STRUKTUR KRISTAL DAN KOMPOSISI KIMIA SEMIKONDUKTOR CD(SE0,6TE0,4) HASIL PREPARASI DENGAN METODE BRIDGMAN
Rizalul Fiqry 1,a) , Ariswan 2 , Heru Kuswanto 3
1 Mahasiswa Pendidikan Fisika Pascasarjana Universitas Ahmad Dahlan (UAD)
2 Dosen Universitas Negeri Yogyakarta (UNY) Email: a) doudonggo@gmail.com

## Abstrak
Telah dilakukan penumbuhan kristal bahan semikonduktor Cd(Se0,6Te0,4) dengan metode Bridgman. Penelitian ini bertujuan mengetahui komposisi kimia, parameter kisi, struktur kristal dan morfologi kristal bahan semikonduktor Cd(Se0,6Te0,4). Pemanasan tahap pertama dari suhu 27°C>200°C>250°C>300°C masing-masing 1 jam, 400°C (2 jam), lalu furnace dimatikan hingga 27 °C (2,25 jam). Tahap kedua dilakukan16 jam kemudian, dimulai dari suhu 27°C>200°C>300°C masing- masing 30 menit, ke 400°C dan 500°C masing-masing 1 jam, 600°C (2 jam), furnace dimatikan hingga 27°C. Penelitian menggunakan 4 sampel, melalui kerakterisasi XRD dan penghitungan parameter kisi menggunakan metode analitik dipilih sampel 4 (Cd=0,362 gram, Se=0,858 gram dan Te=0,390 gram) untuk diuji karakterisasi menggunakan EDAX dan SEM. Hasil  karakterisasi XRD sampel 4 menunjukkan telah terbentuk fase Cd(Se0,6Te0,4) terkristalisasi dalam struktur heksagonal, dengan parameter kisi a=b=4,2941Ǻ dan c=6,9975Ǻ. Setelah dilakukan analisis SEM dan EDAX menunjukkan massif yang dihasilkan cukup homogen dengan perbandingan mol Cd:Se:Te=1:0.70:0.40.
Kata-kata  kunci: Metode Bridgman,  Struktur  Kristal,  Komposisi Kimia,  Morfologi Permukaan Cd(Se0,6Te0,4)

## Abstract
Has  made crystal growing a semiconductor material Cd (Se0,6Te0,4) with Bridgman method. This study aims to determine the chemical composition, lattice parameters, crystal structure and morphology of crystalline semiconductor material Cd (Se0,6Te0,4). The first stage of the heating temperature of 27 ° C> 200 ° C> 250 ° C> 300 ° C respectively 1 hour, 400 ° C (2 hours), then the furnace was turned off to 27 ° C (2.25 hours). The second phase dilakukan16 hours later, starting from a temperature of 27 ° C> 200 ° C> 300 ° C each for 30 minutes, to 400 ° C and 500 ° C respectively 1 hour, 600 ° C (2 hours), the furnace was turned off up to 27 °  C.The study used four samples, through kerakterisasi XRD and calculation of lattice parameters using the analytical method selected sample 4 (Cd =  0.362 gram, Se and Te =  0.858 grams =  0.390 gram) to be tested using EDAX and SEM characterization. XRD characterization results have formed the sample 4 shows the phase Cd (Se0,6Te0,4) crystallizes in a hexagonal structure with lattice parameters a = b = c = 4,2941Ǻ and 6,9975Ǻ. After the analysis of SEM and EDAX showed massif produced quite homogenous with the mole ratio of Cd: Se:  Te =  1: 0.70: 12:40.
Keywords :  Bridgman  method,  crystal structure,  chemical composition,  surface morphology  of Cd(Se0,6Te0,4)
DOI: doi.org/10.21009/SPEKTRA.021.11

