Task: Translation
Input (Czech): Řešení  se  týká  způsobu  výroby  výko  ­  nové  polovodičové  součástky  w  s  alespoň  jed  ­  ním  přechodem  PN  a  s  alespoň  jedním  ploš  ­  ně  členěným  kontaktem  pro  vedení  proudu.  V  desce  polovodičového  materiálu  je  vytvořena  vnitřní  struktura  polovodičové  součástky.  Jedna  plocha  desky  je  opatřena  celoplošným  kontaktem,  tvořeným  alespoň  dvěma  v  vrstvámi  různých  kovů.  První  vrstva  tlouštky  maximálně  5/um  je  vytvořena  ko  ­  vem  ze  skupiny  nikl/titan,  hliník,  zla  ­  to,  molybden,  wolfram,  £hrom  v  nebo  jejich  silicidy.  Druhá  vrstva  tlouštky  maximálně  8/Um  je  vytvořena  jedním  z  kovů  ze  skupi  ­  ny  stříbro,  nikl,  zlato.  Takto  vytvořený  kontakt  se  rozčlení  s  použitím  například  fotolitografické  techniky,  případně  se  velkoplošná  deska  rozčlení  na  menší  des  ­  tičky.  Deska  nebo  destičky  polovodičové  ­  ho  materiálu  se  neokonatáktovanou  stranou  přitaví  ve  vakuu  nebo  ochranné  atmosféře  při  teplotě  vyšší  než  400  °C  pomocí  mezi-  vrstvy  na  bázi  hliníku  k  molybdenovému  nebo  wolframovému  kotouči.
Output (English): Solution  se  concerns  method  production  výko  #  new  semiconductor  component  w  with  at least  poison  #  him  transition  PN  and  with  at least  one  platform  #  No  structured  contact  for  knowledge  current.  IN  circuit board  semiconductor  material  Yippee  created  internal  structure  semiconductor  component.  One  flat  plates  Yippee  provided  celoplošným  by contact  formed  at least  two  in  layers  different  metals.  First  layer  thickness  at most  5 µm  Yippee  created  ko  #  vem  that  groups  nickel / titanium  aluminium,  bad  #  it,  molybdenum,  tungsten,  £ thunder  in  or  their  silicides.  Second  layer  thickness  at most  8 / Um  Yippee  created  one  from  metals  that  skupi  #  ny  silver,  nickel,  gold.  Thus  created  contact  se  broken  with  use  for example  photolithographic  techniques  possibly  se  large-area  plate  broken  on  smaller  dread  #  tičky.  Plate  or  plates  semiconductor  #  him  material  se  neoconated  aside  it fades  ve  vacuum  or  protective  atmosphere  at  temperature  higher  than  400  ° C  help  between-  layers  on  basis  aluminum  to  molybdenum  or  tungsten  disks.