骁龙835的主频为1.9GHz+2.45GHz,并采用八核设计。骁龙835将采用10nm八核心设计,大小核均为Kryo280架构,大核心频率2.45GHz,大核心簇带有2MB的L2 Cache,小核心频率1.9GHz,小核心簇带有1MB的L2 Cache,GPU为Adreno 540@670MHz,相比上代性能提升25%,支持4K屏、UFS 2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存,整合了Cat.16基带。新的骁龙835处理器,支持Quick Charge 4快速充电,比起Quick Charge 3.0,其充电速度提升20%,充电效率提升30%。另外其具备更小的芯片尺寸,能为手机厂商提供更灵活的内部空间设计。