在我们本文中所列举的 TM4100GAD8 就是一款30 线的内存,它每次仅能传输 8bit 的数据--从前面的示意图中我们也知道这30 引脚中有11线是地址引线,8 线是数据引线,还有其它的控制引线,对于当时的封装工艺这已 经是比较不错了。比较细心的读者会问为什么还有三条空信号引脚?因为这种内存的数据输出总 线位宽只有8bit,所以即使将空信号引脚转换为地址总线提高寻址范围,但是并没有足够多的引 脚用于数据的输出。72 线的SIMM 内存的容量不但可以更大,而且数据总线的位宽也得到了极 大的提高。一条72 线SIMM 内存的数据总线位宽是 32bit,它的数据输出能力大大提高了。 DIMM是目前我们使用的内存的主要封装形式,比如SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM,其中 SDRAM具有168 线引脚并且提供了 64bit 数据寻址能力。DIMM 的工作电压一般是3.3v 或者 5v,并且分为 unbuffered 和buffered 两种。上图上面的内存就是168 线的SDRAM,而下面的 内存是 72 线的SIMM。需要指出的是在SIMM 和DIMM 内存之间不仅仅是引脚数目的不同,另 外在电气特性、封装特点上都有明显的差别,特别是它们的芯片之间的差别相当的大。因为按照 原来内存制造方法,制造这种内存的时候是不需要把 64 个芯片组装在一起构成一个64bit 块的,得益于今年来生产工艺的提高和改进,现在的高密度DRAM芯片可以具有不止一个Di 和Dout信号引脚,并且可以根据不同的需要在 DRAM 芯片上制造4、8、16、32 或者64 条数 据引脚。 如果一个DRAM 芯片具有 个数据引脚,那么这个基本储存单元一次就可以输出8bit的数据, 而不像是在原来的 TM4100GAD8 SIMM 芯片中每次仅仅能输出1bit 数据了。这样的话,如果我 们需要制造一个同 TM4100GAD8 一样容量的内存,那么我们可以不使用前面所使用的4M 1bit芯片,而是采用1M 8bit芯片,这样仅仅需要4 片芯片就可以得到一个容量为4MB,位宽为 32bit 的模组。芯片数目减少最直接的好处当然是可以减少功耗了,当然也简化了生产过程。 下面的图只是为了说明这个问题而制作的,它展示的是一种 72 4MBSIMM 内存,采用了4 片1Mx8bit DRAM 芯片。但是至于