TigerResearch/tigerbot-earning-plugin huggingface dataset:
报告期末,公司应收账款账面价值为18,106.42 万元,公司应收账款账面价值随着业务规模的增长有所增加。公司按照会计政策对应收账款计提坏账准备,但未来应收账款可能会随着经营规模的扩大而继续增长。若主要债务人的财务状况、合作关系发生恶化,或催收措施不力,则可能导致应收账款及应收票据无法收回形成坏账损失,对公司经营成果造成不利影响,也会影响公司经营性现金流量,对公司资金状况造成不利影响。
4、存货减值的风险
报告期末,公司存货的账面价值为17,504.18 万元,公司存货账面价值随着业务规模的增长有所增加。公司存货的可变现净值受到下游市场情况变动的影响,未来,如果公司下游客户需求、市场竞争格局发生变化,或者公司不能有效拓宽销售渠道、优化库存管理,可能导致存货无法顺利实现销售,公司或将面临存货减值的风险,进而会给公司经营造成一定的不利影响。
功率半导体产业作为信息产业的基础,是国民经济和社会发展的战略性产业。近年来,国家出台了一系列鼓励政策以推动我国半导体产业的发展,增强中国半导体产业创新能力和国际竞争力。2017年,相关部委发布了《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录(2016 版)》,将集成电路芯片设计及服务列入战略性新兴产业重点产品目录,并明确了电力电子功率器件的地位和范围,其中包括了MOSFET 和IGBT等功率器件。此外国家还持续推出了各项支持半导体行业发展的政策,包括《中国制造2025》《国家信息化发展战略纲要》《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》(“十四五规划”)等。如果未来国家相关产业政策支持力度减弱,公司的经营业绩将会受到不利影响。
2、下游需求波动的风险
半导体行业具有较强的周期性特征,与宏观经济整体发展亦密切相关。如果宏观经济波动较大或长期处于低谷,半导体行业的市场需求也将随之受到影响。因此,若光伏逆变及储能、新能源汽车、5G通信等驱动公司收入实现增长的下游行业发展不达预期,行业规模增速放缓或出现下滑,中国功率半导体行业进口替代趋势放缓,公司的研发进展与成果不达预期,或宏观经济发展出现较大波动,则公司将面临业绩无法继续保持报告期内所实现的快速增长的风险。
近年来,国际贸易摩擦不断,部分国家通过贸易保护的手段,试图制约中国相关产业的发展。公司始终严格遵守中国和他国法律,但国际局势瞬息万变,一旦因国际贸易摩擦导致公司业务受限、供应商无法供货或者客户采购受到约束,公司的正常生产经营将受到不利影响。在全球贸易保护主义抬头的大背景下,未来国际贸易政策存在一定的不确定性。如果全球贸易摩擦进一步加剧,境外客户可能会减少订单、要求公司产品降价或者承担相应关税等措施,境外供应商可能会被限制或被禁止向公司供货。若出现上述情况,则公司的经营可能会受到不利影响。
报告期内,公司实现营业收入111,636.35 万元,较上年同期增长42.74%;实现归属于上市公司股东的净利润28,435.63 万元,较上年同期增长93.57%;实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润26,778.76万元,较上年同期增长90.59%。同时,公司主营业务收入分产品系列实现情况如下:(1)公司高压超级结MOSFET产品全年实现营业收入91,405.97 万元,较2021年同期增长60.77%;(2)公司中低压屏蔽栅MOSFET产品全年实现营业收入15,564.69 万元;(3)公司Tri-gate IGBT产品报告期内实现营业收入4,461.27 万元,较2021年同期增长685.21%;
(4)公司超级硅MOSFET 产品报告期内实现营业收入204.29万元;(5)报告期内,公司SiC器件(含Si
C MOSFET)首次实现营业收入0.13万元。2023年,东微半导主营产品将持续批量出货
并新增多个产品送测认证,这将对公司主营产品销售增长提供持续推动力。
科目|本期数|上年同期数|变动比例(%)
营业收入|1,116,363,474.63|782,091,845.56|42.74
营业成本|737,287,419.59|557,446,096.06|32.26
税金及附加|3,287,761.30|2,939,323.00|11.85
销售费用|9,376,091.32|7,523,654.14|24.62
管理费用|22,402,974.53|15,200,285.67|47.39
财务费用|-27,599,274.65|-5,941,823.24|不适用
研发费用|54,927,269.69|41,433,948.60|32.57
其他收益|11,817,621.14|8,018,089.59|47.39
投资收益|6,304,298.61|101,569.20|6,106.90
公允价值变动收益|89,178.09||不适用
信用减值损失|-4,985,711.01|-1,521,390.84|不适用
资产减值损失|-3,040,414.86|-1,395,085.65|不适用
资产处置收益||99,804.42|-100.00
营业外收入|236,263.59|46.91|503,552.93
所得税费用|42,744,537.21|21,889,688.50|95.27
经营活动产生的现金流量净额|141,630,114.33|130,246,075.31|8.74
投资活动产生的现金流量净额|-184,914,748.56|15,082,596.91|-1,326.01
筹资活动产生的现金流量净额|1,974,208,282.33|-2,863,467.31|不适用
营业收入变动原因说明:主要系报告期内,公司聚焦于光伏逆变及储能、新能源汽车车载充电机、新能源汽车直流充电桩、服务器电源等高景气赛道,营业收入持续增加,充分受益于功率半导体结构性需求分化红利;并通过不断深化与上下游优秀合作伙伴的合作关系,持续扩大产能。公司通过数字化手段不断提高运营效率,期间费用保持相对稳定。公司主营产品广泛应用于光伏逆变器、储能、新能源汽车直流充电桩、各类工业和通信电源、车载充电机以及消费类电子、适配器等领域。公司业绩的持续增长主要系受前述应用领域结构性需求增长、技术迭代及产品组合结构进一步优化等因素影响。
营业成本变动原因说明:主要系报告期内,主营产品收入增加,营业成本亦相应增加所致。
管理费用变动原因说明:主要系报告期内,随着经营规模逐渐扩大,职工薪酬、中介服务费、差旅费、招待费增加所致。
财务费用变动原因说明:主要系报告期内,公司利用暂时闲置资金进行现金管理产生的利息收入增加所致。
研发费用变动原因说明:主要系报告期内,公司持续加强研发投入特别是先进工艺产品研发,相应的材料、职工薪酬、研发设备及平台开发等投入均持续增长。
投资活动产生的现金流量净额变动原因说明:主要系报告期内,公司利用暂时闲置资金进行现金管理购买结构性存款规模增加所致。
筹资活动产生的现金流量净额变动原因说明:主要系报告期内,公司首次公开发行股票募集资金增加所致。
其他收益变动原因说明:主要系报告期内,公司获得的各项政府补贴收入增加所致。
