针对三代微通道板在制作像增强器中出现的电子记忆效应现象进行分析,指出记忆效应的产生机理是通道内壁表面的多孔介质膜(Pb0-Al203-SiO2系铅铝硅酸盐玻璃)引起的自激发射。
6) stimulated emission
受激光发射
Si-based nanometer materials and structures to achievestimulated emission;
实现受激光发射的Si基纳米材料与结构
补充资料:
电子自高能态自发地跃迁到低能态同时发射出光的现象,称为自发发射;电子自高能态受到光的激发而跃迁到低能态,同时发射与激发光的相位、偏振方向和传播方向相同的光,称为受激发射。原子中的电子与外界交换能量而改变其运动状态,称为跃迁。在孤立原子中,这些能量是分立的,称为能级。图a中的两个能级E1和E2,分别称为高能级和低能级。对于同一元素的原子,能级的情况完全相同。
当许多原子紧密地排列在一起形成晶体(半导体)的情况下,能级分裂成能带(图b 中)。能带中能级的数目与晶体中原子的数目相对应。因此,能带中的能级非常密集,形成准连续分布。
处于高能级上一个状态的电子自发地跃迁到低能级上的一个状态时,发射一个能量ε=E1-E2的光子。单位时间内自发发射的几率为
rsp(ε)=Af1(1-f2)
(1)式中A是自发发射系数,f1和f2分别是这两个能级上的状态被电子占据的几率。自发发射光具有不同的相位、偏振方向和传播方向,因而是非相干光。
处于高能级上一个状态的电子,在光子密度为ρ(ε)的入射光作用下,跃迁到低能级上的一个状态时,发射一个能量为ε 的光子。单位时间内受激发射几率为
(2)Be是受激发射系数。受激发射光具有与入射光完全相同的相位、偏振方向和传播方向,因而是入射光的相干光。
处于低能级上一个状态的电子,在光子密度为ρ(ε)的入射光作用下,跃迁到高能级上的一个状态,吸收一个能量为ε 的光子,称为受激吸收。单位时间内受激吸收几率为
(3)Ba是受激吸收系数。
光子密度ρ(ε)是单位体积单位能量间隔内能量为ε的光子数。
A、Be和Ba之间满足如下关系(称为爱因斯坦关系):
(5)n是物质的折射率,c是光在真空中的速度,h是普朗克常数。
由式(2)~(4)得到单位时间内净受激发射几率为
(6)只当f1>f2时,才有rst(ε)>0;f1