标题：中国科学院微电子研究所
简介
中国科学院微电子研究所是一所专业从事微电子领域研究与开发的国立研究机构，是中国科学院微电子技术总体和中国科学院EDA中心的依托单位。本着“惟精惟一、求是求新”的办所精神，面向国家战略需求，承担重点科技攻关与产品开发任务；通过全方位合作积极推进成果的应用开发和产业化，推动产业发展；拓展前沿技术与基础研究领域，发展交叉学科方向。微电子所致  力于打造现代化的高技术研究机构，成为中国IC技术和产业领域一个技术创新基地和高素质高层次人才培养基地，为促进国家微电子技术进步和自主创新，实现产业的可持续发展做出贡献。
中国科学院微电子研究所的前身原中国科学院109厂成立于1958年，1986年中国科学院半导体研究所微电子学部加入，合并为中国科学院微电子中心，2003年9月正式更名为中国科学院微电子研究所。
现任领导
所长：叶甜春
党委书记、副所长：李培金
副所长：周玉梅
副所长：周也方
副所长：陈大鹏
副所长：刘新宇[1]
机构与人员
微电子研究所现有11个研究室，在职员工598人，科研与专业技术人员455人（其中科学院院士2名，高级研究人员120名）。设有博士和硕士学位授予点和博士后流动站，在读研究生324人。
主要研究方向
1. 硅器件及集成技术；
⒉微细加工与新型纳米器件集成；
3. 微波电路与化合物半导体器件；4.集成电路设计与系统应用（包括专用集成电路与系统、通讯与多媒体系统芯片、集成电路设计与应用开发）。
专业介绍
本专业一级学科为电子科学与技术。作为一门交叉与综合性学科，跨专业学习具有极大的发展前景与潜力，因此微电子所欢迎并鼓励通讯与通信工程类、计算机类、自动化类、软件类、光电技术、物理与应用物理学、材料学等相关专业的同学报考。
发展历程
中国科学院微电子研究所自诞生起就是中国半导体事业的开创者和开拓者。
1958年，为满足国家研制晶体管计算机的战略需求，中国科学院微电子研究所的前身——原中国科学院109厂应运而生。1986年，109厂与中国科学院半导体研究所、计算技术研究所有关研制大规模集成电路部分合并为中国科学院微电子中心。2003年9月，正式更名为中国科学院微电子研究所。
在五十多年的发展历程中，中国科学院微电子研究所先后为我国第一台锗晶体管计算机——“109乙机”研究生产了半导体晶体管；为我国第一台硅晶体管计算机——“109丙机”研究生产了硅平面晶体管；为我国第一颗人造卫星“东方红一号”提供了半导体晶体管；为我国首台1000万次/秒的晶体管计算机“757机”承担了全部集成电路的研制生产任务。几代微电子人坚持不懈、开拓创新，承担并完成了上百项国家科研任务，取得了丰硕的成果，为中国微电子技术的进步与产业的发展做出了重要贡献。
经过五十多年的发展，中国科学院微电子研究所已经成为一所学科布局齐全、研究领域广泛的国立研究机构。设有2个从事前沿基础研究的重点实验室，11个从事应用技术研究的研究室，3个重大行业技术支撑的研究中心，涵盖了微电子学研究的各个主要领域；拥有职工1000人，在读研究生400人。与国内外众多高校、科研机构和企业开展了全方位的合作与交流，在中国微电子领域拥有广泛的影响。此外，中国科学院微电子研究所还是中国科学院EDA中心依托单位、中国物联网研究发展中心（筹）和中国科学院物联网研究发展中心依托单位。
在新的历史时期，中国科学院微电子研究所秉承“惟精惟一、求是求新”的所训，继承和发扬老一辈微电子人艰苦奋斗的拼搏精神和不畏险阻的坚韧意志，以成为“中国集成电路技术创新的引领者，中国集成电路产业发展的推动者，高素质产业创新人才和优秀工程师的培养基地”为己任，以“到中流击水，浪遏飞舟”的豪迈气概，继往开来，和谐奋进，为国家的科技进步与经济发展做出贡献。[1]
组织机构沿革
一、1958年8月～1960年10月（归中科院物理所建制） 二、1960年10月～1965年9月（归中科院半导体所建制）  组织结构三、1965年9月～1967年4月（归中国科学院建制）
四、1967年4月～1974年12月（归国防科委十四院建制）
五、1975年1月～1986年4月（归中国科学院建制）
六、1986年，一〇九厂与半导体所的微电子学研究部分合并，成立中国科学院微电子中心（归中国科学院建制）
七、2003年，更名为微电子研究所（归中国科学院建制）
109厂阶段
第一届领导班子及组织机构（1958年～1960年）
隶属单位：中国科学院物理研究所
厂长：唐生金
副厂长：王振玉与孙有忱（负责北郊基建）、张明清（1960年4月来厂）、李玉海（1960年5月来厂）
党支部书记：庄蔚华（1958年11月止）
下设机构：党委办公室和团委办公室、工会办公室、厂长办公室、供销科、财务科、计划科、人保科、总务科、技术科、一至十二车间、中心室、图书馆
第二届领导班子及组织机构（1960年～1965年）
隶属单位：中国科学院半导体研究所（根据（60）院字第189号发文、自从1960年9月6日起，是以中国科学院物理研究所半导体研究室为基础，成立了中国科学院半导体研究所。）
厂长：唐生金（兼党总支书记，1962年调回物理所）、方明（半导体所副所长，兼管109厂到1963年）、周振恒（1964年4月来厂）
副厂长：李玉海（兼党总支副书记）与张明清、孙有忱（1962年回所）、王振玉（1961年回所）、王忠（1965年5月来厂）
