivisia aineita tai kemiallisen sodankäynnin (CW) vaikuteaineita vastaan, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit;

| b. | Suojapuvut, käsineet ja jalkineet, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu suojaamaan biologisia vaikuteaineita tai "sotilaskäyttöön muunneltuja" radioaktiivisia aineita tai kemiallisen sodankäynnin (CW) vaikuteaineita vastaan; |
| --- | --- |

b.

Suojapuvut, käsineet ja jalkineet, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu suojaamaan biologisia vaikuteaineita tai "sotilaskäyttöön muunneltuja" radioaktiivisia aineita tai kemiallisen sodankäynnin (CW) vaikuteaineita vastaan;

| c. | Ydinalan, biologisen ja kemian alan (NBC) ilmaisinjärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu ilmaisemaan tai tunnistamaan biologisia vaikuteaineita tai "sotilaskäyttöön sovitettuja" radioaktiivisia aineita tai kemiallisen sodankäynnin (CW) vaikuteaineita, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit. |
| --- | --- |

c.

Ydinalan, biologisen ja kemian alan (NBC) ilmaisinjärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu ilmaisemaan tai tunnistamaan biologisia vaikuteaineita tai "sotilaskäyttöön sovitettuja" radioaktiivisia aineita tai kemiallisen sodankäynnin (CW) vaikuteaineita, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit.

Huom.: 1A004 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:

| a. | Henkilökohtaisia säteilyannoksen valvontamittareita; |
| --- | --- |

a.

Henkilökohtaisia säteilyannoksen valvontamittareita;

| b. | Laitteita, joiden suunnittelu tai toiminta on rajoitettu suojaamaan niitä vaaroja vastaan, jotka ovat ominaisia siviiliteollisuudelle, kuten kaivos-, louhinta-, maatalous-, lääke-, lääkintä-, eläinlääkintä-, ympäristö-, jätteiden käsittelylle tai elintarviketeollisuudelle. |
| --- | --- |

b.

Laitteita, joiden suunnittelu tai toiminta on rajoitettu suojaamaan niitä vaaroja vastaan, jotka ovat ominaisia siviiliteollisuudelle, kuten kaivos-, louhinta-, maatalous-, lääke-, lääkintä-, eläinlääkintä-, ympäristö-, jätteiden käsittelylle tai elintarviketeollisuudelle.

1A005Suojaliivit, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit, muut kuin ne, jotka on valmistettu sotilasstandardien tai -laatuvaatimusten mukaisesti tai vastaavat suoritusarvoiltaan niitä.

Huom.: KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO.

Huom.: Suojaliivien valmistukseen käytettyjen "kuitu- tai säiemateriaalien" osalta katso 1C010 kohta.

Huom. 1: 1A005 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi suojaliivejä tai suojavaatteita, kun ne ovat käyttäjänsä mukana hänen henkilökohtaista suojautumistaan varten.

Huom. 2: 1A005 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi suojaliivejä, jotka on suunniteltu antamaan suojaa vain edestäpäin kohdistuvia, muiden kuin sotilasräjähteiden sirpaleita ja räjähdystä vastaan.

1A1029A004 kohdassa määriteltyihin avaruuteen laukaisussa käytettäviin kantoraketteihin tai 9A104 kohdassa määriteltyihin luotainraketteihin tarkoitetut toistokyllästetyt pyrolisoidut hiili-hiilikomponentit.

1A202Muut kuin 1A002 kohdassa määritellyt, komposiittirakenteet putkina, joilla on seuraavat ominaisuudet:

Huom.: KATSO MYÖS 9A010 JA 9A110 KOHTA.

| a. | niiden sisähalkaisija on 75 ja 400 mm:n välillä; ja |
| --- | --- |

a.

niiden sisähalkaisija on 75 ja 400 mm:n välillä; ja

| b. | ne on valmistettu 1C010.a tai b tai 1C210.a kohdassa määritellyistä "kuitu- ja säiemateriaaleista" tai 1C210.c kohdassa määritellyistä hiiliprepregimateriaaleista. |
| --- | --- |

b.

ne on valmistettu 1C010.a tai b tai 1C210.a kohdassa määritellyistä "kuitu- ja säiemateriaaleista" tai 1C210.c kohdassa määritellyistä hiiliprepregimateriaaleista.

1A225Platinoidut katalyytit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmisteltu edistämään vedyn ja veden välistä isotooppien vaihtoreaktiota tritiumin ottamiseksi talteen raskaasta vedestä tai raskaan veden tuottamiseksi.

1A226Erikoisaineet, joita voidaan käyttää raskaan veden erottamiseen tavallisesta vedestä ja joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

| a. | ne on tehty fosforipronssiverkosta, joka on käsitelty kemiallisesti vettyvyyden parantamiseksi; ja |
| --- | --- |

a.

ne on tehty fosforipronssiverkosta, joka on käsitelty kemiallisesti vettyvyyden parantamiseksi; ja

| b. | ne on suunniteltu käytettäväksi tyhjötislauskolonneissa. |
| --- | --- |

b.

ne on suunniteltu käytettäväksi tyhjötislauskolonneissa.

1A227Korkeatiheyksiset (lyijylasista tai muusta aineesta valmistetut) säteilysuojaikkunat, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet sekä näitä varten erityisesti suunnitellut puitteet:

| a. | ‧kylmä (säteilyltä suojattu) ala‧ on suurempi kuin 0,09 m2; |
| --- | --- |

a.

‧kylmä (säteilyltä suojattu) ala‧ on suurempi kuin 0,09 m2;

| b. | tiheys suurempi kuin 3 g/cm3;
  ja |
| --- | --- |

b.

tiheys suurempi kuin 3 g/cm3;
  ja

| c. | paksuus 100 mm tai suurempi. |
| --- | --- |

c.

paksuus 100 mm tai suurempi.

Tekn. huom.:

1A227 kohdassa termillä ‧kylmä ala‧ tarkoitetaan ikkunan läpinäkyvää alaa, joka on altistuneena alhaisimmalle säteilytasolle mallisovelluksessa.

1BTestaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet

1B001Seuraavat 1A002 tai 1C010 kohdassa määriteltyjen kuitujen, prepregien, preformien tai "komposiittien" tuotantolaitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit ja varusteet:

Huom.: KATSO MYÖS 1B101 JA 1B201 KOHTA.

| a. | Kuitujen käämintäkoneet, joissa käämittävien kuitujen asettelu-, kiedonta- ja käämintäliikkeet ovat koordinoitavissa ja ohjelmoitavissa kolmen tai useamman akselin suhteen ja jotka on erityisesti suunniteltu "komposiitti"rakenteiden tai -laminaattien valmistukseen "kuitu- tai säiemateriaaleista"; |
| --- | --- |

a.

Kuitujen käämintäkoneet, joissa käämittävien kuitujen asettelu-, kiedonta- ja käämintäliikkeet ovat koordinoitavissa ja ohjelmoitavissa kolmen tai useamman akselin suhteen ja jotka on erityisesti suunniteltu "komposiitti"rakenteiden tai -laminaattien valmistukseen "kuitu- tai säiemateriaaleista";

| b. | Nauhapäällystys- tai rohdin-asettelukoneet, joissa teipin, rohtimien tai levyjen asemointi- ja asetteluliikkeet ovat koordinoitavissa ja ohjelmoitavissa kahden tai useamman akselin suhteen ja jotka on erityisesti suunniteltu "komposiittisten" lentokoneenrunko- tai ‧ohjus‧rakenteiden valmistukseen;


  Huom.: 1B001.b kohdassa ‧ohjus‧ tarkoittaa täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä. |
| --- | --- |

b.

Nauhapäällystys- tai rohdin-asettelukoneet, joissa teipin, rohtimien tai levyjen asemointi- ja asetteluliikkeet ovat koordinoitavissa ja ohjelmoitavissa kahden tai useamman akselin suhteen ja jotka on erityisesti suunniteltu "komposiittisten" lentokoneenrunko- tai ‧ohjus‧rakenteiden valmistukseen;

Huom.: 1B001.b kohdassa ‧ohjus‧ tarkoittaa täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä.

| c. | "Komposiitti"rakenteiden valmistukseen tarkoitetut monisuuntaiset ja monidimensioiset kutoma- tai punontakoneet kuitujen kudontaa, punontaa tai palmikointia varten sekä näiden koneiden adapterit ja muunnossarjat;
  Tekn. huom.:

  1B001.c kohdassa punontatekniikkaan sisältyy neulonta.



  Huom.: 1B001.c kohta ei aseta valvonnanalaiseksi tekstiilikoneita, joita ei ole muunnettu yllä mainittuja loppukäyttöjä varten. |
| --- | --- |

c.

"Komposiitti"rakenteiden valmistukseen tarkoitetut monisuuntaiset ja monidimensioiset kutoma- tai punontakoneet kuitujen kudontaa, punontaa tai palmikointia varten sekä näiden koneiden adapterit ja muunnossarjat;

Tekn. huom.:

1B001.c kohdassa punontatekniikkaan sisältyy neulonta.

Huom.: 1B001.c kohta ei aseta valvonnanalaiseksi tekstiilikoneita, joita ei ole muunnettu yllä mainittuja loppukäyttöjä varten.

| d. | Seuraavat lujitekuitujen tuotantoa varten erityisesti suunnitellut tai muunnetut laitteet:






  1. | Laitteet, joilla polymeerikuituja (kuten polyakryylinitriili, raion, hartsi tai polykarbosilaani) muutetaan hiilikuiduiksi tai piikarbidikuiduiksi, mukaan lukien erikoislaitteet, joilla kuituja jännitetään kuumennuksen aikana; |
| --- | --- | --- |

d.

Seuraavat lujitekuitujen tuotantoa varten erityisesti suunnitellut tai muunnetut laitteet:

1.

Laitteet, joilla polymeerikuituja (kuten polyakryylinitriili, raion, hartsi tai polykarbosilaani) muutetaan hiilikuiduiksi tai piikarbidikuiduiksi, mukaan lukien erikoislaitteet, joilla kuituja jännitetään kuumennuksen aikana;

| 2. | Laitteistot, joilla valmistetaan piikarbidikuituja pinnoittamalla kuumennettuja kuitusubstraatteja alkuaineilla tai yhdisteillä kemiallista kaasufaasipinnoitus-menetelmää (CVD) käyttäen; |
| --- | --- |

2.

Laitteistot, joilla valmistetaan piikarbidikuituja pinnoittamalla kuumennettuja kuitusubstraatteja alkuaineilla tai yhdisteillä kemiallista kaasufaasipinnoitus-menetelmää (CVD) käyttäen;

| 3. | Laitteet, joilla märkäkehrätään tulenkestäviä keraameja (kuten alumiinioksidia); |
| --- | --- |

3.

Laitteet, joilla märkäkehrätään tulenkestäviä keraameja (kuten alumiinioksidia);

| 4. | Laitteet, joilla esikuituja sisältävä alumiini muutetaan lämpökäsittelyllä alumiinioksidikuiduiksi; |
| --- | --- |

4.

Laitteet, joilla esikuituja sisältävä alumiini muutetaan lämpökäsittelyllä alumiinioksidikuiduiksi;

| e. | Laitteet, joilla tuotetaan kuumasulatusmenetelmällä 1C010.e kohdassa määriteltyjä prepregejä; |
| --- | --- |

e.

Laitteet, joilla tuotetaan kuumasulatusmenetelmällä 1C010.e kohdassa määriteltyjä prepregejä;

| f. | Ainetta rikkomattomat tarkastuslaitteet, joilla voidaan tarkastella valmistusvirheitä kolmessa ulottuvuudessa ultraääni- tai röntgentomografiaa käyttäen, ja jotka on erityisesti suunniteltu "komposiitti"-materiaaleja varten. |
| --- | --- |

f.

Ainetta rikkomattomat tarkastuslaitteet, joilla voidaan tarkastella valmistusvirheitä kolmessa ulottuvuudessa ultraääni- tai röntgentomografiaa käyttäen, ja jotka on erityisesti suunniteltu "komposiitti"-materiaaleja varten.

1B002Kontaminaation välttämiseen erityisesti suunnitellut, metalliseosten, metalliseosjauheiden tai seostettujen materiaalien tuottamiseen tarkoitetut laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi jossakin 1C002.c kohdassa määritellyistä prosesseista.

Huom.: KATSO MYÖS 1B102 KOHTA.

1B003Titaanin tai alumiinin tai niiden seosten "superplastista muovausta" tai "diffuusioliittämistä" varten tarkoitetut työkalut, suuttimet, muotit tai kiinnikkeet, jotka on erityisesti suunniteltu:

| a. | Lentokoneiden runko- tai avaruusalusten rakenteiden valmistamiseen; |
| --- | --- |

a.

Lentokoneiden runko- tai avaruusalusten rakenteiden valmistamiseen;

| b. | "Lentokoneiden" tai avaruusalusten moottorien valmistamiseen; tai |
| --- | --- |

b.

"Lentokoneiden" tai avaruusalusten moottorien valmistamiseen; tai

| c. | Näitä rakenteita tai moottoreita varten erityisesti suunniteltujen komponenttien valmistamiseen. |
| --- | --- |

c.

Näitä rakenteita tai moottoreita varten erityisesti suunniteltujen komponenttien valmistamiseen.

1B101Seuraavat, muut kuin 1B001 kohdassa määritellyt laitteet rakenteellisten komposiittien "tuotantoa" varten sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit ja varusteet:

Huom.: KATSO MYÖS 1B201 KOHTA.

Huom.: 1B101 kohdassa määriteltyihin komponentteihin ja varusteisiin sisältyvät muotit, tuurnat, suukappaleet, kiinnittimet ja työkalut komposiittirakenteiden, -laminaattien ja niiden valmisteiden preformien puristamista, kovettamista, valamista, sintraamista tai liittämistä varten.

| a. | Kuidunkäämintäkoneet, joissa kuidun asemointi-, käärintä- ja käämintäliikkeet voidaan koordinoida ja ohjelmoida kolmen tai useamman akselin suhteen ja jotka on suunniteltu valmistamaan komposiittirakenteita tai -laminaatteja kuitu- tai säiemateriaaleista, sekä koordinoinnin ja ohjelmoinnin ohjaukset; |
| --- | --- |

a.

Kuidunkäämintäkoneet, joissa kuidun asemointi-, käärintä- ja käämintäliikkeet voidaan koordinoida ja ohjelmoida kolmen tai useamman akselin suhteen ja jotka on suunniteltu valmistamaan komposiittirakenteita tai -laminaatteja kuitu- tai säiemateriaaleista, sekä koordinoinnin ja ohjelmoinnin ohjaukset;

| b. | Nauhapäällystyskoneet, joissa nauhan tai levyn asettelu- ja asemointiliikkeet voidaan koordinoida ja ohjelmoida kahden tai useamman akselin suhteen ja jotka on suunniteltu komposiittisten lentokoneiden ja "ohjusten" runkorakenteiden valmistusta varten; |
| --- | --- |

b.

Nauhapäällystyskoneet, joissa nauhan tai levyn asettelu- ja asemointiliikkeet voidaan koordinoida ja ohjelmoida kahden tai useamman akselin suhteen ja jotka on suunniteltu komposiittisten lentokoneiden ja "ohjusten" runkorakenteiden valmistusta varten;

| c. | Seuraavat "kuitu- tai säiemateriaalien""tuotantoa" varten suunnitellut tai muunnetut laitteet:






  1. | Laitteet, joilla muunnetaan polymeerikuituja (esim. polyakryylinitriiliä, raionia tai polykarbosilaania), erityisesti kuitua kuumennuksen aikana jännittäen; |
| --- | --- | --- |

c.

Seuraavat "kuitu- tai säiemateriaalien""tuotantoa" varten suunnitellut tai muunnetut laitteet:

1.

Laitteet, joilla muunnetaan polymeerikuituja (esim. polyakryylinitriiliä, raionia tai polykarbosilaania), erityisesti kuitua kuumennuksen aikana jännittäen;

| 2. | Laitteet, joiden avulla kuumennettuja säiesubstraatteja höyrypinnoitetaan alkuaineilla tai yhdisteillä; |
| --- | --- |

2.

Laitteet, joiden avulla kuumennettuja säiesubstraatteja höyrypinnoitetaan alkuaineilla tai yhdisteillä;

| 3. | Laitteet, joiden avulla voidaan märkäkehrätä tulenkestäviä keraameja (kuten esim. alumiinioksidia); |
| --- | --- |

3.

Laitteet, joiden avulla voidaan märkäkehrätä tulenkestäviä keraameja (kuten esim. alumiinioksidia);

| d. | Laitteet, jotka on suunniteltu tai muunnettu kuitujen erityispintakäsittelyä varten tai 9C110 kohdassa määriteltyjen prepregien ja preformien tuottamista varten.


  Huom.: 1B101.d kohtaan sisältyvät valssaimet, venytyslaitteet, päällystyslaitteet, leikkurit ja meistimuotit. |
| --- | --- |

d.

Laitteet, jotka on suunniteltu tai muunnettu kuitujen erityispintakäsittelyä varten tai 9C110 kohdassa määriteltyjen prepregien ja preformien tuottamista varten.

Huom.: 1B101.d kohtaan sisältyvät valssaimet, venytyslaitteet, päällystyslaitteet, leikkurit ja meistimuotit.

1B102Muut kuin 1B002 kohdassa määritellyt metallijauheen "tuotantolaitteet" ja komponentit seuraavasti:

Huom.: KATSO MYÖS 1B115.b KOHTA.

| a. | Metallijauheen "tuotantolaitteet", joita voidaan käyttää 1C011.a, 1C011.b, 1C111.a.1, 1C111.a.2 kohdassa tai asetarvikeluettelossa määriteltyjen pallomaisten tai hivennettyjen materiaalien "tuotantoon" valvotussa ympäristössä. |
| --- | --- |

a.

Metallijauheen "tuotantolaitteet", joita voidaan käyttää 1C011.a, 1C011.b, 1C111.a.1, 1C111.a.2 kohdassa tai asetarvikeluettelossa määriteltyjen pallomaisten tai hivennettyjen materiaalien "tuotantoon" valvotussa ympäristössä.

| b. | Erityisesti suunnitellut komponentit 1B002 tai 1B102.a kohdassa määriteltyjä "tuotantolaitteita" varten. |
| --- | --- |

b.

Erityisesti suunnitellut komponentit 1B002 tai 1B102.a kohdassa määriteltyjä "tuotantolaitteita" varten.

Huom.: 1B102 kohtaan sisältyvät:

| a. | Plasmageneraattorit (suuritaajuinen kaarisuihku), joita voidaan käyttää aikaansaamaan sputteroituja tai pallomaisia metallijauheita siten, että prosessi tehdään argon-vesiympäristössä; |
| --- | --- |

a.

Plasmageneraattorit (suuritaajuinen kaarisuihku), joita voidaan käyttää aikaansaamaan sputteroituja tai pallomaisia metallijauheita siten, että prosessi tehdään argon-vesiympäristössä;

| b. | Sähköpurkauslaitteistot, joita voidaan käyttää aikaansaamaan sputteroituja tai pallomaisia metallijauheita siten, että prosessi tehdään argon-vesiympäristössä; |
| --- | --- |

b.

Sähköpurkauslaitteistot, joita voidaan käyttää aikaansaamaan sputteroituja tai pallomaisia metallijauheita siten, että prosessi tehdään argon-vesiympäristössä;

| c. | Laitteet, joita voidaan käyttää pallomaisten alumiinijauheiden "tuotantoon" pulverisoimalla sula suojakaasussa (esim. typessä). |
| --- | --- |

c.

Laitteet, joita voidaan käyttää pallomaisten alumiinijauheiden "tuotantoon" pulverisoimalla sula suojakaasussa (esim. typessä).

1B115Seuraavat muut kuin 1B002 tai 1B102 kohdassa määritellyt laitteet ajoaineiden ja niiden ainesosien tuotantoa varten ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:

| a. | "Tuotantolaitteet" 1C011.a, 1C011.b tai 1C111 kohdassa tai asetarvikeluettelossa määriteltyjen nestemäisten ajoaineiden ja niiden ainesosien "tuotantoa", käsittelyä tai vastaanottotestausta varten; |
| --- | --- |

a.

"Tuotantolaitteet" 1C011.a, 1C011.b tai 1C111 kohdassa tai asetarvikeluettelossa määriteltyjen nestemäisten ajoaineiden ja niiden ainesosien "tuotantoa", käsittelyä tai vastaanottotestausta varten;

| b. | "Tuotantolaitteet" 1C011.a, 1C011.b tai 1C111 kohdassa tai asetarvikeluettelossa määriteltyjen kiinteiden ajoaineiden ja niiden ainesosien "tuotantoa", käsittelyä, sekoittamista, kovettamista, valamista, prässäystä, työstämistä, puristamista tai vastaanottotestausta varten.


  Huom.: 1B115.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi eräsekoittimia, jatkuvatoimisia sekoittimia tai neste-energiamyllyjä. Eräsekoittimien, jatkuvatoimisten sekoittimien ja neste-energiamyllyjen valvonnan osalta katso 1B117, 1B118 ja 1B119 kohta. |
| --- | --- |

b.

"Tuotantolaitteet" 1C011.a, 1C011.b tai 1C111 kohdassa tai asetarvikeluettelossa määriteltyjen kiinteiden ajoaineiden ja niiden ainesosien "tuotantoa", käsittelyä, sekoittamista, kovettamista, valamista, prässäystä, työstämistä, puristamista tai vastaanottotestausta varten.

Huom.: 1B115.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi eräsekoittimia, jatkuvatoimisia sekoittimia tai neste-energiamyllyjä. Eräsekoittimien, jatkuvatoimisten sekoittimien ja neste-energiamyllyjen valvonnan osalta katso 1B117, 1B118 ja 1B119 kohta.

Huom. 1: Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu asetarvikkeiden tuotantoa varten: katso asetarvikeluettelo.

Huom. 2: 1B115 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi boorikarbidin "tuotantoon", käsittelyyn ja hyväksymistestaukseen tarkoitettuja laitteita.

1B116Erityisesti suunnitellut suuttimet, joilla tuotetaan pyrolyysimenetelmällä muodostuvia aineita muotille, tuurnalle tai muulle substraatille välituotekaasuista, jotka hajoavat 1 573 K (1 300 °C)–3 173 K (2 900 °C) asteen lämpötila-alueella ja 130 Pa:n–20 kPa:n paineessa.

1B117Eräsekoittimet, joiden on pystyttävä sekoittamaan tyhjössä painealueella nollasta 13 326 kPa:iin ja joiden sekoituskammion lämpötilaa voidaan säätää ja joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista, ja tällaisia sekoittimia varten erityisesti suunnitellut komponentit:

| a. | Kokonaistilavuuskapasiteetti 110 litraa tai enemmän; ja |
| --- | --- |

a.

Kokonaistilavuuskapasiteetti 110 litraa tai enemmän; ja

| b. | Ainakin yksi keskustasta sivuun asennettu sekoitus/vaivausvarsi. |
| --- | --- |

b.

Ainakin yksi keskustasta sivuun asennettu sekoitus/vaivausvarsi.

1B118Jatkuvatoimiset sekoittimet, joiden on pystyttävä sekoittamaan tyhjössä painealueella nollasta 13 326 kPa:iin ja joiden sekoituskammion lämpötilaa voidaan säätää ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista, ja tällaisia sekoittimia varten erityisesti suunnitellut komponentit:

| a. | Kaksi tai useampia sekoitus/vaivausvarsia; tai |
| --- | --- |

a.

Kaksi tai useampia sekoitus/vaivausvarsia; tai

| b. | Yksi värähtelevä pyörivä varsi sekä vaivaushampaat/piikit varressa ja sekoituskammion vuorauksen sisäpuolella. |
| --- | --- |

b.

Yksi värähtelevä pyörivä varsi sekä vaivaushampaat/piikit varressa ja sekoituskammion vuorauksen sisäpuolella.

1B119Neste-energiamyllyt, joita voidaan käyttää 1C011.a, 1C011.b tai 1C111 kohdassa tai asetarvikeluettelossa määriteltyjen aineiden jauhamiseen tai hienontamiseen, ja tällaisia myllyjä varten erityisesti suunnitellut komponentit.

1B201Seuraavat muut kuin 1B001 tai 1B101 kohdassa määritellyt kuidunkäämintäkoneet ja niihin liittyvät laitteet:

| a. | Kuidunkäämintäkoneet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | kuitujen asemointi, käärintä ja käämintä on koordinoitu ja ohjelmoitu kahden tai useamman akselin suhteen; |
| --- | --- | --- |

a.

Kuidunkäämintäkoneet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

kuitujen asemointi, käärintä ja käämintä on koordinoitu ja ohjelmoitu kahden tai useamman akselin suhteen;

| 2. | ne on erityisesti suunniteltu komposiittirakenteiden tai -laminaattien valmistamiseen "kuitu- tai säiemateriaaleista"; ja |
| --- | --- |

2.

ne on erityisesti suunniteltu komposiittirakenteiden tai -laminaattien valmistamiseen "kuitu- tai säiemateriaaleista"; ja

| 3. | ne pystyvät käämimään 75–400 mm:n läpimittaisia ja 600 mm:n pituisia tai suurempia lieriömäisiä roottoreita, |
| --- | --- |

3.

ne pystyvät käämimään 75–400 mm:n läpimittaisia ja 600 mm:n pituisia tai suurempia lieriömäisiä roottoreita,

| b. | 1B201.a kohdassa määriteltyjen kuidunkäämintäkoneiden koordinointi- ja ohjelmointilaitteet; |
| --- | --- |

b.

1B201.a kohdassa määriteltyjen kuidunkäämintäkoneiden koordinointi- ja ohjelmointilaitteet;

| c. | 1B201.a kohdassa määriteltyjen kuidunkäämintäkoneiden tarkkuustuurnat. |
| --- | --- |

c.

1B201.a kohdassa määriteltyjen kuidunkäämintäkoneiden tarkkuustuurnat.

1B225Elektrolyysikennot fluorin tuotantoa varten, joiden tuotantokapasiteetti on suurempi kuin 250 g fluoria tunnissa.

1B226Sähkömagneettiset isotooppierottimet, jotka on suunniteltu toimimaan tai varustettu yhdellä tai useilla ionilähteillä, joilla voidaan saada aikaan 50 mA:n tai suurempi ionisuihkun kokonaisvirta.

Huom.: 1B226 kohta sisältää erottimet:

| a. | Jotka pystyvät rikastamaan pysyviä isotooppeja; |
| --- | --- |

a.

Jotka pystyvät rikastamaan pysyviä isotooppeja;

| b. | Joissa ionilähteet ja -kerääjät ovat kummatkin magneettikentässä, sekä ne konfiguraatiot, joissa ne ovat kentän ulkopuolella. |
| --- | --- |

b.

Joissa ionilähteet ja -kerääjät ovat kummatkin magneettikentässä, sekä ne konfiguraatiot, joissa ne ovat kentän ulkopuolella.

1B227Ammoniakin syntetisointikonvertterit tai ammoniakin syntetisointiyksiköt, joissa synteesikaasu (typpi ja vety) saadaan korkeapaineisesta ammoniakki/vety-vaihtokolonnista ja syntetisoitu ammoniakki palautetaan samaan kolonniin.

1B228Kryogeeniset vetytislauskolonnit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

| a. | Ne on suunniteltu toimimaan 35 K (– 238 °C) asteen tai sitä alhaisemmissa sisäisissä lämpötiloissa; |
| --- | --- |

a.

Ne on suunniteltu toimimaan 35 K (– 238 °C) asteen tai sitä alhaisemmissa sisäisissä lämpötiloissa;

| b. | Ne on suunniteltu toimimaan 0,5–5 MPa:n sisäisessä paineessa; |
| --- | --- |

b.

Ne on suunniteltu toimimaan 0,5–5 MPa:n sisäisessä paineessa;

| c. | Ne on valmistettu joko:






  1. | 300-sarjan vähärikkisestä ruostumattomasta teräksestä, jonka austeniittinen ASTM:n (tai vastaavan standardin) mukainen raekokoluku on 5 tai suurempi; tai |
| --- | --- | --- |

c.

Ne on valmistettu joko:

1.

300-sarjan vähärikkisestä ruostumattomasta teräksestä, jonka austeniittinen ASTM:n (tai vastaavan standardin) mukainen raekokoluku on 5 tai suurempi; tai

| 2. | Vastaavista kryogeenisistä ja vetyä (H2) kestävistä materiaaleista; ja |
| --- | --- |

2.

Vastaavista kryogeenisistä ja vetyä (H2) kestävistä materiaaleista; ja

| d. | Sisähalkaisija on 1 m tai suurempi ja tehollinen pituus 5 m tai pitempi. |
| --- | --- |

d.

Sisähalkaisija on 1 m tai suurempi ja tehollinen pituus 5 m tai pitempi.

1B229Seuraavat vesi-rikkivety-erotuspohjakolonnit sekä niiden ‧sisäkosketuspinnat‧:

Huom.: Erityisesti raskaan veden tuottamista varten suunnitellut tai valmistetut kolonnit: katso 0B004 kohta.

| a. | Vesi-rikkivety-erotuspohjakolonnit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | niiden käyttöpaine on 2 MPa tai suurempi; |
| --- | --- | --- |

a.

Vesi-rikkivety-erotuspohjakolonnit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

niiden käyttöpaine on 2 MPa tai suurempi;

| 2. | ne on valmistettu hiiliteräksestä, jonka austeniittinen ASTM:n (tai vastaavan standardin) mukainen raekokoluku on 5 tai suurempi; ja |
| --- | --- |

2.

ne on valmistettu hiiliteräksestä, jonka austeniittinen ASTM:n (tai vastaavan standardin) mukainen raekokoluku on 5 tai suurempi; ja

| 3. | niiden halkaisija on 1,8 m tai suurempi; |
| --- | --- |

3.

niiden halkaisija on 1,8 m tai suurempi;

| b. | 1B229.a kohdassa määriteltyjen vesi-rikkivety-erotuspohjakolonnien ‧sisäkosketuspinnat‧.
  Tekn. huom.:

  Kolonnien ‧sisäkosketuspinnat‧ ovat segmentoituja pohjia, joiden tehollinen halkaisija koottuna on 1,8 m tai enemmän; ne on suunniteltu helpottamaan vastavirtakosketusta ja ne on valmistettu ruostumattomista teräksistä, joiden hiilipitoisuus on 0,03 prosenttia tai vähemmän. Pohjat voivat olla seula-, venttiili-, kello- ja ritiläpohjia. |
| --- | --- |

b.

1B229.a kohdassa määriteltyjen vesi-rikkivety-erotuspohjakolonnien ‧sisäkosketuspinnat‧.

Tekn. huom.:

Kolonnien ‧sisäkosketuspinnat‧ ovat segmentoituja pohjia, joiden tehollinen halkaisija koottuna on 1,8 m tai enemmän; ne on suunniteltu helpottamaan vastavirtakosketusta ja ne on valmistettu ruostumattomista teräksistä, joiden hiilipitoisuus on 0,03 prosenttia tai vähemmän. Pohjat voivat olla seula-, venttiili-, kello- ja ritiläpohjia.

1B230Nesteammoniakkiin liuotetun väkevän tai laimean kaliumamidikatalyytin (KNH2/NH3) kierrättämiseen kykenevät pumput, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

| a. | Ne ovat ilmatiiviitä (so. hermeettisesti suljettuja); |
| --- | --- |

a.

Ne ovat ilmatiiviitä (so. hermeettisesti suljettuja);

| b. | Pumppausteho on suurempi kuin 8,5 m3/h; ja |
| --- | --- |

b.

Pumppausteho on suurempi kuin 8,5 m3/h; ja

| c. | Jompikumpi seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Ne on tarkoitettu väkevien (1 % tai suurempi pitoisuus) kaliumamidiliuosten kierrättämiseen 1,5–60 MPa:n käyttöpaineella; tai |
| --- | --- | --- |

c.

Jompikumpi seuraavista ominaisuuksista:

1.

Ne on tarkoitettu väkevien (1 % tai suurempi pitoisuus) kaliumamidiliuosten kierrättämiseen 1,5–60 MPa:n käyttöpaineella; tai

| 2. | Laimeiden (pitoisuus vähemmän kuin 1 %) kaliumamidiliuosten kierrättämiseen 20–60 MPa:n käyttöpaineella. |
| --- | --- |

2.

Laimeiden (pitoisuus vähemmän kuin 1 %) kaliumamidiliuosten kierrättämiseen 20–60 MPa:n käyttöpaineella.

1B231Seuraavat tritiumlaitokset tai -tehtaat ja niissä käytettävät laitteet:

| a. | Laitokset tai tehtaat, joissa tuotetaan, otetaan talteen, uutetaan, rikastetaan tai käsitellään tritiumia, |
| --- | --- |

a.

Laitokset tai tehtaat, joissa tuotetaan, otetaan talteen, uutetaan, rikastetaan tai käsitellään tritiumia,

| b. | Tritiumlaitosten tai -tehtaiden laitteet seuraavasti:






  1. | Vedyn tai heliumin jäähdytysyksiköt, joissa lämpötila saadaan lasketuksi 23 K (– 250 °C) asteeseen tai alhaisemmaksi ja joiden lämmönpoistokyky on suurempi kuin 150 W; |
| --- | --- | --- |

b.

Tritiumlaitosten tai -tehtaiden laitteet seuraavasti:

1.

Vedyn tai heliumin jäähdytysyksiköt, joissa lämpötila saadaan lasketuksi 23 K (– 250 °C) asteeseen tai alhaisemmaksi ja joiden lämmönpoistokyky on suurempi kuin 150 W;

| 2. | Vetyisotooppien varastointi- ja puhdistusjärjestelmät, joissa varastointiin tai puhdistukseen käytetään metallihydridejä. |
| --- | --- |

2.

Vetyisotooppien varastointi- ja puhdistusjärjestelmät, joissa varastointiin tai puhdistukseen käytetään metallihydridejä.

1B232Turbohöyrystimet tai turbohöyrystin-kompressoriyhdistelmät, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

| a. | Ne on tarkoitettu käytettäviksi siten, että ulostulolämpötila on 35 K (– 238 °C) tai alhaisempi; ja |
| --- | --- |

a.

Ne on tarkoitettu käytettäviksi siten, että ulostulolämpötila on 35 K (– 238 °C) tai alhaisempi; ja

| b. | Ne on tarkoitettu tuottamaan vetykaasua 1 000 kg/h tai enemmän. |
| --- | --- |

b.

Ne on tarkoitettu tuottamaan vetykaasua 1 000 kg/h tai enemmän.

1B233Litiumisotooppien erotukseen käytettävät laitokset tai tehtaat ja niissä käytettävät laitteet seuraavasti:

| a. | Laitokset tai tehtaat litiumisotooppien erottamiseen; |
| --- | --- |

a.

Laitokset tai tehtaat litiumisotooppien erottamiseen;

| b. | Laitteet litiumisotooppien erottamiseen seuraavasti:






  1. | Erityisesti litiumamalgaameja varten suunnitellut pakatut neste-neste erotuskolonnit, |
| --- | --- | --- |

b.

Laitteet litiumisotooppien erottamiseen seuraavasti:

1.

Erityisesti litiumamalgaameja varten suunnitellut pakatut neste-neste erotuskolonnit,

| 2. | Elohopea- tai litiumamalgaamipumput, |
| --- | --- |

2.

Elohopea- tai litiumamalgaamipumput,

| 3. | Litiumamalgaamielektrolyysikennot, |
| --- | --- |

3.

Litiumamalgaamielektrolyysikennot,

| 4. | Haihduttimet väkeviä litiumhydroksidiliuoksia varten. |
| --- | --- |

4.

Haihduttimet väkeviä litiumhydroksidiliuoksia varten.

1CMateriaalit

Tekn. huom.:

Metallit ja metalliseokset:

| | Ellei toisin säädetä, 1C001–1C012 kohdassa sanat ‧metalli‧ ja ‧metalliseos‧ kattavat seuraavat raa'at ja puolivalmistemuodot: |
| --- | --- |

Ellei toisin säädetä, 1C001–1C012 kohdassa sanat ‧metalli‧ ja ‧metalliseos‧ kattavat seuraavat raa'at ja puolivalmistemuodot:

Raa'at muodot:

| | Anodit, harkot, kanget (mukaan lukien lovetut kanget ja lankaharkot), valanteet, lohkareet, raakatangot, briketit, katodit, kiteet, kuutiot, rouheet, jyväset, valuharkot, kokkareet, pelletit, raakametalliharkot, pulveri, sulakuoret, valurakeet, valssausaihiot, puristusharkot, sieni, sauvat; |
| --- | --- |

Anodit, harkot, kanget (mukaan lukien lovetut kanget ja lankaharkot), valanteet, lohkareet, raakatangot, briketit, katodit, kiteet, kuutiot, rouheet, jyväset, valuharkot, kokkareet, pelletit, raakametalliharkot, pulveri, sulakuoret, valurakeet, valssausaihiot, puristusharkot, sieni, sauvat;

Puolivalmistemuodot (riippumatta siitä ovatko ne pinnoitettuja, päällystettyjä, porattuja tai lävistettyjä):

| a. | Taotut tai työstetyt materiaalit, jotka on valmistettu valssaamalla, vetämällä, suulakepuristamalla, takomalla, kylmäpursottamalla, meistämällä, rouhimalla, hiventämällä ja jauhamalla, so.: kulmakiskot, kourut, pyörylät, kiekot, pöly, hiutaleet, foliot ja ohutlevy, taos, levy, pulveri, puristeet ja meistot, nauha, renkaat, tangot (mukaan lukien paljaat hitsauslangat, valssilangat ja valssivanungit), muotometallit, profiilit, levyt ja putket (mukaan lukien putkikehät, neliökanget ja ontot palkit), vedetyt tai puristetut langat; |
| --- | --- |

a.

Taotut tai työstetyt materiaalit, jotka on valmistettu valssaamalla, vetämällä, suulakepuristamalla, takomalla, kylmäpursottamalla, meistämällä, rouhimalla, hiventämällä ja jauhamalla, so.: kulmakiskot, kourut, pyörylät, kiekot, pöly, hiutaleet, foliot ja ohutlevy, taos, levy, pulveri, puristeet ja meistot, nauha, renkaat, tangot (mukaan lukien paljaat hitsauslangat, valssilangat ja valssivanungit), muotometallit, profiilit, levyt ja putket (mukaan lukien putkikehät, neliökanget ja ontot palkit), vedetyt tai puristetut langat;

| b. | Valettu materiaali, joka on tuotettu valamalla hiekka-, suulake-, metalli-, kipsi- tai muun tyyppisellä muotilla, mukaan lukien korkeapainevalokset, sintratut muodot ja pulverimetallurgialla aikaansaadut muodot. |
| --- | --- |

b.

Valettu materiaali, joka on tuotettu valamalla hiekka-, suulake-, metalli-, kipsi- tai muun tyyppisellä muotilla, mukaan lukien korkeapainevalokset, sintratut muodot ja pulverimetallurgialla aikaansaadut muodot.

Valvonnan tavoitetta ei tule kumota viemällä muita kuin lueteltuja muotoja, joiden väitetään olevan lopullisia tuotteita, vaikka ne käytännössä ovat raakoja muotoja tai puolivalmistemuotoja.

1C001Seuraavat sähkömagneettisia aaltoja absorboiviksi erityisesti suunnitellut materiaalit tai itseisjohtavat polymeerit:

Huom.: KATSO MYÖS 1C101 KOHTA.

| a. | Materiaalit, jotka absorboivat yli 2 × 108, mutta alle 3 × 1012 hertsin taajuuksia;


  Huom. 1: 1C001.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:








  a. | Luonnon- tai synteettisistä kuiduista rakentuvia hiustyyppisiä absorboivia materiaaleja, joiden absorptiokyky on saatu aikaan ei-magneettisella täyteaineella; |
| --- | --- | --- |

a.

Materiaalit, jotka absorboivat yli 2 × 108, mutta alle 3 × 1012 hertsin taajuuksia;

Huom. 1: 1C001.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:

a.

Luonnon- tai synteettisistä kuiduista rakentuvia hiustyyppisiä absorboivia materiaaleja, joiden absorptiokyky on saatu aikaan ei-magneettisella täyteaineella;

| b. | Absorboivia materiaaleja, joilla ei ole lainkaan magneettista häviötä, ja joiden kohtauspinta ei ole muodoltaan taso, mukaan lukien pyramidi-, kartio-, kiila- sekä poimuiset pinnat; |
| --- | --- |

b.

Absorboivia materiaaleja, joilla ei ole lainkaan magneettista häviötä, ja joiden kohtauspinta ei ole muodoltaan taso, mukaan lukien pyramidi-, kartio-, kiila- sekä poimuiset pinnat;

| c. | Tasopintaisia absorboivia materiaaleja:








  1. | Jotka on valmistettu:








  a. | Taipuisista tai jäykistä vaahtomuoveista, joissa täyteaineena on hiili, tai orgaanisista materiaaleista, sideaineet mukaan lukien, jotka antavat metalliin verrattuna yli 5 %:n kaiun kaistalla, joka on yli ± 15 % kohtaavan energian keskitaajuudesta, ja jotka eivät kestä yli 450 K (177 °C) asteen lämpötiloja; tai |
| --- | --- | --- | --- |

c.

Tasopintaisia absorboivia materiaaleja:

1.

Jotka on valmistettu:

a.

Taipuisista tai jäykistä vaahtomuoveista, joissa täyteaineena on hiili, tai orgaanisista materiaaleista, sideaineet mukaan lukien, jotka antavat metalliin verrattuna yli 5 %:n kaiun kaistalla, joka on yli ± 15 % kohtaavan energian keskitaajuudesta, ja jotka eivät kestä yli 450 K (177 °C) asteen lämpötiloja; tai

| b. | Keraamisista materiaaleista, jotka antavat metalliin verrattuna yli 20 %:n kaiun kaistalla, joka on yli ± 15 % kohtaavan energian keskitaajuudesta, ja jotka eivät kestä 800 K (527 °C) asteen ylittäviä lämpötiloja; |
| --- | --- |

b.

Keraamisista materiaaleista, jotka antavat metalliin verrattuna yli 20 %:n kaiun kaistalla, joka on yli ± 15 % kohtaavan energian keskitaajuudesta, ja jotka eivät kestä 800 K (527 °C) asteen ylittäviä lämpötiloja;

Tekn. huom.:

1C001.a kohdan 1.c.1 huomautuksessa tarkoitettujen absorptiotestinäytteiden tulee olla neliöitä, joiden sivun pituus on vähintään 5 keskitaajuuden aallonpituutta, ja ne tulee asettaa säteilevän elementin kaukokenttään.

| 2. | Joiden vetolujuus on pienempi kuin 7 × 106 N/m2; ja |
| --- | --- |

2.

Joiden vetolujuus on pienempi kuin 7 × 106 N/m2; ja

| 3. | Puristuslujuus on pienempi kuin 14 × 106 N/m2; |
| --- | --- |

3.

Puristuslujuus on pienempi kuin 14 × 106 N/m2;

| d. | Sintratusta ferriitistä valmistetut tasopintaiset absorboivat materiaalit joiden:








  1. | Ominaispaino ylittää 4,4; ja |
| --- | --- | --- |

d.

Sintratusta ferriitistä valmistetut tasopintaiset absorboivat materiaalit joiden:

1.

Ominaispaino ylittää 4,4; ja

| 2. | Maksimitoimintalämpötila on 548 K (275 °C) astetta. |
| --- | --- |

2.

Maksimitoimintalämpötila on 548 K (275 °C) astetta.

Huom. 2: Mikään 1C001.a kohtaa koskevassa huomautuksessa 1 ei vapauta maaliin sisällytettyjä magneettisia materiaaleja, joiden tarkoitus on tehdä se absorbtiokykyiseksi.

| b. | Materiaalit, jotka absorboivat yli 1,5 × 1014 Hz:n, mutta alle 3,7 × 1014 Hz:n taajuuksia, ja jotka eivät läpäise näkyvää valoa; |
| --- | --- |

b.

Materiaalit, jotka absorboivat yli 1,5 × 1014 Hz:n, mutta alle 3,7 × 1014 Hz:n taajuuksia, ja jotka eivät läpäise näkyvää valoa;

| c. | Itseisjohtavat polymeerimateriaalit, joiden ‧kokonaissähkönjohtokyky‧ ylittää 10 000 S/m (siemensiä metriä kohti) tai ‧pintaresistiivisyys‧ on alle 100 ohmia/m2, ja jotka perustuvat johonkin seuraavista polymeereistä:






  1. | Polyaniliini; |
| --- | --- | --- |

c.

Itseisjohtavat polymeerimateriaalit, joiden ‧kokonaissähkönjohtokyky‧ ylittää 10 000 S/m (siemensiä metriä kohti) tai ‧pintaresistiivisyys‧ on alle 100 ohmia/m2, ja jotka perustuvat johonkin seuraavista polymeereistä:

1.

Polyaniliini;

| 2. | Polypyroli; |
| --- | --- |

2.

Polypyroli;

| 3. | Polytiofeeni; |
| --- | --- |

3.

Polytiofeeni;

| 4. | Polyfenyleenivinyleeni; tai |
| --- | --- |

4.

Polyfenyleenivinyleeni; tai

| 5. | Polytienyleenivinyleeni. |
| --- | --- |

5.

Polytienyleenivinyleeni.

Tekn. huom.:

‧Kokonaissähkönjohtokyky‧ ja ‧pintaresistiivisyys‧ tulee määritellä ASTM D-257:n tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti.

1C002Seuraavat metalliseokset, metalliseosjauheet tai seostetut materiaalit:

Huom.: KATSO MYÖS 1C202 KOHTA.

Huom.: 1C002 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi metalliseoksia, metalliseosjauheita tai seostettuja materiaaleja, jotka on tarkoitettu substraattien pinnoitukseen.

Tekn. huom.:

| 1. | Metalliseokset 1C002 kohdassa ovat niitä, joissa mainitun metallin painoprosentti on suurempi kuin minkään muun aineen. |
| --- | --- |

1.

Metalliseokset 1C002 kohdassa ovat niitä, joissa mainitun metallin painoprosentti on suurempi kuin minkään muun aineen.

| 2. | Jännitysmurtumaikä mitataan ASTM-standardin E-139 tai vastaavien standardien mukaisesti. |
| --- | --- |

2.

Jännitysmurtumaikä mitataan ASTM-standardin E-139 tai vastaavien standardien mukaisesti.

| 3. | Väsymisikä mitataan ASTM-standardin E-606 ‧Recommended Practice for Constant-Amplitude Low-Cycle Fatigue Testing‧ mukaisesti tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti. Testauksen tulee olla aksiaalinen, keskimääräisen jännityssuhteen 1 ja jännityksen keskityskertoimen (Kt) 1. Keskimääräinen jännityssuhde määritellään maksimijännityksen ja minimijännityksen erotuksen sekä maksimijännityksen osamääränä. |
| --- | --- |

3.

Väsymisikä mitataan ASTM-standardin E-606 ‧Recommended Practice for Constant-Amplitude Low-Cycle Fatigue Testing‧ mukaisesti tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti. Testauksen tulee olla aksiaalinen, keskimääräisen jännityssuhteen 1 ja jännityksen keskityskertoimen (Kt) 1. Keskimääräinen jännityssuhde määritellään maksimijännityksen ja minimijännityksen erotuksen sekä maksimijännityksen osamääränä.

| a. | Seuraavat aluminidit:






  1. | Nikkelialuminidit, jotka sisältävät vähintään 15 painoprosenttia alumiinia, korkeintaan 38 painoprosenttia alumiinia ja vähintään yhden lisäseosalkuaineen; |
| --- | --- | --- |

a.

Seuraavat aluminidit:

1.

Nikkelialuminidit, jotka sisältävät vähintään 15 painoprosenttia alumiinia, korkeintaan 38 painoprosenttia alumiinia ja vähintään yhden lisäseosalkuaineen;

| 2. | Titaanialuminidit, jotka sisältävät 10 painoprosenttia tai enemmän alumiinia ja vähintään yhden lisäseosalkuaineen; |
| --- | --- |

2.

Titaanialuminidit, jotka sisältävät 10 painoprosenttia tai enemmän alumiinia ja vähintään yhden lisäseosalkuaineen;

| b. | Seuraavat metalliseokset, jotka on valmistettu 1C002.c kohdassa määritellyistä materiaaleista:






  1. | Nikkeliseokset, joiden:






  a. | Jännitysmurtumaikä on 10 000 tuntia tai enemmän 923 K (650 °C) asteen lämpötilassa rasituksen ollessa 676 MPa; tai |
| --- | --- | --- | --- |

b.

Seuraavat metalliseokset, jotka on valmistettu 1C002.c kohdassa määritellyistä materiaaleista:

1.

Nikkeliseokset, joiden:

a.

Jännitysmurtumaikä on 10 000 tuntia tai enemmän 923 K (650 °C) asteen lämpötilassa rasituksen ollessa 676 MPa; tai

| b. | Low cycle -väsymisikä on 10 000 jaksoa tai enemmän 823 K (550 °C) asteen lämpötilassa maksimirasituksen ollessa 1 095 MPa; |
| --- | --- |

b.

Low cycle -väsymisikä on 10 000 jaksoa tai enemmän 823 K (550 °C) asteen lämpötilassa maksimirasituksen ollessa 1 095 MPa;

| 2. | Niobiumseokset, joiden:






  a. | Jännitysmurtumaikä on 10 000 tuntia tai enemmän 1 073 K (800 °C) asteen lämpötilassa rasituksen ollessa 400 MPa; tai |
| --- | --- | --- |

2.

Niobiumseokset, joiden:

a.

Jännitysmurtumaikä on 10 000 tuntia tai enemmän 1 073 K (800 °C) asteen lämpötilassa rasituksen ollessa 400 MPa; tai

| b. | Low cycle -väsymisikä on 10 000 jaksoa tai enemmän 973 K (700 °C) asteen lämpötilassa maksimirasituksen ollessa 700 MPa; |
| --- | --- |

b.

Low cycle -väsymisikä on 10 000 jaksoa tai enemmän 973 K (700 °C) asteen lämpötilassa maksimirasituksen ollessa 700 MPa;

| 3. | Titaaniseokset, joiden:






  a. | Jännitysmurtumaikä on 10 000 tuntia tai enemmän 723 K (450 °C) asteen lämpötilassa rasituksen ollessa 200 MPa; tai |
| --- | --- | --- |

3.

Titaaniseokset, joiden:

a.

Jännitysmurtumaikä on 10 000 tuntia tai enemmän 723 K (450 °C) asteen lämpötilassa rasituksen ollessa 200 MPa; tai

| b. | Low cycle -väsymisikä on 10 000 jaksoa tai enemmän 723 K (450 °C) asteen lämpötilassa maksimirasituksen ollessa 400 MPa; |
| --- | --- |

b.

Low cycle -väsymisikä on 10 000 jaksoa tai enemmän 723 K (450 °C) asteen lämpötilassa maksimirasituksen ollessa 400 MPa;

| 4. | Alumiiniseokset, joiden vetolujuus on:






  a. | 240 MPa tai enemmän lämpötilan ollessa 473 K (200 °C) astetta; tai |
| --- | --- | --- |

4.

Alumiiniseokset, joiden vetolujuus on:

a.

240 MPa tai enemmän lämpötilan ollessa 473 K (200 °C) astetta; tai

| b. | 415 MPa tai enemmän lämpötilan ollessa 298 K (25 °C) astetta; |
| --- | --- |

b.

415 MPa tai enemmän lämpötilan ollessa 298 K (25 °C) astetta;

| 5. | Magnesiumseokset, joiden:






  a. | vetolujuus on 345 MPa tai enemmän; ja |
| --- | --- | --- |

5.

Magnesiumseokset, joiden:

a.

vetolujuus on 345 MPa tai enemmän; ja

| b. | syöpymisnopeus on vähemmän kuin 1 mm/vuosi 3 %:sessa natriumkloridin vesiliuoksessa mitattuna ASTM-standardin G-31 tai vastaavan kansallisen standardin mukaisesti; |
| --- | --- |

b.

syöpymisnopeus on vähemmän kuin 1 mm/vuosi 3 %:sessa natriumkloridin vesiliuoksessa mitattuna ASTM-standardin G-31 tai vastaavan kansallisen standardin mukaisesti;

| c. | Metalliseosjauhe- tai hiukkasmaiset materiaalit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Ne on tehty jostakin seuraavista seossysteemeistä:
  Tekn. huom.:

  Seuraavissa kaavoissa X tarkoittaa yhtä tai useampaa seosalkuainetta.







  a. | Nikkeliseokset (Ni-Al-X, Ni-X-Al), jotka ovat turbiinimoottorien osiksi sopivia, eli joissa on vähemmän kuin 3 (valmistusprosessin aikana lisättyä) kooltaan yli 100 μm olevaa epämetallipartikkelia 109 seospartikkelia kohti; |
| --- | --- | --- | --- |

c.

Metalliseosjauhe- tai hiukkasmaiset materiaalit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Ne on tehty jostakin seuraavista seossysteemeistä:

Tekn. huom.:

Seuraavissa kaavoissa X tarkoittaa yhtä tai useampaa seosalkuainetta.

a.

Nikkeliseokset (Ni-Al-X, Ni-X-Al), jotka ovat turbiinimoottorien osiksi sopivia, eli joissa on vähemmän kuin 3 (valmistusprosessin aikana lisättyä) kooltaan yli 100 μm olevaa epämetallipartikkelia 109 seospartikkelia kohti;

| b. | Niobiumseokset (Nb-Al-X tai Nb-X-Al, Nb-Si-X tai Nb-X-Si, Nb-Ti-X tai Nb-X-Ti); |
| --- | --- |

b.

Niobiumseokset (Nb-Al-X tai Nb-X-Al, Nb-Si-X tai Nb-X-Si, Nb-Ti-X tai Nb-X-Ti);

| c. | Titaaniseokset (Ti-Al-X tai Ti-X-Al); |
| --- | --- |

c.

Titaaniseokset (Ti-Al-X tai Ti-X-Al);

| d. | Alumiiniseokset (Al-Mg-X tai Al-X-Mg, Al-Zn-X tai Al-X-Zn, Al-Fe-X tai Al-X-Fe); tai |
| --- | --- |

d.

Alumiiniseokset (Al-Mg-X tai Al-X-Mg, Al-Zn-X tai Al-X-Zn, Al-Fe-X tai Al-X-Fe); tai

| e. | Magnesiumseokset (Mg-Al-X tai Mg-X-Al); ja |
| --- | --- |

e.

Magnesiumseokset (Mg-Al-X tai Mg-X-Al); ja

| 2. | Ne on valmistettu kontrolloiduissa olosuhteissa jollakin seuraavista prosesseista:






  a. | "Tyhjöatomisointi"; |
| --- | --- | --- |

2.

Ne on valmistettu kontrolloiduissa olosuhteissa jollakin seuraavista prosesseista:

a.

"Tyhjöatomisointi";

| b. | "Kaasuatomisointi"; |
| --- | --- |

b.

"Kaasuatomisointi";

| c. | "Pyörivä atomisointi"; |
| --- | --- |

c.

"Pyörivä atomisointi";

| d. | "Läimäyssammutus"; |
| --- | --- |

d.

"Läimäyssammutus";

| e. | "Sulakehräys" ja "jauhatus"; |
| --- | --- |

e.

"Sulakehräys" ja "jauhatus";

| f. | "Sulaerotus" ja "jauhatus"; tai |
| --- | --- |

f.

"Sulaerotus" ja "jauhatus"; tai

| g. | "Mekaaninen seostus"; ja |
| --- | --- |

g.

"Mekaaninen seostus"; ja

| 3. | Ne voivat muodostaa 1C002.a tai 1C002.b kohdassa määriteltyjä materiaaleja. |
| --- | --- |

3.

Ne voivat muodostaa 1C002.a tai 1C002.b kohdassa määriteltyjä materiaaleja.

| d. | Seostetut materiaalit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Ne on tehty 1C002.c.1 kohdassa määritellyistä seossysteemeistä; |
| --- | --- | --- |

d.

Seostetut materiaalit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Ne on tehty 1C002.c.1 kohdassa määritellyistä seossysteemeistä;

| 2. | Ne ovat hienontamattomina hiutaleina, nauhoina tai ohuina tankoina; ja |
| --- | --- |

2.

Ne ovat hienontamattomina hiutaleina, nauhoina tai ohuina tankoina; ja

| 3. | Ne on tuotettu kontrolloidussa ympäristössä jollakin seuraavista menetelmistä:






  a. | "läimäyssammutusmenetelmä", |
| --- | --- | --- |

3.

Ne on tuotettu kontrolloidussa ympäristössä jollakin seuraavista menetelmistä:

a.

"läimäyssammutusmenetelmä",

| b. | "sulakehräysmenetelmä", tai |
| --- | --- |

b.

"sulakehräysmenetelmä", tai

| c. | "sulaerotusmenetelmä". |
| --- | --- |

c.

"sulaerotusmenetelmä".

1C003Kaikentyyppiset ja -muotoiset magneettiset metallit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

| a. | Suhteellinen alkupermeabiliteetti 120 000 tai enemmän ja paksuus 0,05 mm tai vähemmän;
  Tekn. huom.:

  Alkupermeabiliteetin mittaus on suoritettava täysin hehkutetuilla materiaaleilla. |
| --- | --- |

a.

Suhteellinen alkupermeabiliteetti 120 000 tai enemmän ja paksuus 0,05 mm tai vähemmän;

Tekn. huom.:

Alkupermeabiliteetin mittaus on suoritettava täysin hehkutetuilla materiaaleilla.

| b. | Magnetostriktiiviset metalliseokset, joiden:






  1. | Magnetostriktiivinen saturaatio on enemmän kuin 5 × 10-4; tai |
| --- | --- | --- |

b.

Magnetostriktiiviset metalliseokset, joiden:

1.

Magnetostriktiivinen saturaatio on enemmän kuin 5 × 10-4; tai

| 2. | Magnetomekaaninen kytkentäkerroin (k) on enemmän kuin 0,8; tai |
| --- | --- |

2.

Magnetomekaaninen kytkentäkerroin (k) on enemmän kuin 0,8; tai

| c. | Amorfiset tai ‧nanokiteiset‧ metalliseosnauhat, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Koostumuksesta vähintään 75 painoprosenttia on rautaa, kobolttia tai nikkeliä; |
| --- | --- | --- |

c.

Amorfiset tai ‧nanokiteiset‧ metalliseosnauhat, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Koostumuksesta vähintään 75 painoprosenttia on rautaa, kobolttia tai nikkeliä;

| 2. | Magneettisen induktion saturaatio (Bs) on 1,6 T tai enemmän; ja |
| --- | --- |

2.

Magneettisen induktion saturaatio (Bs) on 1,6 T tai enemmän; ja

| 3. | Jokin seuraavista:






  a. | Nauhapaksuus on 0,02 mm tai vähemmän; tai |
| --- | --- | --- |

3.

Jokin seuraavista:

a.

Nauhapaksuus on 0,02 mm tai vähemmän; tai

| b. | Ominaisresistanssi on 2 × 10-4 ohmi cm tai enemmän. |
| --- | --- |

b.

Ominaisresistanssi on 2 × 10-4 ohmi cm tai enemmän.

Tekn. huom.:

1C003.C kohdassa ‧nanokiteiset‧ materiaalit ovat sellaisia materiaaleja, joiden röntgendiffraktiolla määritelty kideraekoko on 50 nm tai vähemmän.

1C004Uraani-titaaniseokset tai volframiseokset, joilla on rauta-, nikkeli- tai kuparipohjainen "matriisi" ja joiden:

| a. | Tiheys ylittää 17,5 g/cm3; |
| --- | --- |

a.

Tiheys ylittää 17,5 g/cm3;

| b. | Elastisuusraja ylittää 880 MPa; |
| --- | --- |

b.

Elastisuusraja ylittää 880 MPa;

| c. | Murtolujuus ylittää 1 270 MPa; ja |
| --- | --- |

c.

Murtolujuus ylittää 1 270 MPa; ja

| d. | Venymä ylittää 8 %. |
| --- | --- |

d.

Venymä ylittää 8 %.

1C005Seuraavat yli 100 m pitkät tai yli 100 g:n painoiset "suprajohtavat""komposiitti"-johtimet:

| a. | Monikuituiset "suprajohtavat""komposiitti"johtimet, jotka sisältävät yhden tai useamman niobium-titaanikuidun:






  1. | Joka on istutettu muuhun "matriisiin" kuin kupari- tai kuparipohjaiseen "matriisiin"; tai |
| --- | --- | --- |

a.

Monikuituiset "suprajohtavat""komposiitti"johtimet, jotka sisältävät yhden tai useamman niobium-titaanikuidun:

1.

Joka on istutettu muuhun "matriisiin" kuin kupari- tai kuparipohjaiseen "matriisiin"; tai

| 2. | Jonka poikkileikkauksen pinta-ala on vähemmän kuin 0,28 × 10-4 mm2 (pyöreiden kuitujen halkaisija on vähemmän kuin 6 μm); |
| --- | --- |

2.

Jonka poikkileikkauksen pinta-ala on vähemmän kuin 0,28 × 10-4 mm2 (pyöreiden kuitujen halkaisija on vähemmän kuin 6 μm);

| b. | Yhdestä tai useammasta, muusta kuin niobium-titaanista valmistetusta "suprajohtavasta" kuidusta koostuvat "suprajohtavat""komposiitti"johtimet:






  1. | Joiden "kriittinen lämpötila" magneettisen induktion nollapisteessä ylittää 9,85 K (– 263,31 °C) astetta, mutta on vähemmän kuin 24 K (– 249,16 °C) astetta; |
| --- | --- | --- |

b.

Yhdestä tai useammasta, muusta kuin niobium-titaanista valmistetusta "suprajohtavasta" kuidusta koostuvat "suprajohtavat""komposiitti"johtimet:

1.

Joiden "kriittinen lämpötila" magneettisen induktion nollapisteessä ylittää 9,85 K (– 263,31 °C) astetta, mutta on vähemmän kuin 24 K (– 249,16 °C) astetta;

| 2. | Joiden poikkileikkauksen pinta-ala on vähemmän kuin 0,28 × 10-4 mm2; ja |
| --- | --- |

2.

Joiden poikkileikkauksen pinta-ala on vähemmän kuin 0,28 × 10-4 mm2; ja

| 3. | Jotka pysyvät "suprajohtavassa" tilassa 4,2 K (– 268,96 °C) asteessa, kun ne asetetaan magneettikenttään, jonka magneettinen induktio on 12 T. |
| --- | --- |

3.

Jotka pysyvät "suprajohtavassa" tilassa 4,2 K (– 268,96 °C) asteessa, kun ne asetetaan magneettikenttään, jonka magneettinen induktio on 12 T.

1C006Seuraavat nesteet ja voiteluaineet:

| a. | Hydraulinesteet, jotka sisältävät perusainesosanaan jotain seuraavista yhdisteistä tai aineista:






  1. | Synteettiset pii-hiili-vety-öljyt, joiden:
  Tekn. huom.:

  1C006.a.1 kohdassa pii-hiili-vety-öljyt sisältävät pelkästään piitä, vetyä ja hiiltä.







  a. | Leimahduspiste ylittää 477 K (204 °C) astetta; |
| --- | --- | --- | --- |

a.

Hydraulinesteet, jotka sisältävät perusainesosanaan jotain seuraavista yhdisteistä tai aineista:

1.

Synteettiset pii-hiili-vety-öljyt, joiden:

Tekn. huom.:

1C006.a.1 kohdassa pii-hiili-vety-öljyt sisältävät pelkästään piitä, vetyä ja hiiltä.

a.

Leimahduspiste ylittää 477 K (204 °C) astetta;

| b. | Jähmepiste on 239 K (– 34 °C) astetta tai alempi; |
| --- | --- |

b.

Jähmepiste on 239 K (– 34 °C) astetta tai alempi;

| c. | Viskositeetti-indeksi on 75 tai enemmän; ja |
| --- | --- |

c.

Viskositeetti-indeksi on 75 tai enemmän; ja

| d. | Terminen stabiliteetti on 616 K (343 °C) astetta; tai |
| --- | --- |

d.

Terminen stabiliteetti on 616 K (343 °C) astetta; tai

| 2. | Kloori-fluori-hiili-yhdisteet:
  Tekn. huom.:

  1C006.a.2 kohdassa kloori-fluori-hiili-yhdisteet sisältävät pelkästään klooria, fluoria ja hiiltä.







  a. | Joilla ei ole leimahduspistettä; |
| --- | --- | --- |

2.

Kloori-fluori-hiili-yhdisteet:

Tekn. huom.:

1C006.a.2 kohdassa kloori-fluori-hiili-yhdisteet sisältävät pelkästään klooria, fluoria ja hiiltä.

a.

Joilla ei ole leimahduspistettä;

| b. | Joiden itsesyttymislämpötila on yli 977 K (704 °C) astetta; |
| --- | --- |

b.

Joiden itsesyttymislämpötila on yli 977 K (704 °C) astetta;

| c. | Joiden jähmepiste on 219 K (– 54 °C) astetta tai alempi; |
| --- | --- |

c.

Joiden jähmepiste on 219 K (– 54 °C) astetta tai alempi;

| d. | Joiden viskositeetti-indeksi on 80 tai enemmän; ja |
| --- | --- |

d.

Joiden viskositeetti-indeksi on 80 tai enemmän; ja

| e. | Joiden kiehumispiste on 473 K (200 °C) astetta tai korkeampi; |
| --- | --- |

e.

Joiden kiehumispiste on 473 K (200 °C) astetta tai korkeampi;

| b. | Voiteluaineet, jotka sisältävät perusainesosanaan jotain seuraavista yhdisteistä tai aineista:






  1. | Fenyleeni- tai alkyylifenyleenieetterit tai -tioeetterit tai niiden seokset, jotka sisältävät enemmän kuin kaksi eetteri- tai tioeetterifunktiota tai niiden seosta; tai |
| --- | --- | --- |

b.

Voiteluaineet, jotka sisältävät perusainesosanaan jotain seuraavista yhdisteistä tai aineista:

1.

Fenyleeni- tai alkyylifenyleenieetterit tai -tioeetterit tai niiden seokset, jotka sisältävät enemmän kuin kaksi eetteri- tai tioeetterifunktiota tai niiden seosta; tai

| 2. | Fluoratut silikoninesteet, joiden kinemaattinen viskositeetti on vähemmän kuin 5 000 mm2/s (5 000 senttistokea) 298 K (25 °C) asteen lämpötilassa mitattuna; |
| --- | --- |

2.

Fluoratut silikoninesteet, joiden kinemaattinen viskositeetti on vähemmän kuin 5 000 mm2/s (5 000 senttistokea) 298 K (25 °C) asteen lämpötilassa mitattuna;

| c. | Höyrystys- tai vaahdotusnesteet, joiden puhtaus ylittää 99,8 %, jotka sisältävät 100 millilitrassa vähemmän kuin 25 kooltaan 200 μm tai suurempaa partikkelia, ja jotka on valmistettu vähintään 85-prosenttisesti jostakin seuraavista yhdisteistä tai aineista:






  1. | Dibromitetrafluorietaani; |
| --- | --- | --- |

c.

Höyrystys- tai vaahdotusnesteet, joiden puhtaus ylittää 99,8 %, jotka sisältävät 100 millilitrassa vähemmän kuin 25 kooltaan 200 μm tai suurempaa partikkelia, ja jotka on valmistettu vähintään 85-prosenttisesti jostakin seuraavista yhdisteistä tai aineista:

1.

Dibromitetrafluorietaani;

| 2. | Polyklooritrifluorietyleeni (vain öljyiset tai vahamaiset muunnokset); tai |
| --- | --- |

2.

Polyklooritrifluorietyleeni (vain öljyiset tai vahamaiset muunnokset); tai

| 3. | Polybromitrifluorietyleeni; |
| --- | --- |

3.

Polybromitrifluorietyleeni;

| d. | Elektroniikan fluori-hiili-jäähdytysnesteet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Sisältävät 85 painoprosenttia tai enemmän jotakin seuraavista tai niiden seoksista:






  a. | Monomeerimuotoisia perfluoripolyalkylieetteri-triatsiineja tai perfluorialifaatti-eettereitä; |
| --- | --- | --- | --- |

d.

Elektroniikan fluori-hiili-jäähdytysnesteet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Sisältävät 85 painoprosenttia tai enemmän jotakin seuraavista tai niiden seoksista:

a.

Monomeerimuotoisia perfluoripolyalkylieetteri-triatsiineja tai perfluorialifaatti-eettereitä;

| b. | Perfluorialkyyliamineita; |
| --- | --- |

b.

Perfluorialkyyliamineita;

| c. | Perfluorisykloalkaaneja; tai |
| --- | --- |

c.

Perfluorisykloalkaaneja; tai

| d. | Perfluorialkaaneja; |
| --- | --- |

d.

Perfluorialkaaneja;

| 2. | Tiheys 298 K (25 °C) asteessa on 1,5 g/ml tai enemmän; |
| --- | --- |

2.

Tiheys 298 K (25 °C) asteessa on 1,5 g/ml tai enemmän;

| 3. | Nestemäisessä tilassa 273 K (0 °C) asteessa; ja |
| --- | --- |

3.

Nestemäisessä tilassa 273 K (0 °C) asteessa; ja

| 4. | Sisältävät 60 painoprosenttia tai enemmän fluoria. |
| --- | --- |

4.

Sisältävät 60 painoprosenttia tai enemmän fluoria.

Tekn. huom.:

1C006 kohdassa:

| a. | Leimahduspiste määritetään ASTM D-92:n kuvaamalla Cleveland Open cup- tai vastaavilla kansallisilla menetelmillä. |
| --- | --- |

a.

Leimahduspiste määritetään ASTM D-92:n kuvaamalla Cleveland Open cup- tai vastaavilla kansallisilla menetelmillä.

| b. | Jähmepiste määritetään ASTM D-97:n kuvaamalla tai vastaavilla kansallisilla menetelmillä. |
| --- | --- |

b.

Jähmepiste määritetään ASTM D-97:n kuvaamalla tai vastaavilla kansallisilla menetelmillä.

| c. | Viskositeetti-indeksi määritetään ASTM D-2270:n kuvaamalla tai vastaavilla kansallisilla menetelmillä. |
| --- | --- |

c.

Viskositeetti-indeksi määritetään ASTM D-2270:n kuvaamalla tai vastaavilla kansallisilla menetelmillä.

| d. | Terminen stabiliteetti määritetään seuraavalla koemenettelyllä tai vastaavilla kansallisilla menetelmillä: | 20 ml testattavaa nestettä asetetaan 46 ml:n vetoiseen ruostumattomasta teräksestä (tyyppiä 317) valmistettuun kammioon, joka sisältää yhden työkaluteräksisen (M-10), yhden teräksisen (52 100) ja yhden laivapronssisen (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn) nimellisläpimitaltaan 12,5 mm kuulan. |
| --- | --- | --- |

d.

Terminen stabiliteetti määritetään seuraavalla koemenettelyllä tai vastaavilla kansallisilla menetelmillä:

20 ml testattavaa nestettä asetetaan 46 ml:n vetoiseen ruostumattomasta teräksestä (tyyppiä 317) valmistettuun kammioon, joka sisältää yhden työkaluteräksisen (M-10), yhden teräksisen (52 100) ja yhden laivapronssisen (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn) nimellisläpimitaltaan 12,5 mm kuulan.

| | Kammio tyhjennetään typen avulla ja suljetaan (yhden) ilmakehän paineeseen, ja lämpötila nostetaan 644 ± 6 K (371 ± 6 °C) asteeseen kuudeksi tunniksi. |
| --- | --- |

Kammio tyhjennetään typen avulla ja suljetaan (yhden) ilmakehän paineeseen, ja lämpötila nostetaan 644 ± 6 K (371 ± 6 °C) asteeseen kuudeksi tunniksi.

| | Näytettä pidetään termisesti stabiilina, jos kaikki seuraavat ehdot täyttyvät:








  1. | Kunkin kuulan paino vähenee vähemmän kuin 10 mg kuulan pinnan yhtä mm2 kohti; |
| --- | --- | --- |

Näytettä pidetään termisesti stabiilina, jos kaikki seuraavat ehdot täyttyvät:

1.

Kunkin kuulan paino vähenee vähemmän kuin 10 mg kuulan pinnan yhtä mm2 kohti;

| 2. | Alkuperäisen, 311 K (38 C) asteessa määritetyn viskositeetin muutos on vähemmän kuin 25 %; ja |
| --- | --- |

2.

Alkuperäisen, 311 K (38 C) asteessa määritetyn viskositeetin muutos on vähemmän kuin 25 %; ja

| 3. | Kokonaishappo- tai -emäsluku on vähemmän kuin 0,40. |
| --- | --- |

3.

Kokonaishappo- tai -emäsluku on vähemmän kuin 0,40.

| e. | Itsesyttymislämpötila määritetään ASTM E-659:n kuvaamalla tai vastaavilla kansallisilla menetelmillä. |
| --- | --- |

e.

Itsesyttymislämpötila määritetään ASTM E-659:n kuvaamalla tai vastaavilla kansallisilla menetelmillä.

1C007Seuraavat keraamiset perusmateriaalit, keraamiset ei-"komposiitti"materiaalit, keraamiset "matriisi"-"komposiitti"materiaalit ja väliaineet:

Huom.: KATSO MYÖS 1C107 KOHTA.

| a. | Yksinkertaisten tai kompleksisten titaaniboridien perusmateriaalit, joiden metallisten epäpuhtauksien kokonaismäärä, tarkoituksellisia lisäaineita lukuunottamatta, on vähemmän kuin 5 000 ppm, keskimääräinen partikkelikoko on 5 mikrometriä tai vähemmän, ja korkeintaan 10 % hiukkasista on kooltaan suurempia kuin 10 mikrometriä; |
| --- | --- |

a.

Yksinkertaisten tai kompleksisten titaaniboridien perusmateriaalit, joiden metallisten epäpuhtauksien kokonaismäärä, tarkoituksellisia lisäaineita lukuunottamatta, on vähemmän kuin 5 000 ppm, keskimääräinen partikkelikoko on 5 mikrometriä tai vähemmän, ja korkeintaan 10 % hiukkasista on kooltaan suurempia kuin 10 mikrometriä;

| b. | Titaaniborideista koostuvat keraamiset ei-"komposiitti"materiaalit raaka-aineena tai puolivalmisteina, joiden tiheys on 98 % tai enemmän teoreettisesta tiheydestä;


  Huom.: 1C007.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi hioma-aineita. |
| --- | --- |

b.

Titaaniborideista koostuvat keraamiset ei-"komposiitti"materiaalit raaka-aineena tai puolivalmisteina, joiden tiheys on 98 % tai enemmän teoreettisesta tiheydestä;

Huom.: 1C007.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi hioma-aineita.

| c. | Keraami-keraami-"komposiitit", joilla on lasi- tai oksidi"matriisi" ja jotka on lujitettu kuiduilla, joilla on kaikki seuraavista:






  1. | Ne on tehty jostakin seuraavista materiaaleista:






  a. | Si-N; |
| --- | --- | --- | --- |

c.

Keraami-keraami-"komposiitit", joilla on lasi- tai oksidi"matriisi" ja jotka on lujitettu kuiduilla, joilla on kaikki seuraavista:

1.

Ne on tehty jostakin seuraavista materiaaleista:

a.

Si-N;

| b. | Si-C; |
| --- | --- |

b.

Si-C;

| c. | Si-Al-O-N; tai |
| --- | --- |

c.

Si-Al-O-N; tai

| d. | Si-O-N; ja |
| --- | --- |

d.

Si-O-N; ja

| 2. | Niiden ominaismurtovetolujuus ylittää 12,7 × 103 m; |
| --- | --- |

2.

Niiden ominaismurtovetolujuus ylittää 12,7 × 103 m;

| d. | Keraami-keraami-"komposiitti" materiaalit, joilla on tai ei ole jatkuvaa metallifaasia, ja jotka sisältävät hienojakoisena minkä tahansa kuitumaisen tai whiskers-tyyppisen materiaalin hiukkasia tai faaseja, ja joissa "matriisin" muodostavat piin, zirkoniumin tai boorin karbidit tai nitridit; |
| --- | --- |

d.

Keraami-keraami-"komposiitti" materiaalit, joilla on tai ei ole jatkuvaa metallifaasia, ja jotka sisältävät hienojakoisena minkä tahansa kuitumaisen tai whiskers-tyyppisen materiaalin hiukkasia tai faaseja, ja joissa "matriisin" muodostavat piin, zirkoniumin tai boorin karbidit tai nitridit;

| e. | Seuraavat väliaineet (erikoispolymeeri- tai metalliorgaaniset materiaalit), jotka on tarkoitettu 1C007.c kohdassa määriteltyjen materiaalien jonkin faasin tai faasien valmistamiseen:






  1. | Polydiorganosilaanit (piikarbidin valmistukseen); |
| --- | --- | --- |

e.

Seuraavat väliaineet (erikoispolymeeri- tai metalliorgaaniset materiaalit), jotka on tarkoitettu 1C007.c kohdassa määriteltyjen materiaalien jonkin faasin tai faasien valmistamiseen:

1.

Polydiorganosilaanit (piikarbidin valmistukseen);

| 2. | Polysilatsaanit (piinitridin valmistukseen); |
| --- | --- |

2.

Polysilatsaanit (piinitridin valmistukseen);

| 3. | Polykarbosilatsaanit (pii-, hiili- ja typpikomponentteja sisältävien keraamisten aineiden valmistukseen). |
| --- | --- |

3.

Polykarbosilatsaanit (pii-, hiili- ja typpikomponentteja sisältävien keraamisten aineiden valmistukseen).

| f. | Keraami-keraami "komposiitti"materiaalit, joilla on oksidi- tai lasi"matriisi", joka on lujitettu jonkin seuraavien järjestelmien jatkuvilla kuiduilla:






  1. | Al2O3; tai |
| --- | --- | --- |

f.

Keraami-keraami "komposiitti"materiaalit, joilla on oksidi- tai lasi"matriisi", joka on lujitettu jonkin seuraavien järjestelmien jatkuvilla kuiduilla:

1.

Al2O3; tai

| 2. | Si-C-N. |
| --- | --- |

2.

Si-C-N.

Huom.: 1C007.f kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "komposiitteja", jotka sisältävät näiden järjestelmien kuituja, joiden vetolujuus on vähemmän kuin 700 Mpa 1 273 K (1 000 °C) asteen lämpötilassa tai virumisvastus on enemmän kuin 1 %:n virumisvenymä 100 Mpa:n kuormalla ja 1 273 K (1 000 °C) asteessa 100 tunnin aikana.

1C008Seuraavat fluoraamattomat polymeeriset aineet:

| a. | 1. | Bismaleimidit; |
| --- | --- | --- |

a.

1.

Bismaleimidit;

| 2. | Aromaattiset polyamidi-imidit; |
| --- | --- |

2.

Aromaattiset polyamidi-imidit;

| 3. | Aromaattiset polyimidit; |
| --- | --- |

3.

Aromaattiset polyimidit;

| 4. | Aromaattiset polyeetteri-imidit, joiden lasittumislämpötila (Tg) ylittää 513 K (240 °C) astetta; |
| --- | --- |

4.

Aromaattiset polyeetteri-imidit, joiden lasittumislämpötila (Tg) ylittää 513 K (240 °C) astetta;

Huom.: 1C008.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi sulamattomia muottipuristusjauheita tai puristeita.

| b. | Termoplastiset nestekidesekapolymeerit, joilla pehmenemislämpötila ylittää 523 K (250 °C) astetta mitattuna ISO-standardin 75-3 (2004) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti 1,82 N/mm2 kuormituksen alaisena, ja jotka koostuvat:






  1. | Jostakin seuraavista aineista:






  a. | Fenyleeni, bifenyleeni tai naftaleeni; tai |
| --- | --- | --- | --- |

b.

Termoplastiset nestekidesekapolymeerit, joilla pehmenemislämpötila ylittää 523 K (250 °C) astetta mitattuna ISO-standardin 75-3 (2004) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti 1,82 N/mm2 kuormituksen alaisena, ja jotka koostuvat:

1.

Jostakin seuraavista aineista:

a.

Fenyleeni, bifenyleeni tai naftaleeni; tai

| b. | Metyyli-, tertiääri-butyyli- tai fenyylisubstituoitu fenyleeni, bifenyleeni tai naftaleeni; ja |
| --- | --- |

b.

Metyyli-, tertiääri-butyyli- tai fenyylisubstituoitu fenyleeni, bifenyleeni tai naftaleeni; ja

| 2. | Jostakin seuraavista hapoista:






  a. | Tereftaalihappo; |
| --- | --- | --- |

2.

Jostakin seuraavista hapoista:

a.

Tereftaalihappo;

| b. | 6-hydroksi-2-naftoehappo; tai |
| --- | --- |

b.

6-hydroksi-2-naftoehappo; tai

| c. | 4-hydroksibentsoehappo; |
| --- | --- |

c.

4-hydroksibentsoehappo;

| c. | Seuraavat polyaryleeni-eetteri-ketonit:






  1. | Ei käytössä; |
| --- | --- | --- |

c.

Seuraavat polyaryleeni-eetteri-ketonit:

1.

Ei käytössä;

| 2. | Polyeetteri-ketoni-ketoni (PEKK); |
| --- | --- |

2.

Polyeetteri-ketoni-ketoni (PEKK);

| 3. | Polyeetteri-ketoni (PEK); |
| --- | --- |

3.

Polyeetteri-ketoni (PEK);

| 4. | Polyeetteri-ketoni-eetteri-ketoni-ketoni (PEKEKK); |
| --- | --- |

4.

Polyeetteri-ketoni-eetteri-ketoni-ketoni (PEKEKK);

| d. | Polyaryleeniketonit; |
| --- | --- |

d.

Polyaryleeniketonit;

| e. | Polyaryleenisulfidit, joissa aryleeniryhmä on bifenyleeni, trifenyleeni tai jokin niiden yhdistelmistä; |
| --- | --- |

e.

Polyaryleenisulfidit, joissa aryleeniryhmä on bifenyleeni, trifenyleeni tai jokin niiden yhdistelmistä;

| f. | Polybifenyleenieetterisulfoni, jonka lasittumislämpötila (Tg) ylittää 513 K (240 °C) astetta. |
| --- | --- |

f.

Polybifenyleenieetterisulfoni, jonka lasittumislämpötila (Tg) ylittää 513 K (240 °C) astetta.

Tekn. huom.:

Lasittumislämpötila (Tg) 1C008 kohdan materiaaleille määritetään ISO-standardissa 11357-2 (1999) tai vastaavissa kansallisissa standardeissa kuvatulla tavalla.

1C009Seuraavat käsittelemättömät fluoratut yhdisteet:

| a. | Vinyylideenifluoridin sekapolymeerit, joilla ilman venytystä on 75 % tai enemmän betakiderakennetta; |
| --- | --- |

a.

Vinyylideenifluoridin sekapolymeerit, joilla ilman venytystä on 75 % tai enemmän betakiderakennetta;

| b. | Fluoratut polyimidit, jotka sisältävät 10 painoprosenttia tai enemmän sitoutunutta fluoria; |
| --- | --- |

b.

Fluoratut polyimidit, jotka sisältävät 10 painoprosenttia tai enemmän sitoutunutta fluoria;

| c. | Fluoratut fosfatseeni-elastomeerit, jotka sisältävät 30 painoprosenttia tai enemmän sitoutunutta fluoria. |
| --- | --- |

c.

Fluoratut fosfatseeni-elastomeerit, jotka sisältävät 30 painoprosenttia tai enemmän sitoutunutta fluoria.

1C010Seuraavat "kuitu- tai säiemateriaalit", joita voidaan käyttää "komposiitti"rakenteissa tai -laminaateissa, joilla on orgaaninen "matriisi", metalli"matriisi" tai hiili"matriisi":

Huom.: KATSO MYÖS 1C210 KOHTA.

| a. | Orgaaniset "kuitu- tai säiemateriaalit", joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | "Ominaiskimmokerroin" ylittää 12,7 × 106 m; ja |
| --- | --- | --- |

a.

Orgaaniset "kuitu- tai säiemateriaalit", joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

"Ominaiskimmokerroin" ylittää 12,7 × 106 m; ja

| 2. | "Ominaismurtovetolujuus" ylittää 23,5 × 104 m; |
| --- | --- |

2.

"Ominaismurtovetolujuus" ylittää 23,5 × 104 m;

Huom.: 1C010.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi polyetyleeniä.

| b. | Hiilipohjaiset "kuitu- tai säiemateriaalit", joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | "Ominaiskimmokerroin" ylittää 12,7 × 106 m; ja |
| --- | --- | --- |

b.

Hiilipohjaiset "kuitu- tai säiemateriaalit", joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

"Ominaiskimmokerroin" ylittää 12,7 × 106 m; ja

| 2. | "Ominaismurtovetolujuus" ylittää 23,5 × 104 m; |
| --- | --- |

2.

"Ominaismurtovetolujuus" ylittää 23,5 × 104 m;

Huom.: 1C010.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi lentokoneiden rakenteiden tai laminointien korjaukseen tarkoitettuja kuitu- tai säiemateriaaleista valmistettua kudosta, jonka yksittäisten arkkien koko ei ylitä 50 cm × 90 cm.

Tekn. huom.:

1C010.b kohdassa mainittujen materiaalien ominaisuudet tulee määrittää SACMA:n (Suppliers of Advanced Composite Materials Association) suosittelemia menetelmiä SRM 12-17 tai vastaavia kansallisia vetokokeita käyttäen, kuten japanilaista JIS-R-7601 (Japanese Industrial Standard) 6.6.2 kohta, ja perustua erän keskiarvoon.

| c. | Epäorgaaniset "kuitu- tai säiemateriaalit", joiden:






  1. | "Ominaiskimmokerroin" ylittää 2,54 × 106 m; ja |
| --- | --- | --- |

c.

Epäorgaaniset "kuitu- tai säiemateriaalit", joiden:

1.

"Ominaiskimmokerroin" ylittää 2,54 × 106 m; ja

| 2. | Sulamis-, hajoamis- tai härmistymispiste on yli 1 922 K (1 649 °C) astetta neutraalissa ympäristössä; |
| --- | --- |

2.

Sulamis-, hajoamis- tai härmistymispiste on yli 1 922 K (1 649 °C) astetta neutraalissa ympäristössä;

Huom.: 1C010.c kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:

| 1. | Epäjatkuvia, monifaasisia, monikiteisiä alumiinioksidikuituja katkeena tai mattona, jotka sisältävät 3 painoprosenttia tai enemmän piitä ja joiden ominaiskimmomoduuli on vähemmän kuin 10 × 106 m; |
| --- | --- |

1.

Epäjatkuvia, monifaasisia, monikiteisiä alumiinioksidikuituja katkeena tai mattona, jotka sisältävät 3 painoprosenttia tai enemmän piitä ja joiden ominaiskimmomoduuli on vähemmän kuin 10 × 106 m;

| 2. | Molybdeeni- ja molybdeeniseoskuituja; |
| --- | --- |

2.

Molybdeeni- ja molybdeeniseoskuituja;

| 3. | Boorikuituja; |
| --- | --- |

3.

Boorikuituja;

| 4. | Epäjatkuvia keraamisia kuituja, joiden sulamis-, hajoamis- tai härmistymispiste on alempi kuin 2 043 K (1 770 °C) astetta neutraalissa ympäristössä. |
| --- | --- |

4.

Epäjatkuvia keraamisia kuituja, joiden sulamis-, hajoamis- tai härmistymispiste on alempi kuin 2 043 K (1 770 °C) astetta neutraalissa ympäristössä.

| d. | "Kuitu- tai säiemateriaalit":






  1. | Jotka koostuvat joistakin seuraavista:






  a. | 1C008.a kohdassa määritellyistä polyeetteri-imideistä; tai |
| --- | --- | --- | --- |

d.

"Kuitu- tai säiemateriaalit":

1.

Jotka koostuvat joistakin seuraavista:

a.

1C008.a kohdassa määritellyistä polyeetteri-imideistä; tai

| b. | 1C008.b–1C008.f kohdassa määritellyistä materiaaleista; tai |
| --- | --- |

b.

1C008.b–1C008.f kohdassa määritellyistä materiaaleista; tai

| 2. | Jotka koostuvat joistakin 1C010.d.1.a tai b kohdassa määritellyistä materiaaleista ja joihin on "sekoitettu" muita, 1C010.a, 1C010.b tai 1C010.c kohdassa määriteltyjä kuituja; |
| --- | --- |

2.

Jotka koostuvat joistakin 1C010.d.1.a tai b kohdassa määritellyistä materiaaleista ja joihin on "sekoitettu" muita, 1C010.a, 1C010.b tai 1C010.c kohdassa määriteltyjä kuituja;

| e. | Seuraavat muovi- tai hartsikyllästetyt kuidut (prepregit), metalli- tai hiilipinnoitteiset kuidut (preformit) tai hiilikuitu-preformit:






  1. | Jotka on valmistettu 1C010.a, 1C010.b tai 1C010.c kohdassa määritellyistä "kuitu- tai säiemateriaaleista"; |
| --- | --- | --- |

e.

Seuraavat muovi- tai hartsikyllästetyt kuidut (prepregit), metalli- tai hiilipinnoitteiset kuidut (preformit) tai hiilikuitu-preformit:

1.

Jotka on valmistettu 1C010.a, 1C010.b tai 1C010.c kohdassa määritellyistä "kuitu- tai säiemateriaaleista";

| 2. | Jotka on valmistettu orgaanisista tai hiilipohjaisista "kuitu- tai säiemateriaaleista":






  a. | Joiden "ominaismurtovetolujuus" ylittää 17,7 × 104 m; |
| --- | --- | --- |

2.

Jotka on valmistettu orgaanisista tai hiilipohjaisista "kuitu- tai säiemateriaaleista":

a.

Joiden "ominaismurtovetolujuus" ylittää 17,7 × 104 m;

| b. | Joiden "ominaiskimmokerroin" ylittää 10,15 × 106 m; |
| --- | --- |

b.

Joiden "ominaiskimmokerroin" ylittää 10,15 × 106 m;

| c. | Joita ei ole määritelty 1C010.a tai 1C010.b kohdassa; ja |
| --- | --- |

c.

Joita ei ole määritelty 1C010.a tai 1C010.b kohdassa; ja

| d. | Jotka on kyllästetty 1C008 tai 1C009.b kohdassa määritellyillä materiaaleilla, joiden lasittumislämpötila (Tg) ylittää 383 K (110 °C) astetta, tai fenoli- tai epoksihartseilla, joiden lasittumislämpötila (Tg) on 418 K (145 °C) tai enemmän. |
| --- | --- |

d.

Jotka on kyllästetty 1C008 tai 1C009.b kohdassa määritellyillä materiaaleilla, joiden lasittumislämpötila (Tg) ylittää 383 K (110 °C) astetta, tai fenoli- tai epoksihartseilla, joiden lasittumislämpötila (Tg) on 418 K (145 °C) tai enemmän.

Huom.: 1C010.e kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:

| a. | Epoksihartsi"matriisilla" kyllästettyjä hiili"kuitu- tai -säiemateriaaleja" (prepregejä), jotka on tarkoitettu lentokoneiden rakenteiden tai laminaattien korjaamiseen, jossa yksittäisten prepegiarkkien koko ei ylitä 50 cm × 90 cm. |
| --- | --- |

a.

Epoksihartsi"matriisilla" kyllästettyjä hiili"kuitu- tai -säiemateriaaleja" (prepregejä), jotka on tarkoitettu lentokoneiden rakenteiden tai laminaattien korjaamiseen, jossa yksittäisten prepegiarkkien koko ei ylitä 50 cm × 90 cm.

| b. | Prepregejä, jotka on kyllästetty fenoli- tai epoksihartseilla ja joiden lasittumislämpötila (Tg) on vähemmän kuin 433 K (160 °C) ja kovettumislämpötila alempi kuin lasittumislämpötila. |
| --- | --- |

b.

Prepregejä, jotka on kyllästetty fenoli- tai epoksihartseilla ja joiden lasittumislämpötila (Tg) on vähemmän kuin 433 K (160 °C) ja kovettumislämpötila alempi kuin lasittumislämpötila.

Tekn. huom.:

Lasittumislämpötila (Tg) 1C010.e kohdan materiaaleille määritetään ASTM D 3418:ssa kuvatulla tavalla kuivamenetelmää käyttäen. Lasittumislämpötila fenoli- ja epoksihartseille määritetään ASTM D 4065:ssä kuvatulla tavalla 1 Hz:n taajuudella ja kuumentamisnopeudella 2 K (°C) minuutissa kuivamenetelmää käyttäen.

1C011Seuraavat metallit ja yhdisteet:

Huom.: KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO JA 1C111 KOHTA.

| a. | Metallit, joiden hiukkaskoko on vähemmän kuin 60 μm riippumatta siitä ovatko ne pallomaisia, hivennettyjä, pallomaisia, hiutaloituja tai jauhettuja, jotka on valmistettu materiaalista, joka sisältää 99 % tai enemmän zirkoniumia, magnesiumia ja näiden seoksia;
  Tekn. huom.:

  Hafniumin luontainen pitoisuus zirkoniumissa (tyypillisesti 2–7 prosenttia) lasketaan zirkoniumin kanssa.



  Huom.: 1C011.a kohdassa luetellut metallit tai seokset ovat valvonnanalaisia riippumatta siitä onko metallit tai seokset kapseloitu alumiiniin, magnesiumiin, zirkoniumiin tai berylliumiin. |
| --- | --- |

a.

Metallit, joiden hiukkaskoko on vähemmän kuin 60 μm riippumatta siitä ovatko ne pallomaisia, hivennettyjä, pallomaisia, hiutaloituja tai jauhettuja, jotka on valmistettu materiaalista, joka sisältää 99 % tai enemmän zirkoniumia, magnesiumia ja näiden seoksia;

Tekn. huom.:

Hafniumin luontainen pitoisuus zirkoniumissa (tyypillisesti 2–7 prosenttia) lasketaan zirkoniumin kanssa.

Huom.: 1C011.a kohdassa luetellut metallit tai seokset ovat valvonnanalaisia riippumatta siitä onko metallit tai seokset kapseloitu alumiiniin, magnesiumiin, zirkoniumiin tai berylliumiin.

| b. | Boori tai boorikarbidi, jonka puhtaus on 85 % tai suurempi ja hiukkaskoko 60 mikrometriä tai vähemmän;


  Huom.: 1C011.b kohdassa listatut metallit tai seokset ovat valvonnanalaisia riippumatta siitä onko metallit tai seokset kapseloitu alumiiniin, magnesiumiin, zirkoniumiin tai berylliumiin. |
| --- | --- |

b.

Boori tai boorikarbidi, jonka puhtaus on 85 % tai suurempi ja hiukkaskoko 60 mikrometriä tai vähemmän;

Huom.: 1C011.b kohdassa listatut metallit tai seokset ovat valvonnanalaisia riippumatta siitä onko metallit tai seokset kapseloitu alumiiniin, magnesiumiin, zirkoniumiin tai berylliumiin.

| c. | Guanidiininitraatti. |
| --- | --- |

c.

Guanidiininitraatti.

| d. | Nitroquanidiini (NQ) (CAS 556-88-7). |
| --- | --- |

d.

Nitroquanidiini (NQ) (CAS 556-88-7).

1C012Seuraavat materiaalit:

Tekn. huom.:

Näitä materiaaleja käytetään tyypillisesti ydinlämpölähteissä.

| a. | Plutonium missä tahansa muodossa, jonka plutonium-238 isotooppipitoisuus on enemmän kuin 50 % painosta;


  Huom.: 1C012.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:








  a. | Toimituksia, joissa plutoniumsisältö on 1 g tai vähemmän; |
| --- | --- | --- |

a.

Plutonium missä tahansa muodossa, jonka plutonium-238 isotooppipitoisuus on enemmän kuin 50 % painosta;

Huom.: 1C012.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:

a.

Toimituksia, joissa plutoniumsisältö on 1 g tai vähemmän;

| b. | Toimituksia, joissa on 3 "tehollista grammaa" tai vähemmän instrumentin anturoivassa osassa. |
| --- | --- |

b.

Toimituksia, joissa on 3 "tehollista grammaa" tai vähemmän instrumentin anturoivassa osassa.

| b. | "Aiemmin erotettu" neptunium-237 missä tahansa muodossa.


  Huom.: 1C012.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi toimituksia, joissa neptunium-237 sisältö on 1 g tai vähemmän. |
| --- | --- |

b.

"Aiemmin erotettu" neptunium-237 missä tahansa muodossa.

Huom.: 1C012.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi toimituksia, joissa neptunium-237 sisältö on 1 g tai vähemmän.

1C101Muut, kuin 1C001 kohdassa määritellyt, "ohjuksissa", "ohjusten" alajärjestelmissä tai 9A012 kohdassa määritellyissä miehittämättömissä ilma-aluksissa käyttökelpoiset materiaalit ja laitteet, jotka pienentävät havaittavuutta, kuten tutkaheijastavuutta, ultravioletti-, infrapuna- tai akustista havaittavuutta.

Huom. 1: 1C101 kohta sisältää:

| a. | Rakennemateriaalit ja pinnoitteet, jotka on erityisesti kehitetty pienentämään tutkaheijastuvuutta; |
| --- | --- |

a.

Rakennemateriaalit ja pinnoitteet, jotka on erityisesti kehitetty pienentämään tutkaheijastuvuutta;

| b. | Pinnoitteet, mukaan lukien maalit, jotka on erityisesti kehitetty vähentämään tai muuntamaan säteilyn heijastuvuutta tai emissiivisyyttä spektrin mikroaalto-, infrapuna- tai ultraviolettialueella; |
| --- | --- |

b.

Pinnoitteet, mukaan lukien maalit, jotka on erityisesti kehitetty vähentämään tai muuntamaan säteilyn heijastuvuutta tai emissiivisyyttä spektrin mikroaalto-, infrapuna- tai ultraviolettialueella;

Huom. 2: 1C101 kohta ei sisällä pinnoitteita, kun niitä käytetään satelliittien lämmön kontrollointiin.

Tekn. huom.: 1C101 kohdassa "ohjuksilla" tarkoitetaan täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, joiden kantomatka on yli 300 km.

1C1029A004 kohdassa määriteltyihin avaruuteen laukaisussa käytettäviin kantoraketteihin tai 9A104 kohdassa määriteltyihin luotainraketteihin tarkoitetut toistokyllästetyt pyrolisoidut hiili-hiilimateriaalit.

1C107Seuraavat, muut kuin 1C007 kohdassa määritellyt grafiitti- ja keraamiset materiaalit:

| a. | Hienorakeiset grafiitit, joiden kappaletiheys on 1,72 g/cm3 tai suurempi, 288 K (15 °C) asteen lämpötilassa mitattuna, ja joiden raekoko on 100 μm tai vähemmän ja joita voidaan käyttää rakettien suuttimissa ja ilmakehään palaamaan suunniteltujen alusten kärkikartioissa ja jotka voidaan työstää joksikin seuraavista tuotteista:






  1. | Sylinterit, joiden halkaisija on 120 mm tai suurempi ja joiden pituus on 50 mm tai enemmän; |
| --- | --- | --- |

a.

Hienorakeiset grafiitit, joiden kappaletiheys on 1,72 g/cm3 tai suurempi, 288 K (15 °C) asteen lämpötilassa mitattuna, ja joiden raekoko on 100 μm tai vähemmän ja joita voidaan käyttää rakettien suuttimissa ja ilmakehään palaamaan suunniteltujen alusten kärkikartioissa ja jotka voidaan työstää joksikin seuraavista tuotteista:

1.

Sylinterit, joiden halkaisija on 120 mm tai suurempi ja joiden pituus on 50 mm tai enemmän;

| 2. | Putket, joiden sisähalkaisija on 65 mm tai suurempi ja joiden seinämäpaksuus on 25 mm tai enemmän ja joiden pituus on 50 mm tai enemmän; tai |
| --- | --- |

2.

Putket, joiden sisähalkaisija on 65 mm tai suurempi ja joiden seinämäpaksuus on 25 mm tai enemmän ja joiden pituus on 50 mm tai enemmän; tai

| 3. | Lohkot, joiden koko on 120 mm × 120 × 50 mm tai enemmän. |
| --- | --- |

3.

Lohkot, joiden koko on 120 mm × 120 × 50 mm tai enemmän.

Huom.: Katso myös 0C004 kohta.

| b. | Pyrolyyttiset tai kuituvahvisteiset grafiitit, joita voidaan käyttää "ohjusten" suuttimissa ja ilmakehään palamaan suunniteltujen alusten kärkikartioissa.


  Huom.: Katso myös 0C004 kohta. |
| --- | --- |

b.

Pyrolyyttiset tai kuituvahvisteiset grafiitit, joita voidaan käyttää "ohjusten" suuttimissa ja ilmakehään palamaan suunniteltujen alusten kärkikartioissa.

Huom.: Katso myös 0C004 kohta.

| c. | Keraamiset komposiittimateriaalit (dielektrisyysvakio pienempi kuin 6 taajuusalueilla 100 MHz–100 GHz), joita käytetään "ohjusten" tutka-antennien suojakuvuissa; |
| --- | --- |

c.

Keraamiset komposiittimateriaalit (dielektrisyysvakio pienempi kuin 6 taajuusalueilla 100 MHz–100 GHz), joita käytetään "ohjusten" tutka-antennien suojakuvuissa;

| d. | Kokonaisina työstettävät piikarbidivahvisteiset polttamattomat keraamit, joita käytetään "ohjusten" kärkikartioissa. |
| --- | --- |

d.

Kokonaisina työstettävät piikarbidivahvisteiset polttamattomat keraamit, joita käytetään "ohjusten" kärkikartioissa.

1C111Seuraavat, muut kuin 1C011 kohdassa määritellyt ajoaineet tai ajoaineiden raaka-aineina käytettävät kemikaalit:

| a. | Ajoaineet:






  1. | Muu kuin asetarvikeluettelossa mainittu alumiinipallojauhe, jonka tasakokoiset hiukkaset ovat läpimitaltaan alle 200 μm ja alumiinipitoisuus 97 painoprosenttia tai korkeampi, jos vähintään 10 prosenttia kokonaispainosta muodostuu hiukkasista, joiden läpimitta on alle 63 μm, ISO -standardin 2591:1988 tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti;
  Tekn. huom.:

  Hiukkaskoko 63 μm (ISO R – 565) vastaa raekokoa 250 (Tyler) tai 230 (ASTM – Standardi E – 11). |
| --- | --- | --- |

a.

Ajoaineet:

1.

Muu kuin asetarvikeluettelossa mainittu alumiinipallojauhe, jonka tasakokoiset hiukkaset ovat läpimitaltaan alle 200 μm ja alumiinipitoisuus 97 painoprosenttia tai korkeampi, jos vähintään 10 prosenttia kokonaispainosta muodostuu hiukkasista, joiden läpimitta on alle 63 μm, ISO -standardin 2591:1988 tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti;

Tekn. huom.:

Hiukkaskoko 63 μm (ISO R – 565) vastaa raekokoa 250 (Tyler) tai 230 (ASTM – Standardi E – 11).

| 2. | Muut kuin asetarvikeluettelossa mainitut metalliset ajoaineet, joiden pallomaisten, hivennettyjen, sferoidisten, hiutaloitujen tai jauhettujen hiukkasten koko on alle 60 μm ja jotka sisältävät 97 painoprosenttia tai enemmän seuraavista:






  a. | Zirkonium; |
| --- | --- | --- |

2.

Muut kuin asetarvikeluettelossa mainitut metalliset ajoaineet, joiden pallomaisten, hivennettyjen, sferoidisten, hiutaloitujen tai jauhettujen hiukkasten koko on alle 60 μm ja jotka sisältävät 97 painoprosenttia tai enemmän seuraavista:

a.

Zirkonium;

| b. | Beryllium; |
| --- | --- |

b.

Beryllium;

| c. | Magnesium; tai |
| --- | --- |

c.

Magnesium; tai

| d. | Edellä kohdissa a–c määriteltyjen metallien seokset; |
| --- | --- |

d.

Edellä kohdissa a–c määriteltyjen metallien seokset;

Tekn. huom.:

Hafniumin luontainen pitoisuus zirkoniumissa (tyypillisesti 2–7 prosenttia) lasketaan zirkoniumin kanssa.

| 3. | Seuraavat nestemäiset hapettavat aineet:






  a. | Dityppitrioksidi |
| --- | --- | --- |

3.

Seuraavat nestemäiset hapettavat aineet:

a.

Dityppitrioksidi

| b. | Typpidioksidi/dityppitetroksidi |
| --- | --- |

b.

Typpidioksidi/dityppitetroksidi

| c. | Dityppipentoksidi |
| --- | --- |

c.

Dityppipentoksidi

| d. | Typpioksidisekoitukset (MON);
  Tekn. huom.:

  Typpioksidisekoitukset (MON) ovat typpioksidin (NO) liuoksia dityppitetroksidissa/typpidioksidissa (N2O4/NO2), joita voidaan käyttää ohjusjärjestelmissä. On olemassa joukko koostumuksia, jotka voidaan nimetä lyhenteillä MONi tai MONij, joissa i ja j ovat kokonaislukuja, jotka kuvaavat typpioksidin prosenttiosuutta seoksessa (esim. MON3 sisältää 3 prosenttia typpioksidia, MON25 taas 25 prosenttia typpioksidia. Yläraja on MON40 eli 40 painoprosenttia). |
| --- | --- |

d.

Typpioksidisekoitukset (MON);

Tekn. huom.:

Typpioksidisekoitukset (MON) ovat typpioksidin (NO) liuoksia dityppitetroksidissa/typpidioksidissa (N2O4/NO2), joita voidaan käyttää ohjusjärjestelmissä. On olemassa joukko koostumuksia, jotka voidaan nimetä lyhenteillä MONi tai MONij, joissa i ja j ovat kokonaislukuja, jotka kuvaavat typpioksidin prosenttiosuutta seoksessa (esim. MON3 sisältää 3 prosenttia typpioksidia, MON25 taas 25 prosenttia typpioksidia. Yläraja on MON40 eli 40 painoprosenttia).

| e. | KATSO ASETARVIKELUETTELO: Inhibioitu punahöyryinen typpihappo (IRFNA); |
| --- | --- |

e.

KATSO ASETARVIKELUETTELO: Inhibioitu punahöyryinen typpihappo (IRFNA);

| f. | KATSO ASETARVIKELUETTELO JA 1C238: Yhdisteet, jotka muodostuvat fluorista ja yhdestä tai useammasta muusta halogeenista, hapesta tai typestä; |
| --- | --- |

f.

KATSO ASETARVIKELUETTELO JA 1C238: Yhdisteet, jotka muodostuvat fluorista ja yhdestä tai useammasta muusta halogeenista, hapesta tai typestä;

| 4. | Muut kuin asetarvikeluettelossa määritellyt hydratsiinijohdannaiset, joita voidaan käyttää rakettipolttoaineiden ainesosina. |
| --- | --- |

4.

Muut kuin asetarvikeluettelossa määritellyt hydratsiinijohdannaiset, joita voidaan käyttää rakettipolttoaineiden ainesosina.

| b. | Polymeeriset aineet:






  1. | Karboksyylipäätteinen polybutadieeni (CTPB); |
| --- | --- | --- |

b.

Polymeeriset aineet:

1.

Karboksyylipäätteinen polybutadieeni (CTPB);

| 2. | Hydroksyylipäätteinen polybutadieeni (HTPB), muu kuin asetarvikeluettelossa määritelty; |
| --- | --- |

2.

Hydroksyylipäätteinen polybutadieeni (HTPB), muu kuin asetarvikeluettelossa määritelty;

| 3. | Polybutadieeniakryylihappo (PBAA); |
| --- | --- |

3.

Polybutadieeniakryylihappo (PBAA);

| 4. | Polybutadieeniakryylihappoakrylonitriili (PBAN); |
| --- | --- |

4.

Polybutadieeniakryylihappoakrylonitriili (PBAN);

| c. | Muut ajoaineiden lisä- ja apuaineet:







  1. | KATSO ASETARVIKELUETTELOSTA karboraanit, dekaboraanit, pentaboraanit ja niiden johdannaiset; |
| --- | --- | --- |

c.

Muut ajoaineiden lisä- ja apuaineet:

1.

KATSO ASETARVIKELUETTELOSTA karboraanit, dekaboraanit, pentaboraanit ja niiden johdannaiset;

| 2. | Trietyleeniglykolidinitraatti (TEGDN); |
| --- | --- |

2.

Trietyleeniglykolidinitraatti (TEGDN);

| 3. | 2-nitrodifenyyliamiini; |
| --- | --- |

3.

2-nitrodifenyyliamiini;

| 4. | Trimetylolietaanitrinitraatti (TMETN); |
| --- | --- |

4.

Trimetylolietaanitrinitraatti (TMETN);

| 5. | Dietyleeniglykolidinitraatti (DEGDN); |
| --- | --- |

5.

Dietyleeniglykolidinitraatti (DEGDN);

| 6. | Seuraavat ferroseenijohdannaiset:







  a. | Katso asetarvikeluettelosta katoseeni; |
| --- | --- | --- |

6.

Seuraavat ferroseenijohdannaiset:

a.

Katso asetarvikeluettelosta katoseeni;

| b. | Etyyliferroseeni; |
| --- | --- |

b.

Etyyliferroseeni;

| c. | Propyyliferroseeni; |
| --- | --- |

c.

Propyyliferroseeni;

| d. | Katso asetarvikeluettelosta n-butyyliferroseeni; |
| --- | --- |

d.

Katso asetarvikeluettelosta n-butyyliferroseeni;

| e. | Pentyyliferroseeni; |
| --- | --- |

e.

Pentyyliferroseeni;

| f. | Disyklopentyyliferroseeni; |
| --- | --- |

f.

Disyklopentyyliferroseeni;

| g. | Disykloheksyyliferroseeni; |
| --- | --- |

g.

Disykloheksyyliferroseeni;

| h. | Dietyyliferroseeni; |
| --- | --- |

h.

Dietyyliferroseeni;

| i. | Dipropyyliferroseeni; |
| --- | --- |

i.

Dipropyyliferroseeni;

| j. | Dibutyyliferroseeni; |
| --- | --- |

j.

Dibutyyliferroseeni;

| k. | Diheksyyliferroseeni; |
| --- | --- |

k.

Diheksyyliferroseeni;

| l. | Asetyyliferroseenit; |
| --- | --- |

l.

Asetyyliferroseenit;

| m. | Katso asetarvikeluettelosta ferroseenikarboksyylihapot; |
| --- | --- |

m.

Katso asetarvikeluettelosta ferroseenikarboksyylihapot;

| n. | Katso asetarvikeluettelosta butaseeni; |
| --- | --- |

n.

Katso asetarvikeluettelosta butaseeni;

| o. | Muut kuin asetarvikeluettelossa määritellyt ferroseenijohdannaiset, joita voidaan käyttää rakettien ajoaineiden palamisnopeuden muuttamiseen. |
| --- | --- |

o.

Muut kuin asetarvikeluettelossa määritellyt ferroseenijohdannaiset, joita voidaan käyttää rakettien ajoaineiden palamisnopeuden muuttamiseen.

Huom.: Muut ajoaineet ja kemialliset ainesosat, joita 1C111 kohdassa ei ole määritelty: katso asetarvikeluettelo.

1C116Maraging-teräkset (teräkset, joille on tunnusomaista korkea nikkelipitoisuus, hyvin alhainen hiilipitoisuus sekä seostusaineiden tai erkaumien käyttö vanhenemis-karkenemisen aikaansaamiseksi), levyinä tai putkina, joiden (seinämän) paksuus on 5 mm tai vähemmän ja joiden murtovetolujuus on 1 500 MPa tai suurempi 293 K (20 °C) asteen lämpötilassa mitattuna.

Huom.: KATSO MYÖS 1C216 KOHTA.

1C117Wolframi, molybdeeni ja näiden metallien seokset tasakokoisina pallomaisina tai atomisoituina hiukkasina, joiden läpimitta on 500 mikrometriä tai pienempi ja pitoisuus 97 % tai suurempi, joita käytetään "ohjusten" moottoreiden komponenttien, esim. lämpösuojusten, suuttimien pohjarakenteiden, suuttimien kurkkujen ja työntövektorin ohjauspintojen valmistukseen.

1C118Titaanistabiloitu ruostumaton dupleksiteräs (Ti-DSS), jolla on:

| a. | Kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Sisältää 17,0–23,0 painoprosenttia kromia ja 4,5–7,0 painoprosenttia nikkeliä; |
| --- | --- | --- |

a.

Kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Sisältää 17,0–23,0 painoprosenttia kromia ja 4,5–7,0 painoprosenttia nikkeliä;

| 2. | Titaanipitoisuus suurempi kuin 0,10 painoprosenttia; ja |
| --- | --- |

2.

Titaanipitoisuus suurempi kuin 0,10 painoprosenttia; ja

| 3. | Ferriittis-austeniittinen mikrorakenne (toiselta nimeltään kaksiosainen mikrorakenne), josta vähintään 10 tilavuusprosenttia on austeniittia (ASTM-standardin E-1181-87 tai vastaavien kansallisten standardien mukaan); ja |
| --- | --- |

3.

