标题：电压传感器
前言
伴随着城市人口和建设规模的扩大，各种用电设备的增多，用电量越来越大，城市的供电设备经常超负荷运转，用电环境变得越来越恶劣，对电源的“考验”越来越严重。据统计，每天，用电设备都要遭受120次左右各种的电源问题的侵扰，电子设备故障的60%来自电源[7]。因此，电源问题的重要性日益凸显出来。原先作为配角，资金投入较少的电源越来越受到厂商和研究人员的重视，电源技术遂发展成为一门崭新的技术。
而今，小小的电源设备已经融合了越来越多的新技术。例如开关电源、硬开关、软开关、参数稳压、线性反馈稳压、磁放大器技术、数控调压、PWM、SPWM、电磁兼容等等。实际需求直接推动电源技术不断发展和进步，为了自动检测和显示电流，并在过流、过压等危害情况发生时具有自动保护功能和更高级的智能控制，具有传感检测、传感采样、传感保护的电源技术渐成趋势，检测电流或电压的传感器便应运而生并在中国开始受到广大电源设计者的青睐，本文主要介绍电压传感器。柏艾斯传感器(20张)
简介
电压传感器，是指将被测的交流电压或直流电压隔离转换成按线性比例输出的直流电压或直流电流的装置。　　电压传感器分为直流电压传感器和交流电压传感器[1]。　　直流电压传感器是指将被测直流电压隔离转换成按线性比例输出的标准直流电压或直流电流的装置。
直流电压传感器又分为单路直流电压传感器和双路直流电压传感器，单路直流电压传感器是指将被测直流电压隔离转换成按线性比例输出的单路标准直流电压或直流电流的装置。双路直流电压传感器是指将被测直流电压隔离转换成按线性比例输出的双路标准直流电压或直流电流的装置。　　交流电压传感器又分为单相交流电压传感器和三相交流电压传感器。
单相交流电压传感器是指将被测交流电压隔离转换成按线性比例输出的单路标准直流电压或直流电流，三相电压传感器是指将被测三相交流电压隔离转换成按线性比例输出的三路标准直流电压或直流电流电压传感器，是指将被测的交流电压或直流电压隔离转换成按线性比例输出的直流电压或直流电流的装置。　　电压传感器分为直流电压传感器和交流电压传感器。　　单相电压传感器是指将被测直流电压隔离转换成按线性比例输出的标准直流电压或直流电流的装置。
直流电压传感器又分为单路直流电压传感器和双路直流电压传感器，单路直流电压传感器是指将被测直流电压隔离转换成按线性比例输出的单路标准直流电压或直流电流的装置。双路直流电压传感器是指将被测直流电压隔离转换成按线性比例输出的双路标准直流电压或直流电流的装置。　　交流电压传感器又分为单相交流电压传感器和三相交流电压传感器。
单相交流电压传感器是指将被测交流电压隔离转换成按线性比例输出的单路标准直流电压或直流电流，三相电流电压传感器是指将被测三相交流电压隔离转换成按线性比例输出的三路标准直流电压或直流电流。
工作原理
ABB公司的电流传感器可以测量各种类型的电流，从直流电到几十千赫兹的交流电，其所依据的工作原理主要是霍尔效应，如图1所示。
当原边导线经过电流传感器时，原边电流IP会产生磁力线①，原边磁力线集中在磁芯②周围，内置在磁芯气隙中的霍尔电极③可产生和原边磁力线①成正比的大小仅几毫伏的电压，电子电路④可把这个微小的信号转变成副边电流IS⑤，并存在以下关系式：
⑴
其中，IS—副边电流；
IP—原边电流；
NP—原边线圈匝数；
NS—副边线圈匝数；
NP/NS—匝数比，一般取NP=1。
电流传感器的输出信号是副边电流IS，它与输入信号（原边电流IP）成正比，IS一般很小，只有100~400mA。如果输出电流经过测量电阻RM，则可以得到一个与原边电流成正比的大小为几伏的输出电压信号。
特性参数
1、标准额定值IPN和额定输出电流ISNIPN指电流传感器所能测试的标准额定值，用有效值表示（A.r.m.s），IPN的大小与传感器产品的型号有关。
