标题：模拟电路与数学电路
图书信息
  书 名: 模拟电路与数学电路
作　者：张洪润 王德超
出版社： 清华大学出版社
出版时间： 2009年01月
ISBN: 9787302188421
开本： 16开
定价: 33.00 元
内容简介
《模拟电路与数字电路》是根据电子技术基础课程教学大纲的要求， 由《电了线路与电子技术》一书修订而成的，并可与《电了器件原理及应用— —元器件外形特征、模拟与数字电路实验》一书配合使用。《模拟电路与数字电路》从实用角度出发，作者结合电子技术发展的最新趋势，总结多年教学改革的经验，在内容安排上，精简了对分立元件的分析和过多的理论叙述，增加了集成电路应用方而的知识和实例，特别是对第1版第2章（基本放大电路）的内容进行了较大修改。
《模拟电路与数字电路》共12章，内容包括半导体二极管、三极管、基本放大电路、模拟集成电路、正弦波振荡电路、直流稳压电路、晶闸管（可控硅） 电路、脉冲数字电路基础、逻辑门及组合逻辑电路、时序逻辑电路、脉冲信号的产生及整形电路、半导体存储器及信号转换处理电路等，各章最后均有小结和习题，附录中附有习题参考答案和常用电路实例。以方便读者学习和自测。
《模拟电路与数字电路》深入浅出， 通俗易懂，既可作为高等院校电子类和电工类专业的教材，也可作为非电专业的教材，还可作为家用电器及工业电子设备等行业牛产和维修人员的培训及自学用书。
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第1章 分立半导体器件
导电性能介于导体与绝缘体之间材料，我们称之为半导体。在电子器件中，常用的半导体材料有：元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等；以及掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（B）、磷（P）、锢（In）和锑（Sb）等。
1.1 半导体的基本知识
1.1.1 什么是半导体
半导体：电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质称为半导体：
导电性能介于导体与绝缘体之间材料，我们称之为半导体。在电子器件中，常用的半导体材料有：元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等；以及掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（B）、磷（P）、锢（In）和锑（Sb）等。
室温时电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm之间（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的；因上角标暂不可用，暂用当前方法描述），温度升高时电阻率则减小。半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。 
本征半导体：不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半导体的价带是满带(见能带理论)，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成
一个带正电的空位，称为空穴。导带中的电子和价带中的空穴合称电子- 空穴对，均能自由移动，即载流子，它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子- 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子- 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多。
1.1.2 P型半导体和N型半导体
P型半导体
也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。
在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。 
也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
在纯净的硅晶体中掺入Ⅴ族元素（如磷、砷、锑等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。这类杂质提供了带负电（Negative）的电子载流子，称他们为施主杂质或n型杂质。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电，由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供。空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。
1.1.3 PN结的形成
