Volume 1 | Nomor 1 | 13 p-ISSN: 2622-9641   e-ISSN: 2655-1276
ANALISIS PENGARUH DAYA RF TERHADAP KARAKTERISTIK LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK VHF-PECVD

## Yusdarina
FKIP-Universitas Muslim Maros Email: dyusdarina@yahoo.co.id
Abstract:  Analysis  of  the  Effect  of  Rf  Power  on  the  Characteristics  of Hydrogenated  Amorphous  Silicon  Coatings  grown  by  VHF-PECVD Technique. The purpose of this study was to analyze the effect of Rf power and subtract  temperature  on  the  electrical  and  optical  properties  of  hydrogenated amorphous  silicon  l optical  band  gap  (Eopt),  bias  index  (n)  and  deposition  rate  grown  with  the  Very High  Frequency  PECVD  technique.The  results  of  the  temperature  subtract optimization  showed  that  the  a-Si:  H  layer  was  of  good  quality  which  had  an optical band gap of 1.69 eV, high dark and light conductivity of 9.70 x 10 -8 Scm -1 and 3.42 10 respectively. -5 Scm -1 .
Key Word : Daya RF, Amorf, VHF-PECVD
Analisis  Pengaruh  Daya  RF  Terhadap  Karakteristik  Lapisan  Tipis  Silicon Amorf  Terhidrogenasi  yang  Ditumbuhkan  dengan  Teknik  VHF-PECVD. Tujuan penelitian ini adalah untuk menganalisis pengaruh daya Rf dan temperatur subtract  terhadap  sifat  listrik  dan  optik  lapisan  tipis  silikon  amorf  terhidrogenasi yang  terdiri  dari  transmitansi,  koefisien  absorpsi  (  ),  celah  pita  optic  (E opt ), indekss  bias  (n)  dan  laju  deposisi  yang  ditumbuhkan  dengan  teknik  Very  High Frequency PECVD.
Hasil  optimasi  temperature    Subtract  menunjukkan  bahwa  lapisan  a-Si:H  dengan kualitas  baik  yakni  memiliki  celah  pita  optic  1,69  eV,  konduktivitas  gelap  dan terang yang tinggi masing-masing yaitu 9,70  x 10 -8 Scm -1 dan 3,42 10 -5 Scm -1 .

