发展世界半导体行业巨头纷纷到国内投资,整个半导体行业快速发展,这也要求材料业要跟上半导体行业发展的步伐。可以说,市场发展为半导体支撑材料业带来前所未有的发展机遇。台湾全年经济指标较乐观的是「民间投资」,但智库学者指出,「民间投资」竟都是靠半导体业支撑,国内其他产业的竞争力必须再「加把劲」。主计总处预估,因半导体业者扩大资本支出,民间投资总金额上升至2.9兆元,我国固定资本投资占国内生产毛额(GDP)比重可略升至19.8%。台综院日前虽将GDP预测值从往年年底的3.57%大幅下修至2.14%,但唯一较乐观的就是民间投资成长率部分,由原本的5.71%上修至6.49%。　　智研数据研究中心调查员表示:国内「民间投资最主要就是半导体」;1到4月,海关进口设备总值达3600亿元,虽较同期增加300亿元,但光是台积电一家公司的投资就增加超过300亿元,「若扣除半导体产业,其他行业的投资额是负成长。」台综院院长吴再益担忧,从产业角度来看,台湾产品近年来附加价值率愈来愈低,不仅不敌南韩,还面对中国大陆的强力竞争,主因就是厂商不愿加码进行投资,「没有研发、没有投资,怎么提升产业竞争力?」吴再益指出,GDP很多构成因素,如「民间消费」、「输出」等都不看好,唯有民间投资一项令人期待;但半导体业的投资占整个制造业投资的七、八成,突显出的是「其他产业加起来,竟然只有二、三成」。吴再益表示,国内产业不论是资金或是其他资源,都过度集中,「我们是否只能押宝这几个产业?」若全球经济动荡,国内相对连带冲击也势必加剧。阻碍1)产品开发能力顺应半导体工业的发展,一些比较先进的封装类型将具有较大的市场需求,与此相适应的引线框架产品的需求量将会逐年上升。引线框架生产企业需要投入巨额资金购买设备和进行技术研发,资金不够充裕、技术研发实力弱小的企业将随着中低端产品的需求量的下降而被市场淘汰。缺乏产品的设计开发能力,将难以适应市场不断变化的需求,难以取得较大的市场份额。(2)产品制造能力引线框架制造方法有冲压法和蚀刻法两种。冲压法可进行高速大批量低成本生产,但是需要具备较强的模具设计和制造能力,模具制造成本较高,不适合多脚位小批量生产;蚀刻法初期投资少,设计有机动性,适合新产品开发和多脚位、小间距、中小批量生产,但产品价格高,生产效率低,不适合大批量生产。目前我国引线框架企业大都采用冲压法对市场需求量较大的引线框架产品进行大批量生产。由于引线框架具有较高的精密度要求,企业的模具设计和制作能力决定了产品成率的高低,这些能力的取得需要依赖多年经验的积累。缺乏模具的设计和制造能力的企业难以适应市场需求变化。另一方面,随着人们环保意识提高,电子产品的环保要求也越来越高。随着世界各国纷纷出台电子产品的环保标准(例如欧盟的RoHS 指令、我国制定的《电子信息产品污染控制管理方法》等),绿色封装技术成为企业进入市场的通行证。新的生产工艺和方法对企业的产品创新能力提出更高的要求,提高了行业进入壁垒。(3)客户资源根据半导体行业的特性,产品在向下游企业供货前,必须先经过下游企业严格的合格供应商认证,认证标准通常远远高于国家或行业制定的标准,而且认证周期较长,一般在半年以上,严格的合格供应商认证制度使新企业进入行业难度增大。　　(4)资金需求量大引线框架行业属于资金密集型的行业,行业的进入需要较高的资金投入购买相关设备。近年来,引线框架的主要原材料铜带价格持续上涨,公司运营需要大量的流动资金,增加了行业新进入者的市场风险。影响因素1、有利因素(1)产业政策2011 年3 月,国家发展和改革委员会颁布的《产业结构调整指导目录(201年本)》明确了我国产业结构调整的方向和重点,其中将“半导体、光电子器件、新型电子元器件等电子产品用材料”列入鼓励类投资项目。2011 年12 月,国家发展改革委和商务部公布的《外商投资企业产业指导目录》(2011 年修订)将“电子专用材料开发与制造(光纤预制棒开发与制造除外)”列入鼓励外商投资产业目录。2012 年2 月,国家工业和信息化部颁布的《电子信息制造业“十二五”发展规划》中提出,在关键电子元器件和材料方面,积极发展用于支撑、装联和封装等使用的金属材料、非金属材料和高分子材料;在放光二极管(LED)方面,加大对封装结构设计、新封装材料、新工艺、荧光粉性能、散热机理的研究与开发。2012 年2 月,国家工业和信息化部颁布的《集成电路产业“十二五”发展规划》中提出,要加强12 英寸硅片、SOI、引线框架、光刻胶等关键材料的研发与产业化,支持国产集成电路关键设备和仪器、原材料在生产线上规模应用。(2)我国电子消费产品的市场巨大半导体产品主要应用领域包括计算机、消费电子、通信等。2008 年金融危机后,国家颁布了一系列措施促进国内需求增长,尤其是《电子信息产业调整和振兴规划》的颁布以及家电下乡、第三代移动通信网络、下一代互联网、数字广播电视网络、宽带光纤接入网络和数字化影院建设等一系列扩大内需措施的实施,电子信息产业的发展空间进一步拓展,直接拉动国内半导体相关产业发展。(3)产业转移经济全球化导致资本、技术、人员等生产要素在世界范围内大规模调整和重组,中国高速发展的经济,庞大的需求市场,日益完善的基础设施和较低的制造成本,以及先期进入的企业取得的良好发展业绩,进一步推动了全球IT产业向中国转移的步伐。在可预见的未来一段时间,全球经济结构调整与产业转移趋势仍将继续进行,对我国的产业转移还有很大的空间,为我国半导体产业提供了良好的发展机遇。国际半导体公司及半导体封装材料制造厂家向我国的转移,不仅扩大了我国半导体封装材料的市场规模,更将先进的技术带入我国,迅速提高我国半导体封装材料及半导体封装业的整体水平,必将带动行业的快速增长。2、不利因素(1)国内技术水平与国际技术水平存在差距目前,国际集成电路封装技术以BGA、CSP 为主流技术,而国内厂商则仍然以DIP、SOP、QFP 为主,产品以中、低端为主,发达国家在技术水平上占有优势。