为了彻底了解本发明,将在下列的描述中提出详细的步骤,以便说明本发明的光刻胶的涂覆方法。显然,本发明的施行并不限定于半导体领域的技术人员所熟习的特殊细节。本发明的较佳实施例详细描述如下,然而除了这些详细描述外,本发明还可以具有其他实施方式。本发明的光刻胶的涂覆方法的步骤如下首先,提供半导体晶片;接着,对半导体晶片进行预处理,该预处理步骤包括向半导体晶片的表面涂布有机溶剂,以去除半导体晶片表面的杂质;然后,涂覆光刻胶,形成光刻胶层。该方法通过执行预处理步骤,在随后形成的光刻胶层中几乎不包含气泡,从而避免刻蚀过程中,由于光刻胶的消耗导致刻蚀气体穿过气泡而对半导体晶片造成损伤。下面将结合具体实施例对本发明的方法进行详细描述。图2为根据本发明的光刻胶的涂覆方法的工艺流程图。在步骤201中,提供待执行光刻工艺的半导体晶片,此半导体晶片可以为裸片或者已经具有半导体结构或器件的晶片等,该半导体晶片需要涂布光刻胶,以执行光刻工艺。可选地,对所述半导体晶片表面进行成底膜处理,成底膜处理为在脱水烘焙后的半导体晶片表面利用六甲基二硅胺烷(HMDQ进行成膜处理,以增强半导体晶片和光刻胶之间的粘附性。在步骤202中,对半导体晶片进行预处理,该预处理步骤包括向半导体晶片的表面涂布有机溶剂,以去除半导体晶片表面的杂质。所述有机溶剂选自乳酸乙酯(EL)、单乙基醚丙二醇(PGMA)、丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)和N-甲基_2_砒咯酮(NMT)等中的一种或多种。