标题：黄敞
人物简介
黄敞，微电子专家。江苏无锡人。1947年毕业于清华大学电机系。1953年获美国哈佛大学博士学位。后任美国通用电话公司半导体器件开发部主任。1959年回国。历任北京大学副教授，中国科学院计算技术研究所室主任，航天工业部骊山微电子公司总工程师、研究员，微电子技术研究所副所长，西安交通大学、北京师范大学教授。是第五、六届全国政协委员。长期从事半导体器件物理的教学和研究工作。在半导体器件理论和超大规模集成电路理论的研究中取得了成果，1985年获国家科技进步奖特等奖。著有《超大规模集成电路技术》、《大规模集成电路与微计算机》等。
人物生平
黄敞，1927年5月1日生于辽宁省沈阳市，祖籍江苏省无锡县。父亲黄修青，字君可，号秋汀，1919年毕业于上海交通大学，长期供职于电信、电子系统，中华人民共和国成立后，被定为一级工程师。母亲袁韵琴，1917年毕业于上海师范学校，曾任中学校长。家庭的影响与教育对其勤奋好学、刻苦钻研都产生了积极的作用。
1932年9月，入南京五台山小学学习，后随父母搬迁先后就读于长沙下马国岭小学和香港中华中学附小；1938年初小学毕业，考入香港中华中学，后又转学至昆明中法中学、南菁中学；1943年7月高中毕业，考取昆明西南联合大学电机系，1946年随清华大学迁回北京，1947年7月毕业，获工学士学位。留清华大学电机系任助教；1948年6月，获自费赴美实习、学习护照，10月在美国奇异公司任测试工程师；1949年9月至1952年12月，在美国哈佛大学研究院工程科学及应用物理系攻读研究生，1950年获硕士学位后，继续攻读博士学位，并兼任助教和助理研究员，1952年年底通过博士学位论文答辩，1953年获博士学位；1953年至1958年受聘于雪尔凡尼亚半导体厂，相继担任高级工程师、专家工程师和工程经理，从事半导体前沿科学研究工作。这一期间，他在应用物理杂志、电机工程学会杂志、电机工程师学会年会以及第1至4届ISSCC、IEDM和国际学术技术会议上发表论文20余篇，并获得10 项专利；1953年9月至1955年6月，他还在美国麻省东北大学研究院任兼职教授，讲授微波学原理及应用。
黄敞在美国麻省雪尔凡尼亚半导体厂主持先进工程部工作，已有二三十名高级助手，工作条件很好，生活也很优裕。1955年，他向美国政府申请了永久居留权其目的并非是为了久留，本意一则是为了保持已有的工作；二则是为获得申请环球旅行的条件，以伺机返回祖国。1958年6月取得在美永久居留权，这位思想进步、生活朴实的学者即与爱人杨樱华一起申请环球旅行，巧妙而隐蔽地办妥了行装转运等手续。随即动身经英国、法国、瑞士、荷兰、西德、意大利、希腊、埃及、印度、泰国、卢森堡等国，1958年11月到达香港，1959年3月回到北京，开始实现他报效祖国的夙愿。
回到北京后，他们参观考察了中国科学院的物理所、计算技术研究所、电子研究所，北京大学，当时一机部十局所属的12所、电子管厂、有线电厂等单位。亲睹国家科学技术和国民经济建设的迅猛发展，使黄敞夫妇深受教育和鼓舞。1959年7月，他被分配到北京大学物理系，任副教授，并兼任中国科学院计算技术研究所11室主任、副研究员，同时开始培养硕士研究生。1965年3月，调赴中国科学院156工程处，任业务室主任，从此开始从事航天微电子与微计算机事业，几经沿革，156工程处又组建为1423所，1970年组建七机部771所，1978年任771所副所长，并晋升为研究员。尔后担任骊山微电子公司副总经理兼总工程师、党委委员，骊山微电子公司科技委主任、技术顾问等。1986年3月调赴北京，任航天部科技委常委。
