标题：王太宏
简介
王太宏教授，男，1966年11月出生，中科院博士毕业。主要从事微纳加工技术和超敏感探测研究，研制出了对电荷超敏感的库仑计（可探测万分之一的电子电荷）。申请了57项专利（已授权50项），在应用物理研究最权威的期刊Appl. Phys. Lett.上发表高水平论文80余篇。负责承担了17个国家研究项目和两个重大横向研究项目。
基本资料
  王太宏，男，1966年11月生，1988年6月获湖北大学学士学位，1990年获中国科技大学研究生院硕士学位，1993年9月获中国科学院研究研究生院博士学位。1998年入选中科院“百人计划”，1999年获国家杰出青年基金项目资助，2005年被聘为教育部长江学者特聘教授（信息微电子），2006年获国务院政府特殊津贴，2007年度被聘为国家“973 ”项目“微纳生物医学传感器及超敏感探测相关基础研究”首席科学家、国家985建设工程传感研究平台首席科学家、国防973专家组专家，2008年获教育部自然科学奖1等奖（排名第一）授权国家专利51项，其中发明专利33项。
研究领域
1988年以来，一直从事传感和锂离子电池研究，研制出了对电荷超敏感的库仑计（可探测万分之一的电子电荷），可用作量子信息放大的射频单电子晶体管（灵敏度已达1.5×10-5 e /(Hz)1/2），响应快（1秒）、灵敏度高（对10ppm 的硫化氢达10万）和选择性好(对其它气体的灵敏度不大于3) 的气体传感器，可重复、准确检测禽流感H1、H5、H9的突发疾病现场检测仪，在锂电池隔膜、聚合物电解质膜、纳米线锂离子电池、薄膜锂离子电池和聚合物锂离子电池方面做出了系列研究结果。从材料、结构、工艺等不同的方面分别研究了锂离子电池电极材料、隔膜、聚合物电解质膜、电解液、电池工艺、电池组封装和电源管理系统。成功开发出高性能磷酸亚铁锂正极材料、钴酸锂正极材料、锰酸锂正极材料、聚丙烯隔膜、聚合物电解质膜、超高功率动力电池、高安全性动力电池与电池组，形成多项自主知识产权，申请专利53项，授权专利51项。在国际一流学术期刊。在应用物理研究最权威的期刊Appl. Phys. Lett.上发表了近80多篇的高水平论文。大部分实验结果都已被国外实验室重复和验证，每年文章的单篇引用率达50次。论文被美国哈佛大学、美国加州大学伯克利分校、美国IBM公司Thomas J Watson 研究中心、美国国家标准局、英国剑桥大学、日本国家材料科学研究所、德国Max Planck微结构与物理研究所等国际著名研究机构的学者大量引用和正面评价。负责承担了16项国家研究项目和2项目重大横向研究项目。培养的研究生中获全国百篇优秀博士论文人，中科院院长特别奖1人，中科院院长优秀奖1人，中科院院长刘永龄特别奖1人，中科院保洁优秀奖1人，获所长优秀奖5人，鼓励奖5人。研究方向长期从事气体传感器、压力传感器、温度传感器、湿度传感器、超声波传感器、加速度传感器及MEMS传感器研究，拓展了基于ZigBee技术的无线传感网络的应用，建立了实验室危险品智能管理平台、短信控制系统、农业领域智能温湿度控制系统以及包含灯光、家电、安防等的智能家居控制系统。目前研究重点：1）石油化工过程气体分析系统，2）石化重整氢微量水分析液态碳氢化合物中水分的测量系统，3）传感系网络在石油测井中的应用。申请了59项专利（已授权50项），在应用物理研究最权威的期刊Appl. Phys. Lett.上发表了近80多篇的高水平论文。大部分实验结果都已被国外实验室重复和验证，每年文章的单篇引用率达50次，超敏感探测文章被26篇专著引用，SCI他引超过3000次。