Akreditasi LIPI Nomor : 536/D/2007 Tanggal 26 Juni 2007

## PENGARUH IRADIASI SINAR-  PADA BAHAN KONDUKOR
IONIK PADAT (CuI) X (Na 3 PO 4 ) 1-X (X = 0,1 DAN X = 0,3)

## P. Purwanto
Pusat Teknologi Bahan Industri Nuklir (PTBIN) - BATAN Kawasan Puspiptek, Serpong 15314, Tangerang

## ABSTRAK
PENGARUH  IRADIASI  SINAR-γ  PADA  BAHAN  KONDUKTOR  IONIK  PADAT (CuI) x (Na 3 PO 4 ) 1-x (x = 0,1 dan x = 0,3 ).  Pengaruh  radiasi sinar-γ  terhadap  bahan  konduktor  ionik  padat (CuI) x (Na 3 PO 4 ) 1-x telah dipelajari. Bahan konduktor ionik padat (CuI) x (  a 3 PO 4 ) 1-x (x = 0.1 dan x = 0.3) telah dapat dibuat dengan mencampurkan bahan CuI dan  a 3 PO 4 dengan perbandingan fraksi berat tertentu, ditekan pada tekanan 48,26  10 6 N/m 2 menjadi pelet dengan diameter 1,5  10 -2 m. Bahan konduktor ionik padat tersebut di radiasi sinar-γ dengan dosis 5 kGy hingga 30 kGy. Analisis puncak-puncak difraksi sinar-X pada bahan konduktor ionik padat (CuI) x (Na 3 PO 4 ) 1-x menunjukkan struktur CuI dan Na 3 PO 4 . Regangan kisi kristal (CuI) x (Na 3 PO 4 ) 1-x stabil terhadap pengaruh dosis radiasi. Pengukuran konduktivitas konduktor padat (CuI) x (Na 3 PO 4 ) 1-x dilakukan dengan alat LCR -meter pada kisaran frekuensi 0,1 Hz hingga 100 kHz. Konduktivitas konduktor ionik padat (CuI) x (Na 3 PO 4 ) 1-x setelah    radiasi  sinar-γ  pada  dosis  5  kGy  sampai dengan 30 kGy naik sebanding dengan dosis radiasi.
Kata kunci : Konduktor ionik padat, Iradiasi gamma, Difraksi sinar-X, Konduktivitas

## ABSTRACT
EFFECT  OF    γ- RAY IRRADIATION ON THE SOLID IONIC CONDUCTOR OF (CuI) x (Na 3 PO 4 ) 1-x MATERIAL (x = 0.1 and x = 0.3) . Study on the effect of γ-ray irradiation on solid state conductor (CuI) x (Na 3 PO 4 ) 1-x have been done. The solid ionic conductor of (CuI) x (Na 3 PO 4 ) 1-x (x = 0.1 and x = 0.3) had been made by mixing CuI with Na 3 PO 4 by formula of (CuI) x (Na 3 PO 4 ) 1-x where x = 0.1 and x = 0.3 then pressed with 48.26  10 6 N/m 2 into pellet in diametre 1.5  10 -2 m. The solid ionic conductor was then γ-ray irradiated with dose of 5 to 30 kGy. The result showed that the structure of (CuI) x (Na 3 PO 4 ) 1-x was CuI and Na 3 PO 4 . Crystall lattice strain of (CuI) x (Na 3 PO 4 ) 1-x were measured stable against the influence of radiation. The conductivity measurement of (CuI) x (Na 3 PO 4 ) 1-x was carried out by LCR at the frequence of 0.1 Hz to 100 kHz. The results showed that the conductivities of (CuI) x (Na 3 PO 4 ) 1-x after irradiation were increasing with radiation dose.
Key words : Solid ionic conductor, γ-irradiation, X-ray diffraction, Conductivity

