标题：王金斌
个人简介
王金斌，男，1972年9月生，博士，教授，博士生导师，湖南省芙蓉学者特聘教授，教育部“新世纪优秀人才支持计划”获得者，湖南省杰出青年基金获得者，国家实验教学示范中心“材料科学与工程”实验教学中心常务副主任，中国材料研究学会理事，中国材料研究学会青委会常务理事，中国力学学会青委会理事，中国仪表功能材料学会副秘书长，国际期刊Journal of Nanoscience Letters杂志编委。2005年3月在中国科学院上海技术物理研究所获得微电子学与固体电子学专业博士学位，2006年5月至2007年5月在日本国立材料科学研究所先进电子材料中心(Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science, Japan)从事访问研究，2010年1月在日本东京工业大学做Global COE教授。[1]
主要从事铁电薄膜、稀磁半导体、铁电体/稀磁半导体异质结、铁电铁磁复合材料和相关器件的制备与改性、结构表征与性能分析等研究工作。在Appl. Phys. Lett., Acta Mater., Small等国内外重要刊物发表论文60余篇，被SCI 收录47篇(其中影响因子4.0 以上的10篇，影响因子在 2.0～4.0 之间的13 篇)，Ei 收录46篇。至2009年5月，有39篇文章被发表在SCI 收录刊物上的文章引用427次，其中他引336次，单篇文章他引最高次数为39 次。申请并受理国家发明专利五项，其中两项已经授权。多次被Appl. Phys. Lett., J. Appl. Phys., J. Mater. Sci.: Materials in Electronics, Appl. Surf. Sci.等国际刊物邀请审稿或约稿。多次参加在澳大利亚、日本、香港、北京、重庆和武汉举行的国际学术交流活动，并做分会主席和邀请报告。
学习工作经历
学习经历：  王金斌
1992年－1996年，湘潭大学材料与光电物理学院获得学士学位； 
1998年－2000年，湘潭大学材料与光电物理学院获得硕士学位； 
2002年－2005年，中国科学院上海技术物理所获得博士学位； 
2006年－2007年，日本国家材料研究所访问学者； 
工作经历： 
1996年～，湘潭大学材料与光电物理学院工作。
主讲课程
研究生课程： 
《半导体器件物理》
《光电子材料与器件》
《微电子材料与器件》
《微电子学与固体电子学前沿讲座》 
《薄膜物理》 
本科生课程： 
《半导体物理》 
《数字电路基础》
《半导体材料》 
《固体物理导论》
研究方向
太阳能电池材料、太阳能电池及组件 
半导体材料与器件
大面积电子信息薄膜、透明导电电极 
新型非挥发存储器 [1]
获奖情况
[1]2011年，获湖南省自然科学奖一等奖，排名第二 [1]
[2]2011年，获湖南省青年科技奖
[3]2012年，指导的博士生闫海龙获湖南省优秀博士论文奖
[4]2006年，指导的研究生黄贵军获湖南省优秀研究生奖
[5]2010年，指导的博士生闫海龙获湘潭大学研究生校长奖优秀奖
[6]2012年，指导的博士生王前进获湘潭大学研究生校长奖优秀奖
[7]2007年，指导的硕士生黄贵军获湘潭大学研究生校长奖优秀奖
[8]2012年，指导的硕士生谭秋红获湘潭大学研究生校长奖优秀奖
[9]2002年，获湖南省优秀硕士论文奖
[10]2000年，获湘潭大学研究生校长奖特等奖
科研项目
1.国家自然科学基金，电场非挥发性调制高温稀磁半导体/铁电体异质结构中的磁化行为研究，经费：20万元，主持（编号：50702048）2008.01-2010.12 
2.湖南省杰出青年基金,非挥发性晶体管用稀磁半导体/铁电体异质结的制备及磁化调制研究, 经费：60万元，主持(编号：09JJ1006), 2009.01-2012.12 
3.教育部“新世纪优秀人才支持计划”项目, 大面积无铅铁电薄膜的制备及其应用研究, 经费：50万元，主持（编号：NCET-08-0687）, 2009.01-2011.12 
4.国家自然科学基金重点项目，纳电子材料及器件的力、电、热耦合破坏理论和实验研究，经费：200万元，与中山大学合作，（编号：10732100）2008.01-2011.12 
5.国家自然科学基金，脉冲激光诱导液-固界面反应制备亚稳态纳米晶，经费：18万元，排名第四（主研）（编号：50072022）2001.01-2003.12 
6.教育部博士点新教师基金项目，稀磁半导体/铁电体异质结生长及铁磁性的电场调制研究，经费：3.6万元，主持（编号：20070530010）2008.01-2010.12 
7.湖南省自然科学基金，无铅铁电薄膜的制备及其在微电子学中的应用，经费：4万元，主持（编号：05JJ30126）2005.01-2006.12 
8.湖南省教育厅青年项目，BLT和BNT薄膜的制备及相关物理性能，经费：4万元，主持（编号：04B061）2005.01-2006.12 
9.湘潭大学交叉学科项目，ZnO稀磁半导体薄膜的制备及铁磁、光电性能研究，经费：3万元，主持（编号：05IND10）2006.01-2008.12
社会兼职
中国材料研究学会青委会理事 
中国力学学会青委会理事
主要代表性论文
2008年： 
