5.6三极管的电流放大作用
知识点概述:
1、三极管的基本结构;
2、三极管电流放大的内部结构特点;
3、三极管电流放大的外部条件;
4、三极管电流放大的原理
(第6讲 三极管的电流放大作用)
6.1 半导体三极管结构及其符号
1、双极型晶体管,简称晶体管,因为他又两种极性的载流子,即电子和空穴同时参与导电而得名。常见的晶体管由2个PN结组成,按其工作方式可分为:NPN型和PNP型。命题管文字符号为
。
晶体管结构及实物图
2、晶体管结构示意图
(1)3区3极2结
基区引出的电极称为基极(B)
发射区引出的电极称为发射极(E)
集电区引出的电极称为集电极(C)
发射区与基区之间的PN结称为发射结
集电区和基区之间的PN结称为集电结
3区3极2结
6.2半导体三极管电流放大原理
1、NPN型电流放大所需的内部结构特点:
(1)基区:厚度最薄,掺杂浓度最低
(2)发射区:掺杂浓度最高
(3)集电区:面积最大
电流放大所需的内部结构特点:
2、电流放大所需的外部结构特点:
(1)在三极管基极(B)加上基极电源
及基极电阻
(2)在集电极(C)加上集电极电源
及集电极电阻
(3)且要满足
>
此时,晶体管形成了两个回路,基极回路和集电极回路,发射极为公共端,这种接法称为共发射极电路。
电流放大所需的外部结构特点
3、外部条件(从电位角度看):
(1)
>
,发射结加的是正向电压,即发射结正偏
(2)
>
,集电结加的是反向电压,即发射结反偏
外部条件(从电位角度看):
4、以晶体管载流子的运动规律来研究晶体管的电流分配及放大原理
载流子在晶体管内部的运动可分为三个区域来分析:
(1)发射区(E)向基区(B)扩散电子,因为发射结正偏,发射区(E)的多数载流子(即电子)将向基区(B)扩散形成电流
,同时,基区(B)的多数载流子(即空穴)也向发射区扩散,但由于基区较薄,而且空穴浓度也较低,所以进入基区(B)的电子只有少部分与这些空穴进行附和,形成
。
(2)电子在基区(B)的扩散与附和,由于发射区(E)