## PENENTUAN KEHALUSAN LAPISAN TIPIS Ni
80 Fe 20 MELALUI NILAI KAPASITANSI LAPISAN PADA UNTAI TAPIS R-C LOLOS RENDAH
Moh. Toifur 1 Venty Aghnani Nurhamidy 1 dan Sujatmoko 2
1 FMIPA Universitas Ahmad Dahlan Yogyakarta Jl. Prof. Dr. Soepomo Janturan Yogyakarta 55164
2 Puslitbang Teknologi Maju (P3TM) - BATAN Babarsari, Kotak Pos : 1008, DI Yogyakarta 55010

## ABSTRAK
PENENTUAN KEHALUSAN LAPISAN TIPIS Ni 80 Fe 20 MELALUI NILAI KAPASITANSI LAPISAN PADA UNTAI TAPIS R-C LOLOS RENDAH . Telah dilakukan penelitian tentang watak kapasitif lapisan tipis Ni 80 Fe 20 hasil deposisi dengan teknik sputtering pada variasi medan deposisi dari 0 G sampai dengan 600 G. Penelitian bertujuan untuk mengetahui tingkat kehalusan lapisan dengan menentukan nilai kapasitor dalam lapisan jika porositas dalam lapisan diperlakukan sebagai kapasitor, serta unjuk kerja lapisan sebagai tapis lolos rendah. Rangkaian terdiri dari tahanan R = 769,9  yang dihubungkan secara seri dengan lapisan dan dipasok tegangan AC dari AFG. Pengamatan watak kapasitif dilakukan pada frekuensi 100 kHz sedangkan pengamatan frekuensi potong dilakukan pada frekuensi 100 kHz sampai dengan 1000 kHz. Tegangan output dan input diamati melalui osiloskop. Dari karakterisasi watak kapasitif menunjukkan bahwa semua lapisan menunjukan watak kapasitif. Sampel hasil deposisi pada B dep = 300 G memiliki kapasitansi terkecil yaitu 0,09 pF, hal mana menunjukkan lapisan yang paling halus dibanding lapisan yang lain. Lapisan ini dapat menapis frekuensi hingga 253,5 Hz.
Kata kunci : Kapasitif, tapis lolos rendah, frekuensi potong

## ABSTRACT
DETERMINATION OF THE Ni 80 Fe 20 THIN FILM SMOOTHNESS THROUGH THE CAPASITANCE OF FILM IN THE LOW PASS R-C FILTER DEVICE . Capacitive properties of Ni 80 Fe 20 thin film as the result of dc sputtering on the various deposition field ( B dep ) from 0 up to 600 G was reached. The aim of the research is to determine the smoothness of film with investigating the capacitance due to film porosities, and the performance of film as low pass filter. Device constitute of the resistor R = 769.9  serially connected with a film. Device was supplied with AC voltage from AFG. Investigating the capacitive properties was done on the 100 kHz frequency, while investigating the cut-off frequency was done in the range of 100 up to 1000 kHz. The output and input voltage were investigated through oscilloscope. From investigating the capacitive properties show that all samples display capacitive properties. The lowest capacitance according to the sample resulted from deposition on the B dep of 300 G that is 0.09 pF, which is show the smoothest film compared with others. It is can filter the frequencies up to 253.5 Hz.
Key words : Capacitive, low pass filter, cutt-of frequency

