Task: Translation
Input (Czech): fiešení se týká způsobu výroby PN  přechodu v křemíkových deskách zvláště  pak vrstvy vodivosti typu P pod emitorem  N+ difúzí ve vakuované křemenné ampuli,  pomocí difuzantu jmenovité vodivosti a  typu. Jedná se o proces, při kterém se  využívá Si prášek dotovaný na požadovanou  úroveň nečistot.  Zdrojem difuzantu je práškový křemík  jmenovité zrnitosti 60 až 500 mesch, který  se naleguje některou ze známých legur,  například galiem, borem nebo fosforem při  teplotě 900 až 1230 °C na povrchovou koncentraci  1.101? až 1.1021 atomů/cm3.
Output (English): the solution relates to a method of manufacturing PN  transition in silicon wafers in particular  then a P-type conductivity layer under the emitter  N + by diffusion in a vacuum quartz ampoule  by means of the nominal conductivity diffuser a  type. It is a process in which to  it uses Si powder doped to the desired  impurity level.  The source of the diffuser is silicon powder  a nominal grain size of 60 to 500 mesch, which  it is mounted on one of the well-known leggings,  for example with gallium, boron or phosphorus at  at 900 to 1230 ° C to surface concentration  1.101? up to 1.1021 atoms / cm 3.