TigerResearch/tigerbot-earning-plugin huggingface dataset:
单位名称|期末余额|占应收账款期末余额合计数的比例(%)|坏账准备期末余额
单位A|287,616,000.00|99.93|18,702,600.00
北京理工大学|100,000.00|0.03|5,000.00
单位J|45,000.00|0.02|2,250.00
陆军工程大学石家庄校区|20,800.00|0.01|2,080.00
上海力信测量技术有限公司|16,106.20|0.01|805.31
合计|287,797,906.20|100|18,712,735.31
项目|期末余额|期初余额
应收利息||
应收股利||
其他应收款|16,668,646.40|123,260,475.00
合计|16,668,646.40|123,260,475.00
账龄|期末账面余额
1年以内|
其中:1 年以内分项|
往来款|5,750,000.00
押金及保证金|693,312.00
1年以内小计|6,443,312.00
1至2 年|10,260,000.00
2至3 年|
3年以上|
3至4 年|
4至5 年|
5年以上|208,901.00
合计|16,912,213.00
款项性质|期末账面余额|期初账面余额
押金及保证金|902,213.00|245,431.00
子公司借款|16,010,000.00|123,260,000.00
合计|16,912,213.00|123,505,431.00
--转回第一阶段||||
本期计提||-1,389.40||-1,389.40
本期转回||||
本期转销||||
本期核销||||
其他变动||||
2022年12月31日余额||243,566.60||243,566.60
类别|期初余额|本期变动金额||||期末余额
||计提|收回或转回|转销或核销|其他变动|
坏账准备|244,956.00|-1,389.40||||243,566.60
合计|244,956.00|-1,389.40||||243,566.60
单位名称|款项的性质|期末余额|账龄|占其他应收款期末余额合计数的比例(%)|坏账准备期末余额
北京七星恒盛导航科技有限公司|往来款|5,750,000.00|1年以内|34.00|
||10,260,000.00|1-2 年|60.67|
北京首冶新元科技发展有限公司|押金及保证金|293,312.00|1年以内|1.73|14,665.60
||208,901.00|5年以上|1.24|208,901.00
三一重型装备有限公司|押金及保证金|400,000.00|1年以内|2.36|20,000.00
合计|/|16,912,213.00|/|100.00|243,566.60
项目|期末余额|||期初余额||
|账面余额|减值准备|账面价值|账面余额|减值准备|账面价值
对子公司投资|300,000,000.00||300,000,000.00|18,000,000.00||18,000,000.00
对联营、合营企业投资||||||
合计|300,000,000.00||300,000,000.00|18,000,000.00||18,000,000.00
被投资单位|期初余额|本期增加|本期减少|期末余额|本期计提减值准备|减值准备期末余额
七星恒盛公司|18,000,000.00|282,000,000.00||300,000,000.00||
合计|18,000,000.00|282,000,000.00||300,000,000.00||
项目|本期发生额||上期发生额|
|收入|成本|收入|成本
主营业务|204,703,805.38|128,300,347.53|318,224,149.56|200,248,136.63
其中:产品销售|204,703,805.38|128,300,347.53|316,781,489.18|199,669,248.35
技术服务|||1,442,660.38|578,888.28
其他业务|4,716.98|||
合计|204,708,522.36|128,300,347.53|318,224,149.56|200,248,136.63
合同分类|本年发生额
商品类型|
其中:产品销售|204,703,805.38
技术服务|
其他业务|4,716.98
按经营地区分类|
其中:境内|204,708,522.36
境外|
市场或客户类型|
其中:国有单位|204,665,513.51
民营单位|43,008.85
合同类型|
其中:固定造价合同|204,708,522.36
成本加成合同|
按商品转让的时间分类|
其中:在某一时点转让|204,708,522.36
在某一时段转让|
按合同期限分类|
其中:短期合同|204,708,522.36
长期合同|
按销售渠道分类|
其中:直接销售|204,708,522.36
代理销售|
合计|204,708,522.36
本报告期末已签订合同、但尚未履行或尚未履行完毕的履约义务所对应的收入金额为17,025,056.02 元,其中:
其他债权投资在持有期间取得的利息收入||
处置交易性金融资产取得的投资收益||
处置其他权益工具投资取得的投资收益||
处置债权投资取得的投资收益||
处置其他债权投资取得的投资收益||
债务重组收益||
理财产品收益|5,450,275.28|
合计|5,450,275.28|
项目|金额|说明
非流动资产处置损益||
越权审批或无正式批准文件的税收返还、减免||
计入当期损益的政府补助(与企业业务密切相关,按照国家统一标准定额或定量享受的政府补助除外)|1,592,543.19|
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费||
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成本小于取得投资时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值产生的收益||
非货币性资产交换损益||
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外,持有交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债产生的公允价值变动损益,以及处置交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债和其他债权投资取得的投资收益|17,372,196.98|
单独进行减值测试的应收款项、合同资产减值准备转回||
对外委托贷款取得的损益||
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产公允价值变动产生的损益||
根据税收、会计等法律、法规的要求对当期损益进行一次性调整对当期损益的影响||
受托经营取得的托管费收入||
除上述各项之外的其他营业外收入和支出||
其他符合非经常性损益定义的损益项目||
减:所得税影响额|2,832,094.20|
少数股东权益影响额||
合计|16,132,645.97|
报告期利润|加权平均净资产收益率(%)|每股收益|
||基本每股收益|稀释每股收益
归属于公司普通股股东的净利润|4.65|0.68|0.68