## PENDAHULUAN
Salah satu parameter yang menunjukkan kehalusan lapisan tipis yang dihasilkan pada proses deposisi adalah homogenitas lapisan. Pada lapisan yang halus tidak ditemukan atau hanya sedikit ditemukan porositas karena atom-atom tersebar merata pada setiap lokasi pada permukaan substrat. Sebaliknya pada lapisan yang kurang halus, banyak mengandung porositas. Porositas dapat dipandang sebagai rongga-rongga kecil yang berukuran mikron atau lebih kecil lagi. Jika lapisan berasal dari bahan konduktor (logam baik magnetik maupun non magnetik) maka kehadiran porositas (rongga) ini dapat mengganggu proses hantaran arus
listrik sehingga konduktivitas lapisan menyimpang dari konduktivitas normalnya. Untuk lapisan yang sangat tipis maka kehadiran porositas ini dapat tembus pandang sehingga dapat diamati menggunakan alat seperti mikroskop optik.
Jika pada lapisan yang mengandung porositas pada kedua sisinya dicatu dengan sumber tegangan, baik DC maupun AC, maka sisi rongga yang berdekatan dengan kutub positif memiliki potensial yang lebih positif dari sisi rongga yang berdekatan dengan kutub negatif. Akibatnya arus listrik akan mengalir dari kutub positif menuju ke kutub negatif. Jika arus listrik dalam
Penentuan Kehalusan Lapisan Tipis Ni 80 Fe 20 Melalui Nilai Kapasitansi Lapisan pada Untai Tapis R-C Lolos Rendah (Moh. Toifur)
perjalanannya menumbuk rongga maka sebagian arus akan mencari jalur lain di luar rongga dan sebagian menempati sisi rongga sebagai muatan permukaan (dengan rapat muatan  ) pada kedua sisi rongga. Akibatnya rongga ini dapat berfungsi sebagai kapasitor (penampung muatan listrik) dan medium di dalam rongga berperan sebagai dielektrikum. Lapisan yang memiliki jumlah rongga banyak dan berukuran rongga besar memiliki kapasitansi ( C ) yang besar sementara pada lapisan yang memiliki jumlah rongga sedikit dan berukuran kecil akan memiliki kapasitansi yang kecil.
Pada makalah ini akan dibahas penentuan nilai kapasitansi lapisan tipis permalloy (Ni 80 Fe 20 ) hasil deposisi dengan teknik sputtering DC pada variasi medan deposisi. Pendugaan lapisan memiliki watak kapasitif diuji dengan menggunakan rangkaian filter RC lolos rendah yang dihubungkan dengan sumber tegangan AC bentuk sinus dari AFG (Audio Frequency Generator) dengan frekuensi yang dapat diatur.
Tegangan output ditampilkan secara visual melalui layar CRO. Jika tegangan output dari lapisan berbentuk gelombang segitiga maka lapisan bersifat kapasitif. Selanjutnya nilai C dapat ditentukan dengan dua cara yaitu dari nilai konstanta fitting B yang nilainya sama dengan 1/ RC jika data ( t i , V i ) di fitting mengikuti persamaan
y = Ae -Bx dengan x = t dan y = V . Yang kedua dari konstanta waktu    RC yang bersesuaian dengan tegangan V = 0,66 V max pada kurva V vs t .

## TEORI

## Watak Kapasitif Lapisan
Jika pada kapasitor dialiri arus listrik gelombang kotak maka respon arus pada kapasitor tidak lagi berupa gelombang kotak tetapi ada reduksi sehingga menjadi gelombang segitiga (tidak sempurna). Reduksi ini terjadi karena adanya pengisian dan pengosongan kapasitor. Bentuk kurva masukan dan keluaran seperti ditunjukkan pada Gambar 1. Jika V max adalah tegangan
input yang diukur dari puncak ke puncak ( V pp ) maka persamaan untuk tegangan keluaran pada kapasitor adalah :
  RC t o e V t V / max 1 ) (    .................... (1)
dengan t = waktu, R = resistansi, C = kapasitansi, V max = tegangan maksimum. Pada t = RC atau biasa disebut dengan tetapan waktu ( time constant,  ), maka persamaan (1) menjadi :
max 66 , 0 ) ( V t V o  ......................... (2)

