第 1 章 习题答案 1. 判断题:在问题的后面括号中打√或×。 (1)当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。 (√) (2)当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。 (×) (3)线性电路一定是模拟电路。(√) (4)模拟电路一定是线性电路。(×) (5)放大器一定是线性电路。(√) (6)线性电路一定是放大器。(×) (7)放大器是有源的线性网络。(√) (8)放大器的增益有可能有不同的量纲。(√) (9)放大器的零点是指放大器输出为 0。(×) (10)放大器的增益一定是大于 1 的。(×) 2 填空题: (1)放大器输入为 10mV 电压信号,输出为 100mA 电流信号,增 益是 10S 。 (2)放大器输入为 10mA 电流信号,输出为 10V 电压信号,增益 是 1KΩ 。 (3)放大器输入为 10V 电压信号,输出为 100mV 电压信号,增益 是 0.01 。 (4)在 输入信号为电压源的 情况下,放大器的 输入阻抗越大越好。 (5)在 负载要求为恒压输出的 情况下,放大器的 输出阻抗越大越好。 (6)在 输入信号为电流源的 情况下,放大器的 输入阻抗越小越好。 (7)在 负载要求为恒流输出的 情况下,放大器的 输出阻抗越小越好。 (8)某放大器的零点是 1V,零漂是+20PPM,当温度升高 10℃时, 零点是 1.0002V 。 (9)某放大器可输出的标准正弦波有效值是 10V,其最大不失真正 电压输出+UOM 是 14V ,最大不失真负电压输出-UOM 是 -14V 。 (10)某放大器在输入频率 0~200KHZ 的范围内,增益是 100V/V, 在频率增加到 250KHZ 时增益变成约 70V/V,该放大器的下限 截止频率 fL 是 0HZ ,上限截止频率 fH 是 250KHZ , 通频带 fBW 是 250KHZ 。 3. 现有:电压信号源 1 个,电压型放大器 1 个,1K 电阻 1 个,万 用表 1 个。如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻 抗及输出阻抗,请写出实验步骤。 解:提示:按照输入阻抗、输出阻抗定义完成,电流通过测电阻压降 得到。 4. 现有:宽频信号发生器 1 个,示波器 1 个,互导型放大器 1 个, 1K 电阻 1 个。如通过实验法求放大器的通频带增益、上限截 止频率及下限截止频率,请写出实验步骤。 解: 提示:放大器输入接信号源,输出接电阻,从 0HZ 开始不断加 大频率,由示波器观测输入信号和输出信号的幅值并做纪录, 绘出通频带各点图形。 第 2 章 习题答案 1. 概念题: (1)常温下,N 型半导体在导电时有空穴载流子参与吗?( 有 ) P 型半导体在导电时有电子载流子参与吗?( 有 ) (2)在不加外电压时,PN 结内部有没有电子的运动?( 有 ) 将 P 极和 N 极相连并串接电流表会有电流指示吗?( 无 ) (3)PN 结加正向电压时空间电荷区将变宽吗( 不是 )P+N 结 加反向电压哪边将变得更宽( N 边 ) (4)作漂移运动的一定是少数载流子吗?( 不一定 )处于放 大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的吗?( 是 ) (5)拿 2 个二极管可否组成 1 个三极管?( 不行 )三极管可 否当二极管用?( 可以 ) (6)下列哪些元件为双极型器件?(A、B)哪些元件为单极型 器件?(C、D) A. 二极管、稳压管 B.三极管 C. 结型场效应管 D. MOS 管 (7)H 参数等效模型适合( A、C、D )。 A. 中低频电路 B. 高频电路 C. 小信号输入 D. 交流分析 (8)UGS=0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有( A、C )。 A. 结型场效应管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS 管 (9)半导体导电特征和金属导电的特征的不同点是 电子和 空穴都参与导电 。 (10)二极管主要的特点是 单向导电性 ,确保二极管安全工作 的两个主要参数分别是 最大整流电流 和 最大反向电压 。 (11)在常温下,硅二极管的门槛电压约为 0.5 V,导通后在 较大电流下的正向压降约为 0.7 V;锗二极管的门槛电压约为 0.1 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。 (12)某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳 压管的稳压值将 上升 。 (13)将 3V 和 6V 的两个稳压管以正反方向及串并联进行组合, 可得到 5 种有效的形式,等效稳压值分别为 3V、9V、3.7V、6.7V 、 0.7 。 (14)PN 结具有结电容效应,凡用 PN 结组成的电子元件,在 信 号频率 较高时必须考虑这种效应。 (15)变容二极管在工作时也要加偏置电路吗?( 需要 )发光 二极管在工作时要串联一个电阻,否则 会因电流过大而损坏 。 (16)三极管输出特性曲线中饱和区和放大区的分界线标志为 UCB=0 ,截止区和放大区的分界线标志为 IB=0 或 IC=ICEO 。 (17)当三极管工作在放大区时,两个 PN 结的特征是 发射 结正偏、集电结反偏 。 (18)耗尽型 FET 管输出特性曲线中可变阻区和恒流区的分界线 标志为 UGD=UGS(off) ,截止区和恒流区的分界线标志为 UGS= UGS(off) ;增强型 FET 管输出特性曲线中可变阻区和恒流区的分界线 标志为 UGD=UGS(th) ,截止区和恒流区的分界线标志为 UGS= UGS(th) 。 (19) 在 0< |UGS|<|UGS(off)|,|UGD|>|UGS(off)| 且二者同号的 前提下,JFET 管或耗尽型 MOS 管工作在放大区。 (20)当 N 沟道增强型 MOS 管工作在放大区时,其外部管脚间 的电压特征是 |UGS|>|UGS(th) , 号。 |UGD|<|UGS(th)| 且二者同 2.如图 2-64 所示电阻分压式电路,输入电压 ui 为正弦信号,峰 值为 0~100V。要求输出 uo 为 0~5V,输出阻抗小于 1kRΩ1 ,分压精度 + + 优于 1‰,请给出 R1、R2 的阻值、功率和精度。 u i R2 u o _ _ 图 2-64 习题 2 电路图 解:根据输出阻抗要求,选 R2=1kΩ,则 R1=19kΩ;因功率为 (0.707*50)2/20=62mW,故电阻功率选 1/4W;有风压精度要求,选电 阻的精度等级为 0.05%。 3. 如图 2-65 所示,电路输入 ui 为 220 V、50Hz 交流电压,断 开电容 C 画出 ui、uo 对应波形;如果把 C 接入,请分析 uDo 波形的变 + 化,并说明对 C 有何作用?如何选择其何参数? ui _ 解: + C R uo _ 提示:断开 C 时,为单向整流; 图 2-65 习题 3 电路图 接入 C 时为整流滤波电路, C 的耐压大于 250V (波形略) 4.电路如图 2-66 所示,ui 为 127V、400Hz 交流电压,画出 ui 和 uo 对应波形。并说明电感 L 有何作用?如何选择D其参数L? + ui C1 _ + C2 R L uo _ 图 2-66 习题 4 电路图 解: 该电路是半波整流 LCπ型滤波电路;L 的作用是抑制电流的变化, 使输出波形平滑。 (波形略) 5.二极管电路如图 2-67 所示,试判断图中的二极管是导通还是 截止,并求出 A、O 两端电压 UAO。设二极管是理想二极管。 D 12V (a) A 6kΩ 18V O D A 6kΩ 18V 12V O (b) D1 D2 9V (c) A 10kΩ 15V O D1 9V 6V 图 2-67 习题 5 电路图 D2 (d) A 10kΩ 15V O 解:(a)导通,-12V (b)截止,-12V (c)D1 截止,D2 导通,-9V (d)D1 截止,D2 导通,6V 6 . 电路如图 T2.6 所示,输入 ui 为三角波,峰—峰值为±10 V。 (1)设 D1、D2 管压降为 0.7V,画出 uo 的对应波形和输入输出特 性图。 (2)若 D1、D2 为理想二极管,uo 波形会有什 么变化。 解:(1)见下图 (2)上下限幅值该为 5V、-4V。 R + D1 ui 5V _ + D2 uo 4V _ 图 2-68 习题 6 电路图 ui +10V -10V u0 +5.7V -4.7V uo t +5.7V -4.7V +5.7V ui t -4.7V 输入、输出波形 输入输出特性图 习题 6 答案图 7. 电路如图 2-69(a)所示,D 为普通硅稳压管,E=12V。 (1)图 2-69(b)为稳压管 D 的特性曲线,当 us=0V 时,在图(a) 电路中,要使 D 分别工作在 Q1、Q2、Q3,则 R 的值分别应为多少? (2)us 为峰值是 1V 的正弦信号,D 工作在 Q2 点,请画出 uo 的波 形并计算出 D 上的输出信号有效值。 + us_ 12V R D (a) iD/mA 20 + 10 uo 2 _ 0 图 2-69 习题 7 电路图 Q3 Q2 Q1 0.6 0.7 0.8 (b) uD /V 解:(1)R1 12 0.6 2 5.7k ,R 2 12 0.7 10 1.13k ,R 3 12 0.8 20 0.56k (2) uo rd R2 rd us 2.3sin ωt(mV) U om 2.3 2 1.6mV (2)波形略 8. 电路如图 2-70(a)所示,D 为理想二极管。设输入电压 ui(t) 510Ω + u i( t) _ D 510Ω 5V + u o( t) _ (a) (b) 图 2-70 习题 8 电路图 的波形如图 2-70(b)所示,在 0