TigerResearch/tigerbot-earning-plugin huggingface dataset:
HTN|指| High Tensile Nitride,即高应力氮化硅,主要用于先进制程中的前道应力记忆层,通过应力记忆减小短沟道效应,增强载流子迁移率,提高器件速度
α-Si|指| Amorphous Silicon,非晶硅,主要应用在硬掩膜以实现小尺寸高深宽比的图形传递
 Thick TEOS|指|微米级TEOS薄膜
 PF-300T|指|四边形传片平台,最多搭载3 个反应腔,每个反应腔内最多有2个沉积站,每次可以同时最多处理6片晶圆
 NF-300H|指|四边形传片平台,最多搭载3 个反应腔,每个反应腔内有6个沉积站,每次可以同时最多处理18片晶圆
 TS-300|指|六边形传片平台,最多搭载5 个反应腔,每个反应腔内有2个沉积站,每次可以同时最多处理10片晶圆
 TS-300S|指|六边形传片平台,即TS-300型号平台的缩小版,最多搭载5 个反应腔,每个反应腔内有1 个沉积站,每次可以同时最多处理5片晶圆
PCT|指| Patent Cooperation Treaty,即专利合作条约
公司的中文名称|拓荆科技股份有限公司
公司的中文简称|拓荆科技
公司的外文名称| Piotech Inc.
公司的外文名称缩写| Piotech
公司的法定代表人|刘静
公司注册地址|辽宁省沈阳市浑南区水家900号
公司注册地址的历史变更情况|无
公司办公地址|辽宁省沈阳市浑南区水家900号
公司办公地址的邮政编码|110171
公司网址|www.piotech.cn
电子信箱|ir@piotech.cn
|董事会秘书(信息披露境内代表)|证券事务代表
姓名|赵曦|刘锡婷
联系地址|辽宁省沈阳市浑南区水家900号|辽宁省沈阳市浑南区水家900号
电话|024-24188000-8089|024-24188000-8089
传真|024-24188000-8080|024-24188000-8080
电子信箱| Dongban@piotech.cn|ir@piotech.cn
公司披露年度报告的媒体名称及网址|中国证券报(www.cs.com.cn)、上海证券报(www.cnstock.com)、证券时报(www.stcn.com)、证券日报(www.zqrb.cn)、经济参考报(www.jjckb.cn)
公司披露年度报告的证券交易所网址|www.sse.com.cn
公司年度报告备置地点|中国辽宁省沈阳市浑南区水家900号公司董事会办公室
公司股票简况||||
股票种类|股票上市交易所及板块|股票简称|股票代码|变更前股票简称
 A股|上海证券交易所科创板|拓荆科技|688072|不适用
公司聘请的会计师事务所(境内)|名称|天健会计师事务所(特殊普通合伙)
|办公地址|杭州市上城区钱江路1366号华润大厦B座
|签字会计师姓名|陈焱鑫、吴珊珊
报告期内履行持续督导职责的保荐机构|名称|招商证券股份有限公司
|办公地址|深圳市福田区福田街道福华一路111 号
|签字的保荐代表人姓名|刘宪广、张贺
|持续督导的期间|2022年4月20日至2025年12 月31日
主要会计数据|2022年|2021年|本期比上年同期增减(%)|2020年
营业收入|1,705,562,723.82|757,960,880.13|125.02|435,627,676.17
归属于上市公司股东的净利润|368,517,550.14|68,486,475.03|438.09|-11,489,015.66
归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润|178,104,100.53|-82,001,875.37|-|-57,116,203.25
经营活动产生的现金流量净额|247,625,867.82|137,480,579.51|80.12|308,912,704.99
|2022年末|2021年末|本期末比上年同期末增减(%)|2020年末
归属于上市公司股东的净资产|3,711,530,962.28|1,192,607,665.60|211.21|1,122,209,674.37
总资产|7,313,286,512.91|2,517,728,208.91|190.47|1,814,069,093.40
主要财务指标|2022年|2021年|本期比上年同期增减(%)|2020年
基本每股收益(元/股)|3.18|0.72|341.67|不适用
稀释每股收益(元/股)|3.17|0.72|340.28|不适用
扣除非经常性损益后的基本每股收益(元/股)|1.54|-0.86|-|不适用
加权平均净资产收益率(%)|13.13|5.92|增加7.21个百分点|-1.11
扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率(%)|6.35|-7.08|增加13.43个百分点|-5.52
研发投入占营业收入的比例(%)|22.21|38.04|减少15.83个百分点|28.19
1、公司营业收入持续高速增长,2018年至2022年复合增长率达到121.67%。2022年公司持续加大研发投入,产品质量稳步提高,客户对公司产品认可度不断提升,报告期营业收入达到170,556.27 万元,创公司业绩历史新高,同比增长125.02%。
公司PECVD系列产品在客户产线验证进展顺利,并取得良好成果,应用规模持续扩大,产品销量同比大幅度增加,报告期实现该系列产品销售收入156,322.62万元,同比增长131.44%;ALD系列产品中PE-ALD设备已实现产业化应用,报告期实现该系列产品销售收入3,258.67万元,同比增长13.85%;Thermal-ALD设备已完成开发,已发货至客户端验证;SACVD系列产品持续拓展应用领域,SA TEOS、BPSG、SAF薄膜工艺设备在芯片制造领域均取得客户验收,实现该系列产品销售收入8,947.62万元,同比增长117.39%,SACVD系列产品不断扩大应用工艺覆盖度,提升市场占有率。
公司持续拓展以PECVD、ALD、SACVD及HDPCVD为主的薄膜系列产品工艺应用领域,获得逻辑芯片、存储芯片等领域现有客户重复订单及新客户订单。截至报告期末,公司在手销售订单金额为46.02 亿元(不含Demo订单),公司2022年签订销售订单金额为43.62 亿元(不含Demo 订单),新增订单与上年同期相比增加95.36%,为后续业绩的增长提供了有力保障。
2022年与2021年签订销售订单金额对比(不含Demo订单)
2、2022 年归属于上市公司股东的净利润36,851.76 万元,同比增长438.09%,增加30,003.11 万元,净利率达到21.35%,较上年同期增加12.52 个百分点。主要原因为:(1)营业收入及毛利率增长,毛利额大幅增加;(2)收入规模大幅增长,期间费用率由2021 年的54.16%降低到2022 年的37.16%,同比降低17.00 个百分点;(3)公司不断优化产品结构,持续增强产品竞争力,本期研发投入37,874.05 万元,同比增长31.37%,持续的高强度研发投入,使公司整体营业收入、盈利能力大幅提升。
3、2022 年归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润17,810.41 万元,同比增加26,010.60万元。主要为:(1)归属于上市公司股东的净利润同比增加30,003.11万元;(2)非经常性损益同比增加3,992.51万元,其中:2022年股权投资产生的公允价值变动收益同比增加1,625.82 万元、获得政府补助确认的其他收益同比增加1,528.68万元。