Ferriittis-austeniittinen mikrorakenne (toiselta nimeltään kaksiosainen mikrorakenne), josta vähintään 10 tilavuusprosenttia on austeniittia (ASTM-standardin E-1181-87 tai vastaavien kansallisten standardien mukaan); ja

| b. | Jokin seuraavista muodoista:






  1. | Harkko tai tanko, jonka mitat ovat joka suunnassa 100 mm tai enemmän; |
| --- | --- | --- |

b.

Jokin seuraavista muodoista:

1.

Harkko tai tanko, jonka mitat ovat joka suunnassa 100 mm tai enemmän;

| 2. | Levy, jonka leveys on 600 mm tai enemmän ja paksuus 3 mm vai vähemmän; tai |
| --- | --- |

2.

Levy, jonka leveys on 600 mm tai enemmän ja paksuus 3 mm vai vähemmän; tai

| 3. | Putki, jonka ulompi halkaisija on 600 mm tai enemmän ja seinämän paksuus 3 mm tai vähemmän. |
| --- | --- |

3.

Putki, jonka ulompi halkaisija on 600 mm tai enemmän ja seinämän paksuus 3 mm tai vähemmän.

1C202Seuraavat metalliseokset, joita ei ole määritelty 1C002.b.3 tai b.4 kohdassa:

| a. | Alumiiniseokset, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:






  1. | murtovetolujuus voi olla 460 MPa tai enemmän 293 K (20 °C) asteen lämpötilassa; ja |
| --- | --- | --- |

a.

Alumiiniseokset, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

1.

murtovetolujuus voi olla 460 MPa tai enemmän 293 K (20 °C) asteen lämpötilassa; ja

| 2. | ne ovat putkina tai täysmetallisina tankoina (myös takeina), joiden ulkohalkaisija on yli 75 mm; |
| --- | --- |

2.

ne ovat putkina tai täysmetallisina tankoina (myös takeina), joiden ulkohalkaisija on yli 75 mm;

| b. | Titaaniseokset, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:






  1. | murtolujuus voi olla 900 MPa tai enemmän 293 K (20 °C) asteen lämpötilassa; ja |
| --- | --- | --- |

b.

Titaaniseokset, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

1.

murtolujuus voi olla 900 MPa tai enemmän 293 K (20 °C) asteen lämpötilassa; ja

| 2. | ne ovat putkina tai kiinteinä tankoina (myös takeina), joiden ulkohalkaisija on suurempi kuin 75 mm. |
| --- | --- |

2.

ne ovat putkina tai kiinteinä tankoina (myös takeina), joiden ulkohalkaisija on suurempi kuin 75 mm.

Tekn. huom.:

Lujuusmääritelmä kattaa seokset sekä lämpökäsittelemättöminä että käsiteltyinä.

1C210Seuraavat, muut kuin 1C010.a, b tai e kohdassa määritellyt "kuitu- tai säiemateriaalit" tai prepregit:

| a. | Hiili- tai aramidi‧kuitu- ja -säiemateriaalit‧, joilla on jompikumpi seuraavista ominaisuuksista:






  1. | "ominaiskimmokerroin" on 12,7 × 106 m tai suurempi; tai |
| --- | --- | --- |

a.

Hiili- tai aramidi‧kuitu- ja -säiemateriaalit‧, joilla on jompikumpi seuraavista ominaisuuksista:

1.

"ominaiskimmokerroin" on 12,7 × 106 m tai suurempi; tai

| 2. | "ominaismurtovetolujuus" on 235 × 103 m tai suurempi; |
| --- | --- |

2.

"ominaismurtovetolujuus" on 235 × 103 m tai suurempi;

Huom.: 1C210.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi aramidi ‧kuitu- ja -säiemateriaaleja‧, joissa on 0,25 prosenttia tai enemmän esteripohjaista säiepinnan muuntoainetta;

| b. | Lasikuitupitoiset ‧kuitu- ja -säiemateriaalit", joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:






  1. | "ominaiskimmokerroin" on 3,18 × 106 m tai suurempi; ja |
| --- | --- | --- |

b.

Lasikuitupitoiset ‧kuitu- ja -säiemateriaalit", joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

1.

"ominaiskimmokerroin" on 3,18 × 106 m tai suurempi; ja

| 2. | "ominaismurtovetolujuus" on 76,2 × 103 m tai suurempi; |
| --- | --- |

2.

"ominaismurtovetolujuus" on 76,2 × 103 m tai suurempi;

| c. | 1C210.a tai b kohdassa määritellyistä hiili- tai lasi‧kuitu- tai säiemateriaaleista‧ valmistetut enintään 15 mm:n levyiset (prepregit) Thermoset-hartsikyllästetyt yhtäjaksoiset "langat", "esilangat", "rohtimet" tai "teipit".
  Tekn. huom.:

  Hartsi muodostaa komposiitin matriisin. |
| --- | --- |

c.

1C210.a tai b kohdassa määritellyistä hiili- tai lasi‧kuitu- tai säiemateriaaleista‧ valmistetut enintään 15 mm:n levyiset (prepregit) Thermoset-hartsikyllästetyt yhtäjaksoiset "langat", "esilangat", "rohtimet" tai "teipit".

Tekn. huom.:

Hartsi muodostaa komposiitin matriisin.

Huom.: 1C210 kohdassa ‧kuitu- tai säiemateriaaleilla‧ tarkoitetaan vain yhtäjaksoisia monofilamentteja, "lankoja", "esilankoja", "rohtimia" tai "teippejä".

1C216Muu kuin 1C116 kohdassa määritelty maraging-teräs, jonka murtovetolujuus voi 293 K (20 °C) asteen lämpötilassa ylittää arvon 2 050 Mpa.

Huom.: 1C216 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kappaleita, joiden mikään lineaarinen ulottuvuus ei ole suurempi kuin 75 mm.

Tekn. huom.:

Lujuusmääritelmä kattaa maraging-teräkset sekä lämpökäsittelemättöminä että lämpökäsiteltyinä.

1C225Boori, joka on rikastettu boori-10-isotoopilla (10B) suurempaan kuin luonnolliseen isotooppipitoisuuteen, seuraavasti: alkuaineboori, yhdisteet, booria sisältävät seokset, niistä valmistetut tuotteet, kaikesta edellä mainitusta syntyvä jäte tai romu.

Huom.: 1C225 kohdassa booria sisältäviin seoksiin kuuluvat booripitoiset materiaalit.

Tekn. huom.:

Boori-10:n luonnollinen isotooppipitoisuus on noin 18,5 painoprosenttia (20 atomiprosenttia).

1C226Volframi, volframikarbidi ja seokset, joissa on enemmän kuin 90 painoprosenttia volframia, ja joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

| a. | ne ovat sylinterin muotoisia kappaleita, joiden sisäläpimitta on 100–300 mm (sylinterisegmentit mukaan lukien); ja |
| --- | --- |

a.

ne ovat sylinterin muotoisia kappaleita, joiden sisäläpimitta on 100–300 mm (sylinterisegmentit mukaan lukien); ja

| b. | niiden massa on suurempi kuin 20 kg. |
| --- | --- |

b.

niiden massa on suurempi kuin 20 kg.

Huom.: 1C226 ei aseta valvonnanalaiseksi tuotteita, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi painoina tai gammasädekollimaattoreina.

1C227Kalsium, jolla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

| a. | painosta on vähemmän kuin 1 000 miljoonasosaa muita metalliepäpuhtauksia kuin magnesiumia; ja |
| --- | --- |

a.

painosta on vähemmän kuin 1 000 miljoonasosaa muita metalliepäpuhtauksia kuin magnesiumia; ja

| b. | vähemmän kuin 10 miljoonasosaa painosta booria. |
| --- | --- |

b.

vähemmän kuin 10 miljoonasosaa painosta booria.

1C228Magnesium, jolla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

| a. | painosta on vähemmän kuin 200 miljoonasosaa muita metalliepäpuhtauksia kuin kalsiumia; ja |
| --- | --- |

a.

painosta on vähemmän kuin 200 miljoonasosaa muita metalliepäpuhtauksia kuin kalsiumia; ja

| b. | vähemmän kuin 10 miljoonasosaa painosta booria. |
| --- | --- |

b.

vähemmän kuin 10 miljoonasosaa painosta booria.

1C229Vismutti, jolla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

| a. | puhtaus on 99,99 painoprosenttia tai enemmän; ja |
| --- | --- |

a.

puhtaus on 99,99 painoprosenttia tai enemmän; ja

| b. | hopeapitoisuus on pienempi kuin 10 miljoonasosaa. |
| --- | --- |

b.

hopeapitoisuus on pienempi kuin 10 miljoonasosaa.

1C230Berylliummetalli, yli 50 painoprosenttia berylliumia sisältävät seokset, berylliumyhdisteet, niistä tehdyt valmisteet sekä kaikista edellä mainituista syntyvä jäte tai romu.

Huom.: 1C230 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi seuraavia:

| a. | Röntgenlaitteiden metalli-ikkunat tai porarei'issä käytettävät sondit; |
| --- | --- |

a.

Röntgenlaitteiden metalli-ikkunat tai porarei'issä käytettävät sondit;

| b. | Valmiit tai puolivalmiit oksidiprofiilit, jotka on erityisesti suunniteltu elektronikkakomponenttiosiksi tai elektroniikkapiirien substraateiksi; |
| --- | --- |

b.

Valmiit tai puolivalmiit oksidiprofiilit, jotka on erityisesti suunniteltu elektronikkakomponenttiosiksi tai elektroniikkapiirien substraateiksi;

| c. | Berylli (beryllium-alumiinisilikaatti) smaragdeina tai akvamariineina. |
| --- | --- |

c.

Berylli (beryllium-alumiinisilikaatti) smaragdeina tai akvamariineina.

1C231Hafniummetalli, enemmän kuin 60 painoprosenttia hafniumia sisältävät seokset, enemmän kuin 60 painoprosenttia hafniumia sisältävät hafniumyhdisteet, näistä tehdyt valmisteet sekä kaikesta edellä mainitusta syntyvä jäte tai romu.

1C232Helium-3 (3He), helium-3:a sisältävät seokset ja mitä tahansa edellä mainittua ainetta sisältävät tuotteet tai laitteet.

Huom.: 1C232 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi tuotetta tai laitetta, joissa on vähemmän kuin 1 g helium-3-isotooppia.

1C233Litium, joka on rikastettu 6-isotoopilla (6Li) suurempaan kuin luonnolliseen isotooppipitoisuuteen sekä rikastettua litiumia sisältävät tuotteet tai laitteet, seuraavasti: seokset (lejeeringit), yhdisteet, litiumia sisältävät seokset, näistä tehdyt valmisteet, sekä kaikesta edellä mainitusta syntyvä jäte tai romu.

Huom.: 1C233 ei aseta valvonnanalaiseksi termoluminesenssiannosmittareita.

Tekn. huom.:

Litiumin 6-isotoopin pitoisuus luonnossa on noin 6,5 painoprosenttia (7,5 atomiprosenttia).

1C234Zirkonium, jonka hafnium-pitoisuus on vähemmän kuin 1 paino-osa hafniumia per 500 osaa zirkoniumia seuraavasti: metallina, enemmän kuin 50 painoprosenttia zirkoniumia sisältävinä seoksina tai yhdisteinä, näistä tehtyinä valmisteina sekä kaikkena edellä mainitusta syntyvänä jätteenä tai romuna.

Huom.: 1C234 ei aseta valvonnanalaiseksi zirkoniumia, joka on enintään 0,10 mm paksuisena folioina.

1C235Tritium, tritiumyhdisteet ja tritiumia sisältävät seokset, joissa tritiumatomien lukumääräsuhde vetyatomeihin ylittää 1:1 000 sekä mitä tahansa edellä mainittua ainetta sisältävät tuotteet ja laitteet.

Huom.: 1C235 ei aseta valvonnanalaiseksi tuotteita ja laitteita, joissa on vähemmän kuin 1,48 × 103 GBq (40 Ci) tritiumia.

1C236Alfa-hiukkasia emittoivat radionuklidit, joiden alfa-hiukkasten puoliintumisaika on 10 päivää tai pitempi mutta lyhyempi kuin 200 vuotta, seuraavissa muodoissa:

| a. | Alkuaine, |
| --- | --- |

a.

Alkuaine,

| b. | Yhdisteet, joiden kokonais-alfa-aktiivisuus on 37 GBq/kg (1 Ci/kg) tai suurempi, |
| --- | --- |

b.

Yhdisteet, joiden kokonais-alfa-aktiivisuus on 37 GBq/kg (1 Ci/kg) tai suurempi,

| c. | Seokset, joiden kokonais-alfa-aktiivisuus on 37 GBq/kg (1 Ci/kg) tai suurempi, |
| --- | --- |

c.

Seokset, joiden kokonais-alfa-aktiivisuus on 37 GBq/kg (1 Ci/kg) tai suurempi,

| d. | Mitä tahansa edellä mainittua ainetta sisältävät tuotteet tai laitteet. |
| --- | --- |

d.

Mitä tahansa edellä mainittua ainetta sisältävät tuotteet tai laitteet.

Huom.: 1C236 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi tuotteita tai laitteita, jotka sisältävät alle 3,7 GBq (100 millicurietä) alfahiukkasaktiivisuutta.

1C237Radium-226 (226Ra), radium-226-lejeeringit, radium-226-yhdisteet, radium-226:a sisältävät seokset, mistä ja mitä tahansa edellä mainittua ainetta sisältävät tuotteet tai laitteet.

Huom.: 1C237 kohta ei aseteta valvonnanalaiseksi seuraavia:

| a. | Lääketieteessä käytettävät applikaattorit, |
| --- | --- |

a.

Lääketieteessä käytettävät applikaattorit,

| b. | Tuotteet tai laitteet, jotka sisältävät vähemmän kuin 0,37 GBq (10 millicurietä) radium-226:a. |
| --- | --- |

b.

Tuotteet tai laitteet, jotka sisältävät vähemmän kuin 0,37 GBq (10 millicurietä) radium-226:a.

1C238Klooritrifluoridi (ClF3).

1C239Muut kuin asetarvikeluettelossa määritellyt voimakkaat räjähteet tai niitä enemmän kuin 2 painoprosenttia sisältävät seokset tai aineet, joiden kidetiheys on suurempi kuin 1,8 g/cm3 ja räjähdysnopeus yli 8 000 m/s.

1C240Muut kuin 0C005 kohdassa määritellyt nikkelijauheet ja huokoinen metallinen nikkeli seuraavasti:

| a. | Nikkelijauheet, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:






  1. | nikkelipitoisuus on 99,0 painoprosenttia tai suurempi; ja |
| --- | --- | --- |

a.

Nikkelijauheet, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

1.

nikkelipitoisuus on 99,0 painoprosenttia tai suurempi; ja

| 2. | keskimääräinen hiukkaskoko on pienempi kuin 10 mikrometriä mitattuna American Society for Testing and Materials (ASTM) B330 -standardilla; |
| --- | --- |

2.

keskimääräinen hiukkaskoko on pienempi kuin 10 mikrometriä mitattuna American Society for Testing and Materials (ASTM) B330 -standardilla;

| b. | 1C240.a kohdassa määritellyistä materiaaleista tuotettu huokoinen metallinen nikkeli. |
| --- | --- |

b.

1C240.a kohdassa määritellyistä materiaaleista tuotettu huokoinen metallinen nikkeli.

Huom.: 1C240 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi seuraavia:

| a. | Säikeiset nikkelijauheet; |
| --- | --- |

a.

Säikeiset nikkelijauheet;

| b. | Yksinkertaiset huokoiset nikkelilevyt, joiden koko on 1 000 cm2 tai vähemmän. |
| --- | --- |

b.

Yksinkertaiset huokoiset nikkelilevyt, joiden koko on 1 000 cm2 tai vähemmän.

Tekn. huom.:

1C240.b kohdassa tarkoitetaan huokoista metallia, joka muodostuu, kun 1C240.a kohdassa tarkoitettuja materiaaleja puristetaan kokoon ja sintrataan siten, että saadaan metallista materiaalia, jossa hienot huokoset jatkuvat koko rakenteen läpi.

1C350Seuraavat kemikaalit, joita voidaan käyttää myrkyllisten kemiallisten aineiden lähtöaineina, sekä yhtä tai useampaa niistä sisältävät "kemialliset seokset":

Huom.: KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO JA 1C450 KOHTA.

| 1. | Tiodiglykoli (111-48-8) |
| --- | --- |

1.

Tiodiglykoli (111-48-8)

| 2. | Fosforioksikloridi (10025-87-3) |
| --- | --- |

2.

Fosforioksikloridi (10025-87-3)

| 3. | Dimetyylimetyylifosfonaatti (756-79-6) |
| --- | --- |

3.

Dimetyylimetyylifosfonaatti (756-79-6)

| 4. | Metyylifosfonodifluoridi (676-99-3): KATSO ASETARVIKELUETTELO |
| --- | --- |

4.

Metyylifosfonodifluoridi (676-99-3): KATSO ASETARVIKELUETTELO

| 5. | Metyylifosfonodikloridi (676-97-1) |
| --- | --- |

5.

Metyylifosfonodikloridi (676-97-1)

| 6. | Dimetyylifosfiitti (DMP) (868-85-9) |
| --- | --- |

6.

Dimetyylifosfiitti (DMP) (868-85-9)

| 7. | Fosforitrikloridi (7719-12-2) |
| --- | --- |

7.

Fosforitrikloridi (7719-12-2)

| 8. | Trimetyylifosfiitti (TMP) (121-45-9) |
| --- | --- |

8.

Trimetyylifosfiitti (TMP) (121-45-9)

| 9. | Tionyylikloridi (7719-09-7) |
| --- | --- |

9.

Tionyylikloridi (7719-09-7)

| 10. | N-metyyli-3-piperidinoli (3554-74-3) |
| --- | --- |

10.

N-metyyli-3-piperidinoli (3554-74-3)

| 11. | 2-N,N-di-isopropyyliamino-etyylikloridi (96-79-7) |
| --- | --- |

11.

2-N,N-di-isopropyyliamino-etyylikloridi (96-79-7)

| 12. | 2-N,N-di-isopropyyliamino-etaanitioli (5842-07-9) |
| --- | --- |

12.

2-N,N-di-isopropyyliamino-etaanitioli (5842-07-9)

| 13. | 3-kinuklidinoli (1619-34-7) |
| --- | --- |

13.

3-kinuklidinoli (1619-34-7)

| 14. | Kaliumfluoridi (7789-23-3) |
| --- | --- |

14.

Kaliumfluoridi (7789-23-3)

| 15. | 2-kloorietanoli (107-07-3) |
| --- | --- |

15.

2-kloorietanoli (107-07-3)

| 16. | Dimetyyliamiini (124-40-3) |
| --- | --- |

16.

Dimetyyliamiini (124-40-3)

| 17. | Dietyylietyylifosfonaatti (78-38-6) |
| --- | --- |

17.

Dietyylietyylifosfonaatti (78-38-6)

| 18. | Dietyyli-N,N-dimetyyli-fosforoamidaatti (2404-03-7) |
| --- | --- |

18.

Dietyyli-N,N-dimetyyli-fosforoamidaatti (2404-03-7)

| 19. | Dietyylifosfiitti (762-04-9) |
| --- | --- |

19.

Dietyylifosfiitti (762-04-9)

| 20. | Dimetyyliamiinihydrokloridi (506-59-2) |
| --- | --- |

20.

Dimetyyliamiinihydrokloridi (506-59-2)

| 21. | Etyylifosfonidikloridi (1498-40-4) |
| --- | --- |

21.

Etyylifosfonidikloridi (1498-40-4)

| 22. | Etyylifosfonodikloridi (1066-50-8) |
| --- | --- |

22.

Etyylifosfonodikloridi (1066-50-8)

| 23. | Etyylifosfonodifluoridi (753-98-0): KATSO ASETARVIKELUETTELO |
| --- | --- |

23.

Etyylifosfonodifluoridi (753-98-0): KATSO ASETARVIKELUETTELO

| 24. | Vetyfluoridi (7664-39-3) |
| --- | --- |

24.

Vetyfluoridi (7664-39-3)

| 25. | Metyylibentsilaatti (76-89-1) |
| --- | --- |

25.

Metyylibentsilaatti (76-89-1)

| 26. | Metyylifosfonidikloridi (676-83-5) |
| --- | --- |

26.

Metyylifosfonidikloridi (676-83-5)

| 27. | 2-N,N-di-isopropyyliamino-etanoli (96-80-0) |
| --- | --- |

27.

2-N,N-di-isopropyyliamino-etanoli (96-80-0)

| 28. | Pinakolyylialkoholi (464-07-3) |
| --- | --- |

28.

Pinakolyylialkoholi (464-07-3)

| 29. | O-etyyli-2-N,N-di-isopropyyli-aminoetyyli-metyylifosfoniitti (QL) (57856-11-8): KATSO ASETARVIKELUETTELO |
| --- | --- |

29.

O-etyyli-2-N,N-di-isopropyyli-aminoetyyli-metyylifosfoniitti (QL) (57856-11-8): KATSO ASETARVIKELUETTELO

| 30. | Trietyylifosfiitti (122-52-1) |
| --- | --- |

30.

Trietyylifosfiitti (122-52-1)

| 31. | Arseenitrikloridi (7784-34-1) |
| --- | --- |

31.

Arseenitrikloridi (7784-34-1)

| 32. | Bentsiilihappo (76-93-7) |
| --- | --- |

32.

Bentsiilihappo (76-93-7)

| 33. | Dietyylimetyylifosfoniitti (15715-41-0) |
| --- | --- |

33.

Dietyylimetyylifosfoniitti (15715-41-0)

| 34. | Dimetyylietyylifosfonaatti (6163-75-3) |
| --- | --- |

34.

Dimetyylietyylifosfonaatti (6163-75-3)

| 35. | Etyylifosfonidifluoridi (430-78-4) |
| --- | --- |

35.

Etyylifosfonidifluoridi (430-78-4)

| 36. | Metyylifosfonidifluoridi (753-59-3) |
| --- | --- |

36.

Metyylifosfonidifluoridi (753-59-3)

| 37. | 3-kinuklidinoni (3731-38-2) |
| --- | --- |

37.

3-kinuklidinoni (3731-38-2)

| 38. | Fosforipentakloridi (10026-13-8) |
| --- | --- |

38.

Fosforipentakloridi (10026-13-8)

| 39. | Pinakoloni (3,3-dimetyyli-2-butanoni) (75-97-8) |
| --- | --- |

39.

Pinakoloni (3,3-dimetyyli-2-butanoni) (75-97-8)

| 40. | Kaliumsyanidi (151-50-8) |
| --- | --- |

40.

Kaliumsyanidi (151-50-8)

| 41. | Kaliumvetyfluoridi (7789-29-9) |
| --- | --- |

41.

Kaliumvetyfluoridi (7789-29-9)

| 42. | Ammoniumvetyfluoridi eli ammoniumbifluoridi (1341-49-7) |
| --- | --- |

42.

Ammoniumvetyfluoridi eli ammoniumbifluoridi (1341-49-7)

| 43. | Natriumfluoridi (7681-49-4) |
| --- | --- |

43.

Natriumfluoridi (7681-49-4)

| 44. | Natriumvetyfluoridi (1333-83-1) |
| --- | --- |

44.

Natriumvetyfluoridi (1333-83-1)

| 45. | Natriumsyanidi (143-33-9) |
| --- | --- |

45.

Natriumsyanidi (143-33-9)

| 46. | Trietanoliamiini (102-71-6) |
| --- | --- |

46.

Trietanoliamiini (102-71-6)

| 47. | Fosforipentasulfidi (1314-80-3) |
| --- | --- |

47.

Fosforipentasulfidi (1314-80-3)

| 48. | Di-isopropyyliamiini (108-18-9) |
| --- | --- |

48.

Di-isopropyyliamiini (108-18-9)

| 49. | Dietyyliaminoetanoli (100-37-8) |
| --- | --- |

49.

Dietyyliaminoetanoli (100-37-8)

| 50. | Natriumsulfidi (1313-82-2) |
| --- | --- |

50.

Natriumsulfidi (1313-82-2)

| 51. | Dirikkidikloridi (10025-67-9) |
| --- | --- |

51.

Dirikkidikloridi (10025-67-9)

| 52. | Rikkikloridi (10545-99-0) |
| --- | --- |

52.

Rikkikloridi (10545-99-0)

| 53. | Trietanoliamiinihydrokloridi (637-39-8) |
| --- | --- |

53.

Trietanoliamiinihydrokloridi (637-39-8)

| 54. | N,N-di-isopropyyli2-aminoetyylikloridihydrokloridi (4261-68-1). |
| --- | --- |

54.

N,N-di-isopropyyli2-aminoetyylikloridihydrokloridi (4261-68-1).

| 55. | Metyylifosfonihappo (993-13-5) |
| --- | --- |

55.

Metyylifosfonihappo (993-13-5)

| 56. | Dietyylimetyylifosfonaatti (683-08-9) |
| --- | --- |

56.

Dietyylimetyylifosfonaatti (683-08-9)

| 57. | N,N-dimetyyliaminofosforyylidikloridi (677-43-0) |
| --- | --- |

57.

N,N-dimetyyliaminofosforyylidikloridi (677-43-0)

| 58. | Tri-isopropyylifosfiitti (116-17-6) |
| --- | --- |

58.

Tri-isopropyylifosfiitti (116-17-6)

| 59. | Etyylidietanoliamiini (139-87-7) |
| --- | --- |

59.

Etyylidietanoliamiini (139-87-7)

| 60. | O,O-dietyylifosforotioaatti (2465-65-8) |
| --- | --- |

60.

O,O-dietyylifosforotioaatti (2465-65-8)

| 61. | O,O-dietyylifosforoditioaatti (298-06-6) |
| --- | --- |

61.

O,O-dietyylifosforoditioaatti (298-06-6)

| 62. | Natriumheksafluorisilikaatti (16893-85-9) |
| --- | --- |

62.

Natriumheksafluorisilikaatti (16893-85-9)

| 63. | Metyylifosfonotiohappodikloridi (676-98-2). |
| --- | --- |

63.

Metyylifosfonotiohappodikloridi (676-98-2).

Huom. 1: Kemiallisia aseita koskevaan yleissopimukseen kuulumattomiin valtioihin vietävien tuotteiden osalta 1C350 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "kemiallisia seoksia", jotka sisältävät yhtä tai useampaa 1C350 kohdan 1, 3, 5, 11, 12, 13, 17, 18, 21, 22, 26, 27, 28, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 54, 55, 56, 57 ja 63 kohdassa mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksittäinen kemikaali ei muodosta yli 10 painoprosenttia kyseisestä seoksesta.

Huom. 2: Kemiallisia aseita koskevaan yleissopimukseen kuuluviin valtioihin vietävien tuotteiden osalta 1C350 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "kemiallisia seoksia", jotka sisältävät yhtä tai useampaa 1C350 kohdan 1, 3, 5, 11, 12, 13, 17, 18, 21, 22, 26, 27, 28, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 54, 55, 56, 57 ja 63 kohdassa mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksittäinen kemikaali ei muodosta yli 30 painoprosenttia kyseisestä seoksesta.

Huom. 3: 1C350 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "kemiallisia seoksia", jotka sisältävät yhtä tai useampaa 1C350 kohdan 2, 6, 7, 8, 9, 10, 14, 15, 16, 19, 20, 24, 25, 30, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 58, 59, 60, 61 ja 62 kohdassa mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksittäinen kemikaali ei muodosta yli 30 painoprosenttia kyseisestä seoksesta.

Huom. 4: 1C350 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kuluttajahyödykkeiksi määriteltyjä tuotteita, jotka on pakattu vähittäismyyntiä varten henkilökohtaiseen käyttöön tai pakattu yksityiskäyttöä varten.

1C351Ihmispatogeenit, zoonoosit ja "toksiinit" seuraavasti:

| a. | Seuraavat virukset, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin muunnetutkin, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai materiaalina, joka sisältää elävää materiaalia, johon on istutettu tai joka on saastutettu tarkoituksellisesti sellaisilla viljelmillä:






  1. | Chikungunya-virus; |
| --- | --- | --- |

a.

Seuraavat virukset, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin muunnetutkin, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai materiaalina, joka sisältää elävää materiaalia, johon on istutettu tai joka on saastutettu tarkoituksellisesti sellaisilla viljelmillä:

1.

Chikungunya-virus;

| 2. | Krimin verenvuotokuumevirus; |
| --- | --- |

2.

Krimin verenvuotokuumevirus;

| 3. | Dengue-virus; |
| --- | --- |

3.

Dengue-virus;

| 4. | Itäinen hevos-enkefaliittivirus (EEE); |
| --- | --- |

4.

Itäinen hevos-enkefaliittivirus (EEE);

| 5. | Ebola-virus; |
| --- | --- |

5.

Ebola-virus;

| 6. | Hantaan-virus; |
| --- | --- |

6.

Hantaan-virus;

| 7. | Junin-virus; |
| --- | --- |

7.

Junin-virus;

| 8. | Lassa-kuumevirus; |
| --- | --- |

8.

Lassa-kuumevirus;

| 9. | Lymfosytäärinen korionmeningiittivirus; |
| --- | --- |

9.

Lymfosytäärinen korionmeningiittivirus;

| 10. | Machupo-virus; |
| --- | --- |

10.

Machupo-virus;

| 11. | Marburg-virus; |
| --- | --- |

11.

Marburg-virus;

| 12. | Apinarokkovirus; |
| --- | --- |

12.

Apinarokkovirus;

| 13. | Rift Valley -kuumevirus; |
| --- | --- |

13.

Rift Valley -kuumevirus;

| 14. | Puutiais-enkefaliittivirus; |
| --- | --- |

14.

Puutiais-enkefaliittivirus;

| 15. | Isorokkovirus (kaikki alatyypit); |
| --- | --- |

15.

Isorokkovirus (kaikki alatyypit);

| 16. | Venezuelan hevos-enkefaliittivirus (VEE); |
| --- | --- |

16.

Venezuelan hevos-enkefaliittivirus (VEE);

| 17. | Läntinen hevos-enkefaliittivirus (WEE); |
| --- | --- |

17.

Läntinen hevos-enkefaliittivirus (WEE);

| 18. | White pox -virus; |
| --- | --- |

18.

White pox -virus;

| 19. | Keltakuumevirus; |
| --- | --- |

19.

Keltakuumevirus;

| 20. | Japanin enkefaliittivirus; |
| --- | --- |

20.

Japanin enkefaliittivirus;

| 21. | Kyasanur Forest -virus; |
| --- | --- |

21.

Kyasanur Forest -virus;

| 22. | Louping ill -virus; |
| --- | --- |

22.

Louping ill -virus;

| 23. | Murray Valley -enkefaliittivirus; |
| --- | --- |

23.

Murray Valley -enkefaliittivirus;

| 24. | Omsk-verenvuotokuumevirus; |
| --- | --- |

24.

Omsk-verenvuotokuumevirus;

| 25. | Oropouche-virus; |
| --- | --- |

25.

Oropouche-virus;

| 26. | Powassan-virus; |
| --- | --- |

26.

Powassan-virus;

| 27. | Rocio-virus; |
| --- | --- |

27.

Rocio-virus;

| 28. | St. Louis -enkefaliittivirus; |
| --- | --- |

28.

St. Louis -enkefaliittivirus;

| 29. | Hendra-virus (Equine morbillivirus); |
| --- | --- |

29.

Hendra-virus (Equine morbillivirus);

| 30. | Etelä-Amerikan verenvuotokuume (Sabia, Flexal, Guanarito); |
| --- | --- |

30.

Etelä-Amerikan verenvuotokuume (Sabia, Flexal, Guanarito);

| 31. | Keuhko- ja munuaisoireita aiheuttavat verenvuotokuumevirukset (Seoul, Dobrava, Puumala, Sin Nombre); |
| --- | --- |

31.

Keuhko- ja munuaisoireita aiheuttavat verenvuotokuumevirukset (Seoul, Dobrava, Puumala, Sin Nombre);

| 32. | Nipah-virus. |
| --- | --- |

32.

Nipah-virus.

| b. | Seuraavat riketsiat, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin muunnellutkin, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai materiaalina, joka sisältää elävää materiaalia, johon on tarkoituksellisesti istutettu tai joka on saastutettu sellaisilla viljelmillä:






  1. | Coxiella burnetii; |
| --- | --- | --- |

b.

Seuraavat riketsiat, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin muunnellutkin, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai materiaalina, joka sisältää elävää materiaalia, johon on tarkoituksellisesti istutettu tai joka on saastutettu sellaisilla viljelmillä:

1.

Coxiella burnetii;

| 2. | Bartonella quintana (Rochalimaea quintana; Rickettsia quintana); |
| --- | --- |

2.

Bartonella quintana (Rochalimaea quintana; Rickettsia quintana);

| 3. | Rickettsia prowasecki; |
| --- | --- |

3.

Rickettsia prowasecki;

| 4. | Rickettsia rickettsii. |
| --- | --- |

4.

Rickettsia rickettsii.

| c. | Seuraavat bakteerit, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin muunnellutkin, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai materiaalina, joka sisältää elävää materiaalia, johon on istutettu tai joka on saastutettu tarkoituksellisesti sellaisilla viljelmillä:






  1. | Bacillus anthracis; |
| --- | --- | --- |

c.

Seuraavat bakteerit, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin muunnellutkin, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai materiaalina, joka sisältää elävää materiaalia, johon on istutettu tai joka on saastutettu tarkoituksellisesti sellaisilla viljelmillä:

1.

Bacillus anthracis;

| 2. | Brucella abortus; |
| --- | --- |

2.

Brucella abortus;

| 3. | Brucella melitensis; |
| --- | --- |

3.

Brucella melitensis;

| 4. | Brucella suis; |
| --- | --- |

4.

Brucella suis;

| 5. | Chlamydia psittaci; |
| --- | --- |

5.

Chlamydia psittaci;

| 6. | Clostridium botulinum; |
| --- | --- |

6.

Clostridium botulinum;

| 7. | Francisella tularensis; |
| --- | --- |

7.

Francisella tularensis;

| 8. | Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei); |
| --- | --- |

8.

Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei);

| 9. | Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei); |
| --- | --- |

9.

Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei);

| 10. | Salmonella typhi; |
| --- | --- |

10.

Salmonella typhi;

| 11. | Shigella dysenteriae; |
| --- | --- |

11.

Shigella dysenteriae;

| 12. | Vibrio cholerae; |
| --- | --- |

12.

Vibrio cholerae;

| 13. | Yersina pestis; |
| --- | --- |

13.

Yersina pestis;

| 14. | Clostridium perfringens epsilon -myrkkyä muodostavat tyypit; |
| --- | --- |

14.

Clostridium perfringens epsilon -myrkkyä muodostavat tyypit;

| 15. | Enterohemorraginen Escherichia coli; serotyyppi 0157, ja muut verotoksiinia muodostavat serotyypit. |
| --- | --- |

15.

Enterohemorraginen Escherichia coli; serotyyppi 0157, ja muut verotoksiinia muodostavat serotyypit.

| d. | Seuraavat "toksiinit" ja niiden "toksiinialayksiköt":






  1. | Botulinus-toksiinit; |
| --- | --- | --- |

d.

Seuraavat "toksiinit" ja niiden "toksiinialayksiköt":

1.

Botulinus-toksiinit;

| 2. | Clostridium perfringens -toksiinit; |
| --- | --- |

2.

Clostridium perfringens -toksiinit;

| 3. | Conotoksiini; |
| --- | --- |

3.

Conotoksiini;

| 4. | Risiini; |
| --- | --- |

4.

Risiini;

| 5. | Saxitoksiini; |
| --- | --- |

5.

Saxitoksiini;

| 6. | Shigatoksiini; |
| --- | --- |

6.

Shigatoksiini;

| 7. | Staphylococcus aureus -toksiinit; |
| --- | --- |

7.

Staphylococcus aureus -toksiinit;

| 8. | Tetrodotoksiini; |
| --- | --- |

8.

Tetrodotoksiini;

| 9. | Verotoksiini; |
| --- | --- |

9.

Verotoksiini;

| 10. | Mikrosystiini (Cyanginosiini); |
| --- | --- |

10.

Mikrosystiini (Cyanginosiini);

| 11. | Aflatoksiinit; |
| --- | --- |

11.

Aflatoksiinit;

| 12. | Abriini; |
| --- | --- |

12.

Abriini;

| 13. | Koleratoksiini; |
| --- | --- |

13.

Koleratoksiini;

| 14. | Diasetoksiskirpenolitoksiini; |
| --- | --- |

14.

Diasetoksiskirpenolitoksiini;

| 15. | T-2-toksiini; |
| --- | --- |

15.

T-2-toksiini;

| 16. | HT-2-toksiini; |
| --- | --- |

16.

HT-2-toksiini;

| 17. | Modeksiini; |
| --- | --- |

17.

Modeksiini;

| 18. | Volkensiini; |
| --- | --- |

18.

Volkensiini;

| 19. | Viscum album Lectin 1 (Viskumiini). |
| --- | --- |

19.

Viscum album Lectin 1 (Viskumiini).

Huom.: 1C351.d kohta ei aseta valvonnanalaiseksi valmisteen muodossa olevia botulinus-toksiineja tai conotoksiineja, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

| 1. | Ne ovat ihmisten sairauksien hoitoon tarkoitettuja lääkevalmisteita; |
| --- | --- |

1.

Ne ovat ihmisten sairauksien hoitoon tarkoitettuja lääkevalmisteita;

| 2. | Ne on pakattu lääkevalmisteina jakelua varten; |
| --- | --- |

2.

Ne on pakattu lääkevalmisteina jakelua varten;

| 3. | Valtion viranomainen on antanut luvan niiden markkinointiin lääkevalmisteina. |
| --- | --- |

3.

Valtion viranomainen on antanut luvan niiden markkinointiin lääkevalmisteina.

Huom.: 1C351 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "rokotteita" tai "immunotoksiineja".

1C352Seuraavat eläinpatogeenit:

| a. | Seuraavat virukset, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin muunnellutkin, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai materiaalina, joka sisältää elävää materiaalia, johon on istutettu tai joka on saastutettu tarkoituksellisesti sellaisilla viljelmillä:






  1. | Afrikkalainen sikaruttovirus; |
| --- | --- | --- |

a.

Seuraavat virukset, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin muunnellutkin, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai materiaalina, joka sisältää elävää materiaalia, johon on istutettu tai joka on saastutettu tarkoituksellisesti sellaisilla viljelmillä:

1.

Afrikkalainen sikaruttovirus;

| 2. | Lintuinfluenssavirukset, jotka ovat:






  a. | Lajittelemattomia; tai |
| --- | --- | --- |

2.

Lintuinfluenssavirukset, jotka ovat:

a.

Lajittelemattomia; tai

| b. | Seuraavat EY:n direktiivissä 92/40/ETY (EYVL N:o L 167, 22.6.1992, s. 1) erittäin patogeenisina määriteltyjä:






  1. | A-tyypin virukset, joiden IVPI (intravenous pathogenicity index, patogeenisyysindeksi suonensisäisesti annettuna) on 6 viikkoa vanhoissa kanoissa suurempi kuin 1,2; tai |
| --- | --- | --- |

b.

Seuraavat EY:n direktiivissä 92/40/ETY (EYVL N:o L 167, 22.6.1992, s. 1) erittäin patogeenisina määriteltyjä:

1.

A-tyypin virukset, joiden IVPI (intravenous pathogenicity index, patogeenisyysindeksi suonensisäisesti annettuna) on 6 viikkoa vanhoissa kanoissa suurempi kuin 1,2; tai

| 2. | A-tyypin viruksien alatyypit H5 tai H7, joissa on nucletiidisekvenssoinnin avulla osoitettu olevan useita emäksisiä aminohappoja hemaglutiinin katkaisupaikassa; |
| --- | --- |

2.

A-tyypin viruksien alatyypit H5 tai H7, joissa on nucletiidisekvenssoinnin avulla osoitettu olevan useita emäksisiä aminohappoja hemaglutiinin katkaisupaikassa;

| 3. | Bluetongue-virus; |
| --- | --- |

3.

Bluetongue-virus;

| 4. | Suu- ja sorkkatautivirus; |
| --- | --- |

4.

Suu- ja sorkkatautivirus;

| 5. | Vuohirokkovirus; |
| --- | --- |

5.

Vuohirokkovirus;

| 6. | Valeraivotautivirus (Aujeszkin tauti); |
| --- | --- |

6.

Valeraivotautivirus (Aujeszkin tauti);

| 7. | Sikaruttovirus; |
| --- | --- |

7.

Sikaruttovirus;

| 8. | Lyssavirus (rabiesryhmän virukset); |
| --- | --- |

8.

Lyssavirus (rabiesryhmän virukset);

| 9. | Newcastlen tautivirus; |
| --- | --- |

9.

Newcastlen tautivirus;

| 10. | Pikkumärehtijärutto-virus (peste des petits ruminants); |
| --- | --- |

10.

Pikkumärehtijärutto-virus (peste des petits ruminants);

| 11. | Sian enterovirus tyyppi 9 (swine vesicular -tautivirus); |
| --- | --- |

11.

Sian enterovirus tyyppi 9 (swine vesicular -tautivirus);

| 12. | Nautaruttovirus; |
| --- | --- |

12.

Nautaruttovirus;

| 13. | Lammasrokkovirus; |
| --- | --- |

13.

Lammasrokkovirus;

| 14. | Teschenin tautivirus; |
| --- | --- |

14.

Teschenin tautivirus;

| 15. | Suutulehdusvirus (VS-virus); |
| --- | --- |

15.

Suutulehdusvirus (VS-virus);

| 16. | Lumpy skin -tautivirus; |
| --- | --- |

16.

Lumpy skin -tautivirus;

| 17. | Afrikkalainen hevosrutto -virus. |
| --- | --- |

17.

Afrikkalainen hevosrutto -virus.

| b. | Mycoplasma-mycoidit, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin muunnellutkin, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai materiaalina, joka sisältää elävää materiaalia, johon on istutettu tai joka on saastutettu tarkoituksellisesti sellaisilla viljelmillä. |
| --- | --- |

b.

Mycoplasma-mycoidit, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin muunnellutkin, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai materiaalina, joka sisältää elävää materiaalia, johon on istutettu tai joka on saastutettu tarkoituksellisesti sellaisilla viljelmillä.

Huom.: 1C352 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "rokotteita".

1C353Seuraava geneettinen materiaali ja geneettisesti muunnetut organismit:

| a. | Geneettisesti muunnetut organismit tai 1C351.a–c, 1C352 tai 1C354 kohdassa määriteltyjen organismien patogeenisyyteen liittyviä nukleiinihapposekvenssejä sisältävä geneettinen materiaali; |
| --- | --- |

a.

Geneettisesti muunnetut organismit tai 1C351.a–c, 1C352 tai 1C354 kohdassa määriteltyjen organismien patogeenisyyteen liittyviä nukleiinihapposekvenssejä sisältävä geneettinen materiaali;

| b. | Geneettisesti muunnetut organismit tai 1C351.d kohdassa määriteltyjä "toksiineja" tai niiden "toksiinialayksiköitä" koodaavia nukleiinihapposekvenssejä sisältävä geneettinen materiaali. |
| --- | --- |

b.

Geneettisesti muunnetut organismit tai 1C351.d kohdassa määriteltyjä "toksiineja" tai niiden "toksiinialayksiköitä" koodaavia nukleiinihapposekvenssejä sisältävä geneettinen materiaali.

Tekn. huom.:

Geneettinen materiaali sisältää muun muassa joko muunnettuja tai muuntamattomia kromosomeja, genomeja, plasmideja, transposoneja ja vektoreja.

1C351.a–c, 1C352 tai 1C354 kohdassa määriteltyjen mikro-organismien patogeenisyyteen liittyvillä nukleiinihapposekvensseillä tarkoitetaan mitä tahansa määritellyn mikro-organismin spesifistä sekvenssiä, joka

| a. | itsessään tai transkriptio- tai transalaatiotuotteidensa kautta aiheuttaa huomattavan vaaran ihmisten, eläinten tai kasvien terveydelle; tai |
| --- | --- |

a.

itsessään tai transkriptio- tai transalaatiotuotteidensa kautta aiheuttaa huomattavan vaaran ihmisten, eläinten tai kasvien terveydelle; tai

| b. | jonka tiedetään lisäävän määritellyn mikro-organismin tai muun organismin, johon kyseistä geneettistä materiaalia on insertiolla tai integraatiolla liitetty, kykyä aiheuttaa vakavaa haittaa ihmisten, eläinten tai kasvien terveydelle. |
| --- | --- |

b.

jonka tiedetään lisäävän määritellyn mikro-organismin tai muun organismin, johon kyseistä geneettistä materiaalia on insertiolla tai integraatiolla liitetty, kykyä aiheuttaa vakavaa haittaa ihmisten, eläinten tai kasvien terveydelle.

Huom.: 1C353 kohtaa ei sovelleta sellaisiin nukleiinihapposekvensseihin, jotka liittyvät enterohemorragisen Escherichia colin serotyypin O157:n ja muiden verotoksiinia muodostavien kantojen patogeenisyyteen, lukuun ottamatta niitä, jotka koodaavat verotoksiinia tai sen alayksiköitä.

1C354Seuraavat kasvipatogeenit:

| a. | Seuraavat virukset, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin muunnetutkin, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai materiaalina, mukaan lukien elävä materiaali, johon on istutettu tai joka on saastutettu tarkoituksellisesti sellaisilla viljelmillä:






  1. | Andien perunan latentti tymovirus; |
| --- | --- | --- |

a.

Seuraavat virukset, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin muunnetutkin, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai materiaalina, mukaan lukien elävä materiaali, johon on istutettu tai joka on saastutettu tarkoituksellisesti sellaisilla viljelmillä:

1.

Andien perunan latentti tymovirus;

| 2. | Perunan sukkulamukulatauti. |
| --- | --- |

2.

Perunan sukkulamukulatauti.

| b. | Seuraavat bakteerit, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin muunnetutkin, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai materiaalina, johon on istutettu tai joka on saastutettu tarkoituksellisesti sellaisilla viljelmillä:






  1. | Xanthomonas albilineans; |
| --- | --- | --- |

b.

Seuraavat bakteerit, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin muunnetutkin, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai materiaalina, johon on istutettu tai joka on saastutettu tarkoituksellisesti sellaisilla viljelmillä:

1.

Xanthomonas albilineans;

| 2. | Xanthomonas campestris pv. citri, jotka sisältävät Xanthomonas campestris pv. citrin tyypeiksi A, B, C, D, E kutsuttuja lajikkeita tai jotka muuten luokitellaan Xanthomonas citriksi, Xanthomonas campestris pv. aurantifoliaksi tai Xanthomonas campestris pv. citrumeloksi; |
| --- | --- |

2.

Xanthomonas campestris pv. citri, jotka sisältävät Xanthomonas campestris pv. citrin tyypeiksi A, B, C, D, E kutsuttuja lajikkeita tai jotka muuten luokitellaan Xanthomonas citriksi, Xanthomonas campestris pv. aurantifoliaksi tai Xanthomonas campestris pv. citrumeloksi;

| 3. | Xanthomonas oryzae pv. Oryzae (Pseudomonas campestris pv. Oryzae); |
| --- | --- |

3.

Xanthomonas oryzae pv. Oryzae (Pseudomonas campestris pv. Oryzae);

| 4. | Clavibacter michiganensis subsp. Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum tai Corynebacterium Sepedonicum); |
| --- | --- |

4.

Clavibacter michiganensis subsp. Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum tai Corynebacterium Sepedonicum);

| 5. | Ralstonia solanacearum rodut 2 ja 3 (Pseudomonas solanacearum rodut 2 ja 3 tai Burkholderia solanacearum rodut 2 ja 3). |
| --- | --- |

5.

Ralstonia solanacearum rodut 2 ja 3 (Pseudomonas solanacearum rodut 2 ja 3 tai Burkholderia solanacearum rodut 2 ja 3).

| c. | Seuraavat sienet, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin muunnetutkin, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai materiaalina, johon on istutettu tai joka on saastutettu tarkoituksellisesti sellaisilla viljelmillä:






  1. | Colletotrichum coffeanum var. virulans (Colletotrichum kahawae); |
| --- | --- | --- |

c.

Seuraavat sienet, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin muunnetutkin, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai materiaalina, johon on istutettu tai joka on saastutettu tarkoituksellisesti sellaisilla viljelmillä:

1.

Colletotrichum coffeanum var. virulans (Colletotrichum kahawae);

| 2. | Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae); |
| --- | --- |

2.

Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae);

| 3. | Microcyclus ulei (syn. Dothidella ulei); |
| --- | --- |

3.

Microcyclus ulei (syn. Dothidella ulei);

| 4. | Puccinia graminis (syn. Puccinia graminis f.sp.tritici); |
| --- | --- |

4.

Puccinia graminis (syn. Puccinia graminis f.sp.tritici);

| 5. | Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum); |
| --- | --- |

5.

Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum);

| 6. | Magnaporthe grisea (Pyricularia grisea / Pyricularia oryzae). |
| --- | --- |

6.

Magnaporthe grisea (Pyricularia grisea / Pyricularia oryzae).

1C450Seuraavat toksiset kemikaalit ja toksisten kemikaalien lähtöaineet sekä yhtä tai useampaa niistä sisältävät "kemialliset seokset":

Huom.: KATSO MYÖS 1C350, 1C351.d. JA ASETARVIKELUETTELO

| a. | toksiset kemikaalit seuraavasti:






  1. | amiton: O,O-dietyyli-S-2-N,N-dietyyliaminoetyyli-fosforotiolaatti (78-53-5) ja vastaavat alkyloidut tai protonoidut suolat, |
| --- | --- | --- |

a.

toksiset kemikaalit seuraavasti:

1.

amiton: O,O-dietyyli-S-2-N,N-dietyyliaminoetyyli-fosforotiolaatti (78-53-5) ja vastaavat alkyloidut tai protonoidut suolat,

| 2. | PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-(trifluorometyyli)-1-propeeni (382-21-8), |
| --- | --- |

2.

PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-(trifluorometyyli)-1-propeeni (382-21-8),

| 3. | KATSO ASETARVIKELUETTELOSTA BZ: 3-kinuklidinyylibentsilaatti (6581-06-2), |
| --- | --- |

3.

KATSO ASETARVIKELUETTELOSTA BZ: 3-kinuklidinyylibentsilaatti (6581-06-2),

| 4. | fosgeeni: karbonyylidikloridi (75-44-5), |
| --- | --- |

4.

fosgeeni: karbonyylidikloridi (75-44-5),

| 5. | kloorisyanidi (506-77-4), |
| --- | --- |

5.

kloorisyanidi (506-77-4),

| 6. | vetysyanidi (74-90-8), |
| --- | --- |

6.

vetysyanidi (74-90-8),

| 7. | klooripikriini: trikloorinitrometaani (76-06-2), |
| --- | --- |

7.

klooripikriini: trikloorinitrometaani (76-06-2),

Huom. 1: Kemiallisia aseita koskevaan yleissopimukseen kuulumattomiin valtioihin vietävien tuotteiden osalta 1C450 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "kemiallisia seoksia", jotka sisältävät yhtä tai useampaa 1C450.a.1 ja 1C450.a.2 kohdassa mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksittäinen kemikaali ei muodosta yli 1 painoprosenttia kyseisestä seoksesta.

Huom. 2: Kemiallisia aseita koskevaan yleissopimukseen kuuluviin valtioihin vietävien tuotteiden osalta 1C450 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "kemiallisia seoksia", jotka sisältävät yhtä tai useampaa 1C450.a.1 ja 1C450.a.2 kohdassa mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksittäinen kemikaali ei muodosta yli 30 painoprosenttia kyseisestä seoksesta.

Huom. 3: 1C450 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "kemiallisia seoksia", jotka sisältävät yhtä tai useampaa 1C450.a.4, 1C450.a.5, 1C450.a.6 ja 1C450.a.7 kohdassa mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksittäinen kemikaali ei muodosta yli 30 painoprosenttia kyseisestä seoksesta.

| b. | toksisten kemikaalien valmistusaineet seuraavasti:






  1. | muut kuin asetarvikeluettelossa tai kohdassa 1C350 luetellut kemikaalit, jotka sisältävät fosforiatomin, johon on sitoutunut yksi metyyli-, etyyli-n-propyyli- tai isopropyyliryhmä, mutta ei muita hiiliatomeja,


  Huom.: 1C450.b.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi seuraavaa: Fonofos: O-etyyli-S-fenyylietyylifosfonotiolotionaatti (944-22-9), |
| --- | --- | --- |

b.

toksisten kemikaalien valmistusaineet seuraavasti:

1.

muut kuin asetarvikeluettelossa tai kohdassa 1C350 luetellut kemikaalit, jotka sisältävät fosforiatomin, johon on sitoutunut yksi metyyli-, etyyli-n-propyyli- tai isopropyyliryhmä, mutta ei muita hiiliatomeja,

Huom.: 1C450.b.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi seuraavaa: Fonofos: O-etyyli-S-fenyylietyylifosfonotiolotionaatti (944-22-9),

| 2. | N,N-dialkyyli-[metyyli-, etyyli-, n-propyyli- tai isopropyyli-] fosforamidodihalidit, |
| --- | --- |

2.

N,N-dialkyyli-[metyyli-, etyyli-, n-propyyli- tai isopropyyli-] fosforamidodihalidit,

| 3. | dialkyyli-[metyyli-, etyyli-, n-propyyli- tai isopropyyli-]-N,N-dialkyyli-[metyyli-, etyyli-, n-propyyli- tai isopropyyli-]-fosforoamidaatit, muut kuin dietyyli-N,N-dimetyyli- fosforoamidaatti, joka luetellaan kohdassa 1C350, |
| --- | --- |

3.

dialkyyli-[metyyli-, etyyli-, n-propyyli- tai isopropyyli-]-N,N-dialkyyli-[metyyli-, etyyli-, n-propyyli- tai isopropyyli-]-fosforoamidaatit, muut kuin dietyyli-N,N-dimetyyli- fosforoamidaatti, joka luetellaan kohdassa 1C350,

| 4. | 2-N,N-dialkyyli-[metyyli-, etyyli-, n-propyyli- tai isopropyyli-]-aminoetyylikloridit ja vastaavat protonoidut suolat, muut kuin N-N-di-isopropyyliaminoetyylikloridi tai N,N-di-isopropyyliaminoetyylikloridi hydrokloridi, jotka luetellaan kohdassa 1C350, |
| --- | --- |

4.

2-N,N-dialkyyli-[metyyli-, etyyli-, n-propyyli- tai isopropyyli-]-aminoetyylikloridit ja vastaavat protonoidut suolat, muut kuin N-N-di-isopropyyliaminoetyylikloridi tai N,N-di-isopropyyliaminoetyylikloridi hydrokloridi, jotka luetellaan kohdassa 1C350,

| 5. | 2-N,N-dialkyyli-[metyyli-, etyyli-, n-propyyli- isopropyyli-]-aminoetanolit ja vastaavat protonoidut suolat, muut kuin N,N-di-isopropyyliaminoetanoli (96-80-0) ja N,N-dietyyliaminoetanoli (100-37-8), jotka luetellaan kohdassa 1C350,


  Huom.: 1C450.b.5 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi seuraavia:








  a. | 2-N,N-dimetyyliaminoetanoli (108-01-0) ja vastaavat protonoidut suolat, |
| --- | --- | --- |

5.

2-N,N-dialkyyli-[metyyli-, etyyli-, n-propyyli- isopropyyli-]-aminoetanolit ja vastaavat protonoidut suolat, muut kuin N,N-di-isopropyyliaminoetanoli (96-80-0) ja N,N-dietyyliaminoetanoli (100-37-8), jotka luetellaan kohdassa 1C350,

Huom.: 1C450.b.5 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi seuraavia:

a.

2-N,N-dimetyyliaminoetanoli (108-01-0) ja vastaavat protonoidut suolat,

| b. | 2-N,N-dietyyliaminoetanoli (100-37-8) ja vastaavat protonoidut suolat, |
| --- | --- |

b.

2-N,N-dietyyliaminoetanoli (100-37-8) ja vastaavat protonoidut suolat,

| 6. | 2-N,N-dialkyyli-[metyyli-, etyyli-, n-propyyli- tai isopropyyli-]-aminoetaanitiolit ja vastaavat protonoidut suolat, muut kuin N,N-di-isopropyyliaminoetaanitioli, joka luetellaan kohdassa 1C350, |
| --- | --- |

6.

2-N,N-dialkyyli-[metyyli-, etyyli-, n-propyyli- tai isopropyyli-]-aminoetaanitiolit ja vastaavat protonoidut suolat, muut kuin N,N-di-isopropyyliaminoetaanitioli, joka luetellaan kohdassa 1C350,

| 7. | etyylidietanoliamiinin (139-87-7) osalta katso 1C350 kohta, |
| --- | --- |

7.

etyylidietanoliamiinin (139-87-7) osalta katso 1C350 kohta,

| 8. | metyylidietanoliamiini (105-59-9). |
| --- | --- |

8.

metyylidietanoliamiini (105-59-9).

Huom. 1: Kemiallisia aseita koskevaan yleissopimukseen kuulumattomiin valtioihin vietävien tuotteiden osalta 1C450 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "kemiallisia seoksia", jotka sisältävät yhtä tai useampaa 1C450.b.1, 1C450.b.2, 1C450.b.3, 1C450.b.4, 1C450.b.5 ja 1C450.b.6 kohdassa mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksittäinen kemikaali ei muodosta yli 10 painoprosenttia kyseisestä seoksesta.

Huom. 2: Kemiallisia aseita koskevaan yleissopimukseen kuuluviin valtioihin vietävien tuotteiden osalta 1C450 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "kemiallisia seoksia", jotka sisältävät yhtä tai useampaa 1C450.b.1, 1C450.b.2, 1C450.b.3, 1C450.b.4, 1C450.b.5 ja 1C450.b.6 kohdassa mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksittäinen kemikaali ei muodosta yli 30 painoprosenttia kyseisestä seoksesta.

Huom. 3: 1C450 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "kemiallisia seoksia", jotka sisältävät yhtä tai useampaa 1C450.b.8 kohdassa mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksittäinen kemikaali ei muodosta yli 30 painoprosenttia kyseisestä seoksesta.

Huom.: 1C450 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kuluttajahyödykkeiksi määriteltyjä tuotteita, jotka on pakattu vähittäismyyntiä varten henkilökohtaiseen käyttöön tai pakattu yksityiskäyttöä varten.

1DOhjelmistot

1D001"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 1B001–1B003 kohdassa määriteltyjen laitteiden "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten.

1D002"Ohjelmistot" sellaisten laminaattien tai "komposiittien""kehittämistä" varten, joilla on orgaaninen "matriisi", metalli"matriisi" tai hiili"matriisi".

1D101"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 tai 1B119 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten.

1D103"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu analysoimaan pienennettyä havaittavuutta, kuten tutkaheijastavuutta, ultravioletti-, infrapuna- tai akustista havaittavuutta.

1D201"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu 1B201 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten.

1ETeknologia

1E001"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1A001.b, 1A001.c, 1A002–1A005, 1B tai 1C kohdassa määriteltyjen tuotteiden tai materiaalien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten.

1E002Muu teknologia:

| a. | "Teknologia" polybentsotiatsolien tai polybentsoksatsolien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten; |
| --- | --- |

a.

"Teknologia" polybentsotiatsolien tai polybentsoksatsolien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten;

| b. | "Teknologia" vähintään yhden vinyylieetterimonomeerin sisältävien fluoro-elastomeeriyhdisteiden "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten; |
| --- | --- |

b.

"Teknologia" vähintään yhden vinyylieetterimonomeerin sisältävien fluoro-elastomeeriyhdisteiden "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten;

| c. | "Teknologia" seuraavien perusmateriaalien tai ei-"komposiittisten" keraamisten materiaalien suunnittelua tai "tuotantoa" varten:






  1. | Perusmateriaalit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  a. | Jokin seuraavista koostumuksista:






  1. | Yksinkertaiset tai kompleksiset zirkoniumoksidit ja kompleksiset pii- tai alumiinioksidit; |
| --- | --- | --- | --- | --- |

c.

"Teknologia" seuraavien perusmateriaalien tai ei-"komposiittisten" keraamisten materiaalien suunnittelua tai "tuotantoa" varten:

1.

Perusmateriaalit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

Jokin seuraavista koostumuksista:

1.

Yksinkertaiset tai kompleksiset zirkoniumoksidit ja kompleksiset pii- tai alumiinioksidit;

| 2. | Yksinkertaiset boorinitridit (kuutiomaiset kidemuodot); |
| --- | --- |

2.

Yksinkertaiset boorinitridit (kuutiomaiset kidemuodot);

| 3. | Yksinkertaiset tai kompleksiset pii- tai boorikarbidit; tai |
| --- | --- |

3.

Yksinkertaiset tai kompleksiset pii- tai boorikarbidit; tai

| 4. | Yksinkertaiset tai kompleksiset piinitridit; |
| --- | --- |

4.

Yksinkertaiset tai kompleksiset piinitridit;

| b. | Metallisten epäpuhtauksien kokonaismäärä, haluttuja lisäaineita lukuun ottamatta, on vähemmän kuin:






  1. | 1 000 ppm yksinkertaisissa oksideissa tai karbideissa; tai |
| --- | --- | --- |

b.

Metallisten epäpuhtauksien kokonaismäärä, haluttuja lisäaineita lukuun ottamatta, on vähemmän kuin:

1.

1 000 ppm yksinkertaisissa oksideissa tai karbideissa; tai

| 2. | 5 000 ppm kompleksisissa yhdisteissä tai yksinkertaisissa nitrideissä; ja |
| --- | --- |

2.

5 000 ppm kompleksisissa yhdisteissä tai yksinkertaisissa nitrideissä; ja

| c. | Jotka ovat jokin seuraavista:






  1. | Zirkoniumoksidi, jonka keskimääräinen hiukkaskoko on enintään 1 μm ja jonka hiukkasista enintään 10 prosenttia on suurempia kuin 5 μm; |
| --- | --- | --- |

c.

Jotka ovat jokin seuraavista:

1.

Zirkoniumoksidi, jonka keskimääräinen hiukkaskoko on enintään 1 μm ja jonka hiukkasista enintään 10 prosenttia on suurempia kuin 5 μm;

| 2. | Muu perusmateriaali, jonka keskimääräinen hiukkaskoko on 5 μm tai vähemmän ja korkeintaan 10 prosenttia hiukkasista on kooltaan suurempia kuin 10 μm; tai |
| --- | --- |

2.

Muu perusmateriaali, jonka keskimääräinen hiukkaskoko on 5 μm tai vähemmän ja korkeintaan 10 prosenttia hiukkasista on kooltaan suurempia kuin 10 μm; tai

| 3. | Joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  a. | Hiutaleiden pituuden ja paksuuden suhde ylittää 5; |
| --- | --- | --- |

3.

Joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

Hiutaleiden pituuden ja paksuuden suhde ylittää 5;

| b. | Erilliskidekuitujen pituuden ja läpimitan suhde ylittää 10 alle 2 μm:n läpimitoilla; ja |
| --- | --- |

b.

Erilliskidekuitujen pituuden ja läpimitan suhde ylittää 10 alle 2 μm:n läpimitoilla; ja

| c. | Jatkuvat tai katkotut kuidut ovat läpimitaltaan alle 10 μm; |
| --- | --- |

c.

Jatkuvat tai katkotut kuidut ovat läpimitaltaan alle 10 μm;

| 2. | Keraamiset ei-"komposiitti"materiaalit, jotka koostuvat 1E002.c.1 kohdassa kuvatuista materiaaleista;


  Huom.: 1E002.C.2 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "teknologiaa" hioma-aineiden kehitystä ja tuotantoa varten. |
| --- | --- |

2.

Keraamiset ei-"komposiitti"materiaalit, jotka koostuvat 1E002.c.1 kohdassa kuvatuista materiaaleista;

Huom.: 1E002.C.2 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "teknologiaa" hioma-aineiden kehitystä ja tuotantoa varten.

| d. | "Teknologia" aromaattisten polyamidikuitujen "tuotantoa" varten; |
| --- | --- |

d.

"Teknologia" aromaattisten polyamidikuitujen "tuotantoa" varten;

| e. | "Teknologia" 1C001 kohdassa määriteltyjen materiaalien installointia, ylläpitoa tai korjausta varten; |
| --- | --- |

e.

"Teknologia" 1C001 kohdassa määriteltyjen materiaalien installointia, ylläpitoa tai korjausta varten;

| f. | "Teknologia" 1A002, 1C007.c tai 1C007.d kohdassa määriteltyjen "komposiitti"rakenteiden, -laminaattien tai -materiaalien korjausta varten.


  Huom.: 1E002.f kohta ei aseta valvonnanalaiseksi siviililentokoneiden rakenteiden korjaamiseen tarvittavaa "teknologiaa", jossa käytetään hiili"kuitu- tai -säiemateriaaleja" ja hartseja, jotka sisältyvät lentokonevalmistajan käsikirjoihin. |
| --- | --- |

f.

"Teknologia" 1A002, 1C007.c tai 1C007.d kohdassa määriteltyjen "komposiitti"rakenteiden, -laminaattien tai -materiaalien korjausta varten.

Huom.: 1E002.f kohta ei aseta valvonnanalaiseksi siviililentokoneiden rakenteiden korjaamiseen tarvittavaa "teknologiaa", jossa käytetään hiili"kuitu- tai -säiemateriaaleja" ja hartseja, jotka sisältyvät lentokonevalmistajan käsikirjoihin.

1E101"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115–1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111–1C117, 1D101 tai 1D103 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten.

1E102"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1D001, 1D101 tai 1D103 kohdassa määriteltyjen "ohjelmistojen""kehittämistä" varten.

1E103"Teknologia", jonka avulla säädetään lämpötilaa, painetta tai kaasukoostumusta auto- tai hydroklaaveissa silloin kun niitä käytetään "komposiittien" tai osittain käsiteltyjen "komposiittien""valmistukseen".

1E104"Teknologia", jonka avulla tuotetaan pyrolyysimenetelmällä muodostuvia aineita muotille, telineelle tai muulle substraatille välituotekaasuista, jotka hajoavat lämpötilan ollessa 1 573 K (1 300 °C)–3 173 K (2 900 °C) astetta ja paineen 130 Pa–20 kPa.

Huom.: 1E104 kohta sisältää "teknologian" väliainekaasujen seostamiseksi, virtausnopeudet ja prosessiohjauksen ajoitukset sekä parametrit.

1E201"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1A002, 1A202, 1A225–1A227, 1B201, 1B225–1B233, 1C002.b.3 tai b.4, 1C010.b, 1C202, 1C210, 1C216, 1C225–1C240 tai 1D201 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten.

1E202"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1A202 tai 1A225–1A227 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten.

1E203"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1D201 kohdassa määriteltyjen "ohjelmistojen""kehittämistä" varten.

RYHMÄ 2

MATERIAALIN KÄSITTELY

2AJärjestelmät, laitteet ja komponentit

Huom.: Hiljaiset laakerit: katso asetarvikeluettelo.

2A001Seuraavat kitkaa vähentävät laakerit ja laakerointijärjestelmät ja niiden komponentit:

Huom.: 2A001 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kuulia, joille valmistajan määrittelemä toleranssi on ISO 3290:n mukaisesti luokkaa 5 tai huonompi.

| a. | Kuulalaakerit tai massiivirullalaakerit, joiden kaikki valmistajan määrittelemät toleranssit ovat ISO 492:n toleranssiluokan 4 (tai ANSI/ABMA Std 20:n toleranssiluokka ABEC-7:n tai RBEC-7:n tai muiden vastaavien kansallisten standardien) mukaiset tai niitä paremmat, ja joiden renkaat ja pyörivät osat (ISO 5593) on valmistettu monelmetallista tai berylliumista;


  Huom.: 2A001.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kartiorullalaakereita. |
| --- | --- |

a.

Kuulalaakerit tai massiivirullalaakerit, joiden kaikki valmistajan määrittelemät toleranssit ovat ISO 492:n toleranssiluokan 4 (tai ANSI/ABMA Std 20:n toleranssiluokka ABEC-7:n tai RBEC-7:n tai muiden vastaavien kansallisten standardien) mukaiset tai niitä paremmat, ja joiden renkaat ja pyörivät osat (ISO 5593) on valmistettu monelmetallista tai berylliumista;

Huom.: 2A001.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kartiorullalaakereita.

| b. | Muut kuulalaakerit tai massiivirullalaakerit, joiden kaikki valmistajan määrittelemät toleranssit ovat ISO 492:n toleranssiluokan 2 (tai ANSI/ABMA Std 20:n toleranssiluokan ABEC-9:n tai RBEC-9:n tai muiden vastaavien kansallisten standardien) mukaiset tai niitä paremmat.


  Huom.: 2A001.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kartiorullalaakereita. |
| --- | --- |

b.

Muut kuulalaakerit tai massiivirullalaakerit, joiden kaikki valmistajan määrittelemät toleranssit ovat ISO 492:n toleranssiluokan 2 (tai ANSI/ABMA Std 20:n toleranssiluokan ABEC-9:n tai RBEC-9:n tai muiden vastaavien kansallisten standardien) mukaiset tai niitä paremmat.

Huom.: 2A001.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kartiorullalaakereita.

| c. | Aktiiviset magneettilaakerijärjestelmät, jotka käyttävät jotain seuraavista:






  1. | Materiaaleja, joiden vuontiheys on 2,0 T tai enemmän ja myötöraja suurempi kuin 414 MPa; |
| --- | --- | --- |

c.

Aktiiviset magneettilaakerijärjestelmät, jotka käyttävät jotain seuraavista:

1.

Materiaaleja, joiden vuontiheys on 2,0 T tai enemmän ja myötöraja suurempi kuin 414 MPa;

| 2. | Täyssähkömagneettisia 3D yksinapaisia esimagnetointikonstruktioita toimimoottoreita varten; tai |
| --- | --- |

2.

Täyssähkömagneettisia 3D yksinapaisia esimagnetointikonstruktioita toimimoottoreita varten; tai

| 3. | Korkeita lämpötiloja (430 K (177 °C) tai enemmän) kestäviä asentoantureita. |
| --- | --- |

3.

Korkeita lämpötiloja (430 K (177 °C) tai enemmän) kestäviä asentoantureita.

2A225Nestemäisiä aktinidimetalleja kestävistä aineista tehdyt upokkaat seuraavasti:

| a. | Upokkaat, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:






  1. | vetoisuus 150 cm3–8 000 cm3; ja |
| --- | --- | --- |

a.

Upokkaat, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

1.

vetoisuus 150 cm3–8 000 cm3; ja

| 2. | valmistusaineena tai vuorauksena jokin seuraavista aineista (pitoisuus 98 painoprosenttia tai suurempi):






  a. | Kalsiumfluoridi (CaF2); |
| --- | --- | --- |

2.

valmistusaineena tai vuorauksena jokin seuraavista aineista (pitoisuus 98 painoprosenttia tai suurempi):

a.

Kalsiumfluoridi (CaF2);

| b. | Kalsiumsirkonaatti (metasirkonaatti) (CaZrO3); |
| --- | --- |

b.

Kalsiumsirkonaatti (metasirkonaatti) (CaZrO3);

| c. | Keriumsulfidi (Ce2S3); |
| --- | --- |

c.

Keriumsulfidi (Ce2S3);

| d. | Erbiumoksidi (erbia) (Er2O3); |
| --- | --- |

d.

Erbiumoksidi (erbia) (Er2O3);

| e. | Hafniumoksidi (hafnia) (HfO2); |
| --- | --- |

e.

Hafniumoksidi (hafnia) (HfO2);

| f. | Magnesiumoksidi (MgO); |
| --- | --- |

f.

Magnesiumoksidi (MgO);

| g. | Typetetty niobi-titaani-volframiseos (noin 50 % Nb, 30 % Ti, 20 % W); |
| --- | --- |

g.

Typetetty niobi-titaani-volframiseos (noin 50 % Nb, 30 % Ti, 20 % W);

| h. | Yttriumoksidi (yttria) (Y2O3); |
| --- | --- |

h.

Yttriumoksidi (yttria) (Y2O3);

| i. | Zirkoniumoksidi (zirkonia) (ZrO2); |
| --- | --- |

i.

Zirkoniumoksidi (zirkonia) (ZrO2);

| b. | Upokkaat, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:






  1. | vetoisuus on 50 cm3–2 000 cm3; ja |
| --- | --- | --- |

b.

Upokkaat, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

1.

vetoisuus on 50 cm3–2 000 cm3; ja

| 2. | valmistus- tai vuorausaineena on tantaali (pitoisuus 99,9 painoprosenttia tai suurempi); |
| --- | --- |

2.

valmistus- tai vuorausaineena on tantaali (pitoisuus 99,9 painoprosenttia tai suurempi);

| c. | Upokkaat, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | vetoisuus on 50 cm3–2 000 cm3; |
| --- | --- | --- |

c.

Upokkaat, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

vetoisuus on 50 cm3–2 000 cm3;

| 2. | valmistus- tai vuorausaineena tantaali, jonka pitoisuus on 98 painoprosenttia tai suurempi; ja |
| --- | --- |

2.

valmistus- tai vuorausaineena tantaali, jonka pitoisuus on 98 painoprosenttia tai suurempi; ja

| 3. | pinnoitettu tantaalikarbidilla, -nitridillä tai -boridilla tai jollakin näiden yhdisteellä. |
| --- | --- |

3.

pinnoitettu tantaalikarbidilla, -nitridillä tai -boridilla tai jollakin näiden yhdisteellä.

2A226Venttiilit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

| a. | ‧nimelliskoko‧ 5 mm tai suurempi; |
| --- | --- |

a.

‧nimelliskoko‧ 5 mm tai suurempi;

| b. | paljetiiviste; ja |
| --- | --- |

b.

paljetiiviste; ja

| c. | kokonaisuudessaan valmistettu tai vuorattu alumiinilla, alumiiniseoksella, nikkelillä tai nikkeliseoksella, jonka painosta on enemmän kuin 60 % nikkeliä. |
| --- | --- |

c.

kokonaisuudessaan valmistettu tai vuorattu alumiinilla, alumiiniseoksella, nikkelillä tai nikkeliseoksella, jonka painosta on enemmän kuin 60 % nikkeliä.

Tekninen Huom.:

Niiden venttiilien osalta, joiden sisäänmenon ja ulostulon halkaisijat ovat erilaiset, kohdassa 2A226 ‧nimelliskoolla‧ tarkoitetaan pienintä halkaisijaa.

2BTestaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet

Tekn. huom.:

| 1. | Ääriviiva-akselien kokonaismäärään ei lasketa yhdensuuntaisia ääriviivasivuakseleita, (esim. vaakakaraisen avarruskoneen w-akselia, tai pyörivää sivuakselia, jonka keskilinja on samansuuntainen pyörivän pääakselin kanssa). Pyörivien akselien ei tarvitse pyörähtää yli 360 astetta. Pyörivää akselia voi käyttää lineaarinen laite (esim. ruuvi tai hammastanko). |
| --- | --- |

1.

Ääriviiva-akselien kokonaismäärään ei lasketa yhdensuuntaisia ääriviivasivuakseleita, (esim. vaakakaraisen avarruskoneen w-akselia, tai pyörivää sivuakselia, jonka keskilinja on samansuuntainen pyörivän pääakselin kanssa). Pyörivien akselien ei tarvitse pyörähtää yli 360 astetta. Pyörivää akselia voi käyttää lineaarinen laite (esim. ruuvi tai hammastanko).

| 2. | 2B kohdassa niiden akseleiden määrä, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida "ääriviivaohjauksessa", on niiden akseleiden määrä, joita pitkin tai joiden ympäri suoritetaan työkappaleen prosessoinnin aikana samanaikaisia ja toisiinsa liittyviä työkappaleen ja työkalun välisiä liikkeitä. Tähän eivät sisälly muut akselit, joita pitkin tai joiden ympäri suoritetaan muita suhteellisia liikkeitä koneen sisällä, kuten:








  a. | Hiomakoneiden laikan pyöristinjärjestelmät; |
| --- | --- | --- |

2.

2B kohdassa niiden akseleiden määrä, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida "ääriviivaohjauksessa", on niiden akseleiden määrä, joita pitkin tai joiden ympäri suoritetaan työkappaleen prosessoinnin aikana samanaikaisia ja toisiinsa liittyviä työkappaleen ja työkalun välisiä liikkeitä. Tähän eivät sisälly muut akselit, joita pitkin tai joiden ympäri suoritetaan muita suhteellisia liikkeitä koneen sisällä, kuten:

a.

Hiomakoneiden laikan pyöristinjärjestelmät;

| b. | Yhdensuuntaiset pyörivät akselit, jotka on suunniteltu erillisten työkappaleiden asentamiseen; |
| --- | --- |

b.

Yhdensuuntaiset pyörivät akselit, jotka on suunniteltu erillisten työkappaleiden asentamiseen;

| c. | Kollineaariset pyörivät akselit, jotka on suunniteltu saman työkappaleen käsittelyyn pitelemällä sitä puristuksissa eri puolilta. |
| --- | --- |

c.

Kollineaariset pyörivät akselit, jotka on suunniteltu saman työkappaleen käsittelyyn pitelemällä sitä puristuksissa eri puolilta.

| 3. | Akselien nimeämisen tulee olla ISO 841 standardin (International Standard, Numerical Control Machines – Axis and Motion Nomenclature) mukainen. |
| --- | --- |

3.

Akselien nimeämisen tulee olla ISO 841 standardin (International Standard, Numerical Control Machines – Axis and Motion Nomenclature) mukainen.

| 4. | 2B001–2B009 kohdassa "kieppikara" katsotaan pyöriväksi akseliksi. |
| --- | --- |

4.

2B001–2B009 kohdassa "kieppikara" katsotaan pyöriväksi akseliksi.

| 5. | Taattuja paikannustarkkuustasoja, jotka poikkeavat ISO 230/2:n (1988) (1) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti tehdyistä mittauksista, voidaan käyttää työstökonemalleille erillisten konetestien sijasta. Taatulla paikannustarkkuudella tarkoitetaan sen jäsenvaltion toimivaltaisille viranomaisille toimitettua tarkkuusarvoa, johon viejä on sijoittautunut konemallin tarkkuuden edustajana.

  Taattujen arvojen määrittäminen







  a. | valitse viisi arvioitavan mallin konetta; |
| --- | --- | --- |

5.

Taattuja paikannustarkkuustasoja, jotka poikkeavat ISO 230/2:n (1988) (1) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti tehdyistä mittauksista, voidaan käyttää työstökonemalleille erillisten konetestien sijasta. Taatulla paikannustarkkuudella tarkoitetaan sen jäsenvaltion toimivaltaisille viranomaisille toimitettua tarkkuusarvoa, johon viejä on sijoittautunut konemallin tarkkuuden edustajana.

a.

valitse viisi arvioitavan mallin konetta;

| b. | Mittaa ISO 230/2:n (1998) (1) mukaisesti lineaarisen akselin tarkkuudet; |
| --- | --- |

b.

Mittaa ISO 230/2:n (1998) (1) mukaisesti lineaarisen akselin tarkkuudet;

| c. | Määrittele jokaisen koneen jokaisen akselin A-arvo. A-arvon laskemismenetelmä on kuvattu ISO-standardeissa; |
| --- | --- |

c.

Määrittele jokaisen koneen jokaisen akselin A-arvo. A-arvon laskemismenetelmä on kuvattu ISO-standardeissa;

| d. | Määrittele jokaisen akselin A-arvon keskiarvo. Tästä keskiarvosta Â tulee mallin kunkin akselin mainittu arvo (Âx Ây...); |
| --- | --- |

d.

Määrittele jokaisen akselin A-arvon keskiarvo. Tästä keskiarvosta Â tulee mallin kunkin akselin mainittu arvo (Âx Ây...);

| e. | Koska 2 ryhmää koskevassa luettelossa viitataan jokaiseen lineaariseen akseliin, mainittuja arvoja on oltava yhtä monta kuin lineaarisia akseleita; |
| --- | --- |

e.

Koska 2 ryhmää koskevassa luettelossa viitataan jokaiseen lineaariseen akseliin, mainittuja arvoja on oltava yhtä monta kuin lineaarisia akseleita;

| f. | Jos sellaisen työstökonemallin, jota ei ole asetettu valvonnanalaiseksi 2B001.a–2B001.c tai 2B201 kohdissa, jollekin akselille on määritelty hiomakoneita koskeva 6 mikronin ja jyrsintäkoneita ja sorveja koskeva 8 mikronin tarkkuus Â tai tätä parempi tarkkuus, valmistajan olisi vahvistettava tarkkuustaso kerran kahdeksassatoista kuukaudessa. |
| --- | --- |

f.

Jos sellaisen työstökonemallin, jota ei ole asetettu valvonnanalaiseksi 2B001.a–2B001.c tai 2B201 kohdissa, jollekin akselille on määritelty hiomakoneita koskeva 6 mikronin ja jyrsintäkoneita ja sorveja koskeva 8 mikronin tarkkuus Â tai tätä parempi tarkkuus, valmistajan olisi vahvistettava tarkkuustaso kerran kahdeksassatoista kuukaudessa.

2B001Seuraavat työstökoneet ja niiden yhdistelmät, jotka on tarkoitettu työstämään (tai leikkaamaan) metalleja, keraamisia aineita tai "komposiitteja" ja jotka valmistajan teknisten eritelmien mukaan voidaan varustaa "numeerisella ohjauksella", ja erityisesti suunnitellut komponentit;

Huom.: KATSO MYÖS 2B201 KOHTA.

Huom. 1: 2B001 kohta ei aseta valvonnan alaiseksi erikoistyöstökoneita, joiden käyttö on rajattu hammaspyörien valmistukseen. Tällaisten koneiden osalta katso 2B003.

Huom. 2: 2B001 kohta ei aseta valvonnan alaiseksi erikoistyöstökoneita, joiden käyttö on rajattu joidenkin seuraavien osien valmistukseen:

| a. | Kampiakselit tai nokka-akselit; |
| --- | --- |

a.

Kampiakselit tai nokka-akselit;

| b. | Työkalut tai leikkuuterät; |
| --- | --- |

b.

Työkalut tai leikkuuterät;

| c. | Puristimen syöttöruuvi; |
| --- | --- |

c.

Puristimen syöttöruuvi;

| d. | Kaiverretut tai viisteiseksi hiotut korujen osat. |
| --- | --- |

d.

Kaiverretut tai viisteiseksi hiotut korujen osat.

Huom. 3: Työstökone, jolla on ainakin kaksi kaikkiaan kolmesta sorvaamista, jyrsintää ja hiontaa koskevasta ominaisuudesta (esim. sorvaamiskone, jossa on jyrsintäominaisuus), on arvioitava kunkin sovellettavan kohdan 2B001a, b tai c osalta.

| a. | Työstökoneet sorvaamista varten, joilla on seuraavat ominaisuudet:






  1. | Paikannustarkkuus "kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen"on saman suuruinen tai vähemmän (parempi) kuin 6 mikrometriä ISO 230/2:n (1988) (1) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti määriteltynä minkä tahansa lineaarisen akselin suuntaan; ja |
| --- | --- | --- |

a.

Työstökoneet sorvaamista varten, joilla on seuraavat ominaisuudet:

1.

Paikannustarkkuus "kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen"on saman suuruinen tai vähemmän (parempi) kuin 6 mikrometriä ISO 230/2:n (1988) (1) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti määriteltynä minkä tahansa lineaarisen akselin suuntaan; ja

| 2. | Kaksi tai useampia akseleita, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida "ääriviivaohjauksessa"; |
| --- | --- |

2.

Kaksi tai useampia akseleita, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida "ääriviivaohjauksessa";

Huom.: 2B001.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kontaktilinssien valmistusta varten suunniteltuja sorveja.

| b. | Työstökoneet jyrsintää varten, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Joilla on kaikki seuraavista:






  a. | Paikannustarkkuus "kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen" on saman suuruinen tai vähemmän (parempi) kuin 6 mikrometriä ISO 230/2:n (1) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti määriteltynä minkä tahansa lineaarisen akselin suuntaan; ja |
| --- | --- | --- | --- |

b.

Työstökoneet jyrsintää varten, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Joilla on kaikki seuraavista:

a.

Paikannustarkkuus "kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen" on saman suuruinen tai vähemmän (parempi) kuin 6 mikrometriä ISO 230/2:n (1) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti määriteltynä minkä tahansa lineaarisen akselin suuntaan; ja

| b. | Kolme lineaarista ja yksi pyörivä akseli, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida "ääriviivaohjauksessa"; |
| --- | --- |

b.

Kolme lineaarista ja yksi pyörivä akseli, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida "ääriviivaohjauksessa";

| 2. | Viisi tai useampia akseleita, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida "ääriviivaohjauksessa"; |
| --- | --- |

2.

Viisi tai useampia akseleita, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida "ääriviivaohjauksessa";

| 3. | Tarkkuusporakoneiden paikannustarkkuus, "kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen" on saman suuruinen tai vähemmän (parempi) kuin 4 mikrometriä ISO 230/2:n (1) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti määriteltynä minkä tahansa akselin suuntaan; tai |
| --- | --- |

3.

Tarkkuusporakoneiden paikannustarkkuus, "kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen" on saman suuruinen tai vähemmän (parempi) kuin 4 mikrometriä ISO 230/2:n (1) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti määriteltynä minkä tahansa akselin suuntaan; tai

| 4. | Nokkateräkoneet, joilla on seuraavat ominaisuudet:






  a. | Karan "poikkeaman" ja "aksiaalisiirtymän" kokonaislukema on vähemmän (parempi) kuin 0,0004 mm TIR; ja |
| --- | --- | --- |

4.

Nokkateräkoneet, joilla on seuraavat ominaisuudet:

a.

Karan "poikkeaman" ja "aksiaalisiirtymän" kokonaislukema on vähemmän (parempi) kuin 0,0004 mm TIR; ja

| b. | Luistin liikkeen kulmapoikkeaman (kiertymä pysty-, poikittais- ja pituusakselin ympäri) kokonaislukema on 30 mm:n matkalla vähemmän (parempi) kuin 2 kaarisekuntia TIR. |
| --- | --- |

b.

Luistin liikkeen kulmapoikkeaman (kiertymä pysty-, poikittais- ja pituusakselin ympäri) kokonaislukema on 30 mm:n matkalla vähemmän (parempi) kuin 2 kaarisekuntia TIR.

| c. | Työstökoneet hiontaa varten, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Joilla on kaikki seuraavista:






  a. | Paikannustarkkuus "kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen" on saman suuruinen, tai vähemmän (parempi) kuin 4 mikrometriä ISO 230/2:n (1) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti määriteltynä minkä tahansa lineaarisen akselin suuntaan; ja |
| --- | --- | --- | --- |

c.

Työstökoneet hiontaa varten, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Joilla on kaikki seuraavista:

a.

Paikannustarkkuus "kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen" on saman suuruinen, tai vähemmän (parempi) kuin 4 mikrometriä ISO 230/2:n (1) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti määriteltynä minkä tahansa lineaarisen akselin suuntaan; ja

| b. | Kolme lineaarista ja yksi pyörivä akseli, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida "ääriviivaohjauksessa"; tai |
| --- | --- |

b.

Kolme lineaarista ja yksi pyörivä akseli, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida "ääriviivaohjauksessa"; tai

| 2. | Viisi tai useampia akseleita, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida "ääriviivaohjauksessa"; |
| --- | --- |

2.

Viisi tai useampia akseleita, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida "ääriviivaohjauksessa";

Huom.: 2B001.c kohta ei aseta valvonnanalaiseksi seuraavia hiomakoneita:

| 1. | Ulkopuolisia, sisäpuolisia tai ulko-sisäpuolisia pyöröhiomakoneita, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:








  a. | Kone on rajoitettu vain pyöröhiontaan; ja |
| --- | --- | --- |

1.

Ulkopuolisia, sisäpuolisia tai ulko-sisäpuolisia pyöröhiomakoneita, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

Kone on rajoitettu vain pyöröhiontaan; ja

| b. | Hiomakoneen työkappaleen maksimikoko on ulkohalkaisijaltaan tai pituudeltaan 150 mm. |
| --- | --- |

b.

Hiomakoneen työkappaleen maksimikoko on ulkohalkaisijaltaan tai pituudeltaan 150 mm.

| 2. | Koneita, jotka on erityisesti suunniteltu mallinehiomakoneeksi, joilla ei ole z-akselia eikä w-akselia ja joiden paikannustarkkuus "kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen" on vähemmän (parempi) kuin 4 μm ISO 230/2:n (1) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti. |
| --- | --- |

2.

Koneita, jotka on erityisesti suunniteltu mallinehiomakoneeksi, joilla ei ole z-akselia eikä w-akselia ja joiden paikannustarkkuus "kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen" on vähemmän (parempi) kuin 4 μm ISO 230/2:n (1) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti.

| 3. | Pintahiomakoneet. |
| --- | --- |

3.

Pintahiomakoneet.

| d. | Langattomat kipinätyöstökoneet (EDM), joilla on kaksi tai useampia pyöriviä akseleita, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida "ääriviivaohjauksessa"; |
| --- | --- |

d.

Langattomat kipinätyöstökoneet (EDM), joilla on kaksi tai useampia pyöriviä akseleita, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida "ääriviivaohjauksessa";

| e. | Metallin, keraamisten aineiden tai "komposiittien" koneistukseen tarkoitetut koneet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Ne käyttävät materiaalin työstämiseen jotakin seuraavista:






  a. | Vesi- tai muuta nestesuihkua, mukaan lukien ne, jotka käyttävät hiomalisäaineita; |
| --- | --- | --- | --- |

e.

Metallin, keraamisten aineiden tai "komposiittien" koneistukseen tarkoitetut koneet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Ne käyttävät materiaalin työstämiseen jotakin seuraavista:

a.

Vesi- tai muuta nestesuihkua, mukaan lukien ne, jotka käyttävät hiomalisäaineita;

| b. | Elektronisuihkua; tai |
| --- | --- |

b.

Elektronisuihkua; tai

| c. | "Laser"sädettä; ja |
| --- | --- |

c.

"Laser"sädettä; ja

| 2. | Niissä on kaksi tai useampia pyöriviä akseleita:






  a. | Joita voidaan samanaikaisesti koordinoida "ääriviivaohjauksessa"; ja |
| --- | --- | --- |

2.

Niissä on kaksi tai useampia pyöriviä akseleita:

a.

Joita voidaan samanaikaisesti koordinoida "ääriviivaohjauksessa"; ja

| b. | Joiden paikannustarkkuus on vähemmän (parempi) kuin 0,003 astetta. |
| --- | --- |

b.

Joiden paikannustarkkuus on vähemmän (parempi) kuin 0,003 astetta.

| f. | Syväreikäporauskoneet ja sorvit, jotka on muunnettu sopiviksi syväreikäporaukseen, joilla maksimi poraussyvyys ylittää 5 000 mm, sekä niitä varten erityisesti kehitetyt komponentit. |
| --- | --- |

f.

Syväreikäporauskoneet ja sorvit, jotka on muunnettu sopiviksi syväreikäporaukseen, joilla maksimi poraussyvyys ylittää 5 000 mm, sekä niitä varten erityisesti kehitetyt komponentit.

2B002Numeerisesti ohjatut työstökoneet, joissa käytetään magnetoreologista viimeistelyprosessia (MRF) ja jotka on varustettu tuottamaan ei-pallomaisia pintoja ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

| a. | Muodon viimeistely alle (paremmaksi kuin) 1,0 μm:iin; tai |
| --- | --- |

a.

Muodon viimeistely alle (paremmaksi kuin) 1,0 μm:iin; tai

| b. | Karheuden viimeistely alle (paremmaksi kuin) 100 nm rms:iin. |
| --- | --- |

b.

Karheuden viimeistely alle (paremmaksi kuin) 100 nm rms:iin.

Tekn. huom.:

2B002 kohdassa tarkoitetaan ‧MRF-prosessilla‧ materiaalin poistoprosessia, jossa käytetään hiovaa magneettista nestettä, jonka viskositeetti muuttuu magneettikentässä.

2B003"Numeerisesti ohjatut" tai käsiohjatut työstökoneet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit, ohjaukset ja lisälaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu höyläämään, viimeistelemään, hiomaan tai hoonaamaan karkaistuja (Rc = 40 tai yli) lieriöhammaspyöriä, ruuvipyöriä tai kaksoisruuvipyöriä, joiden jakohalkaisija on enemmän kuin 1 250 mm ja hampaan leveys on 15 % jakohalkaisijasta tai enemmän, ja jotka on koneistettu AGMA 14:n laatuisiksi tai paremmiksi (vastaa ISO 1328:n 3 luokkaa).

2B004Seuraavat kuuma"isostaattiset puristimet", joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit ja lisälaitteet:

Huom.: KATSO MYÖS 2B104 ja 2B204 KOHTA.

| a. | Suljetussa tilassaan säädettävä lämpötila, ja kammiotilan sisäläpimitta on 406 mm tai enemmän; ja |
| --- | --- |

a.

Suljetussa tilassaan säädettävä lämpötila, ja kammiotilan sisäläpimitta on 406 mm tai enemmän; ja

| b. | Jokin seuraavista:






  1. | Maksimityöpaine ylittää 207 MPa; |
| --- | --- | --- |

b.

Jokin seuraavista:

1.

Maksimityöpaine ylittää 207 MPa;

| 2. | Säädettävä lämpötila ylittää 1 773 K (1 500 °C); astetta; tai |
| --- | --- |

2.

Säädettävä lämpötila ylittää 1 773 K (1 500 °C); astetta; tai

| 3. | Joissa on edellytykset hiilivetykyllästykseen ja syntyvien kaasumaisten hajoamistuotteiden poistoon. |
| --- | --- |

3.

Joissa on edellytykset hiilivetykyllästykseen ja syntyvien kaasumaisten hajoamistuotteiden poistoon.

Tekn. huom.:

Kammion sisäläpimitta tarkoittaa sen tilan kokoa, jossa sekä työlämpötila että työpaine saavutetaan, eikä siihen sisällytetä kiinnittimiä. Tämä mitta on joko painekammion sisähalkaisija tai eristetyn kuumakammion sisähalkaisija ja on se, joka on pienempi, riippuen siitä kumpi kammioista on toisen sisällä.

Huom.: Erityisesti suunnitellut suulakkeet, muotit ja laitteet: katso kohdat 1B003, 9B009 ja asetarvikeluettelo.

2B005Seuraavat erityisesti suunnitellut laitteet pinnoitusta, prosessointia ja pinnoitteen laadun prosessin aikaista ohjausta varten, joilla aikaansaadaan epäorgaanisia pinnoitteita tai pintamodifikaatioita johtamattomille substraateille käyttäen menetelmiä, jotka on kuvattu 2E003.f kohdan jäljessä olevassa taulukossa ja siihen liittyvissä huomautuksissa, sekä näitä laitteita varten erityisesti suunnitellut automaattiset kuljetus-, sijoitus-, käsittely- ja ohjauskomponentit:

| a. | Tuotantolaitteet kemiallista kaasufaasipinnoitusta varten (CVD), joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

  Huom.: KATSO MYÖS 2B105 KOHTA.







  1. | Jokin seuraavista prosessin muunnoksista:






  a. | Syke-CVD (pulsating CVD); |
| --- | --- | --- | --- |

a.

Tuotantolaitteet kemiallista kaasufaasipinnoitusta varten (CVD), joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

Huom.: KATSO MYÖS 2B105 KOHTA.

1.

Jokin seuraavista prosessin muunnoksista:

a.

Syke-CVD (pulsating CVD);

| b. | Säädeltävä ydintymis-lämpöhajoaminen (CNTD); tai |
| --- | --- |

b.

Säädeltävä ydintymis-lämpöhajoaminen (CNTD); tai

| c. | Plasma-CVD; ja |
| --- | --- |

c.

Plasma-CVD; ja

| 2. | Jokin seuraavista:






  a. | Sisältävät pyörivät tyhjiötiivisteet (0,01 pa tai vähemmän); tai |
| --- | --- | --- |

2.

Jokin seuraavista:

a.

Sisältävät pyörivät tyhjiötiivisteet (0,01 pa tai vähemmän); tai

| b. | Sisältävät prosessin aikaisen kerrospaksuuden säädön; |
| --- | --- |

b.

Sisältävät prosessin aikaisen kerrospaksuuden säädön;

| b. | Ioni-istutustuotantolaitteet, joiden ionisuihkun virta on 5 mA tai enemmän; |
| --- | --- |

b.

Ioni-istutustuotantolaitteet, joiden ionisuihkun virta on 5 mA tai enemmän;

| c. | Tuotantolaitteet elektronisuihkun avulla tapahtuvaa fysikaalista kaasufaasipinnoitusta varten (EB-PVD), joihin sisältyvien tehojärjestelmien nimellisteho ylittää 80 kW ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Nestelähteen pinnan "laser"säätöjärjestelmä, joka tarkasti ohjaa tankojen syöttönopeutta; tai |
| --- | --- | --- |

c.

Tuotantolaitteet elektronisuihkun avulla tapahtuvaa fysikaalista kaasufaasipinnoitusta varten (EB-PVD), joihin sisältyvien tehojärjestelmien nimellisteho ylittää 80 kW ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Nestelähteen pinnan "laser"säätöjärjestelmä, joka tarkasti ohjaa tankojen syöttönopeutta; tai

| 2. | Tietokoneohjattu nopeuden seuranta, jolla ohjataan kahta tai useampaa elementtiä sisältävän pinnoitteen kasvunopeutta ja joka perustuu höyryvirrassa olevien ionisoitujen atomien fotoluminesenssiin; |
| --- | --- |

2.

Tietokoneohjattu nopeuden seuranta, jolla ohjataan kahta tai useampaa elementtiä sisältävän pinnoitteen kasvunopeutta ja joka perustuu höyryvirrassa olevien ionisoitujen atomien fotoluminesenssiin;

| d. | Plasmaruiskutustuotantolaitteet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Toimivat säädettävässä alennetussa paineessa (10 kPa tai vähemmän, mitattuna 300 mm:n sisältä suuttimen ulostulon yläpuolelta) tyhjökammiossa, joka ennen suihkutusprosessia voidaan tyhjentää 0,01 Pa:iin asti; tai |
| --- | --- | --- |

d.

Plasmaruiskutustuotantolaitteet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Toimivat säädettävässä alennetussa paineessa (10 kPa tai vähemmän, mitattuna 300 mm:n sisältä suuttimen ulostulon yläpuolelta) tyhjökammiossa, joka ennen suihkutusprosessia voidaan tyhjentää 0,01 Pa:iin asti; tai

| 2. | Sisältävät prosessin aikaisen kerrospaksuuden säädön; |
| --- | --- |

2.

Sisältävät prosessin aikaisen kerrospaksuuden säädön;

| e. | Sputterointituotantolaitteet, joiden virtatiheys voi olla 0,1 mA/mm2 tai suurempi, kun pinnoitusnopeus on 15 μm tunnissa tai suurempi; |
| --- | --- |

e.

Sputterointituotantolaitteet, joiden virtatiheys voi olla 0,1 mA/mm2 tai suurempi, kun pinnoitusnopeus on 15 μm tunnissa tai suurempi;

| f. | Katodikaaripinnoitustuotantolaitteet, jotka sisältävät sähkömagneeteista koostuvan hilan kaaren pisteen ohjaamiseksi katodilla; |
| --- | --- |

f.

Katodikaaripinnoitustuotantolaitteet, jotka sisältävät sähkömagneeteista koostuvan hilan kaaren pisteen ohjaamiseksi katodilla;

| g. | Ionipinnoitustuotantolaitteet, jotka mahdollistavat jonkin seuraavan prosessin aikaisen mittauksen:






  1. | Kerrospaksuuden mittauksen substraatin päältä ja pinnoitusnopeuden säädön; tai |
| --- | --- | --- |

g.

Ionipinnoitustuotantolaitteet, jotka mahdollistavat jonkin seuraavan prosessin aikaisen mittauksen:

1.

Kerrospaksuuden mittauksen substraatin päältä ja pinnoitusnopeuden säädön; tai

| 2. | Optisten ominaisuuksien mittauksen. |
| --- | --- |

2.

Optisten ominaisuuksien mittauksen.

Huom.: 2B005 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi leikkaus- tai työstötyökaluja varten erityisesti suunniteltuja kaasufaasipinnoitus-, katodikaari-, sputterointipinnoitus-, ionipäällystys- tai ioni-istutuslaitteita.

2B006Seuraavat dimensioiden tarkastus- ja mittausjärjestelmät, -laitteet ja "elektroniset kokoonpanot":

| a. | Tietokoneohjatut tai "numeerisesti ohjatut" koordinaattimittauskoneet (KMK), joiden kolmen dimension (tilavuuden) osoituksen suurin sallittu virhe (MPEE) koneen toiminta-alueen missä tahansa kohdassa (akselien pituuden puitteissa) on (1,7 + L/1 000) μm tai pienempi (parempi) (L on mitattu pituus millimetreinä) standardin ISO 10360-2 (2001) mukaisesti testattuna; |
| --- | --- |

a.

Tietokoneohjatut tai "numeerisesti ohjatut" koordinaattimittauskoneet (KMK), joiden kolmen dimension (tilavuuden) osoituksen suurin sallittu virhe (MPEE) koneen toiminta-alueen missä tahansa kohdassa (akselien pituuden puitteissa) on (1,7 + L/1 000) μm tai pienempi (parempi) (L on mitattu pituus millimetreinä) standardin ISO 10360-2 (2001) mukaisesti testattuna;

Huom.: KATSO MYÖS 2B206 KOHTA.

| b. | Seuraavat lineaarisen ja kulmasiirtymän mittausinstrumentit:






  1. | Lineaarisen siirtymän mittausinstrumentit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
  Tekn. huom.:

  2B006.b.1 kohdassa ‧lineaarisella siirtymällä‧ tarkoitetaan mittapään ja mitattavan kohteen välisen etäisyyden muutosta.







  a. | Kosketuksettomat mittausjärjestelmät, joiden "resoluutio" on 0,2 μm tai vähemmän (parempi) 0,2 mm:n mittausalueella; |
| --- | --- | --- | --- |

b.

Seuraavat lineaarisen ja kulmasiirtymän mittausinstrumentit:

1.

Lineaarisen siirtymän mittausinstrumentit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

Tekn. huom.:

2B006.b.1 kohdassa ‧lineaarisella siirtymällä‧ tarkoitetaan mittapään ja mitattavan kohteen välisen etäisyyden muutosta.

a.

Kosketuksettomat mittausjärjestelmät, joiden "resoluutio" on 0,2 μm tai vähemmän (parempi) 0,2 mm:n mittausalueella;

| b. | Lineaariset differentiaalimuuntajajärjestelmät, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:






  1. | "Lineaarisuus" on 0,1 % tai vähemmän (parempi) mittausalueella, joka on 5 mm tai pienempi; ja |
| --- | --- | --- |

b.

Lineaariset differentiaalimuuntajajärjestelmät, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

1.

"Lineaarisuus" on 0,1 % tai vähemmän (parempi) mittausalueella, joka on 5 mm tai pienempi; ja

| 2. | Ryömintä on 0,1 % tai vähemmän (parempi) päivässä testaushuoneen vakiolämpötilassa ± 1 K astetta; tai |
| --- | --- |

2.

Ryömintä on 0,1 % tai vähemmän (parempi) päivässä testaushuoneen vakiolämpötilassa ± 1 K astetta; tai

| c. | Mittausjärjestelmät, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Sisältävät "laserin"; ja |
| --- | --- | --- |

c.

Mittausjärjestelmät, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Sisältävät "laserin"; ja

| 2. | Säilyttävät vähintään 12 tuntia normaalilämpötilan ± 1 K asteen vaihtelualueella ja normaalipaineessa seuraavat ominaisuudet:






  a. | "Resoluution" 0,1 mikrometriä tai vähemmän (parempi) koko mittausalueella; ja |
| --- | --- | --- |

2.

Säilyttävät vähintään 12 tuntia normaalilämpötilan ± 1 K asteen vaihtelualueella ja normaalipaineessa seuraavat ominaisuudet:

a.

"Resoluution" 0,1 mikrometriä tai vähemmän (parempi) koko mittausalueella; ja

| b. | "Mittauksen epävarmuuden" (0,2 + L/2 000) mikrometriä tai vähemmän (parempi) (L on mitattu pituus millimetreinä); |
| --- | --- |

b.

"Mittauksen epävarmuuden" (0,2 + L/2 000) mikrometriä tai vähemmän (parempi) (L on mitattu pituus millimetreinä);

| d. | "Elektroniset kokoonpanot", jotka on erityisesti suunniteltu mahdollistamaan takaisinkytkentäkyvyn 2B006.b.1.c kohdassa määritellyissä järjestelmissä; |
| --- | --- |

d.

"Elektroniset kokoonpanot", jotka on erityisesti suunniteltu mahdollistamaan takaisinkytkentäkyvyn 2B006.b.1.c kohdassa määritellyissä järjestelmissä;

Huom.: 2B006.b.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi interferometrimittausjärjestelmiä, joissa on automaattinen valvontajärjestelmä, joka on suunniteltu niin, ettei se käytä takaisinkytkentätekniikoita, ja jotka sisältävät "laserin" työstökoneen, mittatarkastuskoneen tai vastaavien laitteiden luistin liikkeen virheitä.

| 2. | Kulmasiirtymän mittausinstrumentit, joiden "kiertymiskulman poikkeama" on 0,00025 astetta tai vähemmän (parempi);


  Huom.: 2B006.b.2 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi optisia instrumentteja, kuten autokollimaattoreita, jotka käyttävät kollimoitua valoa (esimerkiksi laservaloa) peilin kulmasiirtymän ilmaisemiseen. |
| --- | --- |

2.

Kulmasiirtymän mittausinstrumentit, joiden "kiertymiskulman poikkeama" on 0,00025 astetta tai vähemmän (parempi);

Huom.: 2B006.b.2 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi optisia instrumentteja, kuten autokollimaattoreita, jotka käyttävät kollimoitua valoa (esimerkiksi laservaloa) peilin kulmasiirtymän ilmaisemiseen.

| c. | Laitteet, joilla mitataan pinnan epätasaisuutta mittaamalla optista sirontaa kulman funktiona ja joiden herkkyys on 0,5 nm tai vähemmän (parempi). |
| --- | --- |

c.

Laitteet, joilla mitataan pinnan epätasaisuutta mittaamalla optista sirontaa kulman funktiona ja joiden herkkyys on 0,5 nm tai vähemmän (parempi).

Huom.: Työstökoneet, joita voidaan käyttää mittausasemina ovat valvonnanalaisia, jos niiden ominaisuudet täyttävät tai ylittävät työstökoneille tai mittausasemille määritellyt kriteerit.

2B007"Robotit" ja niitä varten erityisesti suunnitellut ohjausyksiköt ja "päätetyövälineet":

Huom.: KATSO MYÖS 2B207 KOHTA.

| a. | Kykenevät tosiaikaisesti täyteen kolmiulotteiseen kuvan käsittelyyn tai täyteen kolmiulotteiseen ‧näkökentän analysointiin‧ tuottaakseen tai muuntaakseen "ohjelmia" tai numeerista ohjelmatietoa;
  Tekninen Huom.:

  ‧Näkökentän analysointiin‧ liittyvä rajoitus ei sisällä kolmannen ulottuvuuden approksimointia annetusta kulmasta eikä rajoitettua harmaasävyjen tulkinnan avulla tapahtuvaa syvyyden tai pintarakenteen havaitsemista (2 1/2 D) hyväksyttyjen tehtävien suorittamiseksi. |
| --- | --- |

a.

Kykenevät tosiaikaisesti täyteen kolmiulotteiseen kuvan käsittelyyn tai täyteen kolmiulotteiseen ‧näkökentän analysointiin‧ tuottaakseen tai muuntaakseen "ohjelmia" tai numeerista ohjelmatietoa;

Tekninen Huom.:

‧Näkökentän analysointiin‧ liittyvä rajoitus ei sisällä kolmannen ulottuvuuden approksimointia annetusta kulmasta eikä rajoitettua harmaasävyjen tulkinnan avulla tapahtuvaa syvyyden tai pintarakenteen havaitsemista (2 1/2 D) hyväksyttyjen tehtävien suorittamiseksi.

| b. | On erityisesti suunniteltu vastaamaan kansallisia turvallisuusstandardeja, joita sovelletaan räjähtävien sotatarvikkeiden ympäristössä; |
| --- | --- |

b.

On erityisesti suunniteltu vastaamaan kansallisia turvallisuusstandardeja, joita sovelletaan räjähtävien sotatarvikkeiden ympäristössä;

| c. | On erityisesti suunniteltu tai mitoitettu kestämään säteilyä, jonka kokonaissäteilymäärä on enemmän kuin 5 × 103 Gy (Pii) ilman, että toimivuus huononee.
  Tekn. huom.:

  Termillä Gy (Pii) tarkoitetaan kilojouleina ilmaistuna energiamäärää, jonka suojaamaton piinäyte imee itseensä, kun se altistetaan ionisoivalle säteilylle. |
| --- | --- |

c.

On erityisesti suunniteltu tai mitoitettu kestämään säteilyä, jonka kokonaissäteilymäärä on enemmän kuin 5 × 103 Gy (Pii) ilman, että toimivuus huononee.

Tekn. huom.:

Termillä Gy (Pii) tarkoitetaan kilojouleina ilmaistuna energiamäärää, jonka suojaamaton piinäyte imee itseensä, kun se altistetaan ionisoivalle säteilylle.

| d. | On erityisesti suunniteltu toimimaan yli 30 000 m:n korkeuksissa. |
| --- | --- |

d.

On erityisesti suunniteltu toimimaan yli 30 000 m:n korkeuksissa.

2B008Seuraavat erityisesti työstökoneita tai mittojen tarkastus- tai mittausjärjestelmiä tai -laitteita varten suunnitellut kokoonpanot tai yksiköt:

| a. | Lineaariset aseman takaisinkytkentäyksiköt (esim. induktiiviset laitteet, kalibroidut asteikot, infrapunajärjestelmät tai "laser"järjestelmät), joiden kokonaistarkkuus on vähemmän (parempi) kuin (800 + (600 × L × 10–3) nm (L on tehollinen pituus millimetreinä);


  Huom.:"Laser"järjestelmät: katso myös huomautusta 2B006.b.1 kohdassa. |
| --- | --- |

a.

Lineaariset aseman takaisinkytkentäyksiköt (esim. induktiiviset laitteet, kalibroidut asteikot, infrapunajärjestelmät tai "laser"järjestelmät), joiden kokonaistarkkuus on vähemmän (parempi) kuin (800 + (600 × L × 10–3) nm (L on tehollinen pituus millimetreinä);

Huom.:"Laser"järjestelmät: katso myös huomautusta 2B006.b.1 kohdassa.

| b. | Pyörähdysaseman takaisinkytkentäyksiköt, esim. induktiiviset laitteet, kalibroidut asteikot, infrapunajärjestelmät tai "laser"järjestelmät, joiden "tarkkuus" on vähemmän (parempi) kuin 0,00025 astetta;


  Huom.:"Laser"järjestelmät: katso myös huomautusta 2B006.b.1 kohdassa. |
| --- | --- |

b.

Pyörähdysaseman takaisinkytkentäyksiköt, esim. induktiiviset laitteet, kalibroidut asteikot, infrapunajärjestelmät tai "laser"järjestelmät, joiden "tarkkuus" on vähemmän (parempi) kuin 0,00025 astetta;

Huom.:"Laser"järjestelmät: katso myös huomautusta 2B006.b.1 kohdassa.

| c. | "Yhdistelmäpyöröpöydät" ja "kieppikarat", joilla valmistajan spesifikaatioiden mukaan voidaan parantaa työstökoneiden laatua yli niiden tasojen, jotka on määritelty 2B kohdassa. |
| --- | --- |

c.

"Yhdistelmäpyöröpöydät" ja "kieppikarat", joilla valmistajan spesifikaatioiden mukaan voidaan parantaa työstökoneiden laatua yli niiden tasojen, jotka on määritelty 2B kohdassa.

2B009Dreijaussorvit ja painesorvit, jotka valmistajan teknisen eritelmän mukaan voidaan varustaa "numeerisella ohjaus"yksiköillä tai tietokoneohjauksella ja joilla on seuraavat ominaisuudet:

Huom.: KATSO MYÖS 2B109 JA 2B209 KOHTA.

| a. | Niissä on kaksi tai useampi ohjattava akseli, joista vähintään kahta voidaan samanaikaisesti koordinoida "ääriviivaohjauksessa"; ja |
| --- | --- |

a.

Niissä on kaksi tai useampi ohjattava akseli, joista vähintään kahta voidaan samanaikaisesti koordinoida "ääriviivaohjauksessa"; ja

| b. | Niiden valssausvoima on suurempi kuin 60 kN. |
| --- | --- |

b.

Niiden valssausvoima on suurempi kuin 60 kN.

Tekn. huom.:

Koneet, joissa yhdistyvät dreijaus- ja painesorvauksen toiminnot, katsotaan 2B009 kohdan tarkoituksessa painesorveiksi.

2B104Muut kuin 2B004 kohdassa määritellyt "isostaattiset puristimet", joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

Huom.: KATSO MYÖS 2B204 KOHTA.

| a. | Suurin toimintapaine on 69 MPa tai enemmän; |
| --- | --- |

a.

Suurin toimintapaine on 69 MPa tai enemmän;

| b. | Ne on suunniteltu saavuttamaan ja säilyttämään 873 K (600 °C) asteen kontrolloitu lämpötila tai tätä korkeampi lämpötila; ja |
| --- | --- |

b.