## 1. PENDAHULUAN
Penggunaan  energi  dewasa  ini  sangat  tinggi,  khususnya  energi  listrik.  Penelitian  dan  riset  terus dilakukan demi pemenuhan akan kebutuhan energi listrik. Salah satu riset yang terus dikembangkan dalam  pemenuhan  kebutuhan  energi  listrik  adalah  pembuatan  piranti  sel  surya.  Bahan  yang digunakan  adalah  bahan  semikonduktor  dalam  bentuk  sambungan  p-n  tertentu  sehingga menghasilkan efek perubahan dari energi matahari langsung menjadi energi listrik.
Penumbuhan kristal di laboratorium dilakukan dengan dua metode.  Metode Czockralski (metode penarikan)  yaitu  menarik  benih  kristal  dan  kristal  cair  yang  saling  menempel  ke  atas  pada  alat penarik,  dan  metode Bridgman yaitu  penumbuhan  dengan  melelehkan  bahan-bahan  yang  telah dimurnikan dalam tabung pyrex yang telah divakumkan.
Pada  penelitian  ini,  penumbuhan  kristal Cd(Se0,6  Te0,4) dilakukan  dengan  metode Bridgman . Metode ini dipilih sesuai dengan penentuan laboratorium yang ada, yaitu dengan melelehkan bahan di  dalam  tabung  pyrex  yang  telah  divakumkan.  Keunggulan  metode  ini  adalah dapat  menghasilkan massif/ingot  yang  lebih  homogen,  penurunan  temperatur  pada  perubahan  bahan  dari  keadaan  awal (cair)  dapat  dikontrol  secara  teliti,  dapat  mengatur  kecepatan  pembekuan,  dan  dapat  mengurangi kemungkinan ledakan unsur bahan pada suhu kristal dengan mengatur kenaikan suhunya.
Metode  ini  dapat  dilakukan  dengan  dua  cara,  yaitu  metode Bridgman horizontal  dan  vertikal. Perbedaan kedua metode ini hanya terletak pada posisi ampoule di dalam furnace saat pemanasan.
Untuk mengetahui hasil preparasi dilakukan karakterisasi dengan menggunakan X-Ray Diffraction (XRD) berikut  dengan  penentuan  struktur  kristal, Scanning  Electron  Microscopy  ( SEM)  digunakan untuk mengetahui morfologi permukaan (ukuran butir kristal) dan Energy Dispersive Analysis X-Ray (EDAX) digunakan untuk mengetahui  komposisi kimia secara kuantitatif.
Penumbuhan  kristal  dengan  metode Bridgman sendiri  beberapa  kali  telah  dilakukan  di  FMIPA UNY.  Salah  satunya  Mukti  Dwi  Nurjannah  (2010)  dengan  Bahan  Semikonduktor Cd(Se0,5Te0,5) dengan kesimpulan, merfologi bahan terlihat homogen[1].

## Batasan masalah
Batasan masalah dalam penelitian ini adalah penumbuhan kristal Cd(Se0,6 Te0,4) menggunakan metode  Bridgman  dengan melakukan  variasi  waktu  pemanasan  pada temperatur  tertentu  sedangkan karakterisasi kristal yang terbentuk dengan menggunakan XRD, SEM dan EDAX.

## Rumusan Masalah
Rumusan masalah dalam penelitian ini adalah: 1. Bagaimana struktur kristal Cd(Se0,6 Te0,4) yang terbentuk?
2. Bagaimana parameter kisi kristal Cd(Se0,6 Te0,4) yang terbentuk?
3. Bagaimana komposisi kimia dari unsur kristal Cd(Se0,6 Te0,4) yang terbentuk?
4. Bagaimana morfologi permukaan dari unsur kristal Cd(Se0,6 Te0,4) yang terbentuk?

## Tujuan Penelitian
Tujuan dari penelitian ini adalah:
1. Mengetahui struktur kristal Cd(Se0,6 Te0,4) yang terbentuk.
2. Mengetahui parameter kisi kristal Cd(Se0,6 Te0,4) yang terbentuk.
3. Mengetahui  komposisi kimia dari unsur kristal Cd(Se0,6 Te0,4) yang terbentuk.
4. Mengetahui morfologi permukaan dari unsur kristal Cd(Se0,6 Te0,4) yang terbentuk.