4、2022年经营活动产生的现金流量净额24,762.59万元,同比增长80.12%,主要系公司订单及营业收入大幅增加带来的销售回款增长。
5、2022年末归属于上市公司股东的净资产371,153.10万元,同比增长211.21%。主要系2022 年4 月完成首次公开发行股票并在科创板上市收到募集资金净额212,759.73万元,本期实现归属于上市公司股东的净利润36,851,76万元。
6、2022年末总资产731,328.65万元,同比增长190.47%,主要系2022 年4月完成首次公开发行股票并在科创板上市收到募集资金、销售回款大幅增长、期末在手订单持续增加对应的材料备货及发出商品增加等原因。
7、2022 年基本每股收益、稀释每股收益比上年同期分别增长341.67%、340.28%,扣除非经常性损益后的基本每股收益比上年同期每股增加2.40 元,主要系公司营业收入增长、净利润增加。
|第一季度(1-3月份)|第二季度(4-6月份)|第三季度(7-9月份)|第四季度(10-12月份)
营业收入|107,517,692.90|415,699,178.00|468,306,876.31|714,038,976.61
归属于上市公司股东的净利润|-11,878,144.75|120,000,836.87|129,370,235.32|131,024,622.70
归属于上市公司股东的扣除非经常性损益后的净利润|-21,658,876.22|70,809,152.99|62,624,489.57|66,329,334.19
经营活动产生的现金流量净额|69,512,007.12|191,829,634.38|-378,955,611.77|365,239,838.09
非经常性损益项目|2022年金额|附注(如适用)|2021年金额|2020年金额
非流动资产处置损益|-51,952.80||-19,925.04|-19,541.64
计入当期损益的政府补助,但与公司正常经营业务密切相关,符合国家政策规定、按照一定标准定额或定量持续享受的政府补助除外|170,821,355.45||1 5 5,534,586.05|50,961,378.96
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外,持有交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债产生的公允价值变动损益,以及处置交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债和其他债权投资取得的投资收益|30,151,080.95||-|-
单独进行减值测试的应收款项、合同资产减值准备转回|-||524,923.00|-
除上述各项之外的其他营业外收入和支出|-244,026.16||-8,475.70|2,071,648.56
其他符合非经常性损益定义的损益项目|-3,505,673.03||- 1,824,418.05|-6,856,663.06
减:所得税影响额|-||-|-
少数股东权益影响额(税后)|6,757,334.80||3,718,339.86|529,635.23
合计|190,413,449.61||1 5 0,488,350.40|45,627,187.59
对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目,以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。□适用√不适用
项目名称|期初余额|期末余额|当期变动|对当期利润的影
||||响金额
交易性金融资产|-|46,108,915.00|46,108,915.00|30,151,080.95
其他非流动金融资产|-|20,000,000.00|20,000,000.00|-
合计|-|66,108,915.00|66,108,915.00|30,151,080.95
项目名称|2022 年|2021年|本期比上年同期增减(%)
剔除股份支付费用(第二类限制性股票、股票增值权)影响后,归属于上市公司股东的净利润|39,051.05|6,848.65|470.20
剔除股份支付费用(第二类限制性股票、股票增值权)影响后,归属于上市公司股东的扣除非经常性损益后的净利润|20,009.71|-8,200.19|-
集成电路行业是支撑经济发展、社会进步、国防安全的重要力量,而高端半导体设备是驱动这一产业发展的基石。在数字经济成为经济发展新动力的趋势下,半导体芯片技术持续迭代发展,并逐步向精密化、微小化发展,对制造工艺技术不断提出挑战,高端半导体设备的重要地位日益凸显。在经济发展与行业发展的双驱动下,产生巨大的半导体设备市场空间,2022 年全球半导体制造设备的销售额达1076亿美元。
在半导体设备中,薄膜沉积设备、光刻设备、刻蚀设备共同构成芯片制造三大核心设备,决定了芯片制造工艺的先进程度。而薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层,直接影响芯片的性能,且不同芯片结构所需要的薄膜材料种类不同、沉积工序不同、性能指标不同,对薄膜材料性能的要求极其严格。由此可见,薄膜设备研制技术难度也极高,相应产生了巨大的薄膜沉积设备市场,其市场规模约占晶圆制造设备市场规模的22%,2022 年全球薄膜沉积设备市场规模达229亿美元。
半导体设备及晶圆制造价值占比
数据来源:SEMI,同行业公司定期报告(2022年)
公司自设立以来,一直在高端半导体设备领域深耕,并专注于薄膜沉积设备的研发和产业化应用。公司凭借多年的自主研发经验和技术积累,现已拥有多项具有国际先进水平的核心技术,形成了以PECVD(等离子体增强化学气相沉积)、ALD(原子层沉积)、SACVD(次常压化学气相沉积)及HDPCVD(高密度等离子体增强化学气相沉积)为主的薄膜设备系列产品,在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造等领域得到广泛应用。
PECVD、ALD、SACVD 及HDPCVD设备均属于CVD(化学气相沉积)细分领域产品,不同的设备技术原理不同,所沉积的薄膜种类和性能不同,适用于芯片内不同的应用工序,主要应用具体如图示:
在逻辑芯片中的应用图示
在3D NAND存储芯片中的应用图示
在DRAM存储芯片中的应用图示
随着“后摩尔时代”的来临,芯片制程持续缩小并接近物理极限,不能再只依赖缩短工艺极限实现最优的芯片性能和复杂的芯片结构,而是转向通过新的芯片设计架构和芯片堆叠的方式来实现,因此,产生了新的设备需求。面向新的技术趋势和市场需求,公司积极进军高端半导体设备的前沿技术领域,研制了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合(Hybrid Bonding)设备产品系列,同时,该设备还能兼容熔融键合(Fusion Bonding)。键合设备主要应用原理如图示:
晶圆键合设备应用示意图
报告期内,公司面向国内集成电路芯片制造技术发展及市场需求,充分发挥公司在研发团队、技术储备、客户资源及售后服务等方面的优势,紧抓国内半导体产业高速发展的市场机遇,坚持以技术和产品创新驱动业务发展,持续保持新产品、新工艺及新技术的研发和投入,增强产品市场竞争力,同时,持续强化公司运营管理,促进公司持续、稳健、快速的发展,在经营业绩、产品研发、市场销售等诸多方面取得了突出的进展。