Ne on suunniteltu saavuttamaan ja säilyttämään 873 K (600 °C) asteen kontrolloitu lämpötila tai tätä korkeampi lämpötila; ja

| c. | kammion sisähalkaisija 254 mm tai suurempi. |
| --- | --- |

c.

kammion sisähalkaisija 254 mm tai suurempi.

2B105Muut kuin 2B005.a kohdassa määritellyt uunit kemiallista kaasufaasipinnoitusta (CVD) varten, jotka on suunniteltu tai muunnettu hiili-hiilikomposiittien tiivistämiseen.

2B109Seuraavat, muut kuin 2B009 kohdassa määritellyt painesorvit ja erityisesti suunnitellut komponentit:

Huom.: KATSO MYÖS 2B209 KOHTA.

| a. | Painesorvit, joilla on seuraavat ominaisuudet:






  1. | Ne voidaan valmistajan teknisen eritelmän mukaan voidaan varustaa "numeerisella ohjauksella" tai tietokoneohjauksella, silloinkin kun niitä ei ole varustettu sellaisilla yksiköillä; ja |
| --- | --- | --- |

a.

Painesorvit, joilla on seuraavat ominaisuudet:

1.

Ne voidaan valmistajan teknisen eritelmän mukaan voidaan varustaa "numeerisella ohjauksella" tai tietokoneohjauksella, silloinkin kun niitä ei ole varustettu sellaisilla yksiköillä; ja

| 2. | Niissä on useampi kuin kaksi akselia, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida "ääriviivaohjauksessa". |
| --- | --- |

2.

Niissä on useampi kuin kaksi akselia, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida "ääriviivaohjauksessa".

| b. | 2B009 tai 2B109.a kohdassa määritettyjä painesorveja varten erityisesti suunnitellut komponentit. |
| --- | --- |

b.

2B009 tai 2B109.a kohdassa määritettyjä painesorveja varten erityisesti suunnitellut komponentit.

Huom.: 2B109 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi koneita, joita ei voida käyttää 9A005, 9A007.a tai 9A105.a kohdissa määriteltyjen työntövoimakomponenttien ja laitteiden (kuten moottorikoppien) tuottamiseen.

Tekn. huom.:

Koneet, joissa yhdistyvät dreijaus- ja painesorvauksen toiminnot, katsotaan 2B109 kohdan tarkoituksessa painesorveiksi.

2B116Seuraavat tärinäntestausjärjestelmät sekä laitteet ja komponentit niitä varten:

| a. | Tärinäntestausjärjestelmät, joissa käytetään takaisinkytkentä- tai suljetun silmukan tekniikkaa, joissa on digitaalinen ohjain, jolla koejärjestelmää voidaan tärisyttää 10 g:n rms tai suuremmalla kiihdytysarvolla 20 Hz–2 kHz:n taajuusalueella ja tuottaa 50 kN:n tai sitä suurempia voimia ‧paljaalla alustalla‧ mitattuna; |
| --- | --- |

a.

Tärinäntestausjärjestelmät, joissa käytetään takaisinkytkentä- tai suljetun silmukan tekniikkaa, joissa on digitaalinen ohjain, jolla koejärjestelmää voidaan tärisyttää 10 g:n rms tai suuremmalla kiihdytysarvolla 20 Hz–2 kHz:n taajuusalueella ja tuottaa 50 kN:n tai sitä suurempia voimia ‧paljaalla alustalla‧ mitattuna;

| b. | Digitaaliset ohjaimet, joissa on erityisesti suunnitellut tärinäntestausohjelmistot, joiden "tosiaikainen kaistanleveys" on suurempi kuin 5 kHz ja jotka on suunniteltu 2B116.a kohdassa mainittujen tärinäntestausjärjestelmien käyttöä varten; |
| --- | --- |

b.

Digitaaliset ohjaimet, joissa on erityisesti suunnitellut tärinäntestausohjelmistot, joiden "tosiaikainen kaistanleveys" on suurempi kuin 5 kHz ja jotka on suunniteltu 2B116.a kohdassa mainittujen tärinäntestausjärjestelmien käyttöä varten;

| c. | Täristimet (täristinyksiköt), vahvistimien kanssa tai ilman, joilla voidaan tuottaa 50 kN:n tai suurempi tärinävoima ‧paljaalla alustalla‧ mitattuna ja joita voidaan käyttää 2B116.a kohdassa mainituissa tärinäntestausjärjestelmissä; |
| --- | --- |

c.

Täristimet (täristinyksiköt), vahvistimien kanssa tai ilman, joilla voidaan tuottaa 50 kN:n tai suurempi tärinävoima ‧paljaalla alustalla‧ mitattuna ja joita voidaan käyttää 2B116.a kohdassa mainituissa tärinäntestausjärjestelmissä;

| d. | Koekappaleen kannatinrakenteet ja elektroniset yksiköt, jotka on suunniteltu yhdistämään useita erillisiä täristinyksiköitä järjestelmäksi, joka pystyy tuottamaan 50 kN:n tai suuremman yhdistetyn tehollisen voiman ‧paljaalla alustalla‧ mitattuna ja joita voidaan käyttää 2B116.a kohdassa mainituissa tärinäntestausjärjestelmissä. |
| --- | --- |

d.

Koekappaleen kannatinrakenteet ja elektroniset yksiköt, jotka on suunniteltu yhdistämään useita erillisiä täristinyksiköitä järjestelmäksi, joka pystyy tuottamaan 50 kN:n tai suuremman yhdistetyn tehollisen voiman ‧paljaalla alustalla‧ mitattuna ja joita voidaan käyttää 2B116.a kohdassa mainituissa tärinäntestausjärjestelmissä.

Tekn. huom.:

2B116 kohdassa ‧paljaalla alustalla‧ tarkoitetaan tasaista pöytää tai pintaa ilman kiinnittimiä tai sovitteita.

2B117Prosessinohjaus- ja muut laitteet, paitsi 2B004, 2B005.a, 2B104 tai 2B105 kohdassa määritellyt, jotka on suunniteltu tai muunneltu rakettien suuttimien ja ilmakehään palaamaan tarkoitettujen alusten kärkikartioiden komposiittirakenteiden tiivistämällä tai pyrolysoimalla tapahtuvaa valmistusta varten.

2B119Tasapainotuskoneet ja niihin liittyvät laitteet seuraavasti:

Huom.: KATSO MYÖS 2B219 KOHTA.

| a. | Tasapainotuskoneet, joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Niillä ei voi tasapainottaa roottoreita/kokoonpanoja, joiden massa on suurempi kuin 3 kg; |
| --- | --- | --- |

a.

Tasapainotuskoneet, joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista:

1.

Niillä ei voi tasapainottaa roottoreita/kokoonpanoja, joiden massa on suurempi kuin 3 kg;

| 2. | Niillä on voitava tasapainottaa roottoreita/kokoonpanoja nopeuksilla, jotka ovat suurempia kuin 12 500 kierrosta minuutissa; |
| --- | --- |

2.

Niillä on voitava tasapainottaa roottoreita/kokoonpanoja nopeuksilla, jotka ovat suurempia kuin 12 500 kierrosta minuutissa;

| 3. | Niillä on voitava korjata epätasapaino kahdessa tai useammassa tasossa; ja |
| --- | --- |

3.

Niillä on voitava korjata epätasapaino kahdessa tai useammassa tasossa; ja

| 4. | Niillä on voitava tasapainottaa siten, että jäännösepätasapaino on 0,2 g mm roottorin massan kutakin kiloa kohden; |
| --- | --- |

4.

Niillä on voitava tasapainottaa siten, että jäännösepätasapaino on 0,2 g mm roottorin massan kutakin kiloa kohden;

Huom.: 2B119.a ei aseta valvonnanalaiseksi hammashoitolaitteita tai muita lääkinnällisiä laitteita varten suunniteltuja tai muunnettuja tasapainotuskoneita.

| b. | 2B119.a kohdassa määriteltyjen koneiden kanssa käytettäväksi suunnitellut tai muunnetut ilmaisinpäät.
  Tekn. huom.:

  Ilmaisinpäät tunnetaan toisinaan nimellä tasapainotuslaitteisto. |
| --- | --- |

b.

2B119.a kohdassa määriteltyjen koneiden kanssa käytettäväksi suunnitellut tai muunnetut ilmaisinpäät.

Tekn. huom.:

Ilmaisinpäät tunnetaan toisinaan nimellä tasapainotuslaitteisto.

2B120Liikesimulaattorit tai pyörityspöydät, joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista:

| a. | Kaksi akselia tai enemmän; |
| --- | --- |

a.

Kaksi akselia tai enemmän;

| b. | Liukurenkaat, joilla voidaan välittää sähkötehoa ja/tai signaalitietoa; ja |
| --- | --- |

b.

Liukurenkaat, joilla voidaan välittää sähkötehoa ja/tai signaalitietoa; ja

| c. | Joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Yksittäisen akselin osalta kaikki seuraavista:






  a. | Kulmanopeus 400 astetta/s tai enemmän taikka 30 astetta/s tai vähemmän; ja |
| --- | --- | --- | --- |

c.

Joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Yksittäisen akselin osalta kaikki seuraavista:

a.

Kulmanopeus 400 astetta/s tai enemmän taikka 30 astetta/s tai vähemmän; ja

| b. | Kulmanopeuden erottelukyky 6 astetta/s tai vähemmän ja tarkkuus 0,6 astetta/s tai vähemmän; |
| --- | --- |

b.

Kulmanopeuden erottelukyky 6 astetta/s tai vähemmän ja tarkkuus 0,6 astetta/s tai vähemmän;

| 2. | Huonoin kulmanopeuden stabiilisuus sama tai parempi (vähemmän) kuin plus tai miinus 0,05 prosenttia keskiarvotettuna 10:lle tai useammalle asteelle; tai |
| --- | --- |

2.

Huonoin kulmanopeuden stabiilisuus sama tai parempi (vähemmän) kuin plus tai miinus 0,05 prosenttia keskiarvotettuna 10:lle tai useammalle asteelle; tai

| 3. | Asemointitarkkuus 5 kaarisekuntia tai parempi. |
| --- | --- |

3.

Asemointitarkkuus 5 kaarisekuntia tai parempi.

Huom.: 2B120 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi työstökoneita tai lääkinnällisiä laitteita varten suunniteltuja tai muunnettuja pyöröpöytiä. Työstökoneiden pyöröpöytien valvonnan osalta katso 2B008 kohta.

2B121Muut kuin 2B120 kohdassa määritellyt asemointipöydät (laitteet täsmälliseen pyöröasemointiin minkä tahansa akselin osalta), joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista:

| a. | Kaksi akselia tai enemmän; ja |
| --- | --- |

a.

Kaksi akselia tai enemmän; ja

| b. | Asemointitarkkuus 5 kaarisekuntia tai parempi. |
| --- | --- |

b.

Asemointitarkkuus 5 kaarisekuntia tai parempi.

Huom.: 2B121 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi työstökoneita tai lääkinnällisiä laitteita varten suunniteltuja tai muunnettuja pyöröpöytiä. Työstökoneiden pyöröpöytien valvonnan osalta katso 2B008 kohta.

2B122Lingot, joilla voidaan saavuttaa yli 100 g:n kiihdytys ja joissa on liukurenkaat, joilla voidaan välittää sähkötehoa ja signaalitietoa.

2B201Seuraavat, muut kuin 2B001 kohdassa määritellyt työstökoneet ja niiden kaikki yhdistelmät, jotka on tarkoitettu työstämään (tai leikkaamaan) metalleja, keraamisia aineita tai "komposiitteja" ja jotka valmistajan teknisten spesifikaatioiden mukaan voidaan varustaa elektronisilla laitteilla kahden tai useamman akselin samanaikaista "ääriviivaohjausta" varten;

| a. | Työstökoneet jyrsintää varten, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Paikannustarkkuus "kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen" on saman suuruinen tai vähemmän (parempi) kuin 6 μm ISO 230/2:n (1988) (1) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti määriteltynä minkä tahansa lineaarisen akselin suuntaan; tai |
| --- | --- | --- |

a.

Työstökoneet jyrsintää varten, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Paikannustarkkuus "kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen" on saman suuruinen tai vähemmän (parempi) kuin 6 μm ISO 230/2:n (1988) (1) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti määriteltynä minkä tahansa lineaarisen akselin suuntaan; tai

| 2. | Kaksi tai useampi akseli, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida ääriviivaohjauksessa;


  Huom.: 2B201.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi jyrsintäkoneita, joilla on seuraavat ominaisuudet:








  a. | X-akselin liikkuma on suurempi kuin 2 m; ja |
| --- | --- | --- |

2.

Kaksi tai useampi akseli, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida ääriviivaohjauksessa;

Huom.: 2B201.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi jyrsintäkoneita, joilla on seuraavat ominaisuudet:

a.

X-akselin liikkuma on suurempi kuin 2 m; ja

| b. | X-akselin kokonaispaikannustarkkuus on enemmän (huonompi) kuin 30 μm. |
| --- | --- |

b.

X-akselin kokonaispaikannustarkkuus on enemmän (huonompi) kuin 30 μm.

| b. | Työstökoneet hiontaa varten, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Paikannustarkkuus "kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen" on saman suuruinen tai vähemmän (parempi) kuin 4 μm ISO 230/2:n (1988) (1) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti määriteltyjä minkä tahansa lineaarisen akselin suuntaan; tai |
| --- | --- | --- |

b.

Työstökoneet hiontaa varten, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Paikannustarkkuus "kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen" on saman suuruinen tai vähemmän (parempi) kuin 4 μm ISO 230/2:n (1988) (1) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti määriteltyjä minkä tahansa lineaarisen akselin suuntaan; tai

| 2. | Kaksi tai useampia pyöriviä ääriviiva-akseleita. |
| --- | --- |

2.

Kaksi tai useampia pyöriviä ääriviiva-akseleita.

Huom.: 2B001.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi seuraavia hiomakoneita:

| a. | Ulkopuoliset, sisäpuoliset tai ulko-sisäpuoliset pyöröhiomakoneet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:








  1. | Työkappalekapasiteetti on rajoitettu enintään 150 mm:n ulkohalkaisijaan tai pituuteen; ja |
| --- | --- | --- |

a.

Ulkopuoliset, sisäpuoliset tai ulko-sisäpuoliset pyöröhiomakoneet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Työkappalekapasiteetti on rajoitettu enintään 150 mm:n ulkohalkaisijaan tai pituuteen; ja

| 2. | Akselit rajoitettu x:ään, z:aan ja c:hen; |
| --- | --- |

2.

Akselit rajoitettu x:ään, z:aan ja c:hen;

| b. | Mallinetyöstökoneet, joissa ei ole z-akselia tai w-akselia ja joiden kokonaispaikannustarkkuus on vähemmän (parempi) kuin 4 μm ISO 230/2:n (1988) (1) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti. |
| --- | --- |

b.

Mallinetyöstökoneet, joissa ei ole z-akselia tai w-akselia ja joiden kokonaispaikannustarkkuus on vähemmän (parempi) kuin 4 μm ISO 230/2:n (1988) (1) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti.

Huom. 1:

2B201 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi erikoistyöstökoneita, joiden käyttö on rajattu joidenkin seuraavien osien valmistukseen:

| a. | Hammaspyörät; |
| --- | --- |

a.

Hammaspyörät;

| b. | Kampiakselit tai nokka-akselit; |
| --- | --- |

b.

Kampiakselit tai nokka-akselit;

| c. | Työkalut tai leikkuuterät; |
| --- | --- |

c.

Työkalut tai leikkuuterät;

| d. | Puristimen syöttöruuvit. |
| --- | --- |

d.

Puristimen syöttöruuvit.

Huom. 2:

Työstökone, jolla on ainakin kaksi kaikkiaan kolmesta sorvaamista, jyrsintää ja hiontaa koskevasta ominaisuudesta (esim. sorvaamiskone, jossa on jyrsintäominaisuus), on arvioitava kunkin sovellettavan kohdan 2B001.a tai 2B201.a tai b osalta.

2B204Muut kuin 2B004 tai 2B104 kohdassa määritellyt "isostaattiset puristimet" ja niihin liittyvät laitteet seuraavasti:

| a. | "isostaattiset puristimet", joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:






  1. | kykenevät saavuttamaan 69 MPa:n tai suuremman maksimitoimintapaineen; |
| --- | --- | --- |

a.

"isostaattiset puristimet", joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:

1.

kykenevät saavuttamaan 69 MPa:n tai suuremman maksimitoimintapaineen;

| 2. | kammion sisähalkaisija on suurempi kuin 152 mm; |
| --- | --- |

2.

kammion sisähalkaisija on suurempi kuin 152 mm;

| b. | 2B204.a kohdassa määriteltyjä "isostaattisia puristimia" varten erityisesti suunnitellut muotit ja ohjauslaitteet. |
| --- | --- |

b.

2B204.a kohdassa määriteltyjä "isostaattisia puristimia" varten erityisesti suunnitellut muotit ja ohjauslaitteet.

Tekn. huom.:

2B204 kohdassa kammion sisämitta on sen kammion mitta, jossa saavutetaan sekä toimintalämpötila että toimintapaine, eikä siinä oteta huomioon kiinnittimiä. Ilmoitettu mitta on sisähalkaisijoista pienempi, eli painekammion tai eristetyn uunikammion sisähalkaisija, riippuen siitä, kumpi kammio on toisen sisällä.

2B206Seuraavat, muut kuin 2B006 kohdassa määritellyt, mittatarkastuskoneet, -instrumentit ja järjestelmät:

| a. | Tietokoneohjatut, "numeerisesti ohjatut" tai ohjelmallisesti ohjatut mittatarkastuskoneet, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:






  1. | Kaksi tai useampia akseleita; ja |
| --- | --- | --- |

a.

Tietokoneohjatut, "numeerisesti ohjatut" tai ohjelmallisesti ohjatut mittatarkastuskoneet, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:

1.

Kaksi tai useampia akseleita; ja

| 2. | Yhden dimension pituuden "mittauksen epävarmuus" (1,25 + L/1 000) μm tai pienempi (parempi) testattuna anturilla, jonka "tarkkuus" on pienempi (parempi) kuin 0,2 μm (L on mitattu pituus millimetreinä); (Viite: VDI/VDE 2617 Osat 1 ja 2); |
| --- | --- |

2.

Yhden dimension pituuden "mittauksen epävarmuus" (1,25 + L/1 000) μm tai pienempi (parempi) testattuna anturilla, jonka "tarkkuus" on pienempi (parempi) kuin 0,2 μm (L on mitattu pituus millimetreinä); (Viite: VDI/VDE 2617 Osat 1 ja 2);

| b. | Lineaarisen ja kulmasiirtymän samanaikaiseen tarkasteluun kykenevät järjestelmät, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:






  1. | "Mittauksen epävarmuus" mitä tahansa lineaarista akselia pitkin on 3,5 μm tai vähemmän (parempi) 5 mm matkalla; ja |
| --- | --- | --- |

b.

Lineaarisen ja kulmasiirtymän samanaikaiseen tarkasteluun kykenevät järjestelmät, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:

1.

"Mittauksen epävarmuus" mitä tahansa lineaarista akselia pitkin on 3,5 μm tai vähemmän (parempi) 5 mm matkalla; ja

| 2. | "Kiertymiskulman poikkeama" on 0,02 astetta tai vähemmän. |
| --- | --- |

2.

"Kiertymiskulman poikkeama" on 0,02 astetta tai vähemmän.

Huom. 1: Työstökoneet, joita voidaan käyttää mittauskoneina ovat valvonnanalaisia, jos niiden ominaisuudet täyttävät tai ylittävät työstökoneille tai mittausasemille määritellyt kriteerit.

Huom. 2: 2B206 kohdassa määritelty kone on valvonnanalainen, jos se ylittää valvontakynnyksen missä tahansa toiminta-alueellaan.

Tekn. huom.:

| 1. | Mittauksen epävarmuuden määrittämiseen käytetyn anturin tulee olla kuvattu VDI/VDE 2617:n 2, 3 ja 4 osassa. |
| --- | --- |

1.

Mittauksen epävarmuuden määrittämiseen käytetyn anturin tulee olla kuvattu VDI/VDE 2617:n 2, 3 ja 4 osassa.

| 2. | Kaikki 2B206 kohdassa esitetyt mittausarvot tarkoittavat positiivista tai negatiivista poikkeamaa viitearvosta, eivät koko välystä. |
| --- | --- |

2.

Kaikki 2B206 kohdassa esitetyt mittausarvot tarkoittavat positiivista tai negatiivista poikkeamaa viitearvosta, eivät koko välystä.

2B207Seuraavat muut kuin 2B007 kohdassa määritellyt "robotit", "päätetyövälineet" ja "ohjausyksiköt":

| a. | "Robotit" ja "päätetyövälineet", jotka on erityisesti suunniteltu täyttämään voimakkaiden räjähteiden käsittelyä koskevat kansalliset turvamääräykset (täyttävät esimerkiksi voimakkaita räjähteitä koskevat sähkösäännökset); |
| --- | --- |

a.

"Robotit" ja "päätetyövälineet", jotka on erityisesti suunniteltu täyttämään voimakkaiden räjähteiden käsittelyä koskevat kansalliset turvamääräykset (täyttävät esimerkiksi voimakkaita räjähteitä koskevat sähkösäännökset);

| b. | ohjausyksiköt, jotka on erityisesti suunniteltu 2B207.a kohdassa määriteltyjä "robotteja" ja "päätetyövälineitä" varten. |
| --- | --- |

b.

ohjausyksiköt, jotka on erityisesti suunniteltu 2B207.a kohdassa määriteltyjä "robotteja" ja "päätetyövälineitä" varten.

2B209Seuraavat, muut kuin 2B009 ja 2B109 kohdassa määritellyt painesorvit ja dreijaussorvit, jotka kykenevät painesorvin toimintoihin, sekä karat:

| a. | Koneet, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:






  1. | Kolme tai useampia valsseja (aktiivisia tai ohjaavia); ja |
| --- | --- | --- |

a.

Koneet, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:

1.

Kolme tai useampia valsseja (aktiivisia tai ohjaavia); ja

| 2. | Jotka valmistajan teknisten spesifikaatioiden mukaan voidaan varustaa "numeerisella ohjaus" yksiköillä tai tietokoneohjauksella; |
| --- | --- |

2.

Jotka valmistajan teknisten spesifikaatioiden mukaan voidaan varustaa "numeerisella ohjaus" yksiköillä tai tietokoneohjauksella;

| b. | Roottorin muotoilukarat, jotka on suunniteltu muotoilemaan lieriömäisiä roottoreita, joiden sisäläpimitta on 75 mm:n ja 400 mm:n välillä. |
| --- | --- |

b.

Roottorin muotoilukarat, jotka on suunniteltu muotoilemaan lieriömäisiä roottoreita, joiden sisäläpimitta on 75 mm:n ja 400 mm:n välillä.

Huom.: 2B209.a kohta sisältää koneet, joissa on vain yksi metallin muotoiluun suunniteltu valssi ja kaksi lisävalssia, jotka kannattelevat karaa, mutta eivät suoraan osallistu muodonmuutosprosessiin.

2B219Seuraavat kiinteät tai kannettavat, vaaka- tai pystysuuntaiset keskipakovoimaan perustuvat monitasotasapainotuskoneet:

| a. | Joustavien, vähintään 600 mm pitkien roottoreiden tasapainottamiseen tarkoitetut keskipakovoimaan perustuvat monitasotasapainotuskoneet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Pyörähdyshalkaisija tai akselitapin halkaisija suurempi kuin 75 mm; |
| --- | --- | --- |

a.

Joustavien, vähintään 600 mm pitkien roottoreiden tasapainottamiseen tarkoitetut keskipakovoimaan perustuvat monitasotasapainotuskoneet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Pyörähdyshalkaisija tai akselitapin halkaisija suurempi kuin 75 mm;

| 2. | Massankäsittelykyky 0,9–23 kg; ja |
| --- | --- |

2.

Massankäsittelykyky 0,9–23 kg; ja

| 3. | Kierrosnopeus tasapainotettaessa yli 5 000 kierrosta minuutissa; |
| --- | --- |

3.

Kierrosnopeus tasapainotettaessa yli 5 000 kierrosta minuutissa;

| b. | Onttojen lieriömäisten roottorinosien tasapainottamiseen tarkoitetut keskipakotasapainotuskoneet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Akselitapin halkaisija on suurempi kuin 75 mm; |
| --- | --- | --- |

b.

Onttojen lieriömäisten roottorinosien tasapainottamiseen tarkoitetut keskipakotasapainotuskoneet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Akselitapin halkaisija on suurempi kuin 75 mm;

| 2. | Niiden massankäsittelykyky on 0,9–23 kg; |
| --- | --- |

2.

Niiden massankäsittelykyky on 0,9–23 kg;

| 3. | Ne kykenevät tasapainottamaan niin, että jäännösepätasapaino kussakin tasossa on enintään 0,010 kg × mm/kg; ja |
| --- | --- |

3.

Ne kykenevät tasapainottamaan niin, että jäännösepätasapaino kussakin tasossa on enintään 0,010 kg × mm/kg; ja

| 4. | Ne ovat hihnakäyttöisiä. |
| --- | --- |

4.

Ne ovat hihnakäyttöisiä.

2B225Kaukokäsittelylaitteet, joita voidaan käyttää kaukotyöskentelyyn radiokemiallisessa erotuksessa tai kuumakammiot, joilla on jompikumpi seuraavista ominaisuuksista:

| a. | Ne pystyvät läpäisemään 0,6 m paksun tai paksumman kuumakammion seinän (seinän läpi työskentely); tai |
| --- | --- |

a.

Ne pystyvät läpäisemään 0,6 m paksun tai paksumman kuumakammion seinän (seinän läpi työskentely); tai

| b. | Ne pystyvät kurottamaan 0,6 m paksun tai paksumman kammion seinän yli (seinän yli työskentely). |
| --- | --- |

b.

Ne pystyvät kurottamaan 0,6 m paksun tai paksumman kammion seinän yli (seinän yli työskentely).

Tekn. huom.:

Kaukokäsittelylaitteilla välitetään operaattorin liikkeet käyttövarteen ja päätetyökaluun. Ne voivat olla ‧isäntä-orja‧-tyyppisiä tai niitä käytetään ohjaimella tai näppäimistöltä.

2B226Kontrolloidun ympäristön (tyhjiö- tai inerttikaasu)induktiouunit ja niiden teholähteet seuraavasti:

Huom.: KATSO MYÖS 3B KOHTA.

| a. | Uunit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Niitä voidaan käyttää yli 1 123 K (850 °C) asteen lämpötiloissa; |
| --- | --- | --- |

a.

Uunit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Niitä voidaan käyttää yli 1 123 K (850 °C) asteen lämpötiloissa;

| 2. | Niiden induktiokelojen halkaisija on 600 mm tai pienempi; ja |
| --- | --- |

2.

Niiden induktiokelojen halkaisija on 600 mm tai pienempi; ja

| 3. | Niitä käytetään 5 kW:n tai suuremmalla syöttöteholla; |
| --- | --- |

3.

Niitä käytetään 5 kW:n tai suuremmalla syöttöteholla;

| b. | Erityisesti 2B226.a kohdassa määritetyille uuneille suunnitellut teholähteet, joiden määritelty teho on 5 kW tai suurempi. |
| --- | --- |

b.

Erityisesti 2B226.a kohdassa määritetyille uuneille suunnitellut teholähteet, joiden määritelty teho on 5 kW tai suurempi.

Huom.: 2B226.a kohdassa ei tarkoiteta puolijohdekiekkojen valmistukseen suunniteltuja uuneja.

2B227Seuraavat kontrolloidun ympäristön metallurgiset sulatus- ja valu-uunit sekä niihin liittyvät laitteet:

| a. | Valokaaritoistosulatus- ja valu-uunit, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:






  1. | Niiden sulavaelektrodikapasiteetti on 1 000 cm3–20 000 cm3; ja |
| --- | --- | --- |

a.

Valokaaritoistosulatus- ja valu-uunit, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:

1.

Niiden sulavaelektrodikapasiteetti on 1 000 cm3–20 000 cm3; ja

| 2. | Ne kykenevät toimimaan yli 1 973 K (1 700 °C) asteen sulatuslämpötiloissa; |
| --- | --- |

2.

Ne kykenevät toimimaan yli 1 973 K (1 700 °C) asteen sulatuslämpötiloissa;

| b. | Elektronisuihkusulatusuunit sekä plasmasumutus- ja sulatusuunit, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:






  1. | Niiden teho on 50 kW tai suurempi; ja |
| --- | --- | --- |

b.

Elektronisuihkusulatusuunit sekä plasmasumutus- ja sulatusuunit, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:

1.

Niiden teho on 50 kW tai suurempi; ja

| 2. | Ne kykenevät toimimaan yli 1 473 K (1 200 °C) asteen sulatuslämpötiloissa; |
| --- | --- |

2.

Ne kykenevät toimimaan yli 1 473 K (1 200 °C) asteen sulatuslämpötiloissa;

| c. | 2B227 a. tai b. kohdissa olevia uuneja varten erityisesti konfiguroidut tietokoneohjaus- ja valvontajärjestelmät. |
| --- | --- |

c.

2B227 a. tai b. kohdissa olevia uuneja varten erityisesti konfiguroidut tietokoneohjaus- ja valvontajärjestelmät.

2B228Seuraavat roottorien valmistus- tai kokoonpanolaitteet, roottorien suoruuden varmistavat laitteet, sekä paljemuovaustuurnat ja muotit:

| a. | Roottorien kokoonpanolaitteet, kaasusentrifugien roottorilohkojen, ohjauslevyjen ja päätylaippojen kokoamiseen;


  Huom.: 2B228.a kohtaan sisältyvät tarkkuustuurnat, puristimet ja kutistussovituskoneet; |
| --- | --- |

a.

Roottorien kokoonpanolaitteet, kaasusentrifugien roottorilohkojen, ohjauslevyjen ja päätylaippojen kokoamiseen;

Huom.: 2B228.a kohtaan sisältyvät tarkkuustuurnat, puristimet ja kutistussovituskoneet;

| b. | Roottorien suoruuden varmistavat laitteet, joiden avulla kaasusentrifugien roottorien lohkot linjataan yhteiselle akselille;
  Tekn. huom.:

  2B228.b kohdassa tällaiset laitteet koostuvat yleensä tietokoneeseen kytketyistä tarkkuusmittapäistä, joiden avulla tietokone ohjaa roottoriputkilohkojen linjaukseen käytettävien, esimerkiksi paineilmakäyttöisten, iskumäntien toimintaa. |
| --- | --- |

b.

Roottorien suoruuden varmistavat laitteet, joiden avulla kaasusentrifugien roottorien lohkot linjataan yhteiselle akselille;

Tekn. huom.:

2B228.b kohdassa tällaiset laitteet koostuvat yleensä tietokoneeseen kytketyistä tarkkuusmittapäistä, joiden avulla tietokone ohjaa roottoriputkilohkojen linjaukseen käytettävien, esimerkiksi paineilmakäyttöisten, iskumäntien toimintaa.

| c. | Paljemuovaustuurnat ja muotit, joiden avulla valmistetaan yksikierteisiä palkeita.
  Tekn. huom.:

  2B228.c kohdassa tarkoitetuilla palkeilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:








  1. | Sisähalkaisija 75–400 mm; |
| --- | --- | --- |

c.

Paljemuovaustuurnat ja muotit, joiden avulla valmistetaan yksikierteisiä palkeita.

Tekn. huom.:

2B228.c kohdassa tarkoitetuilla palkeilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Sisähalkaisija 75–400 mm;

| 2. | Pituus 12,7 mm tai suurempi; |
| --- | --- |

2.

Pituus 12,7 mm tai suurempi;

| 3. | Yhden kierteen syvyys yli 2 mm; ja |
| --- | --- |

3.

Yhden kierteen syvyys yli 2 mm; ja

| 4. | Valmistusaineina lujat alumiiniseokset, maraging-teräs tai lujat "kuitu- tai säiemateriaalit". |
| --- | --- |

4.

Valmistusaineina lujat alumiiniseokset, maraging-teräs tai lujat "kuitu- tai säiemateriaalit".

2B230"Painelähettimet", jotka pystyvät mittaamaan absoluuttista painetta alueella 0–13 kPa ja joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:

| a. | Painetta anturoiva elementti on valmistettu tai suojattu alumiinilla tai alumiiniseoksella, nikkelillä tai enemmän kuin 60 % nikkeliä sisältävällä nikkeliseoksella; ja |
| --- | --- |

a.

Painetta anturoiva elementti on valmistettu tai suojattu alumiinilla tai alumiiniseoksella, nikkelillä tai enemmän kuin 60 % nikkeliä sisältävällä nikkeliseoksella; ja

| b. | joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Mitta-alue enintään 13 kPa ja ‧tarkkuus‧ parempi kuin ± 1 % täydestä mitta-alueesta; tai |
| --- | --- | --- |

b.

joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Mitta-alue enintään 13 kPa ja ‧tarkkuus‧ parempi kuin ± 1 % täydestä mitta-alueesta; tai

| 2. | Kokonaismitta-alue 13 kPa tai suurempi ja ‧tarkkuus‧ parempi kuin ± 130 Pa. |
| --- | --- |

2.

Kokonaismitta-alue 13 kPa tai suurempi ja ‧tarkkuus‧ parempi kuin ± 130 Pa.

Tekn. huom.:

2B230 kohdassa ‧tarkkuuteen‧ sisältyy epälineaarisuus, hystereesi ja toistettavuus ympäristön lämpötilassa.

2B231Tyhjöpumput, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

| a. | Syöttöliitännän sisähalkaisija on 380 mm tai suurempi; |
| --- | --- |

a.

Syöttöliitännän sisähalkaisija on 380 mm tai suurempi;

| b. | Pumppausnopeus 15 m3/s tai suurempi; ja |
| --- | --- |

b.

Pumppausnopeus 15 m3/s tai suurempi; ja

| c. | Niiden avulla pystytään saamaan aikaan parempi kuin 13 mPa:n lopullinen tyhjö. |
| --- | --- |

c.

Niiden avulla pystytään saamaan aikaan parempi kuin 13 mPa:n lopullinen tyhjö.

Tekn. huom.:

| 1. | Pumppausnopeus määritetään mittauspisteessä typpikaasulla tai ilmalla. |
| --- | --- |

1.

Pumppausnopeus määritetään mittauspisteessä typpikaasulla tai ilmalla.

| 2. | Lopullinen tyhjö määritellään pumpun syötepäässä syöteputken ollessa suljettuna. |
| --- | --- |

2.

Lopullinen tyhjö määritellään pumpun syötepäässä syöteputken ollessa suljettuna.

2B232Monivaiheiset kevyet kaasutykit tai muut suurnopeustykkijärjestelmät (käämeihin perustuvat, sähkömagneettiset, ja sähkötermiset tyypit ja muut pitkälle kehitetyt järjestelmät), joiden avulla ammukset voidaan kiihdyttää 2 km/s tai suurempiin nopeuksiin.

2B350Seuraavat kemikaalien valmistuslaitokset, laitteet ja komponentit:

| a. | Sekoittajilla tai ilman niitä varustetut reaktioastiat, joiden sisätilavuus on suurempi kuin 0,1 m3 (100 l) ja pienempi kuin 20 m3 (20 000 l) ja joissa kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan tai säilytettävän kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:






  1. | Seoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia; |
| --- | --- | --- |

a.

Sekoittajilla tai ilman niitä varustetut reaktioastiat, joiden sisätilavuus on suurempi kuin 0,1 m3 (100 l) ja pienempi kuin 20 m3 (20 000 l) ja joissa kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan tai säilytettävän kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:

1.

Seoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia;

| 2. | Fluoripolymeereistä; |
| --- | --- |

2.

Fluoripolymeereistä;

| 3. | Lasista (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai lasivuoraus); |
| --- | --- |

3.

Lasista (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai lasivuoraus);

| 4. | Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä; |
| --- | --- |

4.

Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä;

| 5. | Tantaalista tai tantaaliseoksista; |
| --- | --- |

5.

Tantaalista tai tantaaliseoksista;

| 6. | Titaanista tai titaaniseoksista; tai |
| --- | --- |

6.

Titaanista tai titaaniseoksista; tai

| 7. | Zirkoniumista tai zirkoniumseoksista; |
| --- | --- |

7.

Zirkoniumista tai zirkoniumseoksista;

| b. | Sekoittajat, joita käytetään kohdassa 2B350 määritellyissä reaktioastioissa tai reaktoreissa ja tällaisissa sekoittajissa käytettävät juoksupyörät, siivet ja akselit, joissa kaikki sekoittajan pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan tai säilytettävän kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:






  1. | Seoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia; |
| --- | --- | --- |

b.

Sekoittajat, joita käytetään kohdassa 2B350 määritellyissä reaktioastioissa tai reaktoreissa ja tällaisissa sekoittajissa käytettävät juoksupyörät, siivet ja akselit, joissa kaikki sekoittajan pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan tai säilytettävän kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:

1.

Seoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia;

| 2. | Fluoripolymeereistä; |
| --- | --- |

2.

Fluoripolymeereistä;

| 3. | Lasista (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai lasivuoraus); |
| --- | --- |

3.

Lasista (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai lasivuoraus);

| 4. | Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä; |
| --- | --- |

4.

Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä;

| 5. | Tantaalista tai tantaaliseoksista; |
| --- | --- |

5.

Tantaalista tai tantaaliseoksista;

| 6. | Titaanista tai titaaniseoksista; tai |
| --- | --- |

6.

Titaanista tai titaaniseoksista; tai

| 7. | Zirkoniumista tai zirkoniumseoksista; |
| --- | --- |

7.

Zirkoniumista tai zirkoniumseoksista;

| c. | Varastosäiliöt, säiliöt tai keräysastiat, joiden sisätilavuus on suurempi kuin 0,1 m3 (100 l) ja joissa kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan tai säilytettävän kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:






  1. | Metalliseoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia; |
| --- | --- | --- |

c.

Varastosäiliöt, säiliöt tai keräysastiat, joiden sisätilavuus on suurempi kuin 0,1 m3 (100 l) ja joissa kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan tai säilytettävän kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:

1.

Metalliseoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia;

| 2. | Fluoripolymeereistä; |
| --- | --- |

2.

Fluoripolymeereistä;

| 3. | Lasista (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai lasivuoraus); |
| --- | --- |

3.

Lasista (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai lasivuoraus);

| 4. | Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä; |
| --- | --- |

4.

Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä;

| 5. | Tantaalista tai tantaaliseoksista; |
| --- | --- |

5.

Tantaalista tai tantaaliseoksista;

| 6. | Titaanista tai titaaniseoksista; tai |
| --- | --- |

6.

Titaanista tai titaaniseoksista; tai

| 7. | Zirkoniumista tai zirkoniumseoksista; |
| --- | --- |

7.

Zirkoniumista tai zirkoniumseoksista;

| d. | Lämmönvaihtimet tai lauhduttimet, joiden lämmönvaihtopinta on suurempi kuin 0,15 m2 ja pienempi kuin 20 m2 ja tällaisissa vaihtimissa tai lauhduttimissa käytettävät putket, levyt, kelat tai lohkot (ytimet), joissa kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan tai säilytettävän kemikaalien (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:






  1. | Seoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia; |
| --- | --- | --- |

d.

Lämmönvaihtimet tai lauhduttimet, joiden lämmönvaihtopinta on suurempi kuin 0,15 m2 ja pienempi kuin 20 m2 ja tällaisissa vaihtimissa tai lauhduttimissa käytettävät putket, levyt, kelat tai lohkot (ytimet), joissa kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan tai säilytettävän kemikaalien (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:

1.

Seoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia;

| 2. | Fluoripolymeereistä; |
| --- | --- |

2.

Fluoripolymeereistä;

| 3. | Lasista (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai lasivuoraus); |
| --- | --- |

3.

Lasista (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai lasivuoraus);

| 4. | Grafiitista tai ‧grafiittihiilestä‧; |
| --- | --- |

4.

Grafiitista tai ‧grafiittihiilestä‧;

| 5. | Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä; |
| --- | --- |

5.

Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä;

| 6. | Tantaalista tai tantaaliseoksista; |
| --- | --- |

6.

Tantaalista tai tantaaliseoksista;

| 7. | Titaanista tai titaaniseoksista; |
| --- | --- |

7.

Titaanista tai titaaniseoksista;

| 8. | Zirkoniumista tai zirkoniumseoksista; |
| --- | --- |

8.

Zirkoniumista tai zirkoniumseoksista;

| 9. | Piikarbidista; tai |
| --- | --- |

9.

Piikarbidista; tai

| 10. | Titaanikarbidista; |
| --- | --- |

10.

Titaanikarbidista;

| e. | Tislaus- tai imeytyskolonnit, joiden sisähalkaisija on suurempi kuin 0,1 m ja tällaisissa tislaus- tai imeytyskolonneissa käytettävät nestejakelijat, höyryjakelijat ja nestekerääjät, joissa kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:






  1. | Seoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia; |
| --- | --- | --- |

e.

Tislaus- tai imeytyskolonnit, joiden sisähalkaisija on suurempi kuin 0,1 m ja tällaisissa tislaus- tai imeytyskolonneissa käytettävät nestejakelijat, höyryjakelijat ja nestekerääjät, joissa kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:

1.

Seoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia;

| 2. | Fluoripolymeereistä; |
| --- | --- |

2.

Fluoripolymeereistä;

| 3. | Lasista (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai lasivuoraus); |
| --- | --- |

3.

Lasista (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai lasivuoraus);

| 4. | Grafiitista tai ‧grafiittihiilestä‧; |
| --- | --- |

4.

Grafiitista tai ‧grafiittihiilestä‧;

| 5. | Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä; |
| --- | --- |

5.

Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä;

| 6. | Tantaalista tai tantaaliseoksista; |
| --- | --- |

6.

Tantaalista tai tantaaliseoksista;

| 7. | Titaanista tai titaaniseoksista; tai |
| --- | --- |

7.

Titaanista tai titaaniseoksista; tai

| 8. | Zirkoniumista tai zirkoniumseoksista; |
| --- | --- |

8.

Zirkoniumista tai zirkoniumseoksista;

| f. | Kauko-ohjatut täyttölaitteet, joiden kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:






  1. | Seoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia; tai |
| --- | --- | --- |

f.

Kauko-ohjatut täyttölaitteet, joiden kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:

1.

Seoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia; tai

| 2. | Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä; |
| --- | --- |

2.

Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä;

| g. | Venttiilit, joiden nimelliskoko on suurempi kuin 10 mm ja kammiot (venttiilin rungot) tai muotoon puristetut runkotiivisteet tällaisille venttiileille, joiden kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan tai säilytettävän kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:






  1. | Seoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia; |
| --- | --- | --- |

g.

Venttiilit, joiden nimelliskoko on suurempi kuin 10 mm ja kammiot (venttiilin rungot) tai muotoon puristetut runkotiivisteet tällaisille venttiileille, joiden kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan tai säilytettävän kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:

1.

Seoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia;

| 2. | Fluoripolymeereistä; |
| --- | --- |

2.

Fluoripolymeereistä;

| 3. | Lasista (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai lasivuoraus); |
| --- | --- |

3.

Lasista (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai lasivuoraus);

| 4. | Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä; |
| --- | --- |

4.

Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä;

| 5. | Tantaalista tai tantaaliseoksista; |
| --- | --- |

5.

Tantaalista tai tantaaliseoksista;

| 6. | Titaanista tai titaaniseoksista; tai |
| --- | --- |

6.

Titaanista tai titaaniseoksista; tai

| 7. | Zirkoniumista tai zirkoniumseoksista; |
| --- | --- |

7.

Zirkoniumista tai zirkoniumseoksista;

| h. | Moniseinämäiset putkistot, joihin sisältyy vuodonilmaisuventtiili, joiden kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan tai säilytettävän kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:






  1. | Seoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia; |
| --- | --- | --- |

h.

Moniseinämäiset putkistot, joihin sisältyy vuodonilmaisuventtiili, joiden kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan tai säilytettävän kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:

1.

Seoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia;

| 2. | Fluoripolymeereistä; |
| --- | --- |

2.

Fluoripolymeereistä;

| 3. | Lasista (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai lasivuoraus); |
| --- | --- |

3.

Lasista (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai lasivuoraus);

| 4. | Grafiitista; |
| --- | --- |

4.

Grafiitista;

| 5. | Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä; |
| --- | --- |

5.

Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä;

| 6. | Tantaalista tai tantaaliseoksista; |
| --- | --- |

6.

Tantaalista tai tantaaliseoksista;

| 7. | Titaanista tai titaaniseoksista; tai |
| --- | --- |

7.

Titaanista tai titaaniseoksista; tai

| 8. | Zirkoniumista tai zirkoniumseoksista; |
| --- | --- |

8.

Zirkoniumista tai zirkoniumseoksista;

| i. | Monitiivisteiset ja tiivisteettömät pumput, joiden valmistajan ilmoittama maksimivirtausnopeus on suurempi kuin 0,6 m3/h, tai vakuumipumput, joiden valmistajan ilmoittama maksimivirtausnopeus on suurempi kuin 5 m3/h (vakiolämpötilassa (0 °C, 273 K astetta) ja -ilmanpaineessa (101,30 kPa)), ja tällaisissa pumpuissa käytettävät rungot (pumppujen rungot), muotoon puristetut runkotiivisteet, juoksupyörät, roottorit tai suihkupumppusuuttimet, joissa kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:






  1. | Seoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia; |
| --- | --- | --- |

i.

Monitiivisteiset ja tiivisteettömät pumput, joiden valmistajan ilmoittama maksimivirtausnopeus on suurempi kuin 0,6 m3/h, tai vakuumipumput, joiden valmistajan ilmoittama maksimivirtausnopeus on suurempi kuin 5 m3/h (vakiolämpötilassa (0 °C, 273 K astetta) ja -ilmanpaineessa (101,30 kPa)), ja tällaisissa pumpuissa käytettävät rungot (pumppujen rungot), muotoon puristetut runkotiivisteet, juoksupyörät, roottorit tai suihkupumppusuuttimet, joissa kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:

1.

Seoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia;

| 2. | Keraameista; |
| --- | --- |

2.

Keraameista;

| 3. | Ferropiistä; |
| --- | --- |

3.

Ferropiistä;

| 4. | Fluoripolymeereistä; |
| --- | --- |

4.

Fluoripolymeereistä;

| 5. | Lasista (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai lasivuoraus); |
| --- | --- |

5.

Lasista (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai lasivuoraus);

| 6. | Grafiitista; |
| --- | --- |

6.

Grafiitista;

| 7. | Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä; |
| --- | --- |

7.

Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä;

| 8. | Tantaalista tai tantaaliseoksista; |
| --- | --- |

8.

Tantaalista tai tantaaliseoksista;

| 9. | Titaanista tai titaaniseoksista; tai |
| --- | --- |

9.

Titaanista tai titaaniseoksista; tai

| 10. | Zirkoniumista tai zirkoniumseoksista; |
| --- | --- |

10.

Zirkoniumista tai zirkoniumseoksista;

| j. | Erityisesti suunnitellut, 1C350 kohdassa määriteltyjen kemikaalien hävittämiseen tarkoitetut polttolaitokset, joissa on erityisesti suunnitellut jätteen syöttöjärjestelmät, erityiset käsittelylaitteet ja keskimääräinen polttokammion lämpötila suurempi kuin 1 273 K (1 000 °C) astetta, joissa kaikki jätteensyöttöjärjestelmän pinnat, jotka tulevat suoraan kosketukseen jätetuotteiden kanssa, on valmistettu tai vuorattu (pinnoitettu) seuraavilla materiaaleilla:






  1. | Seokset, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 prosenttia kromia; |
| --- | --- | --- |

j.

Erityisesti suunnitellut, 1C350 kohdassa määriteltyjen kemikaalien hävittämiseen tarkoitetut polttolaitokset, joissa on erityisesti suunnitellut jätteen syöttöjärjestelmät, erityiset käsittelylaitteet ja keskimääräinen polttokammion lämpötila suurempi kuin 1 273 K (1 000 °C) astetta, joissa kaikki jätteensyöttöjärjestelmän pinnat, jotka tulevat suoraan kosketukseen jätetuotteiden kanssa, on valmistettu tai vuorattu (pinnoitettu) seuraavilla materiaaleilla:

1.

Seokset, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 prosenttia kromia;

| 2. | Keraamit; tai |
| --- | --- |

2.

Keraamit; tai

| 3. | Nikkeli tai seokset, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä. |
| --- | --- |

3.

Nikkeli tai seokset, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä.

Tekn. huom.:

‧Grafiittihiili‧ on amorfisesta hiilestä ja grafiitista koostuva seos, jonka koostumuksesta vähintään kahdeksan painoprosenttia on grafiittia.

2B351Myrkyllisten kaasujen valvontajärjestelmät ja niiden erikoisilmaisimet:

| a. | Jotka on suunniteltu jatkuvaan toimintaan ja joita käytetään ilmaisemaan kemiallisia taisteluaineita tai 1C350 kohdassa määriteltyjä kemikaaleja pitoisuuksina, jotka ovat vähemmän kuin 0,3 mg/m3; tai |
| --- | --- |

a.

Jotka on suunniteltu jatkuvaan toimintaan ja joita käytetään ilmaisemaan kemiallisia taisteluaineita tai 1C350 kohdassa määriteltyjä kemikaaleja pitoisuuksina, jotka ovat vähemmän kuin 0,3 mg/m3; tai

| b. | Jotka on tarkoitettu ilmaisemaan yhdisteitä, joilla on koliiniesteraasia estävä aktiivisuus. |
| --- | --- |

b.

Jotka on tarkoitettu ilmaisemaan yhdisteitä, joilla on koliiniesteraasia estävä aktiivisuus.

2B352Seuraavat biologisten aineiden käsittelyyn soveltuvat laitteet:

| a. | Täydelliset biologiset turvatilat, joiden turvataso on P3 ja P4;
  Tekn. huom.:

  P3 ja P4 (BL3, BL4, L3, L4) turvatasot on määritelty WHO:n (World Health Organization) Laboratorion bioturvakäsikirjassa (Laboratory biosafety manual) (toinen painos, Geneve 1993). |
| --- | --- |

a.

Täydelliset biologiset turvatilat, joiden turvataso on P3 ja P4;

Tekn. huom.:

P3 ja P4 (BL3, BL4, L3, L4) turvatasot on määritelty WHO:n (World Health Organization) Laboratorion bioturvakäsikirjassa (Laboratory biosafety manual) (toinen painos, Geneve 1993).

| b. | Fermenttorit, joilla voidaan kasvattaa patogeenisiä "mikro-organismeja", viruksia tai tuottaa toksiineja ilman aerosolien muodostusta, ja joiden kokonaiskapasiteetti on vähintään 20 litraa;
  Tekn. huom.:

  Fermenttoreihin kuuluvat bioreaktorit, kemostaatit sekä jatkuvan virtausperiaatteen järjestelmät. |
| --- | --- |

b.

Fermenttorit, joilla voidaan kasvattaa patogeenisiä "mikro-organismeja", viruksia tai tuottaa toksiineja ilman aerosolien muodostusta, ja joiden kokonaiskapasiteetti on vähintään 20 litraa;

Tekn. huom.:

Fermenttoreihin kuuluvat bioreaktorit, kemostaatit sekä jatkuvan virtausperiaatteen järjestelmät.

| c. | Keskipakoerottimet, jotka pystyvät jatkuvaan erotukseen ilman aerosolimuodostusta ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Virtausnopeus ylittää 100 litraa tunnissa; |
| --- | --- | --- |

c.

Keskipakoerottimet, jotka pystyvät jatkuvaan erotukseen ilman aerosolimuodostusta ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Virtausnopeus ylittää 100 litraa tunnissa;

| 2. | Komponentit ovat kiillotettua ruostumatonta terästä tai titaania; |
| --- | --- |

2.

Komponentit ovat kiillotettua ruostumatonta terästä tai titaania;

| 3. | Niissä on yksi tai useampi tiivistesulku höyrysteriloitavalla alueella; ja |
| --- | --- |

3.

Niissä on yksi tai useampi tiivistesulku höyrysteriloitavalla alueella; ja

| 4. | Ne voidaan steriloida höyryllä paikalla ja suljettuna; |
| --- | --- |

4.

Ne voidaan steriloida höyryllä paikalla ja suljettuna;

Tekn. huom.:

Keskipakoerottimet sisältävät dekantterit.

| d. | Risti(tangentiaali)virtaussuodatinlaitteet ja -komponentit seuraavasti:






  1. | Risti(tangentiaali)virtaussuodatinlaitteet, joilla pystytään erottamaan patogeeniset mikro-organismit, virukset, toksiinit tai soluviljelmät ilman aerosolimuodostusta ja joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Kokonaissuodatuspinnan koko vähintään 1 m2; ja |
| --- | --- | --- | --- |

d.

Risti(tangentiaali)virtaussuodatinlaitteet ja -komponentit seuraavasti:

1.

Risti(tangentiaali)virtaussuodatinlaitteet, joilla pystytään erottamaan patogeeniset mikro-organismit, virukset, toksiinit tai soluviljelmät ilman aerosolimuodostusta ja joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

a.

Kokonaissuodatuspinnan koko vähintään 1 m2; ja

| b. | Steriloitavissa tai desinfioitavissa paikalla;
  Tekn. huom.:

  2B352.d.1.b kohdassa tarkoitetaan ‧steriloimisella‧ kaikkien elävien mikrobien poistamista laitteesta käyttämällä joko fysikaalisia (esimerkiksi höyry) tai kemiallisia tekijöitä. ‧Desinfioimisella‧ tarkoitetaan mahdollisen mikrobisen infektiivisyyden tuhoamista laitteesta käyttämällä kemiallisia tekijöitä, joilla on germisidinen vaikutus. Steriloiminen ja desinfioiminen ovat eri asioita kuin sanitointi, jolla tarkoitetaan puhdistusmenettelyjä, joiden tarkoituksena on alentaa laitteen mikrobisisältöä poistamatta välttämättä kaikkea mikrobista infektiivisyyttä tai eläviä mikrobeja. |
| --- | --- |

b.

Steriloitavissa tai desinfioitavissa paikalla;

Tekn. huom.:

2B352.d.1.b kohdassa tarkoitetaan ‧steriloimisella‧ kaikkien elävien mikrobien poistamista laitteesta käyttämällä joko fysikaalisia (esimerkiksi höyry) tai kemiallisia tekijöitä. ‧Desinfioimisella‧ tarkoitetaan mahdollisen mikrobisen infektiivisyyden tuhoamista laitteesta käyttämällä kemiallisia tekijöitä, joilla on germisidinen vaikutus. Steriloiminen ja desinfioiminen ovat eri asioita kuin sanitointi, jolla tarkoitetaan puhdistusmenettelyjä, joiden tarkoituksena on alentaa laitteen mikrobisisältöä poistamatta välttämättä kaikkea mikrobista infektiivisyyttä tai eläviä mikrobeja.

| 2. | Risti(tangentiaali)virtaussuodatinkomponentit (esimerkiksi moduulit, elementit, kasetit, säiliöt, yksiköt tai levyt), joiden suodatuspinta on vähintään 0,2 m2 kunkin komponentin osalta ja jotka on tarkoitettu käytettäviksi 2B352.d kohdassa mainituissa risti(tangentiaali) virtaussuodatinlaitteissa; |
| --- | --- |

2.

Risti(tangentiaali)virtaussuodatinkomponentit (esimerkiksi moduulit, elementit, kasetit, säiliöt, yksiköt tai levyt), joiden suodatuspinta on vähintään 0,2 m2 kunkin komponentin osalta ja jotka on tarkoitettu käytettäviksi 2B352.d kohdassa mainituissa risti(tangentiaali) virtaussuodatinlaitteissa;

Huom.: 2B352.d kohta ei aseta valvonnanalaiseksi käänteisosmoosilaitteita sellaisina kuin valmistaja on ne määritellyt.

| e. | Höyrysteriloitavat kylmäkuivauslaitteet, joiden kondensaatiokapasiteetti ylittää 10 kg jäätä 24 tunnissa ja enintään 1 000 kg jäätä 24 tunnissa; |
| --- | --- |

e.

Höyrysteriloitavat kylmäkuivauslaitteet, joiden kondensaatiokapasiteetti ylittää 10 kg jäätä 24 tunnissa ja enintään 1 000 kg jäätä 24 tunnissa;

| f. | Seuraavat suoja- ja turvalaitteet:






  1. | Puoli- ja kokosuojapuvut tai huuvat, jotka ovat riippuvaisia niihin kytketystä ulkoisesta ilmansyötöstä ja jotka toimivat ylipaineella;


  Huom.: 2B352.f.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi pukuja, jotka on tarkoitettu käytettäviksi itsenäisen hengityslaitteen kanssa. |
| --- | --- | --- |

f.

Seuraavat suoja- ja turvalaitteet:

1.

Puoli- ja kokosuojapuvut tai huuvat, jotka ovat riippuvaisia niihin kytketystä ulkoisesta ilmansyötöstä ja jotka toimivat ylipaineella;

Huom.: 2B352.f.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi pukuja, jotka on tarkoitettu käytettäviksi itsenäisen hengityslaitteen kanssa.

| 2. | Biologiset suojakaapit tai eristysvarusteet, jotka täyttävät vastaavat suoritusvaatimukset;


  Huom.: 2B352.f.2 kohdassa isolaattoreihin kuuluvat joustavat isolaattorit, kuivakaapit, anaerobikammiot, hansikaskaapit ja laminaarivirtaushuuvat (suljettu pystyvirtauksella). |
| --- | --- |

2.

Biologiset suojakaapit tai eristysvarusteet, jotka täyttävät vastaavat suoritusvaatimukset;

Huom.: 2B352.f.2 kohdassa isolaattoreihin kuuluvat joustavat isolaattorit, kuivakaapit, anaerobikammiot, hansikaskaapit ja laminaarivirtaushuuvat (suljettu pystyvirtauksella).

| g. | Kammiot, jotka on suunniteltu "mikro-organismeilla", viruksilla tai "toksiineilla" tehtäviä aerosolialtistuskokeita varten ja joiden kammiotilavuus on 1 m3 tai suurempi. |
| --- | --- |

g.

Kammiot, jotka on suunniteltu "mikro-organismeilla", viruksilla tai "toksiineilla" tehtäviä aerosolialtistuskokeita varten ja joiden kammiotilavuus on 1 m3 tai suurempi.

2CMateriaalit

Ei ole.

2DOhjelmistot

2D001Muut kuin 2D002 kohdassa määritetyt "ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 2A001 tai 2B001–2B009 kohdassa määriteltyjen laitteiden "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten.

2D002Elektronisten laitteiden "ohjelmistot", myös pysyvästi elektroniseen laitteeseen tai järjestelmään sijoitetut, jotka mahdollistavat näiden laitteiden tai järjestelmien toiminnan "numeerisena ohjaus"yksikkönä ja pystyvät koordinoimaan samanaikaisesti useampaa kuin neljää akselia "ääriviivaohjauksessa".

Huom. 1: 2D002 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "ohjelmistoja", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu työstökoneille, joita ei ole määritelty ryhmässä 2.

Huom. 2: 2D002 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi 2B002 kohdassa mainituille tuotteille tarkoitettuja "ohjelmistoja". Katso 2D001 kohta 2B002 kohdassa mainituille tuotteille tarkoitettujen "ohjelmistojen" valvonnan osalta.

2D101"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 tai 2B119–2B122 kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.

Huom.: KATSO MYÖS 9D004 KOHTA.

2D201"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 tai 2B227 kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.

2D202"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 2B201 kohdassa määriteltyjen laitteiden "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten.

2ETeknologia

2E001"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 2A, 2B tai 2D kohdassa määriteltyjen laitteiden tai "ohjelmistojen""kehittämistä" varten.

2E002"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 2A tai 2B kohdassa määriteltyjen laitteiden "tuotantoa" varten.

2E003Seuraavat muut "teknologiat":

| a. | "Teknologia""numeerisen ohjaus" yksikön integroituna osana olevan työstöohjelmien laatimiseksi tai muuntamiseksi tarvittavan interaktiivisen grafiikan kehittämistä varten; |
| --- | --- |

a.

"Teknologia""numeerisen ohjaus" yksikön integroituna osana olevan työstöohjelmien laatimiseksi tai muuntamiseksi tarvittavan interaktiivisen grafiikan kehittämistä varten;

| b. | Seuraavat "teknologiat" metalliteollisuuden valmistusprosesseja varten:






  1. | Seuraavia prosesseja varten erityisesti suunniteltujen työkalujen, muottien tai kiinnittimien suunnittelu"teknologia":






  a. | "Superplastinen muovaus"; |
| --- | --- | --- | --- |

b.

Seuraavat "teknologiat" metalliteollisuuden valmistusprosesseja varten:

1.

Seuraavia prosesseja varten erityisesti suunniteltujen työkalujen, muottien tai kiinnittimien suunnittelu"teknologia":

a.

"Superplastinen muovaus";

| b. | "Diffuusioliittäminen"; tai |
| --- | --- |

b.

"Diffuusioliittäminen"; tai

| c. | "Suoravaikutteinen hydraulipuristus"; |
| --- | --- |

c.

"Suoravaikutteinen hydraulipuristus";

| 2. | Tekninen tieto, joka koostuu alla luetelluista prosessimenetelmistä tai niiden parametreista ja jolla ohjataan:






  a. | Alumiiniseosten, titaaniseosten tai "superseosten""superplastisen muovauksen":






  1. | Pinnan valmistelua; |
| --- | --- | --- | --- |

2.

Tekninen tieto, joka koostuu alla luetelluista prosessimenetelmistä tai niiden parametreista ja jolla ohjataan:

a.

Alumiiniseosten, titaaniseosten tai "superseosten""superplastisen muovauksen":

1.

Pinnan valmistelua;

| 2. | Jännityksen tasoa; |
| --- | --- |

2.

Jännityksen tasoa;

| 3. | Lämpötilaa; |
| --- | --- |

3.

Lämpötilaa;

| 4. | Painetta; |
| --- | --- |

4.

Painetta;

| b. | "Superseosten" tai titaaniseosten "diffuusioliittämisen":






  1. | Pinnan valmistelua; |
| --- | --- | --- |

b.

"Superseosten" tai titaaniseosten "diffuusioliittämisen":

1.

Pinnan valmistelua;

| 2. | Lämpötilaa; |
| --- | --- |

2.

Lämpötilaa;

| 3. | Painetta; |
| --- | --- |

3.

Painetta;

| c. | Alumiiniseosten tai titaaniseosten "suoravaikutteista hydraulipuristuksen":






  1. | Painetta; |
| --- | --- | --- |

c.

Alumiiniseosten tai titaaniseosten "suoravaikutteista hydraulipuristuksen":

1.

Painetta;

| 2. | Jakson aikaa; |
| --- | --- |

2.

Jakson aikaa;

| d. | Titaaniseosten, alumiiniseosten tai "superseosten""kuumaisostaattisen puristuksen":






  1. | Lämpötilaa; |
| --- | --- | --- |

d.

Titaaniseosten, alumiiniseosten tai "superseosten""kuumaisostaattisen puristuksen":

1.

Lämpötilaa;

| 2. | Painetta; |
| --- | --- |

2.

Painetta;

| 3. | Jakson aikaa; |
| --- | --- |

3.

Jakson aikaa;

| c. | "Teknologia" lentokoneen runkorakenteiden valmistukseen tarkoitettujen hydraulisten venytysmuovauskoneiden ja niiden muottien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten; |
| --- | --- |

c.

"Teknologia" lentokoneen runkorakenteiden valmistukseen tarkoitettujen hydraulisten venytysmuovauskoneiden ja niiden muottien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten;

| d. | "Teknologia""numeerisessa ohjaus"yksikössä olevasta suunnittelutiedosta tuotettavien työstökonekäskyjen (esim. työstöohjelmien) ohjelmakehittimien "kehittämistä" varten; |
| --- | --- |

d.

"Teknologia""numeerisessa ohjaus"yksikössä olevasta suunnittelutiedosta tuotettavien työstökonekäskyjen (esim. työstöohjelmien) ohjelmakehittimien "kehittämistä" varten;

| e. | "Teknologia" valmistusosaston toimintojen kehittyneen päätöksenteon tukemiseksi "numeerisiin ohjaus" yksiköihin asiantuntijajärjestelmiä sisällyttävien integrointi"ohjelmistojen""kehittämistä" varten; |
| --- | --- |

e.

"Teknologia" valmistusosaston toimintojen kehittyneen päätöksenteon tukemiseksi "numeerisiin ohjaus" yksiköihin asiantuntijajärjestelmiä sisällyttävien integrointi"ohjelmistojen""kehittämistä" varten;

| f. | "Teknologia", jolla epäorgaanisilla päällystyspinnoitteilla tai epäorgaanisilla pinnanmuunnospinnoitteilla (määritelty seuraavan taulukon 3 sarakkeessa) pinnoitetaan johtamattomia substraatteja (määritelty seuraavan taulukon 2 sarakkeessa) seuraavan taulukon 1 sarakkeessa määritellyillä ja Teknisessä Huomautuksessa kuvatuilla prosesseilla.


  Huom.: Taulukko ja tekniset huomautukset on esitetty 2E301 kohdan jälkeen. |
| --- | --- |

f.

"Teknologia", jolla epäorgaanisilla päällystyspinnoitteilla tai epäorgaanisilla pinnanmuunnospinnoitteilla (määritelty seuraavan taulukon 3 sarakkeessa) pinnoitetaan johtamattomia substraatteja (määritelty seuraavan taulukon 2 sarakkeessa) seuraavan taulukon 1 sarakkeessa määritellyillä ja Teknisessä Huomautuksessa kuvatuilla prosesseilla.

Huom.: Taulukko ja tekniset huomautukset on esitetty 2E301 kohdan jälkeen.

2E101"Teknologia" Yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119–2B122 tai 2D101 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai "ohjelmistojen""käyttöä" varten.

2E201"Teknologia" Yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b, 2B007.c, 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225–2B232, 2D201 tai 2D202 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai "ohjelmistojen""käyttöä" varten.

2E301"Teknologia" Yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 2B3502–2B352 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten.

Taulukko

Pinnoitustekniikat

| 1. | Pinnoitusprosessi (1) (2) |
| --- | --- |

1.

Pinnoitusprosessi (1) (2)

| 2. | Substraatti |
| --- | --- |

2.

Substraatti

| 3. | Pinnoitetulos |
| --- | --- |

3.

Pinnoitetulos

| A. | Kemiallinen kaasu-faasipinnoitus (CVD) |
| --- | --- |

A.

Kemiallinen kaasu-faasipinnoitus (CVD)

"superseokset"

aluminidit sisäisiin kanaviin

Keraamiset aineet (19) ja vähän laajenevat lasit (14)

silisidit

karbidit

dielektriset kerrokset (15)

timantti

timantin kaltainen hiili (17)

hiili-hiili-, keraami- ja metalli-"matriisi""komposiitit"

silisidit

karbidit

tulenkestävät metallit

niiden sekoitukset (4)

dielektriset kerrokset (15)

aluminidit

seostetut aluminidit (2)

boorinitridi

Volframikarbidi-kovametalli (16), piikarbidi (18)

karbidit

volframi

niiden sekoitukset (4)

dielektriset kerrokset (15)

molybdeeni ja molybdeeniseokset

dielektriset kerrokset (15)

beryllium ja berylliumseokset

dielektriset kerrokset (15)

timantti

timantin kaltainen hiili (17)

anturi-ikkunamateriaalit (9)

dielektriset kerrokset (15)

timantti

timantin kaltainen hiili (17)

| B. | Terminen höyrystys-fysikaalinen höyrypinnoitus (TE-PVD) |
| --- | --- |

B.

Terminen höyrystys-fysikaalinen höyrypinnoitus (TE-PVD)

| B.1. | PVD tai EB-PVD |
| --- | --- |

B.1.

PVD tai EB-PVD

"superseokset"

seostetut silisidit

seostetut aluminidit (2)

MCrAlX (5)

muunnettu zirkoniumoksidi (12)

silisidit

aluminidit

niiden sekoitukset (4)

keraamiset aineet (19) ja vähän laajenevat lasit (14)

dielektriset kerrokset (15)

korroosionkestävä teräs (7)

MCrAlX (5)

muunnettu zirkoniumoksidi (12)

niiden sekoitukset (4)

hiili-hiili-, keraami- ja metalli-"matriisikomposiitit"

silisidit

karbidit

tulenkestävät metallit

niiden sekoitukset (4)

dielektriset kerrokset (15)

boorinitridi

volframikarbidi-kovametalli (16)

piikarbidi (18)

karbidit

volframi

niiden sekoitukset (4)

dielektriset kerrokset (15)

molybdeeni ja molybdeeniseokset

dielektriset kerrokset (15)

beryllium ja berylliumseokset

dielektriset kerrokset (15)

boridit

beryllium

anturi-ikkunamateriaalit (9)

dielektriset kerrokset (15)

titaaniseokset (13)

boridit

nitridit

| B.2. | Ioniavusteinen resistiivinen kuumennus PVD (ioni pinnoitus) |
| --- | --- |

B.2.

Ioniavusteinen resistiivinen kuumennus PVD (ioni pinnoitus)

Keraamiset aineet (19) ja vähän laajenevat lasit (14)

dielektriset kerrokset (15)

timantin kaltainen hiili (17)

hiili-hiili-, keraamiset ja metalli- "matriisi""komposiitit"

dielektriset kerrokset (15)

volframikarbidi-kovametalli (16), piikarbidi

dielektriset kerrokset (15)

molybdeeni ja molybdeeniseokset

dielektriset kerrokset (15)

beryllium ja berylliumseokset

dielektriset kerrokset (15)

anturi-ikkunamateriaalit (9)

dielektriset kerrokset (15)

timantin kaltainen hiili (17)

| B.3. | "Laser" - PVD |
| --- | --- |

B.3.

"Laser" - PVD

Keraamiset aineet (19) ja vähän laajenevat lasit (14)

silisidit

dielektriset kerrokset (15)

timantin kaltainen hiili (17)

hiili-hiili-, keraami- ja metalli- "matriisi""komposiitit"

dielektriset kerrokset (15)

volframikarbidi-kovametalli (16), piikarbidit

dielektriset kerrokset (15)

molybdeeni ja molybdeeniseokset

dielektriset kerrokset (15)

beryllium ja berylliumseokset

dielektriset kerrokset (15)

anturi-ikkunamateriaalit (9)

dielektriset kerrokset (15)

timantin kaltainen hiili

| B.4. | Katodikaari-Purkaus PVD |
| --- | --- |

B.4.

Katodikaari-Purkaus PVD

"superseokset"

seostetut silisidit

seostetut aluminidit (2)

MCrAlX (5)

polymeerit (11) ja "komposiitit", joilla on orgaaninen "matriisi"

boridit

karbidit

nitridit

timantin kaltainen hiili (17)

| C. | Hiilletyslaatikko-karkaisu (katso edellä kohta A. muun kuin laatikko-karkaisun osalta) (10) |
| --- | --- |

C.

Hiilletyslaatikko-karkaisu (katso edellä kohta A. muun kuin laatikko-karkaisun osalta) (10)

hiili-hiili-, keraami- ja metalli- "matriisi""komposiitit"

silisidit

karbidit

niiden sekoitukset (4)

titaaniseokset (13)

silisidit

aluminidit

seostetut aluminidit (2)

tulenkestävät metallit ja niiden seokset (8)

silisidit

oksidit

| D. | Plasmaruiskutus |
| --- | --- |

D.

Plasmaruiskutus

"superseokset"

MCrAlX (5)

muunnettu zirkoniumoksidi (12)

niiden sekoitukset (4)

muovattava nikkeligrafiitti

muovattavat Ni-Cr-Al-pitoiset aineet

muovattavat Al-Si-polyesteri seostetut aluminidit (2)

alumiiniseokset (6)

MCrAlX (5)

muunnettu zirkoniumoksidi (12)

silisidit

niiden sekoitukset (4)

tulenkestävät metallit ja seokset (8)

aluminidit

silisidit

karbidit

korroosionkestävät teräkset (7)

MCrAIX (5)

muunnettu zirkoniumoksidi (12)

niiden sekoitukset (4)

titaaniseokset (13)

karbidit

aluminidit

silisidit

seostetut aluminidit (2)

muovattava nikkeligrafiitti

muovattavat Ni-Cr-Al-pitoiset aineet

muovattava Al-Si-polyesteri

| E. | Lietepinnoitus |
| --- | --- |

E.

Lietepinnoitus

tulenkestävät metallit ja seokset (8)

fuusatut silisidit

fuusatut aluminidit paitsi lämmitysvastus-elementit

hiili-hiili-, keraami- ja metalli- "matriisi""komposiitit"

silisidit

karbidit

niiden sekoitukset (4)

| F. | Sputterointi |
| --- | --- |

F.

Sputterointi

"superseokset"

seostetut silisidit

seostetut aluminidit (2)

jalometallimuunnetut aluminidit (3)

MCrAlX (5)

muunnettu zirkoniumoksidi (12)

platina

niiden sekoitukset (4)

keraamiset aineet ja vähän laajenevat lasit (14)

silisidit

platina

niiden sekoitukset (4)

dielektriset kerrokset (15)

timantin kaltainen hiili (17)

titaaniseokset (13)

boridit

nitridit

oksidit

silisidit

aluminidit

seostetut aluminidit (2)

karbidit

hiili-hiili-, keraami- ja metalli- "matriisi""komposiitit"

silisidit

karbidit

tulenkestävät metallit

niiden sekoitukset (4)

dielektriset kerrokset (15)

boorinitridi

volframikarbidi-kovametalli (16)

piikarbidi (18)

karbidit

volframi

niiden sekoitukset (4)

dielektriset kerrokset (15)

boorinitridi

molybdeeni ja molybdeeniseokset

dielektriset kerrokset (15)

beryllium ja berylliumseokset

boridit

dielektriset kerrokset (15)

berylium

anturi-ikkunamateriaalit (9)

dielektriset kerrokset (15)

timantin kaltainen hiili (17)

tulenkestävät metallit ja seokset (8)

aluminidit

silisidit

oksidit

karbidit

| G. | Ioni-istutus |
| --- | --- |

G.

Ioni-istutus

korkean lämpötilan laakeriteräkset

Kromi-, tantaali- tai niobium-(Columbium)lisäaineet

titaaniseokset (13)

boridit

nitridit

beryllium ja berylliumseokset

boridit

volframikarbidi-kovametalli (16)

karbidit

nitridit

Pinnoitustekniikkoja kuvaavaan taulukkoon liittyvät huomautukset

| 1. | Termi ‧pinnoitusprosessi‧ sisältää, paitsi alkuperäisen pinnoituksen, myös sen korjauksen tai uusimisen. |
| --- | --- |

1.

Termi ‧pinnoitusprosessi‧ sisältää, paitsi alkuperäisen pinnoituksen, myös sen korjauksen tai uusimisen.

| 2. | Termi ‧seostettu aluminidipinnoitus‧ sisältää yksi- ja monivaiheiset pinnoitukset, joissa substraatti pinnoitetaan ensin tai samanaikaisesti aluminidipinnoituksen kanssa muulla alkuaineella tai -aineilla silloinkin, kun näillä alkuaineilla pinnoitetaan jotain muuta prosessia käyttäen. Se ei kuitenkaan sisällä yksivaiheista hiiletyslaatikkokarkaisuprosessia, jota käytetään useampaan kertaan seostetun aluminidin aikaansaamiseksi substraatin pinnalle. |
| --- | --- |

2.

Termi ‧seostettu aluminidipinnoitus‧ sisältää yksi- ja monivaiheiset pinnoitukset, joissa substraatti pinnoitetaan ensin tai samanaikaisesti aluminidipinnoituksen kanssa muulla alkuaineella tai -aineilla silloinkin, kun näillä alkuaineilla pinnoitetaan jotain muuta prosessia käyttäen. Se ei kuitenkaan sisällä yksivaiheista hiiletyslaatikkokarkaisuprosessia, jota käytetään useampaan kertaan seostetun aluminidin aikaansaamiseksi substraatin pinnalle.

| 3. | Termi ‧jalometallimuunnettu aluminidipinnoitus‧ sisältää monivaiheiset pinnoitukset, joissa jalometallia tai jalometalleja aikaansaadaan substraatin pinnalle jollakin muulla prosessilla ennen aluminidipinnoitusta. |
| --- | --- |

3.

Termi ‧jalometallimuunnettu aluminidipinnoitus‧ sisältää monivaiheiset pinnoitukset, joissa jalometallia tai jalometalleja aikaansaadaan substraatin pinnalle jollakin muulla prosessilla ennen aluminidipinnoitusta.

| 4. | Termi ‧niiden sekoitukset‧ sisältää suodatettuja aineita, lajiteltuja seoksia sekä lisä- ja monikerrospinnoitteita ja niitä aikaansaadaan yhden tai useamman taulukossa mainitun prosessin avulla. |
| --- | --- |

4.

Termi ‧niiden sekoitukset‧ sisältää suodatettuja aineita, lajiteltuja seoksia sekä lisä- ja monikerrospinnoitteita ja niitä aikaansaadaan yhden tai useamman taulukossa mainitun prosessin avulla.

| 5. | ‧McrAlX‧ tarkoittaa metalliseospinnoitetta, jossa M vastaa kobolttia, rautaa, nikkeliä tai niiden yhdistelmiä ja X vastaa hafniumia, yttriumia, piitä, tantaalia missä tahansa määrässä tai muuta tarkoituksellista lisäainetta yli 0,01 painoprosenttia erilaisissa suhteissa ja yhdistelmissä, paitsi:






  a. | CoCrAlY-pinnoitteet, jotka sisältävät vähemmän kuin 22 painoprosenttia kromia, vähemmän kuin 7 painoprosenttia alumiinia ja vähemmän kuin 2 painoprosenttia yttriumia; |
| --- | --- | --- |

5.

‧McrAlX‧ tarkoittaa metalliseospinnoitetta, jossa M vastaa kobolttia, rautaa, nikkeliä tai niiden yhdistelmiä ja X vastaa hafniumia, yttriumia, piitä, tantaalia missä tahansa määrässä tai muuta tarkoituksellista lisäainetta yli 0,01 painoprosenttia erilaisissa suhteissa ja yhdistelmissä, paitsi:

a.

CoCrAlY-pinnoitteet, jotka sisältävät vähemmän kuin 22 painoprosenttia kromia, vähemmän kuin 7 painoprosenttia alumiinia ja vähemmän kuin 2 painoprosenttia yttriumia;

| b. | CoCrAlY-pinnoitteet, jotka sisältävät 22–24 painoprosenttia kromia, 10–12 painoprosenttia alumiinia ja 0,5–0,7 painoprosenttia yttriumia; |
| --- | --- |

b.

CoCrAlY-pinnoitteet, jotka sisältävät 22–24 painoprosenttia kromia, 10–12 painoprosenttia alumiinia ja 0,5–0,7 painoprosenttia yttriumia;

| c. | NiCrAlY-pinnoitteet, jotka sisältävät 21–23 painoprosenttia kromia, 10–12 painoprosenttia alumiinia ja 0,9–1,1 painoprosenttia ytriumia. |
| --- | --- |

c.

NiCrAlY-pinnoitteet, jotka sisältävät 21–23 painoprosenttia kromia, 10–12 painoprosenttia alumiinia ja 0,9–1,1 painoprosenttia ytriumia.

| 6. | Termi ‧alumiiniseos‧ tarkoittaa metalliseoksia, joiden murtovetolujuus on 190 MPa tai enemmän mitattuna 20 °C (293 K) asteen lämpötilassa. |
| --- | --- |

6.

Termi ‧alumiiniseos‧ tarkoittaa metalliseoksia, joiden murtovetolujuus on 190 MPa tai enemmän mitattuna 20 °C (293 K) asteen lämpötilassa.

| 7. | Termi ‧korroosionkestävä teräs‧ tarkoittaa AISI (American Iron and Steal Institute) 300 -sarjaa tai vastaavia kansallisia standarditeräksiä. |
| --- | --- |

7.

Termi ‧korroosionkestävä teräs‧ tarkoittaa AISI (American Iron and Steal Institute) 300 -sarjaa tai vastaavia kansallisia standarditeräksiä.

| 8. | ‧Tulenkestävät metallit ja seokset‧ sisältävät seuraavia metalleja ja niiden seoksia: niobium (Columbium), molybdeeni, volframi ja tantaali. |
| --- | --- |

8.

‧Tulenkestävät metallit ja seokset‧ sisältävät seuraavia metalleja ja niiden seoksia: niobium (Columbium), molybdeeni, volframi ja tantaali.

| 9. | "Anturi-ikkunamateriaaleja" ovat seuraavat: alumiinioksidi, pii, germanium, sinkkisulfidi, sinkkiselenidi, galliumarsenidi, timantti, galliumfosfidi, safiiri ja seuraavat metallihalidit: zirkoniumfluoridista ja hafniumfluoridista koostuvat anturi-ikkunamateriaalit, joiden läpimitta ylittää 40 mm. |
| --- | --- |

9.

"Anturi-ikkunamateriaaleja" ovat seuraavat: alumiinioksidi, pii, germanium, sinkkisulfidi, sinkkiselenidi, galliumarsenidi, timantti, galliumfosfidi, safiiri ja seuraavat metallihalidit: zirkoniumfluoridista ja hafniumfluoridista koostuvat anturi-ikkunamateriaalit, joiden läpimitta ylittää 40 mm.

| 10. | Kiinteiden turbiininsiipilevyjen yksivaiheinen hiiletyslaatikkokarkaisu "teknologia" ei ole valvonnanalaista 2 ryhmässä. |
| --- | --- |

10.

Kiinteiden turbiininsiipilevyjen yksivaiheinen hiiletyslaatikkokarkaisu "teknologia" ei ole valvonnanalaista 2 ryhmässä.

| 11. | Seuraavat polymeerit: polyimidi, polyesteri, polysulfidi, polykarbonaatit ja polyuretaanit. |
| --- | --- |

11.

Seuraavat polymeerit: polyimidi, polyesteri, polysulfidi, polykarbonaatit ja polyuretaanit.

| 12. | ‧Muunnettu zirkoniumoksidi‧ tarkoittaa, että siinä on muiden metallien oksideja lisäaineena, kuten kalsiumoksidi, magnesiumoksidi, ytriumoksidi, hafniumoksidi ja harvinaisten maametallien oksidit jne. zirkoniin asti, joita käytetään stabiloimaan tiettyjä kiteisiä faaseja ja faasikombinaatioita. Lämpöeristyspinnoitukset, jotka on valmistettu zirkoniumoksidista, joka on muunnettu kalsiumoksidia tai magnesiumoksidia sekoittamalla tai fuusaamalla, eivät ole valvonnanalaisia. |
| --- | --- |

12.

‧Muunnettu zirkoniumoksidi‧ tarkoittaa, että siinä on muiden metallien oksideja lisäaineena, kuten kalsiumoksidi, magnesiumoksidi, ytriumoksidi, hafniumoksidi ja harvinaisten maametallien oksidit jne. zirkoniin asti, joita käytetään stabiloimaan tiettyjä kiteisiä faaseja ja faasikombinaatioita. Lämpöeristyspinnoitukset, jotka on valmistettu zirkoniumoksidista, joka on muunnettu kalsiumoksidia tai magnesiumoksidia sekoittamalla tai fuusaamalla, eivät ole valvonnanalaisia.

| 13. | ‧Titaaniseokset‧ tarkoittaa vain ilmailu- tai avaruuskäyttöön tarkoitettuja seoksia, joiden murtovetolujuus on 900 MPa tai enemmän mitattuna 20 °C (293 K) asteen lämpötilassa. |
| --- | --- |

13.

‧Titaaniseokset‧ tarkoittaa vain ilmailu- tai avaruuskäyttöön tarkoitettuja seoksia, joiden murtovetolujuus on 900 MPa tai enemmän mitattuna 20 °C (293 K) asteen lämpötilassa.

| 14. | ‧Vähän laajenevat lasit‧ tarkoittaa laseja, joiden lämpölaajenemiskerroin on 1 × 10 –7 K–1 tai vähemmän mitattuna 20 °C (293 K) asteen lämpötilassa. |
| --- | --- |

14.

‧Vähän laajenevat lasit‧ tarkoittaa laseja, joiden lämpölaajenemiskerroin on 1 × 10 –7 K–1 tai vähemmän mitattuna 20 °C (293 K) asteen lämpötilassa.

| 15. | ‧Dielektriset kerrokset‧ ovat pinnoitteita, jotka rakentuvat eristysmateriaalien useista kerroksista, joissa eri taitekertoimen omaavien materiaalien interferenssiominaisuuksia halutulla tavalla käytetään heijastamaan, lähettämään tai absorboimaan eri aallonpituuskaistoja. Dielektriset kerrokset tarkoittavat enemmän kuin neljää dielektristä kerrosta tai dielektristä/metalli"komposiitti" kerrosta. |
| --- | --- |

15.

‧Dielektriset kerrokset‧ ovat pinnoitteita, jotka rakentuvat eristysmateriaalien useista kerroksista, joissa eri taitekertoimen omaavien materiaalien interferenssiominaisuuksia halutulla tavalla käytetään heijastamaan, lähettämään tai absorboimaan eri aallonpituuskaistoja. Dielektriset kerrokset tarkoittavat enemmän kuin neljää dielektristä kerrosta tai dielektristä/metalli"komposiitti" kerrosta.

| 16. | ‧Volframikarbidikovametalli‧ ei sisällä lastuamis- ja muovaustyökalumateriaaleja, joilla on seuraava koostumus: volframikarbidi/(koboltti, nikkeli), titaanikarbidi/(koboltti, nikkeli), kromikarbidi/nikkeli-kromi tai kromikarbidi/nikkeli. |
| --- | --- |

16.

‧Volframikarbidikovametalli‧ ei sisällä lastuamis- ja muovaustyökalumateriaaleja, joilla on seuraava koostumus: volframikarbidi/(koboltti, nikkeli), titaanikarbidi/(koboltti, nikkeli), kromikarbidi/nikkeli-kromi tai kromikarbidi/nikkeli.

| 17. | "Teknologiaa", joka on erityisesti tarkoitettu pinnoittamaan timantin kaltaisella hiilellä seuraavia, ei valvota: | magneettiset levyasemat ja magneettipäät, kertakäyttötuotteiden valmistukseen käytettävät laitteet, hanaventtiilit, kaiuttimien akustiset kalvot, moottorien osat autoihin, terätyökalut, lävistyspuristinmatriisit, toimistoautomaatiolaitteet, mikrofonit tai lääkinnälliset laitteet tai muovien valamiseen tai muovaamiseen tarkoitetut muotit, jotka on valmistettu alle 5 prosenttia berylliumia sisältävistä seoksista. |
| --- | --- | --- |

17.

"Teknologiaa", joka on erityisesti tarkoitettu pinnoittamaan timantin kaltaisella hiilellä seuraavia, ei valvota:

magneettiset levyasemat ja magneettipäät, kertakäyttötuotteiden valmistukseen käytettävät laitteet, hanaventtiilit, kaiuttimien akustiset kalvot, moottorien osat autoihin, terätyökalut, lävistyspuristinmatriisit, toimistoautomaatiolaitteet, mikrofonit tai lääkinnälliset laitteet tai muovien valamiseen tai muovaamiseen tarkoitetut muotit, jotka on valmistettu alle 5 prosenttia berylliumia sisältävistä seoksista.

| 18. | ‧Piikarbidi‧ ei sisällä terätyökaluihin tai muototeriin käytettäviä aineita. |
| --- | --- |

18.

‧Piikarbidi‧ ei sisällä terätyökaluihin tai muototeriin käytettäviä aineita.

| 19. | Tässä tarkoitetut ‧keraamiset substraatit‧ eivät sisällä keraamisia aineita, joissa on vähintään 5 painoprosenttia savea tai sementtiä erillisinä ainesosina tai yhdisteinä. |
| --- | --- |

19.

Tässä tarkoitetut ‧keraamiset substraatit‧ eivät sisällä keraamisia aineita, joissa on vähintään 5 painoprosenttia savea tai sementtiä erillisinä ainesosina tai yhdisteinä.

Taulukon 1 sarakkeessa mainitut prosessit määritellään seuraavasti:

| a. | Kemiallinen kaasufaasipinnoitus (CVD) on pinnoitus- tai pinnan muunnosprosessi, jossa metallia, metalliseosta, "komposiittia", dielektristä ainetta tai keraamia depositioidaan kuumennetulle substraatille. Kaasumaiset reagoivat aineet hajoavat tai yhdistyvät substraatin välittömässä läheisyydessä, jonka seurauksena haluttu alkuaine, metalliseos tai yhdiste asettuu substraatille. Hajoamisen tai kemiallisen reaktioprosessin tarvitsema energia saadaan substraatin lämmöstä, hohtopurkaus plasmasta tai "laser"säteilytyksestä.


  Huom. 1: CVD sisältää seuraavat prosessit: suunnatun kaasuvirtauksen ei-pakkauspinnoitus, sykkivä CVD, säädettävä ydintymislämpöhajoaminen (CNTD), plasma- tai plasma-avusteinen CVD.



  Huom. 2: Pakkaus tarkoittaa jauheseokseen upotettua substraattia.



  Huom. 3: Kaasumaiset, reagoivat aineet, joita käytetään ei-pakkausprosessissa tuotetaan käyttämällä samoja perusreaktioita ja parametreja, kuin pakkauspinnoitusprosessissakin, paitsi että siinä pinnoitettava substraatti ei ole kosketuksissa jauheseokseen. |
| --- | --- |

a.

Kemiallinen kaasufaasipinnoitus (CVD) on pinnoitus- tai pinnan muunnosprosessi, jossa metallia, metalliseosta, "komposiittia", dielektristä ainetta tai keraamia depositioidaan kuumennetulle substraatille. Kaasumaiset reagoivat aineet hajoavat tai yhdistyvät substraatin välittömässä läheisyydessä, jonka seurauksena haluttu alkuaine, metalliseos tai yhdiste asettuu substraatille. Hajoamisen tai kemiallisen reaktioprosessin tarvitsema energia saadaan substraatin lämmöstä, hohtopurkaus plasmasta tai "laser"säteilytyksestä.

Huom. 1: CVD sisältää seuraavat prosessit: suunnatun kaasuvirtauksen ei-pakkauspinnoitus, sykkivä CVD, säädettävä ydintymislämpöhajoaminen (CNTD), plasma- tai plasma-avusteinen CVD.

Huom. 2: Pakkaus tarkoittaa jauheseokseen upotettua substraattia.

Huom. 3: Kaasumaiset, reagoivat aineet, joita käytetään ei-pakkausprosessissa tuotetaan käyttämällä samoja perusreaktioita ja parametreja, kuin pakkauspinnoitusprosessissakin, paitsi että siinä pinnoitettava substraatti ei ole kosketuksissa jauheseokseen.

| b. | Terminen höyrystys-fysikaalinen höyrypinnoitus (TE-PVD = Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition) on pinnoitusprosessi, joka suoritetaan tyhjössä paineen ollessa alle 0,1 Pa, jossa termistä energiaa käytetään höyrystämään pinnoitusmateriaalia. Tässä prosessissa höyrystyneet ainesosat kondensoituvat tai depositioituvat sopivasti asetetun substraatin pinnalle.
  Kaasujen lisääminen tyhjökammioon pinnoitusprosessin aikana on tavallinen prosessin muunnos.
  Ioni- tai elektronisäteen tai plasman käyttö aktivoimaan tai avustamaan pinnoitusprosessia on myös tavallinen tämän tekniikan muunnos. Monitorien käyttö mahdollistamaan prosessin aikana optisten ominaisuuksien tai pinnoitteen paksuuden mittauksen voi olla näiden prosessien lisäpiirre.
  Eri TE-PVD prosessit ovat seuraavat:






  1. | Elektronisuihku-PVD-prosessissa käytetään elektronisuihkua kuumentamaan ja höyrystämään pinnoitteen muodostavaa materiaalia. |
| --- | --- | --- |

b.

Terminen höyrystys-fysikaalinen höyrypinnoitus (TE-PVD = Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition) on pinnoitusprosessi, joka suoritetaan tyhjössä paineen ollessa alle 0,1 Pa, jossa termistä energiaa käytetään höyrystämään pinnoitusmateriaalia. Tässä prosessissa höyrystyneet ainesosat kondensoituvat tai depositioituvat sopivasti asetetun substraatin pinnalle.

Kaasujen lisääminen tyhjökammioon pinnoitusprosessin aikana on tavallinen prosessin muunnos.

Ioni- tai elektronisäteen tai plasman käyttö aktivoimaan tai avustamaan pinnoitusprosessia on myös tavallinen tämän tekniikan muunnos. Monitorien käyttö mahdollistamaan prosessin aikana optisten ominaisuuksien tai pinnoitteen paksuuden mittauksen voi olla näiden prosessien lisäpiirre.

Eri TE-PVD prosessit ovat seuraavat:

1.

Elektronisuihku-PVD-prosessissa käytetään elektronisuihkua kuumentamaan ja höyrystämään pinnoitteen muodostavaa materiaalia.

| 2. | Ioniavusteinen resistiivinen-kuumennus-PVD-prosessissa käytetään resistiivisiä kuumennuslähteitä yhdessä iskeytyvän(-vien) ionisäte(id)en kanssa tuottamaan kontrolloidun ja yhtenäisen höyrystyneiden pinnoiteaineksien vuon. |
| --- | --- |

2.

Ioniavusteinen resistiivinen-kuumennus-PVD-prosessissa käytetään resistiivisiä kuumennuslähteitä yhdessä iskeytyvän(-vien) ionisäte(id)en kanssa tuottamaan kontrolloidun ja yhtenäisen höyrystyneiden pinnoiteaineksien vuon.

| 3. | "Laser"höyrystys-(PVD) käyttää joko pulssi- tai jatkuvan aallon lasersäteitä höyrystämään pinnoituksen muodostavia materiaaleja; |
| --- | --- |

3.

"Laser"höyrystys-(PVD) käyttää joko pulssi- tai jatkuvan aallon lasersäteitä höyrystämään pinnoituksen muodostavia materiaaleja;

| 4. | Katodikaaripinnoitus(-PVD) käyttää kuluvaa katodia, joka on pinnoitteen muodostavaa materiaalia sekä kaaripurkausta, joka aikaansaadaan koskettamalla hetkellisesti sen pintaa maaliipaisimella. Ohjaamalla kaarta erotetaan katodin pinnasta ionisoitua plasmaa. Anodina voi olla joko kartio, joka on kiinnitetty katodin läheisyyteen, eristeen tai kammion läpi. Substraatin (jännite)biassointia käytetään näkymättömissä tapahtuvaan pinnoitukseen.


  Huom.: Tämä määritelmä ei koske satunnaista katodikaaripinnoitusta biassoimattomia substraatteja käytettäessä. |
| --- | --- |

4.

Katodikaaripinnoitus(-PVD) käyttää kuluvaa katodia, joka on pinnoitteen muodostavaa materiaalia sekä kaaripurkausta, joka aikaansaadaan koskettamalla hetkellisesti sen pintaa maaliipaisimella. Ohjaamalla kaarta erotetaan katodin pinnasta ionisoitua plasmaa. Anodina voi olla joko kartio, joka on kiinnitetty katodin läheisyyteen, eristeen tai kammion läpi. Substraatin (jännite)biassointia käytetään näkymättömissä tapahtuvaan pinnoitukseen.

Huom.: Tämä määritelmä ei koske satunnaista katodikaaripinnoitusta biassoimattomia substraatteja käytettäessä.

| 5. | Ioni-pinnoitus (-PVD) on TE-PVD-prosessin muunnos, jossa plasma- tai ionilähdettä käytetään ionisoimaan pinnoitettavia aineksia ja negatiivinen biasjännite johdetaan substraattiin pinnoitusaineksien erottamiseksi plasmasta. Reagoivien aineksien käyttäminen, kiinteiden aineiden höyrystäminen prosessikammiossa ja monitorien käyttö mahdollistamaan prosessin aikaisen, pinnoitteen optisten ominaisuuksien ja paksuuden mittaamiseksi ovat tavallisia prosessin muunnoksia. |
| --- | --- |

5.

Ioni-pinnoitus (-PVD) on TE-PVD-prosessin muunnos, jossa plasma- tai ionilähdettä käytetään ionisoimaan pinnoitettavia aineksia ja negatiivinen biasjännite johdetaan substraattiin pinnoitusaineksien erottamiseksi plasmasta. Reagoivien aineksien käyttäminen, kiinteiden aineiden höyrystäminen prosessikammiossa ja monitorien käyttö mahdollistamaan prosessin aikaisen, pinnoitteen optisten ominaisuuksien ja paksuuden mittaamiseksi ovat tavallisia prosessin muunnoksia.

| c. | Pakkasementointi on pinnan muunnos- tai pinnoitusprosessi, jossa substraatti upotetaan jauheseokseen (pakkaan), joka koostuu:






  1. | Depositioitavista metallijauheista (tavallisesti alumiinia, kromia, piitä tai niiden yhdistelmiä); |
| --- | --- | --- |

c.

Pakkasementointi on pinnan muunnos- tai pinnoitusprosessi, jossa substraatti upotetaan jauheseokseen (pakkaan), joka koostuu:

1.

Depositioitavista metallijauheista (tavallisesti alumiinia, kromia, piitä tai niiden yhdistelmiä);

| 2. | Aktivaattorista (tavallisesti halidisuola); ja |
| --- | --- |

2.

Aktivaattorista (tavallisesti halidisuola); ja

| 3. | Reagoimattomasta aineesta, useimmiten alumiinioksidista. |
| --- | --- |

3.

Reagoimattomasta aineesta, useimmiten alumiinioksidista.

Substraatti ja jauheseos asetetaan retorttiin, joka kuumennetaan 757 °C (1 030 K) – 1 102 °C (1 375 K) asteeseen riittäväksi ajaksi pinnoitteen aikaansaamiseksi.

| d. | Plasmaruiskutus on pinnoitusprosessi, jossa plasmaa tuottavaan ja ohjaavaan sumuttimeen syötetään pinnoitemateriaalia jauheena tai lankana, ne sulatetaan ja kiihdytetään substraattia kohden. Plasmaruiskutus on joko matalapaineessa tai suurinopeuksista plasmaruiskutusta.


  Huom. 1: Matalapaineella tarkoitetaan alle ilmakehän painetta.



  Huom. 2: Suurinopeuksisella tarkoitetaan kaasun lähtönopeutta suuttimesta, kun se ylittää 750 m/s laskettuna 20 °C (293 K) asteen lämpötilassa ja 0,1 MPa paineessa. |
| --- | --- |

d.

Plasmaruiskutus on pinnoitusprosessi, jossa plasmaa tuottavaan ja ohjaavaan sumuttimeen syötetään pinnoitemateriaalia jauheena tai lankana, ne sulatetaan ja kiihdytetään substraattia kohden. Plasmaruiskutus on joko matalapaineessa tai suurinopeuksista plasmaruiskutusta.

Huom. 1: Matalapaineella tarkoitetaan alle ilmakehän painetta.

Huom. 2: Suurinopeuksisella tarkoitetaan kaasun lähtönopeutta suuttimesta, kun se ylittää 750 m/s laskettuna 20 °C (293 K) asteen lämpötilassa ja 0,1 MPa paineessa.

| e. | Lietepinnoitus on pinnan muunnos- tai pinnoitusprosessi, jossa orgaanisen aineen sitomaa metalli- tai keraamijauhetta riippuu nesteessä ja sumuttamalla, kastamalla tai maalaamalla se aikaansaadaan substraatille, jota seuraa ilmassa tai uunissa tapahtuva kuivaus sekä lämpökäsittely halutun pinnoitteen aikaansaamiseksi. |
| --- | --- |

e.

Lietepinnoitus on pinnan muunnos- tai pinnoitusprosessi, jossa orgaanisen aineen sitomaa metalli- tai keraamijauhetta riippuu nesteessä ja sumuttamalla, kastamalla tai maalaamalla se aikaansaadaan substraatille, jota seuraa ilmassa tai uunissa tapahtuva kuivaus sekä lämpökäsittely halutun pinnoitteen aikaansaamiseksi.

| f. | Sputterointi on pinnoitusprosessi, joka perustuu "liikemäärän siirto" -ilmiöön, jossa positiiviset ionit kiihdytetään sähkökentässä kohti pinnoitemateriaalin pintaa. Iskeytyvien ionien kineettinen energia on riittävä irroittamaan atomeja sen pinnasta ja pinnoittamaan sopivasti asetettua substraattia.


  Huom. 1: Taulukko viittaa vain triodi-, magnetroni- tai reaktiiviseen sputterointiin, jota käytetään lisäämään pinnoitteen kiinnittymistä ja depositionopeutta ja radiotaajuudella voimistettuun sputterointiin, jota käytetään mahdollistamaan ei-metallisten pinnoitemateriaalien höyrystämisen.



  Huom. 2: Matalaenergisiä (alle 5 keV) ionisäteitä voidaan käyttää aktivoimaan depositiota. |
| --- | --- |

f.

Sputterointi on pinnoitusprosessi, joka perustuu "liikemäärän siirto" -ilmiöön, jossa positiiviset ionit kiihdytetään sähkökentässä kohti pinnoitemateriaalin pintaa. Iskeytyvien ionien kineettinen energia on riittävä irroittamaan atomeja sen pinnasta ja pinnoittamaan sopivasti asetettua substraattia.

Huom. 1: Taulukko viittaa vain triodi-, magnetroni- tai reaktiiviseen sputterointiin, jota käytetään lisäämään pinnoitteen kiinnittymistä ja depositionopeutta ja radiotaajuudella voimistettuun sputterointiin, jota käytetään mahdollistamaan ei-metallisten pinnoitemateriaalien höyrystämisen.

Huom. 2: Matalaenergisiä (alle 5 keV) ionisäteitä voidaan käyttää aktivoimaan depositiota.

| g. | Ioni-istutus on pinnan muunnospinnoitusprosessi, jossa seostettava elementti ionisoidaan, kiihdytetään potentiaaligradientin läpi ja istutetaan substraatin pinnan tietylle alueelle. Tämä sisältää prosessit, joissa ioni-istutus suoritetaan samanaikaisesti elektronisuihku-PVD:llä tai sputteroinnilla. |
| --- | --- |

g.

Ioni-istutus on pinnan muunnospinnoitusprosessi, jossa seostettava elementti ionisoidaan, kiihdytetään potentiaaligradientin läpi ja istutetaan substraatin pinnan tietylle alueelle. Tämä sisältää prosessit, joissa ioni-istutus suoritetaan samanaikaisesti elektronisuihku-PVD:llä tai sputteroinnilla.

RYHMÄ 3

ELEKTRONIIKKA

3AJärjestelmät, laitteet ja komponentit

Huom. 1: Sellaisten 3A001 tai 3A002 kohdassa kuvattujen laitteiden, kokoonpanojen ja komponenttien, 3A001.a.3–3A001.a.10 tai 3A001.a.12 kohdassa kuvattuja lukuun ottamatta, jotka on erityisesti suunniteltu, tai joilla on samat toiminnalliset ominaisuudet kuin jollain muulla laitteella, valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden mukaan.

Huom. 2: 3A001.a.3–3A001.a.9 tai 3A001.a.12 kohdassa kuvattujen integroitujen piirien, jotka on ohjelmoitu ei-muutettavasti, tai jotka on suunniteltu erityistä toimintoa varten, valvonnanalaisuus määräytyy niiden muiden laitteiden mukaan, joita varten ne on tarkoitettu.

Huom: Milloin valmistaja tai vientiluvan hakija ei pysty määrittelemään näiden muiden laitteiden valvonnanalaisuutta, valvonnanalaisuus määräytyy 3A001.a.3–3A001.a.9 tai 3A001.a.12 kohdan mukaan. Jos integroitu piiri on piipohjainen 3A001.a.3 kohdassa kuvattu "mikrotietokonepiiri" tai mikro-ohjainpiiri, jonka operandin (tiedon) sanan pituus on 8 bittiä tai vähemmän, integroidun piirin valvonnanalaisuus määräytyy 3A001.a.3 kohdan mukaan.

3A001Elektroniset komponentit seuraavasti:

| a. | Seuraavat yleiskäyttöiset integroidut piirit:


  Huom. 1: (Valmiiden tai puolivalmiiden) piikiekkojen, joissa toiminto on määritelty, valvonnanalaisuus arvioidaan 3A001.a kohdan parametrien mukaan.



  Huom. 2: Integroidut piirit sisältävät seuraavat tyypit: | "Monoliittiset integroidut piirit"; |
| --- | --- | --- |

a.

Seuraavat yleiskäyttöiset integroidut piirit:

Huom. 1: (Valmiiden tai puolivalmiiden) piikiekkojen, joissa toiminto on määritelty, valvonnanalaisuus arvioidaan 3A001.a kohdan parametrien mukaan.

Huom. 2: Integroidut piirit sisältävät seuraavat tyypit:

"Monoliittiset integroidut piirit";

| | "Integroidut hybridipiirit"; |
| --- | --- |

"Integroidut hybridipiirit";

| | "Integroidut monipalapiirit"; |
| --- | --- |

"Integroidut monipalapiirit";

| | "Integroidut kalvopiirit", integroidut pii-safiiripiirit mukaan lukien; |
| --- | --- |

"Integroidut kalvopiirit", integroidut pii-safiiripiirit mukaan lukien;

| | "Optiset integroidut piirit". |
| --- | --- |

"Optiset integroidut piirit".

| 1. | Integroidut piirit, jotka on suunniteltu tai mitoitettu kestämään jotakin seuraavista:






  a. | Säteilyä kokonaisannoksena 5 × 103 Gy (Pii) tai enemmän; |
| --- | --- | --- |

1.

Integroidut piirit, jotka on suunniteltu tai mitoitettu kestämään jotakin seuraavista:

a.

Säteilyä kokonaisannoksena 5 × 103 Gy (Pii) tai enemmän;

| b. | Säteilyä, jonka annosnopeus 5 × 106 Gy (Pii)/s tai enemmän; tai |
| --- | --- |

b.

Säteilyä, jonka annosnopeus 5 × 106 Gy (Pii)/s tai enemmän; tai

| c. | Neutronien integroitua vuontiheyttä (1 MeV:n vastaavuus), joka on 5 × 1013 n/cm2 tai enemmän piin osalta tai sitä vastaavan aineen osalta muiden materiaalien ollessa kyseessä.


  Huom.: 3A001.a.1.c kohtaa ei sovelleta metallieristepuolijohteisiin (MIS). |
| --- | --- |

c.

Neutronien integroitua vuontiheyttä (1 MeV:n vastaavuus), joka on 5 × 1013 n/cm2 tai enemmän piin osalta tai sitä vastaavan aineen osalta muiden materiaalien ollessa kyseessä.

Huom.: 3A001.a.1.c kohtaa ei sovelleta metallieristepuolijohteisiin (MIS).

| 2. | "Mikroprosessoripiirit", "mikrotietokonepiirit", mikro-ohjainpiirit, integroidut muistipiirit, jotka on valmistettu yhdistepuolijohteesta, analogia-digitaalimuuntimet, digitaali-analogiamuuntimet, sähköoptiset tai "optiset integroidut piirit""signaalinkäsittelyä" varten, käyttäjän ohjelmoitavat logiikkapiirit, integroidut hermoverkkopiirit, sellaiset asiakaskohtaiset integroidut piirit, joiden toiminta on tuntematon tai jotka on tarkoitettu laitteisiin, joiden valvonnanalaisuus on tuntematon, nopea Fourier-muunnos (FFT)-prosessorit, elektronisesti pyyhittävät ohjelmoitavat lukumuistit (EEPROMSit), pikamuistipiirit taikka staattiset luku-/kirjoitusmuistit (SRAMit), jotka on joko






  a. | suunniteltu toimimaan yli 398 K (125 °C) lämpötiloissa; |
| --- | --- | --- |

2.

"Mikroprosessoripiirit", "mikrotietokonepiirit", mikro-ohjainpiirit, integroidut muistipiirit, jotka on valmistettu yhdistepuolijohteesta, analogia-digitaalimuuntimet, digitaali-analogiamuuntimet, sähköoptiset tai "optiset integroidut piirit""signaalinkäsittelyä" varten, käyttäjän ohjelmoitavat logiikkapiirit, integroidut hermoverkkopiirit, sellaiset asiakaskohtaiset integroidut piirit, joiden toiminta on tuntematon tai jotka on tarkoitettu laitteisiin, joiden valvonnanalaisuus on tuntematon, nopea Fourier-muunnos (FFT)-prosessorit, elektronisesti pyyhittävät ohjelmoitavat lukumuistit (EEPROMSit), pikamuistipiirit taikka staattiset luku-/kirjoitusmuistit (SRAMit), jotka on joko

a.

suunniteltu toimimaan yli 398 K (125 °C) lämpötiloissa;

| b. | suunniteltu toimimaan alle 218 K (– 55 °C) lämpötiloissa; tai |
| --- | --- |

b.

suunniteltu toimimaan alle 218 K (– 55 °C) lämpötiloissa; tai

| c. | mitoitettu toimimaan koko lämpötila-alueella 218 K (– 55 °C) – 398 K (125 °C); |
| --- | --- |

c.

mitoitettu toimimaan koko lämpötila-alueella 218 K (– 55 °C) – 398 K (125 °C);

Huom.: 3A001.a.2 kohta ei koske siviiliautoihin tai juniin tarkoitettuja integroituja piirejä.

| 3. | "Mikroprosessoripiirit", "mikrotietokonepiirit" ja mikro-ohjainpiirit, jotka on valmistettu yhdistepuolijohteesta ja toimivat kellotaajuudella, joka ylittää 40 MHz;


  Huom.: 3A001.a.3 kohta sisältää digitaaliset signaaliprosessorit, digitaaliset matriisiprosessorit ja digitaaliset apuprosessorit. |
| --- | --- |

3.

"Mikroprosessoripiirit", "mikrotietokonepiirit" ja mikro-ohjainpiirit, jotka on valmistettu yhdistepuolijohteesta ja toimivat kellotaajuudella, joka ylittää 40 MHz;

Huom.: 3A001.a.3 kohta sisältää digitaaliset signaaliprosessorit, digitaaliset matriisiprosessorit ja digitaaliset apuprosessorit.

| 4. | Integroidut muistipiirit, jotka on valmistettu yhdistepuolijohteista; |
| --- | --- |

4.

Integroidut muistipiirit, jotka on valmistettu yhdistepuolijohteista;

| 5. | Seuraavat integroidut analogia-digitaalimuunnin- tai digitaali-analogiamuunninpiirit:






  a. | Analogia-digitaalimuuntimet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

  Huom.: KATSO MYÖS 3A101 KOHTA.







  1. | Resoluutio 8 bittiä tai enemmän mutta alle 10 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 500 miljoonaa sanaa sekunnissa; |
| --- | --- | --- | --- |

5.

Seuraavat integroidut analogia-digitaalimuunnin- tai digitaali-analogiamuunninpiirit:

a.

Analogia-digitaalimuuntimet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

Huom.: KATSO MYÖS 3A101 KOHTA.

1.

Resoluutio 8 bittiä tai enemmän mutta alle 10 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 500 miljoonaa sanaa sekunnissa;

| 2. | Resoluutio 10 bittiä tai enemmän mutta alle 12 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 200 miljoonaa sanaa sekunnissa; |
| --- | --- |

2.

Resoluutio 10 bittiä tai enemmän mutta alle 12 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 200 miljoonaa sanaa sekunnissa;

| 3. | Resoluutio 12 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 50 miljoonaa sanaa sekunnissa; |
| --- | --- |

3.

Resoluutio 12 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 50 miljoonaa sanaa sekunnissa;

| 4. | Resoluutio yli 12 bittiä mutta enintään 14 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 5 miljoonaa sanaa sekunnissa; tai |
| --- | --- |

4.

Resoluutio yli 12 bittiä mutta enintään 14 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 5 miljoonaa sanaa sekunnissa; tai

| 5. | Resoluutio yli 14 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 1 miljoona sanaa sekunnissa; |
| --- | --- |

5.

Resoluutio yli 14 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 1 miljoona sanaa sekunnissa;

| b. | Digitaali-analogiamuuntimet, joiden resoluutio on 12 bittiä tai enemmän ja "asettumisaika" alle 10 ns; |
| --- | --- |

b.

Digitaali-analogiamuuntimet, joiden resoluutio on 12 bittiä tai enemmän ja "asettumisaika" alle 10 ns;

Tekn. huom.:

| 1. | N:n bitin resoluutio vastaa 2n:n vertailutason kvantisointia. |
| --- | --- |

1.

N:n bitin resoluutio vastaa 2n:n vertailutason kvantisointia.

| 2. | Ulostulevan sanan bittien lukumäärä on yhtä suuri kuin analogia-digitaalimuuntimen resoluutio. |
| --- | --- |

2.

Ulostulevan sanan bittien lukumäärä on yhtä suuri kuin analogia-digitaalimuuntimen resoluutio.

| 3. | Ulostulonopeus on muuntimen maksimiulostulonopeus arkkitehtuurista tai ylinäytteistyksestä riippumatta. Myyjä voi kutsua ulostulonopeutta myös näytteenottonopeudeksi, muunnosnopeudeksi tai suoritusnopeudeksi. Se ilmaistaan usein suureilla megahertsi (MHz) tai miljoona näytettä sekunnissa (MSPS). |
| --- | --- |

3.

