武汉新芯打算生产名为“3D NAND”的下一代闪存芯片,预计这种芯片将成为未来数年计算机设备的主流数据存储工具。据首席执行长杨士宁(Simon Yang)描述,智能手机及其他产品目前使用的是所谓的“二维NAND”,相比之下,二维NAND就像是停车场,而3D NAND则是一个立体的停车场。
三星电子是多层次存储技术的探路先锋(这一技术可以提高芯片的存储效率),其他企业跟在后面亦步亦趋,也包括美国的英特尔和美光科技。Bernstein Research的纽曼称,三星电子是目前唯一实现量产3D NAND的制造商,不过,今年这种芯片的生产成本已经降到比常规NAND芯片更低,因此将会很快普及。
对这项技术的掌握程度也是参差不齐:三星电子的技术可达64层,而据分析师说,武汉新芯只有8层。
当被问及层数时,武汉新芯发言人不予披露。
武汉新芯网站显示,首席营运长洪沨在去年11月份的演讲中指出,只要公司现在着手做,就很可能追赶上并有机会跻身世界一流企业行列。但具体走势就暂未可知。