专利名称:差分电流采样电路的制作方法
技术领域:
本实用新型涉及一种差分电流采样电路。
背景技术:
在一些电路中,需要采集电路中某线路中的电流值。现有电路中的电流采样电路相对比较复杂,而且采用的双极型晶体管在集成电路中所占面积较大,切与其他器件工艺部兼容,速度也较慢。
实用新型内容本实用新型的发明目的在于针对上述存在的问题,提供一种差分电流采样电路。·本实用新型采用的技术方案是这样的一种差分电流采样电路,包括采样电流输入端、电压输出端和控制脉冲输入端,该电路还包括五只PMOS晶体管和六只NMOS晶体管。采样电流输入端连接至第一 NMOS晶体管的漏极;电压输出端连接至第六NMOS晶体管的源极;控制脉冲输入端连接至第六NMOS晶体管的栅极。电压源连接至第一 PMOS晶体管的源极、第二 PMOS晶体管的源极、第三PMOS晶体管的源极、第四PMOS晶体管的源极和第五PMOS晶体管的源极;地连接至第一 NMOS晶体管的源极、第二 NMOS晶体管的源极、第三NMOS晶体管的源极、第四NMOS晶体管的源极和第五NMOS晶体管的源极;所述第一 PMOS晶体管的漏极连接至第二 PMOS晶体管的漏极、第一NMOS晶体管的栅极、第二 NMOS晶体管的栅极和漏极,栅极连接至第五NMOS晶体管的漏极、第六NMOS晶体管的漏极、第四PMOS晶体管的栅极、第五PMOS晶体管的栅极和漏极;所述第五PMOS晶体管的栅极连接至第四PMOS晶体管的栅极;第一NMOS晶体管的栅极连接至第
二NMOS晶体管的栅极;第三NMOS晶体管的漏极连接至第二 PMOS晶体管的栅极、第三PMOS晶体管的栅极和漏极,栅极连接至第四PMOS晶体管的漏极、第五PMOS晶体管的栅极、第四PMOS晶体管的栅极和漏极。在上述的电路中,所述第一 PMOS晶体管、第二 PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管和第五PMOS晶体管为参数相同的PMOS晶体管。在上述的电路中,所述第一 NMOS晶体管、第二 NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第五NMOS晶体管和第六NMOS晶体管为参数相同的NMOS晶体管。综上所述,由于采用了上述技术方案,本实用新型的有益效果是采用MOS管电路,在集成电路中占用面积小,工艺兼容,速度也较快。
图I是本实用新型差分电流采样电路的电路