我国下游封装测试企业的技术水平决定了我国封装材料产品结构。目前我国引线框架产品主要以TO、DIP 等低脚数产品为主,高端引线框架产品无法自主生产或者无法进入高端封装测试企业的供应商行列。我国半导体行业的壁垒主要是技术壁垒,要在高端封装如BGA、CSP、SIP 等框架设计与制造上赶超国际先进水平,在技术、人才上有一定的困难。(2)原材料供应目前我国引线框架用铜合金带产品,在分立器件用引线框架铜带方面的生产和国外差距并不太大,但在集成电路用高端引线框架铜材的研究和生产方面还存在着较大的差距。主要表现为:一是合金材料的种类少、产品的规格少,不能和为数众多的电子封装材料相匹配;二是产品性能的均匀一致性及稳定性稍差,影响集成电路的性能可靠性和加工的高效化;三是对高精度带材产品的应用性能缺乏系统的研究,目缺乏系统的评价体系及简单易行的现场评价方法,影响其后续冲裁、电镀或蚀刻的使用。目前国内铜板带材高端产品尚需进口。(3)原材料价格波动剧烈铜带成本约占引线框架成本的70%,铜带的价格与金属铜的价格直接相关。近几年金属铜的价格波动幅度较大,对本行业内企业的生产经营产生一定负面影响。引线框架生产企业必须控制采购成本的同时,尽可能的研发、生产具有高附加值的产品,以降低原材料价格波动所带来的影响。 英文及解释SemiconductorA semiconductor is a material with an electrical conductivity that is intermediate between that of an insulator and a conductor. A semiconductor behaves as an insulator at very low temperature, and has an appreciable electrical conductivity at room temperature although much lower conductivity than a conductor. Commonly used semiconducting materials are silicon, germanium, and gallium arsenide. 命名之说 中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管 日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号;不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号;数字越大,越是近期产品。第五部分:用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。 美国半导体分立器件型号命名方法美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:第一部分:用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)-非军用品。第二部分:用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如:JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。 国际电子联合会半导体型号命名方法德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下:第一部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。第三部分:用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。第四部分:用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。除四个基本部分外,有时还加后缀,以区别特性或进一步分类。常见后缀如下:　　1.稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母,表示稳定电压值的容许误差范围,字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;其后缀第二部分是数字,表示标称稳定电压的整数数值;后缀的第三部分是字母V,代表小数点,字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。2.整流二极管后缀是数字,表示器件的最大反向峰值耐压值,单位是伏特。3.晶闸管型号的后缀也是数字,通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。如:BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管,AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法 欧洲有些国家命名方法第一部分:O-表示半导体器件第二部分:A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。第三部分:多位数字-表示器件的登记序号。第四部分:A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。 需突破的障碍在智能手机和平板电脑等移动终端市场的增长带动下,全球半导体产业发展充满希望,当前全球半导体产业年产值达3000亿美元左右。