## PROSES LIFT OFF PADA PEMBUATAN DIVAIS SENSOR GAS CARBON MONOKSIDA (CO)
( LIFT OFF PROCESS ON FABRICATION OF CARBON MONOXIDE (CO) GAS SENSOR DEVICES )

## Slamet Widodo*, Goib Wiranto
PPET-LIPI, Jl. Sangkuriang Komp. LIPI Bandung 40135, No.Telp/Fax:022-2504660/022- 2504659.
*email: slametwidodo50@gmail.com
Recieved 05 November 2013, Accepted 14 February 2014, Published 01 September2014

## ABSTRAK
Tulisan  ini  menjelaskan  tahapan  proses  pembuatan  mikrodivais  yang  akan digunakan  sebagai platform sensor  gas  CO  (karbon  monoksida)  berbasis  timah  oksida (SnO 2 ).  Divais  yang  dibuat  telah  dirancang  diatas  substrat  silikon  dengan  daerah  aktif berukuran 3x3 mm 2 , dan terdiri dari bonding pad , komponen pemanas (heater), elektroda, dan sensor temperatur. Lebar jalur minimum adalah 50 mikron, sesuai dengan kemampuan proses fotolitografi yang digunakan. Pembentukan struktur mikrodivais dilakukan terutama dengan  menggunakan  teknik lift-off lapisan  platina  (Pt)  yang  dilapiskan  menggunakan metode  DC  sputtering  dengan  lapisan  alumunium  (Al)  sebagai sacrificial  layer ,  Dimensi chip  mikrodivais  yang  dihasilkan  berukuran  5  x  5  mm 2 .  Pengujian  yang  dilakukan  untuk mengetahui  karakteristik  resistansiterhadapsuhu  dari  mikrodivais  menunjukkan  bahwa elemen  pemanas (heater) dan  sensor  suhutelah  berfungsi  seperti  yang  diharapkan,  yaitu nilai resistansinya berubah secara linear dengan kenaikan suhu substrat antara 20 – 200 °C. Rentang kenaikan  nilai resistansi untuk  pemanas (heater) adalah antara 500  – 1000 ohm, sedangkan untuk sensor suhu antara 100 – 300 ohm.
Kata kunci : gas CO, mikrodivais, proses lift-off, sensor gas, SnO 2

## ABSTRACT
This paper discuss the design and fabrication of microdevice to be used as platform for  CO (Carbon  monoxide)  gas sensor based on tin dioxide (SnO 2 ). The device  has  been designed on silicon substrate with an active area of 3x3 mm 2 , and  it is consist of bonding pad, heater, electrode, and temperature sensor components. The minimum feature size used is 50 microns, as allowed by the capability of photolithographic process. The formation of microdevice  structure  was  carried  out  by  lift-off  technique  on  platinum  (Pt)  layer,  which was deposited by DC sputtering with aluminum (Al) as sacrificial layer. The overall chip dimension is 5x5 mm 2 .The measurement that was conducted to study the characteristic of resistance  asfunction  of  temperature  has  shown    that  the  heater  and  temperature  sensor elements  could  work  as  expected,  in  which  their  resistances  change  linearly  as  the temperature of the substrate increase  by  20 – 200  °C. The  resistance  values of the  heater increase  500  –  1000  ohm.  Meanwhile,  the  resistance  increasing  for  temperatur  sensor  is between  100 – 300 ohm.
