标题：朱邦芬
简介
凝聚态物理学家。1948年生于上海市，原籍江苏省宜兴。1970年毕业于清华大学工程物理系，1981年获  朱邦芬清华大学固体物理硕士学位。现任清华大学教授，物理系主任。与黄昆先生提出的半导体超晶格光学声子模型被国际上称作“黄朱模型”，在多本国外专著及研究生教材中详细介绍，带动了该领域的发展；关于半导体量子阱中激子旋量态理论和半导体超晶格拉曼散射的微观理论，在国际上有较大影响。现从事凝聚态物理理论研究，主要研究方向是受限小量子系统物理和半导体超快光学过程理论。
清华大学工程物理系本科毕业（1970年）
清华大学固体物理学硕士学位（1981年），
生平
朱邦芬1948年1月出生于上海，1970年毕业于清华大学工程物理系，1981年获清华大学固体物理学硕士学  朱邦芬位，1981年3月至2000年1月先后任中国科学院半导体研究所助理研究员、副研究员、研究员，期间多次出访，曾任美国UIUC等多所大学的客座教授。2000年1月任清华大学高等研究中心教授，2003年4月起被聘任清华大学物理系教授，系主任。2003年被选为中国科学院数理学部院士。现任中国物理学会凝聚态理论与统计物理专业委员会主任、“中国物理快报”副主编、“理论物理通讯”等刊物编委。 朱邦芬与黄昆先生一起确立了半导体超晶格光学声子模式的理论，被国际学术界命名为“黄朱模型”。这一系统理论引起了国际上普遍重视，多个著名实验室设计实验来检验黄朱模型。黄朱模型被国际学术界广泛接受，在多本国外专著及研究生教材中有整节介绍。朱邦芬在第二十届国际半导体物理会议作的40分钟邀请报告，是中国学者第一次在代表该领域最高学术水准的国际系列会议上作特邀报告。黄朱模型被广泛用于研究低维半导体物理、材料与器件研究。
朱邦芬建立了量子阱中激子旋量态波理论。在激子四分量旋量态波函数的基础上，他指出只有一个分量对激子光跃迁有贡献，给出了量子阱中正确的激子光跃迁选择定则，成功地将实验中观测到h12a峰指派为轻空穴激子2p态。以后，他又研究空间反演不对称性的量子阱系统的激子旋量态理论，解释GaAs量子阱较体材料几个量级增强的Pockels效应的实验。
朱邦芬和黄昆等一起建立了一个系统的量子阱中拉曼散射的微观理论，解决了宏观对称性分析不能解释的疑难问题，证明了在体材料中禁戒的弗洛里希散射在量子阱中允许的原因主要在于轻重空穴混合，并给出声子对称性、电声子互作用机制与光散射偏振配置三者之间的关系。理论所预言的外电场下拉曼散射特点，宇称禁戒激子态对喇曼散射可能的重要贡献，均被实验证实。
朱邦芬提出时间域介观物理概念，与他的学生一起，提出半导体中动力学Fano共振原理，预言激子稳化现象。他还在低维结构的电子态，输运性质等其他多个领域进行了开创性研究工作。他发表论文60余篇,著作2本,编书3本，论文被他人引用870余次。他曾荣获国家自然科学奖二等奖、中科院自然科学奖一等奖各一项，中科院自然科学奖二等奖两项，第八届全国优秀科技图书一等奖和香港求是科技基金会杰出青年学者奖。
工作经历
中国科学院半导体研究所助理研究员(1981-1987)，副研究员(1988-1989)，研究员(1989-2000)
  朱邦芬清华大学高等研究中心教授 (2000.1-2003.4) 客座教授（2003.4-）
清华大学物理系教授，系主任(2003.4-)
瑞典Linkoping大学访问学者（1985.9－1986.2）
意大利国际理论物理中心Associate Member（1992－1999）
美国Urbana-Champaign伊利诺大学客座教授（1993.1-12）
美国San Diego加州大学客座教授（1994.1-4）
香港科技大学客座教授（1998.2-4）
美国伊利诺州立大学客座教授（1998.10-12）
美国犹他大学客座教授（2001.12-2002.3）
研究领域
从事凝聚态物理理论研究。
目前主要研究：
受限小量子系统物理
各种低维量子结构(包括量子点、纳米团簇、纳米管)的电子能带结构
各种低维量子结构声子模特性及电声子相互作用的特性
各种低维量子结构的光学特性(含Raman散射),激子效应和器件应用
碳纳米管物理
介观系统输运
半导体自旋电子学
半导体中超快过程的多体理论
半导体中动力学量子干涉及其可控性
量子点中的晶格弛豫及其动力学过程
半导体超晶格布洛赫震荡
强THz激光下辐照半导体物理
非平衡载流子弛豫与输运
相位相干、退相干与多体效应
获奖
半导体纳米结构物理性质的理论研究 国家自然科学奖 二等奖 2004 (夏建白，李树深、常凯、朱邦芬)
