在我的 BH-6 上,参数从 8ns 到 7ns 在 Latency Test 的测试结果中有 1ns 的区别。从 7ns 调低 6ns 后, 测试结果又减少了 2ns。 DFI 主板建议设置:BIOS 中的默认值为 7ns,建议大家在 5-10 之间调节。6ns 对内存 的要求就比较高了, 建议使用 BH-5 和 UTT 芯片的用户可以尝试一下, 但对 TCCD 不适用。 7ns 的要求低一些,UTT 和 BH-5 设为 7n 比较适合超频。8ns 对 UTT 和 BH-5 就是小菜一碟,8ns 时 TCCD 通常能稳定运行在 DDR600,如果想超频到 DDR640 就必须设为 9ns 甚至更高了。 Read Preamble Time 可选的设置:Auto,2.0-9.5,步进值为 0.5。 Read Preamble Time 这个参数表示 DQS(数据控制信号)返回后,DQS 又被开启时的 时间间隔。 Samsung 早期的显存资料显示, 这个参数是用以提升性能的。 信号是双向的, DQS 无论从图形控制器到 DDR SGRAM 还是从 DDR SGRAM 到图形控制器都起作用。 DFI 主板建议设置:BIOS 中的该值设置为 Auto 时,实际上此时执行的是默认值 5.0。 建议大家在 4.0-7.0 之间调节,该值越小越好。 Idle Cycle Limit 可选的设置:Auto,0-256,无固定步进值。 Idle Cycle Limit 这个参数表示“空闲周期限制” 。这个参数指定强制关闭一个也打 开的内存页面之前的 memclock 数值,也就是读取一个内存页面之前,强制对该页面进行重 充电操作所允许的最大时间。 DFI 主板建议设置:BIOS 中的该值设置为 Auto 时,实际上此时执行的是默认值 256。 质量好的内存可以尝试 16-32, (WINBOND) 华邦 BH-5 颗粒的产品能稳定运行在 16。 Idle Cycle Limit 值越低越好。 Dynamic Counter 可选的设置:Auto, Enable, Disable。 Dynamic Counter 这个参数表示“动态计数器” 。这个参数指定开启还是关闭动态空闲 周期计数器。如果选择开启(Enable) ,则会每次进入内存页表(Page Table)就强制根据页 面冲突和页面错误(conflict/page miss:PC/PM)之间通信量的比率而动态调整 Idle Cycle Limit 的值。这个参数和前一个 Idle Cycle Limit 是密切相关的,启用后会屏蔽掉当前的 Idle Cycle Limit,并且根据冲突的发生来动态调节。 DFI 主板建议设置: BIOS 中的该值设置为 Auto 和关闭和一样的。 打开该设置可能会提 升性能,而关闭该设置,可以使系统的更稳定。 R/W Queue Bypass 可选的设置:Auto,2x,4x,8x,16x。 R/W Queue Bypass 表示“读/写队列忽略” 。这个参数指定在优化器被重写及 DCI (设 备控制接口:Device Control Interface)最后一次的操作被选定前,忽略操作 DCI 的读/ 写队列的时间。这个参数和前一个 Idle Cycle Limit 是相类似,只是优化器影响内存中的 读/写队列。 DFI 主板建议设置:BIOS 中的该值默认为 16x。如果你的系统稳定,则保留该值。但 如果不稳定,或者要超频,就只有降低到 8x 甚至更低的 4x 或 2x。该值越大,则说明系统 性能越强,该值越小,则会是系统越稳定。 Bypass Max 可选的设置:Auto, 0x-7x, 步进值为 1。 Bypass Max 表示“最大忽略时间” 。这个参数表示优化器选择否决之前,最后进入 DCQ (Dependence Chain Queue)的可以被优化器忽略的时间。仔细研究后,我觉得这个参数会 影响内存到 CPU 内存控制器的连接。 DFI 主板建议设置:BIOS 中的该值默认为 7x。