RDRAM

Direct Rambus DRAM 或稱 DRDRAM（有時也稱 Rambus DRAM 或 RDRAM）是 Rambus 公司設計製造的一種同步 DRAM。RDRAM 的模組封裝稱為 RIMM（Rambus In-line Memory Module）。

RDRAM 在時脈訊號的上升 (Positive Edge Trigger，PET) 與下降 (Negative Edge Trigger，NET) 都可以進行資料傳輸。由於銷售需要，命名方式為時脈頻率的二倍 (避免與 DDR 記憶體命名方式重複)，400MHz 規格的 Rumbus 被命名為 PC800，提供 1600MB/s 傳輸速率。相比 PC-133 SDRAM 的 1066MB/s 傳輸速率大幅提高（PC-133 SDRAM 工作於 133MHz，使用 64bit 的 168 針 DIMM 插座）。

實際應用

1.1 個人電腦

1999 年發表第一片支援 RDRAM 的主機板。這些產品與 PC800 RDRAM 相容，以 400MHz 頻率工作並具有 1600MB/s 的傳輸速率，使用 184 針的 RIMM 插座。

如果主機板使用雙通道架構的記憶體子系統，則需要將所有記憶體通道都插上 RIMM。16 位元的單通道提供 1 條記憶體通道，32 位元則提供 2 條。因此，在僅支援 16 位元 RIMM 的雙通道主機板上，需要成對安裝 RIMM。而支援 32 位元 RIMM 的雙通道主機板則可以逐條安裝 RIMM。16 位元與 32 位元的 RIMM 不可混插。

1.1.1 模組規格

1.2 電視遊戲主機

Rambus 的 RDRAM 最初在 1996 年的任天堂電視遊戲主機「Nintendo 64」(N64) 上使用。N64 使用 4MB 9Bit 匯流排，工作於 500MHz 的 RDRAM，達到 562.5MB/s 的傳輸速度。受惠於 RDRAM 簡單的設計，N64 得以確保較大的記憶體傳輸速度。而受惠於 RDRAM 狹窄的匯流排寬度，主機板的電路設計師得以使用單純的設計方式降低成本。然而，在隨機存取方面延遲較高的缺點為人所詬病。N64 為 RDRAM 模組使用了一套被動散熱系統。

SONY PlayStation 2 使用 32MB 的 RDRAM 主記憶體，具備雙通道架構可達到 3200MB/s 的傳輸速度。

SONY PlayStation 3 使用 256MB、64bit 匯流排，工作於 400MHz（有效時脈達到 3.2GHz）的 XDR DRAM（RDRAM 的後繼產品），達到 204.8Gbit/s (25.6GB/s) 的高速資料傳輸速率，具有 8 倍於 DDR-400 SDRAM 的傳輸速度。

顯示卡

Cirrus Logic 公司在 Laguna 顯示晶片家族中的兩個產品使用 RDRAM。分別是僅有 2D 的 5462、有 3D 加速的 2D 晶片 5464。使用 16Bit 單通道，提供 600MB/s 的傳輸速度。

該晶片不僅利用 RDRAM 的高傳輸速度，更提供了成本方面的優點。此晶片在創新科技的 Graphics Blaster MA3xx 系列等使用。

效能

與當時的其他記憶體規格相比較，Rambus 由於增加了若干等待時間，以及在發熱和製造上的複雜，導致成本較高。RDRAM 也被批評印模尺寸太大，16M 需要百分之 10-20，64M 需要約百分之 5 的介面，因此需要罰鍰。。

PC800 RDRAM 工作在 45 納秒的等待時間，與當時的 DRAM 技術相比較高的等待時間。RDRAM 的記憶體晶片比 SDRAM 晶片發出更大的熱量，所以所有的 RIMM 皆需要散熱片。RDRAM 每片記憶體晶片皆內建控制器、與北橋晶片上配置單一的記憶體控制器的 SDRAM 相比製造上大幅複雜。RDRAM 由於較高的製造成本和授權費，與 PC-133 SDRAM 相比價格達到了 2-3 倍。

複數 RIMM 在同一個記憶體通道安裝的場合，對效能的影響比 SDRAM 的設計要高，與 SDRAM 的母模式途經 1-2 個晶片相比，RDRAM 在較遠的記憶體模組上晶片必須要經過近乎與記憶體控制器物理配置相當的所有記憶體晶片。

