JTEV (Jurnal Teknik Elektro dan Vokasional) h t t p : / / e j o u rn a l .u n p . a c. i d / i n d e x . ph p / j t e v Vol. 7 No. 2 (2021) E-ISSN: 2302-3309 P-ISSN: 2746-6086

## Perancangan Low Noise Amplifier (LNA) Dua Tingkat dengan Lumped Element untuk Satelit Nano
Atik Charisma 1 , Devin Dwi Nugraha 1 , Ade Sena Permana 1
1 Teknik Elektro, Fakultas Teknik, Universitas Jenderal Achmad Yani 1 *Corresponding author, e-mail: atik.charisma@lecture.unjani.ac.id

## Abstrak
Satelit nano merupakan satelit yang berukuran kecil yaitu sekitar 10x10x10 cm dengan berat kurang dari 10 kg. Satelit nano menggunakan frekuensi S-band sebagai frekuensi kerjanya yakni 2,4 GHz. Satelit ini mampu mengorbit pada orbit LEO.  Pada  jarak  orbit  LEO  yang  sangat  jauh  ditambah  dengan  gangguan  lain  menyebabkan  daya  sinyal  pengiriman menjadi  sangat  lemah,  maka  dibutuhkan  penguat pada  stasiun  bumi  agar  level  daya  menjadi  stabil  seperti  daya  yang dikirimkan  dari  nano  satelit.  Penelitian  ini  merancang  sebuah Low  Noise  Amplfier (LNA)  pada  frekuensi  2,4  GHz dengan  penguatan  30  dB  dan  noise  figure  ≤  2  dB.  Penguat  ini  dirancang  dengan  dua  tingkat  menggunakan  lumped elemen  dengan    komponen  aktif  penyusunnya  adalah  jenis  transistor  e-pHEMT  yaitu  ATF  34143,  secara  simulasi menggunakan  software  ADS.  Pada  penelitian  ini  menghasikan  perancangan  penguatan  maksimum  sekitar  30,82  dB; S 11 =-27,27 dB; S 22 =-33,9 dB; VSWR 1 =1,091; VSWR 2 =1,04; NF=0,481; K=3,387.
Keyword: satelit nano, lumped element , LNA

## Abstract
Nano  satellites  are  small  satellites  which  are  around  10x10x10  cm  and  weigh  less  than  10  kg.  Nano  satellites  use  S- band frequencies as their working frequency with a 2.4 GHz S-Band working frequency. This satellite is able to orbit in LEO orbit. At  a very large LEO orbit distance coupled  with other  noise  causing  the sending  signal power  to  become very weak, amplifiers at the earth station are needed so that the power level is as stable as the power transmitted from nano satellites. In this research designs a Low Noise Amplifier (LNA) at 2.4 GHz with a gain of 30 dB and noise figure noise ≤  2 dB. This amplifier is designed with double stage amplifier using the lumped element with active component of the  constituent  is  the  type  of  e-pHEMT  transistor  that  is  ATF  34143,  with  simulations  using  ADS  software.  In  this research the maximum gain is around 30.82 dB; S 11 = -27.27 dB; S 22 = -33.9 dB; VSWR 1 = 1.091; VSWR 2 = 1.04; NF = 0.481; K = 3.387.
Keywords: nano satellite, lumped element, LNA

## PENDAHULUAN
Keberadaan  teknologi  sebagai  sarana  untuk  membantu  proses  kehidupan  seakan  menjadi keharusan untuk mempercepat menyelesaikan berbagai jenis pekerjaan yang juga membantu dalam meningkatkan  perkembangan.  Sumber  Daya  Manusia  (SDM)[1].    Pada  10  tahun  terakhir  ini perkembangan nano satelit sangat pesat. Satelit nano merupakan satelit yang berukuran kecil yaitu sekitar 10x10x10 cm dengan berat kurang dari 10 kg. Saat ini sudah banyak negara  – negara maju meluncurkan satelit nano. Satelit Nano dapat membawa satu atau dua misi seperti misi pengawasan kemaritiman,  pengamatan  permukaan  bumi,  hingga  kemiliteran.  Banyaknya  penggunaan  satelit nano  ini  karena  satelit  nano  merupakan  satelit  yang  kecil  dengan  harga  yang  murah  serta  mudah dalam  mendesain  dan  mengaplikasikannya  sehingga  memberikan  pengaruh  yang  besar  terhadap aerospace  market [2].  Satelit  Nano  menggunakan  frekuensi  2400-2450  MHz  dengan  ketinggian sekitar  700km.  Dengan  frekuensi  S-Band  2,4  GHz  satelit  nano  pada  Gambar  1  mampu  mengorbit pada  orbit Low  Earth  Orbit (LEO).  Satelit  tersebut akan  mengirimkan  sinyal  informasi  ke  stasiun bumi  penerima  satelit  nano.  Jarak  pengiriman  yang  begitu  jauh  dan  banyaknya  gangguan  yang