## PENDAHULUAN
Konduktor ionik padat berbasis gelas telah berkembang sangat cepat. Hal ini dikarenakan beberapa sifat bahan gelas konduktor ionik yaitu memiliki konduktivitas yang tinggi pada suhu ruang [1].
Salah satu kegunaan bahan konduktor ionik padat adalah baterai termal yang berfungsi sebagai penyimpan sumber tenaga listrik. Salah satu bahan konduktor superionik adalah bahan konduktor ionik padat RbAgI memiliki keunggulan yang berfungsi sebagai baterai termal yang memiliki stabilitas termal dengan rentang suhu tinggi dan tahan terhadap perubahan suhu. Bahan konduktor ionik padat RbAgI telah digunakan sebagai bahan elektrolit padat untuk pembuatan sel baterai sekunder [2-4]
Telah dilakukan penelitian tentang gelas komposit superionik (AgI) 0,7 (NaPO 3 ) 0,3 yang telah dibuat dengan metode pelelehan dengan dopant AgI untuk menaikkan konduktivitas gelas NaPO 3 [5,7]. Peneliti lain juga telah melakukan peningkatan konduktivitas ionik yang berbasis gelas [8-12]. Telah dilakukan juga penelitian tentang dinamika dan transport ionik pada konduktor superionik [13,14]
Penelitian tentang bahan konduktor ionik padat, baik sebagai bahan untuk elektroda maupun bahan elektrolit padat akan dikembangkan dengan memakai bahan gelas Na 3 PO 4 .12H 2 O dan CuI dengan perumusan (CuI) x (Na 3 PO 4 ) 1-x , dengan x = 0,1 dan x = 0,3. Dipilih fraksi berat x = 0,1 dan x = 0,3 dengan alasan, bila lebih
Pengaruh Iradiasi Sinar  pada Bahan Konduktor Ionik Padat (CuI) x (Na 3 PO 4 ) 1-x (x=0,1 dan x=0,3) (P. Purwanto)
dari 0,5 maka sifat konduktivitas lebih dominan CuI dibandingkan Na 3 PO 4 , dan diutamakan ion-ion yang bergerak adalah Na + .
Telah dilakukan penelitian tentang pengaruh iradiasi-γ  pada  bahan  komposit  (KI) x (  -Al 2 O 3 ) 1-x , diperoleh  bahwa  iradiasi-γ  pada  dosis  tertentu dapat meningkatkan atau menurunkan konduktivitas bahan [15]. Iradiasi-γ dapat menimbulkan suatu cacat Schotky dan Frenkel , dimana cacat Schotky dapat meningkatkan konduktivitas bahan.
Pada penelitian ini bahan elektrolit padat (CuI) x (Na 3 PO 4 ) 1-x diberi perlakuan   radiasi sinar-γ dengan dosis mulai 5 kGy sampai dengan 30 kGy. Dengan teknik perlakuan  radiasi sinar-γ diharapkan dapat ditingkatkan konduktivitas pada konduktor ionik padat (CuI) x (Na 3 PO 4 ) 1-x .

## METODE PERCOBAAN
Pembuatan Gelas Na 3 PO 4 Pembuatan gelas Na 3 PO 4 diperlukan bahan sebagai berikut : NaNO 3 dan NH 4 H 2 PO 4 dengan perbandingan fraksi berat tertentu. Kedua bahan dicampurkan dan diaduk sampai merata lalu dipanaskan.
Pembuatan (CuI) x (Na 3 PO 4 ) 1-x
Konduktor ionik padat atau komposit (CuI) x (Na 3 PO 4 ) 1-x dibuat dengan mencampurkan bahan CuI dan Na 3 PO 4 dengan perbandingan fraksi berat tertentu. Kemudian campuran tersebut digerus sampai halus, ditekan 48,26  10 6 N/m 2 menjadi pelet dengan diameter 1,5  10 -2 m dilanjutkan dengan  iradiasi  sinar-γ  dengan  laju  dosis  5  kGy hingga 30 kGy.

## Pengukuran Struktur Kristal
Pengamatan struktur kristal dilakukan dengan menggunakan difraksi sinar-x. Perubahan struktur pada bahan konduktor ionik dapat diamati dari puncak difraksi yang menunjukkan kristal atau amorf. Dari data puncak difraksi ini dapat dihitung regangan kisi kristal (CuI) 0,1 (Na 3 PO 4 ) 0,9 dan (CuI) 0,3 (Na 3 PO 4 ) 0,7 dengan mempergunakan Persamaan (1) [16]:
 (cos  /  = 0,9/D + 2  sin  /  ............... (1)
dimana   = Lebar setengah puncak difraksi (FWHM)  = Sudut Bragg
 = Panjang gelombang sinar-x
D = Ukuran butir  = Regangan
Dengan dibuat kurva antara  cos  /  terhadap sin  /  dapat dihitung regangan kisi kristal.