下设机构：总工程师室、厂部办公室、党委办公室、设计室、工艺室、技术检验室、机械设备设计室、图书资料管理室、总务科、计划科、供销科、财务科、人事科、保  中国科学院微电子研究所卫科、材料车间、器件试制车间、器件生产车间、机械与管壳车间、测试分析装配车间、动力车间
第三届领导班子及组织机构（1965年～1967年）
隶属单位：中国科学院（根据（65）院新综字第0891号发文，109厂自从1965年9月1日起，从半导体所划出的，单立户头，名为中国科学院109厂，是直接由中科院管理） 
厂长：周振恒（兼党委书记）与王忠（党委副书记）
副厂长：李玉海、张明清
院派工作组组长：俞健新
下设机构：厂办公室与计划科、供销科、财务科、人事保卫科、总务科、党委办公室、器件生产车间、器件试制生产车间、材料车间、测试分析装配车间、机械与管壳车间、动力车间、总工程师室、设计科、工艺科、技术检验室、机械设备设计室、图书资料管理室
第四届领导班子及组织机构（1967年～1974年）
隶属单位：国防科委十四院（自1967年5月17日起实行军事管制）
厂长：周振恒（兼党委书记）、王忠（党委副书记）
副厂长：李玉海、张明清、李荣昌、周丰年（新乡713  中国科学院微电子研究所厂搞基建）
1967年军管小组组长：汪大来
副组长：王宏邦
1971年军管小组组长：郭月中
副组长：吕光录、闫成录、王开旗
1968年4月工宣队进驻109厂
工宣队队长：姚远利
1968年6月成立“革命委员会”
革命委员会副主任：徐申、何平江
中国科学院微电子研究所
与委员：徐申及何平江、李洪海、王乡（女）、孙长富、张广礼、金殿义、王大来（军代表）、张复才（军代表） 
下设机构：政治部（下设组织（党团）科和宣传科、人事科、保卫科）、科研生产处（下设计划科、新技术科、情报资料室）、后勤处（下设管理科、物资供应科、财务科、卫生所）、厂办公室、一车间、二车间、三车间、四车间、五车间、六车间、七车间、八车间
第五届领导班子及组织机构（1975年～1980年）
隶属单位：中国科学院（根据（75）科发办字509号文，是从1975年起，109厂（含新乡工地）划归为中国科学院建制）
厂长：周振恒（后为顾问）、李德仲（1978年8月来厂）
副厂长：张明清（后为顾问）及王忠（后为顾问）、李荣昌、周丰年、李培生
1975年院派工作组组长：张俊千
副组长：丁波
1976年院派工作组组长：张征秉
副组长：何平江
1977年院派核心小组组长：曹文俊
副组长：王志远
1978年院派核心小组组长：肖振华
下设机构：厂办公室、党委办公室、人事科、保卫科、计划科、总工程师办公室、技术科、教育科、引进办公室、器材科、基建办公室、行政科、食堂科、运输科、  中国科学院微电子研究所财务科、人防办公室、医务室、一车间、二车间、三车间、四车间、六车间、七车间、管壳车间、研究室、检验科
第六届领导班子及组织机构（1980年～1986年）
隶属单位：中国科学院
厂长：王守武
党委第一书记：刘再生（1980年～1982年）
第二书记：张育英（1980年～1982年）
党委书记：邓彪（1982年～1986年）
党委副书记：于述芳、周先路（兼纪委书记，1983年～1986年）
副厂长：张育英（1980年～1982年）、刘茂章、周丰年、张钟达
下设机构：一分厂和二分厂、厂办公室、党委办公室、纪委、工会、团委、调研室、人事处、保卫处、生产经营处、器材处、总工程师办公室、行政处、财务科、基建办公室、劳动服务公司、厂家属委员会、设计室、理化室、新品室、电子技术室、前工序车间、后工序车间、测试车间、机动车间、金工车间、检验科、工艺室
根据（86）科发计字0037号发文，至1986年1月16日起，成立中国科学院微电子研究中心，109厂的建制取消。
第一届领导班子及组织机构（1986年～1989年）
隶属单位：中国科学院
名誉主任：王守武
中心主任：沈世钢
技术顾问：林兰英、王守觉
党委书记：张钟达
副书记：周先路
副主任：马俊如、刘茂章、周丰年、吴德馨、周先路
下设机构：中心办公室、党委办公室、开发处、器材处、人事处、保卫处、行政处、财务室、总工办、超大规模集成电路研究室、新工艺新技术研究室、新器件研究室、  中国科学院微电子研究所CAD研究室（计算机辅助设计研究室）、CAM（计算机辅助制版研究室）、微电子情报研究室、理化分析研究室、第一工艺线、工艺室、第三工艺线、第四工艺线
第二届领导班子及组织机构（1989年～1993年）
隶属单位：中国科学院
名誉主任：王守武
中心主任：赵玉成（1989～1991年）、吴德馨（1991～1993年）
党委书记：邓彪（1989～1992年）、张钟达（1992～1993年）
副书记：孙长富（1989～1992年）、严福宁（1992～1993年）
常务副主任：邓彪
副主任：仇玉林、骆国良、刘茂章、何晋、杨盛溶
下设机构：综合办公室以及党委办公室、科技处、开发处、器材处、人事处、保卫处、行政处、财务处、大规模集成电路及其工艺技术研究室、CAD研究室、亚微米微细加工技术研究室、前工艺线、后工艺线、新品室、测试室、理化分析室、动力运行站
第三届领导班子及组织机构（1993年～1997年）
隶属单位：中国科学院
名誉主任：王守武
中心主任：吴德馨
党委书记：张钟达（1993年～1994年）、严福宁（1996年～1997年）
