AW8735　产品手册　2012　年12　月V1.4　版权所有©　2011　上海艾为电子技术有限公司　第1页共29　页　超强　TDD　抑制、独有　FM　模式、K　类多模音频功率放大器　特性　y　K5:K　类功放第五代,单芯片实现五种工作模式　y　专有　RNS(RF-TDD　Noise　Suppression)技术　y　独有　FM　模式,彻底杜绝　FM、ATV　干扰　y　独有电话免提模式　y　NCN　技术,有效防止破音产生　y　EEE　技术,优异的全带宽　EMI　抑制能力　y　抗干扰一线脉冲控制技术　y　高PSRR:-75dB(217Hz)　y　拥有专利的　Thermal　AGC　功能　y　K　类结构,采用高压　dual-gate　CMOS　工艺　y　优异的“噼噗-咔嗒”(Pop-Click)杂音抑制　y　过流保护、过温保护　y　纤小的　TQFN　3mmX3mm　20-Pin　封装　应用　y　手机　y　便携式音频设备　y　Mini　音箱　概要　K5:AW8735TQR　是一款单芯片、多模音频　功率放大器,带有　AB　类/D　类输出切换技术,电　荷泵模式和直通模式切换技术。独有　FM　模式、　电话免提模式,专为手机音频应用而开发。　K5　具有五种工作模式,通过一线脉冲控制信　号进行选择,可以针对不同功率的扬声器提供所　需的工作模式,为公板设计提供了方便。五种模　式全部带有　NCN　技术,有效防止破音产生。　K5　带有艾为专有的　RNS　技术,有效抑制　TDD　噪声的产生。　K5　独有电话免提模式,带有净音技术,进一　步抑制　TDD　Noise,让免提通话声干干净净。　K5　内置优异的　Pop-Click　杂音抑制电路,有　效避免了芯片在开启和关断操作时的　Pop-Click　杂音。　K5　在4.2V　电源、THD+N=10%的情况下,　能够向　8Ω　的喇叭提供　2.3W　的输出功率。　K5　采用纤小的　TQFN　3mmX3mm_20L　封装,额定的工作温度范围为-40℃至85℃。　AW8735　产品手册　2012　年12　月V1.4　版权所有©　2011　上海艾为电子技术有限公司　第2页共29　页　引脚分布及标识图　图1AW8735TQR　引脚分布俯视图及器件标识图　引脚定义及功能　序号　符号　描述　1　SHDN　芯片关断引脚,低有效;支持一线控制。　3　CP　Flying　电容的正端。　4,8　VDD　电源引脚　6　INN　功放的负输入端　7　INP　功放的正输入端　12,17,18　PVDD　电荷泵输出引脚　13　VON　功放负输出端　14,20　GND　地引脚　15　VOP　功放正输出端　19　CN　Flying　电容的负端。　21　GND　散热片在　PCB　上需要与　GND　同样接地　2,　5,　9,　10,　11,16　NC　No　Connect　AW8735　产品手册　2012　年12　月V1.4　版权所有©　2011　上海艾为电子技术有限公司　第3页共29　页　典型应用图　图2AW8735　单端输入方式典型应用图(注1)　注1:　单端输入时,可以从　INN、INP　任意一输入端输入音频信号,另一输入端通过输入电阻、电容接地。　PIN4、PIN8(VDD)在PCB　布板时必须连在一起,全部接　VBAT。　PIN12、PIN17、PIN18(PVDD)布板时必须连在一起。　滤波电容　Cs　建议使用　X7R/X5R　的陶瓷电容,如果使用钽电容,则必须在靠近　VDD　管脚处并联大于　1uF　的陶瓷电容以滤除高频干扰信号。　4　欧姆应用请参考　“应用信息-重负载应用”　AW8735　产品手册　2012　年12　月V1.4　版权所有©　2011　上海艾为电子技术有限公司　第4页共29　页图3AW8735　差分输入方式典型应用图(注2)　注2:　PIN4、PIN8(VDD)在PCB　布板时必须连在一起,全部接　VBAT。　PIN12、PIN17、PIN18(PVDD)布板时必须连在一起。　滤波电容　Cs　建议使用　X7R/X5R　的陶瓷电容,如果使用钽电容,则必须在靠近　VDD　管脚处并联大于　1uF　的陶瓷电容以滤除高频干扰信号。　