从基区扩散来的从基区扩散来的电子作为集电结电子作为集电结的少子, 漂移进的少子, 漂移进入集电结而被收入集电结而被收集, 形成集, 形成I ICECE。 。集电结反偏,集电结反偏,有少子形成的有少子形成的反向电流反向电流I ICBOCBO。 。ENEBRBIEIBE发射结正偏,发射结正偏,发射区电子不断发射区电子不断向基区扩散, 形向基区扩散, 形成发射极电流成发射极电流I IE E。 。进入进入P 子少部分与基区子少部分与基区的空穴复合, 形的空穴复合, 形成电流成电流I IBE 数扩散到集电结。数扩散到集电结。P 区的电区的电BE , , 多多 3. 3. 三极管内部载流子的运动规律三极管内部载流子的运动规律I IC C = = I ICECE+ +I ICBO CBO ≈ ≈ I ICEI IB B= = I IBEBE- - I ICBO CBO ≈ ≈ I IBEI ICE CE 与与 I IBE BE 之比称为共之比称为共发射极直流电流放大倍数发射极直流电流放大倍数CEICIBBCNNNPRBECIBEICEICBOBECCCBOICBOICCCEICEIIIII−+EEBIEBCBOIBBEIII≈==βCEOIBCBOIBC)(1 III+=++==0, 则βββBC , 有CEOI I Iβ≈忽略集-射极穿透电流集-射极穿透电流, , 温度温度↑→↑→I ICEOCEO↑ ↑( (常用公式常用公式) )若若I IB B =0, 则 I IC C≈ ≈ I ICE0CE0 2.1.32.1.3 特性曲线特性曲线即管子各电极电压与电流的关系曲线, 是管子内部载流子运动的外部表现, 反映了 晶体管的性能,是分析放大电路的依据。