## Pengukuran Konduktivitas
Pengukuran konduktivitas listrik dilakukan dengan menggunakan LCR -meter HITESTER 3522-5 HIOKI. Dengan mengukur tahanan listrik sampel yang ditunjukkan Gambar 1, maka dapat dihitung besarnya konduktivitas listrik elektrolit padat (CuI) x (Na 3 PO 4 ) 1-x dengan memakai Persamaan (2) dan Persamaan (3) sebagai berikut :
R =  L/A …………….......................... (2)  = 1/  ...…......................................... (3)
Persamaan 2 dan Persamaan 3 digabungkan maka didapatkan Persamaan (4) :
R = L/(A.  ) atau  = L/(A.R)  = G(L/A) ……………........................ (4)
dimana :
R = Tahanan listrik bahan L = Panjang atau tebal bahan  = Resistivitas A = Luas permukaan dan
 = Konduktivitas G =1/R adalah konduktansi
Dalam percobaan yang terukur dengan alat LCR -meter adalah besaran G.
Konduktivitas dapat dihitung dengan mempergunakan persamaan  =  o f s diubah menjadi bentuk logaritma yaitu : log = log  o + s log f. Dengan membuat kurva antara log  terhadap log f, didapat nilai konduktivitas  o . Dimana  o adalah konduktivitas yang tidak tergantung pada frekuensi dan  adalah konduktivitas hasil perhitungan yang tergantung frekuensi. s adalah faktor eksponen (0< s <1).

## HASIL DAN PEMBAHASAN

## Difraksi Sinar-X
Puncak difraksi sinar-X konduktor ionik padat (CuI) 0,1 (Na 3 PO 4 ) 0,9 dan (CuI) 0,3 (Na 3 PO 4 ) 0,7 ditunjukkan pada Gambar 2 dan Gambar 3 sebelum dan setelah di  iradiasi  sinar-γ  dengan  dosis  berturut-turut  5  kGy, 15 kGy, 20 kGy dan 30 kGy.
I V L A Gambar 1 . Metode pengukuran konduktansi (G) bahan
Analisis pada pola difraksi sinar-X dari bahan-bahan diatas menunjukkan bahwa puncak yang muncul adalah puncak-puncak CuI dan Na 3 PO 4 seperti yang ditunjukkan pada Tabel 1 dan Tabel 2.
Dari keseluruhan analisis puncak-puncak difraksi sinar-X pada (CuI) 0,1 (Na 3 PO 4 ) 0,9 dan (CuI) 0,3 (Na 3 PO 4 ) 0,7 ,
terlihat bahwa sampai dosis iradiasi 30 kGy struktur kristal merupakan CuI dan Na 3 PO 4 dan fasa cenderung masih stabil sebagai fasa campuran antara fasa CuI dan Na 3 PO 4 .
Untuk menghitung regangan kisi, dibuat kurva antara  cos  /   terhadap (sin  /  seperti yang ditunjukkan pada Gambar 4  Hasil perhitungan untuk seluruh cuplikan ditunjukkan pada Tabel 3.
Dari tabel terlihat bahwa regangan kisi cenderung meningkat sampai dosis radiasi 20 kGy dan selanjutnya menurun.