## Rangkaian filter RC Lolos Rendah
Rangkaian filter RC lolos rendah merupakan rangkaian elekronik yang dapat meloloskan frekuensi sampai batas tertentu dan mengeblok frekuensi di atasnya (Holko, 2005). Rangkaian filter RC lolos rendah terdiri dari R dan C yang terusun seri dan dihubungkan dengan sumber tegangan AC berbentuk kotak. Rangkaian ini akan menjadi rangkaian tapis lolos rendah (LPF, low pass filter ) jika dioperasikan pada kawasan frekuensi yang bertujuannya untuk meloloskan sinyal tegangan V i pada frekuensi rendah. Gambar 2 menunjukkan rangkaian filter RC lolos rendah ini [1,2]
Mengingat besarnya reaktansi kapasitif pada kapasitor adalah [3]:
C X C  1  .............................. (3)
maka pada frekuensi  sangat rendah, reaktansi kapasitif dari kapasitor sangat tinggi, atau dengan kata lain kapasitor bersifat terbuka sehingga V i dapat
t V ( t )
V i V o 0,66V ma  = RC t V ( t )
Gambar 1 . (a) Respon tegangan kapasitor ( V o ) terhadap tegangan masukan gelombang kotak ( V i ). (b) Grafik V vs t serta posisi  = RC yang bersesuaian dengan V = 0,66 V max
(a) (b) ~ C R AFG V i V o
Gambar 2 . Rangkaian filter RC lolos rendah
lolos dengan leluasa. Penguatan yang dialami oleh V i dikenal dengan gain atau fungsi alih G (  ) yang didefinisikan dengan:
i o V V G  ) ( 
...................................
(4)
Jika dinyatakan dalam desibel menjadi:
i o V V dB G log 20 ) )( (  
..................... (5)
Kurva fungsi alih G (  ) vs  jika diplot dalam skala logaritma disebut dengan kurva tanggap amplitudo [4]. Batas frekuensi V i yang dikuatkan disebut frekuensi potong ( f p ) yaitu frekuensi dimana nilai G (  ) = -3 dB.
Pada prakteknya komponen C pada Gambar 2 dapat digantikan lapisan tipis dimana lapisan ini mengandung resistor ( R L ) dan kapasitor. Oleh karena itu tahanan total dalam rangkaian terdiri dari R 0 dan R L sehingga R totalnya adalah jumlah dari keduanya.
L R R
R   0 ................................. (6)
dengan R 0 = tahanan beban diluar lapisan dan R L = tahanan pada lapisan. Tahanan lapisan ( R L ) dapat berasal dari struktur kristal atom-atom pada lapisan yang tidak sempurna, getaran atom lapisan karena suhu serta kemungkinan adanya impurity pada lapisan. Selain itu pad alapisan magnetik juga terdapat R tambahan yaitu yang berasal dari interaksi elektron konduksi dari arus listrik dengan elektron valensi pada bahan magnetik jika spin-spin nya saling berlawanan.

## Penentuan Kapasitansi Lapisan
Dari persamaan (1) dapat dilakukan fitting data data waktu terhadap tegangan ( t i , V i ) menurut pers.
Bx Ae y y    0 ........................................ (7)
dengan x = t dan y = V . Dari fitting data ini diperoleh konstanta-konstanta fitting A dan B . Nilai B = 1/ RC . Dengan memasukkan nilai R menurut persamaan (6) maka dapat ditentukan nilai C :
) ( 1 0 L R R B C   .............................
(8)
Cara yang lain untuk menentukan C adalah dengan menentukan nilai konstanta waktu  yang bersesuaian dengan tegangan 0,66 V max sebagimana diungkapkan pada pers.amaan (2). Jika  dan R diketahui maka:
C =  / R
...................................
(9)

## Penentuan Pita Frekuensi Tapis Lolos Rendah
Penentuan lebar pita frekuensi yang diloloskan dapat ditentukan dengan menggambar grafik G (  ) vs  . Frekuensi yang bersesuaian dengan G (  ) = -3dB merupakan frekuensi potong ( f p ). Lebar pita frekuensi dimulai dari frekuensi terendah sampai f p ini.

