格芯

foundation = 2009 年 3 月 2 日

location = 紐約馬爾他 (紐約州)

key_people = Thomas Caulfield（CEO）

industry = 半導體晶圓廠 |

products = 晶圓 |

revenue = 44 億美元（2014 年）

operating_income =

net_income =

num_employees = 18,000

parent =

subsid =

homepage =

font used for the logo =

footnotes =

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格芯（又譯格羅方德；GlobalFoundries Inc.，簡稱 GF 或 GloFo）是一家總部位於美國加利福尼亞州聖克拉拉的半導體晶圓代工公司。該公司最初從超微半導體的製造部門獨立而出，目前為世界第五大專業晶圓代工廠，僅次於臺積電、三星電子、中芯國際及聯電。

2021 年 10 月 28 日，公司在那斯達克綜合指數上市。

歷史

格羅方德成立於 2009 年 3 月 2 日，由美國 AMD 公司拆分其製造業務部門組建而成。母公司分別為 AMD 及阿布達比主權財富基金旗下的先進技術投資公司（Advanced Technology Investment Company；簡稱 ATIC），其中 ATIC 佔公司股權 65.8%，兩公司均享有均等投票權。

2010 年 1 月 13 日，格羅方德收購新加坡特許半導體。

2011 年 3 月 6 日，ATIC 以 4.25 億美元收購 AMD 擁有的格羅方德半導體股份餘下的 8.8% 的股份，成為一家獨立的晶片製造商，使得 ATIC 成為格羅方德的唯一持股者。

2013 年，位於美國紐約州的八廠投入運營。AMD 對該廠擁有 14% 的股份。

2014 年 10 月 20 日，IBM 正式宣佈邀請格羅方德收購其晶片製造業務。

2016 年 5 月 31 日，宣佈將與重慶官方合資設立 12 吋晶圓廠，由重慶市官方提供土地與中國中航航空電子系統的廠房，而格羅方德則負責技術升級，將現有的 8 吋晶圓廠升級為 12 吋晶圓。

2017 年 2 月 10 日，宣佈在中國四川省成都高新區建造 12 吋晶圓生產專案，投資規模預計超過 100 億美元，將成為中國西南部首條 12 吋晶圓生產線。

2017 年 8 月 15 日，宣佈採用高效能14奈米 FinFET 製程技術的 FX-14 特定應用積體電路（ASIC）整合設計系統，進入先進晶圓封裝的領域。

2018 年 8 月 28 日，宣佈將無限期暫停 7 奈米製程研發，將人力物力轉至 14 與 12 奈米製程研發上。

2018 年 10 月取消佔地 1000 多畝的 180nm/130nm 專案投資後，格芯於 2020 年 5 月，釋出通告，成都工廠遣散員工並停工停業。

2019 年 1 月 31 日，以 2.36 億美元的價格將新加坡的 Fab 3E 8 英寸晶圓廠賣給世界先進。

2019 年 4 月 23 日，以 4.3 億美元的價格將美國紐約州的 12 吋 Fab 10 晶圓廠賣給安森美半導體。

2019 年 5 月 22 日，以 7.4 億美元的價格將旗下 ASIC 子公司 Avera Semiconductor 賣給 Marvell。

2019 年 8 月 14 日，將光罩業務賣給日本凸版公司。

2019 年 10 月 1 日，臺積電對美國、德國和新加坡的 GlobalFoundries 提起專利侵權訴訟。臺積電（TSMC）聲稱 GlobalFoundries 的 12 nm、14 nm、22 nm、28 nm 和 40 nm 節點侵犯了其 25 項專利。臺積電和 GlobalFoundries 於 2019 年 10 月 29 日宣佈了爭端解決方案。兩家公司同意為其所有現有半導體專利以及將在未來十年內申請的新專利授予新的專利壽命交叉許可。。

2020 年 5 月，格芯釋出通告，成都工廠遣散員工並停工停業。

2021 年 10 月 4 日，全球半導體設計商和製造商 GlobalFoundries 週一向美國證券交易委員會提交了 IPO 申請，希望透過首次公開募股籌集至多 10 億美元（佔位符，我們預計可能募集 20 億美金）。 GlobalFoundries 計劃在納斯達克上市，程式碼為 GFS。 GlobalFoundries 於 2021 年 8 月 9 日秘密提交了申請。 Morgan Stanley、 BofA Securities、J.P. Morgan、Citi、Credit Suisse、 Deutsche Bank、 HSBC、 and Jefferies 是該交易的聯合賬簿管理人。

2022 年 11 月 8 日，公佈第三季營收、獲利均創歷史新高後，於當周宣佈年底將裁員

製造廠區

公司除會生產 AMD 產品外，也有其他公司，如 IBM、安謀國際科技（ARM）、博通（Broadcom）、英偉達（NVIDIA）、高通（Qualcomm）、意法半導體（STMicroelectronics）、德州儀器（TI）等晶圓代工製造業務的合作。現時投產中的晶圓廠，12 吋的位於德國德累斯頓的一廠（Fab 1，即原 AMD 的 Fab 36 和 Fab 38），位於美國紐約州中馬爾他（Malta）的八廠 (Fab 8）和 East Fishkill 的十廠（Fab10）（原為 IBM 的 Building 323），以及位於新加坡的七廠（Fab 7）。八吋廠的二廠三廠五廠（Fab 2、3、5）位於新加坡，九廠（Fab9）位於美國佛蒙特州的。