## 2. KAJIAN PUSTAKA

## Bahan Zat Padat
Bahan  yang  tersusun  dari  deretan  atom-atom  yang  teratur  letaknya  dan  periodik  disebut  bahan kristal. Kristal memiliki susunan berulang dan jarak yang teratur dalam tiga dimensi. Pada hubungan
lokal  yang  teratur,  suatu  kristal  harus  memiliki  rentang  yang  panjang  sebagai  karakteristik  dari bentuk  kristal  tersebut.  Selain  kristal  ada juga  yang  disebut  amorf  ( amorphous ).  Amorf  merupakan definisi  struktual  dari  suatu  material,  dimana  atom-atomnya  tersusun  secara  tidak  teratur  sehingga panjang  dan  sudut  ikatan  antar  atom  juga  tidak  teratur,  kasus  inilah  yang  diketahui  sebagai  bentuk penyimpangan struktural[2].
Kristal adalah zat padat yang mempunyai susunan atom-atom atau susunan molekul yang teratur. Berdasarkan  keteraturan  panjang  jarak  susunan  atom-atom  atau  molekul-molekul  zat  padat,  maka kristal  dibagi  menjadi  dua,  yaitu;  Monokristal  (kristal  tunggal),  yaitu  kristal  yang  memiliki keteraturan  panjang  jarak  susunan  atom-atom  dan  memiliki  periodisitas  yang  tidak  berhingga  ke segala arah dan Polikristal adalah kristal yang memiliki keteraturan, dengan panjang (jarak) susunan atom-atom  hanya  terbatas  pada  daerah-daerah  tertentu  di  dalam  kristal  zat  padat.  Daerah  dengan keteraturan atom-atom ini disebut butiran (grain). Dalam sistem tiga dimensi kristal dikelompokkan menjadi tujuh sistem kristal, yaitu kubik, monoklinik, triklinik, tetragonal, orthorombik, trigonal, dan heksagonal[3].

