目前,有机发光二极管(OLED)、场效应晶体管(OFET)、太阳能电池(OPV)等一系列光电器件的性能都与材料中载流子的传输效率...
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改进晶体管的另一方式是,采用比硅材料具有更高电子迁移率的半导体材料,尽管这一方式存在较大的制造方面的挑战。KatsuhiroTomioka等人将两种方式综合了起来:他们在一种硅基质上来以高...
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做薄膜晶体管(TFT),光刻制作的器件尺寸比金属掩模板制作的小了几十倍,为什么迁移率会增大?另外,绝缘层的漏电流是不是也与有源层的载流子浓度有关?
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石墨烯晶体管因石墨烯所具有的高载荷子迁移率,人们对其用于高速电子应用有相当大兴趣,但传统器件制造过程会在构成石墨烯的碳薄层(厚度之小达到原子级)中产生较大缺陷,严重降低器件...
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但硅的电子迁移率存在局限性,普渡大学电气和计算机工程教授叶培德(音译)表示,若想进一步改进3维晶体管,很可能需要用其他材料来取代硅,其中最有前途的包括半导体材料砷化铟镓。...
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