在单晶 SiGe 合金中, 由于 Si、 Ge 原子尺 寸相差较大, 而且Si 和 Ge 原子在晶格点阵中是随 机分布, 从而造成晶 格中 短程无序, 形成对短波声 子较强的 合金散射, 对长波散射作用 不明显。 所以在单晶 SiGe 合金中, 热导率主要来自 于长波声子的贡献。4. 2 粉末冶金法采用粉末冶金法制备的材料在均匀性和重复性上远不如用区熔法制备的。 但是采用粉末冶金法制备具有适当尺寸晶粒的材料中多晶晶界对声子的散射能进一步降低 晶格热 导率, 这一现象在 SiGe 合金中表现较为显著。 理论研究表明, 晶 界是长波声子的有效散射中心。 因此 通过采用 粉末 冶金法制 备多 晶材料, 可以获得较单晶 SiGe 更低的 热导率, 同时用粉末冶金法制备的 SiGe 材料的晶格热导率随晶粒尺寸的减小而降低, 从而可获得优值较高的材料。 用粉末冶金法制备出来的具有小晶粒结构的 SiGe 合金, 其晶格热导率比用区熔法制备的相应合金的热导率降低了 30% 左右[ 18], 充分利用了 晶界对声 子的散射作用。