标题：杨盛谊
简介
北京交通大学副教授，现为北京理工大学材料学院博导。
出生年月： 1971 年 10 月生 
出生地：湖南省怀化市通道侗族自治县
民族：侗族
学历职称： 留学回国人员,博士,副教授,博士生导师
担任学术职位
目前是《Chinese Physics Letters》的特约审稿人，同时还是《Organic Electronics》、《Current Applied Physics》、《Electrochemical and Solid-State Letters》、《半导体学报》和《物理化学学报》等国内外重要学术期刊的审稿人。同时，也是国家自然科学基金评审专家和高等学校博士学科点专项科研基金评审专家。中国化学学会 (Chinese Chemical Society, CCS) 会员。
个人简历
1995 年 9 月 ----1998 年 3 月在北京工业大学北京市激光技术实验室攻读理学硕士学位。从事大功率连续 Nd:YAG 激光器以及钛宝石自锁模激光器的研究。 
1998 年 4 月 ----2001 年 3 月在北京交通大学从事有机电致发光的研究，获得“信号与信息处理专业”工学博士学位。 
2001 年 5 月 ----2003 年 3 月，在加拿大多伦多大学物理系做博士后研究，从事量子光学的理论和实验工作。 
2003 年 4 月  ----2009年 7 月，加入了北京交通大学光电子技术研究所，目前主要从事光电子材料与器件、有机及无机电致发光及其复合器件机理的研究。
2007年7月被评为博士生导师。
2009年7月调入北京理工大学材料科学与工程学院，加入纳米光子学材料与技术研究组。
参与项目
北京交通大学“人才“基金一项、校重点基金一项；参与的主要课题有： 973 项目一项、国家自然科学基金两项。
参加了国家自然科学基金重大项目“电子聚合物场致复合发光中激发态产生及弛豫的研究 ”, 重点对载流子的传输、隧穿以及电导等基本问题进行了系统、深入的研究。已在国际、国内知名期刊上发表了四十多篇学术论文。
研究领域
光电子材料与器件；
纳米光子学材料在发光二极管、发光晶体管和太阳能电池等光电子器件中的应用基础研究。
发表论文
1 、 Shengyi Yang, et al., “ A Multi-pass Ti:sapphire Amplifier based on a parabolic mirror ”, Optics Communications , 234 (1-6) (2004)385 
2 、 Shengyi Yang, et al., “Beam overlapping in a multipass Ti:sapphire amplifier based on a parabolic mirror”, ( Accepted by Optics and Laser Technology ) 
3 、 Shengyi Yang, et al., “The Recombination Current in Single-Layer Organic Light-Emitting Diodes with High Injection Barriers at High Fields” ， Applied Physics Letters , 79 (16) (2001) 2529 
4 、 Shengyi Yang, et al., “Carriers Recombination in Bilayer Organic Light-Emitting Diodes at High Electric Fields ”, Chemical Physics ， 274 (2-3) (2001)267 
5 、 Shengyi Yang, et al., “An Accurate Method to Calculate the Negative Dispersion Generated by Prism Pairs ” ， Optics and Lasers in Engineering ， 36 (4) (2001)381 
6 、 Shengyi Yang, et al., “Color-variable electroluminescence from poly( p -phenylene vinylene) derivatives ” ， Displays , 21 (2000)65 
7 、 Shengyi Yang, et al., “Influence of the Electric Field on Carriers Recombination Zone in Bilayer Organic Electroluminescent Device ” ， Chinese Science Bulletin ， 45 (17) (2000)1623 
8 、 Shengyi Yang, et al., “Carriers Recombination in Single-layer Organic Devices with High Interface Barriers at High Fields”, Science in China (Ser. F) , 44 (3) (2001)168
荣誉称号
教育部新世纪优秀人才
北京市科技新星
科研内容
杨盛谊博士在攻读博士学位期间，在有机场致发光的机理研究方面，参加了国家自然科学基金重大项目“电子聚合物场致发光激发及弛豫的研究”（项目号29992530），对有机电致发光中载流子的传输、隧穿以及电导等基本问题进行了系统、深入的研究。综合考虑了载流子界面注入及体效应对电荷输运的影响，获得了关于复合效率及器件电导的理论表达式，提出了获得高效电致发光的两个条件是载流子的平衡注入和复合区域位于器件中部[S.Y. Yang, et al., Appl. Phys. Lett. 79 (2001)2529；S.Y. Yang, et al., Science in China (F) 44 (2001) 168]。基于Fowler-Nordheim隧穿注入理论，建立了高场下有机双层器件的载流子复合发光模型，讨论了注入势垒和阳极区与阴极区厚度之比对复合电流密度及复合效率的影响[S.Y. Yang, et al., Chem. Phys., 274 (2001) 267]。该复合发光模型能很好地从理论上解释电场对载流子迁移率及复合区域的调制作用[S.Y. Yang, et al., Chin. Sci. Bull. 45 (2000)1623]；通过选择合适的发光材料，在双层结构器件中看到了复合发光区域随电压而改变的电致变色现象[S.Y. Yang, et al., Displays, 21 (2000) 65]。
同时，对载流子在异质结界面处的电子过程（包括Exciplex发光和Electroplex发光、激子的离化或复合发光等行为）进行了实验和理论的研究[S.Y. Yang, et al., J. Appl. Phys.97 (2005) 126101; S.Y. Yang, et al., Eur. Phys. J. B 52 (2006) 329; S.Y. Yang, et al., J. Appl. Phys. 101 (2007) 096101]。探索了不同电场强度对异质结界面处载流子的复合发光的影响。利用异质结处激基复合物的发光，并通过三基色原理，可以直接合成得到白光器件。
在白色电致发光器件方面，通过改变“有机-无机”复合的方法，我们已经成功制得高亮度和高稳定度的白光器件，此项研究工作已申请了国家专利[S.Y. Yang, et al., Solid State Commun. 139 (2006) 415; 国家发明专利200610002635.0]。此外，我们也对BCP超薄层在多层全有机白光器件中的应用进行了研究[Z.R. Deng, S.Y. Yang, et al., Acta Physico-Chimica Sinica, 24 (4) (2008) 700; Z.R. Deng, S.Y. Yang, et al., Spectroscopy and Spectral Analysis, 29 (03) (2009) 593.]
