一、测量方法
1、根据单位具体条件可选用ZC-221介质损耗测试仪或M型试验器,用ZC-221介质损耗测试仪测试时多采用反接线方式。将被测绕组短接后接电桥的“CX”,对非被测绕组短接后接地。用M型试验器时将被测绕组短接后,接试验器电缆的总线,非被测绕组短接后,接地或接电缆头的屏蔽环。这两种方法的试验次数和部位有所不同,详见表1-1及表1-2。
表1-1 西林测tanδ次数及部位
试验
序号双绕组变压器三绕组变压器
加压接地部位加压接地部位
1高压低压+铁芯C1+C13高压中低压+铁芯C1+C12+C13
2低压高压+铁芯C3+C13中压高低压+铁芯C2+C12+C23
3高压+低压铁芯C1+C3低压高中压+铁芯C3+C13+C23
4高压+低压中压C1+C12+C23+C3
5高压+中压低压C1+C2+C23+C13
6低压+中压高压C2+C3+C13+C12
7高压+低压+中压铁芯C1+C2+C3
表中C1指高压对地电容,C2指中压对地电容,C3指低压对地电容,C12指高压对中压电容,C13指高压对低压电容,C23指中压对低压电容。
表1-2 M型试验器测tanδ次数和部位
试验
序号双绕组变压器三绕组变压器
加压接地屏蔽部位加压接地屏蔽部位
1高压低压——C1+C13高压低压中压C1+C13
2高压——低压C1高压——中、低压C1
3低压高压——C1+C13中压高压低压C2+C12
4低压——高压C3中压——高、低压C2
5低压中压高压C3+C23
6低压——高、中压C3
7高、中、低压————C1+C2+C3
2、ZC-221介质损耗测试仪的读数是tanδ和电容C,而M型试验器的读数为“mVA”和“mW”数,tanδ即为mW/mVA;C=mVA/V2ω=0.51mVA(PF)
3、测量tanδ用ZC-221介质损耗测试仪和M型试验器时,都要注意周围的电场和磁场的干扰,可用倒相法或移相法进行消除。我国已有新型的介质损耗测试仪生产,如GWS-1型光导微机介损测试仪,P5026M型支流电桥等,引入了抗干扰系统,提高了测试准确度。
4、不同温度下的测得值应换算到同一温度,进行比较。
二、实例说明