Task: Translation
Input (Czech): Řeěení ee týká křemíkového terčíku pro  elektronky typu vidikon ee soustavou avětlocltlivých  diod, vytvořenou na základním monokrystalickém  křemíku typu N a opatřeného  povrchovou svodovou vrstvou. Účelem řeěení je takové uspořádání  povrchové svodové vrstvy, které by umoSnilo  přesnější geometrii jejího rozčlenění a možnost  spolehlivější reprodukce při výrobě.  Uvedeného učelu ee dosáhne tím, že křemíkový  terčík podle vynálezu má na svém povrchu  ze atrany diod mříž, oddělující geometricky  každou diodu od ostatních, přičemž tato mříž  je ee stran podleptáne tak, ae povrchová  svodová vratva nanesená na celou ploehu terčíku  tvoří nad každou diodou ostrůvek, od  Okolí elektricky odizolovaný. Mříž může být  například z kysličníku křemičitého, z amorfního  nobo polykryetolického křemíku nebo  z borsilikátového skla. S
Output (English): Solution ee refers to the silicon target for  vidikon ee vacuum tubes with a system of viscous  diodes, formed on the basic monocrystalline  of type N silicon and coated  surface leakage layer. The purpose of the solution is such an arrangement  surface leakage layer that would allow  more precise geometry of its division and possibility  more reliable reproduction in production.  The aforementioned ee objective is achieved by having silicon  the target according to the invention has on its surface  from an atrane diode lattice separating geometrically  each diode from the other, taking this lattice  the ee of the sides is questioned, and it is superficial  leakage return applied to the entire surface of the target  forms an island above each diode, from  Surroundings electrically insulated. The grille can be  for example, silica, amorphous  or polycrystalline silicon or  of borsilicate glass. WITH