Ulostulonopeus on muuntimen maksimiulostulonopeus arkkitehtuurista tai ylinäytteistyksestä riippumatta. Myyjä voi kutsua ulostulonopeutta myös näytteenottonopeudeksi, muunnosnopeudeksi tai suoritusnopeudeksi. Se ilmaistaan usein suureilla megahertsi (MHz) tai miljoona näytettä sekunnissa (MSPS).

| 4. | Ulostulonopeuden mittaamisessa yksi ulostuleva sana sekunnissa vastaa yhtä hertsiä tai yhtä näytettä sekunnissa. |
| --- | --- |

4.

Ulostulonopeuden mittaamisessa yksi ulostuleva sana sekunnissa vastaa yhtä hertsiä tai yhtä näytettä sekunnissa.

| 6. | Sähköoptiset tai "optiset integroidut piirit""signaalinkäsittelyä" varten, joilla on kaikki seuraavat:






  a. | Yksi tai useampi sisäinen "laser"diodi; |
| --- | --- | --- |

6.

Sähköoptiset tai "optiset integroidut piirit""signaalinkäsittelyä" varten, joilla on kaikki seuraavat:

a.

Yksi tai useampi sisäinen "laser"diodi;

| b. | Yksi tai useampi sisäinen valoa ilmaiseva elementti; ja |
| --- | --- |

b.

Yksi tai useampi sisäinen valoa ilmaiseva elementti; ja

| c. | Optisia aaltoputkia; |
| --- | --- |

c.

Optisia aaltoputkia;

| 7. | Käyttäjäohjelmoitavat logiikkapiirit, joilla on jokin seuraavista:






  a. | Ekvivalenttinen käytettävissä oleva porttiluku yli 30 000 (2 sisäänmenoa porttia kohti); |
| --- | --- | --- |

7.

Käyttäjäohjelmoitavat logiikkapiirit, joilla on jokin seuraavista:

a.

Ekvivalenttinen käytettävissä oleva porttiluku yli 30 000 (2 sisäänmenoa porttia kohti);

| b. | Tyypillinen perusportin etenemisviive vähemmän kuin 0,1 ns; tai |
| --- | --- |

b.

Tyypillinen perusportin etenemisviive vähemmän kuin 0,1 ns; tai

| c. | Tilanvaihtotaajuus ylittää 133 MHz; |
| --- | --- |

c.

Tilanvaihtotaajuus ylittää 133 MHz;

Huom.: 3A001.a.7 kohtaan sisältyvät:

| — | Yksinkertaiset ohjelmoitavat logiikkapiirit (SPLD:t) |
| --- | --- |

—

Yksinkertaiset ohjelmoitavat logiikkapiirit (SPLD:t)

| — | Monimutkaiset ohjelmoitavat logiikkapiirit (CPLD:t) |
| --- | --- |

—

Monimutkaiset ohjelmoitavat logiikkapiirit (CPLD:t)

| — | Kentällä ohjelmoitavat porttimatriisipiirit (FPGA:t) |
| --- | --- |

—

Kentällä ohjelmoitavat porttimatriisipiirit (FPGA:t)

| — | Käyttäjäohjelmoitavat logiikkaverkot (FPLA:t) |
| --- | --- |

—

Käyttäjäohjelmoitavat logiikkaverkot (FPLA:t)

| — | Kentällä ohjelmoitavat yhdyskomponentit (FPIC:t) |
| --- | --- |

—

Kentällä ohjelmoitavat yhdyskomponentit (FPIC:t)

Huom:‧Käyttäjäohjelmoitavat logiikkapiirit‧ tunnetaan myös nimellä ‧kentällä ohjelmoitavat porttimatriisipiirit‧ tai ‧käyttäjäohjelmoitavat logiikkaverkot‧.

| 8. | Ei käytössä; |
| --- | --- |

8.

Ei käytössä;

| 9. | Integroidut hermoverkkopiirit; |
| --- | --- |

9.

Integroidut hermoverkkopiirit;

| 10. | Asiakaskohtaiset integroidut piirit, joiden toiminta on tuntematon, tai jotka on tarkoitettu laitteisiin, joiden valvonnanalaisuus on valmistajalle tuntematon ja joilla on jokin seuraavista:






  a. | Liitospisteiden lukumäärä ylittää 1 000; |
| --- | --- | --- |

10.

Asiakaskohtaiset integroidut piirit, joiden toiminta on tuntematon, tai jotka on tarkoitettu laitteisiin, joiden valvonnanalaisuus on valmistajalle tuntematon ja joilla on jokin seuraavista:

a.

Liitospisteiden lukumäärä ylittää 1 000;

| b. | Tyypillinen "perusportin etenemisviive" on vähemmän kuin 0,1 ns; tai |
| --- | --- |

b.

Tyypillinen "perusportin etenemisviive" on vähemmän kuin 0,1 ns; tai

| c. | Toimintataajuus ylittää 3 GHz; |
| --- | --- |

c.

Toimintataajuus ylittää 3 GHz;

| 11. | Muut digitaaliset integroidut piirit kuin 3A001.a.3–3A001.a.10 tai 3A001.a.12 kohdassa kuvatut, jotka perustuvat yhdistepuolijohteisiin ja joilla on jokin seuraavista:






  a. | Ekvivalenttinen porttiluku on enemmän kuin 3 000 (2 sisäänmenoa porttia kohti); tai |
| --- | --- | --- |

11.

Muut digitaaliset integroidut piirit kuin 3A001.a.3–3A001.a.10 tai 3A001.a.12 kohdassa kuvatut, jotka perustuvat yhdistepuolijohteisiin ja joilla on jokin seuraavista:

a.

Ekvivalenttinen porttiluku on enemmän kuin 3 000 (2 sisäänmenoa porttia kohti); tai

| b. | Kellotaajuus ylittää 1,2 GHz; |
| --- | --- |

b.

Kellotaajuus ylittää 1,2 GHz;

| 12. | Nopea-Fourier-muunnos-prosessorit (FFT), joiden nimellinen suoritusaika N:n pisteen kompleksiselle FFT-muunnokselle on vähemmän kuin (N log2 N)/20 480 ms, jossa N on pisteiden lukumäärä;
  Tekn. huom.:

  Kun N on yhtä kuin 1 024 pistettä, 3A001.a.12 kohdan kaavan mukainen suoritusaika on 500 μs. |
| --- | --- |

12.

Nopea-Fourier-muunnos-prosessorit (FFT), joiden nimellinen suoritusaika N:n pisteen kompleksiselle FFT-muunnokselle on vähemmän kuin (N log2 N)/20 480 ms, jossa N on pisteiden lukumäärä;

Tekn. huom.:

Kun N on yhtä kuin 1 024 pistettä, 3A001.a.12 kohdan kaavan mukainen suoritusaika on 500 μs.

| b. | Mikroaalto- tai millimetriaaltolaitteet:






  1. | Seuraavat elektroniset tyhjöputket ja katodit:


  Huom. 1: 3A001.b.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi putkia, jotka on suunniteltu tai mitoitettu toimimaan taajuuskaistalla, joka täyttää kaikki seuraavat ominaisuudet:








  a. | Joka ei ylitä 31,8 GHz; ja |
| --- | --- | --- | --- |

b.

Mikroaalto- tai millimetriaaltolaitteet:

1.

Seuraavat elektroniset tyhjöputket ja katodit:

Huom. 1: 3A001.b.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi putkia, jotka on suunniteltu tai mitoitettu toimimaan taajuuskaistalla, joka täyttää kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

Joka ei ylitä 31,8 GHz; ja

| b. | Jonka "ITU on allokoimut" radioviestintäpalveluille, mutta ei radiomääritykselle. |
| --- | --- |

b.

Jonka "ITU on allokoimut" radioviestintäpalveluille, mutta ei radiomääritykselle.

Huom. 2: 3A001.b.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi muita kuin "avaruuskelpoisia" putkia, jotka täyttävät kaikki seuraavat ominaisuudet:

| a. | Keskimääräinen lähtöteho on 50 W tai vähemmän; ja |
| --- | --- |

a.

Keskimääräinen lähtöteho on 50 W tai vähemmän; ja

| b. | suunnitellut tai mitoitetut toimimaan taajuuskaistalla, joka täyttää kaikki seuraavat ominaisuudet:








  1. | Joka ylittää 31,8 GHz mutta ei ylitä 43,5 GHz; ja |
| --- | --- | --- |

b.

suunnitellut tai mitoitetut toimimaan taajuuskaistalla, joka täyttää kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Joka ylittää 31,8 GHz mutta ei ylitä 43,5 GHz; ja

| 2. | Jonka "ITU on allokoinut" radioviestintäpalveluille, mutta ei radiomääritykselle. |
| --- | --- |

2.

Jonka "ITU on allokoinut" radioviestintäpalveluille, mutta ei radiomääritykselle.

| a. | Seuraavat kulkuaaltoputket pulssi- tai jatkuville aalloille:






  1. | Jotka toimivat yli 31,8 GHz:n taajuuksilla; |
| --- | --- | --- |

a.

Seuraavat kulkuaaltoputket pulssi- tai jatkuville aalloille:

1.

Jotka toimivat yli 31,8 GHz:n taajuuksilla;

| 2. | Joiden hehkukatodien käynnistysaika nimelliseen RF-tehoon asti on vähemmän kuin 3 sekuntia; |
| --- | --- |

2.

Joiden hehkukatodien käynnistysaika nimelliseen RF-tehoon asti on vähemmän kuin 3 sekuntia;

| 3. | Kytketyt onteloputket tai niiden muunnokset, joiden "suhteellinen kaistanleveys" on enemmän kuin 7 % tai huipputeho ylittää 2,5 kW; |
| --- | --- |

3.

Kytketyt onteloputket tai niiden muunnokset, joiden "suhteellinen kaistanleveys" on enemmän kuin 7 % tai huipputeho ylittää 2,5 kW;

| 4. | Kierukkaputket tai niiden muunnokset, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | "Hetkellinen kaistanleveys" on enemmän kuin puoli oktaavia tai enemmän ja nimellisen keskimääräisen lähtötehon (kilowatteina) ja maksimitoimintataajuuden (gigahertseinä) tulo on enemmän kuin 0,5; |
| --- | --- | --- |

4.

Kierukkaputket tai niiden muunnokset, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

"Hetkellinen kaistanleveys" on enemmän kuin puoli oktaavia tai enemmän ja nimellisen keskimääräisen lähtötehon (kilowatteina) ja maksimitoimintataajuuden (gigahertseinä) tulo on enemmän kuin 0,5;

| b. | "Hetkellinen kaistanleveys" on yksi oktaavia tai alle ja nimellisen keskimääräisen lähtötehon (kilowatteina) ja maksimitoimintataajuuden (gigahertseinä) tulo on enemmän kuin 1; tai |
| --- | --- |

b.

"Hetkellinen kaistanleveys" on yksi oktaavia tai alle ja nimellisen keskimääräisen lähtötehon (kilowatteina) ja maksimitoimintataajuuden (gigahertseinä) tulo on enemmän kuin 1; tai

| c. | Ovat "avaruuskelpoisia"; |
| --- | --- |

c.

Ovat "avaruuskelpoisia";

| b. | Ristikenttävahvistinputket, joiden vahvistus on enemmän kuin 17 dB, |
| --- | --- |

b.

Ristikenttävahvistinputket, joiden vahvistus on enemmän kuin 17 dB,

| c. | Elektroniputkien kyllästetyt katodit, jotka tuottavat nimellisissä olosuhteissa jatkuvan emissiovirran tiheyden, joka ylittää 5 A/cm2; |
| --- | --- |

c.

Elektroniputkien kyllästetyt katodit, jotka tuottavat nimellisissä olosuhteissa jatkuvan emissiovirran tiheyden, joka ylittää 5 A/cm2;

| 2. | Monoliittisina integroituina mikroaaltopiireinä (MMIC) toteutetut tehovahvistimet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Ne toimivat yli 3,2 GHz:n ja enintään 6 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 4 W (36 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 15 prosenttia; |
| --- | --- | --- |

2.

Monoliittisina integroituina mikroaaltopiireinä (MMIC) toteutetut tehovahvistimet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Ne toimivat yli 3,2 GHz:n ja enintään 6 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 4 W (36 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 15 prosenttia;

| b. | Ne toimivat yli 6 GHz:n ja enintään 16 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 1 W (30 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 10 prosenttia; |
| --- | --- |

b.

Ne toimivat yli 6 GHz:n ja enintään 16 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 1 W (30 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 10 prosenttia;

| c. | Ne toimivat yli 16 GHz:n ja enintään 31,8 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 0,8 W (29 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 10 prosenttia; |
| --- | --- |

c.

Ne toimivat yli 16 GHz:n ja enintään 31,8 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 0,8 W (29 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 10 prosenttia;

| d. | Ne toimivat yli 31,8 GHz:n ja enintään 37,5 GHz:n taajuuksilla; |
| --- | --- |

d.

Ne toimivat yli 31,8 GHz:n ja enintään 37,5 GHz:n taajuuksilla;

| e. | Ne toimivat yli 37,5 GHz:n ja enintään 43,5 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 0,25 W (24 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 10 prosenttia, tai |
| --- | --- |

e.

Ne toimivat yli 37,5 GHz:n ja enintään 43,5 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 0,25 W (24 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 10 prosenttia, tai

| f. | Ne toimivat yli 43,5 GHz:n taajuuksilla. |
| --- | --- |

f.

Ne toimivat yli 43,5 GHz:n taajuuksilla.

Huom. 1: 3A001.b.2 kohta ei aseteta valvonnanalaiseksi yleisradiolähetyksiin tarkoitettujen satelliittien laitteita, jotka on suunniteltu tai mitoitettu toimimaan 40,5–42,5 GHz:n taajuusalueella.

Huom. 2: Niiden MMIC-piirien valvonta-asema, joiden nimelliseen toimintataajuuteen sisältyvät taajuudet, jotka on lueteltu useammalla kuin yhdellä taajuusalueella, sellaisina kuin ne on määritelty 3A001.b.2.a– 3A001.b.2.f kohdassa, määräytyy alimman keskimääräisen lähtötehon valvontakynnyksen mukaan.

Huom. 3: Ryhmän 3 johdannossa olevat huomautukset 1 ja 2 tarkoittavat sitä, että 3A001.b.2 kohta ei aseteta valvonnanalaiseksi MMIC-piirejä, jos ne on erityisesti suunniteltu muita sovelluksia, esimerkiksi televiestintää, tutkia tai autoja, varten.

| 3. | Erillismikroaaltotransistorit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Ne toimivat yli 3,2 GHz:n ja enintään 6 GHz:n taajuuksilla ja niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 60 W (47,8 dBm); |
| --- | --- | --- |

3.

Erillismikroaaltotransistorit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Ne toimivat yli 3,2 GHz:n ja enintään 6 GHz:n taajuuksilla ja niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 60 W (47,8 dBm);

| b. | Ne toimivat yli 6 GHz:n ja enintään 31,8 GHz:n taajuuksilla ja niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 20 W (43 dBm); |
| --- | --- |

b.

Ne toimivat yli 6 GHz:n ja enintään 31,8 GHz:n taajuuksilla ja niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 20 W (43 dBm);

| c. | Ne toimivat yli 31,8 GHz:n ja enintään 37,5 GHz:n taajuuksilla ja niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 0,5 W (27 dBm); |
| --- | --- |

c.

Ne toimivat yli 31,8 GHz:n ja enintään 37,5 GHz:n taajuuksilla ja niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 0,5 W (27 dBm);

| d. | Ne toimivat yli 37,5 GHz:n ja enintään 43,5 GHz:n taajuuksilla ja niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 1 W (30 dBm), tai; |
| --- | --- |

d.

Ne toimivat yli 37,5 GHz:n ja enintään 43,5 GHz:n taajuuksilla ja niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 1 W (30 dBm), tai;

| e. | Ne toimivat yli 43,5 GHz:n taajuuksilla. |
| --- | --- |

e.

Ne toimivat yli 43,5 GHz:n taajuuksilla.

Huom.: Niiden transistorien valvonta-asema, joiden nimelliseen toimintataajuuteen sisältyvät taajuudet, jotka on lueteltu useammalla kuin yhdellä taajuusalueella, sellaisina kuin ne on määritelty 3A001.b.3.a– 3A001.b.3.e kohdassa, määräytyy alimman keskimääräisen lähtötehon valvontakynnyksen mukaan.

| 4. | Puolijohde-mikroaaltovahvistimet ja mikroaaltovahvistimia sisältävät mikroaaltokokoonpanot/moduulit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Ne toimivat yli 3,2 GHz:n ja enintään 6 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 60 W (47,8 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 15 prosenttia; |
| --- | --- | --- |

4.

Puolijohde-mikroaaltovahvistimet ja mikroaaltovahvistimia sisältävät mikroaaltokokoonpanot/moduulit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Ne toimivat yli 3,2 GHz:n ja enintään 6 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 60 W (47,8 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 15 prosenttia;

| b. | Ne toimivat yli 6 GHz:n ja enintään 31,8 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 15 W (42 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 10 prosenttia; |
| --- | --- |

b.

Ne toimivat yli 6 GHz:n ja enintään 31,8 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 15 W (42 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 10 prosenttia;

| c. | Ne toimivat yli 31,8 GHz:n ja enintään 37,5 GHz:n taajuuksilla; |
| --- | --- |

c.

Ne toimivat yli 31,8 GHz:n ja enintään 37,5 GHz:n taajuuksilla;

| d. | Ne toimivat yli 37,5 GHz:n ja enintään 43,5 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 1 W (30 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 10 prosenttia; |
| --- | --- |

d.

Ne toimivat yli 37,5 GHz:n ja enintään 43,5 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 1 W (30 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 10 prosenttia;

| e. | Ne toimivat yli 43,5 GHz:n taajuuksilla; tai |
| --- | --- |

e.

Ne toimivat yli 43,5 GHz:n taajuuksilla; tai

| f. | Ne toimivat yli 3,2 GHz:n taajuuksilla ja niillä on kaikki seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Keskimääräinen lähtöteho (watteina), P, suurempi kuin 150 jaettuna toiseen potenssiin korotetulla suurimmalla toimintataajuudella (GHz:einä) [P>150 W*GHz2/fGHz
  2]; |
| --- | --- | --- |

f.

Ne toimivat yli 3,2 GHz:n taajuuksilla ja niillä on kaikki seuraavista ominaisuuksista:

1.

Keskimääräinen lähtöteho (watteina), P, suurempi kuin 150 jaettuna toiseen potenssiin korotetulla suurimmalla toimintataajuudella (GHz:einä) [P>150 W*GHz2/fGHz
  2];

| 2. | Suhteellinen kaistanleveys on 5 prosenttia tai suurempi; ja |
| --- | --- |

2.

Suhteellinen kaistanleveys on 5 prosenttia tai suurempi; ja

| 3. | Minkä tahansa kahden kohtisuorassa toisiaan vasten olevan sivun pituus d (cm:einä) on yhtä suuri tai pienempi kuin 15 jaettuna alimmalla toimintataajuudella (GHz:einä) [d=15 cm*GHz/fGHz]. |
| --- | --- |

3.

Minkä tahansa kahden kohtisuorassa toisiaan vasten olevan sivun pituus d (cm:einä) on yhtä suuri tai pienempi kuin 15 jaettuna alimmalla toimintataajuudella (GHz:einä) [d=15 cm*GHz/fGHz].

Tekn. huom.: Arvoa 3,2 GHz olisi käytettävä alimpana toimintataajuutena (fGHz) 3A001.b.4.f.3 kohdan kaavassa niiden vahvistimien osalta, joiden nimellinen toiminta-alue ulottuu alaspäin arvoon 3,2 GHz ja sen alle [d≤15 cm*GHz/3,2 GHz].

Huom: MMIC-tehovahvistimet olisi arvioitava 3A001.b.2 kohdan vaatimuksiin nähden.

Huom. 1: 3A001.b.4 kohta ei aseteta valvonnanalaiseksi yleisradiolähetyksiin tarkoitettujen satelliittien laitteita, jotka on suunniteltu tai mitoitettu toimimaan 40,5–42,5 GHz:n taajuusalueella.

Huom. 2: Niiden tuotteiden valvonta-asema, joiden nimelliseen toimintataajuuteen sisältyvät taajuudet, jotka on lueteltu useammalla kuin yhdellä taajuusalueella, sellaisina kuin ne on määritelty 3A001.b.4.a–3A001.b.4.e kohdassa, määräytyy alimman keskimääräisen lähtötehon valvontakynnyksen mukaan.

| 5. | Elektronisesti tai magneettisesti viritettävät kaistanpäästö- tai kaistanestosuotimet, joissa on enemmän kuin 5 viritettävää resonaattoria, jotka voidaan virittää vähemmässä kuin 10 mikrosekunnissa taajuuskaistalle, jonka fmax/fminon 1,5:1, ja joiden:






  a. | Päästökaistan leveys on enemmän kuin 0,5 % keskitaajuudesta; tai |
| --- | --- | --- |

5.

Elektronisesti tai magneettisesti viritettävät kaistanpäästö- tai kaistanestosuotimet, joissa on enemmän kuin 5 viritettävää resonaattoria, jotka voidaan virittää vähemmässä kuin 10 mikrosekunnissa taajuuskaistalle, jonka fmax/fminon 1,5:1, ja joiden:

a.

Päästökaistan leveys on enemmän kuin 0,5 % keskitaajuudesta; tai

| b. | Estokaistan leveys on vähemmän kuin 0,5 % keskitaajuudesta; |
| --- | --- |

b.

Estokaistan leveys on vähemmän kuin 0,5 % keskitaajuudesta;

| 6. | Ei käytössä. |
| --- | --- |

6.

Ei käytössä.

| 7. | Sekoittajat ja muuntimet, jotka on suunniteltu ulottamaan 3A002.c, 3A002.e tai 3A002.f kohdassa määriteltyjen laitteiden taajuusalueen kohdissa mainittujen rajojen ulkopuolelle; |
| --- | --- |

7.

Sekoittajat ja muuntimet, jotka on suunniteltu ulottamaan 3A002.c, 3A002.e tai 3A002.f kohdassa määriteltyjen laitteiden taajuusalueen kohdissa mainittujen rajojen ulkopuolelle;

| 8. | Mikroaaltotehovahvistimet, jotka sisältävät 3A001.b kohdassa määriteltyjä putkia ja joilla on kaikki seuraavat:






  a. | Toimintataajuudet ovat yli 3 GHz; |
| --- | --- | --- |

8.

Mikroaaltotehovahvistimet, jotka sisältävät 3A001.b kohdassa määriteltyjä putkia ja joilla on kaikki seuraavat:

a.

Toimintataajuudet ovat yli 3 GHz;

| b. | Keskimääräinen ulostulon suhde tiheyteen on 80 W/kg; ja |
| --- | --- |

b.

Keskimääräinen ulostulon suhde tiheyteen on 80 W/kg; ja

| c. | Tilavuus on vähemmän kuin 400 cm3; |
| --- | --- |

c.

Tilavuus on vähemmän kuin 400 cm3;

Huom.: 3A001.b.8 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi laitteita, jotka on suunniteltu tai mitoitettu toimimaan taajuuskaistalla, jonka "ITU on allokoimut" radioviestintäpalveluille, mutta ei radiomääritykselle.

| c. | Seuraavat akustiset aaltolaitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:






  1. | Pinta-akustiset aaltolaitteet ja matalatila-akustiset laitteet (eli "signaalinkäsittely"laitteet, jotka käyttävät hyväkseen materiaalien elastisten aaltojen kulkua), joilla on jokin seuraavista:






  a. | Kantoaallon taajuus ylittää 2,5 GHz; |
| --- | --- | --- | --- |

c.

Seuraavat akustiset aaltolaitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:

1.

Pinta-akustiset aaltolaitteet ja matalatila-akustiset laitteet (eli "signaalinkäsittely"laitteet, jotka käyttävät hyväkseen materiaalien elastisten aaltojen kulkua), joilla on jokin seuraavista:

a.

Kantoaallon taajuus ylittää 2,5 GHz;

| b. | Kantoaallon taajuus ylittää 1 GHz, mutta ei 2,5 GHz ja jolla on jokin seuraavista:






  1. | Taajuuden sivukeilan vaimennus ylittää 55 dB; |
| --- | --- | --- |

b.

Kantoaallon taajuus ylittää 1 GHz, mutta ei 2,5 GHz ja jolla on jokin seuraavista:

1.

Taajuuden sivukeilan vaimennus ylittää 55 dB;

| 2. | Maksimiviiveen ja kaistanleveyden tulo (aika mikrosekunteina ja kaistanleveys megahertseinä) on enemmän kuin 100; |
| --- | --- |

2.

Maksimiviiveen ja kaistanleveyden tulo (aika mikrosekunteina ja kaistanleveys megahertseinä) on enemmän kuin 100;

| 3. | Kaistanleveys suurempi kuin 250 MHz; tai |
| --- | --- |

3.

Kaistanleveys suurempi kuin 250 MHz; tai

| 4. | Dispersiivinen viive on enemmän kuin 10 mikrosekuntia; tai |
| --- | --- |

4.

Dispersiivinen viive on enemmän kuin 10 mikrosekuntia; tai

| c. | Kantoaallon taajuus 1 GHz tai vähemmän ja jokin seuraavista:






  1. | Maksimiviiveen ja kaistanleveyden tulo (aika mikrosekunteina ja kaistanleveys megahertseinä) on enemmän kuin 100; |
| --- | --- | --- |

c.

Kantoaallon taajuus 1 GHz tai vähemmän ja jokin seuraavista:

1.

Maksimiviiveen ja kaistanleveyden tulo (aika mikrosekunteina ja kaistanleveys megahertseinä) on enemmän kuin 100;

| 2. | Dispersiivinen viive on enemmän kuin 10 mikrosekuntia; tai |
| --- | --- |

2.

Dispersiivinen viive on enemmän kuin 10 mikrosekuntia; tai

| 3. | Taajuuden sivukeilan vaimennus ylittää 55 dB ja kaistanleveys suurempi kuin 50 MHz; |
| --- | --- |

3.

Taajuuden sivukeilan vaimennus ylittää 55 dB ja kaistanleveys suurempi kuin 50 MHz;

| 2. | Kappaleakustiset (tila-akustiset) laitteet (eli "signaalinkäsittely"laitteet, jotka käyttävät hyväkseen elastisia aaltoja), jotka sallivat signaalien suoran prosessoinnin yli 1 GHz:n taajuuksilla; |
| --- | --- |

2.

Kappaleakustiset (tila-akustiset) laitteet (eli "signaalinkäsittely"laitteet, jotka käyttävät hyväkseen elastisia aaltoja), jotka sallivat signaalien suoran prosessoinnin yli 1 GHz:n taajuuksilla;

| 3. | Akusto-optiset "signaalinkäsittely"laitteet, jotka käyttävät hyväkseen ääniaaltojen (kappale- tai pinta-aaltojen) ja valoaaltojen vuorovaikutusta, ja jotka sallivat signaalien tai kuvien suoran käsittelyn, mukaan lukien spektrianalyysi, korrelaatio tai konvoluutio; |
| --- | --- |

3.

Akusto-optiset "signaalinkäsittely"laitteet, jotka käyttävät hyväkseen ääniaaltojen (kappale- tai pinta-aaltojen) ja valoaaltojen vuorovaikutusta, ja jotka sallivat signaalien tai kuvien suoran käsittelyn, mukaan lukien spektrianalyysi, korrelaatio tai konvoluutio;

| d. | Elektroniset laitteet tai piirit, jotka sisältävät "suprajohtavista" materiaaleista valmistettuja komponentteja, ja jotka on erityisesti suunniteltu toimimaan ainakin yhden "suprajohtavan" ainesosansa "kriittisen lämpötilan" alapuolella, ja joilla on jokin seuraavista:






  1. | Virtakytkentä digitaalipiireissä, joissa käytetään "suprajohtavia" portteja, joiden porttikohtaisen viiveen (sekunteina) ja porttikohtaisen tehohäviön (watteina) tulo on vähemmän kuin 10–14 J; tai |
| --- | --- | --- |

d.

Elektroniset laitteet tai piirit, jotka sisältävät "suprajohtavista" materiaaleista valmistettuja komponentteja, ja jotka on erityisesti suunniteltu toimimaan ainakin yhden "suprajohtavan" ainesosansa "kriittisen lämpötilan" alapuolella, ja joilla on jokin seuraavista:

1.

Virtakytkentä digitaalipiireissä, joissa käytetään "suprajohtavia" portteja, joiden porttikohtaisen viiveen (sekunteina) ja porttikohtaisen tehohäviön (watteina) tulo on vähemmän kuin 10–14 J; tai

| 2. | Taajuuden valinta kaikilla taajuuksilla käyttäen resonanssipiirejä, joiden Q-arvo ylittää 10 000; |
| --- | --- |

2.

Taajuuden valinta kaikilla taajuuksilla käyttäen resonanssipiirejä, joiden Q-arvo ylittää 10 000;

| e. | Seuraavat suurenergialaitteet:






  1. | Seuraavat paristot ja valosähköiset paneelit:


  Huom.: 3A001.e.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi paristoja, joiden tilavuus on 27 cm3 tai vähemmän (esim. standardoidut C-parit tai R14-paristot).







  a. | Ensiöparit tai -paristot, joiden ‧energiatiheys‧ ylittää 480 Wh/kg ja jotka on mitoitettu toimimaan lämpötila-alueella alle 243 K (– 30 °C) ja yli 343 K (70 °C) astetta; |
| --- | --- | --- | --- |

e.

Seuraavat suurenergialaitteet:

1.

Seuraavat paristot ja valosähköiset paneelit:

Huom.: 3A001.e.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi paristoja, joiden tilavuus on 27 cm3 tai vähemmän (esim. standardoidut C-parit tai R14-paristot).

a.

Ensiöparit tai -paristot, joiden ‧energiatiheys‧ ylittää 480 Wh/kg ja jotka on mitoitettu toimimaan lämpötila-alueella alle 243 K (– 30 °C) ja yli 343 K (70 °C) astetta;

| b. | Uudelleenladattavat parit ja paristot, joiden ‧energiatiheys‧ ylittää 150 Wh/kg 75:n lataus- ja purkamiskerran jälkeen, kun purkausvirta on C/5 tuntia (C on nimelliskapasiteetti ampeeritunteina) ja ne toimivat lämpötila-alueella alle 253 K (– 20 °C) ja yli 333 K (60 °C) astetta;
  Tekn. huom.:

  ‧Energiatiheys‧ saadaan kertomalla keskimääräinen teho watteina (keskimääräinen jännite voltteina kertaa keskimääräinen virta ampeereina) ajalla (tunteina), joka kuluu purkautumiseen 75 %:iin avoimen piirin jännitteestä, jaettuna parin (tai pariston) kokonaismassalla kiloina. |
| --- | --- |

b.

Uudelleenladattavat parit ja paristot, joiden ‧energiatiheys‧ ylittää 150 Wh/kg 75:n lataus- ja purkamiskerran jälkeen, kun purkausvirta on C/5 tuntia (C on nimelliskapasiteetti ampeeritunteina) ja ne toimivat lämpötila-alueella alle 253 K (– 20 °C) ja yli 333 K (60 °C) astetta;

Tekn. huom.:

‧Energiatiheys‧ saadaan kertomalla keskimääräinen teho watteina (keskimääräinen jännite voltteina kertaa keskimääräinen virta ampeereina) ajalla (tunteina), joka kuluu purkautumiseen 75 %:iin avoimen piirin jännitteestä, jaettuna parin (tai pariston) kokonaismassalla kiloina.

| c. | "Avaruuskelpoiset" ja säteilyä kestävät valosähköiset paneelit, joiden ominaisteho ylittää 160 W/m2 301 K (28 °C) asteen toimintalämpötilassa ja volframivalaistuksessa, joka on 1 kW/m22 800 K (2 527 °C) asteessa; |
| --- | --- |

c.

"Avaruuskelpoiset" ja säteilyä kestävät valosähköiset paneelit, joiden ominaisteho ylittää 160 W/m2 301 K (28 °C) asteen toimintalämpötilassa ja volframivalaistuksessa, joka on 1 kW/m22 800 K (2 527 °C) asteessa;

| 2. | Seuraavat suurenergiset varauskondensaattorit:

  Huom: KATSO MYÖS 3A201.a KOHTA.







  a. | Kondensaattorit, joiden toistotiheys on alle 10 Hz (kertatoimiset kondensaattorit) ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Nimellisjännite 5 kV tai enemmän; |
| --- | --- | --- | --- |

2.

Seuraavat suurenergiset varauskondensaattorit:

Huom: KATSO MYÖS 3A201.a KOHTA.

a.

Kondensaattorit, joiden toistotiheys on alle 10 Hz (kertatoimiset kondensaattorit) ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Nimellisjännite 5 kV tai enemmän;

| 2. | Energiatiheys 250 J/kg tai enemmän; ja |
| --- | --- |

2.

Energiatiheys 250 J/kg tai enemmän; ja

| 3. | Kokonaisenergia 25 kJ tai enemmän; |
| --- | --- |

3.

Kokonaisenergia 25 kJ tai enemmän;

| b. | Kondensaattorit, joiden toistotiheys on 10 Hz tai enemmän (toistuvatoimiset kondensaattorit) ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Nimellisjännite 5 kV tai enemmän; |
| --- | --- | --- |

b.

Kondensaattorit, joiden toistotiheys on 10 Hz tai enemmän (toistuvatoimiset kondensaattorit) ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Nimellisjännite 5 kV tai enemmän;

| 2. | Energiatiheys on 50 J/kg tai enemmän; |
| --- | --- |

2.

Energiatiheys on 50 J/kg tai enemmän;

| 3. | Kokonaisenergia on 100 J tai enemmän; ja |
| --- | --- |

3.

Kokonaisenergia on 100 J tai enemmän; ja

| 4. | Lataus-purkuikä on 10 000 tai enemmän; |
| --- | --- |

4.

Lataus-purkuikä on 10 000 tai enemmän;

| 3. | "Suprajohtavat" sähkömagneetit tai solenoidit, jotka on erityisesti suunniteltu täysin ladattaviksi tai purettaviksi alle 1 sekunnissa ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

  Huom: KATSO MYÖS 3A201.b KOHTA.



  Huom.: 3A001.e.3 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "suprajohtavia" sähkömagneetteja tai solenoideja, jotka on erityisesti suunniteltu magneettiresonanssikuvausta (MRI) varten lääketieteellisiin laitteisiin.







  a. | Purkauksen aikana luovutettu maksimienergia on enemmän kuin 10 kJ ensimmäisen sekunnin aikana; |
| --- | --- | --- |

3.

"Suprajohtavat" sähkömagneetit tai solenoidit, jotka on erityisesti suunniteltu täysin ladattaviksi tai purettaviksi alle 1 sekunnissa ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

Huom: KATSO MYÖS 3A201.b KOHTA.

Huom.: 3A001.e.3 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "suprajohtavia" sähkömagneetteja tai solenoideja, jotka on erityisesti suunniteltu magneettiresonanssikuvausta (MRI) varten lääketieteellisiin laitteisiin.

a.

Purkauksen aikana luovutettu maksimienergia on enemmän kuin 10 kJ ensimmäisen sekunnin aikana;

| b. | Virtakäämien sisäläpimitta on yli 250 mm; ja |
| --- | --- |

b.

Virtakäämien sisäläpimitta on yli 250 mm; ja

| c. | Magneettisen induktion nimellisarvo on enemmän kuin 8 T tai "kokonaisvirrantiheys" käämissä on yli 300 A/mm2; |
| --- | --- |

c.

Magneettisen induktion nimellisarvo on enemmän kuin 8 T tai "kokonaisvirrantiheys" käämissä on yli 300 A/mm2;

| f. | Pyöriväsyötteiset akselin absoluuttisen asennon kooderit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Resoluutio on parempi kuin 1 osa 265 000:sta (18 bitin resoluutio) koko alueella; tai |
| --- | --- | --- |

f.

Pyöriväsyötteiset akselin absoluuttisen asennon kooderit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Resoluutio on parempi kuin 1 osa 265 000:sta (18 bitin resoluutio) koko alueella; tai

| 2. | Tarkkuus on parempi kuin ± 2,5 kaarisekuntia; |
| --- | --- |

2.

Tarkkuus on parempi kuin ± 2,5 kaarisekuntia;

3A002Yleiskäyttöiset elektroniset laitteet:

| a. | Seuraavat nauhoituslaitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut testinauhat:






  1. | Analogiset instrumentointinauhurit, mukaan lukien ne, jotka mahdollistavat myös digitaalisten signaalien tallentamisen (esim. käyttämällä suuritiheyksisen digitaalisen tallennuksen (HDDR) mahdollistavaa moduulia), joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Kaistanleveys ylittää 4 MHz kullakin elektronisella kanavalla tai nauhan raidalla; |
| --- | --- | --- | --- |

a.

Seuraavat nauhoituslaitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut testinauhat:

1.

Analogiset instrumentointinauhurit, mukaan lukien ne, jotka mahdollistavat myös digitaalisten signaalien tallentamisen (esim. käyttämällä suuritiheyksisen digitaalisen tallennuksen (HDDR) mahdollistavaa moduulia), joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Kaistanleveys ylittää 4 MHz kullakin elektronisella kanavalla tai nauhan raidalla;

| b. | Kaistanleveys ylittää 2 MHz kullakin elektronisella kanavalla tai nauhan raidalla ja raitojen määrä ylittää 42; tai |
| --- | --- |

b.

Kaistanleveys ylittää 2 MHz kullakin elektronisella kanavalla tai nauhan raidalla ja raitojen määrä ylittää 42; tai

| c. | Soveltuvan IRIG:n (International Range Instrumentation Group) tai EIA:n (Electronic Industries Association) suosituksen mukaisesti mitattu aika(taso)siirtymävirhe on alle ± 0,1 mikrosekuntia; |
| --- | --- |

c.

Soveltuvan IRIG:n (International Range Instrumentation Group) tai EIA:n (Electronic Industries Association) suosituksen mukaisesti mitattu aika(taso)siirtymävirhe on alle ± 0,1 mikrosekuntia;

Huom.: Analogisia nauhureita, jotka on erityisesti suunniteltu siviilivideotarkoituksiin ei katsota instrumentointinauhureiksi.

| 2. | Digitaaliset videonauhurit, joiden digitaaliliitännän maksimisiirtonopeus ylittää 360 Mbit/s;


  Huom.: 3A002.a.2 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi digitaalisia videonauhureita, jotka on erityisesti suunniteltu televisionauhoituksiin käyttäen sellaista signaalimuotoa, johon saattaa sisältyä ITU:n (International Telecommunication Unit), IEC:n International Technical Commission), SMPTE:n (Society of Motion Picture and Television Engineers), EBU:n (European Broadcasting Unit), ETSI:n (European Telecommunications Standards Institute) tai IEEE:n (Institute of Electrical and Electronic Engineers) standardien tai suositusten mukainen tiivistetty signaalimuoto siviilitelevisiosovelluksissa. |
| --- | --- |

2.

Digitaaliset videonauhurit, joiden digitaaliliitännän maksimisiirtonopeus ylittää 360 Mbit/s;

Huom.: 3A002.a.2 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi digitaalisia videonauhureita, jotka on erityisesti suunniteltu televisionauhoituksiin käyttäen sellaista signaalimuotoa, johon saattaa sisältyä ITU:n (International Telecommunication Unit), IEC:n International Technical Commission), SMPTE:n (Society of Motion Picture and Television Engineers), EBU:n (European Broadcasting Unit), ETSI:n (European Telecommunications Standards Institute) tai IEEE:n (Institute of Electrical and Electronic Engineers) standardien tai suositusten mukainen tiivistetty signaalimuoto siviilitelevisiosovelluksissa.

| 3. | Viistopyyhkäisytekniikkaa tai kiinteäpää-tekniikkaa käyttävät digitaaliset instrumentointinauhurit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Digitaaliliitännän maksimisiirtonopeus ylittää 175 Mbit/s; tai |
| --- | --- | --- |

3.

Viistopyyhkäisytekniikkaa tai kiinteäpää-tekniikkaa käyttävät digitaaliset instrumentointinauhurit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Digitaaliliitännän maksimisiirtonopeus ylittää 175 Mbit/s; tai

| b. | Ovat "avaruuskelpoisia"; |
| --- | --- |

b.

Ovat "avaruuskelpoisia";

Huom.: 3A002.a.3 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi analogisia nauhureita, jotka on varustettu HDDR-konversioelektroniikalla ja jotka on tarkoitettu vain digitaalisen tiedon nauhoittamiseen.

| 4. | Laitteet, joiden digitaalisen liitännän maksimisiirtonopeus ylittää 175 Mbit/s ja jotka on suunniteltu muuntamaan digitaaliset videonauhurit instrumentointinauhureina käytettäviksi; |
| --- | --- |

4.

Laitteet, joiden digitaalisen liitännän maksimisiirtonopeus ylittää 175 Mbit/s ja jotka on suunniteltu muuntamaan digitaaliset videonauhurit instrumentointinauhureina käytettäviksi;

| 5. | Aaltomuodon digitointilaitteet ja transienttitallentimet, joilla on seuraavat ominaisuudet:






  a. | Digitointinopeus on 200 miljoonaa näytteenottoa sekunnissa tai enemmän ja resoluutio 10 bittiä tai enemmän; ja |
| --- | --- | --- |

5.

Aaltomuodon digitointilaitteet ja transienttitallentimet, joilla on seuraavat ominaisuudet:

a.

Digitointinopeus on 200 miljoonaa näytteenottoa sekunnissa tai enemmän ja resoluutio 10 bittiä tai enemmän; ja

| b. | Jatkuva käsittelykyky 2 Gbit/s tai enemmän; |
| --- | --- |

b.

Jatkuva käsittelykyky 2 Gbit/s tai enemmän;

Tekn. huom.:

Laitteille, joissa on rinnakkaisväyläarkkitehtuuri, jatkuva käsittelykyky on suurin sanansiirtonopeus kerrottuna sanan bittien lukumäärällä.

Jatkuva käsittelykyky tarkoittaa suurinta tiedonsiirtonopeutta, jonka laite voi tulostaa massamuistiin tietoa menettämättä samalla kun se ylläpitää näytteenottonopeutta ja analogia-digitaalimuunnosta.

| 6. | Digitaaliset instrumentointitietonauhoittimet, joissa käytetään magneettilevymuistitekniikkaa ja joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Digitointinopeus vähintään 100 miljoonaa näytettä sekunnissa ja resoluutio 8 bittiä tai enemmän; ja |
| --- | --- | --- |

6.

Digitaaliset instrumentointitietonauhoittimet, joissa käytetään magneettilevymuistitekniikkaa ja joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista:

a.

Digitointinopeus vähintään 100 miljoonaa näytettä sekunnissa ja resoluutio 8 bittiä tai enemmän; ja

| b. | Jatkuva suorituskyky, joka on vähintään 1 Gbit/s; |
| --- | --- |

b.

Jatkuva suorituskyky, joka on vähintään 1 Gbit/s;

| b. | Elektroniset "taajuussyntesoija"kokoonpanot, joiden "taajuuden vaihtoaika" yhdeltä valitulta taajuudelta toiselle on vähemmän kuin 1 ms; |
| --- | --- |

b.

Elektroniset "taajuussyntesoija"kokoonpanot, joiden "taajuuden vaihtoaika" yhdeltä valitulta taajuudelta toiselle on vähemmän kuin 1 ms;

| c. | Seuraavat radiotaajuus"signaalianalysaattorit":






  1. | "Signaalianalysaattorit", jotka kykenevät analysoimaan yli 31,8 GHz:n mutta enintään 37,5 GHz:n taajuuksia, ja joilla on yli 10 MHz:n resoluutiokaistanleveys (RBW) 3 dB:n teholla; |
| --- | --- | --- |

c.

Seuraavat radiotaajuus"signaalianalysaattorit":

1.

"Signaalianalysaattorit", jotka kykenevät analysoimaan yli 31,8 GHz:n mutta enintään 37,5 GHz:n taajuuksia, ja joilla on yli 10 MHz:n resoluutiokaistanleveys (RBW) 3 dB:n teholla;

| 2. | "Signaalianalysaattorit", jotka kykenevät analysoimaan yli 43,5 GHz:n taajuuksia; |
| --- | --- |

2.

"Signaalianalysaattorit", jotka kykenevät analysoimaan yli 43,5 GHz:n taajuuksia;

| 3. | "Dynaamiset signaalianalysaattorit", joiden "tosiaikainen kaistanleveys" ylittää 500 kHz;


  Huom.: 3A002.c.3 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi niitä "dynaamisia signaalianalysaattoreita", jotka käyttävät vain "vakiosuhteisia kaistasuotimia" (kutsutaan myös oktaavi- tai osaoktaavisuotimiksi). |
| --- | --- |

3.

"Dynaamiset signaalianalysaattorit", joiden "tosiaikainen kaistanleveys" ylittää 500 kHz;

Huom.: 3A002.c.3 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi niitä "dynaamisia signaalianalysaattoreita", jotka käyttävät vain "vakiosuhteisia kaistasuotimia" (kutsutaan myös oktaavi- tai osaoktaavisuotimiksi).

| d. | Taajuussyntesoivat signaaligeneraattorit, joiden tuottamien lähtötaajuuksien tarkkuus ja lyhyen tai pitkän aikavälin stabiilius on sisäisen perustaajuuden ohjaama, siitä johdettu tai sen määräämä, ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Syntesoitu maksimitaajuus ylittää 31,8 GHz mutta ei ylitä 43,5 GHz:iä ja on mitoitettu tuottamaan alle 100 ns:n pulssinkesto; |
| --- | --- | --- |

d.

Taajuussyntesoivat signaaligeneraattorit, joiden tuottamien lähtötaajuuksien tarkkuus ja lyhyen tai pitkän aikavälin stabiilius on sisäisen perustaajuuden ohjaama, siitä johdettu tai sen määräämä, ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Syntesoitu maksimitaajuus ylittää 31,8 GHz mutta ei ylitä 43,5 GHz:iä ja on mitoitettu tuottamaan alle 100 ns:n pulssinkesto;

| 2. | Syntesoitu maksimitaajuus ylittää 43,5 GHz; |
| --- | --- |

2.

Syntesoitu maksimitaajuus ylittää 43,5 GHz;

| 3. | "Taajuuden vaihtoaika" yhdeltä valitulta taajuudelta toiselle on vähemmän kuin 1 ms; tai |
| --- | --- |

3.

"Taajuuden vaihtoaika" yhdeltä valitulta taajuudelta toiselle on vähemmän kuin 1 ms; tai

| 4. | Yksisivukaistan (SSB) vaihekohina on parempi kuin – (126 + 20 log10F – 20 log10f), dBc/Hz, jossa F on toimintataajuuden poikkeama hertseinä ja f on toimintataajuus megahertseinä;
  Tekn. huom.:

  3A002.d.1 kohdassa tarkoitetaan ‧pulssinkestolla‧ aikaa, joka kuluu siitä, kun pulssin etureuna saavuttaa 90 prosenttia huipusta, siihen, kun pulssin takareuna saavuttaa 10 prosenttia huipusta. |
| --- | --- |

4.

Yksisivukaistan (SSB) vaihekohina on parempi kuin – (126 + 20 log10F – 20 log10f), dBc/Hz, jossa F on toimintataajuuden poikkeama hertseinä ja f on toimintataajuus megahertseinä;

Tekn. huom.:

3A002.d.1 kohdassa tarkoitetaan ‧pulssinkestolla‧ aikaa, joka kuluu siitä, kun pulssin etureuna saavuttaa 90 prosenttia huipusta, siihen, kun pulssin takareuna saavuttaa 10 prosenttia huipusta.

Huom.: 3A002.d kohta ei aseta valvonnanalaiseksi laitteita, joissa lähtötaajuus aikaansaadaan joko laskemalla yhteen tai vähentämällä toisistaan kahden tai useamman kideoskillaattorin taajuuksia ja kertomalla siten saatu tulos.

| e. | Verkkoanalysaattorit, joiden maksimitoimintataajuus ylittää 43,5 GHz; |
| --- | --- |

e.

Verkkoanalysaattorit, joiden maksimitoimintataajuus ylittää 43,5 GHz;

| f. | Mikroaaltotestivastaanottimet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Maksimitoimintataajuus ylittää 43,5 GHz; ja |
| --- | --- | --- |

f.

Mikroaaltotestivastaanottimet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Maksimitoimintataajuus ylittää 43,5 GHz; ja

| 2. | Ne kykenevät mittaamaan samanaikaisesti sekä amplitudia että vaihetta; |
| --- | --- |

2.

Ne kykenevät mittaamaan samanaikaisesti sekä amplitudia että vaihetta;

| g. | Atomitaajuusstandardit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Pitkän aikavälin (vanhenemis-)stabiilius on vähemmän (parempi) kuin 1 × 10– 11 kuukaudessa; tai |
| --- | --- | --- |

g.

Atomitaajuusstandardit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Pitkän aikavälin (vanhenemis-)stabiilius on vähemmän (parempi) kuin 1 × 10– 11 kuukaudessa; tai

| 2. | Ne ovat "avaruuskelpoisia". |
| --- | --- |

2.

Ne ovat "avaruuskelpoisia".

Huom.: 3A002.g.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi ei-"avaruuskelpoisia" rubidiumstandardeja.

3A003Suihkujäähdytteiset lämmönsäätelyjärjestelmät, joissa käytetään suljettua nesteenkäsittely- ja uudelleenkäsittelylaitteistoa umpinaisessa rakenteessa ja joissa dielektristä nestettä suihkutetaan elektronisiin komponentteihin käyttäen erityisesti suunniteltuja suihkusuuttimia ja jotka on suunniteltu pitämään elektroniset komponentit niiden käyttölämpötilan alueella sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit.

3A101Seuraavat, muut kuin 3A001 kohdassa määritellyt elektroniset laitteet, laitteet ja komponentit:

| a. | "Ohjuksissa" käyttökelpoiset analogia-digitaalimuuntimet, jotka on suunniteltu vastaamaan sotilasspesifikaatioiden kovaan käyttöön tarkoitettujen laitteiden vaatimuksia; |
| --- | --- |

a.

"Ohjuksissa" käyttökelpoiset analogia-digitaalimuuntimet, jotka on suunniteltu vastaamaan sotilasspesifikaatioiden kovaan käyttöön tarkoitettujen laitteiden vaatimuksia;

| b. | Kiihdyttimet, joilla pystytään lähettämään sähkömagneettista säteilyä, joka tuotetaan 2 MeV:n energiaan tai sen yli kiihdytettyjen elektronien jarrutussäteilyn (Bremsstrahlung) avulla, sekä näitä kiihdyttimiä sisältävät järjestelmät.


  Huom.: 3A101.b kohdassa ei määritellä laitteita, jotka on erityisesti suunniteltu lääketieteellisiin tarkoituksiin. |
| --- | --- |

b.

Kiihdyttimet, joilla pystytään lähettämään sähkömagneettista säteilyä, joka tuotetaan 2 MeV:n energiaan tai sen yli kiihdytettyjen elektronien jarrutussäteilyn (Bremsstrahlung) avulla, sekä näitä kiihdyttimiä sisältävät järjestelmät.

Huom.: 3A101.b kohdassa ei määritellä laitteita, jotka on erityisesti suunniteltu lääketieteellisiin tarkoituksiin.

3A201Seuraavat muut kuin 3A001 kohdassa määritellyt elektroniset komponentit:

| a. | Kondensaattorit, joilla on joko 1 tai 2 kohdassa luetellut ominaisuudet:






  1. | a. | Nimellisjännite suurempi kuin 1,4 kV |
| --- | --- | --- | --- |

a.

Kondensaattorit, joilla on joko 1 tai 2 kohdassa luetellut ominaisuudet:

1.

a.

Nimellisjännite suurempi kuin 1,4 kV

| b. | Energian varastointikyky suurempi kuin 10 J |
| --- | --- |

b.

Energian varastointikyky suurempi kuin 10 J

| c. | Kapasitanssi suurempi kuin 0,5 μF ja |
| --- | --- |

c.

Kapasitanssi suurempi kuin 0,5 μF ja

| d. | Sarjainduktanssi vähemmän kuin 50 nH; tai |
| --- | --- |

d.

Sarjainduktanssi vähemmän kuin 50 nH; tai

| 2. | a. | Nimellisjännite suurempi kuin 750 V |
| --- | --- | --- |

2.

a.

Nimellisjännite suurempi kuin 750 V

| b. | Kapasitanssi suurempi kuin 0,25 μF ja |
| --- | --- |

b.

Kapasitanssi suurempi kuin 0,25 μF ja

| c. | Sarjainduktanssi vähemmän kuin 10 nH; |
| --- | --- |

c.

Sarjainduktanssi vähemmän kuin 10 nH;

| b. | "Suprajohtavat" solenoidisähkömagneetit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Pystyvät muodostamaan yli 2 T:n magneettikenttiä; |
| --- | --- | --- |

b.

"Suprajohtavat" solenoidisähkömagneetit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Pystyvät muodostamaan yli 2 T:n magneettikenttiä;

| 2. | Pituuden suhde sisähalkaisijaan on suurempi kuin 2; |
| --- | --- |

2.

Pituuden suhde sisähalkaisijaan on suurempi kuin 2;

| 3. | Sisähalkaisija yli 300 mm; ja |
| --- | --- |

3.

Sisähalkaisija yli 300 mm; ja

| 4. | Magneettikenttä poikkeaa vähemmän kuin 1 % tasaisesta kentästä sisätilavuuden keskeisen puoliskon (50 %) alueella; |
| --- | --- |

4.

Magneettikenttä poikkeaa vähemmän kuin 1 % tasaisesta kentästä sisätilavuuden keskeisen puoliskon (50 %) alueella;

Huom.: 3A201.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi magneetteja, jotka on erityisesti suunniteltu lääketieteellisten ydinmagneettiseen resonanssiin (NMR) perustuvien kuvanmuodostusjärjestelmien ‧osiksi‧. Sana ‧osiksi‧ ei välttämättä tarkoita saman toimituksen fyysistä osaa; erilliset toimitukset ovat sallittuja eri lähteistä, mikäli niihin liittyvissä vientiasiakirjoissa selvästi mainitaan, että toimitukset lähetetään kuvanmuodostusjärjestelmän ‧osiksi‧.

| c. | Seuraavat välähtävät röntgensalamageneraattorit tai pulssitoimiset elektronikiihdyttimet, joilla on joko a tai b kohdassa luetellut ominaisuudet:






  1. | a. | Kiihdyttimen huippuelektronienergia on 500 keV tai suurempi, mutta pienempi kuin 25 MeV; ja |
| --- | --- | --- | --- |

c.

Seuraavat välähtävät röntgensalamageneraattorit tai pulssitoimiset elektronikiihdyttimet, joilla on joko a tai b kohdassa luetellut ominaisuudet:

1.

a.

Kiihdyttimen huippuelektronienergia on 500 keV tai suurempi, mutta pienempi kuin 25 MeV; ja

| b. | "Hyvyysluku" (K) on 0,25 tai suurempi; tai |
| --- | --- |

b.

"Hyvyysluku" (K) on 0,25 tai suurempi; tai

| 2. | a. | Kiihdyttimen huippuelektronienergia on 25 MeV tai suurempi; ja |
| --- | --- | --- |

2.

a.

Kiihdyttimen huippuelektronienergia on 25 MeV tai suurempi; ja

| b. | Huipputeho on suurempi kuin 50 MW. |
| --- | --- |

b.

Huipputeho on suurempi kuin 50 MW.

Huom.: 3A201.c kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kiihdyttimiä, jotka ovat muuhun kuin elektronisuihku- tai röntgensäteilytykseen (esimerkiksi elektronimikroskopiaan) suunniteltujen laitteiden komponentteja eikä niitä, jotka on suunniteltu lääketieteellisiä laitteita varten:

Tekn. huom.:

| 1. | ‧Hyvyysluku‧ K on määritelty seuraavasti:


  V on huippuelektronienergia miljoonina elektronivoltteina.
  Jos elektronipulssin kesto on pienempi tai yhtä suuri kuin 1 mikrosekunti, Q on kiihdytetty kokonaisvaraus coulombeina. Jos elektronipulssin kesto on suurempi kuin 1 mikrosekunti, Q on 1 mikrosekunnissa kiihdytetty maksimisähkövaraus.
  Q on yhtä kuin elektronivirran i integraali ajan t suhteen (Q = ∫idt), jossa i on säteen virta ampeereina ja t aika sekunneissa. |
| --- | --- |

1.

‧Hyvyysluku‧ K on määritelty seuraavasti:

| 2. | ‧Huipputeho‧ = (huippujännite voltteina) × (säteen huippuvirta ampeereina). |
| --- | --- |

2.

‧Huipputeho‧ = (huippujännite voltteina) × (säteen huippuvirta ampeereina).

| 3. | Mikroaaltokiihdytysonteloihin perustuvissa koneissa pulssin kesto on pienempi kahdesta seuraavasta: 1 μs tai yhden mikroaaltomodulaattorin pulssin tuottaman tiivistetyn pulssipaketin kesto. |
| --- | --- |

3.

Mikroaaltokiihdytysonteloihin perustuvissa koneissa pulssin kesto on pienempi kahdesta seuraavasta: 1 μs tai yhden mikroaaltomodulaattorin pulssin tuottaman tiivistetyn pulssipaketin kesto.

| 4. | Mikroaaltokiihdytysonteloihin perustuvissa koneissa säteen huippuvirta on tiivistetyn pulssipaketin keskimääräinen virta sen keston aikana. |
| --- | --- |

4.

Mikroaaltokiihdytysonteloihin perustuvissa koneissa säteen huippuvirta on tiivistetyn pulssipaketin keskimääräinen virta sen keston aikana.

3A225Muut kuin 0B001.c.13 kohdassa määritellyt taajuusmuuntimet tai generaattorit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

| a. | Monivaiheulostulo kykenee antamaan 40 W:n tai suuremman tehon; |
| --- | --- |

a.

Monivaiheulostulo kykenee antamaan 40 W:n tai suuremman tehon;

| b. | Kykenee toimimaan 600–2 000 Hz:n taajuusalueella; |
| --- | --- |

b.

Kykenee toimimaan 600–2 000 Hz:n taajuusalueella;

| c. | Harmoninen kokonaissärö on parempi (pienempi) kuin 10 %; ja |
| --- | --- |

c.

Harmoninen kokonaissärö on parempi (pienempi) kuin 10 %; ja

| d. | Taajuuden säätö on parempi (pienempi) kuin 0,1 %. |
| --- | --- |

d.

Taajuuden säätö on parempi (pienempi) kuin 0,1 %.

Tekn. huom.:

3A225 kohdan taajuusmuuntimia kutsutaan myös konverttereiksi tai inverttereiksi.

3A226Muut kuin 0B001.j.6 kohdassa mainitut tasavirtasuurteholähteet, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:

| a. | Ne kykenevät 8 tunnin jakson aikana jatkuvasti tuottamaan 100 V:n tai korkeamman jännitteen 500 A:n tai suuremmalla virralla; ja |
| --- | --- |

a.

Ne kykenevät 8 tunnin jakson aikana jatkuvasti tuottamaan 100 V:n tai korkeamman jännitteen 500 A:n tai suuremmalla virralla; ja

| b. | Niiden jännitteen tai virran stabiilius on parempi kuin 0,1 % 8 tunnin jakson aikana. |
| --- | --- |

b.

Niiden jännitteen tai virran stabiilius on parempi kuin 0,1 % 8 tunnin jakson aikana.

3A227Muut kuin 0B001.j.5 kohdassa määritellyt tasavirtakorkeajännitelähteet, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:

| a. | Ne kykenevät 8 tunnin jakson aikana jatkuvasti tuottamaan 20 kV:n tai korkeamman jännitteen 1 A:n tai suuremmalla virralla; ja |
| --- | --- |

a.

Ne kykenevät 8 tunnin jakson aikana jatkuvasti tuottamaan 20 kV:n tai korkeamman jännitteen 1 A:n tai suuremmalla virralla; ja

| b. | Niiden jännitteen tai virran stabiilius on parempi kuin 0,1 % 8 tunnin jakson aikana. |
| --- | --- |

b.

Niiden jännitteen tai virran stabiilius on parempi kuin 0,1 % 8 tunnin jakson aikana.

3A228Seuraavat kytkinlaitteet:

| a. | Kylmäkatodiputket, olivatpa ne sitten kaasutäytteisiä tai ei, jotka toimivat kipinävälin tavoin ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Ne sisältävät kolme tai useampia elektrodeja; |
| --- | --- | --- |

a.

Kylmäkatodiputket, olivatpa ne sitten kaasutäytteisiä tai ei, jotka toimivat kipinävälin tavoin ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Ne sisältävät kolme tai useampia elektrodeja;

| 2. | Huippuanodijännitteen nimellisarvo on 2,5 kV tai enemmän; |
| --- | --- |

2.

Huippuanodijännitteen nimellisarvo on 2,5 kV tai enemmän;

| 3. | Huippuanodivirran nimellisarvo on 100 A tai enemmän; ja |
| --- | --- |

3.

Huippuanodivirran nimellisarvo on 100 A tai enemmän; ja

| 4. | Anodin viiveaika on 10 μs tai lyhyempi; |
| --- | --- |

4.

Anodin viiveaika on 10 μs tai lyhyempi;

Huom.: 3A228 kohtaan sisältyvät kaasukryptonputket ja tyhjösprytronputket.

| b. | Liipaistavat kipinävälit, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:






  1. | Anodiviiveaika on 15 μs tai lyhyempi; ja |
| --- | --- | --- |

b.

Liipaistavat kipinävälit, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:

1.

Anodiviiveaika on 15 μs tai lyhyempi; ja

| 2. | huippuvirran nimellisarvo 500 A tai enemmän; |
| --- | --- |

2.

huippuvirran nimellisarvo 500 A tai enemmän;

| c. | Nopeatoimiset kytkinmodulit tai -kokoonpanot, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Huippuanodijännitteen nimellisarvo on suurempi kuin 2 kV; |
| --- | --- | --- |

c.

Nopeatoimiset kytkinmodulit tai -kokoonpanot, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Huippuanodijännitteen nimellisarvo on suurempi kuin 2 kV;

| 2. | Huippuanodivirran nimellisarvo on 500 A tai enemmän; ja |
| --- | --- |

2.

Huippuanodivirran nimellisarvo on 500 A tai enemmän; ja

| 3. | Kytkentäaika on 1 μs tai vähemmän. |
| --- | --- |

3.

Kytkentäaika on 1 μs tai vähemmän.

3A229Seuraavat laukaisulaitteet ja vastaavat suurvirtapulssigeneraattorit:

Huom: KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO.

| a. | Räjähtävien sytyttimien laukaisulaitteet, jotka on suunniteltu laukaisemaan 3A232 kohdassa määriteltyjä valvonnanalaisia monipistesytyttimiä; |
| --- | --- |

a.

Räjähtävien sytyttimien laukaisulaitteet, jotka on suunniteltu laukaisemaan 3A232 kohdassa määriteltyjä valvonnanalaisia monipistesytyttimiä;

| b. | Moduulirakenteiset sähköpulssigeneraattorit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Ne on suunniteltu liikkuviksi tai vaativissa olosuhteissa käytettäviksi; |
| --- | --- | --- |

b.

Moduulirakenteiset sähköpulssigeneraattorit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Ne on suunniteltu liikkuviksi tai vaativissa olosuhteissa käytettäviksi;

| 2. | Ne on koteloitu pölytiiviisti; |
| --- | --- |

2.

Ne on koteloitu pölytiiviisti;

| 3. | Pystyvät luovuttamaan energiansa alle 15 μs:ssa; |
| --- | --- |

3.

Pystyvät luovuttamaan energiansa alle 15 μs:ssa;

| 4. | Lähtövirta on suurempi kuin 100 A; |
| --- | --- |

4.

Lähtövirta on suurempi kuin 100 A;

| 5. | ‧Nousuaika‧ on lyhyempi kuin 10 μs alle 40 ohmin kuormituksella. |
| --- | --- |

5.

‧Nousuaika‧ on lyhyempi kuin 10 μs alle 40 ohmin kuormituksella.

| 6. | Mikään ulottuvuus ei ole suurempi kuin 254 mm; |
| --- | --- |

6.

Mikään ulottuvuus ei ole suurempi kuin 254 mm;

| 7. | Paino on alle 25 kg; ja |
| --- | --- |

7.

Paino on alle 25 kg; ja

| 8. | Ne on määritelty käytettäväksi laajalla lämpötila-alueella (223 K (– 50 °C) – 373 K (100 °C) astetta) tai sopiviksi "avaruussovelluksiin". |
| --- | --- |

8.

Ne on määritelty käytettäväksi laajalla lämpötila-alueella (223 K (– 50 °C) – 373 K (100 °C) astetta) tai sopiviksi "avaruussovelluksiin".

Huom.: 3A229.b kohtaan sisältyvät ksenonsalamavalon käyttölaitteet.

Tekn. huom.:

3A229.b.5 kohdassa ‧nousuaika‧ on aikaväli, jonka kuluessa virran amplitudi kasvaa 10 prosentista 90 prosenttiin, kun kuorma on resistiivinen.

3A230Erittäin nopeat pulssigeneraattorit, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:

| a. | Lähtöjännite on yli 6 V alle 55 ohmin resistiivisellä kuormalla; ja |
| --- | --- |

a.

Lähtöjännite on yli 6 V alle 55 ohmin resistiivisellä kuormalla; ja

| b. | ‧Pulssin nousuaika‧ on lyhyempi kuin 500 ps. |
| --- | --- |

b.

‧Pulssin nousuaika‧ on lyhyempi kuin 500 ps.

Tekn. huom.:

3A230 kohdassa ‧pulssin nousuaika‧ määritellään ajaksi, jonka kuluessa jännite nousee 10 prosentista 90 prosenttiin jännitteen amplitudista.

3A231Neutronigeneraattorijärjestelmät, mukaan lukien putket, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:

| a. | Ne on suunniteltu toimimaan ilman ulkoista tyhjöjärjestelmää; ja |
| --- | --- |

a.

Ne on suunniteltu toimimaan ilman ulkoista tyhjöjärjestelmää; ja

| b. | Hyväksikäyttävät sähköstaattista kiihdytystä tritium-deuteriumydinreaktion synnyttämiseen. |
| --- | --- |

b.

Hyväksikäyttävät sähköstaattista kiihdytystä tritium-deuteriumydinreaktion synnyttämiseen.

3A232Seuraavat sytyttimet ja monipistesytytinjärjestelmät:

Huom: KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO.

| a. | Seuraavat sähköisesti ohjattavat räjähtävät sytyttimet:






  1. | Räjähtävä siltajohdin (EB); |
| --- | --- | --- |

a.

Seuraavat sähköisesti ohjattavat räjähtävät sytyttimet:

1.

Räjähtävä siltajohdin (EB);

| 2. | Räjähtävä siltajohdinlanka (EBW); |
| --- | --- |

2.

Räjähtävä siltajohdinlanka (EBW);

| 3. | Iskulaukaisin; |
| --- | --- |

3.

Iskulaukaisin;

| 4. | Räjähtävät kalvosytyttimet (EFI); |
| --- | --- |

4.

Räjähtävät kalvosytyttimet (EFI);

| b. | Järjestelyt, joita käyttäen voidaan yhdellä tai usealla sytyttimellä sytyttää räjähdyspinta yli 5 000 mm2:n alalla yhdellä laukaisusignaalilla lähes samanaikaisesti, sytytyksen ajoitus leviää koko pinta-alalle vähemmässä kuin 2,5 μs:ssa. |
| --- | --- |

b.

Järjestelyt, joita käyttäen voidaan yhdellä tai usealla sytyttimellä sytyttää räjähdyspinta yli 5 000 mm2:n alalla yhdellä laukaisusignaalilla lähes samanaikaisesti, sytytyksen ajoitus leviää koko pinta-alalle vähemmässä kuin 2,5 μs:ssa.

Huom.: Tämä kohta ei aseta valvonnanalaiseksi sytyttimiä, joissa käytetään vain ensiöräjähteitä, esimerkiksi lyijyatsidia.

Tekn. huom.:

3A232 kohdassa kaikki kyseiset sytyttimet käyttävät pientä sähköjohdinta (siltavastusta, siltavastuslankaa tai kalvoa), joka kaasuuntuu räjähdysmäisesti, kun nopea, voimakas sähköinen pulssi kulkee sen läpi. Muissa kuin iskulaukaisin-tyypeissä räjähtävä johdin käynnistää kemiallisen räjähdyksen siihen yhteydessä olevassa voimakkaassa räjähteessä, esim. PETN:ssä (pentaerytritoltetranitraatissa). Iskulaukaisimissa sähköjohtimen kaasuuntuminen työntää piikin tai iskurin sytyttimen välin yli ja iskurin törmäys räjähteeseen käynnistää kemiallisen sytytyksen. Joissakin malleissa iskurin käyttövoimana on magneettinen voima. Termiä räjähtävä kalvo voidaan käyttää joko EB- tai iskurityyppisistä sytyttimistä.

3A233Seuraavat, muut kuin 0B002.g kohdassa määritellyt massaspektrometrit, jotka kykenevät mittaamaan atomipainoltaan 230 tai raskaampia ioneja, ja joiden resoluutio on parempi kuin 2 osaa 230:stä ja niiden ionilähteet:

| a. | Induktiivisesti kytketyt plasmamassaspektrometrit (ICP/MS = Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometers); |
| --- | --- |

a.

Induktiivisesti kytketyt plasmamassaspektrometrit (ICP/MS = Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometers);

| b. | Hehkupurkausmassaspektrometrit (GDMS = Glow Discharge Mass Spectrometers); |
| --- | --- |

b.

Hehkupurkausmassaspektrometrit (GDMS = Glow Discharge Mass Spectrometers);

| c. | Termistä ionisaatiota käyttävät massaspektrometrit (TIMS = Thermal Ionization Mass Spectrometers); |
| --- | --- |

c.

Termistä ionisaatiota käyttävät massaspektrometrit (TIMS = Thermal Ionization Mass Spectrometers);

| d. | Elektronipommitusmassaspektrometrit, joiden lähdekammio on tehty, vuorattu tai päällystetty UF6-kestävillä materiaaleilla; |
| --- | --- |

d.

Elektronipommitusmassaspektrometrit, joiden lähdekammio on tehty, vuorattu tai päällystetty UF6-kestävillä materiaaleilla;

| e. | Molekyylisuihkumassaspektrometrit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Lähdekammio on valmistettu, vuorattu tai päällystetty ruostumattomalla teräksellä tai molybdeenillä ja varustettu kylmäloukulla, joka kykenee jäähtymään 193 K (– 80 °C) asteeseen tai sen alle; tai |
| --- | --- | --- |

e.

Molekyylisuihkumassaspektrometrit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Lähdekammio on valmistettu, vuorattu tai päällystetty ruostumattomalla teräksellä tai molybdeenillä ja varustettu kylmäloukulla, joka kykenee jäähtymään 193 K (– 80 °C) asteeseen tai sen alle; tai

| 2. | Lähdekammio on valmistettu, vuorattu tai päällystetty UF6-kestävillä materiaaleilla; |
| --- | --- |

2.

Lähdekammio on valmistettu, vuorattu tai päällystetty UF6-kestävillä materiaaleilla;

| f. | Massaspektrometrit, jotka on varustettu aktinideja tai aktinidifluorideja varten käytettäväksi suunnitellulla mikrofluorausionilähteellä. |
| --- | --- |

f.

Massaspektrometrit, jotka on varustettu aktinideja tai aktinidifluorideja varten käytettäväksi suunnitellulla mikrofluorausionilähteellä.

3BTestaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet

3B001Seuraavat puolijohdekomponenttien tai -materiaalien valmistuslaitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut osat ja komponentit:

| a. | Seuraavat epitaksikasvatusta varten suunnitellut laitteet:






  1. | Laitteet, jotka kykenevät tuottamaan vähintään 75 mm:n matkalla kerroksen muuta materiaalia kuin silikonia, jonka kerrospaksuuden vaihtelu on alle +2,5 %; |
| --- | --- | --- |

a.

Seuraavat epitaksikasvatusta varten suunnitellut laitteet:

1.

Laitteet, jotka kykenevät tuottamaan vähintään 75 mm:n matkalla kerroksen muuta materiaalia kuin silikonia, jonka kerrospaksuuden vaihtelu on alle +2,5 %;

| 2. | Reaktorit, jotka suorittavat metalliorgaanista kemiallista kaasufaasipinnoitusta (MOCVD) ja jotka on erityisesti suunniteltu yhdistepuolijohdekiteiden kasvatukseen käyttäen kohtien 3C003 tai 3C004 mukaan valvonnanalaisten materiaalien välistä kemiallista reaktiota; |
| --- | --- |

2.

Reaktorit, jotka suorittavat metalliorgaanista kemiallista kaasufaasipinnoitusta (MOCVD) ja jotka on erityisesti suunniteltu yhdistepuolijohdekiteiden kasvatukseen käyttäen kohtien 3C003 tai 3C004 mukaan valvonnanalaisten materiaalien välistä kemiallista reaktiota;

| 3. | Molekyylisuihku-epitaksikasvatuslaitteet, jotka käyttävät kaasu- tai kiinteitä lähteitä; |
| --- | --- |

3.

Molekyylisuihku-epitaksikasvatuslaitteet, jotka käyttävät kaasu- tai kiinteitä lähteitä;

| b. | Laitteet, jotka on suunniteltu ioni-istutusta varten ja joilla on jokin seuraavista:






  1. | Säteen energia (kiihdytysjännite) ylittää 1 MeV; |
| --- | --- | --- |

b.

Laitteet, jotka on suunniteltu ioni-istutusta varten ja joilla on jokin seuraavista:

1.

Säteen energia (kiihdytysjännite) ylittää 1 MeV;

| 2. | Ne on erityisesti suunniteltu ja optimoitu toimimaan pienemmällä kuin 2 keV:n säteen energialla (kiihdytysjännitteellä); |
| --- | --- |

2.

Ne on erityisesti suunniteltu ja optimoitu toimimaan pienemmällä kuin 2 keV:n säteen energialla (kiihdytysjännitteellä);

| 3. | Mahdollistavat kuvion suoran istutuksen; tai |
| --- | --- |

3.

Mahdollistavat kuvion suoran istutuksen; tai

| 4. | Säteen energia vähintään 65 keV ja säteen virta vähintään 45 mA, jotta voidaan suorittaa korkeaenerginen happi-istutus kuumennettuun puolijohde "substraattiin"; |
| --- | --- |

4.

Säteen energia vähintään 65 keV ja säteen virta vähintään 45 mA, jotta voidaan suorittaa korkeaenerginen happi-istutus kuumennettuun puolijohde "substraattiin";

| c. | Seuraavat anisotrooppiset plasmakuivasyövytyslaitteet:






  1. | Laitteet, joissa on kasetista-kasettiin toiminta ja syöttökammiot ja joissa on jokin seuraavista:






  a. | Ne on suunniteltu tai optimoitu tuottamaan minimiviivanleveyden, joka on 180 nm tai vähemmän ± 5 % 3 sigman tarkkuudella); tai |
| --- | --- | --- | --- |

c.

Seuraavat anisotrooppiset plasmakuivasyövytyslaitteet:

1.

Laitteet, joissa on kasetista-kasettiin toiminta ja syöttökammiot ja joissa on jokin seuraavista:

a.

Ne on suunniteltu tai optimoitu tuottamaan minimiviivanleveyden, joka on 180 nm tai vähemmän ± 5 % 3 sigman tarkkuudella); tai

| b. | Ne on suunniteltu kehittämään cm2:ä kohden vähemmän kuin 0,04 partikkelia, joiden mitattavissa oleva koko on halkaisijaltaan suurempi kuin 0,1 μm; |
| --- | --- |

b.

Ne on suunniteltu kehittämään cm2:ä kohden vähemmän kuin 0,04 partikkelia, joiden mitattavissa oleva koko on halkaisijaltaan suurempi kuin 0,1 μm;

| 2. | Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu 3B001.e kohdan mukaan valvonnanalaisia laitteita varten ja joissa on jokin seuraavista:






  a. | Ne on suunniteltu tai optimoitu tuottamaan kriittiset mitat, jotka ovat 180 nm tai vähemmän ± 5 % 3 sigman tarkkuudella); tai |
| --- | --- | --- |

2.

Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu 3B001.e kohdan mukaan valvonnanalaisia laitteita varten ja joissa on jokin seuraavista:

a.

Ne on suunniteltu tai optimoitu tuottamaan kriittiset mitat, jotka ovat 180 nm tai vähemmän ± 5 % 3 sigman tarkkuudella); tai

| b. | Ne on suunniteltu kehittämään cm2:ä kohden vähemmän kuin 0,04 partikkelia, joiden mitattavissa oleva koko on halkaisijaltaan suurempi kuin 0,1 μm; |
| --- | --- |

b.

Ne on suunniteltu kehittämään cm2:ä kohden vähemmän kuin 0,04 partikkelia, joiden mitattavissa oleva koko on halkaisijaltaan suurempi kuin 0,1 μm;

| d. | Seuraavat plasma-CVD -laitteet:






  1. | Laitteet, joissa on kasetista-kasettiin toiminta ja syöttökammiot ja jotka on suunniteltu valmistajan eritelmien mukaan tai optimoitu käytettäväksi sellaisten puolijohdelaitteiden tuotannossa, joiden kriittiset mitat ovat 180 nm tai vähemmän; |
| --- | --- | --- |

d.

Seuraavat plasma-CVD -laitteet:

1.

Laitteet, joissa on kasetista-kasettiin toiminta ja syöttökammiot ja jotka on suunniteltu valmistajan eritelmien mukaan tai optimoitu käytettäväksi sellaisten puolijohdelaitteiden tuotannossa, joiden kriittiset mitat ovat 180 nm tai vähemmän;

| 2. | Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu 3B001.e kohdan mukaan valvonnanalaisia laitteita varten ja jotka on suunniteltu valmistajan eritelmien mukaan tai optimoitu käytettäväksi sellaisten puolijohdelaitteiden tuotannossa, joiden kriittiset mitat ovat 180 nm tai vähemmän; |
| --- | --- |

2.

Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu 3B001.e kohdan mukaan valvonnanalaisia laitteita varten ja jotka on suunniteltu valmistajan eritelmien mukaan tai optimoitu käytettäväksi sellaisten puolijohdelaitteiden tuotannossa, joiden kriittiset mitat ovat 180 nm tai vähemmän;

| e. | Automaattisyöttöiset monikammioiset puolijohdekiekkojen käsittelyjärjestelmät, joilla on kaikki seuraavat:






  1. | Menetelmät kiekkojen syöttöä ja ulosottoa varten ja joihin voidaan liittää enemmän kuin kaksi puolijohdeprosessilaitetta; ja |
| --- | --- | --- |

e.

Automaattisyöttöiset monikammioiset puolijohdekiekkojen käsittelyjärjestelmät, joilla on kaikki seuraavat:

1.

Menetelmät kiekkojen syöttöä ja ulosottoa varten ja joihin voidaan liittää enemmän kuin kaksi puolijohdeprosessilaitetta; ja

| 2. | Suunniteltu muodostamaan tyhjössä toimiva integroitu järjestelmä useiden kiekkojen peräkkäistä prosessointia varten. |
| --- | --- |

2.

Suunniteltu muodostamaan tyhjössä toimiva integroitu järjestelmä useiden kiekkojen peräkkäistä prosessointia varten.

Huom.: 3B001.e kohta ei aseta valvonnanalaiseksi automaattisia kiekkojen robottikäsittelijöitä, joita ei ole suunniteltu toimimaan tyhjössä.

| f. | Seuraavat litografialaitteet:






  1. | Askeltavat kohdistus- ja valotuslaitteet (suora kohdistus kiekkoon) tai kohdistus- ja pyyhkäisy- (skanneri) laitteet kiekkojen prosessointia varten, jotka käyttävät foto-optisia tai röntgenmenetelmiä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Valolähteen aallonpituus lyhyempi kuin 245 nm; tai |
| --- | --- | --- | --- |

f.

Seuraavat litografialaitteet:

1.

Askeltavat kohdistus- ja valotuslaitteet (suora kohdistus kiekkoon) tai kohdistus- ja pyyhkäisy- (skanneri) laitteet kiekkojen prosessointia varten, jotka käyttävät foto-optisia tai röntgenmenetelmiä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Valolähteen aallonpituus lyhyempi kuin 245 nm; tai

| b. | Ne pystyvät tuottamaan kuvion, jonka 'pienin erottuva kuvion' koko on 180 nm tai vähemmän;
  Tekn. huom.:

  ‧Pienimmän erottuvan kuvion‧ koko lasketaan seuraavalla kaavalla:





  jossa: K kerroin = 0,45


  MRF on pienin erottuva kuvion koko. |
| --- | --- |

b.

Ne pystyvät tuottamaan kuvion, jonka 'pienin erottuva kuvion' koko on 180 nm tai vähemmän;

Tekn. huom.:

‧Pienimmän erottuvan kuvion‧ koko lasketaan seuraavalla kaavalla:

Formula

jossa: K kerroin = 0,45

MRF on pienin erottuva kuvion koko.

| 2. | Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu maskien valmistukseen tai puolijohdekomponenttien prosessointiin käyttäen poikkeutettua ja fokusoitua elektronisuihkua, ionisuihkua tai "laser"sädettä, ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Suihkun tai säteen pisteen koko on pienempi kuin 0,2 μm; |
| --- | --- | --- |

2.

Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu maskien valmistukseen tai puolijohdekomponenttien prosessointiin käyttäen poikkeutettua ja fokusoitua elektronisuihkua, ionisuihkua tai "laser"sädettä, ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Suihkun tai säteen pisteen koko on pienempi kuin 0,2 μm;

| b. | Kykenevät tuottamaan kuvioita, joiden viivaleveys on vähemmän kuin 1 μm; tai |
| --- | --- |

b.

Kykenevät tuottamaan kuvioita, joiden viivaleveys on vähemmän kuin 1 μm; tai

| c. | Kohdistustarkkuus on parempi kuin ± 0,20 μm (3 sigmaa). |
| --- | --- |

c.

Kohdistustarkkuus on parempi kuin ± 0,20 μm (3 sigmaa).

| g. | Maskit tai retikkelit, jotka on suunniteltu 3A001 kohdassa määriteltyjä integroituja piirejä varten; |
| --- | --- |

g.

Maskit tai retikkelit, jotka on suunniteltu 3A001 kohdassa määriteltyjä integroituja piirejä varten;

| h. | Monikerrosmaskit, joissa on vaihesiirtokerros.


  Huom.: 3B001.h kohta ei aseta valvonnanalaiseksi monikerrosmaskeja, joissa on vaihesiirtokerros ja jotka on suunniteltu sellaisten muistilaitteiden valmistukseen, joita ei aseteta valvonnanalaiseksi 3A001 kohdassa. |
| --- | --- |

h.

Monikerrosmaskit, joissa on vaihesiirtokerros.

Huom.: 3B001.h kohta ei aseta valvonnanalaiseksi monikerrosmaskeja, joissa on vaihesiirtokerros ja jotka on suunniteltu sellaisten muistilaitteiden valmistukseen, joita ei aseteta valvonnanalaiseksi 3A001 kohdassa.

3B002Seuraavat testauslaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu valmiiden tai puolivalmiiden puolijohteiden ja erityisesti niitä varten suunniteltujen komponenttien ja tarvikkeiden testaamiseen:

| a. | Laitteet transistorien S-parametrien testaukseen yli 31,8 GHz:n alueella; |
| --- | --- |

a.

Laitteet transistorien S-parametrien testaukseen yli 31,8 GHz:n alueella;

| b. | Ei käytössä; |
| --- | --- |

b.

Ei käytössä;

| c. | Laitteet 3A001.b.2 kohdassa määriteltyjen integroitujen mikroaaltopiirien testaukseen. |
| --- | --- |

c.

Laitteet 3A001.b.2 kohdassa määriteltyjen integroitujen mikroaaltopiirien testaukseen.

3CMateriaalit

3C001Hetero-epitaksimateriaalit, jotka koostuvat "substraatista", jonka päälle on epitaksiasti kasvatettu useita kerroksia seuraavia aineita:

| a. | Pii; |
| --- | --- |

a.

Pii;

| b. | Germanium; |
| --- | --- |

b.

Germanium;

| c. | Piikarbidi; tai |
| --- | --- |

c.

Piikarbidi; tai

| d. | Galliumin tai indiumin III/V-yhdisteet.
  Tekn. huom.:

  III/V-yhdisteet ovat monikiteisiä valmisteita tai binaarisia tai kompleksisia yksikiteisiä valmisteita, jotka koostuvat Mendelejevin jaksollisen luokitustaulun ryhmien IIIA ja VA alkuaineista (esim. galliumarsenidi, galliumalumiiniarsenidi, indiumfosfidi). |
| --- | --- |

d.

Galliumin tai indiumin III/V-yhdisteet.

Tekn. huom.:

III/V-yhdisteet ovat monikiteisiä valmisteita tai binaarisia tai kompleksisia yksikiteisiä valmisteita, jotka koostuvat Mendelejevin jaksollisen luokitustaulun ryhmien IIIA ja VA alkuaineista (esim. galliumarsenidi, galliumalumiiniarsenidi, indiumfosfidi).

3C002Seuraavat estopinnoitemateriaalit ja valvonnanalaisilla estopinnoitemateriaaleilla pinnoitetut "substraatit":

| a. | Positiiviestopinnoitteet, joiden spektrivaste on erityisesti sovitettu (optimoitu) alle 350 nm:n aallonpituuksille; |
| --- | --- |

a.

Positiiviestopinnoitteet, joiden spektrivaste on erityisesti sovitettu (optimoitu) alle 350 nm:n aallonpituuksille;

| b. | Kaikki estopinnoitteet, jotka on tarkoitettu käytettäväksi elektroni- tai ionisuihkun kanssa ja joiden herkkyys on 0,01 mikrocoulombia/mm2 tai parempi; |
| --- | --- |

b.

Kaikki estopinnoitteet, jotka on tarkoitettu käytettäväksi elektroni- tai ionisuihkun kanssa ja joiden herkkyys on 0,01 mikrocoulombia/mm2 tai parempi;

| c. | Kaikki röntgenestopinnoitteet, joiden herkkyys on 2,5 mJ/mm2 tai parempi; |
| --- | --- |

c.

Kaikki röntgenestopinnoitteet, joiden herkkyys on 2,5 mJ/mm2 tai parempi;

| d. | Kaikki pintakuvausteknologiaa varten optimoidut estopinnoitteet, 'piitetyt' resistit mukaan lukien.
  Tekn. huom.:

  ‧Piittämis‧tekniikka on prosessi, jossa käytetään estopinnoitteen pinnan oksidointia parantamaan sen ominaisuuksia sekä märkä- että kuivakehityksessä. |
| --- | --- |

d.

Kaikki pintakuvausteknologiaa varten optimoidut estopinnoitteet, 'piitetyt' resistit mukaan lukien.

Tekn. huom.:

‧Piittämis‧tekniikka on prosessi, jossa käytetään estopinnoitteen pinnan oksidointia parantamaan sen ominaisuuksia sekä märkä- että kuivakehityksessä.

3C003Seuraavat orgaanis-epäorgaaniset yhdisteet:

| a. | Metalliorgaaniset alumiini-, gallium- tai indiumyhdisteet, joiden (perusmetallin) puhtaus (metalleista) on parempi kuin 99,999 %; |
| --- | --- |

a.

Metalliorgaaniset alumiini-, gallium- tai indiumyhdisteet, joiden (perusmetallin) puhtaus (metalleista) on parempi kuin 99,999 %;

| b. | Arseeniorgaaniset, antimoni-orgaaniset ja fosfori-orgaaniset yhdisteet, joiden puhtaus (epäorgaanisista aineista) on parempi kuin 99,999 %. |
| --- | --- |

b.

Arseeniorgaaniset, antimoni-orgaaniset ja fosfori-orgaaniset yhdisteet, joiden puhtaus (epäorgaanisista aineista) on parempi kuin 99,999 %.

Huom.: 3C003 kohta asettaa valvonnanalaiseksi vain yhdisteet, joiden metallinen, osittain metallinen tai ei-metallinen elementti on suoraan liittynyt hiileen molekyylin orgaanisessa osassa.

3C004Fosfori-, arseeni- tai antimonihydridit, joiden puhtaus on parempi kuin 99,999 %, myös jalokaasuilla tai vedyllä laimennettuina.

Huom.: 3C004 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi hydridejä, jotka sisältävät 20 mooliprosenttia tai enemmän jalokaasuja tai vetyä.

3DOhjelmistot

3D001"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu 3A001.b–3A002.g tai 3B kohdassa määriteltyjen laitteiden "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten.

3D002"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu jonkin seuraavista "käyttöä" varten:

| a. | 3B001.a–f kohdassa tarkoitetut laitteet; tai |
| --- | --- |

a.

3B001.a–f kohdassa tarkoitetut laitteet; tai

| b. | 3B002 kohdassa tarkoitetut laitteet. |
| --- | --- |

b.

3B002 kohdassa tarkoitetut laitteet.

3D003Fysiikkapohjaiset simulaatio-"ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu sellaisten litografia-, syövytys- ja pinnoitusprosessien "kehittämiseen", jotka muuntavat maskin kuviot erityisiksi topografisiksi johtimien, eristeiden ja puolijohdemateriaalien kuvioiksi.

Tekn. huom.:

‧Fysiikkapohjaisella‧ tarkoitetaan 3D003 kohdassa laskelmien käyttämistä fysikaalisten syy ja seuraus -tapahtumien jakson määrittämiseen fysikaalisten ominaisuuksien perusteella (esimerkiksi lämpötila, paine, diffuusiovakiot ja puolijohdemateriaalien ominaisuudet).

Huom.: Kirjastot, suunnitteluparametrit sekä niihin liittyvät tiedot puolijohdekomponenttien ja integroitujen piirien suunnittelua varten käsitetään "teknologiaksi".

3D004"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu 3A003 kohdassa määriteltyjen laitteiden "kehittämistä" varten.

3D101"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 3A101.b kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.

3ETeknologia

3E001"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3A, 3B tai 3C kohdassa määriteltyjen laitteiden ja materiaalien "kehittämistä" ja "tuotantoa" varten.

Huom. 1: 3E001 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi 3A003 kohdassa valvottujen laitteiden tai komponenttien "tuotantoa" varten tarvittavaa teknologiaa.

Huom. 2: 3E001 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi sellaisten 3A001.a.3–3A001.a.12 kohtien mukaan valvonnanalaisten integroitujen piirien, "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten tarvittavaa "teknologiaa", joilla on seuraavat ominaisuudet:

| 1. | Perustuvat 0,5:n mikrometrin tai karkeampaan "teknologiaan"; ja |
| --- | --- |

1.

Perustuvat 0,5:n mikrometrin tai karkeampaan "teknologiaan"; ja

| 2. | Eivät sisällä ‧monikerrosrakenteita‧. |
| --- | --- |

2.

Eivät sisällä ‧monikerrosrakenteita‧.

Tekn. huom.:

Termi ‧monikerrosrakenteet‧ ei sisällä komponentteja, joissa on korkeintaan kolme metallikerrosta ja kolme monikiteistä piikerrosta.

3E002Muu kuin 3E001 kohdassa määritelty "teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti sellaisten "mikroprosessoripiirien", "mikrotietokonepiirien" ja mikro-ohjainpiirien "kehittämistä" ja "tuotantoa" varten, joiden "yhdistetty teoreettinen tehokkuus" ("CTP") on 530 miljoonaa teoreettista operaatiota sekunnissa (Mtops) tai enemmän ja joiden aritmeettisloogisen yksikön hakuleveys on 32 bittiä tai enemmän.

Huom.: 3E001 kohtaa koskeva valvonnan soveltamatta jättämistä koskeva huomautus 2 koskee myös 3E002 kohtaa.

3E003Muu "teknologia" seuraavien komponenttien "kehittämistä" ja "tuotantoa" varten:

| a. | Tyhjö-mikroelektroniset komponentit; |
| --- | --- |

a.

Tyhjö-mikroelektroniset komponentit;

| b. | Heterorakenteiset puolijohdekomponentit, kuten korkean elektroniliikkuvuuden transistorit (HEMT), heterobipolaaritransistorit (HBT), kvanttikuoppa- tai superhilakomponentit;


  Huom.: 3E003.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi teknologiaa alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia HEMT-transistoreja varten ja alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia heteroliitosbipolaaritransistoreja (HBT) varten. |
| --- | --- |

b.

Heterorakenteiset puolijohdekomponentit, kuten korkean elektroniliikkuvuuden transistorit (HEMT), heterobipolaaritransistorit (HBT), kvanttikuoppa- tai superhilakomponentit;

Huom.: 3E003.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi teknologiaa alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia HEMT-transistoreja varten ja alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia heteroliitosbipolaaritransistoreja (HBT) varten.

| c. | "Suprajohtavat" elektroniset komponentit. |
| --- | --- |

c.

"Suprajohtavat" elektroniset komponentit.

| d. | Elektronisten komponenttien timanttifilmisubstraatit. |
| --- | --- |

d.

Elektronisten komponenttien timanttifilmisubstraatit.

| e. | Piieristyssubstraatit integroiduille piireille, joissa eristysaineena on piidioksidi. |
| --- | --- |

e.

Piieristyssubstraatit integroiduille piireille, joissa eristysaineena on piidioksidi.

| f. | Piikarbidisubstraatit elektronisille komponenteille. |
| --- | --- |

f.

Piikarbidisubstraatit elektronisille komponenteille.

| g. | Elektroniset tyhjöputket, jotka toimivat 31,8 GHz:n tai suuremmilla taajuuksilla. |
| --- | --- |

g.

Elektroniset tyhjöputket, jotka toimivat 31,8 GHz:n tai suuremmilla taajuuksilla.

3E101"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3A001.a.1 tai 2, 3A101 tai 3D101 kohdassa määriteltyjen laitteiden ja "ohjelmistojen""käyttöä" varten.

3E102"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3D101 kohdassa määriteltyjen "ohjelmistojen""kehittämistä" varten.

3E201"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A201, 3A225–3A233 kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.

RYHMÄ 4

TIETOKONEET

Huom. 1: Tietokoneet, niihin liittyvät laitteet tai "ohjelmistot", jotka suorittavat tietoliikenteen tai "paikallisverkon" toimintoja, tulee arvioida myös 5 ryhmän 1 osa (Tietoliikenne) toimintaparametreja vasten.

Huom. 2: Ohjausyksiköitä, jotka yhdistävät suoraan keskusyksikön, "keskusmuistin" tai levyohjaimien väyliä tai kanavia, ei katsota 5 ryhmän 1 osa (Tietoliikenne) määrittelemiksi tietoliikennelaitteiksi.

Huom.: Pakettikytkentää varten erityisesti suunniteltujen "ohjelmistojen" valvonnanalaisuus: katso 5D001 kohta.

Huom. 3: Tietokoneet, niihin liittyvät laitteet tai "ohjelmistot", jotka suorittavat salausta, salauksen analysointia tai sertifioitavissa olevaa monitasoista turvallisuuden valvontaa tai sertifioitavissa olevaa käyttöoikeuden rajaamista tai jotka rajoittavat sähkömagneettista mukautuvuutta (EMC), tulee arvioida myös 5 ryhmän 2 osa ("Tiedon suojaus") toimintaparametreja vasten.

4AJärjestelmät, laitteet ja komponentit

4A001Seuraavat elektroniset tietokoneet ja niihin liittyvät laitteet sekä niitä varten erityisesti suunnitellut "elektroniset kokoonpanot" ja komponentit:

Huom.: KATSO MYÖS 4A101 KOHTA.

| a. | Jotka on erityisesti suunniteltu niin, että niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Mitoitettu toimimaan ympäröivässä lämpötilassa alle 228 K (– 45 °C) astetta tai yli 358 K (85 °C) astetta;


  Huom.: 4A001.a.1 kohta ei koske siviiliajoneuvo- tai -rautatiesovelluksiin erityisesti suunniteltuja tietokoneita. |
| --- | --- | --- |

a.

Jotka on erityisesti suunniteltu niin, että niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Mitoitettu toimimaan ympäröivässä lämpötilassa alle 228 K (– 45 °C) astetta tai yli 358 K (85 °C) astetta;

Huom.: 4A001.a.1 kohta ei koske siviiliajoneuvo- tai -rautatiesovelluksiin erityisesti suunniteltuja tietokoneita.

| 2. | Kestävät säteilyä yli jonkin seuraavista rajoista:







  a. | Kokonaisannos | 5 × 103 Gy (Pii); |
| --- | --- | --- | --- |
| b. | Annosnopeus | 5 × 106 Gy (Pii)/s; tai |
| c. | Kertahäiriö | 1 × 10-7 virhettä/bit/vrk; |

2.

Kestävät säteilyä yli jonkin seuraavista rajoista:

a.

Kokonaisannos

5 × 103 Gy (Pii);

b.

Annosnopeus

5 × 106 Gy (Pii)/s; tai

c.

Kertahäiriö

1 × 10-7 virhettä/bit/vrk;

| b. | Joilla on 5 ryhmän 2 osassa ("Tiedon suojaus") määritellyt rajat ylittäviä ominaisuuksia tai toimintoja.


  Huom.: 4A001.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi elektronisia tietokoneita ja niihin liittyviä laitteita, kun käyttäjällä on ne mukanaan henkilökohtaista käyttöä varten. |
| --- | --- |

b.

Joilla on 5 ryhmän 2 osassa ("Tiedon suojaus") määritellyt rajat ylittäviä ominaisuuksia tai toimintoja.

Huom.: 4A001.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi elektronisia tietokoneita ja niihin liittyviä laitteita, kun käyttäjällä on ne mukanaan henkilökohtaista käyttöä varten.

4A003Seuraavat "digitaaliset tietokoneet", "elektroniset kokoonpanot" ja niihin liittyvät laitteet sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:

Huom. 1: 4A003 kohta sisältää seuraavat:

| a. | Vektoriprosessorit; |
| --- | --- |

a.

Vektoriprosessorit;

| b. | Matriisiprosessorit; |
| --- | --- |

b.

Matriisiprosessorit;

| c. | Digitaaliset signaaliprosessorit; |
| --- | --- |

c.

Digitaaliset signaaliprosessorit;

| d. | Logiikkaprosessorit; |
| --- | --- |

d.

Logiikkaprosessorit;

| e. | Laitteet "kuvan laadun parantamista" varten; |
| --- | --- |

e.

Laitteet "kuvan laadun parantamista" varten;

| f. | Laitteet "signaalinkäsittelyä" varten. |
| --- | --- |

f.

Laitteet "signaalinkäsittelyä" varten.

Huom. 2: Muihin laitteisiin tai järjestelmiin sisältyvien 4A003 kohdassa kuvattujen "digitaalisten tietokoneiden" ja niihin liittyvien laitteiden valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden tai järjestelmien valvonnanalaisuuden mukaan edellyttäen, että:

| a. | "Digitaaliset tietokoneet" tai niihin liittyvät laitteet ovat näiden muiden laitteiden tai järjestelmien toiminnan kannalta välttämättömiä; |
| --- | --- |

a.

"Digitaaliset tietokoneet" tai niihin liittyvät laitteet ovat näiden muiden laitteiden tai järjestelmien toiminnan kannalta välttämättömiä;

| b. | "Digitaaliset tietokoneet" tai niihin liittyvät laitteet eivät ole näiden muiden laitteiden tai järjestelmien olennaisin osa; ja




  Huom. 1: Muita laitteita varten erityisesti suunniteltujen "signaalin käsittely"– tai "kuvan laatua parantavien" laitteiden valvonnanalaisuuden määrittelee näiden muiden laitteiden valvonnanalaisuus, vaikka ne ylittäisivätkin olennaisimman osan kriteerin, mikäli ne suorittavat vain näiden muiden laitteiden vaatimia toimintoja.



  Huom. 2: Tietoliikenteessä käytettävien "digitaalisten tietokoneiden" ja niihin liittyvien laitteiden valvonnanalaisuus: katso 5 ryhmä 1 osa (Tietoliikenne). |
| --- | --- |

b.

"Digitaaliset tietokoneet" tai niihin liittyvät laitteet eivät ole näiden muiden laitteiden tai järjestelmien olennaisin osa; ja

Huom. 1: Muita laitteita varten erityisesti suunniteltujen "signaalin käsittely"– tai "kuvan laatua parantavien" laitteiden valvonnanalaisuuden määrittelee näiden muiden laitteiden valvonnanalaisuus, vaikka ne ylittäisivätkin olennaisimman osan kriteerin, mikäli ne suorittavat vain näiden muiden laitteiden vaatimia toimintoja.

Huom. 2: Tietoliikenteessä käytettävien "digitaalisten tietokoneiden" ja niihin liittyvien laitteiden valvonnanalaisuus: katso 5 ryhmä 1 osa (Tietoliikenne).

| c. | "Digitaalisten tietokoneiden" ja niihin liittyvien laitteiden "teknologia" on määritelty 4E kohdassa. |
| --- | --- |

c.

"Digitaalisten tietokoneiden" ja niihin liittyvien laitteiden "teknologia" on määritelty 4E kohdassa.

| a. | Jotka on suunniteltu tai muunnettu "vikasietoisiksi";


  Huom.: 4A003.a kohdan tarkoituksia varten ei "digitaalisia tietokoneita" tai niihin liittyviä laitteita katsota suunnitelluiksi tai muunnetuiksi "vikasietoisiksi", jos ne käyttävät:








  1. | "Keskusmuistin" virheenpaljastus- tai virheenkorjausalgoritmeja; |
| --- | --- | --- |

a.

Jotka on suunniteltu tai muunnettu "vikasietoisiksi";

Huom.: 4A003.a kohdan tarkoituksia varten ei "digitaalisia tietokoneita" tai niihin liittyviä laitteita katsota suunnitelluiksi tai muunnetuiksi "vikasietoisiksi", jos ne käyttävät:

1.

"Keskusmuistin" virheenpaljastus- tai virheenkorjausalgoritmeja;

| 2. | Kahden "digitaalisen tietokoneen" välistä kytkentää siten, että aktiivisen keskusyksikön pettäessä vapaana oleva ja sen toimintaa peilaava keskusyksikkö voi jatkaa järjestelmän toimintaa; |
| --- | --- |

2.

Kahden "digitaalisen tietokoneen" välistä kytkentää siten, että aktiivisen keskusyksikön pettäessä vapaana oleva ja sen toimintaa peilaava keskusyksikkö voi jatkaa järjestelmän toimintaa;

| 3. | Kahden keskusyksikön välistä tiedonsiirtokytkentää tai yhteistä muistiyksikköä siten, että yksi keskusyksikkö voi suorittaa muita tehtäviä kunnes toinen keskusyksikkö pettää, jolloin ensin mainittu ottaa hoitaakseen järjestelmän toiminnan; tai |
| --- | --- |

3.

Kahden keskusyksikön välistä tiedonsiirtokytkentää tai yhteistä muistiyksikköä siten, että yksi keskusyksikkö voi suorittaa muita tehtäviä kunnes toinen keskusyksikkö pettää, jolloin ensin mainittu ottaa hoitaakseen järjestelmän toiminnan; tai

| 4. | Kahden keskusyksikön synkronointia "ohjelmistojen" avulla siten, että yksi keskusyksikkö huomaa milloin toinen pettää ja voi ottaa huolehtiakseen sen tehtävät. |
| --- | --- |

4.

Kahden keskusyksikön synkronointia "ohjelmistojen" avulla siten, että yksi keskusyksikkö huomaa milloin toinen pettää ja voi ottaa huolehtiakseen sen tehtävät.

| b. | "Digitaaliset tietokoneet", joiden "mukautettu huipputehokkuus" ("APP") ylittää 0,75 painotettua teraliukulukutoimitusta sekunnissa (WT); |
| --- | --- |

b.

"Digitaaliset tietokoneet", joiden "mukautettu huipputehokkuus" ("APP") ylittää 0,75 painotettua teraliukulukutoimitusta sekunnissa (WT);

| c. | Seuraavat "elektroniset kokoonpanot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu nostamaan tehokkuutta yhdistämällä prosessoreja siten, että yhdistelmän "APP" ylittää 4A003.b kohdan rajan;


  Huom. 1: 4A003.c kohtaa sovelletaan ainoastaan kokoonpanoihin ja ohjelmoitaviin keskinäisiin kytkentöihin, jotka eivät ylitä 4A003.b kohdassa määriteltyä rajaa, kun ne toimitetaan erillisinä "elektronisina kokoonpanoina". Sitä ei sovelleta "elektronisiin kokoonpanoihin", joiden rakenne rajoittaa niiden käytön 4A003.e kohdan määritteleminä liittyvinä laitteina.



  Huom. 2: 4A003.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi tuotteita tai tuoteperheitä varten erityisesti suunniteltuja elektronisia kokoonpanoja, jotka maksimikokoonpanossaan eivät ylitä 4A003.b kohdan rajaa. |
| --- | --- |

c.

Seuraavat "elektroniset kokoonpanot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu nostamaan tehokkuutta yhdistämällä prosessoreja siten, että yhdistelmän "APP" ylittää 4A003.b kohdan rajan;

Huom. 1: 4A003.c kohtaa sovelletaan ainoastaan kokoonpanoihin ja ohjelmoitaviin keskinäisiin kytkentöihin, jotka eivät ylitä 4A003.b kohdassa määriteltyä rajaa, kun ne toimitetaan erillisinä "elektronisina kokoonpanoina". Sitä ei sovelleta "elektronisiin kokoonpanoihin", joiden rakenne rajoittaa niiden käytön 4A003.e kohdan määritteleminä liittyvinä laitteina.

Huom. 2: 4A003.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi tuotteita tai tuoteperheitä varten erityisesti suunniteltuja elektronisia kokoonpanoja, jotka maksimikokoonpanossaan eivät ylitä 4A003.b kohdan rajaa.

| d. | Ei käytössä; |
| --- | --- |

d.

Ei käytössä;

| e. | Laitteet, jotka suorittavat analogia-digitaalimuunnoksia tai digitaali-analogiamuunnoksia ja jotka ylittävät 3A001.a.5 kohdassa mainitut rajat; |
| --- | --- |

e.

Laitteet, jotka suorittavat analogia-digitaalimuunnoksia tai digitaali-analogiamuunnoksia ja jotka ylittävät 3A001.a.5 kohdassa mainitut rajat;

| f. | Ei käytössä; |
| --- | --- |

f.

Ei käytössä;

| g. | Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu "digitaalisten tietokoneiden" tai niihin liittyvien laitteiden välistä ulkoista keskinäisliitäntää varten, joka sallii viestiliikenteen tiedonsiirtonopeudella, joka ylittää 1,25 Gbyte/s.


  Huom.: 4A003.g kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi sisäisiä liitäntälaitteita (esim. emolevyjä ja väyliä), passiivisia kytkentälaitteita, "verkkoliityntäohjaimia" tai "tietoliikenneohjaimia". |
| --- | --- |

g.

Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu "digitaalisten tietokoneiden" tai niihin liittyvien laitteiden välistä ulkoista keskinäisliitäntää varten, joka sallii viestiliikenteen tiedonsiirtonopeudella, joka ylittää 1,25 Gbyte/s.

Huom.: 4A003.g kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi sisäisiä liitäntälaitteita (esim. emolevyjä ja väyliä), passiivisia kytkentälaitteita, "verkkoliityntäohjaimia" tai "tietoliikenneohjaimia".

4A004Seuraavat tietokoneet ja niitä varten erityisesti suunnitellut niihin liittyvät laitteet, "elektroniset kokoonpanot" ja komponentit:

| a. | "Systoliset matriisitietokoneet"; |
| --- | --- |

a.

"Systoliset matriisitietokoneet";

| b. | "Hermoverkkotietokoneet"; |
| --- | --- |

b.

"Hermoverkkotietokoneet";

| c. | "Optiset tietokoneet". |
| --- | --- |

c.

"Optiset tietokoneet".

4A101Muut kuin 4A001.a.1 kohdassa määritellyt analogiset tietokoneet, "digitaaliset tietokoneet" tai digitaaliset differentiaalianalysaattorit, jotka on suunniteltu kovaan käyttöön ja suunniteltu tai muunnettu 9A004 kohdassa määriteltyjen avaruuteen laukaisussa käytettävien kantorakettien tai 9A104 kohdassa määriteltyjen luotainrakettien käyttöä varten.

4A102Hybriditietokoneet, jotka on erityisesti suunniteltu 9A004 kohdassa määriteltyjen avaruuteen laukaisussa käytettävien kantorakettien tai 9A104 kohdassa määriteltyjen luotainrakettien mallintamista, simulointia tai konstruktioiden integrointia varten.

Huom.: Tätä valvonnanalaisuutta sovelletaan ainoastaan, kun laitteita toimitetaan 7D103 tai 9D103 kohdassa määriteltyjen "ohjelmistojen" kanssa.

4BTestaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet

Ei ole.

4CMateriaalit

Ei ole.

4DOhjelmistot

Huom.: Muissa ryhmissä kuvattujen laitteiden "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten tarkoitettujen "ohjelmistojen" valvonnanalaisuutta käsitellään kyseisissä ryhmissä. Tässä ryhmässä kuvattujen laitteiden "ohjelmistojen" valvonnanalaisuutta käsitellään tässä kohdassa.

| 4D001a. | 4A001–4A004 tai 4D kohdassa määriteltyjen laitteiden, materiaalien tai "ohjelmistojen""kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten erityisesti suunnitellut tai muunnetut "ohjelmistot". |
| --- | --- |

4D001a.

4A001–4A004 tai 4D kohdassa määriteltyjen laitteiden, materiaalien tai "ohjelmistojen""kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten erityisesti suunnitellut tai muunnetut "ohjelmistot".

| b. | Muut kuin 4D001.a kohdassa määritellyt "ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu seuraavien "kehittämiseen" tai "tuotantoon":






  1. | "Digitaaliset tietokoneet", joiden "mukautettu huipputehokkuus" ("APP") ylittää 0,04 painotettua teraliukulukutoimitusta sekunnissa (WT); tai |
| --- | --- | --- |

b.

Muut kuin 4D001.a kohdassa määritellyt "ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu seuraavien "kehittämiseen" tai "tuotantoon":

1.

"Digitaaliset tietokoneet", joiden "mukautettu huipputehokkuus" ("APP") ylittää 0,04 painotettua teraliukulukutoimitusta sekunnissa (WT); tai

| 2. | "Elektroniset kokoonpanot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu suorituskyvyn tehostamiseksi yhdistämällä prosessoreja siten, että yhdistelmän "APP" ylittää 4D001.b.1 kohdassa määritellyn rajan; |
| --- | --- |

2.

"Elektroniset kokoonpanot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu suorituskyvyn tehostamiseksi yhdistämällä prosessoreja siten, että yhdistelmän "APP" ylittää 4D001.b.1 kohdassa määritellyn rajan;

4D0024E kohdassa määritellyn "teknologian" tukemiseen erityisesti suunnitellut tai muunnetut "ohjelmistot".

4D003Seuraavat erityiset "ohjelmistot":

| a. | "Lähdekieliset" käyttöjärjestelmä"ohjelmistot", "ohjelmistojen" kehittämistyökalut ja kääntäjät, jotka on erityisesti suunniteltu "monitietovirtakäsittelyä" varten; |
| --- | --- |

a.

"Lähdekieliset" käyttöjärjestelmä"ohjelmistot", "ohjelmistojen" kehittämistyökalut ja kääntäjät, jotka on erityisesti suunniteltu "monitietovirtakäsittelyä" varten;

| b. | Ei käytössä; |
| --- | --- |

b.

Ei käytössä;

| c. | "Ohjelmistot", joilla on 5 ryhmän 2 osassa ("Tiedon suojaus") määritellyt rajat ylittäviä ominaisuuksia tai toimintoja;


  Huom.: 4D003.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ohjelmistoa, kun käyttäjällä on se mukanaan henkilökohtaista käyttöä varten. |
| --- | --- |

c.

"Ohjelmistot", joilla on 5 ryhmän 2 osassa ("Tiedon suojaus") määritellyt rajat ylittäviä ominaisuuksia tai toimintoja;

Huom.: 4D003.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ohjelmistoa, kun käyttäjällä on se mukanaan henkilökohtaista käyttöä varten.

4ETeknologia

| 4E001a. | Yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti "teknologia", joka on tarkoitettu 4A tai 4D kohdassa määriteltyjen laitteiden tai "ohjelmistojen""kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten. |
| --- | --- |

4E001a.

Yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti "teknologia", joka on tarkoitettu 4A tai 4D kohdassa määriteltyjen laitteiden tai "ohjelmistojen""kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten.

| b. | Muu kuin 4E001.a kohdassa määritelty "teknologia", joka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu seuraavien "kehittämiseen" tai "tuotantoon":






  1. | "Digitaaliset tietokoneet", joiden "mukautettu huipputehokkuus" ("APP") ylittää 0,04 painotettua teraliukulukutoimitusta sekunnissa (WT); tai |
| --- | --- | --- |

b.

Muu kuin 4E001.a kohdassa määritelty "teknologia", joka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu seuraavien "kehittämiseen" tai "tuotantoon":

1.