## Atik Charisma, Devin Dwi Nugraha, Ade Sena Permana
JTEV (Jurnal Teknik Elektro dan Vokasional) Vol 7 No 2 (2021), page: 170-178
terjadi di sekitar luar angkasa menyebabkan sinyal informasi yang dikirimkan memiliki daya yang sangat lemah. Oleh karena itu, setelah sinyal informasi diterima maka perlu dikuatkan oleh penguat dibagian penerima atau penguat yang ada di stasiun bumi, agar level daya  yang dikirimkan cukup besar  sehingga  dapat  diproses  oleh  stage  selanjutnya[3].  Umumnya  penelitian  terkait  Low  Noise Amplifier (LNA) pada frekuensi S-Band menggunakan mikrostrip dengan ukuran yang lebih kecil namun  harus  presisi  terhadap  dimensi  mikrostripnya.  Pada  penelitian  ini  merancang  penguat receiver ( Low  Noise  Amplifier )  dua  tingkat  menggunakan  lumped  element.  LNA  berfungsi  untuk menguatkan sinyal dengan nilai noise yang teta kecil[4].
Pada komunikasi nirkabel, LNA harus mampu menerima sinyal sangat lemah dari pengirim dan memperkuat  sinyal  tersebut  agar  mencapai  level  yang  cukup  untuk  dikirim  ke  perangkat penerima[5].  Rangkaian  penguat  ( amplifier )  dapat  melipat  gandakan  sinyal  input  AC  yang  kecil disebabkan  karena  rangkaian  tersebut  mendapatkan tegangan  DC  dari  luar.  Oleh  karena  itu  setiap analisis maupun perencanaan rangkaian penguat terdapat dua komponen, yaitu AC dan DC.  Level DC  dari  suatu  rangkaian  menentukan  titik  kerja  transistor  yang  digunakan.  Paramater  yang  perlu diperhatikan  dalam  perancangan  LNA  yaitu gain,  noise  figure,  input dan output  impedance matching serta  kestabilan[6].  Gain  dan noise  figure harus  didapat  berdasarkan  spesifikasi  dengan konsumsi  daya  minimum[7].  Penyesuaian  impedansi  adalah  suatu  upaya  untuk  menyesuaikan impedansi  beban  dengan  impedansi  karakteristik  saluran,  agar  transfer energi  dari  saluran  menuju beban dapat berlangsung secara efisien ( tidak ada energi yang terbuang atau terpantul), impedansi harus  sesuai.  Efek  terburuk  dari  impedansi  yang  tidak  sesuai  adalah  timbulnya  daya  pantul ( reflected power ) dari beban. Daya pantul yang kembali akan merusak rangkaian sebelumnya. Agar tidak terjadi kerusakan, perlu dilakukan penyesuaian impedansi ( matching impedance ) pada beban sehingga  sesuai  dengan  impedansi  saluran.  Nilai Voltage  Standing  Wave  Ratio (VSWR) mengindikasikan seberapa baik penyesuaian impedansi yang dilakukan.

