至于物理 Bank,大家可以根据以上介绍的原理计算出来,在这里我就不 多说了。另外我们常说的内存交错设置并不是指的物理Bank 交错,也就是说不是内存条双面的交错,而是指内存芯片内部逻辑Bank 的交错。如果芯片有4 个Bank,那么就可以进行4 交错,如果只有两个Bank就只能是2 路交错。很多资料介绍的 以内存条的单面或双面来决定交错是错误的,实际上就是混淆了 物理Bank 和逻辑Bank 的区别。 内存rank&bank 用everest 查看内存配置时,SPD 中选中一根内存,出现的详细 情况中内存模块>>模块容量的数字背后有括号,里面有 banks的字样,在网上查了一下,居然没有比较确切 的回答。有些人甚至瞎说。 本人有充分的理由来说:rank 代表了内存条子上是否两面都在 存储芯片(行语叫存储颗粒吧),两面都有的就是 ranks,也就是dual ranks,只有正面有的则是1 rank,也是常见的single rank。而bank 则是存储颗粒的bank。 一般内存颗粒都是有将内存容量分成几个阵列来制造,也就是说 存在内存芯片中存在多个BANK,一般每个颗粒都为4 个。随着 芯片容量的不断增加,逻辑BANK 数量也在不断增加,目前从 32MB到1GB的芯片基本都是4个,只有早期的16Mbit 和32Mbit 的芯片采用的还是2 个逻辑BANK 的设计,譬如三星的两种 16MB 芯片:K4S161622D (512K BANK)和K4S160822DT(1M BANK)。芯片组本身设计时在一个时钟周期内只允许对一个逻辑BANK 进行操作,而芯片的 位宽就是逻辑BANK 的位宽决定了一次操作的并行位宽。现在 的内存颗粒的位宽多为16bit,这样的位宽对于要求高速的内存 来说,显然太小。一般内存的位宽是64bit,也就是一次能并行 传送8Byte 数据。这样,在制造内存的时候,就把同类型的内存 颗粒进行组合,现在ddr 内存中,一组多为4 个颗粒,一般一面 个芯片,分两组,两面一共就是4组。而在一个组中,内存 颗粒是并行进行访问的,就像并联电路可以分流一样,并行的内 存颗粒分流了位宽。多个小位宽的颗粒bank 并联组成了大位宽 的内存bank。前面已经说过,现在内存颗粒的位宽多为16bit, 64,位宽为64的内存bank 就这样产生了。 而内存的总容量还是不