半导体超晶格的电子态和声子模理论 国家自然科学奖 二等奖 1993 (黄昆，朱邦芬，夏建白)
超晶格电子态理论 中国科学院自然科学奖 一等奖 1989 (夏建白，黄昆，朱邦芬，汤蕙)
半导体超晶格和量子阱中光学声子模和弗洛里希作用势 中国科学院自然科学奖 二等奖 1990 (黄昆，朱邦芬)
半导体超晶格量子阱拉曼散射微观理论 中国科学院自然科学奖 二等奖 1995 (朱邦芬，黄昆，汤蕙) 
香港求是科技基金会杰出青年学者奖(1995)。
夏建白，朱邦芬合著的“半导体超晶格物理”一书（上海科学技术出版社，1995年）获第八届国家科技图书一等奖。
荣誉
2003年11月被选为中国科学院数理学部院士。
现任学术兼职
教育部物理学与天文学教学指导委员会副主任，物理类专业教学指导分委员会主任
教育部第五届科技委学部委员
凝聚态物理国家实验室、合肥微尺度物质科学国家实验室理事会理事
中国物理学会凝聚态理论专业委员会顾问、光散射专业委员会委员 
中国物理学会“胡刚复、饶毓泰、叶企孙、王淦昌物理奖基金委员会"委员、"叶企孙物理奖评审委员会"秘书
清华大学、中国科学院理论物理所、中国科学院物理所学术委员会委员 
中国科学院超晶格与微结构国家重点实验室、中国科学院红外物理国家重点实验室、南京大学固体微结构物理国家重点实验室学术委员会委员
中国科学院物理所纳米物理与器件开放实验室学术委员会副主任 
"Chinese Physical Letter"副主编
"Solid State Communication","Communication on Theoretical Physics",“半导体学报”,“物理学报”,“Chinese Physics”,“Frontier of Physics in China”,“发光学报”，“光散射学报”编委
作品
主要论著发表学术论文82篇，专著和编书8本，他人引用约1300次，在国内外学术会议作邀请报告约50多次。他与黄昆提出的半导体超晶格光学声子模型被国际上称作“黄朱模型”,被广泛引用，在多本国外专著及研究生教材详细介绍，带动了该领域的发展。他关于量子阱激子旋量的理论和半导体超晶格拉曼散射的理论，在国际上有较大影响。他和合作者系统研究强THz场下半导体中光学过程，提出时间域介观物理理论研究半导体中超快光学过程。他提出双势垒结构共振隧穿中二维与三维电子互相干涉的理论，和合作者关于量子点隧穿中Fano干涉，电声子作用对于共振隧穿和近藤效应的影响，纯自旋流探测等受到国际同行的重视。
主要论文Phonon Physics
1 Bang-fen Zhu and K. A. Chao, "Phonon Modes and Raman Scattering in GaAs-GaAlAs", Phys. Rev. B 1987, 36, 4906-4914
2 Kun Huang and Bang-fen Zhu, "Long Wavelength Optic Vibrations in a Superlattice", Phys. Rev. B 1988, 38, 2183-2186
3 Bang-fen Zhu, "Optical Phonon Modes in Superlattices", Phys.Rev. B 1988, 38, 7694-7701
4 Kun Huang and Bang-fen Zhu, "Dielectric Continuum Model and Frohlich Interaction in Superlattices", Phys. Rev. B 1988, 38, 13377-13386
5 Bangfen Zhu, "Optical Phonon Modes and Frohlich Potential in 1D Quantum Well Wires", Phys. Rev. B 1991, 44, 1926-1929
6 Bang-fen Zhu, Kun Huang and Hui Tang, " Exciton Mediated Raman Scattering in Multiple Quantum Wells", Phys. Rev. B 1989, 40, 6299-6303
7 Kun Huang, Bang-fen Zhu and Hui Tang, "Microscopic Theory of Optical Phonon Raman Scattering in Quantum Well Systems", Phys. Rev. B, 1990, 41, 5825-5842.