## METODE
Perancangan LNA ini dengan dua tingkat penguatan seperti Gambar 1. yakni menggabungkan matching  impedance dengan  penguat  transistor  yang  diberi  sinyal  input  AC  2,4  GHz  untuk pengujian  bias  transistor.  Saluran  yang  dipakai  menggunakan  saluran  dengan  impedansi  Z0=50 ohm.  Biasing  dilakukan  untuk  menentukan  titik  kerja  optimal  pada  transistor  dengan  tipe divided bias .  Penyesuaian  impedansi  pada  perancangan  ini  menggunakan  penyesuaian  impedansi  tipe  L dengan  metoda lumped  element. Pemilihan  transistor  ini  karena  spesifikasi  dari datasheet menunjukan  spesifikasi  yang  dibutuhkan  dalam  perancangan  penguat receiver ini  yaitu  bekerja pada 2,4 GHz dengan parameter |S11|≤-10 dan ini baik untuk perancangan LNA.
Gambar 1. Diagram Blok Sistem
Atik Charisma, Devin Dwi Nugraha, Ade Sena Permana JTEV (Jurnal Teknik Elektro dan Vokasional) Vol 7 No 2 (2021), page: 170-178
Mulai Pemilihan transitor Dc Bias Transistor Transistor Stabil? Penyesuaian Impedansi dBS11 -10;S22 - 10;S21 30;VSWR 2;K 1;NF 2 Optimalisasi Impedansi Selesai Spesifikasi LNA Ya Tidak Ya Tidak

## Gambar 2. Diagram Alir Penelitian
Spesifikasi nano satelit yang diteliti mengacu pada nano satelit GOLIAT[8] seperti pada Tabel 1.
Tabel 1. Spesifikasi Nano Satelit GOLIAT
No  Nama Parameter Spesifikasi 1 Antena Monopole dengan gain 2,2 dB 2 Daya pancar 1 Watt 3 Dimensi 10 x 10 x 10 cm 4 Berat 1 Kg 5 Bit Rate 83 Kbps 6 Modulasi Gaussian Frequency Shift Keying (GFSK) 7 Orbit Low Earth Orbit 8 Frekuuensi kerja 2,4 GHz
Pada  penelitian  ini  ,  LNA  dirancang  dengan  konfigurasi  dual-stage  amplifier  .  Hal  ini dilakukan  agar  diperoleh  nilai  gain  yang  besar  [9].  Pada  tahap  awal  perancangan  berdasarkan Gambar  2.  yakni  menentukan  terlebih  dahulu  spesifikasi  LNA  untuk  satelit  nano.  Menentukan spesifikasi sistem yang akan dirancang dengan berdasarkan standar yang didapat  seperti pada Tabel 2.
Atik Charisma, Devin Dwi Nugraha, Ade Sena Permana JTEV (Jurnal Teknik Elektro dan Vokasional) Vol 7 No 2 (2021), page: 170-178
Tabel 2. Spesifikasi Low Noise Amplifier
No. Parameter Spesifikasi LNA 1 Frekuensi 2,4 GHz 2 S 11 ≤-10dB 3 S 22 ≤-10dB 4 Gain (S 21 ) ≥20dB 5 Noise Figure ≤2 dB 6 Faktor Kestabilan  ≥1 7 VSWR ≤1
Salah  satu  komponen  penting  dalam  perancangan  LNA  adalah  sebuah  transistor  [10]. Pemilihan transistor yang cocok untuk keperluan desain dengan pertimbangan sesuai dengan target yan akan dicapai[11]. Komponen yang didapat adalah transistor ATF 34143[12]. Tahap selanjutnya melakukan proses merancang rangkaian DC pada transistor agar transistor berada pada posisi kerja optimal  dan  mengecek  kestabilan  transistor  pada  frekuensi  kerja.  Parameter  S  digunakan  untk menentukan  stabilitas/kemantapan  suatu  transistor[13]. Apabila  transistor  tidak  stabil  maka  harus merubah komponen RLC dan melakukan optimasi, tetapi apabila transistor stabil maka akan masuk ke  tahap  selanjutnya  yaitu  penyesuaian  impedansi  .  Apabila  S 11 dan  S 22 tidak  sesuai  yang  dengan spesifikasi  perancangan  yaitu  |S 11 |<-10  maka  dilakukan  perhitungan  lagi  untuk lumped  element , atau melakukan optimalisasi dengan men- tunning lumped element dengan bantuan software ADS.
Metode  yang  dilakukan  pada  perancangan  ini  adalah  dua  tingkat  penguatan  dengan  DC  bias yaitu divided bias dengan pengoptimalan menggunakan matching impedance tipe L network dengan lumped  element RCL.  Pada  proses  perancangan  penguat receiver untuk  nano  satelit  ini menggunakan software  Advance  Design  System (ADS)  yang  merupakan  program  profesional khusus untuk merancang rangkaian microwave . Pada pemilihan transistor, yang harus diperhatikan adalah  rating  arus  yang  memadai  dengan  kemampuan  menghasilkan gain,  output  power dan efisiensi daya yang dihasilkan sesuai spesifikasi yang diharapkan. Dari datasheet ATF 34143 dinilai baik  untuk  digunakan  dalam  perancangan  LNA  ini  karena  |S 11 |<1  saat  bekerja  pada  2,4  GHz, memiliki  kekuatan power yang  besar  dan  efisiensi power output yang  besar  pula.  Paremeter  titik kerja transistor digunakan untuk menghitung nilai komponen yang akan disimulasikan  [13] seperti pada Tabel 3.
Tabel 3. Spesifikasi Transistor ATF 34143 No. Nama Parameter Simbol Nilai 1 Tegangan Drain-Source V ds 4 V 2 Arus Drain-Source I ds 60 mA 3 Tegangan Gate-Source V gs 0,34 V 4 Gate Leakage Current I gss 300 µA
Perancangan  menggunakan DC  Bias pasif  yaitu  berupa  resistor.  Berdasarkan  nilai  spesifik elektrik  yang  didapatkan  dari datasheet transistor  ATF-34143  sehingga  diperoleh  nilai  sebagai berikut pada Tabel 4.