扣除非经常性损益后归属于公司普通股股东的净利润|3.31|0.48|0.48
董事长:汪渤
公司代码:688048公司简称:长光华芯
苏州长光华芯光电技术股份有限公司
五、天衡会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
六、公司负责人闵大勇、主管会计工作负责人郭新刚及会计机构负责人(会计主管人员)郭新刚声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
公司2022年利润分配预案如下:
1.公司拟向全体股东每10股派发现金红利3.5元(含税)。截至2022年12月31日,公司总股本135,599,956股,以此计算合计拟派发现金红利47,459,984.60元(含税),本年度公司现金分红占合并报表中归属于上市公司普通股股东的净利润的39.79%。
2.公司拟向全体股东每10股送红股3股。截至2022年12月31日,公司总股本135,599,956股,以此计算合计拟送红股40,679,987股(计算后实际为40,679,986.80股,不足1股部分按照取整计算,最终送股40,679,987股)。本次送股后,公司总股本为176,279,943股。如在实施权益分派股权登记日前,公司总股本发生变动的,公司拟维持分配总额不变,相应调整每股分配比例,并将另行公告具体调整情况。
常用词语释义||
公司、长光华芯|指|苏州长光华芯光电技术股份有限公司
苏州长光华芯半导体激光创新研究院、激光研究院|指|苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司,公司全资子公司
华丰投资|指|苏州华丰投资中心(有限合伙),公司第一大股东
苏州英镭|指|苏州英镭企业管理合伙企业(有限合伙),公司股东,核心管理团队持股平台
长光集团|指|长春长光精密仪器集团有限公司,公司股东
国投创投(上海)|指|国投(上海)科技成果转化创业投资基金企业(有限合伙),公司股东
伊犁苏新|指|伊犁苏新投资基金合伙企业(有限合伙),公司股东
璞玉投资|指|宁波璞玉股权投资合伙企业(有限合伙),公司股东
中科院创投|指|中科院科技成果转化创业投资基金(武汉)合伙企业(有限合伙),公司股东
华科创投|指|武汉东湖华科创业投资中心(有限合伙),公司股东
达润长光|指|宁波梅山保税港区达润长光股权投资合伙企业(有限合伙),公司股东
国投创投(宁波)|指|国投(宁波)科技成果转化创业投资基金合伙企业(有限合伙),公司股东
苏州芯诚|指|苏州芯诚企业管理合伙企业(有限合伙),公司股东
苏州芯同|指|苏州芯同企业管理合伙企业(有限合伙),公司股东
橙芯创投|指|苏州橙芯创业投资合伙企业(有限合伙),公司股东
南京道丰|指|南京道丰投资管理中心(普通合伙),公司股东
哈勃投资|指|哈勃科技创业投资有限公司,公司股东
《公司章程》|指|现行有效的《苏州长光华芯光电技术股份有限公司章程》
泵浦|指|将能量供给粒子,使粒子由低能态跃迁至高能态的过程
半导体激光器|指|用半导体材料作为工作物质的激光器。具有体积小、寿命长等优点,被广泛应用于激光加工、激光通信、光存储、光陀螺、测距以及雷达等方面,又称激光二极管
超快激光器|指|用于发射超短脉冲的锁模激光器,例如,持续时间为飞秒或皮秒的脉冲
固体激光器|指|以固体材料为激光介质的激光器,通常以特种灯或半导体激光器作为能量泵浦源(以半
||导体激光器发出的光,泵浦晶体增益介质产生光)
光纤激光器|指|以掺有激活粒子的光纤为激光介质的激光器,通常以半导体激光器作为能量泵浦源(以半导体激光器发出的光,泵浦光纤增益介质产生光)
光纤耦合|指|把光纤的端面和激光芯片的出光面精密对接起来,以使芯片发射光纤输出的光能量能最大限度地耦合到接收光纤中去,并使其介入光链路从而对系统造成的影响减到最小
合束|指|一种通过叠加多个设备的输出从而实现激光源功率调整的方法,本质上就是将多个激光源的输出合成为一个单一的输出光束,即便每个单一的激光器的功率不可调,但这种可扩展的合束技术使得合成后的光源的功率变成可调
 VCSEL|指| Vertical     CavitySurface Emitting Laser指垂直腔面发射激光芯片。此类芯片可以将激光垂直发射而出,一方面简化生产工艺流程,另一方面扩展了下游领域的应用
IDM|指|垂直整合制造(Integrated Device Manufacture),指从设计,制造,封装测试到销售自有品牌芯片都一手包办的半导体垂直整合型公司
 MOCVD|指| Metal-organic     Chemical Vapor Deposition (金属有机化合物化学气相沉淀)的缩写,是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术
报告期|指|2022年
报告期末|指|2022年末
公司的中文名称|苏州长光华芯光电技术股份有限公司
公司的中文简称|长光华芯
公司的外文名称| Suzhou Everbright Photonics Co.,Ltd
公司的外文名称缩写| Everbright
公司的法定代表人|闵大勇
公司注册地址|苏州市高新区漓江路56号
公司注册地址的历史变更情况|由苏州高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A区2号厂房-1-102、2号厂房-2-203变更为苏州市高新区漓江路56号
公司办公地址|苏州市高新区漓江路56号
公司办公地址的邮政编码|215163
公司网址|www.everbrightphotonics.com
电子信箱|dongban@everbrightphotonics.com
|董事会秘书(信息披露境内代表)|证券事务代表
姓名|叶葆靖|杜佳
联系地址|苏州市高新区漓江路56号|苏州市高新区漓江路56号
电话|0512-66896988-8008|0512-66896988-8008
传真|0512-66896388|0512-66896388
电子信箱|dongban@everbrightphotonics.co m|dongban@everbrightphotoni cs.com
公司披露年度报告的媒体名称及网址|《中国证券报》、《证券时报》、《上海证券报》、《证券日报》
公司披露年度报告的证券交易所网址|www.sse.com.cn
公司年度报告备置地点|公司证券部
公司股票简况||||
股票种类|股票上市交易所及板块|股票简称|股票代码|变更前股票简称
 A股|上海证券交易所科创板|长光华芯|688048|不适用
公司聘请的会计师事务所(境内)|名称|天衡会计师事务所(特殊普通合伙)
|办公地址|南京市建邺区江东中路106 号1907室
|签字会计师姓名|吴景亚、陆羊林
公司聘请的会计师事务所(境外)|名称|不适用
|办公地址|不适用
|签字会计师姓名|不适用
报告期内履行持续督导职责的保荐机构|名称|华泰联合证券有限责任公司
|办公地址|深圳市前海深港合作区南山街道桂湾五路128号前海深港基金小镇B7栋401
|签字的保荐代表人姓名|时锐、朱辉
|持续督导的期间|2022年4月1日至2025年12月31日
报告期内履行持续督导职责的财务顾问|名称|不适用
|办公地址|不适用
|签字的财务顾问主办人姓名|不适用
|持续督导的期间|不适用
主要会计数据|2022年|2021年|本期比上年同期增减(%)|2020年
