Task: Translation
Input (Czech): Účelem vynálezu je zvýšení účinnosti  a zlepšení legování krystalů křemíku připravovaných  metodou letmé zonální tavby  s indukčním ohřevem v rozsahu koncentrací  odpovídajícím hodnotám měrného odporu  0,005 až 200 Ohm. cm.  podstata vynálezu spočívá v tom, že proud  argonu přiváděný k roztavené zóně společně  s požadovaným množstvím fosfinu odstraňuje  z okolí roztavené zóny laminární  vrstvu tepelného proudění, vytváří podmínky  proudění nezávislé na průtoků směsi  argonu a fosfinu a molekuly fosfinu?přivádí  z kapiláry přím® nad povrch roztavené  zóny.
Output (English): The purpose of the invention is to increase efficiency  and improving the alloying of the silicon crystals prepared  by the method of flying zonal melting  with induction heating in the concentration range  corresponding resistivity values  0.005 to 200 Ohm. cm.  the essence of the invention is that the current  argon fed to the molten zone together  with the desired amount of phosphine  from the surroundings of the molten zone laminar  thermal flow layer, creates conditions  flow independent of mixture flow  argon and phosphine and molecules of phosphine?  from the capillary directly above the molten surface  zone.