4　欧姆应用请参考　“应用信息-重负载应用”　订购信息　产品型号　工作温度范围　封装形式　器件标识　发货形式　AW8735TQR　-40℃~85℃　3mmX3mm　20-Pin　TQFN　AW8735　卷带包装　6000　片/盘AW8735　产品手册　2012　年12　月V1.4　版权所有©　2011　上海艾为电子技术有限公司　第5页共29　页　绝对最大额定值(注3)　参数　范围　电源电压　VDD　-0.3V　to　7V　INP、INN、SHDN　引脚电压　-0.3V　to　VDD+0.3V　封装热阻　θJA　48　/W　℃　环境温度　-40　to　85　℃　℃　最大结温　TJMAX　125℃　存储温度　TSTG　-65　to　150　℃　℃　引脚温度(焊接　10　秒)　260℃　ESD　范围(注4)　HBM(人体静电模式)　±8KV　Latch-up　测试标准:JEDEC　STANDARD　NO.78B　DECEMBER　2008　+IT:450mA　-IT:-450mA　注3:　如果器件工作条件超过上述各项极限值,可能对器件造成永久性损坏。上述参数仅仅是工作条件的极　限值,不建议器件工作在推荐条件以外的情况。器件长时间工作在极限工作条件下,其可靠性及寿命可能　受到影响。　注4:　HBM　测试方法是存储在一个　100pF　电容上的电荷通过　1.5　KΩ　电阻对引脚放电。测试标准:　MIL-STD-883G　Method　3015.7　K5　模式说明　模式　SHDN　控制波形　电荷泵　PVDD　(注5)　放大倍数　(注6)　NCN　RNS　描述　AB　类模式　无VBAT　12　有有模拟输出,带有防破音功能　D　类模式　无VBAT　12　有有效率高,驱动小功率扬声器　FM　模式　有6.3V　16　有有模拟输出,电荷泵升压　K　类模式　有6.3V　24　有有电荷泵输出,驱动大功率扬声器　免提模式　有6.3V　24　有有电话免提模式,特有净音技术　表1.　AW8735　模式说明　注5:　AB　类、D　类模式为直通模式,VBAT　电压直接为功放供电,因此　PVDD　电压与　VBAT　电压一样。FM　模式、K　类模式、免提模式为电荷泵升压模式,PVDD　电压为　6.3V。　注6:　表中放大倍数为外部输入电阻　10kΩ　时的值。　AW8735　产品手册　2012　年12　月V1.4　版权所有©　2011　上海艾为电子技术有限公司　第6页共29　页　电气特性　测试条件:TA=25℃(除非特别说明)　参数　条件　最小　典型　最大　单位　VDD　电源电压　2.5　4.5　V　VIH　SHDN高电平输入　1.3　VDD　V　VIL　SHDN低电平输入　0　0.35　V　|VOS|　输出失调电压　无输入,VDD=2.5V　to　4.5V　0　40　mV　ISD　关断电流　VDD=3.6V,　SHUTDOWN　=0V　0.1　μA　TTG　Thermal　AGC　启动温度阈值　155　℃　TTGR　Thermal　AGC　退出温度阈值　120　℃　TSD　过温保护温度阈值　160　℃　TSDR　过温保护退出温度阈值　120　℃　TON　启动时间　28　ms　电荷泵　PVDD　输出电压　VDD　=3.3V　to　4.5V　　6.3　V　F1　工作频率　VDD=3V　to　5.5V　480　600　720　kHz　TST　软启动时间　空载,COUT=10uF　0.5　ms　IL　PVDD　短地限流　300　mA　功放　AB　类Iq　静态电流　6.4　mA　η　效率　VDD=3.6V,Po=0.8W,RL=8Ω　72　%　Av　放大倍数　外部输入电阻=10kΩ　12　V/V　Rini　内部输入电阻　10　kΩ　PSRR　电源抑制比　VDD=4.2V,Vp-p_sin=200mV　217Hz　-70　dB　1kHz　-68　dB　THD+N　总谐波失真+噪声　VDD=4.2V,Po=0.5W,RL=8Ω,f=1kHz　0.26　%　VDD=3.6V,Po=0.25W,RL=8Ω,f=1kHz　0.23　%　PO　输出功率　THD+N=10%,f=1kHz,RL=8Ω,VDD=4.2V　1　W　THD+N=1%,f=1kHz,RL=8Ω,VDD=4.2V　0.78　W　D　类Iq　静态电流　VDD=3.6V,无输入,空载　3.2　mA　η　效率　VDD=3.6V,Po=0.9W,RL=8Ω　80　%　Fosc　调制频率　VDD=2.5V　to　4.5V　300　kHz　Av　放大倍数　外部输入电阻=10kΩ　12　V/V　Rini　内部输入电阻　10　kΩ　PSRR　电源抑制比　VDD=4.2V,Vp-p_sin=200mV　