真明丽集团有限公司 蓝光芯片产品规格书(产品规格:NNBA35AR-###) 产品特点: ·户内外应用 ·高亮度、长寿命 ·百分之百测试分选 ·波长和光强良好的一致性 物理参数: 芯片尺寸 芯片厚度 焊盘尺寸 P 电极 N 电极 背面 890±25?m *890±25?m(35*35mil) 145±10?m 100±10?m 金 金 金 光电参数: 性能参数 正向电压 反向电流 主波长 辐射功率 反向电压 半波宽度 最大电流 符号 VF IR λd B180 Po B200 B220 VR ?λ IMAX 测试条件 IF=350mA VR= 5V IF=350mA IF=350mA IR=10?A IF=350mA DC 最小值 2.9 0 450 180 200 220 10 最大值 3.6 2 470 200 220 240 30 450 单位 V ?A nm mw V nm mA 其它说明 ·芯片封装工艺的温度不得超过 270℃,持续时间小于 10 秒。 ·该产品属于静电敏感元件,产品传输和封装过程中应有静电保护措施。 ·亮度值是基于真明丽晶片厂裸芯测试台。 ·可根据客户要求定做特殊规格的芯片。 真明丽集团有限公司 蓝光芯片产品规格书(产品规格:NNBA35AR-###) 特性曲线: Relative luminous intensity (normalized at 20mA) Relative Luminous Intensity vs. Forward Current 1.40 1.20 1.00 0.80 0.60 0.40 0.20 0.00 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 Forward Current(mA) Relative Intensity[%] Relative Intensity(20mA)vs.Ambient Temperature 120 100 80 60 40 20 0 20 40 60 80 100 Ta[℃] Dominant Wavelength(20mA)vs.Ambient Temperature 480 470 Wd[nm] 460 450 440 0 20 40 60 80 100 Ta[℃] If-max[mA] Vf[V] Forward Current(mA) Forward Current vs.Forward Voltage 1000 100 10 1 0.00 1.00 2.00 3.00 4.00 Forward Voltage(V) 5.00 Forward Voltage(@20mA)vs.Ambient Temperature 3.8 3.6 3.4 3.2 3 2.8 0 20 40 60 80 100 Ta[℃] Maximum Driving Forward DC Current vs.Ambient Temperature (Derating based on Tj max. =115℃) 500 400 300 200 Rth=30℃/W Rth=40℃/W 100 Rth=50℃/W 0 0 20 40 60 80 100 120 Ta[℃]