在具体程序中, “1”场变反为“0”场是按序选择地址,并通过写入这些地址而产生的,在两次读出之间有一 次写操作。 移动变反法测试包括了功能测试和动态测试, 功能测试保证被测存储单元不受读、 写其他存储单元的影响, 动态测试预测最坏和最好条件下的取数时间, 并预测地址变换对这 些时间的影响。 这种测试方法易于实现,它是在跳步算法[1]的基础上,通过改变跳步的长度,减小 了算法的复杂度。 移动变反法测试是一种具有良好功能测试和动态测试特点的测试图形, 并 且所需的测试时间较短, 在很多情况下都有很好的效果。 尤其是对于较大容量存储器的测试, 该方法特别有效。 移动变反法还可以作进一步扩展,即对数据做移动变反处理。以芯片为 32 位总线 例,首先对存储器各单元写入 0xAAAAAAAA,检验并擦除,然后对存储器写入 0xCCCCCCCC, 检验并擦除, 以后依次写入 0xF0F0F0F0, 0x0F0F0F0F, 0xFF00FF00, 0x00FF00FF,0xFFFF0000,0x0000FFFF, 0xFFFFFFFF,0x0,都在检验所写的正 确性后再擦除数据。其原理与地址移动变反相同,在此不再赘述。 4.测试方法的综合使用和流水测试 以上,从算法的角度上提高了 FLASH 芯片的可测性。虽然 NOR、NAND 型 FLASH 结构不同,但由于以上算法都可通过计算,顺序产生测试图形,因此可通用于以上两类器件 的测试中。 上述三种方法各有优点, 在实际应用中可配合使用。 地址奇偶性图形测试最为方便高效, 因为在写入图形过程中每次只改变一位地址线, 而且写入的是相反的数据, 所以如果哪一位 地址线出现短路立刻会被检查出来, 使用该方法最适宜检验地址译码器的故障。 齐步法适于 用来检验多重地址选择与译码器的故障,并且可以检测写入时噪声对存储芯片特性的影响, 它能保证正确的地址译码和每个存储单元存储“1”和“0”信息的能力。