GB 50150--2006规定:当对电流互感器绝缘性能有怀疑时,可采用高压法进行试验,试验电压在(0.5~1)um/3范围内。在进行电容型电流互感器tanδ分析时,不仅要看绝对值,还要看不同试验电压下的tanδ变化值。电流互感器绝缘良好时,在一定电压范围内tanδ一般随着电压升高变化很小,如图ZY1800503002-9(a)所示。 绝缘有缺陷时tanδ变化则较显著,绝缘受潮介质损耗增加使绝缘温度增高,造成tanδ迅速加大,电压下降时由于介质损耗增大导致介质发热,使损耗增加而不能回到原来响应电压下的tanδ数值,如图ZY1800503002-9(b)所示。 在绝缘产生局部放电时,tanδ不随电压升高,当达到局部放电起始电压时tanδ急剧增加,当电压下降到局放熄灭电压时,曲线重合。熄灭电压越低,绝缘局部缺陷越严重。绝缘产生气隙局部放电的tanS=f(U)曲线如图ZY1800503002-9 (c)所示。 电流互感器主绝缘含有离子型杂质会造成随着试验电压升高tanδ下降的情况,在交流电场下,随着电场的加强,离子运动速度加快,离子在纸层间或油中的迁移被阻拦,表现在电流上为有功分量波形畸变,有功电流波形畸变后超前电压一个角度,使tanδ减小。一般为制造和检修质量问题,多为干燥不彻底,潮气浸入绝缘内部,或油被污染等情况造成的,如图ZY1800503002-9 (d)所示。 (3)高压电容量和介质损耗测试时并联电阻Rb和tanδ及电容量Cx的计算。扩大量程10倍(n=10)时,R4b=1000/π,Rb、tanδ及电容量Cx的计算式为 Rb=R4/(n-1)=3184/(10-1)=3538(Ω) (式ZY1800503002-5) tanδ=tanδb/n Cx=Cxb/n 式中 R4:——Z4桥臂标准电阻(10000/π),Ω; R4b ——R4与Rb并联后的阻值,Ω; tanδb——并联电阻后的介损值%; Cxb——并联电阻后的电容值,pF。 (4)电流互感器tanδ综合判断。 将测试值和规程值比较、与被试品历年数据比较、与同类设备测试数据比较,并观察测试数据变化趋势、观察测试数据变化速率、观察电容量变化,必要时测量介质损耗与电压变化曲线,若测试数据变化明显,应配合其他试验进行综合判断。 *