Efek Doping Bi 2 O 3 pada Karakteristik Elektrik Bahan Feroelektrik Ba 0.95 Sr 0.05 TiO 3 (A. Puji Hariati Winingsih )
Akreditasi LIPI No.: 395/D/2012 Tanggal 24 April 2012 ISSN: 1411-1098 Homepage: http://jusami.batan.go.id

## Jurnal Sains Materi Indonesia

## EFEK DOPING Bi 2 O 3 PADA KARAKTERISTIK ELEKTRIK BAHAN FEROELEKTRIK Ba
0,95 Sr 0,05 TiO 3
Puji Hariati Winingsih 1 dan Suasmoro 2
1 Program Studi Pendidikan Fisika-FMIPA Universitas Sarjanawiyata Tamansiswa (UST), Yogyakarta
2 Jurusan Fisika-FMIPA, Institut Teknologi Sepuluh November
Kampus Sukolilo Surabaya e-mail: jfisika_ust@yahoo.co.id Diterima: 15 Januari 2014 Diperbaiki: 30 April 2014 Disetujui: 12 Mei 2014

## ABSTRAK
EFEK DOPING Bi 2 O 3 PADA KARAKTERISTIK ELEKTRIK BAHAN FEROELEKTRIK Ba 0.95 Sr 0.05 TiO 3 . Artikel ini membahas perilaku karakteristik elektrik bahan Ba 0,95 Sr 0,05 TiO 3 dengan doping Bi 2 O 3 pada rentang suhu suhu 300 °C hingga 650 °C dan atmosfer campuran N 2 dan O 2 dengan kadar oksigen 20 %, 40 %, 60 %, 80 %, 100 %. Sampel berupa pelet Ba 0,95 Sr 0,05 TiO 3 dengan doping Bi 2 O 3 (0 %mol, 0,5 %mol dan 1,2 %mol). Kajian difusi oksigen menunjukkan saturasi dicapai setelah 30 menit, terutama pada suhu di atas 400 °C. Cole-Cole plot menunjukkan adanya respon granular dan intergranular yang dipengaruhi oleh suhu. Diketahui bahwa Ba 0,95 Sr 0,05 TiO 3 merupakan semikonduktor tipe p. Doping menyebabkan kenaikan konduktivitas dan mengubah semikonduktor tipe p menjadi tipe n sampai doping 0,5 % karena konsentrasi elektron bebas lebih besar dari pada hole . Doping yang berlebih (>1 % mol) menyebabkan konduktivitas tidak bergantung pada pO 2 karena adanya vakansi oksigen yang menetralisir elektron bebas. Pada suhu ≤ 500 °C impedansi kompleks didominasi oleh grain boundary. Pada suhu > 500 °C grain boundary sudah tidak dominan lagi. Besarnya energi aktivasi kurang sensitif terhadap tekanan oksigen, tetapi dipengaruhi oleh adanya doping dalam bahan.
Kata kunci : Dielektrik, Impedansi, Konduktivitas, Tekanan Oksigen

## ABSTRACT
ELECTRICAL CHARACTERISTICS OFA FERROELECTRIC MATERIALS OF Ba 0.95 Sr 0.05 TiO 3 DOPED WITH Bi 2 O 3 . This article discuss the behaviour of electrical characteristic of a ferroelectric materials of Ba 0.95 Sr 0.05 TiO 3 doped with Bi 2 O 3 under controlled atmosphere of the mixture of N 2 and O 2 with oxygen content of 20 %, 40 %, 60 %, 80 % and 100 % at temperature range of 300 - 650 °C. Samples in the form of pellets Bi 3+ doped Ba 0.95 Sr 0.05 TiO 3 with doping percentage (0,5; 1 and 2 mole %). The study showed that oxygen diffusion saturation was achieved after 30 minutes, especially at temperatures above 400 °C. Cole-Cole plot shows the response of granular and intergranular which affected by temperature. Ba 0.95 Sr 0.05 TiO 3 is p type semiconductor. The dopant makes conductivity increase and changes p type semiconductor to n type for 0.5 % doping. For samples doped > 1 mol % the conductivity less sensitive to the pO 2 due to the presence of oxygen vacancies that neutralize space charge. At temperatures ≤ 500 °C grain boundary is longer dominant impedance complex. At temperatures > 500 °C grain boundary is no longer dominant. Further analysis shows that activation energy less sensitive to the oxygen atmosphere and largely influenced by the presence of doping.
Keywords : Dielectric, Impedance, Conductivity, Oxygen Pressure
Jurnal Sains Materi Indonesia Vol. 15, No. 4, Juli 2014, hal. 177-182

