标题：胡晓君
个人简介
胡晓君，[1]女，博士。2004年1月毕业于上海交通大学材料学专业，获得博士学位。2004年5月到浙江工业大学从事教学科研工作。主要从事薄膜的制备与性能和计算材料科学方面的研究。目前的研究重点是金刚石薄膜的n型掺杂，并采用分子动力学模拟（Molecular dynamics simulation）和第一性原理方法对相关问题进行理论研究。作为项目负责人，承担国家自然科学基金、浙江省教育厅科研项目、浙江工业大学引进人才科研启动基金项目等研究工作。发表学术论文20多篇。2004年被评为浙江工业大学首批青年学术骨干。2005年入选浙江省“151人才工程”第三层次。2006年12月获浙江省科协“育才工程”资助。
承担项目
(1) 国家自然科学基金：磷离子注入制备高电导率n型纳米金刚石薄膜研究（50972129）项目负责人 (2) 国家自然科学基金：氧离子注入制备高质量低电阻率n型金刚石薄膜研究（50602039）项目负责人 (3) 浙江省教育厅项目：氧离子注入金刚石薄膜的电学性质研究 (D1015227)项目负责人 (4) 中国科学院高能物理研究所核分析重点实验室资助课题“氧离子注入金刚石薄膜的缺陷研 究”（K127)项目负责人 (5) 浙江工业大学引进人才科研启动基金项目。项目负责人 (6) 参与浙江省自然科学基金“纳米陈列电极的制备及其对醇类小分子氧化的电催化性能研究”（Y405503,第三） 
主要论文
1. X.J. Hu, Y.G. Shen, The roles of grain boundary and interfacial energies in the grain growth of nanocomposite films, Appl. Phys. Lett., 94, 2009, 093111 (IF: 3.77) (入选Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology, 19(11), 2009.) 2. X.J. Hu, Y.G. Shen, X.P. Hao, B.Y. Wang, The structural properties of B-O codoped diamond films, Diamond & Related Materials, 18, 2009, 210 (IF:2.092) 3. X.J. Hu, Y.H. Lu, Y.G. Shen, The grain size distribution in nanocomposite films, Solid State Communications, 149, 2009, 903. 4. X.J. Hu, Z.J. Liu, Y.G. Shen, Mechanisms of amorphous-phase-dependent grain growth in two-phase nanocomposite films: A Monte Carlo analysis, Appl. Phys. Lett., 92, 2008, 021910 (IF: 3.77)（入选Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology, 17(5), 2008。） 5. X.J. Hu, J.S. Ye, S. Mariazzi, R.S. Brusa, A Positron annihilation study on the defect properties of doped diamond films, Thin Solid Films, 516, 2008, 1699-1702 (IF: 1.88) 6. X.J. Hu, J.S. Ye, Q.S. Lu, G.Q. Zheng The structural properties of O and B-O ion implanted diamond films, The society of photo-optical instrumentation engineering (SPIE), 6984, 2008, 69840Q 7. X.J. Hu, J.S. Ye, G.Q. Zheng, H.Z. Cao, H.C. Tan, The influences of oxygen ion implantation on the electrical and structural properties of diamond films, Chinese Physics，15, 2006, 2170-2174 (SCI 收录, IDS Number: 080UJ, EI 收录, Accession number:, 影响因子:1.559) 8. X.J. Hu, Y.B. Dai, H.S. Shen, X.C. He, A molecular dynamics simulation on the structural properties of B and N co-existed in diamond, Physica B, 367, 2005, 86-91 (SCI 收录, IDS Number: 967FD, EI 收录, Accession number:响因子: 0.908) 9. X.J. Hu, R.B. Li, H.S. Shen, Y.B. Dai, X.C. He, The electrical and structural properties of boron and phosphorus co-doped diamond films, Carbon，42 (8-9), 2004, 1501-1506 (SCI 收录, IDS Number: 828BP, EI 收录, Accession number:影响因子: 3.120) 10. X.J. Hu, Y.B. Dai, H.S. Shen, X.C. He, Molecular dynamics simulation on boron diffusion in diamond, Solid State Communications,132(8), 557-560, 2004( SCI 收录, IDS Number: 867UI, EI 收录，Accession number:, 影响因子: 1.602) 11．X.J. Hu, Y.B. Dai, H.S. Shen, Z.M. Zhang, R.B. Li, X.C. He, A molecular dynamics study of interstitial boron in diamond, Physica B, 327, 2003, 39-42(SCI 收录, IDS Number: 649NQ, EI 收录, Accession number 影响因子: 0.908) 12. X.J. Hu, Y.B. Dai, H.S. Shen, Z.M. Zhang, R.B. Li, X.C. He, The diffusion of vacancy near a diamond (001) surface, Solid State Communications, 122, 2002, 45-48 (SCI 收录，IDS Number: 556TW ; EI 收录, Accession number:, 影响因子: 1.602) 13. 胡晓君，曹华珍，郑国渠，曹帅, 掺硼浓度对金刚石薄膜电极电化学性能影响的研究，高校化学工程学报，2006，2006, 20(6), 932-937（EI收录） 14. 胡晓君, 金刚石振动特性的分子动力学模拟，人工晶体学报34(6), 2005,1109-1112 （EI收录） 15.胡晓君，李荣斌，何贤昶，沈荷生，戴永兵，硼磷共掺杂n型金刚石薄膜的Hall效应、红外光谱和EPR研究，无机材料学报，19 (4) , 2004, 895 (SCI 收录, IDS Number: 852SB) 16. 胡晓君，李荣斌，何贤昶，沈荷生，掺杂金刚石薄膜的缺陷研究，物理学报53, 2004, 6 (SCI 收录, IDS Number: 828AZ, EI 收录, Accession number:, 影响因子: 1.130) 17.胡晓君，李荣斌，沈荷生，戴永兵，何贤昶，低电阻率硼硫共掺杂金刚石薄膜的制备，半导体学报，2004, 8, 976 
教学工作
主讲本科生主干专业基础课程：《材料科学基础》和《材料物理》。 
主要获奖
1) 2005年博士学位论文获上海市优秀博士论文 (2) 2004年化材学院第四届青年教师讲课比赛二等奖 (3) 2006年化材学院第五届青年教师讲课比赛一等奖 (4) 2006年化材学院先进工作者