光敏晶体管漏电流变大的失效分析与控制薄鹏, 张伟, 孟猛(中国空间技术研究院北京100029)摘要: 论述了 某光敏晶体管 CE 极之间漏电流变大的失效机理。 通过对器件电性能测试、 结构解剖、 扫描电镜检查和能谱分析, 证实了 银离子迁移是导致该光敏晶体管 CE 极漏电变大的主要失效机理。 从理论上阐述了银离子迁移的环境条件, 从生产和使用两个方面提出 了避免或减少银离子迁移的控制措施。关键词: 光敏晶体管; 漏电流; 银离子迁移; 失效分析中图分类号: TN 364+.3文献标志码: A文章编号: 1672-5468 (2013) 04-0011-03doi:10.3969/j.issn.1672-5468.2013.04.003