投资收益变动原因说明:主要系报告期内,公司利用暂时闲置资金进行现金管理购买结构性存款到期获得收益增加所致。
公允价值变动收益变动原因说明:主要系报告期内,公司利用暂时闲置资金进行现金管理购买结构性存款的公允价值变动增加所致。
信用减值损失变动原因说明:主要系报告期内,公司整体销售规模持续扩大,应收账款余额增加,相应的应收账款坏账准备计提增加所致。
资产减值损失变动原因说明:主要系报告期内,公司主营产品收入持续增加,备货量也随之加大,相应的存货跌价准备增长所致。
资产处置收益变动原因说明:主要系上年度公司经营管理需要,对部分资产进行更新换代所致。营业外收入变动原因说明:主要系报告期内,公司获得的赔偿收入增加所致。
所得税费用变动原因说明:主要系报告期内,公司主营产品收入持续增加,利润总额也随之增加,致使企业所得税随之增长所致。
报告期内,公司实现营业收入111,636.35万元,较上年同期增长42.74%,主要系报告期内,公司聚焦于光伏逆变及储能、新能源汽车车载充电机、新能源汽车直流充电桩、服务器电源等高景气赛道,营业收入持续增加,充分受益于功率半导体结构性需求分化红利;并通过不断深化与上下游优秀合作伙伴的合作关系,持续扩大产能。公司通过数字化手段不断提高运营效率,期间费用保持相对稳定。公司主营产品广泛应用于光伏逆变器、储能、新能源汽车直流充电桩、各类工业和通信电源、车载充电机以及消费类电子、适配器等领域。公司业绩的持续增长主要系受前述应用领域结构性需求增长、技术迭代及产品组合结构进一步优化等因素影响。
报告期内,公司营业成本为73,728.74万元,较上年同期增长32.26%,主要系报告期内,公司主营产品收入增加,营业成本亦相应增加所致。
报告期内,公司综合毛利率为33.96%,较上年同期增加5.24个百分点,主要系报告期内公司持续技术迭代、产品组合结构调整及涨价等综合因素所致。
主营业务分行业情况||||||
分行业|营业收入|营业成本|毛利率(%)|营业收入比上年增减(%)|营业成本比上年增减(%)|毛利率比上年增减(%)
集成电路|1,116,363,474.63|737,287,419.59|33.96|42.74|32.26|增加5.24个百分点
主营业务分产品情况||||||
分产品|营业收入|营业成本|毛利率(%)|营业收入比上年增减(%)|营业成本比上年增减(%)|毛利率比上年增减(%)
功率半导体产品|1,047,045,478.19|681,792,791.83|34.88|59.85|45.23|增加6.55个百分点
晶圆|69,317,996.44|55,494,627.76|19.94|-45.45|-36.94|减少10.81个百分点
主营业务分地区情况||||||
分地区|营业收入|营业成本|毛利率(%)|营业收入比上|营业成本比上|毛利率比上年
||||年增减(%)|年增减(%)|增减(%)
境内|1,094,105,784.34|720,224,118.89|34.17|46.00|35.46|增加5.12个百分点
境外|22,257,690.29|17,063,300.70|23.34|-31.90|-33.79|增加2.20个百分点
主营业务分销售模式情况||||||
销售模式|营业收入|营业成本|毛利率(%)|营业收入比上年增减(%)|营业成本比上年增减(%)|毛利率比上年增减(%)
经销模式|779,348,242.94|510,204,903.91|34.53|55.97|43.52|增加5.67个百分点
直销模式|337,015,231.69|227,082,515.68|32.62|19.34|12.44|增加4.13个百分点
报告期内,公司实现营业收入111,636.35 万元,较上年同期增长42.74%,公司综合毛利率为33.96%,较上年同期增加5.24 个百分点。主要系报告期内,公司聚焦于光伏逆变及储能、新能源汽车车载充电机、新能源汽车直流充电桩、服务器电源等高景气赛道,营业收入持续增加,充分受益于功率半导体结构性需求分化红利;并通过不断深化与上下游优秀合作伙伴的合作关系,持续扩大产能。公司通过数字化手段不断提高运营效率,期间费用保持相对稳定。公司主营产品广泛应用于光伏逆变器、储能、新能源汽车直流充电桩、各类工业和通信电源、车载充电机以及消费类电子、适配器等领域。公司业绩的持续增长主要系受前述应用领域结构性需求增长、技术迭代及产品组合结构进一步优化等因素影响。营业成本较上年同期增长32.26%,主要系报告期内,主营产品收入增加,营业成本亦相应增加所致。
报告期内,公司功率半导体产品营业收入较上年同期增长59.85%,营业成本较上年同期增长45.23%,毛利率增加6.55个百分点,主要系报告期内,受益于光伏逆变及储能、新能源汽车车载充电机、新能源汽车直流充电桩、服务器电源等终端市场结构化需求提升,产能持续扩大,新产品不断推出及产品组合结构进一步优化等因素所致。晶圆营业收入较上年同期减少45.45%,营业成本较上年同期减少36.94%,主要系报告期内,公司终端优质客户对高端功率半导体产品需求旺盛,公司主动调整了供货策略,进一步提升产品边际价值贡献。
报告期内,境内营业收入增长,主要系报告期内市场不断开拓所致;境内营业成本上升,主要系报告期内,境内主营产品收入增加,成本也相应增加。境外营业收入减少,主要系国内市场结构化需求旺盛,同时公司积极响应国产替代号召,进一步扩大高性能功率器件国产化率所致,境外营业成本亦随着境外产品收入的减少而减少。
报告期内,经销与直销营业收入均呈现持续增长,同时,公司的销售仍以经销模式为主,主要系:1经销商有助于公司快速建立销售渠道,提升品牌知名度;2公司整体结构精简,经销商可以协助公司进行终端客户的日常维护和售后服务,节省公司人力资源投入,提升公司的运作效率。经销与直销的营业成本随着产品收入的增加而增加。
报告期内,公司汽车及工业级应用收入占主营业务收入约80%,主要来自新能源汽车直流充电桩、各类工业及通信电源、光伏逆变器、车载充电机等领域。公司主要细分领域收入整体随公司主营业务收入的增长而增长,具体表现为:新能源汽车直流充电桩领域收入占当期主营业务收入的比重约15%,较上年同期增长约6%;各类工业及通信电源领域收入占当期主营业务收入的比重约15%,较上年同期增长约63%;光伏逆变器领域收入占当期主营业务收入的比重约20%,较上年同期增长逾400%;车载充电机领域收入占当期主营业务收入的比重逾21%,较上年同期增长约500%。
主要产品|单位|生产量|销售量|库存量|生产量比上年增减(%)|销售量比上年增减(%)|库存量比上年增减(%)
功率半导体产品|万颗|24,849.77|24,323.33|2,114.82|-13.85|-11.52|27.71
报告期内,公司功率半导体产品的生产量较上年同期减少了13.85%,销售量较上年同期减少了11.52%,库存量较上年同期增加了27.71%,公司功率半导体产品的产销率达到97.88%,持续保持较高水平。主要系报告期内,在公司从上游供应商获得的晶圆代工产能持续提升的前提下,公司进一步聚焦于大功率、大电流高压超级结MOSFET、高性能TGBT 产品,上述成品具有单位芯片面积大、单颗售价高的典型特征,广泛应用于车规及工业级领域。同时,公司亦针对下游客户的需求情况进行了积极备货。
分行业情况|||||||