## Kata Kunci : Daya RF, Amorf, VHF-PECVD

## PENDAHULUAN
Silikon amorf (a-Si) telah banyak dikembangkan untuk aplikasi divais
optoelektronik  seperti  sel  surya,fotoreseptor, sensor  warna, Thin  Film  ,Light  Emitting  Diode (TFLED) dan Thin  Film  Transistor  (TFT) .jika dibandingkan  dengan  silikon  Kristal,  silikon amorf  mempunyai optical  bandgap yang  lebih lebar  dan  absorpsi  optic  yang  lebih  tinggi. Optical  bandgap material  silikon  amorf  dapat
dikontrol  dengan  menambahkan  atom  lain  ke dalam  matriks  silikon  seperti  atom  hydrogen, atom karbon, atau nitrogen atau atom oksigen.
Disamping  material  a-Si  mempunyai celah  pita  optik  yang  lebih  lebar  dan  absorpsi cahaya  yang  lebih  tinggi  dibandingkan  c-Si, keuntungan lain dari material ini jika dibandingkan  dengan  c-Si  adalah  :  (i)  dapat ditumbuhkan pada berbagai jenis subtract sebab temperature penumbuhannya relatif rendah yaitu
Volume 1 | Nomor 1 | 14 p-ISSN: 2622-9641   e-ISSN: 2655-1276
antara  150 -  300 ,  sedangkan  temperatur penumbuh  c-Si  diatas  1000 (ii)  limbah  atau polusi  yang  ditimbulkannya  pada  saat  proses pembuatannya lebih rendah, dan (iii) energy pay back timenya lebih singkat.
Lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H)  dapat  dideposisi  dengan  beberapa teknik,  seperti rf dan dc  glow  discharge,  photo CVD, ion-cluster beam dan sputtering. Sebelumnya  telah  dilakukan  penelitian  tentang silikon amorf tanpa hydrogen, dimana diperoleh melalui  sputtering  atau  dengan  teknik  evaporasi termal.Material  yang  tidak  memiliki  kandungan hidrogen  memiliki  cacat  densitas  yang  sangat tinggi  yang  mencegah  terjadinya  doping. Kandungan  hidrogen  dapat  mempengaruhi  sifat listrik  dari  material,  ketika  silikon  amorf  tanpa hidrogen  maka  tidak  dapat  digunakan  sebagai divais.
Teknik Plasma  Enhanced  Chemical Vapor
Deposition (PECVD) yang
memanfaatkan frekuensi radio ( radio frekuensi , rf ) telah menjadi teknik yang popular digunakan untuk  penumbuhan  lapisan  tipis  a-SI:H.  Teknik ini  memiliki  beberapa  keunggulan  dibanding teknik CVD termal maupun Cathode Sputtering seperti  lapisan  yang  dihasilkan  lebih uniform dan  temperatur  deposisi  (penumbuhan)  yang lebih  rendah  (temperatur  deposisi  PECVD sekitar  150 -  300 sedangkan  temperatur deposisi  CVD termal dan Cathode Sputtering > 500 ).  Namun  demikian,  lapisan  a-Si:H  yang diperoleh  pada  temperatur  yang  rendah  melalui teknik  PECVD  konvensional  dengan  rf  13,56 MHz masih memiliki laju deposisi yang rendah, konduktivitas  yang  rendah,  serta  kandungan hydrogen yang cukup tinggi.
Hingga  saat  ini,  teknik  VHF-PECVD masih  menarik  perhatian  banyak  peneliti.Pada dasarnya,  mekanisme  reaksi  yang  terjadi  dalam plasma  dengan  teknik  VHF-PECVD  belum diketahui secara pasti. Secara teori, peningkatan frekuensi menyebabkan penurunan medan listrik rf  akibat  meluasnya  proses  reaksi  yang bersamaan dengan peningkatan kerapatan electron  dan  jumlah  komsumsi  daya  oleh electron.  Pada  saat  yang  sama,  meningkatnya kerapatan  elektron  mengakibatkan  peningkatan elektron  yang  mempengaruhi  proses  disosiasi gas.  Berbagai  penelitian  telah  dilakukan  untuk
menguji  kebenaran  teori  tersebut.  Secara eksperimental,  hal  ini  tentu  berkaitan  erat dengan  parameter  deposisi  yang  digunakan terutama  daya  rf,  dimana  diketahui  bahwa  daya rf  berperan  penting  dalam  proses  penguraian molekul-molekul  gas  menjadi  radikal-radikal sederhana yang lebih reaktif.
Dalam  penelitian  ini  akan  dianalisis pengaruh da rf trhadap karakteristik lapisan tipis silikon  amorf  terhidrogenasi  yang  ditumbuhkan dengan teknik VHF-PECVD.

## METODE Metode Deposisi Lapisan Tipis a-Si:H
Lapisan  tipis  a-Si:H  yang  digunakan sebagai  sampel  dalam  penelitian  ini  dideposisi dengan  metode Very  High  Frequency  Plasma Enhanced  Chemical  Vapor  Deposition (VHF- PECVD ) .  Sebagai  sumber  daya  discharge digunakan  radio  Frekuensi  70  MHz  sistem tabung yang tahan terhadap gangguan mendadak yang  membahayakan  sistem  elektronik  di dalamnya.

## 1. Variabel Penelitian
Variabel yang diteliti dalam penelitian ini adalah  karakteristik  lapisan  tipis  a-Si:H.  sifat listrik  terdiri  dari  konduktivitas  gelap  dan konduktivitas  terang.  Sedangkan  sifat  optic meliputi  celah  pita  optic,  absorpsi  optic  dan indeks biak.
2. Optimasi Parameter Deposisi
Parameter-parameter deposisi yang berpengaruh  terhadap  kondisi  deposisi  pada penumbuhan lapisan tipis a-Si:H dengan metode VHF-PECVD adalah frekuensi eksitasi, daya rf. Temperature  subtract,  tekamamg  ruang  deposisi dan  laju  aliran  gas.  Namun  parameter  deposisi dalam  penelitian  ini  adalah  daya  rf  dan temperature subtract.