Keywords: CO gas, gas sensor, lift-off process, microdevices, SnO 2

## PENDAHULUAN
Gas  Karbon  monoksida  (CO)  merupakan  gas  pencemar  udara  yang  banyak dikeluarkan  dari  emisi  kendaraan  bermotor, terutama  dari  kendaraan-kendaraan  bermesin diesel  sebagai  luaran  dari  proses  pembakaran  internal,  diketahui  sangat  berbahaya  bagi tubuh manusia. Dalam jumlah yang lebih sedikit, gas CO juga dapat dihasilkan dari proses pembakaran lain, seperti kompor gas, kebakaran hutan, dan proses industri. Selain sifatnya yang  sangat  beracun,  gas  CO  juga  tidak  berbau  ( odorless ),  tidak  berwarna  ( colorless) , tidak terasa ( tasteless) , dan tidak mengiritasi saluran pernapasan. Oleh karena itu, gas CO kadang  dikenal  sebagai “silent  killer ” atau  “smart  poison” karena  bisa  masuk  ke  dalam tubuh tanpa diketahui (Barsan and Weimar, 2001).
Pada era dimana teknologi sensor belum ditemukan, manusia menggunakan burung dan mamalia kecil untuk mendeteksi gas CO di daerah pertambangan. Dewasa ini, detektor gas  CO  telah  berubah  menjadi  divais  elektronik  berukuran  kecil,  yang  dapat  dipasang  di dalam  rumah  atau  di  garasi,  dekat  dengan  sumber-sumber  gas  CO.  Apabila  terdeteksi dalam  kadar  yang  cukup,  sistem  yang  dipasang  akan  membunyikan  alarmguna mengingatkan  penghuni  agar  memberikan  ventilasi  atau  melakukan  evakuasi.Sensor  gas berbasis semiconductor  metal  oxide (SMO)  pertama  kali  dipelajari  tahun  1960  an  oleh Seiyama  (Seiyama,  1962).  Akan  tetapi,  baru  tahun  1970  Taguchi  (Japanese  Patent  47- 38840)  berhasil  membuat  sensor  gas  SMO  secara  komersial.  Awalnya,  sensor  Taguchi terbuat dari koil emas sebagai pemanas dan elektroda, dan tin oxide (SnO 2 ) sebagai lapisan sensitif  terhadap  gas.  Dalam  perkembangannya,  sensor  jenis  SMO  telah  mengalami perubahan dari model Taguchi hingga sekarang bisa dibuat diatas silikon (dengan dimensi yang sangat kecil) menggunakan teknologi Micro Electro Mechanical Systems (MEMs).
Mekanisme  kerja  sensor  gas  berbasis  SMO  menyangkut  beberapa  proses  yang saling berkaitan. Proses pertama adalah terjadinya interaksi antar permukaan logam oksida (lapisan  sensitif)  dengan  gas  yang  dideteksi  (gas  target).  Interaksi  ini  menyebabkan terjadinya  reaksi  kimia,  dimana  sifat  reaksinya  ditentukanoleh  unsur  (ion-ion)  oksigen yang ada di permukaan lapisan logam oksida. Proses yang kedua adalah proses perubahan sifat listrik (konduktivitas) dari dari lapisan logam oksida akibat dari reaksi kimia tersebut. Proses  ini  mula-mula  hanya  terjadi  di  daerah  permukaan  butiran  partikel  lapisan  logam oksida.  Proses  yang  ketiga  adalah  terjadinya  akses  oleh  partikel  logam  oksida  bagian dalam  terhadap  gas  target. Terjadinya  reaksi  antara  gas  dengan  permukaan  logam  oksida dapat dianggap sebagai sebuah proses difusi ke arah substrat dari sensor  SMO.
Gas-gas  yang  bersifat  reduksi  seperti  CO,  molekul-molekul  CO  berreaksi  dengan ion  oksigen  yang  terserap  (dari  udara)  ke  permukaan  SMO.  Oksigen  yang  terserap  akan melepaskan  elektronnya  ketika  bereaksi  dengan  molekul  gas  reduksi,  sehingga meningkatkan  konduktivitas  dari  lapisan  SMO.  Menggunakan  model  sederhana,  ada  tiga kemungkinan reaksi yaitu:
2 CO + O 2 - ↔ 2 CO 2 +  e - (1)
CO  +  O-   ↔  CO 2 +   e - (2)
CO  +  O 2- ↔  CO 2 +  2e - (3)
Gambar 1. Model mekanisme reaksi di permukaan sensor gas berbasis SMO (Barsan and Weimar, 2001).
