## SINTESIS DAN KARAKTERISASI MgB 2 DENGAN PENAMBAHAN NANO-SiC MELALUI METODE REAKSI PADAT
Sigit Dwi Yudanto 1* , Lalu Arif Rahman Hakim 2 , Muhammad Emir Hanif Rasyadi 2 , Agung Imaduddin 1 dan Andika Widya Pramono 1
1 Pusat Riset Metalurgi dan Material - BRIN, Tangerang Selatan, Indonesia
2 Departemen Teknik Fisika, Fakultas Teknologi Industri, Institut Teknologi Sepuluh Nopember, Surabaya, Indonesia *sigi012@brin.go.id
Received 05-03-2021, Revised 15-02-2022, Accepted 15-02-2022 Available Online 17-03-2022, Published Regularly April 2022

## ABSTRACT
We have synthesized nano-SiC added MgB 2 by using the solid reaction method. Evaluation of the addition of nano-SiC to the crystal structure and critical temperature of MgB 2 was carried out through X-ray diffraction and cryogenic magnetometer tests. MgB 2 +x wt.% nano-SiC with x=0, 5, 10, and 15 were prepared by manual milling and sintered at 800°C for 2 hours. Based on X-ray diffraction analysis, the addition of nano-SiC caused a decrease in the value of the a- lattice  constant  from  3.0848  nm  to  3.0792  nm.  The  distortion  in  the  a-lattice  constant  is  the result of carbon substitute boron. The resistivity test results showed that the addition of nano- SiC decreased the Tc-zero value of the MgB 2 material.
Keywords: MgB 2 ; solid-state; nano-SiC; lattice,; Tc zero .

## ABSTRAK
Sintesis  material  MgB 2 dengan  penambahan  nano-SiC  telah  kami  lakukan  menggunakan metode reaksi padat. Evaluasi penambahan nano-SiC terhadap struktur kristal dan suhu kritis MgB 2 dilakukan  melalui  pengujian  difraksi  sinar-X  dan cryogenic  magnetometer .  MgB 2 +x wt.%  nano-SiC  dengan  x=0,  5,  10,  dan  15  dipersiapkan  dengan  penggerusan  manual  dan disintering pada suhu 800°C selama 2 jam. Berdasarkan analisis difraksi sinar-X, penambahan nano-SiC  menyebabkan  penurunan  nilai  konstanta  kisi-a  dari  3,0848  Å  menjadi  3,0792  Å. Distorsi pada konstanta kisi-a merupakan dampak dari karbon yang mensubstitusi boron. Hasil uji  resistivitas  menunjukkan  bahwa  penambahan  nano-SiC  menurunkan  nilai T c-zero dari material MgB 2 .
Kata kunci: MgB 2; reaksi padat; nano-SiC; kisi, T c-zero .

## PENDAHULUAN
Banyak sekali penelitian dilakukan yang bertujuan untuk meningkatkan superkonduktivitas  MgB 2 sejak  ditemukan  sifat  superkonduktornya  pada  tahun  2001 [1] . MgB 2 mempunyai  suhu  kritis  sebesar  ~39  K [1] .  Superkonduktor  yang  memiliki  struktur heksagonal  dalam  group  ruang  p6/mmm  ini  mempunyai  peluang  yang  besar  untuk diterapkan  dalam  beberapa  aplikasi  karena  mempunyai  beberapa  keunggulan,  antara  lain suhu  kritis  yang  lebih  tinggi  dibandingkan  dengan  superkonduktor  paduan  logam  yang telah  aplikasikan,  bahan  baku  yang  murah,  dan  metode  pembuatan  yang  sederhana. Beberapa  cara  yang  dilakukan  antara  lain  modifikasi  proses  sintesis  dan  substitusi/addisi
pada  material  MgB 2 . S.X.  Dou  melaporkan  bahwa  doping  SiC  meningkatkan  nilai  rapat arus (Jc) MgB 2 [2] .
