实验结果根据上述思想,我们在国产BC的测试系统平台上,对AMD公司的NOR型FLASHAmLVB及三星公司的NAND型FLASHFUOB都进行了测试。实验表明,和传统的以棋盘格为基础的测试图形相比,奇偶校验法、齐步法和移动变反法产生的测试图形故障覆盖率更高,这些算法由于最多只有两次芯片擦除操作,所以测试时间完全能符合工程测试需要,其中,移动变反法没有擦除操作,所以测试速度最快。在实验中,我们采用上述三种方法中任意一种,按照流水的方法测试,在相同故障覆盖率下,都可以使测试效率可提高以上。结论本文是在传统存储器测试理论基础上对FLASH测试的尝试,该方法保留了传统方法的优点,较好地解决了FLASH存储器测试的困难。该方法方便快捷,流程简单,所有测试图形都可以事先生成,这样就可以直接加载到测试仪中,有利于直接应用于测试仪进行生产测试。