## Kristal Cd(Se0,6Te0,4) Sebagai Bahan Sel Surya
Semikonduktor  adalah  bahan  dengan  konduktivitas  listrik  karena  aliran  elektron  (sebagai  lawan konduktivitas  ionik  )  yang  besarnya  antara  yang  dari  konduktor  dan  isolator.  Berdasarkan  struktur pita energi bahan dapat digolongkan menjadi tiga jenis yaitu isolator, konduktor dan semikonduktor. Isolator  adalah  penghantar  listrik  yang  buruk  karena  memiliki  daerah  terlarang  sangat  lebar  yaitu sekitar ≈ 6 eV, keberadaan pita terlarang ini memisahkan daerah pita valensi yang penuh dan yang kosong sehingga mengakibatkan terhambatnya serapan energi bagi elektron.
Semikonduktor  terbagi  menjadi  dua,  Semikonduktor  intrinsik  yaitu  semikonduktor  yang  masih murni  dan  semikonduktor  ekstrinsik  adalah  semikonduktor  intrinsik  yang  dikotori  oleh ketidakmurnian,  sehingga  sifat  kelistrikannya  dikendalikan  oleh  sifat-sifat  dan  jumlah ketidakmurnian pada bahan itu sehingga terbagi menjadi Semikonduktor tipe-ndan tipe-p[4].
Pada  suhu  0  K  semikonduktor  akan  bersifat  isolator  karena  pita  valensi  terisi  penuh  dan  pita konduksi kosong.  Jadi hantaran listrik pada semikonduktor sangat bergantung pada suhu dibanding hantaran listrik pada konduktor dan isolator[5].
Bahan yang banyak dipakai sebagai bahan semikonduktor adalah silikon dan germanium dengan Eg berturut-turut 1,21 eV dan 0,785 eV pada suhu 0 K, jika temperatur dinaikkan sebagian elektron valensi mempunyai panas termal yang lebih besar dari Rg, oleh kerena itu elektron berpindah ke pita konduksi  sebagian  elektron  hampir  bebas  dan  meninggalkan  hole  di  pita  valensi.  Bahan  tersebut bersifat  sebagai  konduktor  pembawa  muatan  elektron  dan  hole.  Bahan  tersebut  dinamakan semikonduktor intrinsic[6].
Bahan semikonduktor Cd(Se0,6 Te0,4) terbentuk dari tiga unsur, yaitu Cd (golongan  II), Se dan Te (golongan  IV).  Bahan  semikonduktor Cd(Se0,6  Te0,4) identik  dengan  bahan  semikonduktor Cadmium Selenida (CdSe) dan Cadmium Tellurium (CdTe). Bahan CdSe dan CdTe merupakan bahan semikonduktor tipe-n.
Lipisan    tipis  kadmium  telah  menjadi  bahan  untuk  aplikasi  di  elektro-optik  dan  foto  perangkat elektrokimia  sel  surya.  Saat  ini,  salah  satu  bahan  terbaik  dimana  menyambung  celah  pita  mungkin adalah  dari  kelompok  cadmium  chalcogenides,  yaitu Cd(Se0,6  Te0,4) yang  memiliki  celah  pita sangat  dekat  dengan  penyerapan  maksimum  dalam  spektrum  terlihat  ≈  1,45  eV.  Efisiensi  konversi listrik hingga 8% telah diperoleh menggunakan film tipis polikristalin Cd(Se0.65Te0.35) yang telah sebuah celah pita optik yang sama dengan CdTe dan menunjukkan stabilitas sebanding dengan CdSe di sulfida [7].
Penumbuhan Kristal Cd(Se0,6 Te0,4) dengan Metode Bridgman .
Hal yang paling penting untuk mendapatkan semikonduktor yang berkualitas dan bermutu adalah dengan  mendapatkan  kristal  yang  sempurna,  maka  dalam  penumbuhan  kristal  dapat  dilakukan dengan 2 cara, yaitu metode Czockalski (Penarikan) dan Bridgman (Pelelehan). Untuk Metode Bridgman , bahan yang dilelehkan harus divakumkan dalam tabung pyrex. Metode Bridgman dapat  dibagi  menjadi  dua,  yaitu  metode  bridgaman  vertical  dan  horizontal.  Perbedaan kedua  metode  ini  hanya  pada  posisi  tabung  pyrex  yang  dipanaskan  dalam  furnace.  Keunggulan
metode Bridgman horizontal dapat menyebabkan tegangan tersebar secara homogen, sehingga dapat mengurangi  retakan  pada  kristal  yang  terbentuk.  Pengaruh  temperatur  sangat  penting  karena berdampak pada kristal yang dibentuk[8].
Hasil dari perparasi adalah terbentuknya  massif atau ingot, yaitu bahan (biasanya logam) ,  yang dilemparkan ke dalam bentuk yang cocok untuk diproses lebih lanjut. Pada preparasi Cd(Se0,6 Te0,4) masing-masing bahan memiliki titik lebur, Cd=312,07°C, Se= 221°C, Te=449,5°C. Pemilihan suhu tersebut berdasarkan titik lebur bahan serta pertimbangan terhadap keadaan bahan pada suhu kritis.

## 3. METODE PENELITIAN/EKSPERIMEN

## Rancangan Penelitian
Penelitian ini menggunakan metode Bridgman , yaitu dengan memelehkan bahan semikonduktor. Penelitian dilakukan April-Juni 2011 Lab. Material Gedung Lab Fisika FMIPA UNY, sedangkan uji XRD di Laboratorium Kimia Analitik Universitas Gadjah Mada, SEM dan EDAX di Laboratorium Pusat Penelitian dan Pengembangan Geologi (LP3G) ITB Bandung.
Variabel  dalam  penelitian;  (1)  bebas;  jenis  material  adalah Cd(Se0,6  Te0,4) dan    temperatur preparasi  bahan  yaitu  27°C  s/d  600°C,  (2)  terikat;  stuktur  kristal  Cd(Se0,6Te0,4),  parameter  kisi kristal Cd(Se0,6Te0,4), dan kristalinitas Cd(Se0,6Te0,4), (3) terkontrol; tekanan dan waktu.
Perangkat  preparasi  bahan  semikonduktor    Cd(Se0,6Te0,4)  dengan  metode Bridgman ;  pompa vakum, alat pemanas (furnace dengan merk barndstead Thermolyne Seri 47900), Timbangan Analitik (timbangan  digital  merk  Denver  Instrument  XE-310  dengan  ketelitian  0,001  gram),  pengelas  kaca, dan  alat  tambahan  (hair  dryer,  penjepit  tabung,  kunci  inggris,  tang  dan  obeng).  Sedangkan  untuk karakterisasi  bahan  semikonduktor  menggunakan  XRD  (X-Ray  Diffraction),  SEM  (Scanning Electron Microcopy) dan EDAX (Energi Dirpersive Analysis X-Ray).