分行业|成本构成项目|本期金额|本期占总成本比例(%)|上年同期金额|上年同期占总成本比例(%)|本期金额较上年同期变动比例(%)|情况说明
集成电路|材料成本|61,183.73|82.98|45,085.31|80.88|35.71|主要系公
|||||||司销售规模持续扩大所致。
集成电路|封测费用|12,362.82|16.77|10,533.33|18.90|17.37|主要系公司销售规模持续扩大所致。
集成电路|运输费用|182.19|0.25|125.97|0.23|44.63|主要系公司销售规模持续扩大所致。
分产品情况|||||||
分产品|成本构成项目|本期金额|本期占总成本比例(%)|上年同期金额|上年同期占总成本比例(%)|本期金额较上年同期变动比例(%)|情况说明
晶圆|材料成本|5,549.46|100.00|8,800.18|100.00|-36.94|主要系公司根据市场供需关系主动调整了供货策略。
功率半导体产品|材料成本|55,634.27|81.60|36,285.13|77.29|53.33|主要系公司销售规模持续扩大所致。
功率半导体产品|封测费用|12,362.82|18.13|10,533.33|22.44|17.37|主要系公司销售规模持续扩大所致。
功率半导体产品|运输费用|182.19|0.27|125.97|0.27|44.63|主要系公司销售规模持续扩大所致。
前五名客户销售额62,989.77万元,占年度销售总额56.42%;其中前五名客户销售额中关联方销售额13,433.49万元,占年度销售总额12.03%。
序号|客户名称|销售额|占年度销售总额比例(%)|是否与上市公司存在关联关系
1|客户一|17,643.15|15.80|否
2|客户二|14,051.69|12.59|否
3|客户三|13,433.49|12.03|是
4|客户四|11,509.18|10.31|否
5|客户五|6,352.26|5.69|否
合计|/|62,989.77|56.42|/
第二、四、五名客户为上一年度前五大客户;第一、三名客户系因报告期内部分业务销售模式调整及业务规模增长,新增成为前五大客户。
前五名供应商采购额78,843.03万元,占年度采购总额96.69%;其中前五名供应商采购额中关联方采购额0万元,占年度采购总额0%。
序号|供应商名称|采购额|占年度采购总额比例(%)|是否与上市公司存在关联关系
1|供应商一|62,147.11|76.21|否
2|供应商二|5,990.26|7.35|否
3|供应商三|4,671.05|5.73|否
4|供应商四|3,090.19|3.79|否
5|供应商五|2,944.42|3.61|否
合计|/|78,843.03|96.69|/
科目|本期数|上年同期数|变动比例(%)|变动说明
销售费用|9,376,091.32|7,523,654.14|24.62|主要系报告期内,销售人员薪酬调增,致人员费用增加;同时加大市场开拓导致相关费用增加所致。
管理费用|22,402,974.53|15,200,285.67|47.39|主要系报告期内,随着经营规模逐渐扩大,职工薪酬、中介服务费、差旅费、招待费增加所致。
研发费用|54,927,269.69|41,433,948.60|32.57|主要系报告期内,公司持续加强研发投入特别是先进工艺产品研发,相应的材料、职工薪酬、研发设备及平台开发等投入均持续增长。
财务费用|-27,599,274.65|-5,941,823.24|不适用|主要系报告期内,公司利用暂时闲置资金进行现金管理产生的利息收入增加所致。
科目|本期数|上年同期数|变动比例(%)|变动说明
经营活动产生的现金流量净额|141,630,114.33|130,246,075.31|8.74|主要系报告期内,公司主营产品收入持续增加所致。
投资活动产生的现金流量净额|-184,914,748.56|15,082,596.91|-1326.01|主要系报告期内,公司利用暂时闲置资金进行现金管理购买结构性存款规模增加所致。
筹资活动产生的现金流量净额|1,974,208,282.33|-2,863,467.31|不适用|主要系报告期内,公司首次公开发行股票募集资金增加所致。
项目名称|本期期末数|本期期末数占总资产的比例(%)|上期期末数|上期期末数占总资产的比例(%)|本期期末金额较上期期末变动比例(%)|情况说明
货币资金|2,304,109,455.98|78.73|372,595,289.99|59.28|518.39|主要系报告期内,公司首次公开发行股票募集资金增加所致。
交易性金融资产|140,089,178.09|4.79|||不适用|主要系报告期内,公司利用暂时闲置资金进行现金管理购买结构性存款所致。
应收票据|12,380,304.03|0.42|1,519,094.51|0.24|714.98|主要系报告期内,公司营业收入持续增长,收到客户支付的银行承兑汇票增加所致。
应收账款|181,064,234.82|6.19|103,697,058.20|16.50|74.61|主要系报告期内,公司整体销售规模进一步扩大,应收客户货款相应增加所致。
应收款项融资|14,434,052.14|0.49|3,759,520.10|0.60|283.93|主要系报告期内,公司营业收入持续增长,收到客户支付的银行承兑汇票增加所致。
预付款项|11,866,135.04|0.41|27,215,679.41|4.33|-56.40|主要系报告期末公司原材料采购支付的预付款减少所致。
其他应收款|3,362,723.83|0.11|393,000.35|0.06|755.65|主要系报告期内,公司新增研发工程中心建设押金所致。
存货|175,041,780.15|5.98|99,615,443.66|15.85|75.72|主要系报告期内,公司获得的产能持续提升以及为应对下游客户需求积极备货,期末结存的存货产品增加所致。
其他流动资产|3.49|0.00|4,825,181.43|0.77|-100.00|主要系公司在上年四季度重获高新技术企业资格,享受按应纳所得税额的15%计缴企业所得税,因此,上年度期末余额主要系上年度前三季度
||||||按所得税税率25%预缴税金与实际应交税金差异所致。
长期股权投资|40,342,921.90|1.38|||不适用|主要系报告期内,公司新增投资苏州工业园区苏纳微新创业投资合伙企业所致。
固定资产|10,548,496.08|0.36|6,946,560.96|1.11|51.85|主要系报告期内,公司经营规模持续扩大,新增购买研发测试设备等所致。
使用权资产|4,054,183.64|0.14|4,025,126.86|0.64|0.72|-
无形资产|2,340,852.24|0.08|687,004.67|0.11|240.73|主要系报告期内,公司持续加大研发投入,新增购买研发设计软件等所致。
长期待摊费用|1,899,076.91|0.06|2,111,558.66|0.34|-10.06|-
递延所得税资产|3,628,347.12|0.12|1,093,595.46|0.17|231.78|主要系报告期内,公司递延收益可抵扣金额增加所致。
