标题：微加工导论
基本信息
书名:微加工导论 
出版社:电子工业出版社 
定价:65 
条形码:9787121019814 
ISBN:ISBN 7-121-01981-7 
作者:（芬兰）弗兰西拉著 
印刷日期:2006-1-1 
出版日期:2006-1-1 
精装平装_开本_页数:平装16开,444页
简介
21世纪将是微电子技术及其相关产业持续发展的新世纪，本书从微加工角度出发，介绍了微加工的材料、基本工艺、结构、工艺集成、设备和制造等各个方面。其中材料部分包括了硅、薄膜材料及其制备工艺和结构，基本工艺部分包括了薄膜制备、外延、光刻、刻蚀、热氧化、扩散、离子注入、化学机械抛光（CMOS）、键合、浇铸和冲压等；结构部分包括了自对准结构、等离子体刻蚀结构、湿法刻蚀的硅结构、牺牲层结构和沉积的结构；工艺集成部分包括了互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管制造、双极技术、多层金属化和微机电系统（MEMS）等；设备部分包括了热工艺、真空和等离子体、化学气相沉积和外延等设备；本书还介绍了微加工技术涉及的净化室、成品率、晶圆厂、摩尔定律等。本书既介绍了微电子制造工艺技术，也涉及了微机电系统（MEMS）、微流体、微光学和纳米技术等领域。
本书将是学习微结构和微加工技术的电子工程、化学、机械、物理和材料科学等领域的一本优秀教材，可应用于微电子、微机电系统（MEMS）、光电子或相关新兴领域。
目录
第一部分 绪论
第1章 概述
1.1微加工学科分类
1.2基片
1.3材料
1.4表面和界面
1.5工艺
1.6横向尺度
1.7垂直尺寸
1.8器件
1.9金属氧化物半导体晶体管
1.10净化和成品率
1.11产业
1.12习题
参考文献与相关阅读材料
第2章 微测量和材料表征
2.1显微法和可视化
2.2横向和垂直尺寸
2.3电学测试
2.4物理和化学分析
2.5X射线衍射
2.6全反射X射线荧光
2.7二次离子质谱
2.8俄歇电子波谱法
2.9X射线光电子波谱法
2.10卢瑟福背散射能谱法
2.11电子微探针分析/能量分散X射线分析
2.12其他方法
2.13分析面积和深度
2.14微测试实用要点
2.15习题
参考文献与相关阅读材料
第3章 微加工工艺模拟
3.1模拟类型
3.2一维模拟
3.3二维模拟
3.4三维模拟
3.5习题
参考文献与相关阅读材料
第二部分 材料
第4章 硅
4.1硅材料性能
4.2硅的晶体生长
4.3硅的晶体结构
4.4硅切片工艺
4.5硅晶体中的缺陷和非理想状态
4.6习题
第5章 薄膜材料和工艺
5.1薄膜与块状材料
5.2物理气相沉积
5.3蒸发和分子束外延生长
5.4溅射
5.5化学气相沉积
5.6其他沉积方法
5.7金属薄膜
5.8介电薄膜
5.9介电薄膜的性能
5.10多晶硅
5.11硅化物
5.12习题
参考文献与相关阅读材料
第6章 外延
6.1异质外延
6.2硅的CVD同质外延
6.3外延的模拟
6.4外延的先进应用
6.5习题
参考文献和相关阅读材料
第7章 薄膜生长和结构
7.1薄膜工艺的一般特征
7.2PVD膜的生长和结构
7.3CVD膜的生长和结构
7.4表面和界面
7.5黏附层和阻挡层
7.6多层膜
7.7应力
7.8薄膜上方形貌:台阶覆盖
7.9薄膜沉积的模拟
7.10习题
参考文献与相关阅读材料
第三部分 基 本 工 艺
第8章 图形发生器
8.1粒子束刻蚀法
8.2电子束的物理特性
8.3掩模版的制造
8.4将掩模版作为工具
8.5掩模版检查、缺陷和修复
8.6习题
参考文献与相关阅读材料
