显影中进行的是选择性溶解的过程,最重要的是曝光区和未曝光区之间溶解率的比值(DR)。商用正胶有大于1000的DR比,在曝光区溶解速率为3000nm/min,在未曝光区只有几nm/min。
现在有二种显影方法,一是湿显影,他在IC和微加工中正广泛使用,另一种是干显影。
a、整盒硅片浸没式显影(Batch Development)。缺点:显影液消耗很大;显影的均匀性差;
b、连续喷雾显影(Continuous Spray Development)/自动旋转显影(Auto-rotation Development)。一个或多个喷嘴喷洒显影液在硅片表面,同时硅片低速旋转(100~500rpm)。喷嘴喷雾模式和硅片旋转速度是实现硅片间溶 解率和均匀性的可重复性的关键调节参数。
c、水坑(旋覆浸没)式显影(Puddle Development)。喷覆足够(不能太多,最小化背面湿度)的显影液到硅片表面,并形成水坑形状(显影液的流动保持较低,以减少边缘显影速率的变 化)。硅片固定或慢慢旋转。一般采用多次旋覆显影液:第一次涂覆、保持10~30秒、去除;第二次涂覆、保持、去除。然后用去离子水冲洗(去除硅片两面的 所有化学品)并旋转甩干。优点:显影液用量少;硅片显影均匀;最小化了温度梯度。
显影液:
a、正性光刻胶的显影液。