YuITC/Vietnamese-Legal-Documents huggingface dataset:
Điều chỉnh tín hiệu vào ăng ten thay thế sao cho mức ra thu được bởi máy thu đo bằng mức đã ghi lại khi đo phát xạ giả cộng với mọi thay đổi ở suy hao đầu vào của máy thu đo. Bước 11: Ghi lại mức tín hiệu vào ăng ten thay thế theo mức công suất cộng với thay đổi ở suy hao đầu vào của máy thu đo. Bước 12: Phép đo phải được lặp lại với ăng ten đo kiểm và ăng ten thay thế theo phân cực ngang. Bước 13: Phép đo công suất bức xạ hiệu dụng của các thành phần phát xạ giả có trị số lớn trong số hai mức công suất đã được ghi lại đối với mỗi thành phần phát xạ giả ở đầu vào của ăng ten thay thế, cộng với độ khuếch đại của ăng ten thay thế nếu cần thiết. Phương pháp này chỉ áp dụng cho thiết bị không có một kết nối ăng ten ngoài. Phương pháp đo phải được thực hiện theo quy định tại 3.4.1.2 nhưng đầu vào máy thu phải được nối với ăng ten tích hợp mà không nối với ăng ten giả. b) Công suất bức xạ hiệu dụng của chúng từ vỏ máy và ăng ten tích hợp, trong trường hợp thiết bị lưu động phù hợp với loại ăng ten đó và không có đầu kết nối RF 50W ngoài. Phép đo này sẽ được tiến hành trong điều kiện đo kiểm bình thường. Phương pháp này chỉ áp dụng cho thiết bị có đấu nối ăng ten rời. Bước 1: Thiết bị tìm đọc sẽ được kết nối với bộ suy hao 50W. Đầu ra của bộ suy hao sẽ được kết nối với máy thu đo. Bước 2: Bật máy thu của thiết bị tìm đọc và máy thu đo được điều chỉnh để quét trên băng tần từ 9 kHz đến 12,75 GHz. Bước 3: Tại mỗi tần số mà tại đó phát hiện được thành phần phát xạ giả, mức công suất sẽ được ghi là mức phát xạ giả trên tải xác định. Phương pháp này chỉ áp dụng cho thiết bị có giắc cắm ăng ten rời. Bước 1: Tại vị trí đo kiểm như quy định tại Phụ lục A, thiết bị tìm đọc được đặt ở độ cao xác định trên một giá đỡ không dẫn điện và ở tư thế gần với tư thế sử dụng thông thường nhất theo chỉ dẫn của nhà sản xuất. Đầu nối ăng ten được nối với một ăng ten giả (xem 3.1.4). Bước 2: Một ăng ten đo kiểm phải định hướng phân cực đứng và độ dài của ăng ten đo kiểm phải được lựa chọn tương ứng với tần số tức thời của máy thu đo. Đầu ra của ăng ten đo kiểm được kết nối với máy thu đo. Bước 3: Thiết bị tìm đọc sẽ được thiết lập ở chế độ chờ và chỉnh máy thu đo quét băng tần từ 25 MHz đến 12,75 GHz. Tại mỗi tần số mà tại đó thu được phát xạ giả, ăng ten đo kiểm phải được thay đổi độ trong khoảng độ cao xác định cho đến khi máy thu thu được mức tín hiệu cực đại. Khi sử dụng vị trí đo kiểm tương ứng tại A.1.1, không yêu cầu phải thay đổi độ cao ăng ten. Bước 4: Sau đó, thiết bị tìm đọc quét 360º trong mặt phẳng ngang, cho đến khi máy thu đo thu được mức tín hiệu cực đại. Điều chỉnh lại độ cao ăng ten đo kiểm khi mức tín hiệu cực đại. Bước 5: Ghi lại mức tín hiệu cực đại mà máy đo thu đo được.
Bước 6: Thay thiết bị tìm đọc bằng một ăng ten thay thế như xác định tại A.1.5. Bước 7: Ăng ten thay thế được định hướng theo phân cực đứng và hiệu chỉnh theo tần số của các phát xạ giả thu được. Bước 8: Đấu ăng ten thay thế với máy phát tín hiệu hiệu chuẩn. Bước 9: Tần số của máy phát tín hiệu chuẩn được đặt bằng tần số của phát xạ giả thu được. Nếu cần thiết, điều chỉnh suy hao đầu vào của máy thu đo để tăng độ nhạy của máy thu đo. Bước 10: Ăng ten đo phải được thay đổi độ trong một khoảng độ cao xác định để đảm bảo thu được mức tín hiệu cực đại. Điều chỉnh tín hiệu vào ăng ten thay thế sao cho mức ra thu được bởi máy thu đo bằng mức đã ghi lại khi đo phát xạ giả cộng với mọi thay đổi ở suy hao đầu vào của máy thu đo. Bước 11: Ghi lại mức tín hiệu vào ăng ten thay thế theo mức công suất cộng với thay đổi ở suy hao đầu vào của máy thu đo. Bước 12: Phép đo phải được lặp lại với ăng ten đo kiểm và ăng ten thay thế theo phân cực ngang. Bước 13: Phép đo công suất bức xạ hiệu dụng của các thành phần phát xạ giả có trị số lớn trong số hai mức công suất đã được ghi lại đối với mỗi thành phần phát xạ giả ở đầu vào của ăng ten thay thế, cộng với độ khuếch đại của ăng ten thay thế nếu cần thiết. Phương pháp này chỉ áp dụng cho thiết bị không có một kết nối ăng ten ngoài. Phương pháp đo phải được thực hiện theo quy định tại 3.4.1.2 nhưng đầu vào máy thu phải được nối với ăng ten tích hợp mà không nối với ăng ten giả.
3.5. Phương pháp đo đối với thẻ 3.5.1. Công suất bức xạ hiệu dụng Phép đo phải được thực hiện trong điều kiện bình thường. Phép đo phải được thực hiện bằng cách sử dụng một thiết bị tìm đọc, hoặc hộp ghép đo tương đương, và ăng ten được thiết lập điều kiện tương tự như được sử dụng để đo công suất bức xạ hiệu dụng trong mục 2.1.3. Các phát xạ định trước của thẻ phải được đo như sau: hoặc là: 3.5.1.1. Phương pháp đo công suất tại sóng mang phụ chưa điều chế, mục 3.5.1, a) Phương pháp này áp dụng cho thẻ có thể thiết lập để phát ra sóng mang phụ chưa điều chế. Bước 1: Tại vị trí đo kiểm như quy định tại Phụ lục A, thiết bị tìm đọc được đặt ở độ cao xác định trên một giá đỡ và ở tư thế sử dụng thông thường. Bước 2: Đặt thiết bị tìm đọc hoạt động ở tần số sóng mang duy nhất "fc" trên kênh công suất cao.. Thiết bị tìm đọc sẽ cung cấp một "vệt hồi đáp" ban đầu để kích hoạt thẻ tiếp theo yêu cầu đo kiểm sóng mang liên tục ở mức công suất bức xạ hiệu dụng 2 W. Bước 3: Thẻ đo kiểm phải được đặt cách ăng ten của thiết bị tìm đọc 20 cm theo hướng tăng ích tối đa và trong một định hướng cung cấp các ghép nối tối ưu với tín hiệu phát. Thẻ phải được cấu hình để phát sóng mạng phụ chưa điều chế trong khoảng fc ​​± 300 kHz, hoặc tần số khác như khai báo của nhà sản xuất.