## Tabel 4. Hasil Perhitungan Paramater DC Bias
No.  Parameter Nilai 1 IBB 3 mA 2 R1 133,33 Ω 3 R2 1220 Ω 4 R3 31,746 Ω
Atik Charisma, Devin Dwi Nugraha, Ade Sena Permana JTEV (Jurnal Teknik Elektro dan Vokasional) Vol 7 No 2 (2021), page: 170-178
Pada  proses  desain impedance  matching  circuit menggunakan software ADS  yang  dengan smitchart untuk  mencari  nilai  komponen  dan  perhitungan  matematis,  lalu  dilakukan  simulasi. Dalam  tahap  mencari impedance  matching  circuit hal  yang  harus  diketahui  adalah  impedansi saluran standar yaitu Z0=50 ohm dan impedansi Zin, Zout dari transistor yang akan digunakan, Zin dan  Zout  transistor  didapatkan  dengan  mensimulasikan  S-parameter  pada software ADS  dengan hasil simulasi adalah bilangan kompleks, maka didapat Zin adalah 15,998-j28,779 dan Zout adalah 21,665+j2,772.
Penelitian ini menggunakan prinsip penyesuaian impedansi dengan metode absorpsi. Jika R 1 > R s maka  rangkaian  penyesuai  impedansi  L  kanan  seperti  pada  Gambar  3  lalu  konversi  Z 1 seri  ke parallel.  Jika  R 1 <  R s maka  rangkaian  penyesuai  impedansi  L  kiri  terlihat  di  Gambar  4  maka tentukan  sifat  filter  lalu  konversi  Z s seri  ke  paralel  [14] . Nilai-nilai  komponen  pada  Gambar  3 diperoleh menggunakan persamaan 1-10 [14].
Gambar 3. Rangkaian Penyesuai Impedansi Tipe L XS Paralel
(1)
(2)
(3)
Q total dengan menggunakan Rl dan Rs,
(4)

## Q total untuk mencari reaktansi totalnya
(5)
Nilai reaktansi sebenarnya pada masing-masing reaktansi total
(6)
(7) (8)
(9) (10)

