标题：雪崩二极管
简介
PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。 
当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。 
雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。 
利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管 
雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对，这就是倍增效应。1生2，2生4，像雪崩一样增加载流子。 
齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！！的PN结才做得到。（杂质大电荷密度就大） 
一般的二极管掺杂浓度没这么高，它们的电击穿都是雪崩击穿。齐纳击穿大多出现在特殊的二极管中，就是稳压二极管 
它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。
其他详细介绍
每个模块包括一个光电探测器(快速光电二极管或雪崩光电二极管)和一个互阻抗放大器。同一封装中兼备放大器和光探测器，使其环境噪声更低，寄生电容更小。C30659 系列模块包括一个连接到低噪声互阻抗放大器的APD。有4种型号使用硅晶体 雪崩光电二极管和2 种型号铟镓砷雪崩光电二极管可选择。50 兆赫和200 兆赫的标准频带宽度可以适应大范围应用。另有两种C30659 型号的雪崩光电二极管配置热电制冷 (LLAM 系列)，帮助改善噪音或保持雪崩光电二极管在任何环境温度下恒温工作。C30659 型号可以根据特殊应用需要，选择一种定制频带宽度或适合特殊环境要求的定制产品。另有一种带尾纤封装14 插脚双列直插式插件，可以达到几乎100 %耦合效率。C30950EH是可以替代C30659 的低成本型产品。放大器用来抵消电压增益放大器的输入电容。C30919E 与C30950EH 使用相同设计结构，多了一个高压温度补偿电路以保持 模块在宽温度范围内的响应性常数。另两种HUV 模块可用于低频高增益应用，它涵盖 了从紫外线到接近红外线的广谱范围。 　
应用 [1]　
· 激光测距仪· 共焦显微镜检查· 视频扫描成像仪· 高速分析仪器· 自由空间通信 · 紫外线传感· 分布式温度传感器 
特点和优点 ：· 超低噪声· 高速· 高互阻抗增益 　
另外C30950EH目前的市场价格在2800左右，这个渠道比较单一，需要咨询可上博云网讯科技有限公司找董S phone（0755/239443/15） 处了解 。　
[2]常用型号:C30659-900-R5BH，C30659-900-R8AH, C30659-1060-R8BH，C30659-1060-3AH ,C30659-1550-R08BH，C30659-1550-R2AH, C30919E, C30950EH,LLAM-1550-R2A, LLAM-1060-R8BH ,HUV-1100BGH,HUV-2000BH。SPcM-AQRH-10， SPcM-AQRH-11， SPcM-AQRH-12， PcM-AQRH-13， SPcM-AQRH-14， SPcM-AQRH-15，SPcM-AQRH-16， c30902SH， c911， c1311， c1911， c922 c1322 c1922 c943 c1343 c1943 c984， c1384， c1984， c993， c1393， c1993， c963， c1363， c1963， c973， c1373， c1973， SB0440CLG-011， sB0440CLQ-011， SB1440CLG-011， SB1440CLQ-011 ， SB2480CLG-011， SB2480CLQ-011， SB4480CL， RL0512P， RL1024P， RL2048P， HL2048P， HL4096P， RL1201， RL1202， RL1205 RL1210， RL1501， RL1502， RL1505， c30659-900-R5BH， c30659-900-R8AH， c30659-1060-R8BH， c30659-1060-3AH ， 
c30659-1550-R08BH， c30659-1550-R2AH， c30919e， c30950eH， LLAM-1550-R2AH， LLAM-1060-R8BH， HUV-1100BGH， HUV-2000BH， VtA2164H-D-nc-00-0， VtA1616H-H-Sc-01-0 VtA1616H-L-Sc-02-0 VtA2516H-H-Sc-01-0 VtA2516H-L-Sc-02-0 VtA1216H-H-nc-00-0 VtA1216H-L-nc-00-0 VtA0832H-H-nc-00-0 c30817eH 
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c30644eH c30644eceRH c30927eH-01 c30927eH-02 c30927eH-03 c30985e c30954eH c30955eH c30956eH c30626FH c30703FH c30739eceRH c30737eH-230-80 c30737PH-230-80 c30737LH-230-80 c30737LH-230-81 c30737eH-500-80 c30737PH-500-80 c30737LH-500-80 c30737LH-500-81 c30737eH-230-90 c30737PH-230-90 c30737PH-230-90 c30737PH-230-92 c30737eH-500-90 c30737PH-500-90 c30737LH-500-90 c30737LH-500-92 c30724eH c30724PH c30616eceRH c30617BH c30617BFcH c30617BScH c30617BStH c30617eceRH c30618BFcH c30618GH c30618eceRH c30637eceRH c30641eH-tc c30641eH-Dtc c30641GH c30642GH c30665GH c30723GH c30619GH c30741PH-15 c30741PFH-1 
c30807eH c30808eH c30822eH c30809eH c30810eH c30971eH FFD-100H FFD-200H FnD-100QH UV-040BQH UV-100BQH UV-215BGH/ UV-215BQH UV-245BGH UV-245BQH YAG 100AH YAG-200H YAG-444AH SR10BP SR10BP-B SR10De SR10De-B PFD10 cR50De 
c30845eH YAG-444-4AH Dtc-140H VtP7840H VtP413H VtP100H VtP1188SH VtP1220FBH VtP9812FH Vtt9812FH SR10SPD470-0.9 SR10SPD525-0.9 VtP100H VtP100cH VtP1012H VtP1112H VtP1188SH VtP1220FBH VtP1232H VtP1232FH VtP1332H VtP1332FH VtP3310LAH VtP3410LAH VtP413H VtP4085H VtP4085SH VtP5050H VtP6060H 
VtP7110H VtP7210H VtP7840H VtP8350H VtP8440H VtP8551H VtP8651H VtP8740_tRH 
VtP8840_tRH VtP9412H VtP9812FH SR10SPD880-0.9 VtD31AAH VtD34H VtD34FH VtD34SMH VtD34FSMH VtD205H VtD205KH VtD206H VtD206KH VtH2090H 
VtB100AH VtB1012H VtB1012BH VtB1013H VtB1013BH VtB1112H VtB1112BH VtB1113H 
VtB1113BH VtB4051H VtB5051H VtB5051BH VtB5051JH VtB5051UVH VtB5051UVJH VtB6061H VtB6061BH VtB6060cieH VtB6061JH VtB6061UVH Vtt1223WH Vtt1225H Vtt1226H Vtt1227H Vtt3122eH Vtt3123eH Vtt3323LAH Vtt3324LAH Vtt3325LAH Vtt3423LAH Vtt3424LAH等
工作原理
在材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下获得的能量增大，在晶体中运动的电子和空穴将不断地与晶体原子又发生碰撞，当电子和空穴的能量足够大时，通过这样的碰撞的可使共价键中的电子激发形成自由电子–空穴对。新产生的电子和空穴也向相反的方向运动，重新获得能量，又可通过碰撞，再产生电子–空穴对，这就是载流子的倍增效应。当反向电压增大到某一数值后，载流子的倍增情况就像在陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样，载流子增加得多而快，这样，反向电流剧增， PN结就发生雪崩击穿。利用该特点可制作高反压二极管。下图是雪崩击穿的示意图.
雪崩二极管是一种负阻器件，特点是输出功率大，但噪声也很大。主要噪声来自于雪崩噪声，是由于雪崩倍增过程中产生电子和空穴和无规则性所引起的，其性质和散弹噪声类似。雪崩噪声是雪崩二极管振荡器的噪声远高于其它振荡器的主要原因雪崩二极管(7张)