1、报告期内主要经营情况
报告期内,公司受益于国内半导体行业良好的发展态势,国内半导体行业设备需求增加,同时公司产品竞争力持续增强,销售订单大幅增加,营业收入维持高增长趋势。2022 年实现营业收入170,556.27 万元,较上年同期增长125.02%;实现归属于上市公司股东的净利润36,851.76 万元,较上年同期增长438.09%,归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润17,810.41万元,较上年同期增加26,010.60 万元,盈利能力持续增强。
截至报告期末,公司总资产731,328.65万元,较期初增长190.47%;归属于母公司的所有者权益371,153.10 万元,较期初增长211.21%。公司资产质量良好,财务状况稳健。
2、公司产品研发及产业化进展情况
报告期内,公司继续保持较高水平的研发投入,研发投入金额达到37,874.05万元,同比增加31.37%,研发投入占比达22.21%。公司通过高强度的研发投入,保持细分领域内产品技术领先,同时,不断丰富设备产品品类,拓宽薄膜工艺应用覆盖面,在现有产品产业化应用、新产品研发、验证等方面均取得了突破性进展。
公司薄膜系列产品在晶圆制造产线的量产应用规模持续扩大,截至本报告披露日,公司设备在客户端产线生产产品的累计流片量已突破1亿片。报告期内,公司设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异,平均机台稳定运行时间(Uptime)超过90%(达到国际同类设备水平)。
(1)PECVD系列产品研发及产业化进展情况
PECVD 设备是公司核心产品,也是芯片制造的核心设备之一。主要功能是在将硅片控制到预定温度后,使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体,通入适当的化学气体,在等离子体的激活下,经一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。相比传统的CVD 设备,PECVD 设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜,不破坏已有薄膜和已形成的底层电路,实现更快的薄膜沉积速度,是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。
公司自成立就开始研制PECVD设备,在PECVD 设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验,并形成了覆盖全系列PECVD薄膜材料的设备,主要包括PECVD 产品和UV Cure产品:
产品系列|产品类型|主要产品型号|主要薄膜工艺
 PECVD| PECVD| PF-300T| SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、 FSG、BPSG、PSG等通用介质薄膜材料,以及LoKI、LoKII、ACHM、 ADCI、HTN、a-Si等先进介质薄膜材料
|| PF-300T eX|
|| NF-300H|
| UV Cure| PF-300T Upsilon| HTN、LoKII等薄膜工艺
具体进展情况如下:1PECVD产品
报告期内,公司PECVD 设备持续保持竞争优势,订单量稳定增长,在客户产线验证通过的薄膜种类及性能指标类型持续增加,工艺覆盖率不断提升,市场占有率持续攀升,获得现有及新客户的批量订单和批量验收,现已广泛应用于国内集成电路制造产线。在量产设备PECVD(PF-300T、PF-300T eX)方面,公司结合客户需求及产线应用情况,持续完善设备性能,优化产品功能,并针对下游客户对于不同材料薄膜种类及性能指标的需求,持续丰富公司薄膜性能指标,提供不同工艺型号的PECVD设备。报告期内,公司持续扩大通用介质薄膜材料及先进薄膜材料工艺的应用覆盖面,多种不同工艺指标的先进薄膜材料(包括LoKI、ACHM、ADCI、HTN 等)和设备均通过客户验证,进入量产产线。
此外,公司在现有PECVD设备基础上,针对先进封装领域晶圆的特殊性,采用独特的加热盘、传片平台等设计,开发了反应温度在80°C-200°C范围内(通常反应温度在260°C-550°C范围内)的低温薄膜沉积设备,可以沉积低温的SiN、TEOS 等介质薄膜材料,并在先进封装领域实现量产应用。
在PECVD(PF-300T)基础上,公司推出了PECVD(NF-300H)型号设备,已实现首台产业化应用,并取得客户复购订单,可以沉积Thick TEOS 等介质材料薄膜。NF-300H相较于PF-300T设备平台具备高产能及良好工艺性能指标。
2UV Cure产品
UV Cure设备主要用于薄膜紫外线固化处理,该工序通过对薄膜进行后处理,有效改善薄膜性能,提升薄膜应力、硬度等关键性能指标。
公司UV Cure设备是基于现有PF-300T平台开发,可以与PECVD设备成套使用,为 PECVD HTN、LokII等薄膜沉积进行紫外线固化处理。报告期内,公司UV Cure(HTN工艺)设备已通过不同客户产线验证,实现销售收入,并实现产业化应用。
(2)ALD系列产品研发及产业化进展情况
ALD 设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在硅片表面,形成对复杂形貌的基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于ALD 设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制,实现了芯片制造工艺中关键尺寸的精度控制,在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、存储芯片制造中,ALD是必不可少的核心设备之一。
产品系列|产品类型|主要产品型号|主要薄膜工艺
 ALD| PE-ALD| PF-300T Astra| SiO2、SiN等多种介质薄膜材料
|| NF-300H Astra|
| Thermal-ALD| PF-300T Altair| Al2O3等多种金属化合物薄膜材料
|| TS-300 Altair|
1PE-ALD产品
PE-ALD是利用等离子体增强反应活性,提高反应速率,具有相对较快的薄膜沉积速度、较低的沉积温度等特点,适用于沉积硅基介质薄膜材料。
公司在PECVD设备核心技术的基础上,结合理论分析及仿真计算,对反应腔内的气路、关键件、喷淋头等进行创新设计,推出了PE-ALD设备,并实现了产业化应用,可以沉积高温、低温、高质量等多种指标要求的SiO2介质薄膜材料,以及SiN等介质薄膜材料,在芯片填孔(Gap-fill)、侧墙(Spacer)、衬垫层(Liner)等工艺中有广泛的应用,以实现更小图形化以及特定的隔离功能。报告期内,公司PE-ALD(PF-300T Astra)产品在现有客户端成功完成产业化验证,取得了进一步突破性进展,PE-ALD(NF-300H Astra)在客户端验证进展顺利。此外,公司持续拓展PE-ALD薄膜种类及工艺应用,并获得了不同客户的订单。
2Thermal-ALD产品
Thermal-ALD 是利用热能使反应物分子吸附在基底表面,再进行化学反应,生成薄膜,具有相对较高的反应温度、优越的台阶覆盖率、高薄膜质量等特点,适用于金属、金属氧化物、金属氮化物等薄膜沉积。