## 3. Proses Deposisi
Untuk  mengamati  pengaruh  daya  rf, proses deposisi dilakukan dengan variasi daya rf 4 sampai 8 watt pada tekanan ruang deposisi 100 mTorr. Temperatur    subtract  270 digunakan selama  deposisi  berdasarkan  hasil  penelitian sebelumnya. Sedangkan untuk optimasi temperatur  subtrat,  dilakukan  dengan  variasi temperatur  subtract  175 sampai  225 pada tekanan ruang deposisi 20 mTorr.
Volume 1 | Nomor 1 | 15 p-ISSN: 2622-9641   e-ISSN: 2655-1276
4. Karakteristik Lapisan Tipis a-Si:H
Sifat-sifat  dan  kualitas  lapisan  yang  telah dideposisi  dapat  diketahui  melalui  karakteristik lapisan  tersebut.  Karakterisasi  yang  dilakukan meliputi penentuan celah optic ( Optical bandgap )  dari  data  pengukuran  spectrometer ultraviolet Visible (UV-Vis), koefisien absorpsi, indeks  bias  serta  pengukuran  konduktivitas dengan metoda dua titik ( coplanar ).

## HASIL DAN PEMBAHASAN

## OPTIMASI DAYA RF
Lapisan  tipis  a-Si:H  dalam  penelitian  ini dideposisi  dengan  menggunakan  teknik  Very High  Frequency-  PECVD.  Untuk  melihat pengaruh  daya  rf  terhadap  karakteristik  lapisan tipis,  maka  proses  deposisi    dilakukan  d  variasi daya rf 4,6 dan 8 watt dengan parameter deposisi yang tetap seperti:
 Frekuensi Rf = 70 MHz
 Tekanan deposisi =  100 mTorr  Temperatur subtrat = 270  Lama deposisi = 3 jam  Laju alirag gas = 70 Sccm

## Hasil Pengukuran Transmitansi
Pengukuran  transmitansi  pada  lapisan  a- Si:H sangatlah penting, sebab dengan diketahuinya  transmitansi  lapisan  tipis  tersebut, maka  sifat  optik  dari  lapisan  tipis  seperti  celah pita  optic  dan  indeks  bias  dapat  pula  diketahui sehingga  dapat  dijadikan  standar  untuk  aplikasi divais  optoelektronik. Transmitansi  lapisan tipis a-Si:H  dapat  diketahui  dari  data  pengukuran spektroskopi ultraviolet-visible (UV-Vis)

## Hasil Perhitungan Celah Pita Optik
Celah pita optik adalah gambaran kuantitatif  dari  transmitansi  suatu  lapisan  tipis, oleh  sebab  itu  harga  celah  pita  optik  kemudian dihitung  dari  data  pengukuran  transmitansi dengan  menggunakan  data  UV-Vis.  Metoda perhitungan  celah  pita  optic  untuk  lapisan  tipis a-Si:H  yang  popular  digunakan  adalah  metoda Tauc  Plot  yaitu  grafik  antara  ( ahv ) 1/2 sebagai fungsi dari energy ( hv ). Meoda Tauc menggunakan  asumsi  bahwa  tidak  terjadi transisi  optik  antara  daerah  linier  engan  sumbu energi sehingga untuk nilai α = 0 celah pita optik
dapat  ditentukan  dengan  cara  menarik  garis lurus  pada  daerah  linier  hingga  memotong sumbu  energy.  Nilai  perpotongan  itulah  yang dimaksud dengan celah pita optic.

## Hasil Perhitungan Laju Deposisi
Laju  deposisi  lapisan  tipis  a-Si:H dihitung  dari  data  pengukuran  ketebalan  dan waktu deposisi. Penumbuhan lapisan tipis a-Si:H yang dianalisis dalam penelitian ini membutuhkan  waktu  yang  agak  lama,  yaitu sekitar  3  jam  dengan  temperature  subtract  270 o C  dan  laju  aliran  gas  70  sccm  untuk  daya  rf  4 watt, 6 watt, dan 8 watt. Berdasarkan kenyataan ini,  harus  diketahui  laju  deposisi  agar  pada  saat melakukan  kembali  deposisi  lapisan  tipis diperoleh  hasil  yang  maksimal  sesuai  ketebalan lapisan yang diperlukan.