Pada penelitian sebelumnya, sintesis MgB 2 telah berhasil dilakukan melalui metode reaksi padat.  Untuk  mengetahui  pengaruh  penambahan  nano-SiC  pada  struktur  dan  sifat superkonduktor MgB 2 , maka pada penelitian ini dilakukan sintesis material MgB 2 dengan penambahan  nano-SiC  sebesar  5  wt.%,  10  wt.%,  dan  15  wt.%.  Kami  melaporkan  bahwa penambahan  nano-SiC  menyebabkan  distorsi  kisi  struktur  kristal  MgB 2 dan mengakibatkan terjadinya penurunan nilai suhu kritis ( T c ) MgB 2 .

## METODE
Penambahan  nano-SiC  terhadap  material  MgB 2 dilakukan  secara in  situ dengan  metode reaksi  padat.  Sampel  MgB 2 penambahan  nano-SiC  dipersiapkan  mengikuti  rumus Mg+2B+x  wt.%  SiC  (x=0;  5;10;15)  dengan  bahan  baku  serbuk  magnesium,  boron,  dan nano-SiC.  Sintesis  material  diawali  dengan  penimbangan  bahan  baku  sesuai  dengan perbandingan stoikiometri Mg:B=1:2. Nano-SiC sebesar 5, 10, dan 15 wt.% ditambahkan dalam campuran dan digerus menggunakan mortar agate selama 30 menit dan selanjutnya diberi kode masing-masing MB5SiC, MB10SiC, dan MB15SiC. Sedangkan sampel murni tanpa  penambahan  (MB0SiC)  telah  dilaporkan  sebelumnya  dan  dijadikan  sebagai pembanding [3] .  Hasil  gerusan  dikemas  dalam  tabung stainless  steel 304  (SS304)  dan dipadatkan dengan tekanan 350 MPa. Pengemasan serbuk dalam tabung SS304 bertujuan untuk mencegah adanya oksidasi dan evaporasi magnesium ketika dilakukan pemanasan di atas  titik  leburnya.  Semua  sampel  dipanaskan  dalam muffle  furnace pada  suhu  800°C selama 2 jam dengan kondisi atmosfer udara bebas dan dibiarkan dingin  di dalam tungku sampai suhu ruangan.
Difraktometer sinar-X atau X-Ray Diffractometer (XRD) Smartlab dari Rigaku digunakan untuk  mengkarakterisasi  pembentukan  fasa,  struktur  kristal,  dan  ukuran  kristal.  Dengan sumber radiasi  Cu Kα (λ = 0,15406 nm), pengukuran dilakukan pada rentang sudut 2θ  = 20  -  90°.  Analisis  kualitatif  XRD  menggunakan  bantuan  perangkat  lunak  Match  3!  yang didukung  dengan  database Crystallography  Open  Database  (COD) tahun  2018.  Analisis kuantitatif  hasil  XRD  dengan  cara  penghalusan  pola  difraksi  dilakukan  menggunakan metode Rietveld [4] .  Pengukuran  resistansi  bertujuan  untuk  mengetahui  kecenderungan hambatan  sampel  terhadap  suhu  dilakukan  menggunakan cryogenic  magnetometer dari oxford .

## HASIL DAN PEMBAHASAN
Gambar  1  memperlihatkan  pola  difraksi  sinar-X  sampel  MgB 2 tanpa  dan  dengan penambahan  nano-SiC.  Pengujian  XRD  dilakukan  pada  serbuk  sampel  yang  digerus setelah  dikeluarkan  dari  tabung  SS304.  Sampel  MgB 2 murni  (MB0SiC)  menunjukkan hasil  multifasa  dengan  fasa  MgB 2 sebagai  fasa  dominan [3] .  Berdasarkan  pola  difraksi, masih  ditemukan  fasa  Mg  dan  MgO  yang  teridentifikasi  pada  sudut  2θ=32,19°;  34,44°; 36,65°;  dan  47,79°  untuk  fasa  Mg  dan  sudut  2θ  =  62,17°  untuk  fasa  MgO.  Fasa  MgB 2 , Mg, dan MgO masing-masing merujuk pada database COD nomor #152-6508, #900-8507, dan #900-6795. Masih terjadinya oksidasi pada Mg disebabkan karena proses preparasi di udara bebas [5] .