Phép đo phải được thực hiện bằng cách sử dụng một thiết bị tìm đọc, hoặc hộp ghép đo tương đương, và ăng ten được thiết lập điều kiện tương tự như được sử dụng để đo công suất bức xạ hiệu dụng trong mục 2.1.3. Các phát xạ định trước của thẻ phải được đo như sau: hoặc là: 3.5.1.1. Phương pháp đo công suất tại sóng mang phụ chưa điều chế, mục 3.5.1, a) Phương pháp này áp dụng cho thẻ có thể thiết lập để phát ra sóng mang phụ chưa điều chế. Bước 1: Tại vị trí đo kiểm như quy định tại Phụ lục A, thiết bị tìm đọc được đặt ở độ cao xác định trên một giá đỡ và ở tư thế sử dụng thông thường. Bước 2: Đặt thiết bị tìm đọc hoạt động ở tần số sóng mang duy nhất "fc" trên kênh công suất cao.. Thiết bị tìm đọc sẽ cung cấp một "vệt hồi đáp" ban đầu để kích hoạt thẻ tiếp theo yêu cầu đo kiểm sóng mang liên tục ở mức công suất bức xạ hiệu dụng 2 W. Bước 3: Thẻ đo kiểm phải được đặt cách ăng ten của thiết bị tìm đọc 20 cm theo hướng tăng ích tối đa và trong một định hướng cung cấp các ghép nối tối ưu với tín hiệu phát. Thẻ phải được cấu hình để phát sóng mạng phụ chưa điều chế trong khoảng fc ​​± 300 kHz, hoặc tần số khác như khai báo của nhà sản xuất. Bước 4: Phép đo phải được thực hiện bằng cách sử dụng một máy thu đo được thiết lập các giá trị sau đây: 3.5.1.2. Phương pháp đo công suất tại sóng mang phụ đã điều chế, mục 3.5.1, b) Phương pháp này chỉ áp dụng cho thẻ đặt ở chế độ phát sóng mang phụ đã điều chế. Bước 1: Tại vị trí đo kiểm như quy định tại Phụ lục A, thiết bị tìm đọc được đặt ở độ cao xác định trên một giá đỡ và ở tư thế sử dụng thông thường nhất như khai báo của bên cần đo kiểm. Bước 2: Đặt thiết bị tìm đọc hoạt động ở tần số sóng mang duy nhất "fc" trên kênh công suất cao. Thiết bị tìm đọc sẽ cung cấp một "vệt hồi đáp" ban đầu để kích hoạt thẻ tiếp theo yêu cầu đo kiểm sóng mang liên tục ở mức công suất bức xạ hiệu dụng 2 W. Bước 3: Thẻ đo kiểm được đặt cách ăng ten của thiết bị tìm đọc 20 cm theo hướng tăng ích tối đa và định hướng cung cấp các ghép nối tối ưu với tín hiệu phát. Thẻ phải được cấu hình để phát hồi đáp điều chế liên tục như mô tả tại 3.1.1.2, với độ lệch tần trong khoảng fc ​​± 300 kHz, hoặc tần số khác như khai báo của nhà sản xuất. Bước 4: Phép đo phải được thực hiện bằng cách sử dụng một máy thu đo được thiết lập tại các giá trị sau: 3.5.2. Phát xạ không mong muốn Phép đo phải được tiến hành trong điều kiện bình thường. Phép đo phải được thực hiện bằng cách sử dụng thiết bị tìm đọc, hoặc hộp ghép đo tương đương, và thiết lập ăng ten có điều kiện tương tự như được sử dụng để đo công suất bức xạ hiệu dụng trong mục 2.1.3. Trong trường hợp tín hiệu sóng mang từ thiết bị tìm đọc quá cao đối với dải động của máy thu đo, có thể kết nối một bộ lọc khe tùy chọn giữa các ăng ten đo và máy thu đo để suy giảm tín hiệu sóng mang.
Điều này được sử dụng cho các phép đo sóng mang lớn hơn 2 MHz. Suy hao của bộ lọc nhỏ hơn 3 dB tại fc = ± 1 MHz . Bước 1: Tại vị trí đo kiểm như quy định tại Phụ lục A, thiết bị tìm đọc được đặt ở độ cao xác định trên một giá đỡ và ở tư thế sử dụng thông thường nhất. Bước 2: Thiết bị tìm đọc được thiết lập để hoạt động ở tần số sóng mang duy nhất "fc" trên kênh công suất cao. Thiết bị tìm đọc sẽ cung cấp một "vệt hồi đáp" ban đầu để kích hoạt thẻ thiếp theo yêu cầu đo kiểm sóng mang liên tục ở mức công suất bức xạ hiệu dụng là 2 W. Bước 3: Thẻ đo kiểm phải được đặt cách ăng ten của thiết bị tìm đọc 20 cm theo hướng tăng ích tối đa và định hướng cung cấp các ghép nối tối ưu với tín hiệu phát. Thẻ phải được cấu hình để phát hồi đáp điều chế liên tục như mô tả tại mục 3.1.1.2, với độ lệch tần trong khoảng fc ​​± 300 kHz, hoặc tần số khác như khai báo của nhà sản xuất. Bước 4: Phép đo được thực hiện bằng cách sử dụng một máy thu đo được thiết lập các giá trị sau đây:
a) Công suất từ một thẻ có cấu hình để phát ra sóng mạng phụ chưa điều chế; hoặc: a) Băng thông phân giải: 1 kHz. a) Băng thông phân giải: 1 kHz. a) Băng thông phân giải: Phù hợp với Hình 6. a) Công suất từ một thẻ có cấu hình để phát ra sóng mạng phụ chưa điều chế; hoặc: a) Băng thông phân giải: 1 kHz. a) Băng thông phân giải: 1 kHz. a) Băng thông phân giải: Phù hợp với Hình 6.
b) Công suất từ một thẻ được cấu hình để phát ra hồi đáp đã điều chế liên tục. b) Băng thông video: = RBW. b) Băng thông video: = RBW. b) Băng thông video: = RBW. b) Công suất từ một thẻ được cấu hình để phát ra hồi đáp đã điều chế liên tục. b) Băng thông video: = RBW. b) Băng thông video: = RBW. b) Băng thông video: = RBW.
c) Thời gian quét: Tự động. c) Thời gian quét: Tự động. c) Thời gian quét: Tự động. c) Thời gian quét: Tự động. c) Thời gian quét: Tự động. c) Thời gian quét: Tự động.
d) Nhịp: 1 MHz. d) Nhịp: 1 MHz. d) Nhịp: Theo định nghĩa băng tần liên quan trong Hình 6. d) Nhịp: 1 MHz. d) Nhịp: 1 MHz. d) Nhịp: Theo định nghĩa băng tần liên quan trong Hình 6.
e) Chế độ phát hiện: Trung bình. Hình 5 - Sơ đồ đo phát xạ thẻ Bước 5: Ăng ten đo kiểm được đặt cách thẻ 2 m theo hướng tăng ích tối đa của ăng ten trên thiết bị tìm đọc. Các ăng ten đo kiểm phải được kết nối với máy thu đo. Điều chỉnh ăng ten đo kiểm để thu được tín hiệu tối đa. Sơ đồ cấu hình thử nghiệm được thể hiện trong Hình 5.