"Digitaaliset tietokoneet", joiden "mukautettu huipputehokkuus" ("APP") ylittää 0,04 painotettua teraliukulukutoimitusta sekunnissa (WT); tai

| 2. | "Elektroniset kokoonpanot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu suorituskyvyn tehostamiseksi yhdistämällä prosessoreja siten, että yhdistelmän "APP" ylittää 4E001.b.1 kohdassa määritellyn rajan. |
| --- | --- |

2.

"Elektroniset kokoonpanot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu suorituskyvyn tehostamiseksi yhdistämällä prosessoreja siten, että yhdistelmän "APP" ylittää 4E001.b.1 kohdassa määritellyn rajan.

Yhdistettyä teoreettista tehokkuutta ("CTP") koskeva tekninen huomautus

Tässä teknisessä huomautuksessa käytetyt lyhenteet:

| "CE" | "laskentayksikkö" (tyypillisesti aritmetiikkaprosessori) |
| --- | --- |
| FP | liukuva pilkku |
| XP | kiinteä pilkku |
| t | suoritusaika |
| XOR | eksklusiivinen OR |
| CPU | keskusyksikkö |
| TP | teoreettinen tehokkuus (yhden "laskentaelementin") |
| "CTP" | "yhdistetty teoreettinen tehokkuus" (useiden "laskentaelementtien") |
| R | efektiivinen laskentanopeus |
| WL | sananpituus |
| L | sananpituuden korjaus |
| × | kertomerkki |

"CE"

"laskentayksikkö" (tyypillisesti aritmetiikkaprosessori)

FP

liukuva pilkku

XP

kiinteä pilkku

t

suoritusaika

XOR

eksklusiivinen OR

CPU

keskusyksikkö

TP

teoreettinen tehokkuus (yhden "laskentaelementin")

"CTP"

"yhdistetty teoreettinen tehokkuus" (useiden "laskentaelementtien")

R

efektiivinen laskentanopeus

WL

sananpituus

L

sananpituuden korjaus

×

kertomerkki

Suoritusaika ‧t‧ ilmaistaan mikrosekunteina ja TP ja "CTP" ilmaistaan miljoonina teoreettisina operaatioina sekunnissa (Mtops) ja WL ilmaistaan bitteinä.

"CTP":n laskentatavan kuvaus

"CTP" on laskentatehokkuuden mitta ilmaistuna Mtops:eina. Seuraavat kolme vaihetta tarvitaan yhdistettäessä "CE":t "CTP":n laskemiseksi:

| 1. | Laske kunkin laskentayksikön ("CE") efektiivinen laskentanopeus R; |
| --- | --- |

1.

Laske kunkin laskentayksikön ("CE") efektiivinen laskentanopeus R;

| 2. | Käytä sanan pituuden korjausta (L) efektiiviselle laskentanopeudelle (R), jolloin saat teoreettisen tehokkuuden (TP) kullekin laskentayksikölle; |
| --- | --- |

2.

Käytä sanan pituuden korjausta (L) efektiiviselle laskentanopeudelle (R), jolloin saat teoreettisen tehokkuuden (TP) kullekin laskentayksikölle;

| 3. | Mikäli laskentayksiköitä on useampia kuin yksi, yhdistä teoreettiset tehokkuudet "CTP":n saamiseksi. |
| --- | --- |

3.

Mikäli laskentayksiköitä on useampia kuin yksi, yhdistä teoreettiset tehokkuudet "CTP":n saamiseksi.

Yksityiskohdat näille kolmelle vaiheelle on esitetty seuraavissa kappaleissa.

Huom. 1.: Jos usealla "CE":llä on sekä yhteisiä että omia alamuistijärjestelmiä, "CTP":n laskenta suoritetaan hierarkkisesti kahdessa vaiheessa; yhdistä ensin "CE"-ryhmät, joilla on yhteistä muistia, ja laske sitten ryhmien "CTP" käyttäen laskentatapaa usealle "CE":lle, joilla ei ole yhteistä muistia.

Huom. 2.:"CE":tä, jonka toiminta rajoittuu syöttöön/tulostukseen ja ympäryslaitteiden toimintoihin (esim. levy-yksikön, kommunikointi- ja näyttöpääteohjaimet), ei yhdistetä "CTP"-laskentaan.

YHDISTETTYÄ TEOREETTISTA TEHOKKUUTTA ("CTP") KOSKEVA TEKNINEN HUOMAUTUS

Seuraavassa taulukossa osoitetaan miten kullekin "laskentayksikölle" lasketaan efektiivinen laskentanopeus (R):

Vaihe 1: Efektiivinen laskentanopeus R

| "CE":t, joissa on:


  Huom.: Jokainen "CE" on evaluoitava erikseen | Efektiivinen laskentanopeus R |
| --- | --- |
| vain XP | Jos yhteenlaskukäskyä ei ole:



  Jos yhteenlaskua tai kertolaskua ei ole, valitse nopein aritmeettinen operaatio:



  ks. huom. X ja Z |
| vain FP | ,


  ks. huom. X ja Y |
| Sekä FP että XP (R) | Laske molemmat arvot Rxp, Rfp |
| Yksinkertaiset logiikkaprosessorit, joissa ei ole aritmetiikkakäskyjä. | Jossa tlog on ekslusiivisen-tai-käskyn toteutusaika tai mikäli sitä ei ole, nopeimman loogisen operaation suoritusaika.
  Ks. huom. X ja Z |
| Erikoislogiikkaprosessorit, jotka eivät käytä mitään mainituista loogisista operaatioista. | R = R' × WL/64
  Jossa R' on tulosten lukumäärä sekunnissa, WL on loogisen operaation kohteen bittien lukumäärä ja 64 suure, joka normalisoi tuloksen 64 bitin operaatioksi. |

"CE":t, joissa on:

Huom.: Jokainen "CE" on evaluoitava erikseen

Efektiivinen laskentanopeus R

vain XP

Formula

Jos yhteenlaskukäskyä ei ole:

Formula

Jos yhteenlaskua tai kertolaskua ei ole, valitse nopein aritmeettinen operaatio:

Formula

ks. huom. X ja Z

vain FP

Formula

Formula

ks. huom. X ja Y

Sekä FP että XP (R)

Laske molemmat arvot Rxp, Rfp

Yksinkertaiset logiikkaprosessorit, joissa ei ole aritmetiikkakäskyjä.

Formula

Jossa tlog on ekslusiivisen-tai-käskyn toteutusaika tai mikäli sitä ei ole, nopeimman loogisen operaation suoritusaika.

Ks. huom. X ja Z

Erikoislogiikkaprosessorit, jotka eivät käytä mitään mainituista loogisista operaatioista.

R = R' × WL/64

Jossa R' on tulosten lukumäärä sekunnissa, WL on loogisen operaation kohteen bittien lukumäärä ja 64 suure, joka normalisoi tuloksen 64 bitin operaatioksi.

Huom. W: Liukuhihnakäsittelyä suorittavalle "CE":lle, joka suorittaa yhden aritmeettisen tai loogisen operaation jokaisen kellon jaksolla kanavan tultua täyteen, voidaan määritellä liukuhihnanopeus. Efektiivinen laskentanopeus (R) sellaiselle "CE":lle on se, kumpi liukuhihna- tai ei-liukuhihnanopeudesta on nopeampi.

Huom. X:"CE":lle, joka suorittaa useita tietyntyyppisiä operaatioita yhden syklin aikana (esim. kaksi yhteenlaskua tai kaksi samanlaista loogista operaatiota), toteutusaika t saadaan:

Formula

"CE":itä, jotka suorittavat useita, erilaisia aritmeettisia operaatioita yhden konesyklin aikana, on käsiteltävä useampana erillisenä "CE":nä (esim. jos "CE" suorittaa yhteenlaskua ja kertolaskua yhden syklin aikana, käsitellään sitä kahtena "CE":nä, joista toinen suorittaa yhteenlaskua ja toinen kertolaskua).

Jos yksi "CE" suorittaa sekä skalaari- että vektorilaskentaa, käytetään niistä nopeamman suoritusajan arvoa.

Huom. Y: Jos "CE":ssä ei ole FP-yhteenlaskua eikä FP-kertolaskua, mutta se suorittaa FP jakolaskun:

Formula

Jos "CE" suorittaa FP käänteisarvo-operaation, mutta ei FP yhteenlaskua, FP kertolaskua eikä FP jakolaskua, niin

Formula

Jos mitään mainituista FP-operaatioista ei ole, FP = 0.

Huom. Z: Yksinkertaisissa loogisissa operaatioissa, yksi käsky suorittaa yhden loogisen manipulaation korkeintaan kahden tietynpituisen operandin kesken. Monimutkaisissa loogisissa operaatioissa yksi käsky suorittaa useita loogisia manipulaatioita ja tuottaa yhden tai useamman tuloksen kahdesta tai useammasta operandista.

Tulokset olisi laskettava kaikille operandin pituuksille ottaen huomioon sekä liukuhihna-operaatiot (jos niitä on) että ei-liukuhihnaoperaatiot, käyttäen nopeinta käskyn suoritusaikaa kullekin operandin pituudelle ja perustuen:

| 1. | Liukuhihna- tai rekisteristä-rekisteriin-operaatioon. Epätavallisen lyhyet suoritusajat, etukäteen määrätylle operandille tai operandeille (esim. kertominen 0:lla tai 1:llä) jätetään huomioimatta. Ellei rekisteristä-rekisteriin-operaatioita ole, siirry (2) kohtaan. |
| --- | --- |

1.

Liukuhihna- tai rekisteristä-rekisteriin-operaatioon. Epätavallisen lyhyet suoritusajat, etukäteen määrätylle operandille tai operandeille (esim. kertominen 0:lla tai 1:llä) jätetään huomioimatta. Ellei rekisteristä-rekisteriin-operaatioita ole, siirry (2) kohtaan.

| 2. | Nopeampaan rekisteristä-muistiin- tai muistista-rekisteriin-operaatioista; jos näitäkään ei ole, siirry (3) kohtaan. |
| --- | --- |

2.

Nopeampaan rekisteristä-muistiin- tai muistista-rekisteriin-operaatioista; jos näitäkään ei ole, siirry (3) kohtaan.

| 3. | Muistista-muistiin-operaatioon. |
| --- | --- |

3.

Muistista-muistiin-operaatioon.

Jokaisessa yllämainitussa tapauksessa käytä valmistajan ilmoittamaa nopeinta suoritusaikaa.

Vaihe 2: TP kullekin käytettävissä olevalle operandin pituudelle WL

Muunna efektiivinen nopeus R (tai R') sanan pituuden korjaustermillä L seuraavasti:

| | TP = R × L,
  jossa L = (1/3 + WL/96) |
| --- | --- |

TP = R × L,

jossa L = (1/3 + WL/96)

Huom.: Tässä kaavassa sanan pituus WL on operandin pituus bitteinä. (Jos operaatio käyttää erilaisia operandin pituuksia, valitse niistä pisin sanan pituus.)

"CTP":n laskennassa mantissa-ALUn ja exponentti-ALUn yhdistelmä liukuvan pilkun prosessorissa tai -yksikössä käsitetään yhdeksi "CE":ksi, jossa sanan pituus (WL) on bittien lukumäärä datan esityksessä (tyypillisesti 32 tai 64).

Tätä korjausta ei suoriteta niille erikoislogiikkaprosessoreille, jotka eivät käytä XOR-käskyä ja siinä tapauksessa TP = R.

Valitse maksimiarvot saaduista TP:n arvoista:

| | jokaiselle vain XP "laskentayksikölle" (Rxp); |
| --- | --- |

jokaiselle vain XP "laskentayksikölle" (Rxp);

| | jokaiselle vain FP "laskentayksikölle" (Rfp); |
| --- | --- |

jokaiselle vain FP "laskentayksikölle" (Rfp);

| | jokaiselle XP ja FP "laskentayksikölle" (R); |
| --- | --- |

jokaiselle XP ja FP "laskentayksikölle" (R);

| | jokaiselle yksinkertaiselle logiikkaprosessorille, joka ei käytä aritmeettisia operaatioita; ja |
| --- | --- |

jokaiselle yksinkertaiselle logiikkaprosessorille, joka ei käytä aritmeettisia operaatioita; ja

| | jokaiselle erikoislogiikkaprosessorille, joka ei käytä mitään mainittuja aritmeettisia tai loogisia operaatioita. |
| --- | --- |

jokaiselle erikoislogiikkaprosessorille, joka ei käytä mitään mainittuja aritmeettisia tai loogisia operaatioita.

Vaihe 3: Keskusyksiköiden "CTP" ja laskentayksiköiden yhdistäminen

Keskusyksikölle, jossa on vain yksi "CE":

"CTP" = TP

("CE":t, jotka suorittavat sekä kiinteän että liukuvan pilkun operaatioita

TP = max (TPxp, TPfp))

Usean, samanaikaisesti toimivan "CE":n yhdistelmille "CTP" lasketaan seuraavasti:

Huom. 1.: Yhdistelmille, jotka eivät salli kaikkien "CE":iden toimia samanaikaisesti, käytetään suurimman "CTP"-arvon tuottavan kombinaation arvoa. Kunkin osallistuvan "CE":n TP lasketaan teoreettisena maksimiarvona, ennen "CTP"-arvon määrittämistä.

Huom.: Samanaikaisesti toimivien "CE":iden kombinaatioiden määrittelemiseksi, tuota käskysekvenssi, joka käynnistää operaatioita useassa "CE":ssä alkaen hitaimmasta (se, joka tarvitsee eniten syklejä operaation suorittamiseen) ja päättyen nopeimpaan "CE":hen. Jokaisella sekvenssin syklillä kyseisen syklin aikana toiminnassa olevien "CE":iden kombinaatio on mahdollinen kombinaatio. Käskysekvenssin on huomioitava kaikki laitteisto- ja/tai arkkitehtuuriesteet päällekkäisissä operaatioissa.

Huom. 2.: Yksi integroitu piiri tai piirikortti voi sisältää useamman "CE":n.

Huom. 3.: Samanaikaisia operaatioita katsotaan olevan, jos valmistaja tietokoneen käsikirjassa tai esitteessä ilmoittaa rinnakkaisista tai samanaikaisista operaatioista tai suorituksista.

Huom. 4.:"CTP"-arvoja ei yhdistetä "CE"-kombinaatioille, jotka ovat keskenään kytkettyjä paikallisverkkojen, kaukoverkkojen, yhteisten syöttö/tulostus-liitäntöjen/laitteiden, syöttö/tulostus-ohjainten ja minkä tahansa ohjelmalla toteutetun kommunikoinnin kautta.

Huom. 5.:"CTP"-arvot on yhdistettävä usealle "CE":lle, jotka on erityisesti suunniteltu parantamaan tehokkuutta ja jotka toimivat samanaikaisesti ja käyttävät samoja samanaikaisesti toimivia yhden tai useamman muistin ja "CE":n yhdistelmiä käyttäen erityisesti suunniteltua laitteistoa.

Tämä yhdistäminen ei koske kokoonpanoja, jotka on kuvattu kohdassa 4A003c.

"CTP" = TP1 + C2 × TP2 + ... Cn × TPn,

jossa TP:t on järjestetty arvon mukaan, TP1:n ollessa suurin, TP2:n toiseksi suurin, ..., ja TPn pienin. Ci on kerroin, joka määritellään "CE":iden kytkennän vahvuuden perusteella seuraavasti:

Usealle samanaikaisesti ja samaa muistia käyttävälle "CE":lle:

| | C2 = C3 = C4 = ... = Cn = 0,75 |
| --- | --- |

C2 = C3 = C4 = ... = Cn = 0,75

Huom. 1.: Jos ylläolevalla tavalla laskettu "CTP"-arvo ei ylitä 194 MTops, seuraavaa kaavaa voidaan käyttää Ci:n laskemiseen:

Formula
  (i = 2, ..., n)

jossa m = yhteistä muistia käyttävien "CE":iden tai "CE"-ryhmien määrä.

edellyttäen, että:

| 1. | Minkään "CE":n tai "CE"-ryhmän TPi ei ylitä 30 MTops, |
| --- | --- |

1.

Minkään "CE":n tai "CE"-ryhmän TPi ei ylitä 30 MTops,

| 2. | "CE":t tai "CE"-ryhmät käyttävät keskusmuistia (cache-muistia lukuun ottamatta) yhden kanavan kautta, |
| --- | --- |

2.

"CE":t tai "CE"-ryhmät käyttävät keskusmuistia (cache-muistia lukuun ottamatta) yhden kanavan kautta,

| 3. | Vain yksi "CE" tai "CE"-ryhmä voi käyttää kanavaa kerrallaan.



  Huom.: Tämä ei koske nimikkeitä, jotka ovat 3 ryhmän mukaan valvonnanalaisia. |
| --- | --- |

3.

Vain yksi "CE" tai "CE"-ryhmä voi käyttää kanavaa kerrallaan.

Huom.: Tämä ei koske nimikkeitä, jotka ovat 3 ryhmän mukaan valvonnanalaisia.

Huom. 2.:"CE":t käyttävät samaa muistia, jos ne käyttävät yhteistä puolijohdemuistinsegmenttiä. Tämä muisti voi sisältää cache-muistin, keskusmuistin tai muun sisäisen muistin. Ulkoiset muistiyksiköt, kuten levymuistit, nauhamuistit tai RAM-levyt eivät sisälly tähän.

Usealle "CE":lle tai "CE":iden ryhmälle, jotka eivät käytä samaa muistia, mutta liittyvät toisiinsa yhdellä tai useammalla tietoväylällä:

| Ci | | = 0,75 × ki (i = 2, ..., 32) (katso huomautusta alla) |
| --- | --- | --- |

Ci

= 0,75 × ki (i = 2, ..., 32) (katso huomautusta alla)

| | = 0,60 × ki (i = 33, ..., 64) |
| --- | --- |

= 0,60 × ki (i = 33, ..., 64)

| | = 0,45 × ki (i = 65, ..., 256) |
| --- | --- |

= 0,45 × ki (i = 65, ..., 256)

| | = 0,30 × ki (i > 256) |
| --- | --- |

= 0,30 × ki (i > 256)

Ci:n arvo perustuu "CE":iden lukumäärään, ei solmujen lukumäärään.

jossa

| ki | = | min (Si/Kr, 1), ja |
| --- | --- | --- |
| Kr | = | 20 MByte/s normalisointikerroin |
| Si | = | maksimi kaikkien yhteistä muistia käyttävään i:nteen "CE":hen tai "CE"-ryhmään kytkettyjen tietoväylien tiedonsiirtonopeuksien summasta (MByte/s). |

ki

=

min (Si/Kr, 1), ja

Kr

=

20 MByte/s normalisointikerroin

Si

=

maksimi kaikkien yhteistä muistia käyttävään i:nteen "CE":hen tai "CE"-ryhmään kytkettyjen tietoväylien tiedonsiirtonopeuksien summasta (MByte/s).

Laskettaessa Ci:tä "CE"-ryhmälle ensimmäisen "CE":n numero määrää asianmukaisen rajan Ci:lle. Esimerkiksi yhdisteltäessä ryhmiä, jotka kukin koostuvat kolmesta "CE":stä, 22. ryhmä sisältää "CE"64:n, "CE"65:n ja "CE"66:n. Asianmukainen raja Ci:lle tässä ryhmässä on 0,60.

Yhdisteleminen ("CE":iden tai "CE"-ryhmien) olisi tehtävä nopeimmasta hitaampaan; eli:

| | TP1 ≥ TP2 ≥ ... ≥ TPn ja |
| --- | --- |

TP1 ≥ TP2 ≥ ... ≥ TPn ja

siinä tapauksessa, että TPi = TPi+1 suurimmasta pienimpään; eli:

| | Ci ≥ Ci + 1 |
| --- | --- |

Ci ≥ Ci + 1

Huom.: Kerrointa ki ei käytetä "CE":ille 2–12 jos "CE":n tai "CE"-ryhmän TPi on enemmän kuin 50 Mtops; eli Ci"CE":lle 2–12 on 0,75.

MUKAUTETTUA HUIPPUTEHOKKUUTTA ("APP") KOSKEVA TEKNINEN HUOMAUTUS

"APP" on mukautettu huippunopeus, jolla "digitaaliset tietokoneet" suorittavat 64-bittisten tai sitä suurempien liukulukujen yhteenlasku- ja kertolaskutoimituksia.

"APP" ilmaistaan painotettuina teraliukulukutoimituksina sekunnissa (WT), yksikköinä, jotka koostuvat 1 012:sta mukautetusta liukulukutoimituksesta sekunnissa.

Tässä teknisessä huomautuksessa käytetyt lyhenteet

| n | "digitaalisen tietokoneen" prosessorien lukumäärä |
| --- | --- |
| i | prosessorin numero (i,...n) |
| ti | prosessorin kierrosaika (ti = 1/Fi) |
| Fi | prosessorin taajuus |
| Ri | liukulukujen laskennan huippunopeus |
| Wi | arkkitehtuurin mukautustekijä |

n

"digitaalisen tietokoneen" prosessorien lukumäärä

i

prosessorin numero (i,...n)

ti

prosessorin kierrosaika (ti = 1/Fi)

Fi

prosessorin taajuus

Ri

liukulukujen laskennan huippunopeus

Wi

arkkitehtuurin mukautustekijä

Yhteenveto "APP":n laskentamenetelmästä

| 1. | Määritetään kunkin prosessorin i osalta 64-bittisten tai sitä suurempien liukulukujen toimitusten huippumäärä FPOi, joka suoritetaan kierrosta kohden "digitaalisen tietokoneen" kunkin prosessorin osalta.


  Huom.



  FPO:ta määritettäessä otetaan huomioon ainoastaan 64-bittisten tai sitä suurempien liukulukujen yhteenlasku- ja kertolaskutoimitukset. Kaikki liukulukutoimitukset on ilmaistava toimituksina prosessorin kierrosta kohden; useita kierroksia vaativat toimitukset voidaan ilmaista murto-osina kierrosta kohden. Niiden prosessorien, jotka eivät pysty suorittamaan laskuja 64-bittisillä tai sitä suuremmilla liukulukuoperandeilla, todellinen laskentanopeus R on nolla. |
| --- | --- |

1.

Määritetään kunkin prosessorin i osalta 64-bittisten tai sitä suurempien liukulukujen toimitusten huippumäärä FPOi, joka suoritetaan kierrosta kohden "digitaalisen tietokoneen" kunkin prosessorin osalta.

Huom.

FPO:ta määritettäessä otetaan huomioon ainoastaan 64-bittisten tai sitä suurempien liukulukujen yhteenlasku- ja kertolaskutoimitukset. Kaikki liukulukutoimitukset on ilmaistava toimituksina prosessorin kierrosta kohden; useita kierroksia vaativat toimitukset voidaan ilmaista murto-osina kierrosta kohden. Niiden prosessorien, jotka eivät pysty suorittamaan laskuja 64-bittisillä tai sitä suuremmilla liukulukuoperandeilla, todellinen laskentanopeus R on nolla.

| 2. | Lasketaan liukulukunopeus R kunkin prosessorin osalta Ri = FPOi/ti. |
| --- | --- |

2.

Lasketaan liukulukunopeus R kunkin prosessorin osalta Ri = FPOi/ti.

| 3. | Lasketaan "APP" seuraavasti: "APP" = W1 x R1 + W2 x R2 + ... + Wn x Rn. |
| --- | --- |

3.

Lasketaan "APP" seuraavasti: "APP" = W1 x R1 + W2 x R2 + ... + Wn x Rn.

| 4. | "Vektoriprosessorien" osalta Wi = 0,9. "Muiden kuin vektoriprosessorien" osalta Wi = 0,3. |
| --- | --- |

4.

"Vektoriprosessorien" osalta Wi = 0,9. "Muiden kuin vektoriprosessorien" osalta Wi = 0,3.

Huom. 1: Jokainen toimitus lasketaan niiden prosessorien osalta, jotka suorittavat yhdistettyjä toimituksia, kuten yhteen- ja kertolaskuja, kierroksen aikana.

Huom. 2: Liukuhihnaprosessorien osalta todellinen laskentanopeus R on liukuhihnanopeudesta (liukuhihnan ollessa täynnä) tai muusta kuin liukuhihnanopeudesta se, kumpi on nopeampi.

Huom. 3: Kunkin osallistuvan prosessorin laskentanopeus R lasketaan sen maksiminopeudessa, joka on teoreettisesti mahdollinen ennen kuin yhdistelmän "APP" johdetaan. Yhtäaikaisten toimitusten oletetaan olevan olemassa, kun tietokoneen valmistaja mainitsee tietokoneen käyttöohjeissa tai esitteessä yhdessä vaikuttavat, rinnakkaiset tai yhtäaikaiset toimitukset tai suoritukset.

Huom. 4:"APP":ta laskettaessa ei oteta huomioon prosessoreja, jotka rajoittuvat syöttö/tulostus- ja oheistoimintoihin (esimerkiksi levyasema, viestintä- ja videonäyttö).

Huom. 5:"APP"-arvoja ei lasketa seuraavien osalta: prosessoriyhdistelmät, jotka on yhdistetty (toisiinsa) "paikallisverkoilla", alueverkoilla, yhteisillä siirräntäyhteyksillä/-laitteilla, siirräntäohjausjärjestelmillä ja muilla "ohjelmistojen" avulla toteutetuilla tietoliikenneyhteyksillä.

Huom. 6:"APP"-arvot on laskettava seuraavien osalta:

| 1. | Prosessoriyhdistelmät, joihin sisältyy prosessoreja, jotka on erityisesti suunniteltu tehostamaan suorituskykyä toimimalla yhdistelmänä, toimimalla yhtäaikaisesti ja jakamalla muistia; tai |
| --- | --- |

1.

Prosessoriyhdistelmät, joihin sisältyy prosessoreja, jotka on erityisesti suunniteltu tehostamaan suorituskykyä toimimalla yhdistelmänä, toimimalla yhtäaikaisesti ja jakamalla muistia; tai

| 2. | Monimuisti-/prosessoriyhdistelmät, jotka toimivat yhtäaikaisesti käyttäen erityisesti suunniteltuja laitteita. |
| --- | --- |

2.

Monimuisti-/prosessoriyhdistelmät, jotka toimivat yhtäaikaisesti käyttäen erityisesti suunniteltuja laitteita.

Huom. 7:"Vektoriprosessori" määritellään prosessoriksi, jossa on sisäänrakennetut käskyt, jotka suorittavat useita laskutoimituksia liukulukuvektoreille (64-bittisten tai sitä suurempien lukujen yksiulotteiset matriisit) samanaikaisesti, ja jossa on vähintään kaksi vektoripääyksikköä ja vähintään kahdeksan vektorirekisteriä, joissa on kussakin ainakin 64 elementtiä.

RYHMÄ 5

TIETOLIIKENNE JA "TIEDON SUOJAUS"

1 OSA

TIETOLIIKENNE

Huom. 1: Tietoliikennelaitteita tai -järjestelmiä varten erityisesti kehitettyjen komponenttien, "laserien", testaus- ja "tuotanto"laitteiden, materiaalien ja ohjelmien valvonnanalaisuus on määritelty 5 ryhmän 1 osassa.

Huom. 2:"Digitaaliset tietokoneet", niihin liittyvät laitteet tai "ohjelmistot", milloin ne ovat olennaisia tässä ryhmässä kuvattujen tietoliikennelaitteiden toiminnalle ja tukevat niitä, katsotaan erityisesti tätä tarkoitusta varten kehitetyiksi komponenteiksi, edellyttäen, että ne ovat valmistajan tavanomaisesti toimittamia vakiotyyppejä. Tämä koskee myös tietokonejärjestelmiä toimintaa, hallintoa, ylläpitoa, teknistä suunnittelua tai laskutusta varten.

5A1Järjestelmät, laitteet ja komponentit

| 5A001a. | Tietoliikennelaitteet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista, toiminnoista tai piirteistä:






  1. | Erityisesti suunniteltu kestämään ydinräjähdyksestä aiheutuvia hetkellisiä elektronisia vaikutuksia tai sähkömagneettista pulssia; |
| --- | --- | --- |

5A001a.

Tietoliikennelaitteet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista, toiminnoista tai piirteistä:

1.

Erityisesti suunniteltu kestämään ydinräjähdyksestä aiheutuvia hetkellisiä elektronisia vaikutuksia tai sähkömagneettista pulssia;

| 2. | Erityisesti suojattu kestämään gamma-, neutroni- tai ionisäteilyä; tai |
| --- | --- |

2.

Erityisesti suojattu kestämään gamma-, neutroni- tai ionisäteilyä; tai

| 3. | Erityisesti suunniteltu toimimaan lämpötila-alueen 218 K (– 55 °C) – 397 K (124 °C) ulkopuolella.


  Huom.: 5A001.a.3 kohta koskee vain elektronisia laitteita. |
| --- | --- |

3.

Erityisesti suunniteltu toimimaan lämpötila-alueen 218 K (– 55 °C) – 397 K (124 °C) ulkopuolella.

Huom.: 5A001.a.3 kohta koskee vain elektronisia laitteita.

Huom.: 5A001.a.2 ja 5A001.a.3 kohta ei koske satelliiteissa käytettäviksi suunniteltuja tai muutettuja laitteita.

| b. | Tietoliikenteen siirtolaitteet ja järjestelmät ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit tai tarvikkeet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista, toiminnoista tai piirteistä:






  1. | Vedenalaiset viestintäjärjestelmät, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Akustinen kantoaaltotaajuus, joka on alueen 20–60 kHz ulkopuolella; |
| --- | --- | --- | --- |

b.

Tietoliikenteen siirtolaitteet ja järjestelmät ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit tai tarvikkeet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista, toiminnoista tai piirteistä:

1.

Vedenalaiset viestintäjärjestelmät, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Akustinen kantoaaltotaajuus, joka on alueen 20–60 kHz ulkopuolella;

| b. | Käyttävät sähkömagneettista kantoaaltotaajuutta alle 30 kHz; tai |
| --- | --- |

b.

Käyttävät sähkömagneettista kantoaaltotaajuutta alle 30 kHz; tai

| c. | Käyttävät elektronista keilanohjaustekniikkaa; |
| --- | --- |

c.

Käyttävät elektronista keilanohjaustekniikkaa;

| 2. | Radiolaitteet, jotka toimivat 1,5–87,5 MHz:n kaistalla ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Sisältävät adaptiivisen tekniikan, joka antaa paremman häiriösignaalien vaimennuksen kun 15 dB; tai |
| --- | --- | --- |

2.

Radiolaitteet, jotka toimivat 1,5–87,5 MHz:n kaistalla ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Sisältävät adaptiivisen tekniikan, joka antaa paremman häiriösignaalien vaimennuksen kun 15 dB; tai

| b. | Sisältävät kaikki seuraavat:






  1. | Ennakoivat ja valitsevat automaattisesti kanavakohtaisia taajuuksia ja "digitaalisia kokonaissiirtonopeuksia" optimoidakseen lähetystä; ja |
| --- | --- | --- |

b.

Sisältävät kaikki seuraavat:

1.

Ennakoivat ja valitsevat automaattisesti kanavakohtaisia taajuuksia ja "digitaalisia kokonaissiirtonopeuksia" optimoidakseen lähetystä; ja

| 2. | Sisältävät lineaarisen tehovahvistinkonfiguraation, joka kykenee tukemaan useampia signaaleja samanaikaisesti 1 kW:n tai suuremmalla lähtöteholla 1,5–30 MHz:n taajuusalueella tai 250 W:n tai suuremmalla lähtöteholla 30–87,5 MHz:n taajuusalueella, yhden tai useamman oktaavin "hetkellisen taajuuskaistan" yli, siten että ulostulon yliaalto- ja särösisältö on parempi kuin – 80 dB; |
| --- | --- |

2.

Sisältävät lineaarisen tehovahvistinkonfiguraation, joka kykenee tukemaan useampia signaaleja samanaikaisesti 1 kW:n tai suuremmalla lähtöteholla 1,5–30 MHz:n taajuusalueella tai 250 W:n tai suuremmalla lähtöteholla 30–87,5 MHz:n taajuusalueella, yhden tai useamman oktaavin "hetkellisen taajuuskaistan" yli, siten että ulostulon yliaalto- ja särösisältö on parempi kuin – 80 dB;

| 3. | Muut kuin 5A001.b.4 kohdassa määritellyt radiolaitteet, jotka käyttävät "hajaspektritekniikkaa", mukaan lukien "taajuushyppely"tekniikka, ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Hajautuskoodit ovat käyttäjän ohjelmoitavissa; tai |
| --- | --- | --- |

3.

Muut kuin 5A001.b.4 kohdassa määritellyt radiolaitteet, jotka käyttävät "hajaspektritekniikkaa", mukaan lukien "taajuushyppely"tekniikka, ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Hajautuskoodit ovat käyttäjän ohjelmoitavissa; tai

| b. | Lähetettävän kaistan kokonaisleveys on vähintään 100 kertaa minkä tahansa informaatiokanavan kaistan leveys ja se ylittää 50 kHz;


  Huom.: 5A001.b.3.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi radiolaitteita, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi siviilikäytössä olevissa solukkoradiojärjestelmissä. |
| --- | --- |

b.

Lähetettävän kaistan kokonaisleveys on vähintään 100 kertaa minkä tahansa informaatiokanavan kaistan leveys ja se ylittää 50 kHz;

Huom.: 5A001.b.3.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi radiolaitteita, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi siviilikäytössä olevissa solukkoradiojärjestelmissä.

Huom.: 5A001.b.3 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi laitteita, jotka on suunniteltu toimiviksi 1,0 Watin tai sitä alemmalla ulostuloteholla.

| 4. | Radiolaitteet, jotka käyttävät ultralaajakaistamodulointitekniikoita ja joiden kanavointi-, sekoitus- tai verkkotunnuskoodit ovat käyttäjän ohjelmoitavissa ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Kaistanleveys yli 500 MHz; tai |
| --- | --- | --- |

4.

Radiolaitteet, jotka käyttävät ultralaajakaistamodulointitekniikoita ja joiden kanavointi-, sekoitus- tai verkkotunnuskoodit ovat käyttäjän ohjelmoitavissa ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Kaistanleveys yli 500 MHz; tai

| b. | "Suhteellinen kaistanleveys" 20 prosenttia tai enemmän; |
| --- | --- |

b.

"Suhteellinen kaistanleveys" 20 prosenttia tai enemmän;

| 5. | Digitaalisesti ohjatut radiovastaanottimet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  a. | Yli 1 000 kanavaa; |
| --- | --- | --- |

5.

Digitaalisesti ohjatut radiovastaanottimet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

Yli 1 000 kanavaa;

| b. | Alle 1 ms:n "taajuuden vaihtoaika"; |
| --- | --- |

b.

Alle 1 ms:n "taajuuden vaihtoaika";

| c. | Tutkivat tai pyyhkivät automaattisesti osaa sähkömagneettisesta spektristä; ja |
| --- | --- |

c.

Tutkivat tai pyyhkivät automaattisesti osaa sähkömagneettisesta spektristä; ja

| d. | Jotka identifioivat vastaanotetut signaalit tai lähettimen tyypin; tai



  Huom.: 5A001.b.5 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi radiolaitteita, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi siviilikäytössä olevissa solukkoradiojärjestelmissä. |
| --- | --- |

d.

Jotka identifioivat vastaanotetut signaalit tai lähettimen tyypin; tai

Huom.: 5A001.b.5 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi radiolaitteita, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi siviilikäytössä olevissa solukkoradiojärjestelmissä.

| 6. | Käyttävät digitaalisia "signaalin käsittely"toimintoja ‧puheenkoodauksen‧ ulostuloon alle 2 400 bit/s nopeuksilla;
  Tekn. huom.:






  1. | Nopeudeltaan vaihtelevan puheenkoodauksen osalta sovelletaan 5A001.b.6 kohtaa jatkuvan puheen puheenkoodauksen ulostuloon. |
| --- | --- | --- |

6.

Käyttävät digitaalisia "signaalin käsittely"toimintoja ‧puheenkoodauksen‧ ulostuloon alle 2 400 bit/s nopeuksilla;

Tekn. huom.:

1.

Nopeudeltaan vaihtelevan puheenkoodauksen osalta sovelletaan 5A001.b.6 kohtaa jatkuvan puheen puheenkoodauksen ulostuloon.

| 2. | 5A001.b.6 kohdassa ‧puheenkoodauksella‧ tarkoitetaan teknikkaa, jossa ihmisen äänestä otetaan näytteitä, minkä jälkeen nämä näytteet muunnetaan digitaaliseksi signaaliksi ottaen huomioon ihmisen puheen erityispiirteet. |
| --- | --- |

2.

5A001.b.6 kohdassa ‧puheenkoodauksella‧ tarkoitetaan teknikkaa, jossa ihmisen äänestä otetaan näytteitä, minkä jälkeen nämä näytteet muunnetaan digitaaliseksi signaaliksi ottaen huomioon ihmisen puheen erityispiirteet.

| c. | Seuraavat optiset tiedonsiirtokaapelit, optiset kuidut ja varusteet niitä varten:






  1. | Yli 500 m pitkät optiset kuidut, jotka valmistajan ilmoituksen mukaan kykenevät kestämään vetolujuuskokeessa yli 2 × 109 N/m2:n tai tätä suurempaa vetorasitusta;
  Tekn. huom.:

  Vetolujuuskoe: on-line tai off-line tuotantotesti, jossa kuituun dynaamisesti kohdistetaan ennalta määrätty vetorasitus 0,5–3 metrin matkalla kuidun kulkiessa nopeudella 2–5 m/s kahden n. 150 mm läpimittaisen vetopyörän välillä ympäristön lämpötilan ollessa 293 K (20 °C) ja suhteellisen kosteuden 40 %. Vastaavia kansallisia standardeja voidaan käyttää vetolujuuskoetta suoritettaessa. |
| --- | --- | --- |

c.

Seuraavat optiset tiedonsiirtokaapelit, optiset kuidut ja varusteet niitä varten:

1.

Yli 500 m pitkät optiset kuidut, jotka valmistajan ilmoituksen mukaan kykenevät kestämään vetolujuuskokeessa yli 2 × 109 N/m2:n tai tätä suurempaa vetorasitusta;

Tekn. huom.:

Vetolujuuskoe: on-line tai off-line tuotantotesti, jossa kuituun dynaamisesti kohdistetaan ennalta määrätty vetorasitus 0,5–3 metrin matkalla kuidun kulkiessa nopeudella 2–5 m/s kahden n. 150 mm läpimittaisen vetopyörän välillä ympäristön lämpötilan ollessa 293 K (20 °C) ja suhteellisen kosteuden 40 %. Vastaavia kansallisia standardeja voidaan käyttää vetolujuuskoetta suoritettaessa.

| 2. | Optiset kaapelit ja varusteet vedenalaista käyttöä varten;


  Huom.: 5A001.c.2 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi norminmukaisia siviilikäyttöön tarkoitettuja tietoliikennekaapeleita ja varusteita.



  Huom. 1: Veden alla käytettävien yhdyskaapelien ja niiden liittimien osalta katso 8A002a.3 kohta.



  Huom. 2: Kuituoptiset aluksen rungon läpiviennit tai liittimet: katso 8A002.c kohta. |
| --- | --- |

2.

Optiset kaapelit ja varusteet vedenalaista käyttöä varten;

Huom.: 5A001.c.2 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi norminmukaisia siviilikäyttöön tarkoitettuja tietoliikennekaapeleita ja varusteita.

Huom. 1: Veden alla käytettävien yhdyskaapelien ja niiden liittimien osalta katso 8A002a.3 kohta.

Huom. 2: Kuituoptiset aluksen rungon läpiviennit tai liittimet: katso 8A002.c kohta.

| d. | "Elektronisesti ohjattavat vaiheistetut ryhmäantennit", jotka toimivat yli 31 GHz:n alueella;


  Huom.: 5A001.d kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "elektronisesti ohjattavia vaiheistettuja ryhmäantenneja" laskeutumisjärjestelmissä, joissa on ICAO:n mikroaalloilla toimivat laskeutumisjärjestelmät (MLS) kattavien standardien mukaiset instrumentit. |
| --- | --- |

d.

"Elektronisesti ohjattavat vaiheistetut ryhmäantennit", jotka toimivat yli 31 GHz:n alueella;

Huom.: 5A001.d kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "elektronisesti ohjattavia vaiheistettuja ryhmäantenneja" laskeutumisjärjestelmissä, joissa on ICAO:n mikroaalloilla toimivat laskeutumisjärjestelmät (MLS) kattavien standardien mukaiset instrumentit.

| e. | Radiosuuntimalaitteet, jotka toimivat yli 30 MHz:n taajuuksilla ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet, sekä niitä varten suunnitellut komponentit:






  1. | "Hetkellinen kaistanleveys" 10 MHz tai enemmän; ja |
| --- | --- | --- |

e.

Radiosuuntimalaitteet, jotka toimivat yli 30 MHz:n taajuuksilla ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet, sekä niitä varten suunnitellut komponentit:

1.

"Hetkellinen kaistanleveys" 10 MHz tai enemmän; ja

| 2. | Pystyvät löytämään suuntimaviivan niiden kanssa toimimattomiiin radiolähettimiin, kun signaalin kesto on alle 1 ms. |
| --- | --- |

2.

Pystyvät löytämään suuntimaviivan niiden kanssa toimimattomiiin radiolähettimiin, kun signaalin kesto on alle 1 ms.

| f. | Häirintälaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu siten, että ne tarkoituksellisesti ja valikoivasti häiritsevät, estävät, ehkäisevät, huonontavat tai johtavat harhaan soluverkon matkaviestinpalveluja ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:






  1. | Simuloivat radioliityntäverkon (Radio Access Network, RAN) laitteiden toimintoja; tai |
| --- | --- | --- |

f.

Häirintälaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu siten, että ne tarkoituksellisesti ja valikoivasti häiritsevät, estävät, ehkäisevät, huonontavat tai johtavat harhaan soluverkon matkaviestinpalveluja ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:

1.

Simuloivat radioliityntäverkon (Radio Access Network, RAN) laitteiden toimintoja; tai

| 2. | Havaitsevat ja hyödyntävät käytetyn matkaviestinyhteyskäytännön (esimerkiksi GSM) erityispiirteitä. |
| --- | --- |

2.

Havaitsevat ja hyödyntävät käytetyn matkaviestinyhteyskäytännön (esimerkiksi GSM) erityispiirteitä.

Huom. GNSS-häirintälaitteiden osalta katso asetarvikeluettelo.

5A101Kaukomittaus- tai kaukohallintalaitteet, mukaan lukien maalaitteet, jotka on suunniteltu tai muunnettu "ohjuksia" varten.

Tekn. huom.:

5A101 kohdassa tarkoitetaan "ohjuksella" täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, joiden kantomatka on yli 300 kilometriä.

Huom.: 5A101 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi

| a. | Laitteita, jotka on suunniteltu tai muunnettu miehitettyjä ilma-aluksia tai satelliitteja varten; |
| --- | --- |

a.

Laitteita, jotka on suunniteltu tai muunnettu miehitettyjä ilma-aluksia tai satelliitteja varten;

| b. | Maassa sijaitsevia laitteita, jotka on suunniteltu tai muunnettu maa- tai merisovelluksia varten; |
| --- | --- |

b.

Maassa sijaitsevia laitteita, jotka on suunniteltu tai muunnettu maa- tai merisovelluksia varten;

| c. | Laitteita, jotka on suunniteltu kaupallisia, siviili- tai ihmishenkien turvallisuutta koskevia (esimerkiksi eheys, lentoturvallisuus) GNSS-palveluja varten. |
| --- | --- |

c.

Laitteita, jotka on suunniteltu kaupallisia, siviili- tai ihmishenkien turvallisuutta koskevia (esimerkiksi eheys, lentoturvallisuus) GNSS-palveluja varten.

5B1Testaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet

| 5B001a. | Laitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit ja varusteet, jotka on erityisesti suunniteltu 5A001, 5B001, 5D001 tai 5E001 kohdassa määriteltyjen laitteiden, toimintojen tai ominaisuuksien "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten.


  Huom.: 5B001.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi optisten kuitujen karakterisointilaitteita. |
| --- | --- |

5B001a.

Laitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit ja varusteet, jotka on erityisesti suunniteltu 5A001, 5B001, 5D001 tai 5E001 kohdassa määriteltyjen laitteiden, toimintojen tai ominaisuuksien "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten.

Huom.: 5B001.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi optisten kuitujen karakterisointilaitteita.

| b. | Laitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit ja varusteet, jotka on erityisesti suunniteltu seuraavien tietoliikenteen tai siirtolaitteiden "kehittämiseen":






  1. | Laitteet, jotka käyttävät digitaalitekniikkaa ja jotka on suunniteltu toimimaan "digitaalisella siirtonopeudella", joka ylittää 15 Gbit/s,
  Tekn. huom.:

  Siirtolaitteiden osalta "digitaalinen siirtonopeus" mitataan nopeimmasta portista tai reitistä. |
| --- | --- | --- |

b.

Laitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit ja varusteet, jotka on erityisesti suunniteltu seuraavien tietoliikenteen tai siirtolaitteiden "kehittämiseen":

1.

Laitteet, jotka käyttävät digitaalitekniikkaa ja jotka on suunniteltu toimimaan "digitaalisella siirtonopeudella", joka ylittää 15 Gbit/s,

Tekn. huom.:

Siirtolaitteiden osalta "digitaalinen siirtonopeus" mitataan nopeimmasta portista tai reitistä.

| 2. | Laitteet, jotka käyttävät "laseria" ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Siirrossa käytetty aallonpituus ylittää 1 750 nm; |
| --- | --- | --- |

2.

Laitteet, jotka käyttävät "laseria" ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Siirrossa käytetty aallonpituus ylittää 1 750 nm;

| b. | Suorittavat "optista vahvistusta"; |
| --- | --- |

b.

Suorittavat "optista vahvistusta";

| c. | Käyttävät koherenttia optista siirtotekniikkaa tai koherenttia optista ilmaisutekniikkaa (jota kutsutaan myös optiseksi heterodyne- tai homodynetekniikaksi); |
| --- | --- |

c.

Käyttävät koherenttia optista siirtotekniikkaa tai koherenttia optista ilmaisutekniikkaa (jota kutsutaan myös optiseksi heterodyne- tai homodynetekniikaksi);

| d. | Käyttävät analogiatekniikkaa ja kaistanleveys ylittää 2,5 GHz;


  Huom.: 5B001.b.2.d kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kaupallisten TV-järjestelmien "kehittämistä" varten erityisesti suunniteltuja laitteita. |
| --- | --- |

d.

Käyttävät analogiatekniikkaa ja kaistanleveys ylittää 2,5 GHz;

Huom.: 5B001.b.2.d kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kaupallisten TV-järjestelmien "kehittämistä" varten erityisesti suunniteltuja laitteita.

| 3. | Laitteet, jotka käyttävät "optista kytkentää"; |
| --- | --- |

3.

Laitteet, jotka käyttävät "optista kytkentää";

| 4. | Radiolaitteet, jotka käyttävät kvadratuuri-amplitudimodulointitekniikkaa (QAM), jonka taso ylittää 256; tai |
| --- | --- |

4.

Radiolaitteet, jotka käyttävät kvadratuuri-amplitudimodulointitekniikkaa (QAM), jonka taso ylittää 256; tai

| 5. | Laitteet, jotka käyttävät "yhteiskanavamerkinantoa" ei-liitännäisellä toimintamuodolla. |
| --- | --- |

5.

Laitteet, jotka käyttävät "yhteiskanavamerkinantoa" ei-liitännäisellä toimintamuodolla.

5C1Materiaalit

Ei ole.

5D1Ohjelmistot

| 5D001a. | "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 5A001 tai 5B001 kohdassa määriteltyjen laitteiden, toimintojen tai ominaisuuksien "kehittämistä", "valmistusta" tai "käyttöä" varten; |
| --- | --- |

5D001a.

"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 5A001 tai 5B001 kohdassa määriteltyjen laitteiden, toimintojen tai ominaisuuksien "kehittämistä", "valmistusta" tai "käyttöä" varten;

| b. | "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 5E001 kohdassa määritellyn "teknologian" tukemiseen; |
| --- | --- |

b.

"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 5E001 kohdassa määritellyn "teknologian" tukemiseen;

| c. | Erityiset "ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu toteuttamaan 5A001 tai 5B001 kohdassa määriteltyjen laitteiden ominaisuuksia, toimintoja tai piirteitä; |
| --- | --- |

c.

Erityiset "ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu toteuttamaan 5A001 tai 5B001 kohdassa määriteltyjen laitteiden ominaisuuksia, toimintoja tai piirteitä;

| d. | "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu seuraavien tietoliikenteen siirto- tai kytkentälaitteiden "kehittämistä" varten:






  1. | Laitteet, jotka käyttävät digitaalitekniikkaa ja jotka on suunniteltu toimimaan yli 15 Gbit/s "digitaalisella kokonaissiirtonopeudella";
  Tekn. huom.:

  Siirtolaitteiden osalta "digitaalinen siirtonopeus" mitataan nopeimmasta portista tai reitistä. |
| --- | --- | --- |

d.

"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu seuraavien tietoliikenteen siirto- tai kytkentälaitteiden "kehittämistä" varten:

1.

Laitteet, jotka käyttävät digitaalitekniikkaa ja jotka on suunniteltu toimimaan yli 15 Gbit/s "digitaalisella kokonaissiirtonopeudella";

Tekn. huom.:

Siirtolaitteiden osalta "digitaalinen siirtonopeus" mitataan nopeimmasta portista tai reitistä.

| 2. | Laitteet, jotka käyttävät "laseria" ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Siirrossa käytetty aallonpituus ylittää 1 750 nm; tai |
| --- | --- | --- |

2.

Laitteet, jotka käyttävät "laseria" ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Siirrossa käytetty aallonpituus ylittää 1 750 nm; tai

| b. | Käyttävät analogiatekniikkaa ja kaistanleveys ylittää 2,5 GHz;


  Huom.: 5D001.d.2.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "ohjelmistoja", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu kaupallisten TV-järjestelmien "kehittämistä" varten. |
| --- | --- |

b.

Käyttävät analogiatekniikkaa ja kaistanleveys ylittää 2,5 GHz;

Huom.: 5D001.d.2.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "ohjelmistoja", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu kaupallisten TV-järjestelmien "kehittämistä" varten.

| 3. | Laitteet, jotka käyttävät "optista kytkentää"; tai |
| --- | --- |

3.

Laitteet, jotka käyttävät "optista kytkentää"; tai

| 4. | Radiolaitteet, jotka käyttävät kvadratuuri-amplitudimodulointitekniikkaa (QAM), jonka taso ylittää 256. |
| --- | --- |

4.

Radiolaitteet, jotka käyttävät kvadratuuri-amplitudimodulointitekniikkaa (QAM), jonka taso ylittää 256.

5D101"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 5A101 kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.

5E1Teknologia

| 5E001a. | "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti, joka on tarkoitettu 5A001, 5B001 tai 5D001 kohdassa määriteltyjen laitteiden, toimintojen tai piirteiden tai "ohjelmistojen""kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten (toimintaa lukuun ottamatta); |
| --- | --- |

5E001a.

"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti, joka on tarkoitettu 5A001, 5B001 tai 5D001 kohdassa määriteltyjen laitteiden, toimintojen tai piirteiden tai "ohjelmistojen""kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten (toimintaa lukuun ottamatta);

| b. | Seuraavat erityiset "teknologiat":






  1. | Satelliiteissa käytettäväksi erityisesti suunniteltujen tietoliikennelaitteiden "kehitystä" tai "tuotantoa" varten "tarvittava""teknologia"; |
| --- | --- | --- |

b.

Seuraavat erityiset "teknologiat":

1.

Satelliiteissa käytettäväksi erityisesti suunniteltujen tietoliikennelaitteiden "kehitystä" tai "tuotantoa" varten "tarvittava""teknologia";

| 2. | "Kehittämistä" tai "käyttöä" varten tarvittava "teknologia" sellaisia "laser"tietoliikennetekniikoita varten, joilla kyetään automaattisesti seuraamaan signaaleja ja ylläpitämään yhteyttä ilmakehän ulkopuolella tai vedenpinnan alla; |
| --- | --- |

2.

"Kehittämistä" tai "käyttöä" varten tarvittava "teknologia" sellaisia "laser"tietoliikennetekniikoita varten, joilla kyetään automaattisesti seuraamaan signaaleja ja ylläpitämään yhteyttä ilmakehän ulkopuolella tai vedenpinnan alla;

| 3. | "Teknologia" sellaisten digitaalisen solukkoradiotukiaseman vastaanottolaitteiden kehittämistä varten, joiden monitaajuus-, monikanava-, monimuoto-, monikoodausalgoritmi- tai monikäytäntökäytön mahdollistavaa vastaanottokykyä voidaan muuttaa "ohjelmisto"muutoksilla; |
| --- | --- |

3.

"Teknologia" sellaisten digitaalisen solukkoradiotukiaseman vastaanottolaitteiden kehittämistä varten, joiden monitaajuus-, monikanava-, monimuoto-, monikoodausalgoritmi- tai monikäytäntökäytön mahdollistavaa vastaanottokykyä voidaan muuttaa "ohjelmisto"muutoksilla;

| 4. | "Teknologia""hajaspektri"tekniikoiden, "taajuushyppely" tekniikat mukaan lukien, "kehittämistä" varten. |
| --- | --- |

4.

"Teknologia""hajaspektri"tekniikoiden, "taajuushyppely" tekniikat mukaan lukien, "kehittämistä" varten.

| c. | "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti, joka on tarkoitettu seuraavien tietoliikenteen siirto- tai kytkentälaitteiden, -toimintojen tai -ominaisuuksien "kehittämiseen" tai "tuotantoon":






  1. | Laitteet, jotka käyttävät digitaalitekniikkaa ja jotka on suunniteltu toimimaan yli 15 Gbit/s "digitaalisella kokonaissiirtonopeudella";
  Tekn. huom.:

  Siirtolaitteiden osalta "digitaalinen kokonaissiirtonopeus" mitataan nopeimmasta portista tai reitistä. |
| --- | --- | --- |

c.

"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti, joka on tarkoitettu seuraavien tietoliikenteen siirto- tai kytkentälaitteiden, -toimintojen tai -ominaisuuksien "kehittämiseen" tai "tuotantoon":

1.

Laitteet, jotka käyttävät digitaalitekniikkaa ja jotka on suunniteltu toimimaan yli 15 Gbit/s "digitaalisella kokonaissiirtonopeudella";

Tekn. huom.:

Siirtolaitteiden osalta "digitaalinen kokonaissiirtonopeus" mitataan nopeimmasta portista tai reitistä.

| 2. | Laitteet, jotka käyttävät "laseria" ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Siirrossa käytetty aallonpituus ylittää 1 750 nm; |
| --- | --- | --- |

2.

Laitteet, jotka käyttävät "laseria" ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Siirrossa käytetty aallonpituus ylittää 1 750 nm;

| b. | Suorittavat "optista vahvistusta" käyttämällä praseodyymikyllästettyjä fluoridikuituvahvistimia (PDFFA); |
| --- | --- |

b.

Suorittavat "optista vahvistusta" käyttämällä praseodyymikyllästettyjä fluoridikuituvahvistimia (PDFFA);

| c. | Käyttävät koherenttia optista siirtotekniikkaa tai koherenttia optista ilmaisutekniikkaa (jota kutsutaan myös optiseksi heterodyne- tai homodynetekniikaksi); |
| --- | --- |

c.

Käyttävät koherenttia optista siirtotekniikkaa tai koherenttia optista ilmaisutekniikkaa (jota kutsutaan myös optiseksi heterodyne- tai homodynetekniikaksi);

| d. | Käyttävät aallonpituusjakoon perustuvaa kanavointitekniikkaa, jossa on enemmän kuin 8 optista kantoaaltoa yksittäisessä optisessa ikkunassa; tai |
| --- | --- |

d.

Käyttävät aallonpituusjakoon perustuvaa kanavointitekniikkaa, jossa on enemmän kuin 8 optista kantoaaltoa yksittäisessä optisessa ikkunassa; tai

| e. | Käyttävät analogiatekniikkaa ja kaistanleveys ylittää 2,5 GHz;


  Huom.: 5E001.c.2.e kohta ei aseta kaupallisten TV-järjestelmien "kehittämiseen" tai "tuotantoon" tarkoitettua "teknologiaa". |
| --- | --- |

e.

Käyttävät analogiatekniikkaa ja kaistanleveys ylittää 2,5 GHz;

Huom.: 5E001.c.2.e kohta ei aseta kaupallisten TV-järjestelmien "kehittämiseen" tai "tuotantoon" tarkoitettua "teknologiaa".

| 3. | Laitteet, jotka käyttävät "optista kytkentää". |
| --- | --- |

3.

Laitteet, jotka käyttävät "optista kytkentää".

| 4. | Radiolaitteet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Käyttävät kvadratuuri-amplitudimodulointitekniikkaa (QAM), jonka taso ylittää 256; tai |
| --- | --- | --- |

4.

Radiolaitteet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Käyttävät kvadratuuri-amplitudimodulointitekniikkaa (QAM), jonka taso ylittää 256; tai

| b. | Joiden tulo- tai lähtötaajuus ylittää 31,8 GHz; tai



  Huom.: 5E001.c.4.b ei aseta valvonnanalaiseksi ITU:n (International Telecommunication Union) radioviestintäpalvelulle, mutta ei radiomääritykselle allokoimalla taajuuskaistalla toimiviksi suunniteltujen tai muunnettujen laitteiden "kehittämiseen" tai "tuotantoon" tarkoitettua "teknologiaa". |
| --- | --- |

b.

Joiden tulo- tai lähtötaajuus ylittää 31,8 GHz; tai

Huom.: 5E001.c.4.b ei aseta valvonnanalaiseksi ITU:n (International Telecommunication Union) radioviestintäpalvelulle, mutta ei radiomääritykselle allokoimalla taajuuskaistalla toimiviksi suunniteltujen tai muunnettujen laitteiden "kehittämiseen" tai "tuotantoon" tarkoitettua "teknologiaa".

| 5. | Laitteet, jotka käyttävät "yhteiskanavamerkinantoa" ei-liitännäisellä toimintamuodolla. |
| --- | --- |

5.

Laitteet, jotka käyttävät "yhteiskanavamerkinantoa" ei-liitännäisellä toimintamuodolla.

5E101"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 5A101 kohdassa määriteltyjen laitteiden "kehittämistä", "tuotantoa" ja "käyttöä" varten.

2 OSA

"TIEDON SUOJAUS"

Huom. 1:"Tiedonsuojaus"-laitteiden, -"ohjelmistojen", järjestelmien, sovelluskohtaisten "elektronisten kokoonpanojen", moduulien, integroitujen piirien, komponenttien tai toimintojen valvonnanalaisuus määritellään 5 ryhmän 2 osassa, myös siinä tapauksessa, että ne ovat muiden laitteiden komponentteja tai niiden "elektronisia kokoonpanoja".

Huom. 2: 5 ryhmä – 2 osa ei aseta valvonnanalaiseksi tuotteita, jotka ovat käyttäjän hallussa hänen henkilökohtaista käyttöään varten.

Huom. 3:

Salausta koskeva huomautus

5A002 ja 5D002 kohdat eivät aseta valvonnanalaiseksi tuotteita, jotka täyttävä kaikki seuraavat edellytykset:

| a. | Ovat yleisesti yleisön ostettavissa rajoituksitta vähittäismyyntipisteissä varastosta jollain seuraavista tavoista:








  1. | Käsikauppa; |
| --- | --- | --- |

a.

Ovat yleisesti yleisön ostettavissa rajoituksitta vähittäismyyntipisteissä varastosta jollain seuraavista tavoista:

1.

Käsikauppa;

| 2. | Postimyynti; |
| --- | --- |

2.

Postimyynti;

| 3. | Elektronisesti tapahtuva myynti; tai |
| --- | --- |

3.

Elektronisesti tapahtuva myynti; tai

| 4. | Puhelinmyynti; |
| --- | --- |

4.

Puhelinmyynti;

| b. | Käyttäjä ei voi helposti muuntaa salauksen toiminnallisuutta; |
| --- | --- |

b.

Käyttäjä ei voi helposti muuntaa salauksen toiminnallisuutta;

| c. | Tuotteet on suunniteltu käyttäjän käyttöönotettaviksi ilman merkittävää toimittajan tukea; ja |
| --- | --- |

c.

Tuotteet on suunniteltu käyttäjän käyttöönotettaviksi ilman merkittävää toimittajan tukea; ja

| d. | Tuotteita koskevat yksityiskohtaiset tiedot ovat tarvittaessa saatavilla ja pyynnöstä esitetään toimivaltaisille viranomaisille siinä jäsenvaltiossa, johon viejä on sijoittautunut, jotta voidaan varmistaa edellä a–c kohdassa kuvattujen ehtojen täyttyminen. |
| --- | --- |

d.

Tuotteita koskevat yksityiskohtaiset tiedot ovat tarvittaessa saatavilla ja pyynnöstä esitetään toimivaltaisille viranomaisille siinä jäsenvaltiossa, johon viejä on sijoittautunut, jotta voidaan varmistaa edellä a–c kohdassa kuvattujen ehtojen täyttyminen.

Tekn. huom.:

5 ryhmä – 2 osa, pariteettibittejä ei lasketa avaimen pituuteen.

5A2Järjestelmät, laitteet ja komponentit

| 5A002a. | Seuraavat järjestelmät, laitteet, sovelluskohtaiset "elektroniset kokoonpanot", moduulit tai integroidut piirit "tiedon suojausta" varten ja muut niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:


  Huom.: Satelliittinavigointijärjestelmien vastaanottolaitteet, jotka sisältävät tai käyttävät salauksen purkua (so. GPS tai GLONASS): katso 7A005 kohta.







  1. | Jotka on suunniteltu tai muunnettu käyttämään digitaalitekniikkaan perustuvaa "salausta" suorittamaan mitä tahansa muuta salaustoimintaa kuin autentikointia tai digitaalista allekirjoitusta ja jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
  Tekn. huom.:







  1. | Autentikointi ja digitaalinen allekirjoitus sisältävät niihin liittyvät avaimenhallintatoiminnot. |
| --- | --- | --- | --- |

5A002a.

Seuraavat järjestelmät, laitteet, sovelluskohtaiset "elektroniset kokoonpanot", moduulit tai integroidut piirit "tiedon suojausta" varten ja muut niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:

Huom.: Satelliittinavigointijärjestelmien vastaanottolaitteet, jotka sisältävät tai käyttävät salauksen purkua (so. GPS tai GLONASS): katso 7A005 kohta.

1.

Jotka on suunniteltu tai muunnettu käyttämään digitaalitekniikkaan perustuvaa "salausta" suorittamaan mitä tahansa muuta salaustoimintaa kuin autentikointia tai digitaalista allekirjoitusta ja jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

Tekn. huom.:

1.

Autentikointi ja digitaalinen allekirjoitus sisältävät niihin liittyvät avaimenhallintatoiminnot.

| 2. | Autentikointiin sisältyy kaikki sellainen valvonta, jossa ei salata tiedostoja tai tekstiä lukuun ottamatta sitä, mikä liittyy suoraan salasanojen, henkilökohtaisten tunnusnumeroiden tai vastaavan tiedon suojaamiseen luvattoman pääsyn estämiseksi. |
| --- | --- |

2.

Autentikointiin sisältyy kaikki sellainen valvonta, jossa ei salata tiedostoja tai tekstiä lukuun ottamatta sitä, mikä liittyy suoraan salasanojen, henkilökohtaisten tunnusnumeroiden tai vastaavan tiedon suojaamiseen luvattoman pääsyn estämiseksi.

| 3. | "Salaus" ei sisällä "kiinteitä" tiedon pakkaus- tai koodaustekniikoita. |
| --- | --- |

3.

"Salaus" ei sisällä "kiinteitä" tiedon pakkaus- tai koodaustekniikoita.

Huom.: 5A002.a.1 kohtaan sisältyvät laitteet, jotka on suunniteltu tai muunnettu käyttämään "salausta", jossa digitaalitekniikan soveltamisessa käytetään analogisia periaatteita.

| a. | "Symmetrinen algoritmi", joka käyttää yli 56 bitin avaimenpituutta; tai |
| --- | --- |

a.

"Symmetrinen algoritmi", joka käyttää yli 56 bitin avaimenpituutta; tai

| b. | "Epäsymmetrinen algoritmi", jossa algoritmin turvallisuus perustuu johonkin seuraavista:






  1. | Yli 512 bitin kokonaislukujen tekijöihin jako (esimerkiksi RSA); |
| --- | --- | --- |

b.

"Epäsymmetrinen algoritmi", jossa algoritmin turvallisuus perustuu johonkin seuraavista:

1.

Yli 512 bitin kokonaislukujen tekijöihin jako (esimerkiksi RSA);

| 2. | Diskreettien logaritmien laskenta äärellisen kannan suuremmassa kuin 512 bitin yksikköryhmässä (esim. Diffie-Hellman Z/pZ:ssä); tai |
| --- | --- |

2.

Diskreettien logaritmien laskenta äärellisen kannan suuremmassa kuin 512 bitin yksikköryhmässä (esim. Diffie-Hellman Z/pZ:ssä); tai

| 3. | Diskreetit logaritmit muissa kuin 5A002.a.1.b.2 kohdassa mainitussa suuremmassa kuin 112 bitin ryhmässä (esimerkiksi Diffie-Hellman elliptisellä käyrällä); |
| --- | --- |

3.

Diskreetit logaritmit muissa kuin 5A002.a.1.b.2 kohdassa mainitussa suuremmassa kuin 112 bitin ryhmässä (esimerkiksi Diffie-Hellman elliptisellä käyrällä);

| 2. | Jotka on suunniteltu tai muunnettu suorittamaan salauksen analysointitoimintoja; |
| --- | --- |

2.

Jotka on suunniteltu tai muunnettu suorittamaan salauksen analysointitoimintoja;

| 3. | Ei käytössä; |
| --- | --- |

3.

Ei käytössä;

| 4. | Jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu vähentämään informaatiota kuljettavien signaalien paljastavia vuotoja enemmän kuin on tarpeen terveyden, turvallisuuden tai elektromagneettisia häiriöitä koskevien standardien vuoksi; |
| --- | --- |

4.

Jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu vähentämään informaatiota kuljettavien signaalien paljastavia vuotoja enemmän kuin on tarpeen terveyden, turvallisuuden tai elektromagneettisia häiriöitä koskevien standardien vuoksi;

| 5. | Muut kuin 5A002.a.6 kohdassa määritellyt, jotka on suunniteltu tai muunnettu käyttämään salaustekniikkaa "hajaspektri"järjestelmien hajautuskoodin, mukaan lukien "taajuushyppely"järjestelmän hyppelykoodi, tuottamiseksi; |
| --- | --- |

5.

Muut kuin 5A002.a.6 kohdassa määritellyt, jotka on suunniteltu tai muunnettu käyttämään salaustekniikkaa "hajaspektri"järjestelmien hajautuskoodin, mukaan lukien "taajuushyppely"järjestelmän hyppelykoodi, tuottamiseksi;

| 6. | Jotka on suunniteltu tai muunnettu käyttämään salaustekniikkaa kanavointi-, sekoitus- tai verkkotunnuskoodien tuottamiseksi ultralaajakaistamodulointitekniikoita käyttäviä järjestelmiä varten ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Kaistanleveys yli 500 MHz; tai |
| --- | --- | --- |

6.

Jotka on suunniteltu tai muunnettu käyttämään salaustekniikkaa kanavointi-, sekoitus- tai verkkotunnuskoodien tuottamiseksi ultralaajakaistamodulointitekniikoita käyttäviä järjestelmiä varten ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Kaistanleveys yli 500 MHz; tai

| b. | "Suhteellinen kaistanleveys" 20 prosenttia tai enemmän; |
| --- | --- |

b.

"Suhteellinen kaistanleveys" 20 prosenttia tai enemmän;

| 7. | Ei käytössä; |
| --- | --- |

7.

Ei käytössä;

| 8. | Tiedonsiirtokaapelijärjestelmät, jotka on suunniteltu tai muunnettu salakuuntelun ilmaisemiseen mekaanista, sähköistä tai elektronista tapaa käyttäen. |
| --- | --- |

8.

Tiedonsiirtokaapelijärjestelmät, jotka on suunniteltu tai muunnettu salakuuntelun ilmaisemiseen mekaanista, sähköistä tai elektronista tapaa käyttäen.

| 9. | Jotka on suunniteltu tai muunnettu käyttämään "kvanttisalausta". |
| --- | --- |

9.

Jotka on suunniteltu tai muunnettu käyttämään "kvanttisalausta".

Tekn. huom.:

"Kvanttisalaus" tunnetaan myös nimellä kvanttiavaimen jakaminen (QKD).

Huom.: 5A002 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:

| a. | "Henkilökohtaisia älykortteja":








  1. | Jos salaus on rajoitettu koskemaan niiden käyttöä laitteissa ja järjestelmissä, jotka tämän huomautuksen b-f kohdan mukaan ovat valvonnan ulkopuolella; tai |
| --- | --- | --- |

a.

"Henkilökohtaisia älykortteja":

1.

Jos salaus on rajoitettu koskemaan niiden käyttöä laitteissa ja järjestelmissä, jotka tämän huomautuksen b-f kohdan mukaan ovat valvonnan ulkopuolella; tai

| 2. | Yleisten julkiseen käyttöön tarkoitettujen sovellusten osalta, jos käyttäjä ei voi vaikuttaa salaukseen ja salaus on erityisesti suunniteltu ja rajoitettu kortille tallennettujen henkilötietojen suojaamiseen. |
| --- | --- |

2.

Yleisten julkiseen käyttöön tarkoitettujen sovellusten osalta, jos käyttäjä ei voi vaikuttaa salaukseen ja salaus on erityisesti suunniteltu ja rajoitettu kortille tallennettujen henkilötietojen suojaamiseen.

Huom.: Jos "henkilökohtainen älykortti" soveltuu useisiin toimintoihin, kunkin toiminnon valvonta arvioidaan erikseen.

| b. | Kuluttajille tarkoitettuja yleisradiolähetysten, maksutelevision tai vastaavien rajoitetun yleisön lähetysten vastaanottolaitteita, joissa ei ole digitaalista salausta, lukuun ottamatta niitä, joita käytetään laskutusta koskevia tai ohjelmakohtaisia tietoja takaisin yleisradiolähetysten lähettäjille; |
| --- | --- |

b.

Kuluttajille tarkoitettuja yleisradiolähetysten, maksutelevision tai vastaavien rajoitetun yleisön lähetysten vastaanottolaitteita, joissa ei ole digitaalista salausta, lukuun ottamatta niitä, joita käytetään laskutusta koskevia tai ohjelmakohtaisia tietoja takaisin yleisradiolähetysten lähettäjille;

| c. | Laitteet, joiden salauskykyyn käyttäjä ei voi vaikuttaa ja jotka on erityisesti suunniteltu ja rajoitettu mahdollistamaan jotain seuraavista:








  1. | Kopioinnilta suojatun "ohjelmiston" käyttäminen; |
| --- | --- | --- |

c.

Laitteet, joiden salauskykyyn käyttäjä ei voi vaikuttaa ja jotka on erityisesti suunniteltu ja rajoitettu mahdollistamaan jotain seuraavista:

1.

Kopioinnilta suojatun "ohjelmiston" käyttäminen;

| 2. | Pääsy johonkin seuraavista:








  a. | Kopioinnilta suojattuihin, vain luettavissa oleviin välineisiin tallennettuihin sisältöihin; tai |
| --- | --- | --- |

2.

Pääsy johonkin seuraavista:

a.

Kopioinnilta suojattuihin, vain luettavissa oleviin välineisiin tallennettuihin sisältöihin; tai

| b. | Salatussa muodossa välineille tallennettuun informaatioon (esimerkiksi tekijänoikeuksien suojaamisen yhteydessä), kun väline tarjotaan myytäväksi yleisölle täysin samassa muodossa; |
| --- | --- |

b.

Salatussa muodossa välineille tallennettuun informaatioon (esimerkiksi tekijänoikeuksien suojaamisen yhteydessä), kun väline tarjotaan myytäväksi yleisölle täysin samassa muodossa;

| 3. | Tekijänoikeudella suojattujen audio/video-tietojen kopioinnin valvonta; tai |
| --- | --- |

3.

Tekijänoikeudella suojattujen audio/video-tietojen kopioinnin valvonta; tai

| 4. | Salaus ja/tai salauksen purku, jonka tarkoituksena on suojata puolijohdekomponenttien ja integroitujen piirien suunnittelua varten tarkoitettuja kirjastoja, suunnitteluparametrejä sekä niihin liittyviä tietoja; |
| --- | --- |

4.

Salaus ja/tai salauksen purku, jonka tarkoituksena on suojata puolijohdekomponenttien ja integroitujen piirien suunnittelua varten tarkoitettuja kirjastoja, suunnitteluparametrejä sekä niihin liittyviä tietoja;

| d. | Salauslaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu ja rajoitettu pankki- tai "rahaliikenteen" laitteisiin;

  Tekn. huom.:

  "Rahaliikenne" 5A002 kohdan huomautuksessa d sisältää maksujen tai luottojen keräämisen ja suoritukset. |
| --- | --- |

d.

Salauslaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu ja rajoitettu pankki- tai "rahaliikenteen" laitteisiin;

Tekn. huom.:

"Rahaliikenne" 5A002 kohdan huomautuksessa d sisältää maksujen tai luottojen keräämisen ja suoritukset.

| e. | Siviilikäyttöön tarkoitettuja (esim. kaupallisissa solukkoradiopuhelinjärjestelmissä käytettäviä) salaustoimintoja sisältäviä kannettavia tai siirrettäviä radiopuhelimia, jotka eivät pysty päästä-päähän-salaukseen; |
| --- | --- |

e.

Siviilikäyttöön tarkoitettuja (esim. kaupallisissa solukkoradiopuhelinjärjestelmissä käytettäviä) salaustoimintoja sisältäviä kannettavia tai siirrettäviä radiopuhelimia, jotka eivät pysty päästä-päähän-salaukseen;

| f. | Langattomat puhelimet, jotka eivät pysty päästä-päähän-salaukseen ja joiden suurin tehollinen vahvistamaton langaton toimintaetäisyys (eli yksittäinen linkitön hyppy päätteen ja tukiaseman välillä) on valmistajan antamien tietojen mukaan alle 400 metriä. |
| --- | --- |

f.

Langattomat puhelimet, jotka eivät pysty päästä-päähän-salaukseen ja joiden suurin tehollinen vahvistamaton langaton toimintaetäisyys (eli yksittäinen linkitön hyppy päätteen ja tukiaseman välillä) on valmistajan antamien tietojen mukaan alle 400 metriä.

5B2Testaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet

| 5B002a. | Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu:






  1. | 5A002, 5B002, 5D002 tai 5E002 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai toimintojen "kehittämistä" varten, mukaan lukien mittaus- tai testauslaitteet; |
| --- | --- | --- |

5B002a.

Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu:

1.

5A002, 5B002, 5D002 tai 5E002 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai toimintojen "kehittämistä" varten, mukaan lukien mittaus- tai testauslaitteet;

| 2. | 5A002, 5B002, 5D002 tai 5E002 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai toimintojen "tuotantoa" varten, mukaan lukien mittaus-, testaus-, huolto- tai tuotantolaitteet; |
| --- | --- |

2.

5A002, 5B002, 5D002 tai 5E002 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai toimintojen "tuotantoa" varten, mukaan lukien mittaus-, testaus-, huolto- tai tuotantolaitteet;

| b. | Mittalaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu 5A002 tai 5D002 kohdassa määriteltyjen "tiedon suojaus"toimintojen arviointia ja kelpuuttamista varten. |
| --- | --- |

b.

Mittalaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu 5A002 tai 5D002 kohdassa määriteltyjen "tiedon suojaus"toimintojen arviointia ja kelpuuttamista varten.

5C2Materiaalit

Ei ole.

5D2Ohjelmistot

| 5D002a. | 5A002, 5B002 tai 5D002 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai "ohjelmistojen""kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten erityisesti suunnitellut tai muunnetut "ohjelmistot"; |
| --- | --- |

5D002a.

5A002, 5B002 tai 5D002 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai "ohjelmistojen""kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten erityisesti suunnitellut tai muunnetut "ohjelmistot";

| b. | 5E002 kohdassa määriteltyä "teknologiaa" tukemaan erityisesti suunnitellut tai muunnetut "ohjelmistot"; |
| --- | --- |

b.

5E002 kohdassa määriteltyä "teknologiaa" tukemaan erityisesti suunnitellut tai muunnetut "ohjelmistot";

| c. | Seuraavat erityiset "ohjelmistot":






  1. | "Ohjelmistot", joilla on 5A002 tai 5B002 kohdassa määriteltyjen laitteiden ominaisuuksia tai jotka suorittavat tai simuloivat niiden toimintoja; |
| --- | --- | --- |

c.

Seuraavat erityiset "ohjelmistot":

1.

"Ohjelmistot", joilla on 5A002 tai 5B002 kohdassa määriteltyjen laitteiden ominaisuuksia tai jotka suorittavat tai simuloivat niiden toimintoja;

| 2. | "Ohjelmistot" 5D002.c.1 kohdassa määriteltyjen "ohjelmistojen" sertifiointia varten. |
| --- | --- |

2.

"Ohjelmistot" 5D002.c.1 kohdassa määriteltyjen "ohjelmistojen" sertifiointia varten.

Huom.: 5D002 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:

| a. | "Ohjelmistoja", joita tarvitaan 5A002 kohdan huomautuksen mukaan valvonnan ulkopuolelle jätettyjen laitteiden "käytössä"; |
| --- | --- |

a.

"Ohjelmistoja", joita tarvitaan 5A002 kohdan huomautuksen mukaan valvonnan ulkopuolelle jätettyjen laitteiden "käytössä";

| b. | "Ohjelmistoja", jotka mahdollistavat 5A002 huomautuksen mukaan valvonnan ulkopuolella olevien laitteiden toimintoja. |
| --- | --- |

b.

"Ohjelmistoja", jotka mahdollistavat 5A002 huomautuksen mukaan valvonnan ulkopuolella olevien laitteiden toimintoja.

5E2Teknologia

5E002"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 5A002, 5B002 tai 5D002 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai "ohjelmien""kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten.

RYHMÄ 6

ANTURIT JA LASERIT

6AJärjestelmät, laitteet ja komponentit

6A001Akustiikka

| a. | Seuraavat meriakustiset järjestelmät, laitteet tai erityisesti niitä varten suunnitellut komponentit:






  1. | Seuraavat aktiiviset (lähettävät tai lähettävät ja vastaanottavat) järjestelmät, laitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:


  Huom.: 6A001.a.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:








  a. | Vertikaalisesti laitteesta alaspäin toimivia syvyysluotaimia, jotka eivät sisällä ± 20 astetta ylittävää keilaustoimintoa ja ovat rajoitetut mittaamaan veden syvyyttä tai etäisyyttä uponneisiin tai hautautuneisiin kohteisiin tai paikallistamaan kalaparvia; |
| --- | --- | --- | --- |

a.

Seuraavat meriakustiset järjestelmät, laitteet tai erityisesti niitä varten suunnitellut komponentit:

1.

Seuraavat aktiiviset (lähettävät tai lähettävät ja vastaanottavat) järjestelmät, laitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:

Huom.: 6A001.a.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:

a.

Vertikaalisesti laitteesta alaspäin toimivia syvyysluotaimia, jotka eivät sisällä ± 20 astetta ylittävää keilaustoimintoa ja ovat rajoitetut mittaamaan veden syvyyttä tai etäisyyttä uponneisiin tai hautautuneisiin kohteisiin tai paikallistamaan kalaparvia;

| b. | Seuraavia akustisia majakoita:








  1. | Akustiset hätämajakat; |
| --- | --- | --- |

b.

Seuraavia akustisia majakoita:

1.

Akustiset hätämajakat;

| 2. | Äänimajakat, jotka on erityisesti suunniteltu vedenalaisen aseman paikantamista tai siihen palaamista varten. |
| --- | --- |

2.

Äänimajakat, jotka on erityisesti suunniteltu vedenalaisen aseman paikantamista tai siihen palaamista varten.

| a. | Leveäpeittoiset batymetriset kartoitusjärjestelmät merenpohjan topografian kartoitusta varten, joilla on kaikki seuraavat:






  1. | Suunniteltu mittaamaan vertikaalisesta suunnasta 20 astetta ylittävässä kulmassa; |
| --- | --- | --- |

a.

Leveäpeittoiset batymetriset kartoitusjärjestelmät merenpohjan topografian kartoitusta varten, joilla on kaikki seuraavat:

1.

Suunniteltu mittaamaan vertikaalisesta suunnasta 20 astetta ylittävässä kulmassa;

| 2. | Suunniteltu mittaamaan syvyyksiä yli 600 metriä vedenpinnan alla; ja |
| --- | --- |

2.

Suunniteltu mittaamaan syvyyksiä yli 600 metriä vedenpinnan alla; ja

| 3. | Suunniteltu mahdollistamaan jonkin seuraavista:






  a. | Useiden säteiden yhdistämisen, joista jokin on alle 1,9 astetta; tai |
| --- | --- | --- |

3.

Suunniteltu mahdollistamaan jonkin seuraavista:

a.

Useiden säteiden yhdistämisen, joista jokin on alle 1,9 astetta; tai

| b. | Parempia kuin 0,3 %:n veden syvyystiedon tarkkuuksia peittoalueella peiton yksittäisten mittausten keskiarvona laskettuna; |
| --- | --- |

b.

Parempia kuin 0,3 %:n veden syvyystiedon tarkkuuksia peittoalueella peiton yksittäisten mittausten keskiarvona laskettuna;

| b. | Kohteen havaitsemis- tai paikantamisjärjestelmät, joilla on jokin seuraavista:






  1. | Lähetystaajuus alle 10 kHz; |
| --- | --- | --- |

b.

Kohteen havaitsemis- tai paikantamisjärjestelmät, joilla on jokin seuraavista:

1.

Lähetystaajuus alle 10 kHz;

| 2. | Äänenpaineen taso yli 224 dB (vertailuarvo 1 μPa 1 m:ssä) laitteilla, joiden toimintataajuus on 10 kHz:n ja 24 kHz:n välisellä taajuusalueella; |
| --- | --- |

2.

Äänenpaineen taso yli 224 dB (vertailuarvo 1 μPa 1 m:ssä) laitteilla, joiden toimintataajuus on 10 kHz:n ja 24 kHz:n välisellä taajuusalueella;

| 3. | Äänenpaineen taso ylittää 235 dB (vertailuarvo 1 μPa 1 m:ssä) laitteilla, joiden toimintataajuus on 24 kHz:n ja 30 kHz:n välisellä taajuusalueella; |
| --- | --- |

3.

Äänenpaineen taso ylittää 235 dB (vertailuarvo 1 μPa 1 m:ssä) laitteilla, joiden toimintataajuus on 24 kHz:n ja 30 kHz:n välisellä taajuusalueella;

| 4. | Muodostavat minkä tahansa akselin suunnassa alle 1:n asteen säteitä ja toimintataajuus on vähemmän kuin 100 kHz; |
| --- | --- |

4.

Muodostavat minkä tahansa akselin suunnassa alle 1:n asteen säteitä ja toimintataajuus on vähemmän kuin 100 kHz;

| 5. | Suunniteltu toimimaan 5 120 m ylittävällä selvän näytön etäisyydellä; tai |
| --- | --- |

5.

Suunniteltu toimimaan 5 120 m ylittävällä selvän näytön etäisyydellä; tai

| 6. | Suunniteltu kestämään normaalissa käytössä painetta yli 1 000 metrin syvyyksissä ja sisältävät muuntimia, joilla on jokin seuraavista:






  a. | Dynaaminen kompensointi painetta vastaan; tai |
| --- | --- | --- |

6.

Suunniteltu kestämään normaalissa käytössä painetta yli 1 000 metrin syvyyksissä ja sisältävät muuntimia, joilla on jokin seuraavista:

a.

Dynaaminen kompensointi painetta vastaan; tai

| b. | Sisältävät muunninelementissä jotain muuta kuin lyijyzirkonaattititanaattia; |
| --- | --- |

b.

Sisältävät muunninelementissä jotain muuta kuin lyijyzirkonaattititanaattia;

| c. | Akustiset projektorit, mukaan lukien muuntimet, jotka sisältävät yksittäin tai suunnitellussa kombinaatiossa toimivia pietso-sähköisiä, magnetostriktiivisiä, sähköstriktiivisiä, sähködynaamisia tai hydraulisia elementtejä, ja joilla on jokin seuraavista:


  Huom. 1: Erityisesti muita laitteita varten suunniteltujen akustisten projektorien, muuntimet mukaan lukien, valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden valvonnanalaisuuden mukaan.



  Huom. 2: 6A001.a.1.c kohta ei aseta valvonnanalaiseksi elektronisia äänilähteitä, jotka suuntaavat ääntä vain pystysuunnassa, tai mekaanisia (esim. ilmatykki tai höyryshokkitykki) tai kemiallisia (esim. räjähde) äänilähteitä.







  1. | Hetkellisesti säteilevän ‧akustisen tehon tiheys‧ ylittää 0,01 mW/mm2/Hz laitteilla, jotka toimivat alle 10 kHz:n taajuuksilla; |
| --- | --- | --- |

c.

Akustiset projektorit, mukaan lukien muuntimet, jotka sisältävät yksittäin tai suunnitellussa kombinaatiossa toimivia pietso-sähköisiä, magnetostriktiivisiä, sähköstriktiivisiä, sähködynaamisia tai hydraulisia elementtejä, ja joilla on jokin seuraavista:

Huom. 1: Erityisesti muita laitteita varten suunniteltujen akustisten projektorien, muuntimet mukaan lukien, valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden valvonnanalaisuuden mukaan.

Huom. 2: 6A001.a.1.c kohta ei aseta valvonnanalaiseksi elektronisia äänilähteitä, jotka suuntaavat ääntä vain pystysuunnassa, tai mekaanisia (esim. ilmatykki tai höyryshokkitykki) tai kemiallisia (esim. räjähde) äänilähteitä.

1.

Hetkellisesti säteilevän ‧akustisen tehon tiheys‧ ylittää 0,01 mW/mm2/Hz laitteilla, jotka toimivat alle 10 kHz:n taajuuksilla;

| 2. | Jatkuvasti säteilevän ‧akustisen tehon tiheys‧ ylittää 0,001 mW/mm2/Hz laitteilla, jotka toimivat alle 10 kHz:n taajuuksilla; tai |
| --- | --- |

2.

Jatkuvasti säteilevän ‧akustisen tehon tiheys‧ ylittää 0,001 mW/mm2/Hz laitteilla, jotka toimivat alle 10 kHz:n taajuuksilla; tai

Tekn. huom.:

‧Akustisen tehon tiheys‧ saadaan jakamalla akustinen lähtöteho säteilevän pinnan pinta-alan ja toimintataajuuden tulolla.

| 3. | Sivukeilavaimennus ylittää 22 dB; |
| --- | --- |

3.

Sivukeilavaimennus ylittää 22 dB;

| d. | Akustiset järjestelmät, laitteet ja erityisesti suunnitellut komponentit pinta-alusten tai vedenalaisten alusten sijainnin määrittämistä varten, jotka on suunniteltu toimimaan yli 1 000 m:n etäisyydellä paikannustarkkuudella, joka on parempi kuin 10 m rms (tehollisarvo) 1 000 m:n etäisyydellä mitattuna;


  Huom.: 6A001.a.1.d kohta sisältää:








  a. | Laitteet, jotka käyttävät koherenttia "signaalinkäsittelyä" kahden tai useamman majakan ja pinta-aluksen tai vedenalaisen aluksen kuljettaman hydrofoniyksikön välillä; |
| --- | --- | --- |

d.

Akustiset järjestelmät, laitteet ja erityisesti suunnitellut komponentit pinta-alusten tai vedenalaisten alusten sijainnin määrittämistä varten, jotka on suunniteltu toimimaan yli 1 000 m:n etäisyydellä paikannustarkkuudella, joka on parempi kuin 10 m rms (tehollisarvo) 1 000 m:n etäisyydellä mitattuna;

Huom.: 6A001.a.1.d kohta sisältää:

a.

Laitteet, jotka käyttävät koherenttia "signaalinkäsittelyä" kahden tai useamman majakan ja pinta-aluksen tai vedenalaisen aluksen kuljettaman hydrofoniyksikön välillä;

| b. | Laitteet, jotka kykenevät automaattisesti korjaamaan äänen nopeuden etenemisvirheet jonkin pisteen laskemista varten. |
| --- | --- |

b.

Laitteet, jotka kykenevät automaattisesti korjaamaan äänen nopeuden etenemisvirheet jonkin pisteen laskemista varten.

| 2. | Seuraavat passiiviset (vastaanottavat, siitä riippumatta, liittyvätkö ne normaalissa käytössä erillisiin aktiivisiin laitteisiin) järjestelmät, laitteet tai erityisesti niitä varten suunnitellut komponentit:






  a. | Hydrofonit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:


  Huom.: Muita laitteita varten erityisesti suunniteltujen hydrofonien valvonnanalaisuus määräytyy kyseisten muiden laitteiden valvonnanalaisuuden mukaan.







  1. | Sisältävät yhtenäisiä taipuisia anturielementtejä; |
| --- | --- | --- | --- |

2.

Seuraavat passiiviset (vastaanottavat, siitä riippumatta, liittyvätkö ne normaalissa käytössä erillisiin aktiivisiin laitteisiin) järjestelmät, laitteet tai erityisesti niitä varten suunnitellut komponentit:

a.

Hydrofonit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

Huom.: Muita laitteita varten erityisesti suunniteltujen hydrofonien valvonnanalaisuus määräytyy kyseisten muiden laitteiden valvonnanalaisuuden mukaan.

1.

Sisältävät yhtenäisiä taipuisia anturielementtejä;

| 2. | Sisältävät taipuisia kokoonpanoja erillisistä anturielementeistä, joiden läpimitta tai pituus on vähemmän kuin 20 mm ja etäisyys toisistaan vähemmän kuin 20 mm; |
| --- | --- |

2.

Sisältävät taipuisia kokoonpanoja erillisistä anturielementeistä, joiden läpimitta tai pituus on vähemmän kuin 20 mm ja etäisyys toisistaan vähemmän kuin 20 mm;

| 3. | Sisältävät jonkin seuraavista anturielementeistä:






  a. | Optisia kuituja; |
| --- | --- | --- |

3.

Sisältävät jonkin seuraavista anturielementeistä:

a.

Optisia kuituja;

| b. | ‧Pietsosähköisiä polymeerikalvoja‧, lukuun ottamatta polyvinylideenifluoridia (PVDF) ja sen sekapolymeereja {P(VDF-TrFE) ja P(VDF-TFE)}; tai |
| --- | --- |

b.

‧Pietsosähköisiä polymeerikalvoja‧, lukuun ottamatta polyvinylideenifluoridia (PVDF) ja sen sekapolymeereja {P(VDF-TrFE) ja P(VDF-TFE)}; tai

| c. | ‧Taipuisia pietsosähköisiä komposiitteja‧; |
| --- | --- |

c.

‧Taipuisia pietsosähköisiä komposiitteja‧;

| 4. | "Hydrofonin herkkyys" ilman kiihtyvyyskompensointia on parempi kuin 180 dB missä tahansa syvyydessä; |
| --- | --- |

4.

"Hydrofonin herkkyys" ilman kiihtyvyyskompensointia on parempi kuin 180 dB missä tahansa syvyydessä;

| 5. | Yli 35 metrin syvyyksissä toimimaan suunnitellussa hydrofonissa, joissa on kiihtyvyyskompensointi; tai |
| --- | --- |

5.

Yli 35 metrin syvyyksissä toimimaan suunnitellussa hydrofonissa, joissa on kiihtyvyyskompensointi; tai

| 6. | Suunniteltu toimimaan yli 1 000 m:n syvyyksissä; |
| --- | --- |

6.

Suunniteltu toimimaan yli 1 000 m:n syvyyksissä;

Tekn. huom.:

| 1. | Anturielementti ‧pietsosähköinen polymeerikalvo‧ koostuu polaroidusta polymeerikalvosta, joka on venytetty ja kiinnitetty tukikehykseen tai -rullaan (tuurna). |
| --- | --- |

1.

Anturielementti ‧pietsosähköinen polymeerikalvo‧ koostuu polaroidusta polymeerikalvosta, joka on venytetty ja kiinnitetty tukikehykseen tai -rullaan (tuurna).

| 2. | Anturielementti ‧taipuisa pietsosähköinen komposiitti‧ koostuu pietsosähköisistä keraamisista hiukkasista tai kuiduista, jotka on yhdistetty sähköä eristävään ja ääntä läpäisevään kumiin, polymeeriin tai epoksiyhdisteeseen, jossa yhdiste on anturielementin kiinteä osa. |
| --- | --- |

2.

Anturielementti ‧taipuisa pietsosähköinen komposiitti‧ koostuu pietsosähköisistä keraamisista hiukkasista tai kuiduista, jotka on yhdistetty sähköä eristävään ja ääntä läpäisevään kumiin, polymeeriin tai epoksiyhdisteeseen, jossa yhdiste on anturielementin kiinteä osa.

| 3. | "Hydrofonin herkkyys" määritellään ulostulojännitteen rms-arvon ja 1 V:n rms vertailuarvon suhteen kaksikymmenkertaisena kymmenlogaritmina, kun hydrofonianturi, ilman etuvahvistinta, asetetaan akustiseen tasoaaltokenttään, jonka rms paine on 1 μPa. Esimerkiksi – 160 dB:n hydrofoni (vertailuarvo 1 V mikropascalia kohti) antaisi sellaisessa kentässä 10– 8 V:n ulostulojännitteen, kun taas toinen – 180 dB:n herkkyydellä antaisi vain 10– 9 V:n ulostulojännitteen. Siten – 160 dB on parempi kuin – 180 dB. |
| --- | --- |

3.

"Hydrofonin herkkyys" määritellään ulostulojännitteen rms-arvon ja 1 V:n rms vertailuarvon suhteen kaksikymmenkertaisena kymmenlogaritmina, kun hydrofonianturi, ilman etuvahvistinta, asetetaan akustiseen tasoaaltokenttään, jonka rms paine on 1 μPa. Esimerkiksi – 160 dB:n hydrofoni (vertailuarvo 1 V mikropascalia kohti) antaisi sellaisessa kentässä 10– 8 V:n ulostulojännitteen, kun taas toinen – 180 dB:n herkkyydellä antaisi vain 10– 9 V:n ulostulojännitteen. Siten – 160 dB on parempi kuin – 180 dB.

| b. | Hinattavat akustiset hydrofonijärjestelmät, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Hydrofoniryhmien välinen etäisyys on vähemmän kuin 12,5 m tai ne "voidaan muuntaa" siten, että hydrofoniryhmien välinen etäisyys on vähemmän kuin 12,5 m; |
| --- | --- | --- |

b.

Hinattavat akustiset hydrofonijärjestelmät, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Hydrofoniryhmien välinen etäisyys on vähemmän kuin 12,5 m tai ne "voidaan muuntaa" siten, että hydrofoniryhmien välinen etäisyys on vähemmän kuin 12,5 m;

| 2. | Suunniteltu tai ‧voidaan muuntaa‧ toimimaan yli 35 metrin syvyyksissä;
  Tekn. huom.:

  6A001.a.2.b.1 ja 2 kohdassa termi ‧voidaan muuntaa‧ tarkoittaa varautumista mahdollisuuteen muuttaa kaapelointia tai kytkentöjä hydrofoniryhmien välisen etäisyyden tai niiden toimintasyvyyden rajojen muuttamiseksi. Näitä varautumisia ovat: varakaapelointi, joka ylittää 10 % kaapelien lukumäärästä, hydrofoniryhmien välisen etäisyyden sovituslohkot tai sisäiset syvyyden rajoituslaitteet, jotka ovat säädettäviä tai jotka ohjaavat useampaa kuin yhtä hydrofoniryhmää. |
| --- | --- |

2.

Suunniteltu tai ‧voidaan muuntaa‧ toimimaan yli 35 metrin syvyyksissä;

Tekn. huom.:

6A001.a.2.b.1 ja 2 kohdassa termi ‧voidaan muuntaa‧ tarkoittaa varautumista mahdollisuuteen muuttaa kaapelointia tai kytkentöjä hydrofoniryhmien välisen etäisyyden tai niiden toimintasyvyyden rajojen muuttamiseksi. Näitä varautumisia ovat: varakaapelointi, joka ylittää 10 % kaapelien lukumäärästä, hydrofoniryhmien välisen etäisyyden sovituslohkot tai sisäiset syvyyden rajoituslaitteet, jotka ovat säädettäviä tai jotka ohjaavat useampaa kuin yhtä hydrofoniryhmää.

| 3. | 6A001.a.2.d kohdan mukaan valvonnanalaiset suunta-anturit; |
| --- | --- |

3.

6A001.a.2.d kohdan mukaan valvonnanalaiset suunta-anturit;

| 4. | Pitkittäissuunnassa lujitetut järjestelmäsukat; |
| --- | --- |

4.

Pitkittäissuunnassa lujitetut järjestelmäsukat;

| 5. | Kokoonpantu järjestelmä on läpimitaltaan vähemmän kuin 40 mm; |
| --- | --- |

5.

Kokoonpantu järjestelmä on läpimitaltaan vähemmän kuin 40 mm;

| 6. | Multipleksoidut hydrofoniryhmien signaalit, jotka on suunniteltu toimimaan yli 35:n syvyyksissä tai aseteltava tai irrotettava syvyysanturilaite yli 35 m:n syvyyksissä tapahtuvaa toimintaa varten; tai |
| --- | --- |

6.

Multipleksoidut hydrofoniryhmien signaalit, jotka on suunniteltu toimimaan yli 35:n syvyyksissä tai aseteltava tai irrotettava syvyysanturilaite yli 35 m:n syvyyksissä tapahtuvaa toimintaa varten; tai

| 7. | Hydrofoniominaisuudet ovat 6A001.a.2.a kohdassa määriteltyjä; |
| --- | --- |

7.

Hydrofoniominaisuudet ovat 6A001.a.2.a kohdassa määriteltyjä;

| c. | Hinattavia akustisia hydrofonijärjestelmiä varten erityisesti suunnitellut (signaalien) käsittelylaitteet, jotka ovat "käyttäjän ohjelmoitavissa" ja joissa on aika- tai taajuusalueen käsittely ja korrelaatio, mukaan lukien spektrianalyysi, digitaalinen suodatus ja säteen muotoilu käyttäen nopeaa Fourier-muunnosta tai muita muunnoksia tai käsittelyjä; |
| --- | --- |

c.

Hinattavia akustisia hydrofonijärjestelmiä varten erityisesti suunnitellut (signaalien) käsittelylaitteet, jotka ovat "käyttäjän ohjelmoitavissa" ja joissa on aika- tai taajuusalueen käsittely ja korrelaatio, mukaan lukien spektrianalyysi, digitaalinen suodatus ja säteen muotoilu käyttäen nopeaa Fourier-muunnosta tai muita muunnoksia tai käsittelyjä;

| d. | Suunta-anturit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Tarkkuus on parempi kuin ±0,5 astetta; ja |
| --- | --- | --- |

d.

Suunta-anturit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Tarkkuus on parempi kuin ±0,5 astetta; ja

| 2. | Suunniteltu toimimaan yli 35 m:n syvyyksissä tai joilla on säädettävä tai irrotettava syvyysanturilaite yli 35 m:n syvyyksissä tapahtuvaa toimintaa varten; |
| --- | --- |

2.

Suunniteltu toimimaan yli 35 m:n syvyyksissä tai joilla on säädettävä tai irrotettava syvyysanturilaite yli 35 m:n syvyyksissä tapahtuvaa toimintaa varten;

| e. | Pohja- tai poukamakaapelijärjestelmät, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Se sisältää 6A001.a.2.a kohdassa määriteltyjä hydrofoneja; tai |
| --- | --- | --- |

e.

Pohja- tai poukamakaapelijärjestelmät, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Se sisältää 6A001.a.2.a kohdassa määriteltyjä hydrofoneja; tai

| 2. | Multipleksoituja hydrofoniryhmien signaalimoduleja, joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Suunniteltu toimimaan yli 35 m:n syvyyksissä tai aseteltava tai irrotettava syvyysanturilaite yli 35 m:n syvyyksissä tapahtuvaa toimintaa varten; ja |
| --- | --- | --- |

2.

Multipleksoituja hydrofoniryhmien signaalimoduleja, joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista:

a.

Suunniteltu toimimaan yli 35 m:n syvyyksissä tai aseteltava tai irrotettava syvyysanturilaite yli 35 m:n syvyyksissä tapahtuvaa toimintaa varten; ja

| b. | Voidaan vaihtaa hinattavien akustisten hydrofonijärjestelmämoduulien kanssa toiminnallisesti. |
| --- | --- |

b.

Voidaan vaihtaa hinattavien akustisten hydrofonijärjestelmämoduulien kanssa toiminnallisesti.

| f. | Pohja- tai poukamakaapelijärjestelmiä varten erityisesti suunnitellut (signaalien) käsittelylaitteet, jotka ovat "käyttäjän ohjelmoitavissa" ja joissa on aika- tai taajuusalueen käsittely ja korrelaatio, mukaan lukien spektrianalyysi, digitaalinen suodatus ja säteen muotoilu käyttäen nopeaa Fourier-muunnosta tai muita muunnoksia tai käsittelyjä; |
| --- | --- |

f.

Pohja- tai poukamakaapelijärjestelmiä varten erityisesti suunnitellut (signaalien) käsittelylaitteet, jotka ovat "käyttäjän ohjelmoitavissa" ja joissa on aika- tai taajuusalueen käsittely ja korrelaatio, mukaan lukien spektrianalyysi, digitaalinen suodatus ja säteen muotoilu käyttäen nopeaa Fourier-muunnosta tai muita muunnoksia tai käsittelyjä;

| b. | Nopeuskorrelaatiota suorittavat ääniluotainlokit, jotka on suunniteltu mittaamaan niitä kuljettavan aluksen horisontaalista nopeutta merenpohjan suhteen 500 m ylittävillä aluksen ja merenpohjan välisillä etäisyyksillä. |
| --- | --- |

b.

Nopeuskorrelaatiota suorittavat ääniluotainlokit, jotka on suunniteltu mittaamaan niitä kuljettavan aluksen horisontaalista nopeutta merenpohjan suhteen 500 m ylittävillä aluksen ja merenpohjan välisillä etäisyyksillä.

6A002Optiset anturit

Huom.: KATSO MYÖS 6A102 KOHTA.

| a. | Seuraavat optiset ilmaisimet:


  Huom.: 6A002.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi germanium- tai piipohjaisia valoherkkiä komponentteja.


  Huom.: Piihin tai muuhun aineeseen pohjautuvien mikrobolometrien ei-"avaruuskelpoiset""fokusoivat tasorakenteet" määritellään ainoastaan 64A002.a.3.f kohdassa.







  1. | Seuraavat "avaruuskelpoiset" solid-state-ilmaisimet:






  a. | "Avaruuskelpoiset" solid-state ilmaisimet, joilla on kaikki seuraavat:






  1. | Vastehuippu aallonpituusalueella, joka on yli 10 nm, mutta ei yli 300 nm; ja |
| --- | --- | --- | --- | --- |

a.

Seuraavat optiset ilmaisimet:

Huom.: 6A002.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi germanium- tai piipohjaisia valoherkkiä komponentteja.

Huom.: Piihin tai muuhun aineeseen pohjautuvien mikrobolometrien ei-"avaruuskelpoiset""fokusoivat tasorakenteet" määritellään ainoastaan 64A002.a.3.f kohdassa.

1.

Seuraavat "avaruuskelpoiset" solid-state-ilmaisimet:

a.

"Avaruuskelpoiset" solid-state ilmaisimet, joilla on kaikki seuraavat:

1.

Vastehuippu aallonpituusalueella, joka on yli 10 nm, mutta ei yli 300 nm; ja

| 2. | Vaste yli 400 nm:n aallonpituuksilla vähemmän kuin 0,1 % vastehuipusta; |
| --- | --- |

2.

Vaste yli 400 nm:n aallonpituuksilla vähemmän kuin 0,1 % vastehuipusta;

| b. | "Avaruuskelpoiset" solid-state ilmaisimet, joilla on kaikki seuraavat:






  1. | Vastehuippu aallonpituusalueella, joka on yli 900 nm, mutta ei yli 1 200 nm; ja |
| --- | --- | --- |

b.

"Avaruuskelpoiset" solid-state ilmaisimet, joilla on kaikki seuraavat:

1.

Vastehuippu aallonpituusalueella, joka on yli 900 nm, mutta ei yli 1 200 nm; ja

| 2. | Vasteen "aikavakio" 95 ns tai vähemmän; |
| --- | --- |

2.

Vasteen "aikavakio" 95 ns tai vähemmän;

| c. | "Avaruuskelpoiset" solid-state ilmaisimet, joiden vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1 200 nm, mutta ei yli 30 000 nm; |
| --- | --- |

c.

"Avaruuskelpoiset" solid-state ilmaisimet, joiden vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1 200 nm, mutta ei yli 30 000 nm;

| 2. | Seuraavat kuvanvahvistinputket ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:






  a. | Kuvanvahvistinputket, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 400 nm, mutta ei yli 1 050 nm; |
| --- | --- | --- | --- |

2.

Seuraavat kuvanvahvistinputket ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:

a.

Kuvanvahvistinputket, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 400 nm, mutta ei yli 1 050 nm;

| 2. | Elektronista kuvanvahvistusta varten mikrokanavalevy, jonka reikätiheys (keskipisteiden välinen etäisyys) on 12 μm tai vähemmän; ja |
| --- | --- |

2.

Elektronista kuvanvahvistusta varten mikrokanavalevy, jonka reikätiheys (keskipisteiden välinen etäisyys) on 12 μm tai vähemmän; ja

| 3. | Jokin seuraavista valokatodeista:






  a. | S-20-, S-25- tai monialkaalivalokatodit, joiden valoherkkyys ylittää 350 μA/lm; |
| --- | --- | --- |

3.

Jokin seuraavista valokatodeista:

a.

S-20-, S-25- tai monialkaalivalokatodit, joiden valoherkkyys ylittää 350 μA/lm;

| b. | GaAs- tai GaInAs-valokatodit; tai |
| --- | --- |

b.

GaAs- tai GaInAs-valokatodit; tai

| c. | Muut III-V yhdistepuolijohteisiin perustuvat valokatodit;


  Huom.: 6A002.a.2.a.3.c kohtaa ei sovelleta yhdistepuolijohteisiin perustuviin valokatodeihin, joiden maksimi säteilynherkkyys on 10 mA/W tai vähemmän. |
| --- | --- |

c.

Muut III-V yhdistepuolijohteisiin perustuvat valokatodit;

Huom.: 6A002.a.2.a.3.c kohtaa ei sovelleta yhdistepuolijohteisiin perustuviin valokatodeihin, joiden maksimi säteilynherkkyys on 10 mA/W tai vähemmän.

| b. | Seuraavat erityisesti suunnitellut komponentit:






  1. | Mikrokanavalevyt, joiden reikätiheys (keskipisteiden välinen etäisyys) on 12 μm tai vähemmän; |
| --- | --- | --- |

b.

Seuraavat erityisesti suunnitellut komponentit:

1.

Mikrokanavalevyt, joiden reikätiheys (keskipisteiden välinen etäisyys) on 12 μm tai vähemmän;

| 2. | GaAs- tai GaInAs-valokatodit; |
| --- | --- |

2.

GaAs- tai GaInAs-valokatodit;

| 3. | Muut III-V yhdistepuolijohteisiin perustuvat valokatodit;


  Huom.: 6A002.a.2.b.3 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi yhdistepuolijohteisiin perustuvia valokatodeja, joiden maksimi säteilynherkkyys on 10 mA/W tai vähemmän. |
| --- | --- |

3.

Muut III-V yhdistepuolijohteisiin perustuvat valokatodit;

Huom.: 6A002.a.2.b.3 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi yhdistepuolijohteisiin perustuvia valokatodeja, joiden maksimi säteilynherkkyys on 10 mA/W tai vähemmän.

| 3. | Seuraavat ei-"avaruuskelpoiset""fokusoivat tasorakenteet":

  Huom.: Piihin tai muuhun aineeseen pohjautuvien mikrobolometrien ei-"avaruuskelpoiset""fokusoivat tasorakenteet" määritellään ainoastaan 64A002.a.3.f kohdassa.

  Tekn. huom.:







  1. | Lineaarisia tai kaksiulotteisia monielementtisiä ilmaisinrakenteita pidetään "fokusoivina tasorakenteina"; |
| --- | --- | --- |

3.

Seuraavat ei-"avaruuskelpoiset""fokusoivat tasorakenteet":

Huom.: Piihin tai muuhun aineeseen pohjautuvien mikrobolometrien ei-"avaruuskelpoiset""fokusoivat tasorakenteet" määritellään ainoastaan 64A002.a.3.f kohdassa.

Tekn. huom.:

1.

Lineaarisia tai kaksiulotteisia monielementtisiä ilmaisinrakenteita pidetään "fokusoivina tasorakenteina";

| 2. | 6A002.a.3 kohdassa ‧ristiskannaussuunta‧ määritellään ilmaisinelementtien lineaarisen rakenteen suuntaiseksi akseliksi ja ‧skannaussuunta‧ ilmaisinelementtien lineaarista rakennetta vasten kohtisuorassa olevaksi akseliksi. |
| --- | --- |

2.

6A002.a.3 kohdassa ‧ristiskannaussuunta‧ määritellään ilmaisinelementtien lineaarisen rakenteen suuntaiseksi akseliksi ja ‧skannaussuunta‧ ilmaisinelementtien lineaarista rakennetta vasten kohtisuorassa olevaksi akseliksi.

Huom. 1: 6A002.a.3 kohta sisältää valojohtavat ja valosähköiset rakenteet.

Huom. 2: 6A002.a.3 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:

| a. | Monielementtisiä (korkeintaan 16 elementtiä sisältäviä) koteloituja valojohtavia pareja, joissa käytetään joko lyijysulfidia tai lyijyselenidiä; |
| --- | --- |

a.

Monielementtisiä (korkeintaan 16 elementtiä sisältäviä) koteloituja valojohtavia pareja, joissa käytetään joko lyijysulfidia tai lyijyselenidiä;

| b. | Pyrosähköisiä ilmaisimia, jotka perustuvat joihinkin seuraavista:








  1. | Triglysiinisulfaatti ja sen muunnokset; |
| --- | --- | --- |

b.

Pyrosähköisiä ilmaisimia, jotka perustuvat joihinkin seuraavista:

1.

Triglysiinisulfaatti ja sen muunnokset;

| 2. | Lyijylantaanizirkoniumtitanaatti ja sen muunnokset; |
| --- | --- |

2.

Lyijylantaanizirkoniumtitanaatti ja sen muunnokset;

| 3. | Litiumtantalaatti; |
| --- | --- |

3.

Litiumtantalaatti;

| 4. | Polyvinyylideenifluoridi ja sen muunnokset; tai |
| --- | --- |

4.

Polyvinyylideenifluoridi ja sen muunnokset; tai

| 5. | Strontiumbariumniobaatti ja sen muunnokset; |
| --- | --- |

5.

Strontiumbariumniobaatti ja sen muunnokset;

| a. | Ei-"avaruuskelpoiset""fokusoivat tasorakenteet", joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 900 nm mutta ei yli 1 050 nm; ja |
| --- | --- | --- |

a.

Ei-"avaruuskelpoiset""fokusoivat tasorakenteet", joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 900 nm mutta ei yli 1 050 nm; ja

| 2. | Vasteen "aikavakio" on vähemmän kuin 0,5 ns; |
| --- | --- |

2.

Vasteen "aikavakio" on vähemmän kuin 0,5 ns;

| b. | Ei-"avaruuskelpoiset""fokusoivat tasorakenteet", joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1 050 nm mutta ei yli 1 200 nm; ja |
| --- | --- | --- |

b.

Ei-"avaruuskelpoiset""fokusoivat tasorakenteet", joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1 050 nm mutta ei yli 1 200 nm; ja

| 2. | Vasteen "aikavakio" on 95 ns tai vähemmän; |
| --- | --- |

2.

Vasteen "aikavakio" on 95 ns tai vähemmän;

| c. | Ei-"avaruuskelpoiset" epälineaariset (kaksiulotteiset) "fokusoivat tasorakenteet", joissa yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1 200 nm, mutta ei yli 30 000 nm;


  Huom.: Piihin tai muuhun aineeseen pohjautuvien mikrobolometrien ei-"avaruuskelpoiset""fokusoivat tasorakenteet" määritellään ainoastaan 64A002.a.3.f kohdassa. |
| --- | --- |

c.

Ei-"avaruuskelpoiset" epälineaariset (kaksiulotteiset) "fokusoivat tasorakenteet", joissa yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1 200 nm, mutta ei yli 30 000 nm;

Huom.: Piihin tai muuhun aineeseen pohjautuvien mikrobolometrien ei-"avaruuskelpoiset""fokusoivat tasorakenteet" määritellään ainoastaan 64A002.a.3.f kohdassa.

| d. | Ei-"avaruuskelpoiset" lineaariset (yksiulotteiset) "fokusoivat tasorakenteet", joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1 200 nm, mutta ei yli 2 500 nm; ja |
| --- | --- | --- |

d.