营业收入|385,601,459.40|429,088,533.48|-10.13|247,178,554.02
扣除与主营业务无关的业务收入和不具备商业实质的收入后的营业收入|381,187,993.06|425,988,741.39|-10.52|247,134,488.84
归属于上市公司股东的净利润|119,263,888.23|115,316,436.03|3.42|26,179,062.01
归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润|23,632,385.39|72,374,983.85|-67.35|-14,595,242.32
经营活动产生的现金流量净额|-55,263,412.87|21,164,869.58|不适用|-19,113,109.69
|2022年末|2021年末|本期末比上年同期末增减(%)|2020年末
归属于上市公司股东的净资产|3,236,451,269.14|637,342,088.22|407.80|506,481,327.13
总资产|3,496,011,408.75|983,354,568.90|255.52|737,153,839.72
主要财务指标|2022年|2021年|本期比上年同期增减(%)|2020年
基本每股收益(元/股)|0.9382|1.1339|-17.26|0.2912
稀释每股收益(元/股)|0.9382|1.1339|-17.26|0.2912
扣除非经常性损益后的基本每股收益(元/股)|0.1859|0.7117|-73.88|-0.1624
加权平均净资产收益率(%)|4.65|20.03|减少15.38个百分点|7.58
扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率(%)|0.92|12.57|减少11.65个百分点|-4.22
研发投入占营业收入的比例(%)|30.65|20.03|增加10.62个百分点|24.41
1、报告期内,公司实现营业收入38,560.15 万元,同比下降10.13%;实现归属于上市公司股东净利润11,926.39万元,同比上升3.42%;实现归属于上市公司的扣除非经常性损益的净利润2,363.24 万元,同比下降67.35%。主要原因为:(1)全球经济增速放缓等宏观因素影响,激光器下游行业资本开支放缓,激光器市场需求较为疲软,导致公司营业收入同比有所下降;(2)公司投入使用新厂房,扩大生产,为后续扩大市场份额、服务客户蓄力,2022年度由于下游需求疲软,导致产能利用率不足,相应的摊销费用增加;(3)公司持续加大研发投入,加强人才队伍及新产品研投入,相应的研发费用支出增长。
2、报告期末,公司总资产较期初增长255.52%;归属于上市公司的净资产较期初增长407.80%,主要系公司报告期内首次公开发行股票募集资金到位。
3、报告期内基本每股收益和稀释每股收益同比下降17.26%,扣除非经常性损益后的基本每股收益同比下降73.88%,主要是因为报告期内净利润有所下滑,同时公司首发上市,相应的股本及资产增加所致。
|第一季度(1-3月份)|第二季度(4-6月份)|第三季度(7-9月份)|第四季度(10-12月份)
营业收入|111,971,320.07|138,406,930.10|67,080,447.63|68,142,761.60
归属于上市公司股东的净利润|27,628,041.48|31,553,768.35|35,696,288.32|24,385,790.08
归属于上市公司股东的扣除非经常性损益后的净利润|19,518,200.63|22,179,839.08|-1,177,180.20|-16,888,474.13
经营活动产生的现金流量净额|-62,678,800.79|-47,155,563.69|44,348,524.72|10,222,426.89
归属于上市公司股东的扣除非经常性损益由于会计差错与已披露定期报告数据存在差异,详见公司于上海证券交易所网站(www.sse.com.cn)披露的《2022 年度业绩快报更正公告》(公告编号:2023-005)。
非经常性损益项目|2022年金额|附注(如适用)|2021年金额|2020年金额
非流动资产处置损益|-87,216.53||7,473.87|119,129.24
越权审批,或无正式批准文件,或偶发性的税收返还、减免|3,125,877.23|||
计入当期损益的政府补助,但与公司正常经营业务密切相关,符合国家政策规定、按照一定标准定额或定量持续享受的政府补助除外|72,625,443.06||4 9 , 477,032.37|43,874,027.58
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费||||1,827.08
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成本小于取得投资时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值产生的收益||||
非货币性资产交换损益||||
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外,持有交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债产生的公允价值变动损益,以及处置交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债和其他债权投资取得的投资收益|36,394,844.16||827,117.00|3,018,404.14
单独进行减值测试的应收款项、合同资产减值准备转回||||
对外委托贷款取得的损益||||
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产公允价值变动产生的损益||||
根据税收、会计等法律、法规的要求对当期损益进行一次性调整对当期损益的影响||||
受托经营取得的托管费收入||||
除上述各项之外的其他营业外收入和支出|-217,033.77||138,439.53|22,491.24
其他符合非经常性损益定义的损益项目|497,166.73||392,569.07|1,696,307.39
减:所得税影响额|16,707,578.03||7 , 901,179.66|7,957,882.34
少数股东权益影响额(税后)||||
合计|95,631,502.84||4 2 , 941,452.18|40,774,304.33
项目名称|期初余额|期末余额|当期变动|对当期利润的影响金额
交易性金融资产|0|1,454,000,000.00|1,454,000,000.00|0
应收款项融资|3,342,684.84|16,202,364.12|12,859,679.28|0
合计|3,342,684.84|1,470,202,364.12|1,466,859,679.28|0
2022年度公司实现营业收入38,560.15万元,同比下降10.13%;实现归属于母公司所有者净利润11,926.39 万元,同比增长3.42%。报告期内,受全球经济增速放缓等因素影响,激光器市场需求整体低迷,公司努力落实各项应对措施,积极开拓市场,加大研发投入,同时随着新的场地的投入使用,生产研发条件得到大幅度提升,为提高企业竞争力、更好地服务客户奠定了良好的基础,公司具体经营情况如下:
1. 研发工作稳步推进,工艺平台持续增强
报告期内,公司搬入新厂区,设备能力大幅提高。报告期内,公司研发投入11,817.32万元,研发投入总额占营业收入比例30.65%,研发投入总额较上年增长37.52%,新增获得发明专利50项。公司始终重视研发创新能力建设,持续加大对高功率芯片和模块方向、VCSEL产品方向、光通信产品方向的投入,保持产品的创新性及领先性。
在产品方向,公司的高功率半导体激光芯片从2021年的30W,提升到2022 年的35W,公司将陆续推出更高瓦数、更高性能的不同波长、不同应用领域的高功率半导体激光芯片;公司开发的超高填充因子长腔长阵列芯片结构,阵列芯片在低温高功率下的电光效率超过70% ,达国际领先水平。
在工艺平台方面,公司建设完成了用于高功率半导体激光芯片的6 吋砷化镓晶圆生产线,其中包括MOCVD外延生长和晶圆制造,产能提高了5倍以上,使公司在行业赛道中处于领先地位。
2. 平台资源整合,布局创新资源生态链
为响应苏州太湖光子中心建设推进暨苏州高新区产业创新集群发展的号召,公司作为发起者及骨干推动成立太湖光子中心的创建。围绕光子产业,为孵化企业提供生产平台和工艺研发、人才平台等全方位支持。
全资子公司苏州半导体激光创新研究院与中科院苏州纳米所成立“氮化镓激光器联合实验室”,为拓展氮化镓材料体系的蓝绿激光方向奠定了基础。
3. 国产替代与海外拓展并驾齐驱
随着外部环境的持续变化,半导体激光芯片国产化的需求越来越强,公司作为多年深耕高功率激光半导体的头部公司,将继续加大国产替代进程。现在是开拓海外市场的机遇期、窗口期,公司将进一步布局海外市场。
4. 获多项荣誉,得多方认可
2022 年,公司荣获江苏省科学技术奖一等奖、获批国家级专精特新“小巨人”、获批2022年江苏省瞪羚企业、获批首批苏州市创新联合体、获批2022年“江苏省智能制造示范车间”多项领军人才等荣誉。
5. 完善内部控制,提升公司治理水平
报告期内,公司不断完善内控流程体系,通过内部培训以及企业价值观建设,进一步优化各项制度流程,提升公司运营效率和治理水平。公司严格按照各项法律法规的要求,认真履行信息披露义务,确保信息披露及时、真实、准确和完整。
1. 公司主营业务情况
公司聚焦半导体激光领域,始终专注于半导体激光芯片的研发、设计及制造,主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品等,逐步实现高功率半导体激光芯片的国产化。公司紧跟下游市场发展趋势,不断开发具有领先性的产品、创新优化生产制造工艺、布局建设生产线,已形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵,成为半导体激光行业的垂直产业链公司。公司产品可广泛应用于:光纤激光器、固体激光器及超快激光器等光泵浦激光器、直接半导体激光输出加工应用、激光智能制造装备、国家战略高技术、科学研究、医学美容、激光雷达、机器视觉定位、智能安防、消费电子、3D传感与摄像、人脸识别与生物传感等领域。报告期内,公司主营业务未发生重大变动。
公司牢记“中国激光芯,光耀美好生活”的企业使命,保持对半导体激光芯片的持续研发投入,不断强化技术创新,努力打造自主研发的核心能力。经过多年的研发和产业化积累,针对半导体激光行业核心的芯片环节,公司已建成覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工艺(光刻)、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等IDM全流程工艺平台和3吋、6吋量产线,应用于多款半导体激光芯片开发,突破一系列关键技术,是少数研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一。同时,依托公司高功率半导体激光芯片的技术优势,公司业务横向扩展,建立了高效率VCSEL 激光芯片和高速光通信芯片两大产品平台,另外公司业务向下游延伸,开发器件、模块及终端直接半导体激光器,上下游协同发展,公司在半导体激光行业的综合实力逐步提升。
2. 公司主要产品情况
公司核心产品为半导体激光芯片,并且依托高功率半导体激光芯片的设计及量产能力,纵向往下游器件、模块及直接半导体激光器延伸,横向往VCSEL芯片及光通信芯片等半导体激光芯片扩展。主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品。
高功率单管系列产品||||
|高功率单管芯片|高功率单管器件|光纤耦合模块|直接半导体激光器
高功率巴条系列产品||||
|高功率巴条芯片|高功率巴条器件|阵列模块|
激光雷达与3D 传感系列产品||||
|激光雷达VLR 系列|激光雷达EEL系列| TOF系列| SL系列
光通信芯片系列产品||||
| APD系列| EML系列| DFB系列| PD系列
1. 盈利模式
公司主要从事半导体激光芯片及其器件、模块等产品的研发、生产和销售,通过向下游客户销售半导体激光芯片系列产品实现收入和利润。报告期内,公司主营业务收入均来源于半导体激光芯片及其器件、模块等产品的销售。
2. 销售模式
公司主要通过对接下游厂家及终端用户,国内市场以直销方式进行销售,海外市场以代理商经销商销售为主。
对于成熟且有明确行业标准或规格的产品,公司主要通过现有客户推荐、参加国内外展会、学术会议、客户拜访、邀请客户来访、行业媒体、客户经理对业务领域及渠道的拓展等方式寻求新客户。
对于新产品,公司在客户拓展过程中存在产品导入期。首先,公司根据客户需求进行产品设计、材料选型、样品制造等,对于芯片、器件类产品,由于涉及的性能参数较多,公司先行实施内部可靠性测试。然后将样品送至客户处做性能测试。性能测试通过后,客户会对公司产品实施可靠性测试。可靠性测试通过后,客户会向公司下单采购。公司开始对客户小批量供货,多批次同时合格后,会转入批量供货阶段。
在产品定价策略上,公司结合市场供求状态、产品的技术先进性、制造工艺的复杂程度、产品制造成本等因素,经过与客户谈判协商后,确定产品价格。
3. 采购模式
公司制定了供应商管理制度,对供应商选定程序、价格、控制机制、跟进措施进行了规定。根据公司对生产材料的需求,采购部通过展会、行业介绍等方式寻找潜在的供应
商,收集供应商资料,组织对供应商的能力进行调查,要求供应商提供样品,送技术部门进行测试和验证。根据供应商资料、测试或验证结果,综合进行判定并确定合格供应商,加入合格供应商目录。
公司根据生产计划,综合考虑产品定价、产品质量、付款方式、供货能力等诸多因
素,经审批后与相关供应商订立采购协议。为确保主要材料品质的稳定性,公司主要以其行业地位及市场占有率为考虑因素选择行业内知名供应商。对于部分主材,考虑外部环境的变化、价格的波动及生产用料的安全性,适当保证一定的库存量。
对于交期短且单价低的材料,以月或周为单位,向供应商下具体订单采购。对于交期长且成本高的材料,以年度或半年度合约招投标的模式进行采购。
同时,公司持续监控及评估现有及潜在供应商能否满足公司的要求及标准。公司对供应商进行定期考核,综合考虑原材料质量、交货期、后期服务、价格等因素,进行动态管理。
4. 研发模式
公司以行业发展、应用需求及国家科研项目需求为基础,确定研发方向,新产品从概念设计开始先后经历6 个阶段,满足各阶段的要求之后才能进入下一阶段。