从1965年起，随着我国航天事业的发展，需要弹、箭载的小型制导计算机，作为导弹与运载火箭控制系统的关键设备的制导计算机，既要求体积小，又要具有较大的容量和较高的运算速度，特别是要求这一计算机能在弹、箭飞行环境条件下可靠的工作，需要攻克一系列技术难关，研制的难度是相当大的。这一任务由不到不惑之年的年青专家黄敞负责。自此至今的30多年中，他孜孜于这一事业的振兴，埋头于这一技术的创新。他首先参加领导了科研机构与科研队伍的组建，60年代初组建了后来称之为771的研究所；90年代初他又参加组建了772所。60年代初，当时是边组建、边开始承担导弹制导计算机及其集成电路的研制任务。他以在美国取得的科技成果和专利为基础，开展硅集成电路工艺研究工作，主持自行设计并研制成功了TTL小规模集成电路B系列产品，主持自行设计、研制成功了CMOS集成电路系列产品，在开发设计和研制的基础上，并成功地进行了小批量生产，B系列产品和CMOS系列产品已成功应用于远程液体弹道导弹，从水下发射的固体弹道导弹的弹载计算机的研制，为保证我国80年代前期战略导弹与航天技术三项重点任务的圆满完成做出了突出的贡献。正因如此，1985年，他作为主要完成人之一的“液体地地战略导弹及运载火箭”项目，获国家科技进步奖特等奖。
1978年，第一次全国科学大会胜利召开，科学的春天来到了。黄敞更加全身心地投入到了他所酷爱的为之着迷的航天微电子和微计算机及其电路的研制。其一，主持并参加导弹专用制导计算机及其电路的研制。其二，开展半导体集成电路新器件、新结构、集成电路器件物理研究，不断地发展与改进了用于各种集成电路与器件分析的载流子总量分析方法；在器件模拟软件研究方面，结合培养博士生，完善了LADES器件模拟软件，完善了LINDECIRSIM 器件与线路结合的模拟软件；开展薄层SIMOX的氧离子注入，离子注入HBT，离子注入HEMT及微波HBT、HEMT器件的物理及工艺模拟；还在研究DCFET、DCFEIC、3DFET、3DFEIC、SOI、SOC等新器件、新电路。其三，他积极地拥护党中央的改革、开放政策，利用他在国内外的关系和声望，以忘我的精神和废寝忘食的劳动，开展航天微电子技术与设备的引进与消化工作，在他的倡导组织与参与下从日本、美国、瑞士等国引进了微电子生产设备、铬版生产设备与技术、制版及CAD设备等，促进了我国航天微电子事业的发展。其四，他与杨樱华等专家一起，在北京师范大学低能核物理研究所和771所培养博士和硕士研究生，培养人才，扶持后学，由于他的精心指导和严格要求，他带出的22名博士生和百余名硕士生，有的已成为我国微电子事业的科技骨干，有的已取得重大科技成果，有的已在世界微电子技术领域颇有名气。这些人才是我国微电子事业新腾飞的宝贵财富。
黄敞是一位学术技术思想活跃，并积极参加国内外有关学术技术活动的科技专家。社会兼职颇多，主要有：第三届全国青联委员；陕西省科协常委；第三、四届陕西省科协副主席；第五、六届全国政协委员等。他还是国务院电子振兴领导小组顾问组的成员和集成电路专业组成员；国家自然科学基金委员会半导体科学评审组成员；中国电子学会半导体与集成电路专业学会副主任委员；全国三束学术小组组长等。1982年以后，他还先后被西安西北电讯工程学院（现为西安电子科技大学）、哈尔滨工业大学、北京师范大学、西安交通大学、华中理工大学等聘任为兼职教授，北京师范大学还聘任他为博士生导师。
正由于他40多年来所付出的艰辛劳动和所做出的突出贡献，多次立功受奖，1984年荣立航天部一等功；1989年被评为部优秀研究生导师；1990年首批被批准为享受政府特殊津贴的专家；1991年被航天部批准为有突出贡献的老专家。
黄敞1996年8月退休，目前他仍在发挥余热，除继续培养研究生外，还与杨樱华等一起，研究偶载场效应管及集成电路、三维场效应管及集成电路、SOI和SOC等项目，继续为我国的微电子事业及其科技进步而努力拼搏着。
技术成就