ISN指电流传感器额定输出电流，一般为100~400mA，某些型号可能会有所不同。2、传感器供电电压VAVA指电流传感器的供电电压，它必须在传感器所规定的范围内。超过此范围，传感器不能正常工作或可靠性降低，另外，传感器的供电电压VA又分为正极供电电压VA+和负极供电电压VA-。3、测量范围Ipmax测量范围指电流传感器可测量的最大电流值，测量范围一般高于标准额定值IPN。测量范围可用下式计算：
⑵
要注意单相供电的传感器，其供电电压VAmin是双相供电电压VAmin的2倍，所以其测量范围要高于双相供电的传感器。4、过载电流传感器的过载能力参见图2。发生电流过载时，在测量范围之外，原边电流仍会增加，而且过载电流的持续时间可能很短，而过载值有可能超过传感器的允许值，过载电流值传感器一般测量不出来，但不会对传感器造成损坏。5、精度霍尔效应传感器的精度取决于标准额定电流IPN。在+25℃时，传感器测量精度受原边电流影响的曲线如图3所示，使用下面公式可计算出精度：
⑶
其中，K=NS/NP。
计算精度时必须考虑偏移电流、线性度、温度漂移的影响。
⑴. 偏移电流ISO
偏移电流也叫残余电流或剩余电流，它主要是由霍尔元件或电子电路中运算放大器工作状态不稳造成的。电流传感器在生产时，在25℃，IP=0时的情况下，偏移电流已调至最小，但传感器在离开生产线时，都会产生一定大小的偏移电流。产品技术文档中提到的精度已考虑了偏移电流增加的影响。
⑵. 线性度
参见图4，线性度决定了传感器输出信号（副边电流IS）与输入信号（原边电流IP）在测量范围内成正比的程度，ABB公司的电流传感器线性度要优于0.1%。
⑶. 温度漂移
偏移电流ISO是在25℃时计算出来的，当霍尔电极周边环境温度变化时，ISO会产生变化。因此，考虑偏移电流ISO的最大变化是很重要的，这可以通过下式计算：
⑷其中，CV（Catalogue value）是指电流传感器性能表中的温度漂移值，例如：对CS2000BR型来说，CV为0.5×10-4/℃，最大温度Tmax为-40℃，额定输出电流为400mA，则偏移电流的最大变化为：Ma
传感器型号、结构和安装方法
ABB公司的传感器产品说明一般由“传感器产品型号”和“生产日期”两部分构成[5]。“传感器产品型号”用于标明传感器的型号、额定测量值、标准型或非标准型。“传感器生产日期”则是由8位数字构成，表明传感器的生产年份、日期（一年中的第几日）及传感器序列号。
ABB公司的传感器产品很多，每种传感器的外形结构、尺寸大小等都有所不同，下面介绍几种典型的外形结构及安装接线方法。1、 MP25P1电流传感器MP25P1电流传感器是ABB公司中一种量程很小的传感器，所能测量的额定电流为5、6、8、12、25A，原边管脚的不同接法可确定额定测量电流为多少，参见图5。2、ES300C电流传感器如MP25P1一样，一般传感器都有正极（+）、负极（-）、测量端（M）三个管脚，但ES300C则没有此三个管脚，而是有红、黑、绿三根引线，分别对应于正极、负极及测量端。同时在ES300C型传感器中有一内孔，测量原边电流时要将导线穿过该内孔。不管是MP25P1还是ES300C型等电流传感器，安装时管脚的接线应根据测量情况进行相应连线。
⑴在测量交流电时，必须强制使用双极性供电电源。即传感器的正极（+）接供电电源“+VA”端，负极接电源的“-VA”端，这种接法叫双极性供电电源。同时测量端（M）通过电阻接电源“0V”端。
⑵在测量直流电流时，可使用单极性或单相供电电源，即将正极或负极与“0V”端短接，从而形成只有一个电极相接的情况，其接法共有四种（见图6和图7）。
在传感器产品中，标有“-N”标志的表示该传感器没有电源意外倒置防护措施；标有“-P”标志的则表示该传感器具有防护措施。图6是无保护二极管时的单极性供电电源安装接线方法，图7是加有保护措施的传感器的接法。
