专利名称:光刻胶的涂覆方法
技术领域:
本发明涉及半导体制造工艺,特别涉及光刻胶的涂覆方法。
背景技术:
光刻工艺是半导体制造技术中最频繁使用、最关键的技术之一,凡是半导体元件、 光电器件等,都需要用光刻工艺将所需元件的基本组成单元和线路的掩膜图形转移到衬底表面的光刻胶上。因此,光刻工艺的稳定性、可靠性和工艺成品率对产品的质量、良率和成本有着重要的影响。通常,光刻的基本工艺包括涂胶、曝光和显影等三大步骤。