跟踪、重复我们工作的主要单位有：美国哈佛大学、美国加州大学伯克利分校、美国IBM公司Thomas J Watson 研究中心、美国国家标准局、英国剑桥大学、日本国家材料科学研究所、德国Max Planck等。负责承担了16项国家研究项目和2项目重大横向研究项目。培养的研究生中获全国百篇优秀博士论1人，中科院院长特别奖1人，中科院院长优秀奖1人，中科院院长刘永龄特别奖1人，中科院保洁优秀奖1人，获所长优秀奖5人，鼓励奖5人。科研情况承担项目项目名称所属计划项目经费
（万元）起止年月本人承担
的任务微纳生物医学传感器及超敏感探测相关基础研究国家重点基础研究发展规划30002007.7-2012项目负责半导体纳米电子器件及其集成技术国家基金委重点项目2002003.1-
2006.12项目负责IT前沿中的固态量子结构 、量子器件极其集成技术国家重点基础研究发展规划1202002.4-
2006.8课题负责基于纳米电极对的器件与集成国家8631502002.1-
2005.6项目负责单电子器件研究国家基金委杰出青年基金801999.1-
2003.12负责仿生学研究中科院仿生学技术引导项目502004.1-
2006.12课题负责一维金属氧化物纳米结构湿度传感器国家863502004.1-
2006.12课题负责“纳米电极对”的制备及其在半导体纳米器件中的应用研究国家基金委面上项目292003.1-
2005.12项目负责基于准一维纳米材料的微纳电子与集成光电子器件教育部重大项目培育项目802005 .1-- 2006.12项目负责纳米传感器的研制中国科学院重大项目1002003.1-2006.12课题负责人之一稳定、可集成的单电子器件研究北京物资基地首批重点项目601999.1-2002.12项目负责高温单电子器件研究中科院“百人计划”2001998.1-2002.12项目负责化学生物传感器湖南大学985建设经费10002005.2-2008.2项目负责基于准一维纳米材料的气体传感器国家基金委面上项目402007.1-2009.12项目负责器件工艺平台湖南大学985建设经费15002007.1-2009.12项目负责锂离子电池研发平台重大横向项目30002009.3- 2010.6项目负责XXXX 膜研究军工项目1302010.1-
2012.12项目负责
所获奖励
1998年入选中科院“百人计划”，1999年获国家杰出青年基金项目资助，2005年被聘为教育部长江学者特聘教授（信息微电子），2006年获国务院政府特殊津贴，2007年度被聘为国家“973 ”项目“微纳生物医学传感器及超敏感探测相关基础研究”首席科学家、国家985建设工程湖南大学传感研究平台首席科学家、国防973“磁电/半导体集成电子薄膜生长控制与调制机理研究项目”专家组专家，2008年获教育部自然科学奖1等奖（排名第一），2010年12月当选长江大学首届杰出校友。授权国家专利51项，其中发明专利33项。
学术成就
发表文章1)    Amorphous SnO2–SiO2 thin films with reticular porous morphology for lithium-ion batteries，J. Zhang, L. B. Chen, C. C. Li, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 93, 264102 (2008). 