## METODE PERCOBAAN

## Bahan
Bahan yang diteliti adalah lapisan tipis yang digunakan pada penelitian ini adalah lapisan tipis permalloy hasil deposisi dengan teknik sputtering pada variasi medan deposisi dari 50 s/d 600 G yang dilapiskan diatas substrat gelas.

## Alat
Peralatan pokok yang digunakan dalam penelitian ini terdiri dari: AFG sebagai sumber tegangan AC menggunakan frekuensi dari 100 kHz sampai dengan 1000 kHz, mikoskop optik dengan perbesaran 40 kali untuk mengamati tampang permukaan lapisan. Sistem kerja mikroskop ini telah terkomputerisasi sehingga gambarnya dapat disimpan dalam bentuk file , osiloskop untuk mengamati bentuk gelombang input AFG dan output pada lapisan. Untuk mengamati tegangan input, tegangan output serta mengukur resistansi lapisan digunakan Multimaster Digital 570 merk True RMS produksi Extech Instrument. Selain itu untuk memotret isyarat keluaran dari osiloskop digunakan kamera digital merk Nixon E4300, produksi Nixon Corp. Japan, p robe dua titik untuk memberi fasilitas catu tegangan pada lapisan, potensiometer untuk menentukan besarnya R yang sesuai dengan kebutuhan setelah dirangkai bersama-sama lapisan pada rangkaian tapis lolos rendah. Selain alat-alat tersebut juga digunakan software untuk mem fitting data V o terhadap t menurut persamaan (7) dengan menggunakan program “Igor”.

## Cara Kerja
Penelitian dilaksanakan melalui prosedur sebagai berikut : a. Tampang permukaan lapisan tipis Ni 80 Fe 20 dipotret dengan mikroskop optik dan disimpan dengan nama file tertentu. b. Membuat rangkaian filter lolos rendah sebagaimana rangkaian Gambar 2 dengan memasang lapisan sebagai kapasitor dan menghubungkan dengan sumber tegangan AC dari AFG pada frekuensi 100 kHz. Pengamatan tegangan input dan output dilakukan dengan osiloskop pada mode dual (XY) agar supaya V i dan V o dapat terbedakan secara jelas.
Penentuan Kehalusan Lapisan Tipis Ni 80 Fe 20 Melalui Nilai Kapasitansi Lapisan pada Untai Tapis R-C Lolos Rendah (Moh. Toifur)
Selanjutnya tampilan pada layar CRO dipotret dengan kamera digital. Sementara itu pengukuran tahanan lapisan dilakukan dengan multimaster.
c. Frekuensi pada AFG diubah pada interval 100 kHz sampai dengan 1000 kHz dan setiap kali mengubah frekuensi maka tegangan masukan ( V i ) dan tegangan keluaran ( V o ) diukur dengan multimaster. Dari data ini dapat di plot kurva tanggap amplitudo G (  ) terhdap  .
d. Mengulangi prosedur a sampai dengan c untuk sampel yang lain.

## Analisis Data
Pertama dibuktikan dulu adanya porositas pada lapisan. Ini dapat dilihat dari fotograf sampel yang dipotret dengan mikroskop optik. Selanjutnya dari gambar ini secara kualitatif diamati pengaruh B dep terhadap jumlah porositas. Dari nilai C masing-masing sampel (yang telah dihitung menggunakan persamaan (8) dan persamaan (9) di plot grafik C vs B dep . Dari grafik tersebut dianalisis pengaruh B dep terhadap nilai C lapisan. Nilai-nilai C yang diperoleh dari kedua cara tersebut dibandingkan untuk mengetahui kesalahan relatif cara kedua terhadap cara pertama. Lebar frekuensi yang diloloskan ditentukan dari gambar G (  ) vs  , f p merupakan f pada G (  ) = -3 dB.

