国产可控硅 BTA16的极限值(TCASE=25℃):
断态重复峰值电压 VDRM/VRRM-------------------------------------- 600/800V
通态均方根电流 IT(RMS)----------------------------------------------- 16A
通态不重复浪涌电流 ITSM-------------------------------------------- 160A
通态电流临界上升率 dIT/dt ------------------------------------------- 50A/μs
门极峰值电流 IGM----------------------------------------------------- 4A
门极平均功率 PG(AV)-------------------------------------------------- 1W
存储温度 TSTG--------------------------------------------------------- -40~+150℃
工作结温 Tj------------------------------------------------------------ -40~+125℃
国产可控硅 BTA16的电特性:
1、三象限参数:

符号参数数值单位
SWCWBW
IGT
门极触发电流≤10≤35≤50mA
VGT门极触发电压≤1.3V
VGD
门极不触发电压≥0.2
IH维持电流≤15≤30≤50mA
IL
擎住电流
I-III
≤25≤50≤70
擎住电流
II
≤30≤60≤80
dVD/dt断态电压临界上升率≥40≥500≥1000V/μs
VTM
通态压降≤1.55V
IDRM/IRRM
断态重复峰值电流
VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃
≤5μA
断态重复峰值电流
VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃
≤1mA

2、四象限参数:

符号参数数值单位
CB
IGT
门极触发电流
I-II-III
≤25≤50mA
门极触发电流
IV
≤50≤100
VGT门极触发电压≤1.3V
VGD
门极不触发电压≥0.2
IH维持电流≤25≤50mA
IL
擎住电流
I-III-IV
≤40≤60
擎住电流
II
≤80≤120
dVD/dt断态电压临界上升率≤200≥400V/μs
VTM
通态压降≤1.55V
IDRM/IRRM
断态重复峰值电流
VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃
≤5μA
断态重复峰值电流
VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃
≤1mA

声明:本网站原创内容,如需转载,请注明出处;本网站转载的内容(文章、图片、视频)等资料版权归原网站所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片,未能及时和您确认,避免给双方造成不必要的经济损失,请电邮联系我们,以便迅速采取适当处理措施;邮箱:limeijun@yushin88.com

产品推荐

Product recommendations

底部导航Bottom navigation

东莞市宇芯电子有限公司版权所有@2018