Task: Translation
Input (Czech): Tepelné tvarování se provádí plastickou deformací z monokrystalických výchozích kremíkových plátku (1), kde kazdý výchozí kremíkový plátek (1) se pripraví z materiálu, který se predem dopuje alespon jedním prvkem ze skupiny, zahrnující bor, fosfor, arsen, antimon, v mnozství od 0 do 2,0.10.sup.21.n.atomu v jednom cm.sup.3.n.materiálu monokrystalických výchozího kremíkového plátku (1). Kazdý výchozí kremíkový plátek (1) je rovinný a vykazuje rovinnost pod 10 .mi.m; má tloustku pod 0,8 mm; má krystalografickou orientaci &lt;100> nebo &lt;111>; a má strední hodnotu mikrodrsnosti R.sub.a.n.povrchu mensí nez 0,6 nm na funkcní odrazové plose. Kazdý takovýto monokrystalický výchozí kremíkový plátek (1) se zahrívá z teploty okolí na tvarovací teplotu v rozmezí 1200 az 1400 .degree.C s výdrzí na konstantní teplote po dobu 1 minuty az 6 hodin a poté se ochladí, coz se provádí v ochranné atmosfére s parciálním tlakem kyslíku v rozmezí 1.10.sup.-8.n.Pa az 21 kPa nebo v ochranné atmosfére samotného cistého vodíku. Po celou tuto dobu na výchozí kremíkový plátek (1) pusobí prítlacnou silou v rozpetí 1 az 200 N, az se dosáhne presného finálního výsledného optického tvaru funkcní odrazové plochy výsledného kremíkového plátku (10) s odchylkou od pozadovaného tvaru pod 20 .mi.m a se strední hodnotou mikrodrsnosti R.sub.a.n.povrchu pod 1,0 nm.
Output (English): The thermoforming is carried out by plastic deformation from the monocrystalline starting silicon wafer (1), wherein each starting silicon wafer (1) is prepared from a material that is pre-doped with at least one element from the group consisting of boron, phosphorus, arsenic, antimony, in the amount from 0 to 2.0.10.sup.2.times.atom in one cm.sup.3 of material of monocrystalline starting silicon wafer (1). Each silicon wafer wafer (1) is planar and has a flatness below 10 µm; having a thickness of less than 0.8 mm; has crystallographic orientation &lt; 100> or &lt;111>; and has a mean micro-roughness of less than 0.6 nm on a functional reflective surface. Each such monocrystalline starting silicon wafer (1) is heated from ambient temperature to a forming temperature in the range of 1200 to 1400 degC with a constant temperature for 1 minute to 6 hours and then cooled to a protective atmosphere. partial pressure of oxygen in the range of 1.10 s.-8.n.Pa to 21 kPa or in the protective atmosphere of pure hydrogen alone. Throughout this time, the initial silicon wafer (1) is subjected to a compressive force in the range of 1 to 200 N, resulting in an accurate final resultant optical shape of the functional reflective surface of the resulting silicon wafer (10) with a deviation from the desired shape below 20 µm. the mean micro-roughness value of R.sub.2.sub.2.sub.2.sub.2.m.