## HASIL DAN PEMBAHASAN
Foto Mikroskop Optik Lapisan Tipis Ni 80 Fe 20
Pada Gambar 3 ditampilkan foto lapisan tipis Ni 80 Fe 20 hasil deposisi dengan teknik sputtering pada
variasi medan deposisi dari 0 gauss sampai dengan 600 gauss yang diambil dengan mikroskop optik. Garis hitam di bagian bawah gambar merupakan ukuran panjang 1 mm. Dari gambar tersebut tampak bahwa semua lapisan mengandung lubang (porositas). Besar medan deposisi berpengaruh jumlah porositas.
Dari medan deposisi 0 gauss sampai dengan 300 gauss permukaan lapisan semakin halus yang ditandai dengan semakin sedikit serta semakin kecil ukuran rata-rata dari porositas. Pada medan deposisi dari 300 gauss sampai dengan 600 gauss permukaan lapisan tampak semakin kasar. Dengan demikian B dep optimal untuk menghasilkan permukaan lapisan paling halus yaitu 300 gauss. Diperkirakan nilai C lapisan ini paling kecil dibanding lapisan yang lain.

## Watak Kapasitif Lapisan
Pada Gambar 4 ditampilkan foto kurva V terhadap t dari masing-masing lapisan pada layar osiloskop. Gambar diambil pada frekuensi 100 KHz. Dari grafik tersebut dapat dilihat bahwa semua lapisan menampakkan watak kapasitif yang ditandai dengan adanya perubahan bentuk isyarat masukan yang berupa gelombang kotak menjadi berbentuk gelombang segitiga tak sempurna pada isyarat keluaran. Bentuk gelombang keluaran seperti tersebut menandakan pada lapisan terjadi pengisian dan pengosongan muatan. Khusus untuk lapisan yang ke lima [Gambar 4(e)] yaitu lapisan yang dihasilkan pada medan deposisi 600 gauss, isyarat keluarannya seperti pada kapasitor jika dirangkai mengikuti rangkaian filter RC tapis lolos tinggi (HPF). Lapisan ini tidak diteliti lebih
Gambar 3 . Foto tampang lintang lapisan tipis Ni 80 Fe 20 hasil deposisi pada variasi medan deposisi ( B dep ) yang diambil dengan menggunakan mikroskop optik pada perbesaran 40 x. Garis hitam merupakan ukuran panjang 1 mm
lanjut karena memerlukan dukungan teori selain filter RC lolos rendah.
Selanjutnya dengan melihat perubahan tingkat kelengkungan V o serta nilai V mak dari masing-masing grafik tampak bahwa medan deposisi berpengaruh pada nilai C masing-masing lapisan. Pada kurva V o yang landai maka nilai 1/ RC besar atau nilai C kecil. Sebaliknya pada
kurva V o yang curam maka nilai C besar. Untuk mengetahui secara kuantitatif nilai C maka pada subbagian 4 ditampilkan hasil fitting data V terhadap t masing-masing sampel.