Bước 6: Máy thu đo phải được điều chỉnh đến tần số của sóng mang phụ cận dưới của thẻ và ghi lại mức phát xạ kết hợp từ cả thẻ và thiết bị tìm đọc. Lặp lại các thủ tục tương tự đối với sóng mang phụ cận trên. Bước 7: Nếu không di chuyển ăng ten đo kiểm và thiết bị tìm đọc, thẻ phải không để gần khu vực thử nghiệm. Máy thu đo phải được điều chỉnh tần số tương tự như ở bước 6 và ghi lại mức phát xạ của thiết bị tìm đọc. Bước 8: Công suất của thẻ phải được xác định bằng cách trừ đi mức được ghi lại ở bước 7 từ các mức tương ứng ghi trong bước 6. Giá trị tối đa của cận trên và cận dưới tần số sóng mang phụ là công suất phát xạ. Bước 9: Trong điều kiện làm việc bình thường, công suất phát xạ từ thẻ được truyền trên băng tần cần thiết và phải được tính như mật độ phổ công suất trong 100 kHz bằng cách sử dụng công thức: A = Pc + 10 log 100 KHz BW necessary Trong đó: Pc là công suất bức xạ của sóng mang phụ chưa điều chế từ thẻ; A là giá trị tuyệt đối của mật độ phổ công suất với băng thông tham chiếu 100 kHz; BW necessary = 300 kHz, là băng thông cần thiết của thẻ. e) Chế độ phát hiện: Trung bình. Bước 5: Ăng ten đo kiểm phải được đặt cách thẻ 2 m theo hướng tăng ích tối đa của ăng ten trên thiết bị tìm đọc. Các ăng ten đo kiểm phải được kết nối với máy thu đo. Đặt ăng ten đo kiểm để thu được tín hiệu tối đa. Sơ đồ cấu hình đo kiểm được thể hiện trong Hình 5. Bước 6: Sơ đồ phát xạ của thẻ và thiết bị tìm đọc được ghi lại tăng dần đến 3 kHz trên các băng tần cận dưới từ fc - 400 kHz đến fc - 100 kHz. Bước 7: Không di chuyển ăng ten đo kiểm và thiết bị tìm đọc, thẻ không để gần khu vực đo kiểm. Sơ đồ phát xạ từ thiết bị tìm đọc tăng dần đến 3 kHz trên cùng một băng tần. Bước 8: Công suất phát xạ sẽ được xác định bằng cách lấy mức ghi trong bước 6 trừ mức ghi lại ở bước 7 cho mỗi bước tăng 3 kHz và tổng hợp kết quả để có tổng công suất phát xạ của thẻ. Bước 9: Các bước từ 6 đến 8 được lặp lại ở băng tần cận trên từ fc + 100 kHz đến fc + 400 kHz. Giá trị nào cao hơn trong các giá trị thu được từ băng tần cận trên và cận dưới sẽ là công suất bức xạ của thẻ. Bước 10: Công suất bức xạ của thẻ thu được từ bước 9 có thể tham khảo từ băng thông 100 kHz bằng cách sử dụng công thức: A = Pc + 10 log 100 kHz BW necessary Trong đó: Pc là công suất bức xạ của thẻ; A là giá trị tuyệt đối của mật độ quang phổ công suất gọi chung là băng thông tham chiếu 100 kHz ; BW necessary bằng 300 kHz, là băng thông cần thiết của thẻ. e) Chế độ vi lượng: Trung bình e) Chế độ phát hiện: Trung bình. Bước 5: Ăng ten đo kiểm phải được đặt cách thẻ 2 m theo hướng tăng ích tối đa của ăng ten của thiết bị tìm đọc.
Các ăng ten đo kiểm phải được kết nối với máy thu đo. Đặt ăng ten đo kiểm để thu được tín hiệu tối đa. Sơ đồ cấu hình thử nghiệm được mô tả trong Hình 5. Bước 6: Đặt máy thu đo để các băng thông phân giải quy định trong Hình 6, giống như băng thông tham chiếu. Ngoài ra băng thông phân giải thấp hơn có thể được sử dụng để cải thiện độ chính xác đo. Bước 7: Sơ đồ phát xạ của thẻ và thiết bị tìm đọc phải được ghi lại. Sơ đồ này phải bao gồm các băng tần từ 861 MHz đến fc - 400 kHz và từ fc + 400kHz đến 871 MHz. CHÚ THÍCH: Xem 2.7.1 cho phép đo bức xạ công suất theo các thẻ. Hình 6 - Băng thông phân giải đối với phát xạ thẻ Bước 8: Di chuyển thẻ ra ngoài khu vực đo kiểm. Không di chuyển ăng ten đo kiểm và thiết bị tìm đọc, thực hiện sơ đồ một lần nữa trên cùng một băng tần. Bước 9: Trong trường hợp sử dụng băng thông phân giải quy định trong Hình 6, phát xạ không mong muốn từ thẻ được xác định bằng cách lấy mức phát xạ được ghi trong bước 7 trừ đi mức phát xạ được ghi lại trong bước 8. Bước 10: Đối với băng thông phân giải khác so với băng thông tham chiếu, tổng hợp công suất của quang phổ rời rạc trong mỗi băng thông tham chiếu để cung cấp các giá trị hiệu chỉnh cho các phát xạ không mong muốn. e) Chế độ phát hiện: Trung bình. Hình 5 - Sơ đồ đo phát xạ thẻ Bước 5: Ăng ten đo kiểm được đặt cách thẻ 2 m theo hướng tăng ích tối đa của ăng ten trên thiết bị tìm đọc. Các ăng ten đo kiểm phải được kết nối với máy thu đo. Điều chỉnh ăng ten đo kiểm để thu được tín hiệu tối đa. Sơ đồ cấu hình thử nghiệm được thể hiện trong Hình 5. Bước 6: Máy thu đo phải được điều chỉnh đến tần số của sóng mang phụ cận dưới của thẻ và ghi lại mức phát xạ kết hợp từ cả thẻ và thiết bị tìm đọc. Lặp lại các thủ tục tương tự đối với sóng mang phụ cận trên. Bước 7: Nếu không di chuyển ăng ten đo kiểm và thiết bị tìm đọc, thẻ phải không để gần khu vực thử nghiệm. Máy thu đo phải được điều chỉnh tần số tương tự như ở bước 6 và ghi lại mức phát xạ của thiết bị tìm đọc. Bước 8: Công suất của thẻ phải được xác định bằng cách trừ đi mức được ghi lại ở bước 7 từ các mức tương ứng ghi trong bước 6. Giá trị tối đa của cận trên và cận dưới tần số sóng mang phụ là công suất phát xạ. Bước 9: Trong điều kiện làm việc bình thường, công suất phát xạ từ thẻ được truyền trên băng tần cần thiết và phải được tính như mật độ phổ công suất trong 100 kHz bằng cách sử dụng công thức: A = Pc + 10 log 100 KHz BW necessary Trong đó: Pc là công suất bức xạ của sóng mang phụ chưa điều chế từ thẻ; A là giá trị tuyệt đối của mật độ phổ công suất với băng thông tham chiếu 100 kHz; BW necessary = 300 kHz, là băng thông cần thiết của thẻ. e) Chế độ phát hiện: Trung bình.
Bước 10: Đối với băng thông phân giải khác so với băng thông tham chiếu, tổng hợp công suất của quang phổ rời rạc trong mỗi băng thông tham chiếu để cung cấp các giá trị hiệu chỉnh cho các phát xạ không mong muốn.
4. QUY ĐỊNH VỀ QUẢN LÝ
5. TRÁCH NHIỆM CỦA TỔ CHỨC, CÁ NHÂN
6. TỔ CHỨC THỰC HIỆN PHỤ LỤC A (Quy định) Đo bức xạ THƯ MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO Lời nói đầu QCVN 95:2015/BTTTT đ­ược xây dựng trên cơ sở tiêu chuẩn ETSI EN 302 208-1 V1.4.1 (2011-11) và ETSI EN 302 208-2 V1.4.1 (2011-11) của Viện Tiêu chuẩn viễn thông châu Âu. QCVN 95:2015/BTTTT do Viện Khoa học Kỹ thuật B­ưu điện biên soạn, Vụ Khoa học và Công nghệ thẩm định và trình duyệt, Bộ Thông tin và Truyền thông ban hành theo Thông tư số 33/2015/TT-BTTTT ngày 05 tháng 11 năm 2015. QUY CHUẨN KỸ THUẬT QUỐC GIA VỀ THIẾT BỊ NHẬN DẠNG VÔ TUYẾN (RFID) BĂNG TẦN TỪ 866 MHz ĐẾN 868 MHz National technical regulation on Radio Frequency Identification Equipment (RFID) operating in the band 866 MHz to 868 MHz
Khoản 6.1. Cục Viễn thông và các Sở Thông tin và Truyền thông có trách nhiệm tổ chức triển khai quản lý các thiết bị nhận dạng vô tuyến băng tần từ 866 MHz đến 868 MHz theo Quy chuẩn này. 6.1. Cục Viễn thông và các Sở Thông tin và Truyền thông có trách nhiệm tổ chức triển khai quản lý các thiết bị nhận dạng vô tuyến băng tần từ 866 MHz đến 868 MHz theo Quy chuẩn này.