2)    Edge-truncated cubic platinum nanoparticles as anode catalysts for direct methanol fuel cells, Y. G. Liu, S. L. Shi, X. Y. Xue, J. Y. Zhang, Y. G. Wang, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 92, 203105 (2008)
3)    Degenerate doping induced metallic behaviors in ZnO nanobelts, Qing Wan, Jin Huang, Aixia Lu, and Taihong Wang, Appl. Phys. Lett. 93, 103109 (2008)
4)    Branched SnO2 nanowires on metallic nanowire backbones for ethanol sensors application ,Qing Wan, Jin Huang, Zhong Xie, Taihong Wang, Eric N. Dattoli, and Wei Lu ,Appl. Phys. Lett. 92, 102101 (2008)
5)    Intrinsic peroxidase-like activity of ferromagnetic nanoparticles, LIZENG GAO, JIE ZHUANG, LENG NIE, JINBIN ZHANG, YU ZHANG, NING GU,TAIHONG WANG, JING FENG, DONGLING YANG, SARAH PERRETT1 AND XIYUN YAN, Nature Nanotechnology, 2, 577(2007)
6)    Controllable Fabrication and Electrical Performance of Single Crystalline Cu2O Nanowires with High Aspect Ratios,Yiwei Tan, Xinyue Xue, Qing Peng, Heng Zhao, Taihong Wang, and Yadong Li, Nanoletters 7,3723(2007)
7)    Shot Noise with Interaction Effects in Single-Walled Carbon Nanotubes, F. Wu,P. Queipo, A. Nasibulin, T. Tsuneta, T. H. Wang, E. Kauppinen,and P. J. Hakonen, Phys. Rev. Lett.99,156803(2007) 
8)    Degenerate doping induced metallic behaviors in ZnO nanobelts, Qing Wan, Jin Huang, Aixia Lu, and Taihong Wang, APPLIED PHYSICS LETTERS 93, 03109, 2008
9)    Anomalous photoconductivity of CeO2 nanowires in air,X. Q. Fu, C. Wang, P. Feng, andT. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 91, 073104 (2007)
10)Surface-depletion controlled gas sensing of ZnO nanorods grown at room temperature, C. C. Li, Z. F. Du, L. M. Li, H. C. Yu, Q. Wan, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 91, 032101 (2007)
11)Extremely high oxygen sensing of individual ZnSnO3 nanowires arising from grain boundary barrier modulation,X. Y. Xue, P. Feng, Y. G. Wang, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 91, 022111 (2007)
12)Room-temperature oxygen sensitivity of ZnS nanobelts,Y. G. Liu, P. Feng, X. Y. Xue, S. L. Shi, X. Q. Fu, C. Wang, Y. G. Wang, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 90, 042109（2007）.
13)Highly sensitive ethanol sensors based on {100}-bounded In2O3 nanocrystals due to face contactP. Feng, X. Y. Xue, Y. G. Liu, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 89, 243514 (2006) 
14)Vertically aligned tin-doped indium oxide nanowire arrays: Epitaxial growth and electron field emission properties Q. Wan, P. Feng, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 89, 123102，2006
15)Achieving fast oxygen response in individual -Ga2O3 nanowires by ultraviolet illumination, P. Feng, X. Y. Xue, Y. G. Liu, Q. Wan, andT. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 89, 112114，2006
16)Extremely stable field emission from AlZnO nanowire arrays X. Y. Xue, L. M. Li, H. C. Yu, Y. J. Chen, Y. G. Wang, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 89, 043118，2006
17)Electrical transport through individual nanowires with transverse grain boundaries, X. Y. Xue, P. Feng, C. Wang, Y. J. Chen, Y. G. Wang, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 89, 022115，2006
18)Comment on “A transparent metal: Nb-doped anatase TiO2” Q. Wan, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 88, 226102，2006
19)Synthesis and ethanol sensing properties of indium-doped tin oxide nanowires，X. Y. Xue, Y. J. Chen, Y. G. Liu, S. L. Shi, Y. G. Wang, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 88, 201907，2006
20)         In situ synthesis of In2O3 nanowires with different diameters from indium film,Y. X. Liang, S. Q. Li, L. Nie, Y. G. Wang, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 88, 193119，2006