副书记：严福宁（1993年～1996年）
副主任：仇玉林和龚义元、张健欣（1993年～1996年）、钱鹤（1995年～1997年）、严福宁
中国科学院微电子研究所
下设机构：中心办公室、党群办公室、城区办公室、业务办公室、销售处、人事教育处、行政办公室、财务处、硅器件与集成电路研究室、集成电路设计研究室和微细加  中国科学院微电子研究所工研究室、前工艺线、后工艺线、理化分析室、动力运行站 第四届领导班子及组织机构（1997年～2001年）
隶属单位：中国科学院
名誉主任：王守武
中心主任：仇玉林
常务副主任：龚义元
党委书记：严福宁
副主任：严福宁（兼）、钱鹤、刘劲翔
下设机构：中心办公室和党群办公室（1999年合并至中心办公室）、城区办公室、科学技术与研究开发处、人事教育处、行政处、财务处、器材处、硅器件与集成电路研究室、集成电路设计研究室、微细加工研究室、前工艺线、后工艺线、理化分析室、动力运行站
第五届领导班子及组织机构（2001年～2003年）
隶属单位：中国科学院
名誉主任：王守武
中心主任：钱鹤
副主任：叶甜春、黄晓兰、谭福安（兼）
党委书记：谭福安
副书记：叶甜春（兼纪委书记）
下设机构：中心办公室（党委办公室）以及科学技术与研究开发处、质量采购处（2002年成立）、人事教育处、财务处、行政处、硅器件与集成技术研究室、集成电路设计研究室、微细加工与纳米技术研究室、化合物半导体器件研究室、通信与多媒体SOC研究室，前工艺线、后工艺线、动力运行站
微电子所阶段
根据科发人教字[2003]287号文件，中国科学院微电子中心自2003年10月16日起，更名为中国科学院微电子研究所。第一届领导班子及组织机构（2003年～2005年）
隶属单位：中国科学院
所长：钱鹤
党委书记：谭福安
副书记：叶甜春（兼纪委书记）
副所长：叶甜春、黄晓兰、谭福安（兼）
下设机构：所（党委）办公室及科技处、人事教育处、质量采购处、财务处、硅器件与集成技术研究室、集成电路设计研究室、微细加工及纳米技术研究室、化合物半导体器件研究室、通信与多媒体SOC研究室、前工艺线、后工艺线、动力运行站
第二届领导班子及组织机构（2005年至今）
隶属单位：中国科学院
所长：钱鹤（2005年6月～2006年6月）、叶甜春（2007年7月至今）
党委书记：谭福安（2005年10月～2006年4月）及李培金（2006年4月至今）
副书记：叶甜春（2005年10月～2006年7月）
副所长：叶甜春（2005年6月～2007年7月）和谭福安（兼）（2005年6月～2006年4月）、周玉梅（2006年8月至今）、李培金（兼）（2006年至今）
下设机构：所办公室以及党委办公室&；信息中心和科技处及人事教育处、财务处、资产管理处、硅器件与集成技术研究室（一室）、专用集成电路与系统研究室（二室）、微细加工与纳米技术研究室（三室）、微波器件与集成电路研究室（四室）、通信与多媒体SOC研究室（五室）、电子系统总体技术研究室（六室）、电子设计平台与共性技术研究室（七室）、微电子设备技术研究室（八室）
  组织机构沿革  组织机构沿革  组织机构沿革  组织机构沿革
学术委员会
基本信息主任：　吴德馨 副主任：　叶甜春 陈杰
委员：仇玉林 刘训春 徐秋霞 海潮和 陈宝钦 夏洋韩郑生 周玉梅 刘明刘新宇阎跃鹏叶青张海英陈大鹏
秘书：施冰 李荣敏
吴德馨
姓　名：　吴德馨（博士生导师）
职　称：　研究员、中国科学院院士（学部委员）
出生年月：　1936年12月
毕业院校：　1961年毕业于清华大学无线电电子  中国科学院微电子研究所工程系
研究方向：半导体器件和集成电路工作经历曾任国家重大科技攻关课题负责人；攀登计划首席科学家；国家重大基础研究顾问专家组成员；中科院学部主席团成员；中国电子学会常务理事；半导体与集成技术分会主任；第九届、十届全国人大常委会委员和教科文卫委员会委员等职务。研究领域主要从事化合物半导体异质结晶体管和电路的研究，包括0.1微米砷化镓/铝镓砷异质结高迁移率场效应晶体管、砷化镓/铟镓磷HBT晶体管，氮化镓/铝镓氮异质结场效应功率晶体管和研制成功砷化镓/铟镓磷HBT光发射驱动电路。所获荣誉在国内率先提出了利用MEMS结构实现激光器和光纤的无源耦合。并研究成功工作速率达10Gbps的光发射模块。其中“先进的深亚微米工艺技术及新型器件”获2003年北京市科学技术一等奖。
独立自主开发成功全套0.8微米CMOS工艺技术。获1998年中科院科技进步一等奖和1999年国家科技进步二等奖。作为国家攀登计划首席科学家负责“深亚微米结构器件及介观物理项目研究。开展了12项课题的研究。为介观物理基础和新结构器件的进一步研究打下基础。
作为工艺负责人研究成功N沟MOS4K、16K动态随机存储器和成品率的提高。独创了检验接触孔质量的露点检测法。并推广到上海器件五厂。分别获得1980和1981年中科院科技成果一等奖两次。负责平面型高速开关管的研究，独立解决了提高开关速度的关键问题，并推广至上海器件五厂和109厂，为两弹一星采用的109计算机提供器件基础。获国家新产品一等奖。
2004年，获何梁何利技术科学奖。
技术研究室
  中国科学院微电子研究所硅器件与集成技术研究室：