Khoản 6.2. Trong trường hợp các quy định nêu tại Quy chuẩn này có sự thay đổi, bổ sung hoặc được thay thế thì thực hiện theo quy định tại văn bản mới./. PHỤ LỤC A (Quy định) Đo bức xạ A.1. Các vị trí đo và cách bố trí chung cho các phép đo có sử dụng trường bức xạ Phụ lục này đưa ra 3 vị trí đo thông dụng nhất được sử dụng cho các phép đo bức xạ: buồng đo hấp thụ, buồng đo hấp thụ có mặt đất và vị trí đo kiểm ngoài trời (OATS). Các vị trí đo này thường được tham chiếu đến như là các vị trí đo trường tự do. Cả hai phép đo tuyệt đối và tương đối có thể được thực hiện ở những vị trí này. Khi thực hiện các phép đo tuyệt đối, buồng đo phải được kiểm tra. Thủ tục đánh giá chi tiết được mô tả trong các phần liên quan 2, 3, và 4 của TR 102 273. CHÚ THÍCH: Để đảm bảo khả năng tái tạo và bám của các phép đo bức xạ chỉ sử dụng các vị trí đo dưới đây cho các phép đo bức xạ theo Quy chuẩn kỹ thuật này. A.1.1. Buồng đo hấp thụ Hình A.1- Buồng đo hấp thụ Buồng đo hấp thụ là một phòng kín thường được bao bọc, lớp tường, sàn nhà và trần nhà bên trong được phủ bằng vật liệu hấp thụ sóng vô tuyến thường là loại xốp urethane hình chóp. Trong buồng đo thường có cột đỡ ăng ten ở một đầu và bàn quay ở đầu kia. Một buồng đo hấp thụ điển hình được đưa ra trong hình A.1. Vật liệu hấp thụ vô tuyến và phần bao bọc buồng kết hợp với nhau để tạo ra một môi trường được kiểm soát phục vụ cho các điều đích đo kiểm. Kiểu buồng đo này mô phỏng các điều kiện không gian tự do. Phần bao bọc buồng tạo ra một không gian đo kiểm, làm giảm các mức can nhiễu từ các tín hiệu xung quanh cũng như làm giảm các hiệu ứng bên ngoài khác, trong khi vật liệu hấp thụ vô tuyến giảm thiểu các phản xạ không mong muốn từ tường và trần có thể ảnh hưởng đến các phép đo. Trong thực tế có thể dễ dàng bao bọc để tạo ra các mức loại bỏ can nhiễu xung quanh cao (từ 80 dB đến 140 dB), thường là tạo ra mức can nhiễu xung quanh không đáng kể. Bàn quay có khả năng quay 3600 trong mặt phẳng ngang và được sử dụng để đặt mẫu thử (EUT) ở một độ cao phù hợp (ví dụ 1 m) so với mặt đất. Buồng đo phải đủ lớn để cho phép khoảng cách đo ít nhất là 3 m hay 2(d1+ d2)2/λ (m), chọn giá trị lớn hơn (xem A.2.5). Khoảng cách được sử dụng trong các phép đo thực tế phải được ghi cùng với các kết quả đo kiểm. Buồng đo hấp thụ nói chung có một vài ưu điểm hơn so với các điều kiện đo khác. Đó là giảm thiểu các can nhiễu xung quanh cũng như các phản xạ từ sàn, trần và tường đồng thời lại không phụ thuộc vào điều kiện thời tiết. Tuy nhiên buồng đo hấp thụ có một số nhược điểm, đó là khoảng cách đo bị giới hạn và việc sử dụng tần số thấp cũng bị giới hạn do kích thước của các vật liệu hấp thụ hình chóp. Để cải thiện tính năng tần số thấp, sử dụng cấu trúc kết hợp giữa các viên ngói Ferrite và vật liệu hấp thụ xốp urethane.
Tất cả các phép đo phát xạ, độ nhạy và miễn nhiễm có thể được tiến hành trong một buồng đo không phản xạ mà không có sự hạn chế nào. A.1.2. Buồng đo không phản xạ có mặt phẳng tiếp đất Buồng đo không phản xạ có mặt phẳng tiếp đất là một phòng kín được bao bọc, tường và trần bên trong của buồng đo được bao phủ bằng vật liệu hấp thụ vô tuyến thường là loại xốp urethane hình chóp. Nền của buồng đo bằng kim loại, không được bao bọc và tạo thành mặt phẳng tiếp đất. Buồng đo thường có cột ăng ten ở một đầu và bàn quay ở đầu kia. Một kiểu buồng đo không phản xạ có mặt phẳng tiếp đất được đưa ra trong Hình A.2. Loại buồng đo kiểu này mô phỏng vị trí đo kiểm ngoài trời lý tưởng mà đặc điểm cơ bản của nó là một mặt phẳng tiếp đất hoàn hảo rộng vô tận. Hình A.2 - Buồng đo không phản xạ có mặt phẳng tiếp đất Trong vị trí đo này, mặt nền tạo nên một đường phản xạ mong muốn vì vậy tín hiệu mà ăng ten thu được là tổng của các tín hiệu từ các đường truyền trực tiếp và phản xạ. Điều này tạo nên một mức tín hiệu thu được duy nhất đối với mỗi độ cao của ăng ten phát (hay EUT) và ăng ten thu so với mặt nền. Cột ăng ten có độ cao thay đổi (từ 1 m đến 4 m) làm cho vị trí của ăng ten thử được tối ưu để có tín hiệu ghép giữa các ăng ten hay giữa một EUT và ăng ten thử là lớn nhất. Bàn quay có khả năng quay 360o trong mặt phẳng ngang, và được sử dụng để đặt mẫu thử (EUT) ở một độ cao quy định, thường là 1,5 m, so với mặt nền. Buồng đo phải đủ lớn để cho phép khoảng cách đo ít nhất là 3 m hay 2(d1+ d2)2/λ (m), chọn giá trị lớn hơn (xem A.2.5). Khoảng cách được sử dụng trong các phép đo thực tế phải được ghi cùng với các kết quả đo kiểm. Phép đo phát xạ trước hết liên quan đến việc xác định “đỉnh” cường độ trường của EUT bằng cách nâng lên và hạ xuống ăng ten thu trên cột ăng ten (để thu được can nhiễu cộng cực đại của các tín hiệu trực tiếp và phản xạ từ EUT), sau đó xoay bàn quay tìm giá trị “đỉnh” (cực đại) trong mặt phẳng phương vị. Tại độ cao này của ăng ten thử, ghi lại biên độ của tín hiệu thu được. Tiếp theo là thay EUT bằng một ăng ten thay thế (được đặt ở trung tâm pha hay biên độ của EUT), ăng ten này được nối với một bộ tạo tín hiệu. Ta lại tìm giá trị “đỉnh” của tín hiệu, và điều chỉnh mức đầu ra của bộ tạo tín hiệu cho đến khi thu được mức tín hiệu như trong bước 1 trên máy thu. Các phép đo độ nhạy máy thu trên mặt phẳng tiếp đất cũng liên quan đến việc tìm giá trị “đỉnh” của cường độ trường bằng cách nâng lên hoặc hạ xuống ăng ten thử trên cột ăng ten để thu được can nhiễu cộng cực đại của các tín hiệu trực tiếp và phản xạ, lần này sử dụng một ăng ten thử được đặt ở trung tâm pha hay biên độ của EUT trong suốt thời gian đo. Đưa ra một hệ số chuyển đổi. Ăng ten thử vẫn ở độ cao như trong bước 2, đồng thời ăng ten thử được thay bằng EUT.