报告期内,公司Thermal-ALD(PF-300T Altair、TS-300 Altair)设备已完成研发,并出货至不同客户端进行验证,可以沉积Al2O3等金属化合物薄膜。
(3)SACVD系列产品研发及产业化进展情况
SACVD 设备主要应用于沟槽填充工艺,是集成电路制造的重要设备之一。在集成电路结构中,沟槽孔洞的深宽比越来越大,SACVD 反应腔环境具有特有的高温(400°C-550°C)、高压(30-600Torr)环境,具有快速优越的填孔能力。
产品系列|主要产品型号|主要薄膜工艺
 SACVD| PF-300T SA| SA TEOS等介质薄膜材料
| PF-300T SAF| BPSG、SAF等介质薄膜材料
报告期内,公司SACVD 产品持续提升产品竞争力,积极拓展应用领域,可实现SA TEOS、BPSG、SAF 薄膜工艺沉积的SACVD 设备均通过客户验证,实现了产业化应用。目前公司SACVD产品已在国内集成电路制造产线实现了广泛应用,并取得了现有及新客户订单。
产品系列|主要产品型号|主要薄膜工艺
 HDPCVD| PF-300T Hesper| SiO2、FSG、PSG等介质薄膜材料
| TS-300S Hesper|
HDPCVD设备可以同时进行薄膜沉积和溅射,所沉积的薄膜致密度更高,杂质含量更低。公司研制的HDPCVD (PF-300T Hesper)设备已出货至客户端进行产业化验证,截至本报告披露日,该设备已通过产线验证,实现销售。公司HDPCVD(PF-300T Hesper、TS-300S Hesper)设备已取得了不同客户的订单,可以沉积SiO2、FSG、PSG 等介质材料薄膜。
(5)混合键合系列产品研发及产业化进展情况
混合键合设备作为晶圆级三维集成应用中最前沿的核心设备之一,可以提供键合面最小为1um间距的金属导线连接点以实现芯片或晶圆的堆叠,使芯片间的通信速度提升至业界先进水平,并能提高整体芯片性能。
公司混合键合系列产品包括晶圆对晶圆键合(Wafer to Wafer Bonding)产品和芯片对晶圆键合表面预处理(Die to Wafer Bonding Preparation and Activation)产品,可以实现直接或基于层间的键合工艺、复杂的常温共价键合工艺。
产品系列|主要产品型号|主要应用
晶圆对晶圆键合产品| Dione 300|晶圆对晶圆常温混合键合(Hybrid Bonding)和熔融键合(Fusion Bonding)
芯片对晶圆键合表面预处理产品| Pollux|晶圆及切割后芯片的表面活化及清洗
1晶圆对晶圆键合产品
晶圆对晶圆键合产品可以实现复杂的12 英寸晶圆对晶圆常温共价键合,搭载了晶圆表面活化、清洗、键合和自研的键合精度检测模块,具有对准精度高、产能高、无间隙等性能特点。报告期内,公司成功研制了首台晶圆对晶圆键合产品Dione 300,并出货至客户端进行验证, 取得了突破性进展。
2芯片对晶圆键合表面预处理产品
芯片对晶圆键合表面预处理产品可以实现芯片对晶圆键合前表面预处理工序,包括晶圆及切割后芯片的表面活化及清洗工艺。报告期内,公司已完成芯片对晶圆键合表面预处理产品Pollux的研发。截至本报告披露日,该产品已出货至客户端进行验证。
3、供应链保障方面
公司持续优化供应链管理体系,建立了覆盖生产与库存管理、采购管理、物流管理等多维度的协调机制。公司一直非常注重供应商的培养,持续完善供应商支持与绩效考核机制,促进供应商产品质量与产品性能的不断提升。公司强化与供应商的合作深度并扩大合作范围,通过提前策划、共享需求预测等方式不断调整优化供应链结构,采用全球化、多货源的供应策略。同时,根据客户需求和研发需求,合理规划部件采购体量及进度,保证关键部件的及时稳定供应。报告期内,公司上游供应链总体保持稳定,有效保障设备生产、及时交付。
4、市场销售情况
报告期内,公司继续聚焦中国大陆薄膜沉积市场,紧抓国内下游集成电路芯片制造厂扩产带来的市场机遇,凭借公司在产品技术、客户资源、售后服务等方面的核心竞争优势,同时,不断优化公司产品结构,持续增强产品竞争力,进一步促进客户群体的拓展及客户结构的多元化,公司产品的市场占有率和客户认可度持续提升。
公司现有PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜系列产品均获得了现有及新客户订单,销售订单大幅增加。公司量产产品在客户产线验证进展顺利,并取得良好成果,在晶圆制造产线的量产应用规模持续扩大,产品销量同比大幅度增加。此外,公司新推出的键合系列产品验证进展顺利。公司继续保持与下游客户深入稳定的合作,持续提供定制化、高性能的设备产品,以及高质量的售后服务,为公司未来业务增长奠定坚实基础。
5、人才队伍建设情况
报告期内,公司结合业务发展需要,持续加强人才梯队建设,扩大人员特别是研发人员的规模。在人才引进方面,积极吸引行业经验丰富的管理及技术人才,并从国内高校选拔优秀的毕业生。在人才培养方面,公司持续优化培训体系,充分发挥绩效考核激励机制,增强员工的荣誉感和凝聚力;持续加强与高校的紧密合作,实行厂校挂钩定向招聘;与国内高校建立联合培养机制,定向培养后备人才,为公司人才队伍建设提供有力支撑。报告期内,公司实施了上市后首次股权激励计划,2022年11月22日,公司向激励对象授予280万股第二类限制性股票、40万份股票增值权,该次股权激励计划的实施将进一步促进公司人才队伍的建设和稳定,助力公司长远发展。
6、营运管理方面
报告期内,公司不断提升产品生产制造水平,优化物料运营管理,有效提升装配制造及时率、合格率。公司持续强化产品质量的管理体系,并保持较高水平的售后技术支持服务,提升客户满意度。公司设有EHS(环境、健康、安全)合规管理部门,对公司生产运营进行监督,保障公司生产的合规和安全。公司积极布局信息系统技术防护和安全保密管理,保障公司网络安全、数据安全。
7、公司首发上市及募投项目建设进展情况
(1)公司首发上市
报告期内,公司完成了首次公开发行股票并在上交所科创板上市,本次首发上市向社会公众公开发行人民币普通股(A 股)股票31,619,800 股,每股面值为人民币1 元,发行价格为每股人民币71.88 元,募集资金总额为人民币227,283.12 万元,扣除发行费用人民币14,523.40 万元后,募集资金净额为人民币212,759.73 万元。公司首发上市的成功,为公司扩大生产规模、开发新工艺和新产品提供了有力的资金保障。
(2)募投项目建设进展
1公司募投项目一“高端半导体设备扩产项目”
该项目在公司原有半导体薄膜设备研发和生产基地基础上进行二期洁净厂房建设、配套设施及生产自动化管理系统建设。报告期内,二期洁净厂房已基本完成建设并投入使用。
2公司募投项目三“ALD设备研发与产业化项目”
为进一步完善产业布局,公司在上海临港新片区购置整体厂房,建设新的研发及生产基地(建筑面积为5181.68 平方米)。该项目依托上海临港新片区集成电路产业集群的优势和上海地区的人才优势,开展ALD薄膜沉积设备的研发与产业化。报告期内,该基地已基本完成建设并投入使用,并按计划开始实施研发和生产工作。
3超募资金投资建设新项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”
公司为进一步扩大产业规模,加强自身在细分领域的竞争优势,在上海临港新片区另行建设一个研发与产业化基地(土地面积为39990.20 平方米),用于开发满足先进工艺应用需求的薄膜沉积设备,并实现以临港为中心客户群所需半导体设备的产业化。截至报告期末,公司已取得土地摘牌并完成《上海市国有建设用地使用权出让合同》的签署,公司后续将根据计划稳步推进超募资金投资项目建设。
