Task: Translation
Input (Czech): Řešení se týká způsobu výroby vysokoohmové  vrstvy na nízkoohmovém polovodičovém  substrátu u polovodičových součástek.  Polovodičový substrát dotovaný mělkou příměsí  s rozdělovacím koeficientem menším  než IO“* např. indiem nebo vizmutem se v  definované atmosféře zahřeje na povrchu  pulsním zdrojem záření, tvořeným například  laserem CO2, neodymovým laserem YAG  nebo xenonovou výbojkou, na teplotu vyšší  než js teplota taní polovodičového  substrátu. Energie pulsu dodávaná povr- ?  chové vrstvě je v rozmezí 10 až 200 J/cm ,  délka pulsu 5 až 500 ůs a vlnová délka  záření je maximálně 10 pm.
Output (English): The present invention relates to a process for the production of high ohmic  layers on a low ohmic semiconductor  substrate for semiconductor devices.  Semiconductor substrate doped with shallow admixture  with a partition coefficient smaller  than IO '* eg by indium or bismuth in v  defined atmosphere warms on the surface  a pulsed source of radiation, for example  CO2 laser, neodymium laser YAG  or a xenon lamp, to a higher temperature  than the melting temperature of the semiconductor  substrate. Pulse energy supplied by surface?  layer is between 10 and 200 J / cm,  pulse length from 5 to 500 s and wavelength  radiation is maximum 10 µm.