Gambar 1. Pola difraksi sampel MgB 2 dengan penambahan nano-SiC hasil penghalusan
Penambahan  nano-SiC  pada  sintesis  material  MgB 2 menyebabkan  munculnya  dua  fasa baru,  yaitu  fasa  Mg 2 Si  dan  SiC [6,7] .  Puncak  fasa  pada  sudut  2θ=24,24°;  28,04°;  40,13°; dan 58,04° teridentifikasi sebagai fasa Mg 2 Si berdasarkan COD nomor #153-7741. Puncak pada sudut 2θ=35,65° dan 38,13° merupakan puncak fasa SiC  yang sesuai  dengan COD nomor  #900-8876.  Kemunculan  fasa-fasa  baru  hasil  penambahan  nano-SiC  lebih  jelas ditunjukkan  pada  Gambar  2a.  Semakin  besar  jumlah  nano-SiC  yang  ditambahkan menyebabkan semakin tinggi intensitas dari puncak fasa Mg 2 Si. Berdasarkan perhitungan melalui penghalusan pola difraksi  dengan nilai  χ 2 atau goodness  of  fit (GoF)  yang  dapat diterima  secara  statistik,  diperoleh  persentase  dari  masing-masing  fasa  yang  terbentuk. Tabel  1  menyajikan  data  hasil  analisis  kuantitatif  pengujian  XRD.  Dari  Tabel  1  terlihat bahwa  selain  munculnya  fasa  Mg 2 Si  dan  SiC,  penambahan  nano-SiC  menyebabkan penurunan  fraksi  massa  fasa MgB 2 yang terbentuk. Berkurangnya fasa  MgB 2 merupakan konsekuensi  dari  kenaikan  fraksi  massa  fasa-fasa  lain.  Tingginya  fraksi  massa  Mg  yang tidak bereaksi ini disebabkan karena ukuran partikel Mg yang besar [8-11] . Ukuran partikel Mg yang besar ini menyebabkan Mg yang tidak bereaksi terjebak di dalam lapisan MgB 2 [8] .  K.  Vinod,  et  al  melakukan  percobaan  pengaruh  magnesium  dengan  ukuran  partikel sebesar < 25 μm, 25-53 μm, 53-106 μm, dan 106-180 μm, sedangkan pada penelitian ini menggunakan serbuk magnesium yang berukuran 0,05 - 1 mm [8] .
Tabel 1. Analisis kuantitatif sampel MgB 2 dengan penambahan nano-SiC Keterangan MB0SiC [3] MB5SiC  MB10SiC  MB15SiC MgB 2 (wt.%) 88,57 80,85 64,74 60,67 Mg (wt.%) 2,93 9,89 15,28 16,50 MgO (wt.%) 8,50 5,29 9,20 10,90 Mg 2 Si (wt.%) 0 1,83 3,03 3,07 SiC (wt.%) 0 2,14 7,75 8,86 χ 2 1,29 1,21 1,27 1,28 wRp (%) 16,89 17,26 17,45 18,04 Rp (%) 12,37 12,86 13,12 13,37
Gambar  2. a).  Perbesaran  pola  difraksi  pada  sudut  2θ  =  33  –  41°  dan  b).  Parameter  kisi kristal MgB 2 hasil perhitungan
Pembentukan  fasa  Mg 2 Si  merupakan  reaksi  antara  Mg  dengan  SiC.  Pada  saat  proses pemanasan,  SiC  mengalami  dekomposisi  dan  bereaksi  dengan  magnesium  sehingga membentuk Mg 2 Si [12,13] . Reaksi pembentukan Mg 2 Si ditunjukkan pada persamaan reaksi 1.