## Konduktivitas
Pengukuran konduktivitas konduktor ionik (CuI) 0,1 (Na 3 PO 4 ) 0,9 dan (CuI) 0,3 (Na 3 PO 4 ) 0,7 pada frekuensi antara 0,1 Hz hingga 100 kHz ditunjukkan pada Gambar 5 dan Gambar 6. Pada Gambar 5, ditunjukkan konduktivitas konduktor ionik (CuI) 0,1 (Na 3 PO 4 ) 0,9 sebelum  perlakuan    iradiasi-γ, dan  sesudah  iradiasi  dengan  dosis  radiasi-γ  5  kGy, 10 kGy, 20 kGy dan 30 kGy. Begitu juga pengukuran konduktivitas konduktor ionik padat (CuI) 0,3 (Na 3 PO 4 ) 0,7 ditunjukkan pada Gambar 6.
Analisis konduktivitas konduktor ionik padat (CuI) 0,1 (Na 3 PO 4 ) 0,9 dan (CuI) 0,3 (Na 3 PO 4 ) 0,7 dipergunakan model  =  o f s yang telah dilakukan oleh peneliti sebelumnya [17,18]. Hasil perhitungan nilai konduktivitas konduktor ionik padat (CuI) 0,1 (Na 3 PO 4 ) 0,9 dan (CuI) 0,3 (Na 3 PO 4 ) 0,7 ditunjukkan pada Tabel 4 dan Tabel 5.
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 20 30 40 50 60 2 theta In te n s it a s 0 kGy 5 kGy 10 kGy 20 kGy 30 kGy
Gambar 2 . Puncak difraksi komposit (CuI) 0,1 (Na 3 PO 4 ) 0,9 0 1000 2000 3000 4000 5000 20 30 40 50 60 2 theta In te n s it a s 0 kGy 5 kGy 10 kGy 20 kGy 30 kGy Gambar 3 . Puncak difraksi komposit(CuI) 0,3 (Na 3 PO 4 ) 0,7
2θ Puncak 23,67
Na 3 PO 4 25,45 CuI 30,91 Na 3 PO 4 33,51 CuI 42,31 CuI 49,93 CuI
Tabel 1 . Analisis puncak-puncak difraksi komposit (CuI) 0,1 (Na 3 PO 4 ) 0,9
2θ
Puncak 25,45 CuI
29.51 Na 3 PO 4 30,91 Na 3 PO 4 33,51 CuI 42,31 CuI 49,93 CuI 57,61
Na 3 PO 4 Tabel 2 . Analisis puncak-puncak difraksi komposit (CuI) 0,3 (Na 3 PO 4 ) 0,7
0.00 0.01 0.02 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30
Sin  /  b( c o s q/ l ) Gambar 4 . Kurva   (cos  /  ) terhadap sin(  /  ) untuk menentukan regangan kisi kristal.
Bahan Dosis(kGy) 
(CuI) 0,1 (Na 3 PO 4 ) 0,9 5 0,0247 10 0,0251 20 0,0376 30 0,0344 (CuI) 0,3 (Na 3 PO 4 ) 0,7 5 0,0243 10 0,0546 20 0,0720 30 0,0643
Tabel 3 . Hasil perhitungan regangan kisi (CuI) 0,1 (Na 3 PO 4 ) 0,9 dan (CuI) 0,3 (Na 3 PO 4 ) 0,7
Pengaruh Iradiasi Sinar  pada Bahan Konduktor Ionik Padat (CuI) x (Na 3 PO 4 ) 1-x (x=0,1 dan x=0,3) (P. Purwanto)
Pada Tabel 4 dan Tabel 5 ditunjukkan konduktivitas konduktor ionik padat (CuI) 0,1 (Na 3 PO 4 ) 0,9 dan (CuI) 0,3 (Na 3 PO 4 ) 0,7 yang mempunyai nilai konduktivitas  naik  terhadap  laju  dosis  iradiasi-γ  baik pada daerah frekuensi pertama maupun kedua.

## Dosis Radiasi Terhadap Konduktivitas
Hubungan kurva antara laju dosis dan konduktivitas, ditunjukkan pada Gambar 7 dan Gambar 8. Pada Gambar 7, terlihat bahwa konduktivitas stabil pada dosis 0 kGy sampai dengan 30 kGy pada daerah frekuensi kedua, sedangkan pada dosis 0 kGy hingga 30 kGy konduktivitas naik pada daerah frekuensi pertama.
Gambar 7, adalah kurva hubungan konduktivitas konduktor ionik padat (CuI) 0,1 (Na 3 PO 4 ) 0,9 terhadap  dosis    iradiasi-γ.  Pada  Gambar  7 konduktivitas  naik  terhadap  pengarauh    iradiasi-γ pada daerah frekuensi pertama (0,1 Hz sampai 100 Hz), sedangkan pada daerah frekuensi kedua
(200 Hz sampai 100 kHz) konduktivitasnya tetap. Gambar 8, adalah hubungan kurva konduktivitas konduktor ionik padat (CuI) 0,3 (Na 3 PO 4 ) 0,7 terhadap    dosis  iradiasi-γ.  Dari  kurva  tersebut terlihat konduktivitasnya naik terhadap laju dosis  iradiasi  sinar-γ    baik  pada  daerah  frekuensi pertama maupun kedua. Dari kedua konduktor ionik padat (CuI) x (Na 3 PO 4 ) 1-x yang memiliki konduktivitas yang baik yaitu konduktor ionik padat (CuI) 0,3 (Na 3 PO 4 ) 0,7.