硅器件与集成技术研究室前身是中国科学院半导体所的大规模集成电路技术研究室，在王守武院士、吴德馨院士等老一代科学家关怀和领导下不断发展壮大，为国家微电子事业作出了重大贡献。在微电子中心不同阶段，曾使用过“第一研究室”、“大规模集成电路技术研究室”、“深亚微米集成电路技术研究室”等名称
研究室致力于硅基集成电路工艺技术及MEMS技术研究，在CMOS工艺技术研发方面具有雄厚的实力。长期从事CMOS先导工艺技术研究，取得了多项代表国家IC工艺研究水平的成果。是国内最早制造霍尔电路和VDMOS器件的单位。
研究室具有正副研究员7名（其中博士导师4名），和一批具有  中国科学院微电子研究所丰富实践经验的助理研究员、工程师及实验师，在读博士生及硕士生。培养毕业硕士、博士生80人已毕业42人。在近3年中发表论文160余篇，申请专利16项。研究室拥有一个CMOS/MEMS工艺实验室，下设SOI集成电路、CMOS工艺技术、MEMS，高性能功率器件四个课题组。
在国家“六五”科技攻关中，出色地完成了4KDRAM、16KDRAM和64KDRAM的研制；在国家“七五”科技攻关期间，完成了“定制、半定制集成电路设计与制造”，“1～1.5μm新工艺、新器件”结构的探索性研究等重大研制项目；在国家“八五”科技攻关中，自主开发成功了“0.8微米集成电路芯片制造技术”，并应用此技术研制成集成度为7000门的通用模糊控制器电路和双层金属布线的高速时钟驱动电路；在“九五”期间，开发了0.18和0.25微米CMOS集成电路关键工艺技术，并用以研制成功千门级实用电路、性能良好的0.1微米CMOS器件及环振电路、大规模SOI/CMOS实用电路。
在高性能功率器件方面，“八五”与“九五”期间承担多项科技攻关，形成系列功率VDMOS产品，量产芯片大量投放市场，获得一项“八五”攻关重大成果奖与多项院级科技进步奖。
2004年，高性能栅长27纳米CMOS器件及关键工艺技术研究获北京市科学技术一等奖。2005年，亚30纳米CMOS器件相关的若干关键工艺技术研究获国家技术发明二等奖。
该室具有HP82000、SK7000B线性/数字集成电路测试仪及1034自动探针台等测试设备。
研究室
专用集成电路与系统研究室：：专用集成电路与系统研究室是微电子研究所从事硅集成电路设计技术研究的重点研究室，成立于1986年。在国家“七五”、“八五”、“九五”及“十五”期间，均承担并完成了国家许多重点和重大项目，培养了大批的集成电路设计高级人才。研究室的目标：追踪集成电路设计技术前沿发展，支撑国际集成电路需求，引领集成电路技术的应用。满足国家对集成电路的需求，培养高级集成电路设计人才。研究室现有21名专业技术人员，其中研究员、副研究员6人，研究关注高速数字信号处理、低功耗设计、高性能模拟与射频集成电路设计。  中国科学院微电子研究所2004年成功研发专用DSP，峰值运算能力为256亿次累乘加/秒，达到国际水平。在近5年里发表论文78篇，申请专利26项，承担ICSICT-2006国际会议“RF/mixed-signalUltrawidebandTransmitter”分会联合主席。国际会议邀请报告4次。培养毕业硕士、博士研究生18人。
研究室下设：实时信号处理实验室、混合信号实验室、CMOS射频模拟电路实验室。
形象标识
所标涉及创意说明：
标志以菱形为主体充分体现出研究所团队的严谨与理性，同时相叠的菱形代表了微电子产品，向右形成的两个充满力量的箭头，表明了研究所在微电子领域中勇于探索、不断钻研与开拓的精神。箭头向细变化，表现了产品向着更细、更精发展的物理特点。标志中心快速运动的线条，是微电子技术飞速发展的写照，表现出我所要在不断发展中求平稳、求创新的精神。
中英文简称横式组合比例图：
中国科学院微电子研究所
标识与中英文简称标准字横式组合是应用最为广泛的组合形式，在正式场合使用极具庄重感。
横式标准组合比例图标明了标志与标准字横与竖的比例关系，并设定了一个单位为b，便于今后的放大应用。
博士专业
微电子学与固体电子学（080903）
□ 硅器件及集成技术
□ 微细加工与新型纳米器件集成
□ 微波电路与化合物半导体器件
□ 集成电路设计与系统应用（专用集成电路和系统、通讯与多媒体系统芯片、集成电路设计与应用开发）
博士生培养方式（学制三年）
⒈ 修完现代科学技术与马克思主义、博士学位英语及第二外国语。
⒉ 在导师指导下修完二至三门专业课。
⒊ 完成学位论文的实验研究工作并撰写论文。
⒋ 通过学位论文答辩。
硕士专业
微电子学与固体电子学（080903） 
□ 硅器件及集成技术
□ 微细加工与新型纳米器件集成
□ 微波电路与化合物半导体器件
□ 集成电路设计与系统应用（专用集成电路与系统、通讯与多媒体系统芯片、集成电路设计与应用开发）
学科师资
学科专业代码：080903
学科专业名称：微电子学与固体电子学
硅器件及集成技术：
该方向为一室研究方向，主要从事SOI CMOS、功率器件等硅器件与集成电路的设计、制造与可靠性研究。该研究室早期一直致力于硅器件与集成电路主流工艺技术研究，具有很强的硅器件、电路与工艺技术研发能力。曾先后完成“VDMOS功率器件”、“0.8微米CMOS工艺”、“亚微米SOI CMOS电路的研究”、“0.35微米集成电路关键技术”、“0.1微米级CMOSFET”等国家重点攻关项目的研究。
韩郑生 男 1962年出生 研究员 博士生导师。
海潮和 男 1942年出生 研究员 博士生导师。
徐秋霞 女 1942年出生 研究员 博士生导师。
