标题：半导体器件基础
图书信息
  书 名: 半导体器件基础
作　者：(美国)安德森 田立林
出版社： 清华大学出版社
出版时间： 2008年03月
ISBN: 9787302164135
开本： 16开
定价: 69.00 元
内容简介
《半导体器件基础(翻译版)》不仅包括了量子力学、半导体物理和半导体器件（包括二极管、场效应晶体管、双极晶体管和光电器件）的基本工作原理等内容，还写进了现代半导体器件的最新进展以及器件的实际应用。例如：对于显著影响现代小尺寸器件电学特性的二级效应进行了分析和公式推导，给出了描述小尺寸器件特性的最新的数学表达式；考虑到异质结在场效应器件、双极器件和光电器件中的应用日益增加，书中对半导体异质结作了着重介绍；由于半导体制造设备和工艺技术的提高，“能带工程”得以实现，随之带来了器件性能的提高，所以《半导体器件基础(翻译版)》在重点介绍硅材料和硅器件的基础上，还介绍了化合物半导体器件、合金器件（如SiGe，AlGaAs）和异质结器件；《半导体器件基础(翻译版)》还利用电路分析程序SPICE对器件的I-V特性进行了模拟，对简单电路进行了稳态和瞬态分析。
《半导体器件基础(翻译版)》不仅是一本很好的教科书，也很适合作为微电子和相关领域的工程技术人员的参考书。作者Betty Lise Arldexson博士是美国俄亥俄州立大学工学院的电机工程教授，讲授多门本科生和研究生的课程。曾经在工业界工作过九年，有丰富的研究经验，目前正在从事用于通讯、雷达和信息处理的光子学器件研究。因此，与实际器件应用紧密结合也是《半导体器件基础(翻译版)》的一个特色。
图书目录
译者序
前言
第1部分 半导休材料
第1章 半导体中电子的能量和状态
第2章 均匀半导体
第3章 均匀半导体中的电流
第4章 非均匀半导体
第1部分补充内容 材料
补充内容 1A 量子力学介绍
补充内容 1B 关于材料的补充问题
第2部分 二极管
第5章 原型同质pn结
第6章 二极管的补充说明
第2部分补充内容：二极管
第3部分 场效应晶体管
第7章 MOSFET
第8章 FET的补充分析
第3部分补充内容：场效应晶体管
第4部分 双极结型晶体管
第9章 双极结型器件：静电学特性
第10章 双极晶体管的时变分析
第4部分补充内容：双极器件
第5部分 光电器件
第11章 光点器件
附录
附录A 重要常数
附录B 符号表
附录C 制造
附录D 态密度函数，态密度有效质量，电导率有效质量
附录E 一些有用的积分公式
附录F 有用的公式
附录G 推荐阅读的文献
……
图书信息
书 名: 半导体  器件基础
作　者：皮埃罗(RobertF.Pierret)
出版社： 电子工业出版社
出版时间： 2010年7月1日
ISBN: 9787121112546
开本： 16开
定价: 59.00元
内容简介
《半导体器件基础》是一本微电子技术方面的入门书籍，全面介绍了半导体器件的基础知识。全书分为三个部分共19章，首先介绍了半导体基础，讲解了半导体物理方面的相关知识以及半导体制备工艺方面的基本概念。书中阐述了pn结、双极结型晶体管（BJT）和其他结型器件的基本物理特性，并给出了相关特性的定性与定量分析。最后，作者讨论了场效应器件，除了讲解基础知识之外，还分析了小尺寸器件相关的物理问题，并介绍了一些新型场效应器件。全书内容丰富、层次分明，兼顾了相关知识的深度与广度，系统讲解了解决实际器件问题所必需的分析工具，并且提供了大量利用计算机实现的练习与习题。
《半导体器件基础》可作为微电子专业的本科生及研究生的教材或参考书，也是该领域工程技术人员的宝贵参考资料。
作者简介
作者：（美国）皮埃罗（Robert F.Pierret） 译者：黄如 王漪 王金延 等 合著者：韩汝琦
图书目录
第一部分 半导体基础
第1章 半导体概要
1.1 半导体材料的特性
1.1.1 材料的原子构成
1.1.2 纯度
1.1.3 结构
1.2 晶体结构
1.2.1 单胞的概念
1.2.2 三维立方单胞
1.2.3 半导体晶格
1.2.4 密勒指数
1.3 晶体的生长
1.3.1 超纯硅的获取
1.3.2 单晶硅的形成
1.4 小结
习题
第2章 载流子模型
2.1 量子化概念
2.2 半导体模型
2.2.1 价键模型
2.2.2 能带模型
2.2.3 载流子
2.2.4.带隙和材料分类
2.3 载流子的特性
