DRAM 实际上就是电容器,最小的存储单位是 bit。阵列中的每个 bit 都能被随机地访问。 但如果不充电, 数据只能保存很短的时间。 因此我们必须每隔 15.6us 就刷新一行。 每次刷新时数据就被重写一次。 正是这个原因 DRAM 也被称为非永久性存储器。 一般通过同步的 RAS-only 的刷新方法(行刷新) ,每行每行的依次刷新。早期的 EDO 内存每 刷新一行耗费 15.6us 的时间。 因此一个 2Kb 的内存每列的刷新时间为 15.6?s x2048 行=32ms。 如果使用 DFI 的主板, tREF 和 tRAS 一样, 不是一个精确的数值。 通常 15.6us 和 3.9us 都能稳定运行,1.95us 会降低内存带宽。