Task: Translation
Input (Czech): Vícevrstvá polovodicová epitaxní struktura s InAs/GaAs kvantovými teckami a GaAsSb krycí a pnutí redukující vrstvou zachovávající heteroprechod I. typu mezi InAs kvantovou teckou a GaAsSb vrstvou a umoznující emisi elektroluminiscencí na telekomunikacní vlnové délce 1300 nm. Zachování heteroprechodu I. typu pro tyto vlnové délky je dosazeno gradovaným slozením GaAs.sub.1-x.n.Sb.sub.x.n.vrstvy tak, aby ve GaAsSb vrstve byla nizsí koncentrace Sb (x=0,03-0,09) bezprostredne u kvantových tecek, (címz je zabezpecena dostatecná bariéra pro díry v InAs kvantových teckách a jejich lokalizace v kvantových teckách), ve smeru epitaxního rustu koncentrace antimonu v GaAsSb vzrustá k maximální koncentraci, která se pohybuje v rozmezí x=0,15-0,30. (Tím je dosazeno potrebné snízení pnutí uvnitr kvantových tecek a prodlouzení emitované vlnové délky). Strukturu lze realizovat se spojitou zmenou koncentrace antimonu nebo stupnovite pomocí dvou a více vrstev.
Output (English): Multilayer semiconductor epitaxial structure with InAs / GaAs quantum dots and GaAsSb opaque and stress reducing layer retaining type I heteroprevention between InAs quantum dot and GaAsSb layer and allowing the emission of electroluminescence at 1300 nm telecommunication wavelength. The preservation of the type I heteroproduct for these wavelengths is achieved by the graded composition of GaAs.sub.1-xnSb.sub.xn layer so that in the GaAsSb layer there is a lower concentration of Sb (x = 0.03-0.09) immediately in the quantum tecek, (thus providing a sufficient barrier for holes in InAs quantum dots and their localization in quantum dots), in the direction of epitaxial growth of antimony concentration in GaAsSb rises to a maximum concentration ranging from x = 0.15-0.30. (This provides the necessary stress reduction within the quantum dots and the length of the emitted wavelength). The structure can be realized with a continual change in antimony concentration or gradation using two or more layers.