根据本发明的IC还可以是逻辑器件,如可编程逻辑阵列(PLA)、专用集成电路(ASIC)、合并式DRAM逻辑集成电路(掩埋式动态随机存取存储器)、射频器件或任意其他电路器件。根据本发明的IC芯片可用于例如用户电子产品,如个人计算机、便携式计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机、 数码相机、手机等各种电子产品中,尤其是射频产品中。本发明已经通过上述实施例进行了说明,但应当理解的是,上述实施例只是用于举例和说明的目的,而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是,本发明并不局限于上述实施例,根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改,这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
权利要求
1.一种光刻胶的涂覆方法,包括a)提供半导体晶片;b)对所述半导体晶片进行预处理,所述预处理包括向所述半导体晶片的表面涂布有机溶剂;c)在所述半导体晶片的表面涂覆所述光刻胶。
2.如权利要求1所述的光刻胶的涂覆方法,其特征在于,涂布所述有机溶剂的方法为向所述半导体晶片表面中央或接近中央的区域喷涂所述有机溶剂。
3.如权利要求1所述的光刻胶的涂覆方法,其特征在于,a)步骤所提供的所述半导体晶片表面已执行成底膜处理。
4.如权利要求1所述的光刻胶的涂覆方法,其特征在于,在b)步骤和c)步骤之间还包括向所述半导体晶片表面中央或接近中央的区域喷涂光刻胶减量涂层涂布所用溶剂; 旋转所述半导体晶片,使所述光刻胶减量涂层涂布所用溶剂沿所述半导体晶片表面向边缘铺开。
5.如权利要求1所述的光刻胶的涂覆方法,其特征在于,所述有机溶剂选自乳酸乙酯、 单乙基醚丙二醇、丙二醇单甲醚乙酸酯和N-甲基-2-砒咯酮中的一种或多种。
6.如权利要求5所述的光刻胶的涂覆方法,其特征在于,所述有机溶剂的成分为质量比等于73的单乙基醚丙二醇和丙二醇单甲醚乙酸酯。
7.如权利要求1所述的光刻胶的涂覆方法,其特征在于,所述有机溶剂的涂布时间大于等于5秒,并且小于等于20秒。
8.如权利要求7所述的光刻胶的涂覆方法,其特征在于,所述有机溶剂的涂布时间为 8-10 秒。
9.如权利要求1所述的光刻胶的涂覆方法,其特征在于,所述预处理步骤还包括甩干涂布在所述半导体晶片上的所述有机溶剂。
10.如权利要求9所述的光刻胶的涂覆方法,其特征在于,所述甩干时间为2-5秒。
全文摘要
本发明提供一种光刻胶的涂覆方法,包括a)提供半导体晶片;b)对所述半导体晶片进行预处理,所述预处理包括向所述半导体晶片的表面涂布有机溶剂;c)在所述半导体晶片的表面涂覆所述光刻胶。根据本发明的方法,可以使随后形成的光刻胶层中几乎不包含气泡,从而避免刻蚀过程中,由于光刻胶的消耗导致刻蚀气体穿过气泡而对半导体晶片造成损伤。
文档编号G03F7/16GK102375342SQ20101026758
公开日
发明者杨晓松 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司