MOSFET
caption: Fotomikrograf dua gerbang logam MOSFET dalam ujicoba.
caption: Struktur Semikonduktor–Logam–Oksida pada silikon tipe-P
caption: Irisan NMOS tanpa kanal yang terbentuk (keadaan mati)
caption: Irisan NMOS dengan kanal yang terbentuk (keadaan hidup)
caption: arus cerat MOSFET vs. Tegangan cerat-ke-sumber untuk beberapa harga V

G
S


−

V

t
h




{\displaystyle V_{GS}-V_{th}} , perbatasan antara moda linier ( Ohmik ) dan penjenuhan ( aktif ) diperlihatkan sebagai lengkung parabola di atas
caption: Irisan MOSFET dalam noda linier (ohmik), daerah inversi kuat terlihat bahkan didekat cerat
caption: Irisan MOSFET dalam moda penjenuhan (aktif), terdapat takik didekat cerat
caption: Peranti FinFET gerbang ganda.
caption: Irisan sebuah MOSFET daya dengan sel persegi. Sebuah transistor biasanya terdiri dari beberapa ribu sel.