杜 0寰 男 1963年出生 副研究员 硕士生导师。
微细加工与新型纳米器件集成：
00 该研究方向为三室研究方向，主要从事纳米微细加工技术（包括光学光刻掩模及分辨率增强、电子束光刻、下一代光刻及掩模、亚90nm加工工艺等）、纳米器件及集成（包括纳米电子器件模型、亚50nm CMOS新结构器件、硅基和化合物基半导体纳米器件、基于量子效应的纳米器件及其集成、基于新材料新原理的纳米器件如分子电子器件及其集成等）、新型MEMS器件及集成（包括非制冷红外焦平面阵列及集成系统、新型传感器及集成、新结构MEMS加工与集成技术等）三个方向的研究。该研究室是国内最早开展亚微米微细加工技术的研究室，在纳米微细加工技术方面一直保持着国内领先的地位和自主创新的特色。
马俊如 男 研究员 博士生导师 研究所顾问。
叶甜春 男 1965年出生 研究员 博士生导师。
刘 0明 女 1964年出生 研究员 博士生导师。
陈宝钦 男 1942年出生 研究员 博士生导师。
陈大鹏 男 1968年出生 研究员 博士生导师。
夏 0洋 男 1963年出生 研究员 博士生导师。
王守国 男 1963年出生 副研究员 博士生导师。
谢常青 男 1971年出生 副研究员 硕士生导师。
景玉鹏 男 1963年出生 副研究员 硕士生导师。
贾 锐 男 1974年出生 研究员 硕士生导师。
欧 毅 男 1975年出生 副研究员 硕士生导师。
微波电路与化合物半导体器件：
0000该方向为四室的研究方向。主要从事化合物半导体（GaN、GaAs、InP 等）新型器件研究与开发、微波单片集成电路（MMIC）设计与开发、小型微波电路模块与系统设计开发。拥有一条配套的4英寸化合物半导体器件研发线、微波设计软件和测试系统以及先进的模块平台。其研究领域覆盖射频、微波和毫米波器件、电路、模块及系统的设计和制造。小型、频和大功率是其研究的主攻方向。无线通信、卫星导航定位、无线传感器、光纤通信等系统是其主要应用领域。
吴德馨 女 1936年出生 科学院院士 博士生导师。
刘新宇 男 1973年出生 研究员 博士生导师。
阎跃鹏 男 1963年出生 研究员 博士生导师。
张海英 女 1964年出生 研究员 博士生导师。
刘训春 男 1943年出生 研究员 博士生导师。
刘 健 男 1963年出生 研究员 硕士生导师。
集成电路设计与系统应用：
00该方向包括专用集成电路与系统（二室）、通讯与多媒体系统芯片（五室）、集成电路设计与应用开发（杭州分部）等3个研究室的主要研究领域。依托中国第一个电子设计网络化公共平台～中国科学院EDA中心，拥有世界一流的电子系统与集成电路设计软件环境支持，可从事0.13um以下超大规模集成电路设计。
00专用集成电路与系统研究室”主要从事超高速数字信号处理器（DSP）、射频电子标签（RFID）、深亚微米设计技术、新型电路设计、高性能模拟电路研究及系统应用开发。
“通讯与多媒体系统芯片研究室”主要有针对性地开展数字通信和多媒体等方面的高端芯片的研究和开发工作。包括高性能嵌入式DSP芯片、3G/B移动通信软件无线电芯片、UWB芯片、CMOS图像传感器、SOC设计方法学等方面的研究。
00“集成电路设计与应用开发”是杭州分部的主要研究方向。杭州分部是微电子所集中力量建设的产业技术研发机构，是研究所科研成果应用与产品开发的平台。主要从事卫星导航定位芯片与系统、射频与模拟集成电路、系列MCU芯片等芯片产品与系统产品的设计开发与应用开发。
★ 专用集成电路与系统（二室）
周玉梅 女 1962年出生 研究员 博士生导师。
叶 青 男 1963年出生 研究员 博士生导师。
黑 勇 男 1974年出生 研究员 硕士生导师。
李力南 男 1969年出生 副研究员 硕士生导师。
罗家俊 男 1973年出生 副研究员 硕士生导师。
★ 通讯与多媒体系统芯片（五室）
陈 杰 男 1964年出生 研究员 博士生导师。
程亚奇 男 1958年出生 研究员 硕士生导师。
周 莉 女 1977年出生 副研究员 硕士生师。
★ 集成电路设计与应用开发（杭州分部）
叶甜春 男 1965年出生 研究员 博士生导师。
袁国顺 男 1966年出生 研究员 博士生导师。
陈 杰 男 1964年出生 研究员 博士生导师。
阎跃鹏 男 1963年出生 研究员 博士生导师。
吕铁良 男 1963年出生 研究员 博士生导师。
何文牧 男 1963年出生 研究员 硕士生导师。
马成炎 男 1963年出生 高级工程师 硕士生导师。
徐建华 男 1963年出生 高级工程师 硕士生导师。
冯炳军 男 1969年出生 高级工程师 硕士生导师。
博士生导师简介：
钱 鹤 研究员，博士生导师 
主要从事半导体集成技术研究，专业范围为半导体器件物理、微细加工及超大规模集成电路工艺技术。曾参加多项有关化合物半导体器件及微细加工方面国家、科学院的重大科技攻关项目，承担0.35微米CMOS集成电路关键技术研究项目，拟招收从事有关深亚微米集成技术方面研究生。
徐秋霞 研究员，博士生导师 
