ವಿಜ್ಞಾನ ಮತ್ತು ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ ಸಚಿವಾಲಯ
ಭವಿಷ್ಯದ 2ಡಿ ವಿದ್ಯುನ್ಮಾನ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ಏಕಪದರ ಮತ್ತು ದ್ವಿ ಪದರದ 2ಡಿ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಗಳಿಗಾಗಿ ಡೋಪಿಂಗ್ ತಂತ್ರಗಳ ಮೇಲೆ ಕೆಲಸ ಮಾಡುವವರಿಗೆ ಡಿ.ಎಸ್.ಟಿ-ಇನ್ಸ್ಪೈರ್ ಫೆಲೋಶಿಪ್
ಕೊಲ್ಕತ್ತಾದ ಜಾಧವ್ ಪುರ್ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯದ ವಿದ್ಯುನ್ಮಾನ ಮತ್ತು ದೂರ ಸಂಪರ್ಕ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ ಇಲಾಖೆಯಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತಿರುವ ಡಾ. ದಿವ್ಯಾ ಸೋಮ್ ವಂಶಿ ಅವರು ವಿಜ್ಞಾನ ಮತ್ತು ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ ಇಲಾಖೆಯಿಂದ ಸ್ಥಾಪಿಸಲಾದ ಇನ್ ಸ್ಪೈರ್ ಫೆಲೋಶಿಪ್ ಗೆ ಆಯ್ಕೆ ಯಾಗಿದ್ದಾರೆ.
ಇನ್ಸ್ಪೈರ್ ಫ್ಯಾಕಲ್ಟಿ ಫೆಲೋಶಿಪ್ ಏಕಪದರ ಮತ್ತು ದ್ವಿಪದರ 2ಡಿ-ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ವಲಯಕ್ಕೆ ಅನ್ವಯಿಸುತ್ತದೆ. ಇವು ಸ್ಟೈನ್ ಇಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ ಬಳಸಿ ಡೋಪಿಂಗ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ ವರ್ಧನೆ ಮತ್ತು ಭವಿಷ್ಯದ 2ಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಸಾಧನಗಳ ಹೊಂದಾಣಿಕೆಯ ಪ್ರಯೋಗಗಳಿಗೆ ಮಾರ್ಗದರ್ಶನ ನೀಡುವ, ಮೆಟಲ್/2ಡಿ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಸಂಪರ್ಕ ಕ್ಷೇತ್ರದ ವಿನೂತನ ಕ್ರಮಗಳಾಗಿವೆ.
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಗಳ ಆಯಾಮದ ನಿರಂತರ ಕುಗ್ಗುವಿಕೆಯಿಂದಾಗಿ ಸಿಲಿಕಾನ್ [ಎಸ್.ಐ] ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ ಇದರ ಮಿತಿ ತಲುಪಿದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ ಹೊಸ ವಸ್ತುಗಳ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳು ಮತ್ತು ಸಾಧನ, ವಿನ್ಯಾಸಗಳನ್ನು ಅನ್ಷೇಷಿಸಲಾಗಿದೆ. ಎರಡು ಆಯಾಮದ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಗಳ ಅಸಾಧಾರಣ ಮತ್ತು ಹೊಂದಿಕೊಳ್ಳುವ ಸ್ವಭಾವವು ಅಪ್ಟೋ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಮತ್ತು ಸಂವೇದಕಗಳ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಗಳಿಗೆ ಹೊಸ ಸಾಧ್ಯತೆಯನ್ನು ತೆರೆದಿದೆ. ಪ್ರಸ್ತುತ ಡಾ. ದಿವ್ಯಾ ಅವರ ತಂಡ ನಡೆಸುತ್ತಿರುವ ಸಂಶೋಧನಾ ಕಾರ್ಯದಲ್ಲಿ ಮೊನೊಲೇಯರ್ [ಐ.ಎಲ್] ಮತ್ತು ದ್ವಿಪರದ 2ಡಿ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಗಳಿಗೆ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಡೋಪಿಂಗ್ ತಂತ್ರಗಳು ಹೋಲಿಕೆಯಾಗುತ್ತಿವೆ. ಇದು ಇವುಗಳ ಸ್ಥಿರತೆ, ಸಿ.