Ei-"avaruuskelpoiset" lineaariset (yksiulotteiset) "fokusoivat tasorakenteet", joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista:

1.

Yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1 200 nm, mutta ei yli 2 500 nm; ja

| 2. | Jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Ilmaisinelementin skannaussuunnan mitan suhde ilmaisinelementin ristiskannaussuunnan mittaan vähemmän kuin 3,8; tai |
| --- | --- | --- |

2.

Jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Ilmaisinelementin skannaussuunnan mitan suhde ilmaisinelementin ristiskannaussuunnan mittaan vähemmän kuin 3,8; tai

| b. | Signaalin prosessointi elementissä (SPRITE); |
| --- | --- |

b.

Signaalin prosessointi elementissä (SPRITE);

| e. | Ei-"avaruuskelpoiset" lineaariset (yksiulotteiset) "fokusoivat tasorakenteet", joissa yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 2 500 nm, mutta ei yli 30 000 nm. |
| --- | --- |

e.

Ei-"avaruuskelpoiset" lineaariset (yksiulotteiset) "fokusoivat tasorakenteet", joissa yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 2 500 nm, mutta ei yli 30 000 nm.

| f. | ‧Mikrobolometri‧-aineeseen pohjautuvat ei-"avaruuskelpoiset" epälineaariset (kaksiulotteiset) "fokusoivat tasorakenteet", joissa yksittäisten elementtien suodattamaton vaste on aallonpituusalueella, joka on yhtä suuri tai suurempi kuin 8 000 nm mutta ei suurempi kuin 14 000 nm.
  Tekn. huom.:

  6A002.a.3.f kohdassa ‧mikrobolometri‧ määritellään lämpökuvausanturiksi, jota infrapunasäteilyn absorption aiheuttaman lämpötilamuutoksen vuoksi käytetään tuottamaan mitä tahansa käyttökelpoista signaalia. |
| --- | --- |

f.

‧Mikrobolometri‧-aineeseen pohjautuvat ei-"avaruuskelpoiset" epälineaariset (kaksiulotteiset) "fokusoivat tasorakenteet", joissa yksittäisten elementtien suodattamaton vaste on aallonpituusalueella, joka on yhtä suuri tai suurempi kuin 8 000 nm mutta ei suurempi kuin 14 000 nm.

Tekn. huom.:

6A002.a.3.f kohdassa ‧mikrobolometri‧ määritellään lämpökuvausanturiksi, jota infrapunasäteilyn absorption aiheuttaman lämpötilamuutoksen vuoksi käytetään tuottamaan mitä tahansa käyttökelpoista signaalia.

| b. | Etäishavainnointisovelluksiin suunnitellut "yksispektriset kuvannusanturit" ja "monispektriset kuvannusanturit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Hetkellinen näkökenttä (IFOV) on vähemmän kuin 200 μrad (mikroradiaania); tai |
| --- | --- | --- |

b.

Etäishavainnointisovelluksiin suunnitellut "yksispektriset kuvannusanturit" ja "monispektriset kuvannusanturit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Hetkellinen näkökenttä (IFOV) on vähemmän kuin 200 μrad (mikroradiaania); tai

| 2. | Ne on määritelty toimimaan aallonpituusalueella, joka on yli 400 nm, mutta ei yli 30 000 nm, ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  a. | Ne antavat kuvatiedon ulostulossaan digitaalisessa muodossa; ja |
| --- | --- | --- |

2.

Ne on määritelty toimimaan aallonpituusalueella, joka on yli 400 nm, mutta ei yli 30 000 nm, ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

Ne antavat kuvatiedon ulostulossaan digitaalisessa muodossa; ja

| b. | Ne ovat jotain seuraavista:






  1. | "Avaruuskelpoisia"; tai |
| --- | --- | --- |

b.

Ne ovat jotain seuraavista:

1.

"Avaruuskelpoisia"; tai

| 2. | Ne on suunniteltu ilmassa tapahtuvaan toimintaan suunniteltuja ja käyttävät muita kuin pii-ilmaisimia, joiden IFOV on vähemmän kuin 2,5 mrad (milliradiaania); |
| --- | --- |

2.

Ne on suunniteltu ilmassa tapahtuvaan toimintaan suunniteltuja ja käyttävät muita kuin pii-ilmaisimia, joiden IFOV on vähemmän kuin 2,5 mrad (milliradiaania);

| c. | ‧Suorakatselu‧kuvauslaitteet, jotka toimivat spektrin näkyvällä tai infrapuna-alueella ja jotka sisältävät jonkin seuraavista:






  1. | 6A002.a.2.a kohdassa määriteltyjä kuvanvahvistinputkia; tai |
| --- | --- | --- |

c.

‧Suorakatselu‧kuvauslaitteet, jotka toimivat spektrin näkyvällä tai infrapuna-alueella ja jotka sisältävät jonkin seuraavista:

1.

6A002.a.2.a kohdassa määriteltyjä kuvanvahvistinputkia; tai

| 2. | 6A002.a.3 kohdassa määriteltyjä "fokusoivia tasorakenteita"; |
| --- | --- |

2.

6A002.a.3 kohdassa määriteltyjä "fokusoivia tasorakenteita";

Tekn. huom.:

Termi ‧suorakatselu‧ viittaa kuvauslaitteisiin, jotka toimivat spektrin näkyvällä tai infrapuna-alueella ja jotka näyttävät visuaalisen kuvan tarkkailijalle muuttamatta kuvaa sähköiseksi signaaliksi televisionäyttöä varten, ja jotka eivät voi tallettaa kuvaa valokuvana, elektronisesti tai millään muullakaan tavalla.

Huom.: 6A002.c kohta ei aseta valvonnanalaiseksi seuraavia laitteita, jotka sisältävät muita kuin GaAs- tai GaInAs-valokatodeja:

| a. | Teollisuus- tai siviilikäyttöön tarkoitetut murtohälyttimet, liikenteessä tai teollisuudessa käytettävät liikkeen ohjaus- tai laskentajärjestelmät; |
| --- | --- |

a.

Teollisuus- tai siviilikäyttöön tarkoitetut murtohälyttimet, liikenteessä tai teollisuudessa käytettävät liikkeen ohjaus- tai laskentajärjestelmät;

| b. | Lääketieteelliset laitteet; |
| --- | --- |

b.

Lääketieteelliset laitteet;

| c. | Teollisuuden laitteet, joita käytetään materiaalien ominaisuuksien tarkastukseen, lajitteluun tai analysointiin; |
| --- | --- |

c.

Teollisuuden laitteet, joita käytetään materiaalien ominaisuuksien tarkastukseen, lajitteluun tai analysointiin;

| d. | Teollisten uunien liekinilmaisimet; |
| --- | --- |

d.

Teollisten uunien liekinilmaisimet;

| e. | Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu laboratoriokäyttöön. |
| --- | --- |

e.

Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu laboratoriokäyttöön.

| d. | Seuraavat optisten anturien toimintaa tukevat erikoiskomponentit:






  1. | "Avaruuskelpoiset" kryojäähdyttimet; |
| --- | --- | --- |

d.

Seuraavat optisten anturien toimintaa tukevat erikoiskomponentit:

1.

"Avaruuskelpoiset" kryojäähdyttimet;

| 2. | Seuraavat ei-"avaruuskelpoiset" kryojäähdyttimet, joiden kylmälähteen lämpötila on alle 218 K (–55 °C):






  a. | Suljetulla kierrolla varustetut, joiden määritelty keskimääräinen vioittumisaika (MTTF) tai keskimääräinen vikaväli (MTBF) ylittää 2 500 tuntia; |
| --- | --- | --- |

2.

Seuraavat ei-"avaruuskelpoiset" kryojäähdyttimet, joiden kylmälähteen lämpötila on alle 218 K (–55 °C):

a.

Suljetulla kierrolla varustetut, joiden määritelty keskimääräinen vioittumisaika (MTTF) tai keskimääräinen vikaväli (MTBF) ylittää 2 500 tuntia;

| b. | Itsesäätävät Joule-Thomson (JT) -minijäähdyttimet, joiden ulkoläpimitta on vähemmän kuin 8 mm; |
| --- | --- |

b.

Itsesäätävät Joule-Thomson (JT) -minijäähdyttimet, joiden ulkoläpimitta on vähemmän kuin 8 mm;

| 3. | Optiset anturointikuidut, jotka on erityisesti valmistettu, joko koostumuksellisesti tai rakenteellisesti tai pinnoittamalla, akustisesti, termisesti, inertiaalisesti, sähkömagneettisesti tai ydinsäteilylle herkiksi; |
| --- | --- |

3.

Optiset anturointikuidut, jotka on erityisesti valmistettu, joko koostumuksellisesti tai rakenteellisesti tai pinnoittamalla, akustisesti, termisesti, inertiaalisesti, sähkömagneettisesti tai ydinsäteilylle herkiksi;

| e. | "Avaruuskelpoiset""fokusoivat tasorakenteet", joissa on enemmän kuin 2 048 elementtiä ryhmää kohti ja joiden huippuvaste on aallonpituusalueella, joka on yli 300 nm, mutta ei yli 900 nm. |
| --- | --- |

e.

"Avaruuskelpoiset""fokusoivat tasorakenteet", joissa on enemmän kuin 2 048 elementtiä ryhmää kohti ja joiden huippuvaste on aallonpituusalueella, joka on yli 300 nm, mutta ei yli 900 nm.

6A003Kamerat

Huom.: KATSO MYÖS 6A203 KOHTA.

Huom.: Kamerat, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu vedenalaiseen käyttöön: katso 8A002.d ja 8A002.e kohta.

| a. | Seuraavat instrumentointikamerat ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:


  Huom.: 6A003.a.3–6A003.a.5 kohdassa määritellyt moduulirakenteiset instrumentointikamerat on arvioitava niiden suurimman suorituskyvyn mukaan käyttäen saatavilla olevia ohjelmalisäkkeitä kameran valmistajan eritelmien mukaisesti.







  1. | Suurinopeuksiset elokuvakamerat, jotka käyttävät mitä tahansa filmikokoa välillä 8 mm–16 mm, mukaan lukien ne kamerat, joissa filmiä siirretään jatkuvasti kuvausajanjakson aikana, ja jotka kykenevät ottamaan yli 13 150 kuvaa sekunnissa;


  Huom.: 6A003.a.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi siviilikäyttöön tarkoitettuja elokuvakameroita. |
| --- | --- | --- |

a.

Seuraavat instrumentointikamerat ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:

Huom.: 6A003.a.3–6A003.a.5 kohdassa määritellyt moduulirakenteiset instrumentointikamerat on arvioitava niiden suurimman suorituskyvyn mukaan käyttäen saatavilla olevia ohjelmalisäkkeitä kameran valmistajan eritelmien mukaisesti.

1.

Suurinopeuksiset elokuvakamerat, jotka käyttävät mitä tahansa filmikokoa välillä 8 mm–16 mm, mukaan lukien ne kamerat, joissa filmiä siirretään jatkuvasti kuvausajanjakson aikana, ja jotka kykenevät ottamaan yli 13 150 kuvaa sekunnissa;

Huom.: 6A003.a.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi siviilikäyttöön tarkoitettuja elokuvakameroita.

| 2. | Mekaaniset suurinopeuksiset kamerat, joissa filmi ei liiku ja jotka kykenevät ottamaan yli 1 000 000 kuvaa sekunnissa täydellä 35 mm:n filmin kuvan korkeudella tai suhteessa suuremmilla nopeuksilla, kun kuvan korkeus on pienempi tai suhteessa pienemmillä nopeuksilla, kun kuvan korkeus on suurempi; |
| --- | --- |

2.

Mekaaniset suurinopeuksiset kamerat, joissa filmi ei liiku ja jotka kykenevät ottamaan yli 1 000 000 kuvaa sekunnissa täydellä 35 mm:n filmin kuvan korkeudella tai suhteessa suuremmilla nopeuksilla, kun kuvan korkeus on pienempi tai suhteessa pienemmillä nopeuksilla, kun kuvan korkeus on suurempi;

| 3. | Mekaaniset tai elektroniset juovakamerat, joiden piirtonopeus ylittää 10 mm/μs; |
| --- | --- |

3.

Mekaaniset tai elektroniset juovakamerat, joiden piirtonopeus ylittää 10 mm/μs;

| 4. | Elektroniset yksittäiskuvakamerat, joiden nopeus ylittää 1 000 000 kuvaa sekunnissa; |
| --- | --- |

4.

Elektroniset yksittäiskuvakamerat, joiden nopeus ylittää 1 000 000 kuvaa sekunnissa;

| 5. | Elektroniset kamerat, joilla on kaikki seuraavat:






  a. | Elektronisen sulkimen nopeus (avainnuskyky) on vähemmän kuin 1 μs täyttä kuvaa kohti; ja |
| --- | --- | --- |

5.

Elektroniset kamerat, joilla on kaikki seuraavat:

a.

Elektronisen sulkimen nopeus (avainnuskyky) on vähemmän kuin 1 μs täyttä kuvaa kohti; ja

| b. | Luettavuusaika sallii yli 125 täyden kuvan nopeuden sekunnissa; |
| --- | --- |

b.

Luettavuusaika sallii yli 125 täyden kuvan nopeuden sekunnissa;

| 6. | Ohjelmalisäkkeet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  a. | Ne on erityisesti suunniteltu 6A003.a kohdassa määriteltyjä moduulirakenteisia instrumentointikameroita varten; ja |
| --- | --- | --- |

6.

Ohjelmalisäkkeet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

Ne on erityisesti suunniteltu 6A003.a kohdassa määriteltyjä moduulirakenteisia instrumentointikameroita varten; ja

| b. | Niiden ansiosta nämä kamerat saavuttavat valmistajan eritelmien mukaisesti 6A003.a.3, 6A003.a.4 tai 6A003.a.5 kohdassa määritellyt ominaisuudet. |
| --- | --- |

b.

Niiden ansiosta nämä kamerat saavuttavat valmistajan eritelmien mukaisesti 6A003.a.3, 6A003.a.4 tai 6A003.a.5 kohdassa määritellyt ominaisuudet.

| b. | Seuraavat kuvannuskamerat:


  Huom.: 6A003.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi televisio- tai videokameroita, jotka on erityisesti suunniteltu televisiolähetyksiä varten.







  1. | Solid-state-antureita sisältävät videokamerat, joiden vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 10 nm, mutta ei yli 30 000 nm ja joilla on kaikki seuraavista:






  a. | Jokin seuraavista:






  1. | Enemmän kuin 4 × 106"aktiivista pikseliä" solid-state-matriisia kohti yksivärikameroissa (mustavalkokameroissa); |
| --- | --- | --- | --- | --- |

b.

Seuraavat kuvannuskamerat:

Huom.: 6A003.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi televisio- tai videokameroita, jotka on erityisesti suunniteltu televisiolähetyksiä varten.

1.

Solid-state-antureita sisältävät videokamerat, joiden vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 10 nm, mutta ei yli 30 000 nm ja joilla on kaikki seuraavista:

a.

Jokin seuraavista:

1.

Enemmän kuin 4 × 106"aktiivista pikseliä" solid-state-matriisia kohti yksivärikameroissa (mustavalkokameroissa);

| 2. | Enemmän kuin 4 × 106"aktiivista pikseliä" solid-state-matriisia kohti värikameroissa, joissa on kolme solid-state-matriisia; tai |
| --- | --- |

2.

Enemmän kuin 4 × 106"aktiivista pikseliä" solid-state-matriisia kohti värikameroissa, joissa on kolme solid-state-matriisia; tai

| 3. | Enemmän kuin 12 × 106 aktiivista pikseliä solid-state-matriisia kohti värikameroissa, joissa on yksi solid-state-matriisi; ja |
| --- | --- |

3.

Enemmän kuin 12 × 106 aktiivista pikseliä solid-state-matriisia kohti värikameroissa, joissa on yksi solid-state-matriisi; ja

| b. | Jokin seuraavista:






  1. | 6A004.a kohdassa valvonnanalaiseksi asetetut optiset peilit; |
| --- | --- | --- |

b.

Jokin seuraavista:

1.

6A004.a kohdassa valvonnanalaiseksi asetetut optiset peilit;

| 2. | 6A004.d kohdassa valvonnanalaiseksi asetetut optiikan ohjauslaitteet; tai |
| --- | --- |

2.

6A004.d kohdassa valvonnanalaiseksi asetetut optiikan ohjauslaitteet; tai

| 3. | Mahdollisuus tallentaa sisäisesti tuotettuja kamerapaikannustietoja. |
| --- | --- |

3.

Mahdollisuus tallentaa sisäisesti tuotettuja kamerapaikannustietoja.

Tekn. huom.:

| 1. | Tässä kohdassa digitaaliset videokamerat olisi arvioitava liikkuvan kuvankaappaukseen käytettyjen "aktiivisten pikselien" enimmäismäärän perusteella. |
| --- | --- |

1.

Tässä kohdassa digitaaliset videokamerat olisi arvioitava liikkuvan kuvankaappaukseen käytettyjen "aktiivisten pikselien" enimmäismäärän perusteella.

| 2. | Tässä kohdassa tarkoitetaan ‧kamerapaikannustiedoilla‧ tietoja, joita tarvitaan määrittämään kameran tähtäysviivan suunta maahan nähden. Tähän sisältyy: 1) vaakasuora kulma, jonka kameran tähtäysviiva muodostaa suhteessa maan magneettikentän suuntaan ja 2) pystysuora kulma kameran tähtäysviivan ja maan horisontin välillä. |
| --- | --- |

2.

Tässä kohdassa tarkoitetaan ‧kamerapaikannustiedoilla‧ tietoja, joita tarvitaan määrittämään kameran tähtäysviivan suunta maahan nähden. Tähän sisältyy: 1) vaakasuora kulma, jonka kameran tähtäysviiva muodostaa suhteessa maan magneettikentän suuntaan ja 2) pystysuora kulma kameran tähtäysviivan ja maan horisontin välillä.

| 2. | Pyyhkäisevät kamerat ja pyyhkäisevät kamerajärjestelmät, joilla on kaikki seuraavat:






  a. | Vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 10 nm, mutta ei yli 30 000 nm; |
| --- | --- | --- |

2.

Pyyhkäisevät kamerat ja pyyhkäisevät kamerajärjestelmät, joilla on kaikki seuraavat:

a.

Vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 10 nm, mutta ei yli 30 000 nm;

| b. | Lineaarisia ilmaisinryhmiä, joissa on enemmän kuin 8 192 elementtiä ryhmää kohti; ja |
| --- | --- |

b.

Lineaarisia ilmaisinryhmiä, joissa on enemmän kuin 8 192 elementtiä ryhmää kohti; ja

| c. | Yhdessä suunnassa mekaaninen pyyhkäisy; |
| --- | --- |

c.

Yhdessä suunnassa mekaaninen pyyhkäisy;

| 3. | Kamerat, jotka sisältävät 6A002.a.2.a kohdassa määriteltyjä kuvanvahvistinputkia; |
| --- | --- |

3.

Kamerat, jotka sisältävät 6A002.a.2.a kohdassa määriteltyjä kuvanvahvistinputkia;

| 4. | ‧Kamerat‧, jotka sisältävät joitakin seuraavista "fokusoivista tasorakenteista":






  a. | "fokusoivia tasorakenteita", jotka 6A002.a.3.a–6A002.a.3.e kohdat asettavat valvonnanalaiseksi; tai |
| --- | --- | --- |

4.

‧Kamerat‧, jotka sisältävät joitakin seuraavista "fokusoivista tasorakenteista":

a.

"fokusoivia tasorakenteita", jotka 6A002.a.3.a–6A002.a.3.e kohdat asettavat valvonnanalaiseksi; tai

| b. | "fokusoivia tasorakenteita", jotka 6A002.a.3.f kohta asettaa valvonnanalaiseksi. |
| --- | --- |

b.

"fokusoivia tasorakenteita", jotka 6A002.a.3.f kohta asettaa valvonnanalaiseksi.

Huom. 1: 6A003.b.4 kohdassa kuvatut ‧kamerat‧ sisältävät "fokusoivia tasorakenteita", jotka yhdistettyinä näyttöpiirin lisäksi riittävään signaalinkäsittelyelektroniikkaan mahdollistavat vähimmillään analogisen tai digitaalisen signaalin ulostulon, kun teho on kytketty.

Huom. 2: 6A003.b.4.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi seuraaviin käyttötarkoituksiin suunniteltuja kuvannuskameroita, joissa on sellaisia lineaarisia "fokusoivia tasorakenteita", jotka sisältävät 12 elementtiä tai vähemmän, ja joissa ei käytetä aikaviivästystä ja integrointia elementeissä:

| a. | Teollisuus- tai siviilikäyttöön tarkoitetut murtohälyttimet, liikenteessä tai teollisuudessa käytettävät liikkeen ohjaus- tai laskentajärjestelmät; |
| --- | --- |

a.

Teollisuus- tai siviilikäyttöön tarkoitetut murtohälyttimet, liikenteessä tai teollisuudessa käytettävät liikkeen ohjaus- tai laskentajärjestelmät;

| b. | Teollisuuden laitteet, joita käytetään rakennusten, laitteiden tai teollisuusprosessien lämpövirtojen havaitsemiseen tai seuraamiseen; |
| --- | --- |

b.

Teollisuuden laitteet, joita käytetään rakennusten, laitteiden tai teollisuusprosessien lämpövirtojen havaitsemiseen tai seuraamiseen;

| c. | Teollisuuden laitteet, joita käytetään materiaalien ominaisuuksien tarkastukseen, lajitteluun tai analysointiin; |
| --- | --- |

c.

Teollisuuden laitteet, joita käytetään materiaalien ominaisuuksien tarkastukseen, lajitteluun tai analysointiin;

| d. | Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu laboratoriokäyttöön; tai |
| --- | --- |

d.

Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu laboratoriokäyttöön; tai

| e. | Lääketieteelliset laitteet. |
| --- | --- |

e.

Lääketieteelliset laitteet.

Huom. 3: 6A003b.4.b ei aseta valvonnanalaiseksi kuvannuskameroita, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

| a. | Enimmäiskuvataajuus yhtä suuri tai pienempi kuin 9 Hz; |
| --- | --- |

a.

Enimmäiskuvataajuus yhtä suuri tai pienempi kuin 9 Hz;

| b. | Kaikki seuraavat ominaisuudet:








  1. | Horisontaalinen tai vertikaalinen hetkellinen näkökenttä (IFOV) on vähintään 10 mrad/pixel (millidariaania/pikseli); |
| --- | --- | --- |

b.

Kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Horisontaalinen tai vertikaalinen hetkellinen näkökenttä (IFOV) on vähintään 10 mrad/pixel (millidariaania/pikseli);

| 2. | Linssi, jonka polttoväli on kiinteä ja jota ei ole suunniteltu poistettavaksi; |
| --- | --- |

2.

Linssi, jonka polttoväli on kiinteä ja jota ei ole suunniteltu poistettavaksi;

| 3. | Ei ‧suorakatselunäyttöä‧, ja |
| --- | --- |

3.

Ei ‧suorakatselunäyttöä‧, ja

| 4. | Jokin seuraavista ominaisuuksista:








  a. | Ei mahdollisuutta saada katselukelpoista kuvaa havaitusta näkökentästä; tai |
| --- | --- | --- |

4.

Jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Ei mahdollisuutta saada katselukelpoista kuvaa havaitusta näkökentästä; tai

| b. | Kamera on suunniteltu vain yhtä sovellusta varten, eikä sitä ole suunniteltu käyttäjän muunnettavaksi; tai |
| --- | --- |

b.

Kamera on suunniteltu vain yhtä sovellusta varten, eikä sitä ole suunniteltu käyttäjän muunnettavaksi; tai

| c. | Kamera on erityisesti suunniteltu asennettavaksi vähemmän kuin kolme tonnia (kokonaispaino) painavaan siviilihenkilöitä kuljettavaan maa-ajoneuvoon ja sillä on kaikki seuraavat ominaisuudet:








  1. | Voidaan käyttää ainoastaan, jos se on asennettu johonkin seuraavista:








  a. | Siviilihenkilöitä kuljettavaan maa-ajoneuvoon, johon se on tarkoitettu; tai |
| --- | --- | --- | --- |

c.

Kamera on erityisesti suunniteltu asennettavaksi vähemmän kuin kolme tonnia (kokonaispaino) painavaan siviilihenkilöitä kuljettavaan maa-ajoneuvoon ja sillä on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Voidaan käyttää ainoastaan, jos se on asennettu johonkin seuraavista:

a.

Siviilihenkilöitä kuljettavaan maa-ajoneuvoon, johon se on tarkoitettu; tai

| b. | Erityisesti suunniteltuun valtuutettuun huoltotestiympäristöön; ja |
| --- | --- |

b.

Erityisesti suunniteltuun valtuutettuun huoltotestiympäristöön; ja

| 2. | Sisältää aktiivisen mekanismin, joka estää kameraa toimimasta, kun se poistetaan ajoneuvosta, johon se on tarkoitettu. |
| --- | --- |

2.

Sisältää aktiivisen mekanismin, joka estää kameraa toimimasta, kun se poistetaan ajoneuvosta, johon se on tarkoitettu.

Tekn. huom.:

| 1. | Kohdan 6A003.b.4 huomautuksessa 3.b tarkoitettu hetkellinen näkökenttä (IFOV) on alempi luku horisontaalisen tai vertikaalisen IFOV:n arvoista.

  Horisontaalinen IFOV = horisontaalinen näkökenttä (FOV)/horisontaalisten anturielementtien lukumäärä.
  Vertikaalinen IFOV = vertikaalinen näkökenttä (FOV)/vertikaalisten anturielementtien lukumäärä. |
| --- | --- |

1.

Kohdan 6A003.b.4 huomautuksessa 3.b tarkoitettu hetkellinen näkökenttä (IFOV) on alempi luku horisontaalisen tai vertikaalisen IFOV:n arvoista.

| 2. | Kohdan 6A003.b.4 huomautuksessa 3.b tarkoitettu ‧suorakatselu‧ tarkoittaa infrapunaspektrillä toimivaa kuvannuskameraa, joka näyttää visuaalisen kuvan inhimilliselle tarkkailijalle minkä tahansa valoturvamekanismin sisältävällä silmikkotyyppisellä mikronäytöllä. |
| --- | --- |

2.

Kohdan 6A003.b.4 huomautuksessa 3.b tarkoitettu ‧suorakatselu‧ tarkoittaa infrapunaspektrillä toimivaa kuvannuskameraa, joka näyttää visuaalisen kuvan inhimilliselle tarkkailijalle minkä tahansa valoturvamekanismin sisältävällä silmikkotyyppisellä mikronäytöllä.

6A004Optiikka

| a. | Seuraavat optiset peilit (heijastimet):






  1. | "Muotoaan muuttavat peilit", joissa on yhtenäiset tai moni-elementtiset pinnat ja joissa peilipinnan osia voidaan dynaamisesti asetella uudelleen yli 100 Hz:n nopeudella, sekä niitä varten erityisesti suunnitellut osat; |
| --- | --- | --- |

a.

Seuraavat optiset peilit (heijastimet):

1.

"Muotoaan muuttavat peilit", joissa on yhtenäiset tai moni-elementtiset pinnat ja joissa peilipinnan osia voidaan dynaamisesti asetella uudelleen yli 100 Hz:n nopeudella, sekä niitä varten erityisesti suunnitellut osat;

| 2. | Kevyet monoliittiset peilit, joiden keskimääräinen "ekvivalenttitiheys" on vähemmän kuin 30 kg/m2 ja joiden kokonaispaino ylittää 10 kg; |
| --- | --- |

2.

Kevyet monoliittiset peilit, joiden keskimääräinen "ekvivalenttitiheys" on vähemmän kuin 30 kg/m2 ja joiden kokonaispaino ylittää 10 kg;

| 3. | Kevyet "komposiitti"- tai vaahtopeilirakenteet, joiden keskimääräinen "ekvivalenttitiheys" on vähemmän kuin 30 kg/m2 ja joiden kokonaispaino ylittää 2 kg; |
| --- | --- |

3.

Kevyet "komposiitti"- tai vaahtopeilirakenteet, joiden keskimääräinen "ekvivalenttitiheys" on vähemmän kuin 30 kg/m2 ja joiden kokonaispaino ylittää 2 kg;

| 4. | Säteen ohjauspeilit, joiden se läpimitta tai sen päähalkaisijan pituus, jolla latteus on lambda/2 tai parempi (lambda on 623 nm), on yli 100 mm ja joiden ohjauskaistanleveys ylittää 100 Hz; |
| --- | --- |

4.

Säteen ohjauspeilit, joiden se läpimitta tai sen päähalkaisijan pituus, jolla latteus on lambda/2 tai parempi (lambda on 623 nm), on yli 100 mm ja joiden ohjauskaistanleveys ylittää 100 Hz;

| b. | Sinkkiselenidistä (ZnSe) tai sinkkisulfidista (ZnS) valmistetut optiset komponentit, joiden lähete on aallonpituusalueella, joka on yli 3 000 nm mutta alle 25 000 nm ja joilla on jokin seuraavista:






  1. | Tilavuus ylittää 100 cm3; tai |
| --- | --- | --- |

b.

Sinkkiselenidistä (ZnSe) tai sinkkisulfidista (ZnS) valmistetut optiset komponentit, joiden lähete on aallonpituusalueella, joka on yli 3 000 nm mutta alle 25 000 nm ja joilla on jokin seuraavista:

1.

Tilavuus ylittää 100 cm3; tai

| 2. | Läpimitta tai pääakselin pituus ylittää 80 mm ja paksuus (syvyys) 20 mm; |
| --- | --- |

2.

Läpimitta tai pääakselin pituus ylittää 80 mm ja paksuus (syvyys) 20 mm;

| c. | Seuraavat "avaruuskelpoiset" optisten järjestelmien osat:






  1. | Jotka on kevennetty alle 20 %:iin sellaisen massiivikappaleen ekvivalenttitiheyteen verrattuna, jolla on sama aukko ja paksuus; |
| --- | --- | --- |

c.

Seuraavat "avaruuskelpoiset" optisten järjestelmien osat:

1.

Jotka on kevennetty alle 20 %:iin sellaisen massiivikappaleen ekvivalenttitiheyteen verrattuna, jolla on sama aukko ja paksuus;

| 2. | Raakasubstraatit tai (yksi- tai monikerroksisella, metallisella tai dielektrisellä, johtavalla, puolijohtavalla tai eristävällä) pinnoitteella pinnoitetut tai suojaavalla kalvolla varustetut substraatit; |
| --- | --- |

2.

Raakasubstraatit tai (yksi- tai monikerroksisella, metallisella tai dielektrisellä, johtavalla, puolijohtavalla tai eristävällä) pinnoitteella pinnoitetut tai suojaavalla kalvolla varustetut substraatit;

| 3. | Peilien segmentit tai kokoonpanot, jotka on suunniteltu koottavaksi avaruudessa optiseksi järjestelmäksi, jonka kokoava aukko on sama tai suurempi kuin yksittäisen läpimitaltaan 1 m:n optiikan; |
| --- | --- |

3.

Peilien segmentit tai kokoonpanot, jotka on suunniteltu koottavaksi avaruudessa optiseksi järjestelmäksi, jonka kokoava aukko on sama tai suurempi kuin yksittäisen läpimitaltaan 1 m:n optiikan;

| 4. | Jotka on valmistettu "komposiitti"materiaaleista, joiden lineaarinen lämpölaajenemiskerroin on 5 × 10-6 tai pienempi minkä tahansa koordinaatin suunnassa; |
| --- | --- |

4.

Jotka on valmistettu "komposiitti"materiaaleista, joiden lineaarinen lämpölaajenemiskerroin on 5 × 10-6 tai pienempi minkä tahansa koordinaatin suunnassa;

| d. | Seuraavat optiikan ohjauslaitteet:






  1. | Jotka on erityisesti suunniteltu 6A004.c.1 tai 6A004.c.3 kohdassa määriteltyjen "avaruuskelpoisten" komponenttien pinnanmuodon tai asennon ylläpitoon; |
| --- | --- | --- |

d.

Seuraavat optiikan ohjauslaitteet:

1.

Jotka on erityisesti suunniteltu 6A004.c.1 tai 6A004.c.3 kohdassa määriteltyjen "avaruuskelpoisten" komponenttien pinnanmuodon tai asennon ylläpitoon;

| 2. | Joilla ohjauksen, seurannan, stabiloinnin tai resonaattorin kohdistuksen kaistanleveydet ovat 100 Hz tai enemmän ja tarkkuus 10 μrad (mikroradiaania) tai vähemmän; |
| --- | --- |

2.

Joilla ohjauksen, seurannan, stabiloinnin tai resonaattorin kohdistuksen kaistanleveydet ovat 100 Hz tai enemmän ja tarkkuus 10 μrad (mikroradiaania) tai vähemmän;

| 3. | Kardaanit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  a. | Maksimikääntymä ylittää 5 astetta; |
| --- | --- | --- |

3.

Kardaanit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

Maksimikääntymä ylittää 5 astetta;

| b. | Kaistanleveys 100 Hz tai enemmän; |
| --- | --- |

b.

Kaistanleveys 100 Hz tai enemmän;

| c. | Kulmasuuntausvirhe 200 mikroradiaania tai vähemmän; tai |
| --- | --- |

c.

Kulmasuuntausvirhe 200 mikroradiaania tai vähemmän; tai

| d. | joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Läpimitta tai pääakselin pituus yli 0,15 m, mutta ei yli 1 m ja kykenevät yli 2 radiaanin/s2 kulmakiihtyvyyksiin; tai |
| --- | --- | --- |

d.

joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Läpimitta tai pääakselin pituus yli 0,15 m, mutta ei yli 1 m ja kykenevät yli 2 radiaanin/s2 kulmakiihtyvyyksiin; tai

| 2. | Läpimitta tai pääakselin pituus on yli 1 m ja kykenevät yli 0,5 radiaanin/s2 kulmakiihtyvyyteen; |
| --- | --- |

2.

Läpimitta tai pääakselin pituus on yli 1 m ja kykenevät yli 0,5 radiaanin/s2 kulmakiihtyvyyteen;

| 4. | Jotka on erityisesti suunniteltu ylläpitämään sellaisten vaiheistettujen peiliryhmien tai segmenttipeilijärjestelmien linjausta, jotka rakentuvat segmentin halkaisijaltaan tai pääakselin pituudeltaan 1 m:n tai suuremmista peileistä; |
| --- | --- |

4.

Jotka on erityisesti suunniteltu ylläpitämään sellaisten vaiheistettujen peiliryhmien tai segmenttipeilijärjestelmien linjausta, jotka rakentuvat segmentin halkaisijaltaan tai pääakselin pituudeltaan 1 m:n tai suuremmista peileistä;

| e. | ‧Ei- pallomaiset optiset elementit‧, joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Optisen aukon suurin mitta on yli 400 mm; |
| --- | --- | --- |

e.

‧Ei- pallomaiset optiset elementit‧, joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista:

1.

Optisen aukon suurin mitta on yli 400 mm;

| 2. | Pinnan epätasaisuus on alle 1 nm (rms) 1 mm:n tai sitä suurempien näytteenottopituuksien osalta; ja |
| --- | --- |

2.

Pinnan epätasaisuus on alle 1 nm (rms) 1 mm:n tai sitä suurempien näytteenottopituuksien osalta; ja

| 3. | Lineaarisen lämpölaajenemiskertoimen absoluuttinen suuruus on alle 3 × 10-6/K lämpötilassa 25 °C. |
| --- | --- |

3.

Lineaarisen lämpölaajenemiskertoimen absoluuttinen suuruus on alle 3 × 10-6/K lämpötilassa 25 °C.

Tekn. huom.:

| 1. | ‧Ei- pallomainen optinen elementti‧ on optisessa järjestelmässä käytettävä elementti, jonka kuvapinta- tai pinnat on suunniteltu siten, että ne poikkeavat täydellisen pallomaisesta muodosta. |
| --- | --- |

1.

‧Ei- pallomainen optinen elementti‧ on optisessa järjestelmässä käytettävä elementti, jonka kuvapinta- tai pinnat on suunniteltu siten, että ne poikkeavat täydellisen pallomaisesta muodosta.

| 2. | Valmistajia ei velvoiteta mittaamaan 6A004.e.2 kohdassa tarkoitettua pinnan epätasaisuutta, ellei optista elementtiä ole suunniteltu tai valmistettu tarkoituksena täyttää tai ylittää valvontaan liittyvä parametri. |
| --- | --- |

2.

Valmistajia ei velvoiteta mittaamaan 6A004.e.2 kohdassa tarkoitettua pinnan epätasaisuutta, ellei optista elementtiä ole suunniteltu tai valmistettu tarkoituksena täyttää tai ylittää valvontaan liittyvä parametri.

Huom.: 6A004.e kohta ei aseta valvonnanalaiseksi ei- pallomaisia optisia elementtejä, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

| a. | Optisen aukon suurin mitta on alle 1 m ja polttovälin suhde aukkoon on 4,5:1 tai suurempi; |
| --- | --- |

a.

Optisen aukon suurin mitta on alle 1 m ja polttovälin suhde aukkoon on 4,5:1 tai suurempi;

| b. | Optisen aukon suurin mitta on 1 m tai suurempi ja polttovälin suhde aukkoon on 7:1 tai suurempi; |
| --- | --- |

b.

Optisen aukon suurin mitta on 1 m tai suurempi ja polttovälin suhde aukkoon on 7:1 tai suurempi;

| c. | Ne on suunniteltu Fresnel-, flyeye-, juova-, prisma- tai diffraktiotyyppisiksi optisiksi elementeiksi; |
| --- | --- |

c.

Ne on suunniteltu Fresnel-, flyeye-, juova-, prisma- tai diffraktiotyyppisiksi optisiksi elementeiksi;

| d. | Ne on valmistettu borosilikaattilasista, jonka lineaarinen lämpölaajenemiskerroin on suurempi kuin 2,5 × 10-6/K lämpötilassa 25 °C; tai |
| --- | --- |

d.

Ne on valmistettu borosilikaattilasista, jonka lineaarinen lämpölaajenemiskerroin on suurempi kuin 2,5 × 10-6/K lämpötilassa 25 °C; tai

| e. | Ne ovat röntgenoptisia elementtejä, joilla on sisäisiä peiliominaisuuksia (esim. putkityyppinen peili). |
| --- | --- |

e.

Ne ovat röntgenoptisia elementtejä, joilla on sisäisiä peiliominaisuuksia (esim. putkityyppinen peili).

Huom.: Litografialaitteita varten erityisesti suunniteltujen ei- pallomaisten optisten elementtien osalta katso 3B001 kohta.

6A005Seuraavat muut kuin 0B001.g.5 tai 0B001.h.6 kohdassa määritellyt "laserit", komponentit ja optiset laitteet:

Huom.: KATSO MYÖS 6A205 KOHTA.

Huom. 1: Pulssi"lasereihin" kuuluvat ne, jotka toimivat pulssitettuina jatkuva-aaltomoodissa (CW).

Huom. 2: Pulssiviritettyihin "lasereihin" kuuluvat ne, jotka toimivat pulssitettuina jatkuvassa viritetyssä moodissa.

Huom. 3: Raman-"laserien" valvonnanalaisuus määritetään pumppu"laserien" parametrien mukaan. Pumppu-"laserit" voivat olla kaikkia alla kuvattuja "lasereita".

| a. | Seuraavat kaasu"laserit":






  1. | Excimer-"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Lähtöaallonpituus ei ylitä 150 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Lähtöenergia ylittää 50 mJ pulssia kohti; tai |
| --- | --- | --- | --- | --- |

a.

Seuraavat kaasu"laserit":

1.

Excimer-"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Lähtöaallonpituus ei ylitä 150 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Lähtöenergia ylittää 50 mJ pulssia kohti; tai

| 2. | Keskimääräinen lähtöteho ylittää 1 W; |
| --- | --- |

2.

Keskimääräinen lähtöteho ylittää 1 W;

| b. | Lähtöaallonpituus ylittää 150 nm, mutta ei ylitä 190 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohti; tai |
| --- | --- | --- |

b.

Lähtöaallonpituus ylittää 150 nm, mutta ei ylitä 190 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohti; tai

| 2. | Keskimääräinen lähtöteho ylittää 120 W; |
| --- | --- |

2.

Keskimääräinen lähtöteho ylittää 120 W;

| c. | Lähtöaallonpituus ylittää 190 nm, mutta ei ylitä 360 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Lähtöenergia ylittää 10 J pulssia kohti; tai |
| --- | --- | --- |

c.

Lähtöaallonpituus ylittää 190 nm, mutta ei ylitä 360 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Lähtöenergia ylittää 10 J pulssia kohti; tai

| 2. | Keskimääräinen lähtöteho ylittää 500 W; tai |
| --- | --- |

2.

Keskimääräinen lähtöteho ylittää 500 W; tai

| d. | Lähtöaallonpituus ylittää 360 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohti; tai |
| --- | --- | --- |

d.

Lähtöaallonpituus ylittää 360 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohti; tai

| 2. | Keskimääräinen lähtöenergia ylittää 30 W; |
| --- | --- |

2.

Keskimääräinen lähtöenergia ylittää 30 W;

Huom.: Erityisesti litografialaitteita varten suunniteltujen excimer-"lasereiden" osalta katso 3B001 kohta.

| 2. | Seuraavat metallihöyry"laserit":






  a. | Kupari(Cu)"laserit", joiden keskimääräinen lähtöteho ylittää 20 W; |
| --- | --- | --- |

2.

Seuraavat metallihöyry"laserit":

a.

Kupari(Cu)"laserit", joiden keskimääräinen lähtöteho ylittää 20 W;

| b. | Kulta(Au)"laserit", joiden keskimääräinen lähtöteho ylittää 5 W; |
| --- | --- |

b.

Kulta(Au)"laserit", joiden keskimääräinen lähtöteho ylittää 5 W;

| c. | Natrium(Na)"laserit", joiden lähtöteho ylittää 5 W; |
| --- | --- |

c.

Natrium(Na)"laserit", joiden lähtöteho ylittää 5 W;

| d. | Barium(Ba)"laserit", joiden keskimääräinen lähtöteho ylittää 2 W; |
| --- | --- |

d.

Barium(Ba)"laserit", joiden keskimääräinen lähtöteho ylittää 2 W;

| 3. | Hiilimonoksidi(CO)"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Lähtöenergia ylittää 2 J pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 5 kW; tai |
| --- | --- | --- |

3.

Hiilimonoksidi(CO)"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Lähtöenergia ylittää 2 J pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 5 kW; tai

| b. | Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 5 kW; |
| --- | --- |

b.

Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 5 kW;

| 4. | Hiilidioksidi(CO2)"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | CW-lähtöteho ylittää 15 kW; |
| --- | --- | --- |

4.

Hiilidioksidi(CO2)"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

CW-lähtöteho ylittää 15 kW;

| b. | Pulssiulostulon "pulssin kesto" ylittää 10 μs ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Keskimääräinen lähtöteho ylittää 10 kW; tai |
| --- | --- | --- |

b.

Pulssiulostulon "pulssin kesto" ylittää 10 μs ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Keskimääräinen lähtöteho ylittää 10 kW; tai

| 2. | Pulssi"huipputeho" ylittää 100 kW; tai |
| --- | --- |

2.

Pulssi"huipputeho" ylittää 100 kW; tai

| c. | Pulssiulostulon "pulssin kesto" on 10 μs tai vähemmän ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Pulssin energia ylittää 5 J pulssia kohti; tai |
| --- | --- | --- |

c.

Pulssiulostulon "pulssin kesto" on 10 μs tai vähemmän ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Pulssin energia ylittää 5 J pulssia kohti; tai

| 2. | Keskimääräinen lähtöteho ylittää 2,5 kW; |
| --- | --- |

2.

Keskimääräinen lähtöteho ylittää 2,5 kW;

| 5. | Seuraavat "kemialliset laserit":






  a. | Vetyfluoridi(HF)"laserit"; |
| --- | --- | --- |

5.

Seuraavat "kemialliset laserit":

a.

Vetyfluoridi(HF)"laserit";

| b. | Deuteriumfluoridi(DF)"laserit"; |
| --- | --- |

b.

Deuteriumfluoridi(DF)"laserit";

| c. | Seuraavat "siirtolaserit":






  1. | Happijodi(O2-I)"laserit"; |
| --- | --- | --- |

c.

Seuraavat "siirtolaserit":

1.

Happijodi(O2-I)"laserit";

| 2. | Deuteriumfluoridihiilidioksidi(DF-CO2)"laserit"; |
| --- | --- |

2.

Deuteriumfluoridihiilidioksidi(DF-CO2)"laserit";

| 6. | Kryptonioni- tai argonioni"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 50 W; tai |
| --- | --- | --- |

6.

Kryptonioni- tai argonioni"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 50 W; tai

| b. | Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 50 W; |
| --- | --- |

b.

Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 50 W;

| 7. | Muut kaasu"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:


  Huom.: 6A005.a.7 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi typpi"lasereita".







  a. | Lähtöaallonpituus ei ylitä 150 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Lähtöenergia ylittää 50 mJ pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 1 W; tai |
| --- | --- | --- | --- |

7.

Muut kaasu"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

Huom.: 6A005.a.7 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi typpi"lasereita".

a.

Lähtöaallonpituus ei ylitä 150 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Lähtöenergia ylittää 50 mJ pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 1 W; tai

| 2. | Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 1 W; |
| --- | --- |

2.

Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 1 W;

| b. | Lähtöaallonpituus ylittää 150 nm mutta ei 800 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 30 W; tai |
| --- | --- | --- |

b.

Lähtöaallonpituus ylittää 150 nm mutta ei 800 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 30 W; tai

| 2. | Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 30 W; |
| --- | --- |

2.

Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 30 W;

| c. | Lähtöaallonpituus ylittää 800 nm mutta ei 1 400 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Lähtöenergia ylittää 0,25 J pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 10 W; tai |
| --- | --- | --- |

c.

Lähtöaallonpituus ylittää 800 nm mutta ei 1 400 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Lähtöenergia ylittää 0,25 J pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 10 W; tai

| 2. | Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 10 W; tai |
| --- | --- |

2.

Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 10 W; tai

| d. | Lähtöaallonpituus ylittää 1 400 nm ja keskimääräinen CW-lähtöteho ylittää 1 W; |
| --- | --- |

d.

Lähtöaallonpituus ylittää 1 400 nm ja keskimääräinen CW-lähtöteho ylittää 1 W;

| b. | Seuraavat puolijohde-"laserit":






  1. | Erilliset yksitransversaalimoodissa toimivat puolijohde"laserit", joilla on jokin seuraavista:






  a. | Aallonpituus on 1 510 nm tai pienempi ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho on suurempi kuin 1.5 W; tai |
| --- | --- | --- | --- |

b.

Seuraavat puolijohde-"laserit":

1.

Erilliset yksitransversaalimoodissa toimivat puolijohde"laserit", joilla on jokin seuraavista:

a.

Aallonpituus on 1 510 nm tai pienempi ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho on suurempi kuin 1.5 W; tai

| b. | Aallonpituus on suurempi kuin 1 510 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 500 mW; |
| --- | --- |

b.

Aallonpituus on suurempi kuin 1 510 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 500 mW;

| 2. | Erilliset, monitransversaalimoodissa toimivat puolijohde"laserit", joilla on jokin seuraavista:






  a. | Aallonpituus pienempi kuin 1 400 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 10 W; |
| --- | --- | --- |

2.

Erilliset, monitransversaalimoodissa toimivat puolijohde"laserit", joilla on jokin seuraavista:

a.

Aallonpituus pienempi kuin 1 400 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 10 W;

| b. | Aallonpituus yhtä suuri tai suurempi kuin 1 400 nm ja pienempi kuin 1 900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 2,5 W; tai |
| --- | --- |

b.

Aallonpituus yhtä suuri tai suurempi kuin 1 400 nm ja pienempi kuin 1 900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 2,5 W; tai

| c. | Aallonpituus yhtä suuri tai suurempi kuin 1 900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 1 W. |
| --- | --- |

c.

Aallonpituus yhtä suuri tai suurempi kuin 1 900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 1 W.

| 3. | Erilliset puolijohde"laserien"-ryhmät, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Aallonpituus pienempi kuin 1 400 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 80 W; |
| --- | --- | --- |

3.

Erilliset puolijohde"laserien"-ryhmät, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Aallonpituus pienempi kuin 1 400 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 80 W;

| b. | Aallonpituus yhtä suuri tai suurempi kuin 1 400 nm ja pienempi kuin 1 900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 25 W; tai |
| --- | --- |

b.

Aallonpituus yhtä suuri tai suurempi kuin 1 400 nm ja pienempi kuin 1 900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 25 W; tai

| c. | Aallonpituus yhtä suuri tai suurempi kuin 1 900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 10 W. |
| --- | --- |

c.

Aallonpituus yhtä suuri tai suurempi kuin 1 900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 10 W.

| 4. | Puolijohde"laserien" ryhmien kerrokset, jotka sisältävät vähintään yhden ryhmän, joka on valvonnanalainen 6A005.b.3 kohdan perusteella. |
| --- | --- |

4.

Puolijohde"laserien" ryhmien kerrokset, jotka sisältävät vähintään yhden ryhmän, joka on valvonnanalainen 6A005.b.3 kohdan perusteella.

Tekn. huom.:

| 1. | Puolijohde"lasereita" kutsutaan tavallisesti "laser"diodeiksi. |
| --- | --- |

1.

Puolijohde"lasereita" kutsutaan tavallisesti "laser"diodeiksi.

| 2. | ‧Ryhmä‧ muodostuu useista puolijohde"laser"emittereistä, jotka on valmistettu yhtenä siruna niin, että säteilevien valonsäteiden keskustat ovat yhdensuuntaisilla reiteillä. |
| --- | --- |

2.

‧Ryhmä‧ muodostuu useista puolijohde"laser"emittereistä, jotka on valmistettu yhtenä siruna niin, että säteilevien valonsäteiden keskustat ovat yhdensuuntaisilla reiteillä.

| 3. | ‧Ryhmien kerros‧ on valmistettu kerrostamalla tai muuten kokoamalla ‧ryhmät‧ niin, että säteilevien valonsäteiden keskustat ovat yhdensuuntaisilla reiteillä. |
| --- | --- |

3.

‧Ryhmien kerros‧ on valmistettu kerrostamalla tai muuten kokoamalla ‧ryhmät‧ niin, että säteilevien valonsäteiden keskustat ovat yhdensuuntaisilla reiteillä.

Huom. 1: 6A005.b kohta sisältää puolijohdelaserit, joilla on optinen ulostulo (esim. kuituoptiset häntäkaapelit).

Huom. 2: Erityisesti muita laitteita varten suunniteltujen puolijohdelaserien valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden mukaan.

| c. | Seuraavat jähme"laserit":






  1. | "Viritettävät""laserit", joilla on jokin seuraavista:


  Huom.: 6A005.c.1 kohta sisältää titaani-safiiri- (Ti:Al2O3), tulium-YAG- (Tm:YAG), tulium-YSGG- (Tm:YSGG), aleksandriitti- (Cr:BeAl2O4) ja värikeskus"laserit".







  a. | Lähtöaallonpituus on vähemmän kuin 600 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Lähtöenergia ylittää 50 mJ pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 1 W; tai |
| --- | --- | --- | --- | --- |

c.

Seuraavat jähme"laserit":

1.

"Viritettävät""laserit", joilla on jokin seuraavista:

Huom.: 6A005.c.1 kohta sisältää titaani-safiiri- (Ti:Al2O3), tulium-YAG- (Tm:YAG), tulium-YSGG- (Tm:YSGG), aleksandriitti- (Cr:BeAl2O4) ja värikeskus"laserit".

a.

Lähtöaallonpituus on vähemmän kuin 600 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Lähtöenergia ylittää 50 mJ pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 1 W; tai

| 2. | Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 1 W; |
| --- | --- |

2.

Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 1 W;

| b. | Lähtöaallonpituus on 600 nm tai enemmän mutta ei ylitä 1 400 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Lähtöenergia ylittää 1 J pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 20 W; tai |
| --- | --- | --- |

b.

Lähtöaallonpituus on 600 nm tai enemmän mutta ei ylitä 1 400 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Lähtöenergia ylittää 1 J pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 20 W; tai

| 2. | Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 20 W; tai |
| --- | --- |

2.

Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 20 W; tai

| c. | Lähtöaallonpituus ylittää 1 400 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Lähtöenergia ylittää 50 mJ pulssia kohden ja pulssi"huipputeho" ylittää 1 W; tai |
| --- | --- | --- |

c.

Lähtöaallonpituus ylittää 1 400 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Lähtöenergia ylittää 50 mJ pulssia kohden ja pulssi"huipputeho" ylittää 1 W; tai

| 2. | Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 1 W; |
| --- | --- |

2.

Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 1 W;

| 2. | Seuraavat ei-"viritettävät""laserit":


  Huom.: 6A005.c.2 kohta sisältää atomitransitio-jähme"laserit".







  a. | Seuraavat neodyymilasi"laserit":






  1. | Q-kytkin"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Lähtöenergia ylittää 20 J mutta ei 50 J pulssia kohden ja keskimääräinen lähtöteho ylittää 10 W; tai |
| --- | --- | --- | --- | --- |

2.

Seuraavat ei-"viritettävät""laserit":

Huom.: 6A005.c.2 kohta sisältää atomitransitio-jähme"laserit".

a.

Seuraavat neodyymilasi"laserit":

1.

Q-kytkin"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Lähtöenergia ylittää 20 J mutta ei 50 J pulssia kohden ja keskimääräinen lähtöteho ylittää 10 W; tai

| b. | Lähtöenergia ylittää 50 J pulssia kohden; |
| --- | --- |

b.

Lähtöenergia ylittää 50 J pulssia kohden;

| 2. | Ei-Q-kytkin"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Lähtöenergia ylittää 50 J mutta ei ylitä 100 J pulssia kohden ja keskimääräinen lähtöteho ylittää 20 W; tai |
| --- | --- | --- |

2.

Ei-Q-kytkin"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Lähtöenergia ylittää 50 J mutta ei ylitä 100 J pulssia kohden ja keskimääräinen lähtöteho ylittää 20 W; tai

| b. | Lähtöenergia ylittää 100 J pulssia kohden; |
| --- | --- |

b.

Lähtöenergia ylittää 100 J pulssia kohden;

| b. | Seuraavat neodyymiseostetut (muut kuin lasi-) "laserit", joiden lähtöaallonpituus on yli 1 000 nm, mutta alle 1 100 nm:


  Huom.: Neodyymiseostetut (muut kuin lasi-) "laserit", joiden ulostulon aallonpituus ylittää 1 000 nm, mutta ei ylitä 1 100 nm: katso 6A005.c.2.c kohta.







  1. | Pulssiviritetyt, moodilukitut "Q-kytkinlaserit", joiden pulssin kesto on vähemmän kuin 1 ns ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | "Huipputeho" ylittää 5 GW; |
| --- | --- | --- | --- |

b.

Seuraavat neodyymiseostetut (muut kuin lasi-) "laserit", joiden lähtöaallonpituus on yli 1 000 nm, mutta alle 1 100 nm:

Huom.: Neodyymiseostetut (muut kuin lasi-) "laserit", joiden ulostulon aallonpituus ylittää 1 000 nm, mutta ei ylitä 1 100 nm: katso 6A005.c.2.c kohta.

1.

Pulssiviritetyt, moodilukitut "Q-kytkinlaserit", joiden pulssin kesto on vähemmän kuin 1 ns ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

"Huipputeho" ylittää 5 GW;

| b. | Keskimääräinen lähtöteho ylittää 10 W; tai |
| --- | --- |

b.

Keskimääräinen lähtöteho ylittää 10 W; tai

| c. | Pulssienergia ylittää 0,1 J; |
| --- | --- |

c.

Pulssienergia ylittää 0,1 J;

| 2. | Pulssiviritetyt, "Q-kytkinlaserit", joiden "pulssin kesto" on 1 ns tai enemmän ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Yksitransversaalimuodon ulostulon:






  1. | "Huipputeho" ylittää 100 MW; |
| --- | --- | --- | --- |

2.

Pulssiviritetyt, "Q-kytkinlaserit", joiden "pulssin kesto" on 1 ns tai enemmän ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Yksitransversaalimuodon ulostulon:

1.

"Huipputeho" ylittää 100 MW;

| 2. | Keskimääräinen lähtöteho ylittää 20 W; tai |
| --- | --- |

2.

Keskimääräinen lähtöteho ylittää 20 W; tai

| 3. | Pulssienergia ylittää 2 J; tai |
| --- | --- |

3.

Pulssienergia ylittää 2 J; tai

| b. | Monitransversaalimuodon ulostulon:






  1. | "Huipputeho" ylittää 400 MW; |
| --- | --- | --- |

b.

Monitransversaalimuodon ulostulon:

1.

"Huipputeho" ylittää 400 MW;

| 2. | Keskimääräinen lähtöteho ylittää 2 kW; tai |
| --- | --- |

2.

Keskimääräinen lähtöteho ylittää 2 kW; tai

| 3. | Pulssienergia ylittää 2 J; |
| --- | --- |

3.

Pulssienergia ylittää 2 J;

| 3. | Pulssiviritetyt, ei-"Q-kytkinlaserit", joiden:






  a. | Yksitransversaalimuodon ulostulon:






  1. | "Huipputeho" ylittää 500 kW; tai |
| --- | --- | --- | --- |

3.

Pulssiviritetyt, ei-"Q-kytkinlaserit", joiden:

a.

Yksitransversaalimuodon ulostulon:

1.

"Huipputeho" ylittää 500 kW; tai

| 2. | Keskimääräinen lähtöteho ylittää 150 W; tai |
| --- | --- |

2.

Keskimääräinen lähtöteho ylittää 150 W; tai

| b. | Monitransversaalimuodon ulostulon:






  1. | "Huipputeho" ylittää 1 MW; tai |
| --- | --- | --- |

b.

Monitransversaalimuodon ulostulon:

1.

"Huipputeho" ylittää 1 MW; tai

| 2. | Keskimääräinen teho ylittää 2 kW; |
| --- | --- |

2.

Keskimääräinen teho ylittää 2 kW;

| 4. | Jatkuvasti viritettävät "laserit", joiden:






  a. | Yksitransversaalimuodon ulostulon:






  1. | "Huipputeho" ylittää 500 kW; tai |
| --- | --- | --- | --- |

4.

Jatkuvasti viritettävät "laserit", joiden:

a.

Yksitransversaalimuodon ulostulon:

1.

"Huipputeho" ylittää 500 kW; tai

| 2. | Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 150 W; tai |
| --- | --- |

2.

Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 150 W; tai

| b. | Monitransversaalimuodon ulostulon:






  1. | Huipputeho ylittää 1 MW; tai |
| --- | --- | --- |

b.

Monitransversaalimuodon ulostulon:

1.

Huipputeho ylittää 1 MW; tai

| 2. | Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 2 kW; |
| --- | --- |

2.

Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 2 kW;

| c. | Muut ei-viritettävät "laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Aallonpituus on alle 150 nm ja jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Lähtöenergia ylittää 50 mJ pulssia kohden ja pulssin "huipputeho" ylittää 1 W; tai |
| --- | --- | --- | --- |

c.

Muut ei-viritettävät "laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Aallonpituus on alle 150 nm ja jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Lähtöenergia ylittää 50 mJ pulssia kohden ja pulssin "huipputeho" ylittää 1 W; tai

| b. | Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 1 W; |
| --- | --- |

b.

Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 1 W;

| 2. | Aallonpituus on 150 nm tai enemmän mutta ei ylitä 800 nm ja jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohden ja pulssin "huipputeho" ylittää 30 W; tai |
| --- | --- | --- |

2.

Aallonpituus on 150 nm tai enemmän mutta ei ylitä 800 nm ja jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohden ja pulssin "huipputeho" ylittää 30 W; tai

| b. | Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 30 W: |
| --- | --- |

b.

Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 30 W:

| 3. | Aallonpituus ylittää 800 nm mutta ei ylitä 1 400 nm:






  a. | "Q-kytkinlaserit", joiden:






  1. | Lähtöenergia ylittää 0,5 J pulssia kohden ja pulssin "huipputeho" ylittää 50 W; tai |
| --- | --- | --- | --- |

3.

Aallonpituus ylittää 800 nm mutta ei ylitä 1 400 nm:

a.

"Q-kytkinlaserit", joiden:

1.

Lähtöenergia ylittää 0,5 J pulssia kohden ja pulssin "huipputeho" ylittää 50 W; tai

| 2. | Keskimääräinen lähtöteho ylittää:






  a. | Yksi-transversaali "lasereilla" 10 W; |
| --- | --- | --- |

2.

Keskimääräinen lähtöteho ylittää:

a.

Yksi-transversaali "lasereilla" 10 W;

| b. | Moni-transversaali "lasereilla" 30 W; |
| --- | --- |

b.

Moni-transversaali "lasereilla" 30 W;

| b. | Ei-"Q-kytkinlaserit", joiden:






  1. | Lähtöenergia ylittää 2 J pulssia kohden ja pulssin "huipputeho" ylittää 50 W; tai |
| --- | --- | --- |

b.

Ei-"Q-kytkinlaserit", joiden:

1.

Lähtöenergia ylittää 2 J pulssia kohden ja pulssin "huipputeho" ylittää 50 W; tai

| 2. | Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 50 W; |
| --- | --- |

2.

Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 50 W;

| 4. | Aallonpituus ylittää 1 400 nm ja jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Lähtöenergia ylittää 100 mJ pulssia kohden ja pulssin "huipputeho" ylittää 1 W; tai |
| --- | --- | --- |

4.

Aallonpituus ylittää 1 400 nm ja jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Lähtöenergia ylittää 100 mJ pulssia kohden ja pulssin "huipputeho" ylittää 1 W; tai

| b. | Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 1 W; |
| --- | --- |

b.

Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 1 W;

| d. | Väriaine- ja muut neste"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Aallonpituus on alle 150 nm ja:






  a. | Lähtöenergia ylittää 50 mJ pulssia kohden ja pulssin "huipputeho" ylittää 1 W; tai |
| --- | --- | --- | --- |

d.

Väriaine- ja muut neste"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Aallonpituus on alle 150 nm ja:

a.

Lähtöenergia ylittää 50 mJ pulssia kohden ja pulssin "huipputeho" ylittää 1 W; tai

| b. | Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 1 W; |
| --- | --- |

b.

Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 1 W;

| 2. | Aallonpituus on 150 nm tai enemmän mutta ei ylitä 800 nm ja jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohden ja pulssin "huipputeho" ylittää 20 W; |
| --- | --- | --- |

2.

Aallonpituus on 150 nm tai enemmän mutta ei ylitä 800 nm ja jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohden ja pulssin "huipputeho" ylittää 20 W;

| b. | Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 20 W; tai |
| --- | --- |

b.

Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 20 W; tai

| c. | Sisältävät pitkittäistyyppisen pulssivärähtelijän, jonka keskimääräinen lähtöteho ylittää 1 W ja toistotaajuus ylittää 1 kHz, jos pulssin kesto on vähemmän kuin 100 ns; |
| --- | --- |

c.

Sisältävät pitkittäistyyppisen pulssivärähtelijän, jonka keskimääräinen lähtöteho ylittää 1 W ja toistotaajuus ylittää 1 kHz, jos pulssin kesto on vähemmän kuin 100 ns;

| 3. | Aallonpituus ylittää 800 nm mutta ei ylitä 1 400 nm ja jokin seuraavista:






  a. | Lähtöenergia ylittää 0,5 J pulssia kohden ja pulssin "huipputeho" ylittää 10 W; tai |
| --- | --- | --- |

3.

Aallonpituus ylittää 800 nm mutta ei ylitä 1 400 nm ja jokin seuraavista:

a.

Lähtöenergia ylittää 0,5 J pulssia kohden ja pulssin "huipputeho" ylittää 10 W; tai

| b. | Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 10 W; |
| --- | --- |

b.

Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 10 W;

| 4. | Aallonpituus ylittää 1 400 nm ja jokin seuraavista:






  a. | Lähtöenergia ylittää 100 mJ pulssia kohden ja pulssin "huipputeho" ylittää 1 W; tai |
| --- | --- | --- |

4.

Aallonpituus ylittää 1 400 nm ja jokin seuraavista:

a.

Lähtöenergia ylittää 100 mJ pulssia kohden ja pulssin "huipputeho" ylittää 1 W; tai

| b. | Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 1 W; |
| --- | --- |

b.

Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 1 W;

| e. | Seuraavat komponentit:






  1. | ‧Aktiivisella jäähdytyksellä‧ tai lämpöputkijäähdytyksellä jäähdytetyt peilit;
  Tekn. huom.:

  ‧Aktiivinen jäähdytys‧ on optisten osien jäähdytystekniikka, jossa käytetään välittömästi optisen komponentin pinnan alla virtaavia nesteitä (nimellisetäisyys optisesta pinnasta vähemmän kuin 1 mm) siirtämään lämpöä optiikasta. |
| --- | --- | --- |

e.

Seuraavat komponentit:

1.

‧Aktiivisella jäähdytyksellä‧ tai lämpöputkijäähdytyksellä jäähdytetyt peilit;

Tekn. huom.:

‧Aktiivinen jäähdytys‧ on optisten osien jäähdytystekniikka, jossa käytetään välittömästi optisen komponentin pinnan alla virtaavia nesteitä (nimellisetäisyys optisesta pinnasta vähemmän kuin 1 mm) siirtämään lämpöä optiikasta.

| 2. | Optiset peilit tai läpäisevät tai osittain läpäisevät optiset tai sähköoptiset komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi valvonnanalaisten "lasereiden" kanssa; |
| --- | --- |

2.

Optiset peilit tai läpäisevät tai osittain läpäisevät optiset tai sähköoptiset komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi valvonnanalaisten "lasereiden" kanssa;

| f. | Seuraavat optiset laitteet:


  Huom.:"SHPL"-sovelluksissa toimimaan kykenevät yhteisen aukon optiset elementit: katso asetarvikeluettelo.







  1. | Dynaamiset aaltorintaman (vaiheen) mittauslaitteet, joilla voidaan rekisteröidä ainakin 50 positiota säteen aaltorintamasta, ja joilla on jokin seuraavista:






  a. | Kuvataajuus on 100 Hz tai enemmän ja vaiheen erottelukyky vähintään 5 % säteen aallonpituudesta; tai |
| --- | --- | --- | --- |

f.

Seuraavat optiset laitteet:

Huom.:"SHPL"-sovelluksissa toimimaan kykenevät yhteisen aukon optiset elementit: katso asetarvikeluettelo.

1.

Dynaamiset aaltorintaman (vaiheen) mittauslaitteet, joilla voidaan rekisteröidä ainakin 50 positiota säteen aaltorintamasta, ja joilla on jokin seuraavista:

a.

Kuvataajuus on 100 Hz tai enemmän ja vaiheen erottelukyky vähintään 5 % säteen aallonpituudesta; tai

| b. | Kuvanopeus on 1 000 Hz tai enemmän ja vaiheen erottelukyky vähintään 20 % säteen aallonpituudesta; |
| --- | --- |

b.

Kuvanopeus on 1 000 Hz tai enemmän ja vaiheen erottelukyky vähintään 20 % säteen aallonpituudesta;

| 2. | "Laserien" diagnostiikkalaitteet, joilla kyetään mittaamaan "SHPL"-järjestelmän säteen ohjauksen kulmavirheitä, jotka ovat 10 μrad tai pienempiä; |
| --- | --- |

2.

"Laserien" diagnostiikkalaitteet, joilla kyetään mittaamaan "SHPL"-järjestelmän säteen ohjauksen kulmavirheitä, jotka ovat 10 μrad tai pienempiä;

| 3. | Optiset laitteet, kokoonpanot tai komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu vaiheistettujen ryhmien koherenttia sädettä kombinoivaa "SHPL"-järjestelmää varten tarkkuudella, joka on seuraavista pienempi: Lambda/10 suunnitellulla aallonpituudella tai 0,1 μm; |
| --- | --- |

3.

Optiset laitteet, kokoonpanot tai komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu vaiheistettujen ryhmien koherenttia sädettä kombinoivaa "SHPL"-järjestelmää varten tarkkuudella, joka on seuraavista pienempi: Lambda/10 suunnitellulla aallonpituudella tai 0,1 μm;

| 4. | Erityisesti "SHPL"-järjestelmissä käytettäväksi tarkoitetut projektioteleskoopit. |
| --- | --- |

4.

Erityisesti "SHPL"-järjestelmissä käytettäväksi tarkoitetut projektioteleskoopit.

6A006Seuraavat "magnetometrit", "magneettikentän gradiometrit", "itseisjohtavuuteen perustuvat magneettikentän gradiometrit", vedenalaiset sähkökenttäanturit ja kompensointijärjestelmät sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:

Huom.: 6A006 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi instrumentteja, jotka on erityisesti suunniteltu kalastustarkoituksiin tai lääketieteellisen diagnostiikan biomagneettisia mittauksia varten.

| a. | Seuraavat "magnetometrit" ja alajärjestelmät:






  1. | Jotka käyttävät "suprajohtavaa" (SQUID) "teknologiaa" ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Paikallaan käytettäväksi suunniteltuja SQUID-järjestelmiä, joissa ei ole erityisesti suunniteltuja alajärjestelmiä liikkeessä aiheutuvan kohinan vähentämiseksi ja joiden "kohinataso" (herkkyys) on 50 fT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti 1 Hz:n taajuudella tai alempi (parempi); tai |
| --- | --- | --- | --- |

a.

Seuraavat "magnetometrit" ja alajärjestelmät:

1.

Jotka käyttävät "suprajohtavaa" (SQUID) "teknologiaa" ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Paikallaan käytettäväksi suunniteltuja SQUID-järjestelmiä, joissa ei ole erityisesti suunniteltuja alajärjestelmiä liikkeessä aiheutuvan kohinan vähentämiseksi ja joiden "kohinataso" (herkkyys) on 50 fT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti 1 Hz:n taajuudella tai alempi (parempi); tai

| b. | SQUID-järjestelmiä, joiden liikkeessä käytettävien magnetometrien "kohinataso" (herkkyys) on alempi (parempi) kuin 20 pT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti 1 Hz:n taajuudella ja jotka on erityisesti suunniteltu liikkeessä aiheutuvan kohinan vähentämiseksi; |
| --- | --- |

b.

SQUID-järjestelmiä, joiden liikkeessä käytettävien magnetometrien "kohinataso" (herkkyys) on alempi (parempi) kuin 20 pT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti 1 Hz:n taajuudella ja jotka on erityisesti suunniteltu liikkeessä aiheutuvan kohinan vähentämiseksi;

| 2. | Jotka käyttävät optisesti pumpattua tai ydinpresessio- (protoni/Overhauser-) "teknologiaa", jonka "kohinataso" (herkkyys) on alempi (parempi) kuin 20 pT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti; |
| --- | --- |

2.

Jotka käyttävät optisesti pumpattua tai ydinpresessio- (protoni/Overhauser-) "teknologiaa", jonka "kohinataso" (herkkyys) on alempi (parempi) kuin 20 pT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti;

| 3. | Jotka käyttävät fluxgate-"teknologiaa", jonka "kohinataso" (herkkyys) on 10 pT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti 1 Hz:n taajuudella tai alempi (parempi); |
| --- | --- |

3.

Jotka käyttävät fluxgate-"teknologiaa", jonka "kohinataso" (herkkyys) on 10 pT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti 1 Hz:n taajuudella tai alempi (parempi);

| 4. | Induktiokelamagnetometrit, joiden "kohinataso" (herkkyys) on alempi (parempi) kuin:






  a. | 0,05 nT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti alle 1 Hz:n taajuuksilla; |
| --- | --- | --- |

4.

Induktiokelamagnetometrit, joiden "kohinataso" (herkkyys) on alempi (parempi) kuin:

a.

0,05 nT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti alle 1 Hz:n taajuuksilla;

| b. | 1 × 10-3 nT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti taajuuksilla 1 Hz–10 Hz; tai |
| --- | --- |

b.

1 × 10-3 nT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti taajuuksilla 1 Hz–10 Hz; tai

| c. | 1 × 10-4 nT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti taajuuksilla yli 10 Hz; |
| --- | --- |

c.

1 × 10-4 nT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti taajuuksilla yli 10 Hz;

| 5. | Kuituoptiset "magnetometrit", joiden "kohinataso" (herkkyys) on alempi (parempi) kuin 1 nT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti; |
| --- | --- |

5.

Kuituoptiset "magnetometrit", joiden "kohinataso" (herkkyys) on alempi (parempi) kuin 1 nT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti;

| b. | Vedenalaiset sähkökenttäanturit, joiden "kohinataso" (herkkyys) on alempi (parempi) kuin 8 nanovolttia metriä kohti Hz:n neliöjuurta kohti 1 Hz:n taajuudella mitattuna; |
| --- | --- |

b.

Vedenalaiset sähkökenttäanturit, joiden "kohinataso" (herkkyys) on alempi (parempi) kuin 8 nanovolttia metriä kohti Hz:n neliöjuurta kohti 1 Hz:n taajuudella mitattuna;

| c. | Seuraavat "magneettikentän gradiometrit":






  1. | "Magneettikentän gradiometrit", jotka käyttävät useita 6A006.a kohdassa määriteltyjä "magnetometrejä"; |
| --- | --- | --- |

c.

Seuraavat "magneettikentän gradiometrit":

1.

"Magneettikentän gradiometrit", jotka käyttävät useita 6A006.a kohdassa määriteltyjä "magnetometrejä";

| 2. | Kuituoptiset "itseisjohtavuuteen perustuvat magneettikentän gradiometrit", joiden magneettisen gradienttikentän "kohinataso" (herkkyys) on alempi (parempi) kuin 0,3 nT/m rms Hz:n neliöjuurta kohti; |
| --- | --- |

2.

Kuituoptiset "itseisjohtavuuteen perustuvat magneettikentän gradiometrit", joiden magneettisen gradienttikentän "kohinataso" (herkkyys) on alempi (parempi) kuin 0,3 nT/m rms Hz:n neliöjuurta kohti;

| 3. | "Itseisjohtavuuteen perustuvat magneettikentän gradiometrit", jotka käyttävät muuta kuin kuituoptista "teknologiaa" ja joiden magneettisen gradienttikentän kohinataso (herkkyys) on alempi (parempi) kuin 0,015 nT/m rms Hz:n neliöjuurta kohti; |
| --- | --- |

3.

"Itseisjohtavuuteen perustuvat magneettikentän gradiometrit", jotka käyttävät muuta kuin kuituoptista "teknologiaa" ja joiden magneettisen gradienttikentän kohinataso (herkkyys) on alempi (parempi) kuin 0,015 nT/m rms Hz:n neliöjuurta kohti;

| d. | Kompensointijärjestelmät magneettisia antureita tai vedenalaisia sähkökenttäantureita varten, joiden aikaansaama suorituskyky on yhtä suuri tai parempi kuin 6A006.a, 6A006.b tai 6A006.c kohdan vertailuparametrit. |
| --- | --- |

d.

Kompensointijärjestelmät magneettisia antureita tai vedenalaisia sähkökenttäantureita varten, joiden aikaansaama suorituskyky on yhtä suuri tai parempi kuin 6A006.a, 6A006.b tai 6A006.c kohdan vertailuparametrit.

6A007Seuraavat gravimetrit sekä painovoimagradiometrit:

Huom.: KATSO MYÖS 6A107 KOHTA.

| a. | Maalla käytettäväksi suunnitellut tai muunnetut gravimetrit (painovoiman mittarit), joiden staattinen tarkkuus on vähemmän (parempi) kuin 10 μgal;


  Huom.: 6A007.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kvartsielementtiä käyttäviä (Worden-tyyppisiä) maapohjan gradiometrejä. |
| --- | --- |

a.

Maalla käytettäväksi suunnitellut tai muunnetut gravimetrit (painovoiman mittarit), joiden staattinen tarkkuus on vähemmän (parempi) kuin 10 μgal;

Huom.: 6A007.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kvartsielementtiä käyttäviä (Worden-tyyppisiä) maapohjan gradiometrejä.

| b. | Liikkuville alustoille suunnitellut gradiometrit, joiden:






  1. | Staattinen tarkkuus on parempi kuin 0,7 mgal; ja |
| --- | --- | --- |

b.

Liikkuville alustoille suunnitellut gradiometrit, joiden:

1.

Staattinen tarkkuus on parempi kuin 0,7 mgal; ja

| 2. | Toimintatarkkuus käytössä (toiminnassa) on parempi kuin 0,7 mgal ja vakiintumisaika on vähemmän kuin 2 minuuttia kaikissa läsnä olevien korjaavien kompensointien ja liikkeen vaikutusten kombinaatioissa; |
| --- | --- |

2.

Toimintatarkkuus käytössä (toiminnassa) on parempi kuin 0,7 mgal ja vakiintumisaika on vähemmän kuin 2 minuuttia kaikissa läsnä olevien korjaavien kompensointien ja liikkeen vaikutusten kombinaatioissa;

| c. | Painovoimagradiometrit. |
| --- | --- |

c.

Painovoimagradiometrit.

6A008Tutkajärjestelmät, -laitteet ja -kokoonpanot, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:

Huom.: KATSO MYÖS 6A108 KOHTA.

Huom.: 6A008 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:

| a. | Toisiovalvontatutkia (SSR); |
| --- | --- |

a.

Toisiovalvontatutkia (SSR);

| b. | Yhteentörmäyksen estämiseen tarkoitettuja autotutkia; |
| --- | --- |

b.

Yhteentörmäyksen estämiseen tarkoitettuja autotutkia;

| c. | Näyttöpäätteitä tai monitoreja, joita käytetään lennonjohdossa (ATC), ja joissa ei ole enempää kuin 12 erottuvaa elementtiä mm kohden; |
| --- | --- |

c.

Näyttöpäätteitä tai monitoreja, joita käytetään lennonjohdossa (ATC), ja joissa ei ole enempää kuin 12 erottuvaa elementtiä mm kohden;

| d. | Ilmatieteellisiä (säähavainto-) tutkia. |
| --- | --- |

d.

Ilmatieteellisiä (säähavainto-) tutkia.

| a. | Jotka toimivat taajuuksilla 40 GHz–230 GHz ja keskimääräinen lähtöteho on yli 100 mW; |
| --- | --- |

a.

Jotka toimivat taajuuksilla 40 GHz–230 GHz ja keskimääräinen lähtöteho on yli 100 mW;

| b. | Joissa on viritettävä kaistanleveys, joka on yli ± 6,25 % ‧keskitoimintataajuudesta‧;
  Tekn. huom.:

  ‧Keskitoimintataajuus‧ on puolet korkeimman ja alhaisimman määritellyn toimintataajuuden summasta. |
| --- | --- |

b.

Joissa on viritettävä kaistanleveys, joka on yli ± 6,25 % ‧keskitoimintataajuudesta‧;

Tekn. huom.:

‧Keskitoimintataajuus‧ on puolet korkeimman ja alhaisimman määritellyn toimintataajuuden summasta.

| c. | Jotka kykenevät toimimaan samanaikaisesti useammalla kuin kahdella kantoaaltotaajuudella; |
| --- | --- |

c.

Jotka kykenevät toimimaan samanaikaisesti useammalla kuin kahdella kantoaaltotaajuudella;

| d. | Jotka kykenevät toimimaan synteettisessä apertuuri- (SAR), käänteisessä synteettisessä apertuuritutkamoodissa (ISAR) tai sivukulma-tutkamoodissa (SLAR); |
| --- | --- |

d.

Jotka kykenevät toimimaan synteettisessä apertuuri- (SAR), käänteisessä synteettisessä apertuuritutkamoodissa (ISAR) tai sivukulma-tutkamoodissa (SLAR);

| e. | Jotka sisältävät "elektronisesti ohjattavia vaiheistettuja ryhmäantenneja"; |
| --- | --- |

e.

Jotka sisältävät "elektronisesti ohjattavia vaiheistettuja ryhmäantenneja";

| f. | Jotka kykenevät ei-yhteistoiminnallisten kohteiden korkeuden määrittämiseen;


  Huom.: 6A008.f kohta ei aseta valvonnanalaiseksi ICAO:n standardien mukaisia tarkkuuslähestymistutkalaitteita (PAR). |
| --- | --- |

f.

Jotka kykenevät ei-yhteistoiminnallisten kohteiden korkeuden määrittämiseen;

Huom.: 6A008.f kohta ei aseta valvonnanalaiseksi ICAO:n standardien mukaisia tarkkuuslähestymistutkalaitteita (PAR).

| g. | Jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi ilmassa (asennettuina ilmapalloon tai lentokoneen rakenteisiin) ja varustettu Doppler-"signaalinkäsittelyllä" liikkuvien kohteiden havaitsemiseksi; |
| --- | --- |

g.

Jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi ilmassa (asennettuina ilmapalloon tai lentokoneen rakenteisiin) ja varustettu Doppler-"signaalinkäsittelyllä" liikkuvien kohteiden havaitsemiseksi;

| h. | Jotka käsittelevät tutkasignaalia käyttäen:






  1. | "Tutkan hajaspektri"tekniikkaa; tai |
| --- | --- | --- |

h.

Jotka käsittelevät tutkasignaalia käyttäen:

1.

"Tutkan hajaspektri"tekniikkaa; tai

| 2. | "Tutkan taajuushyppely"tekniikkaa; |
| --- | --- |

2.

"Tutkan taajuushyppely"tekniikkaa;

| i. | Jotka takaavat maanpinnalla toimittaessa maksimi"näyttöalueen", joka ylittää 185 km;


  Huom.: 6A008.i kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:








  a. | Kalastusalueiden valvontatutkia; |
| --- | --- | --- |

i.

Jotka takaavat maanpinnalla toimittaessa maksimi"näyttöalueen", joka ylittää 185 km;

Huom.: 6A008.i kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:

a.

Kalastusalueiden valvontatutkia;

| b. | Maanpinnalla olevia tutkalaitteita, jotka on erikoisesti suunniteltu reittilentoliikenteen ohjausta varten eikä niiden käyttöön erityisesti suunniteltuja ohjelmia, edellyttäen, että:








  1. | Sen maksimi"näyttöalue" on 500 km tai vähemmän; |
| --- | --- | --- |

b.

Maanpinnalla olevia tutkalaitteita, jotka on erikoisesti suunniteltu reittilentoliikenteen ohjausta varten eikä niiden käyttöön erityisesti suunniteltuja ohjelmia, edellyttäen, että:

1.

Sen maksimi"näyttöalue" on 500 km tai vähemmän;

| 2. | Se on konfiguroitu siten, että tutkan maalitietoa voidaan lähettää vain yhteen suuntaan tutka-asemalta yhteen tai useampaan siviililennonjohtokeskukseen; |
| --- | --- |

2.

Se on konfiguroitu siten, että tutkan maalitietoa voidaan lähettää vain yhteen suuntaan tutka-asemalta yhteen tai useampaan siviililennonjohtokeskukseen;

| 3. | Siinä ei ole varauduttu tutkan pyyhkäisynopeuden kauko-ohjaukseen reitin varrella olevasta lennonjohtokeskuksesta; ja |
| --- | --- |

3.

Siinä ei ole varauduttu tutkan pyyhkäisynopeuden kauko-ohjaukseen reitin varrella olevasta lennonjohtokeskuksesta; ja

| 4. | Sen on oltava kiinteästi rakennettu. |
| --- | --- |

4.

Sen on oltava kiinteästi rakennettu.

| c. | Säähavaintopallojen seurantatutkia. |
| --- | --- |

c.

Säähavaintopallojen seurantatutkia.

| j. | "Laser"tutkat tai valoon perustuvat havainnointi- ja etäisyydenmittauslaitteet (LIDAR), joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Ne ovat "avaruuskelpoisia"; tai |
| --- | --- | --- |

j.

"Laser"tutkat tai valoon perustuvat havainnointi- ja etäisyydenmittauslaitteet (LIDAR), joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Ne ovat "avaruuskelpoisia"; tai

| 2. | Ne käyttävät koherenttia heterodyne- tai homodyneilmaisutekniikkaa ja niiden kulmanerottelukyky on parempi kuin 20 μrad (mikroradiaania); |
| --- | --- |

2.

Ne käyttävät koherenttia heterodyne- tai homodyneilmaisutekniikkaa ja niiden kulmanerottelukyky on parempi kuin 20 μrad (mikroradiaania);

Huom.: 6A008.j kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kartoitukseen tai ilmatieteellisiin havaintoihin erityisesti suunniteltuja LIDAR-laitteita.

| k. | Sisältävät "signaalinkäsittelyä" varten alajärjestelmiä, jotka käyttävät "pulssikompressio"tekniikkaa ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | "Pulssikompressio"suhde ylittää 150; tai |
| --- | --- | --- |

k.

Sisältävät "signaalinkäsittelyä" varten alajärjestelmiä, jotka käyttävät "pulssikompressio"tekniikkaa ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

"Pulssikompressio"suhde ylittää 150; tai

| 2. | Pulssin leveys on vähemmän kuin 200 ns; tai |
| --- | --- |

2.

Pulssin leveys on vähemmän kuin 200 ns; tai

| l. | Sisältävät tiedonkäsittelyn alajärjestelmiä, jotka:






  1. | Suorittavat "automaattista kohteen seurantaa", joka kullakin antennin kierroksella ennakoi maalin aseman pidemmälle kuin seuraavan antennin säteen ohimenon ajankohtaan;


  Huom.: 6A008.l.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi vaaratilanteiden hälytyskykyä lennonjohtojärjestelmissä tai merenkulku- tai satamatutkissa. |
| --- | --- | --- |

l.

Sisältävät tiedonkäsittelyn alajärjestelmiä, jotka:

1.

Suorittavat "automaattista kohteen seurantaa", joka kullakin antennin kierroksella ennakoi maalin aseman pidemmälle kuin seuraavan antennin säteen ohimenon ajankohtaan;

Huom.: 6A008.l.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi vaaratilanteiden hälytyskykyä lennonjohtojärjestelmissä tai merenkulku- tai satamatutkissa.

| 2. | Laskevat kohteen nopeutta ensiötutkan avulla, jolla on ei-periodinen (vaihtuva) pyyhkäisynopeus; |
| --- | --- |

2.

Laskevat kohteen nopeutta ensiötutkan avulla, jolla on ei-periodinen (vaihtuva) pyyhkäisynopeus;

| 3. | Suorittavat automaattista kohteiden hahmontunnistusta (piirteiden poimintaa) ja vertaavat kuvioita tietokantoihin talletettuihin kohteiden ominaisuuksiin (aaltomuotoihin tai kuviin) kohteiden tunnistamista tai luokittelua varten; tai |
| --- | --- |

3.

Suorittavat automaattista kohteiden hahmontunnistusta (piirteiden poimintaa) ja vertaavat kuvioita tietokantoihin talletettuihin kohteiden ominaisuuksiin (aaltomuotoihin tai kuviin) kohteiden tunnistamista tai luokittelua varten; tai

| 4. | Suorittavat kahdesta tai useammasta "maantieteellisesti hajallaan" olevasta ja "toisiinsa kytketystä tutka-anturista" saatujen kohteen tietojen superponointia ja korrelaatiota tai yhdistelyä kohteen selvittämiseksi;


  Huom.: 6A008.l.4 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi järjestelmiä, laitteita tai kokoonpanoja, joita käytetään meriliikenteen ohjaamiseen. |
| --- | --- |

4.

Suorittavat kahdesta tai useammasta "maantieteellisesti hajallaan" olevasta ja "toisiinsa kytketystä tutka-anturista" saatujen kohteen tietojen superponointia ja korrelaatiota tai yhdistelyä kohteen selvittämiseksi;

Huom.: 6A008.l.4 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi järjestelmiä, laitteita tai kokoonpanoja, joita käytetään meriliikenteen ohjaamiseen.

6A102Muut kuin 6A002 kohdassa määritellyt säteilyä kestävät ‧ilmaisimet‧, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu suojaamaan ydinaseiden vaikutuksilta (esim. sähkömagneettiselta pulssilta (EMP = Electromagnetic Pulse), röntgensäteilyltä, yhdistetyiltä paineisku- ja lämpövaikutuksilta) ja voidaan käyttää "ohjuksissa", ja jotka on suunniteltu tai mitoitettu kestämään kokonaisannokseltaan 5 × 105 radin (Pii) tai sen ylittäviä säteilytasoja.

Tekn. huom.:

6A102 kohdassa ‧ilmaisimeksi‧ määritellään mekaaninen, sähköinen, optinen tai kemiallinen laite, joka automaattisesti tunnistaa ja tallentaa tai rekisteröi ärsykkeen, kuten ympäristön paineen tai lämpötilan muutoksen, sähköisen tai sähkömagneettisen signaalin tai radioaktiivisesta aineesta lähtevän säteilyn. Tämä sisältää laitteet, jotka tunnistavat kertatoimisesti tai vioittumalla/rikkoutumalla.

6A107Seuraavat painovoiman mittarit (gravimetrit) ja gravimetrien ja painovoimagradiometrien komponentit:

| a. | Muut kuin 6A007.b kohdassa määritellyt gravimetrit, jotka on suunniteltu tai muunnettu ilmassa tai merellä tapahtuvaa käyttöä varten ja joiden staattinen tai operationaalinen tarkkuus on 7 × 10-6 m/s2 (0,7milligalia) tai sitä vähemmän (parempi) ja joiden vakiintumisaika on kaksi minuuttia tai vähemmän. |
| --- | --- |

a.

Muut kuin 6A007.b kohdassa määritellyt gravimetrit, jotka on suunniteltu tai muunnettu ilmassa tai merellä tapahtuvaa käyttöä varten ja joiden staattinen tai operationaalinen tarkkuus on 7 × 10-6 m/s2 (0,7milligalia) tai sitä vähemmän (parempi) ja joiden vakiintumisaika on kaksi minuuttia tai vähemmän.

| b. | Komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu 6A007.b kohdassa tai 6A107.a kohdassa määriteltyjä gravimetrejä ja 6A007.c kohdassa määriteltyjä painovoimagradiometrejä varten. |
| --- | --- |

b.

Komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu 6A007.b kohdassa tai 6A107.a kohdassa määriteltyjä gravimetrejä ja 6A007.c kohdassa määriteltyjä painovoimagradiometrejä varten.

6A108Seuraavat muut kuin 6A008 kohdassa määritellyt tutkajärjestelmät ja seurantajärjestelmät:

| a. | Tutka- ja lasertutkajärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäviksi 9A004 kohdassa määritellyissä avaruuteen laukaisussa käytettävissä kantoraketeissa tai 9A104 kohdassa määritellyissä luotainraketeissa;


  Huom.: 6A108.a kohta sisältää seuraavat:








  a. | Maanpinnan muodon kartoituslaitteet; |
| --- | --- | --- |

a.

Tutka- ja lasertutkajärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäviksi 9A004 kohdassa määritellyissä avaruuteen laukaisussa käytettävissä kantoraketeissa tai 9A104 kohdassa määritellyissä luotainraketeissa;

Huom.: 6A108.a kohta sisältää seuraavat:

a.

Maanpinnan muodon kartoituslaitteet;

| b. | Kuvausanturilaitteet; |
| --- | --- |

b.

Kuvausanturilaitteet;

| c. | Näkymäkartoitus- ja korrelointilaitteet (sekä digitaaliset että analogiset); |
| --- | --- |

c.

Näkymäkartoitus- ja korrelointilaitteet (sekä digitaaliset että analogiset);

| d. | Doppler-navigointitutkalaitteet. |
| --- | --- |

d.

Doppler-navigointitutkalaitteet.

| b. | Seuraavat tarkkuusseurantajärjestelmät, joita voidaan käyttää ‧ohjuksissa‧:






  1. | Seurantajärjestelmät, jotka käyttävät koodin kääntäjää yhdessä maanpinnalla tai ilmassa olevien vertailupisteiden tai navigointisatelliitti-järjestelmien kanssa tosiaikaiseen lentosijainnin ja -nopeuden mittausten suorittamiseen; |
| --- | --- | --- |

b.

Seuraavat tarkkuusseurantajärjestelmät, joita voidaan käyttää ‧ohjuksissa‧:

1.

Seurantajärjestelmät, jotka käyttävät koodin kääntäjää yhdessä maanpinnalla tai ilmassa olevien vertailupisteiden tai navigointisatelliitti-järjestelmien kanssa tosiaikaiseen lentosijainnin ja -nopeuden mittausten suorittamiseen;

| 2. | Instrumenttietäisyystutkat, mukaanlukien niihin liittyvät optiset/infrapunaseurantalaitteet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  a. | Kulmaresoluutio on parempi kuin 3 milliradiaania (0,5 milliä); |
| --- | --- | --- |

2.

Instrumenttietäisyystutkat, mukaanlukien niihin liittyvät optiset/infrapunaseurantalaitteet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

Kulmaresoluutio on parempi kuin 3 milliradiaania (0,5 milliä);

| b. | Toimintaetäisyys on 30 km tai suurempi ja etäisyysresoluutio parempi kuin 10 m rms; |
| --- | --- |

b.

Toimintaetäisyys on 30 km tai suurempi ja etäisyysresoluutio parempi kuin 10 m rms;

| c. | Nopeusresoluutio on parempi kuin 3 m/s. |
| --- | --- |

c.

Nopeusresoluutio on parempi kuin 3 m/s.

Tekn. huom.:

6A108.b kohdassa tarkoitetaan ‧ohjuksella‧ täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, joiden kantomatka on yli 300 kilometriä.

6A202Valomonistinputket, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

| a. | valokatodipinta on suurempi kuin 20 cm2; ja |
| --- | --- |

a.

valokatodipinta on suurempi kuin 20 cm2; ja

| b. | anodipulssin nousuaika on lyhyempi kuin 1 ns. |
| --- | --- |

b.

anodipulssin nousuaika on lyhyempi kuin 1 ns.

6A203Seuraavat muut kuin 6A003 kohdassa määritellyt kamerat ja komponentit:

| a. | Seuraavat mekaaniset pyöriväpeiliset kamerat ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:






  1. | Erilliskuvia ottavat kamerat, joiden tallennusnopeus on suurempi kuin 225 000 kuvaa/s; |
| --- | --- | --- |

a.

Seuraavat mekaaniset pyöriväpeiliset kamerat ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:

1.

Erilliskuvia ottavat kamerat, joiden tallennusnopeus on suurempi kuin 225 000 kuvaa/s;

| 2. | Juovakamerat, joiden piirtonopeus on suurempi kuin 0,5 mm/μs; |
| --- | --- |

2.

Juovakamerat, joiden piirtonopeus on suurempi kuin 0,5 mm/μs;

Huom.: 6A203.a kohdassa näiden kameroiden komponentteihin sisältyvät niiden synkronointi-elektroniikkayksiköt sekä turbiineista, peileistä ja laakereista koostuvat roottorikokoonpanot.

| b. | Seuraavat elektroniset juova- ja erilliskuvakamerat, putket ja laitteet:






  1. | Elektroniset juovakamerat, jotka kykenevät 50 ns:n tai lyhyempään aikaresoluutioon; |
| --- | --- | --- |

b.

Seuraavat elektroniset juova- ja erilliskuvakamerat, putket ja laitteet:

1.

Elektroniset juovakamerat, jotka kykenevät 50 ns:n tai lyhyempään aikaresoluutioon;

| 2. | Juovaputket 6A203.b.1 kohdassa määriteltyjä kameroita varten; |
| --- | --- |

2.

Juovaputket 6A203.b.1 kohdassa määriteltyjä kameroita varten;

| 3. | Elektroniset (tai elektronisin sulkimin varustetut) erilliskuvakamerat, joiden valotusaika kuvaa kohden on 50 ns tai lyhyempi; |
| --- | --- |

3.

Elektroniset (tai elektronisin sulkimin varustetut) erilliskuvakamerat, joiden valotusaika kuvaa kohden on 50 ns tai lyhyempi;

| 4. | Seuraavat erilliskuvaputket tai solid-state-kuvauslaitteet, joita käytetään 6A203.b.3 kohdassa määriteltyjen kameroiden kanssa:






  a. | Lähitarkenteiset kuvantehostinputket, joissa valokatodi on muodostettu läpinäkyvälle johtavalle pinnoitteelle valokatodin pintavastuksen pienentämiseksi; |
| --- | --- | --- |

4.

Seuraavat erilliskuvaputket tai solid-state-kuvauslaitteet, joita käytetään 6A203.b.3 kohdassa määriteltyjen kameroiden kanssa:

a.

Lähitarkenteiset kuvantehostinputket, joissa valokatodi on muodostettu läpinäkyvälle johtavalle pinnoitteelle valokatodin pintavastuksen pienentämiseksi;

| b. | Piitehostinkohtiolevyllä (SIT = Silicon Intensifier Target) varustetut hilakameraputket, joiden nopeatoiminen järjestelmä mahdollistaa valokatodilta tulevien valosähköisten elektronien veräjöinnin ennen niiden iskeytymistä SIT-levylle; |
| --- | --- |

b.

Piitehostinkohtiolevyllä (SIT = Silicon Intensifier Target) varustetut hilakameraputket, joiden nopeatoiminen järjestelmä mahdollistaa valokatodilta tulevien valosähköisten elektronien veräjöinnin ennen niiden iskeytymistä SIT-levylle;

| c. | Kerr- tai Pockel-kennoon perustuva sähköoptinen suljin; |
| --- | --- |

c.

Kerr- tai Pockel-kennoon perustuva sähköoptinen suljin;

| d. | Muut erilliskuvaputket ja solid-statekuvauslaitteet, joiden pikakuvauksen veräjöintiaika on lyhyempi kuin 50 ns ja jotka on erityisesti suunniteltu 6A203.b.3 kohdassa määriteltyjä kameroita varten; |
| --- | --- |

d.

Muut erilliskuvaputket ja solid-statekuvauslaitteet, joiden pikakuvauksen veräjöintiaika on lyhyempi kuin 50 ns ja jotka on erityisesti suunniteltu 6A203.b.3 kohdassa määriteltyjä kameroita varten;

| c. | Säteilyä kestävät TV-kamerat tai niissä käytetyt linssit, jotka on erityisesti suunniteltu tai mitoitettu kestämään yli 50 × 103 Gy:n (Pii) (5 × 106 radin (Pii)) säteilyn kokonaisannosta toiminnallisuuden siitä kärsimättä.
  Tekn. huom.:

  Termillä Gy (Pii) tarkoitetaan jouleina kilogrammaa kohti ilmaistua energiaa, jonka suojaamaton silikonitestikappale imee itseensä altistuessaan ionisoivalle säteilylle. |
| --- | --- |

c.

Säteilyä kestävät TV-kamerat tai niissä käytetyt linssit, jotka on erityisesti suunniteltu tai mitoitettu kestämään yli 50 × 103 Gy:n (Pii) (5 × 106 radin (Pii)) säteilyn kokonaisannosta toiminnallisuuden siitä kärsimättä.

Tekn. huom.:

Termillä Gy (Pii) tarkoitetaan jouleina kilogrammaa kohti ilmaistua energiaa, jonka suojaamaton silikonitestikappale imee itseensä altistuessaan ionisoivalle säteilylle.

6A205Seuraavat, muut kuin 0B001.g.5, 0B001.h.6 tai 6A005 kohdassa määritellyt "laserit", "laser"vahvistimet ja oskillaattorit:

| a. | Argonioni"laserit", joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:






  1. | toimivat 400 nm:n ja 515 nm:n välillä olevilla aallonpituuksilla; ja |
| --- | --- | --- |

a.

Argonioni"laserit", joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

1.

toimivat 400 nm:n ja 515 nm:n välillä olevilla aallonpituuksilla; ja

| 2. | keskimääräinen lähtöteho on suurempi kuin 40 W; |
| --- | --- |

2.

keskimääräinen lähtöteho on suurempi kuin 40 W;

| b. | Viritettävät pulssitoimiset yksimuoto-väriainelaser-oskillaattorit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | ne toimivat 300 nm:n ja 800 nm:n välillä olevilla aallonpituuksilla; |
| --- | --- | --- |

b.

Viritettävät pulssitoimiset yksimuoto-väriainelaser-oskillaattorit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

ne toimivat 300 nm:n ja 800 nm:n välillä olevilla aallonpituuksilla;

| 2. | 1 W suurempi keskimääräinen lähtöteho; |
| --- | --- |

2.

1 W suurempi keskimääräinen lähtöteho;

| 3. | toistotaajuus on suurempi kuin 1 kHz; ja |
| --- | --- |

3.

toistotaajuus on suurempi kuin 1 kHz; ja

| 4. | pulssin leveys pienempi kuin 100 ns; |
| --- | --- |

4.

pulssin leveys pienempi kuin 100 ns;

| c. | Viritettävät pulssitoimiset väriaine"laser"vahvistimet ja oskillaattorit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | ne toimivat 300 nm:n ja 800 nm:n välillä olevilla aallonpituuksilla; |
| --- | --- | --- |

c.

Viritettävät pulssitoimiset väriaine"laser"vahvistimet ja oskillaattorit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

ne toimivat 300 nm:n ja 800 nm:n välillä olevilla aallonpituuksilla;

| 2. | keskimääräinen lähtöteho on suurempi kuin 30 W; |
| --- | --- |

2.

keskimääräinen lähtöteho on suurempi kuin 30 W;

| 3. | toistotaajuus suurempi kuin 1 kHz; ja |
| --- | --- |

3.

toistotaajuus suurempi kuin 1 kHz; ja

| 4. | pulssin leveys alle 100 ns; |
| --- | --- |

4.

pulssin leveys alle 100 ns;

Huom.: 6A205.c kohta ei aseta valvonnanalaiseksi yksimuoto-oskillaattoreita.

| d. | Pulssitoimiset hiilidioksidi"laserit", joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | ne toimivat 9 000 nm:n ja 11 000 nm:n välillä olevilla aallonpituuksilla; |
| --- | --- | --- |

d.

Pulssitoimiset hiilidioksidi"laserit", joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

ne toimivat 9 000 nm:n ja 11 000 nm:n välillä olevilla aallonpituuksilla;

| 2. | toistotaajuus on suurempi kuin 250 Hz; |
| --- | --- |

2.

toistotaajuus on suurempi kuin 250 Hz;

| 3. | keskimääräinen lähtöteho suurempi kuin 500 W; ja |
| --- | --- |

3.

keskimääräinen lähtöteho suurempi kuin 500 W; ja

| 4. | pulssin leveys alle 200 ns; |
| --- | --- |

4.

pulssin leveys alle 200 ns;

| e. | Paravetykäyttöiset Raman-muuntimet, jotka on suunniteltu toimimaan 16 mikrometrin lähtöaaltopituudella ja joiden toistotaajuus on suurempi kuin 250 Hz. |
| --- | --- |

e.

Paravetykäyttöiset Raman-muuntimet, jotka on suunniteltu toimimaan 16 mikrometrin lähtöaaltopituudella ja joiden toistotaajuus on suurempi kuin 250 Hz.

| f. | Pulssiviritettävät, neodyymiseostetut "Q-kytkin-laserit" (muut kuin lasi-), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Lähtöaallonpituus ylittää 1 000 nm, mutta ei ylitä 1 100 nm; |
| --- | --- | --- |

f.

Pulssiviritettävät, neodyymiseostetut "Q-kytkin-laserit" (muut kuin lasi-), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Lähtöaallonpituus ylittää 1 000 nm, mutta ei ylitä 1 100 nm;

| 2. | Pulssinkesto on 1 ns tai enemmän; ja |
| --- | --- |

2.

Pulssinkesto on 1 ns tai enemmän; ja

| 3. | Monitransversaalimoodin ulostulo, jonka keskimääräinen teho ylittää 50 W. |
| --- | --- |

3.

Monitransversaalimoodin ulostulo, jonka keskimääräinen teho ylittää 50 W.

6A225Nopeusinterferometrit yli 1 km/s nopeuksien mittaamiseksi lyhyemmän kuin 10 mikrosekunnin aikajakson kuluessa

Huom.: 6A225 kohtaan sisältyvät sellaiset nopeusinterferometrit kuten VISAR:it ja DLI:t (dopplerlaserinterferometrit).

6A226Seuraavat paineanturit:

| a. | Manganiini-anturit, joilla mitataan yli 10 GPa:n paineita; |
| --- | --- |

a.

Manganiini-anturit, joilla mitataan yli 10 GPa:n paineita;

| b. | Kvartsipaineanturit, joilla mitataan yli 10 GPa:n paineita. |
| --- | --- |

b.

Kvartsipaineanturit, joilla mitataan yli 10 GPa:n paineita.

6BTestaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet

6B004Optiset laitteet seuraavasti:

| a. | Laitteet, joilla mitataan absoluuttista heijastumissuhdetta ± 0,1 %:n tarkkuudella heijastumissuhteen arvosta; |
| --- | --- |

a.

Laitteet, joilla mitataan absoluuttista heijastumissuhdetta ± 0,1 %:n tarkkuudella heijastumissuhteen arvosta;

| b. | Muut laitteet kuin optisen pinnan sironnan mittarit, joiden himmentämätön aukko on suurempi kuin 10 cm, ja jotka on erityisesti suunniteltu epätasaisen optisen pinnan kuvan (profiilin) mittaamiseen 2 nm:n tai pienemmällä (paremmalla) "tarkkuudella" tarvittavaa profiilia vasten. |
| --- | --- |

b.

Muut laitteet kuin optisen pinnan sironnan mittarit, joiden himmentämätön aukko on suurempi kuin 10 cm, ja jotka on erityisesti suunniteltu epätasaisen optisen pinnan kuvan (profiilin) mittaamiseen 2 nm:n tai pienemmällä (paremmalla) "tarkkuudella" tarvittavaa profiilia vasten.

Huom.: 6B004 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi mikroskooppeja.

6B007Laitteet, joilla tuotetaan, linjataan ja kalibroidaan maalle asennettavia painovoiman mittareita, joiden staattinen tarkkuus on parempi kuin 0,1 mgal.

6B008Tutkan kaikupinnan pulssimittausjärjestelmät, joiden lähetettävien pulssien leveydet ovat 100 ns tai vähemmän, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit.

Huom.: KATSO MYÖS 6B108 KOHTA.

6B108Muut kuin 6B008 kohdassa määritellyt järjestelmät, joita voidaan käyttää "ohjuksissa" ja niiden alajärjestelmissä ja jotka on erityisesti suunniteltu tutkapoikkipintojen mittaamiseen.

6CMateriaalit

6C002Seuraavat optiset anturimateriaalit:

| a. | Telluuri (Te) alkuaineena, jonka puhtausaste on 99,9995 % tai korkeampi; |
| --- | --- |

a.

Telluuri (Te) alkuaineena, jonka puhtausaste on 99,9995 % tai korkeampi;

| b. | Yksittäiskiteet (mukaan lukien epitaksikiekot) joistakin seuraavista:






  1. | Kadmiumsinkkitelluoidi (CdZnTe), jonka sinkkipitoisuus on alle 6 ‧mooliosuus‧prosenttia; |
| --- | --- | --- |

b.

Yksittäiskiteet (mukaan lukien epitaksikiekot) joistakin seuraavista:

1.

Kadmiumsinkkitelluoidi (CdZnTe), jonka sinkkipitoisuus on alle 6 ‧mooliosuus‧prosenttia;

| 2. | Kadmiumtelluridi (CdTe) puhtausasteesta riippumatta; tai |
| --- | --- |

2.

Kadmiumtelluridi (CdTe) puhtausasteesta riippumatta; tai

| 3. | Elohopeakadmiumtelluridi (HgCdTe) puhtausasteesta riippumatta. |
| --- | --- |

3.

Elohopeakadmiumtelluridi (HgCdTe) puhtausasteesta riippumatta.

Tekn. huom.:

‧Mooliosuus‧ määritellään ZnTe-moolien suhteeksi kiteessä olevien CdTe- ja ZnTe-moolien summaan.

6C004Seuraavat optiset materiaalit:

| a. | Sinkkiselenidi (ZnSe)- ja sinkkisulfidi (ZnS)- "substraattiaihiot", jotka on tuotettu kemiallisella kaasufaasipinnoitusmenetelmällä ja joilla on jokin seuraavista:






  1. | Tilavuus suurempi kuin 100 cm3; tai |
| --- | --- | --- |

a.

Sinkkiselenidi (ZnSe)- ja sinkkisulfidi (ZnS)- "substraattiaihiot", jotka on tuotettu kemiallisella kaasufaasipinnoitusmenetelmällä ja joilla on jokin seuraavista:

1.

Tilavuus suurempi kuin 100 cm3; tai

| 2. | Läpimitta suurempi kuin 80 mm ja paksuus 20 mm tai enemmän; |
| --- | --- |

2.

Läpimitta suurempi kuin 80 mm ja paksuus 20 mm tai enemmän;

| b. | Seuraavien sähköoptisten materiaalien synteettiset kiteet:






  1. | Kaliumtitanyyliarsenaatti (KTA); |
| --- | --- | --- |

b.

Seuraavien sähköoptisten materiaalien synteettiset kiteet:

1.

Kaliumtitanyyliarsenaatti (KTA);

| 2. | Hopeagalliumselenidi (AgGaSe2); |
| --- | --- |

2.

Hopeagalliumselenidi (AgGaSe2);

| 3. | Talliumarseeniselenidi (Tl3AsSe3, tunnetaan myös nimellä TAS); |
| --- | --- |

3.

Talliumarseeniselenidi (Tl3AsSe3, tunnetaan myös nimellä TAS);

| c. | Epälineaariset optiset materiaalit, joilla on kaikki seuraavat:






  1. | Kolmannen tason suskeptibiliteetti (khi 3) on 10-6m2/V2 tai enemmän; ja |
| --- | --- | --- |

c.

Epälineaariset optiset materiaalit, joilla on kaikki seuraavat:

1.

Kolmannen tason suskeptibiliteetti (khi 3) on 10-6m2/V2 tai enemmän; ja

| 2. | Vasteaika on vähemmän kuin 1 ms; |
| --- | --- |

2.

Vasteaika on vähemmän kuin 1 ms;

| d. | Piikarbidista tai beryllium-beryllium (Be/Be) -pinnoitetuista materiaaleista valmistetut "substraattiaihiot", joiden läpimitta tai pääakselin pituus on yli 300 mm; |
| --- | --- |

d.

Piikarbidista tai beryllium-beryllium (Be/Be) -pinnoitetuista materiaaleista valmistetut "substraattiaihiot", joiden läpimitta tai pääakselin pituus on yli 300 mm;

| e. | Lasi, mukaan lukien kvartsilasi, fosfaattilasi, fluorofosfaattilasi, zirkoniumfluoridi (ZrF4) ja hafniumfluoridi (HfF4), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Hydroksyyli-ioni(OH-)konsentraatio on vähemmän kuin 5 ppm; |
| --- | --- | --- |

e.

Lasi, mukaan lukien kvartsilasi, fosfaattilasi, fluorofosfaattilasi, zirkoniumfluoridi (ZrF4) ja hafniumfluoridi (HfF4), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Hydroksyyli-ioni(OH-)konsentraatio on vähemmän kuin 5 ppm;

| 2. | Metallisten epäpuhtauksien kokonaistaso on vähemmän kuin 1 ppm; ja |
| --- | --- |

2.

Metallisten epäpuhtauksien kokonaistaso on vähemmän kuin 1 ppm; ja

| 3. | Korkea homogeenisuus (refraktiovarianssin indeksi) on vähemmän kuin 5 × 10-6; |
| --- | --- |

3.

Korkea homogeenisuus (refraktiovarianssin indeksi) on vähemmän kuin 5 × 10-6;

| f. | Synteettisesti tuotettu timanttimateriaali, jonka absorptio on vähemmän kuin 10-5 cm-1 aallonpituuksilla, jotka ylittävät 200 nm mutta ovat alle 14 000 nm. |
| --- | --- |

f.

Synteettisesti tuotettu timanttimateriaali, jonka absorptio on vähemmän kuin 10-5 cm-1 aallonpituuksilla, jotka ylittävät 200 nm mutta ovat alle 14 000 nm.

6C005Seuraavat kiteiset "laserien" perusmateriaalit käsittelemättömässä muodossa:

| a. | Titaaniseostettu safiiri; |
| --- | --- |

a.

Titaaniseostettu safiiri;

| b. | Aleksandriitti. |
| --- | --- |

b.

Aleksandriitti.

6DOhjelmistot

6D001"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu 6A004, 6A005, 6A008 tai 6B008 kohdassa määriteltyjen laitteiden "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten.

6D002"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu 6A002.b., 6A008 tai 6B008 kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.

6D003Seuraavat muut ohjelmistot:

| a. | 1. | "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu akustisen säteen muokkaamiseen akustisen tiedon "tosiaikaiseksi käsittelemiseksi" hinattavia hydrofonijärjestelmiä käyttävää passiivista vastaanottoa varten; |
| --- | --- | --- |

a.

1.

"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu akustisen säteen muokkaamiseen akustisen tiedon "tosiaikaiseksi käsittelemiseksi" hinattavia hydrofonijärjestelmiä käyttävää passiivista vastaanottoa varten;

| 2. | "Lähdekoodi" akustisen tiedon "tosiaikaiseksi käsittelemiseksi" hinattavia hydrofonijärjestelmiä käyttävää passiivista vastaanottoa varten; |
| --- | --- |

2.

"Lähdekoodi" akustisen tiedon "tosiaikaiseksi käsittelemiseksi" hinattavia hydrofonijärjestelmiä käyttävää passiivista vastaanottoa varten;

| 3. | "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu akustisen säteen muokkaamiseen; |
| --- | --- |

3.