2.1 300 毫米（12 吋）晶圓工廠

Fab 1：位於德國德勒斯登，佔地 364,512 平方公尺，是由原 AMD 最早的晶圓廠 Fab 36 和 Fab 38 合併而來，格羅方德成立以後這裡就改名為 Fab 1 - Module 1，後來也將就近的原 AMD Fab 30 也合併至 Fab 1 - Module 2 廠區，每個廠區 300 毫米晶圓的產能可達每月可產出 25,000 塊以上。Module 1 廠區主要以 40 奈米、28 奈米 BULK 製程工藝和 22 奈米 FDSOI 製程工藝為主；Module 2 廠區原本以製造 200 毫米晶圓為主，後來也轉為製造 300 毫米晶圓，以 45 奈米及更老的製程為主。2016 年 9 月格羅方德宣佈 Fab 1 的 12 奈米 FDSOI 製程工藝已經流片成功。預計 2019 年上半年可接收訂單進行量產。
Fab 7：位於新加坡兀蘭，收購新加坡的而來。本廠以 130 奈米至 40 奈米製程、BULK 和 SOI 工藝為主，每月的晶圓產能可達 50,000 塊 / 300 毫米晶圓（或 112,500 塊 / 200 毫米晶圓）。
Fab 8：位於美國紐約馬耳他薩拉託加的，自 2009 年 6 月開始興建，2012 年投入生產，是格羅方德自 AMD 分離以後興建的廠區裡面最大也是最新進的，主要製造 300 毫米晶圓，以 14 奈米製程節點、FinFET 工藝為主。每月的晶圓產量可達 60,000 塊 / 300 毫米晶圓（或 135,000 塊 / 200 毫米晶圓），以 28 奈米製程和 14 奈米製程為主，其中 14 奈米製程的技術是與三星電子旗下的晶圓廠合作。2016 年 9 月，格羅方德宣佈為該廠投入數十億美元開發 7 奈米製程，採用 FinFET、極紫光刻工藝，並預計 2018 年下半年可投產。
Fab 10：位於美國紐約東菲什基爾，前 IBM 的 Building 323，由收購 IBM 微電子事業部而來，以 22 奈米節點工藝為主。2019 年 4 月，安森美半導體宣佈收購 Fab 10。
Fab 11：位於中國大陸四川成都，目前已停產停工。原本預計 2018 年可投入生產，產能預計每月 20,000 塊，遠期計劃達到 85,000 塊 / 月。 目前，因為市場不如預期， 已經停工停產；被員工爆料晶圓廠內根本沒有裝置。並未引進 FD-SOI 的 22nm 製程，只能做 40 nm 製程；目前這座 12 吋廠只有進行到第一期工程結束，廠內都是使用從新加坡廠轉移過來的技術跟裝置，該新加坡廠是 2010 年收購的特許半導體旗下的晶圓廠，留下的都是一些老舊、甚至已經淘汰的二手裝置。受制於這些裝置與技術，這座 12 吋廠實務上只能作到 40 nm 的製程，而且產線人員也才剛送到新加坡進行培訓結束 —— 該晶圓廠根本尚未開始、也無法進行量產；第二期工程產量為每月 88,000 塊（2019 年，FDSOI）， 有業務團隊， 等客戶群夠 ，就會將機臺 move in；FD-SOI （Fully-Depleted Silicon-On Insulator）製程與主流的 FinFET（Fin Field-Effect Transistor）製程都是半導體產業中可量產的電晶體技術，其中 FinFET 元件主要用於高效能元件，像是 GPU 和 CPU，例如臺積電的主流製程均採用 FinFET；而 FD-SOI 相對優勢為低功耗、低製程成本與易於整合。

2.2 200 毫米（8 吋）晶圓工廠

除了 Fab 9，其餘的均為收購特許半導體而來。

Fab 2：位於新加坡兀蘭。本廠以 600 至 350 奈米製程為主，代工產品以汽車電子 IC、大功率高電壓 IC 以及類比 - 數位混合訊號 IC 為主。
Fab 3 和 Fab 5：位於新加坡兀蘭。本廠以 350 奈米至 180 奈米製程為主，代工產品主要是小型顯示面板驅動器的高電壓 IC、行動型電源管理模組。
Fab 3E：位於新加坡淡濱尼。本廠主要製造 180 奈米製程的晶圓，代工產品以汽車電子 IC、高電壓電源管理 IC 和帶有非易失性記憶體的嵌入式混合訊號 IC 為主，2019 年出售給世界先進。
Fab 6：位於新加坡兀蘭。本廠主要製造 180 奈米製程的晶圓，代工產品以高整合度 CMOS 元件和射頻 CMOS（RFCMOS）產品為主，像是 Wi-Fi、藍牙控制晶片。
Fab 9：位於美國費蒙特伯靈頓，由收購 IBM 微電子事業部而來。本廠以 90 奈米節點工藝為主，7 奈米製程工藝也在本廠開發部署；本廠有一個自有、開放第三方客戶代工業務的，也是佛蒙特州最大的私人僱主。