217Hz　-71　dB　AW8735　产品手册　2012　年12　月V1.4　版权所有©　2011　上海艾为电子技术有限公司　第7页共29　页1kHz　-70　dB　THD+N　总谐波失真+噪声　VDD=4.2V,Po=0.5W,RL=8Ω,f=1kHz　0.18　%　VDD=3.6V,Po=0.25W,RL=8Ω,f=1kHz　0.22　%　PO　输出功率　THD+N=10%,f=1kHz,RL=8Ω,VDD=4.2V　1　W　THD+N=1%,f=1kHz,RL=8Ω,VDD=4.2V　0.85　W　FM　模式　Iq　静态电流　VDD=3.6V,无输入,空载　16　mA　η　效率　VDD=4.2V,Po=1W,RL=8Ω　43　%　Av　放大倍数　外部输入电阻=10kΩ　16　V/V　Rini　内部输入电阻　5　kΩ　PSRR　电源抑制比　VDD=4.2V,Vp-p_sin=200mV,　217Hz　-80　dB　1kHz　-75　dB　THD+N　总谐波失真+噪声　VDD=4.2V,Po=0.5W,RL=8Ω,f=1kHz　0.23　%　VDD=4.2V,Po=0.25W,RL=8Ω,f=1kHz　0.24　%　PO　输出功率　THD+N=10%,f=1kHz,RL=8Ω,VDD=4.2V　2.1　W　THD+N=1%,f=1kHz,RL=8Ω,VDD=4.2V　1.7　W　K　类Iq　静态电流　VDD=3.6V,无输入,空载　10.2　mA　η　效率　VDD=4.2V,Po=1.5W,RL=8Ω　66　%　Fosc　调制频率　VDD=2.5V　to　4.5V　300　kHz　Av　放大倍数　外部输入电阻=10kΩ　24　V/V　Rini　内部输入电阻　5　kΩ　PSRR　电源抑制比　VDD=4.2V,Vp-p_sin=200mV,　217Hz　-75　dB　1kHz　-72　dB　THD+N　总谐波失真+噪声　VDD=4.2V,Po=0.5W,RL=8Ω,f=1kHz　0.2　%　VDD=4.2V,Po=0.25W,RL=8Ω,f=1kHz　0.2　%　PO　输出功率　THD+N=10%,f=1kHz,RL=8Ω,VDD=4.2V　2.3　W　THD+N=1%,f=1kHz,RL=8Ω,VDD=4.2V　1.9　W　免提模式　Iq　静态电流　VDD=3.6V,无输入,空载　10.2　mA　η　效率　VDD=4.2V,Po=1.5W,RL=8Ω　66　%　Fosc　调制频率　VDD=2.5V　to　4.5V　300　kHz　Av　放大倍数　外部输入电阻=10kΩ　24　V/V　Rini　内部输入电阻　5　kΩ　PSRR　电源抑制比　VDD=4.2V,Vp-p_sin=200mV,　217Hz　-85　dB　1kHz　-80　dB　THD+N　总谐波失真+噪声　VDD=4.2V,Po=0.5W,RL=8Ω,f=1kHz　0.2　%　VDD=4.2V,Po=0.25W,RL=8Ω,f=1kHz　0.2　%　PO　输出功率　THD+N=10%,f=1kHz,RL=8Ω,VDD=4.2V　2.3　W　THD+N=1%,f=1kHz,RL=8Ω,VDD=4.2V　1.9　W　AW8735　产品手册　2012　年12　月V1.4　版权所有©　2011　上海艾为电子技术有限公司　第8页共29　页VLIMIT　净音技术检测阈值(Vp)　外部输入电阻=10kΩ　15　mV　AMAX1　净音技术最大衰减增益　-15　dB　一线脉冲控制　TH　SHDN高电平持续时间　VDD=2.5V　to　4.5V　0.75　2　10　us　TL　SHDN低电平持续时间　VDD=2.5V　to　4.5V　0.75　2　10　us　TLATCH　SHDN状态锁存时间　VDD=2.5V　to　4.5V　500　us　TOFF　SHDN关断延迟时间　VDD=2.5V　to　4.5V　500　us　NCN(注7)　TAT　启动时间　20　ms　TRL　释放时间　1.2　s　AMAX　最大衰减增益　-6　dB　Flying　电容检测(注8)　CFLIMITH　Flying　电容高检测阈值　VDD=2.5V　to　4.5V　500　nF　CFLIMITL　Flying　电容低检测阈值　VDD=2.5V　to　4.5V　1　nF　注7:　启动时间是指增益衰减　6dB　的时间,释放时间是指增益恢复　6dB　的时间。　