8、对外投资
报告期内,公司为更好地完善产业布局,增强上游产业链的稳定性,开展了以下对外投资事项:
(1)向拓荆上海增资
公司使用募集资金人民币27,000万元向拓荆上海增资,以实施募投项目三“ALD设备研发与产业化项目”。此外,公司使用超募资金人民币6,000 万元向拓荆上海增资,以实施超募项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”。截至报告期末,公司持有拓荆上海100%股权,后续公司将根据超募项目进展情况继续向拓荆上海增资。
(2)向恒运昌增资并参股恒运昌
公司以自有资金人民币2,000万元向恒运昌增资。截至报告期末,公司持有恒运昌3.3860%股权。
(3)认购富创精密首次公开发行股票并在科创板上市战略配售股票
公司使用自有资金约人民币3000 万元认购富创精密首次公开发行股票并在科创板上市战略配售股票。2022 年10月10 日,富创精密成功在上交所科创板上市,公司获配42.65万股,限售期为自富创精密上市之日起12 个月。
(4)设立美国全资子公司
公司设立了全资子公司拓荆美国,该公司的设立有利于公司加强供应链合作,调研国际市场。截至报告期末,拓荆美国尚未实际运营。
9、公司治理情况
公司严格依照《公司法》《证券法》《上市规则》以及《公司章程》等有关法律、法规、规范性文件的要求不断完善公司的治理结构,提高经营管理决策的科学性、合理性、合规性和有效性,提升公司的治理和规范运作水平,为公司业务目标的实现奠定良好的基础。
10、公司信息披露及防范内幕交易情况
公司高度重视上市公司规范运作、信息披露管理工作和投资者关系管理工作。公司根据相关法律、法规和部门规章,结合公司实际情况,制定了股东大会、董事会、监事会、信息披露和投资者管理等规范运作的内部制度,并严格遵照执行;公司认真履行信息披露义务,确保信息披露的及时、真实、准确和完整;通过投资者电话会议、传真、电子邮箱和投资者关系互动平台、接待投资者现场调研等多种方式与投资者进行沟通交流,建立良好的互动关系。
公司高度重视内幕交易防范,做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育,敦促董事、监事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守买卖股票规定。
公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来,公司始终坚持自主研发,目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜设备产品系列,该产品系列已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线。同时,公司开发了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备产品系列。
报告期内,公司不断完善现有量产薄膜设备系列产品性能,保持产品核心竞争力,进一步提升量产产品的市场占有率。同时,持续丰富公司产品品类,拓展工艺应用领域。公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及键合系列产品情况如下:
产品型号|产品图片|产品应用情况
 PF-300T||在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造及先进封装等领域已实现产业化应用,可以沉积SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、 BPSG、PSG 等通用介质薄膜材料,以及 LoKI、LoKII、ACHM、ADCI、HTN、a-Si等先进介质薄膜材料,可实现8 英寸与12英寸PECVD 设备兼容,具有高产能,低生产成本优势。
 PF-300T eX||
 NF-300H||在集成电路存储芯片制造领域已实现产业化应用,适用于沉积时间需求较长的薄膜工艺,如Thick TEOS介质材料薄膜。
产品型号|产品图片|应用领域
 PF-300T Upsilon||在集成电路芯片制造领域已实现产业化应用。该设备可以与PECVD成套使用,为 PECVD HTN、Lok II 等薄膜沉积进行紫外线固化处理。
产品型号|产品图片|产品应用情况
 PF-300T Astra||在集成电路逻辑芯片、存储制造及先进封装领域已实现产业化应用,可以沉积高温、低温、高质量的SiO2、SiN等介质薄膜材料。
 NF-300H Astra||主要应用于集成电路存储芯片制造领域,正在进行产业化验证,可以沉积高温、低温、高质量的SiO2、SiN等介质薄膜材料。
产品型号|产品图片|产品应用情况
 PF-300T Altair||主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片制造领域,正在进行产业化验证,可以沉积Al2O3 等金属化合物薄膜材料。
 TS-300 Altair||主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片制造领域,正在进行产业化验证,可以沉积Al2O3 等金属化合物薄膜材料。
产品型号|产品图片|产品应用情况
 PF-300T SA||广泛应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片制造领域,可以沉积SA TEOS 等介质薄膜材料,可实现8 英寸与12 英寸SACVD 设备兼容。
 PF-300T SAF||广泛应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片制造领域,可以沉积BPSG、SAF等介质薄膜材料,可实现8 英寸与12 英寸SACVD设备兼容。
产品型号|产品图片|产品应用情况
 PF-300T Hesper||主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片制造领域,正在进行产业化验证,可以沉积SiO2、FSG、PSG等介质薄膜材料。
 TS-300S Hesper||主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片制造领域,正在进行产业化验证,可以沉积SiO2、FSG、PSG等介质薄膜材料。
产品型号|产品应用情况
 Dione 300|主要应用于晶圆级三维集成芯片制造领域,正在进行产业化验证,可实现12 寸晶圆对晶圆的混合键合和熔融键合。
产品型号|产品应用情况
 Pollux|主要应用于晶圆级三维集成芯片制造领域,正在进行产业化验证,主要应用于晶圆及切割后芯片的表面活化及清洗
注:随着公司产品种类的不断丰富,公司持续完善产品型号命名规则。报告期内,经履行公司内部决策程序,对公司产品型号名称进行调整,结合设备平台类型及反应腔类别重新命名产品型号。
公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务。公司通过向下游客户销售薄膜沉积设备并提供备品备件和技术服务来实现收入和利润。报告期
内,公司主营业务收入来源于半导体设备的销售,其他业务收入主要来源于设备有关的备品备件销售。