## PENDAHULUAN
BaTiO 3 merupakan bahan feroelektrik yang mempunyai resistansi dan permitivitas yang tinggi. BaTiO 3 dapat menjadi oksida semikonduktor pada suhu tinggi yang dipengaruhi oleh tekanan oksigen dari luar. Pada rentang suhu 600 °C hingga 1200 °C, pada kurva konduktivitas sebagai fungsi tekanan oksigen untuk bahan BaTiO 3 , terdapat tiga daerah yang memiliki kemiringan berbeda yaitu
6 1  , 4 1  dan 4 1  yang menunjukkan adanya defect struktur yang berbeda pada bahan. Hasil serupa diperoleh peneliti sebelumnya untuk bahan Ba 0,03 Sr 0,97 TiO 3 dimana perubahan kemiringan kurva yang dieksplorasi di atas bergantung pada suhu [1].
Pada tekanan oksigen rendah (pO 2 <10 -10 Pa), oksigen dalam bahan dapat lepas meninggalkan vakansi oksigen dan untuk menjaga keseimbangan elektronik, timbul elektron bebas [2]. Hal ini dapat dilihat melalui persamaan kesetimbangan reduksi sesuai Persamaan (1):
  O O ½ 2 O (g) +   O V + 2 e ′ ................... (1)
Pada tekanan oksigen sedang (10 -10 <pO 2 <10 0 Pa), vakansi oksigen ditentukan oleh faktor eksternal (pengotor), tidak dipengaruhi oleh tekanan oksigen dan menyebabkan kemiringan kurva menjadi 4 1  . Dalam kondisi tekanan oksigen tinggi (10 -5 -10 5 Pa) kurva mempunyai kemiringan ¼ terkait dengan oksigen masuk ke dalam bahan melalui pengisian vakansi oksigen sebagaimana ditunjukkan pada persamaan reaksi defect sesuai Persamaan (2):
½ 2 O (g) +   O V   O O + 2h  ..................... (2)
Respon dielektrik dari bahan di dalam medan listrik sesuai Persamaan (3):
" ' jk k k    .............................................. (3)
Dimana :
k  = Permitivitas kompleks,
k’ = Permitivitas imajiner
k” = Permitivitas riil
Faktor disipasi dapat ditentukan sesuai dengan Persamaan (4):
tan
' / " k k   ............................................ (4)
Relaksasi dipol dalam medan listrik AC dapat teramati dari persamaan ) (  f k   maupun tan ) (   f  . Bila sumber listrik AC dikenakan pada poli kristalin, respon elektrik sampel dapat dipandang sebagai rangkaian seri paralel dari R g , C g dan R gb , C gb (Gambar 1). Pada umumnya R gb lebih besar dari R g , karena di dalam
R gb terdapat ‘ mismatch ’ kristalin. Respon tersebut sesuai dengan Persamaan (5).
           
                    2 2 2 2 2 2 1 1 1 1 * C R C R j C R R CR C R j CR R Z gb gb gb gb g g g g     ...... (5)
Dimana : R g = Resistansi grain C g = Kapasitansi grain R gb = Resistansi grain boundary C gb = Kapasitansi grain boundary
ω = Frekuensi  sudut
Analisis impedansi kompleks banyak digunakan dalam mengeksplorasi sifat La- doped BaTiO 3 , dan Fe- doped SrTiO 3 [2-6]. Dalam hal ini rangkaian seri paralalel RC grain dan grain boundary bersesuaian antara model dua loop dengan respons percobaan.
Dengan membuat kurva ReZ ( real ) terhadap Im-Z ( imaginer ) ( Cole-Cole plot ) akan diperoleh kurva setengah lingkaran. Setiap setengah lingkaran merupakan respon dari satu rangkaian paralel RC. Oleh karena itu dalam model yang diberikan akan berkaitan dengan jumlah kurva setengah lingkaran yang muncul dari pengukuran dan konduktivitas dapat dideduksi dari kurva ini. Ketergantungan konduktivitas terhadap suhu dari setiap sampel menuruti hubungan Archenius seperti Persamaan (6).
        