其他非流动资产|21,264,608.90|0.73|88,695.75|0.01|23,874.78|主要系报告期内,公司新增购置研发设备期末预付款增加及新增产能保证金所致。
应付票据|10,762,097.49|0.37|28,700,000.00|4.57|-62.50|主要系报告期内,公司减少了通过开立银行承兑汇票结算的货款所致。
应付账款|24,424,471.72|0.83|14,356,276.60|2.28|70.13|主要系报告期内,随着公司采购规模扩大,报告期末公司应付货款增加所致。
合同负债|718,718.13|0.02|3,655,712.96|0.58|-80.34|主要系报告期末公司收到的预收货款减少
||||||所致。
应付职工薪酬|12,140,374.16|0.41|5,327,057.99|0.85|127.90|主要系报告期内,公司因经营规模扩大,员工人数相应增加;以及为吸引和挽留人才,工资、奖金合理上调所致。
应交税费|18,299,665.76|0.63|4,466,181.34|0.71|309.74|主要系报告期内,公司盈利能力持续提升,应交企业所得税增加所致。
其他应付款|480,787.41|0.02|165,717.08|0.03|190.13|主要系报告期末公司应付暂收款增加所致。
一年内到期的非流动负债|2,034,217.00|0.07|1,248,961.11|0.20|62.87|主要系报告期内,重分类一年内到期的租赁负债增加所致。
其他流动负债|10,555,571.19|0.36|1,667,098.22|0.27|533.17|主要系报告期内,公司期末未终止确认的已背书未到期银行承兑汇票增加所致。
租赁负债|1,931,987.43|0.07|2,693,520.46|0.43|-28.27|-
递延收益|10,234,950.81|0.35|498,589.77|0.08|1,952.78|主要系报告期内,公司新增与资产相关的政府补贴项目所致。
递延所得税负债|339,754.95|0.01|||不适用|主要系报告期内,公司资产加速折旧及理财产品公允价值变动所致。
报告期内行业经营性信息分析详见“第三节管理层讨论与分析”之“二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明”之“(三)所处行业情况”。
报告期投资额(元)|上年同期投资额(元)|变动幅度
41,000,000.00||不适用
注:报告期内,为了更好地实施公司战略规划,公司作为有限合伙人投资并设立了创业投资基金苏州工业园区苏纳微新创业投资合伙企业(有限合伙),该基金总募集规模不超过人民币10,000.00万元,首期募集金额为7,100.00万元,后续资金募集视首期投资进展情况进行增资。其中,公司作为有限合伙人以自有资金认缴出资6,000.00万元,占基金首期认缴出资总额的84.507%。具体内容详见《苏州东微半导体股份有限公司关于自愿披露对外投资产业基金的公告》(公告编号:2022-018)。截至报告期末,公司以自有资金实际出资为4,100.00万元。
资产类别|期初数|本期公允价值变动损益|计入权益的累计公允价值变动|本期计提的减值|本期购买金额|本期出售/赎回金额|其他变动|期末数
交易性金融资产||89,178.09|89,178.09||1,555,000,000.00|1,415,000,000.00||140,089,178.09
应收款项融资|3,759,520.10||||||10,674,532.04|14,434,052.14
合计|3,759,520.10|89,178.09|89,178.09||1,555,000,000.00|1,415,000,000.00|10,674,532.04|154,523,230.23
私募基金名称|投资协议签署时点|截至报告期末已投资金额|是否涉及控股股东、关联方|报告期内基金投资情况|会计核算科目|报告期损益
苏州工业园区苏纳微新创业投资合伙企业(有限合伙)|2022年7月|41,000,000.00|否|截至报告期末基金对外投资3,000.00万元|长期股权投资|-657,078.10
合计|/|41,000,000.00|/|/|/|-657,078.10
公司名称|主营业务|注册资本|持股比例(%)|取得方式|总资产(万元)|净资产(万元)|净利润(万元)
广州动能半导体有限公司|集成电路研发设计|2,000万元人民币|100|投资设立|0.76|0.76|0.93
香港赛普锐思有限公司|集成电路销售|260 万港元|100|投资设立|37.07|37.07|-0.04
功率半导体行业市场集中度高,全球市场尤其是高端功率器件领域以美、日、欧等国厂商为主导。其中,高压功率MOSFET产品以英飞凌、安森美等厂商为主导。IGBT产品市场则由英飞凌、安森美、三菱电机等厂商长期占据垄断地位。近年来,随着社会电气化程度的不断提高以及新技术的迭代与创新,国产功率半导体企业取得较大进步,逐步从低端市场向高端应用领域持续渗透。同时,国内孕育出一批优秀的功率半导体器件企业,包括:斯达半导、华润微、士兰微、新洁能、东微半导等功率器件企业并依托顶层设计持续完善、国内多细分领域海量的市场需求以及企业自身的技术创新能力、特色工艺占据一席之地,加速了功率半导体器件国产化替代的进程。
2、行业发展机遇
(1)国家及地方政策陆续出台,为行业发展提供有利的宏观环境
近年来,国家及地方出台了多项产业和财税政策推动半导体产业发展,为功率半导体提供了良好的产业发展环境和可靠保障。相关产业政策详见下述:
2022年01月12 日,国务院印发《“十四五”数字经济发展规划的通知》(国发〔2021〕29号),指出:增强关键技术创新能力。瞄准传感器、量子信息、网络通信、集成电路、关键软件、大数据、人工智能、区块链、新材料等战略性前瞻性领域,发挥我国社会主义制度优势、新型举国体制优势、超大规模市场优势,提高数字技术基础研发能力。
2021 年3 月12 日,十三届全国人大四次会议发布《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》,指出:瞄准人工智能、量子信息、集成电路、生命健康、脑科学、生物育种、空天科技、深地深海等前沿领域,实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目。集成电路领域包括设计工具、重点装备和高纯靶材等关键材料研发,集成电路先进工艺和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、微机电系统(MEMS)等特色工艺突破,先进存储技术升级,碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。
2020年10月29 日,中国共产党第十九届中央委员会第五次全体会议《中共中央关于制定国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标的建议》瞄准人工智能、量子信息、集成电路、生命健康、脑科学、生物育种、空天科技、深地深海等前沿领域,实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目。
