芯片图形的转移和实现 刻蚀/注入 光刻 电路图形——掩膜版——光刻胶——芯片 EDA设计 投影和离子束曝光 光刻的基本原理 光刻是通过光化 合反应,将掩膜版上 的电路图图形暂时转 移到覆盖在半导体晶 片上的光刻胶,然后 利用光刻胶为掩膜, 对下方材料选择性加 工(刻蚀或注入), 从而在半导体晶片上 获得相应电路图形 负性光刻 正性光刻 光刻术语 1.分辨率:将硅片上两个相邻特征图形区别 开来的能力 2.套准精度:光刻要求硅片表面存在的图案 与掩膜版上的图形对准,此特性指标就是 套准精度 3.关键尺寸:硅片上形成图形的实际尺寸即 特征尺寸,最小的特征尺寸即关键尺寸 4.工艺宽容度:光刻始终如一的处理符合特 定要求产品的的能力。追求最大的工艺宽 容度 5.光谱:能量要满足激活光刻胶并将图形从 掩膜版中转移到硅片上的要求。 紫外光源(uv) 汞灯 光刻胶的类型与光刻工艺 光刻胶的类型—两种光刻工艺 又名(光致)抗蚀剂,光阻、photoresist 曝光后溶解性的变化 正 胶 不溶——可溶 显影后光刻胶上的图形 与掩膜版上图形一致 可溶——不溶 …..相反 优缺点 分辨率高,对比度高,线条边缘清 晰,在深亚微米(1um)工艺中占 主导地位 和硅片有良好的粘附性和抗蚀性, 针孔少,感光度高但显影时会变形 和膨胀,分辨率2um左右。 负 胶 CD变化 负胶光刻图形变化差 0.8~1.0um 正胶光刻图形变化差 0um 光刻胶的组分和感光原理 1。光刻胶的物理特性 分辨率、对比度、敏感度、粘滞性、粘附性、抗蚀 性等 a.分辨率:形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率 越高 b.对比度:光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度 c.敏感度:在硅片表面光刻胶中形成一个良好图形所 需要的 一定波长光的最小能量值 d.粘滞性:光刻胶的流动特性 e.粘附性:光刻胶粘附于衬底的强度。 2。