要模 拟 并预 测运 算放 大 器 的噪声 倦包还是用纸和笔来完成, 情。确定一给定带宽柏噪声谱和总噪声是一项很烦 杂的工作,因为它要求把所有 的噪声源 ( 如电阻, 放大器等) 都考虑进去。虽然 分静 千 能力,值以往的造放宏模型 t 括Bo 。 模型} 都缺乏噪声参 数。典型的宏模型的内部殂抗由于与 实际的器件不完垒相符,用逮些模型泉盘行噪声分 栀, 常常出现不精确时错误。 为了解决避一 峒 题,『 模 拟器件公司 ( A DI) 的精密单片分韶开发了一种新 的模型模拟技术,该技术考虑了准确的 电压电流噪 声源,设计人员可 完垒进每系统级的噪声分析。 参3 (丁一) WD4002用PISCE 一 2B 器 件 模拟程序对浮动电场 限{}}的环形结构进行结击穿分析 一J unct ion brea- kd ow n a na ly s is o f a f Ioa t ing f ie Id- l Im it i n9 无论 是用 软 来就不是很在易的事 icd程序具有噪声 ring st ru c t ure us ing a P I SC E -·2B d ev ic e s }m u— latorC刊 , 英 ]/ Ma, T .S . ⋯ Soiid— Stat e E le— c t ! a ~i cs . - 1 992,介 绍了 一种对主要的半导体结与浮动 电场限制 的环形结构之阃的间距进行优化来改进击穿电压 的 方法。作者应用立柱座标把一种二维器件模拟程序 ( TMA P ISCE -~ 2B型9033) 扩展成 个 准三维模 拟程序 然后佣来分析这种绪构, . 并对设计方案的 选择进行评 价 绪与环形铀构的间距 以1. o 距从 0. s m变化到 5. 5 m。评价了每种结构的相关 55t 2) . 201~ 20 5 曲步 7 朵山。 章定隶 黄蜥. 三层捩工艺研究及其在 IC中 由 应用. 微细加工 技术.1992, ( 1) ; | 5 0 ~ 6 8杂 (V C O) 的工 艺 睾定 康黄 敞. 亚 檄 米高 速压 控 振茴 器 宜. 第方嗣垒国 电子柬离子 · 78· 结击穿特性。为了进行 比较, 柱体座标。 电场限制结构有单像护环和双保护环两 张 通过绘出卜 曲线,电场线、 碰 撞电离产生率、 电位 等 高 线和 电流 线, 确 定出 了这 些鳝 构的 击 穿特 性。 参 7 ( 丁一) W D 4003器件模拟 中接触 电流的计算一C alcula t i o n of c o nt a c t c u r r e nt s i n dev i c e si m u ta t io n 时采用了矩形和立 刊, 英 ~/ Na nz, G. ⋯ fE E E T ree s.C om‘ Pu— t e A id ed Des 1 992. 11 ( 1) . 一 1 28~ 1 5B 乍者介绍了在一器件梗拟程序申对接触 电流进 厅精确计算畴新方法。避种方涪适用于任_ 意磋状的 器件结构,= 茁用一 适当选择的权 函数对整巾转件区 所计算陶电疏密度进行体积分.然后予 以评价。讨 论了不商静类韵权函数,并用通常使用的话接 触上 的 线办 进 了芘 较。 用了 三个实l 痢 粟说 萌钎算 结 果,这三个侧子是 :一个I L 存 贮单元,一 一 个MOS 晶体管和一个带反向偏置二极管的电阻。 参7(丁一j W D 4~...