2020 年8 月4 日,国务院印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。文件指出:为进一步优化集成电路产业和软件产业发展环境,深化产业国际合作,提升产业创新能力和发展质量,制定出台财税、投融资、研究开发、进出口、人才、知识产权、市场应用、国际合作等八个方面政策措施。进一步创新体制机制,鼓励集成电路产业和软件产业发展,大力培育集成电路领域和软件领域企业。加强集成电路和软件专业建设,加快推进集成电路一级学科设置,支持产教融合发展。严格落实知识产权保护制度,加大集成电路和软件知识产权侵权违法行为惩治力度。推动产业集聚发展,规范产业市场秩序,积极开展国际合作。
2017年2月4日,国家发改委印发《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录(2016版)》,进一步明确电力电子功率器件的地位和范围,包括金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管芯片(IGBT)及模块、快恢复二极管(FRD)、垂直双扩散金属-氧化物场效应晶体管(VDMOS)、可控硅(SCR)、5英寸以上大功率晶闸管(GTO)、集成门极换流晶闸管(IGCT)、中小功率智能模块。
综上所述:上述国家相关政策的出台有利于功率半导体行业市场规模的增长,并进一步促进了功率半导体行业健康、稳定和有序的发展。
(2)“碳达峰、碳中和”双碳目标驱动功率半导体器件需求激增
2021 年10 月26 日,国务院印发《国务院关于印发2030 年前碳达峰行动方案的通知》(国发〔2021〕23 号),将碳达峰贯穿于经济社会发展全过程和各方面,重点实施能源绿色低碳转型行动、节能降碳增效行动、工业领域碳达峰行动、城乡建设碳达峰行动、交通运输绿色低碳行动、循环经济助力降碳行动、绿色低碳科技创新行动、碳汇能力巩固提升行动、绿色低碳全民行动、各地区梯次有序碳达峰行动等“碳达峰十大行动”。2020 年9 月22 日,习近平总书记在第七十五届联合国大会一般性辩论上宣布:“中国将提高国家自主贡献力度,采取更加有力的政策和措施,二氧化碳排放力争于2030 年前达到峰值,努力争取2060 年前实现碳中和。”
就我国而言,当前碳排放主要来源于化石能源的利用过程。可再生能源替换化石能源来解决碳排放问题变得尤为紧迫和重要。目前,可再生能源存在能量密度低、时空分布不均衡、不稳定、成本较高等特点,成为其规模化应用的瓶颈。未来一段时间内,化石能源清洁高效利用、可再生能源大规模利用,是实现“双碳”目标的必经之路。化石能源清洁高效利用、节能减排驱动高性能功率半导体器件的研发及应用。主要表现在如下三个方面:1)清洁能源(水电、风能、太阳能) 无论发电、传输、储存都需要高性能电力转换;2)提升终端用电设备的使用效率(降低单位生产值的排放量),需要大量高性能功率半导体器件;3)利用电能替代石化能源的直接燃烧(新能源汽车、电加热器) 需要大量高性能功率半导体器件。
(3)功率半导体器件多细分应用市场需求迎来爆发式增长
受益于新能源汽车、5G产业的高速发展,充电桩、车载充电机、5G通信基站、数据中心服务器及车规级等市场对于高性能功率半导体器件的需求迎来爆发式增长,以高压超级结MOSFET 为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。其中,1)超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计,100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元,预计随着充电桩的不断建设,功率器件尤其是超级结MOSFET 将迎来高速发展机遇。2)5G通信基站建设将带来巨大的功率半导体需求,主要驱动力来自于基站密集度和功率要求、Massive MIMO射频天线、雾运算和云计算的需求提升。3)车规级需求。随着汽车电动化、智能化、网联化的变动趋势,新能源汽车对能量转换的需求不断增强,汽车电子将迎来结构性变革,推动车规级功率器件发展。新增需求主要来自以下几个方面:逆变器中的IGBT模块、DC/DC中的高压MOSFET、辅助电器中的IGBT分立器件、OBC中的超级结MOSFET。4)光伏、储能。
根据Wood Mackenzie数据,预计到2025 年全球光伏逆变器市场空间将达到300GW,对应营收达180 亿美元,前景广阔。根据GGII 数据,2022 年,中国储能锂电池产业链规模破2000 亿,其中电力储能产业链规模从2021年的480亿元增至2022年的1600亿元。IGBT作为光伏逆变器及储能的核心零部件,将有效受到光伏市场和逆变器市场扩大的辐射,进一步扩大市场规模。
(4)国产化替代成为我国功率器件市场长期的主旋律
中国已成为全球最大的功率半导体市场,伴随着国内功率半导体行业技术水平的不断提升,以及新能源汽车行业的发展、高端制造的崛起,功率半导体器件的“中国制造”在中高端市场拓展速度在不断加快,中国的功率半导体企业将迎来难得的发展机遇。然而,英飞凌、安森美、意法半导体等国际一流半导体制造企业却长期占据着我国半导体高端应用市场,上述厂商产品的价格十分高昂,无法满足国内迅速爆发的市场需求,导致国内市场供求存在失衡。
随着国内企业逐步参与到全球半导体市场的供应体系,以及下游行业大力创新的驱动,国内企业逐步积累了较为丰富的功率器件研发和生产经验,部分优秀企业参与到中高端半导体市场的竞争,并取得了一定的知名度和市场占有率。从功率半导体种类来看,目前国内厂商主要以二极管、晶闸管、低压MOSFET等低附加值产品为主,毛利率相对较低,国内厂商现已有较为成熟和低成本的产品,占据了一定市场份额。但在新能源汽车、电力、轨道交通等领域应用较多的高端产品中高压MOSFET、IGBT 技术门槛较高,工艺更复杂,且客户认证壁垒较高,目前仍主要依赖于进口,处于被国外巨头企业垄断的现状,国产替代将成为我国半导体市场发展中长期的主要基调。
公司始终专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域,是少数具备从专利到产品量产完整经验的功率器件设计公司之一。公司领先的功率器件和工艺创新能力已在工业级高压超级结MOSFET产品、中低压MOSFET 器件产品领域得到了充分的验证,公司具有独立知识产权的TGBT 器件迅速上量,Si
C MOSFET产品导入顺利,受到终端客户的一致认可。未来,公司将持续聚焦创新型高性
能功率半导体产品,致力于成为国际领先的功率半导体厂商。公司制定的战略规划如下:
1、持续专注于研发高效率、低损耗产品,实现国产功率器件的自主可控
作为国内最早在12 英寸晶圆产线实现量产的功率半导体设计公司之一,公司将进一步利用平台优势提高现有产品的性能。在高压MOSFET 方面,公司将延续高压超级结MOSFET产品系列的优势,充分利用12 英寸先进工艺,进一步提升产品动态性能,优化一致性和稳定性,降低单位面积导通电阻,并加速扩大产品在工业级应用领域的市场份额,取代更多的进口品牌的份额,实现国产高端、高速功率器件产品的自主可控。在中低压MOSFET 方面,公司将扩大已有产品的优势,并在12 英寸制程开发国际领先的产品,满足客户在低功耗、高功率密度领域的需求。在IGBT方面,公司计划充分发挥自主知识产权的技术优势,达到甚至超过国际先进产品的性能,借此在高端应用领域替换国外产品,实现高端应用的国产化。