[1] H. L. Yan, J. B. Wang*, X. L. Zhong, Y. C. Zhou, Spatial distribution of manganese and room temperature ferromagnetism in manganese-doped ZnO nanorods, Appl. Phys. Lett. 93, 142502 (2008) 
[2] Y. J. Zhang, J. B. Wang*, X.L. Zhong, Y.C. Zhou, X.L. Yuan, T. Sekiguchi, Influence of Li-dopants on the luminescent and ferroelectric properties of ZnO thin films, Solid State Commun. 148, 448(2008) 
[3] X. L. Zhong, J. B. Wang*, M. Liao, C. B. Tan, H. B. Shu, Y. C. Zhou, Effect of Mn doping on the microstructures and dielectric properties of Bi3.15Nd0.85Ti3O12 thin films, Thin Solid Films 516, 8240 (2008) 
[4] M. Liao, X. L. Zhong, J. B. Wang, Y. C. Zhou, H. Liao, Effects of CoFe2O4 content on the properties of nanoparticulate Bi3.15Nd0.85Ti3O12-CoFe2O4 thin films, Scripta Mater. 58, 715 (2008) 
[5] X. L. Zhong, M. Liao, J. B. Wang*, S. H. Xie, and Y. C. Zhou, Structural, ferroelectric, ferromagnetic, and magnetoelectric properties of the lead-free Bi3.15Nd0.85Ti3O12/CoFe2O4 double-layered thin film, J. Cryst. Growth 310, 2995 (2008) 
[6] X. L. Zhong, B. Li, J. B. Wang*, M. Liao, H. Liao, Y. C. Zhou, Ferroelectric properties of Mn-doped Bi3.15Nd0.85Ti3O12 thin films prepared under different annealing conditions, Mater. Lett. 62, 2891 (2008) 
[7] X. L. Zhong, Z. S. Hu, J. B. Wang*, B. Li, H. Liao, Y. C. Zhou, Microstructures and electrical properties of Nd3+/V5+-cosubstituted Bi4Ti3O12 thin films, J. Cryst. Growth 310, 4516 (2008) 
[8] G. C. Zhou, L. Z. Sun, J. B. Wang*, X.L. Zhong and Y.C. Zhou, Evolution of the Bonding mechanism of ZnO under isotropic compression: A First-principles study, Physica B: Condensed Matter 403, 2832 (2008) 
[9] Z. S. Hu, M. H. Tang, J. B. Wang*, X. J. Zheng, Y. C. Zhou, Effect of extrapolation length on the phase transformation of epitaxial ferroelectric thin films, Physica B: Condensed Matter 403, 3700 (2008) 
[10] X. J. Zheng, L. He, M. H. Tang, Y. Ma, J. B. Wang, Q. M. Wang, Enhancement of fatigue endurance and retention characteristic in Bi3.25Eu0.75Ti3O12 thin films, Mater. Lett. 62, 2876 (2008) 
[11] 闫海龙,钟向丽,王金斌*,黄贵军,丁书龙,周功程,生长温度对Mn 掺杂ZnO 纳米棒铁磁性的影响，光电子·激光 19, 58 (2008) 
2007年： 
[12] J. B. Wang, Z. F. Li, P. P. Chen, W. Lu and T. Yao, Raman study of gap mode and lattice disorder effect in InN films prepared by plasma-assisted molecular beam epitaxy, Acta Mater. 55, 183 (2007). 
