CP是对wafer进行测试,检查fab厂制造的工艺水平 FT是对package进行测试,检查封装厂制造的工艺水平 对于测试项来说,有些测试项在CP时会进行测试,在FT时就不用再次进行测试了,节省了FT测试时间;但是有些测试项必须在FT时才进行测试(不同的设计公司会有不同的要求) 一般来说,CP测试的项目比较多,比较全;FT测的项目比较少,但都是关键项目,条件严格。但也有很多公司只做FT不做CP(如果FT和封装yield高的话,CP就失去意义了)。 在测试方面,CP比较难的是探针卡的制作,并行测试的干扰问题。
FT相对来说简单一点。还有一点,memory测试的CP会更难,因为要做redundancy analysis,写程序很麻烦。
CP在整个制程中算是半成品测试,目的有2个,1个是监控前道工艺良率,另一个是降低后道成本(避免封装过多的坏芯片),其能够测试的项比FT要少些。最简单的一个例子,碰到大电流测试项CP肯定是不测的(探针容许的电流有限),这项只能在封装后的FT测。不过许多项CP测试后FT的时候就可以免掉不测了(可以提高效率),所以有时会觉得FT的测试项比CP少很多。 应该说WAT的测试项和CP/FT是不同的。
CP不是制造(FAB)测的! 而CP的项目是从属于FT的(也就是说CP测的只会比FT少),项目完全一样的;不同的是卡的SPEC而已;因为封装都会导致参数漂移,所以CP测试SPEC收的要比FT更紧以确保最终成品FT良率。还有相当多的DH把wafer做成几个系列通用的die,在CP是通过trimming来定向确定做成其系列中的某一款,这是解决相似电路节省光刻版的最佳方案;所以除非你公司的wafer封装成device是唯一的,且WAT良率在99%左右,才会盲封的。
据我所知盲封的DH很少很少,风险实在太大,不容易受控。
WAT:wafer level 的管芯或结构测试
CP:wafer level 的电路测试含功能
FT:device level 的电路测试含功能 CP=chip probing FT=Final Test CP 一般是在测试晶圆,封装之前看,封装后都要FT的。不过bump wafer是在装上锡球,probing后就没有FT FT是在封装之后,也叫“终测”。意思是说测试完这道就直接卖去做applicat