从事半导体器件、大规模及超大规模集成电路的研究和开发。参加了多项国家重大攻关项目，并负责完成了院重大项目“1-1.5微米新工艺及新器件结构的探索性研究”，先后获中科院科技进步奖12项，发表论文33篇。专长微细加工工艺、器件结构及物理研究，学术工作有特色。在国家“八五”科技攻关中承担“高压及低压大电流VDMOS系列产品开发”，“BiCMOS IC工艺开发”等为主要负责人之一，并在“0.8微米全套工艺研究”中担任工艺负责人之一，此项目获得中科院科技进步一等奖。在国家“九五”科技攻关承担“0.1微米级CMOS器件结构和性能研究”，为课题负责人。拟令学生参加的研究工作为亚微米CMOS器件、器件物理及关键工艺技术研究为主要方向。
海潮和 研究员，博士生导师 
长期以来从事集成电路工艺研究工作。对半导体器件、微细加工及多种半导体集成电路工艺技术都有深入的了解。曾参加过“六五”、“七五”、“八五”国家科技攻关，并有多项研究成果获奖。是中国自主开发的“0.8微米CMOS集成电路制造技术”的主要负责人之一。主要从事深亚微米MOS器件及集成电路技术的研究。“九五”期间还将开展CMOS/SIMOX SOI领域的研究。学生可参加半导体器件、集成电路设计开发及VLSI工艺研究。学生应具有半导体器件物理、微电子及有关电路及计算机方面的知识。
韩郑生 研究员，博士生导师 
曾在电子工业部878厂、北京燕东微电子联合公司从事集成电路工艺技术、电路设计、产品开发及生产管理工作。从事深亚微米集成电路的研发CMOS/SOI集成电路的研发、BICMOS集成电路的研发。参加了国家“九五”公关项目，主要负责光学STEPPER光刻机和电子束光刻机的匹配，CMOS/SOI—4KBIT SRAM电路的设计。负责的课题：大规模CMOS/SOI电路研制。将来的发展方向：CMOS/SOI集成电路的研究、智能功率集成的研发和光电集成电路的研发。希望招收从事半导体物理与器件、集成电路研究的研究生。
陈 杰 研究员 博士生导师 
研究员，博士生导师，1988年赴日留学，1991年，1994年分别获日本国立电气通信大学电子工程系工学硕士和工学博士学位。1994年至1997年在日本鹰山公司任高级项目主管，开发成功了十几种世界领先的W-CDMA基带信号处理低功耗数模混合芯片。1998年至2001年任日本国立电气通信大学信息系统学院副教授，从事W-CDMA，小波变换，图像压缩和集成电路设计的研究。2001年4月入选中国科学院百人计划，任微电子中心研究员，博士生导师，从事移动通信，SOC设计，低功耗数模混合电路设计等方面的研究开发工作。在信息处理和低功耗数模混合集成电路设计方面发表了40多篇论文（其中8篇论文被SCI收录），合作出版《W-CDMA基带信号处理低功耗集成电路设计》一书（日文版），申请专利10多项。拟招收具有数字通信，信号处理，计算机科学，微电子专业背景的研究生。
仇玉林 研究员，博士生导师 
长期从事集成电路及相关器件与工艺研究。专长集成电路设计。在MOS存储器、联想存储器、CMOS集成电路、BiCMOS集成电路、功率集成电路及各类专用集成电路的设计研究与开发方面做出了有成效的工作。从事的主要研究工作包括：低电压低功耗集成电路设计研究；高性能集成电路设计研究；专用集成电路设计与开发研究；深亚微米及SDICMOS集成电路设计研究。
袁国顺 研究员 博士生导师 
主要从事多项专用集成电路设计与开发。负责完成了多种MCU、大容量MASK ROM，及基于IP模块、门阵列、标准单元的多种专用集成电路的设计取得了突出的经济及社会效益。参加完成了“八五”公关课题“ASIC设计测试技术研究”，参加“九五”公关课题高性能、低电压低功耗电路设计研究。招收从事专用集成电路设计开发方面的研究生。
周玉梅 研究员 
长期在微电子技术领域中从事半导体集成电路设计及工艺技术研究，参加及承担了照相机快门电路、VDMOS功率场效应晶体管、智能功率集成电路及多种专用集成电路的研究开发工作。拟招收从事专用集成电路、智能功率集成电路设计技术研究及集成电路开发研究方面的研究生。
叶甜春 研究员，博士生导师，现任中科院微电子所副所长 
1986年毕业于复旦大学、1992年去日本学习。主要从事等离子体刻蚀及薄膜淀积、干发府蚀、X射线光刻等微细加工技术和深亚微米化合物半导体器件的研制及器件物理的研究工作。完成国家公关、国防科研、科学院重大课题国家自然科学基金等多项课题并取得高水平成果，先后获得中科院进步二等奖两项，合作专利四项，发表论文四十五篇。招收研究生的专业方向为深亚微米及纳米微细加工技术及新器件研究。
陈宝钦 研究员，博士生导师 
陈宝钦同志多年来从事微细加工技术的研究与开发在光学掩膜的制作、图形合成、电子束制版与暴光技术等方面做出突出成绩。并多次获得科技进步奖和个人单项奖负责和承担国家及科学院的重要项目。拟招收从事微电子学微细加工方面的研究生。
刘 明 研究员，博士生导师 
刘明博士主要从事电子束微细加工技术的研究和开发工作，在光掩模制造、缩微图形合成、移项掩模、电子束曝光和电子束光刻技术等方面作出突出贡献，并多次获科技进步奖和个人单项奖，负责和承担国家和科学院的重要研究项目。拟招收从事微电子深亚微米及纳米微细加工技术方面的研究生。
吴德馨 中科院院士，研究员，博士生导师 
主要从事半导体器件与集成电路的研究，专业范围为半导体器件物理、器件与集成电路、物理新结构与新工艺研究。先后研究成功MOS 4K位、16K位和64K位动态随机存储器、CMOS专用集成电路、VDMOS场效应功率以及砷化镓异质结高电子迁移率晶体管和锗硅双极型高频晶体管等。承担新型高速异质结器件与集成电路的研究。拟招从事半导体器件与集成电路方面的研究生。
