标题：集成电路制程设计与工艺仿真
基本信息
出版社: 电子工业出版社; 第1版 (2011年3月1日) 
丛书名: 电子信息与电气学科规划教材·电子科学与技术专业 
平装: 220页 
正文语种: 简体中文 
开本: 16 
ISBN: 7121120224, 9787121120220 
条形码: 9787121120220 
产品尺寸及重量: 25.6 x 18.2 x 1 cm ; 340 g 
ASIN: B004RPEBHC
内容简介
《集成电路制程设计与工艺仿真》介绍当代集成电路设计的系统级前端、布局布线后端及工艺实现三大环节所构成的整体技术的发展，重点着眼于集成电路工艺过程的计算机仿真和计算机辅助设计，以及具体的工具软件和系统的使用。全书共12章，主要内容包括：常规集成平面工艺、集成工艺原理概要、超大规模集成工艺、一维工艺仿真综述、工艺仿真交互设置、工艺仿真模型设置、工艺仿真模拟精度、一维工艺仿真实例、集成工艺二维仿真、二维工艺仿真实现、现代可制造性设计、可制造性设计理念，并提供电子课件和习题解答。目录绪论 （1）
0-1 半导体及半导体工业的起源 （2）
0-2 半导体工业的发展规律 （3）
0-3 半导体技术向微电子技术的发展 （5）
0-4 当代微电子技术的发展特征 （7）
本章小结 （8）
习题 （8）
第1章 半导体材料及制备 （9）
1.1 半导体材料及半导体材料的特性 （9）
1.1.1 半导体材料的特征与属性 （10）
1.1.2 半导体材料硅的结构特征 （10）
1.2 半导体材料的冶炼及单晶制备 （11）
1.3 半导体硅材料的提纯技术 （13）
1.3.1 精馏提纯SiCl4技术及其提纯装置 （13）
1.3.2 精馏提纯SiCl4的基本原理 （14）
1.4 半导体单晶材料的制备 （15）
1.5 半导体单晶制备过程中的晶体缺陷 （17）
本章小结 （19）
习题 （20）
第2章 集成工艺及原理 （21）
2.1 常规集成电路制造技术基础 （21）
2.1.1 常规双极性晶体管的工艺结构 （21）
2.1.2 常规双极性晶体管平面工艺流程 （23）
2.1.3 常规PN结隔离集成电路平面工艺流程 （24）
2.2 外延生长技术 （25）
2.3 常规硅气相外延生长过程的动力学原理 （27）
2.4 氧化介质制备技术 （31）
2.5 半导体高温掺杂技术 （35）
2.6 常规高温热扩散的数学描述 （39）
2.6.1 恒定表面源扩散问题的数学分析 （40）
2.6.2 有限表面源扩散问题的数学分析 （41）
2.7 杂质热扩散及热迁移工艺模型 （42）
2.8 离子注入低温掺杂技术 （44）
本章小结 （47）
习题 （48）
第3章 超大规模集成工艺 （50）
3.1 当代微电子技术的技术进步 （50）
3.2 当代超深亚微米级层次的技术特征 （51）
3.3 超深亚微米层次下的小尺寸效应 （51）
3.4 典型超深亚微米CMOS制造工艺 （53）
3.5 超深亚微米CMOS工艺技术模块简介 （57）
本章小结 （65）
习题 （66）
第4章 一维工艺仿真综述 （67）
4.1 集成电路工艺仿真技术 （69）
4.2 一维工艺仿真系统
SUPREM-2 （70）
4.3 SUPREM-2的建模 （72）
本章小结 （74）
习题 （75）
第5章 工艺仿真交互设置 （77）
5.1 SUPREM-2工艺仿真输入卡的设置规范 （77）
5.2 SUPREM-2工艺模拟卡的卡序设置 （78）
5.3 SUPREM-2仿真系统的卡语句设置 （79）
5.4 输出/输入类卡语句的设置 （81）
5.5 工艺步骤类卡语句的设置 （83）
5.6 工艺模型类卡语句的设置 （86）
本章小结 （87）
习题 （88）
第6章 工艺模拟系统模型设置 （89）
6.1 系统模型的类型及参数分类 （89）
6.1.1 元素模型 （89）
6.1.2 氧化模型 （90）
6.1.3 外延模型 （91）
6.1.4 特殊用途模型 （91）
6.2 SUPREM-2工艺模拟系统所设置的默认参数值 （92）
本章小结 （94）
习题 （94）
第7章 工艺模拟精度的调试 （95）
7.1 工艺模拟输入卡模型修改语句 （95）
7.2 工艺模拟精度的调试实验 （95）
7.2.1 工艺模拟精度调试实验的设置 （95）
7.2.2 工艺模拟精度调试实验举例 （96）
本章小结 （100）
习题 （100）
第8章 一维工艺仿真实例 （102）
8.1 纵向NPN管芯工序全工艺模拟 （102）
8.1.1 工艺制程与模拟卡段的对应描述 （102）
8.1.2 纵向NPN工艺制程的标准模拟卡文件 （107）
