标题：陈庆云
简介
  陈庆云（1929.1－）湖南湘乡人。现为中国科学院院士、著名有机化学家和国际知名有机氟化学家
1952年北京大学化学系毕业。同年被分配到中国科学院长春光学仪器研究所工作。
1956年赴苏联科  陈庆云 院士学院元素有机化合物研究所学习。
1960年获副博士学位后回国，到中科院化学研究所工作。
1963年后，历任中科院上海有机化学研究所副研究员、氟化学研究室主任、《有机化学》副主编、研究员、博士生导师。
1991年至今担任《有机化学》主编。
1991年至1998年为国际纯粹与应用化学学会(IPUAC)中国代表。
1993年当选为中国科学院化学部委员，次年改称中科院院士。
1997年至今担任《Molecules》杂志编委。
2004年获何梁何利科技进步奖。
迄今，陈庆云先生已经发表学术论文240多篇，培养了30余名博士和硕士。
长期从事有机氟化学研究工作。50年代对六氟丙酮的反应的研究后发现一个制备六氟双酚的方法获苏联专利；后侧重于全氟和多氟烷基磺酸及电单子转移反应的研究。发现13个二氟卡宾前体，其中5个可作为三氟甲基化试剂。近十年来系统研究全氟碘代烷在多种金属、亲核试剂或紫外光引发下的单电子转移反应，成功地将全氟烷基引入研究分子，为含氟材料和有机氟化学作出了贡献。
领导并参加研制的“新型烙雾抑制剂(F-53)”获1982年国家发明三等奖；“有机氟化学和自由基化学的研究”获1982年国家自然科学二等奖。撰有《由氟砜基二氟甲基乙酸甲酯形成二氟卡宾和氟砜基二氟甲基阴离子》等论文150多篇[1]。
生平
陈庆云，1929年1月25日出生于湖南省沅江县。1952年毕业于北京大学化学系。1956年在前苏联科学院元素有机化合物研究所作研究生，师从克鲁扬茨院士，专攻有机氟化学。他对六氟丙酮的反应作了开创性研究，其中六氟双酚A的合成获前苏联专利。这是一个极为有用的高分子单体，他所发明的方法一直被世界各国沿用至今。1960年他获副博士学位后回国。先在中国科学院化学研究所，后在中国科学院上海有机化学研究所从事含氟烯烃的合成及其调聚反应、含氟润滑油、含氟表面活性剂和新型致冷工质等研究氟材料的研制工作，均获成功。曾获中国科学院和上海市多项科研成果奖，其中“防铬雾剂F-53的研制”获国家发明三等奖。
1978年他开始转向有机氟化学基础理论研究。在全氟和多氟磺酸研究中，首次观察到亲核试剂与全氟磺酸烷基酯反应时，碳氧键和硫氧键的断裂同时存在，但以前者为主；而与全氟磺酸全氟烷基酯反应，则后者是唯一的断裂方式。陈庆云把这一现象归因于氟原子上弧电子对的屏蔽效应，为全氟烷烃不能发生SN2反应提供了理论依据。
通过多年潜心研究，陈庆云和他的学生发现了18个二氟卡宾前体，这些前体可以在中性甚至强酸性介质中产生。而不是在强碱中产生，这是没有先例的。通过二氟卡宾实现对卤代烃的三氟甲基化是当前有机化学的研究热点之一，陈庆云小组为此提供了一套全面、完整的三氟甲基化的方法。最近又成功地将三氟甲基引入甾体，可望成为一类新药。
成就
有机氟化学80年代初陈庆云致力于把当今世界最重要化学理论之一，单电子转移反应引入有机氟化学。他和他的学生发现全氟碘代烷是一个极好的电子受体，它可以与催化量的多种金属或过渡金属配合物发生电子转移反应，由此产生的全氟烷基自由基能被烯烃、炔烃和芳烃所捕获；当亲核试剂作为电子供体并引发反应时，便发生了含氟的SRN1反应；在光作用下，全氟磺酸苯酯、全氟磺酸五氟苯酯、五氟碘苯、全氟碘代烷均可与芳烃、杂芳烃及其衍生物作用，实现了光引发下的电子转移反应，成功地将苯基、五氟苯基和全氟烷基引入芳烃和杂芳烃。
因为全氟磺酸苯酯很易由苯酚类制得，陈庆云等发现在钯催化下，苯酯可以顺利地与烯烃、炔烃、金属有机试剂反应，首次实现了芳烃sp2碳的脱羟烯基化和炔基化，扩大了著名Heck反应的应用范围。由于陈庆云系统和创造性地开展了“有机氟化学中单电子转移反应的研究”，把有机氟化学与物理有机化学、金属有机化学和杂环化学紧密结合起来，促进了有机化学的发展，因而获得1989 年国家自然科学二等奖。迄今为止，陈庆云已发表学术论文140余篇，培养了16名博士和12名硕士研究生。1993年他当选为中国科学院院士[2]。
主要论著
1 Q. Y. Chen, Z. M. Qiu. Electron-transfer induced reaction of perfluoroalkyl iodides and dialkyl malonate anions and β-fragmentation of the halotetrafluoroalkyl radical. J. Fluorine Chem. , 1986,31:301
2 Q. Y. Chen, Z. Y. Yang. Palladium catalyzed reaction of phenylfluoroalkanesulfonates with alkynes and alkenes. Tetrahedron Lett. , 1986,27:1171
3 Q. Y. Chen,Z. M. Qu. Reaction of fluoroalkyl iodides with some nucleophiles by SRN1 mechamism. J. Fluorine Chem, 1987,35:343 [3]