SiC(s) + Mg(s)  Mg 2 Si(s) + C(s) (1)
Karbon  yang  terbentuk  hasil  dekomposisi  SiC  tidak  terlihat  pada  pola  difraksi.  Hal  ini terjadi  mungkin  karena  karbon  mensubstitusi  boron.  Salah  satu  indikasi  bahwa  karbon telah  mensubstitusi  boron  adalah  penurunan  nilai  konstanta  kisi  a  pada  sampel  dengan penambahan nano-SiC. Seperti yang dilaporkan oleh Vajpayee, et al, terjadinya pergeseran puncak  bidang  (100)  (Gambar  2a)  mengindikasikan  adanya  kontraksi  pada  kisi [12] . Berdasarkan  perhitungan,  penambahan  nano-SiC  ini  menyebabkan  penurunan  konstanta kisi  a  dari  3,0848  Å  untuk  sampel  MgB 2 murni  menjadi  3,0804  Å  untuk  sampel  dengan penambahan 5 wt.% nano-SiC. Konstanta kisi a sampel MB10SiC dan MB15SiC masing- masing  adalah  3,0794  Å  dan  3,0792  Å.  Nilai  parameter  kisi  a  pada  sampel  MgB 2 murni mempunyai  kemiripan  dengan  laporan  sebelumnya [1] .  Parameter  kisi  hasil  perhitungan pada  sampel  MgB 2 dengan  penambahan  nano-SiC  secara  lengkap  ditunjukkan  pada Gambar 2b.
Perkiraan ukuran kristal dari hasil sintesis dihitung menggunakan metode Williamson Hall Plot  (W-H  Plot) dan rumus Debye-Scherrer .  Rumus Debye-Scherrer dituliskan  pada persamaan 2 [14] .
β D = kλ / D.cosθ (2)
D  merupakan  ukuran  kristal  yang  dinyatakan  dalam  nanometer  (nm),  k  adalah  konstanta faktor  bentuk  kristal  (umumnya  digunakan  nilai  0,94),  λ  adalah  panjang  gelombang sumber radiasi sinar-X (nm), β D menyatakan lebar setengah puncak atau Full width at half maximum (fwhm) yang telah dikoreksi dengan faktor instrumen (radian), dan θ merupakan sudut puncak bidang Bragg dari fasa (°). Faktor instrumen yang digunakan adalah sampel Al 2 O 3 . Nilai β D diperoleh melalui persamaan 3.
β D 2 = β observasi 2 - β instrumen 2 (3)
Rumus Debye-Scherrer (pers.  2) tersebut  hanya mempertimbangkan  pelebaran  puncak (nilai  FWHM)  untuk  menghitung  ukuran  kristal.  Faktor  lain  yang  dapat  dijadikan parameter untuk menghitung ukuran kristal adalah regangan kisi ( micro-strain ). Regangan
kisi  ini  dapat  disebabkan  karena  adanya  distorsi  kisi  dan  cacat  kristal [15] .  Regangan  kisi dirumuskan dengan persamaan 4 berikut ini:
ε = β strain / 4.tanθ atau β strain = 4 ε .tanθ (4)
ε adalah micro-strain (%) dan β strain merupakan pelebaran puncak karena pengaruh micro- strain (radian).
Dengan  mengkombinasikan  rumus Debye-Scherrer dengan  regangan  kisi  ini,  maka diperoleh rumus 5 berikut ini:
β hkl = β D + β strain (5)
β hkl = (kλ/D.cosθ) + 4ε.tanθ (6)
Sehingga dapat diturunkan menjadi:
β hkl . cosθ = (kλ/D) + 4ε.sinθ (7)
Dari  persamaan  7  ini  selanjutnya  digunakan  untuk  mencari  regangan  kisi  dan  ukuran kristal dengan  cara membuat  kurva  4.sinθ vs β hkl . cosθ. Dari persamaan linier hasil kurva 4.sinθ vs β hkl . cosθ inilah kita akan dapatkan nilai D dan ε. Analisis W-H Plot sampel MgB 2 dengan penambahan nano-SiC ditunjukkan pada Gambar 3a. Regangan kisi sampel MgB 2 penambahan nano-SiC 0, 5, 10, dan 15 wt.% masing-masing adalah 0,24%; 0,25%; 0,23%; dan  0,20%.  Berdasarkan  penghalusan  pola  difraksi,  meskipun  terjadi  penurunan  dari parameter kisi tetapi  ternyata regangan kisi ikut mengalami  penurunan.  Adanya relaksasi ini dapat disebabkan oleh pelepasan regangan yang digunakan untuk mendorong fasa lain agar terlepas di antara batas butir [16] . Fasa lain yang menjadi penyebab relaksasi tersebut adalah fasa MgO [16] . Seperti yang ditunjukkan pada Tabel 1, kecenderungan fraksi massa MgO  berbanding  lurus  dengan  nilai  regangan  kisi  ( micro-strain ).  Semakin  besar  jumlah fraksi fasa MgO yang terbentuk maka semakin kecil regangan kisi yang terjadi.
