实例之一:测量一只 JE9013H 型NPN 硅管.将500 型万用表拨于 100挡.该挡R0=1kΩ ,现取m=40, 35 按照(a)图所示方法测得nl= 10 格,再把 RB 短路时测出n2=12.2 格,代人式(3.5.6)中计算出 182 10 1210 40 另外用HS450E 型晶体管图示仪测得 FE =183,由此求出用万用表测量FE 的相对误差(与HS-450E相比) 然后又用 DT890D 型数字万用表 FE 的挡测出FE =180.可见采用上述三种方法的测量值十分接近.查表3.5.2 可知,JE9013H 围应是144 一202,现测出 FE =182,符合要求.实例之二;测量一只 3DG6B MF30型万用表拨于 100 为准确起见,实际由ZX-21 型标准电阻箱代替RB.按照图 3.5 所示电路分两次测出n1= 12 格,n2=12.5 格,代人式(3.5.6)中计算出 FE =50.5.另用一台JS-6B型晶体管试验器测得此管 FE ).显然,与JS-6B相比,测量误差仅为 10052 52 实例之三:被测管是3AX8lA型PNP 锗管.该管子的穿透电流较大,需将MF30 10250 40 .先后测出n1=29 格,n2= 43 代人式(3.5.6)中算出FE =82.9.再用JS-6B 复测, FE =3mA,CE =6V).由此求出相对误差 10087 87 值取得合适与否,对测量准确度有一定影响.因为m的大小决定 之条件,使测出的FE 取40-50为宜,并能简化计算过程.若m 值太小(例如取m=10),测量误差会增大.由式(3.5.4)还可以看出,若m 值过大(例如取m= 200), 就很小,测量的FE 值将明显偏低.(2)对大多数晶体管而言,应选择正 100 挡.这是因为该挡的满度电流一般为几至十几毫安,测量时提供几毫安的集电极电流,与管子做正常放大时的 值比较接近,所选择的工作点较好.但是对于穿透电流较大的锗管(例如 3AX31、3AX81 型),应选择 10 (3)必须用同一电阻挡分别测出n1、n2.由于n1、n2的数值比较接近,应尽量减少读数误差. 36 (4)上面所列举的三个实例中,测出的 FE 值均比专用仪器测出的略为偏低.主实原因二者测试条件不同,特别是 100 挡的电池电压较低,仅为1.5V. 片状晶体管因其体积微小,故有人称之为芝麻三极管.片状晶体管的种类很多,例如 NPN、PNP 型、普通型、超高频型、高反压型等.常见的矩形片状普通型 NPN 晶体管的外形(俯视图)及符