刘训春 研究员，博士生导师
曾长期从事硅双极高速集成电路的研究。研制成功当时在国内领先的肖特基TTL和ECL等电路及等平面隔离等技术。近几年来，从事CaAs器件的研究。首次报导了在高温退火时砷蒸汽对难溶金属Au/WSiN栅的影响并研究成功高跨导、亚微米Au/WSiN 栅自对准GaAs器件。圆满完成了"七五"和“八五”攻关课题研究。其中深亚微米相移光刻技术在国内首获成功。提出了双应变富铟道膺配高电子迁移率晶体管新结构以及用金属侧壁制备纳米宽X射线掩模图形的新方法并获得成功。研制成功多功能磁增强反应离子刻蚀机及感应耦合等离子体刻蚀机。所招研究生拟定研究方向为新型半导体器件及纳米加工技术。
夏 洋 研究员，博士生导师 
夏洋同志主要从事半导体集成技术研究，专业范围是半导体器件物理、微细加工及超大规模集成电路工艺技术。承担国家重点攻关项目“深亚微米集成电路关键技术、国家自然基金重点项目及VLSI中CU布线技术”研究，拟招收有关深亚微米集成技术方面的研究。
顾文琪 研究员，博士生导师 
长期在电子光学领域从事圆形束和可变束电子曝光系统的研究和开发工作，在电子束曝光领域有较高的造诣，承担下一代光刻技术中的电子束投影光刻系统的科研公关项目的研究工作。拟招收从事微电子深亚微米及纳米微细加工技术方面的研究生。
两院院士
王守武：中国科学院院士
吴德馨：中国科学院院士
现任领导
叶甜春：所 长
李培金：党委书记、副所长
周玉梅：副所长
周也方：副所长
吴德馨：学术委员会主任
历史沿革
109厂阶段（1958－1986年）：
第一届领导班子及组织机构（1958年～1960年）
隶属单位：中国科学院物理研究所
厂 长：唐生金
副厂长：王振玉、孙有忱（负责北郊基建）、张明清（1960年4月来厂）、李玉海（1960年5月来厂）
党支部书记：庄蔚华（1958年11月止）
下设机构：党委办公室、团委办公室、工会办公室、厂长办公室、供销科、财务科、计划科、人保科、总务科、技术科、一至十二车间、中心室、图书馆 
第二届领导班子及组织机构（1960年～1965年）
隶属单位：中国科学院半导体研究所（根据（60）院字第189号发文，自1960年9月6日起，以中国科学院物理研究所半导体研究室为基础，成立中国科学院半导体研究所。）
厂 长：唐生金（兼党总支书记，1962年调回物理所）、方明（半导体所副所长，兼管109厂到1963年）、周振恒（1964年4月来厂）
副厂长：李玉海（兼党总支副书记）、张明清、孙有忱（1962年回所）、王振玉（1961年回所）、王忠（1965年5月来厂）
下设机构：总工程师室、厂部办公室、党委办公室、设计室、工艺室、技术检验室、机械设备设计室、图书资料管理室、总务科、计划科、供销科、财务科、人事科、保卫科、材料车间、器件试制车间、器件生产车间、机械与管壳车间、测试分析装配车间、动力车间 
第三届领导班子及组织机构（1965年～1967年）
隶属单位：中国科学院（根据（65）院新综字第0891号发文，109厂自1965年9月1日起，从半导体所划出，单立户头，定名为中国科学院109厂，直接由中科院管理）
厂 长：周振恒 （兼党委书记）、王忠 （党委副书记）
副厂长：李玉海、张明清
院派工作组组长：俞健新
下设机构：厂办公室、计划科、供销科、财务科、人事保卫科、总务科、党委办公室、器件生产车间、器件试制生产车间、材料车间、测试分析装配车间、机械与管壳车间、动力车间、总工程师室、设计科、工艺科、技术检验室、机械设备设计室、图书资料管理室 
第四届领导班子及组织机构（1967年～1974年）
隶属单位：国防科委十四院（自1967年5月17日起实行军事管制）
厂 长：周振恒（兼党委书记）、王忠（党委副书记）
副厂长：李玉海、张明清、李荣昌、周丰年（新乡713厂搞基建）
1967年军管小组组长：汪大来
副组长：王宏邦
1971年军管小组组长：郭月中
副组长：吕光录、闫成录、王开旗
1968年4月工宣队进驻109厂
工宣队队长：姚远利
1968年6月成立“革命委员会”
革命委员会副主任：徐申、何平江
委员：徐申、何平江、李洪海、王乡（女）、孙长富、张广礼、金殿义、王大来（军代表）、张复才（军代表）
下设机构：政治部（下设组织（党团）科、宣传科、人事科、保卫科）、科研生产处（下设计划科、新技术科、情报资料室）、后勤处（下设管理科、物资供应科、财务科、卫生所）、厂办公室、一车间、二车间、三车间、四车间、五车间、六车间、七车间、八车间 
第五届领导班子及组织机构（1975年～1980年）
隶属单位：中国科学院（根据（75）科发办字509号文，自1975年起，109厂（含新乡工地）划归中国科学院建制）
厂　 长：周振恒（后为顾问）、李德仲（1978年8月来厂）
副厂长：张明清（后为顾问）、王忠（后为顾问）、李荣昌、周丰年、李培生
1975年院派工作组组长：张俊千
副组长：丁波
1976年院派工作组组长：张征秉
副组长：何平江
1977年院派核心小组组长：曹文俊
副组长：王志远
1978年院派核心小组组长：肖振华
下设机构：厂办公室、党委办公室、人事科、保卫科、计划科、总工程师办公室、技术科、教育科、引进办公室、器材科、基建办公室、行政科、食堂科、运输科、财务科、人防办公室、医务室、一车间、二车间、三车间、四车间、六车间、七车间、管壳车间、研究室、检验科 
