磁阻传感器的主要问题是其翻转效应,这是其原理所固有的。如前所述,在使用前对磁性材料进行了磁化,此后如果遇到了较强的相反方向的磁场(大于20高斯)就会对材料的磁化产生影响,从而影响传感器的性能。在极端情况下,会使磁化方向翻转180。这种危险虽然可以利用周期性磁化的方法加以消除,但仍存在问题。对材料进行磁化的磁场必须很强,如果采用外加线圈来产生周期性磁化磁场,就失去了小型化的意义,Honeywell公司的一项专利,解决了这个问题。他们在硅片上制作了一个电流带来产生磁化磁场,该电流带的阻值只有5欧姆左右。虽然磁化电流只持续1-2毫秒,但电流强度却高达1到1.5安培。但这种方案对驱动电路要求高,而且如果集成入微系统,这样强的脉冲电流将威胁系统中的微处理器等其它电路的可靠性。