点击晶体管库(Transistors)图标 ,展开后如 图18所示。 1.达林顿管阵列(Darlington Array) 达林顿管阵列提供大的驱动电流,可带动大的负载。 2.NPN晶体管(BJT_NPN) 双极性的晶体管用BJT表示,有NPN和PNP两种类型。该 元件箱中的元件仿真各生产厂家的具体型号,选取使用。 图18 晶体管库 虚拟NPN晶体管(BJT_NPN_Virtual) 虚拟NPN晶体管为理想元件,参数可在Edit Modle对话 框中设置。 4.PNP晶体管(BJT_PNP) 8.达林顿NPN晶体管(Darlington_NPN)达林顿NPN晶体管又称为复合晶体管,它由两个晶体管 连接而成,可获得很大的电流增益和很高的输入电阻。 9.达林顿PNP晶体管(Darlington_PNP) 10.BJT晶体管阵列(BJTArray) BJT晶体管阵列是将若干个晶体管封装在了一起,在具 体使用时,可根据需要选用其中的几只。 11.MOS门控制的功率开关(IGBT) IGBT是一种MOS门控制的功率开关,具有非常小的导 通阻抗。 12.三端N沟道耗尽型MOS管(MOS_3TDN) MOS管是金属氧化物绝缘栅场效应管的简称,根据沟 道的不同有P沟道和N沟道之分;根据沟道是否存在,有耗 尽型和增强型之分。三端MOS管是将其衬底和源极在内部 连接在一起的MOS管。 1虚拟三端N沟道耗尽型MOS管(MOS_3TDN_ Virtual) 15.虚拟三端P沟道耗尽型MOS管(MOS_3TDP_Virtual) 17.虚拟三端N沟道增强型MOS管(MOS_3TEN_Virtual) 19.虚拟三端P沟道增强型MOS管(MOS_3TEP_Virtual) 20.四端N沟道耗尽型MOS管(MOS_4TDN)四端MOS管是将衬底作为电极单独引出的MOS管。 21.四端P沟道耗尽型MOS管(MOS_4TDP) 24.N沟道JFET(JFET_N)JFET是指结型场效应管,有N沟道和P沟道之分。 25.虚拟N沟道JFET(JFET_N_ Virtual) 27.虚拟P沟道JFET(JFET_P_Virtual) 28.N沟道砷化镓FET(GaAsFET_N)砷化镓场效应管(GASFET)属于高速场效应管,通常用 在微波电流中。 29.P沟道砷化镓FET(GaAsFET_P) 30.N