Untuk  lapisan  logam  oksida  yang  padat  ( compact ),  molekul  gas  tidak  dapat menembus  lapisan  sensitive  dan  proses  interaksi  hanya  terjadi  di  permukaan.  Apabila lapisannya bersifat porous, molekul gas bisa menembus ke dalam lapisan sensitive sampai ke  substrat.  Interaksi  dengan  gas  bisa  terjadi  di  permukaan  masing-masing  butiran,  di perbatasan  antar  butiran,  di  interface  antara  butiran  dengan  elektroda,  dan  di interface antara butiran dengan substrat (Barsan and Weimar, 2001).
Reaksi diatas menunjukkan perubahan konsentrasi oksigen di udara akan mengubah kecepatan  reaksi  redoks  dan  mempengaruhi  sinyal  output  dari  sensor.  Hubungan  antara konduktivitas lapisan SMO ( 𝜎 ) dengan konsentrasi gas target (C) dapat dinyatakan dengan 𝜎 = k C n (4)
Dimana  k  :  adalah  konstanta  proporsionalitas  hasil  pengukuran  yang  unik/khas  terhadap lapisan SMO, dan eksponen n memiliki rentang dari 0,3 sampai 0,8. Karena sifatnya yang
non-linear,  biasanya  diperlukan  proses  linearisasi  melalui  rangkaian  elektronik  atau software .  Selain  itu,  agar  material  SMO  dapat  bereaksi  dengan  gas  target  (reaksi  redoks dapat  terjadi),  perlu  pemanasan  dengan  temperatur  anatara  90  –  250  °C.  Menaikkan temperatur  sensor  berarti  memerlukan  elemen  pemanas (heater) yang  terintegrasi  dengan sensor. Oleh karena itu, sensor gas SMO biasanya memerlukan konsumsi daya yang relatif besar.
Kemajuan  di  bidang  teknologi  fabrikasi  divais,  sensor  gas  SMO  memungkinkan dibuat  diatas  substrat  keramik  (teknologi thick  film) atau  silikon  (teknologi thin  film ). Dalam  teknologi thick  film ,  digunakan  substrat  seperti  alumina  (Al 2 O 3 ),  dan  kemudian lapisan seperti elektroda, heater , dan logam oksida dicetak diatasnya menggunakan teknik screen printing . Karena ketebalan substrat dan lapisannya masih cukup besar, maka divais sensor  yang  dibuat  menggunakan  teknologi thick  film masih  memerlukan  konsumsi  daya yang  cukup  besar,  antara  200  mW  –  1W(Williams, and Coles,  1977).  Konsumsi  daya sebesar ini telah membatasi aplikasinya untuk sistem sensor yang portabel.
Teknologi thin film dalam sensor dibuat menggunakan substrat silikon, dan lapisan- lapisan  pembentuknya  ditumbuhkan  menggunakan  proses  seperti  sputtering,  evaporasi, atau chemical  vapor  deposition (CVD).  Konsumsi  daya  dapat  dikurangi  dengan  substrat silikon (Si)  yang dietsa hingga  membentuk membran tipis  menggunakan teknologi Micro Electro  Mechanical  Systems (MEMS).  Konsumsi  daya  dari  sensor  gas  SMO  dengan teknologi  ini  berkisar  antara  30  –  50  mW  (Korotcenkov,  2005).  Mendeteksi  gas  CO, lapisan sensitif yang digunakan dalam sensor SMO biasanya tin oxide (SnO 2 ) (Rodriguez, and Garcia, 2007). Pembuatan sensor gas semikonduktor ini dengan teknik proses Lift Off seperti tahapan proses seperti tercantum dalam Gambar 2.