kT E exp 0  
............................... (6)
Kajian penempatan bismut dalam BaTiO 3 menggunakan analisis X-Ray Diffractometer ( XRD ), menunjukkan bahwa atom Bi 3+ akan mensubstitusi atom Ba 2+ sehingga memaksa pembentukan vakansi Ti untuk menjadikan komposisi (Ba 1-x Bi x )Ti 1-x/4 (  Ti ) x/4 O 3 (x<0.015) [5].
Dalam penelitian ini akan dipelajari bagaimana Bi 3+ mempengaruhi karakteristik listrik bahan yang meliputi permitivitas, impedansi, konduktivitas dan defect yang terbentuk.
Gambar 1 . Kombinasi rangkaian RC grain dan grain boundary [2]
Efek Doping Bi 2 O 3 pada Karakteristik Elektrik Bahan Feroelektrik Ba 0.95 Sr 0.05 TiO 3 (A. Puji Hariati Winingsih )

## METODE PERCOBAAN

## Bahan dan Alat
Dalam penelitian ini digunakan sampel berupa pellet Ba 0.95 Sr 0.05 TiO 3 dengan doping Bi 2 O 3 . Pen doping an dilakukan dengan menambahkan hingga 2 %mol Bi 2 O 3 ke Ba 0.95 Sr 0.05 TiO 3 dengan menggunakan planetary mill yang merupakan proses pencampuran dan pemecahan partikel. Proses milling ini menggunakan media etenol dan stabilized zirconia yang diputar dengan kecepatan 250 rpm selama 1 jam. Selanjutnya bubuk dicetak membentuk green pellet berdiameter 13 mm dan ditekan 100 Mpa. Green pellet kemudian disinter pada suhu 1300 °C selama 2 jam.

## Cara Kerja
Karakteristik listrik yang diukur meliputi dielektrik/ losses , dengan memasukkan sampel dalam tabung gelas kemudian dipanaskan dalam tungku pada suhu 300 °C hingga 650 o C dan atmosfer campuran N 2 dan O 2 dengan kadar oksigen 20 %, 40 %, 60 %, 80 %, 100 %. Kemudian dilakukan pengukuran impedansi dan konduktivitas dengan LCR meter FLUKE PM 6306 pada frekuensi 50 Hz hingga 1 MHz.