Estimasi  ukuran  kristal  berdasarkan  metode Debye-Scherrer dan W-H  Plot ditunjukkan pada  Gambar  3b.  Berdasarkan  analisis Williamson  Hall ,  ukuran  kristal  MgB 2 dengan penambahan nano-SiC sebesar 0, 5, 10, dan 15 wt.% masing-masing adalah 120,68; 80,45; 53.64 dan 41,38 nm. Sedangkan berdasarkan metode Debye-Scherrer adalah 26,80; 22,72; 21,04;  dan  20,38  nm.  Penghalusan  ukuran  kristal  ditandai  dengan  adanya  pelebaran puncak  seperti  yang  telihat  pada  Gambar  2a  merupakan  dampak  dari  karbon  yang mensubstitusi boron [17,18] .
Gambar 3. a). Analisis W-H Plot sampel MgB 2 dengan penambahan nano-SiC dan b). Ukuran kristal hasil perhitungan dengan metode W-H Plot dan Debye-Scherrer
Evaluasi  sifat  superkonduktor  semua  sampel  hasil  sintesis  dilakukan  menggunakan cryogenic  magnetometer dengan  metode four-point  probe (FPP).  Pengukuran  hambatan dilakukan  sampel  dalam  bentuk  padatan  yang  dikeluarkan  dari  tabung  SS.  Gambar  4a memperlihatkan  kurva  hubungan  antara  hambatan  terhadap  suhu.  Dari  kurva  Gambar  4a terlihat  bahwa  nilai  hambatan  pada  suhu  250  K  mengalami  kenaikan  seiring  dengan penambahan  nano-SiC.  Semua  sampel  menunjukkan  sifat  superkonduktor  yang  ditandai dengan adanya hambatan nol.  Suhu  ketika nilai hambatan nol  adalah suhu kritis nol atau T c-zero dan suhu ketika hambatan mulai turun drastis adalah suhu kritis onset atau T c-onset .
Gambar 4. a). Kurva resistansi terhadap suhu sampel MgB 2 dengan penambahan nano-SiC dan b). Kurva normalisasi resistansi terhadap suhu
Tabel 2. Data sifat kelistrikan sampel MgB 2 dengan penambahan nano-SiC Keterangan MB0SiC [3] MB5SiC MB10SiC MB15SiC R 250 K (μΩ) 143,20 206,48 297,95 396,17 R 45 K (μΩ) 46,99 62,72 115,40 120,02 Tc onset (K) 42,53 41,92 41,57 41,53 Tc zero (K) 42,03 40,70 40,33 38,54 Δ Tc 0,48 1,22 1,24 2,99
Nilai hambatan sampel MB5SiC adalah 206,48 μΩ pada suhu 250 K dan 62,72 μΩ pada suhu 45 K. Nilai hambatan ini mengalami penurunan secara drastis pada suhu 41,92 K ( T c- onset )  hingga  mencapai  0  pada  suhu  40,70  K  ( T c-zero ).  Penambahan  nano-SiC  ternyata mempengaruhi  sifat  superkonduktor  MgB 2 .  Seperti  yang  ditunjukkan  pada  Gambar  4b, terlihat  bahwa T c-onset dan T c-zero mengalami  pergeseran  nilai.  Sifat  kelistrikan  dari  semua sampel  disajikan  dalam  Tabel  2.  Dari  Tabel  2  tersebut  kita  ketahui  bahwa  penambahan nano-SiC menyebabkan kenaikan nilai hambatan pada suhu 250 K dan penurunan nilai T c- onset / T c-zero dari  material  MgB 2 .  Nilai T c-onset sampel  MB5SiC,  MB10SiC,  dan  MB15SiC masing-masing  sebesar  41,92  K;  41,57  K;  dan  41,53  K.  Kecenderungan  penurunan  nilai T c-onset ini  kemungkinan  karena  mekanisme  substitusi  karbon  pada  situs  boron.  Hal  ini dapat  dikonfirmasi  dengan  terjadinya  distorsi  konstanta  kisi  a  yang  ditunjukkan  pada Gambar  2b.  Fenomena  ini  sama  seperti  pengaruh  penambahan  CNT  terhadap  struktur MgB 2 yang kami laporkan sebelumnya [18]. Menurut Vajpayee, et al, terjadinya pelebaran T c (Δ T c )  seiring  dengan  jumlah  penambahan  nano-SiC  disebabkan  karena  adanya impuritas  Mg 2 Si  yang  terbentuk  dari  hasil  dekomposisi  SiC  yang  bereaksi  dengan magnesium dan SiC yang tidak bereaksi [12].