Gambar 2. Contoh tahapan-tahapan proses Lift-Off.
Partikel  dengan  ukuran  nanometer  memiliki  sifat-sifat  mekanik,  optik,  magnetik, dan  listrik  yang  menarik  untuk  dieksplorasi  penggunaannya.  Biasanya,  partikel  nano dikatakan  memiliki  dimensi  dibawah  100  nm,  walaupun  belum  ada  definisi  yang  secara universal  telah  disepakati.  Sifat-sifat  fisik  dari  partikel  nano  bisa  berubah  dengan perubahan  dimensinya.  Diantara  sifat-sifat  yang  palig  penting  dari  nanomaterial  adalah dimensi  partikel,  luas  permukaan  ( surface  area ),  dan  struktur  atomik.Dimensinya  yang kecil  (20  kali  lebih  kecil  dari  panjang  gelombang  cahaya  tampak),  partikel  nano  tidak menyebabkan light-scattering ,  sehingga  sangat  potensial  digunakan  sebagai optical coating . Surface  area yang  besar  membuat  nanomaterial  lebih  prospektif  digunakan sebagai sensor yang melibatkan reaksi kimia. Sementara quantum effect yang dimiliki oleh partikel nano memberikan banyak inovasi dalam bidang telekomunikasi dan data storage. Beberapa  penelitian    menunjukkan  bahwa  penambahan  bahan  aditif,  terutama  dari  bahan logam  mulia  seperti  Pt,  Pd  Au  dan  Ag,  dapat  meningkatkan  sensitivitas  nanomaterial logam oksida terhadap gas-gas tertentu. Seperti ditunjukkan dalam Gambar 3, unsur-unsur aditif  ini  dapat  merubah  sifat-sifat  dari  nanomaterial  logam  oksida,  seperti  porositas, stoikiometri,  komposisi  fase,  komposisi  elemen,  konsentrasi  pembawa  muatan  bebas, ukuran partikel, dan arsitektur permukaan.
Gambar 3. Parameter yang dapat berubah karena penambahan aditif pada saat pembentukan nanomaterial logam oksida (Barsan et al ., 2008).
Oleh  karena  itu,  selain  meningkatkan  sensitivitas,  penambahan  aditif  juga  dapat meningkatkan  selektivitas  dan respone-time ,  serta  menurunkan  temperatur  kerja  sensor. Aditif  biasanya  berupa doping yang dicampurkan dengan  material dasar pada  saat proses pembentukannya, dengan komposisi kurang dari 5 % wt.(Barsan et al. , 2008).

## METODE PENELITIAN
Struktur  divais  sensor  gas  CO  pada  Gambar  4substrat  5  x  5  mm 2 dengan  daerah aktif 3 x 3 mm 2 , dengan disipasi daya dalam bentuk perpindahan panas dari daerah aktif ke substrat dan udara sekitarnya melalui mekanisme konveksi dan konduksi panas.
Substrat (Si) Lapisan sensitif (SnO2) Elektroda (Pt/Ti) Heater (Pt/Ti) Sensor Temperatur (Pt/Ti) Pasivasi (SiO 2 )
Gambar 4. Penampang divais sensor gas CO diatas substrat silikon dengan lapisan sensitif SnO 2 .

## Pemilihan jenis material
Seperti  ditunjukkan  dalam  Gambar  4,  divais  sensor  gas  yang  dirancang  memiliki komponen utama sebagai berikut:
1. Substrat dari bahan silikon,
2. Lapisan SiO 2 sebagai pasivasi,
3. Heater dari bahan platina (Pt) yang berfungsi untuk menghasilkan panas,
4. Elektroda  dari  bahan  platina  (Pt)  yang  berfungsi  untuk  mengukur  perubahan resistansi dari lapisan logam oksida (SnO 2 ),
5. Sensor temperatur dari bahan platina (Pt),
6. Lapisan sensitif dari bahan SnO 2 , dan
7. Bonding pad dari bahan platina (Pt)
Silikon kristal tunggal (Si) dipilih  sebagai  bahan  substrat  karena  jenis  bahan  ini  memiliki keunggulan sifat mekanik maupun elektris bila dibandingkan dengan bahan semikonduktor lainnya.  Sementara  platina  (Pt)  memiliki  nilai Thermal  Coefficient  of  Resistance (TCR) yang bagus, sehingga banyak digunakan sebagai bahan heater atau sensor temperatur.