21)         Electronic transport characteristics through individual ZnSnO3 nanowires, X. Y. Xue, Y. J. Chen, Q. H. Li, C. Wang, Y. G. Wang, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 88, 182102，2006
22)         In2O3 nanowires grown from Au/ In film on glass, S. Q. Li, Y. X. Liang, C. Wang, X. Q. Fu, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 88, 163111，2006
23)         IndividualGa2O3 nanowires as solar-blind photodetectors, P. Feng, J. Y. Zhang, Q. H. Li, and T. H. Wang，Appl. Phys. Lett. 88, 153107，2006
24)         Linear ethanol sensing of SnO2 nanorods with extremely high sensitivity，Y. J. Chen, L. Nie, X. Y. Xue, Y. G. Wang, and T. H. Wang，Appl. Phys. Lett. 88, 083105，2006
25)         Nonlinear characteristics of the Fowler–Nordheim plot for field emission from In2O3 nanowires grown on InAs substrate，S. Q. Li, Y. X. Liang, and T. H. Wang，Appl. Phys. Lett. 88，053107, 2006
26)         Synthesis and ethanol sensing characteristics of single crystalline SnO2 nanorods，Y. J. Chen, X. Y. Xue, Y. G. Wang, and T. H. Wang，Appl. Phys. Lett. 87，233503, 2005
27)         Contact-controlled sensing properties of flowerlike ZnO nanostructures， P. Feng, Q. Wan, and T. H. Wang，Appl. Phys. Lett. 87，213111, 2005
28)         Electric-field-aligned vertical growth and field emission properties of In2O3 nanowires, S. Q. Li, Y. X. Liang, and T. H. Wang，Appl. Phys. Lett. 87，143104, 2005
29)         Enhanced photocatalytic activity of ZnO nanotetrapods, Q. Wan, T. H. Wang, and J. C. Zhao, Appl. Phys. Lett. 87，083105, 2005
30)         Anomalous electrorheogical behavior of ZnO nanowires, P. Feng, Q. Wan, X. Q. Fu, and T. H. Wang，Appl. Phys. Lett. 87，033114, 2005
31)         Abnormal Temperature Dependence of Conductance of Single Cd-Doped ZnO Nanowires，Q. H. Li, Q. Wan, Y. G. Wang, and T. H. Wang，Appl. Phys. Lett. 86，263101, 2005
32)Synthesis and ethanol sensing properties of ZnSnO3 nanowires，X. Y. Xue, Y. J. Chen, Y. G. Wang, and T. H. Wang，Appl. Phys. Lett. 86，233101, 2005
33)Optoelectronic characteristics of single CdS nanobelts Q. H. Li, T. Gao, and T. H. Wang，Appl. Phys. Lett. 86，193109, 2005
34)         CdS nanobelts as photoconductors，T. Gao, Q. H. Li, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 86，173105, 2005
35)In situ growth of nanowire on the tip of a carbon nanotube under strong electric field, Y. G. Wang, Q. H. Li, T. H. Wang，X. W. Lin，V. P. Dravid ，and S. X. Zhou, Appl. Phys. Lett. 86，133103, 2005
36)Adsorption and desorption of oxygen probed from ZnO nanowire films by transient photocurrent measurements, Q. H. Li, T. Gao, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 86，123117, 2005
37)Oxygen sensing characteristics of individual ZnO nanowire transistors，Q. H. Li, Y. X. Liang, Q. Wan, and T. H. Wang，Appl. Phys. Lett. 85(26),6389-6391, (2004).
38)         Field-Emission from Long SnO(2) Nanowire Arrays，Y. J. Chen, Q. H. Li, Y. X. Liang, T. H. Wang, Q. Zhao and D. P. Yu Appl. Phys. Lett. 85，5682-5684, (2004).
39)Single-crystalline tin-doped indium oxide whiskers: Synthesis and characterization, Q. Wan, Z. T. Song, S. L. Feng, T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 85(20) 4759-4761, (2004). 
40)Sonochemical synthesis of SnO2 nanobelt/CdS nanoparticle core/shell heterostructures, Tao Gao and Taihong Wang Chem. Commun. 2004,2558-2559,
41)         Metastable Vanadium Dioxide Nanobelts: Hydrothermal Synthesis, Electrical Transport, and Magnetic Properties, Junfeng Liu, Qiuhong Li, Taihong Wang, Dapeng Yu, and Yadong Li, Angew. Chem. Int. Ed. 43, 5048 – 5052, (2004).