## Bahan Penelitian
Bahan-bahan  yang  digunakan  dalan  penelitian  ini  adalah;  (1)  Cadmium  (serbuk),  dengan kemurnian 99,99% (Nomor atom: 48, Warna: Logam Kebiruan, Berat Atom: 112,41 gram/mol, Titik leleh:  :  321,07  °C,  Titik  didih:  767  °C,  Struktur  Kristal:  Homogen),  (2)  Selenium  (pellet),  dengan kemurnian 99,99% (Nomor atom :  34,  Warna:  metalik,  Berat  atom:  78,96  gram/mol,  Titik leleh:  221°C,  Titik  didih:  685  °C,  Struktur  Kristal:  Hexagonal),  (3)  Tellurium  (pellet),  dengan kemurnian  99,99%  (Nomor  atom:  52,  Warna:  metalik,  Berat  atom:  127,6  gram/mol,  Titik  leleh 449,5°C,  Titik  didih:  988  °C,  struktur  kristal:  Kubik),  (4)  Tabung  pyrex  dengan  ketebalan  2  mm, diameter dalam 12 mm, dan diameter luar 16 mm, (5) Larutan Hf 10%, air dan alkohol, (6) Plastik tempat sampel.
Teknik  pengambilan  data  dibagi  dua,  yaitu  tahap  persiapan  preparasi  dan  proses  pelaksanaan preparasi.  Jumlah  Sampel  yang  Dijadikan  Bahan  Preparasi,  4.  Kemudian  nanti  dipilih  salah  satu sampel yang bagus untuk dilanjutkan ke tahap preparasi yang lain.
Preparasi  Penumbuhan  Kristal Cd(Se0,6  Te0,4) dengan  menggunakan  metode Bridgman ,  tahap preparasi bahan; (1) membersihkan tabung pyrex, (2) Menyiapkan bahan dasar yaitu Cadmium (Cd), Selenium (Se) dan Tellenium (Te), (3) penimbangan bahan, dengan persamaan:
Massa Se = X gram Massa Te = ((massa Se)/(Berat atom Se)  x Berat atom Te x  0,4/0,6) Massa Cd = ((massa Se)/(Berat atom Se)  x Berat atom Cd x  1/0,6 (4) memasukkan bahan dasar yang telah ditimbang ke dalam tabung pyrex, (1) pemvakuman, (5) Pengelasan,  (6)  Pemanasan  Bahan  (27°C,  250°C,  300°C,  400°C,  500°C,  600°C  sesuai  dengan  alur pemanasan yang dikehendaki dan suhunya disesuaikan dengan titik lebur dari masing-masing bahan).
Langkah-langkah dalam preparasi adalah; (1) memasukkan bahan kapsul yang berisi Cd, Se, dan Te yang telah ditimbang ke dalam furnace, (2) Menghidupkan furnace dengan mengatur saklar pada posisi  ON,  (3)  mengatur  temperatur  sesuai  dengan  alur  pemanasan  yang  dikendaki,  (4)  mematikan furnace dengan mengatur saklar pada posisi OFF, setelah pemanasan selesai.
Siklus  pemanasan  untuk  ke-4  sampel:  sampel  1,  2  dan  3;  (1)  pemanasan    sampel  hari  pertama dimulai  dari  suhu  27°C  ke  suhu  200°C  dan  konstan  selama  1  jam.  Setelah  konstan  1  jam,  suhu dinaikkan 250°C dan konstan 1 jam, kemudian furnace dimatikan atau kembali ke suhu lingkungan selama 45 menit; (2) pemanasan  sampel hari ke dua dimulai dari suhu 200°C dan kostan selama 30 menit.  Setelah  konstan  30  menit,  suhu  dinaikkan  ke  300°C  dan  konstan  selama  1  jam.  Kemudian suhu  dinaikkan  lagi  ke  400°C  dan  konstan  selama  2  jam,  Kemudian  suhu  dinaikkan  lagi  ke  500°C dan  konstan  selama  2  jam.  Kemudian  furnace  dimatikan  atau  kembali  ke  suhu  lingkungan  selama 2,25 jam. Sampel 4; (1) pemanasan sampel hari pertama dimulai dari suhu 27°C ke suhu 200°C dan konstan selama 1 jam. Setelah konstan 1 jam, suhu dinaikkan 300°C dan konstan 1 jam, kemudian suhu  dinaikan  ke  400°C  dan  konstan  selama  2  jam,  kemudian  furnace  dimatikan  atau  kembali  ke suhu  lingkungan  selama  1,5  jam;  (2)  pemanasan    sampel  hari  ke  dua  dimulai dari suhu  200°C  dan kostan selama 30 menit. Setelah konstan 30 menit, suhu dinaikkan ke 300°C dan konstan selama 30 menit. Kemudian suhu dinaikkan lagi ke 400°C dan konstan selama 1 jam, Kemudian suhu dinaikkan lagi  ke  500°C  dan  konstan  selama  1  jam.  Kemudian  suhu  dinaikkan  lagi  ke  600°C  dan  konstan selama 2 jam. Kemudian furnace dimatikan atau kembali ke suhu lingkungan 4 jam.
Karakterisasi  Bahan  Semikonduktor Cd(Se0,6  Te0,4) Struktur  Kristal Cd(Se0,6  Te0,4) dengan XRD, morfologi permukaan dengan SEM dan Komposisi Unsur dengan EDAX.