⑶具有屏蔽作用的传感器的连接方法
ABB公司的部分电流传感器具有电磁屏蔽作用，其产品外壳上会多一个“E”标志的端口，其连接方式有两种：将屏蔽端和负极（-VA）或零线（0V）相连，如图8所示。
另外，安装时必须全面考虑产品的用途、型号、量程范围、安装环境等。比如传感器应尽量安装在利于散热的场合；如果环境只适于垂直安装，则必须选择带“V”字标志的传感器（如CS300 BRV）。
提高测量精度的方法
除了安装接线、即时标定校准、注意传感器的工作环境外，通过下述方法还可以提高测量精度：
1、原边导线应放置于传感器内孔中心，尽可能不要放偏；
2、原边导线尽可能完全放满传感器内孔，不要留有空隙；
3、需要测量的电流应接近于传感器的标准额定值IPN，不要相差太大。如条件所限，手头仅有一个额定值很高的传感器，而欲测量的电流值又低于额定值很多，为了提高测量精度，可以把原边导线多绕几圈，使之接近额定值。例如当用额定值100A的传感器去测量10A的电流时，为提高精度可将原边导线在传感器的内孔中心绕九圈（一般情况，NP=1；在内孔中绕一圈，NP=2；……；绕九圈，NP=10，则NP×10A=100A与传感器的额定值相等，从而可提高精度）；
4、当欲测量的电流值为IPN/5的时，在25℃仍然可以有较高的精度。
传感器的抗干扰性
1、电磁场闭环霍尔效应电流传感器，利用了原边导线的电磁场原理。因此下列因素直接影响传感器是否受外部电磁场干扰。
⑴传感器附近的外部电流大小及电流频率是否变化；
⑵外部导线与传感器的距离、外部导线的形状、位置和传感器内霍尔电极的位置；
⑶安装传感器所使用的材料有无磁性；
⑷所使用的电流传感器是否屏蔽；为了尽量减小外部电磁场的干扰，最好按安装指南安装传感器。2、电磁兼容性电磁兼容性EMC，（Electro -Magnetic Compatibility）是研究电气及电子设备在共同的电磁环境中能执行各自功能的共存状态，即要求在同一电磁环境中的上述各种设备都能正常工作而又互不干扰，达到“兼容”状态的一门学科[8]。空间电磁环境的恶化越来越容易使电子元器件之间因互不兼容而引发系统的误动作，因此电工、电子设备电磁兼容性检测极有必要。由于实际生产、科研及市场推广的迫切需要，采用已通过电磁兼容性检测的电流和电压传感器已形成共识，并已成为一个强制性标准。ABB公司的所有电流传感器自1996年1月1日起，均已通过了EMC检测。
传感器标定
1、偏移电流ISO偏移电流必须在IP=0、环境温度T≈25℃的条件下进行校准，按图9方法（双极性供电）接线，且测量电压VM必须满足：
VM≦RM×ISO ⑸2、精度在IP=IPN（AC or DC）、环境温度T≈25℃、传感器双极性供电、RM为实际测量电阻的条件下进行测量，其接线如图10所示，并用公式⑶计算精度。3、保护性测试ABB公司的传感器在测量电路短路、测量电路开路、供电电源开路、原边电流过载、电源意外倒置的条件下都可受到保护。对上述各项测试举例如下：⑴测量电路短路此项测试必须在IP=IPN、环境温度T≈25℃、传感器双向供电、RM为实际应用中的电阻条件下进行，连接图如图11
所示，开关S应在一分钟之内合上和打开。⑵测量电路开路此项测试条件为IP=IPN、环境温度T≈25℃、传感器双向供电、RM是实际应用中的电阻。测试图如图12，开关S应
在一分钟之内完成闭合/打开切换动作。⑶电源意外倒置测试为防止电源意外倒置而使传感器损坏，在电路中专门加装了保护二极管，此项测试可使用万用表测试二极管两端，测试应在IP=0、环境温度T≈25℃、传感器不供电、不连接测量电阻的条件下进行。可使用以下两种方法测试：
