硅管:已知道了基极电流 Ib=(Ub-0.7)/Rb,而集电极电流等于(β*Ib),
Uc=(β*Ib)*Rc+Uce
Uceo是穿透电压,与导通状态下的Uce不一样。
这个穿透电压在制作的时候就已经测好了,看晶体管的参数时都会有这个参数值。
当三极管的基极开路的时候,加在三极管上的反向电压超过Uceo这个值时,三极管损坏。
一般NPN小功率管饱和时集电极电压小于0.5V;大功率NPN管饱和时为1V左右。截止时集电极电压等于电源电压。
三极管处于开关状态,只要NPN型三极管满足基极到发射极正偏,电压为0.7V,CE极深度饱和导通,CE极压降很低的,整体电压都加在集电极电阻上,而集电极电流大小决定于集电极电阻大小而定的。例如:基极偏置电阻为5K,集电极电阻为10K,供电电源为12V,一定是工作在开关状态。
扩展资料:
电子制作中常用的三极管有9 0× ×系列,包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低噪声管9014(NPN),高频小功率管9018(NPN)等。它们的型号一般都标在塑壳上,而样子都一样,都是TO-92标准封装。
在老式的电子产品中还能见到3DG6(低频小功率硅管)、3AX31 (低频小功率锗管) 等,它们的型号也都印在金属的外壳上。
参考资料来源:百度百科-NPN型三极管