## HASIL DAN PEMBAHASAN
Plot Cole-Cole Permitivitas
Pada suhu tinggi (T > T c ) yaitu T= 300 °C hingga 650 °C dan T c ∞ , sampel berstruktur kubik sehingga dalam hal ini tidak ada dipol permanen kisi. Gambar 2 (a), menunjukkan adanya fenomena relaksasi yaitu pada frekuensi 1,2 kHz. Ini menandakan adanya dipol granular dari defect. Gambar 2 (b) teramati disipasi yang bertambah besar dan terjadi pergeseran frekuensi relaksasi ~ 10 kHz. Gambar 2 (c) dan 2 (d) yang teramati dominan adalah losses. Terhadap tekanan oksigen teramati bahwa disipasi tidak sensitif, kecuali pada doping 0,5 % pada frekuensi rendah. Hal ini menandakan adanya perubahan yang signifikan dengan adanya doping Bi 3+ . Plot dan ( Cole-Cole plot ), menunjukkan adanya relaksasi losses dan jari-jari semisirkel (setengah lingkaran) 3 kilo yang disebabkan oleh dipol defect (Gambar 3(a)). Penambahan tekanan oksigen pada suhu tinggi menyebabkan sampel semakin konduktif [6]. Dengan reaksi defect adalah:
    O Ba V V null 2 '' '' .................................... (7)
Bila dibandingkan dengan penelitian sebelumnya terdapat kesesuaian yaitu pada jumlah ion (Ba+Sr)/ Ti ~ 1,01. Sehingga kemungkinan terdapat vakansi Ti karena jumlah ion Ti lebih sedikit, sehingga terbentuk (Ba,Sr)Ti1-xO 3 [7] Kemungkinan pasangan vakansi Ti adalah vakansi oksigen karena dengan
penambahan tekanan oksigen pada suhu tinggi menyebabkan sampel semakin konduktif [8].
Pada Gambar 3(b) teramati losses yang semakin besar dan jari-jari semisirkel (setengah lingkaran) yang disebabkan oleh elektronik karena ion Bi 3+ mulai menempati Ba 2+ . Adapun reaksinya seperti pada Persamaan (8):
) ( 2 '
2 2 2 ) ( 3 2 3
g O O e Bi O Bi x O Ba TiO BaSr
         .... (8)
Gambar 2 . Pengaruh disipasi terhadap frekuensi Ba 0.95 Sr 0.05 TiO 3 pada T=300 °C dan pO 2 40 % (a). Tanpa doping , (b). 0,5 % Bi 2 O 3 , (c). 1 % Bi 2 O 3 dan (d). 2 % Bi 2 O 3 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 100 1000 10000 100000 1000000 fre k ue ns i (Hz) D is ip a s i O=0% O=20% O=40% O=60% O=80% O=100% (a) . (a) 0 0.5 1 1.5 2 100 1000 10000 100000 1000000 fre kuensi (Hz) D is ip a s i O=0% O=20% O=40% O=60% O=80% O=100% (b) 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 10 100 1000 10000 100000 100000 0 Frekuensi (Hz) D is ip a s i O=0% O=20% O=40% O=60% O=80% O=100% (c) 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 10 100 1000 10000 100000 1000000 Frekuensi (Hz) D is ip a s i O=0% O=20% O=40% O=60% O=80% O=100% (d)
Gambar 3(c) teramati adanya kombinasi dipol defect dan long range dipole yang ditunjukkan oleh adanya jari-jari semisirkel (setengah lingkaran). Teramatinya jari-jari semisirkel (setengah lingkaran) tersebut menandakan adanya relaksasi dari dipol granular (dipol yang terjadi di dalam grain ). Pengaruh medan listrik mengakibatkan muatan akan terperangkap dipermukaan grain (R g kecil) dan tidak dapat menembus grain boundary (R gb besar). Pada Gambar 3 (d) tidak teramati adanya jari-jari semisirkel (setengah lingkaran)
hal ini disebabkan adanya penempatan Bi pada Ba dan juga grain boundary sudah mulai rusak sehingga yang terlihat losses.