(1)概念设计阶段(项目立项)
由市场销售部牵头,根据客户的要求、市场调研及预测的信息等内容,提出新项目导入申请,填写《产品阶段审批表》报评审委员会审批。经评审委员会指定项目负责人,会签《产品阶段评审表》后交由品质部存档、受控、发行后,新产品由概念设计阶段转入技术开发阶段。
(2)技术开发阶段
根据概念设计阶段的资料,项目负责人牵头展开技术开发阶段各项工作,包含:确定技术开发性质,明确客户需求,明确参与人员、预算、工作计划,进行可行性分析、参数性能分析、环保分析、产品特性分析,评估风险及对应的控制措施等。
(3)α样品阶段
研发项目团队在试产前应进行成本分析、安全和环境评估、可靠性实验分析,制定工作计划、质量保证计划,确定外观指标,进行供应商开发评审,并开始试制。样品试制完成后,项目负责人整理产品验证的相关技术资料,并根据样品情况更新原理草图、设计方案,完善技术指标。
(4)β样品阶段
β样品生产前,研发项目团队根据市场销售部识别的信息,适时依:1原理草图、设计方案、外观指标;2质量保证计划、研发预算、成本分析;3安全和环境评估、测量系统分析、设备和夹具分析、人员分析等,制定关键控制点控制计划、材料清单、材料标
准、作业指导书等技术文件,制定正式生产工作计划并实施。β样品生产完成后,研发项目团队对产品进行可靠性实验分析、单道工艺认证分析及寿命分析等。
(5)小批量阶段
初步作业标准化试生产前,研发项目团队总结β样品生产过程中的问题点并予以优
化,进一步进行产品的初始能力分析、成本分析、风险分析和评估、设备和夹具分析、人员分析、可靠性实验分析、寿命分析、环保分析等,依据β样品试产的技术资料和过程试验报告,制定试生产工作计划并实施。试生产完成后,进行客户认证。
(6)量产阶段
通过客户认证后,制造中心对产能进行评估,对设备投入实施管理,对人员、潜在失效模式及后果、安全和环境评估等进行分析,确认已具备量产能力,制定生产计划并组织实施。
5. 生产模式
公司外延片、晶圆、芯片、器件、模块及直接半导体激光器的生产模式属于垂直一体化的IDM模式,覆盖芯片设计、外延片制造、晶圆制造、芯片加工及器件封装测试全流
程,设计、制造等环节协同优化,有利于公司充分发掘技术潜力,有助于公司率先开发并推行新技术。
由于公司生产工序较多,生产周期较长,公司实行“订单式”生产为主,结合“库存式”生产为辅的生产方式。“订单式”生产主要表现为以客户订单为标准,采用客户订单及全年预计的销售意向进行排产安排,及时更新客户需求及排产计划。“库存式”生产是
概念设计阶段技术开发阶段α样品阶段
β样品阶段小批量阶段量产阶段
指公司根据需求预测进行合理的库存备货,以备生产高峰期产能不足的情况。此综合模式可以快速响应客户需求及满足客户日益提升的差异化要求。
此外,半导体激光行业迅猛发展,产品需求增幅较大,公司为保障生产的稳定性,会策略性地调整主材及通用半成品的库存储备。
公司聚焦半导体激光细分行业,主营业务为半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造与销售。根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》(GB/T4754-
2017),公司所处行业属于门类“C制造业”中的大类“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”中“C3976光电子器件制造”,指利用半导体光—电子(或电—光子)转换效应制成的各种功能器件制造。
半导体产业是现代信息产业的基础,广泛应用于计算机、网络通信、消费电子、智能化工业设备等领域,是关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业。
半导体激光行业通常包括激光芯片、激光器件、激光模块及直接半导体激光器等领域,而直接半导体激光器则是半导体激光行业的终端产品,由半导体激光器模块、输出光学系统、电源系统、控制系统及机械结构等构成,在电源系统和控制系统的驱动和监控下实现激光输出。
光子类型|激光器类型|应用领域
能量光子|光纤激光器泵浦|打标、雕刻、切割、焊接、金属3D打印等材料加工领域,应用于航空航天、汽车制造、船舶制造、钢铁冶金、3C电子、国家战略高技术等
|固体及超快激光器泵浦|精密切割、打孔、剥离、去除、划片、调阻调频、微纳结构加工,应用于半导体微电子、显示面板与照明、航空航天、汽车、太阳能、3C电子、3D增材制造等
|直接半导体激光器|焊接、熔覆、淬火、表面热处理,应用于汽车制造、发电设备、3C电子、航空航天、高铁、钢铁冶金等
|生物医学用激光器|医美、理疗、手术、光动力
|定向能用激光器|科研与国家战略高技术
信息光子|光通信激光器|接入网、主干网、数据中心;5G、物联网;
|硅光芯片|数据传输与运算
|激光雷达与探测器|3D人脸识别与辅助摄像、探测跟踪、安防监控、无人驾驶、机器视觉、测距和尺吋测量
|传感器|液体、气体等物质传感器、接近传感器等
|中远红外、太赫兹激光器|检测与影像、光电对抗
显示光子|红、绿、蓝三色激光器|激光电视、激光投影、汽车车灯、激光照明等
从目前发展情况来看,我国激光行业发展呈现以下几个发展趋势:(1)半导体激光芯片等核心部件逐步实现国产化;(2)激光应用领域渗透速度加快、范围变广;(3)向更高功率、更好光束质量、更短波长及更快频率方向发展;(4)用于高功率激光器的光电子元器件需求进一步增长。
作为产业升级的核心技术,激光行业将继续作为国家重点支持领域,并不断扩大应用范围,最终推动我国制造业向“光制造”时代迈进。
作为国内领头的高功率激光半导体公司,公司将进一步加强技术研发能力,借助国内广阔的市场应用空间丰富产品应用场景,提升产品性能,提升其在激光行业的整体竞争力。
公司已建成从芯片设计、MOCVD(外延)、光刻、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等完整的工艺平台和量产线,是全球少数几家研发和量产高功率半导体激光器芯片的公司。随着全球唯二的6 吋高功率半导体激光芯片生产线建成,公司在行业赛道中将处于优势的竞争地位。公司高亮度单管芯片和光纤耦合输出模块、高功率巴条和叠阵等产品,在功率、亮度、光电转换效率、寿命等方面屡次突破,获多项专利,与全球先进水平同步。
在高功率半导体激光芯片方向,公司将陆续推出更高瓦数、更高性能的不同波长、不同应用领域的高功率半导体激光芯片。在激光雷达与3D传感方向,公司的技术也达到领先水平,目前公司激光雷达芯片正在头部客户验证和导入。同时,公司持续研发光通信芯片、光显示芯片,促进市场牵引和成果转化。
随着外部环境的持续变化,半导体激光芯片国产化的需求越来越强,公司作为多年深耕高功率半导体激光的头部公司,将继续加大国产替代进程。现在是开拓海外市场的机遇期、窗口期,公司将进一步布局海外市场。
序号|技术类别|核心技术名称|技术来源|技术介绍及先进性的具体表征|产品应用情况
1|器件设计及外延生长技术|高功率高效率高亮度芯片结构设计|自主研发|半导体激光器结构设计包括垂直快轴结构设计、水平慢轴结构设计及纵向结构设计,通过模拟计算器件的光斑及载流子分布对器件结构进行优化,综合考虑器件光斑、载流子、量子阱、能带结构对器件阈值、斜率、电压、量子效率等参数的影响,进行最优化设计,提高芯片的效率、功率、光束质量、电性能和可靠性,电光转换效率可达60%至65%,高功率单管芯片可实现35W激光输出,芯片可靠性超过20000小时。|高功率激光单管/巴条芯片、 VCSEL芯片、光通信芯片