第9章 光刻
9.1光刻设备（对准和曝光）
9.2分辨率
9.3基本图形形状
9.4对准和套准
9.5习题
参考文献与相关阅读材料
第10章 光刻图形化
10.1光刻胶的应用
10.2光刻胶化学
10.3光刻胶薄膜光学
10.4光学光刻延伸技术
10.5光学光刻模拟
10.6光刻的实践
10.7光刻胶去胶或灰化
10.8习题
参考文献与相关阅读材料
第11章 刻蚀
11.1湿法刻蚀
11.2电化学刻蚀
11.3各向异性湿法刻蚀
11.4等离子体刻蚀
11.5刻蚀工艺表征
11.6常用材料的刻蚀工艺
11.7刻蚀时间和边墙
11.8湿法刻蚀、各向异性湿法刻蚀以及等离子体刻蚀的比较
11.9习题
参考文献与相关阅读材料
第12章 晶圆片清洗和表面预处理
12.1杂质的形式
12.2湿法清洗
12.3颗粒污染
12.4有机杂质
12.5金属杂质
12.6冲洗和烘干
12.7物理清洗法
12.8习题
参考文献与相关阅读材料
第13章 热氧化
13.1氧化过程
13.2迪尔-格罗夫（Deal-Grove）氧化模型
13.3氧化物的结构
13.4氧化过程的模拟
13.5硅的局部氧化
13.6氧化时应力和图形的影响
13.7习题
参考文献与相关阅读材料
第14章 扩散
14.1扩散机理
14.2扩散时的掺杂剖面形貌
14.3扩散模拟
14.4扩散应用
14.5习题
参考文献与相关阅读材料
第15章 离子注入
15.1注入工艺
15.2注入损伤和损伤退火
15.3离子注入模拟
15.4离子注入的工具
15.5SIMOX:通过离子注入来制造绝缘体上的硅
15.6习题
参考文献与相关阅读材料
第16章 化学机械抛光
16.1CMP工艺和设备
16.2CMP的力学
16.3CMP的化学
16.4CMP的应用
16.5CMP控制测量
16.6CMP中的非理想情况
16.7习题
参考文献与相关阅读材料
第17章 键合和图层转移
17.1硅熔融键合
17.2阳极键合
17.3其他键合技术
17.4键合力学
17.5结构化晶圆片的键合
17.6SOI晶圆片工厂中的键合
17.7图层转移
17.8习题
参考文献与相关阅读材料
第18章 浇铸和压印
18.1铸造
18.2二维表面压印
18.3三维体压印
18.4与光刻的比较
18.5习题
参考文献与相关阅读材料
第四部分 结构
第19章 自对准结构
19.1MOS栅模块
19.2自对准双阱
19.3边墙与自对准硅化物
19.4自对准结
19.5习题
参考文献与相关阅读材料
第20章 等离子体刻蚀结构
20.1多步刻蚀
20.2多层刻蚀
20.3刻蚀中的光刻胶效应
20.4无掩膜的刻蚀
20.5图形尺寸和图形密度效应
20.6刻蚀残留和损伤
20.7习题
参考文献与相关阅读材料
第21章 湿法刻蚀的硅结构
21.1<100>硅基片的基本结构
21.2刻蚀剂
21.3刻蚀掩膜和保护层
21.4刻蚀速率与刻蚀自动终止
21.5隔膜的制备
21.6在<100>硅片上的刻蚀形成具有复杂形状的结构
21.7硅片正面的体微加工
21.8边角补偿
21.9<110>硅片的刻蚀
21.10<111>硅片的刻蚀
21.11<100>硅、<110>硅与<111>硅湿法刻蚀的比较
21.12习题
参考文献与相关阅读材料
第22章 牺牲层与释放型结构
22.1结构层与牺牲层
22.2单结构层
22.3黏滞
22.4双结构层工艺
22.5旋转结构
22.6绞链结构
22.7使用多孔硅的牺牲层结构
22.8习题
参考文献与相关阅读材料
第23章 沉积结构
23.1电镀结构
23.2剥离金属化
