标题：西安理工晶体科技有限公司
公司简介
公司地址：陕西省西安市高新区锦业路69号B区
西安理工晶体科技有限公司（简称：理工晶科）系西安市高新技术企业,注册资金为一亿元人民币。2002年通过了ISO：9000国际质量管理体系认证，2005年获得AAA企业信用等级，是陕西省新型半导体功能材料与设备工程研究中心的主要依托单位，公司为国内单晶炉及其它晶体生长设备研发与制造的核心企业，是国内最具影响力的在该领域中专用设备制造商。
公司自1961年研制成功我国第一台单晶炉以来  资质荣誉，已定型生产12大系列、近百种型号电子专用设备。它涉及半导体、光学及激光、化合物、氧化物、氟化物等晶体材料以及多晶硅、合金材料、人工宝石等高科技领域。产品国内市场占有率达70%以上。累计生产各类晶体生长设备3300余台。先后有多个品种、百十余台设备远销欧、美等地。
企业承担过国家多项“863”科技攻关计划。多年来，广泛吸收国内外最新技术成果，综合积累丰富的单晶炉制造技术，为我国微电子、光电子及光伏产业的发展作出了重要贡献。
公司位于西安高新技术产业开发区创业研发园核心区，西安理工大学科技园内，占地总面积110亩，已完成的一期占地63亩，建筑面积17105 M，其中办公用房 5880M，生产车间10911M，有各类机械加工、热处理、焊接等设备127台套，各类检测、试验、计量等设备214台件，办公设备381台，现拥有一支350余名员工，其中包括120余名高、中级专业工程技术人员的技术队伍。公司设有十一个部门和二个生产车间，具有年产500余台套大型单晶炉的能力。
背景简介
西安理工晶体科技有限公司（公司位于陕西省西安市高新区锦业路）是西安理工大学的附属机构（校工厂）。 西安理工大学属中央和地方共建、以地方管理为主的高校，  西安理工大学曲江校区前身是北京机械学院和陕西工业大学于1972年合并组建的陕西机械学院，1994年1月经国家教育委员会批准更名为西安理工大学。学校现有金花、曲江、莲湖3个校区和大学科技园，占地总面积130万平方米，建筑面积68万平方米，学校是陕西省文明校园、平安校园。
学校是我国首批获得博士、硕士、学士学位授予权的高校之一。现有水利工程、机械工程、材料科学与工程、管理科学与工程等10个博士学位授权一级学科，44个博士学位授权二级学科，22个硕士学位授权一级学科，97个硕士学位授权二级学科，学位授权点覆盖全部本科专业。建有水利工程、电气工程、机械工程、土木工程、电子科学与技术、材料科学与工程、管理科学与工程等7个博士后科研流动站。水文学及水资源等5个学科为全国高等学校重点学科，机械制造及其自动化等21个学科为陕西省重点学科。学校现已发展成为以工为主、多学科协调发展、具有较强办学实力和特色鲜明的教学研究型大学。
企业文化
  企业文化聚焦晶体科技 引领行业发展
1. 公司使命：致力晶体科技 创新现代生活
2. 公司愿景：晶体生长设备领域的领先者和创新者
3. 公司精神：创新无限 追求卓越
4. 研发理念：包容失败 直面风险 崇尚风险 严谨求实
5. 生产理念：精益求精 铸造品质
6. 市场理念：市场导向 技术领先 品牌制胜
7. 服务理念：诚心 贴心 倾心 永远用心
8. 效益理念：以市场争效益  理工晶科以科技创效益 以管理促效益
9. 质量理念：质量源于精心 精品出自细节
10. 人才理念：德才兼备 能岗匹配
11. 团队理念：互助 互爱 共创 共享
12. 工作理念：脚踏实地 求真务实
13. 创新理念：勇于开拓 创新进取
产品相关
单晶硅，英文，Monocrystallinesilicon。是硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。  晶体炉用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。
熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。 　　
单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势，近三十年来，太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展，成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。 　　
单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件。
历史业绩
1961年   与中国科学院半导体研究所合作，研制成功中国第一台晶体生长设备——TDK-36型单晶炉
1972年   研制成功中国第一台具有等径  晶体炉控制功能的TDK-40型单晶炉
1980年   研制成功中国第一台高温氧化物晶体炉——SJ78-3型激光晶体炉
1983年   研制成功中国第一台软轴提拉晶体生长设备——TDR-50型单晶炉
1984年   研制成功中国第一台光导纤维拉丝设备——SJ81-4型光导纤维拉丝炉