2||分布式载流子注入技术|自主研发|公司采用分布式载流子注入技术解决半导体激光器空间烧孔效应,提高载流子调制效率,寻找高效抑制激光器高阶侧模的载流子调试注入方案,提高半导体激光芯片的亮度,最高可达280MW/cm sr。|高功率激光单管/巴条芯片
3|| MOCVD外延生长技术|自主|激光器晶体材料采用高质量MOCVD外延技术实现。公司的MOCVD 外延生长技术包括外延工|高功率激光单管/巴
|||研发|艺、MOCVD外延设备改进工艺,如针对温度场、气场分布与III/V比等进行调整,并建立高铟组分应变量子阱外延生长动力学模型,得到高质量的外延晶体材料。|条芯片、 VCSEL芯片、光通信芯片
4||多有源区级联的垂直腔面发射(VCSEL)半导体激光器的设计|自主研发|多节VCSEL的设计让VCSEL的多个有源发光区通过隧道结串联起来共用上下点极和DBR层,实现低电流下成倍的功率增长,器件的效率也大大提高。| VCSEL芯片
5| FAB晶圆工艺技术|低损伤刻蚀工艺技术|自主研发|工艺流片(Wafer Fab)是通过光刻、刻蚀、清洗、氧化、钝化工艺,将外延晶圆的有源区制备出脊波导,通过磁控溅射、电子束蒸发、电镀、研磨减薄、退火、制备激光器正负电极并进行欧姆接触合金化。公司建立步进式自动化光刻、程序化全自动湿法刻蚀、自动清洗等标准自动化工序,可进行3吋、6吋外延晶圆流片。公司在Wafer Fab工艺和设备方面有一定的技术积累,可提高芯片的性能和可生产性。|高功率激光单管/巴条芯片、 VCSEL芯片、光通信芯片
6||薄膜氧化热处理工艺技术|自主研发|公司在外延片背面沉积了一层氧化硅、氮化硅、三氧化二铝等介质材料,通过调节材料的厚度和应力水平,降低外延片的翘曲程度,提升薄膜密排垂直腔面发射激光器制作中的光刻精度,从而实现薄膜密排垂直腔面发射激光器的制备。| VCSEL芯片
7|腔面钝化处理技术|高功率芯片腔面技术/高 COMD阈值的腔面保护技术|自主研发|腔面抗光学灾变损伤(COMD)是限制半导体激光器输出功率和使用寿命的关键因素,从 COMD失效的原理出发,提高COMD阈值的技术主要包括:(1)减少腔面的光吸收;(2)降低非辐射复合速率;(3)降低光子密度。通过采用腔面钝化及无吸收窗口结构解决腔面损伤问题,提高芯片的功率和寿命,可实现35W激光输出,芯片寿命达20000小时。|高功率激光单管/巴条芯片、光通信芯片
8|封装技术|大功率半导体激光器芯片封装技术|自主研发|半导体激光器的封装对芯片的性能有极大的影响,封装需要提供电极及电路、通过焊接来提供好的散热、不能有空焊、控制应力。公司采用大功率半导体激光器芯片封装技术进行半导体激光器的封装,从而提高器件的偏振性和可靠性。|高功率器件及模块
9|高亮度合束及光纤耦合技术|高亮度光谱合束技术|自主研发|半导体激光器增益高、增益范围宽,只需少量反馈即可压制本身发出波长,实现波长锁定。公司利用高亮度光谱合束技术采用光栅+外腔结构进行波长选择性反馈,实现波长锁定。但是过多的反馈将导致输出功率降低,即整体电光效率降低。而过低的反馈又将导致反馈光无法压制半导体激光器自身发出波长。因此,公司通过选择光栅参数将波长选择性反馈调整至合理的范围,提高光纤耦合模块的输出性能。|光纤耦合模块
10||高质量光纤耦合技术|自主|半导体激光器光纤耦合模块出射激光需要通过光束整形、合束、VBG等操作,最后耦合进光|光纤耦合模块
|||研发|纤。公司的高质量光纤耦合技术可实现高质量的光束整形、波长锁定,最终成功将出射激光进行光纤耦合。|
11|激光系统及应用技术|激光镀膜技术|自主研发|激光系统及应用技术主要指激光镀膜技术,公司采用该技术可以将清洗后的基底立刻进行覆膜的压合,相比传统的清洗和压合工序,清洗后的基底不会再次被污染,对压合工序不会造成不良影响。|直接半导体激光器
认定称号|认定年度|产品名称
国家级专精特新“小巨人”企业|2022|/
请参阅本报告第三节“管理层讨论与分析”—“经营情况讨论与分析”—“1.研发工作稳步推进,工艺平台持续优化”。
|本年新增||累计数量|
|申请数(个)|获得数(个)|申请数(个)|获得数(个)
发明专利|24|50|168|85
实用新型专利|1|3|46|42
外观设计专利|1||8|6
软件著作权|0|0|0|0
其他|0|0|0|0
合计|26|53|222|133
|本年度|上年度|变化幅度(%)
费用化研发投入|118,173,184.99|85,929,156.78|37.52
资本化研发投入|-|-|-
研发投入合计|118,173,184.99|85,929,156.78|37.52
研发投入总额占营业收入比例(%)|30.65|20.03|10.62
研发投入资本化的比重(%|-|-|-
报告期间内研发费用较上年同期增长37.52%,主要系公司历来注重研发,2022年在研发人员团队建设及产品研发活动上加大投入,始终保持产品的领先性及前瞻性。
序号|项目名称|预计总投资规模|本期投入金额|累计投入金额|进展或阶段性成果|拟达到目标|技术水平|具体应用前景
1|垂直腔面发射(VCSEL)半导体激光芯片的研发|35,000,000.00|9,888,960.18|9,888,960.18|开发阶段|开展器件结构设计、外延层生长、晶圆制造工艺等激光器关键技术的研究,实现增益光场与载流子耦合分布结构设计、DBR参数的准确控制、高性能隧道结和量子阱、应力平衡、低应力湿法氧化及低损伤干法刻蚀等技术的突破。|国内先进|人脸识别、辅助摄像、激光雷达、 AR/VR
2|3-5μm中红外量子级联激光器的研发|26,000,000.00|6,696,431.12|15,405,947.02|开发阶段| FP量子级联激光器中心波长3-5μm;DFB单纵模边发射量子级联激光器中心波长3-5μm。|国内先进|量痕气体测量、工业废气检测、呼吸疾病检测
3|高功率半导体激光芯片的研发|70,000,000.00|23,466,623.82|23,808,639.70|开发阶段|制备拥有完全自主知识产权的高功率半导体激光器芯片。|国际先进|工业泵浦、科学研究、生物医学、激光装备等领域
4|高功率半导体激光泵浦源的研发|2,500,000.00|9,299,316.28|9,299,316.28|开发阶段|掌握高功率半导体激光器泵浦源的核心制备工艺,实现核心器件自主可控国产化,为激光系统提供高品质国产半导体泵浦源。|国内先进|激光器泵浦源、科学研究、激光装备等领域
5|蓝绿光激光器的研发|4,000,000.00|1,914,623.56|1,914,623.56|开发阶段|通过步进电机直线模组模拟凸轮曲线运动,使输出透镜的位置按照预设位置运动,实现光束发散角动态调节。|国内先进|激光器泵浦源、科学研究、激光装备等领域
6|高功率巴条直接技术|17,000,000.00|568,134.67|568,134.67|开发阶段|针对半导体巴条激光器,通过对激光器物理机制及关键技术研|国际|工业泵浦、科学研
||||||究,实现巴条高功率输出。|先进|究、激光装备等领域
合计|/|154,500,000.00|51,834,089.63|60,885,621.41|/|/|/|/
基本情况||
|本期数|上期数
公司研发人员的数量(人)|127|107
研发人员数量占公司总人数的比例(%)|29.2%|29.0%