8.1.3 纵向NPN工艺制程模拟的标准输出 （110）
8.2 PMOS结构栅氧工艺模拟实例 （110）
8.3 典型的NPN分立三极管工艺模拟 （114）
8.4 PMOS场效应器件源漏扩散模拟 （114）
8.5 可制造性设计实例一 （115）
8.6 可制造性设计实例二 （116）
8.7 可制造性设计实例三 （117）
8.8 可制造性设计实例四 （119）
本章小结 （120）
习题 （120）
第9章 集成电路工艺二维仿真 （122）
9.1 集成电路工艺二维仿真系统 （122）
9.1.1 TSUPREM-4系统概述 （122）
9.1.2 TSUPREM-4仿真系统剖析 （123）
9.1.3 TSUPREM-4采用的数值算法 （125）
9.2 TSUPREM-4仿真系统的运行 （126）
9.3 TSUPREM-4仿真系统的
人机交互语言 （126）
本章小结 （132）
习题 （133）
第10章 二维工艺仿真实例 （134）
10.1 二维选择性定域刻蚀的实现 （134）
本章小结 （149）
习题 （149）
第11章 可制造性设计工具 （151）
11.1 新一代集成工艺仿真
系统Sentaurus Process （152）
11.1.1 Sentaurus Process简介 （152）
11.1.2 Sentaurus Process的安装及启动 （153）
11.1.3 创建Sentaurus Process批处理卡命令文件 （153）
11.1.4 Sentaurus Process批处理文件执行的主要命令语句 （154）
11.1.5 Sentaurus Process所设置的文件类型 （157）
11.2 Sentaurus Process的仿真功能及交互工具 （158）
11.2.1 Sentaurus Process的仿真领域 （158）
11.2.2 Sentaurus Process提供的数据库浏览器 （159）
11.2.3 Sentaurus Process图形输出结果调阅工具 （160）
11.3 Sentaurus Process所收入的近代模型 （161）
11.3.1 Sentaurus Process中的离子注入模型 （162）
11.3.2 Sentaurus Process中的小尺寸扩散模型 （163）
11.3.3 Sentaurus Process对局部微机械应力变化描述的建模 （163）
11.3.4 Sentaurus Process中基于原子动力学的蒙特卡罗扩散模型 （164）
11.3.5 Sentaurus Process中的氧化模型 （164）
11.4 Sentaurus Process工艺仿真实例 （165）
11.4.1 工艺制程设计方案 （165）
11.4.2 工艺仿真卡命令文件的编写 （168）
11.4.3 仿真实例卡命令文件范本 （177）
11.4.4 工艺制程仿真结果 （181）
11.4.5 工艺仿真结果的分析 （183）
11.5 关于Sentaurus StructureEditor器件结构生成器 （184）
11.5.1 Sentaurus Structure Editor概述 （184）
11.5.2 使用SDE完成由Process到Device的接口过渡 （186）
11.5.3 使用Sentaurus StructureEditor创建新的器件结构 （190）
本章小结 （194）
习题 （194）
第12章 可制造性设计理念 （196）
12.1 纳米级IC可制造性设计理念 （197）
12.1.1 DFM 技术的实现流程 （197）
12.1.2 DFM与工艺可变性、光刻之间的关系 （198）
12.1.3 DFM工具的发展 （200）
12.2 提高可制造性良品率的OPC技术 （201）
12.2.1 光刻技术的现状与发展概况 （201）
12.2.2 关于光学邻近效应 （202）
12.2.3 光学邻近效应校正技术 （203）
12.2.4 用于实现光刻校正的工具软件 （207）
12.3 Synopsys可制造性设计解决方案 （210）
12.3.1 良品率设计分析工具套装 （211）
12.3.2 掩膜综合工具 （212）
12.3.3 掩膜数据准备工具CATSTM （213）
12.3.4 光刻验证及光刻规则检查系统 （213）
12.3.5 虚拟光掩膜步进曝光模拟系统 （214）
12.3.6 TCAD可制造性设计工具 （214）
12.3.7 制造良品率的管理工具 （217）
本章小结 （217）
习题 （218）
参考文献 （219）