Giảm biên độ tín hiệu phát để xác định mức cường độ trường mà tại đó thu được một đáp ứng qui định từ EUT. A.1.3. Vị trí đo kiểm ngoài trời Vị trí đo kiểm ngoài trời gồm bàn quay ở một đầu và cột ăng ten có độ cao thay đổi ở đầu kia trên một mặt phẳng tiếp đất, mặt phẳng tiếp đất này trong trường hợp lý tưởng dẫn điện tốt và có thể mở rộng không hạn chế. Trong thực tế, khi có thể đạt được tính năng dẫn tốt thì kích cỡ mặt nền sẽ bị hạn chế. Một ví trí đo vùng mở tiêu biểu được trình bày trong Hình A.3. Hình A.3 - Vị trí đo kiểm ngoài trời Mặt nền tạo ra một đường phản xạ mong muốn do đó tín hiệu thu được bởi ăng ten thu là tổng của các tín hiệu từ các đường truyền trực tiếp và phản xạ. Việc kết hợp của hai tín hiệu này tạo ra một mức tín hiệu thu duy nhất ứng với mỗi độ cao của ăng ten phát (hoặc EUT) và ăng ten thu trên mặt nền. Hình A.4 - Bố trí phép đo tại vị trí đo có mặt phẳng tiếp đất (Thiếp lập OATS cho đo kiểm phát xạ giả) Đặc điểm vị trí liên quan đến các vị trí ăng ten, bàn quay, khoảng cách đo và các cách bố trí khác của vị trí đo giống như đối với buồng đo không phản xạ có mặt phẳng tiếp đất. Trong các phép đo bức xạ, OATS cũng được sử dụng theo cách giống như buồng đo không phản xạ có mặt nền đất. Cách bố trí phép đo tiêu biểu và phổ biến đối với các vị trí đo có mặt phẳng tiếp đất được đưa ra trong Hình A.4. A.1.4. Ăng ten thử Ăng ten thử thường được sử dụng trong các phương pháp đo bức xạ. Trong các phép đo phát xạ (ví dụ sai số tần số, công suất bức xạ hiệu dụng, các bức xạ giả và công suất kênh lân cận) ăng ten thử được sử dụng để phát hiện trường từ EUT trong giai đoạn 1 của phép đo và từ ăng ten thay thế trong giai đoạn khác. Khi sử dụng vị trí thử để đo các đặc tính của máy thu (ví dụ như độ nhạy và các thông số miễn nhiễm) thì ăng ten thử được sử dụng làm thiết bị phát. Ăng ten thử cần được gắn vào một giá đỡ có khả năng cho phép ăng ten được sử dụng theo phân cực ngang hay phân cực đứng, ngoài ra trên các vị trí đo có mặt nền (như trong các buồng đo không phản xạ có mặt phẳng tiếp đất và các vị trí đo khoảng trống), có thể thay đổi được độ cao của ăng ten trong phạm vi xác định (thường từ 1 m đến 4 m). Trong dải tần số từ 30 MHz đến 1 000 MHz, khuyến nghị nên sử dụng các ăng ten lưỡng cực (được sản xuất theo tiêu chuẩn ANSI C 63.50). Với các tần số lớn hơn hoặc bằng 80 MHz, các ăng ten lưỡng cực nên có độ dài sao cho có sự cộng hưởng tại tần số đo. Tần số dưới 80 MHz, nên dùng các ăng ten lưỡng cực có độ dài ngắn hơn. Tuy nhiên, đối với các phép đo phát xạ giả, sự kết hợp của các ăng ten dàn lưỡng cực có chu kỳ log được sử dụng để bao phủ hoàn toàn dải tần số từ 30 đến 1_000 MHz. Với các tần số trên 1 000 MHz, khuyến nghị sử dụng các horn dẫn sóng tuy vẫn có thể dùng các ăng ten loga chu kỳ.
CHÚ THÍCH: Độ tăng ích của ăng ten loa (ăng ten điện từ) được biểu diễn liên quan đến bộ bức xạ đẳng hướng. A.1.5. Ăng ten thay thế Ăng ten thay thế được dùng để thay thế EUT trong các phép đo thông số máy phát (ví dụ sai số tần số, công suất bức xạ hiệu dụng, các phát xạ giả, và công suất kênh lân cận). Với các phép đo trong băng tần từ 30 MHz đến 1 000 MHz ăng ten thay thế phải là một ăng ten lưỡng cực (được sản xuất theo tiêu chuẩn ANSI C63.5). Đối với các tần số lớn hơn hoặc bằng 80 MHz, các ăng ten lưỡng cực phải có chiều dài sao cho có sự cộng hưởng tại tần số đo. Tần số dưới 80 MHz sử dụng các ăng ten lưỡng cực có chiều dài ngắn hơn. Với các phép đo trên 1 000 MHz nên sử dụng một horn dẫn sóng. Tâm của ăng ten này phải trùng với trung tâm pha hoặc trung tâm biên độ. A.1.6. Ăng ten đo Ăng ten đo được sử dụng trong các phép đo thông số thu của EUT (ví dụ các phép đo miễn nhiễm và độ nhạy). Mục đích của ăng ten đo là để thực hiện phép đo cường độ điện trường gần EUT. Với các phép đo trong băng tần từ 30 MHz đến 1 000 MHz ăng ten đo nên là một ăng ten lưỡng cực (được sản xuất theo tiêu chuẩn ANSI C63.5). Đối với các tần số lớn hơn hoặc bằng 80 MHz, các ăng ten lưỡng cực phải có chiều dài sao cho có sự cộng hưởng tại tần số đo. Dưới tần số 80 MHz sử dụng các ăng ten lưỡng cực có chiều dài ngắn hơn. Trung tâm của ăng ten này phải trùng với trung tâm pha hoặc trung tâm biên độ của EUT (như đã qui định trong phương pháp đo). A.1.7. Bộ đấu nối băng dẫn A.1.7.1. Tổng quan Bộ đấu nối Băng dẫn là một thiết bị ghép RF dùng để ghép Ăng ten tích hợp của thiết bị với một đầu cuối tần số vô tuyến 50 Ω. Điều này cho phép thực hiện các phép đo bức xạ không cần vị trí đo ngoài trời (không gian mở) nhưng chỉ trong một Băng tần số giới hạn. Có thể thực hiện các phép đo giá trị tuyệt đối và tương đối; các phép đo giá trị tuyệt đối yêu cầu cần hiệu chỉnh bộ đấu nối băng dẫn. A.1.7.2. Mô tả Băng dẫn được làm bằng ba tấm dẫn điện tốt tạo thành một phần của một đường truyền cho phép thiết bị cần đo được đặt trong một điện trường đã biết. Các tấm dẫn điện này phải đủ cứng để đỡ được các thiết bị cần đo. Dưới đây là hai ví dụ về đặc tính của băng dẫn IEC 60489-3 App. J FTZ No512 TB 9 Băng tần sử dụng MHz từ 1 đến 200 từ 0,1 đến 4 000 Giới hạn về kích thước của thiết bị (tính cả ăng ten) Dài 200 mm 1 200 mm Rộng 200 mm 1 200 mm Cao 250 mm 400 mm A.1.7.3.