研发人员薪酬合计|3,727.38|2,528.76
研发人员平均薪酬|29.35|23.63
研发人员学历结构|
学历结构类别|学历结构人数
博士研究生|16
硕士研究生|41
本科|55
专科|11
高中及以下|4
研发人员年龄结构|
年龄结构类别|年龄结构人数
30岁以下(不含30岁)|69
30-40岁(含30岁,不含40岁)|47
40-50岁(含40岁,不含50岁)|7
50-60岁(含50岁,不含60岁)|4
60岁及以上|0
1. 核心技术优势
公司核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域,包括器件设计及外延生长技术、FAB 晶圆工艺技术、腔面钝化处理技术以及高亮度合束及光纤耦合技术等。
公司通过非对称的波导结构设计,让有源层更靠近p 型限制层,且p 型限制层的折射率大于 n 型限制层,在不改变光场模式曲线的情况下,实现对有源层光场限制因子及内部损耗的独立优化。采用大光腔结构,改善了近场模式和远场输出特性;增大发光面积,相对减小输出光功率密度,在增加输出功率的同时保证器件寿命。
公司采用分布式载流子注入技术,通过图形化电极实现载流子的调制注入,平衡半导体激光器因为前后端面因反射率差异而出现的纵向载流子非均匀分布,解决半导体激光器在大功率工作条件下因载流子分布不均匀所导致的纵向空间烧孔效应,最终实现大功率工作条件下的载流子平衡均匀分布,进一步提升半导体激光器的输出功率。
公司采用自主创新的腔面钝化和窗口制备方案,制备高稳定性及高重复性的宽带隙腔面无吸收窗口结构,大幅降低了激光器腔面的激光吸收从而减少热量产生,提高芯片抗损伤阈值,最终实现芯片输出功率及可靠性的提升。
公司研究的多有源区级联的半导体激光器中,让各个小数量的量子阱堆叠,分布在周期性光场的每一个峰的中心,每一组量子阱堆叠所占据的都是更靠近光场峰值的位置,增加了腔内增益,降低了器件的阈值,并不会增加材料的内损耗,从而提高了激光器的功率和效率。
公司采用体光栅分布式外腔反馈技术研制高亮度波长锁定激光源。利用半导体激光芯片与外部光学系统构成谐振腔,每个激光单元振荡波长均与器件选择性反馈波长相匹配,所有激光单元保持输出波长一致性,从而实现波长锁定,由此技术研制的高亮度光纤耦合模块具有高亮度和输出波长稳定等优点。
2. 研发及制造工艺平台优势
公司已建成3 吋、6 吋半导体激光芯片量产线,拥有了一套从外延生长、晶圆制造、封装测试、可靠性验证相关的设备,并突破了晶体外延生长、晶圆工艺处理、封装、测试的关键核心技术及工艺。目前3吋量产线为半导体激光行业内的主流产线规格,而6 吋量产线为该行业内最大尺寸的产线,相当于是硅基半导体的12吋量产线。大部分工艺环节达到了生产自动化,实现了高功率半导体激光芯片的研制和批量投产,芯片功率、效率、亮度等重要指标达到国际先进水平。公司采用IDM 模式进行半导体激光芯片的研发、生产与销售,掌握半导体激光芯片核心制造工艺技术关键环节,已建成3 吋及6 吋半导体激光芯片量产线,构建了GaAs(砷化镓)、InP(磷化铟)、GaN(氮化镓)三大材料体系,建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台,具备各类以GaAs(砷化镓)、InP(磷化铟)、GaN(氮化镓)为衬底的半导体激光芯片的制造能力。
3. 专业人才优势
公司深耕半导体激光芯片领域多年,核心技术人员均在激光行业拥有多年的技术研发及运营管理经验,并且高度重视聚集和培养专业人才,在对未来市场发展方向谨慎判断的基础上,针对性地引入专业人才。目前,公司已构建一批高层次的人才队伍,包括多名国家级人才专家、省级领军人才等。公司团队多次获得国家、省市区重大创新团队和领军人才殊荣,承担多项国家级及省级重大科研项目。
公司始终以自身平台为基础,旨在培养一支新成长技术力量,并与四川大学、国内某高校、南京激光先进研究院、东南大学、中科院苏州纳米所等国内高等学府和科研院所,签订产学研合作协议,建立联合实验室,推进高功率半导体激光芯片制造技术、封装技术、光学合束技术及光纤耦合技术等各个层面上的激光技术深入研究,进一步打造一支在国际上有较大影响力的专业技术团队。
4. 资本平台优势
公司的全资子公司苏州半导体激光创新研究院,一方面承担研发职能,例如激光创新研究院与中科院苏州纳米所合作成立“氮化镓激光器联合实验室”;另一方面该机构也是新型半导体材料相关的孵化和直投机构,有望为公司发展新型半导体材料发挥助力作用。
对于非公司体内业务或较为长期的布局业务,公司则筹备成立光子产业基金用以带动社会资本,发挥杠杆效应。公司作为光子产业发起及骨干公司推动成立太湖光子中心的创建。
产业链协同方面,公司通过参股公司等方式运作。例如:公司持股19.55%的公司华日精密主要经营固体及超快激光器,应用在精密微加工领域,与公司形成良好的产业链协同效应。
5. 产品可扩展性优势
公司具备技术平台后,未来应用层面可以横向扩展,而在最擅长的高功率领域则可以深挖打通产业链,实现纵向扩展。在现有材料技术平台上即可进行应用扩展,从大功率市场走向小功率信号市场;其次,新的氮化镓平台开发完成后,可以直接打开可见光激光市场乃至部分无线通信、电功率芯片市场;现有材料平台中,磷化铟平台主要面向光通信,包括发射端和接收端,目前公司已经在两端均提供了量产产品,且未来产品线有望进一步丰富。砷化镓平台方面,公司也已经推出各种信号处理方向产品,目前产品主要集中在激光雷达与3D传感器的发射端,包括消费电子使用的结构光探测器VSL(VCSEL Structured Light)系列、车载激光雷达使用的75W VCSEL VLR系列等。
6. 客户资源优势
公司凭借先进的半导体激光芯片技术水平及制造工艺,公司产品质量、性能及可靠性得到客户的认可,已具备向多元化应用市场及多层级行业客户提供产品的能力。半导体激光芯片的导入需要经过下游客户的性能、可靠性等验证通过,验证周期较长,下游客户更换芯片供应商的成本也较高,双方之间的合作绑定较为紧密。凭借深厚的研发实力、持续的创新能力,在工业激光器、激光加工设备等领域,公司积累了行业龙头及知名企业客户。同时,在高能激光器的应用方面,公司为高功率光纤激光器和高功率全固态激光器提供泵浦源,广泛服务于多家国家级骨干单位。
(三) 核心竞争力风险√适用□不适用
1. 技术升级迭代风险
公司经过多年的持续研发投入,在高功率半导体激光芯片领域形成了一系列技术积累。随着半导体激光技术的不断演进,技术革新及产品迭代加速、应用领域不断拓展已成为行业发展趋势。若公司不能继续保持充足的研发投入,或者在关键技术上未能持续创新,亦或新产品技术指标无法达到预期,则可能会面临核心技术竞争力降低的风险,导致公司在市场竞争中处于劣势,面临市场份额降低的情况。
2. 研发失败风险
半导体激光行业是技术密集型行业,具有研发投入高、研发周期长、研发风险大及行业技术更新速度快等特点。公司在研发新产品的过程中,也存在下游客户的产品导入和认证过程,需要接受周期较长、标准较为严格的多项测试。若公司未能准确把握下游行业客户的应用需求,未能正确理解行业及相关核心技术的发展趋势,无法在新产品、新工艺等领域取得持续进步,可能导致公司产品研发失败,或因稳定性差、应用难度大、成本高昂、与下游客户需求不匹配等因素,导致公司新产品无法顺利通过下游客户的产品导入和认证,会对公司的经营业绩造成不利影响。
3. 关键技术人才流失风险