## Plot Cole-Cole Impedansi
Bentuk kristalin dari keramik dapat dipandang sebagai rangkaian RC paralel bila diberi medan listrik [9]. Hubungan impedansi riil dan imajiner diberikan oleh Persamaan 4. Plot Cole-Cole pada sampel tanpa doping ,
0 1000 2000 3000 4000 5000 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 k' k " O=20% (a) 0 20000 40000 60000 80000 100000 120000 0 30000 60000 90000 120000 k' k " O=20% (b) 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000 8000 0 2000 4000 6000 8000 10000 k' k " O=20% (c) 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0 500 1000 1500 2000 k' k " O=20 (d)
Gambar 3 . Cole-Cole plot pada suhu 400 °C dan pO 2 20 % (a). Tanpa doping , (b). 0,5 % Bi 2 O 3 , (c). 1 % Bi 2 O 3 , (d). 2 % Bi 2 O 3
Gambar 4 . Cole-Cole plot impedansi kompleks dengan doping 1 % pada pO 2 20 % dan variasi suhu
T = 300
T = 400 T = 600 T = 600
Efek Doping Bi 2 O 3 pada Karakteristik Elektrik Bahan Feroelektrik Ba 0.95 Sr 0.05 TiO 3 (A. Puji Hariati Winingsih )
dan doping 0,5 %mol hingga 2%mol dengan konsentrasi oksigen 20 % ditunjukkan oleh Gambar 4.
Karakteristik umum sampel tanpa doping pada variasi suhu, tekanan oksigen dan jumlah doping adalah bahwa resistansi total sampel menurun dengan
naiknya suhu untuk atmosfer yang sama. Semakin kecil kandungan oksigen, sampel semakin konduktif dan semakin besar kandungan oksigen, sampel semakin resistif. Tetapi untuk sampel tanpa doping menunjukkan kebalikannya.
Pada suhu rendah terdapat dua semisirkel (setengah lingkaran) yang bersifat lebih resistif dibandingkan pada suhu tinggi (konduktif). Terhadap kandungan doping , sampel memberikan respon yang berbeda, yaitu pada doping 0,5 %mol bahan semakin konduktif sedangkan pada kandungan doping 1 %mol dan 2 %mol bahan semakin resistif.
Pada suhu tinggi (T > T c ), kurva impedansi riil dan imajiner menunjukkan dua semisirkel (setengah lingkaran) besar yang merepresentasikan R g dan R gb seperti ditunjukkan pada Gambar 4. Teramati pada suhu ≤ 500 °C impedansi kompleks didominasi oleh grain boundary . Perlu dicatat bahwa untuk suhu ≤ 500 °C memberikan respon yang kurang konsisten karena peran grain boundary masih dominan bila atmosfer bervariasi. Pada suhu > 500 °C grain boundary sudah tidak dominan.
Analisis selanjutnya adalah menghitung konduktivitas dari Persamaan (9):
gb g R R   1  .............................................. (9)
Selanjutnya dibuat grafik ln terhadap ln pO 2 dan ln terhadap 1/T, dimana hasil perhitungan ditunjukkan oleh Gambar 4 dan Gambar 5.
Gambar 5 menunjukkan bahwa untuk sampel tanpa doping pada pO 2 ~ 10° Pa hingga 10 5 Pa tangen arah grafik merupakan semikonduktor tipe p. Jika dibandingkan dengan penelitian sebelumnya menunjukkan perubahan arah tangen terjadi pada pO 2 >10 -5 Pa, maka pada percobaan ini sudah sesuai dengan penelitian sebelumnya yaitu tipe p teramati pada pO 2 >10 -5 Pa [2]. Pada sampel dengan doping Bi 3+ terlihat tangen arah log terhadap variasi log pO 2 berubah menjadi negatif pada 10° Pa hingga10 5 Pa. Ini menunjukkan bahwa bahan merupakan semikonduktor tipe n. Hal ini dapat diterangkan oleh adanya peranan elektron bebas yang dominan.
Bila kadar Bi 3+ diperbesar (1 %mol dan 2 %mol ) terlihat kurva hampir horizontal dimana terjadi adanya perubahan karakterisasi dari tipe-n menjadi tidak bergantung pada pO 2 . Dalam keadaan ini timbul sejumlah hole dengan adanya vakansi Ba yang menetralisir elektron bebas hingga reaksi defect nya sesuai dengan Persamaan (10). Pada pen doping an rendah 0,5 mol % reaksi defect pada saat diberi tekanan oksigen rendah seperti Persamaan (10):
) ( 4 2
2 2 1 '
3 2 3
g O O V e B O B x o o Ba i BaSrTiO i             ... (10)
Gambar 5 . Konduktivitas listrik bahan Ba 0.95 Sr 0.05 TiO 3 sebagai fungsi pO 2 pada variasi suhu, (a). tanpa doping , (b). 0.5 % Bi 2 O 3 , (c). 1 % Bi 2 O 3 dan (d). 2 % Bi 2 O 3 (c) (d) (b) (a) (BaSr)TiO 3
Reaksi defect pada saat diberi tekanan oksigen tinggi ditunjukkan oleh Persamaan (11):
) ( 3 2 2 2 ' 2 3 2 3 g O O e B O O B x o Ba i BaSrTiO i           (11)
Pada pen doping an tinggi (1 %mol dan 2 %mol ) (Gambar 5) diketahui kurva horizontal pada pO 2 10 0 Pa hingga 10 5 Pa tidak ada vakansi oksigen sehingga reaksi defect nya seperti Persamaan (12):
) ( 3 2 2 " 2 3 2 3 g O O V B O O B x o Ba Ba i BaSrTiO i           (12)
Dari persamaan Arhenius [4,10] bila diplot ln terhadap 1/T (Gambar 6) maka diperoleh energi aktivasi pada sampel tanpa dan dengan doping tidak berpengaruh terhadap pO 2 (Tabel 1).