"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu akustisen säteen muokkaamiseen;

| 4. | "Lähdekoodi" akustisen tiedon "tosiaikaiseksi käsittelemiseksi" pohja- tai poukamakaapelijärjestelmiä käyttävää passiivista vastaanottoa varten; |
| --- | --- |

4.

"Lähdekoodi" akustisen tiedon "tosiaikaiseksi käsittelemiseksi" pohja- tai poukamakaapelijärjestelmiä käyttävää passiivista vastaanottoa varten;

| b. | 1. | "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu magneettisia ja sähkökenttien kompensointijärjestelmiä varten magneettisille antureille, jotka on suunniteltu toimimaan liikkuvilla alustoilla; |
| --- | --- | --- |

b.

1.

"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu magneettisia ja sähkökenttien kompensointijärjestelmiä varten magneettisille antureille, jotka on suunniteltu toimimaan liikkuvilla alustoilla;

| 2. | "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu magneettisten ja sähkökenttien poikkeamien ilmaisuun liikkuvilla alustoilla; |
| --- | --- |

2.

"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu magneettisten ja sähkökenttien poikkeamien ilmaisuun liikkuvilla alustoilla;

| c. | "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu korjaamaan liikkumisen vaikutuksia painovoimamittareihin tai painovoimagradiometreihin; |
| --- | --- |

c.

"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu korjaamaan liikkumisen vaikutuksia painovoimamittareihin tai painovoimagradiometreihin;

| d. | 1. | Lennonjohto-"ohjelmistojen" sovellus"ohjelmat", jotka toimivat lennonjohtokeskuksiin sijoitetuissa yleiskäyttöisissä tietokoneissa ja kykenevät johonkin seuraavista:






  a. | Käsittelemään ja näyttämään enemmän kuin 150:n samanaikaisen kohteen "reitit"; tai |
| --- | --- | --- | --- |

d.

1.

Lennonjohto-"ohjelmistojen" sovellus"ohjelmat", jotka toimivat lennonjohtokeskuksiin sijoitetuissa yleiskäyttöisissä tietokoneissa ja kykenevät johonkin seuraavista:

a.

Käsittelemään ja näyttämään enemmän kuin 150:n samanaikaisen kohteen "reitit"; tai

| b. | Vastaanottamaan kohteiden tutkatietoja useammalta kuin neljältä ensiötutkalta; |
| --- | --- |

b.

Vastaanottamaan kohteiden tutkatietoja useammalta kuin neljältä ensiötutkalta;

| 2. | "Ohjelmistot" sellaisten suojakupujen suunnittelua tai "tuotantoa" varten, jotka:






  a. | On erityisesti suunniteltu suojaamaan 6A008.e kohdassa määriteltyjä, "elektronisesti ohjattavia vaiheistettuja ryhmä-antenneja"; ja |
| --- | --- | --- |

2.

"Ohjelmistot" sellaisten suojakupujen suunnittelua tai "tuotantoa" varten, jotka:

a.

On erityisesti suunniteltu suojaamaan 6A008.e kohdassa määriteltyjä, "elektronisesti ohjattavia vaiheistettuja ryhmä-antenneja"; ja

| b. | Aiheuttavat antennin säteilykuvion, jonka ‧keskimääräinen sivukeilataso‧ on enemmän kuin 40 dB pääsäteen tason alapuolella.
  Tekn. huom.:

  ‧Keskimääräinen sivukeilataso‧ 6D003.d.2.b kohdassa mitataan koko ryhmän yli poislukien pääkeilan ja pääkeilan molemmilla puolilla olevien kahden ensimmäisen sivukeilan kulmasuure. |
| --- | --- |

b.

Aiheuttavat antennin säteilykuvion, jonka ‧keskimääräinen sivukeilataso‧ on enemmän kuin 40 dB pääsäteen tason alapuolella.

Tekn. huom.:

‧Keskimääräinen sivukeilataso‧ 6D003.d.2.b kohdassa mitataan koko ryhmän yli poislukien pääkeilan ja pääkeilan molemmilla puolilla olevien kahden ensimmäisen sivukeilan kulmasuure.

6D102"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 6A108 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten.

6D103"Ohjelmistot", jotka lennon jälkeen prosessoivat nauhoitettua tietoa ja jotka mahdollistavat lentolaitteen aseman määrityksen sen koko lentoradalla ja jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu ‧ohjuksia‧ varten.

Tekn. huom.:

6D103 kohdassa tarkoitetaan ‧ohjuksella‧ täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, joiden kantomatka on yli 300 kilometriä.

6ETeknologia

6E001"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 6A, 6B, 6C tai 6D kohdassa määriteltyjen laitteiden, materiaalien tai "ohjelmistojen""kehittämistä" varten.

6E002"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 6A, 6B tai 6C kohdassa määriteltyjen laitteiden tai materiaalien "tuotantoa" varten.

6E003Seuraava muu "teknologia":

| a. | 1. | Optisen pinnan pinnoitus- ja käsittely"teknologia", jota tarvitaan 99,5 %:n tai paremman tasalaatuisuuden saavuttamiseen optisille pinnoitteille, joiden läpimitta tai pääakselin pituus on 500 mm tai enemmän ja joiden kokonaishäviö (absorptio ja sironta) on vähemmän kuin 5 × 10-3;

  Huom.: Katso myös 2E003.f kohta. |
| --- | --- | --- |

a.

1.

Optisen pinnan pinnoitus- ja käsittely"teknologia", jota tarvitaan 99,5 %:n tai paremman tasalaatuisuuden saavuttamiseen optisille pinnoitteille, joiden läpimitta tai pääakselin pituus on 500 mm tai enemmän ja joiden kokonaishäviö (absorptio ja sironta) on vähemmän kuin 5 × 10-3;

Huom.: Katso myös 2E003.f kohta.

| 2. | Yhden kärjen timanttisorvaustekniikat, joilla tuotetaan parempia pinnan viimeistelytarkkuuksia kuin 10 nm rms yli 0,5 m2:n ei-tasomaisille pinnoille; |
| --- | --- |

2.

Yhden kärjen timanttisorvaustekniikat, joilla tuotetaan parempia pinnan viimeistelytarkkuuksia kuin 10 nm rms yli 0,5 m2:n ei-tasomaisille pinnoille;

| b. | "SHPL"-laserien testaamista tai "SHPL"-säteillä säteilytettyjen materiaalien testaamista tai evaluointia varten erityisesti suunniteltujen diagnostiikka-instrumenttien tai maalien "kehittämiseen", "tuotantoon" tai "käyttöön""tarvittava""teknologia"; |
| --- | --- |

b.

"SHPL"-laserien testaamista tai "SHPL"-säteillä säteilytettyjen materiaalien testaamista tai evaluointia varten erityisesti suunniteltujen diagnostiikka-instrumenttien tai maalien "kehittämiseen", "tuotantoon" tai "käyttöön""tarvittava""teknologia";

6E101"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 6A002, 6A007.b ja c, 6A008, 6A102, 6A107, 6A108, 6B108, 6D102 tai 6D103 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai "ohjelmistojen""käyttöä" varten.

Huom.: 6E101 kohta määrittelee 6A008 kohdassa määriteltyjen laitteiden "teknologian" vain, kun se on suunniteltu ilmailusovelluksiin ja sitä voidaan käyttää "ohjuksissa".

6E201"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 6A003, 6A005.a.1.c, 6A005.a.2.a, 6A005.c.1.b, 6A005.c.2.c.2, 6A005.c.2.d.2.b, 6A202, 6A203, 6A205, 6A225 tai 6A226 kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.

RYHMÄ 7

NAVIGOINTI JA ILMAILU

7AJärjestelmät, laitteet ja komponentit

Huom.: Vedenalaisten kulkuneuvojen automaattiohjaukset: katso 8 ryhmä.

Tutkat: katso 6 ryhmä.

7A001Lineaariset kiihtyvyysmittarit, jotka on suunniteltu käytettäväksi inertiasuunnistus- tai ohjausjärjestelmissä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista, sekä erityisesti niitä varten suunnitellut komponentit:

Huom.: KATSO MYÖS 7A101 KOHTA. Kulma- tai kiertokiihtyvyysmittareiden osalta katso 7A002 kohta.

| a. | "Biasstabiilisuus" vuoden aikana on vähemmän (parempi) kuin 130 mikro-g suhteessa kiinteään kalibrointiarvoon; |
| --- | --- |

a.

"Biasstabiilisuus" vuoden aikana on vähemmän (parempi) kuin 130 mikro-g suhteessa kiinteään kalibrointiarvoon;

| b. | "Mittakertoimen""stabiilisuus" vuoden aikana on vähemmän (parempi) kuin 130 ppm suhteessa kiinteään kalibrointiarvoon; tai |
| --- | --- |

b.

"Mittakertoimen""stabiilisuus" vuoden aikana on vähemmän (parempi) kuin 130 ppm suhteessa kiinteään kalibrointiarvoon; tai

| c. | Ne on määritelty toimimaan yli 100 g:n lineaarisilla kiihtyvyystasoilla. |
| --- | --- |

c.

Ne on määritelty toimimaan yli 100 g:n lineaarisilla kiihtyvyystasoilla.

7A002Gyroskoopit sekä kulma- tai kiertokiihtyvyysmittarit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:

Huom.: KATSO MYÖS 7A102 KOHTA.

| a. | "Ryömintänopeuden""stabiilisuus", mitattuna 1 g:n olosuhteissa yhden kuukauden aikana ja suhteessa kiinteään kalibrointiarvoon, on:






  1. | Vähemmän (parempi) kuin 0,1 astetta tunnissa, kun ne on määritelty toimimaan alle 12 g:n lineaarisilla kiihtyvyystasoilla; tai |
| --- | --- | --- |

a.

"Ryömintänopeuden""stabiilisuus", mitattuna 1 g:n olosuhteissa yhden kuukauden aikana ja suhteessa kiinteään kalibrointiarvoon, on:

1.

Vähemmän (parempi) kuin 0,1 astetta tunnissa, kun ne on määritelty toimimaan alle 12 g:n lineaarisilla kiihtyvyystasoilla; tai

| 2. | Vähemmän (parempi) kuin 0,5 astetta tunnissa, kun ne on määritelty toimimaan lineaarisilla kiihtyvyystasoilla 12 g–100 g; tai |
| --- | --- |

2.

Vähemmän (parempi) kuin 0,5 astetta tunnissa, kun ne on määritelty toimimaan lineaarisilla kiihtyvyystasoilla 12 g–100 g; tai

| b. | Satunnaiskulmapoikkeama on 0,0035 astetta tunnin neliöjuurta kohti tai vähemmän (parempi); tai

  Huom:

  7A002.b kohdassa ei valvota pyöriviä massagyroskooppeja (pyörivät massagyroskoopit ovat gyroskooppeja, joissa käytetään jatkuvasti pyörivää massaa kulmaliikkeen havaitsemiseen).

  Tekn. huom.:

  7A002.b kohdassa ‧satunnaiskulmapoikkeama‧ on ajan myötä kasaantunut kulmavirhe, joka johtuu kulmanopeuden valkoisesta kohinasta. (IEEE-standardi 528-2001). |
| --- | --- |

b.

Satunnaiskulmapoikkeama on 0,0035 astetta tunnin neliöjuurta kohti tai vähemmän (parempi); tai

Huom:

7A002.b kohdassa ei valvota pyöriviä massagyroskooppeja (pyörivät massagyroskoopit ovat gyroskooppeja, joissa käytetään jatkuvasti pyörivää massaa kulmaliikkeen havaitsemiseen).

Tekn. huom.:

7A002.b kohdassa ‧satunnaiskulmapoikkeama‧ on ajan myötä kasaantunut kulmavirhe, joka johtuu kulmanopeuden valkoisesta kohinasta. (IEEE-standardi 528-2001).

| c. | Ne on määritelty toimimaan yli 100 g:n lineaarisilla kiihtyvyystasoilla. |
| --- | --- |

c.

Ne on määritelty toimimaan yli 100 g:n lineaarisilla kiihtyvyystasoilla.

7A003Inertiajärjestelmät ja seuraavat erityisesti suunnitellut komponentit:

Huom.: KATSO MYÖS 7A103 KOHTA.

| a. | Inertiasuunnistusjärjestelmät (INS) (kardaaniset ja sidotut) sekä inertialaitteet, jotka on suunniteltu "ilma-aluksen", maakulkuneuvon, aluksen (pinta- tai vedenalaisen) tai "avaruusaluksen" asentoa, ohjausta tai valvontaa varten ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista, sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:






  1. | (Vapaa inertiaalinen) navigointivirhe tavanomaisen linjauksen jälkeen on 0,8 merimailin tunnissa ‧todennäköinen paikannuksen etäisyysvirhe‧ tai vähemmän (parempi); tai |
| --- | --- | --- |

a.

Inertiasuunnistusjärjestelmät (INS) (kardaaniset ja sidotut) sekä inertialaitteet, jotka on suunniteltu "ilma-aluksen", maakulkuneuvon, aluksen (pinta- tai vedenalaisen) tai "avaruusaluksen" asentoa, ohjausta tai valvontaa varten ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista, sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:

1.

(Vapaa inertiaalinen) navigointivirhe tavanomaisen linjauksen jälkeen on 0,8 merimailin tunnissa ‧todennäköinen paikannuksen etäisyysvirhe‧ tai vähemmän (parempi); tai

| 2. | Ne on määritelty toimimaan yli 10 g:n lineaarisilla kiihtyvyystasoilla. |
| --- | --- |

2.

Ne on määritelty toimimaan yli 10 g:n lineaarisilla kiihtyvyystasoilla.

| b. | Hybridi-inertiasuunnistusjärjestelmät, jotka on yhdistetty maailmanlaajuisen satelliittinavigointijärjestelmän (-mien) (GNSS) kanssa tai DBRN (Data-Based Referenced Navigation) -järjestelmän (-mien) kanssa asentoa, ohjausta tai valvontaa varten tavanomaisen linjauksen jälkeen ja joiden INS-suunnistuspaikannustarkkuus GNSS:n tai DBRN:n menetyksen jälkeen aina neljän minuutin ajan on vähemmän (parempi) kuin 10 metrin "yhtäläisen todennäköisyyden ympyrä" (CEP). |
| --- | --- |

b.

Hybridi-inertiasuunnistusjärjestelmät, jotka on yhdistetty maailmanlaajuisen satelliittinavigointijärjestelmän (-mien) (GNSS) kanssa tai DBRN (Data-Based Referenced Navigation) -järjestelmän (-mien) kanssa asentoa, ohjausta tai valvontaa varten tavanomaisen linjauksen jälkeen ja joiden INS-suunnistuspaikannustarkkuus GNSS:n tai DBRN:n menetyksen jälkeen aina neljän minuutin ajan on vähemmän (parempi) kuin 10 metrin "yhtäläisen todennäköisyyden ympyrä" (CEP).

| c. | Inertialaitteet suuntakulman, ohjaussuunnan tai pohjoisen osoittamista varten, joilla on jokin seuraavista, sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:






  1. | Suunniteltu osoittamaan suuntakulma, ohjaussuunta tai pohjoinen tarkkuudella, joka on sama tai pienempi (parempi) kuin 6 kaariminuuttia RMS 45 leveysasteessa; tai |
| --- | --- | --- |

c.

Inertialaitteet suuntakulman, ohjaussuunnan tai pohjoisen osoittamista varten, joilla on jokin seuraavista, sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:

1.

Suunniteltu osoittamaan suuntakulma, ohjaussuunta tai pohjoinen tarkkuudella, joka on sama tai pienempi (parempi) kuin 6 kaariminuuttia RMS 45 leveysasteessa; tai

| 2. | Suunniteltu siten, että niillä on 900 g:n tai sitä suurempi iskutaso toimimattomana 1 ms:n tai sitä pidemmän keston ajan. |
| --- | --- |

2.

Suunniteltu siten, että niillä on 900 g:n tai sitä suurempi iskutaso toimimattomana 1 ms:n tai sitä pidemmän keston ajan.

Huom. 1: 7A003.a ja 7A003.b kohdan parametreja sovelletaan kaikissa seuraavissa ympäristöolosuhteissa:

| 1. | Satunnainen syötevärähtely, jonka kokonaissuuruusluokka on 7,7 g rms ensimmäisen puolen tunnin aikana ja kokonaistestiaika puolitoista tuntia kutakin toisiinsa nähden kohtisuoraan olevaa akselia kohti, kun satunnainen värähtely täyttää seuraavat vaatimukset:








  a. | Vakio voiman spektritiheyden (PSD) arvo on 0,04 g2/Hz taajuusvälillä 15–1 000 Hz; ja |
| --- | --- | --- |

1.

Satunnainen syötevärähtely, jonka kokonaissuuruusluokka on 7,7 g rms ensimmäisen puolen tunnin aikana ja kokonaistestiaika puolitoista tuntia kutakin toisiinsa nähden kohtisuoraan olevaa akselia kohti, kun satunnainen värähtely täyttää seuraavat vaatimukset:

a.

Vakio voiman spektritiheyden (PSD) arvo on 0,04 g2/Hz taajuusvälillä 15–1 000 Hz; ja

| b. | PSD vaimenee taajuuden mukana 0,04 g2/Hz:stä 0,01 g2/Hz:iin taajuusvälillä 1 000–2 000 Hz; |
| --- | --- |

b.

PSD vaimenee taajuuden mukana 0,04 g2/Hz:stä 0,01 g2/Hz:iin taajuusvälillä 1 000–2 000 Hz;

| 2. | Kallistus ja kääntymisnopeus on + 2,62 radiaania/s (150 astetta/s); tai |
| --- | --- |

2.

Kallistus ja kääntymisnopeus on + 2,62 radiaania/s (150 astetta/s); tai

| 3. | Edellä 1 tai 2 kohdan vastaavien kansallisten standardien mukaisesti. |
| --- | --- |

3.

Edellä 1 tai 2 kohdan vastaavien kansallisten standardien mukaisesti.

Huom. 2: 7A003 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi inertiaalisuunnistusjärjestelmiä, jotka "osallistujavaltion" siviiliviranomaiset ovat sertifioineet käytettäväksi "siviili-ilma-aluksissa".

Huom. 3: 7A003.c.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi teodoliittijärjestelmiä, joihin sisältyy erityisesti siviilimittaustehtäviin suunniteltuja inertialaitteita.

Tekn. huom.:

| 1. | 7A003-b koskee järjestelmiä, joissa inertiasuunnistusjärjestelmä ja muut riippumattomat suunnistuksen apujärjestelmät on rakennettu yhdeksi yksiköksi (yhdistetty) suorituskyvyn parantamiseksi. |
| --- | --- |

1.

7A003-b koskee järjestelmiä, joissa inertiasuunnistusjärjestelmä ja muut riippumattomat suunnistuksen apujärjestelmät on rakennettu yhdeksi yksiköksi (yhdistetty) suorituskyvyn parantamiseksi.

| 2. | Todennäköinen paikannuksen etäisyysvirhe (CEP) – Tavanomaisessa ympyräjakelussa, ympyrän säde sisältää 50 prosenttia tehdyistä yksittäisistä mittauksista, tai sellaisen ympyrän säde, jossa on 50 prosentin todennäköisyys sijoittua. |
| --- | --- |

2.

Todennäköinen paikannuksen etäisyysvirhe (CEP) – Tavanomaisessa ympyräjakelussa, ympyrän säde sisältää 50 prosenttia tehdyistä yksittäisistä mittauksista, tai sellaisen ympyrän säde, jossa on 50 prosentin todennäköisyys sijoittua.

7A004Hyrrätähtikompassit ja muut laitteet, jotka määrittävät aseman tai suunnan seuraamalla automaattisesti taivaankappaleita tai satelliitteja ja joiden atsimuuttitarkkuus on 5 kaarisekuntia tai vähemmän (parempi).

Huom.: KATSO MYÖS 7A104 KOHTA.

7A005Globaalisista paikanmäärityssatelliiteista (so. GPS tai GLONASS) vastaanottavat laitteet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:

Huom.: KATSO MYÖS 7A105 KOHTA.

| a. | Käyttävät salauksen avausta; tai |
| --- | --- |

a.

Käyttävät salauksen avausta; tai

| b. | Nolla-ohjattavaa antennia. |
| --- | --- |

b.

Nolla-ohjattavaa antennia.

7A006Ilmassa käytettävät korkeusmittarit, jotka toimivat muilla kuin 4,2–4,4 GHz:n taajuuksilla, ne mukaan lukien, ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

Huom.: KATSO MYÖS 7A106 KOHTA.

| a. | Suorittavat "tehon hallintaa"; tai |
| --- | --- |

a.

Suorittavat "tehon hallintaa"; tai

| b. | Käyttävät vaiheavainnusmodulaatiota. |
| --- | --- |

b.

Käyttävät vaiheavainnusmodulaatiota.

7A101Seuraavat muut kuin 7A001 kohdassa määritellyt kiihtyvyysmittarit, sekä erityisesti niitä varten suunnitellut komponentit,

| a. | Lineaariset kiihtyvyysmittarit, jotka on suunniteltu käytettäviksi inertiasuunnistusjärjestelmissä tai kaikentyyppisissä ohjausjärjestelmissä, joita voidaan käyttää "ohjuksissa" ja joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit;






  1. | "Biasin"‧toistuvuus‧ on vähemmän (parempi) kuin 1 250 mikro-g; ja |
| --- | --- | --- |

a.

Lineaariset kiihtyvyysmittarit, jotka on suunniteltu käytettäviksi inertiasuunnistusjärjestelmissä tai kaikentyyppisissä ohjausjärjestelmissä, joita voidaan käyttää "ohjuksissa" ja joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit;

1.

"Biasin"‧toistuvuus‧ on vähemmän (parempi) kuin 1 250 mikro-g; ja

| 2. | "Mittakertoimen"‧toistuvuus‧ on vähemmän (parempi) kuin 1 250 ppm; |
| --- | --- |

2.

"Mittakertoimen"‧toistuvuus‧ on vähemmän (parempi) kuin 1 250 ppm;

Huom.: 7A101.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kiihtyvyysmittareita, jotka on erityisesti suunniteltu ja kehitetty MWD-antureiksi (Measurement While Drilling), joita käytetään porausreikien huoltotoiminnassa.

Tekn. huom.:

| 1. | 7A101.a kohdassa "ohjuksella" tarkoitetaan täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, joiden kantomatka ylittää 300 km; |
| --- | --- |

1.

7A101.a kohdassa "ohjuksella" tarkoitetaan täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, joiden kantomatka ylittää 300 km;

| 2. | 7A101.a kohdassa "biasin" ja "mittakertoimen" mittauksella tarkoitetaan yhden sigman standardipoikkeamaa suhteessa kiinteään kalibrointiin yhden vuoden aikana; |
| --- | --- |

2.

7A101.a kohdassa "biasin" ja "mittakertoimen" mittauksella tarkoitetaan yhden sigman standardipoikkeamaa suhteessa kiinteään kalibrointiin yhden vuoden aikana;

| 3. | 7A101.a kohdassa ‧toistuvuus‧ määritellään IEEE-standardin 528-2001 mukaisesti saman muuttujan samoissa toimintaolosuhteissa suoritettujen toistettujen mittausten läheisyydeksi toisiinsa, kun mittausten välissä tapahtuu muutoksia olosuhteissa tai muissa kuin toimintajaksoissa. |
| --- | --- |

3.

7A101.a kohdassa ‧toistuvuus‧ määritellään IEEE-standardin 528-2001 mukaisesti saman muuttujan samoissa toimintaolosuhteissa suoritettujen toistettujen mittausten läheisyydeksi toisiinsa, kun mittausten välissä tapahtuu muutoksia olosuhteissa tai muissa kuin toimintajaksoissa.

| b. | Jatkuvan mittausalueen kiihtyvyysmittarit, jotka on suunniteltu toimimaan yli 100 g:n kiihtyvyystasoilla. |
| --- | --- |

b.

Jatkuvan mittausalueen kiihtyvyysmittarit, jotka on suunniteltu toimimaan yli 100 g:n kiihtyvyystasoilla.

7A102Muut kuin 7A002 kohdassa määritellyt kaiken tyyppiset gyroskoopit, joita voidaan käyttää "ohjuksissa", ja joiden nimellis "ryömintänopeuden""stabiilisuus" on vähemmän kuin 0,5° (1 sigma tai rms) tunnissa 1 g:n olosuhteissa sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit.

Tekn. huom.:

1. 7A102 kohdassa "ohjuksella" tarkoitetaan täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, joiden kantomatka ylittää 300 km;

7A103Seuraavat muut kuin 7A003 kohdassa määritellyt instrumentit, navigointilaitteet ja -järjestelmät sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:

| a. | Inertia- tai muut laitteet, joissa käytetään 7A001 tai 7A101 kohdassa määriteltyjä kiihtyvyysmittareita tai 7A002 tai 7A102 kohdassa määriteltyjä gyroskooppeja, sekä järjestelmät, joihin sisältyy sellaisia laitteita;


  Huom.: 7A103.a kohta ei määrittele 7A001 kohdan määrittelemiä kiihtyvyysmittareita sisältäviä laitteita, joiden kiihtyvyysmittarit on erityisesti suunniteltu ja kehitetty porausreikien huoltotoiminnassa käytettäviksi MWD-antureiksi (Measurement While Drilling). |
| --- | --- |

a.

Inertia- tai muut laitteet, joissa käytetään 7A001 tai 7A101 kohdassa määriteltyjä kiihtyvyysmittareita tai 7A002 tai 7A102 kohdassa määriteltyjä gyroskooppeja, sekä järjestelmät, joihin sisältyy sellaisia laitteita;

Huom.: 7A103.a kohta ei määrittele 7A001 kohdan määrittelemiä kiihtyvyysmittareita sisältäviä laitteita, joiden kiihtyvyysmittarit on erityisesti suunniteltu ja kehitetty porausreikien huoltotoiminnassa käytettäviksi MWD-antureiksi (Measurement While Drilling).

| b. | Integroidut lentoinstrumenttijärjestelmät, jotka sisältävät 9A004 kohdassa määriteltyjä avaruuteen laukaisussa käytettäviä kantoraketteja, 9A012 kohdassa määriteltyjä miehittämättömiä ilma-aluksia tai 9A104 kohdassa määriteltyjä luotainraketteja varten suunniteltuja tai muunnettuja hyrrävakauttajia tai automaattiohjauslaitteita; |
| --- | --- |

b.

Integroidut lentoinstrumenttijärjestelmät, jotka sisältävät 9A004 kohdassa määriteltyjä avaruuteen laukaisussa käytettäviä kantoraketteja, 9A012 kohdassa määriteltyjä miehittämättömiä ilma-aluksia tai 9A104 kohdassa määriteltyjä luotainraketteja varten suunniteltuja tai muunnettuja hyrrävakauttajia tai automaattiohjauslaitteita;

| c. | Integroidut navigointijärjestelmät, jotka on suunniteltu tai muunnettu "ohjuksia" varten ja joilla kyetään saamaan aikaan navigaatiotarkkuus, jossa yhtäläisen todennäköisyyden ympyrä (CEP) on 200 metriä tai vähemmän.
  Tekn. huom.:







  1. | Integroituun navigointijärjestelmään sisältyvät tavallisesti seuraavat komponentit:








  a. | Inertiamittauslaite (esim. asento- ja suuntaviitejärjestelmä, inertiaviiteyksikkö tai inertianavigointijärjestelmä); |
| --- | --- | --- | --- |

c.

Integroidut navigointijärjestelmät, jotka on suunniteltu tai muunnettu "ohjuksia" varten ja joilla kyetään saamaan aikaan navigaatiotarkkuus, jossa yhtäläisen todennäköisyyden ympyrä (CEP) on 200 metriä tai vähemmän.

Tekn. huom.:

1.

Integroituun navigointijärjestelmään sisältyvät tavallisesti seuraavat komponentit:

a.

Inertiamittauslaite (esim. asento- ja suuntaviitejärjestelmä, inertiaviiteyksikkö tai inertianavigointijärjestelmä);

| b. | Yksi tai useampia ulkoisia ilmaisimia, joita käytetään aseman ja/tai nopeuden päivitykseen joko määräajoin tai jatkuvasti lennon aikana (esim. satelliittinavigointivastaanotin, tutkan korkeusmittari ja/tai Doppler-tutka); ja |
| --- | --- |

b.

Yksi tai useampia ulkoisia ilmaisimia, joita käytetään aseman ja/tai nopeuden päivitykseen joko määräajoin tai jatkuvasti lennon aikana (esim. satelliittinavigointivastaanotin, tutkan korkeusmittari ja/tai Doppler-tutka); ja

| c. | Integrointilaitteistot ja -ohjelmistot; |
| --- | --- |

c.

Integrointilaitteistot ja -ohjelmistot;

| 2. | 7A103.c kohdassa "ohjuksella" tarkoitetaan täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, joiden kantomatka ylittää 300 km. |
| --- | --- |

2.

7A103.c kohdassa "ohjuksella" tarkoitetaan täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, joiden kantomatka ylittää 300 km.

7A104Muut kuin 7A004 kohdassa määritellyt hyrrä-tähtikompassit ja muut laitteet, joiden avulla määritetään asema tai suunta automaattisesti taivaankappaleita tai satelliitteja seuraamalla, sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit.

7A105Vastaanottolaitteet maailmanlaajuisia satelliittinavigointijärjestelmiä varten (GNSS; esim. GPS, GLONASS tai Galileo), joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista ja erityisesti suunnitellut komponentit niitä varten:

| a. | Ne on suunniteltu tai muunnettu 9A004 kohdassa määriteltyjä avaruuteen laukaisussa käytettäviä kantoraketteja, 9A012 kohdassa määriteltyjä miehittämättömiä ilma-aluksia tai 9A104 kohdassa määriteltyjä luotainraketteja varten; tai |
| --- | --- |

a.

Ne on suunniteltu tai muunnettu 9A004 kohdassa määriteltyjä avaruuteen laukaisussa käytettäviä kantoraketteja, 9A012 kohdassa määriteltyjä miehittämättömiä ilma-aluksia tai 9A104 kohdassa määriteltyjä luotainraketteja varten; tai

| b. | Ne on suunniteltu tai muunnettu lentosovelluksia varten ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Ne pystyvät tuottamaan navigointitietoa nopeuksilla, jotka ovat yli 600 m/s; |
| --- | --- | --- |

b.

Ne on suunniteltu tai muunnettu lentosovelluksia varten ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Ne pystyvät tuottamaan navigointitietoa nopeuksilla, jotka ovat yli 600 m/s;

| 2. | Ne käyttävät sotilas- tai hallintokäyttöön suunniteltua tai muunnettua salauksenpurkua voidakseen saada pääsyn GNSS-suojattuihin signaaleihin/tietoon; tai |
| --- | --- |

2.

Ne käyttävät sotilas- tai hallintokäyttöön suunniteltua tai muunnettua salauksenpurkua voidakseen saada pääsyn GNSS-suojattuihin signaaleihin/tietoon; tai

| 3. | Ne on erityisesti suunniteltu käyttämään häirinnänestoa (esim. nollaohjausantenni tai elektronisesti ohjattava antenni) toimiakseen aktiivisten tai passiivisten vastatoimien ympäristössä. |
| --- | --- |

3.

Ne on erityisesti suunniteltu käyttämään häirinnänestoa (esim. nollaohjausantenni tai elektronisesti ohjattava antenni) toimiakseen aktiivisten tai passiivisten vastatoimien ympäristössä.

Huom.: 7A105.b.2 ja 7A105.b.3 kohta eivät aseta valvonnanalaiseksi laitteita, jotka on suunniteltu kaupallisia, siviilikäyttöön tarkoitettuja tai ihmishengen turvaavia (esim. tietojen eheys, lentoturvallisuus) GNSS-palveluja varten.

7A106Muut kuin 7A006 kohdassa määritellyt tutka- tai lasertutkatyyppiset korkeusmittarit, jotka on suunniteltu tai muunnettu käytettäviksi 9A004 tai 9A104 kohdassa määritellyissä avaruuteen laukaisussa käytettävissä kantoraketeissa tai 9A104 kohdassa määritellyissä luotainraketeissa järjestelmissä.

7A115Passiiviset anturit, joiden avulla määritellään suuntima tiettyihin sähkömagneettisiin lähteisiin (suuntimalaitteet) tai maaston ominaisuuksiin, ja jotka on suunniteltu tai muunnettu käytettäviksi 9A004 kohdassa määritellyissä avaruuteen laukaisussa käytettävissä kantoraketeissa tai 9A104 kohdassa määritellyissä luotainraketeissa.

Huom.: 7A115 kohta sisältää anturit seuraavia laitteita varten:

| a. | Maanpinnan muodon kartoituslaitteet; |
| --- | --- |

a.

Maanpinnan muodon kartoituslaitteet;

| b. | Kuvausanturilaitteet (sekä aktiiviset että passiiviset); |
| --- | --- |

b.

Kuvausanturilaitteet (sekä aktiiviset että passiiviset);

| c. | Passiiviset interferometrilaitteet. |
| --- | --- |

c.

Passiiviset interferometrilaitteet.

7A116Seuraavat lennon ohjausjärjestelmät ja servoventtiilit, jotka on suunniteltu tai muunnettu käytettäviksi 9A004 kohdassa määriteltyjä avaruuteen laukaisussa käytettävissä kantoraketeissa tai 9A104 kohdassa määritellyissä luotainraketeissa:

| a. | Hydrauliset, mekaaniset, sähköoptiset tai sähkömekaaniset, mukaan lukien fly-by-wire –tyyppiset järjestelmät; |
| --- | --- |

a.

Hydrauliset, mekaaniset, sähköoptiset tai sähkömekaaniset, mukaan lukien fly-by-wire –tyyppiset järjestelmät;

| b. | Lentoasennon säätölaitteet; |
| --- | --- |

b.

Lentoasennon säätölaitteet;

| c. | Lennonohjauksen servoventtiilit, jotka on suunniteltu tai muunnettu 7A116.a tai 7A116.b kohdassa määriteltyjä järjestelmiä varten ja suunniteltu tai muunnettu toimimaan ympäristössä, jossa värähtely on yli 10 g rms taajuusalueella 20 Hz–2 kHz. |
| --- | --- |

c.

Lennonohjauksen servoventtiilit, jotka on suunniteltu tai muunnettu 7A116.a tai 7A116.b kohdassa määriteltyjä järjestelmiä varten ja suunniteltu tai muunnettu toimimaan ympäristössä, jossa värähtely on yli 10 g rms taajuusalueella 20 Hz–2 kHz.

7A117"Ohjautuslaitteet", joita voidaan käyttää "ohjuksissa", jotka kykenevät 3,33 %:n tai parempaan järjestelmätarkkuuteen toimintaetäisyydellä (esim. "CEP" on 10 km tai vähemmän 300 km:n matkalla).

7BTestaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet:

7B0017A kohdassa määriteltyjä laitteita varten erityisesti suunnitellut testaus-, kalibrointi- tai linjauslaitteet;

Huom.: 7B001 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi ylläpitotasojen I tai II testaus-, kalibrointi- tai linjauslaitteita.

Tekn. huom.:

| 1. | Ylläpitotaso I


  Inertiasuunnistusjärjestelmän jonkin yksikön vikaantuminen huomataan lentokoneen ohjaus- ja näyttöyksiköstä (CDU) tai vastaavan alajärjestelmän tilanneviestistä. Noudattaen valmistajan käsikirjan antamia ohjeita vian syy voidaan paikallistaa epäkuntoisen vaihdettavan yksikön tasolle (LRU) ja operaattori voi vaihtaa varayksikön viallisen tilalle. |
| --- | --- |

1.

Ylläpitotaso I

| 2. | Ylläpitotaso II


  Viallinen linjahuollossa vaihdettava yksikkö (LRU) lähetetään valmistajan (tai tasosta II vastaavan operaattorin) korjauspisteeseen, jossa se testataan erilaisilla soveltuvilla tavoilla ja viallinen kokoonpano (SRA) paikallistetaan. Tämän kokoonpanon (SRA) tilalle vaihdetaan toimiva varaosa ja viallinen kokoonpano (SRA) (tai mahdollisesti koko yksikkö (LRU)) lähetetään valmistajalle.


  Huom.: Ylläpitotaso II ei sisällä valvonnanalaisten kiihtyvyysmittarien tai gyroanturien irrottamista kokoonpanosta (SRA). |
| --- | --- |

2.

Ylläpitotaso II

Huom.: Ylläpitotaso II ei sisällä valvonnanalaisten kiihtyvyysmittarien tai gyroanturien irrottamista kokoonpanosta (SRA).

7B002Seuraavat erityisesti suunnitellut laitteet rengas-"laser"gyroskooppien peilien karakterisointia varten:

Huom.: KATSO MYÖS 7B102 KOHTA.

| a. | Sirontamittarit, joiden mittaustarkkuus on vähemmän (parempi) kuin 10 ppm |
| --- | --- |

a.

Sirontamittarit, joiden mittaustarkkuus on vähemmän (parempi) kuin 10 ppm

| b. | Pinnankarkeusmittarit (profilometrit), joiden mittaustarkkuus on 0,5 nm (5 ångströmiä) tai vähemmän (parempi). |
| --- | --- |

b.

Pinnankarkeusmittarit (profilometrit), joiden mittaustarkkuus on 0,5 nm (5 ångströmiä) tai vähemmän (parempi).

7B0037A kohdassa määriteltyjen laitteiden "tuotantoon" erityisesti suunnitellut laitteet.

Huom.: 7B003 kohtaan sisältyy:

| a. | Gyroskooppien virityksen testausasemat; |
| --- | --- |

a.

Gyroskooppien virityksen testausasemat;

| b. | Gyroskooppien dynaamiset tasapainotusasemat; |
| --- | --- |

b.

Gyroskooppien dynaamiset tasapainotusasemat;

| c. | Gyroskooppien totutuskäyttö/moottorin testausasemat; |
| --- | --- |

c.

Gyroskooppien totutuskäyttö/moottorin testausasemat;

| d. | Gyroskooppien tyhjennys/täyttöasemat; |
| --- | --- |

d.

Gyroskooppien tyhjennys/täyttöasemat;

| e. | Gyroskooppien laakereiden keskipakopitimet; |
| --- | --- |

e.

Gyroskooppien laakereiden keskipakopitimet;

| f. | Kiihtyvyysmittareiden akselien linjausasemat. |
| --- | --- |

f.

Kiihtyvyysmittareiden akselien linjausasemat.

7B102"Laser"-gyroskooppien peilien luokitukseen erityisesti suunnitellut heijastusmittarit, joiden mittaustarkkuus on 50 ppm tai vähemmän (parempi).

7B103"Tuotantolaitokset" ja "tuotantolaitteet" seuraavasti:

| a. | "Tuotantolaitokset", jotka on erityisesti suunniteltu 7A117 kohdassa määriteltyjä laitteita varten; |
| --- | --- |

a.

"Tuotantolaitokset", jotka on erityisesti suunniteltu 7A117 kohdassa määriteltyjä laitteita varten;

| b. | Tuotantolaitteet ja muut kuin 7B001–7B003 kohdassa määritellyt testaus-, kalibrointi- ja linjauslaitteet, jotka on suunniteltu tai muunnettu käytettäviksi 7A kohdassa määriteltyjen laitteiden kanssa. |
| --- | --- |

b.

Tuotantolaitteet ja muut kuin 7B001–7B003 kohdassa määritellyt testaus-, kalibrointi- ja linjauslaitteet, jotka on suunniteltu tai muunnettu käytettäviksi 7A kohdassa määriteltyjen laitteiden kanssa.

7CMateriaalit

Ei ole.

7DOhjelmistot

7D001"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 7A tai 7B kohdassa määriteltyjen laitteiden "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten:

7D002"Lähdekoodi" minkä tahansa tyyppisten inertiasuunnistuslaitteiden "käyttöä" varten, mukaan lukien inertialaitteet, joita ei ole määritelty 7A003 tai 7A004 kohdassa, tai AHRS-järjestelmät (Attitude Heading Reference Systems).

Huom.: 7D002 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kardaanisia AHRS-järjestelmiä.

Tekn. huom.:

AHRS-järjestelmät eroavat yleisesti inertiasuunnistusjärjestelmistä (INS = Inertial Navigation Systems) siinä, että AHRS antaa asento- ja suuntatiedon eikä normaalisti anna INS-järjestelmiin liittyviä kiihtyvyys-, nopeus- tai asematietoja.

7D003Seuraavat muut "ohjelmistot":

| a. | "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu parantamaan järjestelmien toimintakykyä tai vähentämään niiden navigointivirhettä 7A003 ja 7A004 kohdassa määritellyille tasoille; |
| --- | --- |

a.

"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu parantamaan järjestelmien toimintakykyä tai vähentämään niiden navigointivirhettä 7A003 ja 7A004 kohdassa määritellyille tasoille;

| b. | Integroitujen hybridijärjestelmien "lähdekoodi", joka parantaa järjestelmien toimintakykyä tai vähentää niiden navigointivirhettä 7A003 kohdassa määritellylle tasolle yhdistämällä jatkuvasti inertiatietoa johonkin seuraavista:






  1. | Doppler-tutkan antama nopeustieto; |
| --- | --- | --- |

b.

Integroitujen hybridijärjestelmien "lähdekoodi", joka parantaa järjestelmien toimintakykyä tai vähentää niiden navigointivirhettä 7A003 kohdassa määritellylle tasolle yhdistämällä jatkuvasti inertiatietoa johonkin seuraavista:

1.

Doppler-tutkan antama nopeustieto;

| 2. | Globaalien paikannusjärjestelmien (so. GPS tai GLONASS) referenssitieto; tai |
| --- | --- |

2.

Globaalien paikannusjärjestelmien (so. GPS tai GLONASS) referenssitieto; tai

| 3. | Tieto, joka on peräisin DBRN (Data-based Referenced Navigation) -suunnistusjärjestelmistä; |
| --- | --- |

3.

Tieto, joka on peräisin DBRN (Data-based Referenced Navigation) -suunnistusjärjestelmistä;

| c. | "Lähdekoodi" integroituja ilmailu- tai lentotehtäväjärjestelmiä varten, jotka yhdistävät anturitietoa ja käyttävät "asiantuntijajärjestelmiä"; |
| --- | --- |

c.

"Lähdekoodi" integroituja ilmailu- tai lentotehtäväjärjestelmiä varten, jotka yhdistävät anturitietoa ja käyttävät "asiantuntijajärjestelmiä";

| d. | "Lähdekoodi" seuraavien laitteiden tai järjestelmien "kehittämistä" varten:






  1. | Digitaaliset lennonhallintajärjestelmät "lennon kokonaisohjaukseen"; |
| --- | --- | --- |

d.

"Lähdekoodi" seuraavien laitteiden tai järjestelmien "kehittämistä" varten:

1.

Digitaaliset lennonhallintajärjestelmät "lennon kokonaisohjaukseen";

| 2. | Integroidut moottori- ja lennonohjausjärjestelmät; |
| --- | --- |

2.

Integroidut moottori- ja lennonohjausjärjestelmät;

| 3. | Fly-by-wire- tai fly-by-light-ohjausjärjestelmät; |
| --- | --- |

3.

Fly-by-wire- tai fly-by-light-ohjausjärjestelmät;

| 4. | Vikasietoiset tai itsetoipuvat "aktiiviset lennonohjausjärjestelmät"; |
| --- | --- |

4.

Vikasietoiset tai itsetoipuvat "aktiiviset lennonohjausjärjestelmät";

| 5. | Ilmassa käytettävät automaattiset suuntimislaitteet; |
| --- | --- |

5.

Ilmassa käytettävät automaattiset suuntimislaitteet;

| 6. | Staattiseen maanpintatietoon perustuvat lentoarvojärjestelmät; tai |
| --- | --- |

6.

Staattiseen maanpintatietoon perustuvat lentoarvojärjestelmät; tai

| 7. | Rasterityyppiset tuulilasinäytöt tai kolmiulotteiset näytöt. |
| --- | --- |

7.

Rasterityyppiset tuulilasinäytöt tai kolmiulotteiset näytöt.

| e. | Tietokoneavusteiset suunnittelu"ohjelmistot" (CAD), jotka on erityisesti suunniteltu "aktiivisten lennonohjausjärjestelmien", helikopterien moniakseli- fly-by-wire tai fly-by-light ohjausten tai helikopterien "ilmavirran avulla säädellyt vastamomenttijärjestelmät tai ilmavirran avulla säädellyt suunnanohjausjärjestelmät", joiden "teknologia" on määritelty 7E004.b, 7E004.c.1 tai 7E004.c.2 kohdassa. |
| --- | --- |

e.

Tietokoneavusteiset suunnittelu"ohjelmistot" (CAD), jotka on erityisesti suunniteltu "aktiivisten lennonohjausjärjestelmien", helikopterien moniakseli- fly-by-wire tai fly-by-light ohjausten tai helikopterien "ilmavirran avulla säädellyt vastamomenttijärjestelmät tai ilmavirran avulla säädellyt suunnanohjausjärjestelmät", joiden "teknologia" on määritelty 7E004.b, 7E004.c.1 tai 7E004.c.2 kohdassa.

7D101"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 7A001–7A006, 7A101–7A106, 7A115, 7A116.a, 7A116.b, 7B001, 7B002, 7B003, 7B102 tai 7B103 kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.

7D102Integrointi "ohjelmistot" seuraavasti:

| a. | Integrointi"ohjelmistot" 7A103.b kohdassa määriteltyjä laitteita varten; |
| --- | --- |

a.

Integrointi"ohjelmistot" 7A103.b kohdassa määriteltyjä laitteita varten;

| b. | 7A003 tai 7A103.a kohdassa määriteltyjä laitteita varten erityisesti suunnitellut integrointi"ohjelmistot". |
| --- | --- |

b.

7A003 tai 7A103.a kohdassa määriteltyjä laitteita varten erityisesti suunnitellut integrointi"ohjelmistot".

| c. | Integrointi "ohjelmistot", jotka on suunniteltu tai muunnettu 7A103.c kohdassa määriteltyjä laitteita varten.


  Huom.: Integrointi"ohjelmistojen" tavallisissa muodoissa käytetään Kalman-filtteriä. |
| --- | --- |

c.

Integrointi "ohjelmistot", jotka on suunniteltu tai muunnettu 7A103.c kohdassa määriteltyjä laitteita varten.

Huom.: Integrointi"ohjelmistojen" tavallisissa muodoissa käytetään Kalman-filtteriä.

7D103"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu 7A117 kohdassa määriteltyjen ohjautuslaitteiden mallintamiseen tai simulointiin tai niiden integroinnin suunnitteluun kohdan 9A004, avaruuteen laukaisussa käytettävät kantoraketit, tai kohdan 9A104, luotainraketit, kanssa.

Huom.: 7D103 kohdassa määritellyt "ohjelmistot" jäävät valvonnanalaiseksi, kun niitä yhdistetään 4A102 kohdassa määriteltyjen laitteiden kanssa.

7ETeknologia

7E001"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 7A, 7B tai 7D kohdassa määriteltyjen laitteiden tai ohjelmien "kehittämistä" varten.

7E002"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 7A tai 7B kohdassa määriteltyjen laitteiden "tuotantoa" varten.

7E003"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 7A001–7A004 kohdan laitteiden korjaukseen, kunnostukseen tai huoltoon;

Huom.: 7E003 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi ylläpito"teknologiaa", joka liittyy suoraan "siviili-ilma-alusten" ylläpitotaso I tai ylläpitotaso II:ssa kuvattuun viallisten tai ei-huollettavien LRU-yksiköiden ja SRA-kokoonpanojen kalibrointiin, poistoon tai vaihtoon.

Huom.: Katso tekn. huom. 7B001 kohdassa.

7E004Seuraava muu "teknologia":

| a. | Seuraavien laitteiden tai järjestelmien "kehittämiseen" tai "tuotantoon" tarkoitettu "teknologia":






  1. | Ilmassa käytettävät automaattiset suuntimalaitteet, jotka toimivat yli 5 MHz:n taajuuksilla; |
| --- | --- | --- |

a.

Seuraavien laitteiden tai järjestelmien "kehittämiseen" tai "tuotantoon" tarkoitettu "teknologia":

1.

Ilmassa käytettävät automaattiset suuntimalaitteet, jotka toimivat yli 5 MHz:n taajuuksilla;

| 2. | Lentoarvojärjestelmät, jotka perustuvat vain staattiseen maanpintatietoon, ts. jotka korvaavat konventionaaliset ilmatietosondit; |
| --- | --- |

2.

Lentoarvojärjestelmät, jotka perustuvat vain staattiseen maanpintatietoon, ts. jotka korvaavat konventionaaliset ilmatietosondit;

| 3. | "Ilma-alusten" rasterityyppiset tuulilasinäytöt tai kolmiulotteiset näytöt; |
| --- | --- |

3.

"Ilma-alusten" rasterityyppiset tuulilasinäytöt tai kolmiulotteiset näytöt;

| 4. | Inertiasuunnistusjärjestelmät tai hyrrätähtikompassit, jotka sisältävät 7A001 tai 7A002 kohdissa määriteltyjä kiihtyvyysmittareita tai gyroskooppeja; |
| --- | --- |

4.

Inertiasuunnistusjärjestelmät tai hyrrätähtikompassit, jotka sisältävät 7A001 tai 7A002 kohdissa määriteltyjä kiihtyvyysmittareita tai gyroskooppeja;

| 5. | Sähköiset toimilaitteet (so. sähkömekaaninen, sähköhydrostaattinen ja integroitu toimilaitejärjestelmä), jotka on erityisesti suunniteltu "primääristä lennonohjausta" varten; |
| --- | --- |

5.

Sähköiset toimilaitteet (so. sähkömekaaninen, sähköhydrostaattinen ja integroitu toimilaitejärjestelmä), jotka on erityisesti suunniteltu "primääristä lennonohjausta" varten;

| 6. | "Lennonohjauksen optinen anturijärjestelmä", joka on erityisesti suunniteltu "aktiivisten lennonohjausjärjestelmien" toteuttamiseksi. |
| --- | --- |

6.

"Lennonohjauksen optinen anturijärjestelmä", joka on erityisesti suunniteltu "aktiivisten lennonohjausjärjestelmien" toteuttamiseksi.

| b. | Seuraava "kehittämis""teknologia""aktiivisia lennonohjausjärjestelmiä" varten (mukaanlukien fly-by-wire- tai fly-by-light-järjestelmät):






  1. | Konfiguraatiosuunnittelu useiden mikroelektronisten prosessointiyksiköiden (on-board-tietokoneiden) yhdistämiseksi suorittamaan tosiaikaista käsittelyä ohjaussääntöjen soveltamiseksi; |
| --- | --- | --- |

b.

Seuraava "kehittämis""teknologia""aktiivisia lennonohjausjärjestelmiä" varten (mukaanlukien fly-by-wire- tai fly-by-light-järjestelmät):

1.

Konfiguraatiosuunnittelu useiden mikroelektronisten prosessointiyksiköiden (on-board-tietokoneiden) yhdistämiseksi suorittamaan tosiaikaista käsittelyä ohjaussääntöjen soveltamiseksi;

| 2. | Anturien paikan tai lentokonerakenteiden dynaamisen kuormituksen ohjaussääntökompensointi, ts. anturien tärinäympäristön tai anturien sijainnin vaihtelun kompensointi painopisteen suhteen; |
| --- | --- |

2.

Anturien paikan tai lentokonerakenteiden dynaamisen kuormituksen ohjaussääntökompensointi, ts. anturien tärinäympäristön tai anturien sijainnin vaihtelun kompensointi painopisteen suhteen;

| 3. | Elektroninen redundanttien tietojen tai järjestelmien hallinta vian havaitsemista, vian sietoa, vian eristämistä tai uudelleenkonfigurointia varten;


  Huom.: 7E004.b.3 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "teknologiaa" fyysisen redundanssin suunnittelua varten. |
| --- | --- |

3.

Elektroninen redundanttien tietojen tai järjestelmien hallinta vian havaitsemista, vian sietoa, vian eristämistä tai uudelleenkonfigurointia varten;

Huom.: 7E004.b.3 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "teknologiaa" fyysisen redundanssin suunnittelua varten.

| 4. | Lennonohjausjärjestelmät, jotka sallivat lennon aikaisen voima- ja momenttiohjausten uudelleenkonfiguroinnin ilma-aluksen tosiaikaista autonomista ohjausta varten; |
| --- | --- |

4.

Lennonohjausjärjestelmät, jotka sallivat lennon aikaisen voima- ja momenttiohjausten uudelleenkonfiguroinnin ilma-aluksen tosiaikaista autonomista ohjausta varten;

| 5. | Digitaalisten lennonohjaus-, navigointi- ja moottorinohjaustietojen integrointi digitaaliseksi lennonhallintajärjestelmäksi "lennon kokonaisohjausta" varten;


  Huom.: 7E004.b.5 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:








  a. | "Kehittämis""teknologiaa" digitaalisen lennonohjauksen, navigoinnin ja työntövoiman ohjaustietojen integroimiseksi digitaaliseksi lennonhallintajärjestelmäksi "lentoradan optimointia" varten. |
| --- | --- | --- |

5.

Digitaalisten lennonohjaus-, navigointi- ja moottorinohjaustietojen integrointi digitaaliseksi lennonhallintajärjestelmäksi "lennon kokonaisohjausta" varten;

Huom.: 7E004.b.5 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:

a.

"Kehittämis""teknologiaa" digitaalisen lennonohjauksen, navigoinnin ja työntövoiman ohjaustietojen integroimiseksi digitaaliseksi lennonhallintajärjestelmäksi "lentoradan optimointia" varten.

| b. | Sellaisten "lentokoneen" instrumenttijärjestelmien "kehittämis""teknologiaa", jotka on integroitu ainoastaan seuraavia navigointi- tai laskeutumisjärjestelmiä varten: VOR-, DME, ILS- tai MLS-navigointia tai -lähestymistä varten. |
| --- | --- |

b.

Sellaisten "lentokoneen" instrumenttijärjestelmien "kehittämis""teknologiaa", jotka on integroitu ainoastaan seuraavia navigointi- tai laskeutumisjärjestelmiä varten: VOR-, DME, ILS- tai MLS-navigointia tai -lähestymistä varten.

| 6. | "Täyden auktoriteetin digitaaliset lennonohjausjärjestelmät" tai monianturiset lentotehtävän hallintajärjestelmät, jotka sisältävät "asiantuntijajärjestelmiä";


  Huom.:"Teknologia" täyden auktoriteetin digitaalista moottorin ohjausta ("FADEC") varten: katso 9E003.a.9 kohta. |
| --- | --- |

6.

"Täyden auktoriteetin digitaaliset lennonohjausjärjestelmät" tai monianturiset lentotehtävän hallintajärjestelmät, jotka sisältävät "asiantuntijajärjestelmiä";

Huom.:"Teknologia" täyden auktoriteetin digitaalista moottorin ohjausta ("FADEC") varten: katso 9E003.a.9 kohta.

| c. | "Teknologia" seuraavien helikopterijärjestelmien "kehittämistä" varten:






  1. | Moniakseliset fly-by-wire- tai fly-by-light-ohjaukset, jotka yhdistävät toiminnot vähintään kahdesta seuraavasta ohjauksesta yhdeksi ohjaavaksi elementiksi:






  a. | Nousu- ja laskuohjaukset; |
| --- | --- | --- | --- |

c.

"Teknologia" seuraavien helikopterijärjestelmien "kehittämistä" varten:

1.

Moniakseliset fly-by-wire- tai fly-by-light-ohjaukset, jotka yhdistävät toiminnot vähintään kahdesta seuraavasta ohjauksesta yhdeksi ohjaavaksi elementiksi:

a.

Nousu- ja laskuohjaukset;

| b. | Vaakatason ohjaukset; |
| --- | --- |

b.

Vaakatason ohjaukset;

| c. | Suuntapoikkeaman ohjaukset; |
| --- | --- |

c.

Suuntapoikkeaman ohjaukset;

| 2. | "Ilmavirran avulla säädellyt vastamomentti- tai suunnanohjausjärjestelmät"; |
| --- | --- |

2.

"Ilmavirran avulla säädellyt vastamomentti- tai suunnanohjausjärjestelmät";

| 3. | Roottorilavat, jotka sisältävät "muuttuvan geometrian kantopintoja" ja joita käytetään yksittäisiä lapoja ohjaavissa järjestelmissä. |
| --- | --- |

3.

Roottorilavat, jotka sisältävät "muuttuvan geometrian kantopintoja" ja joita käytetään yksittäisiä lapoja ohjaavissa järjestelmissä.

7E101"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 7A001–7A006, 7A101–7A106, 7A115–7A117, 7B001, 7B002, 7B003, 7B102, 7B103, 7D101–7D103 kohdassa määriteltyjen laitteiden käyttöä varten.

7E102Seuraavat "teknologiat" ilmailuelektroniikan ja sähköisten alajärjestelmien suojaamiseksi ulkoisista lähteistä aiheutuvaa sähkömagneettisen pulssin (EMP = Electro Magnetic Pulse) sekä sähkömagneettisen häiriön (EMI = Electro Magnetic Interference) uhkaa vastaan:

| a. | Suojausjärjestelmien suunnittelu "teknologia"; |
| --- | --- |

a.

Suojausjärjestelmien suunnittelu "teknologia";

| b. | Suunnittelu "teknologia" vahvennettujen sähköisten piirien ja alajärjestelmien konfigurointia varten; |
| --- | --- |

b.

Suunnittelu "teknologia" vahvennettujen sähköisten piirien ja alajärjestelmien konfigurointia varten;

| c. | Suunnittelu"teknologia" 7E102.a ja 7E102.b kohdan vahvennuskriteerien määrittelyä varten. |
| --- | --- |

c.

Suunnittelu"teknologia" 7E102.a ja 7E102.b kohdan vahvennuskriteerien määrittelyä varten.

7E104"Teknologia" lennon ohjaus-, ohjautus- ja työntövoimatietojen integrointiin lennonhallintajärjestelmäksi rakettijärjestelmän lentoradan optimoimiseksi.

RYHMÄ 8

MERITEKNOLOGIA

8AJärjestelmät, laitteet ja komponentit

8A001Seuraavat vedenalaiset tai pinta-alukset:

Huom.: Vedenalaisten alusten valvonnanalaisuuden selvittämiseksi, katso myös:

| | 5 ryhmä 2 osa: "Tiedonsuojaus" salattua viestintää suorittavat laitteet; |
| --- | --- |

5 ryhmä 2 osa: "Tiedonsuojaus" salattua viestintää suorittavat laitteet;

| | 6 ryhmä: anturit; |
| --- | --- |

6 ryhmä: anturit;

| | 7 ja 8 ryhmä: navigointilaitteet; |
| --- | --- |

7 ja 8 ryhmä: navigointilaitteet;

| | 8A ryhmä: vedenalaiset laitteet. |
| --- | --- |

8A ryhmä: vedenalaiset laitteet.

| a. | Miehitetyt kytketyt vedenalaiset alukset, jotka on suunniteltu toimimaan yli 1 000 m:n syvyyksissä; |
| --- | --- |

a.

Miehitetyt kytketyt vedenalaiset alukset, jotka on suunniteltu toimimaan yli 1 000 m:n syvyyksissä;

| b. | Miehitetyt kytkemättömät vedenalaiset alukset, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Ne on suunniteltu 'toimimaan itsenäisesti' ja niillä on kaikki seuraavat nostokyvyt:






  a. | 10 % tai enemmän niiden painosta ilmassa; ja |
| --- | --- | --- | --- |

b.

Miehitetyt kytkemättömät vedenalaiset alukset, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Ne on suunniteltu 'toimimaan itsenäisesti' ja niillä on kaikki seuraavat nostokyvyt:

a.

10 % tai enemmän niiden painosta ilmassa; ja

| b. | 15 kN tai enemmän; |
| --- | --- |

b.

15 kN tai enemmän;

| 2. | Suunniteltu toimimaan yli 1 000 m:n syvyyksissä; tai |
| --- | --- |

2.

Suunniteltu toimimaan yli 1 000 m:n syvyyksissä; tai

| 3. | Niillä on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  a. | Ne on suunniteltu 4:n tai useamman hengen miehistöä varten; |
| --- | --- | --- |

3.

Niillä on kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

Ne on suunniteltu 4:n tai useamman hengen miehistöä varten;

| b. | Ne on suunniteltu "toimimaan itsenäisesti" 10 tuntia tai pidempään; |
| --- | --- |

b.

Ne on suunniteltu "toimimaan itsenäisesti" 10 tuntia tai pidempään;

| c. | "Toimintasäde" on 25 merimailia tai enemmän; ja |
| --- | --- |

c.

"Toimintasäde" on 25 merimailia tai enemmän; ja

| d. | Pituus on 21 m tai vähemmän; |
| --- | --- |

d.

Pituus on 21 m tai vähemmän;

Tekn. huom.:

| 1. | 8A001.b kohdassa "toimii itsenäisesti" tarkoittaa toimintaa täysin sukelluksissa, ilman snorkkelia, kaikki järjestelmät toiminnassa ja kulkemista sillä miniminopeudella, jolla sukelluslaite voi turvallisesti ohjata dynaamisesti syvyyttään käyttämällä vain syvyysohjaimiaan ja tarvitsematta tukialusta tai pinnalla, merenpohjassa tai maalla olevaa tukiasemaa, sekä sukellus- tai pintakäyttöön soveltuvia työntövoimajärjestelmiä. |
| --- | --- |

1.

8A001.b kohdassa "toimii itsenäisesti" tarkoittaa toimintaa täysin sukelluksissa, ilman snorkkelia, kaikki järjestelmät toiminnassa ja kulkemista sillä miniminopeudella, jolla sukelluslaite voi turvallisesti ohjata dynaamisesti syvyyttään käyttämällä vain syvyysohjaimiaan ja tarvitsematta tukialusta tai pinnalla, merenpohjassa tai maalla olevaa tukiasemaa, sekä sukellus- tai pintakäyttöön soveltuvia työntövoimajärjestelmiä.

| 2. | 8A001.b kohdassa ‧toimintasäde‧ tarkoittaa puolta maksimietäisyydestä, josta sukelluslaite voi suoriutua. |
| --- | --- |

2.

8A001.b kohdassa ‧toimintasäde‧ tarkoittaa puolta maksimietäisyydestä, josta sukelluslaite voi suoriutua.

| c. | Miehittämättömät, kytketyt vedenalaiset alukset, jotka on suunniteltu toimimaan yli 1 000 m:n syvyyksissä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Ne on suunniteltu itseliikkuviksi 8A002.a.2 kohdassa määriteltyjä työntövoimamoottoreita tai sysäimiä käyttäen; tai |
| --- | --- | --- |

c.

Miehittämättömät, kytketyt vedenalaiset alukset, jotka on suunniteltu toimimaan yli 1 000 m:n syvyyksissä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Ne on suunniteltu itseliikkuviksi 8A002.a.2 kohdassa määriteltyjä työntövoimamoottoreita tai sysäimiä käyttäen; tai

| 2. | Joilla on kuituoptinen tietoyhteys; |
| --- | --- |

2.

Joilla on kuituoptinen tietoyhteys;

| d. | Miehittämättömät, kytkemättömät vedenalaiset alukset:






  1. | Jotka on suunniteltu valitsemaan kurssi minkä tahansa maantieteellisen kohteen suhteen ilman ihmisen tosiaikaista avustusta; |
| --- | --- | --- |

d.

Miehittämättömät, kytkemättömät vedenalaiset alukset:

1.

Jotka on suunniteltu valitsemaan kurssi minkä tahansa maantieteellisen kohteen suhteen ilman ihmisen tosiaikaista avustusta;

| 2. | Joilla on akustinen tieto- tai komentoyhteys; tai |
| --- | --- |

2.

Joilla on akustinen tieto- tai komentoyhteys; tai

| 3. | Joilla on kuituoptinen tieto- tai komentoyhteys, joka ylittää 1 000 m; |
| --- | --- |

3.

Joilla on kuituoptinen tieto- tai komentoyhteys, joka ylittää 1 000 m;

| e. | Valtameripelastusjärjestelmät, joiden nostokyky ylittää 5 MN, jotka on tarkoitettu pelastamaan kohteita yli 250 m:n syvyyksistä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Dynaaminen paikannusjärjestelmä, jolla asema voidaan säilyttää 20 metrin tarkkuudella navigointijärjestelmän antaman pisteen suhteen; tai |
| --- | --- | --- |

e.

Valtameripelastusjärjestelmät, joiden nostokyky ylittää 5 MN, jotka on tarkoitettu pelastamaan kohteita yli 250 m:n syvyyksistä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Dynaaminen paikannusjärjestelmä, jolla asema voidaan säilyttää 20 metrin tarkkuudella navigointijärjestelmän antaman pisteen suhteen; tai

| 2. | Merenpohjanavigoinnin ja navigoinnin integraatiojärjestelmät yli 1 000 m metrin syvyyksille, joiden paikannustarkkuus on alle 10 m ennalta annetusta pisteestä; |
| --- | --- |

2.

Merenpohjanavigoinnin ja navigoinnin integraatiojärjestelmät yli 1 000 m metrin syvyyksille, joiden paikannustarkkuus on alle 10 m ennalta annetusta pisteestä;

| f. | (Täysin helmoitetut) ilmatyynyalukset, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Suunniteltu maksiminopeus täydessä lastissa ylittää 30 solmua merkitsevän aallonkorkeuden ollessa 1,25 m (merenkäyntitila 3) tai enemmän; |
| --- | --- | --- |

f.

(Täysin helmoitetut) ilmatyynyalukset, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Suunniteltu maksiminopeus täydessä lastissa ylittää 30 solmua merkitsevän aallonkorkeuden ollessa 1,25 m (merenkäyntitila 3) tai enemmän;

| 2. | Tyynypaine ylittää 3 830 Pa; ja |
| --- | --- |

2.

Tyynypaine ylittää 3 830 Pa; ja

| 3. | Tyhjän ja täyteen lastatun aluksen uppoumasuhde on alle 0,70; |
| --- | --- |

3.

Tyhjän ja täyteen lastatun aluksen uppoumasuhde on alle 0,70;

| g. | Sivurungoilla varustetut ilmatyynyalukset, joiden suunniteltu maksiminopeus täydessä lastissa ylittää 40 solmua merkitsevän aallonkorkeuden ollessa 3,25 m (merenkäyntitila 5) tai enemmän; |
| --- | --- |

g.

Sivurungoilla varustetut ilmatyynyalukset, joiden suunniteltu maksiminopeus täydessä lastissa ylittää 40 solmua merkitsevän aallonkorkeuden ollessa 3,25 m (merenkäyntitila 5) tai enemmän;

| h. | Kantosiipialukset, joissa on aktiiviset järjestelmät kantosiipien automaattiseksi ohjaamiseksi ja joiden maksiminopeus täydessä lastissa on 40 solmua tai enemmän merkitsevän aallonkorkeuden ollessa 3,25 m (merenkäyntitila 5) tai enemmän; |
| --- | --- |

h.

Kantosiipialukset, joissa on aktiiviset järjestelmät kantosiipien automaattiseksi ohjaamiseksi ja joiden maksiminopeus täydessä lastissa on 40 solmua tai enemmän merkitsevän aallonkorkeuden ollessa 3,25 m (merenkäyntitila 5) tai enemmän;

| i. | ‧Pienen vesiviivapinta-alan alukset‧:






  1. | Joiden uppouma täydessä lastissa ylittää 500 tonnia ja joiden suunniteltu maksiminopeus täydessä lastissa ylittää 35 solmua merkitsevän aallonkorkeuden ollessa 3,25 m (merenkäyntitila 5) tai enemmän; tai |
| --- | --- | --- |

i.

‧Pienen vesiviivapinta-alan alukset‧:

1.

Joiden uppouma täydessä lastissa ylittää 500 tonnia ja joiden suunniteltu maksiminopeus täydessä lastissa ylittää 35 solmua merkitsevän aallonkorkeuden ollessa 3,25 m (merenkäyntitila 5) tai enemmän; tai

| 2. | Joiden uppouma täydessä lastissa ylittää 1 500 tonnia ja joiden suunniteltu maksiminopeus täydessä lastissa ylittää 25 solmua merkitsevän aallonkorkeuden ollessa 4 m (merenkäyntitila 6) tai enemmän. |
| --- | --- |

2.

Joiden uppouma täydessä lastissa ylittää 1 500 tonnia ja joiden suunniteltu maksiminopeus täydessä lastissa ylittää 25 solmua merkitsevän aallonkorkeuden ollessa 4 m (merenkäyntitila 6) tai enemmän.

Tekn. huom.:

‧Pienen vesiviivapinta-alan alus‧ määritellään seuraavalla kaavalla: vesiviivapinta-ala suunnitellulla toimintasyväyksellä on vähemmän kuin 2 × (uppouman tilavuus suunnitellulla toimintasyväyksellä) 2/3.

8A002Seuraavat järjestelmät ja laitteet:

Huom.: Vedenalaiset viestintälaitteet: katso 5 ryhmä 1 osa – Tietoliikenne.

| a. | Seuraavat järjestelmät ja laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu vedenalaisia aluksia varten ja jotka on tarkoitettu toimimaan yli 1 000 m:n syvyyksissä:






  1. | Painekotelot tai painerungot, joiden sisätilan läpimitta on yli 1,5 m; |
| --- | --- | --- |

a.

Seuraavat järjestelmät ja laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu vedenalaisia aluksia varten ja jotka on tarkoitettu toimimaan yli 1 000 m:n syvyyksissä:

1.

Painekotelot tai painerungot, joiden sisätilan läpimitta on yli 1,5 m;

| 2. | Tasavirralla toimivat työntövoimalaitteet; |
| --- | --- |

2.

Tasavirralla toimivat työntövoimalaitteet;

| 3. | Yhdyskaapelit ja niiden liittimet, joissa käytetään optisia kuituja ja joissa on synteettisiä vahvikkeita; |
| --- | --- |

3.

Yhdyskaapelit ja niiden liittimet, joissa käytetään optisia kuituja ja joissa on synteettisiä vahvikkeita;

| b. | Järjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu ohjaamaan automaattisesti 8A001 kohdassa määriteltyjen vedenalaisten alusten liikkeitä käyttäen navigointitietoa ja suljetun säätöpiirin servo-ohjausta ja jotka:






  1. | Mahdollistavat aluksen liikkumisen 10 m:n sisällä ennalta annetusta vesipatsaan pisteestä; |
| --- | --- | --- |

b.

Järjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu ohjaamaan automaattisesti 8A001 kohdassa määriteltyjen vedenalaisten alusten liikkeitä käyttäen navigointitietoa ja suljetun säätöpiirin servo-ohjausta ja jotka:

1.

Mahdollistavat aluksen liikkumisen 10 m:n sisällä ennalta annetusta vesipatsaan pisteestä;

| 2. | Säilyttävät aluksen paikan 10 m:n sisällä ennalta määritellystä vesipatsaan pisteestä; tai |
| --- | --- |

2.

Säilyttävät aluksen paikan 10 m:n sisällä ennalta määritellystä vesipatsaan pisteestä; tai

| 3. | Säilyttävät aluksen etäisyyden 10 m:n tarkkuudella, kun seurataan merenpohjalla tai sen alla olevaa kaapelia; |
| --- | --- |

3.

Säilyttävät aluksen etäisyyden 10 m:n tarkkuudella, kun seurataan merenpohjalla tai sen alla olevaa kaapelia;

| c. | Kuituoptiset runkoläpiviennit ja -liittimet; |
| --- | --- |

c.

Kuituoptiset runkoläpiviennit ja -liittimet;

| d. | Seuraavat vedenalaiset näyttöjärjestelmät:






  1. | Seuraavat televisiojärjestelmät ja televisiokamerat:






  a. | Televisiojärjestelmät (jotka koostuvat kamerasta, valonlähteistä, monitorointi- ja signaalinvälityslaitteista), joiden rajaerottelu-tarkkuus ilmassa mitattuna ylittää 800 juovaa ja jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu vedenalaisen aluksen etäistoimintaan; |
| --- | --- | --- | --- |

d.

Seuraavat vedenalaiset näyttöjärjestelmät:

1.

Seuraavat televisiojärjestelmät ja televisiokamerat:

a.

Televisiojärjestelmät (jotka koostuvat kamerasta, valonlähteistä, monitorointi- ja signaalinvälityslaitteista), joiden rajaerottelu-tarkkuus ilmassa mitattuna ylittää 800 juovaa ja jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu vedenalaisen aluksen etäistoimintaan;

| b. | Vedenalaiset televisiokamerat, joiden rajaerottelutarkkuus ilmassa mitattuna ylittää 1 100 juovaa; |
| --- | --- |

b.

Vedenalaiset televisiokamerat, joiden rajaerottelutarkkuus ilmassa mitattuna ylittää 1 100 juovaa;

| c. | Heikon valotason televisiokamerat, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu vedenalaiseen käyttöön sisältäen kaikki seuraavat:






  1. | 6A002.a.2.a kohdassa määriteltyjä kuvanvahvistinputkia; ja |
| --- | --- | --- |

c.

Heikon valotason televisiokamerat, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu vedenalaiseen käyttöön sisältäen kaikki seuraavat:

1.

6A002.a.2.a kohdassa määriteltyjä kuvanvahvistinputkia; ja

| 2. | Enemmän kuin 150 000"aktiivista pikseliä" puolijohdepinta-alamatriisia kohti; |
| --- | --- |

2.

Enemmän kuin 150 000"aktiivista pikseliä" puolijohdepinta-alamatriisia kohti;

Tekn. huom.:

Television rajaerottelutarkkuus on horisontaalisen resoluution mitta, joka tavallisesti ilmaistaan testitaulukosta erottuvana maksimijuovalukuna kuvan korkeutta kohti käyttäen IEEE:n standardia 208/1960 tai jotain vastaavaa standardia.

| 2. | Järjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu vedenalaisen aluksen etäistoimintaan ja jotka käyttävät tekniikkaa, jolla minimoidaan takaisinsironnan vaikutuksia, mukaan lukien etäisyyden mukaan toimivat valonlähteet tai "laser"järjestelmät; |
| --- | --- |

2.

Järjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu vedenalaisen aluksen etäistoimintaan ja jotka käyttävät tekniikkaa, jolla minimoidaan takaisinsironnan vaikutuksia, mukaan lukien etäisyyden mukaan toimivat valonlähteet tai "laser"järjestelmät;

| e. | Valokuvauskamerat, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu vedenalaiseen käyttöön yli 150 m:n syvyydessä, joiden filmikoko on 35 mm tai suurempi ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Joissa filmiin voidaan sisällyttää tietoa kameran ulkopuolisesta lähteestä; |
| --- | --- | --- |

e.

Valokuvauskamerat, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu vedenalaiseen käyttöön yli 150 m:n syvyydessä, joiden filmikoko on 35 mm tai suurempi ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Joissa filmiin voidaan sisällyttää tietoa kameran ulkopuolisesta lähteestä;

| 2. | Joissa on automaattinen polttovälin taustakorjaus; tai |
| --- | --- |

2.

Joissa on automaattinen polttovälin taustakorjaus; tai

| 3. | Joissa on automaattinen kompensointiohjaus, joka on erityisesti suunniteltu sallimaan vedenalaisen kameran kotelon käyttö yli 1 000 m:n syvyyksissä; |
| --- | --- |

3.

Joissa on automaattinen kompensointiohjaus, joka on erityisesti suunniteltu sallimaan vedenalaisen kameran kotelon käyttö yli 1 000 m:n syvyyksissä;

| f. | Elektroniset kuvausjärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu vedenalaiseen käyttöön ja jotka kykenevät tallettamaan digitaalisesti enemmän kuin 50 kuvaa;


  Huom.: 8A002.f kohta ei aseta valvonnanalaiseksi digitaalisia kameroita, jotka on erityisesti suunniteltu kuluttajien käyttöön, lukuun ottamatta niitä, joissa käytetään elektronisia kuvanmonistustekniikoita. |
| --- | --- |

f.

Elektroniset kuvausjärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu vedenalaiseen käyttöön ja jotka kykenevät tallettamaan digitaalisesti enemmän kuin 50 kuvaa;

Huom.: 8A002.f kohta ei aseta valvonnanalaiseksi digitaalisia kameroita, jotka on erityisesti suunniteltu kuluttajien käyttöön, lukuun ottamatta niitä, joissa käytetään elektronisia kuvanmonistustekniikoita.

| g. | Seuraavat erityisesti vedenalaiseen käyttöön suunnitellut tai muunnetut valonlähdejärjestelmät:






  1. | Stroboskooppiset valonlähteet, jotka kykenevät antamaan yli 300 J:n suuruisen valoenergian välähdystä kohti ja joiden välähdysnopeus on enemmän kuin 5 välähdystä sekunnissa; |
| --- | --- | --- |

g.

Seuraavat erityisesti vedenalaiseen käyttöön suunnitellut tai muunnetut valonlähdejärjestelmät:

1.

Stroboskooppiset valonlähteet, jotka kykenevät antamaan yli 300 J:n suuruisen valoenergian välähdystä kohti ja joiden välähdysnopeus on enemmän kuin 5 välähdystä sekunnissa;

| 2. | Argonvalokaarijärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi yli 1 000 m:n syvyyksissä; |
| --- | --- |

2.

Argonvalokaarijärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi yli 1 000 m:n syvyyksissä;

| h. | Erityisesti vedenalaiseen käyttöön suunnitellut "robotit", joita ohjataan käyttämällä dedikoitua tietokonetta ja jotka:






  1. | Sisältävät järjestelmiä, jotka ohjaavat "robottia" käyttäen tietoa antureilta, jotka mittaavat ulkoiseen kohteeseen kohdistettua voimaa tai momenttia, ulkoisen kohteen etäisyyttä tai "robotin" ja ulkoisen kohteen välistä tuntoaistia; tai |
| --- | --- | --- |

h.

Erityisesti vedenalaiseen käyttöön suunnitellut "robotit", joita ohjataan käyttämällä dedikoitua tietokonetta ja jotka:

1.

Sisältävät järjestelmiä, jotka ohjaavat "robottia" käyttäen tietoa antureilta, jotka mittaavat ulkoiseen kohteeseen kohdistettua voimaa tai momenttia, ulkoisen kohteen etäisyyttä tai "robotin" ja ulkoisen kohteen välistä tuntoaistia; tai

| 2. | Kykenevät aikaansaamaan 250 N:n tai suuremman voiman tai 250 Nm:n tai suuremman momentin ja joiden rakenne-elimissä on käytetty titaanipohjaisia seoksia tai "kuitu- tai säie""komposiitti"materiaaleja; |
| --- | --- |

2.

Kykenevät aikaansaamaan 250 N:n tai suuremman voiman tai 250 Nm:n tai suuremman momentin ja joiden rakenne-elimissä on käytetty titaanipohjaisia seoksia tai "kuitu- tai säie""komposiitti"materiaaleja;

| i. | Etäisohjatut nivelmanipulaattorit, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu käytettäväksi vedenalaisissa aluksissa ja:






  1. | Joissa on järjestelmiä, jotka ohjaavat manipulaattoreita käyttäen antureiden tietoa, jotka mittaavat ulkoiseen kohteeseen kohdistettua voimaa tai momenttia tai tuntoaistia manipulaattorin ja ulkoisen kohteen välillä; tai |
| --- | --- | --- |

i.

Etäisohjatut nivelmanipulaattorit, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu käytettäväksi vedenalaisissa aluksissa ja:

1.

Joissa on järjestelmiä, jotka ohjaavat manipulaattoreita käyttäen antureiden tietoa, jotka mittaavat ulkoiseen kohteeseen kohdistettua voimaa tai momenttia tai tuntoaistia manipulaattorin ja ulkoisen kohteen välillä; tai

| 2. | Joita ohjataan isäntä-orja-suhdesäätötekniikalla tai jotka käyttävät dedikoitua tietokonetta ja joilla on 5 tai useampia liikkeen vapausasteita;


  Huom.: Vain ne toiminnot, joilla on asennon takaisinkytkentää käyttävä suhdesäätö tai jotka käyttävät dedikoitua tietokonetta, otetaan huomioon vapausasteiden lukumäärää määritettäessä. |
| --- | --- |

2.

Joita ohjataan isäntä-orja-suhdesäätötekniikalla tai jotka käyttävät dedikoitua tietokonetta ja joilla on 5 tai useampia liikkeen vapausasteita;

Huom.: Vain ne toiminnot, joilla on asennon takaisinkytkentää käyttävä suhdesäätö tai jotka käyttävät dedikoitua tietokonetta, otetaan huomioon vapausasteiden lukumäärää määritettäessä.

| j. | Seuraavat ilmasta riippumattomat, erityisesti vedenalaiseen käyttöön suunnitellut tehojärjestelmät:






  1. | Brayton- tai Rankine-moottorien ilmasta riippumattomat järjestelmät, joilla on jokin seuraavista:






  a. | Kemialliset pesuri- tai imeytysjärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu poistamaan hiilidioksidia, hiilimonoksidia ja ainehiukkasia kierrätetyistä moottorin pakokaasuista; |
| --- | --- | --- | --- |

j.

Seuraavat ilmasta riippumattomat, erityisesti vedenalaiseen käyttöön suunnitellut tehojärjestelmät:

1.

Brayton- tai Rankine-moottorien ilmasta riippumattomat järjestelmät, joilla on jokin seuraavista:

a.

Kemialliset pesuri- tai imeytysjärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu poistamaan hiilidioksidia, hiilimonoksidia ja ainehiukkasia kierrätetyistä moottorin pakokaasuista;

| b. | Järjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu käyttämään yksiatomista kaasua; |
| --- | --- |

b.

Järjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu käyttämään yksiatomista kaasua;

| c. | Laitteet tai suojukset, jotka on erityisesti suunniteltu vaimentamaan alle 10 kHz:n taajuuksista melua veden alla, tai erityiset iskua vaimentavat kiinnityslaitteet; tai |
| --- | --- |

c.

Laitteet tai suojukset, jotka on erityisesti suunniteltu vaimentamaan alle 10 kHz:n taajuuksista melua veden alla, tai erityiset iskua vaimentavat kiinnityslaitteet; tai

| d. | Erityisesti suunnitellut järjestelmät:






  1. | Jotka paineistavat reaktiotuotteita tai puhdistavat polttoainetta (reforming-menetelmällä); |
| --- | --- | --- |

d.

Erityisesti suunnitellut järjestelmät:

1.

Jotka paineistavat reaktiotuotteita tai puhdistavat polttoainetta (reforming-menetelmällä);

| 2. | Jotka varastoivat reaktiotuotteita; ja |
| --- | --- |

2.

Jotka varastoivat reaktiotuotteita; ja

| 3. | Jotka poistavat reaktiotuotteita 100 kPa:n tai suurempaa painetta vastaan; |
| --- | --- |

3.

Jotka poistavat reaktiotuotteita 100 kPa:n tai suurempaa painetta vastaan;

| 2. | Dieselmoottorien ilmasta riippumattomat järjestelmät, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  a. | Kemialliset pesuri- tai imeytysjärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu poistamaan hiilidioksidia, hiilimonoksidia tai ainehiukkasia kierrätetyistä moottorin pakokaasuista; |
| --- | --- | --- |

2.

Dieselmoottorien ilmasta riippumattomat järjestelmät, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

Kemialliset pesuri- tai imeytysjärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu poistamaan hiilidioksidia, hiilimonoksidia tai ainehiukkasia kierrätetyistä moottorin pakokaasuista;

| b. | Järjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu käyttämään yksiatomista kaasua; |
| --- | --- |

b.

Järjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu käyttämään yksiatomista kaasua;

| c. | Laitteet tai suojukset, jotka on erityisesti suunniteltu vaimentamaan alle 10 kHz:n taajuuksista melua veden alla, tai erityiset iskua vaimentavat kiinnityslaitteet; ja |
| --- | --- |

c.

Laitteet tai suojukset, jotka on erityisesti suunniteltu vaimentamaan alle 10 kHz:n taajuuksista melua veden alla, tai erityiset iskua vaimentavat kiinnityslaitteet; ja

| d. | Erityisesti suunnitellut pakokaasujärjestelmät, jotka eivät poista palamistuloksia jatkuvasti; |
| --- | --- |

d.

Erityisesti suunnitellut pakokaasujärjestelmät, jotka eivät poista palamistuloksia jatkuvasti;

| 3. | Polttokennojen ilmasta riippumattomat järjestelmät, joiden teho ylittää 2 kW ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  a. | Laitteet tai suojukset, jotka on erityisesti suunniteltu vaimentamaan alle 10 kHz:n taajuuksien melua veden alla, tai erityiset iskua vaimentavat kiinnityslaitteet; tai |
| --- | --- | --- |

3.

Polttokennojen ilmasta riippumattomat järjestelmät, joiden teho ylittää 2 kW ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Laitteet tai suojukset, jotka on erityisesti suunniteltu vaimentamaan alle 10 kHz:n taajuuksien melua veden alla, tai erityiset iskua vaimentavat kiinnityslaitteet; tai

| b. | Järjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu:






  1. | Paineistamaan reaktiotuotteita tai uudistamaan polttoainetta; |
| --- | --- | --- |

b.

Järjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu:

1.

Paineistamaan reaktiotuotteita tai uudistamaan polttoainetta;

| 2. | Varastoimaan reaktiotuotteita; ja |
| --- | --- |

2.

Varastoimaan reaktiotuotteita; ja

| 3. | Poistamaan reaktiotuotteet yli 100 kPa:n painetta vastaan; |
| --- | --- |

3.

Poistamaan reaktiotuotteet yli 100 kPa:n painetta vastaan;

| 4. | Stirling-moottorien ilmasta riippumattomat järjestelmät, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  a. | Laitteet tai suojukset, jotka on erityisesti suunniteltu vaimentamaan alle 10 kHz:n taajuuksista melua veden alla, tai erityiset iskua vaimentavat kiinnityslaitteet; ja |
| --- | --- | --- |

4.

Stirling-moottorien ilmasta riippumattomat järjestelmät, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

Laitteet tai suojukset, jotka on erityisesti suunniteltu vaimentamaan alle 10 kHz:n taajuuksista melua veden alla, tai erityiset iskua vaimentavat kiinnityslaitteet; ja

| b. | Jotka poistavat reaktiotuotteita 100 kPa:n tai suurempaa painetta vastaan; |
| --- | --- |

b.

Jotka poistavat reaktiotuotteita 100 kPa:n tai suurempaa painetta vastaan;

| k. | Helmat, tiivisteet tai liuskat:






  1. | Jotka on suunniteltu 3 830 Pa:n tai suurempia tyynypaineita varten, jotka toimivat merkitsevässä 1,25 m:n (merenkäyntitila 3) tai korkeammassa aallokossa ja jotka on erityisesti suunniteltu 8A001.f kohdassa määriteltyjä kokonaan helmoitettuja ilmatyynyaluksia varten; tai |
| --- | --- | --- |

k.

Helmat, tiivisteet tai liuskat:

1.

Jotka on suunniteltu 3 830 Pa:n tai suurempia tyynypaineita varten, jotka toimivat merkitsevässä 1,25 m:n (merenkäyntitila 3) tai korkeammassa aallokossa ja jotka on erityisesti suunniteltu 8A001.f kohdassa määriteltyjä kokonaan helmoitettuja ilmatyynyaluksia varten; tai

| 2. | Jotka on suunniteltu 6 224 Pa:n tai suurempia tyynypaineita varten, jotka toimivat aallokossa, jonka merkitsevä aallonkorkeus on 3,25 metriä (merenkäyntitila 5) tai enemmän, ja jotka on erityisesti suunniteltu 8A001.g kohdassa määriteltyjä jäykillä sivuseinillä varustettuja ilmatyynyaluksia varten; |
| --- | --- |

2.

Jotka on suunniteltu 6 224 Pa:n tai suurempia tyynypaineita varten, jotka toimivat aallokossa, jonka merkitsevä aallonkorkeus on 3,25 metriä (merenkäyntitila 5) tai enemmän, ja jotka on erityisesti suunniteltu 8A001.g kohdassa määriteltyjä jäykillä sivuseinillä varustettuja ilmatyynyaluksia varten;

| l. | Nostopuhaltimet, jotka on mitoitettu yli 400 kW:lle ja jotka on erityisesti suunniteltu 8A001.f tai 8A001.g kohdassa määriteltyjä ilmatyynyaluksia varten; |
| --- | --- |

l.

Nostopuhaltimet, jotka on mitoitettu yli 400 kW:lle ja jotka on erityisesti suunniteltu 8A001.f tai 8A001.g kohdassa määriteltyjä ilmatyynyaluksia varten;

| m. | Täysin veden alla toimivat kavitoimattomat tai ylikavitoivat kantosiivet, jotka on erityisesti suunniteltu 8A001.h. kohdassa määriteltyjä aluksia varten; |
| --- | --- |

m.

Täysin veden alla toimivat kavitoimattomat tai ylikavitoivat kantosiivet, jotka on erityisesti suunniteltu 8A001.h. kohdassa määriteltyjä aluksia varten;

| n. | Aktiiviset järjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu automaattisesti kontrolloimaan aallokon aiheuttamaa liikettä 8A001.f, 8A001.g, 8A001.h tai 8A001.i kohdassa määritellyissä aluksissa; |
| --- | --- |

n.

Aktiiviset järjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu automaattisesti kontrolloimaan aallokon aiheuttamaa liikettä 8A001.f, 8A001.g, 8A001.h tai 8A001.i kohdassa määritellyissä aluksissa;

| o. | Seuraavat potkurit, tehonsiirtojärjestelmät, tehontuottojärjestelmät tai melunvaimennusjärjestelmät:






  1. | Seuraavat potkuri- tai tehonsiirtojärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu 8A001.f, 8A001.g, 8A001.h tai 8A001.i kohdassa määriteltyjä ilmatyynyaluksia (kokonaan helmoitettuja tai jäykkäsivulaitaisia), kantosiipialuksia tai pienen vesiviivapinta-alan aluksia varten:






  a. | Ylikavitoivat, ylituuletetut, osittain vedenalaiset tai pintaa leikkaavat yli 7,5 MW:lle mitoitetut potkurit; |
| --- | --- | --- | --- |

o.

Seuraavat potkurit, tehonsiirtojärjestelmät, tehontuottojärjestelmät tai melunvaimennusjärjestelmät:

1.

Seuraavat potkuri- tai tehonsiirtojärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu 8A001.f, 8A001.g, 8A001.h tai 8A001.i kohdassa määriteltyjä ilmatyynyaluksia (kokonaan helmoitettuja tai jäykkäsivulaitaisia), kantosiipialuksia tai pienen vesiviivapinta-alan aluksia varten:

a.

Ylikavitoivat, ylituuletetut, osittain vedenalaiset tai pintaa leikkaavat yli 7,5 MW:lle mitoitetut potkurit;

| b. | Vastakkain pyörivät potkurijärjestelmät, jotka on mitoitettu yli 15 MW:lle; |
| --- | --- |

b.

Vastakkain pyörivät potkurijärjestelmät, jotka on mitoitettu yli 15 MW:lle;

| c. | Järjestelmät, jotka käyttävät tulopyörre- tai jättöpyörretekniikkaa tasoittamaan potkurivirtausta; |
| --- | --- |

c.

Järjestelmät, jotka käyttävät tulopyörre- tai jättöpyörretekniikkaa tasoittamaan potkurivirtausta;

| d. | Erikoiskevyet, korkeakapasiteettiset (K-arvo ylittää 300) alennusvaihteet; |
| --- | --- |

d.

Erikoiskevyet, korkeakapasiteettiset (K-arvo ylittää 300) alennusvaihteet;

| e. | Tehonsiirron akselijärjestelmät, jotka sisältävät komponentteja komposiittimateriaaleista ja jotka kykenevät siirtämään enemmän kuin 1 MW; |
| --- | --- |

e.

Tehonsiirron akselijärjestelmät, jotka sisältävät komponentteja komposiittimateriaaleista ja jotka kykenevät siirtämään enemmän kuin 1 MW;

| 2. | Seuraavat aluksissa käytettävät potkurit, tehojärjestelmät tai tehonsiirtojärjestelmät:






  a. | Säätösiipipotkurit ja niiden napakokoonpanot, jotka on mitoitettu yli 30 MW:lle; |
| --- | --- | --- |

2.

Seuraavat aluksissa käytettävät potkurit, tehojärjestelmät tai tehonsiirtojärjestelmät:

a.

Säätösiipipotkurit ja niiden napakokoonpanot, jotka on mitoitettu yli 30 MW:lle;

| b. | Sisäisesti nestejäähdytetyt sähkö-työntövoimamoottorit, joiden antoteho ylittää 2,5 MW; |
| --- | --- |

b.

Sisäisesti nestejäähdytetyt sähkö-työntövoimamoottorit, joiden antoteho ylittää 2,5 MW;

| c. | "Suprajohde"työntövoimamoottorit tai kestomagneetti-työntövoimamoottorit, joiden antoteho ylittää 0,1 MW; |
| --- | --- |

c.

"Suprajohde"työntövoimamoottorit tai kestomagneetti-työntövoimamoottorit, joiden antoteho ylittää 0,1 MW;

| d. | Tehonsiirron akselijärjestelmät, jotka sisältävät komponentteja "komposiitti"materiaaleista ja jotka kykenevät siirtämään enemmän kuin 2 MW; |
| --- | --- |

d.

Tehonsiirron akselijärjestelmät, jotka sisältävät komponentteja "komposiitti"materiaaleista ja jotka kykenevät siirtämään enemmän kuin 2 MW;

| e. | Tuuletetut tai jäähdytetyt potkurijärjestelmät, jotka on mitoitettu yli 2,5 MW:lle; |
| --- | --- |

e.

Tuuletetut tai jäähdytetyt potkurijärjestelmät, jotka on mitoitettu yli 2,5 MW:lle;

| 3. | Seuraavat melunvaimennusjärjestelmät, joita käytetään 1 000 tonnin tai suuremman uppouman aluksissa:






  a. | Melunvaimennusjärjestelmät, jotka vaimentavat alle 500 Hz:n taajuuksia ja jotka koostuvat akustisista jalustoista dieselmoottoreita, dieselgeneraattoreita, kaasuturbiineita, kaasu-turbiinigeneraattoreita, työntövoimamoottoreita tai niiden alennusvaihteita varten, ja jotka on erityisesti suunniteltu melun tai tärinän vaimentamiseen, ja joiden oma massa ylittää 30 % asennettavien laitteiden massasta; |
| --- | --- | --- |

3.

Seuraavat melunvaimennusjärjestelmät, joita käytetään 1 000 tonnin tai suuremman uppouman aluksissa:

a.

Melunvaimennusjärjestelmät, jotka vaimentavat alle 500 Hz:n taajuuksia ja jotka koostuvat akustisista jalustoista dieselmoottoreita, dieselgeneraattoreita, kaasuturbiineita, kaasu-turbiinigeneraattoreita, työntövoimamoottoreita tai niiden alennusvaihteita varten, ja jotka on erityisesti suunniteltu melun tai tärinän vaimentamiseen, ja joiden oma massa ylittää 30 % asennettavien laitteiden massasta;

| b. | Aktiiviset äänen vaimennus- tai kumoamisjärjestelmät, tai erityisesti tehonsiirtojärjestelmiin suunnitellut magneettiset laakerit, jotka sisältävät elektronisia ohjausjärjestelmiä, ja jotka kykenevät aktiivisesti vähentämään laitteiden tärinää tuottamalla melun tai tärinän vastasignaaleja suoraan melun tai tärinän lähteeseen; |
| --- | --- |

b.

Aktiiviset äänen vaimennus- tai kumoamisjärjestelmät, tai erityisesti tehonsiirtojärjestelmiin suunnitellut magneettiset laakerit, jotka sisältävät elektronisia ohjausjärjestelmiä, ja jotka kykenevät aktiivisesti vähentämään laitteiden tärinää tuottamalla melun tai tärinän vastasignaaleja suoraan melun tai tärinän lähteeseen;

| p. | Vesisuihkutyöntövoimajärjestelmät, joiden ulostuloteho ylittää 2,5 MW ja jotka käyttävät suunnattavaa suutinta ja virtausta säätelevää siipitekniikkaa parantamaan työntötehoa tai vähentämään koneen aiheuttamaa veden alla leviävää melua. |
| --- | --- |

p.

Vesisuihkutyöntövoimajärjestelmät, joiden ulostuloteho ylittää 2,5 MW ja jotka käyttävät suunnattavaa suutinta ja virtausta säätelevää siipitekniikkaa parantamaan työntötehoa tai vähentämään koneen aiheuttamaa veden alla leviävää melua.

| q. | Sukeltamiseen ja vedenalaiseen uintiin soveltuvat itsenäiset, suljetun tai puolisuljetun kierron (rebreathing-) laitteet.


  Huom.: 8A002.q kohta ei aseta valvonnanalaiseksi henkilökohtaiseen käyttöön tarkoitettuja yksittäisiä laitteita, jotka ovat käyttäjänsä mukana. |
| --- | --- |

q.

Sukeltamiseen ja vedenalaiseen uintiin soveltuvat itsenäiset, suljetun tai puolisuljetun kierron (rebreathing-) laitteet.

Huom.: 8A002.q kohta ei aseta valvonnanalaiseksi henkilökohtaiseen käyttöön tarkoitettuja yksittäisiä laitteita, jotka ovat käyttäjänsä mukana.

8BTestaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet

8B001Vesitunnelit, joiden taustamelu on vähemmän kuin 100 dB (vertailuarvo 1 μPa, 1 Hz) taajuusalueella 0 Hz–500 Hz ja jotka on suunniteltu mittaamaan veden virtauksen synnyttämää akustista kenttää työntövoimajärjestelmien mallien ympärillä.

8CMateriaalit

8C001‧Syntaktiset vaahdot‧ vedenalaiseen käyttöön:

| a. | Jotka on suunniteltu yli 1 000 m:n syvyyksille; ja |
| --- | --- |

a.

Jotka on suunniteltu yli 1 000 m:n syvyyksille; ja

| b. | Joiden tiheys on vähemmän kuin 561 kg/m3. |
| --- | --- |

b.

Joiden tiheys on vähemmän kuin 561 kg/m3.

Tekn. huom.:

‧Syntaktinen vaahto‧ koostuu ontoista muovi- tai lasipalloista, jotka on upotettu hartsimatriisiin.

8DOhjelmistot

8D001"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 8A, 8B tai 8C kohdassa määriteltyjen laitteiden tai materiaalien "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten.

8D002Erityiset "ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu vedenalaisen melun vähentämiseen tarkoitettujen potkurien "kehittämistä", "tuotantoa", korjausta, huoltoa tai uudistamista (uudelleenkoneistamista) varten.

8ETeknologia

8E001"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 8A, 8B tai 8C kohdassa määriteltyjen laitteiden tai materiaalien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten.

8E002Seuraava muu "teknologia":

| a. | "Teknologia", joka on tarkoitettu erityisesti vedenalaisen melun vähentämiseen suunniteltujen potkurien "kehittämistä", "tuotantoa", korjausta, huoltoa tai uudelleenkoneistamista varten; |
| --- | --- |

a.

"Teknologia", joka on tarkoitettu erityisesti vedenalaisen melun vähentämiseen suunniteltujen potkurien "kehittämistä", "tuotantoa", korjausta, huoltoa tai uudelleenkoneistamista varten;

| b. | "Teknologia", joka on tarkoitettu 8A001, 8A002.b, 8A002.j, 8A002.o tai 8A002.p kohdassa määriteltyjen laitteiden huoltoa tai kunnostamista varten. |
| --- | --- |

b.

"Teknologia", joka on tarkoitettu 8A001, 8A002.b, 8A002.j, 8A002.o tai 8A002.p kohdassa määriteltyjen laitteiden huoltoa tai kunnostamista varten.

RYHMÄ 9

TYÖNTÖVOIMALAITTEET, AVARUUSALUKSET JA NIIHIN LIITTYVÄT LAITTEET

9AJärjestelmät, laitteet ja komponentit

Huom.: Työntövoimajärjestelmät, jotka on suunniteltu tai mitoitettu neutroni- tai lyhytaikaista ionisoivaa säteilyä vastaan: katso asetarvikeluettelo.

9A001Lentokoneiden kaasuturbiinimoottorit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

Huom.: KATSO MYÖS 9A101 KOHTA.

| a. | Jotka sisältävät jotain 9E003.a kohdassa määriteltyä "teknologiaa"; tai



  Huom: 9A001.a kohdassa ei valvota lentokoneiden kaasuturbiinimoottoreita, jotka täyttävät kaikki seuraavat edellytykset:








  a. | Jotka "osallistujavaltion" siviili-ilmailuviranomaiset ovat hyväksyneet; ja |
| --- | --- | --- |

a.

Jotka sisältävät jotain 9E003.a kohdassa määriteltyä "teknologiaa"; tai

Huom: 9A001.a kohdassa ei valvota lentokoneiden kaasuturbiinimoottoreita, jotka täyttävät kaikki seuraavat edellytykset:

a.

Jotka "osallistujavaltion" siviili-ilmailuviranomaiset ovat hyväksyneet; ja

| b. | Jotka on tarkoitettu voimanlähteeksi ei-sotilaallisissa miehitetyissä ilma-aluksissa, joille "osallistujavaltio" on myöntänyt yhden seuraavista niiden ilma-alusten osalta, joissa on tämä tietty moottorityyppi:








  1. | Tyyppihyväksyntä siviilikäyttöön; tai |
| --- | --- | --- |

b.

Jotka on tarkoitettu voimanlähteeksi ei-sotilaallisissa miehitetyissä ilma-aluksissa, joille "osallistujavaltio" on myöntänyt yhden seuraavista niiden ilma-alusten osalta, joissa on tämä tietty moottorityyppi:

1.

Tyyppihyväksyntä siviilikäyttöön; tai

| 2. | Vastaava Kansainvälisen siviili-ilmailujärjestön (ICAO) hyväksymä asiakirja. |
| --- | --- |

2.

Vastaava Kansainvälisen siviili-ilmailujärjestön (ICAO) hyväksymä asiakirja.

| b. | Jotka on suunniteltu voimanlähteeksi ilma-alukseen, joka on suunniteltu lentämään 1 Machin tai suuremmalla matkanopeudella pidempään kuin 30 minuuttia. |
| --- | --- |

b.

Jotka on suunniteltu voimanlähteeksi ilma-alukseen, joka on suunniteltu lentämään 1 Machin tai suuremmalla matkanopeudella pidempään kuin 30 minuuttia.

9A002Laivojen kaasuturbiinimoottorit, joiden määritelty ISO-standardin mukainen jatkuva teho on 24 245 kW tai enemmän ja polttoaineen nimelliskulutus on vähemmän kuin 0,219 kg/kWh 35–100 % tehoalueella, sekä niitä varten erityisesti suunnitellut kokoonpanot ja komponentit.

Huom.: Termi ‧laivojen kaasuturbiinimoottorit‧ sisältää myös sellaiset kaasuturbiinien teolliset tai ilmailuversiot, joita käytetään laivojen työntövoimajärjestelmissä tai sähköntuotantoon aluksilla.

9A003Erityisesti suunnitellut kokoonpanot ja komponentit, jotka sisältävät mitä tahansa 9E003.a kohdassa määriteltyä "teknologiaa", seuraavia kaasuturbiinityöntövoima-järjestelmiä varten:

| a. | Jotka on määritelty 9A001 kohdassa; |
| --- | --- |

a.

Jotka on määritelty 9A001 kohdassa;

| b. | Joiden suunnittelu- tai tuotantoalkuperä ei ole "osallistujavaltiosta" tai on valmistajalle tuntematon. |
| --- | --- |

b.

Joiden suunnittelu- tai tuotantoalkuperä ei ole "osallistujavaltiosta" tai on valmistajalle tuntematon.

9A004Avaruuteen laukaisussa käytettävät kantoraketit tai "avaruusalukset".

Huom.: KATSO MYÖS 9A104 KOHTA.

Huom.: 9A004 kohta ei aseta valvonnanalaisiksi hyötykuormia.

Huom.:"Avaruusalusten" hyötykuormiin sisältyvien tuotteiden valvonnanalaisuuden määrittämiseksi, katso soveltuvat ryhmät.

9A005Nestemäistä polttoainetta käyttävien rakettien työntövoimajärjestelmät, jotka sisältävät mitä tahansa 9A006 kohdassa määriteltyjä järjestelmiä tai komponentteja.

Huom.: KATSO MYÖS 9A105 ja 9A119 KOHTA.

9A006Seuraavat järjestelmät tai komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu nestemäistä polttoainetta käyttävien rakettien työntövoimajärjestelmiin:

Huom.: KATSO MYÖS 9A106, 9A108 ja 9A120 KOHTA.

| a. | Kryogeeniset jäähdyttimet, lentokeveät dewar-säiliöt, kryogeeniset lämpöputket tai kryogeeniset järjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi avaruusaluksissa ja jotka kykenevät rajoittamaan kryogeenisen nesteen hukan vähempään kuin 30 % vuodessa; |
| --- | --- |

a.

Kryogeeniset jäähdyttimet, lentokeveät dewar-säiliöt, kryogeeniset lämpöputket tai kryogeeniset järjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi avaruusaluksissa ja jotka kykenevät rajoittamaan kryogeenisen nesteen hukan vähempään kuin 30 % vuodessa;

| b. | Kryogeeniset säiliöt tai suljetun kierron jäähdytysjärjestelmät, jotka kykenevät tuottamaan 100 K (–173 °C) astetta tai alempia lämpötiloja, yli 3 Machin lentonopeutta ylläpitämään tarkoitettuja lentokoneita, kantoraketteja tai "avaruusaluksia" varten; |
| --- | --- |

b.

Kryogeeniset säiliöt tai suljetun kierron jäähdytysjärjestelmät, jotka kykenevät tuottamaan 100 K (–173 °C) astetta tai alempia lämpötiloja, yli 3 Machin lentonopeutta ylläpitämään tarkoitettuja lentokoneita, kantoraketteja tai "avaruusaluksia" varten;

| c. | Nestemäisen vedyn varastointi- tai siirtojärjestelmät; |
| --- | --- |

c.

Nestemäisen vedyn varastointi- tai siirtojärjestelmät;

| d. | Korkeapaineiset (yli 17,5 MPa) turbopumput, pumppujen komponentit tai niihin liittyvät kaasugeneraattorit tai laajenemissyklin turbiinimoottorijärjestelmät; |
| --- | --- |

d.

Korkeapaineiset (yli 17,5 MPa) turbopumput, pumppujen komponentit tai niihin liittyvät kaasugeneraattorit tai laajenemissyklin turbiinimoottorijärjestelmät;

| e. | Korkeapaineiset (yli 10,6 MPa) työntökammiot ja niiden suuttimet; |
| --- | --- |

e.

Korkeapaineiset (yli 10,6 MPa) työntökammiot ja niiden suuttimet;

| f. | Polttoaineen varastointijärjestelmät, jotka käyttävät kapillaarista säilytystä tai positiivista (esim. joustavilla palkeilla aikaansaatua) poistoperiaatetta; |
| --- | --- |

f.

Polttoaineen varastointijärjestelmät, jotka käyttävät kapillaarista säilytystä tai positiivista (esim. joustavilla palkeilla aikaansaatua) poistoperiaatetta;

| g. | Erityisesti nestemäistä polttoainetta käyttäville rakettimoottoreille suunnitellut nestemäisen polttoaineen injektorit, joiden yksittäiset suuttimet ovat läpimitaltaan 0,381 mm tai pienemmät (ei-pyöreiden aukkojen ala 1,14 × 10–3 cm2 tai pienempi); |
| --- | --- |

g.

Erityisesti nestemäistä polttoainetta käyttäville rakettimoottoreille suunnitellut nestemäisen polttoaineen injektorit, joiden yksittäiset suuttimet ovat läpimitaltaan 0,381 mm tai pienemmät (ei-pyöreiden aukkojen ala 1,14 × 10–3 cm2 tai pienempi);

| h. | Yksiosaiset hiili-hiili palokammiot tai yksiosaiset hiili-hiili poistokartiot, joiden tiheydet ylittävät 1,4 g/cm3 ja murtovetolujuus ylittää 48 MPa. |
| --- | --- |

h.

Yksiosaiset hiili-hiili palokammiot tai yksiosaiset hiili-hiili poistokartiot, joiden tiheydet ylittävät 1,4 g/cm3 ja murtovetolujuus ylittää 48 MPa.

9A007Kiinteää polttoainetta käyttävien rakettien työntövoimajärjestelmät, joilla on jokin seuraavista:

Huom.: KATSO MYÖS 9A119 KOHTA

| a. | Kokonaisimpulssikapasiteetti ylittää 1,1 MNs; |
| --- | --- |

a.

Kokonaisimpulssikapasiteetti ylittää 1,1 MNs;

| b. | Ominaisimpulssi on 2,4 kNs/kg tai enemmän kun suutinvirtausta laajennetaan siten, että kammion paine on 7 MPa (suhteutettuna merenpinnan tasolle); |
| --- | --- |

b.

Ominaisimpulssi on 2,4 kNs/kg tai enemmän kun suutinvirtausta laajennetaan siten, että kammion paine on 7 MPa (suhteutettuna merenpinnan tasolle);

| c. | Vaiheiden massaosamäärät ylittävät 88 % ja kiinteän polttoaineen täyttösuhde ylittää 86 %; |
| --- | --- |

c.

Vaiheiden massaosamäärät ylittävät 88 % ja kiinteän polttoaineen täyttösuhde ylittää 86 %;

| d. | Jonkin 9A008 kohdassa määritellyistä komponenteista; tai |
| --- | --- |

d.

Jonkin 9A008 kohdassa määritellyistä komponenteista; tai

| e. | Eristeen ja polttoaineen välillä on sidosjärjestelmät, joissa käytetään suoraanliitettyä moottorirakennetta muodostamaan ‧vahva mekaaninen sidos‧ tai este kemialliselle kulkeutumiselle kiinteän polttoaineen ja kotelon eristysmateriaalin välille.
  Tekn. huom.:

  9A007.e kohdassa tarkoitetaan ‧vahvalla mekaanisella sidoksella‧ vähintään polttoaineen vahvuista sidosta. |
| --- | --- |

e.

Eristeen ja polttoaineen välillä on sidosjärjestelmät, joissa käytetään suoraanliitettyä moottorirakennetta muodostamaan ‧vahva mekaaninen sidos‧ tai este kemialliselle kulkeutumiselle kiinteän polttoaineen ja kotelon eristysmateriaalin välille.

Tekn. huom.:

9A007.e kohdassa tarkoitetaan ‧vahvalla mekaanisella sidoksella‧ vähintään polttoaineen vahvuista sidosta.

9A008Seuraavat erityisesti kiinteätä polttoainetta käyttävien rakettien työntövoimajärjestelmiä varten suunnitellut komponentit:

Huom.: KATSO MYÖS 9A108 KOHTA.

| a. | Eristeen ja polttoaineen väliset sidosjärjestelmät, joissa käytetään vuorausta muodostamaan ‧vahva mekaaninen sidos‧ tai este kemialliselle kulkeutumiselle kiinteän polttoaineen ja kotelon eristysmateriaalin välille;
  Tekn. huom.:

  9A008.a kohdassa tarkoitetaan "vahvalla mekaanisella sidoksella" vähintään polttoaineen vahvuista sidosta. |
| --- | --- |

a.

Eristeen ja polttoaineen väliset sidosjärjestelmät, joissa käytetään vuorausta muodostamaan ‧vahva mekaaninen sidos‧ tai este kemialliselle kulkeutumiselle kiinteän polttoaineen ja kotelon eristysmateriaalin välille;

Tekn. huom.:

9A008.a kohdassa tarkoitetaan "vahvalla mekaanisella sidoksella" vähintään polttoaineen vahvuista sidosta.

| b. | Kuidusta kiedotusta "komposiitti"materiaalista valmistetut moottorikotelot, joiden läpimitta ylittää 0,61 m tai joiden ‧rakenteellinen tehokkuussuhde (PV/W)‧ ylittää 25 km;
  Tekn. huom.:

  ‧Rakenteellinen tehokkuussuhde (PV/W)‧ on puhkeamispaineen (P) ja astian tilavuuden (V) tulo jaettuna paineastian kokonaispainolla (W). |
| --- | --- |

b.

Kuidusta kiedotusta "komposiitti"materiaalista valmistetut moottorikotelot, joiden läpimitta ylittää 0,61 m tai joiden ‧rakenteellinen tehokkuussuhde (PV/W)‧ ylittää 25 km;

Tekn. huom.:

‧Rakenteellinen tehokkuussuhde (PV/W)‧ on puhkeamispaineen (P) ja astian tilavuuden (V) tulo jaettuna paineastian kokonaispainolla (W).

| c. | Suuttimet, joiden työntövoimataso ylittää 45 kN tai joiden kaulan kulumisnopeus on vähemmän kuin 0,075 mm/s; |
| --- | --- |

c.

Suuttimet, joiden työntövoimataso ylittää 45 kN tai joiden kaulan kulumisnopeus on vähemmän kuin 0,075 mm/s;

| d. | Liikkuvan suuttimen tai sekundäärisen polttoaineen ruiskutuksen työntövektorin ohjausjärjestelmät:






  1. | Jotka kykenevät yli ± 5 asteen liikkeeseen akselinsa ympäri; |
| --- | --- | --- |

d.

Liikkuvan suuttimen tai sekundäärisen polttoaineen ruiskutuksen työntövektorin ohjausjärjestelmät:

1.

Jotka kykenevät yli ± 5 asteen liikkeeseen akselinsa ympäri;

| 2. | Joiden kulmavektoria voidaan kääntää 20 astetta sekunnissa tai enemmän; tai |
| --- | --- |

2.