## KESIMPULAN
Pengaruh  penambahan  nano-SiC  terhadap  struktur  kristal  dan  sifat  superkonduktor material MgB 2 yang dipersiapkan melalui metode reaksi padat telah dianalisis berdasarkan pengujian  difraksi  sinar-X  dan cryogenic  magnetometer .  Peningkatan  kadar  nano-SiC menyebabkan  penurunan  nilai  konstanta  kisi  a  jika  dibandingkan  dengan  sampel  MgB 2 murni. Nilai konstanta kisi a sampel MgB 2 dengan penambahan nano-SiC sebesar 0, 5, 10, dan  15  wt%  masing-masing  sebesar  3,0848  Å;  3,0804  Å;  3,0794  Å;  dan  3,0792  Å. Terjadinya distorsi kisi disebabkan adanya proses subtitusi karbon hasil dari dekomposisi SiC  pada  situs  boron.  Konsekuensi  adanya  karbon  yang  mensubstitusi  boron  ini  adalah penurunan suhu kritis. Nilai T c-zero sampel MgB 2 dengan penambahan nano-SiC sebesar 0, 5, 10, dan 15 wt% masing-masing adalah 42,03 K; 40,70 K; 40,33 K; dan 38,54 K.

## UCAPAN TERIMAKASIH
Penulis mengucapkan terima kasih kepada Pusat Riset Metalurgi dan Material BRIN atas dukungan fasilitas dan pendanaan.

## DAFTAR PUSTAKA
1 Nagamatsu,  J.,  Nakagawa,  N.,  Muranaka,  T.,  Zenitani,  Y.,  and  Akimitsu,  J.  2001. Superconductivity at 39 K in magnesium diboride. Letters to Nature, 410, 63–64.
2 Dou, S.X., Soltanian, S., Horvat, J., Wang, X.L., Zhou, S.H., Ionescu, M., Liu, H.K., Munroe,  P.,  Tomsic,  M.  2002.  Enhancement  of  the  critical  current  density  and  flux pinning of MgB 2 superconductor by nanoparticle SiC doping. Applied Physics Letters, 81 (18), 3419–3421.
3 Imaduddin,  A.,  Yudanto,  S.D., Rasyadi, M.E.H.,  Nakanishi, Y., and Yoshizawa, M., 2019.  Possibility  of  the  Higher  Critical  Temperature  on  MgB 2 Superconductor Synthesized  by  Powder-In-Sealed-Tube  Method. Journal  of  Low  Temperature Physics, 195, 460–473.
4 Larson, A.C., and Von Dreele, R.B. 2004. General Structure Analysis System (GSAS). 86–748.
5 Arvapalli,  S.S.,  Muralidhar,  M.,  and  Murakami,  M.  2019.  High-Performance  Bulk MgB 2 Superconductor  Using  Amorphous  Nano-boron. Journal  of  Superconductivity and Novel Magnetism, 32, 1891–1895.