注8:　当Flying　电容高于　500nF　时,系统为电荷泵升压工作模式;当Flying　电容低于　1nF　时,系统为直通　工作模式　AW8735　产品手册　2012　年12　月V1.4　版权所有©　2011　上海艾为电子技术有限公司　第9页共29　页　测试方法　K5　有模拟输出和数字输出两种方式,其中　AB　类模式、FM　模式输出为模拟信号,可以直接在输出对　差分信号进行测试;D　类模式、K　类模式、免提模式输出为方波信号,如图　4　所示,需要在两个输出各接　一个低通滤波器将开关调制频率滤除,然后测量滤波器的差分输出即可得到模拟输出信号。　图4AW8735　测试电路图　低通滤波器推荐采用表　2　中的电阻、电容值。　滤波电阻　滤波电容　低通截止频率　500Ω　10nF　32kHz　1kΩ　4.7nF　34kHz　表2.　AW8735　测试用滤波器推荐值　功率计算方法　根据上面的测试方法,在低通滤波器的输出端得到差分模拟信号,利用示波器测试差分模拟信号的有　效值　Vo_rms,如下图所示:　图5输出有效值示意图　扬声器的功率计算如下:　)　:扬声器的负载阻抗　(　L　L　2　L　R　R　)　rms　_　Vo　(　P　=　AW8735　产品手册　2012　年12　月V1.4　版权所有©　2011　上海艾为电子技术有限公司　第10　页共29　页　典型特性曲线　3　3.5　4　4.5　0　0.2　0.4　0.6　0.8　1　1.2　1.4　D类模式　RL=8Ω+33μH　f=1kHz　1% THD　10% THD　电源电压 ( V )　输出功率 vs 电源电压　0　0.5　1　1.5　2　2.5　3　3　3.5　4　4.5　FM模式　RL=8Ω+33μH　f=1kHz　1% THD　10% THD　电源电压 ( V )　输出功率 vs 电源电压　0　0.2　0.4　0.6　0.8　1　1.2　1.4　3　3.5　4　4.5　AB类模式　RL=8Ω+33μH　f=1kHz　1% THD　10% THD　电源电压 ( V )　输出功率 vs 电源电压　0　0.5　1　1.5　2　2.5　3　3　3.5　4　4.5　K类模式&免提模式　RL=8Ω+33μH　f=1kHz　1% THD　10% THD　电源电压 ( V )　输出功率 vs 电源电压　0　30　4　8　12　16　20　24　28　20　20k　100　1k　10k　RL=8Ω+33μH　FM模式　AB类模式　D类模式　K类模式　免提模式　频率 ( Hz )　增益 vs 频率　0　2　4　6　8　10　12　14　16　18　20　2.5　2.7　2.9　3.1　3.3　3.5　3.7　3.9　4.1　4.3　4.5　电源电压 ( V )　静态电流 vs 电源电压　No Load　FM模式　AB类模式　D类模式　K类模式　免提模式　AW8735　产品手册　2012　年12　月V1.4　版权所有©　2011　上海艾为电子技术有限公司　第11　页共29　页AW8735　产品手册　2012　年12　月V1.4　版权所有©　2011　上海艾为电子技术有限公司　第12　页共29　页AW8735　产品手册　2012　年12　月V1.4　版权所有©　2011　上海艾为电子技术有限公司　第13　页共29　页AW8735　产品手册　2012　年12　月V1.4　版权所有©　2011　上海艾为电子技术有限公司　第14　页共29　页AW8735　产品手册　2012　年12　月V1.4　版权所有©　2011　上海艾为电子技术有限公司　第15　页共29　页　D类模式启动时序　SHDN　VOP&VON　4ms/div　D类模式关断时序　SHDN　VOP&VON　50μs/div　NCN功能启动时序　NCN功能释放时序　Vin　VOP-VON　Vin　VOP-VON　2.5ms/div　200ms/div　静音功能启动时序　静音功能释放时序　Vin　VOP-VON　8ms/div　200ms/div　VOP-VON　Vin　AW8735　产品手册　2012　年12　月V1.4　版权所有©　2011　上海艾为电子技术有限公司　第16　页共29　页　功能框图　图6AW8735　功能框图　AW8735　产品手册　2012　年12　月V1.4　版权所有©　2011　上海艾为电子技术有限公司　第17　页共29　页　工作原理　K5:AW8735