- Phễu nhựa có đường kính tương ứng với kích cỡ loa của EUT, có cao su xốp mềm được dán ở mép, và được gắn vào một đầu của ống âm, micrô gắn vào đầu kia. Gắn tâm của phễu vào vị trí sao chép liên quan đến EUT là rất quan trọng, bởi vị trí trung tâm này có một ảnh hưởng mạnh lên đáp ứng tần số sẽ được đo. Điều này có thể đạt được bằng cách đặt EUT trong một gá lắp ráp âm lắp ghép kín do nhà sản xuất cung cấp, phễu là một phần tích hợp của EUT. - Micrô cần có đặc tính đáp ứng phẳng trong khoảng 1 dB trong băng tần từ 50 Hz đến 20 kHz, dải động tuyến tính ít nhất là 50 dB. Độ nhạy của micrô và mức âm lối ra máy thu nên phù hợp để đo tỷ số giữa tín hiệu và nhiễu ít nhất là 40 dB tại mức âm lối ra danh định của EUT. Kích cỡ của micrô phải đủ nhỏ để ghép vào ống âm. - Mạch hiệu chỉnh tần số nên hiệu chỉnh đáp ứng tần số của bộ ghép âm sao cho phép đo SINAD âm thanh là đúng (xem phần phụ lục F của IEC 60489-3) A.3.3.2. Hiệu chỉnh Mục đích của hiệu chỉnh bộ ghép âm là để xác định tỷ số SINAD âm thanh, tỷ số này tương đương tỷ số SINAD ở lối ra máy thu. A.4. Vị trí đo chuẩn Ngoại trừ sơ đồ đo với dây trần, vị trí chuẩn nằm trong các vị trí đo kiểm, đối với thiết bị không dùng để đeo bên người, kể cả thiết bị cầm tay, sẽ được đặt trên mặt bàn không dẫn điện, cao 1,5 m, có khả năng xoay xung quanh trục thẳng đứng. Vị trí chuẩn của thiết bị như sau: 6.2. Trong trường hợp các quy định nêu tại Quy chuẩn này có sự thay đổi, bổ sung hoặc được thay thế thì thực hiện theo quy định tại văn bản mới./. PHỤ LỤC A (Quy định) Đo bức xạ A.1. Các vị trí đo và cách bố trí chung cho các phép đo có sử dụng trường bức xạ Phụ lục này đưa ra 3 vị trí đo thông dụng nhất được sử dụng cho các phép đo bức xạ: buồng đo hấp thụ, buồng đo hấp thụ có mặt đất và vị trí đo kiểm ngoài trời (OATS). Các vị trí đo này thường được tham chiếu đến như là các vị trí đo trường tự do. Cả hai phép đo tuyệt đối và tương đối có thể được thực hiện ở những vị trí này. Khi thực hiện các phép đo tuyệt đối, buồng đo phải được kiểm tra. Thủ tục đánh giá chi tiết được mô tả trong các phần liên quan 2, 3, và 4 của TR 102 273. CHÚ THÍCH: Để đảm bảo khả năng tái tạo và bám của các phép đo bức xạ chỉ sử dụng các vị trí đo dưới đây cho các phép đo bức xạ theo Quy chuẩn kỹ thuật này. A.1.1. Buồng đo hấp thụ Hình A.1- Buồng đo hấp thụ Buồng đo hấp thụ là một phòng kín thường được bao bọc, lớp tường, sàn nhà và trần nhà bên trong được phủ bằng vật liệu hấp thụ sóng vô tuyến thường là loại xốp urethane hình chóp. Trong buồng đo thường có cột đỡ ăng ten ở một đầu và bàn quay ở đầu kia. Một buồng đo hấp thụ điển hình được đưa ra trong hình A.1.
Với các phép đo trong dải tần từ 30 MHz đến 1 000 MHz ăng ten đo nên là một ăng ten lưỡng cực (được sản xuất theo tiêu chuẩn ANSI C63.5). Đối với các tần số lớn hơn hoặc bằng 80 MHz, các ăng ten lưỡng cực phải có chiều dài sao cho có sự cộng hưởng tại tần số đo. Dưới tần số 80 MHz sử dụng các ăng ten lưỡng cực có chiều dài ngắn hơn. Trung tâm của ăng ten này phải trùng với trung tâm pha hoặc trung tâm biên độ của EUT (như đã qui định trong phương pháp đo). A.1.7. Bộ đấu nối stripline A.1.7.1. Tổng quan Bộ đấu nối Stripline là một thiết bị ghép RF dùng để ghép ăng ten tích hợp của thiết bị với một đầu cuối tần số vô tuyến 50 Ω. Điều này cho phép thực hiện các phép đo bức xạ không cần vị trí đo ngoài trời (không gian mở) nhưng chỉ trong một dải tần số giới hạn. Có thể thực hiện các phép đo giá trị tuyệt đối và tương đối; các phép đo giá trị tuyệt đối yêu cầu cần hiệu chỉnh bộ đấu nối stripline. A.1.7.2. Mô tả Stripline được làm bằng ba tấm dẫn điện tốt tạo thành một phần của một đường truyền cho phép thiết bị cần đo được đặt trong một điện trường đã biết. Các tấm dẫn điện này phải đủ cứng để đỡ được các thiết bị cần đo. Dưới đây là hai ví dụ về đặc tính của stripline IEC 60489-3 0 FTZ No512 TB 9 Dải tần số sử dụng MHz 1 đến 200 0,1 đếm 4000 Giới hạn về kích thước Dài 200 mm 1200 mm (tính cả ăng ten) Rộng 200 mm 1200 mm Cao 250 mm 400 mm A.1.7.3. Hiệu chỉnh Mục đích của hiệu chỉnh là nhằm thiết lập mối quan hệ giữa điện áp cung cấp từ bộ tạo tín hiệu và cường độ trường tại khu vực đo kiểm được thiết kế bên trong stripline tại bất kỳ tần số nào. A.1.7.4. Phương thức thực hiện Bộ đấu nối stripline có thể sử dụng cho tất cả các phép đo bức xạ trong dải tần hiệu chỉnh của nó. Phương pháp đo tương tự như phương pháp sử dụng vị trí đo kiểm ngoài trời với sự thay đổi sau: giắc cắm đầu vào của bộ đấu nối stripline được sử dụng thay cho ăng ten thử. A.2. Hướng dẫn sử dụng các vị trí đo bức xạ Phần này trình bày cụ thể các thủ tục, cách bố trí thiết bị đo và đánh giá, các bước này nên được tiến hành trước khi thực hiện bất kỳ phép đo bức xạ nào. Cơ chế này là chung cho tất cả các vị trí đo mô tả trong Phụ lục A. A.2.1. Đánh giá vị trí đo kiểm Không nên tiến hành một phép đo nào trên một ví trí đo chưa có một chứng chỉ thẩm định hợp lệ. Thủ tục thẩm định các loại vị trí đo khác nhau mô tả trong Phụ lục A (ví dụ buồng đo không phản xạ, buồng đo không phản xạ có mặt phẳng tiếp đất và vị trí đo kiểm ngoài trời) được trình bày trong các phần 2, 3 và 4 của TR 102 273. A.2.2.
Thông tin bổ sung, cụ thể đối với loại EUT nên bao gồm công suất sóng mang, khoảng cách kênh, các chế độ hoạt động khác (ví dụ như các chế độ công suất thấp và cao) và nếu sự hoạt động là liên tục hay chịu một chu kỳ làm việc đo kiểm tối đa (ví dụ một phút bật, bốn phút tắt). Ở những nơi cần thiết, nên có một ổ gắn cỡ tối thiểu để gắn EUT trên bàn quay. Ổ này cần được sản xuất từ vật liệu có hằng số điện môi tương đối thấp (ví dụ nhỏ hơn 1,5) và độ dẫn điện thấp chẳng hạn như polystyrene, balsawood (gỗ mềm)... A.2.3. Cấp nguồn cho EUT Tất cả các phép đo cần được thực hiện bằng cách sử dụng các nguồn cấp điện ở bất cứ nơi nào có thể, bao gồm cả các phép đo với EUT được thiết kế chỉ sử dụng pin. Trong mọi trường hợp, các dây dẫn điện cần được nối với các đầu vào cung cấp điện của EUT (và được giám sát bằng một vôn kế số) nhưng pin vẫn nên để ở máy và được cách điện với phần còn lại của thiết bị, có thể bằng cách dán băng lên các đầu tiếp xúc. Tuy nhiên, sự xuất hiện cáp nguồn này có thể làm ảnh hưởng đến chất lượng đo kiểm của EUT. Vì lý do này, cần tạo cho chúng là "trong suốt" đối với việc đo kiểm. Điều này có thể đạt được bằng cách hướng chúng cách xa EUT và dẫn xuống dưới màn chắn, mặt phẳng đất hay tường của vị trí đo (sao cho phù hợp) với các đường ngắn nhất có thể. Nên cẩn trọng để giảm thiểu thất thoát trên các dây dẫn này (ví dụ các dây dẫn được xoắn lại với nhau, nạp với các hạt ferit ở cách 0,15 m hay tải khác). A.2.4. Thiết lập điều khiển biên độ cho các phép đo thoại tương tự Nếu không có các thông báo khác thì trong tất cả các phép đo thoại tương tự của máy thu, cần điều chỉnh biên độ máy thu để cho công suất ra ít nhất bằng 50% công suất đầu ra danh định. Trong trường hợp điều khiển biên độ theo bước thì việc điều khiển biên độ nên được thiết lập sao cho tại bước thứ nhất máy thu cung cấp công suất ra ít nhất bằng 50% công suất đầu ra danh định. Không nên điều chỉnh lại biên độ của máy thu giữa các điều kiện đo kiểm bình thường và tới hạn trong các phép đo. A.2.5. Khoảng cách Khoảng cách cho tất cả các loại vị trí đo nên đủ lớn để cho phép đo trong trường xa của EUT, tức là khoảng cách nên bằng hoặc lớn hơn: 2(d1 + d2)2 (m) l Trong đó: d1 là đường kính lớn nhất của EUT/lưỡng cực sau khi thay thế, m d2 là đường kính lớn nhất của ăng ten thử, m λ là bước sóng tần số đo, m Cần chú thích trong phần thay thế của phép đo này, nếu cả ăng ten thử và ăng ten thay thế đều là các lưỡng cực nửa bước sóng, khoảng cách tối thiểu cho việc đo trường xa sẽ là: 2λ. Cần chú thích trong các báo cáo kết quả đo kiểm khi một trong những điều kiện này không được đáp ứng thì có thể kết hợp độ không đảm bảo đo phụ vào các kết quả đo. CHÚ THÍCH 1: Đối với buồng đo hấp thụ hoàn toàn, ở một góc quay bất kỳ của mâm xoay, không có phần biên độ nào của EUT nằm ngoài "vùng yên lặng" của buồng tại tần số danh định của phép đo.