8 Hui Tang, Bang-fen Zhu and Kun Huang, "Raman scattering in superlattice under an electric field", Phys. Rev. B 1990 42, 3082-3086.
9 S.L. Zhang, B.F. Zhu, F.M. Huang, Y. Yan, E.Y. Shang, S.S. Fan, W.G. Han, L. d. Zhang, G.W. Men, Effect of Disorders on Optical Phonon Raman Spectra in SiC Nanorods, Solid State Communication 1999, 111, 647-651
10 Jian-zhong Zhang, Bang-fen Zhu, Kun Huang, Comparison of Cooling rates of Hot Carriers in GaAs/AlAs based on Macroscopic and Microscopic Phonon models, Phys. Rev. B 1999 59, 13184-13195
11 Yong-qiang Cheng, Shu-yun Zhou and Bang-fen Zhu, Effect of isotope on Phonon spectra in single-wall carbon nanotubes, Phys. Rev. B 72, 035410 (2005)
B. Electronic Structures and Exciton States in Low-Dimensional Systems
1 Bang-fen Zhu and Kun Huang, "Effect of Valence-Band Hybridization on the Exciton Spectra in GaAs-GaAlAs Quantum Wells", Phys. Rev. B, 1987, 36, 8102-8108
2 Bang-fen Zhu,  "Oscillator Strength and Optical Selection Rule of Excitons in Quantum Wells", 
Phys. Rev. B 1988，37, 4689-4693
3 Bang-fen Zhu, "Exciton Spectra in GaAs/GaAlAs Quantum Wells in an Externally Applied Electric Field", Phys. Rev. B, 1988, 38, 13316-13122
4 Bang-fen Zhu and Y. C. Chang, "Inversion Asymmetry, Hole Mixing, and Enhanced Pockels Effect in Quantum Wells", Phys. Rev. B, 1994, 50 11932-11948 
5 Rong Yu, Bang-fen Zhu and Qi-ming Wang,“In-plane optical anisotropy in asymmetric Si1-xGex/Si/Si1-yGey superlattices” J. Phys.: Condens. Matter 13, L559-L567 (2001)
6 Jun-Qiang Lu, Jian Wu, Wenhui Duan, Feng Liu, Bang-Fen Zhu, Bing-Lin Gu, Metal-to-semiconductor transition in squashed armchair carbon nanotubes, Phys. Rev. Lett. 90 (15) 156601 (2003)
7 Pu Yu, Jian Wu, and Bang-Fen Zhu，Enhanced quantum confined Pockels effect in SiGe superlattices，Phys. Rev. B 73,235328 (2006)
C. Quantum Transport and Tunneling
1 Kun Huang and Bang-fen Zhu, "Temperature Dependence of the Low-Field Mobility of Miniband Conduction in Superlattices", Phys. Rev. B, 1992 45, 14404-14407.
2 Bang-fen Zhu and Kun Huang, "Self-Consistent Treatment of 3D-2D and 2D-2D Resonant Tunneling in Double-Barrier Structures", Phys. Rev. B (1993) 48, 4575-4585.