2、深化与上下游优秀合作伙伴的合作,实现双赢
作为技术创新驱动型设计公司,公司一贯专注于将自身的创新技术与代工合作伙伴进行资源的有机整合。公司采取Fabless 的轻资产经营模式,充分利用国内外一流的代工资源,更快速地实现新技术的成果转化。基于上述经营模式,公司与代工合作伙伴将充分依托各自在技术、产能等方面的优势集中资源共同讨论,开发出更多优秀的产品系列,进而提高各自的竞争力,并进一步强化公司的技术优势和产能优势。
3、探索资源整合的方式,加速产品能力提升
除了通过内生发展的方式提高产品能力外,公司将探索并购整合的方式加速产品能力的提升。在公司核心产品高性能功率器件产品上,公司将通过并购整合具有创新与技术能力的车规级功率器件设计企业、SiC功率器件设计及应用能力的企业,结合公司自身的创新技术与工艺能力经验,进一步提升在车规级功率器件领域的产品开发能力以及在先进材料领域的高性能功率器件产品开发能力。同时,公司亦会探索上下游资源整合的路径,进一步提高公司产品的竞争力以及丰富产品结构。
一直以来,公司深耕新能源汽车直流充电桩、光伏逆变与储能、新能源汽车车载充电机、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等领域,通过功率器件底层技术创新,开发出一系列性能优越的高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、Tri-gate IGBT产品及SiC器件(含Si
C MOSFET)。2023 年,公司将持续进行技术创新,将上述的功率器件性能进一步优
化,继续扩大各个产品系列的市场份额。同时,结合当前紧迫的“双碳”目标,抓住新能源相关的市场机遇,大力发展适合新能源车应用的大功率车规级芯片,加速推广新型Tri-gate IGBT在新能源领域中的应用。具体计划如下:
1、继续深耕新能源汽车直流充电桩、光伏逆变与储能、新能源汽车车载充电机、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等领域,实现市场的均衡化与多元化;持续开发更多新技术,以产品性能为第一竞争力,迅速提升超级结MOSFET、屏蔽栅MOSFET、TGBT 以及 SiC器件(含Si
C MOSFET)的销售额,实现产品的多元化。
2、持续扩大各类功率器件的产能,进一步扩充12寸超级结MOSFET、屏蔽栅MOSFET、TGBT及6英寸SiC的产品规格与系列,扩大市场占有率。
3、将重点围绕新能源汽车应用,开发更多高可靠性的车规级高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、Tri-gate IGBT 及SiC芯片,提升在新能源汽车车载充电机、车载电机等应用中的市场份额。
4、继续开发新一代超级结芯片,降低芯片的比导通电阻,提升芯片的电流密度和功率密度,使之更适合于未来更大功率与更高效率的高压直流充电桩、服务器、光伏逆变器等电源系统。
5、持续开发新一代中低压屏蔽栅MOSFET的功率器件技术。进一步提升屏蔽栅MOSFET的开关速度和鲁棒性,瞄准数据中心服务器、通信电源、车载应用等高端领域,提升在上述高端应用领域中的市场渗透率。
6、积极推进650V 及1200V TGBT的技术升级,在第一代TGBT、第二代TGBT稳定量产的同时积极研发第三代TGBT,实现对市场上主流的第四代至第七代传统IGBT 技术的大量替代。基于第一代与第二代TGBT的技术优势,迅速扩大产能,提升公司IGBT 产品的销售额与销售额占比,优化公司的产品组合结构,进一步实现公司产品的多元化。
7、加大宽禁带半导体功率器件与超级硅功率器件的研发力度,形成一系列宽禁带半导体功率器件产品,使宽禁带半导体功率器件产品与硅基超级硅器件互为补充,实现更强的市场竞争力。
8、利用好上市公司的资本优势,加大在第三代半导体产业上的资本支出,布局下一代新器件赛道,以谋求公司更为长远的发展。
报告期内,公司严格按照《中华人民共和国公司法》《中华人民共和国证券法》《上市公司治理准则》《上海证券交易所科创板股票上市规则》《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1 号——规范运作》等法律法规和规范性文件以及《苏州东微半导体股份有限公司章程》的要求,不断完善公司治理结构,建立健全内部控制体系,进一步促进公司规范运作,提高治理水平。报告期内,公司整体运作规范,独立性强,信息披露规范,公司治理实际情况符合上市公司治理规范性文件的要求,具体情况如下:
1、关于股东和股东大会,报告期内公司严格按照有关法律法规及《公司章程》《苏州东微半导体股份有限公司股东大会议事规则》等相关规定的要求召集、召开股东大会,对股东大会审议事项进行规范表决,确保全体股东充分行使合法权利。报告期内,公司召开股东大会1 次,由董事会召集;
2、关于实际控制人与上市公司,报告期内公司实际控制人严格按照相关法律、法规,规范自己的行为,依法通过股东大会行使股东权利,没有超越股东大会直接或间接干预公司决策及经营活动的行为。公司不存在为实际控制人及其他关联方提供担保、财务资助、非经营性资金占用等情形,也不存在损害公司及其他股东利益的情形;
3、关于董事与董事会,报告期内公司董事会设董事9名,其中独立董事3名,董事会的人数和人员构成符合法律、法规和《公司章程》的要求。公司全体董事认真出席董事会并参加股东大会,不断加深有关法律法规知识的学习,以诚信、勤勉、尽责的态度履行相应职责。董事会严格按照《公司章程》《苏州东微半导体股份有限公司董事会议事规则》等相关规定召集、召开董事会,执行股东大会决议并依法行使职权。公司董事会下设审计委员会、战略委员会、提名委员会、薪酬与考核委员会,对公司提高经营管理能力及确保投资决策科学性具有重要意义。各位独立董事亦根据自身专长,分别担任董事会下设各专门委员会委员,参与董事会下设专门委员会的工作。报告期内,公司董事会召开了6次会议,审议并通过了年度报告等事宜;
4、关于监事和监事会,报告期内公司监事会设监事3名,公司监事会人数和人员构成符合法律、法规和《公司章程》的规定。公司严格按照《公司法》《苏州东微半导体股份有限公司监事会议事规则》等相关规定,规范监事会的召集、召开和表决程序,认真履行职责并列席公司董事会、股东大会。公司监事会能够独立有效地对公司财务以及公司董事及高级管理人员履行职责的合法合规性进行监督,维护公司及股东的合法权益;
5、关于信息披露,公司严格按照《上海证券交易所科创板股票上市规则》《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1 号——规范运作》《公司章程》等相关规定,依法履行信息披露义务。报告期内,公司按时披露定期报告及临时公告。公司能真实、准确、完整、及时地做好信息披露,保障信息及时公开;
6、投资者关系管理,公司董事会高度重视处理与投资者的交流互动关系。报告期内,公司通过信息披露、接待投资者来电、来邮、来访、e互动平台,加强与投资者的沟通交流;
7、关于内控规范,报告期内公司根据国家相关要求和规定,结合自身实际情况,建立适合公司经营发展需要的内部控制体系,并对相关管理制度、管理流程进行梳理优化,以提高公司的风险防范能力和规范运作水平;