## Regangan Kisi Terhadap Konduktivitas
Hubungan kurva antara regangan kisi dan konduktivitas bahan konduktor ionik (CuI) 0,1 (Na 3 PO 4 ) 0,9 dan (CuI) 0,3 (Na 3 PO 4 ) 0,7 , ditunjukkan pada Gambar 9 dan Gambar 10. Pada Gambar 9, terlihat bahwa regangan stabil terhadap pengaruh irradiasi yang diikuti kenaikkan konduktivitas pada daerah frekuensi pertama dan kedua. Sedangkan pada Gambar 10, terlihat regangan kisi ada perubahan yang diikuti kenaikan konduktivitas pada daerah frekunsi pertama dan kedua.
Gambar 9 dan Gambar 10 , adalah kurva hubungan regangan kisi terhadap konduktivitas konduktor ionik padat (CuI) 0,1 (Na 3 PO 4 ) 0,9 dan (CuI) 0,3 (Na 3 PO 4 ) 0,7 . Pada
Tabel 4 . Konduktivitas (CuI) 0,1 (Na 3 PO 4 ) 0,9 Dosis (kGy)  01 (S/cm)  02 (S/cm) 0 1,008  10 -7 5,743  10 -10 5 6,214  10 -8 3,261  10 -9 10 6,831  10 -8 4,349  10 -9 20 8,558  10 -8 8,734  10 -9 30 1,153  10 -7 1,559  10 -8
Tabel 5 . Konduktivitas (CuI) 0,3 (Na 3 PO 4 ) 0,7 Dosis (kGy)  01 (S/cm)  02 (S/cm) 0 1,008  10 -7 1,377  10 -8 5 1,043  10 -6 9,477  10 -7 10 1,035  10 -5 7,700  10 -6 20 2,378  10 -5 1,887  10 -5 30 5,622  10 -5 6,297  10 -5
Keterangan :      adalah konduktivitas pada daerah frekuensi pertama (0,1 Hz sampai 100 Hz) dan kedua (200 Hz samapi 100 kHz)
-5 0 5 10 15 20 -5 5 15 25 35 Dosis ( kGy ) K o n d u k ti v it a s (1 0 -8 S /c m ) f1 f2 Gambar 7 . Hubungan antara dosis radiasi terhadap konduktivitas bahan konduktor padat (CuI)0,1(Na 3 PO 4 ) 0,9
Gambar 8 . Hubungan antara dosis radiasi terhadap konduktivitas bahan konduktor padat (CuI) 0,3 (Na 3 PO 4 ) 0,7 -10 10 30 50 70 90 -5 5 15 25 35 Dosis ( kGy ) K o n d u k ti v it a s (1 0 -6 S /c m ) f1 f2 -7.8 -7.4 -7.0 -6.6 -6.2 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 Log f (Hz) L o g s (S /c m ) 0 kGy 5 kGy 10 kGy 20 Kgy 30 kGy Gambar 5 . Konduktivitas (CuI) 0,1 (Na 3 PO 4 ) 0,9
Gambar 6 . Konduktivitas (CuI) 0,3 (Na 3 PO 4 ) 0,7 -7.5 -6.5 -5.5 -4.5 -3.5 -2.5 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 Log f (Hz) L o g (S /c m ) 0 kGy 5 kGy 10 kGy 20 Kgy 30 kGy
Gambar 9 dan Gambar 10 konduktivitas konduktor ionik padat naik dengan naiknya regangan kisi.

