(A)负离子空位 (B)间隙正离子 (C)间隙负离子 (D)A 或B20、对于形成杂质......
2. 以As 掺入 Ge 中为例,说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和 n 型半导体。 答:As 有5个价电子,其中的四个价电子与周围的四个 Ge 原子形成共价键,还剩 余一个电子,同时 As 原子所在处也多余一个正电荷,称为正离子......
2. 以As掺入Ge中为例,说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。 As有5个价电子,其中的四个价电子与周围的四个Ge原子形成共价键,还剩余一个电子,同时As原子所在处也多余一个正电荷,称为正离子中心,所以,一个As......
2. 以As 掺入 Ge 中为例,说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和 n 型半导体。 As 有5个价电子,其中的四个价电子与周围的四个 Ge 原子形成共价键,还剩 余一个电子,同时 As 原子所在处也多余一个正电荷,称为正离子中心......
2. 以As 掺入 Ge 中为例,说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和 n 型半导体。答:As 有5个价电子,其中的四个价电子与周围的四个 Ge 原子形成共价键,还剩 余一个电子,同时 As 原子所在处也多余一个正电荷,称为正离子......
(A)攀移 (B)攀移 (C)增值 (D)减少 19、对于形成杂质缺陷而言,低价正离子占据高价正离子位置时,该位置带有负 电荷,为了保持电中性,会产生(D) 。(A)负离子空位 (B)间隙正离子 (C)间隙负离子 (D)A 或B20、对于形成杂质......
A: 负离子空位 B: 间隙正离子 C: 间隙负离子 D: A 或B20、对于形成杂质缺陷而言,高价正离子占据低价正离子位置时,该位置带有正 电荷,为了保持电中性,会产生( D )。 A: 正离子空位 B: 间隙负离子 C: 负离子空位 D: ......
A: 攀移 B: 攀移 C: 增值 D: 减少 19、对于形成杂质缺陷而言,低价正离子占据高价正离子位置时,该位置带有负 电荷,为了保持电中性,会产生( D )。 A: 负离子空位 B: 间隙正离子 C: 间隙负离子 D: A 或B20、对于形成......
CH2=O 可被引发剂(2) (4) 1 引发体系 (1) 6H5CO)2O2(自由基)