第一种：万用表红表笔端接传感器“M”端，万用表黑表笔端接传感器“+”端；
第二种：万用表红表笔接传感器负极，万用表黑表笔接传感器M端；
在测试中，如万用表鸣笛，说明二极管已损坏。
传感器应用计算
根据图13，电流传感器的主要计算公式如下：
NPIP=NSIS； 计算原边或副边电流
VM=RMI； 计算测量电压
VS=RSIS； 计算副边电压 
VA=e+VS+VM； 计算供电电压 
其中，e是二极管内部和晶体管输出的压降，不同型号的传感器有不同的e值。这里我们仅以ES300C为例，这种传感器的匝数比NP/NS=1/2000、标准额定电流值IPN=300A rms 、供电电压VA的范围为±12V~±20V（±5%）、副边电阻RS=30Ω ，在双极性（±VA）供电，其传感器测量量程>100A且无防止供电电源意外倒置的保护二极管的情况下，e=1V。在上述条件下：
⑴给定供电电压VA，计算测量电压VM和测量电阻RM：
假设：供电电压VA=±15V
根据上述公式得：
测量电压VM=9.5V；
测量电阻RM=VM/IS =63.33Ω；
副边电流IS=0.15A。
所以当我们选用63.33Ω的测量电阻时，在传感器满额度测量时，其输出电流信号为0.15A ，测量电压为9.5V。
⑵给定供电电压和测量电阻，计算欲测量的峰值电流；
假设：供电电压VA=±15V，测量电阻RM=12Ω，
则：VM+VS=（RM+RS）×IS =VA-e=14V
而：RM+RS=12W+30W=42W，
则最大输出副边电流：A
原边峰值电流：IPmax=ISmax(NS/NP)=666A
这说明，在上述条件下，传感器所能测量的最大电流即原边峰值电流为666A。如果原边电流大于此值，传感器虽测量不出来，但传感器不会被损坏。
⑶测量电阻（负载电阻）能影响传感器的测量范围。
测量电阻对传感器测量范围也存在影响，所以我们需要精心选择测量电阻。用下式可计算出测量电阻：其中，VAmin—扣除误差后的最小供电电压；
e—传感器内部晶体管的电压降；
RS—传感器副边线圈的电阻；
ISmax—原边电流IP为最大值时的副边电流值。
另外我们可以通过下式确认所选传感器的稳定性。
如果VAmin不符合上式，则会造成传感器的不稳定。一旦出现这种情况，我们可以有以下三种方法克服：
1）更换电压更大的供电电源；
2）减小测量电阻的值；
3）将传感器更换成RS较小的传感器。
例如，某种型号的电流传感器，其标准额定电流IPN=1000A，匝数比NP/NS=1/2000，e值为1.5V，副边电阻RS=30Ω，测量电阻RM=15W，用15V电源单极性供电。则VA=30V（单极性供电是双极性供电的2倍）， 而：
IS=IP×NP/NS =0.5A 
VS=RS×IS=15V
VM=RM×IS=7.5V
通过以上检验，可知这种传感器在此条件下测量能保证稳定性。它所能测量的原边电流的最大值（即测量范围）。
传感器市场发展前景
一些传感器市场比如压力传感器、温度传感器、流量传感器、水平传感器已表现出成熟市场的特征。流量传感器、压力传感器、温度传感器的市场规模最大，分别占到整个传感器市场的21%、19%和14%。传感器市场的主要增长来自于无线传感器、MEMS(Micro-Electro-MechanicalSystems，微机电系统)传感器、生物传感器等新兴传感器。其中，无线传感器在2007-2010年复合年增长率预计会超过25%。
目前，全球的传感器市场在不断变化的创新之中呈现出快速增长的趋势。有关专家指出，传感器领域的主要技术将在现有基础上予以延伸和提高，各国将竞相加速新一代传感器的开发和产业化，竞争也将日益激烈。新技术的发展将重新定义未来的传感器市场，比如无线传感器、光纤传感器、智能传感器和金属氧化传感器等新型传感器的出现与市场份额的扩大。