DRAM Drive Strength(也被称为:driving strength),表示“DRAM驱动强度”。这个参数用来控制内存数据总线的信号强度,数值越高代表信号强度越高,增加信号强度可以提高超频的稳定性。但是并非信号强度高就一定好,三星的TCCD内存芯片在低强度信号下性能更佳。
如果设为Auto,系统通常会设定为一个较低的值。对使用TCCD的芯片而言,表现会好一些。但是其他的内存芯片就并非如此了,一般说来,1、3、5 、7都是性能较弱的参数,其中1是最弱的。2、4、6、8是正常的设置,8提供了最强的信号强度。TCCD建议参数为3、5或7,其他芯片的内存建议设为6或8。
DRAM Data Drive Strength
可选的设置:Auto,1-4,步进值为1。
DRAM Data Drive Strength表示“DRAM数据驱动强度”。这个参数决定内存数据总线的信号强度,数值越高代表信号强度越高。它主要用于处理高负荷的内存读取时,增加DRAM的驾驭能力。因此,如果你的系统内存的读取负荷很高,则应将该值设置为高(Hi/High)。它有助于对内存数据总线超频。但如果你并没有超频,提升内存数据线的信号强度,可以提高超频后速度的稳定性。此外,提升内存数据总线的信号强度并不能增强SDRAM DIMM的性能。因此,除非你内存有很高的读取负荷或试图超频DIMM,建议设置DRAM Data Drive Strength的值为低(Lo/Low)。
要处理大负荷的数据流时,需要提高内存的驾驭能力,你可以设为Hi或者High。超频时,调高此项参数可以提高稳定性。此外,这个参数对内存性能几乎没什么影响。所以,除非超频,一般用户建议设为Lo/Low。
Idle Cycle Limit
可选的设置:Auto,0-256,无固定步进值。
Idle Cycle Limit这个参数表示“空闲周期限制”。这个参数指定强制关闭一个也打开的内存页面之前的memclock数值,也就是读取一个内存页面之前,强制对该页面进行重充电操作所允许的最大时间。
BIOS中的该值设置为Auto时,实际上此时执行的是默认值256。质量好的内存可以尝试16-32。Idle Cycle Limit值越低越好。
Dynamic Counter
可选的设置