在“memory”这一项中有“channels”项目,如果这里显示“Dual”这样的字,就表示已经实现了双通道。两条256M的内存构成双通道效果会比一条512M的内存效果好,因为一条内存无法构成双通道。
过去内存模块在频宽与数据传输速度方面的进展,始终与中央处理器保持一定程度的落差,而随着中央处理器的运算速度越来越快,在理想的状况下必须同时提升前端总线(Front Side Bus) 以及内存总线 (Memory Bus) 的速度,以便让计算机系统能够表现出原先预期的效能,然而以单信道的内存速度以及总线的传输频宽,仍是无法应付中央处理器及前端总线的需求。
随着Intel将前端总线外频提升至800MHz ,中央处理器与北桥芯片之间的数据传输频宽将提升至6.4GB/s,而此一频宽不论是使用DDR266或是DDR333的内存模块,都不足以应付,必须同时搭配双通道 (Dual Channel)的DDR400内存规格才能达到6.4GB/s,以符合FSB800对频宽的需求。
规则:
要实现双通道模式, 必须满足以下条件:
在每个通道 DIMM 配置匹配
匹配在对称内存插槽
如果配置不满足上述条件恢复为单通道模式。 以下情况不需要满足:
品牌相同
计时规格相同
相同的速度 (MHz)
DIMM 模块中组装的速度最慢系统决定内存通道速度。
内存双通道内存扩展
NVIDIA推出的nForce芯片组是第一个把DDR内存接口扩展为128-bit的芯片组,随后英特尔在它的E7500服务器主板芯片组上也使用了这种双通道DDR内存技术,SiS和VIA也纷纷响应,积极研发这项可使DDR内存带宽成倍增长的技术。但是,由于种种原因,要实现这种双通道DDR(128 bit的并行内存接口)传输对于众多芯片组厂商来说绝非易事。DDR SDRAM内存和RDRAM内存完全不同,后者有着高延时的特性并且为串行传输方式,这些特性决定了设计一款支持双通道RDRAM内存芯片组的难度和成本都不算太高。但DDR SDRAM内存却有着自身局限性,它本身是低延时特性的,采用的是并行传输模式,还有最重要的一点:当DDR SDRAM工作频率高于400MHz时,其信号波形往往会出现失真问题,这些都为设计一款支持双通道DDR内存系统的芯片组带来不小的难度,