Task: Translation
Input (Czech): Vynález es týká výkonová polovodičová  součástky pro vysoká závěrná a blokovací  napětí, ve které je vysokonapěiový  přeohod PN vytvořen ve dvou stupníeh.  První je umístěn v hloubce větfil než  30 um uvnitř ploehy polovodiěová součástky.  Druhý stupen přechodu PN jo umístěn  na obvodu v okrajová části plochy polovodiěová  součástky v hlouboo 5 až 20 um.  Povrohová koncentrace mělkých příměsí vo  druhém stupni js nižáí než 2.10^® atomů  dm"3
Output (English): The invention of es relates to power semiconductor  parts for high locking and locking  the voltage at which it is high-voltage  PN overhang created in two stages.  The first one is placed deep in the depth than  30 µm inside the platform semiconductor component.  The second stage of the PN junction is located  on the perimeter at the edge of the semiconductor surface  components in the depth of 5 to 20 µm.  The shallow concentration of shallow impurities in  the second degree is lower than 2.10 ^ ® atoms  dm "3