場效電晶體

大功率 N 溝道場效應電晶體

場效電晶體（field-effect transistor，縮寫：FET）為電晶體的一種，是一種透過電場效應控制電流的電子元件。

它依靠電場去控制導電溝道形狀，因此能控制半導體材料中某種型別載流子的溝道的導電性。場效應電晶體有時被稱為「單極性電晶體」，以它的單載流子型作用對比雙極性電晶體。由於半導體材料的限制，以及曾經雙極性電晶體比場效應電晶體容易製造，場效應電晶體比雙極性電晶體要晚造出，但場效應電晶體的概念卻比雙極性電晶體早。

歷史

場效應電晶體於 1925 年由 Julius Edgar Lilienfeld 和於 1934 年由 Oskar Heil 分別發明，但是實用的器件一直到 1952 年才被製造出來（接面場效電晶體，JFET）。1960 年 Dawan Kahng 發明了金氧半導體場效應電晶體（MOSFET），從而大部分代替了 JFET，對電子行業的發展有著深遠的意義。

原理

電極

一個 n 型 MOSFET 的橫截面

所有的 FET 都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個端，分別大致對應雙極性電晶體的基極（base）、集電極（collector）和發射極（emitter）。除了結型場效電晶體外，所有的 FET 也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個第四端可以將電晶體調製至執行；在電路設計中，很少讓體端發揮大的作用，但是當物理設計一個積體電路的時候，它的存在就是重要的。在圖中柵極的長度（length）L，是指源極和漏極的距離。寬度（width）是指電晶體的範圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長度大得多。長度 1 微米的柵極限制最高頻率約為 5GHz，0.2 微米則是約 30GHz。

這些端的名稱和它們的功能有關。柵極可以被認為是控制一個物理柵的開關。這個柵極可以透過製造或者消除源極和漏極之間的溝道，從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個外加的電壓影響，電子流將從源極流向漏極。體很簡單的就是指柵極、漏極、源極所在的半導體的塊體。通常體端和一個電路中最高或最低的電壓相連，根據型別不同而不同。體端和源極有時連在一起，因為有時源也連在電路中最高或最低的電壓上。當然有時一些電路中 FET 並沒有這樣的結構，比如級聯傳輸電路和串疊式電路。

組成

FET 由各種半導體構成，目前矽是最常見的。大部分的 FET 是由傳統塊體半導體制造技術製造，使用單晶半導體矽片作為反應區，或者溝道。

大部分的不常見體材料，主要有非晶矽、多晶矽或其它在薄膜電晶體中，或者有機場效應電晶體中的非晶半導體。有機場效應電晶體基於有機半導體，常常用有機柵絕緣體和電極。

型別

標準電壓下的耗盡型場效電晶體。從左到右依次依次為：結型場效電晶體，多晶矽金屬 — 氧化物 — 半導體場效電晶體，雙柵極金屬 — 氧化物 — 半導體場效電晶體，金屬柵極金屬 — 氧化物 — 半導體場效電晶體，金屬半導體場效電晶體。

耗盡層,

電子,

空穴,

金屬,

絕緣體. 上方：源極，下方：漏極，左方：柵極，右方：主體。電壓導致通道形成的細節沒有畫出

摻雜 FET（解釋如下）的溝道用來製造 N 型半導體或 P 型半導體。在耗盡模式的 FET 下，漏和源可能被摻雜成不同型別至溝道。或者在提高模式下的 FET，它們可能被摻雜成相似型別。場效應電晶體根據絕緣溝道和柵的不同方法而區分。FET 的型別有：

DEPFET（Depleted FET）是一種在完全耗盡基底上製造，同時用為一個感應器、放大器和記憶極的 FET。它可以用作影像（光子）感應器。
DGMOFET（Dual-gate MOSFET）是一種有兩個柵極的 MOSFET。
DNAFET 是一種用作生物感應器的特殊 FET，它透過用單鏈 DNA 分子製成的柵極去檢測相配的 DNA 鏈。
FREDFET（Fast Recovery Epitaxial Diode FET）是一種用於提供非常快的重啟（關閉）體二極體的特殊 FET。
HEMT（高電子遷移率電晶體，High Electron Mobility Transistor），也被稱為 HFET（異質結場效應電晶體，heterostructure FET），是運用帶隙工程在三重半導體例如 AlGaAs 中製造的。完全耗盡寬頻隙造成了柵極和體之間的絕緣。
IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是一種用於電力控制的器件。它和類雙極主導電溝道的 MOSFET 的結構類似。它們一般用於漏源電壓範圍在 200-3000 伏的執行。功率 MOSFET 仍然被選擇為漏源電壓在 1 到 200 伏時的器件.

