Task: Translation
Input (Czech): Řešení se týká vícevrstvé silnoproudé  polovodičové součástky s vysokou odolností  proti sepnutí efektem dU/dt.  Podstata řešení spočívá v uspořádání emitorové  vrstvy na obvodu souěástky, kde z  emitorového kontaktu je vymezena oblast  pomocí mezikruží tvořeného dvěma soustřednými  kružnicemi o rozdílu' poloměrů rovném  trojnásobku poloměrů šuntů, přičemž smitorový  kontakt nepřesahuje vně tohoto mezikruzí  více než do vzdálenosti odpovídající  šířce mezikruží, tak že ve vymezené  oblasti není emitorová vrstva souvislá,  ale je rozdělena oblastmi opačného typu  vodivosti na oddělené segmenty, přičemž  plocha každého segmentu splňuje nerovnost  2rD á P( = 5 rDva součet ploch všech  segmentů činí alespoň 60 % plochy vymezené  oblasti.
Output (English): The solution relates to multilayer heavy current  high-resistance semiconductor devices  against switching by dU / dt.  The essence of the solution lies in the emitter arrangement  layers on the perimeter of the component where z  the emitter contact is defined by the area  by means of an annulus formed by two concentric ones  circles of the difference of radii  three times the shunt radii, with the smithy  the contact does not extend outside this annular space  more than the appropriate distance  the width of the annulus so that in the delimited  the area is not continuous,  but it is divided by regions of the opposite type  conductivity to separate segments, with  the area of each segment meets inequality  2rD á P (= 5 rDva sum of all surfaces)  segments is at least 60% of the area bounded  areas.