## HASIL DAN PEMBAHASAN
Berdasarkan metode dan perhitungan maka diperoleh nilai-nilai komponen untuk penyesuaian impedansi  seperti di Tabel 4. Nilai tersebut selanjutnya dimasukkan ke software untuk disimulasi serta  dianalisa.  Terjadi  perbedaan  antara  nilai  komponen  sebelum  digabung  dan  nilai  komponen setelah di gabung, selisih antara nilai komponen sebelum dan sesudah di gabung dengan transistor dinilai  tidak terlalu  jauh, ini  menandakan  pehitungan  penyesuaian  impedansi  telah  berhasil,  tetapi
Atik Charisma, Devin Dwi Nugraha, Ade Sena Permana JTEV (Jurnal Teknik Elektro dan Vokasional) Vol 7 No 2 (2021), page: 170-178
tetap  memiliki  perbedaan  karena  setelah  penggabungan  antara input dan output komponen  akan saling  mempengaruhi  dan  mengurangkan  maka  dari  itu  dibutuhkan tunning untuk  mendapat  nilai yang paling baik.
Pada  Tabel  5  terlihat  perbedaan  parameter  sebelum  dilakukan  bias  DC  dengan  setelah optimalisasi. Parameter S 11 masih berada besar dari -10 dB walaupun sudah dilakukan optimalisai. Lain halnya dengan parameter S 22 baik sebelum maupun sesudah optimalisasi, nilainya masih tetap kecil  dari  -20  dB  yakni  -49,789  dB.  Parameter  S 21 sebagai  indikasi  dari  gain  LNA  mengalami kenaikan  setelah  optimalisasi  pada  bagian  bias  DC  menjadi  28,291  dB.  Awalnya  nilai  faktor kestabilan (K) transistor masih < 1 artinya transistor belum stabil. Oleh karena itu perlu dilakukan optimalisasi sehingga Faktor K menjadi 3,387 yang mana nilai K > 1 menandakan bahwa transistor stabil tak bersyarat.
Tabel 5. Hasil Simulasi DC Bias
Parameter Sebelum Bias DC  Setelah Optimasi S 11 Mag 0,698 0,616 Ang -147,400 -117,056 dB -3,123 -4,209 S 22 Mag 0,075 0,003 Ang 23,400 65,515 dB -22,545 -49,789 S 21 Mag 6,361 25,976 Ang 75,800 -177,632 dB 16,070 28,291 S 12 Mag 0,192 0,397 Ang -151,200 172,198 dB -14,334 -8,025 Faktor K 0,652 3,387 NF 0,601 0,635 Z input (Ohm) 12,452-j28,630 15,998-j28,279 Z output (Ohm)  39,031-j13,001 21,665+j2,772
Impedance  matching pada  penelitian  ini  menggunakan  L network dengan  filter High  Pass menggunakan komponen L dan C. Hasil nilai komponen L dan C terlihat pada Tabel 6.
Tabel 6. Perbandingan Hasil Perhitungan dan Simulasi Komponen Penyepadan Impedansi
Keterangan Komponen Input Output L (nH)  C (pF)  L (nH)  C (pF) Perhitungan 2,3 1,9 2,9 3,0 Simulasi 1,8756 2,4320  2,8993 2,4071 Selisih 0,425 0,6131  0,01 0,6
Proses  optimalisasi  pada  bagian  bias  DC  ternyata  masih  belum  memberikan  hasil  yang maksimal  dari  sisi input  return  loss (S 11 ).  Hal  ini menandakan  bahwa  LNA  masih  belum  sepadan pada  bagian  masukan.  Oleh  karena  itu  perlu  dilakukannya  optimasi  pada  bagian  penyepadan impedansi. Hasil optimasi terlihat pada Tabel 7.
Tabel 7. Nilai Komponen Matching Impedance Setelah Optimasi
Keterangan Komponen Input Output L (nH)  C (pF)  L (nH)  C (pF) Perhitungan 1,8756 2,4320  2,8993 2,4071
Optimalisasi  1,8756 2,4320  2,8993 3,4791 Selisih 0 0 0 1,072
Gambar 4. Rangkaian Keseluruhan Sistem
Berdasarkan Gambar 4 perancangan LNA ini menggunakan penguatan dua tingkat dengan bias transistor  yaitu divided  bias dan  penyesuaian  impedansi  dengan  tipe  L  menggunakan  metode lumped  element .  Setelah  didapat  seluruh  nilai  komponen  dari  hasil  perhitungan  dan  optimalisasi maka langkah selanjutnya adalah melakukan simulasi pada software ADS.
Gambar 5. Hasil S-Parameter.
Input  return  loss (IRL)  atau  parameter  S11  didapat  -27,270  dB. Output  return  loss (ORL)  atau parameter  S22  didapat  -33,981  dB.  Target  perancangan  dari  LNA ini  adalah  ORL  dan  IRL  ≥  -10 dB, ini menandakan bahwa hasil parameter S 11 dan S 22 pada perancangan ini telah memenuhi. LNA menguatkan sinyal (memberikan gain ) untuk menghindari losses di rangkaian pasif[15]. Parameter S21 adalah penguatan atau gain yang dihasilkan oleh sistem penguat, S21 yang direncanakan pada perangcangan  ini  adalah gain ≥  30  dB,  S21  yang  diperoleh  setelah  melakukan  biasing  dan

