MOSFET主体上的“栅极”、氧化层及其相关连接,实际上就像一个小电容器。一旦“栅极”接上电压,此虚拟电容器就会开始充电。充电需要时间,因此接通会有延迟。设计人员应选择拥有尽可能低的输入电容的MOSFET,以避免长时间的延迟。如果把MOSFET直接连接到微控制器(MCU)的输出引脚,则其“栅极”应通过一个外部电阻器连接,以防止产生不良结果。对于所使用的SiC模型,其电容参数如下:
输入电容(Ciss):当VDS= 100 V, VGS= 0 V, F = 100 kHz时, — 1,500 pF
输出电容(Coss):当VDS= 100 V, VGS= 0 V,F = 100 kHz 时,— 104 pF
与开关速度相关的参数