P型半导体与N型半导体相互接触时，其交界区域称为PN结。P区中的自由空穴和N区中的自由电子要向对方区域扩散，造成正负电荷在PN 结两侧的积累，形成电偶极层(图4 )。电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行。当由于载流子数密度不等引起的扩散作用与电偶层中电场的作用达到平衡时，P区和N区之间形成一定的电势差，称为接触电势差。由于P 区中的空穴向N区扩散后与N区中的电子复合，而N区中的电子向P区扩散后与P 区中的空穴复合，这使电偶极层中自由载流子数减少而形成高阻层，故电偶极层也叫阻挡层，阻挡层的电阻值往往是组成PN结的半导体的原有阻值的几十倍乃至几百倍。
PN结具有单向导电性，半导体整流管就是利用PN结的这一特性制成的。PN结的另一重要性质是受到光照后能产生电动势，称光生伏打效应，可利用来制造光电池。半导体三极管、可控硅、PN结光敏器件和发光二极管等半导体器件均利用了PN结的特性。
PN结的单向导电性
P端接电源的正极，N端接电源的负极称之为PN结正偏。此时PN结如同一个开关合上，呈现很小的电阻，称之为导通状态。
P端接电源的负极，N端接电源的正极称之为PN结反偏，此时PN结处于截止状态，如同开关打开。结电阻很大，当反向电压加大到一定程度，PN结会发生击穿而损坏。
1.1.4 PN结的甲向导电原理
1.2 普通二极管
二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。
1.2.1 二极管的结构类型
1.2.2 二极管的伏安特性
1.2.3 二极管的开关特性
1.2.4 二极管的主要参数和测试
1.3 特殊二极管
1.3.1 稳压管
稳压二极管（又叫齐纳二极管）,此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。 
稳压二极管（又叫齐纳二极管）是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管，简称稳压管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，因而广泛应用于稳压电源与限幅电路之中。稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更多的稳定电压。
1.3.2 变容二极管
变容二极管(Varactor Diodes)又称"可变电抗二极管"。是一种利用PN结电容（ 
势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二极管，
变容二极管(Varactor Diodes)为特殊二极管的一种。当外加顺向偏压时，有大量电流产生，PN（正负极）结的耗尽区变窄，电容变大，产生扩散电容效应；当外加反向偏压时，则会产生过渡电容效应。但因加顺向偏压时会有漏电流的产生，所以在应用上均供给反向偏压。
变容二极管也称为压控变容器，是根据所提供的电压变化而改变结电容的半导体。也就是说，作为可变电容器，可以被应用于FM调谐器及TV调谐器等谐振电路和FM调制电路中。
其实我们可以把它看成一个PN结，我们想，如果在PN结上加一个反向电压V（变容二极管是反向来用的），则N型半导体内的电子被引向正极，P型半导体内的空穴被引向负极，然后形成既没有电子也没有空穴的耗尽层，该耗尽层的宽度我们设为d，随着反向电压V的变化而变化。如此一来，反向电压V增大，则耗尽层d变宽，二极管的电容量C就减少（根据C=kS/d），而耗尽层宽d变窄，二极管的电容量变变大。反向电压V的改变引起耗尽层的变化，从而改变了压控变容器的结容量C。达到了目的。
变容二极管的作用变容二极管是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件，在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。 
变容二极管属于反偏压二极管，改变其PN结上的反向偏压，即可改变PN结电容量。反向偏压越高，结电容则越少，反向偏压与结电容之间的关系是非线性的。
变容二极管有玻璃外壳封装（玻封）、塑料封装（塑封）、金属外壳封装（金封）和无引线表面封装等多种封装形式、如图4-18所示。通常，中小功率的变容二极管采用玻封、塑封或表面封装，而功率较大的变容二极管多采用金封。常用变容二极管参数
1.3.3 光电二极管
1.3.4 发光二极管
发光二极管简称为LED。由镓（Ga）与砷（AS）、磷（P）的化合物制成的二极管，当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。磷砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光。 
它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能；常简写为LED。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。 
发光二极管的反向击穿电压约5伏。它的正向伏安特性曲线很陡，使用时必须串联限流电阻以控制通过管子的电流。
1.3.5 光电池（二极管）
1.4 晶体管一
1.4.1 晶体管的结构类型及电路符号
1.4.2 晶体管的电流分配和放大原理