42)         Thin film transistors fabricated by in situ growth of SnO2 nanobelts on Au/Pt electrodes, Q. H. Li, Y. J. Chen, Q. Wan, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 85, (10), 1805-1807, (2004).
43)         Low-resistance gas sensors realized from multi-walled carbon nanotubes coated with a thin tin oxide layer, Y. X. Liang, Y. J. Chen, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 85, (4), 666-668(2004).
44)         Stable field emission from tetrapod-like ZnO nanostructures, Q. H. Li, Q. Wan, Y. J. Chen, T. H. Wang, H. B. Jia and D. P. Yu, Appl. Phys. Lett. 85, (4), 636-638(2004).
45)         Catalyst-assisted vapor-liquid-solid growth of single-crystal CdS nanobelts and their luminescence properties, Tao Gao and Taihong Wang, J. Phys. Chem. B 108，20045-20049（2004）
46)         Electronic Transport Through Individual ZnO Nanowires，Q. H. Li, Q. Wan，Y. X. Liang, and T. H. Wang，Appl. Phys. Lett. 84, (22), 4556-4558 (2004).
47)         Fabrication and ethanol sensing characteristics of ZnO nanowire gas sensors, Q. Wan Y. J. Chen, S. D. Luo, and T. H. Wang, X. L. He, and J. P. Li,C. L. Lin, Appl. Phys. Lett. 84, (18), 3654-3656 (2004)
48)         Current saturation in multiwalled carbon nanotubes by large bias, Y. X. Liang, Q. H. Li, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. Appl. Phys. Lett. 84, (17), 3379-3381 (2004) 
49)         Microwave absorption properties of the ZnO nanowire-polyester composites Y.J. Chen M.S. Cao, T. H. Wang ,Q. Wan, Appl. Phys. Lett. 84, (17), 3367-33369 (2004) 
50)         Positive temperature coefficient resistance and humidity sensing properties of Cd-doped ZnO nanowire, Q. Wan, Q. H. Li , Y. J. Chen ,T. H. Wang ,X. L. He, X. G. Gao, and J. P. Li, Appl. Phys. Lett. 84, (16), 3085-3087 (2004) 
51)         Room-temperature hydrogen storage characteristics of ZnO nanowires, Q. Wan, C.L.Lin, X. B. Yu, W. L. Liu, and T.H.Wang, Appl. Phys. Lett. 84, (1), 124-126 (2004) 
52)         Low-field electron emission from tetrapod-like ZnO nanostructures synthesized by rapid evaporation, Q. Wan, K. Yu, T.H.Wang, and C.L.Lin, Appl. Phys. Lett. 83, (11), 2253-2255 (2003)
53)         Characteristics of a field-effect transistor with stacked InAs quantum dots , T. H. Wang, H. W. Li, and J. M. Zhou, Appl. Phys. Lett. 82, (18), 3092-3094, (2003)
54)         Synthesis and optical properties of semiconducting beta-FeSi2 nanocrystals,Q. Wan, T. H. Wang, C. L. Lin, Appl. Phys. Lett. 82,(19) 3224-3226, 2003
55)         Structural and electrical characteristics of Ge nanoclusters embedded in Al2O3 gate dielectric, Q. Wan, C. L. Lin, W. L. Liu, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 82,(26) 4708-4710, 2003
56)         Memory and negative photoconductivity effects of Ge nanocrystals embedded in ZrO2 /Al2O3 gate dielectrics Q. Wan, N. L. Zhang, W. L. Liu, C. L. Lin, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 83,(1) 138-140,2003
57)         Linear and third-order nonlinear optical absorption of amorphous Ge nanoclusters embedded in Al2O3 matrix synthesized by electron-beam coevaporation, Q. Wan, C. L. Lin, N. L. Zhang, and W. L. Liu , G. Yang and T. H Wang， Appl. Phys. Lett， Vol. 82, 19, (2003) 3162-3164
58)         Synthesis of large-area germanium cone-arrays for application in electron field emission, Q. Wan, T. H. Wang,T. Feng, X. H. Liu, and C. L. Lin, Appl. Phys. Lett. 81,(17), 3281-3283, (2002).
