DDR 内存的解决方法是通过简单数据选通脉冲来增加时钟推进。 DDRII 引进了更先进的技术: 双向的微分 I/O 缓存器来组成 DQS。 微分表示用一个简单 脉冲信号和一个参考点来测量信号, 而并非信号之间相互比较。 理论上提升和下降信号应该 是完全对成的,但事实并非如此。时钟和数据的失谐就产生了 DQ-DQS skew。 如下图所示。 对于 DFI 主板来说,建议设置为 Increase Skew 可以提升性能,而 Decrease Skew 在 牺牲一定性能的情况下,可以增加稳定性。 DQS Skew Value 可选的设置:Auto,0-255,步进值为 1。 当我们开启了 DQS skew control 后,该选项用来设定增加或减少的数值。这个参数对 系统的影响并不很敏感。 对于 DFI 主板来说,开启"Increase Skew"选项后,可以将该值设 为 50-255 之间的值。值越大,表示速度越快。 DRAM Drive Strength 可选的设置:Auto,1-8,步进值为 1。 DRAM Drive Strength(也被称为:driving strength) ,表示“DRAM 驱动强度” 。这 个参数用来控制内存数据总线的信号强度, 数值越高代表信号强度越高, 增加信号强度可以 提高超频的稳定性。但是并非信号强度高就一定好,三星的 TCCD 内存芯片在低强度信号下 性能更佳。 如果设为 Auto,系统通常会设定为一个较低的值。