CHÚ THÍCH 2: "Vùng yên lặng" là một thể tích trong buồng đo hấp thụ (không có mặt nền) trong đó chất lượng quy định đã được chứng minh thông qua đo kiểm hoặc được đảm bảo bởi nhà thiết kế/nhà sản xuất. Chất lượng được qui định này thường là độ phản xạ của các tấm hấp thụ hay một thông số có liên quan trực tiếp (ví dụ như sự đồng nhất của tín hiệu về biên độ và pha). Tuy nhiên cũng nên lưu ý các mức qui định cho vùng yên lặng có thể thay đổi. CHÚ THÍCH 3: Đối với buồng đo hấp thụ có mặt nền, nên có khả năng quét toàn bộ độ cao, tức là từ 1m đến 4m, sao cho không có phần nào của ăng ten thử nằm dưới chiều cao 1 m của các tấm hấp thụ. Với cả hai loại buồng đo hấp thụ , tính phản xạ của các tấm hấp thụ không được nhỏ hơn -5 dB. CHÚ THÍCH 4: Đối với buồng đo hấp thụ có mặt nền và vị trí đo khoảng trống, không có phần nào của ăng ten được nằm trong khoảng 0,25 m của mặt nền tại bất kỳ thời điểm nào trong suốt các quá trình thử nghiệm. Khi bất kỳ một trong các điều kiện này không được thoả mãn thì không được tiến hành các phép đo. A.2.6. Chuẩn bị vị trí Các dây cáp ở cả hai đầu của vị trí thử cần được dải theo chiều ngang cách xa khu vực đo kiểm tối thiểu là 2 m (trừ phi đã chạm tường phía sau trong trường hợp của cả hai loại buồng đo hấp thụ), sau đó cho đi dây theo chiều dọc và bên ngoài mặt nền hay vỏ bọc (sao cho phù hợp) đối với thiết bị đo. Nên cẩn trọng để giảm thiểu thất thoát trên các dây dẫn này (ví dụ việc bọc các mối hàn ferit hay các tải khác). Đối với dây cáp, việc đi dây và bọc chúng cần giống tài liệu đánh giá. CHÚ THÍCH: Đối với các vị trí thử có sự phản xạ mặt nền (như các buồng đo hấp thụ có mặt nền và vị trí đo khoảng trống), nơi kết hợp một trống cuốn cáp với cột ăng ten, yêu cầu khoảng cách 2 m ở trên có thể không đáp ứng được. Cần có số liệu hiệu chỉnh cho tất cả các điều của thiết bị đo. Đối với đo kiểm, các ăng ten đo và ăng ten thay thế, số liệu này nên bao gồm hệ số khuếch đại liên quan đến hệ số bức xạ đẳng hướng (hay hệ số ăng ten) ứng với tần số đo kiểm. Cũng nên biết giá trị VSWR của các ăng ten thay thế và ăng ten đo. Số liệu hiệu chỉnh đối với tất cả các dây cáp và bộ suy hao nên bao gồm suy hao do nối ngoài (suy hao xen) và VSWR trong toàn Băng tần số của phép đo. Tất cả các hình vẽ suy hao do nối ngoài và VSWR cần được ghi lại trong bản kết quả cho các phép đo cụ thể. Ở những nơi yêu cầu các bảng/hệ số hiệu chỉnh thì nên có sẵn ngay tại đó. Đối với tất cả các điều của thiết bị đo, nên biết các lỗi cực đại và phân bố lỗi của thiết bị đo, ví dụ: - Suy hao cáp: ±0,5 dB với phân bố hình chữ nhật - Máy thu đo: độ chính xác mức tín hiệu (độ lệch chuẩn) 1,0 dB với phân bố lỗi Gauss. Tại thời điểm bắt đầu các phép đo, cần phải thực hiện việc kiểm tra hệ thống đối với các điều của thiết bị đo được sử dụng trên vị trí đo thử. A.3.
Ghép các tín hiệu A.3.1. Tổng quan Sự có mặt của các dây dẫn điện trong trường bức xạ có thể gây nhiễu lên trường bức xạ và gây ra độ không đảm bảo đo phụ. Các nhiễu này có thể được làm giảm bằng cách sử dụng các phương pháp ghép phù hợp, tạo ra sự cô lập tín hiệu và tác động lên trường là tối thiểu (ví dụ như ghép quang và âm). A.3.2. Các tín hiệu dữ liệu Sự cô lập tín hiệu có thể được tạo ra bằng cách sử dụng biện pháp quang học, siêu âm hay hồng ngoại. Có thể giảm thiểm sự tác động lên trường bằng các kết nối sợi quang phù hợp. Cần có các kết nối bức xạ hồng ngoại hay siêu âm phù hợp để giảm thiểu nhiễu xung quanh. A.3.3. Các tín hiệu tương tự và thoại Nên sử dụng một bộ ghép âm ở những nơi không có cổng ra âm. Khi sử dụng bộ ghép âm nên kiểm tra xem nhiễu xung quanh có làm ảnh hướng đến kết quả đo không. A.3.3.1. Mô tả bộ ghép âm Bộ ghép âm bao gồm một phễu nhựa, một ống âm và một micrô với một bộ khuếch đại phù hợp. Các vật liệu được sử dụng để tạo ra phễu và ống nên có tính dẫn điện thấp và hằng số điện môi tương đối thấp (ví dụ nhỏ hơn 1,5 dB). - Ống âm nên đủ dài để nối từ EUT đến micrô, và được đặt ở một vị trí không làm ảnh hưởng đến trường RF. Ống âm cần có đường kính trong khoảng 6 mm và dày khoảng 1,5 mm, và đủ linh hoạt để không cản trở sự quay của bàn quay. - Phễu nhựa có đường kính tương ứng với kích cỡ loa của EUT, có cao su xốp mềm được dán ở mép, và được gắn vào một đầu của ống âm, micrô gắn vào đầu kia. Gắn tâm của phễu vào vị trí sao chép liên quan đến EUT là rất quan trọng, bởi vị trí trung tâm này có một ảnh hưởng mạnh lên đáp ứng tần số sẽ được đo. Điều này có thể đạt được bằng cách đặt EUT trong một gá lắp ráp âm lắp ghép kín do nhà sản xuất cung cấp, phễu là một phần tích hợp của EUT. - Micrô cần có đặc tính đáp ứng phẳng trong khoảng 1 dB trong băng tần từ 50 Hz đến 20 kHz, dải động tuyến tính ít nhất là 50 dB. Độ nhạy của micrô và mức âm lối ra máy thu nên phù hợp để đo tỷ số giữa tín hiệu và nhiễu ít nhất là 40 dB tại mức âm lối ra danh định của EUT. Kích cỡ của micrô phải đủ nhỏ để ghép vào ống âm. - Mạch hiệu chỉnh tần số nên hiệu chỉnh đáp ứng tần số của bộ ghép âm sao cho phép đo SINAD âm thanh là đúng (xem phần phụ lục F của IEC 60489-3) A.3.3.2. Hiệu chỉnh Mục đích của hiệu chỉnh bộ ghép âm là để xác định tỷ số SINAD âm thanh, tỷ số này tương đương tỷ số SINAD ở lối ra máy thu. A.4. Vị trí đo chuẩn Ngoại trừ sơ đồ đo với dây trần, vị trí chuẩn nằm trong các vị trí đo kiểm, đối với thiết bị không dùng để đeo bên người, kể cả thiết bị cầm tay, sẽ được đặt trên mặt bàn không dẫn điện, cao 1,5 m, có khả năng xoay xung quanh trục thẳng đứng. Vị trí chuẩn của thiết bị như sau:
a) Đối với thiết bị có ăng ten trong thì ăng ten sẽ được đặt tại vị trí gần nhất với cách sử dụng bình thường như nhà sản xuất khai báo; a) Một kết nối đến một nguồn cung cấp điện ngoài a) Suy hao ghép nối không được vượt quá 30 dB; a) Đo độ nhạy tính bằng cường độ trường, như đã trình bày trong Quy chuẩn này và ghi lại giá trị của cường độ trường này theo dBμV/m và loại phân cực được sử dụng; a) Đối với thiết bị có ăng ten trong thì ăng ten sẽ được đặt tại vị trí gần nhất với cách sử dụng bình thường như nhà sản xuất khai báo; a) Một kết nối đến một nguồn cung cấp điện ngoài a) Suy hao ghép nối không được vượt quá 30 dB; a) Đo độ nhạy tính bằng cường độ trường, như đã trình bày trong Quy chuẩn này và ghi lại giá trị của cường độ trường này theo dBμV/m và loại phân cực được sử dụng;
b) Đối với thiết bị có ăng ten rời cố định, ăng ten sẽ đặt theo phương thẳng đứng; b) Trong trường hợp thẩm định (đánh giá) thiết bị thoại, một giao diện âm thanh hoặc bằng kết nối trực tiếp hoặc bằng một bộ ghép âm. Trong trường hợp thiết bị phi thoại, hộp ghép đo cũng có thể cung cấp bộ ghép phù hợp cho đầu ra dữ liệu Hộp ghép đo thường được cung cấp từ nhà sản xuất. Các đặc tính hoạt động của hộp ghép đo phải được phòng đo kiểm thông qua và phải tuân theo các tham số cơ bản sau: b) Sự biến đổi suy hao ghép nối trong Băng tần sử dụng để đo không được vượt quá 2 dB; b) Đặt máy thu vào hộp ghép đo đã được kết nối với bộ tạo tín hiệu. Ghi lại mức do bộ tạo tín hiệu tạo ra: SINAD là 20 dB; tỉ số lỗi bit là 0,01 hoặc tỷ lệ nhận tin báo là 80% Việc hiệu chuẩn hộp ghép đo là quan hệ giữa cường độ trường tính bằng dBμV/m và mức của bộ tạo tín hiệu tính theo dBμV emf. Mối quan hệ này được coi là tuyến tính A.5.3. Phương thức thực hiện Hộp ghép đo có thể được sử dụng cho các phép đo trong trường hợp thiết bị có ăng ten tích hợp. Hộp ghép đo đặc biệt được sử dụng trong các phép đo công suất sóng mang bức xạ và độ nhạy khả dụng được biểu diễn dưới dạng cường độ trường trong những điều kiện đo tới hạn. Đối với các phép đo máy phát, không cần thiết phải hiệu chỉnh như các phương pháp đo tương đối được sử dụng Đối với các phép đo máy thu, hiệu chỉnh là cần thiết như các phép đo tuyệt đối được sử dụng Để áp dụng mức tín hiệu mong muốn qui định biểu diễn dưới dạng cường độ trường thì phải đổi mức tín hiệu thành mức bộ tạo tín hiệu (emf) sử dụng đường cong hiệu chỉnh của hộp ghép đo. Áp dụng giá trị này đối với bộ tạo tín hiệu. THƯ MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] TCAM (21)36: "Passive RFID tags at the stage of placing on the market and the R&TTE Directive". [2] Directive 1999/5/EC of the European Parliament and of the Council of 9 March 1999 on radio equipment and telecommunications terminal equipment and the mutual recognition of their conformity (R&TTE Directive).
[3] IEC 60489-3 Appendix J Second edition (1988): "Methods of measurement for radio equipment used in the mobile services. Part 3: Receivers for A3E or F3E emissions" (pages 156 to 164). [4] Directive 98/34/EC of the European Parliament and of the Council of 22 June 1998 laying down a procedure for the provision of information in the field of technical standards and regulations. [5] ETSI EG 201 399 (V2.1.1): "Electromagnetic compatibility and Radio spectrum Matters (ERM); A guide to the production of candidate Harmonized Standards for application under the R&TTE Directive". [6] ANSI C63.5-2006, American National Standard Electromagnetic Compatibility-Radiated Emission Measurements in Electromagnetic Interference (EMI) Control-Calibration of Antennas (9 kHz to 40 GHz). b) Đối với thiết bị có ăng ten rời cố định, ăng ten sẽ đặt theo phương thẳng đứng; b) Trong trường hợp thẩm định (đánh giá) thiết bị thoại, một giao diện âm thanh hoặc bằng kết nối trực tiếp hoặc bằng một bộ ghép âm. Trong trường hợp thiết bị phi thoại, hộp ghép đo cũng có thể cung cấp bộ ghép phù hợp cho đầu ra dữ liệu Hộp ghép đo thường được cung cấp từ nhà sản xuất. Các đặc tính hoạt động của hộp ghép đo phải được phòng đo kiểm thông qua và phải tuân theo các tham số cơ bản sau: b) Sự biến đổi suy hao ghép nối trong Băng tần sử dụng để đo không được vượt quá 2 dB; b) Đặt máy thu vào hộp ghép đo đã được kết nối với bộ tạo tín hiệu. Ghi lại mức do bộ tạo tín hiệu tạo ra: SINAD là 20 dB; tỉ số lỗi bit là 0,01 hoặc tỷ lệ nhận tin báo là 80% Việc hiệu chuẩn hộp ghép đo là quan hệ giữa cường độ trường tính bằng dBμV/m và mức của bộ tạo tín hiệu tính theo dBμV emf. Mối quan hệ này được coi là tuyến tính A.5.3. Phương thức thực hiện Hộp ghép đo có thể được sử dụng cho các phép đo trong trường hợp thiết bị có ăng ten tích hợp. Hộp ghép đo đặc biệt được sử dụng trong các phép đo công suất sóng mang bức xạ và độ nhạy khả dụng được biểu diễn dưới dạng cường độ trường trong những điều kiện đo tới hạn. Đối với các phép đo máy phát, không cần thiết phải hiệu chỉnh như các phương pháp đo tương đối được sử dụng Đối với các phép đo máy thu, hiệu chỉnh là cần thiết như các phép đo tuyệt đối được sử dụng Để áp dụng mức tín hiệu mong muốn qui định biểu diễn dưới dạng cường độ trường thì phải đổi mức tín hiệu thành mức bộ tạo tín hiệu (emf) sử dụng đường cong hiệu chỉnh của hộp ghép đo. Áp dụng giá trị này đối với bộ tạo tín hiệu. THƯ MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] TCAM (21)36: "Passive RFID tags at the stage of placing on the market and the R&TTE Directive". [2] Directive 1999/5/EC of the European Parliament and of the Council of 9 March 1999 on radio equipment and telecommunications terminal equipment and the mutual recognition of their conformity (R&TTE Directive).