光刻工艺原理 光刻的基本概念 光刻的本质:光刻处于硅片加工过程的中心,光刻常被认为是IC制造中最关键的步骤。光刻的本质就是把临时电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。这些结构首先以图形的形式制作在名为掩膜版的石英膜版上。紫外光透过掩膜版把图形转移到硅片表面的光敏薄膜上。即使用光敏光刻胶材料和可控制的曝光在硅片表面形成三维图形。线宽间距厚度衬底光刻胶光刻胶的三维图形 硅片的制造流程注入扩散测试注入扩散测试/筛选刻蚀抛光光刻筛选刻蚀抛光光刻完成的硅片无图形硅片r硅片起始t薄膜硅片制造(前端)  套准精度:光刻要求硅片表面上存在的图案与掩模版上的图形准确对准,这种特性指标就是套准精度。对准十分关键是因为掩模版上的图形要准确地转移到硅片上。 分辨率:指将硅片上特征图形区分开来的能力。 两个邻近的特征尺寸:硅片上形成图形的实际尺寸就是特征尺寸。 关键尺寸:最小的特征尺寸就是关键尺寸。