自1948年10月到达美国，至1958年8月离开美国，黄敞在美国生活和工作整整十年。在这十年中，他钻研的领域颇广，包括微波学原理及应用，电子线路，电子计算机及其线路，雷达，天线，真空管，应用教学，声学等专业技术。但主要还是致力于半导体前沿的科学研究工作。他的博士论文是：（微波空洞及盘体衍射的理论及实验研究）。在其后的一段时期内，他对晶体管理论及制作工艺等进行了深入的研究，所发表的20余篇论文和获得的10项美国专利系统地论述了晶体管理论和应用，在晶体管理论方面主要有双极晶体管直流电流放大系数，双极晶体管的饱和压降，多发射极双极晶体管及其矩阵，双极晶体管在饱和区工作的物理理论等；在晶体管应用方面主要有场效应晶体管的应用，双极开关晶体管的应用、双极开关功率晶体管的应用、双极晶体管双稳态电路、互补双极晶体管双稳态电路等。他的这些研究成果为半导体、晶体管理论基础的奠定做出了一份重要的贡献，也使其在国际半导体、晶体管的学术界及工业界占有举足轻重的地位。他当年研究的晶体管理论成果至今仍是半导体、晶体管和集成电路开发、研制的基础。
1959年回到祖国后，他在北京大学物理系任副教授，并在中国科学院计算技术研究所11室兼任室主任，仍从事半导体、晶体管器件的理论研究工作，提出了半导体、晶体管、集成电路的“载流子总量分析方法”，从新的高度系统地分析了器件内部载流子的运动规律，为晶体管、集成电路模型的研究提供了系统的、科学的方法。
他的这些开创性的研究成果，不仅使其增长了从事微电子、微计算机技术的功底，也为这些技术的发展起到了积极的促进作用。 
50年代中后期，党中央、国务院、中央军委决定发展“两弹一星”（导弹、原子弹含氢弹和人造卫星）事业，集成电路与微计算机技术开始提到议事日程。1965年，中央决定建立军用微电子技术研究所，随即成立了挂靠在中科院计算技术研究所的156工程处，他是这一工程处筹建的技术负责人之一。接此重任，他既激动、高兴，又感到压力很大，激动和高兴的是能一展已之专业特长，在报效祖国中做出自己一份微薄的贡献，但他也深知这是一个日新月异、飞速发展的科学技术前沿，加之我们的设施设备条件还很简陋，工业技术基础也十分薄弱，完成此重任决非易事，难度是非常大的。这位胸怀壮志，不畏艰险的学者，毅然决然地带领科技人员开始了中国航天微电子与微计算机事业的艰苦征程，他们是边组建机构、边调集与培养科技队伍，边带着任务学习、边开展科研工作，同时又开始在陕西临潼进行新研制基地的建设。作为负责156 工程处全面技术工作的黄敞，其工作忙碌的程度是可想而知的，但他却始终把科研工作放在第一位，不辞辛苦地向年青的科技人员传授他十多年来在晶体管、集成电路领域积累的知识与经验，在他的带领与主持下，成功地自行设计和研制出了我国第一个航天集成电路系列，即TTL双极小规模集成电路系列B↓0、B↓1，这些集成电路适时地应用于我国研制的战略导弹和运载火箭的制导计算机上。领导了远程导弹弹上计算机的研制，为我国远程导弹的研制成功提供一个重要保证。也正由于他在研制弹上计算机及集成电路方面的成绩与贡献，他在1985年荣获国家科技进步奖特等奖的“液体地地战略武器及运载火箭”项目中，是主要完成人之一。
1969年，陕西临潼山沟的新研制基地初步建成，他与他的同事一起迁赴陕西临潼，他们在物质生活条件十分艰苦的情况下继续开展科研生产工作。这时，从水下发射固体弹道导弹的弹上制导计算机任务又落到了他们的肩上，在他的主持下，经过夜以继日地刻苦攻关，开发和研制。生产出了CMOS集成电路以及这一固体弹道导弹的弹上计算机，为这一导弹的飞行试验提供了一个必要的保证。向太平洋预定海域发射远程液体弹道导弹和从水下发射固体弹道导弹是我国80年代前期的战略导弹和航天技术三项重点任务中的两项，黄敞和771所的科技人员、工人为之做出了重要的贡献，也正是由于这两项任务的完成，使我国战略导弹技术跨上了一个新的台阶，也为后续的发展奠定了坚实的基础。