1990年   研制成功中国第一台化合物半导体生长设备——TDR-GY30型高压单晶炉　　
1990年   研制成功中国第一台大直径4"区熔法晶体生长设备——TDL-FZ35型区熔单晶炉
1994年   研制成功中国第一台  晶体炉MCZ法晶体生长设备——TDR-50AC磁场单晶炉
1994年   研制成功中国第一台大直径锗晶体生长设备——TDR-60CPA型锗单晶炉
1995年   研制成功中国第一台高精度计算机等径控制系统的晶体生长设备——TDR-62A(B)型单晶炉
1995年   研制成功中国第一台大型下降法晶体生长设备——TDR-90X型晶体炉
1996年   研制成功中国第一台VGF法晶体生长设备——TDR-ZY40B型中压单晶炉
1997年   研制成功中国第一台直径8"晶体生长设备——TDR-80型单晶炉
1998年   研制成功中国第一台适宜6"专用晶体生长设备——DR-70型单晶炉
1999年   研制成功中国第一台高精度光学晶体设备——TDL-J75型光学晶体炉
2000年   研制成功中国第一台三温区  晶体炉非线性光学晶体炉——TDR-Y60A型光学晶体炉
2000年   研制成功中国第一台适宜多种光学晶体生长炉——TDL-J50型光学晶体炉
2000年  研制成功中国第一台铌酸锂、钽酸锂专用晶体生长设备——TDL-N60型晶体炉
2001年   研制成功中国第一台大直径光学晶体生长炉——TDL-J60型光学晶体炉　　
2001年   研制成功中国第一台生长Φ300—400mm大直径锗单晶晶体设备——TDR-Z80型锗单晶炉
2001年  研制成功稀土金属提纯设备——TDL-FZ50型晶体炉
2002年   研制成功生长碳化硅晶体设备——TDL-16A型碳化硅炉
2002年  研制成功化学计量比铌酸锂晶体设备——TDR-H50C型晶体炉
2004年  研制成4"— 6"GaAs晶体设备——TDR-GY652型高压晶体炉
2005年～2006年   相继研制成功多晶硅生产辅助设备——TDL-GX36、TDL-GX36A型硅芯炉及TDL- FZ26、TDL-FZ26A型磷、硼检炉
2006年   研制中国第一台生长12"大直径硅单晶的生长设备——TDR-120型单晶炉
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关于公司
西安理工大学工厂建厂50周年庆典暨西安理工晶体科技有限公司成立挂牌 公告
岁月如歌，盛世相约。2008年9月，成立挂牌(3张)西安理工大学工厂将迎来50周年华诞。
五十年积淀，五十年跨越，从1958年北京机械学院校办工厂发展开始，伴随着学校发展，历经变迁，风雨兼程，工厂几代人秉承“创新无限，追求卓越”的企业精神，通过艰苦努力和奋力拼搏，已将工厂发展成为在国内具有较大影响力和竞争力的集晶体生长设备的研制、开发、生产为一体的高新技术企业基地，为我国微电子工业、光电子工业和光伏产业做出了卓越贡献。
2007年12月28日，经陕西省国有资产管理委员会批准，西安理工大学工厂完成改制，成立西安理工晶体科技有限公司。
为了“加强交流，增进友谊，凝聚人心，促进发展”，我公司定于2008年9月27日至28日，举行建厂50周年庆典暨公司成立揭牌仪式。盛情邀请各级领导、社会各界朋友、行业友好人士、新老客户光临，共叙友情，届时拨冗出席。
西安理工晶体科技有限公司 启
行业资讯
据科技日报（2008年）报道：近日，国家863计划项目“超大规模集成电路配套材料”重大专项中的“TDR－150型单晶炉（12英寸MCZ综合系统）”项目在北京正式通过科技部的验收，这标志着拥有自主知识产权和核心技术的大尺寸集成电路与太阳能用单晶硅生长设备，在我国首次研制成功。
单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备，所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国，以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在核心技术不足的问题，高端产品均为国外公司所垄断，在很大程度上制约了我国超大规模集成电路和太阳能产业的发展。西安理工大学与北京有色金属研究院从2003年起承担“TDR－150型单晶炉（12英寸MCZ综合系统）”课题的研究和攻关任务，课题组组织多学科技术骨干，形成稳定的攻关团队，坚持走自主创新、集成创新的道路，经过三年多的攻关，取得了一系列创新性成果和关键技术。
所研制的样机由课题组自主攻关、设计和加工，关键部件和样机达到了较高的技术水平，已成功拉制出12英寸无位错合格单晶。通过项目的实施，课题组还建立了高端晶体生长设备的研发平台，达到了积累经验、获取成果、培养队伍的目的。 验收会上，专家们认为该成果的取得填补了国内空白，标志着我国超大规模集成电路和太阳能产业的关键技术装备的生产迈上了一个新台阶，对我国超大规模集成电路及相关产业的发展具有重要的意义。
领导关怀
  2006年6月19日国务院副总理曾培炎在考察  2006年8月2日国家发改委副主任陈德铭在参观