在大多数生产测试中, 联合使用这两种方法可以判别出 FLASH 绝大多数的故障。当然,各个厂家生产的芯片在结 构和工艺上有一定区别,因此出现各种错误的概率也不同,可以根据实际情况调整方法。由 于设计问题, 有些芯片还有可能出现其他一些不太常见的错误, 这就需要进行更详尽的测试, 这时使用移动变反测试法就比较合适。 这种方法可以很好地测试芯片的动态错误, 并且可根 据具体需要详细展开测试或简化测试,对于产品性能分析十分有效。 在具体程序设计时,为简化算法执行,可以将读取产品型号、调用读写命令的语句作为 子程序存储在测试仪中,每次需要时都可以无缝调用。 在测试过程中,最耗费时间的是程序擦除操作,一次擦除往往就需要几秒,其解决办法 是将擦除工序单独处理。在实际应用中,可使用两台测试仪,其中,在擦除时几个芯片并行 运行。这样,一台设备用于读、写、测试,另一台设备用于擦除数据,就可以有效地形成流 水线操作,大大节省测试时间。此外,将几种方法综合使用,还有助于提高故障覆盖率。 5.实验结果 为 根据上述思想, 我们在国产 BC3192 的测试系统平台 [7] [8]上, AMD 公司的 NOR 对 型 FLASH——Am29LV400B 及三星公司的 NAND 型 FLASH——9F5608UOB 都进行了 测试。实验表明,和传统的以棋盘格为基础的测试图形[1]相比,奇偶校验法、齐步法和 移动变反法产生的测试图形故障覆盖率更高, 这些算法由于最多只有两次芯片擦除操作, 所 以测试时间完全能符合工程测试需要, 其中, 移动变反法没有擦除操作, 所以测试速度最快。 在实验中, 我们采用上述三种方法中任意一种, 按照流水的方法测试, 在相同故障覆盖率下, 都可以使测试效率可提高 40%以上。 6.结论 本文是在传统存储器测试理论基础上对 FLASH 测试的尝试,该方法保留了传统方法的 优点,较好地解决了 FLASH 存储器测试的困难。该方法方便快捷,流程简单,所有测试图 形都可以事先生成, 这样就可以直接加载到测试仪中, 有利于直接应用于测试仪进行生产测 试。