8、内幕信息知情人登记管理制度的建立和执行情况,报告期内公司严格按照《公司章程》《内幕信息知情人登记管理制度》等相关规定,认真做好信息披露前的保密工作及内幕信息知情人登记工作。
会议届次|召开日期|决议刊登的指定网站的查询索引|决议刊登的披露日期|会议决议
2021 年年度股东大会|2022-5-18|www.sse.com.cn|2022-5-19|本次会议议案全部审议通过,不存在议案被否决的情况。
报告期内,公司召开1 次股东大会,经公司聘请的浙江天册律师事务所见证:公司股东大会的召集及召开程序符合法律、法规、规范性文件和《公司章程》的规定;出席会议人员以及会议召集人的资格均合法有效;股东大会的表决程序和表决结果合法有效。股东大会的全部议案均获得审议通过,不存在否决议案的情况。
姓名|职务(注)|性别|年龄|任期起始日期|任期终止日期|年初持股数|年末持股数|年度内股份增减变动量|增减变动原因|报告期内从公司获得的税前报酬总额(万元)|是否在公司关联方获取报酬
龚轶|董事长、总经理|男|47|2020-11-20|2023-11-19|6,710,248|6,710,248|0|/|138.00|否
王鹏飞|董事、首席技术官|男|47|2020-11-20|2023-11-19|8,129,229|8,129,229|0|/|151.00|否
卢万松|董事、副总经理|男|48|2020-11-20|2023-11-19|2,386,460|2,386,460|0|/|169.97|否
金光杰|董事|男|37|2020-11-20|2023-11-19|0|0|0|/|0.00|是
吴昆红|董事|男|57|2020-11-20|2023-11-19|0|0|0|/|0.00|是
李麟|董事、董事会秘书|女|42|2020-11-20|2023-11-19|0|0|0|/|54.75|否
郭龙华|独立董事|男|46|2020-11-20|2023-11-19|0|0|0|/|6.00|否
毕嘉露|独立董事|女|40|2020-11-20|2023-11-19|0|0|0|/|6.00|否
卢红亮|独立董事|男|45|2020-11-20|2023-11-19|0|0|0|/|6.00|否
刘伟|监事会主席、职工代表监事|男|37|2020-11-20|2023-11-19|0|0|0|/|46.64|否
赵振强|监事|男|41|2020-11-20|2023-11-19|0|0|0|/|58.64|否
李程晟|监事|男|36|2020-11-20|2023-11-19|0|0|0|/|0.00|否
谢长勇|财务负责人|男|42|2020-11-20|2023-11-19|0|0|0|/|53.67|否
刘磊|核心技术人员(研发总监)|男|39|2021-4-2|不适用|0|0|0|/|72.59|否
毛振东|核心技术人员(资深研发工程师)|男|40|2021-4-2|不适用|0|0|0|/|80.62|否
合计|/|/|/|/|/|17,225,937|17,225,937|0|/|843.88|/
姓名|主要工作经历
龚轶|1999 年7 月至2003 年4 月,担任美国超微半导体公司工程部工程师;2004 年9 月至2007 年12 月,担任德国英飞凌科技汽车电子与芯片卡部门技术专家;2008年9 月,与王鹏飞共同创办东微有限,历任东微有限董事长、总经理等;2020年11 月至今,担任东微半导体董事长兼总经理。
王鹏飞|2004 年7 月至2006 年4 月,担任德国英飞凌科技存储器研发中心研发工程师;2006 年5 月至2007 年12 月,担任德国奇梦达公司(QimondaAG)技术创新和集成部门研发工程师;2009年7月至2021 年3月,担任复旦大学微电子学院教授;2008年9月,与龚轶共同创办东微有限,历任东微有限董事长、董事等;2020 年11 月至今,担任东微半导体董事;2021 年4 月至今,担任东微半导体首席技术官。
卢万松|2003 年6 月至2005 年7 月,担任泰瑞达(上海)有限公司采购部采购经理;2005 年8 月至2010 年6 月,担任施耐德自动化控制系统(上海)有限公司采购部采购经理;2010 年7 月至2015 年9 月,担任霍尼韦尔(中国)有限公司采购部全球采购经理;2016 年4 月,受聘为东微有限的公司顾问;2017 年3 月至2020 年11 月,担任东微有限董事;2020 年11 月至今,担任东微半导体董事、副总经理。
金光杰|2012 年4 月至2017 年3 月,担任旺宏微电子(苏州)有限公司研发一部主任工程师;2017 年3 月至今,担任苏州元禾控股股份有限公司投资一部高级投资经理、副总经理;现担任苏州慧闻纳米科技有限公司董事,苏州英磁新能源科技有限公司董事,苏州登堡电子科技有
|限公司董事,苏州磁明科技有限公司董事,江苏博云科技股份有限公司董事,苏州园芯微电子技术有限公司董事兼总经理,苏州睿芯集成电路科技有限公司董事等;2018 年12 月至2020 年11 月,担任东微有限董事;2020 年11 月至今,担任东微半导体董事。
吴昆红|1991 年7 月至1993 年6 月,担任华中理工大学助教;1993 年7 月至今,在华为技术有限公司任职,现担任高级副总裁。现担任山东天岳先进科技股份有限公司董事,杰华特微电子股份有限公司董事,庆虹电子(苏州)有限公司董事,苏州裕太微电子股份有限公司董事及新港海岸(北京)科技有限公司董事;2020 年4 月至2020 年11 月,担任东微有限董事;2020 年11 月至今,担任东微半导体董事。
李麟|2002 年6 月至2006 年6 月,担任藏持电子(苏州)有限公司(现更名为“雅玛札崎(苏州)精密冲压有限公司”)模具部翻译/检测组长2006 年6 月至2008 年8 月,担任金王(苏州工业园区)卫生用品有限公司供应链部采购专员;2009 年6 月加入东微有限并担任行政经理;2020 年11 月至今,担任东微半导体董事、董事会秘书。
郭龙华|2005年5月至今,担任苏州万隆永鼎会计师事务所有限公司执行董事,2017年1月至今,担任苏州泛亚万隆深度财税咨询有限公司执行董事,苏州星众联盟企业管理咨询合伙企业(有限合伙)执行事务合伙人,苏州琼派瑞特科技股份有限公司独立董事,福立旺精密机电(中国)股份有限公司独立董事;2020年11月至今,担任东微半导体独立董事。
毕嘉露|2006 年1 月至2018 年2 月,担任江苏德富信律师事务所律师助理、律师;2018 年2 月至今,担任上海市锦天城(苏州)律师事务所合伙人律师;2020 年11 月至今,担任东微半导体独立董事。
卢红亮|2006 年10 月至2007 年10 月,担任意大利微电子材料与器件国家实验室博士后;2007 年11 月至2009 年11 月,担任东京大学电子工程系研究员;2010 年7 月至2014 年11 月,担任复旦大学微电子学院副教授;2014 年11 月至今,担任复旦大学微电子学院教授;2020 年11 月至今,担任东微半导体独立董事。
刘伟|2007 年9 月至2008 年7 月,担任东莞奇力新电子有限公司研发部工程师;2008 年9 月至2009 年7 月,担任苏州可胜科技有限公司研发部助理工程师;2009 年8 月加入东微有限,现任东微半导体研发部资深研发工程师;2020 年11 月起至今,兼任东微半导体职工代表监事、监事会主席。