## Teknik Analisis Data
Data  yang  diperoleh  dari  karakterisasi  dengan  manggunakan  XRD  adalah  hubungan  antara intensitas  dengan  sudut  difraksi  20,  hasil  tersebut  kemudian  dibandingkan  dengan  standar  JCPDS (Join  Committee  on  Powder  Diffraction  Standards),  sehingga  diperoleh  bidang-bidang  hkl  dari sampel,  sedangkan  untuk  mengetahui  nilai  dari  parameter  kisi  (a,b  dan  c)  yang  terbentuk  dapat dilakukan dengan metode analitik.

## 4. HASIL PENELITIAN DAN PEMBAHASAN

## Hasil Penelitian
Analisis struktur kristal Massif Cd(Se0,6 Te0,4) dengan menggunakan XRD Masif Cd(Se0,6  Te0,4) yang  sudah  dikarakterisasi  dengan  menggunakan  XRD  (X-Ray Diffraction)  menghasilkan  data  dalam  bentuk  difragtogram,  yaitu  grafik  hubungan  antara  intensitas (I)  puncak  spektrum  kristal  dan  sudut  hamburan  (2θ).  Difragtogram  menunjukkan  puncak-puncak
spektrum  yang  muncul  pada  sampel.  Data  hasil  karakterisasi  dengan  menggunakan  XRD  (X-Ray Diffraction).
Dilihat dari hasil dari grafik dengan intensitas yang baik dan hasil perbandingan dari data JCPDS CdSe maka bahan yang  paling bagus untuk dilanjutkan uji karakterisasinya adalah bahan 4.
Analisis struktur kristal Massif Cd(Se0,6 Te0,4) dengan menggunakan XRD Masif Cd(Se0,6  Te0,4) yang  sudah  dikarakterisasi  dengan  menggunakan  XRD  (X-Ray Diffraction)  menghasilkan  data  dalam  bentuk  difragtogram,  yaitu  grafik  hubungan  antara  intensitas (I)  puncak  spektrum  kristal  dan  sudut  hamburan  (2θ).  Difragtogram  menunjukkan  puncak-puncak spektrum  yang  muncul  pada  sampel.  Data  hasil  karakterisasi  dengan  menggunakan  XRD  ( X-Ray Diffraction ). Seperti terlihat pada gambar.
Analisis Morfologi Permukaan Masif Cd(Se0,6Te0,4)dengan Menggunakan SEM. hasil  pemotretan  bahan  Cd(Se0,6Te0,4)dengan  mengunakan  SEM  (a)  perbesaran  1000x  (b) perbesaran 10000x