2.3.1 电荷
2.3.2 有效质量
2.3.3 本征材料内的载流子数
2.3.4 载流子数的控制——掺杂
2.3.5 与载流子有关的术语
2.4 状态和载流子分布
2.4.1 密度
2.4.2 费米分布函数
2.4.3 平衡载流子分布
2.5 平衡载流子浓度
2.5.1 n型和p型的公式
2.5.2 n型和p型表达式的变换
2.5.3 n和载流子浓度乘积np
2.5.4 电中性关系
2.5.5 载流子浓度的计算
2.5.6 费米能级En的确定
2.5.7 载流子浓度与温度的关系
2.6 小结
习题
第3章 载流子输运
3.1 漂移
3.1.1 漂移的定义与图像
3.1.2 漂移电流
3.1.3 迁移率
3.1.4 电阻率
3.1.5 能带弯曲
3.2 扩：散
3.2.1 扩散的定义与图像
3.2.2 热探针测量法
3.2.3 扩散和总电流
3.2.4 扩散系数与迁移率的关系
3.3 复合一产生
3.3.1 复合一产生的定义与图像
3.3.2 动量分析
3.3.3 R.G统计
3.3.4.少子寿命
3.4 状态方程
3.4.1 连续性方程
3.4.2 少子的扩散方程
3.4.3 问题的简化和解答
3.4.4 解答问题
3.5 补充的概念
3.5.1 扩散长度
3.5.2 准费米能级
3.6 小结
习题
第4章 器件制备基础
4.1 制备过程
4.1.1 氧化
4.1.2 扩散
4.1.3 离子注入
4.1.4 光刻
4.1.5 薄膜淀积
4.1.6 外延
4.2 器件制备实例
4.2.1 pn结二极管的制备
4.2.2 计算机CPU的工艺流程
4.3 小结
第一部分补充读物和复习
可选择的／补充的阅读资料列表
图的出处／引用的参考文献
术语复习一览表
第一部分——复习题和答案
第二部分 Ap门结二极管
第5章 pn结的静电特性
5.1 前言
5.1.1 结的相关术语／理想杂质分布
5.1.2 泊松方程
5.1.3 定性解
5.1.4 内建电势(V)
5.1.5 耗尽近似
5.2 定量的静电关系式
5.2.1 假设和定义
5.2.2 K=0条件下的突变结
5.2.3 K≠0条件下的突变结
5.2.4 结果分析
5.2.5 线性缓变结
5.3 小结
习题
第6章 pn结二极管：V特性
6.1 理想二极管方程
6.1.1 定性推导
6.1.2 定量求解方案
6.1.3 严格推导
6.1.4 结果分析
6.2 与理想情况的偏差
6.2.1 理想理论与实验的比较
6.2.2 反向偏置的击穿
6.2.3 复合一产生电流
6.2.4 Va-V时的大电流现象
6.3 一些需要特别考虑的因素
6.3.1 电荷控制方法
6.3.2 窄基区二极管
6.4 小结
习题
第7章 on结二极管：小信号导纳
7.1 引言
7.2 反向偏置结电容
7.2.1 基本信息
7.2.2 C-V关系
7.2.3 参数提取和杂质分布
7.2.4 反向偏置电导
7.3 正向偏置扩散导纳
7.3.1 基本信息
7.3.2 导纳关系式
7.4 小结
习题
第8章 pn结二极管：瞬态响应
8.1 瞬态关断特性
8.1.1 引言
8.1.2 定性分析
8.1.3 存贮延迟时间
8.1.4 总结
8.2 瞬态开启特性
8.3 小结
习题
第9章 光电二极管
9.1 引言
9.2 光电探测器
9.2.1 pn结光电二极管
9.2.2 p-i-n和雪崩光电二极管
9.3 太阳能电池
9.3.1 太阳能电池基础
9.3.2 效率研究
……
第二部分 B BJT和其他结型器件
第10章 BJT 基础知识
第11章 BJT静态特性 
第12章 BJT动态响应模型
第13章 PNPN器件
第14章 MS接触和肖特基二极管
第二部分补充读物和复习
可选择的/补充的阅读资料列表
图的出处 / 引用的参考文献
术语复习一览表
第二部分-复习题和答案
第三部分 场效应器件
第15章 场效应导言-J-FET和MESFET
第16章 MOS结构基础
第17章 MOSFET器件基础
第18章 非理想MOS
第19章 现代场效应管结构
第三部分 补充读物和复习
可选择的/补充的阅读资料列表
图的出处/引用的参考文献
术语复习一览表
第三部分-复习题和答案
附录A 量子力学基础
附录B MOS半导体静电特性-精确解
附录C MOS C -V补充
附录D MOS I -V补充
附录E 符号表
附录F MATLAB程序源代码