ಎಂ.ಒ.ಎಸ್ ನ ಹೊಂದಾಣಿಕೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಧನದ ಕಾರ್ಯ ಕ್ಷಮತೆಯಿಂದಾಗಿ ಭರವಸೆದಾಯಕವಾಗಿದೆ. ಅವರು ಸೈದ್ಧಾಂತಿಕವಾಗಿ 2ಡಿ ವಸ್ತುವಿನಲ್ಲಿ ಪರ್ಯಾಯ ಡೋಪಿಂಗ್ ನ ಮೂಲಭೂತ ಒಳನೋಟ ಕುರಿತು ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡಿದ್ದಾರೆ. ಸ್ಟ್ರೈನ್ ಇಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಡೋಪಿಂಗ್ ವರ್ಧನೆ ಮತ್ತು ಭವಿಷ್ಯದ 2ಡಿ ವಿದ್ಯುನ್ಮಾನ ಸಾಧನಗಳಲ್ಲಿ ಪ್ರಯೋಗವನ್ನು ಬದಲಿಸುವ ಆಶಾಭಾವನೆ ಅಥವಾ ಮಾರ್ಗದರ್ಶನ ಮಾಡುವ ಲೋಹ 2ಡಿ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಗಳನ್ನು ಸೇರ್ಪಡೆ ಮಾಡುವ ಅಂಶಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. 2ಎಲ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಗಳು ಮುಂದಿನ ಪೀಳಿಗೆಯ ವಿದ್ಯುನ್ಮಾನ ಸಾಧನದ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಗಳಿಗೆ, ಅವುಗಳ ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಸ್ವಾತಂತ್ರ್ಯದ ಕಾರಣದಿಂದ ಆಸಕ್ತಿದಾಯಕ ಕೇಂದ್ರಗಳಾಗಿವೆ.
ಇವರ 2ಎಲ್ ಮಾಲಿಬ್ಡಿನಮ್ ಡಿಸೆಲೆನೈಡ್ [ಎಂ.ಒ.ಎಸ್.ಇ2] ನಲ್ಲಿನ ಅವರ ಇತ್ತೀಚಿನ ಕೆಲಸ ಎಯು/2ಎಲ್-ಎಂ.ಒ.ಎಸ್.2 ಸಂಪರ್ಕ ಸಾಧಿಸುವ ಕ್ರಮದ ಆಯ್ಕೆ ಅತ್ಯಂತ ನಿರ್ಣಾಯಕವಾಗಿದೆ ಎಂದು ಸಲಹೆ ನೀಡಿದೆ. ಇದು 2ಎಲ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಶನ್ ಮೆಟಲ್ ಡೈಕಾಲ್ಕೊಜನೈಡ್ಸ್ [ಟಿ.ಎಂ.ಡಿ.ಸಿಗಳು] [2ಡಿ ನ್ಯಾನೋಶಿಟ್ ಗಳ ಹೊಸ ಕುಟುಂಬ] ಆಧಾರಿತ ಸಾಧನಕ್ಕೆ ನಿರ್ಣಾಯಕವಾಗಿದೆ. “ಸಾಲಿಡ್ ಸ್ಟೇಟ್ ಕಮ್ಯುನಿಕೇಷನ್ಸ್” ಪತ್ರಿಕೆಯಲ್ಲಿ ಇದು ಪ್ರಕಟವಾಗಿದೆ. ಇದಲ್ಲದೇ ಡೋಪಿಂಗ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ನಿಯಂತ್ರಿತ ವರ್ಧನೆಯು ಮುಂದಿನ ಪೀಳಿಗೆಯ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನಕ್ಕಾಗಿ 2ಡಿ ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಬಳಸಿಕೊಳ್ಳಲು ನಿರ್ಣಾಯಕವಾಗಿದೆ. ಡೋಪಾಂಟ್ ರಚನೆಯ ಶಕ್ತಿ [ಇ-ಅರ್ಜಿ] ಒಂದು ನಿರ್ಣಾಯಕ ನಿಯತಾಂಕವಾಗಿದ್ದು, ಇದು ಪ್ರಾಥಮಿಕವಾಗಿ ಡೋಪಿಂಗ್ ಸಾಂಧ್ರತೆಯ ಮೇಲೆ ಪ್ರಭಾವ ಬೀರುತ್ತದೆ. ಇವರು ಇತ್ತೀಚಿನ ತಮ್ಮ ಲೇಖನದಲ್ಲಿ ಟ್ರಾನ್ಸಿಶನಲ್ ಮೆಟಲ್ಸ್ – ಡೋಪ್ಡ್ ಡಬ್ಲ್ಯೂ.ಎಸ್.ಇ2 [ಟ್ರಂಗ್ ಸ್ಟನ್ ಡಿಸೆಲೈನ್ಡ್] ಏಕ ಪದರದಲ್ಲಿ ಯಾಂತ್ರಿಕ ಒತ್ತಡವನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸುವ ಮೂಲಕ ಡೋಪಿಂಗ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುವ ಸಾಧ್ಯತೆಯನ್ನು ಅವರು ಅನ್ವೇಷಿಸುತ್ತಿದ್ದಾರೆ. ಈ ಕೆಲಸವನ್ನು “ಯುರೋಫಿಸಿಕ್ಸ್ ಲೆಟರ್ಸ್" ನಲ್ಲಿ ಪ್ರಕಟಣೆಗಾಗಿ ಸ್ವೀಕರಿಸಲಾಗಿದೆ.
