Task: Translation
Input (Czech): Propojovací struktura, obsahující vrstvu (1) medi a vrstvu (7) vymezující pripojovací plošku, obsahuje dále bariérovou vrstvu (10) a vrstvu (9) AlCu. Vrstva (9) AlCu a bariérová vrstva (10) jsou umístené mezi vrstvou (1) medi a vrstvou (7) vymezující pripojovací plošku. Bariérová vrstva (10) je umístena mezi vrstvou (1) medi a vrstvou (9) AlCu, zajištující robustní propojení vrstvy (1) medi a vrstvy (7) vymezující pripojovací plošku. Ve výhodném provedení vrstva (9) AlCu obsahuje 96 až 99,5 % atom. hliníku Al, resp. 4 až 0,5 % atom. medi Cu a její tlouštka je 0,5 až 1,2 .mi.m. Bariérová vrstva (10) muže být provedena z titanu Ti, nitridu titanu TiN, tantalu Ta, nitridu tantalu TaN nebo z jejich slitin nebo kombinací. Bariérová vrstva (10) ve výhodném provedení sestává  z kombinace jednotlivých vrstev uvedené tlouštky: vrstva nitridu titanu TaN 50 až 1000 A, vrstva titanu Ti 200 až 700 A a vrstva nitridu tantalu TiN 200 až 700 A.
Output (English): In the present invention, there is disclosed an interconnect structure comprising a layer (1) of copper, a pad-limiting layer (7), a barrier layer (10) and a layer (9) of AlCu, wherein the layer (9) of AlCu and barrier layer (10) are interposed between the layer (1) of copper and pad-limiting layer (7), and wherein the barrier layer (10) being located between the layer (1) of copper and the layer (9) of AlCu ensures a robust interconnection of said layer (1) of copper and said pad-limiting layer (7). In preferred embodiment, the layer (9) of AlCu contains about 96 to about 99.5 atomic percent of aluminium Al, optionally 4 to 0.5 atomic percent of copper Cu and is 0.5 to 1.2 microns thick. The barrier layer (10) can be made of titanium Ti, titanium nitride TiN, tantalum Ta, tantalum nitride TaN, alloys, or combinations thereof. In preferred embodiment, the barrier layer (10) consists of individual layers of the following thicknesses: tantalum nitride TaN layer 50 to 1000 A, titanium layer Ti 200 to 700 A, and a titanium nitride TiN layer 200 to 700 A.