赵振强|2006 年7 月至2010 年3 月,担任中达电子(江苏)有限公司工程部电子工程师;2010 年3 月至2011 年7 月,担任南京博兰得电子科技有限公司研发部电子工程师;2011 年8 月至2014 年11 月,担任MaxPower 半导体有限公司研发部高级应用工程师;2014 年11 月加入东微有限,现任东微半导体研发部高级应用工程师;2020 年11 月至今,兼任东微半导体监事。
李程晟|2009 年8 月至2010 年8 月,担任中国软件与技术服务股份有限公司研发部技术人员;2013 年3 月至2016 年6 月,担任深圳市创新投资集团有限公司国际业务部投资经理;2016 年6 月至今,担任深圳国中创业投资管理有限公司投资总监;现担任广州柏视医疗科技有限公司董事,深圳神目信息技术有限公司董事,知行汽车科技(苏州)有限公司董事,上海思岚科技有限公司监事,苏州天瞳威视电子科技有限公司董事,浙江来福谐波传动股份有限公司董事;2017 年3 月至2020 年11 月,担任东微有限监事;2020 年11 月至今,担任东微半导体监事。
谢长勇|2005 年5 月至2007 年5 月,担任昆山中扬包装材料有限公司财务部税务/成本专员;2008 年6 月至2011 年2 月,担任基伊埃冷冻技术(苏州)有限公司财务部财务主管;2011 年3 月至2016 年7 月,担任苏州星创弘辰电子科技有限公司财务部财务经理;2016 年7 月至2017 年5 月,担任苏州创易技研股份有限公司财务部财务经理;2017 年11 月至2019 年7 月,担任苏州慧工云信息科技有限公司财务部财务总监;2020 年8 月加入东微有限,担任财务经理;2020 年11 月至今,担任东微半导体财务负责人。
刘磊|2007 年9 月至2009 年7 月,担任华润上华半导体科技有限公司技术转移部工艺整合工程师;2009 年7 月加入东微有限,现任东微半导体研发部研发总监。
毛振东|2005 年7 月至2006 年5 月,担任华晶电子集团有限公司扩散部工程师;2006 年5 月至2008 年1 月,担任华润上华科技有限公司技术开发部工程师;2008 年1 月至2015 年3 月,担任苏州硅能半导体科技股份有限公司研发部工程师;2015 年3 月加入东微有限,现任东微半导体资深研发工程师。
任职人员姓名|股东单位名称|在股东单位担任的职务|任期起始日期|任期终止日期
龚轶|苏州工业园区得数聚才企业管理合伙企业(有限合伙)|执行事务合伙人|2016年9月|至今
王鹏飞|苏州工业园区高维企业管理合伙企业(有限合伙)|执行事务合伙人|2016年9月|至今
在股东单位任职情况的说明|无|||
任职人员姓名|其他单位名称|在其他单位担任的职务|任期起始日期|任期终止日期
金光杰|苏州元禾控股股份有限公司|投资一部高级投资经理、副总经理|2017年3月|至今
金光杰|苏州慧闻纳米科技有限公司|董事|2020年9月|至今
金光杰|苏州英磁新能源科技有限公司|董事|2020年1月|至今
金光杰|苏州登堡电子科技有限公司|董事|2021年1月|至今
金光杰|苏州磁明科技有限公司|董事|2021年4月|至今
金光杰|江苏博云科技股份有限公司|董事|2021年4月|2022年1月
金光杰|苏州园芯微电子技术有限公司|董事、总经理|2021年4月|至今
金光杰|龙晶石半导体科技(苏州)有限公司|董事|2021年8月|至今
金光杰|苏州睿芯集成电路科技有限公司|董事|2021年9月|至今
金光杰|苏州腾芯微电子有限公司|董事|2022年6月|至今
吴昆红|华为技术有限公司|高级副总裁|1993年7月|至今
吴昆红|山东天岳先进科技股份有限公司|董事|2019年8月|至今
吴昆红|杰华特微电子股份有限公司|董事|2020年4月|至今
吴昆红|庆虹电子(苏州)有限公司|董事|2020年1月|至今
吴昆红|苏州裕太微电子有限公司|董事|2019年10月|至今
吴昆红|新港海岸(北京)科技有限公司|董事|2020年4月|2023年1月
李程晟|深圳国中创业投资管理有限公司|投资总监|2016年6月|至今
李程晟|上海思岚科技有限公司|监事|2017年2月|至今
李程晟|广州柏视医疗科技有限公司|董事|2018年4月|至今
李程晟|知行汽车科技(苏州)股份有限公司|董事|2018年11 月|至今
李程晟|深圳神目信息技术有限公司|董事|2020年7月|至今
李程晟|苏州天瞳威视电子科技有限公司|董事|2021年10月|至今
李程晟|浙江来福谐波传动股份有限公司|董事|2021年11月|至今
李程晟|安徽沃巴弗电子科技有限公司|董事|2022年2月|至今
郭龙华|苏州万隆永鼎会计师事务所有限公司|执行董事|2005年5月|至今
郭龙华|苏州泛亚万隆深度财税咨询有限公司|执行董事|2017年1月|至今
郭龙华|同程控股集团股份有限公司|独立董事|2017年3月|2022年1月
郭龙华|苏州琼派瑞特科技股份有限公司|独立董事|2021年6月|至今
郭龙华|苏州星众联盟企业管理咨询合伙企业(有限合伙)|执行事务合伙人|2021年8月|至今
郭龙华|福立旺精密机电(中国)股份有限公司|独立董事|2022年7月|至今
毕嘉露|上海市锦天城(苏州)律师事务所|合伙人律师|2018年2月|至今
卢红亮|复旦大学|微电子学院教授|2014年11月|至今
在其他单位任职情况的说明|无|||
董事、监事、高级管理人员报酬的决策程序|公司董事、监事的报酬根据《公司章程》等相关规定由公司股东大会批准,公司董事会聘用人员(含高级管理人员)的报酬根据《公司章程》《董事会薪酬与考核委员会工作细则》等相关规定由董事会及董事会薪酬与考核委员会进行考核和确定。
董事、监事、高级管理人员报酬确定依据|参考行业以及地区水平,并结合公司实际经营情况,根据《公司章程》《高级管理人员薪酬方案》等相关规定确定董事、监事、高级管理人员的报酬。在公司内部担任职务的董事、监事,公司未单独向其发放董事、监事津贴,其获得的薪酬来源于其担任相应管理职务取得工资薪金报酬;其他外部董事、监事不在公司领
|取薪酬;公司独立董事享有固定数额的独立董事津贴,按6万元(含税)/年的津贴标准进行发放,一次性领取。
董事、监事和高级管理人员报酬的实际支付情况|本报告期内,公司董事、监事、高级管理人员报酬的实际支付与公司披露的情况一致。
报告期末全体董事、监事和高级管理人员实际获得的报酬合计|690.67
报告期末核心技术人员实际获得的报酬合计|153.21
会议届次|召开日期|会议决议
第一届董事会第八次会议|2022年2月28日|各项议案均审议通过,不存在否决议案的情况。
第一届董事会第九次会议|2022年4月20日|各项议案均审议通过,不存在否决议案的情况。
第一届董事会第十次会议|2022年4月27日|各项议案均审议通过,不存在否决议案的情况。
第一届董事会第十一次会议|2022年6月27日|各项议案均审议通过,不存在否决议案的情况。
第一届董事会第十二次会议|2022年8月26日|各项议案均审议通过,不存在否决议案的情况。
第一届董事会第十三次会议|2022年10月21日|各项议案均审议通过,不存在否决议案的情况。