优选地,涂布所述有机溶剂的方法为向所述半导体晶片表面中央或接近中央的区域喷涂所述有机溶剂。优选地,a)步骤所提供的所述半导体晶片表面已执行成底膜处理,以增强半导体晶片和光刻胶之间的粘附性。优选地,在b)步骤和C)步骤之间还包括向所述半导体晶片表面中央或接近中央的区域喷涂光刻胶减量涂层涂布所用溶剂;旋转所述半导体晶片,使所述光刻胶减量涂层涂布所用溶剂沿所述半导体晶片表面向边缘铺开。喷涂光刻胶减量涂层涂布所用溶剂可减少后续工艺中光刻胶在半导体晶片表面流动的阻力,有助于减小光刻胶的用量。优选地,所述有机溶剂选自乳酸乙酯、单乙基醚丙二醇、丙二醇单甲醚乙酸酯和 N-甲基-2-砒咯酮中的一种或多种。优选地,所述有机溶剂的成分为质量比等于7 3的单乙基醚丙二醇和丙二醇单甲醚乙酸酯。可以直接通过RRC喷嘴在半导体晶片表面进行预处理,从而避免对光刻胶涂布装置的改造。优选地,所述有机溶剂的涂布时间大于等于5秒,并且小于等于20秒。优选地,所述有机溶剂的涂布时间为8-10秒。涂布时间为8-10秒既有效地控制了光刻胶层中的气泡含量,又兼顾了涂布时间过长可能对工艺时间产生的不利影响。优选地,所述预处理步骤还包括甩干涂布在所述半导体晶片上的所述有机溶剂。
优选地,所述甩干时间为2-5秒。
本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。