ISFET 是離子敏感的場效應電晶體（Ion-Sensitive Field Effect Transistor）, 它用來測量溶液中的離子濃度。當離子濃度（例如 pH 值）改變，透過電晶體的電流將相應的改變。
JFET 用相反偏置的 p-n 結去分開柵極和體。
MESFET（Metal-Semiconductor FET）用一個肖特基勢壘替代了 JFET 的 PN 接面；它用於 GaAs 和其它的三五族半導體材料。
MODFET（Modulation-Doped FET）用了一個由篩選過的活躍區摻雜組成的量子阱結構。
MOSFET 用一個絕緣體（通常是二氧化矽）於柵和體之間。
NOMFET 是奈米粒子有機記憶場效應電晶體（Nanoparticle Organic Memory FET）。
OFET 是有機場效應電晶體（Organic FET），它在它的溝道中用有機半導體。

FET 工作

6.1 柵極電壓對電流的影響

FET 透過影響導電溝道的尺寸和形狀，控制從源到漏的電子流（或者空穴流）。溝道是由（是否）加在柵極和源極的電壓而創造和影響的（為了討論的簡便，這預設體和源極是相連的）。導電溝道是從源極到漏極的電子流。

6.1.1 耗盡模式

在一個 n 溝道 "耗盡模式" 器件，一個負的閘源電壓將造成一個耗盡區去拓展寬度，自邊界侵佔溝道，使溝道變窄。如果耗盡區擴充套件至完全關閉溝道，源極和漏極之間溝道的電阻將會變得很大，FET 就會像開關一樣有效的關閉（如右圖所示，當柵極電壓很低時，導電溝道幾乎不存在）。類似的，一個正的柵源電壓將增大溝道尺寸，而使電子更易流過（如右圖所示，當柵極電壓足夠高時，溝道導通）。

6.1.2 增強模式

相反的，在一個 n 溝道 "增強模式" 器件中，一個正的柵源電壓是製造導電溝道所必需的，因為它不可能在電晶體中自然的存在。正電壓吸引了導體中的自由移動的電子向柵極運動，形成了導電溝道。但是首先，充足的電子需要被吸引到柵極的附近區域去對抗加在 FET 中的摻雜離子；這形成了一個沒有運動載流子的被稱為耗盡區的區域，這種現象被稱為 FET 的閾值電壓。更高的柵源電壓將會吸引更多的電子透過柵極，則會製造一個從源極到漏極的導電溝道；這個過程叫做 "反型"。

6.2 漏極源極電壓對電流的影響

無論是增強模式還是耗盡模式器件，在漏源電壓遠小於柵源電壓時，改變柵極電壓將改變溝道電阻，漏電流將和漏電壓（相對於源極的電壓）成正比。在這種模式下 FET 將像一個可變電阻一樣執行，被稱為 "線性模式" 或 "歐姆模式"。

如果漏源電壓增長了，由於源漏電勢的梯度，它將造成溝道形狀上的一個很大的非對稱改變。在溝道的漏末端，反型區域的形狀變成夾斷（pinched-off）。如果漏源電壓進一步增長，溝道的夾斷點將開始離開漏極，向源極移動。這種 FET 被稱為 "飽和模式"； 一些作者把它稱為 "有源模式"，為了更好的和雙極電晶體操作區對比。 當需要放大的時候一般用飽和模式或者歐姆模式與飽和模式的中間模式。中間模式有時被認為是歐姆或線性模式的一部分，儘管漏電流並不隨著漏電壓大致線性增長。

儘管在飽和模式下，柵源電壓形成的導電溝道不再和源相連，載流子的流動並沒有被禁止。重新考慮 n 溝道器件，耗盡區存在於 p 型體中的導電通道和漏、源區域周圍。如果受到漏源電壓向漏方向的吸引，組成溝道的電子將透過耗盡區自由的從溝道中移走。耗盡區將沒有載流子，而有近似於矽的電阻。任何漏源電壓的增長將增加漏極到夾斷點的距離，相對於耗盡區增加的電阻和加在漏源上的電壓成正比。這種正比的變化造成漏源電流保持相對固定的對漏源電壓的獨立變化，這和線性模式執行有所不同。儘管在飽和模式下，FET 就像一個穩恆電流源而不是電阻，它可以在電壓放大器中大多數有效的運用。在這種情況下，柵源電壓決定了透過溝道的固定電流的大小。

用途

IGBT 在開關內燃機點燃管中有用。快速開關和電壓阻礙能力在內燃機中是非常重要的。

大部分常用的 FET 是金氧半導體場效電晶體。互補式金氧半導體過程技術是現代數字積體電路的基礎。這個過程技術排列了相連成串的 p 溝道 MOSFET 和 n 溝道 MOSFET（通常在提高模式），使得當一個開，另一個則關。

MOSFET 中柵和溝道之間的脆弱絕緣層使得它在操作中容易受到靜電損壞。器件在合適的設計電路中安裝後則通常不成問題。

在 FET 中，當線上性模式下執行，電子能向各個方向流動透過溝道。當器件是特別的（但並不是經常的）從源極到漏極的對稱制造，漏極和源極的名稱變化有時是隨機的。這使得 FET 適合用來開關路程間的模擬訊號（多路技術）。例如，由這一概念，固體混合板就可以被構造出。