朋友M国带回,设计者是 M3 Design www.m3design.com
控制芯片AT91SAM7S64
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有何价值?
看看,看看而已,呵呵
最近在做H桥驱动,功率最大要到900W左右,所以找了些这方面东西看看。
没有看到控制用的mosfet,这个知识一个单纯的控制电路,没有驱动电路,这样一来成本是大幅度增加的,和国内人做的完全没有可比性啊!但是功能都是一样的。
ARM7
带MOSFET的,DRIVE电机的MOSFET型号:IRFS3207*2, ACTUATOR电机采用H桥驱动 型号P: F5210S 和N: FDB045AN
与国内某些一般控制器相比,多了一个ACTUATOR电机(具体怎么翻译我不知道),其作用是让主驱动电机一直工作在最佳状态。
国内高端的控制器我就不太了解了。
有刷电机的控制器,成本估计比国内无刷的还要高.
工艺不错.
m国人也骑电动龟?
是有刷滑板车用的吧,那个ACTUATOR可能是电磁刹车
板子看着不错
to:lilo lilo
你能看看它的散热问题是如何解决的吗?
我只的是背面的那5只MOS管。我看它有一点用PCB的敷铜做散热,但是是否是用MOS的塑料面紧贴着金属外壳来辅助散热呢?
另外,那2个P沟,N沟的MOS管的型号能不能给详细一点。我怎么查不着呀。
谢谢
IRF5210S/L
VDSS = -100V
RDS(on) = 0.06W
ID = -40A
FDB045AN08A0
N-Channel UltraFET® Trench MOSFET
75V, 80A, 4.5mΩ
IRFS3207
VDSS 75V
RDS(on) typ. 3.6m
max. 4.5m
ID 180A
确如你所说,主电机MOSFET和H桥P沟使用背部的外壳帮助散热,但H桥的N沟MOSFET是装在正面的,仅仅是用了些覆铜散热。
to:lilo lilo
谢谢你的回复
"主电机MOSFET和H桥P沟使用背部的外壳帮助散热,但H桥的N沟MOSFET是装在正面的,"
你看背面的几个MOS的塑料面是不是紧贴着金属外壳(甚至可以用硅脂来加强其导热性)?而不是用空气作为介质的。
另外,他的正面只有一个MOS管呀,(另一个D2PAK)是肖特基。所以“但H桥的N沟MOSFET是装在正面的”要如何理解呢?
还有,正面共有3个D2PAK,其中2个是肖特基,是用来在H桥中防止电机反电动势的。
电解电容下面有两个N沟MOSFET,其他还有3个D2PAK的二极管,其中两个是叠在一起的,主电机的反向二极管。
mark
回复【12楼】zhang_mike2000
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这个控制器用的多层板,板面散热的可能性还是比较大的。
PS:LS 你挖得很深啊。
拿来学习一下,多谢楼主
就是几个图片组成的吗?
我做的一个产品中用到了NRF24L01+,现在各部分的功能都实现了。唯一头大的地方在于NRF24L01+的工作电流偏大了。
现在的整机工作电流26ma,我感觉太大,希望降到20ma。其它条件不变,开启NRF24L01+后电流22ma,关闭NRF24L01+后电流7ma,也就是说NRF24L01工作电流为15ma,但是官方给出的参数是接收13.5ma,发射,11ma。并且设置发射功率和接收速度,实测电流几乎不变。也与手册不符。使用的是FLUKE万用表。
哪位前辈、同仁解释下?
学习以下