## KESIMPULAN
Analisis Cole-cole plot menunjukkan bahwa terjadi penurunan relaksasi losses pada penambahan doping Bi karena jumlah elektron bebas yang menurun. Resistansi total menurun dengan naiknya suhu untuk atmosfer yang sama. Pengaruh pO 2 pada suhu tinggi menunjukkan bahan merupakan semikonduktor tipe p dalam rentang atmosfer yang dicobakan. Pemberian
bahan doping merubah jenis bahan semikonduktor dari tipe p menjadi tipe n akibat adanya elektron bebas sampai dengan doping 0,5 %. Defek meyebabkan timbulnya elektron bebas yang konsentrasinya lebih besar daripada hole, sehingga bahan menjadi tipe n. Doping yang berlebih menyebabkan konduktivitas tidak bergantung pada oksigen karena doping tinggi (> 1 %) menyebabkan vakansi Ba yang menetralisir elektron bebas. Energi aktivasi pada sampel tanpa dan dengan doping tidak begitu sensitif terhadap perubahan pO 2 .

## UCAPAN TERIMAKASIH
Penelitian ini dibiayai oleh RUT XI, oleh karena itu penulis mengucapkan banyak terimakasih kepada Kementrian Riset dan Teknologi atas kepercayaannya.

## DAFTAR ACUAN
[1]. K. Uchino, Ferroelectric Devices . Taylor & Francis, 2000.
[2]. A. J. Moulson and J. M. Herbert, Electroceramics: Materials, Properties, Applications . Wiley, 2003.
[3]. G. M. Choi and H. L. Tuller, “Defect Structure and Electrical Properties of Single-Crystal
Ba 0.03 Sr 0.97 TiO 3 ,” J. Am. Ceram. Soc. , vol. 71, no. 4, pp. 201–205, 1988.
[4]. F. D. Morrison, D. C. Sinclair, and A. R. West, “Characterization of Lanthanum Doped Barium
Titanate Ceramics Using Impedance Spectroscopy,” J. Am. Ceram. Soc. , vol. 84, no. 3, pp. 531–538, 2001.
[5]. A. R. West, T. B. Adams, F. D. Morrison, and D. C. Sinclair, “Novel high capacitance materials: La-BaTiO 3 and CaCu 3 Ti 4 O 12 ,” J. Eur. Ceram. Soc. , vol. 24, no. 6, pp. 1439–1448, 2004.
[6]. J. Qi, W. Chen, Y. Wu, and L. Li, “Improvement of the PTCR Effect in Ba 1-x Sr x TiO 3 Semiconducting Ceramics by Doping of Bi 2 O 3 Vapor during Sintering,” J. Am. Ceram. Soc. , vol. 81, no. 2, pp. 437–438, Feb. 1998.
[7]. Suasmoro, “Karakteristik Permitivitas dan Resistivitas Terhadap Perubahan Temperatur Ferroelektrik Ba 1-x Sr x TiO 3 ,” Kappa , vol. 2, no. 1, pp. 21–30, 2001.
[8]. E. Hastuti, “Analisis Sifat Listrik dan Jenis Cacat Kristal Pada Bahan Dielektrik Ba 0,95 Sr 0.05 TiO 3 dengan Doping Y 2 O 3 ,” J. Neutrino , vol. 3, no. 2, pp. 189 – 198, 2011.
[9]. M. W. Barsoum, Fundamentals of Ceramics . Taylor
& Francis, 2002.
[10]. E. Hastuti and Suasmoro, “Pengaruh Pendopingan Y 2 O 3 Terhadap Strukturdan Relaksasi Dipole Ba 0,95 Sr 0,05 TiO 3 ,” Jurnal Sains Materi Indonesia , vol. 7, no. 2, pp. 10 – 14, 2006.
Gambar 6 . Konduktivitas listrik terhadap suhu dengan pO 2 20 % (a). Tanpa doping , (b). 0,5 % Bi 2 O 3 , (c). 1 % Bi 2 O 3 , (d). 2 % Bi 2 O 3 (a) (b) (c) (d) (BaSr)TiO 3 (BaSr)TiO 3 Bi 3+ E a =f(pO 2 (%)),eV 0 20
40 60 80 100 0 % 1,02(5) 1,29(5) 1,22(5) 1,26(5) 1,26(5) 1,26(5) 0,5 % 0,53(5) 0,49(5) 0,42(5) 0,83(5) 0,87(5) 0,89(5) 1 % 0,68(5) 0,67(5) 0,67(5) 0,68(5) 0,68(5) 0,68(5) 2 % 1,05(5) 1,07(5) 1,09(5) 1,06(5) 0,97(5) 1,14(5) Tabel 1 . Energi aktivasi BaSrTiO 3 yang didoping Bi 2 O 3