[13] X. L. Zhong, J. B. Wang*, L. Z. Sun, C. B. Tan, X. J. Zheng, Y. C. Zhou, Improved ferroelectric properties of bismuth titanate films by Nd and Mn consubstitution, Appl. Phys. Lett. 90, 012906 (2007). 
[14] H. L. Yan, X. L. Zhong, J. B. Wang*, G. J. Huang, S. L. Ding, G. C. Zhou and Y. C. Zhou, Cathodoluminescence and room temperature ferromagnetism of Mn-doped ZnO nanorod arrays grown by chemical vapor deposition, Appl. Phys. Lett. 90, 082503 (2007). 
[15] Q. Huang, Y. Bando, A. Sandanayaka, C.H. Tang, J. B. Wang, T. Sekiguchi, C. Y. Zhi, D. Golberg, Y. Araki, O. Ito, L. Gao, Photoinduced Charge Injection and Bandgap-Engineering of High-Specific-Surface-Area BN Nanotubes using a Zinc Phthalocyanine Monolayer, Small 3, 1330 (2007). 
[16] L. Z. Sun, Xiaoshuang Chen, Jijun Zhao, J. B. Wang, Y. C. Zhou, and Wei Lu, Electronic properties and chemical trends of the arsenic in situ impurities in Hg1−xCdxTe: First-principles study, Phys. Rev. B 76, 045219 (2007) 
[17] X. L. Zhong, J. B. Wang*, M. Liao, G. J. Huang, S. H. Xie, Y. C. Zhou, Y. Qiao, J. P. He, Multiferroic Bi3.15Nd0.85Ti3O12-CoFe2O4 composite thin films prepared by a chemical solution deposition technique, Appl. Phys. Lett. 90, 152903 (2007). 
[18] X. L. Zhong, J. B. Wang*, M. Liao, L. Z. Sun , H. B. Shu , C. B. Tan , Y. Zhou, Ferroelectric and dielectric properties of Nd3+/Zr4+ cosubstituted Bi4Ti3O12 thin films, Appl. Phys. Lett. 90, 102906 (2007). 
[19] G. J. Huang, J. B. Wang*, X. L. Zhong, G. C. Zhou, H. L. Yan, Synthesis, structure, and room-temperature ferromagnetism of Ni-doped ZnO nanoparticles, J. Mater. Sci. 42, 6464 (2007). 
[20]黄贵军, 王金斌*, 钟向丽, 周功程, 高TC锰掺杂氧化锌稀磁半导体纳米晶的溶胶-凝胶法制备, 光电子·激光 18, 597 (2007). 
[21] G. J. Huang, J. B. Wang*, X. L. Zhong, G. C. Zhou, H. L. Yan, Above room temperature ferromagnetism of Mn-doped ZnO nanoparticles prepared by sol-gel process, Optoelectronic Letters 2, 0439 (2006). 
[22] M. Liao, X. L. Zhong, J. B. Wang, H. L. Yan, J. P. He, Y. Qiao, Y. C. Zhou, Nd-substituted bismuth titanate ferroelectric nanofibers by electrospinning, J. Cryst. Growth 304, 69 (2007) 
[23] G. C. Zhou, L. Z. Sun, X. L. Zhong, X. S. Chen, W. Lu, J. B.Wang*, First-principles study on the bonding mechanism of ZnO: based on the LDA+U method, Phys. Lett. A 368, 112 (2007). 
