MLC技术开始升温应该说是从2003年2月东芝推出了第一款MLC架构NAND Flash开始,当时作为NAND Flash的主导企业三星电子对此架构很是不屑,依旧我行我素大力推行SLC架构。第二年也就是2004年4月东芝接续推出了采用MLC技术的4Gbit和8Gbit NAND Flash,显然这对于本来就以容量见长的NAND闪存更是如虎添翼。三星电子长期以来一直倡导SLC架构,声称SLC优于MLC,但该公司于2004和2005年发表的关于MLC技术的ISSCC论文却初步显示它的看法发生了转变。三星在其网站上仍未提供关于MLC闪存的任何营销材料,但此时却已经开发出了一款4Gbit的MLC NAND闪存。该产品的裸片面积是156mm2,比东芝的90nm工艺MLC NAND闪存大了18mm2。两家主流NAND闪存厂商在MLC架构上的竞争就从这时开始正式打响了。除了这三星和东芝这两家外,拥有了英特尔MLC技术的IM科技公司更是在工艺和MLC上都希望超越竞争对手,大有后来者居上的冲劲。MLC技术的竞争就这样如火如荼地进行。MLC,Multiple Lines Centre。北京地铁在组织ACC(票务清分中心)和各条LC(线路中心)之间增加了一个特殊的线路共用中心,称为MLC。