Task: Translation
Input (Czech): Řešení se týká oboru mikroelektroniky  se zaměřením na způsob úpravy epitaxní vrstvy  před měřením epitaxní struktury křemíku  C - V metodou gomocí rtuíové sondy.  Řeší se problém snížení časových ztrát  před měřením a zvýšení reprodukovatelnosti  měření v důsledku zlepšení homogenity vrstvičky  kysličníku křemičitého.  Podstata řešení spočívá v tom, že epitaxní  struktura n-typu vodivosti se ponoří do  vřelého 1 až 5v% roztoku kyseliny dusičné  na dobu alespoň 30 s, čímž se vytvoří na  povrchu epitaxní vrstvy řadově 1 nm tenká  vrstvička kisličníku křemičitého.  Řešení může být využito ve všech oborech  elektroniky, zabývajících se měřením  epitaxních struktur na bázi křemíku.
Output (English): The solution relates to the field of microelectronics  focusing on modifying the epitaxial layer  before measuring the epitaxial silicon structure  C - V by the mercury probe method.  The problem of reducing time loss is being addressed  before measurement and increase reproducibility  measurement due to improved layer homogeneity  silicon dioxide.  The essence of the solution is that it epitaxies  the structure of n-type conductivity is immersed in  a 1 to 5 vol% nitric acid solution  for at least 30 s, thereby forming on  the surface of the epitaxial layer in the order of 1 nm thin  silicon dioxide layer.  The solution can be used in all fields  measurement electronics  silicon-based epitaxial structures.