## Pembuatan layout divais sensor
Layout divais  sensor  gas  telah  dibuat  dengan  bentuk  seperti  ditunjukkan  dalam Gambar  5.  Komponen  pemanas  ( heater), elektroda,  dan  sensor  temperatur  dibuat  dalam daerah aktif sensor (3 x 3 mm) dengan lebar jalur dan jarak antar jalur 100  mikron dan 50 mikron.
Heater track
Sensor temperatur Elektroda Elektroda
Gambar 5. Layout divais sensor gas dengan komponen pemanas ( heater) , elektroda, dan sensor temperatur pada daerah aktif.

## Pembuatan masker
Setelah perancangan layout divais sensor selesai dilakukan, maka pola yang dibuat harus  dipindahkan  diatas  media  sebagai  masker  sebelum  akhirnya  dibentuk  diatas permukaan substrat silikon (Si). Tahapan yang dilakukan dalam pembuatan masker adalah: a. Perancangan layout menggunakan Computer Aided Design (CAD),
b. Pembuatan  image  negatif  dan  positif  hasil  dari  perancangan layout divais  sensor (Gambar 6).
Image Negatif Image Positif
Gambar 6. Layout divais sensor dalam bentuk image negatif dan positif.
Karena  ukuran  substrat  silikon  yang  digunakan  adalah  3  inch,  maka  masker  yang dibuat  telah  disesuaikan  dengan  ukuran  substratnya.  Karena  ukuran  divais  sensor  yang dibuat adalah 5 x 5 mm, maka dengan jarak antar divais 1 mm akan terbentuk 104 divais dalam satu wafer.
Silikon 3 inch
Gambar 7. Pola masker divais sensor diatas substrat 3 inch yang berisi 104 chip dengan ukuran 5 x 5 mm.
Gambar 8 . Masker positif berisi pola pemanas ( heater ), elektroda, dan sensor temperatur.
Dibuat diatas media transparan dengan lebar jalur dan jarak antar jalur minimal 100
mikron.
Gambar 9 . Masker positif berisi pola lapisan sensitif dan dibuat diatas media transparan dengan luas 3 x 3 mm 2 .

## FABRIKASI DIVAIS
Pada  tahap  selanjutnya  kegiatan  akan  difokuskan  pada  proses  fabrikasi  divais sensor, dengan langkah-langkah sebagai berikut (Gambar 10).
a. Penyiapan  bahan  silikon  sebagai  substrat,  tipe  p,  diameter  3 inch ,  ketebalan  380 mikron, dan orientasi (111).
b. Proses oksidasi untuk membentuk lapisan SiO 2 dengan ketebalan 0,5 mikron.
c. Proses  pelapisan  aluminium  (Al)  menggunakan  teknik  evaporasi  dengan  ketebalan 2000 Angstrom (Å).
d. Proses  fotolitografi  menggunakan  positif  resist  untuk  membentuk  pola  diatas  lapisan aluminium.
e. Etsa (pelarutan) lapisan aluminium yang telah terpola.
f. Pelapisan platina (Pt) menggunakan proses sputtering.
g. Proses lift off atau penghilangan lapisan platina diatas resist dan aluminium.
h. Proses fotolitografi menggunakan resist positif untuk membentuk pola daerah sensitif dari sensor gas.
i. Proses pelapisan Timah Oksida (SnO 2 ) melalui Sputtering.
j. Proses lift off lapisan SnO 2 .
k. Cutting dan penempelan divais diatas alumina untuk dikarakterisasi.
l. Proses wire bonding menggunakan gold wire .