## Kapasitansi Lapisan
Pada Tabel 1 ditampilkan persamaan kurva hasil fitting data V i vs t i untuk masing-masing sampel menurut persamaan (7). Dari nilai B masing- masing persamaan, melalui persamaan (8) dan persamaan (9) dengan mengambil R sebagaimana ditampilkan pada kolom 4 Tabel 1 maka diperoleh nilai C seperti pada kolom 5 dan kolom 6.
Dari kolom 5 tampak bahwa nilai kapasitansi masing-masing lapisan cukup kecil yaitu berorde 10 -1 pF sampai dengan 10 3 pF. Grafik yang melukiskan kaitan antara kapasitansi ( C ) lapisan dengan medan deposisi ( B dep ) dapat dilihat pada Gambar 5. Tampak bahwa besarnya medan deposisi berpengaruh terhadap besarnya nilai C . Dari medan deposisi 0 G sampai dengan 300 G, nilai C turun dari 45,53 pF menjadi 0,09 pF. Pada medan deposisi 300 G sampai dengan
0 20 40 60 80 0 150 300 450 Medan deposisi (gauss) K a p a s it a n s i( p F ) Dari koefisien B Dari nilai konstanta waktu (a) (b) Gambar 5 . Grafik hubungan antara kapasitansi dan medan deposisi. (a) Nilai C yang dihitung dari konstantan fitting B , (b) Nilai C yang dihitung dari konstanta waktu  .
(a) (b) (c)
(d) (e)
Gambar 4 . Isyarat masukan dan keluaran lapisan hasil deposisi pada bebagai B dep pada rangkaian filter lolos rendah dengan tegangan input berbentuk gelombang kotak. (a) 0 G, (b) 150 G, (c) 300 G, (d) 450 G, (e) 600 G.
B dep (G) Persamaan fitting R (  ) C dari konstanta fitting B (pF) C’ dari konstanta waktu  (pF) % 100 ' '   C C 0 t e t V 4718800 078 , 5 56 , 4 ) (    4654,6 45,53 60,91 25,25 150 t e t V 4821800 83 , 0 82 , 0 ) (    146139,6 1,42 1,48 4,16 300 t e t V 1333200 50 , 4 50 , 4 ) (    7938770 0,09 0,10 8,19 450 t e t V 3343000 87 , 10 25 , 9 ) (    177829,6 1,78 2,49 32,47 600 t e t V 42740 , 4 06 , 8 4 , 7 ) (    1078,6
2093,99 2614,40 19,91 Tabel 1 . Persamaan fitting set data ( t i , V i ) lapisan hasil deposisi pada variasi B dep
Penentuan Kehalusan Lapisan Tipis Ni 80 Fe 20 Melalui Nilai Kapasitansi Lapisan pada Untai Tapis R-C Lolos Rendah (Moh. Toifur)
450 G, nilai C naik dari 0,09  pF menjadi 2093,99 pF. Hal ini menunjukkan bahwa medan B dep =300 G merupakan medan optimum untuk menghasilkan lapisan paling halus dan paling sedikit mengandung porositas relatif terhadap lapisan yang lain. Hasil ini sesuai dengan hasil yang diperoleh pada fotograf tampang permukaan sampel di atas (sub bagian C.1).

## TanggapAmplitudo
Pada Gambar 6 ditampilkan gafik G (  ) terhadap f masing-masing sampel yang diamati pada rentang frekuensi dari 100 kHz sampai dengan 1 MHz.
Hasilnya semua lapisan menampakkan sifatnya sebagai tapis lolos rendah. Pada nilai R sebagaimana ditampilkan pada kolom 3 Tabel 1 maka frekuensi potong untuk masing-masing sampel sebagaimana ditampilkan pada Tabel 2. Melihat pada ujung kurva pada Gambar 6 masih mengalami kenaikan maka ada kemungkinan lapisan bukan hanya sebagai tapis lolos
rendah namun menjadi tapis tolak pita frekuensi tertentu ( band rejection filter ) yaitu jika G (  ) naik sampai melampaui -3 dB. Pada penelitian ini frekuensi dijalankan hingga 1 MHz disebabkan keterbatasan frekuensi osilator yang dimiliki.

## KESIMPULAN DAN SARAN

## Kesimpulan
Dari pembahasan yang telah dikemukakan di atas maka dapat disimpulkan beberapa hal sebagai berikut:
1. Lapisan tipis Ni 80 Fe 20 hasil deposisi pada berbagai medan deposisi memiliki sifat kapasitif. Kapasitansi terkecil bersesuaian dengan B dep = 300 G yaitu 0,09 pF hal mana menunjukkan lapisan ini paling halus dibanding lapisan yang lain.
2. Dengan memperlakukan lapisan sebagai kapasitor pada rangkaian RC maka lapisan dapat berfungsi sebagai tapis lolos rendah. Frekuensi potong untuk lapisan hasil deposisi pada B dep = 300 G adalah 253,5 Hz.