23.3特殊沉积的应用
23.4局部沉积
23.5腔穴的密封
23.6习题
参考文献与相关阅读材料
第五部分 集成
第24章 工艺集成
24.1太阳能电池的工艺集成
24.2晶圆片的选择
24.3图形
24.4设计规则
24.5污染预算
24.6热工艺
24.7热预算
24.8金属化
24.9可靠性
24.10习题
参考文献与相关阅读材料
第25章 CMOS晶体管制造
25.15μm多晶硅栅CMOS工艺
25.2MOS晶体管的按比例缩小
25.3先进CMOS的问题
25.4栅模块
25.5与硅的接触
25.6习题
参考文献与相关阅读材料
第26章 双极工艺技术
26.1SBC双极型晶体管的加工工艺
26.2先进双极结构
26.3BiCMOS工艺技术
26.4习题
参考文献与相关阅读材料
第27章 多层金属布线
27.1双层金属布线
27.2多层金属布线
27.3大马士革金属布线（镶嵌金属布线）
27.4金属布线的按比例缩小
27.5铜金属布线
27.6低电介质材料
27.7习题
参考文献与相关阅读材料
第28章 MEMS工艺集成
28.1双面加工工艺
28.2隔膜结构
28.3硅穿孔结构
28.4在相当不平表面上的图形化
28.5DRIE与各向异性湿法刻蚀
28.6IC-MEMS集成
28.7习题
参考文献与相关阅读材料
第29章 基于非硅基底的工艺技术
29.1基底
29.2薄膜晶体管
29.3习题
参考文献与相关阅读材料
第六部分 设备
第30章 微加工设备
30.1批处理工艺与单晶圆工艺
30.2设备的性能因素
30.3设备的生命周期
30.4工艺状态:温度-压力
30.5工艺设备的仿真
30.6加工工艺的测量
30.7习题
参考文献与相关阅读材料
第31章 热处理设备
31.1高温设备:热壁设备与冷壁设备
31.2炉管工艺
31.3快速热处理/快速热退火
31.4习题
参考文献与相关阅读材料
第32章 真空和等离子体
32.1真空薄膜的相互作用
32.2真空的获得
32.3等离子体刻蚀
32.4溅射
32.5PECVD
32.6滞留时间
32.7习题
参考文献与相关阅读材料
第33章 化学气相沉积和外延设备
33.1CVD沉积速率模型
33.2CVD反应腔室
33.3原子层沉积
33.4MOCVD
33.5硅CVD外延
33.6外延反应器
33.7习题
参考文献与相关阅读材料
第34章 集成式工艺
34.1周围环境的控制
34.2干法清洗
34.3集成式设备
34.4习题
参考文献与相关阅读材料
第七部分 制造
第35章 净化室
35.1净化室的标准
35.2净化室子系统
35.3环境、安全和健康（ESH）方面
35.4习题
参考文献与相关阅读材料
第36章 成品率
36.1成品率模型
36.2工艺步骤的影响
36.3成品率的上升
36.4习题
参考文献与相关阅读材料
第37章 晶圆加工厂
37.1集成电路制造的发展史
37.2制造趋势
37.3循环时间
37.4所有者成本
37.5硅工艺的成本
37.6习题
参考文献与相关阅读材料
第八部分 未 来 趋 势
第38章 摩尔定律
38.1从晶体管到集成电路
38.2摩尔定律
38.3延伸的光刻技术:相移掩模版
38.4可供选择的光刻方法
38.5功能和应用的限制
38.6集成电路产业
38.7习题
参考文献与相关阅读材料
第39章 微加工概要
39.1新材料
39.2高深宽比结构
39.3微加工设备
39.4键合和层转移
39.5器件
39.6微加工工业
39.7习题
参考文献与相关阅读材料
附录A部分习题的注释与提示
附录B常量和转换系数
索引