## Atik Charisma, Devin Dwi Nugraha, Ade Sena Permana
JTEV (Jurnal Teknik Elektro dan Vokasional) Vol 7 No 2 (2021), page: 170-178
penyesuaian  impedansi  adalah  30,820  dB,  maka  parameter  S21  telah  terpenuhi  sebagai  syarat perencanaan  LNA  ini.  Pada  Gambar  7  akan  ditunjukan  nilai  dari  beberapa  parameter Quality  of Service (QoS) seperti Voltage Standing Wave Ratio (VSWR) , noise figure , dan faktor kestabilan.
Gambar 6. Hasil Quality of Service
Pada perancangan alat ini VSWR didapat VSWR input (VSWR 1 ) 1,091 dan VSWR output (VSWR 2 ) 1,041, noise figure didapat sebesar 0,481 dan Faktor K didapat sebesar 3,387. Dari hasil tersebut maka dapat disimpulkan bahwa parameter tersebut telah memenuhi standar dari kebutuhan nano satelit. Berdasarkan data pada Tabel 8 nilai impedansi pada penguat telah mendekati Z0 yaitu 50 ohm dengan nilai real Zin adalah 45,999 Ohm dan nilai real Zout adalah 48,040 Ohm.
Tabel 8. Nilai Impedansi
No.  Parameter Sebelum Penyesuaian Impedansi Setelah Penyesuaian Impedansi 1 Zi 15,998 – j28,279 45,999 – j1,129 2 Zo 21,665 – 2,772 48,040 – 0,001

## PENUTUP
Nilai  parameter  hasil  perancangan  didapat  :  S 11 =-27,27  dB;  S 22 =-33,9  dB;  S 21 =30,82  dB; VSWR 1 =1,091;  VSWR 2 =1,04;  NF=0,481;  K=3,387.  Hasil  ini  telah  memenuhi  kebutuhan  untuk penguat  pada  satelit  nano. Nilai  impedansi  setelah  perancangan  adalah  Zin  =  45,999  –  j1,129Ω  ; Zout = 48,040 – j0,001Ω dan Z0=50 Ω. Nilai Impedansi menentukan keberhasilan input dan output return  loss,  karena  semakin  nilai  impedansi  mendekati  Z0  maka  nilai  input  dan  output  return  loss akan  semakin  rendah . Pada  penelitian  selanjutnya  agar  hasil  yang  diperoleh  lebih baik  maka  pada saat  perancangan  rangkaian  penyesuaian  impedansi  bisa  menggunakan  mikrostrip  dengan perpaduan lumped element .

## DAFTAR PUSTAKA
[1] R. Ardianto, B. Arifin, and E. N. Budisusila, “Rancang Bangun Sistem Pengisian dan Penutup Botol Otomatis Berdasarkan Tinggi Botol Berbasis Programmable Logic Controller,” J. Tek. Elektro dan Vokasional , vol. 7, no. 1, pp. 114–127, 2021.
[2] H. Ali, A. Ali, M. Rizwan Mughal, L. Reyneri, C. Sansoe, and J. Praks, “Modular design of RF front end for a nanosatellite communication subsystem tile using low-cost commercial components,” Int. J. Aerosp. Eng. , vol. 2019, pp. 1–11, 2019, doi: 10.1155/2019/8174158.
[3] A. Z. Millatisilmi, I. Mas, S. Suraatmadja, I. Y. Wahyu, and S. T. Mt, “Perancangan Dan Realisasi Low Noise

