为确保 MOS 管状态间转换是线性的和可预 知的,外接电容 C2 并联在 Cgd 上,如果外接电容 C2 比 MOS 管内部栅漏电容 Cgd 大很多,就会减小 MOS Page: 6 of 9 [键入文字] 管内部非线性栅漏电容 Cgd 在状态间转换时的作用,另外可以达到增大米勒平台时间,减缓电压下降的速度 的目的。外接电容 C2 被用来作为积分器对 MOS 管的开关特性进行精确控制。控制了漏极电压线性度就能精 确控制冲击电流。 电路描述: 图 5 所示为基于 MOS 管的自启动有源冲击电流限制法电路。