另外，对垂直构型有机/无机场效应发光管以及有机场效应晶体管的工作机理有了较为深入的理解，也发表了一些实验结果[S.Y. Yang, et al., J. Lumin. (in press); S. Y. Yang, et al., Acta Physica Sinica, 58(5) (2009) 3427]。
近期代表性论文
(1) Shengyi Yang, Wenshu Du, Jieru Qi, Zhidong Lou, “Vertical organic light-emitting transistors with central Al gate inserted between two hole-transporting layers”, Journal of  Luminescence (in press)
(2) Shengyi Yang, Wenshu Du, Jieru Qi, Zhidong Lou, “Study on the optoelectronic characteristics of NPB-based vertical organic light-emitting transistors”,Acta Physica Sinica (in press). 
(3) Zhaoru Deng, Shengyi Yang, Lingchuan Meng, Zhidong Lou, “Application of ultrathin layer in white organic electroluminescent devices”, Acta Physico-Chimica Sinica, 24 (4) (2008) 700. 
(4) Shengyi Yang, Xiulong Zhang, Zhidong Lou, Yanbing Hou, “Influence of heterojunction interface on exciplex emission from organic light-emitting diodes under electric fields”, Applied Physics A: Materials Science and Processing, 90 (3) (2008) 475
(5) S. Y. Yang, X. L. Zhang, Z. D. Lou, and Y. B. Hou, “Charge tunneling and cross recombination at organic heterojunction under electric fields”, The European Physical Journal B, 59 (2007) 151
(6) Shengyi Yang, Xiulong Zhang, Yanbing Hou, Zhenbo Deng, Xurong Xu, “Charge carriers at organic heterojunction interface: exciplex emission or electroplex emission?”, Journal of Applied Physics, 101 (2007) 096101.
(7) Shengyi Yang, De’ang Liu, Yan Jiang, Feng Teng, Zheng Xu, Yanbing Hou, Xurong Xu, “Impact of electric fields on the emission from organic light-emitting diodes based on polyvinylcarbazole (PVK)”, Journal of Luminescence, 122-123 (2007) 614.
(8) Yan Jiang, Shengyi Yang, Feng Teng, Zheng Xu, Yanbing Hou, Xurong Xu, “Influences of organic hole-transport layer on the emission of organic-inorganic heterostructure devices”, Journal of Luminescence, 122-123 (2007) 617. 
(9) Xiulong Zhang, Shengyi Yang, Zhidong Lou, Yanbing Hou, “Dynamic electrical characteristics of organic light-emitting diodes”, ACTA PHYSICA SINCA, 56 (2007) 1632. 
(10) Shengyi Yang, Yan Jiang, Feng Teng, Zheng Xu, Yanbing Hou, Xurong Xu, “The roles of zinc selenide sandwiched between organic layers and its applications in white light-emitting diodes”, Solid State Communications, 139 (2006) 415. 
(11) S.Y. Yang, D. Liu, Y. Jiang, F. Teng, Z. Xu, Y. Hou, and X.R. Xu, “Charge carriers bulk recombination instead of electroplex emission after their tunneling through hole-blocking layer in OLEDs”, European Physical Journal B, 52 (2006) 329. 
(12) Yan Jiang, Shengyi Yang, Feng Teng, Zheng Xu, Yanbing Hou, “ZnSe-based organic-inorganic heterostructure devices”, ACTA PHYSICA SINCA, 55 (2006) 4860.