Si (111) Si (111) Si (111) Si (111) Substrat Si 3 inch dengan lapisan SiO 2 0.5  m dan Al 2000 A SiO 2 Al SiO 2 Al Positif Resist Masker Positif Sinar UV Proses fotolitografi untuk membentuk pola pada lapisan aluminium Pt Proses sputtering lapisan Pt Proses lift off untuk menghilangkan lapisan Pt diatas Al
Gambar 10. Tahapan proses fabrikasi pembuatan divais sensor gas  menggunakan teknik lift off.

## PEMBAHASAN
Proses  fabrikasi  mikrodivais  ditujukan  untuk  menghasilkan  chip  yang  fungsional semaksimal  mungkin  dalam  satu  wafer  silikon.  Walaupun  dengan  ukuran chip 5x5  mm 2 , dalam  satu  wafer  dengan  diameter  3 inch dapat  memuat  maksimal  104 chip ,  akan  tetapi rata-rata  dari  kesuluruhan  wafer  silikon  yang  diproses  prosentase  chip  yang  fungsional hanya sekitar 30 buah (kurang dari 30 %). Penyebab utama dari rendahnya prosentase ini adalah  terjadinya  pengotoran  pada  wafer  silikon  mulai  tahap  penyiapan,  proses  dengan kondisi  lingkungan  di  laboratorium  yang  kurang  bersih,  serta  penanganan (handling). Idealnya,  untuk  melakukan  fabrikasi  divais  seperti  ini,  dibutuhkan  ruangan  yang  bersih dengan standard  cleanroom kelas  1000  dan  memilik  prosedur  kerja  standard  yang  telah dibakukan.  Dalam  Gambar  11  dapat  dilihat  beberapa chip mikrodivais  sensor  yang  telah selesai diproses.
Gambar 11 . Silikon hasil proses fotolitografi dengan berisi pola pemanas ( heater) , elektroda, dan sensor temperatur.
Karakterisasi mikrodivais yang dilakukan ditujukan untuk mengetahui resistansiterhadap  temperatur  dari platform mikrodivais  sensor.  Hal  ini  perlu  agar temperatur  kerja  dari  sensor  bias  diketahui  dengan  pasti.  Untuk  itu,  proses  karakterisasi telah  dilakukan  menggunakan hotplate ,  dimana chip dipanaskan  diatas hotplate dengan rentang temperatur antara 25  –  200  °C, dan pengukuran dilakukan dengan  mencatat nilai resistansi  dari  sensor  temperatur  dan  pemanas  ( heater) untuk  tiap  kenaikan  25  °C. Perubahan  nilai  resistansi  pada  kedua track tersebut  diukur  menggunakan probe thermocouple .
Gambar 12. Grafik resistansi pemanas (heater) terhadap temperatur pada sensor dengan 2 pasang elektroda.
Dalam Gambar 12 dapat dilihat hasil pengukuran  untuk sensor dengan dua pasang elektroda  diukur  pada track  temperature  sensor dan heater. Pengukuran  dilakukan  dua kali.  Pada  awalnya chip diukur  hubungan  antara  resistansi  dan  temperaturnya  hingga mencapai  temperatur  220  °C.  Setelah chip dingin  kembali,  selanjutnya  dilakukan pengukuran  yang  sama.  Hasil  pengukuran  resistansi  terhadap  temperatur  untuk  sensor dengan  dua  pasang  elektroda  menunjukkan  bahwa  hasil  pengukuran  pertama  dan  kedua tidak  terdapat  perbedaan  yang  signifikan,  baik  untuk  temperatur  sensor  maupun  untuk heater dapat dilihat seperti pada Gambar12.
