RAS-to-CAS Delay(tRCD) ,内存行地址传输到列地址的延迟时间。 Row-precharge Delay tRP)内存行地址选通脉冲预充电时间。 ( , Row-active Delay tRAS) ( , 内存行地址选通延迟。 这是玩家最关注的 4 项时序调节, 在大部分主板的 BIOS 中可以设定, 内存模组厂商也有计划的推出了低于 JEDEC 认证标准的低延迟型超频内存模组, 在同样频率 设定下,最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存 性能,幅度在 3 至 5 个百分点。 在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时,一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是 “CL-tRCD-tRP-tRAS” ,现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧?!^_^下面就这几个参 数及 BIOS 设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍: 一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置 首先, 需要在 BIOS 中打开手动设置, BIOS 设置中找到 在 “DRAM Timing Selectable” , BIOS 设置中可能出现的其他描述有:Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD 等,将其值设为“Menual” (视 BIOS 的不同可能 的选项有:On/Off 或 Enable/Disable) ,如果要调整内存时序,应该先打开手动设置,之后 会自动出现详细的时序参数列表: Command Per Clock(CPC) 可选的设置:Auto,Enable(1T),Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC:指令比率,也有翻译为:首命令延迟),一般还被描述为 DRAM Command Rate、CMD Rate 等。