## Pembahasan
Komposisi Kimia Masif Cd(Se0,6 Te0,4) dengan EDAX Hasil  perhitungan  analitik  yang  kemudian  dibandingkan  dengan  data  JCPDS  diketahui  bahwa massif Cd(Se0,6  Te0,4) yang  terbentuk  merupakan  polikristal  dan  mempunyai  struktur  heksagonal, yaitu  parameter  kisi  (a=b≠c)  dan  sudut  (α=β=90°,γ=120°).  Sumbu  dan  sudut  antara  sumbu  dalam kristal  3  dimensi,  perpotongan  karakteristik  dan  sudut  sumbu  suatu  kristal  dinamakan  konstanta geometri.  Hal  ini  sama  dengan  data  JCPDS  CdSe  dan  berdasarkan  hasil  perhitungan  dengan menggunakan metode analitik, hasil perhitugan selengkapnya disajikan pada lampiran 3.
Harga parameter kisi pada massif Cd(Se0,6Te0,4) dari hasil perhitungan dengan metode analitik yaitu:
- Bahan 2 (Cd=0,50 gram, Se=0,210 gram dan Te=0,227 gram) adalah a=b=4,2941 Ǻ  dan  c = 6,9943 Ǻ.
- Bahan  3  (Cd=0,271  gram,  Se=0,643  gram  dan  Te=0,259  gram)  adalah  a=b=4,2941Ǻ  dan c=6,9737Ǻ.
- Bahan 4 (Cd = 0,362 gram, Se = 0,858 gram dan Te = 0,390 gram) a=b=4,2941 Ǻ dan c = 6,9975 Ǻ.
sedangkan dari data JCPDS CdSe yaitu a=b=4,2990 Ǻ dan c=7,0100 Ǻ. Dilihat  dari  parameter  kisi  a,b  dan  c  dari  masif Cd(Se0,6  Te0,4) maka  dapat  ditarik  kesimpulan bahwa preparasi yang dilakukan mendekati berhasil, karena hanya terdapat sedikit selisih dari harga parameter  kisinya.  Nilai  ralat  ini  mungkin  disebabkan  kurangnya  proses  pemanasan  serta  kurang tingginya tingkat pemvakuman.
Melalui  hasil  EDAX  maka  diperoleh  perbandingan  persentase  komposisi  kimia  unsur  Cd:Se:Te adalah 42.02:29.49:16.96 dengan perbandiangan mol Cd:Se:Te adalah 1:0.70:0.40 sedangkan secara teori adalah 1:0.6:0.4. Dari data terdapat unsur lain yang terkandung yaitu C dengan komposisi kimia 11,52%.
Berdasarkan  data  terdapat  ketidaksesuaian  perbadingan  mol  dan  juga  terdeteksinya  kandungan unsur  karbon  (C),  ini  dapat  disebabkan  karena  beberapa  vaktor    diantaranya  ketidaksempurnaan dalam  pemvakuman,  tingkat  ketahanan  tabung  pyrex,  ketidakhati-hatian  pada  saat  proses penggerusan sampel untuk diuji karakterisasi dan pengaruh kontaminasi pada saat uji karakerisasi.
Dilihat  dari  hasil  karaterisasi  EDAX  diketahui  bahwa  proses  preparasi  ini  berhasil  karena terbentuknya masif dengan unsur Cd, Se dan Te.
Morfologi Permukaan Masif Cd(Se0,6 Te0,4) dengan SEM SEM digunakan untuk mengetahui struktur morfologi permukaan dari masif. Melalui karakterisasi dengan SEM dihasilkan gambar yang menunjukkan bahwa kristal Cd(Se0,6 Te0,4) homogen, hal ini terlihat dari warna pemukaan kristal hasil preparasi yang seragam dan jika ukuran gambar semakin diperbesar maka semakin tampak butiran kristal yang terkandung dalam masif Cd(Se0,6 Te0,4) yang terbentuk.