6 Soltanian,  S.,  Wang,  X.,  Horvat,  J.,  Qin,  M.,  Liu,  H.,  Munroe,  P.R.,  and  Dou,  S.X. 2003.  Effect  of  Grain  Size  and  Doping  Level  of  SiC  on  the  Superconductivity  and Critical  Current  Density  in  MgB 2 Superconductor. IEEE  Transactions  on  Applied Superconductivity, 13 (2), 3273–3276.
7 Gabovich, A. 2015. Superconductors - New Developments . InTech. Croatia.
8 Vinod,  K.,  Varghese,  N.,  Kumar,  R.  G.  A.,  Syamaprasad,  U.,  and  Roy,  S.B.  2008. Influence  of  Mg  particle  size  on  the  reactivity  and  superconducting  properties  of  in situ MgB 2 . Journal of Alloys and Compounds , 464 (1), 33–37.
9 Varghese,  N.,  Vinod,  K.,  Syamaprasad,  U.,  and  Roy,  S.B.  2009.  Doping  effect  of nano-SiC  on  structural  and  superconducting  properties  of  MgB 2 bulks  prepared  by PIST method in air. Journal of Alloys and Compounds, 484 (1-2), 734–738.
10 Wang, D., Ma, Y., Yu, Z., Gao, Z., Zhang, X., Watanabe, K., and Mossang, E. 2007. Strong  influence  of  precursor  powder  on  the  critical  current  density  of  Fe-  sheathed MgB 2 tapes. Superconductor Science and Technology, 20, 574–578. 11 Xu,  X.,  Qin,  M.  J.,  Konstantinov,  K.,  Santos,  D.I.D.,  Yeoh,  W.  K.,  Kim,  J.H.,  and
Dou,  S.X.  2006.  Effect  of  boron  powder  purity  on  superconducting  properties  of MgB 2 . Superconductor Science and Technology, 19, 466–469.
12 Vajpayee,  A.,  Jha,  R.,  Srivastava,  A.  K.,  Kishan,  H.,  Tropeano,  M.,  Ferdeghini,  C., and Awana, V.P.S. 2011. The effect of synthesis temperature on the superconducting properties  of  n-SiC  added  bulk  MgB 2 superconductor. Superconductor  Science  and Technology, 24, 1–11.
13 Guo,  Z.,  Suo,  H.,  Sandu,  V.,  and  Aldica,  G.  2014.  Experimental  study  on  phase formation  of  SiC  doped  MgB 2 :  Processing  of  Mg-B-SiC  powders  by  spark  plasma sintering. Materials Research Innovations , 18 (6), 407–411.
14 Nath, D., Singh, F., and Das, R. 2020. X-ray diffraction analysis by Williamson-Hall, Halder-Wagner  and  size-strain  plot  methods  of  CdSe  nanoparticles-a  comparative study. Materials Chemistry and Physics, 239, 122021.
15 Zak,  A.K.,  Majid,  W.H.A.,  Abrishami,  M.E.,  and Youse,  R. 2011.  X-ray analysis of ZnO  nanoparticles  by  Williamson-Hall  and  size-strain  plot  methods. Solid  State Sciences, 13, 251–256.
16 Cai, Q., Ma,  Z.,  Liu, Y., Guo, Q., Xiong, J.,  Li,  H., and Qin,  F. 2016. Evaluation of quenching-induced  lattice  strain  and  superconducting  properties  in  un-doped  and glycine-doped  MgB 2 bulks. Journal  of  Materials  Science:  Materials  in  Electronics, 27, 9431–9436.
17 Shekhar,  C.,  Giri,  R.,  and  Srivastava,  O.  N.  2007.  Enhancement  of  flux pinning  and high  critical  current  density  in  graphite  doped  MgB 2 superconductor. Journal  of Applied Physics, 102, 1–5.
18 Yudanto, S.D., Dewi, Y.P., Sebayang, P., Chandra, S.A., Imaduddin, A., Kurniawan, B.,  and  Manaf,  A.  2020.  Influence  of  CNTs  addition  on  structural  and superconducting  properties  of  mechanically  alloyed  MgB 2 . Journal  of  Metals, Materials and Minerals, 30 (3), 9–14.