基本信息
性 别 女
出生年月 1976-11
职 称 副教授学 位 博士办公电话 传 真 
所在系所 化工系

办公地点 化工楼505室


研究领域 ：
功能材料/光催化剂
简历 ：
2008年9月— 西安交通大学 副教授
2007年4月—2008年4月 日本国立奈良女子大学 助理教授
2004年4月—2007年3月 日本国立奈良女子大学 博士学位
2003年10月—2004年3月 日本国立奈良女子大学 特别研究生
2000年9月—2003年7月 西安交通大学化学工程专业 硕士学位
1997年9月—2000年7月 西安交通大学经济学专业 第二学士学位
1996年9月—2000年7月 西安交通大学化学工程专业 学士学位
主讲课程：
催化剂工程/化工过程设计/化工原理
主要论文：
1．Q.Y.Chen, Y. Xi, Y.Z. Bin and M. Matsuo. Electrical and dielectric properties in Carbon Fiber Filled LMWPE /UHMWPE Composites with different blend ratios. Journal of polymer science: part B, 2008, 46,359-369(SCI, EI).
2．Q.Y.Chen, X.W. Jiang, Y.Z. Bin and M. Matsuo, Structural changes of polyacrylonitrile film by catalytic effects of nickel particles under carbonization process. Polymer J. 2007，39, 568-578 (SCI, EI).
3．Q.Y.Chen, Y.Z. Bin and M. Matsuo. Characteristics of ethylene-methyl methacrylate copolymer and ultrahigh molecular weight polyethylene composite filled with multiwall carbon nanotubes prepared by gelation/crystallization from solutions. Macromolecules, 2006, 39, 6528-6536 (SCI, EI).
4．Y.Z. Bin, Q.Y.Chen, K. Tashiro and M. Matsuo. Electrical and mechanical properties of iodine-doped highly elongated ultrahigh molecular weight polyethylene films filled with multiwalled carbon nanotubes. Physical Review B, 2008, 77,3 5419-35425(SCI, EI).
5．Y.Z. Bin, Q.Y. Chen and M. Matsuo. Preparation and characterization of carbon films prepared from poly (vinyl alcohol) containing metal oxide and nano fibers with iodine pretreatment. Carbon, 2007, 45, 1330-1339 (SCI, EI).
6．H. Ishikawa, Q.Y. Chen, Y.Z. Bin, K. Komatsu and M. Matsuo. High electric conductivity and high corrosion resistance fibers with high modulus and high strength prepared by electroless plating of gold on the surface of poly (p-phenylene benzobisoxazole) (PBO). Journal of Materiasl Scienc, 2007, 42, 7772-7779 (SCI, EI).