59)         Resonant tunneling of Si nanocrystals embedded in Al2O3 matrix synthesized by vacuum electron-beam coevaporation, Q. Wan, T. H. Wang, M. Zhu, and C. L. Lin, Appl. Phys. Lett. 81,(3), 538-540, (2002).
60)         Single-electron transistors with point-contact channels，T. H. Wang, H. W. Li, and J. M. Zhou，Nanotechnology 2002, 13, 221.
61)         Designing two-dimensional electron gases in GaAs/InGaAs/AlGaAs, d-doped AlGaAs/GaAs, and AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures for single electron transistor application. Y. Fu, T.H.Wang, and M. Willander, J. Appl. Phys. 89(3),1759-1763, (2001). 
62)         Formation and charge control of a quantum dot by etched trenches and multiple gates，Y.Fu, M.Willander, T.H.Wang，Appl. Phys.A，74(2002) 741-745
63)         High-vacuum electron-beam co-evaporation of Si nanocrystals embedded in Al2O3 matrix，Q.Wan, N.L.Zhang, X.Y.Xie, T.H.Wang, C.L.Lin，Appl. Surf. Sci. 191(2002)171-175
64)         Charging effect in InAs self-assembled quantum dots, T. H. Wang, H. W. Li, and J. M. Zhou, Appl. Phys. Lett. 79, (10), 1537-1539, (2001)
65)         Mismatch and chemical composition analysis of vertical InGaAs quantum-dot arrays by transmission electron microscopy,. Q. Zhang , J. Zhu, X.W Ren, H.W. Li, and T. H.Wang, Appl. Phys. Lett. 78(24), 3830, (2001)
66)         Etching trenches to effectively create quantum wires for single-electron transistor applications Y. Fu, M. Willander, and T.H.Wang, Appl. Phys. Lett. 78(23), 3705, (2001). 
67)         Si single-electron transistors with in-plane point-contact metal gates. T. H. Wang , H. W. Li, and J. M. Zhou, Appl. Phys. Lett. 78（15），2160, (2001).
68)         Single-electron charging in a parallel dot structure, T. H. Wang and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 78(5) 634(2001).
69)         Large optical third-order nonlinearity of composite thin film of carbon nanotubes and BaTiO3, Guowei Lu, Bolin Cheng, Hong Shen, Yujin Chen, Taihong Wang, Zhenghao chen, Huibin Lu, Kuijuan Jin, Yueliang Zhou, Guozhen Yang, Chemical Physics Letters, 407(2005)397-401
70)         Large-scale controlled synthesis of silica nanotubes using zinc oxide nanowires as templates Yujin Chen, Xinyu Xue and Taihong Wang, Nanotechnology 16(2005)1978-1982
