Task: Translation
Input (Czech): Účelem vynálezu je spolehlivé zabezpečení  elektrického kontaktu mezi sousedními  úrovněmi vodivých spojů oddělenými vrstvou  izolačního materiálu. Jeho podstata spočívá  v tom, že na povrch křemíkové desky  se systémy integrovaných obvodů se nejprve  nanesou a vytvarují vrstvy tvořící spodní  úroveň propojovací sítě, přičemž poslední  z nich je vrstva hliníku legovaná nejméně  0,5 hmotnostními % křemíku a 0 až 5  hmotnostními % mědi, dále se nanese izolační  mezivrstva, ve které se vyleptají otvory  v místech budoucího kontaktu mezi  spodní a horní úrovní propojovací sítě a k  odstranění nevodivého povlaku z povrchu  spodní úrovně propojovací sítě v plochách  vymezených těmito otvory se použije lázeň  obsahující 0,5 až 5 % vodného roztoku fluoridu  amonného- NHáF, kyselého· fluoridu  amonného NH4HF2 nebo kyseliny fluorovodíkové  HF a 99,5 až 95 % kyseliny octové,  načež se provede nanesení a vytvarování  horní úrovně propojovací sítě. Vynález je  možno· využít v hromadné výrobě integrovaných  obvodů.
Output (English): The purpose of the invention is to provide reliable security  electrical contact between neighbors  conductive joint levels separated by a layer  insulation material. Its essence lies  in that the surface of the silicon wafer  with integrated circuit systems first  apply and shape the bottom-forming layers  interconnection network level, with the last  of which the aluminum layer is least alloyed  0.5 wt% silicon and 0 to 5  % by weight of copper;  the interlayer in which the holes are etched  in places of future contact between  lower and upper levels of the interconnection network and k  removing the non-conductive coating from the surface  the lower level of the interconnection network  a bath is used  containing 0.5 to 5% aqueous fluoride solution  ammonium NH4F, acid fluoride  ammonium NH4HF2 or hydrofluoric acid  HF and 99.5 to 95% acetic acid,  followed by deposition and shaping  top level of the interconnection network. The invention is  can be used in integrated mass production  circuits.