Hochleistungsdiodenlaser bei 808nm und 940nm auf Basis verspannter Schichtstrukturen im InGa(Al)As/GaAs-Materialsystem : Projektverband: Innovative Lasersysteme auf der Basis von Hochleistungsdiodenlaser (NOVALAS), Teilverband: Grundlegende Untersuchungen zur Technologie von Hochleistungsdiodenlasern ; Teilvorhaben ; Abschlußbericht ; Laufzeit: 01.01.1998 - 31.12.2000 ; BMBF-Forschungsvorhaben (2001)