1.4.3 晶体管的特性曲线
1.4.4 晶体管的开关特性
1.4.5 晶体管的主要参数
1.5 场效应管
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
1.5.1 结型场效应管
结型场效应管(J-FET)
在一块N型(或P型)半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(或N型区)，就形成两个不对称的PN结。把两个P区(或N区)并联在一起，引出一个电极，称为栅极(g)，在N型(或P型)半导体的两端各引出一个电极，分别称为源极(s)和漏极(d)。夹在两个PN结中间的N区(或P区)是电流的通道，称为导电沟道(简称沟道)。这种结构的管子称为N沟道(或P沟道)结型场效应管。
分为N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管两种。
由于结型场效应管的栅极输入电流iG>>0，因此很少应用输入特性，常用的特性曲线有输出特性曲线和转移特性曲线。
1 5 2 绝缘栅场效应管
绝缘栅场效应管的种类较多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但目前应用最多的是MOS管。MOS绝缘栅场效应管也即金属一氧化物一半导体场效应管，通常用MOS表示，简称作MOS管。它具有比结型场效应管更高的输入阻抗（可达1012Ω以上），并且制造工艺比较简单，使用灵活方便，非常有利于高度集成化
1.5.3 场效应管的特点、参数及使用注意事项
1.5.4 场效应管的选择方法
1.6 品闸管（可控硅）
1.6.1 晶闸管的结构及工作原理
1.6.2 晶闸管的伏安特性和主要参数
1.6.3 双向品闸管
1.6.4 晶闸管的特点
1.7 小结
1.8 习题
第2章 基本放大电路
2.1 共发射极放大电路的组成
2.2 共发射极放大电路的分析
2.2.1 静态分析
2.2.2 动态分析
2.3 静态工作点的稳定
2.4 射极输出器
2.4.1 静态分析
2.4.2 动态分析
2.5 放大电路中的负反馈
反馈又称回馈，是控制论的基本概念，指将系统的输出返回到输入端并以某种方式改变输入，进而影响系统功能的过程。反馈可分为负反馈和正反馈。前者使输出起到与输入相反的作用，使系统输出与系统目标的误差减小，系统趋于稳定；后者使输出起到与输入相似的作用，使系统偏差不断增大，使系统振荡，可以放大控制作用。对负反馈的研究是控制论的核心问题。另外有电流负反馈的理论。 
2.5.1 什么是放大电路中的负反馈
2.5.2 负反馈的类型
2.5.3 负反馈对放大电路工作性能的影响
2.6 差分放大电路
2.6.1 静态分析
2.6.2 动态分析
2.7 瓦补埘称功率放大电路
2.7.1 对功率放大电路的基本要求
2.7.2 互补对称放大电路
2.8 场效应管及其放大电路
2.8.1 绝缘栅场效应管
绝缘栅场效应管的种类较多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但目前应用最多的是MOS管。MOS绝缘栅场效应管也即金属一氧化物一半导体场效应管，通常用MOS表示，简称作MOS管。它具有比结型场效应管更高的输入阻抗（可达1012Ω以上），并且制造工艺比较简单，使用灵活方便，非常有利于高度集成化。
绝缘栅场效应管的导电机理是，利用UGS 控制"感应电荷"的多少来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流ID。若UGS=0时，源、漏之间不存在导电沟道的为增强型MOS管，UGS=0 时，漏、源之间存在导电沟道的为耗尽型MOS管
2.8.2 场效应管放大电路
2.9 小结
2.10 习题
第3章 模拟集成电路
3.1 集成电路概述
3.1.1 什么足集成电路
集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比（基于硅的集成电路）和罗伯特·诺伊思（基于锗的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。
3.1.2 集成电路的分类按功能结构分类集成电路，又称为IC，按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大
类。 
模拟集成电路又称线性电路,用来产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间变化的信号。例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等），其输入信号和输出信号成比例关系。而数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号（指在时间上和幅度上离散取值的信号。例如3G手机、数码相机、电脑CPU、数字电视的逻辑控制和重放的音频信号和视频信号）。按制作工艺分类集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和膜集成电路。 
膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。按集成度高低分类集成电路按集成度高低的不同可分为：
SSI 小规模集成电路(Small Scale Integrated circuits)
MSI 中规模集成电路(Medium Scale Integrated circuits)
LSI 大规模集成电路(Large Scale Integrated circuits)
VLSI 超大规模集成电路(Very Large Scale Integrated circuits)
ULSI 特大规模集成电路(Ultra Large Scale Integrated circuits) 
GSI 巨大规模集成电路也被称作极大规模集成电路或超特大规模集成电路(Giga Scale Integration)。按导电类型不同分类集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路，他们都是数字集成电路。
双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大，代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。单极型集成电路的制作工艺简单，功耗也较低，易于制成大规模集成电路，代表集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型。
3.1.3 集成电路的特点
3.2 集成运算放大器
3.2.1 功能及电路主要组成
集成运算放大器（Integrated Operational Amplifier）简称集成运放，是由多级直接耦合放大电路组成的高增益模拟集成电路。它的增益高（可达60~180dB），输入电阻大（几十千欧至百万兆欧），输出电阻低（几十欧），共模抑制比高（60~170dB），失调与飘移小，而且还具有输入电压为零时输出电压亦为零的特点，适用于正，负两种极性信号的输入和输出。
模拟集成电路一般是由一块厚约0.2~0.25mm的P型硅片制成，这种硅片是集成电路的基片。基片上可以做出包含有数十个或更多的BJT或FET、电阻和连接导线的电路。
运算放大器除具有+、-输入端和输出端外，还有+、-电源供电端、外接补偿电路端、调零端、相位补偿端、公共接地端及其他附加端等。它的闭环放大倍数取决于外接反馈电阻，这给使用带来很大方便。
3.2.2 主要参数
3.2.3 类型
3.2.4 选用时要考虑的问题
3.2.5 电路分析依据
3.2.6 在信号运算方面的应用
3.2.7 在信号处理方面的应用
3.2.8 在波形产生方面的应用
3.2.9 在信号测量方面的应用
3.3 集成电压比较器
3.3.1 功能及电路组成
3.3.2 主要参数
3.3.3 选用时要考虑的问题
3.4 集成模拟乘法器
3.4.1 功能及电路组成
3.4.2 主要参数
3.4.3 选用时要注意的问题
3.5 集成锁相环
3.5.1 功能及电路组成
3.5.2 主要参数
3.6 集成采样保持电路
3.6.1 功能及电路组成
3.6.2 主要参数
3.6.3 选用时要注意的问题
3.7 集成函数发生器
3.7.1 功能及电路组成
3.7.2 主要参数（以8038为例）
3.8 小结
3.9 习题
第4章 正弦波振荡电路
4.1 振荡原理
4.1.1 振荡电路的组成
4.1.2 自激振荡的条件
4.1.3 振荡的建立
4.2 LC荡器
4.2.1 变压器反馈式LC振荡器
4.2.2 三点式振荡器
4.3 RC振荡器
4.3.1 电路组成
4.3.2 RC串并联网络的选频作用
4.3.3 RC振荡器的实际电路
4.4 运放石英晶体振荡器
4.4.1 正弦波振荡器的频率稳定问题
4.4.2 石英晶体的基本特性与等效电路
4.4.3 运放石英晶体振荡器
4.4.4 应用举例
4.5 小结
4.6 习题
第5章 直流稳压电源
5.1 整流电路
5.1.1 单相半波整流电路
5.1.2 单相桥式整流电路
5.1.3 三相桥式整流电路
5.2 滤波器
5.2.1 电容滤波器
5.2.2 电感电容滤波器
5.2.3 π形滤波器
5.3 稳压管稳压电路
5 4 串联型晶体管稳压电路
5.5 集成直流稳压电源
5.5.1 集成直流稳压电源的功能及电路组成
5.5.2 集成直流稳压电源的主要参数
5.5.3 其他类型的集成稳电源
5.5.4 集成直流稳压电源连接方法举例
5.6 小结
5.7 习题
第6章 晶闸管（可控硅）电路
第7章 脉冲数字电路基础
第8章 逻辑门及组合逻辑电路
逻辑门（Logic Gates)是在集成电路(Integrated Circuit)上的基本组件。简单的逻辑门可由晶体管组成。这些晶体管的组合可以使代表两种信号的高低电平在通过它们之后产生高电平或者低电平的信号。高、低电平可以分别代表逻辑上的“真”与“假”或二进制当中的1和0，从而实现逻辑运算。常见的逻辑门包括“与”门，“或”门，“非”门，“异或”门(Exclusive OR gate)（也称：互斥或）等等。逻辑门可以组合使用实现更为复杂的逻辑运算。或门利用内部结构，使输入两个低电势，输出低电势，不满足有两个低电势则输出高电势。与门利用内部结构，使输入两个高电势，输出髙电势，不满足有两个髙电势则输出低电势。非门利用内部结构，使输入的电势变成相反的电势，髙电势变成低电势，低电势变成髙电势。与非门由与门与非门组合而成。或非门由或门和非门组合而成。
