即IE主要是发射区向基区注入的载流子所形成的电流IE=IENIEP~IEN)电子在基区的扩散和复合过程发射区的多子电子扩散注入到基区后,在靠近发射结边缘附近密集,形成从发射结到集电结的密度梯度分布。这种梯度分布促使电子在基区内继续向集电结方向扩散。基区内电子在扩散的同时,一部分与基区空穴相遇并复合,复合所需的空穴由电源UBE提供,基区内空穴基本保持不变,复合形成电流IBP。晶体簪内部的扩散与复合,是一对特殊的矛盾,其放大能力取决于两者的比例关系。在制造晶体管时,为使注入基区的电子绝大部分能到达集电结,故基区做得很薄,且掺杂浓度很低,减少电子与空穴的复合几率。)集电极收集电子的过程集电结上所加的反向电压,使集电结形成很强的电场。基区中扩散到集电结附近的电子,在强电场的作用下,迅速漂移越过集电结进入集电区,形成流入集电极的电流ICN。与此同时,集电结反向偏压作用,使基区和集电区的少数载流子漂移过集电结,形成反向漂移电流ICBO。反向漂移电流从集电区注入基区,并由基极流出,与发射区无关,对电流放大没有贡献。但它受温度影响很大,是影响晶体管稳定性的一个主要因素。