## Hasil Perhitungan Konduktivitas
Konduktivitas adalah gambaran kuantitatif  sifat  listrik  dari  lapisan  tipis  a-Si:H yang  juga  dapat  dijadikan  standar  dalam penerapan  material  ini  pada  divais.  Pengukuran konduktivitas dilakukan dengan metode coplanar.  Hail  pengukuran  konduktivitas  gelap dan  konduktivitas  terang  diperlihatkan  pada gambar 1.1.
Table  1.  Hasil  perhitungan  konduktivitas  gelap dan  konduktivitas  terang  pada  lapisan  tipis  a- SI:H  yang  dideposisi  dengan  daya  rf  4  watt,  6 watt, dan 8 watt.
Daya (watt) Konduktivitas Gelap (S/cm) Konduktivitas Terang (S/cm) 4 6 8 7,22 x 10 8 1,22 x 10 -7 3,70 x 10 -7 1,02 x 10 -5 2,90 x 10 -5 3,44 x 10 -5

## Optimasi Temperatur Subtrat
Temperatur  subtract  berperan  dalam memberikan  energy  bagi  radikal-radikal  gas untuk  berikatan  diatas  subtract  sehingga  sangat menentukan proses yang terjadi pada permukaan penumbuhan. Optimasi temperatur subtrat diperlukan  untuk  mendapatkan  temperatur optimum  yang  menghasilkan  a-Si:H  dengan kualitas  baik.  Dengan  optimasi  temperatur  ini juga  dapat  dilihat  pengaruh  temperatur  subtrat terhadap  celah  pita  optik,  dan  laju  deposisi lapisan  a-Si:H.  optimasi  temperatur  subtrat dilakukan  dengan  memvariasikan  temperatur
Volume 1 | Nomor 1 | 16 p-ISSN: 2622-9641   e-ISSN: 2655-1276 subtrat  antara  175  –  225 o C  pada  parameter deposisi yang konstan seperti:
 Frekuensi Rf = 70 MHz  Tekanan deposisi = 20 mTorr
 Lama depoisi = ½ jam  Laju aliran gas = 50 Sccm HASIL PENGUKURAN KONDUKTIVITAS
Nilai  konduktivitas,  baik  konduktivitas gelap maupun terang adalah gambaran kuantitatif sifat listrik lapisan tipis a-Si:H yang juga  dapat  dijadikan  standar  untuk  penerapan material  ini  pada divais.  Hasil  pengukuran konduktivitas  gelap  dan  konduktivitas terang diperlihatkan pada tabel 1.2.
Tabel  2.  Hasil  perhitungan  konduktivitas  gelap dan  konduktivitas  terang  pada  lapisan  tipis  a- Si:H yang dideposisi dengan temperatur subtrat 175 o C, 200 o C dan 225 o C. Temperatur Subtrat ( o C) Konduktivitas Gelap (S/cm) Konduktivitas terang S/cm) 175 200 225 7,22 x 10 -8
1,32 x 10 -8 9,70 x 10 -8 1,02 x 10 -5 0,82 x 10 -5
3,42 x 10 -5