## Saran
Untuk mengetahui kemungkinan adanya perilaku lapisan sebagai band rejection filter maka pengamatan G (  ) perlu dilanjutkan pada frekuensi yang lebih besar
-30 -24 -18 -12 -6 0 100 1000 Frekuensi (Hz) G (  ) d b (a) -18 -15 -12 -9 -6 -3 0 100 1000 Frekuensi (Hz) G (  ) d b (b) -18 -15 -12 -9 -6 -3 0 100 1000 Frekuensi (Hz) G (  ) d b (c) -60 -48 -36 -24 -12 0 100 1000 Frekuensi (Hz ) G (  ) db (d) Gambar 6 . Fungsi alih lapisan Ni 80 Fe 20 dalam skala logaritma dengan variasi besar medan deposisi: (a) 0 G, (b) 150 G, (c) 300 G, (d) 450 G.
No
B dep (G) Frekuensi potong f p (Hz) 1 0 336,1 2 150 650,2 3 300 253,5 4 450 Tidak diketahui karena G (  )=-3 dB terletak pada frek.< 100 kHz
Tabel 2 . Frekuensi potong lapisan tipis Ni 80 Fe 20
dari 1 MHz. Demikian pula untuk menentukan besar G (  ) untuk sampel hasil deposisi pada B dep = 450 G, perlu dilakuan pengamatan G (  ) pada frekuensi yang lebih kecil dari 100 kHz.

## DAFTAR ACUAN
[1]. OPPENHEIM, A.V., and SCHAFER, R.W. Discrete-time signal processing , Prentice Hall, Englewood Cliffs, New Jersey, (1989)
[2]. HARYADI, B., Perancangan Sistem Deteksi Irama Jantung Berbasis Komputer Mikro , Skripsi S-1, FMIPA UAD, Yogyakarta, (2002)
[3]. LESURF, J. jcgl@st-and.ac.uk, University of St. Andrews, Fife KY 16 9SS, Scotland, (2004)
[4]. SUTRISNO, Elektronika Teori Dasar dan Penerapannya , Penerbit ITB , Bandung, (1986)
[5]. HOLKO. R., Introduction to Metal Detector Filters , .... Lesurf, J. 2004, jcgl@st-and.ac.uk , University of St. Andrews, St Andrews, Fife KY16 9SS, Scotland, ( 2005)
[6]. Wolfe, J., http://www.phys.unsw.edu.au/~jw/ RCfilters.html

## TANYAJAWAB
Achmad Hindasyah, (P3IB - BATAN) Pertanyaan
1. Kenapa sinyal keluaran pada 300 Gaus di osciloscop lebih kecil dari sinar masukan. Apakah terjadi pembebanan.
2. Bagaimana cara melihat t = RC dari grafik yang ditampilkan .

## Jawaban
1. Sinyal keluaran untuk sampel pada B dep = 300 G lebih kecil dari dari sinyal masukan menunjukkan bahwa untuk mencapai keadaan jenuh muatan listrik diperlukan waktu yang lebih lama. Penyebabnya adalah besarnya beban (tahanan) pada lapisan tersebut yaitu :
BR Xc = = 105,83 M   W 2. Cara melihat t = RC dari grafik adalah dengan men fitting data ( t i ,V i ) menurut persamaan Y = Y 0 + Ae- Bx dengan Y = V dan x = t . Persamaan tersebut sama dengan bentuk tegangan keluran pada kapasitor :
V(t) = V max (1 - e -t/RC )
Pada t=RC persamaan menjadi :
V(t) = V max (1 - 1/e) = 0,66 V max maka t yang bersesuaian dengan nilai ini adalah RC. Dengan diketahui nilai R = R 0 +R L ( R luar + R lapisan ) maka C dapat ditentukan.