数字电路根据逻辑功能的不同特点，可以分成两大类，一类叫组合逻辑电路（简称组合电路），另一类叫做时序逻辑电路（简称时序电路）。组合逻辑电路在逻辑功能上的特点是任意时刻的输出仅仅取决于该时刻的输入，与电路原来的状态无关。而时序逻辑电路在逻辑功能上的特点是任意时刻的输出不仅取决于当时的输入信号，而且还取决于电路原来的状态，或者说，还与以前的输入有关。
第9章 时序逻辑电路
数字电路根据逻辑功能的不同特点，可以分成两大类，一类叫组合逻辑电路（简称组合电路），另一类叫做时序逻辑电路（简称时序电路）。组合逻辑电路在逻辑功能上的特点是任意时刻的输出仅仅取决于该时刻的输入，与电路原来的状态无关。而时序逻辑电路在逻辑功能上的特点是任意时刻的输出不仅取决于当时的输入信号，而且还取决于电路原来的状态，或者说，还与以前的输入有关。
在数字电路通常分为组合逻辑电路和时序逻辑电路两大类，组合逻辑电路的有关内容在前面的章节里已经作了介绍，组合逻辑电路的特点是输入的变化直接反映了输出的变化，其输出的状态仅取决于输入的当前的状态，与输入、输出的原始状态无关，而时序电路是一种输出不仅与当前的输入有关，而且与其输出状态的原始状态有关，其相当于在组合逻辑的输入端加上了一个反馈输入，在其电路中有一个存储电路，其可以将输出的状态保持住，我们可以用下图的框图来描述时序电路的构成。 
从上面的图上可以看出，其输出是输入及输出前一个时刻的状态的函数，这时就无法用组合逻辑电路的函数表达式的方法来表示其输出函数表达式了，在这里引入了现态（Present state)和次态（Next State)的概念,当现态表示现在的状态（通常用Qn来表示），而次态表示输入发生变化后其输出的状态 （通常用Qn 1表示），那么输入变化后的输出状态表示为
Qn 1=f(X,Qn) 
其中：X为输入变量。
下面通过两个波形图来帮助建立时序电路中存储器的概念：
从上图a图中可以看出，其图中有四段输入RS都为0的情况，但其输出Q的状态不同，这取决于输出的原始状态；而b图中的输入与图a相同，但多了一个CP，这时输出Q不仅取决于输入RS、输出Q的原始状态，而且取决CP的状态，仅当CP为高电平时，输入的状态才能影响输出的状态。通常将上面的两种类型分为两种形式的存储器电路：锁存器(Latch)和触发器（Flip-flop)，其两者的区别在于其输出状态的变化是否取决于CP(时钟脉冲Clock Plus)。将图a所有的电路称为锁存器，而b图所示的电路称为触发器电路。
时序逻辑电路的特点：任意时刻的输出不仅取决于该时刻的输入，而且还和电路原来的状态有关，所以时序电路具有记忆功能。
第10章 脉冲信号的产生及整形电路
脉冲信号是一种离散信号，形状多种多样，与普通模拟信号（如正弦波）相比，波形之间在时间轴不连续（波形与波形之间有明显的间隔）但具有一定的周期性是它的特点。最常见的脉冲波是矩形波（也就是方波）。脉冲信号可以用来表示信息，也可以用来作为载波，比如脉冲调制中的脉冲编码调制（PCM），脉冲宽度调制（PWM）等等，还可以作为各种数字电路、高性能芯片的时钟信号。　
所谓脉冲信号表现在平面坐标上就是一条有无数断点的曲线,也就是说在周期性的一些地方点的极限不存在,比如锯齿波,也有电脑里用到的数字电路的信号,0,1。脉冲信号,也就是像脉搏跳动这样的信号，相对于直流，断续的信号，如果用水流形容，直流就是把龙头一直开着淌水，脉冲就是不停的开关龙头形成水脉冲。 
第11章 半导体存储器
半导体存储器(semi-conductor memory)
是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器,内存储器就是由称为存储器芯片的半导体集成电路组成。
按其功能可分为：随机存取存储器（简称RAM）和只读存储器（只读ROM）
RAM包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器），当关机或断电时，其中的 信息都会随之丢失。 DRAM主要用于主存（内存的主体部分），SRAM主要用于高速缓存存储器。
ROM 主要用于BIOS存储器。
按其制造工艺可分为：双极晶体管存储器和MOS晶体管存储器。
按其存储原理可分为：静态和动态两种。
其优点是：体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。
主要用作高速缓冲存储器、主存储器、只读存储器、堆栈存储器等。
半导体存储器的技术指标主要有：
1. 存储容量：存储单元个数M×每单元位数N
2. 存取时间：从启动读(写)操作到操作完成的时间
3. 存取周期：两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间
4. 平均故障间隔时间MTBF（可靠性）
5. 功耗：动态功耗、静态功耗　
第12章 信号转换处理电路
附录A 习题参考答案
附录B 常用电路实例[1]