3. Zuo-zi Chen，Rong Lv, Bang-fen Zhu, “Effects of electron-phonon interaction on non-equilibrium transport through single-molecule transistor”Phys. Rev. B 71, 165324 (2005) 
4. Hai-zhou Lu，Rong Lv, Bang-fen Zhu, “Tunable Fano effect in parallel-coupled double quantum dot system”, Phys. Rev. B 71, 235320 (2005) 
5 Zuo-zi Chen，Rong Lv, Bang-fen Zhu, “Phonon-assisted Kondo Effect in a Single-Molecule Transistor out of Equilibrium”, J PHYS-CONDENS MAT 18, 5435-5446 (2006)
6 Haizhou Lu, Rong Yv, and Bangfen Zhu, Fano effect through Parallel-coupled Double Coulomb Islands，J PHYS-CONDENS MAT 18, 8961–8972(2006)
D. Spintronics
1 Chao-xin Liu, Zhen-gang Zhu, and Bang-fen Zhu, Rashba Interaction as an External Yang-Mills Field Applied to One-Dimensional System, PHYSICA E 32, 391-394  (2006)
2 Jing, Wang，Bang-fen Zhu and Ren-bao Liu, Proposal for Direct Measurement of a Pure Spin Current by a Polarized Light Beam, Phys. Rev. Lett. 100 086603 (2008) (Erratum: Phys. Rev. Lett. 101,  069902  (2008)
3 Chao-Xing Liu, Bin Zhou, Shun-Qing Shen, and Bang-fen Zhu, Current-induced Spin Polarization in Two-Dimensional Hole Gas, Phys. Rev. B.  77 125345 (2008)
E. Quantum Dynamics and Strong THz field Effect
1 Ren-Bao Liu and Bang-fen Zhu, Degenerate four-wave-mixing signals from a both dc- and ac- driven semiconductor superlattice, Phys. Rev. B 1999, 59, 5759-5769 
2 Ren-Bao Liu and Bang-fen Zhu,  Bloch Oscillation under a Bichromatic Laser: Dynamical Delocalization and Localization, Persistent Terahertz Emission, and Harmonics Generation, 
EuroPhys. Lett. 2000, 50, 526-532
3 Ren-Bao Liu and Bang-fen Zhu, Dynamic Fano Resonance of Quasienergy Excitons in Superlattices, 
J. Phys.: Condens. Matter 12, L741-L747 (2000)
4 Ren-Bao Liu and Bang-fen Zhu, Adiabatic stabilization of excitons in an intense terahertz laser, Phys. Rev. B 66 0331106(2002)
5 Ren-Bao Liu and Bang-fen Zhu, Dynamical quantum interference and its controllability in semiconductors irradiated by an intense teraherts laser, Physica E 17 (1-4) 191-196 (2003)
6 Ren-bao Liu, Bang-fen Zhu，Nonlinear optics of semiconductors under an intense terahertz field，Phys Rev B68, 195206(2003)
7 Ren-Bao Liu and Bang-fen Zhu, Difference-frequency processes in biased superlattices for terahertz emission, Applied Physics Letter 84, 2730-2732(2004)
8 Renbao Liu, Bang-fen Zhu, High-order THz-sideband generation in semiconductors，AIP CONFERENCE PROCEEDINGS 893  1455-1456  (2007)
9 Jie-yun Yan, Ren-bao Liu, Bang-fen Zhu, Exciton absorption in semiconductor superlattices in a strong longitudinal THz field, New J. Phys. 11 083004 (2009)
编著书籍
1. J. B. Xia, Z. Z. Gan, G. G. Qin, R.Q. Han, G.Z. Yang, Z.T. Zhong, H.Z. Zheng, and B.F. Zhu(Ed), "Lattice Dynamics and Semiconductor Physics Festschrift for Professor K. Huang" World Scientific (Singapore) 1990.
2.夏建白、朱邦芬，半导体超晶格物理，上海科学技术出版社 1995.
3. X. Y. Li, Z.M. Qiu, D. H. Shen, H.Z. Zheng and B.F. Zhu(Ed), " Superlattice and Surface Physics", CCAST-WL Workshop Series: Vol.8, Beijing, 1991.
4.Bang-fen Zhu（Ed)，“Selected papers of Kun Huang with Commentary”, World Scientific  (Singapore) 2000.
