世界集成电路发展历史1947年:美国贝尔实验室的约翰·巴丁、布拉顿、肖克莱三人发明了晶体管,这是微电子技术发展中第一个里程碑;1950年:结型晶体管诞生1950年: R Ohl和肖克莱发明了离子注入工艺1951年:场效应晶体管发明1956年:C S Fuller发明了扩散工艺1958年:仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路,开创了世界微电子学的历史;1960年:H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺1962年:美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管1963年:F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术,今天,95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺1964年:Intel摩尔提出摩尔定律,预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍1966年:美国RCA公司研制出CMOS集成电路,并研制出第一块门阵列(50门),为现如今的大规模集成电路发展奠定了坚实基础,具有里程碑意义1967年:应用材料公司(Applied Materials)成立,现已成为全球最大的半导体设备制造公司1971年:Intel推出1kb动态随机存储器(DRAM),标志着大规模集成电路出现1971年:全球第一个微处理器4004由Intel公司推出,采用的是MOS工艺,这是一个里程碑式的发明1974年:RCA公司推出第一个CMOS微处理器18021976年:16kb DRAM和4kb SRAM问世1978年:64kb动态随机存储器诞生,不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管,标志着超大规模集成电路(VLSI)时代的来临1979年:Intel推出5MHz 8088微处理器,之后,IBM基于8088推出全球第一台PC1981年:256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世1984年:日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM1985年:80386微处理器问世,20MHz1988年:16M DRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路(VLSI)阶段1989年:1Mb DRAM进入市场1989年:486微处理器推出,25MHz,1μm工艺,后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺1992年:64M位随机存储器问世1993年:66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μm工艺1995年:Pentium Pro, 133MHz,采用0.6-0.35μm工艺;1997年:300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μm工艺1999年:奔腾Ⅲ问世,450MHz,采用0.25μm工艺,后采用0.18μm工艺2000年:1Gb RAM投放市场2000年:奔腾4问世,1.5GHz,采用0.18μm工艺2001年:Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。2003年:奔腾4 E系列推出,采用90nm工艺。2005年:intel 酷睿2系列上市,采用65nm工艺。2007年:基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。