71)         Single-crystalline Sb-doped SnO2 nanowires: synthesis and gas sensor application, Q Wan and T. H. Wang Chem. Commun. 2005, 3841-3843 
72)Vapor phase growth of ZnO nanorod-nanobelt junction arrays, Tao Gao and Taihong Wang, J. Nanosci. Nanotech. 2005,5(7)1120-1124
73)Substrate-free growth, characterization nd growth mechanism of ZnO nanorod lose-packed arrays,Zao Yang, QuanHui Liu, HongChun Yu, Binsuo Zou,YanGuoWang and T H Wang,Nanotechnology 19 (2008) 035704 
74)         ltralow threshold field emission from ZnO nanorod arrays grown on ZnO film at low temperature,L M Li, Z F Du, C C Li, J Zhang and T H Wang, Nanotechnology 18 (2007) 355606
75)         Photocurrent characteristics of individual ZnGa2O4 nanowires，P. Feng, J. Y. Zhang,Q. Wan and T. H. Wang, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 102, 074309 2007申请专利专利号
专利类型  申请日   授权日    专利名称    发明人     证书发明专利
200410102574.6 2004-12-24
2007-10-3 碳纳米管的生物学应用           阎锡蕴、高利增、王太宏、聂棱 1发明专利
03136606.6 2003-5-19
2006-8-23 一种纳米孔氧化铝模板的生产工艺             符秀丽、江南、王太宏 1发明专利
03131082.6 2003-5-14
2006-4-12 一种提高纳米材料电性能的方法            李秋红、王太宏 1发明专利
03136105.6 2003-5-14
2006-8-9 一种高性能纳米晶体管的制备方法         李秋红、王太宏 1发明专利
02149405.3 2003-2-14
2006-9-13 基于库仑阻塞原理设计的单电子三值存储器及其制备方法        孙劲鹏、王太宏 1发明专利
02149483.5 2002-11-21 具有多个稳定存储状态的单电子存储器及制法    孙劲鹏、王太宏 1发明专利
02131272.9 2002-9-24
2006-1-11 用垂直结构的碳纳米管晶体管设计的单电子存储器及制法         孙劲鹏、王太宏 1发明专利
02131274.5 2002-9-24
2006-6-28 两端垂直结构的碳纳米管晶体管做的单电子存储器及制法         孙劲鹏、王太宏 1发明专利
02125967.4 2002-8-7
2005-11-23 以库仑阻塞原理设计的单电子存储器及其制备方法          孙劲鹏、王太宏 1发明专利
02125880.5 2002-8-1 基于碳纳米管单电子晶体管设计的单电子存储器及制法        孙劲鹏、王太宏 1　　02123969.X 2002-7-11
2006-6-28 可在室温下工作的单电子存储器及制备方法         孙劲鹏、王太宏 1发明专利
02123970.3 2002-7-11
2006-4-26 具有高集成度的单电子存储器及其制备方法        孙劲鹏、王太宏 1发明专利
02123661.5 2002-7-8
2006-3-29 碳纳米管半加器及其制备工艺        赵继刚、王太宏 1发明专利
02123860.X 2002-7-5
2006-1-11 碳纳米管式集成场效应管及其制备工艺        赵继刚、王太宏 1发明专利
02123862.6 2002-7-5
2006-3-29 碳纳米管逻辑“或”门器件及其制备方法        赵继刚、王太宏 1发明专利
02123863.4 2002-7-5
2006-1-11 利用碳纳米管制作的逻辑“非”门器件        赵继刚、王太宏 1发明专利
02123864.2 2002-7-5
2006-4-19 利用碳纳米管制作的随机存储器及制备方法       赵继刚、王太宏 1发明专利
02123865.0 2002-7-5
2006-6-28 具有单壁碳纳米管结构的“与”门逻辑器件及其制作方法       赵继刚、王太宏 1发明专利
02123861.8 2002-7-5
2006-1-11 碳纳米管“或否”逻辑器件       赵继刚、王太宏 1发明专利
02123459.0 2002-6-28
2005-7-6 复合量子点器件及制备方法       竺云、王太宏 1发明专利
02123464.7 2002-6-28
