本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。为了解决现有技术的问题,本发明提供一种光刻胶的涂覆方法,包括a)提供半导体晶片;b)对所述半导体晶片进行预处理,所述预处理包括向所述半导体晶片的表面涂布有机溶剂;c)在所述半导体晶片的表面涂覆所述光刻胶。执行预处理步骤,可以使随后形成的光刻胶层中几乎不包含气泡,从而避免刻蚀过程中,由于光刻胶的消耗导致刻蚀气体穿过气泡而对半导体晶片造成损伤。