最普通的 Rambus 記憶體控制器的設計，是將記憶體模組成對安裝做為前提。剩下未使用的記憶體插座必須安裝 CRIMM。追加的 CRIMM 模組並不會增加記憶體的容量，只是為了不使主機板上的訊號發生反射而傳達的相對於終端抵抗的訊號。

伴隨 Intel 840（Pentium III）、Intel 850（Pentium 4）, Intel 860（Pentium 4 Xeon）晶片組的登場，Intel 增加了 32bit 雙通道 PC800 RDRAM 的支援。隨後，i850E 晶片組匯入了 PC1066 RDRAM，雙通道時的合計傳輸速度擴大到 4264MB/s。

2000 年登場的 PC-2100 DDR SDRAM 工作於 133MHz，有效時脈 266MHz，使用 184 針 DIMM 插座的 64bit 匯流排提供 2100MB/s 的效能。

2002 年，Intel 釋出了 E7205 Granitebay 晶片組。匯入了雙通道 DDR 記憶體，同與之競爭的 RDRAM 相比，可以在更低的等待時間下，提供 4200MB/s 的合計傳輸速度。

3.1 基準測試

RDRAM 為了達到 800MHz 的速度，與擁有 64bit 匯流排的現代 SDRAM DIMM 不同，記憶體模組只可以工作在 16bit 匯流排下。然而，Intel 820 登場時的 RDRAM 模組只能工作在較慢的時脈，所有產品都無法工作在 800MHz。

1998 年的基準測試中，大部分的應用程式在 RDRAM 下速度偏低。RDRAM 使用 UMA 比 SDRAM 產品相比僅僅是高速，Intel 820 並不是低階產品，更沒有開發使用 RDRAM 的低階製品。因此，RDRAM 對於終端使用者來說沒有優勢 。

1999 年，使用 Intel 840, Intel 820, Intel 440BX 的基準測試中，由於使用 Rambus 晶片組而獲得效能提高的，除了工作站用途之外，與 440BX 晶片組和 PC-133 SDRAM 相比，價錢的大幅提高並不正常。。

2002 年，單通道 DDR SDRAM 模組和 SiS648 組合時，實際的應用程式效能與雙通道 1066MHz RDRAM 和 Intel 850E 的架構相抗衡。。

此後更有可使用雙通道的 DDR400 SDRAM 模組的晶片組登場。

PC 市場上的 RDRAM

1996 年 11 月，Rambus 與 Intel 簽訂了開發與授權協議。

在與 DDR SDRAM 比較中認識了 RDRAM 的優越性後，Intel 對於 Wintel 開發社群發表了自公司微處理器僅會支援 Rambus 記憶體介面的宣告，Intel 獲取了 Rambus 公司以每股 10 美元 100 萬股股票的購買權。

1998 年，Intel 為了加速 Direct RDRAM 的匯入，計劃了對 Micron Technology 進行 5 億美元的資本投資。作為額外的投資，還有 1999 年支付給 Samsung 的 1 億美元等。

應對記憶體過渡時期，Intel 在 Intel 82x 晶片組上使用 Memory Transfer Hub (MTH) 以支援 PC-133 SDRAM DIMM。2000 年，由於 MTH 在同時交換時，發生了不明原因的停止工作，突發重新啟動的電氣噪音，Intel 召回了搭載 MTH 的 Intel 820 主機板。從此，Intel 820 主機板沒有再搭載過 MTH。

2000 年，Intel 將零售的 Pentium 4 CPU 與兩支 RIMM 配套發售，援助 RDRAM。然而，Intel 在翌年的 2001 年起逐漸停止了對 Rambus 的支援。

2003 年，Intel 釋出了 Intel 865 和 Intel 875 晶片組，作為取代 Intel 850 的高階晶片組產品。此外，未來的記憶體發展計劃 (roadmap) 中並未包含 Rambus。

幾乎沒有 DRAM 生產廠商取得了 RDRAM 的生產許可證，而取得了技術許可證的公司就連僅僅生產滿足市場需要的 RIMM 也失敗了，在記憶體價格高漲的 2002 年 RIMM 也設定了較 SDRAM DIMM 高的價格。