Hal  yang  berbeda  untuk  chip  dengan  satu  pasang  elektroda.  Pengukuran  dua  kali menunjukkan  hasil  yang  berbeda  dan  tidak  terlihat  adanya  keteraturan.  Melalui pengamatan  mikroskop,  ditemukan  beberapa  lapisan  platina  dalam  keadaan  rusak. Penyebab  kerusakan  ini  diprediksi  akibat  pengaruh  panas  terhadap chip .  Guna membuktikan  hal tersebut, maka satu chip dipanaskan tanpa dilakukan pengukuran untuk menghindari  kerusakann  akibat  kontak  platina  dengan probe .  Setelah  pemanasan, permukaan chip tidak  mengalami  perubahan  atau  rusak  dan  setelah  diukur hubunganresistansi  terhadap  temperatur,  diperoleh  grafik  dengan  tren  seperti  grafik resistansi terhadap temperatur untuk chip dengan  dua elektroda diatas. Berikut  ini  adalah grafik  hubungan  resistansi  track  sensor  temperatur  dengan  perubahan  temperatur  pada Gambar 13.
Gambar 13 . Grafik resistansi sensor temperatur terhadap temperatur pada sensor dengan 2 pasang elektroda elektroda.

## KESIMPULAN
Karakterisasi  yang  dilakukan  terhadap platform mikrodivais  menunjukkan  bahwa elemen  pemanas (heater) dan  sensor  temperatur telah  berfungsi  seperti  yang  diharapkan, yaitu  nilai  resistansinyaberubah  secara  linear  dengan  kenaikan  temperatur  substrat. Rentang kenaikan nilai resistansi untuk pemanas (heater) adalah antara 1000 – 1400 ohm, sedangkan  untuk  sensor  temperatur  antara  200  –  300  ohm,  masing-masing  untuk temperatur antara 20 – 200 °C.

## DAFTAR PUSTAKA
Barsan, N., and Weimar, U., 2001,Conduction Model of Metal Oxide Gas Sensors, Journal of Electroceramics , vol.7, pp. 143-167.
Barsan,  N.,  Setter,  J.R.,  Findlay,  Jr.  M.,  and  Gopel,  W.,  1999 , High-performance  Gas Sensing  or  CO:  Comparative  Tests  for  Semiconducting  (SnO 2 -  based  )  and  for Amperometric Gas Sensors, Analytical Chemistry , vol. 71, pp. 2512-2517.
Graf,  M.,  Barretino,  D.,  Baltes,  H.  P.,  and  Hierlemann,  A.,  2007, CMOS  Hotplate Chemical Microsenso , Springer.
Korotcenkov, 2005, Gas Response Control through Structural and Chemical Modification of  Metal Oxidee Films: State of the Art and Approaches, Sensors and Actuators B , vol. 107, pp. 209-232.
P.  G.  Su,  Wu,  R.  J.,  and  Nieh,  F.  P.,  2003,  Detection  of  Nitrogen  Dioxide  Using  Mixed Tungsten Oxide-Based Thick Film Semiconductor Sensor, Talanta , vol.  59, no. 4, pp. 667-672.
Rodriguez,  J.  A  and  Garcia,  M.F.  ( ed ),  2007, Synthesis,  Properties,  and  Applications  of Oxide Nanomaterials, John Wiley & Sons.
Seiyama, T., Kato, A., Fujushi, K.,  and Nagatani, M., 1962,A New Detector For Gaseous Components Using Semiconductive Thin Films, Analytical Chemistry , vol. 34, no. 11, pp. 1502-1503.
Taguchi, N., 1972, Japanese Patent ,47-38840.
Williams,  G.  and  Coles,  G.  S.  V.,  1977,  Micropowered  Gas  Sensors  Using  Thick  and Thinn Films of Semiconducting Oxides, Sensors and Their Applications VIII , IOP Publishing, pp. 219-224.