在步骤302中,在半导体晶片表面涂覆光刻胶。涂胶工艺例如是采用动态喷涂法,即先使半导体晶片以较低的速度旋转,此时光刻胶喷嘴移动至半导体晶片中央或靠近中央区域的上方位置,将光刻胶喷涂于晶片表面。 喷出的光刻胶的用量根据要形成的光刻胶层的厚度决定,光刻胶的种类根据光刻工艺的工艺参数,例如线宽,以及刻蚀工艺的工艺参数决定。低速旋转的作用是帮助光刻胶最初的扩散。用这种方法可以用较少量的光刻胶达到均勻的光刻胶膜。光刻胶扩展开之后,加速至高速甩开光刻胶,使光刻胶扩展得到光刻胶层。通过旋转将多余的光刻胶甩出所述半导体晶片的表面之外,使半导体晶片表面不同位置的光刻胶厚度尽可能一致,并使光刻胶层中的溶剂挥发。在步骤303中,边洗去除半导体晶片边缘和背面的光刻胶边圈。所述边圈为在半导体晶片旋转过程中,由于离心力光刻胶向半导体晶片边缘流动并流到背面,而阻碍半导体晶片边缘和背面形成的光刻胶隆起。干燥后,边圈会脱落,导致晶片污染。因此,光刻胶涂覆完成后,需要进行边洗工艺。综上所述,根据本发明的方法存在以下优点第一,在涂覆光刻胶之前,先执行预处理步骤,可以使随后形成的光刻胶层中几乎不包含气泡,从而避免刻蚀过程中,由于光刻胶的消耗导致刻蚀气体穿过气泡而对半导体晶片造成损伤;第二,选择RRC涂布所用溶剂作为预处理的有机溶剂,可以直接通过RRC喷嘴在半导体晶片表面进行喷涂,这样可以简化工艺步骤,避免对光刻胶涂布装置的改造。根据如上所述的实施例制造的半导体器件可应用于多种集成电路(IC)中。根据本发明的IC例如是存储器电路,如随机存取存储器(RAM)、动态RAM(DRAM)、同步 DRAM (SDRAM)、静态RAM(SRAM)、或只读存储器(ROM)等等。