5. Shu-lin Zhang, Bang-fen Zhu（Ed）, Proceedings of the 17th International Conference on Raman Spectroscopy, John Wiley & Sons Ltd. (2000)
6. 朱邦芬，黄昆——声子物理第一人，“国家最高科学技术奖获奖人丛书”，上海科学技术出版社，2002
7. 朱邦芬，黄昆，“中国当代著名科学家”，贵州人民出版社，2004 
8. 秦国刚，甘子钊，夏建白，朱邦芬，李树深（编），“黄昆文集”，北京大学出版社 2004
9. 朱邦芬（编著）, “清华物理80年”,  清华大学出版社 (北京), 2006
10. 朱邦芬 冯正和（主编）, “纪念孟昭英教授百年诞辰”, 清华大学出版社 (北京),2006
物理学史、物理学家、物理教育 文章
朱邦芬. 半导体超晶格的电子态与声子模理论. 《中国科学院院刊》，1997，12：287
朱邦芬. 中国科学先驱：黄昆. 《科学》，2000，52（3）：37
朱邦芬，黄昆对物理学的贡献，《发光学报》 24(1)1-7 (2003) 
朱邦芬，庆祝王明贞先生百岁寿辰——兼谈科学传统的重要性，《物理》，34卷，12期，934-936页（2005）
朱邦芬，一段值得深思的历史，《物理》，35卷，5期，349-351页（2006）
朱邦芬、王青，清华物理80年，《物理》，35卷，5期，352-358页（2006）
朱邦芬，一本培养了几代物理学家的经典著作——评《晶格动力学理论》，物理，35卷，9期，791-792页（2006）
朱邦芬，一个真人，一个童心未泯的科学家，《物理与工程》，17卷，3期，1-3页（2007）
朱邦芬 追忆黄昆先生的宗师风范，《名师风范——忆黄昆》，陈辰嘉、虞丽生主编，北京大学出版社，204-215页（2008）
朱邦芬，拔尖创新人才的成长之道，《物理》，38卷，第5期，289-290页（2009）
朱邦芬，读1947年4月黄昆给杨振宁的一封信有感，《物理》，38卷，第8期，575-577页（2009）
朱邦芬 王青，实践叶企孙先生教育思想，《物理》，38卷，第9期，671-674页（2009）
评价
朱邦芬院士数十年来潜心物理学研究，造诣精深，取得了多方面的成就，在国际上具有较大的影响。特别是他与黄昆院士一起确立的半导体超晶格光学声子模式理论，被国际学术界命名为"黄朱模型"。这一系统理论引起国际上的高度关注，普遍重视，多个国际著名实验室设计实验来检验"黄朱模型"，并被全世界广泛接受，在许多国外专著及研究生教材中有整节介绍。朱邦芬院士曾在第二十届国际半导体物理会议上作了40分钟报告，这是中国学者第一次在代表该领域最高学术水准的国际系列会议上作特邀报告。"黄朱模型"被广泛应用于低维半导体物理、材料与器件的研究。
朱邦芬院士还建立了量子阱中激子旋量态波理论。在激子四分量旋量态波函数的基础上，他指出只有一个分量对激子光跃迁有贡献，给出了量子阱中正确的激子光跃迁选择定则，成功地将实验中观测到的h12a峰指派为轻空穴激子2P态。以后，他又研究空间的反演不对称性的量子阱系统的激子旋量态理论，解释GaAs量子阱较体材料几个量级增强的Pockels效应的实验。同时。他与黄昆院士等一起建立了一个系统的量子阱中拉曼散射的微观理论，解决了宏观对称性分析不能解释的疑难问题，证明了在体材料中禁戒的弗洛里希散射在量子阱中允许的原因主要在于轻重空穴混合，并给出声子对称性、电声子互作用机制与光散射偏振配置三者之间的关系。理论所预言的外电场下拉曼散射特点，宇称禁戒激子态对拉曼散射可能的重要贡献，均被实验证实。朱邦芬院士还提出了时间域介观物理概念，与他的学生一起，提出半导体中动力学Fano共振原理，预言激子稳化现象，并在低维结构的电子态、输运性质等其他多个领域进行了开创性的研究工作。