势 垒:0.85c gE E \uf044 \uf0bbE E \uf044 \uf0441 异质结对电子和空穴的限制GaAlAs/GaAs 异质结:势0.15v gE E \uf044 \uf0bb,c vE E \uf044 \uf044pP同型异质结势垒高度有\uf044 \uf044E E c c 决定。 1/ 22 21/ 22 22 ( ) 3/211 exp[( )/ ]202 [ ' ( )] ' 3/211 exp[( ' )/ ]2( ) 7.23)( ) (7.24)nLnm E Ec dEE Fc kTm E Ec E dEL E Fc kTnn\uf070\uf070\uf047\uf0a5\uf02d\uf047 \uf02b \uf02d\uf0a5\uf02d \uf02b\uf044\uf02b \uf02d\uf03d\uf03d\uf0f2\uf0f2hh(2 223/2 1/2121{exp[( )/ ] 1}( ) ( )( ) ( )( ) (7.22)ncmc c chc E F kTE E E Efc c cE E f\uf070\uf072\uf072\uf047\uf02d \uf02b\uf02d \uf03d \uf02d\uf03d\uf03d \uf02d电子分布对电子的限制p[( ) ]20Lg gE E E\uf070\uf047\uf044 \uf03d \uf02d\uf0f2h1/ 22 22 [ ' ( )] ' 3/211 exp[( ' )/ ]20( ) (7.25)xnm E Ec E dEx E Fc kTxg gnE E E\uf070\uf0a5\uf02d \uf02b\uf044\uf02b \uf02d\uf047\uf03d\uf044 \uf03d \uf02d\uf0f2h( )(7.26)LL xxnn n nn E n n n\uf067\uf047\uf047\uf047\uf02b \uf02b\uf03d \uf02b \uf02b\uf03d 1/ 22 22 ( ) 3/21exp[( )/ ] 1214 3( )( ) 7.27)1.6 10n cm E E dEE Fc kThEcnn cm\uf070\uf047\uf0a5\uf02d \uf047\uf02d \uf02b\uf044\uf047 \uf02d\uf03d\uf03d \uf0b4\uf0f2(0.318cE eV \uf044 \uf03dL带中DEc以上的载流子浓度约为:1.5x10 15 cm -3而X导带中的载流子均在DEc以上。可以漏出有源区。n L =3.4x10 15 cm -3 .n x =1.5x10 12 cm -3 . P 型有源层内空穴的势垒为)D a vV V E \uf02d \uf02b\uf044 (# 如果\uf044 \uf044E v 较小,内建电势与外加偏压之差(V D -V a )对限制空穴起主要作用。对限制空穴起主要作用。# 为提高注入到有源层内的电子浓度,必须加大Va, 然而,如果Va 变的太大 则空穴的势垒就会降低对空穴的限制如果Va 变的太大 , 则空穴的势垒就会降低 。1/ 22 2( )2( ) 3/211 exp[( )/ ]214 3( ) (7.28)7.1 10D apvvq V V EcmE E dE