ಡಾ. ದಿವ್ಯಾ ಅವರು ಹೇಳುವ ಪ್ರಕಾರ, “ಡಿ.ಎಸ್.ಟಿ – ಇನ್ಸ್ಪೈರ್ ಫ್ಯಾಕಲ್ಟಿ ಯೋಜನೆಯ ಅನುದಾನದ ನೆರವಿನೊಂದಿಗೆ ಜಾಧವ್ ಪುರ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯದ ಇಟಿಸಿಟಿ ವಿಭಾಗದಲ್ಲಿ 2ಡಿ ಮೆಟಿರಿಯಲ್ಸ್ ಅಟಾನಮಿಸ್ಟ್ ಸಿಮ್ಯುಲೇಶನ್ ಪ್ರಯೋಗಾಲಯ ಸ್ಥಾಪಿಸಲಾಗಿದೆ. ಪಿ.ಎಚ್.ಡಿ ತರಬೇತಿ ಕೈಗೊಳ್ಳಲು ಮತ್ತು ಪಿಜಿ ಮಟ್ಟದ ವಿದ್ಯಾರ್ಥಿಗಳಿಗೆ ಸಂಶೋಧನಾ ಚಟುವಟಿಕೆಗಳಿಗೆ ಅವಕಾಶ ಕಲ್ಪಿಸಲಾಗಿದೆ. ಈ ಪ್ರಯೋಗಾಲಯದ ಉದ್ದೇಶ 2ಡಿ ವಸ್ತುಗಳ ಹೊಸ ಗುಣ ಲಕ್ಷಣಗಳು ಮತ್ತು ಅವುಗಳ ಹೆಟೆರೋಸ್ಟ್ರಕ್ಚರ್ ಆಧಾರಿತ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನಕ್ಕಾಗಿ ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡುವುದು ಮತ್ತು ವಿಶ್ಲೇಷಣೆ ಮಾಡಲು ಅವಕಾಶ ಕಲ್ಪಿಸಲಾಗಿದೆ.
ಇದರೊಂದಿಗೆ ಈ ಫೆಲೋಶಿಪ್ ಅನುದಾನ ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಡಾಟ್ ಗಳು [ಕ್ಯೂಡಿಗಳು], ನ್ಯಾನೋಶಿಟ್ ಗಳು, ಮುಂತಾದ 2ಡಿ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಗಳ ವಿಭಿನ್ನ ನ್ಯಾನೊ ರಚನೆಗಳ ಸಂಶ್ಲೇಷಣೆಗಾಗಿ ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯಲ್ಲಿಯೂ ಅವರು ಕೆಲಸ ಮಾಡುತ್ತಿದ್ದಾರೆ.
ಪ್ರಕಟಣೆಯ ಸಂಪರ್ಕಕ್ಕಾಗಿ:
,
ಹೆಚ್ಚಿನ ಮಾಹಿತಿಗಾಗಿ ಡಾ. ದಿವ್ಯಾ ಸೋಮ್ವಂಶಿ  ಅವರನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸಬಹುದಾಗಿದೆ.