Task: Translation
Input (Czech): Polovodicová soucástka je tvorena kruhovou destickou z monokrystalického polovodicového materiálu obsahující vrstvu (3) výchozího polovodicového materiálu, ke které priléhá z jedné strany první krajní polovodicová vrstva (4) opacného typu vodivosti. V ní je vytvorena první oblast (4a) s koncentrací aktivních prímesí vetší než 10.sup.17.n. cm.sup.-3.n. sahající do hloubky nejméne 40 .mi.m pod povrch, kterým první krajní polovodicová vrstva (4) priléhá k první elektrode (1) soucástky. Vrstvy (3) a (4) tvorí PN prechod. Z druhé strany priléhá k vrstve (3) výchozího polovodicového materiálu druhá krajní polovodicová vrstva (5) stejného typu vodivosti jako vrstva (3) výchozího polovodicového materiálu. V ní je vytvorena první oblast (5a) s koncentrací aktivních prímesí vetší než 10.sup.17.n. cm.sup.-3.n. sahající do hloubky nejméne 40 .mi.m pod povrch, kterým druhá krajní polovodicová vrstva (5) priléhá k druhé elektrode (2) soucástky. Soucet tlouštky krajních polovodicových vrstev (4) a (5) je vetší než polovina celkové tlouštky kruhové desticky monokrystalického polovodicového materiálu.
Output (English): The semiconductor component is comprised of a monocrystalline semiconductor material annular plate comprising a starting semiconductor material layer (3) to which the first outer semiconductor layer (4) of opposite conductivity type rests on one side. In it, the first region (4a) is formed with a concentration of active impurities greater than 10.sup.17.n. cm.sup.-3.n. extending to a depth of at least 40 microns below the surface through which the first outer semiconductor layer (4) abuts the first electrode (1) of the component. The layers (3) and (4) form the PN transition. On the other hand, the second semiconductor layer (5) of the same conductivity type as the starting semiconductor material layer (3) is adjacent to the starting semiconductor material layer (3). In it, the first region (5a) is formed with a concentration of active impurities greater than 10.sup.17.n. cm.sup.-3.n. extending to a depth of at least 40 microns below the surface through which the second outer semiconductor layer (5) abuts the second electrode (2) of the component. The sum of the thicknesses of the outer semiconductor layers (4) and (5) is greater than half of the total thickness of the annular, monocrystalline semiconductor material.