## KESIMPULAN
Konduktor ionik padat (CuI) 0,1 (Na 3 PO 4 ) 0,9 dan (CuI) 0,3 (Na 3 PO 4 ) 0,7 telah dapat dibuat. Puncak-puncak difraksi sinar-x pada konduktor ionik padat adalah puncak CuI dan Na 3 PO 4 . Regangan kisi (CuI) 0,1 (Na 3 PO 4 ) 0,9 dan (CuI) 0,3 (Na 3 PO 4 ) 0,7 stabil terhadap laju dosis radiasi sinar-γ.  Konduktivitas  konduktor    ionik  padat (CuI) 0,1 (Na 3 PO 4 ) 0,9 tidak dipengaruhi frekuensi, sedangkan pada frekuensi diatas 200 Hz konduktivitasnya naik. Sedangkan konduktivitas konduktor ionik padat (CuI) 0,3 (Na 3 PO 4 ) 0,7 datar terhadap frekuensi. Konduktivitas konduktor ionik padat (CuI) 0,1 (Na 3 PO 4 ) 0,9 dan (CuI) 0,3 (Na 3 PO 4 ) 0,7 setelah radiasi sinar-γ pada dosis 5k Gy hingga 30 kGy naik terhadap laju dosis radiasi.

## UCAPAN TERIMAKASIH
Peneliti mengucapkan terimakasih kepada staf PTBIN atas kerja sama dan selesainya penelitian yang telah kami lakukan. Peneliti mengucapkan terima kasih kepada Y. Sarwanto dan staf P3TIR yang telah membantu dalam pemakaian alat difraksi  sinar-X  dan  Penggunaan  iradiasi-γ.    Serta Kepala BKAN Dr. S. Purwanto yang telah memberikan saran dan komentar.

## DAFTAR ACUAN
[1]. T. MINAMI, J. Non Cryst Solid, 95 & 96 , (1987) 107
[2]. M.Z.A MUNSHI, Handbook of Solid State Battries and Capacitor , Word Scientific,
Singapura, (1995) 111-129
[3]. S. CHANDRA , Superionic Solid Principle and Application , North-Holland Publishing Co, Amsterdam, (1981) 17-28
[4]. N. EFFENDI, A.K. JAHYA dan S. PURNAMA, Jurnal Sains Materi Indonesia, 1 (2000) 26-31
[5]. E. KARTINI, S. YUSUF, T. PRIYANTO, N. INDYANINGSIH dan M.F. COLLINS, Majalah BATAN. XXXIV (2001) 1-14
[6]. M.F. COLLINS and E. KARTINI, Solid State Ionics,
1 (2003)157-174
[7]. E. KARTINI and M.F. COLLINS, Physica-B , 213 (2000) 276-278
[8]. T. SAITO, M. TATSUMISAGO , N. T. ORATA and T. MINAMI, Solid State Ionics , 79 (1995) 279-283 . [9]. J. KAWAMURA, S. HIYAMA, Solid State Ionics , 56 (1992) 1227-1231
[10]. T. SAITO, M. TATSUMISAGO and T. MINAMI, Solid State Ionics , 61 (1993) 285-291
[11]. K. WAKAMURA, J. KATOGI and H. TAKAHASHI, Physc B: Condensed Matter . 263-264 , (1999) 799-802
[12]. A. THAZIM, Y. FUJISHIMA, M. ARAI and H. TAKAHASHI , Solid State Ionics , 175 (2004) 675-677
[13]. M. ANIYA and F. SHIMOJO, Solid State Ionics , 176 (2005) 2481-2486
[14]. M. ANIYA and K. WAKAMURA, Physc B: Condensed Matter . 219-220 (1996) 463-465
[15]. P. PURWANTO dan SAFEI PURNAMA, J Metris , 7 (2006) 104-109
[16]. H.P. KLUG and L.E. ALEXANDER, X-Ray Diffraction Procedures , John Wiley, New York,(1954) 755-786
[17]. A.K. JONSCHER, Nature , 261 (1977) 673- 676
[18]. W.K. LEE, J.F LIU and A.S. NOWICK, Physc Rev Lett., 67 (1991) 1559-1561 Gambar 10 . Hubungan antara regangan kisi terhadap konduktivitas bahan konduktor padat (CuI) 0,3 (Na 3 PO 4 ) 0,7 -1 1 3 5 7 9 0.000 0.025 0.050 0.075 0.100 Regangan K o n d u k ti v it a s (1 0 -5 S /c m ) CuI-03 4 6 8 10 12 14 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04 Regangan K o n d u k ti v it a s (1 0 -8 S /c m ) CuI-01 Gambar 9 . Hubungan antara regangan kisi terhadap konduktivitas bahan konduktor padat (CuI) 0,1 (Na 3 PO 4 ) 0,9