目前,通常采用旋涂方法在半导体晶片表面形成光刻胶层,所述半导体晶片可以为裸片或者已经具有半导体结构或器件的晶片等,旋涂光刻胶的具体步骤包括在半导体晶片表面旋涂光刻胶层;通过旋转半导体晶片将多余的光刻胶甩出所述半导体晶片的表面之外,并使得半导体晶片表面不同位置的光刻胶厚度尽可能一致,并使光刻胶层中的溶剂挥发;进行边洗工艺(EBR)去除半导体晶片边缘和背面的光刻胶边圈。上述的涂胶工艺需保证在半导体晶片表面形成厚度均勻、并且没有缺陷的光刻胶层。然而,对采用上述旋涂方法形成光刻胶层进行质量检测时,发现在半导体晶片边缘的光刻胶层中存在大量微小的气泡。这些微小的气泡在后续刻蚀过程中会导致半导体晶片受到损伤,在其表面形成直径约为4000埃,深度约为1000埃的凹坑。图1A-1C为半导体晶片表面形成凹坑的示意图。如图IA所示,在半导体晶片101 表面形成光刻胶层102过程中,光刻胶层102中含有气泡103,气泡103上方的光刻胶层102 较薄。如图IB所示,后续刻蚀过程中,光刻胶层102也存在一定的消耗,因此可能导致气泡 103破裂从而露出光刻胶层102的表面,从而导致刻蚀气体穿过光刻胶层102并刻蚀半导体晶片101上的非刻蚀区。如图IC所示,去除光刻胶层102后,由于存在的气泡103导致在半导体晶片101表面形成凹坑104。当半导体晶片为裸片时,这些凹坑破坏了半导体晶片表面的平整度,从而使后续形成的半导体器件由于半导体晶片表面的平整度较差而出现重叠现象。当半导体晶片为已经具有半导体结构或器件的晶片时,刻蚀气体穿过光刻胶层对非刻蚀区进行刻蚀,会损坏已经形成的半导体结构或器件。无论是半导体器件的重叠现象还是半导体结构或器件的损坏,都会影响整个晶片上半导体器件的完整性,甚至会导致半导体晶片的报废,从而增加了生产成本,降低了良品率。因此,需要一种光刻胶的涂覆方法,以避免涂覆过程中在光刻胶层中形成气泡,防止刻蚀过程中在半导体衬底表面形成凹坑。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式
部分中进一步详细说明。