2005-7-6 量子点器件的三端电测量方法       竺云、王太宏 1发明专利
02120849.2 2002-6-5
2006-8-16 利用碳纳米管设计的非挥发性随机存储器及制备方法       孙劲鹏、王太宏 1发明专利
02120847.6 2002-6-5
2006-4-19 具有碳纳米管结构的单电子存储器及制备方法       孙劲鹏、王太宏 1发明专利
02120848.4 2002-6-5
2006-6-28 利用碳纳米管制备的单电子存储器及制备方法       孙劲鹏、王太宏 1发明专利
02120850.6 2002-6-5
2006-6-28 利用碳纳米管制备的单电子存储器及制备方法       孙劲鹏、王太宏 1发明专利
01101944.1 2001-1-18
2004-10-6 对电荷超敏感的库仑计及其制备方法       王太宏 1发明专利
01101945.X 2001-1-18
2004-10-6 有自校准功能的对电荷超敏感的库仑计及其制备方法       王太宏 1发明专利
01100835.0 2001-1-15
2004-8-4 点接触平面栅型单电子晶体管及其制备方法(一)       王太宏 1发明专利
01100834.2 2001-1-15
2004-8-4 点接触平面栅型单电子晶体管及其制备方法(二)       王太宏 1发明专利
00133517.0 2000-11-9
2004-7-28 一种单电子晶体管及其制备方法       王太宏 1发明专利
实用新型
专利号
专利类型申请日     授权日    专利名称   发明人   证书实用新型
01200510.X2001-1-15
2002-6-19   单电子晶体管         王太宏     1
02285490.82003-2-14
2004-3-10    单电子三值存储器        孙劲鹏、王太宏1实用新型
02289264.82002-11-22
2003-8-13    使用多隧穿结结构的单电子晶体管的多值单电子存储器       孙劲鹏、王太宏    1实用新型
02257077.22002-9-24
2003-9-3    用碳纳米管晶体管设计的高集成度单电子存储器       孙劲鹏、王太宏    1实用新型
02257080.22002-9-24
2003-9-24    利用两端垂直结构的碳纳米管晶体管设计的单电子存储器     孙劲鹏、王太宏    1实用新型
02244310.X2002-8-7
2003-8-20    用碳纳米管单电子晶体管和碳纳米管晶体管设计的存储器      孙劲鹏、王太宏    1实用新型
02244235.92002-8-1
2003-8-20    基于碳纳米管单电子晶体管设计的单电子存储器     孙劲鹏、王太宏    1实用新型
02240127.X2002-7-11
2003-7-23     可在室温下工作的单电子存储器      孙劲鹏、王太宏1实用新型
02240125.32002-7-11
2003-8-13      一种平面磁控溅射靶         马利民、王太宏、张德安     1实用新型
02240126.12002-7-11
2003-8-13        可在室温下工作的具有高集成度的单电子存储器     孙劲鹏、王太宏   1实用新型
02239614.42002-7-5
2003-8-20          碳纳米管“或”门逻辑器件       赵继刚、王太宏    1实用新型
02239615.22002-7-5
2003-6-18      碳纳米管式集成场效应管       赵继刚、王太宏     1实用新型
02239613.62002-7-5
2003-8-13        具有碳纳米管结构的随机存储器         赵继刚、王太宏   1实用新型
02239612.82002-7-5
2003-8-13       单壁碳纳米管“与”门逻辑器件      赵继刚、王太宏    1实用新型
02238032.92002-6-28
2003-4-23         具有复合结构的量子点器件         竺云、王太宏    1实用新型
02237210.52002-6-5
2003-4-23         具有碳纳米管结构的非挥发性随机存储器         孙劲鹏、王太宏    1实用新型
02237211.32002-6-5
2003-5-21            具有碳纳米管结构的单电子存储器         孙劲鹏、王太宏    1实用新型
01201857.02001-1-18
2001-11-28           对电荷超敏感的库仑计         王太宏   1实用新型
01201858.92001-1-18
2001-11-28           有自校准功能的对电荷超敏感的库仑计        王太宏    1实用新型
01200511.82001-1-15
2002-6-19         点接触平面栅型单电子晶体管         王太宏    1实用新型
申请了59项专利（已授权50项），在应用物理研究最权威的期刊Applied Physics Letters上就发表了80多篇的高水平论文。大部分实验结果都已被国外实验室重复和验证，每年文章的单篇引用率达50次。超敏感探测文章被26篇专著引用，SCI他引超过3000次