Task: Translation
Input (Czech): Účelem řeěení je odstraněni možnosti  elektrického zkratu mezi přilehlou a  povrchovou polovodičovou vrstvou u polovodičových  součástek s vertikálně členěnou  strukturou.  Uvedeného účelu se dosáhne způsobem, kde  po posledním fotolitografickem zpracová­  ní kontaktu a smytí fotoresistu se celá  struktura znovu opatří vrstvou fotoresistu,  přes masku exponuje a vyvolá.  Vrstva fotoresistu zbylá na povrchu zahloubení  se vytvrdí a slouží jako ochranná  pasivační vrstva přilehlé polovodičové  vrstvy.
Output (English): The purpose of the solution is to eliminate the possibilities  electric short circuit between adjacent and  a semiconductor surface semiconductor layer  components vertically divided  structure.  This purpose is achieved in a manner where  after the last photolithographic process  contact and wash the photoresist whole  structure again with photoresist  through the mask exposes and invokes.  The photoresist layer remaining on the surface of the recess  it cures and serves as a protective  passivation layer of adjacent semiconductor  layers.