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相禁带宽度约为即可以吸收波长不大于 性极弱。而研究中发现与 复合形成的 波长的 的衍射信号 但是在大于 异质结结构 使其具有更大的负起始电位和开 可见光照射下 单独使用 纳米管阵列依然可以 路电压 为其光解水提供足够大的阴极电位 从而 得到了更高效的光催化剂。这与较小的禁带宽度 实现一定量 的还原转换 这可能是由于 存在少量相砒的结果。此外。近年来一些研 界面的带弯效应密不可分。厂体系在 究报道也表明 刚相的复合也可有效的分离 光催化还原 过程中 参与反应的光生电子能量 光生载流子并提高光催化活性 李灿等驯发现 对于还原产物的选择性至关重要。 表面为跟的混合相时 其催化效率最高可达纯 为了深入揭示厂 的光催化还原机理 并认为这是由于相结的存在可以 价带带边电位采用电负性公促进光生电子从相的导带迁移到相的俘获中 式计算 心从而提高电荷分离效率所致。覆盖膜的 纳米管阵列在下退火后 组成肌相结有效提高了其光催化性能。 其中 如和‰分别为半导体的导带电位和价带电 为半导体的绝对电负性酽为氢的电子自由 化反应中大量的可见光得以吸收 玫为半导体的禁带宽度。半导体的最导体中均可产生光生电子一空穴对。杨培东等【研曾 大电负性为化合物中元素绝对电负性的几何平 均值 其中元素的绝对电负性为该元素解离能和电 研究了 仍界面上光生载流子的运动规律 发现载流子在带弯效应的作用下获得有效 子亲和能的算术平均值 而元素的解离能和电子亲 的分离。因为禁带宽度越小 光生电子一空穴复合的 和能数据可从相关手册中查到。相关数据及计算结 几率就越大 因此这种窄禁带半导体的光催化活 果如表所示。 原子的电子亲和能、原子解离能和绝对电负性以及。半导体的绝对电负性、禁带宽度和导带、价带的带边电位参数 相关数据摘自物化手册闭通过计算可得知 半导体导带的带边电位为一 。