离子注入可以导致核转变,或改变某些固体材料的结构。
十、光刻胶的去除
光刻胶的主要功能是在整个区域进行化学或机械处理工艺时,保护光刻胶下的衬底部分。所以当以上工艺结束之后,光刻胶应全部去除,这一步骤简称去胶。只有那些高温稳定的光刻胶,例如光敏感聚酰亚胺,可以作为中间介质或缓冲涂层而留在器件上。
为避免对被处理表面的任何损伤,应当使用低温下温和的化学方法。超声波的应用也可以增强剥离效能。因为有腐蚀问题、一些已知的剥离液不能作用与铝等金属表面;在此情况下、臭氧或氧等离子体(灰化)是首先采用的。这些等离子体同样成功地作为非铝表面的光刻交剥离剂,但是,器件表面的损坏仍是要解决的问题。
刻蚀或离子注入之后,已经不再需要光刻胶作保护层,可以将其除去。
去胶的方法分类如下:
湿法去胶:a、有机溶剂去胶:利用有机溶剂除去光刻胶;b、无机溶剂:通过使用一些无机溶剂,将光刻胶这种有机物中的碳元素氧化为二氧化碳,进而而将其除去
干法去胶:利用等离子体将光刻胶剥除。
除了这些主要的工艺以外,还经常采用一些辅助过程,比如进行大面积的均匀腐蚀来减小衬底的厚度,或者去除边缘不均匀的过程等等。一般在生产半导体芯片或者其它元件时,一个衬底需要多次重复光刻。