公司主要采用自主研发的模式。公司建成了一支国际化、专业化的半导体薄膜沉积设备研发技术团队。公司的研发技术团队结构合理,分工明确,专业知识储备深厚,产线验证经验丰富,是公司自主研发能力的基石。公司根据客户需求、半导体专用设备技术发展动态为导向,研发设计新产品、新工艺,研制机台,调试性能参数,在通过公司测试之后,送至客户实际生产环境中进行产业化验证,通过验证后产品正式定型。此外,公司会根据客户不同的工艺应用需求,持续丰富、完善量产产品性能。
公司采购主要分为标准件采购和非标件采购。对于标准件采购,公司面向市场供应商进行直接采购。非标件主要为公司研发生产中,根据特定技术需求,自行设计的零部件。对于非标件采购,公司主要通过向供应商提供设计图纸、明确参数要求,由供应商自行采购原材料进行加工并完成定制;针对特定零部件,公司存在提供图纸及参数,并向供应商提供原材料,委托供应商完成定制化加工的情形。
为保证公司产品的质量和性能,公司制定了严格的供应商选择和审核制度。公司对于供应商技术水平、加工设备、良品率、运营能力等多维度进行定期评估,保证供应商能力水平。公司与主要供应商签订了《采购框架合同》,根据采购需求,通过订单方式向供应商采购。公司根据研发计划、生产计划、BOM 清单和物料库存情况,由计划部制定采购计划,物料管理运营部实施采购计划,经验收合格完成采购入库。
公司的产品主要根据客户的差异化需求和采购意向,进行定制化设计及生产制造。公司主要采用库存式生产和订单式生产相结合的生产模式。库存式生产,指公司尚未获取正式订单便开始生产,包括根据Demo订单或较明确的客户采购意向启动的生产活动,适用于公司的Demo 机台和部分销售机台。订单式生产,指公司与客户签署正式订单后进行生产,适用于公司大部分的销售机台。
(5)销售和服务模式
报告期内,公司销售模式为直销,通过与潜在客户商务谈判、招投标等方式获取客户订单。经过多年的努力,公司已与国内半导体行业企业形成了较为稳定的合作关系。公司的销售流程一般包括市场调查与推介、获取客户需求及公司内部讨论、产品报价、投标操作与管理(如适用)、销售洽谈、合同评审、销售订单(或Demo 订单)签订与执行、产品安装调试、合同回款、客户验收及售后服务等步骤。公司的设备发运至客户指定地点后,需要在客户的生产线上进行安装调试。通常客户在完成相关测试后,对设备进行验收,公司在客户端验收完成后确认收入。
(1)行业的发展阶段、基本特点1半导体设备行业
半导体行业的发展水平与国家科技水平息息相关,其发展情况已成为全球各国经济、社会发展的风向标,是衡量一个国家现代化程度和科技实力的重要标志。半导体设备作为半导体产业链的技术先导者,是半导体产业发展的基础和技术进步的原动力。随着半导体技术的迭代升级,半导体元器件逐步向精密化、微小化发展,对制造工艺技术不断提出挑战,半导体设备的重要地位日益凸显。
纵观半导体行业的发展历史,呈现明显的周期性波动,主要由于行业技术迭代、下游应用创新驱动、终端应用的供需关系等因素叠加全球经济波动所致。从全球范围来看,2020年以来,受到全球消费电子、汽车电子等下游供应短缺刺激,全球半导体市场需求爆发,行业景气度上升,半导体设备行业保持高速增长态势。根据SEMI数据统计,2022年度,受行业景气度转换的影响,全球半导体制造设备的销售额较上年同期实现小幅增长,达到1076亿美元。从中国大陆市场来看,2022年中国大陆半导体设备销售额为283亿美元,连续第三年成为全球最大半导体设备市场。
目前全球半导体设备市场主要由国际厂商主导。伴随着我国对半导体产业不断的政策扶持、加大投入力度,加速了国内半导体设备产业的发展和布局,并迎来了巨大的成长机遇。
2薄膜沉积设备行业
半导体产业的发展衍生出巨大的半导体设备市场,而应用于集成电路领域的设备通常可分为前道工艺设备(晶圆制造)和后道工艺设备(封装测试)两大类。其中,晶圆制造设备的市场规模约占总体设备市场规模的86%,而薄膜沉积设备则是集成电路前道生产工艺中的三大核心设备之一。2022年全球薄膜沉积设备市场规模约为229亿美元,同比2021年实现小幅增长,而中国大陆市场也保持增长趋势,具有广阔的市场空间。
薄膜沉积设备主要包括CVD设备和PVD设备。公司主要聚焦在CVD 设备细分领域内的PECVD、ALD、SACVD 及HDPCVD。不同种类的薄膜沉积设备适用于不同工艺制程对膜质量、厚度以及孔隙沟槽填充能力等不同要求。在2021年全球各类薄膜沉积设备市场份额中,PECVD是薄膜设备中占比最高的设备类型,占整体薄膜沉积设备市场的
33%,ALD设备占比约为11%,SACVD和HDPCVD 属于其他薄膜沉积设备类目下的产品,占比约为6%。
薄膜沉积设备占比情况
数据来源:SEMI
3三维集成领域设备行业
三维集成领域设备是三维集成芯片、Chiplet等芯片先进架构设计的技术基础。混合键合设备为代表的三维集成专用设备尚处于产品导入期,业界目前已经在存储器、图像传感器和逻辑芯片领域初步实现产业化。随着“后摩尔时代”的来临,三维集成领域将进入成长期,混合键合设备作为关键设备,其细分市场届时也将迎来指数级增长。
半导体设备行业属于技术密集型行业,涉及化学、等离子体物理、流体力学、射频及微波学、电气控制及自动化、软件工程、机械工程等多种科学技术及工程领域学科知识的综合应用,具有技术壁垒高、产品验证周期长的特点。
1薄膜沉积技术
半导体行业通常是“一代产品、一代工艺、一代设备”,晶圆制造要超前下游应用开发新一代工艺,而半导体设备要超前晶圆制造开发新一代设备。薄膜沉积设备作为集成电路晶圆制造的核心设备,其技术的发展支撑了集成电路制造工艺的发展,跟随摩尔定律的节奏,每隔18-24个月便要推出更先进的制造工艺,不断追求技术革新。
在薄膜沉积设备研制过程中,其反应腔设计、腔体内关键件设计、气路设计、温度控制及射频控制需要在基础理论知识深刻理解外,结合整机设计思路和产线工艺理解,技术壁垒较高。此外,集成电路制造不同技术路线及不同工序所需要的薄膜材料种类不同,薄膜沉积设备需要针对不同材料本身的物理、化学性质,进行工艺开发,以实现不同材料的沉积功能。
由于薄膜是芯片结构的功能材料层,在芯片完成制造、封测等工序后一般会留存在芯片中,薄膜的技术参数直接影响芯片性能。生产中不仅需要在成膜后检测薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标,还需要在完成晶圆生产流程及芯片封装后,对最终芯片产品进行可靠性和生命周期测试,以衡量薄膜沉积设备是否最终满足技术标准。因此,薄膜沉积设备所需要的验证时间较长。
随着集成电路制造产线向更小线宽发展,芯片内部立体结构日趋复杂,所需要的薄膜层数越来越多,对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求,因此,技术门槛也在日益提升。
2混合键合技术
由于“后摩尔时代”集成电路制程无法持续向更小线宽发展,键合设备将持续推动芯片性能的提高和行业的发展。键合设备提供的关键指标是键合面的质量,包括对准精度、键合强度以及界面空隙,其中对准精度影响芯片性能,键合强度和界面空隙影响芯片整体良率。键合设备的研制,对于高精密对准系统、微纳精密机械控制、图像处理和分析、套刻量测等技术需要极其深刻的理解和产业化实践经验,技术壁垒较高。随着“后摩尔时代”的来临,业界会对于键合设备性能将提出更高的要求。
从全球市场份额来看,薄膜沉积设备行业呈现出垄断竞争的局面,行业基本由应用材料(AMAT)、先晶半导体(ASMI)、泛林半导体(Lam)、东京电子(TEL)等国际巨头垄断。在CVD市场中,应用材料(AMAT)、泛林半导体(Lam)和东京电子(TEL)三大厂商占据了全球约70%的市场份额。在晶圆级三维集成领域,键合设备市场主要由EV Group公司、苏斯(SUSS)等公司高度垄断,占据全球超过70%的市场份额。