## Atik Charisma, Devin Dwi Nugraha, Ade Sena Permana
JTEV (Jurnal Teknik Elektro dan Vokasional) Vol 7 No 2 (2021), page: 170-178
Amplifier Frekuensi S-Band (2,425 GHz) Untuk Aplikasi Stasiun Bumi Satelit Nano,” Tugas Akhir , vol. 3, no.
1, pp. 1–7, 2016.
[4] D. Wibisono, Gunawan; Firmansyah, Teguh; Ma’arang, “Perancangan LNA untuk Radar Automatic Dependent Surveilance-Broadcast (ADS-B) Pada Frekuensi 1090 MHz dengan Multistub Matching,” SETRUM , vol. 2, no. 2, pp. 20–26, 2013.
[5] J. Charisma, Atik; Suryana, “Penguat Dua Arah Pada Frekuensi 2,3 GHz untuk Smart Antenna,” in Seminar Nasional Energi Telekomunikasi dan Otomasi (SNETO) , 2015, pp. 52–57.
[6] M. R. Hanafiah, “Perancangan dan Implementasi Penguat Berderau Rendah untuk Aplikasi Stasiun Bumi Penerima Satelit Nano pada Frekuensi 2,4 - 2,5 GHz Berbasis Mikrostrip,” Bandung, 2013.
[7] S. Mutmainah, G. Hendrantoro, I. Pendahuluan, N. N. Figu, and B. Dow, “Pada S -Band Frekuensi 2400 Mhz Untuk Stasium Bumi Satelit Nano,” J. Tek. POMITS , vol. 2, no. 1, 2013.
[8] F. Khaznasari and J. Suryana, “Desain Dan Implementasi Ground Model Satelit Nano Dengan Subsistem Komunikasi Pada Frekuensi S-Band (Design and Implementation of Ground Model Nano-Satellite With S- Band Frequency Communication Subsystem),” J. Teknol. Dirgant. , vol. 15, no. 1, p. 59, 2017, doi: 10.30536/j.jtd.2017.v15.a2372.
[9] Y. Taryana, Y. Sulaeman, Y. Wahyu, N. Armi, K. Paramayudha, and R. A. Rojak, “Design of two stage low noise amplifier using double stub matching network,” in Proceedings of the 2015 IEEE International Conference on Aerospace Electronics and Remote Sensing, ICARES 2015 , 2016, no. 2, pp. 0–4, doi: 10.1109/ICARES.2015.7429833.
[10] A. Charisma and A. Muflihati, “Perancangan Low Noise Amplifier Menggunakan Metode T-Junction pada Frekuensi 3 GHz,” JTERA (Jurnal Teknol. Rekayasa) , vol. 3, no. 2, p. 225, 2018, doi: 10.31544/jtera.v3.i2.2018.225-230.
[11] W. Ritonga, B. S. A.; Hariyawan, M. Y.; Khabzli, “Perancangan Low Noise Amplifier 1,5 - 8 GHz,” J. Aksara Elem. , vol. 2, no. 1, 2012.
[12] A. Technologies, “ATF-34143,” 2008. https://www.richardsonrfpd.com/docs/rfpd/AV02-1283en.pdf (accessed Mar. 06, 2020).
[13] A. Karyana, Y. S. Rohmah, and B. Prasetya, “Realisasi LNA Dua Tingkat dengan Teknik Penyesuai Impedansi Trafo λ/4 dan Lumped Element untuk DVB-T2,” ELKOMIKA J. Tek. Energi Elektr. Tek. Telekomun. Tek. Elektron. , vol. 8, no. 1, p. 1, 2020, doi: 10.26760/elkomika.v8i1.1.
[14] D. M. Pozar, No Microwave Engineering , 2nd ed. New York: John Willey & Sons, 1998.
[15] G. Wibisono and F. T. Andarto, “Perancangan Dan Simulasi Low Noise Amplifier Untuk Penerima Automatic Picture Transmission Dan High Resolution Picture Transmission,” Semin. Nas. Apl. Teknol. Inf. , vol. 1, no. 1, pp. 11–14, 2014.

## Biodata Penulis
Atik  Charisma ,  Dosen  dan  peneliti  di  Jurusan  Teknik  Elektro,  Fakultas  Teknik,  Universitas  Jenderal Achmad  Yani.  Menyelesaikan  pendidikan  S-2  di  Institut  Teknologi  Bandung  dengan  konsentrasi  keahlian Teknik Telekomunikasi.
Devin  Dwi  Nugraha, Sarjana  Teknik  Elektro,  Fakultas  Teknik,  Universitas  Jenderal  Achmad  Yani  bidang konsentrasi bidang keahlian Teknik Telekomunikasi dan Informasi
Ade Sena Permana , Dosen, peneliti, Ketua Kelompok Bidang Keahlian Teknik Telekomunikasi di Jurusan Teknik  Elektro,  Fakultas  Teknik,  Universitas  Jenderal  Achmad  Yani.  dan  Informasi  serta  Karo  Sistem Informasi  &  Humas    Universitas  Jenderal  Achmad  Yani.  Menyelesaikan  pendidikan  S-2  di  Institut Teknologi Bandung.