半导体激光行业属于技术密集型行业,对技术人员的依赖度较高,高素质技术人员是公司核心竞争力的重要组成部分,也是公司赖以生存和发展的基础和关键。稳定的研发队伍和技术人员,是公司持续进行技术创新和保持市场竞争优势的重要因素。未来,如果公司薪酬水平与同行业竞争对手相比丧失竞争优势、核心技术人员的激励机制不能落实、或人力资源管控及内部晋升制度得不到有效执行等,将难以引进更多的高端技术人才,甚至导致现有骨干技术人员流失,将对公司生产经营产生不利影响。
4. 生产良率波动风险
报告期内,公司主营业务为半导体激光芯片及其器件、模块的研发、生产与销售。由于公司产品生产技术要求较高、技术更新迭代较快,如有新型号、新规格且技术难度较高的产品导入量产,可能会使得生产良率有所波动。如果未来公司的生产工艺技术不能持续进步,则存在生产良率无法进一步稳步提升的风险,进而影响公司的经营业绩。
1. 客户集中度较高的风险
公司的主要产品应用领域为国内工业激光器领域,下游行业集中度较高,并且公司产能有限,大部分产能被用于满足下游主要客户的订单需求。受此影响,公司来自主要客户的收入较为集中。若公司因产品和服务质量不符合主要客户要求导致双方合作关系发生重大不利变化,或主要客户未来因经营状况恶化导致对公司的直接订单需求大幅下滑,可能对公司的经营业绩产生不利影响。
2. 产品价格下降的风险
报告期内,受产业链整体价格下降以及国内外厂商的竞争策略影响,公司单管芯片产品价格和光纤耦合模块产品价格呈下降趋势。若未来产品价格持续下降,而公司未能采取有效措施,巩固和增强产品的综合竞争力、降低产品生产成本,公司可能难以有效应对产品价格下降的风险,导致利润率水平有所降低。
1. 应收账款余额较大的风险
虽然公司目前应收账款回收情况良好,且主要客户均为国内外知名厂商,但由于应收账款数额较大,若客户信用状况发生重大不利变化,公司将面临坏账增加的风险。
2. 存货跌价风险
一方面,若客户单方面取消订单,或因客户自身需求变更等因素减少订单计划,可能导致公司存货的可变现净值低于成本;另一方面,公司近年来新建厂房和购置生产相关设备资产,投入较大,使得固定成本提高较多,若公司产品产量因市场需求波动出现大幅减少,或因下游竞争日趋激烈而出现大幅降价,将可能使得该产品可变现净值低于成本,对公司的经营业绩产生不利影响。
3. 固定资产投资的风险
公司所处的半导体激光行业属于技术和资本密集型行业,专利和技术投资、固定资产投资的需求较高,尤其是生产制造所需的外延生长设备、腔面处理设备、光刻设备、测试组装设备等关键设备的购置成本高昂,规模化生产所需的生产线建设投入较大。
此外,公司首次公开发行募集资金投资项目实施完成后,公司固定资产等长期资产将继续增加,固定资产折旧费用也将相应上升。若公司产销规模未能随之增长,可能导致产品单位成本中单位制造费用较高,进而影响产品毛利率水平,使得公司业绩下降。
1. 宏观经济及行业波动风险
公司产品处于激光行业产业链上游,其需求直接受到下游工业激光器、激光加工设备、激光雷达及消费电子等市场发展态势的影响。如果未来宏观经济发生剧烈波动,导致工业激光器等终端市场需求下降,或者激光雷达、消费电子需求下滑、应用场景不成熟等因素导致无人驾驶、人脸识别等技术应用不及预期,将对公司的业务发展和经营业绩造成不利影响。
2. 市场竞争加剧风险
近年来,在产业政策和地方政府的推动下,国内半导体激光行业呈现出较快的发展态势,市场参与者数量不断增加。与此同时,国外企业也日益重视国内市场。在国际企业和国内新进入者的双重竞争压力下,公司面临市场竞争加剧的风险。如竞争对手采用低价竞争等策略激化市场竞争形势,可能对公司产品的销售收入和利润率产生一定负面影响。
3. 行业增长趋势减缓或行业出现负增长的风险
未来如果行业增长趋势减缓或行业出现负增长,可能会在存量市场中出现竞争加剧、产品需求下降等导致行业参与者销售收入降低的情形。公司所处行业发生不利变化将有可能直接影响公司的业务收入,从而对公司的经营产生不利影响。
1. 全球经济周期性波动
目前全球经济仍处于周期性波动当中,尚未出现经济全面复苏趋势,依然面临下滑的可能,全球经济放缓可能对整个行业带来一定不利影响,进而间接影响公司业绩。
1. 法律风险
(1)知识产权争议风险
公司的核心技术为从外延生长、晶圆工艺处理、镀膜、到封装和测试等全流程芯片制造技术,公司通过申请专利对自主知识产权进行保护,该等知识产权对公司未来发展具有重要意义,但无法排除关键技术被竞争对手通过模仿或窃取等方式侵犯的风险。同时,公司一贯重视自主知识产权的研发,避免侵犯他人知识产权,但无法避免竞争对手或其他利益相关方采取恶意诉讼的策略,从而阻碍公司正常业务发展。
(2)技术秘密泄露风险
公司通过不断积累和演化已形成了较为丰富的技术秘密,其对公司发展具有重要意义。公司制定的相关技术保密制度、与员工签署的《保密协议》等无法完全防范技术泄露问题,不能排除未来因员工违反相关制度和协议、员工离职等因素导致的非专利技术和技术秘密泄露的风险。
2. 内控风险
(1)不存在实际控制人风险
公司股权相对分散,不存在控股股东和实际控制人。公司经营方针及重大事项的决策由股东大会和董事会按照公司议事规则讨论后确定,但不排除存在因无控股股东、无实际控制人导致公司决策效率低下的风险。同时,分散的股权结构导致公司上市后有可能成为被收购的对象,从而导致公司控制权发生变化,给公司生产经营和业务发展带来潜在的风险。
(2)公司规模扩大导致的管理风险
公司首次公开发行完成后,随着募投项目的实施,公司的资产规模和业务规模将进一步扩大,员工人数将相应增加,需要公司在资源整合、市场开拓、技术研发与质量管理、内部控制等诸多方面进行调整优化,对各部门工作的协调性、严密性、连续性也提出了更高的要求。公司经营决策、组织管理、风险控制的难度也随之加大,公司存在因经营规模扩大导致的经营管理风险。
(3)产品质量控制风险
公司重视产品质量管理,建立了严格的质量控制制度,在产品生命周期内进行全流程监控,建立了覆盖原材料采购、产品生产、产品入库的全过程质量控制体系,并通过了ISO9001 体系认证。由于半导体激光芯片生产工艺较复杂、技术难度高等,若某一环节因质量控制疏忽而导致产品出现质量问题,将会对公司品牌形象、市场拓展、经营业绩产生不利影响。
2022年公司实现营业收入38,560.15万元,较上年同期下降10.13%;归属于上市公司股东净利润11,926.39万元,较上年同期增长3.42%。报告期末,公司财务状况良好,总资产额为349,601.14万元,较上年末增长255.52%;归属于上市公司股东的所有者权益为323,645.13万元,较上年末增长407.80%。
科目|本期数|上年同期数|变动比例(%)
营业收入|385,601,459.40|429,088,533.48|-10.13
营业成本|186,759,357.19|202,456,221.20|-7.75
销售费用|22,639,498.87|22,033,315.84|2.75
管理费用|31,566,112.69|23,951,051.74|31.79
财务费用|-7,641,414.49|2,871,304.94|不适用
研发费用|118,173,184.99|85,929,156.78|37.52
经营活动产生的现金流量净额|-55,263,412.87|21,164,869.58|不适用
投资活动产生的现金流量净额|-1,614,296,819.24|-120,228,980.37|不适用
筹资活动产生的现金流量净额|2,420,260,012.75|55,148,226.57|4,288.65