公司凭借十多年的技术积累,自主研制了包括PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜设备系列产品,在国内主要集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线有广泛应用。同时,面向新的技术需求,公司开发了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备系列产品。目前薄膜系列产品在客户产线实现量产的设备性能指标已达到国际同类设备先进水平。公司目前是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD设备、SACVD设备、HDPCVD设备厂商,也是国内领先的集成电路ALD 设备厂商。虽然公司产品的销售规模在稳步提升,但整体市场占有率与国际巨头尚有差距。
1半导体设备市场需求稳步增长
纵观半导体行业的发展历史,虽然行业呈现明显的周期性波动,但整体增长趋势并未发生变化,而每一次技术变革是驱动行业持续增长的主要动力。在人工智能、电动汽车、新能源等新兴领域的快速发展拉动下,晶圆厂将持续进行资本开支,扩充产能,进而带动半导体设备的市场需求量。薄膜沉积设备作为集成电路晶圆制造的核心设备,具有巨大的市场需求和增长空间。
根据SEMI预测信息,在2022年至2026年期间,下游芯片制造厂商将持续扩充产能,以满足需求增长,目前最新更新的366座厂房和产线中,258座在运营,108座计划在未来启建。根据集微咨询统计,中国大陆预计未来5年(2022年至2026年)还将新增25座12英寸晶圆厂,总规划月产能超过160万片。截至2026年底,中国大陆12英寸晶圆厂的总月产能将超过276.3万片。本土晶圆厂的产能扩建将引领半导体设备需求的持续增长。
2芯片制造工艺进步及结构复杂化提高薄膜设备需求
在90nm CMOS芯片工艺中,大约需要40道薄膜沉积工序。在FinFET工艺产线,大约需要超过100道薄膜沉积工序,涉及的薄膜材料由6种增加到近20种,对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级,进而拉动晶圆厂对薄膜沉积设备需求量的增加。
不同工艺节点薄膜沉积工序对比
在FLASH存储芯片领域,随着主流制造工艺已由2D NAND发展为3D NAND结构,结构的复杂化导致对于薄膜沉积设备的需求量逐步增加。而随着3D NAND FLASH芯片的堆叠层数不断增高,从32/64层逐步向更多层及更先进工艺发展,对于薄膜沉积设备的需求提升的趋势亦将延续。
2D NAND与3D NAND结构简图
资料来源:SEMI,广发证券
在芯片工艺技术持续进步的趋势下,当难以通过光刻直接形成先进工艺的情况下,可以结合薄膜沉积设备(主要为ALD设备)与刻蚀设备相配合,采用自对准多重成像技术,实现更小尺寸的工艺,这将进一步促进ALD设备及相关设备的重要性及需求量的提升。
3先进制程对薄膜沉积设备提出更高要求
在晶圆制造过程中,薄膜起到产生导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、临时阻挡刻蚀等重要作用。随着芯片制造工艺不断走向精密化,对薄膜工艺性能提出了更高的技术要求,包括薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标,市场对于高性能薄膜设备的依赖逐渐增加,这也将拉动半导体高端薄膜设备的需求。
4“后摩尔时代”产生新的设备需求
三维集成领域通过芯片堆叠的形式,使单位面积内的晶体管数量增加从而提高芯片整体性能,是一种市场趋势的必然。由于摩尔定律的经济效益降低和物理极限的存在,业界不能再只依赖缩短工艺极限去实现芯片性能和复杂度的指数型提升,因此三维集成为代表的先进芯片架构是一种必然趋势。
混合键合设备能为全球半导体业界带来芯片模块间先进的通信速度,未来广泛应用于三维集成领域。业界的连接点间距缩短是行业的趋势,从引线键合采用的倒装设计(pitch≈1mm级别)、再到IC载板(pitch≈100um 级别)、硅中介板
(pitch≈10um级别)、最终到混合键合(pitch≈1um 级别)。而其中的技术趋势就是连接点的间距代表的芯片模块间通信速度不断提升,因此混合键合在保障芯片模块间通信速度方面是目前全球最先进的产业化方案之一。
序号|核心技术名称|技术特点|技术水平
1|先进薄膜工艺设备设计技术|先进薄膜工艺设备设计技术,通过对反应腔进行设计和优化,以实现先进薄膜材料的性能要求。沉积含碳的前驱体沉积低k 类材料:通过对射频功率液态源气化速率的精准控制,保障了所沉积薄膜的低介电性能和薄膜硬度。沉积新型阻挡层(如ADCI)材料:通过对沉积过程中各反应源浓度的均匀性和浓度本身的精准控制,反应气体的输运速率控制,配合射频功率的升降控制使反应材料达到恰当的比例,实现所沉积薄膜性能达到要求的低介电性、密封性、均匀性。沉积新型硬掩膜(如ACHM):通过采用一种边缘隔离环用于沉积站的晶圆中心并覆盖其边缘的方案,从而防止晶体边缘出现沉积,既能保证晶圆定位的准确,又能避免因晶圆的侧边与陶瓷环接触而产生颗粒及因薄膜边缘过厚而产生颗粒。氧化硅/氮化硅(ONON)堆栈薄膜:通过薄膜沉积反应腔设计,及其配套沉积工艺和腔体清洗工艺,解决ONON叠层沉积过程中,由于连续多次沉积引起的反应物在腔体内部表面附着力降低而导致的颗粒污染,|国际先进
||并通过对反应腔内表面温度的精确控制及反应环境化学成分控制,有效降低颗粒污染的产生。|
2|反应模块架构布局技术|反应模块架构包含了双站型和多站型等布局的处理腔室。该技术可以在保证均匀一致性的情况下提高产能,还可以实现在一台设备上进行多种工艺的组合双站型产品:模块式搭建,一个传片平台搭配最多三个双站型反应腔,每次可处理6 片晶圆。每个反应腔内有两个独立的反应站,通过反应站之间设置环境匹配通道,以实现两个相互独立的反应站共用气体输运控制和压力控制,从而实现各反应站内薄膜的一致性。多站型产品:模块式搭建,一个传片平台搭配最多三个六站型反应腔,每次可处理18片晶圆,反应站之间以活动隔离组件隔开,可实现独立控制和相对隔离控制,进而实现反应站之间的独立性和一致性。该技术可以提高生产效率,解决特殊半导体制程中的产能需求。该技术可以同时搭载多种反应模块,有效提高产能,又能保证工艺性能。|国际先进
3|半导体制造系统高产能平台技术|半导体制造系统高产能平台包含大气传输系统(EFEM)、真空过渡模块(LOADLOCK)、真空传输模块(Transfer Module)。通过对真空过渡模块和真空传输腔的设计,可高效实施线上任务,有效缩短生产时间,提高薄膜沉积设备的生产能力并有效降低颗粒污染;通过多边形传输模块的设计,实现每个传输模块同时搭载多个反应腔室,如六边形传输模块,可以搭载最多五个反应腔(10 个反应站),提高薄膜沉积设备的产能。|国际先进
4|等离子体稳定控制技术|针对薄膜沉积反应特殊需求,通过对射频系统进行优化设计和改进,将射频赋能等离子体过程控制在10 毫秒等级。射频快速响应能够使等离子体在最短时间内达到稳定状态,实现以等离子体化学气相沉积原理成膜的薄膜厚度和膜厚均匀性的精准控制。|国际先进