## PEMBAHASAN OPTIMASI DAYA RF
1. Transmitansi
Besar daya rf yang dibangkitkan selama proses  deposisi  mempengaruhi  transmitansi lapisan  tipis  yang  dihasilkan.  Semakin  besar daya  rf  yang  digunakan  maka  transmitansi lapisan  semakin  kecil.  Hal  ini  diduga  akibat kandungan hidrogen dalam lapisan menurun.
Hal yang menyebabkan tingginya transmitansi  pada  suatu  lapisan  adalah  karena menurunnya stoikiometri atau  perbandingan antara  atom  Si  terhadap  H  [Si/H].ini  berrarti bahwa  lapisan  tipis  a-Si:H  demgan  daya  4  watt mengandung  atom  hydrogen  yang  lebih  besar dibandingkan  dengan  daya  lapisan  tipis  dengan daya 6 dan 8 watt sehingga jumlah defect (cacat) yang  berasal  dari  ikatanbebas  berkurang. Transmitansi  erat  kaitannya  dengan  koefisien absorpsi dan celah pita optic. Jika transmitansinya 2. Absorpsi optik Berdasarkan  data-data  hasil  perhitungan perubahan-perubahan  absorpsi  pada  tiap-tiap
lapisan  tipis  dengan  daya  yang  berbeda- beda.Semakin  tinggi  daya  yang  dibangkitkan menyebabkan peningkatan nilai koefisien absorpsi pada lapisan tipis. Hal ini berarti terjadi peningkatan  atom  hydrogen  dalam  lapisan seiring dengan peningkatan daya rf.
Dengan  naiknya  absorpsi  maka  berarti cahaya  yang  ditransmisikan  semakin  kecil  pada lapisan tipis dengan daya rf yang meningkat. Hal ini  berpengaruh  pada  celah  pita  optic  yang nantinya  akan  ditentukan  yaitu  celah  pita  optic berbanding terbalik terhadap absorpsi.
3. Celah pita optik
Seperti  yang  ditunjukkan  dari  grafik hasil  perhitungan  celah  pita  optik  untuk  lapisan tipis  a-Si:H  pada  daya  4  watt  adalah  1,86  eV, nilai  celah  pita  optik  untuk  lapisan  tipis  dengan daya 6 watt adalah 1,74 eV sedangkan pada saat daya  rf  8  watt  nilai  celah  pita  optikny  adalah 1,73 eV.
Dari  data  ini,  maka  dapat  disimpulkan bahwa  celah  pita  optik  pada  lapisan  tipis semakin  kecil  pada  daya  yang  semakin meningkat. Lapisan tipis  a-Si:H dengan daya 4 watt  mempunyai  probabilitas  yang  besar  untuk mentrasmisikan  cahaya.  Hal  ini  disebabkan karena  celah  pita  optiknya  lebih  lebar  sehingga jumlah  cacat  yang  berasal  dari  ikatan  bebas lapisan  ini  berkurang  dan  absorpsinya  menjadi kecil sehingga cahaya lebih mudah ditransmisikan.  Selain  itu  kandungan  ikatan hidrogen  dalam  lapisan  a-Si:H  yang  dideposisi pada daya rf 4 watt secara kualitatif lebih tinggi dibanding  kandungan  ikatan  hidrogen  dalam lapisan  yang  dideposisi  pada  daya  rf  6  dan  8 watt.
4. Indeks bias
Pada lapisan tipis dengan daya rf 8 watt mempunyai nilai indeks bias rata-rata yang lebih tinggi dibandingkan dengan lapisan tipis lainnya yaitu  4,240.  Sedangkan  uantuk  lapisan  dengan daya rf 6 watt mempunyai nilai indeks bias rata- rata 3,741 dan untuk lapisan a-Si:H dengan daya rf 4 watt mempunyai indeks bias rata-rata 4,160. Dari  data  ini  dapat  disimpulkan  bahwa peningkatan  daya  menyebabkan  peningkatan nilai  indeks  bias  rata-rata.  Dimana  panjang gelombang  berbandung  terbalik  dengan  indeks bias.  Hal  ini  disebabkan  karena  meningkatnya
Volume 1 | Nomor 1 | 17 p-ISSN: 2622-9641   e-ISSN: 2655-1276
nilai stoikiometri atau perbandingan antara atom Si terhadap H [Si/H].
5. Laju deposisi Dari data dapat disimpulkan bahwa daya yang kecil maka laju deposisi menigkat.Meningkatnya laju deposisi
disebabkan  oleh  semakin  besar  radikal  yang dapat  berdifusi  ke  permukaan  subtrat.Di  duga bahwa  keadaan-keadaan  cacat  banyak  terbentuk saat laju deposisinya cukup tinggi.Hal ini akibat ketidakteraturan  iakatan-ikatan  yang  terbentuk pada  permukaan  pertumbuhan  saat  deposisi berlangsung.  Cacat  seperti  ini  lebih  banyak membentuk  cacat  ekor  pita  ( baind-tail  defect ) yang  menghambat  mobilitas  pembawa  muatan pada  pita  energy  yang  diketahui  sebagai penyebab menurunya nilai konduktivitas lapisan. Selai  itu,  laju  deposisi  yang  tinggi  juga  dapat mengakibatakan terperangkapnya atom hidrogen saat  pembentukan  lapisan,  terutama  apabila plasma  disominasi  oleh  radikal-radikal  dalam bentuk  molekul  SiH 3 atau  SiH 2 .  Jika  hal  ini terjadi maka nilai celah pita optik meningkat.
6. Konduktivitas Nilai  konduktivitas  gelap  dan  terang semakin  besar  seiring  dengan  meningkatnya daya rf. Dengan kata lain semakin tinggi daya rf maka  nilai  konduktivitas  gelap  dan  terang semakin  meningkat.  Ini  disebabkan  oleh meningkatnya  kandungan  hydrogen  dalam lapisan.  Walaupun  secara  kualitatif  dengan peningkatan  daya  rf  menyebabkan  penurunan kandungan  hydrogen  yang  ditunjukkan  dengan penurunan celah pita optik.