## 5. KESIMPULAN
Setelah  melalui  penelitian,  analisis  data  dan  karakterisasi  dari  hasil  preparasi  bahan Cd(Se0,6 Te0,4) dengan metode Bridgman , maka dapat ditarik kesimpulan sebagai berikut:
1. Berdasarkan data hasil karakterisasi XRD, kristal yang terbentuk dari hasil preparasi bahan Cd(Se0,6 Te0,4) berupa kristal dengan struktur hexagonal.
2. Parameter kisi pada kristal Cd(Se0,6 Te0,4) hasil preparasi adalah a = b = 4,2941 Ǻ dan c = 6,9975 Ǻ, sedangkan dari data JCPDS CdSe  adalah a = b = 4,2990 Ǻ dan c =7,0100 Ǻ.
3. Hasil  karakterisasi  EDAX  menunjukan  telah  terbentuk Cd(Se0,6  Te0,4) dengan perbandingan  komposisi  kimia  unsur  Cd:Se:Te  adalah  42.02:29.49:16.96  sedang  perbandingan  mol Cd:Se:Te adalah 1:0.70:0.40.
4. Hasil karakterisasi SEM menunjukkan bahwa morfologi permukaan kristal Cd(Se0,6 Te0,4) homogen, hal ini terlihat dari warna seragam pada permukaan kristal.

## UCAPAN TERIMAKASIH
Terimakasih kepada Dr. Ariswan dan Dr. Heru Kuswanto yang telah membantu pelaksanaan dan  penulisan  hasil  penelitian  sehingga  menjadi  layak  untuk  dipublikasikan.  Juga  kepada
Pascasarjana  Pendidikan  Fisika  Univesitas  Ahmad  Dahlan  yang  telah  menjadi  fasilitator  untuk publikasi karya tulis ini.

## DAFTAR ACUAN
[1] Mukti  Dwi  Nurjannah.  2010.  Studi  Pengaruh  Alur  Pemanasan  Terhadap  Struktur  Kristal, Komposis  dan  Morfologi  Bahan  Semikonduktor  Cd(Se0,0  Te0,5)  Hasil  Preparasi  dengan Metode Brigman. Yogyakarta: FMIPA Universitas Negeri Yogyakarta
[2] Beiser A. 1987. Konsep Fisika Modern Edisi Ketiga, Jakarta: Erlangga
[3] Edi  Istiyono,  2000.  Fisika  Zat  Padat  I.  Diktat  Kuliah,  tidak  diterbitkan,  Yogyakarta: Universitas Negeri Yogyakarta
[4] Edi Iswanto, 2007. Prinsip Kerja Sel Surya Sambungan p-n, artikel. www.forumsains.com
[5] Nyoman Suwitra. 1989. Pengantar Fisika Zat Padat. Jakarta: DepDikBud
[6] Ariswan, 2007. Semikonduktor. Handout Kuliah, tidak diterbitkan. Yogyakarta: Universitas Negeri Yogyakarta
[7] R. Balasundaranhul, S. Jayakumar, M. D. Kannan, N. Muthukumarasamy, S. Velumani and H.  Castaneda.  2005.  Characterization  of  Hot  Wall  Deposited  Cd(Se0.65Te0.35) Thin  Film. USA: Journal of New Material  for Electromical System
[8] Ariswan,  2005.  Kristalografi.  Handout  Kuliah,  tidak  diterbitkan.  Yogyakarta:  Universitas Negeri  YogyakartaS.  Iwan,  S.T.  Tan,  J.L.  Zhao,  and  X.W.  Sun,  Growth  process  of  ZnO nanotubes using MOCVD , J. Crystal Growth. 874 (2010), p. 329-333.