5|反应腔腔内关键件设计技术|反应腔腔内关键件设计技术是通过针对反应腔内可能与晶圆接触的所有部件的单独设计和联合设计,使得反映环境和工艺参数可以得到严格控制的技术。关键件包含喷淋头,加热盘,腔内陶瓷件,抽气设置等,通过设计优化,实现反应腔气流的均匀性、晶圆温度控制、反应环境的可控性和晶圆传输可靠性,可以有效控制薄膜的性能、避免颗粒产生。|国际先进
6|半导体沉积设备气体输运控制系统|针对两站或多站型沉积工艺,采用特别设计的分流机制进行喷淋头的送气,保证各站对应连接管路的一致性,确保两站流量均衡,前驱体的浓度均衡,从而一定程度保障了薄膜工艺表现。|国际先进
7|气体高速转换系统设计技术|通过对气体输送系统中的流量控制、高速阀门选型、管路设计及各部件对应的电控机制的设计,达到气体高速精准转换,保障了薄膜性能,缩短了成膜周期,提高了机台的产能。|国际先进
8|反应腔温度控制技术|反应腔温度控制技术通过对反应腔体加热盘、气体管路、喷淋板、工艺加热装置和泵气系统的加热模块进行设计及温度控制,可以有效控制晶圆片间均匀性,提高设备的稳定性、保障客户生产需求。|国际先进
报告期内,公司核心技术及其先进性未发生重大变化。国家科学技术奖项获奖情况
公司始终专注于半导体薄膜沉积设备的研发。报告期内,公司获批承担1 项国家重大专项,截至报告期末,公司已先后累计承担7 项国家重大专项/课题。
2022年度,公司获得“国家知识产权示范企业”称号,公司专利“负载腔室及其使用该负载腔室之多腔室处理系统”获得第二十三届“中国专利优秀奖”和第二届“辽宁省专利奖三等奖”。
公司拥有多项自主知识产权和核心技术。截至报告期末,公司累计申请专利851项(含PCT)、获得专利216 项;报告期内,新增申请专利252 项(含PCT)、新增获得专利48项。
|本年新增||累计数量|
|申请数(个)|获得数(个)|申请数(个)|获得数(个)
发明专利|175|27|665|124
实用新型专利|69|21|155|91
外观设计专利|0|0|1|1
软件著作权|15|0|15|0
其他|8|0|30|0
合计|267|48|866|216
注1:上表“其他”指PCT申请数量;
注2:上表“累计数量”中“申请数”和“获得数”不包含已失效专利。
|本年度|上年度|变化幅度(%)
费用化研发投入|378,740,474.41|288,308,464.81|31.37
资本化研发投入|-|-|-
研发投入合计|378,740,474.41|288,308,464.81|31.37
研发投入总额占营业收入比例(%)|22.21|38.04|减少15.83 个百分点
研发投入资本化的比重(%)|-|-|-
报告期内,公司不断丰富产品种类,拓展工艺应用领域,持续保持高强度的研发投入,公司本期研发投入37,874.05万元,同比增长31.37%,主要系直接材料投入和职工薪酬增加。本期研发投入总额占营业收入比例为22.21%,较上年减少15.83个百分点,主要为本期营业收入的大幅增加。
序号|项目名称|预计总投资规模|本期投入金额|累计投入金额|进展或阶段性成果|拟达到目标|技术水平|具体应用前景
1| PECVD系列产品及工艺开发与产业化|90,055.61|16,452.90|60,316.38|已实现产业化应用,并持续拓展工艺应用|研发PECVD系列薄膜设备,实现SiO2、SiN、 TEOS、SiON、SiOC、FSG、 BPSG、PSG等通用介质薄膜材料,以及Lok I、Lok II、ACHM、ADC I、HTN、 a-Si等先进薄膜材料工艺,产品性能指标达到客户产线要求。|国际同类设备水平|集成电路逻辑芯片、存储芯片制造及先进封装领域
2| PE-ALD系列产品及工艺研发与产业化|40,265.00|4,529.97|13,446.00|已实现产业化应用,并持续拓展工艺应用|研发PE-ALD系列薄膜设备,实现SiO2、SiN等介质薄膜材料,产品性能指标达到客户产线要求。|国际同类设备水平|集成电路逻辑芯片、存储芯片制造及先进封装领域
3| Thermal- ALD系列产品及工艺研发与产业化|21,384.00|5,599.48|6,609.96|产业化验证,并持续拓展工艺应用|研发Thermal-ALD系列薄膜设备,实现Al2O3等多种金属化合物薄膜材料,产品性能指标达到客户产线要求。|国际同类设备水平|集成电路逻辑芯片、存储芯片制造领域
4|深沟槽填充薄膜工艺系列产|22,415.30|4,119.11|7,088.79|已实现产业化应用,并持续拓展工艺应用|研发深沟槽填充系列薄膜设备,实现浅槽隔离、金属前介质层等沟槽填充的|国际同类设备水平|集成电路逻辑芯片、存储芯片制造领域
|品研发与产业化|||||薄膜工艺,产品性能指标达到客户产线要求。||
5| HDPCVD系列产品及工艺开发与产业化|7,473.00|2,840.68|3,234.79|产业化验证,并持续拓展工艺应用|研发HDPCVD系列薄膜设备,产品性能指标达到客户产线要求。|国际同类设备水平|集成电路逻辑芯片、存储芯片制造领域
6|应用于三维集成领域的系列产品研发与产业化|9,771.00|3,906.71|6,091.14|研发及验证|研发键合系列设备产品,性能指标达到客户要求。|国际同类设备水平|晶圆级三维集成应用领域
合计|/|191,363.91|37,448.85|96,787.06|/|/|/|/
1、公司在研项目中“PECVD 系列产品及工艺开发与产业化项目”预计总投资规模增加至90,055.61 万元,主要系公司PECVD 系列产品围绕客户需求持续优化升级、拓展工艺应用所需研发费用增加;
2、上述在研项目为公司主要的在研项目。
基本情况||
|本期数|上期数
公司研发人员的数量(人)|334|200
研发人员数量占公司总人数的比例(%)|40.24%|43.29%
研发人员薪酬合计|12,539.84|7,289.04
研发人员平均薪酬|37.54|36.45
研发人员学历结构|
学历结构类别|学历结构人数
博士研究生|18
硕士研究生|190
本科|115
专科|10
高中及以下|1
研发人员年龄结构|
年龄结构类别|年龄结构人数
30岁以下(不含30岁)|119
30-40岁(含30岁,不含40岁)|183
40-50岁(含40岁,不含50岁)|23
50-60岁(含50岁,不含60岁)|5
60岁及以上|4
公司致力于研发和生产世界领先的半导体设备,始终坚持自主创新,持续为半导体行业和客户提供具有竞争力的产品。公司建立了创新管理体制,形成了多项国际先进的核心技术,并在研发团队、技术积累和研发平台、市场拓展和售后服务等方面形成竞争优势,具体体现为:
1. 具有丰富的技术储备及国际先进的核心技术优势
公司通过自主研发,形成了一系列独创性的设计,构建了完善的知识产权体系。截至报告期末,公司累计获得授权专利216项,其中发明专利124项。
公司先后承担了多项国家重大专项/课题,已研发了支持不同工艺型号的PECVD、 ALD、SACVD 和HDPCVD 等薄膜系列设备,在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术,构建了具有设备种类、工艺型号外延开发能力的研发平台。
公司面向国内半导体制造产业的实际需求和产线演进节奏,研制了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备。公司未来将坚持高强度的研发投入,持续迭代升级、优化现有设备和工艺,不断推出面向未来发展需求的新工艺、新设备。
2. 优秀的技术研发及管理团队优势
公司已经建成了一支国际化、专业化的半导体薄膜沉积设备技术研发及管理团队。公司立足核心技术研发,积极引进资深专业人才、自主培养科研团队。