Task: Translation
Input (Czech): Zpusob výroby izolovaných skupin mikroskopických kremíkových krystalu v tenké vrstve amorfního kremíku nanesené na kovové podložce probíhá za pomoci procesu krystalizace z pevné fáze indukované kovema podporené elektrickým polem (FE-MISPC). Tento zpusob je charakteristický tím, že se na vrstvu amorfního kremíku priloží nejméne jeden zahrocený kontakt z elektricky vodivého materiálu, nacež se indukuje pruchod elektrického proudu mezi tímto kontaktem a kovovou podložkou. Pritom se reguluje úroven procházejícího proudu a dávkování elektrické energie do vzorku. Takto lze dosáhnout kremíkových krystalu i menších než 100 nm, a to i pri bežné pokojové teplote.
Output (English): The method of producing isolated groups of microscopic silicon crystals in a thin layer of amorphous silicon deposited on a metal support is accomplished by a solid-phase-induced crystallization process supported by an electric field (FE-MISPC). This process is characterized in that at least one pointed contact of the electrically conductive material is applied to the layer of amorphous silicon, thereby causing the electrical current to flow between the contact and the metal substrate. In doing so, the current flow rate and the electric energy dosing into the sample are regulated. Thus silicon crystals of less than 100 nm can be achieved, even at room temperature.