igbt与mosfet结构上的差别只是igbt在vdmos的背面增加了一个p型层。但就是增加了这么一个p型层,导致igbt和mosfet具有不同的工作机理和特性。
由于igbt背面有一个p型层,igbt在开通状态时,其n-漂移区能会发生强烈的电导调制效应,就是因为这个电导调制效应,导致igbt的导通电阻约是mosfet的1/3,其导通损耗较mosfet小。但又就是因为电导调制效应,导致igbt在关断时会存在拖尾电流,使igbt的关断时间变长,关断损耗变大。