存储器特性:
非易失性
可读可写
随机访问
访问时间
容量
价格
功耗
为了得到得到性价比最高的存储器,设计存储层次结构:
DRAM和SRAM
DRAM的基本存储单元(1bit)
通过外部给入行地址再给入列地址可以由此选中一个存储单元,在一个存储单元中包含若干个bit,常见的有4和8bit.
此结构为DRAM的一个基本存储单元,通过一个电容存储一个bit的信息。
写入:就是通过外部的数据线驱动对电容进行充电或者放电的操作,从而写入1或者0
读出:就是通过电容对外部的数据线进行驱动,从而读出0或者1
但是电容存在漏电效应,经过一段时间后电容上的电荷会流失,导致所存信息丢失,所以我们要定期对所有单元进行刷新。
通过地址线选中存储单元,根据读写控制线的信号,如果是写就由外部数据线传来的信号驱动存储单元,如果是读就由存储单元中的信号驱动外部的数据线,这样的电路称为SRAM存储器。