在这一期间内，为满足航天型号对集成电路及微计算机高可靠、批量生产的要求，在国防科委和七机部领导的关心与支持下，由黄敞领导进行了集成电路制造技术、设备及生产线的引进工作，主要是771所四车间的工艺线，达到了国际上1975年5微米的水平，691厂的一些工艺设备，旨在解决型号批量生产的问题；在771 所引进了铬版生产线，以保证制版所需的铬版材料问题；在制版和测试技术方面，引进了包括图形发生器在内的制版与测试设备，引进的A系统也为我国航天CAD技术的开展打下了基础。黄敞是我国航天微电子从1978年开始进行的引进工作的有功之臣，尤其是他流利的英语、精湛的技术和对设备的熟悉以及对国内外渠道的了解，更是发挥了别人不可替代的作用，从引进计划的获准，引进渠道的选择，引进的谈判，引进设备的验收、测试、安装、调试等，以及生产线的打通，他都付出了巨大而艰辛的劳动，至今，771所的职工提起往事，还都异口同声地称赞这位被称为“工作狂”的专家。
1980，为了适应新的发展形势，七机部党组决定将771所和691 厂合并，组建七机部陕西骊山微电子公司，当时郑天翔部长代表部党组对骊山公司的任务做了明确的指示，一是确保完成航天型号任务；二是保持国内技术领先；三是实施军民结合，提高经济效益。时任骊山公司副总经理兼总工程师的黄敞丝毫没有怠慢，特别是当时的三项重点任务更是事关大局，而且也存在诸多技术关键；另则是投资亿元以上的引进设备要打通生产线，要试投产和出产品，加上开放后的集成电路产品的进口必然对自行研制的集成电路形成挑战，形势确实严峻，面对如此巨大的压力，他不是懦夫，而是以勇士的刚毅品格东奔西跑，用其坚实的足迹和敏捷的思维，解决了一个个难题，攻克了一道道险关隘口。中国航天微电子和微计算机事业不会忘记这位才华横溢的学者。 
黄敞在微电子技术领域的开拓与奠基作用，除了在这一领域前沿取得前瞻性的科研成果，并开发研制出新的产品，组建研制机构和科技队伍外，更为可贵的是，将其取得的理论成果与科研经验，进行系统的总结，编写成书，以供后来者参考。例如：1986年，他担任主编，组织有科研实践经验，又有理论知识水平的科技人员，编写了《大规模集成电路与微计算机》一书，系统地阐述了他们关于集成电路、微计算机方面的理论研究成果，又记载了他们多年研制工作的经验，对业内外的科技人员都具有指导和参考价值。在我国集成电路技术开始起步和初创时期，他与有关科技人员还适时地发表了研究报告，1965年，在电子学报的国庆15周年增刊上发表了《晶体管器件理论及线性电路理论的进展》；1979年在第1期电子学报上发表了《注入型电路的器件物理》。这些在当时对我国集成电路的发展及相应科技人才的培养，都发挥了重要的作用。
早在1959年回国后，即开始培养研究生，“文化大革命”期间中断。1978年，我国恢复研究生教育制度后，黄敞率先在771所组织了以他为首的导师组，开始招收和培养研究生，同时又在北京师范大学低能核物理研究所带博士研究生，在培养研究生工作中，他强调理论联系实际，十分注意培养学生解决实际问题的能力，他亲自为研究生开课，直接指导学生的论文和科研，抓论文的科学性、严谨性以及应用性，正由于他兢兢业业地耕耘和严格要求，经他培养的研究生，其理论知识水平和实际工作能力都是比较高的，有些已成为我国一些骨干研究所的技术中坚，有些已成为771所科研工作的主力，有些已在国内外微电子技术领域崭露头角，大有青出于蓝而胜于蓝之势。20年来，他与杨樱华、李国辉等共同培养博士毕业生22名，硕士毕业生百余名，时至今日，他仍在潜心致力地培养着研究生。这是黄敞贡献于我国微电子、微计算机事业所驰骋的另一个战场，而且更具战略性和长远的意义，将为我国微电子、微计算机事业的新长征奠定科技人才的基础，新的一代将会开创我国微电子、微计算机事业的新辉煌，事业的未来是他们的。 
