本发明的上述实施例中,为了不破坏石墨烯的原子结构,又能够保证石墨烯与掺杂材料间隔排列,基于现有工艺流程能够将掺杂材料添加到石墨原子之间。进一步的,所述掺杂材料的长度或厚度位于1单原子层(ML)到1厘米(cm)之间。[0057]综上,本发明的上述实施例中在石墨烯复合材料中添加一掺杂材料,由于该掺杂材料在石墨烯复合材料至少一个方向上与石墨烯形成间隔排列,该掺杂材料能够阻断石墨烯的导电通路,降低石墨烯复合材料的导电性能,从而扩展了石墨烯复合材料的应用场景。[0058]