[24] H. B. Shu, G. C. Zhou, X. L. Zhong, L. Z. Sun, J. B. Wang, X. S. Chen, and Y.C. Zhou, Effects of lattice strain and ions displacement on the bonding mechanism of ferroelectric perovskite material BaTiO3: First-principles study, J. Phys.: Condens. Matter. 19, 276213 (2007) 
[25] D. Shuang, J. B. Wang, X. L. Zhong and H. L. Yan, Raman scattering and cathodoluminescence properties of flower-like manganese doped ZnO nanorods, Materials Science in Semiconductor Processing, 10, 97 (2007) 
[26]谭丛兵，钟向丽，王金斌，廖敏，周益春，潘伟，Nd掺杂对Bi4Ti3O12铁电薄膜的微结构和铁电性能的影响，物理学报，56, 6084 (2007) 
2006年： 
[27] J. B. Wang, G. J. Huang, X. L. Zhong, L. Z. Sun, Y. C. Zhou, E. H. Liu, Raman scattering and high temperature ferromagnetism of Mn-doped ZnO nanoparticles, Appl. Phys. Lett. 88, 252502 (2006). 
[28] J. B. Wang, H. M. Zhong, Z. F. Li, and Wei Lu, Raman Study for N+ implanted ZnO, Appl. Phys. Lett. 88, 101913 (2006). 
[29] H. M Zhong, J. B. Wang, X. S. Chen, Z. F Li, W. L. Xu, and W. Lu, Effect of Mn+ ion implantation on the Raman spectra of ZnO, J. Appl. Phys. 99, 103905 (2006). 
[30] H. M. Zhong, J. B. Wang, M. Pan, S. W. Wang, Z. F. Li, W. L. Xu, X. S. Chen and W. Lu, Preparation and photoluminescence of ZnO nanorods, Mater. Chem. Phys. 97, 390 (2006). 
[31] X. L. Zhong, J. B. Wang, S. X. Yang and Y. C. Zhou, Dependence of excess bismuth content in precursor sols on ferroelectric and dielectric properties of Bi3.25La0.75Ti3O12 thin films fabricated by chemical solution deposition, Appl. Surf. Sci. 253, 417 (2006). 
[32] L. Z. Sun, X. L. Zhong, J. B. Wang, X. S. Chen, W. Lu, Relaxations and bonding mechanism of arsenic in-situ impurities in MCT: first-principles study, Trans. Nonferrous Met. Soc. China 16, 907 (2006). 
[33]钟红梅,陈效双,王金斌,夏长生,王少伟,李志锋,徐文兰,陆卫, 基于离子注入技术的ZnMnO半导体材料的制备及光谱表征, 物理学报, 55, 2073 (2006) 
2005年： 
[34] J. B. Wang, H. M. Zhong, Z. F. Li, and W. Lu, Raman Study for E2 Phonon of ZnO in Zn1−xMnxO Nanoparticles, J. Appl. Phys. 97, 086105 (2005). 
[35] X. L. Zhong, J. B. Wang, Y. C. Zhou, J. J. Liu, X. J. Zheng, Electrical properties of Nd-substituted Bi4Ti3O12 thin films fabricated by chemical solution deposition, J. Cryst. Growth 277, 233 (2005). 
2004年： 
[36] J. B. Wang, Z. F. Li, W. Lu, D. J. Chen, B. Shen, and Y. D. Zheng, Infrared reflectance of GaN1− xPx ternary alloys grown by metalorganic chemical vapor deposition，J. Vac. Sci. Technol. A 22(5), 1956 (2004). 
[37] X. L. Zhong, J. B. Wang, X. J. Zheng, Y. C. Zhou，G. W. Yang， Structure evolution and ferroelectric and dielectric properties of Bi3.5Nd0.5Ti3O12 thin films under a moderate temperature annealing，Appl. Phys. Lett. 85 (23) 5661 (2004). 
[38] J. Chen, W.Z. Shen, J. B. Wang, H. Ogawa, Q. X. Guo, Micro-Raman study of hexagonal InN thin films grown by reactive sputtering on GaAs, J. Cryst. Growth 262, 435 (2004). 
[39] X. F. Liu, J. R. Xiao, X. Z. Jian, J. B. Wang, J. D. Gao, a-C∶F∶H films prepared by PECVD, Trans. Nonferrous Met. Soc. China, 14(3), 426 (2004). 
2003年： 
[40] J. B. Wang, G. W. Yang, C. Y. Zhang, X. L. Zhong and Zh. A. Ren, Cubic-BN nanocrystals synthesis by pulsed laser induced liquid