第六届领导班子及组织机构（1980年～1986年）
隶属单位：中国科学院
厂 长：王守武
党委第一书记：刘再生（1980年～1982年）
第二书记：张育英（1980年～1982年）
党委书记：邓 彪（1982年～1986年）
党委副书记：于述芳、周先路（兼纪委书记，1983年～1986年）
副厂长：张育英（1980年～1982年）、刘茂章、周丰年、张钟达
下设机构：一分厂、二分厂、厂办公室、党委办公室、纪委、工会、团委、调研室、人事处、保卫处、生产经营处、器材处、总工程师办公室、行政处、财务科、基建办公室、劳动服务公司、厂家属委员会、设计室、理化室、新品室、电子技术室、前工序车间、后工序车间、测试车间、机动车间、金工车间、检验科、工艺室
微电子中心阶段（1986－2003年）：
第一届领导班子及组织机构（1986年～1989年）
隶属单位：中国科学院
名誉主任：王守武
中心主任：沈世钢
技术顾问：林兰英、王守觉
党委书记：张钟达
副书记：周先路
副主任：马俊如、刘茂章、周丰年、吴德馨、周先路
下设机构：中心办公室、党委办公室、开发处、器材处、人事处、保卫处、行政处、财务室、总工办、超大规模集成电路研究室、新工艺新技术研究室、新器件研究室、CAD研究室（计算机辅助设计研究室）、CAM（计算机辅助制版研究室）、微电子情报研究室、理化分析研究室、第一工艺线、工艺室、第三工艺线、第四工艺线 
第二届领导班子及组织机构（1989年～1993年）
隶属单位：中国科学院
名誉主任：王守武
中心主任：赵玉成（1989～1991年）、吴德馨（1991～1993年）
党委书记：邓 彪（1989～1992年）、张钟达（1992～1993年）
副书记：孙长富（1989～1992年）、严福宁（1992～1993年）
常务副主任：邓 彪
副主任：仇玉林、骆国良、刘茂章、何晋、杨盛溶
下设机构：综合办公室、党委办公室、科技处、开发处、器材处、人事处、保卫处、行政处、财务处、大规模集成电路及其工艺技术研究室、CAD研究室、亚微米微细加工技术研究室、前工艺线、后工艺线、新品室、测试室、理化分析室、动力运行站 
第三届领导班子及组织机构（1993年～1997年）
隶属单位：中国科学院
名誉主任：王守武
中心主任：吴德馨
党委书记：张钟达（1993年～1994年）、严福宁（1996年～1997年）
副书记：严福宁（1993年～1996年）
副主任：仇玉林、龚义元、张健欣（1993年～1996年）、钱鹤（1995年～1997年）、严福宁
下设机构：中心办公室、党群办公室、城区办公室、业务办公室、销售处、人事教育处、行政办公室、财务处、硅器件与集成电路研究室、集成电路设计研究室和微细加工研究室、前工艺线、后工艺线、理化分析室、动力运行站 
第四届领导班子及组织机构（1997年～2001年）
隶属单位：中国科学院
名誉主任：王守武
中心主任：仇玉林
常务副主任：龚义元
党委书记：严福宁
副主任：严福宁（兼）、钱鹤、刘劲翔
下设机构：中心办公室、党群办公室（1999年合并至中心办公室）、城区办公室、科学技术与研究开发处、人事教育处、行政处、财务处、器材处、硅器件与集成电路研究室、集成电路设计研究室、微细加工研究室、前工艺线、后工艺线、理化分析室、动力运行站 
第五届领导班子及组织机构（2001年～2003年）
隶属单位：中国科学院
名誉主任：王守武
中心主任：钱 鹤
副主任：叶甜春、黄晓兰、谭福安（兼）
党委书记：谭福安
副书记：叶甜春（兼纪委书记）
下设机构：中心办公室（党委办公室）、科学技术与研究开发处、质量采购处（2002年成立）、人事教育处、财务处、行政处、硅器件与集成技术研究室、集成电路设计研究室、微细加工与纳米技术研究室、化合物半导体器件研究室、通信与多媒体SOC研究室，前工艺线、后工艺线、动力运行站
微电子所阶段（2003年至今）：
第一届领导班子及组织机构（2003年～2005年）
隶属单位：中国科学院
所　 长：钱 鹤
党委书记：谭福安
副书记：叶甜春（兼纪委书记）
副所长：叶甜春、黄晓兰、谭福安（兼）
下设机构：所（党委）办公室、科技处、人事教育处、质量采购处、财务处、硅器件与集成技术研究室、集成电路设计研究室、微细加工及纳米技术研究室、化合物半导体器件研究室、通信与多媒体SOC研究室、前工艺线、后工艺线、动力运行站 
第二届领导班子及组织机构（2005年至今）
隶属单位：中国科学院
所　 长：钱 鹤（2005年6月～2006年6月）、叶甜春（2007年7月至今）
党委书记：谭福安（2005年10月～2006年4月）、李培金（2006年4月至今）
副书记：叶甜春（2005年10月～2006年7月）
副所长：叶甜春（2005年6月～2007年7月）、谭福安（兼）（2005年6月～2006年4月）、周玉梅（2006年8月至今）、李培金（兼）（2006年至今）
下设机构：所办公室、党委办公室&；信息中心、科技处、人事教育处、财务处、资产管理处、硅器件与集成技术研究室（一室）、专用集成电路与系统研究室（二室）、微细加工与纳米技术研究室（三室）、微波器件与集成电路研究室（四室）、通信与多媒体SOC研究室（五室）、电子系统总体技术研究室（六室）、电子设计平台与共性技术研究室（七室）、微电子设备技术研究室（八室）[2]