由于目前的 DDR 内存的寻址,先要进行 P-Bank 的选择(通过 DIMM 上 CS 片选信号进行) 然后才是 L-Bank/行激活与列地址的选择。 , 这个参数的含义就是 指在 P-Bank 选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的 L-Bank/行激活命令,单位是时钟 周期。 显然,也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多,控制芯片组的负载也随之增 加,过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间, 才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为 Disable(2T),如果玩家的内存质量很好,则可以将其设置为 Enable(1T)。 CAS Latency Control(tCL) 可选的设置:Auto,1,1.5,2,2.5,3,3.5,4,4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时,如“3-4-4-8”这一类的数字序列,上述数字序列 分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS” 。这个 3 就是第 1 个参数,即 CL 参数。 CAS Latency Control(也被描述为 tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay), CAS latency 是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间” 。CAS 控制从接受一个指令到执 行指令之间的时间。因为 CAS 主要控制十六进制的地址,或者说是内存矩阵中的列地址,所 以它是最为重要的参数,在稳定的前提下应该尽可能设低。 内存是根据行和列寻址的, 当请求触发后, 最初是 tRAS (ActivetoPrecharge Delay) , 预充电后,内存才真正开始初始化 RAS。一旦 tRAS 激活后,RAS(Row Address Strobe ) 开始进行需要数据的寻址。首先是行地址,然后初始化 tRCD,周期结束,接着通过 CAS 访 问所需数据的精确十六进制地址。 期间从 CAS 开始到 CAS 结束就是 CAS 延迟。 所以 CAS 是找 到数据的最后一个步骤,也是内存参数中最重要的。 这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指 令。 同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。 这个参数越小,则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟,可能会丢失 数据, 因此在提醒大家把 CAS 延迟设为 2 或 2.5 的同时, 如果不稳定就只有进一步提高它了。 而且提高延迟能使内存运行在更高的频率, 所以需要对内存超频时, 应该试着提高 CAS 延迟。 该参数对内存性能的影响最大,在保证系统稳定性的前提下,CAS 值越低,则会导致 更快的内存读写操作。 值为 2 为会获得最佳的性能, CL 值为 3 可以提高系统的稳定性。 CL 而 注意,WinbondBH-5/6 芯片可能无法设为 3。 RAS# to CAS# Delay(tRCD) 可选的设置:Auto,0,1,2,3,4,5,6,7。 该值就是 “3-4-4-8” 内存时序参数中的第 2 个参数, 即第 1 个 4。 RAS# to CAS# Delay(也 被描述为:tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD),表示"行寻址到列寻址延迟时间", 数值越小,性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时,需要在这两种脉冲信号之间插入延 迟时钟周期。在 JEDEC 规范中,它是排在第二的参数,降低此延时,可以提高系统性能。建 议该值设置为 3 或 2,但如果该值设置太低,同样会导致系统不稳定。该值为 4 时,系统将 处于最稳定的状态,而该值为 5,则太保守。 如果你的内存的超频性能不佳,则可将此值设为内存的默认值或尝试提高 tRCD 值。 Min RAS# Active Timing(tRAS) 可选的设置:Auto,00,01,02,03,04,05,06,07,08,09,10,11,12,13, 14,15。 该值就是该值就是 “3-4-4-8” 内存时序参数中的最后一个参数, 8。 RAS# Active 即 Min Time (也被描述为:tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time),表示“内存行有效 至预充电的最短周期” ,调整这个参数需要结合具体情况而定,一般我们最好设在 5-10 之 间。这个参数要根据实际情况而定,并不是说越大或越小就越好。 如果 tRAS 的周期太长,系统会因为无谓的等待而降低性能。降低 tRAS 周期,则会导 致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果 tRAS 的周期太短,则可能因缺乏足够 的时间而无法完成数据的突发传输,这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为 CAS latency + tRCD + 2 个时钟周期。如果你的 CAS latency 的值为 2,tRCD 的值为 3,则最佳 的 tRAS 值应该设置为 7 个时钟周期。为提高系统性能,应尽可能降低 tRAS 的值,但如果发 生内存错误或系统死机,则应该增大 tRAS 的值。 如果使用 DFI 的主板,则 tRAS 值建议使用 00,或者 5-10 之间的值。 Row PrechargeTiming(tRP) 可选的设置:Auto,0,1,2,3,4,5,6,7。 该值就是 “3-4-4-8” 内存时序参数中的第 3 个参数, 即第 2 个 4。 Precharge Timing Row (也被描述为:tRP、RAS Precharge、Precharge to active),表示"内存行地址控制器预充 电时间",预充电参数越小则内存读写速度就越快。 tRP 用来设定在另一行能被激活之前,RAS 需要的充电时间。