发明人对不同的涂布时间进行对比试验发现随着涂布时间的延长,光刻胶层中的气泡含量不断减小。涂布时间为8-10秒既有效地控制了光刻胶层中的气泡含量,又兼顾了涂布时间过长可能对工艺时间产生的不利影响。此外,所述预处理还包括甩干涂布在半导体晶片上的有机溶剂。所述甩干时间大于等于2秒,优选地,为2-5秒。甩干过程的晶片转速为1000-2000rpm。因为对于大部分涂胶工艺来说,在涂胶之前(即预处理步骤之后,涂光刻胶之前) 都需要在半导体晶片表面进行光刻胶减量涂层(ResistReduction Coating,RRC)涂布。RRC 涂布所用溶剂的成分为质量比等于7 3的PGMA和PGMEA的混合溶液。因此,根据本发明优选实施方式的有机溶剂可以与RRC涂布所用溶剂具有相同的成分,从而利用现有的RRC 喷嘴就可以完成预处理,这样能避免改造现有的光刻胶涂布装置,以简化工艺步骤。在步骤203中,在半导体晶片表面涂覆光刻胶,形成光刻胶层。结合图3描述涂覆光刻胶的具体步骤。在步骤301中,向半导体晶片表面中央或接近中央的区域喷涂RRC涂布所用溶剂。 在半导体晶片表面先进行RRC涂布,可减少后续工艺中光刻胶在半导体晶片表面流动的阻力,有助于减小光刻胶的用量。接着,旋转半导体晶片,使RRC涂布沿半导体晶片表面向边缘铺开。其中,上述工艺中半导体晶片的旋转时间约为0.55-1. 55秒,旋转速度为 1500-2500rpm。通过旋转使得RRC涂布所用溶剂铺满整个半导体晶片的表面,并将多余的 RRC涂布所用溶剂通过旋转甩出半导体晶片的表面。