涂布所述有机溶剂的方法例如是向所述半导体晶片表面中央或接近中央的区域喷涂所述有机溶剂。具体地,将喷嘴移动至半导体晶片中央或靠近中央区域的上方位置,并与该半导体晶片表面保持一定距离。该半导体晶片处于静止状态或旋转状态时,向半导体晶片表面中央或靠近中央区域喷出有机溶剂。其中,半导体晶片的转速为0-500rpm,优选地为200-500rpm。喷出的有机溶剂的量大于等于5cc,优选地为8-lOcc。在预处理过程中,为了有效减少随后形成的光刻胶层中气泡,所述有机溶剂的涂布时间大于等于5秒;为了节省有机溶剂使用量,同时尽量减少对工艺时间的影响,涂布时间小于等于20秒,优选地,涂布时间为8-10秒。