## PENUTUP KESIMPULAN
1. Hasil  pengukuran  lapisan  tipis  dengan teknik VHF-PECVD memperlihatkan bahwa semakin tinggi daya rf transmitansi semakin kecil,  nilai  koefisien  absorpsi,  dan  indeks bias  serta  nilai  konduktivitasnya  semakin besar  namun  celah  pita  optiknya  semakin kecil.
2. Semakin  tinggi  daya  rf  yang  dibangkitkan maka  lapisan  tipis  akan  menunjukkan struktur mikrokristal.
3. Temperatur subtrat optimum yang
menghasilkan lapisan a-Si:H dengan konduktivitas  maksimum  adalah  225 o C.
konduktivitas  gelap  dan  terang  yang dihasilkan adalah 9,70 x 10 -8 S/cm dan 3,42 x  10 -5 .  Pada  kondisi  tersebut  dihasilkan celah pita optic

## DAFTAR PUSTAKA
Aminuddin  S, Karakteristik  Reaktor  PECVD Ganda  Untuk  Fabrikasi  surya  p-i-n yang  Didoping  Delta. Tesis  Magister,
Jurusan Fisika, Institut Teknologi
Bandung, 1998.
Amiruddin  S,  Dillah  M,  Jasruddin  D.M.,  Fitri S.A,  T.  Winata,  &  M.  Barmawi, Pengaruh  Anneling  Terhadap  Tingkat Kestabilan  Efisien  Sel  Surya  p-i-n  a- Si:H  Doping  Delta, KFI  Vol  12  No.  3, 2001.
Anawati, Karakteristik  Lapisan  Tipis  a-Si:H Yang  Ditumbuhkan  Dengan  Sistem HWC-PECVD. Tesis  Magister,  Jurusan Fisika,  Institut  Teknologi  Bandung, 2005.
A.Supu, J.D Malago, I. Usman, T. Simbolon, T. Winata, & M. Barmawi, Pengaruh Daya Terhadap  Sifat  Listrik  dan  Optik Lapisan Tipis a-Si:H yang ditumbuhkan dengan  Metode  Baru  Hot  Wire  Cell PECVD. JFis. HFI A5 (2002) 0588
Guy  Beaucarne, Silicon,  Thin-Film  Solar  Cells, Advances  in  Optoelektronics,  Volume 2007, Article ID 36970, 12 Page I.
Usman,  S.  Amiruddin,  Mursal,  Sukirno,  T. Winata,  &  M.  Barmawi, Analisis  Sifat- sifat  Optoelektronik  Lapisan  Tipis Silikon  Amorf  Terhidrogenasi  yang ditumbuhkan  dengan  Teknik  VHF- VECVD  pada  variasi  Daya  rf, FMIPA, ITB, Bandung. 10(2) (2005) 63-68
Jasruddin  DM, Pengembangan  Lapisan  Tipis Silikon  Amorf  dan  Panduannya  Untuk Aplikasi  Divais  Elektronik  Dengan Teknik  Plasma  enhanced  Chemical Vapor  Deposition. Disertasi,  Jurusan
Volume 1 | Nomor 1 | 18 p-ISSN: 2622-9641   e-ISSN: 2655-1276
Fisika,  Institut  Teknologi  Bandung, 2002.
Lina  lestari, Fabriaksi  Sel  Surya  a-Si:H  p-i-n Doping Seragam dengan Reaktor
PECVDGanda. Tesis  Magister,  Jurusan Fisika,  Institut  Teknologi  Bandung, 1998.
S.  Amiruddin,  I.  Usman,  Mursal,  T.  Winata  & Sukirno, Studi  Optimasi  Parameter
Daya  Rf  untuk  Penumbuhan  Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan
Metode Hot Wire Cell PECVD, FMIPA, ITB,  Bandung,  Vol  37  A,  No  1,  2005, 13-22.
Takahashi,  K  and  M.  Konangai, Amorphous Silicon  Cells. North  Oxpond  Academic, London, 1986.