Joiden kulmavektoria voidaan kääntää 20 astetta sekunnissa tai enemmän; tai

| 3. | Joiden kulmavektorikiihtyvyys on 40 astetta/s2 tai enemmän. |
| --- | --- |

3.

Joiden kulmavektorikiihtyvyys on 40 astetta/s2 tai enemmän.

9A009Hybridipolttoainetta käyttävien rakettien työntövoimajärjestelmät, joiden:

Huom.: KATSO MYÖS 9A109 ja 9A119 KOHTA.

| a. | Kokonaisimpulssikapasiteetti ylittää 1,1 MNs; tai |
| --- | --- |

a.

Kokonaisimpulssikapasiteetti ylittää 1,1 MNs; tai

| b. | työntövoima ylittää tyhjöolosuhteissa 220 kN. |
| --- | --- |

b.

työntövoima ylittää tyhjöolosuhteissa 220 kN.

9A010Seuraavat kantoraketteja tai kantorakettien työntövoimalaitteita tai "avaruusaluksia" varten erityisesti suunnitellut komponentit, järjestelmät ja rakenteet:

Huom.: KATSO MYÖS 1A002 ja 9A110 KOHTA.

| a. | Kaikki 10 kg ylittävät komponentit ja rakenteet, jotka on erityisesti suunniteltu 1C007 tai 1C010 kohdassa määriteltyjä metalli"matriiseja", "komposiitteja", orgaanisia "komposiitteja", keraamisia "matriiseja" tai metallivahvistettuja materiaaleja käyttäen valmistettuja laukaisulaitteita varten;


  Huom.: Painorajoitus ei ole olennainen kärkikartioille. |
| --- | --- |

a.

Kaikki 10 kg ylittävät komponentit ja rakenteet, jotka on erityisesti suunniteltu 1C007 tai 1C010 kohdassa määriteltyjä metalli"matriiseja", "komposiitteja", orgaanisia "komposiitteja", keraamisia "matriiseja" tai metallivahvistettuja materiaaleja käyttäen valmistettuja laukaisulaitteita varten;

Huom.: Painorajoitus ei ole olennainen kärkikartioille.

| b. | Komponentit ja rakenteet, jotka on erityisesti suunniteltu 9A005–9A009 kohdassa määriteltyihin laukaisulaitteiden työntövoima-järjestelmiin, ja jotka on valmistettu 1C007 tai 1C010 kohdassa määriteltyjä metallimatriiseja, komposiitteja, orgaanisia komposiitteja, keraamisia komposiitteja tai metallivahvistettuja materiaaleja käyttäen; |
| --- | --- |

b.

Komponentit ja rakenteet, jotka on erityisesti suunniteltu 9A005–9A009 kohdassa määriteltyihin laukaisulaitteiden työntövoima-järjestelmiin, ja jotka on valmistettu 1C007 tai 1C010 kohdassa määriteltyjä metallimatriiseja, komposiitteja, orgaanisia komposiitteja, keraamisia komposiitteja tai metallivahvistettuja materiaaleja käyttäen;

| c. | Rakenteellisia komponentteja ja eristäviä järjestelmiä, jotka on erityisesti suunniteltu aktiivisesti ohjaamaan "avaruusaluksen" rakenteiden dynaamisia reaktioita tai muodonmuutoksia; |
| --- | --- |

c.

Rakenteellisia komponentteja ja eristäviä järjestelmiä, jotka on erityisesti suunniteltu aktiivisesti ohjaamaan "avaruusaluksen" rakenteiden dynaamisia reaktioita tai muodonmuutoksia;

| d. | Nestemäistä polttoainetta käyttävät sykäysrakettimoottorit, joiden työntö/paino suhde on 1 kN/kg tai enemmän ja vasteaika (aika, joka tarvitaan saavuttamaan 90 % mitoitetusta työntövoimasta käynnistyksestä) on vähemmän kuin 30 ms. |
| --- | --- |

d.

Nestemäistä polttoainetta käyttävät sykäysrakettimoottorit, joiden työntö/paino suhde on 1 kN/kg tai enemmän ja vasteaika (aika, joka tarvitaan saavuttamaan 90 % mitoitetusta työntövoimasta käynnistyksestä) on vähemmän kuin 30 ms.

9A011Patoputki- (ramjet), ahtoputki- (scramjet) tai yhdistelmätahtimoottorit ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit.

Huom.: KATSO MYÖS 9A111 ja 9A118 KOHTA.

9A012"Miehittämättömät ilma-alukset" ("UAV":t), niihin liittyvät järjestelmät, laitteet ja komponentit seuraavasti:

| a. | "UAV":t, joissa on jokin seuraavista:






  1. | Riippumaton lennonhallinta- ja suunnistuskyky (esim. inertiasuunnistusjärjestelmällä varustettu automaattiohjain); tai |
| --- | --- | --- |

a.

"UAV":t, joissa on jokin seuraavista:

1.

Riippumaton lennonhallinta- ja suunnistuskyky (esim. inertiasuunnistusjärjestelmällä varustettu automaattiohjain); tai

| 2. | Kyky suorittaa johdettu lento suoran näköetäisyyden ulkopuolelle operaattorin avustuksella (esim. televisuaalinen kauko-ohjaus). |
| --- | --- |

2.

Kyky suorittaa johdettu lento suoran näköetäisyyden ulkopuolelle operaattorin avustuksella (esim. televisuaalinen kauko-ohjaus).

| b. | Niihin liittyvät järjestelmät, laitteet ja komponentit seuraavasti:






  1. | Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu 9A012.a kohdassa määriteltyjen UAV:iden kauko-ohjaukseen; |
| --- | --- | --- |

b.

Niihin liittyvät järjestelmät, laitteet ja komponentit seuraavasti:

1.

Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu 9A012.a kohdassa määriteltyjen UAV:iden kauko-ohjaukseen;

| 2. | Muut kuin 7A kohdassa määritellyt ohjaus- tai hallintajärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu sisällytettäviksi 9A012.a kohdassa määriteltyihin UAV:ihin; |
| --- | --- |

2.

Muut kuin 7A kohdassa määritellyt ohjaus- tai hallintajärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu sisällytettäviksi 9A012.a kohdassa määriteltyihin UAV:ihin;

| 3. | Laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu muuntamaan miehitetty "ilma-alus" 9A012.a kohdassa määritellyksi "UAV":ksi. |
| --- | --- |

3.

Laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu muuntamaan miehitetty "ilma-alus" 9A012.a kohdassa määritellyksi "UAV":ksi.

9A101Seuraavat muut kuin 9A001 kohdassa määritellyt keveät suihkuturbiini- ja ohivirtausmoottorit (mukaan lukien yhdistelmäturbiinimoottorit):

| a. | Moottorit, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:






  1. | Maksimi (asentamattomana saavutettu) työntövoiman arvo on suurempi kuin 400 N lukuun ottamatta hyväksyttyjä siviilimoottoreita, joiden maksimi (asentamattomana saavutettu) työntövoiman arvo on suurempi kuin 8 890 N; ja |
| --- | --- | --- |

a.

Moottorit, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:

1.

Maksimi (asentamattomana saavutettu) työntövoiman arvo on suurempi kuin 400 N lukuun ottamatta hyväksyttyjä siviilimoottoreita, joiden maksimi (asentamattomana saavutettu) työntövoiman arvo on suurempi kuin 8 890 N; ja

| 2. | Ominaispolttoaineen kulutus (jatkuvalla maksimiteholla merenpinnan tasolla vakio- ja normaaliolosuhteissa) on 0,15 kg/N/h tai vähemmän; |
| --- | --- |

2.

Ominaispolttoaineen kulutus (jatkuvalla maksimiteholla merenpinnan tasolla vakio- ja normaaliolosuhteissa) on 0,15 kg/N/h tai vähemmän;

| b. | Moottorit, jotka on suunniteltu tai muunnettu käytettäväksi "ohjuksissa". |
| --- | --- |

b.

Moottorit, jotka on suunniteltu tai muunnettu käytettäväksi "ohjuksissa".

9A104Luotainraketit, jotka kykenevät vähintään 300 km:n kantomatkaan.

Huom.: KATSO MYÖS 9A004 KOHTA.

9A105Seuraavat nestemäistä polttoainetta käyttävät rakettimoottorit:

Huom.: KATSO MYÖS 9A119 KOHTA.

| a. | Muut kuin 9A005 kohdassa määritellyt nestemäistä polttoainetta käyttävät rakettimoottorit, joita voidaan käyttää "ohjuksissa" ja joiden kokonaisimpulssikapasiteetti on 1,1 MNs tai suurempi; |
| --- | --- |

a.

Muut kuin 9A005 kohdassa määritellyt nestemäistä polttoainetta käyttävät rakettimoottorit, joita voidaan käyttää "ohjuksissa" ja joiden kokonaisimpulssikapasiteetti on 1,1 MNs tai suurempi;

| b. | Muut kuin 9A005 tai 9A105.a kohdassa määritellyt nestemäistä polttoainetta käyttävät rakettimoottorit, joita voidaan käyttää kantomatkaltaan 300 km:n täydellisissä rakettijärjestelmissä tai miehittämättömissä ilma-aluksissa ja joiden kokonaisimpulssikapasiteetti on 0,841 MNs tai suurempi. |
| --- | --- |

b.

Muut kuin 9A005 tai 9A105.a kohdassa määritellyt nestemäistä polttoainetta käyttävät rakettimoottorit, joita voidaan käyttää kantomatkaltaan 300 km:n täydellisissä rakettijärjestelmissä tai miehittämättömissä ilma-aluksissa ja joiden kokonaisimpulssikapasiteetti on 0,841 MNs tai suurempi.

9A106Seuraavat muut kuin 9A006 kohdassa määritellyt nestemäistä polttoainetta käyttäviin raketteihin erityisesti suunnitellut järjestelmät ja komponentit, joita voidaan käyttää ohjuksissa:

| a. | Työntövoima- ja palokammioiden kuluvat vuoraukset; |
| --- | --- |

a.

Työntövoima- ja palokammioiden kuluvat vuoraukset;

| b. | Rakettien suuttimet; |
| --- | --- |

b.

Rakettien suuttimet;

| c. | Työntövoimavektorin ohjauksen alajärjestelmät;
  Tekn. huom.:

  Esimerkkejä tavoista, joilla saavutetaan 9A106.c kohdassa määritelty työntövoimavektorin ohjaus:








  1. | Taipuisa suutin; |
| --- | --- | --- |

c.

Työntövoimavektorin ohjauksen alajärjestelmät;

Tekn. huom.:

Esimerkkejä tavoista, joilla saavutetaan 9A106.c kohdassa määritelty työntövoimavektorin ohjaus:

1.

Taipuisa suutin;

| 2. | Neste- tai toisiokaasusuihkutus; |
| --- | --- |

2.

Neste- tai toisiokaasusuihkutus;

| 3. | Liikkuva moottori tai suutin; |
| --- | --- |

3.

Liikkuva moottori tai suutin;

| 4. | Poistokaasuvirtauksen poikkeutus (suihkusiivekkeet tai -tangot); tai |
| --- | --- |

4.

Poistokaasuvirtauksen poikkeutus (suihkusiivekkeet tai -tangot); tai

| 5. | Työntövoimalaipat. |
| --- | --- |

5.

Työntövoimalaipat.

| d. | Nestemäisen ja lietemäisen ajoaineen (myös hapettimien) ohjausjärjestelmät sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit, jotka on suunniteltu tai muunnettu toimimaan yli 10 g:n rms ja 20 Hz–2 kHz:n tärinäolosuhteissa.


  Huom.: Ainoat servoventtiilit ja pumput, jotka on määritelty 9A106.d kohdassa ovat seuraavat:








  a. | Servoventtiilit, jotka on suunniteltu 24 litran minuutissa tai suuremmille virtausnopeuksille, 7 MPa tai suuremmalle absoluuttipaineelle ja joiden toimilaitteen vasteaika on vähemmän kuin 100 ms; |
| --- | --- | --- |

d.

Nestemäisen ja lietemäisen ajoaineen (myös hapettimien) ohjausjärjestelmät sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit, jotka on suunniteltu tai muunnettu toimimaan yli 10 g:n rms ja 20 Hz–2 kHz:n tärinäolosuhteissa.

Huom.: Ainoat servoventtiilit ja pumput, jotka on määritelty 9A106.d kohdassa ovat seuraavat:

a.

Servoventtiilit, jotka on suunniteltu 24 litran minuutissa tai suuremmille virtausnopeuksille, 7 MPa tai suuremmalle absoluuttipaineelle ja joiden toimilaitteen vasteaika on vähemmän kuin 100 ms;

| b. | Pumput nestemäisiä polttoaineita varten, joiden akselinopeudet ovat yhtäsuuria tai suurempia kuin 8 000 rpm tai joiden poistumispaineet ovat yhtäsuuria tai suurempia kuin 7 MPa. |
| --- | --- |

b.

Pumput nestemäisiä polttoaineita varten, joiden akselinopeudet ovat yhtäsuuria tai suurempia kuin 8 000 rpm tai joiden poistumispaineet ovat yhtäsuuria tai suurempia kuin 7 MPa.

9A107Muut kuin 9A007 kohdassa määritellyt kiinteää polttoainetta käyttävät rakettimoottorit, joita voidaan käyttää kantomatkaltaan 300 km:n täydellisissä rakettijärjestelmissä tai miehittämättömissä ilma-aluksissa ja joiden kokonaisimpulssikapasiteetti on 0,841 MNs tai suurempi.

Huom.: KATSO MYÖS 9A119 KOHTA.

9A108Seuraavat muut kuin 9A008 kohdassa määritellyt komponentit, joita voidaan käyttää "ohjuksissa" ja jotka on erityisesti suunniteltu kiinteää polttoainetta käyttävien rakettien työntövoimajärjestelmiä varten:

| a. | Rakettimoottorien kotelot ja niiden "eristys"komponentit; |
| --- | --- |

a.

Rakettimoottorien kotelot ja niiden "eristys"komponentit;

| b. | Rakettien suuttimet; |
| --- | --- |

b.

Rakettien suuttimet;

| c. | Työntövoimavektorin ohjauksen alajärjestelmät.
  Tekn. huom.:

  Esimerkkejä tavoista, joilla saavutetaan 9A108.c kohdassa määritelty työntövoimavektorin ohjaus:








  1. | Taipuisa suutin; |
| --- | --- | --- |

c.

Työntövoimavektorin ohjauksen alajärjestelmät.

Tekn. huom.:

Esimerkkejä tavoista, joilla saavutetaan 9A108.c kohdassa määritelty työntövoimavektorin ohjaus:

1.

Taipuisa suutin;

| 2. | Neste- tai toisiokaasusuihkutus; |
| --- | --- |

2.

Neste- tai toisiokaasusuihkutus;

| 3. | Liikkuva moottori tai suutin; |
| --- | --- |

3.

Liikkuva moottori tai suutin;

| 4. | Poistokaasuvirtauksen poikkeutus (suihkusiivekkeet tai -tangot); tai |
| --- | --- |

4.

Poistokaasuvirtauksen poikkeutus (suihkusiivekkeet tai -tangot); tai

| 5. | Työntövoimalaipat. |
| --- | --- |

5.

Työntövoimalaipat.

9A109Muut kuin 9A009 kohdassa määritellyt hybridirakettimoottorit, joita voidaan käyttää "ohjuksissa", ja erityisesti niitä varten suunnitellut komponentit.

Huom.: KATSO MYÖS 9A119 KOHTA.

Tekn. huom.:

9A109 kohdassa "ohjuksella" tarkoitetaan täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, joiden kantomatka ylittää 300 km.

9A110Muut kuin 9A010 kohdassa määritellyt komposiittirakenteet, -laminaatit ja niistä tehdyt valmisteet, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäviksi 9A004 kohdassa määritellyissä avaruuteen laukaisussa käytettävissä kantoraketeissa tai 9A104 kohdassa määritellyissä luotainraketeissa tai 9A005, 9A007, 9A105.a, 9A106–9A108, 9A116 tai 9A119 kohdassa määritellyissä alajärjestelmissä.

Huom.: KATSO MYÖS 1A002 KOHTA.

9A111Pulssisuihkumoottorit, joita voidaan käyttää "ohjuksissa", sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit.

Huom.: KATSO MYÖS 9A011 ja 9A118 KOHTA.

9A115Seuraavat laukaisuapulaitteet:

| a. | Kojeet ja laitteet käsittelyä, hallintaa, aktivointia tai laukaisua varten suunniteltu tai muunnettu 9A004 kohdassa määriteltyjä avaruuteen laukaisussa käytettäviä kantoraketteja, 9A012 kohdassa määriteltyjä miehittämättömiä ilma-aluksia tai 9A104 kohdassa määriteltyjä luotainraketteja varten; |
| --- | --- |

a.

Kojeet ja laitteet käsittelyä, hallintaa, aktivointia tai laukaisua varten suunniteltu tai muunnettu 9A004 kohdassa määriteltyjä avaruuteen laukaisussa käytettäviä kantoraketteja, 9A012 kohdassa määriteltyjä miehittämättömiä ilma-aluksia tai 9A104 kohdassa määriteltyjä luotainraketteja varten;

| b. | Ajoneuvot kuljetusta, käsittelyä, hallintaa, aktivointia tai laukaisua varten suunniteltu tai muunnettu 9A004 kohdassa määriteltyjä avaruuteen laukaisussa käytettäviä kantoraketteja tai 9A104 kohdassa määriteltyjä luotainraketteja varten. |
| --- | --- |

b.

Ajoneuvot kuljetusta, käsittelyä, hallintaa, aktivointia tai laukaisua varten suunniteltu tai muunnettu 9A004 kohdassa määriteltyjä avaruuteen laukaisussa käytettäviä kantoraketteja tai 9A104 kohdassa määriteltyjä luotainraketteja varten.

9A116Seuraavat "ohjuksissa" käyttökelpoiset ilmakehään palaamaan suunnitellut alukset sekä niitä varten suunnitellut tai muunnetut laitteet:

| a. | Ilmakehään palaamaan suunnitellut alukset; |
| --- | --- |

a.

Ilmakehään palaamaan suunnitellut alukset;

| b. | Keraamisista tai sulamalla kuluvista aineista valmistetut lämpösuojukset ja niiden osat; |
| --- | --- |

b.

Keraamisista tai sulamalla kuluvista aineista valmistetut lämpösuojukset ja niiden osat;

| c. | Kevyistä, suuren ominaislämmön omaavista aineista valmistetut jäähdytyslevyt ja niiden osat; |
| --- | --- |

c.

Kevyistä, suuren ominaislämmön omaavista aineista valmistetut jäähdytyslevyt ja niiden osat;

| d. | Ilmakehään palaaviin aluksiin erityisesti suunnitellut elektroniset laitteet. |
| --- | --- |

d.

Ilmakehään palaaviin aluksiin erityisesti suunnitellut elektroniset laitteet.

9A117"Ohjuksissa" käyttökelpoiset rakettien vaiheistusmekanismit, irrotusmekanismit ja vaiheiden väliset laitteet.

9A1189A011 tai 9A111 kohdassa määritellyissä "ohjuksissa" käyttökelpoisten moottorien palonsäätelylaitteet.

9A119Muut kuin 9A005, 9A007, 9A009, 9A105, 9A107 ja 9A109 kohdassa määritellyt yksittäiset rakettien vaiheet, joita voidaan käyttää kantomatkaltaan 300 km:n täydellisissä rakettijärjestelmissä tai miehittämättömissä ilma-aluksissa.

9A120Muut kuin 9A006 kohdassa määritellyt nestemäisen polttoaineen säiliöt, jotka on erityisesti suunniteltu 1C111 kohdassa määritellyille polttoaineille tai ‧muille nestemäisille polttoaineille‧ ja joita käytetään rakettijärjestelmissä, jotka pystyvät kuljettamaan vähintään 500 kg:n hyötykuorman vähintään 300 km:n etäisyydelle.

Huom.: 9A120 kohdassa ‧muut nestemäiset polttoaineet‧ sisältävät asetarvikeluettelossa määritellyt polttoaineet rajoittumatta niihin.

9A350Seuraavat suihkutus- tai sumutusjärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu asennettavaksi lentokoneisiin, ilmaa kevyempiin tai miehittämättömiin ilma-aluksiin, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:

| a. | Täydelliset suihkutus- tai sumutusjärjestelmät, jotka pystyvät tuottamaan emulsiosta alkupisaran, jonka ‧VMD‧ (volyymin mediaanihalkaisija) on alle 50 μm virtausnopeudella, joka on suurempi kuin kaksi litraa minuutissa; |
| --- | --- |

a.

Täydelliset suihkutus- tai sumutusjärjestelmät, jotka pystyvät tuottamaan emulsiosta alkupisaran, jonka ‧VMD‧ (volyymin mediaanihalkaisija) on alle 50 μm virtausnopeudella, joka on suurempi kuin kaksi litraa minuutissa;

| b. | Suihkutuspuomit tai aerosolia tuottavien yksiköiden järjestelmät, jotka pystyvät tuottamaan emulsiosta alkupisaran, jonka ‧VMD‧ on alle 50 μm virtausnopeudella, joka on suurempi kuin kaksi litraa minuutissa; |
| --- | --- |

b.

Suihkutuspuomit tai aerosolia tuottavien yksiköiden järjestelmät, jotka pystyvät tuottamaan emulsiosta alkupisaran, jonka ‧VMD‧ on alle 50 μm virtausnopeudella, joka on suurempi kuin kaksi litraa minuutissa;

| c. | Aerosolia tuottavat yksiköt, jotka on erityisesti suunniteltu asennettavaksi 9A350.a ja b kohdassa mainittuihin järjestelmiin. |
| --- | --- |

c.

Aerosolia tuottavat yksiköt, jotka on erityisesti suunniteltu asennettavaksi 9A350.a ja b kohdassa mainittuihin järjestelmiin.

Huom.: Aerosolia tuottavat yksiköt ovat laitteita, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu asennettavaksi ilma-aluksiin. Niitä ovat esimerkiksi suuttimet, pyörivät lieriösumuttimet ja vastaavat laitteet.

Huom.: 9A350 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi suihkutus- tai sumutusjärjestelmiä ja komponentteja, joiden on osoitettu olevan kyvyttömiä tuottamaan tartuntoja aiheuttavien aerosolien muodossa olevia biologisia agensseja.

Tekn. huom.:

| 1. | Ilma-aluksissa, ilmaa kevyemmissä aluksissa tai miehittämättömissä ilma-aluksissa käytettäväksi suunniteltujen suihkutuslaitteiden tai suuttimien pisarakoko on mitattava jommallakummalla seuraavista tavoista:







  a. | Doppler-lasermenetelmä; |
| --- | --- | --- |

1.

Ilma-aluksissa, ilmaa kevyemmissä aluksissa tai miehittämättömissä ilma-aluksissa käytettäväksi suunniteltujen suihkutuslaitteiden tai suuttimien pisarakoko on mitattava jommallakummalla seuraavista tavoista:

a.

Doppler-lasermenetelmä;

| b. | Forward laser -diffraktiomenetelmä. |
| --- | --- |

b.

Forward laser -diffraktiomenetelmä.

| 2. | 9A350 kohdassa ‧VMD‧ tarkoittaa volyymin mediaanihalkaisijaa, ja vesipohjaisten järjestelmien osalta tämä vastaa massan mediaanihalkaisijaa (MMD). |
| --- | --- |

2.

9A350 kohdassa ‧VMD‧ tarkoittaa volyymin mediaanihalkaisijaa, ja vesipohjaisten järjestelmien osalta tämä vastaa massan mediaanihalkaisijaa (MMD).

9BTestaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet

9B001Seuraavat erityisesti suunnitellut laitteet, työkalut tai kiinnittimet kaasuturbiinien lapojen, siipien tai kärkivaipan valujen valmistamiseen:

| a. | Laitteet suunnattua kiinteytystä tai yksikidevalua varten; |
| --- | --- |

a.

Laitteet suunnattua kiinteytystä tai yksikidevalua varten;

| b. | Keraamiset ytimet tai kuoret; |
| --- | --- |

b.

Keraamiset ytimet tai kuoret;

9B002On-line (tosiaikaiset) -ohjausjärjestelmät, instrumentointi (anturit mukaan lukien) tai automaattiset tiedonkeruu- ja -käsittelylaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu 9E003.a kohdassa määriteltyä "teknologiaa" sisältävien kaasuturbiinimoottorien, niiden kokoonpanojen tai komponenttien "kehittämiseen".

9B003Valmistus- ja testauslaitteet sellaisten kaasuturbiinien harjatiivisteiden tuotantoon, jotka on suunniteltu toimimaan 335 m/s ylittävillä kärkien nopeuksilla ja yli 773 K (500 °C) asteen lämpötiloissa, sekä näiden laitteiden erityisesti suunnitellut osat ja varusteet.

9B004Työkalut, suulakkeet, tai kiinnittimet "superseoksen", titaanin tai 9E003.a.3 tai 9E003.a.6 kohdassa määriteltyjen metalliyhdisteiden airfoil-to-disk-yhdistelmien mekaaniseen liittämiseen kaasuturbiineita varten.

9B005On-line (tosiaikaiset) -ohjausjärjestelmät, instrumentointi (anturit mukaan lukien) tai automaattiset tiedonkeruu- ja -käsittelylaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi seuraavissa tuulitunneleissa tai laitteissa:

Huom.: KATSO MYÖS 9B105 KOHTA.

| a. | Tuulitunnelit, jotka on suunniteltu 1,2 Machin tai suuremmille nopeuksille; paitsi: Sellaiset, jotka on erityisesti suunniteltu koulutustarkoituksiin, ja joiden ‧testauslohkon koko‧ (lateraalisesti mitattuna) on vähemmän kuin 250 mm;
  Tekn. huom.:

  9B005.a kohdassa ‧testauslohkon koko‧ tarkoittaa ympyrän läpimittaa, neliön sivua tai suorakaiteen pisintä sivua testauslohkon laajimmalla kohdalla mitattuna. |
| --- | --- |

a.

Tuulitunnelit, jotka on suunniteltu 1,2 Machin tai suuremmille nopeuksille; paitsi: Sellaiset, jotka on erityisesti suunniteltu koulutustarkoituksiin, ja joiden ‧testauslohkon koko‧ (lateraalisesti mitattuna) on vähemmän kuin 250 mm;

Tekn. huom.:

9B005.a kohdassa ‧testauslohkon koko‧ tarkoittaa ympyrän läpimittaa, neliön sivua tai suorakaiteen pisintä sivua testauslohkon laajimmalla kohdalla mitattuna.

| b. | Laitteet, joilla simuloidaan virtausympäristöjä yli 5 Machin nopeuksilla, mukaanlukien hot-shot-tunnelit, plasmakaaritunnelit, paineiskuputket, paineiskutunnelit, kaasutunnelit ja kevyet kaasutykit; tai |
| --- | --- |

b.

Laitteet, joilla simuloidaan virtausympäristöjä yli 5 Machin nopeuksilla, mukaanlukien hot-shot-tunnelit, plasmakaaritunnelit, paineiskuputket, paineiskutunnelit, kaasutunnelit ja kevyet kaasutykit; tai

| c. | Tuulitunnelit ja laitteet, muut kuin kaksidimensioiset lohkot, joilla voidaan simuloida virtauksia, joiden Reynoldsin luku on yli 25 × 106. |
| --- | --- |

c.

Tuulitunnelit ja laitteet, muut kuin kaksidimensioiset lohkot, joilla voidaan simuloida virtauksia, joiden Reynoldsin luku on yli 25 × 106.

9B006Erityisesti suunnitellut akustisen värähtelyn testauslaitteet, joilla voidaan tuottaa 160 dB:n tai suurempia äänenpainetasoja (verrattuna 20 TPa:iin), ja joiden nimellinen ulostuloteho on 4 kW tai enemmän testikammion lämpötilan ollessa yli 1 273 K (1 000 °C), astetta, sekä erityisesti niitä varten suunnitellut kvartsikuumentimet.

Huom.: KATSO MYÖS 9B106 KOHTA.

9B007Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu rakettimoottorien eheyden tutkimiseen käyttäen muita ainetta rikkomattomia testimenetelmiä (NDT) kuin tasoröntgeniä tai fysikaalisia tai kemiallisia perusanalyysejä.

9B008Muuntimet, jotka on erityisesti suunniteltu seinämän pintakitkan suoraan mittaamiseen testausvirtauksella, jonka stagnaatiolämpötila ylittää 833 K (560 °C) astetta.

9B009Työkalut, jotka on erityisesti suunniteltu sellaisten turbiinimoottorin jauhemetallurgisten roottoriosien tuotantoon, jotka kykenevät toimimaan rasitustasolla, joka on 60 % tai enemmän niiden murtovetolujuudesta (UTS) ja 873 K (600 °C) asteen tai korkeammissa metallin lämpötiloissa.

9B010Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu 9A102 kohdassa määriteltyjen "miehittämättömien ilma-alusten" ("UAV":t) ja niihin liittyvien järjestelmien, laitteiden ja komponenttien valmistamiseksi.

9B105Mach 0,9 tai suuremmille nopeuksille tarkoitetut tuulitunnelit, joita voidaan käyttää "ohjuksia" tai niiden alajärjestelmiä varten.

Huom.: KATSO MYÖS 9B005 KOHTA.

9B106Seuraavat ympäristöolosuhdekammiot tai kaiuttomat huoneet:

| a. | Ympäristöolosuhdekammiot, joilla voidaan simuloida seuraavia lento-olosuhteita:






  1. | 10 g:n rms tai suurempia tärinäolosuhteita ‧paljaalla alustalla‧ mitattuna 20 Hz:n ja 2 kHz:n välillä ja 5 kN:n tai suuremmalla tärinävoimalla; ja |
| --- | --- | --- |

a.

Ympäristöolosuhdekammiot, joilla voidaan simuloida seuraavia lento-olosuhteita:

1.

10 g:n rms tai suurempia tärinäolosuhteita ‧paljaalla alustalla‧ mitattuna 20 Hz:n ja 2 kHz:n välillä ja 5 kN:n tai suuremmalla tärinävoimalla; ja

| 2. | 15 km:n tai suurempaa korkeutta; tai |
| --- | --- |

2.

15 km:n tai suurempaa korkeutta; tai

| 3. | Vähintään 223 K (–50 °C) – 398 K (+125 °C) asteen lämpötila-aluetta;
  Tekn. huom.:







  1. | 9B106.a kohdassa kuvataan järjestelmiä, joilla voidaan synnyttää yhden aallon (esim. siniaalto) tärinäolosuhteita, ja järjestelmiä, joilla voidaan synnyttää laajan aaltoalueen satunnaista tärinää (eli tehospektri); |
| --- | --- | --- |

3.

Vähintään 223 K (–50 °C) – 398 K (+125 °C) asteen lämpötila-aluetta;

Tekn. huom.:

1.

9B106.a kohdassa kuvataan järjestelmiä, joilla voidaan synnyttää yhden aallon (esim. siniaalto) tärinäolosuhteita, ja järjestelmiä, joilla voidaan synnyttää laajan aaltoalueen satunnaista tärinää (eli tehospektri);

| 2. | 9B106.a.1 kohdassa tarkoitetaan ‧paljaalla alustalla‧ tasaista alustaa tai sellaista pintaa, johon ei ole kiinnitetty mitään. |
| --- | --- |

2.

9B106.a.1 kohdassa tarkoitetaan ‧paljaalla alustalla‧ tasaista alustaa tai sellaista pintaa, johon ei ole kiinnitetty mitään.

| b. | Ympäristöolosuhdekammiot, joilla voidaan simuloida seuraavia lento-olosuhteita:






  1. | 140 dB:n (verrattuna 20 μPa:iin) tai suurempia yleisäänenpainetasoja tai 4 kW:n tai suurempaa mitoitettua akustista kokonaistehoa; ja |
| --- | --- | --- |

b.

Ympäristöolosuhdekammiot, joilla voidaan simuloida seuraavia lento-olosuhteita:

1.

140 dB:n (verrattuna 20 μPa:iin) tai suurempia yleisäänenpainetasoja tai 4 kW:n tai suurempaa mitoitettua akustista kokonaistehoa; ja

| 2. | 15 km:n tai suurempaa korkeutta; tai |
| --- | --- |

2.

15 km:n tai suurempaa korkeutta; tai

| 3. | Vähintään 223 K (–50 °C) – 398 K (+ 125 °C) asteen lämpötila-aluetta. |
| --- | --- |

3.

Vähintään 223 K (–50 °C) – 398 K (+ 125 °C) asteen lämpötila-aluetta.

9B115Erityisesti suunnitellut "tuotantolaitteet" 9A005–9A009, 9A011, 9A101, 9A105–9A109, 9A111, 9A116 9A119 kohdassa määriteltyjä järjestelmiä, alajärjestelmiä ja komponentteja varten.

9B116Erityisesti suunnitellut "tuotantolaitteet" 9A004 kohdassa määriteltyjä avaruuteen laukaisussa käytettäviä kantoraketteja varten tai 9A005–9A009, 9A011, 9A101, 9A104–9A109, 9A111 tai 9A116–9A119 kohdassa määriteltyjä järjestelmiä, alajärjestelmiä ja komponentteja varten.

9B117Kiinteää tai nestemäistä polttoainetta käyttäviä raketteja tai rakettimoottoreita varten tarkoitetut testauspenkit ja testaustelineet, joilla on seuraavat ominaisuudet:

| a. | Ne kestävät yli 90 kN työntövoimia; tai |
| --- | --- |

a.

Ne kestävät yli 90 kN työntövoimia; tai

| b. | Niillä voidaan samanaikaisesti mitata kaikkien kolmen akselin työntövoimakomponentteja. |
| --- | --- |

b.

Niillä voidaan samanaikaisesti mitata kaikkien kolmen akselin työntövoimakomponentteja.

9CMateriaalit

9C108Muu kuin 9A008 kohdassa määritelty "eristys"materiaali irtotavarana ja "sisäpinnanvuoraus" rakettimoottorien koteloihin, joita voidaan käyttää "ohjuksissa" tai jotka on erityisesti suunniteltu käytettäviksi "ohjuksissa".

Tekn. huom.:

9C108 kohdassa "ohjuksella" tarkoitetaan täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, joiden kantomatka ylittää 300 km.

9C1109A110 kohdassa määriteltyjä komposiittirakenteita, -laminaatteja ja niistä tehtyjä valmisteita varten tarkoitetut hartsilla kyllästetyt kuituprepregit ja metallipinnoitetut kuitupreformit niitä varten, jotka on valmistettu joko orgaanisesta tai metallimatriisista käyttäen kuitu- tai säievahvisteita, joiden "ominaisvetolujuus" on suurempi kuin 7,62 × 104 m ja "ominaiskimmomoduuli" suurempi kuin 3,18 × 106 m.

Huom.: KATSO MYÖS 1C010 ja 1C210 KOHTA.

Huom.: Ainoat hartsikyllästetyt kuituprepregit, jotka on määritelty 9C110 kohdassa ovat ne, joissa käytetään hartseja, joiden lasittumislämpötila (Tg) vulkanoinnin jälkeen ylittää 418 K (145 C) astetta ASTM D4065 tai vastaavan standardin mukaan määriteltynä.

9DOhjelmistot

9D001"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muutettu 9A001–9A119, 9B tai 9E003 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai "teknologian""kehittämistä" varten.

9D002"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muutettu 9A001–9A119 tai 9B kohdassa määriteltyjen laitteiden "tuotantoa" varten.

9D003Seuraavat "ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muutettu 9A kohdassa määriteltyjen työntövoima-järjestelmien "täyden auktoriteetin digitaalisten moottorin ohjausten" ("FADEC") tai 9B kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten:

| a. | "Ohjelmistot" työntövoimajärjestelmien, avaruustestauslaitteistojen, tai ilmaa-hengittävien lentokonemoottorien testauslaitteistojen digitaalielektronisia ohjausjärjestelmiä varten; |
| --- | --- |

a.

"Ohjelmistot" työntövoimajärjestelmien, avaruustestauslaitteistojen, tai ilmaa-hengittävien lentokonemoottorien testauslaitteistojen digitaalielektronisia ohjausjärjestelmiä varten;

| b. | Vikasietoiset "ohjelmistot", joita käytetään työntövoimajärjestelmien "FADEC"-ohjauksissa ja niihin liittyvissä testauslaitteistoissa. |
| --- | --- |

b.

Vikasietoiset "ohjelmistot", joita käytetään työntövoimajärjestelmien "FADEC"-ohjauksissa ja niihin liittyvissä testauslaitteistoissa.

9D004Seuraavat muut "ohjelmistot":

| a. | 2D- tai 3D-viskoosiset "ohjelmistot", jotka on varmennettu tuulitunneli- tai lentotestitiedoilla, joita tarvitaan moottorivirtauksen yksityiskohtaiseen mallintamiseen; |
| --- | --- |

a.

2D- tai 3D-viskoosiset "ohjelmistot", jotka on varmennettu tuulitunneli- tai lentotestitiedoilla, joita tarvitaan moottorivirtauksen yksityiskohtaiseen mallintamiseen;

| b. | Lentokaasuturbiinimoottoreiden, niiden kokoonpanojen tai komponenttien testaamiseen tarkoitetut "ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu keräämään, rajaamaan ja analysoimaan tietoja tosiajassa, ja jotka pystyvät takaisinkytkettyyn säätöön, mukaan lukien testauskohteiden ja testiolosuhteiden dynaaminen muuttaminen testauksen kuluessa; |
| --- | --- |

b.

Lentokaasuturbiinimoottoreiden, niiden kokoonpanojen tai komponenttien testaamiseen tarkoitetut "ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu keräämään, rajaamaan ja analysoimaan tietoja tosiajassa, ja jotka pystyvät takaisinkytkettyyn säätöön, mukaan lukien testauskohteiden ja testiolosuhteiden dynaaminen muuttaminen testauksen kuluessa;

| c. | "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu ohjaamaan suunnattua kiinteytystä tai yksikidevalua; |
| --- | --- |

c.

"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu ohjaamaan suunnattua kiinteytystä tai yksikidevalua;

| d. | "Lähdekoodilla", "kohdekoodilla" tai konekielisellä koodilla toimivat "ohjelmistot", joita tarvitaan roottorisiipien kärkien välyksen ohjauksen aktiivisten kompensointijärjestelmien "käytössä";


  Huom.: 9D004.d kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "ohjelmistoja", jotka on asennettu valvonnan ulkopuolisiin laitteisiin tai joita tarvitaan ylläpitotehtävissä, jotka liittyvät aktiivisesti kompensoivien välyksen ohjausjärjestelmien kalibrointiin, huoltoon tai ajanmukaistamiseen. |
| --- | --- |

d.

"Lähdekoodilla", "kohdekoodilla" tai konekielisellä koodilla toimivat "ohjelmistot", joita tarvitaan roottorisiipien kärkien välyksen ohjauksen aktiivisten kompensointijärjestelmien "käytössä";

Huom.: 9D004.d kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "ohjelmistoja", jotka on asennettu valvonnan ulkopuolisiin laitteisiin tai joita tarvitaan ylläpitotehtävissä, jotka liittyvät aktiivisesti kompensoivien välyksen ohjausjärjestelmien kalibrointiin, huoltoon tai ajanmukaistamiseen.

| e. | "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 9A102 kohdassa määriteltyjen "miehittämättömien ilma-alusten" ("UAV":t) ja niihin liittyvien järjestelmien, laitteiden ja komponenttien "käyttöön". |
| --- | --- |

e.

"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 9A102 kohdassa määriteltyjen "miehittämättömien ilma-alusten" ("UAV":t) ja niihin liittyvien järjestelmien, laitteiden ja komponenttien "käyttöön".

9D101"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 9B105, 9B106, 9B116 tai 9B117 kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.

9D103"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu 9A004 kohdassa määriteltyjen avaruuteen laukaisussa käytettävien kantorakettien tai 9A104 kohdassa määriteltyjen luotainrakettien tai kohdissa 9A005, 9A007, 9A105.a, 9A106, 9A108, 9A116 tai 9A119 määriteltyjen alajärjestelmien suunnittelun integrointiin.

Huom.: 9D103 kohdassa määritellyt ohjelmat ovat valvonnanalaisia myös yhdistettynä 4A102 kohdassa määriteltyihin laitteisiin.

9D104"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 9A001, 9A005, 9A006.d, 9A006.g, 9A007.a, 9A008.d, 9A009.a, 9A010.d, 9A011, 9A101, 9A105, 9A106.c, 9A106.d, 9A107, 9A108.c, 9A109, 9A111, 9A115.a, 9A116.d, 9A117 tai 9A118 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten.

9D105"Ohjelmistot", joissa sovitetaan yhteen useamman kuin yhden alajärjestelmän toiminta ja jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 9A004 kohdassa määritellyissä avaruuteen laukaisussa käytettävissä kantoraketeissa tai 9A104 kohdassa määritellyissä luotainraketeissa tapahtuvaa "käyttöä" varten.

9ETeknologia

Huom.: 9E001 – 9E003 kohdassa määritelty kaasuturbiinimoottorien "kehittämis"- tai "tuotantoteknologia" on valvonnanalaista myös silloin, kun sitä käytetään korjauksen, uudistamisen tai huollon yhteydessä. Valvonnan ulkopuolella ovat tekninen tieto, piirustukset tai dokumentaatio sellaisia ylläpitotoimenpiteitä varten, jotka liittyvät suoraan viallisten tai ei-korjattaviksi tarkoitettujen vaihdettavien yksiköiden kalibrointiin, poistoon tai vaihtoon, kokonaiset moottorit tai niiden moduulit mukaan lukien.

9E001"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti, jota "tarvitaan" 9A001.c, 9A004–9A012, 9A350, 9B tai 9D kohdassa määriteltyjen laitteiden tai "ohjelmistojen""kehittämistä" varten.

9E002"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti, jota "tarvitaan" 9A001.c, 9A004–9A011, 9A350 tai 9B kohdassa määriteltyjen laitteiden "tuotantoa" varten.

Huom.: Valvonnanalaisten rakenteiden, laminaattien ja materiaalien korjaukseen tarvittava "teknologia": katso 1E002.f kohta.

9E003Seuraava muu "teknologia":

| a. | "Teknologia", jota "tarvitaan" seuraavien kaasuturbiinimoottorikomponenttien tai järjestelmien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten:






  1. | Suunnatusti kiinteytetyistä (DS) tai yksikideseoksista (SC) valmistetut kaasuturbiinien lavat, siivet tai kärkivaipat, jotka on mitoitettu (001 Millerin indeksin suunnassa) vähintään 400 tuntia 1 273 K (1 000 °C) asteen lämpötiloissa ja 200 MPa:n paineessa keskimääräisten ominaisarvojen perusteella; |
| --- | --- | --- |

a.

"Teknologia", jota "tarvitaan" seuraavien kaasuturbiinimoottorikomponenttien tai järjestelmien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten:

1.

Suunnatusti kiinteytetyistä (DS) tai yksikideseoksista (SC) valmistetut kaasuturbiinien lavat, siivet tai kärkivaipat, jotka on mitoitettu (001 Millerin indeksin suunnassa) vähintään 400 tuntia 1 273 K (1 000 °C) asteen lämpötiloissa ja 200 MPa:n paineessa keskimääräisten ominaisarvojen perusteella;

| 2. | Monikupuiset polttokammiot, joiden polttimen poistoaukon keskimääräinen lämpötila on yli 1 813 K (1 540 °C) astetta tai polttokammiot, joissa on termisesti erotetut vaipat, ei-metalliset vaipat tai ei-metalliset kuoret; |
| --- | --- |

2.

Monikupuiset polttokammiot, joiden polttimen poistoaukon keskimääräinen lämpötila on yli 1 813 K (1 540 °C) astetta tai polttokammiot, joissa on termisesti erotetut vaipat, ei-metalliset vaipat tai ei-metalliset kuoret;

| 3. | Komponentit, jotka on valmistettu jostakin seuraavista:






  a. | Orgaanisista "komposiitti"materiaaleista, jotka on suunniteltu toimimaan yli 588 K (315 °C) asteen lämpötiloissa; |
| --- | --- | --- |

3.

Komponentit, jotka on valmistettu jostakin seuraavista:

a.

Orgaanisista "komposiitti"materiaaleista, jotka on suunniteltu toimimaan yli 588 K (315 °C) asteen lämpötiloissa;

| b. | 1C007 kohdassa määritellyistä metalli"matriisi""komposiiteista", materiaaleista, joilla on keraaminen "matriisi", metalliyhdisteistä tai lujitetuista metalliyhdisteistä; tai |
| --- | --- |

b.

1C007 kohdassa määritellyistä metalli"matriisi""komposiiteista", materiaaleista, joilla on keraaminen "matriisi", metalliyhdisteistä tai lujitetuista metalliyhdisteistä; tai

| c. | "Komposiitti"-materiaaleista, jotka on määritelty 1C010 kohdassa ja valmistettu 1C008 kohdassa määritellyistä hartseista. |
| --- | --- |

c.

"Komposiitti"-materiaaleista, jotka on määritelty 1C010 kohdassa ja valmistettu 1C008 kohdassa määritellyistä hartseista.

| 4. | Jäähdyttämättömät turbiinien lavat, siivet, kärkien vaipat tai muut komponentit, jotka on suunniteltu toimimaan 1 323 K (1 050 °C) asteen tai korkeammissa kaasuvirran lämpötiloissa; |
| --- | --- |

4.

Jäähdyttämättömät turbiinien lavat, siivet, kärkien vaipat tai muut komponentit, jotka on suunniteltu toimimaan 1 323 K (1 050 °C) asteen tai korkeammissa kaasuvirran lämpötiloissa;

| 5. | Jäähdytetyt turbiinien lavat, siivet tai kärkien vaipat, muut kuin 9E003.a.1 kohdassa kuvatut, jotka joutuvat alttiiksi 1 643 K (1 370 °C) tai korkeammille kaasuvirran lämpötiloille; |
| --- | --- |

5.

Jäähdytetyt turbiinien lavat, siivet tai kärkien vaipat, muut kuin 9E003.a.1 kohdassa kuvatut, jotka joutuvat alttiiksi 1 643 K (1 370 °C) tai korkeammille kaasuvirran lämpötiloille;

| 6. | Lapojen liitokset, joissa kantopinta on yhdistetty roottorin kehään mekaanista liittämistä käyttäen; |
| --- | --- |

6.

Lapojen liitokset, joissa kantopinta on yhdistetty roottorin kehään mekaanista liittämistä käyttäen;

| 7. | Kaasuturbiinimoottorien komponentit, joissa on käytetty 2E003.b kohdassa määriteltyä "diffuusioliittämis""teknologiaa"; |
| --- | --- |

7.

Kaasuturbiinimoottorien komponentit, joissa on käytetty 2E003.b kohdassa määriteltyä "diffuusioliittämis""teknologiaa";

| 8. | Vauriosietoiset kaasuturbiinimoottorin pyörivät komponentit, joissa on käytetty 1C002.b kohdassa määriteltyjä jauhemetallurgisia materiaaleja; |
| --- | --- |

8.

Vauriosietoiset kaasuturbiinimoottorin pyörivät komponentit, joissa on käytetty 1C002.b kohdassa määriteltyjä jauhemetallurgisia materiaaleja;

| 9. | "FADEC"-kaasuturbiini- ja yhdistelmätahtimoottoreita varten sekä siihen liittyvät diagnostiikkakomponentit, anturit ja erityisesti suunnitellut komponentit; |
| --- | --- |

9.

"FADEC"-kaasuturbiini- ja yhdistelmätahtimoottoreita varten sekä siihen liittyvät diagnostiikkakomponentit, anturit ja erityisesti suunnitellut komponentit;

| 10. | Säädettävä virtaustien geometria ja siihen liittyvät ohjausjärjestelmät:






  a. | Kaasugeneraattoriturbiineja varten; |
| --- | --- | --- |

10.

Säädettävä virtaustien geometria ja siihen liittyvät ohjausjärjestelmät:

a.

Kaasugeneraattoriturbiineja varten;

| b. | Puhallin- tai käyttöturbiineja varten; |
| --- | --- |

b.

Puhallin- tai käyttöturbiineja varten;

| c. | Suihkusuuttimia varten; |
| --- | --- |

c.

Suihkusuuttimia varten;

Huom. 1: Aseteltavaan virtaustien geometriaan ja siihen liittyviin ohjausjärjestelmiin ei 9E003.a.10 kohdassa lueta tuloaukon johdesiipiä, säädettäväsiipisiä puhaltimia, säädettäviä staattoreita eikä ahtimen puhallus-venttiilejä.

Huom. 2: 9E003.a.10 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi jarrutustyöntövoiman säädettävän virtaustien geometrian "kehittämis"- tai "tuotanto""teknologiaa".

| 11. | Ontot puhaltimien siivet; |
| --- | --- |

11.

Ontot puhaltimien siivet;

| b. | "Teknologia", jota "tarvitaan" seuraavien laitteiden "kehittämistä" ja "tuotantoa" varten:






  1. | Tuulitunneleissa käytettävät mallit, jotka on varustettu pinta-antureilla ja jotka kykenevät lähettämään tietoa antureilta tiedonkeruujärjestelmälle; tai |
| --- | --- | --- |

b.

"Teknologia", jota "tarvitaan" seuraavien laitteiden "kehittämistä" ja "tuotantoa" varten:

1.

Tuulitunneleissa käytettävät mallit, jotka on varustettu pinta-antureilla ja jotka kykenevät lähettämään tietoa antureilta tiedonkeruujärjestelmälle; tai

| 2. | Komposiiteista valmistetut potkurien lavat tai potkurituulettimet, jotka kestävät yli 2 000 kW yli 0,55 Machin lentonopeuksilla; |
| --- | --- |

2.

Komposiiteista valmistetut potkurien lavat tai potkurituulettimet, jotka kestävät yli 2 000 kW yli 0,55 Machin lentonopeuksilla;

| c. | "Teknologia", jota"tarvitaan" kaasuturbiinimoottorin komponenttien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten käyttäen "laser"-, vesisuihku- tai ECM/EDM-reiänporausprosesseja, joilla aikaansaadaan reikiä, joilla on jokin seuraavista ominaisuusryhmistä:






  1. | Kaikki seuraavat:






  a. | Syvyys enemmän kuin neljä kertaa niiden läpimitta; |
| --- | --- | --- | --- |

c.

"Teknologia", jota"tarvitaan" kaasuturbiinimoottorin komponenttien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten käyttäen "laser"-, vesisuihku- tai ECM/EDM-reiänporausprosesseja, joilla aikaansaadaan reikiä, joilla on jokin seuraavista ominaisuusryhmistä:

1.

Kaikki seuraavat:

a.

Syvyys enemmän kuin neljä kertaa niiden läpimitta;

| b. | Läpimitta vähemmän kuin 0,76 mm; ja |
| --- | --- |

b.

Läpimitta vähemmän kuin 0,76 mm; ja

| c. | Kohtauskulma 25 astetta tai vähemmän; tai |
| --- | --- |

c.

Kohtauskulma 25 astetta tai vähemmän; tai

| 2. | Kaikki seuraavat:






  a. | Syvyys enemmän kuin viisi kertaa niiden läpimitta; |
| --- | --- | --- |

2.

Kaikki seuraavat:

a.

Syvyys enemmän kuin viisi kertaa niiden läpimitta;

| b. | Läpimitta vähemmän kuin 0,4 mm; ja |
| --- | --- |

b.

Läpimitta vähemmän kuin 0,4 mm; ja

| c. | Kohtauskulma enemmän kuin 25 astetta; |
| --- | --- |

c.

Kohtauskulma enemmän kuin 25 astetta;

Tekn. huom.:

9E003.c kohdassa kohtauskulma mitataan tasosta, joka sivuaa kantopintaa pisteessä, jossa reiän keskiviiva lävistää kantopinnan.

| d. | "Teknologia", jota "tarvitaan" helikopterien tehonsiirtojärjestelmien tai kääntyväroottoristen tai kääntyväsiipisten "ilma-alusten" tehonsiirtojärjestelmien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten; |
| --- | --- |

d.

"Teknologia", jota "tarvitaan" helikopterien tehonsiirtojärjestelmien tai kääntyväroottoristen tai kääntyväsiipisten "ilma-alusten" tehonsiirtojärjestelmien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten;

| e. | "Teknologia", jota "tarvitaan" maakulkuneuvojen työntövoimajärjestelmien sellaisten diesel(mäntä) moottorien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | ‧Kotelotilavuus‧ on 1,2 m3 tai vähemmän; |
| --- | --- | --- |

e.

"Teknologia", jota "tarvitaan" maakulkuneuvojen työntövoimajärjestelmien sellaisten diesel(mäntä) moottorien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

‧Kotelotilavuus‧ on 1,2 m3 tai vähemmän;

| 2. | Kokonaisantoteho on enemmän kuin 750 kW 80/1269/EEC:n, ISO 2534:n tai vastaavan kansallisen standardin mukaisesti määritettynä; ja |
| --- | --- |

2.

Kokonaisantoteho on enemmän kuin 750 kW 80/1269/EEC:n, ISO 2534:n tai vastaavan kansallisen standardin mukaisesti määritettynä; ja

| 3. | Tehon tiheys on enemmän kuin 700 kW ‧kotelotilavuuden‧ m3:iä kohti; |
| --- | --- |

3.

Tehon tiheys on enemmän kuin 700 kW ‧kotelotilavuuden‧ m3:iä kohti;

Tekn. huom.:

‧Kotelotilavuus‧ 9E003.e kohdassa on kolmen toisiaan vastaan kohtisuorassa olevan, seuraavalla tavalla mitatun dimension tulo:

| Pituus | : | Kampiakselin pituus etulaipasta vauhtipyörän etusivuun; |
| --- | --- | --- |
| Leveys | : | Suurin seuraavista:








  a. | Ulkomitta venttiilin kannesta toiseen venttiilin kanteen; |

Pituus

:

Kampiakselin pituus etulaipasta vauhtipyörän etusivuun;

Leveys

:

Suurin seuraavista:

a.

Ulkomitta venttiilin kannesta toiseen venttiilin kanteen;

| b. | Sylinterinkansien ulkoreunojen mitat; tai |
| --- | --- |

b.

Sylinterinkansien ulkoreunojen mitat; tai

| c. | Vauhtipyörän kotelon läpimitta; |
| --- | --- |

c.

Vauhtipyörän kotelon läpimitta;

Korkeus

:

Suurin seuraavista:

| a. | Kampiakselin keskiviivasta venttiilin kannen päällimmäiseen tasoon (tai sylinterinkanteen) otettu mitta laskettuna yhteen kaksinkertaisen iskunpituuden kanssa; tai |
| --- | --- |

a.

Kampiakselin keskiviivasta venttiilin kannen päällimmäiseen tasoon (tai sylinterinkanteen) otettu mitta laskettuna yhteen kaksinkertaisen iskunpituuden kanssa; tai

| b. | Vauhtipyörän kotelon läpimitta. |
| --- | --- |

b.

Vauhtipyörän kotelon läpimitta.

| f. | "Teknologia", jota "tarvitaan" seuraavien, erityisesti korkeatehoisia dieselmoottoreita varten suunniteltujen komponenttien "tuotantoa" varten:






  1. | "Teknologia", jota "tarvitaan" sellaisten moottorijärjestelmien "tuotantoa" varten, joiden kaikki seuraavat osat on valmistettu käyttäen 1C007 kohdassa määriteltyjä valvonnanalaisia keraamisia materiaaleja:






  a. | Sylinteriputket; |
| --- | --- | --- | --- |

f.

"Teknologia", jota "tarvitaan" seuraavien, erityisesti korkeatehoisia dieselmoottoreita varten suunniteltujen komponenttien "tuotantoa" varten:

1.

"Teknologia", jota "tarvitaan" sellaisten moottorijärjestelmien "tuotantoa" varten, joiden kaikki seuraavat osat on valmistettu käyttäen 1C007 kohdassa määriteltyjä valvonnanalaisia keraamisia materiaaleja:

a.

Sylinteriputket;

| b. | Männät; |
| --- | --- |

b.

Männät;

| c. | Sylinterinkannet; ja |
| --- | --- |

c.

Sylinterinkannet; ja

| d. | Yksi tai useampia muita komponentteja (mukaan lukien pakoaukot, turboahtimet, venttiilien ohjaimet, venttiilikokoonpanot tai eristetyt polttoaineen suihkuttimet; |
| --- | --- |

d.

Yksi tai useampia muita komponentteja (mukaan lukien pakoaukot, turboahtimet, venttiilien ohjaimet, venttiilikokoonpanot tai eristetyt polttoaineen suihkuttimet;

| 2. | "Teknologia", jota "tarvitaan" sellaisten turboahdinjärjestelmien tuotantoon, joissa on yksivaiheiset kompressorit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  a. | Toimivat 4:1 tai suuremmilla painesuhteilla; |
| --- | --- | --- |

2.

"Teknologia", jota "tarvitaan" sellaisten turboahdinjärjestelmien tuotantoon, joissa on yksivaiheiset kompressorit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

Toimivat 4:1 tai suuremmilla painesuhteilla;

| b. | Massavirtaus on 30–130 kg minuutissa; ja |
| --- | --- |

b.

Massavirtaus on 30–130 kg minuutissa; ja

| c. | Kompressori- tai turbiiniosan virtausläpimittaa voidaan muuttaa; |
| --- | --- |

c.

Kompressori- tai turbiiniosan virtausläpimittaa voidaan muuttaa;

| 3. | "Teknologia", jota "tarvitaan" sellaisten polttoaineen suihkutusjärjestelmien tuotantoon, jotka on erityisesti suunniteltu mahdollistamaan useiden polttoaineiden (esim. diesel- tai suihkumoottoripolttoaineet) käyttö viskositeettialueella, joka ulottuu dieselpolttoaineesta (2,5 cSt 310,8 K (37,8 °C) asteessa) bensiiniin (0,5 cSt 310,8 K (37,8 °C) asteessa), ja joilla on molemmat seuraavista:






  a. | Suihkutusmäärä ylittää 230 mm3 suihkutusta ja sylinteriä kohti; ja |
| --- | --- | --- |

3.

"Teknologia", jota "tarvitaan" sellaisten polttoaineen suihkutusjärjestelmien tuotantoon, jotka on erityisesti suunniteltu mahdollistamaan useiden polttoaineiden (esim. diesel- tai suihkumoottoripolttoaineet) käyttö viskositeettialueella, joka ulottuu dieselpolttoaineesta (2,5 cSt 310,8 K (37,8 °C) asteessa) bensiiniin (0,5 cSt 310,8 K (37,8 °C) asteessa), ja joilla on molemmat seuraavista:

a.

Suihkutusmäärä ylittää 230 mm3 suihkutusta ja sylinteriä kohti; ja

| b. | Erityisesti suunnitellut elektroniset ohjaustoiminnot, jotka käyttämällä sopivia antureita vaihtavat polttoaineen ominaisuuksista riippuen automaattisesti säätimen arvoja niin että vääntömomenttiominaisuudet pysyvät samoina; |
| --- | --- |

b.

Erityisesti suunnitellut elektroniset ohjaustoiminnot, jotka käyttämällä sopivia antureita vaihtavat polttoaineen ominaisuuksista riippuen automaattisesti säätimen arvoja niin että vääntömomenttiominaisuudet pysyvät samoina;

| g. | "Teknologia", jota "tarvitaan" sellaisten korkeatehoisten dieselmoottorien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten, joissa käytetään sylinteriseinämän kiinteää, kaasumaista tai nestekalvovoitelua (tai näiden yhdistelmää), joka sallii toiminnan yli 723 K (450 °C) asteen lämpötiloissa (mitattuna männän ylärenkaan liikkeen ylärajalta sylinterin seinämään).
  Tekn. huom.:

  Korkeatehoisia dieselmoottoreita ovat dieselmoottorit, joiden keskimääräiseksi teholliseksi jarrutuspaineeksi on määritelty 1,8 MPa tai enemmän 2 300 rpm:n kierrosnopeudella, edellyttäen että nimellinen kierrosnopeus on 2 300 rpm tai enemmän. |
| --- | --- |

g.

"Teknologia", jota "tarvitaan" sellaisten korkeatehoisten dieselmoottorien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten, joissa käytetään sylinteriseinämän kiinteää, kaasumaista tai nestekalvovoitelua (tai näiden yhdistelmää), joka sallii toiminnan yli 723 K (450 °C) asteen lämpötiloissa (mitattuna männän ylärenkaan liikkeen ylärajalta sylinterin seinämään).

Tekn. huom.:

Korkeatehoisia dieselmoottoreita ovat dieselmoottorit, joiden keskimääräiseksi teholliseksi jarrutuspaineeksi on määritelty 1,8 MPa tai enemmän 2 300 rpm:n kierrosnopeudella, edellyttäen että nimellinen kierrosnopeus on 2 300 rpm tai enemmän.

9E101"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 9A101, 9A104–9A111 tai 9A115–9A119 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten.

9E102"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 9A004 kohdassa määriteltyjen avaruuteen laukaisussa käytettävien kantorakettien tai 9A005–9A011, 9A101, 9A104–9A111, 9A115–9A119, 9B105, 9B106, 9B115, 9B116, 9B117, 9D101 tai 9D103 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten.

LIITE II

YHTEISÖN YLEINEN VIENTILUPA N:o EU001

(asetuksen (EY) N:o 1334/2000 6 artiklassa tarkoitettu)

Myöntävä viranomainen: Euroopan yhteisö

Osa 1

Tämä vientilupa koskee seuraavia tuotteita:

Kaikki tämän asetuksen liitteen I missä tahansa kohdassa mainitut kaksikäyttötuotteet, lukuun ottamatta jäljempänä osassa 2 lueteltuja tuotteita

Osa 2

| — | | Kaikki liitteessä IV tarkoitetut tuotteet |
| --- | --- | --- |
| — | 0C001 | "Luonnonuraani" tai "köyhdytetty uraani" tai torium metallina, seoksena, kemiallisena yhdisteenä tai konsentraattina ja mikä tahansa muu aine, joka sisältää yhtä tai useampaa edellä mainituista. |
| — | 0C002 | Muut kuin liitteessä IV mainitut "erityiset halkeamiskelpoiset materiaalit". |
| — | 0D001 | "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu ryhmässä 0 määriteltyjen tuotteiden "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten siltä osin kuin ne liittyvät 0C001 kohtaan tai niihin 0C002 kohdan aineisiin, jotka eivät sisälly liitteeseen IV. |
| — | 0E001 | "Teknologia" ydinteknologiahuomautuksen mukaisesti ryhmässä 0 määriteltyjen tuotteiden "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten siltä osin kuin se liittyy 0C001 kohtaan tai niihin 0C002 kohdan aineisiin, jotka eivät sisälly liitteeseen IV. |
| — | 1A102 | 9A004 kohdassa määriteltyihin avaruuteen laukaisussa käytettäviin kantoraketteihin tai 9A104 kohdassa määriteltyihin luotainraketteihin tarkoitetut toistokyllästetyt pyrolisoidut hiili-hiilikomponentit. |
| — | 1C351 | Ihmispatogeenit, zoonoosit ja "toksiinit". |
| — | 1C352 | Eläinpatogeenit. |
| — | 1C353 | Geneettinen materiaali ja geneettisesti muunnetut organismit. |
| — | 1C354 | Kasvipatogeenit. |
| — | 7E104 | "Teknologia" lennon ohjaus-, ohjautus- ja työntövoimatietojen integrointiin lennonhallintajärjestelmäksi rakettijärjestelmän lentoradan optimoimiseksi. |
| — | 9A009.a. | Hybridipolttoainetta käyttävien rakettien työntövoimajärjestelmät, joiden kokonaisimpulssikapasiteetti ylittää 1,1 MN |
| — | 9A117 | "Ohjuksissa" käyttökelpoiset rakettien vaiheistusmekanismit, irrotusmekanismit ja vaiheiden väliset laitteet. |

—

Kaikki liitteessä IV tarkoitetut tuotteet

—

0C001

"Luonnonuraani" tai "köyhdytetty uraani" tai torium metallina, seoksena, kemiallisena yhdisteenä tai konsentraattina ja mikä tahansa muu aine, joka sisältää yhtä tai useampaa edellä mainituista.

—

0C002

Muut kuin liitteessä IV mainitut "erityiset halkeamiskelpoiset materiaalit".

—

0D001

"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu ryhmässä 0 määriteltyjen tuotteiden "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten siltä osin kuin ne liittyvät 0C001 kohtaan tai niihin 0C002 kohdan aineisiin, jotka eivät sisälly liitteeseen IV.

—

0E001

"Teknologia" ydinteknologiahuomautuksen mukaisesti ryhmässä 0 määriteltyjen tuotteiden "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten siltä osin kuin se liittyy 0C001 kohtaan tai niihin 0C002 kohdan aineisiin, jotka eivät sisälly liitteeseen IV.

—

1A102

9A004 kohdassa määriteltyihin avaruuteen laukaisussa käytettäviin kantoraketteihin tai 9A104 kohdassa määriteltyihin luotainraketteihin tarkoitetut toistokyllästetyt pyrolisoidut hiili-hiilikomponentit.

—

1C351

Ihmispatogeenit, zoonoosit ja "toksiinit".

—

1C352

Eläinpatogeenit.

—

1C353

Geneettinen materiaali ja geneettisesti muunnetut organismit.

—

1C354

Kasvipatogeenit.

—

7E104

"Teknologia" lennon ohjaus-, ohjautus- ja työntövoimatietojen integrointiin lennonhallintajärjestelmäksi rakettijärjestelmän lentoradan optimoimiseksi.

—

9A009.a.

Hybridipolttoainetta käyttävien rakettien työntövoimajärjestelmät, joiden kokonaisimpulssikapasiteetti ylittää 1,1 MN

—

9A117

"Ohjuksissa" käyttökelpoiset rakettien vaiheistusmekanismit, irrotusmekanismit ja vaiheiden väliset laitteet.

Osa 3

Tämä vientilupa on voimassa kaikkialla yhteisössä seuraaviin määräpaikkoihin suuntautuvassa viennissä:

| | Australia |
| --- | --- |

Australia

| | Kanada |
| --- | --- |

Kanada

| | Japani |
| --- | --- |

Japani

| | Uusi-Seelanti |
| --- | --- |

Uusi-Seelanti

| | Norja |
| --- | --- |

Norja

| | Sveitsi |
| --- | --- |

Sveitsi

| | Amerikan yhdysvallat |
| --- | --- |

Amerikan yhdysvallat

Huom. Osia 2 ja 3 voidaan muuttaa vain niiden asiaa koskevien velvoitteiden ja sitoumusten mukaisesti, joita kukin jäsenvaltio on hyväksynyt kansainvälisten asesulku- ja vientivalvontajärjestelyjen jäsenenä, ja kunkin jäsenvaltion yleisten turvallisuusetujen mukaisesti sellaisina kuin ne ilmenevät sen vastuussa päättää kaksikäyttötuotteiden vientilupahakemuksista tämän asetuksen 6 artiklan 2 kohdan mukaisesti.

Tämän luvan käytön edellytykset ja vaatimukset

| 1) | Tätä yleislupaa ei saa käyttää, jos viejä on saanut tiedon sijoittautumisjäsenvaltionsa toimivaltaisilta viranomaisilta, että asianomaiset tuotteet ovat tai voivat olla kokonaan tai osittain tarkoitetut käyttöön, joka liittyy kemiallisten, biologisten tai ydinaseiden tai muiden ydinräjähteiden kehittämiseen, tuotantoon, käsittelyyn, käyttöön, ylläpitoon, varastointiin, havaitsemiseen, tunnistamiseen tai levittämiseen tai tällaisten aseiden maaliin saattamiseen soveltuvien ohjusten kehittämiseen, tuotantoon, ylläpitoon tai varastointiin tai jos viejä tietää, että kyseiset tuotteet ovat tarkoitetut tällaiseen käyttöön. |
| --- | --- |

1)

Tätä yleislupaa ei saa käyttää, jos viejä on saanut tiedon sijoittautumisjäsenvaltionsa toimivaltaisilta viranomaisilta, että asianomaiset tuotteet ovat tai voivat olla kokonaan tai osittain tarkoitetut käyttöön, joka liittyy kemiallisten, biologisten tai ydinaseiden tai muiden ydinräjähteiden kehittämiseen, tuotantoon, käsittelyyn, käyttöön, ylläpitoon, varastointiin, havaitsemiseen, tunnistamiseen tai levittämiseen tai tällaisten aseiden maaliin saattamiseen soveltuvien ohjusten kehittämiseen, tuotantoon, ylläpitoon tai varastointiin tai jos viejä tietää, että kyseiset tuotteet ovat tarkoitetut tällaiseen käyttöön.

| 2) | Tätä yleislupaa ei saa käyttää, jos viejä on saanut tiedon sijoittautumisjäsenvaltionsa toimivaltaisilta viranomaisilta, että asianomaiset tuotteet ovat tai voivat olla tarkoitetut tämän asetuksen 4 artiklan 2 kohdassa tarkoitettuun sotilaskäyttöön maassa, johon kohdistuu Euroopan unionin, Euroopan turvallisuus- ja yhteistyöjärjestön tai Yhdistyneiden Kansakuntien asesaarto, tai jos viejä on tietoinen, että kyseiset tuotteet on tarkoitettu mainitunlaiseen käyttöön. |
| --- | --- |

2)

Tätä yleislupaa ei saa käyttää, jos viejä on saanut tiedon sijoittautumisjäsenvaltionsa toimivaltaisilta viranomaisilta, että asianomaiset tuotteet ovat tai voivat olla tarkoitetut tämän asetuksen 4 artiklan 2 kohdassa tarkoitettuun sotilaskäyttöön maassa, johon kohdistuu Euroopan unionin, Euroopan turvallisuus- ja yhteistyöjärjestön tai Yhdistyneiden Kansakuntien asesaarto, tai jos viejä on tietoinen, että kyseiset tuotteet on tarkoitettu mainitunlaiseen käyttöön.

| 3) | Tätä yleislupaa ei saa käyttää, kun kyseiset tuotteet viedään tullivapaalle vapaa-alueelle tai vapaavarastoon, joka sijaitsee luvan kattamassa määräpaikassa. |
| --- | --- |

3)

Tätä yleislupaa ei saa käyttää, kun kyseiset tuotteet viedään tullivapaalle vapaa-alueelle tai vapaavarastoon, joka sijaitsee luvan kattamassa määräpaikassa.

| 4) | Jäsenvaltiot määrittelevät tämän yleisluvan käyttöön liittyvät rekisteröinti- ja ilmoitusvaatimukset sekä lisätiedot, jotka jäsenvaltio, josta vienti tapahtuu, saattaa vaatia luvan perusteella viedyistä tuotteista. Näiden vaatimusten on perustuttava niihin vaatimuksiin, jotka koskevat niiden jäsenvaltioiden myöntämien yleisten vientilupien käyttöä, joissa säädetään kyseisistä luvista. |
| --- | --- |

4)

Jäsenvaltiot määrittelevät tämän yleisluvan käyttöön liittyvät rekisteröinti- ja ilmoitusvaatimukset sekä lisätiedot, jotka jäsenvaltio, josta vienti tapahtuu, saattaa vaatia luvan perusteella viedyistä tuotteista. Näiden vaatimusten on perustuttava niihin vaatimuksiin, jotka koskevat niiden jäsenvaltioiden myöntämien yleisten vientilupien käyttöä, joissa säädetään kyseisistä luvista.

LIITE IIIa

Image

Image

Image

LIITE IIIb

YLEISVIENTILUPIA JULKAISTAESSA ANNETTAVAT TIEDOT JA KÄYTETTÄVÄT ILMAISUT

(10 artiklan 3 kohdassa tarkoitettu)

| 1) | Yleisen vientiluvan otsake |
| --- | --- |

1)

Yleisen vientiluvan otsake

| 2) | Luvan myöntävä viranomainen |
| --- | --- |

2)

Luvan myöntävä viranomainen

| 3) | Voimassaolo EY:n alueella. Seuraavaa tekstiä on käytettävä:
  ”Tämä on asetuksen (EY) N:o 1334/2000 6 artiklan 2 kohdan mukainen yleisvientilupa. Tämä lupa on kyseisen asetuksen 6 artiklan 2 kohdan mukaisesti voimassa kaikissa Euroopan yhteisön jäsenvaltioissa”. |
| --- | --- |

3)

Voimassaolo EY:n alueella. Seuraavaa tekstiä on käytettävä:

”Tämä on asetuksen (EY) N:o 1334/2000 6 artiklan 2 kohdan mukainen yleisvientilupa. Tämä lupa on kyseisen asetuksen 6 artiklan 2 kohdan mukaisesti voimassa kaikissa Euroopan yhteisön jäsenvaltioissa”.

| 4) | Tuotteet, joita lupa koskee: seuraavaa johdantoa on käytettävä:
  ”Tämä vientilupa kattaa seuraavat tuotteet” |
| --- | --- |

4)

Tuotteet, joita lupa koskee: seuraavaa johdantoa on käytettävä:

”Tämä vientilupa kattaa seuraavat tuotteet”

| 5) | Määräpaikat, joita lupa koskee: seuraavaa johdantoa on käytettävä:
  ”Tämä vientilupa on voimassa seuraaviin määräpaikkoihin suuntautuvassa viennissä” |
| --- | --- |

5)

Määräpaikat, joita lupa koskee: seuraavaa johdantoa on käytettävä:

”Tämä vientilupa on voimassa seuraaviin määräpaikkoihin suuntautuvassa viennissä”

| 6) | Edellytykset ja vaatimukset |
| --- | --- |

6)

Edellytykset ja vaatimukset

LIITE IV

(asetuksen (EY) N:o 1334/2000 21 artiklan 1 kohdassa tarkoitettu luettelo)

Luettelon kohdissa ei aina ole tuotteen täydellistä kuvausta ja siihen liittyviä, liitteessä I olevia huomautuksia (3)
  .

Tuotteiden täydellinen kuvaus on vain liitteessä I.

Tuotteen mainitseminen tässä liitteessä ei vaikuta liitteessä I olevia massatuotantotuotteita koskevien säännösten soveltamiseen.

Osa I

(mahdollisuus myöntää kansallinen yleisvientilupa yhteisön sisäistä kauppaa varten)

Häive (Stealth-) tekniikka

| 1C001 | Materiaalit, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäviksi sähkömagneettista säteilyä absorboivina aineina, tai itseisjohtavat polymeerit.

  HUOM.: KATSO MYÖS 1C101 KOHTA |
| --- | --- |
| 1C101 | Muut kuin 1C001 kohdassa määritellyt, "ohjuksissa", "ohjusten" alajärjestelmissä tai 9A012 kohdassa määritellyissä miehittämättömissä ilma-aluksissa käyttökelpoiset materiaalit ja laitteet, jotka pienentävät havaittavuutta, kuten tutkaheijastavuutta tai ultravioletti-, infrapuna- ja akustista havaittavuutta. |
| 1D103 | "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu analysoimaan vähennettyä havaittavuutta, kuten tutkaheijastavuutta tai ultravioletti/infrapuna- ja akustista havaittavuutta. |
| 1E101 | "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1C101 tai 1D103 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten. |
| 1E102 | "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1D103 kohdassa määriteltyjen "ohjelmistojen""kehittämistä" varten. |
| 6B008 | Tutkan kaikupinnan pulssimittausjärjestelmät, joiden pulssinpituus on 100 ns tai vähemmän, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit.

  HUOM.: KATSO MYÖS 6B108 KOHTA |
| 6B108 | Järjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu tutkapoikkipintojen mittaamiseen ja joita voidaan käyttää "ohjuksissa", ja niiden alajärjestelmät. |

1C001

Materiaalit, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäviksi sähkömagneettista säteilyä absorboivina aineina, tai itseisjohtavat polymeerit.

HUOM.: KATSO MYÖS 1C101 KOHTA

1C101

Muut kuin 1C001 kohdassa määritellyt, "ohjuksissa", "ohjusten" alajärjestelmissä tai 9A012 kohdassa määritellyissä miehittämättömissä ilma-aluksissa käyttökelpoiset materiaalit ja laitteet, jotka pienentävät havaittavuutta, kuten tutkaheijastavuutta tai ultravioletti-, infrapuna- ja akustista havaittavuutta.

1D103

"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu analysoimaan vähennettyä havaittavuutta, kuten tutkaheijastavuutta tai ultravioletti/infrapuna- ja akustista havaittavuutta.

1E101

"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1C101 tai 1D103 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten.

1E102

"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1D103 kohdassa määriteltyjen "ohjelmistojen""kehittämistä" varten.

6B008

Tutkan kaikupinnan pulssimittausjärjestelmät, joiden pulssinpituus on 100 ns tai vähemmän, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit.

HUOM.: KATSO MYÖS 6B108 KOHTA

6B108

Järjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu tutkapoikkipintojen mittaamiseen ja joita voidaan käyttää "ohjuksissa", ja niiden alajärjestelmät.

Yhteisön strateginen valvonta

| 1C239 | Muut kuin asetarvikeluettelossa määritellyt voimakkaat räjähteet tai niitä enemmän kuin 2 painoprosenttia sisältävät seokset tai aineet, joiden kidetiheys on suurempi kuin 1,8 g/cm3 ja räjähdysnopeus yli 8 000 m/s. |
| --- | --- |
| 1E201 | "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1C239 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten. |
| 3A229 | Seuraavat laukaisulaitteet ja vastaavat suurvirtapulssigeneraattorit ...

  HUOM.: KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO |
| 3A232 | Seuraavat sytyttimet ja monipistesytytinjärjestelmät...

  HUOM.: KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO |
| 3E201 | "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3A229 tai 3A232 kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten. |
| 6A001 | Akustiikka seuraavasti: |
| 6A001.a.1.b. | Kohteen havaitsemis- tai paikantamisjärjestelmät, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:






  1. | Lähetystaajuus
  alle 5 kHz
  ; |

1C239

Muut kuin asetarvikeluettelossa määritellyt voimakkaat räjähteet tai niitä enemmän kuin 2 painoprosenttia sisältävät seokset tai aineet, joiden kidetiheys on suurempi kuin 1,8 g/cm3 ja räjähdysnopeus yli 8 000 m/s.

1E201

"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1C239 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten.

3A229

Seuraavat laukaisulaitteet ja vastaavat suurvirtapulssigeneraattorit ...

HUOM.: KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO

3A232

Seuraavat sytyttimet ja monipistesytytinjärjestelmät...

HUOM.: KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO

3E201

"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3A229 tai 3A232 kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.

6A001

Akustiikka seuraavasti:

6A001.a.1.b.

Kohteen havaitsemis- tai paikantamisjärjestelmät, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Lähetystaajuus
  alle 5 kHz
  ;

| 6. | Suunniteltu kestämään; |
| --- | --- |

6.

Suunniteltu kestämään;

6A001.a.2.a.2.

Hydrofonit... Sisältävät...

6A001.a.2.a.3.

Hydrofonit... joilla on....

6A001.a.2.a.6.

Hydrofonit... Suunniteltu...

6A001.a.2.b.

Hinattavat akustiset hydrofonijärjestelmät...

6A001.a.2.c.

Hinattavia akustisia hydrofonijärjestelmiä käytettäessä
  reaaliaikaisia sovelluksia
  varten erityisesti suunnitellut akustiset hydrofonijärjestelmät, jotka ovat "käyttäjän ohjelmoitavissa" ja joissa on aika- ja taajuusalueen käsittely ja korrelaatio, mukaan lukien spektrianalyysi, digitaalinen suodatus ja säteen muotoilu käyttäen nopeaa Fourier-muunnosta tai muita muunnoksia tai käsittelyjä;

6A001.a.2.e.

Pohja- tai poukamakaapelijärjestelmä, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

| 1. | Se sisältää hydrofoneja..., tai |
| --- | --- |

1.

Se sisältää hydrofoneja..., tai

| 2. | Multipleksoituja hydrofoniryhmien signaalimoduleja... |
| --- | --- |

2.

Multipleksoituja hydrofoniryhmien signaalimoduleja...

6A001.a.2.f.

Pohja- tai poukamakaapelijärjestelmien
  reaaliaikaisia sovelluksia
  varten erityisesti suunnitellut (signaalien) käsittelylaitteet, jotka ovat "käyttäjän ohjelmoitavissa" ja joissa on aika- tai taajuusalueen käsittely ja korrelaatio, mukaan lukien spektrianalyysi, digitaalinen suodatus ja säteen muotoilu käyttäen nopeaa Fourier-muunnosta tai muita muunnoksia tai käsittelyjä;

6D003.a.

"Ohjelmistot" akustisen tiedon "tosiaikaiseksi käsittelemiseksi";

8A002.o.3.

Seuraavat melunvaimennusjärjestelmät, joita käytetään 1 000 tonnin tai suuremman uppouman aluksissa:

| b) | Aktiiviset äänen vaimennus- tai kumoamisjärjestelmät, tai erityisesti tehonsiirtojärjestelmiin suunnitellut magneettiset laakerit, jotka sisältävät elektronisia ohjausjärjestelmiä, ja jotka kykenevät aktiivisesti vähentämään laitteiden tärinää tuottamalla melun tai tärinän vastasignaaleja suoraan melun tai tärinän lähteeseen; |
| --- | --- |

b)

Aktiiviset äänen vaimennus- tai kumoamisjärjestelmät, tai erityisesti tehonsiirtojärjestelmiin suunnitellut magneettiset laakerit, jotka sisältävät elektronisia ohjausjärjestelmiä, ja jotka kykenevät aktiivisesti vähentämään laitteiden tärinää tuottamalla melun tai tärinän vastasignaaleja suoraan melun tai tärinän lähteeseen;

8E002.a.

"Teknologia" , joka on tarkoitettu erityisesti vedenalaisen melun vähentämiseen suunniteltujen potkurien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten.

Yhteisön strateginen valvonta – Salaus – ryhmä 5 – 2 osa

| 5A002.a.2. | laitteet, jotka on suunniteltu tai muunnettu suorittamaan salauksen analysointitoimintoja. |
| --- | --- |
| 5D002.c.1 | ainoastaan ohjelmistot, joilla on kyseisten laitteiden ominaisuuksia tai jotka suorittavat tai simuloivat kohdassa 5A002.a.2. mainittujen laitteiden toimintoja. |
| 5E002 | ainoastaan teknologia edellä kohdassa 5A002.a.2. tai 5D002.c.1. mainittujen laitteiden tai ohjelmien "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten. |

5A002.a.2.

laitteet, jotka on suunniteltu tai muunnettu suorittamaan salauksen analysointitoimintoja.

5D002.c.1

ainoastaan ohjelmistot, joilla on kyseisten laitteiden ominaisuuksia tai jotka suorittavat tai simuloivat kohdassa 5A002.a.2. mainittujen laitteiden toimintoja.

5E002

ainoastaan teknologia edellä kohdassa 5A002.a.2. tai 5D002.c.1. mainittujen laitteiden tai ohjelmien "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten.

MTCR-tekniikka

| 7A117 | "Ohjautuslaitteet", joita voidaan käyttää "ohjuksissa", jotka kykenevät 3,33 %:n tai sitä parempaan järjestelmätarkkuuteen toimintaetäisyydellä (esim. "CEP" on 10 km tai vähemmän 300 km:n matkalla)
  lukuun ottamatta "ohjautuslaitteita", jotka on tarkoitettu ohjuksiin, joiden kantomatka on alle 300 km, tai miehitettyihin ilma-aluksiin
  . |
| --- | --- |
| 7B001 | edellä 7A117 kohdassa
  määriteltyjä laitteita varten erityisesti suunnitellut testaus-, kalibrointi- tai linjauslaitteet.


  Huom.: 7B001 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi ylläpitotasojen I tai II testaus-, kalibrointi- tai linjauslaitteita. |
| 7B003 | edellä 7A117 kohdassa
  määriteltyjen laitteiden "tuotantoon" erityisesti suunnitellut laitteet. |
| 7B103 | edellä 7A117 kohdassa
  määriteltyjä laitteita varten erityisesti suunnitellut "tuotantolaitokset". |
| 7D101 | "Ohjelmistot" , jotka on erityisesti suunniteltu
  edellä
  7B003 tai 7B103 kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten. |
| 7E001 | "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti
  edellä
  7A117, 7B003, 7B103 tai 7D101 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai ohjelmien "kehittämistä" varten. |
| 7E002 | "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti
  edellä
  7A117, 7B003 tai 7B103 kohdassa määriteltyjen laitteiden "tuotantoa" varten. |
| 7E101 | "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti
  edellä
  7A117, 7B003, 7B103 tai 7D101 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai ohjelmien "käyttöä" varten. |
| 9A004 | Avaruuteen laukaisussa käytettävät kantoraketit
  jotka kykenevät vähintään 300 km:n kantomatkaan vähintään 500 kg:n hyötykuormalla
  .

  HUOM.: KATSO MYÖS 9A104 KOHTA.



  Huom. 1: 9A004 kohta ei aseta valvonnanalaisiksi hyötykuormia. |
| 9A005 | Nestemäistä polttoainetta käyttävien rakettien työntövoimajärjestelmät, jotka sisältävät mitä tahansa 9A006 kohdassa määriteltyjä järjestelmiä tai komponentteja,
  joita voidaan käyttää edellä 9A004 kohdassa määriteltyihin avaruuteen laukaisussa käytettäviin kantoraketteihin tai jäljempänä 9A104 kohdassa määriteltyihin luotainraketteihin
  .

  HUOM.: KATSO MYÖS 9A105 JA 9A119 KOHTA. |
| 9A007.a. | Kiinteää polttoainetta käyttävien rakettien työntövoimajärjestelmät,
  joita voidaan käyttää edellä 9A004 kohdassa määriteltyihin avaruuteen laukaisussa käytettäviin kantoraketteihin tai jäljempänä 9A104 kohdassa määriteltyihin luotainraketteihin,
  joilla on jokin seuraavista:

  HUOM.: KATSO MYÖS 9A119 KOHTA.







  a. | Kokonaisimpulssikapasiteetti ylittää 1,1 MNs; |

7A117

"Ohjautuslaitteet", joita voidaan käyttää "ohjuksissa", jotka kykenevät 3,33 %:n tai sitä parempaan järjestelmätarkkuuteen toimintaetäisyydellä (esim. "CEP" on 10 km tai vähemmän 300 km:n matkalla)
  lukuun ottamatta "ohjautuslaitteita", jotka on tarkoitettu ohjuksiin, joiden kantomatka on alle 300 km, tai miehitettyihin ilma-aluksiin
  .

7B001

edellä 7A117 kohdassa
  määriteltyjä laitteita varten erityisesti suunnitellut testaus-, kalibrointi- tai linjauslaitteet.

Huom.: 7B001 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi ylläpitotasojen I tai II testaus-, kalibrointi- tai linjauslaitteita.

7B003

edellä 7A117 kohdassa
  määriteltyjen laitteiden "tuotantoon" erityisesti suunnitellut laitteet.

7B103

edellä 7A117 kohdassa
  määriteltyjä laitteita varten erityisesti suunnitellut "tuotantolaitokset".

7D101

"Ohjelmistot" , jotka on erityisesti suunniteltu
  edellä
  7B003 tai 7B103 kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.

7E001

"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti
  edellä
  7A117, 7B003, 7B103 tai 7D101 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai ohjelmien "kehittämistä" varten.

7E002

"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti
  edellä
  7A117, 7B003 tai 7B103 kohdassa määriteltyjen laitteiden "tuotantoa" varten.

7E101

"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti
  edellä
  7A117, 7B003, 7B103 tai 7D101 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai ohjelmien "käyttöä" varten.

9A004

Avaruuteen laukaisussa käytettävät kantoraketit
  jotka kykenevät vähintään 300 km:n kantomatkaan vähintään 500 kg:n hyötykuormalla
  .

HUOM.: KATSO MYÖS 9A104 KOHTA.

Huom. 1: 9A004 kohta ei aseta valvonnanalaisiksi hyötykuormia.

9A005

Nestemäistä polttoainetta käyttävien rakettien työntövoimajärjestelmät, jotka sisältävät mitä tahansa 9A006 kohdassa määriteltyjä järjestelmiä tai komponentteja,
  joita voidaan käyttää edellä 9A004 kohdassa määriteltyihin avaruuteen laukaisussa käytettäviin kantoraketteihin tai jäljempänä 9A104 kohdassa määriteltyihin luotainraketteihin
  .

HUOM.: KATSO MYÖS 9A105 JA 9A119 KOHTA.

9A007.a.

Kiinteää polttoainetta käyttävien rakettien työntövoimajärjestelmät,
  joita voidaan käyttää edellä 9A004 kohdassa määriteltyihin avaruuteen laukaisussa käytettäviin kantoraketteihin tai jäljempänä 9A104 kohdassa määriteltyihin luotainraketteihin,
  joilla on jokin seuraavista:

HUOM.: KATSO MYÖS 9A119 KOHTA.

a.

Kokonaisimpulssikapasiteetti ylittää 1,1 MNs;

9A008.d.

Seuraavat erityisesti kiinteätä polttoainetta käyttävien rakettien työntövoimajärjestelmiä varten suunnitellut komponentit:

HUOM.: KATSO MYÖS 9A108.c. KOHTA.

| d. | Liikkuvan suuttimen tai sekundäärisen polttoaineen ruiskutuksen työntövektorin ohjausjärjestelmät,
  joita voidaan käyttää edellä 9A004 kohdassa määriteltyihin avaruuteen laukaisussa käytettäviin kantoraketteihin tai jäljempänä 9A104 kohdassa määriteltyihin luotainraketteihin
  .






  1. | Jotka kykenevät yli ± 5 asteen liikkeeseen akselinsa ympäri; |
| --- | --- | --- |

d.

Liikkuvan suuttimen tai sekundäärisen polttoaineen ruiskutuksen työntövektorin ohjausjärjestelmät,
  joita voidaan käyttää edellä 9A004 kohdassa määriteltyihin avaruuteen laukaisussa käytettäviin kantoraketteihin tai jäljempänä 9A104 kohdassa määriteltyihin luotainraketteihin
  .

1.

Jotka kykenevät yli ± 5 asteen liikkeeseen akselinsa ympäri;

| 2. | Joiden kulmavektoria voidaan kääntää 20 astetta sekunnissa tai enemmän; tai |
| --- | --- |

2.

Joiden kulmavektoria voidaan kääntää 20 astetta sekunnissa tai enemmän; tai

| 3. | Joiden kulmavektorikiihtyvyys on 40 astetta/s2 tai enemmän. |
| --- | --- |

3.

Joiden kulmavektorikiihtyvyys on 40 astetta/s2 tai enemmän.

9A104

Luotainraketit, jotka kykenevät vähintään 300 km:n kantomatkaan
  vähintään 500 kg:n hyötykuormalla
  .

HUOM.: KATSO MYÖS 9A004 KOHTA.

9A105.a.

Seuraavat nestemäistä polttoainetta käyttävät rakettimoottorit:

HUOM.: KATSO MYÖS 9A119 KOHTA.

| a. | Muut kuin 9A005 kohdassa määritellyt nestemäistä polttoainetta käyttävät rakettimoottorit, joita voidaan käyttää "ohjuksissa" ja joiden kokonaisimpulssikapasiteetti on 1,1 MNs tai suurempi
  lukuun ottamatta nestemäistä polttoainetta käyttäviä huippurakettimoottoreita, jotka on suunniteltu tai muunnettu satelliittisovelluksiin ja joilla on
  :








  1. | Suuttimen halkaisija 20 mm tai vähemmän; |
| --- | --- | --- |

a.

Muut kuin 9A005 kohdassa määritellyt nestemäistä polttoainetta käyttävät rakettimoottorit, joita voidaan käyttää "ohjuksissa" ja joiden kokonaisimpulssikapasiteetti on 1,1 MNs tai suurempi
  lukuun ottamatta nestemäistä polttoainetta käyttäviä huippurakettimoottoreita, jotka on suunniteltu tai muunnettu satelliittisovelluksiin ja joilla on
  :

1.

Suuttimen halkaisija 20 mm tai vähemmän;

| 2. | Palokammiopaine 15 bar tai vähemmän. |
| --- | --- |

2.

Palokammiopaine 15 bar tai vähemmän.

9A106.c.

Seuraavat muut kuin 9A006 kohdassa määritellyt nestemäistä polttoainetta käyttäviin raketteihin erityisesti suunnitellut järjestelmät ja komponentit, joita voidaan käyttää ohjuksissa:

| c. | Työntövoimavektorin ohjauksen alajärjestelmät
  lukuun ottamatta niitä, jotka on suunniteltu rakettijärjestelmille, jotka eivät kykene vähintään 300 km:n kantomatkaan vähintään 500 kg:n hyötykuormalla. |
| --- | --- |

c.

Työntövoimavektorin ohjauksen alajärjestelmät
  lukuun ottamatta niitä, jotka on suunniteltu rakettijärjestelmille, jotka eivät kykene vähintään 300 km:n kantomatkaan vähintään 500 kg:n hyötykuormalla.

Tekn. huom.:

Esimerkkejä tavoista, joilla saavutetaan 9A106.c kohdassa määritelty työntövoimavektorin ohjaus:

| 1. | Taipuisa suutin; |
| --- | --- |

1.

Taipuisa suutin;

| 2. | Neste- tai toisiokaasusuihkutus; |
| --- | --- |

2.

Neste- tai toisiokaasusuihkutus;

| 3. | Liikkuva moottori tai suutin; |
| --- | --- |

3.

Liikkuva moottori tai suutin;

| 4. | Poistokaasuvirtauksen poikkeutus (suihkusiivekkeet tai -tangot); tai |
| --- | --- |

4.

Poistokaasuvirtauksen poikkeutus (suihkusiivekkeet tai -tangot); tai

| 5. | Työntövoimalaipat. |
| --- | --- |

5.

Työntövoimalaipat.

9A108.c.

Seuraavat muut kuin 9A008 kohdassa määritellyt komponentit, joita voidaan käyttää "ohjuksissa" ja jotka on erityisesti suunniteltu kiinteää polttoainetta käyttävien rakettien työntövoimajärjestelmiä varten:

| c. | Työntövoimavektorin ohjauksen alajärjestelmät
  lukuun ottamatta niitä, jotka on suunniteltu rakettijärjestelmille, jotka eivät kykene vähintään 300 km:n kantomatkaan vähintään 500 kg:n hyötykuormalla. |
| --- | --- |

c.

Työntövoimavektorin ohjauksen alajärjestelmät
  lukuun ottamatta niitä, jotka on suunniteltu rakettijärjestelmille, jotka eivät kykene vähintään 300 km:n kantomatkaan vähintään 500 kg:n hyötykuormalla.

Tekn. huom.:

Esimerkkejä tavoista, joilla saavutetaan 9A108.c kohdassa määritelty työntövoimavektorin ohjaus:

| 1. | Taipuisa suutin; |
| --- | --- |

1.

Taipuisa suutin;

| 2. | Neste- tai toisiokaasusuihkutus; |
| --- | --- |

2.

Neste- tai toisiokaasusuihkutus;

| 3. | Liikkuva moottori tai suutin; |
| --- | --- |

3.

Liikkuva moottori tai suutin;

| 4. | Poistokaasuvirtauksen poikkeutus (suihkusiivekkeet tai -tangot); tai |
| --- | --- |

4.

Poistokaasuvirtauksen poikkeutus (suihkusiivekkeet tai -tangot); tai

| 5. | Työntövoimalaipat. |
| --- | --- |

5.

Työntövoimalaipat.

9A116

Seuraavat "ohjuksissa" käyttökelpoiset ilmakehään palaamaan suunnitellut alukset sekä niitä varten suunnitellut tai muunnetut laitteet,
  paitsi aseistamattomia hyötykuormia varten suunnitellut:

| a. | Ilmakehään palaamaan suunnitellut alukset; |
| --- | --- |

a.

Ilmakehään palaamaan suunnitellut alukset;

| b. | Keraamisista tai sulamalla kuluvista aineista valmistetut lämpösuojukset ja niiden osat; |
| --- | --- |

b.

Keraamisista tai sulamalla kuluvista aineista valmistetut lämpösuojukset ja niiden osat;

| c. | Kevyistä, suuren ominaislämmön omaavista aineista valmistetut jäähdytyslevyt ja niiden osat; |
| --- | --- |

c.

Kevyistä, suuren ominaislämmön omaavista aineista valmistetut jäähdytyslevyt ja niiden osat;

| d. | Ilmakehään palaaviin aluksiin erityisesti suunnitellut elektroniset laitteet. |
| --- | --- |

d.

Ilmakehään palaaviin aluksiin erityisesti suunnitellut elektroniset laitteet.

9A119

Muut kuin
  edellä
  9A005 tai 9A007.a kohdassa määritellyt yksittäiset rakettien vaiheet, joita voidaan käyttää
  vähintään 500 kg:n hyötykuormalla
  300 km:n kantomatkaan täydellisissä rakettijärjestelmissä tai miehittämättömissä ilma-aluksissa.

9B115

Erityisesti suunnitellut "tuotantolaitteet"
  edellä
  9A005, 9A007.a, 9A008.d, 9A105.a, 9A106.c, 9A108.c, 9A116 tai 9A119 kohdassa määriteltyjä järjestelmiä, alajärjestelmiä ja komponentteja varten.

9B116

Erityisesti suunnitellut "tuotantolaitteet" 9A004 kohdassa määriteltyjä avaruuteen laukaisussa käytettäviä kantoraketteja varten tai
  edellä
  9A005, 9A007.a, 9A008.d, 9A104, 9A105.a, 9A106.c, 9A108.c, 9A116 tai 9A119 kohdassa määriteltyjä järjestelmiä, alajärjestelmiä ja komponentteja varten.

9D101

Ohjelmistot, jotka on erityisesti suunniteltu
  edellä
  9B116 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten.

9E001

"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti
  edellä
  9A004, 9A005, 9A007.a, 9A008.d, 9B115, 9B116 tai 9D101 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai "ohjelmistojen""kehittämistä" varten.

9E002

"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti
  edellä
  9A004, 9A005, 9A007.a, 9A008.d, 9B115 tai 9B116 kohdassa määriteltyjen laitteiden "tuotantoa" varten.

Huom.: Valvonnanalaisten rakenteiden, laminaattien ja materiaalien korjaukseen tarvittava teknologia: katso 1E002.f kohta.

9E101

"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti
  edellä
  9A104, 9A105.a, 9A106.c, 9A108.c, 9A116 tai 9A119 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten.

9E102

"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti
  edellä
  9A004, 9A005, 9A007.a, 9A008.d, 9A104, 9A105.a, 9A106.c, 9A108.c, 9A116, 9A119, 9B115, 9B116 tai 9D101 kohdassa määriteltyjen avaruuteen laukaisussa käytettävien kantorakettien "käyttöä" varten.

—   Poikkeukset:

Liitteen IV mukaan seuraava MTCR-tekniikka ei ole valvonnan alaista:

| 1) | tuotteet, jotka siirretään Euroopan avaruusjärjestön (ESA) sopimussuhteen mukaisesta määräyksestä tai jotka ESA siirtää virallisten tehtäviensä hoitamiseksi, |
| --- | --- |

1)

tuotteet, jotka siirretään Euroopan avaruusjärjestön (ESA) sopimussuhteen mukaisesta määräyksestä tai jotka ESA siirtää virallisten tehtäviensä hoitamiseksi,

| 2) | tuotteet, jotka siirretään jäsenvaltion kansallisen avaruusjärjestön sopimussuhteen mukaisesta määräyksestä tai jotka se siirtää virallisten tehtäviensä hoitamiseksi, |
| --- | --- |

2)

tuotteet, jotka siirretään jäsenvaltion kansallisen avaruusjärjestön sopimussuhteen mukaisesta määräyksestä tai jotka se siirtää virallisten tehtäviensä hoitamiseksi,

| 3) | tuotteet, jotka siirretään kahden tai useamman eurooppalaisen hallituksen allekirjoittaman yhteisön avaruuteen laukaisua koskevan kehittämis- ja tuotanto-ohjelman yhteydessä annetun sopimussuhteen mukaisen määräyksen perusteella, |
| --- | --- |

3)

tuotteet, jotka siirretään kahden tai useamman eurooppalaisen hallituksen allekirjoittaman yhteisön avaruuteen laukaisua koskevan kehittämis- ja tuotanto-ohjelman yhteydessä annetun sopimussuhteen mukaisen määräyksen perusteella,

| 4) | tuotteet, jotka siirretään valtion valvomalle avaruuteenlaukaisupaikalle jäsenvaltion alueella, paitsi jos kyseinen jäsenvaltio valvoo kyseisiä siirtoja tämän asetuksen ehtojen mukaisesti. |
| --- | --- |

4)

tuotteet, jotka siirretään valtion valvomalle avaruuteenlaukaisupaikalle jäsenvaltion alueella, paitsi jos kyseinen jäsenvaltio valvoo kyseisiä siirtoja tämän asetuksen ehtojen mukaisesti.

Osa II

(ei kansallista yleisvientilupaa yhteisön sisäistä kauppaa varten)

Kemiallisten aseiden kieltosopimus

| 1C351.d.4 | Risiini |
| --- | --- |
| 1C351.d.5 | Saxitoksiini |

1C351.d.4

Risiini

1C351.d.5

Saxitoksiini

NSG-tekniikka

Liitteen I
  ryhmä 0 kokonaisuudessaan
  sisältyy liitteeseen IV, lukuun ottamatta seuraavia materiaaleja:

| — | 0C001: tämä kohta ei sisälly liitteeseen IV; |
| --- | --- |

—

0C001: tämä kohta ei sisälly liitteeseen IV;

| — | 0C002: 0C002 kohta sisältyy liitteeseen IV ainoastaan seuraavien erityisten halkeamiskelpoisten materiaalien osalta:






  a. | erotettu plutonium; |
| --- | --- | --- |

—

0C002: 0C002 kohta sisältyy liitteeseen IV ainoastaan seuraavien erityisten halkeamiskelpoisten materiaalien osalta:

a.

erotettu plutonium;

| b. | isotoopeilla 233 tai 235 yli 20-prosenttiseksi rikastettu uraani. |
| --- | --- |

b.

isotoopeilla 233 tai 235 yli 20-prosenttiseksi rikastettu uraani.

| — | 0D001 | (ohjelmistot) sisältyvät liitteeseen IV, paitsi siltä osin kuin ne liittyvät 0C001 kohtaan tai niihin 0C002 kohdan aineisiin, jotka eivät sisälly liitteeseen IV. |
| --- | --- | --- |

—

0D001

(ohjelmistot) sisältyvät liitteeseen IV, paitsi siltä osin kuin ne liittyvät 0C001 kohtaan tai niihin 0C002 kohdan aineisiin, jotka eivät sisälly liitteeseen IV.

| — | 0E001 | (teknologia) sisältyy liitteeseen IV, paitsi siltä osin kuin se liittyy 0C001 kohtaan tai niihin 0C002 kohdan aineisiin, jotka eivät sisälly liitteeseen IV. |
| --- | --- | --- |

—

0E001

(teknologia) sisältyy liitteeseen IV, paitsi siltä osin kuin se liittyy 0C001 kohtaan tai niihin 0C002 kohdan aineisiin, jotka eivät sisälly liitteeseen IV.

Huom.: Kohdat 0C003 ja 0C004 ainoastaan "ydinreaktorissa" käyttöä varten (0A001.a kohdan puitteissa).

| 1B226 | Sähkömagneettiset isotooppierottimet, jotka on suunniteltu toimimaan tai varusteltu yhdellä tai useilla ionilähteillä, joilla voidaan saada aikaan 50 mA:n tai suurempi ionisuihkun kokonaisvirta.


  Huom.: 1B226 kohta sisältää erottimet:








  a. | Jotka pystyvät rikastamaan pysyviä isotooppeja; |
| --- | --- | --- |

1B226

Sähkömagneettiset isotooppierottimet, jotka on suunniteltu toimimaan tai varusteltu yhdellä tai useilla ionilähteillä, joilla voidaan saada aikaan 50 mA:n tai suurempi ionisuihkun kokonaisvirta.

Huom.: 1B226 kohta sisältää erottimet:

a.

Jotka pystyvät rikastamaan pysyviä isotooppeja;

| b. | Joissa ionilähteet ja -kerääjät ovat kummatkin magneettikentässä, sekä ne konfiguraatiot, joissa ne ovat kentän ulkopuolella. |
| --- | --- |

b.

Joissa ionilähteet ja -kerääjät ovat kummatkin magneettikentässä, sekä ne konfiguraatiot, joissa ne ovat kentän ulkopuolella.

1C012

Seuraavat materiaalit:

Tekn. huom.:

Näitä materiaaleja käytetään tyypillisesti ydinlämpölähteissä

| b. | "Aiemmin erotettu" neptunium-237 missä tahansa muodossa.


  Huom.: 1C012.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi toimituksia, joissa neptunium-237 sisältö on 1 g tai vähemmän. |
| --- | --- |

b.

"Aiemmin erotettu" neptunium-237 missä tahansa muodossa.

Huom.: 1C012.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi toimituksia, joissa neptunium-237 sisältö on 1 g tai vähemmän.

1B231

Seuraavat tritiumlaitokset ja -tehtaat ja niissä käytettävät laitteet:

| a. | Laitokset tai tehtaat, joissa tuotetaan, otetaan talteen, uutetaan, rikastetaan tai käsitellään tritiumia, |
| --- | --- |

a.

Laitokset tai tehtaat, joissa tuotetaan, otetaan talteen, uutetaan, rikastetaan tai käsitellään tritiumia,

| b. | Tritiumlaitosten tai -tehtaiden laitteet seuraavasti:






  1. | Vedyn tai heliumin jäähdytysyksiköt, joissa lämpötila saadaan lasketuksi 23 K (–250 °C) asteeseen tai alhaisemmaksi ja joiden lämmönpoistokyky on suurempi kuin 150 W; |
| --- | --- | --- |

b.

Tritiumlaitosten tai -tehtaiden laitteet seuraavasti:

1.

Vedyn tai heliumin jäähdytysyksiköt, joissa lämpötila saadaan lasketuksi 23 K (–250 °C) asteeseen tai alhaisemmaksi ja joiden lämmönpoistokyky on suurempi kuin 150 W;

| 2. | Vetyisotooppien varastointi- ja puhdistusjärjestelmät, joissa varastointiin tai puhdistukseen käytetään metallihydridejä. |
| --- | --- |

2.

Vetyisotooppien varastointi- ja puhdistusjärjestelmät, joissa varastointiin tai puhdistukseen käytetään metallihydridejä.

1B233

Litiumisotooppien erotukseen käytettävät laitokset tai tehtaan ja niissä käytettävät laitteet seuraavasti:

| a. | Laitokset tai tehtaat litiumisotooppien erottamiseen; |
| --- | --- |

a.

Laitokset tai tehtaat litiumisotooppien erottamiseen;

| b. | Laitteet litiumisotooppien erottamiseen seuraavasti:






  1. | Erityisesti litiumamalgaameja varten suunnitellut pakatut neste-neste erotuskolonnit, |
| --- | --- | --- |

b.

Laitteet litiumisotooppien erottamiseen seuraavasti:

1.

Erityisesti litiumamalgaameja varten suunnitellut pakatut neste-neste erotuskolonnit,

| 2. | Elohopea- tai litiumamalgaamipumput, |
| --- | --- |

2.

Elohopea- tai litiumamalgaamipumput,

| 3. | Litiumamalgaamielektrolyysikennot, |
| --- | --- |

3.

Litiumamalgaamielektrolyysikennot,

| 4. | Haihduttimet väkeviä litiumhydroksiliuoksia varten. |
| --- | --- |

4.

Haihduttimet väkeviä litiumhydroksiliuoksia varten.

1C233

Litium, joka on rikastettu 6-isotoopilla (6Li) suurempaan kuin luonnolliseen isotooppipitoisuuteen sekä rikastettua litiumia sisältävät tuotteet tai laitteet, seuraavasti: seokset (lejeeringit), yhdisteet, litiumia sisältävät seokset, näistä tehdyt valmisteet, sekä kaikesta edellä mainitusta syntyvä jäte tai romu.

Huom.: 1C233 ei aseta valvonnanalaiseksi termoluminesenssiannosmittareita.

Tekn. huom.:

Litiumin 6-isotoopin pitoisuus luonnossa on noin 6,5 painoprosenttia (7,5 atomiprosenttia).

1C235

Tritium, tritiumyhdisteet ja tritiumia sisältävät seokset, joissa tritiumatomien lukumääräsuhde vetyatomeihin ylittää 1:1000 sekä mitä tahansa edellä mainittua ainetta sisältävät tuotteet ja laitteet.

Huom.: 1C235 ei aseta valvonnanalaiseksi tuotteita ja laitteita, joissa on vähemmän kuin 1,48 × 103 GBq (40 Ci) tritiumia.

1E001

"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1C012 b kohdassa määriteltyjen tuotteiden tai materiaalien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten.

1E201

"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1B226, 1B231, 1B233, 1C233 tai 1C235 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten.

3A228

Seuraavat kytkinlaitteet:

| a. | Kylmäkatodiputket, olivatpa ne sitten kaasutäytteisiä tai ei, jotka toimivat kipinävälin tavoin ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:






  1. | Ne sisältävät kolme tai useampia elektrodeja; |
| --- | --- | --- |

a.

Kylmäkatodiputket, olivatpa ne sitten kaasutäytteisiä tai ei, jotka toimivat kipinävälin tavoin ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Ne sisältävät kolme tai useampia elektrodeja;

| 2. | Huippuanodijännitteen nimellisarvo on 2,5 kV tai enemmän; |
| --- | --- |

2.

Huippuanodijännitteen nimellisarvo on 2,5 kV tai enemmän;

| 3. | Huippuanodivirran nimellisarvo on 100 A tai enemmän; ja |
| --- | --- |

3.

Huippuanodivirran nimellisarvo on 100 A tai enemmän; ja

| 4. | Anodin viiveaika on 10 μs tai lyhyempi; |
| --- | --- |

4.

Anodin viiveaika on 10 μs tai lyhyempi;

Huom.: 3A228 kohtaan sisältyvät kaasukryptonputket ja tyhjösprytronputket.

| b. | Liipaistavat kipinävälit, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:






  1. | Anodiviiveaika on 15 μs tai lyhyempi; ja |
| --- | --- | --- |

b.

Liipaistavat kipinävälit, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:

1.

Anodiviiveaika on 15 μs tai lyhyempi; ja

| 2. | Huippuvirran nimellisarvo 500 A tai enemmän; |
| --- | --- |

2.

Huippuvirran nimellisarvo 500 A tai enemmän;

3A231

Neutronigeneraattorijärjestelmät, mukaan lukien putket, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:

| a. | Ne on suunniteltu toimimaan ilman ulkoista tyhjöjärjestelmää; ja |
| --- | --- |

a.

Ne on suunniteltu toimimaan ilman ulkoista tyhjöjärjestelmää; ja

| b. | Hyväksikäyttävät sähköstaattista kiihdytystä tritium-deuteriumydinreaktion synnyttämiseen. |
| --- | --- |

b.

Hyväksikäyttävät sähköstaattista kiihdytystä tritium-deuteriumydinreaktion synnyttämiseen.

3E201

"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3A228.a, 3A228.b tai 3A231 kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.

6A203

Seuraavat muut kuin 6A003 kohdassa määritellyt kamerat ja komponentit:

| a. | Seuraavat mekaaniset pyöriväpeiliset kamerat ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:






  1. | Erilliskuvia ottavat kamerat, joiden tallennusnopeus on suurempi kuin 225 000 kuvaa/s; |
| --- | --- | --- |

a.

Seuraavat mekaaniset pyöriväpeiliset kamerat ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:

1.

Erilliskuvia ottavat kamerat, joiden tallennusnopeus on suurempi kuin 225 000 kuvaa/s;

| 2. | Juovakamerat, joiden piirtonopeus on suurempi kuin 0,5 mm/s; |
| --- | --- |

2.

Juovakamerat, joiden piirtonopeus on suurempi kuin 0,5 mm/s;

Huom.: 6A203.a kohdassa näiden kameroiden komponentteihin sisältyvät niiden synkronointi-elektroniikkayksiköt sekä turbiineista, peileistä ja laakereista koostuvat roottorikokoonpanot.

6A225

Nopeusinterferometrit yli 1 km/s nopeuksien mittaamiseksi lyhyemmän kuin 10 mikrosekunnin aikajakson kuluessa

Huom.: 6A225 kohtaan sisältyvät sellaiset nopeusinterferometrit kuten VISAR:it ja DLI:t (dopplerlaserinterferometrit).

6A226

Seuraavat paineanturit:

| a. | Manganiini-anturit, joilla mitataan yli 10 GPa:n paineita; |
| --- | --- |

a.

Manganiini-anturit, joilla mitataan yli 10 GPa:n paineita;

| b. | Kvartsipaineanturit, joilla mitataan yli 10 GPa:n paineita. |
| --- | --- |

b.

Kvartsipaineanturit, joilla mitataan yli 10 GPa:n paineita.

---

(1)  Valmistajien, jotka laskevat paikannustarkkuustasoja ISO 230/2:n (1997) mukaisesti, olisi neuvoteltava sen jäsenvaltion toimivaltaisten viranomaisten kanssa, johon ne ovat sijoittautuneet.

1

(2)  Suluissa olevat numerot viittaavat tämän taulukon jäljessä oleviin huomautuksiin.

2

(3)  Liitteiden I ja IV sanamuotojen ja soveltamisalojen väliset erot on tekstissä lihavoitu ja kursivoitu.

3

---