50年代初中期，国际上半导体、晶体管技术尚属于初创时期，也是飞速发展时期，黄敞是这一技术领域的佼佼者。其夫人杨樱华毕业于美国麻省Radcliffe研究院（哈佛大学女校），获博士学位，且受聘于麻省Datamatic Corporation电子计算机工厂。他们的经济状况、工作与生活条件等，都是相当好的。然而这对思想进步、生活俭朴的学者夫妇，尽管已获得在美的永久居留权，但另有盘算，经过周密的运筹和长期的谋划，通过获准的环球旅行，于1958年11月顺利到达香港，此时，他们还收到美国Texas Instrument半导体厂的聘请，并催促上任，但他们返回祖国的决心已定，毅然决然地于1959年3月从香港返回大陆。
黄敞夫妇舍弃高位厚禄，几经周折辗转，不远万里回到祖国怀抱，足可见其淡泊名利、热爱祖国的伟大胸怀。
疾风知劲草，动荡识忠心。在“文化大革命”的动乱年代，黄敞夫妇这样有海外关系且在国外居住多年的人无疑难逃被冲击和被隔离审查，即使在那些日子里，他们也是痴心不改，对党、对祖国、对人民忠贞不渝，没有丝毫的怀疑与动摇。他边做检查交待，边指导大规模集成电路和注入逻辑电路等的研究工作。他和他的同事严谨构思、周密设计、反复试验，终于攻克了道道难关，获得了成功。1975年研制成功了大规模集成电路，尔后又研制成功了大规模集成的I2L微计算机，这两个项目均获得了1978年全国第一次科学大会的奖励。
回国后，他对中国共产党的认识，对社会主义和共产主义事业的认识不断提高，曾多次提出入党申请，正如人们所说的，黄敞对中国共产党的忠诚是铁了心的。1979年6月13日，他多年的愿望终于变成了现实，他被吸收为中共预备党员，正如他在入党志愿书中所表述的，我由一个怀着狭隘爱国主义思想回国的知识分子成长为工人阶级先锋队的一员，是党组织教育和群众帮助、教育的结果，我要为共产主义事业，为实现无产阶级和劳动人民的最高理想奋斗终生。
奋斗、拼搏是黄敞的人生座右铭。凡是与他共过事的人都异口同声地称赞他：埋头苦干，刻苦钻研，工作认真，一丝不苟，想的干的都是为了我国的微电子与微计算机事业。为了报效祖国，他舍弃名利和高位厚禄；为了回国不受拖累，他在回国后的1961年才要了惟一的儿子。他有超人的精力，加班一个通宵，第二天照常上班。现在虽已年逾古稀，但他仍矢志不移、壮心不已，仍在培养博士研究生，并与夫人杨樱华等一起进行着偶载场效应管及其集成电路（DCFET、DCFELC）、三维场效应管及集成电路（3DFET、3DFELC）及SOI、SOC的研究工作，称得上老骥伏枥，志在事业的楷模。
简历
1927年5月1日 生于辽宁省沈阳市，祖籍江苏省无锡县。
1943～1947年 昆明西南联合大学（后为北京清华大学）电机系学习，毕业，获工学学士学位。
1947～1948年 北京清华大学电机系，任助教。
1948～1949年 美国奇异公司，任测试工程师。
1949～1952年 美国哈佛大学研究院工程科学及应用物理系学习，同时在哈佛大学兼任助教、助理研究员，获硕士和博士学位。
1952～1958年 美国麻省雪尔凡尼亚半导体厂，任高级工程师、专家工程师和工程经理，同时在麻省东北大学研究院兼授微波学原理及应用。
1958～1959年 环球旅行，回国和等待分配工作。
1959～1966年 北京大学物理系，任副教授，兼中国科学院计算技术研究所11室主任。
1966～1978年 中国科学院156工程处，后改为1423所和771所，曾任室主任、副所长、副研究员。
1978～1986年 七机部771所副所长，研究员；骊山微电子公司副总经理兼总工程师；771所科技委主任、技术顾问。硕士与博士生导师。
1986～1996年 航天部（后改为航空航天部、航天工业总公司）科技委，任常委、研究员。
1996年8月 退休，仍任博士生导师。