由于目前的DDR内存的寻址,先要进行P-Bank的选择(通过DIMM上CS片选信号进行),然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令,单位是时钟周期。
显然,CPC越短越好。但当随着主板上内存模组的增多,控制芯片组的负载也随之增加,过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间,才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。
该参数的默认值为Disable(2T),如果玩家的内存质量很好,则可以将其设置为Enable(1T)。
tCL : CAS Latency Control(tCL)
可选的设置:Auto,1,1.5,2,2.5,3,3.5,4,4.5。
一般我们在查阅内存的时序参数时,如“3-4-4-8”这一类的数字序列,上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数,即CL参数。
CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay),CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址,或者说是内存矩阵中的列地址,所以它是最为重要的参数,在稳定的前提下应该尽可能设低。 内存是根据行和列寻址的,当请求触发后,最初是tRAS(Activeto Precharge Delay),预充电后,内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后,RAS(Row Address Strobe )开始进行需要数据的寻址。首先是行地址,然后初始化tRCD,周期结束,接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤,也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小,则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟,可能会丢失数据,因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同